【事件の表示】
　平成　７年特許願第５２５１８３号「半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月　５日国際公開、ＷＯ９５／２６５７１、平成　９年１２月１６日国内公表、特表平　９−５１２６６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、１９９５年（平成７年）３月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９４年３月２５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年１０月２６日付け及び平成１８年７月４日付けで手続補正がなされたが，平成１９年７月２３日付けで平成１８年７月４日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付け及び同年１０月３０日付けで手続補正がなされた後、平成２０年８月２１日付けで特許法第１６２条の規定に基づく拒絶理由通知がなされ、平成２１年２月２５日付けで手続補正がなされたものである（以下、平成２１年２月２５日付けでなされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
 　 
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を、補正前（平成１９年１０月３０日付け手続補正後のもの。）の
「【請求項１】
　下記条件：
　１．０Ｔｏｒｒより大きく５０Ｔｏｒｒより小さい範囲にある圧力；
　水素、重水素及びこれらの組み合わせからなる群より選択される希釈剤気体で高度に希釈された珪素含有供給ガス；及び
　約１０：１〜約１０，０００：１の該希釈剤気体：該供給ガスの希釈比
でアモルファスシリコンのプラズマ励起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を行うことにより基板上に担持されたアモルファスシリコン層を具備する半導体素子を製作する工程を含む半導体素子の製造方法。
【請求項２】
　前記ＰＥＣＶＤは、２０℃〜１５０℃の基板温度で行われる、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
　前記ＰＥＣＶＤは、８０℃〜１５０℃の基板温度で行われる、請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
　前記ＰＥＣＶＤは、無線周波数（ＲＦ）グロー放電を含み、前記圧力が約６Ｔｏｒｒ〜１２Ｔｏｒｒの範囲であり、基板温度が１２０℃〜１５０℃の範囲であり、放電密度が４０ｍＷ／ｃｍ２〜８０ｍＷ／ｃｍ２の範囲であり、前記希釈比が４０：１〜２００：１の範囲である、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
　前記半導体素子は、前記アモルファスシリコン層を含むｉ−層と、０．６４５よりも大きな曲線因子（ＦＦ）と、０．９Ｖよりも大きな開放電圧（ＶＯＣ）とを有する単接合太陽電池を具備し、前記希釈剤気体は水素を含み、前記供給ガスはシランを含み、前記基板はガラス及び金属からなる群より選択される、請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
　前記基板はガラスを含み、前記単接合太陽電池は０．７よりも大きな曲線因子（ＦＦ）と１．０Ｖよりも大きな開放電圧（ＶＯＣ）を有する、請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体素子の製造方法。」
から、
「【請求項１】
　下記条件：
　１．０Ｔｏｒｒより大きく５０Ｔｏｒｒより小さい範囲にある圧力；
　水素、重水素及びこれらの組み合わせからなる群より選択される希釈剤気体で高度に希釈された珪素含有供給ガス；
　約１０：１〜約１０，０００：１の該希釈剤気体：該供給ガスの希釈比及び
　
２０℃〜１５０℃の基板温度
でアモルファスシリコンのプラズマ励起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を行うことにより基板上に担持されたアモルファスシリコン層を具備する半導体素子を製作する工程を含む半導体素子の製造方法。
【請求項２】
　前記ＰＥＣＶＤは、８０℃〜１５０℃の基板温度で行われる、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
　
前記希釈剤気体：供給ガスの希釈比は約３０：１〜１０，０００：１である、請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
　前記ＰＥＣＶＤは、無線周波数（ＲＦ）グロー放電を含み、前記圧力が約６Ｔｏｒｒ〜１２Ｔｏｒｒの範囲であり、基板温度が１２０℃〜１５０℃の範囲であり、放電密度が４０ｍＷ／ｃｍ２〜８０ｍＷ／ｃｍ２の範囲であり、前記希釈比が４０：１〜２００：１の範囲である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
　前記半導体素子は、前記アモルファスシリコン層を含むｉ−層
を有する単接合太陽電池であって
【請求項６】
