【事件の表示】
　特願２００２−１７９７３２「電気物性の測定方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２２日出願公開、特開２００４−　２０５１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年６月２０日の出願であって、平成１６年６月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年７月９日に審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年７月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年７月９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
２．（１）補正内容
　本件補正は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１（平成１６年５月１１日付けの手続補正書による）
　「【請求項１】導電性の基板に化学結合させた分子からなる試料の１分子に導電性の探針を接触させる段階と、前記基板に電圧を印加して前記基板と前記探針との間にトンネル電流を流す段階と、前記トンネル電流を計測する段階と、前記トンネル電流を流しつつ前記試料の表面に対して全反射する角度でレーザ光を照射して、前記探針が接触する前記１分子を含む前記試料の局所部分にエバネッセント光を生じさせ、前記局所部分を励起させる段階と、励起させた前記１分子を通して流れる電流を計測する段階とを含む、電気物性の測定方法。」
　を、
　「【請求項１】
（α）導電性の基板に化学結合させた
フォトキャリア発生可能な
表面に存在する
先端が０．１〜１０ｎｍの
（β）前記基板に電圧を印加して前記基板と前記探針との間にトンネル電流を流す段階と、
（γ）前記トンネル電流を計測する段階と、
（δ）前記トンネル電流を流しつつ前記試料の表面に対して全反射する角度でレーザ光を照射
させて
（ε）励起させた前記１分子を通して流れる電流を
前記導電性の探針を１分子に一定の力で、かつ異なる前記フォトキャリア発生可能な分子に間欠的に接触させて計測する段階と、
を含むフォトキャリア発生可能な単一分子における
　と、補正することを含むものである。（以下で、「本件補正発明」という。下線部が今回の補正箇所である。そして、α，β，γ，δ，εは、便宜上付した段落表示である）
　
　前記補正前の請求項１から、補正後の請求項１への補正は、次のア）−カ）の補正事項からなる。
ア）補正により、「分子」を「
フォトキャリア発生可能な
イ）補正により、「試料の１分子に……探針を接触させる」を「試料の
表面に存在する
ウ）補正により、「導電性の探針」を「
先端が０．１〜１０ｎｍの
エ）補正により、「レーザ光を照射して、」を「レーザ光を照射
させて
オ）補正により、「電流を計測する段階とを含む、」を「電流を
前記導電性の探針を１分子に一定の力で、かつ異なる前記フォトキャリア発生可能な分子に間欠的に接触させて計測する段階と、を含む
カ）補正により、「電気物性」を「
フォトキャリア発生可能な単一分子における
　
　これについて検討すると、
　補正事項ア）−カ）は、本願出願時の特許請求の範囲の記載、明細書の段落【００２１】，【００３２】，【００４３】の記載に基づくものであり、新規事項の追加に該当する補正ではなく、
ア）は、分子がフォトキャリア発生可能な分子であると、限定する補正であり、
イ）は、探針を表面に存在する１分子に接触させると、限定する補正であり、
ウ）は、探針の先端が０．１〜１０ｎｍであると限定する補正であり、
エ）は、単なる記載の変更であり、補正前のものと意味内容に変わりはなく、
オ）は、電流の計測について、電流を前記導電性の探針を１分子に一定の力で、かつ異なる前記フォトキャリア発生可能な分子に間欠的に接触させて計測すると限定する補正であり、
カ）は、電気物性が、フォトキャリア発生可能な単一分子における電気物性であると限定する補正である。
　したがって、ア）−カ）は、特許請求の範囲を減縮乃至不明りょうな記載の釈明を目的とするものである。
　
