【事件の表示】
　平成９年特許願第１９０１１０号「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年２月１２日出願公開、特開平１１−４０７０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．出願の経緯の概要、及び本願発明
　本願は平成９年７月１５日に出願されたものであって、平成１６年２月９日付けで拒絶理由が通知され、平成１６年４月３０日付けで手続補正書が提出され、平成１６年６月１日付けで拒絶査定され、これに対して、平成１６年７月２２日に審判請求されるとともに、平成１６年８月２０日付けで手続補正書が提出され、平成１６年１１月１日付けで前置報告がなされ、平成１８年４月２８日付けで審尋がなされ、平成１８年７月２１日付けで回答書が提出され、平成１８年１０月４日付けの補正却下の決定で平成１６年８月２０日付け手続補正書による補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶理由通知がなされ、平成１８年１２月２８日付けで手続補正書が提出されたものである。
　そして、本願各発明は、平成１８年１２月２８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるとおりの次のものである。（以下「本願発明１」〜「本願発明２」という。）
「【請求項１】リード上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップがボンディングされ、前記発光素子チップおよび該発光素子チップとリードとの間を電気的に接続するワイヤボンディング部分が樹脂からなるパッケージにより直接接触して被覆される半導体発光素子であって、前記パッケージに、比抵抗が１×１０５〜１×１０６Ω・ｃｍになるように導電性物質の粉末が混入された透明なエポキシ樹脂が用いられることにより、静電気を放電し得ると共に前記発光素子チップで発光する光の大部分を前記パッケージから外部に放射させる半導体発光素子。
【請求項２】両端部に電極を有する基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップがボンディングされ、該発光素子チップと前記電極との間で少なくとも１箇所ワイヤボンディングされ、前記発光素子チップおよび該発光素子チップと前記電極との間のワイヤボンディング部分が樹脂からなるパッケージにより直接接触して被覆されるチップ型の半導体発光素子であって、前記パッケージに、比抵抗が１×１０５〜１×１０６Ω・ｃｍになるように導電性物質の粉末が混入された透明なエポキシ樹脂が用いられることにより、静電気を放電し得ると共に前記発光素子チップで発光する光の大部分を前記パッケージから外部に放射させるチップ型の半導体発光素子。」
　　
II．当審の拒絶理由
　平成１８年１０月４日付けで、当審で通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
『本願発明１〜３は、その出願前国内において頒布された刊行物である下記引用例１〜３に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
記：引用例１．特開昭５９−５５０３９号公報、引用例２．特開昭６２−１５８４１号公報、引用例３．特開平２−１５２２８５号公報　』
　　
III．引用例の記載事実
（１）引用例１（特開昭５９−５５０３９号公報）
(1-1)「絶縁性樹脂に導電性樹脂を混入した半導電性の樹脂で封止加工を施したことを特徴とする封止形半導体装置。」（第１頁左下欄特許請求の範囲）
(1-2)「この発明は、例えばエポキシ等の樹脂で封止加工（パッケージング）されたＦＥＴ等の封止形半導体装置に関する。」（第１頁左下欄第９〜１１行）
(1-3)「このようなエポキシ樹脂やシリコーン樹脂を用いて、ＦＥＴ等の半導体装置を封止加工すると、これらの樹脂が有する抵抗率は約１０１５Ω・ｃｍ以上と非常に高い抵抗率のため、例えばこのＦＥＴ等の半導体装置を、複数個まとめて運搬する場合、半導体装置相互間の摩擦により、樹脂に大量の静電気が発生してしまう。この大量の静電気の発生のため、半導体装置自体が破損したり・・させてしまう。」（第１頁右下欄第５〜１５行）
