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【手続補正書】
【提出日】平成24年10月26日(2012.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置されるステージと、
垂直成分を含む第１昇降方向に前記ステージを移動させる第１昇降アクチュエータと、
水平成分を含み且つ前記昇降方向と交差する第１交差方向に前記ステージを移動させる第１交差アクチュエータと
を備え、前記第１交差アクチュエータは、前記第１昇降アクチュエータの作用線と交差する作用線を有するステージ装置。
【請求項２】
垂直成分を含み、且つ、前記第１交差方向と交差する第２昇降方向に前記ステージを移動させる第２昇降アクチュエータを更に備え、
前記第１交差アクチュエータの作用線は、前記第２昇降アクチュエータの作用線にも交差する請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
垂直成分を含み、且つ、前記第１交差方向と交差する第２昇降方向に前記ステージを移動させる第２昇降アクチュエータと、
水平成分を含み、且つ、前記第１昇降方向および前記第２昇降方向のいずれとも交差する第２交差方向に前記ステージを移動させる第２交差アクチュエータと
を更に備え、
前記第２交差アクチュエータは、前記第２昇降アクチュエータの作用線と交差する作用線を有する請求項１に記載のステージ装置。
【請求項４】
垂直成分を含み、且つ、前記第１交差方向と交差する第２昇降方向に前記ステージを移動させる第２昇降アクチュエータと、
水平成分を含み、且つ、前記第１昇降方向および前記第２昇降方向のいずれとも交差する第２交差方向に前記ステージを移動させる第２交差アクチュエータと、
垂直成分を含み、且つ、前記第１交差方向および前記第２交差方向と交差する第３昇降方向に前記ステージを移動させる第３昇降アクチュエータと
を更に備え、
前記第２交差アクチュエータは、前記第２昇降アクチュエータの作用線および前記第３昇降アクチュエータの作用線のうち少なくとも一方と交差する作用線を有する請求項１に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記第３昇降アクチュエータは、前記第１昇降アクチュエータの作用点および第２昇降アクチュエータの作用点を結ぶ直線を逸れた位置に作用点を有する請求項４に記載のステージ装置。
【請求項６】
水平成分を含み、且つ、前記第１昇降方向、前記第２昇降方向および前記第３昇降方向のいずれとも交差する第３交差方向に前記ステージを移動させる第３交差アクチュエータを更に備え、
前記第３交差アクチュエータの作用線の水平成分は、前記第１交差アクチュエータの作用線の水平成分および前記第２交差アクチュエータの作用線の水平成分と交差する請求項４または請求項５に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記第３交差アクチュエータの作用線は、前記第１昇降アクチュエータの作用線、前記第２昇降アクチュエータの作用線、および、前記第３昇降アクチュエータの作用線の少なくともひとつと交差する請求項６に記載のステージ装置。
【請求項８】
前記第３交差アクチュエータの作用線は、前記ステージの重心を通る垂直線と交差する請求項６または請求項７に記載のステージ装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載のステージ装置を備えた位置合わせ装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載のステージ装置を備えた基板貼り合わせ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被エッチング材上にパターニングされたマスクを用いて前記被エッチング材をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
Ｃ／Ｆ比が２／３以上であるフルオロカーボンガスＣｘＦｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて、アスペクト比が１０以上である前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に堆積物を付着させながら前記被エッチング材をプラズマエッチングする第１のステップと、
フルオロカーボンガスＣｘＦｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて、前記第１のステップによってプラズマエッチングされた被エッチング材をプラズマエッチングする第２のステップと、を有し、
前記第２のステップは、前記第１のステップより堆積性が弱いプラズマエッチングであることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマエッチング方法において、
前記第２のステップの処理圧力は、前記第１のステップより低いことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のプラズマエッチング方法において、
前記第１のステップおよび第２のステップで用いられるフルオロカーボンガスＣｘＦｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）の流量を、前記第１のステップよりも第２のステップでは小さく設定することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載のプラズマエッチング方法において、
前記第１のステップおよび第２のステップで用いられるフルオロカーボンガスＣｘＦｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）のＣ／Ｆ比を、第１のステップよりも第２のステップでは低いＣ／Ｆ比とすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載のプラズマエッチング方法において、
前記第１のステップのフルオロカーボンガスＣｘＦｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）は、環状構造を持つＣ５Ｆ６ガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図２は、エッチング工程におけるマスクテーパ角θごとのアスペクト比（ホール深さ）に対する開口（ホール）側壁へのイオン入射分布を計算した結果である。この計算結果によれば、マスクテーパ角θが小さいほど、ホール側壁に入射するイオンの数が増加する。マスクテーパ角θが９０°の場合は、側壁に入射するイオン密度はマスク部から被エッチング材（ＳｉＯ２）の底部まで略一定である。しかしながら、マスクテーパ角θが８８°の場合には、マスク部での側壁に入射するイオン密度は、マスクテーパ角θが９０°の場合に比較して大きく、被エッチング材部ではアスペクト比１程度からアスペクト比１２程度にかけて増大し、アスペクト比１８程度でテーパ各９０°の場合と同等になる。同様に、マスクテーパ角θが８６°の場合には、マスク部での側壁に入射するイオン密度は、マスクテーパ角θが９０°の場合に比較してさらに大きく、被エッチング材部ではアスペクト比１程度からアスペクト比５程度にかけて大きく増大し、アスペクト比１０程度でマスクテーパ各９０°の場合と同等になる。つまり、深孔エッチングにおいて、マスク開口が外側に開いたテーパ形状である場合には、マスクで反射されたイオンがホール側壁に入射することによりボーイングが増大すると考えられ、マスク形状を制御することがボーイングを抑制する上で重要であることがわかる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
