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【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記注入イオンが、水素原子イオン（Ｈ＋）であり、ドーズ量が、５．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記注入イオンが、水素分子イオン（Ｈ２＋）であり、ドーズ量が、２．５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上１．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記ワイドバンドギャップ半導体基板１に注入する水素イオン（Ｈ＋）のドーズ量は、５．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２〜３．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ２であることが好ましい。５．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２未満であると、界面の脆化が起こらない場合があり、３．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ２を超えると、貼り合せ後の熱処理中に気泡となり転写不良となる場合がある。
注入イオンとして水素分子イオン（Ｈ２＋）を用いる場合、そのドーズ量は２．５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２〜１．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であることが好ましい。２．５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満であると、界面の脆化が起こらない場合があり、１．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２を超えると、貼り合せ後の熱処理中に気泡となり転写不良となる場合がある。
また、ワイドバンドギャップ半導体基板１の表面にあらかじめ数ｎｍ〜５００ｎｍ程度のシリコン酸化膜等の絶縁膜を形成しておき、それを通して水素イオンまたは水素分子イオンの注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月8日(2012.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の抵抗値（Ｒ１）を有する第１の抵抗器と、
第２の抵抗値（Ｒ２）を有し、前記第１の抵抗器と並列に接続された第２の抵抗器と、
前記第２の抵抗器と直列に接続されたダイオードとを含む温度補償抵抗回路であって、
前記第１の抵抗器と前記第２の抵抗器は共に入力電圧源に接続され、
前記第１の抵抗器と前記ダイオードは共に基準電圧源に接続され、
前記入力電圧源と前記基準電圧源との間の抵抗が所定の温度係数を有するように前記第１の抵抗値および前記第２の抵抗値は選択され、
前記第１の抵抗値は、Ｒ１０を温度Ｔ０１における前記第１の抵抗値の値とし、α１を前記第１の抵抗器の温度係数とし、Ｔを当該の温度としたとき、式Ｒ１＝Ｒ１０［１＋α１（Ｔ−Ｔ０１）］によって定まる温度の関数であり、
前記第２の抵抗値は、Ｒ２０を温度Ｔ０２における前記第２の抵抗値の値とし、α２を前記第２の抵抗器の温度係数としたとき、式Ｒ２＝Ｒ２０［１＋α２（Ｔ−Ｔ０２）］によって定まる温度の関数である、
温度補償抵抗回路。
【請求項２】
位相ロックループ（ＰＬＬ）とともに動作するように構成され、また前記ＰＬＬは、
増幅器と、
電圧制御発振器（ＶＣＯ）と、
前記増幅器に接続された第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ、前記増幅器、および前記ＶＣＯに接続された第２のトランジスタとを備え、前記第２のトランジスタは、絶対温度に対して比例的な（ＰＴＡＴ）電流を前記ＶＣＯに提供する、請求項１に記載の温度補償抵抗回路。
【請求項３】
集積回路として構成される、請求項１に記載の温度補償抵抗回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、
前記半導体層は、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素を含む第１のアモルファス酸化物半導体層と、ＧｅまたはＳｉから選択される少なくとも１つの元素と、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素と、を含む第２のアモルファス酸化物半導体層と、を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記第１のアモルファス酸化物半導体層は、少なくともＺｎとＩｎとを含み、
前記第２のアモルファス酸化物半導体層は、少なくともＺｎとＩｎとＧｅとを含むことを特徴とする請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
第１のアモルファス酸化物半導体層がゲート絶縁層と第２のアモルファス酸化物半導体層との間に設けられることを特徴とする請求項１乃至２記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記第２のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＧｅの組成比Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）が、０．０１以上０．４以下であることを特徴とする請求項１乃至３記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
前記第２のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＧｅの組成比Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇｅ）が、０．０３以上０．１５以下であることを特徴とする請求項１乃至４記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項６】
前記第１のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．３以上、０．７５未満であることを特徴とする請求項１乃至５記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
前記第１のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．４未満であることを特徴とする請求項１乃至５記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項８】
