(57)【要約】  本発明は、剥離性ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイスの製造方法であって、第１主面および第２主面を有し前記第１主面が易剥離性を示す剥離性ガラス基板の前記第１主面上に硬化性樹脂組成物を塗布して、前記剥離性ガラス基板上の未硬化の硬化性樹脂組成物層に硬化処理を施し、樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有する支持基板を、前記樹脂層に前記支持基板と接触しない周縁領域が残るように前記樹脂層上に積層して、切断前積層体を得る積層工程と、前記切断前積層体中の前記支持基板の外周縁に沿って、前記樹脂層および前記剥離性ガラス基板を切断する切断工程と、前記剥離性ガラス基板の前記第２主面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、前記電子デバイス用部材付き積層体から、前記剥離性ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを分離して得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法に関する。
2014092015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離性ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイスの製造方法であって、
第１主面および第２主面を有し前記第１主面が易剥離性を示す剥離性ガラス基板の前記第１主面上に硬化性樹脂組成物を塗布して、前記剥離性ガラス基板上の未硬化の硬化性樹脂組成物層に硬化処理を施し、樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有する支持基板を、前記樹脂層に前記支持基板と接触しない周縁領域が残るように前記樹脂層上に積層して、切断前積層体を得る積層工程と、
前記切断前積層体中の前記支持基板の外周縁に沿って、前記樹脂層および前記剥離性ガラス基板を切断する切断工程と、
前記剥離性ガラス基板の前記第２主面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から、前記剥離性ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを分離して得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記樹脂層形成工程の前に、第１主面および第２主面を有するガラス基板の前記第１主面を剥離剤で処理し、易剥離性を示す表面を有する剥離性ガラス基板を得る表面処理工程を備える、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記表面処理工程の後で前記樹脂層形成工程の前に、前記剥離性ガラス基板に加熱処理を施す加熱工程を備える、請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記剥離剤が、シリコーンオイル、シリル化剤、またはフッ素系化合物を含む、請求項２または３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記樹脂層が、シリコーン樹脂を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記切断工程において、前記切断前積層体中の支持基板の主面をステージで支持すると共に、前記支持基板の外周を前記ステージ上に設けられる位置決めブロックに当接させる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記切断工程において、前記切断前積層体中の剥離性ガラス基板の表面に切線を形成した後、前記切線に沿って、前記切断前積層体中の剥離性ガラス基板および樹脂層のそれぞれの外周部を一度に割断する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
支持基板と樹脂層と剥離性ガラス基板とをこの順で備えるガラス積層体の製造方法であって、
第１主面および第２主面を有し前記第１主面が易剥離性を示す剥離性ガラス基板の前記第１主面上に硬化性樹脂組成物を塗布して、前記剥離性ガラス基板上の未硬化の硬化性樹脂組成物層に硬化処理を施し、樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有する支持基板を、前記樹脂層に前記支持基板と接触しない周縁領域が残るように前記樹脂層上に積層して、切断前積層体を得る積層工程と、
前記切断前積層体中の前記支持基板の外周縁に沿って、前記樹脂層および前記剥離性ガラス基板を切断する切断工程とを備える、ガラス積層体の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂層形成工程の前に、第１主面および第２主面を有するガラス基板の前記第１主面を剥離剤で処理し、易剥離性を示す表面を有する剥離性ガラス基板を得る表面処理工程を備える、請求項８に記載のガラス積層体の製造方法。
【請求項１０】
前記表面処理工程の後で前記樹脂層形成工程の前に、前記剥離性ガラス基板に加熱処理を施す加熱工程を備える、請求項９に記載のガラス積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法およびガラス積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。【０００３】
そこで、従来から、最終厚さよりも厚いガラス基板上にデバイス用部材（例えば、薄膜トランジスタ）を形成した後、ガラス基板を化学エッチング処理により薄板化する方法が広く採用されている。しかしながら、この方法では、例えば、１枚のガラス基板の厚さを０．７ｍｍから０．２ｍｍや０．１ｍｍに薄板化する場合、元々のガラス基板の材料の大半をエッチング液で削り落とすことになるので、生産性や原材料の使用効率という観点では好ましくない。【０００４】
また、上記の化学エッチングによるガラス基板の薄板化方法においては、ガラス基板表面に微細な傷が存在する場合、エッチング処理によって傷を起点として微細な窪み（エッチピット）が形成され、光学的な欠陥となる場合があった。【０００５】
最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と補強板とを積層した積層体を用意し、積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から補強板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。補強板は、支持基板と、該支持基板上に固定された樹脂層とを有し、樹脂層とガラス基板とが剥離可能に密着される。積層体の樹脂層とガラス基板の界面が剥離され、ガラス基板から分離された補強板は、新たなガラス基板と積層され、積層体として再利用することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第０７／０１８０２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一方、近年、電子デバイスの高性能化の要求に伴い、電子デバイス用部材のより一層の微細化が進行し、実施される工程がより煩雑化している。該状況下においても、性能に優れた電子デバイスを生産性よく製造することが求められる。
本発明者らは、特許文献１に記載の積層体を用いて電子デバイスの製造を行ったところ、得られた電子デバイスの性能が劣る場合があることを見出した。例えば、ＯＬＥＤパネルの作製を行ったところ、該パネルの駆動領域内において表示ムラが生じる場合があった。【０００８】
本発明者らは、上記原因について検討を行ったところ、特許文献１に記載の積層体中の樹脂層の厚さムラ（特に、周縁部に凸部）があり、これがガラス基板の平坦性を損なわせ、結果として電子デバイスの製造歩留まりを低下させることを見出した。
図９（Ａ）に、特許文献１に記載の積層体を作製する際に使用される、支持基板１４と樹脂層１２とを有する樹脂層付き支持基板２４の断面図を示す。樹脂層付き支持基板２４中の樹脂層１２の露出表面上にガラス基板が積層され、積層体が形成される。図９（Ａ）に示すように、特許文献１に記載の方法で形成された樹脂層１２は、厚さムラを有する。特に、この厚さムラは、樹脂層１２の外周縁付近で顕著であり、凸部８０が形成される。このような厚さムラを有する樹脂層１２上にガラス基板８２を積層すると、ガラス基板８２の中央部が凹むように湾曲され、ガラス基板８２の平坦性が損なわれる（図９（Ｂ）参照）。ガラス基板８２の平坦性が損なわれることによって、ガラス基板８２上に配置される電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じ、結果として電子デバイスの性能低下を引き起こすおそれがある。【０００９】
また、図９（Ｂ）に示すように、このような樹脂層付き支持基板２４上にガラス基板８２を積層すると、ガラス基板８２と樹脂層１２との間に空隙８４が形成されてしまう。積層体は、電子デバイス用部材の製造工程に供され、導電層などの機能層がガラス基板８２の露出表面上に形成される。その際には、レジスト液など種々の溶液が使用される。
積層体中に空隙８４があると、種々の溶液が毛管現象によって入り込んでしまう。空隙８４に入った材料は、洗浄によっても除去し難く、乾燥後に異物として残りやすい。この異物は、加熱処理などにより電子デバイス用部材を汚染する汚染源となるため、電子デバイスの性能低下を引き起こし、結果として歩留まりを低下させることとなる。【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、平坦性に優れた樹脂層付き支持基板を用いた、生産性に優れた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、該電子デバイスの製造方法に使用されるガラス積層体の製造方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第１の態様は、剥離性ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイスの製造方法であって、第１主面および第２主面を有し第１主面が易剥離性を示す剥離性ガラス基板の第１主面上に硬化性樹脂組成物を塗布して、剥離性ガラス基板上の未硬化の硬化性樹脂組成物層に硬化処理を施し、樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有する支持基板を、樹脂層に支持基板と接触しない周縁領域が残るように樹脂層上に積層して、切断前積層体を得る積層工程と、切断前積層体中の支持基板の外周縁に沿って、樹脂層および剥離性ガラス基板を切断する切断工程と、剥離性ガラス基板の第２主面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体から、剥離性ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを分離して得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。【００１２】
