【事件の表示】
　特願２００２−２５６５３１「グレートーンマスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年６月２０日出願公開、特開２００３−１７３０１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は、平成１３年９月２８日に出願された特願２００１−３０４４５６号を国内優先権主張の基礎として平成１４年９月２日に出願された特願２００２−２５６５３１号に係り、原審において平成１７年１月２５日（起案日）付で拒絶査定され、その後、前記査定を不服とする審判が平成１７年３月９日に請求されるとともに平成１７年４月７日に明細書を補正する手続補正書が提出され、当審において平成１８年８月３１日（起案日）付の拒絶理由を通知したところ、平成１８年１１月６日に意見書とともに明細書を補正する手続補正書が提出されたものである。
　
第２　当審が通知した平成１８年８月３１日付の拒絶理由の内容
　当審が平成１８年８月３１日付で通知した拒絶理由について、その内容の概略は、次のとおりのものである。
１　特許法第２９条第２項違反（理由１）について
（１）引用刊行物
　
引用刊行物１
　
引用刊行物２
　
引用刊行物３
　
（２）本願の特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に係る発明について
　本願の特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に係る発明は、上記引用刊行物１、引用刊行物２及び引用刊行物３に記載の各発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願の特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
２　特許法第３６条第６項違反（理由２）について
（１）特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に「前記基板を下向きに保持し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走査させることによって塗布すること」と記載されている。
　しかしながら、明細書の発明の詳細な説明及び図面には、請求項１及び請求項２に記載の「ノズル先端を基板上で走査させること」が記載されていない。
　したがって、「前記基板を下向きに保持し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走査させることによって塗布すること」を発明特定事項とする請求項１及び請求項２に係る発明は、「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものである」ということができないので、請求項１及び請求項２に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない。
　また、本願明細書に添付した図面【図７】の「フォトマスクブランク」上に表示されている「左向き走行方向の矢印の表示」は、矢印の方向が逆向きであるので、不適切な表示である。
　
（２）特許請求の範囲の請求項２に「一辺が３３０ｍｍ以上の基板と、前記基板の主表面に形成された遮光膜と、前記遮光膜上に、前記基板を下向きに保持し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走査させることによって塗布することによって形成された、前記グレートーン部が形成される領域内において面内分布が１％以下であるレジスト膜とを有することを特徴とするフォトマスクブランク」と記載されている。
　しかしながら、明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載によれば、「フォトマスクブランク」は、「精密研磨されたガラス基板上にＣｒ膜が成膜されてはいるが、未だレジスト液は塗布されていない段階の、遮光層のみが成膜されている基板」の意義であることが明らかであるから、請求項２には、明細書の発明の詳細な説明に記載されていない事項が、請求項２の発明特定事項として記載されている。
　したがって、「一辺が３３０ｍｍ以上の基板と、前記基板の主表面に形成された遮光膜と、前記遮光膜上に、前記基板を下向きに保持し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走査させることによって塗布することによって形成された、前記グレートーン部が形成される領域内において面内分布が１％以下であるレジスト膜とを有することを特徴とするフォトマスクブランク」を発明特定事項とする請求項２に係る発明は、「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものである」ということができないので、請求項２に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない。
　
第３　平成１８年１１月６日付手続補正の内容
　審判請求人が平成１８年１１月６日付でした手続補正について、その内容の概略は、次のとおりのものである（下線は当審が付した）。
１　特許請求の範囲の補正
　特許請求の範囲の
　「【請求項１】　画素パターンを多数有するＬＣＤ製造用のグレートンマスクであって、遮光部と、透光部と、マスクを使用する露光機の解像限界以下のパターン寸法を有する遮光パターンを形成した領域であってこの領域を透過する露光光の透過量を低減させるグレートーン部とを有し、各画素パターンに前記グレートーン部を有するグレートーンマスクの製造方法であって、
