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　特願２００１−３８５９０７「エッチング液およびそれを用いた回路基板の製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年７月３日出願公開、特開２００３−１８３８５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年１２月１９日の出願であって、請求項１〜８に係る発明は、平成１６年９月２８日付手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】第１の金属と第１の金属とは異種の第２の金属とを有する構造の回路基板の前記第１の金属と第２の金属とを同時にエッチングするためのエッチング液であって、１価銅イオンと２価銅イオンおよび塩酸を含み、１価銅イオンが全銅イオンに対しモル分率で０．１以上で、かつ、１価銅イオンの飽和濃度以下であることを特徴とするエッチング液。」
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された特公昭４６−６１６５号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例
（１ａ）「１　塩化第二銅を用いて銅を溶解する際、水溶性塩化物の存在下又は不在下に、反応液に塩酸と過酸化水素及び必要により水溶性塩化物を添加して銅の溶解によつて生ずる塩化第一銅を酸化して、塩化第二銅を再生せしめ、塩化第一銅濃度を常に低く保つことを特徴とする、銅の溶解法。」（特許請求の範囲）
（１ｂ）「本発明は塩化第二銅を用いる銅の溶解にかかる改良法に関するものである。塩化第二銅を用いる銅の溶解法は、公知であるがこれが実際に、工業的に用いられている例は殆んどない。・・・塩化第二銅による銅の溶解機構は、
　　　Ｃｕ＋ＣｕＣｌ２  −−Ｃｕ２Ｃｌ２       で表わされる。
　上式より明かな如く銅の溶解が進むにつれ、ＣｕＣｌ２濃度は、減少し、Ｃｕ２Ｃｌ２ （又はＣｕＣｌ）の濃度が増加する。ＣｕＣｌの濃度が増加すると銅の溶解速度は急激に低下し、又ＣｕＣｌ２ の濃度減少によつても溶解速度は減少する。」（１欄１５〜３０行）
（１ｃ）「通常、塩化第二銅のみでは銅の溶解速度はおそく、これを塩化第二鉄エツチングと同程度又はそれ以上に速くする為に塩化物、塩酸等を加えることが行われる。」（２欄５〜８行）
（１ｄ）「本発明の実施は次の如く連続的に行うのが、最も実際的である。即ち塩化第二銅を用いて、銅を溶解する際、反応液の一部を抜出し、銅回収に回し、残存液に該液中に存在するＣｕＣｌをＣｕＣｌ２に転化させるに当量のＨ２Ｏ２及びＨＣｌを加え、さらに必要により、反応速度を調節する食塩の如き、塩化物を添加して銅溶解を行う。」（２欄２５〜３１行）
（１ｅ）「本発明の方法によれば、現在行われている銅張積層板を基板とする印刷回路、写真製版等のエツチング等をすべて連続的に行い得ると共に、寸法精度の均一性、不良性の低下、作業性の改善、Ｃｕの連続的回収等に於て現在迄行われているエツチングの改良を行い得、エツチングコストの低減が可能となる。」（３欄３〜９行）
（１ｆ）「例２
　３５μの銅箔を１．６ｍｍのガラスエポキシ系樹脂板にはり合せた銅板上に、・・・光重合性フオトレジストを塗布し、写真感光せしめて作つた精密級印刷回路のエツチングをエツチング液として、パドルエツチヤーを使用して行つた。
　ＣｕＣｌ２／ｍｏｌ／ｌ，ＮａＣｌ３ｍｏｌ／ｌ，ＨＣｌ／ｍｏｌ／ｌを含む液１ｌを作り、之を上記パドルエツチヤーに使用し、ＨＣｌ，Ｈ２Ｏ２，ＮａＣｌを添加する事により、一枚当たり略一定の時間でエツチングが行われた。以下にそのデーターを示す。腐蝕時間は１５ｃｍ×２０ｃｍの上記銅張板（溶解面積率６０％）の完全溶解迄の時間を表す。」（４欄１３〜２６行）
