【事件の表示】
　平成　７年特許願第１６５０８８号「成膜装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　１月１４日出願公開、特開平　９−　１３１７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成７年６月３０日にした特許出願であって、平成１６年１月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１日付けで手続補正がなされたものである。
２．平成１６年４月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の請求項１に記載された発明
　本件補正により、平成１６年１月１３日付けで提出された手続補正書により補正された請求項１の「成膜装置」において、「二つ」を「二つの空間」とし、また、「前記開口部のターゲット用電極側を前記シャッタで閉じることにより」を「前記開口部のターゲット用電極側を前記（「前期」と記載されているが「前記」の誤記と認められる。）シャッタで閉じた場合に」とし、「前記仕切られたチャンバの一方側において基板又はターゲットのクリーニングを行い」を「前記（「前期」と記載されているが「前記」の誤記と認められる。）仕切られたチャンバの基板側空間において基板のクリーニングを行い、前記仕切られたチャンバのターゲット側空間においてターゲットのクリーニングを行い」とし、「前記開口部の基板用電極側を前記基板で閉じることにより」を「前記開口部の基板用電極側を前記基板で閉じた場合に」とし、さらに、「前記仕切られたチャンバの他方側」を「前記仕切られたチャンバのターゲット側空間」とすることによって、「チャンバと、前記チャンバ内において対向配置されるターゲット用電極及び基板用電極と、前記二つの電極間に設置させる開口部を有したセパレータと、前記開口部のターゲット用電極側を開閉するシャッタと、前記基板を移動して、前記開口部の基板用電極側を開閉する基板移動機構とを備え、前記開口部をシャッタ又は基板によって成膜処理に応じて選択的に閉塞することによってチャンバ内を二つの空間に仕切り、前記開口部のターゲット用電極側を前記（「前期」と記載されているが「前記」の誤記と認められる。）シャッタで閉じた場合に、前記（「前期」と記載されているが「前記」の誤記と認められる。）仕切られたチャンバの基板側空間において基板のクリーニングを行い、前記仕切られたチャンバのターゲット側空間においてターゲットのクリーニングを行い、さらに、前記開口部の基板用電極側を前記基板で閉じた場合に、前記仕切られたチャンバのターゲット側空間において基板に成膜することを特徴とする成膜装置。」と補正された。
　そして、上記の補正に関して、「二つ」及び「前記仕切られたチャンバの他方側」を、それぞれ、「二つの空間」及び「前記仕切られたチャンバのターゲット側空間」とする補正は、補正前の「二つ」及び「他方側」の内容を「二つの空間」及び「ターゲット側空間」である旨明りょうにするものであり、また、「前記開口部のターゲット用電極側を前記シャッタで閉じることにより」及び「前記開口部の基板用電極側を前記基板で閉じることにより」を、それぞれ、「前記開口部のターゲット用電極側を前記シャッタで閉じた場合に」及び「前記開口部の基板用電極側を前記基板で閉じた場合に」とする補正は、補正前の構成の他の構成との関係を明瞭にするものであるから、いずれも、特許法第１７条の２第３項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、さらに、「前記仕切られたチャンバの一方側において基板又はターゲットのクリーニングを行い」を「前記仕切られたチャンバの基板側空間において基板のクリーニングを行い、前記仕切られたチャンバのターゲット側空間においてターゲットのクリーニングを行い」とする補正は、補正前の「一方側」の内容を「基板側空間」と「クリーニング側空間」である旨明りょうにするとともに、セパレータの開口部のターゲット用電極側をシャッタで閉じた場合に基板又はターゲットのクリーニングを行う空間を限定するものであるから、特許法第１７条の２第３項第４号の明りょうでない記載の釈明と特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２）そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合するか）について以下検討する。
