Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
＜第１実施形態＞
まず、この発明の第１実施形態の概略について説明する。
第１電極と第２電極とで液晶を挟持した液晶素子は、焼き付きや劣化を防止するために、基準電圧よりも高位側の正極性電圧と、低位側の負極性電圧とを第１電極に交互に印加する一方、第２電極に所定電圧を印加して、交流で駆動する必要がある。このとき、正極性で電圧を印加・保持する期間と、負極性で電圧を印加・保持する期間とにおいて、液晶素子の透過率（または反射率）が異なっていると、フリッカー（ちらつき、明滅）として知覚される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、期間Ｔaにおいて第１ピークＡpを除いた電流波形成分（または波高値）と、期間Ｔcにおいて第１ピークＡmを除いた電流波形成分（または波高値）とを比較するためには、液晶素子に電圧を印加する前の条件を揃えた状態が望ましい。このため、本実施形態では、画素電極１１８に、正極性の電圧Ｖg（＋）を印加する前の期間Ｔd、および、負極性の電圧Ｖg（−）を印加する前の期間Ｔbにおいて、それぞれリセット電圧として、コモン電極１０８と等しい電圧Ｖcomを画素電極１１８に印加して、液晶素子１２０の駆動電圧をゼロに揃えることにした。
なお、例えばリセット電圧として、ノーマリーブラックモードの白色に相当する電圧Ｖw（＋）、Ｖw（−）を画素電極１１８に印加して、液晶素子１２０の印加電圧を高い状態で揃えてしまうと、変化方向は、光学応答が十分に速いオフ方向になるので、第２ピークが現れにくくなる。換言すれば、リセット電圧として、液晶素子１２０の印加電圧を小さい状態で揃える電圧を画素電極１１８に印加すると、オン方向への変化となるので、第２ピークが特定しやすくなるのである。
この意味において、リセット電圧としては、画素電極１１８に黒色に相当する電圧Ｖb（＋）、Ｖb（−）としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態は、第１実施形態における調整モードにおける走査信号Ｇ1〜Ｇ768を、図７の（ａ）に示される波形とした点において第１実施形態と相違しているが、他については第１実施形態と同様である。
詳細には、第２実施形態では、調整モードにおいて、走査信号Ｇ1〜Ｇ768を、期間Ｔa、Ｔb、Ｔc、Ｔdの各開始タイミングから期間ｓだけＨレベルとし、他の期間においてＬレベルとしたものである。
上述したように、液晶素子１２０の駆動電圧は、画素電極１１８への電圧に対して瞬時に変化するので、走査信号が期間ｓだけＨレベルであっても、データ信号の電圧とコモン信号の電圧との差を液晶素子１２０に保持させるには十分である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
第４実施形態では、図１０に示されるように、素子基板１００ａの対向面であって、表示領域１０１の外側には矩形形状の第１電極１１９が設けられ、対向基板１００ｂには、第１電極１１９に対向するように第２電極１０９が設けられる。
このため、第１電極１１９と第２電極１０９とで液晶１０５を挟持する点において、画素電極１１８とコモン電極１０８とで液晶１０５を挟持する液晶素子１２０と同様である。ただし、第１電極１１９と第２電極１０９とで液晶１０５を挟持する液晶素子は、表示領域１０１の外側にあるため、視認されることはない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
第４実施形態では、電極駆動回路１４２が、タイミング制御回路２０２による制御信号Ｔにしたがって、第１実施形態の調整モードにおけるデータ信号ｄs（図４の（ｂ）参照）と同様な信号を第１電極１１９に供給する。また、コモン電極駆動回路４０は、コモン電圧Ｖcomを、途中で分岐する２つの信号線のうち、一方の信号線を介してコモン電極１０８に印加し、他方の信号線１０７を介して第２電極１０９に印加する構成となっている。抵抗素子Ｒは、コモン電圧Ｖcomを第２電極１０９に給電する信号線１０７に介挿されている。第４実施形態では、電極駆動回路１４２およびコモン電極駆動回路４０が、第１電極１１９と第２電極１０９とで液晶１０５を挟持する液晶素子の駆動回路となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
この第４実施形態では、電流波形を検出するための液晶素子を、表示領域１０１における液晶素子１２０とは別個に構成したので、表示領域１０１における液晶素子１２０に対し、映像信号Ｖidに基づく表示動作を行わせつつ、第１電極１１９と第２電極１０９とで液晶１０５を挟持する液晶素子に対し、電流を検出するための動作を並行して行わせることが可能である。
このため、第４実施形態では、表示領域１０１における液晶素子１２０が表示動作をしていても、視認される画像に影響を与えることなく、演算回路２１０等によるコモン電圧Ｖcomの制御が可能となる。
したがって、第４実施形態では、受光素子を用いることなく、フリッカー成分を低減することができるという効果を、視認される画像に影響を与えることなく達成することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
このプロジェクター２１００では、パネル１００を含む液晶表示装置が、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応して３組設けられる。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述したパネル１００と同様である。Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれの原色成分に対応する映像信号がそれぞれ外部上位回路から供給されて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂがそれぞれ駆動される構成となっている。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明にあっては、表示素子を構成する発光部として、電流を流すことにより発光する電流駆動型の発光部を広く用いることができる。発光部として、有機エレクトロルミネッセンス発光部、無機エレクトロルミネッセンス発光部、ＬＥＤ発光部、半導体レーザ発光部等を挙げることができる。これらの発光部は、周知の材料や方法を用いて構成することができる。カラー表示の平面表示装置を構成する観点からは、中でも、発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る構成が好ましい。有機エレクトロルミネッセンス発光部は、所謂上面発光型であってもよいし、下面発光型であってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
［期間−ＴＰ（２）1A］（図４、図５の（Ｃ）参照）
