【事件の表示】
　特願２００３−１０２８７３「電気光学装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　４７２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１５年４月７日（優先権主張平成１４年４月２５日）の出願であって、平成１７年６月１０日付けで拒絶理由が通知され、これに対して同年８月９日付けで手続補正がなされたが、同年１０月４日付けで最後の拒絶理由が通知され、これに対して同年１１月８日付けで手続補正がなされたが、同年１２月１３日付けで、前記同年１１月８日付けの手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶すべき旨の査定がされ、これに対して、平成１８年１月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年２月８日に手続補正がされたものである。
　
２．平成１８年２月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年２月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
２．１．目的制限要件違反
２．１．１．補正の概要
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１が、補正前（平成１７年８月９日付け手続補正書参照）の
「【請求項１】　基板上に、画素電極と、該画素電極にスイッチング動作により画像信号を供給する画素用トランジスタと、該画素用トランジスタに前記画像信号を供給する第１配線と、前記画素用トランジスタに前記スイッチング動作を制御するための走査信号を供給する第２配線と、前記第１配線と前記画素用トランジスタとの間に配置され前記画素用トランジスタに重なる遮光膜とを備えてなり、
　前記第２配線は、前記画素用トランジスタのチャネル領域に対向するゲート電極としての幅狭部と、該幅狭部よりも幅広であり、かつ、前記チャネル領域に対向しない幅広部とを含んでいることを特徴とする電気光学装置。」
から、
「【請求項１】　基板上に、画素電極と、該画素電極にスイッチング動作により画像信号を供給する画素用トランジスタと、該画素用トランジスタに前記画像信号を供給する第１配線と、前記画素用トランジスタに前記スイッチング動作を制御するための走査信号を供給する第２配線と、前記第１配線と前記画素用トランジスタに重なる遮光膜とを備えてなり、
　前記第２配線は、前記画素用トランジスタのチャネル領域に対向するゲート電極としての幅狭部と、該幅狭部よりも幅広であり、かつ、前記チャネル領域に対向しない幅広部とを含み、
　前記幅広部は、隣り合う前記幅狭部の間のすべてにおいて、前記第２配線を挟んで相隣接する画素電極間を縫って延びる長手状の第１間隙に沿って形成されており、
　前記幅狭部及び該幅狭部の両側の前記幅狭部と前記幅広部間の境界領域、ならびに、前記両側の境界領域に続く幅広部の一部が、平面的にみて前記第１配線と重なり合うように形成されていることを特徴とする電気光学装置。」
　と補正されたものである。
　
２．１．２．補正の目的
　上記補正は、補正前の第２配線について「前記幅広部は、隣り合う前記幅狭部の間のすべてにおいて、前記第２配線を挟んで相隣接する画素電極間を縫って延びる長手状の第１間隙に沿って形成されており、前記幅狭部及び該幅狭部の両側の前記幅狭部と前記幅広部間の境界領域、ならびに、前記両側の境界領域に続く幅広部の一部が、平面的にみて前記第１配線と重なり合うように形成されていること」と限定する補正をするとともに、補正前の「前記第１配線と前記画素用トランジスタとの間に配置され前記画素用トランジスタに重なる遮光膜」なる発明特定事項を「前記第１配線と前記画素用トランジスタに重なる遮光膜」と補正するものである。
　後者の補正、すなわち補正前の「前記第１配線と前記画素用トランジスタとの間に配置され前記画素用トランジスタに重なる遮光膜」なる発明特定事項を「前記第１配線と前記画素用トランジスタに重なる遮光膜」と補正することは、補正前に記載した発明特定事項を限定する補正ではないことは明らかであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮に該当しない。
　さらに、上記補正は、同条第４項第１号（請求項の削除）、第３号（誤記の訂正）、第４号（明りょうでない記載の釈明）のいずれにも該当しない。
　
２．１．３．小括
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
２．２．独立特許要件違反（記載不備）
