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【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
処理ガスを供給するガス供給装置を備えた真空処理容器と、該真空処理容器内に配置され、供給された処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナと、前記真空処理容器内に配置され基板電極を備え、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、イオン引き込み用高周波電圧を、ケーブル、該ケーブルの長さを可変に調節するケーブル長調節手段およびインピーダンス整合回路を介して前記基板電極に接続する伝送線路と、基板電極側からの反射波の高調波レベルまたは電力を検出する反射波検出手段および前記ケーブル長調節手段を制御する制御手段を備え、該制御手段は、前記処理の前に予め前記ケーブルの長さを当該処理について設定された長さに前記ケーブル長切換手段を制御して調節して前記反射波の高調波レベルまたは電力を抑制する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを供給するガス供給装置を備えた真空処理容器と、
該真空処理容器内に配置され、供給された処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナと、
前記真空処理容器内に配置され基板電極を備え、
前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
イオン引き込み用高周波電圧を、ケーブル、該ケーブルの長さを可変に調節するケーブル長調節手段およびインピーダンス整合回路を介して前記基板電極に接続する伝送線路と、
基板電極側からの反射波の高調波レベルまたは電力を検出する反射波検出手段および前記ケーブル長調節手段を制御する制御手段を備え、
該制御手段は、前記処理の前に予め前記ケーブルの長さを当該処理について設定された長さに前記ケーブル長切換手段を制御して調節して前記反射波の高調波レベルまたは電力を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記制御手段は前記プラズマ処理の前に当該処理の条件で実施されたプラズマ処理中に前記反射波検出手段が検出する高調波のレベルまたは電力が基本波のもの以下となるように前記ケーブル長調節手段を制御してケーブルの長さを調節することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
処理ガスを供給するガス供給装置を備えた真空処理容器と、
該真空処理容器内に配置され、供給された処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナと、
前記真空処理容器内に配置された基板電極を備え、
前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
プラズマ生成用高周波電圧を、ケーブル、該ケーブルの長さを調節するケーブル長調節手段およびインピーダンス整合回路を介して前記アンテナに接続する伝送線路と、
アンテナ側からの反射波の高調波レベルまたは電力を検出する反射波検出手段および前記ケーブル長調節手段を制御する制御手段を備え、
該制御手段は、前記処理の前に予め前記ケーブルの長さを当該処理について設定された長さに前記ケーブル長切換手段を制御して調節して前記反射波の高調波レベルまたは電力を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマ処理装置において、
前記制御手段は前記プラズマ処理の前に当該処理の条件で実施されたプラズマ処理中に前記反射波検出手段が検出する高調波のレベルまたは電力が基本波のもの以下となるように前記ケーブル長調節手段を制御してケーブルの長さを調節することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１または３に記載のプラズマ処理装置において、
前記ケーブルは長さの異なる複数の同軸ケーブルからなり、前記制御手段は、前記反射波検出手段が検出した反射波の高調波レベルまたは電力が所定値以下となるように前記ケーブル長調節手段を制御して長さの異なる前記ケーブルのいずれかを選択させることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記ケーブル長調節手段により調節された前記ケーブルの長さに応じて前記イオン引き込み用高周波電源の出力を調節して、前記基板電極に供給される電力を一定に保持することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
前記ケーブル長調節手段により調節された前記ケーブルの長さに応じて前記プラズマ形成用高周波電源の出力を調節して、前記アンテナに供給される電力を一定に保持することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項６記載のプラズマ処理装置において、
前記長さの異なる同軸ケーブル毎に給電する際のイオン引き込み用高周波電源の出力値を予め設定しておくことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項７記載のプラズマ処理装置において、
前記長さの異なる同軸ケーブル毎に給電する際のプラズマ生成用高周波電源の出力値を予め設定しておくことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月13日(2012.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高輝度放電ランプ（１）であって、
放電空間を取り囲む壁（２）を有する放電容器と、
前記空間に含まれるイオン性材料と、
少なくとも２つの電極（３）であって、各々が埋め込み部分（４）と、前記放電容器の前記壁（２）から延在して前記電極（３）の先端（７）で終了する電極軸（６）とを有しており、前記先端（７）の間に電気アークを確立するために前記空間内に配置されている前記電極（３）とからなり、
前記電極（３）の前記電極軸（６）の各々は、
前記電極（３）の前記埋め込み部分（４）と前記先端（７）の間に配置された肉厚部分（２０〜２７）と、
前記埋め込み部分（４）と前記肉厚部分（２０〜２７）の間に延在し、第１長さ（Ｘ）と前記埋め込み部分（４）と実質的に同じ半径を持つ第１軸径（Ｄ１）を有する第１軸部分（１１）と、
前記電極（３）の前記肉厚部分（２０〜２７）と前記先端（７）の間に延在し、第２長さ（Ｙ）と第２軸径（Ｄ２）を有する第２軸部分（１２）とからなる前記高輝度放電ランプ（１）において、
