Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、モジュール及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第７のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのソース及びドレインの他方の電位に応じた信号が供給されることができる機能を有することを特徴とする半導体装置（ただし、ソース及びドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と接続され、ソース及びドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と接続され、ゲートが前記第３のトランジスタのゲートと接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項２】
第１乃至第７のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の信号が供給されることができる機能を有し、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第２の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第１の信号が供給されることができる機能を有し、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第７のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのソース及びドレインの他方の電位に応じた第２の信号が供給されることができる機能を有することを特徴とする半導体装置（ただし、ソース及びドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と接続され、ソース及びドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と接続され、ゲートが前記第３のトランジスタのゲートと接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置と、フレキシブル配線基板と、を有するモジュール。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置、又は請求項３に記載のモジュールと、操作ボタンと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信ユニットによって、データユニットの第１の複数のセグメントを生成するステップと、
ここで、前記各第１の複数のセグメントは、前記データユニットのデータの一部と、第１のシーケンス番号と、第１の位置識別子とを含み、前記第１の位置識別子は、前記データユニットのデータの一部の位置を示し、
前記送信ユニットによって、前記第１の複数のセグメントを送信するステップと、
前記第１の複数のセグメントの１つが失われていることの識別を受信するステップと、
前記識別の受信に応答してかつセグメントサイズを減少させることを条件として、
前記送信ユニットによって、第２の複数のセグメントを生成するステップと、
ここで、前記各第２の複数のセグメントは、前記第１の複数のセグメントの１つの一部と、第２のシーケンス番号と、第２の位置識別子とを含み、
前記送信ユニットによって、前記第２の複数のセグメントを送信するステップと
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の複数のセグメントの少なくとも２つのセグメントは、実質的に同時に送信されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２の複数のセグメントは、１／３速度ターボ符号を用いた符号化された順方向誤り訂正であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記データユニットは、ＩＰパケットから得られることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ＩＰパケットは、ＴＣＰ／ＩＰパケットであることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記パケットのサイズは、動的に調整されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記各第１の複数のセグメントと前記各第２の複数のセグメントとは、サブフレームで送信されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記第２の複数のセグメントの送信に先立って、第２のデータユニットのセグメントが送信されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記送信ユニットは、加入者ユニットであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記送信ユニットは、基地局であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
受信ユニットによって、データユニットの第１の複数のセグメントの少なくとも１つを受信するステップと、
ここで、前記各第１の複数のセグメントは、前記データユニットのデータの一部と、第１のシーケンス番号と、第１の位置識別子とを含み、前記第１の位置識別子は、前記データユニットのデータの一部の位置を示し、
前記第１の複数のセグメントのうちの１つの失われたセグメントが受信に成功していないという条件で、前記受信ユニットによって、１つの失われたセグメントを示すことを送信するステップと、
前記失われたセグメントを示すことの前記送信に応答してかつセグメントサイズを減少させることを条件として、
前記受信ユニットによって、第２の複数のセグメントを受信するステップと、
ここで、前記各第２の複数のセグメントは、前記失われたセグメントの一部と、第２のシーケンス番号と、第２の位置識別子とを含み、
