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　特願２００５−　５５６２６「電子部品及びその製造方法、並びに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月１４日出願公開、特開２００６−２４５０９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１７年３月１日の出願であって、平成１９年１１月２７日付けの拒絶理由の通知に対して、平成２０年２月４日付けで手続補正がなされたが、同年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として、同年４月３日付けで審判請求がなされるとともに、同年５月７日付けで手続補正（以下、「本件手続補正」という。）がなされたものである。
　
ＩＩ．平成２０年５月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年５月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
［１］本件手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲についてするものであり、本件手続補正により、特許請求の範囲は、補正前に
「【請求項１】一方の基板と他方の基板との間に形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品の製造方法であって、
　複数の前記一方の基板を備える第１基板と複数の前記他方の基板を備える第２基板とを貼り合わせる工程と、
　前記第１基板を前記一方の基板に個片化して前記封止空間を形成する工程と、
　前記封止空間内の環境を維持するための封止薄膜を、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいはウェット法によって、前記一方の基板を覆って形成する工程と、
　前記第２基板を前記他方の基板に個片化する工程と
　を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】一方の基板と他方の基板との間に形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品の製造方法であって、
　複数の前記一方の基板を備える第１基板を前記一方の基板に個片化する工程と、
　複数の前記他方の基板を備える第２基板上に前記一方の基板を複数貼り合わせることによって前記封止空間を形成する工程と、
　前記封止空間内の環境を維持するための封止薄膜を、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいはウェット法によって、前記一方の基板を覆って形成する工程と、
　前記第２基板を前記他方の基板に個片化する工程と
　を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３】前記封止薄膜は、金属薄膜であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】前記金属薄膜は、クロム、チタン、銅、アルミニウム及びチタンタングステンのいずれかの材料からなることを特徴とする請求項３記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】前記封止薄膜は、無機薄膜であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】前記無機薄膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ及びポリシラザンのいずれかの材料からなることを特徴とする請求項５記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】前記封止薄膜は、他の部材の少なくとも転移温度以下で形成可能な樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】前記樹脂は、高密度ポリエチレン、塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ナイロン及びエチレンビニルアルコールのいずれかの材料からなることを特徴とする請求項７記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】前記封止薄膜は、有機薄膜と無機薄膜との積層体であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】一方の基板と他方の基板との間に形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品であって、
　複数の前記他方の基板が形成された第２基板上に前記一方の基板を複数貼り合わせた状態において形成され、前記封止空間内の環境を維持すると共に蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいはウェット法によって形成される封止薄膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１１】一方の基板と他方の基板とが接着層によって貼り合わされることによって形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品であって、
