【事件の表示】
　平成１０年特許願第２９３９０３号「半導体基板に浅いトレンチ絶縁構造を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月２５日出願公開、特開２０００−　５８６３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月１５日（パリ条約による優先権主張１９９８年７月３１日、台湾）の出願であって、平成１８年８月２８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１２月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２５日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年３月３日付けで審尋がなされ、同年６月３日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年１２月２５日付けの手続補正について
【補正却下の決定の結論】
　平成１８年１２月２５日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成１８年１２月２５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の請求項１ないし９を、補正後の請求項１ないし６に補正するものであり、そのうち、請求項１についての補正は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】 以下の工程からなる半導体基板に浅いトレンチ絶縁構造を形成する方法：
半導体基板の面に該基板の一部を露出させるようにパターン化されたマスキング層を形成する工程；
該露出された領域における前記基板にトレンチを形成する工程；
該基板全面にわたり絶縁層を形成して、前記トレンチに前記絶縁層の一部を充填する工程；
化学機械研磨プロセスを行って、前記マスキング層が露出しないように前記絶縁層を予備研磨する工程；及び
前記マスキング層の頂面のレベルより上の前記絶縁層をリアクティブイオンエッチングによりエッチバックして前記マスキング層を露出させると共に前記トレンチ内にある前記絶縁層を前記トレンチ内に残留させて、残留した前記絶縁層により浅いトレンチ絶縁構造部を形成させる工程。」
（補正後）
「【請求項１】　以下の工程からなる半導体基板に浅いトレンチ絶縁構造を形成する方法：
　　半導体基板の面に該基板の一部を露出させるようにパターン化された、窒化珪素を含むマスキング層を形成する工程；
　　該露出された領域における前記基板にトレンチを形成する工程；
　　該基板全面にわたり絶縁層を形成して、前記トレンチに前記絶縁層の一部を充填する工程；
　　化学機械研磨プロセスを行って、前記マスキング層が露出しないように前記絶縁層を予備研磨する工程；及び
　　前記マスキング層の頂面のレベルより上の前記絶縁層をリアクティブイオンエッチングによりエッチバックして前記マスキング層を露出させると共に前記トレンチ内にある前記絶縁層を前記トレンチ内に残留させて、残留した前記絶縁層により浅いトレンチ絶縁構造部を形成させる工程。」
　
（２）補正の目的の適否についての検討
　本件補正により、補正前の請求項１の「半導体基板の面に該基板の一部を露出させるようにパターン化されたマスキング層を形成する工程」は、補正後の請求項１の「半導体基板の面に該基板の一部を露出させるようにパターン化された、窒化珪素を含むマスキング層を形成する工程」と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「マスキング層」について、「窒化珪素を含むマスキング層」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　したがって、上記補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下、「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下、「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後の発明」という。）は、平成１８年１２月２５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）引用刊行物に記載された発明
（３−３−１）刊行物：特開昭５９−１１９７３９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である昭和５９年７月１１日に日本国内において頒布された刊行物である特開昭５９−１１９７３９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、第６図ないし第１１図とともに、以下の事項が記載されている。
　
「（ａ）発明の技術分野
