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【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＩＩ）：
【化１】
2011173893.tif 000001
［式中、
ｎは少なくとも１の整数であり、Ｒ１は、フェニル、１−ナフチル、および２−ナフチルから選択され、Ｒ２は、Ｈ、フェニル、１−ナフチル、および２−ナフチルから選択され、
Ｅは、−Ｃ（ＣＨ３）２−、および−Ｃ（ＣＦ３）２−から選択される］
を有することを特徴とする化合物。
【請求項２】
Ｒ１は出現するごとに異なることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ｎ＝１、Ｒ２はＨであることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
前記式（ＩＩＩ）の化合物中の少なくとも１つの芳香環が、Ｈ、Ｆ、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルキル、フルオロアリール、フルオロアルコキシ、およびフルオロアリールオキシから選択される置換基を有することを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
前記式（ＩＩＩ）の化合物中の２つの隣り合う芳香環上の置換基が、一緒になって芳香環または非芳香環を形成することを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
少なくとも１つの芳香環上の隣接した置換基が、一緒になって縮合芳香環または縮合非芳香環を形成することを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
【化２】
2011173893.tif 000002
［式中、
ｎは少なくとも１の整数であり、Ｒ１は、フェニル、１−ナフチル、および２−ナフチルから選択されＲ２は、Ｈ、フェニル、１−ナフチル、および２−ナフチルから選択され、
Ｅは、−Ｃ（ＣＨ３）２−、および−Ｃ（ＣＦ３）２−から選択される］
から選択される少なくとも１つの化合物の化合物を含むことを特徴とする組成物。
【請求項８】
ポリマーを生成するための方法であって、
（ａ）下記式（ＩＩＩ）：
【化３】
2011173893.tif 000003
［式中、
ｎは少なくとも１の整数であり、Ｒ１は、フェニル、１−ナフチル、および２−ナフチルから選択され、Ｒ２は、Ｈ、フェニル、１−ナフチル、および２−ナフチルから選択され、
Ｅは、−Ｃ（ＣＨ３）２−、および−Ｃ（ＣＦ３）２−から選択される］
を有する２つ以上の化合物を提供する工程と、
（ｂ）２４から９２時間にわたって２２℃から１５０℃の温度に維持しながら、銅触媒、ニッケル触媒、またはパラジウム触媒の存在下で前記化合物を反応させて、第１のポリマーを形成する工程と、
（ｃ）前記ポリマーを末端キャッピング基で処理して、キャップされたポリマーを形成する工程と、
（ｄ）前記キャップされたポリマーを２４から４８時間さらに反応させて、前記ポリマーを生成する工程とを含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】新規な化合物を含む組成物
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記送風手段による風を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項３から９いずれか１項に記載の記録媒体搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記非接触式記録媒体抑え工程は、風を供給する送風工程であり、該送風工程は、風向きが前記記録媒体の搬送方向の下流側から上流側となるように該風を供給することを特徴とする請求項１３または１４に記載の記録媒体搬送方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項１０は請求項３から９いずれか１項において、前記送風手段による風を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
請求項１５は請求項１３または１４において、前記非接触式記録媒体抑え工程は、風を供給する送風工程であり、該送風工程は、風向きが前記記録媒体の搬送方向の下流側から上流側となるように該風を供給することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効成分としてエポチロンＢを含む増殖性疾患の処置のための医薬製剤であって、
増殖性疾患を有する対象に対して、１回の投与から次の投与までが１〜６週間の間隔で、各時点につき０.３〜７.５mg／ｍ２の投与量で、１８〜２４日毎に、
式：１回量(mg／ｍ２)＝(０.１〜６)×Ｎ
(式中、Ｎは１回の投与から次の投与までの週の数)
に従って計算される投与量で投与される
ことを特徴とする、医薬製剤。
【請求項２】
投与量が最大耐量（ＭＴＤ）の２５から１００％である、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項３】
投与が静脈内点滴によって行われる、請求項１または２に記載の医薬製剤。
【請求項４】
各静脈内点滴が５〜３０分かけて行われる、請求項３に記載の医薬製剤。
【請求項５】
増殖性疾患がエポチロン以外の１種またはそれ以上の化学療法薬処置に不応性（refractory）である、請求項１〜４のいずれかに記載の医薬製剤。
【請求項６】
任意の他の抗腫瘍治療薬との組み合わせで投与される、請求項１〜５のいずれかに記載の医薬製剤。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の医薬製剤を製造するための、エポチロンＢの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテインであって、
システイン残基が、Ｇ−ＣＳＦ成熟タンパク質のＴ１（１番目の位置のスレオニン：以下同様に、アルファベットはアミノ酸の一文字記号を指し、数字は成熟タンパク質内の置換されるアミノ酸の位置を指す）Ｐ２、Ｌ３、Ａ６、Ｓ７、Ｗ５８、Ａ６８、Ｅ９３、Ａ１２９、Ｑ１３１、Ｔ１３３、Ｑ１３４、Ａ１３６、Ａ１３９、Ａ１４１およびＱ１７３から選択されたアミノ酸と置換されているか、または
システイン残基が、Ｇ−ＣＳＦ成熟タンパク質の最初のアミノ酸の前かまたは最後のアミノ酸の後に付加されており、