　前記基板はガラスを含み、前記単接合太陽電池は０．７よりも大きな曲線因子（ＦＦ）と１．０Ｖよりも大きな開放電圧（ＶＯＣ）を有する、請求項
５
に補正するものである。
　
（２）補正の目的
　ア　上記（１）によれば、補正後の請求項１は、補正前の請求項２と同一の内容であるから、本件補正は、補正前の請求項１を削除するものとひとまず解することができ、補正前後の各請求項の記載内容からみて、補正後の請求項２、請求項４ないし６は、補正前の請求項３ないし６に対応するものと解される。
　そうすると、補正後の請求項３は、補正前の特許請求の範囲に対応する請求項が存在しないこととなるから、上記（１）の補正のうち、請求項３を「前記希釈剤気体：供給ガスの希釈比は約３０：１〜１０，０００：１である、請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。」とする補正は、平成６年法律第１１６号改正附則第６条によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成６年改正前特許法」という。）第１７条の２第３項第１号ないし第４号に掲げる事項のいずれをも目的とするものとは認められない。
　
　イ　上記（１）のとおり、補正の前後を通じて請求項の数は変わりがないことから、補正後の請求項１ないし６は、補正前の請求項１ないし６に対応するものと解することもできるが、このように解しても、補正前の請求項１には、基板温度を特定する事項は記載されていないから、請求項１に「２０℃〜１５０℃の基板温度」との要件を付加する補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものとはいえない。
　よって、上記のように解しても、本件補正が、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものとは認められず、同第１号、第３号または第４号に掲げる事項を目的とするものとも認められない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（４）付言
　なお、上記（２）アのとおり、補正後の請求項１は、補正前の請求項２と同一の内容であるところ、後記第３、２で検討するとおり、補正前の請求項２に係る発明は、特許を受けることができないものであるから、本件補正を認める余地はない。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年１０月３０日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）及び請求項２に係る発明（以下「本願発明２」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前の請求項１及び請求項２に記載したとおりのものである。
　
（１）本願発明１について
　ア　刊行物の記載
　平成２０年８月２１日付けで通知した拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平６−２１４９４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
　
（ア）「【００６２】
【半導体層】
【ｉ型半導体層】半導体層１０４は通常の薄膜作製プロセスによって製作されるもので、蒸着法、スパッタ法、高周波プラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法、熱ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法など公知の方法を所望に応じて用いることにより作製できる。
工業的に採用されている方法としては、原料ガスをプラズマで分解し、基板上に堆積させるプラズマＣＶＤ法が好んで用いられている。
・・・
【００８０】
本発明に用いられるＳｉ：Ｈ膜
を形成する際には、ＣＶＤ法が好ましく用いられるがこの時基体温度は好ましくは１００℃〜５００℃、より好ましくは１５０℃〜４５０℃、最適には２００℃〜４００℃に設定される。
　
（イ）「【０１００】
【実施例３】本実施例３においては、図１０に示したような断面構成のデバイスを作製した。作製工程等の基本的な方法は実施例１と同じである。異なる点はミドルセルＭＣＬのｉ型層１０７におけるＧｅ原子の含有量の極大値（Ｃmax１０７）とボトムセルＢＣＬのｉ型層１０４におけるＧｅ原子の含有量の極大値（Ｃmax１０４）とを異ならしめＣmax１０４＞Ｃmax１０７とした点である。
【０１０１】図５に示す構成の堆積膜形成装置を用いて、以下の手順で作製した。まず、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさの
ステンレス製基体１０１
前記基体１０１上に下部電極１０２となる
Ａｇ薄膜を堆積
【０１０２】次に、ヒーター２０５にて基体１０１の表面温度が２００℃となるように加熱を行った。基体温度が安定した時点で、Ｓｉ2Ｈ6ガス１０ｓｃｃｍと水素ガスにて１％希釈したＰＨ3ガス、１２ｓｃｃｍ及びＨ2ガス５００ｓｃｃｍをガス供給パイプ２０８，２０９より導入した。次いで、排気バルブ２１４の開度を調節し、成膜室２０１の内圧を１．５Ｔｏｒｒに保った。
