【事件の表示】
　特願２００３−　　３７７９「基板の製造方法および基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月２４日出願公開、特開２００４−２６１８７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年１月９日を出願日とする出願であって、平成１９年８月３１日付け拒絶理由通知の後、平成２０年１月２８日付けで拒絶査定され、これに対して、平成２０年３月３日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同年４年２日に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２０年４月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年４月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
１．本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするものであり、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された範囲内でなされたものである。
　そこで特許請求の範囲の補正のうち、請求項１１の補正について検討する。
（以下「補正１」という。）
補正１は、
「【請求項１１】
第１の物質中に第２の物質を添加材として含む基板であって、
表面の所定の位置に、前記第２の物質からなる平面状のパターンを有することを特徴とする基板。」
を、
「【請求項１１】
筒状炭素分子用基板であって、
第１の物質中に筒状炭素分子の触媒機能を有する金属よりなる第２の物質を添加材として含む基板であって、
表面の所定の位置に、前記第２の物質からなる平面状のパターンを有することを特徴とする基板。」（以下、「本願補正発明」という。）
と補正するものである。　　
　
（１）補正内容
　
　前記補正１は、以下の内容からなる。
ア　本件補正前の「基板」を、「筒状炭素分子用基板」とする補正。
イ　本願補正前の「第２の物質」を、「筒状炭素分子の触媒機能を有する金属よりなる第２の物質」とする補正。
　
（２）補正の適否
＜目的違反（限定的減縮違反）＞
　本件補正前の産業上の利用分野は、発明の詳細な説明中の発明の属する技術分野についての記載を勘案し全ての請求項の記載に基づいて把握した「発明を特定するための事項」に基づけば、具体的には、基板表面上におけるパターニング技術（一般技術）に関するものである。
一方、本件補正後の産業上の技術分野は、「筒状炭素分子」の製造技術に関するものであると言える。
　したがって、補正前後の発明の技術分野が一致する場合、及び補正前発明の技術分野と補正後の発明の技術分野とが技術的に密接に関連する場合には該当しないから、本件補正前及び補正後の産業上の利用分野が同一であるとは言えず、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる、いわゆる特許請求の範囲の限定的減縮に該当しないものであり、また、同条第４項第１号（請求項の削除）、第３号（誤記の訂正）及び第４号（明りようでない記載の釈明）のいずれにも該当しない。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という）第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
＜独立特許要件違反＞
　上述したように本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるが、仮に、上記補正１が平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下２．〜４．で（補足的に）検討する。
　
２．引用例
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１１０１７６号公報（以下、「引用例Ａ」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項ア
「【特許請求の範囲】
【請求項１】遷移金属の酸化物および難還元性金属酸化物との固溶体相を含有する基体と、
この基体上に析出された前記遷移金属から成長させたカーボンナノファイバーとからなることを特徴とするカーボンナノファイバー複合体。」
　
記載事項イ