前記成功して受信された第１および第２の複数のセグメントと、第１および第２のシーケンス番号と、第１および第２の位置識別子とを用いて、前記データユニットを再組み立てするステップと
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記データユニットの再組み立ては、前記第１および第２の複数のセグメントの各々に関連した長さを使用することを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の複数のセグメントの少なくとも２つのセグメントは、実質的に同時に受信されることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記第１および第２の複数のセグメントは、１／３速度ターボ符号を用いた符号化された順方向誤り訂正であることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記データユニットは、ＩＰパケットから得られることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
前記ＩＰパケットは、ＴＣＰ／ＩＰパケットであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記各第１の複数のセグメントと前記各第２の複数のセグメントとは、サブフレームで送信されることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の複数のセグメントの受信に先立って、第２のデータユニットのセグメントが受信されることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
前記受信ユニットは、加入者ユニットであることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項２０】
前記受信ユニットは、基地局であることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項２１】
第３の複数のセグメントを含むブロックを組み立てるステップと、
ここで、前記第３の複数のセグメントの少なくとも１つは、前記第２の複数のセグメントの１つであり、
前記組み立てられたブロックを符号化する順方向誤り訂正（ＦＥＣ）のステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２２】
第３の複数のセグメントを含むブロックを組み立てるステップと、
ここで、前記第３の複数のセグメントの少なくとも１つは、前記第１の複数のセグメントの１つであり、
前記組み立てられたブロックを符号化する順方向誤り訂正（ＦＥＣ）のステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２３】
複数のＣＤＭＡサブチャネルを用いて、送信用に前記順方向誤り訂正（ＦＥＣ）の符号化され組み立てられたブロックのビットを分離するステップをさらに具えたことを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記受信ユニットによって、前記第２の複数のセグメントを受信するステップは、
第３の複数のセグメントを含むブロックを受信するステップと、
ここで、前記第３の複数のセグメントの少なくとも１つは、前記第２の複数のセグメントの１つであり、
前記受信された第２の複数のセグメントを回復するために、前記ブロックを復号化する順方向誤り訂正（ＦＥＣ）のステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項２５】
前記受信ユニットによって、前記第１の複数のセグメントを受信するステップは、
第３の複数のセグメントを含むブロックを受信するステップと、
ここで、前記第３の複数のセグメントの少なくとも１つは、前記第１の複数のセグメントの１つであり、
前記受信された少なくとも１つの第１の複数のセグメントを回復するために、前記ブロックを復号化する順方向誤り訂正（ＦＥＣ）のステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項２６】
複数のＣＤＭＡサブチャネルを受信し、該複数のＣＤＭＡサブチャネルのビットを前記受信したブロックに組み立てるステップをさらに具えたことを特徴とする請求項２５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第２接点電位取得手段は、前記電気モータ（２）への電力供給が行なわれてから、突入電流の発生期間経過後の前記接点電位を取得することを特徴とする請求項１に記載のモータ駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第１判定手段は、前記第１接点電位取得手段にて取得される前記接点電位が所定の第２しきい電位（Ｖｔｈ２）以下になったか否かを判定すると共に、前記電気モータ（２）への電力供給が終了した時点から当該接点電位が前記第２しきい電位（Ｖｔｈ２）以下になったことが判定される時点までの時間を計時時間（Ｔ）として、該計時時間（Ｔ）が所定のしきい時間（Ｔｔｈ）以上である場合に、前記接点電位の変化の態様が前記正常時の態様と判定し、該計時時間（Ｔ）が前記しきい時間（Ｔｔｈ）未満である場合に、前記接点電位の変化の態様が前記故障時の態様と判定することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載のモータ駆動装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第１接点電位取得手段は、前記電気モータ（２）への電力供給が終了した時点から所定の設定時間（ＴSET）が経過した時点の前記接点電位を取得し、
