(57)【要約】  本発明は、有機ＥＬ素子用材料として有用な、下記式（１）で表される化合物に関する。2014148047.tif 000052（式中、  Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒａであり、  Ｙ１〜Ｙ１２は、それぞれ独立して、Ｎ又はＣ−Ｒａ等であり、  Ａｒ１〜Ａｒ１２は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基等であり、  Ｒａは、水素原子等であり、  式（１）中に、Ｒａが複数存在する場合は、複数のＲａは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、また、複数のＲａは環を形成してもよく、  Ａｒ１がｐ−フェニレン基の場合、Ａｒ３は無置換のフェニル基ではなく、かつ、Ａｒ４は無置換のフェニル基ではなく、  Ａｒ２がｐ−フェニレン基の場合、Ａｒ９は無置換のフェニル基ではなく、かつ、Ａｒ１０は無置換のフェニル基ではなく、  ａ〜ｄは、それぞれ独立して、０〜２の整数であり、  ｅは、０〜４の整数であり、  ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅは、１以上６以下である。）
2014148047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物。
【化４７】
2014148047.tif 000051
（式（１）において、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、又はＮ−Ｒａで表わされる基であり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立して、Ｎ又はＣ−Ｒａで表される基であり、
Ｙ５及びＹ６は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ５）（Ａｒ６）と結合する炭素原子であり、
Ｙ７及びＹ８は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ７）（Ａｒ８）と結合する炭素原子であり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ１１）（Ａｒ１２）と結合する炭素原子であり、
Ａｒ１〜Ａｒ１２は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は、置換若しくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基であり、
Ｒａは、水素原子、置換基若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換ホスホリル基、置換シリル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１）中に、Ｒａが複数存在する場合は、複数のＲａは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、また、複数のＲａは環を形成してもよく、
Ａｒ１がｐ−フェニレン基の場合、Ａｒ３は無置換のフェニル基ではなく、かつ、Ａｒ４は無置換のフェニル基ではなく、
Ａｒ２がｐ−フェニレン基の場合、Ａｒ９は無置換のフェニル基ではなく、かつ、Ａｒ１０は無置換のフェニル基ではなく、
ａは、０、１、又は２の整数であり、
ｂは、０、１、又は２の整数であり、
ｃは、０、１、又は２の整数であり、
ｄは、０、１、又は２の整数であり、
ｅは、０、１、２、３、又は４の整数であり、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅは、１以上６以下である。）
【請求項２】
前記式（１）のａ及びｄのうち少なくとも一方は１である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記式（１）のａが０であり、ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅが１以上４以下である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
前記式（１）のｅが０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄが１以上４以下である、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
前記式（１）のａ及びｄが０であり、ｂ＋ｃ＋ｅが１以上４以下である、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
前記式（１）のａ及びｅが０であり、ｂ＋ｃ＋ｄが１以上４以下である、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
前記式（１）のａ、ｄ、及びｅが０であり、ｂ＋ｃが１又は２である、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
前記式（１）のａ、ｂ、及びｃが０であり、ｄが１である、請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
前記式（１）のａ、ｂ、ｃ及びｅが０であり、ｄが１である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１０】
前記式（１）のＡｒ１及びＡｒ２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のナフタレンジイル基、置換若しくは無置換のアントラセンジイル基、置換若しくは無置換のトリフェニレンジイル基、置換若しくは無置換のフルオレンジイル基、置換若しくは無置換のベンゾフルオレンジイル基、置換若しくは無置換のビフェニルジイル基、置換若しくは無置換のターフェニルジイル基、置換若しくは無置換のフェナントレンジイル基、置換若しくは無置換のフルオランテンジイル基、置換若しくは無置換のピリジンジイル基、置換若しくは無置換のピリミジンジイル基、置換若しくは無置換のトリアジンジイル基、置換若しくは無置換のジベンゾフランジイル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェンジイル基、置換若しくは無置換のアザジベンゾフランジイル基、置換若しくは無置換のアザジベンゾチオフェンジイル基、置換若しくは無置換のジアザジベンゾフランジイル基、置換若しくは無置換のジアザジベンゾチオフェンジイル基、置換若しくは無置換のカルバゾールジイル基、置換若しくは無置換のアザカルバゾールジイル基、又は置換若しくは無置換のジアザカルバゾールジイル基である、請求項１〜９のいずれかに記載の化合物。
【請求項１１】
前記式（１）のＡｒ１及びＡｒ２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のｍ−フェニレン基、置換若しくは無置換のｏ−フェニレン基、置換若しくは無置換のナフタレンジイル基、置換若しくは無置換のトリフェニレンジイル基、置換若しくは無置換のフルオレンジイル基、置換若しくは無置換のビフェニルジイル基、置換若しくは無置換のターフェニルジイル基、置換若しくは無置換のフェナントレンジイル基、置換若しくは無置換のジベンゾフランジイル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェンジイル基である、請求項１〜９のいずれかに記載の化合物。
【請求項１２】
前記式（１）のＡｒ１及びＡｒ２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のフルオレンジイル基、又は置換若しくは無置換のビフェニルジイル基である、請求項１〜９のいずれかに記載の化合物。
【請求項１３】
前記式（１）のＡｒ３〜Ａｒ１２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、又はジアザカルバゾリル基である、請求項１〜１２のいずれかに記載の化合物。
【請求項１４】
前記式（１）のＹ１〜Ｙ４が、それぞれ独立して、Ｃ−Ｒａで表わされる基であり、
Ｙ５及びＹ６が、それぞれ独立して、Ｃ−Ｒａで表される基又はＮ（Ａｒ５）（Ａｒ６）と結合する炭素原子であり、
Ｙ７及びＹ８が、それぞれ独立して、Ｃ−Ｒａで表される基又はＮ（Ａｒ７）（Ａｒ８）と結合する炭素原子であり、
Ｙ９〜Ｙ１２が、それぞれ独立して、Ｃ−Ｒａで表される基又はＮ（Ａｒ１１）（Ａｒ１２）と結合する炭素原子である、請求項１〜１３のいずれかに記載の化合物。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１６】
陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも１層が請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
前記陽極と前記発光層の間に正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域が請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む、請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
前記正孔輸送帯域が前記発光層に隣接している請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
