【事件の表示】
　特願２００２−１９９３１３「電気光学装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月２３日出願公開、特開２００３−１２１８７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年１１月２６日に出願された特願平１１−５６０３２５号（優先権主張：平成１０年１１月２６日）の一部を平成１４年７月８日に分割して新たな特許出願としたものであって、原審において、平成１６年１月１６日付で拒絶理由が通知され、同年３月２２日に手続補正がなされたところ、同年５月１４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１５日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１６年７月１５日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　　平成１６年７月１５日付の手続補正を却下する。
[理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１６年７月１５日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１６年３月２２日付の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１である
「【請求項１】　薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極を有する電気光学装置であって、
　前記薄膜トランジスタのゲート電極より上層に形成された導電層と、
　前記導電層より上層に絶縁膜を介して形成された画素電極と、
　前記導電層と前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン領域とを電気的に接続し、前記ドレイン領域に達する第１コンタクトホールと、
　前記画素電極と前記導電層とを電気的に接続し、前記導電層に達する第２コンタクトホールとを有し、
　前記第１コンタクトホールの深さは、前記第２コンタクトホールの深さより浅いことを特徴とする電気光学装置。」
を、
「【請求項１】　
互いに交差する走査線及びデータ線と、前記走査線に並列に設けられた容量線と、前記走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた薄膜トランジスタと
　前記薄膜トランジスタのゲート電極より上層に形成された導電層と、
　前記導電層より上層に絶縁膜を介して形成された画素電極と、
　前記導電層と前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン領域とを電気的に接続し、前記ドレイン領域に達する第１コンタクトホールと、
　前記画素電極と前記導電層とを電気的に接続し、前記導電層に達する第２コンタクトホールとを有し、
　前記第１コンタクトホールの深さは、前記第２コンタクトホールの深さより浅く、
　
前記第１及び第２コンタクトホールは平面的に見て前記走査線と前記容量線との間に位置する
と補正することを含むものである。
　　
（２）特許法１７条の２第４項違反について
　本件補正のうち下線を付した事項、すなわち、
　　ア．
互いに交差する走査線及びデータ線と、前記走査線に並列に設けられた容量線と、前記走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた薄膜トランジスタ
　　イ．
前記第１及び第２コンタクトホールは平面的に見て前記走査線と前記容量線との間に位置する
は、本件補正前の請求項１に記載されていない事項を補充したものである。
　そこで、上記ア、イの事項を補充する補正が、特許法第１７条の２第４項第２号で規定する、請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの（いわゆる限定的減縮）に該当するか否かについて以下に検討する。
　
　上記ア、イには、新たな技術事項として「容量線」が追加されているが、このような本件補正前の特許請求の範囲に記載がなく、しかも当該特許請求の範囲に記載された技術概念を具体的に限定した下位概念でもない、いわば、当該特許請求の範囲に記載された事項と並列的な要件を追加する補正は、特許法第１７条の２第４項第２号で規定する、請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものとはいえないから、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　　
