【事件の表示】
　特願２００７−２１２４９６「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月２０日出願公開、特開２００７−３２９５０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年４月９日に出願した特願２００１−１１０６７６号（以下「原出願」という。）の一部を平成１９年８月１６日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年７月２５日付けで手続補正がなされたが、同年９月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年１１月１７日付けで手続補正がなされたものである（以下、平成２０年１１月１７日付けでなされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
 　 
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲につき、補正前（平成２０年７月２５日付け手続補正後のもの。）の
「　　【請求項１】
　第１のリードと、
　第２のリードと、
　前記第１及び第２のリードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
　前記樹脂部に設けられ略楕円形または略偏平円形の開口形状を有する開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、光取り出し面に露出し、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
　を備え、
　前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記第２のワイアが接続された部分との間に第１の切り欠きが設けられ、
　前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間に第２の切り欠きが設けられたことを特徴とする発光装置。
　　【請求項２】
　第１のリードと、
　第２のリードと、
　前記第１及び第２のリードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
　前記樹脂部に設けられた開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記半導体発光素子と前記第１のリードとを接続した第３のワイヤと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、光取り出し面に露出し、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
　を備え、
　前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と、前記第２及び第３のワイアが接続された部分と、の間に第１の切り欠きが設けられ、
　前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間に第２の切り欠きが設けられたことを特徴とする発光装置。
　　【請求項３】
　第１のリードと、
　第２のリードと、
　前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記第１のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第２のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と、前記半導体素子と、前記第１のリードの少なくとも一部と、前記第２のリードの少なくとも一部と、前記第１及び第２のワイアと、を覆うように設けられ、光取り出し面に露出し、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
　を備えたことを特徴とする発光装置。
　　【請求項４】
　前記開口部の開口形状は、略楕円形または略偏平円形であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
　　【請求項５】
　前記開口部における前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子の配列方向は、前記略楕円形または略偏平円形の長軸に対して非平行であり、
　前記第１の半導体素子がマウントされた部分と、前記第１のワイアが接続された部分の少なくとも一部と、が対向し、
　前記半導体素子がマウントされた部分と、前記第２のワイアが接続された部分の少なくとも一部と、が対向することを特徴とする請求項４記載の発光装置。」
を、
「　　【請求項１】
　第１のリードと、
　第２のリードと、
　前記第１及び第２のリードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
　前記樹脂部に設けられ略楕円形または略偏平円形の開口形状を有する開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、
表面が凸状に膨らんで形成されて
　を備え、
　前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記第２のワイアが接続された部分との間に第１の切り欠きが設けられ、
　前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間に第２の切り欠きが設けられたことを特徴とする発光装置。
　　【請求項２】
　第１のリードと、
　第２のリードと、
　前記第１及び第２のリードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
　前記樹脂部に設けられた開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記半導体発光素子と前記第１のリードとを接続した第３のワイヤと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、
表面が凸状に膨らんで形成されて
　を備え、
　前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と、前記第２及び第３のワイアが接続された部分と、の間に第１の切り欠きが設けられ、
　前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間に第２の切り欠きが設けられたことを特徴とする発光装置。
　　【請求項３】
　第１のリードと、
　第２のリードと、
　前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記第１のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第２のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と、前記半導体素子と、前記第１のリードの少なくとも一部と、前記第２のリードの少なくとも一部と、前記第１及び第２のワイアと、を覆うように設けられ、
表面が凸状に膨らんで形成されて
　を備えたことを特徴とする発光装置。
　　【請求項４】
　前記開口部の開口形状は、略楕円形または略偏平円形であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。」
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　上記（１）の補正の内容は、補正前の請求項５を削除するとともに、補正前の請求項１ないし請求項３における「シリコーン樹脂」について、「表面が凸状に膨らんで形成され」たものに特定するものと認められるから、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除及び同第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
（３）独立特許要件についての検討
　本件補正後の請求項１ないし請求項３に係る発明（以下、「本願補正発明１」ないし「本願補正発明３」という。）は、前記（１）において、補正後の請求項１ないし請求項３に記載したとおりのものと認められるところ、本願補正発明１ないし本願補正発明３が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて検討する。
　
　ア　刊行物の記載
