【事件の表示】
平成９年特許願第６６４７号「半導体装置、およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年８月７日出願公開、特開平１０−２０９３６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成９年１月１７日の出願であって、平成１６年７月１日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の同年９月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１６年１１月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、その法定期間内の平成１７年２月３日に手続補正書が提出されたものである。
　　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年２月３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
［１］補正後の発明
　本件補正は、明細書の特許請求の範囲について、
　その請求項２を削除するとともに、補正前の請求項１の、
「半導体チップが搭載されるダイパッドと、このダイパッドに対して、面的に直接接合されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ダイパッドとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１７［ＧＰａ／Ｋ］以下の金属を用いることを特徴とする、半導体装置。」を、補正後の、
「半導体チップが搭載されるダイパッドと、このダイパッドに対して、面的に直接接合されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ダイパッドとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１７［ＧＰａ／Ｋ］以下のアルミニウムを用いることを特徴とする、半導体装置。」(以下、「本件発明１」という)へと、その発明特定事項である「金属」を「アルミニウム」に限定して減縮するものである。
　また、補正後の請求項２についても、その補正前の発明特定事項である「金属」を「アルミニウム」に限定して減縮するものである。
　したがって、審判請求人が平成１７年２月３日付けで、明細書の特許請求の範囲についてした補正は、特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号に規定された事項を目的とするものに該当する。
　そこで、本件発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか)について次で検討する。
　　　
［２］刊行物の記載事項および、その開示内容
　刊行物；特開平６−６１３９６号公報(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献２である)
　　　
［２-1］刊行物の記載事項
　段落【0001】に、
(刊ａ)「・・・特に半導体装置としての特性を維持しながら放熱効果を向上させて適用範囲拡大による生産性の向上を図った放熱板付リードフレームとそれを用いた半導体装置に関する」と記載され、
　段落【0002】に、
(刊ｂ)「最近の半導体装置の分野ではトランジスタや集積回路等の半導体チップ（以下単にチップとする）を樹脂モールドでパッケージする技術が多用されているが、電子技術の進展に伴う集積度のアップによってパッケージされるチップに動作時の発熱量が特に大きいものが使用されるようになってきている」と記載され、
　段落【0021】に、
(刊ｃ)「・・・熱膨張係数が例えば１７．０×１０−６（銅），２３×１０−６（アルミニウム）程度」と記載され、
　段落【0024】，【0025】に、
(刊ｄ)「また、鉄−ニッケル合金からなるリードフレームのステージに搭載固定されている半導体チップの各電極パッドと該ステージの近接する周辺近傍の各電極パッド対応位置に位置するインナリードとの間をワイヤ接続した後、該半導体チップをステージ裏面側から接続ワイヤを越える高さとインナリード所定位置までの領域で樹脂パッケージしてなる半導体装置であって、樹脂パッケージ外面で前記ステージの半導体チップ搭載面の裏面側と対応する領域に、半導体チップ搭載域を除く複数箇所における接合手段で該ステージの裏面側に固定された銅またはアルミニウムまたはそれぞれの合金からなる放熱板が露出して構成されている半導体装置によって解決される。
チップを搭載する鉄−ニッケル合金からなるステージに該合金より弾性係数が小さく且つ熱伝導性の良い銅やアルミニウム等からなる放熱板をロー付けや溶接等の手段で固定すると、熱膨張係数の差によってステージと放熱板との間に発生する応力を弾性係数の小さい放熱板に吸収させることができるので、ステージ上に位置するチップの割れ不良をなくすことができると共に該チップから発生する熱をステージを介して容易に放散させることができる」と記載され、
　段落【0030】，【0031】に、
(刊ｅ)「図の(1-1)で、本発明に係わる放熱板付リードフレーム３は図４で説明したリードフレーム11と図５で説明した放熱板23とで構成されるものである。すなわち、図４で説明したリードフレーム11のステージ11aの領域と図５で説明した放熱板23の基板への取付け部23aを除く領域とを図示矢印Ｇの如く一致させた後、該ステージ11a 上のチップ搭載域Ｈを除く領域の複数箇所（図ではｐ１，ｐ２の２箇所）で両者を例えば溶接等の手段で固定すると(1-2)で示す放熱板付リードフレーム３を得ることができる。
かかる放熱板付リードフレーム３では、ステージ11a 上に位置するチップから発生する熱が該ステージ11aを介して放熱板23に容易に放散させることができると同時に、リードフレーム11ひいてはステージ11a領域での弾性係数が例えば21000Ｋｇ／ｍｍ２程度であるのに対して放熱板23としての弾性係数が 7000Ｋｇ／ｍｍ２程度であるためステージ11aが加熱されたときの両者の熱膨張係数の差によって生ずるステージ11aと放熱板23との間の応力を弾性係数の小さい放熱板23に吸収させることができる」と記載され、
