【事件の表示】
　特願２００２−５４０１９２「ホトレジストの改良形接着用アモルファス炭素層」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月１０日国際公開、ＷＯ０２／３７５３８、平成１６年　４月３０日国内公表、特表２００４−５１３５１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本願は、２００１年１０月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年１０月３１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年１１月９日付けで通知された拒絶の理由に対して、平成２０年５月１３日付けで手続補正書および意見書が提出されたが、同年６月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで特許請求の範囲に係る手続補正がなされたものである。
　その後、当審の審尋に対する回答書が平成２１年１０月１３日に提出されている。 
　 
第２．平成２０年９月８日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］  
　平成２０年９月８日付けの手続補正を却下する。  
　 
［理由］  
１．補正の概要  
　平成２０年９月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１を次のとおりとする補正事項を含むものである。
　
「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板上にホトレジストを形成するための方法において、
　前記基板の表面に１×１０−８メートル以下の厚さの炭素層を形成する工程と、
　前記炭素層上にホトレジストを形成する工程とからなる、方法。」
　　  
２．補正の適否の判断  
　上記補正事項は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ＩＩＩ−Ｖ族材料又は金属からなる基板上」を、「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板上」に限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下に検討する。
　  
３．刊行物の記載事項
　本願優先日前に頒布された次の刊行物１〜８には次に示す事項が記載されている。
　刊行物１〜５は、それぞれ、原査定の引用文献１〜５である。
　なお、刊行物６〜８は、前審の拒絶の理由には示されず、刊行物６、７は原査定にて、例示され、刊行物８は、当審にて初めて提示したものであるが、炭素膜を設けることの周知性、その作用効果の周知性（刊行物７）、膜厚規定の技術水準（刊行物６）に関する補足程度のものである。
　　
（１）刊行物１（特開平１−１９６８２８号公報）の記載事項
1a．「１．半導体基板に少なくとも１つの半導体素子が設けられ、前記半導体基板上方に電気配線またはボンディングパッドを形成する工程と、該電気配線または該ボンディングパッド上にプラズマ化した酸素化物気体に対するブロッキング層と
炭素または炭素を主成分とする被膜とを形成する工程
不要の炭素または炭素を主成分とする被膜を除去するため、マスクを配設して
炭素膜の形成された半導体装置の作製方法
　
1b．「「実施例１」
　・・・（省略）・・・
　かくして半導体（例えばシリコンウエハ）上に炭素特に炭素中に水素を２５モル％以下含有する炭素またＰ、ＩまたはＮ型の導電型を有する炭素を主成分とする被膜を形成させることができた。
「実施例２」
　第２図は実施例１の作製方法によって得られた
炭素(34)がコーティングされた基体上
　第２図において、マスク(35)として絶縁膜としては酸化珪素、フォトレジスト、窒化珪素を基板または基板(31)上の炭素膜(34)上に選択的に公知の方法にて形成した。」（第２頁右下欄第２行、第３頁左下欄第１８行〜右下欄第１２行）
　
1c．「「実施例３」
　第３図は本発明の他の実施例を示す。
　第３図において、半導体基板例えばシリコン基板(31)上に絶縁膜例えは酸化珪素膜(37)が窓あけをして設けられている。さらにアルミニウム、シリコン、銀、酸化物超伝導材料の電気配線(32)が公知のパターニング方法により作られている。この後、酸素化物気体のプラズマ雰囲気にさらしても、この電気配線が酸化絶縁化しないためのブロッキング層(33)を設けた。ここでは絶縁膜の場合は酸化珪素膜、リンガラスまたは窒化珪素膜とした。さらにこの上に実施例１に従い０．１〜２μｍの厚さ、
例えば０．５μｍの厚さに炭素膜(34)を形成した
