Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を有し、
ソース電極層を有し、
ドレイン電極層を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層との間に、導電性を有する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ドレイン電極層との間に、導電性を有する第２の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層とを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層を有し、
ソース電極層を有し、
ドレイン電極層を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層との間に、導電性を有する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ドレイン電極層との間に、導電性を有する第２の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層とを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記ソース電極層と接する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記ドレイン電極層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層よりも導電性が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
酸化物半導体層を有し、
ソース電極層を有し、
ドレイン電極層を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層との間に、導電性を有する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ドレイン電極層との間に、導電性を有する第２の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層とを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、及びＢｉのうち一種、又は複数種を含む領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、非晶質構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、非晶質構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
第１のトランジスタを有する画素部と、
第２のトランジスタを有する保護回路と、
入力端子と、を有する表示装置であって、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはそれぞれ、
酸化物半導体層を有し、を有し、
ソース電極層を有し、
ドレイン電極層を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層との間に、導電性を有する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ドレイン電極層との間に、導電性を有する第２の領域を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極層は、前記第２のトランジスタの前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層の一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記ゲート電極層は、所定の電位が与えられた配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層の他方は、前記入力端子と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記酸化物半導体層は、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、及びＢｉのうち一種、又は複数種を含む領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
チューナと、
前記チューナで受信した音声信号を出力するスピーカと、
前記チューナで受信した映像信号を出力する液晶表示モジュールと、を有し、
前記液晶表示モジュールは、
画素部を有する表示装置と、
前記表示装置とＴＡＢ方式により接続され、走査線側駆動回路が形成された第１のドライバＩＣと、
前記表示装置とＴＡＢ方式により接続され、信号線側駆動回路が形成された第２のドライバＩＣと、を有し、
前記画素部は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、
酸化物半導体層を有し、
ソース電極層を有し、
ドレイン電極層を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層との間に、導電性を有する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ドレイン電極層との間に、導電性を有する第２の領域を有することを特徴とする液晶テレビジョン装置。
【請求項２０】
チューナと、
前記チューナで受信した音声信号を出力するスピーカと、
前記チューナで受信した映像信号を出力するＥＬ表示モジュールと、を有し、
前記ＥＬ表示モジュールは、
画素部を有する表示装置と、
前記表示装置とＴＡＢ方式により接続され、走査線側駆動回路が形成された第１のドライバＩＣと、
前記表示装置とＴＡＢ方式により接続され、信号線側駆動回路が形成された第２のドライバＩＣと、を有し、
前記トランジスタは、
酸化物半導体層を有し、
ソース電極層を有し、
ドレイン電極層を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層との間に、導電性を有する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ドレイン電極層との間に、導電性を有する第２の領域を有することを特徴とするＥＬテレビジョン装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学的発電装置のための高分子電解質であって：
アクリレート末端基、アルコキシ末端基、またはビニル末端基を有する少なくとも１種の４分枝重合体であって、前記４分枝重合体の少なくとも１つの分枝が架橋を起こすことが可能である前記４分枝重合体と；
ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及びナノＴｉＯ２から選択される少なくとも１種の成分とを含み、
該ナノＴｉＯ２は、被覆されていないか、あるいは、少なくとも１種のポリオールおよび／または１種のポリエチレン−ポリオキシエチレン共重合体を含む群から選ばれる有機物質で被覆されており、かつ／またはＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及びこれらの混合物から選択される１種の無機物質で被覆されているナノＴｉＯ２であり、
ここで前記４分枝重合体は、高分子量を有し、そして式（Ｉ）
【化１】
2011129937.tif 000001
に相当する４官能性重合体であり、上記の式において、Ｒ１およびＲ２は各々水素原子または炭素原子１〜７個のアルキルを表し、Ｒ３は水素原子またはメチル基を表し；ｍおよびｎは０に等しいかまたは０より大きい整数を表し、各高分子量鎖において、ｍ＋ｎ≧３５であり、そして各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、並びにｍおよびｎパラメーターの各々は４つの高分子量鎖において同一であるかまたは異なっている、
上記の高分子電解質。
【請求項２】
追加として、塩、または塩と可塑剤との混合物を含有する、請求項１記載の高分子電解質。
【請求項３】
イオン伝導性を与えるために重合体に（マトリックス中に）リチウム塩またはリチウム塩の混合物を加えることによって得られる乾燥形態（溶媒を含まない）をしている、請求項２記載の高分子電解質。
【請求項４】
リチウム塩が、ＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２；ＬｉＴＦＳＩ、ＬｉＮ（ＳＯ２Ｃ２Ｆ５）２；ＢＥＴＩ、ＬｉＣ（ＳＯ２ＣＦ３）３、ＬｉＢＦ４、ＬｉＰＦ６、ＬｉＣＬＯ４、ＬｉＳＯ３ＣＦ３、及びＬｉＡｓＦ６から選択される、請求項３記載の高分子電解質。
【請求項５】
可塑剤が、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、テトラエチル−スルホンアミドおよびメチル−エチルカーボネート（ＥＭＣ）より成る群から選ばれる有機溶媒の少なくとも１種より成る、請求項２記載の高分子電解質。
【請求項６】
請求項１記載の少なくとも１種の高分子電解質から、前記電解質の成分を重合体の架橋を可能にする条件に付すことによって得られる電解質組成物。
【請求項７】
架橋がＵＶ、熱処理および／または電子ビーム（ＥＢ）によって達成される、請求項６記載の電解質組成物。
【請求項８】
架橋が少なくとも１種のリチウム塩の存在下で行われる、請求項６記載の電解質組成物。
【請求項９】
架橋がリチウム塩の非存在下で行われる、請求項６記載の電解質組成物。
【請求項１０】
５０〜１００℃の温度で行われる架橋によって得られる、請求項６記載の電解質組成物。
【請求項１１】
５分〜８時間の継続時間、架橋させることによって得られる、請求項１記載の電解質組成物。
【請求項１２】
有機ペルオキシド、ヒドロペルオキシドまたはペルエステルより成る群から選ばれる触媒の存在下で架橋させることによって得られる、請求項１記載の電解質組成物。
【請求項１３】
重合体ゲルの形態をしている、請求項６記載の電解質組成物。
【請求項１４】
固体形態をしている、請求項６記載の電解質組成物。
【請求項１５】
電池、スーパーコンデンサーまたはハイブリッドスーパーコンデンサーである電気化学的装置であって：
請求項１記載の少なくとも１種の電解質；
電気活性アノード；および
ＬｉＣｏＰＯ４および／またはＬｉ（Ｍｎ０．６６Ｎｉ０．３４）Ｏ２から製造された３．５〜５ボルトタイプのカソード
を含む上記の電気化学的装置。
【請求項１６】
請求項１記載の少なくとも１種の高分子電解質；
電気活性Ｌｉ４Ｔｉ５Ｏ１２アノード；および
電気活性大表面積炭素カソード
を含む、スーパーコンデンサー。
【請求項１７】
炭素が、２ｍ２／ｇに等しいかまたはそれより大きく、かつ２５００ｍ２／ｇに等しいかまたはそれより小さい比表面積を有する粒子の形態をしている、請求項１６記載のスーパーコンデンサー。
【請求項１８】
電気活性カソードが導電性重合体から造られており、少なくとも１種の高電圧において導電性の重合体から成り、前記導電性の重合体は、ポリアニリン、ポリチオフェン、アリールチオフェン、またはこれらの混合物である、請求項１６記載のスーパーコンデンサー。
【請求項１９】
電気活性アノードが、ＧＩＣ（グラファイトインターカレーション化合物）から造られている、請求項１６記載のスーパーコンデンサー。
【請求項２０】
電気活性アノードが低結晶性炭素、および／または硬質炭素の層より成る、請求項１６記載のスーパーコンデンサー。
【請求項２１】
電気活性アノードが、リチウム合金から造られている、請求項１５記載の電気化学的装置。
【請求項２２】
電気活性カソードが４ボルトタイプのものである、請求項１５記載の電気化学的装置。
【請求項２３】
電気活性アノードが、天然および／または合成グラファイトから、および／または高結晶化度を有する炭素から造られた、ＧＩＣ（グラファイトインターカレーション化合物）から造られている、請求項１５記載の電気化学的装置。
【請求項２４】
電気活性アノードが低結晶化度を有する炭素より成る、請求項１５記載の電気化学的装置。
【請求項２５】
電気活性アノードが、金属リチウムから造られている、請求項１７記載のスーパーコンデンサー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体実装用ボンディングワイヤ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体実装用ボンディングワイヤに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、耐食性、あるいは接合性等、表面純度を必要とする性質と機械的特性が両立する半導体実装用ボンディングワイヤを提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、上記従来技術の問題を解決するために鋭意検討した結果、金属材料の表面から内部に向かって溶質濃度が高くする形態をとる金属材料であり、この形態を容易かつ安価に得るために、酸化速さの異なる２種以上の元素で構成される金属材料を酸素が存在する雰囲気中で加熱する手法をとることを基本にして、以下の構成を要旨とする。
（１）  酸化の速さが異なる２種以上の成分からなる金属材料を、酸素を含む気体中で一定時間加熱し、その後形成した表面酸化物を機械的又は化学的に除去してなり、酸化の速さが速い成分の濃度が表面から深さ方向に相対的に高くなっていることを特徴とする半導体実装用ボンディングワイヤ。