　本件補正は上記のように却下されるべきものであるが、仮に全体として平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとした場合、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。
　
２．２．１　本件補正後の請求項１
　本件補正後の請求項１の記載は上記したとおりである。
　そこで、請求項１の以下の（１）または（２）の記載が明りょうであるか否かを検討する。
　
（１）「前記幅広部は、隣り合う前記幅狭部の間のすべてにおいて、前記第２配線を挟んで相隣接する画素電極間を縫って延びる長手状の第１間隙に沿って形成されており」
（２）「前記幅狭部及び該幅狭部の両側の前記幅狭部と前記幅広部間の境界領域、ならびに、前記両側の境界領域に続く幅広部の一部が、平面的にみて前記第１配線と重なり合うように形成されている」
　
２．２．２．記載（１）について
　記載（１）の「前記第２配線を挟んで相隣接する画素電極」について検討する。　
　
　相隣接する複数の画素群の平面図が示された本願の図２には、第２配線である走査線３ａと、画素電極９ａの輪郭部９ａ‘との位置関係が図示されているが、その図面の記載から、画素電極９ａは、平面的にみて第２配線に重なって設けられてはいるが、請求項１に記載したように「第２配線を挟んで」は設けられていない。
　また、本願明細書において、上記図２を説明する段落【００６１】及びその他の個所にも「前記第２配線を挟んで相隣接する画素電極」について説明されていない。
　
　したがって、記載（１）は、発明の詳細な説明で説明されていない事項を含む記載であり、かつ、上記事項を含むことによって、明りょうでない記載となっていることは明らかである。
　
２．２．３．記載（２）について
　
ア　記載（１）と記載（２）との関係について検討する。
　記載（１）の「前記幅広部は、隣り合う前記幅狭部の間のすべてにおいて、前記第２配線を挟んで相隣接する画素電極間を縫って延びる長手状の第１間隙に沿って形成されており」の、とりわけ「隣り合う前記幅狭部の間のすべて」なる記載から、隣り合う前記幅狭部の間には、「前記幅広部」以外の他の構成は存在しないことになる。
　しかるに、記載（２）は、前記幅狭部と前記幅広部との間に、「該幅狭部の両側の前記幅狭部と前記幅広部間の境界領域」を規定する記載である。
　したがって、記載（２）は、記載（１）との関係において、整合する記載とはいえず、明りょうでないことは明らかである。
　
イ　記載（２）の記載自体について検討する。
（ア）本願明細書には、「また、この走査線３ａは、図２からわかるように、その幅広部３ａｂが、平面的にみてデータ線６ａと重なり合う領域を有するように、より具体的には、走査線３ａにおける幅狭部３ａａ及び幅広部３ａｂ間の境界領域が、平面的にみて、データ線６ａの縁部と重なり合うように形成されている。図２においては、この重なり合う領域は、幅Ｗｐを有することが示されている。」（段落【００６５】）という記載がある。
　そして、図２には、段落【００６５】に記載されるように、走査線３ａにおける幅狭部３ａａ及び幅広部３ａｂ間の境界領域が、平面的にみて、データ線６ａの縁部と重なり合うように幅Ｗｐを有することが示されている。
　つまり、段落【００６５】及び図２の記載から、平面的にみて第１配線（データ線６ａ）と重なり合う第２配線（走査線３ａ）の部位は、その幅狭部、及び該幅狭部の両側の前記幅狭部とその幅広部間の境界領域のみであって、「前記両側の境界領域に続く幅広部の一部」は、平面的にみて第１配線とは重なり合わないことは明らかである。
　
（イ）本願明細書及び図面には、平面的にみて第１配線（データ線６ａ）と重なり合う第２配線（走査線３ａ）について、幅狭部３ａａ及び幅広部３ａｂ間の境界領域とは明確に区別される構成として、前記両側の境界領域に続く幅広部の一部が、説明または記載されていない。
　
（ウ）以上のことから、第１配線と重なり合うように形成される第２配線
の部位として請求項１に記載した「前記両側の境界領域に続く幅広部の一部」は、その構成が不明である。
　したがって、「前記両側の境界領域に続く幅広部の一部」を含む記載（２）は明りょうではない。　
　
　以上のア及びイの観点から、記載（２）は明りょうでない。
　
２．２．４．小括
　上記２．２．２及び２．２．３で検討したことから、明りょうでない記載（１）及び記載（２）を含む請求項１の記載は明りょうでなく、請求項１に係る発明は明確とはいえない。
　したがって、本願は特許法第３６条第６項第２号の規定を満たすものでないから、請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、仮に、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正とした場合、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
