【事件の表示】
　特願２０００−５８７３５６「金属含有層を構造化する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月１５日国際公開、ＷＯ００／３４９８５、平成１４年１０月２９日国内公表、特表２００２−５３６８１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、１９９９年１２月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　１９９８年１２月４日（ＤＥ）ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年４月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１７年４月７日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１７年４月７日付け手続補正を却下する。
　
　
［理由］
　
（１）補正後の本願発明
　
　本件補正により、特許請求の範囲は請求項１〜５に補正され、その請求項１は以下のとおりに補正された。
　
「金属含有層を構造化する方法において、次の過程を有し：
−　金属含有層（４）を有する基板（２）を準備する過程、この場合金属含有層（４）は、チタン（Ｔｉ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、タンタル（Ｔａ）、酸化タンタル（ＴａｘＯｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）またはこれらの金属と酸化物との混合物からなり；
−　金属含有層（４）上にエッチングマスク（８）を施こしかつ構造化する過程；
−　金属含有層（４）を、エッチングマスク（８）を使用しながらエッチングガス雰囲気中で、この場合には、エッチングガスが励起されてプラズマが形成される、２３０℃〜２７０℃の温度で少なくとも１つのハロゲン化合物および酸素の存在下にエッチングする過程、この場合ハロゲン化合物が１％〜１０％の体積濃度であり、酸素が９０％〜９９％の体積濃度であり、
−　この場合ハロゲン化合物は、ＣＦ４、ＳＦ６またはＮＦ３を含むことを特徴とする、金属含有層を構造化する方法。」
　
　補正前の請求項４の「ハロゲン化合物としてＳＦ６またはＣＦ４を使用する」の記載は、本願明細書の「ハロゲン化合物としては、弗素化炭素または弗素化炭化水素、殊にＣＦ４、ＳＦ６、ＮＦ３またはＣＨＦ３が好ましく」（段落【０００９】）との記載を参酌すると、「ハロゲン化合物としてＮＦ３に代えてＳＦ６またはＣＦ４を使用する」と理解されるから、上記補正は、補正前の請求項８における「請求項１から７までのいずれか１項に記載」を「請求項１又は請求項１を引用する請求項４に記載」とし、「１３０℃を越える温度」を「２３０℃〜２７０℃の温度」と限定することを含むものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　
（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−１７８０９５号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ａ）「図１（ａ）〜図１（ｆ）は、第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン半導体基板１上にＳｉＯ２を材料として絶縁膜２を堆積形成する。
続いて、絶縁膜２上に、ＴｉＮを材料とした導電性の下部保護層１１、アルミニウム合金を材料とした金属層１２、及びＴｉを材料とした導電性の上部保護層１３を順次堆積させ、フォトリソグラフィー及びそれに続くドライエッチングにより、これら下部保護層１１、金属層１２及び上部保護層１３を所定の配線形状にパターニングして下層配線膜３を形成する。
続いて、下層配線膜３を覆うようにシリコン半導体基板１の全面にＳｉＯ２を材料として層間絶縁膜４を堆積形成する。続いて、この層間絶縁膜４上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ一によってこのフォトレジストにコンタクト孔のパ夕一ン１４を形成してマスク５を形成する。