　主表面に遮光膜が形成された一辺が３３０ｍｍ以上の基板の前記遮光膜上に、前記グレートーン部が形成される領域内において面内分布が１％以下となるレジスト膜を、前記基板を下向きに保持し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走査させることによって塗布することによって形成する工程を有することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
　　【請求項２】　画素パターンを多数有するＬＣＤ製造用のグレートンマスクであって、遮光部と、透光部と、マスクを使用する露光機の解像限界以下のパターン寸法を有する遮光パターンを形成した領域であってこの領域を透過する露光光の透過量を低減させるグレートーン部とを有し、各画素パターンに前記グレートーン部を有するグレートーンマスクを製造するためのフォトマスクブランクであって、
　一辺が３３０ｍｍ以上の基板と、
　前記基板の主表面に形成された遮光膜と、
　前記遮光膜上に、前記基板を下向きに保持し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走査させることによって塗布することによって形成された、前記グレートーン部が形成される領域内において面内分布が１％以下であるレジスト膜とを有することを特徴とするフォトマスクブランク。」
の記載を
　「【請求項１】　画素パターンを多数有するＬＣＤ製造用のグレー
トーン
前記多数の
同一パターン形状の
　主表面に遮光膜が形成された一辺が３３０ｍｍ以上の基板の前記遮光膜上に、前記グレートーン部が形成される領域内において
膜厚の
基板上に接液させながら
を走行
して
することにより
　
画素エリア内に均等に配したすべての点ポイントにおいて、グレートーンパターンのすべての部分を解像させ、前記グレートーン部を透過する光の透過量を一様に低減し、この領域に対応する被転写基板上のフォトレジストの膜厚を選択的に一様に変えるものとすること
　　【請求項２】　画素パターンを多数有するＬＣＤ製造用のグレー
トーン
前記多数の
同一パターン形状の
　
前記グレートーン部は、屈曲部を有する遮光部間に、前記屈曲部に沿ってライン状に形成された所定のグレートーンパターンを有し、
膜厚の
基板上に接液させながら
を走行
して
することにより
　
画素エリア内に均等に配したすべてのポイントにおいて、前記所定のグレートーンパターンのすべての部分を、解像させた
　　【請求項３】　
請求項１又は２に記載の製造方法によって得られたＬＣＤ製造用のグレートーンマスク
と補正する。
　
２　本願明細書に添付した図面の補正
　本願明細書に添付した図面【図７】を、該【図７】の「フォトマスクブランク」上に表示されていた「左向きの矢印の表示」を削除した【図７】に補正する。
　
第４　当審の判断
１　本願発明
　本願の請求項１ないし請求項３に係る発明は、当審が通知した拒絶理由に対してなされた上記平成１８年１１月６日付の手続補正に基づく本願明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、特にその請求項１に係る発明は、次のとおりのもの（以下、これを「
本願発明１
　「【請求項１】　画素パターンを多数有するＬＣＤ製造用のグレートーンマスクであって、遮光部と、透光部と、マスクを使用する露光機の解像限界以下のパターン寸法を有する遮光パターンを形成した領域であってこの領域を透過する露光光の透過量を低減させるグレートーン部とを有し、前記多数の各画素パターンに同一パターン形状の前記グレートーン部を有するグレートーンマスクの製造方法であって、
　主表面に遮光膜が形成された一辺が３３０ｍｍ以上の基板の前記遮光膜上に、前記グレートーン部が形成される領域内において膜厚の面内分布が１％以下となるレジスト膜を、前記基板を下向きに保持し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液を基板上に接液させながら基板を走行させることによって塗布して形成する工程を有することにより、
　画素エリア内に均等に配したすべての点ポイントにおいて、グレートーンパターンのすべての部分を解像させ、前記グレートーン部を透過する光の透過量を一様に低減し、この領域に対応する被転写基板上のフォトレジストの膜厚を選択的に一様に変えるものとすることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。」
　
２　特許法第２９条第２項違反（理由１）について
（１）引用刊行物及びその記載事項
　
引用刊行物１
　
引用刊行物２
　
引用刊行物３
　
ア　当審が通知した拒絶理由の中での引用刊行物として提示した上記特開２００１−１４７５１５号公報（以下、「
引用刊行物１
　「【０００２】【従来の技術】　従来、例えば微小光学素子の製造等に用いるために、加工対象である基材に積層されたフォトレジストにレプリカとなる３次元形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンに基づいて基材をエッチング処理することにより、基材をレプリカであるレジストパターンと同一のパターンに加工するようにした技術が開発されている。このような技術は、例えば、特開平７−６３９０４号公報、特開平８−２１９０８号公報、特表平８−５０４５１５号公報等に開示されている。
　　【０００３】　このようなフォトレジストを用いて複雑な３次元形状を作成する方法においては、フォトマスクに光の透過率分布を与えてフォトレジストが露光される深さを制御する方法が検討されている。このような方法としては、フォトマスクに半透過性の薄膜を形成して光透過率を制御する方法と、フォトマスクに微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることで透過する光量を制御する方法とが考えられている。特に、フォトマスクに微細な開口パターンを多数並べる後者の方法は、半導体等で通常用いられるフォトマスクの加工方法と同一の方法で目的の３次元形状を作成することができるため、その方法の実施が比較的容易である。
