【事件の表示】
　平成１１年特許願第　１４９４６号「半導体レーザ素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月　４日出願公開、特開２０００−２１６４９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１１年１月２２日の出願であって、平成１６年１２月２２日付で拒絶理由が通知され、これに対し、平成１７年２月２１日に手続補正がなされ、その後、同年３月２４日付で拒絶査定がなされ、これに対し同年４月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。　  
　  
２．本願発明　  
　本願の請求項に係る発明は、平成１７年２月２１日付手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。　  
　 
「【請求項１】　サファイア基板の｛１１-２０｝面または｛１１-２０｝面から所定方向に所定角度傾斜した面上に、ホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを含み発光層を有する窒化物系半導体層が形成され、前記サファイア基板の｛０００１｝面および前記窒化物系半導体層の｛０００１｝面からなる端面を共振器面とすることを特徴とする半導体素子。」（以下、「本願発明」という。） 　  
　  
３．引用刊行物記載の発明　  
　原査定の拒絶理由において引用され、本願の出願の日前に頒布された刊行物である特開平８−２１３６９２号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。　  
　  
（ア）「【０００１】　
【産業上の利用分野】本発明は、六方晶の結晶系を有する半導体を用いた半導体レーザ装置に関する。」　 
　 
（イ）「【００１１】　
【作用】六方晶の結晶系の構造の模式図を図４に示す。この結晶のｃ軸に垂直な（０００１）面は、劈開により形成することができる。そこでｃ軸に平行な面上に、或は、上記した（１０−１０）面等の結晶面にエピタキシャル成長層の多層構造を形成することにより、劈開面をミラーとしたファブリペローレーザを構成することができる。」　 
　 
（ウ）「【００１２】　
【実施例】　
〈実施例１〉本発明の第１の実施例の半導体レーザ装置の断面模式図を図１に示す。六方晶の結晶系を有するＡｌ2Ｏ3基板１の（１０−１０）面上に、ｎ型ＧａＮバッファ層２（厚さ０．２μｍ）、ｎ型ＡｌＧａＮガイド層３（厚さ０．２μｍ）、ＩｎＧａＮ活性層４（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＮガイド層５（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＧａＮクラッド層６（厚さ１．０μｍ）を有機金属気相成長法により、順次エピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長層の一部をｎ型ＧａＮバッファ層２の上部までエッチングし、ｐ側電極７とｎ側電極８を形成する。次に、ｃ軸（図の左右方向）に垂直に劈開し、劈開面である（０００１）面により共振器を構成することにより半導体レーザ装置を製造した。　
【００１３】本素子の発振波長は４５０ｎｍ、しきい値電流は１０ｍＡであり、室温で安定なレーザ発振を実現した。なお、表面が（１０−１０）面に基板に代えて、表面が（０１−１０）面、（−１１００）面又はそれらのいずれかに平行な結晶面の基板を用い、同様に処理したところ、同様な半導体レーザ装置を得ることができた。」　　  
　  
　上記（ア）〜（ウ）によれば、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。  
　  
「六方晶の結晶系を有するＡｌ2Ｏ3基板１の（１０−１０）面、（０１−１０）面、（−１１００）面又はそれらのいずれかに平行な結晶面上に、ｎ型ＧａＮバッファ層２（厚さ０．２μｍ）、ｎ型ＡｌＧａＮガイド層３（厚さ０．２μｍ）、ＩｎＧａＮ活性層４（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＮガイド層５（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＧａＮクラッド層６（厚さ１．０μｍ）を有機金属気相成長法により、順次エピタキシャル成長させ、　
　劈開面である（０００１）面により共振器を構成し、　
　ｃ軸に平行な面上にエピタキシャル成長層の多層構造を形成することにより、ｃ軸に垂直な（０００１）面の劈開面をミラーとしたファブリペローレーザを構成することができた、
　半導体レーザ装置。」　  
　　 　  
　また、同じく原査定の拒絶の理由において引用された本願の出願の日前に頒布された刊行物である特開平７−２９７４９５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。　
　
（エ）「【特許請求の範囲】　
【請求項１】  活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、　
（１１−２０）面（ａ面）を主面とするサファイア基板と、　
