Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
画像変動解析部３０１は、画像解析部３０２と、解析値比較部３０３と、解析値保存部３０４とで構成される。画像解析部３０２は、現フレーム画像を解析して解析値を抽出する。解析値比較部３０３は、現フレーム画像の解析値と前フレーム画像の解析値を比較し、その比較結果を算出する。解析値保存部３０４は、現フレーム画像の解析値及び前フレーム画像の解析値を保存する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
位置変更判定部３１１は、照射装置１０２から照射装置内のX線管球の位置情報、寝台１０３から寝台の位置情報、架台１０４からX線センサの位置情報を受け取り、観察部位と照射野の相対的な位置の変更があるか否かを判定する。位置変更判定部３１１は、位置保存部３１２と、位置計算部３１３とで構成される。位置保存部３１２は、現フレーム画像取得時及び前フレーム画像取得時のX線管球、寝台の位置情報、X線センサの位置情報を保存する。位置計算部３１３は、現フレーム画像取得時及び前フレーム画像取得時のX線管球の位置情報、寝台の位置情報、X線センサの位置情報から観察部位と照射野の相対的な位置関係の変更を計算する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、位置計算部３１３は、現フレーム画像取得時、及び前フレーム画像取得時のＸ線管球の位置情報、寝台の位置情報、Ｘ線センサの位置情報から照射野と観察部位の相対位置変更判定を行う。そして、位置計算部３１３は、その結果を総合変更判定部３４１へ出力する（Ｓ４１３）。位置変更判定部３１１により行われる位置変更判定方法の一例を以下に示す。図７はＸ線管球８０１、寝台８０２、架台８０３を示した図であり、位置情報は図７中のＸ、Ｙ、Ｚ方向の位置情報をそれぞれ取得する。図８は現フレーム画像取得時及び前フレーム画像取得時のＸ線管球の原点からの位置情報、寝台の原点からの位置情報、Ｘ線センサの原点からの位置情報、と各位置の差を示した図である。ここで、原点とは撮影開始時の各位置とする。図８(a)では、前フレーム画像取得時から、Ｘ線管球はＸ方向に0cm、Ｙ方向に0cm、Ｚ方向に0cm、寝台はＸ方向に＋10cm、Ｙ方向に-5cm、Ｚ方向に0cm、移動している。また、Ｘ線センサは、Ｘ方向に＋10cm、Ｙ方向に-5cm、Ｚ方向に0cm、移動している。図８(b)では、前フレーム画像取得時から、Ｘ線管球はＸ方向に+10cm、Ｙ方向に+10cm、Ｚ方向に+5cm、寝台はＸ方向に+10cm、Ｙ方向に+10cm、Ｚ方向に+5cm、移動している。また、Ｘ線センサは、Ｘ方向に+10cm、Ｙ方向に+10cm、Ｚ方向に+5cm、移動している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、撮影条件変更判定部３２１で行われるＳ４２１〜Ｓ４２３について説明する。撮影条件変更判定部３２１内の撮影条件保存部３２２は、照射装置１０２から現フレーム画像取得時の管電圧、管電流、照射時間、架台１０４からX線センサのフレームレート等の撮影条件を受け取る（Ｓ４２１）。次に、撮影条件保存部３２２は、現フレーム画像取得時の管電圧、管電流、照射時間、フレームレート情報を保存する（Ｓ４２２）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に生体情報変動解析部３３１で行われるＳ４３１〜Ｓ４３３について説明する。ここでは生体情報解析として、呼吸器から得る呼吸位相の解析を一例として説明する。生体情報変動解析部３３１内の生体情報保存部３３３は、現フレーム画像取得時の呼吸位相の情報を受け取る（Ｓ４３１）。次に、生体情報保存部３３３は、現フレーム画像取得時の呼吸位相の情報を保存する（Ｓ４３２）。次に、生体情報変動解析部３３１は、現フレーム画像取得時、及び前フレーム画像取得時の呼吸位相に基づいて呼吸位相変動解析を行い、その結果を総合変更判定部３４１へ出力する（Ｓ４３３）。生体情報変動解析部３３１により行われる呼吸位相変動解析の一例を以下に示す。図１０は、現フレーム画像取得時及び前フレーム画像取得時の呼吸位相と変化の様子を例示した図である。図１０(a)では、前フレーム画像取得時の呼吸位相は吸気相であるのに対し、現フレーム画像取得時の呼吸位相は呼気相となっている。図１０(b)では、前フレーム画像取得時の呼吸位相は呼気相であるのに対し、現フレーム画像取得時の呼吸位相も呼気相となっている事が分かる。尚、生体情報変更解析方法は、上記の方法の他にも、呼気相、吸気相それぞれの最初の方であるか、最後の方であるかを判定する方法を適用することが可能である。あるいは、生体情報として心電図から情報を受け取り、拡張期と収縮期の変化を解析する方法等、生体情報の変動を解析する様々な手法を適用する事が可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次に、現フレーム特徴量抽出部１２０４は、決定した解析範囲の中で、特徴量を算出する（Ｓ１３２３）。特徴量の算出方法の一例を以下に示す。図１４の解析範囲１４０３のみの画素値を用いて生成したヒストグラムが図１５(a)である。図１５(a)に対し、ある閾値（例えば10）以下の頻度値を0にしたトリムヒストグラムが図１５(b)である。図１５(b)のトリムヒストグラムの最小値、最大値、中間値をそれぞれ求め、特徴量として算出する。図１５（ｃ）は、図１５(b)のトリムヒストグラムの最小値、最大値、中間値を算出し特徴量とした一例である。尚、特徴量算出方法としては、この他にも、解析範囲内の分散値、平均値を求める方法や、最小値と最大値の差を求める方法等、現フレーム画像の特徴量を抽出する様々な手法を適用する事が可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次に、画像処理部１０８による画像処理方法について図１６のブロック図、図１７のフローチャートを用いて詳細に説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図１９の仮特徴量抽出部１９０７は、画像入力部１０１より画像を受け取り、仮特徴量を抽出する。特徴量設定部１９０８は、変更判定部１０６から変更の判定結果と、仮特徴量抽出部１９０７からの仮特徴量とを受け取り、画像の特徴量を設定する、画像処理部１０８は、特徴量設定部１９０８で設定された特徴量を基に画像処理を行う。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010245707.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2010245707.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ディレクトリ"STREAM"には、クリップAVストリームファイル"xxxxx.m2ts"が格納される。クリップAVストリームファイル"xxxxx.m2ts"には、TSが格納される。クリップAVストリームファイル"xxxxx.m2ts"のファイル名には、５桁の数字"xxxxx"と、拡張子"m2ts"とからなるファイル名が用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