前記第１判定手段は、前記第１接点電位取得手段により取得された前記接点電位が所定の設定電位（ＶSET）以上である場合に、前記接点電位の変化の態様が前記正常時の態様と判定し、前記第１接点電位取得手段により取得された前記接点電位が所定の設定電位（ＶSET）未満である場合に、前記接点電位の変化の態様が前記故障時の態様と判定することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載のモータ駆動装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明では、第２接点電位取得手段は、電気モータ（２）への電力供給が行なわれてから、突入電流の発生期間経過後の接点電位を取得することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
例えば、請求項７に記載したように、第１判定手段は、第１接点電位取得手段にて取得される接点電位が所定の第２しきい電位（Ｖｔｈ２）以下になったか否かを判定すると共に、電気モータ（２）への電力供給が終了した時点から当該接点電位が第２しきい電位（Ｖｔｈ２）以下になったことが判定される時点までの時間を計時時間（Ｔ）として、該計時時間（Ｔ）が所定のしきい時間（Ｔｔｈ）以上である場合に、接点電位の変化の態様が正常時の態様と判定し、該計時時間（Ｔ）がしきい時間（Ｔｔｈ）未満である場合に、接点電位の変化の態様が故障時の態様と判定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、モータ駆動装置１は、電動モータ２とスイッチング素子４との間を接続している場所の電位（以下、接点電位という）をモニタしている。本実施形態の場合、電動モータ２をハイサイド駆動しているため、接点電位は、スイッチング素子４をオンしているときには電動モータ２に供給される電圧（以下、モータ供給電圧という）を表す。また、スイッチング素子４をオンからオフに切替えたときには、接点電位は、電動モータ２の回転数に応じた回生電圧を表す。このため、接点電位をモニタすることにより、スイッチング素子４をオンしているときにはモータ供給電圧をモニタでき、スイッチング素子４をオンからオフに切替えたときには回生電圧をモニタできる。そして、モータ駆動装置１は、接点電位のモニタ結果に基づいて、電動モータ２に対して所望の電圧が供給されているか等の判定を行うことで、電動モータ２やスイッチング素子４の故障判定を行っている。この故障判定の詳細については後述する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
さらに、スイッチング素子４が故障している場合には、図２中一点鎖線で示したように、スイッチング素子４が故障していないときと比較して、スイッチング素子４をオンしている電力供給中に電動モータ２に対して印加される電圧が小さくなる。つまり、スイッチング素子４での電圧ドロップが大きくなるため、その分、モータ供給電圧が低下する。また、スイッチング素子４をオフした直後の回生電圧の変化の態様についても、スイッチング素子４が故障していない場合と比較して異なったものとなる。すなわち、スイッチング素子４をオンしている電力供給中のモータ供給電圧がスイッチング素子４の故障の有無によって異なっているため、電動モータ２の回転数もスイッチング素子４の故障の有無に応じて異なってくる。このため、回生電圧もスイッチング素子４の故障の有無に応じて異なった値となり、スイッチング素子４が故障している場合には、スイッチング素子４が故障していない場合と比較して、早く接点電位が低い値となる。このとき、電動モータ２が故障している訳ではないため、電動モータ２の回転数の低下は緩やかであり、回生電圧も比較的緩やかに低下していく。したがって、スイッチング素子４をオンしているときの接点電位の高低や、スイッチング素子４をオフした後の接点電位の変化の態様、つまり接点電位の低下の仕方に基づいて、スイッチング素子４が故障しているか否かを判定することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
以上のように、スイッチング素子４をオフしてから設定時間ＴSETが経過したときの接点電位の大きさに基づいて、電動モータ２およびスイッチング素子４が正常であるか、もしくはこれらのいずれかが故障しているかを判定することができる。そして、上記手法によって電動モータ２およびスイッチング素子４が正常であるか、もしくはこれらのいずれかが故障しているかを判定したのち、正常であればその後は故障判定を終了し、故障していればその後に第２所定時間Ｔ２だけスイッチング素子４をオンにすることで、故障したのが電動モータ２とスイッチング素子４のいずれであるかの特定を行うことができる。このような判定手法によっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
また、この場合、各回の回生電圧の変化態様は、第１所定時間Ｔ１すなわち電気モータ２への電力供給時間により異なるため、各回で取得した回生電圧を評価するためのしきい値（しきい時間Ｔｔｈ、設定電圧ＶSET）は、各回の第１所定時間Ｔ１に応じたものにすることが好ましい。これにより、電気モータ２およびスイッチング素子４のいずれかが故障しているか否かをより一層正確に判定することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011176935.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のアクチュエータと、
前記アクチュエータの前記圧電体層側に貼り合わせられた構造体と、
を備え、
前記構造体は、前記アクチュエータの前記圧電体層側に、当該アクチュエータの可動部が変位できる空間を形成する凹部を有していることを特徴とするアクチュエータ構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（発明５）：発明５に係るアクチュエータ構造体は、発明１乃至４のいずれか１項に記載のアクチュエータと、前記アクチュエータの前記圧電体層側に貼り合わせられた構造体と、を備え、前記構造体は、前記アクチュエータの前記圧電体層側に、当該アクチュエータの可動部が変位できる空間を形成する凹部を有していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基体の片面又は両面に、直接又は他の層を介して、光学機能層を少なくとも設けた光学積層体であって、
