【事件の表示】
　特願２００２−５３７４８６「レーザ加工の制御」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月　２日国際公開、ＷＯ０２／３４４５５、平成１６年　４月２２日国内公表、特表２００４−５１２６９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件出願は、平成１３年１０月２６日（優先権主張２０００年１０月２６日、アイルランド国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年１０月２０日に手続補正がなされ、同１９年８月１６日付けで拒絶の理由が通知され、同２０年２月２１日に手続補正がなされ、同２０年５月１５日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同２０年８月１５日に本件審判の請求がなされ、同２０年９月８日に手続補正（請求項３０につき明りょうでない記載の釈明）がなされ、同２２年２月９日に回答書が提出されたものである。
 　 
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年９月８日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認められる。
　
「強度ＩＢのレーザビームを用いて半導体材料に幅Ｓの構造（１１０，１１２，１１３，１１４，１１５）を加工する方法であって、
　ビームは、カーフＫにおいて材料を加工するために制御され、
　ビームは、ｎ回(ｎ≧１)走査するように制御され、ｎ＞１であるとき、各連続スキャンは、先行スキャンに対して平行でかつ横方向にオフセットされ、ｎ≧Ｓ／Ｋとなるようにされており、
　スキャン間の横方向オフセット（O_centre）は１ミクロンからカーフＫの範囲内で選択されるようになっており、
　正味加工速度が最大となるまで、スキャン間の横方向オフセット（O_centre）を１ミクロンからカーフＫまで変化させることを特徴とする方法。」
　
３．刊行物記載の発明
　これに対し、本願優先日前に頒布された刊行物であって、原査定の拒絶理由に引用された特開２０００−２８８７５２号公報（以下「刊行物１」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．段落０００５
「【０００５】この発明は上述の課題を解決するためになされたものであり、レーザ加工において、金属材料に対して従来では実現できなかった深い加工溝を持つ、より利用価値の高いマーキング加工を得ることが可能とすることを目的としている。また、レーザ加工機によるマーキング加工に関して、加工溝の深さに着目して、より深さのある加工溝が得られることと、その深さをコントロールできるマーキング加工を実現することを目的としている。」
　
イ．段落０００８〜００１０
「【０００８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の第１の実施の形態によるレーザ加工方法について、図を用いて説明する。図１は鋼板にこの実施の形態によるマーキング加工方法を施そうとしているところである。図において、１ａは第１回目に照射するレーザビーム、１ｂは第２回目に照射するレーザビーム、１ｃはレーザビームの進行方向、１ｄは軸送り移動である。
【０００９】第一段階では、まずＮＣデータなどで指定されたマーキング加工部、すなわちマーキング部分の加工経路をレーザビーム１ａが照射し、マーキング部分の加工が終わると、第二段階ではレーザビーム１ａが照射を始めた開始位置まで軸移動１ｄで戻る。第三段階では再び１ａが照射してきた加工経路を照射するが、このとき１ａの加工経路に対し１ｂは少しずらす。ずらす大きさ（ずらし量）は、１回の加工による溝幅の範囲内で、ビーム幅，被加工物の特性，加工溝内に残留する溶融物の影響などから考慮し、安定した加工溝が得られる最適な値を選択する。この工程を繰り返すことにより、加工溝の深さ及び幅を大きくすることができる。
【００１０】この実施の形態のレーザ加工方法における適切なビーム照射時のずらし量は、マーキング加工時に照射されるビーム幅や被加工物の特性に影響される。例えば、ビーム幅に対してずらし量が小さい場合は、加工溝内に残留した溶融物の影響を受けやすくなり、安定した加工溝深度、品質が得られにくくなる。また、ずらし量が大きい場合は加工溝深度が小さくなり、ビーム幅以上のずらし量では１本の加工溝にならなくなる。従って、ビーム幅，被加工物の特性などを考慮した場合、加工溝の深いマーキング加工を行う上で最適なずらし量が存在する。最適なずらし量はマーキング用ビーム加工条件，被加工物の種類によって異なるため、それぞれの場合において適切な大きさが設定されなければならない。」
