【事件の表示】
　特願２００２−　１３４４９「超伝導放射線検出器およびその作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月３１日出願公開、特開２００３−２１８４１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１．手続の経緯
　本願は，平成１４年１月２２日の出願であって，平成１８年１０月３０日付けの拒絶理由通知に対して，同年１２月２８日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成１９年３月１６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年４月１８日に審判請求がされるとともに，同年５月１１日に手続補正書が提出され，その後当審において，平成２１年１０月１９日付けで審尋がされ，同年１２月１６日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２．平成１９年５月１１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　本件補正を却下する。
　
［理由］
　
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであるところ，本件補正の前後の特許請求の範囲の記載は，次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】絶縁薄膜が形成された基板上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して作製する超伝導放射線検出器において，該上部電極の上にエッチングストッパを直接積層し，該エッチングストッパと該トンネルバリアは，エッチングに対して同程度の耐食性を有することを特徴とした超伝導放射線検出器。
【請求項２】上記絶縁薄膜は，基板からのフォノンを防ぐと共にエッチングストッパの機能を有する薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の超伝導放射線検出器。
【請求項３】上記絶縁薄膜は，アルミナ又はマグネシアであることを特徴とする請求項２記載の超伝導放射線検出器。
【請求項４】上記絶縁薄膜と上記トンネルバリアは，エッチングに対して同程度の耐食性を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の超伝導放射線検出器。
【請求項５】上記絶縁薄膜の材料は，アルミナ又はマグネシアであり，上記トンネルバリアの材料は，アルミニウム及びその表面を酸化膜で覆われたものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の超伝導放射線検出器。
【請求項６】上記上部電極及び上記下部電極は，ニオブであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の超伝導放射線検出器。
【請求項７】絶縁薄膜が形成された基板上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して形成する超伝導放射線検出器の作製方法において，該上部電極の上にエッチングストッパを直接積層し，該エッチングストッパと該トンネルバリアには，エッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，エッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようしたことを特徴とした超伝導放射線検出器の作製方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】絶縁薄膜が形成された基板上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して形成する超伝導放射線検出器の作製方法において，
　該上部電極の上にドライエッチングストッパを積層し，
　該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにするとともに，
　該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工することを特徴とした超伝導放射線検出器の作製方法。
【請求項２】上記コンタクトホールを穿った後に，配線層，該配線層の上にアルミニウム薄膜及びレジストを積層し，該レジストを現像液によりパターニングした後に，該現像液により，該パターニングにより露出した配線以外の該アルミニウム薄膜の除去を行うことを特徴とする請求項１に記載の超伝導放射線検出器の作製方法。
【請求項３】上記絶縁薄膜は，基板からのフォノンを防ぐと共にエッチングストッパの機能を有する薄膜であることを特徴とする請求項２に記載の超伝導放射線検出器の作製方法。
【請求項４】上記絶縁薄膜は，アルミナ又はマグネシアであることを特徴とする請求項２記載の超伝導放射線検出器の作製方法。
【請求項５】上記絶縁薄膜と上記トンネルバリアは，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を有していることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の超伝導放射線検出器の作製方法。
【請求項６】上記絶縁薄膜の材料は，アルミナ又はマグネシアであり，上記トンネルバリアの材料は，アルミニウム及びその表面を酸化膜で覆われたものであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の超伝導放射線検出器の作製方法。
