【事件の表示】
　特願２００２−２７１５８２「半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　８日出願公開、特開２００４−１１１６２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　　　平成１４年　９月１８日
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成２０年　９月　９日
　意見書・手続補正書提出　　　平成２０年１０月２２日
　拒絶査定謄本発送　　　　　　平成２０年１１月２５日
　審判請求　　　　　　　　　　平成２０年１２月２５日
　手続補正書提出　　　　　　　平成２０年１２月２５日
　
II．平成２０年１２月２５日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成２０年１２月２５日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成２０年１２月２５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】　活性層と、前記活性層を挟む２つのクラッド層を含む積層構造体と、
　前記活性層及び前記クラッド層に平行に発振されるレーザ光の光軸方向について前記積層構造体の相対する２つの端面のうちの前端面に光軸方向を法線方向として積層された多層反射膜とを備えた半導体レーザ素子であって、
　前記多層反射膜は、前記積層構造体の実効屈折率の平方根より大きい屈折率を有する第１反射膜と、前記実効屈折率の平方根より小さい屈折率を有する第２反射膜とのそれぞれ一層以上が積層されて構成されており、
　前記多層反射膜は、前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より１０ｎｍ以上短い波長において反射率１％以下の極小値を有し、かつ、前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より１０ｎｍ短い波長における前記多層反射膜の反射率と前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より２４ｎｍ長い波長における前記多層反射膜の反射率の差が２０％未満であり、かつ、前記極小値の波長から前記半導体レーザ素子の発振波長より２４ｎｍ長い波長までの波長範囲において、前記多層反射膜の反射率は波長の増大に依存して増加し、かつ、前記２つの端面のうちの後端面は発振波長に依存しない高反射率としたことを特徴とする半導体レーザ素子。」と補正することを含むものである。
　
２．新規事項の追加についての判断
　本件補正により追加された「前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より１０ｎｍ短い波長における前記多層反射膜の反射率と前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より２４ｎｍ長い波長における前記多層反射膜の反射率の差が２０％未満であり」との事項は、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載されておらず、また、これらの記載から自明な事項でもない。
　特に、２０％という数値及び２０％未満との範囲を当初明細書等から読み取ることはできない。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでなく、平成１４年法律第２４号附則第３条第２項によりなお従前の例によるとされる同法第２条の規定による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反する。
　
３．独立特許要件についての判断
　本件補正は、極小値の反射率を「１％以下」と限定する等、発明特定事項についての限定を行うものであり、平成１８年法律第５５号附則３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
（１）刊行物１
　原査定において引用された特開平７−２９７４９８号公報（以下「刊行物１」という）には、次の記載がある。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、距離計測システム，装置などの光源に好適な高出力半導体レーザおよびこの半導体レーザを用いた光センシング装置に関する。」
　
「【００３２】
【実施例】
（第１実施例）図１は、本発明を適用した電極ストライプ型の半導体レーザの一例を概略的に示す斜視図である。