そして、現表示フレームにおける第（ｍ−２）番目の水平走査期間Ｈm-2が開始する。この［期間−ＴＰ（２）1A］において、前処理を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
次いで、［期間−ＴＰ（２）1B］〜［期間−ＴＰ（２）5］に亙って、上記の工程（ａ）、即ち閾値電圧キャンセル処理を行う。具体的には、［期間−ＴＰ（２）1B］において第１回目の閾値電圧キャンセル処理を行い、［期間−ＴＰ（２）3］において第２回目の閾値電圧キャンセル処理を行い、［期間−ＴＰ（２）5］において第３回目の閾値電圧キャンセル処理を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
［期間−ＴＰ（２）6B］（図４、図６の（Ｄ）参照）
この期間内に、上記の工程（ｂ）、即ち、書込み処理を行う。走査線ＳＣＬmからの走査信号により書込みトランジスタＴＲWをオン状態とする。そして、書込みトランジスタＴＲWを介して、データ線ＤＴＬnから映像信号ＶSig_mを第１ノードＮＤ1に印加する。その結果、第１ノードＮＤ1の電位はＶSig_mへと上昇する。駆動トランジスタＴＲDはオン状態である。尚、場合によっては、［期間−ＴＰ（２）6A］において書込みトランジスタＴＲWのオン状態を保った構成とすることもできる。この構成にあっては、［期間−ＴＰ（２）6A］においてデータ線ＤＴＬnの電圧が第１ノード初期化電圧ＶOfsから映像信号ＶSig_mに切り替わると直ちに書込み処理が開始される。後述する実施例においても同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位がＶOfsからＶSig_m（＞ＶOfs）に変化したとき、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の電位は変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ1の電位）の変化分（ＶSig_m−ＶOfs）に基づく電荷が、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2との間の容量値と、第２ノードＮＤ2と第２の給電線ＰＳ２との間の容量値に応じて、振り分けられる。然るに、値ｃB（＝ｃEL）が、値ｃA（＝ｃ1＋ｃgs）と比較して充分に大きな値であれば、第２ノードＮＤ2の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの容量ＣELの値ｃELは、容量部Ｃ1の値ｃ1及び駆動トランジスタＴＲDの寄生容量の値ｃgsよりも大きい。便宜のため、以下、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化は考慮せずに説明を行う。尚、図４に示した駆動のタイミングチャートにおいては、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化を考慮せずに示した。また、後程参照する図１１においても同様である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
［期間−ＴＰ（２）6C］（図４、及び、図６の（Ｅ）参照）
以上の操作によって、工程（ａ）及び工程（ｂ）が完了する。その後、この［期間−ＴＰ（２）6C］以降において、以下の工程を行う。即ち、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から駆動電圧ＶCC-Hが印加された状態を維持した状態で、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬmをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲWをオフ状態とし、第１ノードＮＤ1、即ち、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極を浮遊状態とする。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ2の電位は上昇する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2010281913.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体と、
画像入力信号に基づいて前記像担持体にトナー像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段により形成された複数の濃度レベルの検知用画像を検知する検知手段と、
前記検知手段の検知結果に基づいて、画像入力信号に対する画像出力特性を補正する補正手段と、
前記画像出力特性の傾きの変化率の絶対値が大きい濃度領域に重点的に前記検知用画像が形成されるように前記検知用画像が形成される濃度レベルを変更する変更手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
画像入力信号に対する画像出力特性を補正する補正手段は、γ変換ルックアップテーブルであり、前記変更手段は、前記γ変換ルックアップテーブルの２階微分値に基づいて、前記検知用画像が形成される濃度レベルを変更することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記γ変換ルックアップテーブルの２階微分値の最大値と最小値に基づいて、前記検知用画像が形成される濃度レベルを変更することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源手段と、前記光源手段から出射した光束を偏向手段に導光する入射光学系と、前記偏向手段で偏向走査された光束を被走査面上に結像させる結像光学系と、前記偏向手段と前記被走査面との間の光路中に配置された、少なくとも２枚の光路変更素子を有する光路変更手段と、を有する走査光学装置において、
前記少なくとも２枚の光路変更素子のうち反射率が最も低い光路変更素子は、画像形成に使用する全ての領域で反射率が７０％以下であり、
前記偏向手段により偏向走査された光束のうち主走査断面内において前記結像光学系の光軸を含む光束を軸上光束とするとき、前記少なくとも２枚の光路変更素子に前記軸上光束が入射するときの入射角のうち、前記反射率が最も低い光路変更素子に前記軸上光束が入射するときの入射角が最も小さいことを特徴とする走査光学装置。
【請求項２】
前記反射率が最も低い光路変更素子は、前記少なくとも２枚の光路変更素子の中で、画像形成領域に相当する光束の任意の入射角に対してのＳ偏光反射率とＰ偏光反射率の変化が最も大きいことを特徴とする請求項１に記載の走査光学装置。
【請求項３】
前記少なくとも２枚の光路変更素子は、画像形成領域に相当する光束の任意の入射角において、Ｓ偏光反射率とＰ偏光反射率の差分が１０％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の走査光学装置。
【請求項４】