（ｉ）引用文献
（ア）原査定の拒絶の理由において引用文献１として提示された特開平５−８２４４４号公報（以下、「引用文献１」という。）には、半導体製造装置に関し、図面とともに以下の記載がある。
（ア−１）「【従来の技術】図５は従来における半導体製造装置の一例を示している。ここではスパッタリング装置１を例に挙げて説明するものとし、図には説明の便宜上、ターゲット２近傍の構成のみを示している。
　ターゲット２の前方位置には、このターゲット２を囲繞するように碗状のターゲット側防着板３が配設されている。このターゲット側防着板３のターゲット２と対向する中央位置には、開口４が形成されている。
　また、ターゲット側防着板３から所定位置離間した位置にはウエハ側防着板５が配設されると共に、このウエハ側防着板５の上記開口４と対向する位置には、ウエハ６を装着しうる構成でウエハ装着口７が形成されている。
　このウエハ装着口７はウエハ６の形状よりも若干小さな形状とされており、また図示しない装着機構によりウエハ６はウエハ側防着板５に押圧される構成となっている。よって、ウエハ６はその外周縁がウエハ装着口７の縁部と係合することにより、ウエハ側防着板５に装着される。
　シャッタ８は、ターゲット側防着板３とウエハ側防着板５との間に位置するよう構成されている。このシャッタ８は、図示しないシャッタ移動機構により移動する構成とされており、上記のようにスパッタリング装置１がウエハ６に対し安定した薄膜を形成できない場合に、開口４及びウエハ装着口７を閉塞しターゲット２から飛散してくる分子がウエハ６に付着しないよう機能するものである。」（段落【０００５】〜【０００９】）、
（ア−２）「【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明では、ウエハに被膜形成される媒体が飛散する通路途中に配設され、不要な媒体がウエハに付着するのを防止する防着板と、この防着板に形成されており、上記媒体をウエハに膜形成する際、ウエハが装着される装着口と、上記ウエハの非加工時に装着口を閉塞するシャッタとを設けてなる半導体製造装置において、上記シャッタの形状をウエハの形状と略同一形状とすると共に、上記被膜形成時に装着口を開放するようシャッタを移動させ、かつ、上記非加工時にシャッタが開防着板と密着しつつ装着口を閉塞するようシャッタを移動させるシャッタ移動機構を設けたことを特徴とするものである。」（段落【００１９】）、
（ア−３）「【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明する。本実施例では半導体製造装置としてスパッタリング装置１０を例に挙げて説明する。図１は本発明の一実施例であるスパッタリング装置１０を示す断面図であり、図２は後述するスパッタガンを取り外した状態のスパッタリング装置１０を示す平面図である。
　図中、１１はチャンバであり、接続された真空ポンプ（図示せず）により所定の真空度に保たれる構成となっている。このチャンバ１１の下部には、ウエハ１２が載置されるウエハステージ１３が配設されている。ウエハステージ１３の内部にはヒータが組み込まれており、加工時（スパッタリング時）にウエハ１２を加熱する構成となっている。また、ウエハステージ１３下部には昇降機構１４が設けられており、この昇降機構１４によりウエハステージ１３は昇降動作しうるよう構成されている。
　また、チャンバ１１の上部には、スパッタガン１５及び防着板１６が配設されている。スパッタガン１５の内部にはマグネトロンスパッタを構成するための磁石１７が設けられると共に、ウエハ１２と対向する位置にはターゲット１８が装着される。このスパッタガン１５は、磁石１７に高周波電流を印加することによりターゲット１８よりターゲット１８を構成する分子（媒体）をウエハ１２に向け飛散させる。