前記ムテインはヒトＧ−ＣＳＦに応答して増殖する細胞系統を用いたインビトロ増殖バイオアッセイで１００ｐｇ／ｍＬ以下のＥＣ50を有する、単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテイン。
【請求項２】
前記システイン残基にポリエチレングリコールが取り付けられている
請求項１に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテイン。
【請求項３】
前記システイン残基は、前記Ｇ−ＣＳＦ成熟タンパク質の最初のアミノ酸の前かまたは最後のアミノ酸の後に付加されている
請求項１または２に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテイン。
【請求項４】
前記システイン残基は、前記Ｇ−ＣＳＦ成熟タンパク質のＴ１、Ｐ２、Ｌ３、Ａ６、およびＳ７から選択されたアミノ酸と置換されている
請求項１または２に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテイン。
【請求項５】
前記システイン残基は、前記Ｇ−ＣＳＦ成熟タンパク質のＷ５８およびＡ６８から選択されたアミノ酸と置換されている
請求項１または２に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン
・ムテイン。
【請求項６】
前記システイン残基は、前記Ｇ−ＣＳＦ成熟タンパク質のＥ９３およびＱ１７３から選択されたアミノ酸と置換されている
請求項１または２に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテイン。
【請求項７】
前記システイン残基は、前記Ｇ−ＣＳＦ成熟タンパク質のＡ１２９、Ｑ１３１、Ｔ１３３、Ｑ１３４、Ａ１３６およびＡ１３９から選択されたアミノ酸と置換されている
請求項１または２に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテイン。
【請求項８】
前記システイン残基は、Ａ１４１と置換されている
請求項１または２に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテイン。
【請求項９】
１７番目の位置のシステインは、アラニンおよびセリンから選択されたアミノ酸に置換されている
請求項１から８のいずれか１項に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテイン。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の単離ヒト顆粒球コロニー刺激因子（Ｇ−ＣＳＦ）システイン・ムテインを調製する方法であって、
（ａ）大腸菌ｓｔＩＩシグナル配列が融合されたＧ−ＣＳＦシステイン・ムテインをコードするＤＮＡで形質転換された大腸菌宿主細胞を得る工程と、
（ｂ）前記大腸菌宿主細胞が前記Ｇ−ＣＳＦシステイン・ムテインを発現するとともに該Ｇ−ＣＳＦシステイン・ムテインを該大腸菌宿主細胞の周辺質中に分泌する条件下で、該大腸菌宿主細胞を培養する工程と、
（ｃ）前記宿主細胞を溶解する工程と、
（ｄ）溶解された前記宿主細胞から不溶性の前記Ｇ−ＣＳＦシステイン・ムテインを単離する工程と、
（ｅ）不溶性の前記Ｇ−ＣＳＦシステイン・ムテインを変性且つ還元する工程と、
（ｆ）前記Ｇ−ＣＳＦシステイン・ムテインを生物学的に活性な形にリフォールディングする工程と、
（ｇ）リフォールディングされた前記Ｇ−ＣＳＦシステイン・ムテインを単離する工程とを含む方法。
【請求項１１】
前記大腸菌宿主細胞は、大腸菌Ｗ３１１０である
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記（ｆ）工程において、システイン・ブロッキング剤の存在下で前記Ｇ−ＣＳＦシステイン・ムテインをリフォールディングする
請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月13日(2012.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、カカオハスクについても成分分析を行ったところ、焼成物のカカオハスクの成分
分析結果としては、炭素成分が約４３．６０％、水素成分が約６．０２％、窒素成分が約
２．７８％であった。一方、焼成後のカカオハスクの成分分析結果としては、炭素成分が
約６５．５７％、水素成分が約１．１２％、窒素成分が約１．９３％であった。また、カ
カオハスクの焼成物の体積固有抵抗率は、４．０６×１０−２Ω・ｃｍであった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
図３０（ｅ），図３０（ｆ）には、胡麻粕の焼成物のガス吸着材と母材との混合物の体積固有抵抗率及び表面抵抗率の各グラフを示している。図３０（ｅ），図３０（ｆ）によれば、ゴムに対する胡麻粕の焼成物の含有率を２００［ｐｈｒ］以上とした場合にも、導電率が向上するという特性を有していることがわかる。なお、ゴムに対する胡麻粕の焼成物の含有率を４００［ｐｈｒ］とした場合には、体積固有抵抗率は１３．７［Ω・ｃｍ］、表面抵抗率は５４．７［Ω／ｓｑ］となった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５０】
つぎに、第１及び第２試験容器に約１（Ｌ／ｍｉｎ）の流量で窒素ガスを流しながら、約８時間１２０℃で加熱して、吸着剤等を乾燥させた。それから、加熱を終了し、窒素ガスを流した状態で、室温（約２２℃）まで降温させた。本実施形態の大豆皮の吸着剤及び市販の活性炭が室温に戻った後に、各試験容器内を約４０（ｃｍＨｇＧ）以下まで減圧するとともに、試験ガスをガスシリンジにて採取して、約０．０１ＭＰａＧの圧力で、４９９５０ｐｐｍの濃度となるように導入してから、室温下で１日放置した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７４】
図４８は、試験ガスとしてアンモニアガスを選択した場合の第１試験容器〜第３試験容器に係る試験ガス濃度と測定時間との関係を示す図である。図４９は、図４８に示す試験ガス濃度の尺度を変更した図である。図４８，図４９によれば、本実施形態の吸着材は、アンモニアガスの吸着に極めて優れているし、その吸着力も絶対的に強いことが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】研削物品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
