【事件の表示】
　特願２００８−　５９９７２「窒化ガリウム系半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月　３日出願公開、特開２００８−１５３７０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成９年２月２０日に出願した特願平９−３５９２７号の一部を平成１３年２月２１日に新たな特許出願とした特願２００１−４４４０７号のさらに一部を平成２０年３月１０日（優先権主張平成８年２月２１日）に新たな特許出願としたものであって、平成２０年１１月１０日付けで手続補正がなされた（以下、平成２０年１１月１０日付けでなされた手続補正を「本件補正」という。）が、平成２１年５月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１０日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
２　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由の概要は、本件補正後の請求項１、２に記載された「リッジストライプの形成されていない領域の上部クラッド層の表面に、酸化珪素からなる保護膜が形成され」た点は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、これらを総称して「本願当初明細書」ということがある。）に記載した事項の範囲内のものではなく、本件補正は、本願当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、というものである。
　
３　本件補正の内容
（１）本件補正は、特許請求の範囲について、補正前（願書に最初に添付したもの。）の
「【請求項１】
　基板と、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層とをこの順に有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状であり、ｐ型電極が前記リッジストライプ上面に形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
【請求項２】
　光ディスク用ピックアップの光源用の半導体レーザであることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。」
を、
「　　【請求項１】
　基板と、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層
と、コンタクト層
　前記上部クラッド層
と前記コンタクト層を含み前記活性層は含まない
有し、
　
前記リッジストライプの形成されていない領域の上部クラッド層の表面に、酸化珪素からなる保護膜が形成され、
　楕円率を有したレーザ発振特性を備え、水平方向の屈折率分布を有する光導波路が作りこまれた、光ディスク用ピックアップの光源用の半導体レーザであって、
　
かつ
全面
　　【請求項２】
　
導電性
と、コンタクト層
　前記上部クラッド層
と前記コンタクト層とを含む
を有し、
　
前記リッジストライプの形成されていない領域の上部クラッド層の表面に、酸化珪素からなる保護膜が形成され、
　楕円率を有したレーザ発振特性を備え、水平方向の屈折率分布を有する光導波路が作りこまれた、光ディスク用ピックアップの光源用の半導体レーザであって、
　
かつ
全面
ｎ型電極が前記導電性基板裏面に、それぞれ
　　【請求項３】
　前記リッジストライプの形成されていない領域の上部クラッド層の表面に、２層の保護膜を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
　　【請求項４】
　前記２層の保護膜が、酸化珪素からなる保護膜と酸化アルミニウムからなる保護膜であることを特徴とする請求項３記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
　　【請求項５】
