【事件の表示】
　上記当事者間の特許第１８６１５９０号発明「光デイスク装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　
　本件特許１８６１５９０号は，昭和５６年５月２９日に特許出願され，平成６年８月８日にその特許の設定登録がなされたものであり，これに対して，米澤成二（以下「請求人」という。）から平成２０年１０月２７日（審判請求書に記載の日付は平成２０年１０月２３日）に無効審判の請求がなされたところ，その後の手続の経緯は，以下のとおりである。
　
　平成２０年１２月　８日　審尋
　平成２０年１２月１６日　回答書（請求人）
　平成２１年　２月　９日　審尋
　平成２１年　２月１６日　回答書（請求人）
　平成２１年　４月２７日　答弁書
　平成２１年　７月　１日　審判事件弁駁書（書面に記載の日付は平成２１年６月３０日）
　平成２１年　７月　８日　上申書（請求人）
　平成２１年　７月１３日　上申書（請求人）
　平成２１年　７月１４日　審判事件弁駁書
　平成２１年　９月　２日　口頭審尋
　平成２１年　９月　４日　上申書（請求人）
　平成２１年　９月１６日　答弁書
　平成２１年１０月１７日　審判事件反論書（請求人）
　平成２１年１０月２６日　審判事件反論書（請求人）（書面に記載の日付は平成２１年１０月２４日；平成２１年１１月４日付け上申書で撤回）
　平成２１年１０月２９日　審判事件反論書（請求人）（書面に記載の日付は平成２１年１０月２８日）
　平成２１年１１月　４日　上申書(請求人)
　平成２１年１１月２０日　書面審理通知
　平成２１年１２月　９日　上申書（被請求人）
　平成２２年　１月２９日　上申書（被請求人）
　
第２　本件発明
　
　本件の特許発明の要旨は、明細書の特許請求の範囲の第１項に記載された次のとおりのものである。
　
「　レーザ共振器にレーザ光が戻つて来た時に生じるノイズレベルが、活性層を異なる屈折率をもつ結晶で埋め込んだタイプの屈折率ガイド型半導体レーザに比べて低く、レーザ共振器の実効屈折率が分布を持つており、レーザ共振器内でレーザ波面が円筒状になる、ナローストライプ型の半導体レーザと、光デイスクと、上記半導体レーザから射出されたレーザビームを上記光デイスク上に集光する光学系とからなり、上記光学系が
　ＮＡ≦√（λ／ΔＺ）
を満足するレンズを有する、
　但し、NAは上記レンズの開口数
　ΔZは上記半導体レーザの有する非点隔差
　λは上記半導体レーザの波長
ことを特徴とする光デイスク装置。」（以下、「本件発明」という。）
　
第３　請求人の主張と証拠方法　
　
３−１　請求人の主張　
　
　請求人は、特許第１８６１５９０号を無効とする、審判費用は被請求人の負担とするとの審決を求め、本件特許には公知文献が存在するので新規性、進歩性が無い旨の下記無効理由を主張するとともに、証拠方法として，下記「３−２」に示した証拠を提出している。
　
＜無効理由１＞
（１）　甲第３号証を中心に構成した無効理由
　本件特許における「ナローストライプ型の半導体レーザ」の「ナローストライプ型」は「ゲインガイド型」の別の呼び名であり、「レーザ共振器にレーザ光が戻つて来た時に生じるノイズレベルが、活性層を異なる屈折率をもつ結晶で埋め込んだタイプの屈折率ガイド型半導体レーザに比べて低く、レーザ共振器の実効屈折率が分布を持つており、レーザ共振器内でレーザ波面が円筒状になる、ナローストライプ型の半導体レーザ」は、ゲインガイド型レーザの一般的特徴に過ぎない。甲第３号証には、ゲインガイド型の半導体レーザＣＱＬ１０（λ＝７８０ｎｍ、ΔＺ＝２５μｍ）を使用し、狭い光束Ω＝１４°のみを使用して非点収差の問題を解決した旨の記載があり、該記載は、本件特許の不等式を充足する。したがって、本件発明は、その実施例が甲第３号証に記載されており、甲第３号証に記載の発明と実質的に同一である。また、周知のレーレ収差許容式を用いれば本件発明の不等式は簡単に導けるから、本件発明は、甲第３号証に記載された発明と周知技術とに基いて容易である。
　
（２）　甲第３号証が本件特許の出願前に頒布された刊行物であることについて
　ＩＥＥＥコンシューマエレクトロニクス国際学会講演会は、毎年シカゴで春と秋に開催されており、学会委員会は、講演発表の中から内容の優れた論文を選んでIEEE　TRANSACTIONS　ON　CONSUMER　ELECTRONICS誌に掲載している。同誌に掲載された甲第５号証の論文（L.J.　van　Ruyven　「A　Semiconductor　Laser　for　Optical　Disc　Systems」）は、甲第３号証の論文と著者、題目、論文内容、写真など全て同じである。１９８０年度秋期学会は１１月１０、１１日に開催され、甲第３号証はその時に頒布された講演発表論文である。当時、出願人の海外駐在員であり、また、上記国際学会の役員をしていた村上は、甲第３号証の講演発表論文を入手している。
　
＜無効理由２＞　甲第５号証を中心に構成した無効理由
　甲第５号証は、アメリカで印刷されているので、日本への入荷は２−３週間遅れる。甲１５号証では日立製作所への入荷日が昭和５６年６月１５日となっており、アメリカでの研究所などでは５月２５日頃には入荷している可能性は高く、その場合は公知例になる。甲５号証は甲第３号証とほぼ同じ内容であるから、本件発明は、甲５号証に基いて新規性又は進歩性がない。
　
３−２　証拠方法