前記光学機能層が、
マトリックスとしての透光性樹脂と、
前記透光性樹脂に分散した透光性有機フィラーと、
粒径が１〜１００nmであり、配合量が０．１〜１０重量％である表面改質処理を行った金属酸化物微粒子と、
を含有し、
ここで、前記金属酸化物微粒子は、前記透光性有機フィラーの表面に偏在していることを特徴とする、光学積層体。
【請求項２】
前記表面改質処理が表面改質剤を用いて行われたものであることを特徴とする、請求項１記載の光学積層体。
【請求項３】
前記表面改質剤が有機金属化合物であることを特徴とする、請求項２記載の光学積層体。
【請求項４】
前記有機金属化合物が、シランカップリング剤、シリル化剤、チタンカップリング剤、アルキルリチウム、アルキルアルミニウムから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする、請求項３記載の光学積層体。
【請求項５】
前記表面改質剤の配合量が、前記金属酸化物微粒子又は金属酸化物ゾル中の固形成分の０．１〜１０．０重量％であることを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載の光学積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月14日(2012.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貯蔵物を収納する貯蔵室と、
前記貯蔵室の両側壁の前部に配されるとともに上下に並ぶ複数のＬＥＤと、
前記貯蔵室の両側壁に沿って接して配されるとともに、前記ＬＥＤの出射光が入射する入射面を側端面に有して前記ＬＥＤの出射光を導光する導光板と、
を備え、前記ＬＥＤの出射面は前記貯蔵室の後部側を向くとともに前記入射面に対向し、
前記導光板を導光して前記導光板から出射される光によって前記貯蔵室内を照明したことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
前記出射面と前記入射面との間に透明樹脂から成る部材を配したことを特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項３】
前記部材は前記ＬＥＤを覆い、前記部材の前記貯蔵室に面した部分は前記ＬＥＤの視認性を低下させる処理が施されていることを特徴とする請求項２に記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記ＬＥＤは、前記貯蔵室の側壁から前記貯蔵室内に突出する突出部に配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却流体流れによって冷却され、かつフランジ（１８）、ステータ（１２）、および端部ステータ（１６）を有する発電機（１０）内で冷却流体（２０）を案内するための邪魔板（２４）であって、
前記邪魔板が前記冷却流体流れの第１の部分（２８）を前記フランジに向けて導き、前記冷却流体流れの第２の部分（３０）を前記端部ステータに向けて導くように構成される傾斜表面（３６）を有し、
前記邪魔板が、前記発電機（１０）の外側スペースブロック（ＯＳＳＢ）（１４）により画成された冷却流体流れ内に位置する、
邪魔板（２４）。
【請求項２】
前記ステータ（１２）が複数の半径方向ダクト（３４）を有しかつ、
前記邪魔板が前記ＯＳＳＢを通る冷却流体（２０）の前記流れの量を制御するようにさらに構成される、請求項１に記載の邪魔板（２４）。
【請求項３】
前記邪魔板が、前記ステータ（１２）の前記半径方向ダクト（３４）内の冷却流体（２０）の逆流を防止するようにさらに構成される、請求項２に記載の邪魔板（２４）。
【請求項４】
前記邪魔板が、逆流発電機（１０）内で用いられるように構成された、請求項１に記載の邪魔板（２４）。
【請求項５】
冷却流体流れを有する発電機（１０）であって、
フランジ（１８）と、
端部ステータ（１６）を有するステータ（１２）と、
前記冷却流体流れ（２６）の第１の部分（２８）を前記フランジに向けて導き、前記冷却流体流れの第２の部分（３０）を前記端部ステータ（１６）に向けて導くように構成される傾斜表面（３６）とを有する邪魔板（２４）と、
を備え、
前記邪魔板が、前記発電機（１０）の外側スペースブロック（ＯＳＳＢ）（１４）により画成された冷却流体流れ内に位置する、
発電機（１０）。
【請求項６】
前記ステータ（１２）が複数の半径方向ダクト（３４）を有し、
前記邪魔板（２４）が前記ＯＳＳＢを通る冷却流体（２０）の前記流れの量を制御するようにさらに構成される、請求項５に記載の発電機（１０）。
【請求項７】
前記邪魔板（２４）が前記ステータ（１２）の前記半径方向ダクト（３４）内の冷却流体（２０）の逆流を防止するようにさらに構成される、請求項６に記載の発電機（１０）。
【請求項８】
前記邪魔板（２４）が、逆流発電機内で用いられるように構成された、請求項５に記載の発電機（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月17日(2012.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に書き込みおよび読み出しが可能な複数のメモリセルを有する第１のメモリセルアレイと、複数の冗長メモリセルを含む第２のメモリセルアレイと、制御回路と、を備え、
前記第２のメモリセルアレイは、書き込み不良救済回数を記憶する冗長メモリセルを含む第１の領域と、不良メモリセルのアドレスを記憶する冗長メモリセルを含む第２の領域と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記制御回路は、前記第１の領域にアクセスして前記不良救済回数を判定し、
前記判定の結果によって、前記制御回路は、前記第２の領域にアクセスするか否かを決定することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２のメモリセルアレイは、前記不良メモリセルを置換する冗長メモリセルを含む第３の領域を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極板及び負極板が多孔質絶縁層を介して配置された電極群を備えた二次電池の製造方法であって、
