【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の課題を解決するため、本発明のプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置においては、次のような技術的手段を講じた。すなわち、
（１）処理室内でＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉの中から少なくとも一つの元素を含有する磁性膜をＣ元素及びＯ元素を含有するガスを用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、パルス変調されたプラズマにより前記磁性膜をエッチングし、前記パルス変調の振幅が高い期間にプラズマ生成ガスを前記処理室内に供給し、前記パルス変調の振幅が低い期間は、第一の期間と第二の期間と第三の期間とを有し、前記第一の期間は、電子温度が緩和する期間であるとともに前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスが前記処理室内に供給されない期間であり、前記第二期間は、前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスが前記処理室内に供給される期間であり、前記第三の期間は、前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスが前記処理室内に供給されない期間とした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（２）上記のプラズマエッチング方法において、前記第一の期間は、１μｓ以上であり、前記第三の期間は、１ｍｓ以上５０ｍｓ以下とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（３）上記のプラズマエッチング方法において、前記第二の期間に前記プラズマ生成ガスをさらに前記処理室内に供給するようにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（４）上記のプラズマエッチング方法において、前記第二の期間に供給される前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスの量は、時間とともに変化するようにした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（５）上記のプラズマエッチング方法において、前記プラズマ生成ガスは、Ｈｅガス、ＡｒガスまたはＸｅガスの中で少なくともいずれか一つのガスとした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（６）上記のプラズマエッチング方法において、前記第二の期間にＨ２ガスまたはＮＨ３ガスをさらに前記処理室内に供給するようにした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（７）上記プラズマエッチング方法において、前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスとして、ＣＯ、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、Ｃ３Ｈ７ＯＨ、ＣＯ２を用いた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（８）上記プラズマエッチング方法において、前記パルス変調の低い振幅は、前記パルス変調の高い振幅の１／１０以下にした。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（９）処理室内でＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉの中から少なくとも一つの元素を含有する磁性膜をＣ元素及びＯ元素を含有するガスを用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング装置において、プラズマを生成するためのアンテナに印加する電力をパルス変調するパルス変調手段と、前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスを前記真空容器内に導入する導入通路に設けた第１の流量制御バルブの開度を制御するガスコントローラーとを設け、前記パルス変調手段により変調されたアンテナ電力が高いときには、前記第１の流量制御バルブの開度を抑制するとともに、アンテナ電力が低いときには、前記第１の流量制御バルブの開度を増大するよう、前記パルス変調手段とガスコントローラーとを同期させた。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内でＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉの中から少なくとも一つの元素を含有する磁性膜をＣ元素及びＯ元素を含有するガスを用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
パルス変調されたプラズマにより前記磁性膜をエッチングし、
前記パルス変調の振幅が高い期間にプラズマ生成ガスを前記処理室内に供給し、
前記パルス変調の振幅が低い期間は、第一の期間と第二の期間と第三の期間とを有し、
前記第一の期間は、電子温度が緩和する期間であるとともに前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスが前記処理室内に供給されない期間であり、
前記第二期間は、前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスが前記処理室内に供給される期間であり、
前記第三の期間は、前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスが前記処理室内に供給されない期間であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第一の期間は、１μｓ以上であり、前記第三の期間は、１ｍｓ以上５０ｍｓ以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第二の期間に前記プラズマ生成ガスをさらに前記処理室内に供給することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第二の期間に供給される前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスの量は、時間とともに変化することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記プラズマ生成ガスは、Ｈｅガス、ＡｒガスまたはＸｅガスの中で少なくともいずれか一つのガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第二の期間にＨ２ガスまたはＮＨ３ガスをさらに前記処理室内に供給することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項７】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスとして、ＣＯ、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、Ｃ３Ｈ７ＯＨ、ＣＯ２を用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項８】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記パルス変調の低い振幅は、前記パルス変調の高い振幅の１／１０以下にすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項９】
処理室内でＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉの中から少なくとも一つの元素を含有する磁性膜をC元素及びＯ元素を含有するガスを用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング装置において、
プラズマを生成するためのアンテナに印加する電力をパルス変調するパルス変調手段と、
前記Ｃ元素及びＯ元素を含有するガスを前記真空容器内に導入する導入通路に設けた第１の流量制御バルブの開度を制御するガスコントローラーとを設け、
前記パルス変調手段により変調されたアンテナ電力が高いときには、前記第１の流量制御バルブの開度を抑制するとともに、アンテナ電力が低いときには、前記第１の流量制御バルブの開度を増大するよう、前記パルス変調手段とガスコントローラーとを同期させたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１０】
請求項９記載のプラズマエッチング装置において、
前記ガスコントローラーは、前記プラズマ生成ガスを前記真空容器内に導入する導入通路に設けた第２の流量制御バルブの開度をも制御し、前記パルス変調手段により変調されたアンテナ電力が高いときには、前記第２の流量制御バルブの開度を増大するとともに、アンテナ電力が低いときには、前記第２の流量制御バルブの開度を抑制するよう、前記パルス変調手段とガスコントローラーとを同期させたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載したプラズマエッチング装置において、
プラズマ生成ガスとＣ及びＯを成分とするガスを別々の導入口から導入することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載したプラズマエッチング装置において、
ガス導入口を真空容器の上部に設置し中央側の導入口からＣ及びＯを成分とするガスを、外側の導入口からプラズマ生成ガスを導入することを特徴とするプラズマエッチング装置。