Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザデータの伝送処理を行うユーザデータ通信部と、
シグナリング制御用の制御データの伝送処理を行う制御データ通信部と、
複数の無線通信システムから、前記ユーザデータ通信部によって前記ユーザデータを伝送する無線通信システムと前記制御データ通信部によって前記制御データを伝送する無線通信システムとを独立して決定する通信システム決定部とを備えたことを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記通信システム決定部は、前記制御データを伝送する無線通信システムを、規定の無線通信システムに固定的に決定することを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記通信システム決定部は、前記制御データによって確立された制御チャンネルを介して選択情報を取得し、前記選択情報に基づいて前記ユーザデータを伝送する無線通信システムを決定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項４】
前記選択情報は、前記ユーザデータを伝送する無線通信システムの識別情報、当該無線通信システムの無線基地局装置の識別情報、当該無線通信システムを切り替えるまでの切替時間、当該無線通信システムの使用可能時間、当該無線通信システムのパラメタの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項３に記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記通信システム決定部は、前記複数の無線通信システムとの間のリンクの状態に基づいて、前記ユーザデータを伝送する無線通信システムを決定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記通信システム決定部は、自律的に前記複数の無線通信システムとの間のリンクの状態を取得して、前記ユーザデータを伝送する無線通信システムを決定することを特徴とする請求項５に記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記リンクの状態は、下りリンクのチャネル品質情報、下りリンクのユーザ体感品質情報、下りリンクのＱｏＳ情報の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の無線通信装置。
【請求項８】
前記リンクの状態は、上りリンクのチャネル品質情報、上りリンクのユーザ体感品質情報、上りリンクのＱｏＳ情報の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項５から請求項７のいずれかに記載の無線通信装置。
【請求項９】
前記通信システム決定部は、前記ユーザデータを伝送する無線通信システムのトラフィックの状態に基づいて、前記ユーザデータを伝送する無線通信システムを決定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項１０】
前記通信システム決定部は、自律的に前記ユーザデータを伝送する無線通信システムのトラフィックの状態を取得して、前記ユーザデータを伝送する無線通信システムを決定することを特徴とする請求項９に記載の無線通信装置。
【請求項１１】
複数の無線通信システムから、ユーザデータを伝送する無線通信システムとシグナリング制御用の制御データを伝送する無線通信システムとを独立して決定するステップと、
ユーザデータの伝送用に決定された無線通信システムに対してユーザデータを伝送すると共に、制御データの伝送用に決定された無線通信システムに対して制御データを伝送するステップとを有することを特徴とする無線通信方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の無線通信装置を備えた無線通信システムであって、
前記ユーザデータを伝送する周波数帯域と前記制御データを伝送する周波数帯域とが異なることを特徴とする無線通信システム。
【請求項１３】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の無線通信装置を備えた無線通信システムであって、
前記ユーザデータを伝送する無線通信システムの通信方式と前記制御データを伝送する無線通信システムの通信方式とが異なることを特徴とする無線通信システム。
【請求項１４】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の無線通信装置を備えた無線通信システムであって、
前記制御データを伝送する無線通信システムは十分な広さのカバレッジを有することを特徴とする無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月7日(2012.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のオブジェクトを含む描画コマンドを受信し前記オブジェクトの描画位置についての位置情報を取得する描画コマンド解析手段と、
画像形成に用いられる色の色ずれ量と、前記オブジェクトの位置情報と、に基づいて前記オブジェクトに関する色ずれ補正量を演算する色ずれ補正量演算手段と、
前記演算された色ずれ補正量を用いて前記オブジェクトの描画位置を補正する描画位置補正手段と、
前記補正された描画位置に前記オブジェクトを展開する展開手段と
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記描画コマンド解析手段は、オブジェクトの描画開始位置およびオブジェクトの描画終了位置を含むオブジェクトの位置情報を取得し、
前記色ずれ補正量演算手段は、前記位置情報として前記オブジェクトの描画開始位置と描画終了位置の少なくとも１つを用いてオブジェクト単位の色ずれ補正量を演算し、かつ前記位置情報として前記オブジェクトの描画開始位置と描画終了位置の両方を用いてオブジェクト内の色ずれ補正量を演算し、
前記オブジェクト内の色ずれ補正量に基づいて該オブジェクトを再構成するオブジェクト再構成手段をさらに有し、
前記展開手段は、前記再構成したオブジェクトを前記補正された描画位置に展開することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記描画コマンド解析手段は、前記描画コマンドの解析処理によって前記オブジェクトの属性を取得し、