（ア）原査定の拒絶の理由に引用した、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−５４８０４号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
 　 
　ａ　「【請求項１】　絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面の両端部に設けられる第１および第２の端子電極と、前記第１および第２の端子電極の一方にマウントされ、ｐ側電極およびｎ側電極がそれぞれ前記第１および第２の端子電極と電気的に接続される発光素子チップと、前記第１および第２の端子電極の他方にマウントされる保護素子とからなり、該保護素子は前記発光素子チップに印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光素子チップを保護するように前記第１および第２の端子電極の間に電気的に接続されるチップ型発光素子。」
　
　ｂ　「【００１４】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体発光素子について説明をする。
【００１５】本発明の半導体発光素子は、その一実施形態の平面および断面の説明図が図１に示されるように、絶縁性基板１０の表面の両端部に第１および第２の端子電極１、２が設けられ、第１の端子電極１の一端部は絶縁性基板１０の中央部付近まで延びている。そして、
第１の端子電極１の先端部側にＬＥＤチップ３がボンディングされている。ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９は第１の端子電極１と、ｐ側電極３８は第２の端子電極２と一体に形成されたパッド２ａと、それぞれ金線４により接続されている。さらに、第２の端子電極２の先端部に保護素子であるツェナーダイオードチップ５がボンディングされ、第１および第２の端子電極１、２間にＬＥＤチップ３と逆方向になるように電気的に接続されている。
・・・
【００１７】
ツェナーダイオードチップ５は、通常のシリコン半導体などからなり
　
　ｃ　「【００１８】
このＬＥＤチップ３を図１に示されるように、第１の端子電極１の先端部にボンディングし、ｎ側電極３９およびｐ側電極３８がそれぞれ第１の端子電極１および第２の電極２と一体に形成されたパッド部２ａと電気的に接続されるように、金線４によりワイヤボンディングをする。また、ツェナーダイオードチップ５を第２の端子電極２の先端部にボンディングし、その正電極を第１の端子電極と一体に形成されたパッド部１ａと金線４により電気的に接続する。このとき、負電極はダイボンディングの際の導電性接着剤により第２の端子電極２と電気的に接続されている。
絶縁性基板１０の周囲に反射ケース９を形成し、その内部のＬＥＤチップ３やツェナーダイオードチップ５を含めたこれらの周囲がＬＥＤチップ３により発光する光を透過する透明または乳白色のエポキシ樹脂などによりモールドすることにより、樹脂パッケージ６で被覆された
　
　ｄ　「【００２１】一方、本発明のチップ型発光素子では、ＬＥＤチップ３が第１の端子電極にボンディングされて、ツェナーダイオードチップ５は第２の端子電極２の空いている部分を利用してボンディングされているため、両方のチップを近付け過ぎて光を遮断したり（ツェナーダイオードの方が背が高いためすぐ隣に配置されるとその方向の光が遮断される）、ダイボンディング材の流れなどによる接触事故（両方のチップ間にダイボンディング材がセリ上がってショートする虞れがある）や、
ワイヤボンディング不良の発生（端子電極上にダイボンディング材が流れるとワイヤボンディングをし辛くなったり、ワイヤボンディングをすることができなくなる）などを防止することができる。
　
　ｅ　図１（ａ）から、第１の端子電極１の先端部、第２の端子電極２の先端部に、それぞれ、ＬＥＤチップ３及びツェナーダイオードチップ５がボンディングされ、ＬＥＤチップ３ないしツェナーダイオードチップ５がボンディングされた部分と、ツエナダイオードチップ５ないしＬＥＤチップ３に接続した金線４が接続されたパッド部１ａないしパッド部２ａとは隣接した位置にあって、これらの間には間げきが形成されており、前記第１の端子電極１における前記ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れた位置に、前記ＬＥＤチップ３に接続された金線４がワイヤボンディングされている様子がみてとれる。
　　
　ｆ　図１（ｂ）から、反射ケース９と絶縁性基板１０が凹部を形成し、該凹部に第１及び第２の端子電極１、２が一部露出し、第１の端子電極１の露出した部分にＬＥＤチップ３がマウントされ、第２の端子電極２の露出した部分にツェナーダイオードチップ５がマウントされており、前記凹部には、樹脂パッケージ６が形成されている様子がみてとれる。
　
（イ）同じく登録実用新案第３０３４３６３号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
「【請求項１】発光素子（ＬＥＤ）を内蔵した表示灯にあって、発光素子（ＬＥＤ）を配置する筐体の空間を、透明なシリコーン樹脂で封止してなる表示灯。」、
「【考案の詳細な説明】
        【０００１】
    【産業上の利用分野】
  発光素子（ＬＥＤ）を用いた表示灯は、その性能の良さから産業機器用計器の表示板は元より、事務機器、家庭用電気機器、列車の発着時刻表示板に至るあらゆる表示分野に使用されている。  この発光素子（ＬＥＤ）の発する色は、赤、橙、黄、青の４種があり、青色を除く３種は問題無く使用されているが、青色は太陽光の紫外線の影響と発光素子自体が持つ短波長光による影響が原因で、ある時間を経過すると色調に変化が起こるため、実用化が遅れているのが現状である。
  本考案は、この青色発光素子（ＬＥＤ）の実用化に関わるものである。
        【０００２】
      【従来の技術】
  現在、この発光素子（ＬＥＤ）  の封止材には、エポキシ樹脂やポリエステル樹脂など耐熱性樹脂が使われているが、これを青色発光素子（ＬＥＤ）  に用いた場合、発光する青色光線が、ある時間を経ると緑色側に移ると言う経時変化を起こす。
    例えば、  ５ｍｗ  青色発光素子（ＬＥＤ）では、２００時間程度
            １０ｍｗ  青色発光素子（ＬＥＤ）では、  ５０時間程度である。
  この色転移の原因は、封止材の劣化によるものであると判明した。
        【０００３】
    【考案が解決しようとする課題】
  青色発光の色転移の原因を追求すると二つある。
一つは、太陽光の長時間照射を受けることで紫外線が、発光素子（ＬＥＤ）筐体とその封止材を劣化させ、黄変するという現象が起きる、
二つは、発光素子（ＬＥＤ）自体が発する短波長光が、その封止材を光劣化させることである。
  前者は耐光性ガラスまたは耐光性アクリル樹脂を用いることで解決する。  後者について、従来のエポキシ樹脂やポリエステル樹脂に紫外線吸収剤を添加しても、従来の耐久時間を数倍程度引き延ばすにすぎず根本的な解決には至らない。
  従って、素材そのものを検討せねばならなくなった。
        【０００４】
  本考案は、青色発光素子（ＬＥＤ）の封止材として、耐光性、透光性、耐熱性、熱伝導性に優れた透明なシリコーン樹脂および光分散材を配合した透明なシリコーン樹脂を用いた表示灯を提供しようとするものである。
        【０００５】
      【課題を解決するための手段】
  上記目的を達成するための条件として、耐光性、透光性、耐熱性、熱伝導性に加えて、光の分散を促進する素材、石英粉、ガラス粉または有機材が配合可能なこと、かつ、光透過度、光分散度、硬度が自由に調整可能な物質であること、として、この条件を満たす物質を検討した結果、この原料として透明なシリコーン樹脂が適合した。
        【０００６】
      【作  用】
  耐光性ガラス筐体、または耐光性アクリル樹脂は紫外線を吸収する。  封止材としての透明なシリコーン樹脂は、その特性である無色透明、光透過度の良さは、発光する光を最小限の抵抗で拡散させ、発光部の熱滞留を減少させる。  またシリコーン原料は、粘性をもつ配合液とするため、光分散材、熱伝導材の混合が十分に行われる。
        【０００７】
      【実施例】
  透明なシリコーン樹脂原液の作成    原料シリコーンは、例えば、商品名  信越シリコーンＬＴＶ、品番ＫＥ−１０６に触媒を配合した粘性液とする。    この粘度は、例えば５００ＣＰＳとする。
        【０００８】
  光分散材の作成    無機物質は、例えば、石英を１乃至１０ミクロンの粒子に造粒する。
  有機物質は、例えば、ポリエチレンワックスを用いる。
        【０００９】
  光分散材を配合した透明なシリコーン樹脂原液の作成    シリコーン樹脂原液に、石英粉末を、例えば１０％配合したものとする。
        【００１０】
