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　平成　９年特許願第　６８９６４号「ＣＶＤ成膜法における原料化合物の昇華方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月２７日出願公開、特開平１０−　２５５７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年３月７日の出願（優先権主張平成８年４月５日）であって、平成１８年７月１１日付けで拒絶理由が起案され、同年９月１２日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月２９日付けで拒絶査定が起案され、これに対し、平成１９年１月４日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年２月１日付けで手続補正書が提出され、平成２１年１月１９日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋が起案され、回答書が提出されなかったものである。
　
２．平成１９年２月１日付け手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年２月１日付け手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）平成１９年２月１日付け手続補正は、平成１８年９月１２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲
「　【請求項１】　ＣＶＤ用原料化合物をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ、その気化した原料化合物を成膜用反応炉に送気するＣＶＤ成膜法において、該原料化合物を平滑表面全体にフイルム状に被着させた非反応性の球体を、折り曲げられてオーブン中に収納され両端において通気可能な長尺カラム内に装填し、該長尺カラムの一方端からキャリアガスを通気し他方端から原料ガスと該キャリアガスとの混合ガスを発生させることを特徴とするＣＶＤ成膜法における原料化合物の昇華方法。
　　【請求項２】　前記球体は、その表面に平滑な凹凸が形成されている請求項１に記載の昇華方法。
　　【請求項３】　前記原料化合物を被着させた球体を前記長尺カラム内に全長にわたって装填する、請求項１または２に記載の昇華方法。」を
「　【請求項１】　β−ジケトン系有機金属錯体をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ、その気化したβ−ジケトン系有機金属錯体を成膜用反応炉に送気するＣＶＤ成膜法において、該β−ジケトン系有機金属錯体を平滑表面全体にフイルム状に被着させた非反応性の球体を、折り曲げられて加熱し温度制御するオーブン中に収納され両端において通気可能な長尺カラム内に装填し、該長尺カラムの一方端からキャリアガスを通気し他方端から昇華し気化したβ−ジケトン系有機金属錯体ガスと該キャリアガスとの混合ガスを発生させることを特徴とするＣＶＤ成膜法におけるβ−ジケトン系有機金属錯体の昇華方法。
　　【請求項２】　前記球体は、その表面に平滑な凹凸が形成されている請求項１に記載の昇華方法。
　　【請求項３】　前記β−ジケトン系有機金属錯体を被着させた球体を前記長尺カラム内に全長にわたって装填する、請求項１または２に記載の昇華方法。」と補正するものである。
　すなわち、本件補正は、請求項１、３において「ＣＶＤ用原料化合物」又は「原料化合物」を「β−ジケトン系有機金属錯体」とし、請求項１において「原料ガス」を「昇華し気化したβ−ジケトン系有機金属錯体ガス」とする補正事項と、請求項１において「オーブン」に「加熱し温度制御する」という特定事項を付加する補正事項からなるものである。
　そして、これらはいずれも請求項１、３にいわゆる限定的減縮を目的とする補正を加えるものということができる。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する補正の要件を満たしているといえる。  
（２）本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて検討する。
　（ｉ）　原査定の拒絶の理由において引用された特開平１−２６５５１１号公報（以下、「引用文献」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「（２）常温で固体の有機金属化合物を収納し、該気化用固体有機金属化合物を昇華せしめる容器よりなる気相成長用有機金属化合物供給装置において、該容器上部にキャリヤーガス導入口、底部にキャリヤーガス導出口を配設し、かつ該容器内に気化用有機金属化合物に対して不活性な担体に該有機金属化合物を被覆した担体担持有機金属化合物を充填してなることを特徴とする気相成長用有機金属化合物供給装置。」（特許請求の範囲請求項２）
