【事件の表示】
　平成　６年特許願第１７４４５４号「光学的導波体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　６月　２日出願公開、特開平　７−１４０３３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年７月２６日（パリ条約による優先権主張　平成５年７月２６日、スイス国）の出願であって、平成１５年６月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２２日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年１０月２２日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１０月２２日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１０月２２日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を下記のように補正することを含むものである。
「【請求項１】　次の工程（ａ）〜（ｃ）、すなわち
（ａ）有機材料のみから本質的になる基材を成形する工程、
（ｂ）少なくとも１つの中間層を
スパッタリングにより
（ｃ）導波体層を
スパッタリングにより
を含み、当該少なくとも１つの中間層は、光エネルギーのうちの無視できる部分のみが当該中間層と当該基材との境界面に達するように
スパッタリングで堆積
（請求項１に記載されていた「上記基板」は、基板がその前に記載されていないことから、「上記基材」の誤りで有ることが明らかであるから、上記のとおり請求項１を認定した。）
　
　上記補正は、補正前の請求項１の中間層及び導波体層が、スパッタリングで形成されることを限定しようとするものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、本件補正後の請求項１（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）引用例記載の発明
　原審の拒絶理由に引用した欧州特許出願公開第５３３０７４号明細書（以下、「刊行物１」という。）には、対応公開公報である特開平５−２７３４２７号公報を参照すると、おおよそ下記の事項が記載されている。
「【発明の詳細な説明】【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は実質的に平坦な基板を備えた光導波体とその基板に付着された非有機的な導波体層とに関している。また、この発明は有機的な層が実質的に平坦な基板に付着された光導波体の製作のための処理法と、そのような導波体の利用とに関連している。
・・・
【００１７】プラスチック基板上の非有機導波体層の付加的な利点はプラスチック基板がフィルムとして形成できることである。・・・プラスチックフィルムの材料の特性は導波体の最終製品への一連の処理をかなりの程度に簡単化している。
【００１８】好ましくは、熱可塑化方法によって処理され得る合成樹脂は、特に熱可塑的に機能性のポリカーボネート、ＰＭＭＡ、ポリイミドまたはポリエステルは、基板材料として利用され得る。
【００１９】熱可塑性プラスチックは、ホットスタンピングによって、その表面上に、大きな製造費用をかけないで、導波の結合と切断のための光回折格子を製作することができるという利点がある。
・・・
【００２６】純粋な有機基板の代わりに、高い有機物割合の基板を使用することが可能である。いわゆるＯＲＭＯＣＥＲ材料は、・・・この目的に適している。これらのＯＲＭＯＣＥＲ材料は液相、即ち非熱可塑性プラスチック層のポリイミドの液相、から製造されたプラスチック層と同様に非加工状態で浮き出されるので結合切断格子が大きな製造費用なしで形成できる。
【００２７】好ましくは、これらのＯＲＭＯＣＥＲ層は、または液相から製造されたプラスチック層は、バッキングプレートまたは非有機または有機材料のフィルムに付着される。・・・
【００２８】合成樹脂は非有機材料、例えば、ガラス、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、そしてその他、よりも実質的に高い熱膨脹係数である。非有機層で有機基板を被覆すると、異なる熱膨脹係数は、温度変化の場合に、導波体層の亀裂（クラック）形成につながる。しかしながら、薄い有機基板層（数μｍ）をガラスバッキングプレートに付着すると、例えば、異方性熱膨脹係数が現れる。平面では、合成樹脂はバッキング材料のそれに近い値をとるが直交した膨脹係数は合成樹脂材料のそれに近い値が観測される。全体では、横方向で、導波体層の熱膨脹係数よりも実質的に高い程度に適合されるバッキング材料に類似した膨脹係数を呈する。亀裂（クラック）形成傾向はしたがって減少する。
・・・
【００３３】好ましくは、非有機導波体層はＴｉＯ２、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２混合物、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２またはＺｒＯ２から成っている。高い屈折率の導波体の製作のためのこれらの材料の使用は普通である。特に、知られた被覆方法が、例えば、ＰＣＶＤ、ＰＩＣＶＤまたはイオン強化ＰＶＤ処理が、利用される。これらの被覆はＰＣＶＤ、ＰＩＣＶＤ方法によって簡単な仕方で準備できそしてこれらの組成物の最初の材料は非常に安上がりであるからＳｉＯ２、ＴｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４の導波体層は特に好ましい。
