Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像と文書とを有する複数のウェブページを格納する第１格納手段と、
キーワードごとに、当該キーワードと、当該キーワードの属性を表す属性情報と、を互いに関連づけて格納する第２格納手段と、
基準画像と、当該基準画像の属性を示す基準属性情報と、を受け付ける受付手段と、
前記第１格納手段内の画像のうち、前記基準画像との類似度が所定閾値以上である類似画像を特定し、当該類似画像を有するウェブページ内の文書から１以上の関連キーワードを抽出し、当該関連キーワードを示した第１キーワードリストを作成する抽出手段と、
前記関連キーワードのうち、前記第２格納手段に前記キーワードとして格納されている対応キーワードに、前記第２格納手段で当該対応キーワードに関連づけられた属性情報を付与する付与手段と、
前記第１キーワードリストに示された関連キーワードを、前記基準画像に関する文字の入力候補として使用する制御手段と、を含む文字入力支援システム。
【請求項２】
請求項１に記載の文字入力支援システムにおいて、
前記属性情報は、キーワードが示す位置に関する位置情報、または、キーワードにて特定される日時に関する日時情報である、文字入力支援システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の文字入力支援システムにおいて、
前記基準画像は、文書と共に電子情報を構成するものである、文字入力支援システム。
【請求項４】
請求項３に記載の文字入力支援システムにおいて、
前記受付手段は、さらに、前記電子情報を構成する文書を受け付け、
前記受付手段にて受け付けられた文書からキーワードを抽出し、当該キーワードを、前記基準属性情報と関連づけて、前記第２格納手段に格納する登録手段をさらに含む、文字入力支援システム。
【請求項５】
端末装置と通信可能な文字入力支援サーバであって、
画像と文書とを有する複数のウェブページを格納する第１格納手段と、
キーワードごとに、当該キーワードと、当該キーワードの属性を表す属性情報と、を互いに関連づけて格納する第２格納手段と、
前記端末装置から、基準画像と、当該基準画像の属性を示す基準属性情報と、を受信すると、前記第１格納手段内の画像のうち、前記基準画像との類似度が所定閾値以上である類似画像を特定し、当該類似画像を有するウェブページ内の文書から１以上の関連キーワードを抽出し、当該関連キーワードを示した第１キーワードリストを作成する抽出手段と、
前記関連キーワードのうち、前記第２格納手段に前記キーワードとして格納されている対応キーワードに、前記第２格納手段で当該対応キーワードに関連づけられた属性情報を付与する付与手段と、
を含む文字入力支援サーバ。
【請求項６】
請求項５に記載の文字入力支援サーバにおいて、
前記属性情報は、キーワードが示す位置に関する位置情報、または、キーワードにて特定される日時に関する日時情報である、文字入力支援サーバ。
【請求項７】
文字入力支援システムが行う文字入力支援方法であって、
画像と文書とを有する複数のウェブページを第１格納手段に格納する第１格納ステップと、
キーワードごとに、当該キーワードと、当該キーワードの属性を表す属性情報と、を互いに関連づけて第２格納手段に格納する第２格納ステップと、
基準画像と、当該基準画像の属性を示す基準属性情報と、を受け付ける受付ステップと、
前記第１格納手段内の画像のうち、前記基準画像との類似度が所定閾値以上である類似画像を特定し、当該類似画像を有するウェブページ内の文書から１以上の関連キーワードを抽出し、当該関連キーワードを示した第１キーワードリストを作成する抽出ステップと、
前記関連キーワードのうち、前記第２格納手段に前記キーワードとして格納されている対応キーワードに、前記第２格納手段で当該対応キーワードに関連づけられた属性情報を付与する付与ステップと、
前記第１キーワードリストに示された関連キーワードを、前記基準画像に関する文字の入力候補として使用する制御ステップと、を含む文字入力支援方法。
【請求項８】
請求項７に記載の文字入力支援方法において、
前記属性情報は、キーワードが示す位置に関する位置情報、または、キーワードにて特定される日時に関する日時情報である、文字入力支援方法。
【請求項９】
端末装置と通信可能な文字入力支援サーバが行う文字入力支援方法であって、
画像と文書とを有する複数のウェブページを第１格納手段に格納する第１格納ステップと、
キーワードごとに、当該キーワードと、当該キーワードの属性を表す属性情報と、を互いに関連づけて第２格納手段に格納する第２格納ステップと、
前記端末装置から、基準画像と、当該基準画像の属性を示す基準属性情報と、を受信すると、前記第１格納手段内の画像のうち、前記基準画像との類似度が所定閾値以上である類似画像を特定し、当該類似画像を有するウェブページ内の文書から１以上の関連キーワードを抽出し、当該関連キーワードを示した第１キーワードリストを作成する抽出ステップと、
前記関連キーワードのうち、前記第２格納手段に前記キーワードとして格納されている対応キーワードに、前記第２格納手段で当該対応キーワードに関連づけられた属性情報を付与する付与ステップと、
を含む文字入力支援方法。
【請求項１０】
端末装置と通信可能なコンピュータに、
画像と文書とを有する複数のウェブページを第１格納手段に格納する第１格納手順と、
キーワードごとに、当該キーワードと、当該キーワードの属性を表す属性情報と、を互いに関連づけて第２格納手段に格納する第２格納手順と、
前記端末装置から、基準画像と、当該基準画像の属性を示す基準属性情報と、を受信すると、前記第１格納手段内の画像のうち、前記基準画像との類似度が所定閾値以上である類似画像を特定し、当該類似画像を有するウェブページ内の文書から１以上の関連キーワードを抽出し、当該関連キーワードを示した第１キーワードリストを作成する抽出手順と、
前記関連キーワードのうち、前記第２格納手段に前記キーワードとして格納されている対応キーワードに、前記第２格納手段で当該対応キーワードに関連づけられた属性情報を付与する付与手順と、を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記インナ側ケースと前記アウタ側ケースとが、軸方向に二分割されるものであり、前記センサと前記スラスト軸受と前記鍔部と前記弾性部材とを、これら両ケースから成るケースユニット内にインナ側から順番に、この弾性部材により前記センサを軸方向に弾性的に押圧した状態で収納し、前記アウタ側ケースの外周面からこのアウタ側ケースの径方向外方に弾性的に突出する係止片を、前記収納空間の内周面に設けた係止凹部に係合させる事により、前記センサと前記スラスト軸受と前記鍔部と前記弾性部材とを前記収納空間内に、前記ケースユニットを介して保持している、請求項１に記載した電動式ディスクブレーキ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