前記取得したオブジェクトの属性に基づいて、前記オブジェクト再構成手段においてオブジェクトの再構成を行なうか否かを判定する判定手段をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記判定手段は、前記オブジェクトの属性がイメージである場合、前記オブジェクトの再構成を行うと判定することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記判定手段は、オブジェクトの属性がサイズの小さな文字である場合、前記オブジェクトの再構成を行わないと判定することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記判定手段は、前記演算されたオブジェクト内の色ずれ補正量が所定の閾値より小さい場合、前記オブジェクトの再構成を行わないと判定することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記展開手段によって前記再構成したオブジェクトを展開した後に、前記再構成したオブジェクト内の平滑化処理を行う平滑化手段をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項８】
画像形成装置と通信可能な画像処理装置であって、
複数のオブジェクトを含む描画コマンドを生成し前記オブジェクトの描画位置についての位置情報を取得する手段と、
前記画像形成装置における画像形成に用いられる色の色ずれ量と、前記オブジェクトの位置情報と、に基づいて前記オブジェクトに関する色ずれ補正量を演算する手段と、
前記演算された色ずれ補正量を用いて前記オブジェクトの描画位置を補正する手段と、前記補正された描画位置に前記オブジェクトを展開する手段と、
前記展開する手段によって展開されて生成されたビットマップ画像データを前記画像形成装置に出力する手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
複数のオブジェクトを含む描画コマンドを受信し前記オブジェクトの描画位置についての位置情報を取得する描画コマンド解析ステップと、
画像形成に用いられる色の色ずれ量と、前記オブジェクトの位置情報と、に基づいて前記オブジェクトに関する色ずれ補正量を演算する色ずれ補正量演算ステップと、
前記演算された色ずれ補正量を用いて前記オブジェクトの描画位置を補正する描画位置補正ステップと、
前記補正された描画位置に前記オブジェクトを展開する展開ステップと
を備えることを特徴とする画像形成方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像形成方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
画像形成装置と通信可能な画像処理装置の制御方法であって、
複数のオブジェクトを含む描画コマンドを生成し前記オブジェクトの描画位置についての位置情報を取得するステップと、
前記画像形成装置における画像形成に用いられる色の色ずれ量と、前記オブジェクトの位置情報と、に基づいて前記オブジェクトに関する色ずれ補正量を演算するステップと、
前記演算された色ずれ補正量を用いて前記オブジェクトの描画位置を補正するステップと、
前記補正された描画位置に前記オブジェクトを展開するステップと、
前記展開するステップによって展開されて生成されたビットマップ画像データを前記画像形成装置に出力するステップと
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の画像処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信信号から情報を復調する受信装置において、
ＯＦＤＭシンボル区間内の複数時刻のチャネルインパルス応答を推定する伝搬路推定部と、
復調した情報の変調シンボルであるシンボルレプリカを生成するシンボルレプリカ生成部と、
前記チャネルインパルス応答と前記シンボルレプリカとに基づいて、キャリア間干渉を除去した受信信号の各サブキャリア成分を周波数領域で抽出する信号抽出部と、
前記信号抽出部が抽出した各サブキャリア成分の信号を復調する復調部と、
を備えることを特徴とする受信装置。
【請求項２】
前記伝搬路推定部は、
前記複数時刻のチャネルインパルス応答に基づいて周波数応答を推定し、
前記信号抽出部は、
前記複数時刻のチャネルインパルス応答と前記シンボルレプリカとに基づいて、時間領域の受信信号レプリカである受信信号レプリカを生成するフィルタ部と、
前記受信信号から前記受信信号レプリカを減算する減算部と、
前記減算部が減算した信号を周波数領域の信号に変換する時間周波数変換部と、
前記周波数応答と前記シンボルレプリカとに基づいて所望信号のレプリカ信号を生成し、前記時間周波数変換部が変換した周波数領域の信号に対して、前記所望信号のレプリカ信号を加算し、受信信号の各サブキャリア成分を抽出する復元部と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記伝搬路推定部は、
前記複数時刻のチャネルインパルス応答を時間平均し、該時間平均した結果に対して時間周波数変換を行うことで前記周波数応答を推定すること、
を特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記伝搬路推定部は、
前記チャネルインパルス応答のうち、ＯＦＤＭシンボル区間内の１つの時刻のチャネルインパルス応答に対して時間周波数変換を行うことで前記周波数応答を推定すること
を特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【請求項５】
前記１つの時刻のチャネルインパルス応答は、ＯＦＤＭシンボル区間の中央のものであること
を特徴とする請求項４に記載の受信装置。
【請求項６】
前記復元部は、前記時間周波数変換部が変換した周波数領域の信号のサブキャリア成分を抽出し、抽出したサブキャリア成分の信号に対して、前記所望信号のレプリカ信号のサブキャリア成分であって当該サブキャリア成分に近接するサブキャリア成分を加算すること
を特徴とする請求項３から請求項５のいずれか一項に記載の受信装置。
【請求項７】
複数のアンテナを備え、送信装置とＭＩＭＯ伝送方式の通信を行うこと
を特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の受信装置。
【請求項８】
前記復調部は、伝搬路推定値に基づいてＭＩＭＯ分離を行うこと
を特徴とする請求項７に記載の受信装置。
【請求項９】
前記受信装置は、
送信装置が備える複数のアンテナ各々から送信された信号系列であるストリームの信号を、前記受信信号として受信し、
前記信号抽出部は、
前記伝搬路推定値と前記シンボルレプリカとに基づいて、時間領域での受信信号のレプリカである受信信号レプリカを生成するフィルタ部と、
前記受信信号から前記受信信号レプリカを減算する減算部と、
前記減算部が減算した信号を周波数領域の信号に変換する時間周波数変換部と、
前記伝搬路推定値と前記シンボルレプリカとに基づいて所望信号のレプリカ信号を生成し、前記時間周波数変換部が変換した周波数領域の信号に対して前記所望信号のレプリカ信号を加算し、受信信号の各サブキャリア成分を抽出する復元部と、
を備え、
前記復元部は、前記時間周波数変換部が変換した周波数領域の信号のサブキャリア成分を抽出し、抽出したサブキャリア成分の信号に対して、前記所望信号のレプリカ信号の当該サブキャリア成分のうち所望のストリーム成分を加算すること
を特徴とする請求項８に記載の受信装置。
【請求項１０】