前記第１のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）と前記第２のアモルファス酸化物半導体層に含まれるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）とが同一であることを特徴とする請求項２記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項９】
前記第２のアモルファス酸化物半導体層の一部がソース電極またはドレイン電極と前記第１のアモルファス酸化物半導体層との間に設けられることを特徴とする請求項１乃至８記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁層は、シリコン酸化物からなることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１１】
少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを具備した薄膜トランジスタであって、
前記半導体層は、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素を含む第１および第２のアモルファス酸化物半導体層からなり、
前記第１のアモルファス酸化物半導体層におけるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が前記第２のアモルファス酸化物半導体層におけるＺｎの組成比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）よりも小さく、０．７５未満であり、
前記第１のアモルファス酸化物半導体層におけるＩｎの組成比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５７以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１２】
第１のアモルファス酸化物半導体層がゲート絶縁層と第２のアモルファス酸化物半導体層との間に設けられることを特徴とする請求項１１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１３】
第１のアモルファス酸化物半導体層を形成する第１の工程と、第２のアモルファス酸化物半導体層を形成する第２の工程とを有し、第１の工程と第２の工程が同一の装置内で実施され、第１の工程と第２の工程を通して装置内の圧力が３００Ｐａ以下の真空雰囲気又は大気圧以下の不活性ガス雰囲気に維持されることを特徴とする、請求項１乃至１２記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項記載の電界効果型トランジスタと、
該電界効果型トランジスタによって駆動される有機ＥＬ素子と、を含むことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月19日(2011.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記ターゲット物質に照射せずに発散したレーザ光を前記第１のエネルギー検出器に導く前記光学素子は、保護筐体中に出入可能に格納され、前記第１のエネルギー検出器による測定時に前記レーザ光の光路中に挿入される、請求項９記載の極端紫外光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記ターゲット物質に照射せずに発散したレーザ光を前記第１のエネルギー検出器に導く前記光学素子は、保護筐体中に出入可能に格納され、前記第１のエネルギー検出器による測定時に前記レーザ光の光路中に挿入される、請求項１５記載の極端紫外光源装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記ドライバーレーザは、プリパルスレーザとメインパルスレーザにより構成され、それぞれのレーザごとに前記ウインドウと前記レーザ光集光光学系と少なくとも前記第１のエネルギー検出器をそれぞれ備える、請求項１２から１６のいずれか１項に記載の極端紫外光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の主面に形成されたメモリセルを有する半導体装置であって、
前記メモリセルは、第１ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成された選択ゲートと、
前記選択ゲートの一方の側壁に形成され、第２ゲート絶縁膜を介して前記選択ゲートおよび前記半導体基板と絶縁されたメモリゲートと、
前記選択ゲートの近傍の前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域からなるソース領域と、
前記メモリゲートの近傍の前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域からなるドレイン領域とを有し、
前記第２ゲート絶縁膜は、少なくとも電位障壁膜と、前記電位障壁膜上に積層された電荷保持膜とを含んで構成され、
前記選択ゲートの基板界面は、前記メモリゲートの基板界面よりも下方に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記メモリセルのデータ書き込みは、前記第２ゲート絶縁膜をトンネリングさせて前記半導体基板側から前記電荷蓄積膜中にホットエレクトロンを注入させることによって行われ、
前記メモリセルのデータ消去は、前記第２ゲート絶縁膜をトンネリングさせて前記半導体基板側から前記電荷蓄積膜中にホットホールを注入させることによって行われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月6日(2012.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検光学系の収差を測定する測定装置であって、
前記被検光学系を経た光を分割する回折格子と、
前記回折格子で分割された光が相互に干渉することにより形成される干渉縞を検出する検出部と、
該検出された干渉縞の情報を用いて収差を算出する演算部と、
前記回折格子の格子周期の１．２倍より小さい直径の開口が設けられ、前記被検光学系の像面に対して挿脱可能な像側マスクと、
前記像側マスクをインコヒーレントで照明する照明部とを有し、前記像側マスクが前記像面から退避した状態で前記干渉縞を前記検出部により検出し、
前記像側マスクが前記像面に配置された状態で前記像側マスクをインコヒーレントで照明して前記開口を介して前記回折格子により形成される前記干渉縞を前記検出部により検出し、
前記演算部は、前記像側マスクが前記像面から退避した状態で検出された前記干渉縞の情報と、前記像側マスクが前記像面に配置された状態で検出された前記干渉縞の情報とを用いて、前記被検光学系の収差を算出することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記像側マスクには、前記回折格子の周期と同じ周期で配列された複数の前記開口が設けられ、
前記開口の直径は、前記回折格子の格子周期より小さいことを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項３】
