【事件の表示】
　特願２００３−　２２９１０「半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１９日出願公開、特開２００４−２３５４８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１月３１日の出願であって、平成１７年８月３１日付の手続補正を経て同年１２月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１月１０日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同年２月９日付で明細書を補正対象書類とする手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年２月９日付の明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
【補正却下の決定の結論】
　本件補正を却下する。
　
【理由】
2.1　補正の内容
ａ．特許請求の範囲を、
＜補正前＞「【請求項１】ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体のウェハ搭載面以外の表面もしくは内部に形成された電気回路に給電するための電極の間隔が、ウェハ保持体の厚みの１０％以上であり、ウェハ搭載面の面粗さがＲａで５μｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２】前記電気回路に給電するための電極は、該電気回路に直接接続される部分において、タングステン、モリブデン、タンタルからなる群より選択される１種類以上を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項
３
または２
＜補正後＞「【請求項１】ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体のウェハ搭載面以外の表面もしくは内部に形成された電気回路に給電するための
電極が、タングステン、モリブデン、タンタルからなる群より選択される１種類以上を含有し、その表面にはニッケル、金、銀からなる群より選択される少なくとも１種類の耐酸化性被膜が形成されてなり、前記
であり、ウェハ保持面の温度分布が±１．０％以内
【請求項
２
ｂ．段落【０００９】を、
＜補正前＞「すなわち、本発明は、ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体のウェハ搭載面以外の表面もしくは内部に形成された電気回路に給電するための電極の間隔が、ウェハ保持体の厚みの１０％以上であり、ウェハ搭載面の面粗さがＲａで５μｍ以下である。前記電気回路は、ヒータ回路、静電吸着用電極回路、ＲＦ用電極回路、高電圧用電極回路等がある。」から、
＜補正後＞「すなわち、本発明は、ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体のウェハ搭載面以外の表面もしくは内部に形成された電気回路に給電するための
電極が、タングステン、モリブデン、タンタルからなる群より選択される１種類以上を含有し、その表面にはニッケル、金、銀からなる群より選択される少なくとも１種類の耐酸化性被膜が形成されてなり、前記
であり、ウェハ保持面の温度分布が±１．０％以内
ｃ．段落【００１０】を削除する。
　
　なお、下線は補正箇所を明りょうにする目的で当審にて付与したものである。
　
2.2　補正の目的についての判断
　補正事項ａは、請求項２を削除すると同時に、請求項１の発明を特定する事項である「電極」について、「タングステン、モリブデン、タンタルからなる群より選択される１種類以上を含有し、その表面にはニッケル、金、銀からなる群より選択される少なくとも１種類の耐酸化性被膜が形成される」との限定を加えると共に、「半導体製造装置用ウェハ保持体」について、「ウェハ保持面の温度分布が±１．０％以内」との限定を加えるものであるから、特許請求の範囲を限定して減縮することを目的とするものに該当する。
　補正事項ｂ及びｃは、補正された請求項１の記載との整合を図ることを目的としているから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
　上記補正事項ａ〜ｃは、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定を満たしている。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。　
　
2.3　刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由及び拒絶査定の備考に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である以下の文献には、以下の事項が記載されていると認められる。
　刊行物１：　特開２００１−２３７３０１号公報
　刊行物２：　特開２００２−３２９７７６号公報
　刊行物３：　特開２００２−３５９２８１号公報
　
2.3.1　刊行物１
ａ．（段落【０００５】）
「そこで、特開平４−３２４２７６号公報では、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい非酸化物セラミックである窒化アルミニウムを使用し、この窒化アルミニウム基板中に発熱体が形成され、この発熱体にタングステンからなるスルーホールが接続され、このスルーホールに外部端子が接続されたセラミックヒータが提案されている。」
ｂ．（段落【０００６】）
「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような構成からなるセラミックヒータでは、リード線が接続されたソケット等を、上記外部端子に嵌め込むことにより、電源と接続していたが、上記ソケットやリード線の接続部分は、導電性の金属等が剥き出しの状態であったために、セラミックヒータに通電を行って、２００℃以上に昇温させると上記ソケット部分やリード線からの放熱量が大きく、上記ソケット等が接続された接続部を中心として、その周囲に他の部分と比べて温度が低い箇所（クーリングスポット）が発生する。このクーリングスポットは、セラミックヒータの半導体ウエハ等の被加熱物を加熱する面（以下、加熱面という）にも影響を及ぼし、加熱面の温度を不均一にしていた。」
ｃ．（段落【０００７】）
