Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月13日(2012.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象の複数の画像の間で対応する標認点を同期させるシステム（１００）であって、
前記対象の第一の画像（１０３、２１０）及び前記対象の第二の画像（１０５、２２０）において複数の標認点を識別し（１０１２）、
前記第一の画像（１０３、２１０）における前記標認点と前記第二の画像（１０５、２２０）における前記標認点との間の対応性を決定し（１０１４）、
前記第一の画像（１０３、２１０）における一対の隣接する標認点の間の第一のナビゲート速度と、前記第二の画像（１０３、２１０）における対応する一対の隣接する標認点の間の前記第一のナビゲート速度とは異なる第二のナビゲート速度を決定する（１０１８）
ように構成されている標認点ユニット（１０８）と、
前記対象の前記第一（１０３、２１０）及び第二（１０５、２２０）の画像を表示する画像表示ユニット（１１４、１１６）であって、ナビゲーション時に前記第一（１０３、２１０）及び第二（１０５、２２０）の画像の対応する標認点に略同時に到達するような前記第一及び第二のナビゲート速度を用いて前記隣接する標認点の間で滑らかにナビゲーションを行なう（１０２４）ように構成されている画像表示ユニット（１１４、１１６）と
を備えたシステム（１００）。
【請求項２】
前記対象の前記第一の画像（１０３、２１０）における第一の参照点（３３０）及び前記対象の前記第二の画像（１０５、２２０）における第二の参照点（３３０）であって、前記第一の参照点（３３０）は前記第二の参照点（３３０）に対応している、第一の参照点（３３０）及び第二の参照点（３３０）を識別する（１０１６）ように構成されている参照点識別（１０６）ユニットをさらに含んでいる請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記標認点ユニット（１０８）は、
前記第一の画像（１０３、２１０）における前記一対の隣接する標認点の間の第一の距離を決定し（１０１６）、
前記第二の画像（１０５、２２０）における前記対応する一対の隣接する標認点の間の第二の距離を決定して（１０１６）、
前記距離変換を得るように前記第一及び第二の距離を比較する
ことにより、前記第一の画像（１０３、２１０）における前記一対の隣接する標認点と、前記第二の画像（１０５、２２０）における前記対応する一対の隣接する標認点との間の前記距離変換を決定する（１０１８）ように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記対象の前記第一（１０３、２１０）及び第二（１０５、２２０）の画像は、二次元像、三次元像及び四次元像の少なくとも一つである、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記対象は人体の結腸であり、前記第一（１０３、２１０）及び第二（１０５、２２０）の画像は計算機式断層写真法走査であり、前記第一の画像（１０３、２１０）は前記人体の伏臥時走査であり、前記第二の画像（１０５、２２０）は前記人体の仰臥時走査である、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記標認点ユニット（１０８）及び前記画像表示ユニット（１１４、１１６）に接続されて動作する操作コンソール・ユニット（１１２）をさらに含んでいる請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記標認点ユニット（１０８）は、利用者が、前記対象の前記第一の画像（１０３、２１０）及び前記対象の前記第二の画像（１０５、２２０）における前記複数の標認点を手動で識別することを可能にする、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記標認点ユニット（１０８）は、利用者が、前記第一の画像（１０３、２１０）における前記標認点と前記第二の画像（１０５、２２０）における前記標認点との間の前記対応性を手動で決定することを可能にする、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月13日(2012.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手術的誘導のために画像（５００）に関して用具又は埋植物（５１０）を描出する方法（７００）であって、
画像（５００）に描出された関心領域（５５０）について表面境界を確定するステップ（７１０）と、
該表面境界に関して用具又は埋植物（５１０）の位置を決定するステップ（７２０、７３０）と、
前記画像（５００）に前記用具又は埋植物（５１０）の表現を表示するステップ（７４０）と
を備えており、前記表面境界の内側の前記用具又は埋植物（５１０）の第１の部分（５３０）は、前記表面境界の外側の前記用具又は埋植物（５１０）の第２の部分（５２０）の第２の透明度又は不透明度とは異なる第１の透明度を有する前記表現として描出され、
前記用具又は埋植物（５１０）の第１の部分（５３０）は、前記表面境界の内側の距離が増すにつれて次第に透明度が高くなるように、複数の透明度で前記表現が描出される、方法（７００）。
【請求項２】
前記用具又は埋植物（５１０）の前記第２の部分（５２０）は、不透明な前記表現として描出され、前記用具又は埋植物（５１０）の前記第１の部分（５３０）は、半透明な前記表現として描出される、請求項１に記載の方法（７００）。
【請求項３】
前記用具又は埋植物（５１０）の第１及び第２の部分（５２０、５３０）の第１及び第２の透明度又は不透明度は、前記用具又は埋植物（５１０）が前記表面境界に対して移動すると動的に調整される、
請求項１に記載の方法（７００）
【請求項４】
前記画像は、フルオロスコピィ画像を含む、請求項１に記載の方法（７００）。
【請求項５】
前記表現は、二次元画像に前記用具又は埋植物（５１０）の三次元像を描出する、請求項１に記載の方法（７００）。
【請求項６】
手術的誘導のために画像（５００）に関して用具又は埋植物（５１０）の表現を表示するユーザ・インタフェイス・システムであって、
前記画像（５００）に描出された関心領域（５５０）について表面境界を確定するように構成されており、また該表面境界に関して前記用具又は埋植物（５１０）の位置を決定するように構成されており、前記画像上に前記用具又は埋植物（５１０）の表現を生成するプロセッサ（１２、３４２、３５２、３６２）であって、前記表面境界の内側の前記用具又は埋植物（５１０）の第１の部分（５３０）は、前記表面境界の外側の前記用具又は埋植物（５１０）の第２の部分（５２０）の第２の透明度又は不透明度とは異なる第１の透明度を有する前記表現として描出され、前記用具又は埋植物（５１０）の第１の部分（５３０）は、前記表面境界の内側の距離が増すにつれて次第に透明度が高くなるように、複数の透明度で前記表現が描出される、プロセッサ（１２、３４２、３５２、３６２）と、
前記画像（５００）及び前記表現を利用者に対して動的に表示するように構成されている表示器（１４、２１４、２１８、３８２）と
を備えたシステム。
【請求項７】
前記用具又は埋植物（５１０）の前記第２の部分（５２０）は、不透明な前記表現として描出され、前記用具又は埋植物（５１０）の前記第１の部分（５３０）は、半透明な前記表現として描出される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記用具又は埋植物（５１０）の第１及び第２の部分（５２０、５３０）の第１及び第２の透明度又は不透明度は、前記用具又は埋植物（５１０）が前記表面境界に対して移動すると動的に調整される、
