【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３１８７０８６号発明「半導体装置および半導体装置の作製方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１８７０８６号は、平成３年８月２６日に出願され、平成１３年５月１１日に特許請求の範囲の請求項１ないし２８に係る発明について特許権の設定登録がなされた。
　その後、平成１７年７月２５日付けで請求人トッポリー　オプトエレクトロニクス　コーポレイション（以下、「請求人」という。）から本件特許第３１８７０８６号の特許請求の範囲の請求項１ないし２８に係る発明に対して無効審判が請求され、平成１７年１０月１４日付けで被請求人株式会社　半導体エネルギー研究所（以下、「被請求人」という。）から答弁書が提出され、平成１８年１月１３日付けで被請求人から口頭審理陳述要領書が提出され、平成１８年１月１７日付けで請求人から口頭審理陳述要領書が提出され、平成１８年１月２５日付けで被請求人から上申書が提出され、平成１８年１月２７日付けで請求人から上申書が提出されるとともに、同日に第１回口頭審理が行われた。
　なお、第１回口頭審理において、請求人は、平成１８年１月１７日付け口頭審理陳述要領書における甲第１６号証ないし甲第２０号証の新たな追加と、甲第１６号証ないし甲第２０号証を根拠証拠とする特許法第２９条第１項第３号及び特許法第２９条第２項についての主張を撤回するとともに、平成１８年１月２７日付けの上申書に添付された参考資料に基づく特許法第２９条第１項第３号についての主張を撤回し、被請求人は、請求人の上記撤回を認めた。（第１回口頭審理調書の請求人の２及び３、並びに被請求人の２及び３を参照。）
　
２．請求人の主張
　請求人は、本件特許第３１８７０８６号の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであり、本件請求項１ないし１９に係る発明は、甲第１号証ないし甲第１５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項２０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであり、本件請求項２０ないし２８に係る発明は、甲第１号証ないし甲第１５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、本件請求項１ないし２８に係る発明についての特許は、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきものである旨主張し、証拠方法として以下の甲第１号証ないし甲第１５号証を提出している。
　甲第１号証：特開昭５８−１６４２６８号公報
　甲第２号証：特開平１−２６８０６４号公報
　甲第３号証：“The Effect of Fluorine in Silicon Dioxide Gate Dielectrics”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Vol. 36, No. 5, May 1989, pp. 879-889
　甲第４号証：“Control of Silicon Dioxide Properties by RF Sputtering”, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol. 130, No. 3, March 1983, pp. 658-659
　甲第５号証：“Dual HCl Thin Gate Oxidation Process”, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol. 129, No. 8, August 1982, pp. 1778-1782
　甲第６号証：“Chlorine Levels in SiO2 Formed Using TCA and LPCVD at Low Temperatures”, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol. 134, No. 2, February 1987, pp. 415-419
　甲第７号証：特開昭６４−４７０７６号公報
　甲第８号証：特開昭６４−３５９５９号公報
　甲第９号証：特開平３−９５３１号公報
　甲第１０号証：特開昭５８−９３２７３号公報
　甲第１１号証：特開平３−１８５７３５号公報
　甲第１２号証：特開平３−１５４３８３号公報
　甲第１３号証：特開平２−１３０８３６号公報
　甲第１４号証：特開平２−７９０２７号公報
　甲第１５号証：特開昭６１−１８３９７０号公報
　
３．被請求人の主張
　一方、被請求人は、本件特許第３１８７０８６号の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明ではないから、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、本件請求項１ないし１９に係る発明は、甲第１号証ないし甲第１５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に該当せず、また、本件請求項２０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明ではないから、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、本件請求項２０ないし２８に係る発明は、甲第１号証ないし甲第１５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に該当せず、したがって、本件請求項１ないし２８に係る発明についての特許は、特許法１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきものではない旨主張し、証拠方法として以下の乙第１号証及び乙第２号証を提出している。
　乙第１号証：電子通信学会編，「ＬＳＩハンドブック」，第１版，株式会社オーム社，昭和５９年１１月３０日，第６１−６２頁
　乙第２号証：半導体用語大辞典編集委員会編，「半導体用語大辞典」，第１版，株式会社日刊工業新聞社，１９９９年３月２０日，第１０４，１０６，１０７頁
　
４．本件特許発明
　本件特許第３１８７０８６号の特許請求の範囲の請求項１ないし２８に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」ないし「本件特許発明２８」という。）は、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項６における「前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極は前記第層間絶縁膜上に設けられ」という記載は、「前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極は前記層間絶縁膜上に設けられ」の誤記と認定した上で（第１回口頭審理調書の請求人の１及び被請求人の１を参照。）、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２８にそれぞれ記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】　絶縁性基板上に形成された前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜と、
　前記第１のブロッキング膜上に形成されたハロゲン元素を含有する絶縁性被膜と、
　前記絶縁性被膜上に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのチャネル領域が設けられた半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆う前記半導体膜の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜と、
を有し、
　前記第２のブロッキング膜上方に前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記第２のブロッキング膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記ソース電極はソース領域に、前記ドレイン電極はドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】　絶縁性基板上に形成された前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜と、
　前記第１のブロッキング膜上に形成されたハロゲン元素を含有する絶縁性被膜と、
　前記絶縁性被膜上に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのチャネル領域が設けられた半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆う前記半導体膜の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜と、
を有し、
　前記第２のブロッキング膜上方に前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記第２のブロッキング膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記ソース電極はソース領域に、前記ドレイン電極はドレイン領域に電気的に接続され、
　前記チャネル領域はハロゲンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】　請求項２において、前記チャネル領域は１×１０１８個／ｃｍ３以上５×１０２０個／ｃｍ３以下の濃度でハロゲン元素を含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】　絶縁性基板上に形成された前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜と、
　前記第１のブロッキング膜上に形成されたハロゲン元素を含有する絶縁性被膜と、
　前記絶縁性被膜上に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのチャネル領域が設けられた半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆う前記半導体膜の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜と、