【００３３】図１に示す半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、複数のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体層が積層された半導体層ＳＬを有する。この半導体層ＳＬは、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ｎ型第１光導波路層１０４、活性層１０５、ｐ型第２光導波路層１０６、ｐ型第２クラッド層１０７、ｐ型コンタクト層１０８から構成されている。これらの各半導体層の組成、膜厚、およびドーパントの種類を表１に示す。なお、表１において各欄の（  ）で示す数値は、後述する実験例に用いた半導体レーザのサンプルの構成を示す。
【００３４】
【表１】
　…
【００３５】前記コンタクト層１０８上にはストライプ状の開口部、すなわち電流注入領域１１２を構成するための開口部を有する電流狭窄層１０９が形成されている。この電流狭窄層１０９の表面および開口部に露出する半導体層上にはｐ側電極１１０が形成され、前記基板１０１の下面にはｎ側電極１１１が形成されている。さらに、主ビーム側の端面にはＡＲ膜(Anti-Reflective Film)からなる第１反射膜１２０が設けられ、モニタビーム側にはＨＲ膜（Highly Reflective Film）からなる第２反射膜１２１が形成されている。
【００３６】前記活性層１０５は、図２に示すように、複数のウエル層を有する多重量子井戸構造を有している。この多重量子井戸構造は、例えば４層のウエル層１０５ａと３層のバリア層１０５ｂとが交互に積層されている。」
　
「【００５０】前記第１反射膜１２０は、その反射率が０．１〜５％であることが望ましい。この第１反射膜１２０の反射率が０．１より小さい場合には発振しきい値に達せず、一方５％を越える場合には外部微分量子効率が下がって高出力を得ることができない。また、前記第２反射膜１２１は、その反射率が９８．５％以上であることが望ましい。第２反射膜１２１の反射率が９８．５％より小さい場合には、発振しきい値電流が増加して高出力を得ることができない。
【００５１】前記第１反射膜１２０の反射率を低くするためには、λ／４ｎ（λ：発振波長，ｎ：誘電体の屈折率）の膜厚を有する誘電体膜を単層コートするか、あるいは異なる屈折率の誘電体薄膜を２種組み合わせた層を２対コートする。後者の場合には、２種の層のうち屈折率の大きい誘電体薄膜が内側すなわち半導体層の端面側に位置し、屈折率の小さい誘電体薄膜が外側に位置する状態で積層される必要がある。表２に、第１反射膜１２０の構成、すなわちその誘電体材料，膜厚，層数または対数，反射率を示す。表２からも明らかなように、異なる屈折率の誘電体薄膜の組み合わせを２対積層して形成された反射膜の多くは単層の誘電体膜からなる反射膜に比較して反射率がかなり小さくなる。
【００５２】
【表２】
　…
【００５３】前記第２反射膜１２１は異なる屈折率の誘電体薄膜をλ／４ｎの膜厚で交互に積層して構成される。この場合には、前記第１反射膜１２０とは逆に、屈折率の小さい誘電体薄膜を屈折率の大きい誘電体薄膜より半導体層側に形成しなければならない。表３に、第２反射膜１２１を構成する誘電体の材料，膜厚，対数および反射率について示す。表３によれば、ほとんどの反射膜は９９％以上という高い反射率を有することがわかる。
【００５４】
【表３】
　…」
　
　そして、表１によれば、実験例の半導体レーザにおいて、バッファ層１０２及びコンタクト層１０８のＡｌ組成は０、ｎ型第１クラッド層１０３及びｐ型第２クラッド層１０７のＡｌ組成は０．３１、ｎ型第１光導波路層１０４及びｐ型第２光導波路層１０６のＡｌ組成は０．２０、また、活性層１０５の井戸層及びバリア層のＡｌ組成はそれぞれ０及び０．２０であることが理解される。
　また、表２によれば、ＡＲ膜(Anti-Reflective Film)からなる第１反射膜１２０は、例えば、２対のＴａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３で形成され、その反射率が０．５％であることが理解される。
　また、表３によれば、ＨＲ膜（Highly Reflective Film）からなる第２反射膜１２１は、例えば、８対のＴａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３で形成され、その反射率が９９．２％であることが理解される。
　
　以上の記載によれば、刊行物１には、
「ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、複数のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体層が積層された半導体層ＳＬを有する半導体レーザ１００であって、
　この半導体層ＳＬは、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ｎ型第１光導波路層１０４、活性層１０５、ｐ型第２光導波路層１０６、ｐ型第２クラッド層１０７、ｐ型コンタクト層１０８から構成されており、
