Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ状のシンチレーション結晶エレメントと、
前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントを覆うように配置され、前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントから放出された光を受け取るように構成された複数のフォトセンサと、
前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントと前記複数のフォトセンサとの間に配置された光ファイバプレートであって、前記シンチレーション結晶から放出された前記光を前記複数のフォトセンサまで誘導するように構成されている複数のファイバを有する光ファイバプレートと、
を備える、ポジトロン放射断層撮影（ＰＥＴ）検出器モジュール。
【請求項２】
前記光ファイバプレート内の前記複数のファイバの密度が、前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントの平面に平行な前記光ファイバプレートの長手方向平面内で変化している、請求項１に記載のＰＥＴ検出器モジュール。
【請求項３】
前記光ファイバプレート内の前記複数のファイバの密度が、前記光ファイバプレートの長手方向平面に垂直な前記光ファイバプレートの厚さ方向で変化している、請求項１に記載のＰＥＴ検出器モジュール。
【請求項４】
前記光ファイバプレート内の前記複数のファイバの密度が、前記光ファイバプレートの前記長手方向平面に垂直な前記光ファイバプレートの厚さ方向でも変化している、請求項２に記載のＰＥＴ検出器モジュール。
【請求項５】
前記複数のファイバが、異なる開口数を有する、請求項１に記載のＰＥＴ検出器モジュール。
【請求項６】
前記放出された光を前記複数のフォトセンサの各々の受光面に誘導するとともに、前記フォトセンサの前記受光面同士の間には光を誘導しないように、前記光ファイバプレートの中の前記ファイバの密度が変化している、請求項１に記載のＰＥＴ検出器モジュール。
【請求項７】
前記光ファイバプレートは、前記光ファイバプレートの長手方向平面に垂直な厚さ方向に、前記複数のフォトセンサまで、前記シンチレーション結晶から放出された前記光を誘導するように構成され、前記光ファイバプレートの厚さは、前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントの厚さと実質的に略同等である、請求項１に記載のＰＥＴ検出器モジュール。
【請求項８】
円筒検出器環体を形成するように相互に隣接して配置された複数の検出器モジュールを備え、
前記検出器モジュールの各々は、
アレイ状のシンチレーション結晶エレメントと、
前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントを覆うように配置され、前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントから放出された光を受け取るように構成された複数のフォトセンサと、
前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントと前記複数のフォトセンサとの間に配置された光ファイバプレートであって、前記シンチレーション結晶から放出された前記光を前記複数のフォトセンサまで誘導するように構成されている複数のファイバを有する光ファイバプレートと、
を有する、ポジトロン放射断層撮影（ＰＥＴ）スキャナシステム。
【請求項９】
前記光ファイバプレート内の前記複数のファイバの密度が、前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントの平面に平行な前記光ファイバプレートの長手方向平面内で変化している、請求項８に記載のＰＥＴスキャナシステム。
【請求項１０】
前記光ファイバプレート内の前記複数のファイバの密度が、前記光ファイバプレートの長手方向平面に垂直な前記光ファイバプレートの厚さ方向で変化している、請求項８に記載のＰＥＴスキャナシステム。
【請求項１１】
前記光ファイバプレート内の前記複数のファイバの密度が、前記光ファイバプレートの厚さ方向で変化している、請求項９に記載のＰＥＴスキャナシステム。
【請求項１２】
前記光ファイバプレート内の前記複数のファイバの密度が、前記光ファイバプレートの前記長手方向平面に垂直な前記光ファイバプレートの厚さ方向でも変化している、請求項９に記載のＰＥＴスキャナシステム。
【請求項１３】
前記放出された光を前記複数のフォトセンサの各々の受光面に誘導するとともに、前記フォトセンサの前記受光面同士の間には光を誘導しないように、前記光ファイバプレートの中の前記ファイバの密度が変化している、請求項８に記載のＰＥＴスキャナシステム。
【請求項１４】
アレイ状のシンチレーション結晶エレメントと、
前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントを覆うように配置され、前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントから放出された光を受け取るように構成された複数のフォトセンサと、
前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントと前記複数のフォトセンサとの間に配置された光学材料であって、前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントから放出された前記光を前記複数のフォトセンサまで導くように構成されており、１．７５を上回る平均屈折率を有する光学材料と、
を備える、ポジトロン放射断層撮影（ＰＥＴ）検出器モジュール。
【請求項１５】
光ファイバプレートであって、
複数のファイバを備え、
前記光ファイバ内の前記複数のファイバの密度は、前記ファイバの長軸に垂直な前記光ファイバプレートの長手方向平面内で変化している、光ファイバプレート。
【請求項１６】
前記ファイバのコアのサイズは、同じクラッド厚に対して、前記光ファイバプレートの前記長手方向平面内で変化している、請求項１５に記載の光ファイバプレート。
【請求項１７】
前記ファイバのクラッドの厚さは、同じコアのサイズに対して、前記光ファイバプレートの前記長手方向平面内で変化している、請求項１５に記載の光ファイバプレート。
【請求項１８】
前記ファイバのクラッドの厚さは、同じコアのサイズに対して、前記光ファイバプレートの前記長手方向平面内で変化している、請求項１６に記載の光ファイバプレート。
【請求項１９】
アレイ状のシンチレーション結晶エレメントと、