（２）  金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅から選ばれる単体もしくは２種類以上の元素から成る固溶体を主体とし、該単体又は固溶体以外の１種以上の元素を溶質元素として含有し、その溶質元素の中の、少なくとも１種類の溶質元素の濃度が表面から深さ方向に高くなっていることを特徴とする（１）記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
（３）  前記溶質濃度が表面から内部に向かって連続的に増加していることを特徴とする（１）又は（２）に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
（４）  前記溶質濃度が表面から内部に変化している距離が１μｍ以上であることを特徴とする（３）に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
（５）  表面から材料の中心までの長さの、表面から１０％の深さにおいて、少なくとも溶質元素の１種以上の溶質濃度が、中心の溶質濃度の１／２以下になっている（１）〜（４）のいずれか１項に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
（６）  前記金属材料が金を主体とする材料であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
（７）  カルシウム、希土類金属（イットリウムとスカンジウムを含むランタノイド系金属）、ベリリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、銀、銅、マンガン、鉄、チタン、パラジウム、白金、ロジウムの中から選ばれる１種類以上の元素を含有し、それらの合計の平均濃度が、０．０００１質量％以上５０質量％未満であることを特徴とする（６）に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
（８）  表面から内部に向かって結晶粒径が小さくなっていることを特徴とする（１）〜（７）のいずれか１項に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
（９）  表面から内部に向かって硬度が高くなっていることを特徴とする（１）〜（８）のいずれか１項に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化の速さが異なる２種以上の成分からなる金属材料を、酸素を含む気体中で一定時間加熱し、その後形成した表面酸化物を機械的又は化学的に除去してなり、酸化の速さが速い成分の濃度が表面から深さ方向に相対的に高くなっていることを特徴とする半導体実装用ボンディングワイヤ。
【請求項２】
金、パラジウム、白金、ロジウム、銀、銅の中の単体もしくは２種類以上の元素から成る固溶体を主体とし、該単体又は固溶体以外の１種以上の元素を溶質元素として含有し、その溶質元素の中の、少なくとも１種類の溶質元素の濃度が表面から深さ方向に高くなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【請求項３】
前記溶質濃度が表面から内部に向かって連続的に増加していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【請求項４】
前記溶質濃度が表面から内部に変化している距離が１μｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【請求項５】
表面から材料の中心までの長さの、表面から１０％の深さにおいて、少なくとも溶質元素の１種以上の溶質濃度が、中心の溶質濃度の１／２以下になっている請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【請求項６】
前記金属材料が金を主体とする材料であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【請求項７】
カルシウム、希土類金属（イットリウムとスカンジウムを含むランタノイド系金属）、ベリリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、銀、銅、マンガン、鉄、チタン、パラジウム、白金、ロジウムの中から選ばれる１種類以上の元素を含有し、それらの合計の平均濃度が、０．０００１質量％以上５０質量％未満であることを特徴とする請求項６記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【請求項８】
表面から内部に向かって結晶粒径が小さくなっていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【請求項９】
表面から内部に向かって硬度が高くなっていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体実装用ボンディングワイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿の第１面を第１の読取部で読み取り、当該原稿の第２面の画像を第２の読取部で読み取る読取手段と、
前記第１の読取部によって読み取られた原稿の前記第１の読取部に対する斜行角度を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記原稿の斜行角度に従って、前記第２の読取部で読み取られた画像の画像データを補正する補正手段とを備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記補正手段はさらに、前記検出手段により検出された前記原稿の斜行角度に従って、前記第１の読取部で読み取られた画像の画像データを補正することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記読取手段によって読み取られた画像データを格納する格納手段をさらに備え、
前記補正手段は、前記原稿の斜行を考慮しない場合に画像データを格納すべきアドレスを基準に前記検出手段により検出された前記原稿の斜行角度に従って当該画像データを回転した場合に当該画像データを格納すべきアドレスに、画像データを格納することを特徴とする請求項１または２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記補正手段は、アフィン変換により前記画像データを回転処理することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記第１の読取部は、前記第２の読取部よりも先に前記原稿の第１面の画像を読み取ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記第１の読取部及び前記第２の読取部はラインセンサであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記補正手段によって補正された画像データを記憶する記憶手段をさらに有し、