なお、あるクリップを構成するクリップインフォメーションファイル"xxxxx.clpi"と、クリップAVストリームファイル"xxxxx.m2ts"のファイル名としては、拡張子を除き、一致するファイル名が用いられる。これにより、あるクリップを構成するクリップインフォメーションファイル"xxxxx.clpi"と、クリップAVストリームファイル"xxxxx.m2ts"とを、容易に特定することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
図４は、3D対応プレーヤによる3D画像の処理の概要（BD-J stereoscopic graphicsの概要）を説明する図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
ミキサ１５が出力する左眼用画像は、左用のディスプレイ出力(L(Left) display output)として、図示せぬディスプレイに供給される。また、ミキサ１５が出力する右眼用画像は、右用のディスプレイ出力(R(Right) display output)として、図示せぬディスプレイに供給される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
図５は、BD-Jアプリケーションによる、グラフィックスプレーン１１(Stereoscopic grapics planes)への、グラフィクスの3D画像の描画を説明する図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
Rグラフィックスプレーン１１Ｒにおいては、右から左方向を正の方向として、論理プレーン１０に描画された元画像が、水平方向の位置を、オフセット値だけずらした位置に描画される。すなわち、論理プレーン１０に描画された元画像の水平方向の位置を、オフセット値だけずらした結果得られる画像が、右眼用画像として、Rグラフィクスプレーン１１Ｒに描画される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
そして、ミキサ１５は、Lグラフィクスプレーン１１Ｌに描画（記憶）されたグラフィクスの左眼用画像を、Lビデオプレーン１３Ｌに描画されたビデオ（及びPG）の左眼用画像とブレンディングして出力する。さらに、ミキサ１５は、Rグラフィクスプレーン１１Ｒに描画されたグラフィクスの右眼用画像を、Rビデオプレーン１３Ｒに描画されたビデオの右眼用画像とブレンディングして出力する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
そして、Lビデオプレーン１３Ｌに描画（記憶）されたビデオのモノ画像、及び、Rビデオプレーン１３Ｒに描画されたビデオのモノ画像は、いずれも、ミキサ１５に供給される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８４】
そして、Lビデオプレーン１３Ｌに描画（記憶）されたビデオの左眼用画像、及び、Rビデオプレーン１３Ｒに描画されたビデオの右眼用画像は、いずれも、ミキサ１５に供給される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
そして、Lビデオプレーン１３Ｌに描画（記憶）されたビデオの左眼用画像が、ミキサ１５に供給されるとともに、Rビデオプレーン１３Ｒに描画されたビデオの左眼用画像が、(右眼用画像として、)ミキサ１５に供給される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
Lバックグラウンドプレーン１４Ｌに描画（記憶）されたバックグラウンドの左眼用画像、及び、Rバックグラウンドプレーン１４Ｒに描画されたバックグラウンドの右眼用画像は、いずれも、ミキサ１５に供給される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９６】
Lバックグラウンドプレーン１４Ｌに描画されたバックグラウンドの左眼用画像、及び、Rバックグラウンドプレーン１４Ｒに描画されたバックグラウンドの右眼用画像は、いずれも、ミキサ１５に供給される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２００】
そして、Lバックグラウンドプレーン１４Ｌに描画されたバックグラウンドの左眼用画像が、ミキサ１５に供給されるとともに、Rバックグラウンドプレーン１４Ｒに描画されたバックグラウンドの左眼用画像が、(右眼用画像として、)いずれも、ミキサ１５に供給される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３０１】
図２０は、1920×2160画素の3D画像（ステレオ画像）を再生する場合に再生されるグラフィクス、及び、バックグラウンドの画像を示している。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３７１】
さらに、HDMV TextSTについては、mono 1-stream(legacy content)モード、及び、1-stream + plane-offsetモードを、TextSTの画像を再生するTextST再生モードとして定義する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４０５】
さらに、その後、図３０では、動作モードが、3D再生モードから、レガシープレーヤと同様にして、2D画像を再生する2D再生モード(Legacy playback mode)に変更されている。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４０８】
動作モードの変更に従い、グラフィクスモードは、モノグラフィクスモード(mono gfx)から、ステレオグラフィクスモード(stereo gfx)に変更されている。さらに、ビデオモードは、モノビデオモード(mono video)から、フラットステレオビデオモード(flattened stereo video)に変更されている。なお、バックグラウンドモードは、モノバックグラウンドモード(mono background)のままになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声に応じた入力信号を発生するコンデンサマイクと、