　前記下部クラッド層はＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＡｌＩｎＮのいずれかからなり、前記活性層はＩｎＧａＮ、ＧａＮのいずれかからなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
に補正するものである。
　
（２）上記（１）によれば、本件補正後の請求項１に係る発明及び請求項２に係る発明（以下、これらを総称して「本願補正発明」という。）は、「リッジストライプの形成されていない領域の上部クラッド層の表面に、酸化珪素からなる保護膜が形成され」との構成を備え、保護膜については、「リッジストライプの形成されていない領域の上部クラッド層の表面に、酸化珪素からなる保護膜が形成され」れば足りるものと認められる。
　
４　本願当初明細書の記載
　本願当初明細書には、本願補正発明の「保護膜」に関連して、以下の各記載が認められる。
　
（１）「【課題を解決するための手段】
　【００１１】
　本発明に係る窒化物系半導体レーザ装置は、基板と、第１の導電型下部クラッド層と、活性層と、第２の導電型上部クラッド層と、第２の導電型コンタクト層とをこの順に有する窒化ガリウム系半導体レーザにおいて、前記第２の導電型上部クラッド層と前記第２の導電型コンタクト層とで共振器方向に伸延したリッジストライプを有し、前記リッジストライプの側面には保護膜が形成されており、かつ、該リッジストライプ上面全面にｐ型電極が形成されていることを特徴とする。
　【００１２】
　また、本発明に係る窒化物系半導体レーザ装置は、導電性基板と、第１の導電型下部クラッド層と、活性層と、第２の導電型上部クラッド層と、第２の導電型コンタクト層とを有する窒化ガリウム系半導体レーザにおいて、前記第２の導電型上部クラッド層と前記第２の導電型コンタクト層は共振器方向に伸延したリッジストライプを有し、該リッジストライプの側面に保護膜が形成されており、かつ、ｐ型電極が前記リッジストライプ上面全面に、ｎ型電極が前記導電性基板裏面に、それぞれ形成されていることを特徴とする。
　【００１３】
　また、前記リッジストライプ形状の第２の導電型上部クラッド層の表面に保護膜を有することを特徴とする。」
　
（２）「【発明の効果】
　【００１６】
　本実施の形態に示したような窒化ガリウム系の化合物半導体レーザ素子は、従来の化合物半導体レーザ素子のようにエッチングのばらつきによる電流注入不良等を発生させることが少なく、また発振しきい値が低く、非点隔差が小さくできた。
　【００１７】
　また、化合物半導体レーザのリッジストライプ形状はドライエッチング方法によっても、選択成長方法によっても作製できる。特に、選択成長方法を用いた場合には、リッジストライプ形状の外部の上部クラッド層の膜厚制御性に優れており、素子のばらつきが改善される。また、コンタクト層と上部クラッド層の界面が存在する側面に保護層を設けることによって、電流注入経路の劣化を防止でき、さらに上部クラッド層の保護膜を２層にすることで、半導体レーザ素子の保護効果が高く、素子寿命が改善される。」
　
（３）「【発明を実施するための最良の形態】
　【００１８】
　（実施の形態１）
　本発明に係る実施の形態として、ＳｉＣ基板の上にＧａＩｎＮ活性層／ＧａＡｌＮクラッド層を有するダブルへテロ接合及びリッジガイド構造を有した化合物半導体レーザ素子をドライエッチングを用いて製造する方法について説明する。
　【００１９】
　本発明に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子の構造を図１に示す。符号１は６Ｈ−ＳｉＣ基板、２はＡｌＮバッファ層、３はｎ型ＧａＮ層、４はｎ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ｎ下部クラッド層、５はＧａ0.75Ｉｎ0.25Ｎ活性層、６はｐ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ｎ上部クラッド層、７はｐ型ＧａＮコンタクト層、９はＡｌ2Ｏ3保護膜、１０はｐ側電極、１１はｎ側電極を示す。（以下、本実施例の形態において、ＧａＡｌＮ及びＧａＩｎＮは、上述の組成を表す。）また、符号ｄは、リッジストライプ形状の外側におけるｐ型ＧａＡｌＮ上部クラッド層６の膜厚を示す。
　【００２０】
　図１に示す半導体レーザ素子は、上部クラッド層がリッジストライプ形状を形成していることを特徴としている。
