【事件の表示】
　特願２００５−７１０２号「嵌合型接続端子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年７月２７日出願公開、特開２００６−１９６３２３号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１７年１月１４日の出願であって、平成２０年３月５日付けで拒絶査定がなされ（同年３月１０日発送）、これに対し、同年３月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。 
 　 
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１９年１２月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　
　「嵌合型接続端子を構成する亜鉛を含む銅合金からなる導電性基体の表面に直接または下地ニッケルめっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施した接続端子において、嵌合部または接点部にのみリフローを施し、且つ、そのリフローについて、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに溶融・再結晶化層を形成したことを特徴とする嵌合型接続端子。」
　
３．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開昭５９−１４３０８９号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。 
　
（１−ア）「従来Ｓｎ又はＳｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｓｎ−Ｉｎなどの合金（以下総称してＳｎという）のメッキは、Ｃｕ，Ｃｕ合金，鉄鋼などの表面に施されることによりＳｎの保有するその優れた耐食性や低融点、軟質を利用して電子部品材料、例えばリード線、端子、コネクター、リードフレームなどの広範囲の分野に使用されている。」（第１頁左下欄第１５行−右下欄第１行）
　
（１−イ）「本発明方法においては赤外線を短時間（通常１０秒以下）照射することにより、従来の炉加熱や火炎加熱と異り適度の拡散反応を加速することが出来る。」（第２頁左下欄第５−８行）
　
（１−ウ）「この場合必要部分のみに限定して処理することが可能であり、・・・、目的以外の部分を熱的に劣化せしめることがない。」（第２頁左下欄第１６−２０行）
　
（１−エ）「又錫メッキを積極的にメルトせしめて所謂リフロー処理を行う場合には比較的高温度の揮発分解物質を使用することが好ましい。このように本発明方法における赤外線はその目的に応じてその温度、時間等を取捨選択すればよい。」（第２頁右下欄第１６行−第３頁左上欄第１行）
　
（１−オ）「黄銅条０．３５ｍｍｔの表面を常法により洗浄及び活性化を行った後、０．５μの光沢硫酸銅メッキを施し、次いで第１表に示す浴を用いて１．５μの光沢Ｓｎメッキを行った。」（第３頁左上欄第６−９行）
　
　上記記載事項について検討すると、記載（１−ア）の記載からみて、記載（１−オ）に記載された黄銅条は、Ｓｎメッキの表面処理の対象であるから、電子部品材料を構成するものであるといえる。そのため、記載（１−ア）及び記載（１−オ）によれば、電子部品材料を構成する黄銅条の表面に光沢硫酸銅メッキ層を介して光沢Ｓｎメッキを施した電子部品材料が示されているといえる。
　
　記載（１−イ）及び記載（１−エ）によれば、赤外線照射の時間等を取捨選択することにより適度な加熱でリフロー処理を行っている。また、リフロー処理により錫メッキは溶融・再結晶化層を形成する。そのため、記載（１−イ）及び記載（１−エ）によれば、リフロー処理について、適度の加熱により溶融・再結晶化層を形成したことが示されているといえる。
　
　記載（１−ウ）及び記載（１−エ）によれば、必要部分にのみリフロー処理を施すことが示されているといえる。
　
　したがって、上記記載（１−ア）〜（１−オ）の記載事項を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という）が記載されているといえる。
 　 
「電子部品材料を構成する黄銅条の表面に光沢硫酸銅メッキ層を介して光沢Ｓｎメッキを施した電子部品材料において、必要部分にのみリフロー処理を施し、且つ、そのリフロー処理について、適度な加熱により溶融・再結晶化層を形成した電子部品材料。」
　
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、特開２０００−２１５４６号公報（以下「引用例２」という）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
（２−ア）「相手側の接続端子との嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であって、
前記接続端子を形成する銅母材の表面に錫めっき層を形成するめっき工程と、
前記錫めっき層が形成された前記銅母材のうち相手側の接続端子との嵌合時における摺接部分に、その摺接部分表面から焦点をずらした状態でレーザ光を照射して、前記摺接部分における前記錫めっき層のうち前記銅母材との界面近傍に錫よりも硬度が高い錫銅合金層を形成するレーザ光照射工程とを含む嵌合型接続端子の製造方法。」（請求項１）
　
（２−イ）「なお、銅母材として、亜鉛等を含有した銅合金の上に銅めっき層を形成したもの等を用いてもよい。この場合には、レーザ光による変質部分が内部の銅合金にまで及ぶとその銅合金の亜鉛等が錫銅合金に混じってしまうことになる。しかし、上述のように、焦点を摺接部分１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２３ａ表面からずらした状態でレーザ光を照射することによって、銅めっき層とその上の錫めっき層のみを合金化させることが可能となり、亜鉛等が混じらない良質な錫銅合金層を形成することが可能となるという利点がある。」（段落【００４９】）
　
　上記記載（２−ア）〜（２−イ）の記載事項及び図示内容を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例２には、「嵌合型接続端子を構成する亜鉛を含む銅合金からなる導電性基体の表面に銅めっき層を介して錫めっきを施した接続端子において、相手側の接続端子との嵌合時における摺接部分にのみレーザ光の照射を施し、且つ、そのレーザ光の照射について、銅めっき層とその上の錫めっき層のみの溶融によりそこに合金層を形成した嵌合型接続端子。」が記載されているといえる。