入力端子に前記コンデンサマイクからの入力信号が印加された演算増幅器と、
前記演算増幅器の出力端子と前記入力端子の間に接続され、前記入力信号の振幅の増加と共にその容量値が増加する特性を有するＭＯＳ容量素子を用いた第１の帰還コンデンサと、
前記演算増幅器の前記出力端子と前記入力端子の間に接続された帰還抵抗と、を備えることを特徴とするコンデンサマイクの増幅回路。
【請求項２】
前記第１の帰還コンデンサは、第１のゲート及び第１のバックゲートを有する第１のＭＯＳ容量素子と、第２のゲート及び第２のバックゲートを有する第２のＭＯＳ容量素子とを備え、前記第１のゲートを前記第２のバックゲートに接続し、前記第２のゲートを前記第１のバックゲートに接続してなることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサマイクの増幅回路。
【請求項３】
前記第１のバックゲートを前記第１のＭＯＳ容量素子の第１のソース及び第１のドレインに接続し、
前記第２のバックゲートを前記第２のＭＯＳ容量素子の第２のソース及び第２のドレインに接続したことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサマイクの増幅回路。
【請求項４】
前記演算増幅器の出力端子と前記入力端子の間に接続され、前記第１の帰還コンデンサに比して前記入力信号に対する容量値変化が小さい第２の帰還コンデンサを備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のコンデンサマイクの増幅回路。
【請求項５】
前記第２の帰還コンデンサは、前記第１及び第２のバックゲートよりも高濃度の第１及び第２の多結晶半導体層と、前記第１の多結晶半導体層と前記第２の多結晶半導体層の間に挟まれた容量絶縁層を備えることを特徴とする請求項４に記載のコンデンサマイクの増幅回路。
【請求項６】
前記演算増幅器の出力信号をＡＤ変換するＡＤ変換器を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のコンデンサマイクの増幅回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
そして、第１のゲートＧ１と第２のバックゲートＢＧ２とが電気的に接続される。この接続ノードをＮ１とする。また、第２のゲートＧ２と第１のバックゲートＢＧ１とが電気的に接続される。この接続ノードをＮ２とする。ノードＮ１に入力電圧Ｖｉｎが印加され、ノードＮ２に出力電圧Ｖｏｕｔが印加される。ノードＮ１は図１の演算増幅器１１の反転入力端子（−）に接続され、ノードＮ２は演算増幅器１１の非反転出力端子（＋）に接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この場合、第１のＰ型ウエル２２が第１のＭＯＳ容量素子Ｍ１の第１のバックゲートＢＧ１になっている。また、第２のＰ型ウエル２３が第２のＭＯＳ容量素子Ｍ２の第２のバックゲートＢＧ２になっている。また、第１のゲートＧ１はゲート絶縁膜２４（容量絶縁膜）上に形成され、第２のゲートＧ２はゲート絶縁膜２５（容量絶縁膜）上に形成される。ゲート絶縁膜２４、２５は同じ材質、同じ膜厚を有することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
一方、図４（ｂ）は、第２のＭＯＳ容量素子Ｍ２のＣ−Ｖ特性を示す。図示のように、このＣ−Ｖ特性は、第１のＭＯＳ容量素子Ｍ１のＣ−Ｖ特性を図の縦軸を中心に折り返した形になっている。つまり、印加電圧が−Ｖｔより低くなると、チャネルに反転層が形成されることにより容量Ｃ２は急激に増加する。印加電圧が−Ｖｔ（しきい値）以上であって−Ｖｔ付近は、チャネルに空乏層が形成されるため容量Ｃ２は小さいが、印加電圧が正方向へ変化するとチャネルは蓄積状態へと向かい容量Ｃ２は増加していく。つまり、第１のＭＯＳ容量素子Ｍ１のＣ−Ｖ特性とは反対である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図５は、第１の帰還コンデンサＣｆ１における第１のＭＯＳ容量素子Ｍ１のＣ−Ｖ特性の測定例を示す図であり、図６は、第１の帰還コンデンサＣｆ１のＣ−Ｖ特性の測定例を示す図である。図５、図６は、それぞれ３つのサンプルの測定例を示し、図中のＶｔｅｎ２０とは、Ｖｔ（しきい値）を表わしており、面積２００００μｍ２とは、第１のＭＯＳ容量素子Ｍ１の面積を表わしている。図５のＣ−Ｖ特性は中心電圧（０Ｖ）に対して非対称であるが、図６のＣ−Ｖ特性は中心電圧（０Ｖ）に対して対称になることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月12日(2012.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
これによれば、従来品では、結晶粒界に主相のネオジウム濃度より高い濃度のＮｄリッチ相を有することが確認でき（図４（ａ）参照）、真空蒸気処理を施す前の二次焼結体Ｓ２が略同等の組成を有するものと推測される。それに対しては、発明品では、結晶粒界に、主相よりＮｄ濃度が低いが、Ｄｙが富化された相が存在し、また、Ｄｙ原子が磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に磁石表面からその中心に向かって含有濃度が薄くなる分布を持って均一に拡散していることが確認された（図４（ａ）、図５（ｆ）及び図６参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貼り合わせ対象の２枚のウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハの貼り合わせ面に酸化膜が形成された前記２枚のウェーハが収容される容器と、該容器内に設けられ前記２枚のウェーハが重ね合わされ載置される載置台と、該載置台の周りに前記ウェーハの外径に合わせて立設される少なくとも３つの支持部材と、前記容器内を排気して減圧する減圧手段を備え、
前記載置台は、載置面が凹状に形成されている貼り合わせ装置。
【請求項２】
貼り合わせ対象の２枚のウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハの貼り合わせ面に酸化膜が形成された前記２枚のウェーハが収容される容器と、該容器内に設けられ前記２枚のウェーハが重ね合わされ載置される載置台と、該載置台の周りに前記ウェーハの外径に合わせて立設される少なくとも３つの支持部材と、前記容器内を排気して減圧する減圧手段を備え、
前記載置台は、載置面が水平方向に対して０°を超え５°以下傾斜して形成されている貼り合わせ装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の貼り合わせ装置において、
