Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象データにメタデータを付与する情報処理装置であって、
前記対象データに予め付与されている付与済みメタデータの値を取得する第１取得手段と、
前記対象データに対して新たに付与するメタデータの値を推論するための、互いに対応づけられた複数種類の推論用メタデータの値からそれぞれ構成される複数のセットを取得する第２取得手段と、
前記付与済みメタデータと同じ種類の前記推論用メタデータに対応する、他の種類の前記推論用メタデータの値の分布状況を分析する分析手段と、
前記分布状況に基づいて、前記対象データに新たに付与するメタデータを推論するために用いる推論手法を決定する決定手段と、
前記決定した推論手法を用いて、前記付与済みメタデータの値と前記複数の推論用メタデータの値のセットとに基づいて、前記対象データに新たに付与するメタデータの値を推論する推論手段と、
前記推論したメタデータの値を前記対象データに付与する付与手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
付与済みメタデータの種類と、当該付与済みメタデータの値からその値を推論可能なメタデータの種類と、の対応関係を示す対応情報を記憶する記憶手段と、
前記対応情報を参照して、前記対象データの付与済みメタデータの種類に対応するメタデータの種類を、該対象データに新たに付与するメタデータの種類として特定する特定手段と、
をさらに備え、
前記分析手段は、前記特定手段により特定された種類の前記推論用メタデータについて、その値の分布状況を分析し、
前記推論手段は、前記特定手段により特定された種類の前記推論用メタデータの値を、前記新たに付与するメタデータの値として推論する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記分析手段は、
前記同じ種類の前記推論用メタデータを、前記付与済みメタデータの値からのベクトル間距離が小さいものから順にｋ個選択し、
前記選択したｋ個の推論用メタデータの前記ベクトル間距離の最大値Ｌが閾値以上であるか否かを、該ｋ個の推論用メタデータに対応する前記他の種類の前記推論用メタデータの値の前記分布状況として分析する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記分析手段は、
前記同じ種類の前記推論用メタデータを、前記付与済みメタデータの値からのベクトル間距離が小さいものから順にｋ個選択し、
前記ｋ個の同じ種類の推論用メタデータに対応する前記他の種類の前記推論用メタデータの値が、一定以上の割合で同一の値をとるか否かを前記分布状況として分析する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
複数のメタデータ間の階層性を示す階層情報を保持する保持手段をさらに備え、
前記分析手段は、前記階層情報を参照して、前記他の種類の前記推論用メタデータに階層性があるか否かを前記分布状況として分析する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
メタデータの階層性を判定する情報処理装置であって、
階層性を判定する対象の対象メタデータの値を取得する第１取得手段と、
前記対象メタデータの階層性を推論するための、互いに対応づけられた複数種類の特徴メタデータの値からそれぞれ構成される複数のセットを取得する第２取得手段と、
前記対象メタデータと同じ種類の前記特徴メタデータに対応する、他の種類の前記特徴メタデータの値の分布状況を分析する分析手段と、
前記分布状況に基づいて、前記対象メタデータの階層性を判定する判定手段と、
を備え、
前記分析手段は、他の種類の前記特徴メタデータの値の分布をクラスタによりクラスタリングし、
前記判定手段は、前記クラスタの包含関係により前記階層性を判定する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
対象データにメタデータを付与する情報処理装置の制御方法であって、
前記情報処理装置の第１の取得手段が、前記対象データに予め付与されている付与済みメタデータの値を取得する第１取得工程と、
前記情報処理装置の第２の取得手段が、前記対象データに対して新たに付与するメタデータの値を推論するための、互いに対応づけられた複数種類の推論用メタデータの値からそれぞれ構成される複数のセットを取得する第２取得工程と、
前記情報処理装置の分析手段が、前記付与済みメタデータと同じ種類の前記推論用メタデータに対応する、他の種類の前記推論用メタデータの値の分布状況を分析する分析工程と、
前記情報処理装置の決定手段が、前記分布状況に基づいて、前記対象データに新たに付与するメタデータを推論するために用いる推論手法を決定する決定工程と、
前記情報処理装置の推論手段が、前記決定した推論手法を用いて、前記付与済みメタデータの値と前記複数の推論用メタデータの値のセットとに基づいて、前記対象データに新たに付与するメタデータの値を推論する推論工程と、
前記情報処理装置の付与手段が、前記推論したメタデータの値を前記対象データに付与する付与工程と、
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項８】
コンピュータを請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本クロックを分周して異なる分周比となる複数の分周クロックを生成する分周回路と、
出力対象のクロックを示す値を有するクロック選択信号に応じて前記基本クロックと前記複数の分周クロックを含む複数のクロックのいずれかを１つを指定する出力選択信号を出力する出力選択信号生成回路と、
前記出力選択信号に応じて前記複数のクロックのいずれか１つを選択して出力する出力選択回路と、を有し、
前記分周回路は、前記複数の分周クロックのそれぞれに対応し、分周クロックの１周期の開始からの前記基本クロックのクロック数を示す複数の分周カウント値を出力し、
前記出力選択信号生成回路は、前記複数の分周カウント値のうち現選択クロックに対応した分周カウント値に基づき次選択クロックとして選択された分周クロックの周期の開始タイミングと前記現選択クロックに対応した分周クロックの周期の開始タイミングとが一致するタイミングで前記出力選択信号の値を前記クロック選択信号に対応した値に切り替えるクロック切替回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ページ上に画像データとテキストデータをレイアウトする編集装置であって、
画像データを、前記画像データの属性情報に基づく順番でページ上の画像枠に割り当てる画像割当て手段と、