２．（２）独立特許要件の検討
　そこで、本件補正発明が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．（２−１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１、前置報告で追加された刊行物２，３は次のものである。
　
刊行物１：坂口浩司，“光励起走査プローブ顕微鏡で探る分子エレクトロニクス”，光化学協会会報，光化学協会，平成１３年８月３０日，第３２巻，Ｎｏ．２，ｐ．１８−２５
　
刊行物２：特開２００２−１６２３３６号公報
　
刊行物３：Dror Sarid “Tapping-mode scanning force microscopy: Metallic tips and samples”, Computational Materials Science, Elsevier Science B.V., １９９６年，第５巻，第４号，ｐ．２９１−２９７
　
　刊行物１には
ａ）「分子は電子が数十オングストロームの空間の中に強く束縛された電子構造を持つ、ひとつの極限の量子構造である。こうした分子をエレクトロニクスの素子として利用しようとする分子エレクトロニクスの研究が近年大きな注目を集めている。」（ｐ．１８左欄第１３−１７行）、
　
ｂ）「１個の分子の電子物性や光学物性を制御できれば分子を使ったダイオード、トランジスタ、レーザーなどの極限素子が実現できる。分子エレクトロニクスを現実化するには一個、或いは欠陥の無い数個の分子にアクセスして、その中での電子の挙動や応答を理解することが非常に重要なステップとなる。」（ｐ．１８左欄第１７−２３行）、
　
ｃ）「すなわちナノメートルの空間分解能とフェムト秒の時間分解能を持つ測定法の開発と電子物性の測定がキーポイントになると考えられる。」（ｐ．１８左欄末行−同頁右欄第３行）、
　
ｄ）「本稿では、電導性ＡＦＭを使った有機分子自己組織化膜のナノスケールトンネル電導の定量化や画像化、またレーザーと電導性ＡＦＭを組み合わせたナノスケールでの光物性を計測する光電導性ＡＦＭの開発及び有機薄膜の局所的な（光）電気物性の計測について紹介する。」（ｐ．１８右欄第８−１４行）、
　
ｅ）「電導性原子間力顕微鏡（電導性ＡＦＭ）は原子間力顕微鏡を用いて金属をコートした電導性カンチレバー（図１（ａ））を試料に直接接触させて流れる電流を検出し、電流像を得る接触式走査プローブ顕微鏡である。」（ｐ．１８右欄第１６−２０行）、
　
ｆ）「本研究では有機分子の局所（光）電気計測を行い、有機分子を介して流れる電導性の性能評価や電導機構を探ることを目的として導電性ＡＦＭや光励起のシステムを組み込んだ光電導性ＡＦＭを開発した。製作した光電導性ＡＦＭのレイアウトを図１（ｃ）に示す。動作原理は電導性カンチレバーで試料表面を走査しながら原子間力検出による表面形状、局所電流の検出による暗電導（像）、レーザー光照射による光電導（像）の二つの物理量を同時に計測するものである。」（ｐ．１８右欄第２３行−ｐ．１９左欄第７行）、
　
ｇ）「試料への探針の接触圧力は１ｎＮと非常に弱い力で接触させた。」（ｐ．１９左欄末行−同頁右欄第１行）、
　
ｈ）「本研究で行った条件では１分子から数分子の面積で探針と接触しているものと考えられる。直流バイアス電圧を印加した試料を流れる電流は高速電流アンプにより検出した。光照射系の作成はプリズム上に配置した試料にレーザー光を全反射角で入射し試料表面にしみ出すエバネッセント光による励起を行った。」（ｐ．１９右欄第４−１０行）、
　
ｉ）「はじめにＣＷレーザー光励起による電流を検出する光電導性ＡＦＭを用い有機薄膜のナノメートル光電子物性を検討した。試料は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）のＩＴＯガラスへの真空蒸着膜（厚さ１００ｎｍ〜１０ｎｍ）を用いた。図１０（ａ）にＣｕＰｃ蒸着膜のポイントコンタクト電流測定における光照射の効果を示す。Ｈｅ−Ｎｅレーザーの照射により電流は数ｐＡ増加した。」（ｐ２３右欄第８−１４行）、
　
ｊ）「光励起電流は励起波長に依存し、……ＣｕＰｃ蒸着膜の吸収スペクトルと対応した。これより光励起により増加した電流は光励起状態を経て生成したフォトキャリアであることが分かる。」（ｐ．２３右欄第１５−２０行）、
