Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性基板の第１面に金属層を形成し、
前記弾性基板の第１面と対向する第２面に有機材料を含む層を形成し、
前記弾性基板の第２面と、被成膜基板と、を間隔をあけて対向配置し、
前記弾性基板の第１面側から前記金属層を局所的に急速加熱し、前記金属層の膨張によって前記弾性基板を変形させ、
前記有機材料を含む層の一部を前記弾性基板から前記被成膜基板に移すことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
弾性基板の第１面に金属層を形成し、
前記弾性基板の第１面と対向する第２面に有機材料を含む層を形成し、
前記弾性基板の第２面と、第１の電極と、を間隔をあけて対向配置し、
前記弾性基板の第１面側から前記金属層を局所的に急速加熱し、前記金属層の膨張によって前記弾性基板を変形させ、
前記有機材料を含む層の一部を前記弾性基板から前記第１の電極に移した後、移された有機材料を含む層上に、第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月25日(2012.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理装置において実行されるバリアブルデータ印刷（ＶＤＰ）方法であって、
（ａ）それぞれ複数の属性を有する複数のエントリを含むバリアブルデータと、複数の背景イメージを含むフォームデータと、バリアブルデータ属性およびフォームデータ間の関連付けを定義する複数の相関ルールとを含むＶＤＰデータを受信するステップと、
前記バリアブルデータの各エントリについて、
（ｂ）少なくとも一つの属性を得るステップと、
（ｃ）少なくとも一つの前記属性に基づいて前記フォームデータから背景イメージを選択するステップと、
（ｄ）背景イメージ上にテキストを印刷するための前景テキストカラーを決定するステップと、
（ｅ）前記相関ルールを用いて選択されるバリアブルデータおよびフォームデータ並びにステップ（ｄ）において決定された前記前景テキストカラーに基づいて、前記背景イメージおよび当該背景イメージ上の前記前景テキストカラーの前景テキストを含むイメージを生成するステップと、
を含むバリアブルデータ印刷方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）から（ｅ）の前に、前記フォームデータにおいて各背景イメージのための前景テキストカラーを特定するカラー相関ルールを取得するステップをさらに含み、
前記ステップ（ｄ）は、ステップ（ｃ）で得られた前記背景イメージおよび前記カラー相関ルールに基づいて、前記前景テキストカラーを特定するステップをさらに含む請求項１記載のバリアブルデータ印刷方法。
【請求項３】
前記カラー相関ルールにおける各背景イメージのための前記前景テキストカラーはコンピュータによって自動的に決定される請求項２記載のバリアブルデータ印刷方法。
【請求項４】
前記カラー相関ルールにおける各背景イメージのための前記前景テキストカラーはユーザの手動により決定される請求項２記載のバリアブルデータ印刷方法。
【請求項５】
ステップ（ｂ）は少なくとも２つの属性を取得するステップを含み、
ステップ（ｃ）では、前記少なくとも２つの属性のうちの第１属性に基づいて、背景イメージが選択され、
ステップ（ｄ）は、
（ｄ１）ステップ（ｃ）において選択された背景イメージに基づいて、複数の前景テキストカラー候補を選択するステップと、
（ｄ２）前記２つの属性のうちの第２属性に基づいて、前記複数の前景テキストカラー候補らか１つの前景カラーを選択するステップと、
を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載のバリアブルデータ印刷方法。
【請求項６】
ステップ（ｅ）において生成されたイメージを印刷するステップをさらに含む請求項１〜５のいずれか一項に記載のバリアブルデータ印刷方法。
【請求項７】
データ処理装置にバリアブルデータ印刷（ＶＤＰ）方法を実行させるためのコンピュータプログラムであって、
（ａ）それぞれ複数の属性を有する複数のエントリを含むバリアブルデータと、複数の背景イメージを含むフォームデータと、バリアブルデータ属性およびフォームデータ間の関連付けを定義する複数の相関ルールとを含むＶＤＰデータを受信するステップと、
前記バリアブルデータの各エントリについて、
（ｂ）少なくとも一つの属性を得るステップと、
（ｃ）少なくとも一つの前記属性に基づいて前記フォームデータから背景イメージを選択するステップと、
（ｄ）背景イメージ上にテキストを印刷するための前景テキストカラーを決定するステップと、
（ｅ）前記相関ルールを用いて選択されるバリアブルデータおよびフォームデータ並びにステップ（ｄ）において決定された前記前景テキストカラーに基づいて、前記背景イメージおよび当該背景イメージ上の前記前景テキストカラーの前景テキストを含むイメージを生成するステップと、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項８】
ステップ（ｂ）から（ｅ）の前に、前記フォームデータにおいて各背景イメージのための前景テキストカラーを特定するカラー相関ルールを取得するステップをさらに含み、
前記ステップ（ｄ）は、ステップ（ｃ）で得られた前記背景イメージおよび前記カラー相関ルールに基づいて、前記前景テキストカラーを特定するステップをさらに含む請求項７記載のプログラム。
【請求項９】
前記カラー相関ルールにおける各背景イメージのための前記前景テキストカラーはコンピュータによって自動的に決定される請求項８記載のプログラム。
【請求項１０】
前記カラー相関ルールにおける各背景イメージのための前記前景テキストカラーはユーザの手動により決定される請求項８記載のプログラム。
【請求項１１】
ステップ（ｂ）は少なくとも２つの属性を取得するステップを含み、
ステップ（ｃ）では、前記少なくとも２つの属性のうちの第１属性に基づいて、背景イメージが選択され、
ステップ（ｄ）は、
（ｄ１）ステップ（ｃ）において選択された背景イメージに基づいて、複数の前景テキストカラー候補を選択するステップと、
（ｄ２）前記２つの属性のうちの第２属性に基づいて、前記複数の前景テキストカラー候補らか１つの前景カラーを選択するステップと、
を含む請求項７〜１０のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか一項に記載のプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対物レンズを含みディスク媒体に記録された情報を読み取り可能な光ピックアップと、
前記ディスク媒体として通常のディスクが装填された第１のモード、及びクリーニング用のブラシを有するクリーニングディスクが装填された第２のモードにおいて前記ディスク媒体を回転制御する駆動部と、