一方、本発明による高堆積エッチング条件で処理する場合には、例えば、ガス流量を２倍に増加し、Ａｒ／Ｃ４Ｆ６／Ｏ２＝１０００／６０／７０ｓｃｃｍとし、処理圧力を１０Ｐａと増大させた。この場合、図４（ｂ）に示すように、マスクはほとんど減少せず、また、マスク表面近くの開口を狭めることができる（図４（ｃ））。さらに、被エッチング材のエッチングを進展させても図４（ｃ）に示すように、被エッチング材のボーイングを拡大させること無く、高いアスペクト比の開口を加工することが可能になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本実施例では、マスクパターンの表面に近い開口を狭めて被エッチング材をエッチングする第１のステップと、マスクパターンの表面に近い開口を削りながら被エッチング材をエッチングする第２のステップとを順次行うことにより、ホール底部での加工寸法の縮小を抑制し、且つ、高アスペクト比におけるエッチレート低下を解消することのできるエッチング方法を説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以下、マスク先端部の寸法を小さくする、すなわち，マスク表面近くの開口を大きくするための具体例について説明する。マスク表面に近い開口を狭め、且つ、入射するイオンの指向性を高める方法を示す。具体的には、マスク表面に近い開口を狭める第１のステップで使用した処理圧力に対して、マスク表面に近い開口の側壁に大成した堆積物を削りながら被エッチング材をエッチングする第２のステップでは処理圧力を低くすることでマスク表面に近い開口を狭めることができると同時にイオンの指向性を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ状基材と、
前記テープ状基材上に形成され、切断ラインと交差するように延びる配線と、
前記配線に設けられたスリットと、
を具備し、
前記スリットは、前記切断ラインと交差するように設けられ、前記切断ラインとの交差部分において前記配線を複数の配線要素に分割する
テープキャリアパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】テープキャリアパッケージ
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
＜第２の実施形態＞
続いて、図７を参照して、第２の実施形態としてのシールドケース２００について説明する。図７に示すシールドケース２００は、はんだコート部品の一例を構成し、第１の実施形態と同様にして、プリント配線基板１０の上に実装された電子部品（図示せず）を電磁的に遮蔽するものである。シールドケース２００は、蓋部材１２及び躯体補強された枠部材２１から構成される。枠部材２１は第１の実施形態と同様にして、幅Ｗ２が３８ｍｍ程度で、長さＬ２が６０ｍｍ程度で、高さＨ２が２ｍｍ程度を有している。枠部材２１はプリント配線基板１０にはんだ付け処理される。プリント配線基板１０には、第１の実施形態で説明したものが使用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
なお、チューナーケース３００の実装方法については、第２の実施形態を参照されたい。図中のフィレット部分３６は、枠部材３１をマウントしたチューナー回路基板３０の熱処理を実行して、ランドパターン３０ａ上のはんだ材料が溶融して枠部材３１の切断端面の内側及び外側をぬれ性良く這い上がったもので、この溶融はんだの這い上がりによって生じたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010272774.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010272774.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2010272774.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端が第１の端子と第２の端子に接続された第１のインダクタと、
両端が前記第１の端子と前記第２の端子に接続された第２のインダクタと、
前記第１のインダクタ上に設けられた第１のノードと、
前記第２のインダクタ上に設けられた第２のノードと、
前記第１のノードと前記第２のノードとの間を導通状態又は非導通状態とするスイッチ素子と、を備えている可変インダクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
以上の記載は実施形態に基づいて行ったが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。なお、本発明において、下記の形態が可能である。
［形態１］
両端が第１の端子と第２の端子に接続された第１のインダクタと、
両端が前記第１の端子と前記第２の端子に接続された第２のインダクタと、
前記第１のインダクタ上に設けられた第１のノードと、
前記第２のインダクタ上に設けられた第２のノードと、
前記第１のノードと前記第２のノードとの間を導通状態又は非導通状態とするスイッチ素子と、を備えている可変インダクタ。
［形態２］
前記第１のインダクタのインダクタンスと前記第２のインダクタのインダクタンスとが等しく、
前記第１の端子と前記第１のノードの間のインダクタンスと、前記第２の端子と前記第２のノードの間のインダクタンスとが等しい、形態１に記載の可変インダクタ。
［形態３］
両端が第１の端子と第２の端子に接続された第１のインダクタと、
両端が前記第１の端子と前記第２の端子に接続された第２のインダクタと、
前記第１のインダクタ上に設けられた第１のノードと、
前記第１のインダクタ上の前記第１のノードとは異なる位置に設けられた第２のノードと、
前記第１のノードと前記第２のノードとの間を導通状態又は非導通状態とするスイッチ素子と、を備えている可変インダクタ。
［形態４］
前記第１のインダクタのインダクタンスと前記第２のインダクタのインダクタンスとが等しく、
前記第１の端子と前記第１のノードの間のインダクタンスと、前記第２の端子と前記第２のノードの間のインダクタンスとが等しい、形態３に記載の可変インダクタ。
［形態５］
両端が第１の端子と第２の端子に接続された第１のインダクタと、
両端が前記第１の端子と前記第２の端子に接続された第２のインダクタと、