したがって、孔は円周方向にディスクの周縁から除去された部分の間に位置し、孔のディスク中心から半径方向の距離は、各孔の中心から最大半径距離が、ディスクの周辺部分が除去されてディスクの最短半径になる部分の寸法とほとんど同一であるのが好適である。各孔の最大半径寸法は好ましくはディスク最大半径の３０％未満、もっと好ましくは２０％未満である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略円形の研削ディスクを含む研削物品であり、研削ディスクはその周縁に沿って少なくとも３個の除去部分があり、各除去部分は研削ディスクの１つの回転方向に沿って前縁と、後縁と、前縁及び後縁の中間に最大の半径方向の除去寸法を有する位置とを有し、当該除去部分は研削操作の際に研削ディスク内の周縁部分に被研削物の連続的な観察を可能にすることを特徴とする研削物品。
【請求項２】
各除去部分において最大の半径方向の除去寸法の位置が後縁より前縁に近い位置にある請求項１に記載の研削物品。
【請求項３】
除去部分の各々において、前縁から最大の半径方向の除去寸法の位置までの周縁に沿った第１の距離が、前縁から後縁までの周縁に沿った第２の距離の２０％より短い、請求項１に記載の研削物品。
【請求項４】
第１の距離が第２の距離の１０％より小さい請求項３に記載の研削物品。
【請求項５】
各除去部分は前縁から最大の半径方向の除去寸法の位置までの第１のディスク輪郭部分と、前縁から後縁までの第２のディスク輪郭部分を有し、第１のディスク輪郭部分と第２のディスク輪郭部分とで略Ｖ字型輪郭が形成されている請求項１に記載の研削物品。
【請求項６】
第２のディスク輪郭部分が第１のディスク輪郭部分より長い請求項５に記載の研削物品。
【請求項７】
各除去部分は周縁に沿って曲線状の「オウムのくちばし」輪郭部分を形成している請求項６に記載の研削物品。
【請求項８】
研磨ディスクの回転方向における除去部分の間の位置に孔を有する請求項１に記載の研削物品。
【請求項９】
繊維で裏打ち上に研磨材／バインダー複合材を有する請求項１に記載の研削物品。
【請求項１０】
研磨材／バインダー複合材が、溶融アルミナ、焼結アルミナ、炭化ケイ素、溶融アルミナ／ジルコニアを含む群から選ばれる砥粒を含む請求項９に記載の研削物品。
【請求項１１】
研磨材／バインダー複合材が、フェノール／ホルムアルデヒド樹脂、尿素／ホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、アクリレート系樹脂、エポキシ尿素、及びエポキシアクリレートを含む群から選ばれる砥粒を含む請求項１０に記載の研削物品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物結晶性インゴットのアンモノサーマル成長のための反応器であって、
（ａ）チャンバーを画定する本体であって、析出硬化性Ｎｉ−Ｃｒ超合金から形成された本体と、
（ｂ）該反応器の端部を密封する第一のクランプであって、該第一のクランプは、析出硬化性Ｎｉ−Ｃｒベースの超合金の鍛造されたディスクから形成され、それに対する一次の鍛造圧が、元のビレットの長手方向に沿って適用される、第一のクランプと
を備える、反応器。
【請求項２】
前記反応器の第二の端部を密封する第二のクランプをさらに備えている、請求項１に記載の反応器。
【請求項３】
前記第二のクランプは、Ｎｉ−Ｃｒ超合金を含み、それに対する一次の鍛造圧が、元のビレットの長手方向に沿って適用される、請求項２に記載の反応器。
【請求項４】
前記本体は、円筒形であり、該本体は、鍛造された円形ロッドまたは鍛造された中空ロッドから構成され、それに対する一次の鍛造圧が、元のビレットの半径方向に沿って適用される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の反応器。
【請求項５】
前記本体は、円筒形であり、前記反応器は、二つの蓋をさらに備え、一つの蓋が該本体の各端部上にあり、該本体は、垂直方向に沿うその最長の寸法と、２インチより大きいその内径と、４インチより大きいその最小の外径と、該内径の５倍より大きいその垂直方向の長さとを有し、
該反応器は、
（ａ）該高圧ベッセルの該チャンバーが、流動制限バッフルを用いて該垂直方向に沿って少なくとも３つの領域に分割されていることと、
（ｂ）結晶化領域が、他の複数の領域の間に位置し、結晶成長の間、該複数の領域の中で最高の温度に維持されることと、
（ｃ）該両方の蓋に最も近い領域が、結晶成長の間、他の複数の領域よりも低い温度に維持されるように構成されていることと、
（ｄ）ＩＩＩ族含有強化剤で充填された強化剤領域が、該結晶化領域より上に位置することと
をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の反応器。
【請求項６】
（ａ）前記本体は、鍛造された円形ロッドまたは鍛造された中空ロッドから構成され、それに対する一次の鍛造圧が、元のビレットの半径方向に沿って適用され、
（ｂ）前記両方の端部上の前記二つの蓋は、クランプを用いて閉鎖され、
（ｃ）該クランプは、析出硬化性Ｎｉ−Ｃｒベースの超合金の鍛造されたディスクから構成され、それに対するグレインフローが、元のビレットの長手方向に沿っている、請求項５に記載の反応器。
【請求項７】
一つ以上の緩衝空間が、前記結晶化領域と前記強化剤領域との間の流動制限バッフルを用いて生成される、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるための反応器。
【請求項８】
前記結晶化領域のための加熱器は、５５０℃よりも高い温度を提供するように構成されている、請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるための反応器。
【請求項９】
少なくとも前記高圧ベッセルおよび加熱器は、爆発封じ込め筺体内に収容され、該爆発封じ込め筺体の壁厚が１／２インチを超える、請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるための反応器。
【請求項１０】
アンモニアが、前記爆発封じ込め筐体の外側から遠隔的に弁を動作させることによって放出される、請求項１〜９のうちのいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるための反応器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で示されることを特徴とする、複素環化合物。
【化１】
2011042600.tif 000001