前記像側マスクの開口の直径は１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の測定装置。
【請求項４】
前記照明部は、
入射光を前記被検光学系に向けて反射する物体側光放射部を有する物体側マスクと、前記物体側光放射部を照明する物体側照明部とを有し、
前記被検光学系を介して前記像側マスクを照明することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項５】
前記物体側照明部の開口数が、前記被検光学系の入射側開口数と同じ又は前記被検光学系の入射側開口数より大きくなる前記物体側照明部を用いることを特徴する請求項４に記載の測定装置。
【請求項６】
前記物体側光放射部は表面に凹凸を有し、前記凹凸の最大勾配が前記被検光学系の入射側開口数と前記物体側照明部の開口数の差以上となる前記物体側光放射部を用い、
前記検出部の積分時間内に前記物体側マスクが面内で該凹凸の周期以上の距離を移動することを特徴する請求項４に記載の測定装置。
【請求項７】
前記検出部の積分時間内に、前記物体側照明部の照明光が前記被検光学系の入射側開口数と前記物体側照明部の開口数の差以上の角度で入射するように、前記物体側マスクを動かすことを特徴する請求項４に記載の測定装置。
【請求項８】
前記物体側照明部は照明光の入射角を、前記検出部の積分時間内に前記被検光学系の入射側開口数と前記物体側照明部の開口数の差以上の角度で変化させることを特徴する請求項４に記載の測定装置。
【請求項９】
光源からの光を用いてマスクのパターンを基板に露光する露光装置であって、
前記パターンの像を前記基板に投影する投影光学系と、
前記光源からの光を用いて前記投影光学系の波面収差を算出する請求項１乃至８の何れか１項に記載の測定装置とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
被検光学系の収差を測定する測定方法であって、
前記被検光学系を経て回折格子で分割された光が相互に干渉することにより形成される干渉縞を、前記被検光学系の像面に対して挿脱可能であって、前記回折格子の格子周期の１．２倍より小さい直径の開口が設けられている像側マスクが前記像面から退避した状態で、検出するステップと、
前記像側マスクが前記像面に配置された状態で、前記像側マスクをインコヒーレントで照明して前記被検光学系および前記開口を介して前記回折格子で分割された光が相互に干渉することにより形成される干渉縞を検出するステップと、
前記像側マスクが前記像面から退避した状態で検出された前記干渉縞の情報と、前記像側マスクが前記像面に配置された状態で検出された前記干渉縞の情報とを用いて、前記被検光学系の収差を算出するステップとを有することを特徴とする測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の１つの側面としての測定装置は、被検光学系の収差を測定する測定装置であって、前記被検光学系を経た光を分割する回折格子と、前記回折格子で分割された光が相互に干渉することにより形成される干渉縞を検出する検出部と、該検出された干渉縞の情報を用いて収差を算出する演算部と、前記回折格子の格子周期の１．２倍より小さい直径の開口が設けられ、前記被検光学系の像面に対して挿脱可能な像側マスクと、前記像側マスクをインコヒーレント照明する照明部とを有し、前記像側マスクが前記像面から退避した状態で前記干渉縞を前記検出部により検出し、前記像側マスクが前記像面に配置された状態で前記開口を介して前記回折格子により形成される前記干渉縞を前記検出部により検出し、前記演算部は、前記像側マスクが前記像面から退避した状態で検出された前記干渉縞の情報と、前記像側マスクが前記像面に配置された状態で検出された前記干渉縞の情報とを用いて、前記被検光学系の収差を算出することを特徴とする。
本発明の別の側面としての測定方法は、被検光学系の収差を測定する測定方法であって、前記被検光学系を経て回折格子で分割された光が相互に干渉することにより形成される干渉縞を、前記被検光学系の像面に対して挿脱可能であって、前記回折格子の格子周期の１．２倍より小さい直径の開口が設けられている像側マスクが前記像面から退避した状態で、検出するステップと、前記像側マスクが前記像面に配置された状態で、前記像側マスクをインコヒーレントで照明して前記被検光学系および前記開口を介して前記回折格子で分割された光が相互に干渉することにより形成される干渉縞を検出するステップと、前記像側マスクが前記像面から退避した状態で検出された前記干渉縞の情報と、前記像側マスクが前記像面に配置された状態で検出された前記干渉縞の情報とを用いて、前記被検光学系の収差を算出するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷蓄積領域及び前記電荷蓄積領域の上に配された保護領域を有する光電変換部と、前記電荷蓄積領域の電荷を転送する転送トランジスタと、をそれぞれ含む複数の画素が配列されるべき画素配列領域を有する光電変換装置の製造方法であって、
半導体基板の上に前記転送トランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板及び前記転送トランジスタのゲート電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板及び前記転送トランジスタのゲート電極が前記絶縁膜により覆われた状態で、前記半導体基板に、イオンを注入することにより、前記保護領域の前記ゲート電極側の境界が、前記半導体基板の表面に平行な方向に前記ゲート電極の側面から離れた位置に配置されるように、前記保護領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記光電変換装置は、前記画素配列領域の周辺に、前記複数の画素を制御するためのＭＯＳトランジスタを含む制御回路が配されるべき周辺領域をさらに有し、
前記転送トランジスタのゲート電極を形成する工程では、前記半導体基板の上に、前記転送トランジスタのゲート電極に加えて、前記周辺領域における前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成し、
前記絶縁膜を形成する工程では、前記半導体基板、前記転送トランジスタのゲート電極、及び前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極を覆うように前記絶縁膜を形成し、
前記保護領域を形成する工程の後に、前記絶縁膜を覆うように他の絶縁膜を形成する工程と、前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極の側面を覆う部分が残るように、前記絶縁膜の前記周辺領域における部分と前記他の絶縁膜の前記周辺領域における部分とをエッチングすることにより、前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極の側面に隣接した位置にサイドウォールスペーサを形成する工程と、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜を形成する工程では、前記絶縁膜をシリコン窒化物で形成し、