（イ）「本発明に於いて使用する気化用固体原料としては室温で固体であって、気相成長用原料となりえる有機金属化合物であればよく、より具体的にはトリメチルインジウム、ジメチルクロルインジウム、シクロペンタジェニルインジウム、トリメチルインジウム・トリメチルアルシンアダクト、トリメチルインジウム・トリメチルホスフィンアダクト等のインジウム化合物、エチル沃化亜鉛、エチルシクロペンタジェニル亜鉛、シクロペンタジェニル亜鉛等の亜鉛化合物、メチルジクロルアルミニウム等のアルミニウム化合物、メチルジジクロルガリウム、ジメチルクロルガリウム、ジメチルブロモガリウム等のガリウム化合物、ビスシクロペンタジェニルマグネシウム等が挙げられる。」（第２頁左下欄第５〜１９行）
（ウ）「またこれら気化用固体原料を担持せしめる気化用固体原料に対して不活性な担体としてはアルミナ、シリカ、ムライト、グラッシーカーボン、グラファイト、チタン酸カリ、石英、窒化珪素、窒化硼素、炭化珪素等のセラミックス類、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、タングステン等の金属類、弗素樹脂、硝子等が使用される。担体の形状は特に限定されるものではなく、不定形状、球状、繊維状、網状、コイル状、円管状等各種形状のものが使用される。
　担体は比表面積が大きい方が好ましく、担体表面が平滑なものより１００〜２０００μｍ程度の微細な凹凸を有するもの、あるいは担体自身に多数の気孔（空隙）を有するものが好ましい。このような担体としてはアルミナボール、ラシヒリング、ヘリバック、デイクソンパツキン、ステンレス焼結エレメント、クラスウール等が挙げられる。」（第２頁左下欄第２０行〜同右下欄第１７行）
（エ）「第１図は上記方法により得られた担体担持有機金属化合物を適用した気相成長に用いる原料供給装置の一実施態様を示すものであり、図中１は湾曲状の底部を有する容器、２はキャリヤーガス導入口、３はキャリヤーガス導出口、４は担体担持有機金属化合物を示す。
　キャリヤーガス導出口３は容器中央底部に開口部を有しもう一方の端部は図示しない気相成長装置に接続されている。また担体担持有機金属化合物はやはり図示していない供給口より容器１内に所望量供給し積層せしめる。しかる後、水素ガス等のキャリヤーガスを２のキャリヤーガス導入口より所定量で供給し担体担持有機金属化合物の間隙をぬいながら容器の上部より下部にキャリヤーガスを移行せしめることにより、該温度での気相成長用有機金属化合物を飽和濃度で含むキャリヤーガスをキャリヤーガス導出口３を経て図示しない気相成長装置に供給する。
　上記装置において容器１の底部を湾曲状のものの使用例にて記載したが、安定に使用しえる固体状有機金属化合物の量を無視するならば底部が真直ぐな容器の使用は勿論可能であるし、また、キャリヤーガス導出口３を少なくとも底部で複数に分散し飽和濃度のガスを比較的安定に収集することも可能であるが、装置の簡便さおよび飽和濃度のガスを安定にしかも高効率で使用しえる点より湾曲状底部を有する容器の使用が推奨される。」（第３頁右上欄第１３行〜同右下欄第１行）
（オ）「実施例２
　第１図に示すような、ガス導入口が容器上部に位置し、ガス導出口が容器底部に開口しており、それぞれの口にバルブを備えた直径３８ミリメートルの容器に実施例１で得られたアルミナ球担持トリメチルインジウム７０ｇを仕込んだ。
　次いで該容器を２０℃の恒温槽に浸け、出口側をトリメチルインジウム捕集用の深冷トラップに接続した。その後容器のガス導入側から水素ガスを毎分４００ｃｃ流し、４時間毎に中断してトラップに捕集されたトリメチルインジウムの重量を測定した。
　その結果、アルミナ球に担持されているトリメチルインジウムの重量が４．３ｇになるまではトラップに捕集された１回当りのトリメチルインジウムは１．０３〜１．０８ｇの範囲で推移した。」（第４頁左上欄第２０行〜同右上欄第１６行）
（ｉｉ）対比・判断
　引用文献の記載事項（ア）には「常温で固体の有機金属化合物を収納し、該気化用固体有機金属化合物を昇華せしめる容器よりなる気相成長用有機金属化合物供給装置において、該容器上部にキャリヤーガス導入口、底部にキャリヤーガス導出口を配設し、かつ該容器内に気化用有機金属化合物に対して不活性な担体に該有機金属化合物を被覆した担体担持有機金属化合物を充填してなることを特徴とする気相成長用有機金属化合物供給装置」が記載され、記載事項（イ）には「気化用固体原料としては室温で固体であって、気相成長用原料となりえる有機金属化合物であればよく、より具体的には・・・シクロペンタジェニルインジウム（審決注:シクロペンタジエニルインジウムの誤記と認定）、・・・等が挙げられる」ことが記載され、記載事項（ウ）によれば「担体の形状は・・・、球状、・・・等各種形状のものが使用される」こと及び「担体は比表面積が大きい方が好ましく、担体表面が平滑なものより１００〜２０００μｍ程度の微細な凹凸を有するもの、あるいは担体自身に多数の気孔（空隙）を有するものが好ましい」ことが記載され、記載事項（エ）には「気相成長用有機金属化合物を飽和濃度で含むキャリヤーガスをキャリヤーガス導出口３を経て図示しない気相成長装置に供給する」ことや「飽和濃度のガスを安定にしかも高効率で使用しえる点より湾曲状底部を有する容器の使用が推奨される」ことが記載され、記載事項（オ）には「容器を・・恒温槽に浸け」ることが、記載されている。