【事件の表示】
　平成　８年特許願第　５９８６２号「配線基板のレーザ加工方法及び配線基板のレーザ加工装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　４月２２日出願公開、特開平　９−１０７１６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明
　本願は、平成８年３月１５日（優先権主張平成７年８月７日）の出願であって、原審において、平成１５年１０月２８日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として同年１２月４日に本件審判請求がなされるとともに、同年１２月２６日付けの手続補正書により手続補正がなされたものである。当該手続補正は、本願特許請求の範囲について、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第三号に規定された誤記の訂正を目的とする補正を行うものであるから、本件手続補正は適法と認められる。
　したがって、本願特許請求の範囲の請求項１〜６に係る発明は、同請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりである。
「【請求項１】レーザビームを用いてガラスクロスと樹脂とからなる絶縁基材を有するガラスエポキシプリント基板にスルーホールやブラインドバイアホールの穴あけや溝加工、外形カット等を行う配線基板のレーザ加工方法において、前記レーザビームを１０μｓから２００μｓの範囲のビーム照射時間で、エネルギ密度を２０Ｊ／ｃｍ２以上としてパルス的に前記配線基板の被加工部に照射することを特徴とする配線基板のレーザ加工方法。」（以下、「本願発明」という）
　
２．引用刊行物とその記載事項
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された、いずれも本願出願前に頒布された以下の刊行物には、次の事項が記載されている。
　
＜引用刊行物＞
・特開平５−５５７２４号公報（以下、「引用例１」という）
・特開平３−１４２０８７号公報（以下、「引用例２」という）
　
＜引用刊行物の記載事項＞
（１）引用例１には、「レーザによるプリント基板の穴明け加工方法」に関して、図面とともに以下の事項が記載されている。
（イ）「【従来の技術】プリント基板は、たとえば、直径が数ミクロンメータのガラスファイバーを４０ないし６０本一束とした繊維束を網目状に織ったものにエポキシ樹脂を含浸硬化させた絶縁材の表面に銅箔を貼って構成される。多層プリント基板は、図４に示すように、上記のプリント基板を、銅箔１と絶縁材２が交互に位置するように副数枚貼りあわせて構成される。」（段落［０００２］）
（ロ）「【０００４】このような問題点を無くすため、図６に示すように、内層の銅箔１を残したブラインドホールを形成し、そのブラインドホールに導電層３を形成することが望まれている。このようなブラインドホールを形成する方法として、炭酸ガスレーザを用いてレーザ光により穴明け加工することが提案されている。この穴明け加工方法は、図６に示すように、予め、外層の銅箔１に窓穴４を明け、図８に示すように、この窓穴４を通してレーザ光５を照射することにより、絶縁材２を構成するガラス繊維やエポキシ樹脂を除去して、内層の銅箔１を露出させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、炭酸ガスレーザを用いた穴明け加工を行なった場合、プリント基板に照射されたレーザ光５は銅箔１によって反射されるため、内層の銅箔１は加工されないが、レーザ光５の照射量が多くなると銅箔１が加熱されるため、内層の銅箔１の下のエポキシ樹脂が融けたり蒸発したりして、内層の銅箔１がその下の絶縁材２から浮き上がったり、図９に示すように、内層の銅箔１からの反射されたレーザ光５により絶縁材２が侵食されて導電層の形成が難しくなり、電気的な接続の信頼性が低下する。また、レーザ光５の照射量が少なくなると内層の銅箔１にエポキシ樹脂が残り、図１０に示すように、内層の銅箔１と導電層３の接触面積が減少したり、あるいは非接触状態になり、電気的な接続の信頼性が低下する。
