【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２８１０５号「光磁気記録媒体及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月２６日出願公開、特開平１０−１７２１９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年１２月９日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１５年５月１９日付け、平成１６年７月９日付け、平成１９年１月２３日付けの手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１】
　基板上に、室温で面内磁化状態であり、所定温度以上で垂直磁化状態となる再生層を成す第１磁性層と、室温からキュリー点まで垂直磁化状態である記録層を成す第２磁性層とが形成されてなる光磁気記録媒体において、
　前記再生層を成す第１磁性層は、希土類金属から構成される領域と遷移金属から構成される領域とが交互に層状に積層されて形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。」
　
２．引用例
　これに対し、当審の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である、特開平６−１５０４１８号公報（以下、「引用例１」という。）と特開平６−１２２９７１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の技術事項が記載されている。
　
　引用例１には、
　（1-i）「【請求項１】
透光性のある基体と、基体上に形成され、室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を示す一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化に移行する読み出し層と、読み出し層上に形成され、情報を光磁気記録する記録層とを有しており
上記
読み出し層がＧｄＦｅＣｏであることを特徴とする光磁気記録媒体
　（1-ii）「【００３６】
【作用】請求項１の構成によれば、再生動作時に、読み出し層に光ビームが照射されると、照射された部位の温度分布は、ほぼガウス分布になるので、光ビームの径より小さい中心近傍領域のみの温度が上昇する。
【００３７】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。この時、読み出し層及び記録層の２層間の交換結合力により、記録層の磁化の向きに読み出し層の磁化の向きが従う。
【００３８】温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、温度上昇部位のみが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射光に基づいて情報が再生される。
【００３９】そして、光ビームが移動して次の記録ビットを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂直磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果を示さなくなる。このことは、記録層に記録された磁化が読み出し層の面内磁化によりマスクされて読み出されないということを意味している。これにより、雑音の原因となり、再生の分解能を低下させる隣接記録ビットからの信号混入がなくなる。
【００４０】以上のように、所定温度以上に昇温された領域のみを再生に関与させるので、従来より小さい記録ビットの再生を行うことが可能になり、記録密度が著しく向上する。
【００４１】
読み出し層の材料として、希土類遷移金属合金であるＧｄＦｅＣｏを採用することにより、面内磁化から垂直磁化へ、磁化方向が非常に急峻に移行する読み出し層を実現できる
　
　これらの記載からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認める。
　「透光性のある基体と、
　基体上に形成され、室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を示す一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化に移行する読み出し層と、
　読み出し層上に形成され、情報を光磁気記録する記録層と、
を有しており、
　上記読み出し層がＧｄＦｅＣｏである、
　光磁気記録媒体。」
　
　引用例２には、
　（2-i）「【請求項３】　ターゲットからその構成物質をスパッタリングすることにより基板上に
重希土類−遷移金属系の磁性膜を製造する方法
基板と対向するスパッタリング位置を順次通過するようにターゲットを移動させながらスパッタリングを行なうことを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体の磁性膜生成方法
