【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板のスクライブ領域に形成されたフィールド絶縁膜と、
前記フィールド絶縁膜上に形成された一対のキャパシタと、
前記スクライブ領域の素子形成領域に形成された複数の絶縁ゲート型トランジスタと、
前記各キャパシタの上部電極を接続する接続配線と、
前記接続配線と前記絶縁ゲート型トランジスタの内の一つの絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極とを接続する配線と、
前記一対のキャパシタの一方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第１の端子と、
前記一対のキャパシタの他方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第２の端子と、を有することを特徴とするモニタ。
【請求項２】
前記各キャパシタの面積が、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのゲート部の面積の３００倍以上であることを特徴とする請求項１に記載のモニタ。
【請求項３】
前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタの耐圧が、前記スクライブ領域の素子形成領域に形成された他の絶縁ゲート型トランジスタの耐圧より高いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のモニタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のモニタを前記スクライブ領域に有する半導体ウェーハ。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板のスクライブ領域に形成されたフィールド絶縁膜と、
前記フィールド絶縁膜上に形成された一対のキャパシタと、
前記スクライブ領域の素子形成領域に形成された複数の絶縁ゲート型トランジスタと、
前記各キャパシタの上部電極を接続する接続配線と、
前記接続配線と前記絶縁ゲート型トランジスタの内の一つの絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極とを接続する配線と、
前記一対のキャパシタの一方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第１の端子と、
前記一対のキャパシタの他方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第２の端子と
を有するモニタの前記第１の端子を固定電位として前記第２の端子に第１の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ１を測定する第１の工程と、
前記第１の端子を固定電位として前記第２の端子に第１の電位とは異なる第２の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ２を測定する第２の工程と、
前記第２の端子を固定電位として前記第１の端子に前記第１の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ３を測定する第３の工程と、
前記第２の端子を固定電位として前記第１の端子に前記第２の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ４を測定する第４の工程と、
前記測定した出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４を基にして求めた
ΔＣ／Ｃ＝２（Ｖ１−Ｖ２−Ｖ３＋Ｖ４）／（Ｖ１−Ｖ２＋Ｖ３−Ｖ４）
から、プラズマ処理の影響を判定する工程と
を備えたモニタ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】モニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はモニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法に関するものであり、例えば、処理後の溶剤処理等を含めたプラズマ処理等に伴うダメージや加工バラツキをモニタするためのモニタ構成に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一観点からは、半導体基板と、前記半導体基板のスクライブ領域に形成されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜上に形成された一対のキャパシタと、前記スクライブ領域の素子形成領域に形成された複数の絶縁ゲート型トランジスタと、前記各キャパシタの上部電極を接続する接続配線と、前記接続配線と前記絶縁ゲート型トランジスタの内の一つの絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極とを接続する配線と、前記一対のキャパシタの一方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第１の端子と、前記一対のキャパシタの他方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第２の端子とを有することを特徴とするモニタが提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の別の観点からは、半導体基板と、前記半導体基板のスクライブ領域に形成されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜上に形成された一対のキャパシタと前記スクライブ領域の素子形成領域に形成された複数の絶縁ゲート型トランジスタと、前記各キャパシタの上部電極を接続する接続配線と、前記接続配線と前記絶縁ゲート型トランジスタの内の一つの絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極とを接続する配線と、前記一対のキャパシタの一方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第１の端子と、前記一対のキャパシタの他方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第２の端子とを有するモニタの前記第１の端子を固定電位として前記第２の端子に第１の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ１を測定する第１の工程と、前記第１の端子を固定電位として前記第２の端子に第１の電位とは異なる第２の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ２を測定する第２の工程と、前記第２の端子を固定電位として前記第１の端子に前記第１の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ３を測定する第３の工程と、前記第２の端子を固定電位として前記第１の端子に前記第２の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ４を測定する第４の工程と、前記測定した出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４を基にして求めた
ΔＣ／Ｃ＝２（Ｖ１−Ｖ２−Ｖ３＋Ｖ４）／（Ｖ１−Ｖ２＋Ｖ３−Ｖ４）
から、プラズマ処理の影響を判定する工程とを備えたモニタ方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
開示のモニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法によれば、処理後の溶剤処理等を含めたプラズマ処理に伴う加工バラツキや、プラズマダメージの影響を精度良く検出することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ここで、実施例１を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を開示する。
（付記１） 半導体基板と、前記半導体基板のスクライブ領域に形成されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜上に形成された一対のキャパシタと前記スクライブ領域の素子形成領域に形成された複数の絶縁ゲート型トランジスタと、前記各キャパシタの上部電極を接続する接続配線と、前記接続配線と前記絶縁ゲート型トランジスタの内の一つの絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極とを接続する配線と、前記一対のキャパシタの一方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第１の端子と、前記一対のキャパシタの他方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第２の端子とを有することを特徴とするモニタ。
（付記２） 前記各キャパシタの面積が、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのゲート部の面積の３００倍以上であることを特徴とする付記１に記載のモニタ。
（付記３） 前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタの耐圧が、前記スクライブ領域の素子形成領域に形成された他の絶縁ゲート型トランジスタの耐圧より高いことを特徴とする付記１または付記２に記載のモニタ。
（付記４） 前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタが、ｐチャネル型トランジスタであることを特徴とする付記３に記載のモニタ。
（付記５） 付記１乃至付記４のいずれか１に記載のモニタを前記スクライブ領域に有する半導体ウェーハ。
（付記６） 半導体基板と、前記半導体基板のスクライブ領域に形成されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜上に形成された一対のキャパシタと、前記スクライブ領域の素子形成領域に形成された複数の絶縁ゲート型トランジスタと、前記各キャパシタの上部電極を接続する接続配線と、前記接続配線と前記絶縁ゲート型トランジスタの内の一つの絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極とを接続する配線と、前記一対のキャパシタの一方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第１の端子と、前記一対のキャパシタの他方のキャパシタの下部電極に電圧を印加する第２の端子とを有するモニタの前記第１の端子を固定電位として前記第２の端子に第１の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ１を測定する第１の工程と、前記第１の端子を固定電位として前記第２の端子に第１の電位とは異なる第２の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ２を測定する第２の工程と、前記第２の端子を固定電位として前記第１の端子に前記第１の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ３を測定する第３の工程と、前記第２の端子を固定電位として前記第１の端子に前記第２の電位を印加するとともに、前記各キャパシタと接続された絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレイン領域の一方の領域に電流を流して前記一方の領域における出力電圧Ｖ４を測定する第４の工程と、 前記測定した出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４を基にして求めた
ΔＣ／Ｃ＝２（Ｖ１−Ｖ２−Ｖ３＋Ｖ４）／（Ｖ１−Ｖ２＋Ｖ３−Ｖ４）
から、プラズマ処理の影響を判定する工程とを備えたモニタ方法。
（付記７） 前記固定電位を第３の電位として前記第１の工程から前記第４の工程を行って、前記第１の電位と前記第２の電位に対する前記出力電圧の第１の勾配を求める工程と、前記固定電位を第３の電位と異なる第４の電位として前記第１の工程から前記第４の工程を行って、前記第１の電位と前記第２の電位に対する前記出力電圧の第２の勾配を求める工程とを有することを特徴とする付記６に記載のモニタ方法。