【事件の表示】
　特願２００２−２４８６５２「表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月　６日出願公開、特開２００３−１６３９９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１４年８月２８日（パリ条約の例による優先権主張、２００１年（平成１３年）９月１１日、台湾）の出願であって、平成１９年２月６日付けの拒絶査定に対し、平成１９年５月１４日に審判請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．平成１９年５月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年５月１４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正の内容
　この手続補正による補正前後の請求項の記載は次のとおりである。
　
（１）補正前の請求項
「　【請求項１】　エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、
　（１）複合層振動板チップとされ、
　　第１基板と、
　　該第１基板の底面に形成された振動板と、
　　該第１基板の上面に形成された第１窒化けい素層と、
　　該第１基板と該第１窒化けい素層上に形成された凹溝と、
　　該第１窒化けい素層と該凹溝の上面に形成された第１電極層と、
　　該振動板の底面に形成されたエレクトレット層と、
　　該エレクトレット層の底面の両端部分領域に形成された絶縁スペーサと、
　　を具えた上記複合層振動板チップと、
　（２）固定電極チップとされ、
　　第２基板と、
　　該第２基板の上面の一端に形成されたＭＯＳＦＥＴと、
　　該第２基板の上面と底面に形成された二つの堆積層と、
　　該第２基板の上面に形成されると共に、該ＭＯＳＦＥＴの一側に位置するトレンチと、
　　該第２基板の上面の適当な領域に定置される複数の通気孔と、
　　該第２基板の通気孔の底部に形成されて、その開口が下向きである凹溝とされた気室と、
　　該固定電極チップの上面の上に形成された第２電極層と、
　　を具えた上記固定電極チップと、
　（３）ケースとされ、該複合層振動板チップと該固定電極チップをパッケージする上記ケースと、
　を具えたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項２】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、第１基板及び第２基板の厚さが２５０μｍ〜５５０μｍとされ、電気抵抗値が５ｏｈｍ−ｃｍ〜２５ｏｈｍ−ｃｍとされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項３】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの振動板面積範囲が０．５ｍｍ2 〜２ｍｍ2 で、厚さ範囲が０．５μｍ〜２μｍとされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項４】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップのエレクトレット層の厚さ範囲が０．８μｍ〜５μｍとされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項５】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの絶縁スペーサの厚さ範囲が３μｍ〜１０μｍとされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項６】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、固定電極チップの固定電極厚さ範囲が１０μｍ〜２２０μｍで、面積範囲が０．５ｍｍ2 〜２ｍｍ2 とされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項７】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、固定電極チップの気室体積範囲が０．２ｍｍ3 〜１ｍｍ3 とされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項８】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、固定電極チップの通気孔のサイズ範囲が１０μｍ〜１００μｍで、厚さ範囲が１０μｍ〜２００μｍで、数量範囲が１６／ｍｍ2 〜９００／ｍｍ2 とされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項９】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、第１電極層と第２電極層の厚さが５００Å〜２０００Åとされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１０】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの第１基板がｎ型或いはｐ型式片面つや出しのチップとされ、固定電極チップの第２基板がｎ型或いはｐ型の両面つや出しのチップとされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１１】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの振動板がＳｉx