【事件の表示】
　平成１１年特許願第　８２３８５号「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月　６日出願公開、特開２０００−２７７８００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年３月２５日の出願であって、平成１７年１１月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月３０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、平成１７年１０月１４日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されたものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】
　窓層にＡｌ原子を含む半導体発光素子において、該窓層の外側に該半導体の発光する光に対して実質的に透明なＡｌ原子を含まない物質で形成された薄い保護層を設け、該保護層上に電極を設けたことを特徴とする半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２２３９２９号公報（以下、「引用例」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
（ア）
「【請求項３】  ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よりなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が１０17ｃｍ-3以上２×１０19ｃｍ-3以下で、かつその厚さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電流拡散層を具備し、さらに該ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上に発光部からの発光波長に対し透明なＧａＰ保護層を具備した事を特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板。」
　
（イ）
「【０００４】この構造において電流拡散層として必要な要件の一つは、発光部からの光に対して透明であるという事である。この要件を満たしたＡｌＧａＡｓ層を電流拡散層として用いるには、ＡｌＧａＡｓ電流拡散層のバンドギャップエネルギーが活性層のバンドギャップエネルギーより大となるように、Ａｌ組成を一定の値より大きくする必要がある。ところがＡｌＧａＡｓはＡｌ組成が大きくなるほど酸化し易くなる性質を持っている。ＡｌＧａＩｎＰＬＥＤの可視光領域の光に対して透明なＡｌＧａＡｓのＡｌ組成は混晶比で０．７程度であり、前述のＬＰＥ法ＡｌＧａＡｓＬＥＤのクラッド層に採用されている組成と同程度である。従って従来のＬＰＥ法ＡｌＧａＡｓ系ＬＥＤより高輝度が得られ、耐湿性に優れたＡｌＧａＩｎＰＬＥＤにおいても、電流拡散層としてＡｌＧａＡｓ層を用いる構造では耐湿性の点で問題がある。」
　
（ウ）
「【００１０】
【課題を解決するための手段】・・・（中略）・・・もう一つの特徴は、薄膜のＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上部に、酸化しにくいＡｌＧａＩｎＰあるいはＧａＰ層を積層して、これによって耐湿性を向上させたことである。・・・（後略）」
　
（エ）
「【００３０】本発明では、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の表面にさらにｎ型ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ型ＧａＰの保護層を載置しても良い。これはＬＥＤの空気と接触する面をＡｌ含有量の少ない結晶、あるいはＡｌを全く含まない空気中の湿分に対して安定な結晶で覆い、耐湿性を高めるためである。ＧａＰのバンドギャップは２．３４ｅＶであり、Ａｌ混晶比が０．３５のＡｌＧａＩｎＰのバンドギャップは２．２８ｅＶであり、共に発光に対して透明である。キャリア濃度は１×１０17ｃｍ-3以上１×１０19ｃｍ-3以下であれば電流拡散効果に支障はない。厚さは酸化を防ぐ為なので０．５μｍ以下で十分である。電流拡散層と合わせて１μｍ以下とする。」
　
（オ）