　前記一方の基板及び前記接着層を覆うように前記他方の基板上に形成されると共に蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいはウェット法によって形成される封止薄膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１２】請求項１０または１１記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。」
であったものが、
「【請求項１】一方の基板と他方の基板との間に形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品の製造方法であって、
　複数の前記一方の基板を備える第１基板と複数の前記他方の基板を備える第２基板とを貼り合わせる工程と、
　前記第１基板を前記一方の基板に個片化して前記封止空間を形成する工程と、
　前記封止空間内の環境を維持するための封止薄膜を、スパッタ法あるいはＣＶＤ法によって、前記一方の基板を覆って形成する工程と、
　前記第２基板を前記他方の基板に個片化する工程と
　を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】一方の基板と他方の基板との間に形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品の製造方法であって、
　複数の前記一方の基板を備える第１基板を前記一方の基板に個片化する工程と、
　複数の前記他方の基板を備える第２基板上に前記一方の基板を複数貼り合わせることによって前記封止空間を形成する工程と、
　前記封止空間内の環境を維持するための封止薄膜を、スパッタ法あるいはＣＶＤ法によって、前記一方の基板を覆って形成する工程と、
　前記第２基板を前記他方の基板に個片化する工程と
　を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３】前記封止薄膜は、金属薄膜であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】前記金属薄膜は、クロム、チタン、銅、アルミニウム及びチタンタングステンのいずれかの材料からなることを特徴とする請求項３記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】前記封止薄膜は、無機薄膜であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】前記無機薄膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ及びポリシラザンのいずれかの材料からなることを特徴とする請求項５記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】前記封止薄膜は、他の部材の少なくとも転移温度以下で形成可能な樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】前記樹脂は、高密度ポリエチレン、塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ナイロン及びエチレンビニルアルコールのいずれかの材料からなることを特徴とする請求項７記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】前記封止薄膜は、有機薄膜と無機薄膜との積層体であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】一方の基板と他方の基板との間に形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品であって、
　複数の前記他方の基板が形成された第２基板上に前記一方の基板を複数貼り合わせた状態において形成され、前記封止空間内の環境を維持すると共にスパッタ法あるいはＣＶＤ法によって形成される封止薄膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１１】一方の基板と他方の基板とが接着層によって貼り合わされることによって形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品であって、
　前記一方の基板及び前記接着層を覆うように前記他方の基板上に形成されると共にスパッタ法あるいはＣＶＤ法によって形成される封止薄膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１２】請求項１０または１１記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。」
と、補正された。
　
［２］補正の適否について
１．限定的減縮
　上記補正の補正事項は、補正前の請求項１、請求項２、請求項１０、及び請求項１１に記載の「蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいはウェット法によって」を、補正後の請求項１、請求項２、請求項１０、及び請求項１１では、「スパッタ法、ＣＶＤ法によって」に補正したものである。
　
　上記補正事項は、封止薄膜を、補正前では、「蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいはウェット法によって」形成するのを、補正後では、「スパッタ法、ＣＶＤ法によって」形成することに限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的にしたものである。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものに該当する。
