【事件の表示】
　特願２０００−１４９３２２「回路基板およびそれを用いた電子部品搭載回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月３０日出願公開、特開２００１−３３２８２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年５月２２日の出願であって、本願の請求項１〜４のうち、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年７月１日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 
　
　「金属とセラミックとからなる板状複合体の一主面上に、絶縁層を介して導体パターンを設けてなる回路基板であって、
前記導体パターン上に設けられる電子部品の大きさが３．２ｍｍ×１．６ｍｍ以上であり、
前記電子部品の熱膨張率と前記板状複合体の熱膨張率の差が１０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする回路基板。」
　
　
２　刊行物
　原審の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前に頒布された下記の刊行物には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
刊行物：特開平５−１３６５３８号公報
　（平成２０年５月１日付拒絶理由通知書で引用された引用文献２）
　
＜刊行物の記載事項＞
（刊ａ）「【請求項１】  ・・・冷却凝固金属粉末とセラミック粒子の混合粉末を固化することにより形成された基板ベース部材と、前記基板ベース部材上に積層される絶縁部材と、前記絶縁部材上に形成された導体部材からなる回路パターンとを具備することを特徴とする金属ベース電子回路基板。」
　
（刊ｂ）「【０００８】【作用】・・・基板ベース部材は、・・・冷却凝固金属粉末とセラミック粒子の混合粉末を固化することにより形成されるので、低い熱膨脹率・・・を兼備する。・・・よって、金属ベース電子回路基板は集積回路部品を高密度に実装出来る。・・・」
　
（刊ｃ）「【００２３】この結果、図５の第１実験例の場合のように、急冷凝固アルミニウム合金を単独で用いた場合は、図５に示すように熱膨脹係数が２０×１０６／℃となり、通常のアルミ合金に比べて３０％程低い熱膨脹率が得られた。
　
（刊ｄ）「【００２４】・・・この第２乃至第４実験例においては、セラミックス粒子（ＳｉＣ粒子）を混合した結果、図６に示すように一層、熱膨脹係数が低下し、一層低い熱膨脹率が得られた。」
　
（刊ｅ）図１には、基板ベース部材１３の一主面上に絶縁層１２及び導体層１１を設けることが示されている。
　
（刊ｆ）図６には、第１乃至第４実験例の熱膨張係数がグラフ化され、第４実験例の熱膨張係数が、約１５×１０６／℃であることが示されている。
　
　
　
３　当審の判断
（１）刊行物記載の発明
　刊行物には、記載事項（刊ｃ）及び（刊ｆ）のように熱膨張係数として２０×１０６／℃や約１５×１０６／℃が示されているが、アルミニウムの線膨張率（熱膨張係数に相当する）は、２０℃において、２３．１×１０−６／Ｋ（理科年表（平成１１年））であること（「／Ｋ」は、「／℃」に相当する）ことからみて、刊行物に記載された１０６／℃は、１０−６／℃の明らかな誤記といえる。
　上記誤記を踏まえて（刊ａ）〜（刊ｆ）の記載を整理すると、刊行物には、次の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されている。
「冷却凝固金属粉末とセラミック粒子の混合粉末を固化することにより形成された基板ベース部材の一主面上に絶縁層を介して、導体部材からなる回路パターンを設けてなる金属ベース電子回路基板であって、前記金属ベース電子回路基板には集積回路部品が設けられ、前記基板ベース部材の熱膨張係数が約１５×１０−６／℃である金属ベース電子回路基板」
　
（２）対比
　本願発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「導体部材からなる回路パターン」、「金属ベース電子回路基板」及び「集積回路部品」は、本願発明における、「導体パターン」、「回路基板」及び「電子部品」にそれぞれ相当する。