「【００１２】本発明のカーボンナノファイバー複合体の製造方法は、遷移金属の酸化物および難還元性金属酸化物との固溶体相を含有する基体を還元性雰囲気下で加熱して前記基体表面に遷移金属を析出し、前記基体を炭素構成元素とするガス中で加熱して析出した前記遷移金属からカーボンナノファイバーを成長させることを有することを特徴とする。
【００１３】また、本発明のカーボンナノファイバー複合体の製造方法は、遷移金属の酸化物および難還元性金属酸化物との固溶体相を含有する基体を炭素を構成元素とするガス中で加熱して前記基体表面に遷移金属を形成すると共に、この析出した遷移金属からカーボンナノファイバーを成長させることを特徴とする
・・・
【００１６】基体１は、遷移金属の酸化物と難還元性金属酸化物との固溶体で形成されており、この基体１表面の遷移金属元素が存在する領域からカーボンナノファイバー２が成長しており、このカーボンナノファイバーは複数本が基体１の全面に形成されている。
【００１７】基体１は、遷移金属の酸化物と難還元性金属酸化物との固溶体相を含有するものであれば特に制限されず、例えば、図１に示すように、固溶体相で形成された基板をそのまま基体として使用しても良いし、金属あるいは炭素などの導電性材料やセラミックスなどの絶縁性材料からなる基板表面に前記固溶体相が形成された基体を使用しても良い。
【００１８】遷移金属の酸化物は、例えばＦｅ、ＣＯあるいはＮｉなどの酸化物を使用すればよく、これらの酸化物を還元し、固溶体相中に遷移金属を形成する。この遷移金属を触媒としてカーボンナノファイバーが成長する。」
　
記載事項ウ
「【００３２】この固溶体をそのまま基体として使用しても良いし、ガラス基板など、所望の基板表面に、この固溶体を原料として、スパッタ法やＰＶＤ法などにより固溶体からなる層を成膜しても良い。さらに、ゾルゲル法などの湿式合成法により基体表面に固溶体からなる薄膜層を形成することができる。」
　
　以上、記載事項ア〜ウから、引用例Ａには、次の発明（以下、「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
　
「カーボンナノファイバーをその全面に形成する基体であって、
難還元性金属酸化物と遷移金属の酸化物との固溶体層を含有する基体を、
還元性雰囲気下で加熱して前記基体表面の全面に遷移金属を析出し、かつ前記遷移金属はカーボンナノファイバー成長用の触媒である、基体」
　
　次に、本願の出願日前の他の出願であって，その出願後に出願公開された特願２００２−１８１１２８号（特開２００３−１６８７４５号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には，以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項エ（第１頁第４行目乃至第７行目）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路素子の容量を増加させる方法であって、
基板上に触媒領域をパターニングするステップと、
前記触媒領域上にナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを形成するステップと、
前記ナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルト、および前記基板上に第１誘電層を形成するステップと、
前記第１誘電層上に電極層を形成するステップとを含む方法。」
　
記載事項オ
「【０００８】また、第２の方法としては、基板１０における所定の領域（つまり、触媒領域１２）上に、イオン注入によって金属触媒を注入するステップを含むものがある。これによって、触媒領域１２がパターニングされる。この金属触媒は、ニッケル或いは鉄であると好適である。」
　
記載事項カ
「【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればコンデンサ電極領域としてナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを用いたため、コンデンサ電極の底面積を広げることなく容量を増加させることができる。これによって、プロセスが簡便化されると共に、製造コストを引き下げることができる。また、本発明のＤＲＡＭへの適用につき、容量が増大されることにより、記憶セルのデータセーブの安定性も高まる。」
　
　以上、記載事項エ〜カから、先願明細書には、次の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを形成するための基板であって、