前記記憶手段に記憶された画像データを印刷する印刷手段を備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
原稿の第１面を第１の読取部で読み取る第１の読取工程と、
前記原稿の第２面の画像を第２の読取部で読み取る第２の読取工程と
前記第１の読取部によって読み取られた原稿の前記第１の読取部に対する斜行角度を検出する検出工程と、
前記検出工程により検出された前記原稿の斜行角度に従って、前記第２の読取部で読み取られた画像の画像データを補正する補正工程とを有することを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【請求項９】
原稿の第１面を読み取る第１の読取部と当該原稿の第２面を読み取る第２の読取部のそれぞれで読み取られた画像の画像データを補正するプログラムであって、
前記第１の読取部によって読み取られた原稿の前記第１の読取部に対する斜行角度を検出する検出工程と、
前記検出工程により検出された前記原稿の斜行角度に従って、前記第２の読取部で読み取られた画像の画像データを補正する補正工程と、
をコンピュータにより実行するためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながら、特許文献１では、斜行補正用の回路については、画像読取装置が、表面の読取画像を補正するための回路と裏面の読取画像を補正するための回路とを備える必要がある。このため、回路規模の増大化を招くことになり、画像読取装置のコストアップにつながってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の画像読取装置は、原稿の第１面を第１の読取部で読み取り、当該原稿の第２面の画像を第２の読取部で読み取る読取手段と、前記第１の読取部によって読み取られた原稿の前記第１の読取部に対する斜行角度を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記原稿の斜行角度に従って、前記第２の読取部で読み取られた画像の画像データを補正する補正手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月2日(2011.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイル処理デバイスが、店舗情報及び商品の値段を含むコンテンツがエンコードされた棚札から、そのコンテンツをデコードによって取得するステップと、
モバイル処理デバイスが、取得したコンテンツに含まれる商品の値段と購入確認とを表示するステップと、
モバイル処理デバイスが、購入確認があったことに応答して、コンテンツに含まれる店舗情報に関連付けられた店舗における精算処理をするステップと、
を有することを特徴とする、方法。
【請求項２】
さらに、モバイル処理デバイスが、前記取得したコンテンツと、予め取得したクーポンデータとを比較して有効であることを条件として、クーポン適用後の情報を含めて表示することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
クーポンデータには、適用可能な店舗情報を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
クーポンデータには、適用可能な商品情報を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
クーポンデータには、適用可能なメーカー情報を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
精算処理をするステップを実行することを条件としてクーポンデータを取得する、請求項２の方法。
【請求項７】
クーポン適用後の情報を含めて表示することには、個人価格を表示すること含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜７の何れかに記載の方法における、精算処理をするステップにおいて、モバイル処理デバイスからの精算処理要求に応じて精算処理をおこなう、精算・分析システム（４００）。
【請求項９】
請求項１〜７の何れかに記載の方法における、精算処理をするステップにおいて、モバイル処理デバイスからの精算処理要求に応じて精算処理をおこなう、商業施設。
【請求項１０】
モバイル処理デバイスが、商品の値段を含むコンテンツがエンコードされた棚札から、そのコンテンツをデコードによって取得するステップと、
モバイル処理デバイスが、取得したコンテンツに含まれる商品の値段と購入確認とを表示するステップと、
モバイル処理デバイスが、購入確認があったことに応答して、精算処理をするステップと、
を有することを特徴とするセルフ・サービス・ショッピング・システムにおいて、
モバイル処理デバイスのアプリケーション・プログラムが、買物・表示・精算機能のステップの遷移に対応した時刻を記録し、商品購入情報とともに精算・分析システム（４００）に送信する、モバイル処理デバイス。
【請求項１１】
取得するコンテンツに、コンテンツを取得した時点の時刻情報を含む、請求項１０に記載のモバイル処理デバイス。
【請求項１２】
さらに、モバイル処理デバイスのアプリケーション・プログラムが、前記取得したコンテンツと、予め取得したクーポンデータとを比較して有効であることを条件として、クーポン適用後の情報を含めて表示することを特徴とする、請求項１０に記載のモバイル処理デバイス。
【請求項１３】
買物・表示・精算機能のステップの遷移に対応した時刻が、入店時刻、撮影時刻、コンテンツ取得時刻、価格確認時刻、購入決定時刻、購入時刻、購入キャンセル時刻、精算時刻のいずれかを含む、請求項１０に記載のモバイル処理デバイス。
【請求項１４】
モバイル処理デバイスが、商品の値段を含むコンテンツがエンコードされた棚札から、そのコンテンツをデコードによって取得するステップと、
モバイル処理デバイスが、取得したコンテンツに含まれる商品の値段と購入確認とを表示するステップと、
モバイル処理デバイスが、購入確認があったことに応答して、精算処理をするステップと、
を有することを特徴とするセルフ・サービス・ショッピング・システムにおいて、
モバイル処理デバイスのアプリケーション・プログラムによって、買物・表示・精算機能のステップの遷移に対応した時刻を記録され、商品購入情報とともに送信されてきた情報にもとづき精算処理をする、精算・分析システム（４００）。
【請求項１５】
精算・分析システム（４００）が、購買行動・動向分析機能（４２０）を含む、請求項１４に記載の精算・分析システム（４００）。
【請求項１６】
精算・分析システム（４００）が、店舗動線分析機能（４４０）を含む、請求項１４に記載の精算・分析システム（４００）。
【請求項１７】