前記反射率が最も低い光路変更素子に前記軸上光束が入射するときの入射角は、画像形成領域において１５度以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の走査光学装置。
【請求項５】
前記結像光学系は、  前記少なくとも２枚の光路変更素子のうち前記軸上光束の入射角が最も大きい光路変更素子よりも光束進行方向の上流側に配置された、少なくとも１つの結像光学素子を含み、
前記少なくとも１つの結像光学素子は、前記被走査面に対して垂直な方向にシフトしていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の走査光学装置。
【請求項６】
前記光源手段は、複数の発光部を有するマルチビーム光源であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の走査光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の走査光学装置と、前記走査光学装置で走査された光束によって前記被走査面に配置された感光体の上に形成された静電潜像をトナー像として現像する現像器と、該現像されたトナー像を被転写材に転写する転写器と、該転写されたトナー像を該被転写材に定着させる定着器と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の走査光学装置と、外部機器から入力したコードデータを画像信号に変換して前記走査光学装置に入力せしめるプリンタコントローラとを有していることを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の走査光学装置を複数有し、各走査光学装置における被走査面に配置され、互いに異なった色の画像を形成する複数の像担持体とを有することを特徴とするカラー画像形成装置。
【請求項１０】
外部機器から入力した色信号を異なった色の画像データに変換して各々の走査光学装置に入力せしめるプリンタコントローラを有していることを特徴とする請求項８に記載のカラー画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の走査光学装置は、光源手段と、前記光源手段から出射した光束を偏向手段に導光する入射光学系と、前記偏向手段で偏向走査された光束を被走査面上に結像させる結像光学系と、前記偏向手段と前記被走査面との間の光路中に配置された、少なくとも２枚の光路変更素子を有する光路変更手段と、を有する走査光学装置において、
前記少なくとも２枚の光路変更素子のうち反射率が最も低い光路変更素子は、画像形成に使用する全ての領域で反射率が７０％以下であり、
前記偏向手段により偏向走査された光束のうち主走査断面内において前記結像光学系の光軸を含む光束を軸上光束とするとき、前記少なくとも２枚の光路変更素子に前記軸上光束が入射するときの入射角のうち、前記反射率が最も低い光路変更素子に前記軸上光束が入射するときの入射角が最も小さいことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
尚、以下の説明において、軸上光束とは、光偏向器５の偏向面５ａ，５ｂにより偏向反射された光束のうち、主走査断面内において結像光学系１５ａ、１５ｂの光軸Ｌａ、Ｌｂを含む光束をいう。すなわち、軸上光束は、光偏向器５の偏向面５ａ，５ｂにより偏向反射された光束の主光線と、結像光学系１５ａ、１５ｂの光軸Ｌａ、Ｌｂとが主走査断面内において為す角度は０度となる。また軸外光束（軸外光線）とは、光偏向器５の偏向面５ａ、５ｂにより偏向反射された光束のうち、被走査面上の有効画像領域の端部に到達する光束をいう。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明樹脂からなるフィルムの一方の面を染色する第１ステップと、
該第１ステップにて得られた染色済みフィルムを用いてフィルムインサート成形により前記フィルムが一体成形されたセミレンズを得るステップであって，前記フィルムの染色面がレンズ材料と接触するようにフィルムインサート成形を行う第２ステップと、
を有することを特徴とする染色光学部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１の染色光学部品の製造方法において、前記第２ステップは前記フィルムの染色されてない他方の面が前記光学部品の前面となるようにフィルムインサート成形を行うステップであることを特徴とする染色光学部品の製造方法。
【請求項３】
請求項２の染色光学部品の製造方法は、さらに前記第２ステップの後に、光学部品前面にハードコートを形成する第３ステップを有することを特徴とする染色光学部品の製造方法。
【請求項４】
レンズ前面が所定の光学面を持ち，後面が後に切削加工されるための単なる凹面からなるセミフィニッシュレンズであって，前記レンズ前面には一方の面が染色されたフィルムがその染色面を接合面として接合されていることを特徴とする染色セミフィニッシュレンズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とする。
（１）  透明樹脂からなるフィルムの一方の面を染色する第１ステップと、
該第１ステップにて得られた染色済みフィルムを用いてフィルムインサート成形により前記フィルムが一体成形されたセミレンズを得るステップであって，前記フィルムの染色面がレンズ材料と接触するようにフィルムインサート成形を行う第２ステップと、
を有することを特徴とする染色光学部品の製造方法。
（２）  （１）の染色光学部品の製造方法において、前記第２ステップは前記フィルムの染色されてない他方の面が前記光学部品の前面となるようにフィルムインサート成形を行うステップであることを特徴とする染色光学部品の製造方法。
（３）  （２）の染色光学部品の製造方法は、さらに前記第２ステップの後に、光学部品前面にハードコートを形成する第３ステップを有することを特徴とする染色光学部品の製造方法。
（４）  レンズ前面が所定の光学面を持ち，後面が後に切削加工されるための単なる凹面からなるセミフィニッシュレンズであって，前記レンズ前面には一方の面が染色されたフィルムがその染色面を接合面として接合されていることを特徴とする染色セミフィニッシュレンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レンズ装置、撮像装置、及びそれらの制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、レンズ交換式撮像装置に対して着脱可能なレンズ装置及びその制御方法、撮像装置及びその制御方法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明のレンズ装置は、以下の構成を備える。即ち、レンズ交換式撮像装置に対して着脱可能に構成され、絞り板を有するレンズ装置であって、前記絞り板上に配されている複数の開口部のパターンを示す絞りパターン情報を保持する手段と、前記絞りパターン情報を前記レンズ交換式撮像装置に対して送信する送信手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ交換式撮像装置に対して着脱可能に構成され、絞り板を有するレンズ装置であって、