前記肉厚部分（２０〜２７）は前記第１及び第２軸径（Ｄ１、Ｄ２）のいずれよりも大きな全径（Ｄ）を有することによって、前記第１軸部分の比表面積及び前記第２軸部分の比表面積それぞれよりも高い比表面積を有し、熱放散によって前記内壁（２）における前記電極軸（６）の温度を制限するように配置されており、
前記肉厚部分（２０〜２７）は前記第１軸径（Ｄ１）の少なくとも５０％の前記内壁（２）からの最小距離を有し、前記第２軸部分（１２）の前記第２長さ（Ｙ）は前記第２軸径（Ｄ２）の少なくとも１００％であり、前記第１長さ（Ｘ）は多くとも前記第２長さ（Ｙ）であることを特徴とする、高輝度放電ランプ。
【請求項２】
前記第２長さ（Ｙ）は前記第２軸径（Ｄ２）の少なくとも１５０％であることを特徴とする、請求項１に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項３】
前記第２長さ（Ｙ）は前記第２軸径（Ｄ２）の少なくとも２００％であることを特徴とする、請求項１に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項４】
前記第１軸径（Ｄ１）及び前記第２軸径（Ｄ２）は互いに等しいことを特徴とする、請求項１に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項５】
前記肉厚部分（２０〜２７）は準軸対称本体として形成されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項６】
前記準軸対称本体は、その比表面積を更に増加させるためにリブ付き表面を有することを特徴とする、請求項５に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項７】
前記準軸対称本体は、球、円筒、楕円、又は円錐形状を有することを特徴とする、請求項５に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項８】
前記準軸対称本体は先細り形状を有することを特徴とする、請求項５に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項９】
前記準軸対称本体の前記先細り形状は、前記放電容器の前記内壁（２）の形状に従うことを特徴とする、請求項８に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項１０】
前記肉厚部分（２０、２６、２７）は前記電極軸（６）上のコイルとして形成されることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項１１】
前記コイルは前記電極軸（６）上に溶接又は溶融されることを特徴とする、請求項１０に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項１２】
前記コイルは多層コイルであることを特徴とする、請求項１０に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項１３】
前記コイルは、前記埋め込み部分（４）の方向に向かう面よりも前記先端（７）の方向に向かう面上により多くの巻線層を有することを特徴とする、請求項１２に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項１４】
前記第２軸部分（１２）は、前記先端（７）に更なる肉厚部分（３３）を備えていることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項１５】
前記更なる肉厚部分（３３）は、前記電極軸（６）上に溶接又は溶融されたコイルとして形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の高輝度放電ランプ。
【請求項１６】
高輝度放電ランプ（１）であって、
放電空間を取り囲む壁（２）を有する放電容器と、
前記空間に含まれるイオン性材料と、
少なくとも２つの電極（３）であって、各々が埋め込み部分（４）と、前記放電容器の前記壁（２）から直接延在して前記電極（３）の先端（７）で終了する電極軸（６）とを有しており、前記先端（７）の間に電気アークを確立するために前記空間内に配置されている前記電極（３）とからなり、
前記電極（３）の前記電極軸（６）の各々は、
前記電極（３）の前記埋め込み部分（４）と前記先端（７）の間に配置された肉厚部分（２０〜２７）と、
前記埋め込み部分（４）と前記肉厚部分（２０〜２７）の間に延在し、第１長さ（Ｘ）と前記埋め込み部分（４）と実質的に同じ半径を持つ第１軸径（Ｄ１）を有する第１軸部分（１１）と、
前記電極（３）の前記肉厚部分（２０〜２７）と前記先端（７）の間に延在し、第２長さ（Ｙ）と第２軸径（Ｄ２）を有する第２軸部分（１２）とからなる前記高輝度放電ランプ（１）において、
前記肉厚部分（２０〜２７）は前記第１及び第２軸径（Ｄ１、Ｄ２）のいずれよりも大きな全径（Ｄ）を有することによって、前記第１軸部分の比表面積及び前記第２軸部分の比表面積それぞれよりも高い比表面積を有し、熱放散によって前記内壁（２）における前記電極軸（６）の温度を制限するように配置されており、
前記肉厚部分（２０〜２７）は前記第１軸径（Ｄ１）の少なくとも５０％の前記内壁（２）からの最小距離を有し、前記第２軸部分（１２）の前記第２長さ（Ｙ）は前記第２軸径（Ｄ２）の少なくとも１００％であり、前記第１長さ（Ｘ）は多くとも前記第２長さ（Ｙ）であることを特徴とする、高輝度放電ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、非水電解質とを備える非水電解質二次電池において、前記正極活物質が、遷移金属としてＮｉ、Ｍｎ及びＣｏを少なくとも含有し、かつ層状構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物に、ジルコニウムを遷移金属の合計量に対して０．１モル％以上、５モル％以下含有させた正極活物質（但し、一般式ＬｉｙＭ１（１−ｘ）Ｍ２ｘＯｚ（式中のＭ１はＣｏ及び／又はＮｉ、Ｍ２はＭｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｅ，Ｐｒから選ばれた少なくとも１種、ｘは０＜ｘ≦０．０２、ｙは０．９５≦ｙ≦１．１０、ｚは１．８＜ｚ＜２．２）で表される正極活物質を除く）であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記リチウム遷移金属複合酸化物が、化学式：ＬｉａＭｎｘＮｉｙＣｏｚＯ２（ａ、ｘ、ｙ及びｚは、０≦ａ≦１．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦０．５、０＜ｙ≦０．５、及びｚ＞０を満足する。）で表わされるものであることを特徴とする請求項１に記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記リチウム遷移金属複合酸化物が、化学式：ＬｉａＭｎｘＮｉｙＣｏｚＯ２（ａ、ｘ、ｙ及びｚは、０≦ａ≦１．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦０．５、０＜ｙ≦０．５、０．４５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．５５、０．４５≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．５５、及びｚ＞０を満足する。）で表わされるものであることを特徴とする請求項２に記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