前記受信装置は、
送信装置が備える複数のアンテナ各々から送信された信号系列であるストリームの信号を、前記受信信号として受信し、
前記信号抽出部は、
前記伝搬路推定値と前記シンボルレプリカとに基づいて、時間領域での受信信号のレプリカである受信信号レプリカを生成するフィルタ部と、
前記受信信号から前記受信信号レプリカを減算する減算部と、
前記減算部が減算した信号を周波数領域の信号に変換する時間周波数変換部と、
前記伝搬路推定値と前記シンボルレプリカとに基づいて所望信号のレプリカ信号を生成し、前記時間周波数変換部が変換した周波数領域の信号に対して前記所望信号のレプリカ信号を加算し、受信信号の各サブキャリア成分を抽出する復元部と、
を備え、
前記復元部は、前記時間周波数変換部が変換した周波数領域の信号のサブキャリア成分を抽出し、抽出したサブキャリア成分の信号に対して、前記所望信号のレプリカ信号の当該サブキャリア成分のうち全てのストリーム成分を加算すること
を特徴とする請求項８に記載の受信装置。
【請求項１１】
前記復調部は、
最小平均２乗誤差基準で信号を復調すること
を特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の受信装置。
【請求項１２】
受信信号から情報を復調する受信方法において、
ＯＦＤＭシンボル区間内の複数時刻のチャネルインパルス応答を推定する伝搬路推定過程と、
復調した情報の変調シンボルであるシンボルレプリカを生成するシンボルレプリカ生成過程と、
前記チャネルインパルス応答と前記シンボルレプリカとに基づいて、キャリア間干渉を除去した受信信号の各サブキャリア成分を周波数領域で抽出する信号抽出過程と、
前記信号抽出過程において抽出した各サブキャリア成分の信号を復調する復調過程と、
を有すること
を特徴とする受信方法。
【請求項１３】
受信信号から情報を復調する受信装置のコンピュータを、
ＯＦＤＭシンボル区間内の複数時刻のチャネルインパルス応答を推定する伝搬路推定手段、
復調した情報の変調シンボルであるシンボルレプリカを生成するシンボルレプリカ生成手段、
前記チャネルインパルス応答と前記シンボルレプリカとに基づいて、キャリア間干渉を除去した受信信号の各サブキャリア成分を周波数領域で抽出する信号抽出手段、
前記信号抽出手段にて抽出した各サブキャリア成分の信号を復調する復調手段、
として機能させる受信プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る撮像装置は、画像を撮影して、撮影した画像を表す画像データを生成する撮像手段と、前記撮像手段に、画像を連続して撮影する連続撮影処理を実行させる撮影制御手段と、前記連続撮影処理の停止を指示する停止手段と、前記撮像手段が前記連続撮影処理を実行している最中であって、前記停止手段により前記連続撮影処理の停止が指示されるまでの段階で、前記連続撮影処理を開始してから停止するまでの間における任意の部分をユーザに選択させる選択手段と、前記撮像制御手段の制御により前記連続撮影処理を開始してから停止するまでの間に撮影されている画像の中で、前記選択手段により任意に選択された一部分の画像を記憶手段に記憶させる記憶制御手段と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る撮像装置のプログラムは、コンピュータに、撮像手段に、画像を連続して撮影する連続撮影処理を実行させる撮影制御手順、前記連続撮影処理の停止を指示する停止手順、前記撮像手段が前記連続撮影処理を実行している最中であって、前記停止手順より前記連続撮影処理の停止が指示されるたえの段階で、前記連続撮影処理を開始してから停止するまでの間における任意の部分をユーザに選択させる選択手手順、前記撮像制御手順の制御により前記連続撮影処理を開始してから停止するまでの間に撮影されている画像の中で、前記選択手順により任意に選択された一部分の画像を記憶手段に記憶させる記憶制御手順、を実行させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を撮影して、撮影した画像を表す画像データを生成する撮像手段と、
前記撮像手段に、画像を連続して撮影する連続撮影処理を実行させる撮影制御手段と、
前記連続撮影処理の停止を指示する停止手段と、
前記撮像手段が前記連続撮影処理を実行している最中であって、前記停止手段により前記連続撮影処理の停止が指示されるまでの段階で、前記連続撮影処理を開始してから停止するまでの間における任意の部分をユーザに選択させる選択手段と、
前記撮像制御手段の制御により前記連続撮影処理を開始してから停止するまでの間に撮影されている画像の中で、前記選択手段により任意に選択された一部分の画像を記憶手段に記憶させる記憶制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記停止手段は、前記選択手段による選択が行われるまでの間は、前記連続撮影処理の停止を行わずに前記連続撮影処理の実行を継続させる
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮影制御手段は、前記撮像手段により連続して撮像される画像を一時記憶手段に記憶させていく連続撮影を実行させ、
前記記憶制御手段は、前記一時記憶手段に記憶されている画像の中から、前記選択手段により任意に選択された一部分の画像を前記記憶手段に記憶させる
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記選択手段は、前記選択を行う時点に対する過去から未来までの間の任意の区間をユーザに選択させる
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記停止手段は、前記選択手段により選択された区間の情報に応じて前記連続撮影処理の停止を指示することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記停止手段は、前記選択手段により過去の区間が選択された場合には、直ちに前記連続撮影処理の停止を指示する
ことを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記停止手段は、前記選択手段により未来を含む区間が選択された場合には、この選択された未来部分の撮影が完了するまでの間は、前記連続撮影処理の停止を指示せずに前記連続撮影処理の実行を継続させる
ことを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像手段が前記連続撮影処理を実行している最中において、前記撮像手段が当該連続撮影処理により撮影した連続撮影画像の数又は時間を表示画面に表示させる表示制御手段を、さらに備える
ことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項９】
前記選択手段は、前記表示制御手段により表示される連続撮影画像の数又は時間に基づき、ユーザに１又は複数の選択範囲を提示する
ことを特徴とする請求項８記載の撮像装置。
【請求項１０】
コンピュータに、