Ｎ4 或いはＳｉ3 Ｎ4 及びＳｉＯ2 その他の低残留応力の材料を組み合わせた複合膜層とされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１２】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの第１電極層及び第２電極層が金或いはアルミニウムとされたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１３】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップのエレクトレット層が誘電率の低い材料より選択されたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１４】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップのエレクトレット層がＰＴＦＥ、ポリテトラフルオロエチレン−ＦＥＰ、ポリテトラフルオロエチレン−ＰＡＦ及びＢＣＢより選択されたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１５】　請求項１に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの絶縁スペーサが高絶縁材料であるポリイミドで形成されたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１６】　エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法において、
　第１基板を提供する工程と、
　第１基板の上面に第１窒化けい素層を形成する工程と、
　該第１基板と該第１窒化けい素層上に凹溝を形成する工程と、
　該第１窒化けい素層と該凹溝の上面に第１電極層を形成する工程と、
　該振動板の底部にエレクトレット層を形成すると共に、該エレクトレット層に対して充電を行う工程と、
　該エレクトレット層の底面両端に絶縁層を形成し、これにより複合層振動板チップを形成する工程と、
　第２基板を提供し、その上面の一端にＭＯＳＦＥＴを形成する工程と、
　該第２基板の上面と底面にそれぞれ堆積層を形成する工程と、
　該第２基板の上面にあって該ＭＯＳＦＥＴの一側にトレンチを形成する工程と、
　該第２基板の上面の適当な領域に複数の通気孔を形成する工程と、
　該第２基板の通気孔の底面に気室を形成する工程と、
　該固定電極チップの上面の上に第２電極層を形成し、これにより固定電極チップを形成する工程と、
　該複合層振動板チップと固定電極チップを相互に対応するよう組み合わせ、並びに導線で接合し及びパッケージしてエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンを形成する工程と、
　を具えたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法。
　　【請求項１７】　請求項１６に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法において、窒化けい素層と堆積層を堆積法で形成することを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法。
　　【請求項１８】　請求項１６に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法において、凹溝とトレンチ及び通気孔及び気室をエッチング法により形成することを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法。
　　【請求項１９】　請求項１６に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法において、第１電極層と第２電極層をスパッタ方式で形成することを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法。
　　【請求項２０】　請求項１６に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法において、エレクトレット層を塗布法で形成することを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法。
　　【請求項２１】　請求項１６に記載のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法において、絶縁スペーサをマスクとリソグラフィー方法で形成することを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法。」
　
（２）補正後の請求項
「　【請求項１】　表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、
　（１）平坦な或いは波形の複合層振動板チップであって、
　　第１基板と、
　　該第１基板の底面に形成された平坦な或いは波形の振動板と、
　　該第１基板の上面に形成された第１窒化けい素層と、
