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　平成　８年特許願第５１１０４５号「半導体チップの順応性インターフェース」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　３月２８日国際公開、ＷＯ９６／０９７４６、平成１０年　６月１６日国内公表、特表平１０−５０６２３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９５年９月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９４年９月２０日、米国、１９９４年１２月２９日　米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年１０月２０日付け手続補正書によって補正された明細書と図面（以下、「本願明細書及び図面」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「第１の面を有する第１の支持構造体（１００）と、
　前記第１の支持構造体の前記第１の面に取り付けられ、相互間にチャンネル（１１７）を画成する複数の順応性誘電パッド（１１０）と、
　前記順応性誘電パッド及びチャンネルが前記第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置されるように、前記順応性誘電パッドに当接する第２の支持構造体（１２０）の第１の面と、
　前記チャンネル内に配置された順応性充填材とを備え、前記順応性充填材は前記第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置され、
　前記第１の支持構造体は、第２の面に複数の端子（１４０、２０７）を有するフレキシブルな誘電シート（１００、２００）であり、前記第２の支持構造体は、前記第１の面に複数の接点を有する半導体チップであり、前記チップの各接点を１つの端子に電気的に接続する手段を更に備えることを特徴とする半導体チップの順応性インターフェイス。」
　　
　なお、平成１８年１０月２０日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１には、「第２の構造体（１２０）」と記載されているが、この記載は前後の記載からみて、「第２の支持構造体（１２０）」の誤記と認められるので、上記のとおり認定した。
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、当審において平成１８年４月２０日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願優先権主張日前の平成６年５月１９日に頒布された刊行物である特表平６−５０４４０８号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、下記の事項が記載されている。
　 
（ａ）「１．複数の表面を有し且つ上記表面の少なくとも１つの上に接点を有する半導体チップ及び上記接点に電気的に接続されている端子をその上に有する柔軟性シート状素子を含む型式の半導体チップアセンブリにおいて、上記シート状素子及び上記端子の少なくとも幾つかが上記チップの１つの上記表面の上に置かれており、上記端子が上記チップに対して可動であり且つ上記アセンブリが上記端子の上記チップへの運動を許容するための弾性手段を含むことを特徴とする半導体チップアセンブリ。 
 ２．上記弾性手段が上記端子と上記チップの間に配置されているしなやかな層を含み、これにより上記しなやかな層が上記端子の上記チップへの運動の際に圧縮されるようにしていることを更に特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。 
 ３．上記しなやかな層がエラストマ材料から形成されていることを更に特徴とする請求項２に記載のチップアセンブリ。」（請求の範囲第１項〜第３項）、
　　