【０１０３】高周波電源２１０はマッチング回路２１１を介してカソード電極２１２に接続されており、前記高周波電源２１０より１３．５６ＭＨｚの高周波電力２０Ｗを直ちに投入し成膜を開始した。このようにして、
ｎ型のμｃ−Ｓｉ：Ｈ膜
ｎ型半導体層１０３の形成された
【０１０４】以下成膜室２１６内の構成は成膜室２０１と同じ故、同じ図面番号にて説明する。成膜室２１６内では圧力を１．２ＴｏｒｒとしＳｉ2Ｈ6ガスを１０ｓｃｃｍ導入し、１５Ｗの高周波電力を投入して２００Å厚の
ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１７を形成
層領域１０４′を
形成
ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１８を形成
【０１０５】次に、基体保持用カセット２０２に固定され上記工程にてバッファ層１１８まで堆積された基体１０１を基体搬送治具２０６にて成膜室２０１に搬送し１０-5Ｔｏｒｒ以下に保ちつつ基体１０１をヒーター２０５で２３０℃に加熱し基体温度が安定したところでガス導入管２０８，２０９よりＳｉＨ4ガス５ｓｃｃｍ，水素ガスにて２％希釈したＢＦ3ガス５ｓｃｃｍを成膜室２０１に導入し、排気バルブ２１４の開度を調整して成膜室の内圧を１．５Ｔｏｒｒに保った。次いで前述と同じ方法で１５０Ｗの高周波電力を投入し１００Åの
ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５をｉ型のバッファ層１１８上に堆積
ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５上にｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜１０６を
堆積
【０１０６】次に成膜室２１６内に基体を配し、圧力１．２Ｔｏｒｒ  Ｓｉ2Ｈ6ガスを１０ｓｃｃｍ導入し、１５Ｗの高周波電力を投入して
ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈを
堆積させバッファ層１１９を形成
層領域１０７′を形成
ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなる
バッファ層１２０を形成
【０１０７】次に前述のｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５と同様の方法により成膜室２０１内で
ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８を
堆積
こうしてボトムセルＢＣＬの上にミドルセルＭＣＬを形成
ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８上にｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜１０９を
堆積
基体温度を２５０℃、Ｓｉ
2
Ｈ
6
ガス流量１０ｓｃｃｍ、Ｈ
2
ガス流量５００ｓｃｃｍ、圧力１．１Ｔｏｒｒ、高周波電力１５Ｗの条件下でｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０を
堆積
【０１０８】次に前述のｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５と同様の方法により成膜室２０１内で
ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１１１を
堆積
こうしてミドルセルＭＣＬ上にトップセルＴＣＬを形成
【０１０９】３つのセルＢＣＬ，ＭＣＬ，ＴＣＬが積層された基体１０１をＩｎとＳｎの金属粒が重量比１：１で充填された蒸着用ボートがセットされた周知の真空蒸着装置に入れ、１０-5Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、抵抗加熱法により１×１０-3Ｔｏｒｒ程度の酸素雰囲気中で
透明電極１１２としてのＩＴＯ薄膜を
蒸着
透明電極１１２の上面に
Ａｇを
蒸着し、櫛形の集電電極１１３を形成
このようにして形成された光起電力デバイスを作製した
　
　イ　引用発明
（ア）上記ア（イ）によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「ステンレス製基体１０１上に下部電極１０２となるＡｇ薄膜を堆積し、ｎ型のμｃ−Ｓｉ：Ｈ膜からなるｎ型半導体層１０３を形成し、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１７、層領域１０４″、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１８を形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５をｉ型のバッファ層１１８上に堆積し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５上にｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜１０６を堆積し、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