　
ウ．段落００１５〜００１７
「【００１５】図５は被加工物として軟鋼材を使用し、品質の良いマーキング加工を行う上でのもっとも重要なパラメータであるずらし量を変化させて、各５回づつビームを照射したときに得られた加工溝の深さを測定した実験結果である。この結果から、ずらし量０．１ｍｍ以下では溶融物の除去効率が悪いため、均一な深さの加工溝を得るのは困難であり、残留溶融物によって加工不良を起こしやすく、またずらし量０．３ｍｍ以上では加工溝が浅く、溝内面のむらも大きくなるため、この場合はずらし量０．１〜０．３ｍｍの範囲が最適と言えることがわかる。・・・。
【００１６】・・・。
【００１７】図７は、図５及び図６に示した実施例による加工溝幅の測定結果である。当然のことながら、加工溝幅はずらし量が大きいほど、又繰り返し加工回数が多いほど大きくなるが、このような情報を記憶することによって、加工溝幅からもビーム照射回数を選択することが可能だといえる。」
　
エ．段落００２２
「【００２２】また、レーザビームによるマーキング加工において、加工溝の深さ・幅についての要求がある場合、この要求品質に対して、マーキング加工条件の選択、ビーム繰り返し照射の最適なずらし量、ビーム繰り返し照射回数をレーザ加工機のＮＣ制御装置、またはレーザ加工用ＮＣデータを作成するプログラミング装置を用いて自動的に選定させることによって、必要に応じたマーキング品質を効率よく得ることができる、という効果を奏する。」
　
　上記記載を、図面を参照しつつ技術常識を踏まえ、本願発明に照らして整理すると、上記刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。 
「レーザビームを用いて金属材料に溝を加工する方法であって、
　ビームは、１回の加工による溝幅において材料を加工するために制御され、
　ビームは、２回走査するように制御され、２回目の加工経路は、１回目の加工経路に対してずらすようにされており、
　加工経路間のずらし量は１回の加工による溝幅の範囲内で選択されるようになっている方法。」
　
４．対比・判断 
　本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明における「金属材料」と、本願発明における「半導体材料」とは、「材料」である限りにおいて一致する。
　刊行物１発明における「溝」は、本願発明における「幅Ｓの構造」に相当する。
　刊行物１発明における「１回の加工による溝幅」は、本願発明の「カーフＫ」が「レーザにより形成される溝の幅」（段落００４４）であるから、本願発明における「カーフＫ」に相当する。
　刊行物１発明における「２回走査するように制御され、２回目の加工経路は、１回目の加工経路に対して」は、本願発明における「ｎ回(ｎ≧１)走査するように制御され、ｎ＞１であるとき、各連続スキャンは、先行スキャンに対して」に含まれる。
　刊行物１発明における「ずらす」、「加工経路間のずらし量」は、「安定した加工を行う」という目的からみて、「平行でかつ横方向」にずらすことは明らかであるから、本願発明の「平行でかつ横方向にオフセットされ」、「スキャン間の横方向オフセット（O_centre）」に、それぞれ相当する。
　刊行物１発明における「１回の加工による溝幅の範囲内」と、本願発明における「１ミクロンからカーフＫの範囲内」とは、「カーフＫの範囲内」である限りにおいて一致する。
　
　そうすると、本願発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致する。 
「レーザビームを用いて材料に幅Ｓの構造を加工する方法であって、
　ビームは、カーフＫにおいて材料を加工するために制御され、
　ビームは、ｎ回(ｎ≧１)走査するように制御され、ｎ＞１であるとき、各連続スキャンは、先行スキャンに対して平行でかつ横方向にオフセットされており、
　スキャン間の横方向オフセットはカーフＫの範囲内で選択されるようになっている方法。」 
 　 
　そして、以下の点で相違する。
　相違点１：本願発明は、「強度ＩＢのレーザビーム」により「半導体材料」を加工するものであるが、刊行物１発明は、強度の特定がなく「金属材料」を加工するものである点。
　相違点２：ｎ、Ｓ、Ｋについて、本願発明は、「ｎ≧Ｓ／Ｋとなる」ようにされるが、刊行物１発明は、明らかでない点。
　相違点３：オフセットの選択について、本願発明は「１ミクロンから」であるが、刊行物１発明は、明らかでない点。
