Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック信号に同期してシリアル信号を受信するシリアル受信回路を備えた半導体装置であって、
前記シリアル受信回路は、前記クロック信号に対して位相をずらした複数相のサンプリングクロック信号に同期して前記シリアル信号をサンプリングし、サンプリングした信号に基づいて前記シリアル信号の位相変動によるサンプリング結果への影響が少ないサンプリング位相を最適位相と判別して当該最適位相によりサンプリングした信号を受信データとする受信動作を行い、前記最適位相の判別動作として、第１モードと、前記第１モードで判別された最適位相の最適性を前記サンプリング数を減らしたサンプリング結果に基づいて判別する第２モードとを有する、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学部品に付着した異物を除去する異物除去装置であって、
光学部品の一端に配置された圧電素子と、
前記圧電素子を駆動するための電圧を生成するトランスであって、１次側巻線と、２次側巻線とを有し、該２次側巻線が前記圧電素子に接続されているトランスと、
第１の周波数の第１の駆動信号を発生する第１の駆動信号発生回路と、
前記トランスの前記１次側巻線の一端に接続され、前記第１の駆動信号発生回路により生成された前記第１の駆動信号を前記１次側巻線の一端に加える第１の駆動回路と、
第２の周波数の第２の駆動信号を発生する第２の駆動信号発生回路と、
前記トランスの前記１次側巻線の他端に接続され、前記第２の駆動信号発生回路により生成された前記第２の駆動信号を前記１次側巻線の他端に加える第２の駆動回路と、を備え、
前記第１の駆動信号の第１の周波数と前記第２の駆動信号の第２の周波数は互いに異なることを特徴とする異物除去装置。
【請求項２】
前記第１の駆動信号および前記第２の駆動信号は、それぞれ矩形波であることを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
【請求項３】
前記第１の駆動回路は、ソースが電源に、ドレインが前記トランスの１次側巻線の一端に、ゲートが前記第１の駆動信号発生回路に接続される第１のポジティブ側スイッチング素子と、ソースがグランドに、ドレインが前記トランスの１次側巻線の一端に、ゲートが前記第１の駆動信号発生回路に接続される第１のネガティブ側スイッチング素子とを含み、
前記第２の駆動回路は、ソースが電源に、ドレインが前記トランスの１次側巻線の他端に、ゲートが前記第２の駆動信号発生回路に接続される第２のポジティブ側スイッチング素子と、ソースがグランドに、ドレインが前記トランスの１次側巻線の他端に、ゲートが前記第２の駆動信号発生回路に接続される第２のネガティブ側スイッチング素子とを含むことを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
【請求項４】
前記第１の駆動信号発生回路と前記第２の駆動信号発生回路は、前記第１の駆動信号と前記第２の駆動信号を同時に生成することを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
【請求項５】
光学部品に付着した異物を除去する異物除去装置であって、
光学部品の一端に配置された圧電素子と、
前記圧電素子を駆動するための電圧を生成するトランスであって、第１および第２の１次側巻線と、２次側巻線とを有し、該２次側巻線が前記圧電素子に接続されているトランスと、
第１の周波数の第１の駆動信号を発生する第１の駆動信号発生回路と、
前記トランスの前記第１の１次側巻線に接続され、前記第１の駆動信号発生回路により生成された前記第１の駆動信号を前記第１の１次側巻線に加える第１の駆動回路と、
第２の周波数の第２の駆動信号を発生する第２の駆動信号発生回路と、
前記トランスの前記第２の１次側巻線に接続され、前記第２の駆動信号発生回路により生成された前記第２の駆動信号を前記第２の１次側巻線に加える第２の駆動回路と、を備え、
前記第１の駆動信号の第１の周波数と前記第２の駆動信号の第２の周波数は互いに異なることを特徴とする異物除去装置。
【請求項６】
前記第１の駆動信号および前記第２の駆動信号は、それぞれ矩形波であることを特徴とする請求項５に記載の異物除去装置。
【請求項７】
前記第１の駆動回路は、ソースが電源に、ドレインが前記トランスの前記第１の１次側巻線の一端に、ゲートが前記第１の駆動信号発生回路に接続される第１のポジティブ側スイッチング素子と、ソースがグランドに、ドレインが前記トランスの前記第１の１次側巻線の前記一端に、ゲートが前記第１の駆動信号発生回路に接続される第１のネガティブ側スイッチング素子と、前記第１の駆動信号発生回路の出力を反転する第１のインバータと、ソースが電源に、ドレインが前記トランスの前記第１の１次側巻線の他端に、ゲートが前記第１のインバータに接続される第２のポジティブ側スイッチング素子と、ソースがグランドに、ドレインが前記トランスの前記第１の１次側巻線の前記他端に、ゲートが前記第１のインバータに接続される第２のネガティブ側スイッチング素子とを含み、
前記第２の駆動回路は、ソースが電源に、ドレインが前記トランスの前記第２の１次側巻線の一端に、ゲートが前記第２の駆動信号発生回路に接続される第３のポジティブ側スイッチング素子と、ソースがグランドに、ドレインが前記トランスの前記第２の１次側巻線の前記一端に、ゲートが前記第２の駆動信号発生回路に接続される第３のネガティブ側スイッチング素子と、前記第２の駆動信号発生回路の出力を反転する第２のインバータと、ソースが電源に、ドレインが前記トランスの前記第２の１次側巻線の他端に、ゲートが前記第２のインバータに接続される第４のポジティブ側スイッチング素子と、ソースがグランドに、ドレインが前記トランスの前記第２の１次側巻線の前記他端に、ゲートが前記第２のインバータに接続される第４のネガティブ側スイッチング素子とを含むことを特徴とする請求項５に記載の異物除去装置。
【請求項８】
