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　特願２００３−１７７０８４「高性能な低域通過フィルタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２９日出願公開、特開２００４−　３２７６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１５年６月２０日（パリ条約による優先権主張２００２年６月２７日、米国）の出願であって、平成１７年１２月２６日付けで拒絶理由が通知され、平成１８年７月１０日付けで手続補正がされ、同年７月２７日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成１９年１月３１日付けで手続補正がされ、同年２月２２日付けで補正の却下の決定がされるとともに同日付けで拒絶査定され、これに対し、同年６月４日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、同年６月２８日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１９年６月２８日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年６月２８日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）本件補正
　平成１９年６月２８日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）による特許請求の範囲は、以下のとおりである。
　
（補正後）
　「【請求項１】　無線周波数信号を処理する回路であって、
　前記回路を配置させることが可能である基板であって、前記基板が少なくとも１つの誘電体層を含み、異なる誘電率及び異なる透磁率の少なくとも一方を有するよう差別的に異ならせた、第１の領域及び少なくとも１つの第２の領域を前記誘電体層が有する基板と、
　前記基板に結合された少なくとも１つの接地と、
　前記基板上に配置された２ポート共振線路であって、伝送線路部と、前記伝送線路部に接続されており、前記伝送線路部の長手方向延長線に沿って前記伝送線路から延びている複数のスタブ線部とを備える２ポート共振線路とを備え、
　前記２ポート共振線路の少なくとも一部が前記第１の領域に結合され、前記２ポート共振線路の少なくとも一部が前記第２の領域に結合され、差別的に異ならせることが、
　フェライト有機セラミック粒子若しくはニオブ有機セラミック粒子、又は、
　　酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、並びに、酸化ニオブ（ＩＩ、ＩＶ、及び、Ｖ）、ニオブ酸リチウムと、
　　ジルコン酸カルシウム及びジルコン酸マグネシウムを含むジルコン酸塩と、
　　マグネシウム、ストロンチウム又はニオブをドーピング金属として含む、フェライトでドープされたチタン酸カルシウムと、
　　フェライト又はニオブでドープされたチタン酸ジルコン酸カルシウム若しくはバリウムと
　を含む群から選択される、オルガノ官能化された複合粒子
を含む少なくとも１つのメタ材料の選択的使用によって達成され、
　前記メタ材料が、分子又はナノメートルレベルで２つ以上の異なる材料を混合又は配置することで形成される合成材料である回路。
　　【請求項２】　前記２ポート共振線路は低域通過フィルタであり、前記低域通過フィルタは、前記第２の領域の少なくとも一部上の変成器線路部と、
前記第１の領域上及び少なくとも前記第２の領域の一部上の少なくとも第１のスタブ線部とを含む、請求項１記載の回路。
　　【請求項３】　前記２ポート共振線路は、少なくとも前記第２の領域上に変成器線路を含み、少なくとも前記第２の領域上に少なくとも第１のスタブ線部を含む低域通過フィルタである、請求項１記載の回路。
　　【請求項４】　前記基板が複数の前記第２の領域を含み、前記２ポート共振線路は、少なくとも第１の前記第２の領域に結合された変成器線路部を含み、第２の前記第２の領域に結合された少なくとも第１のスタブ部を含む低域通過フィルタである、請求項１記載の回路。
　　【請求項５】　前記メタ材料が、電気絶縁被膜を有する金属コアを有する粒子から成る、請求項１記載の回路。」
　