（ｂ）上記（ａ）の半導体チップアセンブリの実施例として、「本発明の１つの実施例に係る組立方法において、シート状誘電体挿入物８３６がチップ８２０に組み立てられる。挿入物８３６は比較的高い弾性率を有する材料の薄いシートによって形成されている柔軟な上層８３８（第１３図）及び比較的低い弾性率を有する材料から形成されているしなやかな底層８４０を含んでいる。上層８３８の高弾性率材料はポリイミド又は他の熱硬化ポリマ等のポリマ、フローロポリマあるいは熱可塑性ポリマであり得る。底層８４０のしなやかな低弾性率材料はエラストマであり得る。この低弾性率材料はショアＡ押込コード約２０乃至７０のやわらかなゴムに匹敵する弾性特性（弾性率を含む）を有している。挿入物８３６は底層８４０によって画成されている第１即ち底面８４２並びに上層８３８によって画成されている第２即ち上面８４４を有している。底のしなやかな層８４０はこの低弾性率材料のかたまり８４３が散在している穴又は空隙８４１を含んでいる。
　挿入物８３６は面８４２及び８４４と境を接しており且つその間に延設しているエッジ８４６を有している。挿入物はまた、第２即ち上面８４４の上に分布されている複数の中心端８４８を有している。端子８４８は端子８４８が「エリヤアレイ」を構成するように表面８４４の上に実質的に均一のスペースで配置されている。・・・・・・各中心端８４８はしなやかな層８４０における低弾性率のかたまり８４３の１つに整合されており、一方しなやかな層８４０における穴８４１は中心端８４８と整合されていない。この実施例の異形において、これらの穴は端子８４８と整合され得る。更なる異形において、これらの穴は互いに連続となることができ、一方、低弾性率材料のかたまりは斯かる連続した穴によって全体的に包囲される別々のポスト又は柱であり得る。」（第１０頁左下欄２４行〜右下欄２０行）、
　　
（ｃ）封入剤で封入した段階の上記（ｂ）の実施例について、「プロセスの次の段階において、シリコンラバー又は他の流延可能エラストマ８５８等の低弾性率誘電体封入剤又ははんだマスキング材料（第１４図）が挿入物とチップの上に且つボンディングワイヤ８５６の上に適用される。封入剤は穴８６０を挿入物上の中心端子８４８の各々に対して整合するように残すべく適用される。・・・・・・斯くして、ワイヤ８５６は封入剤によって完全に保護される。」（第１１頁左上欄１５〜２１行）、 
が記載されている。
　　
（ｄ）第１３図、第１４図には夫々、上記（ｂ）、（ｃ）に摘記した内容のものが図示されている。
　また更に、同第１３図には、シート状誘電体挿入物のしなやかな底層の下面が半導体チップ表面に当接されており、該しなやかな底層を形成している低弾性率材料のかたまり、及び穴又は空隙が、該挿入物の柔軟な上層の下面と該半導体チップ表面の間に配置されており、該半導体チップは、該半導体チップ表面上の、該しなやかな底層の下面が当接されている領域に隣接する領域に複数の接点を有し、該各接点と該挿入物の上面の各１つの端子とがボンディングワイヤで接続されている点が図示されている。
　また更に、同第１４図には、上記しなやかな底層の下面が半導体チップ表面に当接されており、該しなやかな底層を形成している上記かたまり、及び穴又は空隙が、上記柔軟な上層の下面と該半導体チップ表面の間に配置されており、低弾性率誘電体封入剤が上記しなやかな底層の下面が当接されている領域に隣接する領域の空間に充填され、該封入剤で上記接点及び上記ボンディングワイヤ全体が覆われている点が図示されている。
　　
［３］対比・判断 
（１）引用刊行物に記載された発明
　摘記（ａ）によれば、引用刊行物には、接点をその表面上に有する半導体チップ、及び該接点に電気的に接続されている端子をその上に有する柔軟性シート状素子を含む型式の半導体チップアセンブリにおいて、上記シート状素子及び上記端子の少なくとも幾つかが上記半導体チップの表面上に置かれており、上記端子が上記半導体チップに対して可動であり且つ上記端子の上記半導体チップへの運動を許容するための弾性手段を含み、該弾性手段が、上記端子と上記半導体チップの間に配置され、エラストマ材料から形成されているしなやかな層を含み、該しなやかな層が上記端子の上記半導体チップへの運動の際に圧縮されるようにされている半導体チップアセンブリが記載されている。
　そして、摘記（ｂ）〜（ｄ）によれば、上記柔軟性シート状素子と弾性手段の態様として、比較的高い弾性率を有する材料の薄いシートによって形成されている柔軟な上層、及び該柔軟な上層の下面に、比較的低い弾性率を有する材料から形成されているしなやかな底層を含むシート状誘電体挿入物が記載されており、該しなやかな底層の低弾性率材料は、エラストマ等であり、ショアＡ押込コード約２０乃至７０のやわらかなゴムに匹敵する弾性特性を有し、該しなやかな底層は、該低弾性率材料のかたまり、及び穴又は空間から形成されており、その一つの態様において、これらの穴は互いに連続となることができ、一方、該かたまりは斯かる連続した穴によって全体的に包囲される別々のポスト又は柱であり得ることが記載されており、また、上記しなやかな底層の下面が半導体チップ表面上に当接されており、該しなやかな底層を形成している低弾性率材料のかたまり、及び穴又は空隙は、上記柔軟な上層の下面と該半導体チップ表面との間に配置されており、該半導体チップは、該半導体チップ表面上の、上記しなやかな底層の下面が当接されている領域に隣接する領域（以下、単に「隣接領域」という。）に複数の接点を有し、該各接点と上記挿入物の上面の各１つの端子とがボンディングワイヤで接続されている点が示されている。