藍草の植物体を溶媒により抽出して得られる藍草抽出物を有効成分とする経口用口臭抑制剤。
【請求項２】
藍草抽出物を、固形物換算で、０．０１質量％以上含有する請求項１に記載の経口用口臭抑制剤。
【請求項３】
さらに、α，α−トレハロース、α，α−トレハロース糖質誘導体、糖転移ヘスペリジン、プロポリス抽出物、環状四糖、シクロデキストリン、銅クロロフィリンナトリウム、クロルヘキシジン、塩酸クロルヘキシジン、鉄クロルヘキシンジンから選ばれる１種又は２種以上の口臭抑制効果を有する成分を合計で０．０１質量％以上含有する請求項１又は２に記載の経口用口臭抑制剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のメチオニナーゼ阻害剤に配合できる藍草抽出物以外の口臭抑制効果を有する成分としては、具体的には、トマト、アセンヤク、キラヤ樹皮、カラホオ、ホオノキ、アカメガシワ、クワ、アイスランドゴケ、グァバ、ホアハウンド、ガラナ、オオバコ、アルカネット、アケビ、クコ、カゴソウ、オレガノ、フェンネル、ハス、キンカン、緑茶、シソ、カンゾウ、ケイヒ、チョウジ、ウイキョウ、プロポリス等の天然物由来の抽出成分、塩化セチルピリジニウム、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、塩化デカリニウム、クロルヘキシジン類、トリクロサン塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、塩酸クロルヘキシジン、グルコン酸クロルヘキシジン、イソプロピルメチルフェノール、トリクロサン、ヒノキチオール等の抗菌成分、銅クロロフィリンナトリウム、グルコン酸銅等の銅の有機酸又無機酸の塩、鉄クロロフィリンナトリウム、グルコン酸亜鉛等の消臭成分、イソプロピルメチルフェノール、ヒノキチオール、シクロデキストリン、環状四糖、α，α−トレハロースやその糖質誘導体などの非還元性糖質、ヘスペリジン、ルチンやそれらの誘導体などのビタミンＰ類等を例示することができる。口臭抑制効果の強さや安全性を考慮すると天然物由来成分、銅クロロフィリンナトリウム、グルコン酸亜鉛、鉄クロロフィリンナトリウム、非還元性糖質及び／又はビタミンＰ類が望ましく、天然物由来成分、銅クロロフィリンナトリウム、環状四糖、ビタミンＰ類が特に望ましい。これらの成分のメチオニナーゼ阻害剤への配合量は、本発明のメチオニナーゼ阻害剤の有効成分である藍草抽出物と相加的又は相乗的に作用して、口腔内のエチルメルカプタン量を効果的に低減できる量であれば特に制限はなく、通常、メチオニナーゼ阻害剤の総質量に対して、固形物換算で、０．０１％以上、望ましくは０．１％以上、より望ましくは１％以上、特に望ましくは１〜５％配合すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）及び（Ｂ）；
（Ａ）アジピン酸エステル、コハク酸エステル、クエン酸エステル、ポリプロピレングリコール及び芳香族アルコールから選ばれる１種以上の有機化合物、
（Ｂ）（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸エステル共重合体の水分散物であって、共重合体を構成するモノマーが、（メタ）アクリル酸０．０１〜２０質量％、炭素数１〜４のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル１５〜９９．９質量％、炭素数５〜２２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル０〜４０質量％であり、共重合体のＳＰ値が９．９〜１１．４である水分散物
を含有するまつ毛用化粧料。
【請求項２】
成分（Ａ）を、全組成中に０．０５〜１０質量％含有する請求項１記載のまつ毛用化粧料。
【請求項３】
成分（Ｂ）を、全組成中に共重合体の固形分として０．５〜２５質量％含有する請求項１又は２記載のまつ毛用化粧料。
【請求項４】
成分（Ａ）と成分（Ｂ）の質量割合が、（Ａ）／（Ｂ）＝１／１００〜３５／１００である請求項１〜３のいずれか１項記載のまつ毛用化粧料。
【請求項５】
さらに、（Ｃ）固体脂を含有する請求項１〜４のいずれか１項記載のまつ毛用化粧料。
【請求項６】
成分（Ｃ）を、全組成中に２〜５０質量％含有する請求項１〜５のいずれか１項記載のまつ毛用化粧料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の晶析システムは、第１伝熱面を有し、前記第１伝熱面により内部が第１熱媒存在部と第１結晶存在部とに区分された第１晶析器と；第２伝熱面を有し、前記第２伝熱面により内部が第２熱媒存在部と第２結晶存在部とに区分された第２晶析器と；前記第１熱媒存在部の入口に連通した冷熱媒供給口と、前記第１熱媒存在部の出口に連通した冷熱媒返送口と、前記第２熱媒存在部の入口に連通した温熱媒供給口と、前記第２熱媒存在部の出口に連通した温熱媒返送口とを有する冷凍機と；前記第１熱媒存在部の出口と前記冷熱媒返送口とに連通した上方開口と、前記冷熱媒供給口および／または前記第１熱媒存在部の出口と前記冷熱媒返送口とに連通した下方開口とを有する第１バッファータンクと；前記温熱媒供給口および／または前記第２熱媒存在部の出口と前記温熱媒返送口とに連通した上方開口と、前記第２熱媒存在部の出口と前記温熱媒返送口とに連通した下方開口とを有する第２バッファータンクとを有するものであってもよい。熱源機として冷凍機を採用することで、冷凍機から排出される冷熱媒を結晶化操作に用い、温熱媒を融解操作に用いることが可能となり、結晶化と融解にかかる消費エネルギーを低減でき、効率的に結晶化操作および融解操作を行うことが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
第１伝熱面を有し、前記第１伝熱面により内部が第１熱媒存在部と第１結晶存在部とに区分された第１晶析器と；
第２伝熱面を有し、前記第２伝熱面により内部が第２熱媒存在部と第２結晶存在部とに区分された第２晶析器と；
前記第１熱媒存在部の入口に連通した冷熱媒供給口と、前記第１熱媒存在部の出口に連通した冷熱媒返送口と、前記第２熱媒存在部の入口に連通した温熱媒供給口と、前記第２熱媒存在部の出口に連通した温熱媒返送口とを有する冷凍機と；
前記第１熱媒存在部の出口と前記冷熱媒返送口とに連通した上方開口と、前記冷熱媒供給口および／または前記第１熱媒存在部の出口と前記冷熱媒返送口とに連通した下方開口とを有する第１バッファータンクと；