　防着板１６は、ウエハ１２とターゲット１８との間の位置、即ちウエハ１２に被膜形成されるターゲット１８より飛び出した分子が飛散する通路途中に一つのみ配設され、後述するシャッタ１９と協働して不要なターゲット分子がウエハ１２に付着するのを防止する機能を奏する。この防着板１６は碗状形状を有し、ウエハ１２と対向するその中央位置には、装着口２０が形成されている。装着口２０は、ウエハ１２と対応した形状を有しており、その大きさはウエハ１２よりも若干小さな大きさとされている。この装着口２０は、加工時においてウエハ１２が装着され、また被加工時にはシャッタ１９が装着される。」（段落【００２１】〜【００２４】）、
（ア−４）「続いて、上記構成とされたスパッタリング装置１０の動作について説明する。
　装置起動時のように、スパッタリング装置１０が安定せずウエハ１２に良好な薄膜を形成できない装置状態の場合、シャッタ１９により装着口２０を閉塞し、所謂シャッタ１９に対して空とばしを行う。このため、シャッタ移動機構２１を駆動させ、アーム２２を図中矢印Ａ1 方向に回動させると共にＢ1 方向に移動させ、シャッタ１９を防着板１６に押圧させつつ装着口２０を閉塞する（この状態を図３に拡大して示す）。
　この際、シャッタ１９は防着板１６に押し付けられつつ装着口２０を閉塞するため、装着口２０は確実に閉塞される。この構成とすることにより、ターゲット１８から飛び出したターゲット分子が装着口２０を通過することを確実に防止することができるため、ウエハ１２に不良薄膜が形成されるのを確実に防止することができる。
　一方、スパッタリング装置１０が安定し、ウエハ１２に良好な薄膜を形成できる装置状態となると、装着口２０を開放しウエハ１２に対し膜形成を開始する。このため、シャッタ移動機構２１を駆動させ、アーム２２を図中矢印Ａ２方向に回動させると共にＢ２方向に移動させ、シャッタ１９を移動させて装着口２０を開放する。このように装着口２０が開放されると、続いて昇降機構１４が作動しウエハ１２を載置したウエハステージ１３が上動し、ウエハ１２は防着板１６に押し付けられつつ装着口２０に装着され、ウエハ１２に対するスパッタリングが開始される（この状態を図４に拡大して示す）。」（段落【００２７】〜【００３０】）
（ア−５）「【発明の効果】上述の如く本発明によれば、防着板は一つで済み、かつシャッタ及び装着口を小さくできるため、装置の小型化及び低コスト化を図ることができると共に、所謂空とばし時にターゲット分子がウエハに付着することを確実に防止することができるため、ウエハに対して良好な薄膜形成を行うことができる等の特長を有する。」（段落【００３４】）
（ア−６）図５（第６頁）には、スパッタリング装置において対向配置されるターゲット及びウエハと、ターゲットとウエハ間に設置させるウェハ装着口を有したウェハ側防着板と、前記ウェハ装着口を開閉するシャッタと、ターゲット側防着板とを備えた従来技術に係る半導体製造装置が示されている。
（ｉｉ）対比・判断
　本願補正発明と引用発明１を対比する。
　記載（ア−２）〜（ア−４）を本願補正発明の記載に沿って整理すると、引用文献１には、「チャンバ１１と、ウエハ１２と対向する位置にはターゲット１８が装着され、ウエハ１２とターゲット１８との間に配設される装着口２０を有した防着板１６と、装着口２０に装着されるシャッタ１９と、ウエハステージ１３を昇降する昇降機構１４を設け、装着口２０は、加工時においてウエハ１２が装着され、また被加工時（請求項１の記載からみて「非加工時」の誤記と認められる。）にはシャッタ１９が装着され、シャッタ１９により装着口２０を閉塞し、空とばしを行い、ウエハ１２に良好な薄膜を形成できる装置状態となると、昇降機構１４が作動しウエハ１２を載置したウエハステージ１３が上動し、ウエハ１２は防着板１６に押し付けられつつ装着口２０に装着され、ウエハ１２に対するスパッタリングが開始され被膜形成を行うスパッタリング装置」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　