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【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第１方向に延びる電源配線と、
前記電源配線の電圧によって駆動されるように前記半導体基板上に設けられ、かつ第１および第２ゲートを含む回路とを備え、
前記第１および第２ゲートのそれぞれは、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第１および第２端部領域を含み、前記第１および第２端部領域の各々の一方端は前記電源配線に面し、前記第１および第２端部領域は前記第１方向において互いに第１間隔を空けて配列されており、さらに
前記第１および第２端部領域の間の少なくとも一部を埋め、かつ平面視において前記第２方向に沿って前記第１および第２端部領域の間を通る空隙部を有する絶縁膜と、
前記電源配線上に設けられ、平面視において前記第１および第２端部領域の間の領域の前記第２方向に沿った延長領域から離れて配置された電源コンタクトとを備えた、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明の要旨は、２種以上の有機電界発光素子材料および溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物であって、該有機電界発光素子材料のうち、少なくとも１種は発光材料、少なくとも１種は正孔輸送性材料であり、下記式（１）を満たすことを特徴とする有機電界発光素子用組成物（ただし、該有機電界発光素子用組成物中に、正孔輸送性材料に該当する有機電界発光素子材料が２種類以上ある場合、これら２種以上の正孔輸送性材料のうち、イオン化ポテンシャルの絶対値が小さい材料が下記式（１）を満たし、該有機電界発光素子用組成物中に発光材料が２種以上ある場合、各々の発光材料が下記式（１）を満たす。）、に存する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２種以上の有機電界発光素子材料および溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物であって、
該有機電界発光素子材料のうち、少なくとも１種は発光材料、少なくとも１種は正孔輸送性材料であり、下記式（１）を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子用組成物（ただし、該有機電界発光素子用組成物中に、正孔輸送性材料に該当する有機電界発光素子材料が２種類以上ある場合、これら２種以上の正孔輸送性材料のうち、イオン化ポテンシャルの絶対値が小さい材料が下記式（１）を満たし、該有機電界発光素子用組成物中に発光材料が２種以上ある場合、各々の発光材料が下記式（１）を満たす。）。
０≦｛Ｉｐ（Ｈ）−Ｉｐ（Ｄ）｝／Ｃ（Ｄ）≦１０    ・・・（１）
（式（１）中、Ｉｐ（Ｈ）、Ｉｐ（Ｄ）およびＣ（Ｄ）はそれぞれ以下の通り定義される。
Ｉｐ（Ｈ）：該組成物中に含有される正孔輸送性材料のイオン化ポテンシャルの絶対値
Ｉｐ（Ｄ）：該組成物中に含有される、発光材料のイオン化ポテンシャルの絶対値
Ｃ（Ｄ）：該組成物中に含有される全固形分の含有量に対する、発光材料の含有重量比）
【請求項２】
発光材料が、分子量１００００以下の化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成されたことを特徴とする、有機薄膜。
【請求項４】
陽極および陰極の間に発光層を有する有機電界発光素子において、該発光層が、請求項３に記載の有機薄膜であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項５】
該発光層に隣接して正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が湿式成膜法で形成された層であることを特徴とする、請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
該正孔輸送層が下記式で表される基を有する架橋性化合物を架橋させて形成された層であることを特徴とする、請求項５に記載の有機電界発光素子。
【化１】
2010183009.tif 000001
【請求項７】
該正孔輸送層が、下記式（Ｕ１）または（Ｕ２）で表される構造を有する、熱による構造変換型化合物を用いて形成された層であることを特徴とする、請求項５に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2010183009.tif 000002
（式（Ｕ１）中、環Ａ０は熱解離可溶性基が結合する芳香族炭化水素環を表す。該芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。また、該置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。
Ｓ１、Ｓ２、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいへテロアリールアミノ基または置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。
式（Ｕ２）中、環Ｂ０は熱解離可溶性基が結合する芳香族炭化水素環を表す。該芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。また、該置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。
Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｒ１１〜Ｒ１６は、それぞれ独立に、上記Ｓ１、Ｓ２、Ｒ１〜Ｒ６として示したものと同様である。）
【請求項８】
該陽極と該発光層との間に、正孔注入層を有し、該正孔注入層が、湿式成膜法により形成された、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含有する層であることを特徴とする、請求項４ないし７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項４ないし８のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項４ないし８のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いることを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記近傍の領域が、前記並列共振点から容量性領域における前記アンテナ回路および前記並列回路のインピーダンスの最大値までの領域、及び前記並列共振点から誘導性領域における前記アンテナ回路および前記並列回路のインピーダンスの最大値までの領域を含むことを特徴とする請求項１０に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内で被処理基板が載置される載置台と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の外部に誘電体部材を介して配置され、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するアンテナ回路と、前記アンテナ回路に並列に接続された並列回路と、を具備する誘導結合プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記アンテナ回路のインピーダンスと前記並列回路のインピーダンスとを逆位相にして、前記処理室内に誘導結合プラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記近傍の領域が、前記並列共振点から容量性領域における前記アンテナ回路および前記並列回路のインピーダンスの最大値までの領域、及び前記並列共振点から誘導性領域における前記アンテナ回路および前記並列回路のインピーダンスの最大値までの領域を含むことを特徴とする請求項１４に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を同一空間内で熱処理する複数の反応室を有し、前記反応室は、複数の基板を個別に載置可能な複数の基板載置部と、前記複数の基板載置部間を仕切る仕切り部材と、を具備する基板処理装置。