前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントを覆うように配置され、前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントから放出された光を受け取るように構成された複数のフォトセンサと、
前記アレイ状のシンチレーション結晶エレメントと前記複数のフォトセンサとの間に配置された光ファイバプレートであって、前記シンチレーション結晶から放出された前記光を前記複数のフォトセンサまで誘導するように構成されている複数のファイバを有する光ファイバプレートと、
を備える、核医学画像撮影検出器モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲をロータ（１２）が回転可能である中心線（１２２）から半径方向距離にあるタービンの前記ロータ（１２）上に定められた対象測定点（２０）における状態を測定するセンサ（２５）と、
前記中心線（１２２）から半径方向距離にある前記ロータ（１２）上に配設された配線であって、前記センサ（２５）に連結された第１配線セクション（４０）と、第２配線セクション（６０）と、前記第１及び第２配線セクション（４０、６０）が接続可能である第１接続部（５０）とを含む前記配線と、
前記第２配線セクション（６０）が、検出された状態を反映する信号を非回転記録要素（７５）に送信する第２接続部（７０）と、
前記第２配線セクション（６０）上に配設されて前記信号を調整する温度補償モジュール（６５）とを含む、通信システム（３０）。
【請求項２】
前記センサ（２５）は、
略円筒形状と第１及び第２対向端部（２７、２８）を有する本体（２６）と、
前記第１及び第２対向端部の一方に連結される検知端部（２９）であって、前記第１及び第２対向端部の他方は前記第１配線セクションに連結されている前記検知端部（２９）とを含み、
前記検知端部（２９）は、加えられる検出された静圧及び／又は動圧を反映する信号を生成するように構成された検知装置（２９９）を含み、
前記第１及び前記第２対向端部（２７、２８）の少なくとも一方は、重力荷重を吸収するショルダー部分（２７７、２８８）を画定するように形成されている、請求項１に記載の通信システム（３０）。
【請求項３】
前記第１配線セクション（４０）は高温配線を含む、請求項１に記載の通信システム（３０）。
【請求項４】
前記第１配線セクション（４０）はひずみ緩和を伴っている、請求項１に記載の通信システム（３０）。
【請求項５】
前記第１配線セクション（４０）をプローブホルダ（９０）に固定する配線アセンブリ（９９）を更に含み、前記プローブホルダ（９０）は前記配線アセンブリ（９９）の前方及び後方にスラックを有して前記センサを支持する、請求項４に記載の通信システム（３０）。
【請求項６】
前記第１接続部（５０）はゴールドピン気密コネクタを含む、請求項１に記載の通信システム（３０）。
【請求項７】
前記非回転記録システム（７５）は、スリップリング、遠隔測定システム、又は他の適切な送信装置に連結される、請求項１に記載の通信システム（３０）。
【請求項８】
前記対象測定点（２０）は、前記中心線の周囲の周辺の前部軸本体（８０）内に画定された抽出キャビティ、中間軸本体（１００）を通って延在するように画定された冷却空気孔（１４）の出口、前記中間軸（１００）の前方フランジ（１６）付近の領域、及び後部軸プラグ（１７）付近の領域の１つ又は複数に位置する、請求項１に記載の通信システム（３０）。
【請求項９】
前記抽出キャビティに位置する対象測定点（２０）では、前記第１配線セクション（４０）は、軸方向に前記前部軸本体（１２０）を通って、前記抽出キャビティに向かって半径方向外方に通っている、請求項８に記載の通信システム（３０）。
【請求項１０】
前記抽出キャビティに位置する対象測定点（２０）では、前記センサ（２５）と前記第１配線セクション（４０）は複数存在する、請求項８に記載の通信システム（３０）。
【請求項１１】
周囲をロータ（１２）が回転可能である中心線（１２２）から半径方向距離にあるタービン（１０）の前記ロータ（１２）上の、前部軸本体（１２０）の抽出キャビティ、中間軸（１５）に画定された冷却空気孔（１４）の出口、前記中間軸（１５）の前方フランジ（１６）付近の領域、及び後部軸プラグ（１７）付近の領域に定められた対象測定点（２０）における状態を測定する複数のセンサ（２５）と、
前記中心線（１２２）から半径方向距離にある前記ロータ（１２）上に配設された配線であって、前記複数のセンサ（２５）の各々に連結された第１配線セクション（４０）と、第２配線セクション（６０）と、前記第１及び第２配線セクション（４０、６０）が接続可能である第１接続部（５０）とを含む前記配線と、
前記第２配線セクション（６０）が、検出された状態を反映する信号を非回転記録システム（７５）に送信する第２接続部（７０）と、
前記第２配線セクション（６０）上に配設されて前記信号を調整する温度補償モジュール（６５）とを含む、通信システム（３０）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インバータ回路の上下アームを構成する複数のパワー半導体素子と、 
多面体形状を有し、前記複数のパワー半導体素子を封止する第１封止部材と、
前記複数のパワー半導体素子のいずれかと接続され、前記第１封止部材から突出する正極側端子と、
前記複数のパワー半導体素子のいずれかと接続され、前記第１封止部材から突出する負極側端子と、
前記正極側端子の少なくとも一部及び前記負極側端子の少なくとも一部を封止する第２封止部材と、
前記第１封止部材で封止された前記パワー半導体素子を収納するケースと、を備え、
前記正極側端子及び前記負極側端子は、前記第１封止部材から突出する部分が前記第１封止部材の一つの面に沿って一列に並べられ、
さらに、前記正極側端子及び前記負極側端子は、前記第２封止部材から積層状態で突出しておりかつ前記ケースの外に延出していることを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパワー半導体装置において、
前記正極側端子及び前記負極側端子の各層を流れる電流により互いに相殺し合う方向の磁束を発生することを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースは、電気伝導性を有する部材で形成され、
前記上下アームの直列回路を流れる電流により前記ケースに渦電流が誘起されることを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースは、その外側に放熱用のフィンを有する放熱面が形成され、
