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　特願２００１−１９４８４６号「シリコンウェーハの製造装置及び製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１月１０日出願公開、特開２００３−７６６８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件に係る出願（以下、「本願」という。）は、平成１３年６月２７日の特許出願であって、平成２０年３月６日付けで拒絶査定がなされ（同年３月１１日発送）、これに対し、同年４月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年５月１２日付けで明細書についての手続補正がなされた。そして、当審において平成２２年３月４日付けで拒絶の理由が通知され（同年３月９日発送）、これに対して、同年５月１０日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
  　 
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年５月１０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　
　「シリコンウェーハの周縁部を洗浄する製造装置であって、
　洗浄水及びガスを混合した水滴流を噴射ノズルから吹き付けて前記周縁部に付着した付着物を除去する水滴流噴射機構を備え、
　該水滴流噴射機構は、噴射する前記水滴流において、流速を前記付着物の付着力に抗して前記付着物を十分に吹き飛ばすだけの衝突エネルギーが得られる２５０ｍ／ｓ以上かつ、前記水滴流による衝突で前記付着物をウェーハを傷つけることなく除去することができる範囲に設定するとともに、噴射する前記水滴流において、水滴の粒子径１０μｍ程度に設定するとともに、
　前記水滴流噴射機構は、前記ウェーハの表面に対して傾けられて前記ウェーハの上方に配されるとともに斜め下方の前記周縁部に対して前記ウェーハ外側から中心方向に向けて前記水滴流を噴射するように設けられる前記噴射ノズルと、前記ウェーハの裏面に対して傾けられて前記ウェーハの下方に配されるとともに斜め上方の前記周縁部に対して前記ウェーハ外側から中心方向に向けて前記水滴流を噴射するように設けられる前記噴射ノズルとを備え、これら複数の噴射ノズルは、前記周縁部に対して互いに異なる角度で前記水滴流を吹き付け前記周縁部に斜め上方及び斜め下方の２方向から前記水滴流が衝突するよう前記シリコンウェーハと前記噴射ノズルとを相対的に移動させ前記周縁部に対する前記水滴流の角度を変化させる角度可変機構を備えていることを特徴とするシリコンウェーハの製造装置。」
　
３．引用例の記載事項
　当審の拒絶の理由に示された、本願出願前に頒布された特開２００１−１３５６１２号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（１−ア）「流体／薬品送給アセンブリ１０６は、１つまたはそれ以上のディスペンスアーム１５２上に配置されている１つまたはそれ以上のノズル１５０を備えている。ディスペンスアーム１５２は、容器の側壁１０８を通って伸び、アクチュエータ１５４に取付けられている。アクチュエータ１５４は伸縮して、基板１２２の上のノズル１５０の位置を変化させる。」（段落【００２０】）
　
（１−イ）「好ましくは、ノズル１５０は、流体をウェーハの周縁部分付近に実質的に接線方向に送給するような角度に配置する。図４は、ＥＢＲモジュールの概要上面図であって、エッジビード除去のためのノズル位置の１つの実施の形態を示している。・・・図５は、処理中のウェーハ１２２に対して配置されているノズル１５０の側面図である。好ましくは、ウェーハに対するエッチング液の入射角αは約０°乃至約45°であり、より好ましくは約10°乃至約30°である。」（段落【００２２】）
　
（１−ウ）「スピン・洗浄・乾燥プロセスは、典型的には、脱イオン水をウェーハに送給してウェーハから残留エッチング液を洗浄し、ウェーハを高速でスピンさせて水を乾燥させることを含む。」（段落【００２４】）
　
