【事件の表示】
　特願２００２−　７５４８３「半導体集積回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月２６日出願公開、特開２００３−２７３２３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月１９日の出願であって、平成１９年４月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、前置審査において同年８月２日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月９日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、さらに、当審において平成２１年１０月３０日付けで審尋がなされ、平成２２年１月１２日に回答書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成１９年１０月９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　半導体基板の一主面に設けられるシールド対象領域と、
　前記シールド対象領域に設けられた、前記シールド対象領域の内外で信号の授受をおこなうための外部接続端子と、
　前記外部接続端子に前記シールド対象領域の外部から電気的に接続される接続配線と、
　前記シールド対象領域の周辺に前記外部接続端子と同層に配置されたシールド配線と、
を有し、
　前記シールド配線は、前記外部接続端子がある領域で分離していることを特徴とする半導体集積回路。」
　
３．前置審査における拒絶理由
　前置審査において平成１９年８月２日付けで通知した拒絶の理由２の要点は、本願の請求項１ないし９に係る発明は、その出願前に日本国内において、頒布された刊行物である特開平０２−０５１２７２号公報に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　
４．引用例の記載と引用発明
（４−１）特開平０２−０５１２７２号公報（以下「引用例」という。）には、第１図〜第５図とともに、次の記載がある。（なお、下線部は、当審において付与したものである。）
　
「(イ)産業上の利用分野
　本発明はＦＭ／ＡＭチューナ等、信号周波数や信号レベルが異る回路ブロックを同一半導体基板上に形成した半導体集積回路に関する。」（第２頁左上欄第１５〜１８行）
「(ハ)発明が解決しようとする課題
　この様に、
従来はＦＭフロントエンド回路(1)等の高周波信号を扱う回路をも集積化することは回路干渉が生じ易い為に極めて困難である欠点があった。
「(ヘ)実施例
　以下に本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。第２図に示すように、Ｐ型の半導体基板(31)とこの半導体基板(31)の上に積層されたＮ型のエピタキシャル層(32)がある。
　ここで半導体基板(31)は方形状であり、このエピタキシャル層(32)には、トランジスタ、ダイオード、抵抗およびコンデンサ等が作り込まれており、またＰ＋型の分離領域(33)や埋込み層(34)も作り込まれている。そして
この半導体基板上のエピタキシャル層(32)内に複数の電子回路が夫々集積され複数の電子ブロック領域が形成されている。
この電子ブロック領域の中の１つが、第１図の破線で示す領域(21)に形成されている。この領域(21)は特に不要輻射を発生するか、または外部より不要輻射を受けやすい第１の電子ブロック領域である。更にこの第１の電子ブロック領域(21)の周囲には、破線で示すＮ型のダミーアイランド領域(22)が形成されている。
　次に前記エピタキシャル層(32)上に被覆された第１層目の絶縁膜(35)と、この第１の絶縁膜(35)上に形成された一点斜線で示す第１層目の電極(23)，(26)とがある。
　ここで、第１層目の絶縁膜(35)は例えば熱酸化法やＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜であり、第１層目の電極(23)，(26)はアルミニウムで蒸着されている。
第１層目の電極は、通常の配線であり主にブロック領域内に集積される半導体素子間の配線、ブロック領域間の信号線(26)、フィードバック線(26)および第１電極(23)が形成されている。
前記信号線やフィードバック線を(26)で、前記Ｎ型のダミーアイランド領域(22)と実質的に同形状の第１電極を(23)で示し、図面上では一点斜線で示している。この第１電極(23)は前記第１層目の絶縁膜(35)を介してダミーアイランド領域(22)とオーミックコンタクトしている。
　一方、
第１電極(23)は、複数の領域で切断され、切断領域(25)を有している。第１図ではこの切断領域(25)が４ヶ所あり、左側辺に１本、右側辺に２本、上側辺に２本及び下側辺に３本の信号線やフィードバック線が配線できる幅を有している。
　更に第１層目の絶縁膜(35)と第１層目の電極を被覆するように形成された第２層目の絶縁膜(37)と、前記第１の電子ブロック領域(21)と第１電極(23)とを被覆するシールド電極とがある。
　ここで前記第２層目の絶縁膜(37)は、例えばＰＩＸ等の膜であり、シールド電極(24)は、アルミニウムを蒸着したものより成っている。また半導体チップ周辺には、パッドが複数あるが、この中の１つである電源パッド(27)がシールド電極(24)と接続されている。
　
従ってシールド電極(24)と第１電極(23)とは、電源パッドに印加されているＶ
ＣＣ
で同電位となっており、
　ここで第３図、第４図は、第１図のＢ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線における断面図であり、略第２図と同じ構成であるため、説明は省略する。
　以上の構成は例えばＦＭ／ＡＭステレオチューナ回路等に応用できる。
前記第１の電子ブロック領域(21)に、第５図に示すＦＭフロントエンドブロック(1)を集積化することで、他の電子ブロック領域からの干渉や、他の電子ブロック領域への干渉を防止できる。
　またＦＭフロントエンドブロック(1)は、数μＶと極めて小さいレベルの信号を扱うため、特にＦＭ−ＩＦブロック(4)からの干渉を嫌うので、本願の構成と同じものをＦＭ−ＩＦブロック(4)に応用しても良い。
　しかもシールド電極(24)を電源パッド(27)と接続し、このシールド電極(24)をダミーアイランド(22)の中の第１の拡散領域(36)とオーミックコンタクトすることで、ＦＭフロントエンドブロックも含めて１チップ化することができる。
　(ト)発明の効果
　以上の説明からも明らかな如く、
シールド電極(24)と第１電極(23)でシールドしているので、シールド電極(24)下に設けられた信号線やフィードバック線等の配線は、外部からの不要輻射を受けず、また内部からの不要輻射を外部へ発生することもなくなる。