　本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の製造方法、特に装置を構成する半導体素子の素子間分離用絶縁膜の形成方法の改良に関する。」（第１頁右下欄第１〜４行）、
「（ｆ）発明の実施例
　以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明する。
　第６図より第１１図までは本発明の半導体装置の製造方法の一実施例の工程を示す断面図で、第１２図は他の実施例の工程を示す断面図である。
　まず第６図に示すように
Ｓｉ基板１１上にＳｉＯ
２
膜１２を
形成する。
その上にＳｉ
３
Ｎ
４
膜１３を
形成する。次に該基板上にホトレジスト膜１４を塗布後、
所定のパターンに形成する。
該パターニングせるホトレジスト膜１４をマスクとして
Ｓｉ
３
Ｎ
４
膜１３をエッチングする
下部のＳｉＯ
２
膜１２を除去する。
下部のＳｉ基板を基板表面より約１μｍの深さにエッチングしてエッチング溝１５を形成する。
　その後第８図に示すように該基板上にバイアススパッタ法によって
基板上およびエッチング溝１５内にＳｉＯ
２
膜の如き絶縁膜１６を形成する。
　その後
基板上に多少凹凸形状を呈して形成されているＳｉＯ
２
膜１６の凸状部分をあらかじめアルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）等の研磨剤を用いて研磨して表面を平滑な状態に仕上げる。
　次いで、ＣＦ４ガスとＨ２ガスの混合ガスを用いて
ＳｉＯ
２
膜１６を反応性イオンエッチング法により下部のＳｉ
３
Ｎ
４
膜が表われるまでエッチングする。
　このようにして形成された状態を第１０図に示す。次にこのようにして形成されたＳｉ基板をとり出し燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を用いてＳｉ３Ｎ４１２を選択的にエッチングして除去したのち、次いで弗化水素酸（ＨＦ）を用いて下部のＳｉＯ２膜１１を除去する。
　このようにして
素子間分離用ＳｉＯ
２
膜が形成された状態を第１１図に示す。
　
（３−３−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「（１）Ｓｉ基板１１上にＳｉＯ２膜１２、その上にＳｉ３Ｎ４膜１３を形成し、該基板上にホトレジスト膜１４を塗布後、所定のパターンに形成する工程、
（２）該パターニングせるホトレジスト膜１４をマスクとしてＳｉ３Ｎ４膜１３をエッチングし、次いで下部のＳｉＯ２膜１２を除去する工程、
（３）下部のＳｉ基板をエッチングしてエッチング溝１５を形成する工程、
（４）基板上およびエッチング溝１５内にＳｉＯ２膜の如き絶縁膜１６を形成する工程、
（５）基板上に多少凹凸形状を呈して形成されているＳｉＯ２膜１６の凸状部分をあらかじめアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の研磨剤を用いて研磨して表面を平滑な状態に仕上げる工程、
（６）ＳｉＯ２膜１６を反応性イオンエッチング法により下部のＳｉ３Ｎ４膜が表われるまでエッチングする工程、
とからなる半導体素子の素子間分離用絶縁膜の形成方法。」
　
（３−４）対比
（３−４−１）刊行物発明における「Ｓｉ基板１１」、「Ｓｉ３Ｎ４膜１３」、「エッチング溝１５」、「絶縁膜１６」、「反応性イオンエッチング法」は、各々補正後の発明における「半導体基板」、「窒化珪素」、「トレンチ」、「絶縁層」、「リアクティブイオンエッチング」に相当する。
　
（３−４−２）刊行物発明の工程（２）において、Ｓｉ基板１１上に形成されたＳｉＯ２膜１２、Ｓｉ３Ｎ４膜１３は、Ｓｉ基板１１の一部を露出するようにパターン化されていることは明らかである。また、このパターン化されたＳｉＯ２膜１２、Ｓｉ３Ｎ４膜１３は、エッチング溝１５を形成する際のマスキング層として機能することは明らかである。
　
（３−４−３）刊行物発明の工程（４）において、絶縁膜１６は、Ｓｉ基板１１の全面にわたって形成されており、エッチング溝には、絶縁膜１６の一部が充填されていることは明らかである。
　
（３−４−４）刊行物発明の工程（６）において、「ＳｉＯ２膜１６を反応性イオンエッチング法により下部のＳｉ３Ｎ４膜が表われるまでエッチング」していること、および第９図からみて、工程（５）におけるアルミナ等の研磨剤を用いた研磨では、マスキング層に相当するＳｉ３Ｎ４膜１３が露出しないように研磨しているものと認められる。また、該アルミナ等の研磨剤を用いた研磨は、工程（６）の反応性イオンエッチングによるエッチングに先立って行われていることから、「予備研磨」に相当する。
　
（３−４−５）刊行物発明の工程（６）におけるエッチングにより、溝１５には、残留したＳｉＯ２膜１６によりトレンチ絶縁構造部が形成されているものと認められる。
　
（３−４−６）以上を勘案すると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「以下の工程からなる半導体基板にトレンチ絶縁構造を形成する方法：
　　半導体基板の面に該基板の一部を露出させるようにパターン化された、窒化珪素を含むマスキング層を形成する工程；