【請求項４】　前記並列されたターゲット部分の連なりが無端ループを成すように構成し、該ループを回転させることにより、おのおののターゲット部分が前記スパッタリング位置を順次通過することを特徴とする請求項３記載のオーバーライト可能な光磁気記録媒体の磁性膜生成方法。
【請求項５】　前記
ターゲット部分の種類が重希土類と遷移金属
２種のターゲット部分が交互に並んでいる
【請求項６】〜【請求項８】　・・・中略・・・
【請求項９】　垂直磁化膜からなるメモリー層とライティング層の少なくとも２層を含み、メモリー層の磁化の向きを変えることなくライティング層の磁化の向きを所定の向きに揃える 初期化 を行なうことができ、光変調方式でオーバーライト可能な光磁気記録媒体であって、前記ラ
イティング層が希土類からなる薄層と、遷移金属からなる薄層とが交互に積層された多層構造をなすことを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体
　（2-ii）「【０００３】例えば、オーバーライト可能な光磁気記録媒体のライティング層は、通常重希土類−遷移金属系合金で構成されるが、該ライティング層を合金ターゲットからのスパッタリングにより成膜した場合、該媒体の繰り返し書き込みの耐久性が低いことが知られている。またこのような媒体の磁性膜を、目的とする膜物質を構成する要素物質からそれぞれ成る複数のターゲットを用いて同時スパッタリングにより生成する方法もあるが、同時スパッタリングでは１回ごとに基板を回転させなければならないので、オーバーライト可能な光磁気記録媒体のように複数の磁性層を含む媒体を作成する場合には１本のラインですべての層を積層することができず、スループットが悪い。」（段落【０００３】参照）、
　（2-iii）「【００１３】（前略）・・・。
〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化可能な磁性薄膜からなる
記録再生層recording  layer
記録再生層をメモリー層 Memory  layer又はＭ層と言う
記録補助層をライティング層 Writing  layer 又はＷ層と言う
　（2-iv）「【００２０】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、
ビーム強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（reverse)させ
ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず
　（2-v）「【００３３】記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒体は回転される。そのため、記録された部分（マーク）は、記録後に再び外部手段例えばHini. の作用を受け、その結果、
Ｗ層の磁化は元の「Ａ向き」↑に揃えられる
　（2-vi）「【００９０】
【発明の目的】本発明は、
オーバーライト可能な光磁気記録媒体の合金磁性層の形成などに用いて好適
繰り返し書き込みに対する耐久性の優れたオーバーライト可能な光磁気記録媒体
【００９１】
【発明の概要】本発明の第１の態様に係るスパッタリング方法は、ターゲットから構成物質をスパッタリングすることにより基板上に複数の構成要素から成る膜を生成する方法において、前記ターゲットを、目的とする膜物質のそれぞれ一部から成る少なくとも２種類以上の所定長さのターゲット部分の並列する連なりとして構成し、おのおののターゲット部分が、スパッタリングを受ける基板と対向するスパッタリング位置を順次通過するようにターゲットを移動させながらスパッタリングを行なうことを特徴とするスパッタリング方法である。
【００９２】この方法により、複数の構成要素から成る膜を生成するに際して、目的とする膜物質そのものから成るターゲットを用いてではなく、膜物質を構成する複数の要素物質からスパッタリングすることができる。しかも製造過程においては、同時スパッタリングのように１回ごとに基板を回転させる必要はないので、基板を次々とターゲット近傍を通過させるだけで連続成膜が可能であり、スループットがよい。さらに上記ターゲット部分の所定長さを適当に選択することにより膜物質の構成成分の比率を自在に調節することが可能である。この成分調節はターゲットの移動速度をスパッタリング位置にあるターゲット部分の種類に応じて変化させることにより行なってもよい。さらに、ターゲットの種類に応じて印加電力のパワーを周期的に変化させることにより行なってもよい。またこのようにして生成された膜は、
膜を構成する物質のそれぞれの成分要素のごく薄い膜が多層的に積層された構造となるので、後述する光磁気記録媒体の磁性層に適用した場合に見られるように、場合によっては多層構造化されていることによる利点が生ずることが期待できる