【請求項２】
前記仕切り部材は、高さが前記複数の基板載置部の高さ以上である請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
複数の基板を同一空間内で熱処理する複数の反応室を有し、前記反応室は、複数の基板を個別に載置可能な複数の基板載置部と、前記複数の基板載置部間を仕切る仕切り部材と、
を具備する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、搬送室から前記反応室に基板を搬送し、前記基板載置部に載置する工程と、前記基板を処理する工程と、前記反応室から前期搬送室へ基板を移動する工程とを有する半導体製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び半導体製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月8日(2012.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１記載のプラズマ処理装置の構成部品は、プラズマを用いて基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の構成部品であって、前記プラズマに晒される構成部品において、２つの面が交差して形成される隅部を有し、前記２つの面の交差角度は１１５°〜１８０°のいずかであり、前記２つの面のうちの内側の面には、前記基板を囲むように配置されたフォーカスリングよりも外側の位置において溝が設けられ、該溝の幅はシース長の２倍以上であることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２記載のプラズマ処理装置の構成部品は、請求項１記載の構成部品において、前記構成部品は前記基板に対向するように配置され、且つ直流電圧が印加される電極であって、前記プラズマ中の電子密度は２．０×１０１０〜１０１１ｃｍ−３であり、前記電極に印加される直流電圧の値が３００Ｖ以下であるときに、前記溝の幅は８ｍｍ以上であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項３記載のプラズマ処理装置は、プラズマを用いて基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記プラズマに晒される構成部品を備え、前記構成部品は、２つの面が交差して形成される隅部を有し、前記２つの面の交差角度は１１５°〜１８０°のいずかであり、前記２つの面のうちの内側の面には、前記基板を囲むように配置されたフォーカスリングよりも外側の位置において溝が設けられ、該溝の幅はシース長の２倍以上であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１記載のプラズマ処理装置の構成部品及び請求項３記載のプラズマ処理装置によれば、プラズマに晒される構成部品は２つの面が交差して形成される隅部を有し、該２つの面の交差角度は１１５°〜１８０°のいずかであるので、隅部に沿って発生したシースの屈曲度合いが低減し、これにより、該シースから打ち出されるイオンの拡散度合いも低減する。その結果、隅部において単位面積当たりに打ち込まれるイオンの数が極端に低減するのを防止してイオンのスパッタによるデポの除去量の減少を抑制することができ、もって、隅部にデポが堆積するのを防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項１記載のプラズマ処理装置の構成部品及び請求項３記載のプラズマ処理装置によれば、隅部を形成する２つの面のうちの内側の面には、前記基板を囲むように配置されたフォーカスリングよりも外側の位置において溝が設けられ、その溝の幅はシース長の２倍以上であるので、溝の内部においてシースが形成されても溝の各側面に沿って発生したシースが重なることが無く、もって、イオンを閉じ込めるホロー部の発生を防止することができる。その結果、溝の内部のシースから溝の各表面に向けてイオンを確実に打ち込むことができ、隅部を含む溝の内部においてデポが堆積するのを防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２記載のプラズマ処理装置の構成部品によれば、プラズマ中の電子密度は２．０×１０１０〜１０１１ｃｍ−３であり、基板に対向するように配置される電極に印加される直流電圧の値が３００Ｖ以下であるときに、溝の幅は８ｍｍ以上であるので、電極の溝の内部においてデポが堆積するのを確実に防止することができるとともに溝の内部においてホロー部の発生を確実に防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の構成部品であって、前記プラズマに晒される構成部品において、
２つの面が交差して形成される隅部を有し、
前記２つの面の交差角度は１１５°〜１８０°のいずかであり、
前記２つの面のうちの内側の面には、前記基板を囲むように配置されたフォーカスリングよりも外側の位置において溝が設けられ、該溝の幅はシース長の２倍以上であることを特徴とするプラズマ処理装置の構成部品。
【請求項２】
前記構成部品は前記基板に対向するように配置され、且つ直流電圧が印加される電極であって、前記プラズマ中の電子密度は２．０×１０１０〜１０１１ｃｍ−３であり、前記電極に印加される直流電圧の値が３００Ｖ以下であるときに、前記溝の幅は８ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の構成部品。
【請求項３】
プラズマを用いて基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記プラズマに晒される構成部品を備え、
前記構成部品は、
２つの面が交差して形成される隅部を有し、
前記２つの面の交差角度は１１５°〜１８０°のいずかであり、
前記２つの面のうちの内側の面には、前記基板を囲むように配置されたフォーカスリングよりも外側の位置において溝が設けられ、該溝の幅はシース長の２倍以上であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デプレッション型トランジスタと、
エンハンスメント型トランジスタと、を有し、
前記デプレッション型トランジスタのソース及びドレインの一方に、高電源電圧が与えられ、
前記デプレッション型トランジスタのゲートは、前記デプレッション型トランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記エンハンスメント型トランジスタのゲートに、第１の信号が入力され、
