【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体チップを封止する第１封止体、前記第１封止体から露出する複数のリード、前記複数のリードと一体に形成されたダムバー、および前記第１封止体と前記複数のリードと前記ダムバーとで囲まれた領域に形成された第２封止体を有する半導体パッケージを準備する工程；
（ｂ）切断刃を用いて前記ダムバーの一部、および前記第２封止体の一部を除去する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第２封止体の他部にレーザを照射し、前記第２封止体の前記他部を除去する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のリードのそれぞれの表面を洗浄する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記複数のリードのそれぞれの前記表面にめっき膜を形成する工程。
【請求項２】
請求項１において、
前記（ａ）工程で準備する前記半導体パッケージの前記複数のリードのそれぞれの表面には、前記第１封止体及び前記第２封止体のそれぞれの体積よりも小さい体積から成る第３封止体が形成されており、
前記（ｄ）工程の前に、前記（ｃ）工程で使用するレーザの出力値よりも低い出力値に設定されたレーザを前記第３封止体に照射し、前記第３封止体を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記（ｂ）工程で除去する前記第２封止体の前記一部の量は、前記（ｃ）工程で除去する前記第２封止体の前記他部の量よりも多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記（ｂ）工程で使用する前記切断刃の幅は、前記複数のリード間の距離よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記（ｄ）工程では、水圧が５０乃至１５０ｋｇｆ／ｃｍ２に設定された洗浄水を前記複数のリードの表面に向かって噴射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１または請求項５において、
前記（ｃ）工程では、前記第２封止体の表面に対して第１角度を有するように、前記レーザを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１または請求項６において、
前記複数のリードのそれぞれの表面は、上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記上面と前記下面との間の側面とを有し、
前記側面の平坦度は、前記上面、または前記下面の平坦度よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記（ｃ）工程では、前記複数のリードのそれぞれの前記側面を、前記レーザの照射方向に対して傾けた状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記（ｃ）工程では、集光レンズを介して前記レーザを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記（ｂ）工程で使用する前記切断刃の幅は、前記複数のリードのうちの隣り合うリード間の距離よりも短く、
前記（ｂ）工程により、前記複数のリードのそれぞれの表面に突出部が形成され、
前記第２封止体の前記他部は、前記第１封止体と前記複数のリードと前記突出部とで囲まれた領域に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１において、
前記（ｅ）工程の後、前記突出部を基点として、前記複数のリードのそれぞれを折り曲げることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイパッド、前記ダイパッドと一体に形成された複数の吊りリード、前記複数の吊りリードの間に配置され、かつ前記ダイパッドの周囲に配置された複数のインナリード、前記複数のインナリードのそれぞれと一体に形成されたダムバー、前記ダムバーとそれぞれ一体に形成され、かつ前記ダムバーよりも前記複数のインナリードからそれぞれ遠い位置に形成された複数のアウタリード、および前記複数のアウタリードのそれぞれと一体に形成された枠体を有するリードフレームを準備する工程；
（ｂ）主面、前記主面に形成された複数の電極パッド、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、ダイボンド材を介して前記ダイパッドに搭載する工程；
（ｃ）複数の導電性部材を介して前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のインナリードとをそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）第１金型の第１金型面が前記リードフレームの上面に接触し、かつ第２金型の第２金型面が前記リードフレームの下面に接触するように、前記複数のインナリードのそれぞれの一部、前記ダムバー、および前記複数のアウタリードのそれぞれの一部を第１金型及び第２金型でクランプした状態で、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記複数のインナリードのそれぞれの他部を樹脂で封止し、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記複数のインナリードのそれぞれの前記他部を封止する第１封止体、および前記第１封止体と前記複数のインナリードのそれぞれの前記一部と前記ダムバーとで囲まれた領域を封止する第２封止体を形成する工程；
（ｅ）切断刃を用いて前記ダムバーの一部、および前記第２封止体の一部を除去する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第２封止体の他部にレーザを照射し、前記第２封止体の前記他部を除去する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記リードフレームのうちの前記第１封止体から露出した部分を洗浄する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記リードフレームのうちの前記第１封止体から露出した部分にめっき膜を形成する工程；
ここで、
前記（ｅ）工程で使用する前記切断刃の幅は、前記複数のアウタリードのうちの隣り合うアウタリード間の距離よりも短く、
前記（ｅ）工程により、突出部が形成され、
前記第２封止体の前記他部は、前記第１封止体と前記複数のインナリードのそれぞれの前記一部と前記突出部とで囲まれた領域に形成されている。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記（ｂ）工程で除去する前記第２封止体の前記一部の量は、前記（ｃ）工程で除去する前記第２封止体の前記他部の量よりも多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記（ｅ）工程で使用する前記切断刃の幅は、複数のリード間の距離よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記（ｄ）工程では、前記突出部を基点として、前記複数のリードのそれぞれを折り曲げることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記（ｄ）工程では、水圧が５０乃至１５０ｋｇｆ／ｃｍ２に設定された洗浄水を前記複数のリードの表面に向かって噴射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２または請求項１６において、
前記（ｃ）工程では、前記第２封止体の表面に対して第１角度を有するように、前記レーザを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２または請求項１７において、
前記複数のリードのそれぞれの表面は、上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記上面と前記下面との間の側面とを有し、
前記側面の平坦度は、前記上面、または前記下面の平坦度よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記（ｃ）工程では、前記複数のリードのそれぞれの前記側面を、前記レーザの照射方向に対して傾けた状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７において、
前記（ｃ）工程では、集光レンズを介して前記レーザを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。