前記陰極と前記発光層の間に電子輸送帯域を有し、該電子輸送帯域が請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む、請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記発光層が請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む、請求項１６〜１９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
前記発光層が燐光発光性材料を含む、請求項１６〜２０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
前記発光層が蛍光発光性材料を含む、請求項１６〜２０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２３】
請求項１６〜２２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘテロ縮合環を有する新規なアミン化合物、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子には、蛍光型及び燐光型があり、それぞれの発光メカニズムに応じ、最適な素子設計が検討されている。燐光型の有機ＥＬ素子については、その発光特性から、蛍光素子技術の単純な転用では高性能な素子が得られないことが知られている。
燐光発光は、三重項励起子を利用した発光であるため、発光層に用いる化合物のエネルギーギャップが大きくなくてはならない。これは、ある化合物のエネルギーギャップ（以下、一重項エネルギーともいう。）の値は、通常、その化合物の三重項エネルギー（本発明では、最低励起三重項状態と基底状態とのエネルギー差をいう。）の値よりも大きいからである。
燐光型の有機ＥＬ素子の材料として、例えば特許文献１は、線対称構造を有する燐光ホスト材料を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０１９１７３号
【発明の概要】
【０００４】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子を高効率化できる新規な化合物を提供することである。
【０００５】
本発明の一態様によれば、下記式（１）で表される化合物が提供される。
【化１】
2014148047.tif 000003
（式（１）において、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、又はＮ−Ｒａで表わされる基であり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立して、Ｎ又はＣ−Ｒａで表される基であり、
Ｙ５及びＹ６は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ５）（Ａｒ６）と結合する炭素原子であり、
Ｙ７及びＹ８は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ７）（Ａｒ８）と結合する炭素原子であり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ１１）（Ａｒ１２）と結合する炭素原子であり、
Ａｒ１〜Ａｒ１２は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は、置換若しくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基であり、
Ｒａは、水素原子、置換基若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換ホスホリル基、置換シリル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１）中に、Ｒａが複数存在する場合は、複数のＲａは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、また、複数のＲａは環を形成してもよく、
Ａｒ１がｐ−フェニレン基の場合、Ａｒ３は無置換のフェニル基ではなく、かつ、Ａｒ４は無置換のフェニル基ではなく、
Ａｒ２がｐ−フェニレン基の場合、Ａｒ９は無置換のフェニル基ではなく、かつ、Ａｒ１０は無置換のフェニル基ではなく、
ａは、０、１、又は２の整数であり、
ｂは、０、１、又は２の整数であり、
ｃは、０、１、又は２の整数であり、
ｄは、０、１、又は２の整数であり、
ｅは、０、１、２、３、又は４の整数であり、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅは、１以上６以下である。）
【０００６】
本発明によれば、有機ＥＬ素子が高効率で発光することを可能とする化合物を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の一態様である化合物は、下記式（１）で表される。
【化２】
2014148047.tif 000004
（式（１）において、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、又はＮ−Ｒａで表わされる基であり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立して、Ｎ又はＣ−Ｒａで表される基であり、
Ｙ５及びＹ６は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ５）（Ａｒ６）と結合する炭素原子であり、
Ｙ７及びＹ８は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ７）（Ａｒ８）と結合する炭素原子であり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｃ−Ｒａで表される基、又は−Ｎ（Ａｒ１１）（Ａｒ１２）と結合する炭素原子であり、
Ａｒ１〜Ａｒ１２は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は、置換若しくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基であり、
Ｒａは、水素原子、置換基若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換ホスホリル基、置換シリル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１）中に、Ｒａが複数存在する場合は、複数のＲａは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、また、複数のＲａは環を形成してもよく、
Ａｒ１がｐ−フェニレン基の場合、Ａｒ３は無置換のフェニル基ではなく、かつ、Ａｒ４は無置換のフェニル基ではなく、
Ａｒ２がｐ−フェニレン基の場合、Ａｒ９は無置換のフェニル基ではなく、かつ、Ａｒ１０は無置換のフェニル基ではなく、
ａは、０、１、又は２の整数であり、
ｂは、０、１、又は２の整数であり、
ｃは、０、１、又は２の整数であり、
ｄは、０、１、又は２の整数であり、
ｅは、０、１、２、３、又は４の整数であり、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅは、１以上６以下である。）
【０００９】
本発明の一態様である化合物は、中心骨格としてπ共役平面の広がった骨格である、ビスインドロジベンゾフラン骨格、ビスインドロジベンゾチオフェン骨格、又はビスインドロカルバゾール骨格を有し、梯子（ラダー）構造を構成している。この梯子構造はイオン化ポテンシャルが小さく、正孔注入性に優れていることから、この化合物を有機ＥＬ素子の材料として用いることで、素子の低電圧化に寄与し、また、発光層へのキャリアの注入量が増えるため、素子の高効率化に寄与する。
本発明の一態様である化合物は、ワイドギャップ材料であり、発光層から正孔輸送層への電子漏れのブロックに寄与するので、素子の長寿命化、高効率化に寄与する。
【００１０】
以下、式（１）で表される化合物の各基の例について説明する。
炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基があり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられ、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００１１】
炭素数１〜３０のフルオロアルキル基としては、上述したアルキル基に１つ以上のフッ素原子が置換した基が挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。好ましくは、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基である。
【００１２】
環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられ、好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。
尚、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。
【００１３】
環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、好ましくは環形成炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基である。
芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられ、好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基である。
【００１４】
環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基は、好ましくは環形成原子数５〜３０の芳香族複素環基である。