請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記画像は、フルオロスコピィ画像を含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
前記表現は、二次元画像に前記用具又は埋植物（５１０）の三次元像を描出する、請求項６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネット（５２）のボアの周りに位置決めされた複数の傾斜コイル（５０）と、
ＲＦパルスシーケンスを放出するようにパルス発生器（４６）と結合されかつ関心対象物から得られたＭＲ信号を受信するように配列されたＲＦコイル・アセンブリ（５６、５８）と、
前記複数の傾斜コイル（５０）及び前記ＲＦコイル・アセンブリ（５６、５８）と結合されたシステム制御部（３２）であって、
第１のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０）を放出すること、
前記第１のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０）の放出後に、第２のスペクトル空間ＲＦパルス（１３２）を放出すること、
第１のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０）から得られるＭＲ信号（１４２）を検出する前に第２のスペクトル空間ＲＦパルス（１３２）から得られるＭＲ信号（１３８）を検出すること、
をＲＦコイル・アセンブリ（５６、５８）に実行させるようにプログラムされたシステム制御部と、
を備えるＭＲシステム。
【請求項２】
前記システム制御部（３２）はさらに、第１のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０）の放出と第２のスペクトル空間ＲＦパルス（１３２）の放出の間にデフェージング傾斜（１３４）を印加させるようにプログラムされている、請求項１に記載のＭＲシステム。
【請求項３】
前記システム制御部（３２）はさらに、第２のスペクトル空間ＲＦパルス（１３２）から得られるＭＲ信号（１３８）の検出と第１のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０）から得られるＭＲ信号（１４２）の検出との間にリフェージング傾斜パルス（１４０）を印加させるようにプログラムされている、請求項２に記載のＭＲシステム。
【請求項４】
前記第１のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０）は第１の代謝産物（９２）を励起するように設計されており、かつ前記第２のスペクトル空間ＲＦパルス（１３２）は第２の代謝産物（１０４）を励起するように設計されている、請求項１に記載のＭＲシステム。
【請求項５】
前記システム制御部（３２）はさらに、３つ以上のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０、１３２）を放出させるようにプログラムされている、請求項１に記載のＭＲシステム。
【請求項６】
前記システム制御部（３２）はさらに、前記３つ以上のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０、１３２）が放出された順序と逆の順序で該３つ以上のスペクトル空間ＲＦパルス（１３０、１３２）の放出から得られたＭＲ信号（１３８、１４２）を収集させるようにプログラムされている、請求項５に記載のＭＲシステム。
【請求項７】
前記システム制御部はさらに、ＥＰＩ、ＲＡＲＥ、ｔｒｕｅＦＩＳＰ読み出しのうちの少なくとも１つを用いてＭＲ信号を検出するようにプログラムされている、請求項１に記載のＭＲシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月13日(2012.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所与の感知モダリティに基づくセンサ・アレイ（４０２）と、
該センサ・アレイ（４０２）からの複数のアナログ信号に対して所望の信号コンディショニングを施す少なくとも一つの集積回路（４０６）であって、
前記少なくとも一つの集積回路（４０６）が前記センサ・アレイ（４０２）に直接装着されて、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）と前記センサ・アレイ（４０２）との間に熱的結合が確立される、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）と、
前記センサ・アレイ（４０２）に影響を与える温度変動を感知する少なくとも一つの温度センサ（４０５）と、
を備え、
前記少なくとも一つの温度センサ（４０５）が、前記センサ・アレイ（４０２）の位置、前記集積回路（４０６）の内部の位置の少なくとも一つから選択され、
前記温度センサ（４０５）は、前記センサ・アレイ（４０２）に配設されているが前記センサ・アレイ（４０２）の視野の外部に配設されているセンサ素子を含んでおり、該センサ素子は、前記センサ・アレイ（４０２）に用いられる形式のものであり、放射線が当該センサ素子を励起させないように放射線を遮蔽するカバーを含んでいる、
システム。
【請求項２】
前記少なくとも一つの温度センサ（４０５）が、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）を支持するインタフェイス・アセンブリ（４００）の基板の外面に結合する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも一つの温度センサ（４０５）は、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）の一部であるサーキットリを含んでいる、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記少なくとも一つの温度センサ（４０５）は、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）の一部の回路から送られる温度変動に応答する参照信号に基づく、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記参照信号は、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）の前記一部の回路を構成する半導体装置のバンドギャップ参照電圧を含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも一つの温度センサ（４０５）は、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）の熱感受性構成要素に結合した参照信号に基づく、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記熱感受性構成要素が、抵抗器、ダイオード、コンデンサ、トランジスタ又はこれらの組み合わせる含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記センサ・アレイ（４０２）の温度を制御する温度制御系（４１３）であって、
