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　特願２００５−５１８１４２「窒化物半導体の発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２９日国際公開、ＷＯ２００４／１１４４２１、平成１８年　３月２３日国内公表、特表２００６−５１０２３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、２００４年６月２１日（パリ条約による優先権主張２００３年６月２５日、大韓民国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年９月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１３日に手続補正がなされ、平成２０年１月１５日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年４月２２日に手続補正がなされ、同年７月８日付けで前記平成２０年４月２２日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１４日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１１月１３日に手続補正がなされた後、当審において、平成２２年１月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年４月１９日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された以下の事項によって特定されるものと認められる。
　
「【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された第１のＩｎドープＧａＮ層と、
前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に形成されたＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層と、
前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層上に形成された第１の電極接触層と、
前記第１の電極接触層上に形成され、光を放出する活性層と、
前記活性層上に形成された第２のＩｎドープＧａＮ層と、
前記第２のＩｎドープＧａＮ層上に形成されたＧａＮ層と、
前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含み、
前記活性層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層及びＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層で構成され、
前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層及びＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層にドープされるインジウム含量は、それぞれ０＜ｘ＜０.０５、０＜ｙ＜０.３、０＜ｚ＜０.１の値を持つ、
窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子。
　【請求項２】
前記第２の電極接触層はｎ型である請求項１に記載の窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子。
　【請求項３】
前記活性層は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成される、
請求項１に記載の窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子。
　【請求項４】
前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層にドープされるインジウム含量は、前記ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層にドープされるインジウム含量よりも小さい値を持つ、
請求項１に記載の窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子。
　【請求項５】
前記第２の電極接触層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造(ｓｕｐｅｒ　ｌａｔｔｉｃｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ)で形成される、
請求項１に記載の窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子。
　【請求項６】
基板と、
前記基板上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された第１のＩｎドープＧａＮ層と、
前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に形成されたＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層と、
前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層上に形成された第１の電極接触層と、
前記第１の電極接触層上に形成され、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層及びＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層を含む活性層と、
前記活性層上に形成されたＧａＮ層と、
前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含み、
前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層及びＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層にドープされるインジウム含量は、それぞれ０＜ｘ＜０.０５、０＜ｙ＜０.３、０＜ｚ＜０.１の値を持つ、
窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子。
　【請求項７】
前記第２の電極接触層はｐ型である、
請求項６に記載の窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子。」（以下、請求項１、４及び６に係る発明を、それぞれ、「本願発明１」、「本願発明４」及び「本願発明６」という。）
　
　
第２　当審において通知した拒絶の理由
　当審において平成２２年１月１８日付けで通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
　
「１　記載不備（特許法第３６条第４項） 
　この出願は、発明の詳細な説明及び特許請求の範囲の記載が、下記の点で特許法第３６条第４項及び同条第６項第２、４号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
　 　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　 
（１）平成２０年１１月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１には、「第１のＩｎドープＧａＮ層」及び「第２のＩｎドープＧａＮ層」と記載されており、また、同請求項９には、「第１のＩｎドープＧａＮ層」と記載されているが、本願明細書の発明の詳細な説明の欄には、これらの「第１のＩｎドープＧａＮ層」及び「第２のＩｎドープＧａＮ層」に関して、 
　ア　Ｉｎを具体的にどの程度の量ドープするのか、
　イ　その層厚は具体的にいくらなのか、
　ウ　そのような層を用いることの技術的意義は何なのか、
について何ら記載されていないから、本願明細書は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものとはいえない。
　また、同請求項５には、「前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に
ドープ
ドープ
ドープ
　なお、仮に、「第１のＩｎドープＧａＮ層」及び「第２のＩｎドープＧａＮ層」がＩｎＧａＮ層ではないとしたとしても、本願明細書には、「ＧａＮ系単結晶薄膜を成長させるステップは、ＭＯＣＶＤ装備を用いて９００℃〜１１００℃で、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソースガスを供給して単結晶ＧａＮ系半導体薄膜を成長させ、ドーピングソースとしては、・・・ＩｎドーピングソースとしてＴＭＩｎソースが用いられる」と記載され（【００１７】）、「ＩｎドープＧａＮ層」を成長する際にもＩｎＧａＮ層を成長するのと同じＴＭＩｎソースガスが用いられるのであるから、Ｉｎを具体的にどの程度の量ドープすれば、「ＩｎＧａＮ層」ではなく、「ＩｎドープＧａＮ層」を成長することができるのか、不明である。（以下、これらの理由を「理由ａ」という。）
　
（２）同請求項１及び９には、「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層」と記載されているが、本願明細書の発明の詳細な説明の欄には、この「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層」に関して、 
　ア　それらの層数は具体的にいくつなのか、 
　イ　それらの層厚は具体的にいくらなのか、 
　ウ　それらの混晶比（ｘ及びｙ）は具体的にいくらなのか、 
について何ら記載されていないから、本願明細書は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。（以下、これらの理由を「理由ｂ」という。）
・・・
　 
２　進歩性（特許法第２９条第２項） 
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 　　　　　記　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
・請求項　９ 
・引用文献　１ 
・備考　 
　引用文献１の図３に示された「ＧａＮ系青色半導体レーザ装置」（【００３５】〜【００３８】参照。）は、「サファイア基板２０」（本願請求項９に係る発明（以下「本願請求項９発明」という。）の「基板」に相当。）上に、「ＧａＮバッファ層」（本願請求項９発明の「バッファ層」に相当。）、「ｎ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ歪超格子層２２」、「ｎ−ＧａＮ層２３」（本願請求項９発明の「第１の電極接触層」に相当。）、「Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ多重量子井戸活性層２６」、「ＧａＮ光閉じ込め層２７」（本願請求項９発明の「ＧａＮ層」に相当。）及び「ＧａＮコンタクト層２９」（本願請求項９発明の「第２の電極接触層」に相当。）を形成したものであるところ、前記「ｎ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ歪超格子層２２」の最も「サファイア基板２０」側の「ｎ−ＩｎＧａＮ」の層は、本願請求項９発明の「バッファ層上に形成された第１のＩｎドープＧａＮ層」に相当するといえるとともに、多重量子井戸活性層をＩｎＧａＮ井戸層とこれを挟むＩｎＧａＮ障壁層とで構成することは本願の優先日時点で周知であるから、本願請求項９発明は、引用文献１及び上記周知技術から当業者が容易に発明することができたものである。
・・・　 
　 
　　　　　　　　　　　　引　用　文　献　一　覧 
　１　特開平９−２３２６２９号公報（【００３５】〜【００３８】、図３参照。）
　２　特開平１１−３４０５０９号公報（【００３６】、図１参照。）」
　
　
第３　記載不備（特許法第３６条第４項）について
１　本願明細書の記載
　当審において平成２２年１月１８日付けで通知した拒絶の理由（上記第２参照。）において「１　記載不備」として指摘した（１）〜（６）のうち、（１）及び（２）に関連する記載として、本願明細書には、以下のア〜クがある（なお、以下のア〜クは補正されていない。）。
　
　ア　「【０００１】
