【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
液晶表示素子として、薄膜トランジスタをスイッチング素子としたアクティブマトリックス型のものがある。このアクティブマトリックス液晶表示素子は、薄膜トランジスタを介してデータ信号を供給される画素電極が複数配列させて形成された第一基板と、前記各画素電極と対向する共通電極が形成された第二基板と、前記第一基板と第二基板との間に封入された液晶と、により構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
なお、前記第一基板には前記各画素電極を覆って前記第一配向膜が形成され、前記第二基板には前記対向電極を覆って第二配向膜が形成されており、これらの配向膜はそれぞれ所定の方向にラビングされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記課題を解決するため、本発明の液晶表示素子の一態様は、薄膜トランジスタを介してデータ信号を供給される画素電極が複数配列させて形成された第一基板と、前記各画素電極と対向する共通電極が形成された第二基板と、前記第一基板と第二基板との間に封入された液晶と、により構成され、前記画素電極と前記共通電極との間への電圧の印加により液晶分子の配向状態を変化させて表示する液晶表示素子において、前記第一基板上に、前記各画素電極が互いに隣り合う部分にそれぞれ対応させて、前記各画素電極の形成面よりも前記第二基板側に突出する絶縁層が設けられ、前記各画素電極がそれぞれ、所定の側の第一縁部を該第一縁部側の前記絶縁層の下に入り込ませ、前記第一縁部とは反対側の第二縁部を該第二縁部側の前記絶縁層の上に重ねて形成され、さらに、前記第一基板に前記各画素電極及び前記絶縁層を覆って形成された第一配向膜と前記第二基板に前記共通電極を覆って形成された第二配向膜のうちの前記第一配向膜が、前記画素電極の前記第二縁部から前記第一縁部に向かう方向にラビングされている、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
［第一実施例］
この発明の液晶表示素子は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）をスイッチング素子としたアクティブマトリックス液晶表示素子であり、図１及び図２のように、ＴＦＴ４を介してデータ信号を供給される画素電極３が行方向（図１において左右方向）及び列方向（図１において上下方向）に複数配列させて形成された第一基板１と、前記各画素電極３と対向する共通電極２０とが形成された第二基板２と、前記第一基板１と前記第二基板２との間に封入された液晶２２と、により構成されている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお、前記各画素電極３はそれぞれ、前記行方向と平行な二つの横辺と前記列方向と平行な二つの縦辺とを有する矩形形状に形成されている。そして、この実施例では、前記画素電極３の図において右側の縦辺に沿った第一縁部３ａを該第一縁部３ａ側の前記絶縁層１６の下に入り込ませ、図において左側の縦辺に沿った第二縁部３ｂを該第二縁部３ｂ側の前記絶縁層１６の上に重ねている。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、この実施例において、前記画素電極３の第一縁部３ａの絶縁層１６の下に入り込んだ部分と、第二縁部３ｂの絶縁層１６の上に重なった部分はそれぞれ、前記絶縁層１６の幅の略１／４の幅に形成されている。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、前記第一基板１上には、前記各画素電極３及び各絶縁層１６を覆って、ポリイミド等からなる第一配向膜１７が形成されている。この第一配向膜１７は、前記画素電極３の第二縁部３ｂから第一縁部３ａに向かう方向１７ｒにラビングされている。なお、この実施例では、前記第一配向膜１７を、前記画素電極３の第一縁部３ａ及び第二縁部３ｂに対して略直交する方向にラビングしている。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
一方、前記第二基板２の前記第一基板１と対向する面上には、行方向に配列した各画素電極３が互いに隣り合う部分及び列方向に配列した各画素電極３が互いに隣り合う部分に対応させて遮光膜１８が形成されている。さらに、前記第二基板２上には、前記各画素電極３の列にそれぞれ対応させて、赤色フィルタ１９Ｒと緑色フィルタ１９Ｇと青色フィルタ１９Ｂとの三色のカラーフィルタがストライプ状に形成されている。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
この極性反転駆動には、各画素行毎に駆動電界の極性を反転させる所謂ライン反転駆動と、行方向に配列した各画素毎に駆動電界の極性を反転させる所謂ドット反転駆動と、がある。前記ライン反転駆動は、前記共通電極２０に、前記各画素行の選択期間毎に極性が交互に反転する波形の共通信号を印加することにより行われる。また、前記ドット反転駆動は、前記各データ信号線１１に、隣り合うデータ信号線１１，１１毎に極性を反転させたデータ信号を印加することにより行われる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
この第二実施例の液晶表示素子は、上記のような構成であるため、前記ディスクリネーションラインＤＬが形成される位置を、上記第一実施例よりもさらに画素の外側方向に偏らせることができる。従って、第二基板２に形成する遮光膜１９の幅を小さくし、開口率を向上させることができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
［第三実施例］
図１０及び図１１に示した第三実施例の液晶表示素子は、前記絶縁層１６を、画素電極３の第二縁部３ｂ以外の部分と共通電極２０との間の間隙よりも小さく、前記間隙の１／２を超える高さに形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
この第三実施例の液晶表示素子は、上記のような構成であるため、前記ディスクリネーションラインＤＬが形成される位置を、上記第一実施例よりもさらに画素の外側方向に偏らせることができる。従って、第二基板２に形成する遮光膜１９の幅を小さくし、開口率を向上させることができる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
［第四実施例］
図１３に示した第四実施例は、前記絶縁層１６を上記第三実施例と同じ高さに形成すると共に、画素電極３の第二縁部３ｂの絶縁層１６上に重なった部分を、上記第二実施例と同様に、前記絶縁層１６の幅方向中心部よりも隣り合う画素電極３側に張り出す幅に形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。この第四実施例によれば、上記第二実施例と第三実施例との相乗効果を得ることができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