前記エンハンスメント型トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記デプレッション型トランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記エンハンスメント型トランジスタのソース及びドレインの他方に、低電源電圧が与えられ、
前記デプレッション型トランジスタと前記エンハンスメント型トランジスタの接続箇所の電圧が、第２の信号として出力され、
前記デプレッション型トランジスタ及び前記エンハンスメント型トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層の一部に接する一対の第２の酸化物半導体層と、
前記一対の第２の酸化物半導体層の一方に接するソース電極と、
前記一対の第２の酸化物半導体層の他方に接するドレイン電極と、を有し、
前記エンハンスメント型トランジスタは、前記第１の酸化物半導体層上で且つ前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の領域に還元防止層を有することを特徴とする論理回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記一対の第２の酸化物半導体層は、ソース領域及びドレイン領域としての機能を有することを特徴とする論理回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記エンハンスメント型トランジスタは、前記第１の酸化物半導体層における前記ゲート絶縁層との接触面と反対側の面であって前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に設けられた酸素空孔制御領域を有することを特徴とする論理回路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層または前記第２の酸化物半導体層の少なくとも一方は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする論理回路。
【請求項５】
デプレッション型トランジスタと、
エンハンスメント型トランジスタと、を有し、
前記デプレッション型トランジスタのソース及びドレインの一方に、高電源電圧が与えられ、
前記デプレッション型トランジスタのゲートは、前記デプレッション型トランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記エンハンスメント型トランジスタのゲートに、第１の信号が入力され、
前記エンハンスメント型トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記デプレッション型トランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記エンハンスメント型トランジスタのソース及びドレインの他方に、低電源電圧が与えられ、
前記デプレッション型トランジスタと前記エンハンスメント型トランジスタの接続箇所の電圧が、第２の信号として出力され、
前記デプレッション型トランジスタ及び前記エンハンスメント型トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の一部に接するソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記エンハンスメント型トランジスタは、前記酸化物半導体層上で且つ前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の領域に還元防止層を有することを特徴とする論理回路。
【請求項６】
請求項５において、
前記エンハンスメント型トランジスタは、前記酸化物半導体層における前記ゲート絶縁層との接触面と反対側の面であって前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に設けられた酸素空孔制御領域を有することを特徴とする論理回路。
【請求項７】
請求項６において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする論理回路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記デプレッション型トランジスタ及び前記エンハンスメント型トランジスタを有する第１のインバータ回路並びに第２のインバータ回路と、
第３のインバータ回路と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートに、第１のクロック信号が入力され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方に、入力信号が入力され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のインバータ回路の入力端子と電気的に接続され、
前記第１のインバータ回路の出力端子は、前記第２のインバータ回路の入力端子と電気的に接続され、
前記第１のインバータ回路の出力端子は、前記第３のインバータ回路の入力端子と電気的に接続され、
前記第３のインバータ回路の出力端子から出力信号が出力され、
前記第２のトランジスタのゲートに、第２のクロック信号が入力され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のインバータ回路の出力端子と電気的に接続されることを特徴とする論理回路。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記デプレッション型トランジスタ及び前記エンハンスメント型トランジスタは、同じ導電型を有することを特徴とする論理回路。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記エンハンスメント型トランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記ゲート絶縁層に設けられた開口部を介して前記デプレッション型トランジスタのゲート電極に接することを特徴とする論理回路。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の論理回路を用いることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表示装置は、発光表示装置、液晶表示装置、または電気泳動表示装置としての機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の論理回路を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子機器は、テレビジョン装置、モニタ、カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、または大型ゲーム機としての機能を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極と、
第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の配線と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重なる領域を有する第２の配線と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第２のゲート電極と重なる領域を有する第３の配線と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第２のゲート電極と重なる領域を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上の有機絶縁層と、
