【事件の表示】
　平成１１年特許願第３３６０７１号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月　８日出願公開、特開２００１−１５６１６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は平成１１年１１月２６日の出願であって、平成１５年８月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年９月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において平成１８年１月２４日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の同年３月２８日に意見書が提出されたものである。 
　 
２．本願発明 
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年５月２７日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 
　 
「（ａ）支持基板上に埋め込み絶縁膜を介して表面半導体層が形成されてなるＳＯＩ基板の表面半導体層上に、第１酸化膜及び第１シリコン窒化膜を形成し、
　（ｂ）該第１シリコン窒化膜を所定の形状にパターニングし、得られた第１シリコン窒化膜をマスクとして用いて第１ＬＯＣＯＳ酸化を行うことにより、前記表面半導体層の素子分離領域となる領域に第１ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成し、
　（ｃ）該第１ＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に除去し、
　（ｄ）前記第１シリコン窒化膜及び第１酸化膜の側壁に第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成し、
　（ｅ）前記第１シリコン窒化膜及びサイドウォールスペーサをマスクとして用いて第２ＬＯＣＯＳ酸化を行うことにより、前記素子分離領域となる領域に、第１ＬＯＣＯＳ酸化膜に対して膜厚の比が０．６〜０．８となるように薄く第２ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成し、
　（ｆ）前記第１及び第２シリコン窒化膜を除去することからなる半導体装置の製造方法。」
　
３．刊行物に記載された発明
　刊行物１．特開平９−２９８１９５号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布され、当審の拒絶の理由で引用された刊行物である特開平９−２９８１９５号公報には、図１ないし図１０及び図１３ないし図１５と共に以下の事項が記載されている。
　
「【請求項３】　シリコン基板上に埋め込み酸化膜を介してＳＯＩ層を形成したＳＯＩ基板の一主面上に第一の酸化膜を介して上記ＳＯＩ層の活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、上記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する第一のシリコン窒化膜を形成する第一の工程、上記第一のシリコン窒化膜を酸化マスクとして第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第二の工程、上記第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に除去し、上記第一のシリコン窒化膜端部と上記ＳＯＩ基板との間に間隙を形成する第三の工程、少なくとも上記ＳＯＩ層の表面を酸化し、第二の酸化膜を形成後、上記ＳＯＩ基板の全面に第二のシリコン窒化膜を成膜し、上記間隙内に形成される上記第二のシリコン窒化膜が、上記間隙よりもさらに狭い間隙を有するような状態とする第四の工程、少なくとも上記第二のシリコン窒化膜に対して異方性エッチングを行い、上記間隙に埋め込まれた上記第二のシリコン窒化膜を残し、他の上記第二のシリコン窒化膜を除去する第五の工程、上記第一、第二のシリコン窒化膜を酸化マスクとして第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第六の工程、上記第一、第二のシリコン窒化膜を除去する第七の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項３）
「【００１４】・・・２回目のＬＯＣＯＳ酸化の際に、・・・均一な厚さに形成されたシリコン窒化膜１１５の端部したに付着した状態となっており、この部分の酸化マスクの膜厚合計は大きくなり、酸化によるバーズビークの伸びは抑制されるが、周囲にかかる応力が大きくなり、結晶欠陥が発生し、形成後のトランジスタのリーク電流の原因となるという問題があった。」（００１４段落）
「【００２８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１である半導体装置を示しており、特に、トランジスタのゲート長方向に沿って切断した場合の断面図を示すものである。この図１において、１はシリコン基板、２はシリコン基板１上に形成された埋め込み酸化膜、３は埋め込み酸化膜２上に形成されたＳＯＩ層であり、これらのシリコン基板１、埋め込み酸化膜２、ＳＯＩ層３によって、ＳＯＩ基板が形成されている。」（００２８段落）
「【００３０】また、４ａ、４ｂはＳＯＩ層３内に形成される活性領域であり、それぞれ、Ｎチャネル、Ｐチャネル型トランジスタのＬＤＤ構造のソース／ドレイン領域の高濃度領域５ａ、５ｂ、低濃度領域６ａ、６ｂ、チャネル領域７ａ、７ｂを含んでいる。また、複数の活性領域４ａ、４ｂは、素子分離領域８によって、電気的に分離される。」（００３０段落）
「【００３２】・・・この発明が、特に素子分離領域８に関するという観点から、製造方法は、図１の断面図のＳＯＩ層内の活性領域４ａと、素子分離領域８の境界部（界面）を含む領域Ａについて、主に素子分離領域８の形成について述べる。・・・
【００３３】まず、図２に示すように、シリコン基板１上に埋め込み酸化膜２が形成され、さらに上層にシリコンからなるＳＯＩ層３が形成されたＳＯＩ基板に対し、厚さ１０００ÅのＳＯＩ層３の表面に・・・ＣＶＤ技術によってシリコン酸化膜９ａを１００〜３００Åの厚さとなるように形成し、さらに上層にＣＶＤ技術によってシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１６を・・・積層する。
【００３４】次に、図３に示すように活性領域４ａの形状にシリコン窒化膜１６及びゲート絶縁膜９をパターニングし、側断面が垂直なシリコン窒化膜１６を得・・・る。
【００３５】・・・このシリコン窒化膜１６のパターニングの際、オーバーエッチングによってＳＯＩ層３の表面がエッチングされ、上部にシリコン窒化膜１６が形成されたＳＯＩ層３の表面の位置と、シリコン窒化膜１６が除去された領域のＳＯＩ層３・・・の表面の位置とに段差ｄが生じる。」（００３２〜００３５段落）
