Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導管であって、
前方側縁及び後方側縁を備えた少なくとも１本の薄いプラスチックリボンを有し、
該リボンは、その表面が螺旋軸線にほぼ平行に且つその端から間隔をおいた状態で螺旋状に配置され、リボンの各ターンの前方側縁は、直前のターンの後方側縁の上側に重なり、リボンの各ターンの後方側縁は、次のターンの前方側縁の下側に重なり、
前記導管は、上側に重なっている前方側縁と後方側縁とのそれぞれの間に介在したプラスチック補強ビードを更に有し、重なっているリボンは、前記プラスチック補強ビードの輪郭に一致しており、前記上側に重なる縁部が前記ビードの縁で前記下側に重なるリボンと接触または実質的に接触している、
ことを特徴とする導管。
【請求項２】
前記リボンは、通気性プラスチック材料で作られている、
請求項１に記載の導管。
【請求項３】
前記プラスチック補強ビードは、該ビード内に封入された１または２以上の発熱ワイヤを有している、
請求項１または２に記載の導管。
【請求項４】
導管を連続的に形成する装置であって、
少なくとも１つの薄いプラスチックリボンを受けるフォーマを有し、前記フォーマは、その周りに前記リボンを引き入れ、前記リボンをこれに沿って前進させて前記リボンの螺旋構造を形成し、前記螺旋構造のピッチは、前記リボンの幅よりも幾分小さく、
前記装置は、リボンを前記フォーマ上の第１の位置で前記フォーマに送る手段と、
溶融ビードを、前記リボンを送る第１の位置から１ターンピッチ未満の第２の位置で前記フォーマに連続的に送る手段とを更に有し、
前記第２の位置は、リボンを送る前記手段によって送られるリボンの後方側縁の予想位置に一致しており、前記リボンの上側に重なる縁が、前記ビードの輪郭に一致しており、前記ビードの縁で、前記リボンの下側に重なる縁に接触または実質的に接触する、
ことを特徴とする装置。
【請求項５】
導管を連続的に形成する装置であって、
プラスチックリボンを受けるフォーマを有し、前記フォーマは、その周りに前記リボンを引き入れ、前記リボンをこれに沿って前進させて前記リボンのオーバーラップ螺旋構造を形成し、前記螺旋構造のピッチは、前記リボンの幅よりも幾分小さく、
前記装置は、第１のリボンを第１の場所で前記フォーマに送る第１の手段と、
第２のリボンを前記第１のリボンの次の場所で前記フォーマに送る第２の手段と、
溶融ビードを前記第２のリボンを送る位置から１ターンピッチ未満の位置で前記フォーマに連続的に送る手段と、を更に有し、
前記位置は、前記第２のリボンの後方側縁の予想位置に一致し、前記リボンの上側に重なる縁は、前記ビードの輪郭に一致しており、前記ビードの縁で、前記リボンの下側に重なる縁に接触または実質的に接触している、
ことを特徴とする装置。
【請求項６】
前記第２のリボンが前記第１のリボンの上側に重なる前に、前記第１のリボンの外側に任意の材料をつける手段は設けられていない、
ことを特徴とする請求項５に記載の導管の連続形成装置。
【請求項７】
図２に記載された断面を有する導管。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枢軸（１）によって開閉可能に枢着され、該枢軸（１）よりも先端側を挟持部（２）とし、後端側を開閉操作部（３）とし、常時、ばねによって先端側の挟持部（２）に閉合力を付与された一対のクリップ片（４，５）を主体とし、このクリップ片（４，５）の前記挟持部（２）の外面に前記枢軸（１）付近から先端側に向けて目盛（６）を設けた裾上げ用クリップであって、
前記一対のクリップ片（４，５）の挟持部（２）に滑り止め手段（７）が設けてあり、この滑り止め手段（７）は、一方のクリップ片（４）の挟持部（２）の内面にゴム凸部（７ｇ）を設置し、これに対応する凹部を他方のクリップ片（５）に設けてなることを特徴とする裾上げ用クリップ。
【請求項２】
前記ゴム凸部（７ｇ）を、一方のクリップ片（４）の挟持部（２）の内面に１又は２以上設置し、前記凹部を、凹穴（７ｉ）により構成して他方のクリップ片（５）に設けたことを特徴とする請求項１に記載の裾上げ用クリップ。
【請求項３】
前記ゴム凸部（７ｇ）を、一方のクリップ片（４）の挟持部（２）の内面に長手方向に適宜の間隔で複数に分散して設置し、前記凹部を、複数のゴム凸部（７ｇ）に対応するスリット状凹部（７ｈ）により構成して他方のクリップ片（５）に設けたことを特徴とする請求項１に記載の裾上げ用クリップ。
【請求項４】
前記一対のクリップ片（４，５）の挟持部（２）の先端側に幅方向両側に広くされた拡幅部（４ａ，５ａ）を備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の裾上げ用クリップ。
【請求項５】
前記ゴム凸部（７ｇ）を、一方のクリップ片（４）の拡幅部（４ａ）の内面に設け、前記凹部を、凹穴（７ｉ）により構成して他方のクリップ片（５）の拡幅部（５ａ）に設けたことを特徴とする請求項４に記載の裾上げ用クリップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011256504.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方向に伸縮可能な伸縮性素材からなり、頭に被せられる頭部収容部と、前記頭部収容部の下縁に沿って配置されて額から出る汗を吸収し、前記頭部収容部の頭周方向に沿って伸縮可能な吸汗部材とを備える帽子において、
前記吸汗部材は、額対応部位に非伸縮性付加部を備え、
前記頭部収容部は、下縁に上糸が非伸縮糸からなる第１ステッチが形成され、
前記第１ステッチは、前記上糸が所定間隔離隔して形成された一列のステッチ状であり、前記上糸の間をループ状に連結する第１下糸と第２下糸とを含むことを特徴とする帽子。
【請求項２】
前記非伸縮性付加部は、防水機能を有することを特徴とする請求項１に記載の帽子。
【請求項３】
前記非伸縮性付加部は、織物、編物、不織布、フィルムのうち少なくとも一つを縫製結合して形成したことを特徴とする請求項２に記載の帽子。
【請求項４】
前記非伸縮性付加部は、固着剤を塗布して形成したことを特徴とする請求項２に記載の帽子。
【請求項５】
前記非伸縮性付加部は、非伸縮性フィルムを超音波または高周波で熱結合して形成したことを特徴とする請求項２に記載の帽子。
【請求項６】
前記第１ステッチから所定間隔上方に上糸が非伸縮糸からなる、所定間隔離隔した第２ステッチが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の帽子。
【請求項７】
前記第２ステッチは、前記上糸をループ状に連結する下糸を含むことを特徴とする請求項６に記載の帽子。
【請求項８】
前記吸汗部材は、一種の伸縮バンドまたは生地（ｆａｂｒｉｃ）からなることを特徴とする請求項１に記載の帽子。
【請求項９】
少なくとも一方向に伸縮可能な伸縮性素材からなり、頭に被せられる頭部収容部と、前記頭部収容部の下縁に沿って配置されて額から出る汗を吸収し、前記頭部収容部の頭周方向に沿って伸縮可能な吸汗部材とを備える帽子の製造方法において、