を有し、
前記第１の配線及び前記第２の配線上に、前記第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２の配線及び前記第３の配線上に、前記第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の酸化物半導体層に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層に電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第２の酸化物半導体層に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第１の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記第２のゲート電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のゲート電極と、
第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の配線と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重なる領域を有する第２の配線と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第２のゲート電極と重なる領域を有する第３の配線と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第２のゲート電極と重なる領域を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上の有機絶縁層と、
を有し、
前記第１の配線及び前記第２の配線上に、前記第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２の配線及び前記第３の配線上に、前記第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の酸化物半導体層に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層に電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第２の酸化物半導体層に電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第１の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記第２のゲート電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体層の表面近傍において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に覆われていない領域に金属元素を添加する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層の表面近傍に金属元素を添加する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層の表面近傍に金属元素を添加する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
イオン注入法によって前記金属元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記金属元素として、鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上方の、前記ゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の、前記ゲート電極と端部が重畳する第１電極及び第２電極と、
前記酸化物半導体層と前記第１電極とに接してその間に設けられた第１バッファ層と、
前記酸化物半導体層と前記第２電極とに接してその間に設けられた第２バッファ層と、を有し、
前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層が、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素及び窒素を含むことを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上方の、前記ゲート電極と端部が重畳する第１電極及び第２電極と、
前記第１電極の上方の第１バッファ層と、
前記第２電極の上方の第２バッファ層と、
前記第１電極の端部、前記第２電極の端部、及び前記ゲート電極と重畳する、前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層の上方の酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層が第１電極及び第２電極の側面と、前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層の上面及び側面とに接し、
前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層が、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素及び窒素を含むことを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層が含む酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の割合（Ｎ／Ｏ）が、５原子％以上８０原子％以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層が、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含むことを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記ドレイン電極と電気的に接続され、
前記基板は、表面に第１の領域を有し、
前記ソース電極は、上端部の側面に第２の領域を有し、
前記ソース電極は、下端部の側面に第３の領域を有し、
前記第１の領域を有する面と前記第２の領域を有する面とがなす角と、前記第１の領域を有する面と前記第３の領域を有する面とがなす角とは、異なる角度を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記ドレイン電極と電気的に接続され、
前記基板は、表面に第１の領域を有し、
前記ドレイン電極は、上端部の側面に第２の領域を有し、
前記ドレイン電極は、下端部の側面に第３の領域を有し、
前記第１の領域を有する面と前記第２の領域を有する面とがなす角と、前記第１の領域を有する面と前記第３の領域を有する面とがなす角とは、異なる角度を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記ドレイン電極と電気的に接続され、
前記基板は、表面に第１の領域を有し、
前記ソース電極は、上端部の側面に第２の領域を有し、
前記ソース電極は、下端部の側面に第３の領域を有し、