　　該第１基板と該第１窒化けい素層上に形成された凹溝と、
　　該第１窒化けい素層と該凹溝の上面に形成された第１電極層と、
　　該振動板の底面に形成されたエレクトレット層と、
　　該エレクトレット層の底面の両端部分領域に形成された絶縁スペーサと、
　　を具えた上記複合層振動板チップと、
　（２）固定電極チップであって、
　　第２基板と、
　　該第２基板の上面の一端に形成されたＭＯＳＦＥＴと、
　　該第２基板の上面と底面に形成された二つの堆積層と、
　　該第２基板の上面に形成されると共に、該ＭＯＳＦＥＴの一側に位置するトレンチと、
　　該第２基板の上面の適当な領域に定置される複数の通気孔と、
　　該第２基板の通気孔の底部に形成されて、その開口が下向きである凹溝とされた気室と、
　　該固定電極チップの上面の上に形成された第２電極層と、
　　該固定電極チップの上面に形成された一対の導電ピンホールと、
　　を具えた上記固定電極チップと、
　（３）ケースであって、該複合層振動板チップと該固定電極チップを一体にパッケージしてシリコンエレクトレットコンデンサマイクロホンを形成する上記ケースと、
　を具えたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項２】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、第１基板及び第２基板の厚さが２５０μｍ〜５５０μｍとされ、電気抵抗値が５ｏｈｍ−ｃｍ〜２５ｏｈｍ−ｃｍとされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項３】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの振動板面積範囲が０．５ｍｍ2 〜２ｍｍ2 で、厚さ範囲が０．５μｍ〜２μｍとされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項４】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップのエレクトレット層の厚さ範囲が０．８μｍ〜５μｍとされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項５】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの絶縁スペーサの厚さ範囲が３μｍ〜１０μｍとされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項６】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、固定電極チップの固定電極厚さ範囲が１０μｍ〜２２０μｍで、面積範囲が０．５ｍｍ2 〜２ｍｍ2 とされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項７】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、固定電極チップの気室体積範囲が０．２ｍｍ3 〜１ｍｍ3 とされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項８】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、固定電極チップの通気孔のサイズ範囲が１０μｍ〜１００μｍで、厚さ範囲が１０μｍ〜２００μｍで、数量範囲が１６／ｍｍ2 〜９００／ｍｍ2 とされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項９】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、第１電極層と第２電極層の厚さが５００Å〜２０００Åとされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１０】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの第１基板がｎ型或いはｐ型式片面つや出しのチップとされ、固定電極チップの第２基板がｎ型或いはｐ型の両面つや出しのチップとされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１１】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの振動板がＳｉx Ｎ4 或いはＳｉ3 Ｎ4 及びＳｉＯ2 その他の低残留応力の材料を組み合わせた複合膜層とされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１２】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップの第１電極層及び第２電極層が金或いはアルミニウムとされたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１３】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップのエレクトレット層が誘電率の低い材料より選択されたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１４】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、複合層振動板チップのエレクトレット層がＰＴＦＥ、ポリテトラフルオロエチレン−ＦＥＰ、ポリテトラフルオロエチレン−ＰＡＦ及びＢＣＢより選択されたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１５】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、波形の振動板の基板の波形の深さが１μｍ〜２０μｍであり、波形
