【事件の表示】
　特願２０００−１１０４０１「情報記録方法、情報記録装置及び情報処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月２６日出願公開、特開２００１−２９７４３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯、本願発明
　本願は、平成１２年４月１２日の出願であって、請求項１〜１１に係る発明は、平成２１年１１月４日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】複数の加熱パルスからなる記録パルス列による発光波形のレーザ光により情報が記録される記録層を有する光ディスク媒体上に記録する際に、記録線速度の変化に応じて記録クロック周期Ｔを変化させて、記録線密度が略一定となるようにして記録を行うとともに、記録中に先頭加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtopと、最後尾加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtailと、加熱パルス部分の記録パワーＰwとの全ての設定値を所定の間隔で更新するようにした情報記録方法において、
　前記先頭加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtop、前記最後尾加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtail、及び前記加熱パルス部分の記録パワーＰwの全ての設定値を、複数の記録線速度毎の設定値から直線近似して算出し、各設定値を更新させて記録を行う前後で、再生される記録情報であるＲＦ信号の最長データ振幅の平均レベルと最短データ振幅の平均レベルとの差を最長データ振幅で正規化したアシンメトリの差が１０％以内となるように、各々の設定値の変化量又は更新間隔を設定することを特徴とする情報記録方法。」
　
２．引用例
　当審が通知した拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１０６００８号公報（以下、「引用例１」という。）には、「光ディスク装置」について、図面とともに以下の事項が記載されている。（以下、
下線
　
　ア．「【0007】
【課題を解決するための手段】
　(1)本発明の光ディスク装置は、
線密度一定に記録ピットを形成し、情報の記録・再生を行う光ディスク装置において
光ディスクの線速度に比例して、線速度が大きいほど周波数が高い基本クロックを生成する
データ信号を前記基本クロックに同期させて出力する
光源からピット形成のために前記光ディスクに照射される光の１チャンネルビットあたりのエネルギーを、前記光ヘッドの位置でみた線速度が大きいほど高くし、ピットの大きさを最適にするように制御する
　イ．「【0025】（実施例３）図４は、本発明の他の一実施例を示す説明図である。
均一な記録ピットを形成するために、前記記録信号のパルスの高さと幅の両方を線速度に応じて操作してもよい。すなわち、線速度が速くなれば記録パルスの高さを高く、幅をより長く、遅くなれば記録パルスの高さを低く、幅を短くするように制御する
大きな線速度である場合(b)、前記コントローラは前記記録パルスの高さを高く、幅を大きくして、より強いレーザ光を長い時間光ディスクに照射する
一方、小さな線速度である場合(c)、前記コントローラは前記記録パルスの高さを低く、幅を小さくして、より弱いレーザ光を短い時間光ディスクに照射する。この制御により、より適切な記録ピットを形成することができる
【0026】
前記の制御を実現するには、記録パルスの高さあるいは幅を、線速度をパラメータとする関数として前記コントローラに記憶させておけばよい。あるいは、線速度に対する数表として前記コントローラに記憶させておいてもよい
各線速度に対する前記記録パルスの高さと幅の最適値を求め、これを記述した、図５に示すような数表を前記コントローラ１０の記憶手段に格納する
線速度が変化する度に前記コントローラ１０は前記数表を参照し、段階的に記録条件を変更するように構成すればよい
【0027】尚、
前記関数や数表は、事前に実験で求め、固定された値として装置製造時に記憶してもよい
ディスクの試し書き領域を使って前記関数や数表を求めてもよい。すなわち、ディスク挿入時に試し書き領域で記録条件を変化させて試し書きを行い、最適条件をその都度求めて前記記憶手段に記憶するように構成する
