【事件の表示】
　特願２００２−３２５５５７「垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月１４日出願公開，特開２００３−３２４１６３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年１１月８日(パリ条約による優先権主張２００２年５月１日，台湾)の出願であって，平成１８年９月６日に手続補正書が提出され，平成１９年３月３０日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年７月２３日に審判請求がされるとともに，同年８月２０日に手続補正書が提出され，その後当審において，平成２１年１２月２１日付けで審尋がされ，平成２２年４月１９日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１９年８月２０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）の却下について
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲の補正を含むものであり，特許請求の範囲の請求項１及び請求項１３の補正前と補正後の記載は，次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】トレンチを備える基板と，
　前記トレンチの下部に形成された柱状の浮遊ゲートであって，該柱状の浮遊ゲートの底部の周りに均一に延びた浮遊ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された当該柱状の浮遊ゲートと，
　前記浮遊ゲートの上方で，かつ前記トレンチの頂部の下方に形成された柱状の制御ゲートであって，前記浮遊ゲートの上部エリアよりも小さくはない底部エリアを有し，制御ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された当該柱状の制御ゲートと，
　前記浮遊ゲートと前記制御ゲートとを絶縁するために該各ゲート間に形成されたゲート間誘電体層と，
　前記制御ゲートに隣接する前記基板に形成された第一ドープ領域と，
　前記第一ドープ領域の下方で前記基板内に，前記浮遊ゲートに隣接して形成され，前記第一ドープ領域と共にソース及びドレイン領域として機能する第二ドープ領域とを備えたことを特徴とする垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル。
　
【請求項１３】第一及び第二のトレンチを備える基板を用意する工程と，
　コンフォーマブルな浮遊ゲート酸化層を，前記第一及び第二のトレンチの各々の下部の側壁と底部に形成する工程と，
　浮遊ゲートを，前記第一及び第二のトレンチの各々において前記浮遊ゲート酸化層上に形成する工程と，
　ゲート間誘電体層を前記浮遊ゲート上に形成する工程と，
　コンフォーマブルな制御ゲート酸化層を，前記第一及び第二のトレンチの各々の上部の側壁に形成する工程と，
　柱状の制御ゲートを，前記第一及び第二のトレンチの下方で前記ゲート間誘電体層上に形成する工程と，
　前記浮遊ゲートに隣接する基板内で，イオン注入を実施し，第二ドープ領域を形成する工程と，
　前記制御ゲートに隣接する基板内で，イオン注入を実施し，第一ドープ領域を形成する工程とを含むことを特徴とする垂直型分離ゲートフラッシュメモリセルの製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】トレンチを備える基板と，
　前記トレンチの下部に形成された浮遊ゲートであって，該浮遊ゲートの底部の周りに均一に延びた浮遊ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された該浮遊ゲートと，
　前記浮遊ゲートの上方で，かつ前記トレンチの頂部の下方に形成された制御ゲートであって，制御ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された該制御ゲートと，
　前記浮遊ゲートと前記制御ゲートとを絶縁するために該各ゲート間に形成されたゲート間誘電体層と，
　前記制御ゲートに隣接する前記基板内に形成された第一ドープ領域と，
　前記制御ゲート上に形成され，絶縁スペーサにより，前記第一ドープ領域と絶縁される導電スタッドと，　