ｎ個（ｎは自然数）のスイッチ素子と、
前記第１のインダクタ上に設けられたｎ個のノードと、
前記第２のインダクタ上に設けられたｎ個のノードと、を備え、
前記ｎ個のスイッチ素子のうちの第ｉ番目（ｉは１からｎまでの自然数）のスイッチ素子は、前記第１のインダクタ上において前記第１の端子から数えて第ｉ番目のノードと前記第２のインダクタ上において前記第２の端子から数えて第ｉ番目のノードとの間を導通状態又は非導通状態とする可変インダクタ。
［形態６］
前記ｎ個のスイッチ素子のうちの複数のスイッチ素子を同時に導通状態又は同時に非導通状態とする、形態５に記載の可変インダクタ。
［形態７］
両端が第１の端子と第２の端子に接続された第１のインダクタと、
両端が前記第１の端子と前記第２の端子に接続された第２のインダクタと、
ｎ個（ｎは自然数かつ偶数）のスイッチ素子と、
前記第１のインダクタ上に設けられたｎ個のノードと、
前記第２のインダクタ上に設けられたｎ個のノードと、を備え、
前記ｎ個のスイッチ素子のうちの第ｉ番目（ｉは１からｎ／２までの自然数）のスイッチ素子は、前記第１のインダクタ上において前記第１の端子から数えて第ｉ番目のノードと前記第１のインダクタ上において前記第２の端子から数えて第ｉ番目のノードとの間を導通状態又は非導通状態とし、
前記ｎ個のスイッチ素子のうちの第（ｉ＋ｎ／２）番目（ｉは１からｎ／２までの自然数）のスイッチ素子は、前記第２のインダクタ上において前記第１の端子から数えて第ｉ番目のノードと前記第２のインダクタ上において前記第２の端子から数えて第ｉ番目のノードとの間を導通状態又は非導通状態とする可変インダクタ。
［形態８］
前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタは、それぞれ直列に接続された複数のインダクタから成る、形態１ないし７のいずれか一に記載の可変インダクタ。
［形態９］
前記スイッチ素子又は前記複数のスイッチ素子は、それぞれＭＩＳＦＥＴ、ＭＥＳＦＥＴ及びバイポーラトランジスタのいずれかである、形態１ないし８のいずれか一に記載の可変インダクタ。
［形態１０］
前記スイッチ素子又は前記複数のスイッチ素子は、それぞれＭＩＳＦＥＴ、ＭＥＳＦＥＴ及びバイポーラトランジスタのいずれかの互いに極性が異なる２個の素子を並列に接続したものであり、
前記互いに極性が異なる２個の素子の制御端子には逆の極性の信号が入力される、形態１ないし９のいずれか一に記載の可変インダクタ。
［形態１１］
前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタは、互いに対称な形状である、形態１ないし１０いずれか一に記載の可変インダクタ。
［形態１２］
前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタは、それぞれ同心円状に配置されている、形態１ないし１０のいずれか一に記載の可変インダクタ。
［形態１３］
前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタは、それぞれ複数のメタル配線層に亘って設けられている、形態１ないし１２のいずれか一に記載の可変インダクタ。
［形態１４］
半導体基板上に形態１ないし１３のいずれか一に記載の可変インダクタを含む回路を備えている半導体装置。
［形態１５］
形態１ないし１３のいずれか一に記載の可変インダクタと、
両端が前記第１の端子と前記第２の端子に接続された容量素子と、
前記可変インダクタと前記容量素子による共振周波数において発振するインバータ回路と、を備えている発振回路。
［形態１６］
半導体基板上に形態１５に記載の発振回路を備えている半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体材料からなる基材と、
前記基材の表面に形成された多孔膜部と、
前記多孔膜部に形成された配線パターンとを備え、
前記配線パターンは、前記多孔膜部の平均孔径よりも平均粒径が大きい第１導電体粒子と、前記多孔膜部の平均孔径よりも平均粒径が小さい第２導電体粒子とからなり、
前記第１導電体粒子は、前記多孔膜部の表面上に位置し、
前記第２導電体粒子は、前記第１導電体粒子間の隙間と、前記多孔膜部の内部とに位置し、前記第１導電体粒子を前記多孔膜部に結合していることを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記第２導電体粒子の平均粒径が３０ｎｍ以下である請求項１記載の配線板。
【請求項３】
前記第１導電体粒子と前記第２導電体粒子との体積比は、０．７〜１．３である請求項１記載の配線板。
【請求項４】
前記多孔膜部の平均孔径が０．０１μｍ以上且つ５μｍ以下である請求項１記載の配線板。
【請求項５】
前記第１導電体粒子および第２導電体粒子が、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、アルミニウム、および鉄、並びにそれらの合金から選択される少なくとも１種を含む請求項１に記載の配線板。
【請求項６】
前記第１導電体粒子の材質と、前記第２導電体粒子の材質とが相違している請求項１、３、及び５のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項７】
絶縁体材料からなる基材の表面に多孔膜部を形成する工程ａと、
前記多孔膜部に、前記多孔膜部の平均孔径よりも平均粒径が大きい第１導電体粒子と前記多孔膜部の平均孔径よりも平均粒径が小さい第２導電体粒子とを含むペーストを供給する工程ｂと、
前記第２導電体粒子を焼結して、前記多孔膜部に配線パターンを形成する工程ｃと、を順次実行することを特徴とする配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、絶縁体材料からなる基材と、
前記基材の表面に形成された多孔膜部と、
前記多孔膜部に形成された配線パターンとを備え、
前記配線パターンは、前記多孔膜部の平均孔径よりも平均粒径が大きい第１導電体粒子と、前記多孔膜部の平均孔径よりも平均粒径が小さい第２導電体粒子とからなり、
前記第１導電体粒子は、前記多孔膜部の表面上に位置し、
前記第２導電体粒子は、前記第１導電体粒子間の隙間と、前記多孔膜部の内部とに位置し、前記第１導電体粒子を前記多孔膜部に結合していることを特徴とする配線板を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の配線板の好ましい形態においては、前記第２導電体粒子の平均粒径が３０ｎｍ以下であり、前記第１導電体粒子と前記第２導電体粒子との体積比は、０．７〜１．３であり、前記多孔膜部の平均孔径が０．０１μｍ以上且つ５μｍ以下である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、絶縁体材料からなる基材の表面に多孔膜部を形成する工程ａと、
前記多孔膜部に、前記多孔膜部の平均孔径よりも平均粒径が大きい第１導電体粒子と、前記多孔膜部の平均孔径よりも平均粒径が小さい第２導電体粒子とを含むペーストを供給する工程ｂと、
