【事件の表示】
平成９年特許願第１６９３１７号「配線基板とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１月２２日出願公開、特開平１１−１７０５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成９年６月２５日の出願であって、平成１６年５月１７日付けで拒絶理由が通知されたところ、その指定期間内の平成１６年７月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１６年１０月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１２月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、法定期間内の平成１７年１月７日付けで手続補正がなされたものである。
　　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１月７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項２の「前記枠部材と底部材とは、互いに同一又は近似した熱膨張率を有し、或いは同種の材質からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板」という記載を、「前記底部材の搭載面とメタライズ層との間を導通するビアが形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板」へと変更する補正事項を含むものである。
　前記補正事項は、補正前の請求項２の発明特定事項を削除し、新たな発明特定事項を具備する発明を、補正後の新たな請求項２の発明とするものであって、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものにあたらない。
　また、前記補正事項が、「請求項の削除」にあたらないことは明白であり、「誤記の訂正」あるいは「明りようでない記載の釈明」を目的としたものとは認められない。
　したがって、審判請求人が、平成１７年１月７日付けで、特許請求の範囲についてした補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　よって、上記手続補正は、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　
【３】この出願の発明
　平成１７年１月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１〜４に係る発明は、平成１６年７月２１日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
「【請求項１】　内側に電子部品を収納するためのキャビティを有し、且つこのキャビティを囲むセラミック製の枠部材と、上記キャビティ内の底面を形成し、且つ上記電子部品を搭載する搭載面を有するセラミック製の底部材と、を備えた配線基板であって、上記電子部品を搭載する面が、予めＲｍａｘで１０μｍ以下に研磨された平坦面であることを特徴とする配線基板。」である。
　　　
【４】原審の拒絶査定
　一方、原審における拒絶査定の要点は、
「本願の請求項１〜４の発明は、拒絶理由通知書において引用した下記文献に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　引用文献１：特開平８−２９３５６９号公報
　引用文献２：特開平６−１７７２７３号公報
　即ち、光学系との相対的なバラツキを許容範囲にするため、固体撮像素子を搭載するセラミック基板の表面粗さを０．２μｍにすることは、周知の技術的事項(周知文献１)と認められる。このため、本願の請求項１，２の発明のように、引用文献１，２に記載のセラミック基板の表面粗さを周知の値であるＲｍａｘで１０μｍ以下にすることは、当業者が適宜なし得たものと認められる。
　周知文献１：特開平６−２９５０４号公報
　よって、本願の請求項１〜４の発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　なお、以下において、特開平６−１７７２７３号公報を「刊行物１」といい、特開平６−２９５０４号公報を「刊行物２」という。
　　　
【５】刊行物１，２の記載事項
［１］刊行物１(特開平６−１７７２７３号公報)について
　第１頁【要約】の【構成】に、