前記画像データに関連付けられたテキストデータを、前記画像データが割り当てられた前記画像枠と組み合わされたテキスト枠に割り当てるテキスト割り当て手段と、
前記テキストデータの量と、前記テキストデータが割り当てられた前記テキスト枠の上限量とを比較する比較手段と、
前記比較の結果、前記テキストデータの量が前記テキスト枠の上限量より大きいとき、前記テキストデータを、他のテキストデータが割り当てられている他のテキスト枠に再割り当てするテキスト再割り当て手段と、
前記画像データを、前記画像データに関連付けられた前記テキストデータが再割り当てされた前記他のテキスト枠と組み合わされた他の画像枠に再割り当てする画像再割り当て手段と、を有し、
前記テキストデータの量は前記他のテキスト枠の上限量よりも小さく、前記テキスト枠の上限量は前記他のテキストデータの量よりも大きいことを特徴とする編集装置。
【請求項２】
前記他の画像枠および他のテキスト枠の組に割り当てられた他の画像データおよび他のテキストデータが存在しないとき、警告を発する第１の警告手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の編集装置。
【請求項３】
前記他の画像枠と他のテキスト枠の組は、前記画像枠およびテキスト枠の組と同じページに存在することを特徴とする請求項１または２に記載の編集装置。
【請求項４】
前記テキストデータを入力する入力手段をさらに備え、
前記比較手段は、前記入力手段が前記テキストデータを入力している間に、前記入力手段により入力されたテキストデータの量と、前記テキストデータが割り当てられたテキスト枠の上限量とを比較し、
前記比較の結果、前記入力されたテキストデータの量が前記テキスト枠の上限量より大きいとき、警告を発する第２の警告手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の編集装置。
【請求項５】
前記テキストデータは、画像データに付加されたメタデータであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の編集装置。
【請求項６】
ページ上に画像データとテキストデータをレイアウトする編集装置における編集方法であって、
画像データを、前記画像データの属性情報に基づく順番でページ上の画像枠に割り当てる画像割当て工程と、
前記画像データに関連付けられたテキストデータを、前記画像データが割り当てられた前記画像枠と組み合わされたテキスト枠に割り当てるテキスト割り当て工程と、
前記テキストデータの量と、前記テキストデータが割り当てられている前記テキスト枠の上限量とを比較する比較工程と、
前記比較の結果が前記テキストデータの量が前記テキスト枠の上限量より大きいことを示すとき、前記テキストデータを、他のテキストデータが割り当てられている他のテキスト枠に再割り当てするテキスト再割り当て工程と、
前記画像データを、前記画像データに関連付けられた前記テキストデータが再割り当てされた前記他のテキスト枠と組み合わされた他の画像枠に再割り当てする画像再割り当て工程と、を有し、
前記テキストデータの量は前記他のテキスト枠の上限量よりも小さく、前記テキスト枠の上限量は前記他のテキストデータの量よりも大きいことを特徴とする編集方法。
【請求項７】
前記他の画像枠および他のテキスト枠の組に割り当てられた他の画像データおよび他のテキストデータが存在しないとき、警告を発する第１の警告工程をさらに備えたことを特徴とする請求項６に記載の編集方法。
【請求項８】
前記他の画像枠と他のテキスト枠の組は、前記画像枠およびテキスト枠の組と同じページに存在することを特徴とする請求項６または７に記載の編集方法。
【請求項９】
前記テキストデータを入力する入力工程をさらに備え、
前記比較工程では、前記入力工程にて前記テキストデータを入力している間に、前記入力されたテキストデータの量と、前記テキストデータが割り当てられたテキスト枠の上限量とを比較し、
前記比較の結果、前記入力されたテキストデータの量が前記テキスト枠の上限量より大きいとき、警告を発する第２の警告工程をさらに備えたことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の編集方法。
【請求項１０】
前記テキストデータは、画像データに付加されたメタデータであることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の編集方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載された編集装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】編集装置及び編集方法、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の編集装置は、ページ上に画像データとテキストデータをレイアウトする編集装置であって、画像データを、前記画像データの属性情報に基づく順番でページ上の画像枠に割り当てる画像割当て手段と、前記画像データに関連付けられたテキストデータを、前記画像データが割り当てられた前記画像枠と組み合わされたテキスト枠に割り当てるテキスト割り当て手段と、前記テキストデータの量と、前記テキストデータが割り当てられている前記テキスト枠の上限量とを比較する比較手段と、前記比較の結果、前記テキストデータの量が前記テキスト枠の上限量より大きいとき、前記テキストデータを、他のテキストデータが割り当てられている他のテキスト枠に再割り当てするテキスト再割り当て手段と、前記画像データを、前記画像データに関連付けられた前記テキストデータが再割り当てされた前記他のテキスト枠と組み合わされた他の画像枠に再割り当てする画像再割り当て手段と、を有し、前記テキストデータの量は前記他のテキスト枠の上限量よりも小さく、前記テキスト枠の上限量は前記他のテキストデータの量よりも大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツ提供装置が管理している記憶領域の中のコンテンツに関するコンテンツ属性情報を前記コンテンツ提供装置から取得する取得手段と、
前記取得手段により取得されたコンテンツ属性情報に基づいて、前記コンテンツが記憶された記憶領域を示す識別子と、前記コンテンツを示す識別子とを記憶媒体に記憶する記憶手段と、
コンテンツに関する所定の形式のコンテンツ属性情報を受信する受信装置から前記コンテンツ属性情報の取得要求を受信した場合に、前記記憶手段により記憶されたコンテンツ属性情報と、前記コンテンツを示す識別子と、前記コンテンツが記憶された記憶領域を示す識別子とを、前記所定の形式で前記受信装置に送信する送信手段と、
