【事件の表示】
　特願２００１−４００８１３「薄膜トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１１日出願公開、特開２００３−１９７６３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
本願は、平成１３年１２月２８日の出願であって、平成１９年６月１３日付けで手続補正がなされ、同年７月１２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年８月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２７日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年１２月１８日付けで審尋がなされ、平成２２年１月２８日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年８月２７日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年８月２７日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容 
  平成１９年８月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び２を、補正後の特許請求の範囲の請求項１及び２に補正するとともに、明細書の０００７段落及び０００８段落について補正を行うものであり、そのうちの補正前後の特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極をこの順で備え、チャネル長方向に沿うゲート電極の両側の半導体層の一方側にゲート電極側からＬＤＤ領域を介してソース領域を、他方側にゲート電極側からＬＤＤ領域を介してドレイン領域を備え、ゲート電極、ＬＤＤ領域、ソース領域及びドレイン領域を覆う層間絶縁膜を備え、ゲート絶縁膜がゲート電極下にのみ位置し、ゲート電極、ＬＤＤ領域、ソース領域及びドレイン領域に接する層間絶縁膜が、同一の工程で形成された絶縁膜であり、ＬＤＤ領域のチャネル長方向に沿う長さが、ゲート電極に接する層間絶縁膜の厚さと同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
（補正後）
「【請求項１】　半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極をこの順で備え、チャネル長方向に沿うゲート電極の両側の半導体層の一方側にゲート電極側からＬＤＤ領域を介してソース領域を、他方側にゲート電極側からＬＤＤ領域を介してドレイン領域を備え、ゲート電極、ＬＤＤ領域、ソース領域及びドレイン領域を覆う層間絶縁膜を備え、ゲート絶縁膜がゲート電極下にのみ位置し、ゲート電極、ＬＤＤ領域、ソース領域及びドレイン領域に接する層間絶縁膜が、同一の工程で形成された絶縁膜であり、ＬＤＤ領域のチャネル長方向に沿う長さが、ゲート電極側面に接する層間絶縁膜の厚さと同一であり、ソース領域及びドレイン領域が層間絶縁膜を介するイオン注入により形成された領域であり、層間絶縁膜がスパッタ法、常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法及びリモートプラズマＣＶＤ法から選択される方法で成膜された膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
（２）補正事項の整理
（補正事項１）
　補正前の請求項１における「ＬＤＤ領域のチャネル長方向に沿う長さが、ゲート電極に接する層間絶縁膜の厚さと同一である」を、「ＬＤＤ領域のチャネル長方向に沿う長さが、ゲート電極側面に接する層間絶縁膜の厚さと同一であり」と補正したこと。
　
（補正事項２）
　補正前の請求項１に、「ソース領域及びドレイン領域が層間絶縁膜を介するイオン注入により形成された領域であり、」という事項を追加したこと。
　
（補正事項３）　
　補正前の請求項１に、「層間絶縁膜がスパッタ法、常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法及びリモートプラズマＣＶＤ法から選択される方法で成膜された膜である」という事項を追加したこと。
　
（３）新規事項の追加の有無についての検討
　上記補正事項１ないし３のうち、補正事項３について検討する。
　
（３−１）補正後の請求項１の「ゲート絶縁膜」及び「層間絶縁膜」は、本件明細書の発明の実施の形態における「ゲート絶縁膜６１’」及び「第一の層間絶縁膜６２」に対応するものと認められる。
　
（３−２）一方、本願の願書に最初に添付した明細書には、「ゲート絶縁膜６１’」及び「第一の層間絶縁膜６２」の製造方法に関して、
「【００１２】（実施の形態１）・・・」