・・・
　【００３１】
　次に、リッジストライプ形状の側面に保護膜としてＡｌ2Ｏ3膜９を電子ビーム蒸着法により形成し、その後、幅１μｍのストライプ状ＳｉＯ2膜８をフッ酸によって除去し、十分な水洗、乾燥を行った後、リッジ型ストライプの上面にのみＡｕ／Ｎｉ積層膜のｐ側電極１０を全面的に真空蒸着法によって形成する。」
　
（４）「　【００３９】
　（実施の形態２）
　図３に、リッジストライプ形状を形成するのに、選択成長法によって作製された青色発光の化合物半導体レーザ素子を示す。図１と同一部材には同一符号を付す。符号２１ａはｐ型ＧａＡｌＮ上部クラッド層、２１ｂは選択成長させたｐ型ＧａＡｌＮ上部クラッド層、２３はＳｉＯ2保護膜である。この化合物半導体レーザ素子は、リッジストライプ形状を有し、更にリッジストライプ形状のｐ型ＧａＡｌＮ上部クラッド層の表面に保護膜が酸化硅素、酸化アルミニウムの２層からなることを特徴とする。
・・・
　【００４２】
　次に、ＭｇドープしたＧａＡｌＮ上部クラッド層２１ａの表面に、電子ビーム蒸着法とフォトリソグラフィー法によって幅１μｍの開口部２２を有したＳｉＯ2膜２３を形成する。以上の工程を図４（ｃ）に示す。
・・・
　【００４６】
　次に、通常のフォトリソ法を用いて、リッジストライプ形状の上面以外の表面に保護膜としてＡｌ2Ｏ3膜９を電子ビーム蒸着法により形成し、リッジストライプ形状の上面のみにＡｕ／Ｎｉ積層膜のｐ側電極１０を全面的に真空蒸着法によって形成する。以上の工程終了後の断面図を図４（ｅ）に示す。選択成長のために用いたＳｉＯ2膜を残存させて、その上にＡｌ2Ｏ3膜９を積層することによってｐ型ＧａＡｌＮ上部クラッド層の表面保護を２層構造に簡単にすることができる。
・・・
　【００５２】
　また、本実施の形態２で示す化合物半導体レーザ素子は、リッジストライプ形状の外側の上部クラッド層の保護膜が酸化アルミニウムと酸化硅素の２層になっているので、保護効果が高く、素子寿命が改善される。」
　
（５）「　【００５５】
　（実施の形態３）
　図６に、実施の形態２と同様、リッジストライプ形状を形成するのに、選択成長法を用い、絶縁性基板上に作製された青色発光の化合物半導体レーザ素子を示す。図１及び図３と同一部材には同一符号を付す。符号５５は単一量子井戸構造ＧａＩｎＮ活性層、１０１は絶縁性基板、１０２はＧａＮバッファ層である。この化合物半導体レーザ素子は、リッジストライプ形状を有し、更にリッジストライプ形状のｐ型ＧａＡｌＮ上部クラッド層の表面に保護膜が酸化硅素、酸化アルミニウムの２層からなることを特徴とすることは、実施の形態２と同様である。
・・・
　【００５８】
　次に、ＭｇドープしたＧａＡｌＮ上部クラッド層２１ａの表面に、電子ビーム蒸着法とフォトリソグラフィー法によって幅１μｍの開口部２２を有したＳｉＯ2膜２３を形成する。以上の工程終了後の断面図を図７（ｃ）に示す。
・・・
　【００６２】
　次に、通常のフォトリソ法を用いて、ウエハ表面全面に保護膜としてＡｌ2Ｏ3膜９を電子ビーム蒸着法により形成し、リッジストライプ形状以外の箇所のＡｌ2Ｏ3膜９、及びＳｉＯ2膜２３をストライプ状に除去し、開口部２２２を設ける。以上の工程終了後の断面図を図７（ｅ）に示す。
・・・
　【００７１】
　また、本実施の形態３で示す化合物半導体レーザ素子も、リッジストライプ形状の外側の上部クラッド層の保護膜が酸化アルミニウムと酸化硅素の２層になっているので、保護効果が高く、素子寿命が改善される。」
　
（６）「　【００７３】
　（実施の形態４）
　図９に、実施の形態１と同様、リッジストライプ形状を形成するのに、ドライエッチングを用い、導電性基板上に作製された単一量子井戸構造ＧａＩｎＮ活性層を備えた青色発光の化合物半導体レーザ素子を示す。図１、図３及び図６と同一部材には同一符号を付す。
　【００７４】
　この、実施の形態４の化合物半導体レーザ素子の作製方法は、実施の形態１と同様の方法であるが、単一量子井戸構造ＧａＩｎＮ活性層５５を積層する点のみ、実施の形態１の作製方法と異なっている。」
　
（７）図１及び図９には、Ａｌ2Ｏ3保護膜９が、リッジストライプの側面及びリッジストライプ形状の外側の上部クラッド層６の表面に形成されている様子が示されている。