を備えることを特徴とするコンテンツ属性情報提供装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、
前記受信装置から、前記記憶領域の中のコンテンツに関するコンテンツ属性情報の取得要求を受信した場合に、前記記憶領域を示す識別子と、前記コンテンツを示す識別子とを記憶媒体に記憶することを特徴とする請求項１に記載のコンテンツ属性情報提供装置。
【請求項３】
前記コンテンツ属性情報を示す識別子、及び前記記憶領域を示す識別子は、
前記コンテンツ提供装置から、当該識別子に対応する前記コンテンツ属性情報を取得するためのアドレスであること、
を特徴とする請求項１または２に記載のコンテンツ属性情報提供装置。
【請求項４】
取得手段が、コンテンツ提供装置が管理している記憶領域の中のコンテンツに関するコンテンツ属性情報を前記コンテンツ提供装置から取得する取得ステップと、
記憶手段が、前記取得ステップにより取得されたコンテンツ属性情報に基づいて、前記コンテンツが記憶された記憶領域を示す識別子と、前記コンテンツを示す識別子とを記憶媒体に記憶する記憶ステップと、
送信手段が、コンテンツに関する所定の形式のコンテンツ属性情報を受信する受信装置から前記コンテンツ属性情報の取得要求を受信した場合に、前記記憶されたコンテンツ属性情報と、前記コンテンツを示す識別子と、前記コンテンツが記憶された記憶領域を示す識別子とを、前記所定の形式で前記受信装置に送信する送信ステップと、
を備えることを特徴とするコンテンツ属性情報提供方法。
【請求項５】
前記記憶ステップは、
前記受信装置から、前記記憶領域の中のコンテンツに関するコンテンツ属性情報の取得要求を受信した場合に、前記記憶領域を示す識別子と、前記コンテンツを示す識別子とを記憶媒体に記憶することを特徴とする請求項４に記載のコンテンツ属性情報提供方法。
【請求項６】
前記コンテンツ属性情報を示す識別子、及び前記記憶領域を示す識別子は、
前記コンテンツ提供装置から、当該識別子に対応する前記コンテンツ属性情報を取得するためのアドレスであること、
を特徴とする請求項４または５に記載のコンテンツ属性情報提供方法。
【請求項７】
コンテンツ提供装置が管理している記憶領域の中のコンテンツに関するコンテンツ属性情報を前記コンテンツ提供装置から取得する取得手順と、
前記取得手順により取得されたコンテンツ属性情報に基づいて、前記コンテンツが記憶された記憶領域を示す識別子と、前記コンテンツを示す識別子とを記憶媒体に記憶する記憶手順と、
コンテンツに関する所定の形式のコンテンツ属性情報を受信する受信装置から前記コンテンツ属性情報の取得要求を受信した場合に、前記記憶されたコンテンツ属性情報と、前記コンテンツを示す識別子と、前記コンテンツが記憶された記憶領域を示す識別子とを、前記所定の形式で前記受信装置に送信する処理を行う送信手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項８】
前記記憶手順は、
前記受信装置から、前記記憶領域の中のコンテンツに関するコンテンツ属性情報の取得要求を受信した場合に、前記記憶領域を示す識別子と、前記コンテンツを示す識別子とを記憶媒体に記憶することを特徴とする請求項７に記載のコンピュータプログラム。
【請求項９】
前記コンテンツ属性情報を示す識別子、及び前記記憶領域を示す識別子は、
前記コンテンツ提供装置から、当該識別子に対応する前記コンテンツ属性情報を取得するためのアドレスであること、
を特徴とする請求項７または８に記載のコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリと複数の入出力デバイスとの組み合わせからなるＤＭＡチャネル毎にＤＭＡ転送を行うＤＭＡアービタと、ＤＭＡアービタを制御するＤＭＡ制御回路からなるＤＭＡ転送制御装置であって、
前記入出力デバイスからＤＭＡ転送要求が到来したときの判定時刻がＤＭＡ転送予定時刻以降である場合に前記ＤＭＡアービタへＤＭＡ転送許可として送出する判定部と、
前記ＤＭＡ転送要求に伴うＤＭＡ転送サイズと前記判定時刻とに基づいて次回の前記ＤＭＡ転送予定時刻を算出する転送時刻計算部と、
を備えることを特徴とするＤＭＡ転送制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
以上のように動作するＤＭＡ転送制御装置によれば、ピークＤＭＡ転送速度に応じたＤＭＡ転送予定時刻を越えるまでは、ＤＭＡ転送要求があってもＤＭＡ転送を待機（ｗａｉｔ）させる。この結果、ＤＭＡ転送要求が一時的に集中したとしても、予め決められたＤＭＡ転送速度を超えないようにＤＭＡ転送を動的に制御することができる。
なお、本発明において、さらに下記の形態が可能である。
［形態１］
上記１つのアスペクト（側面）に係るＤＭＡ転送制御装置のとおりである。
［形態２］
単位時間間隔で前記判定時刻を計時するタイマカウンタと、
前記ＤＭＡ転送要求が到来したときの前記判定時刻と前記ＤＭＡ転送予定時刻とを比較する比較器と、
を備え、
前記判定部は、前記判定時刻が前記ＤＭＡ転送予定時刻以降であることを前記比較器の出力が示す場合に前記ＤＭＡアービタへＤＭＡ転送許可として送出し、前記判定時刻が前記ＤＭＡ転送予定時刻より早いことを前記比較器の出力が示す場合に前記ＤＭＡアービタへＤＭＡ不転送許可として送出することを特徴とする形態１記載のＤＭＡ転送制御装置。
［形態３］
前記転送時刻計算部は、
前記ＤＭＡ転送要求に伴うＤＭＡ転送サイズの設定値と前記ＤＭＡ転送サイズあたりのＤＭＡ転送間隔の設定値とを乗算し前記判定時刻を加算する計算部と、
前記計算部の計算結果を次回の前記ＤＭＡ転送予定時刻として保持するレジスタと、
を備えることを特徴とする形態１記載のＤＭＡ転送制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御部と、
構築データを記憶する内部メモリと、
前記内部メモリと接続された内部バスと、
バスコントローラと、
外部バスインタフェースとを備え、
前記バスコントローラは、
前記内部バスを介して前記内部メモリをアクセスするバス制御部と、
プログラム可能な論理部とを含み、
前記制御部は、前記内部メモリに記憶された構築データを読み出して、前記構築データに基づいて、前記プログラム可能な論理部上に、前記外部バスインタフェースを介して接続される外部メモリをアクセスするためのバス制御機能を構築する、マイクロコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一のオブジェクトを相異なる２つの視点から撮像した第１及び第２の原画像のうち、少なくとも一方の原画像内の前記オブジェクトの直線エッジを検出する直線エッジ検出部と、
