【事件の表示】
　平成１１年特許願第１０１３４６号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月２０日出願公開、特開２０００−２９４６０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、平成１１年４月８日に出願したものであって、原審において平成１６年３月８日付で拒絶理由通知がなされ、これに対し、平成１６年５月１４日付で意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１６年１１月２４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成１７年２月２日付で手続補正書が提出されたものである。
　
II．平成１７年２月２日付の手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年２月２日付の手続補正を却下する。
　
［理由］ 
１．補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜７のうち、請求項１は次のとおりに補正された。
「【請求項１】　半導体ウエハの表裏面のうちの表面に、回路を有する複数のチップ形成領域を形成する工程の後であって、前記各チップ形成領域上にボール状のバンプ電極を形成する工程の前に、前記各チップ形成領域と対応する前記半導体ウエハの裏面側の領域に、製品名を含む識別マークを夫々形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　そこで、上記補正を検討すると、補正後の請求項１は、補正前の請求項１の「バンプ電極」を、「ボール状」という形状で限定するものであるから、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２３３３５０号公報（以下、「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。 
　
（１）刊行物（特開平１０−２３３３５０号公報）
（１ａ）「【請求項１】　半導体ウェーハ上に形成されたチップの一方面に、少なくとも該チップの前記ウェーハ面内における位置を示すための管理情報をマーキングしてなることを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】　前記チップの一方面は、パッドが形成されていない裏面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ。」
　
（１ｂ）「【００１０】【発明が解決しようとする課題】　上記したように、従来においては、ウェーハ面内での各チップの位置を管理するようになっていないため、ウェーハのどの位置に形成されたチップかが不明確であり、結晶欠陥やダメージが生じやすい位置に形成された品質の悪いチップの、ウェーハ上での位置を特定できないという不具合があった。
【００１１】　そこで、この発明は、半導体チップの半導体ウェーハ面内での位置を明確化でき、チップの高品質化とともに、製品の歩留まりを大幅に向上することが可能な半導体チップおよびそれを用いた半導体装置の製造システムを提供することを目的としている。」
　
（１ｃ）「【００１７】【発明の実施の形態】　以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
　図１は、本発明の実施の一形態にかかる、半導体チップの構成を概略的に示すものである。なお、同図（ａ）はチップの表面を示す平面図、同図（ｂ）は同じく裏面を示す平面図である。
【００１８】　すなわち、この半導体チップ１０は、たとえば、ウェーハ口径が８〜１１インチとされた大口径の半導体ウェーハ（後述する）上に形成されたものであって、その表面１０ａには複数の接続パッド１１が配設されている。
【００１９】　また、半導体チップ１０のパッドの非形成面である裏面（一方面）１０ｂには、各チップ固有のマーキング印字（ＮX,Y）１２が２〜３μｍ程度の深さでマーキングされている。マーキング印字１２としては、たとえば、製造年度を示す年度番号１２ａ、ロット番号１２ｂ、ウェーハ番号（ＩＤ）１２ｃ、および、該チップ１０の半導体ウェーハ面内での位置を示すための管理情報としての位置番号（Ｘ軸座標，Ｙ軸座標）１２ｄからなっている。
【００２０】　このマーキング印字１２は、ダイシング工程前に、ダイソートテスト（Ｄ／Ｓ）によって良品と選別されたチップに対してのみ、レーザによりＸ線装置による読み取りが可能なようにマーキングされるようになっている。
【００２１】　図２は、上記したマーキング印字１２のマーキングを行うようにしてなる、ウェーハ製造装置の概略構成を示すものである。
　ウェーハ製造装置２０は、たとえば、複数の半導体チップ１０が形成された大口径の半導体ウェーハ１を製造するウェーハメイキング部２１、半導体チップ１０の良否を選別する選別部２２、および、半導体チップ１０に上記マーキング印字１２をマーキングするレーザ書込部（マーキング部）２３からなっている。