　一方、本件補正前の特許請求の範囲は、平成１８年７月１０日付け手続補正による、以下のとおりである。
　
（補正前）　
　「【請求項１】　無線周波数信号を処理する回路であって、
　前記回路が配置されえ、誘電体層の第１の領域に第１の基板特性の組を有し、誘電体層の第２の領域に前記第１の基板特性の組とは異なる少なくとも第２の基板特性の組を有する少なくとも１つの誘電体層を含む基板と、
　前記基板に結合された少なくとも１つの接地と、
　その少なくとも一部が前記第２の領域に結合される、前記基板上に配置された２ポート共振線路と含む回路。
　　【請求項２】　前記２ポート共振線路は低域通過フィルタであり、前記低域通過フィルタは、
前記第２の領域の少なくとも一部上の変成器線路部と、
前記第１の領域上及び少なくとも前記第２の領域の一部上の少なくとも第１のスタブ部とを含む、請求項１記載の回路。
　　【請求項３】　前記２ポート共振線路は、少なくとも前記第２の領域上に変成器線路を含み、少なくとも前記第２の領域上に少なくとも第１のスタブ部を含む低域通過フィルタである、請求項１記載の回路。
　　【請求項４】　前記２ポート共振線路は、少なくとも前記第２の領域に結合された変成器線路を含み、第３の領域に結合された少なくとも第１のスタブ部を含む低域通過フィルタである、請求項１記載の回路。
　　【請求項５】　前記第１の基板特性の組及び前記第２の基板特性の組のうちの少なくとも１つは、前記低域通過フィルタと他の金属構造との間のキャパシタンスを調整するよう制御される、請求項１記載の回路。
　　【請求項６】　前記第１の基板特性の組及び前記第２の基板特性の組のうちの少なくとも１つは、前記低域通過フィルタのＱファクタを調整するよう制御される、請求項１記載の回路。
　　【請求項７】　少なくとも前記第１のスタブ部は複数のスタブ部を含み、前記複数のスタブ部は夫々、夫々の基板特性を有する夫々の基板領域に結合される、請求項１記載の回路。
　　【請求項８】　前記第１の基板特性の組及び前記第２の基板特性の組は、透磁率及び誘電率からなる群より選択される特性である、請求項１記載の回路。」
　
　すると、補正の前後の請求項に記載した発明特定事項からみて、補正後の新請求項１乃至４は、それぞれ、補正前の旧請求項１乃至４に、一応対応している。
　一方、補正後の新請求項５は、補正後の新請求項１を引用しているが、補正前の旧請求項に当該新請求項５に対応する請求項は存在しない。
　
　したがって、本件補正は、以下の補正事項（ａ）を含むものである。
　
［補正後の新請求項５に関して］
（ａ）新請求項５を新規に特許請求の範囲に追加する補正。
　
（２）特許法第１７条の２第４項に適合するかについての検討
　上記補正事項（ａ）は、補正の前後において、一つの当該新請求項と一つの当該旧請求項とが一対一の対応関係を維持しつつ、その対応関係にある一つの当該新請求項の発明特定事項を限定的に減縮する補正であるということができず、実質的に増項補正になっているものであるから、特許請求の範囲の限定的減縮に該当しない。
　また、上記補正事項（ａ）は、明らかに、請求項の削除に該当しない。さらに、誤った記載をその本来の意味内容に正すのもでもなく、不明りょうな記載についてその本来の意味内容を明らかにするものであるとも認められないから、誤記の訂正にも明りょうでない記載の釈明にも該当しない。
　したがって、上記補正事項（ａ）は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げられた事項を目的とするものでないから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定を満たすものではない。
　
（３）むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
（１）本願発明
　平成１９年６月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年７月１０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたものと認める。（上記「第２　平成１９年６月２８日付け手続補正についての補正却下の決定　（１）本件補正（補正前）」参照。）
　
（２）引用発明