第１の態様において、樹脂層形成工程の前に、第１主面および第２主面を有するガラス基板の第１主面を剥離剤で処理し、易剥離性を示す表面を有する剥離性ガラス基板を得る表面処理工程を備えることが好ましい。【００１３】
また、表面処理工程の後で樹脂層形成工程の前に、剥離性ガラス基板に加熱処理を施す加熱工程を備えることが好ましい。【００１４】
さらに、剥離剤が、シリコーンオイル、シリル化剤またはフッ素系化合物を含むことが好ましい。【００１５】
第１の態様において、樹脂層がシリコーン樹脂を含むことが好ましい。【００１６】
第１の態様において、切断工程において、切断前積層体中の支持基板の主面をステージで支持すると共に、支持基板の外周を前記ステージ上に設けられる位置決めブロックに当接させることが好ましい。【００１７】
第１の態様において、切断工程において、切断前積層体中の剥離性ガラス基板の表面に切線を形成した後、切線に沿って、切断前積層体中の剥離性ガラス基板および樹脂層のそれぞれの外周部を一度に割断することが好ましい。【００１８】
本発明の第２の態様は、支持基板と樹脂層と剥離性ガラス基板とをこの順で備えるガラス積層体の製造方法であって、第１主面および第２主面を有し前記第１主面が易剥離性を示す剥離性ガラス基板の第１主面上に硬化性樹脂組成物を塗布して、剥離性ガラス基板上の未硬化の硬化性樹脂組成物層に硬化処理を施し、樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有する支持基板を、樹脂層に前記支持基板と接触しない周縁領域が残るように樹脂層上に積層して、切断前積層体を得る積層工程と、切断前積層体中の前記支持基板の外周縁に沿って、樹脂層および剥離性ガラス基板を切断する切断工程とを備える、ガラス積層体の製造方法である。【００１９】
第２の態様において、樹脂層形成工程の前に、第１主面および第２主面を有するガラス基板の第１主面を剥離剤で処理し、易剥離性を示す表面を有する剥離性ガラス基板を得る表面処理工程を備えることが好ましい。【００２０】
また、表面処理工程の後で樹脂層形成工程の前に、剥離性ガラス基板に加熱処理を施す加熱工程を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、平坦性に優れた樹脂層付き支持基板を用いた、生産性に優れた電子デバイスの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、該電子デバイスの製造方法に使用されるガラス積層体の製造方法を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の電子デバイスの製造方法の一実施形態の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】図２（Ａ）〜２（Ｆ）は、本発明の電子デバイスの製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、積層工程で得られた切断前積層体の上面図である。図３（Ｂ）は、支持基板の積層前の樹脂層の状態を示す部分断面図である。図３（Ｃ）は、支持基板を積層した後の状態を示す比較例の部分断面図である。図３（Ｄ）は、支持基板を積層した後の状態を示す本発明の部分断面図である。
【図４】図４は、ステージ上に載置した切断前積層体を一部透視して示す平面図である。
【図５】図５は、ステージ上に載置した切断前積層体および加工ヘッドを一部破壊して示す断面図である。
【図６】図６は、別のステージ上に載置した切断前積層体および挟持治具を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の電子デバイスの製造方法の他の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。
【図８】図８は、本発明の電子デバイスの製造方法の他の実施形態の製造工程を示すフローチャートである。
【図９】図９（Ａ）は、従来技術に基づいた、樹脂層付き支持基板の断面図である。図９（Ｂ）は、従来技術に基づいた、積層体の端部の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
【００２４】
本発明者らは、特許文献１の発明の問題点について検討を行ったところ、硬化性樹脂組成物の塗布による影響や、空気界面における表面張力の影響を受け、樹脂層の周縁部付近に凹凸ができてしまうことを見出した。
そこで、本発明では、まず、剥離性ガラス基板上で硬化性樹脂組成物を硬化させて樹脂層を形成することにより、剥離性ガラス基板の表面の平坦性を樹脂層表面に転写させ、剥離性ガラス基板と樹脂層との間に空隙が生じることを抑制している。次に、剥離性ガラス基板上の樹脂層の周縁部に形成される凹凸を避けるように、樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有する支持基板を樹脂層上に積層することにより、樹脂層の凹凸と支持基板との接触を小さくすることにより、樹脂層と支持基板との間に空隙が生じることを抑制している。その後、支持基板より大きい余分な剥離性ガラス基板および樹脂層の部分を切断することにより、表面の平坦性に優れた剥離性ガラス基板を有するガラス積層体（明細書中の切断後積層体と同義）を得ることができる。該ガラス積層体を使用することにより、結果として電子デバイスの性能低下を抑制できると共に、電子デバイスの製造歩留りを向上させることができることを見出している。
【００２５】
なお、本発明において、後述する切断前積層体または切断後積層体中の樹脂層と支持基板の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層と樹脂層との界面の剥離強度よりも高いことを、以下、樹脂層は支持基板に固定され、樹脂層はガラス基板に剥離可能に密着しているともいう。
【００２６】
＜第１の実施態様＞
図１は、本発明の電子デバイスの製造方法の一実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図１に示すように、電子デバイスの製造方法は、樹脂層形成工程Ｓ１０２、積層工程Ｓ１０４、切断工程Ｓ１０６、部材形成工程Ｓ１０８、および分離工程Ｓ１１０を備える。
また、図２は、本発明の電子デバイスの製造方法における各製造工程を順に示す模式的断面図である。
以下に、図２を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、樹脂層形成工程Ｓ１０２について詳述する。
【００２７】
［樹脂層形成工程］
樹脂層形成工程Ｓ１０２は、第１主面および第２主面を有し第１主面が易剥離性を示す剥離性ガラス基板の第１主面上に硬化性樹脂組成物を塗布して、剥離性ガラス基板上の未硬化の硬化性樹脂組成物層に硬化処理を施し、樹脂層を形成する工程である。未硬化の硬化性樹脂組成物層は、剥離性ガラス基板の剥離性を示す表面と隙間を空けることなく接している。そのため、この硬化性樹脂組成物層を硬化させると、剥離性ガラス基板の平坦な表面が転写された樹脂層を得ることができると共に、樹脂層と剥離性ガラス基板との間に空隙の発生を抑制することができ、切断前積層体において剥離性ガラス基板の歪みなどが抑えられる。
以下では、まず、本工程Ｓ１０２で使用される部材・材料（剥離性ガラス基板、硬化性樹脂組成物など）について詳述し、その後本工程Ｓ１０２の手順について詳述する。
【００２８】
（剥離性ガラス基板）
剥離性ガラス基板とは、第１主面および第２主面を有する板状基板であり、その第１主面が易剥離性を示す基板である。易剥離性を示す第１の主面は後述する樹脂層と剥離可能に密着し、樹脂層と密着する側とは反対側の第２主面には電子デバイス用部材が設けられる。
【００２９】
図２（Ａ）に示すように、剥離性ガラス基板１０とは、後述する樹脂層に対して易剥離性を示す表面１０ａを有するガラス基板を意味する。なお、剥離性ガラス基板の表面が有する易剥離性とは、後述する切断後積層体から剥離性ガラス基板を剥離するための外力を加えた場合、支持基板と樹脂層の界面および樹脂層内部で剥離すること無く、剥離性ガラス基板と樹脂層の界面で剥離する性質を意味する。
より具体的には、剥離性ガラス基板の易剥離性を示す表面とは、水接触角が７０°以上を示す表面を意味する。水接触角が７０°以上であれば、形成される樹脂層との剥離を容易に行うことができる。なかでも、剥離性ガラス基板と樹脂層との界面の剥離がより容易に進行することから、水接触角は９０°以上がより好ましく、水接触角が１００°以上であればさらに好ましい。水接触角の上限は特に制限されないが、剥離性ガラス基板上に所定の厚みを有する硬化性樹脂組成物の層が形成しやすい点で、水接触角は１５０°以下が好ましい。
使用されるガラス基板の表面が上記範囲内であれば、剥離性ガラス基板として好適に使用することができる。なお、ガラス基板の接触角が上記範囲外の場合であっても、後述する表面処理工程を実施することにより、その表面の水接触角を調整することができる。
なお、水接触角の測定は、接触角計（協和界面科学株式会社製、ポータブル接触角計ＰＣＡ−１など）を用いて行うことができる。
【００３０】
剥離性ガラス基板の易剥離性を示す表面の表面粗さＲａは、樹脂層の平坦性がより優れる点で、２．０ｎｍ以下が好ましく、１．０ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０ｎｍが特に好ましい。
なお、表面粗さＲａの測定は、原子間力顕微鏡（Ｐａｃｉｆｉｃ  Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、Ｎａｎｏ  Ｓｃｏｐｅ  ＩＩＩａ；Ｓｃａｎ  Ｒａｔｅ  １．０Ｈｚ，Ｓａｍｐｌｅ  Ｌｉｎｅｓ２５６，Ｏｆｆ−ｌｉｎｅ  Ｍｏｄｉｆｙ  Ｆｌａｔｔｅｎ  ｏｒｄｅｒ−２，Ｐｌａｎｅｆｉｔ  ｏｒｄｅｒ−２  など）を用いてＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２００１）に基づいて行うことができる。
