【事件の表示】
　平成　９年特許願第２３６８７６号「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　４月１０日出願公開、特開平１０−　９３１３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成９年９月２日（パリ条約による優先権主張１９９６年９月６日、アメリカ合衆国）の出願であって　、平成１８年８月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月４日に手続補正がなされ、平成１９年２月５日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年５月１４日に手続補正がなされたところ、平成２０年１月１８日付けで前記平成１９年５月１４日付け手続補正が却下されるとともに、同日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年４月２８日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　原査定の理由
　一方、原査定の拒絶の理由の概要は、平成１８年１２月４日付けでした手続補正により、特許請求の範囲の請求項１が補正されたが、補正後の請求項１から導かれる第１と第３のサブ・レーヤ及び第２と第３のサブ・レーヤとの間の厚さの大小関係並びに第１と第３のサブ・レーヤ間のドーピング量の大小関係は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載されておらず、同明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項から自明ともいえないから、同手続補正は、同明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでなく、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない、というものである。
　
３　当審の判断
　平成１８年１２月４日付け手続補正の適否についての判断
（１）平成１８年１２月４日付け手続補正の内容
　
ア　平成１８年１２月４日付け手続補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
　
「以下（ａ）および（ｂ）を含むことを特徴とするデバイス、
（ａ）基板と、
（ｂ）基板上に配置される（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮの化合物デバイス層であって、該化合物デバイス層は、第１と第２のサブ・レーヤを含んでおり、各サブ・レーヤは対応する物理的特性に合わせて選択された関連する組成、厚さ、及び、ドーピング・レベルを有しており、
　前記サブ・レーヤのそれぞれに関連した組成及び厚さは、材料の亀裂を最小限に抑えるように念入りに調整されていて、前記サブ・レーヤのドーピングが増すほど、対応する前記サブ・レーヤの厚さが薄くなる。」
　
から、
　
　「基板（１２）と、
　基板上に配置される（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮの化合物デバイス層（１６）であって、該化合物デバイス層（１６）が、第１、第２及び第３のサブ・レーヤ（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）を含んでおり、各サブ・レーヤは対応する物理的特性に合わせて選択された関連する組成、厚さ、及び、Ｎタイプのドーピング・レベルを有しており、
　前記各サブ・レーヤのＮタイプのドーピング・レベルは独立して調整されており、前記第２のサブ・レーヤは前記第１のサブ・レーヤの上に形成され、前記第３のサブ・レーヤは、前記第２のサブ・レーヤの上に形成されており、
　前記サブ・レーヤのそれぞれに関連した組成及び厚さは、材料の亀裂を最小限に抑えるように調整されていて、前記サブ・レーヤのドーピングが増すほど、対応する前記サブ・レーヤの厚さが薄くなるように構成されており、
　前記第１のサブ・レーヤの関連したドーピング・レベルと厚さは材料の転移及び欠陥濃度を最小にするように調整され、
　前記第２のサブ・レーヤの関連したドーピング・レベルは材料の電気抵抗と順電圧を最小にするように調整され、
　前記第３のサブ・レーヤの関連したドーピング・レベルと厚さは電流注入と光再結合を改善するように選択され、装置の出力を最大にするように構成され、
　前記第２のサブ・レーヤのドーピング・レベルは、前記第１のサブ・レーヤ及び前記第３のサブ・レーヤのドーピング・レベルを超え、前記第３のサブ・レーヤのドーピング・レベルは、前記第１のサブ・レーヤのドーピング・レベルを超えていることを特徴とするデバイス。」
　