の空間期間（ｓｐａｔｉａｌ　ｐｅｒｉｏｄ）が２μｍ〜５０μｍであり、波の数が１−１０サークルであることを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１６】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソースとドレインの入力と出力用に二つの導電ピンホールを更に具えたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１７】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、前記第１電極層の材料が金或いはアルミニウムとされ、該第１電極層が前記第１基板の上に配置され外部の該ケースにより導電ピンを通してＭＯＳＦＥＴのソースとドレインに接続されたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１８】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、前記第２電極層の材料が金或いはアルミニウムとされ、該第２電極層が前記第２基板の上に配置され導電ワイヤにより該ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続されたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　　【請求項１９】　請求項１に記載の表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、バイアス電圧源が導電ピンに接続され、それから該ＭＯＳＦＥＴのドレインとソースに接続されたことを特徴とする、表面実装型エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。」
　
２．補正の適否
　上記補正後の請求項において、請求項１の「波形の複合層振動板チップ」、「固定電極チップの上面に形成された一対の導電ピンホール」、請求項１５の「波形の振動板」、請求項１６の「ＭＯＳＦＥＴのソースとドレインの入力と出力用に二つの導電ピンホールを更に具えたこと」、請求項１７の「第１電極層が前記第１基板の上に配置され外部の該ケースにより導電ピンを通してＭＯＳＦＥＴのソースとドレインに接続されたこと」、請求項１８の「第２電極層が前記第２基板の上に配置され導電ワイヤにより該ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続されたこと」、請求項１９の「バイアス電圧源が導電ピンに接続され、それから該ＭＯＳＦＥＴのドレインとソースに接続されたこと」は何れも、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されたものではなく、また、それらの記載から自明であるとも認められないので、この補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてしたものではない。
　したがって、この手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合するものではない。
　
　また、「エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン」に関する請求項は、補正前は請求項１ないし１５であり、補正後は請求項１ないし１９である。各請求項の記載内容からみて、補正前の請求項１ないし１４が補正されて補正後の請求項１ないし１４とされ、補正前の請求項１５は削除されたと考えられるから、補正後の請求項１５ないし１９は、この補正により新たに付加された請求項である。新たに請求項を付加する補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明の何れを目的とする補正でもないことは明らかである。
　したがって、この手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、平成１８年改正前特許法という）第１７条の２第４項第１号ないし第４号に規定された何れの目的にも該当するものではない。
　
　以上のとおり、本件の手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　また、本件の手続補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反してなされたものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年５月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は、次のとおりである。
　
「エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、
（１）複合層振動板チップとされ、
　第１基板と、
