【事件の表示】
　平成　７年特許願第３２８１５３号「弾性表面波デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　６月　６日出願公開、特開平　９−１４８８７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　
　本願は、平成７年１１月２２日の出願であって、平成１６年３月１６日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１６年５月１１日付けで手続補正書が提出され、平成１７年２月７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年３月１４日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年５月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものであると認める。
　
　
「ＳＴカット水晶基板上にＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に弾性表面波の振動エネルギーを閉じ込める為の多数の電極指よりなる反射器を設け、高周波に使用する１ポート弾性表面波共振子であって、
前記ＩＤＴ電極のライン幅をＬ１、スペース幅をＬ２とし、前記反射器のライン幅をＲ１、スペース幅をＲ２としたとき、
Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）＝Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）≧０．６５
の関係を満たし、且つ、電極膜厚をＨ、弾性表面波の波長をλとした時、
Ｈ／λ≧０．０１５
に設定したことを特徴とする１ポート弾性表面波共振子。」
　
　
２．引用刊行物
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−４５８６０号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面、表とともに、
　
「圧電基板表面に周期Ｌのインターデジタルトランスジューサ（ＩＤＴ）電極を設け、その両側に反射器を配した１ポート弾性表面波（ＳＡＷ）共振子に於いて、前記ＩＤＴ電極のほぼ中央に位置する一の電極指の幅ｗを
　Ｎ×Ｌ≦ｗ≦Ｎ×Ｌ＋Ｌ／８　（但し、Ｎ＝１，２，３・・・）
としたことを特徴とする１ポートＳＡＷ共振子。」（【請求項１】）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳＡＷ共振子、殊に膜厚変化による周波数のばらつきの少ない１ポートＳＡＷ共振子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＶＨＦ〜ＵＨＦ帯の高周波領域に於いて基本波による直接発振が得られ、且つ、高安定な共振子としてＳＡＷ共振子が広く用いられてきた。中でも１ポートＳＡＷ共振子は２ポートＳＡＷ共振子に比べ挿入損失が少ないためＦＥＴを用いることなくトランジスタのみを帰還増幅器として構成した比較的簡単な発振回路によって容易にＳＡＷを励振することが可能であり、殊に４５〜２００ＭＨｚの周波数帯に於いて有利である。１ポートＳＡＷ共振子は基本的に図２に示す如く水晶等の圧電基板１の一の主表面上にＩＤＴ電極２を配置し、その両側にグレーティングによる反射器３、３を配して構成したものであって、ＩＤＴ電極２によって励振したＳＡＷの振動エネルギーを反射器３、３間に閉じ込めて定在波を生じさせて共振を得るものである。
【０００３】２００〜４００ＭＨｚの比較的高い周波数帯を用いるキーレスエントリー或いはガレージドアオープナー等のリモートコントロールシステムの分野に於いて、リモート端末装置の周波数生成源として、これまでは２ポートＳＡＷ共振子を用いるのが一般的であったが、上述した如く１ポートＳＡＷ共振子に比べ挿入損失が大きいため、ＦＥＴを用いた複雑な発振回路を構成しなければならないという欠点があった。そこで近年、トランジスタを用いたコルピッツ型等の比較的簡単な構成の発振回路で容易に励振可能な１ポートＳＡＷ共振子が注目され使用され始めている。