　前記第一ドープ領域の下方で前記基板内に，前記浮遊ゲートに隣接して形成され，前記第一ドープ領域と共にソース及びドレイン領域として機能する第二ドープ領域とを備えたことを特徴とする垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル。
　
【請求項１３】第一及び第二のトレンチを備える基板を用意する工程と，
　コンフォーマブルな浮遊ゲート酸化層を，前記第一及び第二のトレンチの各々の下部の側壁と底部に形成する工程と，
　浮遊ゲートを，前記第一及び第二のトレンチの各々において前記浮遊ゲート酸化層上に形成する工程と，
　ゲート間誘電体層を前記浮遊ゲート上に形成する工程と，
　コンフォーマブルな制御ゲート酸化層を，前記第一及び第二のトレンチの各々の上部の側壁に形成する工程と，
　制御ゲートを，前記第一及び第二のトレンチの下方で前記ゲート間誘電体層上に形成する工程と，
　前記浮遊ゲートに隣接する基板内で，イオン注入を実施し，第二ドープ領域を形成する工程と，
　前記制御ゲートに隣接する基板内で，イオン注入を実施し，第一ドープ領域を形成する工程と，　
　前記制御ゲート上に，導電スタッドと絶縁スペーサとを，該導電スタッドが該絶縁スペーサにより前記第一ドープ領域から絶縁されるように形成する工程とを含むことを特徴とする垂直型分離ゲートフラッシュメモリセルの製造方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正のうち，補正後の本願請求項１及び請求項１３についての補正事項は，次のとおりである。（下線は補正箇所で，当審で付加したもの。）
　
ア　　補正事項１
　補正前の請求項１に「前記トレンチの下部に形成された柱状の浮遊ゲートであって，該柱状の浮遊ゲートの底部の周りに均一に延びた浮遊ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された当該柱状の浮遊ゲートと，」とあるのを，補正後の請求項１の「前記トレンチの下部に形成された
浮遊ゲート
浮遊ゲート
浮遊ゲート
　
イ　　補正事項２
　補正前の請求項１に「前記浮遊ゲートの上方で，かつ前記トレンチの頂部の下方に形成された柱状の制御ゲートであって，前記浮遊ゲートの上部エリアよりも小さくはない底部エリアを有し，制御ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された当該柱状の制御ゲートと，」とあるのを，補正後の請求項１の「前記浮遊ゲートの上方で，かつ前記トレンチの頂部の下方に形成された
制御ゲート
，
該制御ゲート
　
ウ　　補正事項３
　補正前の請求項１に，「
前記制御ゲート上に形成され，絶縁スペーサにより，前記第一ドープ領域と絶縁される導電スタッドと，
　
エ　　補正事項４
　補正前の請求項１３に「柱状の制御ゲートを，前記第一及び第二のトレンチの下方で前記ゲート間誘電体層上に形成する工程と，」とあるのを，補正後の請求項１の「
制御ゲート
に補正すること。
　
オ　　補正事項５
　補正前の請求項１３に，「
前記制御ゲート上に，導電スタッドと絶縁スペーサとを，該導電スタッドが該絶縁スペーサにより前記第一ドープ領域から絶縁されるように形成する工程と
　
３　補正目的の適否
ア　　補正事項１について
　補正事項１において，補正前の請求項１の「柱状の浮遊ゲート」なる記載は，補正後の請求項１で「浮遊ゲート」なる記載となり，「浮遊ゲート」の形状に関する規定は除外されているから，補正後の請求項１の「浮遊ゲート」には，「柱状」以外の形状の「浮遊ゲート」，例えば「浮遊ゲート酸化層」が形成された「トレンチ」の側壁及び底部に沿って均一な膜厚で，共形（conformable）に形成された導電膜からなる「浮遊ゲート」も含まれることになる。
　そうすると，上記補正事項１は，補正前の請求項１を拡張するものであり，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　また，上記補正事項１は，特許法第１７条の２第４項第１号，第３号又は第４号に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
イ　　補正事項２について
　補正事項２において，補正前の請求項１の「柱状の制御ゲート」なる記載は，補正後の請求項１で「制御ゲート」なる記載となり，「制御ゲート」の形状に関する規定は除外されているから，補正後の請求項１の「制御ゲート」には，「柱状」以外の形状の「制御ゲート」，例えば「制御ゲート酸化層」が形成された「トレンチ」の側壁，及び「ゲート誘電体層」の表面に沿って均一な膜厚で，共形（conformable）に形成された導電膜からなる「制御ゲート」も含まれることになる。
