【事件の表示】
　平成　６年特許願第　４５５８６号「薄膜形成用研磨方法及び薄膜形成用研磨装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月　３日出願公開、特開平　７−２５１３７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成６年３月１６日の特許出願であって、同１５年８月５日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１５年１０月１４日に意見書と共に明細書について手続補正書が提出され、さらに、同１６年４月７日付けで最後の拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１６年６月１６日に意見書とともに明細書について手続補正書が提出されたが、同１７年１月７日付けで同１６年６月１６日付けの補正について補正却下の決定がされるとともに最後の拒絶の理由により拒絶をすべき旨の査定がされ、同１７年２月１５日に本件審判の請求がされるとともに明細書について手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１７年２月１５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年２月１５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするとともにそれに関連して発明の詳細な説明の一部について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について平成１５年１０月１４日付け手続補正書による本件補正前の記載と本件補正後の記載とを補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
（１）補正前
「基板上の被研磨膜を研磨して薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
　研磨中の被研磨膜の膜厚を測定しながら研磨を行うとともに、
　前記膜厚の測定方法が、被研磨面の膜厚測定位置に測定用の光を照射しその反射光または透過光を検知して膜厚を測定する方法であり、
　前記膜厚測定用の光は、ガラスファイバーにより誘導し、
　該ガラスファイバーの先端はレンズ状にして、光を集中させる
ことを特徴とする薄膜形成用研磨方法。」
　
（２）補正後
「基板上の被研磨膜を研磨して薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
　
前記被研磨膜の被研磨面は研磨パッドの研磨面内に包含されないはみ出し部を有し
　
前記被研磨膜を研磨するための研磨定盤及びワークプレートは互いに回転しながら、前記ワークプレートに支持された前記基板の該被研磨面を、前記研磨定盤の研磨面に当接させて、該基板の該研磨面の研磨を行うものであり
　
同時にワークプレートは研磨定盤の直径方向で揺動しながら研磨が行われるものであり
　
該研磨においては
　研磨中の被研磨膜の膜厚を測定しながら研磨を行うとともに、
　前記膜厚の測定方法が、被研磨面の膜厚測定位置に測定用の光を照射しその反射光または透過光を検知して膜厚を測定する方法であり、
　前記膜厚測定用の光は、ガラスファイバーにより誘導し、
　該ガラスファイバーの先端はレンズ状にして、光を集中させる
ものであり
　
該ガラスファイバーの先端は、前記研磨パッドからはみ出すはみ出し部をなす被研磨面に対向する構成とすることにより、前記膜厚の被測定位置は、被研磨面に対向してこれと当接する研磨パッドから被研磨面がはみ出す位置とし
　
これにより前記研磨定盤の外側に取り付けられた前記該ガラスファイバーを用いてはみ出した基板外周部分の測定を行うことを可能ならしめ、これによって前記ワークプレートにセットされた基板の下側である薄膜層側から測定用の光を当てて
　
これにより該被研磨膜の上面及び下面からの反射光または透過光の互いの干渉に基づいて膜厚を測定する
ことを特徴とする薄膜形成用研磨方法。」
　
２　補正の適否　　　
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についての補正は、研磨の態様及び膜圧測定の態様を、下線を付したように、より具体的に限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかであるので、さらに、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「薄膜形成用研磨方法」であると認められる。
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−２５５２１８号公報（以下「引用例」という。）の記載内容は以下のとおりである。
ア　引用例記載の事項