前記第２導電体粒子を焼結して、前記多孔膜部に配線パターンを形成する工程ｃと、を順次実行することを特徴とする配線板の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成されたｎ型ウエルと、
前記ｎ型ウエルの表面領域に形成された第一のｐ型拡散領域と、
前記ｎ型ウエルの表面領域に形成された第二のｐ型拡散領域と、
前記第一と第二のｐ型拡散領域の間に形成されたチャネル領域と、
前記チャネル領域の少なくとも一部の上に形成されたトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、
前記第一と第二のｐ型拡散領域と前記ゲート電極との相対位置あるいは前記第一と第二のｐ型拡散領域の構造を異ならせ、
書き込み動作時には前記第一のｐ型拡散領域に印加する第一の書込み電圧Ｖｄｐと、前記第二のｐ型拡散領域に印加する第二の書込み電圧Ｖｓｐと、前記ゲート電極に印加する第三の書込み電圧Ｖｇｐと、前記ｎ型ウエルに印加する第四の書込み電圧ＶｂｐがＶｇｐ≧Ｖｂｐ＞Ｖｓｐ≧Ｖｄｐの関係を満たすようにし、
読み出し動作時には、前記第一のｐ型拡散領域に印加する第一の読み出し電圧Ｖｄｒと、前記第二のｐ型拡散領域に印加する第二の読み出し電圧Ｖｓｒと、前記ゲート電極に印加する第三の読み出し電圧Ｖｇｒと、前記ｎ型ウエルに印加する第四の読み出し電圧ＶｂｒがＶｂｒ≧Ｖｄｒ＞Ｖｓｒ≧Ｖｇｒの関係を満たすようにする
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第一のｐ型拡散領域よりも前記第二のｐ型拡散領域のほうが抵抗が高くなるようにしたことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第一と第二のｐ型拡散領域は前記電荷蓄積層端あるいは前記ゲート電極端部との重なり部の長さＸｊ１とＸｊ２がＸｊ１＞Ｘｊ２である、あるいは前記第二のｐ型拡散領域は前記電荷蓄積層端あるいは前記ゲート電極端部に接していないことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第二のｐ型拡散領域の不純物濃度は前記第一のｐ型拡散領域の不純物濃度より低い濃度であることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記不揮発性半導体記憶装置の待機状態において、前記第一のｐ型拡散領域に印加する第一の待機電圧Ｖｄｓｂと、前記第二のｐ型拡散領域に印加する第二の待機電圧Ｖｓｓｂと、前記ゲート電極に印加する第三の待機電圧Ｖｇｓｂと、前記ｎ型ウエルに印加する第四の待機電圧ＶｂｓｂがＶｇｓｂ＝Ｖｂｓｂ＞Ｖｓｓｂ＝Ｖｄｓｂの関係を満たす期間が存在することを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３または請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記不揮発性半導体記憶装置の待機状態において、Ｖｇｓｂ＝Ｖｂｓｂ＝Ｖｃｃ（電源電圧）、Ｖｓｓｂ＝Ｖｄｓｂ＝０Ｖ（接地電位）である事を特徴とする請求項５に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１の発明は、半導体基板に形成されたｎ型ウエルと、前記ｎ型ウエルの表面領域に形成された第一のｐ型拡散領域と、前記ｎ型ウエルの表面領域に形成された第二のｐ型拡散領域と、前記第一と第二のｐ型拡散領域の間に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域の少なくとも一部の上に形成されたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、前記第一と第二のｐ型拡散領域と前記ゲート電極との相対位置あるいは前記第一と第二のｐ型拡散領域の構造を異ならせ、書き込み動作時には前記第一のｐ型拡散領域に印加する第一の書込み電圧Ｖｄｐと、前記第二のｐ型拡散領域に印加する第二の書込み電圧Ｖｓｐと、前記ゲート電極に印加する第三の書込み電圧Ｖｇｐと、前記ｎ型ウエルに印加する第四の書込み電圧ＶｂｐがＶｇｐ≧Ｖｂｐ＞Ｖｓｐ≧Ｖｄｐの関係を満たすようにし、読み出し動作時には、前記第一のｐ型拡散領域に印加する第一の読み出し電圧Ｖｄｒと、前記第二のｐ型拡散領域に印加する第二の読み出し電圧Ｖｓｒと、前記ゲート電極に印加する第三の読み出し電圧Ｖｇｒと、前記ｎ型ウエルに印加する第四の読み出し電圧ＶｂｒがＶｂｒ≧Ｖｄｒ＞Ｖｓｒ≧Ｖｇｒの関係を満たすようにすることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記第一のｐ型拡散領域よりも前記第二のｐ型拡散領域のほうが抵抗が高くなるようにしたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項５の発明は、請求項１〜４の発明において、前記不揮発性半導体記憶装置の待機状態において、第一のｐ型拡散領域に印加する第一の待機電圧Ｖｄｓｂと、第二のｐ型拡散領域に印加する第二の待機電圧Ｖｓｓｂと、ゲート電極に印加する第三の待機電圧Ｖｇｓｂと、ｎ型ウエルに印加する第四の待機電圧ＶｂｓｂがＶｇｓｂ＝Ｖｂｓｂ＞Ｖｓｓｂ＝Ｖｄｓｂの関係を満たす期間が存在することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
次に、ドメイン境界長と半導体レーザ装置の信頼性との関係について説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記半導体積層体の結晶構造は六方晶であり、
前記発光端面はｍ面であり、
前記第１の保護膜はｃ軸配向していることを特徴とする請求項１〜３及び５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板の上層に形成されたパッドと、
（ｂ）前記パッド上に第１開口部が形成された第１表面保護膜と、
（ｃ）前記パッド上に第２開口部が形成され、前記パッドおよび前記第１表面保護膜上に形成された第２表面保護膜とを備え、
前記パッドは、
（ａ１）第１導体膜と、
（ａ２）前記第１導体膜上に形成された反射防止膜とを有し、
前記第１開口部の内部領域に前記第２開口部が内包されており、
前記第１開口部の内部領域では前記反射防止膜が除去されている半導体装置であって、
前記パッドには、プローブを接触させるプローブ接触領域と、ワイヤを接続するワイヤ接続領域が存在し、
前記第１開口部および前記第２開口部は、前記プローブ接触領域と前記ワイヤ接続領域にわたって形成され、
前記ワイヤ接続領域の前記第２開口部の大きさは、前記プローブ接触領域の前記第２開口部の大きさよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディング領域とプローブ領域とが区分された長方形状の複数のボンディングパッドが配置された主面と、前記主面とは反対側の裏面と、を有する四角形の半導体チップを搭載する半導体装置であって、
前記半導体チップは、前記ボンディングパッドの上層に保護膜を有し、