前記吸汗部材に部分的に非伸縮性付加部を形成するステップを含み、
前記少なくとも一つ以上が伸縮性を有する複数の布片を縫製して頭部収容部を形成するステップと、
前記頭部収容部の下縁に沿って所定間隔をおいて非伸縮糸を上糸として用いる第１ステッチを形成するステップとを含み、
前記第１ステッチの前記上糸は、所定間隔離隔して形成された一列のステッチ状をなし、前記上糸の間をループ状に連結する第１下糸と第２下糸とを含むことを特徴とする帽子の製造方法。
【請求項１０】
前記非伸縮性付加部を形成するステップは、非伸縮性織物、非伸縮性編物、不織布、フィルムの少なくとも一つを前記吸汗部材に部分的に取り付けるステップ、固着剤を前記吸汗部材に部分的に塗布するステップ、または、非伸縮性フィルムを前記吸汗部材に部分的に超音波または高周波で熱結合するステップのうちの一つを含むことを特徴とする請求項９に記載の帽子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１ステッチから所定間隔上方に非伸縮糸を上糸として用いる第２ステッチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項９に記載の帽子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２ステッチの上糸は、所定間隔離隔して形成された一列のステッチ状に形成され、前記上糸の間を下糸が連結することを特徴とする請求項１１に記載の帽子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２ステッチを形成した後、前記頭部収容部の下縁に沿って前記吸汗部材をインチテープなしに縫製するステップを含むことを特徴とする請求項１２に記載の帽子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の一実施形態によれば、少なくとも一方向に伸縮可能な伸縮性素材からなり、頭に被せられる頭部収容部と、前記頭部収容部の下縁に沿って配置されて額から出る汗を吸収し、前記頭部収容部の頭周方向に沿って伸縮可能な吸汗部材とを備える帽子において、前記吸汗部材は、額対応部位に非伸縮性素材からなる非伸縮性付加部を備えることを特徴とする。
前記頭部収容部は、下縁に上糸が非伸縮糸からなる第１ステッチが形成されている。
前記第１ステッチは、前記上糸が所定間隔離隔して形成された一列のステッチ状であり、前記上糸の間をループ状に連結する第１下糸と第２下糸とを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の実施形態によれば、少なくとも一方向に伸縮可能な伸縮性素材からなり、頭に被せられる頭部収容部と、前記頭部収容部の下縁に沿って配置されて額から出る汗を吸収し、前記頭部収容部の頭周方向に沿って伸縮可能な吸汗部材とを備える帽子の製造方法において、前記吸汗部材の額対応部位に非伸縮性付加部を額に当接しないように形成するステップを含むことを特徴とする。
また、本発明の他の実施形態の帽子の製造方法は、前記少なくとも一つ以上が伸縮性を有する複数の布片を縫製して頭部収容部を形成するステップと、前記頭部収容部の下縁に沿って所定間隔をおいて非伸縮糸を上糸として用いる第１ステッチを形成するステップとを含む。
前記第１ステッチの前記上糸は、所定間隔離隔して形成された一列のステッチ状をなし、前記上糸の間をループ状に連結する第１下糸と第２下糸とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス廃材を粉砕したガラス粒に発泡材を加えて混合し、この混合物を加熱溶融発泡させた後、冷却粉砕して発泡ガラス粒を得て、該発泡ガラス粒を主材とし、これに粘土を加えて混合し、この混合物を瓦型に入れ加圧成形して素瓦とし、この素瓦を取り出して７５０℃〜８５０℃で１時間〜５時間焼成したことを特徴とする軽量瓦の製造方法。
【請求項２】
発泡ガラス粒の嵩比重を０．７〜１．５０とし、前記発泡ガラス粒の適量と、粘土の適量を加えて成形し、これを焼成して比重１．０〜２．０の瓦を製造することを特徴とした請求項１記載の軽量瓦の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の軽量瓦の外面に遮熱塗料を塗布したことを特徴とする軽量瓦の製造方法。
【請求項４】
ガラス廃材を粉砕したガラス粒に発泡材を加えて混合し、この混合物を加熱溶融発泡させた後、冷却粉砕して発泡ガラス粒を得て、該発泡ガラス粒を主材とし、これに粘土を加えて混合し、この混合物をタイル型に入れ加圧成形して素タイルとし、この素タイルを取り出して７５０℃〜８５０℃で１時間〜５時間焼成したことを特徴とする軽量タイルの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法により製造した軽量瓦。
【請求項６】
請求項４記載の方法により製造した軽量タイル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、発泡ガラス粒の嵩比重を０．７〜１．０とし、前記発泡ガラス粒の適量と、粘土の適量を加えて成形し、これを焼成して比重１．０〜２．０の瓦を製造することを特徴とした請求項１記載の軽量瓦の製造方法であり、請求項１記載の軽量瓦の外面に遮熱塗料を塗布したことを特徴とする軽量瓦の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、瓦の発明は請求項１記載の方法により製造した軽量瓦であり、タイルの発明は請求項４記載の方法により製造した軽量タイルである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年家庭用（戸建て住宅用）の分散型エネルギープラントとして燃料電池システムの普及と商業化が期待されている。この種の燃料電池では、燃料ガスや液体燃料、改質器に供給する水、改質器でできた水素などを燃料電池自体に供給するためのポンプが必要になる。また燃料から必要な水素（Ｈ2）を取り出す改質時に一酸化炭素（ＣＯ）が生成されるが、この一酸化炭素は電池触媒の性能に悪影響を及ぼすため、一酸化炭素濃度低減のため選択酸化用空気の流量制御も同時に求められる。さらに分析装置や医療関連（投薬、臨床試験など）では、気体や液体の微少量の供給が必要になる。さらに、電子機器の性能向上に伴って発生する熱を放出し冷却するためのポンプも必要になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】本発明の一実施例であるマイクロダイヤフラムポンプの斜視図
【図２】同じく分解斜視図
【図３】同じく拡大側断面図
【図４】同じく一部の拡大分解斜視図
【図５】同じく弁板シートの弁板と流路開口の平面図
【図６】同じく弁座シートの弁座と弁ストッパの平面図
【図７】図６におけるVII−VII線拡大断面図
【図８】図５のVIII−VIII線で断面した積層体の側断面図