　そうすると，上記補正事項２は，補正前の請求項１を拡張するものであり，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　また，上記補正事項２は，いずれも，特許法第１７条の２第４項第１号，第３号又は第４号に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
ウ　　補正事項４について
　補正事項４において，補正前の請求項１３の「柱状の制御ゲート」なる記載は，補正後の請求項１３で「制御ゲート」なる記載となり，「制御ゲート」の形状に関する規定は除外されているから，上記イで検討したとおり，上記補正事項４は，補正前の請求項１３を拡張するものであり，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　また，上記補正事項４は，特許法第１７条の２第４項第１号，第３号又は第４号に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから，補正事項１，補正事項２及び補正事項４を含む本件補正は，特許法第１７条の２第４項各号に掲げる，請求項の削除，特許請求の範囲の減縮，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明の容易想到性について
１　本願発明について
　前記のとおり，平成１９年８月２０日に提出された手続補正書による手続補正は上記の通り却下されたので，本願の請求項１〜２７に係る発明は，平成１８年９月６日に提出された手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，再掲すると次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
「【請求項１】トレンチを備える基板と，
　前記トレンチの下部に形成された柱状の浮遊ゲートであって，該柱状の浮遊ゲートの底部の周りに均一に延びた浮遊ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された当該柱状の浮遊ゲートと，
　前記浮遊ゲートの上方で，かつ前記トレンチの頂部の下方に形成された柱状の制御ゲートであって，前記浮遊ゲートの上部エリアよりも小さくはない底部エリアを有し，制御ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された当該柱状の制御ゲートと，
　前記浮遊ゲートと前記制御ゲートとを絶縁するために該各ゲート間に形成されたゲート間誘電体層と，
　前記制御ゲートに隣接する前記基板に形成された第一ドープ領域と，
　前記第一ドープ領域の下方で前記基板内に，前記浮遊ゲートに隣接して形成され，前記第一ドープ領域と共にソース及びドレイン領域として機能する第二ドープ領域とを備えたことを特徴とする垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル。」
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）　引用例
（１−１）　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された特開２００１−０４４３０２号公報（以下「引用例」という。）には，図１ａ〜図１ｉ，及び図２とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。）
　
ア　　トレンチ型不揮発性メモリセルの製造方法
「【０００６】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１ａでは，
Ｐ字型ウェル（審決注：「Ｐ型ウェル」の誤記である。）を有するシリコン基板のような半導体材料からなる基板２００
ソース領域２２０は高ドーズ量の注入によって基板２００内に形成される
【０００７】図１ｂでは，適当なパターン及びフォトマスクを用いて
シリコンエッチングを行うことによりトレンチ２４０が形成される
トレンチ２４０はソース領域２２０に到達している
【０００８】図１ｃでは，
基板２００の表面，トレンチ２４０の側壁及び底部に第一絶縁層２６０が形成される
第一絶縁層２６０は９００℃の温度で熱酸化を行うことにより形成されるゲート酸化層であり，通常１００Åの厚さである
【０００９】図１ｄでは，第一伝導層２８０が蒸着される。
第一伝導層２８０はメモリセルのフローティング・ゲートを形成するのに用いられ