　
４．対比 
　本願発明と引用発明とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、引用発明の「黄銅条」は、本願発明の「亜鉛を含む銅合金からなる導電性基体」に相当し、以下同様に、「光沢Ｓｎメッキ」は「錫めっき又は錫合金めっき」に、「リフロー処理」は「リフロー」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明の「電子部品材料」と本願発明の「嵌合型接続端子」とは、共に「電子部品材料」で共通し、以下同様に、「光沢硫酸銅メッキ層を介して」と「直接または下地ニッケルめっき層を介して」とは、共に「下地めっき層を介して」で共通し、「必要部分」と「嵌合部または接点部」とは、共に「必要部分」で共通し、「適度な加熱により溶融・再結晶化層を形成した」ことと「導電性基体に達しない表層近傍の溶融により溶融・再結晶化層を形成した」こととは、共に「適度な加熱により溶融・再結晶化層を形成した」ことで共通する。
 　　　 
　そこで、本願発明の用語を用いて表現すると、両者は次の点で一致する。
　
（一致点） 
「電子部品材料を構成する亜鉛を含む銅合金からなる導電性基体の表面に下地めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施した電子部品材料において、必要部分にのみリフローを施し、且つ、そのリフローについて、適度な加熱により溶融・再結晶化層を形成した電子部品材料。」 
 　 
　そして、両者は次の点で相違する（対応する引用発明の用語を（　）内に示す）。 
 　　　 
（相違点１）
　本願発明では、嵌合型接続端子に関するものであるのに対して、引用発明では、上記記載（１−ア）に電子部品材料の例として「端子」が示唆されてはいるものの、引用発明における「電子部品材料」が「嵌合型接続端子」であるか否かが不明である点。
　
（相違点２）
　本願発明では、下地めっき層が下地ニッケルめっき層であるのに対して、引用発明では、下地めっき層が光沢硫酸銅メッキ層である点。
　
（相違点３）
　本願発明では、嵌合部または接点部にのみリフローを施すのに対して、引用発明では、必要部分にのみリフロー（リフロー処理）を施しているが、該「必要部分」が「嵌合部または接点部」であるか否かが不明である点。
　
（相違点４）
　本願発明では、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに溶融・再結晶化層を形成したのに対して、引用発明では、適度な加熱により溶融・再結晶化層を形成しているが、該「適度な加熱」が「導電性基体に達しない表層近傍の溶融」となるか否かが、不明である点。
　
５．判断 
　上記相違点について検討する。 
　
（相違点１について）
　本願発明と引用例２に記載された技術事項とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、引用例２に記載された技術事項の「相手側の接続端子との嵌合時における摺接部分」は、本願発明の「嵌合部または接点部」に相当し、以下同様に、「銅めっき層とその上の錫めっき層」は「導電性基体に達しない表層近傍」に、それぞれ相当する。
　また、引用例２に記載された技術事項の「銅めっき層」と本願発明の「下地ニッケルめっき層」とは、共に「下地めっき層」で共通し、以下同様に、「レーザ光の照射」と「リフロー」とは、共に「加熱」で共通し、「合金層」と「溶融・再結晶化層」とは、共に「層」で共通する。
　
　したがって、引用例２には、「嵌合型接続端子を構成する亜鉛を含む銅合金からなる導電性基体の表面に下地めっき層を介して錫めっきを施した接続端子において、嵌合部または接点部にのみ加熱を施し、且つ、その加熱について、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに層を形成した嵌合型接続端子。」が記載されていると言い換えることができる。
　
　そして、引用発明と引用例２に記載された技術事項とは、共に亜鉛を含む銅合金からなる導電性基体の表面に下地めっき層を介して錫めっきを施した電子部品材料という点で技術分野が共通しているので、引用発明において、該電子部品材料を嵌合型接続端子とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（相違点２について）
　黄銅（亜鉛を含む銅合金）からなる導電性基体の表面に下地めっき層を介して錫めっきを施しているものにおいて、下地めっき層として下地ニッケルめっき層を採用しているものは、例えば、特開平１０−１３４８６９号公報の段落【００１４】、【００１６】及び図４に記載されているように本願出願前周知の技術事項である。
　
　したがって、引用発明において上記周知の技術事項を適用することによって、下地めっき層として下地ニッケルめっき層を採用するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（相違点３について）
　引用発明において上記引用例２に記載された、嵌合部または接点部のみに加熱を施す点を適用することによって、嵌合部または接点部のみにリフローを施して相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（相違点４について）
　引用発明において上記引用例２に記載された、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに層を形成した点を適用することによって、溶融・再結晶化層の形成を、導電性基体に達しない表層近傍の溶融で相違点４に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明による効果も、引用発明、引用例２に記載された技術事項及び周知の技術事項から当業者が予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。 
 　 
６．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された技術事項及び周知の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
 　　 
　そうすると、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。 
 　　 
　よって、結論のとおり審決する。