前記温熱媒供給口および／または前記第２熱媒存在部の出口と前記温熱媒返送口とに連通した上方開口と、前記第２熱媒存在部の出口と前記温熱媒返送口とに連通した下方開口とを有する第２バッファータンクとを有することを特徴とする晶析システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明の摺動部材用高力黄銅合金は、
（１）質量比で、１７％以上２８％以下の範囲内のＺｎ、３％以上１０％以下の範囲内のＡｌ、１％以上４％以下の範囲内のＦｅ、０．１％以上４％以下の範囲内のＣｒ、０．５％以上３％以下の範囲内のＳｉ、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、
（２）母相がβ相の単相組織を呈するとともに該β相にＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系金属間化合物が分散した組織を呈することを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１は本発明の高力黄銅合金を使用した板状体の形態をなす摺動部材（すべり板）１を示す平面図である。高力黄銅合金の摺動部材基体２の一方の表面（摺動面）には、その厚さ方向に凹んだ複数個の凹部４が形成されている。この凹部４は、該摺動部材基体２の表面の面積に占める開口部の面積の総和が１０〜４０％の割合となるように形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１、１ａ、１ｂ 摺動部材
２、２ａ、２ｂ 摺動部材基体
３ａ、３ｂ 摺動面
４ 凹部
４ａ 溝
４ｂ 孔
５ 固体潤滑剤
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともゴム成分と、硫黄と、酸化亜鉛と、脂肪酸及び／又は脂肪酸亜鉛とを含有するゴム組成物であって、該ゴム組成物を加硫した際に加硫ゴム中に含まれる脂肪酸亜鉛の重量当たりの平均融点が１０５℃以下であることを特徴とするゴム組成物。
【請求項２】
少なくともゴム成分と、硫黄と、脂肪酸亜鉛とを含有するゴム組成物であって、該ゴム組成物を加硫した際に加硫ゴム中に含まれる脂肪酸亜鉛の重量当たりの平均融点が１０５℃以下であることを特徴とするゴム組成物。
【請求項３】
脂肪酸及び／又は脂肪酸亜鉛の含有量が、ゴム成分１００質量部に対して、４質量部以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のゴム組成物。
【請求項４】
脂肪酸がカプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミスチリン酸、オレイン酸、リノール酸、バクセン酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は３に記載のゴム組成物。
【請求項５】
脂肪酸亜鉛がカプリル酸亜鉛、ペラルゴン酸亜鉛、カプリン酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ミスチリン酸亜鉛、オレイン酸亜鉛、リノール酸亜鉛、バクセン酸亜鉛から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一つに記載のゴム組成物。
【請求項６】
ゴム成分１００質量部に対して、カーボンブラックが２０〜６０質量部含有してなる請求項１〜５の何れか一つに記載のゴム組成物。
【請求項７】
ゴム成分及びカーボンブラックがマスターバッチからなる請求項６に記載のゴム組成物。
【請求項８】
ゴム成分１００質量部に対して、シリカが２５質量部以下含有してなる請求項１〜７の何れか一つに記載のゴム組成物。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一つに記載のゴム組成物を用いたことを特徴とする空気入りタイヤ。
【請求項１０】
空気入りタイヤが重荷重用空気入りタイヤであることを特徴とする請求項９に記載の空気入りタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
虚血に起因する細胞死を防止するために使用される可逆的なｐ５３阻害剤を含む医薬組成物。
【請求項２】
虚血に関連した、ｐ５３が媒介するプログラム死から細胞を保護するための、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
哺乳動物において、虚血に起因する細胞死を防止するために使用される可逆的なｐ５３阻害剤を含む医薬組成物。
【請求項４】
前記哺乳動物がヒトである、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物であって、前記可逆的なｐ５３阻害剤が、以下の構造式：
【化１】
2010265321.tif 000001
［式中、ｎは１であり、
Ｒ１およびＲ２は共に、５員または６員の脂肪族炭素環を形成し、
Ｒ３は、フェニルであるか、または、ハロ、アルキル、および、アリールからなる群より選択される置換基により置換されたフェニルである］
を有する化合物を含む、医薬組成物。
【請求項６】
請求項５に記載の医薬組成物であって、Ｒ３がハロ、アルキル、および、アリールからなる群より選択される置換基により置換されたフェニルである、医薬組成物。
【請求項７】
請求項６に記載の医薬組成物であって、前記置換基が、ヨウ素、メチル、および、フェニルからなる群より選択される、医薬組成物。
【請求項８】
請求項５に記載の医薬組成物であって、前記可逆的なｐ５３阻害剤が、以下の構造式：
【化２】
2010265321.tif 000002
を有する、医薬組成物。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物であって、前記可逆的なｐ５３阻害剤が、
２−［２−イミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−１，３−ベンゾチアゾール−３（２Ｈ）−イル］−１−（４−メチルフェニル）−１−エタノン；
２−［２−イミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−１，３−ベンゾチアゾール−３（２Ｈ）−イル］−１−（４−ヨードフェニル）−１−エタノン；
２−［２−イミノ−４，５，６，７−テトラヒドロ−１，３−ベンゾチアゾール−３（２Ｈ）−イル］−１−（ビフェニル）−１−エタノン；ならびに、
医薬上容認され得るこれらの塩および水和物