【００３１】
剥離性ガラス基板の大きさは特に制限されず使用される電子デバイスの用途に応じて、適宜最適な大きさが選択されるが、取扱いの容易さの点で、縦３５０〜３５００ｍｍ×横３００〜３０００ｍｍ程度が好ましい。
【００３２】
剥離性ガラス基板の線膨張係数が大きいと、部材形成工程Ｓ１０８は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、剥離性ガラス基板上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成された剥離性ガラス基板を冷却すると、剥離性ガラス基板の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。
【００３３】
剥離性ガラス基板のガラスは、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
【００３４】
剥離性ガラス基板のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。
【００３５】
剥離性ガラス基板の厚さは、特に限定されないが、剥離性ガラス基板の薄型化および／または軽量化の観点から、通常０．８ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．３ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．８ｍｍ超の場合、剥離性ガラス基板の薄型化および／または軽量化の要求を満たせない。０．３ｍｍ以下の場合、剥離性ガラス基板に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、剥離性ガラス基板をロール状に巻き取ることが可能である。また、剥離性ガラス基板の厚さは、剥離性ガラス基板の製造が容易であること、剥離性ガラス基板の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３６】
（硬化性樹脂組成物）
本工程Ｓ１０２で使用される硬化性樹脂組成物は、樹脂層（密着性樹脂層）を形成しうる組成物である。
硬化性樹脂組成物中に含まれる硬化性樹脂としては、その硬化膜が対象物に対して剥離可能に密着し得る密着性を有していればよく、公知の硬化性樹脂（例えば、熱硬化性組成物、光硬化性組成物など）を使用することができる。例えば、硬化性アクリル樹脂、硬化性ウレタン樹脂、硬化性シリコーンなどが挙げられる。いくつかの種類の硬化性樹脂を混合して用いることもできる。中でも硬化性シリコーンが好ましい。硬化性シリコーンを硬化して得られるシリコーン樹脂は、耐熱性や剥離性に優れるためである。
【００３７】
硬化性樹脂組成物としては、硬化性シリコーン樹脂組成物（特に、剥離紙用に使用される硬化性シリコーン樹脂組成物が好ましい）が好ましい。この硬化性シリコーン樹脂組成物を使用して形成される樹脂層は、後述する支持基板表面に密着すると共にその自由表面は優れた易剥離性を有するので好ましい。
【００３８】
このような剥離紙用シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンは、その硬化機構により縮合反応型シリコーン、付加反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型シリコーンが好ましい。これは、硬化反応のしやすさ、樹脂層を形成した際に剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。
【００３９】
付加反応型シリコーン樹脂組成物は、主剤および架橋剤を含み、白金系触媒などの触媒の存在下で硬化する硬化性の組成物である。付加反応型シリコーン樹脂組成物の硬化は、加熱処理により促進される。付加反応型シリコーン樹脂組成物中の主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、アルケニル基などが架橋点となる。付加反応型シリコーン樹脂組成物中の架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、ハイドロシリル基などが架橋点となる。
付加反応型シリコーン樹脂組成物は、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。
なお、架橋構造に由来する耐熱性がより優れる点で、オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５〜２であることが好ましい。
【００４０】
また、剥離紙などの剥離層を形成するために使用される硬化性シリコーン樹脂組成物は形態的に溶剤型、エマルジョン型および無溶剤型があり、いずれの型も使用可能である。これらの中でも無溶剤型が好ましい。これは生産性、安全性、環境特性の面が優れるからである。また、後述する樹脂層を形成する際の硬化時、すなわち、加熱硬化、紫外線硬化または電子線硬化の時に発泡を生じる溶剤を含まないため、樹脂層中に気泡が残留しにくいからである。
【００４１】
また、剥離紙などの剥離層を形成するために使用される硬化性シリコーン樹脂組成物として、具体的には市販されている商品名または型番としてＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７（いずれも信越シリコーン社製）、ＴＰＲ６７００（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）、ビニルシリコーン「８５００」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６４」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６５」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせなどが挙げられる。
【００４２】
なお、ＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７およびＴＰＲ６７００は、あらかじめ主剤と架橋剤とを含有している硬化性シリコーン樹脂組成物である。
【００４３】
（工程Ｓ１０２の手順）
まず、剥離性ガラス基板の易剥離性を示す表面上に硬化性樹脂組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法を採用し得る。例えば、塗布方法としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。このような方法の中から、硬化性樹脂組成物の種類に応じて適宜選択することができる。
【００４４】
また、硬化性樹脂組成物の塗布量は特に制限されないが、樹脂層の好適な厚みが得られる点から、１〜１００ｇ／ｍ2であることが好ましく、５〜２０ｇ／ｍ2であることがより好ましい。
【００４５】
なお、硬化性樹脂組成物に溶媒が含まれている場合は、必要に応じて、硬化性樹脂が硬化しない程度の加熱処理を行って、溶媒を揮発させてもよい。
【００４６】
硬化性樹脂組成物を剥離性ガラス基板上に塗布して得られる未硬化の硬化性樹脂組成物層の厚みは特に制限されず、後述する好適な厚みを有する樹脂層が得られるように適宜調整される。
【００４７】
なお、後述する硬化処理の前に、未硬化の硬化性樹脂組成物層を所定時間静置することが好ましい。静置することにより、未硬化の硬化性樹脂組成物層の表面の平坦性が向上し、凹凸のより少ない樹脂層を形成することができる。
静置の条件は特に制限されないが、１０〜５０℃、好ましくは１５〜３０℃で、１０〜３００秒、好ましくは３０〜１８０秒静置することが好ましい。
【００４８】
次に、剥離性ガラス基板上に形成された未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化させる方法は、使用される硬化性樹脂の種類によって適宜最適な方法が選択されるが、通常、加熱処理または露光処理が行われる。
【００４９】
硬化性樹脂組成物層中に含まれる硬化性樹脂が熱硬化性である場合は、未硬化の硬化性樹脂組成物層に対して加熱処理を施すことにより、該層を硬化させることができる。加熱処理の条件は使用される熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜最適な条件が選択される。なかでも、硬化性樹脂の硬化速度および形成される樹脂層の耐熱性などの点から、１５０〜３００℃（好ましくは１８０〜２５０℃）で１０〜１２０分間（好ましくは３０〜６０分間）加熱処理を行うことが好ましい。
【００５０】
硬化性樹脂組成物層中に含まれる硬化性樹脂が光硬化性樹脂である場合は、未硬化の硬化性樹脂組成物層に対して露光処理を施すことにより、該層を硬化させることができる。露光処理の際に照射される光の種類は、光硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択されるが、例えば、紫外光、可視光、赤外光などが挙げられる。また、露光処理の際の照射時間は、硬化性樹脂の硬化速度および形成される樹脂層の耐光性などの点から、０．１〜１０分間（好ましくは０．５〜５分間）が好ましい。
【００５１】
（樹脂層）
上記工程を経ることにより、図２（Ｂ）に示すように、剥離性ガラス基板１０の剥離性を示す表面１０ａ上に、樹脂層１２が形成される。
樹脂層１２の外形寸法は、剥離性ガラス基板１０の外形寸法と同程度か、それよりも小さい。
【００５２】
樹脂層の厚さは特に限定されないが、１〜１００μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。樹脂層の厚さがこのような範囲であると、樹脂層と支持基板との密着が十分になるからである。また、樹脂層と支持基板との間に気泡や異物が介在することがあっても、剥離性ガラス基板のゆがみ欠陥の発生を抑制することができるからである。また、樹脂層の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではない。
【００５３】
なお、樹脂層は２層以上からなっていてもよい。この場合「樹脂層の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
