【事件の表示】
　特願２００３−１９５８５０「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２９日出願公開、特開２００４−　３１９７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１０年６月９日に出願した特願平１０−１６０６８６号の一部を平成１５年７月１１日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜９に係る発明は、平成１７年２月１０日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
　
「【請求項１】電子回路が形成される回路形成領域と前記回路形成領域を囲むパッド領域とからなる表面を有する半導体チップの前記パッド領域上に、前記電子回路と電気的に接続される複数の第１の電極パッドを設ける工程と、前記回路形成領域上に、各々が前記第１の電極パッドの対応するものと配線を介して電気的に接続される複数の第２の電極パッドを設ける工程と、
　前記第２の電極パッド上に第１のバンプを設ける工程と、
　前記第１及び第２の電極パッドが設けられた前記半導体チップの表面と前記配線とを樹脂にて封止する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開平６−３０２６０４号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開平５−２１８０４２号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。 
  
（１）刊行物１（特開平６−３０２６０４号公報）
（１ａ）「【００４３】・・・この発明の他の目的は、樹脂封止型半導体パッケージにおける外部接続用の突起電極を容易に形成することが可能となる樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法を提供することにある。
【００４４】この発明のさらに他の目的は、ボンディングパッドの形成位置の自由度を増大させることによって、回路設計を容易とすることが可能な樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法を提供することにある。
　この発明のさらに他の目的は、標準化された位置に外部接続用の電極を形成することが可能となる樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法を提供することにある。・・・」
　
（１ｂ）「【００４７】なお、本明細書中において、ボンディングパッドとは、外部機器の電極と半導体チップ上の素子との電気的な接続を行なうために半導体チップ上に形成された複数の導電層の積層構造からなる外部接続用電極部において、最も半導体チップに近い位置にある導電層のことをいうものと定義する。」
　
（１ｃ）「【０１６２】まず図７０を参照して、半導体チップ３の主表面の所定位置には、ボンディングパッド４が形成されている。半導体チップ３の主表面上には、このボンディングパッド４と電気的に接続された配線層６１が形成される。・・・
　そして、配線層６１上において、ボンディングパッド４が形成されていない領域上に、外部接続用の突起電極６０が形成されている。この突起電極６０の材質としては、半田などを挙げることができる。
　以上のように、ボンディングパッド４の位置と、突起電極６０の位置とを、半導体チップ３の主表面方向にずらせることによって、以下のような効果を奏する。
【０１６３】外部接続用の電極として機能する突起電極６０の位置を標準化することが容易となる。それは、配線層６１を設けることによって、外部接続用の突起電極６０の位置を標準化したとしても、半導体チップ３の主表面において、ボンディングパッド４の位置を自由に選択することが可能となるからである。
　また、ボンディングパッド４の形成位置の自由度を増大させることが可能となることによって、半導体チップ３の主表面に形成される素子のレイアウトの自由度をも増大させることが可能となる。さらに、ボンディングパッド４の面積をも従来よりも小さくすることが可能となる。それにより、半導体チップ３の主表面における素子の高集積化に寄与し得ることとなる。
　次に、図７１を参照して、半導体チップ３の主表面には、ボンディングパッド４の一部表面を露出させるように絶縁層１１が形成される。この絶縁層１１の材質としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを挙げることができる。配線層６１は、ボンディングパッド４上から、ボンディングパッド４が形成されていない半導体チップ３の主表面上にまで延在している。・・・