「本発明は、上述した問題点を解決するためになされたもので、半導体製造・検査装置用セラミック基板を２００℃以上で使用しても、セラミック基板にクーリングスポットが発生せず、加熱面を均一な温度に制御することができる半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、ホットプレート、静電チャック、ウエハプローバ等として好適に用いることができる半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供することにある。」
ｄ．（段落【００２５】）
「図示はしていないが、セラミック基板３１は、円板形状に形成されており、抵抗発熱体２２は、セラミック基板３１の内部に同心円状のパターンに形成されている。また、これら抵抗発熱体２２は、互いに近い二重の同心円同士が１組の回路として、１本の線になるように接続され、その回路の両端の真下にスルーホール３８が形成され、スルーホール３８とセラミック基板底部３１ｂとの間に袋孔３７が形成されている。」
ｅ．（段落【００２６】）
「そして、この袋孔３７には、外部端子３３が挿入、接続され、この外部端子３３にソケット１０が取り付けられている。このソケット１０は、図２に示したソケットと同様に構成され、絶縁性被覆材１１で被覆されている。従って、図３に示した半導体装置用セラミック基板においても、外部端子３３に接続されたソケット１０からの放熱が防止され、上記セラミック基板の加熱面を均一な温度に制御することができる。」
ｆ．（段落【００３０】）
「また、抵抗発熱体２２は、セラミック基板２１全体の温度を均一にする必要があることから、図１（ａ）に示すような同心円形状のパターンや同心円形状のパターンと屈曲線形状のパターンとを組み合わせたものが好ましい。また、抵抗発熱体２２の厚さは、１〜５０μｍが望ましく、その幅は、５〜２０ｍｍが好ましい。」
ｇ．（段落【００５８】第１〜３行）
　「本発明の半導体装置用セラミック基板の厚さは、５０ｍｍ以下が好ましく、２０ｍｍ以下がより好ましい。また、１〜５ｍｍが最適である。」
ｈ．（図１）
　外部端子が、互いに、半径方向に少なくとも抵抗発熱体の幅を上回る間隔を置いて配置されていることが示されていると認める。
　
　摘記事項ａ，ｄ，ｅより、「外部端子」が抵抗発熱体を電源に接続するもの、すなわち抵抗発熱体に給電するものであることは、当業者が容易に理解し得るところである。また、摘記事項ｄ，ｅ，ｆ，ｈより、抵抗発熱体が二重の同心円同士を１組の回路として１本の線になるように接続したものの両端にスルーホール３８が形成され、抵抗発熱体のパターンの幅が５mm以上であることから、外部端子の間隔が５ｍｍを下回らないことが理解され、摘記事項ｇ中のセラミック基板の最大厚みである５０mmと対比すると、外部端子の間隔はセラミック基板の厚みの１０％以上であるということができる。そこで、上記の摘記事項の内容を本件補正発明の記載に沿って整理すると、刊行物１には、
「加熱面を有するセラミック基板において、前記セラミック基板の内部に形成された発熱体に給電するための外部端子の間隔が、セラミック基板の厚みの１０％以上である半導体製造・検査装置用セラミック基板。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
が記載されていると認められる。　
　
2.3.2　刊行物２
ａ．（段落【０００１】）
「【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置、イオンプレーティング装置、蒸着装置等の成膜装置やエッチング装置において、例えば半導体ウエハ等の被加工物を保持するのに用いる静電チャックに関するものである。」
ｂ．（段落【００２８】）
「さらに、パーティクルの発生を防止するためには、吸着面６の面粗さは算術平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下、更に好ましくは０．０５μｍ以下とするが良い。」
　
　以上を整理すると、刊行物２には、
「半導体ウエハ等の被加工物を保持するのに用いる静電チャックにおいて、吸着面の面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍ以下とすること。」（以下、刊行物２記載の事項」という。）
が記載されていると認められる。
　
2.3.3　刊行物３
ａ．（段落【０００１】）
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に関し、特に、シリコンウエハ等に化学蒸着（ＣＶＤ　Chemical vaper diposition ）、プラズマエッチング、スパッタリング等を施す際にウエハを加熱しながら保持するのに好適なセラミックヒータに関する。」
ｂ．（段落【０００９】第１〜５行）
「半導体製造装置、なかでもＣＶＤ装置に用いられるセラミックヒータにはウエハを均一に加熱する機能が要求される。そのため、セラミックヒータの加熱面の面内温度分布が±５％以下（できれば±１％以下）になるよう抑える必要がある。」
　
　以上を整理すると、刊行物３には、
「ウエハを加熱しながら保持するのに好適なセラミックヒータにおいて、加熱面の面内温度分布を±１％以下とすること。」（以下、「刊行物３記載の事項」という。）
が記載されていると認められる。　
　
2.4　対比
　本件補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「半導体製造・検査装置用セラミック基板」は半導体ウエハを保持して加熱するものであるから、前者の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当することが明白であり、したがって後者の「加熱面」は前者の「ウェハ搭載面」に相当するというべきである。後者の「抵抗発熱体」が電気回路を構成することは当業者にとって自明であり、後者の「外部端子」はこれに給電するものであるから、前者の「電極」に相当する。
　そうすると、両者の間には次の一致点及び相違点があるものと認められる。
＜一致点＞
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体の内部に形成された電気回路に給電するための電極の間隔が、ウェハ保持体の厚みの１０％以上である半導体製造装置用ウェハ保持体。」である点。
＜相違点１＞
　ウェハ搭載面の面粗さが、前者ではＲａで５μｍ以下であるのに対し、後者ではこのような特定がない点。