【００１０】図１ｅでは，９００℃の温度で熱酸化を行うことにより第一伝導層２８０上にバーズビーク絶縁層３００が形成される。特に，
第一伝導層２８０の非酸化部分には両側に突起部２８２を有するフローティング・ゲートが形成される
【００１１】図１ｆでは，第一絶縁層とくちばし型絶縁層とが部分的に除去されることにより，基板２００の表面，フローティング・ゲートの突起部２８２，トレンチ２４０の側壁が露出する。このことは前処理及びエッチングの工程により完遂する。
【００１２】図１ｇでは，
露出した基板２００の表面，フローティング・ゲートの突起部２８２，及びトレンチ２４０の側壁上に第二絶縁層３２０が形成される
第二絶縁層３２０はゲート酸化膜及びトンネル酸化膜として用いられ，通常１００Åの厚さである
【００１３】図１ｈでは，
第二伝導層３６０が蒸着している
第二伝導層３６０はメモリセルのコントロール・ゲートを形成するのに用いられ
【００１４】図１ｉでは，
第二伝導層３６０がパターン・エッチングされる
パターンが形成された第二伝導層３６０，くちばし型絶縁層３００，第一伝導層２８０，及び第二絶縁層３２０は，スプリットゲートの構造を構成する
ドレイン領域３８０は，イオン注入によって基板２００内のトレンチ２４０のそばに形成される
　
イ　　製造されたトレンチ型不揮発性メモリセルとその操作方法
【００１５】
図２は，本発明の上述の方法によって製造されたトレンチ型不揮発性メモリセルを示している
フローティング・ゲート４８０
コントロール・ゲート５４０
【００１６】本発明のトレンチ型不揮発性メモリセルの操作方法は以下の通りである。
１．プログラム・モード：
第一ハイ，第二ハイ，及びアース電圧レベルを，ソース領域４２０，コントロール・ゲート５４０，及びドレイン領域５６０にそれぞれ与えた
ホット電子はフローティング・ゲート４８０に吸収される
２．消去モード：
ハイ電圧レベルはコントロール・ゲートに与えられ，アース電圧レベルはソース領域４２０及びドレイン領域５６０に与えられる
ホット電子は，フローティング・ゲート４８０を横切った高電界によって突起部４８２を通過してコントロール・ゲート５４０に吸い込まれる
３．読込みモード：
電圧レベルはコントロール・ゲート５４０に与えられることにより，ドレイン領域５６０からソース領域４２０へ電流を活性化させる
　
ウ　　図１ｉ及び図２
　上記ア及びイの内容を参酌すると，図１ｉ及び図２から，下記（ア）〜（エ）の構成がみてとれる。
　
（ア）　
「トレンチ２４０」の側壁及び底部に１００Åの厚さで形成された，ゲート酸化層である「第一絶縁層２６０」と，上記「トレンチ２４０」の下部に，上記「第一絶縁層２６０」を介して形成された，「第一伝導層２８０」からなる「フローティング・ゲート４８０」
　
（イ）　
「トレンチ２４０」の側壁上に形成されたゲート酸化層である「第二絶縁層３２０」と，「第一伝導層２８０」からなる「フローティング・ゲート４８０」の上方で，かつ上記「トレンチ２４０」の頂部の下方に，上記「第二絶縁層３２０」を介して形成された，「第二伝導層３６０」からなる「コントロール・ゲート５４０」
　
（ウ）　
「第一伝導層２８０」からなる「フローティング・ゲート４８０」と「第二伝導層３６０」からなる「コントロール・ゲート５４０」との間に形成された，「くちばし型絶縁層３００」及び上記「フローティング・ゲート４８０」の「突起部２８２」上に形成された「第二絶縁層３２０」
　
（エ）　
「第二伝導層３６０」からなる「コントロール・ゲート５４０」に隣接する「基板２００」に形成された「ドレイン領域３８０」と，上記「ドレイン領域３８０」の下方で上記「基板２００」内に，「第一伝導層２８０」からなる「フローティング・ゲート４８０」に隣接して形成された「ソース領域２２０」
　
（１−２）　上記（１−１）イ及びウ（ア）から，「第一絶縁層２６０」は，「トレンチ２４０」の側壁及び底部に１００Åの厚さで形成されたゲート酸化層であり，また，「第一伝導層２８０」からなる「フローティング・ゲート４８０」は，上記「トレンチ２４０」の下部に，上記「第一絶縁層２６０」を介して形成されているので，引用例に記載されたトレンチ型不揮発性メモリセルにおいて，
上記「フローティング・ゲート４８０」の底部の周りに１００Åの厚さで形成されたゲート酸化層である「第一絶縁層２６０」
上記「フローティング・ゲート４８０」は，上記「第一絶縁層２６０」により，隣接する「基板２００」と絶縁されている
　
（１−３）　上記（１−１）イ及びウ（イ）から，引用例に記載されたトレンチ型不揮発性メモリセルにおいて，