【００２２】　ウェーハメイキング部２１は、たとえば、枚葉処理によりＲＩＥや酸化または拡散などの各種の製造プロセスを経て、半導体ウェーハ１上に複数の半導体チップ１０を形成するものである。
【００２３】　選別部２２は、たとえば、ダイソートテストを行って、上記ウェーハメイキング部２１にて製造された半導体ウェーハ１上の、各半導体チップ１０の良否を選別するものである。この選別部２２での、半導体チップ１０の良否選別の結果は、上記レーザ書込部２３に送られるようになっている。
【００２４】　レーザ書込部２３は、上記選別部２２からの各半導体チップ１０の良否選別の結果にしたがって、良品と選別された半導体チップ１０に対してのみ、上記マーキング印字１２をマーキングするものであり、たとえば、良否選別の結果としての、良品と選別された半導体チップ１０のＸ軸座標，Ｙ軸座標に関するデータと、別の制御部（図示していない）からの年度番号１２ａなどの他のデータとにもとづいて、マーキングのためのデータを生成する制御系を有している。」
　
（１ｄ）「【００２５】　図３は、本発明にかかる、半導体パッケージの製造に用いられる製造システムの概略構成を示すものである。
　この製造システムは、たとえば、上記ウェーハ製造装置２０から供給される大口径の半導体ウェーハ１を受け取って、上記マーキング印字１２がマーキングされた半導体チップ１０を最終製品としての半導体パッケージに組み立てるアセンブリ部（組立部）３１、および、組み立てられた半導体パッケージを最終的に検査する最終検査部３２の他、Ｘ線読取部３３、マッピング部（集計部）３４、解析部３５などを備えて構成されている。
【００２６】　アセンブリ部３１は、たとえば、ダイシング工程、マウント工程、リード・ボンディング工程、モールド工程、トリミングおよびフォーミングの各工程からなっている。」
　
（１ｅ）図１には、半導体チップのパッドの非形成面であるチップ裏面１０ｂにマーキング印字１２が形成されていること、図２には、ウェーハメイキング部２１での処理の後に、選別部２２からの結果に基づいて、レーザ書込部２３によって、半導体ウェーハ１の各半導体チップ１０形成領域に対応する領域にマーキング印字１２を夫々行うこと、及び図２、図３から、選別部２２での結果がレーザ書込部２３へ送られ、また、レーザ書込部２３での処理結果が選別部２２にも送られていることが、それぞれ示されている。
　
３．対比・判断
　刊行物には、上記摘記事項（１ｃ）段落【００２２】の「ウェーハメイキング部２１は、たとえば、枚葉処理によりＲＩＥや酸化または拡散などの各種の製造プロセスを経て、半導体ウェーハ１上に複数の半導体チップ１０を形成するものである。」という記載から、ウェーハメイキング部によって、半導体ウェーハ上に半導体チップが形成される予定の、複数の半導体チップ形成領域が形成されることがわかる。
　また、上記摘記事項（１ｃ）段落【００１８】の「すなわち、この半導体チップ１０は、・・・半導体ウェーハ（・・・）上に形成されるものであって、その表面１０ａには複数の接続パッド１１が配設されている。」という記載、及び上記摘記事項（１ｅ）から、半導体チップの表面には接続パッドが形成されていることが理解でき、一般的に、半導体ウェーハ表面に半導体チップ形成領域が形成されるものであり、また、半導体チップ形成領域上に接続パッドが形成されるものであるから、結局、接続パッドは半導体ウェーハの表面に形成されているといえる。
　そして、上記摘記事項（１ｃ）段落【００１９】の「半導体チップ１０のパッドの非形成面である裏面（一方面）１０ｂには、各チップ固有のマーキング印字（ＮX,Y）１２が２〜３μｍ程度の深さでマーキングされている。」という記載から、（接続）パッドの非形成面である裏側にマーキング印字があることがわかるから、半導体ウェーハの裏面にマーキング印字が形成されることになる。
　よって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、刊行物には、
「半導体ウェーハの表裏面のうちの表面に、複数の半導体チップ形成領域を形成する工程の後に、各半導体チップ形成領域と対応する前記半導体ウェーハの裏面側の領域に、各チップ固有のマーキング印字を夫々形成する工程を備えた半導体装置の製造方法。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　そこで、本願補正発明１と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「半導体ウェーハ」は、本願補正発明１の「半導体ウエハ」に相当し、刊行物発明の「複数の半導体チップ形成領域」は、半導体チップが回路又は回路の集合体を含むことは当然であるから、本願補正発明の「回路を有する複数のチップ形成領域」に外ならず、また、刊行物発明の「各チップ固有のマーキング印字」は、製品名も固有情報の一部を形成しているため、本願補正発明１の「製品名を含む識別マーク」に相当するといえる。よって、両者は、