撮像手段に、画像を連続して撮影する連続撮影処理を実行させる撮影制御手順、
前記連続撮影処理の停止を指示する停止手順、
前記撮像手段が前記連続撮影処理を実行している最中であって、前記停止手順より前記連続撮影処理の停止が指示されるたえの段階で、前記連続撮影処理を開始してから停止するまでの間における任意の部分をユーザに選択させる選択手手順、
前記撮像制御手順の制御により前記連続撮影処理を開始してから停止するまでの間に撮影されている画像の中で、前記選択手順により任意に選択された一部分の画像を記憶手段に記憶させる記憶制御手順、
を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月14日(2012.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定周期で撮像処理を行ってフレーム若しくはフィールド毎の撮像データを作成し、前記撮像データをパケット化して送信データを作成し、前記送信データを送信する送信処理を行う撮像装置から前記送信データを受信する受信部と、
前記送信データから表示用の表示信号を作成する表示処理を行う表示処理部と、
前記送信データから特定パケットを抽出し、前記表示信号の表示に関係して周期的に発生する所定の基準タイミングと前記特定パケットの受信タイミングとの差を複数回計測し、前記計測結果に基づいて前記撮像処理の実施タイミングを推定した推定撮像タイミング信号を作成する計測部と、
前記推定撮像タイミング信号を用いて前記撮像処理と前記表示処理が所定の位相となるように同期させる位相調整処理を行う処理部と、
を有する受信装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記撮像データの送信可能期間の後に当該撮像データの表示が開始されるように前記位相調整処理を行う請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記特定パケットには、識別符号が付加されており、
前記計測部は、前記特定パケットの受信タイミングとして前記識別符号の検出タイミングを計測する請求項１に記載の受信装置。
【請求項４】
前記特定パケットはフレーム若しくはフィールド毎の先頭のパケットである請求項１に記載の受信装置。
【請求項５】
前記位相調整処理には、前記表示信号の位相を瞬間的に変化させる第１の処理と、前記表示信号の作成に使用する表示クロックの周波数を調整して前記表示信号の位相を連続的に変化させる第２の処理とが含まれ、
前記処理部は、前記第１の処理を行った後にのみ前記第２の処理を行う請求項１に記載の受信装置。
【請求項６】
前記位相調整処理には、前記表示信号の作成に使用する表示クロックの周波数を、予め定められた上限及び下限の周波数に対応した調整値を含む所定値に設定する第１の処理と、前記表示クロックの周波数を、前記表示信号の位相値と所定の位相値との差が小さくなるような調整値に設定する第２の処理とが含まれ、
前記処理部は、前記第１の処理を行った後にのみ前記第２の処理を行う請求項１に記載の受信装置。
【請求項７】
前記位相調整処理は、前記表示信号の位相を瞬間的に変化させる処理であって、
前記処理部は、前記撮像データの非表示期間であるブランキング期間内に前記位相調整処理を行う請求項１に記載の受信装置。
【請求項８】
前記計測に係るアルゴリズムを複数記憶する記憶部を更に有し、
前記計測部は、前記計測の結果に応じて、前記記憶部に記憶されている複数のアルゴリズムから所定のアルゴリズムを選択し、当該アルゴリズムにより前記推定撮像タイミング信号を作成する請求項１に記載の受信装置。
【請求項９】
前記計測部は、前記複数回計測してヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムに基づいて前記推定撮像タイミング信号を作成する請求項１に記載の受信装置。
【請求項１０】
前記計測部は、前記ヒストグラムの各分割区間のうち、前記複数回計測した結果、所定の閾値以上となる分割区間の前記ヒストグラムに基づいて前記推定撮像タイミング信号を作成する請求項９に記載の受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、所定周期で撮像処理を行ってフレーム若しくはフィールド毎の撮像データを作成し、前記撮像データをパケット化して送信データを作成し、前記送信データを送信する送信処理を行う撮像装置から前記送信データを受信する受信部と、前記送信データから表示用の表示信号を作成する表示処理を行う表示処理部と、前記送信データから特定パケットを抽出し、前記表示信号の表示に関係して周期的に発生する所定の基準タイミングと前記特定パケットの受信タイミングとの差を複数回計測し、前記計測結果に基づいて前記撮像処理の実施タイミングを推定した推定撮像タイミング信号を作成する計測部と、前記推定撮像タイミング信号を用いて前記撮像処理と前記表示処理が所定の位相となるように同期させる位相調整処理を行う処理部と、を有する受信装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の受信装置は、前記計測に係るアルゴリズムを複数記憶する記憶部を更に有し、前記計測部は、前記計測の結果に応じて、前記記憶部に記憶されている複数のアルゴリズムから所定のアルゴリズムを選択し、当該アルゴリズムにより前記推定撮像タイミング信号を作成する。
また、本発明の受信装置において、前記計測部は、前記複数回計測してヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムに基づいて前記推定撮像タイミング信号を作成する。
また、本発明の受信装置において、前記計測部は、前記ヒストグラムの各分割区間のうち、前記複数回計測した結果、所定の閾値以上となる分割区間の前記ヒストグラムに基づいて前記推定撮像タイミング信号を作成する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写界を捉える撮像面を有する撮像手段、
初期化操作に応答して基準方向を検出する第１検出手段、
前記第１検出手段の検出結果を参照して前記撮像面の方向を調整する第１調整手段、
前記初期化操作の後の変更操作に応答して前記撮像面の方向を変更する変更手段、
前記変更手段の変更処理に関わらず前記撮像面の方向が変更されたとき前記基準方向を検出する第２検出手段、および
前記第２検出手段の検出結果を参照して前記撮像面の方向を調整する第２調整手段を備える、監視カメラ。
【請求項２】
前記撮像面の方向に応じて異なる出力を発生する発生手段をさらに備え、
前記第１検出手段および前記第２検出手段の各々は、前記撮像面の方向を変更する方向変更手段、前記方向変更手段の変更処理と並列して前記発生手段の出力を取り込む取り込み手段、および前記取り込み手段によって取り込まれた出力に基づいて前記基準方向を特定する方向特定手段を含む、請求項１記載の監視カメラ。
【請求項３】
前記第１検出手段は前記方向変更手段の変更量を第１量に設定する第１量設定手段をさらに含み、
