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　特願２０００−２２２８９３「熱電デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月　８日出願公開，特開２００２−　４３６３７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１２年７月２４日の出願であって，平成１９年５月１４日付けで手続補正がなされ，同年８月２７日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年１０月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年１０月２６日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２２年３月１０日付けで審尋がなされ，平成２２年４月１６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年１０月２６日付けの手続補正について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１０月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容について
　本件補正は，特許請求の範囲の請求項１の補正を含むものであり，その補正内容は以下のとおりである。
＜補正事項１＞
　本件補正前の「前記拡散抑制層は，前記半田層の半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する第１層と，前記第１層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料で形成された第２層と」を，「前記拡散抑制層は，前記半田層の半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する第１層と，前記第１層と前記半田層との間に介在するとともに前記第１層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料で形成された第２層とを備え」とする。
＜補正事項２＞
　本件補正前の「前記第１層の平均厚みは第２層の平均厚みよりも厚く設定されている」を，「前記第１層の平均厚みは第２層の平均厚みより厚く，第１層と第２層の合計の厚みは１μｍ以上であるように設定され，前記相手材は複数の前記熱電素子と接合されるとともに前記半田が前記相手材における前記熱電素子と前記熱電素子との間の部分にも設けられ，前記相手材における前記熱電素子間の部分に設けられる半田が前記熱電素子間において前記第２層の端部を覆う」とする。
　
２　補正目的の適否について
　上記補正事項１〜２は，第１層，第２層，及び半田について，その位置及び厚さをさらに限定するものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件について
　以上で検討したとおり，上記補正事項１〜２は特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が，同特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定（独立特許要件）に適合するか否かについて検討する。
　
３−１　本願補正発明
　平成１９年１０月２６日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１の記載によれば，本願補正発明は，次のとおりである。
「熱電材料を主要成分とする熱電素子と，
　前記熱電素子に接合される相手材と，
　前記熱電素子と前記相手材との間に介在し前記熱電素子と前記相手材とを接合する半田層と，
　前記熱電素子と前記半田層との間に介在し，前記半田層を構成する半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する拡散抑制層とを具備する熱電デバイスにおいて，
　前記拡散抑制層は，前記半田層の半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する第１層と，前記第１層と前記半田層との間に介在するとともに前記第１層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料で形成された第２層とを備え，
　前記第１層はニッケル−リン系もしくはニッケル−ボロン系の無電解メッキ層であり，前記第２層は電解もしくは無電解の金メッキ層であり，
　前記第１層の平均厚みは第２層の平均厚みより厚く，第１層と第２層の合計の厚みは１μｍ以上であるように設定され，
　前記相手材は複数の前記熱電素子と接合されるとともに前記半田が前記相手材における前記熱電素子と前記熱電素子との間の部分にも設けられ，
　前記相手材における前記熱電素子間の部分に設けられる半田が前記熱電素子間において前記第２層の端部を覆う，
　ことを特徴とする熱電デバイス。」