「半導体ウエハの表裏面のうちの表面に、回路を有する複数のチップ形成領域を形成する工程の後に、前記各チップ形成領域と対応する前記半導体ウエハの裏面側の領域に、製品名を含む識別マークを夫々形成する工程を備えた半導体装置の製造方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：製品名を含む識別マークを夫々形成する工程を、本願補正発明１では、前記各チップ形成領域上にボール状のバンプ電極を形成する工程の前に設けているのに対し、刊行物発明では、この点が不明な点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　一般に、識別マークが形成されたチップを用いた半導体装置の製造方法において、バンプ電極を用いたことは、例えば、次の特許公報に記載されているように、周知である。
　
周知例１：特開昭６１−７８１１８号公報
（第２頁右上欄第９行〜同頁左下欄第１７行、第１図〜第５図参照。）
　
周知例２：特開平４−１０６９６０号公報
（第２頁左上欄第９行〜同頁右上欄第９行、第１図、第２図参照。）
　
　そして、半導体ウエハの各チップ形成領域上にボール状のバンプ電極を形成する前に、テスト工程を行うことも、例えば、次の特許公報に記載されているように周知のことである。
　
周知例３：特開平５−３１５４０４号公報
（「従来のＴＡＢ用半導体ウェーハにおいて、半導体チップを検査する方式は、２通りあり、バンプを形成する前に検査する方式とバンプ形成後に検査する方式である。」（段落【０００４】）、「従って、本第一実施例においてバンプ５形成前に検査する場合は、バンプ形成用パッド４を針で傷付けることがなく、正常な歩留りのよいバンプを形成できる。」（段落【００１７】）、図１、図２参照。）
　
周知例４：特開平１０−１１６８３４号公報
（「・・・この半導体素子の場合、半導体基板１上に形成されたパッシベーション膜２より露出するボンディングパッド３に、直接、プローブ針４をあててダイソートテストを行うようにしている・・・このため、プローブ針４の接触によってパッド３が変形され、その後のバンプ５の形成が正常に行えなくなるという問題があった。」（段落【０００４】、【０００５】）、図３、図４参照。）
　
　更にいえば、半導体ウエハの裏面加工処理において、バンプ電極が形成された半導体ウエハの表面を固定した際に生じる、バンプ電極や半導体ウエハの変形・破損に対する課題は、例えば、次の特許公報の周知例５、周知例６に記載のように周知の課題である。
　
周知例５：特開平２−２８９２４号公報
（第２頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第１５行、第８図、第９図参照。）
　
周知例６：特開平５−５５２７８号公報
（「・・・、半導体ウエハは裏面研削時のＡｕバンプへの荷重集中による半導体ウエハの破損を回避するために、Ａｕバンプの形成を裏面研削後に行っているのが一般的であり、・・・」（段落【０００５】））
　
　そうすると、刊行物発明においても、裏面加工の一種である、識別マークを夫々形成する工程と、バンプ電極を形成する工程との前後関係を、バンプ電極の変形・破損が生じないように調整することは、当業者にとって当然の配慮であって、ボール状のバンプ電極を形成する工程の前に、識別マークを夫々形成する工程を備えることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明１による効果も刊行物の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
III．本願発明について 
１．本願発明１
　平成１７年２月２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成１６年５月１４日付手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　半導体ウエハの表裏面のうちの表面に、回路を有する複数のチップ形成領域を形成する工程の後であって、前記各チップ形成領域上にバンプ電極を形成する工程の前に、前記各チップ形成領域と対応する前記半導体ウエハの裏面側の領域に、製品名を含む識別マークを夫々形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物、及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。 
　
３．対比・判断
　本願発明１は、前記「II．平成１７年２月２日付の手続補正についての補正却下の決定」で検討した本願補正発明１の「バンプ電極」において、「ボール状」という形状に関する構成を省いたものである。 
　そうすると、本願発明１の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、刊行物に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物に記載された発明、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物に記載された発明、及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。