　なお、上記イを一見すると、「容量線」の追加は、第１および第２コンタクトホールの位置を限定するための手段の追加にもみえるが、上記で述べたとおり「容量線」の追加自体が、コンタクトホールとは独立した並列的な追加事項と解するのが相当であるから、単なる（コンタクトホールの）付随的な事項の追加といえないことは明らかである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）平成１６年７月１５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、同年３月２２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極を有する電気光学装置であって、
　前記薄膜トランジスタのゲート電極より上層に形成された導電層と、
　前記導電層より上層に絶縁膜を介して形成された画素電極と、
　前記導電層と前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン領域とを電気的に接続し、前記ドレイン領域に達する第１コンタクトホールと、
　前記画素電極と前記導電層とを電気的に接続し、前記導電層に達する第２コンタクトホールとを有し、
　前記第１コンタクトホールの深さは、前記第２コンタクトホールの深さより浅いことを特徴とする電気光学装置。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１４６１１８号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　　ａ．「【０００１】【発明が属する技術分野】
　本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）に関し、特に、駆動回路部を表示画素部と同様に基板上に一体形成した、駆動回路一体型ＬＣＤに関する。」
　
　　ｂ．「【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施形態にかかる液晶表示装置の単位画素部の平面図であり、図２はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。石英基板（１０）上に、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）（１１）がＴＦＴ部に島状に形成されるとともに、これと一体で画素部周縁部にも形成されて、第１の補助容量電極（１１Ｃ）となっている。これらｐ−Ｓｉ（１１）島層及び第１の補助容量電極（１１Ｃ）上にはゲート絶縁膜（１２）が被覆されている。ゲート絶縁膜（１２）上にはゲートライン（１３Ｌ）が形成され、
ｐ−Ｓｉ（１１）島層に対応する領域には、ゲートライン（１３Ｌ）と一体のゲート電極（１３Ｇ）が配され
これらゲート電極（１３Ｇ）、ゲートライン（１３Ｌ）及び第２の補助容量電極（１３Ｃ）上には、ＳｉＯ
２
／ＢＰＳＧ／ＳｉＯ
２
の平坦化絶縁層からなる第１の層間絶縁膜（１４）が全面に被覆され、ドレイン領域（１１Ｄ）及びソース領域（１１Ｓ）上には第１の層間絶縁膜（１４）とゲート絶縁膜（１２）に中にコンタクトホール（ＣＴ１，ＣＴ２）が形成され、各々のコンタクトホール（ＣＴ１，ＣＴ２）を介して、それぞれ、ドレイン電極（１５）及びソース電極（１６）が接続形成されている。これらドレイン及びソース電極（１５，１６）を覆う全面には、ＳｉＯ
２
／ＳＯＧ／ＳｉＯ
２
の平坦化絶縁膜からなる第２の層間絶縁膜（１７）が形成され、ソース電極（１６）上にはコンタクトホール（ＣＴ３）が開口されている。第２の層間絶縁膜（１７）上には、ＩＴＯからなる表示電極（１８）が形成され、コンタクトホール（ＣＴ３）を介してソース電極（１６）に接続されている
　
　　ｃ．「【００１７】次に、図１及び図２に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。まず、耐熱性の石英からなる基板（１０）上に、ジシランＳｉ２Ｈ６を材料ガスとしたＣＶＤによりアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を積層する。このａ−Ｓｉを６００℃の固相成長法、あるいは、１０５０℃のＯ２アニールにより多結晶化し、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）（１１）とする。これを、反応性イオンエッチ、即ち、ＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ ｅｔｃｈ）によりエッチングしてＴＦＴ部の島層及び第１の補助容量電極（１１Ｃ）を形成する。これらｐ−Ｓｉ（１１）層をボロンなどのｐ型不純物をイオン注入により低濃度にドーピングした後、これらの上に、８８０℃の減圧ＣＶＤにより、