前記他の絶縁膜を形成する工程では、前記他の絶縁膜をシリコン酸化物で形成する
ことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記保護領域を形成する工程では、前記絶縁膜の厚さを制御することにより、前記転送トランジスタのゲート電極の側面を含む平面と前記保護領域の前記境界との間の前記方向における距離を制御する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護領域を形成する工程では、前記ゲート電極の側方を通過する際に前記ゲート電極から遠ざかる方向にイオンが前記半導体基板に入射する角度で前記半導体基板にイオンを注入し、当該角度は、前記半導体基板の法線に対して０度より大きく１０度より小さい角度である
ことを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
更に、前記半導体基板にイオンを注入することで、前記電荷蓄積領域となりうる第１の導電型の半導体領域を形成する工程を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の導電型の半導体領域を形成する工程において、前記半導体基板へのイオンの注入は、イオンが前記ゲート電極の側方から前記ゲート電極の下方に向かうように傾斜した角度で行われることを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の導電型の半導体領域を形成する工程において、前記半導体基板へのイオンの注入は、前記転送トランジスタのゲート電極をマスクとして行われることを特徴とする請求項６または７に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護領域を形成する工程において、前記保護領域を形成するためのイオンの注入は、前記第１の導電型の半導体領域に向かって行われ、前記保護領域を除いた部分が前記電荷蓄積領域となることを特徴する請求項６から８のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
前記保護領域を形成する工程は、
第１の条件でイオンを注入することにより、前記保護領域の一部として、第２の導電型の半導体領域を形成するための不純物を第１の濃度で含む第１の層を形成する第１の注入工程と、
第２の条件でイオンを注入することにより、前記保護領域の他の一部として、前記第１の層の上に配される、前記第２の導電型の半導体領域を形成するための不純物を前記第１の濃度より高い第２の濃度で含む第２の層を形成する第２の注入工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
前記転送トランジスタのゲート電極の前記側面を含む平面と前記第１の層の境界との間の前記方向における距離は、前記転送トランジスタのゲート電極の側面を含む平面と前記第２の層の境界との間の前記方向における距離より大きい
ことを特徴とする請求項１０に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁膜は、前記光電変換部の受光面における光の反射を防止する反射防止膜として機能する
ことを特徴する請求項１から１１のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁膜を形成する工程では、低圧ＣＶＤ法により、前記絶縁膜を形成する
ことを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の１つの側面に係る光電変換装置の製造方法は、電荷蓄積領域及び前記電荷蓄積領域の上に配された保護領域を有する光電変換部と、前記電荷蓄積領域の電荷を転送する転送トランジスタと、をそれぞれ含む複数の画素が配列されるべき画素配列領域を有する光電変換装置の製造方法であって、半導体基板の上に前記転送トランジスタのゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板及び前記転送トランジスタのゲート電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板及び前記転送トランジスタのゲート電極が前記絶縁膜により覆われた状態で、前記半導体基板に、イオンを注入することにより、前記保護領域の前記ゲート電極側の境界が、前記半導体基板の表面に平行な方向に前記ゲート電極の側面から離れた位置に配置されるように、前記保護領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記特定手段は、同じ画像形成装置の操作ログの操作時間による時系列の順番で、２つの開始操作ログの間に終了操作ログがなかった場合には、１つ目の開始操作ログ及び２つ目の開始操作ログの間の操作ログを、前記一連の操作に対応する複数の操作ログとして特定することを特徴とする請求項６又は７に記載の管理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記特定ステップは、同じ画像形成装置の操作ログの操作時間による時系列の順番で、２つの開始操作ログの間に終了操作ログがなかった場合には、１つ目の開始操作ログ及び２つ目の開始操作ログの間の操作ログを、前記一連の操作に対応する複数の操作ログとして特定することを特徴とする請求項１５又は１６に記載の管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影して得られた撮影画像に対して補正を施す画像処理装置であって、
前記撮影画像の各画素について、前記被写体までの距離を示す物体距離の情報を取得する取得手段と、
前記撮影画像における注目画素と該注目画素の周辺画素とで構成される画素群内の２つの画素についての前記物体距離の差を算出する算出手段と、
該算出された前記物体距離の差を用いて、前記注目画素に対するシャープネス処理のパラメータを設定するパラメータ設定手段と、
該設定されたパラメータを用いて、前記注目画素に対するシャープネス処理を行うシャープネス処理手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記パラメータ設定手段は、前記パラメータとして、シャープネス適用量およびシャープネス処理のフィルタサイズを設定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記パラメータ設定手段は、前記物体距離の差が大きいほど、前記シャープネス適用量が大きくなるように、前記パラメータを設定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記パラメータ設定手段は、前記物体距離の差が大きいほど、前記フィルタサイズが大きくなるように、前記パラメータを設定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記パラメータ設定手段は、前記フィルタサイズとして、アンシャープマスクの半径を設定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記取得手段は、前記撮影画像の各画素についての物体距離の情報を示す距離マップを生成し、