次いで、図１（ｂ）に示すように、形成するコンタクト孔のアスペクト比を緩和させるために、先ず下層配線膜３の上の層間絶縁膜４にバッファードフッ酸を用いて等方性エッチングを施して溝２１を形成する。このとき、マスク５のパ夕一ン１４の下部に位置する溝２１は、パ夕一ン１４の幅よりも広く、且つなだらかな内壁をもって形成されることになる。
続いて、フッ素系ガスと不活性ガスとの混合ガスを第１のエッチングガスとして用い、層間絶縁膜４の溝２１の底面を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により異方性エッチングして層間絶縁膜４を穿ち、マスク５のパ夕一ン１４の形状に倣ったコンタクト孔６を開孔形成して上部保護層１３の表面部位を露出させる。ここで、第１のエッチングガスとしては、そのフッ素系ガスをＣＦ４ガス及びＣＨＦ３ガスとし、不活性ガスをＡｒガスとした。
前述の反応性イオンエッチングを行った際に、コンタクト孔６内の底面となる上部保護層１３の表面部位にはフッ素化合物層２２が形成されるとともに、コンタクト孔６内の側壁面には、フッ素系ガスのイオン衝撃により上部保護層１３からスパッタアウトして形成されたチタンフッ化物層２３が付着している。これらフッ素化合物層２２及びチタンフッ化物層２３は、後述するようにして除去する必要がある。
次に、図１（ｃ）に示すように、通常のマイクロ波ダウンストリーム型アッシング装置（以下、アッシング装置と記し、また図示は省略する）内を用いて、Ｏ２ガスによりフォトレジストよりなるマスク５をアッシング処理して灰化除去する。このアッシング処理は、Ｏ２ガス流量：４００ｃｃ／分、圧力：１３０Ｐａ、マイクロ波パワー：８００Ｗ、シリコン半導体基板１の温度：１８０℃の条件下において行った。
次に、前述のフッ素化合物層２２及びチタンフッ化物層２３を除去する。これは、先ず、ステップ１として、図１（ｄ）に示すように、前述のアッシング装置を用い、フッ素系ガスとＯ２ガスとの混合ガスを第２のエッチングガスとして、フッ素化合物層２２と共にコンタクト孔６内の底面の上部保護層１３をケミカルエッチして除去する。ここで、第２のエッチングガスのフッ素系ガスをＣＨＦ３ガスとしたが、これに限定されることはなく、例えば他のフッ素系ガスとしてＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６を用いることが好適である。
このエッチング処理は、Ｏ２／ＣＨＦ３ガス流量：４００／２０ｃｃ／分、圧力：１００Ｐａ、マイクロ波パワー：８００Ｗ、シリコン半導体基板１の温度：１８０℃の条件下において行った。
ここで、後述の実験例で示すように、フッ素系ガスの第２のエッチングガス全体の流量に対する混合比を１％〜１０％とし、シリコン半導体基板１の温度を１５０℃以上２２０℃以下とすることが好適である。この第１の実施の形態において、前記混合比は、２０／４２０≒４．８％となる。」（段落【００３１】〜【００４０】）
　
（ｂ）「〔実験２〕フッ素化合物層２２を前述のアッシング装置を用いて除去する際におけるシリコン半導体基板１の温度（以下、基板温度と記す。）とＴｉレート及びＳｉＯ２レートとの関係について調べた。なお、この実験２は、第２のエッチングガスの流量をＯ２／ＣＨＦ３＝４００／２０ｃｃ／分に固定し、圧力：１００Ｐａ、マグネトロン電流：４００ｍＡの条件下で行った。実験結果を、図４及び以下の表２に示す。」（段落【００７９】）
　
（ｃ）「このように、基板温度が１５０℃を下回り１００℃に近づくと、Ｔｉレートが極端に低下するので、ＳｉＯ２レートがＴｉレートに比して無視できない値となる。また、基板温度が２２０℃のときは問題ないが、これを越える程、ＳｉＯ２レートが大きくなってＴｉレートに比して無視できない値となる。
したがって、基板温度を１５０℃〜２２０℃とすることが好適であり、基板温度がこの範囲内の値であってその他の条件が適正値であれば、Ｔｉレートに対してＳｉＯ２レートは無視し得る程度の小値となる。このことは、フッ素化合物層２２の除去時における層間絶縁膜４のスパッタアウトによるＳｉＯ２膜の再堆積が防止されることを意味している。」（段落【００８１】〜【００８２】）
　
　
（３）対比
　