前記ケースの内側に前記放熱面に対向するようにして、前記第１封止部材で封止された前記複数のパワー半導体素子が配置されることを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のパワー半導体装置において、
前記パワー半導体素子の駆動信号を伝達する信号接続端子と、
前記信号接続端子と金属接合により接続される信号配線と、をさらに備え、
前記正極側端子は、前記上下アームの直列回路に直流電力を供給するための直流正極接続端子と、前記直流正極接続端子と金属接合により接続される直流正極配線と、を含み、
前記負極側端子は、前記上下アームの直列回路に直流電力を供給するための直流負極接続端子と、前記直流負極接続端子と金属接合により接続される直流負極配線と、を含み、
前記第２封止部材は、前記信号接続端子と前記信号配線との接続部、前記直流正極接続端子と前記直流正極配線との接続部、及び前記直流負極接続端子と前記直流負極配線との接続部を封止することを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載のパワー半導体装置において、
前記信号接続端子、前記直流正極接続端子及び前記直流負極接続端子は、前記第１封止部材から同一方向にそれぞれ突出し、
前記信号接続端子、前記直流正極接続端子及び前記直流負極接続端子のそれぞれの端部は、同一方向にそれぞれ折り曲げられ、
前記信号接続端子、前記直流正極接続端子及び前記直流負極接続端子の折り曲げられた端部が、それぞれ前記信号配線、前記直流正極配線または前記直流負極配線と金属接続されることを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載のパワー半導体装置において、
前記信号接続端子、前記直流正極接続端子及び前記直流負極接続端子は、前記第１封止部材から突出する部分が一列に配置されることを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のパワー半導体装置において、
前記第１封止部材から突出しており、前記上下アームの直列回路により直流電力から変換された交流電力を出力するための交流接続端子と、
前記交流接続端子と金属接合により接続される交流配線と、をさらに備え、
前記第２封止部材は、前記交流接続端子と前記交流配線との接続部をさらに封止することを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項９】
請求項５乃至７のいずれか一項に記載のパワー半導体装置において、
前記ケースは、一つの開口面を有しており、
前記直流正極接続端子と前記直流正極配線との接続部、及び前記直流負極接続端子と前記直流負極配線との接続部は、前記開口面よりも前記ケースの内側に配置され、
前記直流正極配線及び前記直流負極配線は、前記開口面から前記ケースの外に延出することを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項１０】
請求項５乃至７、９のいずれか一項に記載のパワー半導体装置において、
前記直流正極配線及び前記直流負極配線を支持する支持部材をさらに備え、
前記支持部材は、前記ケースに固定されることを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のパワー半導体装置において、
前記第２封止部材は、前記ケースの内側と前記第１封止部材との間の空間に充填されることを特徴とするパワー半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パワー半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によるパワー半導体装置の一態様は、インバータ回路の上下アームを構成する複数のパワー半導体素子と、多面体形状を有し、複数のパワー半導体素子を封止する第１封止部材と、複数のパワー半導体素子のいずれかと接続され、第１封止部材から突出する正極側端子と、複数のパワー半導体素子のいずれかと接続され、前記第１封止部材から突出する負極側端子と、正極側端子の少なくとも一部及び負極側端子の少なくとも一部を封止する第２封止部材と、第１封止部材で封止されたパワー半導体素子を収納するケースと、を備え、正極側端子及び負極側端子は、第１封止部材から突出する部分が第１封止部材の一つの面に沿って一列に並べられ、さらに、正極側端子及び負極側端子は、第２封止部材から積層状態で突出しておりかつケースの外に延出しているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定子巻線を埋め込んだ固定子コア部及び／又はそのコイルエンド部の回転子と向合う面に絶縁層を配置し、
前記絶縁層の表面に、前記固定子コアの磁束の流れに垂直の方向に導電部と絶縁部を交互に形成したことを特徴とする回転電機。
【請求項２】
固定子巻線を埋め込んだ固定子コア部及び／又はそのコイルエンド部の回転子と向合う面に絶縁層を配置し、
前記絶縁層の表面に、前記固定子コアの磁束の流れに垂直の方向に、細長い複数の導電部を間隔を置いて配置したことを特徴とする回転電機。
【請求項３】
固定子巻線を埋め込んだ固定子コア部及び／又はそのコイルエンド部の回転子と向合う面に、周方向に導電部と絶縁部を交互に形成したことを特徴とする請求項１または２に記載の回転電機。
【請求項４】
固定子巻線を埋め込んだ固定子コア部及び／又はそのコイルエンド部の固定子の回転子と向合う面に絶縁層を配置し、
前記絶縁層の表面に、軸方向に伸びる細長い複数の導電部を、周方向に間隔を置いて配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の回転電機。
【請求項５】
前記軸方向に伸びる細長い複数の導電部が、回転軸に平行に伸びていることを特徴とする請求項４に記載の回転電機。
【請求項６】
前記絶縁層の表面に、複数のリング状の導電部を軸方向に間隔を置いて配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の回転電機。
【請求項７】
軸方向に細長い複数の短絡線が設けられ、軸方向に独立した前記複数のリング状の導電部間を接続すると共に、前記固定子コアの軸方向端部において、前記固定子コアと電気的に接続したことを特徴とする請求項６に記載の回転電機。
【請求項８】
前記導電部と絶縁部の交互配置が格子状に設けられたことを特徴とする請求項１または３に記載の回転電機。
【請求項９】
前記導電部が、前記絶縁層上に縞状に配置されたことを特徴とする請求項２または４に記載の回転電機。
【請求項１０】
前記導電部と前記絶縁部の交互配置が、回転軸方向に対し垂直面上に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の回転電機。
【請求項１１】