前記正極板及び負極板の少なくとも一方の極板の端部が、前記多孔質絶縁層から突出した状態で、前記正極板及び負極板が前記多孔質絶縁層を介して配置された電極群を準備する工程（ａ）と、
一の主面に、円錐形状または角錐形状をなす突出部が複数形成された集電板を準備する工程（ｂ）と、
前記多孔質絶縁層から突出した前記極板の端部を、前記集電板の他の主面に当接する工程（ｃ）と、
前記突出部の頂点に向けてアーク放電することによって前記突出部を溶融させ、該突出部の溶融した溶融部材により、前記極板端部と前記集電板とを溶接する工程（ｄ）と
を含む、二次電池の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｂ）で準備される前記集電板は、該集電板の他の主面に、一対の突起部がさらに形成されており、前記集電板の一の主面に形成された前記突出部は、前記一対の突起部の間に位置しており、
前記工程（ｃ）において、前記極板の端部は、前記一対の突起部間に収束されて前記集電板の他の主面に当接され、
前記工程（ｄ）において、前記一対の突起部間に収束された前記極板の端部と前記集電板とが、前記突出部の溶融した溶融部材により溶接される、請求項１に記載の二次電池の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）で準備される前記集電板において、前記複数の突出部は、前記集電板の一の主面上を、放射状に形成されている、請求項１に記載の二次電池の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）で準備される前記集電板において、前記突出部は、平板からなる前記集電板をプレス加工することによって、該集電板と一体的に形成されている、請求項１に記載の二次電池の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）で準備される前記集電板において、前記突出部及び前記一対の突起部は、平板からなる前記集電板をプレス加工することによって、該集電板と一体的に形成されている、請求項２に記載の二次電池の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）で準備される前記集電板において、前記突出部は、その内側に空洞部を有している、請求項１に記載の二次電池の製造方法。
【請求項７】
正極板及び負極板が多孔質絶縁層を介して配置された電極群を備えた二次電池の製造方法であって、
前記正極板及び負極板の少なくとも一方の極板の端部が、前記多孔質絶縁層から突出した状態で、前記正極板及び負極板が前記多孔質絶縁層を介して配置された電極群を準備する工程（ａ）と、
一の主面に、頂点を有する突出部が複数形成された集電板を準備する工程（ｂ）と、
前記多孔質絶縁層から突出した前記極板の端部を、前記集電板の他の主面に当接する工程（ｃ）と、
前記突出部の頂点に向けてアーク放電することによって前記突出部を溶融させ、該突出部の溶融した溶融部材により、前記極板端部と前記集電板とを溶接する工程（ｄ）と
を含み、
前記工程（ｂ）で準備される前記集電板において、前記突出部は、前記集電板の材料よりも融点の低い金属材料からなる、二次電池の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ａ）で準備される前記電極群において、正極板及び負極板の少なくとも一方の極板の端部は、合剤層が形成されていない未塗工部である、請求項１に記載の二次電池の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れかに記載の二次電池の製造方法に使用される集電板であって、
前記集電板の一の主面に、円錐形状または角錐形状をなす突出部が複数形成されている、集電板。
【請求項１０】
前記集電板の他の主面に、一対の突起部がさらに形成されており、
前記突出部は、前記一対の突起部の間に形成されている、請求項９に記載の集電板。
【請求項１１】
請求項１〜８の何れかに記載の方法により製造された二次電池であって、
正極板及び負極板の少なくとも一方の極板の端部が、多孔質絶縁層から突出し、該突出した極板の端部が、集電板の他の主面に当接した状態で、該集電板に溶接されており、
前記極板の端部は、前記集電板の一の主面に形成された頂点を有する突出部が、該頂点に向けてなされたアーク放電により溶融した溶融部材により、前記集電板に溶接されている、二次電池。
【請求項１２】
前記集電板の他の主面に、一対の突起部がさらに形成されており、
前記極板の端部は、前記一対の突起部間に収束された状態で、前記一対の突起部間に形成された前記突出部が溶融した溶融部材により、前記集電板に溶接されている、請求項１１に記載の二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からデータ書き込み・読み出しが行われる記憶装置であって、
上記記憶装置は、
半導体ランダム・アクセス・メモリと、一括消去型不揮発性メモリと、
外部からのアクセスに応じてデータ書き込み・読み出し制御を行うコントローラ部と、
内部バスと、を有し、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリは、記憶領域がｎ個のブロックに分けられ、
上記一括消去型不揮発性メモリは、ｍ組に分けられ、
上記内部バスは、
外部から上記半導体ランダム・アクセス・メモリに対してデータの書き込みが可能にされた第１バスと、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリから前記ｍ組に分けられた一括消去型不揮発性メモリに対してそれぞれ独立してデータの書き込みが可能にされたｍ個の第２バスと、を有し、
上記コントローラ部は、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリ及び上記一括消去型不揮発性メモリに対する第１動作及び第２動作を含むメモリアクセスを制御し、上記第１動作と上記第２動作とを時分割的に同時に行うことが可能にされ、