　
ｋ）「図１０（ｂ）に電流−電圧特性を示した。整流特性を示すことから、金属−ＣｕＰｃ界面におけるショットキーバリアの存在が示唆される。」（ｐ．２３右欄第２０−２３行）、
　
ｌ）「図１１に同一領域（２５０ｎｍ平方）における表面像、電導像、光電導像を示す。得られた（光）電流像はナノメートル微結晶から成る表面形状と大きく異なり均一な像を表すことが分かった。（光）電流像は電極とＣｕＰｃの間に形成されるショットキーバリアなどの電位障壁に関する情報を反映していると考えられる。」（ｐ．２４右欄第２３行−ｐ．２５左欄第５行）、
　
ｍ）「以上から光電導性ＡＦＭにより有機薄膜のナノスケール光電特性マッピングが可能となることが示された。」（ｐ．２４左欄第５−７行）、
　
ｎ）「今後は単一分子での光電特性の計測を検討している。」（ｐ．２４左欄第７−８行）、　
　
ｏ）「本研究ではフェムト秒チタンサファイアレーザーの二倍波を励起光源として用いた光電導性ＡＦＭを用いて有機薄膜の電気物性の実時間測定を行った。図１２（ａ）に測定のブロック図を示す。チタンサファイアレーザーの二倍波（３９５ｎｍ）を２つに分けマイケルソンの干渉計を通してサンプルに照射した。二つの光パルスの時間差を変えながら試料から得られる光電流の変化を観測した。図１２（ｂ）に入射光の波形を、図１２（ｃ）に光電流の波形を示した。入射光の時間幅が１１０ｆｓであるのに対して光電流波形は６５ｆｓと短くなっている。これは２光子励起によって発生した電流をナノスケール実時間で観測していることになる。」（ｐ．２４左欄第１２行−同頁右欄第４行）、
　
ｐ）「任意の点にチップをアドレスし局所電気物性を計測することが可能である。」（ｐ．２４右欄第１３−１４行）、
　
ｑ）「今後は、この技術を利用して、一個の分子の量子伝導を観測することが可能になるものと期待される。また、光電導性ＡＦＭは単一分子の光物性を電気計測を通してみる、可能性を秘めた新しいナノ技術である。」（ｐ．２４右欄第１４−１８行）、
　が記載されている。
　
　刊行物２には、
　「【０００２】【従来の技術】ＡＦＭで略称される原子間力顕微鏡により試料表面の構造を撮像するには、試料表面に接触させて信号を取り出す探針が必要である。従来、この探針としてはカンチレバー部の先端に突出部（ピラミッド部とも呼ぶ）を形成したシリコン製又はシリコンナイトライド製のカンチレバーが知られている。」、
　
　「【０００３】従来のカンチレバーは、リソグラフィ、エッチング等のマイクロファブリケーション技術を用いて作成されている。このカンチレバーは、突出部の先端で試料表面の原子間力を検出するから、先端の先鋭度により撮像精度が決まってしまう。そこで、探針となる突出部先端の先鋭加工には、半導体加工技術を利用した酸化工程と酸化膜のエッチング工程が利用されている。しかし、現在の半導体加工技術にも微小化の限界があるため、前記突出部先端の先鋭度にも物理的限界があった。」、
　
　「【０００４】一方、新規な炭素構造としてカーボンナノチューブが発見された。このカーボンナノチューブは、直径が約１ｎｍから数十ｎｍ、長さが数μｍであり、アスペクト比（長さ／直径）は１００〜１０００程度になる。現在の半導体技術では直径が１ｎｍの探針を作成することは困難であり、この点から考えると、カーボンナノチューブはＡＦＭ用探針として最高の条件を備えている。」、
　
　「【０００８】【発明が解決しようとする課題】……。従って、カーボンナノチューブ等の導電性ナノチューブをカンチレバーの突出部に固定……」、
　が記載されている。
　
　刊行物３には日本語訳すると、
ｒ）原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）は、導電又は非導電の表面に亘って、電気的、磁気的又は原子間力のマッピングのための有力なツールであることを証明した。（ｐ．２９１の左欄第１−４行）,
　
ｓ）接触モードの作動は普通は、最高分解能を提供するが、イメージ品質を損なう横側の摩擦力（lateral friction forces）が起こりがちである。（ｐ．２９１の左欄第２０−２２行）、
　