前記算出手段は、前記距離マップに基づいて、前記物体距離の差を算出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記取得手段は、前記撮影画像の撮影距離および各画素についてのコントラストの情報に基づいて、各画素についての前記物体距離を算出し、前記距離マップを生成することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記取得手段は、縮小された前記撮影画像に基づいて低解像度の距離マップを生成し、該低解像度の距離マップを拡大補間して前記距離マップを生成することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記算出手段は、前記注目画素とその複数の周辺画素とにおける、前記物体距離の差の平均を算出することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記算出手段は、前記注目画素を挟む周辺画素対の間の前記物体距離の勾配に基づいて、前記物体距離の差を算出することを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
さらに、前記撮影画像の撮影条件を取得する撮影条件の取得手段を有し、
前記パラメータ設定手段は、前記撮影条件と前記物体距離の差に基づいて、前記パラメータを設定することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記撮影条件は、撮影距離、レンズのＦ値、レンズの焦点距離、の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
被写体を撮影して得られた撮影画像に対して補正を施す画像処理装置が行う画像処理方法であって、
取得手段が、前記撮影画像の各画素について、前記被写体までの距離を示す物体距離の情報を取得する取得ステップと、
算出手段が、前記撮影画像における注目画素と該注目画素の周辺画素とで構成される画素群内の２つの画素についての前記物体距離の差を算出する算出ステップと、
パラメータ設定手段が、該算出された前記物体距離の差を用いて、前記注目画素に対するシャープネス処理のパラメータを設定するパラメータ設定ステップと、
シャープネス処理手段が、該設定されたパラメータを用いて、前記注目画素に対するシャープネス処理を行うシャープネス処理ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１４】
コンピュータ装置を制御して、請求項１乃至１２の何れか１項に記載された画像処理装置の各手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、被写体を撮影して得られた撮影画像に対して補正を施す画像処理装置であって、前記撮影画像の各画素について、前記被写体までの距離を示す物体距離の情報を取得する取得手段と、前記撮影画像における注目画素と該注目画素の周辺画素とで構成される画素群内の２つの画素についての前記物体距離の差を算出する算出手段と、該算出された前記物体距離の差を用いて、前記注目画素に対するシャープネス処理のパラメータを設定するパラメータ設定手段と、該設定されたパラメータを用いて、前記注目画素に対するシャープネス処理を行うシャープネス処理手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記顔検出手段は、顔の方向毎に顔個数を検出する顔方向検出手段を備えることを特徴とする請求項５に記載の画像符号化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データにおける画素の明るさ成分と所定の閾値との差分量に応じて前記画像データの画素のカウント変動量を決定する変動量決定手段と、
前記画像データの画素毎の前記カウント変動量を累積した結果に基づき、前記閾値を変動させる閾値変動手段と、
前記閾値変動手段によって変動した後の閾値を、前記画素の下地レベルとして決定する下地レベル決定手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記変動量決定手段において、前記差分量が大きいほどカウント変動量を小さくすることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記閾値変動手段は、前記画像データにおいて前記カウント変動量を累積した結果が、所定のカウント値を超えた場合、前記閾値を変動させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
さらに、前記明るさの成分を平滑化する平滑化手段を有し、
前記変動量決定手段は、前記平滑化手段によって平滑化された明るさの成分と前記所定の閾値との差分量に応じて前記画像データの画素のカウント変動量を決定することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記平滑化手段は、前記画像データの注目画素と前記注目画素の周辺画素とを含む領域におけるフィルタリング処理であることを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記変動量決定手段は、前記差分量および前記画像データの画素の彩度成分に応じて決定されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記変動量決定手段は、前記差分量が大きく前記彩度成分が大きいほど、前記カウント変動量を小さくすることを特徴とする請求項６記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記平滑化手段において、前記明るさの成分と前記所定の閾値との差分量に応じて、前記フィルタリング処理に用いるフィルタサイズを決定することを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記平滑化手段において、前記画像データの画素毎に判別された属性情報に応じて、前記フィルタリング処理に用いるフィルタサイズを決定することを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記平滑化手段において、前記画像データの原稿タイプ情報に応じて、前記フィルタリング処理に用いるフィルタサイズを決定することを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項１１】
入力された画像データの画素の明るさ成分に応じて画素毎に下地レベルを変動させ、前記変動後の下地レベルを用いて各画素に対して下地飛ばし処理を行う画像処理装置において、
前記画像データの注目画素の明るさ成分と閾値との差分量が大きいほど、前記注目画素に隣接する画素の下地レベルからの変動量が小さくなるように前記注目画素の下地レベルを決定する決定手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１２】