また、樹脂層が２層以上からなる場合は、各々の層を形成する樹脂の種類が異なってもよい。
【００５４】
樹脂層は、ガラス転移点が室温（２５℃程度）よりも低い、またはガラス転移点を有しない材料からなることが好ましい。より容易に剥離性ガラス基板と剥離することができ、同時に剥離性ガラス基板との密着も十分になるからである。
【００５５】
樹脂層を形成する樹脂の種類は特に限定されず、上述した硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂の種類によって異なる。例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、またはシリコーン樹脂が挙げられる。中でも、上述したように、シリコーン樹脂が好ましい。つまり、樹脂層はシリコーン樹脂層であることが好ましい。
【００５６】
なお、樹脂層は、必要に応じて、非硬化性のオルガノポリシロキサンを含んでいてもよく、その含有量は具体的には５質量％以下（０〜５質量％）、好ましくは０．０１〜１質量％が挙げられる。非硬化性のオルガノポリシロキサンが樹脂層中に含まれると、後述する分離工程Ｓ１１０における剥離性ガラス基板と樹脂層との界面での剥離がより効率よく進行する。
該非硬化性のオルガノポリシロキサンを樹脂層に含有させる方法は特に制限されず、上述した硬化性樹脂組成物中に加える方法が挙げられる。
なお、非硬化性のオルガノポリシロキサンとしては、Ｓｉ−Ｈ結合を含まないシリコーンオイル、具体的にはポリジメチルシロキサン系またはポリメチルフェニルシロキサン系のシリコーンオイルなどが挙げられる。
【００５７】
［積層工程］
積層工程Ｓ１０４は、樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有する支持基板を、樹脂層に支持基板と接触しない周縁領域が残るように樹脂層上に積層して、切断前積層体（切断処理が施される前の積層体）を得る工程である。言い換えると、支持基板は、支持基板の外周に樹脂層が露出するように、樹脂層上に積層される。
【００５８】
より具体的には、図２（Ｃ）に示すように、本工程Ｓ１０４により、樹脂層１２の外形寸法よりも小さい支持基板１４を、樹脂層１２に支持基板１４と接触しない周縁領域１２ａができるように、樹脂層１２上に積層して切断前積層体１６が得られる。図３（Ａ）は切断前積層体１６の上面図であり、該図に示されるように、樹脂層１２の周縁領域１２ａは、支持基板１４と接触していない。言い換えると、樹脂層１２の表面は、全周にわたって支持基板１４と接触しない外周部を有する。
【００５９】
通常、樹脂層１２の露出表面には、その表面張力の影響によって周縁部付近に凸部が生じやすい（図３（Ｂ）参照）。支持基板１４を樹脂層１２上に積層する際に、支持基板１４がそのような凸部と接触すると、支持基板１４と樹脂層１２との間に空隙２８などが生じることがあり、結果として支持基板１４と樹脂層１２とが接触しない領域が生じる場合がある（図３（Ｃ））。このような領域があると、樹脂層１２の厚みムラが生じることもあり、樹脂層付き支持基板の露出表面に表面凹凸ができる原因ともなり得る。また、該空隙２８に異物が入り込み電子デバイス用部材を汚染する汚染源となり、電子デバイスの歩留まりを低下させる原因ともなり得る。さらに、電子デバイス用部材が積層される剥離性ガラス基板１０の露出表面に表面凹凸が生じ、剥離性ガラス基板１０上に配置される電子デバイス用部材の位置ずれなどを引き起こす懸念が生じる。
【００６０】
そこで、図３（Ｄ）に示すように、樹脂層１２の外形寸法よりも小さい外形寸法を有する支持基板１４を使用することにより、該凸部と接触させることなく、支持基板１４を樹脂層１２と接触させることができる。結果として、樹脂層１２の支持基板１４に対する密着性がより優れると共に、樹脂層１２の厚みムラや空隙２８の発生がより抑制される。
まず、本工程Ｓ１０４で使用される支持基板について詳述し、その後該工程Ｓ１０４の手順について詳述する。
【００６１】
（支持基板）
支持基板は、後述する部材形成工程Ｓ１０８（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際に剥離性ガラス基板の変形、傷付き、破損などを防止する基板である。
支持基板としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。支持基板は、部材形成工程Ｓ１０８が熱処理を伴う場合、剥離性ガラス基板との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、剥離性ガラス基板と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板は、剥離性ガラス基板と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
【００６２】
支持基板の厚さは、剥離性ガラス基板よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、剥離性ガラス基板の厚さ、樹脂層の厚さ、および後述する切断後積層体の厚さに基づいて、支持基板の厚さが選択される。例えば、現行の液晶表示パネルの部材形成工程は、厚さ０．５〜０．７ｍｍのガラス基板を使ってパネルを製造するように設計されている。その場合、剥離性ガラス基板の厚さと樹脂層の厚さとの和が０．１ｍｍであるならば、支持基板の厚さを０．４〜０．６ｍｍとするとよい。支持基板の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。
支持基板の大きさは特に制限されないが、取扱い性の容易さの点で、縦３５０〜３５００ｍｍ×横３００〜３０００ｍｍ程度であることが好ましい。
【００６３】
支持基板がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００６４】
剥離性ガラス基板と支持基板との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程Ｓ１０８における加熱冷却時に、積層体が激しく反るおそれがある。剥離性ガラス基板の材料と支持基板の材料が同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。
【００６５】
なお、支持基板と樹脂層との接着強度を高めるために、支持基板の樹脂層と接触する表面にコロナ処理などの活性化処理を施してもよい。
【００６６】
（工程の手順）
支持基板を樹脂層上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下で樹脂層の表面上に支持基板を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、樹脂層の表面上に支持基板を重ねた後、ロールやプレスを用いて樹脂層に支持基板を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、樹脂層と支持基板の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
【００６７】
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、支持基板のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
【００６８】
支持基板を積層する際には、樹脂層に接触する支持基板の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、支持基板の平坦性は良好となるので好ましい。
【００６９】
上記工程により得られた切断前積層体には、剥離性ガラス基板の層と樹脂層と支持基板の層とがこの順で含まれる。
【００７０】
該態様において、樹脂層の外形寸法は支持基板の外形寸法よりも大きい。樹脂層の支持基板と接触する領域の面積Ａと樹脂層の全面積Ｂとの比（面積Ａ／全面積Ｂ）は、０．９８以下であることが好ましく、０．９５以下であることがより好ましい。上記範囲内であれば、樹脂層の厚みムラの発生がより抑制される。下限は特に制限されないが、生産性などの点から、０．７５以上であることが好ましく、０．８０以上であることがより好ましい。
【００７１】
支持基板を樹脂層上に積層する際に、樹脂層に支持基板と接触しない周縁領域が残るように樹脂層上に積層すればよく、支持基板の歪みをより抑制できる点から、より具体的には、樹脂層の外周縁から１０ｍｍ以内（より好ましくは１５ｍｍ以内、特に好ましくは２０ｍｍ以内）の領域には支持基板を貼り付けないことが好ましい。言い換えると、樹脂層の外周縁から所定の樹脂層上に支持基板が積層される際、支持基板の外周縁から樹脂層の外周縁までの長さは、１０ｍｍ超が好ましく、１５ｍｍ超がより好ましく、２０ｍｍ超が特に好ましい。上記範囲内であれば、樹脂層の周縁部に生じる凸部と支持基板との接触をより抑制される。なお、支持基板の外周縁から樹脂層の外周縁までの長さの上限は特に制限されないが、生産性などの点から、１００ｍｍ以下が好ましい。
【００７２】
（切断前積層体）
上記工程Ｓ１０４により得られる切断前積層体は、剥離性ガラス基板の層と樹脂層と支持基板の層とをこの順で有する。
得られた切断前積層体中、樹脂層は、支持基板上に固定（接着）されており、また、剥離性ガラス基板に剥離可能に密着されている。樹脂層は、後述する分離工程Ｓ１１０において、剥離性ガラス基板と樹脂層付き支持基板とを分離する操作が行われるまで、剥離性ガラス基板の位置ずれを防止する。
剥離性ガラス基板の樹脂層と接する表面は、樹脂層の表面に剥離可能に密着している。本発明では、この剥離性ガラス基板の容易に剥離できる性質を易剥離性という。
【００７３】
本発明において、上記固定と（剥離可能な）密着は剥離強度（すなわち、剥離に要する応力）に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。具体的には、切断前積層体中の樹脂層と支持基板の層との界面の剥離強度が、剥離性ガラス基板の層と樹脂層との界面の剥離強度よりも大きくなる。
また、剥離可能な密着とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。具体的には、切断前積層体において、剥離性ガラス基板と支持基板とを分離する操作を行った場合、密着された面で剥離し、固定された面では剥離しないことを意味する。したがって、切断前積層体を剥離性ガラス基板と支持基板とに分離する操作を行うと、切断前積層体は剥離性ガラス基板と樹脂層付き支持基板の２つに分離される。
【００７４】
