【事件の表示】
　特願２００２−３２３６２７「半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１０日出願公開、特開２００３−２８９１７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年１１月７日（優先権主張平成１４年１月２８日）の出願であって、平成２０年９月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２４日付けで拒絶査定不服審判請求がなされ、その後、当審において平成２２年３月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年５月１７日付け手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１は次のとおりである。
　
「第１導電型のＧａＡｓ基板上に、III−Ｖ族化合物半導体からなる第１導電型の第１クラッド層、活性層及び第２導電型の第２クラッド層がこの順序で形成され、
　上記活性層は、井戸層と、この井戸層よりエネルギーバンドギャップが大きくて上記井戸層を挟む障壁層とを有する半導体レーザ素子において、
　上記井戸層及び上記障壁層は、Ｖ族元素としてＰ及びＡｓを有し、III族元素としてＧａ及びＩｎを有し、
　上記障壁層のＶ族元素におけるＰの割合が、上記井戸層のＶ族元素におけるＰの割合より大きく、
　上記障壁層のIII族元素におけるＩｎの割合が、上記井戸層のIII族元素におけるＩｎの割合より小さく、
　上記障壁層は上記ＧａＡｓ基板に対して引っ張り歪を有し、
　上記井戸層は上記ＧａＡｓ基板に対して圧縮歪を有し、
　発振波長が略７８０ｎｍであることを特徴とする半導体レーザ素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審における拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２２０２２４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＧａＡｓ基板上に、ｐおよびｎ型の一方の導電性を有する第一クラッド層、第一光導電層、Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第一バリア層、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層、Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第二バリア層、第二光導波層、ｐ型およびｎ型の他方の導電性を有する第二クラッド層がこの順に積層されてなる半導体レーザ装置であって、
前記第一および第二クラッド層が前記ＧａＡｓ基板に格子整合する組成からなり、
前記第一および第二光導波層が前記ＧａＡｓ基板に格子整合する組成からなり、
前記第一および第二バリア層が、前記ＧａＡｓ基板に対して引張り歪を有する、合計層厚１０〜３０ｎｍの層であって、その引張り歪の歪量×合計層厚＝０．０５〜０．２ｎｍを満たす組成からなり、
前記Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層が、前記ＧａＡｓ基板に格子整合する組成、もしくは、前記ＧａＡｓ基板に対して０．００３までの引張り歪を有する組成からなるものであることを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に関し、詳しくは半導体レーザ装置を構成する半導体層の組成に関するものである。」
　
　ウ　「【０００２】
【従来の技術】従来、０．７−０．８５μｍ帯の半導体レーザとしては、ｎ−ＧａＡｓ基板に、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｎまたはｉ−ＡｌＧａＡｓ光導波層、ｉ−ＡｌＧａＡｓ活性層、ｐまたはｉ−ＡｌＧａＡｓ光導波層、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｐ−ＧａＡｓキャップ層を積層してなる半導体レーザが一般的である。しかし、この構造では活性層にＡｌを含み、Ａｌは化学的に活性で酸化されやすいため、劈開して形成した共振器端面が劣化しやすく、高信頼性という点で不利である。」
　
　エ　「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、耐久性があり、かつ、高出力発振下においても信頼性の高い０．８μｍ帯の半導体レーザを提供することを目的とするものである。」
　
　オ　「【００１４】図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザの断面図である。この半導体レーザの構成を、作製方法と併せて説明する。
【００１５】有機金属気相成長法によりｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層２、ｎまたはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層３、ｉ−Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２引張り歪バリア層４、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層５、ｉ−Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２引張り歪バリア層６、ｐまたはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層７、ｐ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層８、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９を形成する。その後にコンタクト層９および基板１のそれぞれにｐ側電極１０およびｎ側電極１１を形成して完成する。なお、各クラッド層２，８および各光導波層３，７はそれぞれＧａＡｓ基板１に格子整合する組成比とするが、上記組成の他ＩｎＧａＡｌＡｓＰ系の半導体層を用いてもよい。