　摘記事項（ａ）には、シリコン半導体基板上に、ＴｉＮを材料とした導電性の下部保護層、アルミニウム合金を材料とした金属層、及びＴｉを材料とした導電性の上部保護層からなる下層配線膜を形成すること、下層配線膜を覆うようにシリコン半導体基板の全面にＳｉＯ２を材料として層間絶縁膜を堆積形成し、フォトレジストからなるマスクを形成し、等方性エッチング及び異方性エッチングにより層間絶縁膜にコンタクト孔を開孔形成して上部保護層の表面部位を露出させ、マイクロ波ダウンストリーム型アッシング装置を用いてマスクを灰化除去すること、前述のアッシング装置を用い、フッ素系ガスとＯ２ガスとの混合ガスを第２のエッチングガスとして、コンタクト孔内の底面の上部保護層をケミカルエッチして除去すること、ここで、フッ素系ガスとしてＣＦ４、ＳＦ６を用いること、及び、フッ素系ガスの第２のエッチングガス全体の流量に対する混合比を１％〜１０％とし、シリコン半導体基板の温度を１５０℃以上２２０℃以下とすることが記載されている。
　
　上記摘記事項（ａ）〜（ｃ）を総合すると、引用例１には、以下の発明が記載されていることになる。
　
「シリコン半導体基板上に、下部保護層、金属層、及びＴｉを材料とした導電性の上部保護層からなる下層配線膜を形成すること、
下層配線膜を覆うようにＳｉＯ２を材料として層間絶縁膜を堆積形成し、フォトレジストからなるマスクを形成し、層間絶縁膜にコンタクト孔を開孔形成して上部保護層の表面部位を露出させ、マスクを灰化除去すること、
マイクロ波ダウンストリーム型アッシング装置を用い、フッ素系ガスとＯ２ガスとの混合ガスを第２のエッチングガスとして、コンタクト孔内の底面の上部保護層をケミカルエッチして除去すること、ここで、フッ素系ガスとしてＣＦ４、ＳＦ６を用いること、及び、フッ素系ガスの第２のエッチングガス全体の流量に対する混合比を１％〜１０％とし、シリコン半導体基板の温度を１５０℃以上２２０℃以下とする方法」（以下、「引用例１発明」という。）
　
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「シリコン半導体基板」は、本願補正発明の「基板」に相当し、以下同様に、「Ｔｉを材料とした導電性の上部保護層」は「金属含有層」に、「下層配線膜を覆うようにＳｉＯ２を材料として層間絶縁膜を堆積形成し、フォトレジストからなるマスクを形成し、層間絶縁膜にコンタクト孔を開孔形成して上部保護層の表面部位を露出させ、マスクを灰化除去」は「金属含有層上にエッチングマスクを施こしかつ構造化」に、「フッ素系ガス」は「ハロゲン化合物」に、「Ｏ２ガス」は「酸素」に、「第２のエッチングガス」は「エッチングガス」にそれぞれ相当する。
　また、マイクロ波ダウンストリーム型アッシング装置により、エッチングガスは励起されてプラズマが形成されるから、「マイクロ波ダウンストリーム型アッシング装置を用い、コンタクト孔内の底面の上部保護層をケミカルエッチして除去」は、「金属含有層を、エッチングマスクを使用しながらエッチングガス雰囲気中で、この場合には、エッチングガスが励起されてプラズマが形成される、エッチング」に相当し、第２のエッチングガスは、フッ素系ガスとＯ２ガスとの混合ガスであるから、「フッ素系ガスの第２のエッチングガス全体の流量に対する混合比を１％〜１０％とし」は「ハロゲン化合物が１％〜１０％の体積濃度であり、酸素が９０％〜９９％の体積濃度であり」に相当する。
　よって、両者は、
「金属含有層を構造化する方法において、次の過程を有し：
−　金属含有層を有する基板を準備する過程、この場合金属含有層は、チタン（Ｔｉ）からなり；
−　金属含有層上にエッチングマスクを施こしかつ構造化する過程；
−　金属含有層を、エッチングマスクを使用しながらエッチングガス雰囲気中で、この場合には、エッチングガスが励起されてプラズマが形成される、少なくとも１つのハロゲン化合物および酸素の存在下にエッチングする過程、この場合ハロゲン化合物が１％〜１０％の体積濃度であり、酸素が９０％〜９９％の体積濃度であり、
−　この場合ハロゲン化合物は、ＣＦ４またはＳＦ６を含む金属含有層を構造化する方法。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点］
　エッチングする過程での温度が、本願補正発明では、２３０℃〜２７０℃であるのに対し、引用例１発明では、１５０℃以上２２０℃以下である点。
