(57)【要約】      （修正有）【課題】チップ接着剤層の脱落状況が抑制されると共に、チップのエッジとリード部の間の使用可能空間を増すことができる半導体パッケージ構造を提供する。【解決手段】半導体パッケージ構造は、チップ、リードフレーム及びチップ接着剤層を包含する。該リードフレームに内から外に順にチップ接着部、中間部及びリード部が画定され、そのうちチップ接着部に複数の凹形溝が設けられてチップの下に位置する。チップ接着剤層は該複数の凹形溝に充満され、且つ該チップが接着される。【選択図】図５
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージ構造において、
チップと、内から外に順にチップ接着部、中間部、及びリード部が画定され、該チップ接着部に複数の凹形溝が設置されて該複数の凹形溝が該チップの直下に位置するリードフレームと、該複数の溝に充満し且つ該チップが接着されたチップ接着剤層とを包含したことを特徴とする、半導体パッケージ構造。
【請求項２】
請求項１記載の半導体パッケージ構造において、該複数の凹形溝はＵ形溝とされることを特徴とする、半導体パッケージ構造。
【請求項３】
請求項１記載の半導体パッケージ構造において、該複数の凹形溝は垂直面と斜面で構成された溝であることを特徴とする、半導体パッケージ構造。
【請求項４】
請求項１記載の半導体パッケージ構造において、該複数の凹形溝は平面視で多層の口形をなすように該チップ接着部の表面に設置されたことを特徴とする、半導体パッケージ構造。
【請求項５】
請求項１記載の半導体パッケージ構造において、該複数の凹形溝はＸ形を呈するように該チップ接着部の表面に設置されたことを特徴とする、半導体パッケージ構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は一種の半導体パッケージ構造に係り、特に四角形平面の無リードパッケージであるQFN (Quad Flat Non-leaded package)に適用されて、層脱落の問題を減らせる半導体パッケージ構造を指す。
【背景技術】
【０００２】
周知の半導体チップは、絶縁熱可塑性樹脂の封止樹脂体（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ
ｂｏｄｙ）で密封され、チップを保護して外界環境からの侵害を防止し、並びにリードフレームを半導体パッケージのチップとプリント回路板の電気的接続を形成し、たとえばQFN (Quad Flat Non-leaded package)に適用される。
【０００３】
図１は周知の半導体パッケージ構造の部分断面図である。図示される周知のパッケージ構造は、まずリードフレーム１の、チップ３を載置する平面に、直接チップ接着剤層４を塗布し、さらに、チップ３をチップ接着剤層４上に置き、チップ３の接着の目的を達成する。接着性を十分に確保するため、通常は接着剤をチップ３のエッジより特定距離Ｄオーバーフローさせるよう規定される。このような周知のパッケージ構造の欠点は、チップ３のエッジよりオーバーフローした接着剤がリードフレーム１のリード部２に付着する可能性があることである。
【０００４】
図２は別の周知の半導体パッケージ構造の部分断面図である。図示される周知のパッケージ構造はリードフレーム５上にあって、チップ８のエッジ以外の部分に凹形溝７が設置され、リードフレーム５にチップ接着剤層９が塗布され、並びにチップ８が置かれた後に、接着剤がオーバーフローして凹形溝７内に至り、これにより接着剤がリードフレームのリード部６に付着する状況が減らされる。しかし、このような周知のパッケージ構造は凹形溝７の占拠する位置のためにワイヤボンディングに使用できる空間が減らされる。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案の主要な目的は、一種の半導体パッケージ構造を提供することにあり、それは層脱落の問題を減少できる前提の下で、ワイヤボンディングに使用できる空間を増すことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するため、本考案の半導体パッケージ構造はチップ、リードフレーム及びチップ接着剤層を包含する。