  　
２．３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないものであり、また、仮に、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正とした場合、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条第５項に規定する要件を満たさないから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年２月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されるべきものであるので、本願の請求項１に係る発明は、平成１７年８月９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「基板上に、画素電極と、該画素電極にスイッチング動作により画像信号を供給する画素用トランジスタと、該画素用トランジスタに前記画像信号を供給する第１配線と、前記画素用トランジスタに前記スイッチング動作を制御するための走査信号を供給する第２配線と、前記第１配線と前記画素用トランジスタとの間に配置され前記画素用トランジスタに重なる遮光膜とを備えてなり、
　前記第２配線は、前記画素用トランジスタのチャネル領域に対向するゲート電極としての幅狭部と、該幅狭部よりも幅広であり、かつ、前記チャネル領域に対向しない幅広部とを含んでいることを特徴とする電気光学装置。」
　
４．引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０１／８２２７３号（以下、「引用刊行物１」という。）には、「電気光学装置」の発明に関して以下の事項が記載されている。
　
＜記載事項１＞
「技術分野
　本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置の技術分野に関し、特に画素電極に対し蓄積容量を付加するための容量電極及び容量線と、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下適宜、ＴＦＴと称す）とを、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に関する。
　
背景技術
　ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、ＴＦＴのゲート電極に走査線を介して走査信号が供給されると、ＴＦＴはオン状態とされ、半導体層のソース領域にデータ線を介して供給される画像信号が当該ＴＦＴのソース−ドレイン間を介して画素電極に供給される。」（第１ページ第４行〜第１５行）
　
＜記載事項２＞
「（第１実施例）
　本発明の第１実施例における電気光学装置の構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
　図１において、本実施例における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例として液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。」（第１５ページ第１７行〜第１６ページ１０行）
　
＜記載事項３＞
「図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａが設けられている。
　また、半導体層１ａのうち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。」（第１６ページ第２０行〜第２８行）
　
＜記載事項４＞
「このような容量電極３０２及びバリア層３０３は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。このような高融点金属から構成することにより、容量電極３０２及びバリア層３０３を各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜として機能させることも可能となる。このような容量電極３０２及びバリア層３０３はスパッタリングにより比較的容易に形成できる。但し、容量電極３０２及びバリア層３０３は、高融点金属以外の金属膜から構成されてもよいし、光吸収層として或いは遮光機能とは無関係に透明な導電性のポリシリコン膜から構成されてもよいし、更に、これらの膜を複数含む多層膜から構成されてもよい。いずれの場合にも、容量電極３０２及びバリア層３０３の膜厚は、例えば５０〜５００ｎｍ程度とされる。
　図２及び図３に示すように、容量電極３０２と容量線３００とが誘電体膜３０１を介して対向配置されることにより、平面的に見て走査線３ａに重なる領域及びデータ線６ａに重なる領域に、蓄積容量７０（図１参照）の一例たる蓄積容量７０−１が構築されている。