前記第１の駆動信号発生回路と前記第２の駆動信号発生回路は、前記第１の駆動信号と前記第２の駆動信号を同時に生成することを特徴とする請求項５に記載の異物除去装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる異物除去装置は、光学部品に付着した異物を除去する異物除去装置であって、光学部品の一端に配置された圧電素子と、前記圧電素子を駆動するための電圧を生成するトランスであって、１次側巻線と、２次側巻線とを有し、該２次側巻線が前記圧電素子に接続されているトランスと、第１の周波数の第１の駆動信号を発生する第１の駆動信号発生回路と、前記トランスの前記１次側巻線の一端に接続され、前記第１の駆動信号発生回路により生成された前記第１の駆動信号を前記１次側巻線の一端に加える第１の駆動回路と、第２の周波数の第２の駆動信号を発生する第２の駆動信号発生回路と、前記トランスの前記１次側巻線の他端に接続され、前記第２の駆動信号発生回路により生成された前記第２の駆動信号を前記１次側巻線の他端に加える第２の駆動回路と、を備え、前記第１の駆動信号の第１の周波数と前記第２の駆動信号の第２の周波数は互いに異なることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第１の振動モードの振動４１の５箇所の節３１Ａ〜３１Ｅと、第２の振動モードの振動４２の６箇所の節３２Ａ〜３２Ｆの間隔は、中央付近の節３１Ｃと節３２Ｃとの間隔及び節３１Ｃと節３２Ｄとの間隔が最も広い。両端の節３１Ａと節３２Ａとの間隔及び節３１Ｅと節３２Ｆとの間隔が最も接近している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010288238.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯情報端末向けのコンテンツを生成して配信する携帯情報端末用コンテンツ生成・配信方法であって、
コンテンツ生成サーバーが、テキストや画像からなる小単位のコンテンツであるカードを複数纏めた標準表示スタックを含む携帯情報端末用コンテンツを生成するコンテンツ合成ステップと、コンテンツ配信サーバーが、ネットワークを介して前記携帯情報端末用コンテンツをユーザーの要求に応じて一部ずつユーザーの携帯情報端末に配信し、これをユーザーが該携帯情報端末上で閲覧するコンテンツ配信ステップとを備えてなり、
前記コンテンツ合成ステップ内において、前記標準表示スタックを前記携帯情報端末の配信容量制限内の容量になるよう前記カードを単位とした小スタックに分割する分割ステップを有し、前記コンテンツ配信ステップでは、前記携帯情報端末用コンテンツ内の前記標準表示スタックをこの小スタック単位で配信することを特徴とする携帯情報端末用コンテンツ生成・配信方法。
【請求項２】
前記コンテンツ合成ステップ内の前記分割ステップにおいて、任意の小スタック内のカードから、他の小スタック内のカードへのリンクを生成することを特徴とする請求項１記載の携帯情報端末用コンテンツ生成・配信方法。
【請求項３】
前記携帯情報端末用コンテンツは、前記標準表示スタック内の一部のコンテンツを拡大表示するためのズーム用スタックを含み、
前記コンテンツ合成ステップにおいて、前記標準表示スタック内の該当部分に、前記ズーム用スタックを呼び出すためのズーム用リンクが埋め込まれ、
前記コンテンツ配信ステップにおいて、前記携帯情報端末に配信され閲覧された前記標準表示スタックの前記ズーム用リンクを経由して、前記ズーム用スタックが前記携帯情報端末に配信されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の携帯情報端末用コンテンツ生成・配信方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に選択的形状の光学要素のアレイを形成する方法であって、
光学層が上部に配置された基板を設けるステップと、
前記光学層上に所定の厚みの犠牲層を堆積させるステップと、
前記犠牲層上に粒子層を配置するステップと、
エッチングサイクルを実行するステップと
を備え、
前記エッチングサイクルが、
前記粒子層内の粒子の大きさを縮小するように、第１のエッチングプロセスを使用して前記粒子層をエッチングするステップと、
粒子をさらに縮小することで、前記犠牲層のエリア上にマスクを形成して前記犠牲層から表面構造を作るように、第２のエッチングプロセスを使用して、前記犠牲層および前記粒子層を同時にエッチングするステップと、
ドライエッチングによって、前記犠牲層からの前記表面構造を前記光学層に転写するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記第１のエッチングプロセスが、前記第２のエッチングプロセスより高速、前記第２のエッチングプロセスより低速、および前記第２のエッチングプロセスと同じ速度を備える群から選択された速度で前記粒子をエッチングする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記表面構造の転写ステップの前に、
各表面構造の選択された形状を形成するように、前記粒子の大きさをさらに縮小し、前記表面構造を形作るために、前記エッチングサイクルを少なくとも１回繰り返すステップをさらに備える、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記配置ステップの前に、親水性になるように前記犠牲層の表面を処理するステップをさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記基板が、ＬＥＤウェハ、光電池ウェハ、および光検出器ウェハを備える群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記光学層が、２つ以上の層を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチングステップの少なくとも１つが、ドライエッチングを備え、前記ドライエッチングが、ＲＩＥ、ＩＣＰ、またはイオンミリングの１つ、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記粒子の形状が、球形および楕円形を備える群から選択される