【事件の表示】
　特願２０００−２２６６９８「薄膜共振器装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月　６日出願公開、特開２００１−　９４３７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年７月２７日（優先権主張、１９９９年７月２９日、米国）の出願であって、平成１７年２月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１７年５月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成１７年６月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年６月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．平成１７年６月１６日付けの手続補正の内容
　平成１７年６月１６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の請求項８を請求項７とし、次のように補正するものである。
　
【請求項
７
　前記第１の電極と第２の電極との間にあるピエゾ電気膜（４６）とを有し、前記ピエゾ電気膜（４６）は、
分子ビームエピタキシー又はグラフォエピタキシーを用いて、
ことを特徴とする薄膜共振器。
　
（アンダーラインは、補正箇所を示すために付した。）
　
　本件補正により、補正前の請求項８に係る発明を特定するために必要な事項であった「エピタキシャル成長」について「分子ビームエピタキシー又はグラフォエピタキシーを用いて」との事項を付加するものであるから、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の上記請求項７に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．独立特許要件
（１）刊行物の記載
　原査定の拒絶理由に引用された特開平９−３２１３６１号公報（以下、「刊行物」という。）には、図面とともに、以下の記載がある。
　
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電材料を用いた高周波用圧電振動部品に係り、特に、圧電材料として鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜を用いた圧電振動部品及びその製造方法に関する。
　
【０００７】そこで、本発明は、圧電材料として鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜を用い、焼成体では不可能な高周波領域（焼成体の加工時に割れやクラックが発生する高周波領域）まで使用可能で、小型化が容易な圧電振動部品を提供することを目的とする。
【０００８】尚、上記強誘電体単結晶膜は、鉛を含有し、化学式ＡＢＯ３（Ａの部分（以下、Ａサイトという）に鉛を含有）で示されるペロブスカイト型結晶構造の単結晶膜であり、顕著な誘電性、圧電性、光物性等を示すことが知られている（セラミストのための電気物性入門、内田老鶴圃、Ｐ．８４（１９９０）・強誘電性と高温超伝導、Ｐ５２〜６７、裳華房（１９９３））。上記誘電体としては、ＰｂＴｉＯ３、（ＰｂＬａ）ＴｉＯ３、Ｐｂ（ＴｉＺｒ）Ｏ３、（ＰｂＬａ）（ＴｉＺｒ）Ｏ３等に代表される強誘電体がある。これらの強誘電体は、その多くが、正方晶の結晶構造を有し、ｃ軸方向に自発分極するものであり、優れた誘電性、圧電性、光物性等を示す。
【０００９】これらの優れた特性を利用したデバイスとしては、上述の圧電振動部品の他、誘電性を利用したコンデンサ、圧電性を利用した圧電素子や振動子、光物性を利用した光変調器や光スイッチ等が挙げられる。更に、近年では誘電体メモリー素子への応用も検討されている。又、この単結晶膜は、材料学的にも数々の利点を有している（薄膜材料工学、Ｐ．４〜５、海文堂（１９８９））。
【００１０】しかし、これらのデバイスに於いて、良好な特性を得るためには、膜質の良い強誘電体の単結晶膜を形成する必要があるが、それには以下の問題があった。
【００１１】上記強誘電体からなる膜の製造方法としては、スパッタ法などの気相法やゾル・ゲル法などの液相法が一般的であるが、これにより製造された膜は一般に多結晶状態であるため、強誘電体にみられる自発分極の方向は個々の結晶粒毎に異なり、全体として分極方向がランダムとなり、強誘電性をほとんど示さない。従って、スパッタ法などの気相法やゾル・ゲル法などの液相法で強誘電単結晶膜を形成した場合には、上記デバイスに応用しても十分な特性を発揮することができなかった。
　
【００４４】
【発明の実施の態様】本発明にかかる圧電振動部品は、例えば、図１に示したように単結晶種基板２上に成膜された強誘電体単結晶膜１の表面に電極３ａ、裏面（単結晶種基板側の面）に電極３ｂを形成した構成になっている。
