【事件の表示】
　平成１０年特許願第３１９３６２号「発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　５月３０日出願公開、特開２０００−１５０９６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１１月１０日に特許出願したものであって、平成１６年８月６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年９月１６日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成１６年１０月１８日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年１０月１８日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年１０月１８日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を下記のように補正することを含むものである。
「【請求項１】　発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子を有する発光ダイオードであって、前記発光素子に対してｎ基板ツェナーダイオードが逆並列に電気接続され、
前記発光素子が接合された
第１
第２
おり、前記発光ダイオードが収納部を有し、該収納部には、発光素子と前記ツェナーダイオードが接合されて、樹脂モールドが充填され、前記収納部の断面において、収納部における前記第１，２リードフレーム露出部の互いに隣接する端部に、前記発光素子とツェナーダイオードとがそれぞれ接合されると共に、前記断面において、前記第１リードフレームが、前記端部と、収納部から露出された第１の露出部とを有し、且つ前記発光素子のｎ側取出電極とツェナーダイオードのｐ側取出電極とが、それぞれ該第１の露出部にワイヤーボンディングにより接続され、前記発光素子のｐ側取出電極が前記第２リードフレームにワイヤーボンディング接続されて
　
（２）補正に対する当審の判断
　上記補正事項のうち「前記収納部の断面において、・・・前記第１リードフレームが、前記端部と、収納部から露出された第１の露出部とを有し、且つ前記発光素子のｎ側取出電極とツェナーダイオードのｐ側取出電極とが、それぞれ該第１の露出部にワイヤーボンディングにより接続され、」（以下、「補正事項Ａ」という。）という記載の「第１の露出部」なる用語については、出願当初明細書に一切記載がない。
　仮にこの点が、平成１６年１０月１８日付け手続補正書で補正された審判請求書３頁７〜１３行において請求人が主張するように、当初明細書の実施例２及び図面の断面図４に基づき補正したものであるとしても、補正後の明細書の発明の詳細な説明（特に、実施例２に関しては、【００２９】〜【００３２】。）には、「第１の露出部」について何ら説明がなされていない。また、上記補正事項Ａでは、「収納部の断面において、」と断面図でみた場合を特定しているが、収納部を平面からみると第１リードフレームはどのような形状であるのか、さらに、「第１の露出部」は第１リードフレームのどの箇所を指すのかなど、請求項１の記載事項と断面図である図４の記載の関係が明確に把握できないことからみても、上記補正事項Ａは、特許を受けようとする発明を、むしろ、不明りょうにするものである。
（なお、プラスチックパッケージ４２収納部は、エポキシ樹脂が充填されることから、収納部内のリードフレームは露出部を有しておらず、この点からも、「収納部から露出された第１の露出部」が何を示すのかが不明である。）
　よって、本件補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないから、特許法第１７条の２第４項の規定に違反してなされたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年１０月１８日付の手続補正は上記のとおり却下された（なお、平成１６年４月８日付手続補正は平成１６年８月６日付で補正却下されている。）ので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１０月１４日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子を有する発光ダイオードであって、前記発光素子に対してｎ基板ツェナーダイオードが逆並列に電気接続され、前記発光素子が接合されたリードフレームと、前記ツェナーダイオードがＡｇペーストにより接合されたリードフレームと、が電気的に絶縁されていることを特徴とする発光ダイオード。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）先願明細書記載の発明
　原査定における最後の拒絶理由に引用した、特願平９−２０４６８４号（特開平１１−５４８０４号公報参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、下記の事項が記載されている。
「【００１５】本発明の半導体発光素子は、その一実施形態の平面および断面の説明図が図１に示されるように、絶縁性基板１０の表面の両端部に第１および第２の端子電極１、２が設けられ、第１の端子電極１の一端部は絶縁性基板１０の中央部付近まで延びている。そして、第１の端子電極１の先端部側にＬＥＤチップ３がボンディングされている。ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９は第１の端子電極１と、ｐ側電極３８は第２の端子電極２と一体に形成されたパッド２ａと、それぞれ金線４により接続されている。さらに、第２の端子電極２の先端部に保護素子であるツェナーダイオードチップ５がボンディングされ、第１および第２の端子電極１、２間にＬＥＤチップ３と逆方向になるように電気的に接続されている。そして、その周囲が樹脂パッケージ６により覆われている。図１に示される例では、樹脂パッケージ６の外周にさらに反射ケース９が設けられている。