　段落【0035】に、
(刊ｆ)「次いで、放熱板23の基板への取付け部23aのみを露出させる領域換言すれば該半導体装置本体４の一点鎖線Ｉで囲まれた領域がチップ24側は図４の場合と同様にワイヤまでを含めた領域が内蔵し得るようにまた放熱板23側は少なくともその外面（図では下面）23bが露出するように形成されているキャビティを持つ図示されない樹脂モールド金型に該半導体装置本体４をセットし、該金型のランナから溶融した樹脂を注入した後該金型を取り外すことで(2-2)に示す如く連結部材22′に繋がった樹脂パッケージ半導体装置31′が構成できるので、図４の二点鎖線Ｃで示すように該連結部材11′を切除することでアウタリード11cのみが露出した所要の樹脂パッケージ半導体装置41を得ることができる」と記載され、
　段落【0041】，【0042】に、
(刊ｇ)「上述の如く本発明により、半導体装置としての特性を維持しながら放熱効果を向上させて適用範囲拡大による生産性の向上を図った放熱板付リードフレームとそれを用いた半導体装置を提供することができる。
なお本発明の説明では銅板からなる放熱板を使用した場合を例としているが、該放熱板を銅合金またはアルミニウムまたはその合金で構成しても同等の効果を得ることができる」と記載されている。
　　　
［２-2］刊行物の開示内容の認定
　上記(刊ｄ),(刊ｅ),(刊ｇ)に、「鉄−ニッケル合金からなるリードフレームのステージに搭載固定されている半導体チップ」，「半導体チップをステージ裏面側から接続ワイヤを越える高さとインナリード所定位置までの領域で樹脂パッケージしてなる半導体装置」，「接合手段で該ステージの裏面側に固定された銅またはアルミニウムまたはそれぞれの合金からなる放熱板」，「チップを搭載する鉄−ニッケル合金からなるステージ」，「チップから発生する熱をステージを介して容易に放散させる」，「放熱板付リードフレーム３では、ステージ11a 上に位置するチップから発生する熱が該ステージ11aを介して放熱板23に容易に放散させることができる」，「放熱板を銅合金またはアルミニウムまたはその合金で構成しても同等の効果を得ることができる」と記載されていることから、刊行物には、
　(１)「半導体チップが搭載されるステージと、このステージに対して、接合固定されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ステージとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、アルミニウムを用いることを特徴とする、半導体装置」が開示されている。
　そして、上記(刊ｃ),(刊ｅ)に、「熱膨張係数が２３×１０−６（アルミニウム）程度」，「放熱板23としての弾性係数が 7000Ｋｇ／ｍｍ２程度」と記載されている。
　ここでの「弾性係数」は、「ヤング率」と同義であるから、前記二つの定数の積をとって単位系を変換すれば、アルミニウムの物性値として、０．００１６ＧＰａ／Ｋと導出されるが、このような物性値自体は、アルミニウムにおいて顕著な事実でもある。
　したがって、刊行物には、
　(２)「放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１６［ＧＰａ／Ｋ］のアルミニウムを用いること」が開示されている。
　よって、前記(１)，(２)の開示内容から、刊行物には、
(刊ｚ)「半導体チップが搭載されるステージと、このステージに対して、接合固定されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ステージとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１６［ＧＰａ／Ｋ］のアルミニウムを用いることを特徴とする、半導体装置」の発明(以下、「刊行物発明」という)が開示されていると認められる。
　　　
［３］本件発明１と刊行物発明との対比
　本件発明１と刊行物発明とを対比すると、
　刊行物発明の「ステージ」は、本件発明１の「ダイパッド」に相当し、さらに、刊行物発明の物性値「０．００１６ＧＰａ／Ｋ」は、本件発明１における「０．００１７［ＧＰａ／Ｋ］以下」に該当する。
　したがって、両者は「半導体チップが搭載されるダイパッドと、このダイパッドに対して、接合されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ダイパッドとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１７［ＧＰａ／Ｋ］以下のアルミニウムを用いることを特徴とする、半導体装置」であることで一致する。
　一方、本件発明１では、放熱板がダイパッドに「面的に直接接合される」のに対して、刊行物発明では「接合固定される」点(相違点ａ)で相違する。
　　　
［４］相違点ａの検討
　刊行物発明の実施形態においては、上記(刊ｅ)に記載の如く、放熱板はダイパッド裏面に複数箇所を溶接で固定されている。しかしながら上記(刊ｄ)には、ダイパッドに放熱板をロー付けや溶接等の手段で固定すると記載されており、両者を面的に接合することが示唆されている。
　また、上記(刊ｅ)に「ステージ11a 上に位置するチップから発生する熱が該ステージ11aを介して放熱板23に容易に放散させることができる」と記載されていることから、ダイパッド裏面と放熱板との間に空隙が存在するとはとうてい認められず、放熱板はダイパッド裏面に面的に直接密接しているといえる。
　一方、本件補正明細書の段落【0027】には「上記ダイパッド１２と上記放熱板１４との接合方法は、超音波接合であっても、スポット溶接であっても、またその他の方法であってもよい」と記載されており、本件発明１における放熱板とダイパッドとが「面的に直接接合される」態様として「スポット溶接」であっても、そのような接合が達成されるものといえる。
