【事件の表示】
　平成　７年特許願第１７２１８８号「赤外線検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　２月１４日出願公開、特開平　９−　４３０５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年７月７日の出願（パリ条約による優先権主張１９９４年７月７日、フィンランド国）であって、平成１６年４月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年７月１２日に審判請求がなされるとともに、平成１６年８月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年８月１１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月１１日付けの手続補正を却下する。 
［理由］
２．（１）補正内容
　本件補正は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１−９（平成１６年２月１８日付けの手続補正書による）のうちで、補正前の請求項４
　「【請求項４】断熱基板（１）に積層された赤外線放射吸収層（７，４４）と、前記吸収層（４４）に吸収された放射線を検出する熱検出手段（１１，２４，２５）と、前記吸収層（７，４４）が配置される前に放射パス上に、シリコン加工技術によって製造され、該干渉計のミラー（１，２）の一方に不可欠な要素として連結された電気的に調整可能なファブリー・ペロ干渉計（１，２，５）とを備えるシリコン加工化で製造された赤外線検出器において、
　ファブリー・ペロ干渉計（１，２，５）が温度検出抵抗（６０）を備え、前記吸収層（７，４４）に作用する放射線を検出することを特徴とする赤外線検出器。」
　を、補正により下記補正後の請求項４
　「【請求項４】断熱基板（１）に積層された赤外線放射吸収層（７，４４）
、
、及び一対のミラー(１，２)を有し、その一方のミラーが前記吸収層（７、４４）に一体的に結合され、前記吸収層（７、４４）が形成される前にシリコン加工技術により放射線パス上に形成された、
を備えたシリコン加工技術で
　
前記
　とすることを含むものであり（下線は、補正箇所である）、この補正は、次の事項からなるものである。
　
　i）補正前は「……と、……と、……とを備える……赤外線検出器において」であったのを、補正により「……
、
、及び
を備えた
　
　ii）補正により、「
一対のミラー（１，２）を有し、その一方のミラーが前記吸収層（７、４４）に一体的に結合され
　
　iii）補正前は「前記吸収層（７，４４）が配置される前に……、シリコン加工技術によって製造され、……電気的に調整可能なファブリー・ペロ干渉計（１，２，５）」、「シリコン加工化で製造された赤外線検出器」であったのをそれぞれ、補正により「
前記吸収層（７、４４）が形成される前にシリコン加工技術により……形成された
シリコン加工技術で
　
　iv）補正前は「ファブリー・ペロ干渉計（１，２，５）が」であったのを、補正により「
前記
　
　前記補正事項について検討すると、
　補正事項　i）、iii）、iv）は、誤記の訂正ないし不明りょうな記載の釈明を目的とするものであって、この補正により、補正の前後で実質的意味が変わらないことは、明らかである。
　
　補正事項　ii）での「一対のミラー（１，２）を有し、その一方のミラーが前記吸収層（７、４４）に一体的に結合され」という限定に係る技術は、本願出願時の図３，４，５，８，９におけるミラー及び吸収層の図示、及び、明細書段落【００２９】、【００３５】の記載からみて自明な事項であるから、新規事項の追加ではなく特許請求の範囲を減縮を目的とするものである。
　
２．（２）独立特許要件の検討
　そこで、補正後の請求項４に係る発明（以下で「本件補正発明」という）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．（２−１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物は次のものである。
　
刊行物１：特開平２−２５７６７６号公報
刊行物２：Ｋ．Ａｒａｔａｎｉ　外５名，“Surface micromachined tuneable interferometer array”，Sensor and Actuators，ｖｏｌ．４３，１９９４年５月，ｐｐ．１７−２３
