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　特願２０００−２３０８９４「引上げ室」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月１５日出願公開、特開２００２−　４８３７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明　
　本願は、平成１２年７月３１日の出願であって、その請求項１ないし５に係る発明は、平成１７年４月２８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に記載された発明は次のとおりである。
「 上層階の吹き出し口からクリーンエアを吹き出し、下層階のリターンダクトから吸引する循環型の空調システムを備えた少なくとも２層以上の多層階構造をなす引上げ室において、単結晶引上げ機に付帯し、下層階に設置される機器・設備であって、その常用温度が引上げ室の室温より１０℃以上高い機器・設備の上部を覆いまたは囲う誘導ダクトを設置し、上昇気流を排除してエアを前記リターンダクトから吸引することを特徴とする引上げ室。」（以下、「本願発明」という。）　
　
２．引用例に記載された発明
（１）特公平７−４５９４５号公報
　原査定の拒絶理由に引用した、本願の出願前国内において頒布された刊行物である、特公平７−４５９４５号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　
・「【請求項１】クリーンルームの天井室のエアを高性能フイルタを介してクリーンルーム内に供給し、クリーンルーム内のエアをグレーチング床を介して床下チャンバに吸引し、床下チャンバのエアを吸引排気して再び前記天井室に供給して使用するクリーンルームに於いて、
前記床下チャンバを多孔板によって二層の室に分割し、上層の室のエアを吸引排気して前記天井室に供給して使用し、下層の室にポンプ等の機器を配設すると共に下層の室のエアを吸引排気して機器によって発生した熱と塵埃を除去し前記天井室に供給して使用することを特徴とするクリーンルームの床下二層構造。」（特許請求の範囲）
　
・「〔産業上の利用分野〕
本発明はクリーンルームの床下二層構造に係り、特に半導体製造工場等のクリーンルームに適したクリーンルームの床下二層構造に関する。
〔従来の技術〕
半導体製造は無塵環境を必要とする為、その製造は通常クリーンルーム内で行われる。クリーンルームは、天井面に取付けられたHEPA（高性能）フイルタを通して清浄エアをクリーンルーム内に吹き出し、そのルーム内のエアを通気構造を有する床面から吸い込んで、再び天井面のHEPAフイルタを通すエア循環方式が採用され、清浄エアがルーム内に於いてダウンフロー（層流）されている。また、前記通気構造を有する床下チャンバには、クリーンルーム内の半導体製造機器に薬液、ガスの送給や、使用済の薬液を排出するポンプ、貯槽、ボンベ等のプロセス装置が配設されている。これらのプロセス装置をクリーンルーム内に配置すると、その運転によって発塵するので、可能な限りクリーンルームの床下のチャンバに配設し、必要な薬液やガスは配管によってクリーンルーム内の製造機器等に送給する。これによって、クリーンルーム床面の有効利用（クリーンルーム床面での機器設置エリアの必要最小限化）、床下空間の活用と、クリーンルーム内発塵の低減化を図ることができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、従来のクリーンルーム構造であると前記床下チャンバにダウンフローされてきたエアは、床下チャンバに配設された前記プロセス装置に衝突する為、床下チャンバに偏気流が発生する場合があった。
または、前記プロセス装置の各々の自己発熱によって、ダウンフローされてきたエアに悪影響を与え、床下チャンバに偏気流が発生する場合があった。これらの偏気流が強くなると、グレーチング床を通して上方のルーム内のダウンフローに悪影響を与える場合があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、偏気流を無くし、ルーム内のエア流を均一にするクリーンルームの床下二重構造を提供することを目的とする。」（１頁１欄１４行〜２頁３欄１９行）
　
・「〔作用〕本発明によれば、クリーンルームの床下チャンバを多孔板によって二層に分割する。そして、上層の室のエアを高性能フイルタに向けて吸引排気し、下層の室にポンプ等の機器を配置する。これによって、前記上層の室にダウンフローされたエアは悪影響を受けないようになり、ルーム内のエア流を均一にすることができるようになる。更に下層の室のポンプ等の機器から発生した熱は吸引、除去される。」（２頁３欄３２〜４０行）