　要するに、刊行物発明の場合と本件発明１の場合とで、放熱板とダイパッドとの接合形態に大きな差異があるとは認められず、いずれにせよ当業者が適宜設計変更できた程度の事項であるといえる。
　したがって、この相違点ａは、当業者が適宜容易に想到できたものと認められる。
　　　
［５］まとめ
　以上のとおり、本件発明１は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　
【３】この出願の発明
　平成１７年２月３日付けの手続補正を上記のとおり却下したので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１６年９月１０日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであり、
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明１」という)は、
「半導体チップが搭載されるダイパッドと、このダイパッドに対して、面的に直接接合されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ダイパッドとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１７［ＧＰａ／Ｋ］以下の金属を用いることを特徴とする、半導体装置。」である。
　　　
【４】原審における拒絶理由の要点
　原審における拒絶理由は、
「この出願の請求項１〜３に係る発明は、その出願前国内において頒布された下記の刊行物１，２に記載された発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１；特開平８−１７９８８号公報
　刊行物２；特開平６−６１３９６号公報(以下、「引用例」という)」である。
　　　
【５】引用例の記載事項および、その開示内容
　引用例は、上記【２】段落の［２］に掲げた刊行物と同一の、特開平６−６１３９６号公報である。
　したがって、その記載事項については、上記【２】段落の［２-1］の内容を援用する。
　　　
　ところで、上記【２】段落の［２-2］に記載したとおり、刊行物には、
(刊ｚ)「半導体チップが搭載されるステージと、このステージに対して、接合固定されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ステージとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１６［ＧＰａ／Ｋ］のアルミニウムを用いることを特徴とする、半導体装置」という刊行物発明が開示されている。
　そして、「アルミニウム」は「金属」の一つである。
　　　
　よって、刊行物と同じ文献である引用例において、
(引ｚ)「半導体チップが搭載されるステージと、このステージに対して、接合固定されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ステージとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１６［ＧＰａ／Ｋ］の金属を用いることを特徴とする、半導体装置」の発明(以下、「引用発明」という)の開示が当然に認定できる。
　　　
【６】本願発明１と引用発明との対比・判断
［１］本願発明１と引用発明との対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「ステージ」は、本願発明１の「ダイパッド」に相当し、さらに、引用発明の物性値「０．００１６ＧＰａ／Ｋ」は、本願発明１における「０．００１７［ＧＰａ／Ｋ］以下」に該当する。
　したがって、両者は「半導体チップが搭載されるダイパッドと、このダイパッドに対して、接合されるとともに、上記半導体チップから発生する熱を外部に放出するための放熱板と、を備えた半導体装置であって、上記ダイパッドとして、ニッケル合金を用い、上記放熱板として、ヤング率と熱膨張係数の積が０．００１７［ＧＰａ／Ｋ］以下の金属を用いることを特徴とする、半導体装置」であることで一致する。
　一方、本願発明１では、放熱板がダイパッドに「面的に直接接合される」のに対して、引用発明では「接合固定される」点(相違点)で相違する。
　　　
［２］相違点の検討
　以下、この段落中で引用例の記載事項について、上記【２】段落の［２-1］における摘記を援用する。
　　　
　引用発明の実施形態においては、上記(刊ｅ)に記載の如く、放熱板はダイパッド裏面に複数箇所を溶接で固定されている。しかしながら上記(刊ｄ)には、ダイパッドに放熱板をロー付けや溶接等の手段で固定すると記載されており、両者を面的に接合することが示唆されている。
　また、上記(刊ｅ)に「ステージ11a 上に位置するチップから発生する熱が該ステージ11aを介して放熱板23に容易に放散させることができる」と記載されていることから、ダイパッド裏面と放熱板との間に空隙が存在するとはとうてい認められず、放熱板はダイパッド裏面に面的に直接密接しているといえる。
　一方、本願明細書の段落【0027】には「上記ダイパッド１２と上記放熱板１４との接合方法は、超音波接合であっても、スポット溶接であっても、またその他の方法であってもよい」と記載されており、本願発明１における放熱板とダイパッドとが「面的に直接接合される」態様として「スポット溶接」であっても、そのような接合が達成されるものといえる。
　要するに、引用発明の場合と本願発明１の場合とで、放熱板とダイパッドとの接合形態に大きな差異があるとは認められず、いずれにせよ当業者が適宜設計変更できた程度の事項であるといえる。
　したがって、この相違点は、当業者が適宜容易に想到できたものと認められる。
　　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１(請求項１に係る発明)は、上記の引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。