【０１６４】この配線層６１の形成方法としては、半導体チップ３の主表面上全面に、スパッタリング法などによって上記の材質からなる導電層を形成する。この導電層は単層であってもよいし多層構造としてもよい。そして、このようにして形成された導電層を、ウェットエッチング法あるいはドライエッチング法と、写真製版技術とを用いてパターニングする。それにより、配線層６１を形成する。
　以上のように配線層６１が形成された後は、めっき法などを用いて突起電極６０を形成する。・・・
【０１６５】以上のようにして突起電極６０を形成した後は、この突起電極６０の一部表面を露出させるように半導体チップ３を封止する封止樹脂１を形成する。それにより、図７１に示される樹脂封止型半導体パッケージが形成されることになる。」
　
（１ｄ）図７０及び図７１には、半導体チップ３の主表面に複数のボンディングパッド４と、各々が前記ボンディングパッド４の対応するものと接続されている複数の配線層６１とを形成し、該半導体チップ３の主表面と該配線層６１とを封止樹脂１にて封止していることが示されている。
　
（２）刊行物２（特開平５−２１８０４２号公報）
（２ａ）「【０００９】【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の主面に形成された半導体素子領域と、前記各半導体素子領域に対応して半導体素子領域の外周囲に配列された第１のボンディングパッドと、前記第１のボンディングパッド面を露出させ少なくとも半導体素子領域面を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜上に第１のボンディングパッドと対応して第１のボンディングパッドよりも内側に形設された第２のボンディングパッドと、前記第２のボンディングパッド面上に設けられたバンプ電極と、前記第１のボンディングパッドに一端が接続し第２のボンディングパッドに他端が接続して絶縁膜領域に配設された配線とを具備して成り、前記第２のボンディングパッドの面積が、第１のボンディングパッドの面積よりも大きく設定されていることを特徴とする。
【００１０】上記の構成において、絶縁膜上に形設された第２のボンディングパッド数は、第１のボンディングパッド数に対応しており、第１のボンディングパッドが配置された領域よりも内側領域に、任意のピッチや位置に形設・配置されるが、その形設・配置はたとえば縦横複数列など格子状の規則的な配置が望ましい。・・・」
　
（２ｂ）「【００１１】【作用】本発明に係る半導体装置においては、図１に要部構成例を断面的に示すごとく、第１のボンディングパッド８が配置された領域よりも内側で、かつ所要の半導体素子領域9aが形成されている領域面の絶縁層 10b上に、露出して第２のボンディングパッド11が配置され、これらは前記絶縁層 10bおよび層間絶縁層 10aを介して、たとえば多層的に配設された配線12で接続されている。・・・」
　
（２ｃ）「【００１５】図２は本発明に係る半導体装置９の構成例を平面的に示したもので、９′は半導体基板、9aは前記半導体基板９′面に形設された半導体素子領域、８は前記半導体基板９′面の半導体素子領域9aが形設された領域の外側に配置された第１のボンディングパッド、13は前記半導体素子領域9a面上に配線12を備えた図示されていない絶縁層を介して表面に設けられた第２のボンディングパッド11面上に積層して配置された電極バンプである。そして、この図からも分かるように、前記第１のボンディングパッド８は第２のボンディングパッド11にそれぞれ対応しており、前記絶縁層に単層もしくは多層的に絶縁して配置された配線12によって電気的に接続した構成を成している。」
　
（２ｄ）図１及び図２には、半導体装置９の表面の領域配置において、半導体素子領域９ａと、該半導体素子領域９ａを囲むように第１のボンディングパッドの形成領域が配置されていることが示されている。
　
３．対比・判断
　上記摘記事項（１ｃ）段落【０１６２】の「半導体チップ３の主表面の所定位置には、ボンディングパッド４が形成されている。」という記載、及び上記摘記事項（１ｃ）段落【０１６３】の「半導体チップ３の主表面に形成される素子のレイアウトの自由度をも増大させることが可能となる。」という記載から、半導体チップ３の主表面は、素子が形成される素子形成領域とボンディングパッド４が形成される所定位置とからなるものと理解できる。
　また、上記摘記事項（１ｃ）段落【０１６２】には、「配線層６１上において、ボンディングパッド４が形成されていない領域上に、外部接続用の突起電極６０が形成されている。」と記載されているから、配線層６１のうち、外部接続用の突起電極６０が形成されている部分は、突起電極６０形成用の電極パッドとして用いられていることは明らかである。