　
・「クリーンルーム１０の天井室１２は、右側面に送風口１４が設けられ、循環エアはこの送風口１４を通って天井室１２に供給される。また、天井室１２には、複数のHEPA（高性能）フイルタ１６、１６…が配置され、天井室１２のエアは、HEPAフイルタ１６、１６…を通ってルーム２０に送られる。」（２頁３欄４６〜５０行）
　
・「パンチングボード２８にも同様に多数の通気孔が形成されている。
ルーム２０のエアは、前記グレーチング２２、シャッタ２３を通って床下の前記上層チャンバ２４に吸い込まれ、大部分が吸気口３０に吸気される。更に、前記吸気口３０に吸い込まれないエアは、パンチングボード２８を通って下層チャンバ２９に吸い込まれ、吸気口３６に吸気される。前記下層チャンバ２９には、ボンベボックス３２、真空ポンプ３４等が適宜配設されている。前記吸気口３０、３６は吸気ダクト３８を介して空気調和機４０に外気導入ダクト４２と共に接続され、この空気調和機４０でミキシングされた空調空気は送風機４４により、送気ダクト４６を介して天井室１２に再び供給されて使用される。
次に前記の如く構成されたクリーンルームの床下二層構造の作用について説明する。
先ず、清浄エアは天井室１２に取付けられた複数のHEPAフイルタ１６、１６…を通ってルーム内に吹き出される。エアは降下気流となって床下グレーチング２２に吸い込まれ、上層チャンバ２４に吸い込まれる。
次に、前記上層チャンバ２４に吸い込まれてきたエアは大部分が吸気口３０に吸気される。また、上層チャンバ２４にはプロセス装置が配設されていない為、上層チャンバ２４にダウンフローされてきたエアはプロセス装置に衝突することがなくなる。従って、偏気流は発生しなくなる。
次に、吸気口３０に吸気されなかったエアは、パンチングボード２８を通って、下層チャンバ２９に吸い込まれ給気口３６に吸気される。前記吸気口３６によって吸気されたエアは、吸気ダクト３８、空気調和機４０及び送風機４４等を介して再び天井室１２内に供給されて使用される。
一方、前記下層チャンバ２９に配設されているプロセス装置が作動した場合、下層チャンバ２９のエアはプロセス装置の自己発熱によって温められたり、発じんを受けたりするが、前記パンチングボード２８を設け、且つ吸引排気されるので、上層チャンバ２４に悪影響を及ぼすことはなくなる。従って、上層チャンバ２４には偏気流が発生しなくなり、ルーム２０内のエア流を均一にすることができるようになる。」（２頁４欄９〜４５行）
　
・「第２図で示すように下層のチャンバ２９ではポンプ等の障害物としての作用や発熱によって、排気流は複雑に乱れるが、この乱れはパンチングボード２８で遮られるので、上層のリターンチャンバ２４には影響しない。ポンプ等の発熱による上昇流がパンチングボード２８から上層に逆流する可能性があるが、その量は従来のパンチングボード２８のない床下チャンバに比べて十分に小さく、無視できる。即ち、本発明では、パンチングボード２８の遮蔽効果、及び下層のチャンバ２９を吸引排気することによって上層に逆流することは少なくなる。」（（３頁５欄２〜１２行））
　
３．対比・判断
　上記の摘示事項及び図面の記載からみて、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
　清浄エアが、天井室１２に取付けられた複数のHEPAフィルタ１６、１６を通ってルーム２０内に吹き出され、床下チャンバの上層チャンバ２４と下層チャンバ２９から吸気ダクト３８を介して空気調和機４０に接続され、送風機４４により送気ダクト４６を介して、循環エアとして天井室１２に再び供給される多層階構造をなすクリーンルームにおいて、半導体製造機器のためのプロセス装置として下層チャンバ２９に配設される自己発熱するポンプ等の機器の上部を覆う多孔板（パンチングボード２８）を設け、上昇流を無視できる程度に十分小さくしエアを前記吸気ダクトから吸引排気するクリーンルーム。
　