（１−エ）「図６は、混合エッジビード／スピン・洗浄・乾燥（ＥＢＲ／ＳＲＤ）モジュールの断面図であって、垂直方向に離間している流体入口の間の処理位置に基板がある状態を示している。本発明のこの実施の形態は、エッジビード除去（ＥＢＲ）プロセス及びスピン・洗浄・乾燥（ＳＲＤ）プロセスの両方に有用である。ＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００の成分は、上述したＥＢＲモジュール１００の成分と同じであり、同一の成分には同一の番号を付してある。ＥＢＲモジュール１００の成分に加えて、ＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００は、ウェーハの下の位置に、好ましくはノズル１５０の位置に対応して垂直に整列させた付加的な組の下側ノズル１７０を備えている。下側ノズル１７０は、脱イオン水の源１６０とエッチング液の源１６２とに選択的に接続され、ノズル１７０によって送給される流体は制御装置１６４によって制御される。好ましくは、ノズル１７０は流体をウェーハの裏側の周縁部分へ送給するように向けられている。下側ノズル１７０は、好ましくはウェーハリフト１３０の運動を妨げない位置に配置する。下側ノズル１７０は、ノズル１７０を所望の位置に位置決めするように伸縮するアーム１７６を通してアクチュエータ１７４にも取付けられている。」（段落【００２５】）
　
（１−オ）「ノズル１５０及び１７０は、ウェーハの上面及び下面を含むウェーハの周縁部分にエッチング液を送給してエッジビード除去プロセスを遂行する。・・・スピン・洗浄・乾燥プロセスの場合には、ウェーハを回転させ、好ましくは全てのノズル１５０、１７０、及び１７２が脱イオン水を送給してウェーハを洗浄させる。」（段落【００２６】）
　
　上記記載事項について検討すると、記載（１−ア）、（１−エ）および図６によれば、「ウェーハとノズル１５０、１７０とを相対的に移動させる」ことが示されているといえる。
　
　また、記載（１−イ）および図４，５によれば、ノズル１５０が「ウェーハ１２２の表面に対して傾けられて前記ウェーハ１２２の上方に配されるとともに斜め下方の周縁部分に対して前記ウェーハ１２２外側から実質的に接線方向に向けて設けられ」ることが示されている。これはエッジビード除去プロセスでのノズル１５０についての記載であるが、記載（１−エ）、（１−オ）および図６によれば、ウェーハ１２２を洗浄するＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００であって、スピン・洗浄・乾燥プロセスでのノズル１５０はエッジビード除去プロセスでのノズル１５０と同様に設けられている。また、ノズル１７０は、記載（１−エ）、（１−オ）および図６によれば、ノズル１５０と垂直に整列され、ウェーハ１２２の裏側の周縁部分へ送給するように向けられている。
　したがって、記載（１−イ）、（１−エ）、（１−オ）および図４−６によれば、「ウェーハ１２２を洗浄するＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００であって、送給機構は、前記ウェーハ１２２の表面に対して傾けられて前記ウェーハ１２２の上方に配されるとともに斜め下方の周縁部分に対して前記ウェーハ１２２外側から実質的に接線方向に向けて脱イオン水を送給するように設けられるノズル１５０と、前記ウェーハ１２２の裏面に対して傾けられて前記ウェーハ１２２の下方に配されるとともに斜め上方の前記周縁部分に対して前記ウェーハ１２２外側から実質的に接線方向に向けて前記脱イオン水を送給するように設けられる前記ノズル１７０とを備え、これら複数のノズル１５０、１７０は、前記周縁部分に対して互いに異なる角度で前記脱イオン水を送給し前記周縁部分に斜め上方及び斜め下方の２方向から前記脱イオン水が衝突するウェーハ１２２のＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００。」が示されているといえる。
　
　また、記載（１−ウ）、（１−オ）によれば、「脱イオン水をノズル１５０、１７０から送給してウェーハに付着した残留エッチング液を洗浄する送給機構を備え」ることが示されているといえる。