ｔ）これらの２つの技術の組み合わせは、タッピングモードＡＦＭと呼ばれ、接触モードで作動しているＡＦＭにおけるに近い分解能を持ち、さらに、横側の摩擦力の発生を防止する。（ｐ．２９１の右欄第２−５行）、
　
ｕ）要約すると、我々は、金属のチップと試料間にバイアスを用いて、タッピングモード走査型フォース顕微鏡（tapping-mode scanning force microscope）を、駆動される非線形の振動子として、モデル化した。……。示されているシステムは、タッピング走査トンネル顕微鏡（tapping scanning tunneling microscope）として作動し、トンネル電流は、パルスのシリーズとして現れる。進歩した研究（Work in progress）は、このモデル化を半導体に拡張することを含んでおり、一時的に変わるショトキーバリア（Schottky barrier）が分析される。（ｐ．２９６の左欄下から７行−同頁右欄第７行）、
　が記載されている。
　
２．（２−２）刊行物１記載の発明
　刊行物１のｉ）に、試料が、ＩＴＯガラスへの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）真空蒸着膜（厚さ１００ｎｍ〜１０ｎｍ）であり、ｊ）に銅フタロシアニンがフォトキャリアするものであることが記載されている。　また、ｆ）に探針が電導性のカンチレバーであること、ｈ）に探針が１分子から数分子の面積で試料分子に接触させて、試料に直流バイアス電圧を印加して、試料にポイントコンタクト電流が流れるようにすること、ｌ）に、電極であるＩＴＯと試料である銅フタロシアニンの間にショットキーバリアなどの電位障壁があることが記載されている。
　そして、ｆ），ｈ），ｉ）、ｊ）に試料に電流を流しつつ、試料の表面に対して全反射で反射する角度でＨｅ−Ｎｅレーザーを照射させて試料の局所部分にエバネッセント光を生じさせて、前記局所部分を励起させ、増加した電流であるフォトキャリアを発生させることが記載されており、
　ｇ）に、試料への探針の接触圧力は１ｎＮと非常に弱い力であることが記載されており、
　ｆ）に、カンチレバーで試料表面を走査すること、ｌ），ｍ）に、同一領域（２５０ｎｍ平方）における表面像、電導像、光電導像を得ること、ｍ）に、ナノスケール光電特性マッピングが可能となったことが記載されており、
　探針が１分子から数分子に接触するようにすれば、励起させた局所部分を通して流れる電流は、１分子から数分子に流れる電流であることが自明であるから、
　刊行物１には、
　ＩＴＯガラス基板への真空蒸着膜であるフォトキャリア発生可能な銅フタロシアニンの試料であって、ＩＴＯと銅フタロシアニンの間にショット・キー・バリアなどの電位障壁がある試料に対して、試料の表面に存在する１分子から数分子の面積で、導電性の探針を接触させて、試料に直流バイアス電圧を印加して試料にポイントコンタクト電流が流れるようにし、ポイントコンタクト電流を測定して、マッピングにより電導像を得るようにし、
　前記ポイントコンタクト電流が流れる状態で、前記試料の表面に対して全反射で反射する角度でＨｅ−Ｎｅレーザーを照射させて試料の局所部分にエバネッセント光を生じさせて、前記局所部分を励起させて、励起させた局所部分を通して１分子から数分子に流れる電流を、前記導電性の探針を１分子から数分子に１ｎＮの力で接触させて計測し、マッピングにより光導電像を得るようにする、フォトキャリア発生可能な１分子から数分子における電気物性の測定方法、
　の発明が記載されている。
　
２．（２−３）対比・検討
　本件補正発明について
　本願明細書には、段落【００３８】に「基板１には、ＩＴＯガラスを用い、試料２には、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いた。銅フタロシアニンをＩＴＯガラスに真空蒸着し、厚さ１００ｎｍ〜１０ｎｍとした。」と記載があり、段落【００４１】に「ＩＴＯガラスと銅フタロシアニン界面においてショット・キー・バリアが存在するものと推定される。」という記載があり、これら段落に示された試料及び基板を用いたものが本件補正発明の唯一の実施例であり、平成１６年７月９日付けの審判請求書の請求の理由の欄でも主張している実施例である。