　即ち、容量線３００は、走査線３ａを覆うように延びると共に、データ線６ａの領域下で、容量電極３０２を覆うように突き出す突出部を有し櫛歯状に形成している。容量電極３０２は、走査線３ａとデータ線６ａの交差部から、一方がデータ線６ａの領域下にある容量線３００の突出部に沿って延び、他方が走査線３ａの領域上にある容量線３００に沿って隣接するデータ線６ａ近傍まで延びるＬ字状の島状容量電極を形成している。そして、誘電体膜３０１を介して容量線３００にＬ字状の容量電極３０２が重なる領域で蓄積容量７０−１が形成される。」（第１７ページ第２４行〜第１８ページ第１７行）
　
　また、図２及び図３から、以下の点が読み取れる。
（ア）図３における容量電極３０２とデータ線６ａとＴＦＴ３０の位置関係、及び図３が図２のＡ−Ａ’断面図であることから、容量電極３０２は、データ線６ａとＴＦＴ３０の間に配置されＴＦＴ３０に重なっていることが明らかである。
（イ）図２から、走査線３ａが、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に対向する第１部分と、チャネル領域１ａ’に対向しない第２部分とを含んでいることが明らかであり、また、記載事項３の記載から、この第１部分はゲート電極として機能していることも明らかである。
　
　したがって、上記記載事項１乃至４及びそこで参照している図面に基づけば、引用刊行物１には、
「ＴＦＴアレイ基板上に、画素電極９ａと、
該画素電極９ａに一定期間だけスイッチを閉じることにより画像信号を書き込むＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に該画像信号を供給するデータ線６ａと、ＴＦＴ３０のゲートに走査信号を印加する走査線３ａと、
データ線６ａとＴＦＴ３０との間に配置されＴＦＴ３０に重なる遮光膜として機能する容量電極３０２とを備えてなり、
　走査線３ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に対向してゲート電極として機能する第１部分と、チャネル領域１ａ’に対向しない第２部分とを含んでいる、
電気光学装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　同じく原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−２０９０６７号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、「液晶表示装置」の発明に関して以下の事項が記載されている。
＜記載事項５＞
「【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶表示装置に関し、特に、薄膜トランジスタを組み込んだアクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。」
　
＜記載事項６＞
「【０００５】従来、このようなライトバルブ用アクティブマトリックス型液晶表示装置では、図６に示すように、ゲート線１０７とデータ線１０５とをそれぞれ直交するようにマトリックス状に配し、ゲート線１０７とデータ線１０５とで区画される領域に画素電極であるＩＴＯ等の透明電極を、ゲート線１０７とデータ線１０５との交差する部分にＴＦＴをそれぞれ形成している。」
　
＜記載事項７＞
「【００２４】
【発明の実施の形態】本発明に係る液晶表示装置は、その好ましい一実施の形態において、本構造により上下遮光層間で多重反射により浸入する光をＴＦＴ側面に設置された半導体層で吸収遮光し、ＴＦＴに到達する光を低減させ、画素をスイッチするＴＦＴの光リーク電流に起因する問題が解決される。本発明による形態では製造過程において半導体層を分離して同時に形成できるので、遮光に用いるため新たな工程を追加することなく遮光効果を獲得できるという利点を持つ。」
　
＜記載事項８＞
「【００２５】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照して以下に説明する。
【００２６】まず、図１を参照して、本発明の実施例１に係る液晶表示装置について説明する。図１は、本発明の実施例１に係る多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の構造を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ´間における断面図である。