【０００４】しかしながら、１ポートＳＡＷ共振子は２００ＭＨｚ以上の周波数に於いては、周知のとおりＩＤＴ電極膜厚の変化に対する共振周波数の変化量が２ポートＳＡＷ共振子に比べて大きく、ＩＤＴ電極膜厚のばらつきを原因とする製造時の共振周波数のばらつきが大きくなるため、製造歩留りが悪くコストが増大するという欠陥があった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上述した如き従来の１ポートＳＡＷ共振子の欠陥を除去するためになされたものであって、２００ＭＨｚ以上の共振周波数を有するものであっても、製造時のＩＤＴ電極膜厚のばらつきを原因とする共振周波数のばらつきを減らし、製造歩留りを向上せしめコストの低減が可能な１ポートＳＡＷ共振子を提供することを目的とする。」（第２頁第１欄第１３行〜同頁第２欄第２８行）
　
「【０００７】
【実施例】以下、本発明を実施例を示す図面に基づいて詳細に説明する。実施例の説明に先立って本発明の理解を助けるため１ポートＳＡＷ共振子のＩＤＴ配列と励起した波との関係を検討するに、図２（ａ）及び（ｂ）に示す如くＩＤＴ電極指の１周期はＬであって、ＩＤＴ電極指の中心が定在波の腹の部分と一致している。このような位置関係のとき挿入損失が最も低くなり、定在波が励起されやすいものの、膜厚に対する共振周波数の依存度が最大となる。これは、ＩＤＴ電極の膜厚の変化が、最も変位量の大きい定在波の腹に於いて圧電基板表面の質量の変化、更にはＳＡＷの伝播速度の変化を招来し共振周波数が変化するものと考えられ、製造時の膜厚のばらつきが共振周波数のばらつきとなって表出し、歩留りの低下、コストの増大という問題を呈すること前述の通りである。
【０００８】この問題を解決するため、本発明の１ポートＳＡＷ共振子は図１（ａ）に示す如き構成をとる。即ち、電極指の１周期をＬとするＩＤＴ電極２のほぼ中央に位置する一の電極指４の幅ｗを、ｗ＝Ｎ×Ｌ（但し、Ｎ＝１，２，３・・・）とする。斯することによって同図（ｂ）に示す如くＩＤＴ電極の前記電極指４を幅広とした分、他の各電極指の中央の位置がＳＡＷの定在波の腹の部分に対してＬ／８だけ内側へずれることになり、膜厚の変化に対する共振周波数の変化量が減少する。
【０００９】そこで上述した如く構成した１ポートＳＡＷ共振子を試作しその特性を測定したところ下表に示す如き結果を得た。
【表１】
　
　この試作した１ポートＳＡＷ共振子は圧電素板としてＳＴカット水晶を用い、ＩＤＴ対数１００対、反射器は両側夫々３５０本、ＩＤＴ交差長は４００μｍ、電極はアルミニウムでその膜厚は０．２μｍである。尚、本発明に係る１ポートＳＡＷ共振子は一の電極指の幅が異なるのみで他の条件はすべて同一である。上記表より明らかな如く、電極指の中央の位置がＳＡＷの定在波の腹の部分に対してずれるため、挿入損失が０．９ｄＢから２．１ｄＢへと劣化したものの周波数偏差即ち製造時のばらつきが８６．５ｋＨｚから２９．０ｋＨｚへと大幅に改善されることが理解されよう。」（第１頁第１欄第４３行〜第３頁第３欄第２７行）、
　と、記載されている。
　
　
　これらの記載によれば、引用刊行物１には、
「圧電基板表面に周期Ｌのインターデジタルトランスジューサ（ＩＤＴ）電極を設け、その両側にグレーティングによる反射器を配した１ポート弾性表面波（ＳＡＷ）共振子に於いて、前記ＩＤＴ電極のほぼ中央に位置する一の電極指の幅ｗを
　Ｎ×Ｌ≦ｗ≦Ｎ×Ｌ＋Ｌ／８　（但し、Ｎ＝１，２，３・・・）
とし、
　圧電基板として、ＳＴカット水晶を用い、
　共振周波数が、３１６．４０２ＭＨｚであることを特徴とする１ポートＳＡＷ共振子。」との発明（以下、引用刊行物１発明という。）が開示されている。
　
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−２８３６８２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、図面とともに、
　
「【請求項１】　３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ3基板上に、複数組のＩＤＴを近接配置し、かつ前記ＩＤＴの両側に反射器を配設してなる弾性表面波共振子フィルタであって、
　前記ＩＤＴおよび前記反射器の電極膜厚をｈ、当該弾性表面波共振子フィルタで発生する表面波の波長をλとしたとき、
　０．０６≦ｈ／λ≦０．１０
　であることを特徴とする弾性表面波共振子フィルタ。
【請求項２】　前記ＩＤＴおよび前記反射器の電極指幅をＭ、同電極指形成ピッチをＰとしたとき、
　０．６≦Ｍ／Ｐ
　であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波共振子フィルタ。」（【特許請求の範囲】）
　
「【０００８】一般に、弾性表面波共振子フィルタは製造上の下降ばらつきにより、中心周波数が変化するので、それに伴い減衰量も変動する。よって、低域、高域側それぞれに減衰量２０ｄＢ以上を確保するためには、それに応じた周波数精度が必要とされる。