前記第１の領域を有する面と前記第２の領域を有する面とがなす角は、前記第１の領域を有する面と前記第３の領域を有する面とがなす角より、大きい角度を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記ドレイン電極と電気的に接続され、
前記基板は、表面に第１の領域を有し、
前記ドレイン電極は、上端部の側面に第２の領域を有し、
前記ドレイン電極は、下端部の側面に第３の領域を有し、
前記第１の領域を有する面と前記第２の領域を有する面とがなす角は、前記第１の領域を有する面と前記第３の領域を有する面とがなす角より、大きい角度を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、第３の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタのゲートとなる機能を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方となる機能を有し、
前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方となる機能を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、を介して、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、を介して、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第２の導電層と、前記第１の酸化物半導体層と、の間に設けられ、
前記第３の酸化物半導体層は、前記第３の導電層と、前記第１の酸化物半導体層と、の間に設けられ、
前記第２の酸化物半導体層の導電率と、前記第３の酸化物半導体層の導電率と、は、前記第１の酸化物半導体層の導電率よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の導電層の上端部と、前記第３の導電層の上端部と、は、曲面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層と、前記第３の酸化物半導体層と、は、ＩｎとＧａとＺｎとを含む酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
不活性ガスが導入されたチャンバー内で、前記基板上に形成された前記ゲート絶縁層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の表面にプラズマ処理を行い、
前記プラズマ処理を行った後、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に酸化物半導体層を形成し、
前記プラズマ処理を、前記チャンバー内に設けられた一対の電極のうちの一方の電極上に前記基板を設置し、前記一方の電極に高周波電圧を印加することにより前記基板に対してバイアス電圧を印加して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層を、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含むターゲットを用い、前記基板と前記ターゲット間に直流電圧を印加するスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記ターゲットを前記チャンバー内に設けられた一対の電極のうちの他方の電極上に設け、前記プラズマ処理と前記酸化物半導体層の形成を、前記チャンバー内で連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記プラズマ処理を行うことにより、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層の間に設けられたゲート絶縁層の表層部を２ｎｍ以上除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記プラズマ処理を行うことにより、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の端部をテーパー形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の端部のテーパー角を２０°以上９０°未満とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記プラズマ処理を行うことにより、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の上端部の曲率半径を前記ソース電極層及びドレイン電極層の厚さの１／１００以上１／２以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に導電層を形成し、
前記導電層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記導電層及び前記第１の酸化物半導体層をエッチングすることにより、前記導電層と前記第１の酸化物半導体層が積層された第１の積層体及び第２の積層体を形成し、
不活性ガスが導入されたチャンバー内で、前記基板上に形成された前記ゲート絶縁層、前記第１の積層体及び前記第２の積層体の表面にプラズマ処理を行い、
前記プラズマ処理を行った後、前記ゲート絶縁層、前記第１の積層体及び前記第２の積層体上に、第２の酸化物半導体層を形成し、
前記プラズマ処理を、前記チャンバー内に設けられた一対の電極のうちの一方の電極上に前記基板を設置し、前記一方の電極に高周波電圧を印加することにより前記基板に対してバイアス電圧を印加して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に導電層を形成し、
前記導電層の表面に第１のプラズマ処理を行い、
前記第１のプラズマ処理を行った後に前記導電層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記導電層及び前記第１の酸化物半導体層をエッチングすることにより、前記導電層と前記第１の酸化物半導体層が積層された第１の積層体及び第２の積層体を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記第１の積層体及び前記第２の積層体の表面に第２のプラズマ処理を行い、前記第２のプラズマ処理を行った後、前記ゲート絶縁層、前記第１の積層体及び前記第２の積層体上に、第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１のプラズマ処理及び前記第２のプラズマ処理を、チャンバー内に設けられた一対の電極のうちの一方の電極上に前記基板を設置し、前記チャンバーに不活性ガスを導入すると共に、前記一方の電極に高周波電圧を印加することにより前記基板に対してバイアス電圧を印加して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記導電層の形成と、前記第１のプラズマ処理と、前記第１の酸化物半導体層の形成を、同一のチャンバー内で連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含むターゲットを用い、前記基板と前記ターゲット間に直流電圧を印加するスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第２のプラズマ処理と前記第２の酸化物半導体層の形成を、同一のチャンバー内で連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層の導電率を前記第２の酸化物半導体層の導電率より高くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記不活性ガスとして、アルゴンガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に設けられたゲート電極層と、