甲第１号証　PHILIPS TECHNICAL REVIEW,　1980,　Vol.39　No.2,　p37-47
甲第２号証　A LOW COST HIGH PRECISION ENVELOPE FOR A DIODE LASER　と題する論文　全１１頁
甲第３号証　A Semiconductor Laser for Optical Disc Systems　と題する論文　全９頁
甲第４号証　Higher fi by digits　と題する論文　 IEEE spectrum,　DECEMBER　1979,　p28-32
甲第５号証　A Semiconductor Laser for Optical Disc Systems　と題する論文　IEEE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS,　MAY 1981,　Vol.CE-27 No.2,　p153-158
甲第６号証　1980年11月10,11日に開催される　TENTH ANNUAL IEEE CHICAGO Fall Conference ON CONSUMER ELECTRONICS　の講演募集要項
甲第７号証−１　CQL10(373CQY)の特性データ　PHILIPS　October　1980
甲第７号証−２　CQL10(373CQY)のDEVELOPMENT SAMPLE DATA　PHILIPS　October 1980
甲第８号証　Preliminary specification of the solid state laser assembly for Compact Disc,　1981-9-22,　PHILIPS
甲第９号証　1980 IEEE GROUP ON CONSUMER ELECTRONICS ADMINISTRATIVE COMMITTEE
甲第１０号証　INSTRUCTIONS TO AUTHORS OF PAPERS TO BE PUBLISHED IN THE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS
甲第１１号証　Appl.Phys.Lett., 15 June 1979,　34(12),　p835-837
甲第１２号証　IEEE spectrum,　AUGUST 1979,　p26-29
甲第１３号証　IEEE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS,　AUGUST 1980,　VolCE-26,　表紙
甲第１３号証−１　1980 IEEE GROUP ON CONSUMER ELECTRONICS ADMINISTRATIVE COMMITTEE
甲第１３号証−２　1980年11月10,11日に開催される TENTH ANNUAL IEEE CHICAGO Fall Conference ON CONSUMER ELECTRONICS　の講演募集要項
甲第１３号証−３　INSTRUCTIONS TO AUTHORS OF PAPERS TO BE PUBLISHED IN THE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS
甲第１４号証　IEEE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS,　MAY 1980,　VolCE-26 No.2,　表紙
甲第１４号証−１　21ST ANNUAL CHICAGO SPRING CONFERENCE ON CONSUMER ELECTRONICS WEDNESDAY,　JUNE　18　,
甲第１５号証　IEEE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS,　MAY 1981,　VolCE-27 No.2,　表紙
甲第１５号証−１　1981 IEEE GROUP ON CONSUMER ELECTRONICS ADMINISTRATIVE COMMITTEE
甲第１５号証−２　1981年6月3,4日に開催される　22ND ANNUAL CHICAGO SPRING CONFERENCE ON CONSUMER ELECTRONICS　の案内
甲第１５号証−３　22ND ANNUAL CHICAGO SPRING CONFERENCE ON CONSUMER ELECTRONICS WEDNESDAY,　JUNE 3, 1981
甲第１５号証−４　IEEE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS,　MAY 1981,　Vol.CE-27 No.2　p153
甲第１５号証−５　INSTRUCTIONS TO AUTHORS OF PAPERS TO BE PUBLISHED IN THE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS
甲第１６号証　A Semiconductor Laser for Optical Disc Systems　と題する書証　全９頁　第１頁の上部に米沢の印があるもの
甲第１７号証　村上武志が平成２１年１０月１４日に作成した「報告書」
甲第１８号証　相木国男が平成２１年１０月１１日に作成した「ご依頼の件に関する回答」
　
第４　被請求人の主張の概要
　
４−１　被請求人の反論
（１）　被請求人は、請求人提出の下記の証拠について、以下の点を争っている。