上記第１動作は、上記第１バスを用いて外部から上記半導体ランダム・アクセス・メモリに対してデータの書き込み処理を実行し、
上記第２動作は、上記半導体ランダム・アクセス・メモリの記憶データのうち書き込み時の古い順であって、かかる記憶データのデータ量に対応して上記第２バスを用いて１ないしｍ個のブロック分を上記一括消去型不揮発性メモリに対して書き込むことにより、上記半導体ランダム・アクセス・メモリに対する上記第１動作のための記憶領域を確保する処理を実行する、
記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記一括消去型不揮発性メモリは、上記半導体ランダム・アクセス・メモリのブロック単位に対応した記憶領域毎の一括消去動作が可能にされる、
記憶装置。
【請求項３】
請求項１において、
上記第２動作は、上記第２バスを用いて上記記憶データの書き込み時の古い複数順であって、上記最大ｍ個のブロック分を上記一括消去型不揮発性メモリに対して書き込む動作を含む、
記憶装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリの上記ｎ個のブロックは、複数のｐ組に分けられ、各組には上記ｍ個のブロックがそれぞれ割り当てられ、
上記第２動作は、ｍ個のブロック単位で上記一括消去型不揮発性メモリに対して上記第２バスを用いて上記一括消去型不揮発性メモリに対して書き込む動作を含む、
記憶装置。
【請求項５】
請求項１ないし４において、
上記コントローラ部は、ホストとの間でのデータの入出力を行うＨＤＤ互換性のインターフェイス部とを更に備え、
上記半導体ランダム・アクセス・メモリ、一括消去型不揮発性メモリ、コントローラ部及び内部バスは、汎用小型ハードディスクドライブ装置に対応された外形サイズ及びコネクタピンを備えたパッケージに搭載される、
記憶装置。
【請求項６】
ホストからデータ書き込み・読み出しが行われるＨＤＤ互換記憶装置であって、
上記記憶装置は、
上記ホストに接続される第１バスと、
上記第１バスを介して行われる上記ホストからのデータ書き込み・読み出しを制御するコントローラ部と、
記憶領域がｎ個のブロックに分けられた半導体ランダム・アクセス・メモリ部と、
互いに独立にしてデータの書き込みが可能に配置されたｍ組のフラッシュメモリ部と、
対応するフラッシュメモリ部にそれぞれ接続され、上記半導体ランダム・アクセス・メモリからのデータの書き込みが互いに独立に行われるように配置されたｍ個の第２バスと、を備えてなり、
上記コントローラ部は、
上記ホストから上記第１バスを介して上記半導体ランダム・アクセス・メモリへのデータ書き込みを制御する第１動作と、上記第２バスのいずれかを介して上記半導体ランダム・アクセス・メモリから上記フラッシュメモリ部へのデータ書き込みを制御する第２動作と、を時分割的に実行し、
上記第１バスを介して上記第１動作が実行されているとき、上記半導体ランダム・アクセス・メモリに記憶されているデータのうち書き込み時の古い順に、かかる記憶データのデータ量に対応する１ないしｍ個のブロック分のデータを対応する上記第２バスの１ないしｍ個を介して対応する上記フラッシュメモリ部にそれぞれ退避させる処理を実行し、これにより上記半導体ランダム・アクセス・メモリに対する上記第１動作のための記憶領域を確保する処理を実行する、
ように構成されてなる記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記第２動作は、例えば高速メモリＲＡＭの書き込み可能な記憶領域のブロック数が最低値以上であっても、第１動作による書き込む要求のデータ量が上記最低値より大きいときには、かかる第１動作に対応して第２動作が実施される。この場合、大量のデータを書き込む記憶領域を短時間で確保する必要から、上記連続する一連のデータが複数ブロックに跨がって存在するときには、複数ブロック分を同時に退避し、データバスに余りがあるときには、次に古い記憶データを合わせて退避させる。つまり、最大ｍ個分のデータを退避するよう退避データを選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、抵抗を介して、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＲＦＩＤタグ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流信号の送受信を行うことができる機能を有するアンテナ回路と、
前記交流信号から直流電圧を生成することができる機能を有する整流回路と、
前記直流電圧によって駆動されることができる機能を有する論理回路と、
前記交流信号から包絡線を検出することができる機能を有する包絡線検出回路と、
前記直流電圧と、基準電圧との電位差を検出し、前記電位差に応じた電位を出力することができる機能を有する比較回路と、
前記電位に応じて、前記アンテナ回路のインピーダンスを変化させることができる機能を有する保護回路部と、
前記包絡線によって制御され、前記比較回路から出力される前記電位を、前記保護回路部に入力するか否かを選択することができる機能を有する選択回路部と、を有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項２】
交流信号の送受信を行うことができる機能を有するアンテナ回路と、
前記交流信号から直流電圧を生成することができる機能を有する整流回路と、
前記直流電圧によって駆動されることができる機能を有する論理回路と、
前記交流信号から包絡線を検出することができる機能を有する包絡線検出回路と、
前記包絡線を整形して、パルス信号を出力することができる機能を有するバッファ回路と、
前記直流電圧と、基準電圧との電位差を検出し、前記電位差に応じた電位を出力することができる機能を有する比較回路と、
前記電位に応じて、前記アンテナ回路のインピーダンスを変化させることができる機能を有する保護回路部と、