　ウ．「【0040】（実施例６）図８は、本発明の他の一実施例である光ディスク装置の構成を示す説明図である。
【0041】
記録可能な光ディスクでは、しばしば図８に示すような発光波形を用いたパルストレイン記録が行われる。これは、記録パルスをさらに１／２チャンネルビット等の細かいパルスに分割し、分割数をパルスの長さによって変えて加熱プロファイルを最適化し、ピット形状を整えるものである。また、前記記録パルスの各値、即ちライト・ピーク・パワーＰｗｏ、イレーズパワーＰｅｏ、ライト・ボトム・パワーＰｂｏ等は多値制御される
【0042】
パルストレイン記録では、前記パルストレインの波形を変更して、線速度の変化にあわせて記録条件を変えることができる。図９は、線速度が小さい場合(a)、線速度が大きい場合(b)の、記録パルスと形成されたピットの関係を模式的に表したものである
(b')のように、書き始めは連続発光させて素早く温度を上昇させ、その後間欠的に発光させるようなパルストレインに変更する。すると、(a)と同様のピットを形成することができる
　エ．「【0043】また、
パルスの高さを制御してもよい
一般に、記録ピットは畜熱効果により、書き終り側がふくらんだ涙型になる場合が多い。そこで、書き始めの加熱を素早くすることでピット形状を補正するために、前記のパルストレイン記録がおこなわれる。これをさらに効果的に行うために、書き始めのパルスの高さＰｗｏ１を書き終りのＰｗｏ２より高くしてもよい。さらに、線速度に応じて各値を変更すれば、均一なピットを形成することができる
【0044】なお、
これらパルストレインのパラメータの設定は、前記のように数表から引用する方法によっても、関数で与える方法によってもよい
これにより、パルストレインを用いた記録でも、線速度に応じて常に最適なピットを形成することができる
　
　上記摘示事項を、図面とともに総合整理すると、引用例１には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
　
　「線密度一定に記録ピットを形成して情報の記録・再生を行う光ディスク装置において、光ディスクの線速度に比例して、線速度が大きいほど周波数が高い基本クロックを生成し、データ信号を前記基本クロックに同期させて記録を行うとともに、光ディスクに照射される光の１チャンネルビットあたりのエネルギーを、前記光ヘッドの位置でみた線速度が大きいほど高くし、ピットの大きさを最適にするように制御する方法であって、パルストレイン記録を行い、パルストレインの波形を変更し、又は、パルスの高さを制御して、線速度に応じて常に最適なピットを形成するように記録信号を制御して光ディスクに情報を記録する方法。」
　
　同じく、当審が通知した拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２３２６５１号公報（以下、「引用例２」という。）には、「光ディスク記録装置」について、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　オ．「【0044】図１３ａ，ｂは、記録パルス発生手段１１１による記録パルス２０６ａ，２０６ｂ，２０６ｃの発生タイミング例、並びに半導体レーザ２０１の発光波形例、それに伴い光ディスク上に形成される記録マークについて、模式的に説明する図である。本例では、記録すべきデータに伴い変調された１，０のビット系列に対し、ビット１のときのみ信号の論理を反転させるＮＲＺＩ( = Non Return to Zero Inverted )の形式によりデータの変調を行い、従来の技術で述べたＰＷＭ方式により記録を行うとする。
【0045】図１３ａにおいて、時間は左から右の方向に流れるとし、変調データ２０８は記録パルス発生手段１１１への入力であり、図では６Ｔマークに相当する波形を示している。
記録クロックは、その周期が１チャネルビットの時間長となるクロックであり、フォーマットエンコーダ／デコーダ１０７におけるデータ変調処理、記録パルス発生手段１１１における記録パルス発生処理に用いられる
【0046】
１つのマーク（本例の場合６Ｔマーク）を記録するための発光波形は、複数のパルス部に分割されており、時間的に早い方から順に、ファーストパルス部・マルチパルス部・ラストパルス部・クーリングパルス部と呼ぶ
本例のように時系列的に複数のパルス部により１つの記録マークを形成する方法は既に公知である
【0047】一方、
発光波形の縦方向即ち振幅はレーザの発光パワーを示しており、そのパワー値は低い順に、０レベル・バイアスパワー２・バイアスパワー１・ピークパワーの４種類に分けられる