前記絞り板上に配されている複数の開口部のパターンを示す絞りパターン情報を保持する手段と、
前記絞りパターン情報を前記レンズ交換式撮像装置に対して送信する送信手段と
を備えることを特徴とするレンズ装置。
【請求項２】
前記送信手段は更に、前記絞りパターン情報によって表されるパターン画像を構成する１画素に対応する前記絞り板における領域のサイズを示すサイズ情報を前記レンズ交換式撮像装置に対して送信することを特徴とする請求項１に記載のレンズ装置。
【請求項３】
前記送信手段は更に、前記絞り板により低下させたレンズの透過光量を与える口径比を表すＦナンバの値を前記レンズ交換式撮像装置に対して送信することを特徴とする請求項１又は２に記載のレンズ装置。
【請求項４】
前記絞りパターン情報は、前記絞り板の開口部と非開口部のそれぞれに対して異なるビット値を割り当てた２値画像を表すことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のレンズ装置。
【請求項５】
前記絞りパターン情報は、前記複数の開口部に対して光の透過率に応じた画素値を割り当てた多値画像を表すことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のレンズ装置。
【請求項６】
レンズ交換式撮像装置に対して着脱可能に構成され、絞り板を有するレンズ装置の制御方法であって、
前記絞り板上に配されている複数の開口部のパターンを示す絞りパターン情報を前記レンズ交換式撮像装置に対して送信することを特徴とするレンズ装置の制御方法。
【請求項７】
更に、外部指示に応じて前記絞り板を光路上の規定位置に配置したり該規定位置から退避させたりする制御手段を備えることを特徴とする請求項１に記載のレンズ装置。
【請求項８】
前記送信手段は、前記絞りパターン情報を、前記外部指示に従って前記レンズ交換式撮像装置に対して送信することを特徴とする請求項７に記載のレンズ装置。
【請求項９】
撮像装置であって、
絞り板上に形成されている複数の開口部のパターンを示す絞りパターン情報を保持する手段と、
外部装置において画像処理を行うために使用する前記絞りパターン情報を、該外部装置に対して送信する送信手段と
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
前記画像処理は、距離画像の取得であることを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記画像処理は、ぼけ補正であることを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記送信手段は、前記絞りパターン情報を、形成された画像を表す画像データと共に送信することを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１３】
撮像装置の制御方法であって、
絞り板上に形成されている複数の開口部のパターンを示す絞りパターン情報を外部装置に送信し、
前記絞りパターン情報は、外部装置において画像処理を行うために使用される
ことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010281968.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一態様による絞り装置は、互いに重なり合う複数の絞り羽根を有する絞り装置において、撮影光学系の光軸を中心とする開口を有した開口部材と、上記開口の外方に設けられた第１の支軸と、上記開口の外方に上記第１の支軸と異なる上記光軸を中心とした周方向の位置に設けられた第２の支軸と、上記第２の支軸と共に上記第１の支軸を挟むように上記開口の外方に上記第１の支軸、及び上記第２の支軸と異なる上記光軸を中心とした周方向の位置に設けられた第３の支軸と、上記第１の支軸より上記光軸内方に配設された第１の駆動軸と、上記第２の支軸より上記光軸内方に配設された第２の駆動軸と、上記第３の支軸より上記光軸内方に配設された第３の駆動軸と、を有し、上記第１の駆動軸、上記第２の駆動軸、及び上記第３の駆動軸を上記光軸回りに往復移動させる駆動部材と、上記絞り羽根の１つであって、上記第１の支軸に回動可能に嵌合された第１の回転孔と、上記第１の駆動軸が嵌入され、上記駆動部材が駆動されることにより上記第１の駆動軸の上記光軸回りの移動量に応じて、該第１の支軸回りの回転量を制御し、被写体光束中に進入可能な第１のカム溝と、を有し、該第１のカム溝により制御された上記第１の支軸回りの回転に伴い、該被写体光束中に進入する第１の絞り羽根と、上記第１の絞り羽根とは異なる上記絞り羽根の１つであって、上記第２の支軸に回転可能に嵌合された第２の回転孔と、上記第２の駆動軸が嵌入され、上記駆動部材が駆動されることにより上記第２の駆動軸の上記光軸回りの移動量に応じて、該第２の支軸回りの回転量を制御し、上記被写体光束中に進入可能な第２のカム溝と、を有し、該第２のカム溝により制御された上記第２の支軸回りの回転に伴い、上記第１の絞り羽根が被写体光束中に進入するのに伴い、上記第１のカム溝の上記被写体光束中の一部を遮光する第２の絞り羽根と、上記第１の絞り羽根、及び上記第２の絞り羽根とは異なる上記絞り羽根の１つであって、上記第３の支軸に回転可能に嵌合された第３の回転孔と、上記第２の駆動軸が嵌入され、上記駆動部材が駆動されることにより上記第３の駆動軸の上記光軸回りの移動量に応じて、該第３の支軸回りの回転量を制御し、上記被写体光束中に進入可能な第３のカム溝と、を有し、上記第１の絞り羽根が被写体光束中に進入するのに伴い、上記第２の絞り羽根では遮光しきれない上記第１のカム溝の残りの上記被写体光束中の未遮光残部を遮光する第３の絞り羽根と、を具備している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに重なり合う複数の絞り羽根を有する絞り装置において、
撮影光学系の光軸を中心とする開口を有した開口部材と、
上記開口の外方に設けられた第１の支軸と、
上記開口の外方に上記第１の支軸と異なる上記光軸を中心とした周方向の位置に設けられた第２の支軸と、
上記第２の支軸と共に上記第１の支軸を挟むように上記開口の外方に上記第１の支軸、及び上記第２の支軸と異なる上記光軸を中心とした周方向の位置に設けられた第３の支軸と、
上記第１の支軸より上記光軸内方に配設された第１の駆動軸と、上記第２の支軸より上記光軸内方に配設された第２の駆動軸と、上記第３の支軸より上記光軸内方に配設された第３の駆動軸と、を有し、上記第１の駆動軸、上記第２の駆動軸、及び上記第３の駆動軸を上記光軸回りに往復移動させる駆動部材と、
上記絞り羽根の１つであって、上記第１の支軸に回動可能に嵌合された第１の回転孔と、上記第１の駆動軸が嵌入され、上記駆動部材が駆動されることにより上記第１の駆動軸の上記光軸回りの移動量に応じて、該第１の支軸回りの回転量を制御し、被写体光束中に進入可能な第１のカム溝と、を有し、該第１のカム溝により制御された上記第１の支軸回りの回転に伴い、該被写体光束中に進入する第１の絞り羽根と、