　さらにこの上に酸素化物気体のプラズマ雰囲気でエッチングして炭素膜(34)を除去すべき領域を除いて他部にマスクを設けた。この図面ではボンディングパッド上の炭素膜を除去する例を示す。
　このマスクとして、この実施例では有機樹脂を用いた。その１例として、これらの上部にフォトレジストを設けた。」（第４頁左上欄第９行〜右上欄第９行）
　
（２）刊行物２（特開平７−５７９９５号公報）の記載事項
2a．「【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
（実施例１）図１は、本発明の第１の実施例に係わるレジストパターン形成工程を示す断面図である。
【００３６】まず、図１（ａ）に示すようにシリコン基板（被処理基板）１１の表面に、マグネトロンスパッタ法により炭素膜（被加工膜）１２を膜厚０．１μｍで形成した。なお、この炭素膜１２は高反射基板上の反射防止膜として用いられるものである。」
　
（３）刊行物３（特開平７−１９１４６７号公報）の記載事項
3a．「【００１５】
【作用】本発明者らによれば、前述したレジストパターンのプロファイル劣化の現象は、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）のような酸性の基や水酸基を含む膜、より
具体的には高反射基板上のリソグラフィー工程において反射防止膜として用いられるＣＶＤ法、スパッタ法、溶液からの塗布法などで成膜された炭素薄膜
　
3b．「【００２３】
【実施例】以下、本発明のレジストパターンの形成方法について、実施例を用いて説明する。
（実施例１）図１は、本発明の第１の実施例を示す工程断面図である。まず、図１（ａ）に示すごとく、
ベアシリコン基板３上に膜厚が１０００オングストロームとなるようにＤＣスパッタ法によりカーボン膜４を堆積させた
　
（４）刊行物４（特開平８−８３７５４号公報）の記載事項
4a．「【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明は、基板上に、微細な凹凸をその表面に不規則に有する膜を、露光光に対して吸収性を有する材料で形成する工程、前記微細な凹凸を有する吸収性膜上に感光性組成物を塗布し、樹脂層を形成する工程、前記樹脂層にパターン露光を施す工程、および、前記露光後の樹脂層を、現像液を用いて現像処理する工程を具備するパターン形成方法を提供する。
【００１６】なお、吸収性を有する膜の表面に形成される微細な凹凸は、その凸部のピーク間の距離および深さが、レジスト膜中における露光波長以下であることが好ましい。
【００１７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に用いられ得る基板としては、例えば、シリコンウェハ、表面に各種の絶縁膜や電極、配線が形成されたシリコンウェハ、ブランクマスク、
ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどの III-V族化合物半導体ウェハ
【００１８】
前記基板上に形成される吸収膜の材質としては、
例えば、カーボン、アモルファスＣ
　
4b．「【００３７】
【実施例】以下に、図面を参照して本発明のレジストパターン形成方法を詳細に説明する。図２に、本発明のパターン形成方法の工程を表わす断面図を示す。
【００３８】まず、図２（ａ）に示すように、基板としての
シリコンウェハ１上にＣＶＤ法によりカーボンを堆積して、膜厚約１００ｎｍの吸収膜２を成膜
【００３９】
続いて、レジストとしてのＡＰＥＸ−Ｅを、処理後の吸収膜２の上にスピンコート法により塗布
　
（５）刊行物５（特開平８−１０２０１４号公報）の記載事項　
5a．「【００１４】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１から図６に基づいて説明する。図２において薄膜磁気ヘッド基板１の表面のアルミナベース膜２の上に、パーマロイ等の下部磁性膜３，アルミナから成るギャップ層４，
シリコンの上部コア段差形成層５，カーボンのレジスト密着層６，レジスト層７を所定の厚さに積層形成
　
（６）刊行物６（特開平５−２０６０２３号公報）の記載事項
6a．「【００１６】また本法を用いる場合に、レジスト断面形状は照射光を傾斜しない場合に較べると露光条件や現像条件によって変わり易く、最適条件の範囲が狭い傾向があった。この原因を検討したところ、照射した光がＳｉ基板上で反射してレジストを感光するためであることがわかった。
そこで表面での反射をなくすために、レジスト塗布前のＳｉ表面に炭素膜を約１ｎｍ蒸着しておいたところ、上記の問題点がかなり改善された。そこでさらに、ホトマスク裏面での反射をなくすためにパターン部分のみに１０ｎｍの炭素膜を形成したところ、さらに改善され
　
（７）刊行物７（特開平７−１６９６７５号公報）の記載事項