（式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ4は、それぞれ水素原子、アリール基又は複素環基である。
Ｒ1乃至Ｒ4のいずれかが前記アリール基である場合、前記アリール基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基及びジトリルアミノ基から選択される置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、並びにシアノ基のいずれかをさらに有してもよい。
Ｒ1乃至Ｒ4のいずれかが前記複素環基である場合、前記複素環基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基及びジトリルアミノ基から選択される置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、並びにシアノ基のいずれかをさらに有してもよい。
ただし、Ｒ1乃至Ｒ4のうち少なくとも１つは、クリセニル基、ピレニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｂ］フルオランテニル基及びペリレニル基のいずれかから選択される４環以上の縮合多環芳香族基又はアザクリセニル基、アザピレニル基、アザフルオランテニル基、アザベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、アザベンゾ［ｂ］フルオランテニル基及びアザペリレニル基のいずれかから選択される４環以上の縮合多環複素環基である。
尚、前記４環以上の縮合多環芳香族基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基及びジトリルアミノ基から選択される置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、並びにシアノ基のいずれかをさらに有してもよい。
また、前記４環以上の縮合多環複素環基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基及びジトリルアミノ基から選択される置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、並びにシアノ基のいずれかをさらに有してもよい。）
【請求項２】
前記Ｒ1乃至Ｒ4のうち少なくとも１つが、前記ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基であることを特徴とする、請求項１に記載の複素環化合物。
【請求項３】
前記Ｒ4が、前記ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の複素環化合物。
【請求項４】
前記Ｒ4が、前記ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基であり、
前記ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基が、さらに２つのフェニル基を有し、
前記２つのフェニル基が、それぞれ前記ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基の３位の炭素原子と、前記ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基の１０位の炭素原子と、に結合していることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の複素環化合物。
【請求項５】
前記ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基の１位の炭素原子又は６位の炭素原子が、一般式［１］に示される４，１０−ジアザクリセンと結合していることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の複素環化合物。
【請求項６】
Ｒ1とＲ2とが、いずれも水素原子であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の複素環化合物。
【請求項７】
Ｒ3が、フェニル基であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の複素環化合物。
【請求項８】
陽極と陰極と、
該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物層と、から構成され、
該有機化合物層に請求項１乃至７のいずれか一項に記載の複素環化合物が含まれることを特徴とする、
有機発光素子。
【請求項９】
前記有機化合物層が発光層であり、
前記発光層がホストとゲストとを有し、
前記ゲストが請求項１乃至７のいずれか一項に記載の複素環化合物であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記有機発光素子が青色発光することを特徴とする、請求項８又は９に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光素子を搭載した画素が複数設けられており、
さらに該有機発光素子に電気信号を供給する手段を有することを特徴とする、画像表示
装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の画像表示装置を含む表示部と、撮像光学系を含む撮像部と、を有することを特徴とする、撮像装置。
【請求項１３】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１４】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光素子を含む露光光源を有することを特徴とする、電子写真方式の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【化１】
2011042600.tif 000002
（式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ4は、それぞれ水素原子、アリール基又は複素環基である。
Ｒ1乃至Ｒ4のいずれかが前記アリール基である場合、前記アリール基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基及びジトリルアミノ基から選択される置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子及びシアノ基のいずれかをさらに有してもよい。