【００１６】また、本実施形態においては、量子井戸活性層５は基板１に格子整合する組成とし、また、引張り歪バリア層は基板１に対する歪量が０．００７となる組成としてその層厚を５ｎｍとした。
・・・
【００１９】本半導体レーザは、活性層４にＡｌを含まないため耐久性が高く、また、上述のように活性層の上下層に引張り歪バリア層４、６を備えたことによる活性層近傍の格子緩和によりバンドギャップを大きくすることができ、結果として出射端面における光の吸収を低減することができる。また、該引張り歪バリア層により活性層とバリア層との障壁高さを大きくすることにより、活性層から光導波層への電子および正孔の漏れを低減することができる。以上の効果により、駆動電流を低減することができ、素子端面における発熱を低減することができるので高出力発振下においても信頼性の高い０．８μｍ帯の半導体レーザを実現することができる。
・・・
【００２１】なお、上記実施の形態においては、単純な全面電極形成型の半導体レーザについて説明したが、コンタクト層上にストライプ状の電流注入窓を有する絶縁膜を形成した利得導波型ストライプレーザとしてもよい。さらに、上記本実施形態の半導体レーザの半導体層構成を、通常のフォトリソグラフィやドライエッチングを用いて作製される、屈折率導波機構付き半導体レーザ、回折格子付きの半導体レーザ、もしくは、光集積回路等に適用することもできる。」
　
　カ　「【０１００】・・・以上説明した実施の形態では特に量子井戸が単一で、光導波層組成が一定のＳＱＷ−ＳＣＨと呼ばれる構造を示したが、ＳＱＷの代わりに量子井戸を複数とするＭＱＷとしてもよい。
【０１０１】また、前記Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３活性層の組成比等を制御することにより、発振波長は、７５０ｎｍ＜λ＜８５０ｎｍの範囲で制御が可能である。」
　
　キ　前記オ（【００１４】及び【００１５】）を踏まえると、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザにおいて、ＧａＡｓ基板はｎ型であり、第一クラッド層はｎ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層２であり、第一光導電層はｎまたはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層３であり、第二光導波層はｐまたはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層７であり、第二クラッド層はｐ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層８である、といえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＧａＡｓ基板上に、ｐおよびｎ型の一方の導電性を有する第一クラッド層、第一光導電層、Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第一バリア層、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層、Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第二バリア層、第二光導波層、ｐ型およびｎ型の他方の導電性を有する第二クラッド層がこの順に積層されてなる半導体レーザ装置であって、
　前記第一および第二クラッド層が前記ＧａＡｓ基板に格子整合する組成からなり、
　前記第一および第二光導波層が前記ＧａＡｓ基板に格子整合する組成からなり、
　前記第一および第二バリア層が、前記ＧａＡｓ基板に対して引張り歪を有する、合計層厚１０〜３０ｎｍの層であって、その引張り歪の歪量×合計層厚＝０．０５〜０．２ｎｍを満たす組成からなり、
　前記Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層が、前記ＧａＡｓ基板に格子整合する組成、もしくは、前記ＧａＡｓ基板に対して０．００３までの引張り歪を有する組成からなるものであり、
　前記ＧａＡｓ基板はｎ型であり、前記第一クラッド層はｎ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層であり、前記第一光導電層はｎまたはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層であり、前記第二光導波層はｐまたはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層であり、前記第二クラッド層はｐ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層であり、
　前記Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３活性層の組成比等を制御することにより、発振波長は、７５０ｎｍ＜λ＜８５０ｎｍの範囲で制御が可能である半導体レーザ装置。」
　
（２）引用刊行物２及び３
　当審における拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である赤崎勇編「アドバンスト　エレクトロニクスＩ−１　III−Ｖ族化合物半導体」（１９９８年９月３０日）培風館ｐ．１８６〜１９０（以下「引用刊行物２」という。特に、図７．３１参照。）、及び、同じく当審における拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である伊賀健一編著「応用物理学シリーズ　半導体レーザ」（平成６年１０月２５日）オーム社ｐ．２９〜３２（以下「引用刊行物３」という。特に、図２・５参照。）には、ＧａＩｎＡｓＰ（ＩｎＧａＡｓＰ）の４元混晶半導体において、その混晶比によって当該ＧａＩｎＡｓＰ４元混晶半導体のバンドギャップ及び格子定数が変化することが記載されている。
　
（３）引用刊行物４
　当審における拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−１４８５４１号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光装置およびその半導体発光装置を励起光源に用いた固体レーザ発光装置およびレーザ装置、特に、内部狭窄構造と屈折率導波機構を備えた半導体発光装置およびその半導体発光装置を励起光源に用いた固体レーザ発光装置および第二高調波を発するレーザ装置に関するものである。」