　（2-vii）「【００９５】この方法によりオーバーライト可能な光磁気記録媒体のライティング層を成膜すると、後述の実施例の試験データに示されるように、該媒体の
繰り返し書き込みによる性能の劣化がほとんど生じないことが見出された
希土類と遷移金属が交互になるように
生成したライティング層は多層構造となる。一般に希土類−遷移金属系の薄膜を多層構造にすると層の垂直磁気ヒステリシスエネルギーが増大し、熱による原子構造の変化が少なくなる、即ち記録媒体としての熱耐久性が向上する。繰り返し書き込みによる媒体性能の劣化は主として熱に起因するものであるので、繰り返し書き込みに対する耐久性とは、熱耐久性とも言うことができる
繰り返し書き込みに対する耐久性の高いオーバーライト可能な光磁気記録媒体が製造できるわけである
同時スパッタリングに比してスループットの面で格段に優れている
　（2-viii）「【００９８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は４つのスパッタ室を持つ、光磁気記録媒体製造用のスパッタリング装置を模式的に示す図である。この装置を用いて、図３の模式図に示すオーバーライト可能な光磁気記録媒体を製造した。図３の媒体は下からガラス２Ｐ基板４１、SiN 700Åの保護層４２、TbFeCo 200Åのメモリー層４３、 GdFeCo 100Åの中間層４４、DyFeCo 500Åのライティング層４５ SiN 700Åの保護層４６が順次積層されている。  図１の装置において基板出し入れ室２から装置内に装填された基板は保護層用スパッタ室３、メモリー層用スパッタ室４、中間層用スパッタ室５、ライティング層用スパッタ室６、再び保護層用スパッタ室３という順に移動し、それぞれの層を順次成膜される。基板は各々のスパッタ室間をロードロック方式で真空状態を保ったまま移動できる。また基板は各スパッタ室を単に通過すればよいので多くの基板を一つのラインで次々に処理できる。
【００９９】保護層用スパッタ室３および中間層用スパッタ室５では、それぞれ  ＳｉＮ、ＧｄＦｅＣｏ合金の単一ターゲット７、９を用いたスパッタリングが行なわれる。
メモリー層用スパッタ室５およびライティング層用スパッタ室６では本発明の方法を用いてスパッタリングを行なう。メモリー層用スパッタ室５のターゲット８は、ＴｂとＦｅＣｏ合金が交互に並列して連なってループを成している。ライティング層用スパッタ室のターゲット１０は、ＤｙとＦｅＣｏ合金が交互に並列して連なってループを成している
【０１００】図２を参照して本発明の方法を用いたライティング層のスパッタリングの詳細を説明する。図において２０はターゲットホルダーであり、その上にターゲット２１〜２８が載置されている。これらのターゲットのうち２１、２３、２５および２７で示されているターゲットはＤｙからなり、２２、２４、２６および２８で示されているターゲットはＦｅＣｏ合金からなる。それぞれのターゲットは矩形の形状である。このようなターゲット全体を中心Ｏの回りに回転させながらスパッタリングを行なう。参照数字２９は磁石を示しており、スパッタリングの効率を上げるために設けてある。この磁石２９により磁石に隣接したターゲット（図２ではターゲット２１）からのターゲット物質の飛び出しが、他のターゲットより盛んになることと、防着用板３０の存在とにより、ほぼこの磁石に隣接する位置にあるターゲットの物質のみが基板上にスパッタリングされる。
【０１０１】かくして、ターゲットの回転にともなってＤｙとＦｅＣｏが交互にスパッタリングされ基板上に積層されていく。したがって、このようにして生成された
ライティング層はＤｙとＦｅＣｏが交互に積層された多層構造を持つことになる
　（2-ix）「【０１０４】−繰り返し書き込み耐久性の評価テスト−
本実施例により作成したＤＯＷ媒体（ダイレクトオーバーライト媒体）と、従来通り合金の単一ターゲットからのスパッタリングによりライティング層を成膜したＤＯＷ媒体との繰り返し書き込みに対する耐久性を比較測定した。耐久性テストは以下のように行なった。まず、７MHz デューティ５０％の標準化情報マークを線速11.3m/s で書き込みの後、1.0mW の再生ビームにより再生してＣ／Ｎ比を測定するという過程を、様々な書き込みビーム強度について行なって、記録ビームの高レベル、低レベルの値に対するＣ／Ｎ比のプロフィールを得た。次に2.6MHzデューティ５０％で
１５０００００回連続書き込みを行なった
標準化情報マークを様々な記録ビーム強度で同様に書き込み、初めと同様のＣ／Ｎ比プロフィールを得た
【０１０５】測定の結果をコンターマップにしたものを図４および図５に示す。
図４は本実施例により作成した媒体を、図５は、従来通りの方法で作成した媒体を示す
【０１０６】図から明らかなように従来の製造方法によりライティング層を成膜した
媒体の繰り返し書き込み前後でのウインドウマージン（所望のＣ／Ｎ比を与えるビーム強度領域）の変化は著しいが、本実施例により作成した媒体ではウインドウマージンの変化はほとんど見られない。即ち該媒体は繰り返し書き込みに対する高い耐久性を有することが確かめられた