(刊1a)「半導体装置用容器に関し、半導体素子をマウントする底板１２を予め研磨処理を行なった後、絶縁基体１と接着剤を介して固着させたものである」と記載され、
　第２頁【特許請求の範囲】の【請求項１】に、
(刊1b)「キャビティを形成する凹段部を備えた絶縁部材上に配線およびボンディングステッチを設けた絶縁基体と、半導体素子のマウント部を有する底板とを接着剤によって接着し、底板と絶縁基体の凹段部とで囲まれたキャビティを形成したことを特徴とする半導体装置用パッケージ」と記載され、
　段落【0007】に、
(刊1c)「・・・絶縁基体１と、メサ状のマウント部１５を有する底板１２とを接着剤１４によって接着し、底板のマウント部１５と絶縁基体１の段部とで囲まれたキャビティ５を形成する。底板１２はＡｌ2 Ｏ3 等のセラミック材から成り、絶縁基体との接着に先立って、底板１２のマウント部１５の反り及びウネリを４０μｍ以下にするため、マウント部１５および絶縁基体１との接着面を研磨処理した後、同じく研磨処理された絶縁基体とを接着剤１４を介して接着している」と記載され、
　段落【0009】に、
(刊1d)「このように本実施例では、絶縁基体および底板を研磨処理してから半導体装置用パッケージに組立てるので反りやウネリを十分小さくすることができる」と記載され、
　段落【0013】の【発明の効果】に、
(刊1e)「以上説明したように本発明は、半導体装置用容器に設けられている底部を予め研磨処理を行ない、かつ底部にコート層を設ける構造としたので、半導体装置用パッケージの底部の反り及びウネリを防止することが可能となり」と記載されている。
　　　
［２］刊行物２(特開平６−２９５０４号公報)について
　段落【0018】に、
(刊2a)「半導体装置のパッケージ下部２の厚さ方向の中央部にある絶縁性のセラミック基板２０は、上面中央に２次元センサである固体撮像素子１が接着（マウント）される直方体のセラミック板である」と記載され、
　段落【0019】に、
(刊2b)「絶縁性のセラミック板２１は、セラミック基板２０の上面に接着された枠状の板であり、セラミック基板２０の上面に接着された固体撮像素子１を入れるための長方形の貫通穴が開孔され、その穴の縁の上面に所定の外部リード７と接続されたタングステンなどの導電膜のリード７ａが形成されている。なおこのセラミック板２１の厚さは、接着する固体撮像素子１の上面の高さに合わせてある」と記載され、
　段落【0021】に、
(刊2c)「セラミック板２２は、セラミック基板２１の上面に接着された枠状の板であり、セラミック板２１の上面にリード７ａ，７の一部を間にはさんで接着され、リード７ａと固体撮像素子１とがワイヤボンディングできるように内部に長方形の貫通穴が開口されている。なおこのセラミック板２の厚さは、ワイヤボンディングの金属細線５のループの高さに支障がない厚さとする」と記載され、
　段落【0023】に、
(刊2d)「このようにパッケージ下部２は、セラミック板２０〜２４が積層されている。なおパッケージ下部２は、必要に応じて内部に多層プリント配線基板のような多層配線をタングステン等のメタライズ層（図示せず）で形成して外部リード７に接続しても良い」と記載され、
　段落【0030】に、
(刊2e)「・・・図２のように固体撮像素子１を接着するセラミック基板２０の上面の一部を超音波加工（ｕｌｔｒａ−ｓｏｎｉｃ　ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）する。図２は、一般的な超音波加工装置の基本的構造と図１（ｃ）のパッケージ下部２の加工状態を示した概念図である。この加工法は、超音波を使うので、１回の振動の衝撃ではごくわずかしかセラミック基板２０の表面を破砕加工できないが、衝撃回数がきわめて多いので加工速度が速い。小さな破砕加工を繰り返す加工法なので、仕上面あらさも良好であり、表面あらさを０．２ミクロンメートル（０．２Ｓ）にすることもできる。必要に応じて、超音波加工を中断して、表面あらさ計で再測定を行い再度超音波加工を行っても良い。この実施例１では、固体撮像素子１を接着する部分の平面の表面あらさや反りが±１５ミクロンメートル以内になり基準平面と平行になるように超音波加工した」と記載され、
　段落【0031】に、
(刊2f)「なおパッケージ下部２の平坦面を形成する別の製造方法としては、あらかじめ接着前のセラミック基板２０の一面の全てまたは固体撮像素子１を接着する部分を表面あらさ計等の測定なしに超音波加工をし、次に他のセラミック基板２１〜２４と接着し、次に表面あらさ計で測定する上述の超音波加工を行っても良い」と記載され、
　段落【0038】に、