　カ．「【0072】
パワー設定２０５は、線速度が速いほど半導体レーザ２０１のレーザパワーが高くなるように行われる
３種類のパワー値Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃを設定する場合の一例を述べる
　パワー設定値Ｐａは、
　　（式１）　Ｐａ＝Ｐａ０＋α×Ｒ
　パワー設定値Ｐｂは、
　　（式２）　Ｐｂ＝Ｐｂ０＋β×Ｒ
　パワー設定値Ｐｃは、
　　（式３）　Ｐｃ＝Ｐｃ０＋γ×Ｒ
となるように、
パワー設定２０５を行う。ここで、α，β，γは予め定めた係数であり、記録膜の特性等から実験的に定める値である。これにより、記録パワーを基準線速度と現在の線速度のずれ量Ｒに対して線形な値にすることが出来る
【0073】以上述べたように、システム制御手段１１０が
線速度情報２０７を参照して線速度に応じたパワー設定２０５を行うことにより、常に線速度が変化しているような状態においても、最適な記録パワーに設定することが出来るため、記録に対する線速度マージンを向上することが出来る
【0074】また、図１３ａ，ｂに述べたように記録補償量を記録クロックに対する絶対時間で規定しているような場合、線速度が変化しても同じ記録補償量を用いて記録を行うと、記録クロックの周期に対して補償量の割合が変化してしまうため、パルス形状がいびつになってしまう。これを防ぐため、
パルス形状設定３０７は、線速度が速いほどパルス幅を短くし、線速度が変化しても相対的なパルス位置が変化しないように行われる
ファーストパルス立ち上がり位置ＳＦＰ・ファーストパルス立ち下がり位置ＥＦＰ・マルチパルス幅ＭＰＷ・ラストパルス立ち上がり位置ＳＬＰ・ラストパルス立ち下がり位置ＥＬＰ・クーリングパルス立ち上がり位置ＥＣＰを設定する
　　（式４）　ＳＦＰ＝ＳＦＰ０＋θ１×Ｒ
　ファーストパルス立ち下がり位置ＥＦＰは、
　　（式５）　ＥＦＰ＝ＥＦＰ０−θ２×Ｒ
　マルチパルス幅ＭＰＷは、
　　（式６）　ＭＰＷ＝ＭＰＷ０−θ３×Ｒ
　ラストパルス立ち上がり位置ＳＬＰは、
　　（式７）　ＳＬＰ＝ＳＬＰ０＋θ４×Ｒ
　ラストパルス立ち下がり位置ＥＬＰは、
　　（式８）　ＥＬＰ＝ＥＬＰ０−θ５×Ｒ
　クーリングパルス立ち上がり位置ＥＣＰは、
　　（式９）　ＥＣＰ＝ＥＣＰ０−θ６×Ｒ
となるように、
パルス形状設定３０７を行う。ここで、θ１，θ２，θ３，θ４，θ５，θ６は予め定めた係数であり、記録膜の特性等から実験的に定める値である。これにより、記録パルスの形状を基準線速度と現在の線速度のずれ量Ｒに対して線形な形状にすることが出来る
【0075】以上述べたように、
システム制御手段１１０が線速度情報２０７を参照して線速度に応じたパルス形状設定３０７を行うことにより、常に線速度が変化しているような状態においても、最適なパルス形状に設定することが出来るため、記録に対する線速度マージンを向上することが出来る
　キ．「【0076】なお、上述した（式１）から（式９）では、線速度のずれ量Ｒを連続値として表しているが、計測自体がクロック数をカウントするといった方式により行われるため、
実際には離散値として得られる。また、各数式の左辺に相当するパワー設定やパルス形状設定自体も、分解能に限界があるため離散的な値として与えるほうが実際的である
　
　同じく、当審が通知した拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−２３１５７１号公報（以下、「引用例３」という。）には、「ライトテスト方法及び光学的情報記録再生装置」について、図面とともに以下の記載がある。
　
　ク．「【0016】また、本実施形態では、光センサ１１で得られた再生信号の振幅を検出するための振幅検出回路１４が設けられている。振幅検出回路１４は、詳しく後述するようにライトテストを行う場合に、相変化ディスク１の結晶状態を形成するパワーレベル（Ｐｃ）を検出するために再生信号の振幅を検出するものである。再生信号の振幅値はＣＰＵ１８内のＡ／Ｄ変換器でＣＰＵ１８に取り込まれる。
アシンメトリ検出回路１５は、詳しく後述するようにライトテスト時に長さの異なる２つの記録ピットの再生信号のアシンメトリ（対称性）を検出するための回路である。即ち、アシンメトリ検出回路１５の内部には、再生信号のピーク値とボトム値を検出してその中間値をスライスレベルとして検出するためのスライスレベル自動追従回路が設けられていて、所定のロングマークとショートマークの再生信号の中間値（スライスレベル）をそれぞれ検出し、その差をアシンメトリとして出力するものである。アシンメトリ検出回路１５の出力もＡ／Ｄ変換器でＣＰＵ１８に取り込まれ、詳しく後述するように半導体レーザ５の多値のパワーレベルの調整に用いられる