(1-4)「この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、例えばＦＥＴ等の樹脂封止された半導体装置において、樹脂に静電気が発生して装置が破損することを防止できる封止形半導体装置を提供することを目的とする。」（第１頁右下欄第１７行〜第２頁第１行）
(1-5)「以下図面によりこの発明の一実施例を説明する。図はその装置を示したもので、第１図は、平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線における断面構成を示すもので、半導体チップ１１の電極端子１２ａ、１２ｂは、ワイヤ１３ａ、１３ｂにより外部端子１４ａ、１４ｂに接続して外部に引き出すようにされている。そしてこの半導体チップ１１およびワイヤ１３ａ、１３ｂを含む外部端子１４ａ、１４ｂ部の周囲は、樹脂１５により封止加工（パッケージング）が施される。」（第２頁左上欄第８〜１７行）
　そして、第１図及び第２図では、半導体チップ１１およびワイヤ１３ａ、１３ｂと樹脂１５とが、直接接触していることが読み取れ、また、半導体チップ１１は、リード上にボンディングされているものと読み取れる。
(1-6)「封止用の樹脂１５には、例えば金属との接着強度や機械的特性に優れた、エポキシ等の樹脂を用いる。このエポキシ樹脂には、例えば硬化剤の添加と同時に、ポリアセチレン等の導電性樹脂を混入する。このポリアセチレン等の混入量に伴ない、絶縁性樹脂としてのエポキシ樹脂は、次第に導電性を帯びるようになるもので、この導電性樹脂の混入量は、次のような上限および下限からなる範囲で考えられる。
上限：樹脂１５の導電性が向上することにより生じるようになる、外部端子（１４ａ、１４ｂ）間のリーク電流が、半導体装置としての性能上悪影響を及ぼすことのない、樹脂１５の抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の範囲。
下限：樹脂１５の導電性が失なわれて絶縁体となることのない、樹脂１５の抵抗率が約１０１２Ω・ｃｍ以下の範囲。
　つまりエポキシ樹脂等の封止用樹脂に、上記のような上限および下限で設定した範囲内において、ポリアセチレン等の導電性樹脂を混入し、半導電性の封止用樹脂を形成する。」（第２頁左上欄末行〜右上欄末行）
(1-7)「このような抵抗率の減少した半導電性の樹脂１５を用いて、半導体チップ１１を封止加工すれば、樹脂１５に発生する静電気の量は、極くわずかなものとなる。 
　例えば上記した導電性樹脂の混入量を調節し、抵抗率を１０１０Ω・ｃｍに設定した樹脂１５を用いて、半導体チップ１１を封止加工して次のように試験してみる。すなわちこの樹脂封止された半導体装置を、例えば運搬時を想定して、１０００個まとめてアルミニウムの容器に入れ、この容器を適当に振動させ、この振動により半導体装置相互間に起る摩擦によって、封止用の樹脂１５に静電気が発生する状態とする。このようにしてその静電気の量を測定してみたところ、容器振動後の測定結果より、５０Ｖ程度であることが確認された。
　しかし上記と同様の静電気試験を、抵抗率が１０１４Ω・ｃｍである、従来の絶縁性樹脂で封止加工された半導体装置で行なうと、約２００Ｖもの静電気が発生した。すなわちこの試験上において明らかとなるように、半導体チップ１１の封止用樹脂として、導電性樹脂を混入した半導電性の樹脂１５を用いることにより、半導体装置に発生する静電気量は、従来の約２００Ｖから５０Ｖ程度に減少されるようになる。」（第２頁左下欄第１行〜右下欄第５行）
(1-8)「絶縁性樹脂に導電性樹脂を混入した半導電性の樹脂を用いて封止加工された半導体装置を使用することにより、例えばこの装置の運搬時に発生する静電気の量を、極くわずかに抑えることができるので、半導体装置自体が静電気によって破壊することが解消される」（第２頁右下欄第７〜１３行）
　　
（２）引用例２：特開昭６２−１５８４１号公報