前記ディスク媒体に対する前記対物レンズの傾斜角度を制御可能なアクチュエータと、
前記アクチュエータを制御し、前記第２のモードにおいて前記ブラシが前記対物レンズの位置を通過する際に、前記対物レンズの曲面に対して前記ブラシが直角に近い角度で接触するように前記対物レンズをチルトさせるチルト制御部と、
を具備した光ディスク装置。
【請求項２】
前記チルト制御部は、前記第２のモードにおいて、前記クリーニングディスクから読み取ったアドレス情報をもとに前記ブラシの位置を判別し、前記ブラシが前記対物レンズの光路に進入したときに前記対物レンズを前記クリーニングディスクの回転方向にチルトし、前記ブラシが前記対物レンズの中央部に位置するときに前記対物レンズを正規の姿勢に戻し、前記ブラシが前記対物レンズの光路を通過する手前で前記対物レンズを前記クリーニングディスクの回転方向と逆方向にチルトさせることを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記チルト制御部は、前記ブラシが前記対物レンズの位置を通過したあとは前記対物レンズを正規の姿勢に戻すように前記アクチュエータを制御することを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項４】
さらにフォーカス制御回路を有し、
前記フォーカス制御回路は、前記第２のモードにおいて前記対物レンズと前記クリーニングディスク面との間隔が前記ブラシの長さで規定される間隔になるように前記対物レンズのフォーカス制御を行うことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記クリーニングディスクは、複数個所に前記ブラシを植設し、
前記チルト制御部は、前記複数のブラシが前記対物レンズの表面に対峙する毎に前記対物レンズをチルト制御し、前記対物レンズの曲面に対して前記複数のブラシが直角に近い角度で接触するようにしたことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記チルト制御部は、前記第１のモードでは、前記ディスク媒体の傾きに応じて前記対物レンズの傾きを補正することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項７】
光ピックアップのクリーニング方法であって、
前記光ピックアップは、ディスク媒体に対向して配置した対物レンズと、前記ディスク媒体に対する前記対物レンズの傾斜角度を制御可能なアクチュエータとを含み、
前記ディスク媒体としてクリーニング用のブラシを有するクリーニングディスクが装填されたとき、前記ディスク媒体を回転駆動し、
前記ブラシが前記対物レンズの位置を通過する際に前記アクチュエータを制御して、前記対物レンズの曲面に対して前記ブラシが直角に近い角度で接触するように前記対物レンズをチルトさせることを特徴とする光ピックアップのクリーニング方法。
【請求項８】
前記クリーニングディスクが装填されたとき、前記クリーニングディスクから読み取ったアドレス情報をもとに前記ブラシの位置を判別し、
前記ブラシが前記対物レンズの光路に進入したときに前記対物レンズを前記クリーニングディスクの回転方向にチルトし、
前記ブラシが前記対物レンズの中央部に位置するときに前記対物レンズを正規の姿勢に戻し、
前記ブラシが前記対物レンズの光路を通過する手前で前記対物レンズを前記クリーニングディスクの回転方向と逆方向にチルトさせることを特徴とする請求項７記載の光ピックアップのクリーニング方法。
【請求項９】
前記ブラシが前記対物レンズの位置を通過したあとは、前記対物レンズを正規の姿勢に戻すように前記アクチュエータを制御することを特徴とする請求項７記載の光ピックアップのクリーニング方法。
【請求項１０】
前記対物レンズと前記クリーニングディスク面との間隔が前記ブラシの長さで規定される間隔になるように前記対物レンズのフォーカス制御を行うことを特徴とする請求項７記載の光ピックアップのクリーニング方法。
【請求項１１】
前記クリーニングディスクは、複数個所に前記ブラシを植設し、
前記複数のブラシが前記対物レンズの表面に対峙する毎に前記対物レンズをチルト制御し、前記対物レンズの曲面に対して前記複数のブラシが直角に近い角度で接触するようにしたことを特徴とする請求項７記載の光ピックアップのクリーニング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１記載の本発明の光ディスク装置は、対物レンズを含みディスク媒体に記録された情報を読み取り可能な光ピックアップと、前記ディスク媒体として通常のディスクが装填された第１のモード、及びクリーニング用のブラシを有するクリーニングディスクが装填された第２のモードにおいて前記ディスク媒体を回転制御する駆動部と、前記ディスク媒体に対する前記対物レンズの傾斜角度を制御可能なアクチュエータと、前記アクチュエータを制御し、前記第２のモードにおいて前記ブラシが前記対物レンズの位置を通過する際に、前記対物レンズの曲面に対して前記ブラシが直角に近い角度で接触するように前記対物レンズをチルトさせるチルト制御部と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項７記載の本発明は、光ピックアップのクリーニング方法であって、前記光ピックアップは、ディスク媒体に対向して配置した対物レンズと、前記ディスク媒体に対する前記対物レンズの傾斜角度を制御可能なアクチュエータとを含み、前記ディスク媒体としてクリーニング用のブラシを有するクリーニングディスクが装填されたとき、前記ディスク媒体を回転駆動し、前記ブラシが前記対物レンズの位置を通過する際に前記アクチュエータを制御して、前記対物レンズの曲面に対して前記ブラシが直角に近い角度で接触するように前記対物レンズをチルトさせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接無線通信機能を有する電子機器において、
コンテンツを記憶する記憶手段と、
前記電子機器の筐体の第１の面に配備された近接無線通信に係る送信インタフェースと、
前記第１の面に対向する前記電子機器の筐体の第２の面に配備された近接無線通信に係る受信インタフェースと、
