【事件の表示】
　平成　８年特許願第３５４４２７号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年６月３０日出願公開、特開平１０−１７８１４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
 　本願は、平成８年１２月１９日の出願であって、平成１５年６月３日付けで手続補正がなされ、平成１６年６月１日付けで拒絶理由が通知され、同年８月６日付けで意見書及び手続補正がなされ、同年９月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１４日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。  
 　  
２．本願発明  
 　本願の請求項１〜２２に係る発明は、平成１６年８月６日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。　  
「半導体集積回路チップと、
　導体パターンを備え、上記半導体集積回路チップが固定される熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする絶縁基材を有し、上記熱可塑性ポリイミド樹脂が１５０〜２５０℃の範囲のガラス転移点を有する絶縁基板と、
　上記半導体集積回路チップの主面に形成された電極パッドと上記導体パターンとを電気的に接続する手段と、
　上記導体パターンと外部基板との電気的接続を動作可能に形成するために上記導体パターンに設けられた接続手段と、
　を有する半導体装置。」
　
３．引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、特開平８−３３５６５３号公報には、以下の事項が記載されている。 
（ａ）「【請求項１】  補助配線板片の板面に、電極を備えた半導体チップが、その電極側を対面させた状態で搭載され、上記補助配線板片の内部に引回し導体が配設され、この引回し導体の一端が上記補助配線板片の上記半導体チップ搭載側の面から突出する内側電極に形成され、上記引回し導体の他端が上記補助配線板片の上記半導体チップ搭載側と反対側の面から突出する外側電極に形成され、上記内側電極と半導体チップの電極とが接合している半導体装置であって、少なくとも上記半導体チップと補助配線板片との間隙が、熱融着性ポリイミド樹脂層により封止されていることを特徴とする半導体装置。」（第２頁左欄２行〜１２行）
（ｂ）「【請求項８】  上記補助配線板片の半導体チップ搭載側の表面層が、ポリイミドから形成されている請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。」（第４頁左欄４６〜４８行）
（ｃ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップスケールパッケージ（以下「ＣＳＰ」という）タイプの半導体装置にかかるものであり、詳しくは、耐湿信頼性に優れたＣＳＰタイプの半導体装置およびその製法ならびに上記半導体装置の製造に使用する半導体装置用テープキャリアに関するものである。」（第１４頁左欄１７〜２３行）
（ｄ）「【００１６】・・・半導体チップと補助配線板片との空隙を熱融着性ポリイミド樹脂層の形成により封止した半導体装置は、上記ポリイミド樹脂層が半導体チップと補助配線板片とに対し強固に接着することを突き止めた。そして、この熱融着性ポリイミド樹脂層を備えた半導体装置は、信頼性に優れるようになることを見出し本発明に到達した。また、半導体チップと補助配線板片との間隙に熱融着性ポリイミド樹脂層を形成する方法として、上記２種類の製法も開発した。すなわち、半導体チップを補助配線板片の上に搭載する際に、熱融着性ポリイミドフィルムを上記両者の間に介在させる方法と、半導体チップ搭載側の面に熱融着性ポリイミドフィルムを備えた補助配線板片を使用する方法である。」（第１７頁左欄４５行〜同頁右欄４８行）
（ｅ）「【００２０】図１（イ）および同図（ロ）に本発明の半導体装置の一例を示す。同図（イ）は、半導体装置の構成を示す断面図であり、同図（ロ）は、その一部切り欠き図であり、同一部分には同一符号を付している。図示のように、この半導体装置は、ＣＳＰタイプのものであり、補助配線板片２の板面に、半導体チップ１が、その電極１１側（回路形成面側）を上記補助配線板面に対面させた状態で搭載されている。上記補助配線板片２は、絶縁層２４，２５を積層したものであり、この絶縁層２４，２５には、ポリイミドフィルムを使用することが、耐熱性の観点から好ましい。そして、上記半導体チップ１の電極１１が、補助配線板片２の内側電極２１に接合されている。この内側電極２１は、絶縁層２４の所定位置に穿孔された孔２１２に金属２１３が充填され、この充填金属の一端は、半導体チップ１搭載面からバンプ状に突出（同図において上方）して金属バンプ２１１に形成されたものである。そして、上記充填された金属２１３の他端は、補助配線板片２の内部に配設された引き回し導体２３の一端と接続している。また、この引回し導体２３の他端は、外側電極２２と接続されている。この外側電極２２は、上記内側電極２１と同様に、絶縁層２５の所定の位置に穿孔された孔２２１に金属２２２が充填されており、この充填金属２２２の一端が、上記引回し導体２３の一端と接続し、充填金属２２２の他端は、半導体チップ１搭載側と反対側の面からバンプ状に突出（同図において下方）して金属バンプ２２３が形成されたものである。このように、補助配線板片２の内側電極２１，引回し導体２３，外側電極２２を通じて、半導体チップ１の外部に対する電気的な接続がとれるのである。」（第１８頁左欄２５行〜同頁右欄５行）