【０００７】
上述のリードフレームは内から外に順にチップ接着部、中間部及びリード部が画定され、そのうち、該チップ接着部に複数の凹形溝が設置され、且つ該凹形溝は特に該チップの真下に設置される。上述のチップ接着剤層は該複数の凹形溝に充満する一方で、チップを接着し、該チップを該リードフレーム上に固定する。
【０００８】
上述の複数の凹形溝はＵ形溝とされ得て、チップ接着部の平面は中間部に較べて低く、これによりチップ接着剤層の接着度をアップできる。上述の複数の凹形溝はまたその他の形状とされ得て、たとえば断面視で垂直面と斜面からなる溝とされ、且つ同様に、チップ接着部の平面は中間部が他の部分より低くされ得る。
【０００９】
上述の複数の凹形溝は各種の幾何形状とされ得て、チップ接着部の表面に配置されて配列される。たとえば平面視によると、多層の口形配列、Ｘ形配列を呈するか、或いは一つのＸ形溝、Ｘ形溝を囲む外側口形溝、及びＸ形溝に交錯する一つの内側口形溝の組み合わせとされる。
【００１０】
リードフレームの材料は合金とされ得る。チップはボンディングワイヤでリード部に接続され得る。
【考案の効果】
【００１１】
上述の構造設計により、チップ接着剤層は複数の凹形溝により結合強度が増され、それとリードフレーム間の層脱落の状況が抑制される。このほか、従来はチップエッジとリード部の間に設けられていた凹形溝がチップ接着部に移されることにより、チップエッジとリード部の間の空間の利用の自由度が増し、たとえば、ボンディングワイヤで接続されるチップエッジとリード部の間の距離を短縮でき、ワイヤボンディング接続強度が増し、またワイヤボンディングのコストも節約できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】周知の半導体パッケージ構造の部分断面図である。
【図２】別の一種の周知の半導体パッケージ構造の部分断面図である。
【図３】本考案の第１のより良い実施例のチップ接着前の半導体パッケージ構造の平面図である。
【図４】本考案の第１のより良い実施例のチップ接着後の半導体パッケージ構造の平面図である。
【図５】本考案の第１のより良い実施例の半導体パッケージ構造の部分断面図である。
【図６】本考案の第２のより良い実施例の半導体パッケージ構造の部分断面図である。
【図７】本考案の第３のより良い実施例の半導体パッケージ構造の部分断面図である。
【図８】本考案の第４のより良い実施例の半導体パッケージ構造の部分断面図である。
【図９】本考案の第５のより良い実施例のチップ接着前の半導体パッケージ構造の平面図である。
【図１０】本考案の第６のより良い実施例のチップ接着前の半導体パッケージ構造の平面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１３】
図３から図５は第１のより良い実施例のチップ接着前と後の半導体パッケージ構造の平面図及び部分断面図である。図示される半導体パッケージ構造はリードフレーム１０、チップ２０、チップ接着剤層２１及び封止層２３を包含する。内から外に、リードフレーム１０は、チップ接着部１１（点線表示の領域）、中間部１２及びリード部１３を包含する。
【００１４】
前述のチップ接着部１１に複数の凹形溝１４が設置される。本実施例では該複数の凹形溝１４は平面視によると複数の口形溝とされ、多層に配列され、且つ各溝１４はＵ形壁面輪郭を有するＵ形溝とされる。
【００１５】
チップ接着時に、まず、チップ接着剤を所定のチップ接着部１１上に塗布してチップ接着剤層２１を形成し、最後にチップ２０をチップ接着剤層２１上に置く。チップ接着後、複数の凹形溝１４はチップ２０の真下に位置し（またチップ接着部１１の範囲内に位置する）、チップ接着剤層２１は一方で複数の凹形溝１４に充満し、もう一方でチップ２０が接着される。
【００１６】
チップ接着のステップの後、さらにボンディングワイヤ２２の両端がそれぞれチップ２０とリード部１３に半田付けされる。その後、さらに封止層の成形ステップが実行される。この半田付けステップと封止層の成形ステップは周知の技術であるため、詳細な説明は行わない。
【００１７】
本実施例中、リードフレーム１０は合金材料とされ、チップ接着剤はエポキシ樹脂とされ、封止層２３はモールディング成形され、チップ２０とボンディングワイヤ２２を被覆する。