(2-1)「半導体チップと、その中の所定領域に接続され外部に導出される金属細線と、上記半導体チップを覆う樹脂被覆とよりなり、上記樹脂被覆が、上記半導体チップの表面に直接に接し、其の電気比抵抗の値が１０１０〜１０１５の範囲である第１の樹脂層よりなる事を特徴とする半導体装置。」（第１頁特許請求の範囲(1)）
(2-2)「本発明は樹脂封止型の半導体装置に関するものである。・・・
　従来、この種の半導体装置は、一般に次のような構造であった。即ちリードフレーム上に半導体素子を半田によって接着し、外部導出用電極は金属細線によって半導体素子と接続され、半導体素子を表面保護膜で被覆し、更に全体が成形封止樹脂で封止されている。」（第１頁右下欄第４〜１２行）
(2-3)「表面保護膜の封止樹脂は１０１４Ωｃｍ以上の高抵抗のものが用いられていた。そのため半導体素子に逆バイアスを印加した際、半導体素子に近接した表面保護膜が分極化するため、しばしば半導体素子表面に悪影響を及ぼしていた。」（第１頁右下欄第１４〜１８行）
(2-4)「半導体素子の表面保護膜の電気抵抗を低下させることにより、被膜中で発生する分極作用は皆無になり、高温におけるリーク電流の経時的変化を防止し、半導体装置の信頼性が高くなる。」（第２頁左上欄第１２〜１５行）（なお、原文の「マーク電流は」、前後の関係から「リーク電流」の誤記であることが明らかであるので、上記のとおり認定した。）
(2-5)「第２図は、シリコーン樹脂・・に添加物として炭素、ゲルマニウム、硅素を添加した時の添加量と比抵抗の関係を示したものである。添加量を増加させると比抵抗は減少し、このような比抵抗の低い被膜を第１の被覆６として用いる事が出来」（第２頁右上欄第８〜１４行）
(2-6)「半導体素子表面に近接する高抵抗膜（例えば比抵抗が１０１５Ωｃｍ）に電圧を印加すると、＋電荷と−電荷に分極され、その＋電荷や−電荷は半導体素子表面に微妙に関係し、半導体装置の耐圧の低下やリーク電流の増加となり、その効果は高温になるほど顕著である。それに対して、本発明による、低比抵抗の第１被覆を用いると、電圧印加時にもリーク電流のばらつきをなくしたり、また著しく減少させることが可能になる。＋電荷や−電荷の半導体素子表面への影響が少なくなるからである。」（第２頁右下欄第５〜１５頁）（なお、原文中の○付き＋及び−記号は、上記のとおり、「＋」、「−」と表記した。）
　　 
（３）引用例３：特開平２−１５２２８５号公報
(3-1)「光素子ペレットが、非導電性の透明樹脂で一次モールドされ、さらにその外側を導電性の透明樹脂で二次モールドされていることを特徴とする光伝送リンク用内部光素子。」（第１頁特許請求の範囲）
(3-2)「導電性透明樹脂３（例えばカーボン入りエポキシ系樹脂）」（第２頁左上欄第５〜６行）
(3-3)「この実施例では、光素子ペレットが発光ペレットであり、導電性透明樹脂３でシールドすることにより、素子内部で発生する複写ノイズを外部に放出しないという利点がある。」（第２頁右上欄第３〜７行）
　　 
IV．対比・判断
(IV-1)本願発明１について
（ａ）引用例１には、リード上にＦＥＴ等の半導体チップがボンディングされていることが記載されているといえる（摘記1-2、1-5）。
（ｂ）引用例１には、前記半導体チップおよび該半導体チップとリードとの間を電気的に接続するワイヤボンディング部分が樹脂からなるパッケージにより直接接触して被覆されることが記載されているといえる（摘記1-5）。
（ｃ）引用例１には、前記パッケージに、比抵抗が１×１０８〜１×１０１２Ω・ｃｍになるようにポリアセチレン等の導電性樹脂が混入されたエポキシ樹脂が用いられることが記載されているといえる（摘記1-6）。
（ｄ）引用例１には、半導体チップの封止用樹脂として導電性樹脂を混入した半導電性の樹脂を用いることにより、半導体装置に発生する静電気量は、従来の約２００Ｖから５０Ｖ程度に減少されるようになること（摘記1-7）、及び、絶縁性樹脂に導電性樹脂を混入した半導電性の樹脂を用いて封止加工された半導体装置を使用することにより、静電気の量を極くわずかに抑えることができること（摘記1-8）が記載されている。したがって、引用例１には、静電気を封止用樹脂を介して放電し得ることが記載されているといえる。
　　
　以上（ａ）〜（ｄ）によれば、引用例１には、
