【事件の表示】
　特願２００２−　８８１７７「ＩＩＩ族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１１日出願公開、特開２００２−２９９６８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年３月２７日（パリ条約による優先権主張２００１年３月２９日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２０年４月２２日付けで手続補正がなされ、同年６月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月８日に拒絶査定不服審判が請求され、同年１０月８日付けで手続補正がなされたものである。　
　
第２　平成２０年１０月８日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１０月８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容・目的
　本件補正は、明細書についてするものであり、本件補正前の特許請求の範囲（平成２０年４月２２日付け手続補正後のもの）の請求項１である、
　
「　基板と、
　前記基板の上に直接重なるｎ型領域と、
　前記ｎ型領域の上に重なる活性領域と、
　インジウムを含み、前記基板と前記活性領域との間に配置される勾配平滑領域と、を含み、
　前記勾配平滑領域は、勾配付けられた組成を含む、
ことを特徴とするIII族窒化物発光デバイス。」
　
を、補正後の特許請求の範囲の請求項１として、
　
「　基板と、
　前記基板の上に直接重なる
核生成層
　前記ｎ型領域の上に重なる活性領域と、
　インジウムを含み、前記基板と前記活性領域との間に配置される勾配平滑領域と、を含み、
　前記勾配平滑領域は、勾配付けられた組成を含む、
ことを特徴とするIII族窒化物発光デバイス。」
　
に、補正しようとする内容を含むものである（下線は、審決で付した。以下同じ。）。　
　
　上記補正内容は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である、基板上に直接重なるｎ型領域について、「核生成層を含む」ものに限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２６１０３５号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の事項が記載されている。
　
ア　「【請求項１】  
基板と、バッファ層と、Ｉｎ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎ（０＜Ｘ＜１）からなる第１の層と、Ｉｎ
Ｙ
Ｇａ
１−Ｙ
Ｎ（０＜Ｙ＜１、Ｙ≠Ｘ）からなる第２の層と、が順次積層された構造を備えてなるＧａＮ系の半導体素子
【請求項２】  前記
第２の層と接する面において前記第１の層の組成が前記第２の層の組成とほぼ等しくなるように、前記第１の層におけるＩｎの組成比を前記バッファ層側から前記第２の層側に向かって連続的
に変化させる
請求項１に記載の半導体素子
　
イ　「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記方法ではＩｎＧａＮ層と下地層（ＡｌＧａＮ又はＧａＮ）ではその組成が異なるため、前者は後者の上にヘテロエピタキシャル成長した構成となる。更には、両者を有機金属化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法という。）で形成しようとするとき、下地層（ＡｌＧａＮ又はＧａＮ）の成長温度は通常、約１０００℃であるのに対し、ＩｎＧａＮ層の成長温度は７００〜９００℃である。このように、ヘテロエピタキシャル成長や成長温度の相違の問題があるので、下地層の上に形成されるＩｎＧａＮ層の結晶性の向上には限界があった。そこで、本発明は、より結晶性の高いＩｎＧａＮ層を有する新規な構成のＧａＮ系の半導体素子を提供することを目的とする。ＩｎＧａＮの結晶性を向上させることにより、これを発光素子に利用した場合には発光光度の向上が図れる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決すべくなされたものである。この発明の第１の局面の構成は以下の通りである。即ち、
基板と、バッファ層と、Ｉｎ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎ（０＜Ｘ＜１）からなる第１の層と、Ｉｎ
Ｙ
Ｇａ
１−Ｙ
Ｎ（０＜Ｙ＜１、Ｙ≠Ｘ）からなる第２の層と、が順次積層された構造を備えてなるＧａＮ系の半導体素子である
【０００５】このように構成された半導体素子によれば、ＩｎＹＧａ１−ＹＮ（０＜Ｙ＜１、Ｙ≠Ｘ）からなる第２の層とその下地となるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）からなる第１の層とが同じ組成物で形成されている。したがって、
第２の層は第１の層の上にホモエピタキシャル的に成長させることができ、かつ両者をほぼ同じ成長温度で成長させることができる
その結果、結晶性の高い第２の層を得ることができる
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各構成要素について説明する。ＧａＮ系の半導体とはIII族窒化物半導体であって、一般的にはＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表される。かかるＧａＮ系の半導体層は周知のＭＯＣＶＤ法により成長される。また、周知の分子線結晶成長法（以下、ＭＢＥ法とする。）等によっても成長させることができる。
