【事件の表示】
　特願２００２−１９７４５１「表面波装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月　５日出願公開、特開２００４−　４０６３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成１４年７月５日の出願であって、平成１７年７月５日付けの拒絶の理由の通知に対して、その指定された期間内の同年９月８日付けで意見書が提出されたが、同年９月２９日付けで拒絶の査定がなされ、同年１１月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月９日付けで手続補正がなされたものである。
 　 
第２．平成１７年１２月９日付けの手続補正について 
　［結論］平成１７年１２月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　その理由は以下のとおり。
　
  ［理由］ 
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板と、
　前記ＬｉＴａＯ３基板上に形成されており、かつＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサと、
　前記インターデジタルトランスデューサを覆うように前記ＬｉＴａＯ３基板表面に形成されたＳｉＯ２膜とを備え、
　前記ＳｉＯ２膜の表面波の波長λで規格化された膜厚をＨｓとし、ＬｉＴａＯ３基板のカット角をθとしたときに、規格化膜厚Ｈｓが下記の（１）〜（７）のいずれかの範囲にあることを特徴とする、表面波装置。
０．０５＜Ｈｓ≦０．１０のとき　２９°＜θ＜３６°　　…（１）
０．１０＜Ｈｓ≦０．１５のとき　２８°＜θ＜３６°　　…（２）
０．１５＜Ｈｓ≦０．２０のとき　２７°＜θ＜３６°　　…（３）
０．２０＜Ｈｓ≦０．２５のとき　２６°＜θ＜３６°　　…（４）
０．２５＜Ｈｓ≦０．３０のとき　２５°＜θ＜３５°　　…（５）
０．３０＜Ｈｓ≦０．３５のとき　２３°＜θ＜３４°　　…（６）
０．３５＜Ｈｓ≦０．４０のとき　２１°＜θ＜３１°　　…（７）」
と補正された。　
　
　上記補正は請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「規格化膜厚Ｈｓ」と「ＬｉＴａＯ３基板のカット角をθ」の範囲との組合せについて、「０．００＜Ｈｓ≦０．０５のとき　３０°＜θ＜３６°」を削除することで、規格化膜厚ＨｓとＬｉＴａＯ３基板のカット角をθの範囲との組合せを限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物の記載 
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１５２７４号公報（平成７年１月１７日出願公開。以下、「刊行物１」という。）には、高安定高結合弾性表面波基板を用いた高周波弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子に関して、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ａ．特許請求の範囲の請求項１或いは請求項２或いは請求項３において、ＳｉＯ２／Ａｌ／１２８°Ｙ−Ｘ  ＬｉＮｂＯ３基板、ＳｉＯ２／Ａｌ／３６°Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板、ＳｉＯ２／Ａｌ／４１°Ｙ−Ｘ  ＬｉＮｂＯ３基板、ＳｉＯ２／Ａｌ／６４°Ｙ−Ｘ  ＬｉＮｂＯ３、ＳｉＯ２／Ａｌ／１２６°Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板において、それら単結晶のカット角が１２８°、３６°、４１°、６４°、１２６°のいずれもそれらの値から±２０°の範囲であり、ＳｉＯ２膜の膜厚として、薄膜の膜厚をＨ１、弾性表面波の動作中心周波数をλ０として、Ｈ１／λ０の値が０．０から０．５の範囲にあり、かつＡｌの膜厚をＨ２として、Ｈ２／λの値が０．００５から０．２の範囲の弾性表面波基板を用いた超高周波弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子及びこの基板を用いた電子装置。
（公報、第４頁、右欄、第１乃至１４行、「平成４年６月１日提出の【手続補正書】、特許請求の範囲【請求項４】」の記載。）
　
ｂ．図３は集積型の低損失フィルタ、ＩＩＤＴに応用した例であり、良好な温度特性の低損失フィルタが得られる。（公報、第３頁、第３欄、第１３乃至１５行、段落【０００５】の記載。）　
　
ｃ．本発明のフィルタ及び機能素子を用いることにより、広い帯域幅、低挿入損失、かつ温度安定性に優れた弾性表面波フィルタ、高性能の弾性表面波共振器及びＶＣＯなどの弾性波機能素子、高性能の半導体素子と組み合わせた素子が得られる。（公報、第３頁、第３欄、第２０乃至２４行、段落【０００６】の記載。）　
　
　
ｄ．図３には、ＩＩＤＴを覆うように基板表面に形成されたＳｉＯ２膜が示されている。
　
　ここで、刊行物１の記載ａにおける「超高周波弾性表面波フィルタ」は、同記載ｂ及びｃによれば「ＩＩＤＴに応用」し、「低挿入損失」である。
　また、刊行物１の記載ａにおける「超高周波弾性表面波フィルタ」は、同記載ｄによれば「ＩＩＤＴを覆うように基板表面に形成されたＳｉＯ２膜」を備えている。
　
　上記記載事項によれば、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１記載発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＳｉＯ２／Ａｌ／３６°Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板において、それら単結晶のカット角が３６°から±２０°の範囲であり、ＳｉＯ２膜の膜厚として、薄膜の膜厚をＨ１、弾性表面波の動作中心周波数をλ０として、Ｈ１／λ０の値が０．０から０．５の範囲にあり、ＩＩＤＴに応用し、ＩＩＤＴを覆うように基板表面に形成されたＳｉＯ２膜を備え、低挿入損失である超高周波弾性表面波フィルタ」　
　
（３）対比