【００１８】
チップ接着部１１に複数の凹形溝１４が開設されることにより、チップ接着剤層２１はさらに緊密にリードフレーム１０に接合され、層脱落の発生が抑制される。このほか、このようなパッケージ構造は４面樹脂オーバーフローの規則に制限されないため、チップエッジからリード部までの間の使用可能空間を拡大する。
【００１９】
図６を参照されたい。図６は本考案の第２のより良い実施例の半導体パッケージ構造の部分断面図である。本実施例は第１の実施例と類似し、同様にチップ接着部３０において、チップ３３の真下に複数の凹形溝３２が設置され、且つチップ接着剤層３４は一方で複数の凹形溝３２に充満し、もう一方でチップ３３が接着される。特に、本実施例では、チップ接着部３０の平面は中間部３１より低く、図５のチップ接着部１１と中間部１２が平らに揃えられているのとは異なる。このような構造は第１の実施例よりもさらに良好な接着能力を有し、さらに層脱落の問題を抑制できる。
【００２０】
図７を参照されたい。図７は本考案の第３のより良い実施例の半導体パッケージ構造の部分断面図である。本実施例は第１の実施例と類似し、同様にチップ接着部３６において、チップ３９の真下に複数の凹形溝３８が設置され、且つチップ接着剤層４０は一方で複数の凹形溝３８に充満し、もう一方でチップ３９が接着される。特に、本実施例では、各溝３８が断面視で垂直面と斜面から構成される。このような構造はチップ接着剤層がさらに緊密にリードフレームに接合し、層脱落の発生を抑制する長所を有し、また同様に４面の樹脂オーバーフローの規則の制限を受けず、これによりチップエッジとリード部の間すなわち中間部３７の使用可能空間を増す。
【００２１】
図８を参照されたい。図８は本考案の第４のより良い実施例の半導体パッケージ構造の部分断面図である。本実施例は第３の実施例と類似し、同様にチップ接着部４１において、チップ４４の真下に垂直面と斜面からなる複数の凹形溝４３が設置され、且つチップ接着剤層４５は一方で複数の凹形溝４３に充満し、もう一方でチップ４４が接着される。特に、本実施例では、チップ接着部４１の平面レベルが中間部４２より低く、図７のチップ接着部３６と中間部３７のように平らに揃えられてはいない。このような構造は、第３の実施例に較べて、より良好な接着能力を有し、さらに層脱落の問題を抑制できる。
【００２２】
図９を参照されたい。図９は本考案の第５のより良い実施例の半導体パッケージ構造の平面図である。本実施例で特に強調されることは、複数の溝が二つの交錯する細長溝５１ａ、５１ｂを指し、平面視によると、Ｘ形溝５１を構成し、チップ接着部５２の表面に設置されて配列されている。
【００２３】
図１０を参照されたい。図１０は本考案の第６のより良い実施例の半導体パッケージ構造の平面図である。本実施例で特に強調されることは、複数の溝がＸ形溝５３、該Ｘ形溝５３を囲む外側口形溝５５、及びＸ形溝５３に交錯する内側口形溝５４の組み合わせとされ、これらの溝がチップ接着部５６の表面に設置されている。
【００２４】
以上述べたことは、本考案の実施例にすぎず、本考案の実施の範囲を限定するものではなく、本考案の権利請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本考案の権利のカバーする範囲内に属するものとする。
【符号の説明】
【００２５】
１、５  リードフレーム          
２、６  リード部
３、８  チップ                    
４、９  チップ接着剤層
７  凹形溝                        
Ｄ  特定距離
１０  リードフレーム
１１、３０、３６、４１、５２、５６  チップ接着部
１２、３１、３７、４２  中間部
１３  リード部
１４、３２、３８、４３  凹形溝
２２  ボンディングワイヤ
２３  封止層
５１、５３  Ｘ形溝
５１ａ、５１ｂ  細長溝
５４、５５  口形溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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