１９、層領域１０７′、層領域１０７″、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１２０を形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８を堆積し、こうしてボトムセルＢＣＬの上にミドルセルＭＣＬを形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８上にｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜１０９を堆積し、ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０を堆積し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１１１を堆積し、こうしてミドルセルＭＣＬ上にトップセルＴＣＬを形成し、透明電極１１２としてのＩＴＯ薄膜を蒸着し、透明電極１１２の上面にＡｇを蒸着して櫛形の集電電極１１３を形成する光起電力デバイスの作製方法であって、前記ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０は、基体温度を２５０℃、Ｓｉ2Ｈ6ガス流量１０ｓｃｃｍ、Ｈ2ガス流量５００ｓｃｃｍ、圧力１．１Ｔｏｒｒ、高周波電力１５Ｗの条件下で堆積する光起電力デバイスの作製方法。」
　
（イ）前記ア（ア）の引用刊行物の記載に照らすと、上記（ア）の発明における「前記ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０は、基体温度を２５０℃、Ｓｉ2Ｈ6ガス流量１０ｓｃｃｍ、Ｈ2ガス流量５００ｓｃｃｍ、圧力１．１Ｔｏｒｒ、高周波電力１５Ｗの条件下で堆積する」方法は、高周波プラズマＣＶＤ法を用いるものと認められる。
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「ステンレス製基体１０１上に下部電極１０２となるＡｇ薄膜を堆積し、ｎ型のμｃ−Ｓｉ：Ｈ膜からなるｎ型半導体層１０３を形成し、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１７、層領域１０４″、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１８を形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５をｉ型のバッファ層１１８上に堆積し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５上にｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜１０６を堆積し、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１９、層領域１０７′、層領域１０７″、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１２０を形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８を堆積し、こうしてボトムセルＢＣＬの上にミドルセルＭＣＬを形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８上にｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜１０９を堆積し、ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０を堆積し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１１１を堆積し、こうしてミドルセルＭＣＬ上にトップセルＴＣＬを形成し、透明電極１１２としてのＩＴＯ薄膜を蒸着し、透明電極１１２の上面にＡｇを蒸着して櫛形の集電電極１１３を形成する光起電力デバイスの作製方法であって、前記ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０は、基体温度を２５０℃、Ｓｉ2Ｈ6ガス流量１０ｓｃｃｍ、Ｈ2ガス流量５００ｓｃｃｍ、圧力１．１Ｔｏｒｒ、高周波電力１５Ｗの条件下で高周波プラズマＣＶＤ法を用いて堆積する光起電力デバイスの作製方法。」
（以下「引用発明」という。）
　
　ウ　対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明の「光起電力デバイスの作製方法」は、本願発明１の「半導体素子の製造方法」に相当する。
　
（イ）引用発明の「ステンレス製基体１０１」は、本願発明１の「基板」に相当する。
　引用発明の「ステンレス製基体１０１」及び「ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０」は、本願発明１の「基板」及び「アモルファスシリコン層」に相当する。
　