　甲第２号証：頒布された刊行物か不明である。
　甲第３号証：頒布された刊行物か不明である。
　甲第５号証：発行日は、昭和５６年５月３１日である。
　甲第８号証：公開は、昭和５６年９月２２日である。
　甲第１６号証：頒布された刊行物か不明である。
甲第３号証（甲第１６号証）、甲第５号証は、何れも本件特許の出願前に頒布された刊行物ではないから、甲第３号証（甲第１６号証）或いは、甲第５号証に基づく無効主張は理由がない。
　
（２）仮に、甲第３号証、甲第１６号証の公知性が立証されたと仮定しても以下のとおり、本件発明を容易に想到するものではない。
　本件発明は、波面収差ΔΦの検討を経て、レーレ条件による回折限界の絞り込みスポットを得るべく導出された
　ＮＡ≦√（λ／ΔＺ）
の式を用いている。一方、甲第３号証には波面収差ΔΦに関する検討はされていないから、本件発明と甲第３号証記載の発明とは同一ではない。また、波面歪みの定量的検討がなければ、ＮＡ≦√（λ／ΔＺ）　の式を導けないから、設計事項の範疇でもない。
　甲第３号証において、ＣＱＬ１０レーザは、最終段落で説明されているだけで、非点収差との関連については特に述べられていない。
　
４−２　証拠方法
乙第１号証　特公平５−１４２４５号公報（本件特許の公告公報）
　
第５　当審の判断
　本件特許無効審判事件の主たる争点は、甲第３号証、甲第５号証が本件特許の出願前に頒布された刊行物であるか否か、そして、前記各甲号証に記載された発明と同一若しくは該記載された発明に基いて容易であるか否か、の２点である。以下では、上記２つの争点についてそれぞれ検討する。
　
５−１　＜無効理由１＞について
　はじめに、本件発明が、甲第３号証に記載された事項から認定される発明と同一であるか、あるいは、該認定される発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものか、検討する、
　
５−１−１．甲第３号証の記載事項
　甲第３号証には以下の事項が記載されている。
（Ａ）「Gain Guided Versus Index Guided Structures
・・・・・
The index guided type of diode laser has index guiding in both the horizontal  and vertical direction and therefore is not hampered by astigmatism.(Right hand side of Figure 1). On the bottom part of Figure 1 the longitudinal mode structures of both types are schematically drawn. Figure 1 gives the measured spectra of a gainguided and an index guided laser respectively (intensity is plotted versus wavelength. In the gain guided laser many longitudinal modes with slightly different wavelengths contribute, resulting in a short coherence length. A short coherence length is desirable for lasers used in consumer applications. A long coherence length, ie. longer than the optical path that the light has to traverse from the laser to the reflecting surface of the record and back, creates the problem of optical feedback. In fact if the light re-enters the exit facet of the laser coherently it is amplified again and causes an increase of light output. It is impossible to keep the optical pathlength constant within the accuracy of a wavelength in a system with a rapidly rotating record, therefore the re-entering coherent light is a source of noise. In principle this problem can be solved by adding a quarter wave plate in the light path. However, due to the high temperature dependence of the wavelength of the semiconductor(9nm from 30 to 60C) the effectiveness of this solution is also temperature dependent.
