【事件の表示】
　平成　８年特許願第２８７１００号「化学蒸着法により基板を被覆する装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　７月１５日出願公開、特開平　９−１８６１５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続きの経緯
　本願は、平成８年１０月２９日（パリ条約による優先権主張；１９９５年１０月３１日、独国）の出願であって、平成１８年８月１４日付拒絶理由通知に対して、平成１９年２月１６日付けで意見書及び手続補正書を提出し、これに対して平成１９年３月２２日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１９年６月２６日付けで拒絶査定不服の審判が請求されると共に、平成１９年７月２４日付けで手続補正がなされたものである。
　　
　　
【２】平成１９年７月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
１．補正の却下の決定の結論
　平成１９年７月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　　
２．理由
（２．−１）補正の概略
　本件補正は、平成１９年２月１６日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１（以下、「本件補正前の請求項１」という。）を、
　「プラズマＣＶＤにより基板（２）を被覆する装置であって、中
波発
内部に
組み込まれている、マグネトロン
おり、マグネトロンスパッタによるスパッタ運転中に前記ターゲット（６，７）間にプラズマが形成されてプラズマ雲がプラズマ発生室及びＣＶＤ反応室内に充満するようになって
　前記各陰極（４，５）がいずれも、
プラズマ発生室を形成する
いて、前記反応性ガス入口（１９）と基板（２）との間にＣＶＤ反応室（２７）が形成されて
と補正しようとする事項を含むものである。
　そして、上記請求項１に係る本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「中間周波数発生器」を「中
波発
　
（２．−２）補正の適否
　上記の「中間周波数発生器」を「中
波発
「1-1)「中間周波数発生器」は「中波発生器」と補正しました。本願明細書の発明の詳細な説明の段落［０００５］には「高周波陰極スパッタリング」と記載され、また同段落［０００６］には「低周波の」と記載されていることから、その中間の周波数を表すために「中間周波数発生器」としておりましたが、この用語は一般的ではありませんので、「中波発生器」と補正したものであります。」
と主張している。
　しかしながら、請求人が、誤記の訂正に係る補正の根拠として主張している、本願明細書の【０００５】に記載された「高周波陰極スパッタリング」と、同【０００６】に記載された「低周波の半波として交流電源の半波を選択する」とにおける、前記「高周波」及び前記「低周波」の中間が「中波」であるとの説明は、出願当初明細書に記載されておらず、また、技術用語として、「高周波」及び「低周波」の中間が「中波」であるとする具体的な根拠も不明である。
　そして、上記【０００５】に記載された「高周波陰極スパッタリング」と、同【０００６】に記載された「低周波の半波として交流電源の半波を選択する」との記載は、それぞれ、異なる文献に記載された異なる装置における周波数であり、それぞれが相対的にどの程度相違している周波数帯域を示しているのか不明りょうであり、また、これら「高周波」及び「低周波」の文言から「中波」なる文言を特定することも出来ない。
　さらに、日本語による技術用語としての「中波」は、日本の電波法における電波を使用するための周波数割り当て（日本国の電波法施行規則等）において、その周波数の範囲に応じて９の周波数帯に区分されているうちの一つである、「ヘクトメートル波（LM）」の呼称として周知されているものであり、当該周波数帯は、前記区分において、３００ｋHzを越え、３，０００ｋHz以下の周波数帯の周波数範囲をとして定義されており、前記周波数の区分におけるMF（中波）と、その前後の周波数帯域の呼称として、ＬＦ（長波）、ＭＦ（中波）、ＨＦ（短波）が慣用的に使われているものである。