　また、刊行物発明における「冷却凝固金属粉末とセラミック粒子の混合粉末を固化することにより形成された基板ベース部材」は、金属とセラミックとからなる複合体であることが理解でき、かつ、基板ベース部材の形状は「基板」という用語及び刊行物の図１の参照符号１３で示される基板ベース部材の形状から板状であることが理解できるから、本願発明における「金属とセラミックとからなる板状複合体」に相当する。
　
　してみると両者は、
　
「金属とセラミックとからなる板状複合体の一主面上に、絶縁層を介して導体パターンを設けてなる回路基板であって、前記回路基板には電子部品が設けられた回路基板」
　
であることで一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、電子部品が「導体パターン上に設けられる」のに対して、刊行物発明では、電子部品が導体パターン上に設けられると特定されていない点。
（相違点２）本願発明では、「電子部品の大きさが３．２ｍｍ×１．６ｍｍ以上」であるのに対して、刊行物発明では、電子部品の大きさが特定されていない点。
（相違点３）本願発明では、「電子部品の熱膨張率と板状複合体の熱膨張率の差が１０ｐｐｍ／℃以下」であるのに対して、刊行物発明では、板状複合体と電子部品との熱膨張率の差は特定されていない点。
　
（３）判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点１について＞
　刊行物の【０００２】には、次の記載がある。
　
（刊ｇ）「【従来の技術】従来の電子回路基板は、図６に示すように樹脂性の板（以下、樹脂基板）６１上にエッチング法により、銅メッキの回路６２を作成するものが主流であり、図６は、このようにして製造された電子回路基板にＩＣチップ６３が配された状態を示している。」
　
　上記記載事項（刊ｇ）では、「図６」について説明していると記載されているけれども、記載事項（刊ｇ）は、電子回路基板について説明していること、かつ、参照符号として６１〜６３を用いて説明していることから、「図６」は誤りで「図７」を参照しつつ説明しているといえる。そして、（刊ｇ）の記載事項及び図７からは、参照符号６２で示される「銅メッキの回路」の上に参照符号６３で示される「ＩＣチップ」を設けることが従来から行われていた周知技術であることが理解できる。ここで、「銅メッキの回路」及び「ＩＣチップ」は、本願発明における「導体パターン」及び「電子部品」にそれぞれ相当する。
　刊行物発明において、当該周知技術を採用して、電子部品を導体パターン上に設けることは当業者が容易になし得たことである。
　
＜相違点２について＞
（ア）大きさが３．２ｍｍ×１．６ｍｍ以上の電子部品は、ごく一般に使用されているものである。
　そして、刊行物発明において回路基板上に設ける電子部品としては通常使用される電子部品を使用するであろうことから、電子部品の大きさを３．２ｍｍ×１．６ｍｍ以上とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（イ）審判請求人は、平成２０年１２月５日付手続補正書によって補正された審判請求の理由において、
　「本願発明は、回路基板上に搭載される電子部品の大きさと半田接合部のクラックの発生状況に着目し、鋭意研究の結果、電子部品の熱膨張率と板状複合体の熱膨張率との差を１０ｐｐｍ／℃以下とすることで大きなサイズの電子部品を用いる場合でもクラックの発生を抑制できることを見出し、完成に至ったものであります。」
　として、追加的な実験結果を示し、
「従来の回路基板では、回路基板上に３．２ｍｍ×１．６ｍｍ以上の大きさの電子部品を搭載した場合、半田接合部にクラックが生じてしまうのに対し、本願発明に係る回路基板では、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ以上の大きさの電子部品を搭載した場合であっても半田接合部にクラックが生じることがありません。
　以上のように、本願発明に係る回路基板は、電子部品の熱膨張率と板状複合体の熱膨張率の差が１０ｐｐｍ／℃以下であることにより、半田接合部にクラックが発生し易い、大きなサイズの電子部品の半田接合部のクラックの発生を防ぐことができるという顕著な効果を奏します。」
　と電子部品の寸法の数値範囲のいわゆる臨界的意義を主張するので、この点について検討する。
　