そして、本願補正発明と引用発明１を対比すると、引用発明１の「チャンバ」、「ターゲット」、「ウエハ」、「防着板」、「装着口」、「シャッタ」、「ウエハステージを昇降する昇降機構」、「空とばし」及び「被膜形成を行うスパッタリング装置」が、本願補正発明のそれぞれ、「チャンバ」、「ターゲット」、「基板」、「セパレータ」、「開口部」、「シャッタ」、「基板移動機構」、「ターゲットのクリーニング」及び「成膜装置」に相当し、また、引用発明１に係る装置により被膜形成して半導体を製造する際にはターゲットもウエハも電極に接続されているからターゲット用電極及び基板用電極は記載されているに等しい事項と認められ、引用発明１における「装着口２０は、加工時においてウエハ１２が装着され、また非加工時にはシャッタ１９が装着され、シャッタ１９により装着口２０を閉塞し、空とばしを行い、ウエハ１２に良好な薄膜を形成できる装置状態となると、昇降機構１４が作動しウエハ１２を載置したウエハステージ１３が上動し、ウエハ１２は防着板１６に押し付けられつつ装着口２０に装着され、ウエハ１２に対するスパッタリングが開始され」は、「開口部をシャッタ又は基板によって成膜処理に応じて選択的に閉塞することによってチャンバ内を二つの空間に仕切り、前記開口部を前記シャッタで閉じた場合に、前記仕切られたチャンバのターゲット側空間においてターゲットのクリーニングを行い、さらに、前記開口部の基板用電極側を前記基板で閉じた場合に、前記仕切られたチャンバのターゲット側空間において基板に成膜する」に相当するから、両者は、「チャンバと、前記チャンバ内において対向配置されるターゲット用電極及び基板用電極と、前記二つの電極間に設置させる開口部を有したセパレータと、前記開口部を開閉するシャッタと、前記基板を移動して、前記開口部の基板用電極側を開閉する基板移動機構とを備え、前記開口部をシャッタ又は基板によって成膜処理に応じて選択的に閉塞することによってチャンバ内を二つの空間に仕切り、前記開口部を前記シャッタで閉じた場合に、前記仕切られたチャンバのターゲット側空間においてターゲットのクリーニングを行い、さらに、前記開口部の基板用電極側を前記基板で閉じた場合に、前記仕切られたチャンバのターゲット側空間において基板に成膜することを特徴とする成膜装置」である点で一致し、以下の点で相違する。
（ａ）本願補正発明では「セパレータの開口部のターゲット用電極側を開閉するシャッタを備えている」のに対して、引用発明１はシャッタを備えるものであるものの、防着板１６のウェハ側である点。
（ｂ）本願補正発明では「セパレータの開口部を前記シャッタで閉じた場合に、仕切られたチャンバの基板側空間において基板のクリーニングを行う」のに対して、引用発明１では基板のクリーニングについては、記載のない点。
　そこで上記の相違点について検討する。
（相違点（ａ）について）
　上記（ア−１）及び（ア−６）にも記載されるように、引用文献１においても従来技術においてシャッタをターゲット側に設けることは行われていたことが開示され、さらに、例えば原査定の拒絶の理由において慣用技術を示すものとして提示された特開平４−２６８０６５号公報（以下、「周知例１」という。段落【０００９】及び【図１】参照。）及び特開平４−１７３９７２号公報（以下、「周知例２」という。第３頁左上欄第１４行〜同右上欄第７行及び第２図、第３図参照。）にはチャンバと、前記チャンバ内において対向配置されるターゲット及び基板と、ターゲットと基板間に設置させる開口部を有したセパレータと、前記開口部をスパッタ粉体から遮断するシャッタとを備えた構造の成膜装置として、セパレータの開口部のターゲット用電極側を開閉するシャッタを備えているものが記載されていて、ターゲット用電極側を開閉するシャッタが本願出願前から周知であり、また、シャッタを上記従来技術のようにセパレータの開口部のターゲット用電極側を開閉するように設けた場合と基板用電極側を開閉するように設けた場合において成膜を実施する上で効果に特段の差違があると認められないから、本願補正発明のシャッタをセパレータの開口部のターゲット用電極側を開閉するものとする限定は、上記従来技術、周知例１及び２を参照することにより、当業者であれば適宜なし得るものにすぎない。
（相違点（ｂ）について）
　引用発明１においても記載事項（ア−２）にあるように「不要な媒体がウエハに付着するのを防止する」という要請があり、また、例えば原査定の拒絶の理由において慣用技術を示すものとして提示された上記周知例２（特許請求の範囲、第２頁左下欄第１５行〜同右下欄第６行、第３頁左下欄第１０行〜同右下欄第１８行及び第２図、第３図参照。）及び特開平７−１８４３７号公報（以下、「周知例３」という。段落【００２０】及び【００２１】参照。）に記載されるように基板に逆スパッタを、ターゲットにプレスパッタを行うためのシャッタを設けることが本願出願前から周知であることを勘案すると、引用発明１において「セパレータの開口部を前記シャッタで閉じた場合に、仕切られたチャンバの基板側空間において基板のクリーニングを行い、仕切られたチャンバのターゲット側空間においてターゲットのクリーニングを行う」ことは当業者であれば格別の創意なくなし得る事項である。