For this reason a gain guided laser is preferred in addition to its more simple construction resulting in a lower price. On the other hand, the gain guided laser is astigmatic and thus one must correct this astigmatism with a cylinder lens or alternatively use only the center part of the emitted light cone. The cylinder lens adds an extra optical element to the system and therefore will increase the price but has the advantage of using the full optical power. The second solution, as used for example in the Philips Compact Disc Audio System, uses only 10% of the total optical power emitted in a cone with an angle of only 14 degr.」（２頁５行〜同頁４１行）
「ゲインガイド型　vs　インデックスガイド型
・・・・・
　インデックスガイド型ダイオードレーザは、水平と垂直方向にインデックスガイディングを有し、それ故、非点収差により制限されない（図1右側）。図1の下段に、両方のタイプの縦モード構造が概念的に描かれている。図1は、ゲインガイドレーザとインデックスガイドレーザの測定したスペクトルをそれぞれ示している（輝度が波長に対してプロットされている）。ゲインガイドレーザでは、波長が僅かに異なる多数の縦モードが寄与し、短いコヒーレンス長となる。短いコヒーレンスは、コンシューマ装置に使用されるレーザとして好ましい。長いコヒーレンス、例えば、レーザと反射面を往復する光路長より長いコヒーレンスは、光帰還の問題を引き起こす。事実、もし、レーザの出射面から再入力して干渉すると、再び増幅されて、光出力の増大を引き起こす。高速回転するレコードのシステムでの波長の精度内で、光路長を一定に保つことはできず、それ故、再入力するコヒーレント光は、ノイズ源である。おおむね、この問題は、光路中に１／４波長板を追加することで解決される。しかし、半導体の波長の高い温度依存性（３０〜６０℃で９ｎｍ）のため、この解決法の有効性も、温度に依存する。
　この理由で、ゲインガイド型レーザは、構造が簡単で安価であることに加えて、適している。他方、ゲインガイド型レーザは、非点収差があり、シリンダーレンズを用いて補正するか、或いは、放射光の中心部分のみを使ねばならない。シリンダーレンズは装置に光学要素を追加することとなり、価格が上昇するが、全ての光パワーを利用できる利点がある。２番目の解決法は、例えばフィリップスのコンパクトディスクオーディオシステムで使われているように、コーン角１４°に放出される全光パワーの１０％のみを使うことである。」（訳は、当審で作成した。以下同様。）
　
（Ｂ）「The Optical Wavelength
The first working systems in which video information is read optically from discs was developed with He-Ne lasers emitting at a wavelength of 630 nm. The geometry of the pits and track pitch are standardized and based on this wavelength. As soon as the semiconductor laser became available the possibility of replacing the bulky He-Ne laser by a semiconductor laser was investigated. The He-Ne laser is 8 inches long and requires a supply voltage of 1500 volts, whereas the CQL10 injection laser measures about a quarter of an inch and requires a voltage of 2 to 3 volts. ・・・  」（２頁４２行〜３頁５行）
「光の波長
　ディスクから画像情報が光学的に読み出される最初の実用システムは、６３０ｎｍの波長のＨｅ−Ｎｅレーザを使って開発された。ピットとトラックピッチの幾何模様は、この波長に基づいて規格化された。半導体レーザが利用可能になるとすぐに、大きなＨｅ−Ｎｅレーザを半導体レーザに置き換える可能性が研究された。Ｈｅ−Ｎｅレーザは８インチの長さで１５００Ｖの電圧供給が必要だが、ＣＱＬ１０注入レーザは約１／４インチの長さで、２−３Ｖの電圧を必要とする。・・・」
　