前記パルス信号によって制御され、前記比較回路から出力される前記電位を、前記保護回路部に入力するか否かを選択することができる機能を有する選択回路部と、を有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記保護回路部は、前記交流信号を受信する回路のインピーダンスを変化させる手段として容量を有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記保護回路部は、前記交流信号を受信する回路のインピーダンスを変化させる手段として抵抗を有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナと、
前記アンテナに電気的に接続された整流回路と、
第１の保護回路と、
第２の保護回路と、を有し、
前記第１の保護回路は、第１のダイオードと、第２のダイオードと、を有し、
前記第１のダイオードは、アノードが前記アンテナに電気的に接続され、カソードが配線に電気的に接続され、
前記第２のダイオードは、カソードが前記アンテナに電気的に接続され、アノードが前記配線に電気的に接続され、
前記第１のダイオードと前記第２のダイオードとは、並列接続され、
前記第２の保護回路は、容量素子と、トランジスタと、を有し、
前記容量素子は、一方の電極が前記アンテナに電気的に接続され、
前記トランジスタは、ゲート電極が前記整流回路の出力端子に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方が前記容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方が前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の保護回路は、抵抗素子と、容量素子と、を有し、
前記抵抗素子は、一端が前記整流回路の出力端子に電気的に接続され、他端が前記トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、
前記容量素子は、一方の電極が前記トランジスタのゲート電極及び前記抵抗素子の他端に電気的に接続され、他方の電極が前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
アンテナと、
前記アンテナに電気的に接続された整流回路と、
第１の保護回路と、
第２の保護回路と、を有し、
前記第１の保護回路は、第１のダイオードと、第２のダイオードと、を有し、
前記第１のダイオードは、アノードが前記アンテナに電気的に接続され、カソードが配線に電気的に接続され、
前記第２のダイオードは、カソードが前記アンテナに電気的に接続され、アノードが前記配線に電気的に接続され、
前記第１のダイオードと前記第２のダイオードとは、並列接続され、
前記第２の保護回路は、第１の抵抗素子と、ダイオードと、ｐ型トランジスタと、第２の抵抗素子と、第１の容量素子と、ｎ型トランジスタと、を有し、
前記第１の抵抗素子は、一端が前記整流回路の出力端子に電気的に接続され、
前記ダイオードは、アノードが前記第１の抵抗素子の他端に電気的に接続され、カソードが前記配線に電気的に接続され、
前記ｐ型トランジスタは、ゲート電極が前記第１の抵抗素子の他端及び前記ダイオードのアノードに電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方が前記整流回路の出力端子に電気的に接続され、
前記第２の抵抗素子は、一端が前記ｐ型トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続され、他端が前記配線に電気的に接続され、
前記第１の容量素子は、一方の電極が前記アンテナに電気的に接続され、
前記ｎ型トランジスタは、ゲート電極が前記ｐ型トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方並びに前記第２の抵抗素子の一端に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方が前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の保護回路は、第３の抵抗素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第３の抵抗素子は、一端が前記ｐ型トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方並びに前記第２の抵抗素子の一端に電気的に接続され、他端が前記ｎ型トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、
前記第２の容量素子は、一方の電極が前記ｎ型トランジスタのゲート電極及び前記第３の抵抗素子の他端に電気的に接続され、他方の電極が前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記配線は、接地電位が供給されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タッチパネル
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部を有するタッチパネルであって、
前記表示部は、各画素に表示素子及びフォトセンサが設けられた画素回路を有し、
前記表示素子により前記表示部に画像が表示された状態で、被検出物の接近または接触を前記フォトセンサにより検出し、検出領域を決定し、
前記検出領域決定後、前記検出領域における各画素の階調を等しくして、前記被検出物を前記フォトセンサにより検出することを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
表示部を有するタッチパネルであって、
前記表示部は、各画素に表示素子及びフォトセンサが設けられた画素回路を有し、
前記表示素子により前記表示部に画像が表示された状態で、被検出物の接近または接触を前記フォトセンサにより検出し、検出領域を決定し、
前記検出領域決定後、前記検出領域における各画素の階調を前記検出領域における画素のうち最も明るい画素の階調と等しくして、前記被検出物を前記フォトセンサにより検出することを特徴とするタッチパネル。
【請求項３】
表示部を有するタッチパネルであって、
前記表示部は、各画素に表示素子及びフォトセンサが設けられた画素回路を有し、