刊行物３：特開昭６１−１２０９２６号公報
　
　刊行物１には、
ア）「２枚の基板を接合により一体化したファブリーペロー型可変干渉フィルターを基にした波長選択性受光素子に関し、」（第１頁左下欄第１６−１８行）、
　　
イ）「第２図（ａ）において、基板１０は面方位が（１００）、比抵抗率が４Ω・ｃｍ、厚さＷが３００μｍのｎ型シリコン基板である。この表面１０ａおよび裏面１０ｂに熱酸化ＳｉＯ２層１３，１４をそれぞれ形成し、ＳｉＯ２層１３をパターンニングしてボロン拡散によりｐ型シリコン層１６，１７，１８をそれぞれ受光層、静電駆動・静電容量モニタ用電極層、エッチングストップ層として形成する。」（第２頁右下欄第１６行−第３頁左上欄第４行）、
　
ウ）「基板１０には拡散型（ＰＮ型）シリコンフォトダイオードを用いた」（第４頁右下欄第１２−１３行）、
　
エ）「使用波長領域については後程述べるが、７００〜１６００ｎｍの近赤外光（光通信の短波長領域）以外であってもよい。……、１．６μｍ以上の遠赤外領域においても、その波長で感度を有する受光素子基板およびその基板のエッチング方法、その波長で透光性を有する基板の組み合わせを工夫することにより、本発明を適用することができる。」（第５頁左下欄２−１７行）、
　
オ）「対向する反射膜１１および２１のそれぞれの領域５０および５１において、反射膜間隔ｄに応じてファブリーペロー干渉が生じて、その結果この領域の透過スペクトル及び反射スペクトルに顕著な波長依存性が生じる。」（第５頁左下欄第１８−同頁右下欄第２行）、
　
カ）「本実施例では反射膜としてＴｉＯ２膜とＳｉＯ２膜を交互に９層積層したものを用いており、」（第５頁右下欄第１８−２０行）、
　が記載されている。
　
　刊行物２には（英語文であるので、日本語訳する）、
キ）「要約　信号処理といった同じチップ上に統合集積されたコンパクトな光モジュールの発展は、標準シリコン回路に関して、チップ内での光コミュニケーションと結びつくことで多くの機会を開いた。表面マイクロマシニングの使用は、処理の高速化と、他の回路とともに小さなサイズの統合集積化を許容した。標準のシリコン処理との両立性を確実なものとするために、デバイスにとっての光的及び機械的必要事項も考慮されねばならない。酸化犠牲層とポリ／窒化／ポリ　メンブレンを使用しての、表面マイクロマシニングプロセスが発展される。この書類は、コンパクトなマイクロ加工されたシリコンのファブリー・ペロ干渉計の発展においての光的および機械的な考察を提供する。最初のテストは、これらのマイクロ加工されたメンブレンが、コンパクトで効果的な光変調手段であることを、示す。」（第１７頁の「Abstract」欄の記載）、
　
ク）「ここで述べられる手段は、低い光吸収であって、平行にセットされ、空洞により離間されている２枚のミラーからなるファブリー・ペロ干渉計に基づいている。上方のミラーへの光入射は、Ｆｉｇ．１に示されているように、複数回反射を繰り返す。必要とされる基本的構造は、複数本の薄い梁によって支持される大きな領域で、該エリアの下にフォトセンサが位置付けられるものである。フォトセンサはメンブレンを透過した光を測定する受光器として動作する。干渉計の調整は、自由度のある立設構造と、支持基板との間にダイアフラムを下方に引くように、電圧を印加することで達成される。」（第１７頁右欄第１２行−第１８頁左欄第５行）、
　
ケ）「このシステムは、入射波長が７８０ｎｍである場合に関して設計されている。上方のミラーは、ポリシリコン、窒化物、ポリシリコンの三層からなり、下方のミラーもポリシリコン、酸化シリコン、シリコン基板の三層からなる。」（第１８頁右欄第６−１０行）、
　
コ）「光センシング要素は、ｎ−ｅｐｉ−ｐ−ｔｙｐｅの支持基板接合を使用したフォトダイオードからなる。酸化とポリシリコン層は、反射を調整するために用いられ、標準処理で形成されている。」（第２０頁右側第４−７行）、
　が記載されており、Ｆｉｇ．３には、本研究で用いられる多層のメンブレン／支持基板ファブリー・ペロ干渉計が図示されており、Ｆｉｇ．１２に最終構造の断面図（第２０頁右側第３行に「Ｄｅｖｉｃｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ（装置の構成）」と段落タイトルがあるとおり、Ｆｉｇ．１２のものは、装置（Ｄｅｖｉｃｅ）の最終構造の断面図である）が示されており、それをみると、ｎ−ｅｐｉ−ｐ−ｔｙｐｅのフォトダイオードが、酸化シリコン層の下に一体的に結合されていることが明らかである。