「第二伝導層３６０」からなる「コントロール・ゲート５４０」は，「トレンチ２４０」の側壁上に形成されたゲート酸化層である「第二絶縁層３２０」により，隣接する「基板２００」と絶縁されている
　
（１−４）　上記（１−１）イ及びウ（ウ）から，引用例に記載されたトレンチ型不揮発性メモリセルにおいて，
「くちばし型絶縁層３００」及び「第一伝導層２８０」からなる「フローティング・ゲート４８０」の「突起部２８２」上に形成された「第二絶縁層３２０」は，上記「フローティング・ゲート４８０」と「第二伝導層３６０」からなる「コントロール・ゲート５４０」とを絶縁するために上記各ゲート間に形成された
　
（２）　引用発明
　以上によれば，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「トレンチ２４０が形成された基板２００と，
　上記トレンチ２４０の下部に形成された，第一伝導層２８０からなるフローティング・ゲート４８０であって，上記フローティング・ゲート４８０の底部の周りに１００Åの厚さで形成されたゲート酸化層である第一絶縁層２６０により，隣接する上記基板２００と絶縁された上記フローティング・ゲート４８０と，
　上記フローティング・ゲート４８０の上方で，かつ上記トレンチ２４０の頂部の下方に形成された，第二伝導層３６０からなるコントロール・ゲート５４０であって，上記トレンチ２４０の側壁上に形成されたゲート酸化層である第二絶縁層３２０により，隣接する上記基板２００と絶縁された上記コントロール・ゲート５４０と，
　上記フローティング・ゲート４８０と上記コントロール・ゲート５４０とを絶縁するために上記各ゲート間に形成された，くちばし型絶縁層３００及び上記フローティング・ゲート４８０の突起部２８２上に形成された上記第二絶縁層３２０と，
　上記コントロール・ゲート５４０に隣接する上記基板２００に形成されたドレイン領域３８０と，
　上記ドレイン領域３８０の下方で上記基板２００内に，上記フローティング・ゲート４８０に隣接して形成されたソース領域２２０とを備えたトレンチ型不揮発性メモリセル。」
　
３　対比
（１）　引用発明の「トレンチ２４０」，「が形成された」及び「基板２００」は，それぞれ，本願発明の「トレンチ」，「を備える」及び「基板」に相当する。
　
（２）　引用発明の「第一伝導層２８０からなるフローティング・ゲート４８０」，「１００Åの厚さで形成された」，「ゲート酸化層である第一絶縁層２６０」，「第二伝導層３６０からなるコントロール・ゲート５４０」及び「上記トレンチ２４０の側壁上に形成されたゲート酸化層である第二絶縁層３２０」は，それぞれ，本願発明の「浮遊ゲート」，「均一に延びた」，「浮遊ゲート酸化層」，「制御ゲート」及び「制御ゲート酸化層」に相当する。
　
（３）　引用発明の「くちばし型絶縁層３００及び上記フローティング・ゲート４８０の突起部２８２上に形成された上記第二絶縁層３２０」，「ドレイン領域３８０」，「ソース領域２２０」及び「トレンチ型不揮発性メモリセル」は，それぞれ，本願発明の「ゲート間誘電体層」，「第一ドープ領域」，「前記第一ドープ領域と共にソース及びドレイン領域として機能する第二ドープ領域」及び「垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル」に相当する。
　
（４）　そうすると，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりとなる。
　
＜　一致点　＞
「トレンチを備える基板と，
　前記トレンチの下部に形成された浮遊ゲートであって，該浮遊ゲートの底部の周りに均一に延びた浮遊ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された当該浮遊ゲートと，
　前記浮遊ゲートの上方で，かつ前記トレンチの頂部の下方に形成された制御ゲートであって，制御ゲート酸化層により，隣接する前記基板と絶縁された当該制御ゲートと，
　前記浮遊ゲートと前記制御ゲートとを絶縁するために該各ゲート間に形成されたゲート間誘電体層と，
　前記制御ゲートに隣接する前記基板に形成された第一ドープ領域と，
　前記第一ドープ領域の下方で前記基板内に，前記浮遊ゲートに隣接して形成され，前記第一ドープ領域と共にソース及びドレイン領域として機能する第二ドープ領域とを備えた垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル。」　である点。
　
＜　相違点　＞
・　相違点１
