【事件の表示】
　平成　９年特許願第　　２５８８号「成膜装置および太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月１３日出願公開、特開平１０−　４１２３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成９年１月１０日（優先権主張平成８年５月２０日）の出願であって、平成１７年７月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月３日に手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１７年１０月３日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１７年１０月３日付け手続補正を却下する。
　
　
［理由］
　
（１）補正後の本願発明
　
　本件補正により、特許請求の範囲は請求項１〜８に補正され、その請求項１は以下のとおりに補正された。
　
「プラズマ化学気相成長により薄膜を基板上に成膜する成膜室を有する成膜装置において、前記成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材の表面および電極板の両面は、膜厚のオーダーに凹凸化されていることを特徴とする成膜装置。」
　
　上記補正は、補正前の請求項１における「スパッタリング」を削除することにより、「プラズマ化学気相成長またはスパッタリングにより」を「プラズマ化学気相成長により」とするとともに、「前記成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材の表面は凹凸化されており、前記成膜装置のプラズマ化学気相成長成膜室の電極板は両面が共に凹凸化されている」を「前記成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材の表面および電極板の両面は、・・・凹凸化されている」とすること、及び「凹凸化」について、「膜厚のオーダーに凹凸化」と構成を限定することを含むものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　
（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平７−２０１７４２号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び同じく頒布された刊行物である特開昭６４−４７０１９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。 
　 
（１）刊行物１（特開平７−２０１７４２号公報）
（１ａ）「【請求項１】  反応ガス導入口と真空排気口を有する反応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱するヒーターブロックと、基板台に対して対向位置に配置され、高周波電力が供給される高周波電極からなるプラズマＣＶＤ装置において、高周波電極の材料の表面処理としてブラスト処理による粗化あるいはメッキ等により多数の気孔を有するポーラスな膜を形成した材料で構成され、複数枚連続して基板を処理する工程とエッチングガスを流して反応室内に堆積した膜を除去する工程を交互に繰り返すプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】  基板台材料の表面処理として、ブラスト処理による粗化あるいはメッキ等によりポーラスな膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】  反応室内構成部品及び反応室壁面材料の表面処理として、ブラスト処理による粗化あるいはメッキ等によりポーラスな膜が形成されていることを特徴とする請求項２記載のプラズマＣＶＤ装置。」（【特許請求の範囲】） 
　 
（１ｂ）「【作用】本発明の上記した構成によると、基板に膜を堆積すると同時に反応室内構成部品、例えば電極、基板台、反応室内壁にも膜が堆積する。しかし反応室内構成部品の一部あるいは全部品材料の表面処理としてブラスト処理あるいはポーラスな膜をメッキすることにより、堆積した膜の密着強度は上がり、基板上へのパーティクルの影響は少なくなる。また、堆積した膜をエッチングガスにより除去する場合、膜の密着強度とは関係なく化学的に除去できるため、生産性に影響しない。結果として基板処理ごとに反応室内の膜を除去する必要がなく、膜を除去する回数を減らすことができ、生産性の向上及び堆積膜の信頼性を向上することができる。」（段落【０００９】） 
　 
（１ｃ）「【実施例】以下、本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置について図１を参照しながら説明する。