【０００９】また、低域側、高域側それぞれに高減衰量を得るには、図７のように低域側阻止域Ｃと高域側阻止域Ｃ’とのほぼ中央に弾性表面波共振子フィルタの中心周波数が位置することが理想的ではあるが、ロス２０ｄＢの帯域幅Ａが狭いほど弾性表面波共振子フィルタの中心周波数の変動が大きくても減衰量２０ｄＢ以上が得られることになる。つまり、低域側と高域側とに、それぞれ２０ｄＢ以上の減衰量を得るためには弾性表面波共振子フィルタの減衰量２０ｄＢにおける帯域幅が重要な要素となる。
【００１０】図７の場合、低域側の製造余裕（周波数変動の許容幅）は図中、Ｙ点とＸ点の周波数差に相当し、その値は阻止域と通過域との周波数差Ｂ（４５ＭＨｚ）からロス２０ｄＢの帯域幅（片側２８ＭＨｚ）と低域側阻止域Ｃ（片側１２．５ＭＨｚ）を差し引いた値に等しい。この場合、その値は４．５ＭＨｚになるが、弾性表面波共振子フィルタは周囲温度により周波数が−２５〜７５℃の範囲で常温に対し±３ＭＨｚ変動するので、実用にはこの値を引いて、１．５ＭＨｚが低域側の製造余裕に相当する。高域側についても全く同様であり説明は略するが、同様に１．５ＭＨｚの製造余裕となる。
【００１１】しかしながら、フィルタの中心周波数は電極膜厚や電極線幅に大きく依存するため、片側１．５ＭＨｚの製造余裕では、製造ロット毎に電極膜厚や電極線幅を厳密に管理しなければならず、このことが製造上の困難さや製造コストを増大さす原因となっていた。
【００１２】したがって、本発明においては、製造が容易でコスト低減を図ることができる弾性表面波共振子フィルタの提供を目的としている。」（第２頁第２欄第２２行〜第３頁第３欄第５行）
　
「【００１６】図１は、本発明に係る弾性表面波共振子フィルタに共通する構成を示した平面図であり、図２はこの弾性表面波共振子フィルタのＩＤＴおよび反射器の要部を拡大した断面図である。
【００１７】第１実施例の弾性表面波共振子フィルタ１は３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ3基板２を備え、このＬｉＴａＯ3基板表面２上に反射器３Ａ，３Ｂが形成され、反射器３Ａと反射器３Ｂとの間には３個のＩＤＴ４Ａ〜４Ｃが形成されている。これらの反射器３Ａ，３ＢおよびＩＤＴ４Ａ〜４Ｃは複数の電極指５…を備えている。そして、両側のＩＤＴ４Ａ，４Ｃは電気的に並列接続され、入出力端子６に接続されている。一方、中央のＩＤＴ４Ｂは入出力端子７に接続されている。これらの反射器３Ａ，３ＢおよびＩＤＴ４Ａ〜４Ｃはすべて３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ3基板２にＡｌの薄膜を成膜した後、フォトエッチング工程を経て形成されるが、リフトオフ法等の手法により選択的に付着形成してもよい。
【００１８】この弾性表面波共振子フィルタ１はＩＤＴ４Ａ〜４Ｃおよび反射器３Ａ，３Ｂの電極膜厚を、この弾性表面波共振子フィルタ１で発生する弾性表面波の波長によって規定したことに特徴がある。
【００１９】具体的には、ＩＤＴ４Ａ〜４Ｃおよび反射器３Ａ，３Ｂの電極指５の膜厚をｈ、この弾性表面波共振子フィルタ１で発生する弾性表面波の波長をλとした場合に、波長λに対する電極膜厚ｈの大きさｈ／λ（以下、電極膜厚比ｈ／λと称す）を０．０６以上、０．１０以下（０．０６≦ｈ／λ≦０．１０）としており、このようにすることで、製造余裕を拡大して、製造の容易性とコストダウンを得ている。」（第３頁第３欄第２１行〜同頁同欄第５０行）
　
　と、記載されている。
　これらの記載によれば、引用刊行物２には、
　
「３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ3基板上に、複数組のＩＤＴを近接配置し、かつ前記ＩＤＴの両側に反射器を配設してなる弾性表面波共振子フィルタであって、
　前記ＩＤＴおよび前記反射器の電極膜厚をｈ、当該弾性表面波共振子フィルタで発生する表面波の波長をλとしたとき、
　０．０６≦ｈ／λ≦０．１０
　であり、
　前記ＩＤＴおよび前記反射器の電極指幅をＭ、同電極指形成ピッチをＰとしたとき、
　０．６≦Ｍ／Ｐ
　であることを特徴とする弾性表面波共振子フィルタ。」が記載されているものと認める。
　
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５９−１３５９１７号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、図面とともに、
　