【０００６】本発明の目的は、上記の事情に鑑み、良好な導電層が形成しうるようなブラインドホールを形成するためのレーザによるプリント基板の穴明け加工方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明においては、比較的発振時間の長い加工用のレーザパルスと、比較的発振時間の短いクリーニング用のレーザパルスを設定し、加工用のレーザパルスで開口部の下にある銅箔に達する穴を加工した後、その穴内にクリーニング用のレーザパルスを照射する。」（段落［０００４］〜［０００７］）
（ハ）「【００１０】まず、図１に示すように、ドリル（図示せず）により、プリント基板の外層銅箔１を貫通する窓穴４を形成する。ついで、図２に示すように、前記窓穴４を通して、プリント基板にレーザパルス５ａを照射し、外層銅箔１と内層銅箔１の間にある絶縁材２を除去して、穴６を形成する。最後に、レーザパルス５ｂを照射して、内層銅箔１の上に残留するエポキシ樹脂を除去する。このようにして形成した穴６の底面、すなわち、内層同箔１の上には、エポキシ樹脂が残留することがないので、その後の工程で形成される導電層と内層同箔１との確実な接続を得ることができる。
【００１１】上記実施例において、穴４の直径が０、１ｍｍ、外層銅箔１と内層銅箔１の間の絶縁材の厚さが０、３ｍｍのとき、レーザパルス５ａを、パルス幅０、４５〜０、５５（ｍｓ）、出力エネルギー  １００〜１５０（ｍＪ）、レーザパルス５ｂを、パルス幅  ０，２〜０、３（ｍｓ）、出力エネルギー  １５〜２５（ｍＪ）に設定し、空気をアシストガスとして、２０Ｌ／ｍｉｎ流し、各レーザパルス５ａ、５ｂをそれぞれ１パルスづつ照射して加工したところ、図３に示すように、内層銅箔１上に残留樹脂がなく、しかも、絶縁材２が侵食されることもない良好な穴を形成することができた。」（段落［００１０］，［００１１］）
　
  上記記載事項（ハ）における「０、４５〜０、５５（ｍｓ）」、「０，２〜０、３（ｍｓ）」は、それぞれ「０．４５〜０．５５（ｍｓ）」、「０．２〜０．３（ｍｓ）」の誤記と認められるから、上記記載事項により引用例１には、「レーザ光を用いてガラス繊維とエポキシ樹脂とからなる絶縁材を有するプリント基板に、ブラインドホールの穴あけを行うプリント基板のレーザ加工方法において、前記レーザ光をパルス幅０．４５〜０．５５（ｍｓ）、出力エネルギー  １００〜１５０（ｍＪ）、ないしはパルス幅  ０．２〜０．３（ｍｓ）、出力エネルギー  １５〜２５（ｍＪ）で、パルス的に前記配線基板の被加工部に照射することを特徴とするプリント基板のレーザ加工方法。」の発明（以下、「引用発明」という）が開示されていると認めることができる。
　
（２）引用例２には、「プリント配線基板の穴明け加工方法」に関して、図面とともに以下の事項が記載されている。
（ニ）「第２図は本実施例の穴明け加工を行なう際の、プリント板１６の断面図を示すものである。加工の進行にともない（ａ）から（ｄ）へと状態変化する。プリント板１６はガラスエポキシ絶縁層（以下、単に「樹脂部」と称する）１６Ａの両面に銅箔１６Ｂ，１６Ｃを張りつけたものである。」（第３頁左下欄第１３〜１９行）
（ホ）「本発明は、上記実施例以外に適宜の変更が可能である。
　たとえば、樹脂部加工時において炭酸ガスレーザービームのパルス高を次第に増加させることに加えてパルス幅を次第に減少させてもよい。これは、樹脂部の加工時において加工の進行にともない熱が蓄積され、その影響で穴径が大きくなることがあり、これを防止するために照射時間（パルス幅）を漸次短くするのである。
　また、プリント板の樹脂部の材質及び箔部の材質に応じて、加工速度及び／または加工精度を向上させる様に、各工程における各レーザービームの各パルスの高さ及び幅ならびにパルスの数、更には２種類のレーザービームの組合わせ様式を適宜設定することができる。」（第４頁左下欄第１３行〜右下欄第８行）
　
３．本願発明と引用発明の対比