を有し、
　前記第２のブロッキング膜上方に前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記第２のブロッキング膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記ソース電極はソース領域に、前記ドレイン電極はドレイン領域に電気的に接続され、
　前記ゲイト絶縁膜はハロゲンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】　請求項４において、前記ゲイト絶縁膜は１×１０１８個／ｃｍ３以上５×１０２０個／ｃｍ３以下の濃度でハロゲン元素を含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】　請求項１乃至５のいずれか一において、さらに前記第２のブロッキング層上に層間絶縁膜を有し、
　前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極は前記層間絶縁膜上に設けられ、前記第２のブロッキング膜および前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記ソース電極はソース領域に、前記ドレイン電極はドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】　請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁性被膜は酸化珪素でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】　請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１のブロッキング膜は窒化珪素でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】　請求項８において、前記窒化珪素は化学式ＳｉＮx（１．０≦ｘ≦１．７）で示されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】　請求項８又は９において、前記第１のブロッキング膜の厚さは、５０〜１０００ｎｍの範囲にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】　請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第１のブロッキング膜は酸化アルミニウム又は酸化タンタルでなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】　請求項１乃至１１のいずれか一において、前記第２のブロッキング膜は窒化珪素でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】　請求項１２において、前記窒化珪素は化学式ＳｉＮx（１．０≦ｘ≦１．７）で示されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】　請求項１２又は１３において、前記第２のブロッキング膜の厚さは、５０〜１０００ｎｍの範囲にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】　請求項１乃至１１のいずれか一において、前記第２のブロッキング膜は酸化アルミニウム又は酸化タンタルでなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】　請求項１乃至１５のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは、コプラナ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】　請求項１乃至１５のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは、逆スタガ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】　請求項１乃至１７のいずれか一において、前記半導体膜のチャネル形成領域は、アモルファス、多結晶、または微結晶のシリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】　請求項１乃至１８のいずれか一において、前記絶縁性基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】　チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極、ソース電極、およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが絶縁性基板上方に設けられている半導体装置の作製方法であって、
　前記基板上に前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜を形成し、
　前記第１のブロッキング膜上にハロゲン原子を含む絶縁性被膜を形成し、
　前記絶縁性被膜上に、前記チャネル形成領域を含む半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を形成し、
　前記半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆って、前記半導体の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜を形成し、
　前記第２のブロッキング膜にコンタクトホールを形成し、
　前記コンタクトホールを介して前記ソース領域に接続された前記ソース電極、および前記ドレイン領域に接続された前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】　チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極、ソース電極、およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが絶縁性基板上方に設けられている半導体装置の作製方法であって、
　前記基板上に前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜を形成し、
　前記第１のブロッキング膜上にハロゲン原子を含む絶縁性被膜を形成し、
　前記絶縁性被膜上に前記チャネル形成領域を有する半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を形成し、
　前記半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆って、前記半導体の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜を形成し、
　前記第２のブロッキング膜上に層間絶縁膜を形成し、
　前記層間絶縁膜および前記第２のブロッキング膜にコンタクトホールを形成し、
　前記コンタクトホールを介して前記ソース領域に接続された前記ソース電極および前記ドレイン領域に接続された前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】　請求項２０又は２１において、前記薄膜トランジスタは、コプラナ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】　請求項２０又は２１において、前記薄膜トランジスタは、逆スタガ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】　チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極、ソース電極、およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが絶縁性基板上方に設けられている半導体装置の作製方法であって、
　前記基板上に接して前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜を形成し
　前記基板を大気にさらさずに、前記第１のブロッキング膜に接してハロゲンを含む絶縁性被膜を、さらに前記絶縁性被膜に接して前記チャネル形成領域が設けられる半導体膜を形成し、
　前記半導体膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
　前記ゲイト絶縁膜上に前記ゲイト電極を形成し、
　前記半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆って、前記半導体膜の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜を形成し、
　前記第２のブロッキング膜にコンタクトホールを形成し、
　前記コンタクトホールを介して、前記ソース領域に接続された前記ソース電極および前記ドレイン領域に接続された前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】　請求項２０乃至２４のいずれか一において、前記第２のブロッキング膜を形成した後に前記半導体膜をアニールすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】　請求項２０乃至２５のいずれか一において、前記絶縁性被膜は酸化珪素でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】　請求項２０乃至２６のいずれか一において、前記第１のブロッキング膜は窒化珪素、酸化アルミニウム又は酸化タンタルのいずれかでなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】　請求項２０乃至２７のいずれか一において、前記第２のブロッキング膜は窒化珪素、酸化アルミニウム又は酸化タンタルのいずれかでなることを特徴とする半導体装置の作製方法。」
　
５．当審の判断
　
（１）請求人が提出した証拠方法及びその記載事項
　
（１−１）刊行物１：特開昭５８−１６４２６８号公報（請求人が提出した甲第１号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物１である特開昭５８−１６４２６８号公報には、第２図とともに、以下の事項が記載されている。