前記表示素子により前記表示部に画像が表示された状態で、被検出物の接近または接触を前記フォトセンサにより検出し、検出領域を決定し、
前記検出領域決定後、前記検出領域における各画素を前記表示素子により白表示として、前記被検出物を前記フォトセンサにより検出することを特徴とするタッチパネル。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記検出領域決定後に前記被検出物を検出する時に、前記検出領域における各画素に供給されるビデオ信号は等しいことを特徴とするタッチパネル。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記被検出物で反射された反射光は、前記表示素子を介して前記フォトセンサにより検出されることを特徴とするタッチパネル。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記検出領域決定後、前記検出領域以外の各画素の前記フォトセンサに接続されたトランジスタはオフすることを特徴とするタッチパネル。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とするタッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
この変法は、パルスの急な立ち上がりエッジ（Ｅｉｎｓｃｈａｌｔｆｌａｎｋｅｎ）を達成し、パルス期間での電流の低下を回避するために有利であることが判明した。そうすることによって、低エネルギー粒子の生成が回避される。というのはそのような低エネルギー粒子はあまり平滑でない層をもたらす可能性があるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明は、一枚のブランクシートから一体的に打ち抜かれた箱体形成片から成り、前記箱体形成片には、第一側面板、正面板、第二側面板、背面板が順に互いに平行な折罫線を介して連接され、前記背面板と前記正面板には、前記連接方向に対して直角な一端部に外蓋片又は内蓋片が各々延設され、組み立て状態で、前記第一側面板、前記正面板、前記第二側面板及び前記背面板から成る筒状体の一方の開口端を、前記内蓋片に前記外蓋片を重ねて糊付けして塞ぐように形成された包装用箱であって、前記内蓋片又は外蓋の先端部に、前記内蓋片又は外蓋の延出方向と同方向に延出した中蓋片が延設され、前記中蓋片の先端部には開封用切込線を介して再封片が延設され、前記中蓋片が延設された方の前記内蓋片又は外蓋と、前記背面板又は正面板との間に開封用切込線が形成され、組み立て状態で、前記中蓋片と前記内蓋片又は外蓋とが折り曲げられて糊付けされ、前記開封用切込線を破断して前記外蓋片を開封した後も、前記再封片を前記筒状体の開口端部分に係合することによって前記外蓋片による再封を可能にした包装用箱である。さらに、前記正面板又は背面板には、前記開封用切込線と破断線による開封部が設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記中蓋片には、その両端から内向きに、切欠部が設けられている。前記中蓋片の先端部と前記再封片の間の折罫線には、断続した切込線が設けられていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一枚のブランクシートから一体的に打ち抜かれた箱体形成片から成り、前記箱体形成片には、第一側面板、正面板、第二側面板、背面板が順に互いに平行な折罫線を介して連接され、前記背面板と前記正面板には、前記連接方向に対して直角な一端部に外蓋片又は内蓋片が各々延設され、
組み立て状態で、前記第一側面板、前記正面板、前記第二側面板及び前記背面板から成る筒状体の一方の開口端を、前記内蓋片に前記外蓋片を重ねて糊付けして塞ぐように形成された包装用箱において、
前記内蓋片又は外蓋の先端部に、前記内蓋片又は外蓋の延出方向と同方向に延出した中蓋片が延設され、前記中蓋片の先端部には再封片が延設され、
前記中蓋片が延設された方の前記内蓋片又は外蓋と、前記背面板又は正面板との間に開封用切込線が形成され、
組み立て状態で、前記中蓋片と前記内蓋片又は外蓋とが折り曲げられて糊付けされ、
前記開封用切込線を破断して前記外蓋片を開封した後も、前記再封片を前記筒状体の開口端部分に係合することによって前記外蓋片による再封を可能にしたことを特徴とする包装用箱。
【請求項２】
前記正面板又は背面板には、前記開封用切込線と破断線による開封部が設けられている請求項１記載の包装用箱。
【請求項３】
前記中蓋片には、その両端から内向きに、切欠部が設けられている請求項１記載の包装用箱。
【請求項４】
前記中蓋片の先端部と前記再封片の間の折罫線には、断続した切込線が設けられている請求項１記載の包装用箱。
【請求項５】
前記再封片の幅は、前記正面板又は背面板の幅と等しいものである請求項４記載の包装用箱。
【請求項６】
前記再封片の両端から内向きの位置に一対の切込部が設けられ、前記外蓋片を開封した後、前記切込部が前記各側面板に設けられたフラップ端縁に係合することによって前記外蓋片による再封を可能にした請求項５記載の包装用箱。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ところで、上記蓋材には、蓋材として使用されたときに容器口部に密着して容器内を気密に維持し、内容物の変質を長期にわたって防止するために所定値以上の封緘強度を有することや、使用に際して容器を開封しようとするときに引き剥しやすいものとするためにピール強度が所定値以下であることが要求されることはもちろんであるが、それらに加えて、使用前の蓋材を多数枚重ね合わせた状態で保管したときに貼り付いてしまわないこと（耐ブロッキング性）も重要な要求性能の一つである。しかしながら、前記従来技術による蓋材は、この点で必ずしも満足できるものではなかった。たとえば、特許文献１の蓋材におけるホットメルト接着剤層には、熱可塑性樹脂（ＥＶＡ）３０〜５０重量％に対して水素添加ロジンなどの粘着付与剤が１５〜３０重量％配合されており、このような蓋材は、多数枚重ね合わせた状態で保管したときに、高配合された粘着付与剤の影響でブロッキングを起こしやすいものであった。