【請求項７】上記上部電極及び上記下部電極は，ニオブであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の超伝導放射線検出器の作製方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると，以下のとおりである。
　
＜補正事項ａ＞
　補正前の請求項１〜６を削除すること。
　
＜補正事項ｂ＞
　補正前の請求項７の，
「絶縁薄膜が形成された基板上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して形成する超伝導放射線検出器の作製方法において，該上部電極の上にエッチングストッパを直接積層し，該エッチングストッパと該トンネルバリアには，エッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，エッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようしたことを特徴とした超伝導放射線検出器の作製方法。」
を補正後の請求項１に繰り上げ，
「絶縁薄膜が形成された基板上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して形成する超伝導放射線検出器の作製方法において，
　該上部電極の上にドライエッチングストッパを積層し，
　該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにするとともに，
　該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工することを特徴とした超伝導放射線検出器の作製方法。」と補正すること。
　
＜補正事項ｃ＞
　補正後の請求項２〜７を追加すること。
　
３．補正の目的の適否についての検討
　上記２．で区分した補正事項ａ〜ｃについて，それぞれ検討する。
　
（１）補正事項ａについて
　補正事項ａは，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下，単に「特許法第１７条の２第４項」という。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂをさらに区分すると，以下のとおりである。
　
＜補正事項ｂ−１＞
　補正前の請求項７の「エッチングストッパ」（２箇所）を，補正後の請求項１の「ドライエッチングストッパ」と補正すること。
＜補正事項ｂ−２＞
　補正前の請求項７の「直接積層し」を，補正後の請求項１の「積層し」と補正すること。
＜補正事項ｂ−３＞
　補正前の請求項７の「エッチング」（２箇所）を，補正後の請求項１の「ドライエッチング」と補正すること。
＜補正事項ｂ−４＞
　補正前の請求項７の「形成されるようしたこと」を，補正後の請求項１の「形成されるようにするとともに，　該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工すること」と補正すること。
　
　上記補正事項ｂ−１〜ｂ−４のうち，ｂ−２及びｂ−４について検討する。
　
　まず，補正事項ｂ−２について検討すると，補正前の請求項７の「直接積層し」を補正後の請求項１の「積層し」と補正することにより，「直接」との限定が削除され，「直接」でない「積層」をも含むものとなることは明らかである。
　よって，補正事項ｂ−２は，特許請求の範囲を拡張するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，補正事項ｂ−２が，同法第１７条の２第４項のその余の号に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
　次に，補正事項ｂ−４について検討すると，補正事項ｂ−４は「該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工する」を追加する補正を含むものであるが，これは，補正前の請求項７に記載されたいずれの発明特定事項を限定するものでもない。補正前の請求項７には，「エッチング」に関する記載があるものの，「該上部電極の上にエッチングストッパを直接積層し，
該エッチングストッパと該トンネルバリアには，エッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，エッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際
　よって，補正事項ｂ−４は，補正前の請求項７に記載されたいずれの発明特定事項を限定するものでもない補正を含むものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，補正事項ｂ−４が，同法第１７条の２第４項のその余の号に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
　したがって，補正事項ｂ−２及び補正事項ｂ−４を含む補正事項ｂは，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは，補正後の請求項２〜７を追加するものであるが，これらの追加された請求項は，いずれも，補正前の特許請求の範囲に対応する請求項を有さないから，特許法第１７条の２第４項各号に掲げる，請求項の削除，特許請求の範囲の減縮，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　なお，補正後の請求項３に記載された「上記絶縁薄膜は，基板からのフォノンを防ぐと共にエッチングストッパの機能を有する薄膜である」，補正後の請求項４に記載された「上記絶縁薄膜は，アルミナ又はマグネシアである」，補正後の請求項５に記載された「上記絶縁薄膜と上記トンネルバリアは，」「エッチングに対して同程度の耐食性を有している」，補正後の請求項６に記載された「上記絶縁薄膜の材料は，アルミナ又はマグネシアであり，上記トンネルバリアの材料は，アルミニウム及びその表面を酸化膜で覆われたものである」，補正後の請求項７に記載された「上記上部電極及び上記下部電極は，ニオブである」という文言自体は，補正前の請求項２，３，４，５，６にそれぞれ記載されたものであるが，補正前の請求項２〜６に係る発明が「超伝導放射線検出器」という物の発明であるのに対して，補正後の請求項３〜７に係る発明は「超伝導放射線検出器の作製方法」という方法の発明であり，両者の発明のカテゴリーが異なっているから，補正後の請求項３〜７を補正前の請求項２〜６に対応する請求項とすることができないことは，明らかである。また，補正後の請求項２については，補正前の特許請求の範囲において，このような文言上共通する請求項さえも存在しない。