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記粒子が、規則的なパターン、不規則的なパターン、および部分的に規則的なパターンを備える群から選択されたパターンで配置される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記規則的なパターンが、六方稠密パターンである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記粒子の材料が、重合体、誘電材料、および金属の１つ、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記重合体が、ポリスチレンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記光学要素が、以下のデバイス、すなわち、ＬＥＤ、光検出器、光電池、またはフォトニック結晶デバイスの１つ内にコンポーネントを形成する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
各第１のエッチングプロセスが、第１の所定の持続時間の間実行される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の所定の持続時間が、各光学要素の選択された形状の関数である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のエッチングプロセスの各サイクルの前記第１の所定の持続時間が、前記第１のエッチングプロセスの他のサイクルの前記第１の所定の持続時間に依存しないものである、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
各第２のエッチングプロセスが、第２の所定の持続時間の間実行される、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の所定の持続時間が、各光学要素の選択された形状の関数である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のエッチングプロセスの各サイクルの前記第２の所定の持続時間が、前記第２のエッチングプロセスの他のサイクルの前記第２の所定の持続時間に依存しないものである、請求項１７または１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導マグネット（８２）をランプ操作するための電流リードアセンブリ（７０）であって、
大気圧に対して露出させた第１の側（８０）及び真空圧に対して露出させた第２の側（７８）を有する真空容器壁（７４）と、
前記真空容器壁（７４）の第１の側（８０）から延び出てダム領域（１１６）を形成しているプール壁（１１４）と、
前記真空容器壁（７４）に貼付され、かつ封止式にこれを貫通しており、かつ前記ダム領域（１１６）内に延びる第１の部分を有する第１の導体（８４）と、
前記真空容器壁（７４）に貼付され、かつ封止式にこれを貫通しており、かつ前記ダム領域（１１６）内に延びる第１の部分を有する第２の導体（８６）と、
前記真空容器壁（７４）の第２の側（７８）にある第１の低温超伝導（ＬＴＳ）リード（１１０）及び第２のＬＴＳリード（１１２）を有する超伝導マグネット（８２）と、
前記第１の導体（８４）を前記第１のＬＴＳリード（１１０）と電気的に接続させている第１の超伝導体（１００）と、
前記第２の導体（８６）を前記第２のＬＴＳリード（１１２）と電気的に接続させている第２の超伝導体（１０２）と、
を備えるアセンブリ（７０）。
【請求項２】
前記第１及び第２の導体（８４、８６）は熱伝導性材料を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記第１及び第２の導体（８４、８６）は銅を含む、請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記プール壁（１１４）は前記ダム領域（１１６）内に冷媒（１１８）を包含するように構成されており、該冷媒（１１８）は第１及び第２の超伝導体（１００、１０２）の臨界温度未満の沸騰温度を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記冷媒（１１８）は液体窒素である、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記第１及び第２の導体（８４、８６）は前記真空容器壁（７４）から電気的に絶縁されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記真空容器壁（７４）の第２の側（７８）に隣接して位置決めされたシリンダ（９０）と、
前記シリンダの第１の端部に装着されると共に、前記第１の導体（８４）と電気的に接続された第１のセクション（９２）及び前記第２の導体（８６）と電気的に接続された第２のセクション（９４）を有する上側プレート（８８）であって、該第１のセクション（９２）及び第２のセクション（９４）は一方が他方から電気的に絶縁されている上側プレート（８８）と、
前記シリンダの第２の端部に装着されると共に、第１のセクション（１０４）及び第２のセクション（１０６）を有する下側プレート（９８）であって、該第１のセクション（１０４）及び第２のセクション（１０６）は一方が他方から電気的に絶縁されている下側プレート（９８）と、をさらに備えると共に、
前記第１の超伝導体（１００）は前記上側プレート（８８）の第１のセクション（９２）及び前記下側プレート（９８）の第１のセクション（１０４）と電気的に接続されていること、
前記第２の超伝導体（１０２）は前記上側プレート（８８）の第２のセクション（９４）及び前記下側プレート（９８）の第２のセクション（１０６）と電気的に接続されていること、