前記導電部を、前記固定子コアと電気的に接続したことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の回転電機。
【請求項１２】
表面に絶縁処理を施した磁性体によって形成された前記固定子コアに固定子巻線を埋め込み、前記固定子コアの回転子と向合う面に、前記固定子コアの磁束の流れに垂直の方向に導電部と絶縁部を交互に形成したことを特徴とする回転電機。
【請求項１３】
表面を絶縁処理した軟磁性粉体を圧縮成型して前記固定子コアを形成したことを特徴とする請求項１２に記載の回転電機。
【請求項１４】
前記固定子コア部の前記導電層の総面積に比べ、前記コイルエンド部の導電層の総面積を広く形成したことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の回転電機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の識別情報の可変表示を開始させた後に表示結果を導出表示する可変表示手段を備え、該可変表示手段に導出表示された識別情報の表示結果が特定表示結果となったときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記特定遊技状態に制御するか否かを識別情報の表示結果が導出表示されるよりも前に決定する事前決定手段と、
前記事前決定手段の決定結果に基づいて、所定の導出表示演出を実行してから前記可変表示手段に表示結果を導出表示させる導出表示演出実行手段と、
前記事前決定手段の決定結果に基づいて、前記識別情報の可変表示が開始されてから前記導出表示演出実行手段により前記導出表示演出が実行されるまでに、所定の予告演出を所定回数繰り返し実行する予告演出実行手段を備え、
前記予告演出実行手段は、
前記予告演出を開始してから繰り返すまでの期間を複数種類の期間から決定し、
前記予告演出を繰り返すときには、所定の特殊演出を実行してから、前記予告演出を開始しなおす
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件が成立したことに基づいて各々が識別可能な複数種類の特別識別情報の可変表示を行い、特別識別情報の表示結果を導出表示する特別可変表示部を備え、特別識別情報の表示結果が予め定められた特定表示結果となったときに、遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御される遊技機であって、
遊技の進行を制御する遊技制御手段と、
前記遊技制御手段からの制御信号に基づいて所定の演出を実行する演出手段を制御する演出制御手段と、
特別識別情報の可変表示中に各々が識別可能な複数種類の装飾識別情報の可変表示を行い、特別識別情報の表示結果が導出表示されることに対応して、装飾識別情報の表示結果を導出表示する装飾可変表示部、とを備え、
前記遊技制御手段は、
前記特定遊技状態が終了した後、特定遊技状態とは異なる遊技者にとって有利な特別遊技状態に制御する特別遊技制御手段と、
前記特別可変表示部に表示結果を導出表示する際に実行される特別識別情報の可変表示パターンを複数種類格納する可変表示パターン格納手段と、
前記始動条件が成立したことに基づいて前記可変表示パターン格納手段に格納された可変表示パターンのうちから、実行する可変表示パターンを選択決定する可変表示パターン決定手段、とを含み、
前記特定表示結果は、第１特別表示結果と該第１特別表示結果以外の第２特別表示結果とを含み、
装飾識別情報の表示結果として、前記特別可変表示部に前記第１特別表示結果を導出表示するときにのみ導出表示される第１装飾表示結果と該第１装飾表示結果以外の第２装飾表示結果とを含み、
前記特別可変表示部に導出表示される表示結果が前記第１特別表示結果であるときに、前記特別遊技状態に制御する機能を有し、
前記演出制御手段は、前記特別可変表示部に前記第１特別表示結果が導出表示されるときに、前記装飾可変表示部に前記第１装飾表示結果を導出表示する第１装飾可変表示と、前記特別可変表示部に前記第１特別表示結果が導出表示されるときであっても、前記第２装飾表示結果を導出表示する第２装飾可変表示と、前記特別可変表示部に前記第２特別表示結果が導出表示されるときに、前記装飾可変表示部に前記第２装飾表示結果を導出表示する第３装飾可変表示と、のうちいずれかの装飾可変表示を選択して実行する装飾表示制御手段を含むとともに、前記特別遊技状態であるか否かに応じて異なる割合で、前記装飾可変表示部において所定のリーチを実行し、
前記装飾表示制御手段は、前記装飾可変表示部に前記第２装飾表示結果を導出表示するときに、導出表示する前記第２装飾表示結果を複数種類から選択するとともに、前記第２装飾可変表示を実行するときと、前記第３装飾可変表示を実行するときと、で異なる割合で導出表示する前記第２装飾表示結果を選択する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本願の請求項に係る遊技機は、所定の始動条件（例えば普通可変入賞球装置６への入賞の後に可変表示装置４における前回の可変表示及び大当り遊技状態が終了したこと）が成立したことに基づいて各々が識別可能な複数種類の特別識別情報の可変表示を行い、特別識別情報の表示結果を導出表示する特別可変表示部（例えば可変表示装置４）を備え、特別識別情報の表示結果が予め定められた特定表示結果となったときに、遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば大当り遊技状態）に制御される遊技機であって、遊技の進行を制御する遊技制御手段（例えば主基板１１に搭載された遊技制御用マイクロコンピュータ１００など）と、前記遊技制御手段からの制御信号に基づいて所定の演出を実行する演出手段を制御する演出制御手段（例えば表示制御基板１２など）と、特別識別情報の可変表示中に各々が識別可能な複数種類の装飾識別情報の可変表示を行い、特別識別情報の表示結果が導出表示されることに対応して、装飾識別情報の表示結果を導出表示する装飾可変表示部、とを備え、前記遊技制御手段は、前記特定遊技状態が終了した後、特定遊技状態とは異なる遊技者にとって有利な特別遊技状態に制御する特別遊技制御手段（例えば確変フラグや時短フラグがオンとなっているときに、ＣＰＵ１０３がステップＳ２０４の大当り判定処理、ステップＳ１３１の普通図柄可変表示開始処理、ステップＳ１３４の普通可変入賞球装置開放処理を実行する部分など）と、前記特別可変表示部に表示結果を導出表示する際に実行される特別識別情報の可変表示パターンを複数種類格納する可変表示パターン格納手段（例えば可変表示パターンテーブル１５４など）と、前記始動条件が成立したことに基づいて前記可変表示パターン格納手段に格納された可変表示パターンのうちから、実行する可変表示パターンを選択決定する可変表示