に補正する内容を含むものである。
　
イ　上記アの補正により、本願の請求項１に係る発明は、以下の事項を含むものとなった。
　「第３のサブ・レーヤのドーピング・レベルは、第１のサブ・レーヤのドーピング・レベルを超えている」
　
（２）本願当初明細書等の記載事項
ア　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「本願当初明細書等」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】以下（ａ）および（ｂ）を含むことを特徴とするデバイス、（ａ）基板と、（ｂ）基板上に配置される（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮの化合物デバイス層であって、該化合物デバイス層は、第１と第２のサブ・レーヤを含んでおり、各サブ・レーヤは対応する物理的特性に合わせて選択された関連する組成、厚さ、及び、ドーピング・レベルを有しており、
前記サブ・レーヤのそれぞれに関連した組成及び厚さは、材料の亀裂を最小限に抑えるように念入りに調整されていて、前記サブ・レーヤのドーピングが増すほど、対応する前記サブ・レーヤの厚さが薄くなる。」
　
（イ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に、基板上にバッファ層を成長させると、良質なＮタイプ及びＰタイプのデバイス層を成長させることが可能になる。しかし、ＡｌＧａＩｎＮデバイス層のＮドーピングが増大し、ホール効果による測定結果２Ｅ１８ｃｍ−３を超える場合（例えば、ＬＥＤ内でＳｉをドープしたＧａＮ層）、多量のドーピングが施された層の厚さが数マイクロメートル（μｍ）を超えると、基板との格子不整合及び熱膨張率の差が大きくなるので、デバイス層の中にはひどい亀裂を示すものがある。先行技術のデバイスは、多量のドーピングが必要な場合には薄い層を利用することによって、また、厚い層が必要になる場合にはドーピング量を減らすことによって、亀裂を最小限に抑える。デバイス層のドーピング量が増すと、亀裂を防ぐため、層の厚さは薄くなる。しかし、材料の質を維持するためには、厚い第１のデバイス層（一般に３〜４μｍ）が必要になり、一方、ドーピング量が多いと、Ｎドープ層内におけるＮ接触抵抗、順電圧、及び、バルク抵抗が低下して、デバイスの電気的及び光学的性能を高めることが可能になる。材料の亀裂は、デバイスの性能にかなりの影響を与え、信頼性を損なうことになる。
【０００６】ＬＥＤの１つ以上のデバイス層においてＮタイプのドーピング量が増し、同時に、ＬＥＤの材料が良質であることは、電気特性（例えば、順電圧及び直列抵抗）の最適化にとって極めて望ましい特徴である。
【０００７】光の出力効率を高めるため、キャリヤ注入及び対再結合が改善されるように、ドーピングを最適化することができれば、さらに有益である。」
　
（ウ）「【０００８】
【課題を解決するための手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体化合物、すなわち、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、または、ＡｌＧａＩｎＮのようなＧａＮベースの化合物におけるＮタイプ・ドーピングは、デバイス層の亀裂を引き起こすことなく、Ｎ接触電気抵抗、ターン・オン及び順電圧、少数キャリヤ注入、及び、再結合特性を改善するように最適化することが可能である。これは、いくつかのサブ・レーヤを備えたＮタイプの化合物デバイス層を製造することによって実現する。所望の各電気特性または特質毎に、対応するＮタイプのドープサブ・レーヤが設けられる。各サブ・レーヤの厚さは、材料の亀裂を回避するように慎重に選択され、必要とされるドーピング量が増すほど、対応する厚さは薄くなる。
【０００９】発光デバイス（ＬＥＤ）の場合、Ｎタイプの化合物デバイス層は、３つのサブ・レーヤを備えている。各サブ・レーヤのドーピング・レベルは、選択された物理特性を最適化するように選択されている。第１のサブ・レーヤは、亀裂を回避するため、ドーピングが施されないか、あるいは、少量のドーピングが施され、良好な材料の質にとって望ましい厚さまで成長させられる。第２のサブ・レーヤは、良好なＮ接触、順電圧、及び、電気抵抗特性が得られるように、多量のドーピングが施され、相応じて、材料の亀裂を回避するのに必要な薄さに保たれる。第３のサブ・レーヤは、デバイスの活性層における最適なキャリヤ注入及び対再結合が得られるように、所望のレベルまでドープされるが、そのドーピングは、一般に、第２のサブ・レーヤよりも少量であり、所望の場合には、相応じて、その厚さを増すことが可能である。」
　
（エ）「【００１０】