　　【０００４】　ここで、特表平８−５０４５１５号公報には、レンズとして加工する対象としての基材にフォトレジストを積層し、基材に作成したいレンズを微小な複数の領域に分割し、それぞれの領域におけるレンズの厚さに応じてフォトマスクに光透過率の分布を与え、このようなフォトマスクを介して露光されたフォトレジストの残膜厚に所望の３次元形状を形成するようにした発明が開示されている。そして、この公報では、フォトマスクに与える光透過率の分布を、微小領域での開口率の変化により与えるようにしている。つまり、フォトマスクに微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることで透過する光量を制御する方法が採用されている。図１６に、フォトマスク１０１を用いて形成したレジストパターン１０２の一例を模式的に示す。
　　【０００５】　また、特表平８−５０４５１５号公報と同一の発明者による“Development of the dispersible microlens(Pure Appl. Opt.３（１９９４）９７−１０１）では、マスクパターンにおける微小領域を図１７（ａ）〜（ｄ）に例示するようなグレースケールパターン１０３により表すことが示されている。例えば２５６階調の表現をする場合、２５６通りのグレースケールパターン１０３を予め用意し、各グレースケールパターン１０３毎にフォトレジストに対するレジスト深さのデータを取り、このようなグレースケール値とレジスト深さとの対応関係を所定の記憶領域に記憶させておく（図１８参照）。そして、レンズとして加工する対象としての基材にフォトレジストを積層し、基材に作成したいレンズを微小な複数の領域に分割し、それぞれの領域におけるレンズの厚さに応じてフォトマスクに光透過率の分布を与えるに際し、各微小領域毎に、フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせて図１８のグラフから得られるグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３が選択されるわけである。
　　【０００６】【発明が解決しようとする課題】　フォトレジストを用いて複雑な３次元形状を作成するに際し、フォトマスクに光の透過率分布を与えてフォトレジストが露光される深さを制御する方法の一つとしては、前述したとおり、フォトマスクに微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることで透過する光量を制御する方法が考えられている。そして、前述したとおり、透過光量の制御方法として、図１８に例示するようなグレースケール値とレジスト深さとの対応関係のグラフを用いる方法が考えられている。」
　「【００９５】　ここで、本実施の形態のフォトマスク設計装置によって設計されるフォトマスク７は、マイクロレンズの製造に用いられる（図３及び図５参照）。つまり、加工対象である基材に積層されたフォトレジスト８にレプリカとなる３次元形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンに基づいて図示しない基材をエッチング処理することにより、基材をレプリカであるレジストパターンと同一のパターンに加工することでマイクロレンズを形成する。このようなマイクロレンズの製造に際し、フォトマスク７は、フォトレジスト８を露光する深さを制御するために用いられる。つまり、フォトマスク７は、フォトレジスト８に照射される光の光量を微小パターン９で制御する。この微小パターン９は、それぞれ所定の光透過率を持つ微小領域１０の集合である。」
　「【０１２４】［マイクロレンズの作製方法］　次いで、本発明のフォトマスクを用いたマイクロレンズの作製方法の一例を図１４に基づいて説明する。図１４は、マイクロレンズの作成過程を示すプロセスフロー図である。
　　【０１２５】　この例では、フォトレジスト１１を用いて作製したマイクロレンズを、異方性エッチングを用いて基板材料に転写する方法を用いている。この場合、フォトレジスト１１を感光性樹脂に置き換えても、同様の原理でマイクロレンズを作製することが可能である。そこで、ここではフォトレジスト１１でマイクロレンズを作製する方法を説明するが、この説明は、感光性樹脂でマイクロレンズを作製する方法の説明も兼ねる。
　　【０１２６】　まず、図１４（ａ）に示すように、マイクロレンズを作製しようとする材料からなる基板１２にスピンコーターを用いて所定の厚みのフォトレジスト１１を塗布する。このフォトレジスト１１の厚さは、マスク設計時に想定した厚さと同じになるようにする。この場合、フォトレジスト１１の厚さは、フォトレジスト１１の粘度を調整したり、スピンコーターの回転数を調整したりすることにより、調整可能である。その後、オーブンを用い、塗布されたフォトレジスト１１を乾燥させ、亀裂が発生しないように十分に時間をかけてフォトレジスト１１を冷却する。
　　【０１２７】　次いで、図１４（ｂ）に示すように、マイクロレンズパターンが含まれているフォトマスク１３を用い、フォトレジスト１１を露光する。露光にはアライナーを用いる。露光過程の際に用いられる各部の配置は、図１７（ｂ）に示すように、基板１２の上に塗布されて乾燥冷却されたフォトレジスト１１の上に、フォトマスク１３と拡散板１４とを配置し、これらの拡散板１４及びフォトマスク１３を介して図示しない光源からフォトレジスト１１に光を照射するようになっている。……。
　　【０１２８】　こうしてマイクロレンズパターンが含まれているフォトマスク１３を用い、フォトレジスト１１を露光することにより、フォトレジスト１１における露光部分１５がその露光量に応じた量だけ除去され、フォトレジスト１１においてマイクロレンズパターンが生成される。
　　【０１２９】　……。