　ケ．「【0026】次に、前記録状態がアモルファス状態において記録状態を形成するパワーレベルＰａ１／ａを求める方法について説明する。引き続いて図３を参照して説明する。図３において、まず、ＣＰＵ１８は
アモルファス状態において記録状態を形成するパワーレベルＰａ１／ａの初期値として、先に得られたＰｃ／ａに所定の値αを加えてＰａ１／ａ＝Ｐｃ／ａ＋αとする（Ｓ８）。Ｐｃ／ａはＳ７で得られた値を用いるものとする。次いで、ＣＰＵ１８では、Ｐａ１／ａ＝Ｐａ２／ａとして相変化ディスク１のライトテスト領域に１１Ｔ連続、３Ｔ連続パターンを記録する
【0027】記録を終了すると、ＣＰＵ１８は各部を制御してそれを再生し、１１Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ（１１Ｔ）、３Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ（３Ｔ）を検出する（Ｓ１０）。つまり、アシンメトリ検出回路１５によって１１Ｔ連続パターン及び３Ｔ連続パターンの再生信号のピーク値とボトム値の中間値をそれぞれ検出する。
アシンメトリ検出回路１５では更に１１Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ（１１Ｔ）と３Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ（３Ｔ）の差ΔＳＬを検出する
【0028】ΔＳＬをメモリに格納すると、ＣＰＵ１８ではＰａ１／ａに所定のΔＰａ１／ａを加算し、このパワーレベルで再度ライトテスト領域に１１Ｔ連続、３Ｔ連続パターンの記録（Ｓ９）、それを再生してのＳＬ（１１Ｔ）、ＳＬ（３Ｔ）の検出（Ｓ１０）、その差のΔＳＬの検出（Ｓ１１）、ΔＳＬのメモリへの格納を行う（Ｓ１２）。このようにＳ９〜Ｓ１３の処理を繰り返し行い、Ｐａ１／ａの値をΔＰａ１／ａづつ高くしていって、その都度１１Ｔ連続パターンの再生信号のピーク値とボトム値の中間値であるＳＬ（１１Ｔ）と３Ｔ連続パターンの再生信号のピーク値とボトム値の中間値であるＳＬ（３Ｔ）との差ΔＳＬを検出する。この一連の処理は、Ｐａ１／ａが所定の値になるまで行う。図８にこのようにして得られたＰａ１／ａとΔＳＬの関係のデータを示している。図８においては、Ｐａ１／ａの増加に伴なってΔＳＬが減少し、丁度Ｐａ１／ａが８．０ｍＷの時にΔＳＬが０になっていることがわかる。
本実施形態では、このΔＳＬが０になるときの値をＰａ１／ａの最適値Ｐａ１／ａ optとして決定する
　コ．「【0045】次に、本発明の他の実施形態について説明する。ディスク１の線速度がどの記録位置でも一定の場合は、記録パワーを変える必要はないが、
例えばＣＡＶ方式のようにディスク１の記録位置によって線速度が異なる場合は、それに応じて半導体レーザ５の記録パワーを変える必要がある
図１２にディスク１の記録半径位置（線速）と記録パワーの関係を示しており、線速度と記録パワーの間には比例関係がある。従って、このような場合は、図３〜図６で説明したライトテストは、例えばディスク１の内周、中周及び外周で行うものとし、各位置で得られたＰｃ，Ｐａ１，Ｐａ２の値をメモリに格納しておき、それに基づいて直線近似によりディスク１の半径位置に応じてＰｃ，Ｐａ１，Ｐａ２の値を変えるようにする。こうすることにより、記録位置に関係なく、記録に要するエネルギーを一定にすることができる
　
３．対比
　
　引用例１発明の「光ディスクに情報を記録する方法」は、本願発明の「情報記録方法」に相当する。
　レーザー光により情報が記録される記録層を有する光ディスクは周知であるから、引用例１発明における「パルストレイン記録を行い」は、本願発明の「複数の加熱パルスからなる記録パルス列による発光波形のレーザ光により情報が記録される記録層を有する光ディスク媒体上に記録する」に相当する。
　引用例１発明は、線密度一定に記録ピットを形成しており、光ディスクの線速度に比例して、線速度が大きいほど周波数が高い基本クロックを生成し、データ信号を前記基本クロックに同期させて記録を行うのであるから、本願発明の「記録線速度の変化に応じて記録クロック周期Ｔを変化させて、記録線密度が略一定となるようにして記録を行う」構成を備えている。