　
２．独立特許要件
　次に、上記補正による補正後の請求項１〜請求項１２に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるのか否か）について検討する。
　
（１）引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された下記の刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開２００４−２１４４６９号公報（平成１９年１１月２７日付けの拒絶理由通知書の引用文献１）
　
＜刊行物の摘記事項＞
（ａ）「図４は、本発明による第２の実施例でありチップサイズの表面弾性波デバイス９００の断面図である。予め内部電極２１０、外部電極２２０及び両者を接続するスルーホール２３０が形成されたパッケージ基板２００に、導電性ガラス３００を用いてＳＡＷチップ１００が接続かつ封止された構造になっている。」（【００４９】）
（ｂ）「図４の構造では導電性ガラス３００にスペーサとして数μｍのガラス球を混入させて接続高さを制御し、櫛歯電極１１０部の空隙５００を確保する。スペーサ材料としてはガラス球の他、ガラスロッドまたはＡｕめっきしたＮｉ球などの導電粒子を用いてもよい。導電性ガラス３００は、ＳＡＷチップ電極１２０とパッケージ基板２００の内部電極２１０を電気接続するとともにＳＡＷチップ１００の周辺を封止する。」（【００５０】）
（ｃ）「図５は前記チップサイズの表面弾性波デバイス９００の分解斜視図で、導電性ガラス３００の部分でパッケージ基板２００からＳＡＷチップ１００を取り外した状態を示した。導電性ガラス３００は、ＳＡＷチップ１００の信号用チップ電極１２１とパッケージ基板２００の信号用内部電極２１１を接続するとともにＳＡＷチップ１００周縁を封止するよう配置されている。ＧＮＤ用チップ電極１２２はパッケージ基板２００のＧＮＤ用内部電極２１２に導電性ガラス３００で接続されるが、ＳＡＷチップ１００周縁の封止を兼ねている。」（【００５１】）
（ｄ）「図６は、前記チップサイズの表面弾性波デバイス９００の組立工程図である。図６（ａ）において、予め内部電極２１０、外部電極２２０及び両者を接続するスルーホール２３０が形成されたパッケージ基板２００を準備し、図６（ｂ）において、前記パッケージ基板２００のＳＡＷチップ搭載面に導電性ガラス３００用フリットを印刷・溶融し、パッケージ基板２００の所望の位置に導電性ガラス３００を供給する。」（【００５２】）
（ｅ）「図６（ｃ）において、導電性ガラス３００が付着されたパッケージ基板２００に、ＳＡＷウエハ１０１を対向するように載置し、加熱加圧する。」（【００５３】）
（ｆ）「図６（ｄ）に前記工程後の接続状態を示した。ＳＡＷウエハ１０１はチップ電極１２０と多数個取りパッケージ基板２００の内部電極２１０とに接続されるとともに、各ＳＡＷチップの周縁部は導電性ガラス３００で封止される。」（【００５４】）
（ｇ）「図７は、図６で説明した工程（ｄ）以降を変更した組立工程図である。図７（ｅ’）において、ＳＡＷウエハ１０１が接続封止されている多数個取りパッケージ基板２００の封止部３３０中心をＳＡＷウエハ１０１搭載方向からサンドブラスト８２０にてパッケージ基板２００に達するまで溝加工し、ＳＡＷチップ１００を分離する。」（【００５６】）
（ｈ）「次に図７（ｆ）において、前記溝加工部を含みＳＡＷチップ１００背面全体を蒸着またはめっき法でメタライズ処理する。メタライズ用金属としてＣｕ、ＮｉあるいはＡｌを用いる。また、背面全体を導電塗料で覆ってもよい。」（【００５７】）
（ｉ）「最後に図７（ｇ）において、前記パッケージ基板２００の溝加工部をブレークまたはダイシング分離して、個別のチップサイズ表面弾性波素子を得る。」（【００５８】）
　
（２）当審の判断
（２−１）刊行物１に記載された発明
　刊行物１の上記摘記（ａ）−（ｉ）をまとめると、刊行物１には、
「ＳＡＷチップ１００と、多数個取りパッケージ基板２００の溝加工部をブレークまたはダイシング分離して得たパッケージ基板２００の個片との間に形成された空隙５００に、櫛歯電極１１０部が配置された、表面弾性波デバイス９００の製造方法であって、
　多数個取りパッケージ基板２００のＳＡＷチップ搭載面に、導電性ガラス３００を供給し、ＳＡＷウエハ１０１を対向するように載置し、加熱加圧して接続する工程と、
　ＳＡＷウエハ１０１が接続封止されている多数個取りパッケージ基板２００の封止部３３０中心をＳＡＷウエハ１０１搭載方向からサンドブラスト８２０にてパッケージ基板２００に達するまで溝加工し、ＳＡＷチップ１００を分離する工程と、
　前記溝加工部を含みＳＡＷチップ１００背面全体を蒸着またはめっき法でメタライズ処理する、または、背面全体を導電塗料で覆う工程と、
　前記パッケージ基板２００の溝加工部をブレークまたはダイシング分離する工程と
　を備えることを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
（２−２）対比・判断
（ア）本願補正発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ＳＡＷチップ１００」、「多数個取りパッケージ基板２００の溝加工部をブレークまたはダイシング分離して得たパッケージ基板２００の個片」、「分離」は、それぞれ、本願補正発明１の「一方の基板」、「他方の基板」、「個片化」に相当すると認められる。
　