パターン決定手段（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ１１２の可変表示パターン設定処理を実行する部分など）、とを含み、前記特定表示結果は、第１特別表示結果と該第１特別表示結果以外の第２特別表示結果とを含み、装飾識別情報の表示結果として、前記特別可変表示部に前記第１特別表示結果を導出表示するときにのみ導出表示される第１装飾表示結果と該第１装飾表示結果以外の第２装飾表示結果とを含み、前記特別可変表示部に導出表示される表示結果が前記第１特別表示結果であるときに、前記特別遊技状態に制御する機能を有し、前記演出制御手段は、前記特別可変表示部に前記第１特別表示結果が導出表示されるときに、前記装飾可変表示部に前記第１装飾表示結果を導出表示する第１装飾可変表示と、前記特別可変表示部に前記第１特別表示結果が導出表示されるときであっても、前記第２装飾表示結果を導出表示する第２装飾可変表示と、前記特別可変表示部に前記第２特別表示結果が導出表示されるときに、前記装飾可変表示部に前記第２装飾表示結果を導出表示する第３装飾可変表示と、のうちいずれかの装飾可変表示を選択して実行する装飾表示制御手段を含むとともに、前記特別遊技状態であるか否かに応じて異なる割合で、前記装飾可変表示部において所定のリーチを実行し、前記装飾表示制御手段は、前記装飾可変表示部に前記第２装飾表示結果を導出表示するときに、導出表示する前記第２装飾表示結果を複数種類から選択するとともに、前記第２装飾可変表示を実行するときと、前記第３装飾可変表示を実行するときと、で異なる割合で導出表示する前記第２装飾表示結果を選択する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の気道に換気された空気を供給するとともに相互作用するように構成された人工呼吸器と、
いつ前記患者が呼吸の呼気相の状態にあるかを決定するための手段と、
前記患者の呼吸気流量に関連した信号を生成するための手段と、
前記呼吸気流量に関連した前記信号に基づいて、前記患者の前記呼吸の呼気相中の無効努力を決定するための手段と、
ある期間にわたって人工呼吸器が供給する複数の呼吸を追跡するための手段と、
前記ある期間内において決定された前記無効努力に基づいて、前記ある期間にわたる無効努力の総数を算出するための手段と、
前記ある期間にわたって算出された前記無効努力の総数に基づいて、前記人工呼吸器の少なくとも１つの設定を制御するための手段と、
を備えるシステム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの設定を制御するための手段は、前記人工呼吸器の構成要素のサーボ調整を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの設定は、前記人工呼吸器の終末呼気陽圧を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記少なくとも１つの設定は、前記人工呼吸器によって供給される一回換気量を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの設定は、前記換気された空気を送気する圧補助に関連している請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記信号は、前記呼気相と決定された期間における前記呼吸気流量中の空気容量に基づいている請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記信号は、前記呼気相と決定された期間における前記呼吸気流量の圧力に基づいている請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記いつ前記患者が呼吸の呼気相の状態にあるかを決定するための手段は、前記患者の気道と相互作用している気流の極性を決定するための手段を備えている請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記いつ前記患者が呼吸の呼気相の状態にあるかを決定するための手段は、所定の位相閾値に対する導出圧力信号を分析するための手段を備えている請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記所定の位相閾値は、最大圧力と最小圧力との差を２で除算したものに基づいて算出される請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記呼吸気流量に関連した前記信号に基づいて、前記患者の前記呼吸の呼気相中の無効努力を決定するための手段は、
前記信号における局所極大を決定するための手段と、
前記信号の一部分の二次導関数を算出し、前記二次導関数を所定の負の閾値と比較することによって局所極大の次にくる顕著な下り勾配を決定するための手段とをさらに備え、
前記無効努力は、顕著な下り勾配が局所極大の次にくる場合に決定される請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記呼吸気流量に関連した前記信号に基づいて、前記患者の前記呼吸の呼気相中の無効努力を決定するための手段は、
前記信号の一次導関数を算出するための手段と、
前記信号の二次導関数を算出するための手段とをさらに備え、
前記無効努力は、１）一次導関数は正から負へのゼロ交差または傾きゼロ(zero slope)と関連している、且つ２）二次導関数は負の非ゼロ閾値より大きい、場合に決定される請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ある期間にわたる無効努力の総数を算出するための手段は、人工呼吸器が供給した呼吸数を合計する手段をさらに備える請求項１乃至請求項１２のうちいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
尿失禁治療のための装置（１００）であって、
中心軸（１５０）上に位置するノード（１０８）と、
前記ノードに取り付けられ、尿道支持を提供するよう構成される、放射アームとして機能する少なくとも２つの支持アーム（１１４）を有するサポート部（１１０）と、
前記ノードに取り付けられ、前記装置の動きに抵抗するよう構成される、少なくとも２つの固着アーム（１１２）を有する固着部（１０６）と、
を備え、