・・・
【００３８】２回折格子構造は異なる周期と方向性の２つの格子の重ね合わせとして実現される。・・・発明の別の好ましい実施例では、基板と導波体層との間に少なくとも１つの中間層が配置されている。
【００３９】中間層は基板表面の粗さを改善するのに役立つ。商業的に可能な熱可塑性合成樹脂プレートまたはフィルムは、それらの製造処理法のために、高すぎるために使用できない表面粗さ（典型的には３−１０ｎｍ、ＲＭＳ値）を呈する。この粗さは伝導モードの大きな散乱損失をもたらす。基板の表面粗さは自乗で減衰に効いてくる。しかしながら、＜３ｎｍの、好ましくは＜１．５ｎｍの、粗さは表面センサー、特にバイオセンサー、の光変換器としての使用に好ましいので、高い屈折率の、単一（モノ）モードでの粗さ揺動の散乱損失を最小にすることが必要である。中間層は好ましくは＜３ｎｍの、より好ましくは＜１．５ｎｍの、表面粗さを呈する。
・・・
【００４１】・・・しかしながら、光の結合分離のためには、特別に、著しく小さい構造的・・・深さ（＜５０ｎｍ）の格子が必要であり、そこではマスターの製作においてより高い要請が満たされねばならない。構造深さの余裕度はここでは最大＋−２０％、好ましくはわずかに＋−５％である。格子の深さを望ましい量だけ減少させる中間層の付着は普通の構造深さ（ほぼ１００ｎｍ）のそしてより大きい構造深さの余裕度とを有する金属シムは微細な光回折格子の製造に利用することができる。
【００４２】格子の望ましい回折と結合分離効率が達成される程度まで簡単な仕方で中間層によって、浮き出し処理法に続いて、格子のしわが埋められる。ほぼ１００ｎｍの構造深さの金属シムを使用するとき、浮き出し格子構造の深さの少なくとも０．１倍そして大きくても５０倍の中間層の厚さがこの目的のためには充分である。
【００４３】時間の経過とともに特に摩耗によって浮き出しシムの特性が低下することが知られている。このことは浮き出し基板表面のより大きな粗さとそして結果的に導波層での減衰の増大とにつながる。摩滅したスタンピングシムによって作られた表面粗さを再びスムースにするばかりでなく、中間層の厚さを経て、スタンプされた格子の構造深さによって格子の回折効率と結合分離効率とを簡単な仕方で再調整するという付加的な利点を中間層の付着は持っている。浮き出しシムの特性のこれらの減じられた要請はこの発明による導波体のより低額の製造費として現れる。
【００４４】中間層の厚さが増大するにつれて、基板表面は、波が横方向に減衰する場の領域からますます遠ざかる。相応の厚さの中間層では、導波はその周辺領域だけが基板表面と相互作用するという事実から、散乱損失と吸収損失とが最小にされる。
・・・
【００４７】中間層の適した材料の例はＳｉＯ２、ＦまたはＢのドープされたＳｉＯ２、・・・ＳｉＯＸＣＹＨＺ傾斜層である。・・・
・・・
【００７３】・・・一般に、柱状構造を避けた緻密な層を生み出すあらゆる方法、例えば、プラズマ強化ＣＶＤ処理法、特にマイクロ波プラズマパルスＣＶＤ処理法、中でもイオンスパッタ処理法、は中間層を作るのに適している。ＰＣＶＤ方法は、この場合に中間層と導波体層が一つの真空処理法で付着されるので、ＳｉＯ２の中間層を作るのに好ましい。
・・・
【００７７】
【実施例１】１．ポリカーボネート上にＴｉＯ２からの単一モード導波体の製作、その表面は部分的領域で浮き出しによって構造化されまたはスムースにされている。このように浮き出された構造は３６４ｎｍの線間隔と１０ｎｍの変調深さとを備えた格子である。処理パラメータ
（ａ）プラズマ前処理
ガス：Ｏ２またはＮ２またはＡｒ
時間：５−３００ｓ
圧力：０．８ｍｂａｒ
流量：１００ｍ１／分
パルス幅：１ｍｓパルス
間隔：９０ｍｓ
（ｂ）被覆
圧力：０．８ｍｂａｒ
流量ＴｉＣｌ４：１００ｍｌ／ｍｉｎ
パルス幅：１ｍｓ
パルス間隔：９０ｍｓ
被覆速度：４０ｎｍ／ｍｉｎ
層厚さ：１４０ｎｍ
基板：ポリカーボネート
厚さ１．５ｍｍ
直径１００ｍｍ
基板温度：６０℃
被覆操作は一度は保護層を付着してそして一度は保護層の付着なしでそしてまたは技術の状態によっては接着促進法を使用して遂行される。両方の場合に、ＴＥＯ波の損失は２．５ｄＢ／ｃｍである。
・・・
【００８０】
【実施例４】４．５０ｎｍの厚さのＳｉＯ２の中間層を備えた実施例Ｉにおけるようにポリカーボネート基板上のＴｉＯ２からの単一モード導波体の製作
処理パラメータ、中間層：
圧力：０．８ｍｂａｒ
流量ＨＭＤＳ：１０ｍｌ／ｍｉｎ
流量Ｏ２：９０ｍｌ／ｍｉｎ
パルス幅：０．８ｍｓ
パルス間隔：９０ｍｓ
被覆速度：１５０ｎｍ／ｍｉｎ
（プラズマ前処理、導波体層の付着、実施例Ｉに類似した格子構造）中間層の付加的な付着のため、０．５ｍｍの構造領域（中間層なし）の伝導ＴＭＤモードの伝搬通路は５ｍｍにまで増大した。」
　
（３）対比
　本願補正発明と刊行物１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