　
　したがって，補正事項ｃは，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，補正事項ｂ及び補正事項ｃを含む本件補正は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　
４．独立特許要件についての検討
　
４−１．検討の前提
　上記３．で検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが，仮に，本件補正が，当該要件を満たすものであり，かつ，請求項１についての補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとみなした場合において，本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，一応検討する。
　
４−２．本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，次のとおりである。
　
「絶縁薄膜が形成された基板上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して形成する超伝導放射線検出器の作製方法において，
　該上部電極の上にドライエッチングストッパを積層し，
　該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにするとともに，
　該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工することを特徴とした超伝導放射線検出器の作製方法。」
　
４−３．本件補正後の請求項１の明確性について
　
（１）本件補正後の請求項１（以下「補正後請求項１」という。）には，「該上部電極の上にドライエッチングストッパを積層し，　該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにする
とともに
　
（２）もし仮に，補正後請求項１に記載された「とともに」が同時であることを意味するのであれば，「該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにする」工程と「該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工する」工程とが同時に行われることになるが，前者の工程は，「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して」行う「ドライエッチング」であるのに対して，後者の工程は，「上部電極」及び「下部電極」に対する「ドライエッチング」，並びに，「トンネルバリア」に対する「フォトレジストの現像液により加工」であるから，両工程が同時でないのは明らかである。
　
（３）そうすると，補正後請求項１に記載された「とともに」は，同時であることを意味していないから，「該上部電極の上にドライエッチングストッパを積層」する工程及び「該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにする」工程と，「該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工する」工程との順序関係は，補正後請求項１において特定されていないことになる。
　
（４）よって，補正後請求項１の記載は，各工程間の順序が特定されていないから，一連の処理工程をどのようにして行うのかが不明である。そしてその結果，「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ」に際して，「絶縁膜」を設けるべき「該上部及び下部電極」が，それよりも前の段階においてどのような処理が行われ，最終的に（「絶縁膜」を設ける時点で）「上部電極」，「下部電極」，「トンネルバリア」，「ドライエッチングストッパ」がどのような配置となっているのかも不明である。
　
（５）また，本願明細書の実施例の記載を参酌し，もし仮に，補正後請求項１に係る発明において，「該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工する」工程が，「該上部電極の上にドライエッチングストッパを積層」する工程と「該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにする」工程との間に行われたものであるとしても，単に「該上部電極及び該下部電極は，ドライエッチングにより加工し，該トンネルバリアは，フォトレジストの現像液により加工する」と特定するだけでは，「上部電極」，「下部電極」，「トンネルバリア」をどのようなパターンで加工するのかが特定されておらず，また，「ドライエッチングストッパ」をどの段階でどのように加工するのかも特定されていない。よって，上記（４）とほぼ同様に，「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ」に際し，「絶縁膜」を設けるべき「該上部及び下部電極」に関して，最終的に（「絶縁膜」を設ける時点で）「上部電極」，「下部電極」，「トンネルバリア」，「ドライエッチングストッパ」がどのような配置となっているのか不明である。
