【事件の表示】
　平成７年特許願第７００６４号「電子部品の実装方法」拒絶査定不服審判事件〔平成８年１０月１１日出願公開、特開平８−２６５０００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成７年３月２８日の出願であって、平成１６年１月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月５日付けで手続補正がなされたものである。
　
【２】平成１６年４月５日付けの手続補正（明細書についての手続補正であって、以下、「本件補正」ともいう。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、本願の特許請求の範囲は、
　「【請求項１】　複数の電子部品を基板上に載置し、前記電子部品間を電気的に接続し、回路を形成する方法において、前記電子部品を絶縁性樹脂フィルム基板表面に位置決め配置し、接着剤で固定する第１の工程と、前記電子部品の端子が露出するように前記絶縁性樹脂フィルム基板を裏面から開孔する第２の工程と、この開孔した部分である電子部品間の接続部周辺に導電性被膜を形成する第３の工程と、前記導電性被膜をエキシマレーザーによって配線のパターニングをし、前記電子部品間の電気的接続を行う第４の工程からなることを特徴とする電子部品の実装方法。
　　【請求項２】　前記絶縁性樹脂フィルム基板として、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルムまたはポリカーボネートフィルムを用いる請求項１記載の電子部品の実装方法。
　　【請求項３】　複数の電子部品を基板上に載置し、前記電子部品間を電気的に接続し、回路を形成する方法において、前記電子部品をアルミナ基板に位置決め配置し、接着で固定する第１の工程と、前記電子部品に絶縁性を有するポリイミド樹脂材料を塗布する第２の工程と、前記電子部品の端子が露出するように前記絶縁性を有するポリイミド樹脂材料を開孔する第３の工程と、この開孔した部分である電子部品間の接続部周辺に導電性被膜を形成する第４の工程と、前記導電性被膜をエキシマレーザーによって配線のパターニングをし、前記電子部品間の電気的接続を行う第５の工程からなることを特徴とする電子部品の実装方法。
　　【請求項４】　前記導電性被膜の形成は真空被膜形成装置によって行うことを特徴とする請求項１または３記載の電子部品の実装方法。」
と補正された。
　
２．補正の適否についての当審の判断
　上記補正は、補正前の請求項２を、「前記絶縁性樹脂フィルム基板として、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルムまたはポリカーボネートフィルムを用いる請求項１記載の電子部品の実装方法。」とする補正を含むものであるが、補正前の請求項２の記載は「前記絶縁性樹脂フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。」というものであって、用いられる絶縁性樹脂フィルム基板としては、ポリイミドフィルムが単独で挙げられているにすぎない。
　してみれば、上記補正は、絶縁性樹脂フィルム基板の素材としてのポリエステルフィルム及びポリカーボネートフィルムを、択一的記載の要素として付加するもので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しないから、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１７条の２第３項第２号に適合せず、また、同項の他の各号にも適合しないことが明らかである。
　したがって、平成１６年４月５日付けの手続補正は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであって認められない。
　
３．むすび
　以上のとおりであって、平成１６年４月５日付けの手続補正は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
【３】本願発明について
　平成１６年４月５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１６年１月５日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたものと認められるところ、そのうち、請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりである。
　「【請求項３】　複数の電子部品を基板上に載置し、前記電子部品間を電気的に接続し、回路を形成する方法において、前記電子部品を絶縁性基板に配置、固定する第１の工程と、前記電子部品に絶縁性樹脂材料を塗布する第２の工程と、前記電子部品の端子が露出するように前記絶縁性樹脂材料を開孔する第３の工程と、前記電子部品間の接続部周辺に導電性被膜を形成する第４の工程と、前記導電性被膜をエキシマレーザーによって配線のパターニングをし、前記電子部品間の電気的接続を行う第５の工程からなることを特徴とする電子部品の実装方法。」
　
【４】引用刊行物およびその記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平５−１３６５９号公報（以下、「引用例」という。）には「半導体集積回路装置の製造方法」に関して、図１〜１２とともに以下の記載がある。
  Ａ）「【００１７】