図１において、反応室１４は真空排気口１５を有しかつ接地されている。１６は電極で、高周波発振器からの電力がマッチングチューナ、高周波電力供給部１７を通って供給される。電極１６は反応ガス導入管１８から供給された反応ガスを反応室１４内に分散させて供給するためのガス流出孔１９を有する。電極１６の材料としてＡ５０５２（アルミニウム）を用い、表面処理として約１００μｍ径の粒子でブラスト処理した。２０は反応室１４と電極１６を絶縁するための絶縁リングである。２１は反応ガス導入管１８と電極１６とを絶縁するための絶縁管である。２２は基板２３を載置するための基板台であり、接地されている。電極１６と基板台２２の間の距離は１５ｍｍ程度に設定されている。２４は基板台２２及び基板２３を加熱するためのヒーターブロックであり、ヒーター及び熱電対（図示せず）が埋め込まれている。２５はヒーターブロック２４と反応室１４との間の熱移動を少なくするための絶縁リングである。電極１６、絶縁リング２０、ヒーターブロック２４、絶縁リング２５にはＯリングシール（図示せず）が用いられ、反応室１４内の真空を保っている。２６はＯリングが２００度以上に加熱されないように冷却水を流すための水冷溝である。
以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置について、以下ＳｉＮ膜を形成する場合について説明する。基板台２２上の基板２３をヒーターブロック２４で約３５０度に加熱し、反応室１４にはガス流出孔１９からＳｉＨ４ガスを１５０sccm、Ｎ２ガスを３０００sccm、ＮＨ３ガスを１００sccm流した状態で、反応室１４を約２Toorに真空保持する。電極１４には１３．５６MHzの高周波電力が４００Ｗ印加され、電極１６と基板台２２間でプラズマ放電を起こす。反応室１４中の反応ガスとしてのＳｉＨ４、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガスはプラズマのエネルギーにより分解され、基板２３上にＳｉＮ膜を堆積する。１枚の基板２３に対して、堆積膜厚を１．５μｍとし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜した基板２３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）の数は、プラスト処理した電極１６を用いた場合、５０〜８０個となった。それに対して従来法の表面処理をしていない電極３（材質はＡ５０５２）を用いた場合パーティクルの数は、２００〜３００個であり、パーティクルの数が約１／４になった。
以上のように本実施例によれば、電極１６の表面処理としてブラスト処理を施したことにより、５枚連続成膜しても５枚目の基板２３上のパーティクルの数は５０〜８０個となり、半導体デバイスの品種によりパーティクルの許容数値は異なるが、成膜ごとに毎回反応室１４をクリーニングすることなく数枚連続成膜後クリーニングをすれば良く、生産性を向上することができる。」（段落【００１０】〜【００１３】）
　 
（１ｄ）「【発明の効果】本発明によれば、以上のように、反応室内の構成部品の１部あるいは全材料の表面処理として、プラズマ処理による粗化、あるいは多孔を有するポーラスな材料をメッキにすることにより、反応室内に堆積した膜の密着強度は上がり、膜はがれによる基板上へのダストの影響は少なくなる。また、堆積した膜をエッチングガスにより除去する場合、膜の密着強度とは関係なく化学的に除去できるため、生産性に影響を及ぼさない。結果として、基板を１枚成膜するごとに反応室内を堆積した膜を除去する必要がなく、膜を除去する頻度を減らすことができ、生産性の向上及び堆積膜の信頼性を向上することができる。」（段落【００２８】）
　
　
（２）刊行物２（特開昭６４−４７０１９号公報）
（２ａ）「しかしながら、サセプターをＣＶＤ法による各種絶縁膜形成時のウェハー載置台として使用していると、サセプターの表面にもＣＶＤによる薄膜が生成し、この薄膜の剥離による障害が発生する。たとえばＳｉＯ２絶縁膜の場合は５回程度または１０μｍ程度ＣＶＤを行うと、サセプター上に生成したＳｉＯ２薄膜が剥離を起こし易くなりダスト発生の原因となる。これを防ぐためにしばしばエツチング（被膜除去作業）を行いサセプター上に生成した薄膜を除去しなければならないという欠点があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　本発明の目的は、サセプター上にＣＶＤ法により形成される薄膜が剥離し難いガラス状炭素被覆サセプターを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
　発明者は各種材料のＣＶＤを行つたとき、サセプター上に生成する薄膜の剥離によるダストの発生がＣＶＤの回数に対してばらつきのあることに気付き、これを検討した結果、サセプターの表面粗さと関連のあることを見出した。すなわち本発明は、炭素基材の表面にガラス状炭素を被覆してなるサセプターにおいて、該サセプターの平均表面粗さＲａが０．１μｍ以上５μｍ以下で、最大表面粗さＲｍａｘが１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とするガラス状炭素被覆サセプターである。」（第２頁左上欄第２行〜右上欄第７行）
　
（２ｂ）「得られたサセプターの平均表面粗さおよび最大表面粗さは表１に示すとおりである。