　主ビーム側の端面には、２対のＴａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３で形成され、その反射率が０．５％であるＡＲ膜からなる第１反射膜１２０が設けられ、モニタビーム側には８対のＴａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３で形成され、その反射率が９９．２％であるＨＲ膜からなる第２反射膜１２１が形成されている半導体レーザ１００。」の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）刊行物２
　原査定において引用された特開平７−７４４２７号公報（以下「刊行物２」という）には、次の記載がある。
　
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光計測、光情報処理などの技術分野において光源として用いられる半導体レーザ素子に関する。本発明は、また、このような半導体レーザ素子とその関連部品とを備えたレーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のとおり、半導体レーザ素子は、光通信、光計測、光情報処理など、これの適用領域が広いために各分野で広範囲に利用されており、現在も、可視光を含む波長領域の拡大とともに、高性能化、高機能化が進められている。その一環として、レーザ発振時の低閾値電流を期待することのできる量子井戸半導体レーザ素子が提供されている。
【０００３】一般に、量子井戸半導体レーザ素子の場合は、他の半導体レーザ素子と同様に閾値電流が温度に依存する。すなわち、周囲温度が上昇したときに量子効率が低下して閾値電流が増加する。以下、この点を既知の事項に基づいて説明する。
【０００４】光通信用の光源として用いられる波長１．３〜１．５５μｍ帯の半導体レーザ素子においては、閾値電流の温度依存性が近似的に下記（１）式のようにあらわされる。
Ｉth∝ｅｘｐ（Ｔ／Ｔ0 ）‥‥‥‥（１）
（１）式において、Ｔ〔Ｋ〕は活性層の温度、Ｔ0〔Ｋ〕は温度依存性の目安として使われる特性温度をそれぞれ示し、通常の使用ではＴ0 が４５〜６０Ｋになる。したがって、上記のような波長帯の半導体レーザ素子であると、Ｔ0 が比較的小さいために、周囲温度の影響を受けてその半導体レーザ素子の特性が敏感に変化する。半導体レーザ素子は、共振器の利得が全損失を越えたときにレーザ発振する。この際の発振条件は、活性層内の光閉じ込め係数をΓ、レーザ共振器内の利得をＧ、共振器損失をαtotal とした場合に下記（２）式ようにあらわされる。さらに、（２）式のαtotal は、活性領域の内部損失をαin、共振器端面の反射率損失をαm とした場合に下記（３）式ようにあらわされ、（３）式のαm は、共振器の両端面反射率をＲ1 、Ｒ2 、共振器をＬとした場合に下記（４）式ようにあらわされる。
ΓＧ＝αtotal ‥‥‥‥‥（２）
αtotal ＝αin＋αm ‥‥‥‥（３）
        αm ＝（１／２Ｌ）×ｌｎ（１／Ｒ1 ・Ｒ2 ）‥‥‥‥（４）
【０００５】図８は、量子井戸型半導体レーザ素子の利得Ｇを測定した結果を示している。この測定においては測定温度がパラメータである。測定対象は、量子井戸数Ｎw＝４、Ｎw ＝６、Ｎw ＝８の各素子である。図８の測定結果からして、量子井戸型半導体レーザ素子の利得Ｇが下記（５）式のようにあらわせることがわかる。
Ｇ＝Ｇ0 ｛１＋ｌｎ（Ｊ／Ｊ0 ）｝‥‥‥‥‥（５）
（５）式中、Ｇ0 は利得係数、Ｊ0 は透明化係数、Ｊは注入電流密度である。
【０００６】図９は、上記Ｇ0 、Ｊ0 の温度依存性を示している。図９を参照して、Ｇ0 、Ｊ0は温度上昇とともに劣化していることがわかる。したがって、半導体レーザ素子の温度が上昇した場合は、（２）（３）式よりレーザ発振時の閾値電流が増加する。
【０００７】図１０は、波長１．３〜１．５５μｍ帯の量子井戸半導体レーザ素子として公知のものを示している。図１０に示された半導体レーザ素子１は、量子井戸層からなる活性層を有するほか、反射率損失αm を低減するために、共振器２の端面に誘電体多層膜からなる高反射膜３が設けられたものである。この場合の高反射膜３は、発振波長範囲に対して９５％以上の高い反射率をもつように構成されている。
【０００８】図１１は、上記半導体レーザ素子１を主体にして構成されたレーザモジュールに注入信号を入力した場合の電流−光出力−温度の関係を示している。図１１を参照して明らかなように、温度が３０℃のときはＰ1の光出力が得られるが、温度が７０℃に上昇すると、Ｐ2のように、平均出力および下記（６）式であらわされる消光比γがいずれも低下する。
γ＝１０ｌｏｇＰmax ／Ｐmin ‥‥‥‥‥（６）
これの解決手段として、温度測定手段、ペルチェ素子を介してレーザ素子の温度を一定に保つことが行なわれているが、この場合は、ペルチェ素子が非常に高額であるために、レーザモジュール、ひいては、これを用いたシステムのコストアップが避けられない。