　
（６）上記（４），（５）より，補正後請求項１の記載では，「該上部及び下部電極上に」「絶縁膜」を設けるまでの工程が十分具体的に特定されておらず，「絶縁膜」を設ける時点で，「上部電極」，「下部電極」，「トンネルバリア」，「ドライエッチングストッパ」がどのような配置となっているのか不明である。よって，「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ」に際して，「絶縁膜」のどの部分にどのように「コンタクトホールを穿つ」のかも特定できず，やはり不明である。
　そうすると，補正後請求項１の「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにする」において，「両コンタクトホールが均等に形成されるようにする」が具体的にどのような構成を形成することを意味しているのかも不明であり（特に「均等」という表現は，発明の詳細な説明にも記載されておらず，何がどのように「均等」であるのかも不明），その結果，「該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，」「両コンタクトホールが均等に形成されるようにする」ことができるのかどうかも不明である。
　
（７）以上検討したとおり，補正後請求項１に記載された「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，ドライエッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようにする」工程は，その前提となる工程等が十分に特定されていないため，その具体的内容を特定することができず，「超伝導放射線検出器の作製方法」として不明確である。しかもそれは，「該ドライエッチングストッパと該トンネルバリアには，ドライエッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより」との限定をもってしても解消できるものではなく，依然として不明確である。
　したがって，本件補正後の請求項１に係る発明は，特許を受けようとする発明が明確でない。
　
４−４．独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり，本件補正後の請求項１に係る発明は，特許を受けようとする発明が明確でないから，本件補正後の請求項１の記載は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず，独立して特許を受けることができないものである。
　よって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５．本件補正についての検討のまとめ
　したがって，本件補正は，上記３．で検討したとおり，特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり，仮に，請求項１についての補正が，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮に該当するとしても，上記４．で検討したとおり，本件補正後の請求項１に係る発明は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により，却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
　
１．本願発明
　以上のとおり，本件補正（平成１９年５月１１日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）及び本願の請求項７に係る発明（以下「本願発明７」という。）は，本件補正前の請求項１及び請求項７（平成１８年１２月２８日に提出された手続補正書により補正された請求項１及び請求項７）に記載された，次のとおりのものである。
　
「【請求項１】絶縁薄膜が形成された基板上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して作製する超伝導放射線検出器において，該上部電極の上にエッチングストッパを直接積層し，該エッチングストッパと該トンネルバリアは，エッチングに対して同程度の耐食性を有することを特徴とした超伝導放射線検出器。」
　
「【請求項７】絶縁薄膜が形成された基板上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して形成する超伝導放射線検出器の作製方法において，該上部電極の上にエッチングストッパを直接積層し，該エッチングストッパと該トンネルバリアには，エッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，エッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようしたことを特徴とした超伝導放射線検出器の作製方法。」
　
２．引用例の記載及び引用発明
　
２−１．引用例及びその記載事項
　
（１）引用例１：特開昭６１−２２９３７７号公報
　原審の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開昭６１−２２９３７７号公報（以下「引用例１」という。）には，第１，２図とともに，以下の記載がある。
　
ア．「〔産業上の利用分野〕
　
本発明は，ジョセフソン集積回路の製造方法
に関する
　ジョセフソン集積回路においては，接合部分はニオブからなる下部電極と，アルミニウムの酸化物からなるトンネル絶縁膜と，ニオブからなる上部電極を有し，上部電極上の絶縁膜には電極コンタクト用の窓が設けられる。」（１頁右下欄１０〜１８行）
　
イ．第２図を参照して，
「〔従来の技術〕