「【００３７】その後、図４に示すように露出したＳＯＩ層３の表面に対して酸化を行い、１０〜３００Åの厚さのシリコン酸化膜１７を形成し、その後シリコン窒化膜１６の側壁に、シリコン窒化膜からなるサイドウォール１８を形成する。このシリコン酸化膜１７の形成により、サイドウォール１８下のＳＯＩ層３・・・の表面の段差ｄは丸みを帯び、表面はなだらかになり、後に形成する・・・トランジスタ特性を向上させることができる。
【００３８】この段階で、活性領域４ａ、４ｂの設計サイズにパターニングされたシリコン窒化膜１６と、この側断面に、活性領域４ａ、４ｂの端部となる位置から、この活性領域４ａ、４ｂの外側方向に向かって徐々に膜厚が小さくなるサイドウォール１８からなる酸化マスクが形成される。このサイドウォールの表面はシリコン酸化膜１７の表面から見て、ある角度θの傾き（テーパー角）をもった状態となっている。
【００３９】次に、図５に示すように、シリコン窒化膜１６とシリコン窒化膜からなるサイドウォール１８とを酸化マスクとして・・・熱酸化を行い、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａを形成する。このとき、ＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａの下のＳＯＩ層３・・・の厚さは３００〜５００Åとなる。
【００４０】その後、図６に示すように、ウェットエッチングを行い、選択的にＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａを除去する。この段階において、サイドウォール１８の下面とサイドウォール１８の下部に位置するＳＯＩ層３・・・表面との間に、除去した第一のＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａのバーズビークの形状の間隙（くぼみ）が生じる。
【００４１】次に、軽い酸化を行うことによって、図７に示すように、露出したＳＯＩ層３・・・の表面に１００〜２００Åの厚さのシリコン酸化膜１９を形成する。その後、シリコン窒化膜２０を全面に・・・積層する。」（００３７〜００４１段落）
「【００４３】その後、図８に示すように異方性エッチング雰囲気中で、エッチングを行い、最表面のシリコン窒化膜２０をエッチングし、くぼみ内にシリコン窒化膜２０が残った状態とする。素子分離領域８となる領域にはシリコン酸化膜１９が最表面に残った状態とする。
【００４４】次に、図９に示すように、シリコン窒化膜１６及び２０、サイドウォール１８をマスクとしてＳＯＩ層３の酸化を行い、この酸化によって形成される第二のＬＯＣＯＳ酸化膜（素子分離領域８）と埋め込み酸化膜２とが接するまで酸化処理を行う。この酸化によって、図１の素子分離領域８（第二のＬＯＣＯＳ酸化膜）を形成・・・する。」（００４３〜００４４段落）
「【００４７】次に、図１０に示すように、シリコン窒化膜１６、２０、サイドウォール１８と、シリコン酸化膜９ａとを選択的に除去する。」（００４７段落）
「【００５０】・・・図３のエッチングマスクとなるシリコン窒化膜１６のパターニングの際のドライエッチングによってシリコン窒化膜１６が形成されていない部分のＳＯＩ層３・・・がオーバーエッチングされ、シリコン窒化膜１６エッジ下部近傍においてＳＯＩ層３の表面に段差ｄが生じた場合においても、図４に示す酸化工程によってＳＯＩ層３の上面部分を一部酸化させることにより、なだらかにでき、半導体素子の特性を向上させることが可能である。
【００５１】・・・また、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜（素子分離領域８）の膜厚とＳＯＩ層３（活性領域４ａ、４ｂ）の膜厚とをほとんど同じ厚さとすることができる・・・。」（００５０〜００５１段落）
「【００６２】実施の形態３．次に、この発明の実施の形態３について説明する。この実施の形態３に示す半導体装置の製造方法によって、実施の形態１と同様の効果を有する半導体装置を得ることが可能である。既に説明した実施の形態１の製造方法では、図３に示したように、ＬＯＣＯＳ酸化の際に酸化マスクとなる、所定の形状にパターニングした後のシリコン窒化膜１６の側断面をシリコン基板１の一主面に対してほぼ垂直となるように形成し、その後、シリコン窒化膜１６の垂直な側断面に、同じくシリコン窒化膜からなるサイドウォール１８を形成し、全体として酸化マスクを見た場合にその側断面が角度θの傾き（テーパー角）を持つものとなっていた。
【００６３】一方、この実施の形態３では、実施の形態１に対応するサイドウォール１８を形成せず、あらかじめテーパー角を持つ酸化マスクを形成するという点に特徴がある。また、説明のために用いる符号は、既に実施の形態１、２において用いた符号と同一符号は同一、若しくは相当部分を示すものである。
【００６４】この実施の形態３の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図１３に示すように、実施の形態１の図２の工程と同様に、シリコン基板１上に埋め込み酸化膜２及びＳＯＩ層３が形成されたＳＯＩ基板上に酸化膜９ａを形成し、さらに上層にシリコン窒化膜１６を形成する。
【００６５】次に、図１４に示すように、ＳＯＩ層３の活性領域となる領域上に得ようとする活性領域４ａ、４ｂの寸法通りのレジストパターン２３を形成し、このレジストパターン２３をエッチングマスクとし、シリコン酸化膜９ａをエッチングストッパとしてテーパーエッチング（ドライエッチング）を行い、パターニング後のエッジ角度がおよそ４０〜７５度であるシリコン窒化膜１６ａを形成する。」（００６２〜００６５段落）
「【００６８】その後、図１５に示すように、第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、・・・ＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａを形成する。
【００６９】次に、図１６に示すように、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａを選択的にウェット処理により除去し、・・・実施の形態１の図６に対応する間隙（くぼみ）を形成後、少なくとも露出したＳＯＩ層３・・・の表面を酸化し、・・・シリコン酸化膜１９を形成する。その後、さらにシリコン窒化膜２０を全面に・・・積層する。
【００７０】実施の形態１と同様に、このときシリコン窒化膜２０は、シリコン窒化膜１６ａのエッジ下部に付着した部分と、その下部のＳＯＩ層３・・・上に付着した部分とがそれぞれ離れた状態であり、さらに小さな間隙（くぼみ）を形成している。
【００７１】その後、図１７に示すように、ＳＯＩ層３・・・をエッチングストッパとして異方性エッチングを行い、シリコン窒化膜１６ａのエッジとＳＯＩ層３・・・の表面とがなす間隙（くぼみ）に付着したシリコン窒化膜２０を残し、他の部分をエッチング除去する。また、実施の形態１と同様にシリコン酸化膜１９を残した状態にエッチングを行う方法を用いても良い。