【００１６】絶縁性基板１０は、たとえばガラスクロスに耐熱性のＢＴ樹脂を含浸させたＢＴレジンなどの絶縁性の基板からなっている。また、ＬＥＤチップ３は、たとえば青色系（紫外線から黄色）の発光色を有するチップの一例の断面図が図３に示されるように形成される。すなわち、たとえばサファイア（Ａｌ２Ｏ３単結晶）などからなる基板３１の表面に、ＧａＮからなる低温バッファ層３２が０.０１〜０.２μｍ程度、クラッド層となるｎ形層３３が１〜５μｍ程度、ＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧａの比率が種々変わり得ることを意味する、以下同じ）化合物半導体からなる活性層３４が０.０５〜０.３μｍ程度、ｐ形のＡｌＧａＮ系（ＡｌとＧａの比率が種々変わり得ることを意味する、以下同じ）化合物半導体層３５ａおよびＧａＮ層３５ｂからなるｐ形層（クラッド層）３５が０.２〜１μｍ程度、それぞれ順次積層されて、その表面に電流拡散層３７を介してｐ側電極３８が形成されている。また、積層された半導体層３３〜３５の一部が除去されて露出したｎ形層３３にｎ側電極３９が設けられることにより形成されている。
【００１７】ツェナーダイオードチップ５は、通常のシリコン半導体などからなり、不純物濃度の高い半導体のｐｎ接合に大きい逆方向電圧を印加すると電子がトンネル効果によってｐｎ接合を通って流れる現象を利用したものである。この逆方向の電流が流れ始める電圧（ツェナー電圧）はその不純物濃度により設定される。したがって、このツェナー電圧をＬＥＤチップ３の動作電圧より高い所定の電圧に設定しておき、ＬＥＤチップ３とツェナーダイオード５とが並列で逆方向になるように第１および第２の端子電極１、２に接続することにより、ＬＥＤチップ３の動作に支障を来すことはない。
【００１８】このＬＥＤチップ３を図１に示されるように、第１の端子電極１の先端部にボンディングし、ｎ側電極３９およびｐ側電極３８がそれぞれ第１の端子電極１および第２の電極２と一体に形成されたパッド部２ａと電気的に接続されるように、金線４によりワイヤボンディングをする。また、ツェナーダイオードチップ５を第２の端子電極２の先端部にボンディングし、その正電極を第１の端子電極と一体に形成されたパッド部１ａと金線４により電気的に接続する。このとき、負電極はダイボンディングの際の導電性接着剤により第２の端子電極２と電気的に接続されている。なお、ＬＥＤチップ３も上下両面にそれぞれｎ側電極およびｐ側電極が設けられる構造のものであれば、ツェナーダイオードチップ５と同様に一方の電極はワイヤボンディングによらなくても導電性接着剤により電気的に接続される。そして、絶縁性基板１０の周囲に反射ケース９を形成し、その内部のＬＥＤチップ３やツェナーダイオードチップ５を含めたこれらの周囲がＬＥＤチップ３により発光する光を透過する透明または乳白色のエポキシ樹脂などによりモールドすることにより、樹脂パッケージ６で被覆された本発明のチップ型発光素子が得られる。」
　
　また、図１（ａ），（ｂ）には、第１の端子電極１および第２の端子電極２の先端部は絶縁性基板１０を介して離隔されており、両端子電極１および２自体は電気的に絶縁されていることが見て取れる。
　
　上記によれば、先願明細書には、
「ＩｎＧａＮ系化合物半導体からなる活性層を有するＬＥＤチップ３を含む半導体発光素子であって、絶縁性基板１０の表面の両端部に第１および第２の端子電極１、２が設けられ、該第１の端子電極１および第２の端子電極２の先端部は絶縁性基板１０を介して離隔され、電気的に絶縁されており、前記第１の端子電極１の一端部は絶縁性基板１０の中央部付近まで延びており、その先端部側にＬＥＤチップ３がボンディングされ、ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９は第１の端子電極１と、ｐ側電極３８は第２の端子電極２と、それぞれ金線４により接続され、さらに、ツェナーダイオードチップ５の負電極を前記第２の端子電極２の先端部に導電性接着剤によりボンディングし、その正電極を第１の端子電極と金線４により電気的に接続し、前記ＬＥＤチップ３とツェナーダイオード５とが並列で逆方向になるように第１および第２の端子電極１、２に接続されている半導体発光素子。」の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明と先願発明とを対比する。
（イ）先願発明の「ＩｎＧａＮ系化合物半導体からなる活性層を有するＬＥＤチップ３」及び「第１および第２の端子電極１、２」は、それぞれ、本願発明の「発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子」及び「リードフレーム」に相当する。
（ロ）先願発明において、「ツェナーダイオードチップ５」は、その負電極を前記第２の端子電極２の先端部に導電性接着剤によりボンディングされているのであるから、本願発明の「ｎ基板ツェナーダイオード」に相当することは明らかである。
また、先願発明は、「ＬＥＤチップ３とツェナーダイオード５とが並列で逆方向になるように第１および第２の端子電極１、２に接続されている」のであるから、本願発明の「発光素子に対してｎ基板ツェナーダイオードが逆並列に電気接続され」た点を有する。
（ハ）先願発明は、「ツェナーダイオードチップ５の負電極を前記第２の端子電極２の先端部に導電性接着剤によりボンディング」しているが、「Ａｇペースト」は、この種の半導体チップを接合する導電性接着剤の代表的なものとして慣用されているものであるから、本願発明の「ツェナーダイオードがＡｇペーストにより接合された」点は先願明細書に実質的に記載されているに等しい事項である。
　
　してみると、本願発明は、先願発明と相違しないので、先願発明と同一である。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。