【事件の表示】
　平成　８年特許願第　６６８３２号「磁気記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月　３日出願公開、特開平　９−２５９４３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年３月２２日に出願したものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年１１月８日付け及び平成１７年１月２０日付けの手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　【請求項１】「非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成されるとともに、この磁性層上に硬質カーボンよりなる保護層が化学的気相成長法により形成され、この保護層がプラズマ化した表面処理ガスにより表面処理されてなり、
　上記保護層を構成する硬質カーボンに含まれるカルボキシル基の量がフーリエ変換−赤外分光法における測定で検出されないことを特徴とする磁気記録媒体。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願日前の刊行物である、特開平６−２８２８４０号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開平６−３０１９６９号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次のように記載されている。なお、下線は、便宜的に当審で付与した。
　
　引用例１には、
　（1-i）「【請求項１】　
非磁性支持体上に少なくとも磁性薄膜とカーボン保護膜が形成されてなる磁気記録媒体において、上記カーボン保護膜の酸素含有量が３原子％以下であることを特徴とする磁気記録媒体
【請求項２】　非磁性支持体上に少なくとも磁性薄膜とカーボン保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、
上記カーボン保護膜が、真空室内の背圧を５×１０-2Ｐａ以下とした状態で成膜されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】　・・・（中略）・・・
【請求項４】　
カーボン保護膜の成膜が
ＣＶＤ法
によって行われる
　（1-ii）「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、
保護膜に含有される酸素量を規制することによって耐久性に優れた磁気記録媒体となることを見い出し
　（1-iii）「【００１３】また、上記
磁性薄膜上には保護膜が形成されるが、この材料はカーボン（いわゆるダイヤモンドカーボンや、ダイヤモンドライクカーボンも含む）であり、この保護膜は単層膜であっもよいし多層膜や複合膜であってもよい
【００１４】上記保護膜中の酸素含有量は３原子％以下であることが好ましく、これを超えると保護膜の耐久性が劣化し、作成された磁気記録媒体の摺動耐久性が劣化してしまう。」（段落【００１３】〜【００１４】参照）こと、
　（1-iv）「【００２２】
【作用】
カーボン保護膜に含有される酸素含有量を低減すると保護膜の耐久性が向上し、摺動耐久性に優れた磁気記録媒体とすることができる
　（1-v）「【００４４】そして、上述した構成を有する図１の蒸着装置を用いて、先ず下塗が施された非磁性支持体上に、酸素雰囲気中でＣｏ−Ｎｉ合金を斜め蒸着し、膜厚約０．２μｍの
金属磁性薄膜を磁性層として被着形成した後
図３のプラズマＣＶＤ装置を用いて保護膜を形成
【００４５】なお、作成条件は以下のとおりである。
ベースフィルム：ポリエチレンテレフタレート
１０μｍ，１５０ｍｍ幅
下塗り　　　　：アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスを塗布密度  約１０００万個／ｍｍ2　
バックコート　：カーボン及びウレタンバインダーを混合したものを０．６μｍ厚塗布
トップコート　：パーフルオロポリエーテルを塗布
スリット幅　　：８ｍｍ幅
【００４６】上記ベースフィルム（非磁性支持体）としては、保護膜が形成されたために劣化する電磁変換特性の補填のため、即ちスペーシングロスを小さくするために、下塗時の製造条件を適宜調整し、非磁性支持体の表面性（主に突起高さ）を制御したものを用いた。
【００４７】蒸着は以下の条件で行った。
インゴット　　：Ｃｏ95─Ｎｉ5　
入射角　　　　：４５−９０°
テープ速度　　：０．１７ｍ/sec
磁性層厚み　　：０．２μｍ
酸素導入量　　：３．３×１０-6ｍ3/sec
蒸着時真空度　：７×１０-2Ｐａ
【００４８】スパッタリングによる成膜の条件を示す。
方式　　　　　：ＤＣマグネトロンスパッタ法