　本願発明の「浮遊ゲート」及び「制御ゲート」は，いずれも「柱状」であるのに対し，引用発明において，「第一伝導層２８０からなるフローティング・ゲート４８０」及び「第二伝導層３６０からなるコントロール・ゲート５４０」を「柱状」とすることは特定されていない点。
　
・　相違点２
　本願発明の「制御ゲート」は，「浮遊ゲートの上部エリアよりも小さくはない底部エリアを有し」ているのに対し，引用発明の「第二伝導層３６０からなるコントロール・ゲート５４０」は，このような大小関係を特定されていない点。
　
４　相違点についての検討
（１）　相違点１について
　上記２，１（１−１）イから，引用発明は，「プログラムモード」において，ホット電子が「第一伝導層２８０からなるフローティング・ゲート４８０」（本願発明の「浮遊ゲート」に相当。）に吸収され，「消去モード」において，ホット電子が，上記「フローティング・ゲート４８０」の「突起部２８２」を通過して，「第二伝導層３６０からなるコントロール・ゲート５４０」（本願発明の「制御ゲート」に相当。）に吸い込まれ，「読込みモード」において，「ドレイン領域３８０」（本願発明の「第一ドープ領域」に相当。）から「ソース領域２２０」（本願発明の「前記第一ドープ領域と共にソース及びドレイン領域として機能する第二ドープ領域」に相当。）へ電流を活性化させて，「トレンチ型不揮発性メモリセル」（本願発明の「垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル」に相当。）としての所期の動作を実現するものであり，上記「フローティング・ゲート４８０」及び上記「コントロール・ゲート５４０」は，こうした「トレンチ型不揮発性メモリセル」としての所期の動作が実現可能な構成を有していればよく，その中で，両者の形状は，特定のものに限定されない。
　そして，引用発明において，上記「フローティング・ゲート４８０」及び上記「コントロール・ゲート５４０」それぞれの形状を柱状とした場合に，「トレンチ型不揮発性メモリセル」としての所期の動作が実現可能であることは，引用例に接した当業者に自明である。
　そうすると，引用発明において，上記「フローティング・ゲート４８０」及び上記「コントロール・ゲート５４０」を柱状とすること（相違点１に係る構成とすること）は，当業者における設計事項である。
　なお，本願発明の「浮遊ゲート」及び「制御ゲート」を柱状とすることは，本願の図面からみてとれるだけであり，上記「浮遊ゲート」及び上記「制御ゲート」を柱状とすること及びその作用効果について，本願の明細書に説明は記載されていないから，本願発明において，上記「浮遊ゲート」及び上記「制御ゲート」を柱状とすることに技術的意義があるとはいえない。このことも，両者の形状を「柱状」とすることが設計事項であることを裏付けるものである。
　
（２）　相違点２について
　上記（１）で検討したとおり，引用発明において，「第一伝導層２８０からなるフローティング・ゲート４８０」（本願発明の「浮遊ゲート」に相当。），及び「第二伝導層３６０からなるコントロール・ゲート５４０」（本願発明の「制御ゲート」に相当。）は，「トレンチ型不揮発性メモリセル」（本願発明の「垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル」に相当。）としての所期の動作が実現可能な構成を有していればよく，また，上記「コントロール・ゲート５４０」の底部エリアと上記「フローティング・ゲート４８０」の上部エリアとの大小関係と，「トレンチ型不揮発性メモリセル」としての所期の動作との間に因果関係は認められない。
　そうすると，引用発明において，上記「コントロール・ゲート５４０」が上記「フローティング・ゲート４８０」の上部エリアよりも小さくはない底部エリアを有している構成とすること（相違点２に係る構成とすること）は，当業者における設計事項である。
　なお，本願発明の「制御ゲート」が「浮遊ゲートの上部エリアよりも小さくはない底部エリアを有し」ていること及びその作用効果について，本願の明細書又は図面には何等記載されていないから，本願発明において，「制御ゲート」が「浮遊ゲートの上部エリアよりも小さくはない底部エリアを有し」ていることに技術的意義があるとはいえない。
　
（３）　小括
　以上のとおり，引用発明において，相違点１及び相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
５　まとめ
　したがって，本願発明は，引用例に記載された発明（引用発明）に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。