上述したように、未硬化の硬化性樹脂組成物層は剥離性ガラス基板とも接触した状態で反応硬化するが、剥離性ガラス基板表面の易剥離性（非付着性）のために、形成された樹脂層は剥離性ガラス基板に対して、固体分子間におけるファンデルワールス力に起因する結合力などの弱い結合力で密着する。それに対して、形成された樹脂層は積層された支持基板と強く接着する。
【００７５】
［切断工程］
切断工程Ｓ１０６は、上記積層工程Ｓ１０４で得られた切断前積層体中の支持基板の外周縁に沿って、樹脂層および剥離性ガラス基板を切断する工程である。言い換えると、切断前積層体中の樹脂層および剥離性ガラス基板のそれぞれの外周部を切断して、支持基板、樹脂層、および剥離性ガラス基板のそれぞれの外周縁の全周を揃える工程である。より具体的には、図２（Ｄ）に示すように、本工程Ｓ１０６によって、支持基板１４の外周縁に沿って、樹脂層１２および剥離性ガラス基板１０が切断され、切断後積層体１８（切断処理が施された積層体。本明細書においてガラス積層体と同義）が得られる。
以下で、本工程Ｓ１０６の手順について詳述する。
【００７６】
樹脂層および剥離性ガラス基板を切断する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、図４〜図６に基づいて説明される切断方法が、取扱い性などの点から好ましい。
【００７７】
図４はステージ上に載置した切断前積層体を一部透視して示す平面図であり、図５はステージ上に載置した切断前積層体および加工ヘッドを一部破壊して示す断面図であり、図６は別のステージ上に載置した切断前積層体および挟持治具を示す断面図である。
【００７８】
図４に示すように、切断前積層体１６は、支持基板１４の主面がステージ５０で指示されると共に、支持基板１４の外周縁がステージ５０上に設けられる位置決めブロック５１〜５３に当接される。
【００７９】
図４においては、支持基板１４の露出表面がステージ５０の上面で支持されると共に、矩形状の支持基板１４の互いに垂直な２辺１４ａおよび１４ｂが位置決めブロック５１〜５３に当接される。その後、支持基板１４の残りの各辺１４ｃ、１４ｄに、移動ブロック５４、５５が接近され、当接される。
【００８０】
図４に示すように、支持基板１４の外周縁が位置決めブロック５１〜５３に当接されると、支持基板１４の外周縁とステージ５０との位置合わせ精度がよくなる。よって、支持基板１４の外周縁と、樹脂層１２および剥離性ガラス基板１０の外周縁とが精度良く揃えられる。
また、ステージ５０の上面に複数設けられる吸着孔内が真空ポンプなどで減圧され、ステージ５０の上面に支持基板１４が吸着される。ステージ５０の上面には、支持基板１４を保護するため、樹脂フィルムなどが設置されてよい。
【００８１】
次いで、撮像装置がステージ５０上の切断前積層体１６を撮像する。撮像された画像はコンピュータに送信される。コンピュータは、受信した画像を画像処理して、支持基板１４の外周縁とステージ５０との位置関係を検出する。
【００８２】
次いで、コンピュータは、画像処理の結果に基づいて、切断前積層体１６を加工する加工ヘッド６０をステージ５０に対して相対移動させる。加工ヘッド６０の移動軌跡は、平面視にて支持基板１４の外周縁と重なるように制御する（図５参照）。
【００８３】
なお、本実施形態では、コンピュータは加工ヘッドの移動軌跡を制御するため、画像処理の結果を利用するとしたが、その代わりハードディスクなどの記録媒体などに予め記録されている支持基板の形状寸法に関する情報を利用してもよい。その場合、撮像装置は不要となる。
【００８４】
図５に示す、加工ヘッド６０は、剥離性ガラス基板１０の種類や厚さなどに応じて構成される。例えば、加工ヘッド６０は、剥離性ガラス基板１０の表面に切線６６を形成するものであって、カッタ６２などで構成される。
【００８５】
カッタ６２は、例えば、円板状であって、外周部がダイヤモンドや超合金などで形成され、ホルダ６４は回転可能に支持されている。カッタ６２の外周部を剥離性ガラス基板１０の表面に押し付けた状態で、ホルダ６４を剥離性ガラス基板１０の面内方向に相対移動させると、カッタ６２が回転しながら、剥離性ガラス基板１０の表面に切線６６を形成する。
切線６６は、矩形状の支持基板１４の４辺１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄに対応して４本設けられ、それぞれ平面視にて支持基板１４の対応する辺と重なるように形成される。各切線６６は、剥離性ガラス基板１０の表面を分断するように、剥離性ガラス基板１０の一辺から他辺まで伸びている。
【００８６】
なお、図５で示す本実施形態の加工ヘッド６０は、カッタ６２などで構成されているが、先端が円錐形状であってダイヤモンドで形成され、滑りにより切線を入れるポイントスクライバであってもよく、レーザ光源などで構成されていてもよい。レーザ光源は、剥離性ガラス基板１０の表面にスポット光を照射する。スポット光は、剥離性ガラス基板１０の表面上で走査され、熱応力によって切線６６を形成する。
【００８７】
加工ヘッド６０によって切線６６が形成された後、真空ポンプが作動停止され、吸引孔内が大気に開放され、吸引が解除される。次いで、移動ブロック５４、５５が支持基板１４から離間されると共に、支持基板１４が位置決めブロック５１〜５３から離間される。その後、切断前積層体１６は、ステージ５０の上方に持ちあげられ、別のステージ７０の上方に移送される。続いて、切断前積層体１６は、下方に降ろされ、ステージ７０に載置される（図６参照）。
【００８８】
次いで、図６に示されるように、ステージ７０の上面に複数設けられている吸引孔内が真空ポンプなどで減圧され、ステージ７０の上面に支持基板１４が吸着される。この状態では、ステージ７０の外側に、一本の切線６６がはみ出ている。
【００８９】
次いで、一本の切線６６よりも外側の部分が、板厚方向に挟持治具７２で挟持される。この状態で、挟持治具７２が下方向に回動されると、剥離性ガラス基板１０および樹脂層１２に曲げ応力が加わるので、１本の切線６６を起点として板厚方向にクラック６８が延伸展し、剥離性ガラス基板１０および樹脂層１２が一度に割断される（図６参照）。
【００９０】
次いで、ステージ５０上での支持基板１４の吸着が解除され、切断前積層体１６は、平行移動または９０°回動された後、再び吸着される。その後、他の１本の切線６６に沿って、剥離性ガラス基板１０および樹脂層１２が割断される。これを繰り返して、４本の切線６６に沿って剥離性ガラス基板１０および樹脂層１２が割断される。
【００９１】
なお、本実施形態では、割断を行うために、切断前積層体１６がステージ５０から別のステージ７０に移送されるとしたが、同じステージ５０上で、平行移動または９０°回動された後、割断が行われてもよい。また、必要に応じて割断部に面取処理を施してもよい。
【００９２】
［部材形成工程］
部材形成工程Ｓ１０８は、上記切断工程Ｓ１０６で得られた切断後積層体中の剥離性ガラス基板の第２主面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る工程である。
より具体的には、図２（Ｅ）に示すように、剥離性ガラス基板１０の第２主面１０ｂ上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
【００９３】
まず、本工程Ｓ１０８で使用される電子デバイス用部材について詳述し、その後工程Ｓ１０８の手順について詳述する。
【００９４】
（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材は、切断後積層体中の剥離性ガラス基板の第２主面上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材が挙げられる。表示装置用パネルとしては、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル等が含まれる。
【００９５】
例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用部材としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
【００９６】
（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、切断後積層体の剥離性ガラス基板の第２主面表面上に、電子デバイス用部材を形成する。
なお、電子デバイス用部材は、剥離性ガラス基板の第２主面に最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。樹脂層から剥離された部分部材付き剥離性ガラス基板を、その後の工程で全部材付き剥離性ガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から樹脂層付き支持基板を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて電子デバイスを組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の樹脂層付き支持基板を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。
【００９７】
例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、切断後積層体の剥離性ガラス基板の樹脂層側とは反対側の表面上（剥離性ガラス基板の第２主面に該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。
【００９８】
また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法は、切断後積層体の剥離性ガラス基板の第２主面上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別の切断後積層体のガラス基板の第２主面１上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とをＴＦＴとＣＦとが対向するようにシールを介して積層する貼り合わせ工程等の各種工程を有する。
【００９９】
ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、剥離性ガラス基板の第２主面にＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、剥離性ガラス基板の第２主面を洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