精算・分析システム（４００）が、精算・クーポン管理機能（４６０）を含む、請求項１４に記載の精算・分析システム（４００）。
【請求項１８】
購買行動・動向分析機能（４２０）が、購入順序、平均買物時間、製品ごとの購入時間、価格を確認したが買わなかった商品のデータを算出する、請求項１５に記載の精算・分析システム（４００）。
【請求項１９】
店舗情報及び商品の値段を含むコンテンツがエンコードされた棚札から、そのコンテンツをデコードによって取得する、プログラムコードと、
取得したコンテンツに含まれる商品の値段と購入確認とを表示する、プログラムコードと、
購入確認があったことに応答して、コンテンツに含まれる店舗情報に関連付けられた店舗における精算処理をする、プログラムコードと、
をモバイル処理デバイスに実行させる、プログラム。
【請求項２０】
さらに、前記取得したコンテンツと、予め取得したクーポンデータとを比較して有効であることを条件として、クーポン適用後の情報を含めて表示することをモバイル処理デバイスに実行させる、請求項１９に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月26日(2011.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オープンキャビティと内部チャンバとを含むハウジングを備えたモジュラ型通信用ジャックであって、該オープンキャビティと該内部チャンバとは隔離されている、モジュラ型通信用ジャック。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光を出射する励起光源と、
上記励起光源から出射された励起光を受けて発光する発光部と、
上記発光部が出射した光を反射することにより、所定の立体角内を進む光線束を形成する反射鏡とを備え、
上記励起光源を複数備え、複数の励起光源の出力を合計することで上記励起光の出力を高め、
上記反射鏡の光軸に対して垂直な平面に、発光部を投影したときの投影像の面積は、１００μｍ２以上３ｍｍ２以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
上記複数の励起光源からの励起光を集光して上記発光部に導く導光部をさらに備え、
１つの上記導光部に対して上記複数の励起光源が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
上記導光部は、上記複数の励起光源からの励起光を受光する入射端部と、当該入射端部において受光した励起光を上記発光部に出射する出射端部とを備えることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
上記複数の励起光源の光出力の合計は、６Ｗ以上３０Ｗ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置を備えることを特徴とする車両用ヘッドランプ。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置を備えることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項８】
励起光を出射する励起光源と、
上記励起光源から出射された励起光を受けて発光する発光部と、
上記発光部が出射した光を反射することにより、所定の立体角内を進む光線束を形成する反射鏡とを備え、
上記励起光源から出射され、上記発光部に照射される励起光の放射束は、３Ｗ以上３０Ｗ以下であり、
上記反射鏡の光軸に対して垂直な平面に、発光部を投影したときの投影像の面積は、
１００μｍ２以上３ｍｍ２以下であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＥＤと、前記ＬＥＤを点灯するための点灯回路と、前記点灯回路の少なくとも一部が収納され前記複数のＬＥＤが一方の面側の周囲に配置される筐体と、前記筐体の他方の面側に配置され前記点灯回路に接続される口金と、前記筐体の一方の面側を覆う凸状曲面体形状を有するものであって前記複数のＬＥＤからの光を入射する入光部を端面に有するとともに前記入射した光を反射する反射パターンを内面に有する導光体グローブとを備えたことを特徴とする電球形ＬＥＤランプ。
【請求項２】
前記導光体グローブの反射パターンが、前記入光部から遠い位置ほど密に形成されることを特徴とする請求項１記載の電球形ＬＥＤランプ。
【請求項３】
前記導光体グローブの厚みが、前記入光部から遠くなるにつれて薄くなるように形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電球形ＬＥＤランプ。
【請求項４】
前記筐体の一方の面が、前記導光板グローブの端面を段差部で受けて前記ＬＥＤと前記入光部間の間隔を保持する構造を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電球形ＬＥＤランプ。
【請求項５】
前記構造が、前記段差部より前記ＬＥＤに近接する側に傾斜を有することを特徴とする請求項４記載の電球形ＬＥＤランプ。
【請求項６】
前記導光体グローブの内側に光を反射する反射部材を配置したことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電球形ＬＥＤランプ。
【請求項７】
前記反射部材が、前記筐体と熱的に接触する構造を有することを特徴とする請求項６記載の電球形ＬＥＤランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、半導体チップを実装するための配線基板（半導体パッケージ）がある。配線基板はコア基板の両面側にビルドアップ配線が形成されて構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１に示すように、関連技術の配線基板１００では、コア基板２００にはその厚み方向に貫通する貫通電極２２０が形成されている。コア基板２００の両面側には貫通電極２２０を介して相互接続される第１配線層３００がそれぞれ形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ここで、図２のＡ領域の接続パッドＣからその下の第２配線層２２までの配線構造について説明する。第１部分透視平面図を加えて参照すると、Ａ領域の接続パッドＣの１層下の第２配線層２２は、接続パッドＣに対応する領域において、両端側に配置された第１、第２ビア受け用電極部２２ａ，２２ｃと、中央部に配置された配線部２２ｂと備えて形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また同様に、第２ビア受け用電極部２２ｃは分離された２つのビア導体ＶＣ２によって上側の接続パッドＣに接続されている。