【事件の表示】
　平成　７年特許願第２４５４７２号「シリコンウェーハ内部のＣｕ濃度の検出方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　３月　７日出願公開、特開平　９−　６４１３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年８月２９日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１６年３月２９日受付の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は次のとおりである。
「シリコンウェーハを６００℃以下の温度で加熱する工程と、このシリコンウェーハ表面のＣｕ濃度を測定する工程とを備えたシリコンウェーハ内部のＣｕ濃度の検出方法。」
　　
２．引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された刊行物である特開平６−３０８０６１号公報（以下、「引用文献１」という）、「ULSI製造のための分析ハンドブック」リアライズ社（平成６年７月２９日発行）１１２〜１２５頁（以下、「引用文献２」という）には、以下に摘記した事項が記載されている。
（１）引用文献１：特開平６−３０８０６１号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面を清浄に仕上げた金属、または半導体を１０-7Torr以下の高真空の表面分析装置内で、試料融点（絶対温度）の１／４かつ５０℃（３２３Ｋ）以上、融点の４／５以下に加熱して、該金属または半導体に微量に含有されている異種元素の表面偏析濃度を測定し、表面濃度の時間変化をバルク濃度依存性から、金属中及び半導体に含まれる微量異種元素濃度を定量する金属、及び半導体中の微量元素分析方法。」
（１ｂ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高純度金属ならびに半導体材料中の微量元素の定量方法に関するものである。」
（１ｃ）「【０００７】
　本発明は、高純度金属中の微量元素を、ppm オーダーの精度をもって定量化し、試料形状による制約が少なく、同時に試料は非破壊で用いることができる定量方法を提供するものである。」
（１ｄ）「【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は鉄鋼材料、工業用材料、電子材料、半導体材料など中に１０ppm オーダー以下で存在する、特に材料特性に影響の大きい微量元素が、真空中で加熱されることによって表面に％オーダーで偏析することに着目したものであり、表面分析装置内の真空で試料を加熱することにより、微量元素を表面に高濃度に偏析させ、その濃度を測定することにより、逆にバルク中の微量元素の濃度を決定する定量法である。」
（１ｅ）「【００１０】
　・・・具体例としては、マトリックス金属として、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｗなどが挙げられ、微量元素としては、Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏなどのガス元素、Ｌｉ，Ｂｅ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｓｂ，Ｍｏ，Ｆｅなどの元素、また、アルカリ金属、遷移金属などの定量にも適用できる。」
　
（２）引用文献２：「ULSI製造のための分析ハンドブック」リアライズ社（平成６年７月２９日発行）１１２〜１２５頁
（２ａ）「熱プロセス後にウェーハ内部に拡散された微量汚染元素を分析することはかなり困難である。唯一、分析可能な方法はＳＩＭＳであるが、バルク分析としての検出感度は低く微量汚染分析には不十分である。それに比較して、電気的評価法は検出感度が高く、中程度の位置分解能も持っているため、製造ラインの微量汚染検知法として多用されている。しかし、Ｆｅと極く少数の金属元素しか分析（同定・定量）できないことが欠点である。」（１１４頁６〜１０行）
（２ｂ）「すでに熱プロセスを経てシリコンウェーハ中に拡散された微量の汚染を物理・化学分析することは、ウェーハ表面の分析に比較して、非常に困難である。一方、電気的評価法は元素分析法としての能力はあまり期待できないが、かなり高感度ではあるため半導体製造プロセスの汚染監視または汚染診断を目的とするモニタウェーハを製造現場自からがチェックできる簡便な方法として重要な役割を果している。・・・