　ところで本願明細書中には、銅フタロシアニンがＩＴＯに化学結合させたものであること、および、銅フタロシアニンにトンネル電流が流れること、については記載がないから、本件補正発明と実施例の相互対応関係が不明りょうであるものの、銅フタロシアニン［注：銅フタロシアニンは半導体である。特開２０００−１７４２７７号公報の段落【００１７】を参照］をＩＴＯガラス（注：ＩＴＯガラスが、導電性であることは周知事項である）に真空蒸着してなる試料は、請求人が補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載で主張のとおり「導電性の基板に化学結合させた……分子からなる試料」であり、「基板と前記探針との間にトンネル電流」を流すことができる試料であるものと認める。
　
　対比
　本件補正発明と、刊行物１記載の発明を対比すると、刊行物１記載の発明での試料及び基板はそれぞれ、本件補正発明の実施例と同じく、銅フタロシアニン、ＩＴＯガラス基板であり、刊行物１記載の発明で銅フタロシアニンに流れるポイントコンタクト電流は、トンネル電流であることが明らかであり、また、刊行物１記載の発明も、段階と段階と段階とからなる方法といった記載で表現できるものであることが、明らかである。
　つまり、刊行物１記載の発明は、
（α’）ＩＴＯガラス基板への真空蒸着膜であるフォトキャリア発生可能な銅フタロシアニンの試料であって、ＩＴＯと銅フタロシアニンの間にショット・キー・バリアなどの電位障壁がある試料に対して、試料の表面に存在する１分子から数分子の面積で、導電性の探針を接触させる段階と、
（β’）試料に直流バイアス電圧を印加して試料にトンネル電流が流れるようにする段階と、
（γ’）トンネル電流を測定して、マッピングにより電導像を得るようにする段階と、
（δ’）前記トンネル電流が流れる状態で、前記試料の表面に対して全反射で反射する角度でＨｅ−Ｎｅレーザーを照射させて試料の局所部分にエバネッセント光を生じさせて、前記局所部分を励起させる段階と、
（ε’）励起させた局所部分を通して１分子から数分子に流れる電流を、前記導電性の探針を１分子から数分子に１ｎＮの力で接触させて計測する段階と、
　を含むフォトキャリア発生可能な１分子から数分子における電気物性の測定方法、
　ということができる。（注：α’，β’，γ’，δ’，ε’は、便宜上付した段落表示であり、本件補正発明の段落α，β，γ，δ，εに対応している）
　
　そして、刊行物１記載の発明は、１ｎＮの力で探針を試料の表面の１分子から数分子に接触させるものであり、マッピングにより光導電像を得るようにするに際して、接触させる力の大きさを変更する理由はないから、１ｎＮという一定の力で接触させるものと理解できる。
　また、刊行物１記載の発明は、光導電像をマッピングで作成するのに、励起させた１分子から数分子を通して流れる電流を、ある位置で１分子から数分子に探針を１ｎＮの力で接触させて計測し、異なる位置で異なる１分子から数分子に探針を１ｎＮの力で接触させて計測するといった仕方で行うのは、当然のことである。
　そして、本件補正発明で「１分子に接触させる」、「１分子を通して流れる電流」、「１分子に一定の力で接触させ」、「単一分子における電気物性の測定方法」ということと、刊行物１記載の発明で「１分子から数分子の面積で接触させる」、「１分子から数分子を通して流れる電流」、「１分子から数分子の面積に１ｎＮの力で接触させ」、「１分子から数分子における電気物性の測定方法」ということは、それぞれ、「分子に接触させる」、「分子を通して流れる電流」、「分子に一定の力で接触させ」、「分子における電気物性の測定方法」という点で共通するから
　両者は、
　導電性の基板に化学結合させたフォトキャリア発生可能な分子からなる試料の表面に存在する分子に導電性の探針を接触させる段階と、
　前記基板に電圧を印加して前記基板と前記探針との間にトンネル電流を流す段階と、
　前記トンネル電流を計測する段階と、
　前記トンネル電流を流しつつ前記試料の表面に対して全反射する角度でレーザ光を照射させて、前記探針が接触する前記分子を含む前記試料の局所部分にエバネッセント光を生じさせ、前記局所部分を励起させる段階と、
　励起させた分子を通して流れる電流を前記導電性の探針を分子に一定の力で、かつ異なる前記フォトキャリア発生可能な分子に接触させて計測する段階と、