　引用例には以下の事項が記載されている。
（ア）第３頁第３欄第２３〜２６行
「【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の製造方法、特に、半導体ウェーハを物理的に平面化し（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）かつ終点（ｅｎｄｐｏｉｎｔ）を検出するための新規な方法及び装置に関する。」
　
（イ）第４頁第６欄第５〜２６行
「【００１８】図５に断面図で示すように、ウェーハ１０は、ある領域にてその上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）１４の層（以下に酸化物と称する）が形成されるシリコン基板１２を備えることが出来る。一般に、ウェーハ１０を物理的に平面化することはウェーハ１０の酸化物層１４を平面化する段階を含んでいる。ウェーハ１０は又、シリコン基板１２上に形成して酸化物被覆１４で覆った１又は２以上のタングステンのような金属膜のパターン無し金型１６を含むことが出来る。
【００１９】次に、図２を参照すると、本発明により形成された物理的な平面化及びび（当審注：「及び」の誤記と認められる。）終点検出装置が全体として符号２０で示されている。本発明の研磨装置２０は、全体として、アルミナのような研磨性スラリー２４が適用される回転する研磨プラテン２２の形態による研磨手段と、図３に示すように、半導体ウェーハ１０を支持しかつ回転する研磨プラテン２２の外端縁を横断しかつ該外端縁を経て動き得るように取り付けられ、回転する研磨プラテン２２の半導体ウェーハ１０の全体よりも小さい寸法の一部分をオーバーハングさせる回転可能な研磨ヘッド２６と、半導体ウェーハ１０上に形成された酸化物被覆１４等の厚さを検出するためのレーザ干渉測定装置２８の形態による終点検出手段とを備えている。」
　
（ウ）第４頁第６欄第３７行〜第５頁第７欄第２４行
「【００２１】図２及び図３を参照すると、研磨手段は、駆動モータ３６のような回転駆動手段に取り付けられた研磨ヘッド２６を備えることが出来る。図３に示すように、駆動モータ３６は研磨ヘッド２６に対して矢印３８で示すような回転動作を付与する。研磨ヘッド２６は、当該技術分野で公知であるように、ウェーハ１０を傷付けずに該ウェーハ１０をその表面が研磨プラテン２２の方向を向くように保持しかつ回転させ得る構造とされる。更に、研磨ヘッド２６はウェーハ１０に対して矢印３９（図２）で示すような制御された下向きの力を付与し得るような構造とされる。
【００２２】回転及び上下運動に加えて、研磨ヘッド２６は又図３に矢印４０、４２で示し及び図２に矢印４１で示すように研磨プラテン２２を横断して何れかの方向に横運動し得るように取り付けられている。更に、研磨ヘッド２６は研磨プラテン２２に対して取り付けられ、ウェーハ１０は研磨プラテン２２を横断して動きかつ研磨プラテン２２の外周端縁に対してオーバーハングした位置に保持される。これは図２に明確に示してある。この配置状態により、及び本発明の実施に必須であるように、ウェーハ１０は研磨プラテン２２の端縁を経て動き、物理的な平面化工程中、研磨プラテン２２の外周又は周端縁をオーバーハングさせることが出来る。
【００２３】かかるオーバーハングさせる配置により、ウェーハ１０は動いて研磨プラテン２２に接触し及び離反し、より速く動く外側部分とより遅く動く略円形のウェーハ１０の内側部分との間の相対的速度差に起因する不規則な研磨状態を補正することが出来る。更に、この配置により、図２に示したウェーハ１０の表面の一部は以下により詳細に説明するように、終点を検出するためレーザ干渉計測定装置２８に露出される。
【００２４】図３に示すように、研磨プラテン２２は又、研磨ヘッド２６と同一方向に回転可能なように取り付けられる。この動作は図３に矢印４４、４６で示してある。研磨プラテンの表面は吹込みポリウレタンのような比較的柔らかい材料にて形成することが出来る。更に、この表面は水のような潤滑剤にて湿潤な状態とすることが出来る。」
　
（エ）第５頁第７欄第３０行〜第８欄第２行
「【００２６】図２及び図４を参照すると、本発明の終点検出手段が明確に示してある。本発明の実施例において、該終点検出手段はレーザ干渉測定装置２８を備えている。該干渉測定装置２８は測定の目的のため光の波長の干渉を利用するものである。本発明の図示した実施例において、該干渉測定装置２８はウェーハ１０のパターン無し金型１６の領域におけるウェーハ１０の酸化物層１４の厚さを検出し得るように取り付けられている。これとは別に、レーザ干渉測定装置はウェーハ１０の端縁の厚さ、又はウェーハ１０のその他の特徴を検出し得るように配置することも出来る。