上記第１の絞り羽根とは異なる上記絞り羽根の１つであって、上記第２の支軸に回転可能に嵌合された第２の回転孔と、上記第２の駆動軸が嵌入され、上記駆動部材が駆動されることにより上記第２の駆動軸の上記光軸回りの移動量に応じて、該第２の支軸回りの回転量を制御し、上記被写体光束中に進入可能な第２のカム溝と、を有し、該第２のカム溝により制御された上記第２の支軸回りの回転に伴い、上記第１の絞り羽根が被写体光束中に進入するのに伴い、上記第１のカム溝の上記被写体光束中の一部を遮光する第２の絞り羽根と、
上記第１の絞り羽根、及び上記第２の絞り羽根とは異なる上記絞り羽根の１つであって、上記第３の支軸に回転可能に嵌合された第３の回転孔と、上記第２の駆動軸が嵌入され、上記駆動部材が駆動されることにより上記第３の駆動軸の上記光軸回りの移動量に応じて、該第３の支軸回りの回転量を制御し、上記被写体光束中に進入可能な第３のカム溝と、を有し、上記第１の絞り羽根が被写体光束中に進入するのに伴い、上記第２の絞り羽根では遮光しきれない上記第１のカム溝の残りの上記被写体光束中の未遮光残部を遮光する第３の絞り羽根と、
を具備したことを特徴とした絞り装置。
【請求項２】
上記第３の絞り羽根の上記未遮光残部を遮光する部分は、凸状に延出して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の絞り装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力に応じて共振周波数が変化する感圧ユニットと、
記憶部と、を備え、
前記記憶部は、
前記感圧ユニットの周波数温度特性に関係する近似多項式の係数と、
温度によって決定する係数を有する１次の項を含み、複数の温度環境下における前記感圧ユニットの圧力周波数特性に関係する近似多項式の係数と、
前記１次の項の係数を構成する近似多項式の係数と、
を記憶していることを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】
前記記憶部に記憶されている係数は、
前記感圧ユニットの温度に基づく温度信号と、
前記感圧ユニットの共振周波数に基づく周波数信号と、
を用いた演算処理により圧力値の補正を行うデータであることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサー。
【請求項３】
前記周波数温度特性に関係する近似多項式が３次多項式であることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサー。
【請求項４】
前記圧力周波数特性に関係する近似多項式が３次多項式であることを特徴とする１乃至３の何れか一項に記載の圧力センサー。
【請求項５】
前記１次の項の係数を構成する近似多項式が２次多項式であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の圧力センサー。
【請求項６】
前記感圧ユニットは、
感圧部、前記感圧部の両端と接続されている一対の基部、を有する感圧素子と、
一方の主面に受圧面を有し、前記受圧面の裏側の面に前記感圧素子の一対の基部を夫々接続しているダイヤフラムと、
前記ダイアフラムと供に前記感圧素子を挟むように前記裏側の面と対向して配置されている基台と、を備えていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の圧力センサー。
【請求項７】
前記感圧部が、一以上の柱状ビームから構成されていることを特徴とする請求項６に記載の圧力センサー。
【請求項８】
前記感圧素子、前記ダイヤフラム、及び前記基台が水晶材料で構成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の圧力センサー。
【請求項９】
圧力に応じて共振周波数が変化する感圧ユニットと、記憶部と、備えている圧力センサーの製造方法であって、
前記圧力センサーの周波数温度特性に関係する近似多項式の係数を求める工程と、
複数の温度環境下における前記圧力センサーの圧力周波数特性に関係する近似多項式の係数を求める工程と、
前記圧力周波数特性に関係する近似多項式の１次の項の係数を構成する近似多項式の係数を求める工程と、
前記記憶部に前記全ての係数を記憶させる工程と、
を含むことを特徴とする圧力センサーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感圧部と前記感圧部の両端に接続されている一対の基部とを有する感圧素子、
一方の主面に受圧面を有し、前記受圧面の裏側に前記感圧素子の一対の基部を夫々支持しているダイヤフラム、
および前記ダイヤフラムの前記受圧面の裏側に対向しているベース、を有する圧力センサー素子と、
前記ベースを底部側に向けて前記圧力センサー素子を収納している容器と、
を備え、
前記圧力センサー素子が前記感圧素子の前記一対の基部の並ぶ方向に自由端を有して前記容器に固定されていることを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】
前記底部は、前記ベースを固定している固定台を含むことを特徴とする請求項１に記載の圧力センサー。
【請求項３】
前記底部は、平面視において前記自由端と重なっている載置台を含むことを特徴とする請求項２に記載の圧力センサー。
【請求項４】
前記固定台が二つあって、その間が凹んでいることを特徴とする請求項２に記載の圧力センサー。
【請求項５】
前記載置台が二つあって、その間が凹んでいることを特徴とする請求項３に記載の圧力センサー。
【請求項６】
前記圧力センサー素子の少なくとも前記自由端側の側面は、対向する前記容器の内面と離間していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の圧力センサー。
【請求項７】
前記底部と前記ベースとの間に、ポッティング剤が充填されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の圧力センサー。
【請求項８】
前記圧力センサー素子は、前記容器内に形成されている配線に、導電性接着剤によって固定されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の圧力センサー。
【請求項９】
前記圧力センサー素子は、前記容器内に形成されている配線に、ワイヤーによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の圧力センサー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力装置と入力装置を備える半導体集積回路の前記出力装置と前記入力装置の入出力特性試験を前記半導体集積回路内で行う試験システムであって、