前記送信インタフェースが近接無線通信機能を有する他の電子機器の受信インタフェースに近接した場合には、前記記憶手段に記憶されているコンテンツを当該他の電子機器に送信し、前記受信インタフェースが前記他の電子機器の送信インタフェースに近接した場合には、当該他の電子機器からコンテンツを受信して所定の処理を行うように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記送信インタフェースは、前記電子機器の筺体の下面又は上面に配備され、前記受信インタフェースは、前記電子機器の筺体の上面又は下面に配備されていることを特徴としる請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記他の電子機器の送信インタフェースは、当該他の電子機器の筺体の上面又は下面に配備され、前記他の電子機器の受信インタフェースは、当該他の電子機器の筺体の下面又は上面に配備されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶されているコンテンツを前記他の電子機器に送信する場合は、予め設定された条件に合致するコンテンツを当該記憶手段から読出して当該他の電子機器に送信することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の電子機器。
【請求項５】
前記制御手段は、前記受信インタフェースが前記他の電子機器の送信インタフェースに近接した場合には、当該他の電子機器からコンテンツを受信して再生出力するように制御することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の電子機器。
【請求項６】
前記制御手段は、前記受信インタフェースが前記他の電子機器の送信インタフェースに近接した場合には、当該他の電子機器からコンテンツを受信して前記記憶手段に記憶するように制御することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の電子機器。
【請求項７】
前記記憶手段は、前記コンテンツを圧縮符号化された状態で記憶していることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の電子機器。
【請求項８】
コンテンツを記憶する記憶手段と、電子機器の筐体の第１の面に配備された近接無線通信に係る送信インタフェースと、前記第１の面に対向する前記電子機器の筐体の第２の面に配備された近接無線通信に係る受信インタフェースとを有する電子機器の制御方法であって、
前記近接無線通信に係る送信インタフェースが他の電子機器の近接無線通信に係る受信インタフェースに近接した場合には、前記記憶手段に記憶されているコンテンツを当該他の電子機器に送信し、前記近接無線通信に係る受信インタフェースが前記他の電子機器の近接無線通信に係る送信インタフェースに近接した場合には、当該他の電子機器からコンテンツを受信して所定の処理を行うように制御することを特徴とする電子機器の制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子機器の制御方法をコンピュータに実行させる、コンピュータが読み取り可能なプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明は、近接無線通信機能を有する電子機器において、コンテンツを記憶する記憶手段と、前記電子機器の筐体の第１の面に配備された近接無線通信に係る送信インタフェースと、前記第１の面に対向する前記電子機器の筐体の第２の面に配備された近接無線通信に係る受信インタフェースと、前記送信インタフェースが近接無線通信機能を有する他の電子機器の受信インタフェースに近接した場合には、前記記憶手段に記憶されているコンテンツを当該他の電子機器に送信し、前記受信インタフェースが前記他の電子機器の送信インタフェースに近接した場合には、当該他の電子機器からコンテンツを受信して所定の処理を行うように制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、コンテンツを記憶する記憶手段と、前記電子機器の筐体の第１の面に配備された近接無線通信に係る送信インタフェースと、前記第１の面に対向する前記電子機器の筐体の第２の面に配備された近接無線通信に係る受信インタフェースとを有する電子機器の制御方法であって、前記近接無線通信に係る送信インタフェースが他の電子機器の近接無線通信に係る受信インタフェースに近接した場合には、前記記憶手段に記憶されているコンテンツを当該他の電子機器に送信し、前記近接無線通信に係る受信インタフェースが前記他の電子機器の近接無線通信に係る送信インタフェースに近接した場合には、当該他の電子機器からコンテンツを受信して所定の処理を行うように制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアドレスを有し、当該複数のアドレスの中から選択されたいずれかのアドレスを用いて外部装置と通信する通信装置であって、
前記複数のアドレスのうち、有効期間が設定されていないアドレスまたは有効期間を延長することが可能なアドレスを識別する識別手段と、
前記複数のアドレスの中から、前記外部装置との通信に使用するアドレスを選択する選択手段と、
前記選択手段が前記外部装置との通信に使用するアドレスを選択する際に、当該選択されるアドレスの用途を判定する判定手段と、
前記判定手段による判定の結果、前記選択されるアドレスの用途が特定の用途である場合に、前記複数のアドレスのうち、前記識別手段が識別したアドレスを優先して選択するよう前記選択手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記複数のアドレスの優先順位を決定する決定手段を更に備え、
前記制御手段は、前記選択されるアドレスの用途が前記特定の用途である場合に、前記識別手段が識別したアドレスの中から、前記決定手段が決定した優先順位に従ってアドレスを選択するよう前記選択手段を制御し、前記選択されるアドレスの用途が前記特定の用途ではない場合に、前記複数のアドレスの中から、前記決定手段が決定した優先順位に従ってアドレスを選択するよう前記選択手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記決定手段は、プレフィックス長に基づいて前記複数のアドレスの優先順位を決定することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記特定の用途とは、前記選択手段により選択されたアドレスを前記通信装置のアドレスとして前記外部装置に登録することであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記外部装置で発生したイベントを通知することを該外部装置に対して要求する要求手段を更に備え、