前記第１及び第２の原画像に対して、前記第１及び第２の原画像の平行化処理を伴わない第１のモーフィング処理を行うことにより、前記２つの視点の間の仮想視点から見える第１の中間画像を生成する第１のモーフィング処理部と、
前記直線エッジ検出部により検出された前記直線エッジに対応する、前記第１の中間画像内の前記オブジェクトのエッジに歪みがある場合には、前記第１及び第２の原画像に対して、前記第１及び第２の原画像の平行化処理を伴う第２のモーフィング処理を行うことにより、前記仮想視点から見える第２の中間画像を生成する第２のモーフィング処理部と、
を備える、画像処理装置。
【請求項２】
前記直線エッジ検出部は、前記少なくとも一方の原画像を２値化し、当該２値化した画像に対して膨張及び収縮処理を行い、当該膨張及び収縮処理後の画像からハフ変換により前記直線エッジを検出する、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１の中間画像における前記エッジと当該エッジの両端を結ぶ線分とによって囲まれる画像領域の面積が、所定の判断基準定数により定まる閾値以上である場合は、前記エッジに歪みがあるとされる、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第２のモーフィング処理はビューモーフィング処理である、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
同一のオブジェクトを相異なる２つの視点から撮像した第１及び第２の原画像のうち、少なくとも一方の原画像内の前記オブジェクトの直線エッジを検出するステップと、
前記第１及び第２の原画像に対して、前記第１及び第２の原画像の平行化処理を伴わない第１のモーフィング処理を行うことにより、前記２つの視点の間の仮想視点から見える第１の中間画像を生成するステップと、
前記直線エッジを検出するステップにより検出された前記直線エッジに対応する、前記第１の中間画像内の前記オブジェクトのエッジに歪みがある場合には、前記第１及び第２の原画像に対して、前記第１及び第２の原画像の平行化処理を伴う第２のモーフィング処理を行うことにより、前記仮想視点から見える第２の中間画像を生成するステップと、
を含む、画像処理方法。
【請求項６】
同一のオブジェクトを相異なる２つの視点から撮像した第１及び第２の原画像のうち、少なくとも一方の原画像内の前記オブジェクトの直線エッジを検出するステップと、
前記第１及び第２の原画像に対して、前記第１及び第２の原画像の平行化処理を伴わない第１のモーフィング処理を行うことにより、前記２つの視点の間の仮想視点から見える第１の中間画像を生成するステップと、
前記直線エッジを検出するステップにより検出された前記直線エッジに対応する、前記第１の中間画像内の前記オブジェクトのエッジに歪みがある場合には、前記第１及び第２の原画像に対して、前記第１及び第２の原画像の平行化処理を伴う第２のモーフィング処理を行うことにより、前記仮想視点から見える第２の中間画像を生成するステップと、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性樹脂（Ａ）、ジアゾナフトキノン化合物（Ｂ）、芳香族環を少なくとも１つ有し、フェノール性水酸基を含まず−ＣＨ2ＯＨ基を含み、−ＣＨ２ＯＨ基がいずれかの芳香環に直接結合している化合物（Ｃ）を含んでなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項２】
アルカリ可溶性樹脂（Ａ）が、一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂である請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１】
2010282218.tif 000001
【請求項３】
化合物（Ｃ）が、−ＣＨ2ＯＨ基を２つ以上有する請求項１又は２記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項４】
ポジ型感光性樹脂組成物を酸素濃度１０ｐｐｍ以下、３２０℃、６０分で硬化した５μｍ膜厚のフィルムの波長５００ｎｍの透過率が４０％以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項５】
一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂中のＸが、下記の群より選ばれてなる請求項２〜４のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【化２】
2010282218.tif 000002
【請求項６】
一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂中のＹが、下記の群より選ばれてなる請求項２〜５のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【化３】
2010282218.tif 000003
【化４】
2010282218.tif 000004
【請求項７】
ポリアミド樹脂が、アルケニル基又はアルキニル基を少なくとも１個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む化合物によって末端封止されてなるものである請求項２〜６のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して組成物層を形成する工程と、該組成物層に活性エネルギー線を照射して現像液と接触させてパターンを形成する工程と、該組成物を加熱する工程を有することを特徴とするパターン状樹脂膜の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする表示素子。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、０．１〜５０μｍになるように半導体素子上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、０．１〜５０μｍになるように表示素子用基板上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする表示素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち本発明は、
［１］ アルカリ可溶性樹脂（Ａ）、ジアゾナフトキノン化合物（Ｂ）、芳香族環を少なくとも１つ有し、フェノール性水酸基を含まず−ＣＨ2ＯＨ基を含み、−ＣＨ２ＯＨ基がいずれかの芳香環に直接結合している化合物（Ｃ）を含んでなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、