前記少なくとも一つの温度センサ（４０５）に結合されており、前記温度変動を示す前記温度センサ（４０５）からの出力信号を受信する少なくとも一つの温度制御器（４１１）と、
該温度制御器（４１１）に結合されており、該温度制御器（４１１）からの制御信号に応答して前記温度変動を予め決められた温度範囲内に納めるように動作可能な少なくとも一つの温度補正装置（４１５）と
を含んでいる温度制御系（４１３）をさらに含んでいる請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記少なくとも一つの温度補正装置（４１５）は熱放散回路（４１５）を含んでいる、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの温度補正装置（４１５）は、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）にディジタル・プロセッサ（４１０）を含んでおり、該ディジタル・プロセッサ（４１０）のクロック速度が、データ取得モード以外のモード時に前記少なくとも一つの温度制御器（４１１）からの制御信号に応答して選択的に調節され、前記クロック速度は、通常のデータ取得モード時には予め決められた速度に戻される、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なるインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークのクライアント間におけるインスタントメッセージング通信を容易にするための装置であって、
外部のインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークにおけるインスタントメッセージングサービスに関する通信を受信するためのインターフェースロジックと、
受信された通信を第２のプロトコルから受信プライマリーサービスプロバイダネットワークに固有なプライマリプロトコルへ変換するための変換ロジックと、
前記受信プライマリーサービスプロバイダネットワークのクライアントが属していない外部ドメインに加入している外部バディ（仲間）に関する識別子を、前記受信プライマリーサービスプロバイダネットワークのクライアントの外部バディリストに記憶する記憶ロジックと、
を含む装置。
【請求項２】
前記受信された通信は、前記外部のインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークから受信される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記受信された通信は、前記外部のインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークのクライアントから発せられ、前記外部のインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークを通して前記インターフェースロジックへ送られる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記受信された通信は、サブスクライブのリクエストと、招待のリクエストと、サブスクライブ解除のリクエストと、より成るグループからの少なくとも一つの通信を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記インターフェースロジックは、更に、通信を前記外部のインスタントメッセージングサービスプロバイダに送信するためのインターフェースロジックであり、そして前記変換ロジックは、更に、該通信を前記プライマリプロトコルから前記第２のプロトコルへ変換するための変換ロジックである、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
送信される通信は、ウォッチャーへの通知と、サブスクライブのリクエストと、招待のリクエストと、サブスクライブ解除のリクエストと、より成るグループのうちの少なくとも一つを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記インターフェースロジックと変換ロジックは、ゲートウェイイベントサーバに含まれている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記受信された通信に関連するランタイムダイアログの状態を格納するために動作可能なセッションマネージャを更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記受信された通信を処理するための接続マネージャであって、エンドポイントプレゼントダイアログマネージャを含む接続マネージャ、を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第２のプロトコルは、ＳＩＰ／ＳＩＭＰＬＥプロトコルを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
異なるインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークのクライアント間におけるインスタントメッセージング通信を容易にするための装置であって、
受信されたインスタントメッセージング通信を、プライマリインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークに関連するプライマリプロトコルへ変換するための変換ロジックであって、該受信された通信は、外部のインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークに関する変換ロジック、
を含む装置。
【請求項１２】
異なるインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークのクライアント間におけるインスタントメッセージング通信を容易にするための方法であって、
インスタントメッセージングサービスに関する通信であって第２のプロトコルに従いフォーマットされた当該通信を、外部のインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークから受信する処理と、
前記受信された通信を、前記第２のプロトコルから、受信プライマリーサービスプロバイダネットワークのプライマリプロトコルへ変換する処理と、
前記受信プライマリーサービスプロバイダネットワークのクライアントが属していない外部ドメインに加入している外部バディ（仲間）に関する識別子を、前記受信プライマリーサービスプロバイダネットワークのクライアントの外部バディリストに記憶する処理と、
を含む方法。
【請求項１３】
異なるインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークのクライアント間におけるインスタントメッセージング通信を容易にするためのコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、コンピュータに、
インスタントメッセージングサービスに関連し、且つ、プライマリーインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークに向けられた、外部のインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークに関連する通信を変換する処理であって、前記通信は、受信された第２のプロトコルから、前記プライマリーインスタントメッセージングサービスプロバイダネットワークに固有なプライマリプロトコルへ変換される当該処置と、