前記特定の用途とは、前記選択手段により選択されたアドレスを前記イベントの通知先として前記外部装置に登録することであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記選択手段により選択されるアドレスの用途には、当該選択されるアドレスを前記通信装置から前記外部装置に送信するデータのソースアドレスとして使用することが含まれることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記判定手段は、前記選択手段により選択されるアドレスの用途を、ユーザからの指示に従って判定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記識別手段は、前記複数のアドレスのうち、所定の形式に従ったアドレスでないアドレスを、有効期間を延長することができない匿名アドレスであると識別することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
複数のアドレスを有し、当該複数のアドレスの中から選択されたいずれかのアドレスを用いて外部装置と通信する通信装置の制御方法であって、
前記複数のアドレスのうち、有効期間が設定されていないアドレスまたは有効期間を延長することが可能なアドレスを識別する識別工程と、
前記複数のアドレスの中から、前記外部装置との通信に使用するアドレスを選択する選択工程と、
前記選択工程で前記外部装置との通信に使用するアドレスを選択する際に、当該選択されるアドレスの用途を判定する判定工程と、
前記判定工程における判定の結果、前記選択されるアドレスの用途が特定の用途である場合に、前記複数のアドレスのうち、前記識別工程で識別したアドレスを優先して選択するよう前記選択工程を制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の通信装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置、通信装置の制御方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数のアドレスを有し、当該複数のアドレスの中から選択されたいずれかのアドレスを用いて外部装置と通信する通信装置、その通信装置の制御方法、及びプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の通信装置は、複数のアドレスを有し、当該複数のアドレスの中から選択されたいずれかのアドレスを用いて外部装置と通信する通信装置であって、前記複数のアドレスのうち、有効期間が設定されていないアドレスまたは有効期間を延長することが可能なアドレスを識別する識別手段と、前記複数のアドレスの中から、前記外部装置との通信に使用するアドレスを選択する選択手段と、前記選択手段が前記外部装置との通信に使用するアドレスを選択する際に、当該選択されるアドレスの用途を判定する判定手段と、前記判定手段による判定の結果、前記選択されるアドレスの用途が特定の用途である場合に、前記複数のアドレスのうち、前記識別手段が識別したアドレスを優先して選択するよう前記選択手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の通信装置の制御方法は、複数のアドレスを有し、当該複数のアドレスの中から選択されたいずれかのアドレスを用いて外部装置と通信する通信装置の制御方法であって、前記複数のアドレスのうち、有効期間が設定されていないアドレスまたは有効期間を延長することが可能なアドレスを識別する識別工程と、前記複数のアドレスの中から、前記外部装置との通信に使用するアドレスを選択する選択工程と、前記選択工程で前記外部装置との通信に使用するアドレスを選択する際に、当該選択されるアドレスの用途を判定する判定工程と、前記判定工程における判定の結果、前記選択されるアドレスの用途が特定の用途である場合に、前記複数のアドレスのうち、前記識別工程で識別したアドレスを優先して選択するよう前記選択工程を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子であって、
基板と、
前記基板の上に位置する第一クラッド層と、
前記第一クラッド層の上に位置する活性領域と、
前記活性領域の上に位置する第二クラッド層と、
を含み、
前記活性領域は、不純物が添加されている第一型の障壁層と、不純物が添加されていない第二型の障壁層と、を含み、且つ、前記第一型の障壁層は、前記第二型の障壁層よりも前記第一クラッド層に接近する、半導体素子。
【請求項２】
前記活性領域は、多重量子井戸構造を有し、前記多重量子井戸構造は、複数対の量子井戸層／障壁層を含み、且つ、前記各々の対の量子井戸層／障壁層のうち量子井戸層は、活性層とされ、当該活性層にはキャリアが結合され光子を生成する、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記各々の対の量子井戸層／障壁層のうち障壁層は、前記第一型の障壁層又は前記第二型の障壁層であり、且つ、前記第一型の障壁層の数は、前記第一型の障壁層の数と前記第二型の障壁層の数との総数の二分の一以下である、
請求項２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記各々の対の量子井戸層／障壁層のうち、前記第一クラッド層に接近する障壁層は、前記第一型の障壁層であり、前記第二クラッド層に接近する障壁層は、前記第二型の障壁層である、
請求項２に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記基板は、ｎ型ＧａＡｓ基板であり、
前記第一クラッド層は、ｎ型ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＡｓクラッド層であり、
前記第二クラッド層は、ｐ型ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＡｓクラッド層であり、
前記第一型の障壁層は、ｐ型不純物添加層である、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記第一型の障壁層及び前記第二クラッド層に添加されているｐ型不純物は、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）及び炭素（Ｃ）からなるグループより選出された一つ又は一つ以上の、正孔を提供できるｐ型不純物である、
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記第一型の障壁層及び前記第二クラッド層にそれぞれ添加されている不純物は、異なる元素である、
請求項６に記載の半導体素子。
【請求項８】
さらに、前記ｐ型クラッド層の上に位置する転換層と、当該転換層の上に位置する電流拡散層と、を含む、
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項９】
半導体素子であって、
永久基板と、
前記永久基板の上に位置する接合層と、
前記接合層の上に位置する第二クラッド層と、
前記第二クラッド層の上の位置する活性領域と、
前記活性領域の上に位置する第一クラッド層と、