前記保護膜は、前記ボンディングパッドの周縁部を覆い、前記ボンディングパッドの上面が露出するように開口されており、
前記ボンディング領域における前記ボンディングパッドの周縁部と前記保護膜との重なり幅が、前記プローブ領域における前記ボンディングパッドの周縁部と前記保護膜との重なり幅よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップのバンプとフリップチップ接合される接続パッドを備えた配線基板であって、
前記配線基板の周縁部の接続パッドは、ソルダーマスクの開口部内の導体形状で規定されて、該開口部の内径が該接続パッドの外径よりも大きく形成されるノン・ソルダーマスク・デファイン構造で形成され、
前記配線基板の中央部の接続パッドは、ソルダーマスクの開口部の開口形状で規定されて、該開口部の内径が該接続パッドの外径よりも小さく形成されるソルダーマスク・デファイン構造で形成され、
前記ソルダーマスクは、平面視において枠状に形成された開口部を挟んで、前記配線基板の周縁部に第１のソルダーマスクと、前記配線基板の中央部に第２のソルダーマスクとを有し、
前記配線基板の周縁部の接続パッドが、前記枠状に形成された開口部内において、ペリフェラル状に配設され、
前記配線基板の中央部の接続パッドが、前記第２のソルダーマスクにエリアアレイ状に設けられた開口部から露出して、エリアアレイ状に配設されていること
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
半導体チップのバンプとフリップチップ接合される接続パッドを備えた配線基板であって、
前記配線基板の周縁部の接続パッドは、ソルダーマスクの開口部内の導体形状で規定されて、該開口部の内径が該接続パッドの外径よりも大きく形成されるノン・ソルダーマスク・デファイン構造で形成され、
前記配線基板の中央部の接続パッドは、ソルダーマスクの開口部の開口形状で規定されて、該開口部の内径が該接続パッドの外径よりも小さく形成されるソルダーマスク・デファイン構造で形成され、
前記ソルダーマスクは、前記配線基板の周縁部において、複数個所に配置された矩形状の開口部を有し、
前記配線基板の周縁部の接続パッドが、前記矩形状の開口部内において、ペリフェラル状に配設され、
前記配線基板の中央部の接続パッドが、前記矩形状の開口部よりも中央部側のソルダーマスクにエリアアレイ状に設けられた開口部から露出して、エリアアレイ状に配設されていること
を特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記配線基板は、前記半導体チップがフリップチップ接合される際の位置合わせに用いられる位置合わせマークを表面に備え、
前記位置合わせマークはノン・ソルダーマスク・デファイン構造で形成されていること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線基板の周縁部の接続パッドは、隣接するパッドのピッチが１００μｍ以下であり、
前記配線基板の中央部の接続パッドは、隣接するパッドのピッチが１００μｍ以上であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線基板の中央部の接続パッドは、全部もしくは複数である一部が平板状に一体で形成されていること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項記載の配線基板の接続パッドに半導体チップのバンプがフリップチップ接合されて形成されていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記配線基板の周縁部の接続パッドの中心と前記半導体チップの周縁部のバンプの中心とが一致するように実装され、
前記配線基板の中央部の接続パッドの中心と前記半導体チップの中央部のバンプの中心とが一致するように実装されていること
を特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
開示の配線基板は、半導体チップのバンプとフリップチップ接合される接続パッドを備えた配線基板であって、前記配線基板の周縁部の接続パッドは、ソルダーマスクの開口部内の導体形状で規定されて、該開口部の内径が該接続パッドの外径よりも大きく形成されるノン・ソルダーマスク・デファイン構造で形成され、前記配線基板の中央部の接続パッドは、ソルダーマスクの開口部の開口形状で規定されて、該開口部の内径が該接続パッドの外径よりも小さく形成されるソルダーマスク・デファイン構造で形成され、前記ソルダーマスクは、平面視において枠状に形成された開口部を挟んで、前記配線基板の周縁部に第１のソルダーマスクと、前記配線基板の中央部に第２のソルダーマスクとを有し、前記配線基板の周縁部の接続パッドが、前記枠状に形成された開口部内において、ペリフェラル状に配設され、前記配線基板の中央部の接続パッドが、前記第２のソルダーマスクにエリアアレイ状に設けられた開口部から露出して、エリアアレイ状に配設されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
該処理室で基板を保持する基板保持具と、
該基板保持具を載置する載置部と、
該載置部に対して相対回転可能に設けられ相対回転により前記基板保持具を係合解除可能なロック部材と、
該ロック部材と前記載置部とを相対回転させる回転部と、
該回転部の回転動作を検出する検出部とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
ロック部材と載置部とを回転部により相対回転させて、基板を保持した基板保持具を前記載置部に係合する工程と、
前記基板保持具を処理室に搬入し、該処理室内にて基板を処理する工程とを有し、
前記係合する工程では、前記回転部の回転動作を検出部により検出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記の課題を解決するための本発明の画像処理方法は、参照用画像データと補正データの少なくとも一方を参照して画像データを処理する場合に、該画像データを複数のバンド領域に分割し、分割したバンド領域ごとに画像処理を行う画像処理方法であって、前記画像データの転送単位を設定する工程と、前記転送単位の画像データの処理のために必要な前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送単位を求める工程と、前記画像処理に使用されるバッファの容量に収まるように、前記画像データの転送単位と前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送単位とから、前記画像データの転送量を定める工程と、前記定められた画像データの転送量と前記画像データの転送単位との比から、前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送量を求める工程と、前記定められた画像データの転送量と前記画像データの転送単位との比から、分割するバンド領域の高さを定める工程とを有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
