【事件の表示】
　平成　７年特許願第１５０８５８号「光学ピックアップ」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１２月　３日出願公開、特開平　８−３２１０８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯
　本件審判の請求に係る特許願（以下「本願」という。）は、平成７年５月２５日に出願されたものであって、平成１５年１０月１６日付けで、本願は拒絶すべきものである旨の査定がなされた。
　そして、平成１５年１１月２０日付けで、特許法第１２１条第１項の審判が請求され、平成１５年１２月１８日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
II．平成１５年１２月１８日付け手続補正についての却下の決定
　
　〔補正却下の決定の結論〕
　平成１５年１２月１８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
　〔理由〕
　１．本件補正についての補正の内容
　本件補正による補正内容は、特許請求の範囲に関しては、以下のものである。
　
　−本件補正前−
「【請求項１】　光ビームを出射するレーザ光源と、
　この光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の信号記録面上に合焦するように照射する対物レンズと、
　この光源から出射された光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録媒体の信号記録面からの戻り光ビームの第一の偏光または第二の偏光を分離する収束光学系中に配設されたビームスプリッタと、
　前記ビームスプリッタによって、分離された戻り光ビームを受光する光検出器と
を含んでおり、
　前記ビームスプリッタは、前記光ビームの反射面を有し、
　この反射面は、前記ビームスプリッタの分割されたガラスブロックの貼り合わせ面に形成されると共に多層膜を有し、
　この多層膜は、一方の前記ガラスブロックの前記貼り合わせ面上に、少なくとも、酸化チタン、酸化シリコン、シリコン及びクロムを積層して構成されることを特徴とする光学ピックアップ。
　【請求項２】　前記酸化チタンの厚さが４９．１９ｎｍで、前記酸化シリコンの厚さが２８７．５５ｎｍで、前記シリコンの厚さが４４．２９ｎｍ、そして前記クロムの厚さが４．００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。」
　
　−本件補正−
「【請求項１】　光ビームを出射するレーザ光源と、
　
前記
　
前記
第１の偏光成分
第２の偏光成分
　前記ビームスプリッタによって分離された戻り光ビームを受光する光検出器と
を有し、
　
前記ビームスプリッタは、２つのガラスブロックが互いに貼り合わせられてなり、
　
前記ガラスブロックの貼り合わせ面は、前記光ビームの光軸に対し４５度の角度で配置され、
　
前記貼り合わせ面には、少なくとも酸化チタン、酸化シリコン、シリコン及びクロムを積層した多層膜が形成され、
　
前記ビームスプリッタによる第１の偏光成分またはこれと異なる第２の偏光成分の分離率が、８５％以上９５％以下である
　【請求項２】　
前記ビームスプリッタは、前記第１の偏光成分を透過することにより前記第１の偏光成分を分離するように構成され、前記第２の偏光成分の反射率Ｒｓが８５％以上９５％以下とされている
　【請求項３】　
前記ビームスプリッタは、前記第２の偏光成分を反射することにより前記第２の偏光成分を分離するように構成され、前記第１の偏光成分の透過率Ｔｐが８５％以上９５％以下とされている
　
　上記本件補正では下線部分が追加された構成要件であるが、
　(i)本件補正前の請求項数は２で、多数項引用形式というものでないから、本件補正で請求項数を３とすることは項数の増加である。
　また、本件補正前の請求項２に記載された多層膜の各膜厚の削除であるが、本件補正でのビームスプリッタの補正をみると、「
第１／第２の偏光成分を透過／反射することにより前記第１／第２の偏光成分を分離するように構成され、前記第２／第１の偏光成分の反射率Ｒｓ／透過率Ｔｐが８５％以上９５％以下
　(ii)本件補正前においての「【請求項１】・・・戻り光ビームの第一の偏光または第二の偏光を分離する収束光学系中に配設されたビームスプリッタ」の記載内容であるが、これは戻り光に含まれる第一の偏光または第二の偏光を、単に、分離するビームスプリッタとの解釈が可能であるのに対して、本件補正では、
　「【請求項１】・・・戻り光ビームの
第１の偏光成分
第２の偏光成分
前記ビームスプリッタによる第１の偏光成分またはこれと異なる第２の偏光成分の分離率が、８５％以上９５％以下である・・・
　「【請求項２】
前記ビームスプリッタは、前記第１の偏光成分を透過することにより前記第１の偏光成分を分離するように構成され、前記第２の偏光成分の反射率Ｒｓが８５％以上９５％以下とされている
　「【請求項３】
前記ビームスプリッタは、前記第２の偏光成分を反射することにより前記第２の偏光成分を分離するように構成され、前記第１の偏光成分の透過率Ｔｐが８５％以上９５％以下とされている