（Ｃ）「In conclusion, we can say that semiconductor lasers will form an alternative in video and audio disc players, they must be of the gain guided type, can operate at  heatsink temperatures of 60 centigrade at a wavelength of 780nm. The combination control circuit and facet protection is a matter of economics and has to be optimized depending on the requirements. Finally, Figure 4 shows the Philips CQL10 in SOT148 encapsulation (laser chip dimensions are 250 × 300 × 80 microns). ・・・」（５頁７行〜同頁１２行）
「結論として、ヒートシンクで６０℃、波長７８０ｎｍで動作するゲインガイド型の半導体レーザは、ビデオやオーディオ・ディスクプレーヤの中で、代替手段となるであろう。制御回路とファセットプロテクションの結合は、経済的な問題であり、必要に応じて最適化されねばならない。第４図は、ＳＯＴ１４８に入れられたフィリップスのＣＱＬ１０を示す（レーザチップの大きさは、250×300×80ミクロンである）。」
　
（Ｄ）ＦＩＧＵＲＥ４（４図）にフィリップスのＣＱＬ１０を、ＳＯＴ１４８の一部を切り欠いて内部が見える図が記載されている。
　
５−１−２．甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、以下の事項が記載されている。
（Ｅ）「In this article we shall discuss an alternative to the HeNe laser in this application: the 'CQL10', a semiconductor laser based on the AlGaAs system. Lasers of this type have already proved to be highly suitable as light sources for optical communication by glass fibre. A further development of this kind has now led to the CQL10.」（２頁左欄１行−同欄７行）
「この論文では、この装置のＨｅＮｅレーザの代わりとなりうるもの、AlGaAsシステムをベースにした半導体レーザＣＱＬ１０について論じる。このタイプのレーザは、ガラスファイバを用いた光通信の光源として非常に適していることが立証されている。この種の更なる開発がＣＱＬ１０へと発展した。」
　
（Ｆ）「Fig.5. Cross-section through the laser crystal of the CQL10. The thickness of the layers is given on the left and the Al content x(the composition is AlxGa1-xAs) and the conduction type and dopant are given on the right. The undoped layer 2 is weakly N-type because of residual impurities. The upper part of layer 4 is doped to make it very strongly P-type(degenerated) by giving it a strong Zn diffusion. The upper layers are made into insulators by proton implantation(dark gray area), except for a narrow stripe(5 μm) that determines the passage of current and hence the width of the active region in layer 2. The difference in composition between layer 2 and layer 1 and 3 provides the desired difference energy gap. The heavy doping of the substrates S and the upper layer permits good electrical contact between the crystal and the metallic layers(Cr-Pt-Au and Au-Ge-Ni).」（４頁図５の説明の欄）
「図5　ＣＱＬ１０のレーザ結晶の断面図　層の厚さは図の左側に示され、Alの含有量ｘ（組成はAlxGa1-xAsである。）、導電型、ドーパントは図の右側に示されている。ドープされていない層２は、残留する不純物のため、弱いN型である。層4の上側の部分は、強いZnの拡散によって非常に強くP型になるようドープされている。電流路、つまり層2の活性領域の幅を決定するナローストライプ（５μm）を除いて、上側の層は、プロトンの注入（ダークグレイの領域）により、絶縁体になる。層2と層１，３の構造の違いは、望ましい異なったエネルギーギャップを与える。強くドープされた基板Ｓと上側の層は、結晶と金属層（Cr-Pt-Au　and　Au-Ge-Ni)との間の良好な電気接触を可能にする。」
　
（Ｇ）「Fig.10. The astigmatism of the laser light. a) The centre of curvature of a wavefront in the x-direction lies in the plane of the exit mirror and the centre of curvature in the y-direction is about 25μm behind it. b) The astigmatism of the light arises inside the laser where a wavefront in curved in the y-direction because 'gain guiding'.」（７頁図１０の説明の欄）