参照用画像データと補正データの少なくとも一方を参照して画像データを処理する場合に、該画像データを複数のバンド領域に分割し、分割したバンド領域ごとに画像処理を行う画像処理方法であって、
前記画像データの転送単位を設定する工程と、
前記転送単位の画像データの処理のために必要な前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送単位を求める工程と、
前記画像処理に使用されるバッファの容量に収まるように、前記画像データの転送単位と前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送単位とから、前記画像データの転送量を定める工程と、
前記定められた画像データの転送量と前記画像データの転送単位との比から、前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送量を求める工程と、
前記定められた画像データの転送量と前記画像データの転送単位との比から、分割するバンド領域の高さを定める工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
前記画像データの転送量を定める工程では、前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方を参照して前記バンド領域の画像データを処理するときに繰り返しがある場合、該繰り返しを考慮して前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送単位が算出されてから前記画像データの転送量を定めることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項３】
前記画像データの転送量と前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送量とに従い、前記バッファに前記画像データおよび前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方を格納する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項４】
前記バッファに格納されたバンド領域の高さに相当する前記画像データおよび前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方から、バンド領域の長さ方向に連続するＮ画素（ここで、Ｎは１以上の整数）からなる各々の画素群を各々の格納されたデータから読み出す工程と、
前記画像データおよび前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方を区別するための識別子を付加して、画像処理に必要な順番で前記各々の画素群を画像処理手段に提供する提供工程とを更に有することを特徴とする請求項３に記載の画像処理方法。
【請求項５】
前記読み出す工程では、バンド領域の高さ方向に１画素ずつ走査することを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記読み出す工程では、左端削除画素数と右端削除画素数の指定に従い、前記画像データおよび前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方に対してバンド領域の長さ方向にトリミング処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記読み出す工程では、バンド領域の長さ方向のトリミング処理後の前記画像データおよび前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方に対して、上端糊代画素数、下端糊代画素数、左端糊代画素数、右端糊代画素数の指定に従い、端部を拡張することを特徴とする請求項６に記載の画像処理方法。
【請求項８】
前記Ｎが２以上の整数のときの前記提供工程では、Ｎ個の処理対象の画素から順次１画素ずつを前記画像処理手段に提供することを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項９】
前記Ｎが２以上の整数のときの前記提供工程では、Ｎ個の処理対象の画素を同時に取得し、Ｎ個の前記画像処理手段へ同時に提供することを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項１０】
前記画像処理手段は、画素に付加された前記識別子に従い、処理対象の画像データ、参照用画像データ、補正データのいずれであるかを区別して受け取り、画像処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項１１】
参照用画像データと補正データの少なくとも一方を参照して画像データを処理する場合に、該画像データを複数のバンド領域に分割し、分割したバンド領域ごとに画像処理を行う画像処理装置であって、
前記画像データの転送単位を設定する転送単位の設定手段と、
前記転送単位の画像データの処理のために必要な前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送単位を求める転送単位の算出手段と、
前記画像処理に使用されるバッファの容量に収まるように、前記画像データの転送単位と前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送単位とから、前記画像データの転送量を定める転送量の設定手段と、
前記定められた画像データの転送量と前記画像データの転送単位との比から、前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送量を求める転送量の算出手段と、
前記定められた画像データの転送量と前記画像データの転送単位との比から、分割するバンド領域の高さを定めるバンド高さ算出手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１２】
コンピュータを、
画像データの転送単位を設定する転送単位の設定手段と、
前記転送単位の画像データの画像処理のために必要な参照用画像データと補正データの少なくとも一方の転送単位を求める転送単位の算出手段と、
前記画像処理に使用されるバッファの容量に収まるように、前記画像データの転送単位と前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送単位とから、前記画像データの転送量を定める転送量の設定手段と、
前記定められた画像データの転送量と前記画像データの転送単位との比から、前記参照用画像データと前記補正データの少なくとも一方の転送量を求める転送量の算出手段と、
前記定められた画像データの転送量と前記画像データの転送単位との比から、分割するバンド領域の高さを定めるバンド高さ算出手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されたクエリ画像と類似する画像を登録されている画像から検索する画像検索装置であって、