【００２７】図１に示す液晶表示装置１は、以下の工程により製造される。まず、ガラス基板（図示せず）の上にガラス基板をカバーする下地絶縁膜（図示せず）を形成する。これはガラス基板からの不純物の拡散を防ぐためである。続いて、この上部に下部遮光層２を形成する。この上に第１の層間絶縁膜（図示せず）を形成したのち薄膜トランジスタのチャネル部となる薄膜半導体層３を形成する。この薄膜半導体層３は、ＣＶＤ等の方法を用いてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を成膜したのちに、熱処理あるいはレーザ結晶化等の方法を用いて良質の多結晶シリコン膜（ｐ−Ｓｉ）とすることにより形成する。
【００２８】本実施例では、この後、薄膜トランジスタの島状領域を形成するとともに、トランジスのチャネル及びＬＤＤ領域８近傍両側の下部遮光層２パターン内に遮光層エッジからの浸入光を遮蔽するように半導体層４を用いて遮蔽パターンを形成することを特徴としている。このとき、この遮蔽パターンは、薄膜トランジスタとは分離させるとともに、特にＬＤＤ領域８への光の浸入を遮蔽するように形成する。
【００２９】この後、ゲート絶縁膜（図示せず）、ゲート電極７、第２の層間絶縁膜（図示せず）を順次形成したのち、Ａｌで形成されるデータ線５を形成する。このデータ線は薄膜トランジスタの一方のソース・ドレインにコンタクトホール（図示せず）を介して接続する。さらに、この上部に第３の層間絶縁膜（図示せず）を介してブラックマトリックス６となるＡｌを形成する。そして最後に、第４の層間絶縁膜（図示せず）を介して透明電極（図示せず）を形成して素子が完成する。このときこの透明電極はコンタクトホール等を介して薄膜トランジスタのもう一方のソース・ドレインに接続されるように形成する。
　
＜記載事項９＞
【００３０】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域及びチャネル領域に光を照射すると、光によるキャリアが生成され、これがリーク電流となり正常なスイッチ動作ができなくなる。この問題は、とくに画素スイッチトランジスタで生じる。そこで、画素スイッチを形成する薄膜トランジスタ、特にＬＤＤ領域、チャネル領域への照射光を極力低減する必要がある。特に、強力な照射光下で使用される液晶ライトバルブ用ＴＦＴ基板等では、ＴＦＴの上下を遮光し直接光の照射を遮光する方法がとられているが、この場合でも、遮光パタン側面からの多重反射により浸入する光が問題となる。
【００３１】この問題に対して、本実施例の液晶表示装置では、薄膜トランジスタのチャネル、ＬＤＤ領域の側面近傍に半導体層を用いて光遮蔽層を形成することにより解決している。すなわち、図１の半導体遮光層４では、側面から多重反射で浸入してくる光を吸収することにより遮光する。本手段は従来のメタル等の遮光層と異なり、光を反射させるのではなく吸収することによりＴＦＴへ到達する光を低減させるため、より有効に不要な光を遮光することができる。特に、半導体遮光層は問題となる青光に対して吸収率が高く、低減効果が高い。」
　
＜記載事項１０＞
「【００４２】また、図４に示す本発明の他の構成のように、データ線５のＡｌの幅をこのＬＤＤ及びチャネル領域近傍で拡大（延在）する構造でも効果を奏することができ、また、図５に示す構成ように、ゲート電極７がシリコン材料で構成されている場合、ゲート電極でこのような遮光パターンを形成することによっても同様の効果を得ることができる。」
　
＜記載事項１１＞
「【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によれば、光が強くなるにつれ反射光が幾重にも多重反射してトランジスタに到達するという問題を回避することができるという効果を奏する。その理由は、トランジスタに用いる半導体層と同じ材料で遮光することにより、光吸収効率を高くすることができ、余分な光を選択的に吸収して遮光することができるからである。」
　
５．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ＴＦＴアレイ基板上」、「画素電極９ａ」は、それぞれ本願発明の「基板上」、「画素電極」に相当する。
（２）引用発明の「一定期間だけスイッチを閉じることにより画像信号を書き込む」ことは、本願発明の「スイッチング動作により画像信号を供給する」ことに相当する。
（３）引用発明の「ＴＦＴ３０」は、「画素電極９ａに」「画像信号を書き込む」ものであり、また、記載事項１に記載されるように、ＴＦＴは「薄膜トランジスタ」の略称であることから、引用発明の「ＴＦＴ３０」は、本願発明の「画素用トランジスタ」に相当する。
（４）引用発明の「データ線６ａ」は、本願発明の「第１配線」に相当する。
（５）ＴＦＴは、ＴＦＴのゲート電極に走査信号が供給されると、オン状態となる（引用刊行物１の記載事項１）、すなわち、スイッチング動作が制御されることから、引用発明の「ＴＦＴ３０のゲートに走査信号を印加する」、「走査線３ａ」は、それぞれ本願発明の「画素用トランジスタに前記スイッチング動作を制御するための走査信号を供給する」、「第２配線」に相当する。