　
３−２　引用例１の記載内容と引用発明
（１）引用例１の記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−２９３９０６号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜６とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
「   【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は，熱電変換素子に関し，特にゼーベック効果によって熱起電力を発生するための熱電変換素子に関する。」
「  【０００７】本発明に従えば，Ｐ形またはＮ形の導電形式を有する半導体の一端部を電極と接続するにあたり，半導体に接する介在層が設けられ，
介在層は，Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループから選ばれる１またはそれらの合金である
しかもこのような成分を有する介在層によれば，電極，接合層および中間層の成分が半導体へ拡散しやすい物質であったとしても，その拡散を介在層によって防ぐことができる
「  【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の一形態の熱電変換素子１を示す断面図であり，図２は図１に示される熱電変換素子１を数個直列接続して構成されたユニット２の簡略化した側面図である
「【００１０】
電極５は，電気絶縁性基板８上にパターニングされて構成される
半導体３，４は両者ともＢｉ−Ｔｅ系またはＰｂ−Ｔｅ系であってもよく
「 【００１４】図４は，本発明の実施のさらに他の形態の一部の断面図である。この実施の形態は，前述の図３の構成に類似し，対応する部分には同一の参照符を付す。
注目すべきはこの実施の形態では，介在層１４，１５と接合層１６，１７との濡れ性を向上するために，中間層１８，１９を薄膜技術によってまたは厚膜技術によって設ける。この濡れ性のよい中間層１８，１９は，たとえばＣｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＭｇのうちの１つまたはそれらの合金であってもよい
半導体３，４には，ＡｌまたはＴｉから成る介在層１４，１５が形成され，その上にＡｕから成る中間層１８，１９が形成され，高温半田から成る接合層１６，１７によってＣｕ製電極５に接合される
「  【００１９】図５（１）では，図１の構成において，介在層６，７はアルミニウムロウである。図５（２）は図１の介在層６，７としてマグネシウムロウを用いた。図５（３）では，図３の構成において，介在層１４，１５は，アルミニウムのスパッタ膜であり，介在層１６，１７としてアルミニウムロウを用いた。
図５（４）では，図４の構成において，介在層１４，１５はチタンのスパッタ膜であり，濡れ性のよい中間層１８，１９として金の蒸着膜を用い，接合層１６，１７として高温半田を用いた
「 【００２４】薄膜技術によって形成する
介在層６，７；１４，１５の厚みは，１０００Å〜１ｍｍが好ましく
　
（２）引用例１の記載事項の整理
　以上を整理すると，引用例１には次のことが記載されているものと認められる。
　ア　引用例１の段落【００１０】には，「半導体３，４」がＢｉ−Ｔｅ系またはＰｂ−Ｔｅ系材料であることが記載されているから，「熱電材料を主要成分とする」「半導体３，４」が記載されているといえる。
　イ　引用例１の段落【００１０】の「電極５は，電気絶縁性基板８上にパターニングされて構成される」との記載，段落【００１４】の「半導体３，４には，ＡｌまたはＴｉから成る介在層１４，１５が形成され，その上にＡｕから成る中間層１８，１９が形成され，高温半田から成る接合層１６，１７によってＣｕ製電極５に接合される」との記載及び図４からみて，引用例１には，「電気絶縁性基板８」が「半導体３，４に接合されること」，及び，「接合層１６，１７」が「半導体３，４と電気絶縁性基板８との間に介在し半導体３，４と基板８とを接合する」ものであることが記載されているといえる。
　ウ　引用例１の段落【０００７】の「介在層は，Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループから選ばれる１またはそれらの合金である。（中略）しかもこのような成分を有する介在層によれば，電極，接合層および中間層の成分が半導体へ拡散しやすい物質であったとしても，その拡散を介在層によって防ぐことができる」，段落【００１４】の「半導体３，４には，ＡｌまたはＴｉから成る介在層１４，１５が形成され，その上にＡｕから成る中間層１８，１９が形成され，高温半田から成る接合層１６，１７によってＣｕ製電極５に接合される」との記載及び図４からみて，引用例１には，「介在層１４，１５」が「半導体３，４と接合層１６，１７との間に介在し」「接合層１６，１７の成分が前記半導体３，４の内部に拡散することを防止する」ものであることが記載されているといえる。