（ｆ）「【００２２】この熱融着性ポリイミド樹脂層の形成材料としては、ガラス転移温度が３００℃以下の熱融着性ポリイミド樹脂が好ましく、特に好ましくはガラス転移温度が１５０〜２５０℃のものである。」（第１８頁右欄２８〜３１行）
（ｇ）「【００７２】この製法は、補助配線板片として、その半導体チップ搭載面に熱融着ポリイミド樹脂層が形成されたものを使用する方法である。この補助配線板片の一例を、図１１に示す。図示のように、この補助配線板片は、絶縁層２４の上に、熱融着性ポリイミド樹脂層３が形成されている。同図において、図３と同一部分には同一符号を付している。この補助配線板片は、例えば、図３の（イ）〜（ト）に示す工程を経て補助配線板片を作製し、この板面上（絶縁層２４の上）に熱融着性ポリイミド樹脂層３を形成することにより得ることができる。上記熱融着性ポリイミド樹脂層は、例えば、補助配線板片を作製し〔図３（イ）〜（ト）参照〕、この板面の上に、熱融着性ポリイミドフィルムをラミネートしたり、または熱融着性ポリイミドワニスを調製し、これを塗工した後乾燥させて溶媒を除去することにより形成することができる。」（第２６頁右欄２１〜３６行）
（ｈ）「【００７４】そして、この補助配線板片（図１１参照）の上記熱融着性ポリイミド樹脂層３の上に、半導体チップ１を搭載し、この後は、前述の第１の製法と同様の工程を経ることにより、半導体装置を作製することができる。したがって、第２の製法は、ポリイミド樹脂層の形成方法が、一部異なるだけで、その他の工程では、手順や条件も同様であり、熱融着ポリイミド樹脂層等の形成材料も同様である。
【００７５】このように、この第２の製法では、半導体チップ搭載面に熱融着性ポリイミド樹脂層が形成された補助配線板片を用いることが特徴であり、これを用いることにより、半導体装置の連続生産が可能になる等の効果を得ることができる。」（第２６頁右欄４８行〜第２７頁左欄１０行）
　
４．対比・判断
　上記摘記事項（ａ）〜（ｈ）において、 特に、上記摘記事項（ａ）〜（ｅ）には、
 「半導体チップと、
　引き回し導体を備え、半導体チップが固定される熱融着性ポリイミド樹脂を有する補助配線基板片を有し、
　半導体チップの電極と引き回し導体とを電気的に接続する充填金属と、
　引き回し導体と外部基板との電気的接続を可能にする金属バンプと、
を有する半導体装置」
　が開示されている。
　ここで、「補助配線基板片」について、上記摘記事項（ｇ）、（ｈ）には、
「引き回し導体を備え、半導体チップが固定される熱融着性ポリイミド樹脂層を絶縁層であるポリイミドフィルム上に有する補助配線基板片」
　と開示されている。
　また、「熱融着性ポリイミド樹脂層」について、上記摘記事項（ｆ）には、
「熱融着性ポリイミド樹脂層は、１５０〜２５０℃の範囲のガラス転移温度を有する。」
　と開示されている。
 
　以上の開示内容を総合すると、刊行物には、
「半導体チップと、
　引き回し導体を備え、半導体チップが固定される熱融着性ポリイミド樹脂層を絶縁層であるポリイミドフィルム上に有し、熱融着性ポリイミド樹脂層は、１５０〜２５０℃の範囲のガラス転移温度を有する補助配線板片と、
　半導体チップの電極と引き回し導体とを電気的に接続する充填金属と、
　引き回し導体と外部基板との電気的接続を可能にする金属バンプと、
を有する半導体装置」
　が記載されているものと認められる。（以下、「刊行物発明」という。）
　
　ここで、本願発明と刊行物発明とを比較すると、刊行物発明の「半導体チップ」、「引き回し導体」、「熱融着性ポリイミド樹脂」、「補助配線板片」、「充填金属」、「金属バンプ」は、本願発明の「半導体集積回路チップ」、「導体パターン」、「熱可塑性ポリイミド樹脂」、「絶縁基板」、「電気的に接続する手段」、「接続手段」に各々相当する。
　
　そうすると、両者は、 
 「半導体集積回路チップと、
　導体パターンを備え、上記半導体集積回路チップが固定される熱可塑性ポリイミド樹脂を有し、上記熱可塑性ポリイミド樹脂が１５０〜２５０℃の範囲のガラス転移点を有する絶縁基板と、
　上記半導体集積回路チップの主面に形成された電極パッドと上記導体パターンとを電気的に接続する手段と、
　上記導体パターンと外部基板との電気的接続を動作可能に形成するために上記導体パターンに設けられた接続手段と、
　を有する半導体装置。」  
の点で一致し、以下の点で相違する。  
　
　相違点  
　本願発明では、熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする絶縁基材であるのに対して、刊行物発明では、熱可塑性ポリイミド樹脂を絶縁性のポリイミドフィルム上に有し、熱可塑性ポリイミド樹脂を主体とする点については明確に記載されていない点
　
　以下、上記相違点について検討する。 
　上記摘記事項（ｃ）に記載されているように、刊行物発明は、ＣＳＰという小形化パッケージ技術分野において、半導体チップと基板とを信頼性高く密着させるという技術的課題を有しており、当該技術的課題は、本願発明と共通するものである。
　そして、当該技術的課題を達成するためには、半導体チップと絶縁基板との接着を強固で、かつ安定した接着性を得る必要がある。
　したがって、刊行物発明において、上記技術的課題に配慮すれば、接着力に直接寄与する熱可塑性ポリイミド樹脂を、その接着力の効果が十分に得られるように「主体」とした絶縁基材とすることは、当業者が容易に想到し得た事項と認められる。
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物発明に基づいて当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。