前記受信プライマリーサービスプロバイダネットワークのクライアントが属していない外部ドメインに加入している外部バディ（仲間）に関する識別子を、前記受信プライマリーサービスプロバイダネットワークのクライアントの外部バディリストに記憶する処理と、
を実行させるためのプログラム指令を記憶したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月14日(2012.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板と、
前記基板の上方に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタを覆うように設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方に設けられた第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上方に設けられた導電膜と、
前記第３の絶縁層に接する領域を有する第１の電極と、
前記第１の電極の上方に設けられた隔壁層と、
前記隔壁層、及び前記第１の電極の上方に設けられた発光層と、
前記発光層の上方に設けられた第２の電極と、を有し、
前記第２の絶縁層は、開口部を有し、
前記開口部において、前記第２の絶縁層は傾斜が設けられた側壁を有し、
前記開口部において、前記第３の絶縁層は前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
前記導電膜は、前記トランジスタの半導体層と電気的に接続され、
前記開口部において、前記導電膜は前記側壁及び前記第１の電極と重なる第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第１の電極と接しており、
前記第１の電極は、透光性を有し、
前記第１の絶縁層は、不純物の拡散を阻止する機能を有し、且つ、前記第１の電極よりも屈折率が小さく前記基板よりも屈折率が大きいことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
透光性を有する基板と、
前記基板の上方に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタを覆うように設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方に設けられた第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上方に設けられた導電膜と、
前記第３の絶縁層に接する領域を有する第１の電極と、
前記第１の電極の上方に設けられた隔壁層と、
前記隔壁層、及び前記第１の電極の上方に設けられた発光層と、
前記発光層の上方に設けられた第２の電極と、を有し、
前記第２の絶縁層は、開口部を有し、
前記開口部において、前記第２の絶縁層は傾斜が設けられた側壁を有し、
前記開口部において、前記第３の絶縁層は前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
前記導電膜は、前記トランジスタの半導体層と電気的に接続され、
前記開口部において、前記導電膜は前記側壁及び前記第１の電極と重なる第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第１の電極と接しており、
前記第１の電極は、透光性を有し、
前記第１の絶縁層は、酸素、窒素、及び珪素を含むことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを符号化処理する符号化装置において、
前記画像データに対してコンテキストを用いた算術符号化を行って、非圧縮データを含むビットストリームを生成する符号化手段と、
符号化処理する単位であるブロックを非圧縮データのブロックとする場合に、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行うように、前記符号化手段を制御する制御手段と、
前記コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理されたビットと、前記非圧縮データのブロックとを、前記ビットストリームとして伝送する伝送手段と、
を備える符号化装置。
【請求項２】
画像データを符号化処理する符号化方法において、
前記画像データに対してコンテキストを用いた算術符号化処理を行って、非圧縮データを含むビットストリームを生成する符号化ステップと、
符号化処理する単位であるブロックを非圧縮データのブロックとする場合に、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行うように、前記符号化ステップの符号化処理を制御する制御ステップと、
前記コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理されたビットと、前記非圧縮データのブロックとを、前記ビットストリームとして伝送する伝送ステップと、
を含む符号化方法。
【請求項３】
請求項１に記載の符号化装置又は請求項２に記載の符号化方法により生成されたビットストリームを記録した記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】符号化装置、符号化方法及び記録媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＪＶＴ(ITU-T Rec. H.264 | ISO/IEC 14496-10 AVC)などの様に、離散コサイン変換若しくはカルーネン・レーベ変換等の直交変換と動き補償とによって圧縮された画像情報（ビットストリーム）を、衛星放送、ケーブルＴＶ若しくはインターネット等のネットワークメディアを介して受信する際に、又は光ディスク、磁気ディスク若しくはフラッシュメモリ等の記憶メディア上で処理する際に用いられる符号化装置、符号化方法及び記録媒体に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
かかる課題を解決するため本発明は、画像データを符号化処理する符号化装置において、画像データに対してコンテキストを用いた算術符号化を行って、非圧縮データを含むビットストリームを生成する符号化手段と、符号化処理する単位であるブロックを非圧縮データのブロックとする場合に、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行うように、符号化手段を制御する制御手段と、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理されたビットと、非圧縮データのブロックとを、ビットストリームとして伝送する伝送手段とを備える。
また本発明は、画像データを符号化処理する符号化方法において、画像データに対してコンテキストを用いた算術符号化処理を行って、非圧縮データを含むビットストリームを生成する符号化ステップと、符号化処理する単位であるブロックを非圧縮データのブロックとする場合に、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行うように、符号化ステップの符号化処理を制御する制御ステップと、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理されたビットと、非圧縮データのブロックとを、ビットストリームとして伝送する伝送ステップとを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを符号化処理する符号化装置において、
