【事件の表示】
　平成１１年特許願第　２９８４４号「半導体チップ」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月１５日出願公開、特開２０００−２２８４８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　出願　　　　　　　　　　　　：平成１１年　２月　８日
　拒絶理由通知　　　　　　　　：平成１４年　９月　３日付け
　意見書　　　　　　　　　　　：平成１４年１２月　２日付け
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１４年１２月　２日付け
　拒絶理由通知（最後）　　　　：平成１６年　８月１６日付け
　意見書　　　　　　　　　　　：平成１６年１０月２５日付け
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１６年１０月２５日付け
　補正却下（平成１６年１０月２５日付け手続補正書）
　　　　　　　　　　　　　　　：平成１７年　８月２６日付け
　拒絶査定　　　　　　　　　　：平成１７年　８月２６日付け
　審判請求　　　　　　　　　　：平成１７年１０月　６日
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１７年１１月　７日付け
　手続補正書（方式、請求理由の補充）
　　　　　　　　　　　　　　　：平成１７年１１月　７日付け
　前置報告　　　　　　　　　　：平成１７年１１月２９日付け
　補正却下（平成１７年１１月７日付け手続補正書）
　　　　　　　　　　　　　　　：平成１８年１１月１７日付け
　拒絶理由通知　　　　　　　　：平成１８年１１月１７日付け
　意見書　　　　　　　　　　　：平成１９年　１月１９日付け
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１９年　１月１９日付け
　拒絶理由通知（最後）　　　　：平成１９年　３月　７日付け
　意見書　　　　　　　　　　　：平成１９年　５月１１日付け
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１９年　５月１１日付け
　
［２］平成１９年５月１１日付け手続補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　平成１９年５月１１日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
１．手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲の請求項１を次のとおりとする補正事項を含むものである。
「基板上に配設された１次配線と、
　この１次配線上に形成された層間絶縁膜と、
　この層間絶縁膜上に配設されており、上記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記１次配線に接続された２次配線と、
　上記層間絶縁膜および上記２次配線を覆い、上記２次配線の表面を露出させる開口部を有する表面保護膜と、
　耐酸化性を有する金属材料で構成されており、上記開口部から上記表面保護膜上に隆起した形状に形成され、上記開口部に臨む上記２次配線の表面全域を被覆する金属被覆膜とを含み、
　前記開口部は、前記２次配線に沿って延びていることを特徴とする半導体チップ。」
　
　この補正事項は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「開口部」について、「前記２次配線に沿って延びている」と限定するものであるから、この補正事項を含む本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件手続補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　平成１９年３月７日付け拒絶理由通知（最後）に引用された、本出願前に頒布された刊行物である特開昭６４−３９０４１号公報（以下、「刊行物１」という。）の主な記載事項は次のとおりである。
〔１〕刊行物１：特開昭６４−３９０４１号公報
〔摘示１ａ〕「特許請求の範囲
（１）半導体基板上に誘電体層を付着する工程と、
　前記基板を露出させるために前記誘電体層に開口部を形成する工程と、
　無電解付着のために前記露出させられた基板上を選択的に活性化する工程と、
　所定のレベルに達するまで接点充填物質を無電解付着により前記開口部内に付着する工程と、
　前記接点充填物質の上に導電層を付着する工程と、
を備え、それにより前記接点充填物質は前記基板と前記導電層を相互に接続することを特徴とする半導体基板上に導電性物質を選択的に付着する方法。
（２）下側の導電層を形成する工程と、
　前記下側の導電層の上に誘電体層を付着する工程と、
　前記下側の導電層を露出させるために前記誘電体層に開口部を形成する工程と、
　無電解付着のために還元剤のみとともに前記露出された下側の層を選択的に活性化する工程と、