前記第２検出手段は前記方向変更手段の変更量を前記第１量よりも大きい第２量に設定する第２量設定手段をさらに含む、請求項２記載の監視カメラ。
【請求項４】
前記発生手段は、互いに対向する位置に設けられた発光部および受光部を有するセンサ、および前記撮像面の方向に応じて前記発光部から前記受光部に向かう光を遮断する遮光部材を含む、請求項２または３記載の監視カメラ。
【請求項５】
前記第２検出手段は、前記撮像面の方向が変更されたか否かを前記変更手段の変更処理が中断されている期間に繰り返し判別する判別手段、および前記判別手段の判別結果が否定的な結果から肯定的な結果に更新されたとき前記基準方向の検出処理を実行する検出処理手段を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の監視カメラ。
【請求項６】
前記変更手段の変更処理に関連して前記撮像面の方向を登録する登録手段をさらに備え、
前記第２調整手段は前記撮像面の方向を前記登録手段によって登録された方向に調整する、請求項１ないし５のいずれかに記載の監視カメラ。
【請求項７】
被写界を捉える撮像面を有する撮像手段を備える監視カメラのプロセッサに、
初期化操作に応答して基準方向を検出する第１検出ステップ、
前記第１検出ステップの検出結果を参照して前記撮像面の方向を調整する第１調整ステップ、
前記初期化操作の後の変更操作に応答して前記撮像面の方向を変更する変更ステップ、
前記変更ステップの変更処理に関わらず前記撮像面の方向が変更されたとき前記基準方向を検出する第２検出ステップ、および
前記第２検出ステップの検出結果を参照して前記撮像面の方向を調整する第２調整ステップを実行させるための、監視制御プログラム。
【請求項８】
被写界を捉える撮像面を有する撮像手段を備える監視カメラによって実行される監視制御方法であって、
初期化操作に応答して基準方向を検出する第１検出ステップ、
前記第１検出ステップの検出結果を参照して前記撮像面の方向を調整する第１調整ステップ、
前記初期化操作の後の変更操作に応答して前記撮像面の方向を変更する変更ステップ、
前記変更ステップの変更処理に関わらず前記撮像面の方向が変更されたとき前記基準方向を検出する第２検出ステップ、および
前記第２検出ステップの検出結果を参照して前記撮像面の方向を調整する第２調整ステップを備える、監視制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光デバイスをパッケージ化する方法であって、
前面の上に前記半導体発光デバイスを有する基板を設けるステップと、
前記前面の上の前記半導体発光デバイスの近傍で、前記半導体発光デバイスを覆わずに、第１の材料から前記第１の光学要素を形成するステップと、
前記半導体発光デバイス及び前記第１の光学要素を覆って、前記第１の材料と異なる第２の材料から第２の光学要素を形成するステップと、を含み、
前記第２の光学要素は、前記第１の光学要素であって前記基板の前記表面にコンタクトしていない部分の全外部表面と直接コンタクトしていること、
を特徴とする半導体発光デバイスをパッケージ化する方法。
【請求項２】
前記第１の光学要素の形成及び前記第２の光学要素の形成は、それぞれの光学要素を圧縮成形することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は、前記前面の上に複数の半導体発光デバイスを備え、
前記第１の光学要素を圧縮成形するステップ及び前記第２の光学要素を圧縮成形するステップは、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆って、前記前面の上に、複数の第１の光学要素を圧縮成形するステップ及び複数の第２の光学要素を圧縮成形するステップを含み、
前記第１の成形キャビティ及び前記第２の成形キャビティは、前記複数の半導体発光デバイスの対応するそれぞれの近傍に配置された、レンズ形状の複数のキャビティをそれぞれ備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の材料は、前記第１の材料と異なる屈折率を有し、
前記第１の光学要素は、キャビティを画定するように成形され、
前記半導体発光デバイスは、前記キャビティ内に配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の光学要素を形成するステップ及び／又は前記第２の光学要素を形成するステップは、それぞれの光学要素を圧縮成形するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
パッケージ化された半導体発光デバイスであって、
基板と、
前記基板の前面の上に備え付けられた半導体発光デバイスと、
前記基板の前記前面の上で、前記半導体発光デバイスの近傍、かつ前記半導体発光デバイスを覆わない位置に設けられた第１の光学要素と、
前記基板の前記前面の上で、前記半導体発光デバイス及び前記第１の光学要素を覆う第２の光学要素と、
を備え、
前記第２の光学要素は、前記第１の光学要素で、前記基板の前記表面にコンタクトしていない部分の全外部表面と直接コンタクトしていること、
を特徴とするパッケージ化された半導体発光デバイス。
【請求項７】
前記第１の光学要素及び前記第２の光学要素は、圧縮成形された光学要素であり、圧縮成形された光学要素はシリコーンレンズを備えることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記半導体発光デバイスは、複数の半導体発光デバイスを備え、
前記圧縮成形された光学要素は、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆う複数の圧縮成形された光学要素を備えることを特徴とする請求項７に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
【請求項９】
パッケージ化された半導体発光デバイスであって、
前記半導体発光デバイスは、前記基板の前記前面の上に反射キャビティなしに備え付けられ、前記第２の光学要素は、前記半導体発光デバイスを囲む前記基板の前記前面の領域に延在し、更に半導体発光デバイスを覆い、かつ前記第１の光学要素で前記基板の前記表面にコンタクトしていない部分の全外部表面を覆って、延在するよう成形されていること、
を特徴とする請求項６記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
【請求項１０】
前記第１の光学要素と前記第２の光学要素とは異なる屈折率を有し、
前記第１の光学要素は、キャビティを画定するように成形され、
前記半導体発光デバイスは、前記キャビティ内に配置されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属層と第２金属層を有する導電性付着構造体であって、第１金属層は第２金属層より厚い、導電性付着構造体と、
前記第１金属層上の導電性支持構造体と
前記第２金属層上の反射構造体であって、前記反射構造体が第１電極として働くように形成され、反射構造体は、前記導電性付着構造体の第２金属層を覆う反射金属層と、該反射金属層の直上にある金属コンタクトを有し、前記反射金属層は前記金属コンタクトより厚い、反射構造体と