を含み、
前記活性領域は、不純物が添加されている第一型の障壁層と、不純物が添加されていない第二型の障壁層と、を含み、且つ、前記第一型の障壁層は、前記第二型の障壁層よりも前記第一クラッド層に接近する、半導体素子。
【請求項１０】
さらに、前記接合層の上に位置する電流拡散層と、当該電流拡散層と前記第二クラッド層との間に位置する転換層と、を含む、
請求項９に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と
該基板上に形成されたアレイ部分であって、メモリ記憶装置と接合装置とを含むアレイ部分と、
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）組み合わせ論理装置を含む回路部分であって、少なくとも部分的に前記基板内にリセス加工される回路部分と、
を備えた相変化メモリ（ＰＣＭ）装置。
【請求項２】
前記回路部分がゲート酸化物およびポリシリコンゲートを含み、該ゲート酸化物およびポリシリコンゲートが、前記回路部分が前記基板内にリセス加工される量に一致する厚さを有する、請求項１に記載のＰＣＭ装置。
【請求項３】
前記回路部分が前記アレイ部分の表面より下にリセス加工される高さは、金属層及びコンタクトがアクティブなコンポーネントを相互接続するのを更に許すに充分な平坦性を与える、請求項１に記載のＰＣＭ装置。
【請求項４】
前記接合装置は、フロントエンドプロセスフローの終わりにＣＭＯＳ回路の頂部と同じレベルに頂部を有するバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）アレイである、請求項
１に記載のＰＣＭ装置。
【請求項５】
基板上に形成され、相変化メモリ（ＰＣＭ）の相変化材料に結合されたセレクタ接合装置と、
前記ＰＣＭとともに埋設される相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）区分とを備え、
該ＣＭＯＳセクションがゲート酸化物及びポリシリコンゲートの高さに一致する高さだけ、前記基板内にリセス加工されており、前記ＰＣＭがリセス加工されて複数の前記ＣＭＯＳ区分に最上部分に前記ＰＣＭの最上部分を与えるようになっている装置。
【請求項６】
前記ＣＭＯＳ区分は、マルチコアプロセッサ区分を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記セレクタ接合装置は、前記相変化材料にエミッタが結合されたバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）である、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記ＢＪＴ及び相変化材料を含む記憶アレイの頂部、及び前記ＣＭＯＳ区分の頂部は、フロントエンドプロセスフローの終わりに同じレベルに製造されて、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）一体化のための平坦性を与える、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
変調された信号を受信するためのトランシーバと、
セレクタバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）装置が相変化材料に結合されたメモリセルを有する、基板の表面上に形成されている相変化メモリ（ＰＣＭ）部分と、
前記ＰＣＭ部分が埋設された複数のプロセッサコアを有し、前記変調された信号を受信するように前記トランシーバに結合された相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）論理部分と、
を備え、前記ＣＭＯＳ論理部分は、ゲート酸化物及びポリシリコンゲートの厚みで測定されたゲート構造物の高さだけ前記基板の表面の下方にリセス処理されている、ワイヤレス通信装置。
【請求項１０】
任意の金属層が形成される前に、前記ＣＭＯＳ部分はリセス処理されて複数の前記ＣＭＯＳ論理部分に前記ＰＣＭ部分の最上表面を与える、請求項９に記載のワイヤレス通信装置。
【請求項１１】
前記接合装置が前記メモリアレイ部分内に１つ以上のメモリセルを選択するためのセレレクタを含む、請求項９に記載のＰＣＭ装置。
【請求項１２】
前記基板が複数のシリコンを含む、請求項１に記載のＰＣＭ装置。
【請求項１３】
前記ＣＭＯＳ部分が前記基板の表面の下方にリセス加工されている深さはゲート酸化物及びポリシリコンゲートの厚さと同じであり、前記複数のＣＭＯＳと前記ＰＣＭとの間に複数の金属層を与えるようになっている、請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を有し、
前記ゲート電極上方に、ゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上方に、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の下方に、第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を有し、
前記酸化物半導体層上方であって、前記第１のソース電極層上方に第２のソース電極層を有し、
前記酸化物半導体層上方であって、前記第２のドレイン電極層上方に第２のドレイン電極層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のソース電極層と接する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のドレイン電極層と接する第２の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２のソース電極層と接する第３の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２のドレイン電極層と接する第４の領域を有し、
前記第１の領域乃至前記第４の領域の抵抗は、前記酸化物半導体層が有するチャネル形成領域の抵抗より低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の領域乃至前記第４の領域の水素濃度は、前記酸化物半導体層が有するチャネル形成領域の水素濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ゲート電極と、前記第１のソース電極層と、前記第１のドレイン電極層とは同じ材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ゲート電極と、前記第１のソース電極層と、前記第１のドレイン電極層とは基板の同一面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に単結晶の半導体材料の層を形成する方法であって、
