【事件の表示】
　平成９年特許願第２３１４６８号「ヒーター部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年３月９日出願公開、特開平１１−６７４２７号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年８月２７日の出願であって、平成１９年４月４日付けで拒絶査定がなされ、平成１９年５月１０日に拒絶査定不服審判が請求され、平成１９年６月１１日付けで手続補正がされたものである。
　　
第２　平成１９年６月１１日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年６月１１日付けの手続補正を却下する。
　　
［理　由］
　平成１９年６月１１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の「密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上であり」との記載を、「密度が２．９ｇ／ｃｍ３以上であり」と補正することを含むものである。(なお、補正前の請求項１を除くすべての請求項は請求項１を引用しており、密度については前記事項により限定されるところ、補正後の特許請求の範囲は請求項１のみであって、補正後の請求項１が、補正前の何れの請求項に対応するものであっても、密度については実質的に前記と同様の補正がされているといえる。)
　
　前記補正事項は、補正前の請求項１に記載された発明の発明特定事項である密度について、その値の範囲を拡張するものであり、限定するものとは認められない。また、当該補正事項は、請求項の削除や誤記の訂正にも該当せず、また、明りょうでない記載の釈明にも該当しない。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１９年１月１５日付け手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項４に記載されたとおりのものである。
　そして、請求項１を引用した請求項４に係る発明について、請求項１を引用しないで（独立請求項の形式で）記載すると、以下のとおりである。
「密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と焼結助剤として非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形成され、
　前記炭化ケイ素焼結体は前記混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスすることにより得られたものであることを特徴とするヒーター部品。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１５７３６７号公報（以下「引用例」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
（１）「液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する液状の有機化合物と重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下にて焼成して得られた平均粒径が０．５〜２０μｍであるβ型炭化ケイ素粉末（Ａ）と、焼結助剤として平均粒径が１０〜１００ｎｍである炭化ケイ素超微粉末（Ｂ）を混合した後、得られた混合粉体を高温加圧下で焼結することからなるβ型炭化ケイ素焼結体の製造方法において、
該原料及び触媒が不純物元素を実質的に含まないものであり、該中間体物質の炭素／ケイ素のモル比が２．３〜２．５であり、該混合粉体中に含まれるＢ成分の割合が１〜３０重量％であり、該β型炭化ケイ素焼結体の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下で、かつ各不純物元素の含有量が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法。」（請求項１）
（２）「本発明は高純度で耐久性があり、パーティクルの発生も少ない半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体に係り、特に半導体工業で用いられるヒーターや高強度を要求される耐熱部品、高腐食性ガス周辺部品、エッチャー用電極等に利用できる半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体に関する。」（段落【０００１】）
（３）「高純度β型炭化ケイ素焼結体においては、高強度で耐腐食性を高くすることが望まれるが、反応焼結法により得られたの炭化ケイ素焼結体では金属ケイ素を含んでいるために強度が不足していたり、腐食性薬品に対する耐久性が不足していたが、本発明の製造方法により得られた高純度β型炭化ケイ素焼結体は焼結助剤を炭化ケイ素超微粉にすることにより、不純物元素を実質的に含まない焼結体を得ると共に、腐食性ガスやアーク放電等に対する耐久性が向上することができるため、半導体工業において各種電極、耐熱治具、抵抗発熱体等として利用可能である優れた効果を奏するものである。」（段落【０００９】）