前記反射構造上のＧａＮベースの半導体構造体と
前記ＧａＮベースの半導体構造体の表面上の第２電極とを備え、
前記反射構造体が、前記半導体構造体の表面で遡って前記半導体構造体から光を反射するように形成されている縦形発光ダイオード。
【請求項２】
前記ＧａＮベースの半導体構造体は、第１の種類のＧａＮベースの層と、該第１の種類のＧａＮベースの層上の能動層と、該能動層上の第２の種類のＧａＮベースの層を備える、請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
前記第２電極の上に金属コンタクトパッドを更に備える、請求項１に記載のダイオード。
【請求項４】
前記第２電極と金属コンタクトパッドの間に中間層を更に備える、請求項３に記載のダイオード。
【請求項５】
前記中間層が、第２電極と金属コンタクトパッドの間の付着を改善するように構成される、請求項４に記載のダイオード。
【請求項６】
前記中間層がＣｒ又はＡｕの少なくとも一つを含む、請求項５に記載のダイオード。
【請求項７】
前記金属コンタクトパッドがＰｄ、Ｐｔ、Ａｕ、もしくはＡｌの少なくとも一つを含む、請求項３に記載のダイオード。
【請求項８】
前記第１金属層がＡｕを含む、請求項１に記載のダイオード。
【請求項９】
前記第２電極がニッケルを含む、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１０】
前記反射構造体がチタン又はアルミニウムの少なくとも一つを含む、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１１】
前記反射構造体が、反射金属層の表面で、前記半導体構造体からの光を反射し、該反射金属層の表面は反射表面が支配的である、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１２】
前記第１金属層が前記導電支持構造体と接している、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１３】
前記第２金属層が前記反射構造体と接している、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１４】
前記第１金属層の厚さが１００ｎｍより小さい、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１５】
前記第２金属層がＣｒを含む、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１６】
前記第２金属層の厚さが３０ｎｍより小さい、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１７】
前記導電性支持構造体がＣｕ、Ａｌ又はＡｕを含む、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１８】
前記導電性支持構造体が金属支持層を含む、請求項１に記載のダイオード。
【請求項１９】
前記第２電極が透明コンタクトを含む、請求項１に記載のダイオード。
【請求項２０】
前記反射金属層の反射性が前記金属コンタクトの反射性より高い、請求項１に記載のダイオード。
【請求項２１】
前記ＧａＮベースの半導体構造体の厚さが５ミクロンより小さい、請求項１に記載のダイオード。
【請求項２２】
縦形発光ダイオードを製造する方法であって、
複数の半導体層を基板の上に形成するステップと、
前記半導体層中にトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが個々の半導体デバイスを画定するステップと、
前記基板を前記半導体層から除去するステップと、
前記半導体層上に反射構造体を形成するステップであって、前記反射構造体が前記半導体層から光を反射するように形成されているステップと、
前記反射構造体上に導電性支持構造体を備えつけるステップと、
前記導電性支持構造体に開口を形成するステップであって、前記開口部が個々の導電性支持構造体を画定するステップと、
前記半導体デバイスを前記支持構造体から分離するステップとを備える方法。
【請求項２３】
前記開口が実質的に前記トレンチに位置合わせされている、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記導電性支持構造体の前記開口形成が、前記導電性支持構造体のエッチングによって行われる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記半導体デバイスの分離が、前記トレンチに応力を加えることによって行われる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記半導体デバイスの分離が、前記トレンチと前記開口に沿った部分に応力を加えることによって行われる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記半導体層からの前記基板の除去が、前記トレンチの形成後に行われる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記トレンチの形成が、ドライエッチング法を用いて行われる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
さらに、前記反射構造体上に導電性付着構造体を形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
前記導電性付着構造体が、Ｃｕ又はＡｕの少なくとも一つを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記導電性付着構造体が、第１金属層と第２金属層を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１金属層が、前記導電性付着構造体と接している、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記第２金属層が、前記反射構造体と接している、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１金属層が前記第２金属層より厚い、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
前記導電性支持構造体の備えつけが、前記反射構造体上の支持層の形成を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３６】
前記導電性支持構造体が、Ｃｕ、Ａｌ又はＡｕを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３７】
前記導電性支持構造体の厚さが１００ミクロンより小さい、請求項２２に記載の方法。
【請求項３８】