　
　したがって、上記記載（１−ア）〜（１−オ）の記載事項及び図示内容を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
 　 
　「ウェーハ１２２を洗浄するＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００であって、
　脱イオン水をノズル１５０、１７０から送給して前記ウェーハ１２２に付着した残留エッチング液を洗浄する送給機構を備え、
　前記送給機構は、前記ウェーハ１２２の表面に対して傾けられて前記ウェーハ１２２の上方に配されるとともに斜め下方の周縁部分に対して前記ウェーハ１２２外側から実質的に接線方向に向けて前記脱イオン水を送給するように設けられる前記ノズル１５０と、前記ウェーハ１２２の裏面に対して傾けられて前記ウェーハ１２２の下方に配されるとともに斜め上方の前記周縁部分に対して前記ウェーハ１２２外側から実質的に接線方向に向けて前記脱イオン水を送給するように設けられる前記ノズル１７０とを備え、これら複数のノズル１５０、１７０は、前記周縁部分に対して互いに異なる角度で前記脱イオン水を送給し前記周縁部分に斜め上方及び斜め下方の２方向から前記脱イオン水が衝突するよう前記ウェーハ１２２と前記ノズル１５０、１７０とを相対的に移動させるウェーハ１２２のＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００。」
　
　同じく当審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開平８−３１８１８１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
（２−ア）「図１は、実施例１に係る、たとえばウェハ洗浄装置の概念図である。当該装置は、半導体ウェハ１の表面上に付着している汚染物を除去するものである。当該装置は、液滴を半導体ウェハ１に向けて噴出する噴出ノズル１１を備える。噴出ノズル１１には、該噴出ノズル１１内に液体を供給する液体供給手段２３が接続されている。噴出ノズル１１には、また、噴出ノズル１１内に気体を供給するガス供給手段２２が接続されている。」（段落【００３４】）
　
（２−イ）「図２を参照して、噴出ノズル１１内では、ガスと液とが混合され、液体は粒状の液滴２１に変化し、ガスの流れとともに、第１の管路３０の先端から、噴出される。」（段落【００３９】）
　
（２−ウ）「具体的には、液滴２１の噴出速度は、１ｍ／ｓｅｃ〜音速（３３０ｍ／ｓｅｃ）の範囲内に、制御され得る。」（段落【００４０】）
　
（２−エ）「具体的には、液滴２１の粒径は、０．０１μｍ〜１０００μｍの範囲内に制御することができる。」（段落【００４２】）
　
　上記記載（２−ア）〜（２−エ）の記載事項及び図示内容を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例２には、
「液及びガスを混合した液滴２１を噴出ノズル１１から噴出して半導体ウェハ１に付着した汚染物を除去する機構を備え、
　該機構は、噴出する前記液滴２１において、液滴２１の噴出速度を１ｍ／ｓｅｃ〜音速（３３０ｍ／ｓｅｃ）の範囲内に制御され、噴出する前記液滴２１において、液滴２１の粒径を０．０１μｍ〜１０００μｍの範囲内に制御する
　ウェハ洗浄装置。」
が記載されているといえる。
　
　同じく当審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開２０００−１３８１９５号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
（３−ア）「本発明は、ウェーハ端部清浄化方法及びその装置に関する。」（段落【０００１】）
　
（３−イ）「図１に示すように、ウェーハ１を真空吸着保持するテーブル２は、後記するモータによって回転させられる。ウェーハ１の端部の表面及び裏面に対向して一対の端部用ノズル３Ａ、３Ｂが配設され、この端部用ノズル３Ａ、３Ｂより９０度離れ、ウェーハ１の端面に対向して端面用ノズル４が配設されている。端部用ノズル３Ａ、３Ｂ及び端面用ノズル４には、図示しない高圧ポンプよりパイプ５Ａ、５Ｂ（５Ｂは図示せず）及び６を介して高圧流体が供給される。