前記半導体集積回路がセットされたテストボードが備える伝送線路により、前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の１回路の外部端子に対して、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路の外部端子とがワイヤード接続される
試験システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路の試験システム
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
燃焼バーナの燃焼で発生する排ガスから潜熱回収して流水を加熱する補助熱交換器と、前記補助熱交換器を収容した下部に排ガスの流入口を有し上部には流出口を形成した熱交ケースとを備えたものに於いて、前記補助熱交換器は、熱交ケースの下部から上部に向かう排ガスの流れに対して直交するように、複数本の吸熱パイプを複数の山谷を形成する蛇行状とし、更に複数の山谷のＲ部の下部近傍には熱交ケースから該Ｒ部に向かって突出した偏流板を備えた事を特徴とする熱交換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御端子を含む一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイスと、
ベースとコレクタとエミッタとを有するダーリントントランジスタ対を形成するように接続されたワイドギャップバイポーラトランジスタ対と、
を備え、
前記ダーリントントランジスタ対の前記エミッタは、前記一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイスの前記制御端子に接続されて、前記ダーリントントランジスタ対によって放出される電流が、前記一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイスの導通状態を制御し、
前記ダーリントントランジスタ対を形成する前記バイポーラトランジスタ対の少なくともひとつが、光起動フォトトランジスタを備えることを特徴とする電子回路。
【請求項２】
請求項１記載の電子回路において、前記一次ワイドギャップスイッチングデバイスは、ラッチ型スイッチングデバイスを備えることを特徴とする電子回路。
【請求項３】
請求項１記載の電子回路において、前記一次ワイドギャップスイッチングデバイスは、サイリスタを備え、
前記電子回路は、更に、前記サイリスタの前記制御端子に接続されて、光信号に応じて前記サイリスタを非導通状態に切り替えるために十分な電流を供給するように構成された逆バイアス整流フォトダイオードを備える電子回路。
【請求項４】
請求項１記載の電子回路において、前記ダーリントントランジスタ対を形成する前記バイポーラトランジスタのそれぞれがＮＰＮトランジスタを備えており、前記ダーリントントランジスタ対の前記コレクタが正の電圧源に接続されていることを特徴とする電子回路。
【請求項５】
請求項１記載の電子回路において、更に、前記ワイドギャップバイポーラトランジスタのエミッタに接続された抵抗負荷を備えることを特徴とする電子回路。
【請求項６】
請求項１記載の電子回路において、更に、前記ワイドギャップバイポーラトランジスタのコレクタに接続されたバイアス抵抗を更に備えることを特徴とする電子回路。
【請求項７】
アノードとカソードを有する光起動ワイドバンドギャップサイリスタを含むドライバデバイスと、
ベースとコレクタとエミッタとを有する第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含む一次デバイスと、
を備えた電子回路において、
前記サイリスタの前記カソードは、前記第１のワイドバンドギャップトランジスタの前記ベースと接続され、
前記サイリスタの前記アノードと前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記コレクタとは、電圧源に接続されていることを特徴とする電子回路。
【請求項８】
請求項７記載の電子回路であって、更に、ベースとコレクタとエミッタとを有する第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含む二次ドライバデバイスを備え、
前記サイリスタの前記カソードは、前記第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記ベースに接続されて、前記サイリスタの前記カソードは、前記第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを通して前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記ベースに接続されていると共に、前記サイリスタを流れる電流は、前記第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記ベースに供給されて、前記第２のワイドバンドギャップトランジスタの前記エミッタは、前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記ベースに接続されていることを特徴とする電子回路。
【請求項９】
請求項７記載の電子回路であって、前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記エミッタは、接地または負荷抵抗に接続されていることを特徴とする電子回路。
【請求項１０】
請求項７記載の電子回路であって、前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタは、ＮＰＮトランジスタを備えることを特徴とする電子回路。
【請求項１１】
請求項８記載の電子回路であって、更に、前記第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記エミッタに接続された中間段抵抗を備えることを特徴とする電子回路。
【請求項１２】
請求項８記載の電子回路であって、更に、前記第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記コレクタと前記電圧源との間に接続されたバイアス抵抗を備えることを特徴とする電子回路。
【請求項１３】
アノードとカソードとを有する光起動ワイドバンドギャップサイリスタを含むドライバデバイスと、
ベースとコレクタとエミッタとを有する第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含む一次デバイスと、
を備えた電子回路であって、
前記サイリスタの前記アノードは、前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記ベースに接続されて、
前記サイリスタの前記カソードと前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記コレクタとは、負の電圧源に接続されていることを特徴とする電子回路。
【請求項１４】
請求項１３記載の電子回路であって、前記第１のワイドバンドギャップトランジスタの前記エミッタは、接地または負荷抵抗に接続されていることを特徴とする電子回路。
