【事件の表示】
　特願２００２−１０１７５１「鏡面半導体ウェーハの製造方法、半導体ウェーハ用研磨スラリの製造方法および半導体ウェーハ用研磨スラリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１７日出願公開、特開２００３−２９７７８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件出願の発明
　本件出願は、平成１４年４月３日の特許出願であって、平成２０年６月２日付けで拒絶の査定がされ、これに対し、平成２０年７月１０日に本件審判請求がなされ、平成２０年８月１日に請求項の削除を目的とする手続補正がなされ、平成２１年１０月１日付けで審尋がなされたが、指定期間内に応答がなかったものである。
　その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、上記請求項１ないし請求項６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、次のとおりである。　
「【請求項１】スラリ原液に、ＮａＯＨ又はＫＯＨを添加して研磨スラリを製造し、この研磨スラリを用いて半導体ウェーハの表面を研磨して鏡面半導体ウェーハを製造する鏡面半導体ウェーハの製造方法において、
　鏡面半導体ウェーハの表面に析出される銅、ニッケル、クロム、鉄のうちの少なくとも一つからなる汚染金属の量が一定レベル以下になるように、前記各汚染金属の含有量が１０％水溶液中の濃度で０．２ｐｐｂ以下となるＮａＯＨ又はＫＯＨが添加され、かつｐＨが１０．２〜１０．６の範囲内に調整された研磨スラリを用いて、半導体ウェーハを研磨すること
　を特徴とする鏡面半導体ウェーハの製造方法。」
　
第２　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１８６２０１号公報（以下「刊行物」という。）の記載内容は以下のとおりである。
　
１　刊行物記載の事項
　刊行物には以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨加工時における半導体シリコンウェーハ（以下、単にウェーハ、半導体ウェーハ又はシリコンウェーハということがある）への金属汚染、特にＣｕ、Ｎｉ汚染を防ぐことができるようにした半導体シリコンウエーハ研磨用研磨剤及び研磨方法に関する。」
　
「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明の半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤は、シリカ含有研磨剤を主成分とし、研磨剤の総量に対してＣｕ濃度及びＮｉ濃度が各々０．０１〜１ｐｐｂであることを特徴とする。具体的には研磨剤供給用タンク内の研磨剤の総量に対して、Ｃｕ濃度及びＮｉ濃度を各々０．０１〜１ｐｐｂに管理しておけばよい。Ｃｕ，Ｎｉは存在しないほうが好ましいが、製造コストを考慮すると、これらの濃度は、０．０１ｐｐｂ以上で十分である。シリカ含有研磨剤としては、コロイダルシリカ研磨剤を用いることができる。
【００１３】本発明の半導体シリコンウェーハの研磨方法においては、上記した半導体シリコンウエーハ研磨用研磨剤を用い、半導体シリコンウェーハを研磨するに際し、当該研磨剤のｐＨを１０〜１１に保ちながら研磨する態様を採用するのがより好適である。ｐＨが１０に達しないと研磨速度が著しく低下し、生産性上好ましくない。」
　
「【００１６】図２から明らかなようにｐＨが高いほど汚染されやすいことがわかった。また、銅、ニッケル濃度を１ｐｐｂ以下にすることで汚染が著しく減少した。しかし、銅、ニッケル濃度が１ｐｐｂ以下であってもｐＨ１１以上であると汚染されやすくなる。一方、研磨速度はｐＨが１０以下であると著しく低下することから、ｐＨは高いほうが好ましい。これらを考慮すると、ｐＨは１０〜１１で行うことが最も好ましい。