からなる群より選択される、医薬組成物。
【請求項１０】
虚血に起因する細胞死を防止するために使用される可逆的なｐ５３阻害剤と、虚血を治療するために使用される薬物との組み合わせを含む医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の実施者により実施される共通の業務について、この業務における複数の実施対象項目毎に、その実施結果をそれぞれ数値で表す複数の実施結果項目を、それぞれ前記実施者別に集計し、予め定めたモデル実施者グループとの比較により、その実施結果を分析する業務分析システムであって、
過去に実施された前記業務の実施対象項目毎の各実施結果項目の数値が、前記モデル実施者グループ及び個別実施者別に集計された業務実施結果データを保持する業務実施結果データ記憶手段と、
この業務実施結果データ記憶手段に保持された前記モデル実施者グループと個別実施者との前記実施対象項目毎の前記実施結果項目別の数値を用いて、前記モデル実施者グループと個別実施者との数値のずれの程度を表すカイ二乗値を各個別実施者についてそれぞれ求めるカイ二乗演算手段と、
このカイ二乗演算手段で求められたカイ二乗値をあらかじめ設定された有意水準を用いて検定し、前記個別実施者毎に前記モデル実施者グループとのずれの程度をそれぞれ求めるカイ二乗検定手段と、
を備えたことを特徴とする業務分析システム。
【請求項２】
複数の実施者により実施される共通の業務について、この業務における複数の実施対象項目毎に、その実施結果をそれぞれ数値で表す複数の実施結果項目を、それぞれ前記実施者別に集計し、予め定めたモデル実施者グループとの比較により、その実施結果を分析する機能をコンピュータに実現させる業務分析プログラムであって、
過去に実施された前記業務の各実施結果項目の数値が、前記モデル実施者グループ及び個別実施者別に集計され、業務実施結果データ記憶手段に保持されたデータを用い、前記モデル実施者グループと個別実施者との前記実施対象項目毎の前記実施結果項目別の数値をカイ二乗演算手段に与えて、前記モデル実施者グループと個別実施者との数値のずれの程度を表すカイ二乗値を各個別実施者についてそれぞれ求めさせ、
この業務実施結果データ記憶手段で求められたカイ二乗値を、カイ二乗検定手段に与えて、あらかじめ設定された有意水準による検定により、前記個別実施者毎に前記モデル実施者グループとのずれの程度をそれぞれ求めさせる、
ことを特徴とする業務分析プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性高分子（Ａ）、ドーパント（Ｂ）、及び、下記一般式［１］で表される化合物（C）を含み、導電性高分子（Ａ）とドーパント（Ｂ）との総量１００重量部に対し、下記一般式［１］で表される化合物（C）を１から１００重量部含むことを特徴とする導電性組成物。
一般式［１］
Ｒ1−Ｓｉ（ＯＲ2）3
（式中、Ｒ1は、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、メトキシ基、または、エトキシ基を表し、Ｒ2は、メチル基、または、エチル基を表す。）
【請求項２】
導電性高分子（Ａ）が、チオフェン、アニリン、ピロール、及びそれらの誘導体からなる群から選択された、少なくとも一つの単量体成分を重合してなるものであることを特徴とする請求項１記載の導電性組成物。
【請求項３】
導電性高分子（Ａ）が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）であることを特徴とする請求項１または２記載の導電性組成物。
【請求項４】
ドーパント（B）が、スルホ基、または、そのアルカリ金属塩を有する化合物であることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の導電性組成物。
【請求項５】
ドーパント（B）が、水酸基を有する樹脂（Ｂ１）と、スルトン（Ｂ２）との反応により得られることを特徴とする請求項１ないし４いずれか記載の導電性組成物。
【請求項６】
請求項１ないし５いずれか記載の導電性組成物から形成されてなる導電膜。
【請求項７】
基材と請求項６記載の導電膜とを有する積層体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
発色団基がポリマーに化学的に結合しており、そして芳香族炭化水素環を含む基、置換されているかもしくは置換されていないフェニル基、置換されているかもしくは置換されていないアントラシル基、置換されているかもしくは置換されていないフェナントリル基、置換されているかもしくは置換されていないナフチル基、酸素、窒素、硫黄及びこれらの混合物から選択されるヘテロ原子を含む置換されているかもしくは置換されていない複素環式芳香族環から選択される、請求項１の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列される発光領域と前記発光領域の外側にある外部領域とを有する基板と、
前記基板の上に配置された駆動回路と、
前記発光領域内に配置された前記駆動回路の上部を平坦化する平坦化層を含む樹脂膜と、
前記平坦化層の上に配置された、第１電極と有機化合物層と第２電極とを前記基板側から順に有する複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子の上に配置され、有機ＥＬ素子の光取り出し効率を向上させるための光干渉層と、を有し、
前記第２電極と前記光干渉層は、前記発光領域から前記発光領域の外側にまで配置され、
前記第２電極の形成端は、前記樹脂膜の上にあり、
前記光干渉層の形成端は、前記第２電極の形成端よりも前記発光領域側にあることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記光干渉層は、有機化合物材料またはフッ化リチウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光干渉層の形成端と前記第２電極の形成端は、前記平坦化層の側面の下部端よりも外側にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記樹脂膜は、前記平坦化層と離間領域を介して前記基板の面内方向に離間された樹脂層を、前記発光領域の外側にさらに有し、
前記第２電極と前記駆動回路とが前記離間領域で電気的に接続していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記光干渉層の形成端は、前記樹脂層の上にあることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記樹脂膜は、前記第１電極を前記有機ＥＬ素子ごとに区画するための隔壁を、前記平坦化層の上にさらに有し、