　該第１基板の底面に形成された振動板と、
　該第１基板の上面に形成された第１窒化けい素層と、
　該第１基板と該第１窒化けい素層上に形成された凹溝と、
　該第１窒化けい素層と該凹溝の上面に形成された第１電極層と、
　該振動板の底面に形成されたエレクトレット層と、
　該エレクトレット層の底面の両端部分領域に形成された絶縁スペーサと、
　を具えた上記複合層振動板チップと、
（２）固定電極チップとされ、
　第２基板と、
　該第２基板の上面の一端に形成されたＭＯＳＦＥＴと、
　該第２基板の上面と底面に形成された二つの堆積層と、
　該第２基板の上面に形成されると共に、該ＭＯＳＦＥＴの一側に位置するトレンチと、
　該第２基板の上面の適当な領域に定置される複数の通気孔と、
　該第２基板の通気孔の底部に形成されて、その開口が下向きである凹溝とされた気室と、
　該固定電極チップの上面の上に形成された第２電極層と、
　を具えた上記固定電極チップと、
（３）ケースとされ、該複合層振動板チップと該固定電極チップをパッケージする上記ケースと、
　を具えたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。」
  
２．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特表２０００−５０８８６０号公報（以下、刊行物１という）には、図面とともに、次のア〜エの事項が記載されている。
ア．「図１Ａは、本発明の第１実施例のエレクトレットマイクロホンの工程流れ図で、マイクロホン膜の製作段階を示す。図２Ａは、図１Ａの完成されたマイクロホン膜の平面図である。エレクトレットマイクロホンＡの製作工程は下記のステップを含む：
１）　マイクロホン膜の製作は、膜層２として働く約１μｍ厚の、低応力、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）窒化珪素でコーティングされたシリコン基板１で開始される。他の電気絶縁性か半導体性のガラス、セラミック、結晶質、または多結晶質材料を基板材料として使用できる。例えば、基板材料はガラス（例えば、以下のエレクトレットマイクロフォン＃２を参照）、クォーツ、サファイア等でよく、それらはすべて、多くの既知の方法でエッチングできる。薄膜に製作可能な他の膜層材料（二酸化珪素等）を各種の既知の方法で使用、成形、または堆積させることができる。
２）　基板１の裏側の窒化珪素は次に、フォトレジストでマスキングされて従来方法でパターニングおよびエッチング（例えばＳＦ６プラズマを使って）され、バックエッチ窓を形成する。基板１は次に、異方性にバックエッチングされて自立形のダイヤフラム３（図示の実施例では約３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）を形成する。エッチング剤は、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）、エチレン・ジアミン・ピロカテコール（ＥＤＰ）、またはテトラメチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）でよい。
３）次に膜電極４を、好ましくは、フォトレジストマスクまたは物理的マスクを介した、厚さ約２０００ＡÅのＣｒ／Ａｕ層の蒸着によって、ダイヤフラム３の前側に堆積させる。他の導体、例えばアルミニウムまたは銅を使用して、他の方法で堆積させてもよい。
４）　誘電体フィルム５は次に、約１μｍの厚さまでスピンオン（spun on）される。」（第９頁第２６行−第１０頁第２２行）
　
イ．「５）　最後に、エレクトレット６は、好ましくは疑似スパーク電子銃を使用して約１０ k e Vエネルギーの電子を誘電体フィルム５に注入することによって形成される。エレクトレット６は次に、約１００℃の空気中で約３時間、アニーリングされて電荷を安定させる。」（第１１頁第１８行−第２１行）
　
ウ．「図１Ｂは、エレクトレットマイクロホンＡの工程流れ図で、マイクロホン裏板の製作段階を示す。図２Ｂは、図１Ｂの完成されたマイクロホン裏板の平面図である。図２Ｃは、図２Ｂの完成されたマイクロホン裏板の断面の詳細図である。製作工程は下記のステップを含む：
１）　裏板電極の製作は、好ましくは約３μｍの熱酸化物(thermaloxide)から成る電気絶縁層１１でコーティングされたシリコン基板１０で開始される。基板１０の両側が絶縁層１１でコーティングされた状態を示しているが、コーティングが必要なのは一方の側(電極を含む側)のみである。電気絶縁層１１には、他の材料、例えば窒化珪素を使用してもよい。他の電気絶縁性か半導体性のガラス、セラミック、結晶質、または多結晶質材料を基板１０の材料として使用できる。
２)　絶縁層１１の部分がマスキングされて基板１０までエッチングされ、エッチング窓を形成する。露出された基板１０は次に、エッチング窓を通してエッチングされて、凹部１２を形成する。好ましい実施例では、時間調節された（timed)ＫＯＨエッチングを使用して、基板１０内に約３μｍの凹部１２を作る。窓と凹部１２が容量性エレクトレットマイクロホンのエアギャップを形成する。
３）　次に、電気絶縁層１３が成長して凹部１２を充填する。絶縁層１３は約３μｍの熱酸化物から成ることが望ましい。