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この場合環状の突条にはＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）の皮膜を形成しておくのがよい（請求項７）。ＤＬＣは分子構造が潤滑性が良いカーボン構造と、硬度が高いダイヤモンド構造とを含み、両者の長所を有するものである。従って突条の硬化と平滑化が可能になり、耐摩耗性と耐久性が向上すると共に、シール性が向上する。このように突条にＤＬＣ加工をした場合には、ＤＬＣの硬度が高いことを利用して弁板をこの突条にスタンピング（押圧）することによって、弁板と弁座の密着性を一層向上させることができる（請求項８）。このスタンピングを可能にするためには、弁ストッパにスタンピング加工用の加工具（パンチなど）を通す開口を形成しておく（請求項９）。すなわち弁ストッパは、弁座となる突条に対向する（従って弁板に対向する）環状部とこの環状部の周囲に周方向に分割した流路を設け、この環状部にスタンピング工具を挿通すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
１８は弁座シートであり、図６に示すように、ステンレス薄板に、弁座２０と弁ストッパ２２とをエッチングやプレス打ち抜きにより形成したものである。弁座２０は、流路となる円形の開口２０ａと、この周縁に沿う環状の突条２０ｂとを有する。この突条２０ｂは、図７に示すように、突条２０ｂを残してその回りをハーフエッチングする（所定の深さまでエッチングによって除去する）ことにより僅かにへこませることで形成できる。図７で２０ｃはこのハーフエッチングする範囲を示す。ハーフエッチングするのは、開口２０ａの中心から流路開口１６とほぼ同径の範囲である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この予備積層体２４には図４に示すように、上方から吸入弁２６の弁ストッパ２２に設けた開口部２２ｃに円環状プレス面を持つスタンピング工具（ポンチなど）３０の先端をを通して、弁板１４をその下の弁座２０の突条２０ｂに押圧する（スタンピングする）。同様に下方から吐出弁２８の弁ストッパ２２に設けた開口部２２ｃにスタンピング工具３０の先端を通し、弁板１４をその上の弁座２０の突条２０ｂに押圧する。この結果弁板１４と突条２０ｂとのなじみが向上し、閉弁時のシール性を向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
３４は枠体であり、ベース板３２と外形が同じで、厚さが０．０２mmのステンレス薄板に外周縁から所定幅内側の四角形の開口部３４ａを打ち抜いたものである。この開口部３４ａは吸入弁２６と吐出弁２８の周囲を囲んでいる。３６はダイヤフラムであり、厚さ０．０５mmのステンレス薄板である。これもベース板３２と外形が同じである。３８は第２の枠体であり、厚さ０．０４mmのステンレス薄板である。この第２の枠体３８は外形がベース板３２と同一である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタであって、
活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記活性層に接して前記ゲート電極の両側に設けられたソース電極及びドレイン電極とを具備し、
前記活性層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物のいずれかである非晶質酸化物からなり、
前記非晶質酸化物は、Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる１種または複数種の不純物元素を含み、且つ、電子キャリア濃度が１０１２／ｃｍ３以上、１０１８／ｃｍ３未満であり、
ゲート電圧無印加のドレイン・ソース端子間の電流が１０マイクロアンペア未満、電界効果移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記不純物元素の濃度は、０．１〜３atomic％であることを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記不純物元素の濃度は、０.０１〜１atomic％であることを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
トップゲート構造であることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
ボトムゲート構造であることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一のニューロピリン(ＮＲＰ)媒介性の生物学的活性を阻害することができる抗ニューロピリン-１(ＮＲＰ１)抗体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
SiCの表面からなる基板上にエピタキシ法によりグラフェンを製造するにあたり、基板（3）からのシリコンの昇華の過程がエピタキシャル反応器を通して不活性ガス（10）や不活性ガス以外のガス（12）の流れによって制御されることを特徴とする方法。
【請求項２】
不活性ガス（10）の流量を6 l/minから70 l/minまで変化させ、シリコンの昇華を部分的に抑制する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
不活性ガス（10）の流量を好ましくは18 ｌ/minから26 l/minまで変化させ、シリコンの昇華を部分的に抑制する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
不活性ガス（10）の流量を6l/minよりも低くし、シリコンの昇華を阻止する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項５】
最初は不活性ガス（10）流量を、6 l / minから70 l / minまで変化させ、その後不活性ガス（10）の流量を6 l/minより低い値に低下させることを特徴とする前記請求項１に記載の方法。
【請求項６】
最初は不活性ガス（10）流量を18 l/minから26 l/minまで変化させ、その後不活性ガス（10）の流量を6 l/minより低い値に低下させることを特徴とする前記請求項１に記載の方法。
【請求項７】
エピタキシーに先立ち、１４００℃〜２０００℃に変化する温度で、エッチングを行うことを特徴とする前記請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
エッチングが10mbarから1000mbarまで変化する圧力で行われることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
エッチングが水素を含むガス雰囲気中で行われることを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
雰囲気がさらにプロパン、シラン、それらの混合物または他の炭化水素を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