　　【０１３０】　その後、図１４（ｃ）に示すように、現像を行ない、目的のマイクロレンズ形状のフォトレジストパターンを得る。この場合、使用する波長で十分な透過率が得られ、使用する環境（熱、湿度等）に耐えられるようなフォトレジストや感光性ポリイミド等の感光性樹脂が用いられている場合には、そのままレンズとしての使用が可能である。
　　【０１３１】　そして、図１４（ｄ）に示すように、最後に、異方性ドライエッチングを行なってフォトレジストパターンを基板に１２に転写することで、光学素子となる目的のマイクロレンズが得られる。」
　
　そうすると、上記引用刊行物１における前記摘記事項及び添付図面における記載からみて、引用刊行物１には、次の発明（以下、これを「
引用発明
　「フォトレジスト１１が塗布された基板１２に作成したいレンズを微小な複数の領域に分割し、それぞれの領域におけるレンズの厚さに応じた光透過率の分布が与えられたフォトマスク１３を介して露光したフォトレジスト１１の残膜厚に所望の３次元形状を形成する工程で使用されるフォトマスク１３の作成方法であって、
　マイクロレンズを作製しようとする材料からなる基板１２にスピンコーターを用いて、マスク設計時に想定した厚さと同じになるように所定の厚みのフォトレジスト１１を塗布し、次に、基板１２の上に塗布されて乾燥冷却されたフォトレジスト１１の上に、マイクロレンズパターンが含まれているフォトマスク１３と拡散板１４とを配置し、これらの拡散板１４及びフォトマスク１３を介して光源からフォトレジスト１１に光を照射して、フォトレジスト１１を露光した後、フォトレジスト１１における露光部分１５がその露光量に応じた量だけ除去され、フォトレジスト１１においてマイクロレンズパターンが生成され、その後、現像が行なわれ、目的のマイクロレンズ形状のフォトレジストパターンが得られ、最後に、異方性ドライエッチングを行なってフォトレジストパターンを基板１２に転写することにより、フォトレジスト１１を用いて光学素子となる目的のマイクロレンズを得る場合等の、フォトマスク１３を介して露光されたフォトレジスト１１の残膜厚に所望の３次元形状を形成する工程で使用されるマイクロレンズパターンが含まれているフォトマスク１３の作成方法において、
　フォトマスク１３を透過する光量を制御することによりフォトレジスト１１が露光される深さを制御するためにフォトマスク１３に微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることにより微小領域での開口率の変化による光透過率の分布をフォトマスク１３に与える手段として、２５６階調の表現をするための２５６通りのグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３で表わされる微小領域を有するマスクパターンを予め用意し、各微小領域毎に、フォトレジスト１１に形成しようとするレジスト深さに合わせて所望のグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３を選択するようにしたマイクロレンズパターンが含まれているフォトマスク１３の作成方法。」
　
イ　当審が通知した拒絶理由の中での引用刊行物として提示した上記特開２０００−３４７３８２号公報（以下、「
引用刊行物２
　「【０００１】【発明の属する技術分野】　本発明は半導体装置の製造工程等で用いられるパターン形成用マスクとその形成方法に関するものである。さらに詳しくは、マスクレジスト塗布方法に関するものであり、特にロータリーカップ（密閉式）方式のマスクレジスト塗布において、目標とするレジスト膜厚の形成のばらつきを小さくするマスクレジスト塗布方法に関する。」
　「【０００３】【発明が解決しようとする課題】　また、ロータリーカップ（密閉式）方式でのレジスト塗布においては、塗布時に風きりが生じないために四角いマスク基板を均一に塗布することができるが、レジストを乾燥させる場合にはロータリーカップの上ふたを開けて、オープンカップ方式と同様にマスク基板を回転させて乾燥を行なう。この乾燥において、均一に塗布されたレジスト層がゆらされることによってランダムな膜厚バラツキが生じるという問題があった。
　　【０００４】　この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、マスクレジスト塗布方法において、ロータリーカップ（密閉式）方式などでのレジスト膜厚形成を複数回の塗布に分けることより、レジストの乾燥において生じる膜厚バラツキを小さくして目標の膜厚のレジスト膜を形成したレジストマスク及びその形成方法を提供しようとするものである。
　　【０００５】【課題を解決するための手段】　本発明のレジストマスクは、複数のレジスト層を積層し所望の積層膜厚に形成されたレジスト膜を備えたことを特徴とするものである。また、本発明のレジストマスクの形成方法は、ロータリーカップ（密閉式）方式などによって、マスク基板上に、レジストを塗布し乾燥させて所定膜厚のレジスト層を形成する工程を複数回繰り返して、所望の積層膜厚のレジスト膜を形成するようにしたことを特徴とするものである。これにより、所望の膜厚で膜厚バラツキが小さく制御されたレジスト膜を有するレジストマスクを得ることができる。
　　【０００６】【発明の実施の形態】　図１は本発明の一実施の形態により形成されたレジストマスクを示す断面図、図２はそのレジストマスクの形成方法を説明するための図である。本発明により形成されたマスクは、図１に一例を示すように、マスク基板１が石英ガラス２とその上に積層された遮光膜３とから構成されている。また、レジスト膜４は、マスク基板１の上に形成され、第１〜第３のレジスト層４ａ，４ｂ，４ｃが積層されて構成されている。この実施の形態では、レジスト膜４が、複数のレジスト層から形成されていることと、各レジスト層の膜厚が制御されて形成されていることに特徴がある。」