　　該露出された領域における前記基板にトレンチを形成する工程；
　　該基板全面にわたり絶縁層を形成して、前記トレンチに前記絶縁層の一部を充填する工程；
　　研磨プロセスを行って、前記マスキング層が露出しないように前記絶縁層を予備研磨する工程；及び
　　前記マスキング層の頂面のレベルより上の前記絶縁層をリアクティブイオンエッチングによりエッチバックして前記マスキング層を露出させると共に前記トレンチ内にある前記絶縁層を前記トレンチ内に残留させて、残留した前記絶縁層によりトレンチ絶縁構造部を形成させる工程。」である点で一致し、以下の２点で相違する。
　
（相違点１）
　補正後の発明では、「絶縁層をリアクティブイオンエッチングによりエッチバックして」「トレンチ内に」「残留した」「絶縁層により浅いトレンチ絶縁構造部を形成させ」ているのに対して、刊行物発明では、「ＳｉＯ２膜１６を反応性イオンエッチング法により下部のＳｉ３Ｎ４膜が表われるまでエッチングする」ことによって形成された「素子間分離用絶縁膜」が、浅い「素子間分離用絶縁膜」を構成しているのかどうかが明らかでない点。
　
（相違点２）
　補正後の発明の「予備研磨する工程」では、「化学機械研磨プロセス」を用いているのに対して、刊行物発明では、「アルミナ等の研磨剤を用いて研磨して」いる点。
　
（３−５）判断
（３−５−１）相違点１について
　「トレンチ分離構造」の深さは、求める分離の程度等によって異なってくること、浅い「トレンチ分離構造」もいわゆる「ＳＴＩ（Shallow Trench. Isolation）」という概念で周知であることから、刊行物発明において、当業者が個々の状況に応じて、エッチング溝１５の深さを最適化した結果として、「素子間分離用絶縁膜」を浅いものとし、補正後の発明のように「浅いトレンチ絶縁構造部」との構成を備えたものとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（３−５−２）相違点２について
　半導体基板上に形成された絶縁膜等を平坦化する際に、化学機械研磨プロセスを用いることは、以下の周知文献１、２に記載されるように従来周知である。
　
ア．周知文献１：特開平９−２１３７８５号公報には、図１とともに、「【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、化学的機械研磨法により酸化膜１０６の途中まで平坦化する。続いて、図１(ｄ)に示すように、第１のゲート電極１０３が露出するまで酸化膜１０６をドライエッチングにより全面エッチし、酸化膜１０６を溝１０４内に埋め込む。このように化学的機械研磨法とドライエッチによる全面エッチを併用しているのは、酸化膜１０６除去の際の下地となる第１のゲート電極１０３が２０ｎｍと薄いため、選択比の確保できない研磨法ではエッチングを止めることができないためである。」と記載されている。
　
イ．周知文献２：特開平７−２４５３０６号公報には、「【００１１】一方、素子分離領域を形成すべき部分の広さによって絶縁膜の残り量が変化し難く、トレンチ素子分離領域形成方法のみで全ての素子分離領域を形成し得る平坦化手法が、例えば化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）や機械的研磨法である。ＣＭＰ法等の研磨法に基づくトレンチ素子分離領域形成方法によって、幅１０μｍ〜１０００μｍという広い素子分離領域（広いフィールド領域）を形成することが可能となり、素子分離領域形成工程の大幅な削減ができる。従って、ＣＭＰ法や機械的研磨法は、最も生産性の高いトレンチ素子分離領域形成方法として現在注目されている技術である。」と記載されている。
　
　したがって、刊行物発明において、「ＳｉＯ２膜１６の凸状部分をあらかじめ化学機械研磨プロセスにより表面を平滑な状態に仕上げる」ことにより、補正後の発明のように、「化学機械研磨プロセスを行って、前記マスキング層が露出しないように前記絶縁層を予備研磨する工程」を備えたものとなすことは、周知技術に基づいて、当業者が容易になし得たものである。
　よって、相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、当業者が、周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、刊行物発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１８年１２月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成１７年５月９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項、及び上記２．（３−３−２）で認定したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、当然に引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。