［２］ アルカリ可溶性樹脂（Ａ）が、一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂である［１］記載のポジ型感光性樹脂組成物、
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソフトウェアの起動を制御する方法であって、メモリを管理する機能を有するプロセッサに、
所定の動作状態にあるソフトウェアの前記所定の動作に必要な物理ページに対して、全ての物理ページでページフォルトが発生するように、メモリ管理用のページテーブルエントリを書き換えるステップ、
前記書き換えるステップの後に、前記所定の動作状態にあるソフトウェアのメモリイメージを保存するステップ、および
前記ソフトウェアが起動する時、前記メモリ管理用のページテーブルエントリを使用して、各ページテーブルエントリでページフォルトを発生させ、そのページフォルトが発生したページを順次読み出すステップ
を実行させる、ソフトウェアの起動制御方法。
【請求項２】
請求項１に記載のソフトウェアの起動制御方法において、
前記メモリは、ＲＡＭおよび不揮発性メモリを含み、
前記書き換えるステップは、前記ＲＡＭが記憶しているページテーブルエントリを書き換えるステップを含み、
前記保存するステップは、前記所定の動作状態にあるソフトウェアのデータ、プログラムコード、ページテーブルエントリを書き換えられたメモリ管理用テーブル、ページフォルトハンドラ、割込ベクタ、およびレジスタを、前記不揮発性メモリに記憶させるステップを含む
方法。
【請求項３】
請求項２に記載のソフトウェアの起動制御方法において、
前記書き換えるステップは、前記ＲＡＭが記憶している前記ページテーブルエントリを、物理ページへのアクセスを禁止する情報に書き換える
方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載のソフトウェアの起動制御方法において、
前記読み出すステップは、
ページフォルトが発生したとき、前記割込ベクタが前記ページフォルトハンドラを呼び出し、前記ページフォルトハンドラが、ページフォルトが発生したアドレスからページを計算し、そのページを前記不揮発性メモリから読み出すステップを含む
方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載のソフトウェアの起動制御方法において、
前記プロセッサが、組み込み型のコンピュータのプロセッサである
方法。
【請求項６】
情報処理装置であって、
メモリ、前記メモリを管理する機能を有するプロセッサ、およびプログラムコードを有し、
前記プログラムコードは、ソフトウェアの起動を制御するために前記プロセッサに、
所定の動作状態にあるソフトウェアの前記所定の動作に必要な物理ページに対して、全ての物理ページでページフォルトが発生するように、メモリ管理用のページテーブルエントリを書き換えるステップ、
前記書き換えるステップの後に、前記所定の動作状態にあるソフトウェアのメモリイメージを保存するステップ、および
前記ソフトウェアが起動する時、前記メモリ管理用のページテーブルエントリを使用して、各ページテーブルエントリでページフォルトを発生させ、そのページフォルトが発生したページを順次読み出すステップ
を実行させる、情報処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の情報処理装置において、
前記メモリは、ＲＡＭおよび不揮発性メモリを含み、
前記書き換えるステップは、前記ＲＡＭが記憶しているページテーブルエントリを書き換えるステップを含み、
前記保存するステップは、前記所定の動作状態にあるソフトウェアのデータ、プログラムコード、ページテーブルエントリを書き換えられたメモリ管理用テーブル、ページフォルトハンドラ、割込ベクタ、およびレジスタを、前記不揮発性メモリに記憶させるステップを含む
装置。
【請求項８】
請求項７に記載の情報処理装置において、
前記書き換えるステップは、前記ＲＡＭが記憶している前記ページテーブルエントリを、物理ページへのアクセスを禁止する情報に書き換える
装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の情報処理装置において、
前記読み出すステップは、
ページフォルトが発生したとき、前記割込ベクタが前記ページフォルトハンドラを呼び出し、前記ページフォルトハンドラが、ページフォルトが発生したアドレスからページを計算し、そのページを前記不揮発性メモリから読み出すステップを含む
装置。
【請求項１０】
請求項６または７に記載の情報処理装置において、
前記プロセッサが、組み込み型のコンピュータのプロセッサである
装置。
【請求項１１】
記憶媒体にコンピュータ読み取り可能に記憶されるプログラムであって、
メモリを管理する機能を有するプロセッサに、
所定の動作状態にあるソフトウェアの前記所定の動作に必要な物理ページに対して、全ての物理ページでページフォルトが発生するように、メモリ管理用のページテーブルエントリを書き換えるステップ、
前記書き換えるステップの後に、前記所定の動作状態にあるソフトウェアのメモリイメージを保存するステップ、および
前記ソフトウェアが起動する時、前記メモリ管理用のページテーブルエントリを使用して、各ページテーブルエントリでページフォルトを発生させ、そのページフォルトが発生したページを順次読み出すステップ
を含むソフトウェアの起動を制御する方法を実行させる、プログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムにおいて、
前記メモリは、ＲＡＭおよび不揮発性メモリを含み、
前記書き換えるステップは、前記ＲＡＭが記憶しているページテーブルエントリを書き換えるステップを含み、
前記保存するステップは、前記所定の動作状態にあるソフトウェアのデータ、プログラムコード、ページテーブルエントリを書き換えられたメモリ管理用テーブル、ページフォルトハンドラ、割込ベクタ、およびレジスタを、前記不揮発性メモリに記憶させるステップを含む
プログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプログラムにおいて、
前記書き換えるステップは、前記ＲＡＭが記憶している前記ページテーブルエントリを、物理ページへのアクセスを禁止する情報に書き換える
プログラム。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載のプログラムにおいて、
前記読み出すステップは、