ターゲット材　：カーボン
投入電力　　　：５ｗ／cm2　
真空度　　　　：２Ｐａ
保護膜膜厚　　：０．０１５μｍ
【００４９】同じく、プラズマＣＶＤによる成膜の条件を示す。
方式　　　　　：プラズマＣＶＤ法
投入電力　　　：５００ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
真空度　　　　：１０Ｐａ
保護膜膜厚　　：０．０１５μｍ
【００５０】ここで実際に、保護膜形成に上述のスパッタ装置を用い、真空室２２内の背圧を様々に変化させて実施例１〜４，比較例１のサンプルテープを作成した。なお、背圧の調整は、真空室２２にコンダクタンスバルブを設けてこれを開閉することによって行った。またスパッタガスとしてはアルゴンを用い、流量を調整することによって２Ｐａとなるようにした。
【００５１】そして、上述の条件に従って作成された各サンプルテープについて、保護膜中の酸素含有量とスチル耐久性を測定した。スチル耐久性は、ソニー社製，８ｍｍＶＴＲ，商品名  ＥＶＳ−９００改造機を用い、初期の出力レベルから３ｄＢ出力が減衰するまでの時間を測定して評価した。また、
保護膜の酸素含有量は、ＦＴ−ＩＲ測定によるＣ−Ｏ結合とＣ−Ｃ結合の割合により求めた
　（1-vi）「【００５７】さらに、
保護膜形成に上述のＣＶＤ装置を用い、真空室４１内の背圧を様々に変化させるとともに、原料ガスであるエチレンに水素を添加させて保護膜を作成し、実施例７，８，比較例３のサンプルテープを作成した
【００５８】表３に、各サンプルテープについて、保護膜形成時の背圧、水素分圧、作成された保護膜の酸素含有量、スチル耐久性の各数値を示す。
【００５９】
【表３】　・・・略・・・
　（表３には、実施例７、実施例８、比較例３のデータが表にされていて、
実施例７
酸素割合（％）〜０
【００６０】これより、
ＣＶＤ法によって保護膜作成を行った場合においてもスパッタ法を用いた場合と同様に
成膜を行うと、作成された保護膜の酸素含有量が低くスチル耐久性に優れたものとなることがわかる（実施例７参照）
　
　引用例２には、
　（2-i）「【請求項１１】
磁性層上に少なくとも一層の保護膜を有する磁気記録媒体の製造方法において、該保護膜を
プラズマＣＶＤ法で形成する工程と、該保護膜表面にプラズマ処理を施し該保護膜表面の抵抗率を該保護膜内部の抵抗率より高くする工程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
　（2-ii）「【０００９】本発明の目的は、長期にわたり信頼性を維持できる磁気ディスク並びにその製造方法及びそれを用いて構成される磁気ディスク装置、特にＭＲヘッドを用いる磁気ディスク装置を提供することに有る。また
本発明の他の目的は、耐食性が高く、多様な環境下で使用しても信頼性の高い磁気ディスク装置を提供する
　（2-iii）「【００２６】保護膜表面を高抵抗化あるいは高密度化する手段としては、
ガス雰囲気中のプラズマ処理による表面改質が好ましい
Ａｒ
Ｎ
2
などの不活性ガス
ガスプラズマ処理
　（2-iv）「【００３３】ただし、均一な高さの突起を短時間で形成する必要がありこの目的のためには例えばドライエッチング法を用いる場合にはＯ2を選択することが望ましい。Ｏ2は燃焼作用があるため短時間で均一な高さの突起形成が可能となる。しかし、
Ｏ
2
エッチングは表面の親水化を招き
耐食性の面で信頼性を損なう可能性がある
Ｏ
2
エッチング後にガスプラズマ処理による表面改質を行い、抵抗率並びに密度を高くし、さらに水に対する濡れ性を低めることが必要である
ガスプラズマ処理による耐食性向上の特に大きな効果を有する
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記摘示の記載からみて、
　「非磁性支持体上に少なくとも金属磁性薄膜とカーボン保護膜が形成されてなる磁気記録媒体において、
　上記カーボン保護膜の酸素含有量が３原子％以下であって、１例として実施例７で、ＦＴ−ＩＲ測定によるＣ−Ｏ結合とＣ−Ｃ結合の割合により求めた酸素含有量が０％であり、
　上記カーボン保護膜の材料はカーボンであって、いわゆるダイヤモンドカーボンや、ダイヤモンドライクカーボンを含むものであり、
　カーボン保護膜の成膜がＣＶＤ法によって行われる、
　磁気記録媒体。」
の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　そして、引用例１発明の「非磁性支持体上に少なくとも金属磁性薄膜とカーボン保護膜が形成されてなる磁気記録媒体」と「上記カーボン保護膜の材料はカーボンであって、いわゆるダイヤモンドカーボンや、ダイヤモンドライクカーボンを含むものであり、カーボン保護膜の成膜がＣＶＤ法によって行われる、磁気記録媒体」は、