（イ）刊行物１の上記摘記（ｂ）の「導電性ガラス３００は・・・ＳＡＷチップ１００の周辺を封止する。」との記載、及び、摘記（ｃ）の「導電性ガラス３００は・・・ＳＡＷチップ１００周縁を封止するよう配置されている。」との記載から、導電性ガラス３００がＳＡＷチップ１００周縁を封止するよう配置されていることが理解できるから、刊行物１発明の「ＳＡＷチップ１００と、多数個取りパッケージ基板２００の溝加工部をブレークまたはダイシング分離して得たパッケージ基板２００の個片との間に形成された空隙５００」は、本願補正発明１の「封止空間」に相当するものといえる。
　
（ウ）刊行物１発明の「櫛歯電極１１０部」は、少なくとも機能素子である「表面弾性波デバイス９００」の一部であるといえる。また、「表面弾性波デバイス９００」が「電子部品」の一種であることは、当業者にとって明らかである。
　
（エ）刊行物１の上記摘記（ｇ）の「ＳＡＷウエハ１０１が接続封止されている多数個取りパッケージ基板２００の封止部３３０中心をＳＡＷウエハ１０１搭載方向からサンドブラスト８２０にてパッケージ基板２００に達するまで溝加工し、ＳＡＷチップ１００を分離する。」との記載、及び、上記摘記（ｉ）の「パッケージ基板２００の溝加工部をブレークまたはダイシング分離して、個別のチップサイズ表面弾性波素子を得る。」との記載に照らして、刊行物１発明の「ＳＡＷウエハ１０１」、「多数個取りパッケージ基板２００」は、それぞれ本願発明の「複数の前記一方の基板を備える第１基板」、「複数の前記他方の基板を備える第２基板」に相当するといえる。
　してみれば、刊行物１発明の、「多数個取りパッケージ基板２００のＳＡＷチップ搭載面に、導電性ガラス３００を供給し、ＳＡＷウエハ１０１を対向するように載置し、加熱加圧して接続する工程」は、本願補正発明１の「複数の前記一方の基板を備える第１基板と複数の前記他方の基板を備える第２基板とを貼り合わせる工程」に相当するものであるといえる。
　
（オ）刊行物１の上記摘記（ｈ）には、「前記溝加工部を含みＳＡＷチップ１００背面全体を蒸着またはめっき法でメタライズ処理する。・・・また、背面全体を導電塗料で覆ってもよい。」と記載されている。そして、蒸着またはめっき法でメタライズ処理した前記溝加工部を含むＳＡＷチップ１００背面全体、あるいは、導電塗料で覆った背面全体には、薄膜が形成されることは、当業者にとって容易に理解できることである。他方、上記（ア）で検討したように、刊行物１発明の「ＳＡＷチップ１００」は、本願補正発明１の「一方の基板」に相当するのであるから、結局、刊行物１発明と、本願補正発明１は、「薄膜を、前記一方の基板を覆って形成する工程を具備している」範囲で、一致すると認められる。
　
　そうすると、本願補正発明１と、刊行物１発明は、
「一方の基板と他方の基板との間に形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品の製造方法であって、
　複数の前記一方の基板を備える第１基板と複数の前記他方の基板を備える第２基板とを貼り合わせる工程と、
　前記第１基板を前記一方の基板に個片化して前記封止空間を形成する工程と、
　薄膜を、前記一方の基板を覆って形成する工程と、
　前記第２基板を前記他方の基板に個片化する工程と
　を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。」
の点で一致する。そして、次の点で相違するといえる。
　
　相違点１：一方の基板を覆って薄膜を形成する方法が、本願補正発明１では「スパッタ法あるいはＣＶＤ法」であるのに対し、刊行物１発明には、蒸着またはめっき法によるメタライズ処理、または、導電塗料で覆うものである点。
　
　相違点２：一方の基板を覆う薄膜が、本願補正発明１では「封止空間内の環境を維持するための封止薄膜」であるのに対し、刊行物１発明では、この点が明らかでない点。
　
　そこで、上記各相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　刊行物１の上記摘記（ｈ）には、ＳＡＷチップ裏面全体への薄膜の形成方法として、蒸着またはめっき法でメタライズ処理するか、または、背面全体を導電塗料で覆って形成する方法が記載されている。
　一方、ＳＡＷチップ裏面への薄膜の形成方法として、刊行物１に記載されているような蒸着、めっき法等の他に、スパッタリングによる方法が周知であったことは、下記の周知例１〜周知例２からも明らかである。
　また、蒸着とスパッタリングは、いずれも、物理気相成長、または、物理蒸着（PVD：Physical Vapor Deposition）と呼ばれる成長方法に分類される、物質の表面に薄膜を形成する蒸着法のひとつであり、気相中で物質の表面に物理的手法により目的とする物質の薄膜を堆積する方法である点で、両者の成膜機構が類似していることは、当業者にとって周知の事項といえる。
　そうすると、刊行物１発明において、蒸着でメタライズ処理等を施すことに替えて、上記周知の技術であり、また、成膜機構が蒸着と類似する、スパッタリングによって薄膜を形成することは適宜なし得たことといえる。また、このような方法を採用したことによる効果も、当業者の予測する範囲内のものと認められる。
　
　周知例１：特開２００４−１３５１９３号公報（平成２０年５月３０日付けの前置報告書の周知例）
（周１）「即ち、この工程では、ＳＡＷチップ１５と接地用環状導体７の近接部Ａに存在する隙間を封止して気密空間Ｓを形成するとともに、ＳＡＷチップ外面及び接地用環状導体７の外面を覆うように、導電性金属被膜２２を被覆形成する。導電性金属被膜２２の形成方法は、メッキ、蒸着、スパッタリング等任意の方法を採用し得る。」（【００１６】）
　
　周知例２：特開２００４−１２９０８８号公報（同上）
（周２）「この実施形態に係るＳＡＷデバイス１の特徴的な構成は、ＳＡＷチップ１５の外面全体と封止樹脂２０の外面全体に導電性金属被膜２１を蒸着、スパッタリング、電気メッキ等によって形成した点にある。」（【００１７】）