少なくとも部分的に露出した単結晶の第２半導体材料を含む基板を準備する工程と、
少なくとも単分子層で４分子層より少ない第１半導体材料を含むテンプレートを基板上にエピタキシャル成長する工程であって、第１半導体材料はゲルマニウムを含み、テンプレートは臨界膜厚より薄い膜厚を有し、臨界膜厚は転位の出現無しに第１半導体材料で達成できる最大の膜厚であり、テンプレートは第２半導体材料を覆ってこれと物理的に接続される工程と、
その後に、テンプレート上に第１半導体材料のアモルファス層を堆積する工程と、
熱処理またはレーザアニールを行い、これにより実質的に全ての第１半導体材料のアモルファス層を、第１半導体材料の単結晶層に変える工程とを含む方法。
【請求項２】
テンプレートをエピタキシャル成長する工程と、アモルファス層を堆積する工程とは、同じプロセスチャンバ中で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２半導体材料はシリコンである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２半導体材料はＳｉ（１１１）である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム（Ｇｅ）の層を形成する方法であって、
シリコン基板を準備する工程と、
少なくとも単分子層で４分子層より少ないＧｅを含むテンプレートをシリコン基板上にエピタキシャル成長する工程であって、テンプレートは臨界膜厚より薄い膜厚を有し、臨界膜厚は転位の出現無しに基板上に堆積された半導体材料で達成できる最大の膜厚であり、テンプレートはシリコン基板を覆ってこれと物理的に接続される工程と、
その後に、テンプレート上にアモルファスＧｅの層を堆積する工程と、
熱処理またはレーザアニールを行い、これにより実質的に全てのアモルファスＧｅの層を単結晶Ｇｅの層に変える工程とを含む方法。
【請求項６】
第２半導体材料はＩＩＩ−Ｖ化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
テンプレートをエピタキシャル成長する工程と、アモルファス層を堆積する工程とは、制御された雰囲気中で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
テンプレートをエピタキシャル成長する工程は、分子線エピタキシ、低圧化学気相堆積、大気圧化学気相堆積、プラズマ誘起化学気相堆積、および原子層堆積の１つを用いてテンプレートを成長する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
熱処理またはレーザーアニールを行う工程は、窒素雰囲気中でレーザーアニールを行う工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
熱処理またはレーザーアニールを行う工程は、４００℃と９００℃との間の温度で熱処理を行う工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
更に、第１半導体材料のアモルファス層にドーパント元素を注入する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
第１半導体材料のアモルファス層にドーパント元素を注入する工程は、ドーパント元素を有する第１半導体材料のアモルファス層を堆積しつつ、ドーパント元素を第１半導体材料のアモルファス層に注入する工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１半導体材料のアモルファス層にドーパント元素を注入する工程は、ドーパント元素を有する第１半導体材料のアモルファス層の堆積後で、熱処理またはレーザーアニールを行う前に、第１半導体材料のアモルファス層にドーパント元素を注入する工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
更に、第１半導体材料の単結晶層にドーパント元素を注入する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
テンプレートをエピタキシャル成長する工程と、アモルファスＧｅの層を堆積する工程とは、同じプロセスチャンバ中で行われる請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
基板はＳｉ（１１１）を含む請求項５に記載の方法。
【請求項１７】
更に、アモルファスＧｅにドーパント元素を注入する工程を含む請求項５に記載の方法。
【請求項１８】
更に、単結晶Ｇｅにドーパント元素を注入する工程を含む請求項５に記載の方法。
【請求項１９】
熱処理またはレーザーアニールを行う工程は、窒素雰囲気中でレーザーアニールを行う工程を含む請求項５に記載の方法。
【請求項２０】
熱処理またはレーザーアニールを行う工程は、４００℃と９００℃との間の温度で熱処理を行う工程を含む請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱溶融性樹脂の多孔質フィルムと、
絶縁性の無機微粒子がバインダにより結着されて形成された絶縁層とを備える電池用セパレータであって、
前記熱溶融性樹脂として、融解温度が８０〜１４０℃の樹脂を含み、
前記絶縁層は、前記多孔質フィルムに積層され一体化されており、
前記セパレータの厚みは、５μｍ以上３０μｍ以下であり、
２０℃で相対湿度６０％の雰囲気下に２４時間保持したときの、セパレータ内部の空孔を含む見かけの体積より求められる、単位体積あたりの含有水分量が、１ｍｇ／ｃｍ3以下であることを特徴とする電池用セパレータ。
【請求項２】
熱溶融性樹脂の多孔質フィルムと、
絶縁性の無機微粒子がバインダにより結着されて形成された絶縁層とを備える電池用セパレータであって、
前記熱溶融性樹脂として、ポリエチレン、エチレン由来の構造単位が８５モル％以上の共重合ポリオレフィン、ポリプロピレンおよびポリオレフィン誘導体よりなる群から選択される少なくとも１種を含み、
前記絶縁層は、前記多孔質フィルムに積層され一体化されており、
前記セパレータの厚みは、５μｍ以上３０μｍ以下であり、
２０℃で相対湿度６０％の雰囲気下に２４時間保持したときの、セパレータ内部の空孔を含む見かけの体積より求められる、単位体積あたりの含有水分量が、１ｍｇ／ｃｍ3以下であることを特徴とする電池用セパレータ。
【請求項３】
前記無機微粒子は、表面が疎水化処理されている請求項１または２に記載の電池用セパレータ。
【請求項４】
前記無機微粒子は、シラザン、シランカップリング剤、シリコーンオイル、チタネートカップリング剤、アルミネートカップリング剤、およびジルコネートカップリング剤よりなる群から選択される少なくとも１種の表面改質剤により表面が疎水化処理されている請求項３に記載の電池用セパレータ。