　そして、「中波」として補正した補正前の「中間周波数」の技術的意味が、上記電波法の区分によるものであることは、出願当初明細書に何ら説明されていない。
　してみると、本願補正後の請求項１に記載された「中波発生器」については、出願当初明細書に記載されておらず、しかも、本件補正前の請求項１記載の「中間周波数」が、「中波」を誤記したものであるとも認められない等、出願当初明細書の記載から自明なものとも言えないから、本件補正により
「中間周波数発生器」を「中
波発
　　
（２．−３）本件補正についてのむすび
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　
　　
【３】本願発明及び当審の判断
１．本願発明について
　平成１９年７月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたところ、本願は、その特許請求の範囲の請求項１及び【０００１】を補正する平成１９年２月１６日付手続補正によって、補正された「化学蒸着法により基板を被覆する装置」に関するものである。（平成１９年２月１６日付で補正された請求項１を、以下、改めて単に、「請求項１」という。）
　なお、平成１９年２月１６日付で補正された請求項１は、下記の通りである。
「【請求項１】
　プラズマＣＶＤにより基板（２）を被覆する装置であって
、中
としての
電気的に接続されて
　
　
２．原査定の理由
　原査定の拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
（なお、理由毎にその備考をまとめ、新たに項番を付している。）
「１．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２．この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・請求項１についての理由１
・備考
（理由１−１）：「中間周波数発生器のような交流電源」について、中間周波数がいかなる周波数を意味するか不明である。また、「のような」で示される交流電源がどのような交流電源であるか不明である。
（理由１−２）：「陰極がターゲットと共働する」について、共働とはどのような技術的意味を有するか不明である。共働なる言葉は技術用語としても日本語としてもよく知られたものではない。
　よって、請求項１に係る発明は明確でない。
・請求項１についての理由２
・備考
（理由２−１）：請求項１に「磁石を包囲する２つの陰極（４，５）」と記載されているが、どのような極性の磁石をどのように陰極で包囲し、その結果どのような磁場を形成するかについて、当業者が容易に実施し得る程度に発明の詳細な説明に記載されていない。
（理由２−２）：請求項１に「これらの陰極（４，５）がターゲット（６，７）と共働する」と記載されているが、通常陰極と対で形成される陽極を設ける点について発明の詳細な説明に記載されていない。（陰極のみでは装置内のどこと電位差を発生させるか不明である。）
（理由２−３）：また、プラズマによって発生したスパッタ粒子がどのような行路で進み、反応性ガスとどのように反応するのか不明である。例えば、図１記載のターゲットは基板２と反対側の側壁２３，２４に向かって設置されており、スパッタ粒子は上記側壁２３，２４に付着する確率が高いものと認められ、反応性ガス及び基板２の被覆とどのように関係するか不明である。磁石によって発生する磁場について記載がないので、上記スパッタ粒子がどのような行路を進むか不明である。
(理由２−４)：請求項１に「反応性ガス入口（１９）とコリメータ（２０）とから形成されたＣＶＤ源」と、段落【００１３】には「反応性ガス入口１９の上方には、基板２の上方を擦過して流れるガス流の均一化を目的とするコリメータ２０が配置されている。」と記載されているが、コリメータ２０は反応性ガス入口のノズル２２の向きと反対側に設置されており、コリメータ２０によって基板２の上方を擦過して流れるガス流を均一化できるものとは認められない。（ノズル２２から供給された反応性ガスは基板２にぶつかった後、反転してコリメータを通って真空源２１に排気されるものと認められるが、上記反転する際に乱流が発生し、基板２の上方を擦過して流れる均一なガス流は発生しないものと認められる。）