ページフォルトが発生したとき、前記割込ベクタが前記ページフォルトハンドラを呼び出し、前記ページフォルトハンドラが、ページフォルトが発生したアドレスからページを計算し、そのページを前記不揮発性メモリから読み出すステップを含む
プログラム。
【請求項１５】
請求項１１または１２に記載のプログラムにおいて、
前記プロセッサが、組み込み型のコンピュータのプロセッサである
プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一半導体からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介した前記ゲート電極下のチャネル領域と、前記チャネル領域に隣接する不純物原子が注入されたソース／ドレイン拡散層領域と、を有し、
前記ソース／ドレイン拡散層領域に前記第一半導体と格子定数の異なる第二半導体の結晶からなる一軸歪み誘発層を含み、
前記一軸歪み誘発層の底部と前記半導体基板との界面で格子不整合が起こっており、
前記一軸歪み誘発層を形成した際に生じる前記半導体基板との格子整合に起因する歪みが緩和している、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
以上、本発明を上記実施例に即して説明したが、本発明は上記実施例の構成にのみ制限されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
なお、本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
第一半導体からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介した前記ゲート電極下のチャネル領域と、前記チャネル領域に隣接する不純物原子が注入されたソース／ドレイン拡散層領域と、を有し、
前記ソース／ドレイン拡散層領域に前記第一半導体と格子定数の異なる第二半導体の結晶からなる一軸歪み誘発層を含み、
前記一軸歪み誘発層の底部と前記半導体基板との界面で格子不整合が起こっており、
前記一軸歪み誘発層を形成した際に生じる前記半導体基板との格子整合に起因する歪みが緩和している、半導体装置。
（付記２）
前記半導体基板の表面と前記ゲート絶縁膜との間に、前記第一半導体と格子定数の異なる第三半導体からなる二軸歪みチャネル層を、さらに有し、前記二軸歪みチャネル層の底部と前記半導体基板との界面に格子不整合が起こっていない、付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記一軸歪み誘発層の前記第二半導体と前記二軸歪みチャネル層の前記第三半導体とが同一の物質からなる、付記２に記載の半導体装置。
（付記４）
第一半導体からなる半導体基板と、前記半導体基板上の前記第一半導体と格子定数の異なる第三半導体からなる二軸歪みチャネル層と、前記二軸歪みチャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介した前記ゲート電極下のチャネル領域と、前記チャネル領域に隣接する不純物原子が注入されたソース／ドレイン拡散層領域と、を有し、
さらに、前記ソース／ドレイン拡散層領域に含まれる前記二軸歪みチャネル層上に前記第一半導体と格子定数の異なる第二半導体からなる一軸歪み誘発層を備え、
前記一軸歪み誘発層の底部と前記二軸歪みチャネル層との界面に格子不整合が起こっておらず、
前記二軸歪みチャネル層の底部と前記半導体基板との界面は、前記ソース／ドレイン拡散層領域では格子不整合が起こっており、
前記チャネル領域では格子不整合が起こっていない、半導体装置。
（付記５）
前記一軸歪み誘発層の前記第三半導体と前記二軸歪みチャネル層の前記第二半導体とが同一の物質からなる、付記４に記載の半導体装置。
（付記６）
前記第二半導体の格子定数および前記第三半導体の格子定数が前記第一半導体の格子定数よりも大きい、付記２または４に記載の半導体装置。
（付記７）
第一半導体からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介した前記ゲート電極下のチャネル領域と、前記チャネル領域に隣接する不純物原子が注入されたソース／ドレイン拡散層領域と、を有し、
前記ソース／ドレイン拡散層領域に前記第一半導体と格子定数の異なる第二半導体の結晶からなる一軸歪み誘発層を含み、
前記一軸歪み誘発層の厚さが前記第一半導体と前記第二半導体との間で格子不整合が生じない臨界膜厚以上である、半導体装置。
（付記８）
前記半導体基板の表面と前記ゲート絶縁膜との間に前記第一半導体と格子定数の異なる第三半導体からなる二軸歪みチャネル層を、さらに有し、
前記二軸歪みチャネル層の厚さが前記第一半導体と前記第三半導体との間で格子不整合が生じない臨界膜厚未満である、付記７に記載の半導体装置。
（付記９）
前記一軸歪み誘発層の前記第二半導体と前記二軸歪みチャネル層の前記第三半導体とが同一の物質からなる、付記８に記載の半導体装置。
（付記１０）
第一半導体からなる半導体基板と、前記半導体基板上の前記第一半導体と格子定数の異なる第三半導体からなる二軸歪みチャネル層と、前記二軸歪みチャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介した前記ゲート電極下のチャネル領域と、前記チャネル領域に隣接する不純物原子が注入されたソース／ドレイン拡散層領域と、を有し、
さらに、前記ソース／ドレイン拡散層領域に含まれる前記二軸歪みチャネル層上に、前記第一半導体の格子定数との差の絶対値が、前記第一半導体と前記第三半導体との格子定数の差の絶対値以上であり、かつ、前記第一半導体の格子定数との差の符号が、前記第一半導体と前記第三半導体との格子定数の差の符号と同一である格子定数を持つ第二半導体からなる一軸歪み誘発層を備え、
前記二軸歪みチャネル層の厚さが、前記第一半導体と前記第三半導体との間で格子不整合が生じない臨界膜厚未満であり、
前記一軸歪み誘発層の厚さが、前記第三半導体と前記第二半導体との間で格子不整合が生じない臨界膜厚未満であり、
さらに、前記一軸歪み誘発層と前記二軸歪みチャネル層の厚さの和が、前記第一半導体と前記第三半導体との間で格子不整合が生じない臨界膜厚以上である、半導体装置。
（付記１１）
前記一軸歪み誘発層の前記第三半導体と前記二軸歪みチャネル層の前記第二半導体とが同一の物質からなる、付記１０に記載の半導体装置。
（付記１２）
格子定数がａ１の物質１の基板上に格子定数がａ２の物質２の層が格子整合している場合の、格子不整合が生じない前記物質２の層の臨界膜厚ｈｃ１２が、前記物質２のポアソン比をν２、ｆ１２＝｜ａ２−ａ１｜／ａ１、ｂ１２＝（ａ１＋ａ２）／（２√２）として、