「本発明は石英板あるいはソーダガラス，ホウケイ酸ガラス等の透明基板上に形成される多結晶シリコンあるいはアモルファスシリコンの薄膜シリコントランジスターに関するものである。」（第１頁右欄第２〜５行）
「従来の一般的な薄膜シリコントランジスターの製法は透明基板が石英板あるいはガラス等の絶縁基板を用いることからトランジスター形成用の薄膜シリコンを基板表面に直接形成していた。
しかしながらこれら透明基板表面は表面研磨に使用されるアルミナ粉末あるいは酸化セリウム等の研磨材が研磨キズ等の表面凹凸部に付着しておりしかも石英板は別としてその他のガラス製基板はナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオンが含有されているため、透明基板表面を一般的な洗浄をほどこしても前記汚染物等を完全に除去せしめることは不可能である。このため透明基板上に薄膜トランジスタを形成する際に加わる幾多の熱処理過程においてこれら不純物が薄膜シリコン内に侵入しＴＦＴ特性に悪影響を及ぼしＯＮ電流の低下あるいはＯＦＦ電流の異状な増加等初期歩留りの低下は勿論長期信頼性の面でも問題となる。
しかも純度の悪い透明基板においては不純物による基板の表面リークも問題視される。
そこで本発明はかかる従来の欠点を除去し信頼性の高い薄膜トランジスタの製造を可能ならしむるものであり以下本発明を実施例にもとずき説明する。」（第２頁左上欄最下行〜同左下欄第４行）
「　実施例１
第２図は本発明による透明基板上に薄膜シリコントランジスタを絶縁膜６を介して形成したものである。
先ず透明基板（ソーダガラスを使用）７を充分洗浄した後ＣＶＤ法にて酸化膜６を５０００Å形成する。そしてこのＣＶＤ酸化膜６上に多結晶シリコン膜８を３０００Å形成しホトエッチングにより該多結晶シリコン膜をトランジスタ形成部を残し他を除去する。
次に前記多結晶シリコン膜上にＣＶＤ法にてゲート酸化膜９を２０００Å堆積し、つづいてゲート電極用のリンドープ多結晶シリコンを堆積し、ホトエッチングにてゲート電極を形成する。
次に前記ゲート電極をマスクにリンを高濃度にてイオン打込みする。
ソースドレインの形成されたトランジスタ部を含む透明基板主面上にＣＶＤ法にて酸化膜を５０００Å堆積したのちホトエッチングによりソースドレイン部のコンタクトを開孔する。
次に金属配線材としてアルミシリコン合金を基板主面にスパッタリングしたのちホトエッチングにて金属配線１０を形成する。
以上説明の如く本発明は透明基板上に薄膜シリコントランジスタを形成するに際し先ず透明基板上に純度の高いしかも透明基板とは組成の異なるＣＶＤ酸化膜を形成後薄膜シリコントランジスタを作り込むため基板中の汚染物の侵入を防ぐとともに基板表面の不純物による表面リークの防止とも合わせ特に初期ＴＦＴ特性の安定化に大きな効果が得られている。
なお上記ソーダガラス基板の他ホウケイ酸ガラスあるいは他の透明ガラス基板上についても実施例１と同様の方法にて薄膜シリコントランジスタ（多結晶シリコン及びアモルファスシリコントランジスタ）を形成した場合でもやはり同様の特性安定化の確認が得られている。」（第２頁左下欄第５行〜第３頁左上欄第１行）
「　実施例２
　透明基板７’を充分洗浄した後基板主面上にホスヒンガスを用いて約８モルのリンシリケートガラスをＣＶＤ法にて５０００Å堆積した後多結晶シリコン膜８’を３０００Å形成する。以下の工程は実施例１と同様である。
絶縁膜としてリンシリケートガラスを用いることにより、リンのゲッタ作用により実施例１に増してパシベーション膜としての効果が大きく初期ＴＦＴ特性の安定化は勿論のこと長期安定性でも大きな効果を得た。」（第３頁左上欄第２〜１２行）
「　実施例３
　透明基板７”を先ず充分に洗浄した後プラズマチッカ膜形成炉にてアルゴンベース１％モノシランガスとＮ２ガスを用いて約３５０℃温度にてチッカ膜を２０００Å堆積した後多結晶シリコン膜８”を形成し以下実施例１と同一工程にて薄膜トランジスタを形成した。
　本チッカ膜はプラズマ中においてモノシランガスを用いて形成されるものであり低温にてしかもチッカ膜特有のち密な膜の形成が可能なことから汚染物の侵入を防止する目的として非常に有効な手段であり実施例１，２と同様又はそれ以上の効果が得られている。」（第３頁左上欄第１３行〜同右上欄第５行）
「なお実施例において透明基板上に形成する絶縁膜はすべて単層にて用いているが例えばＣＶＤ法による酸化膜を単層で用いるより先ずリンシリケートガラスを形成後連続してノンドープの酸化膜を形成した２層絶縁膜の方が不純物のパッシベーション効果はより効果が得られることは云うまでもなく、さらにノンドープ酸化膜にてリンシリケートガラスを両面からはさみ込み３層方式ではさらにその効果をあげることも確認されている。」（第３頁左下欄第１６行〜同右下欄第４行）
「以上の方法にて形成した薄膜シリコントランジスタを用いてなるアクティブマトリクス基板において薄膜シリコントランジスターのＴＦＴ特性は安定しており信号電流のＯＮ／ＯＦＦ比は１０４以上と良好であった。」（第３頁右下欄第５〜９行）
　
　よって、刊行物１には、以下の発明がそれぞれ記載されている。
　
「薄膜シリコントランジスタであって、
　透明基板上に形成されたリンシリケートガラスと、
　前記リンシリケートガラス上に連続して形成されたノンドープの酸化膜と、
　前記ノンドープの酸化膜上に形成された、前記薄膜シリコントランジスタのリンを高濃度に含むソースドレイン部が設けられた多結晶シリコン膜、ゲート酸化膜、及びゲート電極と、
　前記薄膜シリコントランジスタのリンを高濃度に含むソースドレイン部が設けられた多結晶シリコン膜、ゲート酸化膜、及びゲート電極を覆うＣＶＤ法で堆積された酸化膜と、
を有し、
　前記酸化膜に開孔されたコンタクトと、前記コンタクトを介して前記ソースドレイン部と電気的に接続された金属配線とを有する薄膜シリコントランジスタ。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
「薄膜シリコントランジスタの作製方法であって、
　前記透明基板上にリンシリケートガラスを形成する工程と、
　前記リンシリケートガラス上に連続してノンドープの酸化膜を形成する工程と、
　前記ノンドープの酸化膜上に前記多結晶シリコン膜、ゲート酸化膜、及びゲート電極を形成する工程と、
　前記ゲート電極をマスクにして前記多結晶シリコン膜にリンを高濃度にイオン打込みしてソースドレイン部を形成する工程と、
　前記多結晶シリコン膜、ゲート酸化膜、及びゲート電極を覆う酸化膜をＣＶＤ法で堆積する工程と、
　前記酸化膜に前記ソースドレイン部のコンタクトを開孔する工程と、
　前記コンタクトを介して前記ソースドレイン部と電気的に接続された金属配線を形成する工程とを有する薄膜シリコントランジスタの作製方法。」（以下、「刊行物１方法発明」という。）
　
（１−２）刊行物２：特開平１−２６８０６４号公報（請求人が提出した甲第２号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物２である特開平１−２６８０６４号公報には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。
「実施例１
　ｐ型Ｓｉ基板１１を用意し、熱酸化し１００ｎｍのＳｉＯ２膜１２を形成する。その上に低圧化学気相蒸着法（以下ＬＰＣＶＤ法と略記）により、反応ガスに１０％Ｓｉ２Ｈ６ガス（Ｈｅベース）を用い温度５２０℃で非晶質Ｓｉ膜１３を５０ｎｍ堆積する。ホトレジストパターンをマスクとしてＣＣｌ４ガスを用いたドライエツチング法でＳｉを島状にパターン形成する。ＳｉＨ４ガスとＮ２Ｏガスの熱分解を用いたＬＰＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜１４を２５ｎｍ堆積し、続いてＯ２ガス雰囲気中で９００℃、１０分の熱処理を行いゲート酸化膜とする。続いて、多結晶Ｓｉ１３中に、Ｐを５０ＫｅＶでドーズ量１×１０１２ｃｍ−２イオン打ち込みする（第１図Ａ）。
　次に反応ガスにＳｉＨ４を用い６２０℃でＬＰＣＶＤ法により多結晶Ｓｉ膜を３００ｎｍ堆積し、レジストパターンマスクでＣＣｌ４ガスを用いたドライエツチング法でゲート電極１５を形成する。続いて９００℃のＯ２ガス雰囲気中で３０分間熱処理を行い１０ｎｍのＳｉＯ２膜を形成し、ＢＦ２を２５ＫｅＶでドーズ量２×１０１４
ｃｍ
−２
　
（１−３）刊行物３：“The Effect of Fluorine in Silicon Dioxide Gate Dielectrics”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Vol. 36, No. 5, May 1989, pp. 879-889（請求人が提出した甲第３号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物３には、Fig. 1(a)〜(d)とともに以下の事項が記載されている。
「ゲート誘電体における酸化膜成長後のフッ素含有の影響が報告されている。フッ素はイオン注入により多結晶シリコンに導入され、ＳＩＭＳ計測に示されるようにゲート酸化膜中に拡散される。」（第８７９頁左欄第１〜４行の日本語訳）
「二酸化ケイ素はＩＧＦＥＴ構造の最も一般的なゲート誘電体となっている。特性を向上させるためにデバイスの幾何学的形状が縮小するのに伴い、より微細な幾何学的形状と、より低い抵抗を有する相互接続を得るための新しい処理技術及び新しい材料が導入された。ＷＦ６の分解によるＣＶＤ　Ｗ及びＷＳｉ２［１］、フッ素系のプラズマによるコンタクトホールのエッチング及びＢＦ２のソースドレイン注入［２］，［３］のような多くの工程によって、ゲート酸化膜近傍に意図せずにフッ素が導入される。」（第８７９頁左欄第１３〜２１行の日本語訳）
「Ｗｉｌｌａｍｓ及びＷｏｏｄｓ［１３］はフッ素イオンが室温で酸化膜中を移動するという証拠を得た。
　彼らは１００ｎｍの湿式熱酸化膜を有するシリコンウエハ上にフッ化カリウムを堆積した。ウエハは空気中において１２ＭＶ／ｃｍで負のコロナ帯電にさらされた。フラットバンド電圧の測定は負イオンが汚染酸化膜を通して拡散したことを示し、ＳＩＭＳ測定はフッ素がゲート酸化膜中に拡散したことを示した。」（第８７９頁右欄第４５行〜第８８１頁左欄第７行の日本語訳）
「図１．フッ素分布のＳＩＭＳプロファイル。（ａ）イオン注入後、（ｂ）８００℃３０分間の熱処理後。酸化膜中へのフッ素の急速な拡散に注目。（ｃ）９００℃で３０分間の熱処理後。（ｄ）１，０００℃で３０分間の熱処理後。フッ素は酸化膜中にほぼ完全に隔離される。多結晶シリコンと酸化膜の厚さはそれぞれ２５０ｎｍ及び４１ｎｍである。注入エネルギは９０ｋｅＶである。」（第８８０頁の第１図の説明文の日本語訳）
「塩素は酸化物中のナトリウムイオンを中性化する点で効果的であることが見出されている。」（第８８５頁右欄第３４〜３５行の日本語訳）