Ｒ1乃至Ｒ4のいずれかが前記複素環基である場合、前記複素環基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基及びジトリルアミノ基から選択される置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子及びシアノ基のいずれかをさらに有してもよい。
ただし、Ｒ1乃至Ｒ4のうち少なくとも１つは、クリセニル基、ピレニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｂ］フルオランテニル基及びペリレニル基のいずれかから選択される４環以上の縮合多環芳香族基又はアザクリセニル基、アザピレニル基、アザフルオランテニル基、アザベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、アザベンゾ［ｂ］フルオランテニル基及びアザペリレニル基のいずれかから選択される４環以上の縮合多環複素環基である。
尚、前記４環以上の縮合多環芳香族基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基及びジトリルアミノ基から選択される置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、並びにシアノ基のいずれかをさらに有してもよい。
また、前記４環以上の縮合多環複素環基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基及びジトリルアミノ基から選択される置換アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、並びにシアノ基のいずれかをさらに有してもよい。）
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
なお、表中の略号は、以下の通りである。
ＨＡＭＭ：Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（β−ヒドロキシエチル）−Ｎ’−（β−メタクリロイロキシエチル）エチレンジアミン
ＨＡＤＭ：Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（β−メタクリロイロキシエチル）エチレンジアミンとＮ，Ｎ’−ビス（β−ヒドロキシエチル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（β−メタクリロイロキシエチル）エチレンジアミンの混合物
ＤＭＡＥＭＡ：２−ジメチルアミノエチルメタクリレート
ＨＡ：Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（β−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン
ＴＴＡ：トリエタノールアミン
ＭＤＰ：１０−メタクリロイロキシデシルジハイドロジェンホスフェート
ＨＥＭＡ：２−ヒドロキシエチルメタクリレート
Ｂｉｓ−ＧＭＡ：２，２−ビス〔４−（３−メタクリロイルオキシ）−２−ヒドロキシプロポキシフェニル〕プロパン
ＧＤＭＡ：グリセロールジメタクリレート
ＴＭＤＰＯ：２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド
ＢＡＰＯ：ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド
ＣＱ：カンファーキノン
ＤＢＢ：４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸ｎ−ブトキシエチルエステル
ＰＤＥ：４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチル
無機フィラー１：日本アエロジル社製「Ｒ９７２」
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、Ｃｕ・Ｉｎ・（Ｇａ）・Ｓｅ化合物の粉末の製造方法として、原料となるＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅ等を遊星ボールミルを用いたメカノケミカルプロセスを経ることにより得る方法がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の特許文献１の方法で得られるＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金の粉末の粒径は、１００メッシュアンダー程度であり、平均粒径数μｍ以下の粉末を得ることができない。また遊星ボールミルを用いたメカノケミカルプロセスを経ることにより得る方法では、平均粒径が０．５μｍ以下の粉末は得られていない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図４は、反応温度を２５０℃として作製した試料６の粒径をレーザー光を用いた動的光散乱法による粒度分布測定装置（Ｓｙｍｐａｔｅｃ社製、ＮＡＮＯＰＨＯＸ）で調べた粒度分布の結果である。測定は、試料をイソプロパノールに１０μｇ／ｍＬの割合で分散させておこなった。本願での平均粒径（Ｄ５０）は、この方法で測定した値を示す。ここで、平均粒径（Ｄ５０）は、体積基準の粒度分布における５０％径であり、前記の粒度分布測定装置により描かれる体積基準の粒度分布のグラフ、すなわち、横軸に粒径Ｄ（ｎｍ）、縦軸に粒径Ｄ（ｎｍ）以下の粒子が存在する容積Ｑ（％）をとった累積粒度曲線において、Ｑ％が５０％のときの粒径Ｄ（ｎｍ）をいう。
試料６の平均粒径（Ｄ５０）は６４ｎｍ（０．０６４μｍ）であった。同様に測定をおこなった結果、試料３〜５、７、８の平均粒径（Ｄ５０）はいずれも、６０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011042537.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される単量体由来の構成単位を７０重量％以上含む構成単位からなる重合体（Ａ）と、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物（Ｂ）と、ポリアルキレングリコール（Ｃ）とを含有する水硬性組成物用分散剤。
Ｈ2Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣＨ2ＣＨ2ＯＨ        （１）