前記載置台は、載置面が前記ウェーハの貼り合わせ面よりも小さく形成されていることを特徴とする貼り合わせ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の貼り合わせ装置において、
前記載置台の載置面上方には押圧部材が設けられていることを特徴とする貼り合わせ装置。
【請求項５】
貼り合わせ対象の２枚のウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハの貼り合わせ面に酸化膜が形成された前記２枚のウェーハを、前記酸化膜を介して重ね合わせて容器内の載置台に載置した後、前記容器内を減圧して前記ウェーハ同士の接合を開始させるＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のＳＯＩウェーハの製造方法において、
前記載置台の載置面は凹状に形成されていることを特徴とする製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載のＳＯＩウェーハの製造方法において、
前記載置台の載置面は水平方向に対して０°を超え５°以下傾斜して形成され、前記載置台の周りには前記ウェーハの移動を規制する少なくとも３つの支持部材が立設されていることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれかに記載のＳＯＩウェーハの製造方法において、
前記減圧の後に前記ウェーハを押圧して前記ウェーハ同士の接合を開始させることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体ウエハの第1の主面上の第1の絶縁膜の上面から下方に向けて、凹部を形成する工程；
（ｂ）前記凹部の内面及び前記第1の絶縁膜の前記上面に、バリア・メタル膜を形成する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、スパッタリング処理チャンバ内において、前記凹部の内部を満たし、前記第1の絶縁膜の前記上面を覆うように、イオン化スパッタリングにより、アルミニウム系メタル層を形成する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月12日(2012.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポジ型又はネガ型の化学増幅タイプのレジストを基材に塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストをプリベークするプリベーク工程と、
前記レジストを露光する露光工程と、
前記レジストをポストエクスポージャーべークするポストエクスポージャーベーク工程と、
前記レジストを現像することにより、該レジストを所定のパターン形状に形成する現像工程と、
をこの順に行い、
前記プリベーク工程では、前記レジストがポジ型の場合には該レジストに含まれるベース樹脂の保護基の脱離開始温度以上でプリベークを行い、前記レジストがネガ型の場合には該レジストに含まれるベース樹脂の架橋剤の架橋開始温度以上でプリベークを行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レジストパターン形成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
そこで、第３の実施形態の場合、露光工程での露光量は、上記の第２の実施形態とは逆に、ウェーハ３の中央部ほど大きく、外周部ほど小さくする。これにより、第３の実施形態でも、上記の第２の実施形態と同様の作用及び効果が得られる。
なお、上記実施形態には以下の発明が開示されている。
（付記１）
ポジ型又はネガ型の化学増幅タイプのレジストを基材に塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストをプリベークするプリベーク工程と、
前記レジストを露光する露光工程と、
前記レジストをポストエクスポージャーべークするポストエクスポージャーベーク工程と、
前記レジストを現像することにより、該レジストを所定のパターン形状に形成する現像工程と、
をこの順に行い、
前記プリベーク工程では、前記レジストがポジ型の場合には該レジストに含まれるベース樹脂の保護基の脱離開始温度以上でプリベークを行い、前記レジストがネガ型の場合には該レジストに含まれるベース樹脂の架橋剤の架橋開始温度以上でプリベークを行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
（付記２）
ポジ型の前記レジストを用い、前記プリベークを前記脱離開始温度＋３０℃以下で行うことを特徴とする付記１に記載のレジストパターン形成方法。
（付記３）
ネガ型の前記レジストを用い、前記プリベークを前記架橋開始温度＋３０℃以下で行うことを特徴とする付記１に記載のレジストパターン形成方法。
（付記４）
前記露光工程では、前記レジストのうち、感度の高い部分ほど露光量が小さく、感度の低い部分ほど露光量が大きくなるように、露光することを特徴とする付記１乃至３のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法。
（付記５）
前記露光工程では、前記レジストのうち、高温で前記プリベークが行われた部分ほど露光量が小さく、低温で前記プリベークが行われた部分ほど露光量が大きくなるように、露光することを特徴とする付記１乃至４のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法。
（付記６）
前記露光工程では、前記レジストのうち、前記プリベークの際に熱源に近かった部分ほど露光量が小さく、前記プリベークの際に熱源から遠かった部分ほど露光量が大きくなるように、露光することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法。
（付記７）
半導体ウェーハ上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記半導体ウェーハを加工する工程と、
を備え、
前記レジストパターン形成工程は、付記１乃至６のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上の少なくとも前記ゲート電極と重なる領域に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の第１領域及び第２領域に挟まれる第３領域上にチャネル保護膜を形成する工程と、
前記第１領域及び前記第２領域並びに前記チャネル保護膜に対して、ドーパントを含有するガスによるプラズマ処理を行って、前記第１領域及び前記第２領域の表層の不純物濃度を高める工程と、