を特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記第１の超伝導体（１００）及び第２の超伝導体（１０２）は前記シリンダ（９０）の周りに２本巻式で渦巻き状に巻き付けられている、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記第１の超伝導体（１００）及び第２の超伝導体（１０２）はＢＳＣＣＯテープとＹＢＣＯテープのうちの一方を含む高温超伝導体である、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記第１の端部と第２の端部の間で前記シリンダ（９０）に装着された熱インターセプト（１２０）をさらに備えると共に、該熱インターセプト（１２０）はクライオクーラ（１２４）に熱接続されている、請求項７に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータに，
マークアップ言語で記述されたデータを表示するブラウザ処理であって，
Ｗｅｂページを表示するために予め設定された仮想的な標準画面の横サイズと，表示対象である，分割フレームを含むＷｅｂページのマークアップ言語で記述されたデータにもとづくＷｅｂページを実際に表示する実画面の横サイズとの比率を算出してフレーム縮小率とする処理と，
前記フレーム縮小率が所定の縮小率限界値を下回る場合に，前記Ｗｅｂページを構成するフレームのうち，サイズが実値で指定される実サイズ指定フレームのサイズを前記縮小率限界値で縮小したサイズおよび該実サイズ指定フレームのサイズを前記フレーム縮小率で縮小したサイズを求め，該実サイズ指定フレームの前記縮小率限界値で縮小したサイズから前記フレーム縮小率で縮小したサイズへの増分を求める処理と，
前記Ｗｅｂページを構成するフレームのうち，サイズが実値で指定されない実サイズ指定なしフレームのサイズを前記フレーム縮小率で縮小したサイズから前記増分を差し引いて調整したサイズを求める処理と，
前記実サイズ指定フレームの縮小率限界値で縮小したサイズおよび前記実サイズ指定なしフレームの調整したサイズをもとに，前記Ｗｅｂページのフレーム間比率を決定する処理と，
前記フレーム間比率を用いて，前記Ｗｅｂページのフレームごとの前記実画面のサイズから前記標準画面のサイズへの縮小率を決定して，決定した縮小率でフレーム内の表示する要素を縮小する処理とを，
実行させるためのレイアウト機能付きブラウザプログラム。
【請求項２】
前記フレーム間比率を決定する処理では，前記フレーム間比率を，前記Ｗｅｂページを構成する１つの実サイズ指定なしフレームのサイズが，該サイズを前記縮小率限界値で縮小したサイズを下回らない範囲で決定する
ことを特徴とする請求項１記載のレイアウト機能付きブラウザプログラム。
【請求項３】
前記フレーム間比率を決定する処理では，前記Ｗｅｂページを構成するフレームに，表示する要素が存在しないフレームがある場合に，前記フレームのサイズをゼロに設定して前記フレーム間比率を決定する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のレイアウト機能付きブラウザプログラム。
【請求項４】
マークアップ言語で記述されたデータを表示するデータ表示装置であって，
Ｗｅｂページを表示するために予め設定された仮想的な標準画面の横サイズと，表示対象である，分割フレームを含むＷｅｂページのマークアップ言語で記述されたデータにもとづくＷｅｂページを実際に表示する実画面の横サイズとの比率を算出してフレーム縮小率とする処理手段と，
前記フレーム縮小率が所定の縮小率限界値を下回る場合に，前記Ｗｅｂページを構成するフレームのうち，サイズが実値で指定される実サイズ指定フレームのサイズを前記縮小率限界値で縮小したサイズおよび該実サイズ指定フレームのサイズを前記フレーム縮小率で縮小したサイズを求め，該実サイズ指定フレームの前記縮小率限界値で縮小したサイズから前記フレーム縮小率で縮小したサイズへの増分を求める処理と，前記Ｗｅｂページを構成するフレームのうち，サイズが実値で指定されない実サイズ指定なしフレームのサイズを前記フレーム縮小率で縮小したサイズから前記増分を差し引いて調整したサイズを求める処理と，前記実サイズ指定フレームの縮小率限界値で縮小したサイズおよび前記実サイズ指定なしフレームの調整したサイズをもとに，前記Ｗｅｂページのフレーム間比率を決定する処理とを行う処理手段と，
前記フレーム間比率を用いて，前記Ｗｅｂページのフレームごとの前記実画面のサイズから前記標準画面のサイズへの縮小率を決定して，決定した縮小率でフレーム内の表示する要素を縮小する処理手段とを備える
ことを特徴とするレイアウト機能付きデータ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファス材の薄板が複数枚積層されて成るブロック状積層体で鉄心が構成されており、隣接する前記アモルファス材間に熱源を挟み、前記熱源からの熱で焼鈍することを特徴とするアモルファス鉄心の焼鈍方法。
【請求項２】
前記熱源は、非磁性体からなる積層薄板であるか、又は前記積層薄板間に挟まれ誘導過熱によって発熱する複数の独立したコイルであることを特徴とする請求項１に記載のアモルファス鉄心の焼鈍方法。
【請求項３】
前記熱源は、最内周側からｎ（ｎは整数）層目のアモルファス材と、ｎ＋１層目のアモルファス材との間に挟まれていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載のアモルファス鉄心の焼鈍方法。
【請求項４】
前記熱源は、熱伝導率２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の物質であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のアモルファス鉄心の焼鈍方法。
【請求項５】
アモルファス材の薄板が複数枚積層されて成るブロック状積層体の積層端面に熱源を接触させ、前記熱源からの熱で焼鈍することを特徴とするアモルファス鉄心の焼鈍方法。
【請求項６】
前記熱源は、前記ブロック状積層体の前記積層端面に接触する部分が繊維材で構成されていることを特徴とする請求項５に記載のアモルファス鉄心の焼鈍方法。
【請求項７】
前記鉄心は前記ブロック状積層体が複数層積層されて構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のアモルファス鉄心の焼鈍方法。
【請求項８】