  筐体の作成    耐光性アクリル樹脂を用いた場合は、射出成形とする。
耐光性ガラスを用いた場合は、押し型による加圧成形とする。  加圧成形においては、例えば、所望する形状、取り数の金型を作成する。    この金型には、加熱装置が取り付けられ所望の温度に達した時、所望の温度に加温された耐光性ガラス板を、金型の所定の位置に設置し加圧成形する。  成形後サンドプラストで仕上げ加工により、光分散性を向上させることもできる。
        【００１１】
  発光体の組立    本項については、図面を参照して説明する。  耐光性ガラス筐体（外径４ｍｍ、内径３ｍｍ、高さ５ｍｍ）１  の所定の位置  １−ａに青色発光素子（ＬＥＤ）  ２、３、４、５  を配置した二つの筐体を用意し、その開口部  １−ｂから、    １）透明なシリコーン樹脂原液、粘度５００ＣＰＳに硬化剤を加えたものと、    ２）光分散材を配合した透明なシリコーン樹脂原液、粘度５００ＣＰＳに硬化剤を加えたもの、の二種類をそれぞれの筐体に、０．０３ＣＣ宛注入する。
導電体  ３、４  は、治具で固定し、摂氏６０度の恒温槽で反応させ、組立は完了する。
        【００１２】
      【考案の効果】
  本考案は、上記のとおり構成されているので、次に記載する効果を奏する。
        【００１３】
  請求項１に記載の透明なシリコーン樹脂で、青色発光素子（ＬＥＤ）を筐体に封止し、点灯試験をした結果、実験値で１，０００時間を超えても、透明なシリコーン樹脂に劣化を示す可視できる黄色変化は見られなかった。
        【００１４】
  この透明なシリコーン樹脂の劣化度または耐久性は、その組成と劣化進度から見て、従来のエポキシ樹脂やポリエステル樹脂と比較すると、数百倍の寿命があると判定され、１０，０００時間以上が期待できる。
        【００１５】
  請求項２に記載の光分散材を石英粉末として配合した透明なシリコーン樹脂で青色発光素子（ＬＥＤ）を筐体に封止し、点灯試験を行った結果は、上記【００１２】、  【００１３】に記載の性能と同等であった。」
　
（ウ）同じく特開２０００−３１２０３３号公報（以下「刊行物３」という。）には、以下の記載がある。
　
　ａ　「【００３１】・・・
［実施例２］図４は本発明の一例である表面実装タイプの発光ダイオードの模式図である。図４の上図は正面図で、下図は断面図である。・・・
【００３６】まず、銀メッキした銅製リードフレーム４１を打ち抜きにより形成し、そのリードフレーム４１に射出成形法により発光ダイオードの外枠となるパッケージ４２を形成する。次に、窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチップ４３を、プラスチックパッケージ４２収納部のリードフレーム４１露出部にエポキシ樹脂４６で接合する。さらに、パッケージ４２のリード電極４１上にｎｐｎ接合を持ったｎ基板のトランジスターチップ４４を銀ペースト４７で接合する。パッケージ４２のＬＥＤチップ４３を接合したリードフレーム４１とトランジスターチップ４４を接合したリード電極４１はパッケージ材料により電気的に絶縁されている。ＬＥＤチップ４３を接合したリード電極４１とＬＥＤチップ４３のｎ側取出電極（カソード側）を、またトランジスターチップ４４の表面電極と他方のリード電極４１とを金線によりワイヤボンディングさせる。同様に、ＬＥＤチップ４３のｐ側取出電極（アノード側）を金線４５でワイヤーボンディングにより接続する。
【００３７】次に、パッケージ４２上に射出成形により青色光を吸収して補色となる光を発光可能な蛍光体としてＹＡＧ：Ｃｅが含有された透光性エポキシ樹脂をＬＥＤチップ及びトランジスタダイオード上に形成させる。パッケージ４２外枠から出たリードフレーム４１を最適形状に切断し、最後にそのリードをプラスチックパッケージ４２外枠に沿うように折り曲げる。以上により、ＬＥＤチップ４３に対してトランジスターチップ４４を並列に接続した面実装タイプの白色発光ダイオードを形成した。」
　
　ｂ　上記ａ及び図４から、プラスチックパッケージ４２収納部のリードフレーム４１露出部が、ＬＥＤチップ４３を接合したリード電極４１及び他方のリード電極４１を構成することが理解できる。
　
　イ　引用発明
（ア）刊行物１に記載された発明
　ａ　上記ア（ア）ａによれば、刊行物１には、「絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面の両端部に設けられる第１及び第２の端子電極と、前記第１及び第２の端子電極の一方にマウントされ、ｐ側電極及びｎ側電極がそれぞれ前記第１及び第２の端子電極と電気的に接続される発光素子チップと、前記第１及び第２の端子電極の他方にマウントされる保護素子とからなり、該保護素子は、前記発光素子チップに印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光素子チップを保護するように前記第１及び第２の端子電極の間に電気的に接続されるチップ型発光素子。」の発明が記載されているものと認められる。
　
　ｂ　上記ア（ア）ｂ及びｃによれば、上記ａにおける「発光素子チップ」の一実施形態は、例えばＬＥＤチップ３であり、該ＬＥＤチップ３は、第１の端子電極１の先端部側にボンディングされ、該ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９は第１の端子電極１と、同じくｐ側電極３８は第２の端子電極２と一体に形成されたパッド部２ａと、それぞれ金線４により電気的に接続されているものと認められる。
　また、上記ａにおける「保護素子」は、例えばシリコン半導体からなるツェナーダイオードチップ５であり、該ツェナーダイオードチップ５は、第２の端子電極２の先端部にボンディングされ、該ツェナーダイオードチップ５の正電極は第１の端子電極と一体に形成されたパッド部１ａと金線４により電気的に接続され、負電極はダイボンディングの際の導電性接着剤により第２の端子電極２と電気的に接続されているものと認められる。
　
　ｃ　上記ア（ア）ｃ及びｅによれば、上記ａにおける「チップ型発光素子」の一実施形態では、第１の端子電極１の先端部、第２の端子電極２の先端部に、それぞれ、ＬＥＤチップ３及びツェナーダイオードチップ５がボンディングされ、ＬＥＤチップ３ないしツェナーダイオードチップ５がボンディングされた部分と、ツェナーダイオードチップ５ないしＬＥＤチップ３に接続した金線４が接続されたパッド部１ａないしパッド部２ａとは隣接した位置にあって、これらの間には間げきが形成されており、第１の端子電極１におけるＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れた位置に、ＬＥＤチップ３に接続された金線４が接続されているものと認められる。
　
　ｄ　上記ア（ア）ｃ及びｆによれば、上記ａにおける「チップ型発光素子」の一実施形態では、絶縁性基板１０と、その周囲に形成された反射ケース９とが凹部を形成し、該凹部に第１及び第２の端子電極１、２が一部露出し、第１の端子電極１の露出した部分にＬＥＤチップ３がマウントされ、第２の端子電極２の露出した部分にツェナーダイオードチップ５がマウントされており、前記凹部には、透明または乳白色のエポキシ樹脂などがモールドされて、ＬＥＤチップ３やツェナーダイオードチップ５を被覆する樹脂パッケージ６が形成されているものと認められる。
　
　ｅ　以上によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面の両端部に設けられる第１及び第２の端子電極と、前記第１の端子電極にマウントされるＬＥＤチップと、前記第２の端子電極にマウントされるシリコン半導体からなるツェナーダイオードチップとを備え、該ツェナーダイオードチップは、前記ＬＥＤチップに印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記ＬＥＤチップを保護するように前記第１及び第２の端子電極の間に電気的に接続されるチップ型発光素子であって、絶縁性基板１０と、その周囲に形成された反射ケース９とが凹部を形成し、該凹部に前記第１及び第２の端子電極１、２が一部露出し、第１の端子電極１の露出した先端部、第２の端子電極２の露出した先端部に、それぞれ、ＬＥＤチップ３及びツェナーダイオードチップ５がボンディングされ、該ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９は第１の端子電極１と、同じくｐ側電極３８は第２の端子電極２と一体に形成されたパッド部２ａと、それぞれ金線４により電気的に接続され、ツェナーダイオードチップ５の正電極は第１の端子電極と一体に形成されたパッド部１ａと金線４により電気的に接続され、負電極はダイボンディングの際の導電性接着剤により第２の端子電極２と電気的に接続され、ＬＥＤチップ３ないしツェナーダイオードチップ５がボンディングされた部分と、ツェナーダイオードチップ５ないしＬＥＤチップ３に接続した金線４が接続されたパッド部１ａないしパッド部２ａとは隣接した位置にあって、これらの間には間げきが形成されており、第１の端子電極１におけるＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れた位置に、ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９に接続された金線４が接続されており、前記凹部には、透明または乳白色のエポキシ樹脂などがモールドされて、前記ＬＥＤチップ３及び前記ツェナーダイオードチップ５を被覆する樹脂パッケージ６が形成されている、チップ型発光素子。」（以下「引用発明１」という。）