　端部用ノズル３Ａ、３Ｂは、端部用ノズル揺動手段１０Ａ、１０Ｂにより揺動させられ、端部用ノズル揺動手段１０Ａ、１０Ｂは端部用ノズル上下駆動手段２０Ａ、２０Ｂにより上下駆動される。」（段落【００１１】−【００１２】）
　
（３−ウ）「端部用ノズル３Ａ、３Ｂの中心線が面取り部１ａに位置すると、図１に示すサーボモータ１５Ａ、１５Ｂが作動して端部用ノズル３Ａ、３Ｂが揺動し、面取り部１ａを清浄化するに適した適正な角度θに調整される。」（段落【００２５】）
　
　上記記載（３−ア）〜（３−ウ）の記載事項及び図示内容を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例３には、
「端部に対する高圧流体の角度を変化させる端部用ノズル揺動手段１０Ａ、１０Ｂを備えているウェーハ端部清浄化装置。」
が記載されているといえる。
　
４．対比 
　本願発明と引用発明とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、引用発明の「ウェーハ１２２を洗浄するＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００」はノズル１５０、１７０によってウェーハ１２２の周縁部分が洗浄されているので、「ウェーハ１２２の周縁部分を洗浄するＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００」に相当し、かつ引用発明の「周縁部分」、「ＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００」は、それぞれ本願発明の「周縁部」、「製造装置」に相当し、引用発明の「ウェーハ１２２」と本願発明の「シリコンウェーハ」とは「ウェーハ」で共通するので、引用発明の「ウェーハ１２２を洗浄するＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００」と本願発明の「シリコンウェーハの周縁部を洗浄する製造装置」とは「ウェーハの周縁部を洗浄する製造装置」で共通する。
　また、引用発明の「脱イオン水」と本願発明の「水滴流」とは「洗浄剤」で共通し、以下同様に、「送給機構」と「水滴流噴射機構」とは「洗浄剤噴射機構」で共通し、「ウェーハ１２２」と「シリコンウェーハ」、「ウェーハ」とは「ウェーハ」で共通する。
　また、引用発明の「ノズル１５０、１７０」、「ノズル１５０」、「ノズル１７０」は、本願発明の「噴射ノズル」に相当する。
　また、引用発明の「送給し」は、ノズル１５０、１７０からの送給であるので、本願発明の「吹き付け」に相当する。同様に、引用発明の「送給」は本願発明の「噴射」に相当する。
　また、引用発明の「ウェーハ１２２に付着した残留エッチング液を洗浄する」ことはノズル１５０、１７０によってウェーハ１２２の周縁部分が洗浄されているので、「周縁部分に付着した残留エッチング液を洗浄する」ことに相当し、かつ引用発明の「周縁部分」、「残留エッチング液を洗浄」は、それぞれ本願発明の「周縁部」、「付着物を除去」に相当するので、引用発明の「ウェーハ１２２に付着した残留エッチング液を洗浄する」ことは本願発明の「周縁部に付着した付着物を除去する」ことに相当する。
　また、引用発明の「周縁部分」は、本願発明の「周縁部」に相当し、以下同様に、「ＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００」は「製造装置」に、相当する。
　　　 
　そこで、本願発明の用語を用いて表現すると、両者は次の点で一致する。
　
（一致点） 
「ウェーハの周縁部を洗浄する製造装置であって、
　洗浄剤を噴射ノズルから吹き付けて前記周縁部に付着した付着物を除去する洗浄剤噴射機構を備え、
　前記洗浄剤噴射機構は、前記ウェーハの表面に対して傾けられて前記ウェーハの上方に配されるとともに斜め下方の前記周縁部に対して前記ウェーハ外側から前記洗浄剤を噴射するように設けられる前記噴射ノズルと、前記ウェーハの裏面に対して傾けられて前記ウェーハの下方に配されるとともに斜め上方の前記周縁部に対して前記ウェーハ外側から前記洗浄剤を噴射するように設けられる前記噴射ノズルとを備え、これら複数の噴射ノズルは、前記周縁部に対して互いに異なる角度で前記洗浄剤を吹き付け前記周縁部に斜め上方及び斜め下方の２方向から前記洗浄剤が衝突するよう前記ウェーハと前記噴射ノズルとを相対的に移動させるウェーハの製造装置。」 