【００７２】次に、図１８に示すように、第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、露出した、若しくは上層にシリコン酸化膜１９が残された状態のＳＯＩ層３・・・を選択的に酸化し、素子分離領域８となる第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する。」（００６８〜００７２段落）
　
　以上の記載から、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
　
「シリコン基板上に埋め込み酸化膜を介して厚さ１０００ÅのシリコンからなるＳＯＩ層を形成したＳＯＩ基板の一主面上に第一のシリコン酸化膜を介して第一のシリコン窒化膜を形成した後、活性領域の形状に前記第一のシリコン窒化膜をパターニングし、その際、前記ＳＯＩ層の表面がオーバーエッチングされ、上部に前記第一のシリコン窒化膜が形成された前記ＳＯＩ層の表面の位置と、前記第一のシリコン窒化膜が前記パターニングにより除去された領域の前記ＳＯＩ層の表面の位置とに段差ｄが生じ、前記ＳＯＩ層の表面に対して酸化を行いシリコン酸化膜を形成し、その後パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜の側壁に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールを形成することで、パターニングされた前記第１のシリコン窒化膜及びシリコン窒化膜からなる前記サイドウォールとからなり、前記ＳＯＩ層の前記活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、前記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する酸化マスクを形成する第一の工程、
前記酸化マスクをマスクとして第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、前記ＳＯＩ層の厚さが３００〜５００Åとなるよう第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第二の工程、
前記第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に除去し、前記酸化マスク端部と前記ＳＯＩ基板との間に間隙を形成する第三の工程、
前記ＳＯＩ層の表面を酸化し、１００〜２００Åの第二のシリコン酸化膜を形成後、前記ＳＯＩ基板の全面に第二のシリコン窒化膜を成膜し、前記間隙内に形成される前記第二のシリコン窒化膜が、前記間隙よりもさらに狭い間隙を有するような状態とする第四の工程、
前記第二のシリコン窒化膜に対して異方性エッチングを行い、前記間隙に埋め込まれた前記第二のシリコン窒化膜を残し、他の前記第二のシリコン窒化膜を除去する第五の工程、
前記酸化マスクと前記第二のシリコン窒化膜をマスクとして第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第六の工程、
前記酸化マスクと前記第二のシリコン窒化膜を除去する第七の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
刊行物２．柳井久義　外１名著、改訂　集積回路工学（１）、コロナ社、１９９０年１月３０日発行、８７−８８頁
　本願の出願日前に日本国内において頒布され、当審の拒絶の理由で引用された刊行物である柳井久義　外１名著、改訂　集積回路工学（１）、コロナ社、１９９０年１月３０日発行、８７−８８頁には、図５．１２と共に以下の事項が記載されている。
「酸化の場合にはＯ２がＳｉと結合してＳｉＯ２を形成するので，全体の厚さのうち約４５％がもとの表面以下にでき，残りの約５５％分がもとの表面の上に出る．この関係を図５．１２に示した．」（第８７頁下から６行〜同頁下から２行）
　
４．対比・判断
（ａ）刊行物発明の「シリコン基板」、「埋め込み酸化膜」、「第一のシリコン酸化膜」は、それぞれ本願発明の「支持基板」、「埋め込み絶縁膜」、「第１酸化膜」に相当する。
　また、刊行物発明の「シリコンからなるＳＯＩ層」の「シリコン」が半導体であることは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明の「シリコンからなるＳＯＩ層」は、本願発明の「表面半導体層」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「シリコン基板上に埋め込み酸化膜を介して」「シリコンからなるＳＯＩ層を形成したＳＯＩ基板の一主面上に第一のシリコン酸化膜を介して第一のシリコン窒化膜を形成」する工程は、本願発明の「支持基板上に埋め込み絶縁膜を介して表面半導体層が形成されてなるＳＯＩ基板の表面半導体層上に、第１酸化膜及び第１シリコン窒化膜を形成」する工程に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜」と「シリコン窒化膜からなるサイドウォール」から形成された「前記ＳＯＩ層の前記活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、前記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する」形状である「酸化マスク」は、本願発明の「所定の形状」の「第１シリコン窒化膜」に相当する。
　また、刊行物発明が、「第一のＬＯＣＯＳ酸化膜」を除去し、その場所に「素子分離領域となる第二のＬＯＣＯＳ酸化膜」を形成していることは明らかであるから、刊行物発明の「第一のＬＯＣＯＳ酸化膜」は、素子分離領域となる領域に形成されている。
　したがって、刊行物発明の「前記酸化マスクをマスクとして第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い」、「第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第二の工程」は、本願発明の「所定の形状」の「第１シリコン窒化膜をマスクとして用いて第１ＬＯＣＯＳ酸化を行うことにより、前記表面半導体層の素子分離領域となる領域に第１ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成」する工程に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「前記第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に除去し、前記酸化マスク端部と前記ＳＯＩ基板との間に間隙を形成する第三の工程」について、刊行物１には図５ないし図６と共に「図５に示すように、シリコン窒化膜１６とシリコン窒化膜からなるサイドウォール１８とを酸化マスクとして・・・熱酸化を行い、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａを形成する。」（００３９段落）、「図６に示すように、ウェットエッチングを行い、選択的にＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａを除去する。この段階において、サイドウォール１８の下面とサイドウォール１８の下部に位置するＳＯＩ層３・・・表面との間に、除去した第一のＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａのバーズビークの形状の間隙（くぼみ）が生じる」（００４０段落）と記載されているから、刊行物発明の「前記酸化マスク端部と前記ＳＯＩ層との間に」形成される「間隙」は、シリコン窒化膜からなるサイドウォールとＳＯＩ層の間の第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を除去した後のバーズビーク形状の間隙である。