　また、図３及び図６には、リッジストライプ形状の外側の上部クラッド層２１ａの表面に、Ａｌ2Ｏ3保護膜９、ＳｉＯ2保護膜２３の計２層が積層されて形成され、Ａｌ2Ｏ3保護膜９が、更にリッジストライプの側面にも形成されている様子が示されている。
　
（８）なお、図１、図３、図６及び図９は、次のとおりである。
　
　ア　図１
　
　イ　図３
　
　ウ　図６
　
　エ　図９
　
５　特許法第１７条の２第３項に規定する要件についての検討
（１）上記４によれば、保護膜に関し、以下の事項が把握できる。
　
　ア　窒化物系半導体レーザ装置は、上部クラッド層とコンタクト層とでリッジストライプを形成し、該リッジストライプの側面に保護膜を有し、また、リッジストライプ形状の上部クラッド層の表面に保護膜を有する（４（１）を参照。）ものであって、コンタクト層と上部クラッド層の界面が存在する側面に保護層を設けることによって、電流注入経路の劣化を防止でき、さらに上部クラッド層の保護膜を２層にすることで、半導体レーザ素子の保護効果が高く、素子寿命が改善される（４（２）を参照。）。
　
　イ　実施の形態１については、リッジストライプ形状の側面に保護膜としてＡｌ2Ｏ3膜９が形成されることが説明されるとともに、図１には、Ａｌ2Ｏ3保護膜９がリッジストライプの側面及びリッジストライプ形状の外側の上部クラッド層６の表面に形成されている様子が示されており、実施の形態４についても同様である（４（３）、（６）及び（７）を参照。）。
　
　ウ　実施の形態２については、選択成長のために用いたＳｉＯ2膜を残存させて、その上にＡｌ2Ｏ3膜９を積層することによってｐ型ＧａＡｌＮ上部クラッド層の表面保護を２層構造にでき、リッジストライプ形状の外側の上部クラッド層の保護膜が酸化アルミニウムと酸化硅素の２層になっているので、保護効果が高く、素子寿命が改善されることが説明されるとともに、図３においては、リッジストライプ形状の外側の上部クラッド層２１ａの表面にＳｉＯ2保護膜２３、Ａｌ2Ｏ3保護膜９の計２層が積層され、Ａｌ2Ｏ3保護膜９が、更にリッジストライプの側面にも形成されている様子が示されており、実施の形態３についても同様である（４（４）、（５）及び（７）を参照。）。
　
（２）上記（１）イ、ウのとおり、各実施の形態を表す図においていずれも、Ａｌ2Ｏ3保護膜９がリッジストライプの側面及びリッジストライプ形状の外側の上部クラッド層の表面に形成されている様子が示されていること、リッジストライプ形状の外側の上部クラッド層の表面に設けられる保護膜は、実施の形態１及び４においてはＡｌ2Ｏ3膜９であること、実施の形態２及び３においては、ＳｉＯ2膜２３、Ａｌ2Ｏ3膜９の計２層であり、保護効果が高く、素子寿命が改善されることが説明されることに照らせば、上記（１）アにおける「上部クラッド層の表面」の「保護膜」は、「リッジストライプ形状の外側の外側の上部クラッド層の表面に形成される保護膜」を意図したものであって、２層構造に限られるものではないことが理解できる。
　しかし、上記（１）のとおり、単に「リッジストライプの形成されていない領域の上部クラッド層の表面に、酸化珪素からなる保護膜が形成され」た窒化物系半導体レーザ装置、すなわち本願補正発明は、本願当初明細書に記載されておらず、酸化珪素を用いた保護膜について、本願当初明細書には、リッジストライプ形状の外側の上部クラッド層の表面に形成されている保護膜として、Ａｌ2Ｏ3保護膜９に加えてＳｉＯ2保護膜２３を積層した２層構造のものが記載されるにとどまることに照らせば、当業者にとって、当初明細書の記載から本願補正発明が自明に理解できるものともいえないから、本願補正発明が、本願当初明細書に記載した事項の範囲内のものということはできない。
　
（３）よって、特許請求の範囲を前記３（１）のとおり補正する本件補正は、本願当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであって、本願当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
６　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、本願は、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。