　
　刊行物３には、
　第１図に、ステンレス基板の開口５内において、分光透過特性を有する多層干渉蒸着膜６を配置し、該多層干渉蒸着膜６の下に、赤外線吸収層２（ニクロム蒸着膜）を具備する赤外線検出素子１（焦電素子）からなる熱型のセンサを一体的に結合してなるものが示されている。
　
２．（２−２）刊行物２記載の発明
　刊行物２のク）に「干渉計の調整は、自由度のある立設構造と、支持基板との間にダイアフラムを下方に引くように、電圧を印加することで達成される」と記載されているから、これは、電気的に調整可能なファブリー・ペロ干渉計であって、キ）の「酸化犠牲層とポリ／窒化／ポリ　メンブレンを使用しての、表面マイクロマシニングプロセスが発展される」により、ファブリー・ペロ干渉計が、シリコン加工技術により形成されるものであることも明らかであり、Ｆｉｇ．１２の図示により、受光器として動作するフォトセンサは、下部ミラーの下にあって、下部ミラーと一体的に結合されていることが明らかであるから、刊行物２には、
　光を検出するフォトセンサ及び、及び一対のミラーを有し、その下部ミラーの下にフォトセンサがあって、フォトセンサが下部ミラーに一体的に結合されており、シリコン加工技術により形成された、電気的に調整可能なファブリー・ペロ干渉計を備えたシリコン加工技術で製造された装置、
　の発明が記載されている。
　
２．（２−３）対比・検討
　本件補正発明の解釈について
　ａ．本件補正発明で「シリコン加工技術により……形成された、……ファブリー・ペロ干渉計……を備えたシリコン加工技術で製造された赤外線検出器」における「シリコン加工技術で製造」はどの程度のものを指して、シリコン加工技術で製造、というのか不明りょうであるが、「シリコン加工技術で製造された赤外線検出器」には、シリコン加工技術により形成されたファブリー干渉計を用いて製造された赤外線検出器、乃至は、請求項４（本件補正発明である）を引用する請求項９（補正後の請求項９である）の記載からみて、シリコン加工技術により形成されたファブリー・ペロ干渉計の一対のミラーの一つに赤外線吸収層としての金属を一体的に結合することによって製造された赤外線検出器、が含まれると認められる。
　
　ｂ．本件補正発明の「断熱基板に積層された赤外線放射吸収層」において、本願明細書の実施例中に、「断熱基板」という用語はなく、「シリコン基板３」という用語があるに過ぎず、どれが断熱基板であるのか、不明りょうである。
　しかし、請求項４（本件補正発明である）で「断熱基板（１）」と添え字表記しており、該請求項４には「一対のミラー（１，２）」との添え字表記もあり、（１）という添え字表記において、「断熱基板」と、「ミラー」は一致しており、図３，４，５，８，９からみて、ミラーに赤外線放射吸収層が積層されていることが明らかであり、本願明細書段落【００１６】の「……上部ミラーの薄膜層は、ポリシリコン、二酸化ケイ素、およびポリシリコンからなる。一方、下部ミラー２の構成は、二酸化ケイ素層が一層追加される以外は同様である。……」、及び段落【００２６】の「エタロン４を満たしたガス媒体の導電性を十分に減少するような高真空下で検出器を密封することにより、上部ミラーの断熱作用はさらに改良することができる。」からみて、「断熱基板」は、ミラーのことと認められる。
　
　ｃ．補正後の請求項４（本件補正発明である）には、「熱検出手段（１１，２４，２５）」及び「温度検出抵抗（６９）」と記載があって、（１１，２４，２５）と（６０）では数字表記が全く違うが、番号１１は、本願明細書段落【００３１】の記載により、空気式のＩＲ検出器における室１１を意味し、番号２４，２５は、明細書段落【００３７】，【００３８】の記載により、ポリコン熱電対を有するサーモパイル検出器におけるｐタイプ導体２４およびｎタイプ導体２５を意味し、本件補正発明は、それら空気式のＩＲ検出器でも、シリコン熱電対を有するサーモパイル検出器のいずれのものでもなく、明細書段落【００４３】，【００４４】に記載のボロメータＩＲ検出器に属するものであり、熱検出手段として、温度抵抗抵抗６０を用いたものであるものと認められる。
　