前記基板における所定領域（触媒領域１２）に、金属触媒を注入し、触媒領域１２がパターニングされた基板。」
　
３．対比
　
　本願補正発明と引用発明Ａ、及び、本願補正発明と先願発明とを対比する。
　
＜本願補正発明と引用発明Ａの対比＞
　
（１）引用発明Ａの「カーボンナノファイバーをその全面に形成する基体」と、本願補正発明の「筒状炭素分子用基板」とを対比すると、
　
ア　引用発明Ａの「基体」とは、「カーボンナノファイバーをその全面に形成する」ための「基体」であるから、カーボンナノファイバー用の基体であると言える。
　
イ　また、引用発明Ａの「カーボンナノファイバー」及び「基体」は、本願補正発明の「筒状炭素分子」及び「基板」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、上記ア及びイから両者は相当関係にある。
　
（２）引用発明Ａの「難還元性金属酸化物と遷移金属の酸化物との固溶体層を含有する基体を、
還元性雰囲気下で加熱して前記基体表面の全面に遷移金属を析出し、かつ、前記遷移金属はカーボンナノファイバー成長用の触媒である、基体」と、本願補正発明の「第１の物質中に筒状炭素分子の触媒機能を有する金属よりなる第２の物質を添加材として含む基板であって、
表面の所定の位置に、前記第２の物質からなる平面状のパターンを有することを特徴とする基板」とを対比すると、
　
ア　引用発明Ａの「難還元性金属酸化物と遷移金属の酸化物との固溶体層」の「固溶体層」とは、一般に、２種類以上の元素（金属の場合も非金属の場合もある）が互いに溶け合い、全体が均一の固相となっているものであるから、難還元性金属酸化物に遷移金属の酸化物が加えられた（添加された）ものであると言える。また、当該固溶体層を還元性雰囲気下で加熱した場合、これにより遷移金属の酸化物が還元されて析出した遷移金属も、同様に、難還元性金属酸化物中に加えられた（添加された）状態にあると言える。
　
イ　また、引用発明Ａの「難還元性金属酸化物」及び、析出した「遷移金属」は、それぞれ、本願補正発明の「第１の物質」及びに「第２の物質」に相当する。
　
ウ　引用発明Ａの「遷移金属」は、「基体表面の全面」に析出するものであるから、「基体表面の全面」という基板の所定の位置に、析出した「遷移金属」からなる「基板表面の全面」という平面状のパターンを形成するものである。
　
　以上ア〜ウから、両者は相当関係にあると言える。
　上記（１）及び（２）の対比考察から、本願補正発明と引用発明Ａは一致し、両者の間には相違点はない。
　
まとめ
　したがって、本願発明は，引用例Ａに記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　
＜本願補正発明と先願発明との対比＞
　
（１）先願発明の「ナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを形成するための基板」と本願補正発明の「筒状炭素分子用基板」とを対比すると、先願発明の「ナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルト」、「形成するため」及び「基板」は、それぞれ、本願補正発明の「筒状炭素分子」、「用」及び「基板」にそれぞれ相当するので、両者は相当関係にある。
　
（２）先願発明の「前記基板における所定領域（触媒領域１２）に、金属触媒を注入し、触媒領域１２がパターニングされた基板」と本願補正発明の「第１の物質中に筒状炭素分子の触媒機能を有する金属よりなる第２の物質を添加材として含む基板であって、
表面の所定の位置に、前記第２の物質からなる平面状のパターンを有することを特徴とする基板」とを対比すると、
　
ア　先願発明の「基板」、「金属触媒」及び「注入」は、本願補正発明の「第１の物質」、「触媒機能を有する金属よりなる第２の物質」及び「添加」に相当する。
　
イ　また先願発明の「所定領域（触媒領域１２）」及び「パターニングされた」は、本願補正発明の「表面の所定の位置」及び「平面状のパターン」にそれぞれ相当する（先願発明の所定領域は、同領域から形成されるカーボンナノチューブの用途（コンデンサ電極領域）からみて、平面的に形成された領域であることは、技術常識からみて自明である。）。
　
　以上ア及びイから、両者は相当関係にあると言える。
　
　上記（１）及び（２）の対比考察から、本願補正発明と先願発明は同一であり、両者の間には相違点はない。
　
まとめ
