【手続補正書】
【提出日】平成23年12月19日(2011.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラ接合トランジスタであって、
第１の導電型の炭化ケイ素コレクタ層と、
前記炭化ケイ素コレクタ層上の、前記第１の導電型と異なる、第２の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層と、
前記炭化ケイ素コレクタ層から離れた位置にある前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の前記第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサと、
前記炭化ケイ素エミッタメサの外側にある前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部の上の、前記第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層と
を備えることを特徴とするバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項２】
前記第１の導電型の前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記第１の導電型のキャリア濃度を持ち、一定の厚さがあり、前記キャリア濃度および厚さは、ＢＪＴにおいて、バイアス０で、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層により前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層が完全空乏状態になるように選択されることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項３】
前記第１の導電型の前記炭化ケイ素保護層は、前記第１の導電型のキャリア濃度Ｃを持ち、厚さはＴであり、前記キャリア濃度Ｃと厚さＴは、
【数１】
2007173841.tif 000001
に従って選択され、ｑは電気素量であり、εsは炭化ケイ素の誘電率であることを特徴とする請求項２に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項４】
前記エピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサは、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層から離れた位置にある上端および前記上端と、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層との間に広がる側壁を含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサの外側にある前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部の上に広がり、前記側壁上には広がらないことを特徴とする請求項３に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項５】
前記エピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサは、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層から離れた位置にある上端および前記上端と、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層との間に広がる側壁を含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサの外側にある前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部の上および前記側壁に広がり、前記上端上には広がらないことを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項６】
前記エピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサは、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層から離れた位置にある上端および前記上端と、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層との間に広がる側壁を含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサの外側にある前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部の上、前記側壁上、および前記上端上に広がることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項７】
前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層は、第１の部分および前記エミッタメサから相隔てて並ぶ前記第１の部分よりもキャリア濃度の高い第２の部分を含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサの隣から前記第２の部分の隣までの前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上に広がることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項８】
前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層は、第１の部分および前記エミッタメサから相隔てて並ぶ前記第１の部分よりもキャリア濃度の高い第２の部分を含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサの隣から前記第２の部分までの前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上に広がることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項９】
前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層は、第１の部分および前記エミッタメサから相隔てて並ぶ前記第１の部分よりもキャリア濃度の高い第２の部分を含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサから前記第２の部分の隣までの前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上に広がることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１０】
前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層は、第１の部分および前記エミッタメサから相隔てて並ぶ前記第１の部分よりもキャリア濃度の高い第２の部分を含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサから前記第２の部分までの前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上に広がることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１１】