　本願発明と、引用発明とを対比すると、引用発明における「レーザ光」、「プリント基板」、「ブラインドホール」は、それぞれ、本願発明における「レーザビーム」、「回路基板」、「ブラインドバイアホール」に相当する。そして、上記記載事項（イ）から、引用発明における「ガラス繊維」は「ガラスクロス」を含むことは明らかだから、引用発明における「ガラス繊維とエポキシ樹脂とからなる絶縁材を有するプリント基板」は、本願発明における「ガラスクロスと樹脂とからなる絶縁基材を有するガラスエポキシプリント基板」に相当し、本願明細書の発明の詳細な説明を参酌すると、本願発明の「ビーム照射時間」は、引用発明における「パルス幅」と同義だから、本願発明と引用発明との一致点と相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「レーザビームを用いてガラスクロスと樹脂とからなる絶縁基材を有するガラスエポキシプリント基板にブラインドバイアホールの穴あけを行う配線基板のレーザ加工方法において、前記レーザビームをパルス的に前記配線基板の被加工部に照射することを特徴とする配線基板のレーザ加工方法。」
＜相違点＞
　レーザビームの照射条件が、本願発明は「１０μｓから２００μｓの範囲のビーム照射時間で、エネルギ密度を２０Ｊ／ｃｍ２以上」であるのに対して、引用発明は「ビーム照射時間０．４５〜０．５５（ｍｓ）、出力エネルギー  １００〜１５０（ｍＪ）、ないしはビーム照射時間０．２〜０．３（ｍｓ）、出力エネルギー  １５〜２５（ｍＪ）」である点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について、以下に検討する。
　上記記載事項（ホ）に示されるように、引用例２には、ガラスエポキシ基板に穴あけを行う配線基板のレーザ加工方法において、基板の樹脂部の材質に応じて、加工速度及び／または加工精度を向上させる様に、パルスの高さ及び幅ならびにパルスの数を適宜設定することができることが記載されている。
　そして、レーザビームで穴をあけるためには、材質に応じた一定以上のエネルギ密度が必要なことは技術常識に類することであり、配線基板にあける穴は極めて小径であることを考えれば（引用例１の上記記載事項（ハ）に示された実施例では、直径が０．１ｍｍ）、引用例１記載の実施例の出力エネルギーを参酌して、穴径や材質、加工速度などに応じてレーザビームのエネルギ密度を「２０Ｊ／ｃｍ２以上」に限定することは、当業者なら適宜決定し得たことである。
　また、周囲への熱的影響による炭化物の付着を少なくしたり、銅箔の損傷を防ぐためにビーム照射時間（パルス幅）を短くすることは、特開平４−１７６１８４号公報（以下、「周知例１」という）、特開平４−３７４９４号公報（以下、「周知例２」という）に見られるように、本願出願前周知の技術であったから、材質や求められる加工速度及び／または加工精度などにより、引用発明におけるビーム照射時間（パルス幅）をさらに短くして、「１０μｓから２００μｓの範囲」程度に限定したことは、当業者の必要に応じて適宜決定し得たことである。
　したがって、引用発明に引用例２記載の上記技術事項及び上記周知技術を適用して、本願発明における相違点に係る構成としたことは、当業者なら容易に想到し得たことである。
　
　なお、請求人は審判請求の理由において、「本願出願前には、１０〜２００μｓのパルス幅を自在に出射可能な装置は存在しませんでした。単一性の要件を満たしていないとのことで、段落００９０以下に参考例として記載している装置を採用することにより初めて１０〜２００μｓと短いパルス幅のレーザを自在に出射可能となったのです。拒絶査定において、「その数値範囲を好的化することは当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない。」とされていますが、本願出願前に１０〜２００μｓのパルス幅を自在に出射可能な装置が存在しないのにその数値を最適化することなど、当業者であっても到底できるものではありません。」などと主張しているが、上記周知例１には、パルス幅０．２ｍｓ（２００μｓ）の例が、上記周知例２には、パルス幅０．０５〜０．１５ｍｓ（５０〜１５０μｓ）ないしは０．０５〜０．１ｍｓ（５０〜１００μｓ）の例がそれぞれ記載されているから、上記請求人の主張に根拠がないことは明らかである。
　
　また、本願発明が奏する作用効果も、上記引用発明及び引用例２記載の発明、並びに上記周知の技術から予測される程度以上のものでもない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２記載の発明、及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　そして、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。