【請求項５】
前記無機微粒子は、熱処理によりその表面が疎水化処理されている請求項３に記載の電池用セパレータ。
【請求項６】
前記無機微粒子として、シリカ、アルミナ、ベーマイト、ゼオライトまたはカオリンを含む請求項１〜５のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項７】
前記無機微粒子は、板状の粒子を含む請求項１〜６のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項８】
前記含有水分量が、０．５ｍｇ／ｃｍ3以下である請求項１〜７のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項９】
前記バインダとして、酢酸ビニル由来の構造単位が２０〜３５モル％のエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリレート共重合体、ポリアクリレートの架橋体、フッ素系ゴム、スチレンブタジエンゴム、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリウレタン、および、エポキシ樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種を含む請求項１〜８のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１０】
前記絶縁層の形成において、界面活性剤により液体中に分散されたエマルジョンの形態のバインダを用いた請求項１〜８のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１１】
前記含有水分量が、０．１ｍｇ／ｃｍ3以上である請求項１〜１０のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１２】
前記無機微粒子の含有量が、セパレータの構成成分の全体積中で２０体積％以上７０体積％以下である請求項１〜１１のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１３】
前記無機微粒子の平均粒径が、５μｍ以下である請求項１〜１２のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１４】
前記無機微粒子の平均粒径が、１μｍ以下である請求項１〜１２のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１５】
前記無機微粒子の平均粒径が、０．０１μｍ以上である請求項１〜１４のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１６】
前記無機微粒子の平均粒径が、セパレータの厚みの１／１００より大きい請求項１〜１４のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１７】
ガーレー値で示される透気度が、１０〜３００ｓｅｃである請求項１〜１６のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１８】
前記セパレータの厚みが、２０μｍ以下である請求項１〜１７のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１９】
負極、正極、有機電解液およびセパレータを備え、
前記セパレータとして、請求項１〜１８のいずれかに記載の電池用セパレータを用いたことを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２０】
前記有機電解液の総水分濃度が、５００ｐｐｍ以下である請求項１９に記載のリチウム二次電池。
【請求項２１】
前記有機電解液の総水分濃度が、４００ｐｐｍ以下である請求項１９に記載のリチウム二次電池。
【請求項２２】
前記有機電解液の総水分濃度が、１００ｐｐｍ以上である請求項２０または２１に記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された入力軌跡データの特徴データと、ジェスチャ辞書データに含まれるジェスチャ形状特徴データと、に基づいて、前記入力軌跡データに含まれるジェスチャ軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力するジェスチャ軌跡データ認識手段と、
前記ジェスチャ軌跡データ認識手段における前記処理の結果に基づいて、前記入力軌跡データからジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、を分離する分離手段と、
前記分離手段において分離された前記ジェスチャパラメータ軌跡データの特徴データと、文字辞書データに含まれる文字の軌跡特徴データと、に基づいて、前記ジェスチャパラメータ軌跡データに含まれる文字の軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力する文字軌跡データ認識手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
認識条件に係る情報を設定する設定手段と、
前記設定手段で設定された文字数を上限として前記分離手段において分離された前記ジェスチャパラメータ軌跡データを１文字ずつの文字の軌跡データに分離する文字切り手段と、
を更に有し、
前記文字軌跡データ認識手段は、前記文字切り手段で分離された１文字ずつの文字の軌跡特徴データと、文字辞書データに含まれる文字の軌跡特徴データと、に基づいて、前記ジェスチャパラメータ軌跡データに含まれる１文字ずつの文字の軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記設定手段は、前記ジェスチャ軌跡データ認識手段での前記認識する処理に用いられた前記入力軌跡データに含まれる前記ジェスチャ軌跡データに係るジェスチャパラメータ条件情報に基づいて、前記文字数を設定することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記ジェスチャ軌跡データ認識手段における認識処理の結果、認識されたジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、が、前記ジェスチャ軌跡データ認識手段での前記認識する処理に用いられた前記入力軌跡データに含まれる前記ジェスチャ軌跡データに係るジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、の位置条件を満たすか否かを判定する判定手段を更に有し、