　
（１−４）刊行物４：“Control of Silicon Dioxide Properties by RF Sputtering”, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol. 130, No. 3, March 1983, pp. 658-659（請求人が提出した甲第４号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物４には、以下の事項が記載されている。
「シリコン酸化膜は半導体デバイス技術において広範囲に使用されている。シリコン酸化膜は表面安定化、不純物の遮蔽、能動デバイスにおける誘電体のような多くの機能を果たす。スパッタリングにより堆積されたＳｉＯ２薄膜は熱酸化膜に比べて多くの利点を有する。例えば、前者は相対的に低温で形成できる。しかしながら、得られる薄膜はイオン汚染のために不安定性を呈する。正電荷がＳｉＯ２薄膜を劣化させる。正電荷の低減は半導体デバイスの品質を決める重要な要因である。この報告書では、ＳｉＯ２薄膜中にスパッタされたフッ素イオンによる正電荷の補償効果について研究した。」（第６５８頁左欄第１〜１３行の日本語訳）
「ＭＲＣ　ＳＥＭ−８６２０スパッタリングシステムがＳｉＯ２薄膜の堆積に用いられた。・・・直径６インチで厚さ３／１６インチのＩＣグレードのＳｉＯ２ターゲットがＭＲＣから供給された。・・・ＭＲＣ　８６２０スパッタリングシステムでは、陰極の頭部はパイレックスガラスによって台座と絶縁されている。しかしながら、我々の実験では比較のために、典型的な堆積工程ではパイレックスガラスはテフロン（ＣＦ２＝ＣＦ２）と置き換えられた。」（第６５８頁左欄第１５〜２８行の日本語訳）
「負電荷はテフロンに関係があると推測される。負電荷はテフロン中のＦ−イオンに起因し、捕獲されたＦ−イオンは正電荷の影響を補償し得るものと推測される。」（第６５９頁右欄第５〜９行の日本語訳）
「我々の結論では、もしテフロンがＳｉＯ２ターゲットと同時にスパッタリングされるならばＭＯＳデバイスにおける正電荷を減少させることができる。」（第６５９頁右欄第２５〜２７行の日本語訳）
　
（１−５）刊行物５：“Dual HCl Thin Gate Oxidation Process”, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol. 129, No. 8, August 1982, pp. 1778-1782（請求人が提出した甲第５号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物５には、以下の事項が記載されている。
「アルカリイオンは表面電位不安定化の主な原因であることがわかり、これらの移動イオン種を除去することが強いシリコン酸化絶縁膜を形成するのに非常に重要である。ＨＣｌは特に熱酸化工程で少量使用されるとき効果的な捕獲物質となることが発見された。」（第１７７８頁ＡＢＳＴＲＡＣＴ第３〜５行の日本語訳）
「高温熱酸化工程における塩素及び塩素化合物の添加は、揮発性の塩化物形成によるナトリウムイオンの除去に十分に効果的であることが観察された。」（第１７７８頁左欄第２２〜２５行の日本語訳）
「熱酸化膜のＨＣｌ処理の他の重要な利点は安定化が生じることである。安定化は、ナトリウムイオンが酸化膜−シリコン界面の近傍に移動し、凝縮相において塩素によって捕獲され中性化されるときに生じる。」（第１７７８頁左欄第３８〜４３行の日本語訳）
　
（１−６）刊行物６：“Chlorine Levels in SiO2 Formed Using TCA and LPCVD at Low Temperatures”, J. Electrochem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol. 134, No. 2, February 1987, pp. 415-419（請求人が提出した甲第６号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物６には、以下の事項が記載されている。
「ＳｉＯ２−Ｓｉ系における塩素の分布を、ともに９００℃で形成された以下の２通りのＣｌドープ酸化膜に対して研究した：（ｉ）１．０，２．５，及び４．０％のＨＣｌと等価なトリクロロエタン（ＴＣＡ）を添加して形成した熱酸化膜並びに（ｉｉ）ＳｉＨ２Ｃｌ２とＮ２Ｏの低圧での反応による低圧気相堆積（ＬＰＣＶＤ）酸化膜。」（第４１５頁ＡＢＳＴＲＡＣＴ第１〜３行の日本語訳）
「塩素は酸化膜の特性を改良するためにＳｉＯ２層に通常どおり取り込まれる（１−５）。特に金属酸化物型半導体（ＭＯＳ）装置においては、塩素は、電気的不安定化の主要な原因となるアルカリ金属の汚染を中性化する（６−１１）。」（第４１５頁左欄第１〜５行の日本語訳）
　
（１−７）刊行物７：特開昭６４−４７０７６号公報（請求人が提出した甲第７号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物７である特開昭６４−４７０７６号公報には、第１〜３図とともに以下の事項が記載されている。
「従来技術
　ＭＯＳ型薄膜トランジスターは一般に第１図に示すような方法で製造されている。・・・引続き熱酸化工程（Ｏ２＋ＨＣｌガス雰囲気中、１０００℃以上）を行なってゲート酸化膜３を形成する〔第１図（ｂ）〕。・・・
　以上のような製造方法においてゲート酸化膜の形成工程、即ちＳｉ半導体活性層の熱酸化工程は、酸化膜中及び界面に存在するアルカリイオン、外部から侵入するアルカリイオン等の好ましくない不純物をゲッタリングしてトランジスターの信頼性を向上するために、通常Ｏ２ガス中にＣｌ２等のハロゲン単体又はハロゲン化水素を例えば２％程度添加した雰囲気中で行われている。しかしこのような熱拡散法ではハロゲンは活性層中に僅かしか入らないためゲッタリング効果が低い」（第１頁左欄第１７行〜第２頁左上欄第１３行）
「本発明方法を図面によって説明すると、第２〜３図においてまず絶縁基板１上に第１図（ａ）工程と同様にしてｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉ等のＳｉ半導体活性層１を形成する〔第２〜３図（ａ）〕。次にこの活性層表面を熱酸化するのであるが、この熱酸化工程は常法とは異なり、ハロゲンを含有しないドライＯ２雰囲気又はＯ２−水蒸気雰囲気中で行なう。その他の条件は従来と同じでよい。こうしてゲート酸化膜３が形成される〔第２〜３図（ｂ）〕。次に第２図の場合は本発明の特徴であるハロゲンイオン１２の打込みを行なう。この工程はＣｌ＋、Ｆ＋等のハロゲンイオンがゲート酸化膜、ゲート酸化膜−活性層界面及び更に活性層中に充分に入るような条件で行なう。・・・次に活性化を１０００℃、３０分間でＮ２雰囲気中で行なう。こうしてハロゲンイオン注入層１３が形成される〔第２図（ｃ）〕。・・・一方、第３図の場合は第２図とは逆にゲート酸化膜３上にゲート用Ｓｉ半導体膜４を形成した後〔第３図（ｃ）〕、その上からハロゲンイオン１２の打込みを行なってハロゲンイオン注入層１３を形成する〔第３図（ｄ）〕。・・・その後第２図の場合と同様に活性化を行なう。」（第２頁右上欄第１６行〜同右下欄第８行）
「実施例１
　石英基板上に・・・ｐ−Ｓｉ活性層を形成した後、これをドライＯ２雰囲気中、１１００℃で３時間熱処理して１５００Å厚のゲート酸化膜を形成した。次に５０ＫｅＶ、引続き１００ＫｅＶの条件でＣｌ＋イオンの打込みを行なった。・・・その後、Ｎ２雰囲気中、１０００℃で３０分間熱処理し、活性化を行なった。」（第２頁右下欄第１２行〜第３頁左上欄第２行）
「実施例２
　実施例１と同様にして石英基板上にｐ−Ｓｉ活性層及びゲート酸化膜を形成した後、更に減圧ＣＶＤ法により３０００Å厚のゲート用ｐ−Ｓｉ膜を形成した。次に１５０ＫｅＶ、引続き２００ＫｅＶの条件でＣｌ＋イオンの打込みを行なった。・・・その後、Ｎ２雰囲気中、１０００℃で３０分間熱処理し、活性化を行なった。」（第３頁左上欄第１６行〜同右上欄第４行）
「
効　　果
　
（１−８）刊行物８：特開昭６４−３５９５９号公報（請求人が提出した甲第８号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物８である特開昭６４−３５９５９号公報には、第２図及び第３図とともに以下の事項が記載されている。
「以下に本発明の一実施例を示す第２図を参照してさらに詳しく説明する。
　第２図において、本発明に係る薄膜トランジスタは石英、パイレックス等の絶縁基板１上に・・・。
　ここで本発明における堆積法により形成したＳｉＯ２膜をハロゲン原子を含む酸素雰囲気中でアニールして得たゲート酸化膜について説明する。堆積酸化膜の作製方法にはプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、スパッタリング法等がある。いずれの方法も十分に清浄化された活性層の上にＳｉＯ２を堆積するのではあるが、基板温度が低い等の理由により、活性層とＳｉＯ２膜間の界面およびその近傍に発生する電荷は非常に多い。この電荷を減らすのに、適当な温度でハロゲン原子を含む酸素雰囲気中でアニールすることは、大きな効果がある。
　・・・
　ここでアニールの適当な条件としては、温度が８００〜９００℃であり、アニール時間は１〜１０時間であり、ハロゲン原子を含む酸素雰囲気とは１〜１０％ハロゲンガス／Ｏ２であり、圧力は一般に１気圧である。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁右上欄第５行）
「次に、本発明のＴＦＴの作製例を第３図を参照して説明する。
例　１
（１）表面を十分に研磨した透明石英ガラス１を十分に洗浄した後、・・・。
・・・
（３）減圧ＣＶＤ法により低温酸化膜１７を１２００Åの厚さで堆積する（第３図（ｂ）参照）。
・・・
（４），（３）で製膜した堆積酸化膜１７をハロゲン原子を含む酸素雰囲気中で約２時間アニールする。
　アニール条件は以下の通りである。
　　　　基板温度　　　８５０℃」（第３頁右上欄第１７行〜同左下欄第１７行）
　
（１−９）刊行物９：特開平３−９５３１号公報（請求人が提出した甲第９号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物９である特開平３−９５３１号公報には、以下の事項が記載されている。
「（従来の技術）
・・・
　アルカリイオンを組成としてもつガラスを基板に用いた薄膜半導体装置を形成する際、不純物イオンの拡散を抑える為にガラス基板にシリコン酸化膜を形成し、コーティング層を基板に設けることが常套手段となっている。この種の装置としては例えば特開昭６１−１２８２２５号公報が知られている。しかしシリコン酸化膜のコーティングではガラス基板からのナトリウム等の不純物イオンの拡散を十分に抑えることができず、信頼性のある液晶表示装置を得ることができなかった。