　一方、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、図１（ｄ）ないし図２（ｅ）と共に「図１（ｄ）に示したように、第１のＬＯＣＯＳ酸化を行い、・・・第１ＬＯＣＯＳ酸化膜６を形成する。」（００３８段落）、「図２（ｅ）に示したように、第１ＬＯＣＯＳ酸化膜６を除去・・・する。」（００３９段落）と記載されており、ＬＯＣＯＳ酸化を行うと「単結晶シリコン膜３」と「シリコン窒化膜５」（マスク）の間にバーズビークが形成されることは明らかであるから、本願発明において、「第１ＬＯＣＯＳ酸化膜」を選択的に除去すれば、表面半導体層とシリコン窒化膜の間に形成されたバーズビークが除去された形状の間隙が形成されることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「前記第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に除去し、前記酸化マスク端部と前記ＳＯＩ基板との間に間隙を形成する第三の工程」は、酸化マスクとＳＯＩ層の間に形成されたバーズビーク形状の間隙を形成する工程であって、本願発明の「該第１ＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に除去」する工程に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「前記ＳＯＩ基板の全面に第二のシリコン窒化膜を成膜し、前記間隙内に形成される前記第二のシリコン窒化膜が、前記間隙よりもさらに狭い間隙を有するような状態とする第四の工程、前記第二のシリコン窒化膜に対して異方性エッチングを行い、前記間隙に埋め込まれた前記第二のシリコン窒化膜を残し、他の前記第二のシリコン窒化膜を除去する第五の工程」について、刊行物１には、「図７に示すように、・・・シリコン窒化膜２０を全面に・・・積層する。」（００４１段落）、「その後、図８に示すように異方性エッチング雰囲気中で、エッチングを行い、最表面のシリコン窒化膜２０をエッチングし、くぼみ内にシリコン窒化膜２０が残った状態とする。」（００４３段落）と記載されている。そして、間隙内に埋め込まれたシリコン窒化膜２０は、間隙内で「酸化マスク」と「第一のシリコン酸化膜」の側面にあるから、刊行物発明の「前記間隙に埋め込まれた前記第二のシリコン窒化膜」は、「酸化マスク」と「第一のシリコン酸化膜」の側面に形成されたものである。
　したがって、刊行物発明の「前記ＳＯＩ基板の全面に第二のシリコン窒化膜を成膜し、前記間隙内に形成される前記第二のシリコン窒化膜が、前記間隙よりもさらに狭い間隙を有するような状態とする第四の工程、前記第二のシリコン窒化膜に対して異方性エッチングを行い、前記間隙に埋め込まれた前記第二のシリコン窒化膜を残し、他の前記第二のシリコン窒化膜を除去する第五の工程」は、酸化マスクと「第一のシリコン酸化膜」の側面に第二のシリコン窒化膜を形成する工程であって、本願発明の「前記第１シリコン窒化膜及び第１酸化膜の側壁に第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成」する工程に相当する。
（ｅ）前記「（ｂ）」で検討したように、刊行物発明の「パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜」と「シリコン窒化膜からなるサイドウォール」から形成された「前記ＳＯＩ層の前記活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、前記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する」形状である「酸化マスク」は、本願発明の「所定の形状」の「第１シリコン窒化膜」に相当し、さらに、前記「（ｄ）」で検討したように刊行物発明の「前記間隙に埋め込まれた前記第二のシリコン窒化膜」は、「酸化マスク」と「第一のシリコン酸化膜」の側面に形成された第二のシリコン窒化膜である。
　したがって、刊行物発明の「前記酸化マスクと前記第二のシリコン窒化膜をマスクとして第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第六の工程」は、「酸化マスク」と「第二のシリコン窒化膜」を酸化時のマスクとして第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する工程であって、本願発明の「前記第１シリコン窒化膜及びサイドウォールスペーサをマスクとして用いて第２ＬＯＣＯＳ酸化を行うことにより、前記素子分離領域となる領域に」、「第２ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成」する工程に相当する。
（ｆ）前記「（ｂ）」で検討したように、刊行物発明の「パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜」と「シリコン窒化膜からなるサイドウォール」から形成された「前記ＳＯＩ層の前記活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、前記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する」形状である「酸化マスク」は、本願発明の「所定の形状」の「第１シリコン窒化膜」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「前記酸化マスクと前記第二のシリコン窒化膜を除去する第七の工程」は、「パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜」と「シリコン窒化膜からなるサイドウォール」から形成された「前記酸化マスク」と、「第二回目のＬＯＣＯＳ酸化」の酸化時のマスクである「前記第二のシリコン窒化膜」を除去する工程であって、本願発明の「前記第１及び第２シリコン窒化膜を除去する」工程に相当する。
　
　したがって、刊行物発明と本願発明は、
「（ａ）支持基板上に埋め込み絶縁膜を介して表面半導体層が形成されてなるＳＯＩ基板の表面半導体層上に、第１酸化膜及び第１シリコン窒化膜を形成し、