　分析の困難さを軽減するために、まず不純物の熱処理による挙動を理解することが重要である。図９には典型的な挙動を示すＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕの汚染を受けたウェーハの熱酸化処理後の不純物の分布状態を模式的に示した。・・・Ｃｕの場合は・・・界面と結晶内部のそれぞれに銅シリサイドの析出物を形成して、ライフタイムに悪影響をおよぼす。・・・また、Ｎｉ、やＣｕのシリサイド析出物は選択エッチングによって容易にシャローピットとして観察が可能である。」（１１９頁下から５行〜１２０頁１５行）
　　
３．対比・判断
３−１．引用文献１に記載された発明
（ア）引用文献１には、上記（１ａ）のとおりの「金属中及び半導体に含まれる微量異種元素濃度を定量する金属、及び半導体中の微量元素分析方法」、すなわち、「金属、及び半導体中の微量異種元素分析方法」が記載されている。
（イ）上記（１ｂ）の「本発明は、高純度金属ならびに半導体材料中の微量元素の定量方法に関するものである。」との記載からみて、該微量異種元素分析方法における分析対象の金属又は半導体は、高純度のものといえる。
（ウ）上記（１ｅ）の「マトリックス金属として、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｗなどが挙げられ、微量元素としては、Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏなどのガス元素、Ｌｉ，Ｂｅ，Ａｌ，Ｐ，Ｓ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｓｂ，Ｍｏ，Ｆｅなどの元素、また、アルカリ金属、遷移金属などの定量にも適用できる。」との記載からみて、該微量異種元素分析方法における分析対象の金属又は半導体のマトリックス元素は、Ｓｉ等であり、微量異種元素は、遷移金属等であるといえる。
　
　以上の（ア）〜（ウ）の事項を総合するとともに、分析対象の金属又は半導体のマトリックス元素として「Ｓｉ」を採用した場合について整理すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用文献１発明」という）が記載されていると認められる。
　引用文献１発明：「表面を清浄に仕上げた高純度Ｓｉの金属又は半導体を１０-7Torr以下の高真空の表面分析装置内で、試料融点（絶対温度）の１／４かつ５０℃（３２３Ｋ）以上、融点の４／５以下に加熱して、該金属又は半導体に微量に含有されている遷移金属等の微量異種元素の表面偏析濃度を測定し、表面濃度の時間変化をバルク濃度依存性から、金属中又は半導体に含まれる微量異種元素濃度を定量する高純度Ｓｉの金属又は半導体中の微量異種元素分析方法。」
　
３−２．本願発明１と引用文献１発明との対比
　本願発明１と引用文献１発明を対比すると、
（カ）本願発明１における「シリコンウェーハ」及び引用文献１発明における「高純度Ｓｉの金属又は半導体」は、どちらも、「シリコン系分析対象」であるといえる。
（キ）本願発明１における「Ｃｕ」は、シリコンウェーハ内部の「微量異種元素」といえる。
（ク）引用文献１発明における「表面濃度の時間変化をバルク濃度依存性から、金属中又は半導体に含まれる微量異種元素濃度を定量する」ことは、「金属中又は半導体内部の微量異種元素の濃度を検出する」ことであるといえる。
（ケ）Ｓｉの融点は、１４１２℃程度であるから、引用文献１発明における高純度Ｓｉの金属又は半導体を加熱する温度は、１４８℃〔＝｛（１４１２＋２７３）／４｝−２７３〕〜１０７５℃〔＝｛（１４１２＋２７３）×４／５｝−２７３〕程度であるといえる。
　
　以上の（カ）〜（ケ）の事項を考慮すると、両者は、
「シリコン系分析対象を１４８℃程度以上６００℃以下の温度で加熱する工程と、このシリコン系分析対象表面の微量異種元素の濃度を測定する工程とを備えたシリコン系分析対象内部の微量異種元素の濃度の検出方法。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明１では、シリコン系分析対象が「シリコンウェーハ」であり、微量異種元素が「Ｃｕ」であるのに対し、引用文献１発明では、シリコン系分析対象が「高純度Ｓｉの金属又は半導体」であり、微量異種元素が「遷移金属等」である点
　
３−３．相違点についての判断
　本願明細書の次の（摘示Ａ）、（摘示Ｂ）等の記載からみて、本願発明１は、シリコンウェーハ内部に拡散したＣｕの非破壊分析に関する手法を提供することを目的とし、シリコンウェーハを６００℃以下の温度で加熱すると、シリコンウェーハ内部のＣｕが拡散してシリコンウェーハ表面に集められる、という知見に基づくものと認められる。
（摘示Ａ）「【０００５】
【発明の目的】・・・この発明は、シリコンウェーハ内部に拡散したＣｕの非破壊分析に関する手法を提供することを、その目的としている。」
（摘示Ｂ）「【０００９】