【請求項２】
重合体（Ａ）とポリアルキレングリコール（Ｃ）の重量比が、（Ａ）／（Ｃ）で６０／４０〜９５／５である請求項１記載の水硬性組成物用分散剤。
【請求項３】
ポリアルキレングリコール（Ｃ）の数平均分子量が５０００〜５００００である請求項１又は２記載の水硬性組成物用分散剤。
【請求項４】
重合体（Ａ）の重量平均分子量が１０００〜１０００００である請求項１〜３の何れか１項記載の水硬性組成物用分散剤。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項記載の水硬性組成物用分散剤と、水硬性粉体と、水とを含有する水硬性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
塩化ニッケル水溶液をｐＨ７.９〜９.３においてアルカリで中和して水酸化ニッケルを得る工程Ａと、得られた水酸化ニッケルを洗浄する工程Ｂと、洗浄した水酸化ニッケルを非還元性雰囲気にて７８０〜９３０℃の温度で熱処理して酸化ニッケルとする工程Ｃと、得られた酸化ニッケルを解砕する工程Ｄとを含むことを特徴とする酸化ニッケル粉末の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
即ち、本発明の酸化ニッケル粉末の製造方法は、塩化ニッケル水溶液をｐＨ７.９〜９.３においてアルカリで中和して水酸化ニッケルを得る工程Ａと、得られた水酸化ニッケルを洗浄する工程Ｂと、洗浄した水酸化ニッケルを非還元性雰囲気にて７８０〜９３０℃の温度で熱処理して酸化ニッケルとする工程Ｃと、得られた酸化ニッケルを解砕する工程Ｄとを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
工程Ｃは、上記工程Ｂで得られた水酸化ニッケルを、非還元性雰囲気にて７８０〜９３０℃の温度で熱処理して酸化ニッケルとする工程である。熱処理には、一般的な焙焼炉を使用することができる。また、熱処理の雰囲気は、非還元性雰囲気であればよいが、経済性を考慮して大気雰囲気とすることが好ましい。尚、熱処理中にＯＨ基が脱離して発生する水蒸気を排出させるため、十分な流速を持った気流中で熱処理することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月8日(2012.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数のかごを具えたエレベータ群と、複数階の乗り場に前記複数のかごにそれぞれ対応づけられて設けられ、行先階を登録する際に操作すべき複数の行先階登録装置と、前記エレベータ群及び前記複数の行先階登録装置に接続され、行先階登録装置に対して行先階を入力する操作があったときに前記複数のかごの中から該操作によって入力された行先階へ移動させるべきかごを選択するかご割当て動作を実行する群管理制御装置とを具えたエレベータ群管理システムであって、各行先階登録装置は、
行先階を入力するための入力手段と、
前記複数のかごの内、前記入力手段によって入力された行先階へ移動することとなるかごの識別情報を応答かご表示領域に表示する応答かご表示手段と、
その行先階登録装置が対応づけられているかごが移動することとなる行先階を対応かご行先階表示領域に表示する対応かご行先階表示手段
とを一体に具えており、前記群管理制御装置は、
前記複数の行先階登録装置の内、何れかの行先階登録装置に対して行先階を入力する操作があったときに前記かご割当て動作を実行するかご割当て手段と、
前記かご割当て手段によって割り当てられたかごの識別情報を前記操作のあった行先階登録装置の応答かご表示手段に表示させる第１表示制御動作と、前記操作によって入力された行先階を、前記操作のあった階に設けられている複数の行先階登録装置の内、前記かご割当て手段によって割り当てられたかごに対応づけられている１つの行先階登録装置の対応かご行先階表示手段に表示させる第２表示制御動作とを実行する表示制御手段
とを具えているエレベータ群管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係るエレベータ群管理システムは、複数のかごを具えたエレベータ群と、複数階の乗り場に前記複数のかごにそれぞれ対応づけられて設けられ、行先階を登録する際に操作すべき複数の行先階登録装置と、前記エレベータ群及び前記複数の行先階登録装置に接続され、行先階登録装置に対して行先階を入力する操作があったときに前記複数のかごの中から該操作によって入力された行先階へ移動させるべきかごを選択するかご割当て動作を実行する群管理制御装置とを具えている。そして、各行先階登録装置は、
行先階を入力するための入力手段と、
前記複数のかごの内、前記入力手段によって入力された行先階へ移動することとなるかごの識別情報を応答かご表示領域に表示する応答かご表示手段と、
その行先階登録装置が対応づけられているかごが移動することとなる行先階を対応かご行先階表示領域に表示する対応かご行先階表示手段
とを一体に具えており、前記群管理制御装置は、
前記複数の行先階登録装置の内、何れかの行先階登録装置に対して行先階を入力する操作があったときに前記かご割当て動作を実行するかご割当て手段と、
前記かご割当て手段によって割り当てられたかごの識別情報を前記操作のあった行先階登録装置の応答かご表示手段に表示させる第１表示制御動作と、前記操作によって入力された行先階を、前記操作のあった階に設けられている複数の行先階登録装置の内、前記かご割当て手段によって割り当てられたかごに対応づけられている１つの行先階登録装置の対応かご行先階表示手段に表示させる第２表示制御動作とを実行する表示制御手段
とを具えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記本発明に係るエレベータ群管理システムが構築されているビルにおいては、複数階の乗り場に、複数のかごにそれぞれ対応づけられて複数の行先階登録装置が設けられている。
乗客がある乗り場に設けられている複数の行先階登録装置の内、何れかの行先階登録装置に対して行先階を入力する操作を行なうと、該操作によって入力された行先階に移動させるべきかごが割り当てられた後、該かごの識別情報が該操作のあった行先階登録装置の応答かご表示領域に表示されると共に、該操作によって入力された行先階が、該操作のあった階に設けられている複数の行先階登録装置の内、該かごに対応づけられている１つの行先階登録装置の対応かご行先階表示領域に表示される。従って、その乗客は、操作を行なった行先階登録装置の応答かご表示領域を見れば、自己の行先階に移動することとなるかごを知ることが出来る。又、その乗客及びその乗客が前記操作を行なった階の他の乗客は、行先階登録装置の対応かご行先階表示領域を見れば、その行先階登録装置が対応づけられているかごがその階に停止した後、その階から自己の行先階まで移動するかどうかを確認することが出来るので、安心してエレベータを待つことが出来ると共に安心してエレベータに乗ることが出来る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態につき、図面に沿って具体的に説明する。