　本発明は窒化物系３−５族化合物半導体に関する。より詳しくは、基板上に成長されるＧａＮ系単結晶層と基板の熱膨張係数との格子定数の差により発生する結晶欠陥を低減し、ＧａＮ系単結晶層の結晶性を向上することにより、発光素子の高性能かつ高信頼性を確保できる窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子及びその製造方法に関する。」
　
　イ　「【０００４】
　・・・本発明の目的は、結晶欠陥を低減し、ＧａＮ系単結晶層の結晶性を向上させることにより、高性能かつ高信頼性を確保できる窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子及びその製造方法を提供することにある。」
　
　ウ　「【０００６】
　前記目的を達成するために、本発明に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子は、基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された第１のＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層と、前記第１のＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層上に形成されたＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層と、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層上に形成された第１の電極接触層と、前記第１の電極接触層上に形成され、光を放出する活性層と、第２のＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層と、前記第２のＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層上に形成されたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含む。
　他の側面に係る本発明の窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子は、基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第１のＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層と、前記第１のＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層上に形成された第１の電極接触層と、前記第１の電極接触層上に形成され、光を放出する活性層と、前記活性層上に形成されたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含む。
・・・
　本発明に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の製造方法は、基板上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層上に第１のＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層を形成するステップと、前記第１のＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層上に第１の電極接触層を形成するステップと、前記第１の電極接触層上に、光を放出する活性層を形成するステップと、前記活性層上にＧａＮ層を形成するステップと、前記ＧａＮ層上に第２の電極接触層を形成するステップと、を含む。
　【０００７】
　本発明によれば、窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の結晶欠陥を低減し、ＧａＮ系単結晶層の結晶性を向上できる。これにより、発光素子の高性能かつ高信頼性を確保できるという利点がある。・・・」
　
　エ　「【０００８】
　本発明に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子及びその製造方法によれば、多重のバッファ層によってサファイア基板上に成長されるＧａＮ系単結晶薄膜との熱膨張係数及び格子定数の不一致によって発生する結晶欠陥を效果的（当審注：「効果的」の誤りと認める。）に抑制して、高品質のＧａＮ系半導体を成長できる。特に、第１の電極接触層として用いるＳｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄＧａＮ層の下側にＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造が挿入されることにより、結晶欠陥を一層抑制できる。」
　
　オ　「【００１１】
　図１は本発明の第１実施例に係る発光素子の積層構造である。
　図１は、基板１０２上にバッファ層（ｂｕｆｆｅｒ　ｌａｙｅｒ）１０４を成長させ、ｎ型ＧａＮ（Ｓｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄ）層を第１の電極接触層１０８とし、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造（ｓｕｐｅｒ　ｌａｔｔｉｃｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を持つ層を第２の電極接触層１２０として成長させた窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の断面構造である。
・・・
　【００１３】
　そして、バッファ層１０４と第１の電極接触層１０８との間にはＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層１０６がさらに形成され、ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層１１４と第２の電極接触層１２０との間にはｐ型ＧａＮ層１１８がさらに形成される。
　【００１４】
　本実施例に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の製造方法を説明する。