「１０図　レーザ光の非点収差。ａ）ｘ方向の波面の曲率の中心は、出力鏡の面にあり、ｙ方向の曲率の中心は、その後方の約２５μｍにある。ｂ）光の非点収差はレーザ内部に起因し、そこでは'ゲインガイド'のために波面がｙ方向に湾曲する。」
　
５−１−３．甲第３号証に記載された発明の認定
（１）　上記記載事項（Ａ）から、インデックスガイド型レーザは、非点収差は小さいが、反射面から帰還した光のレーザ出射面からの再入力がノイズになることが読み取れる。
（２）　上記記載事項（Ａ）から、ゲインガイド型レーザは、光帰還によるノイズは小さいが、非点収差があること、そのため、シリンダーレンズを用いて補正するか、放射光の中心部のみを使用することが開示されている。そして、具体的には、コーン角１４°に放出される全光パワーの１０％のみを使うことが記載されている。
（３）　上記記載事項（Ｂ）から、Ｈｅ−Ｎｅレーザに置き換わる半導体レーザとしてＣＱＬ１０が記載されている。
（４）　上記記載事項（Ｃ）から、ＣＱＬ１０は、フィリップス社製のゲインガイド型半導体レーザであり、波長は７８０ｎｍである。
（５）甲第３号証の「A　Semiconductor　Laser　for　Optical　Disc　Systems」と題する論文は、フィリップスの研究員であるL.J.van　Ruyven　によるものであること、ＣＱＬ１０は、フィリップス社製のゲインガイド型半導体レーザであること、記載事項（Ａ)に続けて記載事項（Ｂ)が記載されてＣＱＬ１０が挙げられていること等を総合すれば、上記記載事項（Ａ）において、コーン角１４°に放出される全光パワーの１０％のみを使う旨具体的に記載された半導体レーザは、ＣＱＬ１０であると解することができる。
（６）コンパクトディスクオーディオシステムでは、レーザをレンズ等の光学系を介してコンパクトディスク（情報が記録されている記録面）に照射し、反射光を検出して情報を読み出すことは技術常識（例えば、甲第４号証３１頁左下の図参照。レーザ(Laser)光は、プリズム(Prism)、レンズ(Lens)の光学系を介して記録面(Record)に照射し、反射光をプリズム(Prism)により検知ダイオード(Detector　diode)に導くことが開示されている）であり、甲第３号証には、レンズを有する光学系を用いてレーザ光を集光することは、直接的な記載はないものの、該事項は実質的に記載されているに等しい事項である。
　以上の記載事項と技術常識を参酌すると、甲第３号証には以下の事項が開示されている。
「コンパクトディスクの反射面から帰還した光によるノイズがインデックスガイド型レーザはより小さく、波長が７８０ｎｍであるゲインガイド型半導体レーザＣＱＬ１０と、コンパクトディスクと、上記半導体レーザから射出されたレーザビームを上記光デイスク上に集光するレンズを有する光学系とからなるコンパクトディスクシステムにおいて、半導体レーザから射出された光のうち、コーン角１４度に放出される光のみを使用して非点収差を補正するコンパクトディスクシステム。」（以下、「引用発明」という。）
　
５−１−４　対比
　本件発明と引用発明とを対比する。
（１）半導体レーザにおけるインデックスガイド構造は、屈折率の高低差を横方向にも作る構造であるから、引用発明における「インデックスガイド型レーザ」は、本件発明における「活性層を異なる屈折率をもつ結晶で埋め込んだタイプの屈折率ガイド型半導体レーザ」に相当する。
（２）半導体レーザは、その内部が共振器として機能するから、引用発明における「反射面から帰還した光によるノイズ」と本件発明における「レーザ共振器にレーザ光が戻つて来た時に生じるノイズ」とは、相当関係にある。
（３）引用発明の「ゲインガイド型半導体レーザＣＱＬ１０」は、甲第１号証の上記記載事項（Ｆ）によれば、活性領域の幅が５μｍのナローストライプ構造であるから、ゲインガイド型に属するナローストライプ型の半導体レーザである。そして、本件発明における「レーザ共振器の実効屈折率が分布を持つており」、「レーザ共振器内でレーザ波面が円筒状になる」との特定事項は、何れも「ナローストライプ型半導体レーザ」の特性を説明するものであるから、引用発明の「ゲインガイド型半導体レーザＣＱＬ１０」は、本件発明の「レーザ共振器の実効屈折率が分布を持つており、レーザ共振器内でレーザ波面が円筒状になる、ナローストライプ型の半導体レーザ」に相当する。
（４）引用発明における「コンパクトディスク」は、半導体レーザの光により情報を読み出すから、「光ディスク」と言える。したがって、引用発明の「コンパクトディスクシステム」は、本件発明の「光ディスク装置」に相当する。
　してみると、両者は、
「レーザ共振器にレーザ光が戻つて来た時に生じるノイズレベルが、活性層を異なる屈折率をもつ結晶で埋め込んだタイプの屈折率ガイド型半導体レーザに比べて低く、レーザ共振器の実効屈折率が分布を持つており、レーザ共振器内でレーザ波面が円筒状になる、ナローストライプ型の半導体レーザと、光デイスクとからなる光ディスク装置。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）本件発明では、「光学系が
　ＮＡ≦√（λ／ΔＺ）
を満足するレンズを有する。
　但し、NAは上記レンズの開口数
　ΔZは上記半導体レーザの有する非点隔差
　λは上記半導体レーザの波長」
のに対し、引用発明では、「半導体レーザから射出された光のうち、コーン角１４度に放出される光のみを使用」している点