　引用例１発明は、パルストレインの波形を線速度に応じて変更する場合、「書き始めは連続発光させて素早く温度を上昇させ、その後間欠的に発光させる」ようなパルストレインに変更するのであって（上記ウ）、書き始めのパルスの長さは線速が早いほど長くなるように設定されているから、本願発明の「記録中に先頭加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtopを更新する」構成を備えている。
　引用例１発明における「パルスの高さを制御して」は、本願発明の「加熱パルス部分の記録パワーＰｗ」を「更新する」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用例１発明との一致点及び相違点は次のとおりである。
　
　［一致点］
　「複数の加熱パルスからなる記録パルス列による発光波形のレーザ光により情報が記録される記録層を有する光ディスク媒体上に記録する際に、記録線速度の変化に応じて記録クロック周期Ｔを変化させて、記録線密度が略一定となるようにして記録を行うとともに、記録中に先頭加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtopと、加熱パルス部分の記録パワーＰwの設定値を更新するようにした情報記録方法。」である点。
　
　［相違点］
　（相違点１）
　本願発明が「先頭加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtopと、最後尾加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtailと、加熱パルス部分の記録パワーＰwとの全ての設定値を所定の間隔で更新する」のに対して、引用例１発明では「パルストレインの波形を更新し、又は、パルスの高さを更新する」点。
　（相違点２）
　本願発明が「先頭加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtop、前記最後尾加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtail、及び前記加熱パルス部分の記録パワーＰwの全ての設定値を、複数の記録線速度毎の設定値から直線近似して算出し、各設定値を更新させて記録を行う前後で、再生される記録情報であるＲＦ信号の最長データ振幅の平均レベルと最短データ振幅の平均レベルとの差を最長データ振幅で正規化したアシンメトリの差が１０％以内となるように、各々の設定値の変化量又は更新間隔を設定する」のに対して、引用例１発明ではかかる点について特定されていない点。
　
４．判断
　上記相違点について、検討する。
　
　（相違点１）について
　引用例２には、光ディスクに情報を記録する際に線速度に応じて、３種類のパワー値Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃを設定すること、及び、ファーストパルス立ち上がり位置ＳＦＰ・ファーストパルス立ち下がり位置ＥＦＰ・マルチパルス幅ＭＰＷ・ラストパルス立ち上がり位置ＳＬＰ・ラストパルス立ち下がり位置ＥＬＰ・クーリングパルス立ち上がり位置ＥＣＰを設定することが記載されている。（上記オ、カ）
　引用例２における「ファーストパルス立ち上がり位置ＳＦＰ・ファーストパルス立ち下がり位置ＥＦＰ」「ラストパルス立ち上がり位置ＳＬＰ・ラストパルス立ち下がり位置ＥＬＰ」を設定することは、「ファーストパルスの幅」「ラストパルスの幅」を設定することを意味し、３種類のパワー値Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃを設定することは、パルスの高さすなわち記録パワーを意味する。
　一方、本願発明の「先頭加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtop」「最後尾加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtail」は、それぞれ、「ファーストパルスの幅」「ラストパルスの幅」に相当する。
　したがって、引用例２には、時系列的に複数のパルス部により１つの記録マークを形成する方法すなわち、「複数の加熱パルスからなる記録パルス列による発光波形のレーザ光により情報が記録される記録層を有する光ディスク媒体上に記録する」方法において、線速度に応じて、「先頭加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtop」「最後尾加熱パルスのパルス幅の記録クロック周期Ｔに対する比Ｔtail」「加熱パルス部分の記録パワーＰw」を設定することが記載されている。
　