【実施例】図１には、本発明のＮタイプのＬＥＤ１０が示されている。（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮバッファ層１４が、サファイア基板のような基板１２上に配置される。ＡｌＧａＩｎＮバッファ層１４に重ねて、ＮタイプのＡｌＧａＩｎＮの化合物デバイス層１６が配置される。二重ヘテロ構造が、デバイスサブ・レーヤ１６Ｃと、化合物デバイス層１６の上に成長させられた、活性層１８、及び、ＡｌＧａＩｎＮの化合物半導体の単一または複合Ｐタイプ層２０から形成される。
【００１１】化合物デバイス層１６は、ＧａＮ：ＳｉのようなＮドープしたＡｌＧａＩｎＮ材料の３つのサブ・レーヤ１６Ａ、１６Ｂ、及び、１６Ｃを備えている。各サブ・レーヤは固有のドーピング・レベルを有している。第１のサブ・レーヤ１６Ａは、亀裂を回避するため少量のドーピングが施され、良好な材料の質にとって望ましい厚さまで成長させられる。第１のサブ・レーヤ１６Ａのドーピング・レベルは、Ｎｄ＝２Ｅ１８ｃｍ−３（ホール効果による測定結果）とすることが可能であり、関連する厚さは、３．５μｍとすることが可能である。第２のサブ・レーヤ１６Ｂは、良好なＮ接触順電圧、及び、電気抵抗特性が得られるように、多量のドーピングが施される。第２のサブ・レーヤ１６Ｂのドーピング・レベルは、Ｎｄ＝８Ｅ１８ｃｍ−３（ホール効果による測定結果）とすることが可能であり、関連する厚さは、亀裂を回避するため、０．４μｍ以下に保つことが可能である。オプションの第３のサブ・レーヤ１６Ｃは、デバイスの活性層１８において最適なキャリヤ注入及び対再結合が得られるように、所望のレベルまでドーピングが施される。第３のサブ・レーヤ１６Ｃのドーピング・レベルは、Ｎｄ＝２Ｅ１８ｃｍ−３（ホール効果による測定結果）とすることが可能である。第３のサブ・レーヤによれば、青及び緑の発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザ（エッジ発光レーザ及び垂直共振型面発光レーザ）のような二重ヘテロ構造発光デバイスにおいて、最適な電流注入及び再結合が得られるように別個にドーピング制御することが可能になる。」
　
（オ）「【００１２】図２には、図１に示すデバイスに関するプロセス・フロー・チャート３０が示されている。ステップ４０において、バッファ層が、サファイア基板上に直接形成される。ステップ５０において、３００Ｃ〜１５００Ｃの範囲の成長温度で、第１のＮタイプ・デバイスサブ・レーヤが、バッファ層上に直接形成されるが、第１のサブ・レーヤの厚さは、１．０μｍ〜３００μｍの間で変動してもよい。ステップ６０では、同等の成長温度で、第２のサブ・レーヤが、第１のサブ・レーヤ上に形成されるが、第２のサブ・レーヤの厚さは、一般に、０．０５μｍ〜１．０μｍであり、Ｎタイプのドーピング・レベルは、Ｎｄ＝８Ｅ１８ｃｍ−３を超え（ホール効果による測定結果）、ドーピング・レベルはデバイスの電気特性を最適化するように選択され、厚さは亀裂を回避するため十分に薄く保たれ、サブ・レーヤのドーピング量が増すほどサブ・レーヤは薄くなる。ステップ７０において、オプションの第３のサブ・レーヤが、選択されたドーピング・レベル及び厚さになるように、第２のサブ・レーヤ上に形成される。ドーピング・レベル及び厚さは、電流注入及び光学再結合を改善するように選択される。ステップ８０において、残りのデバイス層が、３００Ｃ〜１５００Ｃの範囲の成長温度で、複合デバイス層上に形成される。」
　
（カ）「【００１６】（実施態様１）以下（ａ）および（ｂ）を含むことを特徴とするデバイス、（ａ）基板（１２）と、（ｂ）基板上に配置される（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮの化合物デバイス層（１６）であって、該化合物デバイス層（１６）は、第１と第２のサブ・レーヤ（１６Ａ、１６Ｂ）を含んでおり、各サブ・レーヤは対応する物理的特性に合わせて選択された関連する組成、厚さ、及び、ドーピング・レベルを有しており、前記サブ・レーヤのそれぞれに関連した組成及び厚さは、材料の亀裂を最小限に抑えるように念入りに調整されていて、前記サブ・レーヤのドーピングが増すほど、対応する前記サブ・レーヤの厚さが薄くなる。」
　
イ　当初明細書等の記載から把握できる技術的事項
　上記アによれば、本願当初明細書等の記載から、以下のような技術的事項が把握できる。
　
（ア）サブ・レーヤのそれぞれに関連した組成及び厚さは、材料の亀裂を最小限に抑えるように念入りに調整されていて、前記サブ・レーヤのドーピングが増すほど、対応する前記サブ・レーヤの厚さが薄くなること（上記ア（ア）を参照。）。
　
（イ）ＡｌＧａＩｎＮデバイス層が、２Ｅ１８ｃｍ−３を超える多量のドーピングが施され、層の厚さが数μｍを超えると、基板との格子不整合及び熱膨張率の差が大きくなるが、デバイス層の中にはひどい亀裂を示すものがあり、材料の亀裂は、デバイスの性能にかなりの影響を与え、信頼性を損なうことになること（上記ア（イ）を参照。）。