　
　イ　「【００２３】
【発明の効果】・・・
【００３１】・・・圧縮歪量子井戸活性層の上下にＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰまたはＧａＡｓＰからなる引張り歪障壁層を形成した場合、しきい値電流の低減等、種々の特性および信頼性を向上させることができる。」
　
　ウ　「【００５０】次に本発明の第２の実施の形態である半導体レーザ素子について説明し、その半導体レーザ素子の作成過程の断面図を図５に示す。
【００５１】図５ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板６１上に、有機金属気相成長法によりｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ下部クラッド層６２、ｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下部光導波層６３、Ｉｎｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ１−ｙ５Ｐｙ５（０≦ｘ５≦０．３、ｘ５＜０．４９ｙ５）引張り歪障壁層６４、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３圧縮歪量子井戸活性層６５（０＜ｘ３≦０．４、ｘ３＞０．４９ｙ３）、Ｉｎｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ１−ｙ５Ｐｙ５（０≦ｘ５≦０．３、ｘ５＜０．４９ｙ５）引張り歪障壁層６６、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層６７、厚さが例えば２０ｎｍのｐ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層６８（０≦ｘ１≦０．５および０≦ｙ１≦０．８）、厚さが例えば１μｍのｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ３Ｇａ１−ｚ３）０．５１Ｐ電流狭窄層６９（０＜ｚ１≦ｚ３≦１）、厚さが例えば１０ｎｍのｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐキャップ層７０、厚さが例えば１０ｎｍのｎ−ＧａＡｓキャップ層７１を積層する。この上にＳｉＯ２膜７２を形成し、〈０１１〉方向に通常のリソグラフィにより５０μｍ程度の幅のストライプ領域のＳｉＯ２膜７２を除去する。
【００５２】ここで、ＧａＡｓ基板の格子定数をｃｓとし、活性層の格子定数をｃａ、活性層の膜厚をｄaとし、引張り歪障壁層の格子定数をｃb、上下の引張り歪障壁層の合計膜厚をｄbとすると、活性層の歪量△aは、△a＝（ｃa−ｃs）／ｃs、引張り歪障壁層の歪量△bは、△b＝（ｃb−ｃs）／ｃsで表される。よって、活性層の歪量と合計膜厚の積と引張り歪障壁層の歪量と合計膜厚の積の和は、△a・ｄa＋△b・ｄbで表される。そして、−０．２５．ｎｍ＜△a・ｄa＋△b・ｄb＜０．２５ｎｍであることが結晶の歪による欠陥を避けるため望ましい。
【００５３】次に、図５ｂに示すように、ＳｉＯ２膜７２をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャップ層７１をエッチングし、引き続き、塩酸系エッチャントでｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐキャップ層７０およびｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ３Ｇａ１−ｚ３）０．５１Ｐ電流狭窄層６９をエッチングすることにより、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層６８を露出させる。
【００５４】次に、図５ｃに示すように、ＳｉＯ２膜７２をフッ酸系のエッチャントで除去し、引き続き、硫酸系のエッチャントで、ｎ−ＧａＡｓキャップ層７１と溝の底面のＩｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層６８を除去し、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層６７を露出させる。
【００５５】その後、図５ｄに示すように、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第二光導波層７３、ｐ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ上部クラッド層７４、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７５を形成する。ｐ側電極７６を形成し、その後、基板の研磨を行いｎ側電極７７を形成する。その後、試料を劈開して形成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行い、その後、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。」
　
　エ　「【００６６】上記実施の形態による半導体レーザ素子の発振する波長帯に関しては、活性層に圧縮歪、引張り歪あるいは格子整合するＩｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３（０≦ｘ３≦０．４、０≦ｙ３≦０．６）を用いることにより、７００＜λ＜１２００（ｎｍ）の範囲までの制御が可能である。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物４には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「ｎ型ＧａＡｓ基板上に、有機金属気相成長法によりｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ下部クラッド層、ｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下部光導波層、Ｉｎｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ１−ｙ５Ｐｙ５（０≦ｘ５≦０．