「リード上にＦＥＴ等の半導体チップがボンディングされ、前記チップおよび該チップとリードとの間を電気的に接続するワイヤ部分が樹脂からなるパッケージにより直接接触して被覆される半導体素子であって、前記パッケージに、抵抗率が１×１０８〜１×１０１２Ω・ｃｍになるようにポリアセチレン等の導電性樹脂が混入された樹脂が用いられることにより、静電気を放電し得る半導体装置。」の発明が記載されているといえる。（以下、この発明を「引用発明」という。）
　　 
　本願発明１と、引用発明とを対比すると、引用発明の「抵抗率」は本願発明１の「比抵抗」に相当し、引用発明の「導電性樹脂」は本願発明１の「導電性物質」に相当し、引用発明の「半導体装置」は本願発明１の「半導体素子」に相当する。
　してみると、本願発明１は、引用発明と、
「リード上にチップがボンディングされ、前記チップおよび該チップとリードとの間を電気的に接続するワイヤボンディング部分が樹脂からなるパッケージにより直接接触して被覆される半導体素子であって、前記パッケージに、比抵抗が特定の範囲になるように導電性物質が混入されたエポキシ樹脂が用いられることにより、静電気を放電し得る半導体素子。」
の点で一致し、そして、
（イ）本願発明１では、「チップ」が「チッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップ」に、及び「半導体素子」が「半導体発光素子」に特定されているのに対して、引用発明では、そのような特定のチップ及び半導体素子に特定されていない点、
（ロ）本願発明１では、導電性物質が「粉末」の状態のものに特定されているのに対して、引用発明では、そのような状態の特定がなされていない点、
（ハ）本願発明１では、エポキシ樹脂が「透明」なものに特定されるとともに、「前記発光素子チップで発光する光の大部分を前記パッケージから外部に放射させる」と特定されているのに対して、引用発明ではそのような透明性、及び光の放射性についての特定がなされていない点、
（ニ）本願発明１では、比抵抗が「１×１０５〜１×１０６Ω・ｃｍ」に特定されているのに対して、引用発明では「１×１０８〜１×１０１２Ω・ｃｍ」である点、
　　
　以下、これら相違点について検討する。
相違点（イ）について
　半導体発光素子、また具体例としてチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップは、本願出願前から周知の半導体素子である（要すれば、特開平９−８３６１号公報（特に、段落【0003】,【0021】,【0030】,【0044】）、特開平８−３３５７２０号公報（特に、段落【0002】）、特開平８−１２５２３０号公報、特開平９−５１１２４号公報を参照）。一方、半導体素子のパッケージないし封止樹脂内に発生した静電気や分極が悪影響を及ぼすことは、引用例１（摘記1-3、1-8）及び引用例２（摘記2-3、2-4、2-6）に記載されるとおり、本願出願前既知の事項である。そして、半導体素子が、半導体発光素子、ないしチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップである場合についても、半導体素子と同様、パッケージに発生した静電気や分極の影響を受けることは容易に想到できることである。また、引用例１及び２には、半導体素子が、半導体発光素子ないしチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子である場合を排除する記載も見当たらない。
　したがって、引用発明を、半導体素子が、半導体発光素子ないしチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップである場合に適用することに、格別の困難性があるということはできない。そして、その際に、引用発明の「半導体素子」を「半導体発光素子」に、「チップ」を「チッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップ」と特定して、相違点（イ）に係る特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　　
相違点（ロ）について