前記光干渉層の形成端と前記第２電極の形成端は、前記隔壁の側面の上部端よりも外側にあることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光干渉層に接して保護層を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ディスクを保持するように構成された外周壁部を有するハブと、
前記ハブ側の面に、前記ハブの回転軸を中心軸とする円筒部を有するベース部材と、
潤滑剤を保持し、前記ハブを前記ベース部材に対して回転自在に支持する流体動圧軸受と、
前記円筒部の外周面に固定された円環部と、前記円環部から径方向に伸びる複数の突極と、を有するステータコアと、
前記複数の突極に巻き線されて形成されるコイルと、
前記外周壁部の内周面に固定され、前記複数の突極と径方向に対向し、周方向に複数の駆動用着磁が施されたマグネットと、
前記ベース部材に固定され、前記マグネットと軸方向に対向し、磁性材を含むリング状の吸引プレートと、を備え、
前記吸引プレートと前記マグネットとの間に第１の狭隙部が形成され、
前記ベース部材と前記ベース部材側の前記外周壁部の端面との間に第２の狭隙部が形成され、
前記外周壁部は、前記吸引プレートを環囲し、かつ、前記外周壁部の軸方向の範囲が前記吸引プレートの軸方向の範囲と重複するように構成されたことを特徴とするディスク駆動装置。
【請求項２】
前記ベース部材は、前記円筒部から径方向に延在し、前記コイルと対向し、筒状の側面を有するベース延在部が設けられ、
前記吸引プレートは、前記吸引プレートの軸方向の範囲が前記ベース延在部の側面の軸方向の範囲と重複し、前記ベース延在部を環囲するように配設されたことを特徴とする請求項１に記載のディスク駆動装置。
【請求項３】
前記吸引プレートは、前記ベース延在部の側面に嵌合されていることを特徴とする請求項２に記載のディスク駆動装置。
【請求項４】
前記吸引プレートの軸方向の高さが、前記ベース延在部の側面の高さより低いことを特徴とする請求項２または３に記載のディスク駆動装置。
【請求項５】
前記吸引プレートの軸方向厚み寸法は、前記第１の狭隙部の軸方向寸法と実質同一であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項６】
前記第２の狭隙部の径方向寸法は、前記第２の狭隙部の軸方向寸法の３倍以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項７】
前記第２の狭隙部の軸方向寸法は、前記第１の狭隙部の軸方向寸法より小さいことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項８】
前記吸引プレートの外周直径は、前記記録ディスクの内周直径より小さいことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項９】
前記流体動圧軸受は、潤滑剤の空気との境界面を、前記ベース部材と前記ハブとの間に形成された領域に有し、
前記円筒部の開口部は、前記境界面の径方向外側に設けられ、
前記ハブは、前記開口部と径方向に対向し、前記開口部と第３の狭隙部を形成する円筒下垂部を有し、
前記第３の狭隙部の径方向寸法は０．２ｍｍ以下であり、前記第３の狭隙部の軸方向寸法は前記第３の狭隙部の径方向寸法の５倍以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項１０】
前記円筒部の開口部は、軸方向の範囲が潤滑剤の空気との境界面と重複し、前記境界面を環囲するように設けられことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
第１実験結果３００、第２実験結果３０１および第３実験結果３０２に示すように、第３の狭隙部５３の径方向寸法が０．２５ｍｍ以上である場合は、第３の狭隙部５３の軸方向寸法を変化させても、１０００時間経過後の潤滑剤２８の蒸発量は約０．２ｍｍであり、蒸発量を軽減する効果が得られなかった。一方、第４実験結果３０３、第５実験結果３０４、第６実験結果３０５および第７実験結果３０６に示すように、第３の狭隙部５３の径方向寸法が０．２ｍｍ以下であり、第３の狭隙部５３の軸方向寸法が第３の狭隙部５３の径方向寸法の５倍以上の大きさとなるように構成した場合、１０００時間経過後の蒸発量が０．１ｍｍ以下となり、第１実験結果３００〜第３実験結果３０２の蒸発量の半分以下に軽減されている。したがって、第３の狭隙部５３の径方向寸法が０．２ｍｍ以下であり、第３の狭隙部５３の軸方向寸法が第３の狭隙部５３の径方向寸法の５倍以上の大きさに設けることで、潤滑剤２８の蒸発を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のホスト計算機と、
それぞれ各前記ホスト計算機と接続され、それぞれ異なる特徴を有する記憶領域を前記ホスト計算機に提供する複数の記憶装置と、
それぞれ各前記ホスト計算機及び各前記記憶装置と接続され、前記記憶装置が提供する前記記憶領域を、当該記憶装置と異なるインタフェースにより前記ホスト計算機に提供する複数の中間記憶装置と、
前記ホスト計算機に実装されるアプリケーションの種別ごとに、好ましいインタフェースの種別及び記憶領域の種別が予め規定されたポリシを管理する管理装置と
を備え、
前記管理装置は、
各記憶装置、各中間記憶装置及び各ホスト計算機から構成情報をそれぞれ収集し、
収集した各記憶装置、各中間記憶装置及び各ホスト計算機の構成情報と、前記ポリシと、ユーザにより指定されたアプリケーションの種別とに基づいて、前記ユーザにより指定されたアプリケーションの種別に適した記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを検出し、検出した前記組合せを前記ユーザに提示する
ことを特徴とする計算機システム。
【請求項２】
前記ポリシにおいて、
前記アプリケーションの種別ごとに、仮想ホストを使用する際に好ましいインタフェースの種別が予め規定された
ことを特徴とする請求項１に記載の計算機システム。
【請求項３】
前記管理装置は、
検出した記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを、当該記憶装置、当該中間記憶装置及び当該ホスト計算機の接続形態を表す模式図として表示する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の計算機システム。
【請求項４】