　原審の平成１８年７月２７日付け拒絶理由に引用された特開平２−１６６８０３号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
イ．「（２）絶縁性基板上に形成される、能動素子駆動用回路を含むマイクロ波集積回路において、マイクロ波伝送用線路に接続される前記能動素子駆動用直流回路に含まれる線路の少なくとも１箇所が、基板上に形成された基板材料よりも誘電率が小さい誘電体膜上に形成されたことを特徴とするマイクロ波集積回路。」（１頁左下欄１３〜１９行）
　
ロ．「実施例
　以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。
　マイクロ波集積回路として１４ＧＨｚ帯のパワーアンプを例として説明する。基板として純度９９．５％、鏡面研磨のアルミナ基板及びチタン酸バリウム基板を使用し第１図のような構成によりパワーアンプを構成した。第１図、第２図が本発明における回路である。第３図が第１図、第２図における電気的回路である。第４図が従来の方法における回路である。第１図では特許請求範囲第（１）項記載の方法によりドレイン電流供給回路１０７が高抵抗膜、ここでは窒化タンタル１１０（シート抵抗２５Ω／□、膜厚１０００Å）上に形成されている。第２図では特許請求範囲第（２）項記載の方法によりドレイン電流供給回路２０７が基板、ここではチタン酸バリウム基板２０２（誘電率＝１０００）よりも誘電率の低い誘電体ＳｉＯ２２１０（膜厚１．５μｍ、誘電率＝４）上に形成されている。いままでの方法によるとゲート電圧及びドレイン電流供給回路の主線路からバイパスコンデンサまでの長さはその回路が取り扱う周波数において基板内波長の１／４波長の長さである必要があった。これはゲート電圧及びドレイン電流供給回路がバイパスコンデンサのところで高周波的にみてショートの状態にあり、そこから１／４波長はなれた主線路への接続点では主線路からみたインピーダンスが高くなるということを利用している。しかしこの方法は回路の共振を利用しており、回路規模の縮小、広帯域にできない。しかし、第１図，第２図の方法を使用するとこの回路の共振を利用することなく電源供給回路のインピーダンスを高めることができる。その理由としては、特許請求範囲第（１）項記載の状況においてはドレイン電流供給回路はマイクロ波伝送用の主線路から分岐した線路とみなすことができる。その際にマイクロストリップ線路において高周波の電流密度は第５図のようになり、ここで第６図のようにこの線路を高抵抗の膜上に形成すると結果として線路のインピーダンスが高くなり、高周波阻止ができるからである。また特許請求範囲第（２）項記載の状況においても同様にドレイン電流供給回路はマイクロ波伝送用の主線路から分岐した線路とみなすことができる。しかしこのドレイン電流供給回路は基板よりも誘電率の低い膜上に形成されており、線路のインピーダンスはマイクロ波伝送用の主線路よりもかなり高くなっているからである。」（２頁右上欄１７行〜３頁左上欄４行）
　
　　上記引用例の記載及び図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、上記摘記事項イ．の記載、ロ．における「マイクロ波集積回路として１４ＧＨｚ帯のパワーアンプ」との記載、第２図及び第３図によれば、マイクロ波集積回路は、マイクロ波の信号を処理する回路であることは明らかである。
　また、上記摘記事項イ．の記載、ロ．における「ここではチタン酸バリウム基板２０２（誘電率＝１０００）よりも誘電率の低い誘電体ＳｉＯ２２１０（膜厚１．５μｍ、誘電率＝４）上に形成されている」との記載、第２図及び第６図によれば、チタン酸バリウム基板（２０１，２０２）は、マイクロ波集積回路が配置されており、チタン酸バリウム基板（２０１，２０２）は、誘電率が高い特性（以下、「基板特性Ａ」という。）を有した誘電体層の領域（以下、「領域Ａ」という。）ということができる。
　また、ＳｉＯ２誘電体膜（２１０）は、基板特性Ａよりも誘電率が低い特性（以下、「基板特性Ｂ」という。）を有した誘電体層の領域（以下、「領域Ｂ」という。）ということができる。また、基板特性Ｂは、基板特性Ａとは異なることは明らかである。
　また、第６図によれば、チタン酸バリウム基板（２０１，２０２）にはアース電極が結合されている。