前記複数層のブロック状積層体を積層面に対して垂直方向へ複数段に分けて伸ばし焼鈍を行うことを特徴とする請求項７に記載のアモルファス鉄心の焼鈍方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内に、アルコール含有ポリビニルアルコール水溶液が封入されたリチウムイオン二次電池用熱暴走抑制剤。
【請求項２】
請求項１に記載の熱暴走抑制剤を内蔵するリチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形が実施可能であることは明白である。例えば、図７の平面図に示すように、冷却部１０２に、複数の捕捉部１０１を配置し、複数の磁場極小点を形成するようにしてもよい。また、図８の平面図に示すように、複数の貫通孔８０１ａを備える捕捉部８０１を用いるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
引抜材として、断面形状がコ字形である嵌合部を有する引抜材を使用して、太陽光発電モジュールの周囲四辺に引抜材のコ字形の嵌合部を嵌め込んでフレームを形成している（図１５参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この棚状の挿込部材44の上面には、２辺の壁部材41、41から離れた角部に、断面形状が楔形で内向きに切込んだ２辺の係合斜面46、46を有する四角形の突出部45が形成されている。この係合斜面46、46は、図１５の縦断面図（ｃ）に示す引抜材３の幅が広い下縁部34の端面と係合するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この挿込部材44の下面には、引抜材２、３の上縁部22、32の内周に形成された斜面23、33（図１５参照）と係合する膨出部48を有する凸条47、47が、隅部を除いて壁部材41、41の内面42に接して平行に形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
保護用モジュール４の壁部材41、41の内面42と係合斜面46、46との間隔Ｙ（図２参照）は、太陽光発電パネルの下縁部34の幅ｙ（図１５参照）よりも小さく設定されているので、太陽光発電パネルの引抜材３の角部35に、壁部材41と挿込部材44との隅部49が係合する。このとき、挿込部材44の平坦面が弾性変形して、図５に示すように太陽光発電パネルに嵌め込むことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この棚状の挿込部材54の上面には、２辺の壁部材51、51から離れた角部に、直交するように配置された壁部材51、51と平行な２つの突出部55、55が形成されている。これら２つの突出部55、55の壁部材51、51に対向する側面の頂部には凸条56、56が形成されている。この凸条56、56は、図１５の縦断面図（ｃ）に示すように、引抜材３の幅が広い下縁部34の端面と係合するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
短辺側引抜材３の両端部を切削加工するとき、図１３の平面図（ｃ）および底面図（ｄ）に示すように、長辺側引抜材２の筒部25を嵌め込むために、下縁部34の先端部を切削して切欠部を形成する。このとき、長辺側引抜材２の凸条26に突き当たる一点鎖線で示す線37よりも深く線36で切削して、短辺側引抜材３の凸条26との間に隙間Ｔを形成するように深く切削する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子が基板に接続される接続部を下端側に有する共に、自由端側が上方へ向け並んで延びる第一弾性腕と第二弾性腕を有し、上方から嵌合される相手コネクタとの嵌合時に、該第一弾性腕と第二弾性腕にそれぞれ形成された突状の第一接触部と第二接触部が相手端子に順次弾性接触するようになっており、端子は金属板の板面を維持したまま作られていて、該端子の板厚方向に間隔をもってハウジングに配列されている電気コネクタにおいて、端子の第一弾性腕と第二弾性腕は、相手端子との接触位置を通りコネクタ嵌合方向に延びる接触線に対して一方の側に位置しており、第一弾性腕の第一接触部は接触線に対し直角方向をなす下縁と該下縁よりも上方に位置する斜縁とで略三角形突状をなし、第二弾性腕の第二接触部が上記第一接触部の下縁の直下に位置していることを特徴とする多接点端子を有する電気コネクタ。
【請求項２】
端子が基板に接続される接続部を下端側に有する共に、自由端側が上方へ向け並んで延びる第一弾性腕と第二弾性腕を有し、上方から嵌合される相手コネクタとの嵌合時に、該第一弾性腕と第二弾性腕にそれぞれ形成された突状の第一接触部と第二接触部が相手端子に順次弾性接触するようになっており、端子は金属板の板面を維持したまま作られていて、該端子の板厚方向に間隔をもってハウジングに配列されている電気コネクタにおいて、端子の第一弾性腕と第二弾性腕は、相手端子との接触位置を通りコネクタ嵌合方向に延びる接触線に対して一方の側に位置していると共に該接触線に向け突出する第一接触部と第二接触部をそれぞれ有し、第一弾性腕の第一接触部は、該第一弾性腕の上端から下方へ延びて上記接触線に向かう斜縁を有し、該斜縁を通る直線が上記接触線に交わる点から第一接触部の突出基部に向けた直線と、上記斜縁を通る直線とでなす角度が鋭角であり、第二弾性腕の第二接触部が上記第一接触部の下縁の直下に位置していることを特徴とする多接点端子を有する電気コネクタ。
【請求項３】
端子の第一弾性腕及び第二弾性腕にそれぞれ形成された第一接触部及び第二接触部は、コネクタ嵌合時に相手端子と最初に接触する第一接触部の相手端子に対する接触圧が次に接触する第二接触部での接圧よりも大きくなっていることとする請求項１または請求項２に記載の多接点端子を有する電気コネクタ。
【請求項４】
第一弾性腕の第一接触部における接触圧と、次に接触する第二弾性腕の第二接触部における接触圧との比が２対１であることとする請求項３に記載の多接点端子を有する電気コネクタ。
【請求項５】