前記決定手段において、前記差分量が大きいほど前記注目画素のカウント変動量が小さくなるようにカウント変動量を決定し、画素毎に決定されるカウント変動量を累積した結果が所定のカウント値を超えた場合、前記所定のカウント値を超えた画素の下地レベルを前記画素に隣接する画素の下地レベルから変動させることを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記閾値は、前記注目画素に隣接する画素の下地レベルであることを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
画像データにおける画素の明るさ成分と所定の閾値との差分量に応じて前記画像データの画素のカウント変動量を決定する変動量決定ステップと、
前記画像データの画素毎の前記カウント変動量を累積した結果に基づき、前記閾値を変動させる閾値変動ステップと、
前記閾値変動ステップによって変動した後の閾値を、前記画素の下地レベルとして決定する下地レベル決定ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１５】
入力された画像データの画素の明るさ成分に応じて画素毎に下地レベルを変動させ、前記変動後の下地レベルを用いて各画素に対して下地飛ばし処理を行う画像処理方法において、
前記画像データの注目画素の明るさ成分と閾値との差分量を算出し、前記差分量が大きいほど前記注目画素に隣接する画素の下地レベルからの変動量が小さくなるように前記注目画素の下地レベルを決定する決定ステップとを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１６】
前記決定ステップにおいて、前記差分量が大きいほど前記注目画素のカウント変動量が小さくなるようにカウント変動量を決定し、画素毎に決定されるカウント変動量を累積した結果が所定のカウント値を超えた場合、前記所定のカウント値を超えた画素の下地レベルを前記画素に隣接する画素の下地レベルから変動させることを特徴とする請求項１５に記載の画像処理方法。
【請求項１７】
前記閾値は、前記注目画素に隣接する画素の下地レベルであることを特徴とする請求項１５に記載の画像処理方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、画像データにおける画素の明るさ成分と所定の閾値との差分量に応じて前記画像データの画素のカウント変動量を決定する変動量決定手段と、前記画像データの画素毎の前記カウント変動量を累積した結果に基づき、前記閾値を変動させる閾値変動手段と、前記閾値変動手段によって変動した後の閾値を、前記画素の下地レベルとして決定する下地レベル決定手段とを有することを特徴とする画像処理装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理装置の制御方法、及び制御プログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば、デジタル複合機等の複数の画像処理装置がネットワークに接続された画像処理装置、画像処理装置の制御方法、及び制御プログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明は、システムに新規に参加する画像処理装置において固有設定値の入力作業をユーザが行う際の負荷を軽減することができる画像処理装置、画像処理装置の制御方法、及び制御プログラムを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、他の画像処理装置と通信可能な画像処理装置であって、前記他の画像処理装置に設定されている設定値のうち機器固有の固有設定値を取得する取得手段と、前記取得手段により取得した固有設定値を参照値として表示すると共に自装置に設定する固有設定値を入力可能な設定画面を表示する表示手段と、を備えることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の画像処理装置の制御方法は、他の画像処理装置と通信可能な画像処理装置の制御方法であって、前記他の画像処理装置に設定されている設定値のうち機器固有の固有設定値を取得する取得ステップと、前記取得ステップにより取得した固有設定値を参照値として表示すると共に自装置に設定する固有設定値を入力可能な設定画面を表示する表示ステップと、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の画像処理装置と通信可能な画像処理装置であって、
前記他の画像処理装置に設定されている設定値のうち機器固有の固有設定値を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した固有設定値を参照値として表示すると共に自装置に設定する固有設定値を入力可能な設定画面を表示する表示手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記取得手段は、前記他の画像処理装置に設定されている設定値のうち複数の機器で共通の設定値である共通設定値を取得することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
複数の他の画像処理装置と通信する通信手段を更に有し、
前記取得手段は、前記複数の他の画像処理装置の中から選択された少なくとも１つの画像処理装置の固有設定値を、前記通信手段を用いて取得することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記設定画面は前記参照値を表示する参照領域と、前記自装置に設定する固有設定値を入力するための入力領域とを有し、
前記表示手段は、前記選択された他の画像処理装置の数が予め定められた数以上の場合に、前記参照領域及び前記入力領域を、固有設定値の種別毎に遷移が可能な画面として表示することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記表示手段は、前記選択された他の画像処理装置の数が予め定められた数未満の場合に、前記参照領域を、既存の画像処理装置毎の遷移が可能な画面として表示することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記入力領域で設定する対象となる固有設定値の種別に該当する参照値が存在するか否かを判断する判断手段を備え、
前記表示手段は、前記判断手段により該当する参照値が存在すると判断された場合に、前記参照領域及び入力領域を前記他の種別の表示に遷移させる、
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記表示手段は、前記参照領域に表示された参照値に基づいて決定された値を入力領域に表示することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記参照領域に表示された参照値をユーザの操作により前記入力領域に設定値としてコピーするコピー手段と、
前記コピー手段により前記入力領域にコピーされた設定値をユーザの操作により編集する編集手段と、
を備えることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
他の画像処理装置と通信可能な画像処理装置の制御方法であって、