7a．「【発明の効果】この発明の電子線リソグラフィー用の基板材料は、従来型の基板材料上に原子番号の小さな材料である
炭素薄膜の被覆層を形成
炭素薄膜層は親油性が高いので従来用いられている電子線レジストに対して良好な濡れ性を示し、電子線レジストは基板表面に極めてよく展開し、かつ炭素薄膜層と電子線レジストの密着性も優れている
　
（８）刊行物８（「半導体集積回路用レジスト材料ハンドブック」［山岡亜夫監修、１９９６年７月３１日株式会社リアライズ社発行、第２２３頁]）
8a．「９．１　反射防止膜（ARC）
・・・。ARCにはレジスト膜の上層に形成する・・・と下層に形成するbottom　ARCとがある。・・・（省略）・・・
９．１．２　蒸着 bottom　ARC
　蒸着 bottom　ARCは，基板段差に対して一様な膜厚で成膜される。・・・（省略）・・・。蒸着 bottom　ARCの材料としては
アモルファスカーボン（a-Ｃ：Ｈ）
　
４．対比、判断  
　上記、刊行物１〜５の記載によれば、
「基板上にホトレジストを形成するための方法において、
　前記基板の表面に炭素層を形成する工程と、
前記炭素層上にホトレジストを形成する工程とからなる、方法。」
は本願優先日前に周知であったといえる（以下、「周知発明」という）。
　また、刊行物６〜８の記載からも、周知であったといえる。
　そこで、本願補正発明と周知発明を比較すると、次の相違点１、２で相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明は、基板を「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板」に特定しているのに対し、
　周知発明は、そのような特定がない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明が炭素層の厚さを１×１０−８メートル以下と限定しているのに対し、
　周知発明は、そのようなの厚さの限定がない点。
　 
（相違点１について） 
　上記刊行物１−７には、炭素層を設けた具体例としてはシリコン基板であるが、半導体デバイス製造分野で「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板」は、本願の優先日前には、周知である。
　加えて、上記刊行物４には、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウェハについても記載されている。
　してみると、周知発明において、基板を「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板」に特定することは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（相違点２について） 
　基板とホトレジストの間の層を設けるにあたり、その厚さは、露光条件あるいはその層に要求される性能に応じて、当業者が適宜最適な範囲に設定すべきものである。
　また、上記刊行物６には、炭素膜を１ｎｍまたは１０ｎｍ（１×１０−８メートル）蒸着することが記載されている。
　してみると、周知発明において炭素層の厚さを、本願補正発明の１×１０−８メートル以下とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　　
　上記相違点１、２に係る構成をともに採用することにも、困難性は認められない。
　　
（請求人の主張および本願補正発明の奏する作用効果について）
　請求人は審判請求書の請求の理由および回答書において次のように本願補正発明の進歩性を主張する。
　
　【請求の理由】
　上記刊行物１〜７との相違点を説明し、
『よって、引用文献１〜５、及び、拒絶査定で初めて引用された特開平５−２０６０２３号公報及び特開平７−１６９６７５号公報の、いずれの文献の組み合わせをもってしても、「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板上にホトレジストを形成するための方法」において、「前記基板の表面に１×１０−８メートル以下の厚さの炭素層を形成する工程」と、「前記炭素層上にホトレジストを形成する工程」とを備える方法は、開示も示唆もされておらず、本願各請求項に係る発明は新規性及び進歩性を有する。』と述べる。
　【回答書】
『（２）引用文献との対比説明 
　特開平５−２０６０２３号公報は、レジストの断面形状の発明に関し、付加的に、段落００１６にシリコン基板上に１ｎｍの厚さの炭素膜を蒸着し、その後レジストを形成する技術思想が開示されている。炭素膜を設ける目的および作用・効果として記載されている内容は、「レジスト断面形状は照射工を傾斜しない場合と較べると露光条件や現像条件によって変わり易く、最適条件の範囲が狭い傾向があった。この原因を検討したところ、照射した光がＳｉ基板上で反射してレジストを感光するためであることがわかった。そこで表面の反射をなくすためにレジスト塗布前のＳｉ表面に炭素膜を約１ｎｍ蒸着しておいた」とするものである。 