【０００９】図１２は、既成の半導体レーザ素子を備えたレーザモジュールを示している。図１２に示されたレーザモジュール１１は、ＡＧＣ(Automatic Gain Control)回路部１２、モニタ受光器（フォトディテクタ）１３を含む閉ループ型の駆動回路１４が、半導体レーザ素子１に搭載されたものであり、半導体レーザ素子１に対してバイアス電流、変調電流が印加できるようになっている。図１２のレーザモジュール１１は、半導体レーザ素子１の裏面出射光であるモニタ光をモニタ受光器１３により検出し、平均出力および消光比をＡＧＣ回路部１２により一定に保持する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図１０に示された量子井戸半導体レーザ素子（波長１．３〜１．５５μｍ帯）の場合は、既述の内容から明らかなように、周囲温度の上昇に起因してレーザ発振時の閾値電流が増加し、量子効率が低下する。これは、他の半導体レーザ素子にも共通する課題である。この対策のために、実際のシステムにはＡＰＣ(Automatic Power Control) のごとき外部回路が装備されており、かかる外部回路により、上記温度変化に起因したレーザ素子特性上の悪影響を排除しているが、外部回路に依存する場合は、このような回路を用いた分だけシステム構成が複雑化し、システムもコストアップする。したがって、半導体レーザ素子の温度対策としては、外部回路に依存しない手段が望まれる。しかしながら、既存の技術にあっては、外部回路に依存しない半導体レーザ素子を得るために、素子の使用温度と発振波長との関係を技術的に解明して、かかる観点から共振器端面の反射鏡に改良を加えたもの、さらには、その反射鏡について細部まで最適化したものがみられない。
【００１１】図１２に示されたレーザモジュールの場合は、高速化された変調電流のピックアップと高速処理とが要求されるために、この要求を満たすべき制御回路が大型化かつ高額化する。
【００１２】［発明の目的］本発明はかかる技術的課題を解決するために共振器端面の反射鏡を改善して、温度上昇に起因したレーザ発振閾値電流の増加および量子効率の低下を防止することのできる半導体レーザ素子を提供し、かつ、このような半導体レーザ素子に基づき、温度特性のよいレーザモジュールを小型化かつ低額化して提供する。」
　
「【００１７】本発明に係るレーザモジュールは所期の目的を達成するために、使用下限温度における発振波長をλ1、使用上限温度における発振波長をλ2とした場合に、共振器の光出射端および／またはその反対端にある反射鏡が前記発振波長λ1〜λ2の範囲内において波長とともに増加する反射率を有している半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子に電流を注入するための電流印加手段と、半導体レーザ素子への注入電流を制御するために当該素子温度を測定するための測定手段、または、半導体レーザ素子への注入電流を制御するために当該素子の電流電圧特性を測定するための測定手段と、その測定手段に基づいて半導体レーザ素子への注入電流を制御するための制御手段とを含んでいることを特徴とする。
【００１８】本発明の上記レーザモジュールは、半導体レーザ素子の活性層、共振器端面の反射鏡、その他に関する技術的事項が、上記の技術的事項と同一か、または、これに準ずるものである。
【００１９】
【作用】半導体レーザ素子の共振器がファブリペロー型である場合に、この共振器の発振波長は、当該素子が４〜５Å／℃の温度係数で温度上昇するにしたがい、長波長側へシフトする。このような場合は、レーザ発振時の閾値電流が増加し、量子効率が低下するばかりか、前記（２）式の利得Ｇも温度上昇にともなって低下する。これを回避するためには、共振器損失αtotal を温度上昇の影響分に応じて下げなければならない。
【００２０】本発明に係る半導体レーザ素子おいては、前記（３）（４）式における共振器端面の反射率Ｒ1 、Ｒ2 が半導体レーザ素子の温度上昇とともに増加する。すなわち、本発明に係る半導体レーザ素子は、共振器端面の反射鏡が、当該素子の使用温度により変化する波長の範囲（λ1〜λ2）内において、波長とともに増加する反射率を有しているので、共振器損失αtotalが温度上昇に応じて低下することとなり、かくて、上記の事態を回避することができる。とくに、共振器端面の反射鏡が誘電体多層膜からなる場合は、このような特性をもつ半導体レーザ素子として、より高精度のものが得られる。それに、誘電体多層膜からなる反射鏡は、エネルギ反射率の波長依存性に極小点をもつので、この極小点の波長をλ1 以下に設定した場合に、上記の条件を満たすものとなる。」
　