　「【００１０】　ロータリーカップ方式でのレジスト膜厚のバラツキは塗布したレジストの乾燥時に起因しており、さらに膜厚のバラツキは塗布膜厚に比例する。したがって、レジスト膜厚３００ｎｍを一回で塗布した場合より、３回に分けて各回１００ｎｍで塗布した場合の方が塗布バラツキを小さくすることができる。例えば仕上り３００ｎｍの膜厚の場合、１回塗布では１５ｎｍのバラツキとなるところを、３回塗布では１０ｎｍ以下のバラツキとすることができる。」
　
ウ　当審が通知した拒絶理由の中での引用刊行物として提示した上記『月刊ＦＤＰ　Intelligence（FPD/LCDテクノロジー・ビジネスの総合情報誌）２０００．４』（株式会社プレスジャーナル、平成１２年３月１５日発行）の７８頁及び７９頁（以下、「
引用刊行物３
　「ＬＣＤ分野進出に当たって尖兵となるのが、下面塗布型コーター『CAP Coater』。塗布液の毛細管現象を利用した新型コーターで、独STEAG HamaTech GmbHがそのコーティング方法を考案した。ヒラノテクシードは同社と９８年１１月にライセンス契約を締結、同社テクニカム内に８００×９５０ｍｍ対応のテスト機を設置し、９９年に３００×４００ｍｍ対応ラボ装置を大手LCDメーカーに納入。９９年末に大手フォトマスクメーカーへ大型基板対応装置を納入するなど、LCD分野でも着々と足場を築きつつある。
　CAP Coaterは、下部にガラス基板を真空吸着したチャッキングテーブルを水平に移動させながら、液槽の開口部（ノズル）と基板を非接触の状態でノズル内部から毛細管現象によって上昇する塗布液を基板の下面に塗布する仕組み。」
　「塗布膜厚はノズルのギャップ（ｂ）、ノズルの高さ（Ｉ）、液面とノズル先端の距離（ｈ）、ノズル先端とワーク表面の距離（ｍ）、塗布速度（Ｖ）、塗布液の粘度（h）によって決まる。このうち、もっとも膜厚に影響するのは塗布速度であり、毛細管現象を利用するため、一般的な上面塗布型スリットコーターと違い、塗布速度を速くすると塗布液の表面張力が大きくなり膜厚が厚くなる。他方、移動速度を遅くすると、膜厚が薄くなる。対応膜厚は０．０５〜３μｍで、ノズルのギャップや高さといった機械仕様以外はタッチパネルで数値入力すればよく、プロセスパラメータの変更が容易となっている。」
　「特徴だが、まず１ｍ角以上の超大型基板にも対応できることが挙げられる。また、膜厚精度は±２％以内とスピンコーターを凌ぐ数値をマークしている。」
　「表のように、フォトレジスト、カラーレジスト、ポリイミドなどを塗布でき、ＬＣＤに加え、ＬＣＤ用カラーフィルタやＰＤＰにも使用できる。」
　そして、引用刊行物４の７８頁の右下に掲示されている「CAP Coaterの基本仕様」の表題の前記表には、各基本事項について「塗布液：フォトレジスト、カラーレジスト、ポリイミドなど」、「対応サイズ：１５０×１５０ｍｍ〜１２００×１５００ｍｍ（テスト機は最大８００×９５０ｍｍに対応）」、「処理能力：１〜２ｍｉｎ／枚（塗布時間）」、「塗布膜厚：０．０５〜３μｍ（ドライ時）」、「移動速度：０．１〜５ｍ／ｍｉｎ」、「膜厚均一性：±２％以内」及び「塗布液利用率：９５％以上」の仕様が記載されている。
　
（２）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と前記引用発明とを比較すると、引用発明における「マイクロレンズパターン」、「マイクロレンズパターンが含まれているフォトマスク１３」及び「マイクロレンズパターンが含まれているフォトマスク１３の作成方法」のそれぞれが、本願発明１の「画素パターン」、「グレートーンマスク」及び「グレートーンマスクの製造方法」のそれぞれに対応する。
　そうすると、引用発明の「フォトマスク１３に微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることにより微小領域での開口率の変化による光透過率の分布をフォトマスク１３に与える手段として、２５６階調の表現をするための２５６通りのグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３で表わされる微小領域を有するマスクパターン」の技術事項は、「基板上の遮光膜による遮光部と透光部とにより形成される微小領域での微細な開口パターンにおける開口率の変化による光透過率の分布の手段としての、２５６階調の表現をするための２５６通りのグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３で表わされる微小領域を有するマスクパターン」のことであるから、引用発明の前記技術事項は、本願発明１の「遮光部と、透光部と、遮光パターンを形成した領域であってこの領域を透過する露光光の透過量を低減させるグレートーン部」に対応する。
　そうすると、本願発明１と引用発明とは、
　「画素パターンを多数有するグレートーンマスクであって、遮光部と、透光部と、遮光パターンを形成した領域であってこの領域を透過する露光光の透過量を低減させるグレートーン部とを有し、各画素パターンに前記グレートーン部を有するグレートーンマスクの製造方法」
である点で一致し、次の点で構成が相違する。
　
相違点１
　
相違点２
　
相違点３
　
相違点４
　
相違点５
　
相違点６
　
相違点７
　
相違点８
　
イ　相違点についての検討
（ア）相違点１について
　上記引用刊行物３には、フォトレジスト塗布装置の応用分野に関して、「９９年末に大手フォトマスクメーカーへ大型基板対応装置を納入する」及び「表のように、フォトレジスト、カラーレジスト、ポリイミドなどを塗布でき、ＬＣＤに加え、ＬＣＤ用カラーフィルタやＰＤＰにも使用できる。」が記載されており、このことからＬＣＤ製造用のマスクは、本願の優先権主張日前の公知の技術事項であるといえる。
　そうしてみると、マスクの用途を、引用発明の「光学素子となる目的のマイクロレンズ」の用途に代えて、引用刊行物３に記載の「ＬＣＤ」の用途に変更することにより、本願発明１の前記相違点１に係る構成を得ることは、当業者が困難性を伴うことなく容易に想到し得たことである。
　
（イ）相違点２について