　また、シリコンラバー又は他の流延可能エラストマ等の低弾性率誘電体封入剤が、上記接点及び上記ボンディングワイヤの上に適用され、斯くして、該ボンディングワイヤが該封入剤によって完全に保護されることが記載されており、該封入剤が上記隣接領域の空間に充填され、該封入剤によって上記接点及び上記ボンディングワイヤ全体が覆われている点が示されている。
　　
　上記の事項を総合すると、引用刊行物には、
「比較的高い弾性率を有する材料の薄いシートによって形成されている柔軟な上層、及び、該柔軟な上層の下面に設けられ、比較的低い弾性率を有するエラストマ等の材料のかたまり及び穴から形成されており、該かたまりが連続した該穴によって全体的に包囲される別々のポスト又は柱であるしなやかな底層を含むシート状誘電体挿入物であって、該しなやかな底層の下面は半導体チップ表面に当接されており、該しなやかな底層を形成している低弾性率材料のかたまり及び穴は、上記柔軟な上層の下面と該半導体チップ表面との間に配置されており、該半導体チップは、該半導体チップ表面上の隣接領域に複数の接点を有し、該各接点と該挿入物の上面の各１つの端子とがボンディングワイヤで接続されており、該隣接領域の空間にシリコンラバー又は他の流延可能エラストマ等の低弾性率誘電体封入剤が充填され、該封入剤で該接点及び該ボンディングワイヤ全体が覆われており、上記端子が上記半導体チップに対して可動であり且つ上記端子の上記半導体チップへの運動を許容する、シート状誘電体挿入物」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　　
（２）本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「比較的高い弾性率を有する材料の薄いシートによって形成されている柔軟な上層」は、シート状誘電体挿入物の上層を構成する柔軟なシート状の誘電体であり、その上面に半導体チップ表面上の複数の接点と接続する複数の端子を有するので、本願発明における「第２の面に複数の端子（１４０、２０７）を有するフレキシブルな誘電シート（１００、２００）」である「第１の支持構造体（１００）」に相当し、また、引用発明における「挿入物の上面」、及び「柔軟な上層の下面」は、夫々本願発明における「第１の支持構造体（１００）」の「第２の面」、及び同「第１の面」に相当する。
　また、引用発明の「半導体チップは、該半導体チップ表面上の隣接領域に複数の接点を有し、該各接点と該挿入物の上面の各１つの端子とがボンディングワイヤで接続されており、」における「半導体チップ」、「半導体チップ表面」、及び「ボンディングワイヤ」は、夫々本願発明における「第２の支持構造体（１２０）」、「第２の支持構造体（１２０）の第１の面」、及び「各接点を１つの端子に電気的に接続する手段」に相当する。
　また、引用発明における「比較的低い弾性率を有するエラストマ等の材料のかたまり」、及び「穴」は、共にシート状誘電体挿入物の柔軟な上層の下面に設けられて該挿入物のしなやかな底層を形成し、該柔軟な上層と半導体チップとの間に配置されており、該「かたまり」は複数のポスト又は柱であり、該「穴」はそれらを連続的に包囲し、且つそれらの間にも連続的に存在するとみられるので、夫々本願発明における「第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置され」ている「第１の支持構造体の前記第１の面に取り付けられ、相互間にチャンネル（１１７）を画成する複数の順応性誘電パッド（１１０）」、及び同「チャンネル（１１７）」に相当する。
　また、引用発明における「シート状誘電体挿入物」は、その下面が半導体チップ表面に当接され、該半導体チップ表面上の各接点と接続する各端子を有し、該端子が該半導体チップに対して可動であり且つ該端子の該半導体チップへの運動を許容するので、「半導体チップの順応性インターフェース」に該当するものといえる。