「【００１４】次に、図２（ｂ）に示すように、半導体層３をエッチングすることにより島状に形成してもよい。その後、半導体層３の上にゲート絶縁膜形成用の絶縁膜６１を成膜する。この絶縁膜６１は、例えば、スパッタ法、常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、リモートプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。この実施の形態では、膜厚５〜１５０ｎｍのＳｉＯ2膜を絶縁膜６１として形成した。その他、絶縁膜６１は窒化シリコン膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニウム膜等でもよい。
【００１５】次に、図２（ｃ）に示すようにチャネル領域に対応する絶縁膜上にゲート電極８を形成する。・・・」
「【００１７】次に、図２（ｅ）に示すようにゲート電極８をマスクとして絶縁膜６１をエッチングすることでゲート絶縁膜６１’を形成する。
【００１８】次に、図２（ｆ）に示すように、半導体層３とゲート電極８を覆う第一の層間絶縁膜６２を成膜する。この実施の形態では、膜厚５〜１５０ｎｍのＳｉＯ2膜を第一の層間絶縁膜６２として形成した。・・・」
「【００２１】（実施の形態２）本実施の形態において、図２（ｃ）までは実施の形態１と共通なので、ここでの説明は省略する。次に、ゲート電極８をマスクとして絶縁膜６１をエッチングしてゲート絶縁膜６１’を形成することで図３（ａ）に示す構成を得る。」
「【００２３】次に、図３（ｂ）に示すように、半導体層３とゲート電極８を覆う第一の層間絶縁膜６２を成膜する。この実施の形態では、膜厚５〜１５０ｎｍのＳｉＯ2膜を第一の層間絶縁膜６２として形成した。・・・」
「【００２６】以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、上記実施の形態においては、不純物が高濃度に導入された高キャリア濃度領域５ｂをｎ＋、不純物が低濃度に導入されたＬＤＤ領域５ｃをｎ−としてＮ型薄膜トランジスタについて説明したが、Ｐ型薄膜トランジスタにも同様に適用することができる。また、不純物１００と１０１のドーパントは任意に選んでよい。また、絶縁膜６１と第一の層間絶縁膜６２を構成する絶縁膜材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化アルミニウム等、種々の絶縁膜材料を用いることができる。絶縁膜６１及び第一の層間絶縁膜６２の膜厚、チャネル長Ｌ、半導体層の幅Ｗ等、薄膜トランジスタの各部分のサイズも用途によって適宜変更することができる。」と記載されており、「ゲート絶縁膜形成用の絶縁膜６１」の製造方法については、「例えば、スパッタ法、常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、リモートプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる」と記載されているものの、「第一の層間絶縁膜６２」の製造方法については、何ら記載されていない。
　そして、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）全体を参照しても、「第１の層間絶縁膜６２」と「絶縁膜６１」とが同一のプロセスで成膜されることは、記載を示唆もされておらず、かつ、一般にゲート絶縁膜と層間絶縁膜とを同一のプロセスで成膜するという技術常識も存在しないから、「絶縁膜６１」が「スパッタ法、常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、リモートプラズマＣＶＤ法等により成膜」されていること、「絶縁膜６１」及び「第一の層間絶縁膜６２」が、ともに「膜厚５〜１５０ｎｍのＳｉＯ2膜」であることをもって、「第一の層間絶縁膜６２」も、「スパッタ法、常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、リモートプラズマＣＶＤ法等により成膜」されることが自明であるととはいえない。
　
（３−３）したがって、本件補正のうち、補正前の請求項１に、「層間絶縁膜がスパッタ法、常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法及びリモートプラズマＣＶＤ法から選択される方法で成膜された膜である」という事項を追加した補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであり、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　以上、検討したとおりであるから、他の補正事項について検討するまでもなく、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１９年８月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１９年６月１３日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