芳香族複素環基の具体例としては、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基、ジヒドロアクリジニル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、キナゾリニル基等が挙げられ、好ましくは、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基である。
【００１５】
炭素数７〜３０のアラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表され、Ｙの例として上記のアルキル基の例に対応するアルキレン基の例が挙げられ、Ｚの例として上記のアリール基の例が挙げられる。
アラルキル基のアリール部分は、環形成炭素数が６〜２０が好ましい。アルキル部分は炭素数１〜８が好ましい。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、２−フェニルプロパン−２−イル基である。
【００１６】
置換ホスホリル基は、例えば−Ｐ（＝Ｏ）ＲｂＲｃで表わされる基であり、置換シリル基は、例えば−ＳｉＲｂＲｃＲｄで表わされる基である。
Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立して、置換基若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の環形成原子数３〜３０の芳香族複素環基、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基である。
これらＲｂ、Ｒｃ及びＲｄの各基は、上述したものと同じである。
【００１７】
上述した各基の「置換若しくは無置換の・・・」の置換基としては、上記のアルキル基、シクロアルキル基、フルオロアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、その他にハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。）、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、アリールオキシ基、ジアリールアミン基等が挙げられる。
これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
また、「置換若しくは無置換の・・・」という場合における「無置換」とは、前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
【００１８】
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。
【００１９】
本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は環形成原子数は６であり、キナゾリン環は環形成原子数が１０であり、フラン環の環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
【００２０】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
【００２１】
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
【００２２】
本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）、を包含する。
式（１）中に、Ｒａが複数存在する場合は、複数のＲａは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、また、複数のＲａは環を形成してもよい。環としては、飽和環、不飽和環、又は芳香環が挙げられる。
複数のＲａが存在し、それらが互いに環を形成する場合、以下のような部分構造を有する化合物を例として挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
【化３】
2014148047.tif 000005
【化４】
2014148047.tif 000006
【００２４】
本発明の一態様によれば、式（１）のａ及びｄのうち少なくとも一方は１であることが好ましい。
また、本発明の一態様によれば、式（１）のａが０であり、ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅが１以上４以下であることが好ましい。
また、本発明の一態様によれば、式（１）のｅが０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄが１以上４以下であることが好ましい。
また、本発明の一態様によれば、式（１）のａ及びｄが０であり、ｂ＋ｃ＋ｅが１以上４以下であることが好ましい。
【００２５】
また、本発明の一態様によれば、式（１）のａ及びｅが０であり、ｂ＋ｃ＋ｄが１以上４以下であることが好ましい。
また、本発明の一態様によれば、式（１）のａ、ｄ、及びｅが０であり、ｂ＋ｃが１又は２であることが好ましい。
また、本発明の一態様によれば、式（１）のａ、ｂ、及びｃが０であり、ｄが１であることが好ましい。
また、本発明の一態様によれば、式（１）のａ、ｂ、ｃ及びｅが０であり、ｄが１であることが好ましい。
【００２６】
また、本発明の一態様によれば、式（１）のＡｒ１及びＡｒ２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のナフタレンジイル基、置換若しくは無置換のアントラセンジイル基、置換若しくは無置換のトリフェニレンジイル基、置換若しくは無置換のフルオレンジイル基、置換若しくは無置換のベンゾフルオレンジイル基、置換若しくは無置換のビフェニルジイル基、置換若しくは無置換のターフェニルジイル基、置換若しくは無置換のフェナントレンジイル基、置換若しくは無置換のフルオランテンジイル基、置換若しくは無置換のピリジンジイル基、置換若しくは無置換のピリミジンジイル基、置換若しくは無置換のトリアジンジイル基、置換若しくは無置換のジベンゾフランジイル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェンジイル基、置換若しくは無置換のアザジベンゾフランジイル基、置換若しくは無置換のアザジベンゾチオフェンジイル基、置換若しくは無置換のジアザジベンゾフランジイル基、置換若しくは無置換のジアザジベンゾチオフェンジイル基、置換若しくは無置換のカルバゾールジイル基、置換若しくは無置換のアザカルバゾールジイル基、又は置換若しくは無置換のジアザカルバゾールジイル基であることが好ましい。
【００２７】
また、本発明の一態様によれば、式（１）のＡｒ１及びＡｒ２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のｍ−フェニレン基、置換若しくは無置換のｏ−フェニレン基、置換若しくは無置換のナフタレンジイル基、置換若しくは無置換のトリフェニレンジイル基、置換若しくは無置換のフルオレンジイル基、置換若しくは無置換のビフェニルジイル基、置換若しくは無置換のターフェニルジイル基、置換若しくは無置換のフェナントレンジイル基、置換若しくは無置換のジベンゾフランジイル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェンジイル基であることが好ましい。
【００２８】
また、本発明の一態様によれば、式（１）のＡｒ１及びＡｒ２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のフルオレンジイル基、又は置換若しくは無置換のビフェニルジイル基であることが好ましい。
【００２９】
また、本発明の一態様によれば、式（１）のＡｒ３〜Ａｒ１２が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、又はジアザカルバゾリル基であることが好ましい。
【００３０】
また、本発明の一態様によれば、式（１）のＹ１〜Ｙ４が、それぞれ独立して、Ｃ−Ｒａで表わされる基であり、
Ｙ５及びＹ６が、それぞれ独立して、Ｃ−Ｒａで表される基又はＮ（Ａｒ５）（Ａｒ６）と結合する炭素原子であり、
Ｙ７及びＹ８が、それぞれ独立して、Ｃ−Ｒａで表される基又はＮ（Ａｒ７）（Ａｒ８）と結合する炭素原子であり、
Ｙ９〜Ｙ１２が、それぞれ独立して、Ｃ−Ｒａで表される基又はＮ（Ａｒ１１）（Ａｒ１２）と結合する炭素原子であることが好ましい。
【００３１】
以上の本発明の各態様は、矛盾がない限りにおいて適宜組み合わせてもよい。
【００３２】
本発明の式（１）で表される化合物の製造方法は特に限定されず、公知の方法により製造することができる。
以下に、式（１）で表される化合物の具体例を示す。
【化５】
2014148047.tif 000007
【化６】
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【化７】
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【化８】
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【化９】
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【化１０】
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【化１１】
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【化１２】
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【化１３】