前記ノード（１０８）、前記サポート部（１１０）及び前記固着部（１０６）が、単一のボディ構造からなることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記少なくとも２つの固着アームが、前記中心軸と実質的に垂直に交わることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記支持アームおよび固着アームを含む複数のアームの少なくとも一つが真っすぐでないことを特徴とする、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記支持アームの少なくとも一つが曲がっていることを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記支持アームの少なくとも一つが、前記中心軸の方へ内側に向かう先端を有することを特徴とする、請求項１から４の何れか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記支持アームの少なくとも一つが、前記中心軸から離れて延びる先端を有することを特徴とする、請求項１から５の何れか一項に記載の装置。
【請求項７】
カバーをさらに備えることを特徴とする、請求項１から６の何れか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記カバーにデバイス排除器が取り付けられることを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記支持アームの少なくとも一つにデバイス排除器が取り付けられることを特徴とする、請求項１から７の何れか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記支持アームおよび固着アームを含む複数のアームの少なくとも一つの先端にはパッドが設けられていることを特徴とする、請求項１から９の何れか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記ノードには、内部構造が設けられていることを特徴とする、請求項１から１０の何れか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記内部構造は、ワイヤーまたはバネの少なくともいずれか一方であることを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
アプリケータをさらに備えることを特徴とする、請求項１から１２の何れか一項に記載の装置。
【請求項１４】
尿失禁治療のための装置（１００）であって、
中心軸（１５０）上に位置するノード（１０８）と、
前記ノードに取り付けられ、尿道支持を提供するよう構成される、放射アームとして機能する少なくとも２つの支持アーム（１１４）を有するサポート部（１１０）と、
前記ノードに取り付けられた固着部と、
前記ノード、サポート部、および固着部を実質的に封入するカバーと、を備え、
前記装置は、自然な膣分泌物に透過性を有することを特徴とする装置。
【請求項１５】
前記カバーはメッシュであることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記カバーまたは前記サポート部の少なくともいずれか一方に取り付けられるデバイス排除器をさらに備えることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の装置。
【請求項１７】
尿失禁治療のための装置（１００）であって、
中心軸（１５０）上に位置するノード（１０８）と、
前記ノードに取り付けられ、尿道支持を提供するよう構成される、放射アームとして機能する少なくとも２つの支持アーム（１１４）を有するサポート部（１１０）と、
前記ノードに取り付けられた固着部と、
前記少なくとも２つの支持アームを前記中心軸に向かって折り畳むよう構成されるデバイス排除と、を備えることを特徴とする装置。
【請求項１８】
前記デバイス排除器は、前記サポート部に取り付けられることを特徴とする、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
カバーをさらに備えることを特徴とする、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記デバイス排除器は、前記カバーに取り付けられることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
尿失禁治療のための装置（１００）であって、
中心軸（１５０）上に位置するノード（１０８）と、
前記ノードに取り付けられ、尿道支持を提供するよう構成される、放射アームとして機能する少なくとも２つの支持アーム（１１４）を有するサポート部（１１０）と、
前記ノードに取り付けられた固着部と、
を備え、
前記尿道支持は、前記少なくとも２つの支持アームの前記中心軸に対する角度を変更することにより可変であることを特徴とする装置。
【請求項２２】
前記支持アームの少なくとも一つは、片持ち構造であることを特徴とする、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記支持アームの少なくとも一つは、他の支持アームと異なる弾力性および剛性を備えることを特徴とする、請求項２１または２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記角度は、挿入体によって変更されることを特徴とする、請求項２１から２３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２５】
前記角度は、前記装置の位置が定まることにより、前記装置が配置される膣の内部形状によって変更されることを特徴とする、請求項２１から２３のいずれか一項に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月1日(2012.3.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
欠陥検出方法であって、
オブジェクトの第１の画像のテスト済み画素に対応するオブジェクトの第２の画像の第２の画素を検索するステップを備え、
前記第１の画像および第２の画像は、異なる取得方法を使用して得られたものであり、
さらに、
前記第２の画素の隣接部分が第３の画素の隣接部分に類似するような前記第２の画像の前記第３の画素を探すステップと、
前記第３の画素に対応する前記第１の画像の第４の画素を検索するステップと、
前記テスト済み画素と前記第４の画素を比較するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記第２の画像の第５の画素に対応する前記第１の画像の第６の画素を検索するステップと、
第７の画素の隣接部分が前記第６の画素の隣接部分に類似するような前記第１の画像の前記第７の画素を探すステップと、
前記第７の画素に対応する前記第２の画像の第８の画素を検索するステップと、