（ウ）本願の出願当初の明細書における【表１】及び平成２０年１２月５日付手続補正書によって補正された審判請求の理由に示される実験成績証明書の実験結果を参照すれば、半田接合部におけるクラック発生率が示されているところである。
　しかしながら、本願の特許請求の範囲の請求項１において、回路基板の導体パターン上に電子部品を設ける手法として半田接合に限定することは何ら記載されておらず、回路基板に電子部品を設ける手法として、導電性樹脂を用いた固定等の半田接合以外の接合も周知であるから、請求項に記載された事項から把握される本願発明は必ずしも半田接合を前提としていない。
　してみれば、半田接合を前提として電子部品の大きさの臨界的意義を主張する審判請求人の主張は、必ずしも本願発明の数値限定の臨界的意義を主張するものとは認められないから、これを採用することはできない。
　
（エ）また、熱膨張による半田接合部のクラック発生には、その原因の一つとして、例えば下記周知文献１−３に記載のように、半田接合部間の距離が大きく影響しているものであるが、本願の特許請求の範囲の請求項１においては、電子部品の大きさを限定しているものの半田接合部間の距離は限定されていない。そして、半田接合部間の距離等を何ら特定せずに、電子部品の大きさのみが半田接合部のクラック発生の原因であることは周知ではなく、本願明細書にもその旨の説明はされていない。なお、任意の電子部品について、その大きさを特定することが、半田接合部の距離を特定することにはならないことは当業者に知られたことである。
　してみれば、電子部品の大きさが半田接合部のクラック発生に影響を及ぼすことについて合理的な理由は見い出せないので、電子部品の大きさの臨界的意義を主張する審判請求人の主張は、この点からも採用することができない。
　
※周知文献１：特開平１１−２７４７１１号公報
　　（当審において新たに提示する文献）
　
（周１ａ）「【０００６】一般に、ＢＧＡパッケージ３を構成する材料とプリント基板１３を構成する材料は、その熱膨張係数は異なっている。そのため、その熱膨張係数差によって実装の際にＢＧＡパッケージ３とプリント基板１３との熱膨張に差が生じ、その結果機械的ストレスがＢＧＡパッケージ３およびプリント基板１３に加わることになる。特に、このストレスはＢＧＡパッケージ３とプリント基板１３との接続部に集中する傾向にある。したがって、このストレスが導電性ボール５自体や半田１１、１７と導電性ボール５との界面に加われば、半田１１、１７と導電性ボール５がその界面で剥離したり、導電性ボール５に亀裂が発生したりするおそれがある。・・・」
　
（周１ｂ）「【００２２】たとえば、パッケージ３の中心位置とプリント基板１３のパッケージ３実装領域の中心位置とが整合されている場合を考えてみる。・・・Δαをパッケージ３とプリント基板１３との熱膨張係数の差、ΔＴを温度変化、Ｌを最も離れているアウターリード・パッド９どうしの中心間距離、ΔＬをパッケージ３とプリント基板１３との熱膨張量の差とすれば、アウターリード・パッド９とそれぞれに対応するパッケージ用パッド１５の位置ずれの最大距離Δｄは、およそ以下の式で表される。
【００２３】
【数１】
Δｄ＝ΔＬ／２
＝Δα×ΔＴ×（Ｌ／２）・・・（１）
・・・
上記（１）式からＬの値が小さくなればΔｄの値が小さくなることは明らかである。」
　
※周知文献２：特開平１１−１５４７８１号公報
　　（当審において新たに提示する文献）
　
（周２ａ）「【０００６】
・・・リードレス端子の電子部品９をプリント配線基板１に搭載、はんだ付けした時、回路モジュールは電子部品自体の発熱、あるいは周囲温度の変化等により温度サイクルストレスに曝される。この時、プリント配線基板１とセラミック基板４とでは熱膨張係数が異なるため、双方の間で膨張、収縮差が生じる。一方、電子部品９はその両端がはんだ付け部１０でプリント配線基板１上に固定されているので、発生した歪みは熱応力としてはんだ付け部１０のはんだに負荷をかけることになる。これにより、はんだは破壊され、はんだクラックを生じ、そのため回路モジュールの信頼性が著しく低下することになる。
【０００７】・・・上記の熱応力は、・・・左右のはんだ付け部１０の距離が大きいほど顕著である・・・」
　
※周知文献３：特開平１０−４１６０６号公報
　　（当審において新たに提示する文献）
　