図１５に示した第六実施例は、前記補償容量形成部３ｃを省略し、補償容量Ｃｓのうちの画素電極３の第二縁部３ｂ側の部分を、前記画素電極３の第二縁部３ｂと、容量電極１３の縦辺部１３ａと、オーバーコート絶縁膜１４と絶縁層１６とからなる誘電層と、により形成したものである。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
さらに、上記各実施例では、絶縁層１６を、データ信号線１１と交差する行方向に配列された各画素電極３，３が互いに隣り合う部分に対応させて設けているが、前記絶縁層１６を、走査信号線１０と交差する列方向に配列された各画素電極３，３が互いに隣り合う部分に対応させて設け、各画素電極３をそれぞれ、所定の側の第一縁部を該第一縁部側の絶縁層１６の下に入り込ませ、前記第一縁部とは反対側の第二縁部を該第二縁部側の絶縁層１６の上に重ねて形成すると共に、第一配向膜１７を前記第二縁部から前記第一縁部に向かう方向にラビングしてもよい。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを介してデータ信号を供給される画素電極が複数配列させて形成された第一基板と、
前記各画素電極と対向する共通電極が形成された第二基板と、
前記第一基板と第二基板との間に封入された液晶と、
により構成され、
前記画素電極と前記共通電極との間への電圧の印加により液晶分子の配向状態を変化させて表示する液晶表示素子において、
前記第一基板上に、前記各画素電極が互いに隣り合う部分にそれぞれ対応させて、前記各画素電極の形成面よりも前記第二基板側に突出する絶縁層が設けられ、
前記各画素電極がそれぞれ、所定の側の第一縁部を該第一縁部側の前記絶縁層の下に入り込ませ、前記第一縁部とは反対側の第二縁部を該第二縁部側の前記絶縁層の上に重ねて形成され、
さらに、前記第一基板に前記各画素電極及び前記絶縁層を覆って形成された第一配向膜と前記第二基板に前記共通電極を覆って形成された第二配向膜のうちの前記第一配向膜が、前記画素電極の前記第二縁部から前記第一縁部に向かう方向にラビングされている、
ことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記画素電極の第二縁部の前記絶縁層上に重なった部分は、前記絶縁層の中心部よりも隣り合う画素電極側に張り出す幅に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記第一基板上に、前記各画素電極の形成位置にそれぞれ対応させて前記薄膜トランジスタが形成されると共に、前記薄膜トランジスタに接続された走査信号線及びデータ信号線が設けられ、
その上に形成された層間絶縁膜上に、前記各画素電極との間に補償容量を形成する容量電極が設けられ、
前記容量電極を覆って形成されたオーバーコート絶縁膜の上に、前記絶縁層と前記各画素電極が形成され、
前記各画素電極がそれぞれ、前記オーバーコート絶縁膜及び前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト孔において前記画素電極に対応する前記薄膜トランジスタに接続されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記データ信号線と交差する方向に配列された各画素電極が互いに隣り合う部分にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記容量電極は前記データ信号線上の部分を覆って形成され、前記絶縁層は前記容量電極上の部分に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記走査信号線と交差する方向に配列された各画素電極が互いに隣り合う部分にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記画素電極の前記第二縁部側に、前記オーバーコート絶縁膜を介して前記容量電極と対向する補償容量形成部が、前記絶縁層の下に入り込ませて形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の液晶表示素子。
【請求項８】
前記画素電極の前記第一縁部及び前記補償容量形成部が、前記絶縁層の形成前に前記第一縁部側の絶縁層及び前記第二縁部側の絶縁層の下からその外側に張出す形状に形成された第一の透明導電膜からなり、前記第一縁部と前記補償容量形成部との間の部分及び前記第二縁部が、前記絶縁層の形成後に前記絶縁層及び前記第一の透明導電膜の張出し部に重ねて形成された第二の透明導電膜からなっていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示素子。
【請求項９】
前記画素電極の前記第二縁部以外の部分が、前記絶縁層の形成前に形成された第一の透明導電膜からなり、前記第二縁部が、前記絶縁層の形成後に前記第二縁部側の絶縁層及び前記第一の透明導電膜の前記第二縁部側の部分に重ねて形成された第二の透明導電膜からなっていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
前記第二配向膜は、前記第一配向膜のラビング方向に対して逆方向にラビングされており、前記液晶は、正の誘電異方性を有するネマティック液晶からなり、前記ネマティック液晶の液晶分子が、分子長軸を前記第一配向膜及び前記第二配向膜のラビング方向に揃えてホモジニアス配向していることを特徴とする請求項１から９の何れかに記載の液晶表示素子。
【請求項１１】
前記絶縁層は、前記画素電極の前記第二縁部以外の部分と前記共通電極との間の間隙の１／２以下の高さに形成されていることを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示素子。
【請求項１２】
前記絶縁層は、前記画素電極の前記第二縁部以外の部分と前記共通電極との間の間隙よりも小さく、前記間隙の１／２を超える高さに形成されていることを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示素子。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011141487.tif 000001
【手続補正２９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011141487.tif 000002
【手続補正３０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011141487.tif 000003