（ウ）引用発明は，「ステンレス製基体１０１上に」「Ａｇ薄膜を堆積し、ｎ型のμｃ−Ｓｉ：Ｈ膜からなるｎ型半導体層１０３を形成し、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１７、層領域１０４″、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１８を形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５をｉ型のバッファ層１１８上に堆積し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０５上にｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜１０６を堆積し、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１１９、層領域１０７′、層領域１０７″、ノンドープのａ−Ｓｉ：Ｈからなるバッファ層１２０を形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８を堆積し、こうしてボトムセルＢＣＬの上にミドルセルＭＣＬを形成し、ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８上にｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜１０９を堆積し、ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０を堆積」するものであるから、引用発明の「ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０」は、「ステンレス製基体１０１」に担持されたものといえる。
　よって、引用発明の「ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０」は、本願発明１の「基板上に担持されたアモルファスシリコン層」に相当する。
　
（エ）引用発明の「ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０」は、「圧力１．１Ｔｏｒｒ」の条件下で堆積するものであるから、本願発明１の「１．０Ｔｏｒｒより大きく５０Ｔｏｒｒより小さい範囲にある圧力」との条件を備える。
　
（オ）引用発明の「ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０」は、「Ｓｉ2Ｈ6ガス流量１０ｓｃｃｍ、Ｈ2ガス流量５００ｓｃｃｍ」の条件下で堆積する」ものであるところ、「Ｓｉ2Ｈ6ガス」は、本願発明１の「珪素含有供給ガス」に相当する。
　そして、引用発明における「Ｓｉ2Ｈ6ガス流量」は１０ｓｃｃｍ、「Ｈ2ガス流量」は５００ｓｃｃｍであって、Ｈ2ガス流量：Ｓｉ2Ｈ6ガス流量は５００：１０、すなわち、５０：１であるから、「Ｈ2ガス」は、本願発明１の「水素、重水素及びこれらの組み合わせからなる群より選択される希釈剤気体」に相当し、引用発明は、本願発明１の「約１０：１〜約１０，０００：１の該希釈剤気体：該供給ガスの希釈比」との条件を備え、また、「水素、重水素及びこれらの組み合わせからなる群より選択される希釈剤気体で高度に希釈された珪素含有供給ガス」との条件を備える。
　
（カ）引用発明の「ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層１１０」は、「高周波プラズマＣＶＤ法を用いて堆積する」ものであるから、上記（ア）ないし（ウ）に照らすと、引用発明は、「アモルファスシリコンのプラズマ励起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を行うことにより基板上に担持されたアモルファスシリコン層を具備する半導体素子を製作する工程を含む」ものといえ、この点において、本願発明１と一致する。
　
（キ）以上によれば、引用発明は、本願発明１の構成をすべて備え、両者に相違するところはない。
　
　エ　小括
　以上のとおり、引用発明は、本願発明１の構成をすべて備え、両者に相違するところはないから、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明である。
　よって、本願発明１は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
（２）本願発明２について
　ア　刊行物の記載及び引用発明
　前記（１）ア及びイのとおりである。
　
　イ　対比
　本願発明２と引用発明とを対比すると、前記（１）ウでの検討に照らして、両者は、
「ＰＥＣＶＤが、本願発明２では、２０℃〜１５０℃の基板温度で行われるのに対して、引用発明は、２５０℃で行われる点。」（以下「相違点」という。）
で相違し、その余の点において一致するものと認められる。
　
　ウ　判断
（ア）前記（１）ア（ア）によれば、引用刊行物には、「本発明に用いられるＳｉ：Ｈ膜もしくはＳｉＧｅ：Ｈ膜を形成する際には、ＣＶＤ法が好ましく用いられるがこの時基体温度は好ましくは１００℃〜５００℃、より好ましくは１５０℃〜４５０℃、最適には２００℃〜４００℃に設定される。」との記載があり、この記載に基づいて、引用発明におけるＰＥＣＶＤを、本願発明２が規定する範囲に含まれる１００℃〜１５０℃で行い、これにより、相違点に係る本願発明２の構成とすることは、当業者が容易になし得たものというべきである。