【実施例１】第２図は、本発明の一実施例であるマルチチップ・モジュールの要部を示す断面図である。
【００１８】このマルチチップ・モジュールの基板１の主面には、平坦な底面を有する凹溝２が設けられており、この凹溝２内には複数個の半導体チップ３がそれらの主面の高さを合わせて搭載されている。上記半導体チップ３の主面の高さは、基板１の主面の周辺部の高さにほぼ合わせてある。
【００１９】上記基板１の主面の周辺部には、マルチチップ・モジュールの入出力信号用端子および電源用端子を構成する多数のリード配線４が凹溝２を囲むように設けられている。基板１は、例えばシリコン単結晶からなる半導体ウエハ、または上記半導体チップ３よりも大面積の半導体チップで構成されている。
【００２０】上記基板１に搭載された半導体チップ３の底面および半導体チップ３の間には、絶縁材５が埋込まれている。この絶縁材５は、半導体チップ３と基板１との接着や半導体チップ３の位置決めなどを目的としたもので、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂のような耐熱性合成樹脂、・・・で構成されている。
【００２１】上記半導体チップ３の上部には、絶縁膜６が設けられている。この絶縁膜６は、例えばＣＶＤ法で堆積した酸化珪素膜からなる。絶縁膜６としては、その他、・・・スピンコート法で塗布したポリイミド樹脂膜などが用いられる。
【００２２】上記絶縁膜６の上部には、半導体チップ３間を電気的に接続する配線７が設けられている。この配線７は、金属化合物ガスの雰囲気中で半導体チップ３の主面上にエネルギービームを照射し、この金属化合物ガスの分解によって生成した金属を照射部に析出させることによって形成したものである。・・・
【００２３】上記配線７は、入出力信号用配線と電源用配線とで構成されており、絶縁膜６および半導体チップ３の主面にそれぞれ開孔された接続孔８を通じて半導体チップ３の内部配線と直結されている。また、上記配線７の一部は、接続孔８を通じて半導体チップ３の内部配線同士を接続している。
【００２４】さらに、上記配線７は、接続孔８を通じて基板１の周辺部のリード配線４とも接続されており、このリード配線４と配線７とを通じて外部信号源および外部電源からマルチチップ・モジュールに信号および電源が供給される。」
　Ｂ）「【００５３】まず、図７に示すように、基板１の主面をエッチングして凹溝２を形成した後、この凹溝２の周囲にリード配線４を形成する。リード配線４は、例えば基板１の主面にスパッタ法などで堆積したＡｌ、Ｃｕあるいは高融点金属などの導電材料からなる薄膜をフォトリソグラフィ技術でパターニングして形成する。
【００５４】次に、半導体チップ３同士の主面の高さを合わせるため、図８に示すように、平坦な面を有する基台５４の上に半導体チップ３の主面を下向きにして載せ、半導体チップ３間に絶縁材５を充填する。
【００５５】次に、図９に示すように、半導体チップ３の裏面に基板１を押し付けて半導体チップ３と基板１との隙間全体に絶縁材５を充填する。その後、加熱などによって上記絶縁材５を硬化させ、半導体チップ３を基板１の主面上に固定する。」
　Ｃ）「【００５６】次に、上記のようにして基板１に搭載された半導体チップ３間に配線７を形成する方法を説明する。
【００５７】まず、図１（ａ）に示すように、半導体チップ３の上部に絶縁膜６を堆積した後、この絶縁膜６および半導体チップ３のパッシベーション膜６０を開孔して最上層配線６１に達する接続孔８を形成する。・・・
【００５８】上記接続孔８を形成するには、まず、絶縁膜６の上部に電子線レジストを塗布し、この電子線レジストの所定領域を電子線で露光する。」
　Ｄ）「【００６２】次に、上記電子線レジストを現像してレジストマスクを作成し、このレジストマスクを用いて絶縁膜６およびパッシベーション膜６０をエッチングして接続孔８を形成する。
【００６３】なお、上記接続孔８は、集束イオンビームを用いて形成することもできる。・・・
【００６４】次に、上記基板１を前記レーザＣＶＤ装置２０の処理室２２に搬送し、ＸＹステージ２８上に位置決めする。・・・
【００６５】上記位置決めが行われると、・・・前記接続孔８の底部に露出した最上層配線６１の表面にビーム径を直径３μｍ程度に絞ったレーザビームＬＢが照射される。
【００６６】すると、レーザビームＬＢのエネルギーによって・・・、接続孔８の底部に露出した最上層配線６１の表面にＭｏが析出する。このＭｏ層７ａは、レーザビームＬＢの照射を続けることによって次第に成長し、図１（ｃ）に示すように、接続孔８の頂部まで成長する。
【００６７】続いて、ＸＹステージ２８が所定の方向に水平移動され、図１（ｄ）に示すように、その軌跡に沿って絶縁膜６の表面にＭｏ層７ａが析出し、配線７が形成される。」
　Ｅ）「【００７４】
【実施例２】・・・図１２に示すフローに従って配線７を形成することもできる。
【００７５】すなわち、半導体チップ３のパッシベーション膜６０およびその上部に堆積した絶縁膜６を開孔して最上層配線６１に達する接続孔８を形成した後、スパッタ法などを用いて酸化タンタルまたは酸化タングステンのような金属酸化物からなる薄膜を上記絶縁膜６の上部に堆積する。
【００７６】次に、基板１を前記レーザＣＶＤ装置２０の処理室２２に搬送し、ＸＹステージ２８上に位置決めする。・・・
【００７７】続いて、ＸＹステージ２８を所定の方向に移動させながら、上記薄膜にレーザビームＬＢを照射する。・・・
【００７８】次に、上記薄膜を弱アルカリ水溶液などのエッチング液で処理して非照射箇所の薄膜を除去した後、絶縁膜６の上部に残った薄膜を水素ガス雰囲気中でアニールして金属酸化物を還元し、金属層を析出させることによって、半導体チップ３間を接続する配線７を形成する。」