　導電性物質である導電性樹脂を、粉末の状態で配合し得ることは周知の事項である（要すれば、特開平６−７３２８６号公報（特に、段落【0009】を参照。）。また、これに限らず、導電性物質を粉末の状態で樹脂に配合することは周知の事項である。
　したがって、相違点（ロ）は、引用発明との実質的な相違点を構成するものとはいえず、また、当業者が容易に想到できたことである。
　　
相違点（ハ）について
　半導体発光素子において、光出力が大きく或は光効率が高くなるように考慮することは通常のことであるから、半導体発光素子のパッケージの樹脂として透明なものを採用することは自明の事項ないし当業者が容易に想到できることである。また、引用発明の半導電性の樹脂は、樹脂どうし（即ち、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂とポリアセチレン等の導電性樹脂）の混合物（摘記1-1、1-6）であることからすると、通常、不透明とはいえない。なおかつ、導電性物質が混入されかつ透明である樹脂は、引用例３（摘記3-1〜3-3）に記載されたとおり既知のものである。そして、透明な樹脂でパッケージした場合、光素子チップで発光する光の大部分がパッケージから外部に放射されることは明らかである。
　したがって、相違点（ハ）は、実質的な相違点を構成しないものであり、また、当業者が容易に想到できたことである。
　　
相違点（ニ）について
　引用発明では、ＦＥＴ等の半導体チップパッケージ用の樹脂について、比抵抗が「１×１０８〜１×１０１２Ω・ｃｍ」である半導電性樹脂を採用している。一方、そのような半導電性樹脂によるパッケージを、チッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップのパッケージに適用する場合には、電圧等の動作条件が同一と限らないＦＥＴ等の半導体チップの場合の比抵抗の値をそのまま採用するよりも、上記発光素子チップに好適な比抵抗を検討することは当業者が容易に想到できることといえる。なおかつ、本願発明１で特定する「１×１０５〜１×１０６Ω・ｃｍ」程度の抵抗率を具備する透明樹脂が、当業者にとって予期し得なかったものと認めることもできない（要すれば、特開平６−１９２４７１号公報（特に段落【0001】）を参照）。そして、本願明細書及び図面の記載をみても、「１×１０５〜１×１０６Ω・ｃｍ」と特定することに格別の困難性があるとはいえず、また、これにより当業者が予期し得なかった格別顕著な効果を奏したと認めることもできない。
　したがって、相違点（ニ）は、当業者が容易に想到できたことである。
　　
　以上のとおりであるから、本願発明１は、周知の事項を参酌すれば、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
(IV-2)本願発明２について
　本願発明２について検討すると、「両端部に電極を有する基板上に」「発光素子チップがボンディングされ、該発光素子チップと前記電極との間で少なくとも１箇所ワイヤボンディングされ、前記発光素子チップおよび該発光素子チップと前記電極との間のワイヤボンディング部分が樹脂からなるパッケージにより直接接触して被覆されるチップ型の半導体発光素子」は本願出願前周知であり（要すれば、特開平９−５１１２４の従来例（図７）を参照）、また、発光素子として「チッ化ガリウム系化合物半導体からなる」ものも本願出願前周知である　　。
　そして、本願発明２の残余の特定事項については、本願発明１の対応する特定事項と実質的に同じであるので、上記「(IV-1)本願発明１について」に記載したと同様、当業者が容易になし得たことである。 
 　したがって、本願発明２は、本願発明１と同様、周知事項を参酌すれば、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおり、本願発明１〜２は、周知事項を参酌すれば、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は当審で通知した上記拒絶の理由により拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。