　を含むフォトキャリア発生可能な分子における電気物性の測定方法、
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１
　本件補正発明は、１分子に先端が０．１〜１０ｎｍの導電性の探針を接触させるのに対し、
　刊行物１記載の発明は、１分子から数分子に導電性の探針を接触させるものであり、探針の先端の大きさについて、数値限定がない点。
　
　相違点２
　本件補正発明は、「１分子を通して流れる電流」、「１分子に一定の力で接触させ」、「単一分子における電気物性の測定方法」であるのに対し、
　刊行物１記載の発明は、「１分子から数分子を通して流れる電流」、「１分子から数分子の面積に１ｎＮの力で接触させ」、「１分子から数分子における電気物性の測定方法」である点。
　
　相違点３
　本件補正発明は、異なるフォトキャリア発生可能な分子に間欠的に接触させて計測するのに対し、
　刊行物１記載の発明は、ある位置でフォトキャリア発生可能な１分子から数分子に探針を接触させて計測し、異なる位置で異なるフォトキャリア発生可能な１分子から数分子に探針を接触させて計測するといった仕方をするものである点。
　
　検討
　前記相違点について検討すると、
　相違点１について
　刊行物１のｈ）の「本研究で行った条件では１分子から数分子の面積で探針と接触しているものと考えられる。」という記載は、１分子と接触していることも考えられ、数分子と接触していることも考えられる、というものであり、刊行物１のｎ），ｑ）に、１分子の光電特性を観測するという技術課題が記載されておりその実現のために、探針を試料の表面の１分子にだけ接触させるようにするのが好ましいのは当然のことであるから、刊行物１記載の発明において、１分子に導電性の探針を接触させるようにすること、及びそのため、探針の先端を可及的に小さく先鋭なものとすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　また、刊行物２の段落【０００３】にＡＦＭ（原子間力顕微鏡）において、カンチレバー突出部の先端の先鋭度により撮像精度が決まってしまうことが記載され、段落【０００４】，【０００８】に、カーボンナノチューブは、直径が約１ｎｍから数十ｎｍであること、カーボンナノチューブは、導電性であって、カンチレバーの突出部に固定するものであること、が記載されている。
　刊行物１記載の顕微鏡は、ｆ），ｌ）に記載のとおり、原子間力検出による表面形状（表面像）、局所電流による暗電導（電導像）、レーザ光照射による光電導（光電導像）の３種の計測を行うものであり、その際、同じ探針を用いてそれら計測を行うものと考えるのが普通であり、原子間力検出による撮像精度をよくするために、探針として、導電性のカーボンナノチューブでその直径が例えば１ｎｍ（注：０．１〜１０ｎｍの範囲内である）のものを採用することは、刊行物２に基いて当業者が容易に想到できたものであり、その１ｎｍの探針を、電導像、光電像像を得るために兼用すること、つまり、１分子に先端が前記１ｎｍの導電性の探針を接触させて、局所電流による暗電導を計測するとともに、前記１ｎｍの探針を接触させてレーザ光照射による光電導を計測することを阻害する要因がなく、探針の先端が小さく先鋭度の高い、１ｎｍの探針を用いれば、例えば３０ｎｍの探針を用いた場合に比べて、より精細な電導像や光電導像が得られるのも当然のことである。
　
　相違点２について
　刊行物１記載の発明において、前記「相違点１について」で記載したとおり、１分子に導電性の探針を接触させるようにすることは、当業者が容易に想到できたものであり、そうした際は「１分子から数分子を通して流れる電流」、「１分子から数分子の面積に１ｎＮの力で接触させ」、「１分子から数分子における電気物性の測定方法」は、それぞれ“１分子を通して流れる電流”、“１分子に一定の力で接触させ”、“単一分子における電気物性の測定方法”となるのは、当然のことである。
　
　相違点３について