「（１）表面波電気機械結合係数ＫＳＡＷの小さい表面波基板に交叉くし歯状電極によるトランスジューサを形成し、このトランスジューサ自身の共振特性を利用するようにした表面波共振子において、交叉くし歯状電極をＷ／（Ｗ＋Ｇ）＝０．６〜０．９の範囲に設定したことを特徴とする表面波共振子。
　ただし、Ｗ＝交叉くし歯状電極の電極指の幅
　　　　　Ｇ＝交叉くし歯状電極の隣接する電極指の間隔
　　　　　Ｗ＋Ｇ＝（波長）／２
（２）前記表面波基板は表面波電気機械結合係数ＫＳＡＷが１０%以下の基板である、特許請求の範囲第（１）項記載の表面波共振子。
（３）前記表面波基板は水晶である、特許請求の範囲第（１）項、又は第（２）項記載の表面波共振子。
（４）前記交叉くし歯状電極がＡｌで形成され、その膜厚が表面波波長の２％〜５％の範囲に設定された、特許請求の範囲第（１）項、第（２）項、又は第（３）項記載の表面波共振子。」（特許請求の範囲、なお、分数の分母、Ｗ＋Ｇは、括弧をつけて、（Ｗ＋Ｇ）と表記した。）
　と、記載されている。
　これらの記載によれば、引用刊行物３には、
　
「表面波基板に交叉くし歯状電極によるトランスジューサを形成した表面波共振子において、
　交叉くし歯状電極をＷ／（Ｗ＋Ｇ）＝０．６〜０．９の範囲に設定し、
　前記表面波基板を、水晶とし、
　前記交叉くし歯状電極の膜厚が表面波波長の２％〜５％の範囲に設定したことを特徴とする表面波共振子。
　ただし、Ｗ＝交叉くし歯状電極の電極指の幅
　　　　　Ｇ＝交叉くし歯状電極の隣接する電極指の間隔
　　　　　Ｗ＋Ｇ＝（波長）／２」が記載されているものと認める。
　
　
３．対比
　
　そこで、本願発明と引用刊行物１発明とを比較すると、引用刊行物１発明の「１ポート弾性表面波（ＳＡＷ）共振子」は、本願発明の「１ポート弾性表面波共振子」に相当し、以下、同様に、「インターデジタルトランスジューサ（ＩＤＴ）電極」は「ＩＤＴ電極」に、「電極指の幅」は「ＩＤＴ電極のライン幅」に、それぞれ、相当する。
　引用刊行物１発明の「反射器」は、グレーティングによるものであるから、多数の電極指よりなること、そして、弾性表面波の振動エネルギーを閉じ込めるためのものであることは、明らかである。
　引用刊行物１発明の「圧電基板」は、「ＳＴカット水晶を用い」るものであるから、本願発明の「ＳＴカット水晶基板」に相当する。
　引用刊行物１発明の「圧電基板表面」は、圧電基板が、ＳＴカット水晶であるから、本願発明の「ＳＴカット水晶基板上」に相当する。
　引用刊行物１発明は、「共振周波数が、３１６．４０２ＭＨｚであること」から、高周波に使用するものである。
　引用刊行物１発明の「ＩＤＴ電極のほぼ中央に位置する一の電極指の幅ｗを
　Ｎ×Ｌ≦ｗ≦Ｎ×Ｌ＋Ｌ／８　（但し、Ｎ＝１，２，３・・・）
と」することは、本願発明の「前記ＩＤＴ電極のライン幅をＬ１、スペース幅をＬ２とし、前記反射器のライン幅をＲ１、スペース幅をＲ２としたとき、
Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）＝Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）≧０．６５
の関係を満た」すことと、ＩＤＴ電極のライン幅を調整するという点で、一致する。
　
　
　以上のことから、両者は、
「ＳＴカット水晶基板上にＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に弾性表面波の振動エネルギーを閉じ込める為の多数の電極指よりなる反射器を設け、高周波に使用する１ポート弾性表面波共振子であって、
　ＩＤＴ電極のライン幅を調整する１ポート弾性表面波共振子。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］本願発明では、「ＩＤＴ電極のライン幅をＬ１、スペース幅をＬ２とし、前記反射器のライン幅をＲ１、スペース幅をＲ２としたとき、Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）＝Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）」であるのに対して、引用刊行物１発明では、ＩＤＴ電極のＬ１／（Ｌ１＋Ｌ２）と反射器のＲ１／（Ｒ１＋Ｒ２）が等しくすることは、記載されていない点。
　
［相違点２］本願発明では、ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚が、Ｈであるのに対して、引用刊行物１発明では、ＩＤＴ電極と反射器の電極の膜厚に関する記載がない点。
　