　
（イ）上記（ア）のとおり、引用発明において、相違点に係る本願発明２の構成とすることは、当業者が容易になし得たものであるときに、本願発明２が、引用発明及び引用刊行物の記載事項から当業者が容易に発明をすることができたものでないというためには、引用発明との相違点について、当業者が予測し得ない格別の技術的意義を要するというべきである。
　そこで、本願明細書及び図面（平成１９年１０月３０日付け手続補正後のもの。以下同じ。）をみるに、以下の記載が認められる。
　
　ａ　「【技術分野】
　　　【０００１】
　
本発明はアモルファスシリコンおよびその合金から製作される光起電デバイスおよび電子デバイス、特に光起電デバイスおよび電子デバイスの光学的および電気的性質を強めるプラズマ蒸着方法に関する
・・・
【背景技術】
・・・
　　　【００１３】
　
これまでは、アモルファスシリコンおよびその合金を低濃度の水素希釈を用いて少なくとも２５０℃の温度および０．５Torrより低い圧力におけるグロー放電により蒸着させていた
　
　ｂ　「【発明が解決しようとする課題】
　【００１４】
　従って、
改良された性質を有するアモルファスシリコンデバイスを製造するための改良された方法を提供する
【課題を解決するための手段】
・・・
　　　【００１６】
　
新規な方法では、アモルファスシリコンまたはその合金の活性な真性ｉ−層もしくは領域、ｐ−ｉ界面またはｉ−ｎ界面を低い蒸着温度および高い蒸着圧力において、例えば水素（Ｈ
2
）および／または重水素（Ｄ
2
）の如き希釈剤気体で高度に希釈されたシランまたは他の蒸着気体（原料）のプラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により蒸着させる。望ましくは、基板の蒸着温度（Ｔｓ）は最良の結果のためには実質的に２５０℃より低く、そして好適には２２０℃より低く、且つ実質的に８０℃より高い。
・・・
　　　【００２１】
　
ＤＣグロー放電は８０〜２１０℃の範囲の温度において、０．１〜１０Torrの範囲の圧力において、１０：１〜２００：１の範囲の希釈剤対原料（蒸着気体）の希釈比で行うことができる。ＲＦグロー放電は８０〜２２０℃の範囲の温度において、１〜５０Torrの、好適には２〜２０Torrの範囲の圧力において、１，０００：１より小さい、好適には１０：１〜４００：１のそして最も好適には２０：１〜２００：１の範囲の希釈比で行うことができる
　
　ｃ　「【００４６】
　［実験の詳細：ａ−Ｓｉ：Ｈ］
　真性膜およびｐ−ｉ−ｎ太陽電池の両者を試験した。膜を石英および単結晶Ｓｉ基板の両者に蒸着させた。一部の石英基板には、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）パッドを予め蒸着させて、共平面伝導性および拡散長さ測定を可能にした。膜は０．５および１ミクロンの間の厚さであり、そして電池中のｉ−層と同じ方法で蒸着させた。
希釈しないシラン（ＳｉＨ
4
）および水素（Ｈ
2
）中で希釈されたＳｉＨ
2
から２７０℃以下の温度範囲で成膜させた。我々の通常の蒸着方法は２７０℃における未希釈の蒸着を含む
・・・
　　　【００５０】
　
表５は、本発明の方法で示されているような低温において蒸着させたｉ−層を有する電池の特性に対する、２７０℃においてシラン（ＳｉＨ
4
）から蒸着させたｉ−層を有する従来の標準電池の太陽電池特性を比較している
　　　【００５１】
【表５】
　　　【００５２】
　
表５からわかるように、効率における大きな全体的な増加を生ずるＶ
oc
における実質的な増加およびＪ
sc
における小さい損失がある
・・・
　　　【００５３】
　
２７０℃における水素（Ｈ
2
）希釈なしの標準条件下で製造された太陽電池は露光時間の対数に関する効率が線形的に減少する
比較が図７に示されており、そこではＨ
2
希釈下で低温において製作された太陽電池が劣化速度の遅延を示し、飽和に近付くことがわかる。
　
　図７は、次のとおりである。
　
　ｄ　「【００８３】
　［方法の意義］
・・・
　　　【００８６】
　予期せぬことに且つ驚くべきことに、高圧無線周波数（ＲＦ）グロー放電蒸着で優れたａ−Ｓｉ：Ｈ電池が得られることが見いだされた。典型的には、ＲＦまたは直流（ＤＣ）グロー放電ａ−Ｓｉ：Ｈおよびその合金の従来の処理では、圧力は０．１〜０．５Torrである。一般的にはＤＣグロー放電に関しては、蒸着室内の気圧は約３Torrより高くなく、その理由はこの圧力以上だと安定なプラズマを維持しそして膜蒸着の良好な均一性を保つことが困難であるからである。本発明の方法に関する５．０Torr（好適には約１０Torr）より高い蒸着圧力は任意の温度または水素（Ｈ2）希釈比または電力においてこれまでに実施されたものよりはるかに高い。本発明の方法は例えば５００：１までの非常に高いＨ2−希釈比も特徴としており、それはアモルファスシリコンおよびその合金を製造するためにこれまで試みられていなかった。先行技術と比較して、低温における安定なａ−Ｓｉ：Ｈ合金の製造は明らかに顕著な達成事項である。
　　　【００８７】