画像データに対してコンテキストを用いた算術符号化処理を行う符号化手段と、
前記画像データを符号化処理する際の単位であるブロックを非圧縮データのブロックとする場合に、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行うように、前記符号化手段を制御する制御手段と、
を備える符号化装置。
【請求項２】
画像データを符号化処理する符号化方法において、
画像データに対してコンテキストを用いた算術符号化処理を行う符号化ステップと、
前記画像データを符号化処理する際の単位であるブロックを非圧縮データのブロックとする場合に、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行うように、前記符号化ステップの符号化処理を制御する制御ステップと、
を含む符号化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
かかる課題を解決するため本発明は、画像データを符号化処理する符号化装置において、画像データに対してコンテキストを用いた算術符号化処理を行う符号化手段と、画像データを符号化処理する際の単位であるブロックを非圧縮データのブロックとする場合に、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行うように、符号化手段を制御する制御手段とを備える。
また本発明は、画像データを符号化処理する符号化方法において、画像データに対してコンテキストを用いた算術符号化処理を行う符号化ステップと、画像データを符号化処理する際の単位であるブロックを非圧縮データのブロックとする場合に、コンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行うように、符号化ステップの符号化処理を制御する制御ステップとを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
非圧縮データの符号化処理する際の単位であるブロックに対してコンテキストを用いた算術符号化処理の終端処理を行い、無駄な符号化処理を実行せずに実現することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源と負荷との間を接続する出力ＭＯＳトランジスタと、
前記電源を昇圧して前記出力ＭＯＳトランジスタのゲートに供給するチャージポンプ回路と、
前記電源の電圧と前記出力ＭＯＳトランジスタのゲート電圧との差電圧を検出する検出回路と、
前記差電圧に応じて前記チャージポンプ回路における電源電流を制御する可変電流源と、
を備えることを特徴とする負荷駆動回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
このような回路構成によれば、抵抗素子１４２とデプレッションＭＯＳＦＥＴ１４３で分圧した分圧電圧でデプレッションＭＯＳＦＥＴ１４１のゲートを制御するので、図２（第１の実施例）に比べて、デプレッションＭＯＳＦＥＴ１４１における図３の特性の選択の自由度が増し好適である。
なお、本発明において、さらに下記の形態が可能である。
［形態１］
上記１つのアスペクト（側面）に係る負荷駆動回路のとおりである。
［形態２］
前記出力ＭＯＳトランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタであって、
前記検出回路が、前記出力ＭＯＳトランジスタのゲート電圧が前記電源の電圧に所定値を加えた値を超えて高くなったことを検出した場合、前記可変電流源は、前記電源電流を減少させることを特徴とする形態１記載の負荷駆動回路。
［形態３］
前記チャージポンプ回路は、前記電源電流が減少した場合、昇圧動作を抑制し、前記電源電流が増加した場合、昇圧動作を活性化させるように機能することを特徴とする形態１または２記載の負荷駆動回路。
［形態４］
前記検出回路は、ソースを前記電源に接続し、ゲートを前記出力ＭＯＳトランジスタのゲートに接続し、ドレインを前記可変電流源の一端に接続するＰＭＯＳトランジスタで構成され、
前記可変電流源は、一端を前記ＰＭＯＳトランジスタのドレインに接続し、他端を前記チャージポンプ回路に接続するカレントミラー回路で構成されることを特徴とする形態１乃至３のいずれか一に記載の負荷駆動回路。
［形態５］
前記ＰＭＯＳトランジスタは、デプレッショントランジスタであることを特徴とする形態４記載の負荷駆動回路。
［形態６］
前記検出回路は、
前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートと前記出力ＭＯＳトランジスタのゲートとの間に第１の抵抗素子と、
前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートと前記電源との間に、前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートから前記電源の方向に順方向となるダイオードと第２の抵抗素子からなる直列回路と、
をさらに備えることを特徴とする形態４または５記載の負荷駆動回路。
［形態７］
前記検出回路は、
前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートと前記出力ＭＯＳトランジスタのゲートとの間に第１の抵抗素子と、
前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートと前記電源との間に検出制御用ＮＭＯＳトランジスタと、
前記検出制御用ＮＭＯＳトランジスタのゲートを前記電源または接地に接続する切替制御を行うスイッチと、
をさらに備えることを特徴とする形態４または５記載の負荷駆動回路。
［形態８］
前記検出制御用ＮＭＯＳトランジスタは、デプレッショントランジスタであることを特徴とする形態７記載の負荷駆動回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを製造するデバイス製造装置であって、
前記デバイスの製造に関連する要素の温度を調整する温度調整部と、
前記温度調整部を制御する制御部と、
前記温度調整部の動作に関する入力を受けて前記制御部に指令情報を送るコンソールとを備え、
前記指令情報は、前記温度調整部を省電力モードで動作させる指令、および、前記省電力モードの内容を特定するパラメータを含む、
ことを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項２】
前記パラメータは、目標温度を示すパラメータを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装置。
【請求項３】
前記パラメータは、前記省電力モードにおいて前記温度調整部による温度調整を停止することを示すパラメータを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装置。
【請求項４】
前記温度調整部は、冷却媒質の温度を調整する一次温度調整部と、前記一次温度調整部によって温度が調整された前記冷却媒質の温度を調整する二次温度調整部とを含み、
前記パラメータは、前記省電力モードにおける前記一次温度調整部による温度調整の目標温度として、非省電力モードにおける前記一次温度調整部による温度調整の目標温度よりも前記非省電力モードにおける前記二次温度調整部による温度調整の目標温度に近い目標温度を示すパラメータを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装置。