　またシリコン酸化膜の代わりにシリコン窒化膜を用いた例もある。ここで不純物の拡散を防ぐという面ではシリコン窒化膜の方がシリコン酸化膜よりも優れている。」（第１頁右欄第２行〜第２頁左上欄第１６行）
「（課題を解決する為の手段）
　　上記目的を達成する為に本発明は、ガラスを基板に用い、その上に金属薄膜電極，ゲート絶縁膜を有する薄膜半導体装置において、ガラス基板側から基板全面にシリコン窒化膜，シリコン酸化膜の順で薄膜層を構成されており、前記このシリコン窒化膜，シリコン酸化膜の積層膜若しくはこの積層膜の内のシリコン酸化膜が前記ゲート膜絶縁膜を兼ねた構成となっている。またこの構成にさらにガラス基板と金属薄膜電極との間にシリコン窒化膜を設けた構成をとってもよい。
　　（作　用）
　　ナトリウム等の不純物イオンを含む安価なガラスを基板に用いた薄膜半導体装置であっても、基板側からシリコン窒化膜，シリコン酸化膜の順で二層薄膜層を設けることでガラス基板からの不純物の拡散を充分に抑えることができる。」（第２頁左下欄第１８行〜同右下欄第１４行）
　
（１−１０）刊行物１０：特開昭５８−９３２７３号公報（請求人が提出した甲第１０号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物１０である特開昭５８−９３２７３号公報には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
「（２）従来技術とその問題点
　最近ガラス等の非晶質基板上にシリコンやＣｄＳｅ等の半導体薄膜を堆積し、そこに表示デバイス用の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成することが試みられている。しかし例えば非晶質基板として硼珪酸ガラス（商品名コーニング７０５９）を使用した場合、その上に半導体薄膜を堆積するとき、或いは堆積した半導体薄膜を熱処理するとき、基板温度を４００℃以上にすると基板からＮａ，Ｂ等の不純物が半導体薄膜中に侵入、拡散し、素子の電気的特性を著しく劣化させることがわかった。
・・・
（４）発明の概要
　即ち本発明は、非晶質基板と半導体薄膜との間に無機絶縁性薄膜を介在させたことを特徴とするものである。
　第１図にその構造の基本構成を示す。１は非晶質基板、２は不純物の浸透を防止する無機絶縁膜で、３は素子を形成する半導体薄膜である。このようにして得られた基板は、単に基板中の不純物の浸透を防ぐだけでなく、強酸や強アルカリの処理にも耐性があり、この薬品処理が不可能な硼珪酸ガラス等の表面の保護もすることがわかった。」（第１頁左欄第１４行〜同右欄第２０行）
「（５）発明の実施例
　・・・硼珪酸ガラス（商品名コーニング７０５９）を基板（１）とし、この上にスパッタでＴａ２Ｏ５（２）を２０００Å堆積した。・・・この・・・素子（ＦＥＴ）はＴａ２Ｏ５薄膜（２）を堆積しない基板上に形成した素子よりも相互コンダクタンスが約５倍になった。これは単にＴａ２Ｏ５薄膜（２）が硼珪酸ガラス中のＮａ，Ｂが半導体薄膜（３）中に侵入するのを防ぐだけでなく、Ｔａ２Ｏ５薄膜（２）がガラス（１）表面を保護し、強酸、強アルカリの液による処理が可能になったことにもよることがわかった。」（第２頁左欄第１〜１８行）
「絶縁性薄膜（２）としてはＴａ２Ｏ５だけでなく、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４、アルミナ、それにそれを主成分とする無機絶縁物に対しても有効である。」（第２頁右欄第４〜７行）
　
（１−１１）刊行物１１：特開平３−１８５７３５号公報（請求人が提出した甲第１１号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物１１である特開平３−１８５７３５号公報には、以下の事項が記載されている。
「［発明が解決しようとする課題］
　・・・
　また、基板にアルカリイオン含有量の多いガラスなどの安価な材料を用いると、基板材料中に含まれるＮａ＋などのアルカリイオン３８が、製造プロセス中の熱処理によって半導体薄膜の方へ移動し、基板との界面やシリコン薄膜中に可動イオンとして存在し、素子特性の劣化や、信頼性に問題を生じさせていた。」（第２頁左上欄第１１行〜同右上欄第１５行）
「本発明では、結晶性半導体薄膜の上下両側に、水素の拡散にたいしてバリアとなる第１、第２の絶縁膜をそれぞれ形成する。
・・・
　ここで、前記水素の拡散にたいしてバリアとなる第１の絶縁膜、第２の絶縁膜としては、例えば減圧ＣＶＤ法、あるいは、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜あるいは窒化酸化シリコン膜を用いればよい。
　また、基体と結晶性半導体薄膜との間に絶縁膜として窒化シリコン膜を形成することで、ガラス等の基体からのＮａ＋等のアルカリイオンに対してブロッキングの効果を持たせることができ、素子特性の信頼性を向上させることができる。」（第２頁右下欄第１２行〜第３頁左上欄第９行）
　
（１−１２）刊行物１２：特開平３−１５４３８３号公報（請求人が提出した甲第１２号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物１２である特開平３−１５４３８３号公報には、第５図とともに以下の事項が記載されている。
「第５図は従来の半導体装置の模式側断面図である。５１はｐ−型シリコン（Ｓｉ）基板、５２は絶縁膜（酸化膜）、５３は再結晶シリコン基板、５４はｐ型チャネル領域、５５はｎ＋型ソースドレイン領域、５６はゲート酸化膜、５７はゲート電極、５８はブロック用酸化膜、５９は燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜、６０はＡｌ配線を示している。」（第２頁右上欄第１５行〜同左下欄第２行）
　
（１−１３）刊行物１３：特開平２−１３０８３６号公報（請求人が提出した甲第１３号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物１３である特開平２−１３０８３６号公報には、第１図（ｉ）〜（ｍ）とともに以下の事項が記載されている。
「更にゲート電極４上のドープ層を除去した後の全面に、同図（ｉ）に示すようにキャップ材７としてＳｉＯｘを形成させる。」（第３頁右下欄第３〜５行）
「このようにして形成されるゲート電極４、ソースドレイン領域９上に、同図（ｋ）に示すように（キャップ材、ドープ層は図示せず）層間絶縁膜８をポリイミドを塗膜することにより形成し、次いで同図（ｌ）に示すようにコンタクト部をパターニングにより開口し、更にアルミニウムをスパッタリング法により着膜させ、同図（ｍ）に示すようにパターニングしてアルミニウム配線部１０を形成し本発明のｐｏｌｙ−Ｓｉ　ＴＦＴを作製することができる。」（第４頁左上欄第１〜１０行）
　
（１−１４）刊行物１４：特開平２−７９０２７号公報（請求人が提出した甲第１４号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物１４である特開平２−７９０２７号公報には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
「次に第１図（ｃ）の様に活性水素を含む窒化シリコン膜１０６をプラズマＣＶＤ法で全面に形成後、・・・。次に第１図（ｅ）のように、層間絶縁膜としてＣＶＤ法により形成したＰＳＧ膜１０８を全面に形成する。次に第１図（ｆ）のようにホト・エツチングによりソース・ドレイン領域１０５上にコンタクトのためのスルーホールを形成し、Ａｌ電極１０９を形成する。」（第３頁右上欄第１０行〜同左下欄第２行）
　
（１−１５）刊行物１５：特開昭６１−１８３９７０号公報（請求人が提出した甲第１５号証）
　本件特許の出願前に頒布された刊行物１５である特開昭６１−１８３９７０号公報には、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。
「本発明の絶縁膜として、窒化シリコン薄膜を用いると絶縁性基板からのナトリウムなどの可動性アルカリイオンがゲート絶縁膜や半導体薄膜中に拡散してＴＦＴ特性を劣化させる現像を防ぐことができるという様な基板からの汚染防止膜としての作用も生じることとなる。」（第２頁右上欄第１８行〜同左下欄第３行）
「第１図は本発明の実施例におけるＴＦＴの断面図を示すものである。第１図において１から７までは第２図の従来例と同様のものである。８はゲート絶縁膜と同種の絶縁膜である。本実施例においては、ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン薄膜を形成させ、その上にクロムよりなるゲート電極を形成し、さらにその上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン薄膜，アモルファス半導体薄膜，窒化シリコン薄膜を順次形成して、各々ゲート絶縁膜，半導体薄膜，保護絶縁膜とする。さらに保護絶縁膜に開口部を設けｎ＋アモルファスシリコン，アルミニウム薄膜を順次形成し、ソース・ドレイン電極を構成させた。」（第２頁左下欄第７〜１９行）
　
（２）本件特許発明１及び２０が特許法第２９条第１項第３号に該当するか否かの判断
　
（２−１）本件特許発明１についての判断
　
［対比］
　本件特許発明１と刊行物１発明とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「透明基板」、「ゲート酸化膜」、及び「ゲート電極」は、本件特許発明１の「絶縁性基板」、「ゲイト絶縁膜」、及び「ゲイト電極」にそれぞれ相当し、刊行物１発明の「ソースドレイン部」は、本件特許発明１の「ソース領域」及び「ドレイン領域」に相当する。
