【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホトマスクを形成する方法において、
少なくともクロム層および当該クロム層上に配置された反射防止層を含むホトマスク層上で、開口を画成するためのレジストマスク層をパターン化するステップと、
１つ以上のフルオロカーボンプロセスガスの存在下で、上記パターン化されたレジストマスク層上に所定の厚さで共形ポリマー保護層を堆積して、上記パターン化されたレジストマスク層において上記開口を形成する側壁及び上部と上記開口を閉じる底部とを有するトレンチを上記パターン化されたレジストマスク層に画成するステップと、
上記共形ポリマー保護層の上記底部を非等方性エッチングし、一方で少なくとも一部の上記共形ポリマー保護層の側壁をそのままにしておき、上記共形ポリマー保護層の上記側壁の間の上記共形ポリマー保護層において開口を画成するステップと、
塩素含有ガスの存在下で、上記共形ポリマー保護層の上記開口を通して上記クロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップと、
上記マスク層及び上記ポリマー保護層を除去するステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
上記堆積ステップは、約１００から約５００Åの厚みにポリマーを堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記ポリマーは、水素を伴う炭素ポリマーである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記堆積ステップは、更に、ＣＨＦ３又はＣ４Ｆ８の少なくとも１つからプラズマを形成する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記堆積ステップは、更に、プラズマにＡｒを導入する段階を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記堆積ステップは、約０から約２０Ｗのバイアス電力を印加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
クロム層をエッチングする上記ステップは、更に、
少なくとも１つのフルオロカーボンプロセスガスを処理チャンバーへ供給する段階と、
上記処理チャンバー内の基板支持体に配置された上記パターン化されたレジストマスク層を６００Ｗ未満の複数の電力パルスでバイアスする段階と、
を備えた請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記マスク層及び保護層を除去する上記ステップは、上記クロム層をエッチングする上記ステップが実行された上記処理チャンバーにおいてその場で引き続き実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記パターン化されたレジストマスク層及びポリマー保護層を除去する上記ステップは、上記処理チャンバーが結合された処理システムにおいてその場で引き続き実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記パターン化されたクロム層を使用して減衰層をエッチングするステップを更に備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
上記減衰層はモリブデンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記パターン化されたクロム層を除去するステップを更に備えた、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
上記パターン化されたクロム層上に第２のパターン化されたレジストマスク層を形成するステップであって、上記クロム層の少なくとも第１開口にレジストを充填すると共に、上記クロム層の少なくとも第２開口を、上記第２のパターン化されたレジストマスク層を経て開放するようなステップと、
上記第２開口を通して上記石英層をエッチングするステップと、
上記第２のパターン化されたレジストマスク層を除去するステップと、
を更に備えた請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明は、一般に、クロムをエッチングする方法を提供する。一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層及びパターン化されたホトレジスト層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、パターン化されたホトレジスト層に共形保護層を堆積するステップと、その共形保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
[0008]本発明は、更に、ホトマスクを形成する方法を提供する。一実施形態において、ホトマスクを形成する方法は、少なくともクロム層を含むホトマスク層の上でマスク層をパターン化するステップと、ホトマスク層に共形保護層を堆積するステップと、保護層が配置されたマスク層を通してクロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップと、マスク層及び保護層を除去するステップとを備えている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
[0033]ステップ２０６では、パターン化されたレジスト層の上に共形保護層を堆積する。保護層は、水素を伴う炭素ポリマーのようなポリマーでよい。保護層は、約１００から約５００Åの厚みに堆積してもよく、また、別の実施形態では、約１５０から約２００Åである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
[0047]レジスト３０８の上に共形保護層３１０を堆積する。この保護層３１０は、レジスト３０８に形成された特徴部３２０の側壁を所定の厚みで覆い、図３Ｃに示す膜スタック３００３で示された幅３１６を有するトレンチ３１４を画成する。幅３１６は、クロム層３０４に転写されるべき所定のクリティカル寸法をもつように選択される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
[0055]クロム層４０４及び第１レジスト層４０８に共形保護層４３２を堆積して、図４Ｃに示す膜スタック４００３で示されたように、開口４３０の側壁及び底部を覆う。この保護層４３２は、上記保護層３１０を参照して説明したように堆積することができる。保護層４３２の厚みは、保護層４３２の垂直部分間に画成される特徴部４３４が所定幅４３６を有するように選択される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
[0064]レジスト５０８の上に共形保護層５１０を堆積する。この保護層５１０は、レジスト５０８に形成された特徴部５２０の側壁を所定の厚みで覆って、図５Ｃに示す膜スタック５００３で示されたように、幅５１６をもつトレンチ５１４を画成する。幅５１６は、ホトマスク層５０４（例えば、減衰層５５４、及びクロム層５５２）に転写されるべき所定のクリティカル寸法をもつように選択される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
１００…チャンバー、１０２…本体、１０４…壁、１０６…接地点、１０８…天井、１１０…アンテナ、１１０ａ…同軸素子、１１０ｂ…同軸素子、１１２…プラズマ電源、１１４…第１マチングネットワーク、１１６…入口、１１８…チャンネル、１２０…ガスパネル、１２２…基板、１２４…ペデスタル、１２６…エッジリング、１２８…ヒートシンク、１３０…リフトピン、１３２…電極、１３４…加熱素子、１３６…ガイドホール、１３８…リフトメカニズム、１４０…バイアス電源、１４２…第２マッチングネットワーク、１４４…ヒータ、１４６…コントローラ、１４８…メモリ、１５０…ＣＰＵ、１５２…サポート回路、１５４…サポートシステム、１５６…ガス源、１５８…コンジット、１６０…チャック、１６２…スロットルバルブ、１６４…真空ポンプ、１６６…チャック電源、１６８…ヒータ電源、１７０…システム、１７２…第１チャンバー、１７４…第２チャンバー、１８２…アダプタ、１８４…下部、１８６…上部、１８８…開口、１９０…クロム層、１９２…石英層、２００…方法、２０２…入れるステップ、２０４…パターン化ステップ、２０６…堆積ステップ、２０８…エッチングステップ、２１０…除去ステップ、３００…膜スタック、３０２…石英層、３０４…クロム層、３０６…反射防止層、３０８…第１レジスト層、３１０…共形保護層、３１２…パターン化された第２レジスト層、３１４…トレンチ、３１６…幅、３１８…開口、３２０…特徴部形成、３２４…第２レジスト層、３２６…エッチングされた石英トレンチ、３２８…深さ、３３０…石英位相シフトマスク、３４０…ホトマスク、４００…膜スタック、４０２…石英層、４０４…クロム層、４０６…反射防止層、４８…第１レジスト層、４１０…開口、４１４…深さ、４１６…底部、４１８…石英位相シフトマスク、４３０…開口、４３２…共形保護層、４３４…特徴部、４３６…幅、４３８…開口、４４０…エッチングされた石英トレンチ、４４２…石英位相シフトマスク、５００…膜スタック、５０２…石英層、５０４…ホトマスク層、５０６…反射防止層、５０８…第１レジスト層、５１０…保護層、５１２…底部、５１４…トレンチ、５１６…幅、５１８…開口、５２０…特徴部、５４０…リソグラフィーマスク、５５２…クロム層、５５４…減衰層