【００４５】次に、後述する液相エピタキシャル法により単結晶種基板上に成膜した鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜を用いて、圧電振動部品を作製する工程について説明する。
【００４６】まず、単結晶種基板２にエッチング加工を施し、強誘電体単結晶膜１の裏面（単結晶種基板側の面）を露出させる。次に、強誘電体単結晶膜１の表面と裏面に、蒸着法又はスパッタリング法等により表面電極３ａと裏面電極３ｂを形成し、同時にこれらと接続する引出電極３ｃ、３ｄを振動領域外に設ける。
　
【００５６】［鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜の製造方法について］次に、液相エピタキシャル法による上記鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜の製造方法について説明する。ここで、液相エピタキシャル法とは、過冷却状態もしくは過飽和状態にあるメルト（溶液又は溶融液）中に単結晶種基板を浸漬し、この基板上にエピタキシャルな結晶を成長させる方法である。
【００５７】上記単結晶種基板としては、エピタキシャル成長温度における膜の格子定数との整合性が良く、かつ熱膨張曲線も膜のそれに近いものであって、鉛含有原料溶融液により損傷を受けにくいものが用いられる。尚、膜の格子定数との整合性が良くない基板を用いると、膜が多結晶状になったり、全く成長しない場合があり、又、熱膨張曲線の差異が大きいと、熱膨張の違いによる応力によって、膜クラックや剥離が生じることがある。
　
【００７５】
【実施例】次に、液相エピタキシャル法によりＭｇＯ単結晶基板上に成膜した、膜厚１５μｍのＰｂ０．９６Ｃａ０．０４ＴｉＯ３の強誘電体単結晶膜を用いて共振周波数１６０ＭＨｚの共振器を作製した場合について説明する。尚、前記強誘電体単結晶膜の成膜方法については後述する。
【００７６】まず、Ｐｂ０．９６Ｃａ０．０４ＴｉＯ３の強誘電体単結晶膜が成膜されたＭｇＯの単結晶基板に、リン酸溶液を用いたエッチング加工を施し、強誘電体単結晶膜の裏面を露出させた。
【００７７】次に、この強誘電体単結晶膜の表面と裏面に、スパッタ法により、電極径２００μｍφの対向する金電極を形成した。
【００７８】尚、共振器の動作確認を行ったところ、正常に動作した。
　
　以上の記載により、刊行物には、次の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　圧電材料として、液相エピタキシャル法により単結晶種基板上に成膜した鉛含有ペロブスカイト型強誘電体単結晶膜を用いた圧電振動部品であって、
　液相エピタキシャル法によりＭｇＯ単結晶基板上に成膜した、膜厚１５μｍのＰｂ０．９６Ｃａ０．０４ＴｉＯ３の強誘電体単結晶膜を用いて、まず、単結晶種基板２にエッチング加工を施し、強誘電体単結晶膜１の裏面（単結晶種基板側の面）を露出させ、次に、強誘電体単結晶膜１の表面と裏面に、蒸着法又はスパッタリング法等により表面電極３ａと裏面電極３ｂを形成して作製した共振周波数１６０ＭＨｚの共振器。
　
（２）対比
　本願補正発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「表面電極３ａ」、「裏面電極３ｂ」は、それぞれ、本願補正発明の「第１の電極（５２）」、「第２の電極（５４）」に相当する。
　また、刊行物発明の「強誘電体単結晶膜１」は、圧電材料であり、液相エピタキシャル法によりＭｇＯ単結晶基板上に成膜したものであり、「ピエゾ電気」と「圧電気」とはいずれも「ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ」の訳語として用いられ同じ意味であるから、刊行物発明の「強誘電体単結晶膜１」は、本願補正発明の「ピエゾ電気膜（４６）」に相当する。
　また、刊行物発明の「膜厚１５μｍのＰｂ０．９６Ｃａ０．０４ＴｉＯ３の強誘電体単結晶膜」は、液相エピタキシャル法によりＭｇＯ単結晶基板上に成膜した膜厚１５μｍの膜であるから、本願補正発明の「ピエゾ電気膜（４６）」とは、所定の厚さにエピタキシャル成長される薄膜である点で一致する。
　したがって、両者の一致点及び相違点は次のとおりである。
　
［一致点］
　「第１の電極（５２）および第２の電極（５４）と、前記第１の電極と第２の電極との間にあるピエゾ電気膜（４６）とを有し、前記ピエゾ電気膜（４６）は、所定の厚さにエピタキシャル成長される薄膜共振器。」である点。
　
［相違点１］
　ピエゾ電気膜（４６）が、本願補正発明では、分子ビームエピタキシー又はグラフォエピタキシーを用いて、薄膜共振器のための共振周波数を提供する厚さにエピタキシャル成長されるのに対して、刊行物発明では、液相エピタキシャル法により成膜されている点。
　
［相違点２］
　ピエゾ電気膜（４６）の厚さが、本願補正発明では、薄膜共振器のための共振周波数を提供する厚さであるのに対して、刊行物発明では、薄膜共振器のための共振周波数を提供する厚さであることが明らかでない点。
　
（３）判断
［相違点１について］