【請求項１１】
エッチングが5 l/minから90 l/minまで変化するガスの流量値において行われることを特徴とする請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
エッチングがシランを含む雰囲気中で行われ、シランガスの流量値が1ml/minから100ml/minまで変化することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
エッチングがプロパンガス(12)を含む雰囲気中で行われ、プロパン（12）の流量が1ml/minから100ml/minまで変化することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
基板（3）がSiCの基板であって、次のポリタイプ、4H - SiC、6H - SiC、3C - SiC、のいずれか一つを有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
エピタキシーがSiの極性を有する基板（3）の側で実行されることを特徴としている請求項1４に記載の方法。
【請求項１６】
前記不活性ガス（10）が希ガスであることを特徴とする前記請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記不活性ガス（10）がアルゴンであることを特徴とする前記請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記不活性ガス（10）がアルゴンであり、そのアルゴン（10）の圧力が10-4mbarから大気圧まで変化することを特徴とする請求項1７に記載の方法。
【請求項１９】
前記不活性ガス（10）がアルゴンであり、当該基板（3）がSiCの基板であり、1100℃以上の温度に保持され、そして反応器内でのアルゴン（10）の圧力と反応器を通ったアルゴン（10）の流速との積が停滞するアルゴン層が、シリコンの昇華（9）を防止し、当該基板（3）の表面上に作成されるように調整することを特徴とする前記請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記請求項１〜１９のいずれかに記載の方法によって単一の炭素層を堆積し、それに得られるグラフェン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）少なくとも１つの熱可塑性樹脂であって、エチレンと、
プロピレン、Ｃ4−Ｃ20直鎖、分岐または環状ジエン、および式Ｈ2Ｃ＝ＣＨＲ（式中、ＲはＣ1−Ｃ20直鎖、分岐または環状アルキル基またはＣ6−Ｃ20アリール基である）によって表される化合物から成る群より選択される少なくとも１つのコモノマーとのコポリマーを含む
熱可塑性樹脂と；
（Ｂ）少なくとも１つの分散剤と；を含む溶融混練生成物を含む水性分散物であって、該水性分散物が、
１〜３重量％の水と、塩基との存在下で、押出機の乳化ゾーンにおいて、
乳化混合物を形成し、
前記乳化混合物を追加の水で希釈しつつ、かつ前記乳化混合物から熱を除去しつつ、前記乳化混合物を押出機の希釈ゾーンに運搬することによって形成され、
前記水性分散物が、８〜１１の範囲のｐＨと、０．５〜５μｍの平均粒径と、１０〜７０重量％の範囲の固体含有率を有する、水性分散物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板に設けられ、第２導電型チャネルを形成するＭＩＳＦＥＴと、前記半導体基板が有する第２導電型の第１ウェルに設けられたＭＩＳキャパシタとを含むメモリセルを備え、
前記ＭＩＳＦＥＴは、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記半導体基板における前記ゲート電極の両側に設けられたソース・ドレイン不純物層とを含み、
前記ＭＩＳキャパシタは、第１電極として機能する前記第１ウェル上に第１容量絶縁膜を介して形成された第２電極と、前記第１ウェルに設けられた第１導電型の第１不純物層とを含み、
前記ゲート電極と、前記第２電極とが電気的に接続されてフローティングゲートを構成し、
前記ゲート絶縁膜と前記第１容量絶縁膜とは材料及び膜厚が同一であり、
前記ゲート電極と前記第２電極とは同一の導電膜からなり、
前記半導体基板と前記第１ウェルとの境界を跨ぐように第２不純物層が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第２不純物層は、第１導電型であり、
前記第２不純物層と前記第１ウェルとの接合の逆方向耐圧は、前記半導体基板と前記第１ウェルとの接合の逆方向耐圧よりも低く、且つ、前記メモリセルの動作時に前記第１ウェルに印加される電圧よりも高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第２不純物層は、前記第１不純物層と同一の深さ及び不純物濃度を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第２不純物層は、第２導電型であり、
前記第２不純物層と前記半導体基板との接合の逆方向耐圧は、前記半導体基板と前記第１ウェルとの接合の逆方向耐圧よりも低く、且つ、前記メモリセルの動作時に前記第１ウェルに印加される電圧よりも高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項４の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第２不純物層は、前記ソース・ドレイン不純物層と同一の深さ及び不純物濃度を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つの不揮発性半導体記憶装置において、
前記ＭＩＳＦＥＴは、前記半導体基板に代えて、前記半導体基板に設けられた第１導電型の第２ウェルに形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つに記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記半導体基板はＰ型であり、
前記ＭＩＳＦＥＴはＮ型ＭＩＳＦＥＴであり、
前記ＭＩＳキャパシタはＰ型ＭＩＳキャパシタであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一つに記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記ゲート絶縁膜が占める面積は、前記第１容量絶縁膜が占める面積よりも小さいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一つに記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記ＭＩＳキャパシタは、書き込み用キャパシタであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか１つの不揮発性半導体記憶装置において、