　また、上記摘記事項ロ．における「また特許請求範囲第（２）項記載の状況においても同様にドレイン電流供給回路はマイクロ波伝送用の主線路から分岐した線路とみなすことができる。しかしこのドレイン電流供給回路は基板よりも誘電率の低い膜上に形成されており」との記載、第２図及び第６図によれば、チタン酸バリウム基板（２０１，２０２）上に配置された入力側ストリップライン（２０８）、ゲート電圧供給回路の主線路への接続ライン（２０６）、出力側ストリップライン（２０９）、及びドレイン電流供給回路の主線路への接続ライン（２０７）は、その少なくとも一部が領域Ｂ上に結合されている。
　
　したがって、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「マイクロ波の信号を処理する回路であって、
　前記回路が配置されえ、誘電体層の領域Ａに基板特性Ａを有し、誘電体層の領域Ｂに前記基板特性Ａとは異なる基板特性Ｂを有する少なくとも１つの誘電体層を含むチタン酸バリウム基板（２０１，２０２）と、
　前記チタン酸バリウム基板（２０１，２０２）に結合されたアース電極と、
　その少なくとも一部が前記領域Ｂに結合される、前記チタン酸バリウム基板（２０１，２０２）上に配置された入力側ストリップライン（２０８）、ゲート電圧供給回路の主線路への接続ライン（２０６）、出力側ストリップライン（２０９）、及びドレイン電流供給回路の主線路への接続ライン（２０７）と含む回路。」
　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
ａ．引用発明の「マイクロ波の信号」、「領域Ａ」、「基板特性Ａ」、「領域Ｂ」、「基板特性Ｂ」、「チタン酸バリウム基板（２０１，２０２）」、及び「アース電極」は、本願発明の「無線周波数信号」、「第１の領域」、「第１の基板特性」、「第２の領域」、「第２の基板特性」、「基板」、及び「接地」に相当する。
ｂ．引用発明の「入力側ストリップライン（２０８）、ゲート電圧供給回路の主線路への接続ライン（２０６）、出力側ストリップライン（２０９）、及びドレイン電流供給回路の主線路への接続ライン（２０７）」と、本願発明の「２ポート共振線路」とは、いずれも、「２ポート線路」という点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。
　
＜一致点＞
　
　「無線周波数信号を処理する回路であって、
　前記回路が配置されえ、誘電体層の第１の領域に第１の基板特性を有し、誘電体層の第２の領域に前記第１の基板特性とは異なる少なくとも第２の基板特性を有する少なくとも１つの誘電体層を含む基板と、
　前記基板に結合された少なくとも１つの接地と、
　その少なくとも一部が前記第２の領域に結合される、前記基板上に配置された２ポート線路と含む回路。」
　
＜相違点１＞
　
　「第１の基板特性」及び「第２の基板特性」に関し、
　本願発明は、「第１の基板特性『の組』」及び「第２の基板特性『の組』」であるのに対し、引用発明は、「基板特性Ａ」及び「基板特性Ｂ」である点。
　
＜相違点２＞
　
　「２ポート線路」に関し、
　本願発明は、「２ポート『共振』線路」であるのに対し、引用発明は、「入力側ストリップライン（２０８）、ゲート電圧供給回路の主線路への接続ライン（２０６）、出力側ストリップライン（２０９）、及びドレイン電流供給回路の主線路への接続ライン（２０７）」である点。
　
（４）判断
　そこで、まず、上記相違点１について検討する。
　引用発明の基板特性Ａ及び基板特性Ｂは、誘電体の誘電率に関して示唆しているが、回路に最適な誘電体の材料を選択することは当然のことであるから、誘電体の誘電率及び透磁率（特性の組）を考慮して、本願発明のように「第１の基板特性『の組』」及び「第２の基板特性『の組』」とすることは当業者が必要に応じ適宜成し得ることである。
　
　次に、上記相違点２について検討する。
　２ポート線路において、共振線路を用いることは、例えば、原審の平成１８年７月２７日付け拒絶理由に引用された、小泉、「高周波帯域用フィルタの設計法」、トランジスタ技術、１９８８年２月号、ｐ．４０３−４１２（図１５（ａ），（ｂ））、特開平５−２１１４０２号公報（図１）に開示されるように周知であり、引用発明に周知技術を適用することに格別の困難性は認められないから、本願発明のように「２ポート『共振』線路」とすることは当業者が容易に成し得ることである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。