第一弾性腕と第二弾性腕は、固有振動数がそれぞれ異なることとする請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の多接点端子を有する電気コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かかる多接点端子を有する電気コネクタにおいて、本発明では、端子の第一弾性腕と第二弾性腕は、相手端子との接触位置を通りコネクタ嵌合方向に延びる接触線に対して一方の側に位置しており、第一弾性腕の第一接触部は接触線に対し直角方向をなす下縁と該下縁よりも上方に位置する斜縁とで略三角形突状をなし、第二弾性腕の第二接触部が上記第一接触部の下縁の直下に位置していることを特徴としている。
また、本発明では、端子の第一弾性腕と第二弾性腕は、相手端子との接触位置を通りコネクタ嵌合方向に延びる接触線に対して一方の側に位置していると共に該接触線に向け突出する第一接触部と第二接触部をそれぞれ有し、第一弾性腕の第一接触部は、該第一弾性腕の上端から下方へ延びて上記接触線に向かう斜縁を有し、該斜縁を通る直線が上記接触線に交わる点から第一接触部の突出基部に向けた直線と、上記斜縁を通る直線とでなす角度が鋭角であり、第二弾性腕の第二接触部が上記第一接触部の下縁の直下に位置していることを特徴としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
したがって、相手コネクタの相手端子に対し本発明コネクタの対応端子が第一弾性腕及び第二弾性腕にそれぞれ形成された第一接触部及び第二接触部で接触することとなる。本発明では、相手端子が一つの平坦面ではなく段状をなす各面に接触部を形成している場合には、上記仮想線としての接触線は段の数だけ互いに平行に存在するが、本発明の端子の第一弾性腕及び第二弾性腕はいずれの接触線に対しても一方の側に位置する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動工具に接続可能な電池パックであって、
二次電池と、
前記二次電池の電圧が過放電電圧より大きい警告電圧まで低下した場合に警告表示を行う表示手段と、
前記警告電圧を任意に設定可能な設定手段と、
を備えたことを特徴とする電池パック。
【請求項２】
前記二次電池の電圧が前記警告電圧まで低下した場合に前記電動工具に電力供給停止のための信号を出力する停止信号出力手段を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の電池パック。
【請求項３】
前記表示手段は、前記二次電池の電圧が前記過放電電圧より大きく前記警告電圧より小さい範囲で設定された電圧まで低下した場合に前記警告表示を停止することを特徴とする請求項１又は２に記載の電池パック。
【請求項４】
前記表示手段は、前記二次電池の電圧が前記警告電圧よりも大きい場合には前記二次電池の電圧に応じた表示を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電池パック。
【請求項５】
二次電池を備えた電池パックが接続される電動工具であって、
前記二次電池の電圧が過放電電圧より大きい警告電圧まで低下した場合に警告表示を行う表示手段と、
前記警告電圧を任意に設定可能な設定手段と、
を備えたことを特徴とする電動工具。
【請求項６】
二次電池と、前記二次電池の電圧が過放電電圧より大きい警告電圧まで低下した場合に警告表示を行う表示手段と、を備えた電池パックが接続される電動工具であって、
前記警告電圧を任意に設定可能な設定手段を備えたことを特徴とする電動工具。
【請求項７】
二次電池と、前記二次電池の過放電電圧より大きい前記警告電圧を任意に設定可能な設定手段と、を備えた電池パックが接続される電動工具であって、
前記二次電池の電圧が前記警告電圧まで低下した場合に警告表示を行う表示手段を備えたことを特徴とする電動工具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記表示手段は、前記二次電池の電圧が前記過放電電圧より大きく前記警告電圧より小さい範囲で設定された電圧まで低下した場合に前記警告表示を停止することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような構成によれば、二次電池の電圧が前記過放電電圧より大きく前記警告電圧より小さい範囲で設定された電圧まで低下した場合には、警告表示を停止するので、無駄な電力消費を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
一方、電池電圧が警告電圧Ｖａ以下の場合には（Ｓ２０５：ＮＯ）、過放電信号出力端子Ｖｏｕｔからダイオード１０を介して電動工具２の制御部２３に第２の過放電信号を出力した上で（Ｓ２０７）、電池電圧が１０．５Ｖより大きいか否かを判断する（Ｓ２０８）。電池電圧が１０．５Ｖより大きい場合には（Ｓ２０８：ＹＥＳ）、ＬＥＤ接続端子ＣからＨレベル信号及びＬレベル信号をＳ３０３、３０５及び３０７よりも高速に交互に出力してＬＥＤ７０３を高速点滅させる一方で、ＬＥＤ接続端子Ａ及びＢからＨレベル信号を出力してＬＥＤ７０１及び７０２を消灯させ（Ｓ２０９）、Ｓ２０８に戻る。これにより、ユーザは、各電池セル３ａ−３ｃの残容量が、設定された警告電圧Ｖａを下回ったことを認識することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、本実施の形態による電池パック１では、電池電圧が、規格上の過放電電圧（本実施の形態では７．５Ｖ）よりも大きく警告電圧Ｖａより小さい範囲で設定された電圧（本実施の形態では、１０．５Ｖ）まで低下した場合には、全てのＬＥＤ７０１−７０３を消灯させるので、無駄な電力消費を防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011165420.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011165420.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、図２はモジュール２０１を正面から見た図であるが、モジュール２０１の反対側の面にもブスバーが３個設けられており（図示せず）、全体として８個の単電池２０２が直列に接続されている。８個の単電池２０２は、支持部品２０６によって固定されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