【請求項１５】
請求項１３記載の電子回路であって、更に、ベースとコレクタとエミッタとを有する第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含む二次ドライバデバイスを備え、
前記サイリスタの前記アノードは、前記第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記ベースに接続されて、前記サイリスタの前記アノードは、前記第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを通して前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記ベースに接続されていると共に、前記サイリスタを流れる電流は、前記第２のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタの前記ベースから取り出されることを特徴とする電子回路。
【請求項１６】
請求項１３記載の電子回路において、前記第１のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタは、ＰＮＰトランジスタを備えることを特徴とする電子回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部記憶媒体を有し、外部記憶媒体へのデータ転送が可能なデータ記憶装置において、
前記内部記憶媒体から前記外部記憶媒体へ転送するデータのメタデータを記憶するメタデータ記憶部と、
前記外部記憶媒体へのデータ転送、および、前記メタデータ記憶部へのメタデータ記憶を制御するデータ制御部と、
前記外部記憶媒体および前記メタデータ記憶部の少なくとも一方に記憶されているデータを検索するデータ検索部と、
を備え、
前記外部記憶媒体が前記データ記憶装置に未接続の場合は、前記メタデータ記憶部に記憶された前記メタデータを対象にデータ検索を行うことで、前記外部記憶媒体に転送したデータの検索を可能にすること、
を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載したデータ記憶装置であって、
前記内部記憶媒体から前記外部記憶媒体へ転送するデータを削除せず、前記転送するデータを前記内部記憶媒体に残すよう前記データ制御部が制御することにより、
前記外部記憶媒体が前記データ記憶装置に未接続の場合に、前記内部記憶媒体から前記転送したデータを読み出し可能にすること、
を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載したデータ記憶装置であって、
前記外部記憶媒体へ転送するデータを前記内部記憶媒体に残す場合、前記内部記録媒体に残されたデータが格納されたアドレスを前記メタデータ記憶部に登録するよう前記データ制御部が制御すること、
を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項４】
請求項３に記載したデータ記憶装置であって、
前記データ検索部は、前記外部記憶媒体に転送された際に前記内部記憶媒体に残されたデータ以外のデータを検索対象とすること、
を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項５】
請求項２乃至４に記載したデータ記憶装置であって、
前記データ検索部は、前記メタデータ記憶部、前記内部記憶媒体の順にデータの検索を行い、
前記検索するデータのメタデータが前記メタデータ記憶部に記憶されていない場合は、前記内部記憶媒体の全領域を対象に前記検索するデータの検索を行い、
前記検索するデータのメタデータが前記メタデータ記憶部に記憶されている場合は、前記内部記憶媒体の、前記内部記憶媒体に残されたデータが記憶されている領域以外の領域を対象に前記検索するデータの検索を行うこと、
を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項６】
請求項２乃至５に記載したデータ記憶装置であって、
前記内部記憶媒体から前記外部記憶媒体へデータを転送する際に前記内部記憶媒体に残されたデータを、前記転送した時から一定期間経過した場合に前記内部記憶媒体から削除すること、
を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項７】
請求項６に記載したデータ記憶装置であって、
前記内部記憶媒体に残したデータの削除を行う場合、前記メタデータ記憶部に記憶されている前記内部記憶媒体に残したデータが格納されたアドレスを削除すること、
を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載したデータ記憶装置であって、
前記データ記憶装置と前記外部記憶媒体が未接続のときに、前記メタデータ記憶部に記憶しているメタデータ以外の情報でデータ検索が行われた場合、前記外部記憶媒体を接続するよう指示を出力するように前記データ制御部が制御すること
を特徴とするデータ記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月13日(2012.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層と、
前記下地層上に形成され、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）で形成された障壁層とＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）で形成された量子井戸層とが交互に積層された発光層と、
互いに隣接する前記障壁層と前記量子井戸層との間に設けられ、ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）で形成され且つ前記量子井戸層よりも低いＩｎ組成を有する中間層と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
１００Ａ／ｃｍ2 以上の電流密度で作動させる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記障壁層は、前記量子井戸層よりも低いＩｎ組成を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記中間層は、前記障壁層と同じ、又は前記障壁層よりも高いＩｎ組成を有する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記障壁層でＡｌ組成又はＩｎ組成が傾斜している
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記量子井戸層のＩｎ組成は、０．１〜０．３の範囲である
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記障壁層のＡｌ組成は、０．２〜０．４の範囲である