ｈｃ１２＝（１−ν２）／（１＋ν２）×ｂ１２×ｂ１２／（２０π√２）／（ａ２×ｆ１２×ｆ１２）×ｌｎ（ｈｃ１２／ｂ１２）
を充たす、付記７，８，１０の何れか一項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
化合物（Ａ）の電解液中に占める割合は、難燃性とサイクル特性とを求める度合いによって適宜選択できるが、高い難燃性とサイクル特性とを兼ね備える観点から、５〜５０質量％であると好ましく、１０〜４０質量％であるとより好ましい。中でも、その割合が１５〜５０質量％であると難燃性の面で特に好適であり、５〜３０質量％、更に５〜２０質量％、特に５〜１５質量％であるとサイクル特性の面で好適となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の点状光源と、これらの点状光源から光を入射させる拡散導光体と、この拡散導光体に隣接して配設される導光板とを備える照明装置であって、
前記拡散導光体は、散乱粒子を含む透明樹脂で構成され、その前面から前記点状光源の光を入射させるとともに、その後面から前記導光板の一側面へと光を出射させ、
前記導光板は、前記一側面から前記拡散導光体からの光を入射させるとともに、その正面から光を出射させる、照明装置。
【請求項２】
請求項１において、拡散導光体の幅（ＷＤ）と点状光源間の距離（Ｉ）とが、（ＷＤ）／（Ｉ）＝１／５〜５／１の関係を満たす照明装置。
【請求項３】
請求項１または２において、拡散導光体の幅（ＷＤ）と導光板の幅（ＷＬ）とが、（ＷＤ）／（ＷＬ）＝１／２００〜１／１の関係を満たす照明装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、拡散導光体は、前面および後面の少なくとも一方に、互いに並列な複数の溝部を配設している照明装置。
【請求項５】
請求項４において、拡散導光体に形成される溝部の断面形状が、円弧状、Ｖ字状、および台形状からなる群から選択される少なくとも一種である照明装置。
【請求項６】
請求項５において、拡散導光体は、前面および後面にプリズム状の溝部を配設している照明装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項において、導光板は、拡散導光体の後面と隣接する側面に、互いに並列な複数の溝部を配設している照明装置。
【請求項８】
請求項７において、導光板に形成される溝部の断面形状が、円弧状、Ｖ字状、および台形状からなる群から選択される少なくとも一種である照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面に形成された第１メモリセルおよび第２メモリセルを有する半導体装置であって、
前記第１、第２メモリセルはそれぞれ、前記半導体基板中に形成された第１導電型のウエルと、
前記ウエル上に形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたコントロールゲートと、
前記コントロールゲートの一方の側壁、および、前記ウエル上に延在して形成された第２ゲート絶縁膜と、
前記コントロールゲートの一方の側壁に形成され、前記第２ゲート絶縁膜を介して前記コントロールゲートおよび前記半導体基板と絶縁されたメモリゲートと、
前記コントロールゲートの近傍の前記半導体基板に形成された前記第１導電型とは反対の導電型となる第２導電型の半導体領域からなるドレイン領域と、
前記メモリゲートの近傍の前記半導体基板に形成された前記第２導電型の半導体領域からなるソース領域とを有し、
前記第１メモリセルのメモリゲートのゲート長は、前記第２メモリセルのメモリゲートのゲート長よりも長いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定接点と可動接点を内蔵する真空バルブを有し、前記固定接点あるいは可動接点に導電接続された端子と主回路導体との間に直列接続された電力ヒューズを備えた真空開閉器のヒューズ取付構造において、
前記電力ヒューズの両端部を保持して固定するヒューズホルダは、電路側に固定される固定部とこの固定部の両端から末広がりに立ち上げられてＶ字状に傾斜して対向するヒューズ接触部とを有するヒューズクリップを備え、
前記電力ヒューズは、少なくとも前記ヒューズ接触部に当接する２箇所で通電接触するようにしたことを特徴とする真空開閉器のヒューズ取付構造。
【請求項２】
固定接点と可動接点を内蔵する真空バルブを有し、前記固定接点に導電接続された固定側端子と電源側に接続される固定側主回路導体との間に直列接続された電力ヒューズを備えた真空開閉器のヒューズ取付構造において、
前記電力ヒューズの両端部を保持して固定するヒューズホルダは、電路側に固定される固定部とこの固定部の両端から末広がりに立ち上げられてＶ字状に傾斜して対向するヒューズ接触部とを有するヒューズクリップを備え、
前記電力ヒューズは、少なくとも前記ヒューズ接触部に当接する２箇所で通電接触するようにしたことを特徴とする真空開閉器のヒューズ取付構造。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の真空開閉器のヒューズ取付構造において、
前記ヒューズクリップの前記ヒューズ接触部の一方の先端部に係止爪が設けられ、他方の先端部に接続代が設けられ、一端部が前記ヒューズクリップの前記係止爪と係合し、他端部が前記接続代に留められて前記ヒューズクリップの前記両先端部を繋ぐと共に、前記ヒューズクリップに挿入された前記電力ヒューズを前記ヒューズ接触部に押圧するように付勢するヒューズ押えを備えていることを特徴とする真空開閉器のヒューズ取付構造。
【請求項４】
請求項３に記載の真空開閉器のヒューズ取付構造において、
前記ヒューズクリップの前記接続代が設けられた側の前記ヒューズ接触部は、前記通電接触する接触点より先端部側で内側に湾曲し、且つ、前記接続代が前記固定部に対して斜め上方に傾斜するように形成されていることを特徴とする真空開閉器のヒューズ取付構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る真空開閉器のヒューズ取付構造は、固定接点と可動接点を内蔵する真空バルブを有し、固定接点あるいは可動接点に導電接続された端子と主回路導体との間に直列接続された電力ヒューズを備えた真空開閉器のヒューズ取付構造において、電力ヒューズの両端部を保持して固定するヒューズホルダは、電路側に固定される固定部とこの固定部の両端から末広がりに立ち上げられてＶ字状に傾斜して対向するヒューズ接触部とを有するヒューズクリップを備え、電力ヒューズは、少なくともヒューズ接触部に当接する２箇所で通電接触するようにしたものである。