　（2-x）図４（実施例）では、「Ｗrite　Ｃycle前」（実線）と「Ｗrite　Ｃycle後」（破線）が、４６dＢ、５０dＢ、５４dＢに関しほぼ重複し、図５（従来例）では、「Ｗrite　Ｃycle前」（実線）と「Ｗrite　Ｃycle後」（破線）が、４６dＢ、５０dＢ、５４dＢに関し重複せず、破線の方が実線に比べ低いパワー（ｍＷ）の方へシフトしている状況が図示されている。
　
３．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１発明とを対比する。
　（ａ）引用例１発明の「透光性のある基体」は、本願発明の「基板」に相当する。
　（ｂ）引用例１発明の「室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化を示す一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化に移行する読み出し層」は、該「読み出し層」が本願発明の「再生層」に他ならないから、本願発明の「室温で面内磁化状態であり、所定温度以上で垂直磁化状態となる再生層を成す第１磁性層」に相当する。
　（ｃ）引用例１発明の「情報を光磁気記録する記録層」は、室温からキュリー点まで垂直磁化状態であることが周知であり、且つ必要であるから、本願発明の「室温からキュリー点まで垂直磁化状態である記録層を成す第２磁性層」に相当する。
　
　してみると、本願発明と引用例１発明は、次の一致点と相違点を有している。
＜一致点＞
　「基板上に、室温で面内磁化状態であり、所定温度以上で垂直磁化状態となる再生層を成す第１磁性層と、室温からキュリー点まで垂直磁化状態である記録層を成す第２磁性層とが形成されてなる光磁気記録媒体。」
＜相違点＞
　再生層に関し、本願発明では、「前記再生層を成す第１磁性層は、希土類金属から構成される領域と遷移金属から構成される領域とが交互に層状に積層されて形成されている」と特定しているのに対し、引用例１発明では、「上記読み出し層がＧｄＦｅＣｏである」とされている点。
　
　そこで、この相違点について検討する。
　引用例１発明で読み出し層に用いられるＧｄＦｅＣｏは、「希土類遷移金属合金」（摘示（1-ii）の段落【００４１】参照）とも記載されている如く、いわゆる希土類−遷移金属の磁性体の一種であることが知られている（なお、Ｇｄが希土類であり、ＦｅとＣｏが遷移金属である。）。　一方、本願発明の実施例でも、再生層にはＧｄＦｅＣｏを使用しているから、本願発明と引用例１発明で使用されている金属元素に実質的な差異は無い。
　それ故、実質的な相違点は、希土類−遷移金属の磁性体として、「希土類金属から構成される領域と遷移金属から構成される領域とが交互に層状に積層」しているか否かに尽きる。
　しかしながら、光磁気記録媒体において、希土類−遷移金属の磁性層としては合金の単層が使用される他、希土類と遷移金属とを交互に積層して用いる態様も知られている（例えば、当審における平成１８年１１月２７日付け拒絶理由通知書に提示した、特開平５−３１４５５４号公報、特開平２−１３０７３９号公報、特開平６−１２２９７１号公報、特開平７−６４２３号公報、特開平２−７２５３号公報、特開昭６１−１０８１１２号公報、特開平２−９８８５０号公報、特開平２−２７３３４８号公報など参照）。更に、先に摘示した引用例２には、「一般に希土類−遷移金属系の薄膜を多層構造にすると層の垂直磁気ヒステリシスエネルギーが増大し、熱による原子構造の変化が少なくなる、即ち記録媒体としての熱耐久性が向上する。繰り返し書き込みによる媒体性能の劣化は主として熱に起因するものであるので、繰り返し書き込みに対する耐久性とは、熱耐久性とも言うことができる。したがって、本発明の方法によりライティング層を生成することにより、繰り返し書き込みに対する耐久性の高いオーバーライト可能な光磁気記録媒体が製造できるわけである。」（摘示（2-vii）参照）との説明があり、「ライティング層はＤｙとＦｅＣｏが交互に積層された多層構造」とされた実施例において、「１５０００００回連続書き込みを行なった。そして再び７MHz デューティ５０％の標準化情報マークを様々な記録ビーム強度で同様に書き込み、初めと同様のＣ／Ｎ比プロフィールを得た。」、「本実施例により作成した媒体ではウインドウマージンの変化はほとんど見られない。即ち該媒体は繰り返し書き込みに対する高い耐久性を有することが確かめられた。」（摘示（2-ix）参照）との記載があるから、希土類−遷移金属系を交互積層状態で形成することにより、Ｃ／Ｎの低下がない高い耐久性が得られることが示唆されていることが明らかである。
　してみると、本願明細書の図１０や段落【００３８】などに示された、交互積層膜とした実施例１，２の場合に１×１０５回程度でもＣＮＲ（Ｃ／Ｎ比）が殆ど劣化しないことは、引用例２において希土類−遷移金属を交互積層することにより１５０００００回（１．５×１０６回）でもＣ／Ｎ比が変化しないとの作用効果を勘案すると、十分に期待できる程度のことと認められる。換言すると、引用例１発明においても、Ｃ／Ｎの低下がない高い耐久性を期待して、希土類−遷移金属系を交互積層する、即ち「希土類金属から構成される領域と遷移金属から構成される領域とが交互に層状に積層」することは、当業者が容易に想い到る程度のことというべきである。