前記第５の画素の隣接部分と前記第８の画素の隣接部分を比較するステップと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記異なる取得方法が透過取得方法および反射取得方法を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記探すステップが、第３の画素の隣接部分が前記第２の画素の前記隣接部分の最近の隣接部分であるような前記第３の画素を探すステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の画素の前記隣接部分がＭ個の要素を備えており、前記第３の画素を探すステップが、前記第２の画素の前記隣接部分のＮ次元表示を利用するステップを備えており、ここでＭ＞Ｎである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記探すステップが、前記第２の画素の前記隣接部分の前記Ｎ次元表示を発生させるために、主成分分析を適用するステップを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記探すステップがＮ次元ＫＤツリーを探すステップを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
欠陥検出方法のリソース消費レベルおよび欠陥検出方法の適切さに応じて前記欠陥検出方法を選択するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の画素の前記隣接部分が複数の粗解像度画素および複数の精解像度画素を備えており、前記複数の精画素が前記第２の画素の前記隣接部分の一部を表す、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第４の画素と前記テスト済み画素を比較する前に、前記テスト済み画素の隣接部分と前記第４の画素の隣接部分との間のサブ画素登録を実行するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記探すステップに、前記第１の画像内および前記第２の画像内の画素を選択するステップと、前記選択済み画素の隣接部分の表示を発生させるステップとが先行する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
欠陥検出システムであって、オブジェクトの第１の画像内および前記オブジェクトの第２の画像内の画素の隣接部分を表す情報を記憶するように適合されたメモリユニットと、前記メモリユニットに結合されたプロセッサとを備えており、前記プロセッサが：    
前記オブジェクトの前記第１の画像のテスト済み画素に対応する前記第２の画像の第２の画素を検索し；
前記第２の画素の隣接部分が第３の画素の隣接部分に類似するような前記第２の画像の前記第３の画素を探し；
前記第３の画素に対応する前記第１の画像の第４の画素を検索し；
前記テスト済み画素と前記第４の画素を比較する；
ように適合されている、前記システム。
【請求項１３】
前記プロセッサが、さらに、
前記第２の画像の第５の画素に対応する前記第１の画像の第６の画素を検索し、
第７の画素の隣接部分が前記第６の画素の隣接部分に類似するような前記第１の画像の前記第７の画素を探し、
前記第７の画素に対応する前記第２の画像の第８の画素を検索し、
前記第５の画素の隣接部分と前記第８の画素の隣接部分を比較するように適合されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記プロセッサが、前記第３の画素の隣接部分が前記第２の画素の前記隣接部分の最近の隣接部分であるような前記第３の画素を探すようにさらに適合されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第２の画素の前記隣接部分がＭ個の要素を備えており、前記プロセッサが、前記第２の画素の前記隣接部分のＮ次元表示を利用するようにさらに適合されており、ここでＭ＞Ｎである、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記プロセッサが、前記第２の画素の前記隣接部分の前記Ｎ次元表示を発生させるために、主成分分析を適用するようにさらに適合されている、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記プロセッサが、Ｎ次元ＫＤツリーを探すようにさらに適合されている、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記プロセッサが、欠陥検出方法のリソース消費レベルおよび欠陥検出方法の適切さに応じて前記欠陥検出方法を選択するようにさらに適合されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第２の画素の前記隣接部分が複数の粗解像度画素および複数の精解像度画素を備えており、前記複数の精画素が前記第２の画素の前記隣接部分の一部を表す、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２０】
前記プロセッサが、前記第４の画素と前記テスト済み画素を比較する前に、前記テスト済み画素の隣接部分と前記第４の画素の隣接部分との間のサブ画素登録を実行するようにさらに適合されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２１】
前記プロセッサが、前記第１の画像内および前記第２の画像内の画素を選択し、前記選択済み画素の隣接部分の表示を発生させるように適合されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２２】
欠陥検出方法であって、
オブジェクトの第１の画像のテスト済み画素に対応する前記オブジェクトの第２の画像の第２の画素を検索するステップを備え、
前記第１の画像および第２の画像は、異なる取得方法を使用して得られたものであり、さらに、
前記第２の画素の隣接部分が第３の画素の隣接部分に類似するような前記オブジェクトの前記第２の画像内の前記第３の画素を探すステップと、
前記第２の画像以外の画像まで、前記第３の画素を探すことを拡張するステップと、
前記第３の画素に対応する前記第１の画像の第４の画素を検索するステップと、
前記テスト済み画素と前記第４の画素を比較するステップと、
を備える方法。
【請求項２３】
欠陥検出方法であって、
オブジェクトの第１の画像のテスト済み特徴に対応する前記オブジェクトの第２の画像の第２の特徴を検索するステップであって、前記第１の画像および第２の画像が異なる取得方法を使用して得られたステップと、