これらを本願補正発明の記載ぶりに則って方法の発明として整理すると「シクロペンタジエニルインジウム等の有機金属化合物を収納し、該気化用固体有機金属化合物を昇華せしめる、恒温槽に浸けた容器を用いた気相成長用有機金属化合物供給方法において、該容器上部にキャリヤーガス導入口、飽和濃度のガスを安定にしかも高効率で使用し得る湾曲状底部にキャリヤーガス導出口を配設し、該導出口を経てキャリヤーガスを気相成長装置に供給し、該容器内に気化用有機金属化合物に対して不活性な、比表面積が大きい方が好ましく、担体表面が平滑なものより１００〜２０００μｍ程度の微細な凹凸を有するもの、あるいは担体自身に多数の気孔（空隙）を有するものが好ましい球状担体に該有機金属化合物を被覆した担体担持有機金属化合物を充填してなる気相成長用有機金属化合物供給方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が引用文献には記載されているといえる。
　そこで、本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明の「シクロペンタジエニルインジウム等の有機金属化合物を収納し、該気化用固体有機金属化合物を昇華せしめる」は、「シクロペンタジエニルインジウム」が「有機金属錯体」であり、「昇華」は「融点以下の温度に加熱して固体状態から」行うことがそれぞれ周知であるから、本願補正発明の「有機金属錯体をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ」に相当し、引用発明の「気相成長用」が本願補正発明の「ＣＶＤ」に相当することは明らかで、引用発明の「導出口を経てキャリヤーガスを気相成長装置に供給し」は、本願補正発明の「気化した有機金属錯体を成膜用反応炉に送気する」に相当し、引用発明における「被覆」は、被さって覆う状態であって、普通は薄い膜状即ちフィルム状であるということができ、引用発明の「球状担体に該有機金属化合物を被覆した担体担持有機金属化合物を充填してなる」は本願補正発明の「有機金属錯体を表面全体にフイルム状に被着させた非反応性の球体を」「装填し」に相当するものであると認められる。そして、引用発明における「恒温槽」は、気相における「加熱し温度制御する」ことを含むので、「恒温槽に浸けた容器」が本願補正発明の「加熱し温度制御するオーブン中に収納され」に相当するということができる。また、引用発明における「容器」は、「有機金属化合物を収納し、該気化用固体有機金属化合物を昇華せしめる」のであり、本願明細書段落【００２８】より「カラム」は原料容器として用いるのであるから、本願発明の「カラム」の上位概念である「原料容器」と「容器」である点で共通し、引用発明の「容器上部にキャリヤーガス導入口、底部にキャリヤーガス導出口を配設し」については、本願補正発明の「両端において通気可能な」「一方端からキャリアガスを通気し他方端から昇華し気化した有機金属錯体ガスと該キャリアガスとの混合ガスを発生させること」に相当するものと認められる。さらに、引用発明における「気相成長用有機金属化合物供給方法」は、上述のように「昇華」によるものであるから、本願補正発明の「ＣＶＤ成膜法における有機金属錯体の昇華方法」に相当するということが技術常識に鑑みれば明らかである。
　してみると、本願補正発明と引用発明とは、「有機金属錯体をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ、その気化した有機金属錯体を成膜用反応炉に送気するＣＶＤ成膜法において、該有機金属錯体を表面全体にフイルム状に被着させた非反応性の球体を、加熱し温度制御するオーブン中に収納された容器内に装填し、該容器の一方端からキャリアガスを通気し他方端から昇華し気化した有機金属錯体ガスと該キャリアガスとの混合ガスを発生させることを特徴とするＣＶＤ成膜法における有機金属錯体の昇華方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　本願補正発明では、有機金属錯体が「β−ジケトン系」としているのに対して、引用発明では、この系については特定されていない点（以下、「相違点（ａ）」という。）。
　本願補正発明では、球体の表面が「平滑」であるのに対して、引用発明では「比表面積が大きい方が好ましく、担体表面が平滑なものより１００〜２０００μｍ程度の微細な凹凸を有するもの、あるいは担体自身に多数の気孔（空隙）を有するものが好ましい」とする点（以下、「相違点（ｂ）」という。）。
　本願補正発明では「長尺カラム」が「折り曲げられて」いるのに対して、引用発明では、容器の形状については「飽和濃度のガスを安定にしかも高効率で使用し得る湾曲状底部」を有する点（以下、「相違点（ｃ）」という。）。