前記プラズマ処理が行われた前記第１領域及び前記第２領域の前記表層上に、それぞれ、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された薄膜トランジスタの製造方法において、
前記ガスは、前記ドーパントとしてのリンの化合物であるホスフィンを含有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された薄膜トランジスタの製造方法において、
前記プラズマ処理によって、前記チャネル保護膜の表層に、前記リンをドーピングして、ゲッタリング効果によって汚染物を捕獲するゲッタリング層を形成することをさらに含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された薄膜トランジスタの製造方法において、
前記半導体層を、前記半導体層の投影面が前記ゲート電極の投影面に含まれるように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された薄膜トランジスタの製造方法において、
善意半導体層を前記ゲート電極よりも小さく形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ＰＤ−ＳＯＩ  ＭＩＳＦＥＴでは、素子分離膜と絶縁層（ＢＯＸ層ともいう。）とによ
って、ボディ領域が他の領域から電気的に分離されており、その電位（即ち、ボディ電位
）は浮遊している。このため、基板浮遊効果と呼ばれる現象のデバイス特性への影響（例
えば、ヒストリー効果）を考慮しなくてはならない。ここで、ヒストリー効果とは、ゲー
ト、ドレイン、ソースに印加されていた電圧の履歴によって、ボディ電位及びドレイン電
流が変動し、デバイス特性が不安定になってしまう現象のことである。
また、ヒストリー効果は、例えば図８に示すような既知のボディ電位固定方法により
抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源装置からアーク放電を用いた処理用の電力が入力される二次巻線とこの二次巻線に磁気結合され、前記アーク放電を発生させるための高周波電圧が入力される一次巻線とを備え、前記高周波電圧を昇圧して前記電源装置から前記二次巻線に印加される電圧に重畳するカップリングコイルであって、
前記二次巻線が金属条であり、絶縁シートとともにコアにロール状に巻回されていることを特徴とするカップリングコイル。
【請求項２】
前記金属条は銅条である、請求項１に記載のカップリングコイル。
【請求項３】
前記二次巻線にはリード端子用の電線が固着されており、前記電線は平編銅線である、請求項１又は２に記載のカップリングコイル。
【請求項４】
前記一次巻線および前記二次巻線は、正面視ロの字形状の強磁性体からなる前記コアの脚部に巻回されている、請求項１または２に記載のカップリングコイル。
【請求項５】
前記一次巻線および前記二次巻線は、棒形状の強磁性体からなる前記コアに巻回されている、請求項１または２に記載のカップリングコイル。
【請求項６】
前記一次巻線および二次巻線は、前記コアの同じ位置に巻回されている、請求項４又は５のいずれかに記載のカップリングコイル。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のカップリングコイルを備えていることを特徴とするアーク溶接機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第１の側面によって提供されるカップリングコイルは、電源装置からアーク放電を用いた処理用の電力が入力される二次巻線とこの二次巻線に磁気結合され、前記アーク放電を発生させるための高周波電圧が入力される一次巻線とを備え、前記高周波電圧を昇圧して前記電源装置から前記二次巻線に印加される電圧に重畳するカップリングコイルであって、前記二次巻線が金属条であり、絶縁シートとともにコアにロール状に巻回されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
更に、本発明の好ましい実施の形態においては、前記一次巻線および前記二次巻線は、正面視ロの字形状の強磁性体からなる前記コアの脚部に巻回されている。また、前記一次巻線および前記二次巻線は、棒形状の強磁性体からなる前記コアに巻回されている。前記一次巻線および二次巻線は、前記コアの同じ位置に巻回されているとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンおよび電子部品が配設された複数の単位区画を有する基板の主面上において、互いに交差する溝方向に夫々の当該溝を当該各単位区画間に形成する第一ダイシング工程と、
前記溝方向同士が交差する角度の半分の方向へ導電性ペーストを前記溝に充填し、当該導電性ペーストを加熱硬化して当該溝に露出した前記グランドパターンに接続する溝埋工程と、
前記溝を含む前記基板の主面上に、導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストを加熱硬化してシールド層を形成する表層印刷工程と、
複数の前記各単位区画に前記基板を前記溝で切り分ける第二ダイシング工程と、
を有する高周波モジュールの製造方法。
【請求項２】
複数の単位区画を有する基板の主面上において、当該各単位区画内に回路パターンを形成する回路形成工程と、
前記回路パターン上に電子部品を配設する部品実装工程と、
前記電子部品が配設された前記基板の主面上に樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記基板の各単位区画間に埋設されたグランドパターンが露出する所まで、互いに交差する溝方向に夫々の当該溝を当該各単位区画間に形成する第一ダイシング工程と、
前記溝方向同士が交差する角度の半分の方向へ導電性ペーストを前記溝に充填し、当該導電性ペーストを加熱硬化して当該溝に露出した前記グランドパターンに接続する溝埋工程と、
前記導電性ペーストが充填された前記溝上面を平らにする研磨工程と、
前記溝を含む前記樹脂モールドが施された前記基板の主面上に、導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストを加熱硬化してシールド層を形成する表層印刷工程と、
複数の前記各単位区画に前記基板を前記溝に充填された前記導電性ペーストの層で切り分ける第二ダイシング工程と、
を有する高周波モジュールの製造方法。
【請求項３】
複数の単位区画を有する基板の主面上において、当該各単位区画内に回路パターンを形成する回路形成工程と、
前記回路パターン上に電子部品を配設する部品実装工程と、
前記電子部品が配設された前記基板の主面上に樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記基板の各単位区画間に埋設されたグランドパターンが露出する所まで、互いに直角に交差する溝方向に夫々の当該溝を当該各単位区画間に形成する第一ダイシング工程と、