【０１００】
貼り合わせ工程では、例えば、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体との間に液晶材を注入して積層する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。
【０１０１】
［分離工程］
分離工程Ｓ１１０は、上記部材形成工程Ｓ１０８で得られた電子デバイス用部材付き積層体から、剥離性ガラス基板と樹脂層との界面を剥離面として、樹脂層および支持基板を有する樹脂層付き支持基板を除去し、剥離性ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る工程である。より具体的には、図２（Ｆ）に示すように、該工程Ｓ１１０により、電子デバイス用部材付き積層体２２から、樹脂層付き支持基板２４を分離・除去して、剥離性ガラス基板１０と電子デバイス用部材２０とを含む電子デバイス２６が得られる。
【０１０２】
剥離時の剥離性ガラス基板上の電子デバイス用部材が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材を剥離性ガラス基板上に形成することもできる。
【０１０３】
剥離性ガラス基板と樹脂層とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、剥離性ガラス基板と樹脂層との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体中の支持基板が上側、電子デバイス用部材が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材側を定盤上に真空吸着し、この状態でまず刃物を剥離性ガラス基板と樹脂層との界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基板側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると剥離性ガラス基板と樹脂層との界面へ空気層が形成され、その空気層が界面の全面に広がり、樹脂層付き支持基板を容易に剥離することができる。
【０１０４】
また、電子デバイス用部材付き積層体から樹脂層付き支持基板を除去する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、電子デバイスに影響する可能性のある静電気を抑えることができる。あるいは、電子デバイスに静電気を消耗させる回路を組み込んだり、犠牲回路を組み込んで端子部から積層体の外に導通をとったりしてもよい。
【０１０５】
上記工程によって得られた電子デバイスは、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。
また、電子デバイス中の剥離性ガラス基板の易剥離性を示す表面に常圧プラズマ処理などを施し、水接触角が小さくなるように表面の性状を変えることができる。
【０１０６】
＜第２の実施態様＞
図７は、本発明の電子デバイスの製造方法の他の実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図７に示すように、電子デバイスの製造方法は、表面処理工程Ｓ１１２、樹脂層形成工程Ｓ１０２、積層工程Ｓ１０４、切断工程Ｓ１０６、部材形成工程Ｓ１０８、および分離工程Ｓ１１０を備える。
図７に示す各工程は、表面処理工程Ｓ１１２を備える点を除いて、図１に示す工程と同様の手順であり、同一の工程には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では主として表面処理工程Ｓ１１２について説明する。
【０１０７】
［表面処理工程］
表面処理工程Ｓ１１２は、第１主面および第２主面を有するガラス基板の第１主面を剥離剤で処理し、易剥離性を示す表面を有する剥離性ガラス基板を得る工程である。該工程Ｓ１１２を実施することにより、様々なガラス基板に対して易剥離性表面を付与することができる。
まず、本工程で使用されるガラス基板および剥離剤について詳述し、その後該工程Ｓ１０２の手順について詳述する。
【０１０８】
（ガラス基板）
ガラス基板は、第１主面および第２主面を有する板状基板であり、その第１主面が剥離剤によって表面処理される。表面処理され、易剥離性を示す第１の主面は後述する樹脂層と剥離可能に密着し、樹脂層と密着する側とは反対側の第２主面には電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ  Ｒ  ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。
【０１０９】
ガラス基板は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。
【０１１０】
ガラス基板のガラスは、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
【０１１１】
ガラス基板のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。
【０１１２】
ガラス基板の厚さおよび大きさは、上述した剥離性ガラス基板の厚さおよび大きさと同義である。
【０１１３】
なお、ガラス基板は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
【０１１４】
（剥離剤）
剥離剤としては公知の剥離剤を使用することができ、例えば、シリコーン系化合物（例えば、シリコーンオイルなど）、シリル化剤（例えば、ヘキサメチルジシラザンなど）、フッ素系化合物（例えば、フッ素樹脂など）などが挙げられる。剥離剤は、エマルジョン型・溶剤型・無溶剤型として使用することができる。剥離力、安全性、コスト等から、一つの好適例として、メチルシリル基（≡ＳｉＣＨ3、＝Ｓｉ（ＣＨ3）2、−Ｓｉ（ＣＨ3）3のいずれか）またはフルオロアルキル基（−ＣmＦ2m+1）（ｍは１〜６の整数が好ましい）を含む化合物が挙げられ、他の好適例として、シリコーン系化合物またはフッ素系化合物が挙げられ、特にシリコーンオイルが好ましい。
【０１１５】
シリコーンオイルの種類は特に限定されないが、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルなどのストレートシリコーンオイル、ストレートシリコーンオイルの側鎖または末端にアルキル基、ハイドロジェン基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、ポリエーテル基、ハロゲン基等を導入した変性シリコーンオイルが例示される。ストレートシリコーンオイルの具体例としては、メチルハイドロジェンポリシロキサン、ジメチルポリシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサンなどが挙げられ、列記の順に耐熱性が増加し、最も耐熱性が高いのはジフェニルポリシロキサンである。これらのシリコーンオイルは、一般的には、ガラス基板やプライマー処理した金属基板など基板の表面の撥水処理に用いられている。
シリコーンオイルは、ガラス基板の被処理表面に結合させる処理の効率性の観点からは、２５℃での動粘度が５０００ｍｍ2/ｓ以下が好ましく、５００ｍｍ2/ｓ以下がより好ましい。動粘度の下限は特に制限されないが、取り扱いの面やコストを考慮して０．５ｍｍ2/ｓ以上が好ましい。
上記シリコーンオイルのうち、樹脂層との剥離性が良好な点でストレートシリコーンオイルが好ましく、特に高い剥離性を与える点でジメチルポリシロキサンが好ましい。また剥離性と共に特に耐熱性を必要とする場合はメチルフェニルポリシロキサンまたはジフェニルポリシロキサンが好ましい。
【０１１６】
フッ素系化合物の種類は特に限定されないが、パーフルオロアルキルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルスルホン酸アミド、パーフルオロアルキルスルホン酸塩（例えば、パーフルオロアルキルスルホン酸ナトリウム）、パーフルオロアルキルカリウム塩、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルアミノスルホン酸塩、パーフルオロアルキル燐酸エステル、パーフルオロアルキル化合物、パーフルオロアルキルベタイン、パーフルオロアルキルハロゲン化合物などが挙げられる。なお、フルオロアルキル基（ＣmＦ2m+1）を含む化合物としては、例えば、上記フッ素系化合物の例示化合物中のフルオロアルキル基を有する化合物が挙げられる。ｍの上限は剥離性能上では特に制限されないが、取り扱い上の安全性がより優れる点で、ｍは１〜６の整数が好ましい。
【０１１７】
（工程Ｓ１１２の手順）
ガラス基板の表面の処理方法は、使用される剥離剤に応じて適宜最適な方法が選択される。通常、剥離剤をガラス基板の第１主面の表面に付与（例えば、塗布）することにより処理がなされる。
例えば、シリコーンオイルを使用する場合は、シリコーンオイルをガラス基板表面に塗布する方法が挙げられる。なかでも、シリコーンオイルを塗布した後、シリコーンオイルをガラス基板の被処理表面に結合させる処理を行うことが好ましい。シリコーンオイルを被処理表面に結合させる処理は、シリコーンオイルの分子鎖を切断するような処理であり、切断された断片が被処理表面に結合する（以下、この処理をシリコーンオイルの低分子化という）。
【０１１８】
シリコーンオイルの塗布方法は、一般的な方法であってよい。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法、スキージコート法などの中から、シリコーンオイルの種類や塗布量などに応じて適宜選定される。
塗布液としては、ヘキサン、ヘプタン、キシレン、イソパラフィン、ケトン類などの溶剤でシリコーンオイルを５質量％以下に希釈した溶液を用いることが望ましい。５質量％を超えると、低分子化の処理時間が長過ぎる。
塗布液に含まれる溶媒は、必要に応じて、加熱およびまたは減圧乾燥等の方法で除去される。低分子化工程における加熱により除去してもよい。
シリコーンオイルの塗布量は０．１〜１０μｇ／ｃｍ2が好ましい。０．１μｇ／ｃｍ2以上であると剥離性がより優れる点で好ましく、１０μｇ／ｃｍ2以下であると塗布液の塗布性および低分子化処理性がより優れる点で好ましい。
【０１１９】
