【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生源と、
厚み方向に貫通する基板収容孔と、前記基板収容孔内に収容された基板の下面の外周縁部分を支持する基板支持部とを備える、前記チャンバ内へ搬入搬出可能なトレイと、
前記チャンバ内に設けられ、前記チャンバ内に搬入される前記基板を収容した前記トレイの下面を支持するトレイ支持部と、前記基板の下面が載置される基板載置部とを備える、誘電体部材と、
前記誘電体部材に少なくとも一部が内蔵された、前記基板を前記基板載置部に静電吸着するための第１の静電吸着用電極と、
前記誘電体部材に少なくとも一部が内蔵された、前記トレイを前記トレイ支持部に静電吸着するための第２の静電吸着用電極と、
前記第１及び第２の静電吸着用電極に直流電圧を印加する直流電圧印加機構と、
前記基板と前記基板載置部との間の空間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構と
を備えることを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記トレイは誘電体からなり、かつ下面に導電層を備えることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記トレイの下面を研磨処理していることを特徴とする、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の静電吸着用電極は電気的に互いに絶縁された別体であることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の静電吸着用電極が一体構造であることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記プラズマ発生源は、前記誘電体部材内に内蔵された高周波印加用電極と、この高周波印加用電極にプラズマ発生用の高周波電圧を印加する高周波電圧印加機構とを備え、前記高周波印加用電極の外周縁は、前記トレイ支持部に支持された前記トレイの外周縁よりも内側に位置することを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記トレイは、トレイ本体と、このトレイ本体に着脱可能であって少なくとも前記基板収容孔を含む部分の前記トレイ本体の上面側を構成する着脱部材とを備えることを特徴とする、請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記着脱部材の外周縁は前記高周波印加用電極の外周縁よりも外側に位置していることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記基板載置部に載置された前記基板の下面が前記トレイの前記基板支持部から所定量離間するように、前記トレイの下面から前記基板支持部の上面までの距離が設定されていることを特徴とする、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
トレイの基板収容孔に基板を収容し、
前記基板を収容した前記トレイをチャンバ内に配置された誘電体部材へ搬送し、
前記トレイを前記誘電体部材が備えるトレイ支持部に載置すると共に、前記基板を前記誘電体部材が備える基板載置部に載置し、
前記誘電体部材に少なくとも一部が内蔵された第１の静電吸着用電極に直流電圧を印加することで、前記基板を前記基板載置部に静電吸着すると共に、前記誘電体部材に少なくとも一部が内蔵された第２の静電吸着用電極に直流電圧を印加することで、前記トレイを前記トレイ支持部に静電吸着し、
前記基板と前記基板載置部との間の空間に伝熱ガスを供給しつつ、チャンバ内にプラズマを発生させて前記基板にプラズマ処理を施す、
プラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１の態様は、減圧可能なチャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生源と、厚み方向に貫通する基板収容孔と、前記基板収容孔内に収容された基板の下面の外周縁部分を支持する基板支持部とを備える、前記チャンバ内へ搬入搬出可能なトレイと、前記チャンバ内に設けられ、前記チャンバ内に搬入される前記基板を収容した前記トレイの下面を支持するトレイ支持部と、前記基板の下面が載置される基板載置部とを備える、誘電体部材と、前記誘電体部材に少なくとも一部が内蔵された、前記基板を前記基板載置部に静電吸着するための第１の静電吸着用電極と、前記誘電体部材に少なくとも一部が内蔵された、前記トレイを前記トレイ支持部に静電吸着するための第２の静電吸着用電極と、前記第１及び第２の静電吸着用電極に直流電圧を印加する直流電圧印加機構と、前記基板と前記基板載置部との間の空間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構とを備えることを特徴とする、プラズマ処理装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
基板を第１の静電吸着用電極で基板載置部に静電吸着するだけでなく、トレイを第２の静電吸着用電極でトレイ支持部に静電吸着するので、誘電体部材との熱伝導によりトレイを直接的に冷却できる。その結果、トレイを高効率で冷却できるので、基板の外周縁付近の領域に対するトレイ（基板収容孔の孔壁及び孔壁から突出する基板支持部）からの輻射熱を大幅に低減でき、この領域におけるレジスト焼けを防止して歩留まりを向上できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
導電層を設けることにより、第２の静電吸着用電極によってトレイ支持部にトレイを吸着する静電吸着力が強くなるので、誘電体部材との熱伝導によるトレイの冷却効果を高めることができる。また、導電層を設けることにより、直流電圧印加機構から第２の静電吸着用電極への直流電圧の印加を停止して静電吸着を解除するとトレイの下面が速やかに除電されるので、第２の静電吸着用電極による静電吸着解除後も残留する分極した電荷の吸着力に起因してトレイがトレイ支持部から剥がれなくなるのを防止し、それに起因するトレイの搬送トラブル発生を回避できる。つまり、導電層を設けることにより、静電吸着時の吸着力を強めつつ、残留吸着は防止できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
トレイの下面を研磨処理して表面粗度を低下させれば（滑らかにすれば）、トレイの下面とトレイ支持部との密着度がより向上し、誘電体部材との熱伝導によるトレイの冷却効率をさらに向上できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記基板載置部に載置された前記基板の下面が前記トレイの前記基板支持部から所定量離間するように、前記トレイの下面から前記基板支持部の上面までの距離が設定されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
好ましくは、前記トレイに前記基板収容孔が複数個設けられ、前記誘電体部材は前記トレイ支持部から上向きに突出する前記基板載置部を複数個備え、個々の前記基板載置部がそれぞれ個々の基板収容孔に挿入される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この構成により、バッチ処理を実現できる。
本発明の第２の態様は、トレイの基板収容孔に基板を収容し、前記基板を収容した前記トレイをチャンバ内に配置された誘電体部材へ搬送し、前記トレイを前記誘電体部材が備えるトレイ支持部に載置すると共に、前記基板を前記誘電体部材が備える基板載置部に載置し、前記誘電体部材に少なくとも一部が内蔵された第１の静電吸着用電極に直流電圧を印加することで、前記基板を前記基板載置部に静電吸着すると共に、前記誘電体部材に少なくとも一部が内蔵された第２の静電吸着用電極に直流電圧を印加することで、前記トレイを前記トレイ支持部に静電吸着し、前記基板と前記基板載置部との間の空間に伝熱ガスを供給しつつ、チャンバ内にプラズマを発生させて前記基板にプラズマ処理を施す、プラズマ処理方法を提供する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法では、基板を第１の静電吸着用電極で基板載置部に静電吸着するだけでなく、トレイを第２の静電吸着用電極でトレイ支持部に静電吸着するので、トレイを高効率で冷却でき、トレイからの輻射熱に起因する基板の外周縁付近の領域のレジスト焼けを防止して歩留まりを向上できる。