（６）引用発明の「遮光膜として機能する容量電極３０２」は、本願発明の「遮光膜」に相当する。
　したがって、引用発明の「データ線６ａ及びＴＦＴ３０との間に配置されＴＦＴ３０に重なる遮光膜として機能する容量電極３０２」は、本願発明の「前記第１配線と前記画素用トランジスタとの間に配置され前記画素用トランジスタに重なる遮光膜」に相当する。
（７）引用発明の「チャネル領域１ａ’」、「ゲート電極として機能する」は、それぞれ本願発明の「チャネル領域」、「ゲート電極としての」に相当する。
（８）引用発明の「第１部分」、「第２部分」と、本願発明の「幅狭部」、「幅広部」とは、第１部分、第２部分という点で一致する。
　
　したがって、両者は、
「基板上に、画素電極と、該画素電極にスイッチング動作により画像信号を供給する画素用トランジスタと、該画素用トランジスタに前記画像信号を供給する第１配線と、前記画素用トランジスタに前記スイッチング動作を制御するための走査信号を供給する第２配線と、前記第１配線と前記画素用トランジスタとの間に配置され前記画素用トランジスタに重なる遮光膜とを備えてなり、
　前記第２配線は、前記画素用トランジスタのチャネル領域に対向するゲート電極としての第１部分と、前記チャネル領域に対向しない第２部分とを含んでいる電気光学装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明では、第２配線における、画素用トランジスタのチャネル領域に対向するゲート電極としての部分（第１部分）が、「幅狭部」と限定されており、チャネル領域に対向しない部分（第２部分）が、幅狭部よりも幅広である「幅広部」と限定されているのに対し、引用発明では、そのような限定がされていない点。
　
６．当審の判断
　上記相違点１について検討する。
　引用刊行物２の記載において、記載事項６に記載された、従来例のアクティブマトリックス型液晶表示装置の基本構成を踏まえると、記載事項１０で参照する図５に記載された「ゲート電極７」は、上記従来例の「ゲート線」に対応するものであり、ＴＦＴに走査信号を供給する走査線といえるから、画素用トランジスタに走査信号を供給する、本願発明でいう「第２配線」に相当する。
　したがって、引用刊行物２には、ガラス基板の上（基板上）に、透明電極（画素電極）と、薄膜トランジスタ（画素用トランジスタ）と、データ線５（第１配線）と、ゲート電極７（第２配線）とを備えた薄膜トランジスタを組み込んだアクティブマトリックス型液晶表示装置において、ゲート電極７は、チャネル部となる薄膜半導体層３（チャネル領域、以下「チャネル領域」という。）上にゲート絶縁膜を介して形成されており、該ゲート電極７には遮光パターンを形成することが記載されている（記載事項５、８，１０）。
　そして、引用刊行物２の図５（ａ）から、ゲート電極７は、前記チャネル領域に対向する部分（幅狭部）と、該部分よりも幅広であり、かつ、前記チャネル領域に対向しない遮光パターン（幅広部）を含んでいることが読み取れる。
　　
　よって、引用刊行物２には、基板上に、画素電極と、該画素電極にスイッチング動作により画像信号を供給する画素用トランジスタと、該画素用トランジスタに前記画像信号を供給する第１配線と、前記画素用トランジスタに前記スイッチング動作を制御するための走査信号を供給する第２配線とを備えた電気光学装置において、「前記第２配線が、前記画素用トランジスタのチャネル領域に対向するゲート電極としての幅狭部と、該幅狭部よりも幅広であり、かつ、前記チャネル領域に対向しない幅広部とを含んでいる」ことが記載されている。
　
　引用刊行物２に記載された発明は、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置という引用発明と同一の技術分野に属しており、しかも、画像をスイッチするＴＦＴに到達する光を低減するという本願発明と同一の課題を解決する発明である（記載事項７等）。
　
　したがって、引用発明における走査線３ａとして、引用刊行物２に記載された上記ゲート電極７（第２配線）を適用することにより、相違点１に係る本願発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到しえたことである。
　
　また、本願発明の効果は、引用刊行物１及び２の記載から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　よって、本願発明は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである
　
７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。