　前置報告書によると、「本願の請求項１に記載の膜厚範囲で炭素膜を用いることも当業者が容易に想到し得た事項であり、その際には本願と同様の効果を奏しているものと認められる」と記載されている。しかしながら、特開平５−２０６０２３号公報のようにシリコン基板を用いる場合には、本件発明が解決しようとする課題である接着性の問題（段落０００３等）は、そもそも生じず、本願と同様な効果があるとは言えない。本件発明が解決しようとする、接着性の課題は、基板材料として請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族の材料を用いる場合に初めて生じるものであるが、このような課題、構成、作用・効果は、いずれも刊行物には記載されていない。よって、本件各請求項に係る発明と特開平５−２０６０２３号公報とでは技術思想が異なり、特開平５−２０６０２３号公報は本願の進歩性を否定する根拠とはなりえない。 
　特開平７−１６９６７５号公報は、アルミノシリケートガラス（実施例）、サファイア、高分子材料（第３欄第１〜８行目）からなる基板の上にダイヤモンドライクグラファイト層やグラファイト層で被覆した後にその表面に電子線レジスト層を形成する（第２欄第４３〜４５行目）技術を開示している。炭素膜を設けたことの課題及び作用・効果は、電子線リソグラフィにおける後方散乱電子の発生を抑える点にある。 
　しかしながら、特開平７−１６９６７５号公報にも、基板材料として請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族の材料を用いる場合における基板とレジストの接着性の問題は記載されていないし、そもそもＩＩＩ−Ｖ族の材料を用いる点について何ら開示していない。従って、特開平７−１６９６７５号公報もまた、本件各請求項に係る発明とは全く異なる技術に関する文献である。前置報告書では、「周知のＩＩＩ−Ｖ族の基板にレジスト密着層として炭素層を設けることは当業者が容易に想到し得た事項であり、その際に実験的に好適な膜厚を設定することも当業者の通常の創作能力の発揮であり、数値範囲に臨界的意義も認められない」と記載されている。しかしながら、特開平７−１６９６７５号公報に開示された内容は、たかだか電子線リソグラフィの後方散乱を防ぐための炭素層の作製であり、電子線リソグラフィを使用しない場合にまで、当該刊行物に何ら記載されていないＩＩＩ−Ｖ族基板に炭素層を設ける動機付けはなく、臨界的意義については論じるまでもない。 
　従って、本件各請求項に係る発明は、引用された刊行物に対し、当然に新規性及び進歩性を有する。』
　 
　この請求人の主張について、本願補正発明の奏する作用効果とともに検討する。
　
　まず、前審拒絶の理由では、刊行物１〜５のそれぞれで新規性および進歩性を否定しているが、各文献には、その後補正により付加された事項、すなわち、相違点１、２に係る基板種および膜厚に関する限定は記載されていない。とはいえ、補正される前の本件発明の特徴である、「炭素層」を基板とホトレジストの間に設ける点が周知であったことは示され、これを根拠に拒絶の査定がなされている。
　上記、請求人の主張は、炭素層を設けることが周知であった点については触れずに、刊行物１〜５、および、拒絶査定に示された文献との差違を述べるが、シリコン基板に代表される半導体デバイス製造で周知であった技術を、他の「周知のＩＩＩ−Ｖ族の基板」に適用しないといえる理由もない。必要とする機能を発揮する範囲において膜厚の上限を設定することにも特段困難性は認められない。
　本願明細書においても、「基板、特にＩｎＧａＡｓ及びＩｎＡｌＡｓ基板」（【０００２】）、「基板１２への、より詳細に説明すると、ＩｎＧａＡｓでエピコーティングされたウェハ」（【００１４】）と記載され、特にＩｎＧａＡｓ及びＩｎＡｌＡｓ基板の接着性を課題ととする旨の記載はあるものの、【００１２】をはじめ、シリコン基板を含む任意の基板に適用することを含む内容であって、「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板」に対する特異的な組み合わせによる作用効果を有することは記載されてはいない。
　厚さに関しても、「１００Å以下の厚さ、好適には、３０〜７０Åの厚さに堆積される。炭素層１４をこのように堆積することにより、基板１２への、より詳細に説明すると、ＩｎＧａＡｓでエピコーティングされたウェハへの以降に堆積されるホトレジストの接着の耐久性が改善される」（【００１４】）とあるのみで、「ＩｎＧａＡｓでエピコーティングされたウェハ」および堆積される「ホトレジスト」が具体的にどのようなものであって、具体的にどのように「接着の耐久性が改善」されたのか全く示されておらず、本願補正発明の厚さの範囲の限定に格別な技術的意義、臨界的意義は認められない。