　
（イ）刊行物３に記載された発明
　上記ア（ウ）によれば、刊行物３には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「銀メッキした銅製リードフレーム４１を打ち抜きにより形成し、そのリードフレーム４１に射出成形法により発光ダイオードの外枠となるパッケージ４２を形成し、次に、窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチップ４３を、リード電極４１を構成する、プラスチックパッケージ４２収納部のリードフレーム４１露出部にエポキシ樹脂４６で接合し、さらに、パッケージ４２のリード電極４１上にｎｐｎ接合を持ったｎ基板のトランジスターチップ４４を銀ペースト４７で接合し、ＬＥＤチップ４３を接合したリード電極４１とＬＥＤチップ４３のｎ側取出電極を、またトランジスターチップ４４の表面電極と他方のリード電極４１とを金線によりワイヤボンディングさせ、同様に、ＬＥＤチップ４３のｐ側取出電極（アノード側）を金線４５でワイヤーボンディングにより接続し、次に、パッケージ４２上に射出成形により青色光を吸収して補色となる光を発光可能な蛍光体としてＹＡＧ：Ｃｅが含有された透光性エポキシ樹脂をＬＥＤチップ及びトランジスタダイオード上に形成させ、パッケージ４２外枠から出たリードフレーム４１を最適形状に切断し、最後にそのリードをプラスチックパッケージ４２外枠に沿うように折り曲げて形成した、ＬＥＤチップ４３に対してトランジスターチップ４４を並列に接続した面実装タイプの白色発光ダイオード。」（以下「引用発明２」という。）
　
　ウ　対比・判断 
（ア）本願補正発明１について
　ａ　対比
　本願補正発明１と引用発明１とを対比する。
 　 
（ａ）引用発明１の「第１の端子電極」及び「第２の端子電極」は、それぞれ、本願補正発明１の「第１のリード」及び「第２のリード」に相当し、引用発明１の「ＬＥＤチップ」、「シリコン半導体からなるツェナーダイオードチップ」及び「チップ型発光素子」は、それぞれ、本願補正発明１の「前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子」、「前記第２のリードにマウントされた半導体素子」及び「発光装置」に相当する。
 　                                           
（ｂ）引用発明１の「ＬＥＤチップ３」の「ｐ側電極３８」と「第２の端子電極２と一体に形成されたパッド部２ａ」とを電気的に接続する「金線４」は、本願補正発明１の「前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイア」に相当する。
　また、引用発明１の「ツェナーダイオードチップ５の正電極」と「第１の端子電極と一体に形成されたパッド部１ａ」とを電気的に接続する「金線４」は、本願補正発明１の「前記第２の半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイア」に相当する。
　
（ｃ）引用発明１の「凹部」は、本願補正発明１の「開口部」に相当し、本願補正発明１の「前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、表面が凸状に膨らんで形成されて光取り出し面に露出し、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂」と、引用発明１の「凹部」に形成されている「前記ＬＥＤチップ３及び前記ツェナーダイオードチップ５を被覆する樹脂パッケージ６」とは、「前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように開口部の中に設けられ、光取り出し面に露出した樹脂」である点で、一致する。
　そして、引用発明１の「ＬＥＤチップ３」及び「ツェナーダイオードチップ５」は、それぞれ、「該凹部」に「露出した」「第１の端子電極１」の「先端部」及び「第２の端子電極２」の「先端部」にボンディングされているから、引用発明１は、本願補正発明１の「開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子」及び「前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子」との構成を備える。
　
（ｄ）引用発明１は、「ＬＥＤチップ３ないしツェナーダイオードチップ５がボンディングされた部分と、ツェナーダイオードチップ５ないしＬＥＤチップ３に接続した金線４が接続されたパッド部１ａないしパッド部２ａとは隣接した位置にあって、これらの間には間げきが形成されて」いるものであるところ、該「間げき」は、本願補正発明１の「前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記第２のワイアが接続された部分との間」に設けられた「第１の切り欠き」及び「前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間」に設けられた「第２の切り欠き」に相当する。
　
（ｅ）以上によれば、両者は、
「　第１のリードと、
　第２のリードと、
　開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、光取り出し面に露出したシリコーン樹脂と、
　を備え、
　前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記第２のワイアが接続された部分との間に第１の切り欠きが設けられ、
　前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間に第２の切り欠きが設けられた発光装置。」
である点で一致し、以下のiないしivの点で相違するものと認められる。
　
　i　本願補正発明１は、「リードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部」を備え、「開口部」が前記「樹脂部」に設けられたものであるのに対して、引用発明１は、絶縁性基板の表面の両端部に第１及び第２の端子電極が設けられ、前記絶縁性基板と、その周囲に形成された反射ケースとが凹部を形成し、該凹部に前記第１及び第２の端子電極が一部露出したものである点（以下「相違点１」という。）。
　
　ii　開口部が、本願補正発明１では、略楕円形または略偏平円形の開口形状を有するのに対して、引用発明１では、開口形状が不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
　iii　第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられた樹脂が、本願補正発明１では、表面が凸状に膨らんで形成されているのに対して、引用発明１では、そのように形成されていない点（以下「相違点３」という。）。
　
　iv　第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられた樹脂が、本願補正発明１では、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂であるのに対して、引用発明１では、透明または乳白色のエポキシ樹脂などである点（以下「相違点４」という。）。
　
　ｂ　判断 
（ａ）相違点１について
　発光装置において、素子をマウントするリードの一部を樹脂部に埋め込み、該樹脂部に開口部を形成することは、原出願の出願当時において周知の技術である（例えば、特開平１０−２６１８２１号公報の【請求項１】、特開平１０−２８４７５９号公報の４頁第６欄２４行〜５頁第７欄１５行及び図２、特開平１０−２９４４９５号公報の【０００２】〜【０００５】及び図４、特開平１１−８７７８０号公報の【請求項１】、【００２０】及び図１、特開２００１−３６１４７号公報の【００１７】及び図２を参照。）から、引用発明１において、「絶縁性基板の表面の両端部に第１及び第２の端子電極が設けられ、前記絶縁性基板と、その周囲に形成された反射ケースとが凹部を形成し、該凹部に前記第１及び第２の端子電極が一部露出する」構成に代えて、素子をマウントするリードの一部を樹脂部に埋め込み、該樹脂部に開口部を形成する構成を採用し、これにより、相違点１に係る本願補正発明１の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
               