　ニオブから成る上部電極，下部電極およびアルミニウム酸化物から成るトンネル絶縁膜を有するジョセフソン集積回路は，従来第２図に示される工程で製造される。
　
まず図示しないシリコン基板に熱酸化膜を形成し，その上にグランドプレーンを形成し，その上にスパッタ法等により第２図（ａ）の二酸化シリコン２１を形成する
　
次いで下部電極となるニオブ層２２を２０００Å被着し
　このアルミニウムと酸化アルミニウム膜とがジョセフソン素子のバリア層２３となる。
　次いでバリア層２３上に上部電極となるニオブ層２４を１５００Åを被着する。
　次いで第２図（ｂ）に示されるようにレジスト膜２５をパターニング形成し，これをマスクとして反応性イオンエッチングによりニオブ層２２，２４，バリア層２３をエッチング除去する。
　次いでレジスト膜２５を除去した後，改めてレジスト膜２６をパターニング形成し，これをマスクとして反応性イオンエッチングによりエッチングを行ない接合部２７を形成する。
　次いで第２図（ｄ）に示すようにレジスト膜２６を残したまま酸化シリコン（ＳｉＯ）２８を蒸着により被着する。
　次いで第２図（ｅ）に示すようにレジスト２６を除去した後，図示しないレジスト膜をパターニング形成し，反応性イオンエッチングにより下部電極コンタクト用窓２９を形成し，配線用のニオブ膜３０を形成する。」（２頁左上欄１行〜右上欄１３行）
　
ウ．「〔作用〕
　
アルミニウム膜は絶縁層に窓を形成する際，実質的にはエッチングされず
ジョセフソン素子の特性を維持する
　従って窓が接合部に対する一部はずれて形成された場合でも下部電極と配線との接触は防止されるので，窓の接合部に対してはずれを考慮して小さい窓を形成する必要はなくなる。」（２頁右下欄４〜１３行）
　
エ．第１図を参照して，
「〔実施例〕
　第１図は本発明の一実施例を示す工程順断面図である。
　
第１図（ａ）に示すように上記従来例と同様に二酸化シリコン１上に下部電極となるニオブ層２とアルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３と上部電極となるニオブ層４を形成し
レジスタ膜５（審決注：「レジスト膜５」の誤記である。）をマスクとしてエッチングを行い
　
ニオブ層４のエッチングはＣＦ
４
にＯ
２
を５％混合したガスで圧力２００ｍＴｏｒｒ，電力５０Ｗで５分間行なった
バリア層３はエッチングされない
　次いでガスをアルゴン（Ａｒ）に切替えてスパッタリングによりバリア層のアルミニウムを除去する。
　この時の条件は圧力５ｍＴｏｒｒ，電力５０Ｗで３分間行なった。この条件でのアルミニウムのエッチングレイトは約１００Å／分でニオブのエッチングレイトは５０Å／分以下である。
　このエッチングにより接合部以外の部分は下部電極としてのニオブ層２が２００Å程度エッチングされる。
　
次いでレジスト膜５を残したままエチレングリコール溶液中で陽極酸化を行ない
　陽極酸化は印加電圧が２０〜３０Ｖで，酸化膜厚は４００〜６００Å程度であった。
　
次いでレジスト５を除去後，第１図（ｃ）に示すように全面に１００Å程度のアルミニウム膜８を形成する
　
次いで第１図（ｄ）に示すように蒸着法によりＳｉＯ膜９（スパッタ×ＣＶＤによるＳｉＯ
２
膜でもよい）を形成し，接合部上に反応性イオンエッチングにより窓１０を形成する
このエッチング条件は，ＣＦ
４
と５％のＯ
２
の混合ガス中で圧力２００ｍＴｏｒｒ，電力５０Ｗであり
　次いで第１図（ｅ）に示すようにガスをアルゴンガスに切替えて表出するアルミニウム膜８を選択的に除去する。
　この時の条件は圧力５ｍＴｏｒｒ，電力５０Ｗであり，アルミニウムのエッチングレイトは１００Å／分であった。
　又，下部電極コンタクト用窓１１は窓１０の形成とは別工程で行ない，アルミニウム膜８，酸化膜７をそれぞれ除去して下部電極を露出させる。
　その後は図示しない配線が上に形成される。」（２頁右下欄１５行〜３頁左下欄８行）
　
（２）引用例２：特開昭６４−４８４７６号公報
　原審の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開昭６４−４８４７６号公報（以下「引用例２」という。）には，第１，４図とともに，以下の記載がある。
　
ア．第１，４図を参照して，
「〔実施例〕
　以下，この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において，１はＳｉ基板，２は薄い，即ち膜厚約５０Åの酸化アルミ膜，３はＮｂ，ＮｂＮ等の超伝導金属膜（下部電極），４はＭｇＯ，Ａｌ
２
Ｏ
３
からなるトンネル障壁，５はＮｂ，ＮｂＮ等の超伝導金属膜（上部電極）
である
　次に作用効果について説明する。
　
Ｓｉ基板１上にＡｌを〜５０Å程度電子ビーム蒸着法又はスパッタによって堆積する
このままでもＣＦ
４
ドライエッチングに対して有効なストッパーとして働くが，絶縁性を考慮してＡｌを全て陽極酸化して酸化アルミ膜２を形成する
陽極酸化されてできた酸化アルミ膜２もＣＦ
４
ドライエッチングに対し有効なストッパーとなる
　
以後の超伝導素子の作成は従来と同様に行うことができる
　
このような本実施例の超伝導素子用基板によれば，基板上に形成したＡｌの陽極酸化膜がＣＦ
４
ドライエッチングのエッチングストッパーとなる
　
２−２．引用発明
　
（１）上記２−１．（１）アによれば，「本発明は，ジョセフソン集積回路の製造方法・・・に関する」ものであるから，引用例１には，「ジョセフソン集積回路の製造方法」が開示されており，上記２−１．（１）エ及び第１図の実施例に関する記載も併せると，引用例１には，
ジョセフソン集積回路の製造方法によって製造されたジョセフソン集積回路
　
（２）上記２−１．（１）エによれば，「二酸化シリコン１上に下部電極となるニオブ層２とアルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３と上部電極となるニオブ層４を形成し」ており，第１図（ａ）には，「二酸化シリコン１」上に「下部電極となるニオブ層２」，「アルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３」，「上部電極となるニオブ層４」が順に積層された構造が示されているから，引用例１には，
