【事件の表示】
　平成　７年特許願第　　７２６７号「ＭＲＩ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　８月　６日出願公開、特開平　８−１９６５１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年１月２０日の出願であって、平成１６年１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月１０日に審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　 
２．平成１６年２月１０日付け手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論] 
　平成１６年２月１０日付けの手続補正を却下する。
　 
[理由] 
（１）本件補正発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりに補正された。 
「【請求項１】　静磁場を発生する静磁場磁石と前記静磁場に重畳される傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイルユニットとの間に配置され、且つ前記静磁場を均一化する補正磁場を発生するシムコイルユニットを備えたＭＲＩ装置において、
　前記傾斜磁場コイルユニットは、能動遮蔽型の傾斜磁場コイルを有する円筒状のユニットであり、
　前記シムコイルユニットは、前記傾斜磁場コイルユニットの外側円筒状表面上に同軸状に配置される円筒状のユニットであり、且つ２次以上のシミングを実施する複数チャンネルのシムコイルが多層状に積層されたユニットであることを特徴とするＭＲＩ装置。」（以下、補正後の請求項１に記載された発明を、「本件補正発明」という）
　
　本件補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「シムコイルユニット」について、「２次以上のシミングを実施する複数チャンネルのシムコイルが多層状に積層されたユニットである」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　なお、上記の「シムコイルユニット」は、本件補正前には「シムコイル」と記載されていた箇所に関するものである。そこには「前記シムコイル」と記載されていたが、その「前記」より前の部分には「シムコイル」という記載はなく、「シムコイルユニット」が記載されていたので、該「シムコイル」は「シムコイルユニット」の誤記であると判断した。
　
　そこで、本件補正発明が特許出願に際して独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−６８０３８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
１−ａ．「・・・第９図に従来の磁気共鳴イメージング装置を示す。被検体すなわち患者１はベット２の上に載置される。この患者１を取り囲んでＲＦコイル（プローブベッド：高周波送受信コイル）３、更にその外周に磁界補正用のシムコイル４、傾斜磁界発生用のグラジェントコイル５が配置されている。これらすべてのコイル系は、大型の静磁界磁石６の常温ボアー７（通常はボアー内径約１ｍ）内部に収納されている。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第８行）
１−ｂ．「この過電流およびシムコイルとのカップリング問題を回避するためにアクティブグラジェントコイルを使用する技術がある。・・・第１０図にこの構造を示す。主グラジェントコイル２４の外部に同心でキャンセルグラジェントコイル２５が配置されこれによってアクティブグラジェントコイル２６が形成されている。このアクティブグラジェントコイル２６はシムコイル４の内部に、シムコイル４とほぼ同心で配置されている。主グラジェントコイル２４とキャンセルグラジェントコイル２５は発生するパルス磁界が逆極性になっており、両コイルのアンペア・ターン、径などのパラメータを適合させることにより主グラジェントコイル２４の内部では画像処理に必要なグラジェントパルス強度が得られ、キャンセルグラジェントコイル２５の外部ではパルス磁界がキャンセルされて零となる構造を有している。アクティブグラジェントコイル２６の外部ではパルス磁界が零となるので、これに起因する過電流の発生およびシムコイル４とのカップリングは無くなり画質が向上する。」（第４頁左上欄第５行〜同頁右上欄第１１行）
１−ｃ．「（他の実施例２）　本発明の他の実施例２を第３図を用いて説明する。（他の実施例２の構成）　超電導マグネットの最外輻射熱シールド板円筒部２２をキャンセルグラジェントコイル２５の巻枠と兼用する。この場合、キャンセルグラジェントコイルはシールド板円筒部の内面に巻回する。・・・（他の実施例２の効果）　キャンセルグラジェントコイルの巻枠、支持構造物が不要となり構造が簡単になる。」（第５頁左下欄第１９行〜同頁右下欄１４行）
１−ｄ．「（他の実施例３の構成）　第２図に示す他の実施例１に於いて、電流シムコイル４（オートシムコイル）を最外輻射シールド板２２の内筒部に内巻き又は外巻きする。　（他の実施例３の作用）　電流シムコイルによりオートシミングができる。他の作用は他の実施例１と同一である。・・・他の効果は他の実施例１と同一である。」（第６頁左上欄第１１行〜同頁右上欄第１行）