第1ビア受け用電極部２２ａはその下に配置されたビア導体ＶＣ１（図２の断面図）によって第１配線層２０に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次に、図２のＢ領域の接続パッドＣからその下の第２配線層２２までの配線構造について説明する。第２部分平面図を加えて参照すると、Ｂ領域の接続パッドＣの１層下の第２配線層２２は、接続パッドＣに対応する領域において、両端側に配置されたビア受け用電極部２２ｘと、中央部に配置された配線部２２ｙとを備えて形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、図２のＣ領域の接続パッドＣ（他の接続パッド）から第２配線層２２までの配線構造について説明する。Ｃ領域の接続パッドＣは、Ａ領域及びＢ領域の接続パッドＣと同一層から形成される他の接続パッドである。第３部分平面図を加えて参照すると、Ｃ領域は、接続パッドＣ（他の接続パッド）に対応する領域に第２配線層２２の配線部を配置する必要がない領域を示しており、接続パッドＣに対応する領域に接続パッドＣに対応する大きさ（同等面積）の第２配線層２２のビアパッドＶＰが配置されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
従って、図２のＣ領域では、接続パッドＣに対応する領域に配置された第２配線層２２のビアパッドＶＰの上に配置される複数のビア導体ＶＣ２は、Ａ領域及びＢ領域のビア導体ＶＣ２と同一径で形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
１，１ａ，１ｂ…配線基板、２…半導体装置、１０…シリコン基板、１２…絶縁層、１４…貫通電極、２０…第１配線層、２２…第２配線層、２２ａ，２２ｃ，２２ｘ…ビア受け用電極部、２２ｂ，２２ｙ…配線部、３０…第１層間絶縁層、３１，３３…ソルダレジスト、３２…第２層間絶縁層、Ｃ…接続パッド、ＣＸ…外部接続用パッド、ＴＨ…スルーホール、ＶＣ１，ＶＣ２，ＶＣｘ…ビア導体、ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール、ＶＰ…ビアパッド。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011129729.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側より順に、正の屈折力を有する第１レンズ群と、正の屈折力を有する第２レンズ群と、負の屈折力を有する第３レンズ群とを有し、
前記第１レンズ群は、少なくとも１枚以上の接合レンズを有し、
前記第３レンズ群は、物体側から順に、正レンズと負レンズとを有してなる、像側に凹面を持つ色消しレンズと、正レンズと負レンズとを有してなる、物体側に凹面を持つ色消しレンズとを有して構成され、
前記第３レンズ群の最も像側に配置された前記色消しレンズを構成する正レンズの硝材のｄ線に対する屈折率をｎ３２としたとき、次式
１．５  ≦  ｎ３２  ≦  １．６５
の条件を満足し、
前記第３レンズ群の最も像側に配置された前記色消しレンズを構成する各レンズにおける硝材のｄ線に対する屈折率をｎｄとし、ｔ線に対する屈折率をｎｔとし、ｇ線に対する屈折率をｎｇとして、Ｐｔを次式
Ｐｔ  ＝  （ｎｄ−ｎｔ）／（ｎｇ−ｎｄ）
で定義し、前記第３レンズ群の最も像側に配置された前記色消しレンズを構成する負レンズの前記ＰｔをＰｔ３１とし、アッベ数をνｄ３１とし、前記第３レンズ群の最も像側に配置された前記色消しレンズを構成する正レンズの前記ＰｔをＰｔ３２とし、アッベ数をνｄ３２として、ΔＰｔ３及びΔνｄ３を次式
ΔＰｔ３  ＝  ｜Ｐｔ３１−Ｐｔ３２｜
Δνｄ３  ＝  ｜νｄ３１−νｄ３２｜
で定義したとき、当該ΔＰｔ３及び当該Δνｄ３が、次式
０．００３５  ≦  ΔＰｔ３／Δνｄ３  ≦  ０．００６２
の条件を満足し、
前記第３レンズ群を構成する前記色消しレンズのうち、最も像側に配置された前記色消しレンズの焦点距離をｆ３とし、全系の焦点距離をｆａとしたとき、次式
１５  ≦  ｜ｆ３／ｆａ｜
の条件を満足し、
前記第１レンズ群の最も物体側に配置された前記接合レンズを構成する、物体側に凹面を向けた第１メニスカスレンズの物体側の面の曲率半径をｒ１とし、当該第１メニスカスレンズが含まれる前記接合レンズの焦点距離をｆ１としたとき、次式
０．２  ≦  ｜ｒ１／ｆ１｜  ≦  ４．５
の条件を満足する液浸系顕微鏡対物レンズ。
【請求項２】
前記第１レンズ群を構成する前記接合レンズは、物体側から順に、物体側に凹面を向けた前記第１メニスカスレンズと物体側に凹面を向けた第２メニスカスレンズとを貼り合わせて構成された請求項１に記載の液浸系顕微鏡対物レンズ。
【請求項３】
前記第３レンズ群を構成する前記色消しレンズのうち、
像側に凹面を持つ前記色消しレンズの当該凹面のパワーをΦ１とし、
物体側に凹面を持つ前記色消しレンズの当該凹面のパワーをΦ２としたとき、次式
０．２５  ≦  ｜Φ１＋Φ２｜  ≦  ０．３５
の条件を満足する請求項１または２に記載の液浸系顕微鏡対物レンズ。
【請求項４】
前記第２レンズ群は、正レンズと負レンズとを有してなる少なくとも２つ以上の色消しレンズを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液浸系顕微鏡対物レンズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記課題を解決するために、本発明に係る液浸系顕微鏡対物レンズは、物体側より順に、正の屈折力を有する第１レンズ群と、正の屈折力を有する第２レンズ群と、負の屈折力を有する第３レンズ群とを有し、第１レンズ群は、少なくとも１枚以上の接合レンズを有し、第３レンズ群は、物体側から順に、正レンズと負レンズとを有してなる、像側に凹面を持つ色消しレンズと、正レンズと負レンズとを有してなる、物体側に凹面を持つ色消しレンズとを有して構成される。そして、このような本発明に係る液浸系顕微鏡対物レンズは、第３レンズ群の最も像側に配置された色消しレンズを構成する正レンズの硝材のｄ線に対する屈折率をｎ３２としたとき、次式
１．５  ≦  ｎ３２  ≦  １．６５
の条件を満足する。また、第３レンズ群の最も像側に配置された色消しレンズを構成する各レンズにおける硝材のｄ線に対する屈折率をｎｄとし、ｔ線に対する屈折率をｎｔとし、ｇ線に対する屈折率をｎｇとして、Ｐｔを次式
Ｐｔ  ＝  （ｎｄ−ｎｔ）／（ｎｇ−ｎｄ）
で定義し、この第３レンズ群の最も像側に配置された色消しレンズを構成する負レンズのＰｔをＰｔ３１とし、アッベ数をνｄ３１とし、第３レンズ群の最も像側に配置された色消しレンズを構成する正レンズのＰｔをＰｔ３２とし、アッベ数をνｄ３２として、ΔＰｔ３及びΔνｄ３を次式
ΔＰｔ３  ＝  ｜Ｐｔ３１−Ｐｔ３２｜
Δνｄ３  ＝  ｜νｄ３１−νｄ３２｜
で定義したとき、当該ΔＰｔ３及び当該Δνｄ３が、次式
０．００３５  ≦  ΔＰｔ３／Δνｄ３  ≦  ０．００６２