【作用】　この発明に係るシリコンウェーハ内部のＣｕ濃度の測定方法では、シリコンウェーハを６００℃以下の温度で例えば１５分間だけ加熱する。この結果、シリコンウェーハ内部のＣｕが拡散してシリコンウェーハ表面に集められる。このシリコンウェーハ表面のＣｕの濃度を、例えばＡＡＳ、ＴＸＲＦ（全反射蛍光Ｘ線分析）等で測定することにより、基板内部のＣｕ汚染を確実に把握することができる。・・・」
　
　これに対し、引用文献１発明は、上記（１ｃ）、（１ｄ）のとおり、「試料は非破壊で用いることができる定量方法を提供する」ことを課題とし、「試料を加熱することにより、微量元素を表面に高濃度に偏析させ」ることに基づくものであるから、シリコン系分析対象内部の微量異種元素を非破壊分析できる手法の提供を目的とし、シリコン系分析対象の加熱により内部の微量異種元素が表面に集められる、という知見に基づいている点で、本願発明１と共通しているといえる。
　
　そして、上記相違点であるシリコン系分析対象及び微量異種元素について検討するに、「高純度Ｓｉの金属又は半導体」として、「シリコンウェーハ」は、本出願前に周知のものであるし、また、Ｃｕは、遷移金属の一種であるし、さらに、シリコンウェーハ内部のＣｕ等の微量異種元素濃度を検出しようとすることは、引用文献２の上記（２ａ）、（２ｂ）に記載されているし、本願明細書の【従来の技術】の欄に記載されているように、本出願前に周知の事項でもある。
　しかも、Ｃｕは、前示のとおり、遷移金属の一種であるから、引用文献１発明における、所定の加熱温度で表面に偏析する微量異種元素としての「遷移金属等」と同様の挙動を示すことは、容易に予測できることであるといえる。また、シリコンウェーハに欠陥がない場合、内部のＣｕが表面に出てくることは、下記の周知例の記載にみられるように、本出願前に周知の事項であるし、さらに、そのような内部のＣｕの表面への移動が加熱温度下での拡散によることは自明の事項であるから、シリコンウェーハ内部のＣｕが、引用文献１発明における、加熱により表面に高濃度に偏析する微量異種元素としての「遷移金属等」と同様の挙動を示すことは、当業者にとって自明の事項であるともいえる。
　してみれば、引用文献１発明において、分析対象の「高純度Ｓｉの金属又は半導体」を「シリコンウェーハ」とし、所定の加熱温度で表面に偏析する微量異種元素の「遷移金属等」として、該「遷移金属等」と同様の挙動を示し、検出の必要性が知られている「Ｃｕ」とすることは、引用文献２の前示の記載や前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　周知例：「アドバンスト　エレクトロニクスＩ−５　シリコン　結晶成長とウェーハ加工」（株）培風館（１９９４年５月２０日初版発行）２２７〜２４７頁
（周知ａ）「結晶中に欠陥がない場合、たとえば窒素添加したＦＺ結晶（・・・）は結晶が完全なので、いったん結晶に入ったＮｉやＣｕは表面に析出物をつくり、その意味で表面は欠陥をよくゲッタする。」（２３７頁「１０．４　結晶特性に与える影響」の項の１〜３行）
（周知ｂ）「それにしてもＣｕは欠陥がなければ表面にでるため、・・・」（２３８頁５〜６行）
　
３−４．請求人の主張に対して
　請求人は、本願発明と引用文献１、２との相違に関して、要するところ、次のように主張している。
（サ）本願発明の分析レベルはppb〜pptレベルの分析で、引用文献１に記載の技術とは、検出レベルが107〜1011桁違うから、比較することができません（平成１７年７月２１日受付の手続補正書２頁２２〜２６行等参照）。
（シ）本願発明は化学分析法を用いた回収法による分析をも含むものであって、酸によって溶解・回収可能な状態の金属については極めて高感度にて分析できますが、引用文献２での測定の対象である合金やシリサイドについては分析できませんし、Ｃｕシリサイドが形成されたシリコンウェーハについては、本願発明方法での測定の対象となり得ません（同２頁２８行〜３０行、３頁３〜４行等参照）。
（ス）本願の請求項記載の方法によれば、表面に偏析したＣｕは、希薄な酸で回収できる状態であることに限定されています（同３頁下から２行〜４頁１行等参照）。
　
　しかしながら、本願発明１においては、分析レベル、分析法、Ｃｕの偏析状態、表面に偏析したＣｕの回収方法について全く特定されていないから、上記（サ）〜（ス）の請求人の主張は、特許請求の範囲の請求項１に記載された本願発明１の特定事項に基づく主張とはいえない。
　したがって、請求人の上記主張は、妥当なものではなく採用することができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用文献１、２に記載された発明及び前示の周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。