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　特願２００３−４３５５４９「基板表面の清浄化方法とエピタキシャル膜の成膜方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月　４日出願公開、特開２００５−２０９６６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１２月２６日（優先権主張：平成１５年１２月２５日）の出願であって、平成１９年８月２０日付けで拒絶査定（発送日：同年同月２８日）がなされ、平成１９年９月２７日に拒絶査定不服審判が請求され、平成１９年１０月２９日付けで手続補正がなされたものである。
　　
第２　平成１９年１０月２９日付けの手続補正について
［結論］
　平成１９年１０月２９日付けの手続補正を却下する。
　　
［理由］
１．　平成１９年１０月２９日付けの手続補正　　
　平成１９年１０月２９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正後の特許請求の範囲の請求項１において、「III−V族半導体基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体膜を分子線エピタキシー法により形成する」との発明特定事項を含むものである。
　そこで、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）の記載を検討する。
　当初明細書等には、半導体の材質について、「それと同時に、たとえば化合物半導体のＧａＡｓの場合では、電子線回折をモニターしながら表面のＧａとＡｓの被覆率を最適化し、再成長表面の平坦性を確保する。もちろん、この出願の発明は主としてＧａＡｓ系基板に対して好適に適用されるが、このものに限定されることはなく、Ｓｉ等の基板に対しても適用可能である。」（段落【００１４】）、「図１の（ａ）は量子井戸のほぼ中央に再成長界面を持つ幅５ｎｍのＧａＡｓ量子井戸であり、（ｂ）は同じ構造で再成長界面を持たない通常のＧａＡｓ量子井戸を示している。
（ａ）では界面の原子レベルの揺らぎによる半値幅の増大が見られるが、強度の劣化はなく、界面の不純物または欠陥は（ｂ）と同程度であることを示している。なお、（ａ）（ｂ）とも井戸幅５nm、障壁層Ａ１０．３Ｇａ０．７Ａｓ、測定温度１０Ｋである。」（段落【００２１】）、
「・・・Ａｓ圧力：１×１０-5Ｔｏｒｒ
　　　ＩｎＡｓ成長量：２モノレヤー
　　　成長速度：０．１４モノレヤー／秒
　（ｃ）は大気曝露後水素清浄化した基板上に成長したＩｎＡｓ量子ドットからのフォトルミネッセンス（Photoluminescence）である。大気曝露のない（ｄ）に比べて強度、半値幅が優れているのは水素による欠陥の不活性化と、量子ドット形成時のＩｎ原子の表面拡散の増大が原因であると考えられる。（ｄ）は連続成長した量子ドットである。なお、（ｃ），（ｄ) ともＧａＡｓ基板上のＩｎＡｓ量子ドットで、測定温度は１０Ｋである。」（段落【００２２】）との記載がある。
　　
　上記のとおり、III−Ｖ族半導体の元素として、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓが示されており、このものに限定されることはないとの記載もある。
　
　しかし、元素について、それを一般化し、これらの元素以外のIII−V族の元素を用いて、III−V族半導体基板上にIII−V族半導体膜を形成するとの記載は、見当たらず、また、示唆があるともいえない。
　　
　このように、補正後の前記事項は、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ以外のIII−V族の元素を用いて、「III−V族半導体基板上にIII−V族半導体膜を形成する」との発明特定事項を追加しようとするものであるから、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるとはいえない。
　
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものということはできず、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明について
１．本願の請求項１〜３に係る発明
　前記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１９年１月５日付け補正書の特許請求の範囲項１〜３に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　　
「【請求項１】
　分子線エピタキシー法において、超真空槽から取り出し大気中に曝露または大気中で加工された半導体基板を、再び超高真空槽に戻して清浄化処理するデバイス用基板の清浄化方法であって、不純物の含有量が１０−９以下の純度の原子状水素により半導体基板表面を清浄化処理することを特徴とするデバイス用基板の清浄化方法。」
　　
２．引用例に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−１４８３４２号公報（以下「引用例」という。）には、図面と共に以下の記載がある。
　　
ア　「【請求項１】 　Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、ＨｇおよびＢｅからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のＩＩ族元素とＳｅ、ＳおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を真空を用いた気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に成長させるようにしたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法において、成長直前に基板温度３００℃ないし５５０℃において上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の表面に原子状または活性水素を照射することにより上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の表面の酸化膜を除去した後、上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。
・・・（中略）・・・