前記非水電解質の溶媒中の環状カーボネートの含有割合が１０〜３０体積％の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項５】
前記環状カーボネートがエチレンカーボネートであることを特徴とする請求項４に記載の非水電解質二次電池。
【請求項６】
前記正極及び前記負極の対向する部分の容量比（負極／正極）が１．０〜１．３の範囲内であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項７】
前記正極活物質の比表面積が０．１〜２．０ｍ2／ｇであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の非水電解質二次電池は、正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、非水電解質とを備え、正極活物質が、遷移金属としてＮｉ、Ｍｎ及びＣｏを少なくとも含有し、かつ層状構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物に、ジルコニウムを遷移金属の合計量に対して０．１モル％以上、５モル％以下含有させた正極活物質（但し、一般式ＬｉｙＭ１（１−ｘ）Ｍ２ｘＯｚ（式中のＭ１はＣｏ及び／又はＮｉ、Ｍ２はＭｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｅ，Ｐｒから選ばれた少なくとも１種、ｘは０＜ｘ≦０．０２、ｙは０．９５≦ｙ≦１．１０、ｚは１．８＜ｚ＜２．２）で表される正極活物質を除く）であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明において、ジルコニウムを含有するリチウム遷移金属複合酸化物としては、化学式：ＬｉaＭｎxＮｉyＣｏzＯ2（ａ、ｘ、ｙ及びｚは、０≦ａ≦１．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦０．５、０＜ｙ≦０．５、及びｚ≧０を満足する。）で表わされるものであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明においては、リチウム遷移金属複合酸化物中にＮｉとＭｎが実質的に等しいモル量含有されていることが好ましい。実質的に等しいモル量とは、上記の化学式において、ｘ及びｙが以下の式を満足するという意味である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
つば付チェーン７１には、前工程であるフラックス塗布工程でフラックスがプリント基板Ｗ１を介して付着することがある。つばを有していない通常のチェーンであると、このフラックスが図７（Ｂ）で示す搬入部７の側壁７６に大量に付着する。その結果、側壁７６がチェーンを構成するピン上で滑ってしまい、当該プリント基板Ｗ１を搬送部３に搬入することが困難であった。また、そのピン上での滑りを解消するために頻繁に清掃する必要があった。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板において最外層の絶縁層から露出するパッド上にはんだボールを搭載する方法であって、
ボール振り込み用の開口部の配置間隔が異なる開口パターンの領域が複数形成されたマスクを用意し、
前記複数の開口パターン領域のうちから、前記配線基板の伸び縮みの度合いに応じた最適な開口パターン領域を選択し、
該選択された開口パターン領域を用いて、当該開口部から前記パッド上にはんだボールを振り込むようにして搭載することを特徴とするはんだボール搭載方法。
【請求項２】
前記配線基板の伸び縮みの度合いに応じた最適な開口パターン領域を選択する処理は、  前記配線基板上に設けられたアライメントマークの位置情報に基づいて前記配線基板の伸び縮みを算出する処理と、
前記マスク上で前記複数の開口パターン領域の各々に対応して設けられた各アライメントマークの位置情報に基づいて各開口パターン領域毎にマーク間隔を算出する処理と、
算出された前記配線基板の伸び縮みと各開口パターン領域毎のマーク間隔とを比較し、その比較結果に基づいて前記最適な開口パターン領域を選択する処理とを含むことを特徴とする請求項１に記載のはんだボール搭載方法。
【請求項３】
前記パッド上へのはんだボールの振り込みは、前記選択された開口パターンを前記配線基板上の前記絶縁層に密着させた後に、吸着機構を利用したカップの内壁面上に吸着保持させたはんだボールを当該開口パターン上に落下させて行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のはんだボール搭載方法。
【請求項４】
前記カップは、はんだボールを振り込む領域が前記マスクにおいて選択された開口パターン領域と対応するように構成されていることを特徴とする請求項３に記載のはんだボール搭載方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、配線基板において最外層の絶縁層から露出するパッド上にはんだボールを搭載する方法であって、ボール振り込み用の開口部の配置間隔が異なる開口パターンの領域が複数形成されたマスクを用意し、前記複数の開口パターン領域のうちから、前記配線基板の伸び縮みの度合いに応じた最適な開口パターン領域を選択し、該選択された開口パターン領域を用いて、当該開口部から前記パッド上にはんだボールを振り込むようにして搭載することを特徴とするはんだボール搭載方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この形態に係るはんだボール搭載方法によれば、ボール振り込み用のマスク上に開口部の配置間隔がそれぞれ異なる複数の開口パターン領域を配置しておき、はんだボール搭載の対象とする配線基板の伸び縮みの度合いに応じて、複数の開口パターン領域のうちから選択した最適な開口パターン領域を用いてはんだボールをパッド上に振り込み、搭載している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