前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層は、第１の部分および前記第１の部分内の第１の部分よりもキャリア濃度が高く、前記エミッタメサから相隔てて並ぶ埋め込み部分（implant）を含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサの隣から前記埋め込み部分までの前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上に広がることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１２】
前記エミッタメサから相隔てて並ぶ前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上のエピタキシャルベースメサをさらに含み、前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記炭化ケイ素エミッタメサの隣から前記ベースメサの隣、ただし相隔てて並ぶところまでの前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上に広がることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１３】
前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層から離れた位置にある、前記第２の導電型の前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層上の誘電体保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１４】
前記誘電体保護層は、二酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項１３に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１５】
前記エピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサは、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層に隣接する第１の部分、および第１の部分の上の、前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層から離れた位置にある第２の部分を含み、前記第２の部分は、前記第１の部分よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１６】
前記炭化ケイ素コレクタ層上の前記第１の導電型の炭化ケイ素基板と、
前記炭化ケイ素基板上のコレクタ接点と、
前記エピタキシャル炭化ケイ素ベース層上のベース接点と、
前記エピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサ上のエミッタ接点と
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項１７】
バイポーラ接合トランジスタを製造する方法であって、
第２の導電型の炭化ケイ素ベース層を前記第２の導電型と異なる、第１の導電型の炭化ケイ素コレクタ層上にエピタキシャル成長させることと、
前記第１の導電型の炭化ケイ素エミッタメサを前記炭化ケイ素ベース層上にエピタキシャル成長させることと、
前記第１の導電型の炭化ケイ素保護層を前記炭化ケイ素エミッタメサの外側にある前記炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部の上にエピタキシャル成長させることと
を含むことを特徴とするバイポーラ接合トランジスタの製造方法。
【請求項１８】
前記炭化ケイ素保護層をエピタキシャル成長させることは、前記バイポーラ接合トランジスタ上において０バイアスで前記シリコン炭化ケイ素ベース層により前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層を完全空乏状態にするように選択された、前記第１の導電型のキャリア濃度と厚さで前記第１の導電型の前記炭化ケイ素保護層をエピタキシャル成長させることを含むことを特徴とする請求項１７に記載のバイポーラ接合トランジスタの製造方法。
【請求項１９】
前記炭化ケイ素保護層をエピタキシャル成長させることは、前記第１の導電型のキャリア濃度Ｃと厚さＴの前記第１の導電型の前記炭化ケイ素保護層をエピタキシャル成長させることを含み、前記キャリア濃度Ｃと厚さＴは、
【数２】
2007173841.tif 000002
に従って選択され、ｑは電気素量であり、εsは炭化ケイ素の誘電率であることを特徴とする請求項１７に記載のバイポーラ接合トランジスタの製造方法。
【請求項２０】
前記炭化ケイ素ベース層内にあり、前記エミッタメサから相隔てて並ぶ、前記炭化ケイ素ベース層よりもキャリア濃度の高い領域を注入することをさらに含み、前記炭化ケイ素保護層をエピタキシャル成長させることは、前記炭化ケイ素エミッタメサの隣から注入される前記領域までの前記炭化ケイ素ベース層上に広がる前記第１の導電型の炭化ケイ素保護層をエピタキシャル成長させることを含むことを特徴とする請求項１７に記載のバイポーラ接合トランジスタの製造方法。
【請求項２１】
前記第２の導電型のベースメサを前記エミッタメサから相隔てて並ぶ前記炭化ケイ素ベース層上にエピタキシャル成長させることをさらに含み、前記炭化ケイ素保護層をエピタキシャル成長させることは、前記炭化ケイ素エミッタメサの隣から前記ベースメサの隣、ただし前記ベースメサから相隔てて並ぶところまでの前記炭化ケイ素ベース層上に広がる前記第１の導電型の前記炭化ケイ素保護層をエピタキシャル成長させることを含むことを特徴とする請求項１７に記載のバイポーラ接合トランジスタの製造方法。
【請求項２２】
誘電体保護層を前記炭化ケイ素ベース領域から離れた位置にある前記炭化ケイ素保護層上に形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のバイポーラ接合トランジスタの製造方法。
【請求項２３】
前記第２の導電型の炭化ケイ素ベース層を前記第２の導電型と異なる第１の導電型の炭化ケイ素コレクタ層上にエピタキシャル成長させることに先立って、前記第１の導電型の前記炭化ケイ素コレクタ層を前記第１の導電型の炭化ケイ素基板上にエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項１７に記載のバイポーラ接合トランジスタの製造方法。
【請求項２４】
バイポーラ接合トランジスタであって、
エミッタ、ベース、およびコレクタ領域を含む炭化ケイ素構造と、
前記ベース領域の少なくとも一部の上の、前記ベース領域とは反対の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層と
を含むことを特徴とするバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項２５】
前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層は、前記バイポーラ接合トランジスタ上において０バイアスで完全空乏状態になるように構成されることを特徴とする請求項２４に記載のバイポーラ接合トランジスタ。
【請求項２６】
前記ベース領域から離れた位置にある前記エピタキシャル炭化ケイ素保護層上の誘電体保護層をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載のバイポーラ接合トランジスタ。