　本件補正発明と刊行物２記載の発明を対比すると、本件補正発明は、前記ｃで記載したとおり、熱検出手段を、温度検出抵抗に限定した発明であることが明らかであるから、本件補正発明の「温度検出抵抗」、「赤外線検出器」はそれぞれ、刊行物２記載の「フォトダイオード」、「装置」と、放射線を検出するための検出手段、放射線を検出する放射線検出器、であるという点で共通する。
　そして、本件補正発明で赤外線放射吸収層は、温度検出抵抗と組み合わせて使用されるものであり、放射線検出手段を構成する要素ということができ、刊行物２記載の発明において、フォトダイオードも、放射線検出をするための検出手段を構成する要素（ただし要素が全体となっている）という言い方ができ、本件補正発明で「断熱基板に積層された赤外線放射吸収層」乃至「一方のミラーが吸収層に一体的に結合され、」というのは、刊行物２記載の発明の「下部ミラーの下にフォトセンサがあって、フォトセンサが下部ミラーに一体的に結合されており、」ということと、いずれも、断熱基板たるミラーが、放射線を検出するための検出手段を構成する要素に一体的に結合されており、ミラーと、検出手段を構成する要素は、積層関係にある、という点で共通し、さらに刊行物２記載の発明のファブリー・ペロ干渉計も放射線パス上に形成されるものであるから、
　両者は、
　断熱基板に積層された放射線検出手段を構成する要素、放射線を検出する検出手段、及び一対のミラーを有し、その一方のミラーが放射線検出手段を構成する要素に一体的に結合され、シリコン加工技術により放射線パス上に形成された、電気的に調整可能なファブリー・ペロ干渉計を備えた放射線検出器において、
　前記ファブリー・ペロ干渉計が検出手段を備え、放射線を検出することを特徴とする放射線検出器、
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点
　本件補正発明は、断熱基板に赤外線放射吸収層が積層されており、赤外放射線吸収層に吸収された放射線を検出する熱検出手段を備えた、シリコン加工技術で製造された赤外線検出器であって、ファブリー・ペロ干渉計の一方のミラーに赤外線放射吸収層が一体的に結合されたものであり、該赤外線検出器は、吸収層に作用する放射線を検出すべく、ファブリー・ペロ干渉計が温度検出抵抗を備えたものであり、ファブリー・ペロ干渉計が、赤外線放射吸収層が形成される前に形成されたものであるのに対し、
　刊行物２記載の発明は、ファブリー・ペロ干渉計の一対のミラーのうちの下部ミラーの下に、フォトダイオードが積層され、フォトダイオードがミラーと一体的に結合されてなる放射線検出器である点。
　
　前記相違点について検討すると、
　赤外線センサには量子型と熱型とがあって、必要に応じていずれかを選択して採用できること、フォトダイオードは量子型であり、温度検出抵抗としてのサーミスタ、焦電体、熱電対はいずれも熱型であること、あるいは、熱型の赤外線センサにおいて赤外線放射吸収層を用いることは必須であり金黒等の吸収層と組み合わされてこそ、熱型の赤外線センサたり得ることは当業者の技術常識である。（例として、特開平０６−１９４２２９号公報の明細書段落【０００２】−【０００４】，【０００７】，【０００８】の記載を参照、特開昭６３−１２７１２８号公報の第１頁右下欄第３−５行には、量子型検出器の例として、シリコンホトダイオードやＰｂＳが記載されている。）
　刊行物１には、ア）、イ）、ウ）、エ）により、選択された赤外波長の放射線を検出する赤外線検出器として、波長選択性のあるファブリー・ペロー干渉計のミラーに、量子型のセンサ（フォトダイオード）を一対的に結合してなるものが記載され、
　刊行物３の図１に、選択された赤外波長の放射線を検出する赤外線検出器として、波長選択性のある多層干渉蒸着膜に、赤外線吸収層付きの熱型のセンサを一体的に結合してなるものが記載されているから、