　引用刊行物２に、「マスク基板１が石英ガラス２とその上に積層された遮光膜３とから構成されている。また、レジスト膜４は、マスク基板１の上に形成され、第１〜第３のレジスト層４ａ，４ｂ，４ｃが積層されて構成されている。」と記載されていて、「主表面に遮光膜が形成された基板の前記遮光膜上にレジスト膜をレジスト液を塗布することによって形成する工程を有する」ことは、本願の優先権主張日当時の周知技術である。
　そして、上記引用刊行物１には、「レンズとして加工する対象としての基材にフォトレジストを積層し、基材に作成したいレンズを微小な複数の領域に分割し、それぞれの領域におけるレンズの厚さに応じてフォトマスクに光透過率の分布を与えるに際し、各微小領域毎に、フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせて図１８のグラフから得られるグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３が選択される」ことが記載されていることからみて、引用発明においても、遮光部と開口部とからなる光透過率の分布をフォトレジストに与えるための「遮光膜」が基板に形成されること及びフォトレジストが基板に塗布されることは、引用刊行物１に記載されているに等しい事項といえるから、上記相違点２は、実質上の相違点ではなく、基板の主表面に遮光膜が形成されること及びフォトレジストが基板に塗布されることが、引用刊行物１には単に明示されていないだけのことにすぎない。
　
（ウ）相違点３について
　上記引用刊行物３には、「対応サイズ：１５０×１５０ｍｍ〜１２００×１５００ｍｍ（テスト機は最大８００×９５０ｍｍに対応）」が記載されており、このことから相違点３に係る前記限定は、本願の優先権主張日前の公知の技術事項である。
　そうしてみると、引用発明に前記引用刊行物３に記載の技術事項を適用することにより、本願発明１の前記相違点３に係る構成を得ることは、当業者が困難性を伴うことなく容易に想到し得たことである。
　
（エ）相違点４について
　上記引用刊行物２には、マスクレジスト塗布において、目標とするレジスト膜厚の形成のばらつきを小さくするマスクレジスト塗布方法に関して、「膜厚バラツキを小さくして目標の膜厚のレジスト膜を形成したレジストマスク及びその形成方法」が記載されていて、「均一に塗布されたレジスト層がゆらされることによってランダムな膜厚バラツキが生じるという問題があった。」という問題認識に対して、ランダムな膜厚バラツキを回避する技術手段が示されている。
　また、上記引用刊行物３には、「膜厚精度は±２％以内とスピンコーターを凌ぐ数値をマークしている。」及び「膜厚均一性：±２％以内」が記載されている。
　しかして、引用刊行物３に記載の「膜厚精度」又は「膜厚均一性」は、必ずしも本願明細書の段落【０００５】に定義されているところの、
　「面内分布（％）＝（Ｔmax−Ｔmin）／（ＴAverage×２）×１００」
の定義式によるものということができない。
　ちなみに、膜厚の評価に使用される尺度には、前記「面内分布」の定義式の他にも、例えば面内分布（％）、膜厚精度（％）及び膜厚均一性（％）等に関して、
　（ａ式）「（Ｔmax−Ｔmin）／（Ｔmax＋Ｔmin）×１００」、又は
　（ｂ式）「（Ｔmax−Ｔmin）／（ＴAverage）×１００」、又は
　（ｃ式）「（Ｔmax−Ｔmin）／（ＴAverage／２）×１００」
の式による膜厚の評価尺度が使用されている場合もある。
　そうしてみると、本願発明１の「膜厚の面内分布が１％以下となるレジスト膜」は、他の評価尺度に換算すると、上記（ｂ式）によれば「本願発明１の面内分布が２％以下となるレジスト膜」であり、また上記（ｃ式）によれば「本願発明１の膜厚の面内分布が４％以下となるレジスト膜」である蓋然性もあり得るところのものでしかない。換言すれば、引用刊行物３に記載の「膜厚精度又は膜厚均一性が±２％以内」は、本願の前記「面内分布（％）＝（Ｔmax−Ｔmin）／（ＴAverage×２）×１００」の定義式で評価した場合には「膜厚精度又は膜厚均一性が１％以下」であることもあり得ることとなるものである。
　しかも、本願発明１の前記「膜厚の面内分布が１％以下となるレジスト膜」における数値範囲の臨界的意義については、本願明細書に記載されていない。
　そうしてみると、引用刊行物２に記載されている膜厚の不均一性による問題認識の下において、本願発明１の相違点４に係る前記「グレートーン部が形成される領域内において膜厚の面内分布が１％以下となるレジスト膜」の限定は、当業者が必要に応じて適宜なし得る設計事項であるというべきものである。
　
（オ）相違点５について
　上記引用刊行物１には、「マスクパターンにおける微小領域を図１７（ａ）〜（ｄ）に例示するようなグレースケールパターン１０３により表すことが示されている。例えば２５６階調の表現をする場合、２５６通りのグレースケールパターン１０３を予め用意し、各グレースケールパターン１０３毎にフォトレジストに対するレジスト深さのデータを取り、このようなグレースケール値とレジスト深さとの対応関係を所定の記憶領域に記憶させておく（図１８参照）。そして、レンズとして加工する対象としての基材にフォトレジストを積層し、基材に作成したいレンズを微小な複数の領域に分割し、それぞれの領域におけるレンズの厚さに応じてフォトマスクに光透過率の分布を与えるに際し、各微小領域毎に、フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせて図１８のグラフから得られるグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３が選択されるわけである。」が記載されていることからみて、引用発明においても、「パターン寸法を有するマスク」が記載されているといえる。