本発明の一実施形態であるエレベータ群管理システムは、図１に示す如く、ｎ台(ｎは２以上の整数)のエレベータ(１)と、複数階の乗り場に設けられた複数台の行先階登録装置(２)(１つの階に設けられたｎ台の行先階登録装置のみを図示)と、行先階登録装置(２)に対して行先階を入力する操作があったとき、前記ｎ台のエレベータ(１)のかご(10)の中から該操作によって入力された行先階へ移動させるべきかご(10)を選択するかご割当て動作を実行する群管理制御装置(３)とから構成されている。前記ｎ台のエレベータ(１)はそれぞれ運行制御装置(11)を具えており、運行制御装置(11)によってかご(10)の昇降動作が制御されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
各行先階登録装置(２)は、図３に示す如く、液晶ディスプレイからなる表示器(21)と行先階を入力する際に操作すべき行先階ボタン群(24)とを一体に具えており、表示器(21)には、対応づけられているかごが移動することとなる行先階を表示するための対応かご行先階表示領域(22)と、行先階ボタン群(24)に対する操作によって入力された行先階と該行先階に割り当てられたかごの識別番号とを表示するための応答かご表示領域(23)とが設けられている。一方、前記行先階ボタン群(24)は、複数の行先階にそれぞれ対応づけられて配列された複数の操作ボタンを具えている。
尚、図３は、１号機のかごに対応づけられている行先階登録装置を表わしており、１号機のかごの行先階は９階と１０階であることを表わしている。又、行先階ボタン群(24)に対する操作によって５階が入力され、５階に２号機のかごが割り当てられたことを表わしている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１（ａ）のように、情報記録層２の上面（レーザ照射面側）は、光透過層３とされる。
光透過層３は光ディスクの保護を目的として形成される。情報信号の記録再生は、例えば、レーザ光が光透過層３を通じて情報記録層２に集光されることによって行われる。
光透過層３は、例えば紫外線硬化樹脂のスピンコート及び紫外線照射による硬化によって形成する。又は紫外線硬化樹脂とポリカーボネートシートや、接着層とポリカーボネートシート用いて光透過層３を形成することもできる。
光透過層３は、１００μｍ程度の厚みとされ、１．１ｍｍの基板１と合わせて光ディスク全体の厚みが約１．２ｍｍとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
これらの多層ディスクの場合、Ｌ０層よりレーザ照射面側の層（Ｌ１層〜Ｌ３層）は、それぞれ反射率、透過率が適度に設定されていなければならない。
即ち、Ｌ０層，Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層のそれぞれにおける記録膜２は、情報読み取り時の各層からの信号量が同等となるようにされる必要がある。
ここでＬ１層〜Ｌ３層についても、図１で説明したような、Ｚｎ又はＡｌと、Ｐｄと、Ｏとを含み、酸素の量が、Ｚｎ又はＡｌが完全酸化された場合の化学量論組成よりも多く含有されている記録膜２ａで形成する。
その場合、記録膜２ａの成膜を行うスパッタリングの際に酸素の量をコントロールすることで、所望の反射率／透過率を得ることができる。
この点でも、本実施の形態の記録膜２ａは適切なものとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図５（ａ）にジッター特性、図５（ｂ）に変調度及びアシンメトリの特性を示す。
組成や膜厚が異なるため、図５に示す結果はそのまま単純に実験１，２と比較はできないが、この場合もジッター値は５．２％が得られ、変調度やアシンメトリも良好な結果が得られている。
つまり、保護膜２ｂを設けることで、情報記録層２の耐久性を向上できるが、その場合も、良好な記録再生特性が得られることがわかった。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
コンピュータが読み込み実行することで、該コンピュータを請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のノズルが配列されたノズルプレートを、前記ノズルに対応する多数のチャネルが配列されたヘッドチップに対して位置合わせして貼着するインクジェットヘッドの製造方法において、
前記ノズルプレートを、その長さ方向の少なくとも２箇所を前記ヘッドチップに対して突き出すように撓ませて突き出し部を形成した状態に保持する工程と、
前記保持されたノズルプレートと前記ヘッドチップとの相対位置を位置合わせする工程と、
前記位置合わせされたノズルプレートと前記ヘッドチップとを相対的に移動させることにより、前記ノズルプレートにおける前記突き出し部を前記ヘッドチップに対してそれぞれ接触させ、前記ノズルプレートと前記ヘッドチップとの相対位置を前記突き出し部で位置決めする工程とを有し、
前記ノズルプレートの両端側に位置する２つの前記突き出し部は、前記ノズルプレートの前記突き出し部の最大突き出し量をＡ、前記突き出し部の頂部間の距離をＢ、前記ノズルプレートの端部から前記各突き出し部の頂部までの距離をそれぞれＣ、Ｄとしたとき、
Ａ≧（Ｂ＋Ｃ）＊ｔａｎθ
且つ
Ａ≧（Ｂ＋Ｄ）＊ｔａｎθ
（但し、θ＝±０．０１°）
を満たすように形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項２】
Ａ／Ｂ≦０．００３３３３であることを特徴とする請求項１記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記ノズルプレートを吸引力によって保持する保持装置によって保持し、