前記他の画像処理装置に設定されている設定値のうち機器固有の固有設定値を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得した固有設定値を参照値として表示すると共に自装置に設定する固有設定値を入力可能な設定画面を表示する表示ステップと、
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像処理装置の制御方法をコンピュータにより実行させるためのコンピュータで読み取り可能な画像処理装置の制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子と、
前記振動子を励振して発振信号を出力する発振回路と、
第１のモードと第２のモードとを切り替える制御信号が入力される制御端子と、
前記制御信号が前記第１のモードの時は前記第２のモードの時に比べて前記発振回路に供給する電流を軽減するように切り替える第１の切替部を有する電流源回路と、
前記制御信号が前記第１のモードの時は電源との接続を遮断するように切り替える第２の切替部を有し、前記制御信号が前記第２のモードの時は前記発振信号を波形整形した出力信号を出力するバッファ回路と、を含む、
ことを特徴とする発振器。
【請求項２】
前記バッファ回路は、前記制御信号が前記第１のモードの時は前記発振信号の外部への出力を遮断するように切り替える第３の切替部を有することを特徴とする請求項１に記載の発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発振器
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る撮像装置は、被写体を撮影する撮像手段と、記録手段と、撮像手段による撮影動作の待機を指示する指示手段と、指示手段により撮影動作の待機を指示された後に被写体の所定状態を検出する検出手段と、指示手段により撮影動作の待機を指示されてから検出手段により被写体の所定状態を検出するまでの経過時間を計時する計時手段と、検出手段により被写体の所定状態が検出されたタイミングで撮像手段に撮影動作の実行を指示し、撮像手段により撮影された被写体の画像と計時手段により計時された経過時間とを関連付けして記録手段に記録する制御手段とを備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係るコンピュータプログラムは、被写体を撮影する撮像処理と、撮像処理の実行の待機を指示された後に被写体の所定状態を検出する検出処理と、撮像処理の実行の待機を指示されてから検出処理による被写体の所定状態を検出までの経過時間を計時するまでの経過時間を計時する計時処理と、検出処理により被写体の所定状態が検出されたタイミングで撮像処理の実行を指示し、撮像処理により撮影された被写体の画像と計時処理により計時された経過時間とを関連付けして記録手段に記録する制御処理とをコンピュータに実行させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一実施形態となるデジタルスチルカメラ１は、撮像光学部２，撮像部３，情報処理領域４，記録領域５，操作入力領域６，計時部７，メイン表示制御部８，及び音処理部９を有する。撮像光学部２は撮影レンズにより構成され、撮影レンズの合焦位置や絞り位置はモータによる駆動によって移動される。撮像部３は、撮像光学部２の撮影光軸後方に配置された撮像素子を備える。撮像部３は、走査駆動されることにより一定周期毎に結像した光像に対応する光電変換出力を１画面分出力する。この光電変換出力は、アナログ信号の状態でＲＧＢの各原色成分毎に適宜ゲイン調整された後にサンプルホールドされる。サンプルホールドされた信号は、デジタル信号に変換された後に画素補間処理及びγ補正処理を含むカラープロセス処理が施される。これにより、デジタル形態の輝度信号Ｙ及び色差信号Ｃｂ，Ｃｒが生成され、これらの信号は情報処理領域４に出力される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
制御部１４はデジタルスチルカメラ１全体の動作を制御する。制御部１４は、ＤＲＡＭへの輝度及び色差信号のＤＭＡ転送終了後に、この輝度及び色差信号をＤＲＡＭインタフェースを介してＤＲＡＭより読出し、ＶＲＡＭコントローラを介してＶＲＡＭに書込む。また制御部１４は、輝度及び色差信号をＶＲＡＭコントローラを介してＶＲＡＭより定期的に読出し、これらのデータを元にビデオ信号を発生してメイン表示制御部８に出力する。メイン表示制御部８は、制御部１４からのビデオ信号に基づいた表示を行なうことで、その時点で撮像処理部１３から取込んでいる画像情報に基づく画像をリアルタイムにメイン表示部４１に表示する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影する撮像手段と、
記録手段と、
前記撮像手段による撮影動作の待機を指示する指示手段と、
前記指示手段により撮影動作の待機を指示された後に前記被写体の所定状態を検出する検出手段と、
前記指示手段により撮影動作の待機を指示されてから前記検出手段により前記被写体の所定状態を検出するまでの経過時間を計時する計時手段と、
前記検出手段により前記被写体の所定状態が検出されたタイミングで前記撮像手段に撮影動作の実行を指示し、撮像手段により撮影された前記被写体の画像と前記計時手段により計時された経過時間とを関連付けして前記記録手段に記録する制御手段と
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記記録手段に前記画像に関連付けて記録されている経過時間に応じて第１の所定処理を実行する第１の処理実行手段と
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の撮像装置において、
前記被写体は人の顔であり、前記被写体の所定状態は人の顔の笑顔に係る状態であることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうち、いずれか１項に記載の撮像装置において、
前記第１の所定処理は、前記撮像手段により撮影された前記複数の被写体の画像各々に関連付けて記録されている経過時間に応じて得点を計算することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項４に記載の撮像装置において、
前記第１の処理実行手段により計算された各画像の得点に応じて第２の所定処理を実行する第２の処理実行手段と
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項５に記載の撮像装置において、
前記第1の所定処理は、複数のゲーム参加者のそれぞれについて得点を計算し、
前記第２の所定処理は、前記得点を利用したゲームであることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のうち、いずれか１項に記載の撮像装置において、
シャッターボタンの押下操作又は第１のタイマのカウント完了に応じて、前記指示手段に対し前記撮影手段による撮影動作の待機を指示する第１の指示制御手段と、
前記計時手段の計時動作完了時又は前記制御手段の記録動作完了時に第２のタイマのカウントを開始するカウント手段と、