前記反射構造体がチタン又はアルミニウムの少なくとも一つを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３９】
前記反射構造体が電極としても働く、請求項２２に記載の方法。
【請求項４０】
前記反射構造体が、前記半導体層上の第１の層と、前記第１の層の上の第２の層を備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項４１】
前記反射構造体が、さらに、前記半導体層で遡って光を反射するように形成されている請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配電系統の保護制御を行うシステムであって、
各々が保護制御を行うように配電系統内の一点に動作上接続されている複数の保護継電器を有し、
各保護継電器は、各自のディジタル・プロセッサ及び複数のサイクルの電力系統データを格納するためのメモリを備えており、
前記保護継電器の前記各ディジタル・プロセッサは、前記複数の保護継電器の間でデータ・メッセージを交換するように接続されているピア・ツー・ピア通信回路網を介して通信を開始するためのプロトコルを有し、
前記システムは、
前記複数の保護継電器を同期させるように前記複数の保護継電器の各々と前記ピア・ツー・ピア通信回路網とに動作上接続されている時間標準をさらに有し、
前記複数の保護継電器の各々は、前記複数の保護継電器の１つ又はそれより多い保護継電器による障害の検出に応答して複数のサイクルの電力系統データを同期して記録し且つ格納し、
前記保護継電器の各々は、前記電力系統データの所定の数のサイクルを所定の期間記録し、該電力系統データは後に修正された電力系統データに置き換えられるよう構成されている
ことを特徴とする、システム。
【請求項２】
前記複数の保護継電器の各々は、同じ数のサイクルの電力系統データを格納する請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記複数の保護継電器のうちの検出を行った保護継電器が、障害の発生を他の保護継電器に知らせるためにピア・ツー・ピア通信回路網を介してメッセージを送信する請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記メッセージが障害に関連した時間を表す時間タグを含んでいる請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記メッセージがＰｒｏｆｉｂｕｓプロトコルに従って伝送される請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記メッセージがイーサーネット・プロトコルに従って伝送される請求項１記載のシステム。
【請求項７】
他の保護継電器が前記メッセージ内の時間タグに基づいてどのサイクルの電力系統データを保存すべきかを決定する請求項４記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネルとして機能する、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接し、ソース電極またはドレイン電極として機能するチタン膜とを有し、
前記酸化物半導体膜と前記チタン膜との間に、酸化チタン膜を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
チャネルとして機能する、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接し、ソース電極またはドレイン電極として機能するチタン膜とを有し、
前記酸化物半導体膜と前記チタン膜との間に、一酸化チタンまたは酸素欠損を有する二酸化チタン（ＴｉＯ２−δ  ０＜δ＜１）を含んだ領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
チャネルとして機能する、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接し、ソース電極またはドレイン電極として機能するチタン膜とを有し、
前記酸化物半導体膜と前記チタン膜との間に、前記チタン膜が酸化することによって形成された領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜における水素濃度が、５×１０１６／ｃｍ３未満であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜におけるキャリア密度が、５×１０１０／ｃｍ３以下であることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
【数３】
2011109031.tif 000001
ただし、ｅは電気素量、ε０は真空の誘電率、εは酸化物半導体の比誘電率である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた第４の絶縁膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも、窒素の比率が低く、
前記第３の絶縁膜は前記第４の絶縁膜よりも、窒素の比率が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた第４の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第４の絶縁膜は、窒化珪素を含み、
前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜は、酸化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた第４の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第４の絶縁膜は、窒化珪素を含み、
前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜は、酸化窒化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ゲート電極は銅を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重ならない領域で接することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重ならない領域で接し、