４）に絶縁層１３がパターニングされて、マイクロホンの動作中の空気流動抵抗を削減するためのキャビティのアレイ１４を形成する。好ましい実施例では、キャビティアレイは４０×４０で、異方性エッチング（例えばＫＯＨによる）の後、パターニングされた絶縁層１３を通して等方性エッチング（例えば弗化水素酸＋硝酸＋酢酸による）によって形成される。図示の実施例で、各キャビティは直径約３０μｍの開口部を持ち、直径約８０μｍで深さ約５０μｍの半ドーム形孔を備えている。
５）　最後に裏板電極１５が、好ましくは、物理的マスクを介した厚さ約２０００ÅのＣｒ／Ａｕ層の蒸着によって、絶縁層１３の一部に堆積される。他の導体、例えばアルミニウムまたは銅を使用して、厚膜プリンティング等の他の方式で堆積させてもよい。」（第１２頁第２行−第１３頁第１行）
　
エ．「図３は完成されたハイブリッド・エレクトレットマイクロホンＡの断面図である。マイクロホン膜３０と裏板３２は、エレクトレット６が裏板電極１５とほぼ平行だが隙間３４だけ電極と間隔をあけるように近接して配置された状態で図示される。マイクロホン膜３０と裏板３２とは互いに機械的にクランプするか、または接着によるか化学的か熱的に結合してもよい。所望ならば、完成されたマイクロホンは、電磁（ＥＭ）シールドを与えるために導電構造の中に収容してもよい。マイクロホン膜３０と裏板３２が真空チャンバ内で互いに密封される場合は空気流動抵抗が問題とならないと考えられるので、キャビティ１４とそれらの形成に必要なステップを省略してもよい。別法として、静圧補償孔３５を設けてもよい。」（第１３頁第５行−第１４行）
　
　以上の記載および図１、図３の記載から、刊行物１には以下の発明（以下、刊行物１発明という）が記載されている。
　
　膜層２として働く窒化珪素でコーティングされたシリコン基板１と、
　該シリコン基板１の裏側にバックエッチ窓を形成し、異方性にバックエッチされて形成されたダイヤフラム３と、
　該ダイヤフラム３の前側に堆積させた膜電極４と、
　その上に形成された誘電体フィルム５と、
　その上に形成されたエレクトレット６と、
　を具えたマイクロホン膜３０と、
　電気絶縁層１１でコーティングされたシリコン基板１０と、
　上部の電気絶縁層１１がエッチングされてエッチング窓が形成され、該エッチング窓を通してシリコン基板１０がエッチングされて形成された凹部１２を充填する電気絶縁層１３がパターニングされて形成された、マイクロホン動作中の空気流動抵抗を削減するためのキャビティアレイ１４と、
　空気流動抵抗を削減するための静圧補償孔と、
　該電気絶縁層１３の一部に堆積された裏板電極１５と、
　を具えたマイクロホン裏板３２と、
　前記マイクロホン膜３０と前記マイクロホン裏板３２とを前記電気絶縁層１１を介して結合して完成されたマイクロホンを電磁シールドを与えるために収容する導電構造と、
　を具えたエレクトレットマイクロホン。
　
３．対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　
　刊行物１発明の「エレクトレットマイクロホン」は、シリコン基板を具え、音圧によるキャパシタンスの変化を検出するものであるから、「エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン」といえる。
　刊行物１発明の「マイクロホン膜３０」は、振動板であるダイヤフラムを含む複数の層からなる小片であるから、「複合層振動板チップ」といえる。
　刊行物１発明の「シリコン基板１」は、本願発明の「第１基板」に対応付けられる。
　刊行物１発明の「該シリコン基板１の裏側にバックエッチ窓を形成し、異方性にバックエッチングされて形成されたダイヤフラム３」は、本願発明の「該第１基板の底面に形成された振動板」に相当し、このシリコン基板のバックエッチ窓、及び、異方性にバックエッチングされた部分は、本願発明の「該第１基板と該第１窒化けい素層上に形成された凹溝」に相当する。
　刊行物１発明の「膜層２として働く窒化珪素でコーティングされたシリコン基板１」のコーティングされた部分は、本願発明の「該第１基板の上面に形成された第１窒化けい素層」に相当する。
　刊行物１発明の「膜電極４」は、本願発明の「第１電極層」に対応付けられる。
　刊行物１発明の、ダイヤフラム３の上に誘電体フィルム５を介して形成された「エレクトレット６」と、本願発明の「振動板の底面に形成されたエレクトレット層」とは、「振動板の底面側に形成されたエレクトレット層」である点で共通する。
　刊行物１発明において、マイクロホン膜３０とマイクロホン裏板３２とを結合する「電気絶縁層１１」は、マイクロホン膜（本願発明の「複合層振動板チップ」に相当）に具えられたものではないが、「エレクトレット層の底面の部分領域に形成された絶縁スペーサ」といえるものである。
　刊行物１発明の「マイクロホン裏板３２」は、振動しない裏板電極１５を含む小片であるから、「固定電極チップ」といえる。
　刊行物１発明の「シリコン基板１０」は、本願発明の「第２基板」に対応付けられる。
　刊行物１発明の、シリコン基板１０をコーティングする「電気絶縁層１１」は、本願発明の「該第２基板の上面と底面に形成された二つの堆積層」に相当する。
　刊行物１発明の「シリコン基板１０がエッチングされて形成された凹部１２を充填する電気絶縁層１３がパターニングされて形成された、マイクロホン動作中の空気流動抵抗を削減するためのキャビティアレイ１４」は、本願発明の「該第２基板の上面の適当な領域に定置される複数の通気孔」に相当する。
　刊行物１発明の「空気流動抵抗を削減するための静圧補償孔」と、本願発明の「該第２基板の通気孔の底部に形成されて、その開口が下向きである凹溝とされた気室」とは、何れも、「空気流動抵抗を削減するための手段」である点で共通する。