　そして、本願補正発明によって得られる効果も、引用発明１に係る装置が一室でスパッタ成膜，ターゲットクリーニングが可能なものであること、上述のとおり「チャンバと、前記チャンバ内において対向配置されるターゲット及び基板と、ターゲットと基板間に設置させる開口部を有したセパレータと、前記開口部をスパッタ粉体から遮断するシャッタとを備えた構造の成膜装置として、セパレータの開口部を前記シャッタでスパッタ粉体から遮断した場合に、仕切られたチャンバの基板側空間において基板のクリーニングを行い、仕切られたチャンバのターゲット側空間においてターゲットのクリーニングを行う」ものが本願出願前から周知であること、及び、記載事項（ア−５）中の「装置の小型化を図ることができると共に、所謂空とばし時にターゲット分子がウエハに付着することを確実に防止することができるため、ウエハに対して良好な薄膜形成を行うことができる等の特長を有する」旨の記載からみて、格別のものとすることができない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明１及び周知例１、２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　そうすると、本件補正は、特許法第１７条の２の第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に違反してなされたものであるから、同補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
（３）むすび
　上記（２）の理由により、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
３．本願発明について
　平成１６年４月１日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は平成１６年１月１３日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「チャンバと、前記チャンバ内において対向配置されるターゲット用電極及び基板用電極と、前記二つの電極間に設置させる開口部を有したセパレータと、前記開口部のターゲット用電極側を開閉するシャッタと、前記基板を移動して、前記開口部の基板用電極側を開閉する基板移動機構とを備え、前記開口部をシャッタ又は基板によって成膜処理に応じて選択的に閉塞することによってチャンバ内を二つに仕切り、前記開口部のターゲット用電極側を前記シャッタで閉じることにより、前記仕切られたチャンバの一方側において基板又はターゲットのクリーニングを行い、前記開口部の基板用電極側を前記基板で閉じることにより、前記仕切られたチャンバの他方側において基板に成膜することを特徴とする成膜装置。」
４．引用文献
　原査定の拒絶の理由において提示された引用文献１の記載事項は上記「２．（２）（ｉ）」に記載したとおりである。
５．対比・判断
　本願発明は、上記「２．（２）（ｉｉ）」で検討した本願補正発明からみると、セパレータの開口部のターゲット用電極側をシャッタで閉じた場合に基板又はターゲットのクリーニングを行う空間の限定事項を省いたものである。　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の限定を付加したものである本願補正発明が上記「２．（２）（ｉｉ）」で述べたとおり、引用発明１及び周知例１、２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様な理由により、引用発明１及び周知例１、２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明も特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明１及び周知例１、２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。