(刊2g)「このようにパッケージ下部４２の固体撮像素子１の搭載面を研磨し必要なら超音波加工するので搭載面は平面度が１０ミクロンメートル程度に加工でき固体撮像装置に求められる光学系までの距離のバラツキを抑えられる」と記載され、
　段落【0039】の【発明の効果】に、
(刊2h)「以上説明したように、本発明によれば固体撮像素子等の半導体装置の光センサ素子の搭載面の平面度を全て４０ミクロンメートル以下（サブミクロンも可能）にできるので、平面度の悪い無駄なパッケージを無くして全てのパッケージを使用できるようにすると共に固体撮像装置を使用するファクシミリや電子黒板などの光学系との相対的な距離のバラツキを許容範囲内にでき」と記載されている。
　　　
【６】当審の認定
［１］刊行物１について
　刊行物１の摘記事項において、(１)半導体素子のマウント部を有する底板と絶縁基体の凹段部とで囲まれたキャビティを形成し(刊1b)、(２)半導体素子をマウントする底板を予め研磨処理を行なった(刊1a)。また、(３)絶縁基体はキャビティを形成する凹段部を備えたものであり(刊1b)、(４)底板はセラミックから成り、そのマウント部の反り及びウネリを４０μｍ以下にするため研磨処理したものである(刊1c)。
　そこで、前記(１)〜(３)から、「半導体素子は底板にマウントされ、当該底板と絶縁基体の凹部とでキャビティが形成される」ということは、前記キャビティの内側に半導体素子が収納されることを意味する。そして、底板はその文言どおりキャビティの底面を形成することは自明である。また、マウント部には半導体素子のマウント面が存在することは明らかである。さらに、前記(４)から、「底板のマウント部の反り及びウネリが４０μｍ以下である」ということは、そのマウント部の表面あらさはともかく、前記マウント部の表面は平坦面であると認定できる。
　以上の内容を総合すると、刊行物１には、
(刊1z)「内側に半導体素子を収納するためのキャビティを有し、且つこのキャビティの一部を形成する絶縁基体と、上記キャビティ内の底面を形成し、且つ上記半導体素子をマウントするマウント面を有するセラミック材製の底板と、を備えた半導体装置用パッケージであって、上記半導体素子をマウントする面が、予め反り及びウネリを４０μｍ以下に研磨された平坦面であることを特徴とする半導体装置用パッケージ」の発明(以下、「刊行物１発明」という)が開示されている。
　　　
［２］刊行物２について
　上記(刊2a)〜(刊2c)の摘記事項から、
「半導体装置のパッケージ下部の中央部にある絶縁性のセラミック基板２０は、上面中央に固体撮像素子がマウントされるものであり、絶縁性のセラミック板２１は、セラミック基板２０の上面に接着された枠状の板であり、セラミック基板２０の上面にマウントされた固体撮像素子を入れるための長方形の貫通穴が開孔され、セラミック板２２は、セラミック基板２１の上面に接着された枠状の板である」ことから、刊行物２には、
(技術的事項ａ)「内側に電子部品(固体撮像素子)を収納するキャビティを有し、且つこのキャビティを囲むセラミック製の二層の枠部材(２１，２２)と、上記キャビティ内の底面を形成し、且つ上記電子部品をマウントする面を有するセラミック製の底部材(２０)とを備えた半導体装置用パッケージ」が開示されている。
　上記(刊2e)〜(刊2h)の摘記事項から、
「固体撮像素子を接着するセラミック基板２０の上面の一部を超音波加工する。小さな破砕加工を繰り返す加工法なので、仕上面あらさも良好であり、表面あらさを０．２ミクロンメートルにすることもできる。この実施例１では、固体撮像素子を接着する部分の平面の表面あらさや反りが±１５ミクロンメートル以内になり基準平面と平行になるように超音波加工した。なお、パッケージ下部の平坦面を形成する別の製造方法としては、あらかじめ接着前のセラミック基板２０の一面の全てまたは固体撮像素子を接着する部分を超音波加工し、次に他のセラミック基板２１〜２４と接着しても良い。また別例として、パッケージ下部の固体撮像素子の搭載面を研磨し必要なら超音波加工することで搭載面は平面度が１０ミクロンメートル程度に加工でき固体撮像装置に求められる光学系までの距離のバラツキを抑えられる。結果的に、光センサ素子の搭載面の平面度を全て４０ミクロンメートル以下（サブミクロンも可能）にできる」ということがいえ、この内容を要約すれば、