（４）「本発明でいう不純物元素を実質的に含まないとは、各不純物元素の含有量が１ｐｐｍ以下であると定義するが、好ましくは０．５ｐｐｍ以下で、より好ましくは０．１ｐｐｍである。但し、焼成温度（１６００〜２０００℃）で蒸発する元素または元素の化合物についてはこの限りではない。
　また、本発明に用いる触媒、添加剤、溶媒（水を含む）等についても、不純物を実質的に含まない高純度品を用いる必要がある。また、原料、製品はクラス１０００以下のクリーン・ブース中で取り扱うのが好ましい。」（段落【００１７】〜【００１８】）
（５）「（実施例Ａ１）液状ケイ素化合物としてＳｉＯ２含有量４０％の高純度のエチルシリケート６９０ｇと、含水率２０％の高純度液体レゾール型フェノール樹脂３００ｇの混合液に、触媒として高純度ｐ−トルエンスルホン酸の２５％水溶液１２０ｇを加えて硬化・乾燥させ、均質な樹脂状固形物を得た。これを窒素雰囲気下で９００℃で１時間炭化した。得られた炭化物の炭素／ケイ素のモル比は元素分析から２．４であった。この炭化物をアルゴン雰囲気下で１９００℃まで昇温、加熱し、４時間保持して炭化ケイ素化反応及び結晶粒成長を行った。得られた粉末の色は淡緑色であった。また、Ｘ線回折による炭化ケイ素の結晶形はβ型（立方晶）であった。Ａ成分の不純物分析（ＩＣＰ−質量分析及びフレームス原子吸光法）の結果を表１に示す。
　・・・中略・・・
　次に、Ａ成分に５重量％の炭化ケイ素超微粉（平均粒径＝０．０５μｍ：住友セメント製）を添加し、エタノール中に分散し、ナイロン容器と鉄心入りのナイロンボールを用いて２４時間ボールミル混合を行った。これを、減圧乾燥し、通常の一軸プレスにより直径５０ｍｍの円板形状にした。さらに、この成形体をホットプレス装置で真空中１６５０℃まで加熱し、次にアルゴン雰囲気下で圧力４５０Ｋｇ／ｃｍ2、焼結温度１９５０℃で２時間焼結した。得られた厚み約１．５ｍｍの円板をダイヤモンドで表面研磨した後、よく洗浄して不純物分析した結果及び３点曲げ強度及び比抵抗を表２に示す。
　・・・中略・・・
　（実施例２）実施例１で得られたＡ成分に１５重量％の市販の炭化ケイ素超微粉を添加し、焼結温度１９５０℃で２時間焼結した以外は、実施例１と同様にして、焼結円板を作成し、同様の試験を行った。なお、不純物分析した結果及び３点曲げ強度及び比抵抗を表２に示す。」（段落【００２６】〜段落【００３０】）
（６）表２には、実施例２に関して、焼結体の不純物分析の結果として、不純物元素、Ｎａは＜０．０１、Ｋは＜０．０１、Ｃａは０．０３、Ｆｅは０．０４、Ｎｉは＜０．０５、Ｃｒは＜０．０１、Ｃｕは＜０．０１、Ｗは＜０．０１、Ａｌは＜０．１、Ｂは＜０．０５（但し、数値の単位はｐｐｍ、＜は検出限界であることを意味する。）であること、及び、焼結体の密度が３．１５であること、比抵抗が０．０２Ω・ｃｍであることが記載されている。
　
　したがって、記載事項（１）〜（６）を、実施例２に着目して、総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する液状の有機化合物と重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下にて焼成して得られたβ型炭化ケイ素粉末（Ａ）と、
焼結助剤として炭化ケイ素超微粉末（Ｂ）を混合した後、得られた混合粉体を高温加圧下で焼結することからなる、β型炭化ケイ素焼結体による、半導体製造装置用のヒーターや抵抗発熱体等の耐熱部品であって、
β型炭化ケイ素粉末（Ａ）と炭化ケイ素超微粉末（Ｂ）との混合は２４時間ボールミル混合であり、
得られた混合粉体の高温加圧下での焼結は、一軸プレスにより円板形状にし、この成形体をホットプレス装置で真空中１６５０℃まで加熱し、次にアルゴン雰囲気下で圧力４５０Ｋｇ／ｃｍ2、焼結温度１９５０℃で２時間焼結することであり、
前記焼結体の密度が３．１５であり、
前記焼結体の比抵抗が０．０２Ω・ｃｍであり、
前記焼結体に含まれる各不純物元素の含有量が０．１ｐｐｍ以下の、不純物元素を実質的に含まないものとした、
高純度、高強度で耐久性があり、パーティクルの発生も少ない、半導体製造装置用のヒーターや抵抗発熱体等の耐熱部品。」
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比すると、後者の「β型炭化ケイ素粉末（Ａ）」は前者の「炭化ケイ素粉末」に相当し、以下同様に、後者の「混合粉体」は前者の「混合物」に、後者の「半導体製造装置用のヒーターや抵抗発熱体等の耐熱部品」は前者の「ヒーター部品」にそれぞれ相当する。
　また、後者の「焼結助剤として炭化ケイ素超微粉末（Ｂ）」は、炭化ケイ素超微粉末が非金属系であるといえることから、前者の「焼結助剤として非金属系焼結助剤」に相当する。（なお、引用例には比較例２として焼結助剤に本願発明と同様のフェノール樹脂を用い、低い不純物、実施例２に近い密度の炭化ケイ素焼結体を得ることも示されている。）