（ｂ）相違点２について
　発光装置において、樹脂部に形成する開口部の形状を略楕円形または略偏平円形とすることは、原出願の出願当時において周知の技術である（例えば、前記ア（ウ）の刊行物３の記載のほか、前記特開平１０−２６１８２１号公報の６頁第９欄１９行〜２０行及び図３、特開平１１−８７７８０号公報の【請求項５】、【００２０】及び図９、前記特開２００１−３６１４７号公報の図１及び図２を参照。）から、引用発明１において、開口形状を略楕円形または略偏平円形のものとし、これにより、相違点２に係る本願補正発明１の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
               
（ｃ）相違点３について
　発光装置において、素子を覆う樹脂の表面を凸状に膨らんだものとすることは、原出願の出願当時において周知の技術である（例えば、特開平７−２０２２７１号公報の【請求項３】、【００２１】及び図１０、特開平１０−２４２５２６号公報の４頁第５欄６行〜１０行及び図２、前記特開２００１−３６１４７号公報の【０００３】、【０００６】、図２、図３及び図６、特開２００１−５７４４６号公報の【００４２】及び図１を参照。）から、引用発明１において、開口部の中に設けられた樹脂の表面を凸状に膨らんだものとし、これにより、相違点３に係る本願補正発明１の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
               
（ｄ）相違点４について
（ｄ−１）　本願補正発明１において、シリコーン樹脂のＪＩＳＡ値の硬度が５０以上であることの技術上の意義について検討する。
　
（ｄ−１−１）本願明細書には、以下の記載がある。
　「　【００５２】
　図１に例示した本実施形態の発光装置は、（１）封止体１１１の材料、（２）開口部１０５の形状、（３）開口部１０５の中のリードやチップの配置、に特徴を有する。
　【００５３】
　まず、封止体１１１の材料について説明する。　
　本発明においては、開口部１０５内に充填された封止体１１１として、従来の「エポキシ樹脂」の代わりに、「シリコーン樹脂」を用いている。
　【００５４】
　すなわち、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂と比較すると、脆性が低く、クラックが生じにくい。また、本発明において用いるシリコーン樹脂は、熱可塑性樹脂などからなる樹脂部１０３との付着強度も強く、耐湿性が高く温度ストレスによるクラックや剥離も少ない。また、シリコーン樹脂を充填することにより周囲の温度変化による発光素子１０６ＡおよびＡｕワイヤ１０９に対する樹脂ストレスを著しく軽減させることができる。さらに、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂と比べると、発光素子１０６Ａなどから照射される光に対する耐光性も強い。
　【００５５】
　本発明者は、この観点からさらに検討を進めた結果、シリコーン樹脂の中でも、硬度が高い「ゴム状」のシリコーン樹脂を用いると優れた結果が得られることを見出した。すなわち、シリコーン樹脂としては、通常は、ＪＩＳ規格の硬度であるＪＩＳＡ硬度値がおよそ３０〜４０のものが広く知られている。これは、「ゲル状」に近い物性を有し、物理的に柔らかいものである。以下、このシリコーン樹脂を「ゲル状シリコーン樹脂」と称する。
　【００５６】
　これに対して、「ゴム状シリコーン樹脂」は、ＪＩＳＡ硬度がおよそ５０〜９０の範囲にある。ちなみに、従来の発光装置の封止体材料として広く用いられているエポキシ樹脂は、ＪＩＳＡ硬度がおよそ９５前後である。
　【００５７】
　本発明者は、「ゴム状シリコーン樹脂」と「ゲル状シリコーン樹脂」とを独自に比較検討した結果、以下の知見を得た。
　【００５８】
　（１）図１に例示したような発光装置は、所定領域に半田が被覆された実装基板に対して、リード１０１、１０２の外部に突出した部分（「アウターリード」などと称される）を固定する際に、「リフロー」などと称される半田溶融の工程を経ることが多い。しかし、ゲル状シリコーン樹脂の場合、加熱すると軟化し樹脂部１０３との界面において剥離などが生ずる場合があった。
　【００５９】
　これに対して、ゴム状シリコーン樹脂の場合は、このような現象は見られず、１１０℃を越える条件においても、発光装置が安定した動作を示した。
　【００６０】
　（２）ゲル状シリコーン樹脂は柔らかいため、発光素子１０６Ａやワイア１０９Ａ、１０９Ｂなどに与えるストレスは小さい反面、外力に対して弱いという欠点を有する。すなわち、図１に例示したような発光装置は、例えば「表面実装型」のランプとして用いられ、アセンブリ装置により実装基板などにマウントされることが多い。この際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接される場合が多い。ＪＩＳＡ硬度が３０〜４０のゲル状シリコーン樹脂を用いた場合には、吸着コレットを押し当てることにより、封止体１１１が変形し、これに伴ってワイア１０９Ａ（１０９Ｂ）が変形、断線したり、発光素子１０６Ａ（ダイオード１０９Ｂ）にストレスが与えられる場合がある。
　【００６１】
　これに対して、ＪＩＳＡ硬度が５０〜９０のゴム状シリコーン樹脂を用いた場合には、発光装置の選別やアセンブリ時における選別装置やアセンブリ装置によるシリコーン樹脂の変形を防止できる。
　【００６２】
　以上（１）及び（２）に説明したように、シリコーン樹脂の中でも、ゴム状シリコーン樹脂を用いることにより、発光特性、信頼性、機械的強度などをさらに改善できる。
・・・
　【００６５】
　以上説明した知見に基づいて本発明者が行った一実施例によれば、硬化前の粘度が１０００ｃｐで硬化後のＪＩＳＡ硬度値が７０のゴム状シリコーン樹脂を用いて図１の発光装置を試作し、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１５００サイクルでも、シリコーン樹脂からなる封止体１１１のクラックや剥離、発光素子１０６Ａ（ダイオード１０９Ｂ）の割れや剥離、ワイア１０９Ａ（１０９Ｂ）の断線などの問題は全く生じなかった。」
　
（ｄ−１−２）上記（ｄ−１−１）によれば、本願明細書には、概略、以下の事項が記載されているものと認められる。
　
　ｉ　シリコーン樹脂としては、「ゲル状」に近い物性を有し物理的に柔らかい、ＪＩＳ規格の硬度であるＪＩＳＡ硬度値（以下、単に「硬度」という。）がおよそ３０〜４０の「ゲル状シリコーン樹脂」が広く知られているが、これに対して、「ゴム状シリコーン樹脂」は、硬度がおよそ５０〜９０の範囲にある。
　
　ii　図１に例示したような発光装置は、所定領域に半田が被覆された実装基板に対して、リード１０１、１０２の外部に突出した部分（「アウターリード」などと称される）を固定する際に、「リフロー」と称される半田溶融の工程を経ることが多い。しかし、ゲル状シリコーン樹脂の場合、加熱すると軟化し、樹脂部１０３との界面において剥離などが生ずる場合があった。これに対して、ゴム状シリコーン樹脂の場合は、このような現象は見られず、１１０℃を越える条件においても、発光装置が安定した動作を示した。
　
　iii　図１に例示したような発光装置は、例えば「表面実装型」のランプとして用いられ、アセンブリ装置により実装基板などにマウントされることが多い。この際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接される場合が多い。ＪＩＳＡ硬度が３０〜４０のゲル状シリコーン樹脂を用いた場合には、吸着コレットを押し当てることにより、封止体１１１が変形し、これに伴ってワイア１０９が変形、断線したり、発光素子１０６にストレスが与えられる場合がある。これに対して、ＪＩＳＡ硬度が５０〜９０のゴム状シリコーン樹脂を用いた場合には、発光装置の選別やアセンブリ時における選別装置やアセンブリ装置によるシリコーン樹脂の変形を防止できる。
　
　iv　硬化前の粘度が１０００ｃｐで硬化後の硬度が７０のゴム状シリコーン樹脂を用いて図１の発光装置を試作し、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１５００サイクルでも、シリコーン樹脂１１１のクラックや剥離、発光素子１０６の割れや剥離、ワイア１０９の断線などの問題は全く生じなかった。