　以上の記載によれば、刊行物２の【００１０】には、半導体レーザ素子に共通する課題として、周囲温度の上昇に起因してレーザ発振時の閾値電流が増加し、量子効率が低下することが記載され、また、【００１９】には、この課題の解決手段として、共振器損失αtotalを温度上昇に応じて低下させることが記載され、さらに、【００２０】には、そのために、（３）（４）式における共振器端面の反射率Ｒ1 、Ｒ2 を半導体レーザ素子の温度上昇とともに増加させること、すなわち、共振器端面の反射鏡が、当該素子の使用温度により変化する波長の範囲（λ1〜λ2）内において、波長とともに増加する反射率を有するようにすること、および、その具体的手段として、反射鏡に誘電体多層膜を用い、そのエネルギ反射率の波長依存性が極小点となる波長をλ1以下に設定することが記載されているものと認められる。
　ここで、刊行物２の【０００４】に記載される（３）（４）式をみれば、共振器損失αtotalを低下させるということは、共振器端面の反射率をＲ1 、Ｒ2とした場合にその積Ｒ1 ・Ｒ2を増加させることに外ならないことが理解される。
　
　以上のことから、刊行物２には、周囲温度の上昇に起因してレーザ発振時の閾値電流が増加し、量子効率が低下するという半導体レーザ素子に共通する課題の解決手段として、共振器端面の反射鏡が、当該素子の使用温度により変化する波長の範囲（λ1〜λ2）内において、それぞれの反射率の積Ｒ1・Ｒ2が波長とともに増加する反射率を有するようにすることが記載され、また、そのために、反射鏡に誘電体多層膜を用い、そのエネルギ反射率の波長依存性が極小点となる波長をλ1以下に設定することが記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と刊行物１発明を対比する。
　刊行物１発明の「活性層１０５」、「ｎ型第１クラッド層１０３及びｐ型第２クラッド層１０７」、「半導体層ＳＬ」及び「半導体レーザ１００」は、それぞれ、本願補正発明の「活性層」、「前記活性層を挟む２つのクラッド層」、「積層構造体」及び「半導体レーザ素子」に相当する。
　また、刊行物１発明の「主ビーム側の端面」は、本願補正発明の「前記活性層及び前記クラッド層に平行に発振されるレーザ光の光軸方向について前記積層構造体の相対する２つの端面のうちの前端面」に相当することが当業者に明らかであり、刊行物１発明の「２対のＴａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３で形成され、その反射率が０．５％であるＡＲ膜からなる第１反射膜１２０」は、本願補正発明の「前記活性層及び前記クラッド層に平行に発振されるレーザ光の光軸方向について前記積層構造体の相対する２つの端面のうちの前端面に光軸方向を法線方向として積層された多層反射膜」に相当する。
　
　次に、「屈折率」について検討するに、本願明細書の段落【００１２】及び【００１４】には、それぞれ、「この積層構造体は、積層方向について、順に、ｎ側電極１、ｎ−ＧａＡｓ基板２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ｎ側アンドープＡｌＧａＡｓガイド層４、ｎ側アンドープＧａＡｓガイド層５、アンドープＩｎＧａＡｓ量子井戸活性層６ａ、アンドープＧａＡｓバリア層７、アンドープＩｎＧａＡｓ量子井戸活性層６ｂ、ｐ側アンドープＧａＡｓガイド層８、ｐ側アンドープＡｌＧａＡｓガイド層９、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１０、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１、Ｓｉ３Ｎ４絶縁層１２及びｐ側電極１３が順に積層されている。」及び「この半導体レーザ素子２０では、２枚の上下クラッド層及び該クラッド層に挟まれた活性層とを含む導波層（実効屈折率ｎｃ＝３．３７）の端面に光軸方向のｚ軸を法線方向として多層反射層が積層されている。この多層反射層３０は、導波層の端面から、酸化タンタルＴａ２Ｏ５の第１層膜２１（屈折率ｎ１＝２．０５７、層厚ｄ１＝６９．１６ｎｍ）、アルミナＡｌ２Ｏ３の第２層膜２２（屈折率ｎ２＝１．６２、層厚ｄ２＝８３．５６ｎｍ）が順に積層された２層反射膜３０で構成されている。」と記載されているから、本願明細書に記載される半導体レーザ素子２０の２枚の上下クラッド層及び該クラッド層に挟まれた活性層とを含む導波層の実効屈折率は３．３７であり、また、酸化タンタルＴａ２Ｏ５及びアルミナＡｌ２Ｏ３の屈折率はそれぞれ、２．０５７及び１．６２であることが理解される。
　また、岩波理化学事典第４版の「ヒ化ガリウム」の項には、ＧａＡｓの屈折率について、３．４と記載されている。
　ここで、本願明細書の上記「２枚の上下クラッド層及び該クラッド層に挟まれた活性層とを含む導波層」は、ＧａＡｓにＡｌ及びＩｎが含まれるものであるが、この実効屈折率が３．３７であり、ＧａＡｓの屈折率が３．４であることを考えると、ＧａＡｓにＡｌやＩｎが含まれることによる屈折率の変化はさほど大きいものではないと考えられるところである。
　してみれば、刊行物１発明における半導体層ＳＬは、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体層で構成されているから、その実効屈折率も、ＧａＡｓの３．４や上記本願明細書記載の３．３７と大きく異なるものではなく、少なくとも、（２．０５７の二乗である）４．２３１２４９と（１．６２の二乗である）２．６２４４の範囲内のものと考えられるところである。