二酸化シリコン１上に下部電極となるニオブ層２とアルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３と上部電極となるニオブ層４を積層して製造されたジョセフソン集積回路
　
（３）上記２−１．（１）エによれば，「上部電極となるニオブ層４を形成し，レジスト膜５をマスクとしてエッチングを行い」，「次いでレジスト膜５を残したまま・・・陽極酸化を行ない」，「次いでレジスト５を除去後，第１図（ｃ）に示すように全面に１００Å程度のアルミニウム膜８を形成する」ことから，第１図（ａ）に示されるように「上部電極となるニオブ層４」上に形成されていた「レジスト膜５」は，第１図（ｃ）に示されるように「アルミニウム膜８を形成する」前の段階で「除去」されている。よって，「アルミニウム膜８」が「上部電極となるニオブ層４」上において直接積層されていることは明らかである。
　また，上記２−１．（１）エによれば，「次いで第１図（ｄ）に示すように蒸着法によりＳｉＯ膜９（スパッタ×ＣＶＤによるＳｉＯ２膜でもよい）を形成し，接合部上に反応性イオンエッチングにより窓１０を形成する」が，上記２−１．（１）ウによれば，「アルミニウム膜は絶縁層に窓を形成する際，実質的にはエッチングされず・・・ジョセフソン素子の特性を維持する」から，「８」で示される「アルミニウム膜」が「実質的にエッチングされ」ないことによって，エッチングストッパとして機能していることは，明らかである。
　したがって，引用例１には，
上部電極となるニオブ層４上にエッチングストッパとなるアルミニウム膜８を直接積層する
　
　したがって，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「二酸化シリコン１上に下部電極となるニオブ層２とアルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３と上部電極となるニオブ層４を積層して製造されたジョセフソン集積回路において，上部電極となるニオブ層４上にエッチングストッパとなるアルミニウム膜８を直接積層した，ジョセフソン集積回路。」
　
３．本願発明１についての検討
　
３−１．本願発明１と引用発明との対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「下部電極となるニオブ層２」，「アルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３」，「上部電極となるニオブ層４」，「エッチングストッパとなるアルミニウム膜８」は，それぞれ，本願発明１の「下部電極」，「トンネルバリア」，「上部電極」，「エッチングストッパ」に相当する。
（２）引用発明の「二酸化シリコン１上」は，本願発明１の「絶縁薄膜が形成された基板上」に対応し，本願発明１の「絶縁薄膜が形成された基板上」と引用発明の「二酸化シリコン１上」とは，いずれも「絶縁物上」である点で共通する。
（３）引用発明の「ジョセフソン集積回路」は，本願発明１の「超伝導放射線検出器」に対応し，本願発明１の「超伝導放射線検出器」と引用発明の「ジョセフソン集積回路」とは，いずれも「超伝導デバイス」である点で共通する。
　
　したがって，本願発明１と引用発明とは，
「絶縁物上に，下部電極，トンネルバリア及び上部電極を積層して作製する超伝導デバイスにおいて，該上部電極の上にエッチングストッパを直接積層した，超伝導デバイス。」
である点で一致し，以下の相違点１〜３で相違する。
　
（相違点１）
　「絶縁物上」における「絶縁物」が，本願発明１では「絶縁薄膜が形成された基板」であるのに対して，引用発明では「二酸化シリコン１」である点。
（相違点２）
　「超伝導デバイス」が，本願発明１では「超伝導放射線検出器」であるのに対して，引用発明では「ジョセフソン集積回路」である点。
（相違点３）
　本願発明１では，「該エッチングストッパと該トンネルバリアは，エッチングに対して同程度の耐食性を有する」のに対して，引用発明では，「アルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３」と「エッチングストッパとなるアルミニウム膜８」とのエッチングに対する耐食性の関係を，特に明示しない点。
　
３−２．判断
　上記相違点１〜３についてそれぞれ検討する。
　
３−２−１．相違点１について
　
（１）上記２−１．（１）イによれば，引用例１には，従来の技術として「まず図示しないシリコン基板に熱酸化膜を形成し，その上にグランドプレーンを形成し，その上にスパッタ法等により第２図（ａ）の二酸化シリコン２１を形成する。　次いで下部電極となるニオブ層２２を２０００Å被着し・・・」と記載されているから，引用例１の従来の技術の「二酸化シリコン２１」は，「シリコン基板に熱酸化膜を形成し，その上にグランドプレーンを形成し，その上にスパッタ法等により」形成されたものであるといえる。
　また，上記２−１．（１）エによれば，「第１図（ａ）に示すように
上記従来例と同様に
　よって，引用発明において，「二酸化シリコン１」を，従来の技術の「二酸化シリコン２１」と同様に，「熱酸化膜」及び「グランドプレーン」を介して「シリコン基板」上に形成された薄膜とする構造を採用し，本願発明１のように「絶縁薄膜が形成された基板」との構成を備えたものとすることは，当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
（２）また，上記２−１．（２）アによれば，引用例２には，「Ｓｉ基板１上にＡｌを〜５０Å程度電子ビーム蒸着法又はスパッタによって堆積」し，「Ａｌを全て陽極酸化して酸化アルミ膜２を形成」し，「以後の超伝導素子の作成は従来と同様に行う」ことが記載されており，換言すれば，引用例２には，