としている。これは、『分離率』とした文言を用いることで、戻り光に含まれる第一の偏光波または第二の偏光波を、単に分離するというだけのものでなく、光源がＰ偏光成分で戻り光がＳ偏光成分を主体とする場合、もしくは、光源がＳ偏光成分で戻り光がＰ偏光成分を主体とする場合における、戻り光の各Ｓ／Ｐ偏光成分を、透過と反射の分離割合で規定していくことをビームスプリッタに含ませようとするもので（図面では、【図１】ないし【図７】の実施形態の包含させる）、新たな構成要件の付加による特許請求の範囲の拡張ないし変更にあたる。
　
以上のとおりで、上記本件補正の内容は、拒絶査定不服審判請求時の補正の要件を規定した、特許法第１７条の２第３項各号に掲げる要件である、
　(a)『請求項の削除について』は、該当しない。
　(b)『特許請求の範囲の限定的減縮について』は、上記のとおり、特許請求の範囲を拡張ないし変更するものであるから、該当しない。
　(c)『誤記の訂正について』は、「本来その意であることが明細書、特許請求の範囲又は図面の記載から明らかな字句・語句に正す」（審査基準）程度の軽微な補正の範囲内のものではない。
　(d)『明瞭でない記載の釈明について』は、審査基準では「請求項の記載そのものが、文理上、意味が不明瞭であること、請求項自体の記載内容が他の記載との関係において不合理を生じていること、又は、請求項自体の記載は明瞭であるが請求項に記載した発明が技術的に正確に特定されず不明瞭であること等をいう」としており、明瞭でない記載の釈明の範囲のものではない。
　
　要するに、本件補正は、特許法１７条の２第３項第１〜４号に規定された目的のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
　結局、本件補正は、特許法第１７条の２第３項第１〜４号の各号に規定された目的のいずれにも該当しない補正であることは明らかで、特許法１７条の２第３項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　
　
III．本願発明
　(1)本願発明
　平成１５年１２月１８日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願請求項に係る各発明は、平成１４年７月１２日付け手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち【請求項１】に係る発明は、上記〔理由〕１．−本件補正前−で記載する次のとおりのものである。
　「【請求項１】光ビームを出射するレーザ光源と、
　この光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の信号記録面上に合焦するように照射する対物レンズと、
　この光源から出射された光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録媒体の信号記録面からの戻り光ビームの第一の偏光または第二の偏光を分離する収束光学系中に配設されたビームスプリッタと、
　前記ビームスプリッタによって、分離された戻り光ビームを受光する光検出器とを含んでおり、
　前記ビームスプリッタは、前記光ビームの反射面を有し、
　この反射面は、前記ビームスプリッタの分割されたガラスブロックの貼り合わせ面に形成されると共に多層膜を有し、
　この多層膜は、一方の前記ガラスブロックの前記貼り合わせ面上に、少なくとも、酸化チタン、酸化シリコン、シリコン及びクロムを積層して構成されることを特徴とする光学ピックアップ。」（以下「本願発明」という。）
　
　(2)刊行物
　原査定の拒絶理由で引用された特開平７−６４４２号公報（以下「刊行物」という。）は、光磁気検出用光学ヘッドに関してのもので、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　
 「【００４６】図５に本発明に係る第３の実施例の光学ヘッドを示す。光学ヘッド４０は以下のように構成されている。
４１は光源としての半導体レーザ素子である。半導体レーザ素子４１から出力された光ビームは対物レンズ４２によって光磁気ディスクＭＯの信号記録面のある１点に集束される。
　【００４７】
４３は回折格子で、半導体レーザ素子４１から出射された発散光としての光ビームに基づいて、０次回折光及びプラスマイナス１次回折光の少なくとも３本の回折光を発生そる。光磁気ディスクＭＯの信号記録面上では０次回折光を挟んでその前後にプラスマイナス１次回折光が各々照射される。
　【００４８】
回折格子４３からの光ビームは発散光のまま、ビームスプリッタ４４に入射する。この第３の実施例でも、ビームスプリッタ４４がエンハンス素子として機能する。ビームスプリッタ４４は一対の光学プリズムとこれら一対の光学プリズムとの間に蒸着やスパッタリングによって設けられた多層誘電体層とによって構成されている。この多層の誘電体層は、Ｐ偏光成分の透過率ＴＰが４５％でＰ偏光成分の反射率ＲＰが４５％、Ｓ偏光成分の透過率ＴＳが数％及びＳ偏光成分の反射率ＲＳが９０％となるように設けられている