　そこで、上記相違点（ａ）について検討する。
　有機金属錯体が「β−ジケトン系」であることは、二つのカルボニル基の間に一つの炭素原子−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＯ−を持つケトンの系であることを意味し、アセチルアセトンが代表的なものであるところ（必要であれば、志田正二編「化学辞典（普及版）」森北出版（株）１９９３年１０月３０日普及版第９刷発行、第５３６頁参照）、本願の発明の詳細な説明の段落【０００８】において先行技術として提示された特開平４−３３３５７２号公報の段落【００１９】に「この発明に係わるＭＯ原料としては、金属の
アセチルアセトネート
　次に、相違点（ｂ）については、引用文献の記載事項（ウ）においても「担体表面が平滑なもの」については言及されており、好ましい態様として「比表面積が大きい方」を特定しているのであって、「担体表面が平滑なもの」の採用を排除しているものでもなく、本件補正後の請求項２においては「前記球体は、その表面に平滑な凹凸が形成されている」ものをも特定事項とし、凹凸の存在を完全に否定するものでもないということができる。したがって、原料の物性等に応じて、担体の表面状態に関して本願補正発明の「平滑」を採用することは、当業者であれば適宜なし得る設計事項というべきである。
　さらに、相違点（ｃ）については、引用発明において容器の長さについての特定はなされていないが、飽和濃度のガスを安定にしかも高効率で使用し得ることを目的として「湾曲状底部」とする以上、その一般的な課題に基づいて有機金属化合物とキャリヤーガスとの接触面積を増大せしめること、たとえば、容器を長尺とすることは、当業者であれば容易に想到しうる設計事項にすぎないものであって、その際に容器即ちカラム自体を湾曲することも同様に設計事項というべきである。そして、「使用時有機金属とキャリヤガスとの接触面積を増大せしめる事を目的とするもので、該目的をより効果的に達成し得る方法として、第２図に示す如く内壁にフィン１３を配設した容器を用いる」（特開昭６３−５５１９４号公報、第３頁右上欄第８〜１３行、第２図参照。）と記載されるように、内壁にフィン１３を配設した容器を用い流路を変化させ有機金属とキャリヤガスとの接触面積を増大せしめることは周知技術にすぎないものである。
　また、相違点（ａ）乃至相違点（ｃ）に係る特定事項を採用することにより得られる効果についても、引用発明と比較して格別顕著であるともいえない。
　したがって、本願補正発明は、上記引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ｉｉｉ）
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。そうすると、平成１９年２月１日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反してなされたものである。
（３）むすび
　したがって、平成１９年２月１日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年２月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年９月１２日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「ＣＶＤ用原料化合物をその融点以下の温度に加熱して固体状態から昇華させ、その気化した原料化合物を成膜用反応炉に送気するＣＶＤ成膜法において、該原料化合物を平滑表面全体にフイルム状に被着させた非反応性の球体を、折り曲げられてオーブン中に収納され両端において通気可能な長尺カラム内に装填し、該長尺カラムの一方端からキャリアガスを通気し他方端から原料ガスと該キャリアガスとの混合ガスを発生させることを特徴とするＣＶＤ成膜法における原料化合物の昇華方法。」
　
４．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献（特開平１−２６５５１１号公報）及びその記載事項は、前記２．（２）（ｉ）に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、前記２で検討した本願補正発明に関して、原料化合物とオーブンの特定事項を削除するものである。
　してみると、本願発明の構成を含み、さらに前記の限定事項を付加したものである本願補正発明が、上記２．（２）（ｉｉ）に記載したとおり、上記引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、上記引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に記載された発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。