前記サファイア基板上に直接又はバッファ層を介在させて、前記ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層と、　
前記多重層及び前記サファイア基板をサファイア基板の＜０００１＞（ｃ軸）に平行にへき開して形成された鏡面と、　
を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。」　
　
（オ）「【０００１】　
【産業上の利用分野】本発明は、可視単波長、特に、青色領域から紫色領域まで、及び紫外光領域で発光可能な半導体レーザダイオードに関する。」　
　
　上記（エ）、（オ）によれば、引用例２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。  
　  
「活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、　
　（１１−２０）面（ａ面）を主面とするサファイア基板と、　
　前記サファイア基板上に直接又はバッファ層を介在させて、前記ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層と、　
　前記多重層及び前記サファイア基板をサファイア基板の＜０００１＞（ｃ軸）に平行にへき開して形成された鏡面と、　
を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。」　  
　
４．対比　  
　本願発明と引用発明１を対比する。　  
　  
（ａ）引用発明１の「Ａｌ2Ｏ3基板」、「共振器」及び「半導体レーザ装置」が、それぞれ本願発明の「サファイア基板」、「共振器」及び「半導体素子」に相当する。　  
　　  
（ｂ）引用発明１は、「Ａｌ2Ｏ3基板１の（１０−１０）面、（０１−１０）面、（−１１００）面又はそれらのいずれかに平行な結晶面上に、ｎ型ＧａＮバッファ層２（厚さ０．２μｍ）、ｎ型ＡｌＧａＮガイド層３（厚さ０．２μｍ）、ＩｎＧａＮ活性層４（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＮガイド層５（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＧａＮクラッド層６（厚さ１．０μｍ）を　・・・　順次エピタキシャル成長させ、　・・・　構成する、半導体レーザ装置」であるから、発光層を有していることは自明であり、引用発明１は本願発明の「サファイア基板の」「面上に、ホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを含み発光層を有する窒化物系半導体層が形成され」との技術事項を有していることは明らかである。  
　
（ｃ）引用発明１は「劈開面である（０００１）面により共振器を構成し、ｃ軸に平行な面上にエピタキシャル成長層の多層構造を形成することにより、ｃ軸に垂直な（０００１）面の劈開面をミラーとしたファブリペローレーザを構成することができた」のであるから、基板の劈開面と順次エピタキシャル成長させたバッファ層、ガイド層、活性層、クラッド層などの窒化物系半導体層の劈開面とは、どちらも｛０００１｝面であり、かつ、基板の劈開面と窒化物系半導体層の劈開面からなる端面をミラー（共振器面）としていることは当業者には自明である。
　
　したがって、両者は、　  
「サファイア基板の面上に、ホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを含み発光層を有する窒化物系半導体層が形成され、前記サファイア基板の｛０００１｝面および前記窒化物系半導体層の｛０００１｝面からなる端面を共振器面とする半導体素子。」　  
である点で一致し、次の点で相違する。　  
　  
相違点：　  
　サファイア基板の面上に窒化物半導体層を形成するのに際し、本願発明が｛１１-２０｝面または｛１１-２０｝面から所定方向に所定角度傾斜した面上に形成しているのに対し、引用発明１が（１０−１０）面、（０１−１０）面、（−１１００）面又はそれらのいずれかに平行な結晶面上に形成している点。  
　  
５．判断　　  
　上記相違点について検討する。　　
　引用発明１は、六方晶の結晶系を有するサファイア（Ａｌ2Ｏ3）のｃ軸に平行な面として、（１０−１０）面、（０１−１０）面、（−１１００）面又はそれらのいずれかに平行な結晶面を採用したが、サファイアのｃ軸に平行な面はこれに限らず、｛１１-２０｝面もあることは明らかであり、かつ、サファイア基板の｛１１-２０｝面上に窒化物半導体が形成可能であることは、引用発明２に開示されているから、引用発明１において、サファイア基板のｃ軸に平行な面として、（１０−１０）面、（０１−１０）面、（−１１００）面又はそれらのいずれかに平行な結晶面に代えて、｛１１-２０｝面を採用することは、当業者が容易に想到し得たものである。　
　したがって、上記相違点の構成は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。　
　　
　また、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び２から、当業者が予測しうるものある。　  
　  
６．むすび 　  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。