【請求項５】
前記一次温度調整部は熱交換器を含み、前記二次温度調整部は加熱器を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載のデバイス製造装置。
【請求項６】
基板に光を投影して該基板を露光する露光装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載のデバイス製造装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、撮像素子と、前記撮像素子から得られる画像を表示する表示手段と、ストロボと、前記ストロボを充電する充電手段と、ライブビュー表示モードとセルフタイマ撮影モードを設定する操作部材と、前記ライブビュー表示モードが設定される際にはライブビュー表示を実行し、前記セルフタイマ撮影モードが設定される際にはセルフタイマ設定時間をカウント後に撮影を実行し、前記ライブビュー表示モードおよび前記セルフタイマ撮影モードが設定される際には前記セルフタイマ設定時間をカウントしている間のライブビュー表示を禁止する制御手段と、を備える撮像装置であって、前記制御手段は、前記ストロボの充電に要する時間を演算するとともに、前記ストロボの充電に要する時間と前記セルフタイマ設定時間とを比較し、前記セルフタイマ設定時間が前記ストロボの充電に要する時間より長い場合には、前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始する前に前記ストロボの充電動作を開始することなく、前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始した後、前記ストロボの充電動作を開始することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
前記撮像素子から得られる画像を表示する表示手段と、
ストロボと、
前記ストロボを充電する充電手段と、
ライブビュー表示モードとセルフタイマ撮影モードを設定する操作部材と、
前記ライブビュー表示モードが設定される際にはライブビュー表示を実行し、前記セルフタイマ撮影モードが設定される際にはセルフタイマ設定時間をカウント後に撮影を実行し、前記ライブビュー表示モードおよび前記セルフタイマ撮影モードが設定される際には前記セルフタイマ設定時間をカウントしている間のライブビュー表示を禁止する制御手段と、を備える撮像装置であって、
前記制御手段は、前記ストロボの充電に要する時間を演算するとともに、前記ストロボの充電に要する時間と前記セルフタイマ設定時間とを比較し、前記セルフタイマ設定時間が前記ストロボの充電に要する時間より長い場合には、前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始する前に前記ストロボの充電動作を開始することなく、前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始した後、前記ストロボの充電動作を開始することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記セルフタイマ設定時間が前記ストロボの充電に要する時間より短い場合に、前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始する前に前記ストロボの充電動作を開始するとともに、前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始したのち、前記ストロボの充電動作を開始することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、電池の電圧と前記ストロボに含まれるコンデンサの充電電圧に基づいて、前記ストロボの充電に要する時間を演算することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
撮像素子と、前記撮像素子から得られる画像を表示する表示手段と、ストロボと、前記ストロボを充電する充電手段と、前記ストロボの充電に要する時間を演算する制御手段と、ライブビュー表示モードとセルフタイマ撮影モードを設定する操作部材と、を備える撮像装置の制御方法であって、
前記ライブビュー表示モードおよび前記セルフタイマ撮影モードが設定されているかを判定し、
前記ライブビュー表示モードおよび前記セルフタイマ撮影モードが設定されている際に前記ストロボの充電に要する時間と前記セルフタイマ設定時間とを比較し、
前記セルフタイマ設定時間が前記ストロボの充電に要する時間より長い場合に前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始する前に前記ストロボの充電動作を開始することを禁止し、
前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始した後、前記ストロボの充電動作を開始することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項５】
前記セルフタイマ設定時間が前記ストロボの充電に要する時間より短い場合に前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始する前に前記ストロボの充電動作を開始し、
前記セルフタイマ設定時間のカウントを開始した後、前記ストロボの充電動作を開始することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
移動規制部８２３は、複数枚のウエハＷｆに対して方向ｙ１側に配置されており、移動規制部８２４は、複数枚のウエハＷｆに対して方向ｙ２側に配置されている。このように移動規制部８２３，８２４が配置されていることによって、複数枚のウエハＷｆがｙ１−ｙ２方向に移動することが規制される。移動規制部８２３，８２４は、ウエハＷｆの積層方向に沿って延びる長板状である。移動規制部８２３は移動規制部８２１と一体成型されており、移動規制部８２４は移動規制部８２２と一体成型されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
吸気口２３ａには、ホース２４、バルブユニット２７、脱水槽２５を介してポンプ２６が接続されている。ホース２４は、たとえば樹脂からなる可撓性を有する配管部品である。バルブユニット２７は、区画室２３１，２３２，２３３のうちいずれをポンプ２６と接続するかを切替可能とされている。脱水槽２５は、バキュームボックス２３を介して吸引した空気から液体Ｌｑを分離するためのものである。ポンプ２６は、吸着コンベア２によってウエハＷｆを吸着することが可能な程度に、無端ベルト２２に収容された格好となっているバキュームボックス２３内の空間を減圧するための減圧源である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンを投影光学系を介して基板に投影し基板を露光する露光装置を管理する管理装置であって、
露光処理が予約されている複数のロットのリストと、前記複数のロットの露光処理を開始する前における前記投影光学系の収差の初期値と、前記複数のロットそれぞれについて露光処理を実行することが可能な前記投影光学系の収差の許容値とを取得し、
前記取得されたリストに基づいて前記露光処理が予約されている複数のロットの処理すべき順番の候補を複数生成し、