前記メモリセルは、更に、前記半導体基板が有する第２導電型の第３ウェルに設けられた第２ＭＩＳキャパシタを含み、
前記第２ＭＩＳキャパシタは、第３電極として機能する前記第３ウェル上に第２容量絶縁膜を介して形成された第４電極を含み、
前記ゲート電極、前記第２電極及び前記第４電極が電気的に接続されてフローティングゲートを構成し、
前記第２容量絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜及び前記第１容量絶縁膜と材料及び膜厚が同一であり、
前記第４電極は、前記ゲート電極および前記第２電極と同一の導電膜からなり、
前記半導体基板と前記第３ウェルとの境界を跨ぐように第３不純物層が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項１０の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第２ＭＩＳキャパシタは、前記第３ウェルに形成された第１導電型の第４不純物層を更に備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第３不純物層は第１導電型であり、
前記第３不純物層と前記第３ウェルとの接合の逆方向耐圧は、前記半導体基板と前記第３ウェルとの接合の逆方向耐圧よりも低く、且つ、前記メモリセルの動作時に前記第３ウェルに印加される電圧よりも高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１３】
請求項１２の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第３不純物層は、前記第２不純物層と同一の深さ及び不純物濃度を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１４】
請求項１０又は１１の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第３不純物層は第２導電型であり、
前記第３不純物層と前記半導体基板との接合の逆方向耐圧は、前記半導体基板と前記第３ウェルとの接合の逆方向耐圧よりも低く、且つ、前記メモリセルの動作時に前記第３ウェルに印加される電圧よりも高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１５】
請求項１４の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第３不純物層は、前記ソース・ドレイン不純物層と同一の深さ及び不純物濃度を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１６】
請求項１０〜１５のいずれか一つの不揮発性半導体記憶装置において、
前記半導体基板はＰ型であり、
前記ＭＩＳＦＥＴはＮ型ＭＩＳＦＥＴであり、
前記第１ＭＩＳキャパシタ及び前記第２ＭＩＳキャパシタは、いずれもＰ型ＭＩＳキャパシタであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれか一つの不揮発性半導体記憶装置において、
前記ゲート絶縁膜が占める面積は、前記第１容量絶縁膜が占める面積よりも小さく、且つ、前記第２容量絶縁膜が占める面積よりも大きいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１８】
請求項１０〜１７のいずれか一つの不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１ＭＩＳキャパシタは書き込み用キャパシタであり、
前記第２ＭＩＳキャパシタは消去用キャパシタであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶマスクの形成に用いられるマスク基板として、一方の主面に第１の親水性を有した第１の膜が形成されるとともに他方の主面にレジストが塗布されたマスク基板を、前記レジスト側から露光する露光ステップと、
前記第１の膜の表面を親水化処理し、これにより前記第１の膜の表面を前記第１の親水性よりも大きな第２の親水性にする親水化ステップと、
前記第１の膜の表面が第２の親水性に親水化処理されたマスク基板に対し前記レジストを現像処理する現像ステップと、
を含み、
前記親水化ステップは、前記第１の膜の表面にＵＶ光を照射することによって前記第１の膜の表面を第２の親水性に親水化処理するとともに、前記第１の膜の表面のリンス液に対する接触角が５度以下となるよう前記第１の膜の表面を第２の親水性に親水化処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
ＥＵＶマスクの形成に用いられるマスク基板として、一方の主面に第１の親水性を有した第１の膜が形成されるとともに他方の主面にレジストが塗布されたマスク基板を、前記レジスト側から露光する露光ステップと、
前記第１の膜の表面を親水化処理し、これにより前記第１の膜の表面を前記第１の親水性よりも大きな第２の親水性にする親水化ステップと、
前記第１の膜の表面が第２の親水性に親水化処理されたマスク基板に対し前記レジストを現像処理する現像ステップと、
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
前記親水化ステップは、前記第１の膜の表面にＵＶ光を照射することによって前記第１の膜の表面を第２の親水性に親水化処理することを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記親水化ステップは、前記第１の膜の表面に酸化性液体を供給することによって前記第１の膜の表面を第２の親水性に親水化処理することを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記現像処理の際に行われる前記レジストへの現像液の供給は、前記親水化処理の際に行われる前記第１の膜の表面への酸化性液体の供給と同時に行なわれることを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記親水化ステップは、前記第１の膜の表面のリンス液に対する接触角が５度以下となるよう前記第１の膜の表面を第２の親水性に親水化処理することを特徴とする請求項２〜５のいずれか１つに記載の基板処理方法。
【請求項７】
請求項２乃至６に記載の基板処理方法によって製造されることを特徴とするＥＵＶマスクの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のＥＵＶマスクの製造方法によって製造されたことを特徴とするＥＵＶマスク。
【請求項９】
請求項８に記載のＥＵＶマスクを用いてウエハへのＥＵＶ露光を行なうＥＵＶ露光ステップを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッファ層と発光層を含む半導体積層部と、