　そして、引用発明において、目的の光学素子を得る場合に、フォトマスク１３を介して露光されたフォトレジスト１１の残膜厚に所望の３次元形状を形成する工程で使用されるマイクロレンズパターンのパターン寸法を設定するに際して、「露光機の解像限界以下」に限定することは、当業者が必要に応じて適宜設定し得る設計事項にすぎないことである。
　
（カ）相違点６について
　上記「（イ）相違点２について」欄において前述したとおり、パターン形成用マスクを形成する場合に、パターン形成用マスクにマスクレジスト液を塗布することは、引用刊行物２に記載されているように、本願の優先権主張日当時の周知技術である。
　しかして、上記引用刊行物１に、マイクロレンズを作製しようとする材料からなる基板１２に対してではあるが、「基板に対しスピンコーターを用いてマスク設計時に想定した厚さと同じになるように所定の厚みのフォトレジスト１１を塗布する技術手段」が記載されていて、「基板にフォトレジストを塗布するスピンコーター」は、本願の優先権主張日前の公知のものである。
　また、上記引用刊行物３に、「CAP Coaterは、下部にガラス基板を真空吸着したチャッキングテーブルを水平に移動させながら、液槽の開口部（ノズル）と基板を非接触の状態でノズル内部から毛細管現象によって上昇する塗布液を基板の下面に塗布する仕組み。」が記載されていて、「下部にガラス基板を真空吸着したチャッキングテーブルを水平に移動させながら、液槽の開口部（ノズル）と基板を非接触の状態でノズル内部から毛細管現象によって上昇する塗布液を基板の下面に塗布する仕組みのCAP Coater」も、本願の優先権主張日前の公知のものであるといえる。
　そうすると、パターン形成用マスクを形成する場合に、パターン形成用マスクにマスクレジスト液を塗布するに際して、前記基板にレジスト液を塗布する公知の技術手段として、引用刊行物１に記載の「基板にフォトレジストを塗布するスピンコーター」及び引用刊行物３に記載の「下部にガラス基板を真空吸着したチャッキングテーブルを水平に移動させながら、液槽の開口部（ノズル）と基板を非接触の状態でノズル内部から毛細管現象によって上昇する塗布液を基板の下面に塗布する仕組みのCAP Coater」のなかから、前記「CAP Coater」の技術手段を選択して、引用発明のグレートーンマスクの基板にレジスト液を塗布することにより、本願発明１の前記相違点６に係る「前記基板を下向きに保持し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上昇したレジスト液を基板上に接液させながら基板を走行させることによって塗布」する構成とすることは、当業者が困難性を伴うことなく容易に想到し得たことである。
　
（キ）相違点７について
　引用刊行物１の段落【０００５】及び【０００６】には、それぞれ「また、特表平８−５０４５１５号公報と同一の発明者による“Development of the dispersible microlens(Pure Appl. Opt.３（１９９４）９７−１０１）では、マスクパターンにおける微小領域を図１７（ａ）〜（ｄ）に例示するようなグレースケールパターン１０３により表すことが示されている。例えば２５６階調の表現をする場合、２５６通りのグレースケールパターン１０３を予め用意し、各グレースケールパターン１０３毎にフォトレジストに対するレジスト深さのデータを取り、このようなグレースケール値とレジスト深さとの対応関係を所定の記憶領域に記憶させておく（図１８参照）。そして、レンズとして加工する対象としての基材にフォトレジストを積層し、基材に作成したいレンズを微小な複数の領域に分割し、それぞれの領域におけるレンズの厚さに応じてフォトマスクに光透過率の分布を与えるに際し、各微小領域毎に、フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせて図１８のグラフから得られるグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３が選択されるわけである。」及び「【発明が解決しようとする課題】　フォトレジストを用いて複雑な３次元形状を作成するに際し、フォトマスクに光の透過率分布を与えてフォトレジストが露光される深さを制御する方法の一つとしては、前述したとおり、フォトマスクに微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることで透過する光量を制御する方法が考えられている。そして、前述したとおり、透過光量の制御方法として、図１８に例示するようなグレースケール値とレジスト深さとの対応関係のグラフを用いる方法が考えられている。」が記載されている。
　そうすると、引用刊行物１の上記記載から、引用刊行物１には、「フォトマスクに微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることで透過する光量を制御する方法において、基材にフォトレジストを積層し、基材を微小な複数の領域（本願発明１の「多数の各画素パターン」に相当する。）に分割し、それぞれの領域にフォトマスクに光透過率の分布を与えるに際し、マスクパターンに図１７（ａ）〜（ｄ）に例示するような微小領域（本願発明１の「グレートーン部」に相当する。）を有するグレースケールパターン１０３により２５６階調の表現をする２５６通りの各グレースケールパターン１０３毎のフォトレジストに対するレジスト深さのデータとしてのグレースケール値とレジスト深さとの対応関係（図１８のグラフ参照）から、各微小領域毎に、フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせてグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３を選択して、微小な複数のそれぞれの領域にフォトマスクに光透過率の分布を与えるようにする技術」が開示されているということができる。