なお、ここでは、演算処理部２０９は、モジュール２０１全体の電圧の計測値を、電力線２１２、充放電回路２１０、および信号線２１３を介して受信するとした。演算処理部２０９または充放電回路２１０に各単電池２０２の電圧を計測する信号線を接続して、各単電池２０２の電圧信号を個別に演算処理部２０９に取り込んで演算処理を行うことも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
図３は、このリチウムイオン二次電池を２時間率の条件（放電電流として７．５Ａ）で放電したときの初期放電曲線である。横軸は放電容量を、縦軸は電池電圧を示している。放電は、前述の充電上限電圧４．２Ｖ付近より始まり、わずかなステージ状の波形を示しながら、定格容量１５Ａｈ付近より電圧が急激に低下し、放電終止電圧２．５Ｖにて終了した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
演算処理部２０９が着脱可能なリチウムイオン二次電池システムでは、保守のときに、外部通信ケーブルを用いて、演算処理部２０９を充放電回路２１０に接続する。モジュール２０１の充放電を実行し、電池の状態を調べる。その結果、電池容量が低下しているときは、演算処理部２０９から図５のＳ５０７に示したような充電制御パラメータの変更の命令信号を充放電回路２１０に送信し、モジュール２０１の放電容量を回復させる。放電容量の回復後に、演算処理部２０９をシステムから切り離す。このようにすれば、充放電サイクルの頻度の低い用途のときに、システムに演算処理部２０９を設置する必要がなくなり、システムのコストダウンに役立つ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９５】
１０…正極、１１…セパレータ、１２…負極、１３…電池容器、１４…正極集電タブ、１５…負極集電タブ、１６…内蓋、１７…内圧開放弁、１８…ガスケット、１９…正温度係数抵抗素子、２０…電池蓋、２０１…モジュール、２０２…リチウムイオン二次電池（単電池）、２０３…正極端子、２０４…ブスバー、２０５…電池缶、２０６…支持部品、２０７…正極外部端子、２０８…負極外部端子、２０９…演算処理部、２１０…充放電回路、２１１…外部機器または給電負荷装置、２１２…電力線、２１３…信号線、２１４…外部電力ケーブル、９２０…バッテリー、９２１…ハンドル、９２２…制御装置、９２３…アクセル、９２４…信号ケーブル、９２５…変換器、９２６…電力ケーブル、９２７…モーター、９２８…車輪。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載し、前記半導体チップとワイヤボンディングによる接続を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は前記ワイヤボンディングの接続点であるグラウンドパッドを表層に有し、
前記グラウンドパッドは前記半導体装置表層上で突出する櫛歯状グラウンドパッドを有し、
前記櫛歯状グラウンドパッドに２以上のグラウンドワイヤが接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、更に２以上の電源ワイヤが接続される電源パッドを有し、
前記２以上のグラウンドワイヤの一のグラウンドワイヤと前記２以上の電源ワイヤの一の電源ワイヤは略平行かつ略同長の組みを構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドは２以上存在し、
前記電源パッドは２つの前記櫛歯状グラウンドパッドに挟まれるように前記半導体装置表層に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドに接続される前記２以上のグラウンドワイヤの長さが前記半導体チップ側のワイヤパッドの間隔以上に差があることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記櫛歯状のグラウンドパッドの一部が電源パッドと平行する部分の２倍以上の長さを有し、
前記２倍以上の長さを有する櫛歯状グラウンドパッドの先端側に前記半導体チップから前記グラウンドワイヤとは異なる長さのグラウンドワイヤが接続され、
前記２倍以上の長さを有する櫛歯状グラウンドパッドの先端側に接続されたグラウンドワイヤと平行になるように信号ワイヤが配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、さらに前記半導体装置表層上にＩ／Ｏ電源用パッドを有し、
前記信号ワイヤと平行になるように前記Ｉ／Ｏ電源用パッドにＩ／Ｏ電源ワイヤが接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記電源パッドの前記半導体装置の外周側に接触するように電源ビアホールを有し、
前記Ｉ／Ｏ電源用パッドの半導体チップ側に接触するようにＩ／Ｏ電源ビアホールを有し、
前記電源ビアホールあるいは前記Ｉ／Ｏ電源ビアホール近傍の前記櫛歯状グラウンドパッドにグラウンドビアホールを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記Ｉ／Ｏ電源ワイヤ及び前記Ｉ／Ｏ電源ワイヤと平行かつ等しい長さである前記グラウンドワイヤは長いワイヤと短いワイヤが交互に配置され、
前記信号ワイヤ及び、前記信号ワイヤと前記Ｉ／Ｏ電源ワイヤに平行かつ等しい長さであるグラウンドワイヤは長いワイヤと短いワイヤが交互に配置されることを特徴する半導体装置。
【請求項９】
半導体チップを搭載し、前記半導体チップとワイヤボンディングによる接続を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は前記ワイヤボンディングの接続点であるグラウンドパッド、及び電源パッドを表層に有し、
前記グラウンドパッドは前記半導体装置表層上で突出する櫛歯状グラウンドパッドを有し、