　まず、サファイア基板１０２上に低温の成長温度でＧａＮ系バッファ層１０４薄膜を成長させる。
・・・
　【００１７】
　そして、成長されたバッファ層１０４上に高温の成長温度でＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層１０６及びＳｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄＧａＮ層１０８を成長させる。ここで、Ｓｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄＧａＮ層１０８は第１の電極接触層として用いる。
　詳しくは、ＧａＮ系単結晶薄膜を成長させるステップは、ＭＯＣＶＤ装備を用いて９００℃〜１１００℃で、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソースガスを供給して単結晶ＧａＮ系半導体薄膜を成長させ、ドーピングソースとしては、ＳｉドーピングソースとしてＳｉＨ４ガス、ＩｎドーピングソースとしてＴＭＩｎソースが用いられる。
・・・
　【００１９】
　このとき、インジウム含量が低いＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１１０、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ(０＜ｙ≦０.３５)井戸層１１２及びＩｎｚＧａ１−ｚＮ(０＜ｚ≦０.２)障壁層１１４で形成される一つの量子井戸構造の活性層１１６の成長段階において、Ｎ２、Ｈ２＋Ｎ２キャリアガス及びＮＨ３雰囲気で、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソースを流入させて成長させる。・・・」
　
　カ　「【００２６】
　図２は本発明の第２実施例に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子のの積層構
造である。
　図２に示す窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の基本的な積層構造は、図１に示す第１実施例と類似している。但し、本実施例に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子は、基板２０２とＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ単結晶層２１２（当審注「Ｓｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄＧａＮ単結晶層２１２」の誤りと認める。）との格子定数及び熱膨張係数の差により発生する結晶欠陥を最小化するために、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造を持つ層２１０が第１の電極接触層２１２の下に追加して挿入されたヘテロ構造を持つ。
　このような構造は、基板２０２及び低温のバッファ層２０４から伝播される電位密度を減少させることにより、発光素子の逆方向破壊電圧（ｒｅｖｅｒｓｅ　ｂｒｅａｋｄｏｗｎ　ｖｏｌｔａｇｅ、Ｖｂｒ）を改善して発光素子の信頼性を向上できる。
　【００２７】
　本発明に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の第２実施例の構造を、以下に簡略に説明する。
　基板２０２上にバッファ層２０４を成長させ、ｎ型ＧａＮ（Ｓｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄ）層を第１の電極接触層２１２とし、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造を持つ層を第２の電極接触層２２４として成長させる。
・・・
　【００２９】
　そして、バッファ層２０４と第１の電極接触層２１２との間には、Ｉｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層２０６とｕｎｄｏｐｅｄＧａＮ層２０８とが形成される。・・・
　【００３０】
　・・・本実施例により、基板２０２及びバッファ層２０４から伝播される電位密度を減少させ、発光素子の逆方向破壊電圧を改善でき、発光素子の信頼性を向上できる。」
　
　キ　「【００３１】
　一方、図３は本発明の第３実施例に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の積層構造である。・・・
　【００３２】
　第３実施例に係る半導体の発光素子の製造方法を説明する。基板３０２上にバッファ層３０４を成長させ、ｎ型ＧａＮ（Ｓｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄ）層を第１の電極接触層３０８とし、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造を持つ層を第２の電極接触層３２２として成長させる。
・・・
　【００３４】
　そして、バッファ層３０４と第１の電極接触層３０８との間には、Ｉｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層３０６が含まれ、ＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層３１４と第２の電極接触層３２２との間には、ｐ型ＧａＮ層３２０とＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層３１８とがさらに含まれる。・・・」
　
　ク　「【００３６】
　図４は本発明の第４実施例に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の積層構造である。