　
（４−２）引用発明
　上記によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているといえる。
　
「半導体基板上のエピタキシャル層(32)内に形成された第１の電子ブロック領域(21)と、
ブロック領域間の信号線(26)と
第１の電子ブロック領域(21)の周囲に形成されたＮ型のダミーアイランド領域(22)とオーミックコンタクトしている、前記Ｎ型のダミーアイランド領域(22)と実質的に同形状の第１電極(23)と、
を有し、
第１電極(23)は、複数の領域で切断され、信号線やフィードバック線が配線できる幅を有している切断領域(25)を有している半導体集積回路。」
　
５．対比
（５−１）本願発明と引用発明との対比
　　ア　引用例の「前記第１の電子ブロック領域(21)と第１電極(23)とを被覆するシールド電極(24)とがある。」（第３頁右下欄第９〜１０行）、「シールド電極(24)と第１電極(23)でシールドしているので、シールド電極(24)下に設けられた信号線やフィードバック線等の配線は、外部からの不要輻射を受けず、また内部からの不要輻射を外部へ発生することもなくなる。」（第４頁右上欄第４〜９行）との記載からみて、引用発明の「第1の電子ブロック領域(21)」は、本願発明の「シールド対象領域」に相当する。
　
　　イ　引用発明の「ブロック領域間の信号線(26)」は、「第1の電子ブロック領域(21)」の「内外で信号の授受をおこなうための」ものであることは明らかである。
　
　　ウ　引用例の「シールド電極(24)と第１電極(23)でシールドしているので、シールド電極(24)下に設けられた信号線やフィードバック線等の配線は、外部からの不要輻射を受けず、また内部からの不要輻射を外部へ発生することもなくなる。」（第４頁右上欄第４〜９行）との記載からみて、引用発明の「第１電極(23)」は、本願発明の「シールド配線」に相当し、これが「第１の電子ブロック領域(21)の周囲に」形成されていることも明らかである。
　
　エ　引用発明の「第１電極(23)」は、「信号線やフィードバック線が」ある領域で「分離」していることは明らかである。
　
（５−２）そうすると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
（一致点）
「半導体基板の一主面に設けられるシールド対象領域と、
　前記シールド対象領域の内外で信号の授受をおこなうために、前記シールド対象領域の外部から電気的に接続される接続配線と、
　前記シールド対象領域の周辺に配置されたシールド配線と、
を有し、
　前記シールド配線は、分離していることを特徴とする半導体集積回路。」
　
（相違点）
（相違点１）
　本願発明は、「前記シールド対象領域に設けられた、前記シールド対象領域の内外で信号の授受をおこなうための外部接続端子と、前記外部接続端子に前記シールド対象領域の外部から電気的に接続される接続配線」を有するのに対して、引用発明は、「ブロック領域間の信号線(26)」を有するのみで、本願発明の「外部接続端子」に相当するものを有していない点。
　
（相違点２）
　本願発明の「シールド配線」は、「外部接続端子と同層に配置され」ているのに対して、引用例の「この第１の絶縁膜(35)上に形成された一点斜線で示す第１層目の電極(23)，(26)とがある。」（第３頁右上欄第１８〜２０行）との記載からみて、引用発明では、本願発明の「シールド配線」に相当する「第１電極(23)」と、「信号線(26)」が、同層に配置されているものの、本願発明の「外部接続端子」に相当するものがない点。
　
（相違点３）
　本願発明では、「前記シールド配線は、前記外部接続端子がある領域で分離している」のに対して、引用発明では、本願発明の「シールド配線」に相当する「第１電極(23)」が、「信号線やフィードバック線が」存在する領域で「分離」しているものの、本願発明の「外部接続端子」に相当するものがない点。
　
６．相違点についての検討
（６−１）相違点１について
　一般に、ある回路ブロック領域において、当該回路ブロック領域外との信号の授受を行うための配線を外部から引き込み、接続する際に、回路ブロック領域内に接続端子を設け、当該配線と接続することは、周知の技術であり、引用発明においても、「信号線(26)」を「第１の電子ブロック領域(21)」に接続する際に、「第１の電子ブロック領域(21)」内に接続端子を設け、当該接続端子に「信号線(26)」を接続することにより、本願発明のように、「前記シールド対象領域に設けられた、前記シールド対象領域の内外で信号の授受をおこなうための外部接続端子と、前記外部接続端子に前記シールド対象領域の外部から電気的に接続される接続配線」を有する構成とすることは、周知の技術に基づいて、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点１に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６−２）相違点２について
　一般に、多層配線構造において、複数の異なる端子や配線パターンを同じ配線層で形成するか、異なる配線層で形成するかということは、端子、配線パターンのレイアウト、製造工程の簡易さ等の観点から、当業者が、適宜決定し得ることであるところ、引用発明において、「第１の電子ブロック領域(21)」内に接続端子を形成しようとする場合に、「第１電極(23)」と「信号線(26)」を別の配線層で形成し、当該接続端子を、「第１電極(23)」と同層に形成することにより、本願発明のように、「シールド配線」を「外部接続端子と同層に配置」することは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６−３）相違点３について
　引用発明において、接続端子を形成しようとする場合に、当該接続端子を「第１の電子ブロック領域(21)」のどこに形成するかということは、「第１の電子ブロック領域(21)」内の素子、配線等のレイアウトを勘案しつつ、当業者が適宜設定し得ることであり、引用発明において、「第１電極(23)」が「分離」されている領域に、当該接続端子を形成することにより、本願発明のように、「前記シールド配線」が「前記外部接続端子がある領域で分離している」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点３に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６−４）したがって、本願発明は、引用例に記載された発明（引用発明）及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項２ないし９に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。