＜相違点２＞
　ウェハ保持面の温度分布が、前者では±１．０％以内であるのに対し、後者ではこのような特定がない点。
＜相違点３＞
　電極は、前者ではタングステン、モリブデン、タンタルからなる群より選択される１種類以上を含有し、その表面にはニッケル、金、銀からなる群より選択される少なくとも１種類の耐酸化性被膜が形成されてなるのに対し、後者ではこのような特定がない点。
　
2.5　判断
　以下に、上記相違点について検討する。
2.5.1　＜相違点１＞について
　刊行物２記載の事項の「半導体ウエハ等の被加工物を保持するのに用いる静電チャック」は、半導体ウエハの加工においてウエハを保持するものであることが明らかであるから、本件補正発明の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当するものというべきであり、前者の「吸着面」は後者の「ウェハ搭載面」に相当するものである。したがって、刊行物２には「半導体製造装置用ウェハ保持体のウェハ搭載面の面粗さをＲａで０．２μｍ以下、すなわち５μｍ以下とすること。」が記載されているということができる。
　なお、半導体製造装置用ウェハ保持体のウェハ搭載面の面粗さをＲａで５μｍ以下とすることは、刊行物２以外にも例えば特開２００２−１１０７７３号公報（段落【００４１】）、特開２０００−２５２３５１号公報（段落【００２２】）及び特開平１１−２１４４９１号公報（段落【０００８】）に示されるように、本願の出願前において周知の事項であったということもできる。
　刊行物２記載の事項は刊行物１記載の発明と同じく半導体製造装置用のウェハ保持装置に関するから、刊行物２記載の事項を刊行物１記載の発明に適用して、相違点１に係る発明特定事項を本件補正発明のものとすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
2.5.2　＜相違点２＞について
　刊行物３記載の事項の「ウエハを加熱しながら保持するのに好適なセラミックヒータ」は、半導体ウエハの加工においてウエハを保持するものであることが明らかであり、本件補正発明の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当するものというべきであるから、前者の「加熱面」は後者の「ウェハ保持面」に相当するものである。したがって、刊行物２には「半導体製造装置用ウェハ保持体のウェハ保持面の面内温度分布を１％以下とすること。」が記載されているということができる。
　刊行物３記載の事項は刊行物１記載の発明と同じく半導体製造装置用のウェハ保持装置に関するから、刊行物３記載の事項を刊行物１記載の発明に適用して、相違点２に係る発明特定事項を本件補正発明のものとすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
  
2.5.3　＜相違点３＞について
　半導体製造装置用ウェハ保持体において、電極が、タングステン、モリブデン、タンタルからなる群より選択される１種類以上を含有し、その表面にはニッケル、金、銀からなる群より選択される少なくとも１種類の耐酸化性被膜が形成されてなるものは、例えば、特開２００２−３１３５３３号公報、特開２００２−８９８４号公報及び特開２００１−７７１８５号公報に示されるように、従来周知の技術であるため、刊行物１記載の発明において電極として本件補正発明のものを採用することは、当業者が容易になし得る。
　
2.5.4　まとめ
　本件補正発明には、刊行物１記載の発明、刊行物２及び３記載の事項ならびに従来周知の技術に基いて普通に予測される作用効果を上回る、格別のものを見出すこともできない。
　よって、本件補正発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２及び３記載の事項ならびに従来周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
2.6　むすび
　以上のとおり、本件補正後の請求項１に係る発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２及び３記載の事項ならびに従来周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができるものであるため、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
3.1　本願発明
　平成１８年２月９日付の明細書を補正対象書類とする手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１７年８月３１日付で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体のウェハ搭載面以外の表面もしくは内部に形成された電気回路に給電するための電極の間隔が、ウェハ保持体の厚みの１０％以上であり、ウェハ搭載面の面粗さがＲａで５μｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」
　
3.2　刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記「2.3」に記載したとおりである。
　
3.3　対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本件補正発明から、「電極」の限定事項である、「タングステン、モリブデン、タンタルからなる群より選択される１種類以上を含有し、その表面にはニッケル、金、銀からなる群より選択される少なくとも１種類の耐酸化性被膜が形成される」との発明特定事項を省き、「半導体製造装置用ウェハ保持体」の限定事項である、「ウェハ保持面の温度分布が±１．０％以内」との発明特定事項を省いたものである。　
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「2.6」に記載したとおり、刊行物１記載の発明、刊行物２及び３記載の事項ならびに従来周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同じ理由により、刊行物１記載の発明、刊行物２及び３記載の事項ならびに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
3.4　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。