　該「保護膜」が単に表現が異なるだけで本願発明の「保護層」に相当し、そして、「カーボン保護膜の成膜がＣＶＤ法によって行われる」ので、保護膜が化学的気相成長法によって形成されることが明らかであり、「カーボン保護膜の材料はカーボンであって、いわゆるダイヤモンドカーボンや、ダイヤモンドライクカーボンも含むものであ」るので、保護膜が硬質カーボンよりなることが明らかであるから、
　本願発明の「非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成されるとともに、この磁性層上に硬質カーボンよりなる保護層が化学的気相成長法により形成され」た磁気記録媒体に相当する。
　
　してみると、両発明は、次の一致点で一致し、次の相違点で相違する。
＜一致点＞
　「非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成されるとともに、この磁性層上に硬質カーボンよりなる保護層が化学的気相成長法により形成された磁気記録媒体。」
＜相違点＞　
　（Ａ）保護層に関し、本願発明では、「この保護層がプラズマ化した表面処理ガスにより表面処理されてなり」と規定されているのに対し、引用例１発明ではそのような言及がない点、
　（Ｂ）保護層に関し、本願発明では、「保護層を構成する硬質カーボンに含まれるカルボキシル基の量がフーリエ変換−赤外分光法における測定で検出されないこと」と規定しているのに対し、引用例１発明では、「カーボン保護膜の酸素含有量が３原子％以下であって、１例として実施例７で、ＦＴ−ＩＲ測定によるＣ−Ｏ結合とＣ−Ｃ結合の割合により求めた酸素含有量が０％であり」としている点。
　
　そこで、これらの相違点について、（Ｂ）、（Ａ）の順に検討する。
　（Ｂ）の点について
　本願明細書に「フーリエ変換−赤外分光法（以下、ＦＴ−ＩＲと称す。）」（段落【００８１】参照）との記載があることからも明らかなように、本願発明と引用例１発明の検出手段に差異はない。そして、引用例１発明の実施例７におけるＣ−Ｏ結合量が０％であることは、カルボキシル基及び他のＣ−Ｏ結合を有する基の総量が０％であることを意味するから、引用例１発明の実施例７のＣＶＤ法（化学的気相成長法）で得られるカーボン保護膜に含まれるカルボキシル基の量がフーリエ変換−赤外分光法における測定で検出されないことを意味することは明らかである。
　よって、上記（Ｂ）の点は、実質的な相違点ではない。
　
　（Ａ）の点について
　ところで、引用例２には、磁気記録媒体の製造方法に関し、「磁性層上に少なくとも一層の保護膜を有する磁気記録媒体の製造方法において、該保護膜を・・・・・・ＣＶＤ法で形成する工程と、該保護膜表面にプラズマ処理を施し該保護膜表面の抵抗率を該保護膜内部の抵抗率より高くする工程を有すること」（摘示（2-i）参照）が示され、更に、「保護膜表面を高抵抗化あるいは高密度化する手段としては、ガス雰囲気中のプラズマ処理による表面改質が好ましい。」（摘示（2-iii）参照）とされ、その改質用のガスとして、「Ａｒ、・・・Ｎ2などの不活性ガス」（摘示（2-iii）参照）が示されている。
　してみると、引用例１発明の磁性層上にＣＶＤ法で形成した保護膜（保護層）の改質を図るためにＡｒやＮ2など不活性ガスを用いたプラズマ処理により保護膜（保護層）の表面処理をすることは、当業者が適宜乃至容易になし得ることと言える。
　ここに、本願発明でも「プラズマ化した表面処理ガス」としてＡｒやＮ2（窒素ガス）を用いている（実施例５，６参照）点で引用例２のプラズマ処理と一致しているから、また、もともと引用例１発明の磁気記録媒体のカーボン保護層にＣ−Ｏ結合が存在しないことから、前記の如きプラズマ表面処理によってカルボキシル基が生じることはないと解するのが相当であり、それ故、上記（Ｂ）のカルボキシル基の量の判断を左右する影響を与えないと解せる。
　そして、引用例１発明では、酸素の量が少ないことによって（スチル）耐久性が優れるとされていて、錆について直接言及するものではないけれども、錆が生じれば耐久性が劣るものとなることは明らかであるとことを勘案すると、引用例１発明でも錆の発生がないと推定できるし、また、もともとカルボキシル基が検出されない点で両発明は一致するから、その作用効果において差異が生じることはない。更に、引用例２のプラズマによる表面改質によって水に対する濡れ性を低めることが示唆され、耐食性向上の効果があると記載されている（摘示（2-iv）参照）ことから、そのプラズマ表面処理によってもなおさら錆が生じ難いことも予想されると言うべきである。
　それ故、（Ａ）の相違点にかかる本願発明の構成は、当業者が容易に想到し得るものと認められ、この相違点によって格別予想外の作用効果を奏しているとも認められない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１発明と引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。