（ｂ）所定の形状の第１シリコン窒化膜をマスクとして用いて第１ＬＯＣＯＳ酸化を行うことにより、前記表面半導体層の素子分離領域となる領域に第１ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成し、
（ｃ）該第１ＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に除去し、
（ｄ）前記第１シリコン窒化膜及び第１酸化膜の側壁に第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成し、
（ｅ）前記第１シリコン窒化膜及びサイドウォールスペーサをマスクとして用いて第２ＬＯＣＯＳ酸化を行うことにより、前記素子分離領域となる領域に、第２ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成し、
（ｆ）前記第１及び第２シリコン窒化膜を除去することからなる半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点１］
　本願発明は、「第１ＬＯＣＯＳ酸化」の「マスク」と、「第２ＬＯＣＯＳ酸化」の「マスク」の一部を「該第１シリコン窒化膜を所定の形状にパターニング」工程によって形成しているのに対して、
　刊行物発明は、「第一回目のＬＯＣＯＳ酸化」の「酸化マスク」と「第二回目のＬＯＣＯＳ酸化」の「マスク」の一部の「酸化マスク」を「活性領域の形状に前記第一のシリコン窒化膜をパターニングし、その際、前記ＳＯＩ層の表面がオーバーエッチングされ、上部に前記第一のシリコン窒化膜が形成された前記ＳＯＩ層の表面の位置と、前記第一のシリコン窒化膜が前記パターニングにより除去された領域の前記ＳＯＩ層の表面の位置とに段差ｄが生じ、前記ＳＯＩ層の表面に対して酸化を行いシリコン酸化膜を形成し、その後パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜の側壁に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールを形成することで、パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜及びシリコン窒化膜からなる前記サイドウォールとからなり、前記ＳＯＩ層の前記活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、前記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する酸化マスクを形成する第一の工程」によって形成している点
　
［相違点２］
　本願発明は、「前記第１シリコン窒化膜及び第１酸化膜の側壁に第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成」する工程を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記ＳＯＩ層の表面を酸化し」、「第二のシリコン酸化膜を形成後、前記ＳＯＩ基板の全面に第二のシリコン窒化膜を成膜し、前記間隙内に形成される前記第二のシリコン窒化膜が、前記間隙よりもさらに狭い間隙を有するような状態とする第四の工程と、前記第二のシリコン窒化膜に対して異方性エッチングを行い、前記間隙に埋め込まれた前記第二のシリコン窒化膜を残し、他の前記第二のシリコン窒化膜を除去する第五の工程」を備える点。
　
［相違点３］
　本願発明は、「第１ＬＯＣＯＳ酸化膜」と「第２ＬＯＣＯＳ酸化膜」の膜厚の関係が、「第１ＬＯＣＯＳ酸化膜に対して膜厚の比が０．６〜０．８となるように薄く第２ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成」するものであるのに対して、
　刊行物発明は、「第一のＬＯＣＯＳ酸化膜」と「第二のＬＯＣＯＳ酸化膜」の膜厚は明記されておらず、「厚さ１０００ÅのシリコンからなるＳＯＩ層」「の表面がオーバーエッチングされ、上部に前記第一のシリコン窒化膜が形成された前記ＳＯＩ層の表面の位置と、前記第一のシリコン窒化膜が前記パターニングにより除去された領域の前記ＳＯＩ層の表面の位置とに段差ｄが生じ、」「前記ＳＯＩ層の厚さが３００〜５００Åとなるよう第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成」し、「前記ＳＯＩ層の表面を酸化し、１００〜２００Åの第二の酸化膜を形成後」、「第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い」、「第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成」している点。
　
　以下、相違点１ないし３について検討する。
［相違点１について］
　相違点１は、本願発明が、第１及び第２ＬＯＣＯＳ酸化のマスクを「該第１シリコン窒化膜を所定の形状にパターニング」する工程によって形成しているのに対して、刊行物発明は、「第一回目のＬＯＣＯＳ酸化」の「酸化マスク」と「第二回目のＬＯＣＯＳ酸化」の「マスク」の一部の「酸化マスク」を「活性領域の形状に前記第一のシリコン窒化膜をパターニングし」、「パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜の側壁に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールを形成することで、パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜及びシリコン窒化膜からなる前記サイドウォールとからなり、前記ＳＯＩ層の前記活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、前記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する酸化マスクを形成する」「工程」によって形成している点（相違点１−１）と、刊行物発明は、本願発明が備えない「活性領域の形状に前記第一のシリコン窒化膜をパターニングし、その際、前記ＳＯＩ層の表面がオーバーエッチングされ、上部に前記第一のシリコン窒化膜が形成された前記ＳＯＩ層の表面の位置と、前記第一のシリコン窒化膜が除去された領域の前記ＳＯＩ層の表面の位置とに段差ｄが生じ、前記ＳＯＩ層の表面に対して酸化を行いシリコン酸化膜を形成」する工程を備える点（相違点１−２）に区分して検討する。
　
［相違点１−１について］
