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　特願２００５−５１３８４５「両面配線ガラス基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月２４日国際公開、ＷＯ２００５／０２７６０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１６年９月２日の出願であって、平成１９年９月１４日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１１月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１２月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年１月２３日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに、同年２月２２日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成２０年２月２２日付け手続補正の却下について
＜結論＞       
　平成２０年２月２２日付け手続補正を却下する。
　
 ＜理由＞
１．補正の内容
　上記手続補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「ガラス基板の表裏面に形成された電気配線と、前記ガラス基板の表裏面に連通する、金属が充填された貫通孔とを有し、前記ガラス基板の表裏面に形成された各前記電気配線が、前記貫通孔に充填された金属を介して電気的に導通された両面配線ガラス基板の製造方法であって、
　前記ガラス基板に前記貫通孔を形成する工程と、
　前記ガラス基板の一方の面に前記貫通孔の開口部を残して電極層を形成する工程と、
　前記電極層の形成後、前記一方の面に前記貫通孔の開口部が残る状態から、電解メッキ法により、前記電極層が形成された前記一方の面の前記貫通孔の開口部を金属で閉塞する工程と、
　電解メッキ法により、閉塞した前記一方の面の前記貫通孔の開口部側から他方の面の前記貫通孔の開口部側に向けて金属を堆積して前記貫通孔に金属を充填する工程と、
　を有することを特徴とする両面配線ガラス基板の製造方法。」とする補正
を含むものである。
　
２．補正の目的
　上記補正は、補正前の「前記ガラス基板の一方の面に電極層を形成する工程」、「電解メッキ法により、前記電極層が形成された前記一方の面の前記貫通孔の開口部を金属で閉塞する工程」を、それぞれ、「前記ガラス基板の一方の面に前記貫通孔の開口部を残して電極層を形成する工程」、「前記電極層の形成後、前記一方の面に前記貫通孔の開口部が残る状態から、電解メッキ法により、前記電極層が形成された前記一方の面の前記貫通孔の開口部を金属で閉塞する工程」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３．独立特許要件
　そこで、上記補正後の本願請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
　
（１）引用刊行物の記載事項及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開平１１−１７７２００号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「ガラス基板の両面に検査配線を形成した検査ボードを用いることにより、ガラス基板を透過してプロービング時の半導体チップと検査ボードとの位置合わせを容易に行う方法が適用されるようになってきたが、無機セラミック材料であるガラス基板の両面を微細なスルホールを通して電気的に接続することは極めて困難なものであり、…
　ガラス基板のスルホール壁面に金属を密着接合することにより、ガラス基板に低コストで貫通スルホールを形成する提案が行われた。これは、…スルホール形成したガラス基板を焼結後、電極となる溶融アルミニウムをスルホール内部に…圧力を加えながら注入することにより、アルミニウム電極とスルホール内部壁面を完全に密着させるものである。…溶融温度が３３８０℃と高いタングステン、アルミニウム、銅および錫などを用いているため、」（第４頁左欄第１７−４１行）
　
　また、本願出願前に頒布された特開２０００−２９４９２３号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ｂ）「［第２の実施形態］…
本実施形態の金属充填方法は、貫通孔が設けられているセラミック基板をメッキ槽の中央部に配置し、当該セラミック基板を用いてメッキ槽を二つの部分に分離して処理を行うことに特徴を有する。本実施形態によって、析出した金属膜による貫通孔の閉塞及び充填を連続して行うことが可能となる。…