また、固定接点と可動接点を内蔵する真空バルブを有し、固定接点に導電接続された固定側端子と電源側に接続される固定側主回路導体との間に直列接続された電力ヒューズを備えた真空開閉器のヒューズ取付構造において、電力ヒューズの両端部を保持して固定するヒューズホルダは上記と同様とし、電力ヒューズは上記と同様に保持されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定ロッドに結合された固定電極と可動ロッドに結合された可動電極とが接離可能に配置され、前記可動ロッドに設けられた端子と、この端子の近傍に配置され外部に引出される可動側接続導体とが、可撓導体によって接続された遮断器において、
前記可撓導体は、帯状の金属薄板が複数枚積層されて形成され両端部に接続部を有し、前記接続部の一端側が、幅方向を前記可動側接続導体の引出し方向に合わせるとともに長手方向を前記両電極の接離方向に合わせて前記端子に接続され、中間部で前記可動側接続導体へ向けて捻り曲げられた状態で、前記接続部の他端側が前記可動側接続導体に接続されていることを特徴とする遮断器。
【請求項２】
請求項１記載の遮断器において、
前記可動側接続導体は、前記両電極の接離方向に対し直交方向に引き出されており、
前記可撓導体は、前記接続部の一端側が、幅方向を前記可動側接続導体の引出し方向と並行にし、長手方向を前記接離方向と並行にして前記端子に接続され、中間部で前記可動側接続導体へ向けて直角方向に捻り曲げられて表裏が反転した状態で、前記接続部の他端側が、前記幅方向を前記接離方向と並行にして前記可動側接続導体に接続されていることを特徴とする遮断器。
【請求項３】
請求項１記載の遮断器において、
前記可動側接続導体は、前記両電極の接離方向に対し直交方向に引き出されており、
前記可撓導体は、前記接続部の一端側が、幅方向を前記可動側接続導体の引出し方向と並行にし、長手方向を前記接離方向と並行にして前記端子に接続され、中間部で前記可動側接続導体へ向けて直角方向に捻り曲げられた状態で、前記接続部の他端側が、積層方向を前記接離方向と並行にして前記可動側接続導体に接続されていることを特徴とする遮断器。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の遮断器において、前記可撓導体は、対称に形成された２個の可撓導体からなり、前記２個の可撓導体が前記可動ロッドを挟んで配置されて、前記端子と前記可動側接続導体とに並列に接続されていることを特徴とする遮断器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る遮断器は、固定ロッドに結合された固定電極と可動ロッドに結合された可動電極とが接離可能に配置され、可動ロッドに設けられた端子と、この端子の近傍に配置され外部に引出される可動側接続導体とが、可撓導体によって接続された遮断器において、可撓導体は、帯状の金属薄板が複数枚積層されて形成され両端部に接続部を有し、接続部の一端側が、幅方向を可動側接続導体の引出し方向に合わせるとともに長手方向を両電極の接離方向に合わせて端子に接続され、中間部で可動側接続導体へ向けて捻り曲げられた状態で、接続部の他端側が可動側接続導体に接続されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明の遮断器によれば、可撓導体の一端側の接続部が、幅方向を可動側接続導体の引出し方向に合わせるとともに長手方向を両電極の接離方向に合わせて端子に接続され、中間部で可動側接続導体へ向けて捻り曲げられた状態で、接続部の他端側が可動側接続導体に接続されているので、可動側接続導体の配置における制約が緩和され、また、可撓導体を並列にして使用するような場合には、相間方向の距離を縮小でき、遮断器の小形化を図ることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法及びパターン転写方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスインゴットから切り出された板状ガラスを研削し、２つの主表面と４つの端面を有するマスクブランク用ガラス基板の形状に加工する１次形状加工工程と、
前記ガラス基板の少なくとも一端面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、
前記ガラス基板の鏡面研磨された前記一端面から波長２００ｎｍ以下の検査光を前記ガラス基板内に導入し、前記検査光によって内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査し、蛍光が検出されないガラス基板を選定する欠陥検査工程と、
前記選定されたガラス基板の２つの主表面および４つの端面の研削および研磨を行う２次形状加工工程とを有し、
前記欠陥検査工程における前記ガラス基板内の内部欠陥から蛍光が発生するのに必要な強度の検査光が届く領域の両主表面間方向の幅は、２次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きい
ことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記２次形状加工工程後のガラス基板は、２つの主表面と前記４つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されていることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記欠陥検査工程で検査されるガラス基板は、２つの主表面と前記４つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されており、一方の主表面側の面取り面と端面とが交差する角部と、他方の主表面側の面取り面と端面とが交差する角部との間における両主表面間方向での幅は、前記２次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記欠陥検査工程で使用される検査光は、レーザー光であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板は、合成石英からなることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記パターン形成用の薄膜に露光用の転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の露光用マスクの製造方法で製造された露光用マスクを、露光装置のマスクステージに載置し、転写対象物であるレジスト膜に対して、ＡｒＦ露光光を用いたパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。