前記ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート電極層上であって前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間に位置する前記ゲート絶縁層上に設けられ、且つ前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に設けられた酸化物半導体層と、を有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間に位置する前記ゲート絶縁層の膜厚が、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の下方に位置する前記ゲート絶縁層の膜厚より小さく、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の端部がテーパー形状であり、且つ前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の上端部が曲面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間に位置する前記ゲート絶縁層の膜厚が、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の下方に位置する前記ゲート絶縁層の膜厚より、２ｎｍ以上小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の端部のテーパー角が、２０°以上９０°未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１５乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の上端部の曲率半径が、前記ソース電極層及びドレイン電極層の厚さの１／１００以上１／２以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層の上方に、導電膜を形成し、
前記導電膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記エッチングにおいて、前記酸化物半導体層の表面の一部をエッチングし、
前記酸化物半導体層のエッチングされた表面に、酸素ラジカル処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体層上に、導電膜を形成し、
前記導電膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記エッチングにおいて、前記酸化物半導体層の表面の一部をエッチングし、
前記酸化物半導体層のエッチングされた表面に、酸素ラジカル処理を行い、
前記酸化物半導体層の上方、前記ソース電極層の上方及び前記ドレイン電極層の上方に、ＯＨ基を含む酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜の上方に、窒化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸素ラジカル処理は、無バイアスで行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方のゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上方の第２の半導体層と、
前記第１の半導体層上方の第３の半導体層と、
前記第２の半導体層上方のソース電極と、
前記第３の半導体層上方のドレイン電極と、
前記第１の半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の、第２の絶縁層と、を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の半導体層の少なくとも一部と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、又は窒化酸化アルミニウムを有し、
前記ゲート絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、又は窒化酸化アルミニウムを有し、
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、又は窒化酸化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、
前記第２の半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、
前記第３の半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像領域と前記撮像領域の周辺に配された周辺領域とを有し、前記撮像領域が、遮光されていない光電変換部を含む有効画素が複数配列された有効領域と、前記有効領域に隣接した領域であって遮光された光電変換部を含むオプティカルブラック画素が複数配列されたオプティカルブラック領域とを含む撮像装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に配され、前記オプティカルブラック領域と前記周辺領域とを遮光する遮光層と、
前記周辺領域における前記遮光層と前記半導体基板との間に配され、前記有効画素又は前記オプティカルブラック画素から出力された信号を一時的に保持するための第１の容量素子と、
前記オプティカルブラック領域における前記遮光層と前記半導体基板との間に前記オプティカルブラック画素の光電変換部を遮光するように配された第２の容量素子と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第２の容量素子は、前記有効領域と前記オプティカルブラック領域との境界に隣接して配された前記オプティカルブラック画素の光電変換部の上方に配されている
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第２の容量素子は、
前記遮光層の下面に沿った方向へ延びた上部電極と、
前記半導体基板の表面に沿った方向へ延びた下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間に配された絶縁膜と、
を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の容量素子は、
前記半導体基板からの高さが前記上部電極と同一である他の上部電極と、
前記半導体基板からの高さが前記下部電極と同一である他の下部電極と、
前記半導体基板からの高さが前記絶縁膜と同一である他の絶縁膜と、
を含む
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記オプティカルブラック領域における前記遮光層と前記半導体基板との間に配線層が設けられ、前記配線層に、オプティカルブラック画素で蓄積された信号を伝達するとともに前記第２の容量素子の前記下部電極として機能する配線パターンが配置されている、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、酸化膜、窒化膜、及び酸窒化膜のいずれかで形成され、