　そして、刊行物１発明の第１反射膜１２０は、２対のＴａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３で形成されており、これらの屈折率は、本願明細書に記載されるようにそれぞれ２．０５７と１．６２であるから、刊行物１発明の「第１反射膜１２０」は、本願補正発明の「多層反射膜」と同様に「前記積層構造体の実効屈折率の平方根より大きい屈折率を有する第１反射膜と、前記実効屈折率の平方根より小さい屈折率を有する第２反射膜とのそれぞれ一層以上が積層されて構成されて」いるといえる。　
　
　また、刊行物１発明の「モニタビーム側」の「端面」が本願補正発明の「後端面」に相当するところであり、モニタビーム側の端面に形成された刊行物１発明の「第２反射膜１２１」が「高反射率」であることは明らかである。
　
　以上のことから、両者は、
「活性層と、前記活性層を挟む２つのクラッド層を含む積層構造体と、
　前記活性層及び前記クラッド層に平行に発振されるレーザ光の光軸方向について前記積層構造体の相対する２つの端面のうちの前端面に光軸方向を法線方向として積層された多層反射膜とを備えた半導体レーザ素子であって、
　前記多層反射膜は、前記積層構造体の実効屈折率の平方根より大きい屈折率を有する第１反射膜と、前記実効屈折率の平方根より小さい屈折率を有する第２反射膜とのそれぞれ一層以上が積層されて構成されており、
　前記２つの端面のうちの後端面は高反射率とした半導体レーザ素子。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
ａ．本願補正発明は、「前記多層反射膜は、前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より１０ｎｍ以上短い波長において反射率１％以下の極小値を有し、かつ、前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より１０ｎｍ短い波長における前記多層反射膜の反射率と前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より２４ｎｍ長い波長における前記多層反射膜の反射率の差が２０％未満であり、かつ、前記極小値の波長から前記半導体レーザ素子の発振波長より２４ｎｍ長い波長までの波長範囲において、前記多層反射膜の反射率は波長の増大に依存して増加」するとされているのに対し、刊行物１発明の「第１反射膜１２０」がこのようなものであるか不明な点。
ｂ．本願発明は、「後端面は発振波長に依存しない高反射率」とされているのに対し、刊行物１発明の「第２反射膜１２１」がこのようなものであるか不明な点。　
　
（４）相違点についての検討
　上記相違点について検討するに、刊行物２には、周囲温度の上昇に起因してレーザ発振時の閾値電流が増加し、量子効率が低下するという半導体レーザ素子に共通する課題の解決手段が記載されているのであるから、この解決手段を刊行物１発明に適用することは当業者が当然に行うことであると認められる。
　そして、その解決手段は、素子の使用温度により変化する波長の範囲（λ1〜λ2）内において、反射鏡端面の反射率の積Ｒ1・Ｒ2が波長とともに増加するというものであるところ、刊行物１発明における「第２反射膜１２１」は、刊行物１の【００５０】に「前記第２反射膜１２１は、その反射率が９８．５％以上であることが望ましい。第２反射膜１２１の反射率が９８．５％より小さい場合には、発振しきい値電流が増加して高出力を得ることができない。」と記載されているように、９８．５％以上の反射率が要求されるものであるから、反射率の積Ｒ1・Ｒ2を波長とともに増加させる手段として、この「第２反射膜１２１」の反射率を変化させるという手段が採用されないことは当業者に明らかであり、上記相違点ｂに係る本願補正発明の発明特定事項のごとく、発振波長に依存しない高反射率とすることは当然の事項である。
　一方、刊行物１発明の「第１反射膜１２０」は、刊行物１の【００５０】に「前記第１反射膜１２０は、その反射率が０．１〜５％であることが望ましい。この第１反射膜１２０の反射率が０．１より小さい場合には発振しきい値に達せず、一方５％を越える場合には外部微分量子効率が下がって高出力を得ることができない。」と記載されているように、その反射率は０．１〜５％の範囲にあればよいから、反射率の積Ｒ1・Ｒ2を波長とともに増加させる手段として、この「第１反射膜１２０」の反射率を変化させるという手段が採用されることは当然であって、さらに、刊行物２には、反射鏡に誘電体多層膜を用い、そのエネルギ反射率の波長依存性が極小点となる波長をλ1以下に設定することが記載されているのであるから、刊行物１発明の「第１反射膜１２０」について、そのエネルギ反射率の波長依存性が極小点となる波長をλ1以下に設定するとともに、その反射率を例えば刊行物１発明における「第１反射膜１２０」の反射率である０．５％とし、本願補正発明が規定する１％以下とすることも当然に採用されるところである。