　後者の「β型炭化ケイ素粉末（Ａ）と、焼結助剤として炭化ケイ素超微粉末（Ｂ）を混合した後、得られた混合粉体を高温加圧下で焼結すること」は、前者の「炭化ケイ素粉末と焼結助剤として非金属系焼結助剤とが」「混合された混合物を焼結することにより得」ることに相当する。
　さらに、後者の「得られた混合粉体の高温加圧下での焼結は、一軸プレスにより円板形状にし、この成形体をホットプレス装置で真空中１６５０℃まで加熱し、次にアルゴン雰囲気下で圧力４５０Ｋｇ／ｃｍ2、焼結温度１９５０℃で２時間焼結すること」は、前者の「混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスすること」に相当する。
　したがって、両者は、
「炭化ケイ素粉末と焼結助剤として非金属系焼結助剤とが混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形成され、
　前記炭化ケイ素焼結体は前記混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスすることにより得られたものであるヒーター部品。」である点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：炭化ケイ素焼結体の密度について、本願発明は「３．１５ｇ／ｃｍ３以上」であるのに対して引用発明は「３．１５」である点。
相違点２：炭化ケイ素粉末と焼結助剤としての非金属系焼結助剤との混合による混合物に関し、本願発明は「均質に」混合された混合物であるのに対し、引用発明はそのように混合されたものではない点。
　
　上記相違点について検討する。
（１）相違点１について
　引用発明は「高純度、高強度で耐久性があり、パーティクルの発生も少ない、半導体製造装置用のヒーターや抵抗発熱体等の耐熱部品」を得るべく、用いる「β型炭化ケイ素焼結体」をより高純度にするものである。
　一方、特公昭３６−２３４８０号公報や特開平６−２９２２３号公報には、ヒーター部品として用いられる高純度の炭化ケイ素焼結体の密度として、それぞれ３．００ｇ／ｃｃ及び２．８ｇ／ｃｍ３の値が示されており、引用発明のような焼結体の密度としてｇ／ｃｍ３の単位を用いることが通常であるとともに、３．１５ｇ／ｃｍ３という値は通常取り得るものであるから、引用発明の密度について、当業者であれば、３．１５ｇ／ｃｍ３という値が示されていると、通常、理解するものといえる。
　さらにいえば、３．１５という値が示されるとき、上記の公報に示されるような値が周知であって、引用例の記載事項（３）に高強度で耐腐食性を高くすることが示されるように、より緻密とすべく、引用発明の「β型炭化ケイ素焼結体」の密度を３．１５ｇ／ｃｍ３以上とすることは当業者が格別の困難性を要することなくなし得たものでもある。
　そして、「β型炭化ケイ素焼結体」の密度を３．１５ｇ／ｃｍ３としたことによる格別の効果も認められない。
　
（２）相違点２について
　引用発明は「β型炭化ケイ素粉末（Ａ）と炭化ケイ素超微粉末（Ｂ）との混合は２４時間ボールミル混合」とするものである。また一般的に均質な焼結体を得るべく焼結体の素材を均質に混合して混合物とし、これを焼結することも当業者にとって常套手段であるといえる。
　そうすると、引用発明におけるβ型炭化ケイ素粉末（Ａ）と焼結助剤としての炭化ケイ素超微粉末（Ｂ）との混合について、これを均質に混合して混合粉体を得ることは当業者が容易なし得たことといえ、そのことによる格別の効果もない。
　
　そして、上記相違点１及び２を合わせ考えても、本願発明の効果が格別であるとはいえない。
　
４．まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうすると、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　なお、付言すると、請求項５に係る発明については、引用発明の焼結体の比抵抗は「０．０２Ω・ｃｍ」であることから、請求項６に係る発明については、引用発明のβ型炭化ケイ素粉末（Ａ）も「液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する液状の有機化合物と重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下にて焼成して得られた」ものであることから当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項７に係る発明についても、引用発明は「焼結体に含まれる各不純物元素の含有量が０．１ｐｐｍ以下の、不純物元素を実質的に含まない」高純度の焼結体であること、さらには２．（６）で摘示した焼結体の各不純物分析の結果や特開平５−２４８１８号公報には半導体治具用β型炭化珪素粉末において有害な金属不純物を１ｐｐｍ以下としようとすることが記載されていることからも、不純物元素の総含有量をより減らすように１ｐｐｍ以下とすることは当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。