３、ｘ５＜０．４９ｙ５）引張り歪障壁層、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３圧縮歪量子井戸活性層（０＜ｘ３≦０．４、ｘ３＞０．４９ｙ３）、Ｉｎｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ１−ｙ５Ｐｙ５（０≦ｘ５≦０．３、ｘ５＜０．４９ｙ５）引張り歪障壁層、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層、ｐ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層（０≦ｘ１≦０．５および０≦ｙ１≦０．８）、ｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ３Ｇａ１−ｚ３）０．５１Ｐ電流狭窄層（０＜ｚ１≦ｚ３≦１）、ｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐキャップ層、ｎ−ＧａＡｓキャップ層を積層し、この上にＳｉＯ２膜を形成し、〈０１１〉方向に通常のリソグラフィによりストライプ領域のＳｉＯ２膜を除去し、次に、ＳｉＯ２膜をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャップ層をエッチングし、引き続き、塩酸系エッチャントでｎ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐキャップ層およびｎ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ３Ｇａ１−ｚ３）０．５１Ｐ電流狭窄層をエッチングすることにより、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層を露出させ、次に、ＳｉＯ２膜をフッ酸系のエッチャントで除去し、引き続き、硫酸系のエッチャントで、ｎ−ＧａＡｓキャップ層と溝の底面のＩｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１エッチング阻止層を除去し、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第一光導波層を露出させ、その後、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第二光導波層、ｐ−Ｉｎ０．４９（Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１）０．５１Ｐ上部クラッド層、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層を形成し、ｐ側電極を形成し、その後、基板の研磨を行いｎ側電極を形成し、その後、試料を劈開して形成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行い、その後、チップ化して完成させた半導体レーザ素子であって、
　発振する波長帯に関しては、活性層に圧縮歪、引張り歪あるいは格子整合するＩｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３（０≦ｘ３≦０．４、０≦ｙ３≦０．６）を用いることにより、７００＜λ＜１２００（ｎｍ）の範囲までの制御が可能であり、
　圧縮歪量子井戸活性層の上下にＩｎＧａＡｓＰからなる引張り歪障壁層を形成し、しきい値電流の低減等、種々の特性および信頼性を向上させることができる半導体レーザ素子。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「半導体レーザ装置」は、「ＧａＡｓ基板上に、ｐおよびｎ型の一方の導電性を有する第一クラッド層、第一光導電層、Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第一バリア層、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層、Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第二バリア層、第二光導波層、ｐ型およびｎ型の他方の導電性を有する第二クラッド層がこの順に積層されてなる」ものであって、「前記ＧａＡｓ基板はｎ型であり、前記第一クラッド層はｎ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層であり、前記第一光導電層はｎまたはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層であり、前記第二光導波層はｐまたはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層であり、前記第二クラッド層はｐ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層であり」、前記「第一クラッド層」、「第一光導電層」、「第一バリア層」、「量子井戸活性層」、「第二バリア層」、「第二光導波層」及び「第二クラッド層」は、それぞれ、III−Ｖ族化合物半導体からなるといえ、また、前記「第一バリア層」及び「第二バリア層」は、前記「量子井戸活性層」よりエネルギーバンドギャップが大きいといえるから、
　ア　引用発明１の「（ｎ型の）ＧａＡｓ基板」、「（ｎ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層である）第一クラッド層」、「（ｐ−Ｇａ１−ｚ１Ａｌｚ１Ａｓクラッド層である）第二クラッド層」および「半導体レーザ装置」は、それぞれ、本願発明の「（第１導電型の）ＧａＡｓ基板」、「第１導電型の第１クラッド層」、「第２導電型の第２クラッド層」及び「半導体レーザ素子」に相当する。また、
　イ　引用発明１の「Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層」は、本願発明の「井戸層」に相当し、
　ウ　引用発明１の「Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第一バリア層」及び「Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第二バリア層」は、本願発明の「障壁層」に相当し、