　Ｆ）「【００８１】半導体チップの主面上に形成する配線を多層配線構造にしてもよい。
【００８２】基板上に半導体チップを搭載する際、あらかじめ半導体チップとほぼ同寸法の孔を基板に多数設けておき、それぞれの孔に半導体チップを一個ずつ埋込んでもよい。
【００８３】基板材料には、セラミックや合成樹脂などを用いることもできる。」
　　
　上記Ａ)〜Ｆ)の記載からみて、上記引用例の半導体集積回路装置の製造方法は、複数の半導体チップ３を基板１上に載置し、前記半導体チップ３間を電気的に接続して回路を形成する、半導体チップ３の実装方法を含んだ半導体集積回路装置の製造方法であって、その場合における半導体チップ３の実装方法は、まず、摘記事項Ｂ)に記載されているように、平坦な面を有する基台５４の上に半導体チップ３の主面を下向きにして載せ、半導体チップ３間に、接着や位置決めなどを目的として絶縁材５を充填した後、凹溝２を形成したセラミック等（摘記事項Ｆ)を参照）の絶縁性基板１を半導体チップ３の裏面に押し付けて、半導体チップ３と基板１との隙間全体に絶縁材５を充填し、加熱などによって上記絶縁材５を硬化させる作業手順を経ることにより、半導体チップ３を絶縁性の基板１の主面上に配置、固定する第１の工程を行った後、摘記事項Ｃ)，Ｄ)に記載されているように、前記半導体チップ３に絶縁膜６（例えば、絶縁性樹脂材料としてのポリイミド樹脂膜等）を堆積（ポリイミド樹脂膜にあってはスピンコート法で塗布）する第２の工程と、前記半導体チップ３の最上層配線６１が露出するように前記絶縁膜６を開孔して接続孔８を形成する第３の工程を行い、次に、摘記事項Ｅ)に記載されている【実施例２】のものでは、第４の工程として、前記半導体チップ３間の接続部周辺に導電性被膜（金属酸化物からなる薄膜）を形成した後、最後の工程として、該導電性被膜をレーザビームＬＢ等によりパターニングして配線７を形成し、前記半導体チップ３間の電気的接続を行うようにしているものと認められる。
　したがって、上記引用例には、
　「複数の半導体チップ３を基板１上に載置し、前記半導体チップ３間を電気的に接続し、回路を形成する方法において、前記半導体チップ３を絶縁性基板１に配置、固定する第１の工程と、前記半導体チップ３にポリイミド樹脂膜６を塗布する第２の工程と、前記半導体チップ３の最上層配線６１が露出するように前記ポリイミド樹脂膜６を開孔する第３の工程と、前記半導体チップ３間の接続部周辺に導電性被膜を形成する第４の工程と、前記導電性被膜をレーザビームＬＢ等により配線のパターニングをし、前記半導体チップ３間の電気的接続を行う第５の工程からなる半導体チップ３の実装方法。」の発明（以下、「引用例記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　
【５】本願発明と引用例記載の発明との対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すれば、引用例記載の発明の「半導体チップ３」は本願発明の「電子部品」に対応しており、以下同様に「基板１」は「基板」に、「ポリイミド樹脂膜６」は「絶縁性樹脂材料」に、それぞれ対応している。また、引用例記載の発明における、半導体チップ３の「最上層配線６１」は、導電性被膜から形成される配線と接続される端子として機能する部分であるから、本願発明の「端子」に対応している。
　したがって、本願発明と引用例記載の発明は、
 「複数の電子部品を基板上に載置し、前記電子部品間を電気的に接続し、回路を形成する方法において、前記電子部品を絶縁性基板に配置、固定する第１の工程と、前記電子部品に絶縁性樹脂材料を塗布する第２の工程と、前記電子部品の端子が露出するように前記絶縁性樹脂材料を開孔する第３の工程と、前記電子部品間の接続部周辺に導電性被膜を形成する第４の工程と、前記導電性被膜を配線のパターニングをし、前記電子部品間の電気的接続を行う第５の工程からなる電子部品の実装方法。」
　である点で一致し、以下の相違点で相違しているものと認める。
＜相違点＞
　配線のパターニングを、本願発明では、導電性被膜の不要な部分をエキシマレーザーによって除去することによって行っているのに対し、引用例記載の発明では、レーザビームＬＢ等を用いてはいるものの、導電性被膜の不要な部分をエキシマレーザーによって除去することによって行ってはいない点。
　
【６】相違点の検討
　配線のパターニングを、導電性被膜の不要な部分をエキシマレーザーによって除去することによって行うことは周知技術（例えば、特開昭６３−４２３６４号公報、特開平６−２６７９８６号公報参照）である。
　してみれば、引用例記載の発明において、配線のパターニングを、導電性被膜の不要な部分をエキシマレーザーによって除去することによって行うことは、引用例記載の発明に上記周知技術を適用することにより当業者が容易に行い得たものである。
　
　そして、本願発明が奏する作用効果は、上記引用例記載の発明と上記周知技術に示唆された事項から予測される程度以上のものではない。
　
【７】むすび
　以上詳述したとおり、本願発明は、上記引用例記載の発明と上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、このような進歩性を有しない発明を包含する本願は、本願の請求項１，２，４〜６に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。