　【００４９】４５はコリメータレンズで、発散光のままビームスプリッタ４４を透過した半導体レーザ素子４１からの光ビームを平行な光ビーム、平行光束に変換する。４６はマルチレンズで、ビームスプリッタ４４からによって分離された信号記録面からの戻り光ビームにフォーカスエラー検出のための非点収差を発生させるとともに、ビームスプリッタ４４の出射端面から後述するフォトディテクタまでの戻り光ビームの光路長の短縮化を図るものである。
　【００５０】４７はウォラストンプリズムで戻り光ビームを第１の実施例と同様に複数の光ビームを分割生成する。４８はフォトディテクタで、ウォラストンプリズム４７が出射された複数の光ビームを受光する複数の受光面を有する。フォトディテクタ４８からの出力信号に基づいて、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及び光磁気ディスクＭＯの信号記録面に記録された情報信号を読み取った信号が生成される。
　【００５１】このように構成された
光学ヘッド４０において、半導体レーザ素子４１より出射されたＰ偏光の光ビームは発散光のまま回析格子４３、ビームスプリッタ４４を介をしてコリメータレンズ４５によって平行光束に変換される。コリメータレンズ４５によって平行な光ビームに変換された光ビームは対物レンズ４２によって光磁気ディスクＭＯの信号記録面上のある一点に集光される。この光ビームは信号記録面の磁区の方向によってカー効果にってその偏光面が回転されてＳ偏光成分を含んだ光ビームとなる。光磁気ディスクＭＯの信号記録面によって反射された光ビーム、戻り光ビームは再び対物レンズ４２、コリメータレンズ４５を介してビームスプリッタ４４に入射される。ビームスプリッタ４４において９０度偏向するとともにエンハンスされる。ビームスプリッタ４４によってエンハンスされた戻り光ビームをマルチレンズ４６、ウォラストンプリズム４７を介してフォトディテクタ４８によって受光される。
　【００５２】第３の実施例は第２の実施例と同様に、光磁気ディスクＭＯの信号記録面から照射される光ビームはほぼＰ偏光成分のみとなり、エンハンス率は、１．４以上になる。その結果、第３の実施例では十分なＣＮ比を得ることができるとともに、ウォラストンプリズム４７が収束光路中に配設されているために全体に小型に構成することができる。第２及び第３の実施例のように、エンハンス素子の機能を分離光学系を構成するビームスプリッタに持たせている場合には、エンハンス素子とビームスプリッタとを別々に設ける必要がないので部品点数が少なくなり、構成も簡単になる。
　【００５３】【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、簡単な構成によって小型に構成されると共に、高精度の反射光ビームの検出が行なわれ得るようにした、光磁気検出用光学ヘッドを提供することができる。」
　
　以上の記載を、図面を参照して整理すると、刊行物には以下の発明が記載されているものと認める。
　「半導体レーザ素子４１より出射されたＰ偏光の光ビームは発散光のまま回析格子４３、ビームスプリッタ４４を介をしてコリメータレンズ４５によって平行光束に変換され、コリメータレンズ４５によって平行な光ビームに変換された光ビームは対物レンズ４２によって光磁気ディスクＭＯの信号記録面上のある一点に集光され、
　光ビームは信号記録面の磁区の方向によってカー効果によってその偏光面が回転されてＳ偏光成分を含んだ光ビームとなり、光磁気ディスクＭＯの信号記録面によって反射された光ビームである戻り光ビームは再び対物レンズ４２、コリメータレンズ４５を介してビームスプリッタ４４に入射され、
　ビームスプリッタ４４は一対の光学プリズムとこれら一対の光学プリズムとの間に蒸着やスパッタリングによって設けられた多層誘電体層とによって構成されて、この多層の誘電体層は、Ｐ偏光成分の透過率ＴＰが４５％でＰ偏光成分の反射率ＲＰが４５％、Ｓ偏光成分の透過率ＴＳが数％及びＳ偏光成分の反射率ＲＳが９０％となるように設けられているものであり、戻り光を９０度偏向するとともにエンハンスし、
　ビームスプリッタ４４によってエンハンスされた戻り光ビームはマルチレンズ４６、ウォラストンプリズム４７を介してフォトディテクタ４８によって受光される、
　光磁気検出用光学ヘッド。」（以下「刊行物発明」という。）
　
　(3)対比・判断
 　(3-1)対比
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
　　i．刊行物発明における「半導体レーザ素子４１より出射されたＰ偏光の光ビーム」は、本願発明の「光ビームを出射するレーザ光源」に相当する。
　　ii．刊行物発明における「光ビームは対物レンズ４２によって光磁気ディスクＭＯの信号記録面上のある一点に集光」は、本願発明の「光ビームを光磁気記録媒体の信号記録面上に合焦するように照射する対物レンズ」に相当する。