　エ　引用例１の段落【００１４】の「介在層１４，１５と接合層１６，１７との濡れ性を向上するために，中間層１８，１９を薄膜技術によってまたは厚膜技術によって設ける。（中略）半導体３，４には，ＡｌまたはＴｉから成る介在層１４，１５が形成され，その上にＡｕから成る中間層１８，１９が形成され，高温半田から成る接合層１６，１７によってＣｕ製電極５に接合される」，段落【００１９】の「図４の構成において，介在層１４，１５はチタンのスパッタ膜であり，濡れ性のよい中間層１８，１９として金の蒸着膜を用い，接合層１６，１７として高温半田を用いた」との記載及び図４からみて，引用例１には，「中間層１８，１９」が，「介在層１４，１５と前記接合層１６，１７との間に介在するとともに前記介在層よりも接合層１６，１７に対する濡れ性が良好な材料で形成され」，また，「金の蒸着膜」であることが記載されているといえる。
　オ　引用例１の段落【０００８】の「図１は本発明の実施の一形態の熱電変換素子１を示す断面図であり，図２は図１に示される熱電変換素子１を数個直列接続して構成されたユニット２の簡略化した側面図である。」との記載及び図２からみて，引用例１には，「電気絶縁性基板８」に複数の「半導体３，４」が接合されることが記載されているといえる。
　
（３）引用発明
　上記（２）ア〜オによれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「熱電材料を主要成分とする半導体３，４と，
前記半導体３，４に接合される電気絶縁性基板８と，
前記半導体３，４と前記基板８との間に介在し前記半導体３，４と前記基板８とを接合する接合層１６，１７と，
前記半導体３，４と前記接合層１６，１７との間に介在し，前記接合層１６，１７の成分が前記半導体３，４の内部に拡散することを防止する介在層１４，１５と，前記介在層１４，１５と前記接合層１６，１７との間に介在するとともに前記介在層よりも接合層１６，１７に対する濡れ性が良好な材料で形成された中間層１８，１９とを備え，
前記介在層１４，１５は，Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループから選ばれる１またはそれらの合金であり，
前記中間層１８，１９は金の蒸着膜であり，
前記電気絶縁性基板８は，複数の前記半導体３，４と接合される，
ことを特徴とする熱電変換素子。」
　
３−３　本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と，上記引用発明とを対比する。
　ア　引用発明における「半導体３，４」，「電気絶縁性基板」及び「熱電変換素子」は，本願補正発明における「熱電素子」，「相手材」及び「熱電デバイス」に，それぞれ相当する。
　イ　引用例１の段落【００１９】には，「接合層１６，１７として高温半田を用いた」と記載されているから，引用発明における「接合層１６，１７」は，本願補正発明における「半田層」に相当する。
　ウ　引用発明における「介在層１４，１５」は，熱電素子と半田層との間に介在し，半田層を構成する半田成分が熱電素子の内部に拡散することを防止する機能を有するものであるから，本願補正発明における「第１層」に相当する。
　エ　引用発明における「中間層１８，１９」は，第１層と半田層との間に介在するとともに，第１層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料で形成されているから，本願補正発明における「第２層」に相当する。
　オ　引用発明は，「前記熱電素子と前記半田層との間に介在し，前記半田層を構成する半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する」層として「半田層の半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する第１層と，前記第１層と前記半田層との間に介在するとともに前記第１層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料で形成された第２層」とを備えているから，引用発明も「拡散抑制層」を具備するものと認められる。
　
　そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「熱電材料を主要成分とする熱電素子と，
　前記熱電素子に接合される相手材と，
　前記熱電素子と前記相手材との間に介在し前記熱電素子と前記相手材とを接合する半田層と，
　前記熱電素子と前記半田層との間に介在し，前記半田層を構成する半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する拡散抑制層とを具備する熱電デバイスにおいて，
　前記拡散抑制層は，前記半田層の半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する第１層と，前記第１層と前記半田層との間に介在するとともに前記第１層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料で形成された第２層とを備えた，
ことを特徴とする熱電デバイス。」
　
＜相違点１＞