　このようにして作成したサセプターをプラズマＣＶＤ装置（サムコインターナショナル製　Ｍｏｄｅｌ　ＰＤ−１０）に装着し、さらに該サセプター上に直径２インチのシリコンウエハーを置き、表２に示す条件で窒化ケイ素または酸化ケイ素のＣＶＤを行なつた。なお、いずれの場合もプラズマ発生用電力の周波数１３．５６ＭＨｚ、出力は７０Ｗ、サセプターの温度は３５０℃であつた。得られたＣＶＤ薄膜の厚さは表２に示すとおりである。
　ＣＶＤを終えた後サセプター及びシリコンウエハー上の表面観察を目視及び顕微鏡で行つた。シリコンウエハーはＣＶＤを終えるごとに毎回交換したが、サセプターは表面観察後何の処理もせずに再度ＣＶＤに用いた。そして、何回のＣＶＤでサセプター表面の薄膜にクラツクや剥離が発生するかを調べた（「調た」は誤記。）。また、シリコンウエハー上のＣＶＤ薄膜の膜厚分布についても断面観察により調べた。その結果を表１（「表２」は誤記。）に示す。」（第３頁右上欄第２行〜左下欄第２行）
　
（２ｃ）表１には、サセプターの表面粗さとして、例えば、Ｒａが１．０μｍでＲｍａｘが３．０μｍの場合に、サセプター上のＣＶＤ薄膜上にクラックまたは剥離が発生するまでのＳｉＮのＣＶＤ回数が３１であること（実施例５）、Ｒａが１．０μｍでＲｍａｘが８．０μｍの場合に、上記ＣＶＤ回数が４５であること（実施例６）、Ｒａが３．０μｍでＲｍａｘが８．５μｍの場合に、上記ＣＶＤ回数が５０以上であること（実施例７）が示されている。（表１）
　
（２ｄ）表２には、窒化ケイ素のＣＶＤを行ない、得られたＣＶＤ薄膜の厚さが０．８μｍであることが示されている。（表２）
　
（２ｅ）「〔発明の効果〕
　以上の説明から明らかなように、サセプターの表面粗さのＲａが０．１μｍ以上５μｍ以下、Ｒｍａｘが１μｍ以上５０μｍ以下に制御された本発明のサセプターは、ＣＶＤ法によりその表面に生成する薄膜の付着力が強固であり、剥離し難いので、被膜剥離によるダスト発生のおそれがない。このため、ＣＶＤ作業に本発明のサセプターを用いると、エツチングの回数を大幅に減らすことができる。」（第４頁左下欄第１行〜右上欄第３行）
　
　
（３）対比
　
　摘記事項（１ａ）には、反応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、ヒーターブロックと、基板台に対して対向位置に配置され、高周波電力が供給される高周波電極からなるプラズマＣＶＤ装置において、高周波電極及び基板台材料の表面処理としてブラスト処理による粗化がなされていることが記載され、摘記事項（１ｂ）には、基板に膜を堆積すると同時に反応室内構成部品、例えば電極、基板台にも膜が堆積することが記載されている。
　
　摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物１には、「反応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台に対して対向位置に配置され、高周波電力が供給される高周波電極を含むプラズマＣＶＤ装置において、膜が堆積する基板台及び高周波電極の材料の表面処理としてブラスト処理による粗化がなされているプラズマＣＶＤ装置。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。 
　 
　そこで、本願補正発明と刊行物１発明とを対比する。 
　 
　刊行物１発明の「反応室」は、本願補正発明の「プラズマ化学気相成長により薄膜を基板上に成膜する成膜室」に相当し、以下同様に、「基板台」は「成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材」に、「高周波電極」は「電極板」に、「プラズマＣＶＤ装置」は「成膜装置」に、「表面処理としてブラスト処理による粗化」は「表面は、凹凸化」に、それぞれ相当するから、両者は、
「プラズマ化学気相成長により薄膜を基板上に成膜する成膜室を有する成膜装置において、前記成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材の表面および電極板は、凹凸化されている成膜装置。」の点で一致するものの、次の点で相違する。 
　 
［相違点１］ 
　電極板の凹凸化を、本願補正発明では、両面行っているのに対し、刊行物１発明では、この点が記載されていない点。
　 
［相違点２］ 
　本願補正発明では、膜厚のオーダーに凹凸化されているのに対し、刊行物１発明では、どの程度凹凸化されているのか不明である点。
　
　
（４）判断
　
［相違点１］について
　
　一般に、プラズマＣＶＤ装置において、裏面にも薄膜が堆積する電極板は、周知である（必要ならば、例えば特開平５−２７５３５３号公報、段落【０００４】、特開昭５５−１０２２３９号公報、第２頁右上欄第１５〜１９行、特開昭５５−１０２２３８号公報、第２頁右上欄第１６〜２０行参照）から、刊行物１発明を上記周知の電極板に適用し、薄膜が堆積する裏面も凹凸化すること、すなわち電極板の凹凸化を両面行うこととすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
  
　
［相違点２］について 
　