の条件を満足する。また、第３レンズ群を構成する色消しレンズのうち、最も像側に配置された色消しレンズの焦点距離をｆ３とし、全系の焦点距離をｆａとしたとき、次式
１５  ≦  ｜ｆ３／ｆａ｜
の条件を満足する。また、第１レンズ群の最も物体側に配置された接合レンズを構成する、物体側に凹面を向けた第１メニスカスレンズの物体側の面の曲率半径をｒ１とし、当該第１メニスカスレンズが含まれる接合レンズの焦点距離をｆ１としたとき、次式
０．２  ≦  ｜ｒ１／ｆ１｜  ≦  ４．５
の条件を満足する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、このような液浸系顕微鏡対物レンズにおいて、第１レンズ群を構成する接合レンズは、物体側から順に、物体側に凹面を向けた第１メニスカスレンズと物体側に凹面を向けた第２メニスカスレンズとを貼り合わせて構成されることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、このような液浸系顕微鏡対物レンズは、第３レンズ群を構成する色消しレンズのうち、像側に凹面を持つ色消しレンズの当該凹面のパワーをΦ１とし、物体側に凹面を持つ色消しレンズの当該凹面のパワーをΦ２としたとき、次式
０．２５  ≦  ｜Φ１＋Φ２｜  ≦  ０．３５
の条件を満足することが好ましい。このとき、面のパワーΦは、当該面の前後の屈折率をｎ，ｎ′とし、当該面の曲率半径をｒとしたとき、
Φ＝（ｎ′−ｎ）／ｒ
と定義される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、このような液浸系顕微鏡対物レンズにおいて、第２レンズ群は、正レンズと負レンズとを有してなる少なくとも２つ以上の色消しレンズを有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
座標データ構造におけるデータの格納およびアクセス方法であって、
品質指標値の降順に配列されたノードの集合を含む平衡二分木データ構造を生成する工程と、
前記ノードの集合の部分集合であって、該ノードの部分集合に関連する探索労力指標値の昇順に配列されたノードの集合の部分集合を含むバイナリヒープデータ構造を生成する工程と、
品質指標値の最小閾値を設定する工程と、
前記品質指標値の最小閾値以上の品質指標値を有するノードを前記ノードの集合内で識別する工程と、
前記識別されたノードを前記バイナリヒープデータ構造内の前記ノードの集合の部分集合に含める工程と、
前記品質指標値の最小閾値以上の品質指標値を有し、かつ関連する探索労力指標値が最も低いノードを識別する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記ノードの部分集合が、前記ノードの集合のすべてのノードを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、さらに、
前記バイナリヒープデータ構造内の前記ノードの部分集合から１ノードを選択する工程と、
選択されたノードをバイナリヒープデータ構造および平衡二分木データ構造から削除する工程と、
該選択されたノードに関連する解の評価のために、選択されたノードを探索キューに配置する工程と、
をさらに含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の少なくとも１つのエッジを研削または研磨するための装置であって、
アライメントされた位置にあるときに前記少なくとも１つのエッジから所定量の材料を除去するように構成された研削ユニット、
前記研削ユニットに連結され、ゼロ摩擦負荷界面を与える加圧空気の薄い膜上で所定の軸に沿って滑動するように構成されている空気軸受滑動システム、および、
前記空気軸受滑動システムに連結され、前記研削ユニットをアライメントされていない位置からアライメントされた位置へと動かすように前記空気軸受滑動システムの動きを制御するよう構成されているリニア駆動モータ、
を備え、前記研削ユニットが前記少なくとも１つのエッジに垂直な所定の力を加え、該所定の力が、前記所定量に正比例し、かつガラス基板を破損させることとなる垂直力よりも小さいことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記空気軸受滑動システムが、
加圧空気の連続流を供給するように構成された加圧空気ユニット、
前記加圧空気ユニットに連結され、実質的に均一な圧力を呈する前記加圧空気の薄い膜を生成するように構成された多孔質媒体を含むレール部材、
前記レール部材上に配置され、前記研削ユニットを支持するように構成された滑動部材、をさらに備え、前記薄い膜が、前記滑動部材および前記レール部材を研削動作中に分離させることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記滑動部材に接続された支持ブラケットをさらに備え、該支持ブラケットが前記研削ユニットを支持するように構成されていることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記研削ユニットが、
前記空気軸受滑動システムに連結され、該空気軸受滑動システムの軸受け区域上に配置された支持ブラケット、
前記支持ブラケットに接続され、かつ該支持ブラケットに支持され、前記少なくとも１つのエッジを研削または研磨するように構成されている研削器具、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の装置。
【請求項５】
前記研削器具が、
前記支持ブラケットに支持的に接続されたスピンドルモータ、および、
前記スピンドルモータに作動的に連結され、所望の早さで動作するように前記スピンドルモータによって駆動される研削砥石、
をさらに備えたことを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記所定の力が実質的に１Ｎから６Ｎの範囲内であり、かつ前記所定量が実質的に２５マイクロメートルから１５０マイクロメートルの範囲内であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の装置。
【請求項７】
前記リニア駆動モータが、研削砥石の磨耗によって前記所定の垂直力を変化させるようにプログラミングされていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の装置。
【請求項８】
ガラス基板の少なくとも１つのエッジを研削または研磨する方法であって、
ゼロ摩擦負荷界面を与える加圧空気の薄い膜上で所定の軸に沿って滑動するように構成された空気軸受滑動システムを提供する工程、
アライメントされた位置にあるときに前記少なくとも１つのエッジから所定量の材料を除去するように構成された研削ユニットを、前記空気軸受滑動システムに連結する工程、