　エ　引用発明１の「第一光導電層」、「Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第一バリア層」、「Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層」、「Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第二バリア層」及び「第二光導波層」は、本願発明の「活性層」に相当する。そして、
　オ　引用発明１は、本願発明の「第１導電型のＧａＡｓ基板上に、III−Ｖ族化合物半導体からなる第１導電型の第１クラッド層、活性層及び第２導電型の第２クラッド層がこの順序で形成され、上記活性層は、井戸層と、この井戸層よりエネルギーバンドギャップが大きくて上記井戸層を挟む障壁層とを有する半導体レーザ素子において、上記井戸層及び上記障壁層は、Ｖ族元素としてＰ及びＡｓを有し、III族元素としてＧａ及びＩｎを有し」との事項を備える。
　
（２）引用発明１の「半導体レーザ装置」は、「第一および第二バリア層が、前記ＧａＡｓ基板に対して引張り歪を有する・・・組成からな」るから、引用発明１は、本願発明の「上記障壁層は上記ＧａＡｓ基板に対して引っ張り歪を有し」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「第１導電型のＧａＡｓ基板上に、III−Ｖ族化合物半導体からなる第１導電型の第１クラッド層、活性層及び第２導電型の第２クラッド層がこの順序で形成され、
　上記活性層は、井戸層と、この井戸層よりエネルギーバンドギャップが大きくて上記井戸層を挟む障壁層とを有する半導体レーザ素子において、
　上記井戸層及び上記障壁層は、Ｖ族元素としてＰ及びＡｓを有し、III族元素としてＧａ及びＩｎを有し、
　上記障壁層は上記ＧａＡｓ基板に対して引っ張り歪を有する半導体レーザ素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
［相違点１］
　本願発明は、障壁層のＶ族元素におけるＰの割合が、井戸層のＶ族元素におけるＰの割合より大きく、障壁層のIII族元素におけるＩｎの割合が、井戸層のIII族元素におけるＩｎの割合より小さいのに対し、引用発明１は、障壁層及び井戸層のＰ及びＩｎの割合が明らかではない点。
［相違点２］
　井戸層が、本願発明では、ＧａＡｓ基板に対して圧縮歪を有するのに対し、引用発明１では、ＧａＡｓ基板に格子整合する組成からなり、圧縮歪を有していない点。
［相違点３］
　発振波長が、本願発明では、略７８０ｎｍであるのに対し、引用発明１では、７５０ｎｍ＜λ＜８５０ｎｍの範囲である点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　上記２（２）によれば、ＧａＩｎＡｓＰ（ＩｎＧａＡｓＰ）の４元混晶半導体において、その混晶比によって当該ＧａＩｎＡｓＰ４元混晶半導体のバンドギャップ及び格子定数が変化することは引用刊行物２及び３に記載されているところ、引用発明１の「半導体レーザ装置」において、その「Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第一バリア層」及び「Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２第二バリア層」（障壁層）が「Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層」（井戸層）より大きなバンドギャップを有すべきことは当業者において明らかであり、当該障壁層と井戸層とのバンドギャップの差をできるだけ大きくするために、引用刊行物２及び３の記載に照らして、障壁層のＶ族元素におけるＰの割合を井戸層のＶ族元素におけるＰの割合より大きくし、かつ、障壁層のIII族元素におけるＩｎの割合を井戸層のIII族元素におけるＩｎの割合より小さくすることは当業者が容易になし得ることである。
［相違点２］について
　上記２（３）によれば、引用刊行物４には前記引用発明２が記載され、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、・・・Ｉｎｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ１−ｙ５Ｐｙ５引張り歪障壁層、Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層（０＜ｘ３≦０．４、ｘ３＞０．４９ｙ３）、Ｉｎｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ１−ｙ５Ｐｙ５引張り歪障壁層・・・を積層した半導体レーザ素子において、ＩｎＧａＡｓＰの引張り歪障壁層に挟まれたＩｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層を圧縮歪を有するものとして、そのしきい値電流を低減させることが示されているところ、引用発明１の「半導体レーザ装置」において、しきい値電流を低減させるために、その「Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層」をＧａＡｓ基板に対して圧縮歪を有するものとなすことは、当業者が適宜になし得ることである。
［相違点３］について
　引用発明の「半導体レーザ装置」は、「Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３活性層の組成比等を制御することにより、発振波長」を「７５０ｎｍ＜λ＜８５０ｎｍの範囲で制御」「可能」なものであるから、当該Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３活性層の組成比等を制御してその発振波長を略７８０ｎｍとなすことは、当業者が必要に応じて適宜になし得ることである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、４に記載された発明及び引用刊行物２、３に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、４に記載された発明及び引用刊行物２、３に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。