つまり、配線基板の伸び縮みの度合いに合わせた開口部の配置間隔を有した開口パターン領域を使用しているので、この開口部（ボール振り込み開口）の位置と基板上の対応するパッドの位置とが実質的に一致し、はんだボールの搭載時にその振り込み位置がずれることはない。これにより、はんだボールは規定の位置に搭載され、従来技術に見られたようなミッシング等の不良は発生しない。つまり、はんだボールをパッド上に精度良く搭載することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、１枚のボール振り込み用のマスク上に配置された複数の開口パターン領域を選択的に使用できるので、従来技術に見られたような段取り替えを必要とせず、精度の良いはんだボール搭載を効率良く行うことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル列車無線システムを構成する複数の基地局のうち対応する基地局に、列車に搭載された移動局とのデジタル通信を行うための基準タイミング信号を、伝送路を介して供給するとともに、前記伝送路によって生じる前記基準タイミング信号の遅延を補正するＧＰＳ１ＰＰＳ信号補正装置であって、
前記基準タイミング信号に対応するタイミング信号を前記伝送路へ出力する送信部と、
前記送信部から出力された前記タイミング信号を、前記伝送路を介して受信し、前記対応する基地局へ出力する受信部とを含み、
前記受信部は、
前記伝送路を介して受信した前記タイミング信号の一部を、前記伝送路を介して前記送信部へ送り返すタイミング信号返信手段を有し、
前記送信部は、
前記基準タイミング信号を一定の時間間隔で生成する基準タイミング信号生成手段と、
前記タイミング信号を前記伝送路へ出力するごとに、該タイミング信号を出力してから、該タイミング信号の一部が前記タイミング信号返信手段によって前記伝送路を介して送り返されてくるまでにかかる往復時間を逐次計測する計時手段と、
前記計時手段によって前記往復時間が計測されるごとに、次に生成される前記基準タイミング信号よりも、該計測された往復時間の半分の時間だけ先立って前記タイミング信号を生成し、該生成したタイミング信号を、前記次に生成される基準タイミング信号に対応するタイミング信号として前記伝送路へ出力するタイミング補正手段と
を有することを特徴とするＧＰＳ１ＰＰＳ信号補正装置。
【請求項２】
前記基準タイミング信号生成手段は、
ＧＰＳ衛星から送信されたデータを受信し、該受信したデータに基づいて１秒間隔のパルス信号を生成し、該生成したパルス信号を前記基準タイミング信号として出力する
ことを特徴とする請求項１に記載のＧＰＳ１ＰＰＳ信号補正装置。
【請求項３】
前記基準タイミング信号生成手段によって前記基準タイミング信号が生成されるごとに、各基準タイミング信号に対応したタイミング信号が、前記タイミング信号返信手段により送り返されて来るまでの時間を順次計測し、該測定した時間が予め定められた時間を超えた回数が、連続して予め定められた数を超えた場合に、異常として報知する異常報知手段を備えた
ことを特徴とする請求項１または２に記載のＧＰＳ１ＰＰＳ信号補正装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光を電荷に変換するラインセンサと、
前記ラインセンサの複数の領域のそれぞれからの出力信号を増幅する複数の増幅手段と、
基準部材を読み取り前記ラインセンサから出力された出力信号に基づき前記複数の増幅手段それぞれのゲイン値を調整する調整手段とを有し、
前記調整手段は、
基準部材を読み取り前記ラインセンサから出力された出力信号に基づき、前記複数の領域それぞれにおける高出力値を求め、前記求められた複数の領域それぞれの高出力値における最大値が第１ターゲット値より大きくなるように、前記複数の増幅手段のゲイン値を調整し、
前記調整手段により調整されたゲイン値によって調整された前記複数の領域それぞれの高出力値における最低値が第２ターゲット値（第２ターゲット値＜第１ターゲット値）より大きい場合は、前記調整されたゲイン値を前記複数の増幅手段それぞれに設定し、
前記調整手段により調整されたゲイン値によって調整された前記複数の領域それぞれの高出力値における前記最低値が前記第２ターゲット値より小さい場合は、前記複数の増幅手段のうち前記高出力値の最低値に対応する領域に対応する増幅手段のゲイン値を、前記最低値が前記第２ターゲット値より大きくなるように再調整し、前記調整されたゲイン値を前記高出力値における最大値に対応する領域に対応する増幅手段に設定し、前記再調整されたゲイン値を前記高出力値における最低値に対応する領域に対応する増幅手段に設定する
ことを特徴とする原稿読取装置。
【請求項２】
さらに、複数のＬＥＤが配置された光源を有し、
前記光源は光源中央部より端部に多くのＬＥＤが配置されていることを特徴とする請求項１記載の原稿読取装置。
【請求項３】
さらに、前記複数の領域の境界における出力信号のレベルの段差を低減する段差低減手段を有することを特徴とする請求項１または２記載の原稿読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原稿読取装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、ラインセンサの複数の領域のそれぞれからの出力信号を増幅する複数の増幅手段を有する原稿読取装置において、複数の領域間における出力レベルの段差を軽減しつつ、各領域のＳ/Ｎ比の悪化しないようにすることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、
入射した光を電荷に変換するラインセンサと、
前記ラインセンサの複数の領域のそれぞれからの出力信号を増幅する複数の増幅手段と、
基準部材を読み取り前記ラインセンサから出力された出力信号に基づき前記複数の増幅手段それぞれのゲイン値を調整する調整手段とを有し、
前記調整手段は、
基準部材を読み取り前記ラインセンサから出力された出力信号に基づき、前記複数の領域それぞれにおける高出力値を求め、前記求められた複数の領域それぞれの高出力値における最大値が第１ターゲット値より大きくなるように、前記複数の増幅手段のゲイン値を調整し、
前記調整手段により調整されたゲイン値によって調整された前記複数の領域それぞれの高出力値における最低値が第２ターゲット値（第２ターゲット値＜第１ターゲット値）より大きい場合は、前記調整されたゲイン値を前記複数の増幅手段それぞれに設定し、