図２に示すごとくの構成でセラミック基板…を配し、セラミック基板…を介してＡ槽とＢ槽に分離したメッキ槽…を揺動装置の上に設置し、銅メッキ液…を攪拌する。Ａ槽で電気メッキを行うときは、銅電極…をＡ槽に入れ、Ｂ槽で電気メッキを行うときは、銅電極…をＢ槽に入れて使用する。…
　Ａ槽では、銅メッキ液…は蒸着金属膜…に接している。この状態で蒸着金属膜…を陰極に接続し、銅電極…を陽極として作用させると、蒸着金属膜…の表面に銅が析出して銅メッキ膜（メタライズ金属）…が形成される。銅メッキ膜…の厚さが貫通孔…の径の約半分程度にまで達すると、析出した銅メッキ膜…が貫通孔…の口を覆い、貫通孔…を閉塞する。
…Ｂ槽では、銅メッキ液…は非蒸着面（蒸着金属膜…の形成面の裏側の面）に接している。この状態で蒸着金属膜…を陰極とし、銅電極…を陽極として作用させると、貫通孔…の底部の銅メッキ膜…上に銅が析出し、析出した銅が成長して貫通孔…の内部を充填する。」（第５頁左欄第４１行−右欄第３６行）
　
　そして、上記引用例１に記載されるものにおいて、スルホール内に加圧注入されたアルミニウム、銅等の金属は、スルホール内に隙間なく充填されているものと認められるから、引用例１には、
　
「ガラス基板の表裏面に形成された検査配線と、前記ガラス基板の表裏面に連通する、アルミニウム、銅等の金属が充填されたスルホールとを有し、前記ガラス基板の表裏面に形成された各前記検査配線が、前記スルホールに充填された金属を介して電気的に導通された両面配線ガラス基板の製造方法であって、
　前記ガラス基板に前記貫通孔を形成する工程と、
　前記貫通孔に金属を充填する工程、
とを有することを特徴とする両面配線ガラス基板の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（２）対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明における「検査配線」、「アルミニウム、銅等の金属」、「スルホール」は、それぞれ、本願補正発明の「電気配線」、「金属」、「貫通孔」に相当するから、
　
　両者は、
「ガラス基板の表裏面に形成された電気配線と、前記ガラス基板の表裏面に連通する、金属が充填された貫通孔とを有し、前記ガラス基板の表裏面に形成された各前記電気配線が、前記貫通孔に充填された金属を介して電気的に導通された両面配線ガラス基板の製造方法であって、
　前記ガラス基板に前記貫通孔を形成する工程と、
　前記貫通孔に金属を充填する工程、とを有することを特徴とする両面配線ガラス基板の製造方法。」である点で一致し、
　
　本願補正発明では、前記貫通孔に金属を充填する工程が、
「前記ガラス基板の一方の面に前記貫通孔の開口部を残して電極層を形成する工程と、
　前記電極層の形成後、前記一方の面に前記貫通孔の開口部が残る状態から、電解メッキ法により、前記電極層が形成された前記一方の面の前記貫通孔の開口部を金属で閉塞する工程と、電解メッキ法により、閉塞した前記一方の面の前記貫通孔の開口部側から他方の面の前記貫通孔の開口部側に向けて金属を堆積して前記貫通孔に金属を充填する工程」からなるのに対し、引用発明では、「貫通孔に金属を充填する工程」の手法で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、
　引用例２には、上記記載事項（ｂ）によれば、貫通孔を有するセラミック基板に対して、その一方の面に前記貫通孔の開口部を残して蒸着金属膜（電極層）を形成する工程と、前記蒸着金属膜（電極層）の形成後、前記一方の面に前記貫通孔の開口部が残る状態から、電気メッキ法（電解メッキ法）により、前記蒸着金属膜が形成された前記一方の面の前記貫通孔の開口部を金属で閉塞する工程と、電気メッキ法により、閉塞した前記一方の面の前記貫通孔の開口部側から他方の面の前記貫通孔の開口部側に向けて金属を堆積して前記貫通孔に金属を充填する工程からなる金属充填方法が記載されているものと認められ、当該金属充填手法を、引用発明のガラス基板に対して適用し、本願補正発明とすることは当業者が適宜なしえたことにすぎない。
　
　そして、本願補正発明が、引用例１、２の記載からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
　なお、平成２１年１０月１４日付け審尋回答書において、審判請求人は、引用例２のものは、真空蒸着膜によって貫通孔が閉塞されてしまう可能性があり、「基板の一方の面に貫通孔の開口部を残して電極層を形成、…」することが明示されているとはいえない旨の主張をしているが、引用例２には、上記記載事項（ｂ）のとおり、銅メッキ膜の厚さが貫通孔の径の半分程度に達すると、貫通孔の口を覆い閉塞し、その後成長充填される銅は、該銅メッキ膜上に析出される旨記載されており、陰極としての真空蒸着膜により開口部が塞がれていないことは明らかであり、審判請求人の主張は採用できない。