前記模式図は、
前記記憶装置、前記中間記憶装置及び前記ホスト計算機の識別情報と、当該記憶装置、当該中間記憶装置及び当該ホスト計算機における接続に使用されるポートの識別情報とを含む
ことを特徴とする請求項３に記載の計算機システム。
【請求項５】
前記管理装置は、
前記ユーザにより指定されたアプリケーションの種別に適した記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを複数検出した場合に、各前記組合せごとに、当該組合せを構成する記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機から性能情報を収集し、
収集した前記性能情報に基づいて各前記組合せの優先順位を計算し、
計算結果に基づいて、優先順位の高い前記組合せの模式図を優先的に表示する
ことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の計算機システム。
【請求項６】
前記性能情報は、
前記記憶装置全体、前記中間記憶装置全体又は前記ホスト計算機全体の動作制御を司るプロセッサの利用率と、対応する前記組合せにおいて接続に使用するポートの利用率である
ことを特徴とする請求項５に記載の計算機システム。
【請求項７】
前記ポリシにおいて、
各前記アプリケーションの種別について、それぞれデータの種別ごとに好ましいインタフェースの種別及び記憶領域の種別が予め規定され、
前記管理装置は、
各記憶装置、各中間記憶装置及び各ホスト計算機の構成情報と、前記ポリシと、ユーザにより指定されたアプリケーションの種別とに基づいて、前記ユーザにより指定されたアプリケーションの種別に適した記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを前記データの種別ごとに検出し、検出したデータの種別ごとの組合せに基づく記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを前記ユーザに提示する
ことを特徴とする請求項１、請求項３乃至請求項６のいずれか一項に記載の計算機システム。
【請求項８】
複数のホスト計算機と、それぞれ各前記ホスト計算機と接続され、それぞれ異なる特徴を有する記憶領域を前記ホスト計算機に提供する複数の記憶装置と、それぞれ各前記ホスト計算機及び各前記記憶装置と接続され、前記記憶装置が提供する前記記憶領域を、当該記憶装置と異なるインタフェースにより前記ホスト計算機に提供する複数の中間記憶装置とを有する計算機システムにおけるリソース統合管理方法において、
前記ホスト計算機に実装されるアプリケーションの種別ごとに、好ましいインタフェースの種別及び記憶領域の種別を規定したポリシが予め定められ、
各記憶装置、各中間記憶装置及び各ホスト計算機から構成情報をそれぞれ収集する第１のステップと、
収集した各記憶装置、各中間記憶装置及び各ホスト計算機の構成情報と、前記ポリシと、ユーザにより指定されたアプリケーションの種別とに基づいて、前記ユーザにより指定されたアプリケーションの種別に適した記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを検出する第２のステップと、
検出した前記組合せを前記ユーザに提示する第３のステップと
を備えることを特徴とするリソース統合管理方法。
【請求項９】
前記ポリシにおいて、
前記アプリケーションの種別ごとに、仮想ホストを使用する際に好ましいインタフェースの種別が予め規定された
ことを特徴とする請求項８に記載のリソース統合管理方法。
【請求項１０】
前記第３のステップでは、
検出した記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを、当該記憶装置、当該中間記憶装置及び当該ホスト計算機の接続形態を表す模式図として表示する
ことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のリソース統合管理方法。
【請求項１１】
前記模式図は、
前記記憶装置、前記中間記憶装置及び前記ホスト計算機の識別情報と、当該記憶装置、当該中間記憶装置及び当該ホスト計算機における接続に使用されるポートの識別情報とを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載のリソース統合管理方法。
【請求項１２】
前記第３のステップでは、
前記ユーザにより指定されたアプリケーションの種別に適した記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを複数検出した場合に、各前記組合せごとに、当該組合せを構成する記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機から性能情報を収集し、
収集した前記性能情報に基づいて各前記組合せの優先順位を計算し、
計算結果に基づいて、優先順位の高い前記組合せの模式図を優先的に表示する
ことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載のリソース統合管理方法。
【請求項１３】
前記性能情報は、
前記記憶装置全体、前記中間記憶装置全体又は前記ホスト計算機全体の動作制御を司るプロセッサの利用率と、対応する前記組合せにおいて接続に使用するポートの利用率である
ことを特徴とする請求項１２に記載のリソース統合管理方法。
【請求項１４】
前記ポリシにおいて、
各前記アプリケーションの種別について、それぞれデータの種別ごとに好ましいインタフェースの種別及び記憶領域の種別が予め規定され、
前記第２のステップでは、
各記憶装置、各中間記憶装置及び各ホスト計算機の構成情報と、前記ポリシと、ユーザにより指定されたアプリケーションの種別とに基づいて、前記ユーザにより指定されたアプリケーションの種別に適した記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを前記データの種別ごとに検出し、
前記第３のステップでは、
検出したデータの種別ごとの組合せに基づく記憶装置、中間記憶装置及びホスト計算機の組合せを前記ユーザに提示する
ことを特徴とする請求項８、請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項に記載のリソース統合管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒および（Ｄ）無機フィラーを必須成分として含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物からなるパッケージを与える発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物であって、