ＳｉＯ
２
のゲート絶縁膜（１２）を１０００Åの厚さに形成
平坦化された第１の層間絶縁膜（１４）として、まず、ＣＶＤによりＳｉＯ
２
膜を１０００Å、及び、ＢＰＳＧ、即ち、ボロンと燐を含んだＳｉＯ
２
を５０００Åの厚さに積層し、９００℃で加熱することにより、ＢＰＳＧを平坦化した後、更に、ＳｉＯ
２
を３２００Åの厚さに形成
第２の層間絶縁膜（１７）として、ＣＶＤによりＳｉＯ
２
膜を２０００Å、平坦化のためのＳＯＧ膜を６０００Å、更に、ＳｉＯ
２
膜を３０００Åの厚さに形成
　　
　これらａ〜ｃの記載によれば、引用例には、
「石英基板上に、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）がＴＦＴ部に島状に形成され、これらｐ−Ｓｉ島層上にはゲート絶縁膜が被覆されている。
　ゲート絶縁膜上のｐ−Ｓｉ島層に対応する領域には、ゲート電極が配され、その上には、ＳｉＯ２／ＢＰＳＧ／ＳｉＯ２の平坦化絶縁層からなる第１の層間絶縁膜が全面に被覆され、ＴＦＴのソース領域上には第１の層間絶縁膜とゲート絶縁膜に中にコンタクトホール（ＣＴ１）が形成され、このコンタクトホール（ＣＴ１）を介して、ソース電極が接続形成されている。
　ソース電極を覆う全面には、ＳｉＯ２／ＳＯＧ／ＳｉＯ２の平坦化絶縁膜からなる第２の層間絶縁膜が形成され、ソース電極上にはコンタクトホール（ＣＴ３）が開口されている。　第２の層間絶縁膜上には、ＩＴＯからなる表示電極が形成され、コンタクトホール（ＣＴ３）を介してソース電極に接続されている。
　コンタクトホール（ＣＴ１）は、第１の層間絶縁膜（ＳｉＯ２：１０００Å＋ＢＰＳＧ：５０００Å＋ＳｉＯ２：３２００Å）とゲート絶縁膜（１０００Å）の膜厚の総和の１０２００Åの深さを有し、コンタクトホール（ＣＴ３）は、第２の層間絶縁膜（ＳｉＯ２：２０００Å＋ＳＯＧ：６０００Å＋ＳｉＯ２：３０００Å）の膜厚１１０００Åの深さを有する。
　以上からなるＬＣＤ。」
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例発明」という。）。
　　
（３）対比・判断
　そこで、本願発明と引用例発明とを比較すると、引用例発明の各事項は、以下のように、本願発明に相当することが明らかである。
　　[引用例]　　　　　　　　　　　　[本願発明]
「ＴＦＴ」　　　　　　　　　　　「薄膜トランジスタ」
「表示電極」　　　　　　　　　　「画素電極」
「ゲート電極」　　　　　　　　　「ゲート電極」
「ソース電極」　　　　　　　　　「導電層」
「第２の層間絶縁膜」　　　　　　「絶縁層」
「ソース領域」　　　　　　　　　「ドレイン領域」
「コンタクトホール（ＣＴ１）」  「第１コンタクトホール」
「コンタクトホール（ＣＴ３）」　「第２コンタクトホール」
「ＬＣＤ」　　　　　　　　　　　「電気光学装置」
　　
　そして、引用例発明は、
　（イ）画素電極が薄膜トランジスタに対応して設けられていることは当該分野の技術常識にすぎないから、本願発明の「薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極」を有し、
　（ロ）ソース電極（導電層に相当）は、第１の層間絶縁膜を介してゲート電極上に形成されるから、本願発明の「前記薄膜トランジスタのゲート電極より上層に形成された導電層」を有し、
　（ハ）表示電極（画素電極に相当）は、第２の層間絶縁膜（絶縁層に相当）を介してソース電極（導電層に相当）上に形成されるから、本願発明の「前記導電層より上層に絶縁膜を介して形成された画素電極」を有し、さらに、
　（ニ）コンタクトホール（ＣＴ１）（第１コンタクトホールに相当）は、１０２００Åの深さを有し、また、コンタクトホール（ＣＴ３）（第２コンタクトホールに相当）は、１１０００Åの深さを有するのであるから、本願発明の「前記第１コンタクトホールの深さは、前記第２コンタクトホールの深さより浅いこと」を有すること、
が明らかであるから、
　結局、引用例発明は、本願発明の全ての構成要件を充足するものであるということができる。
　　　
　したがって、両者の間に相違点は存在しないから、本願発明は、引用例に記載された発明と同一であるといえる。
　　
　なお、原査定の理由は特許法第２９条第２項違反であるが、請求人は、意見書他において、引用例に記載された事項と本願発明との相違点について充分言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含め検討していることは明らかであるから、当審が特許法第２９条第１項第３号を適用することに違法はない。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。