前記発光層から発せられる光が入射し、当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成され、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで反射するとともに、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで透過する回折面と、
前記回折面にて回折した複数のモードの光を反射して前記回折面へ再入射させる反射面と、を備え、
前記半導体積層部の前記バッファ層は、前記回折面上に形成されるとともにＡｌＮを含むIII族窒化物半導体で構成され、
前記回折面の前記凹部又は前記凸部は、側面と、前記側面の上端から前記凹部又は前記凸部の中心側へ湾曲して伸びる湾曲部と、を有する半導体発光素子。
【請求項２】
前記回折面は、基板に形成される請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記回折面には前記凹部が形成される請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記凹部の周期は、前記光学波長の２倍より大きい請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記凹部の周期は、前記コヒーレント長の半分以下である請求項３または４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記発光層は、青色光を発し、
前記周期は、３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である請求項３から５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記回折面は、屈折率の差が０．５以上の異なる材料同士の界面に形成されている請求項３から６のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
請求項３から７に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
側面と上面の会合部により角が形成された凹部を形成を回折面に形成する工程と、
エッチングにより前記角を落として湾曲部を形成する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィツールから多相流体を抽出するシステムであって、
前記フォトリソグラフィツールから前記多相流体を引き出すポンプ装置と、
前記ポンプ装置から上流に位置して前記フォトリソグラフィツールから引き出された前記多相流体を気体相及び液体相に分離する分離手段と、
を備え、
前記ポンプ装置は、前記分離手段から気体を抽出する第１のポンプユニット及び前記分離手段から液体を抽出する第２のポンプユニットを備え、
当該システムは、前記分離手段内の圧力をその中の気体及び液体の量を調節することによって制御する圧力制御システムを更に備える、ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記圧力制御システムは、前記分離手段内の圧力をその中の気体の量及び液体の量をそれぞれ調節することによって制御する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記圧力制御システムは、前記分離手段内の圧力をその中の気体の量及び液体の量を能動的に調節することによって制御する請求項１又は請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記圧力制御システムは、前記分離手段内の圧力をその中の気体の量及び液体の量を別々に調節することによって制御する請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記圧力制御システムは、前記分離手段内の圧力をその中の気体の量及び液体の量を、該気体の圧力及び該液体の圧力に基づいて調節することによって制御する請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
前記圧力制御システムは、
気体をその供給源から前記分離手段に供給する気体供給手段と、
前記分離手段への気体の流量を制御する制御手段と、
を備える、請求項２から請求項５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記気体供給手段は、可変流量制御装置を備え、これを通して気体が前記分離手段に供給され、
前記制御装置は、前記可変流量制御装置の伝導率を変えて前記分離手段内の圧力を制御する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記制御手段は、前記分離手段内の圧力を示す信号を受信し、該受信信号に基づいて前記可変流量制御装置の伝導率を制御するコントローラを備える、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記コントローラは、更に、前記受信信号に基づいて前記分離手段からの気体の流量を制御する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記圧力制御システムは、更に別の可変流量制御装置を備え、これを通して気体が前記第１のポンプユニットよって前記分離手段から抽出され、
前記コントローラは、前記受信信号に基づいて前記更に別の可変流量制御装置の伝導率を制御する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記圧力制御システムは、前記分離手段からの気体の流量を制御する制御手段を備える、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記圧力制御システムは、可変流量制御装置を備え、これを通して気体が前記第１のポンプユニットによって前記分離手段から抽出され、
前記制御手段は、前記可変流量制御装置の伝導率を制御して前記分離手段内の圧力を制御する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記制御手段は、前記分離手段内の圧力を示す信号を受信し、該受信信号に基づいて前記可変流量制御装置の伝導率を制御するコントローラを備える、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記圧力制御システムは、
液体をその供給源から前記分離手段に供給するための液体供給手段と、
前記分離手段への液体の流量を制御する制御手段と、
を備える、請求項２から請求項１３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１５】
フォトリソグラフィツールから多相流体を抽出する方法であって、
抽出タンクを通じて前記フォトリソグラフィツールにポンプ装置を接続する段階と、
前記フォトリソグラフィツールから前記多相流体を引き出すように前記ポンプ装置を作動させる段階と、