(理由２−５)：発明の詳細な説明には、反応性ガス及びターゲットとしていかなる物質を採用し、いかなる薄膜を形成するかについて一切記載されていないため、当業者が容易に発明を実施し得る程度に発明の詳細な説明に記載されていない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。」
　
　
３．当審の判断　
（３．−１）拒絶の理由の前記（理由１−１）について
　本願の請求項１に記載された「中間周波数発生器」における「中間周波数」なる文言は、岩波理化学事典（第３版、１９７４年６月１０日発行、岩波書店発行）によれば、「中間周波」は、「スーパーヘテロダインでの唸り周波数をいう。」と説明され、「スーパーへテロダイン」は、「受信波と局部発振波の間に唸りを生じさせて検波するヘテロダインのうち、唸り周波数が音声周波数以上のもの。この場合の唸り周波数を中間周波（数）といい、ふつうの無線周波に対しては１００〜５００ｋHzであるが、超短波やマイクロ波では数MHｚから１００MHzで、・・・」と説明されており、「中間周波数」なる文言は、このような技術的意味を有する技術用語として、極めて一般的であるところ、本願明細書においては、そのような一般的意味の技術用語として用いられていないことは明かである。
　また、上記のような日本語として周知の技術的意味を有する用語として用いているのではなく、本願の発明では特定の意味で用いているのか否か、明細書全体を検討してみても、「中間周波数発生器」における「中間周波数」の具体的な説明を見出せない。
　したがって、本願の請求項１に記載された「中間周波数発生器」における「中間周波数」は不明であり、結果「中間周波数発生器」も不明である。
　
　一方、審判請求人は、請求の理由において、
「「中間周波数発生器」は「中波発生器」と補正しました。本願明細書の発明の詳細な説明の段落［０００５］には「高周波陰極スパッタリング」と記載され、また同段落［０００６］には「低周波の」と記載されていることから、その中間の周波数を表すために「中間周波数発生器」としておりました・・・」
と説明し、また、当審からの平成２０年１１月５日付審尋に対する平成２１年４月１４日付の回答書（以下、「回答書」という。）において、
「中波又は中間周波数は、高周波と低周波の中間の周波数を表すことは自明であり、本願発明の技術分野において、高周波とは、一般に、１３．５６ＭＨｚであるところ、中間周波数は、当業者にとって自明であり、明確に把握することができます。」
との主張をしている。
　しかしながら、本願明細書の【０００５】に記載された「高周波陰極スパッタリング」と、同【０００６】に記載された「低周波の半波として交流電源の半波を選択する」とにおける、前記「高周波」及び前記「低周波」の中間が「中間周波数」であるとの説明は、出願当初明細書に記載されておらず、また、日本語における技術用語として、「中間周波数」なる文言は、上記のように異なる技術的意味において周知であり、「高周波」及び「低周波」の中間が「中間周波数」であるとする具体的な根拠も不明である。
　さらに、上記【０００５】に記載された「高周波陰極スパッタリング」と、同【０００６】に記載された「低周波の半波として交流電源の半波を選択する」との記載は、それぞれ、異なる文献に記載された異なる装置における周波数であり、それぞれがどの様な関係において周波数帯域を示し、「中間周波数」を定義しうるのか不明である。
　加えて、本願明細書の【０００８】には、従来例としての「ドイツ連邦共和国特許第４２０４９９９号明細書」に関する説明で、「中間周波数発生器」を用いる旨の説明を記載している事から、マグネトロンスパッタリングの技術分野における本願の出願前公知の日本語の特許公報を参照すれば、前記ドイツ連邦共和国特許第４２０４９９９号明細書に係る日本のファミリー文献である特開平５−２２２５３１号公報においては、「
中間
中位