　
（２）相違点２について
　刊行物１の上記摘記（ｆ）の「ＳＡＷウエハ１０１はチップ電極１２０と多数個取りパッケージ基板２００の内部電極２１０とに接続されるとともに、各ＳＡＷチップの周縁部は導電性ガラス３００で封止される。」、摘記（ｇ）の「ＳＡＷウエハ１０１が接続封止されている多数個取りパッケージ基板２００の封止部３３０中心をＳＡＷウエハ１０１搭載方向からサンドブラスト８２０にてパッケージ基板２００に達するまで溝加工し、ＳＡＷチップ１００を分離する。」、及び、摘記（ｈ）の「前記溝加工部を含みＳＡＷチップ１００背面全体を蒸着またはめっき法でメタライズ処理する。メタライズ用金属としてＣｕ、ＮｉあるいはＡｌを用いる。また、背面全体を導電塗料で覆ってもよい。」との記載に照らして、刊行物１発明のメタライズ処理等によって形成される薄膜は、ＳＡＷチップの背面全体、溝加工によって形成された分離されたＳＡＷチップの側面、溝加工によって形成された導電性ガラスからなる封止部３３０の溝部の側面、及び、溝加工によって露出したパッケージ基板の表面を連続して覆うものであると理解することができる。
　ところで、ＳＡＷチップ１００とパッケージ基板２００との間に形成された空隙５００は、前記ＳＡＷチップと導電性ガラスからなる封止部３３０によって封止されているのであり、刊行物１発明のメタライズ処理等によって形成される前記薄膜は、これらのＳＡＷチップと導電性ガラスからなる封止部３３０を、その外側から連続して覆うのであるから、結局、刊行物１発明のメタライズ処理等によって形成される前記薄膜は、空隙５００を、その外側の環境から隔離する機能を有しているものと認められる。
　そして、上記（イ）の項目で検討したように、刊行物１発明の「ＳＡＷチップ１００と、多数個取りパッケージ基板２００の溝加工部をブレークまたはダイシング分離して得たパッケージ基板２００の個片との間に形成された空隙５００」は、本願補正発明１の「封止空間」に相当するのであるから、結局、刊行物１発明のメタライズ処理等によって形成される薄膜は、「封止空間内の環境を維持するための封止薄膜」であるということができるので、上記相違点２の薄膜の相違については、本願補正発明１と刊行物１発明との間に相違はない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３．まとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について　
［１］本願発明
　平成２０年５月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１２のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成２０年２月４日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
［２］引用刊行物及びその摘記事項
　引用刊行物及びその摘記事項は、上記「ＩＩ．［２］２．（１）引用刊行物及びその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
［３］当審の判断
１．刊行物１に係る発明
　刊行物１発明は、上記「ＩＩ．［２］２．（２−１）刊行物１に記載された発明」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明１と上記刊行物１発明とを対比すると、両者は上記「ＩＩ．［２］２．（２−２）対比・判断」で検討した（ア）−（オ）に加えて、次の事項も認められる。
　
（カ）刊行物１発明では、薄膜の形成を、「蒸着またはめっき法でメタライズ処理する、または、背面全体を導電塗料で覆う工程」によって行うのに対して、本願発明１は「蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいはウェット法」によって行うものである。してみれば、両者は、少なくとも「蒸着」によって薄膜を形成する範囲において、一致するといえる。
　
　そうすると、本願発明１と上記刊行物１発明は、
「一方の基板と他方の基板との間に形成された封止空間内に少なくとも機能素子の一部が配置された電子部品の製造方法であって、
　複数の前記一方の基板を備える第１基板と複数の前記他方の基板を備える第２基板とを貼り合わせる工程と、
　前記第１基板を前記一方の基板に個片化して前記封止空間を形成する工程と、
　薄膜を、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法あるいはウェット法によって、前記一方の基板を覆って形成する工程と、
　前記第２基板を前記他方の基板に個片化する工程と
　を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。」
　において一致しするものの、次の点で一応相違するといえる。
　
　相違点２’：一方の基板を覆う薄膜が、本願発明１では「封止空間内の環境を維持するための封止薄膜」であるのに対し、刊行物１発明には、この点が明らかでない点。
　
　しかしながら、この点は、上記「「ＩＩ．［２］２．（２−２）対比・判断」の「（２）相違点２について」の項で検討したとおり、相違点であるとはいえない。
　してみれば、本願発明１と刊行物１発明との間に相違点はない。
　
［４］むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜請求項１２に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。