前記第１の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜は、前記領域と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の全体は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重なる第１の領域と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第２の領域における前記酸化物半導体層の膜厚は、前記第１の領域における前記酸化物半導体層の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、非単結晶であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、１×１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、１×１０１４／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、電気陰性度が水素より低い金属を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する吐出口と連通する液体の流路を形成するための流路形成部材を有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
基板上に、式（１２）で表される構造と式（２）で表される構造とを主鎖に複数個有する化合物を含む層を設ける工程と、
【化１】
2010158886.tif 000001
【化２】
2010158886.tif 000002
［式中、Ｘ、Ｙ、Ａ、Ｂはそれぞれ独立して、炭化水素、不飽和炭化水素、および置換または未置換の芳香環のいずれかを示す。］
前記層上に、樹脂を式（３）または式（４）で表される化合物に溶解させた溶液により樹脂層を設ける工程と、
【化３】
2010158886.tif 000003
［式中、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ独立して、炭素数１〜５の飽和炭化水素基または、エステル基、エーテル基、ケト基、およびヒドロキシル基のいずれかに一部が置換された炭化水素基、を示す。］
前記樹脂層から前記流路の形状を有する型を形成する工程と、
前記型を覆うように前記流路形成部材となる層を設ける工程と、
前記型を除去して前記流路を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記式（１２）で表される構造と式（２）で表される構造とを主鎖に複数個有する化合物を含む層の一部を覆うように前記流路の形状を有する型を形成することを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記式（１２）で表される構造と式（２）で表される構造とを主鎖に複数個有する化合物は、式（５）で表される構造を有することを特徴とする請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【化４】
2010158886.tif 000004
［式中、Ｒ５〜Ｒ８はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、およびハロゲン原子のいずれかを示す。Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、および炭素数１〜４のハロゲン化アルキル基のいずれかを示す。またＡｒ１は置換または未置換のフェニレン、ビフェニレンおよびナフチレンのいずれかを示す。ｎは正の整数を示す。］
【請求項４】
前記樹脂が、ポリメチルイソプロペニルケトンであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記式（３）または式（４）で表される化合物がアセトン、アセチルアセトン、乳酸メチル、乳酸エチル、アセト酢酸メチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、およびアセト酢酸エチルのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記式（３）または式（４）で表される化合物がアセト酢酸メチルおよびアセト酢酸エチルのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記式（３）または式（４）で表される化合物が非環状化合物である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［式中、Ｘ、Ｙ、Ａ、Ｂはそれぞれ独立して、炭化水素、不飽和炭化水素、および置換または未置換の芳香環のいずれかを示す。］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
［式中、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ独立して、炭素数１〜５の飽和炭化水素基または、エステル基、エーテル基、ケト基、およびヒドロキシル基のいずれかに一部が置換された炭化水素基、を示す。］
前記樹脂層から前記流路の形状を有する型を形成する工程と、
前記型を覆うように前記流路形成部材となる層を設ける工程と、
前記型を除去して前記流路を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１のインクと第２のインクを吐出して記録を行う記録ヘッドと、該記録ヘッドを搭載して移動するキャリッジと、該キャリッジに設けられたキャリッジ制御部と、を備える記録装置であって、
前記第１のインクに対応した第１の駆動信号と前記第２のインクに対応した第２の駆動信号を合成してシリアルデータを生成する生成手段と、
前記生成手段により生成されたシリアルデータを差動信号として前記キャリッジ制御部に転送する転送手段と、を備え、
前記キャリッジ制御部は、前記転送手段により転送された差動信号を前記第１の駆動信号と前記第２の駆動信号に分離する、ことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記転送手段は、フレキシブルケーブルであることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記キャリッジ制御部は、
前記転送手段により転送されたクロック信号をカウントし、該カウント値を前記転送手段により転送される同期信号の周期でリセットするカウンタと、
前記カウンタによるカウント値をデコードするデコーダと、
前記デコーダから出力される複数のデコード値に基づいて、前記差動信号を前記第１の駆動信号と前記第２の駆動信号に分離する分離回路と、
を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明に係る記録装置は、少なくとも第１のインクと第２のインクを吐出して記録を行う記録ヘッドと、該記録ヘッドを搭載して移動するキャリッジと、該キャリッジに設けられたキャリッジ制御部と、を備える記録装置であって、前記第１のインクに対応した第１の駆動信号と前記第２のインクに対応した第２の駆動信号を合成してシリアルデータを生成する生成手段と、前記生成手段により生成されたシリアルデータを差動信号として前記キャリッジ制御部に転送する転送手段と、を備え、前記キャリッジ制御部は、前記転送手段により転送された差動信号を前記第１の駆動信号と前記第２の駆動信号に分離する、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置