　以下の表７および８には、ａ−Ｓｉ：Ｈおよびその合金を製造するための新規な技術におけるＲＦおよびＤＣ蒸着条件の範囲が挙げられている。新規な方法を有利に使用して広い禁制帯幅（禁制帯幅＞１．８０ｅＶ）のａ−Ｓｉ：Ｈ合金、例えばａ−ＳｉＣ：Ｈおよびａ−Ｓｉ：Ｈ、を製造することができる。
　　　【００８８】
【表７】
　　　【００８９】
　・・・選択されるＲＦ電力密度、基板温度、蒸着圧力および蒸着速度は水素希釈比に依存する。
RFグロー放電方法は、高い水素希釈度Ｈ
2
／（ＣＨ
4
＋ＳｉＨ
4
）＞８０、高い圧力（〜９Torr）、および低い温度（〜１５０℃）を含むことができる
　
　ｅ　「【００９５】
【表８】
」
　
　ｆ　「【０１０３】
　高い開放電圧（Ｖoc）およびすばらしい安定性を有する非常に改良された水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）および水素化非晶質炭化珪素（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）単接合素子を生じた蒸着条件のいくつかの例を表１２に示す。表１２における太陽電池モジュールは、４つのｉ−層、２つのａ−Ｓｉ：Ｈおよび２つのａ−ＳｉＣ：Ｈを有する。表１２における太陽電池は、１．６ｃｍの電極間隔を有する無線周波数（ＲＦ）１３．５６ＭＨｚグロー放電蒸着により製造された。
　　　【０１０４】
【表１２】
　　　【０１０５】
　表１２におけるＡ２３５７−３に関する劣化は１０００時間の光ソーキング後に約２５％である。一般的には、比較的低い基板温度が比較的高い開放電圧（Ｖoc）をもたらす。水素（Ｈ2）希釈が十分高い限り、低温電池の安定性は非常に良好であるようである。
上記のことから、優れた品質のアモルファスシリコン太陽電池を高圧、高い水素（Ｈ2）希釈、および低温の条件下でアモルファスシリコン合金プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）により製造できることがわかる。
本発明の方法は、中圧ないし高圧（＞４Torr、例えば１０Torr）、原料の高いＨ
2
希釈（例えば＞５０：１）、および相対的に低い温度（例えば室温ないし１５０℃もしくは２００℃）の組み合わせ条件下で、高品質の安定な電子材料、例えばａ−Ｓｉ：Ｈおよびその合金、のプラズマＣＶＤ蒸着（グロー放電）を生じる
　
　ｇ　「【０１１１】
　［試験］
　種々の水素（Ｈ2）希釈水準を用いて数種の温度において、単接合ａ−Ｓｉ：Ｈ　ｐ−ｉ−ｎ太陽電池を製造した。これらの素子の安定性を評価した。安定性に影響を与える可能性のある素子中のｉ−層の厚さは、試験で使用された全ての素子に関して大体一定に保たれていた（１７００Å〜２２００Å）。
　　　【０１１２】
　表１３は、長期間の光ソーキング（１００ｍＷ／ｃｍ2強度における５１９時間）の前および後のこれらの試験で使用された選択された代表的素子に関する光起電パラメーターを示す。
　　　【０１１３】
【表１３】
　　　【０１１４】
　素子の安定性に関する多くの傾向を表１３から見いだすことができる。安定性は長期化された露光後の正規化された電池効率として定義することができる。最初に、Ｈ2希釈比があるしきい値以下である時には、ａ−Ｓｉ：Ｈの蒸着における水素（Ｈ2）希釈の増加で素子の安定性が改良される。このしきい値は、例えば、２１０℃における約１０：１および１５０℃における約３０：１である。
　　　【０１１５】
　図１８は、水素（Ｈ2）希釈度を変動させて１５０℃で製造された一連の素子に関して対数目盛りで露光時間の関数として正規化された電池効率をプロットすることにより上記の傾向を説明している。図１８では、Ｈ2希釈で製造された素子中では光誘導劣化がＨ2希釈なしで製造された素子での光誘導劣化（＞１０００時間）よりはるかに早く（〜１００時間）飽和することも明らかである。
　　　【０１１６】
　
これらの試験から見いだすことができる第二の傾向は、一定のＨ
2
希釈比では素子の安定性は基板温度の低下につれて劣化することである
　　　【０１１７】
　上記の２つの傾向を組み合わせることにより、我々は素子の開放電圧（Ｖoc）および安定性を同時に最適化するためには十分高いＨ2希釈比と共に十分低い基板温度を使用してａ−Ｓｉ：Ｈ系太陽電池を蒸着させるべきである、と結論づけることができる。
上記の発見を適用する温度およびＨ
2
希釈比に関する範囲は、８０℃〜２８０℃の範囲の温度および１：１〜１００：１の水素（Ｈ
2
）希釈であるべきである
　
　図１９は、次のとおりである。
　
（ウ）ａ　上記（イ）ａ及びｂによれば、本願明細書には、本発明はアモルファスシリコンおよびその合金から製作される光起電デバイス及び電子デバイのプラズマ蒸着方法に関するものであって、これまでは、アモルファスシリコンおよびその合金を低濃度の水素希釈を用いて少なくとも２５０℃の温度および０．５Torrより低い圧力におけるグロー放電により蒸着させていたという認識に立ち、改良された性質を有するアモルファスシリコンデバイスを製造するための方法を提供するという課題を解決するための手段として、アモルファスシリコンまたはその合金の活性な真性ｉ−層等を低い蒸着温度（望ましくは、実質的に２５０℃より低く、そして好適には２２０℃より低く、且つ実質的に８０℃より高い）及び高い蒸着圧力（実質的に０．５〜１．０Torrより大きく且つ５０Torrより小さく、そして好適には２Torrより大きく且つ２０Torrより小さい）において、例えば水素（Ｈ2）および／または重水素（Ｄ2）の如き希釈剤気体で高度に希釈されたシランまたは他の蒸着気体（原料）のプラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により蒸着させるという方法を採用したものであることが記載されているものと認められる。