（４−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成４年８月２７日に頒布された刊行物である特開平４−２３９７３１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において、特に強調する点に付与したものである。以下同様。）
　
「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決するために、半導体層上にゲート絶縁膜とゲート電極を形成し、全体を薄く絶縁膜で覆い、少なくともゲート絶縁膜及びゲート電極の側壁部に絶縁膜を固着させた状態で半導体層にイオンを打込み、
ドレイン領域を所定のイオン濃度とすると共にドレイン領域のゲート電極側をドレイン領域より低いイオン濃度にした
【０００６】
【作用】上記手段により、少なくともゲート絶縁膜及びゲート電極の側壁部に絶縁膜を固着させた状態で半導体層にイオンを打込むことにより、１回のイオン打込みでドレイン領域を所定のイオン濃度とすると共にドレイン領域のゲート電極側をドレイン領域より低いイオン濃度にしたＬＤＤ構造にできる。
【０００７】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。図１〜図３は本発明の一実施例の製造工程図であり、以下工程順に説明する。
【０００８】まず、図１に示すように、
ガラス等の絶縁基板２１上にプラズマＣＶＤを用いてａ−Ｓｉを５００オングストローム程度成膜し、この膜上に、ＸｅＣｌエキシマレーザ等を照射することにより、前記ａ−Ｓｉをアニールし、ポリシリコン２２を形成する。
【０００９】次に、スパッタにより、
前記ポリシリコン２２上にＳｉＯ
2 
等よりなるゲート絶縁膜を１０００オングストローム程度の厚さに成膜し、続いて、前記ＳｉＯ
2
上にアルミニウム等からなるゲート電極を３０００オングストローム程度成膜し、両層をエッチングによりパターニングしてゲート絶縁膜２４およびゲート電極２３を形成する。
【００１０】この後、図２に示すように、
ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）を用いて、前記絶縁基板２１，ポリシリコン２２，ゲート電極２３及びゲート絶縁膜２４上にＳｉＯ
2 
からなる絶縁膜２５を３００オングストローム程度形成する。
　Ｓｉ（ＯＨ）4 →ＳｉＯ2 ＋２Ｈ2 Ｏ↑
【００１１】の化学反応でＳｉＯ2 を成分とする絶縁膜２５が形成される。この場合、水酸化シリコンを希釈して低濃度として、ポリシリコン２２，ゲート電極２３及びゲート絶縁膜２４上に回転塗布することにより、ゲート電極２３及びゲート絶縁膜２４の側壁部に所望の厚さに形成される。この場合、図２に示される如く、ゲート電極２３とゲート絶縁膜の側壁部に固着される垂直部分２５Ａと、その外側でポリシリコン２２の表面上に固着される水平部分２５Ｂが形成されるようにすることが重要である。
【００１２】この状態で、
絶縁膜２５上からポリシリコン２２にリンイオンＰ　を加速電圧３０ＫＶ，１×１０
15
／ｃｍ
2 
で打込む。この場合、絶縁膜２５の垂直部分２５Ａに対応する部分ではポリシリコン２２にリンイオンＰ　が到達しにくく、リンイオンＰ　の濃度が１×１０
15
／ｃｍ
2 
より低い低濃度領域ｎ
- 
となり、絶縁膜２５の水平部分２５Ｂに対応する部分ではポリシリコン２２にリンイオンＰ　 が到達し易い為、リンイオンＰ　の濃度が略１×１０
15
／ｃｍ
2 
の高濃度領域ｎ　となる。
「【００１５】又、ＳＯＧにより絶縁膜２５を形成することにより、ゲート付近の段差が滑らかになり、ソース電極，ドレイン電極が、ゲート電極上部を乗り越えるところのステップカバレジが改善され、ソース電極，ドレイン電極が断線し難くなり、歩留まりが向上する。なお、
上記実施例では、ＴＦＴの場合で説明したが、この発明は単結晶半導体装置にも適用できるものである。
　
（４−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ポリシリコン２２と、前記ポリシリコン２２上に形成されたゲート絶縁膜２４およびゲート電極２３と、
ドレイン領域を所定のイオン濃度とすると共にドレイン領域のゲート電極側をドレイン領域より低いイオン濃度にしたＬＤＤ構造と、
ポリシリコン２２、ゲート電極２３及びゲート絶縁膜２４上に、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）を用いて形成された絶縁膜２５とからなるＴＦＴ。」
　
５．対比・判断