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【化１４】
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【化１５】
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【化１６】
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【化１７】
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【化１８】
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【化１９】
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【化２０】
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【００３３】
［有機ＥＬ素子用材料］
本発明の式（１）で表わされる化合物は、有機ＥＬ素子用材料として好適に使用できる。
本発明の一態様である有機ＥＬ素子用材料は、式（１）で表わされる化合物を含み、好ましくは発光層に隣接した正孔輸送層材料として用いる。
本発明において、「正孔輸送材料」とは、１層以上の有機薄膜層を有する正孔輸送帯域に用いる材料を意味する。正孔輸送帯域の有機薄膜層としては、例えば、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層等が挙げられる。
尚、本発明の一態様である有機ＥＬ素子用材料は、本発明の式（１）で表わされる化合物のみを含んでいてもよく、本発明の式（１）で表わされる化合物に加えて他の材料を含んでいてもよい。
【００３４】
［有機ＥＬ素子］
本発明の一態様である有機ＥＬ素子について説明する。
本発明の第１の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有する。そして、有機薄膜層の少なくとも１層が、本発明の有機ＥＬ素子用材料又は有機ＥＬ素子用正孔輸送材料を含有する。
【００３５】
本発明の第２の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有し、かつ陽極と発光層の間に正孔輸送帯域を有し、当該正孔輸送帯域が本発明の有機ＥＬ素子用材料又は有機ＥＬ素子用正孔輸送材料を含有する。
本発明の第２の有機ＥＬ素子は、好ましくは、正孔輸送帯域が発光層に隣接している。
【００３６】
本発明の第３の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有し、かつ陰極と発光層の間に電子輸送帯域を有し、当該電子輸送帯域が本発明の有機ＥＬ素子用材料又は有機ＥＬ素子用正孔輸送材料を含有する。
本発明の第１〜第３の有機ＥＬ素子は、好ましくは、発光層が、本発明の有機ＥＬ素子用材料を含有する。
【００３７】
図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態の層構成を示す概略図である。
有機ＥＬ素子１は、基板１０上に、陽極２０、正孔輸送帯域３０、燐光発光層４０、電子輸送帯域５０及び陰極６０を、この順で積層した構成を有する。正孔輸送帯域３０は、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層等を意味する。同様に、電子輸送帯域５０は、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層等を意味する。これらは形成しなくともよいが、好ましくは1層以上形成する。この素子において有機薄膜層は、正孔輸送帯域３０に設けられる各有機層、燐光発光層４０及び電子輸送帯域５０に設けられる各有機層である。これら有機薄膜層のうち、少なくとも１層が本発明の有機ＥＬ素子用材料を含有する、又は正孔輸送帯域３０のいずれか１以上の層が本発明の有機ＥＬ素子用正孔輸送材料を含有する。これにより、有機ＥＬ素子は高効率に発光できる。
尚、本発明の有機ＥＬ素子用材料を含有する有機薄膜層に対する式（１）で表わされる化合物の含有量は、好ましくは１〜１００重量％である。同様に、本発明の有機ＥＬ素子用正孔輸送材料を含有する正孔輸送帯域のいずれかの層に対する式（２）で表わされる化合物の含有量は、好ましくは１〜１００重量％である。
【００３８】
本発明の一態様である有機ＥＬ素子においては、燐光発光層４０が本発明の有機ＥＬ素子用材料を含有することが好ましく、発光層のホスト材料として使用することがさらに好ましい。本発明の材料は、３重項エネルギーが十分に大きいため、青色の燐光発光性ドーパント材料を使用しても、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めることができる。尚、青色発光層に限らず、より長波長の光（緑〜赤色等）の発光層にも使用できるが、青色発光層に使用するのが好ましい。
【００３９】
燐光発光層は、燐光発光性材料（燐光ドーパント）を含有する。燐光ドーパントとしては、金属錯体化合物が挙げられ、好ましくはＩｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｒｅ及びＲｕから選択される金属原子と、配位子とを有する化合物である。配位子は、オルトメタル結合を有すると好ましい。
燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、燐光ドーパントは、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｔから選ばれる金属原子を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。ドーパントは、１種単独でも、２種以上の混合物でもよい。
【００４０】
燐光発光層における燐光ドーパントの添加濃度は特に限定されるものではないが、好ましくは０．１〜４０重量％（ｗｔ％）、より好ましくは０．１〜３０重量％（ｗｔ％）である。
【００４１】
また、燐光発光層４０に隣接する有機薄膜層に本発明の有機ＥＬ素子用材料を使用することも好ましい。例えば、燐光発光層４０と正孔輸送帯域３０の間に本発明の材料を含有する層（陽極側隣接層）を形成した場合、該層は電子障壁層としての機能や励起子阻止層としての機能を有する。
尚、障壁層（阻止層）とは、キャリアの移動障壁、又は励起子の拡散障壁の機能を有する層である。発光層から正孔輸送帯域へ電子が漏れることを防ぐための有機層を主に電子障壁層と定義し、発光層から電子輸送帯域へ正孔が漏れることを防ぐための有機層を正孔障壁層と定義することがある。また、発光層で生成された三重項励起子が、三重項エネルギーが発光層よりも低い準位を有する周辺層へ拡散することを防止するための有機層を励起子阻止層（トリプレット障壁層）と定義することがある。
また、本発明の一態様である有機ＥＬ素子用材料を燐光発光層４０に隣接する有機薄膜層に用い、かつさらにその隣接する有機薄膜層に接合する他の有機薄膜層に用いることもできる。
【００４２】
上述した実施形態の他に、本発明の一態様である有機ＥＬ素子は、公知の様々な構成を採用できる。また、発光層の発光は、陽極側、陰極側、あるいは両側から取り出すことができる。
【００４３】
本発明の一態様である有機ＥＬ素子は、陰極と有機薄膜層との界面領域に電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを添加してあることが好ましい。このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
電子供与性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
有機金属錯体としては、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、及び希土類金属を含む有機金属錯体等から選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
【００４４】
アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）（仕事関数：２．９３ｅＶ）、ナトリウム（Ｎａ）（仕事関数：２．３６ｅＶ）、カリウム（Ｋ）（仕事関数：２．２８ｅＶ）、ルビジウム（Ｒｂ）（仕事関数：２．１６ｅＶ）、セシウム（Ｃｓ）（仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。
アルカリ土類金属としては、カルシウム（Ｃａ）（仕事関数：２．９ｅＶ）、ストロンチウム（Ｓｒ）（仕事関数：２．０ｅＶ以上２．５ｅＶ以下）、バリウム（Ｂａ）（仕事関数：２．５２ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
希土類金属としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。
【００４５】
アルカリ金属化合物としては、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）等のアルカリ酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）が好ましい。
アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）及びこれらを混合したストロンチウム酸バリウム（ＢａｘＳｒ１−ｘＯ）（０＜ｘ＜１）、カルシウム酸バリウム（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。