　本願補正発明は，第１層は「ニッケル−リン系もしくはニッケル−ボロン系の無電解メッキ層」であるのに対し，引用発明では「Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループから選ばれる１またはそれらの合金」である点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明は，第２層は「電解もしくは無電解の金メッキ層」であるのに対し，引用発明では「金の蒸着膜」である点。
　
＜相違点３＞
　本願補正発明は，「第１層の平均厚みは第２層の平均厚みより厚く，第１層と第２層の合計の厚みは１μｍ以上であるように設定され」ているのに対し，引用発明では第１層と第２層の厚みの関係について教示がない点。
　
＜相違点４＞
　本願補正発明は，「前記半田が前記相手材における前記熱電素子と前記熱電素子との間の部分にも設けられ，
　前記相手材における前記熱電素子間の部分に設けられる半田が前記熱電素子間において前記第２層の端部を覆う」のに対し，引用発明では，上記のように半田が設けられていない点。
　
３−４　相違点についての判断
（１）相違点１について
　ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−１８６６１８号公報（以下「引用例２」という。）には，次の記載がある。
・「【０００３】熱電変換装置に使用する熱電半導体は，表面平滑化，接合強度向上，品質性能劣化抑止等の各種目的のために，その表面にメッキ膜を形成する場合がある。例えば，熱電半導体を基板上に形成された銅等からなる電極にはんだ付けにより接続する際に，はんだのすず成分が熱電半導体内に拡散して品質性能を劣化させるのを防止するため，及び，はんだの濡れ性を確保するために，はんだ接合用のメッキ膜を形成する必要がある。」
・「【００３３】上記酸処理を行った後，中和，水洗を行い，その後，熱電半導体５をメッキ浴槽中に入れ，無電解Ｎｉ−Ｐメッキを行った。尚，このメッキ工程は，無電解メッキとしてＮｉ−Ｂ，Ａｕ，Ｐｄメッキ等，電解としてＮｉ，Ａｕメッキ等が可能であるが，安価な無電解Ｎｉ−Ｐ，電解Ｎｉメッキが望ましい。」
　上記によれば，引用例２には，半田成分が熱電半導体内部に拡散することを防止する層として，ニッケル−リン系の無電解メッキ層を設ける技術が開示されている。
　イ　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−１８６６１９号公報（以下「引用例３」という。）には，次の記載がある。
 ・「【０００４】例えば，熱電半導体チップを基板上に形成された銅などからなる電極にはんだ付けにより接続する際に，はんだのすず成分が熱電半導体内に拡散して品質性能を劣化させるのを防止するため，及び，はんだ濡れ性を確保するために，はんだ接合用のメッキ膜を形成する必要がある。」
・「【００１３】メッキ膜としては，Ｓｎバリヤ性を有し，はんだ濡れ性及び電気伝導性に優れた金属や合金であることが好ましい。」
・「【００４２】その後，無電解メッキ工程において，熱電半導体にメッキを施す。この無電解メッキ工程は，本例においては，無電解メッキ浴として還元剤成分がジメチルアミノボランを主体とするＮｉメッキ浴を使用した。このため熱電半導体に被覆されるメッキは，Ｎｉ−Ｂメッキとなる。」
　上記によれば，引用例３には，半田成分が熱電半導体内部に拡散することを防止する層として，ニッケル−ボロン系の無電解メッキ層を設ける技術が開示されている
　ウ　したがって，半田層の半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する第１層の材料として，引用発明の「Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループから選ばれる１またはそれらの合金」に代えて，引用例２〜３に開示された，「ニッケル−リン系の無電解メッキ層」，又は，「ニッケル−ボロン系の無電解メッキ層」を採用することは，当業者が容易になし得た材料選択である。
　
（２）相違点２について
　「電解もしくは無電解の金メッキ層」は，当業者にとって周知の金薄膜であり（必要ならば，引用例２の段落【００３３】，特開平４−２３３６８号公報の第７頁右上欄第６行〜第８行を参照。），引用発明の「金の蒸着膜」を「電解もしくは無電解の金メッキ層」に変更することは，当業者が適宜なし得た設計変更である。
　
（３）相違点３について
　第１層は半田成分の拡散を防止する層であり，拡散防止層をより厚くすれば拡散防止の効果が高まることは，当業者の技術常識である。一方，第２層は半田との濡れ性を確保するための層であり，濡れ性の効果の高さと第２層の厚みは直接には関係しないこともまた，当業者の技術常識であるといえる。よって，第２層は必要な濡れ性を確保するのに必要な限度の膜厚とし，第１層は拡散防止効果をより高めるためより厚い膜とすることは，上記の技術常識を有する当業者が容易に想到し得たことであり，その際に，第２層の厚みを基準として「第１層の平均厚みは第２層の平均厚みより厚く」設定することは，適宜なし得たことである。