前記調整手段により調整されたゲイン値によって調整された前記複数の領域それぞれの高出力値における前記最低値が前記第２ターゲット値より小さい場合は、前記複数の増幅手段のうち前記高出力値の最低値に対応する領域に対応する増幅手段のゲイン値を、前記最低値が前記第２ターゲット値より大きくなるように再調整し、前記調整されたゲイン値を前記高出力値における最大値に対応する領域に対応する増幅手段に設定し、前記再調整されたゲイン値を前記高出力値における最低値に対応する領域に対応する増幅手段に設定する
ことを特徴とする原稿読取装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、ラインセンサの複数の領域のそれぞれからの出力信号を増幅する複数の増幅手段を有する原稿読取装置において、複数の領域間の出力レベルの段差を軽減しつつ、各領域のＳ/Ｎ比の悪化しないようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方式により通信パラメータを設定する第１のパラメータ設定機能と、前記第１の方式とは異なる第２の方式により通信パラメータを設定する第２のパラメータ設定機能と、を有する通信装置であって、
前記第２のパラメータ設定機能を用いたパラメータ設定の要求を受信する要求受信手段と、
前記要求受信手段により前記パラメータ設定の要求を受信した際に、前記第２のパラメータ設定機能に必要な設定ファイルを取得する取得手段と、
前記取得手段で取得された前記設定ファイルが作成されたときを示す情報と、格納手段に格納されている設定ファイルの使用履歴情報とを比較する比較手段と、
前記比較手段による比較結果に応じて、前記第１のパラメータ設定機能または前記第２のパラメータ設定機能のいずれか一方を選択する選択手段と、
前記選択手段により選択されたパラメータ設定機能を用いて、パラメータ設定を実行する設定手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記要求受信手段は、前記設定ファイルを有するデバイスとの近距離通信又は前記デバイスが装着されることによって前記パラメータ設定の要求を受信することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記設定手段により前記パラメータ設定が実行された後に、前記設定ファイルが作成された作成日時を示す情報を前記格納手段に格納して、前記使用履歴情報を更新することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項４】
前記比較手段による比較により、前記設定ファイルが作成されたときを示す情報と、前記格納手段に格納されている設定ファイルの使用履歴情報とが一致しない場合に、
前記選択手段は、前記第２のパラメータ設定機能を選択することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項５】
前記比較手段による比較により、前記設定ファイルが作成されたときを示す情報と、前記格納手段に格納されている設定ファイルの使用履歴情報とが一致する場合に、
前記選択手段は、前記第１のパラメータ設定機能を選択することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項６】
前記設定ファイルを用いて構築されたネットワークの存在を確認する確認手段を更に有し、
前記選択手段は、前記比較手段の比較結果と、前記確認手段の確認結果と、に基づいて、前記第１のパラメータ設定機能または前記第２のパラメータ設定機能のいずれか一方を選択することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項７】
前記確認手段は、前記設定ファイルに格納されているネットワークの識別情報と、前記ネットワークの特性を示すチャネル情報と、のうち少なくともいずれか一方を取得し、前記識別情報と前記チャネル情報とのうち少なくともいずれか一方を用いて前記ネットワークを検索するためのネットワークスキャン処理を行うことで、前記ネットワークの存在を確認することを特徴とする請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
前記比較手段による比較により、前記設定ファイルが作成されたときを示す情報と、前記使用履歴情報とが一致しない場合であり、かつ、前記確認手段により前記ネットワークの存在が認められた場合に、
前記選択手段は、前記第２のパラメータ設定機能を選択することを特徴とする請求項７に記載の通信装置。
【請求項９】
前記比較手段による比較により、前記設定ファイルが作成されたときを示す情報と、前記使用履歴情報とが一致する場合、または、前記確認手段により前記ネットワークの存在が認められない場合に、
前記選択手段は、前記第１のパラメータ設定機能を選択することを特徴とする請求項７に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記取得手段が前記設定ファイルを取得できなかった場合に、前記選択手段は、前記第１のパラメータ設定機能を選択することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記第１のパラメータ設定機能による処理の実行中において、
前記要求受信手段が前記第２のパラメータ設定機能を用いたパラメータ設定の要求を受信し、
前記比較手段による比較により、前記取得手段により取得された前記設定ファイルが作成されたときを示す情報が前記使用履歴情報と一致しないと判断される場合に、
前記選択手段は、前記第１のパラメータ設定機能の処理を中止して、前記第２のパラメータ設定機能を選択することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記第１の方式の通信パラメータを設定する第１のパラメータ設定機能には、ＷＰＳ(Wi-Fi Protected Set Up)が含まれ、
前記第２の方式の通信パラメータを設定する第２のパラメータ設定機能には、ＷＣＮ(Windows(登録商標) Connect Now)が含まれることを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項１３】
第１の方式による通信パラメータを設定する第１のパラメータ設定機能と、前記第１の方式とは異なる第２の方式により通信パラメータを設定する第２のパラメータ設定機能と、を有する通信装置における通信パラメータの設定方法であって、
要求受信手段が、前記第２のパラメータ設定機能を用いたパラメータ設定の要求を受信する要求受信工程と、
取得手段が、前記要求受信工程で前記パラメータ設定の要求が受信された際に、前記第２のパラメータ設定機能に必要な設定ファイルを取得する取得工程と、
比較手段が、前記取得工程で取得された前記設定ファイルが作成されたときを示す情報と、格納手段に格納されている設定ファイルの使用履歴情報とを比較する比較工程と、