希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）、酸化スカンジウム（ＳｃＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化セリウム（Ｃｅ２Ｏ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化テルビウム（ＴｂＦ３）等が挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
【００４６】
有機金属錯体としては、上記の通り、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００４７】
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成することが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に電子供与性ドーパント及び有機金属錯体還元ドーパントの少なくともいずれかを分散する方法が好ましい。分散濃度は通常、モル比で有機物：電子供与性ドーパント及び／又は有機金属錯体＝１００：１〜１：１００であり、好ましくは５：１〜１：５である。
【００４８】
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成する。
【００４９】
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下で形成する。
【００５０】
また、本発明の一態様である有機ＥＬ素子における、主成分（発光材料又は電子注入材料）と、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかの割合としては、モル比で、主成分：電子供与性ドーパント及び／又は有機金属錯体＝５：１〜１：５であると好ましく、２：１〜１：２であるとさらに好ましい。
【００５１】
本発明の一態様である有機ＥＬ素子では、上述した本発明の有機ＥＬ素子用材料を使用した層以外の構成については、特に限定されず、公知の材料等を使用できる。以下、実施形態１の素子の層について簡単に説明するが、本発明の有機ＥＬ素子に適用される材料は以下に限定されない。
【００５２】
［基板］
基板としてはガラス板、ポリマー板等を用いることができる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン等を挙げることができる。
【００５３】
［陽極］
陽極は例えば導電性材料からなり、４ｅＶより大きな仕事関数を有する導電性材料が適している。
上記導電性材料としては、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が挙げられる。
陽極は、必要があれば２層以上の層構成により形成されていてもよい。
【００５４】
［陰極］
陰極は例えば導電性材料からなり、４ｅＶより小さな仕事関数を有する導電性材料が適している。
上記導電性材料としては、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びこれらの合金が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、上記合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。
陰極は、必要があれば２層以上の層構成により形成されていてもよく、陰極は上記導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
【００５５】
発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【００５６】
[発光層]
本発明の有機ＥＬ素子層材料以外の材料で燐光発光層を形成する場合、燐光発光層の材料として公知の材料が使用できる。具体的には、国際公開第２００５／０７９１１８号等を参照すればよい。
本発明の一態様である有機ＥＬ素子は、図２に示す素子のように、図１に示す素子の燐光発光層４０の代わりに、蛍光発光層７０を有していてもよい。蛍光発光層としては、公知の材料が使用できる。
【００５７】
発光層は、ダブルホスト（ホスト・コホストともいう）としてもよい。具体的に、発光層において電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせることで、発光層内のキャリアバランスを調整してもよい。
また、ダブルドーパントとしてもよい。発光層において、量子収率の高いドーパント材料を２種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光する。例えば、ホストと赤色ドーパント、緑色のドーパントを共蒸着することによって、黄色の発光層を実現することがある。
発光層は単層でもよく、また、積層構造でもよい。発光層を積層させると、発光層界面に電子と正孔を蓄積させることによって再結合領域を発光層界面に集中させることができる。これによって、量子効率を向上させる。
【００５８】
［正孔注入層及び正孔輸送層］
正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが小さい層である。
正孔注入・輸送層の材料としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。
【００５９】
［電子注入層及び電子輸送層］
電子注入・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい層である。
有機ＥＬ素子は発光した光が電極（例えば陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子注入・輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【００６０】
電子注入・輸送層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましく、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。
【００６１】
その他、ドナー性材料のドーピング（ｎ）、アクセプター材料のドーピング（ｐ）により、半導体性を備えた有機層を形成してもよい。Ｎドーピングの代表例は、電子輸送性材料にＬｉやＣｓ等の金属をドーピングさせるものであり、Ｐドーピングの代表例は、正孔輸送性材料にＦ４ＴＣＮＱ等のアクセプター材をドープするものである（例えば、特許３６９５７１４参照）。
【００６２】
本発明の一態様である有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【００６３】
本発明の化合物を含む有機ＥＬ素子用材料、及び／又は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料を使用した有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、若しくはパーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、若しくは車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。
【実施例】
【００６４】
合成例及び実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の合成例及び実施例に限定されない。
合成例１（化合物（１）の合成）
（１）化合物（１−１）の合成
【化２１】
2014148047.tif 000023
三口フラスコにジベンゾフラン  ２０．０ｇ（８０．９ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン  ２００ｍｌを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を−７０℃に冷却した。反応器に１．６８Ｍ  ｓ−ブチルリチウムへキサン溶液  ５３ｍｌ（８８．９ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間撹拌した。これにさらにホウ酸トリイソプロピル  ３７．３ｍｌ（１６２ｍｍｏｌ）を加え室温で６時間撹拌した。反応終了後、１Ｎ  ＨＣｌ水溶液  １００ｍｌを加え３０分撹拌した後、試料溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをヘキサンにて分散洗浄し、白色の固体を得た。
収量は１５．９ｇ、収率は９３％であった。【００６５】
（２）化合物（１−２）の合成
【化２２】
2014148047.tif 000024
三口フラスコに化合物（１−１）２５．０ｇ（９７．７ｍｍｏｌ）、２−ヨードニトロベンゼン７４．７ｇ（３００ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２５０ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン５００ｍＬ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ２．３０ｇ（１．９５ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて１２時間還流させた。反応終了後、試料溶液をろ過し、得られた固体をメタノール、ヘキサンにて洗浄した。
収量は２６．５ｇ、収率は６６％であった。【００６６】
（３）化合物（１−３）の合成
【化２３】
2014148047.tif 000025
三口フラスコに化合物（１−２）２６．５ｇ（６４．６ｍｍｏｌ）、亜リン酸トリエチル４３０ｍｌを加え、１７０℃で１６時間加熱撹拌した。
