【事件の表示】
　特願２００３−２７１８９０「薄膜磁気ヘッド、その製造方法及びそれを用いたスライダを有する磁気ディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月１２日出願公開、特開２００４−　４７０８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１５年　７月　８日（優先権主張　平成１４年　７月１１日）の出願であって、その請求項１乃至１１に係る発明は特許請求の範囲の請求項１乃至１１に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】
　磁気抵抗効果素子を含むヘッド部を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヘッド部の少なくとも記録媒体に対向する面が原子比で表して
式ＣＨaＯbＮcＦdＢeＰf（ここにａ＝０〜０．７、ｂ＝０〜１、ｃ＝０〜１、ｄ＝０〜１、ｅ＝０〜１、及びｆ＝０〜１）
で表される組成を有し且つ厚さが４０Å以下である保護膜を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
　
２．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平　８−６３７１３号公報（以下、「引用例」という。）には、薄膜磁気ヘッドに関して図面とともに次の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付与したものである。
　(a)
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  磁気記録媒体上を相対的に移動して情報を書き込み及び／または
読み出す薄膜磁気ヘッドにおいて
前記磁気記録媒体と対向する前記薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に膜厚２００Å以下の炭素被膜を直接形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
【請求項２】  前記炭素被膜が前記薄膜磁気ヘッドのスライダー面及び該スライダー面の端縁近傍の側面部分に形成されている請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】  
前記炭素被膜が非晶質のダイヤモンド状被膜である
【請求項４】  
前記炭素被膜に含まれる水素量が２５原子％以上である
　(b)
「【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、優れた周波数特性を有し、トラック幅及びビット長を微細化することにより、高密度記録が可能であるため、磁気ディスク装置等の磁気ヘッドとして用いられている。このような薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体が起動し回転している際、磁気記録媒体からわずかに浮き上がっており、薄膜磁気ヘッドのスライダー面と磁気記録媒体との間には潤滑空気膜が形成されている。しかしながら、磁気記録媒体の起動を停止すると、薄膜磁気ヘッドのスライダー面が磁気記録媒体と直接に接する状態となる。従って、薄膜磁気ヘッドのスライダー面には、耐摩耗性が要求される。また、
磁気抵抗効果素子等から構成される薄膜トランスデューサの部分は腐食し易いため、この部分を保護する必要が生じる
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、磁気ディスク等を用いる磁気記録においては、さらに高密度化が要望されている。薄膜磁気ヘッドをこのような高密度化に対応させるためには、出力、特に高線密度領域での出力を高めることが必要となる。従来の薄膜磁気ヘッドは、このような出力特性の面からは必ずしも充分ではなく、高密度化に対応することができる薄膜磁気ヘッドの開発が要望されている。
【０００４】本発明の目的は、出力、特に高線密度領域での出力を高めることができ、高密度化に対応することができる薄膜磁気ヘッドを提供することにある。」
　(c)
「【０００９】
【作用】
従来、薄膜磁気ヘッドに炭素被膜等の保護膜を形成する場合、薄膜磁気ヘッド基板との密着性が問題となった。従って、このような密着性改善のため、薄膜磁気ヘッド基板と炭素被膜との間にシリコンなどからなる中間層を一般に介在させている
【００１０】しかしながら、