　また、引用発明１の「第１反射膜１２０」の反射率は、上記のとおり０．１〜５％であることが要求されるものであるから、波長λ1における反射率と波長λ2における反射率の差についても当然に４．９％以下とされることが明らかであり、この反射率の差は、本願補正発明が規定する２０％未満である。
　ここで、本願補正発明の「半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より１０ｎｍ以上短い波長」及び「半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より２４ｎｍ長い波長」の意味するところは、本願審判請求書における「本願明細書の段落［００１４］に記載のように、通常使用される温度範囲は０℃から８５℃であり、０℃の場合には、発振波長は２５℃の場合より１０ｎｍ程度短波長側にシフトします。また、本願明細書の段落［００１４］には、発振波長の温度係数が最大０．４であることが記載されており、８５℃について、０．４×（８５−２５）＝２４ｎｍ、つまり、８５℃の場合の発振波長は２５℃の場合より２４ｎｍ程度長波長側にシフトすることがわかります。」との記載からみて、素子の使用温度により変化する波長の範囲のそれぞれ下限及び上限であることが明らかであり、結局、刊行物２に記載されるλ1及びλ2に外ならないことが理解される。
　してみれば、刊行物１発明に刊行物２に記載された技術を適用するにあたり、そのλ1及びλ2として、「半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より１０ｎｍ以上短い波長」及び「半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より２４ｎｍ長い波長」をそれぞれ採用して、上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が適宜なし得たものと認められる。
　
　以上のとおりであって、結局、本願補正発明は、刊行物１発明に刊行物２に記載される技術手段を適用したというにすぎず、その効果についても刊行物１及び刊行物２に記載された事項に基づいて当業者が予測可能なものである。
　
（５）むすび
　したがって、本願補正発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許受けることができない。
　　
４．むすび
　以上のとおりであって、本件補正は、上記２．で検討したように、平成１４年法律第２４号附則第３条第２項によりなお従前の例によるとされる同法第２条の規定による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反し、また、上記３．において検討したように、平成１８年法律第５５号附則３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年１０月２２日付け手続補正書の請求項１ないし３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】　活性層と、前記活性層を挟む２つのクラッド層を含む積層構造体と、
　前記活性層及び前記クラッド層に平行に発振されるレーザ光の光軸方向について前記積層構造体の相対する２つの端面のうちの前端面に光軸方向を法線方向として積層された多層反射膜とを備えた半導体レーザ素子であって、
　前記多層反射膜は、前記積層構造体の実効屈折率の平方根より大きい屈折率を有する第１反射膜と、前記実効屈折率の平方根より小さい屈折率を有する第２反射膜とのそれぞれ一層以上が積層されて構成されており、
　前記多層反射膜は、前記半導体レーザ素子の２５℃での発振波長より１０ｎｍ以上短い波長において反射率の極小値を有し、前記極小値の波長から前記発振波長までの波長範囲において、前記多層反射膜の反射率は波長の増大に依存して増加し、かつ、前記２つの端面のうちの後端面は発振波長に依存しない高反射率としたことを特徴とする半導体レーザ素子。」
　
２．判断
　本願発明と本願補正発明についてみるに、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものが本願補正発明であるところ、上記II．［II］３．において検討したように、本願補正発明が刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることに鑑みれば、本願発明が同様の理由により刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３．むすび　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。