前記複数のロットそれぞれの露光処理における前記投影光学系の収差が該当するロットについての前記許容値以下になるようにロット間の時間間隔を調整しつつ最初のロットの露光処理が開始されてから最後のロットの露光処理が終了するまでの時間を、前記順番の候補ごとに算出し、
複数の前記順番の候補のうち当該算出された時間が最小である順番の候補を前記複数のロットの処理すべき順番として決定する、ことを特徴とする管理装置。
【請求項２】
前記管理装置は、ロットの露光処理が新たに予約されたならば、前記順番の決定を新たに行う、ことを特徴とする請求項１に記載の管理装置。
【請求項３】
レチクルのパターンを投影光学系を介して基板に投影し基板を露光する複数の露光装置を管理する管理装置であって、
露光処理が予約されている複数のロットのリストと、前記複数のロットの露光処理を開始する前における前記複数の露光装置の投影光学系それぞれの収差の初期値と、前記複数のロットそれぞれについて露光処理を実行することが可能な前記投影光学系それぞれの収差の許容値とを取得し、
前記取得されたリストに基づいて前記露光処理が予約されている複数のロットを前記複数の露光装置に割り振り、かつ当該割り振られた露光装置ごとの処理すべきロットの順番を定めた前記複数の露光装置による処理計画の候補を複数生成し、
前記複数のロットそれぞれの露光処理における前記投影光学系の収差が該当するロットについての前記許容値以下になるようにロット間の時間間隔を調整しつつ最初のロットの露光処理が開始されてから最後のロットの露光処理が終了するまでの時間を、前記処理計画の候補それぞれについて露光装置ごとに算出し、
前記複数の露光装置のうち当該算出された時間が最大となる露光装置が露光処理に要する前記時間が、複数の前記処理計画の候補のうち最小である処理計画の候補を前記複数の露光装置による処理計画として決定する、ことを特徴とする管理装置。
【請求項４】
前記管理装置は、ロットの露光処理が新たに予約されたならば、前記処理計画の決定を新たに行う、ことを特徴とする請求項３に記載の管理装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の管理装置によって決定された順番に従って、複数のロットの基板に対して露光処理を実行することを特徴とする露光方法。
【請求項６】
請求項３又は請求項４に記載の管理装置によって決定された処理計画に従って、複数の露光装置を用いて複数のロットの基板に対して露光処理を実行することを特徴とする露光方法。
【請求項７】
デバイスを製造する方法であって、
請求項５又は請求項６に記載の露光方法により複数のロットの基板を露光する工程と、
前記露光された複数のロットの基板を現像する工程と、を含むデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１側面は、レチクルのパターンを投影光学系を介して基板に投影し基板を露光する露光装置を管理する管理装置であって、露光処理が予約されている複数のロットのリストと、前記複数のロットの露光処理を開始する前における前記投影光学系の収差の初期値と、前記複数のロットそれぞれについて露光処理を実行することが可能な前記投影光学系の収差の許容値とを取得し、前記取得されたリストに基づいて前記露光処理が予約されている複数のロットの処理すべき順番の候補を複数生成し、前記複数のロットそれぞれの露光処理における前記投影光学系の収差が該当するロットについての前記許容値以下になるようにロット間の時間間隔を調整しつつ最初のロットの露光処理が開始されてから最後のロットの露光処理が終了するまでの時間を、前記順番の候補ごとに算出し、複数の前記順番の候補のうち当該算出された時間が最小である順番の候補を前記複数のロットの処理すべき順番として決定する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に接続電極を備えた半導体チップと、
前記半導体チップの周囲を封止すると共に、前記半導体チップの背面から下側に厚みをもって形成されて、下面が前記半導体チップの背面より下側に配置された樹脂基板と、
前記半導体チップの表面側及び前記樹脂基板の上面側に形成され、前記接続電極に直接接続された配線層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂基板の下面に、前記半導体チップの背面を露出する開口部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂基板は前記半導体チップの背面内の一部を被覆して形成され、前記半導体チップの背面上に前記樹脂基板の開口部が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂基板の前記開口部は複数に分割されて配置されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂基板の開口部に樹脂が設けられていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップの表面側及び前記樹脂基板の上面側を被覆して形成された絶縁層を有し、
前記配線層は、前記絶縁層の上面側に形成され、前記絶縁層に形成されたビアホールを介して前記接続電極に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記樹脂基板の開口部に、前記半導体チップの背面に接続される放熱部が設けられていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記放熱部は銅からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップの接続電極は上側に突出しており、前記接続電極の間の領域に前記樹脂基板の樹脂が充填されており、
前記配線層は前記樹脂基板の上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
凸部が設けられた支持板を用意する工程と、
半導体チップをその接続電極を上側に向けて前記凸部の上に配置する工程と、
前記支持板上から前記半導体チップの周囲に、前記接続電極を露出させた状態で樹脂基板を形成する工程と、
前記半導体チップ及び前記樹脂基板の上に、前記接続電極に直接接続される配線層を形成する工程と、
前記支持板を除去することにより、前記半導体チップの周囲を封止すると共に、前記半導体チップの背面内から下側に厚みをもつ前記樹脂基板を得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂基板を得る工程において、
前記樹脂基板の下面に、前記半導体チップの背面を露出する開口部が配置されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂基板を得る工程において、
前記樹脂基板は前記半導体チップの背面内の一部を被覆して形成され、前記半導体チップの背面上に前記樹脂基板の開口部が配置されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂基板を得る工程において、
前記樹脂基板の前記開口部は複数に分割されて配置されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂基板を得る工程の後に、
前記樹脂基板の開口部に樹脂を形成する工程を有することを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体チップの接続電極は上側に突出しており、
前記樹脂基板を形成する工程において、前記接続電極の間の領域に前記樹脂基板の樹脂が充填され、