　そこで、本願発明と引用例に記載された発明とを対比すると、引用例に記載された「ルーム２０」は本願発明の「上層階」に相当し、以下同様に「清浄エア」は「クリーンエア」に、「床下チャンバの上層チャンバ２４と下層チャンバ２９」は「下層階」に、「吸気ダクト３８」は「リターンダクト」に、「床下チャンバの上層チャンバ２４と下層チャンバ２９から吸気ダクト３８を介して空気調和機４０に接続され、送風機４４により送気ダクト４６を介して、循環エアとして天井室１２に再び供給される」は「循環型の空調システム」に、「プロセス装置」は「機器・設備」に、「自己発熱するポンプ等の機器」は「常用温度が高い機器・設備」に、「上昇流を無視できる程度に十分小さくし」は「上昇気流を排除し」に、「クリーンルーム」は「室」にそれぞれ相当する。また、引用例に記載されたものも清浄エアを吹き出すものであるから、吹き出し口を有することは自明のことである。また、本願発明の「単結晶引上げ機」は、引用例の「半導体製造機器」として共通するものである。さらに、引用例の「多孔板（パンチングボード２８）」と、本願発明の「誘導ダクト」は、共に、常用温度が高い機器・設備の上部を覆い、上昇気流を排除しエアをリターンダクトから吸引するための「部材」といえる
　よって、両者は、次の〔一致点〕で一致し、〔相違点〕で相違する。
　
〔一致点〕
「上層階の吹き出し口からクリーンエアを吹き出し、下層階のリターンダクトから吸引する循環型の空調システムを備えた少なくとも２層以上の多層階構造をなす室において、半導体製造機器に付帯し、下層階に設置される機器・設備であって、常用温度が高い機器・設備の上部を覆う部材を設置し、上昇気流を排除してエアを前記リターンダクトから吸引することを特徴とする室。」
　
〔相違点１〕
　本願発明では、製造機器が、単結晶引上げ機であり、多層階構造をなす室が引上げ室であるのに対して、引用例には、多層階構造をなす室が半導体製造工場のクリーンルームであるものの、製造機器が何かは明記されていない点。
　
〔相違点２〕
　本願発明では、その常用温度が引上げ室の室温より１０℃以上高い機器・設備の上部を覆いまたは囲う誘導ダクトを設置したのに対して、引用例に記載された発明では、発熱源の機器・設備の上部を覆う多孔板（パンチングボード２８）を設置した点。
　
　以下、これらの相違点について検討する。
　
〔相違点１〕について
　多層構造をなすクリーンルーム内に単結晶引上げ機を設けることは従来周知〔必要であれば、特開平５−２３８８７３号公報（段落【００２７】）、特開平１０−３１０４９１号公報（段落【００２４】）、特開平９−２２１３８１号公報（図１、段落【００１５】）等参照〕であり、引用例に記載された発明において、半導体製造機器を単結晶引上げ機とし、クリーンルームを引上げ室とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
〔相違点２〕について
　発熱源である機器等を覆いまたは囲い排熱することは従来周知〔必要であれば、特開平１１−１４１９３８号公報（段落【０００３】、【０００４】の「…補助機器３１の発する熱で加熱された空気や発生した塵埃を含んだ空気を外部に排気するための排気ダクト３２…床下室２４内に真空ポンプなどの発熱源となる補助機器３１が配設され…上記補助機器３１からの発生する熱や塵埃を外部に排出するためにそれらをカバーで覆い、床下室２４内の温調された清浄な空気の一部をカバー内を通して排気ダクト３２…」）、特開平９−１３７９８０号公報（図３、段落【００１７】）、特開平８−１５２４６０号公報（図７、段落【０００２】〜【０００７】）等参照〕であり、引用例に記載された発明において、機器の上昇気流を全く排除するために多孔板（パンチングボード）を誘導ダクトとすることは当業者が必要に応じて容易になし得たものと認められる。
　そして、本願発明では常用温度が引上げ室の室温より１０℃以上高い機器・設備の上部を覆う部材としているが、より高温になる機器・設備ほど上昇気流防止対策が必要であることは当然のことであり、常用温度が引上げ室の室温より何度以上高い機器・設備に対して、覆うようにするかは、クリーンルームの大きさ、空調能力、機器の発熱量等の条件に応じて当業者が適宜行う設計的事項である。
　そうすると、引用例に記載された発明において、多孔板を、その常用温度が引上げ室の室温より１０℃以上高い機器・設備の上部を覆いまたは囲う誘導ダクトを設置するようにすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　また、本願発明が奏する作用効果は、引用例に記載された事項及び周知事項から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、本願の出願前に国内において頒布された引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本願のその他の請求項に係る発明について判断するまでもなく、結論のとおり審決する。