前記第２の特徴の隣接部分が第３の特徴の隣接部分に類似するような前記第２の画像の前記第３の特徴を探すステップと、
前記第３の特徴に対応する前記第１の画像の第４の特徴を検索するステップと、
前記テスト済み特徴と前記第４の特徴を比較するステップと、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを生成するためのエミッタ領域を有するガス電界イオン源エミッタを収容するための筐体を含むイオンビームカラムと、
前記ガス電界イオン源エミッタからイオンを引き出すための電極と、
第１のガス及び第２のガスを含むガス混合物が前記エミッタ領域に形成されるように、第１のガスおよび第２のガスを前記エミッタ領域へ取り込むため適合した１個以上のガス入口と、
前記第１のガスまたは前記第２のガスから生成されたイオンビームを集束させるための対物レンズと、
前記電極と前記ガス電界イオン源エミッタとの間に電圧を供給するための電圧源と、
使用時に、前記ガス電界イオン源エミッタが異なる動作モードで動作するように、前記第１のガスのイオンのイオンビームまたは前記第２のガスのイオンのイオンビームを生成するため前記電圧源の第１の電圧と第２の電圧とを切り替えるコントローラと、
を備える集束イオンビーム装置。
【請求項２】
軽いガスのイオンおよび重いガスのイオンを生成するためのエミッタ領域を有するエミッタを収容するための筐体を含むイオンビームカラムと、
ガス電界イオン源エミッタからイオンを引き出すための電極と、
軽いガス及び重いガスを含むガス混合物が前記エミッタ領域に形成されるように、軽いガスおよび重いガスを前記エミッタ領域へ取り込むため適合した１個以上のガス入口と、
使用時に、前記ガス電界イオン源エミッタが異なる動作モードで動作するように、第１の引出電圧と第２の引出電圧とを切り替える手段と、
を備え、
前記軽いガスが水素とヘリウムとからなる群より選択され、前記重いガスが１０ｇ／ｍｏｌ以上の原子量を有している、集束イオンビーム装置。
【請求項３】
前記重いガスが、アルゴン、ネオン、クリプトン、および、アルゴンとネオンとクリプトンの組み合わせからなる群より選択される、請求項２に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項４】
前記第１のガス入口内に設けられている第１の弁と前記第２のガス入口内に設けられている第２の弁とを備え、
前記第１の弁および前記第２の弁が前記第１のガスの分圧および前記第２のガスの分圧を適合させるため制御され、
前記第１の弁が、前記第１のガスのためのガス源への第１のガス供給導管と、前記第１のガスを前記筐体に取り込むための第１のガス入口導管と、少なくとも１個の真空容器への接続のための第１の排気導管とを有し、
前記第２の弁が、前記第２のガスのためのガス源への第２のガス供給導管と、前記第２のガスを前記筐体に取り込むための第２のガス入口導管と、前記少なくとも１個の真空容器への接続のための第２の排気導管とを有している、
請求項１に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項５】
真空容器を含み前記筐体を真空にするため適合した真空システムに接続されているガス出口をさらに備える、請求項１に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項６】
前記イオンビームカラムに設けられ、試料上でイオンビームを走査するため適合した走査偏向器と、
前記イオンビームカラムに設けられ、前記イオンビームの衝突時に前記試料から放出される微粒子の時間分解検出のため適合した検出器と、
前記走査偏向器および前記検出器に接続されているコントローラと、
をさらに備える、請求項１に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項７】
時間分解測定が２マイクロ秒以下の時間分解能のため適合している、請求項６に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項８】
前記筐体が５ｃｍ3以下の容積を有している、請求項１に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項９】
前記試料から放出されたイオンまたはイオン化された粒子の同定のための質量分析計をさらに備える、請求項１に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項１０】
試料領域に隣接する領域に設けられたフラッド電子源をさらに備える、請求項１に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項１１】
前記第１のガスからのイオンを前記第２のガスからのイオンから分離するための質量分離器をさらに備える、請求項１に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項１２】
軽いガスのイオンビームを放射するための第１の引出電圧を供給するための第１の電位まで、イオンが生成されるエミッタ領域内でエミッタにバイアスをかけるステップと、
重いガスのイオンビームを放射するための第２の引出電圧を供給するための第２の電位まで、イオンが生成されるエミッタ領域内でエミッタにバイアスをかけるステップと、
を備え、
前記軽いガスが水素とヘリウムとからなる群より選択され、前記重いガスが１０ｇ／ｍｏｌ以上の原子量を有している、集束イオンビーム装置を動作させる方法。
【請求項１３】
切り替えが引出電圧のための電源を制御するステップを含む、請求項１２に記載の集束イオンビーム装置を動作させる方法。
【請求項１４】
観察モードのため前記軽いイオンビーム生成ガスから生成された前記イオンビームを試料上で走査し、前記試料の観察のため前記軽いイオンビーム生成ガスからの前記イオンビームの衝突時に前記試料から放出される微粒子を検出するステップと、
前記重いイオンビーム生成ガスが前記エミッタ領域に取り込まれている時間中に、改質モードの間に前記試料を改質するステップと、
をさらに備える、請求項１２に記載の集束イオンビーム装置を動作させる方法。
【請求項１５】
前記重いイオンビーム生成ガスが前記エミッタ領域に取り込まれている時間中に前記試料から放出されたイオン化された粒子を質量検出するステップをさらに備える、請求項１２に記載の集束イオンビーム装置を動作させる方法。
【請求項１６】
プロセスガスをエミッタ領域に取り込むステップをさらに備える、請求項１２に記載の集束イオンビーム装置を動作させる方法。
【請求項１７】
前記プロセスガスは酸素である、請求項１６に記載の集束イオンビーム装置を動作させる方法。
【請求項１８】
軽いイオンを重いイオンから分離するステップをさらに備える、請求項１２に記載の集束イオンビーム装置を動作させる方法。