（５−１）刊行物発明における「ポリシリコン２２」、「ゲート絶縁膜２４」、「ゲート電極２３」及び「ＴＦＴ」は、本願発明の「半導体層」、「ゲート絶縁膜」、「ゲート電極」及び「薄膜トランジスタ」にそれぞれ相当する。
　
（５−２）引用刊行物の「・・・ドレイン領域を所定のイオン濃度とすると共にドレイン領域のゲート電極側をドレイン領域より低いイオン濃度にしたＬＤＤ構造にできる。」（【０００６】）という記載から、刊行物発明の「ドレイン領域」は、チャネル長方向に沿う「ゲート電極」の両側の「ポリシリコン２２」の一方側に「ゲート電極」側から「ＬＤＤ構造」を介して形成されていることは明らかである。また、引用刊行物の「・・・前記低濃度領域ｎ- および高濃度領域ｎ　からなるソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄ・・・」（【００１２】）という記載及び図２からみて、刊行物発明の「ソース領域」も、チャネル長方向に沿う「ゲート電極」の両側の「ポリシリコン２２」の他方側に「ゲート電極」側から「ＬＤＤ構造」を介して形成されていることは明らかである。そして、刊行物発明の「ＬＤＤ構造」は、本願発明の「ＬＤＤ領域」に相当する。
　
（５−３）引用刊行物の「・・・絶縁膜２５上からポリシリコン２２にリンイオンＰ　を・・・打込む。この場合、絶縁膜２５の垂直部分２５Ａに対応する部分では・・・低い低濃度領域ｎ- となり、絶縁膜２５の水平部分２５Ｂに対応する部分では・・・高濃度領域ｎ　となる。・・・前記低濃度領域ｎ- および高濃度領域ｎ　からなるソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄ・・・」（【００１２】）という記載からみて、引用発明の「絶縁膜２５」が「ＬＤＤ構造」、「ソース領域」及び「ドレイン領域」を覆っていることは明らかである。そして、「絶縁膜２５」は、一回の工程、すなわち「同一工程」で形成されていることも明らかである。　
　
（５−４）引用刊行物の「・・・前記ポリシリコン２２上にＳｉＯ2 等よりなるゲート絶縁膜を・・・成膜し、続いて、前記ＳｉＯ2上に・・・ゲート電極を・・・成膜し、両層をエッチングによりパターニングしてゲート絶縁膜２４およびゲート電極２３を形成する。」（【０００９】）という記載からみて、引用発明の「ゲート絶縁膜２４」が「ゲート電極２３」の下にのみ位置していることは明らかである。
　
（５−５）すると、本願発明と刊行物発明とは、
「半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極をこの順で備え、チャネル長方向に沿うゲート電極の両側の半導体層の一方側にゲート電極側からＬＤＤ領域を介してソース領域を、他方側にゲート電極側からＬＤＤ領域を介してドレイン領域を備え、ゲート電極、ＬＤＤ領域、ソース領域及びドレイン領域を覆う層間絶縁膜を備え、ゲート絶縁膜がゲート電極下にのみ位置し、ゲート電極、ＬＤＤ領域、ソース領域及びドレイン領域に接する層間絶縁膜が、同一の工程で形成された絶縁膜である薄膜トランジスタ。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
（相違点）本願発明では、「ＬＤＤ領域のチャネル長方向に沿う長さが、ゲート電極に接する層間絶縁膜の厚さと同一である」のに対して、刊行物発明では、そのような特定はなされていない点。
　
（５−６）上記形式上の相違点について、以下、検討する。
　本願の明細書には、「ゲート電極に接する層間絶縁膜の厚さ」について、明確な定義がなされていないが、「次に、図２（ｆ）に示すように、半導体層３とゲート電極８を覆う第一の層間絶縁膜６２を成膜する。この実施の形態では、膜厚５〜１５０ｎｍのＳｉＯ2膜を第一の層間絶縁膜６２として形成した。その後、自己整合的に不純物イオン１０１を注入し、半導体層３にソース領域及びドレイン領域である高キャリア濃度領域５ｂを形成する。
この時、ゲート電極８の横の第一の層間絶縁膜６３の下の半導体層部分には不純物イオン１０１が注入されないのでＬＤＤ領域５ｃが形成される。
　一方、引用刊行物には、「この状態で、絶縁膜２５上からポリシリコン２２にリンイオンＰ　を加速電圧３０ＫＶ，１×１０15／ｃｍ2 で打込む。この場合、
絶縁膜２５の垂直部分２５Ａに対応する部分ではポリシリコン２２にリンイオンＰ　が到達しにくく、リンイオンＰ　の濃度が１×１０
15
／ｃｍ
2 
より低い低濃度領域ｎ
- 
となり、
　したがって、引用発明においても、「ＬＤＤ構造」の「チャネル長方向に沿う長さ」が、「ゲート電極に接する絶縁膜２５の厚さ」と「同一」であるものと認められる。
　したがって、当該相違点は、実質的なものでない。
　
（５−７）
　よって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であると認められるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。