　刊行物１には、「シリコン基板上に埋め込み酸化膜を介してＳＯＩ層を形成したＳＯＩ基板の一主面上に第一の酸化膜を介して上記ＳＯＩ層の活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、上記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する第一のシリコン窒化膜を形成する第一の工程、上記第一のシリコン窒化膜を酸化マスクとして第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第二の工程、・・・上記第一・・・のシリコン窒化膜を酸化マスクとして第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第六の工程・・・を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項３）と記載されているから、「第一のシリコン窒化膜」が酸化マスクとして機能するためには、その形状を「上記ＳＯＩ層の活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、上記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する」形状に形成できれば良いのであって、必ずしも「活性領域の形状に前記第一のシリコン窒化膜をパターニング」し、「パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜の側壁に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールを形成する」工程によって、上記形状に形成する必然性はない。
　さらに、刊行物１には、「実施の形態３の半導体装置の製造方法について説明する。・・・実施の形態１の図２の工程と同様に、シリコン基板１上に埋め込み酸化膜２及びＳＯＩ層３が形成されたＳＯＩ基板上に酸化膜９ａを形成し、さらに上層にシリコン窒化膜１６を形成する。」（００６４段落）、「次に、・・・ＳＯＩ層３の活性領域となる領域上に得ようとする活性領域４ａ、４ｂの寸法通りのレジストパターン２３を形成し、このレジストパターン２３をエッチングマスクとし、シリコン酸化膜９ａをエッチングストッパとして・・・ドライエッチング・・・を行い、パターニング後のエッジ角度がおよそ４０〜７５度であるシリコン窒化膜１６ａを形成する。」（００６５段落）、「その後、図１５に示すように、第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、・・・ＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａを形成する。」（００６８段落）、「次に、図１８に示すように、第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、露出した、若しくは上層にシリコン酸化膜１９が残された状態のＳＯＩ層３・・・を選択的に酸化し、素子分離領域８となる第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する。」（００７２段落）と記載されている。言い換えると、「シリコン窒化膜１６」を「パターニング」するという別の工程によって、刊行物発明の「上記ＳＯＩ層の活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、上記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する酸化マスクを形成」する技術が記載されている。
　したがって、刊行物発明の「第一回目のＬＯＣＯＳ酸化」の「酸化マスク」と「第二回目のＬＯＣＯＳ酸化」の「マスク」の一部の「酸化マスク」を形成する工程である「活性領域の形状に前記第一のシリコン窒化膜をパターニングし」、「パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜の側壁に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールを形成することで、パターニングされた前記第一のシリコン窒化膜及びシリコン窒化膜からなる前記サイドウォールとからなり、前記ＳＯＩ層の前記活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、前記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する酸化マスクを形成する」「工程」に代えて、刊行物１の００６５段落に記載された「ＳＯＩ層３の活性領域となる領域上に得ようとする活性領域４ａ、４ｂの寸法通りのレジストパターン２３を形成し、このレジストパターン２３をエッチングマスクとし、シリコン酸化膜９ａをエッチングストッパとして・・・ドライエッチング・・・を行い、パターニング後のエッジ角度がおよそ４０〜７５度であるシリコン窒化膜１６ａを形成する」工程とすることは、当業者が何ら困難性なくなし得ることである。
　
［相違点１−２について］
　刊行物１の特許請求の範囲の請求項３には「シリコン基板上に埋め込み酸化膜を介してＳＯＩ層を形成したＳＯＩ基板の一主面上に第一の酸化膜を介して上記ＳＯＩ層の活性領域となる領域上においては所定の膜厚を有し、上記活性領域の端部から外側に向かっては膜厚が減少する第一のシリコン窒化膜を形成する第一の工程、上記第一のシリコン窒化膜を酸化マスクとして第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する第二の工程・・・を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」（特許請求の範囲の請求項３）と記載されており、刊行物発明の「活性領域の形状に前記第一のシリコン窒化膜をパターニングし、その際、前記ＳＯＩ層の表面がオーバーエッチングされ、上部に前記第一のシリコン窒化膜が形成された前記ＳＯＩ層の表面の位置と、前記第一のシリコン窒化膜が除去された領域の前記ＳＯＩ層の表面の位置とに段差ｄが生じ、前記ＳＯＩ層の表面に対して酸化を行いシリコン酸化膜を形成」する工程は、必ず行わなければならない工程ではない。
　また、刊行物１には「図１４に示すように、ＳＯＩ層３の活性領域となる領域上に得ようとする活性領域４ａ、４ｂの寸法通りのレジストパターン２３を形成し、このレジストパターン２３をエッチングマスクとし、シリコン酸化膜９ａをエッチングストッパとしてテーパーエッチング・・・を行い、パターニング後のエッジ角度がおよそ４０〜７５度であるシリコン窒化膜１６ａを形成する。」（００６５段落）、「その後、図１５に示すように、第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い、・・・ＬＯＣＯＳ酸化膜１７ａを形成する。」（００６８段落）と記載され、ＳＯＩ層３をオーバーエッチングすることなしに、ＳＯＩ層３の活性領域を覆うシリコン窒化膜のパターンを形成し、その後、シリコン酸化膜を形成しないで第一回目のＬＯＣＯＳ酸化を行う技術が記載されている。