前記フォトリソグラフィツールから引き出された前記多相流体を前記抽出タンク内で気体相及び液体相に分離する段階と、
前記ポンプ装置により前記抽出タンクから気体と液体を別々に抽出する段階と、
前記抽出タンク内の圧力をその中の気体及び液体の量を調節することによって制御する段階と、
を含む、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遷移金属錯体の反応生成物であり、当該遷移金属錯体の中心金属が、少なくともバナジウム、レニウム及び白金よりなる群から選択される１種以上の遷移金属を含むか、或いはバナジウム、レニウム及び白金よりなる群から選択される１種以上の遷移金属とモリブデンとの混合物であり、前記遷移金属錯体とカルボニル基及び／又は水酸基を有する有機溶媒とが酸化還元反応した遷移金属酸化物である、正孔注入輸送層形成用材料。
【請求項２】
中心金属が、少なくともバナジウム、レニウム及び白金よりなる群から選択される１種以上の遷移金属を含むか、或いはバナジウム、レニウム及び白金よりなる群から選択される１種以上の遷移金属とモリブデンとの混合物である遷移金属錯体と、カルボニル基及び／又は水酸基を有する有機溶媒とを含有する正孔注入輸送層形成用インクを調製する工程と、前記遷移金属錯体の少なくとも一部をカルボニル基及び水酸基の少なくとも１つを有する有機溶媒と酸化還元反応させて遷移金属酸化物とする酸化物化工程とを有することを特徴とする、正孔注入輸送層形成用材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】正孔注入輸送層形成用材料及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、正孔注入輸送層に、中心金属として特定の遷移金属を有する遷移金属錯体を用い、当該遷移金属錯体の反応生成物とすることにより、電荷移動錯体を形成可能で正孔注入特性を向上し、且つ、隣接する電極や有機層との密着性にも優れた、安定性の高い膜となることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明の正孔注入輸送層形成用材料は、遷移金属錯体の反応生成物であり、当該遷移金属錯体の中心金属が、少なくともバナジウム、レニウム及び白金よりなる群から選択される１種以上の遷移金属を含むか、或いはバナジウム、レニウム及び白金よりなる群から選択される１種以上の遷移金属とモリブデンとの混合物であり、前記遷移金属錯体とカルボニル基及び／又は水酸基を有する有機溶媒とが酸化還元反応した遷移金属酸化物であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に用いられる前記特定の遷移金属を中心金属として有する遷移金属錯体の反応生成物は、無機化合物の金属酸化物と異なり、金属の価数や配位子により、電荷注入性や電荷輸送性をコントロールできる。また、前記遷移金属錯体は、無機化合物の金属酸化物と異なり、配位子中に有機部分を含み得るため、有機物である正孔輸送性化合物との相溶性が良好となり、且つ、隣接する有機層との界面の密着性も良好となる。また、従来用いられていた銅フタロシアニンのような金属錯体と比べて、当該遷移金属錯体は反応性が高く、当該遷移金属錯体の反応生成物は、電荷移動錯体を形成しやすいと考えられる。そのため、当該遷移金属錯体の反応生成物を含有する正孔注入輸送層を備えたデバイスは、低電圧駆動、高電力効率、長寿命なデバイスを実現することが可能である。
また、当該デバイスにおいては、前記遷移金属錯体の配位子の種類を選択したり配位子を修飾することにより、溶剤溶解性や親水性・疎水性、電荷輸送性、あるいは密着性などの機能性を付与するなど、多機能化することが容易である。
当該デバイスの正孔注入輸送層に用いられる前記遷移金属錯体は、適宜選択することにより合成ステップ数が少なく簡単に合成できるため、安価に高性能なデバイスを作製することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に用いられる前記遷移金属錯体は、溶剤溶解性を有するか、或いは共に用いる正孔輸送性化合物との相溶性が高いものが多い。この場合には、溶液塗布法によっても薄膜形成が可能であるため、製造プロセス上のメリットが大きい。このように溶液塗布法を適用する場合において、前記遷移金属錯体は、例えば顔料のように凝集する傾向がなく、溶液中での安定性が高いため、歩留まりが高いという利点がある。また、溶液塗布法によって正孔注入輸送層を形成する場合には、撥液性バンクを持つ基板に正孔注入輸送層から発光層までを順次塗布プロセスのみで形成できる。そのため、無機化合物の金属酸化物の場合のように正孔注入層を高精細なマスク蒸着等で蒸着した後に、正孔輸送層や発光層を溶液塗布法で形成し、さらに第二電極を蒸着するようなプロセスと比較して、単純であり、低コストでデバイスを作製できる利点がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明に係る正孔注入輸送層形成用材料の製造方法は、中心金属が、少なくともバナジウム、レニウム及び白金よりなる群から選択される１種以上の遷移金属を含むか、或いはバナジウム、レニウム及び白金よりなる群から選択される１種以上の遷移金属とモリブデンとの混合物である遷移金属錯体と、カルボニル基及び／又は水酸基を有する有機溶媒とを含有する正孔注入輸送層形成用インクを調製する工程と、前記遷移金属錯体の少なくとも一部をカルボニル基及び水酸基の少なくとも１つを有する有機溶媒と酸化還元反応させて遷移金属酸化物とする酸化物化工程とを有することを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、第１領域と、第１領域に比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域とを含み、第２領域は、一方の主面から所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり、第２領域のＧａ／Ｎ組成比が、第１領域の深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上であり、キャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3以上であるＧａＮ基板である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、第１領域と、第１領域に比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域とを含み、キャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3以上であるＧａＮ基板の製造方法であって、一方の主面側からイオン、原子もしくは電子を注入することにより、または、レーザを照射することにより、上記主面から所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり上記注入または上記照射前のＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上のＧａ／Ｎ組成比を有する第２領域を形成するＧａＮ基板の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と、前記第１領域に比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域とを含み、