　所定のレベルに達するまでバイア開口部充填物質を無電解付着により前記開口部内に付着する工程と、
　上側の導体を形成する工程と、
を備え、それにより前記充填物質は前記下側の導電層と前記上側の導体を相互接続することを特徴とする下側の導電層の上に導電性物質を選択的に付着する方法。」（１頁左下欄５〜右下欄１４行）
〔摘示１ｂ〕「まず第１図を参照して、シリコン基板１０の上に酸化物層１１が形成される。・・・好適な実施例は二酸化シリコン（ＳｉＯ2）またはドープされたシリコンを酸化物層１１として用いる。・・・
　・・・（中略）・・・
　接点充填物質１４を窓１２に充填した後で、酸化物層１１と接点充填物質１４の上に接着剤層２０を形成する。・・・次に、典型的には「第１の金属層」と呼ばれる導電層２１が接着剤層２０の上に形成される。・・・本発明の導電層２１はＣｕ、Ａｕ、Ｎｌ、ＰｄまたはＣｏから形成され、・・・
　次に・・・下側の層を、後で形成する次の導電層から絶縁するために、誘電体層２５を形成する。その誘電体層２５はガラスのような各種の誘電体物質で構成できる・・・
　次に、導電層２１の一部を露出させるために、誘電体層２５にパイア開口部（ｖｉａ）３０を形成する。・・・バイア開口部３０は、破線３１で示されているように、誘電体層２６の上面のレベルとほぼ同じレベルまで充填物質３２で充填される。・・・
　・・・（中略）・・・
　接点充填物質１４を構成するために用いられる前記金属元素Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏはバイア充填物質３２としても得ることができる。更に、導電層２１と酸化物層１１によりシリコン基板１０から分離されているバイア３０により設けられる相互接続のために、ＣｕとＡｕはバイア３０の無電解付着のためにも利用できる。次に、付着された物質３２と誘電体層２５の上に第２の接着剤層３５と第２の導電層３６を形成する。接着剤層３５と導電層３６は前記した接着剤層２０および導電層２１の形成方法とそれぞれ同じ方法で形成する。第２の導電層３６を分離するために別の誘電体層４０を付着する。・・・
　第２の導電層３６の一部を露出させるために誘電体層４０に窓４５が設けられる。それからＣｕまたはＡｕを開口部４５の充填物質４７として選択的に付着して、ここで説明している実施例においては、パッド４６を形成する。充填物質４７の付着は誘電体層４０の表面をこえて続けられる。突起状のパッド４６が開口部４５の上に形成される。そのパッド４６をＣｕから形成した場合には、ワイヤボンド端子またははんだづけ端子を良く受ける表面を形成するために、パッド４６の外面４８はＡｕまたはＰｄで無電解めっきされる。・・・
　本発明の付着技術を用いる完成された半導体装置５２を第５図に示す。この半導体装置５２は第１の導電層２１と、第２の導電層３６と、基板１０と第１の導電層２１の間の接点相互接続部１４と、２つの導電層２１と３６の間のバイア接続部３２と、第２の導電層３６の上に形成された接合パッド４６とを含む。」（５頁右上欄１０行〜８頁左下欄７行）
〔摘示１ｃ〕第４、５図には、第２の導電層３６の一部を露出させる開口部４５は、第２の導電層３６が延びる方向に所定の幅を有することが示されている。
　
３．当審の判断
３−１．刊行物１に記載された発明
　刊行物１の〔摘示１ａ〕〜〔摘示１ｃ〕の記載を総合し、第２の導電層の一部を露出させる開口部に充填される充填物質としてＡｕを選択した場合について整理すると、刊行物１には、
「シリコン基板上に形成された第１の導電層と、第１の導電層の上に形成された誘電体層と、該誘電体層に形成され金属元素の充填物質で充填されたバイア開口部と、該誘電体層の上に形成され、バイア開口部の充填物質を介して第１の導電層に接続された第２の導電層と、第２の導電層の上に形成された別の誘電体層と、別の誘電体層に形成され、第２の導電層が延びる方向に所定の幅を有し、第２の導電層の一部を露出させる開口部と、該開口部にＡｕの充填物質が充填され該別の誘電体層の表面をこえて形成されたパッドとを具備する半導体装置。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３−２．本願補正発明１と刊行物１発明との対比
　本願補正発明１と刊行物１発明を対比すると、
（ア）刊行物１発明における「第１の導電層」、「第２の導電層」、「誘電体層」、「バイア開口部」、「第２の導電層の一部を露出させる開口部」、「別の誘電体層」、「Ａｕ」、「半導体装置」は、それぞれ、本願補正発明１における「１次配線」、「２次配線」、「層間絶縁膜」、「コンタクトホール」、「開口部」、「表面保護膜」、「耐酸化性を有する金属材料」、「半導体チップ」に相当するといえる。（以下、刊行物１発明における用語の代わりに、それに相当する本願補正発明１における用語を使用することがある。）
（イ）刊行物１発明における「（第２の導電層の一部を露出させる）開口部にＡｕの充填物質が充填され該別の誘電体層の表面をこえて形成されたパッド」は、本願補正発明１における「耐酸化性を有する金属材料で構成されており、上記開口部から上記表面保護膜上に隆起した形状に形成され、上記開口部に臨む上記２次配線の表面全域を被覆する金属被覆膜」に対応しているといえる。