　
５−１−５　相違点についての検討
　開口数が、光学系や光学素子に入射、又は射出する光線束の最大錐角の半角の正弦であることは、技術常識（小柳修彌著　光技術用語辞典　第３版　平成１７年１１月２１日　オプトロニクス社）である。引用発明のコーン角１４°は、前記最大錐角に相当するから、開口数ＮＡ＝ｓｉｎ（１４／２）＝０．１２に相当する。
　そして、引用発明のＣＱＬ１０は、波長が７８０ｎｍであり、非点隔差の値が、甲第１号証の上記記載事項（Ｇ）から２５μｍであるから、本件発明の不等式の右辺の値を計算すると、
　　√（λ／ΔＺ）
　＝√（７８０ｎｍ／２５μｍ）
　＝０．１７７
である。してみると、ＣＱＬ１０半導体レーザの中心部のコーン角１４°の光を用いることは、本件発明の不等式
　　ＮＡ≦√（λ／ΔＺ）
を満たす。
　そして、光学系のレンズが開口数を有することは技術常識であるから、半導体レーザの中心部のコーン角１４°の光のみを使用する際に、半導体レーザから射出されたレーザビームを上記光デイスク上に集光する光学系のレンズも開口数を用いることも、当業者が適宜為し得る事項に過ぎず、実質的な相違点とはならない。
　してみると、本件発明と引用発明とは実質的に相違するものではない。
　
５−１−６　被請求人の主張について
　被請求人は、甲第３号証の解釈として、非点収差の問題を解決するために「フィリップスのコンパクトディスクオーディオシステムで使われているように、コーン角１４°に放出される全光パワーの１０％のみを使う」という記載と、図４等のＣＱＬ１０の記載とは分けて考えるべきものと主張する。
　しかしながら、甲第３号証の論文には、ゲインガイド型半導体レーザとして、具体的なレーザはＣＱＬ１０が記載されるのみである。そうすると、被請求人が主張するように２つの記載を分けて考える理由はなく、ＣＱＬ１０半導体レーザの非点収差の問題を解決するために、コーン角１４°に放出される全光パワーの１０％のみを使うことが開示されていると解するのが相当である。
　仮に被請求人が主張するよう分けて考えるとしても、甲第３号証には、非点収差の問題を解決する目的で、放出される光の中心部分のみを使うという技術思想が開示されている。そうすると、非点収差が問題とならないように放出される光の中心部分のみを使うよう開口数を小さくすることは、当業者が容易に想到しうることである。そしてその際、開口数をどの程度小さくするかという条件として、周知のレーレの収差許容式（収差量の最大値が１／４波長を超えなければ理想像と大きな差がないとするレイリーの許容限界）を用いて本件発明の不等式を導くことに困難性は無い。
　したがって、何れにしても被請求人の主張は採用できない。
　
５−１−７　小括
　以上のとおりであるから、本件発明は、甲第３号証に記載された事項から認定される発明と実質的に同一である、あるいは、該認定される発明と周知技術とに基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５−２　次に、甲第３号証が、本件特許の出願前に頒布された刊行物であるのか、以下に検討する。
　
５−２−１　甲第３号証と甲第５号証の記載内容の比較
　はじめに、甲第３号証と甲第５号証の記載内容を検討する。
　甲第３号証と甲第５号証とは、実質的に同一の内容であるが、細部では、以下の相違点等がある。
（１）甲第５号証では、図３，図４が追加されている。
（２）甲第５号証では、ACKNOWLEDGEMENT　、REFERENCES　が追加されている。
（３）甲第３号証では、図２中の文字が手書きであるのに対し、甲第５号証の図５においてはタイプされている。
（４）甲第３号証では、２頁２０〜２１行に「(INTENSITY　IS　・・・WAVELENGTH.In　the　・・・」とあり、「(」に対応する「)」が記されていないが、甲第５号証では、２頁左欄下から２１〜２０行に「(INTENSITY　IS　・・・WAVELENGTH).In　the　・・・」と対応する「)」が追加されている。等
　以上のことから、甲第５号証では図面、参考文献が追加され、誤記が訂正されていることから見れば、甲第３号証に加筆・修正して甲第５号証が作成されたものと解するのが妥当である。そうすると、甲第３号証は、甲第５号証の発行前に作成されたものと認められる。
　
５−２−２　頒布された刊行物であるか否かの検討
（１）　甲第１０号証には、
「INSTRUCTIONS TO AUTHORS OF PAPERS TO BE PUBLISHED IN THE TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS
Most of the papers carried in the TRANSACTIONS of the CE are selected from presentations given at the Chicago Spring Conference and at the Chicago Fall Conference each year.・・・・・
Contributed (non-conference) papers should be sent directly to Wayne Luplow, Chairman, Editorial Review Committee.」
「TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS誌で発表される論文の著者への説明（INSTRUCTIONS）
ＣＥ(Consumer Electronics)誌に掲載の論文の大多数は、毎年、シカゴ春期学会、シカゴ秋期学会でなされた発表から選ばれている。・・・・・
（講演論文でない）投稿論文は、投稿者は直接、委員長Wayne　Luplow宛てに直接送付する。」