　また、ＤＣグロー放電は８０〜２１０℃の範囲の温度において、０．１〜１０Torrの範囲の圧力において、１０：１〜２００：１の範囲の希釈剤対原料（蒸着気体）の希釈比で行うことができ、ＲＦグロー放電は８０〜２２０℃の範囲の温度において、１〜５０Torrの、好適には２〜２０Torrの範囲の圧力において、１，０００：１より小さい、好適には１０：１〜４００：１のそして最も好適には２０：１〜２００：１の範囲の希釈比で行うことができることが記載されているものと認められる。
　しかし、ＰＥＣＶＤが、２０℃〜１５０℃の基板温度で行われることについては、全く記載されていない。
　
　ｂ　上記（イ）ｃによれば、本願明細書の表５には、２７０℃においてシランから蒸着させたｉ−層を有する従来の標準電池より、本発明の方法で示されているような低温において蒸着させたｉ−層を有する電池の方がＶoc及び効率が増加したこと、また、図７には、前者は効率が露光時間の対数に関して線形的に減少するが、後者は１００時間程度で効率の低下が飽和することが示されているものと認められる。
　しかし、ここでいう低温が何度なのか不明であるし、シランを水素で希釈したものと希釈しないものとを対比したものであるから、シランを水素で希釈するものにおいて蒸着温度の相違によりどのような特性の差異が生じるのかを示すものではない。
　
　ｃ　上記（イ）ｄによれば、本願明細書の表７には、ＲＦ蒸着条件が示されており、「基板温度（℃）」として、「広範囲２０〜２５０」、「中間範囲８０〜１８０」、「好適範囲１２０〜１５０」と記載されているものの、本願発明２において規定される「２０℃〜１５０℃」に格別の技術的意義があることを示すものとはいえず、また、【００８９】には、「RFグロー放電方法は、高い水素希釈度Ｈ2／（ＣＨ4＋ＳｉＨ4）＞８０、高い圧力（〜９Torr）、および低い温度（〜１５０℃）を含むことができる」との記載があるものの、「２０℃〜１５０℃」に格別の技術的意義があることを裏付ける根拠は見いだせない。
　
　ｄ　上記（イ）ｅによれば、本願明細書の表８には、ＤＣ蒸着条件が示されるところ、「蒸着温度（℃）」として、「広範ＲＴ〜５００」、「中間８０〜３００」、「好適１２０〜２１０」と記載されているにすぎず、本願発明２において規定される「２０℃〜１５０℃」に格別の技術的意義があることを示すものとはいえない。
　
　ｅ　上記（イ）ｆによれば、本願明細書の【０１０５】には、「本発明の方法は、中圧ないし高圧（＞４Torr、例えば１０Torr）、原料の高いＨ2希釈（例えば＞５０：１）、および相対的に低い温度（例えば室温ないし１５０℃もしくは２００℃）の組み合わせ条件下で、高品質の安定な電子材料、例えばａ−Ｓｉ：Ｈおよびその合金、のプラズマＣＶＤ蒸着（グロー放電）を生じる。」との記載があるものの、表１２には、ａ−Ｓｉ：ｈとして基板温度１５０℃及び１４０℃のもの、ａ−ＳｉＣ：Ｈとして基板温度１５０℃及び１４５℃のものが示されるにすぎず、本願発明２において規定される「２０℃〜１５０℃」に格別の技術的意義があることを裏付ける根拠は見いだせない。
　
　ｆ　上記（イ）ｇによれば、本願明細書の表１３には、低温高Ｈ2希釈Ｓｉセルの性能が示されるところ、基板温度２１０℃のもの及び１５０℃のものが記載されているものの、本願発明２において規定される「２０℃〜１５０℃」に格別の技術的意義があることを示すものとはいえない。
　むしろ、【０１１６】に記載されるとおり、図１９には、一定のＨ2希釈比では素子の安定性は基板温度の低下につれて劣化する、すなわち、基板温度２１０℃のものより１５０℃のものの方が安定性が劣化することが示されているものと認められるのであって、本願発明２において規定される「２０℃〜１５０℃」に格別の技術的意義があるとは到底認められない。
　さらに、【０１１７】には、「上記の発見を適用する温度およびＨ2希釈比に関する範囲は、８０℃〜２８０℃の範囲の温度および１：１〜１００：１の水素（Ｈ2）希釈であるべきである。」と記載されているのであって、本願発明２において規定される「２０℃〜１５０℃」とは異なる温度範囲が示されるところである。
　
　ｇ　本願明細書及び図面の他の記載をみても、本願発明２において規定される「２０℃〜１５０℃」に格別の技術的意義があることを裏付ける根拠は見いだせない。
　
（エ）以上のとおりであるから、相違点に係る本願発明２の構成について、当業者が予測し得ない格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
　エ　小括
　以上の検討によれば、本願発明２は、引用発明及び引用刊行物の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　また、本願発明２は、引用発明及び引用刊行物の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり、審決する。