　さらに、刊行物１の００５０段落には、「図３のエッチングマスクとなるシリコン窒化膜１６のパターニングの際のドライエッチングによってシリコン窒化膜１６が形成されていない部分のＳＯＩ層３・・・がオーバーエッチングされ、シリコン窒化膜１６エッジ下部近傍においてＳＯＩ層３の表面に段差ｄが生じた場合においても」、「図４に示す酸化工程によってＳＯＩ層の上面部分を一部酸化させることにより・・・半導体素子の特性を向上させることが可能である」と記載されており、「図４に示す酸化工程」は、オーバーエッチングによって「シリコン窒化膜１６エッジ下部近傍においてＳＯＩ層３の表面に段差ｄが生じ」、素子特性の向上が必要とされる場合に、行われる工程であって、オーバーエッチングによって「シリコン窒化膜１６エッジ下部近傍においてＳＯＩ層３の表面に段差ｄが生じ」ない場合や、素子特性の向上がさほど必要とされない場合は、必ずしも必要な工程ではない。
　したがって、刊行物発明の、本願発明が備えない「活性領域の形状に前記第一のシリコン窒化膜をパターニングする際、オーバーエッチングによって前記ＳＯＩ層の表面がエッチングされ、上部に前記第一のシリコン窒化膜が形成された前記ＳＯＩ層の表面の位置と、前記第一のシリコン窒化膜が除去された領域の前記ＳＯＩ層の表面の位置とに段差ｄが生じ、前記ＳＯＩ層の表面に対して酸化を行いシリコン酸化膜を形成」する工程は、必ずしも必要な工程ではないから、ＳＯＩ層をオーバーエッチングすることなく「第一のシリコン窒化膜」を除去できるエッチングを採用することによって上記工程を省略することは、当業者にとって格別困難なことではない。
　
［相違点２について］
  前記「４．対比・判断」の「（ｄ）」で検討したように、刊行物発明の「前記ＳＯＩ基板の全面に第二のシリコン窒化膜を成膜し、前記間隙内に形成される前記第二のシリコン窒化膜が、前記間隙よりもさらに狭い間隙を有するような状態とする第四の工程、前記第二のシリコン窒化膜に対して異方性エッチングを行い、前記間隙に埋め込まれた前記第二のシリコン窒化膜を残し、他の前記第二のシリコン窒化膜を除去する第五の工程」は、酸化マスクと「第一のシリコン酸化膜」の側面に第二のシリコン窒化膜を形成する工程であって、本願発明の「前記第１シリコン窒化膜及び第１酸化膜の側壁に第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成」する工程に相当し、相違点２は、実質的に、刊行物発明が、本願発明の備えない、サイドウォールスペーサを形成する工程の前に「前記ＳＯＩ層の表面を酸化し」、「第二のシリコン酸化膜を形成」する工程を備える点であるから、この点について以下で検討する。
　当初明細書等には、「第１シリコン窒化膜及び第１酸化膜の側壁に第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成する。つまり、第１ＬＯＣＯＳ酸化膜を除去することによって再び露出した第１シリコン窒化膜と第１酸化膜との側壁に、第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成する。」（００２８段落）、「なお、・・・あらかじめ、第１ＬＯＣＯＳ酸化膜の除去によって露出した表面半導体層上に第２酸化膜を形成し、その後、得られたＳＯＩ基板上の全面に第２シリコン窒化膜を形成することが好ましい。」（００２９段落）、「図２（ｅ）に示したように、第１ＬＯＣＯＳ酸化膜６を除去し、単結晶シリコン膜３上に、第２パッド酸化膜７・・・を形成し、さらに得られたＳＯＩ基板１０上全面に、シリコン窒化膜８・・・を形成する。」（００３９段落）、「図２（ｆ）に示したように、シリコン窒化膜８をエッチバックしてシリコン窒化膜５の側壁にスペーサ８ａを形成する。」（００４０段落）と記載されており、側壁にスペーサを形成する工程の前に、第２酸化膜（第２パッド酸化膜）を形成することが記載されている。
　したがって、本願発明の「第１酸化膜の側壁に第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成」する工程には、実質的に第２酸化膜（第２パッド酸化膜）形成後に、「第１酸化膜の側壁に第２シリコン窒化膜によるサイドウォールスペーサを形成する」工程が含まれるから、上記相違点２は、実質的なものとはいえない。
　
［相違点３について］
  当初明細書等の００４４段落には、「図３によれば、第２ＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚が５０ｎｍの時、第１ＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚は８０ｎｍであり、ソース／ドレイン間耐圧歩留は１００％であった。また、第２ＬＯＣＯＳ酸化膜／第１ＬＯＣＯＳ酸化膜＝５７ｎｍ／７３ｎｍであり、ソース／ドレイン間耐圧歩留は９７％である。この結果から、第１ＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚を第２ＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚以上にすることにより、ソース／ドレイン間耐圧歩留を向上させることができ、耐圧歩留として９６％以上を得るためには、第２ＬＯＣＯＳ膜厚と第１ＬＯＣＯＳ膜厚の比が０．８以下、０．６以上であることが必要である。」と記載されている。
　しかし、当初明細書の上記００４４段落と図３で述べられているのは、図３の結果が、「膜厚５０ｎｍの表面シリコン膜を有するＳＯＩ基板を用い、ゲート電極のＬ／Ｗ＝０．３５／５μｍ、全ＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚１３０ｎｍ」（当初明細書等の００４３段落）という特定の条件での「第２ＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚（ｎｍ）」と「ソース／ドレイン間耐圧歩留（％）」の関係を示す限定的なものであって、他の場合については何ら比較検討がされていない。
　さらに、当初明細書等を詳細に検討しても、本願発明の「第１ＬＯＣＯＳ酸化膜に対して膜厚の比が０．６〜０．８となるように薄く第２ＬＯＣＯＳ酸化膜を形成」する工程の「０．６」及び「０．８」という数値は、それぞれ当初明細書等の図３に示されているように「ソース／ドレイン間耐圧歩留」が、単調に減少している一部分の膜厚の比の下限値及び上限値を実験データの範囲内で、所望の歩留となるように、単に抜き出しているだけであるから、「０．６」及び「０．８」という数値も、「０．６〜０．８」という数値範囲にも、特段の臨界的な意味はない。
　一方、上記「相違点１−２について」で検討したように、刊行物発明の「前記第一のシリコン窒化膜をパターニング」する際に「ＳＯＩ層の表面がオーバーエッチングされ上部に第一のシリコン窒化膜が形成された領域の前記ＳＯＩ層の表面の位置と、前記第一のシリコン窒化膜が除去された領域の前記ＳＯＩ層の表面の位置との間に段差が生じ」、「段差が生じた前記ＳＯＩ層の表面に対して酸化を行い、第二シリコン酸化膜を形成する工程」は、第一のシリコン窒化膜のパターニングの際に、ＳＯＩ層のオーバーエッチングが生じないエッチングを行えば省略可能な工程であって、その場合は刊行物発明の「第二のシリコン酸化膜を形成」する工程は省略できるから、「第一のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成し、前記第一のＬＯＣＯＳ酸化膜下の前記ＳＯＩ層の厚さが３００〜５００Åとなるように熱酸化を行う工程」で、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜となるのは、段差ｄを考慮しなければ「１０００ÅのシリコンからなるＳＯＩ層」から、残される「前記ＳＯＩ層の厚さ」の「３００〜５００Å」を除いた、たかだか７００〜５００ÅのＳＯＩ層である。