 　 
　そして、両者は次の点で相違する（対応する引用発明の用語を（　）内に示す。）。 
 　　　 
（相違点１）
　本願発明では、ウェーハがシリコンウェーハであるのに対して、引用発明では、ウェーハ（ウェーハ１２２）がシリコンウェーハであるか否かが明確でない点。
　
（相違点２）
　本願発明では、洗浄剤が洗浄水及びガスを混合した水滴流であり、噴射する前記水滴流において、流速を付着物の付着力に抗して前記付着物を十分に吹き飛ばすだけの衝突エネルギーが得られる２５０ｍ／ｓ以上かつ、前記水滴流による衝突で前記付着物をウェーハを傷つけることなく除去することができる範囲に設定するとともに、噴射する前記水滴流において、水滴の粒子径１０μｍ程度に設定するのに対して、引用発明では、洗浄剤（脱イオン水）が水滴流でない点。
　
（相違点３）
　本願発明では、ウェーハの中心方向に向けて水滴流を噴射するのに対して、引用発明では、ウェーハ（ウェーハ１２２）の実質的に接線方向に向けて洗浄剤（脱イオン水）を噴射（送給）する点。
　
（相違点４）
　本願発明では、噴射ノズルを周縁部に対する水滴流の角度を変化させる角度可変機構を備えているのに対して、引用発明では、そのような角度可変機構を備えていない点。
　
５．判断 
　上記相違点について検討する。 
　
（相違点１について）
　シリコンウェーハは、例えば特開平１１−４７７０１号公報の段落【０００８】、特開平５−１２１３８８号公報の段落【００１１】に記載されているように従来周知である。
　したがって、引用発明におけるウェーハをシリコンウェーハとすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（相違点２について）
　本願発明と引用例２に記載された技術事項とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、引用例２に記載された技術事項の「液」は、本願発明の「洗浄水」に相当し、以下同様に、「液滴２１」は「水滴流」に、「噴出ノズル１１」は「噴射ノズル」に、「噴出して」は「吹き付けて」に、「機構」は「水滴流噴射機構」に、「噴出」は「噴射」に、それぞれ相当する。
　また、引用例２に記載された技術事項の「ウェハ洗浄装置」と本願発明の「シリコンウェーハの製造装置」とは「ウェーハの製造装置」で共通する。
　また、引用例２に記載された技術事項の「半導体ウェハ１に付着した汚染物を除去する」ことは半導体ウェハ１の周縁部に付着した汚染物を除去することも含まれているので、「周縁部に付着した汚染物を除去する」に相当し、かつ引用例２に記載された技術事項の「汚染物」は本願発明の「付着物」に相当するので、引用例２に記載された技術事項の「半導体ウェハ１に付着した汚染物を除去する」ことは本願発明の「周縁部に付着した付着物を除去する」ことに相当する。
　また、引用例２に記載された技術事項において「液滴２１の噴出速度を１ｍ／ｓｅｃ〜音速（３３０ｍ／ｓｅｃ）の範囲内に制御」する点について、液滴２１を噴出するのは半導体ウェハ１を洗浄するためであり、液滴２１の噴出速度を洗浄によって半導体ウェハ１を傷つけない程度に設定するのは当然のことである。そして、引用例２に記載された技術事項における「１ｍ／ｓｅｃ〜音速（３３０ｍ／ｓｅｃ）の範囲内」には２５０ｍ／ｓ以上のものも含まれる。そのため、引用例２に記載された技術事項において「液滴２１の噴出速度を１ｍ／ｓｅｃ〜音速（３３０ｍ／ｓｅｃ）の範囲内に制御」することは、本願発明の「流速を前記付着物の付着力に抗して前記付着物を十分に吹き飛ばすだけの衝突エネルギーが得られる２５０ｍ／ｓ以上かつ、前記水滴流による衝突で前記付着物をウェーハを傷つけることなく除去することができる範囲に設定する」ことに相当する。