　刊行物２記載の発明において、放射線検出器を赤外線検出器とし、波長選択性のあるファブリー・ペロ干渉計を構成する一対のミラーの一つに量子型のセンサを一体的に結合するのに代えて、赤外線吸収層付きの熱型のセンサを備えたものとすることは、当業者が容易に想到できたものであり、それに際して、一対のミラーの一つが赤外線吸収層に一体的に結合されるようにし、赤外線吸収膜に作用する放射線を検出すべく、ファブリー・ペロ干渉計が熱型センサとしてサーミスタすなわち、温度検出抵抗を備えたものとすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　さらに、刊行物２記載の発明において、放射線検出器を赤外線検出器とし、波長選択性のあるファブリー・ペロ干渉計を構成する一対のミラーの一つが赤外線吸収層に一体的に結合されるようにし、赤外線吸収層に作用する放射線を検出すべく、ファブリー・ペロ干渉計がサーミスタを備えたものとした場合の製造方法として、最初に、シリコン基板にシリコン加工技術により放射線パス上に電気的に調整可能なファブリー・ペロ干渉計だけを形成することとし［フォトセンサを設けていない、ファブリー・ペロ干渉計だけ、ということである。］、次いで、該ファブリー・ペロ干渉計のミラーの一方に、赤外線吸収層を一体的に結合することは、当業者が容易に想到できた程度のものであり、その場合当然に、シリコン加工技術により形成された、ファブリー・ペロ干渉計は、吸収層が形成される前に形成されたものとなる。
　
　そして、相違点を総合的に判断しても、本件補正発明は当業者が容易に発明できたものであり、その効果も予想範囲内のものである。
　
　したがって、本件補正発明は、刊行物２記載の発明、刊行物１，３記載された発明および従来周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２．（２−４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条で準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年８月１１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１ないし９に係る発明は、平成１６年２月１８日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであり、その請求項４は、前記「２．（１）補正内容」の欄に補正前の請求項４として記載の次のとおりのものである。（以下で、本願請求項４に係る発明を「本願発明」と呼ぶ）
　「【請求項４】断熱基板（１）に積層された赤外線放射吸収層（７，４４）と、前記吸収層（４４）に吸収された放射線を検出する熱検出手段（１１，２４，２５）と、前記吸収層（７，４４）が配置される前に放射パス上に、シリコン加工技術によって製造され、該干渉計のミラー（１，２）の一方に不可欠な要素として連結された電気的に調整可能なファブリー・ペロ干渉計（１，２，５）とを備えるシリコン加工化で製造された赤外線検出器において、
　ファブリー・ペロ干渉計（１，２，５）が温度検出抵抗（６０）を備え、前記吸収層（７，４４）に作用する放射線を検出することを特徴とする赤外線検出器。」
　
４．引用刊行物および引用刊行物に記載の発明
　原査定の拒絶の理由で、請求項４に対して引用されたのは、刊行物１−３であり、刊行物２記載の発明は、前記「２．（２−２）刊行物２記載の発明」の欄に記載のとおりである。
　
５．対比・検討
　本願発明（補正前の請求項４）は、前記「２．（１）補正内容」の欄中で、補正事項　i）〜iv）についての検討結果を記載したとおり、実質上、本件補正発明（補正後の請求項４）での前記　ii）に係る限定、つまり、「一対のミラー（１，２）を有し、その一方のミラーが前記吸収層（７、４４）に一体的に結合され」という限定を外したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに上記限定を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「２．（２−３）対比・検討」に記載したとおり、刊行物２記載の発明、刊行物１，３に記載された発明および従来周知技術に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、上記限定を欠く本願発明は、当然に、刊行物２記載の発明、刊行物１，３に記載された発明および従来周知技術に基いて当業者が容易に発明できたものである。　
６．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物２記載の発明、刊行物１，３に記載された発明および従来周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願のその余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。