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記中間層のＩｎ組成は、０．０１〜０．０５の範囲である
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記障壁層のＩｎ組成は、０．０１〜０．０５の範囲である
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記発光層上に形成され、前記障壁層よりも高いＡｌ組成を有するオーバーフロー防止層をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記発光層上に形成された、ｐ−ＩｎuＡｌvＧａ1-u-vＮ（０≦ｕ＜１，０＜ｖ＜１）層をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記下地層は、基板の実質的に（０００１）面上に形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と液体とを介して、基板ホルダ上に保持された基板の表面に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系下に位置付けられた前記基板上に局所的に液体を供給する液体供給装置と、
回収口と、該回収口と真空系とを接続する流路とを有し、且つ前記液体供給装置により供給された液体を、該回収口を介して回収する回収装置を有し、
前記流路の内壁面に撥液性材料が設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記撥液性材料は、フッ素系樹脂材料、又はアクリル系樹脂材料を含む請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記内壁面に、前記撥液性材料からなる撥液層が形成されている請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記流路が、前記撥液性材料により形成されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記内壁面に囲まれた空間を通って前記液体が回収される請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記流路に沿って前記撥液性材料が配置されている請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記内壁面の外側に、さらに断熱性材料が設けられてなる請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
投影光学系と液体とを介して、基板ホルダ上に保持された基板の表面に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系下に位置付けられた前記基板上に局所的に液体を供給する液体供給装置と、
回収口と、該回収口と真空系とを接続する流路とを有し、且つ前記液体供給装置により供給された液体を、該回収口を介して回収する回収装置を有し、
前記流路の近傍に断熱性材料が設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記近傍は、前記流路と所定距離だけ離れて配置される部材と、前記流路との間である請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記流路は前記基板ホルダに設けられ、
前記部材は、前記基板ホルダのうちの前記基板を支持する基材を含む請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記断熱性材料は、前記流路を囲むように設けられている請求項７〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記断熱性材料は、前記基板ホルダを形成する材料よりも熱伝導率が低い材料を含む請求項７〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記断熱性材料は、前記液体に対して撥液性を有する請求項７〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記断熱性材料は、フッ素系樹脂を含むことを特徴とする請求項７〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記断熱性材料により前記流路が形成されていることを特徴とする請求項７〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記断熱性材料からなる断熱層が、前記流路の外側に設けられている請求項７〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１７】
撥液性材料からなる撥液層が、前記流路と前記断熱層の間に介在している請求項１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記流路に沿って前記断熱性材料が配置されている請求項７〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記基板ホルダに支持された前記基板の周囲に配置される上面を含み、
前記基板ホルダに支持された前記基板と前記上面との間に形成されるギャップから浸入する液体が、前記回収口により回収される請求項１〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記基板ホルダは、前記基板を支持する支持部と、前記支持部の外側に配置される周壁部とを含み、
前記回収口は前記周壁部の外側に配置され、前記ギャップから浸入する前記液体が前記回収口を介して回収される請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記基板ホルダは、前記基板を支持する支持部と、前記支持部の外側に配置される周壁部とを含み、
前記回収口は前記周壁部の内側に配置されていることを特徴とする請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記周壁部の上面は撥液性であることを特徴とする請求項２０又は２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記基板ホルダは前記基板を支持する支持部を含み、
前記回収口は前記支持部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記回収口は前記周壁部と前記支持部との間に配置されていることを特徴とする請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記流路の少なくとも一部は、前記基板ホルダの内部に設けられている請求項１〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。