前記カウント手段のカウント動作完了に応じて、前記指示手段に対し前記撮影手段による撮影動作の待機を指示する第２の指示制御手段と
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のうち、いずれか１項に記載の撮像装置において、
前記制御手段は、前記被写体の画像データの付加情報領域に前記計時手段により計時された経過時間を記録することにより、前記被写体の画像と前記経過時間とを関連付けして記録手段に記録することを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
被写体を撮影する撮像処理と、
前記撮像処理の実行の待機を指示された後に前記被写体の所定状態を検出する検出処理と、
前記撮像処理の実行の待機を指示されてから前記検出処理による前記被写体の所定状態を検出までの経過時間を計時する計時処理と、
前記検出処理により前記被写体の所定状態が検出されたタイミングで前記撮像処理の実行を指示し、前記撮像処理により撮影された前記被写体の画像と前記計時処理により計時された経過時間とを関連付けして記録手段に記録する制御処理と
をコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月10日(2012.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人物の顔画像と該顔画像に含まれる顔の特徴情報とを、複数の人物について予めグループ化して記憶する記憶手段を有する情報処理装置であって、
画像を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された画像から人物の顔領域を検出し、該顔領域の顔の特徴情報を抽出する顔検出手段と、
前記複数の人物の顔の特徴情報と前記顔検出手段により抽出された顔の特徴情報とを比較し、検出された顔が前記複数の人物のいずれかの顔であるか否かを判断する判断手段と、
前記検出された顔が前記複数の人物のいずれかの顔であると判断された場合に、前記複数の人物の顔画像を前記取得手段により取得された画像に合成して表示手段に表示する合成手段であって、前記複数の人物の顔画像について、前記顔検出手段により顔が検出された人物の顔画像と検出されなかった人物の顔画像とで表示の仕方を異ならせる合成手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記顔検出手段により検出された顔のうち、選択された前記複数の人物の顔ではない顔の顔画像とその特徴情報とを、前記グループに登録して前記記憶手段に記憶させる顔情報登録手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記合成手段はさらに、前記検出された顔のうち、前記判断手段により前記複数の人物のいずれかの顔であると判断された顔について、該顔の顔領域を囲む顔枠を前記取得手段により取得された画像に合成することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記取得手段により取得された画像は前記記憶手段に記憶され、
前記情報処理装置は、前記複数の人物の各々について、前記記憶手段に記憶されている画像における該人物の撮影頻度を示す情報を取得する手段をさらに有し、
前記合成手段はさらに、前記複数の人物の顔画像とともに各人物の前記撮影頻度を示す情報を前記取得手段により取得された画像に合成する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記撮影頻度を示す情報は、前記複数の人物の各々についての、該人物の顔が含まれる前記記憶手段に記憶されている画像の枚数あるいは映像の撮影時間であることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
撮像光学系を用いて被写体を撮像して画像を生成する撮像手段をさらに有し、
前記取得手段は、前記撮像手段により生成された画像を取得する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
人物の顔画像と該顔画像に含まれる顔の特徴情報とを、複数の人物について予めグループ化して記憶する記憶手段を有する情報処理装置の制御方法であって、
前記情報処理装置の取得手段が、画像を取得する取得工程と、
前記情報処理装置の顔検出手段が、前記取得工程において取得された画像から人物の顔領域を検出し、該顔領域の顔の特徴情報を抽出する顔検出工程と、
前記情報処理装置の判断手段が、前記複数の人物の顔の特徴情報と前記顔検出工程において検出された顔の特徴情報とを比較し、該検出された顔が前記複数の人物のいずれかの顔であるか否かを判断する判断工程と、
前記情報処理装置の合成手段が、前記検出された顔が前記複数の人物のいずれかの顔であると判断された場合に、前記複数の人物の顔画像を前記取得工程において取得された画像に合成して表示手段に表示する合成工程であって、前記複数の人物の顔画像について、前記顔検出工程において顔が検出された人物の顔画像と検出されなかった人物の顔画像とで表示の仕方を異ならせる合成工程と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置の記憶手段と表示手段とを除く各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のコンピュータプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、制御方法、コンピュータプログラム、および記憶媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前述の目的を達成するために、本発明の情報処理装置は、以下の構成を備える。
人物の顔画像と該顔画像に含まれる顔の特徴情報とを、複数の人物について予めグループ化して記憶する記憶手段を有する情報処理装置であって、画像を取得する取得手段と、取得手段により取得された画像から人物の顔領域を検出し、該顔領域の顔の特徴情報を抽出する顔検出手段と、複数の人物の顔の特徴情報と顔検出手段により検出された顔の特徴情報とを比較し、該検出された顔が複数の人物のいずれかの顔であるか否かを判断する判断手段と、検出された顔が複数の人物のいずれかの顔であると判断された場合に、複数の人物の顔画像を取得手段より取得された画像に合成して表示手段に表示する合成手段であって、複数の人物の顔画像について、顔検出手段により顔が検出された人物の顔画像と検出されなかった人物の顔画像とで表示の仕方を異ならせる合成手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、カメラマイコン１１２の情報記録部１１５は、画像記憶部１０９に記録されている画像データから、顔情報登録部１１９に登録されている人物を探し出し、登録されている画像の撮像枚数または映像の撮影時間を算出する。なお映像の場合に、情報記録部１１５は、所定のフレームごとに顔情報登録部１１９に登録されているグループメンバーを抽出し、抽出されたメンバーのフレーム枚数からおおまかな撮影時間を推定してもよい。