　特開平４−３６３９０４号公報（段落【０００３】の「ＺｎＯ　、ＡｌＮ　、Ｎｂ２Ｏ５、ＰｂＴｉＯ３、Ｔａ２Ｏ５等の物質を結晶化し、圧電薄膜として用いる試みがなされている。…単結晶膜の製作にはバイアススパッタ法や原子層エピタキシャル法あるいは分子線エピタキシャル法を用いる必要がある」参照）、特開平６−２０８６６号公報（段落【００１０】の「本実施例においては、誘電体膜としてＰＺＴを使用したが、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を用いた場合でも、また、他にも金属酸化物誘電体としてペロブスカイト型の結晶構造を持つ、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）、ランタン含有のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）等でもよい。」、段落【００１２】の「マルチターゲット・スパッタ法を用いたが、他にも分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）等が利用できる。」参照）、特開平１０−１７３９７号公報（段落【００１７】の「グラフォエピタキシの原理で単結晶成長が可能となる。」、段落【００３０】の「通常、強誘電体や高誘電体が使用される素子に用いられているものの全てが適用可能である。例えば、ＢａＴｉＯ３、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３等のバリウム系強誘電体、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒ１−ｘＴｉｘＯ３、Ｐｂ（Ｌａ１−ｙＺｒｙ）１−ｘＴｉｘＯ３等の鉛系強誘電体、ＳｒＢｉ２Ｔｉ２Ｏ９等のビスマス系強誘電体、ＳｒＴｉＯ３等のストロンチウム系高誘電体などが挙げられる。」参照）、特開平９−７７５９１号公報（段落【０００３】の「グラフォエピタキシー技術によって成膜する方法が知られている」参照）により、単結晶膜を分子ビームエピタキシー又はグラフォエピタキシーを用いてエピタキシャル成長させることは周知であるから、刊行物発明の強誘電体単結晶膜１（本願補正発明の「ピエゾ電気膜（４６）」に相当）を分子ビームエピタキシー又はグラフォエピタキシーを用いてエピタキシャル成長させることは、当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。
　
［相違点２］について
　特開昭６２−９４００７号公報（第１頁左下欄第１７行〜同欄第１８行の「本発明はＶＨＦやＵＨＦの周波数帯で使用可能な薄膜圧電共振子の製造方法に関する。」、第３頁左上欄第１３行〜同欄第１６行の「圧電薄膜１４の厚みｔは、目的とする共振周波数をｆ（Ｈｚ）とし、複合振動膜固有の周波数定数をＮ（Ｈｚ、ｍｍ）とすれば、ｔ＝Ｎ／ｆにより決定される。」参照）、特開昭６０−３１３０５公報（第１頁左下欄第１０行〜同欄第２０行の「本発明は、高周波で使用する薄膜圧電共振子に関するものである…（中略）…圧電体を高周波で用いる場合、共振周波数が厚さできまる厚み、振動、特に厚み縦振動を用いるのが有利である。」参照）等により、ピエゾ電気膜を、薄膜共振器のための共振周波数を提供する厚さにすることは周知であるから、刊行物発明の強誘電体単結晶膜１（本願補正発明の「ピエゾ電気膜（４６）」に相当）を、本願補正発明のように、薄膜共振器のための共振周波数を提供する厚さにすることは当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成１７年６月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項８に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項８に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。
　
【請求項８】　第１の電極（５２）および第２の電極（５４）と、
　前記第１の電極と第２の電極との間にあるピエゾ電気膜（４６）とを有し、前記ピエゾ電気膜（４６）は、薄膜共振器のための共振周波数を提供する厚さにエピタキシャル成長される
ことを特徴とする薄膜共振器。
　
２．刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物に記載された発明は、上記「第２．補正却下の決定［理由］２．独立特許要件（１）刊行物の記載」の項で認定したとおりである。
　
３．本願発明と刊行物発明との対比・判断
　
　本願発明は、前記「第２．補正却下の決定［理由］１．平成１７年６月１６日付けの手続補正の内容」の項で検討した本願補正発明を特定するために必要な事項である「エピタキシャル成長」について「分子ビームエピタキシー又はグラフォエピタキシーを用いて」という事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２．補正却下の決定［理由］２．独立特許要件（３）判断」の項に記載したとおり、刊行物発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。