反応終了後、蒸留を行い、残った亜リン酸トリエチル、亜リン酸トリエチル残渣を除去し、得られた有機層をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１０：１〜５：１〜１：１）で精製し、淡黄色の固体を得た。
収量は１２．１ｇ、収率は５４％であった。【００６７】
（４）化合物（１−４）の合成
【化２４】
2014148047.tif 000026
三口フラスコに化合物（１−３）３．４６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ヨードベンゼン２．０４ｇ（１０ｍｍоｌ）、ヨウ化銅１．９０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム４．２４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、シクロヘキサンジアミン２．２８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン３０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて１２時間還流させた。
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝１０：１〜５：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は３．３８ｇ、収率は４０％であった。【００６８】
（５）化合物（１）の合成
【化２５】
2014148047.tif 000027
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、４−ブロモトリフェニルアミン１．７８ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅０．９５ｇ（５ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．１２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、シクロヘキサンジアミン１．１４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン２０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて１２時間還流させた。
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝７：３）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．１６ｇ、収率は６５％であった。【００６９】
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量６６５に対してｍ／ｅ＝６６５であった。
また、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ７．０７−７．１２（２Ｈ、ｍ）、７．２２−７．４０（１０Ｈ、ｍ）、７．４３−７．５３（１１Ｈ、ｍ）、７．６３−７．７０（４Ｈ、ｍ）、７．９４−７．９９（２Ｈ、ｍ）、８．７５−８．７９（２Ｈ、ｍ）【００７０】
合成例２（化合物（２）の合成）
【化２６】
2014148047.tif 000028
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−ビフェニル）アニリン２．２０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅０．９５ｇ（５ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．１２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、シクロヘキサンジアミン１．１４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン２０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて１８時間還流させた。
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝３：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．６０ｇ、収率は７０％であった。【００７１】
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７４１に対してｍ／ｅ＝７４１であった。
また、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ７．１１−７．１８（２Ｈ、ｍ）、７．２１−７．３９（９Ｈ、ｍ）、７．４１−７．６９（２０Ｈ、ｍ）、７．９８−８．０３（２Ｈ、ｍ）、８．７６−８．７９（２Ｈ、ｍ）【００７２】
合成例３（化合物（３）の合成）
【化２７】
2014148047.tif 000029
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、３−ブロモトリフェニルアミン１．７８ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて１２時間還流させた。【００７３】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝５：２）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．４０ｇ、収率は７２％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量６６５に対してｍ／ｅ＝６６５であった。【００７４】
合成例４（化合物（４）の合成）
【化２８】
2014148047.tif 000030
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アニリン２．０６ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて２４時間還流させた。【００７５】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝４：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は３．１５ｇ、収率は８８％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７１５に対してｍ／ｅ＝７１５であった。【００７６】
合成例５（化合物（５）の合成）
【化２９】
2014148047.tif 000031
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−４’−（ジフェニルアミノ）ビフェニル２．２０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて３６時間還流させた。【００７７】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は３．１５ｇ、収率は８５％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７４１に対してｍ／ｅ＝７４１であった。【００７８】
合成例６（化合物（６）の合成）
【化３０】
2014148047.tif 000032
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−４’−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］ビフェニル２．２０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて３６時間還流させた。【００７９】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．４５ｇ、収率は６２％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７９１に対してｍ／ｅ＝７９１であった。【００８０】
合成例７（化合物（７）の合成）
（１）化合物（７−１）の合成
【化３１】
2014148047.tif 000033
三口フラスコに化合物（１−３）３４．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）、２−ブロモジベンゾフラン２４．７ｇ（１００ｍｍоｌ）、ヨウ化銅１９．０ｇ（１００ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２１．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）、シクロヘキサンジアミン５．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）、脱水１，４−ジオキサン５００ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて４８時間還流させた。【００８１】
反応終了後、反応物をセライトろ過し、これを分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝１０：１〜５：１〜２：１）で精製し、白色の固体である化合物（７−１）を得た。
収量は１１．８ｇ、収率は２３％であった。【００８２】
（２）化合物（７）の合成
【化３２】
2014148047.tif 000034
