【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの半導体基板を積層して接合することにより積層半導体装置を製造する方法であって、
前記二つの半導体基板をそれぞれ識別する識別指標を前記二つの半導体基板にそれぞれ配する指標配置段階と、
前記二つの半導体基板を互いに接合する接合段階とを有し、
前記指標配置段階では、前記接合段階で接合された前記二つの半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標が露出するように、前記二つの半導体基板にそれぞれ前記識別指標を配する積層半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記指標配置段階は、前記二つの半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標が前記接合段階の後に露出するように、前記接合段階に先立って前記二つの半導体基板にそれぞれ前記識別指標を配する請求項１に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接合段階は、前記識別指標が配された他の半導体基板を前記二つの半導体基板のいずれかに接合する段階を含み、
前記指標配置段階では、複数の前記半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標がいずれかの前記接合段階の後に露出するように前記複数の半導体基板にそれぞれ前記識別指標を配する請求項１または請求項２に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記指標配置段階では、いずれの前記接合段階の後にも露出する面を有する一の前記半導体基板の当該面に前記識別指標を配する請求項３に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記接合段階の後に露出した前記識別指標に対応付けて、前記積層半導体装置に関する情報を管理する情報管理段階を有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接合段階の後に、少なくとも一つの前記半導体基板の露出している面を薄化する薄化段階を有し、
前記指標配置段階では、前記情報管理段階で管理される情報に対応する前記識別指標を、前記薄化段階で薄化されない前記半導体基板の露出した面に配する請求項５に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接合段階の後に、露出している面を有する少なくとも一つの前記半導体基板の当該面を薄化する薄化段階を有し、
前記薄化段階では、前記半導体基板のうち前記情報管理段階で管理される情報に対応する前記識別指標が付されていない前記半導体基板の前記面を薄化する請求項５に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記接合段階の後に、少なくとも一つの前記半導体基板の露出している面を薄化する薄化段階と、
前記情報管理段階で用いられた前記識別指標が前記薄化段階で除去された場合、その前記識別指標が有する識別情報に関連付けられた識別指標を少なくとも一つの前記半導体基板の露出面に付し直す指標再配置段階とを有する請求項５に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記接合段階の後に、露出している面を有する少なくとも一つの前記半導体基板の当該面を薄化する薄化段階をさらに有し、
前記指標配置段階では、前記薄化段階の後にもいずれかの前記識別指標が露出するように前記識別指標を前記半導体基板の少なくとも一つに配する請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記接合段階の後に、露出している面を有する少なくとも一つの前記半導体基板の当該面を薄化する薄化段階を有し、
前記薄化段階では、前記半導体基板のうち前記識別指標が露出していない前記半導体基板の前記面を薄化する請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記指標配置段階では、各半導体基板の両面にそれぞれ前記識別指標を配する請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接合段階は、各半導体基板における半導体素子が形成された面同士を接合する段階を含む請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記接合段階は、前記二つの半導体基板における半導体素子が形成された面の裏面同士を接合する段階を含む請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記接合段階は、一の前記半導体基板における半導体素子が形成された面と、他の前記半導体基板における半導体素子が形成された面の裏面とを接合する段階を含む請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記接合段階の前に、前記半導体基板の各々に半導体素子を形成する素子形成段階を有する請求項１から請求項１４までのいずれか１項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
それぞれに識別指標が付された二つの半導体基板を積層して接合する接合段階を有し、
前記接合段階では、前記二つの半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標が前記接合段階の後に露出するように、前記二つの半導体基板を互いに接合する積層半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接合段階は、前記識別指標が配された他の半導体基板を前記二つの半導体基板のいずれかに接合する段階を含み、
前記接合段階では、複数の前記半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標がいずれかの前記接合段階の後に露出するように前記複数の半導体基板を接合する請求項１６に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記接合段階では、複数の半導体基板のうちいずれかの前記半導体基板の前記識別指標がいずれの前記接合段階の後にも露出するように前記複数の半導体基板を接合する請求項１６または請求項１７に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
識別指標が付された二つの半導体基板を積層して結合することにより積層半導体装置を製造する基板貼り合わせ装置であって、
前記二つの半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標が接合後に露出するように前記二つの半導体基板を互いに接合する基板貼り合わせ装置。
【請求項２０】
前記識別指標は接合に先立って前記二つの半導体基板にそれぞれ形成されている請求項１９に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２１】
前記識別指標が配された他の半導体基板を前記二つの半導体基板のいずれかに接合する場合に、複数の前記半導体基板の前記識別指標のうち少なくとも一つの前記識別指標がいずれかの接合後に露出するように接合する請求項１９または請求項２０に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２２】
一の前記半導体基板の前記識別指標が設けられた面がいずれの接合後においても露出するように接合する請求項１９から請求項２１のいずれか1項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２３】
接合後に露出した前記識別指標に対応付けて、前記積層半導体装置に関する情報を管理する請求項１９から請求項２２のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２４】
情報が管理される前記識別指標が配された半導体基板が薄化されないように接合する請求項２３に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２５】
情報が管理される前記識別指標が薄化により除去された場合に、その前記識別指標が有する識別情報に関連付けられた識別情報を少なくとも一つの前記半導体基板の露出面に付し直す請求項２４に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２６】
少なくともいずれかの前記識別指標が薄化されないように接合する請求項２４に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２７】
両面に前記識別指標が配された各半導体基板を接合する請求項１９から請求項２６のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２８】
各半導体基板における半導体素子が形成された面同士を接合する請求項１９から請求項２７のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２９】
各半導体基板における半導体素子が形成された面の裏面同士を接合する請求項１９から請求項２７のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項３０】
一の半導体基板における半導体素子が形成された面と、他の前記半導体基板における前記半導体素子が形成された面の裏面とを接合する請求項１９から請求項２７のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項３１】
接合の前に半導体素子が形成されている前記二つの半導体基板を接合する請求項１９から請求項３０のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層半導体装置の製造方法及び基板貼り合わせ装置