【００２７】図３に示すように、レーザ干渉測定装置２８はレーザ光ビーム４８、及びレーザ制御装置５４からウェーハ１０の露出面に近接して配置された適当な取り付け手段（図示せず）まで伸長する光戻り導管５０を備えている。本発明の図示した実施例にて明らかであるように、干渉測定装置２８はレーザ光４８のビーム又は放射線をウェーハ１０のパターン無し金型１６上に配置された酸化物１４に向けかつ戻し、その点における酸化物被覆１４の厚さを正確に測定する機能を果たす。これは当業者に公知のレーザ技術により行うことが出来る。」
　
イ　引用例記載の発明
　引用例記載の事項を技術常識を勘案しながら本件補正発明に照らして整理すると、引用例には、以下の発明（以下「引用例記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「シリコン基板１２上の酸化物被覆１４を研磨して薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
　前記酸化物被覆１４の被研磨面は表面が吹込みポリウレタンのような比較的柔らかい材料にて形成された研磨プラテン２２の研磨面内に包含されないオーバーハングした部分を有し、
　前記酸化物被覆１４を研磨するための研磨プラテン２２及び研磨ヘッド２６は互いに回転しながら、前記研磨ヘッド２６に保持された前記シリコン基板１２の該被研磨面を、前記研磨プラテン２２の研磨面に当接させて、該シリコン基板１２の該研磨面の研磨を行うものであり、
　同時に研磨ヘッド２６は研磨プラテン２２を横断して何れかの方向に横運動しながら研磨が行われるものであり、
　該研磨においてはシリコン基板１２上の酸化物被覆１４を研磨して薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
　研磨中の酸化物被覆１４の厚さを測定しながら研磨を行うとともに、
　前記厚さの測定方法が、被研磨面の厚さ測定位置に測定用のレーザ光を照射して厚さを測定する方法であり、
　前記厚さ測定用のレーザ光は、光戻り導管５０を含む誘導手段により誘導し、
　該誘導手段の先端は、前記研磨プラテン２２の表面からオーバーハングする被研磨面に対向する構成とすることにより、前記厚さの被測定位置は、被研磨面に対向してこれと当接する研磨プラテン２２の表面から被研磨面がオーバーハングする位置とし、
　これにより前記研磨プラテン２２の外側に取り付けられた前記該誘導手段を用いてオーバーハングしたシリコン基板１２外周部分の測定を行うことを可能ならしめ、これによって前記研磨ヘッド２６に保持されたシリコン基板１２の下側である酸化物被覆１４側から測定用のレーザ光を当てて、光の波長の干渉を利用して酸化物被覆１４の厚さを測定する薄膜形成用研磨方法。」
　
（３）対比
　本件補正発明と引用例記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例記載の発明の「シリコン基板１２」は本件補正発明の「基板」に相当し、以下同様に「シリコン基板１２上の酸化物被覆１４」は「基板上の被研磨膜」に、「酸化物被覆１４の厚さ」は「被研磨膜の膜厚」に、「研磨プラテン２２」は「研磨定盤」に、研磨プラテン２２の表面の「吹込みポリウレタンのような比較的柔らかい材料にて形成された」部分は「研磨パッド」に、「研磨ヘッド２６」は「ワークプレート」にそれぞれ相当する。
　また、引用例記載の発明において「研磨ヘッド２６は研磨プラテン２２を横断して何れかの方向に横運動」することは、本件補正発明において「ワークプレートは研磨定盤の直径方向で揺動」することに相当する。
　また、引用例記載の発明における酸化物被覆１４の被研磨面の「研磨プラテン２２の研磨面内に包含されないオーバーハングした部分」は、本件補正発明における被研磨膜の被研磨面の「研磨パッドの研磨面内に包含されないはみ出し部」に相当し、引用例記載の発明の「光戻り導管５０を含む誘導手段」は、光の誘導手段であって、その先端が研磨パッドからはみ出すはみ出し部をなす被研磨面に対向する構成とされているという限りで、本件補正発明の「ガラスファイバー」と共通している。そして、引用例記載の発明において「前記厚さの被測定位置は、被研磨面に対向してこれと当接する研磨プラテン２２の表面から被研磨面がオーバーハングする位置」とすることは、本件補正発明において「前記膜厚の被測定位置は、被研磨面に対向してこれと当接する研磨パッドから被研磨面がはみ出す位置」とすることに相当する。
　さらに、技術常識からみて、引用例記載の発明の「光戻り導管５０」は、レーザ光の反射光を誘導するものであり、引用例記載の発明において「光の波長の干渉を利用して酸化物被覆１４の厚さを測定する」ためには、酸化物被覆１４、すなわち、被研磨膜の上面及び下面からの反射光を検知し、その互いの干渉に基づいて測定していることが明らかである。
　したがって、本件補正発明と引用例記載の発明とは、以下の点で一致し、また、相違しているということができる。
ア　一致点
「基板上の被研磨膜を研磨して薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