　刊行物１発明の「該電気絶縁層１３の一部に堆積された裏板電極１５」は、電気絶縁層１３がマイクロホン裏板３２の上に形成されたものであることから、本願発明の「該固定電極チップの上面の上に形成された第２電極層」に相当する。
　刊行物１発明の「完成されたマイクロホンを電磁シールドを与えるために収容する導電構造」は、本願発明の「ケースとされ、該複合層振動板チップと該固定電極チップをパッケージする上記ケース」に相当する。
　
　以上をまとめると、本願発明と刊行物１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
　
（一致点）
　エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、
（１）複合層振動板チップとされ、
　第１基板と、
　該第１基板の底面に形成された振動板と、
　該第１基板の上面に形成された第１窒化けい素層と、
　該第１基板と該第１窒化けい素層上に形成された凹溝と、
　形成された第１電極層と、
　該振動板の底面側に形成されたエレクトレット層と、
　　を具えた上記複合層振動板チップと、
（２）固定電極チップとされ、
　第２基板と、
　該第２基板の上面と底面に形成された二つの堆積層と、
　該第２基板の上面の適当な領域に定置される複数の通気孔と、
　空気流動抵抗を削減するための手段と、
　該固定電極チップの上面の上に形成された第２電極層と、
　を具えた上記固定電極チップと、
（３）ケースとされ、該複合層振動板チップと該固定電極チップをパッケージする上記ケースと、
　を具えたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
　
（相違点）
相違点１
　第１電極層が、本願発明では、第１窒化けい素層と凹溝の上面に形成されているのに対し、刊行物１発明では、対応する膜電極４はダイヤフラム３の前側に堆積されている点。
　
相違点２
　エレクトレット層が、本願発明では、振動板の底面に（直接）形成されたものであるのに対し、刊行物１発明では、ダイヤフラム３の前側（底面側）ではあるが、誘電体フィルム５を介して形成されている点。
　
相違点３
　エレクトレット層の底面の部分領域に形成された絶縁スペーサが、本願発明では、複合層振動板チップに具えられており、また、両端部分領域に形成されたものであるのに対し、刊行物１発明では、対応する電気絶縁層１１は、マイクロホン裏板３２に具えられている点。
　
相違点４
　本願発明の固定電極チップは、第２基板の上面の一端に形成されたＭＯＳＦＥＴと、第２基板の上面に形成されると共に、該ＭＯＳＦＥＴの一側に位置するトレンチとを具えるのに対し、刊行物１発明のマイクロホン裏板３２は、それらを具えていない点。
　
相違点５
　空気流動抵抗を削減するための手段として、本願発明の固定電極チップは、第２基板の通気孔の底部に形成されて、その開口が下向きである凹溝とされた気室を具えるのに対し、刊行物１発明のマイクロホン裏板３２は、静圧補償孔を具えている点。
　
４．当審の判断
　各相違点についてそれぞれ検討する。
　
相違点１について
　コンデンサマイクロホンの技術分野において、振動板の上面（音声による音圧が加わる面）に電極層を形成する構成のものは、例えば、特開平７−１８４２９７号公報（記載内容は後述）に記載されているように周知の技術であるから、刊行物１発明において、振動板の上面（音声による音圧が加わる面）に電極層を形成すること、すなわち、刊行物１発明の膜電極を、窒化珪素でコーティングされた部分（本願発明の「第１窒化けい素層」に相当）とシリコン基板のバックエッチングされた部分（本願発明の「凹溝」に相当）の上面に形成することは当業者が容易に想到し得ることである。
　
　上記の特開平７−１８４２９７号公報の【００１３】−【００１６】には、【図１】とともに、以下のように記載されている。
「【００１３】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
【００１４】［実施例１］図１に本発明の音声入出力装置の一実施例の断面図を示す。
【００１５】本実施例において厚さ３μｍのＳｉ酸化膜からなる薄膜１２はＳｉ半導体基板１１上に形成され、開口部１６から入射する音波の振動に応じて振動する。前記半導体基板１１の上方には厚さ１０μｍの支持体１５を隔ててガラス製の対向基板１３が設けられている。
【００１６】先ず音声入力機構から説明する。薄膜１２が入射してきた音波によって振動すると、薄膜１２の外側表面に設けられた電極１７と対向基板１３の内側表面に設けられた電極１４間の距離を変え、その結果該電極間の容量を変化させる。従って電極１４、１７を半導体基板１１上に設置された容量検出回路（不図示）に接続しておけば、上記薄膜１２の振動が容量変化として検出される。」
　すなわち、電極１７が振動板である薄膜１２の外側表面に設けられた静電型マイクロフォンが記載されている。
　
相違点２について
　エレクトレット層が、振動板の底面に直接形成された構成のコンデンサマイクロホンは、例えば、特開平９−２５７８３２号公報（【００４０】に「図１１にマイクロホンの断面図を示す。・・・可動部１０ａ’のエレクトレット３が形成されている面・・」と記載されている。）に記載されているように周知であるから、刊行物１発明において、エレクトレット層を振動板の底面に直接形成することは、当業者が必要に応じて適宜なし得る事項にすぎない。
　
相違点３について