シリコーンオイルを低分子化する方法には、一般的な方法が用いられ、例えば光分解や熱分解によって、シリコーンオイルのシロキサン結合を切断する方法がある。光分解には、低圧水銀ランプやキセノンアークランプなどから照射される紫外線が利用され、大気中での紫外線照射により発生するオゾンが併用されてもよい。熱分解は、バッチ炉、コンベア炉などで行われてもよいし、プラズマやアーク放電などが利用されてもよい。
シリコーンオイルのシロキサン結合、または、シリコン原子と炭素原子の結合が切断されると、発生した活性点が被処理表面の水酸基等の活性基と反応する。その結果、被処理表面におけるメチル基などの疎水性の官能基の密度が高くなり、親水性の極性基の密度が減り、結果として被処理表面に易剥離性が付与される。
【０１２０】
なお、表面処理を行うガラス基板の表面は、十分に清浄な面であることが好ましく、洗浄直後の面であることが好ましい。洗浄方法としては、ガラス表面や樹脂表面の洗浄に用いられる一般的な方法が用いられる。
表面処理を行わない表面は、マスクなどの保護フィルムで予め保護しておくことが望ましい。
【０１２１】
また、ヘキサメチルジシラザンなどのシリル化剤を使用する場合は、シリル化剤の蒸気をガラス基板表面と接触させるのが好ましい。なお、ガラス基板を加熱させた状態で、シリル化剤の蒸気と接触させてもよい。
シリル化剤の蒸気濃度は高い方が、すなわち飽和濃度に近い方が処理時間を短縮できるので好ましい。シリル化剤とガラス基板との接触時間は、剥離性ガラス基板の機能を損なわない限りにおいて短縮できる。
【０１２２】
＜第３の実施態様＞
図８は、本発明の電子デバイスの製造方法の他の実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図８に示すように、電子デバイスの製造方法は、表面処理工程Ｓ１１２、加熱工程Ｓ１１４、樹脂層形成工程Ｓ１０２、積層工程Ｓ１０４、切断工程Ｓ１０６、部材形成工程Ｓ１０８、および分離工程Ｓ１１０を備える。
図８に示す各工程は、加熱工程Ｓ１１４を備える点を除いて、図７に示す工程と同様の手順であり、同一の工程には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では主として加熱工程Ｓ１１４について説明する。
【０１２３】
［加熱工程Ｓ１１４］
加熱工程Ｓ１１４は、上記表面処理工程Ｓ１１２で得られた剥離性ガラス基板に対して加熱処理を施す工程である。該工程Ｓ１１４を実施することにより、剥離性ガラス基板上の剥離剤の再配列が進行し、より剥離性を示す表面が得られ、結果として剥離性ガラス基板と樹脂層との剥離性がより良好となる。
【０１２４】
加熱工程Ｓ１１４での加熱条件は特に制限されず、使用される剥離剤の種類に応じて適宜最適な条件が選択される。
なかでも、生産性および剥離性ガラス基板と樹脂層との剥離性の両者が良好な点で、加熱温度としては、１００〜３５０℃が好ましく、１５０〜３５０℃がより好ましく、２００〜３００℃がさらに好ましい。また、加熱時間としては、１〜３０分が好ましく、２〜２０分がより好ましい。
【実施例】
【０１２５】
以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。【０１２６】
以下の実施例１〜７、比較例１〜２では、剥離性ガラス基板用のガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦９７０ｍｍ、横７８０ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦８８０ｍｍ、横６８０ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。【０１２７】
（実施例１）
剥離性ガラス基板として用いるガラス基板をアルカリ洗浄、純水洗浄し、表面を清浄化した。その後、ガラス基板の第１主面にシリコーンオイル含有量が１質量％のアイソパーＧ（イソパラフィン系溶剤）溶液をスキージコートして乾燥した。シリコーンオイルには、ジメチルポリシロキサン（東レ・ダウコーニング社製、ＳＨ２００、動粘度１９０〜２１０ｍｍ2/ｓ）を用いた。
続いて、２５０℃での加熱処理を１０分間行い、剥離性ガラス基板を得た。【０１２８】
その後、接触角計（協和界面科学株式会社製、ポータブル接触角計ＰＣＡ−１）を用いて、剥離性ガラス基板の第１主面の水接触角を測定したところ、１０７°であった。【０１２９】
次に、剥離性ガラス基板の第１主面上に、両末端にビニル基を有する直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサン（ビニルシリコーン、荒川化学工業社製、ＡＳＡ−Ｖ０１）と、分子内にハイドロシリル基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサン（荒川化学工業社製、ＡＳＡ−Ｘ０１）と、白金系触媒（荒川化学工業社製、ＡＳＡ−Ｃ０１）と、ＩＰソルベント２０２８（出光興産社製）の混合液を、縦９２０ｍｍ、横７３０ｍｍの大きさで長方形にダイコートにて塗工し、未硬化の硬化性シリコーンを含む層を剥離性ガラス基板上に設けた。ここで、直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサンと、メチルハイドロジェンポリシロキサンとの混合比は、ビニル基とハイドロシリル基とのモル比が１：１になるように調節した。また、白金系触媒は、直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサンと、メチルハイドロジェンポリシロキサンとの合計１００質量部に対して、４質量部とした。また、ＩＰソルベント２０２８は溶液固形分濃度が４０重量％となるように調節した。
次に、これを２５０℃にて２０分間大気中で加熱乾燥硬化して、厚さ８μｍの硬化したシリコーン樹脂層を含む硬化後積層体Ａ１を得た。【０１３０】
次に、板厚０．５ｍｍの支持基板のシリコーン樹脂層と接触させる側の面（第１主面）をアルカリ洗浄、純水洗浄して清浄化した。その後、支持基板の第１主面と、シリコーン樹脂層とを、室温下でロールプレスにより貼り合わせ、切断前積層体を得た。その際、シリコーン樹脂層に支持基板と接触しない周縁領域が残るように、支持基板をシリコーン樹脂層上に積層した。なお、支持基板の外周縁からシリコーン樹脂層の外周縁までの長さは約１５ｍｍ以上であった。また、シリコーン樹脂層の支持基板と接触する領域の面積Ａとシリコーン樹脂層の全面積Ｂとの比（面積Ａ／全面積Ｂ）は、０．８９であった。【０１３１】
続いて、位置決め冶具を取り付けた定盤上に切断前積層体の支持基板を固定し、定盤の上面から支持基板の外周縁のうち一つの辺と重なるように、剥離性ガラス基板の第２主面上にダイヤモンドホイールカッタで切線を刻んだ後、挟持冶具にて剥離性ガラス基板の切線の外側を挟み込み、割断した。同様に、支持基板の外周縁の残りの３辺と重なる剥離性ガラスの外側についても割断した後、曲面を有する砥石で剥離性ガラス基板の割断面を研磨し面取を施して、切断後積層体を得た。【０１３２】
続いて、切断後積層体における剥離性ガラス基板のシリコーン樹脂層との接触面と反対の面（第２主面）を定盤に真空吸着させたうえで、剥離性ガラス基板の４箇所のコーナー部のうち１箇所のコーナー部における剥離性ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、剥離性ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に剥離のきっかけを与えた。そして、支持基板表面を２４個の真空吸着パッドで吸着した上で、刃物を差し込んだコーナー部に近い吸着パッドから順に上昇させた。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。次に、形成した空隙へ向けて、イオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げた。その結果、第１主面にシリコーン樹脂層が形成された支持基板（樹脂層付き支持基板）を剥離することができた。
このとき、剥離性ガラス基板のシリコーン樹脂層と密着していた面（第１主面）上に、シリコーン樹脂の付着は目視上見られなかった。なお、該結果より、シリコーン樹脂層と支持基板の層との界面の剥離強度が、剥離性ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きいことが確認された。【０１３３】
（実施例２）
剥離性ガラス基板に対して２５０℃で１０分間実施した加熱処理を、２００℃で１０分間に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、切断後積層体Ａ２を得た。この際、接触角計（協和界面科学株式会社製、ポータブル接触角計ＰＣＡ−１）を用いて、剥離性ガラス基板の第１主面の水接触角を測定したところ、１０６°であった。
次に、実施例１と同様の方法により、切断後積層体Ａ２から樹脂層付き支持基板を剥離し、剥離性ガラス基板を得た。このとき、剥離性ガラス基板のシリコーン樹脂層と密着していた面（第１主面）上に、シリコーン樹脂の付着は目視上見られなかった。【０１３４】
（実施例３）
剥離性ガラス基板に対して２５０℃で１０分間実施した加熱処理を、１５０℃で１０分間に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、切断後積層体Ａ３を得た。この際、接触角計（協和界面科学株式会社製、ポータブル接触角計ＰＣＡ−１）を用いて、剥離性ガラス基板の第１主面の水接触角を測定したところ、１０５°であった。なお、その際、切断後積層体Ａ３を５０枚用意した。
次に、実施例１と同様の方法により、切断後積層体Ａ３から樹脂層付き支持基板を剥離し、剥離性ガラス基板を５０枚得た。このとき、剥離性ガラス基板のシリコーン樹脂層と密着していた面（第１主面）上に、シリコーン樹脂の付着が目視上見られたものは１枚だけであった。【０１３５】
（実施例４）
剥離性ガラス基板に対して２５０℃で１０分間実施した加熱処理を、１００℃で１０分間に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、切断後積層体Ａ４を得た。この際、接触角計（協和界面科学株式会社製、ポータブル接触角計ＰＣＡ−１）を用いて、剥離性ガラス基板の第１主面の水接触角を測定したところ、９７°であった。なお、その際、切断後積層体Ａ４を５０枚用意した。
次に、実施例１と同様の方法により、切断後積層体Ａ４から樹脂層付き支持基板を剥離し、剥離性ガラス基板を５０枚得た。このとき、剥離性ガラス基板のシリコーン樹脂層と密着していた面（第１主面）上に、シリコーン樹脂の付着が目視上見られたものは６枚だけであった。【０１３６】