（周３ａ）「【０００４】・・・ＩＣチップと基板、基板とマザーボード基板（以下、基板等ともいう）の材質の違いにより熱膨張率が異なるので、平面方向に熱膨張差が発生する。即ち、端子部材から見ると、端子が接続している基板等が平面方向についてそれぞれ逆方向に寸法変化しようとするので、端子にはせん断応力が働くこととなる。
【０００５】このせん断応力は、面接続される端子のうち、最も離れた２つの端子間で最大となる。・・・
【０００６】・・・このようなせん断応力が掛かると、基板に形成したパッドとハンダと接続部近傍のハンダ部に繰り返し熱応力がかかることによってクラックが入り、ついにはハンダ部で破断するようにして破壊することがあり・・・」  
　
（オ）以上のことから、刊行物発明において、相違点２のようにすることは当業者が容易になし得たことであり、また、このような構成にしたことによる効果も格別のものとは認められない。
　
＜相違点３について＞
（カ）電子部品と電子部品が載置される基板（この電子部品が載置される基板を、以下「ベース基板」という）の熱膨張率を近づけることは、下記周知文献４−５に記載されているように周知の課題である。
　
※周知文献４：特開平１１−１２１６９１号公報
　　（平成２０年５月１日付拒絶理由通知書で引用された引用文献１）
　
（周４ａ）「【００１１】・・・熱機械的ストレスは、サブモジュール２に対する材料の選択によってもっぱら減少される。何故ならば、半導体材料３、ＡｌＮセラミックおよびAlSiCのヒートシンクの膨張係数は、互いに非常によく一致させられるからである。・・・」
　
（周４ｂ）「【００１５】各々のサブモジュール２は、十分な熱伝導性の電気的絶縁材料、例えば絶縁セラミックからなる１つの基板６を有している。その熱膨張率は、半導体チップ３の熱膨張率、このましくは１０ｐｐｍ/ｋと一致されるべきである。・・・」
　
※周知文献５：特開平４−１４７６５４号公報
　　（当審において新たに提示する文献）
　
（周５ａ）「電子部品搭載用基材には軽量で熱膨張率が電子部品である半導体や半導体パッケージ材料の熱膨張率、６〜８×１０−６／℃に近いことが必要である」（第１頁左下欄第１８〜２０行）
　
（周５ｂ）「従来のアルミニウムやアルミニウム合金などの金属基材では、アルミニウム合金の熱膨張係数が２４×１０−６／℃と大きいことから、電子部品である半導体または半導体パッケージなどと、ケースやキャリアなどとの間に熱応力が発生し、接合部で亀裂または剥離を生じ、半導体の電気的接地不良や部品の脱落およびこれに伴う配線の断線等を生ずる可能性があり」（第１頁右下欄第１０〜１７行）
　
（キ）電子部品の熱膨張係数（本願発明の「熱膨張率」に相当する）として、周知文献４の記載事項（周４ｂ）や周知文献５の記載事項（周５ａ）に示されるように１０ｐｐｍ／Ｋ、６〜８×１０−６／℃等の値は格別のものとは認められない。してみれば、刊行物発明の基板ベース部材の熱膨張率である約１５×１０−６／℃と上記電子部品との熱膨張率との差は約５〜９ｐｐｍ／℃であって、電子部品とベース基板との熱膨張率の差が１０ｐｐｍ／℃近傍となる。
　
（ク）上記（カ）の周知の課題に基づいて、電子部品とベース基板との熱膨張率の差の具体的な数値範囲を実験的に最適化することは当業者が必要に応じて適宜行うことに過ぎず、具体的な数値範囲は、上記（キ）の事実も勘案しつつ、種々の外部要因（ヒートサイクル等の熱的環境や、固定手法（半田によるのであれば半田の種類やピッチ等））も考慮して、実験等を行って定めるべきものであって、１０ｐｐｍ／℃以下とすることは当業者が容易になし得たことである。
　また、この構成としたことにより、接合部の亀裂（クラック）が発生しないという作用効果が奏されることは当業者の予測の範囲のものである。
　
（ケ）したがって、刊行物発明において、相違点３について、本願発明のようにすることは当業者が容易になし得たことであり、また、このような構成にしたことによる効果は当業者の予測の範囲のことである。
 　
（４）結論　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知文献１−５に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願の請求項２〜４に係る発明については検討するまでもなく、本願を拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。