超伝導素子用基板として酸化アルミ膜２が形成されたＳｉ基板１を用いる
　よって，引用発明において，引用例２に記載された技術を適用し，「絶縁物」として酸化アルミ膜が形成されたＳｉ基板を用いることにより，本願発明１のように「絶縁薄膜が形成された基板」との構成を備えたものとすることは，当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
（３）したがって，上記（１）及び（２）のいずれにおいても，引用発明の「二酸化シリコン１」を相違点１に係る構成とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
３−２−２．相違点２について
　
（１）引用発明は「ジョセフソン集積回路」であるから，ジョセフソン素子の基本構造であるジョセフソン接合を含むものであり，引用発明の「下部電極となるニオブ層２とアルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３と上部電極となるニオブ層４を積層し」た構造が上記ジョセフソン接合に該当することは，当業者における技術常識である。
　
（２）また，ジョセフソン接合を，放射線検出器に用いることは，以下の周知例１，２の記載からも明らかなように，ジョセフソン接合の技術分野において周知技術である。
　
ア．周知例１：特開平７−２７３３７８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開平７−２７３３７８号公報（以下「周知例１」という。）には，以下の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，
ジョセフソン接合を用いた放射線検出装置に関する
【０００２】ジョセフソン接合に使用される材料のエネルギギャップは，通常の半導体のエネルギギャップよりも著しく小さい。このため，入射Ｘ線によって励起される電子数が多くなり，エネルギ分解能が向上することが期待されている。
【０００３】
【従来の技術】代表的なＸ線検出器として，Ｓｉを使用した半導体放射線検出器が知られている。半導体放射線検出器のエネルギ分解能は，半導体材料のエネルギギャップに依存し，エネルギギャップが大きくなると分解能が低下する。６ｋｅＶの入射Ｘ線に対するＳｉのエネルギギャップから求めた理論上のエネルギ分解能は約１００ｅＶである。また，現在のＳｉを使用した半導体放射線検出器の６ｋｅＶの入射Ｘ線に対するエネルギ分解能は約１５０ｅＶである。このように，Ｓｉを使用した半導体放射線検出器のエネルギ分解能は理論限界に近づいている。
【０００４】さらにエネルギ分解能を向上するためには，エネルギギャップの小さい材料を使用する必要がある。
超伝導現象を使用するジョセフソン接合においては，超伝導材料のエネルギギャップは半導体に比べて約３桁程度小さい
理論的には数ｅＶ程度の高エネルギ分解能を持つ放射線検出器を作製することが可能になる
　
イ．周知例２：特開平６−１８８４６８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開平６−１８８４６８号公報（以下「周知例２」という。）には，以下の記載がある。
「【００１４】このように
超伝導材料を用いた放射線検出素子は
放射線検出素子として非常に有望である
ジョセフソン接合に放射線を入射させる実験は約２０年前に行われた
【００１５】その後，同じＳｎ／ＳｎＯｘ／Ｓｎ接合を用いて一連の実験が精力的に行われた（M. Kurakado, S. Tachi, R.Katano and H. Mazaki, Bull. Inst. Chem. Res. 59 (Kyoto Univ. 1981等）。その結果，放射線入射による信号が単なる温度上昇によるのではなく，放射線による過剰準粒子の生成が，ジョセフソン接合からの信号の発生に本質的であることがわかった。
【００１６】その後，ニュートリノの質量決定，太陽ニュートリノのエネルギー分布測定，暗黒物質や磁気単極子の検出といった宇宙物理，素粒子物理の問題とも関連して
世界各地で，超伝導放射線検出器の研究開発が行われつつある
　
（３）よって，引用発明において，周知例１，２に記載された周知技術を採用することにより，「ジョセフソン集積回路」が有するジョセフソン接合を放射線検出器に用い，本願発明１のように「超伝導放射線検出器」とすることは，当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
３−２−３．相違点３について
　
（１）引用発明の「アルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３」と「エッチングストッパとなるアルミニウム膜８」とのエッチングに対する耐食性の関係について，以下の（２）及び（３）の観点からそれぞれ検討する。
　
（２）引用発明の「エッチングストッパとなるアルミニウム膜８」は，上記２−１．（１）ウ及びエによれば，「アルミニウム膜は絶縁層に窓を形成する際，実質的にはエッチングされず」，「ＳｉＯ膜９（・・・ＳｉＯ２膜でもよい）」に対して「反応性イオンエッチングにより窓１０を形成する」際に「ＣＦ４と５％のＯ２の混合ガス中で」のエッチングのための「エッチングストッパ」として機能するから，「ＣＦ４と５％のＯ２の混合ガス」に対して「実質的にはエッチングされ」ないものである。
　また，引用発明の「アルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３」は，上記２−１．（１）エによれば，「ニオブ層４のエッチングはＣＦ４にＯ２を５％混合したガスで圧力２００ｍＴｏｒｒ，電力５０Ｗで５分間行なった」時に「バリア層３はエッチングされない」ものであるから，やはり，「ＣＦ４と５％のＯ２の混合ガス」に対して「エッチングされない」ものである。