　本願発明のエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、絶縁スペーサは、複合層振動板チップと固定電極チップとをある間隔で絶縁して接合するためのものであり、接合が完成された状態においては、絶縁スペーサが複合層振動板チップまたは固定電極チップのどちらに具えられたものであるかは、単にこれらの用語の定義の問題にすぎず実質的に相違するものではない。また、刊行物１発明において、絶縁スペーサとしての電気絶縁層１１を両端部分領域に形成することは適宜なし得ることにすぎない。
　したがって、本願発明の絶縁スペーサと刊行物１発明の電気絶縁層１１は実質的には相違するものではない。
　
相違点４について
　半導体チップで構成されたコンデンサマイクロホンにおいて、同一の半導体チップ上に出力用のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を形成することは普通に行われていること（後述）であって、刊行物１発明において、シリコン基板１０の上面の一端にＭＯＳＦＥＴを形成することは当業者が適宜なし得ることであり、また、その一側に、種々の目的でシリコン基板に形成される溝である、トレンチを具えることも、当業者が必要に応じて適宜なし得る事項にすぎない。
　
　国際公開第０１／０１９１３４号公報の第１頁第２３行−第２４行には、次のように記載されている。
「EP 561 566 discloses a solid state condenser microphone having a field effect transistor (FET) circuitry and a cavity or sound inlet on the same chip.」
　
　また、特開平７−５０８９９号公報の請求項７、請求項１２には、図７とともに、以下のように記載されている。
「【請求項７】　（ａ）平行板コンデンサの固定電極を構成する、多数の孔を持つ固定後プレートと、
（ｂ）平行板コンデンサの可動電極を構成する、入射音圧波に敏感なダイヤフラムと、
（ｃ）前記ダイヤフラムに大きな張力を加えることなく、前記ダイヤフラムを前記後プレートに対して作動関係に保持する手段と、
（ｄ）前記ダイヤフラムが前記後プレートに関して移動するとき前記コンデンサのキャパシタンスの変化に比例した出力を提供するため、前記後プレート及び前記ダイヤフラムに電気的に接続された電界効果トランジスタ回路とを有する、ソリッドステートコンデンサマイクロホン装置。
【請求項１２】　二つのシリコンウェーハから製作され、これらのシリコンウェーハの一方に集積された電界効果トランジスタを含む、請求項７に記載のソリッドステートコンデンサマイクロホン装置。」
　
　さらに、特表２００１−５０８９４０号公報の第５頁第２９行−第６頁第５行には、図面とともに、以下のように記載されている。
「このマイクロメカニカルセンサを電子デバイスと同じ基板上に集積できることを明らかにするために、図に例としてＭＯＳＦＥＴ１１が記入されている。従って駆動回路に必要な部品はＣＭＯＳプロセスの枠内で本発明によるセンサと共に同じチップ上に集積形成可能である。」
　
　以上の文献には、何れにも、「半導体チップで構成されたコンデンサマイクロホンにおいて、同一の半導体チップ上に出力用のＦＥＴを形成すること」が記載されており、このことはコンデンサマイクロホンにおいて普通に行われていることである。
　
相違点５について
　コンデンサマイクロホンにおいて、振動電極と固定電極の間の空気の流動性を確保するために、通気孔の底部に開口が下向きである凹溝とされた気室を具えることは、例えば、特公昭４５−２５８２６号公報、特表２００１−５０８９４０号公報（記載内容は後述）に記載されているように周知技術であるから、刊行物１発明において、静圧補償孔の代わりに、このような周知の気室を具えることは当業者が容易に想到できることである。
　
　上記の特公昭４５−２５８２６号公報の第１頁右欄第２８行−第３６行には、第１図とともに、以下のように記載されている。
「第１図はこの技術思想に基づくマイクロホンの断面構造の一実施例を示すものである。図において、１は平行度のよいガラス等の無機質薄板材料による固定枠、２はチタン、ニツケル等の材料による金属薄板振動膜、３は金等の真空蒸着によつて作られた固定極、４は固定極相互間および外部に対する接続を行うための金属被膜帯、５は固定極３、振動膜２間の空気抵抗を減少せしめるための細い貫通孔、６は接着剤層である。」
　また、第１図には、「マイクロホンの断面構造として、貫通孔の底部に開口が下向きである凹溝とされた気室を具えた構造」が記載されている。
　
　上記の特表２００１−５０８９４０号公報の第５頁第２４行−第２９行には、図面とともに、以下のように記載されている。
「ダイヤフラムの層平面に対し垂直な投影面内のその裏側に空所９が存在する。この空所９はバルク・シリコン層１と絶縁層２内の開口部により形成されている。ボデー・シリコン層３内にはダイヤフラムの下の空洞６を空所９と接続する複数個の開口１０がある。これらの開口１０は十分大きくまた数多くあるため、空気又は他の気体がこれらの開口１０を通って流入又は流出することにより上述の用途に対し十分良好に空洞６内の圧力平衡が生じ得る。」
　また、図面には、「マイクロフォンとして使用されるマイクロメカニカルセンサの断面として、開口１０の底部に開口が下向きである凹溝とされた空所９を具えた構造」が記載されている。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。