　したがって，本願発明は，先願明細書に記載された発明と同一であり，しかも，本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも，また，本願の出願時に，その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので，本願発明は，特許法２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　
４．独立特許要件についての結び
　
　以上のとおり、本件補正が特許請求の範囲の限定的減縮に該当するとしても、本願補正発明は、特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条の２第１項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　
　平成２０年４月２日付けの手続補正は上記の通り却下されたので、本願の請求項１１に係る発明は、本願の出願当初明細書の特許請求の範囲の請求項１１に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。　
「【請求項１１】
第１の物質中に第２の物質を添加剤として含む基板であって、
表面の所定の位置に、前記第２の物質からなる平面状のパターンを有することを特徴とする基板。」
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−１３４９２５号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項キ（第１頁左下欄第４行目乃至右下欄第３行目）
「２．特許請求の範囲
　１．結晶組織が異なりかつ光学的特性も異なる２つの安定状態を取り得る微結晶体からなる記憶薄膜に、異なる条件の光エネルギーを照射して該２つの安定状態を選択的に生起させることにより情報を記録および（または）消去することを特徴とする光学的情報記憶媒体。
　２．結晶組織が異なりかつ光学的特性も異なる２つの結晶質の安定状態を取り得る微結晶体からなる記憶薄膜に、該２つの安定状態を選択的に生起させることにより記録した情報を、該記憶薄膜中に選択的に形成された該安定状態を光学的に検出することによって再生することを特徴とする光学的情報再生方法。
３．発明の詳細な説明】
　産業上の利用分野
　本発明は光ディスクにおけるように光学的に情報を記憶および再生する方法に係り、特に一旦記録した情報を消去して新たに記録することができる光学的情報の記憶および再生方法に関する。」
　
記載事項ク（第３頁右下欄第１１行目乃至第４頁右上欄第１行目）
「本発明者らは後出の第６図（イ）および第７図（イ）の写真の回折パターンを詳細に分析した結果、結晶構造の２つの状態の反射率変化は、ＩｎＳｂの合金膜の場合、つぎのような原因によるのではないかという推測をするに致った。
　第６図（イ）および第７図（イ）は対応する第６図（ロ）および第７図（ロ）の透過顕微鏡写真に示された像（明視野像）の中心部のみを調べたものである。明視野像では中心部の結晶粒がみかけ上大きさが異っているように見えるが、回折線の詳細な分析では以下のことがわかっている。すなわち、第６図（イ）、第７図（イ）にはともにＩｎ５０Ｓｂ５０（立方晶ａ０＝６．４７８Å）とＳｂ（六方晶ａ０　＝４．３０７Å、Ｃ０＝１１．２７３Å）が観測されるが、その回折線の強度の強弱の比が第６図（イ）と第７図（ロ）で逆になっている。つまり、第６図（イ）ではＩｎ５０Ｓｂ５０の回折線がＳｂよりも強く出ているが、第７図（イ）ではＳｂの回折線の方がＩｎ５０Ｓｂ５０よりも強く出ている。このことは、光の照射条件により合金Ｉｎ−ＳｂからＳｂの析出する量が異なることを示している。純粋なＳｂ薄膜の反射率は７０％であるのに対してＩｎ５０Ｓｂ５０の薄膜の反射率は４０％であることが知られているので、Ｓｂの析出量が多い程反射率は高いことが説明できる。
　Ｉｎ５０Ｓｂ５０とＳｂのバランスに差ができるのは薄膜の２種類の光照射による加熱冷却過程の差異によって、（１）Ｓｂ元素が膜の横方向に移動するか、（２）Ｉｎ５０Ｓｂ５０の中に固溶できる量が異ってその上Ｓｂの析出量が異なるか、２つの可能性が考えられる。しかし、いずれにしろ、両者の状態とも明らかな結晶状態であることにはかわりない。」
　
記載事項ケ（第４頁左下欄第４行目乃至右下欄第１７行目）
「
ＩｎＳｂ　薄膜の作成
・・・
　円板を６００ｒｐｍで回転し、レーザパワーを５ｍＷになるようにして円板上に照射すると、回転につれて記録膜からの反射率が次第に低下した。５回転でほぼ変化が停止したのでレーザパワーを１ｍＷ以下に低下させた。次に、ピークパワー２０ｍＷで２ＭＨｚの矩形波で半導体レーザを駆動し、１回転分だけ円板上に照射すると、パルス状に光照射された部分の反射率が上昇した。１ｍＷで連続的に円板上の反射率を測定したところ、２ＭＨｚの信号がＣ／Ｎ４０ｄＢで検出された。」