前記配線層を形成する工程において、前記配線層は前記樹脂基板の上に形成されることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記凸部が設けられた支持板を用意する工程において、
金属基板を厚み方向の途中までエッチングして前記凸部を設けることにより前記支持体を形成し、
前記支持板を除去する工程において、
前記凸部を同時に除去して前記半導体チップの背面側を露出させるか、あるいは前記凸部を残して前記半導体チップの背面に接続される放熱部として利用することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記凸部が設けられた支持板を用意する工程において、
前記支持板の上に放熱部となる前記凸部を設け、
前記支持板を除去する工程において、
前記凸部に対して前記支持板を選択的に除去することにより、前記半導体チップの背面に接続される前記放熱部を得ることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記配線層を形成する工程は、
前記半導体チップ及び前記樹脂基板の上に絶縁層を形成する工程と、
前記半導体チップの接続電極に到達するビアホールを前記絶縁層に形成する工程と、
前記ビアホールを介して前記接続電極に接続される前記配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記半導体チップの面積は、前記支持板に設けられた前記凸部の面積と同等以上であることを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は半導体装置に係り、表面側に接続電極を備えた半導体チップと、前記半導体チップの周囲を封止すると共に、前記半導体チップの背面から下側に厚みをもって形成されて、下面が前記半導体チップの背面より下側に配置された樹脂基板と、前記半導体チップの表面側及び前記樹脂基板の上面側に形成され、前記接続電極に直接接続された配線層とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2011061116.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された密着層と、
該密着層上に形成された配線層と
を有し、
前記密着層は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され、
前記窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１ａｔｏｍｓ％以上５ａｔｏｍｓ％以下であり、
前記密着層に含まれるＮｉの含有率は２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
基板と、
該基板上に形成された密着層と、
該密着層上に形成された配線層と
を有し、
前記密着層は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され、
前記窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１ａｔｏｍｓ％以上５ａｔｏｍｓ％以下であり、
前記窒化ＮｉＣｕ合金における窒素以外のＮｉ及びＣｕの重量比率は、Ｎｉ：Ｃｕ＝１：２であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載の配線基板であって、
前記配線層は、前記密着層の上に形成されたシード層を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の配線基板であって、
前記基板は、基板本体と該基板本体の表面に形成された樹脂絶縁層とを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
表面が絶縁樹脂よりなる基板を準備し、
該基板上に、窒化ＮｉＣｕ合金により密着層を形成し、
該密着層上に配線層を形成し、
前記密着層の形成は、窒素を添加した雰囲気中でＮｉＣｕ合金をターゲットとしてスパッタリング法により行い、
前記雰囲気はＡｒガス雰囲気であり、該Ａｒガス雰囲気への窒素の添加量を２．５％以上１２．５％以下とし、
前記配線層の形成は、前記密着層上にＣｕシード層を形成してから該Ｃｕシード層上にＣｕ配線層を形成することを含み、
前記密着層を形成するＮｉＣｕ合金のＮｉの含有率を２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下とし、
前記配線層が形成されない領域において、前記配線層をエッチングで除去する際に同時に前記密着層をエッチングして除去することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板の製造方法であって、
前記密着層を形成するＮｉＣｕ合金における窒素以外のＮｉ及びＣｕの重量比率をＮｉ：Ｃｕ＝１：２とすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６記載の配線基板の製造方法であって、
前記基板の準備は、基板本体上に樹脂により絶縁層を形成することを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、基板と、該基板上に形成された密着層と、該密着層上に形成された配線層とを有し、前記密着層は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され、前記窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１ａｔｏｍｓ％以上５ａｔｏｍｓ％以下であり、前記密着層に含まれるＮｉの含有率は２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下であることを特徴とする配線基板が提供される。また、本発明の他の観点によれば、基板と、該基板上に形成された密着層と、該密着層上に形成された配線層とを有し、前記密着層は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され、前記窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１ａｔｏｍｓ％以上５ａｔｏｍｓ％以下であり、前記窒化ＮｉＣｕ合金における窒素以外のＮｉ及びＣｕの重量比率は、Ｎｉ：Ｃｕ＝１：２であることを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明のさらに他の観点によれば、表面が絶縁樹脂よりなる基板を準備し、該基板上に、窒化ＮｉＣｕ合金により密着層を形成し、該密着層上に配線層を形成し、前記密着層の形成は、窒素を添加した雰囲気中でＮｉＣｕ合金をターゲットとしてスパッタリング法により行い、前記雰囲気はＡｒガス雰囲気であり、該Ａｒガス雰囲気への窒素の添加量を２．５％以上１２．５％以下とし、前記配線層の形成は、前記密着層上にＣｕシード層を形成してから該Ｃｕシード層上にＣｕ配線層を形成することを含み、前記密着層を形成するＮｉＣｕ合金のＮｉの含有率を２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下とし、前記配線層が形成されない領域において、前記配線層をエッチングで除去する際に同時に前記密着層をエッチングして除去することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。