　
（ｄ−１−３）上記（ｄ−１−２）ivのとおり、本願明細書には、硬度が７０のゴム状シリコーン樹脂を用いて図１の発光装置を試作した場合について、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１５００サイクルでも、シリコーン樹脂１１１のクラックや剥離、発光素子１０６の割れや剥離、ワイア１０９の断線などの問題は全く生じなかったことが記載されているものの、硬度が７０以外の値のシリコーン樹脂を用いる場合の温度サイクル試験の結果については全く記載されていないから、温度サイクル試験の結果に関し、「シリコーン樹脂の硬度が５０以上」であることに格別の技術的意義があるものと認めることはできない。
　
（ｄ−１−４）そして、上記（ｄ−１−２）ii、iiiのとおり、本願明細書には、図１に例示したような発光装置において、硬度がおよそ５０〜９０の範囲にある「ゴム状シリコーン樹脂」を用いると、発光装置を実装基板に対して固定する際の半田溶融の工程において、樹脂部１０３との界面において剥離が生ずる現象はみられず、また、アセンブリ装置により実装基板にマウントする際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接されてもシリコーン樹脂の変形を防止できるとの効果を奏することが記載されているものと認められるが、本願補正発明１は、上記１で認定したとおりのものであって、図１に示されるもののように、封止体１１１と樹脂部１０３との界面において剥離が生じ得る構成、あるいは、アセンブリ装置により実装基板にマウントする際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接される構成に特定されるものではないから、本願補正発明１が、上記の効果を奏するものとは認められない。
　加えて、シリコーン樹脂の硬度が５０以上の範囲と５０未満とで作用効果の差異が生じると認めるに足る具体的な根拠は示されていないから、上記（ｄ−１−２）ii、iiiの記載事項をもって、「シリコーン樹脂の硬度が５０以上」とすることに臨界的意義があるものとは、直ちには認められない。
　
（ｄ−１−５）上記（ｄ−１−３）、（ｄ−１−４）によれば、本願補正発明１において、シリコーン樹脂の硬度自体を「５０以上」に特定したことにより、格別の技術的意義ないし格別の臨界的意義を生じるものということはできず、上記（ｄ−１−２）iに照らすと、本願補正発明１において、「シリコーン樹脂の硬度が５０以上」であることが、単に、シリコーン樹脂を、「ゲル状」に近い物性を有するものでない「ゴム状シリコーン樹脂」に特定すること以上の技術上の意義を有するものということはできない。
　
（ｄ−２）進んで検討するに、前記ア（イ）によれば、刊行物２には、発光素子を配置する筐体の空間を封止する樹脂をシリコーン樹脂とすることにより、封止材の劣化を防止する技術が記載されているものと認められる。
　そうすると、引用発明１においても、ＬＥＤチップ及び前記ツェナーダイオードチップを被覆する樹脂パッケージ、すなわち、封止材の劣化を防止するために、樹脂パッケージの樹脂をシリコーン樹脂とすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
（ｄ−３）ここで、刊行物２には、シリコーン樹脂は硬度が自由に調整可能である旨の記載（【０００５】）があり、また、ＬＥＤチップを透光性のシリコーンゴムないしゴム状シリコーン樹脂で封止することは、原出願の出願当時において周知の技術である（例えば、前記特開２００１−３６１４７号公報の【００２８】のほか、特開平９−１１４４０１号公報の【００１７】、図２及び図３、特開２０００−２２２１７号公報の【００６１】、特開２０００−３４９３４８号公報の【請求項１０】を参照。）。
　加えて、引用発明１において、ＬＥＤチップ３及びツェナーダイオードチップ５を被覆する樹脂が「パッケージ」であることに照らせば、引用発明１における「樹脂パッケージ」が一定の形状を保持するようにすることは、当業者が当然考慮する程度の事項というべきであるから、引用発明１において、樹脂パッケージの樹脂をシリコーン樹脂とする際に、「ゴム状」のものとすることは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
　そして、これにより、前記（ｄ−１−５）の、本願補正発明１における「シリコーン樹脂の硬度が５０以上」であるとすることの技術上の意義と同様の意義を生じるものということができる。
　さらに、前記（ｄ−１−２）iに照らすと、ゴム状のシリコーン樹脂を用いれば、その硬度についても、本願補正発明１が規定する「５０以上」程度のものになるものと解するのが相当であるから、結局のところ、引用発明１において、相違点４に係る本願補正発明１の構成である、「第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられた樹脂が、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂である」とすることは、当業者が容易になし得たというべきである。
　
（ｅ）本願補正発明１の奏する効果
　本願補正発明１が全体として奏する効果についてみても、引用発明１、刊行物２記載の技術及び周知技術から当業者が予測し得る域を超えるほどの格別顕著なものとは認められない。
　
　ｃ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明１は、引用発明１、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
（イ）本願補正発明２について
　ａ　対比
　本願補正発明２と引用発明１とを対比する。
 　 
（ａ）引用発明１の「第１の端子電極」及び「第２の端子電極」は、それぞれ、本願補正発明２の「第１のリード」及び「第２のリード」に相当し、引用発明１の「ＬＥＤチップ」、「シリコン半導体からなるツェナーダイオードチップ」及び「チップ型発光素子」は、それぞれ、本願補正発明２の「前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子」、「前記第２のリードにマウントされた半導体素子」及び「発光装置」に相当する。
 　                                           
（ｂ）引用発明１の「ＬＥＤチップ３」の「ｐ側電極３８」と「第２の端子電極２と一体に形成されたパッド部２ａ」とを電気的に接続する「金線４」は、本願補正発明２の「前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイア」に相当する。
　また、引用発明１の「ツェナーダイオードチップ５の正電極」と「第１の端子電極と一体に形成されたパッド部１ａ」とを電気的に接続する「金線４」は、本願補正発明２の「前記第２の半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイア」に相当する。
　さらに、引用発明１の「ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９」と「第１の端子電極１」とを電気的に接続する「金線４」は、本願補正発明２の「前記第１の半導体発光素子と前記第１のリードとを接続した第３のワイア」に相当する。
　
（ｃ）引用発明１の「凹部」は、本願補正発明２の「開口部」に相当し、本願補正発明２の「前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、表面が凸状に膨らんで形成されて光取り出し面に露出し、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂」と、引用発明１の「凹部」に形成されている「前記ＬＥＤチップ３及び前記ツェナーダイオードチップ５を被覆する樹脂パッケージ６」とは、「前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように開口部の中に設けられ、光取り出し面に露出した樹脂」である点で、一致する。
　そして、引用発明１の「ＬＥＤチップ３」及び「ツェナーダイオードチップ５」は、それぞれ、「該凹部」に「露出した」「第１の端子電極１」の「先端部」及び「第２の端子電極２」の「先端部」にボンディングされているから、引用発明１は、本願補正発明２の「開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子」及び「前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子」との構成を備える。
　