　第４実施例は殆んど第３実施例と同様であり、但し、基板４０４とＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層４０６（当審注：「Ｓｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄＧａＮ層４１６」の誤りと認める。）との格子定数及び熱膨張係数の差により発生する結晶欠陥を最小化するために、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造を持つ層４０８と、Ｉｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層４１２と、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層４１４をさらに形成させることに特徴がある。また、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造を持つ層４０８は、基板４０２及び低温のバッファ層４０４から伝播される電位密度を減少させ、発光素子の逆方向破壊電圧を改善する効果が得られる。
　【００３７】
　以下では、図４を参照して、本実施例に係る窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子の製造方法を詳細に説明する。
　サファイア基板４０２上に低温の成長温度でＧａＮ系バッファ層４０４を成長させる。ここで、低温の成長温度でＧａＮ系バッファ層４０４は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子構造及びＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ、yＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ／ＧａＮの積層構造などで形成させることができる。
　このように、基板４０２上にバッファ層４０４が形成されることにより、基板４０２上に成長されるＧａＮ系単結晶薄膜との熱膨張係数及び格子定数の不一致によって発生する結晶欠陥を效果的（当審注：「効果的」の誤りと認める。）に抑制できるため、高品質のＧａＮ系半導体を成長できる。
　そして、成長されたバッファ層４０４上に高温の成長温度でＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層４０６を成長させる。そして、基板４０４との格子定数及び熱膨張係数の差により発生する結晶欠陥を最小化するために、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造を持つ層４０８をさらに形成させる。
　このような構造は、基板４０２及び低温のバッファ層４０４から伝播される電位密度を減少させ、発光素子の逆方向破壊電圧を改善し、信頼性を向上できる。
　【００３８】
　そして、結晶欠陥を最小化するために、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層４０８上に、Ｉｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層４１２とＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層４１４とをさらに形成させる。
　【００３９】
　以後、Ｓｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄＧａＮ層４１６を成長させる。ここで、Ｓｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄＧａＮ層４１６は第１の電極接触層として用いられる。
・・・」
　
２　当審の判断
（１）理由ａについて
　本願発明１は、「第１のＩｎドープＧａＮ層」及び「第２のＩｎドープＧａＮ層」との発明特定事項を含み、本願発明６は、「第１のＩｎドープＧａＮ層」との発明特定事項を含むところ、本願明細書の発明の詳細な説明の欄には、これら「第１のＩｎドープＧａＮ層」及び「第２のＩｎドープＧａＮ層」に関して、 
　ア　Ｉｎを具体的にどの程度の量ドープするのか、
　イ　その層厚は具体的にいくらなのか、
　ウ　そのような層を用いることの技術的意義は何であるのか、
について何ら記載されておらず、本願明細書は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたもの、ということはできないものである。
　また、前記「第１のＩｎドープＧａＮ層」及び「第２のＩｎドープＧａＮ層」に関して、本願発明４は、「前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に
ドープされる
ドープされる
ドープされ
　なお、仮に、前記「第１のＩｎドープＧａＮ層」及び「第２のＩｎドープＧａＮ層」がいわゆるＩｎＧａＮ層ではないとしても、本願明細書には、「成長されたバッファ層１０４上に高温の成長温度でＩｎ−ｄｏｐｅｄＧａＮ層１０６及びＳｉ／Ｉｎ−ｃｏｄｏｐｅｄＧａＮ層１０８を成長させる。・・・ＧａＮ系単結晶薄膜を成長させるステップは、ＭＯＣＶＤ装備を用いて９００℃〜１１００℃で、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソースガスを供給して単結晶ＧａＮ系半導体薄膜を成長させ、ドーピングソースとしては、ＳｉドーピングソースとしてＳｉＨ４ガス、ＩｎドーピングソースとしてＴＭＩｎソースが用いられる。」と記載される一方で（【００１７】）、「インジウム含量が低いＩｎｘＧａ１−ｘＮ層１１０、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ(０＜ｙ≦０.３５)井戸層１１２及びＩｎｚＧａ１−ｚＮ(０＜ｚ≦０.２)障壁層１１４で形成される一つの量子井戸構造の活性層１１６の成長段階において、Ｎ２、Ｈ２＋Ｎ２キャリアガス及びＮＨ３雰囲気で、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソースを流入させて成長させる。」と記載されており（【００１９】）、「ＩｎドープＧａＮ層」を成長する際にもＩｎＧａＮ層を成長するのと同じＴＭＩｎソースガスが用いられるのであるから、Ｉｎを具体的にどの程度の量ドープすれば、ＩｎＧａＮ層ではなく、「ＩｎドープＧａＮ層」を成長することができるのか、全く不明といわざるを得ない。
　
（２）理由ｂについて
　本願発明１及び６は、「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層」との発明特定事項を含むが、本願明細書の発明の詳細な説明の欄には、この「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層」に関して、 