　
　
（４）判断
　
　摘記事項（ｃ）によれば、基板温度が１５０℃を下回り１００℃に近づくと、Ｔｉレートが極端に低下するので、ＳｉＯ２レートがＴｉレートに比して無視できない値となること、また、基板温度が２２０℃のときは問題ないが、これを越える程、ＳｉＯ２レートが大きくなってＴｉレートに比して無視できない値となること、したがって、基板温度を１５０℃〜２２０℃とすることが好適であり、基板温度がこの範囲内の値であってその他の条件が適正値であれば、Ｔｉレートに対してＳｉＯ２レートは無視し得る程度の小値となることが記載されているものであるから、引用例１には、ＴｉレートとＳｉＯ２レートの選択比を考慮して、温度以外の条件を適正値とするとともに、温度を１５０℃〜２２０℃としていることが示されていることになる。
　また、加熱することにより反応生成物が速やかに除去されることは周知であり（必要ならば、特開平４−２２５５２５号公報、特に第２欄第３〜８行、特開平６−１５１３８３号公報、特に段落【００１１】、【００１５】、特開平５−２０６０８１号公報、特に段落【００３０】を参照）、一方、本願明細書には、２３０℃〜２７０℃の温度範囲が記載されているものの、２３０℃〜２７０℃という本願補正発明の温度範囲について顕著な効果があるものとも、臨界的意義を持つものとも認められない。
　
　したがって、エッチングする過程での温度をどの位に設定すべきかは、選択比とエッチング速度のどちらを重視するか及び温度以外の条件に応じて、決定される設計的事項にすぎないから、相違点１に係る本願補正発明の構成は、周知技術に基いて、当業者が容易に想到しえたものである。
  
　
　また、本願補正発明の効果も、引用例１及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　
（５）むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．本願発明について
　
　平成１７年４月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成１５年１１月２１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明、及び、請求項１を引用する請求項４に係る発明（以下、請求項１を引用する請求項４記載の発明を「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　金属含有層を構造化する方法において、次の過程を有し：
−　金属含有層（４）を有する基板（２）を準備する過程、この場合金属含有層（４）は、チタン（Ｔｉ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、タンタル（Ｔａ）、酸化タンタル（ＴａｘＯｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）またはこれらの金属と酸化物との混合物からなり；
−　金属含有層（４）上にエッチングマスク（８）を施こしかつ構造化する過程；
−　金属含有層（４）を、エッチングマスク（８）を使用しながらエッチングガス雰囲気中で、この場合には、エッチングガスが励起されてプラズマが形成される、１３０℃を越える温度で少なくとも１つのハロゲン化合物および酸素の存在下にエッチングする過程、この場合酸素の濃度は、ハロゲン化合物の濃度よりも高く、
−　この場合ハロゲン化合物は、ＮＦ３を含むことを特徴とする、金属含有層を構造化する方法。
　　【請求項４】　ハロゲン化合物としてＳＦ６またはＣＦ４を使用する、請求項１・・・に記載の方法。」
　
　
（１）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
　
（２）対比・判断
　
　本願発明と引用例１発明とを対比する。
　エッチングする過程での温度が、引用例１発明は、１５０℃以上２２０℃以下であり、一方、本願発明は、１３０℃を越える温度であるから、両者は、発明を特定する事項において差異がない。
　
　
（３）むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。