（ｄ）引用発明１は、「ＬＥＤチップ３ないしツェナーダイオードチップ５がボンディングされた部分と、ツェナーダイオードチップ５ないしＬＥＤチップ３に接続した金線４が接続されたパッド部１ａないしパッド部２ａとは隣接した位置にあって、これらの間には間げきが形成されて」いるものであるところ、該「間げき」は、本願補正発明２の「前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分」と「前記第２のワイア」が「接続された部分」との間に設けられた「第１の切り欠き」及び「前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間」に設けられた「第２の切り欠き」に相当する。
　
（ｅ）以上によれば、両者は、
「　第１のリードと、
　第２のリードと、
　開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と前記第１のリードとを接続した第３のワイヤと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、光取り出し面に露出したシリコーン樹脂と、
　を備え、
　前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記第２のワイアが接続された部分との間に第１の切り欠きが設けられ、
　前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間に第２の切り欠きが設けられた発光装置。」
である点で一致し、以下のiないしivの点で相違するものと認められる。
　
　i　本願補正発明２は、「リードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部」を備え、「開口部」が前記「樹脂部」に設けられたものであるのに対して、引用発明１は、絶縁性基板の表面の両端部に第１及び第２の端子電極が設けられ、前記絶縁性基板と、その周囲に形成された反射ケースとが凹部を形成し、該凹部に前記第１及び第２の端子電極が一部露出したものである点（以下「相違点５」という。）。
　
　ii　第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられた樹脂が、本願補正発明２では、表面が凸状に膨らんで形成されているのに対して、引用発明１では、そのように形成されていない点（以下「相違点６」という。）。
　
　iii　第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられた樹脂が、本願補正発明２では、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂であるのに対して、引用発明１では、透明または乳白色のエポキシ樹脂などである点（以下「相違点７」という。）。
　
　iv　本願補正発明２では、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と、前記第３のワイアが接続された部分との間にも、第１の切り欠きが設けられているのに対して、引用発明１では、第１の半導体発光素子がマウントされた部分と、第３のワイアが接続された部分との間に、切り欠きが設けられていない点（以下「相違点８」という。）。
　
　ｂ　判断 
（ａ）相違点５ないし７について
　相違点５ないし７は、本願補正発明１と引用発明１との相違点１、３及び４と同一の内容である。
　そうすると、前記（ア）ｂ（ａ）、（ｃ）及び（ｄ）での検討と同様の理由により、引用発明１において、相違点５ないし７に係る本願補正発明２の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことであるか、当業者が容易になし得たことである。
　
（ｂ）相違点８について
（ｂ−１）前記ア（ア）ｄによれば、刊行物１には、ＬＥＤチップ３が第１の端子電極にボンディングされて、該第１の端子電極上にダイボンディング材が流れるとワイヤボンディングをし辛くなったり、ワイヤボンディングをすることができなくなることが記載されていると認められる。
　
（ｂ−２）また、前記イ（ア）によれば、引用発明１は、次のi及びiiの構成を備えているものと認められる。
　
　i　第１の端子電極１における、ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分と、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４が接続されたパッド部１ａとの間には間げきが形成されていること。
　
　ii　第１の端子電極１において、前記ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れた位置に、前記ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９に接続された金線４が接続されていること。
　
（ｂ−３）上記（ｂ−１）によれば、第１の端子電極１において、ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分と、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４が接続されたパッド部１ａとの間に間げき（本願補正発明２でいう「第１の切り欠き」に相当する。）が形成されているのは、これらが隣接した位置にあるがゆえに、ＬＥＤチップのダイボンディング材が流れて、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４がワイアボンディングをし辛くなったりすることを防止するためであると解することができ、前記ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９に接続された金線が第１の端子電極１に接続されている位置は前記ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れているがゆえに、ダイボンディング材が流れることを防止する必要性が小さく、それらの間に間げきを形成するといった手段がとられていないものと解することができる。
　
（ｂ−４）そして、引用発明１のように、ＬＥＤチップのｎ側電極３９と接続する金線４を第１の端子電極に接続するためには、接続の位置が、刊行物１の図１（ａ）に示される、ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れた位置でなければならないものではなく、第１の端子電極の適宜の位置であればよいことは明らかである。
　
（ｂ−５）ここで、上記（ｂ−１）のとおり、刊行物１には、ＬＥＤチップ３が第１の端子電極にボンディングされて、該第１の端子電極上にダイボンディング材が流れるとワイヤボンディングをし辛くなったり、ワイヤボンディングをすることができなくなることが記載されていること、上記（ｂ−３）のとおり、ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分と、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４が接続されたパッド部１ａとの間に間げきが形成されているのは、ＬＥＤチップのダイボンディング材が流れて、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４がワイアボンディングをし辛くなったりすることを防止するためであると解せることに照らせば、ＬＥＤチップのｎ側電極３９と接続する金線４を第１の端子電極に接続する位置を、上記パッド部１ａとすることは、当業者が容易になし得たものというべきである。
　そして、これにより、相違点８に係る本願補正発明２の「前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と、前記第３のワイアが接続された部分との間にも、第１の切り欠きが設けられている」との構成を得ることになるものと認められる。
　
（ｂ−６）よって、引用発明１において、相違点８に係る本願補正発明２の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（ｂ−７）請求人は、平成２２年１月１２日付け回答書において、刊行物１の記載内容につき、チップのマウント領域とワイヤのボンディング領域との間に切り欠きを設けて分離する、というのであれば、図１において、ＬＥＤチップ３から第１の端子電極１に接続されたワイヤ４のボンディング領域と、ＬＥＤチップ３と、の間にも、切り欠きが形成されていなくてはならず、刊行物１には、リードにチップをマウントし、そのチップがマウントされているリードに対してそのチップからワイヤをボンディングする場合に、チップのマウント領域とワイヤのボンディング領域との間に切り欠きを設けて分離する、という技術思想は開示も示唆もされていない旨、仮に、刊行物１記載の発明において、第１の切り欠きを半導体発光素子と第３のワイアが接続された部分との間にまで形成することが、当業者が容易になし得ることであったと仮定しても、その結果として得られるものは、ＬＥＤチップ３から第１の端子電極１にボンディングされたワイヤ４と、ＬＥＤチップ３との間に、新たな切り欠きが形成されるはずであり、二つのワイアが接続された部分と、半導体素子がマウントされた部分と、を単一の切り欠きにより分離する、という技術思想は、刊行物１に見いだすことはできず、本願補正発明２は、当業者が容易に想到できたものではない旨主張するが、上記で検討したところに照らして、採用できない。