　ア　それらの層数は具体的にいくつなのか、 
　イ　それらの層厚は具体的にいくらなのか、 
　ウ　それらの混晶比（ｘ及びｙ）は具体的にいくらなのか、 
について何ら記載されていないから、本願明細書は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたもの、ということはできないものである。
　
３　小括
　以上のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１及び本願発明６の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　
第４　進歩性（特許法第２９条第２項）について
１　引用刊行物の記載事項
　本願の優先日前に頒布され、当審における拒絶の理由に引用した刊行物である特開平９−２３２６２９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
「【００３５】図３は本発明の第２の実施形態に係る半導体素子を適用したＧａＮ系青色半導体レーザ装置の概略構成を示す断面図である。このＧａＮ系青色半導体レーザ装置においては、サファイア基板２０上に５５０℃の低温でＧａＮバッファ層（図示せず）を設け、その上に第１の実施形態の場合と同様に、まず（１１１）成長面を有する立方晶型（閃亜鉛鉱型）のｎ−ＧａＮ層２１（Ｓｉドープ、３〜５×１０１８ｃｍ−３）を７５０℃で成長させる。
【００３６】さらに、ｎ−ＧａＮ層２１上に、同じく（１１１）成長面を有する閃亜鉛鉱型のｎ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ歪超格子層２２（Ｓｉドープ、３〜５×１０１８ｃｍ−３）を７５０℃で成長させる。
【００３７】次に、六方晶型（ウルツ鉱型）を有するｎ−ＧａＮ層２３（Ｓｉドープ、３〜５×１０１８ｃｍ−３）を形成し、続いてｎ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｎクラッド層２４（Ｓｉドーブ、５×１０１７ｃｍ−３、層厚０．３μｍ）、ＧａＮ光閉じ込め層２５（アンドープ、層厚０．２μｍ）、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ多重量子井戸活性層２６、ＧａＮ光閉じ込め層２７（アンドープ、層厚０．２μｍ）、ｐ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｎクラッド層２８（Ｍｇドープ、５×１０１７ｃｍ−３、層厚０．３μｍ）、ＧａＮコンタクト層２９（Ｍｇドープ、１〜３×１０１８ｃｍ−３、層厚０．１μｍ）を順次１１５０℃で成長させる。
【００３８】さらに、ＧａＮコンタクト層２９上面には、ｐ側電極３０が設けられ、ｎ−ＧａＮ層２３上のｎ−ＡｌＧａＮクラッド層２４が積層されていない上面部分には、ｎ側電極３１が設けられる。このようにして本実施形態に係わる青色半導体レーザ装置が得られた。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「サファイア基板２０上に５５０℃の低温でＧａＮバッファ層を設け、その上に、まず（１１１）成長面を有する立方晶型（閃亜鉛鉱型）のｎ−ＧａＮ層２１（Ｓｉドープ、３〜５×１０１８ｃｍ−３）を７５０℃で成長させ、さらに、ｎ−ＧａＮ層２１上に、同じく（１１１）成長面を有する閃亜鉛鉱型のｎ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ歪超格子層２２（Ｓｉドープ、３〜５×１０１８ｃｍ−３）を７５０℃で成長させ、次に、六方晶型（ウルツ鉱型）を有するｎ−ＧａＮ層２３（Ｓｉドープ、３〜５×１０１８ｃｍ−３）を形成し、続いてｎ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｎクラッド層２４（Ｓｉドーブ、５×１０１７ｃｍ−３、層厚０．３μｍ）、ＧａＮ光閉じ込め層２５（アンドープ、層厚０．２μｍ）、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ多重量子井戸活性層２６、ＧａＮ光閉じ込め層２７（アンドープ、層厚０．２μｍ）、ｐ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｎクラッド層２８（Ｍｇドープ、５×１０１７ｃｍ−３、層厚０．３μｍ）、ＧａＮコンタクト層２９（Ｍｇドープ、１〜３×１０１８ｃｍ−３、層厚０．１μｍ）を順次１１５０℃で成長させ、さらに、ＧａＮコンタクト層２９上面には、ｐ側電極３０が設けられ、ｎ−ＧａＮ層２３上のｎ−ＡｌＧａＮクラッド層２４が積層されていない上面部分には、ｎ側電極３１が設けられる、青色半導体レーザ装置。」
　
２　対比
　本願発明６と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明は、「サファイア基板２０上に５５０℃の低温でＧａＮバッファ層を設け」るものであるから、引用発明の「サファイア基板２０」及び「ＧａＮバッファ層」は、それぞれ、本願発明６の「基板」及び「（前記基板上に形成された）バッファ層」に相当する。
　
（２）引用発明は、「（ＧａＮバッファ層）上に、・・・ｎ−ＧａＮ層２１・・・を・・・成長させ、さらに、ｎ−ＧａＮ層２１上に、・・・ｎ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ歪超格子層２２・・・を・・・成長させ」るものであるから、
　ア　引用発明の「ｎ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ歪超格子層２２」の最も「ＧａＮバッファ層」側の「ｎ−ＩｎＧａＮ」の層は、本願発明６の「（前記バッファ層上に形成された）第１のＩｎドープＧａＮ層」に相当し、また、
　イ　引用発明の「ｎ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ歪超格子層２２」の、前記最も「ＧａＮバッファ層」側の「ｎ−ＩｎＧａＮ」の層以外の層は、本願発明６の「（前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に形成された）ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層」に、ｘ＝０又はｙ＝０の場合に、相当する、といえる。