　
　これに対し、意見書（平成１９年１月２３日付け）において請求人は、
　「本願発明は、・・・（中略）・・・、“再生パワーマージンの拡大”および“繰り返しレーザ照射による特性劣化の抑制”を図ることを目的としています。」と説明すると共に、
　「刊行物４，５には、希土類金属−遷移金属の交互積層膜によって、磁性膜の熱耐久性（繰り返し書き込み耐久性）を向上させることが記載されています。しかしながら、上記説明から分かるように、本願発明における“再生パワーマージンの拡大”効果は、第１磁性層の熱耐久性を向上させることに伴って生じる効果ではありません。
　すなわち、刊行物４，５において、希土類金属−遷移金属の交互積層膜で形成されているのは、「室温で面内磁化状態であり、所定温度以上で垂直磁化状態となる磁性層」ではなく、刊行物４，５を刊行物１，１０と組み合わせたとしても、本願のような“再生パワーマージンの拡大”効果を当業者が容易に想到できるものではありません。」、
　「刊行物４，５には、希土類金属−遷移金属の交互積層膜によって、磁性膜の熱耐久性を向上させることが記載されていますが、本願発明における“繰り返しレーザ照射による特性劣化の抑制”効果は、第１磁性層の熱耐久性を向上させることに伴って生じる効果ではありません。すなわち、刊行物４，５において、希土類金属−遷移金属の交互積層膜で形成されているのは、「室温で面内磁化状態であり、所定温度以上で垂直磁化状態となる磁性層」ではなく、刊行物４，５を刊行物１，１０と組み合わせたとしても、本願のような“繰り返しレーザ照射による特性劣化の抑制”効果を当業者が容易に想到できるものではありません。」
と主張している（なお、刊行物４は上記引用例２に相当し、刊行物１は引用例１に相当する。）。
　
　しかしながら、引用例２における希土類金属−遷移金属の交互積層膜は、「室温で面内磁化状態であり、所定温度以上で垂直磁化状態となる磁性層」ではなく、ライティング層（Ｗ層）であるけれども、ライティング層（Ｗ層）は磁化の向きを反転させて利用することが説明され（摘示（2-iii）〜（2-v）など参照）ていて、繰り返し書き込みでの耐久性を評価しているのであるから、繰り返しレーザ照射による熱履歴を受ける点で引用例１発明の読み出し層や本願発明の再生層と相違はない。　即ち、引用例１発明の読み出し層や本願発明の再生層は、単に（書き換えを伴うことなく）再生するのではなく、（いわゆる超解像再生のために）再生の都度書き換えられているのであるから、引用例２に記載のライティング層（Ｗ層）とは、いずれも書き換えが行なわれる点で軌を一にするものであることも勘案すると、その対象となる磁性層が室温で面内であるか否かにかかわらず、“繰り返しレーザ照射による特性劣化の抑制”効果を期待することは当業者が容易に想到し得たことというべきである。換言すると、そのような耐久性の効果を期待して、引用例１発明の読み取り層（再生層）に希土類金属−遷移金属の交互積層膜を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　なるほど、引用例１発明や引用例２に記載の発明では、再生パワーマージンの拡大について言及しているか明確でないけれども、再生パワーマージンの拡大の作用効果の言及の有無にかかわらず、上記のとおり本願発明は容易に想到し得たものである。
　なお、本願発明の作用効果として主張する「再生パワーマージンの拡大」の根拠とする図１１のデータは、１回目の再生時〜１×１０５回程度目の再生時のいずれの時点でのデータか不明である状況を勘案し、そして、引用例２の図４，図５及び段落【０１０５】〜【０１０６】の記載から、交互積層の構成としないと、「ウインドウマージン（所望のＣ／Ｎ比を与えるビーム強度領域）の変化は著しい」もので、換言すると、同じ記録パワーでも、交互積層の構成としないと「Ｗrite　Ｃycle後」（即ち、書き換え後）にＣ／Ｎ比が低下し、交互積層の構成とすると「Ｗrite　Ｃycle後」（即ち、書き換え後）にＣ／Ｎ比が低下しないことが明らか（図４，図５の同じＣ／Ｎ比を示す繰り返し前の実線と繰り返し後の点線の対比）であるから、「Ｗrite　Ｃycle後」（即ち、書き換え後）において、交互積層とすることによりウィンドパワーマージンは拡大されているとも言えるから、本願発明の作用効果として主張する「再生パワーマージンの拡大」も引用例２の記載から期待される程度のものともいえる。
　したがって、前記請求人の主張は採用できない。
　
　よって、本願発明は、引用例１発明と引用例２記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　それ故、他の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。