選択手段が、前記比較工程での比較結果に応じて、前記第１のパラメータ設定機能または前記第２のパラメータ設定機能のいずれか一方を選択する選択工程と、
設定手段が、前記選択工程で選択されたパラメータ設定機能を用いて、パラメータ設定を実行する設定工程と、
を有することを特徴とする通信パラメータの設定方法。
【請求項１４】
コンピュータを、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の目的の少なくともいずれか一つを達成する本発明に係る通信装置は、第１の方式により通信パラメータを設定する第１のパラメータ設定機能と、前記第１の方式とは異なる第２の方式により通信パラメータを設定する第２のパラメータ設定機能と、を有する通信装置であって、前記第２のパラメータ設定機能を用いたパラメータ設定の要求を受信する要求受信手段と、前記要求受信手段により前記パラメータ設定の要求を受信した際に、前記第２のパラメータ設定機能に必要な設定ファイルを取得する取得手段と、前記取得手段で取得された前記設定ファイルが作成されたときを示す情報と、格納手段に格納されている設定ファイルの使用履歴情報とを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果に応じて、前記第１のパラメータ設定機能または前記第２のパラメータ設定機能のいずれか一方を選択する選択手段と、前記選択手段により選択されたパラメータ設定機能を用いて、パラメータ設定を実行する設定手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の撮像素子は、入射光に応じた電荷を発生する光電変換手段を各々が備え、２次元に配置された複数の画素と、各列に配置された前記複数の画素からの出力信号を出力する出力線と、前記出力線に出力された前記複数の画素の出力信号を増幅する増幅手段と、前記増幅手段のゲインが予め決められたゲイン以上の場合に、前記予め決められたゲインより低い場合よりも大きい電流を前記出力線に供給する第１の電流源とを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ＦＤ２０４及び増幅ＭＯＳアンプ２０５の他、垂直信号線２０８に定電流を供給する定電流源２０９（第１の電流源）によってフローティングディフュージョンアンプが構成される。選択スイッチ２０６で選択された行を構成する各画素において、ＦＤ２０４に転送された電荷がＦＤ２０４で電圧信号に変換されて、フローティングディフュージョンアンプを通じて読み出し回路１０３の内の対応する回路に出力される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
スイッチ２１８は、アンプ２１１（増幅手段）のオフセットを読み出すためのスイッチであり、水平選択回路１０４から供給されるオフセット読み出しパルスφＴＮにより駆動される。オフセット蓄積容量２１９には、画素信号の読み出しの直前にアンプのオフセット信号が蓄積される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
アンプ２１１のゲインは容量２１０と容量２１２の比で決定される。図示しないが、容量２１２は複数の選択的に接続可能な容量で構成され、その容量値を切り替えることによって、アンプ２１１でかけるゲインを変更することができる。複数の容量が接続されて、容量２１２の容量値が大きいときは低ゲインとなり、逆に、接続された容量が少なく、容量値が小さいときは高ゲインとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光に応じた電荷を発生する光電変換手段を各々が備え、２次元に配置された複数の画素と、
各列に配置された前記複数の画素からの出力信号を出力する出力線と、
前記出力線に出力された前記複数の画素の出力信号を増幅する増幅手段と、
前記増幅手段のゲインが予め決められたゲイン以上の場合に、前記予め決められたゲインより低い場合よりも大きい電流を前記出力線に供給する第１の電流源と
を有することを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
前記増幅手段は、前記ゲインが予め決められたゲイン以上の場合に、前記予め決められたゲインより低い場合よりも大きい電流を前記増幅手段に供給する第２の電流源を含むことを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記増幅手段は、前記各列の出力線毎に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像素子を搭載したことを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
測光手段と、
前記測光手段の測光結果に基づいて、前記増幅手段のゲインを変更するように制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
外部から感度の設定を受け付ける感度設定手段と、
前記感度設定手段により設定された感度に基づいて、前記増幅手段のゲインを変更するように制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項４または５に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
これらの構成では、光端末装置は、伝送手段の出力信号のレベルが検出され、その検出結果または検出結果の予め定めた閾値との比較結果がセンター装置側に伝送されているので、センター装置側において、光端末装置側で実際に電気テレビジョン信号が出力されているか否かを正確に把握することができる。しかも、この検出結果または比較結果は、光端末装置が備える通信光端末部を利用して送信することができるので、光端末装置とは別に監視装置を設ける必要はなく、しかもこの検出結果または比較結果の伝送用のネットワークを設ける必要も無い。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このように、パルス重畳回路３６によって＋１６Ｖの電圧の値をパルス信号に従って変化させた電圧を、同軸ケーブル６に重畳して可変指向性アンテナ４に伝送し、目的別定電圧回路２２によってアンプ回路用及び電源回路用のそれぞれ異なる値の定電圧に変化して、アンプ回路１２や電源回路２４に供給して、これらを動作させるとともに、電圧の変化をマイクロコンピュータ１６に供給して制御用信号に復元しているので、パルス信号を伝送するためのコントロールボックス等を設ける必要がない。また、パルス重畳回路３６から出力される電圧は、パルス信号がＬレベルのときに＋１６Ｖ、Ｈレベルのときに＋１３Ｖにしてあるので、パルス信号にノイズ等が乗ってＨレベルの値が所定の値よりも大きくなっても、パルス重畳回路から出力される電圧は＋１３Ｖを維持するので、可変指向性アンテナ４に伝送されても、可変指向性アンテナ４を構成する機器を破損することがない。また、パルス重畳回路３６に抵抗器６６を設けることによって、トランジスタ４８から出力される電圧の波形の立ち下がり時のなまりを改善することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月19日(2012.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