　
（ウ）亀裂を最小限に抑えられるためには、多量のドーピングが必要な場合には層を薄くし、厚い層が必要になる場合にはドーピング量を減らせばよいが、そうすると、厚い第１のデバイス層（一般に３〜４μｍ）により材料の質を維持すること、及び、ドーピング量を多くすることによりＮドープ層内におけるＮ接触抵抗、順電圧、及び、バルク抵抗が低下させデバイスの電気的及び光学的性能を高めることについて、支障を来すことになること（上記ア（イ）を参照。）。
　
（エ）ａ　第１のサブ・レーヤは、亀裂を回避するため、ドーピングが施されないか、あるいは、少量のドーピングが施され、良好な材料の質にとって望ましい厚さまで成長させられること（上記ア（ウ）を参照。）。
ｂ　実施例において、第１のサブ・レーヤ１６Ａのドーピング・レベルはＮｄ＝２Ｅ１８ｃｍ−３であり、関連する厚さは３．５μｍであること（上記ア（エ）を参照。）。
ｃ　第１のサブ・レーヤの厚さは、１．０μｍ〜３００μｍの間で変動してもよいこと（上記ア（オ）を参照。）。
　
（オ）ａ　第２のサブ・レーヤは、良好なＮ接触、順電圧、及び、電気抵抗特性が得られるように、多量のドーピングが施され、相応じて、材料の亀裂を回避するのに必要な薄さに保たれること（上記ア（ウ）を参照。）。
ｂ　実施例において、第２のサブ・レーヤ１６Ｂのドーピング・レベルは、Ｎｄ＝８Ｅ１８ｃｍ−３であり、関連する厚さは、０．４μｍ以下であること（上記ア（エ）を参照。）。
ｃ　第２のサブ・レーヤの厚さは、０．０５μｍ〜１．０μｍであり、Ｎタイプのドーピング・レベルは、Ｎｄ＝８Ｅ１８ｃｍ−３を超えること（上記ア（オ）を参照。）。
　
（カ）ａ　第３のサブ・レーヤは、デバイスの活性層における最適なキャリヤ注入及び対再結合が得られるように、所望のレベルまでドープされるが、そのドーピングは、一般に、第２のサブ・レーヤよりも少量であり、所望の場合には、相応じて、その厚さを増すことが可能であること（上記ア（ウ）を参照。）。
ｂ　実施例において、第３のサブ・レーヤ１６Ｃのドーピング・レベルは、Ｎｄ＝２Ｅ１８ｃｍ−３であること（上記ア（エ）を参照。）。
ｃ　第３のサブ・レーヤのドーピング・レベル及び厚さは、電流注入及び光学再結合を改善するように選択されること（上記ア（オ）を参照。）。
　
（３）判断
ア　上記（２）イによれば、本願当初明細書等の記載からは、サブ・レーヤのドーピングが増すほど、対応する前記サブ・レーヤの厚さが薄くなることが把握できるが、本願当初明細書等には、第１のサブ・レーヤと第３のサブ・レーヤの厚さの大小関係は記載されていないから、第１のサブ・レーヤと第３のサブ・レーヤの厚さの大小関係から、第１のサブ・レーヤと第３のサブ・レーヤのドーピング・レベルの大小関係を導き出すことはできない。
　
イ　また、上記（２）イ（エ）ａ及び（カ）ａのとおり、本願当初明細書等の記載からは、第１のサブ・レーヤは、亀裂を回避するため、ドーピングが施されないか、あるいは、少量のドーピングが施され、良好な材料の質にとって望ましい厚さまで成長させられること、第３のサブ・レーヤは、デバイスの活性層における最適なキャリヤ注入及び対再結合が得られるように、所望のレベルまでドープされるが、そのドーピングは、一般に、第２のサブ・レーヤよりも少量であり、所望の場合には、相応じて、その厚さを増すことが可能であることが把握できるが、第１のサブ・レーヤと第３のサブ・レーヤのドーピング・レベルの大小関係は記載されていない。
　
ウ　かえって、上記（２）イ（エ）ｂ及び（カ）ｂのとおり、本願当初明細書等にあっては、実施例（唯一の実施例である。）において、第１のサブ・レーヤのドーピング・レベル、第３のサブ・レーヤのドーピング・レベルは、いずれも「Ｎｄ＝２Ｅ１８ｃｍ−３」とされるところである。
　
エ　以上に照らして、第１のサブ・レーヤと第３のサブ・レーヤのドーピング・レベルの大小関係に着目し、上記（１）イの「第３のサブ・レーヤのドーピング・レベルは、第１のサブ・レーヤのドーピング・レベルを超えている」とする技術思想が、当初明細書等に記載した事項から把握できるとはいえない。
　
オ　したがって、上記（１）イの事項が、本願当初明細書等に記載されたすべての事項を総合することにより導かれる技術的事項であるとはいえない。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、上記（１）アの補正の内容を含む、平成１９年８月２９日付けでした手続補正は、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものということはできず、同手続補正が、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものということはできないから、同手続補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。