　
（ｃ）本願補正発明２の奏する効果
　本願補正発明２が全体として奏する効果についてみても、引用発明１、刊行物１の記載事項、刊行物２記載の技術及び周知技術から当業者が予測し得る域を超えるほどの格別顕著なものとは認められない。
　
　ｃ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明２は、引用発明１、刊行物１の記載事項、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
（ウ）本願補正発明３について
　ａ　対比
　本願補正発明３と引用発明２とを対比する。
 　 
（ａ）引用発明２の「ＬＥＤチップ４３を接合したリード電極４１」及び「他方のリード電極４１」は、それぞれ、本願補正発明３の「第１のリード」及び「第２のリード」に相当し、引用発明２の「ＬＥＤチップ４３」、「トランジスターチップ４４」及び「白色発光ダイオード」は、それぞれ、本願補正発明３の「前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子」、「前記第１のリードにマウントされた半導体素子」及び「発光装置」に相当する。
 　                                           
（ｂ）引用発明２の「トランジスターチップ４４の表面電極と他方のリード電極４１」を「ワイヤーボンディングにより接続」する「金線４５」は、本願補正発明３の「前記第２の半導体素子と前記第２のリードとを接続した第２のワイア」に相当する。
　また、引用発明２の「ＬＥＤチップ４３のｐ側取出電極」とを「同様に」「ワイヤーボンディングにより接続」する「金線４５」は、本願補正発明３の「前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイア」に相当する。
　
（ｃ）引用発明２の「パッケージ４２上に射出成形により」「ＬＥＤチップ及びトランジスタダイオード上に形成させ」た「透光性エポキシ樹脂」は、引用発明２の「リード電極４１を構成する、プラスチックパッケージ４２収納部のリードフレーム４１」は「露出部」であることに照らすと、本願補正発明３の「前記第１の半導体発光素子と、前記半導体素子と、前記第１のリードの少なくとも一部と、前記第２のリードの少なくとも一部と、前記第１及び第２のワイアと、を覆うように設けられ、表面が凸状に膨らんで形成されて光取り出し面に露出し、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂」と、「前記第１の半導体発光素子と、前記半導体素子と、前記第１のリードの少なくとも一部と、前記第２のリードの少なくとも一部と、前記第１及び第２のワイアと、を覆うように設けられ、光取り出し面に露出した樹脂」である点で、一致する。
　
（ｄ）以上によれば、両者は、
「　第１のリードと、
　第２のリードと、
　前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記第１のリードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
　前記半導体素子と前記第２のリードとを接続した第２のワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と、前記半導体素子と、前記第１のリードの少なくとも一部と、前記第２のリードの少なくとも一部と、前記第１及び第２のワイアと、を覆うように設けられ、光取り出し面に露出した発光装置。」
である点で一致し、以下のi及びiiの点で相違するものと認められる。
　
　i　第１の半導体発光素子と、半導体素子と、第１のリードの少なくとも一部と、第２のリードの少なくとも一部と、第１及び第２のワイアと、を覆うように設けられた樹脂が、本願補正発明３では、表面が凸状に膨らんで形成されているのに対して、引用発明２では、そのように形成されていない点（以下「相違点９」という。）。
　
　iv　第１の半導体発光素子と、半導体素子と、第１のリードの少なくとも一部と、第２のリードの少なくとも一部と、第１及び第２のワイアと、を覆うように設けられた樹脂が、本願補正発明１では、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂であるのに対して、引用発明２では、透光性エポキシ樹脂である点（以下「相違点１０」という。）。
　
　ｂ　判断 
　相違点９及び１０は、本願補正発明１と引用発明１との相違点３及び４と同一の内容である。
　そうすると、前記（ア）ｂ（ａ）、（ｃ）及び（ｄ）での検討と同様の理由により、引用発明２において、相違点９及び１０に係る本願補正発明３の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことであるか、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願補正発明３が全体として奏する効果についてみても、引用発明２、刊行物２記載の技術及び周知技術から当業者が予測し得る域を超えるほどの格別顕著なものとは認められない。
　
　ｃ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明３は、引用発明２、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
（４）まとめ
　以上のとおり、本願補正発明１は、引用発明、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、本願補正発明２は、引用発明、引用刊行物の記載事項、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、本願補正発明３は、引用発明２、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、それぞれ、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　 
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年７月２５日付け手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１ないし請求項３に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前の請求項１ないし３に示したとおりのものである。
 　 
２　判断
　前記第２、２（１）によれば、本願発明１ないし本願発明３は、本願補正発明１ないし本願補正発明３における「表面が凸状に膨らんで形成されて」との特定事項を省いたものと認められる。
　そうすると、前記第２、２（３）での検討からして、本願発明１は、引用発明１、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、本願発明２は、引用発明１、刊行物１の記載事項、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、本願発明３は、引用発明２、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、それぞれ、当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。
 　 
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明１、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、本願発明２は、引用発明１、刊行物１の記載事項、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、本願発明３は、引用発明２、刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて、それぞれ、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。