【請求項５】上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に成膜または加工処理を施した後、この成膜または加工処理が施された上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の表面に基板温度４５０℃以下において原子状または活性水素を照射することにより上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の表面の酸化膜を除去し、上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体上に上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を再成長させるようにしたことを特徴とする請求項１記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。」（特許請求の範囲）
　　
イ　「【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法に関し、例えばＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造に適用して好適なものである。」（段落【０００１】）
　　
ウ　「したがって、この発明の目的は、単一の成長室を備えた気相成長装置を用いてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板またはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体基板の表面の酸化膜をこれらの基板の構成元素の再蒸発を抑えつつ除去することができることにより、低結晶欠陥密度で良質のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を低コストで成長させることができるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法を提供することにある。」（段落【０００８】）
　　
エ　「この発明において、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長には、具体的には例えば分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法が用いられる。」（段落【００３２】）
　　
オ　「また、成膜または加工処理が施されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の表面に基板温度４５０℃以下において原子状または活性水素を照射することによりＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の表面の酸化膜を除去しているので、平坦かつ清浄な表面を得ることができる。このため、この平坦かつ清浄な表面にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を再成長させることにより、低結晶欠陥密度で良質のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を得ることができる。」（段落【００３８】）
　　
カ　「まず、この発明の一実施形態において用いるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用のＭＢＥ装置について説明する。図１はこのＭＢＥ装置の構成を示す。
　図１に示すように、このＭＢＥ装置においては、真空排気装置（図示せず）により真空排気された成長室１の中央部に、ヒーター（図示せず）により加熱可能な基板ホルダー２が設けられている。
　・・・（中略）・・・
　さらに、成長室１には、熱クラッキングセルまたはプラズマセルからなる水素用セル５が取り付けられている。この水素用セル５には、外部から配管６を通して純化された水素（Ｈ2 ）ガスが導入されるようになっている。この水素用セル５が熱クラッキングセルである場合には、この水素用セル５内に配置されたタングステンフィラメント（図示せず）を例えば１５００〜２０００℃程度の高温に加熱し、ここにＨ2 ガスを通すことにより熱エネルギーによってＨ2 を励起し、原子状水素を発生させる。また、水素用セル５がプラズマセルである場合には、この水素用セル５内に導入されたＨ2 ガスを高周波または電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によりプラズマ状態にして励起し、水素イオンなどとともに原子状または活性水素を発生させる。・・・（中略）・・・
　この場合、成長室１内に不純物として酸素が残留していると、後述の原子状または活性水素の照射による酸化膜１２の除去後にＧａＡｓ基板１１の表面が再び酸化される懸念があるため、この再酸化を防止するために、成長室１内は、水素ガス導入前の圧力で１．３３×１０−５Ｐａ（１×１０−７Ｔｏｒｒ）以下の圧力にしておくことが望ましい。この成長室１内の圧力の一例を挙げると、１．３３×１０−８Ｐａ（１×１０−１０ Ｔｏｒｒ）程度である。」（段落【００４３】〜【００４７】）
　
キ　「 以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
・・・（中略）・・・
　また、今後、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体素子、例えば青色ないし緑色で発光可能な半導体発光素子の長寿命化や高性能化を図るために、基板上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を成長させた後、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体にエッチングや絶縁層の成膜などの処理を施して光導波路などを形成し、その上にさらにＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を再成長させる可能性がある。したがって、これらのエッチングや成膜の際にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の表面に形成された酸化膜を、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の再成長前に原子状または活性水素を照射して除去することにより、界面準位の形成や結晶欠陥の増大を防止し、より低結晶欠陥密度で良質のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体再成長層を得ることができる。」（段落【００７５】〜【００７８】）　　
３．引用例に記載された発明
　ところで、前記摘記事項から、次の事項が把握できる。
Ａ．　記載事項イ、エ及びキの記載からみて、引用例に係るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法は、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）を採用し、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造に用いられること。　　