前記溝方向との成す角度αが４５°±１５°となる範囲の印刷方向へ導電性ペーストを前記溝に充填し、当該導電性ペーストを加熱硬化して当該溝に露出した前記グランドパターンに接続する溝埋工程と、
前記導電性ペーストが充填された前記溝上面を平らにする研磨工程と、
前記溝を含む前記樹脂モールドが施された前記基板の主面上に、導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストを加熱硬化してシールド層を形成する表層印刷工程と、
複数の前記各単位区画に前記基板を前記溝に充填された前記導電性ペーストの層で切り分ける第二ダイシング工程と、
を有する高周波モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記角度αが４５°±５°となる範囲であることを特徴とする請求項３に記載の高周波モジュールの製造方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シールドおよび放熱性を有する高周波モジュールの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、通信機器、情報機器などに用いられる高周波モジュールに関し、特に携帯機器の送信用電力増幅器などのように小型で安価であることが要求される高周波モジュールの製造方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、電気化学反応に用いられるイオンを伝導する第１イオン伝導層および第２イオン伝導層と、前記イオンを供給する第２電極とを有し、
前記第１電極は、前記第１イオン伝導層の一方の面に設けられ、
前記第２イオン伝導層は、前記第１イオン伝導層の他方の面に、前記第１イオン伝導層上を移動可能に設けられ、
前記第２電極は、少なくとも前記第２イオン伝導層の前記第１イオン伝導層とは反対側の面に設けられていることを特徴とするスイッチング素子。
【請求項２】
前記イオンは、金属イオンを含むことを特徴とする請求項１記載のスイッチング素子。
【請求項３】
前記第２イオン伝導層は、その一部に他の部分より厚みの薄い部分を有していることを特徴とする請求項１または２記載のスイッチング素子。
【請求項４】
前記第２電極の一部は、前記第１イオン伝導層に接していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のスイッチング素子。
【請求項５】
前記第１電極は、白金を含み、前記第２電極は、銅を含み、前記第１イオン伝導層および前記第２イオン伝導層は、酸化タンタルを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のスイッチング素子。
【請求項６】
複数の前記第２イオン伝導層および前記第２電極を有し、
少なくとも２つの前記第２イオン伝導層は、同時に、かつ同方向に移動可能に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のスイッチング素子。
【請求項７】
さらに、電気化学反応に用いられるイオンを伝導する第３イオン伝導層と、第３電極とを有し、
前記第３伝導層は、前記第１イオン伝導層の他方の面に、前記第１イオン伝導層上を移動可能に設けられ、
前記第３電極は、少なくとも前記第３イオン伝導層の前記第１イオン伝導層とは反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のスイッチング素子。
【請求項８】
前記第２電極に正または負の電圧を印加することにより、前記第２イオン伝導層および前記第１イオン伝導層に、前記イオンを供給し、前記第１電極と前記第２電極との間を、電気的に接続することで、オフ状態からオン状態に切り替わることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のスイッチング素子の動作方法。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか一項に記載のスイッチング素子をスイッチに用いたことを特徴とする書き換え可能な論理集積回路。
【請求項１０】
請求項１から７のいずれか一項に記載のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子が、オン状態およびオフ状態のいずれの状態であるかを読み出すためのトランジスタ素子と、を有することを特徴とするメモリ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体電解コンデンサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は各種電子機器に利用される巻回形の固体電解コンデンサに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、特許文献４に記された添加剤として、絶縁性を有する高分子の前駆体を用いる方法がある。この方法では、皮膜欠陥部分を絶縁化することにより、耐圧性の高い固体電解コンデンサを得ることができるとされている（例えば、特許文献５）。
【特許文献１】特開２００７−２７３７５１号公報
【特許文献２】特開平１０−３４０８２９号公報
【特許文献３】特許第３６０６１３７号公報
【特許文献４】特許第３５５１１０８号公報
【特許文献５】特開２００３−１００５６１号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記課題を解決するために本発明の固体電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜が形成されたアルミニウムからなる陽極箔とアルミニウムからなる陰極箔とをセパレータを介して巻回して形成されたコンデンサ素子と、前記セパレータが繊維径０．１〜１μｍの繊維からなり、前記セパレータの繊維にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルフォネートのフィルム状の導電性高分子が被着したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の固体電解コンデンサによれば、繊維径０．１〜１μｍの均一な繊維で形成したセパレータを用いてコンデンサ素子を形成し、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルフォネートの導電性高分子を前記コンデンサ素子のセパレータの繊維および繊維間に被着させることにより、前記セパレータの密度を低く保ちつつその厚みを薄くすることができ、導電性高分子が前記セパレータの繊維及び繊維間に空隙無く被着されることができるので、セパレータの導電性が向上する。その結果、ＥＳＲ特性と静電容量特性に優れた固体電解コンデンサを得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