　また、刊行物発明１の「薄膜シリコントランジスタ」は、半導体材料で形成された「ソースドレイン部が設けられた多結晶シリコン膜」を有しているから、本件特許発明１の「半導体装置」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「ソースドレイン部」は、「多結晶シリコン膜上にＣＶＤ法にてゲート酸化膜を９を２０００Å堆積し、つづいてゲート電極用のリンドープ多結晶シリコンを堆積し、ホトエッチングにてゲート電極を形成する。次にゲート電極をマスクにリンを高濃度にてイオン打込」（刊行物１第２頁左下欄第１５〜２０行）みすることによって形成されるから、刊行物１発明の「ソースドレイン部が設けられた多結晶シリコン膜」のゲート電極下でソースドレイン部に挟まれた領域は、本件特許発明１の「チャネル領域」に相当し、したがって、刊行物１発明の「ソースドレイン部が設けられた多結晶シリコン膜」は、本件特許発明１の「チャネル領域が設けられた半導体膜」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「リンシリケートガラス」の機能に関しては、「絶縁膜としてリンシリケートガラスを用いることにより、リンのゲッタ作用により実施例１に増してパシベーション膜としての効果が大き」（刊行物１第３頁左上欄第８〜１０行）いと記載されており、この記載から刊行物１発明の「リンシリケートガラス」は、「透明基板」からの汚染を防ぐ機能を備えていると判断できるから、本件特許発明１の「第１のブロッキング膜」に相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「ＣＶＤ法で堆積された酸化膜」は「ソースドレイン部が設けられた多結晶シリコン膜」を覆って堆積されている以上、「ソースドレイン部が設けられた多結晶シリコン膜」への外部からの汚染を防ぐ機能を備えることは明らかであるから、本件特許発明１の「第２のブロッキング膜」に相当し、刊行物１発明の「前記酸化膜に開孔されたコンタクト」は、本件特許発明１の「前記第２のブロッキング膜に設けられたコンタクトホール」に相当する。
（ｅ）「次に金属配線材としてアルミシリコン合金を基板主面にスパッタリングしたのちホトエッチングにて金属配線１０を形成する。」（刊行物１第２頁右下欄第５〜７行）という記載及び刊行物１第２図の「１０」を参照すれば、刊行物１発明における「金属配線」が、本件特許発明１における「ソース電極」及び「ドレイン電極」に相当することは明らかである。
（ｆ）また、本件特許発明１の「薄膜トランジスタ」も「ソース領域」及び「ドレイン領域」を備えており、本件特許明細書には「ソースおよびドレイン領域の形成にあたって、ゲイト電極をマスクとするセルフアラインプロセスを採用する場合には、この例では図１の例と同様に、ゲイト絶縁膜を通して、アクセプターあるいはドナー元素を注入」（００１６段落）すると記載されているから、本件特許発明１の「ソース領域」及び「ドレイン領域」が、アクセプターあるいはドナー元素を高濃度に含むことは実質的に記載されている。
　
　よって、本件特許発明１と刊行物１発明は、
「絶縁性基板上に形成された前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜と、
　前記第１のブロッキング膜上に形成された被膜と、
　前記被膜上に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのチャネル領域が設けられた半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆う前記半導体膜の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜と、
を有し、
　前記第２のブロッキング膜上方に前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記第２のブロッキング膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記ソース電極はソース領域に、前記ドレイン電極はドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　本件特許発明１は「第１のブロッキング膜上に形成されたハロゲン元素を含有する絶縁性被膜」を有しているのに対して、刊行物１発明は「リンシリケートガラス上に連続して形成されたノンドープの酸化膜」を有している点。
　
［判断］
　上記相違点が実質的なものであるか否かについて検討する。
　刊行物１発明における「薄膜シリコントランジスタ」のソースドレイン部がリンを高濃度に含む点については、刊行物１に「多結晶シリコン膜上にＣＶＤ法にてゲート酸化膜を９を２０００Å堆積し、つづいてゲート電極用のリンドープ多結晶シリコンを堆積し、ホトエッチングにてゲート電極を形成する。次にゲート電極をマスクにリンを高濃度にてイオン打込みする。」（第２頁左下欄第１５〜２０行）と記載されているものの、刊行物１発明における「透明基板」、「リンシリケートガラス」、「ノンドープの酸化膜」、「薄膜シリコントランジスタ」、「ＣＶＤ法で堆積された酸化膜」及び「金属配線」のいずれかがハロゲン元素を含有する点については、刊行物１には記載も示唆もされていない。
　また、仮に、刊行物１発明における「薄膜シリコントランジスタ」をＰチャネル型にするためにソースドレイン部にＰ型不純物を高濃度に含有させることが本件特許出願時における当業者の技術常識（当業者に一般的に知られている技術（周知技術、慣用技術を含む）又は経験則から明らかな事項）であるとしても、不純物の導入方法としてイオン注入法を選択するとともに注入種としてＢＦ２を選択することまでが技術常識であるとする理由はないから、刊行物１発明における「薄膜シリコントランジスタ」をＰチャネル型にするに際して「ノンドープの酸化膜」がＢＦ２のイオン注入によるソースドレイン部の形成に伴って不可避的にフッ素を含み得るとする点は、刊行物１に記載されているに等しい事項（記載されている事項から本件特許出願時における技術常識を参酌することにより導き出せるもの）とはいえない。
　したがって、上記相違点は実質的なものであり、本件特許発明１は刊行物１発明ではないから、特許法第２９条第１項第３号には該当しない。
　
（２−２）本件特許発明２０についての判断
　
［対比］
　本件特許発明２０と刊行物１方法発明とを対比する。
（ａ）刊行物１方法発明の「透明基板」、「ゲート酸化膜」、及び「ゲート電極」は、本件特許発明２０の「絶縁性基板」、「ゲイト絶縁膜」、及び「ゲイト電極」にそれぞれ相当し、刊行物１方法発明の「ソースドレイン部」は、本件特許発明２０の「ソース領域」及び「ドレイン領域」に相当し、する。
　また、刊行物１方法発明の「薄膜シリコントランジスタ」は、半導体材料で形成された「多結晶シリコン膜」を有しているから、本件特許発明２０の「半導体装置」に相当する。
（ｂ）刊行物１方法発明の「ソースドレイン部」は、「多結晶シリコン膜上にＣＶＤ法にてゲート酸化膜を９を２０００Å堆積し、つづいてゲート電極用のリンドープ多結晶シリコンを堆積し、ホトエッチングにてゲート電極を形成する。次にゲート電極をマスクにリンを高濃度にてイオン打込」（刊行物１第２頁左下欄第１５〜２０行）みすることによって形成されるから、刊行物１方法発明における「多結晶シリコン膜」のゲート電極下でソースドレイン部に挟まれた領域は、本件特許発明２０の「チャネル形成領域」に相当し、したがって、刊行物１方法発明の「多結晶シリコン膜」は、本件特許発明２０の「チャネル形成領域」に相当する領域を含んでいる。
（ｃ）刊行物１方法発明の「リンシリケートガラス」の機能に関しては、「絶縁膜としてリンシリケートガラスを用いることにより、リンのゲッタ作用により実施例１に増してパシベーション膜としての効果が大き」（刊行物１第３頁左上欄第８〜１０行）いと記載されており、この記載から刊行物１方法発明の「リンシリケートガラス」は、「透明基板」からの汚染を防ぐ機能を備えていると判断できるから、本件特許発明２０の「第１のブロッキング膜」に相当する。
（ｄ）刊行物１方法発明の「ＣＶＤ法で堆積」された「酸化膜」は、「多結晶シリコン膜」を覆って堆積されている以上、「多結晶シリコン膜」への外部からの汚染を防ぐ機能を備えることは明らかであるから、本件特許発明２０の「第２のブロッキング膜」に相当し、刊行物１方法発明において「前記酸化膜に前記ソースドレイン部のコンタクトを開孔する」ことは、本件特許発明２０の「前記第２のブロッキング層にコンタクトホールを形成」することに相当する。
（ｅ）「次に金属配線材としてアルミシリコン合金を基板主面にスパッタリングしたのちホトエッチングにて金属配線１０を形成する。」（刊行物１第２頁右下欄第５〜７行）という記載及び刊行物１第２図の「１０」を参照すれば、刊行物１方法発明の「金属配線」が、本件特許発明２０の「ソース電極」及び「ドレイン電極」に相当することは明らかであるから、刊行物１方法発明における「前記コンタクトを介して前記ソースドレイン部と電気的に接続された金属配線を形成する」ことは、本件特許発明１における「前記コンタクトホールを介して前記ソース領域に接続された前記ソース電極、および前記ドレイン領域に接続された前記ドレイン電極を形成する」ことに相当する。
（ｆ）また、本件特許発明２０も「ソース領域」及び「ドレイン領域」を備えており、本件特許明細書には「ソースおよびドレイン領域の形成にあたって、ゲイト電極をマスクとするセルフアラインプロセスを採用する場合には、この例では図１の例と同様に、ゲイト絶縁膜を通して、アクセプターあるいはドナー元素を注入」（００１６段落）すると記載されているから、本件特許発明２０が「ソース領域」及び「ドレイン領域」にアクセプターあるいはドナー元素を高濃度に導入する工程を実質的に備えていることは明らかである。
　
　よって、本件特許発明２０と刊行物１方法発明は、
「チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極、ソース電極、およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが絶縁性基板上方に設けられている半導体装置の作製方法であって、
　前記基板上に前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜を形成し、
　前記第１のブロッキング膜上に被膜を形成し、
　前記被膜上に、前記チャネル形成領域を含む半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を形成し、
　前記半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆って、前記半導体の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜を形成し、
　前記第２のブロッキング膜にコンタクトホールを形成し、
　前記コンタクトホールを介して前記ソース領域に接続された前記ソース電極、および前記ドレイン領域に接続された前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　本件特許発明２０は「第１のブロッキング膜上にハロゲン元素を含む絶縁性被膜を形成し」ているのに対して、刊行物１方法発明は「リンシリケートガラス上に連続してノンドープの酸化膜を形成」している点。
　
［判断］
　上記相違点が実質的なものであるか否かについて検討する。