前記研削ユニットをアライメントされていない位置からアライメントされた位置へと動かすように前記空気軸受滑動システムの動きを制御する工程、
前記少なくとも１つのエッジに垂直な所定の力を加える工程であって、該所定の力が前記所定量に正比例し、かつガラス基板を破損させることとなる垂直力よりも小さいものである工程、および、
前記少なくとも１つのエッジから前記所定量の材料を除去するために、前記ガラス基板を前記研削ユニットに対して接線方向に動かすか、または逆に前記ガラスに対して前記研削ユニットを動かす工程、
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記所定の力が実質的に１Ｎから６Ｎの範囲内であり、かつ前記所定量が実質的に２５マイクロメートルから１５０マイクロメートルの範囲内であることを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ここで、像担持体上のトナー像を中間転写体に一次転写し、次いで中間転写体上のトナー像を紙等の記録媒体へ二次転写する方法、いわゆる中間転写方式を採用した画像形成装置に用いられる中間転写ベルトとしては、例えばポリイミド系樹脂にカーボンブラック等の導電剤を分散させたポリイミド系樹脂成形体を用いることが提案されている。
【特許文献１】特開２００１−３５４７８２号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、円筒状または棒状基材外表面上に純粋のポリアミック酸溶液ではなく、溶剤可溶性ポリイミド共重合体溶液を塗布して用いることにより、ベルト化焼成温度を低下せしめることを可能とすると共に、膜厚が均一で表面発泡のみられないチューブ状ポリイミドベルトの製造法を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明方法によれば、円筒状または棒状基材外表面上に従来用いられていた純粋のポリアミック酸溶液ではなく、溶剤可溶性ポリイミド共重合体溶液を塗布して用いることにより、加熱乾燥およびベルト化焼成工程温度を250℃以下に迄低下せしめることを可能としており、ただしこの工程は150〜250℃での定速昇温工程を含み、かつ定速昇温の所定時間を30〜300分間と設定することにより、膨れなどを生じない、すなわちベルト膜品質のバラツキや体積収縮のないチューブ状ポリイミドベルトの製造を可能とする。形成されたチューブ状ポリイミドベルトの表面には、膨れが観察されず、膜厚が均一で表面発泡のみられないものが容易に得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
導電性微粒子としては、金属微粒子、カーボンブラック、または酸化錫、酸化亜鉛、チタン酸カリウム等の酸化金属系微粒子、短繊維、ガラス等の非導電性微粒子の表面を金属または酸化金属でコートしたものなどが用いられ、分散の容易性の点からは、非金属系微粒子であるカーボンブラックが好んで用いられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
カーボンブラックは、粒子径、DBP吸収量、揮発分、比表面積、pHなどの特性項目が種々異なった種類が存在し、それらの違いによるストラクチャーの形成状況や挙動が異なり、結果として導電性のレベル、分散性、樹脂との相溶性などが決まってくる。一般には、ファネスブラック、チャンネルブラック、サーマルブラックと大別されるカーボンブラックの内、ファネスブラックが好んで用いられ、その粒径は約1〜100nm程度であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
比較例２
実施例２で得られたカーボンブラック非含有ポリイミドベルトについて、実施例５と同様にして表面抵抗値を測定すると、その値は1014Ω/cm2以上であった。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
実施例１に係るレーザ溶接装置１０は、上記のような優れた作用効果を奏するものであるが、封口冶具のスリット状の吹き出し口１２１が長くなっているので、この吹き出し口から噴射されるシールドガスの流速が、噴射する箇所によってバラつき、電池の長辺側部での流速が極端に低くなることがある。例えば、平均流速を５ｍ／ｓとすると、最少値は０．３ｍ／ｓ、最大値は６．８ｍ／ｓになり、不均一な流速分布となることがある。流速分布が不均一になると、溶接箇所の状態に影響を及ぼし、例えば溶接ムラ或いは溶接ビードに皺が発生する割合が高くなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
図８Ａに示したように、実施例１にかかるレーザ溶接装置１０においては、溶接箇所に遠い位置（図８Ａにおける左側）のスリット状の吹き出し口１２１１から噴射ノズル１２Ｎ１を経て吹き出される不活性ガスの吹き出し流量と、溶接箇所に近い位置（図８Ａにおける右側）のスリット状の吹き出し口１２１２から噴射ノズル１２Ｎ２を経て吹き出される不活性ガスの吹き出し流量とは同一とされている。この場合、噴射ノズル１２Ｎ１及び１２Ｎ２から吹き出された不活性ガスは共に上方に向かって流れる。一方、レーザ溶接箇所からは溶接により飛散物２５が発生するが、この飛散物２５は溶接箇所に近い位置の噴射ノズル１２Ｎ２から吹き出された不活性ガス中を浮遊して上方に流れていく。そうすると、この飛散物２５はレーザビームＬＢに沿って流れていくので、レーザビームＬＢは大きく飛散物２５によって遮られることがある。そのため、溶接箇所に照射されるレーザビームＬＢが弱くなり、溶接不良が発生することがある。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダクテッドファン無人航空機用の騒音を抑える支柱支持システムであって、
開口を画成するダクテッドファン胴体と、
前記胴体の前記開口を通って長手方向に延び、エンジン、前記エンジンに回転可能に取り付けられる駆動機構、および前記駆動機構上に取り付けられるファンを備える中心体と、
前記ダクテッドファン胴体と前記中心体の間に延び、曲線状接合部によって互いに接合される第１の脚部および第２の脚部をそれぞれが有し、前記第１の脚部が前記ダクテッドファン胴体に取り付けられ、前記第２の脚部が前記エンジンに取り付けられる、複数の支柱であって、前記ファンの上流に配置され、前記複数の支柱のそれぞれの前記第１の脚部と前記ダクテッドファン胴体との間の接合部が前記ダクテッドファン胴体の前縁のハイライトの外側にある、複数の支柱と
を備える、支柱支持システム。
【請求項２】
前記複数の支柱のそれぞれの前記第１の脚部の長さに沿う後縁が、前記第１の脚部が前記曲線状接合部と出合うポイントまで、前記ダクテッドファン胴体の前縁のハイライトの周囲の外側にある、請求項１に記載の支柱支持システム。
【請求項３】
前記第１の脚部および前記第２の脚部が、実質的に、互いに垂直である、請求項１に記載の支柱支持システム。