　しかして、引用刊行物１に開示されている上記技術においては、基板に作成しようとする光学素子の厚さを一様とする場合には、フォトレジストに形成しようとするレジスト深さも一様にする必要があるから、フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせて２５６通りの各グレースケールパターン１０３の中から、ある一つのグレースケール値を有するグレースケールパターン１０３を選択することとなることは、引用刊行物１に開示されているグレースケール値とレジスト深さとの対応関係（図１８のグラフ参照）から明らかなことである。そして、このときのある一つのグレースケール値を有するグレースケールパターン１０３における微小領域は、当然のこととして、「同一パターン形状のグレースケールパターン」であることになる。
　以上のことから、引用刊行物１に開示されている「フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせて２５６通りの各グレースケールパターン１０３の中から選択される、ある一つのグレースケール値を有するグレースケールパターン１０３を有するフォトマスク」は、本願発明１の「多数の各画素パターンに同一パターン形状のグレートーン部を有するグレートーンマスク」に相当するものということができる。してみると、本願発明１の前記「本願発明１のグレートーンマスクが、多数の各画素パターンに同一パターン形状のグレートーン部を有する」の事項は、引用刊行物１に開示されているに等しい技術事項であるといえる。
　そうしてみると、前記相違点７に係る「本願発明１のグレートーンマスクが、多数の各画素パターンに同一パターン形状のグレートーン部を有する」点は、引用刊行物１に開示されているに等しい技術事項であり、引用発明に対する実質的な相違ではない。
　
（ク）相違点８について
　本願発明１の前記「画素エリア内に均等に配したすべての点ポイントにおいて、グレートーンパターンのすべての部分を解像させ、前記グレートーン部を透過する光の透過量を一様に低減し、この領域に対応する被転写基板上のフォトレジストの膜厚を選択的に一様に変えるものとする」の記載は、本願発明１が奏することとしている本願発明１の作用効果に関する記載である。
　そして、本願発明１の「画素エリア内に均等に配したすべての点ポイントにおいて、グレートーンパターンのすべての部分を解像させ、」の限定は、任意に設定した評価ポイントにおいてレジストが首尾良く解像されたか否かの評価をしているにすぎず、すべての部分において解像できなければ、目的とするグレートーンパターンとは成り得ないのであるから、前記限定は、当業者が当然に目差すべき努力目標を請求項１に単に明記しただけのものにすぎない。
　また、引用刊行物１に、「フォトマスクに微細な開口パターンを多数並べてその開口面積を変化させることで透過する光量を制御する方法において、基材にフォトレジストを積層し、基材を微小な複数の領域（本願発明１の「多数の各画素パターン」に相当する。）に分割し、それぞれの領域にフォトマスクに光透過率の分布を与えるに際し、マスクパターンに図１７（ａ）〜（ｄ）に例示するような微小領域（本願発明１の「グレートーン部」に相当する。）を有するグレースケールパターン１０３により２５６階調の表現をする２５６通りの各グレースケールパターン１０３毎のフォトレジストに対するレジスト深さのデータとしてのグレースケール値とレジスト深さとの対応関係（図１８のグラフ参照）から、各微小領域毎に、フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせてグレースケール値を持つグレースケールパターン１０３を選択して、微小な複数のそれぞれの領域にフォトマスクに光透過率の分布を与えるようにする技術」及び「フォトレジストに形成しようとするレジスト深さに合わせて２５６通りの各グレースケールパターン１０３の中から選択される、ある一つのグレースケール値を有するグレースケールパターン１０３を有するフォトマスク」の技術が開示されていることは、上記「（キ）相違点７について」欄に前述したとおりであり、引用刊行物１に開示されている前記技術は、本願発明１の「前記グレートーン部を透過する光の透過量を一様に低減し、この領域に対応する被転写基板上のフォトレジストの膜厚を選択的に一様に変える」ことに相当するものということができる。してみると、本願発明１の前記「前記グレートーン部を透過する光の透過量を一様に低減し、この領域に対応する被転写基板上のフォトレジストの膜厚を選択的に一様に変える」の事項は、引用刊行物１に開示されているに等しい技術事項であるといえる。
　そうすると、前記相違点８に係る「画素エリア内に均等に配したすべての点ポイントにおいて、グレートーンパターンのすべての部分を解像させ、前記グレートーン部を透過する光の透過量を一様に低減し、この領域に対応する被転写基板上のフォトレジストの膜厚を選択的に一様に変えるものとする」の点は、引用刊行物１に開示されているに等しい技術事項であり、また、本願発明１においては自明である作用効果及び当業者が当然に目差すべき努力目標に関する事項を、ことさらに強調して表記したものにすぎない。
　
　そして、本願発明１の奏する作用効果は、引用刊行物１、引用刊行物２及び引用刊行物３に記載された各発明から予測できる範囲内のものであり、格別のものということができない。
　
ウ　まとめ
　したがって、本願発明１は、上記引用刊行物１、引用刊行物２及び引用刊行物３に記載された各発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおりであり、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、また当審が通知した他の拒絶理由（理由２）について検討するまでもなく、本願は、当審が通知した上記拒絶の理由（理由１）によって拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。