　また，引用例１の段落【００２４】には，「薄膜技術によって形成する介在層６，７；１４，１５の厚みは，１０００Å〜１ｍｍが好ましく」と記載されているから，第１層として１μｍ以上の膜厚は普通に用いられている膜厚であり，よって，第１層と第２層の合計の厚みが１μｍ以上のものも，当業者が普通に選択し得る範囲のものである。
　さらに，本願の明細書の表１には，第１層と第２層の合計の厚みが１μｍ未満の例も含めて記載されているところ，本願の明細書段落【００４４】には，「実施例１，実施例２に係わる試験片では，拡散抑制効果が高いニッケル−リン系もしくはニッケル−ボロン系の無電解メッキ層からなる第１層７１の上に，半田濡れ性が良好な無電解の金メッキ層７２が形成されている。このため，
半田成分が熱電素子１の内部に拡散することを抑える拡散効果が高く，しかも電極３５と熱電素子１とを半田付けする際の半田付け性も向上しており，各試験後における劣化が抑えられていた
実施例１，実施例２に係わる試験片では，各試験後における不良品の発生率は０であるか，極めて少なかった
使用条件を緩和すれば，第１層７１の厚みは１．０μｍ以下でも足りる
　
（４）相違点４について
　半田が相手材における熱電素子と熱電素子との間の部分にも設けられ，前記半田が前記熱電素子間において端部を覆う構成は，拒絶査定に引用された特開平４−２３３６８号公報（以下，「周知例１」という。）の第３図（ｇ）や特開平７−３２１３７９号公報（以下「周知例２」という。）の図１〜２，５〜６に照らして，周知の構成であり，引用発明において熱電素子と相手材との接合を具体化するに当たり，半田（接合層）を当該周知の構成のようにすることは当業者が適宜なし得たことである。そして，その際，半田が覆う範囲を第２層までとすることは，自然な選択である。
　審判請求人は，平成１９年１０月２６日に提出された手続補正書（方式）により補正された審判請求書の（３）（ｃ）において，「本願発明は，半田が半田に対する濡れ性が良好な第２層の端部までも覆うことにより，より接合性を向上させた発明である。」と主張している。しかしながら，上記のとおり，半田が覆う範囲を第２層までとすることは，自然な選択である。また，「より接合性を向上させた」との作用効果は，願書に添付された明細書には具体的に記載されておらず，願書に添付された図面のみから直ちに理解できる程度の自明な効果であるといえるから，上記周知の構成からも当然に期待される効果であり，当業者の予測を超える格別なものとはいえない。よって，審判請求人の主張は採用できない。
　
３−５　独立特許要件についての結論
　以上のとおり，本願補正発明は，引用発明及び引用例２〜３に記載された事項並びに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。よって，本件補正は，独立特許要件を満たさない。
　
４　本件補正についての結論
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１９年５月１４日提出の手続補正書により補正された請求項１）に記載された事項により特定される，次のとおりのものである。
「熱電材料を主要成分とする熱電素子と，前記熱電素子に接合される相手材と，前記熱電素子と前記相手材との間に介在し前記熱電素子と前記相手材とを接合する半田層と，前記熱電素子と前記半田層との間に介在し，前記半田層を構成する半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する拡散抑制層とを具備する熱電デバイスにおいて，
　前記拡散抑制層は，前記半田層の半田成分が前記熱電素子の内部に拡散することを防止する第１層と，前記第１層よりも半田に対する濡れ性が良好な材料で形成された第２層とを備えていることを特徴とする熱電デバイスであり，
　前記第１層はニッケル−リン系もしくはニッケル−ボロン系の無電解メッキ層であり，前記第２層は電解もしくは無電解の金メッキ層であり，
　前記第１層の平均厚みは第２層の平均厚みよりも厚く設定されている
　ことを特徴とする熱電デバイス。」
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，３−２（３）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　上記第２，２で検討したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１の第１層，第２層，及び半田について，その位置及び厚さをさらに限定するものである。
　そうすると，本願発明の構成要素をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，上記第２，３で検討したとおり，引用発明及び引用例２〜３の記載並びに周知例１〜２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　本願発明についての結論
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２〜３の記載並びに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。