１−ｅ．「（他の実施例４の構成）　第２図に示す他の実施例１のキャンセルグラジェントコイル２５とオートシムコイル４を１体化し同一コイルとして構成する。この際、シムコイルのＸ、Ｙ、Ｚ補正コイルは、・・・」（第６頁右上欄第５〜１０行）
　
　以上の記載および第４図等の図面を参酌すると、刊行物１には以下の構成を有する発明が記載されているものと認められる（以下、「刊行物１発明」という）
「静磁場を発する超電導コイルと該静磁場に重畳される傾斜磁場を発生するアクティブグラジェントコイルとの間に配置され、且つ前記静磁場を均一化する補正磁場を発生するシムコイルを備えたＭＲＩ装置において、前記アクティブグラジェントコイルは、主グラジェントコイルおよび主グラジェントコイルの外部に同心に配置されたキャンセルグラジェントコイルからなるアクティブグラジェントコイルであり、前記シムコイルは、前記アクティブグラジェントコイルの外側に配置されるものであるＭＲＩ装置」
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２２９２３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
２−ａ．「【請求項３】　所定の方向の静磁場を発生させる静磁場発生手段と、前記静磁場に重ねて印加される傾斜磁場を発生させる傾斜磁場発生手段と、前記静磁場の不均一性を改善するシムコイル手段とを備えた磁気共鳴イメージング装置において、前記シムコイル手段は、複数のコイルエレメントを、前記静磁場の方向に直交する方向に積層したシムコイルを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】　前記複数のコイルエレメントは、それぞれ、基板の一方の面にコイル部を形成し、他方の面にリード部を形成した請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】　前記複数のコイルエレメントは、前記リード部を形成した面同士を前記リード部が互いに接触しないように積層されるとともに、前記コイル部を形成した面同士を絶縁層を介して積層された請求項４記載の磁気共鳴イメージング装置。 」（特許請求の範囲【請求項３】〜【請求項５】）
２−ｂ．「（第３実施例）　次に、第３実施例に係る磁気共鳴イメージング装置について説明する。なお、従来技術あるいは第１，第２実施例と実質的に同一の部品については同一の符号を付してその説明を省略する。図８は、第３実施例に係る磁気共鳴イメージング装置を斜視図で示したものである。同図でわかるように、第３実施例の磁気共鳴イメージング装置は、シムコイル手段９０を備える。シムコイル手段９０は、シムコイル９１、シムアンプ９３及びコントローラ９５を備える。シムコイル９１は、マグネット１１と傾斜磁場コイル１５″の間に配置してあり、シム磁場を発生させて静磁場の不均一性を最小にするようになっている。シムコイル９１は、例えば８つのシムコイルエレメント９２ａ乃至９２ｈを有し、それぞれシムアンプ９３ａ乃至９３ｈに接続してある。シムアンプ９３からの電流の大きさは、最適な静磁場均一性が全ての被検者について得らるようにコントローラ９５で制御される。静磁場は、複数の磁場成分の合計として表わすことができる。シムコイルエレメント９２ａ乃至９２ｈはそれぞれシム磁場を発生させ、静磁場の対応する磁場成分の不均一性を最小にする。図９(a) 乃至(c) は、３つの磁場成分に関するシムコイルエレメントの一例を示したものであり、それぞれｚ，ｘｙ，ｚｘ方向の磁場成分についてのコイルパターンである。各コイル部９６は円筒基板９７の外面にエッチングしてあり、リード部（図示せず）は円筒基板９７の内面にエッチングしてある。図中の矢印は、シムコイルのコイル部に流れる電流の方向を示す。８つのシムコイルエレメント９２ａ乃至９２ｈは図示しない絶縁層を間に挟んで平径方向に積層してある。シムコイルエレメントの数は、第３実施例で説明した数に限定されるものではなく、その数を多くすればするほど、静磁場の不均一性を低減することができる。」（段落【０１０３】〜【０１０７】）
　
（３）対比
　本件補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１発明における「超電導コイル」が本件補正発明における「静磁場磁石」に相当するものである。また、上記刊行物１の上記摘記事項の（１−ｂ）の記載では、刊行物１発明における「アクティブグラジェントコイル」はアクティブグラジェントコイルの外部においてカップリングが生じないようにすることを目的とするものであり、外部のパルス磁界がゼロとなるように構成されているものであるから、本件発明における「能動遮蔽形の傾斜磁場コイルユニット」に相当するものと認められる。さらに上記摘記事項を図面を参酌しつつ解釈すると、刊行物１発明のアクティブグラジェントコイルが「円筒状のユニット」であることも明らかである。また刊行物１発明における「シムコイル」は、上記摘記事項（１−ｅ）の記載から複数のコイルから成るユニットであることが示されているから、本件補正発明の「シムコイルユニット」に相当するものであることは明らかであって、さらに刊行物１発明のシムコイルは上記摘記事項（１−ｄ）の記載からみて「円筒状のユニット」であると認められ、アクティブグラジェントコイルの外側に配置されているものである。そして、上記摘記事項（１−ｂ）には、アクティブグラジェントコイルはシムコイルの内部に「ほぼ同心で配置される」とあり、これは該両コイルが実質上、同軸であることを示しているものである。
　したがって、両者は、