前記第２領域は、一方の主面から所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり、前記第２領域のＧａ／Ｎ組成比が、前記第１領域の深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上であり、
キャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3以上であるＧａＮ基板。
【請求項２】
前記第２領域のＧａ組成が、前記第１領域の深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ組成に対して１．０５以上である請求項１に記載のＧａＮ基板。
【請求項３】
前記第２領域のＮ組成が、前記第１領域の深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＮ組成に対して０．９４以下である請求項１に記載のＧａＮ基板。
【請求項４】
前記第２領域のＧａ組成およびＮ組成が、それぞれ前記第１領域の深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ組成およびＮ組成と異なる請求項１から請求項３までのいずれかに記載のＧａＮ基板。
【請求項５】
前記第２領域は、ＧａおよびＮ以外の元素のイオン、原子または電子を含む請求項１から請求項４までのいずれかに記載のＧａＮ基板。
【請求項６】
前記第２領域は結晶歪みを有する歪み領域であり、外部から加えられるエネルギーにより前記第２領域において分離される請求項１から請求項５までのいずれかに記載のＧａＮ基板。
【請求項７】
前記エネルギーは、熱エネルギー、電磁波エネルギー、光エネルギー、力学的エネルギーおよび流体エネルギーの少なくともいずれかである請求項６に記載のＧａＮ基板。
【請求項８】
第１領域と、前記第１領域に比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域とを含み、キャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3以上であるＧａＮ基板の製造方法であって、
一方の主面側からイオン、原子もしくは電子を注入することにより、または、レーザを照射することにより、前記主面から所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり、前記注入または前記照射前のＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上のＧａ／Ｎ組成比を有する前記第２領域を形成するＧａＮ基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２領域のＧａ組成は、前記注入または前記照射前のＧａ組成に対して１．０５以上である請求項８に記載のＧａＮ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２領域のＮ組成は、前記注入または前記照射前のＮ組成に対して０．９４以下である請求項８に記載のＧａＮ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第２領域のＧａ組成およびＮ組成が、それぞれ前記注入または前記照射前のＧａ組成およびＮ組成と異なる請求項８から請求項１０までのいずれかに記載のＧａＮ基板の製造方法。
【請求項１２】
ＧａＮ層と、前記ＧａＮ層と化学組成が異なる異種基板と、が接合しているＧａＮ層接合基板であって、
請求項１から請求項７までのいずれかのＧａＮ基板を準備する第１工程と、
前記ＧａＮ基板の前記主面に前記異種基板を接合する第２工程と、
前記ＧａＮ基板を前記第２領域において分離して、前記異種基板に接合したＧａＮ層を形成することにより、前記ＧａＮ層接合基板を得る第３工程と、を備えるＧａＮ層接合基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２の製造方法により得られたＧａＮ層接合基板を準備する工程と、
前記ＧａＮ層接合基板の前記ＧａＮ層上に、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル層を形成する工程と、を備える半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）誘電材料のプラテン体と、
ｂ）プラテン体の体積当り約2.5％〜約15.0％の量で誘電材料の中に拡散した導電性材料の粒子と
を含む静電ウェハクランプ装置のためのプラテン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信方法、無線通信端末装置及び無線通信基地局装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、無線通信方法、無線通信端末装置及び無線通信基地局装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の目的は、呼接続遅延を低減する無線通信方法、無線通信端末装置及び無線通信基地局装置を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
本発明にかかる無線通信方法、無線通信端末装置及び無線通信基地局装置は、呼接続遅延を低減することができ、移動体無線通信システム等に適用できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信端末装置から無線通信基地局装置に呼確立要求を送信し、
前記無線通信端末装置が前記無線通信基地局装置から無線品質測定の制御情報を受信し、
前記制御情報に従って、無線品質を測定し、
前記無線通信基地局装置から認証用情報を取得する前に、無線品質測定結果を前記無線通信端末装置から前記無線通信基地局装置に報告する、
無線通信方法。
【請求項２】
無線通信基地局装置に呼確立要求を送信する送信手段と、
前記無線通信基地局装置から無線品質測定の制御情報を受信する受信手段と、
前記制御情報に従って、無線品質を測定する測定手段と、
前記無線通信基地局装置から認証用情報を取得する前に、無線品質測定結果を前記無線通信基地局装置に報告する報告手段と、
を具備する無線通信端末装置。
【請求項３】
無線通信端末装置から送信された呼確立要求を受信する受信手段と、
前記呼確立要求に基づいて、上位局装置からの認証取得前に前記無線通信端末装置との無線接続を行い、前記認証取得後に前記無線通信端末装置へのデータチャネルの割り当てを開始する無線制御手段と、
を具備する無線通信基地局装置。