【０００７】本発明に用いられる基板は任意である。好適にはサファイア基板が用いられる。その他、Ｓｉ、ＳｉＣ等の基板を用いることができる。
【０００８】
サファイア基板を用いた場合には、バッファ層としてＡｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎ（０≦Ｘ≦１）
バッファ層はＧａＮ系の半導体層の形成を容易にするために用いられる
【０００９】第１の層はＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）からなり、例えば発光素子のクラッド層として用いられるときには、この第１の層は所望の導電型を得るためにアクセプター又はドナーがドープされる。
【００１０】ここで、バッファ層にＡｌＺＧａ１−ＺＮ（０≦Ｚ≦０）を用いた場合には、バッファ層の格子定数が第１の層の格子定数よりも小さい。また、第１の層のＩｎの組成比が小さいほど両者の格子定数の差も小さくなる。そこで、バッファ層と接する面においてはバッファ層とより格子整合し、第２の層と接する面においては第２の層の組成とほぼ等しくなるように、第１の層におけるＩｎの組成比をバッファ層側から第２の層側に向かって連続的又は断続的に大きくさせることが好ましい。これにより、バッファ層と接する面においてはバッファ層とより格子整合し、かつ第２の層と接する面において第２の層と格子整合した第１の層が得られる。その結果、第１の層の結晶性が向上し、その結晶性の高い第１の層の上に形成される第２の層はより高品質のものとなる。第１の層の組成を連続的又は断続的に変化させるには、ＭＯＣＶＤ法を例にとれば、第１の層を成長させるにしたがって原料ガスの組成比を連続的又は断続的に変化させればよい。
【００１１】
第２の層はＩｎ
Ｙ
Ｇａ
１−Ｙ
Ｎ（０＜Ｙ＜１、Ｙ≠Ｘ）からなり、例えば発光素子ではこの層が発光層となる
【００１２】第２の層の上には、発光素子を例にとれば、クラッド層が周知の方法で形成され、サファイア等の絶縁性基板を用いた場合には必要なエッチング工程を経た後、ｎ電極及びｐ電極が形成される。」
　
ウ　「【００１６】
【実施例】以下、この発明の
第１の局面における実施例
（第１実施例）図１は
この発明の実施例の発光ダイオード１
        層                ：  組成：ドーパント                （膜厚）
ｐクラッド層６            ：  ｐ−ＧａＮ：Ｍｇ           （０．３μｍ）
第２の層：発光層５        ：  Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ         （３．５ｎｍ）
第１の層：ｎクラッド層４  ：  ｎ−Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ：Ｓｉ （４μｍ）
バッファ層３              ：  ＡｌＮ                       （５０ｎｍ）
基板２                    ：  
サファイア
【００１７】
バッファ層３はＭＯＣＶＤ法により基板２（審決注：「基板１」は「基板２」の誤記と認める。）の上に積層される
【００１８】
第１の層であるｎクラッド層４
第２の層である発光層５
【００１９】
バッファ層３の上の各半導体層は周知のＭＯＣＶＤ法により形成される
【００２０】ｐクラッド層６を形成した後、ｐクラッド層６、発光層５及びｎクラッド層４の一部をエッチングする。その後、ｎ電極９をｎクラッド層４の上に蒸着により形成する。
【００２１】透光性電極７は金を含む薄膜であり、ｐクラッド層６の上面の実質的な全面を覆って積層される。ｐ電極８も金を含む材料で構成されており、蒸着により透光性電極７の上に形成される。又、ｐ電極８を厚膜とすれば、発生した光を反射し、透明なサファイア基板２から光を取り出すタイプの発光素子とすることもできる。
【００２２】（第２実施例）図２に
本発明の他の実施例である発光ダイオード１０
第１実施例の発光ダイオード１と同一の部材には同一の符号を付して
【００２３】発光ダイオード１０では
ｎクラッド層１４の組成がバッファ層３から発光層５に向かってｎ−Ｉｎ
０．０１
Ｇａ
０．９９
Ｎ（Ｓｉドープ）  〜  ｎ−Ｉｎ
０．１５
Ｇａ
０．８５
Ｎ（Ｓｉドープ）へと連続的に変化している
【００２４】ｎクラッド層１４の形成は、ＭＯＣＶＤ法を行うとき、原料ガスの組成比を連続的に変化させる。これにより、バッファ層３側から発光層５側に向かって連続的に組成の変化するｎクラッド層１４を得る。」
　
エ　上記アないしウからみて、引用例には、
「サファイア基板と、バッファ層と、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）からなるｎクラッド層と、ＩｎＹＧａ１−ＹＮ（０＜Ｙ＜１、Ｙ≠Ｘ）からなる発光層と、が順次積層された構造を備えてなり、前記ｎクラッド層の組成は、前記バッファ層側から前記発光層側に向かってｎ−Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ（Ｓｉドープ）〜ｎ−Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（Ｓｉドープ）へと連続的に変化し、前記発光層と接する面において当該組成が前記発光層の組成とほぼ等しくなるＧａＮ系の半導体素子であって、