　
記載事項コ（第５頁左上欄第１４行目乃至右上欄第１４行目）
「
結晶構造の評価
　まず、成膜後レーザ光照射を全く行なっていない未記録部は、結晶の規則正しい配列に起因する電子の回折は見られず、非晶質状態であった。次に、多数回光パルス照射して反射率を低下させた部分は、第６図の写真（イ）（ロ）に見られる如く、約１μｍのスポット状に完全に結晶化していることがわかった。さらに、強パルス照射によって、再び反射率を増加させた部分を観察したところ、第７図の写真（イ）（ロ）に見られる如く、同様に結晶状態であり、ただし中心部の結晶粒の大きさが大きくなっていることが判明した。第６図および第７図の写真は、それぞれ電子顕微鏡による（イ）が電子線回折パターン、（ロ）が明視野像である。この電子顕微鏡の観察により、記憶膜は結晶と非晶質（または成膜後の状態に近い結晶の乱れた状態）との間の相転移によって情報を記録するのではなく、一旦結晶化した後に結晶と結晶の間の状態変化によって情報を記録していることが判明した。」
　
　以上、記載事項キ〜コから、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「Ｉｎ５０Ｓｂ５０の合金薄膜（記録層）が表面上に形成された基板であって、
　合金薄膜にピークパワー２０ｍＷの半導体レーザ光を照射した位置に、前記Ｓｂが析出する基板。」
　
３．対比・判断
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「Ｉｎ５０Ｓｂ５０の合金薄膜（記録層）が表面上に形成された基板」と、本願発明の「第１の物質中に第２の物質を添加材として含む基板」とを対比すると、
　
ア　一般に合金は、一方の金属元素に、別の金属元素を添加したものであるので、引用発明のＩｎ５０Ｓｂ５０の合金薄膜は、Ｉｎ中にＳｂを添加したものと言える。
　
イ　また、引用発明の「Ｉｎ」、「Ｓｂ」及び「基板」は、本願発明の「第１の物質」、「第２の物質」及び「基板」にそれぞれ相当する。
　
　以上、ア及びイから、両者は相当関係にある。
　
（２）引用発明の「合金薄膜にピークパワー２０ｍＷの半導体レーザ光を照射した位置に、前記Ｓｂが析出する基板」と本願発明の「表面の所定の位置に、前記第２の物質からなる平面状のパターンを有することを特徴とする基板」とを対比すると、
　
ア　引用発明の「合金薄膜にピークパワー２０ｍＷの半導体レーザ光を照射した位置」は、（基板上の記録層（合金薄膜））表面の「所定」（照射された部分）の位置であると言えるので、本願発明の「表面の所定の位置」に相当する。
　
イ　また、引用発明の「Ｓｂ」は本願発明の「第２の物質」に相当し、かつ、「Ｓｂ」が析出した部分は、何らかのパターンと言えるので、引用発明の「前記Ｓｂが析出する基板」と本願発明の「前記第２の物質からなる平面状のパターンを有することを特徴とする基板」とは、「前記第２の物質からなるパターンを有する基板」である点で一致する。
　
　したがって、上記（１）及び（２）の対比考察から、本願発明と引用発明とは、
「第１の物質中に第２の物質を添加剤として含む基板であって、
表面の所定の位置に、前記第２の物質からなるパターンを有する基板。」のである点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点
　
「第２の物質からなるパターン」が、本願発明は「平面状」であるのに対して、引用発明では、そのような特定がなされていない点。
　
４．当審の判断
　
　前記相違点について、検討する。
　
　光ディスクの記録パターンとして平面状のものは従来周知であるから（例えば、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１−１０２７５５号公報（第１図など）等を参照）、引用発明の記録パターンを平面状とすることは、当業者であれば適宜なす程度の設計的事項にすぎない。
　
　また、本願発明によってもたらされる効果は引用例１の記載及び周知の事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。　
　
まとめ
　
　よって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、原査定の拒絶の理由に引用された引用例１に記載された発明、及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　
　よって結論のとおり審決する。