前記クエリ画像と登録されている比較先画像のそれぞれにおいて、互いに対応する特徴点の対に基づいて対称性を有する部分画像を抽出する抽出手段と、
前記クエリ画像と前記比較先画像のそれぞれにおいて、前記部分画像をその対称軸で分割して得られる２つの部分領域を、当該部分画像における画像特徴の傾向に基づいて第１領域と第２領域に決定する決定手段と、
前記クエリ画像と前記比較先画像の両画像の前記第１領域に決定されている部分領域から得られた対応する特徴点の対の座標が一致するように、前記両画像のうちの一方の画像の座標を変換するための座標変換係数を設定する設定手段と、
前記両画像の類似を判定するために、前記両画像から抽出された互いに対応する特徴点の座標を、前記一方の画像から抽出された特徴点の座標を前記座標変換係数を用いて変換してから、比較する比較手段と、を備えることを特徴とする画像検索装置。
【請求項２】
前記比較手段は、前記両画像の、前記第１領域に決定された領域、前記第２領域に決定された領域、前記抽出手段で抽出された対称性を有する部分画像を除いた非対称領域、のそれぞれの領域ごとに、対応する特徴点の対を抽出することを特徴とする請求項１に記載の画像検索装置。
【請求項３】
前記抽出手段は、回転不変の性質をもつ特徴点を抽出し、前記特徴点の回転不変の性質を持つ局所特徴量を用いて前記互いに対応する特徴点の対を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像検索装置。
【請求項４】
前記抽出手段において前記クエリ画像から対称性を有する部分画像が抽出されなかった場合は、前記設定手段は、前記両画像の全体から対応する特徴点の対を抽出することを特徴とする請求項１に記載の画像検索装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記２つの部分領域の各々における濃度勾配の方向により、当該２つの部分領域のそれぞれを前記第１領域と前記第２領域に決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像検索装置。
【請求項６】
前記決定手段は、前記２つの部分領域のそれぞれに存在する特徴点の個数により、当該２つの部分領域のそれぞれを前記第１領域と前記第２領域に決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像検索装置。
【請求項７】
前記第１領域に決定されている部分領域が存在しない比較先画像に対しては、前記クエリ画像との類似の判定を実施しないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像検索装置。
【請求項８】
前記抽出手段は、前記クエリ画像より取得された複数組の特徴点の対より得られる中点群に対してハフ変換を適用することにより対称軸を求め、該対称軸の近傍に中点を持つ特徴点の対を包含する領域を前記対称性を有する部分画像として抽出することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像検索装置。
【請求項９】
前記抽出手段は、前記クエリ画像より取得された複数組の特徴点の対より得られる中点群から選択された２点を通る直線群のうち、前記中点群からの累積距離が最小となる直線を対称軸とし、該対称軸の近傍に中点を持つ特徴点の対を包含する領域を前記対称性を有する部分画像として抽出することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像検索装置。
【請求項１０】
入力されたクエリ画像と類似する画像を登録されている画像から検索する画像検索装置による画像検索方法であって、
抽出手段が、前記クエリ画像と登録されている比較先画像のそれぞれにおいて、互いに対応する特徴点の対に基づいて対称性を有する部分画像を抽出する抽出工程と、
決定手段が、前記クエリ画像と前記比較先画像のそれぞれにおいて、前記部分画像をその対称軸で分割して得られる２つの部分領域を、当該部分画像における画像特徴の傾向に基づいて第１領域と第２領域に決定する決定工程と、
設定手段が、前記クエリ画像と前記比較先画像の両画像の前記第１領域に決定されている部分領域から得られれた対応する特徴点の対の座標が一致するように、前記両画像のうちの一方の画像の座標を変換するための座標変換係数を設定する設定工程と、
比較手段が、前記両画像の類似を判定するために、前記両画像から抽出された互いに対応する特徴点の座標を、前記一方の画像から抽出された特徴点の座標を前記座標変換係数を用いて変換してから、比較する比較工程と、を有することを特徴とする画像検索方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の画像検索方法の各工程をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１０に記載の画像検索方法の各工程をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明の一態様による画像検索装置は以下の構成を備える。即ち、
入力されたクエリ画像と類似する画像を登録されている画像から検索する画像検索装置であって、
前記クエリ画像と登録されている比較先画像のそれぞれにおいて、互いに対応する特徴点の対に基づいて対称性を有する部分画像を抽出する抽出手段と、
前記クエリ画像と前記比較先画像のそれぞれにおいて、前記部分画像をその対称軸で分割して得られる２つの部分領域を、当該部分画像における画像特徴の傾向に基づいて第１領域と第２領域に決定する決定手段と、
前記クエリ画像と前記比較先画像の両画像の前記第１領域に決定されている部分領域から得られた対応する特徴点の対の座標が一致するように、前記両画像のうちの一方の画像の座標を変換するための座標変換係数を設定する設定手段と、
前記両画像の類似を判定するために、前記両画像から抽出された互いに対応する特徴点の座標を、前記一方の画像から抽出された特徴点の座標を前記座標変換係数を用いて変換してから、比較する比較手段と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】  緑視量、緑視率、緑視領域強調画像保存装置５は、例えばメモリーカード、ハードディスク、ＵＳＢメモリなど記録媒体に保存される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの端末と通信可能に接続される検索装置において、
商品又はサービスの識別情報に対応づけて、前記商品又は前記サービスの属性を第１の表記方式で表してなる第１の属性情報を記憶する属性記憶手段の記憶内容を取得する手段と、
前記第１の属性情報と、前記商品又は前記サービスの前記属性を第２の表記方式で表してなる第２の属性情報との間の対応関係を記憶する対応関係記憶手段の記憶内容を取得する手段と、
前記商品又は前記サービスの検索条件を前記ユーザの端末から取得する検索条件取得手段と、