（ア）刊行物１の上記【００１７】〜【００２７】の記載を参照すると、引用発明が、本願補正発明の「（ａ）有機材料のみから本質的になる基材を成形する工程」に相当する技術的事項を有することは明らかである。
（イ）刊行物１の上記【００３８】〜【００４２】の記載を参照すると、引用発明が、基材（刊行物１の「基板」に相当）の上に中間層を有することが明らかであると共に、刊行物１には、「【００７３】・・・中でも
イオンスパッタ処理法
（ウ）引用発明が、ＴｉＯ２等からなる導波体層を有すること及び光学的導波体の製造方法を有するものであることは、刊行物１の記載から明らかである。
　また、刊行物１には、「【００４４】中間層の厚さが増大するにつれて、基板表面は、波が横方向に減衰する場の領域からますます遠ざかる。相応の厚さの中間層では、導波は
その周辺領域だけが基板表面と相互作用
散乱損失と吸収損失とが最小にされる
　
　よって、両者は、
「次の工程（ａ）〜（ｃ）、すなわち
（ａ）有機材料のみから本質的になる基材を成形する工程、
（ｂ）少なくとも１つの中間層をスパッタリングにより上記基材の上に形成する工程、
（ｃ）導波体層を上記中間層の上に形成する工程、
を含み、当該少なくとも１つの中間層は、光エネルギーのうちの無視できる部分のみが当該中間層と当該基材との境界面に達するように形成される、光学的導波体の製造方法」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
相違点：
　本願補正発明では、導波体層が、「スパッタリングにより」「堆積される」のに対して、引用発明は、導波体層の上記製法の規定を有するものではない点。
　
（４）判断
　上記相違点につき検討するに、刊行物１で具体的に開示されている導波体層材料をスパッタリングにより堆積させることは周知（例えば、特開平４−１６２０２２号公報にはＺｎＯを、特開平５−２７６６号公報にはＴｉＯ２をスパッタリングにより堆積させることが記載されている。）のことにすぎないので、上記相違点の技術的事項とすることは周知技術を勘案して当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、審判請求人は、請求理由において、引用発明の目的は基板表面を粗さの改善を目的にするものであって、本願補正発明のものとはその目的が相違する旨主張するが、引用発明と本願補正発明は、中間層の層厚が格別異なるものではない（本願補正発明のものは、５〜１００ｎｍ（第６図）、引用例１では、５０ｎｍ（実施例４））。また、引用例１には、「【００４４】中間層の厚さが増大するにつれて、・・・ますます遠ざかる。相応の厚さの中間層では、導波はその周辺領域だけが基板表面と相互作用するという事実から、散乱損失と吸収損失とが最小にされる。」との記載があり、散乱損失は表面を粗さと関係するとしても、吸収損失は、単に距離（導波層と基板の距離、すなわち中間層の厚さ）の関数といえるから、引用例１の中間層は、光エネルギーが基板に実質的に届かない程度の厚さに形成されるものであることを開示しており、これは即ち本願補正発明の「光エネルギーのうちの無視できる部分のみが当該中間層と当該基材との境界面に達するように形成される」との事項を示すものであって、本願補正発明と同様の目的を有するものであるから、請求人の上記主張は認められない。
 　 
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年１０月２２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年５月１９日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】　次の工程（ａ）〜（ｃ）、すなわち
（ａ）有機材料のみから本質的になる基材を成形する工程、
（ｂ）少なくとも１つの中間層を第１の真空堆積法により上記基材の上に形成する工程、
（ｃ）導波体層を第２の真空堆積法により上記中間層の上に形成する工程、
を含み、当該少なくとも１つの中間層は、光エネルギーのうちの無視できる部分のみが当該中間層と当該基材との境界面に達するように形成される、光学的導波体の製造方法。」（以下、「本願発明」という。なお、「上記基板」については、本願補正発明と同様であって、上記のとおり認定した。）
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物１（欧州特許出願公開第５３３０７４号明細書）には、上記２．（２）刊行物記載の発明で摘記した事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　上記本願補正発明と比べると、本願発明は、中間層及び導波体層を「スパッタリング」により形成する点の構成を欠くものであるから、本願発明と引用発明を対比すると、上記２．（３）対比における相違点の構成を欠くものとなる。
　そうしてみると、本願発明は、上記刊行物１に実質的に全て記載されており、引用発明と同一である。
　
　なお、請求人は、意見書、審判請求書及び平成１６年１０月２８日付上申書において、上記刊行物１と本願発明の相違点について言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含めて検討していることは明らかである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。