　本願補正発明と刊行物１記載発明とを比較すると、刊行物１記載発明の「Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板」、「ＩＩＤＴ」、「超高周波弾性表面波フィルタ」は、本願発明の「回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板」、「インターデジタルトランスデューサ」、「表面波装置」にそれぞれ相当する。
　
　また、刊行物１記載発明の「ＳｉＯ２／Ａｌ／３６°Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板」における「Ａｌ」は、本願補正発明の「ＬｉＴａＯ３基板上に形成されており、かつＡｌまたはＡｌを主成分とする金属」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　「回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板と、
　前記ＬｉＴａＯ３基板上に形成されており、かつＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサと、
　前記インターデジタルトランスデューサを覆うように前記ＬｉＴａＯ３基板表面に形成されたＳｉＯ２膜とを備えた、表面波装置」
　である点で一致し、
　「本願補正発明では、「ＳｉＯ２膜の表面波の波長λで規格化された膜厚をＨｓとし、ＬｉＴａＯ３基板のカット角をθとしたときに、規格化膜厚Ｈｓが下記の（１）〜（７）のいずれかの範囲にあること
０．０５＜Ｈｓ≦０．１０のとき　２９°＜θ＜３６°　　…（１）
０．１０＜Ｈｓ≦０．１５のとき　２８°＜θ＜３６°　　…（２）
０．１５＜Ｈｓ≦０．２０のとき　２７°＜θ＜３６°　　…（３）
０．２０＜Ｈｓ≦０．２５のとき　２６°＜θ＜３６°　　…（４）
０．２５＜Ｈｓ≦０．３０のとき　２５°＜θ＜３５°　　…（５）
０．３０＜Ｈｓ≦０．３５のとき　２３°＜θ＜３４°　　…（６）
０．３５＜Ｈｓ≦０．４０のとき　２１°＜θ＜３１°　　…（７）」
　であるのに対し、
　刊行物１記載発明では、「ＳｉＯ２の単結晶のカット角が３６°から±２０°の範囲であり、ＳｉＯ２膜の膜厚として、薄膜の膜厚をＨ１、弾性表面波の動作中心周波数をλ０として、Ｈ１／λ０の値が０．０から０．５の範囲」である」点で一応の相違が認められる。
　
（４）判断
　刊行物１記載発明において、「弾性表面波の動作中心周波数をλ０」としているが、弾性表面波装置の構成、特性等を特定する際に使用される「膜厚」としては、通常、弾性表面波装置の基板表面に形成された皮膜（電極膜、保護膜等）の膜厚の弾性表面波の波長で規格化された膜厚である「規格化膜厚」が使用されていること、符号「λ」は、通常「波長」を表わす際に用いること、「λ０」を「弾性表面波の動作中心周波数」であるとした場合には、「Ｈ１／λ０」の値が非現実的なものとなることから、上記「弾性表面波の動作中心周波数」は「弾性表面波の波長」の明らかな誤記である。
　してみると、刊行物１記載発明の「Ｈ１／λ０の値」は、本願補正発明の「規格化膜厚Ｈｓ」に相当する。
　また、本願補正発明の「規格化膜厚Ｈｓ」の範囲は、刊行物１記載発明の「ＳｉＯ２の単結晶のカット角が３６°から±２０°の範囲であり、Ｈ１／λ０の値が０．０から０．５の範囲」であることを含むものであり、さらに、両者は、表面波装置の挿入損失の低減化を図ることを目的としている点でも共通しているから、両者の間に差異はない。
　
　したがって、本願補正発明と、刊行物１記載発明との間には、実質的な差異はなく、本願補正発明は刊行物１に記載されている発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
（５）むすび 
 　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　よって、結論のとおり決定する。
　
第３．本願発明について 
　
１．本願発明
　平成１７年１２月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、出願当初明細書の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 
　
　「回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板と、
　前記ＬｉＴａＯ３基板上に形成されており、かつＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサと、
　前記インターデジタルトランスデューサを覆うように前記ＬｉＴａＯ３基板表面に形成されたＳｉＯ２膜とを備え、
　前記ＳｉＯ２膜の表面波の波長λで規格化された膜厚をＨｓとし、ＬｉＴａＯ３基板のカット角をθとしたときに、規格化膜厚Ｈｓが下記の（１）〜（８）のいずれかの範囲にあることを特徴とする、表面波装置。
０．００＜Ｈｓ≦０．０５のとき　３０°＜θ＜３６°　　…（１）
０．０５＜Ｈｓ≦０．１０のとき　２９°＜θ＜３６°　　…（２）
０．１０＜Ｈｓ≦０．１５のとき　２８°＜θ＜３６°　　…（３）
０．１５＜Ｈｓ≦０．２０のとき　２７°＜θ＜３６°　　…（４）
０．２０＜Ｈｓ≦０．２５のとき　２６°＜θ＜３６°　　…（５）
０．２５＜Ｈｓ≦０．３０のとき　２５°＜θ＜３５°　　…（６）
０．３０＜Ｈｓ≦０．３５のとき　２３°＜θ＜３４°　　…（７）
０．３５＜Ｈｓ≦０．４０のとき　２１°＜θ＜３１°　　…（８）」
　
２．刊行物の記載
　
　刊行物１記載発明は、前記「第２．（２）」で述べたとおりである。
　
３．対比・検討
　
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明の「規格化膜厚Ｈｓ」と「ＬｉＴａＯ３基板のカット角をθ」の範囲との組合せに「０．００＜Ｈｓ≦０．０５のとき　３０°＜θ＜３６°」の組み合わせを付加するものである。
　そうすると、前記「０．００＜Ｈｓ≦０．０５のとき　３０°＜θ＜３６°」の組み合わせを付加していない本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、刊行物１に記載されている発明と同一であるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１に記載されている発明と同一である。
　
第４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載されている発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。