Ｂ．　記載事項カの記載及び技術常識からみて、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）が超高真空を採用し、その実施ＭＢＥ装置の成長室１（記載事項カ参照。）が超高真空に維持されていること。
　　
Ｃ．　記載事項イ、オ〜キの「原子状または活性水素」による酸化膜の除去は、清浄化処理に該当し、前記「原子状または活性水素」としては、記載事項カの記載からみて純化された水素（Ｈ2 ）ガスを励起したものであること 。
　　
Ｄ．　記載事項イ 、エ及びオの記載からみて、分子線エピタキシー法でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に成長させたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に成膜または加工処理を施した後、この成膜または加工処理を施した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を同法にて清浄化処理し、再成長させること。
　　
　したがって、記載事項ア〜キ及び図１から、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「分子線エピタキシー法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に成長させたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に成膜または加工処理を施した後、この成膜または加工処理を施した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を同法により超高真空に維持された成長室１で清浄化処理する、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子用基板の清浄化方法であって、純化された水素（Ｈ2 ）ガスを励起した原子状水素により前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体表面をその酸化膜を除去して清浄化処理するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子用基板の清浄化方法。」
　　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体」は本願発明の「半導体基板」に相当し、以下同様に、「成長室１」は「超高真空槽」、「超真空槽」に、「ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子用基板」は「デバイス用基板」に、それぞれ相当する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、次の一致点、相違点を有するものである。
　　
　［一致点］
　分子線エピタキシー法において、半導体基板を超高真空槽で清浄化処理するデバイス用基板の清浄化方法であって、原子状水素により半導体基板表面を清浄化処理するデバイス用基板の清浄化方法。
　　
　［相違点１］
　本願発明では、超真空槽から取り出し大気中に曝露または大気中で加工された半導体基板を、再び超高真空槽に戻して清浄化処理するのに対して、
　引用発明では、分子線エピタキシー法にてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に成長させたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に成膜または加工処理を施した後、この成膜または加工処理を施した前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を同法にて超高真空槽で清浄化処理する点。
　　　
　［相違点２］
　原子状水素が、本願発明では不純物の含有量が１０−９以下の純度の原子状水素であるのに対して、引用発明では純化された水素（Ｈ2 ）ガスを励起した原子状水素である点。　　
　　　
　相違点１及び２について検討する。
　［相違点１について］
　分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）により成長処理した半導体基板を大気中に暴露した後、再び超高真空槽においてＭＢＥ法にて清浄化、成長処理することは、従来周知（例えば、特開平７−８６１８３号公報【００２７】、特開平７−９４４２３号公報実施例１、２、特開２００２−７５８６７号公報実施例４参照。）である。
　　　
　また、引用発明の前記成膜または加工処理は、例えば記載事項キで示す化合物半導体を成長させた後の絶縁層の成膜またはエッチングであると考えられるところ、これらを大気中において行うことは当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　　
　さらに、引用発明は記載事項ウに示すように前記の処理や成長を単一の成長室を備えた気相成長装置を用いて行うことにより低コストを達成することを目的としていることから、引用発明において分子線エピタキシー法にてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を成長させた超高真空槽に再び戻して清浄化処理を行うことは設計的事項に過ぎない。
　　
　したがって、引用発明において、超真空槽から取り出し大気中に曝露または大気中で加工するようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。　　
　［相違点２について］
　引用発明は、清浄化処理のために純化された水素（Ｈ2 ）ガスを励起した原子状水素を用いるものであり、清浄化作用に用いる原子状水素の純度が高ければ不純物も少なく清浄化の程度が向上することは明らかである。
　そして、引用例には、室内圧力の例として、１０−８のものが示されている（前記「２．カ」参照。）。　
　さらに、本願発明においても、原子状水素の純度を高める必要があることは認めている（段落【００１２】）一方、不純物の含有量を１０−９以下とする数値限定が、臨界的意義を有すると認めるに足る根拠を示していない。
　　
　したがって、引用発明においてその清浄化処理に、不純物の含有量が１０−９以下の純度の原子状水素を用いることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明の効果は、引用発明及び周知技術から予測し得た程度のものであって、格別なものではない。
　　
　してみると、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。