前記保持装置に、前記ノズルプレートを吸引しない非吸引部を形成することによって、前記突き出し部を形成することを特徴とする請求項１又は２記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記吸引力を調整することによって、前記突き出し部の突き出し量を調整することを特徴とする請求項３記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記非吸引部において、少なくとも前記突き出し部がそれぞれ前記ヘッドチップと接触するまで、前記ノズルプレートが前記保持装置から剥離しない程度に気体を噴射することにより、前記突き出し部を形成することを特徴とする請求項３記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記気体の噴射量を調整することによって、前記突き出し部の突き出し量を調整することを特徴とする請求項５記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１記載の発明は、多数のノズルが配列されたノズルプレートを、前記ノズルに対応する多数のチャネルが配列されたヘッドチップに対して位置合わせして貼着するインクジェットヘッドの製造方法において、
前記ノズルプレートを、その長さ方向の少なくとも２箇所を前記ヘッドチップに対して突き出すように撓ませて突き出し部を形成した状態に保持する工程と、
前記保持されたノズルプレートと前記ヘッドチップとの相対位置を位置合わせする工程と、
前記位置合わせされたノズルプレートと前記ヘッドチップとを相対的に移動させることにより、前記ノズルプレートにおける前記突き出し部を前記ヘッドチップに対してそれぞれ接触させ、前記ノズルプレートと前記ヘッドチップとの相対位置を前記突き出し部で位置決めする工程とを有し、
前記ノズルプレートの両端側に位置する２つの前記突き出し部は、前記ノズルプレートの前記突き出し部の最大突き出し量をＡ、前記突き出し部の頂部間の距離をＢ、前記ノズルプレートの端部から前記各突き出し部の頂部までの距離をそれぞれＣ、Ｄとしたとき、
Ａ≧（Ｂ＋Ｃ）＊ｔａｎθ
且つ
Ａ≧（Ｂ＋Ｄ）＊ｔａｎθ
（但し、θ＝±０．０１°）
を満たすように形成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項２記載の発明は、Ａ／Ｂ≦０．００３３３３であることを特徴とする請求項１記載のインクジェットヘッドの製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項３記載の発明は、前記ノズルプレートを吸引力によって保持する保持装置によって保持し、
前記保持装置に、前記ノズルプレートを吸引しない非吸引部を形成することによって、前記突き出し部を形成することを特徴とする請求項１又は２記載のインクジェットヘッドの製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項４記載の発明は、前記吸引力を調整することによって、前記突き出し部の突き出し量を調整することを特徴とする請求項３記載のインクジェットヘッドの製造方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項５記載の発明は、前記非吸引部において、少なくとも前記突き出し部がそれぞれ前記ヘッドチップと接触するまで、前記ノズルプレートが前記保持装置から剥離しない程度に気体を噴射することにより、前記突き出し部を形成することを特徴とする請求項３記載のインクジェットヘッドの製造方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項６記載の発明は、前記気体の噴射量を調整することによって、前記突き出し部の突き出し量を調整することを特徴とする請求項５記載のインクジェットヘッドの製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
流体を噴射可能な流体噴射ヘッドと、前記流体が収容された流体収容体から前記流体噴射ヘッドへ前記流体を供給するための流体供給路とを備えた流体噴射装置であって、
前記流体供給路は、その途中位置に該流体供給路が複数に分岐する分岐部を有するともに、該分岐部よりも下流側に前記分岐した各流体供給路が合流する合流部を有しており、
前記流体供給路における前記分岐部と前記合流部との間には前記流体を貯留可能な複数の流体貯留部が設けられており、
前記各流体貯留部に貯留された前記流体を該各流体貯留部間で流動させるための流動手段を備えたことを特徴とする流体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の流体噴射装置は、流体を噴射可能な流体噴射ヘッドと、前記流体が収容された流体収容体から前記流体噴射ヘッドへ前記流体を供給するための流体供給路とを備えた流体噴射装置であって、前記流体供給路は、その途中位置に該流体供給路が複数に分岐する分岐部を有するともに、該分岐部よりも下流側に前記分岐した各流体供給路が合流する合流部を有しており、前記流体供給路における前記分岐部と前記合流部との間には前記流体を貯留可能な複数の流体貯留部が設けられており、前記各流体貯留部に貯留された前記流体を該各流体貯留部間で流動させるための流動手段を備えた。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グリセリンの濃度が７５％以上のグリセリン溶液に、オゾンが４００ｐｐｍ以上溶存している、オゾン溶存グリセリン溶液。
【請求項２】
請求項１に記載のオゾン溶存グリセリン溶液に、さらに希釈剤を混合してなる、オゾン溶存混合溶液。
【請求項３】
希釈剤が、水、ワセリンまたはポリエチレングリコールから選択される、請求項２に記載のオゾン溶存混合溶液。
【請求項４】
オゾン溶存混合溶液中のグリセリンの濃度が２０％以下であり、オゾン濃度が８０ｐｐｍ以上であって、前記混合溶液中のオゾンがグリセリンに溶存されてなる、請求項２または３に記載のオゾン溶存混合溶液。
【請求項５】
請求項１に記載のオゾン溶存グリセリン溶液または請求項２〜４のいずれか一項に記載のオゾン溶存混合溶液を含む、殺菌剤、創傷治療薬、化粧水または美容液。
【請求項６】
グリセリンの濃度が７５％以上のグリセリン溶液に、オゾンを含むガスを気液接触させ、オゾンを４００ｐｐｍ以上溶存させ、オゾン溶存グリセリン溶液を調製すること、
該オゾン溶存グリセリン溶液に、希釈剤を混合して、グリセリンの濃度が２０％以下であり、オゾン濃度が８０ｐｐｍ以上であるオゾン溶存混合溶液を調製すること、
を含む、化粧水または美容液の製造方法により製造された化粧水または美容液であって、
グリセリンの濃度が２０％以下であり、オゾン濃度が８０ｐｐｍ以上であって、化粧水または美容液中のオゾンがグリセリンに溶存されてなる、前記化粧水または美容液。