【事件の表示】
　平成　９年特許願第　４８８５３号「磁性薄膜形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月１４日出願公開、特開平１０−２４５６７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成９年３月４日の出願であって、平成１８年５月１２日付けで拒絶理由の通知がなされ、その願書に添付した明細書について同年７月２４日付けで手続補正がなされたが、平成１９年９月３日付けで拒絶の査定がなされたものである。
　そして、本件審判は、この査定を不服として、同年１０月１１日に請求がなされたものであって、前記明細書について同年１１月１２日付けで再度手続補正がなされている。
　
２．本願発明の認定
　
　平成１９年１１月１２日付けでなされた特許請求の範囲の補正は、請求項の削除を目的とした適法なものであるから、本願の請求項１〜３に係る発明は、当該補正後の請求項１〜３に記載された事項により特定されるものであるところ、このうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認められる。
　
【請求項１】　
　真空処理室内に設置された基板上に磁性薄膜を形成するための薄膜形成装置において、前記基板の裏面側に該基板と平行に平板状の磁石を設け、前記基板と前記磁石との間に発熱体を設け、前記磁石の磁界方向に対し垂直な方向の長さが前記基板の長さと同じか又はそれより大きく、前記磁石の磁界方向の幅が該基板の幅と同じか又はそれより大きいものであり、前記磁石の磁界方向および磁界方向に対し垂直な方向に沿う両端部の長さがそれぞれ中間部の長さより小さくなっており、前記磁石と前記発熱体との間に反射板を設けることを特徴とする磁性薄膜形成装置。
　
３．原査定の理由
　
　原審でなされた拒絶査定の理由の一つは、要するに、
「本願発明は、その出願前に日本国内において頒布された刊行物、
　　　特開昭５９−１２６７７６号公報（以下、「引用例１」という。）
　　　特開昭６１−１７９８６４号公報（以下、「引用例２」という。）
に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野にお
ける通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
というものである。
　
４．引用例の記載
　
4-1．引用例１
　
摘記1-1
  本発明の目的は、上述した従来の欠点を取除くべく、スパッタレートを向上させるとともに、被成膜物上に生成する膜が磁気材料の場合、その生成膜に磁気異方性を付与することが可能なスパッタ方法を提供するにある。
　
摘記1-2
  スパッタ装置においては、被成膜物１を支持する基板ホルダ電極１１とターゲット２を保持するターゲットホルダ４とが対向して配置される。これらホルダ４，１１はパッキン６を介してチャンバー７に固定され、更にチャンバー７内は真空状態を保たれる。電源８は両ホルダ４，１１間に電界（以下スパッタ電界と称す）を生じせしめるための電力供給源である。チャンバー７およびアースシールド３はアースされている。
　本実施例では、基板ホルダ１１上に永久磁石１０を固定金具９により固定する。この永久磁石１０上に被成膜物１を置いてスパッタリングを行うものである。この永久磁石１０は断面平板型であり、面方向の磁界強度が均一な磁場を生成する。
  即ち第３図に示す如く、永久磁石１０は、この両端では垂直方向（スパッタ電界と平行方向）の磁界成分があるが、中心附近では垂直方向の磁界成分がほとんど零である。従って第２図の如く、被成膜物１が置かれる中心部分（被蒸着部分１２）では、矢印Ａ方向へ均一な水平磁場が発生している。
　
摘記1-3
　
4-2．引用例２
　
摘記2-1
　本発明はスパツタ装置に係わり、特に磁性薄膜作成に効適な、基板上に一様な磁場を印加しながら薄膜を作成するスパツタ装置に関する。　
　
摘記2-2
　また、接地電位の部材に、通常ガラス等の絶縁部材の基板１４が支持体１５で支持されている。
これらは熱線ヒータ１６で背後から照射し、基板１４の表面温度を制御可能としている。さらにこれらは平等磁界を発生するための永久磁石１７で包囲され、ほぼ方向のそろつた磁界中で薄膜形成される。
　
摘記2-3
　
５．引用発明の認定
　
　引用例１には、その生成膜に磁気異方性を付与することが可能なスパッタ方法を提供する（摘記1-1参照）ために、真空状態が保たれたチャンバ−内で、基板ホルダに固定された断面平板型の永久磁石上に、被成膜物を置いてスパッタリングを行うスパッタ装置（摘記1-2参照）が記載されている。
　そして、図面によれば、当該永久磁石の外形状は、円形の被成膜物より大きな円形であると認められる（摘記1-3参照）。
　以上の記載を整理すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「真空状態が保たれたチャンバ−内で、被成膜物上に磁気異方性を付与した膜を生成するためのスパッタ装置において、円形の被成膜物を、当該被成膜物より大きな円形の平板型永久磁石上に置いてスパッタリングを行うスパッタリング装置。」
　
６．発明の対比
　
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「真空状態が保たれたチャンバ−」「被成膜物」「磁気異方性を付与した膜」「スパッタ装置」「平板型永久磁石」は、それぞれ本願発明の「真空処理室」「基板」「磁性薄膜」「薄膜形成装置」「平板状の磁石」に相当する。そして、円形の永久磁石では、磁石の磁界方向および磁界方向に対し垂直な方向に沿う両端部は、いずれも接点となるから、その長さは０であるといえ、中間部の長さである直径より小さいことは明らかである。
　してみると、本願発明のうち、
「真空処理室内に設置された基板上に磁性薄膜を形成するための薄膜形成装置において、前記基板の裏面側に該基板と平行に平板状の磁石を設け、前記磁石の磁界方向に対し垂直な方向の長さが前記基板の長さと同じか又はそれより大きく、前記磁石の磁界方向の幅が該基板の幅と同じか又はそれより大きいものであり、前記磁石の磁界方向および磁界方向に対し垂直な方向に沿う両端部の長さがそれぞれ中間部の長さより小さくなっておる磁性薄膜形成装置。」の点は、引用発明と一致し、次の点で両発明は相違する。
　
相違点
　
７．容易性の判断
　
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、引用発明と同様に、基板上に一様な磁場を印加しながら磁性薄膜を作成するスパツタ装置（摘記2-1参照）に関し、基板の表面温度を制御可能とするために、基板と永久磁石の間に、基板を背後から照射する熱線ヒータを設けること（摘記2-2，2-3参照）が記載されており、この「熱線ヒータ」は、本願発明の「発熱体」に相当する。そして、引用例２には、本願発明の「反射板」について明記されていないが、スパッタ装置において、基板を背後からヒータで照射加熱する際、ヒータの背後に反射板を設けることは周知（要すれば、特公昭６３−３５７１１号公報の図中「反射板を兼ねるシールド板４」、特公平２−６１５４８号公報の第７図中「熱反射板６」等参照）である。
　してみると、引用発明において、被成膜物と永久磁石の間に熱線ヒータを設けると共に、熱線ヒータの背後、つまり永久磁石と熱線ヒータとの間に反射板を設けること、すなわち、上記相違点を解消することは、同様の目的をもつ装置に関する引用例２の記載と周知技術に基づき、当業者が容易になし得た設計変更である。　　
　
８．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、その出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例１，２に記載された発明と周知技術に基いて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、原査定の理由により拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。