炭素被膜の膜厚と密着性との関係について詳細に検討した結果、本発明者らは炭素被膜の膜厚を２００Å以下とすることにより、薄膜磁気ヘッド基板に対して密着性のよい炭素被膜が形成されることを見出した。すなわち、本発明では、膜厚２００Å以下の炭素被膜を直接薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に形成し、密着性の良好な炭素被膜としている。炭素被膜の膜厚が２００Åより大きくなると、基板との熱膨張係数などの違いの影響を大きく受けるようになり、応力が増加し密着性が悪くなる
　(d)
「【００２１】以上のようにして、炭素被膜の膜厚の異なるサンプルをそれぞれ５０個作製し、炭素被膜の密着性を評価した。密着性の評価は、ビッカース圧子を用いた一定荷重（荷重＝１ｋｇ）の押し込み試験により行った。
アルチック基板上に直接形成した炭素被膜の剥離が発生した個数を数え、密着性の評価とした。結果を表１に示す
【００２２】
【表１】（略、ただし
該表１は、炭素膜厚が５０Å、１００Å、２００Å、２５０Å及び３００Åのときに、それぞれ剥離発生個数が０、０、０、２５及び４０（個）であったことを示している
【００２３】表１から明らかなように、
炭素被膜の膜厚が２００Å以下の場合、炭素被膜の剥離が全く認められなかったのに対し、２００Åより厚くなると、炭素被膜の剥離が認められた
【００２４】また、上記と同様にして炭素被膜の膜厚を４００Å以上にして炭素被膜を直接アルチック基板上に形成すると、炭素被膜形成後の状態において、すでに炭素被膜の剥離が生じており、自然剥離が生じることがわかった。なお、
炭素被膜中の水素含有量はいずれの膜厚のものも３０原子％であった。
　(e)
「【００３２】
【発明の効果】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に膜厚２００Å以下の炭素被膜を直接形成している。炭素被膜の膜厚を２００Å以下とすることにより、薄膜磁気ヘッドとの熱膨張係数等の差異によって生じる応力を少なくすることができ、剥離を生じることなく炭素被膜を直接に形成させることが可能となった。従って、本発明の薄膜磁気ヘッドは、中間層の形成が不要であり、より簡易な製造工程で製造することができる
【００３３】
また薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に形成される保護膜の膜厚が非常に薄いため、薄膜トランスデューサ等の磁気感応部分を磁気記録媒体により近づけることができ、出力、特に高線密度領域での出力を高めることができ、記録再生における高密度化を図ることができる
　上記記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、上記引用例には、結局、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「磁気抵抗効果素子等から構成される薄膜トランスデューサを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、
　磁気記録媒体と対向する前記薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に膜厚２００Å以下の炭素被膜を直接形成しており、
　前記炭素被膜は水素量が２５原子％以上（実施例では３０原子％）含まれる非晶質のダイヤモンド状被膜である
　薄膜磁気ヘッド。」
　
３．対　比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　(i)引用発明の「磁気抵抗効果素子等から構成される薄膜トランスデューサ」及び「薄膜磁気ヘッド」は、それぞれ本願発明の「磁気抵抗効果素子を含むヘッド部」及び「薄膜磁気ヘッド」に相当する。
　(ii)引用発明の「磁気記録媒体と対向する前記薄膜磁気ヘッドのスライダー面」は、本願発明の「ヘッド部の少なくとも記録媒体に対向する面」に相当する。
　(iii)引用発明の「薄膜トランスデューサを保護する」「炭素被膜」は、本願発明の「保護膜」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。
　
＜一致点＞
「磁気抵抗効果素子を含むヘッド部を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ヘッド部の少なくとも記録媒体に対向する面に保護膜を有する薄膜磁気ヘッド。」
　
　一方、保護膜に関して以下の各点で相違する。
　
 （相違点１）
　本願発明では、保護膜が式ＣＨａＯｂＮｃＦｄＢｅＰｆ（ここにａ＝０〜０．７、ｂ＝０〜１、ｃ＝０〜１、ｄ＝０〜１、ｅ＝０〜１、及びｆ＝０〜１）で表される組成のものであるのに対し、引用発明では、炭素被膜（保護膜）が、水素量が２５原子％以上（実施例では３０原子％）含まれる非晶質のダイヤモンド状被膜である点。
（相違点２）