無機フィラーの添加量が全組成物中の４６〜９５重量％であり、
パッケージが発光ダイオード素子を搭載するための平板状の形状を有し、
発光ダイオードの発光出力が２０ｍＡで５ｍＷ以上である硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｄ）成分の無機フィラーが酸化チタンあるいは／およびシリカであることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１乃至２のいずれか一項に記載の発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物をＢステージ化したことを特徴とする発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物を成形したことを特徴とする発光ダイオードのパッケージ。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物であって、１５０℃以下の温度で流動性を有し、かつ１５０℃におけるゲル化時間が６０秒以内である硬化性樹脂組成物を、トランスファー成形により成形したことを特徴とする発光ダイオードのパッケージ。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物を成形したことを特徴とする発光ダイオードのパッケージであって、前記パッケージに発光ダイオードから発した光が照射されるように設計された発光ダイオードのパッケージ。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物を用いて製造された発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
溝２の内部には、直管状のパイプ容器３が嵌め込まれている。パイプ容器３は、溝２に沿って延在している。断面形状円形のパイプ容器３の一部分である上半円部が、半円状の溝２に嵌入され、パイプ容器３の一部である上半円部は、溝２の表面と面接触している。パイプ容器３の他の部分である下半円部は、溝２にはめ込まれておらず、外周面がプレート１の外部に露出している。プレート１の外部に位置しているパイプ容器３の下半円部に、伝熱ブロック４が取り付けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
プレート１の裏面に加工された半円状の溝２にパイプ容器３の上半円部がはめ込まれる構造で、プレート１と、溝２に嵌入された部分のパイプ容器３の外周面とが、熱的に接触している。また、プレート１の外部に位置しているパイプ容器３の下半円部の一部には、伝熱ブロック４の一方側が熱的に接触している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
伝熱ブロック４の他方側に加工された溝部に、加熱手段の一例としてのヒータ６が組み込まれている。ヒータ６は、たとえば電気ヒータであってもよい。伝熱ブロック４の上記溝部は、伝熱材料５によって封入されている。ヒータ６は、伝熱材料５によって、伝熱ブロック４の溝部内に保持されている。伝熱ブロック４は、パイプ容器３の下半円部と熱的に接触しており、伝熱ブロック４内に保持されたヒータ６によって、パイプ容器３の外周面の一部が加熱される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここで、直管状のパイプ容器３の中央部が埋設されたプレート中央部では、図４中に矢印２３ａに示すプレート１の外表面１ａからの放熱がある。また、パイプ容器３の両端部が埋設されたプレート端部では、矢印２３ｂに示すプレート１の表面１ａからの放熱がある。プレート端部では、端部放熱２３ｂの影響をうけて、温度が低下する現象が生じる可能性がある。また、ヒータ６とパイプ容器３との間で熱接触の不均一および、ヒータ６の発熱不均一などがあると、矢印２１に示すパイプ容器３の管壁を経由する伝熱量の分布不均一により、プレート１の表面１ａの温度ムラとなって現れる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、この実施例において、プレートからの放熱負荷がプレート全体で４Ｑ（単位：Ｗ（ワット））であるとすると、図９に記載のように、最外部のパイプ容器の加熱量Ｑ（Ｗ）に必要な作動液の蒸気が、パイプ容器３の接合部であるＵ字状管３ａまたは３ｃの内部を通過してそれぞれ搬送される。そこで、この熱輸送Ｑ（Ｗ）を行なうために作動液の蒸気および還流する凝縮液の通過に必要とされる断面積をもつ形状の、パイプ容器３が選定される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
このとき、パイプ容器３がループ管で形成されていることより、ループ状のパイプ容器３の最外部の加熱に必要な熱量の半分Ｑ／２（Ｗ）に相当する作動液３１の蒸気３３が上記Ｕ字状管３ａ，３ｂまたは３ｃ，３ｄのそれぞれを通過する。そのため、実施の形態４の場合に比べて、各Ｕ字状管における熱輸送量が半分となり、作動液の蒸気および還流する凝縮液の通過に必要とされるＵ字状管３ａ，３ｂ，３ｃおよび３ｄの断面積を小さくすることができ、パイプ容器の小形化が図れる。これにより、実施の形態４に比べて、さらに小形で低コストの均熱処理装置を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記発光素子は、
第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上方に位置する活性層と、
前記活性層の上方に位置する第２クラッド層と、
を含み、
前記活性層は、第１側面と、前記第１側面に平行な第２側面と、を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、利得領域を構成し、
前記利得領域は、前記第１側面に構成された第１端面、ならびに、前記活性層及び前記第２クラッド層の積層方向からの平面視における前記第２側面よりも内側の位置に前記第１側面に対して傾いて構成された第２端面、を有し、前記積層方向からの平面視において、前記第２端面の法線方向に沿って前記第１端面と前記第２端面とを接続して構成され、
前記第２端面には、前記利得領域で生じる光を反射する反射部が設けられ、
前記第１端面は、前記利得領域で生じる光、及び、前記利得領域で生じる光が前記反射部で反射された光、を出射する、プロジェクター。
【請求項２】