またフィルム状の導電性高分子の前記セパレータへの被着は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルフォネートの導電性高分子分散液に陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子を浸漬し、その後浸漬した前記コンデンサ素子を乾燥させることで行われることにより、陽極箔の誘電体酸化皮膜の腐蝕無しに、フィルム状の導電性高分子をセパレータに被着することができる。そのため、漏れ電流が低い固体電解コンデンサが得られ、また、耐ショート性に優れるため定格電圧の高いものが得られる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体酸化皮膜が形成されたアルミニウムからなる陽極箔とアルミニウムからなる陰極箔とをセパレータを介して巻回して形成されたコンデンサ素子と、前記セパレータが繊維径０．１〜１μｍの繊維からなり、前記セパレータの繊維にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルフォネートのフィルム状の導電性高分子が被着したことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記セパレータは、厚みが１〜２０μｍ、かつ、密度が０．１〜１ｇ／ｃｍ3である請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記セパレータは、セルロースまたは樹脂を溶解した溶液を直流電圧を印加したノズルを用いて噴射することにより長繊維を堆積させたものである請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記フィルム状の導電性高分子の前記セパレータへの被着は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルフォネートの導電性高分子分散液に陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子を浸漬し、その後浸漬した前記コンデンサ素子を乾燥させることで行われる請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
かかる液状のアンダーフィル剤によってパッドの部分的又は全面が被覆される事態を防止しすべく、下記特許文献１には、図７（ａ）に示す半導体パッケージが提案されている。
図７に示す半導体パッケージでは、配線基板３００の一面側を被覆するソルダーレジスト３０２に、フリップチップ方式で搭載された半導体素子３０４と配線基板３００の外周縁との間に、半導体素子３０４とソルダーレジスト３０２との間の隙間に充填されなかった余剰のアンダーフィル剤３０８が配線基板３００の外周縁方向に広がることを防止する凹溝３０６が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図７（ａ）に示す半導体パッケージによれば、図７（ｂ）に示す様に、余剰のアンダーフィル剤３０８の配線基板３００の外周縁方向への広がりは、凹溝３０６によって妨げられる。このため、配線基板３００の外周縁近傍に設けられているパッド３１０等の部材が、アンダーフィル剤によって部分的又は全面的に被覆されることを防止できる。
しかしながら、半導体パッケージには、薄層化の要請と共に小型化の要請があり、図７に示す半導体パッケージの如く、搭載された半導体素子３０４と配線基板３００の外周縁との間に、凹溝３０６を形成する隙間がなくなりつつある。
そこで、本発明は、配線基板の外周縁近傍に形成された部材が余剰のアンダーフィル剤によって被覆されないように、余剰のアンダーフィル剤の配線基板の外周縁方向への広がりを防止する凹溝を、搭載された半導体素子と配線基板との間に形成することを要し、小型化が困難な従来の半導体パッケージの課題を解決し、配線基板の外周縁近傍に形成された部材が余剰のアンダーフィル剤によって被覆されることがなく、且つ小型化が可能な半導体パッケージを提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明者等は、前記課題を解決すべく、図８に示す半導体パッケージを試作した。図８に示す半導体パッケージは、配線基板４００の一面側を覆うソルダーレジスト４０２に、長方形状の溝部４０６を形成し、溝部４０６の底面にパッド４０８，４０８・・から成るパッド群を形成した。このパッド４０８，４０８・・は、配線基板４００にフリップチップ方式によって搭載された半導体素子４０４上に積層される半導体素子とワイヤボンディングされるパッドである。
しかし、半導体素子４０４と溝部４０６との間のＡ位置に、ノズルから液状のアンダーフィル剤４１０の滴下を開始し、矢印の方向にノズルを移動させて、アンダーフィル剤４１０を半導体素子４０４と配線基板４００との隙間に充填したところ、図８に示す如く、余剰のアンダーフィル剤４１０が溝部４０６内に進入し、アンダーフィル剤４１０によって部分的又は全面が被覆されたパッド４０８が発生した。
ところで、溝部４０６にアンダーフィル剤４１０が進入開始した箇所について調査すると、ノズルから液状のアンダーフィル剤４１０の滴下を開始した箇所に近い溝部４０６の角部縁（図８に○印で示す角部縁）であることが判明した。
このため、本発明者等は、液状のアンダーフィル剤４１０の滴下を開始したＡ位置に近い溝部４０６の角部を鈍角にしたところ、溝部４０６内へのアンダーフィル剤４１０の進入を防止できることを見出し、本発明に到達した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１〜図４に示す半導体パッケージでは、溝部１６を台形形状としたが、図５に示す半導体パッケージの様に、溝部１６の端部形状を円弧状に形成することによって、ノズルから滴下した液状のアンダーフィル剤が溝部１６内に進入することを更に一層防止できる。この端部が円弧状に形成された溝部１６によれば、図２に示す様に、配線基板１２の周縁側に回り込んでくるアンダーフィル剤２２に対しても、溝部１６の角部縁を弧状に形成できる。このため、図４に示す細幅溝部２４、２４によって、溝部１６，１６を連結することを要しない。
また、図１〜図５に示す半導体パッケージでは、配線基板１２に搭載した半導体素子２０の各辺に対応して台形形状の溝部１６や端部が円弧状に形成された溝部１６を形成しているが、ノズルから液状のアンダーフィル剤２２の滴下を開始するＡ位置（滴下開始部）に近い溝部１６，１６を、台形形状の溝部１６や端部が円弧状に形成された溝部１６に形成することによって、溝部１６内へのアンダーフィル剤の進入を防止できる。