　また、引用例２に記載された技術事項における「０．０１μｍ〜１０００μｍの範囲内」には１０μｍ程度のものも含まれる。そのため、引用例２に記載された技術事項において「液滴２１の粒径を０．０１μｍ〜１０００μｍの範囲内に制御する」ことは、本願発明の「水滴の粒子径１０μｍ程度に設定する」ことに相当する。
　
　したがって、引用例２には、
「洗浄水及びガスを混合した水滴流を噴射ノズルから吹き付けて周縁部に付着した付着物を除去する水滴流噴射機構を備え、
　該水滴流噴射機構は、噴射する前記水滴流において、流速を前記付着物の付着力に抗して前記付着物を十分に吹き飛ばすだけの衝突エネルギーが得られる２５０ｍ／ｓ以上かつ、前記水滴流による衝突で前記付着物をウェーハを傷つけることなく除去することができる範囲に設定するとともに、噴射する前記水滴流において、水滴の粒子径１０μｍ程度に設定する
　ウェーハの製造装置。」
が記載されていると言い換えることができる。
　
　引用発明及び引用例２に記載された技術事項とは、共にウェーハの製造装置の分野に属し、当該分野において洗浄の性能を向上させることは従来周知の課題である。 
 　したがって、引用発明において、上記従来周知の課題を解決するために、引用例２に記載された技術事項に倣って、洗浄水及びガスを混合した水滴流を噴射ノズルから吹き付けて前記周縁部に付着した付着物を除去する水滴流噴射機構を備え、前記水滴流噴射機構は、噴射する前記水滴流において、流速２５０ｍ／ｓ以上かつ水滴の粒子径１０μｍ程度に設定するようにすることは、当業者が容易になし得たものである。  
　
（相違点３について）
　ウェーハの周縁部を洗浄するためには、ウェーハの外側からウェーハの周縁部に噴射ノズルを向ければよく、ウェーハの周縁部のうちのどの部分に噴射ノズルを向けるかは当業者が適宜選択し得る事項といえる（洗浄後の洗浄水の排出を考慮すると、噴射ノズルをウェーハの中心に向けることはむしろ望ましくなく、この点において発明の進歩性を認めることはできない。）。
　また、水滴流を噴射する点については（相違点２について）で述べたとおりである。
　したがって、引用発明において、ウェーハの中心方向に向けて水滴流を噴射するようにすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（相違点４について）
　本願発明と引用例３に記載された技術事項とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、引用例３に記載された技術事項の「端部」は、本願発明の「周縁部」に相当し、以下同様に、「端部用ノズル揺動手段１０Ａ、１０Ｂ」は「角度可変機構」に、相当する。
　また、引用例３に記載された技術事項の「高圧流体」と本願発明の「水滴流」とは「流体」で共通し、以下同様に、「ウェーハ端部清浄化装置」と「シリコンウェーハの製造装置」とは「ウェーハの製造装置」で共通する。
　
　したがって、引用例３には、
「周縁部に対する流体の角度を変化させる角度可変機構を備えているウェーハの製造装置。」
が記載されていると言い換えることができる。
　
　引用発明及び引用例３に記載された技術事項とは、共にウェーハの製造装置の分野に属し、当該分野において洗浄の性能を向上させることは従来周知の課題である。 
　また、水滴流を噴射する点については（相違点２について）で述べたとおりである。
　したがって、引用発明において、上記従来周知の課題を解決するために、引用例３に記載された技術事項に倣って、周縁部に対する水滴流の角度を変化させる角度可変機構を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　そして、本願発明による効果も、引用発明、引用例２−３に記載された技術事項および周知の技術事項から当業者が予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。
 　 
６．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２−３に記載された技術事項および周知の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
 　　 
　そうすると、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。