　本願発明では、保護膜の厚さが４０Å以下であるのに対し、引用発明では、炭素被膜（保護膜）の厚さが２００Å以下である点。
　
４．判　断
　（相違点１について）
　式ＣＨａＯｂＮｃＦｄＢｅＰｆ（ここにａ＝０〜０．７、ｂ＝０〜１、ｃ＝０〜１、ｄ＝０〜１、ｅ＝０〜１、及びｆ＝０〜１）で表される組成は、ダイヤモンド状炭素を特定するものではないが、本願明細書には、保護膜の実施例としてＤＬＣ膜のみが記載されており、これは引用発明の炭素被膜がダイヤモンド状被膜であることと共通している。さらに、引用発明の実施例である水素量が３０原子％の炭素被膜は、組成でいえばＣ０．７Ｈ０．３、すなわちＣＨ０．４３であるから、前記式で表される組成の範囲内のものである。
　してみれば、両発明の間で保護膜として用いる材料に実質的な差異はないというべきであって、前記相違点１は、実質的な相違点ではない。
　
　（相違点２について）
　引用例に記載された炭素被膜（保護膜）の厚さは２００Å以下であり、本願発明に記載された保護膜の厚さが４０Å以下である点を包含している。そこで、保護膜の厚さが４０Å以下である点に技術的意味があるかどうか、以下に検討する。
　引用例には「本発明では、膜厚２００Å以下の炭素被膜を直接薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に形成し、密着性の良好な炭素被膜としている。炭素被膜の膜厚が２００Åより大きくなると、基板との熱膨張係数などの違いの影響を大きく受けるようになり、応力が増加し密着性が悪くなる。」（上記摘記事項(c)段落【００１０】参照）及び「炭素被膜の膜厚を２００Å以下とすることにより、薄膜磁気ヘッドとの熱膨張係数等の差異によって生じる応力を少なくすることができ、剥離を生じることなく炭素被膜を直接に形成させることが可能となった。」（上記摘記事項(e)段落【００３２】参照）と記載され、これらの記載によれば炭素被膜の膜厚が小さいほど応力が少なくなって、炭素被膜の剥離が生じなくなるものと認められるところ、実験例である表１（段落【００２２】）を参照すると、確かに、炭素被膜の膜厚が小さいほど剥離の個数も減り、２００Å以下の膜厚では剥離は発生していない。してみれば、前記表１には実験値として炭素被膜が５０Åまでのものが記載されているにしても、炭素被膜の応力の観点からみれば、５０Åより膜厚の小さい炭素被膜では更に応力が小さくなり剥離が発生し難くなると予想することは、格別困難なことではなく、むしろ自然なことというべきである。
　また、引用例には、「薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に形成される保護膜の膜厚が非常に薄いため、薄膜トランスデューサ等の磁気感応部分を磁気記録媒体により近づける」（上記摘記事項(e)段落【００３３】参照）との記載もあるように、スペーシングロスを考慮して保護膜の厚さが薄いほど望ましいことも示唆されている。
　更に、例えば特開平９−６３０２７号公報（段落【００１８】等参照）には、磁気ヘッドの媒体対向面であるスライダのＡＢＳ面に（当然、２０Å以下の場合も実験した上で）２０〜１００ÅのＤＬＣ膜を直接製膜することが開示されているように、磁気ヘッドの媒体対向面に４０Å以下のＤＬＣ膜を直接形成すること自体は従来から知られていることである。
　してみれば、引用発明において、応力の低減とスペーシングロスを考慮して、炭素被膜（保護膜）の厚さを引用例に示された５０Åよりもさらに薄いものとすることは、当業者にとって自然のことであり、前記膜厚を４０Å以下とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　更に、引用例には、「本発明の薄膜磁気ヘッドは、中間層の形成が不要であり、より簡易な製造工程で製造することができる。」（上記摘記事項(e)段落【００３２】参照）とも記載されており、本願発明の奏する効果は、引用例に記載された範囲内のものである。（したがって、本願発明は、請求人が請求の理由において主張するような「選択発明」には該当しない。）
　
　なお、出願人は実験報告書を提出し、保護膜として５０ÅのＤＬＣ膜を製膜したものは「剥離あり」との実験結果を示しているが、引用例で行われた実験を完全に再現した実験ではないのであるから、実験結果自体がある程度異なるものであってもそれはやむを得ないことであり、引用例に記載された実験結果を否定する根拠にはならないというべきである。したがって、前記実験報告書に基づいて請求人が請求の理由においてする主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願はその余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。