　相違点４：本願発明は、「正味加工速度が最大となるまで、スキャン間の横方向オフセットを１ミクロンからカーフＫまで変化させる」が、刊行物１発明は、明らかでない点。
　
　相違点１について、検討する。
　レーザビームにより、「半導体材料」、「金属材料」のいずれも加工可能なことは周知であり、加工対象に応じた「強度」とすることは技術常識である。
　よって、この点は、単なる加工対象の差違にすぎない。
　請求人は、回答書において、「金属材料に大きな幅の深い溝を刻むことを目的としている引用文献１と、半導体材料に早く精密な加工を施すことを目的としている本願発明とでは、技術上の課題が全く異なっており」と主張するが、ともに「溝」を加工する点で差違はなく、「早く精密な加工を施す」点は、必要に応じ、設定条件を変えることにより、適宜なしうる事項にすぎない。
　
　相違点２について、検討する。
　刊行物１発明においては、「スキャン間の横方向オフセットはカーフＫの範囲内で選択される」ものであり、オフセット量を最大の「Ｋ」とする場合が、最も広い幅が加工しうることから、ｎが２の場合、最大加工幅は「２Ｋ」となる。
　ｎが２の場合の加工幅Ｓは、オフセット量により、２Ｋ以下となるから、「Ｓ≦２Ｋ」であり、これを変形すると「２≧Ｓ／Ｋ」となり、本願発明の「ｎ≧Ｓ／Ｋ」に含まれる。
　したがって、この点は、実質的相違点ではない。
　
　相違点３について、検討する。
　オフセットの選択の下限は、装置の精度により、おのずと定まるものであり、これによる格別な技術的意義も認められないから、「１ミクロンから」とする点は、適宜定める設計的事項にすぎない。
　
　相違点４について、検討する。
　本願発明の「正味加工速度」は、回答書によれば、段落００６３のとおり、「全体的」速度であり、スキャン速度を、深さ方向のパス数とレーザライン幅の数で除したものである。よって、回答書の「６」、「７」の記載、段落００７６のごとく、「許容可能な特徴品質が得られるように」、所定の幅Ｓを加工する場合、レーザライン幅の数ｎが少ないほど、すなわち、オフセット量を大きくするほど、「正味加工速度」は大きくなる。
　刊行物１発明は、「ずらす大きさ（ずらし量）は、・・・安定した加工溝が得られる最適な値を選択する」（上記３．イ．段落０００９）、「最適なずらし量は・・・それぞれの場合において適切な大きさが設定されなければならない。」（上記３．イ．段落００１０）、「要求品質に対して、・・・ビーム繰り返し照射の最適なずらし量、・・・を・・・自動的に選定」（上記３．エ．）なる記載にもみられるごとく、オフセット（ずらし量）を選択するものである。
　ところで、求められる品質の範囲内において、加工効率の向上は当然の課題である。
　刊行物１発明は、「要求品質に対して」「オフセット（ずらし量）を選択するもの」であるが、「オフセット（ずらし量）」により、全体の加工時間が影響する、すなわち加工効率が変わることは明らかである。
　したがって、刊行物１発明において、加工効率の向上という当然の課題を踏まえ、「要求品質に対して」加工効率が向上するよう「オフセット（ずらし量）を選択する」ことは、必要に応じてなしうる設計的事項にすぎない。
　ここで、「加工効率の向上」は、本願発明の「正味加工速度を大きくすること」であるから、刊行物１発明において、「要求品質に対して」「正味加工速度が最大となる」ように、「オフセット（ずらし量）を選択する」ことは、必要に応じてなしうる設計的事項にすぎない。
　「１ミクロンからカーフＫまで」というオフセット（ずらし量）の選択範囲については、「１ミクロンから」とする点は相違点３で検討したとおりであり、「カーフＫまで」とする点は刊行物１発明も同様である。
　以上より、相違点４の「正味加工速度が最大となるまで、スキャン間の横方向オフセットを１ミクロンからカーフＫまで変化させる」ことは、格別なものではない。
　請求人は、回答書の５．（２）で、「正味加工速度を最適化させる構成については、記載も示唆もなされておりません」と主張するが、上記のとおり、加工効率の向上は当然の課題である。さらに、本願発明は、回答書の７．に「許容しうる加工品質が得られる範囲における最大速度での加工が可能」と記載されているごとく、「許容しうる加工品質が得られる範囲における」ものであるから、刊行物１発明が生じる効果と、格別の差違はない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
　また、各相違点を総合しても、格別な技術的意義が生じるとは認められない。
　
５．むすび 
　本願発明は、刊行物１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものであるから、結論のとおり審決する。