　更に、上記摘記事項（１ｃ）段落【０１６２】の「ボンディングパッド４の位置と、突起電極６０の位置とを、半導体チップ３の主表面方向にずらせることによって、・・・」という記載、及び上記摘記事項（１ｃ）段落【０１６３】の「配線層６１は、ボンディングパッド４上から、ボンディングパッド４が形成されていない半導体チップの主表面上にまで延在している。」という記載から、突起電極６０形成用の電極パッドは、半導体チップ３の主表面における、ボンディングパッド４が形成される所定位置以外である、素子形成領域上に形成されているとわかる。
　よって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物１には、
「素子が形成される素子形成領域とボンディングパッド４が形成される所定位置とからなる主表面を有する半導体チップ３の前記所定位置に、前記素子と電気的に接続される複数のボンディングパッド４を設ける工程と、
　前記素子形成領域上に、各々が前記ボンディングパッド４の対応するものと配線層６１を介して電気的に接続される複数の突起電極６０形成用の電極パッドを設ける工程と、
　前記突起電極６０形成用の電極パッド上に、突起電極６０を設ける工程と、前記ボンディングパッド４と前記突起電極６０形成用の電極パッドが設けられた半導体チップ３の主表面と前記配線層６１とを封止樹脂１にて封止する工程と、を含む樹脂封止型半導体パッケージの製造方法」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「素子」、「素子形成領域」、「ボンディングパッド４」、「所定位置」、「主表面」、「配線層６１」、「突起電極６０形成用の電極パッド」、「突起電極６０」、「封止樹脂１」、及び「樹脂封止型半導体パッケージ」は、本願発明の「電子回路」、「回路形成領域」、「第１の電極パッド」、「パッド領域」、「表面」、「配線」、「第２の電極パッド」、「第１のバンプ電極」、「樹脂」、及び「半導体装置」にそれぞれ相当するから、両者は、
「電子回路が形成される回路形成領域とパッド領域からなる表面を有する半導体チップの前記パッド領域上に、電子回路と電気的に接続される複数の第１の電極パッドを設ける工程と、
　前記回路形成領域上に、各々が前記第１の電極パッドの対応するものと配線を介して電気的に接続される複数の第２の電極パッドを設ける工程と、
　前記第２の電極パッド上に第１のバンプを設ける工程と、
　前記第１及び第２の電極パッドが設けられた半導体チップの表面と配線とを樹脂にて封止する工程と、を含む半導体装置の製造方法」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明では、半導体チップの表面の領域配置が、電子回路が形成される回路形成領域と前記回路形成領域を囲むパッド領域とから成っているの対し、刊行物１発明では、そのようになっていない点。
　
　そこで、上記相違点について、次に検討する。
　刊行物２には、上記摘記事項（２ａ）〜（２ｄ）によれば、半導体装置９の半導体素子と電気的に接続される複数の第１のボンディングパッド８と、該第１のボンディングパッド８と対応するものと配線１２を介して電気的に接続される複数の第２のボンディングパッド１１と、該第２のボンディングパッド１１上に形成した電極バンプ１３を介して外部の装置と接続する半導体装置において、半導体装置９の表面の領域配置が、該半導体素子領域９ａと、該半導体素子領域９ａを囲む第１のボンディングパッド８の形成領域とからなることが記載されている。ここで、刊行物２の「半導体装置９」、「半導体素子領域９ａ」、及び「第１のボンディングパッド８の形成領域」は、本願発明の「半導体チップ」、「電子回路が形成される回路形成領域」、及び「パッド領域」にそれぞれ相当することから、結局、刊行物２の半導体チップの表面の領域配置は、電子回路が形成される回路形成領域と前記回路形成領域を囲むパッド領域からなっているといえる。
　一方、刊行物１発明は、上記摘記事項（１ａ）、及び（１ｃ）によれば、パッド領域の形成位置の自由度を増大させ、標準化された位置に外部接続用の電極を形成可能とすることが目的であって、パッド領域を含めた半導体チ
ップの表面の領域配置は任意に選択できうるものである。してみれば、刊行
物１発明の半導体チップの表面の領域配置として、刊行物２に記載の領域配置を採用することに、当業者が格別な困難性を有するものとはいえない。
　
　そして、本願発明における作用効果も、刊行物１、２に記載された発明から当業者が予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。