　したがって、「中間周波数」なる文言は、マグネトロンスパッタリングの技術分野における各公知文献毎においては、各公報毎に異なる定義をしているものであるところ、本願明細書においては、具体的な周波数帯域或いは定義が示されておらず、この点からも、本願の請求項１に記載された「中間周波数発生器」における「中間周波数」は不明であり、結果「中間周波数発生器」も不明である。
　よって、審判請求人の上記主張は採用できない。
　　
（３．−２）拒絶の理由の前記（理由２−１）について
　審判請求人は、平成１９年２月１６日付け意見書（以下、「意見書」という。）において、「請求項１の「磁石を包囲する２つの陰極（４，５）」とは、「内部に磁石が組み込まれている２つの陰極（４，５）」、という意味であります。この場合、本願発明においては、・・・マグネトロンスパッタ技術が用いられ・・・。陰極（カソード）内に磁石を適当に配置することによって、運転中に電子トラップが形成され、この電子トラップがターゲット上にプラズマ帯体として現れるようになっております。マグネトロンスパッタ技術は、当業者が容易に実施出来る程度に公知の技術であります。」
との主張をし、審判請求人の回答書においても、
「マグネトロンの使用により、生成されるプラズマ密度が大きくなることは当業者にとって技術常識であり、また、マグネトロンスパッタリング装置において、陰極にどのように磁石を組み込むかは、当業者にとって技術常識であります。」
との主張をしている。
　一方、本願の請求項１には、
「交流電源が、磁石を包囲する２つの陰極に接続されており、・・・、交流電源の一方の極が一方の陰極に、かつ他方の極が他方の陰極にそれぞれ供給導線を介して接続され」
ており、且つ
「各陰極がいずれも・・・分室内に配置されており、・・・これらの間に、・・・第３の分室を包囲し・・・分室を互いに隔離している仕切壁に設けた開口又は隙間を介して互いに接続」
されている旨記載されており、意見書において、
「本願の図１及び図２に示した実施例におけるように、２つの電極（陰極４，５）に交流電源を接続したことによって、一方の電極が交互に、陽極になり次いで陰極になるので、別個の陽極は必要とされておりません。」と説明されていることからも、第３の分室を間に挟んで、二つの陰極間に交流電界が形成されるものと理解される。
　ところで、本願の明細書中【００１３】には、「スパッタ運転中にプラズマ雲が広がり、このプラズマ雲が分室１２，１３及び特に反応室２７内に充満」する旨記載されているが、両陰極間の何処にプラズマが発生し、どの様に密度を上げるのかの説明はなく、また、明細書【００１５】には、「両方のターゲット６，７間にプラズマが形成されて、マグネトロンの全放電電流を誘導する。」と記載されているが両方の「ターゲット６，７間」の何処にプラズマが形成されるのかとの説明はなく、不明である。
　したがって、交流電界が形成される両陰極間の何処にプラズマが形成されるのかが不明であるから、当該プラズマ密度を上げる（プラズマを補足する）ための磁石をどの様な極性でどの様に配置するのかは、自明な構成とは言えない。
　更に、【００１５】には、「側壁２３，２４もしくは底部２５及びカバー部２６へ向かうフローティング交流電圧により陰極４，５が運転され、その際、両方のターゲット６，７間にプラズマが形成され・・・」と記載されているが、陰極を配置した分室において、「側壁２３，２４もしくは底部２５及びカバー部２６へ向かうフローティング交流電圧」をどの様にして形成するのかについて、請求項１には記載されておらず、また、明細書中においても、「側壁等へ向かうフローティング交流電圧」を形成するための装置構成について具体的な説明はなされておらず、特に、両陰極間に交流を逆極性で印可するのみで、側壁等に向かうフローティング交流電圧を形成する旨の説明はなされていない。
　したがって、どの様な電界により、どの様な場所にプラズマを形成させるのかについて不明確であるところ、周知のマグネトロンスパッタリング装置は、直交する電界及び磁界によってプラズマ或いは電子を制御するものであるから、前記のように、どの様な電界が形成され、どの場所にプラズマを形成するのか不明である請求項１に係る発明において、磁石をどの様な極性でどの様に配置すべきかが自明であるとする審判請求人の主張は採用することはできない。