　引用例1発明には、線速に応じて、大きな線速度である場合、前記記録パルスの高さを高く、幅を大きくして、より強いレーザ光を長い時間光ディスクに照射する（上記イ）のであるから、パルストレインで記録する場合に、引用例２に記載された「ファーストパルス部・マルチパルス部・ラストパルス部・クーリングパルス部」からなるパルス列を採用するとともに、「ファーストパルスの幅」「ラストパルスの幅」及び「記録パワー」のすべてを所定の間隔で更新して記録することは、当業者が容易に想到しうることである。
　
　（相違点２）について
　引用例３には、アモルファス状態において記録状態を形成するパワーレベルＰａ１／ａの初期値として、先に得られたＰｃ／ａに所定の値αを加えてＰａ１／ａ＝Ｐｃ／ａ＋αとし、ライトテスト領域に１１Ｔ連続、３Ｔ連続パターンを記録し、アシンメトリ検出回路１５によって１１Ｔ連続パターン及び３Ｔ連続パターンの再生信号のピーク値とボトム値の中間値をそれぞれ検出する。アシンメトリ検出回路１５では更に１１Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ（１１Ｔ）と３Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ（３Ｔ）の差ΔＳＬを検出し、ΔＳＬが０となるときの値をＰａ１／ａの最適値Ｐａ１／ａ optとして決定している。（上記ケ）
　引用例２において、１１Ｔは最長ビット、３Ｔは最短ビットであるから、１１Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ（１１Ｔ）と３Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ（３Ｔ）の差ΔＳＬを最長ビットのスライスレベルＳＬ（１１Ｔ）で割った値（ΔＳＬ／ＳＬ（１１Ｔ））は、本願発明の「再生される記録情報であるＲＦ信号の最長データ振幅の平均レベルと最短データ振幅の平均レベルとの差を最長データ振幅で正規化したアシンメトリ」に相当し、記録時のパワーレベル（本願発明の加熱パルスの記録パワーＰｗに相当する）を、ΔＳＬが０となるように設定するのであるから、引用例３には、アシンメトリー（ΔＳＬ／ＳＬ（１１Ｔ））が０となるように記録時のパワーレベルを設定することが記載されている。
　また、引用例３には、記録位置によって線速度が異なる場合は、それに応じて半導体レーザ５の記録パワーを変える必要があり、ライトテストは、ディスクの内周、中周及び外周で行うものとし、各位置で得られたＰｃ，Ｐａ１，Ｐａ２の値をメモリに格納しておき、それに基づいて直線近似によりディスク１の半径位置に応じてＰｃ，Ｐａ１，Ｐａ２の値を変えるようにすること（上記コ）が記載されている。
　
　ところで、引用例1発明において、記録パルスの高さあるいは幅を線速度をパラメータとする関数として前記コントローラに記憶させる際に、試し書き領域で記録条件を変化させて試し書きを行い、最適条件をその都度求めて前記記憶手段に記憶する（上記イ）のであるから、記録パルスの高さあるいは幅のパラメータとして、引用例２に記載された「ファーストパルス部・マルチパルス部・ラストパルス部・クーリングパルス部」からなるパルス列を採用するとともに、「ファーストパルスの幅」「ラストパルスの幅」及び「記録パワー」のすべてを所定の間隔で更新して記録する場合の最適条件として、アシンメトリーが０となるような条件を採用し、複数の記録線速度毎の設定値から直線近似して算出することは、当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、線速ごとに、アシンメトリーが０になるようにそれぞれのパラメータが設定されているのであるから、線速に応じてパワーレベルを更新すれば、更新の前後でもアシンメトリーの差は０になり、結果的にアシンメトリの差が０となるように、更新の前後でパワーレベルの設定値の変化量又は更新間隔を設定したことになることは、明らかであって、アシンメトリの差が設定値を更新させて記録を行う前後で１０％以内となるように設定することに特段の技術的意義があるということはできない。
　
　更に、上記相違点についての判断を総合しても本願補正発明の奏する効果は、各引用例から当業者が十分予測可能なものであって、格別のものではない。
　
　したがって、本願発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用例１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。