前記通信装置が存在する地理的な位置情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した前記位置情報に基づいて、他の機器と通信する際に使用する通信パラメータの使用可否を判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記判定手段は、前記取得手段により取得した前記位置情報が、前記通信パラメータを利用可能な地理的な範囲に含まれるか否かに基づいて前記通信パラメータの使用可否を判定することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記取得手段により取得した前記位置情報に基づいて、他の機器と通信する際に使用する通信パラメータを利用可能な地理的な範囲を決定する決定手段を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記通信パラメータと前記決定手段により決定した前記範囲を示す情報とを他の通信端末に送信する送信手段をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
使用中の通信パラメータが前記判定手段により使用不可と判定された場合、新規の通信パラメータにより通信するよう制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の通信装置。
【請求項６】
通信装置であって、
前記通信装置が存在する地理的な位置情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した前記位置情報に基づいて、他の機器と通信する際に使用する通信パラメータを利用可能な地理的な範囲を決定する決定手段と、
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項７】
前記通信パラメータを生成する生成手段を有し、
前記決定手段は、前記生成手段により通信パラメータを生成する際に、前記範囲を決定することを特徴とする請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
通信装置であって、
他の機器と通信する際に使用する通信パラメータと該通信パラメータを利用可能な地理的範囲を示す範囲情報とを受信する受信手段と、
前記通信装置が存在する地理的位置情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した位置情報と前記受信手段により受信した前記範囲情報とに基づいて前記通信パラメータの使用可否を判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項９】
通信装置の制御方法であって、
取得手段が、前記通信装置が存在する地理的な位置情報を取得する取得工程と、
制限手段が、前記取得工程において取得した前記位置情報に基づいて、他の機器と通信する際に使用する通信パラメータの利用を制限する制限工程と、
を含むことを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１０】
通信装置の制御方法であって、
取得手段が、前記通信装置が存在する地理的な位置情報を取得する取得工程と、
決定手段が、前記取得工程において取得した前記位置情報に基づいて、他の機器と通信する際に使用する通信パラメータの利用を制限する範囲を決定する決定工程と、
を含むことを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１１】
通信装置の制御方法であって、
受信手段が、他の機器と通信する際に使用する通信パラメータと該通信パラメータを利用可能な地理的範囲を示す範囲情報とを受信する受信工程と、
取得手段が、前記通信装置が存在する地理的位置情報を取得する取得工程と、
制限手段が、前記取得工程において取得した位置情報と前記受信工程において受信した前記範囲情報とに基づいて前記通信パラメータの利用を制限する制限工程と、
を含むことを特徴とする通信装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月10日(2012.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
より具体的には、上記目的は、金属を含有する膜と、前記金属を含有する膜の上方に配置されたポリシリコン膜と、前記金属を含有する膜の下方に配置された酸化膜または前記金属を含有する膜の下方に配置された、高誘電率である材料を含有する膜とを有するウエハを処理室内に形成されたプラズマによりプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、前記金属と同種の金属を含有する膜を表面に有するウエハをプラズマ処理した後に、前記ウエハのポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法によって達成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を含有する膜と、前記金属を含有する膜の上方に配置されたポリシリコン膜と、前記金属を含有する膜の下方に配置された酸化膜または前記金属を含有する膜の下方に配置された、高誘電率である材料を含有する膜とを有するウエハを処理室内に形成されたプラズマによりプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記金属と同種の金属を含有する膜を表面に有するウエハをプラズマ処理した後に、前記ウエハのポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記金属と同種の金属を含有する膜を表面に有するウエハのプラズマ処理は、
前記処理室内の発光を用いて前記処理室内に堆積している金属の量を検出しながら、前記検出された金属の量が前記ポリシリコンのエッチングレートが安定するのに必要な量となるように行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記金属と同種の金属を含有する膜を表面に有するウエハのプラズマ処理は、
