【手続補正書】
【提出日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に設けられた第１の導電膜により形成されたゲート電極と、
前記第１の導電膜により形成され、一方向に延設されるデータ信号線と、
前記第１の導電膜上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた半導体膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記半導体膜上に設けられた第２の導電膜により形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記第２の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される走査信号線と、
前記第２の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される補助容量線と、
前記第２の導電膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられ、外周端部が前記データ信号線、前記走査信号線又は前記補助容量線と重なる画素電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート電極は、前記走査信号線と電気的に接続され、
前記補助容量線は、前記第２の絶縁膜を誘電体として、前記画素電極と容量を形成することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体膜の断面形状が凹状であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記凹状の半導体膜は第１の凸部及び第２の凸部を有し、前記第１の凸部及び第２の凸部上にそれぞれ、一導電型を付与する不純物元素が添加された第１の不純物半導体膜及び第２の不純物半導体膜が設けられており、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記第１の不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記第２の不純物半導体膜、前記半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
透光性基板上に設けられた第１の導電膜により形成されたゲート電極と、
前記第１の導電膜により形成され、一方向に延設されるデータ信号線と、
前記第１の導電膜上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上に設けられた、断面形状が凹状のバッファ層と、
前記凹状のバッファ層は第１の凸部及び第２の凸部を有し、前記第１の凸部及び第２の凸部上にそれぞれ設けられた、一導電型を付与する不純物元素が添加された第１の不純物半導体膜及び第２の不純物半導体膜と、
前記第１の絶縁膜、前記第１の不純物半導体膜及び前記第２の不純物半導体膜上に設けられた第２の導電膜により形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記第２の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される走査信号線と、前記第２の導電膜により形成され、前記一方向と交差する方向に延設される補助容量線と、
前記第２の導電膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられ、外周端部が前記データ信号線、前記走査信号線又は前記補助容量線と重なる画素電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記第１の不純物半導体膜及び前記データ信号線と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記第２の不純物半導体膜及び前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート電極は、前記走査信号線と電気的に接続され、
前記補助容量線は、前記第２の絶縁膜を誘電体として、前記画素電極と容量を形成することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜が感光性の有機樹脂材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記データ信号線と前記補助容量線は前記第１の絶縁膜を介して交差していることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の表示装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
透光性基板上に第１の導電膜からなる、ゲート電極及びデータ信号線を形成し、
前記ゲート電極及び前記データ信号線上に第１の絶縁膜と半導体膜を順に積層して成膜し、
前記半導体膜をエッチングして、前記ゲート電極の上方に第２の半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして、前記ゲート電極に達する第１の開口部と、前記データ信号線に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の半導体膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、走査信号線並びに補助容量線を形成し、
前記走査信号線は前記第１の開口部を介して前記ゲート電極と電気的に接続し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第２の開口部を介して前記データ信号線と電気的に接続し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査信号線及び前記補助容量線上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングして、前記ドレイン電極に達する第３の開口部を形成し、
前記第３の絶縁膜をエッチングして、前記補助容量線の上方に形成された前記第２の絶縁膜を露出させる第４の開口部を形成し、
前記第３の絶縁膜上に画素電極を形成し、
前記画素電極は前記第３の開口部を介して前記ドレイン電極と電気的に接続し、且つ前記第４の開口部において前記第２の絶縁膜を誘電体として前記補助容量線と容量を構成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
透光性基板上に第１の導電膜からなる、ゲート電極及びデータ信号線を形成し、
前記ゲート電極及び前記データ信号線上に第１の絶縁膜と、半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された不純物半導体膜とを順に積層して形成し、
多階調マスクを用いたフォトリソグラフィにより、前記不純物半導体膜上に第１のマスク層を形成し、前記第１のマスク層を用いて、前記第１の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜をエッチングして、前記ゲート電極に達する第１の開口部及び前記データ信号線に達する第２の開口部を形成し、
前記第１のマスク層をアッシングして第２のマスク層を形成し、
前記第２のマスク層を用いて、前記半導体膜及び前記不純物半導体膜をエッチングし、第２の半導体膜及び第２の不純物半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の不純物半導体膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に第３のマスク層を形成し、
前記第３のマスク層を用いて、前記第２の導電膜及び前記第２の不純物半導体膜をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極、走査信号線、補助容量線並びに第３の不純物半導体膜及び第４の不純物半導体膜を形成し、
前記走査信号線は前記第１の開口部を介して前記ゲート電極と電気的に接続し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第２の開口部を介して前記データ信号線と電気的に接続し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の半導体膜、前記第３の不純物半導体膜、前記第４の不純物半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査信号線及び前記補助容量線上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成し、
多階調マスクを用いたフォトリソグラフィにより、前記第３の絶縁膜に前記第２の絶縁膜を露出させる第３の開口部及び、断面形状が凹状で前記第３の絶縁膜が残留した凹部を形成し、
前記第３の開口部において、前記第２の絶縁膜をエッチングして、前記ドレイン電極に達する第４の開口部を形成し、
前記凹部において、前記第３の絶縁膜をアッシングして、前記補助容量線の上方に形成された前記第２の絶縁膜を露出させる第５の開口部を形成し、
前記第３の絶縁膜上に画素電極を形成し、
前記画素電極は前記第４の開口部を介して前記ドレイン電極と電気的に接続し、且つ前記第５の開口部において前記第２の絶縁膜を誘電体として前記補助容量線と容量を構成することを特徴とする表示装置の作製方法。