　そして、刊行物２の第８７頁下から６行〜同頁下から２行には「酸化の場合にはＯ２がＳｉと結合してＳｉＯ２を形成するので，全体の厚さのうち約４５％がもとの表面以下にでき，残りの約５５％分がもとの表面の上に出る．この関係を図５．１２に示した．」（以下、「記載Ａ」という。）と記載されているから、当業者が刊行物２の記載Ａに触れた場合、刊行物発明で第１回目のＬＯＣＯＳ酸化で消費されるＳＯＩ層（シリコン層）は７００〜５００Åであるから、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜は、７００×１００／４５〜５００×１００／４５Å、すなわち、約１５６０〜１１１０Åの範囲であると考えるのが自然である。
　また、刊行物２の記載Ａは、表面に１００〜２００Åの酸化膜がある場合でも、当該酸化膜の下にＯ２が侵入することができれば「Ｏ２がＳｉと結合してＳｉＯ２を形成する」ことができるので、成立するものと判断でき、刊行物発明で「前記ＳＯＩ層の表面を酸化し、１００〜２００Åの厚さの第二の酸化膜を形成後」、「第二回目のＬＯＣＯＳ酸化を行い」、「第二のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成」する工程で形成される「第二のＬＯＣＯＳ酸化膜」の膜厚は、上記「１００〜２００Åの厚さの第二の酸化膜を考慮しなければ第１回目のＬＯＣＯＳ酸化で消費されなかった３００〜５００ÅのＳＯＩ層が全て酸化した場合の膜厚と同等であると認められる。すなわち、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚は、約６７０〜１１１０Åであると認められる。
　したがって、これらの値から、刊行物発明の第一のＬＯＣＯＳ酸化膜と第二のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚は、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚が約１５６０Åの時は、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚は約６７０Åであり、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚が約１１１０Åの時は、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚は約１１１０Åという範囲にあるから、第一ＬＯＣＯＳ酸化膜に対する第二ＬＯＣＯＳ酸化膜の比は、段差ｄを考慮しなければ、たかだか約０．４〜１という数値範囲となり、本願発明の０．６〜０．８という数値範囲は含まれる。
　さらに、仮に、第二の酸化膜が形成されることによって、記載Ａが成り立たず、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚が変化するとしても、刊行物１の００６２段落には  「・・・この実施の形態３に示す半導体装置の製造方法によって、実施の形態１と同様の効果を有する半導体装置を得ることが可能である。」と記載され、００７１段落には「その後、図１７に示すように、ＳＯＩ層３・・・をエッチングストッパとして異方性エッチングを行い、シリコン窒化膜１６ａのエッジとＳＯＩ層３・・・の表面とがなす間隙（くぼみ）に付着したシリコン窒化膜２０を残し、他の部分をエッチング除去する。また、実施の形態１と同様にシリコン酸化膜１９を残した状態にエッチングを行う方法を用いても良い。」と記載されているように、シリコン酸化膜１９を残すこと、言い換えると刊行物発明の「第二のシリコン酸化膜」を残すことは、格別な意味がない。
　よって、刊行物発明の「第二のシリコン酸化膜」を「第二のシリコン窒化膜を除去する」際に除去することは、当業者が適宜なし得る設計的事項であり、刊行物発明で「第二のシリコン酸化膜」を除去すれば、前記記載Ａが成り立つことは明らかである。
　また、「１００〜２００Åの第二の酸化膜」を考慮して検討しても、前記記載Ａによれば、約４５〜９０ÅのＳＯＩ層が酸化膜となったものであると認められるから、刊行物発明の「第二回目のＬＯＣＯＳ酸化」によって、約２１０〜４５５ÅのＳＯＩ層が、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜となる。つまり、残ったＳＯＩ層３の厚さから計算すると、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚が約１５６０Åの時は、第二回目のＬＯＣＯＳ酸化によって形成される第二のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚は約４７０Åであり、第一のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚が約１１１０Åの時は、第二のＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚は約１０１０Åであると認められる。これらの数値から第一のＬＯＣＯＳ酸化膜に対する第二のＬＯＣＯＳ酸化膜の比は、段差ｄを考慮しなければ、たかだか約０．３〜０．９という数値範囲となるから、本願発明の０．６〜０．８という数値範囲に全て若しくは一部が含まれる。
　そして、刊行物１には、「２回目のＬＯＣＯＳ酸化の際に、・・・均一な厚さに形成されたシリコン窒化膜１１５の端部したに付着した状態となっており、この部分の酸化マスクの膜厚合計は大きくなり、酸化によるバーズビークの伸びは抑制されるが、周囲にかかる応力が大きくなり、結晶欠陥が発生し、形成後のトランジスタのリーク電流の原因となるという問題があった。」（００１４段落）と記載され、２回目のＬＯＣＯＳ酸化の際に応力が発生し、トランジスタのリーク電流の原因となることが課題として記載され、さらに、刊行物発明の「第一のＬＯＣＯＳ酸化膜」に対する「第二のＬＯＣＯＳ酸化膜」の膜厚の比が採り得る数値範囲は、約０．４〜１、若しくは約０．３〜０．９であるから、応力を緩和するために、刊行物発明の「第一のＬＯＣＯＳ酸化膜」に対して「第二のＬＯＣＯＳ酸化膜」の膜厚の比を適宜最適な数値とすること、言い換えると、「第一のＬＯＣＯＳ酸化膜」に対する「第二のＬＯＣＯＳ酸化膜」の膜厚の比を「０．６〜０．８」の範囲とすることは、当業者が何ら困難性なくなし得ることである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから拒絶されるべきものである。
　
　よって結論のとおりに審決する。