　　iii．刊行物発明におけるビームスプリッタの機能構成であるが、「半導体レーザ素子４１より出射されたＰ偏光の光ビームは発散光のまま回析格子４３、ビームスプリッタ４４を介をしてコリメータレンズ４５によって平行光束に変換・・・光ビームは信号記録面の磁区の方向によってカー効果によってその偏光面が回転されてＳ偏光成分を含んだ光ビームとなり・・・ビームスプリッタ４４に入射され、上記ビームスプリッタ４４は一対の光学プリズムとこれら一対の光学プリズムとの間に蒸着やスパッタリングによって設けられた多層誘電体層とによって構成されて、この多層の誘電体層は、Ｐ偏光成分の透過率ＴＰが４５％でＰ偏光成分の反射率ＲＰが４５％、Ｓ偏光成分の透過率ＴＳが数％及びＳ偏光成分の反射率ＲＳが９０％となるように設けられているものであり、戻り光を９０度偏向するとともにエンハンスし」との記載がある。
　ここで、上記刊行物発明のＰ偏光成分またはＳ偏光成分は、本願発明での第一の偏光または第二の偏光であることは明らかであるから、上記ビームスプリッタは、本件発明の「光源から出射された光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録媒体の信号記録面からの戻り光ビームの第一の偏光または第二の偏光を分離する収束光学系中に配設されたビームスプリッタ」であるし、また、上記「ビームスプリッタ４４は一対の光学プリズムとこれら一対の光学プリズムとの間に蒸着やスパッタリングによって設けられた多層誘電体層とによって構成」との記載は、本件発明の「ビームスプリッタは、前記光ビームの反射面を有し、この反射面は、前記ビームスプリッタの分割されたガラスブロックの貼り合わせ面に形成されると共に多層膜を有し」に相当する。
　　iv．刊行物発明の「光磁気検出用光学ヘッド」は、本願発明の「光学ピックアップ」に相当する。
　
　結局、両発明の［一致点］及び［相違点］は、以下のとおりである。
　［一致点］
　「光ビームを出射するレーザ光源と、
　この光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の信号記録面上に合焦するように照射する対物レンズと、
　この光源から出射された光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録媒体の信号記録面からの戻り光ビームの第一の偏光または第二の偏光を分離する収束光学系中に配設されたビームスプリッタと、
　前記ビームスプリッタによって、分離された戻り光ビームを受光する光検出器とを含んでおり、
　前記ビームスプリッタは、前記光ビームの反射面を有し、
　この反射面は、前記ビームスプリッタの分割されたガラスブロックの貼り合わせ面に形成されると共に多層膜を有し、
　この多層膜は、一方の前記ガラスブロックの前記貼り合わせ面上に、構成される光学ピックアップ。」の点で一致する。
　
　［相違点］
　多層膜の構成について、本願発明のものは「少なくとも、酸化チタン、酸化シリコン、シリコン及びクロムを積層して」というものであるが、刊行物発明のものは多層膜材料の積層構成についての記載がない点で相違する。
　
　 (3-2)判断
　チタン、シリコン、及びクロム、ないし、その酸化物等はビームスプリッタの多層膜材料として自明で、これらの材料をもって適宜の多層膜を構成していくことも周知（例：特開平４−３２５９３６号公報，特開平７−３７２６６号公報，特開平６−２５００２１号公報等参照）である。また、多層膜の材料選択ないし、各材料の厚さを変更することで反射率（分離率）が変化することは技術常識である（例：特開平４−３２５９３６号公報等参照）。
　そして、戻り光ビームの、第一の偏光または第二の偏光を分離するということに限ってみれば、課題自体ごく通常的なものであるから、刊行物１発明のビームスプリッタにおいての多層誘電体層の材料構成を、上記「少なくとも、酸化チタン、酸化シリコン、シリコン及びクロムを積層」としていくことは、このことで特段有利な効果が生ずるようになるものとも認められるものでないので当業者が適宜容易に想到できるものである。
　仮に、本願発明の課題は「ビームスプリッタにより反射または透過されることより分離され」るというものだけでなく、「その分離率が８５乃至９５％の範囲内にあるので、高品質の再生信号が得られ、再生信号が、高精度で検出されることになる。」（例えば【００１３】を参照）という作用効果が内在するとしても、分離率としてその数値範囲に含まれる技術的思想が、そもそも刊行物に記載されている。（上記III．(2)の【００４８】を参照）
　また、『少なくとも』を伴う表現での上記材料の規定は、上記課題の達成に如何に有効であるのか明細書を参酌しても明確に把握できないものである。例えば、材料の膜厚の限定を含む等の要件限定がないと達成できないと解されるとすれば、請求項２の限定が必要となるもので、本件発明にこの構成はない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定より特許を受けることができないものである。
　
　
　４．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないとしてした原査定は妥当なものである。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。