　　
　そうすると、両発明 は、「第１の面を有する第１の支持構造体（１００）と、
　前記第１の支持構造体の前記第１の面に取り付けられ、相互間にチャンネル（１１７）を画成する複数の順応性誘電パッド（１１０）と、
　前記順応性誘電パッド及びチャンネルが前記第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置されるように、前記順応性誘電パッドに当接する第２の支持構造体（１２０）の第１の面と、
　前記第１の支持構造体は、第２の面に複数の端子（１４０、２０７）を有するフレキシブルな誘電シート（１００、２００）であり、前記第２の支持構造体は、前記第１の面に複数の接点を有する半導体チップであり、前記チップの各接点を１つの端子に電気的に接続する手段を更に備える半導体チップの順応性インターフェイス。」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本願発明では、チャンネル内に配置された順応性充填材を備え、該順応性充填材は第１の支持構造体と第２の支持構造体との間に配置されているのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　
　そこで、相違点（イ）について以下検討するに、
　引用発明では、半導体チップ表面上の隣接領域の空間にシリコンラバー又は他の流延可能エラストマ等の低弾性率誘電体封入剤が充填されており、該封入剤の低弾性率誘電体材料は、本願明細書の記載「順応性充填剤１７０は、エラストマ、ゲルまたは順応性チキソトロープ性材料が順応性を保持する限りは、これらの材料のいずれかから構成することができる。・・・充填剤１７０は、隣接するパッド１１０間のチャンネル１１７への液体の流入を容易にするように適合された粘度を有する硬化性液体エラストマから構成される。」（明細書第９頁２３〜２９行）を参酌すれば、本願発明における「順応性充填剤」の硬化性液体エラストマ等の材料と同様のものといえる。
　また、引用発明では、シート状誘電体挿入物のしなやかな底層は、「比較的低い弾性率を有するエラストマ等の材料のかたまり及び穴から形成されており、該かたまりが連続した該穴によって全体的に包囲される別々のポスト又は柱である」とされている。そうすると、該「比較的低い弾性率を有するエラストマ等の材料のかたまり」は、複数の別々に存在するポスト又は柱であり、該ポスト又は柱は、連続した穴によって全体的に包囲されているのであるから、該ポスト又は柱の周囲、及びそれらの間には、連続した穴が存在しており、該穴は、上記封入剤が充填される隣接領域の空間に開口していることになる。
　また、引用刊行物には、「シリコンラバー又は他の流延可能エラストマ８５８等の低弾性率誘電体封入剤・・・（第１４図）が挿入物とチップの上に且つボンディングワイヤ８５６の上に適用される。・・・斯くして、ワイヤ８５６は封入剤によって完全に保護される。」との記載（摘記（ｃ））及び第１４図（摘記（ｄ））により、上記封入剤を上記隣接領域の空間を全て満たし、ボンディングワイヤ全体を覆うように充填することで、ボンディングワイヤを良好に保護することが開示されている。
　そして、引用発明の半導体チップ表面に上記のように該封入剤を充填することで、該隣接領域の空間が該封入剤で満たされるばかりか、充填時の圧力や該封入剤の流動性に基づき、該封入剤が上記開口から上記穴内にも流れ込み、流れ込んだ封入剤が、該穴内に配置され、且つシート状誘電体挿入物の柔軟な上層と半導体チップとの間に配置された状態になることは、当業者にとって普通に予測できたことといえる。
　してみると、引用発明において、本願発明の順応性充填剤の材料と同様の低弾性率誘電体封入剤を、ボンディングワイヤ等を良好に保護し得るように充填してシート状誘電体挿入物のしなやかな底層の穴（本願発明の「チャンネル」に相当する）内に流れ込ませ、該封入剤を、該穴内に配置し、該挿入物の柔軟な上層（本願発明の「第１の支持構造体」に相当する）と半導体チップ（本願発明の「第２の支持構造体」に相当する）との間に配置することは、当業者が容易に想到することができたものと認められる。
　そして、それによってもたらされる本願発明の効果も、引用刊行物に記載された発明から当業者が普通に予測できた程度のものであって、格別のものとは認められない。
　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。