三口フラスコに化合物（７−１）２．５６ｇ（５ｍｍｏｌ）、３−ブロモトリフェニルアミン１．７８ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて２０時間還流させた。【００８３】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝３：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．８３ｇ、収率は７５％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７５５に対してｍ／ｅ＝７５５であった。【００８４】
合成例８（化合物（８）の合成）
【化３３】
2014148047.tif 000035
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−４’−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ビフェニル２．２０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて３６時間還流させた。【００８５】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は３．６４ｇ、収率は９２％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７９１に対してｍ／ｅ＝７９１であった。【００８６】
合成例９（化合物（９）の合成）
【化３４】
2014148047.tif 000036
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−７−（ジフェニルアミノ）−９，９−ジメチルフルオレン２．４２ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて１２時間還流させた。【００８７】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝３：２）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１．９５ｇ、収率は５０％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７８１に対してｍ／ｅ＝７８１であった。【００８８】
合成例１０（化合物（１０）の合成）
（１）化合物（１０−１）の合成
【化３５】
2014148047.tif 000037
三口フラスコに４−ブロモジベンゾフラン１５．０ｇ（６０．７ｍｍｏｌ）、アニリン１１．３ｇ（１２１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３０．８３ｇ（０．９１ｍｍｏｌ）、ｒａｃ−ＢＩＮＡＰ１．１３ｇ（１．８１ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド１１．６ｇ（１２０．７ｍｍｏｌ）、脱水キシレン３００ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて８時間還流させた。【００８９】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝４；１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１２．１ｇ、収率は７７％であった。【００９０】
（２）化合物（１０−２）の合成
【化３６】
2014148047.tif 000038
三口フラスコに化合物（１０−１）５．１９ｇ（２０ｍｍｏｌ）、４−ブロモヨードベンゼン５．６６ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅３．８０ｇ（２０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム８．４８ｇ（４０ｍｍｏｌ）、シクロヘキサンジアミン４．５６ｇ（４０ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン６０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて３０時間還流させた。【００９１】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝４：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．３２ｇ、収率は２８％であった。【００９２】
（３）化合物（１０）の合成
【化３７】
2014148047.tif 000039
三口フラスコに化合物（１−４）２．１１ｇ（５ｍｍｏｌ）、化合物（１０−２）２．２８ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて４８時間還流させた。【００９３】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝３：２）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１．３２ｇ、収率は３５％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７５５に対してｍ／ｅ＝７５５であった。【００９４】
合成例１１（化合物（１１）の合成）
（１）化合物（１１−１）の合成
【化３８】
2014148047.tif 000040
三口フラスコに中間体（Ａ）（国際公開第２００９／１４８０１５号公報に記載の方法に従って合成した。）２５．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ヨードベンゼン２１．４ｇ（１０５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅１９．０ｇ（１００ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム４２．５ｇ（２００ｍｍｏｌ）、シクロヘキサンジアミン２２．８ｇ（２００ｍｍｏｌ）、脱水１，４−ジオキサン２００ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて１２時間還流させた。【００９５】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝７：３）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２１．７ｇ、収率は６５％であった。【００９６】
（２）化合物（１１−２）の合成
【化３９】
2014148047.tif 000041
三口フラスコに化合物（１１−１）２１．７ｇ（６５ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン４００ｍＬを加え、アルゴン雰囲気下で、−７０℃に冷却した。次いで、１．４Ｍｓｅｃ−ブチルリチウム（ヘキサン−シクロヘキサン溶液）４７ｍＬを滴下して反応溶液に加え、２時間撹拌した後、ホウ酸トリイソプロピル３６．７ｇ（１９５ｍｍｏｌ）を加えた。室温に戻して３時間撹拌した後、反応溶液を濃縮した。得られた残渣にジクロロメタンと２Ｎ塩酸を加えて２時間撹拌し、有機相を分取した。有機相を濃縮して得られた固体をトルエンで洗浄することにより、白色の固体を得た。
収量は１７．２ｇ、収率は７０％であった。【００９７】
（３）化合物（１１−３）の合成
【化４０】
2014148047.tif 000042
三口フラスコに化合物（１１−２）１７．０ｇ（４５ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−４−クロロニトロベンゼン１０．７ｇ（４５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４１．５６ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液６０ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）２００ｍＬを加えて、アルゴン雰囲気下にて２４時間還流させた。
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝７：３）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１５．４ｇ、収率は７０％であった。【００９８】
（４）化合物（１１−４）の合成
【化４１】
2014148047.tif 000043
三口フラスコに化合物（１１−３）１４．７ｇ（３０ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン２３．６ｇ（９０ｍｍｏｌ）、ｏ−ジクロロベンゼン２００ｍＬを加えて、アルゴン雰囲気下にて２４時間１８０℃で撹拌した。
反応終了後、反応溶液を濃縮して得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝７：３→１：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は８．９ｇ、収率は６５％であった。【００９９】
（５）化合物（１１−５）の合成
【化４２】
2014148047.tif 000044
三口フラスコに化合物（１１−４）６．９ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ヨードベンゼン３．１ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅２．９ｇ（１５ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム６．４ｇ（３０ｍｍｏｌ）、シクロヘキサンジアミン３．４ｇ（３０ｍｍｏｌ）、脱水１，４−ジオキサン６０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて２４時間還流させた。【０１００】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は６．８ｇ、収率は８５％であった。【０１０１】