との記載がある。該記載によると、TRANSACTIONS ON CONSUMER ELECTRONICS誌に掲載される論文には、シカゴ春期学会、シカゴ秋期学会でなされた発表から選ばれた論文と、学会で発表することなく投稿した論文がある。そうすると、甲第３号証と同じ内容の論文がTRANSACTIONS　ON　CONSUMER　ELECTRONICS誌に掲載されていたとしても事前に学会で発表されたものとは言えない。
（２）　甲第１４号証は、１９８０年６月１８日に開催されたコンファレンスのプログラムであり、タイトルと発表者名が記載されている。請求人が主張するよう、甲第３号証の論文が１９８０年１１月１０日１１日のコンファレンスで発表されているならば、甲第３号証の論文タイトル、著者と同じタイトル、発表者が記載されたプログラムが存在すると思われるが、当該プログラムは証拠として提出されていない。
（３）　請求人は、甲第１７号証を提出し、甲第３号証の論文は、１９８０年のIEEE　Consumer　Electronics　の　Chicago　Fall　Conference　で発表された講演論文であると主張する。甲第１７号証は村上武志作成の「報告書」であり、該報告書には「この論文資料は１９８０年のIEEE Consumer Electronics の Chicago Fall Conference 学会講演会に私が出席したときに入手した講演発表論文の別刷りであり、当時学会参加者なら誰でも入手できた公開情報です。」と記載されている。甲第１７号証の作成者である村上武志氏が、学会講演会に出席したという事実、講演発表論文の別刷りを入手したという事実を記載するものであり、また、「誰でも入手できた公開情報です」は、村上武志が体験したした入手したときの状況から判断して「誰でも入手できた」と記載するものである。村上武志が過去に経験した事実を証拠とするのであれば、格別の事情がなければ人証の証拠調べ（証人尋問）により立証すべき事項である。
　請求人は、「被請求人、請求人の面前に被請求人の従業員である・・・村上武志・・・に直接面会する機会を作って頂き・・・」（平成２１年７月１３日付け上申書１頁下から２行〜最下行）、「村上武志への証人尋問が不可欠であり、・・・」（平成２１年７月１４日付け審判事件弁駁書２頁５行）と主張していたので、平成２１年９月２日の口頭審尋期日において、請求人に対し、証人尋問申出書、尋問事項書を、平成２１年９月２４日迄に提出するよう請求人に対して指示したところ、平成２１年９月４日付け上申書において、「一身上の理由で特許庁に出頭しての証人尋問には耐えられないとの意向」により、証人尋問に代えて提出するとしたものである。以上の経過からみて、証人尋問を実施できない合理的な理由は説明されていない。
　してみると、甲第１７号証の村上武志作成の「報告書」に基いて、甲第３号証の論文が、１９８０年のIEEE　Consumer　Electronics　の　Chicago　Fall　Conference　において頒布された刊行物であるとの心証を形成することはできない。
（４）　甲第１８号証は相木国男作成の「ご依頼の件による回答」であり、該書面に記載された「別紙書類」がどの書類を指すのか不明であるばかりでなく、相木氏は１９８０年のIEEE Consumer Electronics の Chicago Fall Conference に参加しておらず、社内で回覧された資料を閲覧したのみである。そうすると、甲第１８号証の「ご依頼の件による回答」の記載内容によっても、甲第３号証が頒布された刊行物であるということはできない。
（５）　そして、甲第６、甲第９、甲第１０、甲第１３〜１３−３、甲第１４、甲第１５〜１５−５，甲第１６、甲第１７，甲第１８号証を総合して検討しても、甲第３号証の論文が、１９８０年のIEEE　Consumer　Electronics　の　Chicago　Fall　Conference　において頒布された刊行物であるとすることはできない。
　
５−２−３　＜無効理由１＞のまとめ
　以上のとおり、甲第３号証は本件特許の出願前に頒布された刊行物ということはできないから、特許法第２９条第１項第３号の頒布された刊行物に該当しない。よって、甲第３号証に基いて本件特許を無効とすることはできない。
　
５−３　＜無効理由２＞について
　
　甲第５号証は、その第１頁左上方に　「ＭＡＹ １９８１」との記載があり、１９８１年５月に発行されたものと認められるが、発行日を特定する記載はない。また、請求人は、アメリカでの研究所での納入日を今後調査するとしている(平成２１年６月３０日付け審判事件弁駁書６頁４−５行）が、その後、日付を特定できる証拠は提出されていない。
　そうすると、甲第５号証は１９８１年５月末日（３１日）に発行されたものと推定する他なく、本件特許の出願前に頒布された刊行物ではない。よって、甲第５号証は特許法第２９条第１項第３号の頒布された刊行物に該当しないから、甲第５号証に基いて本件特許を無効とすることはできない。　
　
第６　むすび
　以上のとおり、本件特許発明は、甲第３号証若しくは甲第５号証に開示された発明と同一又は該発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるが、甲第３号証、甲第５号証は、何れも本件特許の出願前に頒布された刊行物と認めることはできず、特許法第２９条第１項第３号の頒布された刊行物に該当しない。よって，請求人の主張及び証拠方法によっては，本件発明に係る特許を無効とすることができない。
　
　審判に関する費用については，特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により，請求人が負担すべきものとする。　
　
　よって，結論のとおり審決する。