前記上部電極及び前記下部電極は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン、タングステンシリサイド、及び銅の少なくとも１つで形成されている
ことを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１の容量素子および前記第２の容量素子は、ＭＩＭ素子を含む、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記撮像装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、
を備えたことを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体デバイスを形成するための方法であって、
（ａ）１つ以上の非極性窒化ガリウム（ＧａＮ)層を基板上または該基板の上方で成長させる工程と、
（ｂ）１つ以上の非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を該非極性ＧａＮ層上で成長させる工程と
を含み、
該非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、
（１）２．６×１０１０ｃｍ−２を超えない貫通転位密度、または
（２）３．８×１０５ｃｍ−１を超えない積層欠陥密度、または
（３）２．６×１０１０ｃｍ−２を超えない貫通転位密度および３．８×１０５ｃｍ−１を超えない積層欠陥密度
を有する、方法。
【請求項２】
前記非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層が、少なくとも１つの量子井戸層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記量子井戸層が、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記量子井戸層が、ＧａＮ層でキャップされている、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層が、少なくとも１つのヘテロ構造を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ヘテロ構造が、（Ａｌ，Ｇａ）Ｎ／ＧａＮ超格子を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
窒化物半導体デバイスであって、
（ｂ）基板上で成長させられた１つ以上の非極性ＧａＮ層と、
（ｃ）該非極性ＧａＮ層上または該非極性ＧａＮ層の上方で成長させられた１つ以上の非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層と
を含み、
該非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、
（１）２．６×１０１０ｃｍ−２を超えない貫通転位密度、または
（２）３．８×１０５ｃｍ−１を超えない積層欠陥密度、または
（３）２．６×１０１０ｃｍ−２を超えない貫通転位密度および３．８×１０５ｃｍ−１を超えない積層欠陥密度
を有する、デバイス。
【請求項８】
前記基板上に成長させられた窒化物ベースの核生成層をさらに含み、前記非極性ＧａＮ層は、該基板上に成長させられた該窒化物ベースの核生成層上に成長させられる、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層が、少なくとも１つの量子井戸層を含む、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記量子井戸層が、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記量子井戸層が、ＧａＮ層でキャップされている、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層が、少なくとも１つのヘテロ構造を含む、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記ヘテロ構造が、（Ａｌ，Ｇａ）Ｎ／ＧａＮ超格子を含む、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記基板上に窒化物ベースの核生成層を成長させることをさらに含み、
前記非極性ＧａＮ層は、該基板上で成長させられた該窒化物ベースの核生成層上で成長させられる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
音声入力手段と、
ズームレンズ群駆動手段、フォーカスレンズ群駆動手段、ＮＤフィルタ駆動手段及びシャッタ駆動手段の何れかを含む騒音源と、
前記撮像手段により入力される画像から被写体を認識する被写体認識手段と、
前記音声入力手段により入力される音声から前記騒音源からの騒音を低減する騒音低減手段と、
前記被写体認識手段の認識に従い、前記騒音低減手段を制御する制御手段
とを具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記被写体認識手段が、前記撮像手段により入力される画像中の人物を認識する手段であり、
前記制御手段は、前記被写体認識手段が前記人物を認識している間、人物の発生周波数帯域以外で、前記騒音の帯域を低減するように前記騒音低減手段を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記被写体認識手段が、前記撮像手段により入力される画像中の人物及びその口の動きを認識する手段であり、
前記制御手段は、前記被写体認識手段が口を動かしている人物を認識している間、前記騒音低減手段を有効にする
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
更に、性別と年齢ごとの代表的な発声周波数帯域の値を記憶する発声周波数帯域データ記憶手段を具備し、
前記被写体認識手段が、前記撮像手段により入力される画像中の人物並びにその性別と年齢を認識する手段であり、
前記制御手段は、前記被写体認識手段が前記人物を認識している間、前記人物の前記性別と年齢に応じた発生周波数帯域以外で、前記騒音を低減するように前記騒音低減手段を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
更に、温度センサを具備し、
前記制御手段は、前記温度センサからの温度情報に従い、前記騒音低減手段の騒音低減特性を補正する
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
更に、姿勢センサを具備し、
前記制御手段は、前記姿勢センサからの姿勢情報に従い、前記騒音低減手段の騒音低減特性を補正する
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像装置に関し、より具体的には、映像を参照して音声に含まれる騒音を低減する撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、大型化やコストアップを抑制しつつ、記録すべき音声に対する駆動機構の動作による騒音の影響を効果的に低減する撮像装置を提示することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】