　刊行物３のｒ），ｓ），ｔ），ｕ）により、ＡＦＭ顕微鏡で探針を試料に接触させて、マッピングする場合に、横側の摩擦力の発生を防止するために金属のチップ（探針である）でのタッピング（tapping:：こつんと軽くたたく）モードを採用することが記載されており、これは、間欠的に探針を試料に接触させるということである。　刊行物１記載の発明において、前記「相違点１について」で記載したとおり、１分子に導電性の探針を接触させるようにすることは、当業者が容易に想到できたものであり、そのようにした際に、ある位置で１分子に探針をタッピングで接触させて計測し、異なる位置で異なる１分子に探針をタッピングで接触させて計測するといった具合に、間欠的に、探針を接触させて計測することは、当業者が容易に想到できたものである。
　
　そして、相違点１−３を総合的に判断しても、本件補正発明は、刊行物１記載の発明及び、刊行物２，３に記載の発明及び従来周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２．（２−４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年７月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１ないし６に係る発明は、平成１６年５月１１日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１は、前記「２．（１）補正内容」の欄に補正前の請求項１として記載の次のとおりのものである。（以下で、本願請求項１に係る発明を「本願発明」という）
　「【請求項１】導電性の基板に化学結合させた分子からなる試料の１分子に導電性の探針を接触させる段階と、前記基板に電圧を印加して前記基板と前記探針との間にトンネル電流を流す段階と、前記トンネル電流を計測する段階と、前記トンネル電流を流しつつ前記試料の表面に対して全反射する角度でレーザ光を照射して、前記探針が接触する前記１分子を含む前記試料の局所部分にエバネッセント光を生じさせ、前記局所部分を励起させる段階と、励起させた前記１分子を通して流れる電流を計測する段階とを含む、電気物性の測定方法。」
　
４．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由で、請求項１−６に対して引用されたのは、刊行物１であり、刊行物１記載の発明は、前記「２．（２−２）刊行物１記載の発明」の欄に記載のとおりである。
　
５．対比・検討
　本願発明と、刊行物１記載の発明を対比すると、
　両者は、
　導電性の基板に化学結合させた分子からなる試料の１分子に導電性の探針を接触させる段階と、前記基板に電圧を印加して前記基板と前記探針との間にトンネル電流を流す段階と、前記トンネル電流を計測する段階と、前記トンネル電流を流しつつ前記試料の表面に対して全反射する角度でレーザ光を照射して、前記探針が接触する前記１分子を含む前記試料の局所部分にエバネッセント光を生じさせ、前記局所部分を励起させる段階と、励起させた前記１分子を通して流れる電流を計測する段階とを含む、電気物性の測定方法、
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１’
　本願発明は、１分子に導電性の探針を接触させるのに対し、
　刊行物１記載の発明は、１分子から数分子に導電性の探針を接触させるものである点、
　
　相違点２’
　本願発明は、１分子を通して流れる電流を計測するのに対し、
　刊行物１記載の発明は、１分子から数分子を通して流れる電流を計測する点。
　
　前記相違点１’，２’について検討すると、
　前記「２．（２−３）対比・検討」欄中の「相違点１について」，「相違点２について」で記載したとおりの理由により、刊行物１記載の発明において、１分子に導電性の探針を接触させること、１分子を通して流れる電流を計測すること、は当業者が容易に想到できたものである。
　
　そして、相違点１’，２’を総合的に判断しても、本願発明は刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明および従来周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願のその余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。