　よって，引用発明の「アルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３」（本願発明１の「トンネルバリア」に相当）と，引用発明の「エッチングストッパとなるアルミニウム膜８」（本願発明１の「エッチングストッパ」に相当）とは，いずれも「ＣＦ４と５％のＯ２の混合ガス」に対して実質的にエッチングされない点で共通しているから，両者は「エッチングに対して同程度の耐食性を有する」ものである。
　
（３）例えば，引用例２に，「Ａｌ」「のままでもＣＦ４ドライエッチングに対して有効なストッパーとして働く」が，「陽極酸化されてできた酸化アルミ膜２もＣＦ４ドライエッチングに対し有効なストッパーとなる」と開示されている（上記２−１．（２）アを参照）ように，アルミニウム（Ａｌ）と酸化アルミニウムとが，いずれもＣＦ４ドライエッチングに対し有効なストッパーとなる，換言すれば，いずれもＣＦ４ガスに対して実質的にはエッチングされない材料であることは，当業者に周知の技術的事項である。
　また，引用発明の「エッチングストッパとなるアルミニウム膜８」も，アルミニウムであるから，ＣＦ４ドライエッチングに対し有効なストッパーとなり，ＣＦ４ガスに対して実質的にはエッチングされない材料であることは明らかである。
　よって，引用発明の「アルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３」と，引用発明の「エッチングストッパとなるアルミニウム膜８」とは，いずれも「ＣＦ４ガス」に対して実質的にエッチングされない点で共通しているから，両者は「エッチングに対して同程度の耐食性を有する」ものである。
　
（４）上記（２），（３）のとおり，引用発明も，「アルミニウムおよび酸化アルミニウムから成るバリア層３」と「エッチングストッパとなるアルミニウム膜８」とがエッチングに対して同程度の耐食性を有しており，本願発明１の「該エッチングストッパと該トンネルバリアは，エッチングに対して同程度の耐食性を有する」との構成を実質的に備えているから，相違点３は，実質的なものではない。
　
３−３．本願発明１についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本願発明１は，当業者における周知の技術的事項を勘案することにより，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
４．本願発明７についての検討
　
４−１．本願発明７の明確性について
　
（１）本願の請求項７の記載は，「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，エッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ」に際して，「絶縁膜」を設けるべき「該上部及び下部電極」が，それよりも前の段階においてどのような処理が行われ，最終的に（「絶縁膜」を設ける時点で）「上部電極」，「下部電極」，「トンネルバリア」，「エッチングストッパ」がどのような配置となっているのか，不明である。
　
（２）よって，「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，エッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ」に際して，「絶縁膜」のどの部分にどのように「コンタクトホールを穿つ」のかも特定できず，やはり不明である。
　そうすると，本願の請求項７の「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，エッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようした」において，「両コンタクトホールが均等に形成されるようした」が具体的にどのような構成を形成することを意味しているのかも不明であり（特に「均等」という表現は，発明の詳細な説明にも記載されておらず，何がどのように「均等」であるのかも不明），その結果，「該エッチングストッパと該トンネルバリアには，エッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより，」「両コンタクトホールが均等に形成されるようした」ことができるのかどうかも不明である。
　
（３）以上検討したとおり，本願の請求項７に記載された「該上部及び下部電極上に設けた絶縁膜に対して，エッチングにより該上部及び下部電極に至るコンタクトホールを穿つ際に，両コンタクトホールが均等に形成されるようした」工程は，その前提となる工程等が十分に特定されていないため，その具体的内容を特定することができず，「超伝導放射線検出器の作製方法」として不明確である。しかもそれは，「該エッチングストッパと該トンネルバリアには，エッチングに対して同程度の耐食性を与えることにより」との限定をもってしても解消できるものではなく，依然として不明確である。
　したがって，本願の請求項７に係る発明は，特許を受けようとする発明が明確でない。
　
４−２．本願発明７についてのまとめ
　以上のとおり，本願の請求項７に係る発明は，特許を受けようとする発明が明確でないから，本願の請求項７の記載は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　
第４．結言
　以上検討したとおりであるから，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができず，また，本願の請求項７の記載は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。したがって，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。