前記金属を含有する膜をエッチングするガスと同じガスを用いてプラズマ処理するステップと、
前記高誘電率である材料を含有する膜をエッチングするガスと同じガスを用いてプラズマ処理するステップとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３記載のいずれか１項記載のプラズマ処理方法において、
前記金属を含有する膜はＴｉＮを有し、前記高誘電率である材料は、ＨｆＯ2であり、前記ＨｆＯ2をＢＣｌ3ガスを用いてエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記分割光学系は、前記複数の位置に形成される前記パターンの像が互いに同じ向きに投影されるように前記パターンからの光束を分割することを特徴とする請求項１に記載の投影光学系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記分割光学系は、位相格子を含むことを特徴とする請求項７に記載の投影光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面領域及び底面領域を有する凹部と、前記凹部以外の上面領域を有するゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って形成される、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に、チャネル形成領域を有する第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域及びドレイン領域上に、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記凹部の側面領域上に積層された前記ゲート絶縁膜及び前記第１の半導体膜の膜厚が、前記ゲート電極の上面領域上に積層された前記ゲート絶縁膜及び前記第１の半導体膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
側面領域及び底面領域を有する凹部と、前記凹部以外の上面領域を有するゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って形成される、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に、チャネル形成領域を有する第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域及びドレイン領域上に、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記凹部の側面領域上の前記ゲート絶縁膜の膜厚が、前記ゲート電極の上面領域上の前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
側面領域及び底面領域を有する凹部と、前記凹部以外の上面領域を有するゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って形成される、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に、チャネル形成領域を有する第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域及びドレイン領域上に、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記凹部の側面領域上の前記第１の半導体膜の膜厚が、前記ゲート電極の上面領域上の前記第１の半導体膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記ソース領域及びドレイン領域は、それぞれｎ型あるいはｐ型を付与する不純物元素を有する半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を用いて、底面領域と側面領域を有する凹部と、前記凹部以外の上面領域を有するゲート電極を形成し、
前記凹部を有するゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に、ｎ型あるいはｐ型を有する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜の前記凹部上に積層された領域及び前記第２の半導体膜の前記凹部上に積層された領域をエッチングして、前記第２の半導体膜からソース領域及びドレイン領域、前記第２の導電膜からソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記凹部の側面領域上に積層された前記ゲート絶縁膜及び前記第１の半導体膜の膜厚が、前記ゲート電極の上面領域上に積層された前記ゲート絶縁膜及び前記第１の半導体膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を用いて、底面領域と側面領域を有する凹部と、前記凹部以外の上面領域を有するゲート電極を形成し、
前記凹部を有するゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に、ｎ型あるいはｐ型を有する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜の前記凹部上に積層された領域及び前記第２の半導体膜の前記凹部上に積層された領域をエッチングして、前記第２の半導体膜からソース領域及びドレイン領域、前記第２の導電膜からソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記凹部の側面領域上の前記ゲート絶縁膜の膜厚が、前記ゲート電極の上面領域上の前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を用いて、底面領域と側面領域を有する凹部と、前記凹部以外の上面領域を有するゲート電極を形成し、
前記凹部を有するゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に、ｎ型あるいはｐ型を有する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜の前記凹部上に積層された領域及び前記第２の半導体膜の前記凹部上に積層された領域をエッチングして、前記第２の半導体膜からソース領域及びドレイン領域、前記第２の導電膜からソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記凹部の側面領域上の前記第１の半導体膜の膜厚が、前記ゲート電極の上面領域上の前記第１の半導体膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。