前記検索条件に前記第２の属性情報が含まれる場合、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報と、前記対応関係記憶手段の記憶内容と、前記属性記憶手段の記憶内容とに基づいて、前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報が対応づけられた商品又はサービスを検索結果として取得する検索結果取得手段と、
前記検索結果取得手段によって取得された前記商品又は前記サービスに関する情報を示し、かつ、前記検索結果取得手段によって取得された前記商品又は前記サービスに対応づけられた前記第１の属性情報のうちの、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報を前記ユーザに案内する画面を表示するための画面データを生成する画面データ生成手段と、
前記画面データを前記ユーザの端末に送信する画面データ送信手段と、
を含むことを特徴とする検索装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検索装置において、
前記対応関係記憶手段は、前記商品又は前記サービスの前記識別情報に関連づけて、前記対応関係を記憶し、
前記検索結果取得手段は、前記検索条件に前記第２の属性情報が含まれる場合、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報と、前記商品又は前記サービスの前記識別情報に関連づけて前記対応関係記憶手段に記憶される前記対応関係と、前記属性記憶手段の記憶内容とに基づいて、前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報が対応づけられた商品又はサービスを取得する、
ことを特徴とする検索装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の検索装置において、
前記画面は、前記検索結果取得手段によって取得された前記商品又は前記サービスに対応づけられた前記第１の属性情報のうちのいずれかを前記ユーザが選択するための画面であり、
前記画面データ生成手段は、前記検索結果取得手段によって取得された前記商品又は前記サービスに対応づけられた前記第１の属性情報のうちの、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報が予め選択された状態に設定された前記画面を表示するための前記画面データを生成する、
ことを特徴とする検索装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の検索装置において、
前記画面には、前記検索結果取得手段によって取得された前記商品又は前記サービスに対応づけられた前記第１の属性情報が表示され、
前記画面データ生成手段は、前記検索結果取得手段によって取得された前記商品又は前記サービスに対応づけられた前記第１の属性情報のうちの、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報に関連づけて、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報を案内する画像が表示される前記画面を表示するための前記画面データを生成する、
ことを特徴とする検索装置。
【請求項５】
ユーザの端末と通信可能に接続される検索装置の制御方法において、
商品又はサービスの識別情報に対応づけて、前記商品又は前記サービスの属性を第１の表記方式で表してなる第１の属性情報を記憶する属性記憶手段の記憶内容を取得するステップと、
前記第１の属性情報と、前記商品又は前記サービスの前記属性を第２の表記方式で表してなる第２の属性情報との間の対応関係を記憶する対応関係記憶手段の記憶内容を取得するステップと、
前記商品又は前記サービスの検索条件を前記ユーザの端末から取得する検索条件取得ステップと、
前記検索条件に前記第２の属性情報が含まれる場合、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報と、前記対応関係記憶手段の記憶内容と、前記属性記憶手段の記憶内容とに基づいて、前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報が対応づけられた商品又はサービスを検索結果として取得する検索結果取得ステップと、
前記検索結果取得ステップにおいて取得された前記商品又は前記サービスに関する情報を示し、かつ、前記検索結果取得ステップにおいて取得された前記商品又は前記サービスに対応づけられた前記第１の属性情報のうちの、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報を前記ユーザに案内する画面を表示するための画面データを生成する画面データ生成ステップと、
前記画面データを前記ユーザの端末に送信する画面データ送信ステップと、
を含むことを特徴とする検索装置の制御方法。
【請求項６】
ユーザの端末と通信可能に接続されるコンピュータを検索装置として機能させるためのプログラムであって、
商品又はサービスの識別情報に対応づけて、前記商品又は前記サービスの属性を第１の表記方式で表してなる第１の属性情報を記憶する属性記憶手段の記憶内容を取得する手段、
前記第１の属性情報と、前記商品又は前記サービスの前記属性を第２の表記方式で表してなる第２の属性情報との間の対応関係を記憶する対応関係記憶手段の記憶内容を取得する手段、
前記商品又は前記サービスの検索条件を前記ユーザの端末から取得する検索条件取得手段、
前記検索条件に前記第２の属性情報が含まれる場合、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報と、前記対応関係記憶手段の記憶内容と、前記属性記憶手段の記憶内容とに基づいて、前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報が対応づけられた商品又はサービスを検索結果として取得する検索結果取得手段、
前記検索結果取得手段によって取得された前記商品又は前記サービスに関する情報を示し、かつ、前記検索結果取得手段によって取得された前記商品又は前記サービスに対応づけられた前記第１の属性情報のうちの、前記検索条件に含まれた前記第２の属性情報に対応する前記第１の属性情報を前記ユーザに案内する画面を表示するための画面データを生成する画面データ生成手段、及び、
前記画面データを前記ユーザの端末に送信する画面データ送信手段、
として前記コンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項７】
請求項６に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
以下、上記の案内機能を実現するための構成について説明する。図６は、電子商取引システム１で実現される機能ブロックのうち、上記の案内機能に関連する機能ブロックを示す機能ブロック図である。図６に示すように、電子商取引システム１は記憶部６０、検索条件取得部６１、検索結果取得部６２、画面データ生成部６３、及び画面データ送信部６４を含んでいる。