「電子部品(固体撮像素子)をマウントするセラミック基板２０の上面の一部を超音波加工すると、仕上面あらさも良好であり、表面あらさを０．２μｍにすることもでき、一例では、電子部品をマウントする部分の平面の表面あらさや反りが±１５μｍ以内になり基準平面と平行になる。また、パッケージ下部の平坦面を形成する別の方法として、予め接着前のセラミック基板２０の一面の全てまたは電子部品をマウントする部分を超音波加工し、次に他のセラミック基板と接着しても良い。また別例として、パッケージ下部の電子部品の搭載面を研磨し必要なら超音波加工することで搭載面は平面度が１０μｍ程度に加工でき、光学系までの距離のバラツキを抑えられる。結果的に、光センサ素子の搭載面の平面度を全て４０μｍ以下（サブミクロンも可能）にできる」となる。
　ここで、「セラミック基板２０は電子部品の搭載面を有するセラミック製底部材であり、その搭載面の表面あらさを０．２μｍにすることもでき、一例では、±１５μｍ以内で基準平面と平行、また、当該平坦面は予め加工されていても良い。さらに、電子部品の搭載面を研磨し平面度を１０μｍ程度にもでき、結果として、この種の搭載面の平面度を全て４０μｍ以下（サブミクロンも可能）にできる」(技術的事項ｂ)ことが、刊行物２に開示されている。
　　　
【７】当審の対比・判断
［１］本願発明と刊行物１発明との対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると、
　刊行物１発明の「半導体素子」，「マウントするマウント面」，「セラミック材製の底板」，「半導体装置用パッケージ」，「マウントする面」は、
　本願発明の「電子部品」，「搭載する搭載面」，「セラミック製の底部材」，「配線基板」，「搭載する面」にそれぞれ相当する。
　したがって、両者は「内側に電子部品を収納するためのキャビティを有し、且つこのキャビティの一部を形成する絶縁部材と、上記キャビティ内の底面を形成し、且つ上記電子部品を搭載する搭載面を有するセラミック製の底部材と、を備えた配線基板であって、上記電子部品を搭載する面が、予め研磨された平坦面であることを特徴とする配線基板」であることで一致する。
　　　
　一方、本願発明では、キャビティの一部を形成するものが「キャビティを囲むセラミック製の枠部材」であるのに対して、刊行物１発明では、「絶縁基体」である点(相違点１)で相違し、また、本願発明では、電子部品を搭載する面の性状が「Ｒｍａｘで１０μｍ以下」とされているのに対して、刊行物１発明では、「反り及びウネリを４０μｍ以下」としている点(相違点２)で相違する。
　　　
［２］相違点の検討
［２-1］相違点１について
　相違点１について考察するに、
　刊行物１に記載された「絶縁基体」は、上記摘記(刊1c)に「底板のマウント部１５と絶縁基体１の段部とで囲まれたキャビティ５を形成」とあるように、絶縁基体はキャビティを囲む形状、すなわち枠形状になっているといえる。
　そして、刊行物１発明と同じ半導体装置用パッケージの技術分野に属する、刊行物２に示された技術的事項ａである「内側に電子部品(固体撮像素子)を収納するキャビティを有し、且つこのキャビティを囲むセラミック製の二層の枠部材(２１，２２)と、上記キャビティ内の底面を形成し、且つ上記電子部品をマウントする面を有するセラミック製の底部材(２０)とを備えた半導体装置用パッケージ」を勘案すれば、刊行物１発明の「絶縁基体」をセラミック製の枠部材とすることは、当業者が適宜なし得たものといえる。
　したがって、この相違点１は、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　　
［２-2］相違点２について
　相違点２について考察するに、
　刊行物１発明と同じ半導体装置用パッケージの技術分野に属する刊行物２の技術的事項ｂである、「セラミック基板２０は電子部品の搭載面を有するセラミック製底部材であり、その搭載面の表面あらさを０．２μｍにすることもでき、一例では、±１５μｍ以内で基準平面と平行、また、当該平坦面は予め加工されていても良い。さらに、電子部品の搭載面を研磨し平面度を１０μｍ程度にもでき、結果として、この種の搭載面の平面度を全て４０μｍ以下（サブミクロンも可能）にできる」ことから、本願発明の、電子部品を搭載する面の性状を「Ｒｍａｘで１０μｍ以下」とすることは当業者が適宜なし得たものといえる。また、「１０μｍ」の値に格別な臨界的意義も認められない。
　したがって、この相違点２は、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　　
【８】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明(請求項１に係る発明)は、上記の刊行物１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の請求項２〜４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。