前記電源パッドは前記半導体装置表層上で突出する櫛歯状電源パッドを有し、
前記櫛歯状グラウンドパッド及び前記櫛歯状電源パッドが前記半導体装置の周方向で隣接することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、前記グラウンドパッドを前記半導体装置の内周側に、前記電源パッドを前記半導体装置の外周側に配置することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッド及び前記櫛歯状電源パッドにはそれぞれ長さの異なるワイヤが２本配置され、
前記櫛歯状グラウンドパッドに配置された２本のワイヤ及び前記櫛歯状電源パッドに配置された２本のワイヤは長さの長いワイヤと長さの短いワイヤが交互になることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッド及び前記櫛歯状電源パッドの形状がチップ端に対して斜めとなる略平行四辺形の形状を持つことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドには２種類の長さを持つワイヤが計４本配置され、
前記櫛歯状グラウンドパッドに配置された長いワイヤの接続点と短いワイヤの接続点の間にグラウンド接続用のビアホールが配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドをチップ端に対して斜めとなった平行四辺形とし、同じ前記櫛歯状グラウンドパッドに接続された４本の前記ワイヤの接続位置を前記櫛歯状グラウンドパッドの中心線から等間隔とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３記載の半導体装置において、前記櫛歯状グラウンドパッドをチップ端に対して斜めとなった台形とし、同じ前記櫛歯状グラウンドパッドに接続された４本の前記ワイヤの接続位置を前記櫛歯状グラウンドパッドの中心線から等間隔とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１０記載の半導体装置において、前記櫛歯状電源パッドには２種類の長さを持つワイヤが計４本配置され、
前記櫛歯状電源パッドに配置された長いワイヤの接続点と短いワイヤの接続点の間に電源接続用のビアホールが配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置において、前記櫛歯状電源パッドをチップ端に対して斜めとなった平行四辺形とし、同じ前記櫛歯状電源パッドに接続された４本の前記ワイヤの接続位置を前記櫛歯状電源パッドの中心線から等間隔とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体装置において、前記櫛歯状電源パッドをチップ端に対して斜めとなった台形とし、同じ前記櫛歯状電源パッドに接続された４本の前記ワイヤの接続位置を前記櫛歯状電源パッドの中心線から等間隔とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項９ないし１８のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの表層にワイヤパッドに接続した配線を持ち、前記半導体チップ内配線との接続箇所において電源とグラウンドが交互になるように配置することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温用途向けの耐酸化性フェライト鋼合金であって、１８〜２５原子％のクロム（Ｃｒ）、０．５〜２原子％のタングステン（Ｗ）、０．８原子％未満のマンガン（Ｍｎ）、０．２原子％未満のアルミニウム（Ａｌ）、０．１原子％未満のケイ素（Ｓｉ）、０．００２〜０．２原子％のネオジム（Ｎｄ）を含む希土類金属、及び残部の鉄（Ｆｅ）から本質的になる耐酸化性フェライト鋼合金。
【請求項２】
前記希土類金属が、さらに、各々０．００２〜０．２原子％の量のセリウム及び／又はランタンを含んでいる、請求項１記載の耐酸化性フェライト鋼合金。
【請求項３】
前記希土類金属が、さらに、各々０．００２〜０．２原子％の量のセリウム及びランタンを含んでいる、請求項１記載の耐酸化性フェライト鋼合金。
【請求項４】
当該鋼合金が８５０℃に１５００時間曝露した後に５μｍ未満の酸化物層を有する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の耐酸化性フェライト鋼合金。
【請求項５】
当該鋼合金が８５０℃に４００００時間曝露した後に３０μｍ未満の予測酸化物厚さを有する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の耐酸化性フェライト鋼合金。
【請求項６】
当該鋼合金が８５０℃に１５００時間曝露した後に７５０℃で１８ｍΩ・ｃｍ2未満の面積抵抗率を有する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の耐酸化性フェライト鋼合金。
【請求項７】
当該鋼合金が８５０℃に４００００時間曝露した後に１００ｍΩ・ｃｍ2未満の予測面積抵抗率を有する、請求項１記載の耐酸化性フェライト鋼合金。
【請求項８】
当該耐酸化性フェライト鋼合金が、室温乃至７５０℃の温度域で１０×１０-6／℃〜１３×１０-6／℃の熱膨張率を有する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の耐酸化性フェライト鋼合金。
【請求項９】
各々電解質板（１８）をアノード（１４）とカソード（１６）の間に挟んでなる２以上の燃料電池セル（１２）と、２以上の燃料電池セル（１２）の間に配設されかつガス流路（２２、２４）を与えるように構成されたセパレータ（２０）とを備える固体酸化物型燃料電池（１０）であって、セパレータ（２０）が請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の耐酸化性フェライト鋼合金で形成されていることを特徴とする固体酸化物型燃料電池（１０）。
【請求項１０】
電解質板（１８）がイットリア安定化ジルコニアで形成されている、請求項９記載の固体酸化物型燃料電池。