　刊行物１方法発明における「薄膜シリコントランジスタ」のソースドレイン部がリンを高濃度に含む点については、刊行物１に「多結晶シリコン膜上にＣＶＤ法にてゲート酸化膜を９を２０００Å堆積し、つづいてゲート電極用のリンドープ多結晶シリコンを堆積し、ホトエッチングにてゲート電極を形成する。次にゲート電極をマスクにリンを高濃度にてイオン打込みする。」（第２頁左下欄第１５〜２０行）と記載されているものの、刊行物１方法発明における「透明基板」、「リンシリケートガラス」、「ノンドープの酸化膜」、「薄膜シリコントランジスタ」、「ＣＶＤ法で堆積された酸化膜」及び「金属配線」のいずれかがハロゲン元素を含有する点については、刊行物１には記載も示唆もされていない。
　また、仮に、刊行物１方法発明における「薄膜シリコントランジスタ」をＰチャネル型にするためにソースドレイン部にＰ型不純物を高濃度に含有させることが本件特許出願時における当業者の技術常識（当業者に一般的に知られている技術（周知技術、慣用技術を含む）又は経験則から明らかな事項）であるとしても、不純物の導入方法としてイオン注入法を選択するとともに注入種としてＢＦ２を選択することまでが技術常識であるとする理由はないから、刊行物１方法発明における「薄膜シリコントランジスタ」をＰチャネル型にするに際して「ノンドープの酸化膜」がＢＦ２のイオン注入によるソースドレイン部の形成に伴って不可避的にフッ素を含み得るとする点は、刊行物１に記載されているに等しい事項（記載されている事項から本件特許出願時における技術常識を参酌することにより導き出せるもの）とはいえない。
　したがって、上記相違点は実質的なものであり、本件特許発明２０は刊行物１方法発明ではないから、特許法第２９条第１項第３号には該当しない。
　
（３）本件特許発明１ないし２８が特許法第２９条第２項の規定に該当するか否かの判断
　
（３−１）本件特許発明１についての判断
　
［対比］
　本件特許発明１と刊行物１発明を対比すると、「（２）本件特許発明１、２０が特許法第２９条第１項第３号に該当するか否かの判断」「（２−１）本件特許発明１についての判断」「［対比］」において検討したとおり、両者は、
「絶縁性基板上に形成された前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜と、
　前記第１のブロッキング膜上に形成された被膜と、
　前記被膜上に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのチャネル領域が設けられた半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆う前記半導体膜の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜と、
を有し、
　前記第２のブロッキング膜上方に前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記第２のブロッキング膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記ソース電極はソース領域に、前記ドレイン電極はドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　本件特許発明１は「第１のブロッキング膜上に形成されたハロゲン元素を含有する絶縁性被膜」を有しているのに対して、刊行物１発明は「リンシリケートガラス上に連続して形成されたノンドープの酸化膜」を有している点。
　
［判断］
　上記相違点について検討する。
（ａ）刊行物１発明における「透明基板」は、刊行物１に「本発明は石英板あるいはソーダガラス，ホウケイ酸ガラス等の透明基板上に形成される多結晶シリコンあるいはアモルファスシリコンの薄膜シリコントランジスターに関するものである。」（第１頁右欄第２〜５行）と記載されているように「石英板」も含む。
　しかし、刊行物１に「従来の一般的な薄膜シリコントランジスターの製法は透明基板が石英板あるいはガラス等の絶縁基板を用いることからトランジスター形成用の薄膜シリコンを基板表面に直接形成していた。しかしながらこれら透明基板表面は表面研磨に使用されるアルミナ粉末あるいは酸化セリウム等の研磨材が研磨キズ等の表面凹凸部に付着しておりしかも石英板は別としてその他のガラス製基板はナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオンが含有されているため、透明基板表面を一般的な洗浄をほどこしても前記汚染物等を完全に除去せしめることは不可能である。このため透明基板上に薄膜トランジスタを形成する際に加わる幾多の熱処理過程においてこれら不純物が薄膜シリコン内に侵入しＴＦＴ特性に悪影響を及ぼしＯＮ電流の低下あるいはＯＦＦ電流の異状な増加等初期歩留りの低下は勿論長期信頼性の面でも問題となる。」（第２頁右上欄第５〜１８行）と記載されているように、刊行物１発明において「表面研磨に使用されるアルミナ粉末あるいは酸化セリウム等の研磨材が研磨キズ等の表面凹凸部に付着」することは、「石英板」及び「ガラス製基板」に共通の問題である一方で、「石英板は別としてその他のガラス製基板は」という記載から「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」による悪影響は「ガラス製基板」に限られる問題であることは明らかである。
（ｂ）一方、刊行物５には、高温熱酸化工程でシリコン酸化膜を形成する際に塩素及び塩素化合物を雰囲気中に添加するとナトリウムイオンの除去に効果的であることが記載されているが、熱酸化は９００℃以上の加熱を要する。
　刊行物６には、シリコン酸化膜の特性を改良するために塩素を取り込むことにより、電気的不安定化の主要な原因となるアルカリ金属の汚染を中性化することが記載されているが、トリクロロエタンを添加した熱酸化及びＳｉＨ２Ｃｌ２とＮ２Ｏの低圧での反応による低圧気相堆積はともに９００℃の加熱を要する。
　刊行物７には、外部から侵入するアルカリイオン等の好ましくない不純物をゲッタリングするために、ゲート酸化膜の熱酸化工程中にハロゲン単体又はハロゲン化水素を添加する従来技術や、ゲート酸化膜にハロゲンをイオン注入して活性化する技術が記載されているが、熱酸化工程では１０００℃以上の加熱を要し、イオン注入後の活性化には１０００℃の加熱を要する。
　刊行物８には、堆積法により作製したＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁膜をハロゲン原子を含む酸素雰囲気中でアニールすることにより活性層とＳｉＯ２膜間の界面及びその近傍に発生する電荷を減らす技術が記載されているが、どのような原子に関連した電荷であるか具体的な内容についての記載はなく、また、アニールには８００〜９００℃の加熱を要する。
　以上のとおり、刊行物５ないし８には、シリコン酸化膜中にハロゲン元素を添加することによりナトリウムイオン等をゲッタリングする技術が記載されているものの、いずれの技術も刊行物１発明において「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」による悪影響が問題となる「ガラス製基板」の耐熱温度を超える温度での加熱を要するから、刊行物１発明において「透明基板」が「ガラス製基板」に限られる場合の問題点である「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」による悪影響を解決するための手段として刊行物５ないし８に記載された技術を適用することはできない。
　また、仮に「ガラス製基板」の耐熱温度内の工程でハロゲン原子をシリコン酸化膜中に添加することが可能であるとした場合においても、このような工程で添加されたハロゲン原子が「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」に対するゲッタリング機能を有するとは、技術常識を考慮してもいえない。
（ｃ）また、刊行物３には、室温でフッ素イオンが酸化膜中を移動することが記載されているものの、移動は室温であれば無条件に起きるのではなく、「１００ｎｍの湿式熱酸化膜を有するシリコンウエハ上にフッ化カリウムを堆積した。ウエハは空気中において１２ＭＶ／ｃｍで負のコロナ帯電にさらされ」（第８８１頁左欄第１〜４行の日本語訳）る場合に限られ、刊行物３には、このような特殊な条件で酸化膜中に添加されたフッ素イオンが「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」に対するゲッタリング機能を有することについては、記載も示唆もなく、技術常識を考慮しても明らかとはいえず、また、このような特殊な条件以外の場合においても酸化膜中に添加されたフッ素イオンが「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」に対するゲッタリング機能を有することについては、記載も示唆もなく、技術常識を考慮しても明らかとはいえないから、刊行物１発明に対して刊行物３に記載された技術を適用する動機付けは存在しない。
　刊行物４には、テフロン（ＣＦ２＝ＣＦ２）をＳｉＯ２ターゲットと同時にスパッタリングすることによりＭＯＳデバイスにおける正電荷を減少させる技術が記載されており、テフロン中のＦ−イオンに起因する負電荷が正電荷を補償するとの推測がされているが、どのような原子に関連した正電荷であるか具体的な内容については何ら記載はなく、技術常識を考慮してもその具体的な内容は明らかでない。さらに、テフロンのスパッタリングを行う以上、半導体素子にとって汚染源となる炭素（Ｃ）がＳｉＯ２へ混入することが避けられないことは技術的に明らかであるから、刊行物１発明に対して刊行物４に記載された技術を適用する際の阻害要因はあっても適用する動機付けは存在しない。
　その他の刊行物である刊行物２及び９ないし１５にはシリコン酸化膜中にハロゲン元素を導入することについて記載も示唆もされていない。
　
　また、本件特許発明１は「第１のブロッキング膜上に形成されたハロゲン元素を含有する絶縁性被膜」を構成として備えることにより、「ナトリウム等の可動イオンの影響の少ないＴＦＴ等の薄膜状半導体素子を作製することができる。従来、可動イオンが存在するため素子が形成できなかった基板においても、ＴＦＴを形成することが可能となった。」（本件特許明細書００４６段落）という顕著な効果を奏する。
　
　以上のとおり、刊行物２ないし１５には、いずれも刊行物１発明に適用する際の動機付けが存在しないから、本件特許発明１は、刊行物１ないし１５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に該当しない。
　
（３−２）本件特許発明２ないし１９についての判断