更に、図１〜図５に示す半導体パッケージでは、配線基板１２に搭載した半導体素子２０の各辺に対応して溝部１６が形成されているが、図７に示す様に、配線基板１２の一方側に片寄って半導体素子２０を搭載し、半導体素子２０の一方側のみに溝部１６を形成してもよい。
また、図１〜図５に示す半導体パッケージの溝部１６の角部縁に、鈍角に形成された複数の屈曲部が設けられていてもよい。
尚、半導体パッケージ１０上に三次元実装する電子部品としては、半導体素子、半導体装置の他に、チップコンデンサーやチップ抵抗等を用いることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010245108.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010245108.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイを備え、
前記ダイは、
基板と、
前記基板上に設けられ、一の方向に延びる部分を有する第１配線と、
前記基板上に設けられ、平面視において前記第１配線と交差し、かつ前記基板の厚み方向において前記第１配線と間隔を空けて配置された第２配線と、
前記第１および第２配線が前記間隔を空けて互いに交差する領域において前記第１および第２配線に少なくとも一部が挟まれた磁気記憶素子と、
平面視において前記磁気記憶素子を覆うように形成された第１の磁気シールド構造とを含み、さらに
厚み方向において前記ダイを挟む第２および第３の磁気シールド構造と、
前記ダイが実装され、かつ強磁性体を含有するリードフレーム部材とを備え、
前記リードフレーム部材は平面視において前記ダイの一部のみと重複している、磁気記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて、シリコン基板上に少なくとも一層で、疎部および密部を有するマスクパターンを形成した試料ウェハをエッチングするドライエッチング方法において、
パターンの疎部のエッチング速度に比べてパターンの密部のエッチング速度が速い第１のエッチングステップと、
パターンの密部のエッチング速度に比べて、パターンの疎部のエッチング速度が速い第２のエッチングステップを有する
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のドライエッチング方法において、
第１のエッチングステップがＣＦ系ガスと窒素原子を有するガスとの混合ガスであり、
第１のエッチングステップと第２のエッチングステップとのエッチング時間比を選択することによりパターンの疎部と密部のエッチング深さを所定の値とする
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項２記載のドライエッチング方法において、
第１エッチングステップが、ＣＦ系ガスと窒素原子を有するガスと酸素原子とを有するガスとの混合ガスである
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３記載のドライエッチング方法において、
窒素原子含有ガスの流量はＣＦ系ガス流量の１０％〜５０％の範囲に制御される
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項３記載のドライエッチング方法において、
酸素原子を含有するガスの流量は窒素ガス流量以下に制御される
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２記載のドライエッチング方法において、
前記第１のエッチングステップが逆マイクロローディング効果が発生するエッチングステップであり、
前記第２のエッチングステップがマイクロローディング効果が発生するエッチングステップであり、
前記第１のエッチングステップと前記第２のエッチングステップとを交互に行う
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体フィルムの片側端部に設けたマージン部を除いて金属蒸着した片面金属化フィルムをそれぞれのマージン部が反対側に位置するように２枚重ね合わせて巻回した巻回体、あるいは誘電体フィルムの表裏両面の片側端部に設けられたマージン部を除いて金属蒸着した金属化フィルムと金属蒸着していない誘電体フィルムとを重ね合わせて巻回した巻回体と、前記巻回体の両端面に設けた取り出し電極とを有し、前記巻回体の両端面に複数の溝が形成されていることを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
【請求項２】
誘電体フィルムの片側端部に設けたマージン部を除いて金属蒸着した片面金属化フィルムをそれぞれのマージン部が反対側に位置するように２枚重ね合わせて積層した積層体、あるいは誘電体フィルムの表裏両面の片側端部に設けられたマージン部を除いて金属蒸着した金属化フィルムと金属蒸着していない誘電体フィルムとを重ね合わせて積層した積層体と、前記巻回体の両端面に設けた取り出し電極とを有し、前記積層体の両端面に複数の溝が形成されていることを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
【請求項３】
前記複数の溝の深さ寸法は前記取り出し電極の厚み寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【請求項４】
誘電体フィルムの片側端部に設けたマージン部を除いて金属蒸着した片面金属化フィルムをそれぞれのマージン部が反対側に位置するように２枚重ね合わせて巻回、あるいは誘電体フィルムの表裏両面の片側端部に設けられたマージン部を除いて金属蒸着した金属化フィルムと金属蒸着していない誘電体フィルムとを重ね合わせて巻回して巻回体を作製する工程と、前記巻回体の両端面に複数の溝を形成する工程と、両端面に溝が形成された前記巻回体の両端面に取り出し電極を設ける工程と、を有する金属化フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項５】
誘電体フィルムの片側端部に設けたマージン部を除いて金属蒸着した片面金属化フィルムをそれぞれのマージン部が反対側に位置するように２枚重ね合わせて積層、あるいは誘電体フィルムの表裏両面の片側端部に設けられたマージン部を除いて金属蒸着した金属化フィルムと金属蒸着していない誘電体フィルムとを重ね合わせて積層して積層体を作製する工程と、前記積層体の両端面に複数の溝を形成する工程と、両端面に溝が形成された前記積層体の両端面に取り出し電極を設ける工程と、を有する金属化フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記取り出し電極を設ける工程の後に、電圧処理工程を設けたことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の金属化フィルムコンデンサの製造方法。