　
　一方、一般に、シリコン基板を含む半導体デバイス基板と一般に有機系のポリマーであるホトレジスト材料とは一般に密着性が悪く、その改善は技術常識である。基板−ホトレジスト密着性に関しての課題は、「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板」であっても、特段変わるものではなく、共通するものであるといえる。
　また、炭素層がホトレジスト密着性の向上に寄与することは、炭素層の有機物としての性質からみて明らかであり、刊行物５、７にも示されている。
　そして、反射防止能は露光波長に応じた最適な厚みがあるものの、接着性能に関しては、薄くても、その性能をある程度発揮するものと予測され、本願補正発明の厚さ範囲とすることに臨界的意義等はやはり認められない。                                    
　よって、請求人の主張を考慮しても、「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板」に特定すること、および、本願補正発明が炭素層の厚さを１×１０−８メートル以下と限定することに格別顕著な作用効果は認められない。
　
　なお、回答書にて、請求人は上記のように、原査定時に例示した文献、すなわち、刊行物６、７について述べている点について補足する。
　刊行物６について、シリコン基板について、所定の厚さの炭素膜にしたことが記載されているが、炭素膜を所定の厚さとすることの容易性の根拠となるものであって、この文献のみを根拠に、本願補正発明の容易性を検討するのものではない。
　刊行物７において、「たかだか電子線リソグラフィの後方散乱を防ぐための炭素層の作製」と述べるが、他の目的があるにせよ、ホトレジストとの密着性がよいことは示されている。また、本願明細書【００１６】より、本願補正発明が、電子線リソグラフィを使用する場合を含めるのは明らかであり、本願明細書ではホトレジストの組成に関心はなく、電子線リソグラフィ用のホトレジストとそうでないホトレジストにおいて、その基板との密着性に係る組成に大きな差違はなく、炭素層とホトレジストとの密着性が一般に良好であることが示唆されているといえる。
　
５．まとめ
　よって、本願補正発明は、周知発明および周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
６．むすび 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　
　　　
第３．本願発明について  
１．本願発明  
　平成２０年９月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成２０年５月１３日付の手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明は次のとおりのものと認める。  
　 
「ＩＩＩ−Ｖ族材料又は金属からなる基板上にホトレジストを形成するための方法において、
　前記基板の表面に１×１０−８メートル以下の厚さの炭素層を形成する工程と、
　前記炭素層上にホトレジストを形成する工程とからなる、方法。」
　 
２．引用刊行物に記載された発明  
　原査定の拒絶の理由に引用文献１〜５として引用された上記刊行物１〜５および原査定に例示された刊行物６、７には、上記「第２．３．」欄に示したとおりの事項が記載されている。
　　 　 
３．対比、判断 
　本願発明１は、上記「第２． １．」欄に示した本願補正発明における、「ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる基板上」との限定が、「ＩＩＩ−Ｖ族材料又は金属からなる基板上」と択一的記載の選択肢が増えたものである。 
　 
　そうすると、本願発明１の特定事項を全て含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２．　４．〜５．」欄に記載したとおり、刊行物１〜５に示される周知発明および周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明１も、同様の理由により、刊行物１〜５に示される周知発明および周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　 
４．むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、周知発明および周知の事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。