［相違点３］本願発明では、ＩＤＴ電極、反射器において、Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）≧０．６５、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）≧０．６５の関係を満たし、且つ、電極膜厚をＨ、弾性表面波の波長をλとした時、Ｈ／λ≧０．０１５に設定してあるのに対して、引用刊行物１発明では、ＩＤＴ電極のほぼ中央に位置する一の電極指の幅ｗをＮ×Ｌ≦ｗ≦Ｎ×Ｌ＋Ｌ／８　（但し、Ｎ＝１，２，３・・・）とし、電極膜厚をＨ、弾性表面波の波長をλとした時のＨ／λは規定されていない点。
　
　
４．当審の判断
　
　
［相違点１について］
　弾性表面波共振子フィルタにおいて、ＩＤＴ電極のライン幅をＬ１、スペース幅をＬ２とし、反射器のライン幅をＲ１、スペース幅をＲ２としたとき、Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）＝Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）とすることは、引用刊行物２（引用刊行物２には、弾性表面波共振子フィルタであって、ＩＤＴおよび反射器の電極指幅をＭ、同電極指形成ピッチをＰとしたとき、０．６≦Ｍ／Ｐであるものが記載されており、「Ｍ」は「Ｌ１」又は「Ｒ２」に相当し、「Ｐ」は「Ｌ１＋Ｌ２」又は「Ｒ１＋Ｒ２」に相当することから、Ｍ／Ｐ＝Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）＝Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）である。）及び特開平６−１３８３６号公報（段落【０００２】参照。）に記載されているように、本願出願前周知技術である。
　したがって、引用刊行物１発明において、上記周知技術を用いて、ＩＤＴ電極のライン幅をＬ１、スペース幅をＬ２とし、前記反射器のライン幅をＲ１、スペース幅をＲ２としたとき、Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）＝Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）とすることは、当業者が適宜なし得る事項である。
　
　
［相違点２について］
　ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚が、Ｈである、すなわち、ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚を共通とすることは、引用刊行物２（ＩＤＴおよび反射器の電極膜厚をｈとしている。）及び特開平７−３０７６４０号公報（段落【００４１】参照。）に示されるように、本願出願前周知技術である。
  したがって、引用刊行物１発明において、上記周知技術を用いて、ＩＤＴ電極及び反射器の電極指の電極膜厚が、Ｈであり、共通とすることは当業者が適宜なし得る事項である。
　
　
［相違点３について］
　ＩＤＴ電極、反射器において、Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）≧０．６５、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）≧０．６５の関係を満たし、且つ、電極膜厚をＨ、弾性表面波の波長をλとした時、Ｈ／λ≧０．０１５の関係を満たす値に設定することは、引用刊行物２、引用刊行物３、特開平２−２６０９０８号公報（（作用）の項）及び特開平２−２５０４１６号公報（（作用）の項）に示されるように、本願出願前周知技術である。
　したがって、引用刊行物１発明において、上記周知技術を用いて、ＩＤＴ電極、反射器において、Ｌ１／（Ｌ１＋Ｌ２）≧０．６５、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）≧０．６５の関係を満たし、且つ、電極膜厚をＨ、弾性表面波の波長をλとした時、Ｈ／λ≧０．０１５の関係を満たす値に設定することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　また、本願発明の構成を採用することによる作用効果も、引用刊行物１発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものであり、格別のものでもない。
　
　
５．むすび
　
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用刊行物１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。