　したがって、本願補正発明は、引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　平成２０年２月２２日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１に係る発明（以下、本願発明」という。）は、平成１９年１１月２１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「ガラス基板の表裏面に形成された電気配線と、前記ガラス基板の表裏面に連通する、金属が充填された貫通孔とを有し、前記ガラス基板の表裏面に形成された各前記電気配線が、前記貫通孔に充填された金属を介して電気的に導通された両面配線ガラス基板の製造方法であって、
　前記ガラス基板に前記貫通孔を形成する工程と、
　前記ガラス基板の一方の面に電極層を形成する工程と、
　電解メッキ法により、前記電極層が形成された前記一方の面の前記貫通孔の開口部を金属で閉塞する工程と、
　電解メッキ法により、閉塞した前記一方の面の前記貫通孔の開口部側から他方の面の前記貫通孔の開口部側に向けて金属を堆積して前記貫通孔に金属を充填する工程と、
　を有することを特徴とする両面配線ガラス基板の製造方法。」　
　
［４］引用刊行物の記載事項及び対比・判断
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平１１−１７７２００号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平６−２７５９５４号公報（以下、「引用例３」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
・引用例１
　上記［２］３．（１）（ａ）のとおり
　
・引用例３
　「…φ６０μｍの貫通孔…をガラス板…にあけた。次に貫通孔…に銅を配線導体としてめっき法で充填した…。ガラス板…のガラス面に銅箔を張り、この銅箔面を下にして、めっき槽…の底に置き、…銅箔に電線…を取り付けて、めっき槽…に銅用のめっき液…を静かに注ぎ、陽極…を設置し銅箔…を陰極にして、貫通孔…内部に銅…を成長させた。」（第４頁左欄第２９−３７行）　
　
　そして、引用例１には、上記［２］３．に記載した引用発明が記載されており、本願発明と引用発明とを対比すると、
　両者は、
「ガラス基板の表裏面に形成された電気配線と、前記ガラス基板の表裏面に連通する、金属が充填された貫通孔とを有し、前記ガラス基板の表裏面に形成された各前記電気配線が、前記貫通孔に充填された金属を介して電気的に導通された両面配線ガラス基板の製造方法であって、
　前記ガラス基板に前記貫通孔を形成する工程と、
　前記貫通孔に金属を充填する工程、とを有することを特徴とする両面配線ガラス基板の製造方法。」である点で一致し、
　
　本願発明では、前記貫通孔に金属を充填する工程が、「前記ガラス基板の一方の面に電極層を形成する工程と、
　電解メッキ法により、前記電極層が形成された前記一方の面の前記貫通孔の開口部を金属で閉塞する工程と、
　電解メッキ法により、閉塞した前記一方の面の前記貫通孔の開口部側から他方の面の前記貫通孔の開口部側に向けて金属を堆積して前記貫通孔に金属を充填する工程」からなるのに対して、引用発明では「貫通孔に金属を充填する工程」となっている点で相違する。
　
  そこで上記相違点について検討すると、引用例３の上記記載事項からは、貫通孔を有するガラスの一方の面に銅箔を張り（「電極層を形成」に相当）、さらに陽極を設置して、電気メッキ法により銅箔側の貫通孔の開口部側から他方側の貫通孔の開口部側に向けて銅を成長させ充填することが把握される。これは、換言すれば、「前記ガラス基板の一方の面に電極層を形成する工程と、
　電解メッキ法により、前記電極層が形成された前記一方の面の前記貫通孔の開口部を金属で閉塞する工程と、
　電解メッキ法により、閉塞した前記一方の面の前記貫通孔の開口部側から他方の面の前記貫通孔の開口部側に向けて金属を堆積して前記貫通孔に金属を充填する工程」であると言えるから、当該金属充填手法を引用発明のガラス基板に対して適用し、本願発明とすることは当業者が適宜なしえたことにすぎない。
　
　そして、本願発明が、引用例１、３の記載からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
　したがって、本願発明は、引用例１，３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［５］むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願請求項２−４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。