　前記ＧａＮ系の半導体素子は発光ダイオードであり、
　前記バッファ層は、前記ＧａＮ系の半導体層の形成を容易にするために用いられるものであって、ＭＯＣＶＤ法により前記サファイア基板の上に積層されるＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）からなる、ＧａＮ系の半導体素子。」
　
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「サファイア基板」及び「発光層」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」及び「活性領域」に相当する。
　
イ　引用発明のＧａＮ系の半導体素子は発光ダイオードであり、ＧａＮ系の半導体素子を構成するＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）及びＩｎＹＧａ１−ＹＮ（０＜Ｙ＜１、Ｙ≠Ｘ）は、III族窒化物であるから、引用発明の「ＧａＮ系の半導体素子」は、本願補正発明の「III族窒化物発光デバイス」に相当する。
　
ウ（ア）本願明細書の「ここで用いられる用語
「勾配平滑領域」は、組成
の単一段階以外の組成
の変化をどのような形ででも達成する、あらゆる構造を含む意味で用いられる
それぞれの層の厚さがゼロに近づく限界において、勾配平滑領域は、連続的勾配領域
（イ）してみると、引用発明の「ｎクラッド層」は、その組成がバッファ層から発光層に向かって連続的に変化しているものであるから、本願補正発明の「勾配平滑領域」に相当するとともに、勾配付けられた組成を含むものといえる。
（ウ）そして、引用発明においては、サファイア基板とバッファ層とｎクラッド層と発光層とが順次積層されているから、ｎクラッド層が基板と発光層との間に配置されるものであることは自明であり、また、前記ｎクラッド層の組成にはインジウムが含まれるから、引用発明は、本願補正発明の「インジウムを含み、基板と活性領域との間に配置される勾配平滑領域」を含むとの事項、及び、「前記勾配平滑領域は、勾配付けられた組成を含む」との事項を備える。
　
エ（ア）本願明細書の「図８は、図１、図２及び図５の
ｎ型領域１２の一例
核生成層１２ａ
無ドープのＧａＮ層１２ｂ
ドープされたＧａＮ層１２ｃ及び１２ｄ
付加的なインジウム含有平滑構造
（イ）また、本願明細書には、「核生成層」について、「基板１１の上に形成される
核生成層
核生成層
（ウ）ここで、引用発明においては、サファイア基板の上にＭＯＣＶＤ法によりバッファ層が形成されているところ、引用発明の「バッファ層」がサファイア基板の上に直接重なることは自明であり、また、バッファ層の成長させる初期段階に核生成がなされることも当業者に自明であるから、上記（イ）に照らして「核生成層を含む」ものといえ、さらに、引用発明の「バッファ層」は、ＧａＮ（Ｘ＝０）であってよいものであるから、上記（ア）に照らして「ｎ型領域」を構成するものといえ、結局のところ、引用発明の「バッファ層」は、本願補正発明の「ｎ型領域」と、基板の上に直接重なる核生成層を含む点で一致するものといえる。
（エ）また、引用発明の「ｎクラッド層」は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）からなるものであるから、上記（ア）に照らして「ｎ型領域」を構成するものといえ、該ｎクラッド層と発光層とが順次積層されているから、引用発明の「ｎクラッド層」は、本願補正発明の「ｎ型領域」と、その上に活性領域が重なる点で一致するものといえる。
（オ）上記（ウ）及び（エ）より、引用発明は、本願補正発明の「基板の上に直接重なる核生成層を含むｎ型領域と、前記ｎ型領域の上に重なる活性領域」を含むとの事項を備える。
　
オ　上記アないしエから、本願補正発明と引用発明とは、
「基板と、前記基板の上に直接重なる核生成層を含むｎ型領域と、前記ｎ型領域の上に重なる活性領域と、インジウムを含み、前記基板と前記活性領域との間に配置される勾配平滑領域と、を含み、前記勾配平滑領域は、勾配付けられた組成を含む、III族窒化物発光デバイス。」の点で一致し、相違する点はない。
　
（オ）したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、独立して特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上の検討によれば、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年４月２２日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２８に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１で、本件補正前の請求項１として記載されたとおりのものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記第２［理由］２（１）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から、前記第２［理由］１で述べた限定事項を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２［理由］２に記載したとおり、引用例に記載された発明であるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明である。
　
４　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。