（実施例５）
シリコーンオイル含有量を１質量％から０．０１質量％に変更し、剥離性ガラス基板に対して２５０℃で１０分間実施した加熱処理を１００℃で１０分間に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、切断後積層体Ａ５を得た。この際、接触角計（協和界面科学株式会社製、ポータブル接触角計ＰＣＡ−１）を用いて、剥離性ガラス基板の第１主面の水接触角を測定したところ、７５°であった。なお、その際、切断後積層体Ａ５を５０枚用意した。
次に、実施例１と同様の方法により、切断後積層体から樹脂層付き支持基板を剥離し、剥離性ガラス基板を５０枚得た。このとき、剥離性ガラス基板のシリコーン樹脂層と密着していた面（第１主面）上に、シリコーン樹脂の付着が目視上見られたものは８枚だけであった。【０１３７】
実施例１〜５の結果から分かるように、本発明のガラス積層体の製造方法で得られたガラス積層体（切断後積層体）においては、シリコーン樹脂層と支持基板の層との界面の剥離強度が、剥離性ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きいことが確認された。また、剥離性ガラス基板の表面上にはシリコーン樹脂層の付着の発生が抑制されており、後述する電子デバイスの製造に適していることが確認された。特に、剥離性ガラス基板の表面の水接触角が１００°以上の場合、シリコーン樹脂層の付着がより抑制されることが確認された。【０１３８】
（実施例６）
本例では、実施例１で得た切断後積層体を用いてＯＬＥＤを作製した。
より具体的には、切断後積層体における剥離性ガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けた剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜して、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
続いて、剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらに蒸着法により正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ3をこの順に成膜した。次に、剥離性ガラス基板の第２主面側にスパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。次に、対向電極を形成した剥離性ガラス基板の第２主面上に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止した。上記手順によって得られた、剥離性ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有する切断後積層体は、支持基板付き表示装置用パネル（パネルＡ１）（電子デバイス用部材付き積層体）に該当する。
続いて、パネルＡ１の封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡ１のコーナー部の剥離性ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、パネルＡ１から樹脂層付き支持基板を分離して、ＯＬＥＤパネル（電子デバイスに該当。以下パネルＡという）を得た。
作製したパネルＡにＩＣドライバを接続し駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。【０１３９】
（実施例７）
本例では、実施例１で得た切断後積層体を用いてＬＣＤを作製した。
切断後積層体を２枚用意し、まず、片方の切断後積層体における剥離性ガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けた剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。次に、画素電極を形成した剥離性ガラス基板の第２主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。得られた切断後積層体を、切断後積層体Ａ１と呼ぶ。
次に、もう片方の切断後積層体における剥離性ガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成した。次に、遮光層を設けた剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらにダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成した。次に、剥離性ガラス基板の第２主面側に、さらにスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成した。次に、対向電極を設けた剥離性ガラス基板の第２主面上に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成した。次に、柱状スペーサを形成した剥離性ガラス基板の第２主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。次に、剥離性ガラス基板の第２主面側に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上述した切断後積層体Ａ１を用いて、２枚の切断後積層体の剥離性ガラス基板の第２主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりＬＣＤパネルを有する積層体を得た。ここでのＬＣＤパネルを有する積層体を以下、パネル付き積層体Ｂ１という。
次に、実施例１と同様にパネル付き積層体Ｂ１から両面の樹脂層付き支持基板を剥離し、ＴＦＴアレイを形成したガラス基板およびカラーフィルタを形成したガラス基板からなるＬＣＤパネルＢ（電子デバイスに該当）を得た。
作製したＬＣＤパネルＢにＩＣドライバを接続し駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。【０１４０】
（比較例１）
実施例１と同様に、支持基板の第１主面をアルカリ洗浄、純水洗浄し、表面を清浄化した。
次に、実施例１における、末端にビニル基を有する直鎖状オルガノアルケニルポリシロキサンと、分子内にハイドロシリル基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサンと、白金系触媒との混合液９９．５質量部とシリコーンオイル（東レ・ダウコーニング社製、ＳＨ２００）０．５質量部との混合物を支持基板の第１主面上にスクリーン印刷により塗布した。次に、これを２５０℃にて３０分間大気中で加熱硬化して、厚さ１０μｍの硬化したシリコーン樹脂層を形成した。
続いて、ガラス基板の第１主面を純水洗浄、ＵＶ洗浄し、清浄化した後に、支持基板の第１主面上に形成したシリコーン樹脂層と室温下真空プレスにより密着させて、積層体Ｃ１を得た。
そして、積層体Ｃ１のガラス基板上に、実施例６と同様の手順によってＯＬＥＤを作製した後に樹脂層付き支持基板を剥離し、ＯＬＥＤパネル（以下パネルＰという）を得た。
作製したパネルＰにＩＣドライバを接続し駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラが認められ、不良部は積層体Ｃ１の端部近傍に相当する部分に存在していた。【０１４１】
（比較例２）
比較例１と同様の方法で、積層体Ｃ１を２枚得た。
次に、実施例７と同様の手順に従って、積層体Ｃ１を２枚使用して、ＬＣＤパネルを有する積層体を得た。さらに、得られた積層体から両面の樹脂層付き支持基板を剥離し、ＬＣＤパネル（以下パネルＱという）を得た。
作製したパネルＱにＩＣドライバを接続し駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラが認められ、不良部は積層体Ｃ１の端部近傍に相当する部分に存在していた。【０１４２】
上記実施例６および７に示すように、本発明の電子デバイスの製造方法によれば、性能に優れた電子デバイスを歩留りよく製造することができる。なお、実施例６および７では実施例１で製造した切断後積層体を使用したが、実施例１で製造した切断後積層体の代わりに、実施例２〜５で製造した切断後積層体を使用しても、実施例６および７と同様に性能に優れた電子デバイスを歩留まりよく製造することができた。
一方、特許文献１に記載の従来の方法においては、上記比較例１および２に示すように、得られた電子デバイスの性能低下が起こる場合があった。比較例１および２においては、表示ムラが電子デバイスの端部（周縁部）付近に見られた。これは、上述したように、硬化処理によって得られた樹脂層（特に、樹脂層の外周縁近傍）に厚みムラによって、ガラス基板と樹脂層との間に空隙が生じ、その空隙に異物が入り込み電子デバイスの性能低下をもたらしたと考えられる。【０１４３】
本出願は、２０１２年１２月１３日出願の日本特許出願２０１２−２７２５５３に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【符号の説明】
【０１４４】
１０    剥離性ガラス基板
１２    樹脂層
１４    支持基板
１６    切断前積層体
１８    切断後積層体
２０    電子デバイス用部材
２２    電子デバイス用部材付き積層体
２４    樹脂層付き支持基板
２６    電子デバイス
２８    空隙
５０，７０    ステージ
５１〜５３    位置決めブロック
５４，５５    移動ブロック
６０    加工ヘッド
６２    カッタ
６４    ホルダ
６６    切線
６８    クラック
７２    挟持治具
８０    凸部
８２    ガラス基板
８４    空隙
【図１】
2014092015.tif 000003
【図２】
2014092015.tif 000004
【図３】
2014092015.tif 000005
【図４】
2014092015.tif 000006
【図５】
2014092015.tif 000007
【図６】
2014092015.tif 000008
【図７】
2014092015.tif 000009
【図８】
2014092015.tif 000010
【図９】
2014092015.tif 000011
【国際調査報告】
2014092015.tif 000012
2014092015.tif 000013
2014092015.tif 000014
2014092015.tif 000015