　刊行物２には、プラズマＣＶＤ装置のサセプターの表面粗さとして、例えば、Ｒａが１．０μｍでＲｍａｘが３．０μｍの場合に、サセプター上のＣＶＤ薄膜上にクラックまたは剥離が発生するまでのＳｉＮのＣＶＤ回数が３１であること（実施例５）、Ｒａが１．０μｍでＲｍａｘが８．０μｍの場合に、上記ＣＶＤ回数が４５であること（実施例６）、Ｒａが３．０μｍでＲｍａｘが８．５μｍの場合に、上記ＣＶＤ回数が５０以上であること（実施例７）が示されている（摘記事項（２ｂ）、（２ｃ））。
　
　ここで、１回のＣＶＤで得られる窒化ケイ素の厚さは０．８μｍであるから（摘記事項（２ｄ））、サセプター上のＣＶＤ薄膜上にクラックまたは剥離が発生するまでのＳｉＮのＣＶＤ回数を厚さに換算すると、実施例５では２４．８μｍ、実施例６では３６μｍ、実施例７では４０μｍ以上となり、これらの換算した厚さより小さい値の膜厚であれば、剥離は発生しないのであるから、刊行物２には、プラズマＣＶＤ装置において、薄膜が堆積する部材であるサセプターの表面粗さが膜厚のオーダーである場合に、剥離が発生しないことが示唆されていると云える。
　
　そして、刊行物１発明における凹凸化は、膜はがれによる影響を少なくするためのものであって（摘記事項（１ｄ））、刊行物２には、プラズマＣＶＤ装置において、薄膜が堆積する部材であるサセプターの表面粗さが膜厚のオーダーである場合に、剥離が発生しないことが示唆されているのであるから、刊行物１発明の膜が堆積する基板台及び高周波電極の凹凸化の程度を膜厚のオーダーとすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
　また、本願補正発明の効果も、刊行物１，２の記載及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。 
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　
（５）むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．本願発明について
　
　平成１７年１０月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成１６年８月２６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「プラズマ化学気相成長またはスパッタリングにより薄膜を基板上に成膜する成膜室を有する成膜装置において、前記成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材の表面は凹凸化されており、前記成膜装置のプラズマ化学気相成長成膜室の電極板は両面が共に凹凸化されていることを特徴とする成膜装置。」
　
　
（１）引用例及び刊行物１発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１及びその記載事項は、前記「２．（２）」に、刊行物１発明は、前記「２．（３）」に記載したとおりである。
　
　
（２）対比
　
　本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　
　刊行物１発明の「反応室」は、本願発明の「プラズマ化学気相成長により薄膜を基板上に成膜する成膜室」に相当し、以下同様に、「基板台」は「成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材」に、「高周波電極」は「成膜装置のプラズマ化学気相成長成膜室の電極板」に、「プラズマＣＶＤ装置」は「成膜装置」に、「材料の表面処理としてブラスト処理による粗化」は「表面は凹凸化」に、それぞれ相当するから、両者は、
「プラズマ化学気相成長により薄膜を基板上に成膜する成膜室を有する成膜装置において、前記成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材の表面は凹凸化されており、前記成膜装置のプラズマ化学気相成長成膜室の電極板は凹凸化されている成膜装置。」の点で一致するものの、次の点で相違する。 
　
［相違点］
　成膜装置のプラズマ化学気相成長成膜室の電極板の凹凸化は、本願発明では、両面が共になされているのに対し、刊行物１発明では、この点が記載されていない点。
　
　
（３）判断
　
　一般に、プラズマＣＶＤ装置において、裏面にも薄膜が堆積する電極板は、周知である（必要ならば、例えば特開平５−２７５３５３号公報、段落【０００４】、特開昭５５−１０２２３９号公報、第２頁右上欄第１５〜１９行、特開昭５５−１０２２３８号公報、第２頁右上欄第１６〜２０行参照）から、刊行物１発明を上記周知の電極板に適用し、薄膜が堆積する裏面も凹凸化すること、すなわち成膜装置のプラズマ化学気相成長成膜室の電極板の凹凸化は、両面が共になされていることとすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
　また、本願発明の効果も、刊行物１の記載及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。 
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
（４）むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。