　本件特許発明２ないし１９は、いずれも本件特許発明１と同一カテゴリーの「半導体装置」の発明であり、本件特許発明１の構成に欠くことができない事項（以下、「構成要件」という。）を全て含んだ上で、本件特許発明１の構成要件に限定を加えたり（請求項２ないし５及び７ないし１９）、本件特許発明１に新たな構成要件を付加するとともに限定を加えたもの（請求項６ないし１９）である。
　したがって、本件特許発明１が、刊行物１ないし１５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件特許発明２ないし１９についても、刊行物１ないし１５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に該当しない。
　
（３−３）本件特許発明２０についての判断
　
［対比］
　本件特許発明２０と刊行物１方法発明を対比すると、「（２）本件特許発明１、２０が特許法第２９条第１項第３号に該当するか否かの判断」「（２−２）本件特許発明１についての判断」「［対比］」において検討したとおり、両者は、
「チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極、ソース電極、およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが絶縁性基板上方に設けられている半導体装置の作製方法であって、
　前記基板上に前記基板からの汚染を防ぐ第１のブロッキング膜を形成し、
　前記第１のブロッキング膜上に被膜を形成し、
　前記被膜上に、前記チャネル形成領域を含む半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を形成し、
　前記半導体膜、ゲイト絶縁膜、およびゲイト電極を覆って、前記半導体の汚染を防ぐ第２のブロッキング膜を形成し、
　前記第２のブロッキング膜にコンタクトホールを形成し、
　前記コンタクトホールを介して前記ソース領域に接続された前記ソース電極、および前記ドレイン領域に接続された前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　本件特許発明２０は「第１のブロッキング膜上にハロゲン元素を含む絶縁性被膜を形成し」ているのに対して、刊行物１方法発明は「リンシリケートガラス上に連続してノンドープの酸化膜を形成」している点。
　
［判断］
　上記相違点について検討する。
（ａ）刊行物１方法発明における「透明基板」は、刊行物１に「本発明は石英板あるいはソーダガラス，ホウケイ酸ガラス等の透明基板上に形成される多結晶シリコンあるいはアモルファスシリコンの薄膜シリコントランジスターに関するものである。」（第１頁右欄第２〜５行）と記載されているように「石英板」も含む。
　しかし、刊行物１に「従来の一般的な薄膜シリコントランジスターの製法は透明基板が石英板あるいはガラス等の絶縁基板を用いることからトランジスター形成用の薄膜シリコンを基板表面に直接形成していた。しかしながらこれら透明基板表面は表面研磨に使用されるアルミナ粉末あるいは酸化セリウム等の研磨材が研磨キズ等の表面凹凸部に付着しておりしかも石英板は別としてその他のガラス製基板はナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオンが含有されているため、透明基板表面を一般的な洗浄をほどこしても前記汚染物等を完全に除去せしめることは不可能である。このため透明基板上に薄膜トランジスタを形成する際に加わる幾多の熱処理過程においてこれら不純物が薄膜シリコン内に侵入しＴＦＴ特性に悪影響を及ぼしＯＮ電流の低下あるいはＯＦＦ電流の異状な増加等初期歩留りの低下は勿論長期信頼性の面でも問題となる。」（第２頁右上欄第５〜１８行）と記載されているように、刊行物１方法発明において「表面研磨に使用されるアルミナ粉末あるいは酸化セリウム等の研磨材が研磨キズ等の表面凹凸部に付着」することは、「石英板」及び「ガラス製基板」に共通の問題である一方で、「石英板は別としてその他のガラス製基板は」という記載から「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」による悪影響は「ガラス製基板」に限られる問題であることは明らかである。
（ｂ）一方、刊行物５には、高温熱酸化工程でシリコン酸化膜を形成する際に塩素及び塩素化合物を雰囲気中に添加するとナトリウムイオンの除去に効果的であることが記載されているが、熱酸化は９００℃以上の加熱を要する。
　刊行物６には、シリコン酸化膜の特性を改良するために塩素を取り込むことにより、電気的不安定化の主要な原因となるアルカリ金属の汚染を中性化することが記載されているが、トリクロロエタンを添加した熱酸化及びＳｉＨ２Ｃｌ２とＮ２Ｏの低圧での反応による低圧気相堆積はともに９００℃の加熱を要する。
　刊行物７には、外部から侵入するアルカリイオン等の好ましくない不純物をゲッタリングするために、ゲート酸化膜の熱酸化工程中にハロゲン単体又はハロゲン化水素を添加する従来技術や、ゲート酸化膜にハロゲンをイオン注入して活性化する技術が記載されているが、熱酸化工程では１０００℃以上の加熱を要し、イオン注入後の活性化には１０００℃の加熱を要する。
　刊行物８には、堆積法により作製したＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁膜をハロゲン原子を含む酸素雰囲気中でアニールすることにより活性層とＳｉＯ２膜間の界面及びその近傍に発生する電荷を減らす技術が記載されているが、どのような原子に関連した電荷であるか具体的な内容についての記載はなく、また、アニールには８００〜９００℃の加熱を要する。
　以上のとおり、刊行物５ないし８には、シリコン酸化膜中にハロゲン元素を添加することによりナトリウムイオン等をゲッタリングする技術が記載されているものの、いずれの技術も刊行物１方法発明において「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」による悪影響が問題となる「ガラス製基板」の耐熱温度を超える温度での加熱を要するから、刊行物１方法発明において「透明基板」が「ガラス製基板」に限られる場合の問題点である「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」による悪影響を解決するための手段として刊行物５ないし８に記載された技術を適用することはできない。
　また、仮に「ガラス製基板」の耐熱温度内の工程でハロゲン原子をシリコン酸化膜中に添加することが可能であるとした場合においても、このような工程で添加されたハロゲン原子が「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」に対するゲッタリング機能を有するとは、技術常識を考慮してもいえない。
（ｃ）また、刊行物３には、室温でフッ素イオンが酸化膜中を移動することが記載されているものの、移動は室温であれば無条件に起きるのではなく、「１００ｎｍの湿式熱酸化膜を有するシリコンウエハ上にフッ化カリウムを堆積した。ウエハは空気中において１２ＭＶ／ｃｍで負のコロナ帯電にさらされ」（第８８１頁左欄第１〜４行の日本語訳）る場合に限られ、刊行物３には、このような特殊な条件で酸化膜中に添加されたフッ素イオンが「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」に対するゲッタリング機能を有することについては、記載も示唆もなく、技術常識を考慮しても明らかとはいえず、また、このような特殊な条件以外の場合においても酸化膜中に添加されたフッ素イオンが「ナトリウムイオンを始めとする種々の可動イオン及び鉄イオン，銅イオン等の金属イオン」に対するゲッタリング機能を有することについては、記載も示唆もなく、技術常識を考慮しても明らかとはいえないから、刊行物１方法発明に対して刊行物３に記載された技術を適用する動機付けは存在しない。
　刊行物４には、テフロン（ＣＦ２＝ＣＦ２）をＳｉＯ２ターゲットと同時にスパッタリングすることによりＭＯＳデバイスにおける正電荷を減少させる技術が記載されており、テフロン中のＦ−イオンに起因する負電荷が正電荷を補償するとの推測がされているが、どのような原子に関連した正電荷であるか具体的な内容については何ら記載はなく、技術常識を考慮してもその具体的な内容は明らかでない。さらに、テフロンのスパッタリングを行う以上、半導体素子にとって汚染源となる炭素（Ｃ）がＳｉＯ２へ混入することが避けられないことは技術的に明らかであるから、刊行物１方法発明に対して刊行物４に記載された技術を適用する際の阻害要因はあっても適用する動機付けは存在しない。
　その他の刊行物である刊行物２及び９ないし１５にはシリコン酸化膜中にハロゲン元素を導入することについて記載も示唆もされていない。
　
　また、本件特許発明２０は「第１のブロッキング膜上にハロゲン原子を含む絶縁性被膜を形成し」という構成を備えることにより、「ナトリウム等の可動イオンの影響の少ないＴＦＴ等の薄膜状半導体素子を作製することができる。従来、可動イオンが存在するため素子が形成できなかった基板においても、ＴＦＴを形成することが可能となった。」（本件特許明細書００４６段落）という顕著な効果を奏する。
　
　以上のとおり、刊行物２ないし１５には、いずれも刊行物１方法発明に適用する際の動機付けが存在しないから、本件特許発明２０は、刊行物１ないし１５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に該当しない。
　
（３−４）本件特許発明２１ないし２８についての判断
　本件特許発明２１ないし２８は、いずれも本件特許発明２０と同一カテゴリーの「半導体装置の作製方法」の発明であり、本件特許発明２０の構成要件を全て含んだ上で、本件特許発明２０の構成要件に限定を加えたり（請求項２２ないし２８）、本件特許発明２０に新たな構成要件を付加するとともに限定を加えたもの（請求項２１ないし２３及び２５ないし２８）である。
　したがって、本件特許発明２０が、刊行物１ないし１５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件特許発明２１ないし２８についても、刊行物１ないし１５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に該当しない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張する理由及び提出した証拠方法によっては本件特許の請求項１ないし２８に係る発明についての特許を無効にすることはできない。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。