前記分離手段は、前記判定手段において前記位置条件を満たすと判定された場合、前記軌跡データからジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、を分離することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
情報処理装置が実行する軌跡データ認識方法であって、
入力された入力軌跡データの特徴データと、ジェスチャ辞書データに含まれるジェスチャ形状特徴データと、に基づいて、前記入力軌跡データに含まれるジェスチャ軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力するジェスチャ軌跡データ認識ステップと、
前記ジェスチャ軌跡データ認識ステップにおける前記処理の結果に基づいて、前記軌跡データからジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、を分離する分離ステップと、
前記分離ステップにおいて分離された前記ジェスチャパラメータ軌跡データの特徴データと、文字辞書データに含まれる文字の軌跡特徴データと、に基づいて、前記ジェスチャパラメータ軌跡データに含まれる文字の軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力する文字軌跡データ認識ステップと、
を含むことを特徴とする軌跡データ認識方法。
【請求項６】
認識条件に係る情報を設定する設定ステップと、
前記設定ステップで設定された文字数を上限として前記分離ステップにおいて分離された前記ジェスチャパラメータ軌跡データを１文字ずつの文字の軌跡データに分離する文字切りステップと、
を更に含み、
前記文字軌跡データ認識ステップでは、前記文字切りステップで分離された１文字ずつの文字の軌跡特徴データと、文字辞書データに含まれる文字の軌跡特徴データと、に基づいて、前記ジェスチャパラメータ軌跡データに含まれる１文字ずつの文字の軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力することを特徴とする請求項５に記載の軌跡データ認識方法。
【請求項７】
前記設定ステップでは、前記ジェスチャ軌跡データ認識ステップでの前記認識する処理に用いられた前記入力軌跡データに含まれる前記ジェスチャ軌跡データに係るジェスチャパラメータ条件情報に基づいて、前記文字数を設定することを特徴とする請求項６に記載の軌跡データ認識方法。
【請求項８】
前記ジェスチャ軌跡データ認識ステップにおける認識処理の結果、認識されたジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、が、前記ジェスチャ軌跡データ認識ステップでの前記認識する処理に用いられた前記入力軌跡データに含まれる前記ジェスチャ軌跡データに係るジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、の位置条件を満たすか否かを判定する判定ステップを更に有し、
前記分離ステップでは、前記判定ステップにおいて前記位置条件を満たすと判定された場合、前記軌跡データからジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、を分離することを特徴とする請求項５乃至７の何れか１項に記載の軌跡データ認識方法。
【請求項９】
コンピュータを、
入力された入力軌跡データの特徴データと、ジェスチャ辞書データに含まれるジェスチャ形状特徴データと、に基づいて、前記入力軌跡データに含まれるジェスチャ軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力するジェスチャ軌跡データ認識手段と、
前記ジェスチャ軌跡データ認識手段における前記処理の結果に基づいて、前記軌跡データからジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、を分離する分離手段と、
前記分離手段において分離された前記ジェスチャパラメータ軌跡データの特徴データと、文字辞書データに含まれる文字の軌跡特徴データと、に基づいて、前記ジェスチャパラメータ軌跡データに含まれる文字の軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力する文字軌跡データ認識手段と、
して機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを記憶したコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明は、入力された入力軌跡データの特徴データと、ジェスチャ辞書データに含まれるジェスチャ形状特徴データと、に基づいて、前記入力軌跡データに含まれるジェスチャ軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力するジェスチャ軌跡データ認識手段と、前記ジェスチャ軌跡データ認識手段における前記処理の結果に基づいて、前記入力軌跡データからジェスチャ軌跡データと、ジェスチャパラメータ軌跡データと、を分離する分離手段と、前記分離手段において分離された前記ジェスチャパラメータ軌跡データの特徴データと、文字辞書データに含まれる文字の軌跡特徴データと、に基づいて、前記ジェスチャパラメータ軌跡データに含まれる文字の軌跡データを認識する処理を実行し、前記処理の結果を出力する文字軌跡データ認識手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信におけるアンテナ選択のための、ステーション（ＳＴＡ）で用いる方法であって、
前記方法は、
前記ＳＴＡにて、受信アンテナを使用して複数の測定パケットを送信ＳＴＡから受信することであって、前記複数の測定パケットのそれぞれは複数のアンテナのそれぞれの１つを使用して送信され、前記複数の測定パケットのそれぞれはいくつかの受信パケットを示すフィールドを含む、ことと、
前記ＳＴＡにて、前記複数の測定パケットのそれぞれを測定することと、
前記ＳＴＡにて、前記複数の測定パケットのそれぞれの測定に基づいて測定レポートを生成することであって、前記測定レポートは前記複数のアンテナの一つを選択するために前記送信ＳＴＡによって使用可能である、ことと、
前記ＳＴＡから前記送信ＳＴＡに前記測定レポートを送信することと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
データ送信より前にアンテナ選択手順を開始することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アンテナ選択手順を開始することは測定パケットを要求することを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。