（６）化合物（１１）の合成
【化４３】
2014148047.tif 000045
三口フラスコに化合物（１１−５）２．６７ｇ（５ｍｍｏｌ）、（Ｎ−フェニル）ビフェニルアミン１．３５ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水キシレン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて４８時間還流させた。【０１０２】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝３：２）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１．８９ｇ、収率は５１％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７４１に対してｍ／ｅ＝７４１であった。【０１０３】
合成例１２（化合物（１２）の合成）
【化４４】
2014148047.tif 000046
三口フラスコに化合物（７−１）２．５６ｇ（５ｍｍｏｌ）、４−ブロモトリフェニルアミン１．７８ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３９０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩０．１２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−ブトキシド０．６７ｇ（７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン３０ｍＬを入れ、アルゴン雰囲気下にて２８時間還流させた。【０１０４】
反応終了後、不溶物をセライトで濾別し、濾液を分液ロートに移し、トルエンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝３：２）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．４４ｇ、収率は６４％であった。
ＦＤ−ＭＳ分析の結果、分子量７５５に対してｍ／ｅ＝７５５であった。【０１０５】
［有機ＥＬ素子の製造及び評価］
実施例１
膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間、超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後のＩＴＯ電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ電極ラインが形成されている側の面上に、ＩＴＯ電極ラインを覆うようにして化合物（ＨＩ１）を厚さ２０ｎｍで、次いで化合物（ＨＴ１）を厚さ５０ｎｍで抵抗加熱蒸着し、順次薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。これらの薄膜は、それぞれ正孔注入層及び正孔輸送層として機能する。【０１０６】
次に、正孔輸送層上に、化合物（２）を抵抗加熱蒸着して膜厚１０ｎｍの薄膜（電子障壁層）を成膜した。
次に、電子障壁層上に、化合物（Ｈ１）と化合物（ＢＤ１）を同時に抵抗加熱蒸着して膜厚４０ｎｍの薄膜層を成膜した。このとき、化合物（ＢＤ１）を、化合物（Ｈ１）と化合物（ＢＤ１）の総質量に対し質量比で２０％になるように蒸着した。成膜レートはＨ１について１．２Å／ｓ、ＢＤ１について０．３Å／ｓとした。この薄膜は、燐光発光層として機能する。【０１０７】
次に、この燐光発光層上に、化合物（ＨＢ１）を抵抗加熱蒸着して膜厚５ｎｍの薄膜を成膜した。成膜レートは１．２Å／ｓとした。この薄膜は正孔障壁層として機能する。
次に、この正孔障壁層上に、化合物（ＥＴ１）を抵抗加熱蒸着して膜厚２５ｎｍの薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。この膜は電子輸送層として機能する。【０１０８】
次に、この電子輸送層上に膜厚１．０ｎｍのＬｉＦを成膜レート０．１Å／ｓで蒸着した。
次に、このＬｉＦ膜上に金属アルミニウムを成膜レート８．０Å／ｓにて蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成して有機ＥＬ素子を製造した。
有機ＥＬ素子の製造に用いた材料を以下に示す。【０１０９】
【化４５】
2014148047.tif 000047
【０１１０】
作製した有機ＥＬ素子は直流電流駆動により発光させ、輝度、電流密度を測定し、電流密度１ｍＡ／ｃｍ２における電圧及び発光効率（外部量子効率）を求めた。さらに初期輝度３，０００ｃｄ／ｍ２における輝度７０％寿命（輝度が７０％まで低下する時間）を求めた。これら発光性能の評価結果を表１に示す。【０１１１】
実施例２〜８
化合物（２）の代わりに、化合物（３）〜（９）を用いた他は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を製造し、評価した。結果を表１に示す。【０１１２】
比較例１
化合物（２）の代わりに、化合物（１３）を用いた他は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を製造し、評価した。結果を表１に示す。
【化４６】
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【０１１３】
比較例２
化合物（２）の代わりに、化合物（１）を用いた他は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を製造し、評価した。結果を表１に示す。【０１１４】
比較例３
化合物（２）の代わりに、化合物（１２）を用いた他は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を製造し、評価した。結果を表１に示す。【０１１５】
【表１】
2014148047.tif 000049
【０１１６】
表１が示すように、本発明の化合物は、電子障壁層（正孔輸送層）材料として用いることができる。特に、実施例１〜８で示した本発明の化合物を発光層に隣接した電子障壁層材料として用いた有機ＥＬ素子は、電圧・効率を損なうことなく比較例１〜３の有機ＥＬ素子に比べて大幅に長寿命化している。【０１１７】
実施例９
膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間、超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後のＩＴＯ電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ電極ラインが形成されている側の面上に、ＩＴＯ電極ラインを覆うようにして化合物（ＨＩ１）を厚さ２０ｎｍで、次いで化合物（ＨＴ１）を厚さ６０ｎｍで抵抗加熱蒸着し、順次薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。これらの薄膜は、それぞれ正孔注入層及び正孔輸送層として機能する。【０１１８】
次に、正孔輸送層上に、化合物（７）と化合物（ＢＤ１）を同時に抵抗加熱蒸着して膜厚４０ｎｍの薄膜層を成膜した。このとき、化合物（ＢＤ１）を、化合物（７）と化合物（ＢＤ１）の総質量に対し質量比で２０％になるように蒸着した。成膜レートは化合物（７）について１．２Å／ｓ、化合物（ＢＤ１）について０．３Å／ｓとした。この薄膜は、燐光発光層として機能する。
次に、この燐光発光層上に、化合物（ＨＢ１）を抵抗加熱蒸着して膜厚５ｎｍの薄膜を成膜した。成膜レートは１．２Å／ｓとした。この薄膜は正孔障壁層として機能する。【０１１９】
次に、この正孔障壁層上に、化合物（ＥＴ１）を抵抗加熱蒸着して膜厚２５ｎｍの薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。この膜は電子輸送層として機能する。
次に、この電子輸送層上に膜厚１．０ｎｍのＬｉＦを成膜レート０．１Å／ｓで蒸着した。【０１２０】
次に、このＬｉＦ膜上に金属アルミニウムを成膜レート８．０Å／ｓにて蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成して有機ＥＬ素子を製造した。
作製した有機ＥＬ素子は直流電流駆動により発光させ、輝度、電流密度を測定し、電流密度１ｍＡ／ｃｍ２における電圧及び発光効率（外部量子効率）を求めた。これら発光性能の評価結果を表２に示す。【０１２１】
実施例１０
化合物（７）の代わりに、化合物（１０）を用いた他は実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を製造し、評価した。結果を表２に示す。【０１２２】
比較例４
化合物（７）の代わりに、化合物（１３）を用いた他は実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を製造し、評価した。結果を表２に示す。【０１２３】
【表２】
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【０１２４】
表２が示すように、本発明の化合物は、発光層ホスト材料として用いることができる。化合物（７）、（１０）を用いた場合、化合物（１３）と比較して効率向上を確認することができた。【０１２５】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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