請求項１において、
前記反射部は、分布ブラッグ反射型ミラーである、プロジェクター。
【請求項３】
請求項１において、
前記反射部は、所定の間隔で配置された複数の溝部で構成されている、プロジェクター。
【請求項４】
請求項３において、
前記溝部は、前記積層方向からの平面視において、矩形であり、
前記溝部の対向する１組の辺は、前記第２端面に対して平行である、プロジェクター。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記溝部の底面の位置は、前記活性層の下面の位置より下に設けられている、プロジェクター。
【請求項６】
請求項３または４において、
前記溝部の底面の位置は、前記活性層の上面の位置より上に設けられている、プロジェクター。
【請求項７】
請求項１において、
前記反射部は、前記第２端面の法線方向に、第１の屈折率を有する層と前記第１の屈折率よりも低い屈折率を有する層とが交互に積層されて構成されている、プロジェクター。
【請求項８】
請求項１において、
前記反射部は、金属ミラーである、プロジェクター。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記第１端面には、前記利得領域で生じる光に対する反射率を低減する層が設けられている、プロジェクター。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記利得領域は、前記第１側面の法線方向から見て、前記第１端面と前記第２端面とは、重なっていない、プロジェクター。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層のうち、一方は第１導電型の半導体であり、他方は第２導電型の半導体である、プロジェクター。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかにおいて、
前記利得領域は、前記積層方向からの平面視にて、所定の幅を有する帯状の形状である、プロジェクター。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
前記利得領域は、複数設けられている、プロジェクター。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかにおいて、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
を含む、プロジェクター。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に、結晶主方向（７）を有する結晶構造と、ビーム出射面（４）と、半導体基体（１）をラテラル方向に形成している複数の側面（５）とを有している半導体基体（１）を備えた面発光半導体レーザチップにおいて、
少なくとも１つの側面（５）が、前記ビーム出射面（４）に対して平行な結晶主方向（７）に対して斜めに配置されている
ことを特徴とする半導体レーザチップ。
【請求項２】
前記半導体基体（１）はビーム出射面（４）に対して平行な正方形または長方形の横断面を有している
請求項１記載の半導体レーザチップ。
【請求項３】
前記結晶主方向（７）の少なくとも１つがビーム出射面（４）に対して平行に延在しており、かつ
前記側面（５）の少なくとも１つが前記結晶主方向に対して４０°と５０°との間の角度をなしている
請求項１または２記載の半導体レーザチップ。
【請求項４】
前記結晶主方向（７）の少なくとも１つが前記ビーム出射面（４）に対して平行に延在しており、
前記側面（５）の少なくとも１つと、前記結晶主方向とが、４５°の角度を成している、請求項３記載の半導体レーザチップ。
【請求項５】
前記側面（５）の少なくとも１つとの間に４０°〜５０°の角度を成す前記結晶主方向（７）は、〔１００〕方向である、請求項３記載の半導体レーザチップ。
【請求項６】
前記側面（５）は前記ビーム出射面（４）に対して垂直である、請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体レーザチップ。
【請求項７】
前記半導体レーザチップは、少なくとも部分的に結晶構造を有している基板（２）を含んでいる
請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体レーザチップ。
【請求項８】
前記半導体基体はＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を含んでいる
請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体レーザチップ。
【請求項９】
前記半導体基体はＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓ、および／または窒化物化合物半導体を含んでいる、請求項８記載の半導体レーザチップ。
【請求項１０】
前記半導体レーザチップはＶＣＳＥＬである
請求項１から９までのいずれか１項記載の半導体レーザチップ。
【請求項１１】
前記側面（５）は、ウェハを個々の半導体チップに分割したときに形成される、請求項１から１０までのいずれか１項記載の半導体レーザチップ。
【請求項１２】
ビーム出射面（４）を有する面発光半導体レーザチップの製造方法であって、
複数の面発光半導体構造および結晶主方向を有する半導体ウェハを作製し、該半導体ウェハを分離ラインに沿って複数の半導体レーザチップに分割する、面発光半導体レーザチップの製造方法において、
前記分離ラインは、前記ビーム出射面（４）に対して平行な結晶主方向（７）に対して斜めに配置されている
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
前記半導体レーザチップの半導体基体（１）の少なくとも１つの側面（５）が前記ビーム出射面（４）に対して垂直に形成されるように、前記半導体ウェハを分割する、請求項１２記載の製造方法。
【請求項１４】
前記半導体ウェハを前記分離ラインに沿って分割する際にソーイングまたはエッチングする、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記分離ラインが前記結晶主方向に対して４０°と５０°との間の角度をなしている
請求項１２から１４までのいずれか１項記載の半導体レーザチップ。
【請求項１６】
前記分離ラインと前記結晶主方向とが４５°の角度をなす、請求項１２から１４までのいずれか１項記載の半導体レーザチップ。
【請求項１７】
前記半導体レーザチップはＶＣＳＥＬである
請求項１２から１６までのいずれか１項記載の半導体レーザチップ。