【００１７】これまで研磨剤に含まれている重金属は、その後の洗浄で除去できると思われていたため、これまでそれほど重要視して管理されていなかった。現に市販品の研磨剤原液中には銅、ニッケルがそれぞれ３０〜５０ｐｐｂ程度含まれているものもある。
【００１８】本発明では、銅、ニッケルの濃度を管理し、その濃度が０．０１〜１ｐｐｂになるようにし、かつｐＨが１０〜１１になるような態様で研磨を行うものである。研磨剤中の銅、ニッケル濃度の調整法としては、その濃度調整が可能であればいかなる方法も適用できるもので、特に限定されるものではない。
【００１９】例えば、研磨剤供給タンク内で市販のシリカ含有研磨剤を金属を含まない純水等で希釈し、その濃度を０．０１〜１ｐｐｂに管理する方法や陽イオン交換樹脂による従来の方法を複数回繰り返し、０．０１〜１ｐｐｂに純度を上げる方法などが適用できる。」
　
「【００２３】実施例１及び比較例１〜３（研磨剤中の銅及びニッケル濃度とウェーハ汚染レベルとの関係）
試料ウェーハ：チョクラルスキー（ＣＺ）法で製造した、ｐ型、結晶方位＜１００＞、１５０ｍｍφ、シリコンウェーハ
研磨パッド：不織布（ベアロタイプ）、硬度７０（アスカーＣ硬度）
研磨剤：陽イオン交換樹脂により金属不純物を除去した２ｗｔ％のＳｉＯ２を含むコロイダルシリカ原液を用い、純水で１０倍に希釈したコロイダルシリカ研磨剤の希釈液を用いた。この研磨剤中のＣｕ，Ｎｉ濃度はそれぞれ約０．０１ｐｐｂ以下であった。
研磨荷重：３５０ｇ／ｃｍ２  　　
研磨時間：１０分
【００２４】上記研磨条件において、コロイダルシリカ研磨剤の希釈液に銅またはニッケルの標準溶液を添加し、１ｐｐｂ（実施例１）、１０ｐｐｂ（比較例１）、１００ｐｐｂ（比較例２）、５００ｐｐｂ（比較例３）の銅またはニッケルを含む希釈研磨剤を調製した。この研磨剤に水酸化ナトリウム水溶液を添加してｐＨを１１にし、図３に示した研磨装置を用いてこの希釈研磨剤によって試料ウェーハ( 各２枚）を研磨した。ｐＨ調整用の水酸化ナトリウム水溶液は微量であるため、研磨中のＣｕ，Ｎｉ濃度は供給タンク内とほぼ同じである。
【００２５】研磨した試料ウェーハの評価は次のように行った。ウェーハ内に拡散しているＮｉ，Ｃｕをウェーハ表面に集める為、研磨した試料ウェーハの研磨面にサンドブラスト処理を施して洗浄を施した後、試料ウェーハを４５０℃で３０分熱処理した。その後、研磨された面の熱酸化膜をフッ酸蒸気で気相分解し、これをフッ酸液滴で回収、ＩＣＰ−ＭＳ（Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry）法により分析した。このような評価方法によりウェーハ全体の汚染レベルを評価した。
【００２６】その結果を図１に示す。図１から明らかなように、コロイダルシリカ研磨剤中の銅またはニッケル濃度を１ｐｐｂ以下とすることにより、研磨ウェーハの銅、ニッケル汚染レベルをエッチドウェーハレベル（図中のＣＷ）に抑制することが判る。なお、エッチドウェーハとは研磨していないサンプル、つまり研磨による汚染を受けていないリファレンスサンプルで、もともとのウェーハに入っている銅、ニッケルのレベルを示すものである（Ｎ．Ｄ．：検出下限）。」
　
２　刊行物記載の発明
　刊行物記載の事項を技術常識を考慮しながら本件出願の発明に照らして整理すると、刊行物には以下の発明が記載されていると認める。
　
「研磨剤原液を純水等で希釈しｐＨ調整用の水酸化ナトリウム水溶液を添加して研磨剤を製造し、この研磨剤を用いて半導体ウェーハの表面を研磨して鏡面半導体ウェーハを製造する鏡面半導体ウェーハの製造方法において、
　鏡面半導体ウェーハの表面に析出される銅、ニッケルからなる汚染金属の量が一定レベル以下になるように、上記研磨剤原液を金属を含まない純水等で希釈するか、あるいは、陽イオン交換樹脂による方法を複数回繰り返すことにより、銅及びニッケルの濃度が０．０１〜１ｐｐｂに調整され、かつｐＨが１０〜１１の範囲内に調整された研磨剤を用いて、半導体ウェーハを研磨する鏡面半導体ウェーハの製造方法。」