　
　以上の（ア）、（イ）の事項を勘案すると、両者は、
「基板上に配設された１次配線と、この１次配線上に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に配設されており、上記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記１次配線に接続された２次配線と、上記層間絶縁膜および上記２次配線を覆い、上記２次配線の表面を露出させる開口部を有する表面保護膜と、耐酸化性を有する金属材料で構成されており、上記開口部から上記表面保護膜上に隆起した形状に形成され、上記開口部に臨む上記２次配線の表面全域を被覆する金属被覆膜とを含む半導体チップ。」である点で一致するが、次の点で一応の相違がみられる。
　
　　　相違点：本願補正発明１では、「開口部は、前記２次配線に沿って延びている」のに対し、刊行物１発明では、開口部は、第２の導電層（２次配線）が延びる方向に所定の幅を有するものの、刊行物１には、「開口部は、前記２次配線に沿って延びている」ことが明記されていない点
　
３−３．相違点についての検討
　本願補正発明１における「開口部」は、２次配線を覆う表面保護膜に設けられているから、２次配線の表面を部分的に露出させるものである。そして、「開口部は、前記２次配線に沿って延びている」という上記相違点の特定事項は、該開口部が２次配線の全長にわたって延びていることを意味するとはいえず、２次配線に沿って所定の長さにわたって延びていることを意味すると認められる。
　これに対し、刊行物１発明における「開口部」は、第２の導電層（２次配線）が延びる方向に所定の幅を有するから、該開口部は、第２の導電層（２次配線）に沿って所定の長さにわたって延びているといえる。
　してみると、上記相違点は、実質的な相違とはいえない。
　仮に、上記特定事項が該開口部の延びた形状を意味するとしても、そのような形状は、設計的な事項であって、当業者が容易に想到し得た程度の事項というべきである。
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１に記載された発明であるか、仮にそうでないとしても、該発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件手続補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
［３］本願発明について
１．本願発明
　平成１９年５月１１日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年１月１９日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める（以下、「本願発明１」という。）。
「基板上に配設された１次配線と、
　この１次配線上に形成された層間絶縁膜と、
　この層間絶縁膜上に配設されており、上記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記１次配線に接続された２次配線と、
　上記層間絶縁膜および上記２次配線を覆い、上記２次配線の表面を露出させる開口部を有する表面保護膜と、
　耐酸化性を有する金属材料で構成されており、上記開口部から上記表面保護膜上に隆起した形状に形成され、上記開口部に臨む上記２次配線の表面全域を被覆する金属被覆膜とを含むことを特徴とする半導体チップ。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　平成１９年３月７日付け拒絶理由通知（最後）に引用された、本出願前に頒布された刊行物である刊行物１の主な記載事項は、上記［２］２．のとおりである。
　
３．対比・判断
　刊行物１には、上記［２］３−１．に記載したとおりの刊行物１発明が記載されていると認められる。
　上記［２］３−２．に記載した（ア）、（イ）の事項を勘案し、本願発明１と刊行物１発明を対比すると、両者は、
「基板上に配設された１次配線と、この１次配線上に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に配設されており、上記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記１次配線に接続された２次配線と、上記層間絶縁膜および上記２次配線を覆い、上記２次配線の表面を露出させる開口部を有する表面保護膜と、耐酸化性を有する金属材料で構成されており、上記開口部から上記表面保護膜上に隆起した形状に形成され、上記開口部に臨む上記２次配線の表面全域を被覆する金属被覆膜とを含む半導体チップ。」である点で一致しており、差異は存在しない。
　してみれば、本願発明１は、刊行物１に記載された発明というべきである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。