「静磁場を発生する静磁場磁石と前記静磁場に重畳される傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイルユニットとの間に配置され、且つ前記静磁場を均一化する補正磁場を発生するシムコイルユニットを備えたＭＲＩ装置において、前記傾斜磁場コイルユニットは、能動遮蔽型の傾斜磁場コイルを有する円筒状のユニットであり、前記シムコイルユニットは、前記傾斜磁場コイルユニットの外側に同軸上に配置される円筒状のユニットであることを特徴とするＭＲＩ装置。」である点で一致し、以下の点で相違しているものである。
　
（相違点１）本件補正発明では、「シムコイルユニットが、傾斜磁場コイルユニットの外側円筒状表面上に同軸上に配置される」のに対して、刊行物１発明では、シムコイルユニットが傾斜磁場コイルユニットの外側円筒状表面上に配置する点についての記載が見られない点。
（相違点２）本件補正発明では、「シムコイルユニットが、２次以上のシミングを実施する複数チャンネルのシムコイルが多層状に積層されたユニットである」のに対し、刊行物１発明では、 このような構成が記載されていない点。
　
（４）判断
　上記相違点１について検討する。
　刊行物１には、上記摘記事項（１−ｄ）では、シムコイルユニットを輻射シールド板２２の内筒部に内巻き又は外巻きする旨の記載があり、また上記摘記事項（１−ｃ）には、能動遮蔽型の傾斜磁場コイルユニットのうち外側に配置されるキャンセルグラジェントをコイル輻射シールド板２２の円筒部に巻回す旨が記載されている。この摘記事項から、シムコイルユニットと傾斜磁場コイルユニットとを近接させて配することが示唆されるものであるが、傾斜磁場コイルユニット表面上にシムコイルユニットを直接に配置するように為したＭＲＩ装置は周知（例えば、実願昭６０−２９９４３号（実開昭６１−１４６７５４号）のマイクロフィルム、その実用新案登録請求の範囲、明細書第５頁第７行〜第６頁第９行、図面第１図等を参照）なものである。よって刊行物１発明において、シムコイルユニットを前記傾斜磁場コイルユニットの外側円筒状表面上に同軸状に配置される円筒状のユニットと為すことは、当業者が必要性に応じて適宜考慮し得る事項にすぎないと認められる。
　次に上記相違点２について検討する。
　上記摘記事項（１−ｅ）、又は（２−ａ）、（２−ｂ）等にも記載されているように、シムコイルユニットは複数チャンネルのシムコイルから構成されるものであり、必要に応じて、これらのシムコイルを２次以上のシミングを実施するチャンネルとすることは、極めて自明な事項である（例えば、特開平１−２７４７４７号公報、その第３頁第１３〜２０行参照）。よってその２次以上のシミングを実施する複数のシムコイルを刊行物２の上記摘記事項（２−２）に記載されているような「多層状に積層されたユニット」とすることは、当業者が容易になし得ること程度の事項である。
　そして、本件補正発明の作用効果も、刊行物１発明及び刊行物２に記載の事項、ならびに上記周知技術から当業者であれば予測できる範囲のものである。 
　したがって、本件補正発明は、刊行物１発明及び刊行物２に記載の事項、ならびに上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることができない。 
　 
（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　 
３．本願発明について 
（１）本願発明 
　平成１６年２月１０日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、平成１５年７月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　静磁場を発生する静磁場磁石と前記静磁場に重畳される傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイルユニットとの間に配置され、且つ前記静磁場を均一化する補正磁場を発生するシムコイルユニットを備えたＭＲＩ装置において、
　前記傾斜磁場コイルユニットは能動遮蔽型の傾斜磁場コイルを有する円筒状のユニットであり、前記シムコイルユニットは、前記傾斜磁場コイルユニットの外側円筒状表面上に同軸状に配置される円筒状のユニットであることを特徴とするＭＲＩ装置。」
　なお、上記の「前記シムコイルユニット」は、「前記シムコイル」と記載されていたが、この「前記シムコイル」は「前記シムコイルユニット」の誤記であると判断した（上記、２−（１）を参照のこと）
　
（２）引用刊行物に記載された発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
　 
（３）対比・判断 
　本願発明は、前記２．で検討した本件補正発明における「シムコイルユニット」の限定事項である「２次以上のシミングを実施する複数チャンネルのシムコイルが多層状に積層されたユニットである」との構成を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、刊行物１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１発明及び刊行物２に記載の事項、ならびに上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
（４）むすび 
　以上のことから、本願発明は、刊行物１発明及び刊行物２に記載の事項、ならびに上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。