「【００３２】以上のようにして載置した電流拡散層又は保護層の上にコンタクト層を介してｎ型オーミック電極を形成する。また、ＧａＡｓ基板の表面にはｐ型オーミック電極を形成してＬＥＤ素子とする。コンタクト層についてはその上の金属電極とオーム性接触を取り易いことを目安に選ぶ。本発明の構造では最適な物質はＧａＡｓであり、厚さは０．１〜１μｍあれば良い。キャリア濃度は１×１０18ｃｍ-3以上が必要である。金属電極はｎ型ではＡｕ／Ａｕ−Ｇｅ、ｐ型ではＡｕ／Ａｕ−Ｂｅを用いることができる。このようにＬＥＤ用ウエーハを構成することにより、上部電極からの注入電流を充分に拡散させ、効果的に高い出力、即ち高い輝度の発光素子を得ることができる。」
　
　上記各記載事項からみて、引用例には、「ｐ型ＧａＡｓ基板上に、半導体多層膜よりなる反射膜を介して、ＡｌＧａＩｎＰ活性層を挟むダブルヘテロ構造を有し、基板に対向する該ダブルヘテロ構造の上部に、導電型がｎ型であって、キャリア濃度が１０17ｃｍ-3以上２×１０19ｃｍ-3以下で、かつその厚さが１μｍ以下である発光に対し透明なＡｌＧａＡｓ電流拡散層を具備し、さらに該ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上に発光部からの発光波長に対し透明なＧａＰ保護層を具備したＡｌＧａＩｎＰ発光素子であって、前記ＧａＰ保護層の上にコンタクト層を介してｎ型オーミック電極が形成されており、前記ＧａＰ保護層はＡｌＧａＡｓの酸化を防ぐ為に厚さが０．５μｍ以下で十分とされているＡｌＧａＩｎＰ発光素子。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを以下に対比する。
　
（ア）引用発明の「電流拡散層」、「ＧａＰ保護層」、「ｎ型オーミック電極」及び「ＡｌＧａＩｎＰ発光素子」は、それぞれ、本願発明の「窓層」、「保護層」、「電極」及び「半導体発光素子」に相当する。
　
（イ）引用発明の電流拡散層（「窓層」に相当。）はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層であるから、引用発明は、窓層にＡｌ原子を含むことになる。
　
（ウ）引用発明のＧａＰ保護層はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層の上に具備されているものであって、発光波長に対して透明とされ、さらに、ＡｌＧａＡｓの酸化を防ぐために厚さが０．５μｍ以下で十分であるとされている。そして、前記ＧａＰ保護層が、半導体発光素子が電気的或いは光学的に実質的に影響を受けない程度に薄いものであることは（本願明細書【０００７】参照。）、電気拡散層の上部に積層される保護層であることから当業者に自明である。したがって、引用発明は、窓層の外側に半導体の発光する光に対して実質的に透明なＡｌ原子を含まない物質で形成された薄い保護層を設けていることになる。
　
（エ）本願発明と引用発明とは、ともに、保護層の上部に電極を設けている点で一致することが明らかである。
　
　してみれば、本願発明と引用発明とは、「窓層にＡｌ原子を含む半導体発光素子において、該窓層の外側に該半導体の発光する光に対して実質的に透明なＡｌ原子を含まない物質で形成された薄い保護層を設け、該保護層の上部に電極を設けた半導体発光素子。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
[相違点]
　保護層の上部に電極を設けたことに関し、本願発明においては保護層上に電極を設けているのに対し、引用発明においては、（ＧａＰ）保護層上にコンタクト層を介して電極が形成されている点。
　
４．判断
　上記［相違点］について検討する。
　ＧａＰは金属材料とのオーミック接触が可能であり、その表面上にコンタクト層を介することなく直接電極を設けることができる材料であること（例えば、特開平９−７４２２１号公報の【００６７】、特開平１０−２７０７５２号公報の【００２６】、特開平７−２６３７４６号公報の【００１４】、特開平２−２７０３８７号公報の第３頁右上欄第２行〜第３行、第３頁右下欄第７行〜第８行を参照。）、及び、コンタクト層が不要となれば工程減、コスト削減を図ることができること（例えば、上記特開平９−７４２２１号公報の【００６７】、上記特開平１０−２７０７５２号公報の【００２６】を参照。）は、いずれも本願出願前周知である。
　そして、引用発明において、工程減、コスト削減を図ることは自明の課題であり、この課題を解決するために、上記各周知技術に基づき、引用発明のＧａＰ保護層上にコンタクト層を介することなく直接電極を設けることができるから、上記[相違点]に係る事項は当業者が容易に想到できたものである。
　
　また、本願発明の作用効果も、引用例に記載された発明及び上記各周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。