　
第３　対比
　本件出願の発明と刊行物記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　刊行物記載の発明の「研磨剤原液」は、本件出願の発明の「スラリ原液」に相当することが明らかである。
　また、刊行物記載の発明の「研磨剤」は、スラリ原液を純水等で希釈し水酸化ナトリウム水溶液、すなわちＮａＯＨを添加したものであり、「研磨スラリ」ということができるものである。
　そして、刊行物記載の発明の研磨スラリのｐＨ１０〜１１は、１０．２〜１０．６の範囲内で本件出願の発明の研磨スラリのｐＨと共通している。
　さらに、刊行物記載の発明において、「スラリ原液を金属を含まない純水等で希釈するか、あるいは、陽イオン交換樹脂による方法を複数回繰り返すことにより、銅及びニッケルの濃度が０．０１〜１ｐｐｂに調整」されていることは、「鏡面半導体ウェーハの表面に析出される銅、ニッケルからなる汚染金属の量が一定レベル以下になるように、研磨スラリが調整」されているという限りにおいて、本件出願の発明において、「各汚染金属の含有量が１０％水溶液中の濃度で０．２ｐｐｂ以下となるＮａＯＨ又はＫＯＨが添加」されていることと共通している。
　
　したがって、本件出願の発明と刊行物記載の発明とは以下の点で一致している。
　
［一致点］　
　スラリ原液に、ＮａＯＨを添加して研磨スラリを製造し、この研磨スラリを用いて半導体ウェーハの表面を研磨して鏡面半導体ウェーハを製造する鏡面半導体ウェーハの製造方法において、
　鏡面半導体ウェーハの表面に析出される銅、ニッケルからなる汚染金属の量が一定レベル以下になるように調整され、かつｐＨが１０．２〜１０．６の範囲内に調整された研磨スラリを用いて、半導体ウェーハを研磨する鏡面半導体ウェーハの製造方法。」
　
　そして、本件出願の発明と刊行物記載の発明とは、以下の点で相違している。
　
［相違点］
　本件出願の発明では、スラリ原液に、各汚染金属の含有量が１０％水溶液中の濃度で０．２ｐｐｂ以下となるＮａＯＨ又はＫＯＨが添加されるのに対して、刊行物記載の発明では、スラリ原液を金属を含まない純水等で希釈するか、あるいは、陽イオン交換樹脂による方法を複数回繰り返すことにより、銅及びニッケルの濃度が各々０．０１〜１ｐｐｂに調整されている点。
　
第４　相違点についての検討
　半導体ウェーハの研磨に用いられる研磨スラリに添加されるＮａＯＨ又はＫＯＨ、すなわち、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムについて、研磨スラリ中の不純物金属イオンを減少させるために、金属イオンが極めて少ない高純度のものを使用することが好ましいことは、例えば、原審の拒絶をすべき旨の査定の際に挙げられた特開平１１−８０７０７号公報の段落【００３２】、特開平１１−８０７０８号公報の段落【００３０】、特開平１１−１１６９４２公報の段落【００２８】に示されているように従来周知である。
　また、スラリの調整に、１０％水溶液を用いることは、格別なものではない。
　そうしてみると、刊行物記載の発明において、スラリ原液だけでなく、スラリ原液に添加されるＮａＯＨにも着目して、汚染金属の含有量を少なくする、すなわち１０％水溶液中の濃度で０．２ｐｐｂ以下となる高純度のものを採用することにより本件出願の発明のように構成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到し得るところである。
　
　請求人は、本件出願の発明の採用する構成によってもたらされる効果を主張するが、刊行物記載の発明に上記従来周知の事項を適用することは容易であり、これにより得られる効果は、当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
第５　むすび
　したがって、本件出願の発明は、刊行物記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。