　前記被研磨膜の被研磨面は研磨パッドの研磨面内に包含されないはみ出し部を有し、
　前記被研磨膜を研磨するための研磨定盤及びワークプレートは互いに回転しながら、前記ワークプレートに支持された前記基板の該被研磨面を、前記研磨定盤の研磨面に当接させて、該基板の該研磨面の研磨を行うものであり、
　同時にワークプレートは研磨定盤の直径方向で揺動しながら研磨が行われるものであり、
　該研磨においては基板上の被研磨膜を研磨して薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
　研磨中の被研磨膜の膜厚を測定しながら研磨を行うとともに、
　前記膜厚の測定方法が、被研磨面の膜厚測定位置に測定用の光を照射しその反射光を検知して膜厚を測定する方法であり、
　前記膜厚測定用の光は、誘導手段により誘導し、
　該誘導手段の先端は、前記研磨パッドからはみ出すはみ出し部をなす被研磨面に対向する構成とすることにより、前記膜厚の被測定位置は、被研磨面に対向してこれと当接する研磨パッドから被研磨面がはみ出す位置とし、
　これにより前記研磨定盤の外側に取り付けられた前記該誘導手段を用いてはみ出した基板外周部分の測定を行うことを可能ならしめ、これによって前記ワークプレートにセットされた基板の下側である薄膜層側から測定用の光を当てて、
　これにより該被研磨膜の上面及び下面からの反射光の互いの干渉に基づいて膜厚を測定する薄膜形成用研磨方法。」である点。
イ　相違点
　本件補正発明では、光の誘導手段がガラスファイバーであって、該ガラスファイバーの先端はレンズ状にして、光を集中させるものであるのに対して、引用例記載の発明では、どのような誘導手段であるのか明らかでない点。
　
（４）相違点についての検討
　膜の上面及び下面からの反射光の互いの干渉に基づいて膜厚を測定する装置において、膜厚測定用の光を、ガラスファイバーから成るものを含む光ファイバーによって誘導することは、例えば、原審の平成１６年４月７日付け拒絶理由通知書で引用文献３及び引用文献４として挙げられた実願昭６１−７２３８９号（実開昭６２−１８４４０６号）のマイクロフィルム及び特開昭６０−１０２５０６号公報に示されているように従来周知であり、また、光ファイバーの先端をレンズ状にして、光を集中させるように構成することも、例えば、特開平３−１４４５０３号公報に示されているように従来周知の事項にすぎない。
　そして、これら従来周知の事項を引用例記載の発明に適用することを妨げる特段の事由も見当たらないことからみて、引用例記載の発明における光の誘導手段を、ガラスファイバーとすると共にその先端をレンズ状にして光を集中させるように構成することに格別の困難性はない。
　また、本件補正発明によってもたらされる効果も、引用例記載の発明及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　したがって、本件補正発明は、引用例記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人は、平成１９年３月１６日付け回答書において、請求項２に係る発明のみに補正する用意がある旨回答している。
　しかしながら、たとえ請求項２のみに補正されたとしても、請求項２に記載された「膜厚測定用パターン」の技術的意義が明確でない。すなわち、前記「膜厚測定用パターン」に関して、本件明細書には、段落【００３７】に、「更に図２に示すように、基板２（ウェハ）周辺に厚さ測定用のパターン９を設けることにより、安定した膜厚の測定が可能となる。測定用のパターン幅は、通常１〜５ｍｍ位必要となる。」としか記載されておらず、図２の記載からも、前記「膜厚測定用パターン」がどのようなものであり、何故これにより安定的な膜厚測定が可能となるのか明らかでない。したがって、請求項２の記載は、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１　本件発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１５年１０月１４日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「薄膜形成用研磨方法」である。
　
２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、上記第２の２（２）に示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本件発明は、上記第２の２で検討した本件補正発明から研磨の態様及び膜圧測定の態様についての限定を削除したものである。
　そうすると、本件発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記第２の２（４）で示したとおり、引用例記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。