　付け加えれば、発明の実施の形態において、電気的な接続関係として、交流電源に逆極性で接続されている陰極間しか装置構成が記載されておらず、側壁等のフローティング交流電圧をどの様に形成するのかは不明であり、また、両陰極とフローティング交流電圧とで、どの様な電界を発生させているのかも不明である。
　よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　
（３．−３）拒絶の理由の前記（理由２−３）について
　本願の請求項１には、ターゲットが、第３の分室の両側に位置する分室内で、仕切壁に対向して位置する側壁又は底部又はカバー部へ向けられている事は特定されておらず、仕切壁に設けた開口又は隙間に対向する配置をも含むものであり、また、上記（３．−２）で検討したように、電磁界分布がどの様に形成されるのかについても請求項１のみの記載からは不明であるから、スパッタ粒子の行路は特定できず、また、スパッタ粒子と、反応ガスとの関係も特定できない。
　一方、審判請求人は、意見書において、「マグネトロンは、材料をスパッタリングするために用いられるのではなく、優先的にプラズマを発生させるために用いられるものであります。」と、また、回答書において、「スパッタリングされた粒子を用いてプラズマを生成することは当業者にとって自明であり、マグネトロンの使用により、生成されるプラズマ密度が大きくなることは当業者にとって技術常識であり、・・・通常、非反応性ガス、一般的にはアルゴンが用いられることは技術常識であり、分室１２，１３内にアルゴン等の非反応性ガスが導入されることは当業者にとって自明であります。そして、スパッタ装置においてアルゴン原子はプラズマ化されます。」との主張を行っているが、これらは、スパッタ粒子によって非反応性のガスをプラズマ化する旨の主張と理解されるところ、本願明細書には、そのような説明はなされておらず、また、一般のマグネトロンスパッタリング装置においては、高電圧放電により生成された電子を磁界により閉じ込め雰囲気ガスの電離効率を上げ、雰囲気ガスをイオン化させることでプラズマを形成し、当該イオン化された雰囲気ガスにより、ターゲット形成材料をスパッタし、スパッタされたターゲット構成材料から成るスパッタ粒子を被膜形成に用いるものであるところ、審判請求人の主張するスパッタ粒子によりプラズマを形成する為の構成、例えば、装置パラメータの各種設定条件、アルゴンガスを導入する点及び導入場所等が何ら説明されていないから、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
　また、本願明細書には、本願発明の効果として
「【００１８】２．反応室２７からプラズマ発生室を仕切ったことにより、高エネルギの電子及びイオンをＣＶＤ反応室から隔離することができる。・・・
　【００１９】３．この場合、スパッタリングされた粒子が、隔離されたプラズマ発生室もしくは分室１２，１３内で捕捉され、それゆえ基板上の膜が汚染されない・・・」
との記載があるが、本願の請求項１に係る発明は、上記のように、ターゲットが、仕切壁に設けた開口又は隙間に対向する配置を含むものであり、また、電磁界分布がどの様に形成されるのかについても不明であるところ、「反応室２７からプラズマ発生室を仕切った」ことのみで「スパッタリングされた粒子が、隔離されたプラズマ発生室もしくは分室１２，１３内で捕捉され」る根拠が不明である。
　
　なお、審判請求人は、請求の理由において、
「本願発明の装置において、マグネトロンスパッタ運転が実施されると、２つの分室１２，１３内でそれぞれ側壁２３，２４に向けられたターゲット６，７からスパッタリングされた粒子はまず各分室１２，１３内でそれぞれの側壁２３，２４に向けて発せられ、このときに各分室１２，１３内に捕捉（受容）され、次いでこの側壁２３，２４によって反射されてプラズマ雲の形で、仕切り壁に設けた開口１５，１６を通って、２つの分室１２，１３間の第３の分室１４内に侵入し、その際に基板２に向き合って配置された反応ガス入口１９を通って反応ガスが供給されることによって、基板に向かって噴霧され、化学的に基板を蒸着するようになっております。」との説明をしており、当該説明からは、スパッタ粒子が、分室内に捕捉され、次いで、側壁で反射されることでスパッタ粒子がプラズマ雲の形で第３の分室内に浸入するかのようになっているが、本願の請求項１には、ターゲットが、側壁に向いていることは特定されておらず、また、スパッタ粒子が側壁に向かったとしても、スパッタ粒子が側壁において反射され且つ反射されたスパッタ粒子がプラズマを形成する条件も本願明細書には開示されておらず、不明であるから、当該主張も採用することができない。
　よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　
（３．−４）拒絶の理由の前記（理由２−４）について
　本願の請求項１には、ガスの流入流出に関する発明特定事項として、「真空源（２１）に接続された第３の分室（１４）」及び「第３の分室（１４）内に配置された基板（２）が、主として反応性ガス入口（１９）とコリメータ（２０）とから形成されたＣＶＤ源へ向けられている」事のみが記載されており、また本願明細書においては、【００１３】に「基板の平面は反応性ガス入口１９の平面に対して平行・・・。反応性ガス入口１９の上方には、基板２の上方を擦過して流れるガス流の均一化を目的とするコリメータ２０が配置されている。反応室２７はこのコリメータ２０を介して排気される。コリメータ２０自体は、全体的に互いに平行に配置されかつ一種の格子を形成する多数の管から構成されている。符号２１は真空ポンプを示し、この真空ポンプにより３つの全ての分室１２，１３，１４が排気される。」との記載はあるが、基板２の上方をガスが擦過して流れるためのガスの流れがどの様になっているのか不明である。
　本願明細書には、ガスの流入は、基板上方の反応性ガス入口のみであり、コリメータは、反応性ガス入口の基板に対して反対方向でガスを吸引する旨説明されているものの、陰極が設置された分室或いは第３の分室等に、その他のガスを導入すること及びその条件については何らの説明もなされていないことから、基板２の上方をガスが、擦過して流れ、且つ均一化させる為の装置の構成は不明であり、請求項１に記載された「反応性ガス入口（１９）とコリメータ（２０）とから形成されたＣＶＤ源」を形成することを、当業者が容易に実施しうる程度に、発明の詳細な説明に、説明されていない。
　なお、審判請求人は、回答書において、
　「プラズマ生成のために、スパッタ装置（陰極４，５及びターゲット６，７）に対して、通常、非反応性ガス、一般的にはアルゴンが用いられることは技術常識であり、分室１２，１３内にアルゴン等の非反応性ガスが導入されることは当業者にとって自明であります。」
との主張をしているが、上記（３．−３）で検討したように、スパッタ粒子の行程・用途及びスパッタ粒子と反応ガスとの関係が不明であり、また、プラズマをどの様に形成するのかについても不明であるから、仮に一般論としてはスパッタ装置内にプラズマを生成するためにアルゴンガスを用いることが技術常識であったとしても、請求項１に係る「化学的蒸着法により基板を被覆する装置」の分室等にアルゴンガスを導入することまで、技術常識であるとは到底言えないので、上記主張は採用できない。
　
（３．−５）拒絶の理由の前記（理由２−５）について
　審判請求人は、回答書において、
「反応性ガス入口１９から供給される反応性ガスとしては、シラン（珪素−水素化合物）であってもよく、有機金属化合物等が該当します。この反応性ガスはプラズマによって活性化されます。例えば、シランの場合、プラズマにより、珪素と水素に分解されます。そして、珪素は析出され、水素はポンプにより排出されます。」 
との説明をしているが、上記（３．−３）で検討したように、スパッタ粒子の行程・用途及びスパッタ粒子と反応ガスとの関係が不明であり、発明の詳細な説明においても、具体的なターゲット材料、反応性ガスが記載されておらず、その他プラズマ形成のための各種条件及びプラズマの成分とプラズマの動きが不明であるから、本願の発明の詳細な説明には、請求項１に記載された装置によって、「化学的蒸着法により基板を被覆する」事を当業者が容易に実施しうる程度に記載されていない。
　
４．むすび
　したがって、本願は、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。