　
（３）引用発明は、「（ｎ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ歪超格子層２２上に）ｎ−ＧａＮ層２３・・・を形成し、続いてｎ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｎクラッド層２４・・・を成長させ」、「ｎ−ＧａＮ層２３上のｎ−ＡｌＧａＮクラッド層２４が積層されていない上面部分には、ｎ側電極３１が設けられる」ものであるから、引用発明の「ｎ−ＧａＮ層２３」は、本願発明６の「（前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層上に形成された）第１の電極接触層」に相当する。
　
（４）引用発明は、「（ｎ−ＧａＮ層２３上に）・・・Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ多重量子井戸活性層２６・・・を・・・成長させ」るものであるから、引用発明の前記活性層２６と、本願発明６の活性層とは、「前記第１の電極接触層上に形成され、ＩｎＧａＮ系の多重量子井戸」である点において一致する。
　
（５）引用発明は、「（Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ多重量子井戸活性層２６上に）ＧａＮ光閉じ込め層２７・・・、ＧａＮコンタクト層２９・・・を順次・・・成長させ、さらに、ＧａＮコンタクト層２９上面には、ｐ側電極３０が設けられ」るものであるから、引用発明の「ＧａＮ光閉じ込め層２７」及び「ＧａＮコンタクト層２９」は、それぞれ、本願発明６の「（活性層上に形成された）ＧａＮ層」及び「（前記ＧａＮ層上に形成された）第２の電極接触層」に相当する。
　
（６）引用発明は、活性層が「Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ多重量子井戸」であるから、引用発明の「青色半導体レーザ装置」は、本願発明６の「窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子」に相当する。
　
　したがって、両者は、　  
「基板と、
前記基板上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された第１のＩｎドープＧａＮ層と、
前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に形成されたＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層と、
前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ超格子構造層上に形成された第１の電極接触層と、
前記第１の電極接触層上に形成され、ＩｎＧａＮ系の多重量子井戸活性層と、
前記活性層上に形成されたＧａＮ層と、
前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含む、
窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　活性層が、本願発明６では、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層及びＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層を含むものであり、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ井戸層及びＩｎｚＧａ１−ｚＮ障壁層にドープされるインジウム含量は、それぞれ０＜ｘ＜０.０５、０＜ｙ＜０.３、０＜ｚ＜０.１の値を持つのに対し、引用発明では、ＩｎＧａＮ系の多重量子井戸ではあるものの、その井戸層及び障壁層の具体的な混晶比が不明である点。
　
４　当審の判断
　上記相違点につき検討する。
　
　窒化物系３−５族化合物半導体の発光素子において、活性層を、Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ〜Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ程度の障壁層と、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ〜Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ程度の井戸層からなる多重量子井戸構造のものとなすことは本願の優先日時点において周知であるから（必要なら、特開２００１−７４４７号公報（【００７６】）、特開２００３−１２４５７７号公報（【００８９】）、特開平１１−３５４８４６号公報（【０１３２】）参照。）、引用発明において上記周知技術を適用し、そのＩｎＧａＮ系の多重量子井戸活性層をＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ〜Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ程度の障壁層及びＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ〜Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ程度の井戸層とからなるものとなし、活性層を構成する各層のインジウム含量を適宜設定して上記相違点に係る本願発明６の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　したがって、本願発明６は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　小括
　以上のとおり、本願発明６は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしておらず、また、本願発明６は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。