（１ｇ）表には、Ｃｕ＋＋濃度１．０３５ｍｏｌ／ｌの腐蝕液を用い、板Ｎｏ．１，２，３について、それぞれ液温２９．５〜３１℃、３１〜３３℃、３０〜３２℃において腐蝕時間２分、２分、３分のエツチングを行い、腐蝕液がＣｕ＋＋濃度０．７７０ｍｏｌ／ｌ、Ｃｕ＋濃度０．６０３ｍｏｌ／ｌとなったとき９７ｃｃの液抜取りを行い、また、Ｃｕ＋＋濃度１．２６０ｍｏｌ／ｌで、２８．８ｍｌの３５％Ｈ２Ｏ２、６１ｍｌの３６％ ＨＣｌ、２０ｇのＮａＣｌを添加液として含む腐蝕液を用い、板Ｎｏ．４，５，６について、それぞれ液温３０〜３１℃、３０〜３１℃、３１〜３２℃において各２分腐蝕を行い、腐蝕液液がＣｕ＋濃度０．５１ｍｏｌ／ｌとなったとき、９７ｃｃの液抜取りを行ったことが記載されている。
　
３．当審の判断
３−１．引用例記載の発明
　引用例の上記摘記事項（１ａ）によれば、「塩化第二銅を用いて銅を溶解する際、反応液に塩酸と過酸化水素を添加して銅の溶解によって生ずる塩化第一銅を酸化して、塩化第二銅を再生せしめ、塩化第一銅濃度を常に低く保つ銅の溶解法。」が記載され、摘記事項（１ｅ）によれば、銅の溶解は、銅張積層板を基板とする印刷回路のエッチングを行うこと、摘記事項（１ｄ）によれば、塩化第二銅を用いて、銅を溶解する際、反応液の一部を抜出し、銅回収に回し、残存液に該液中に存在するＣｕＣｌをＣｕＣｌ２に転化させるに当量のＨ２Ｏ２及びＨＣｌを加えて銅溶解を行うことが記載され、更に、摘記事項（１ｇ）によれば、腐蝕液がＣｕ＋＋濃度０．７７０ｍｏｌ／ｌ、Ｃｕ＋濃度０．６０３ｍｏｌ／ｌとなったとき９７ｃｃの液抜取りを行う例が記載されている。
　上記例の液抜取りを行う前のエッチング液は、銅の溶解によりＣｕＣｌ２濃度は減少し、Ｃｕ２Ｃｌ２ （又はＣｕＣｌ）の濃度が増加し、ＣｕＣｌの濃度が増加すると銅の溶解速度は急激に低下し、又ＣｕＣｌ２ の濃度減少によつても溶解速度は減少するものであるから、その液組成の全銅イオンに対する１価銅イオンのモル分率は、液抜き取り時の０．６０３／（０．６０３＋０．７７０）≒０．４４乃至それより小さい数値をとっているものである。
　そこで、上記摘示事項（１ａ）〜（１ｇ）の記載を総合すれば、引用例には、「銅張積層板を基板とする印刷回路の銅をエッチングするためのエツチング液であって、１価銅イオンと２価銅イオンおよび塩酸を含み、１価銅イオンが全銅イオンに対しモル分率で約０．４４乃至それより小さい数値であるエッチング液。」（以下、「引用例発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−２．対比・判断
　そこで、本願発明と引用例発明とを対比する。引用例発明の全銅イオンに対する１価銅イオンのモル分率の約０．４４乃至それより小さい数値は、１価銅イオンの溶解度の上限である飽和濃度以下であることも明らかであって、引用例発明の約０．４４乃至それより小さい数値の範囲は、本願発明での「０．１以上で、かつ、１価銅イオンの飽和濃度以下である」と重複しており、引用例発明の「銅張積層板を基板とする印刷回路」は、本願発明の「回路基板」に相当しているから、両者は、
  「回路基板の金属をエッチングするためのエッチング液であって、１価銅イオンと２価銅イオンおよび塩酸を含み、１価銅イオンが全銅イオンに対しモル分率で０．１以上で、かつ、１価銅イオンの飽和濃度以下であるエッチング液。」で一致し、次の点で相違する。
　相違点：エッチング液を、本願発明は、第１の金属と第１の金属とは異種の第２の金属とを有する構造の回路基板の前記第１の金属と第２の金属とを同時にエッチングするためのエッチング液としているのに対し、引用例発明は、回路基板の銅をエッチングするためのエッチング液としている点。
　　
　次に、上記相違点について検討する。
　本願明細書の請求項４の記載によれば、本願発明の第２の金属は、銅または銅合金であることは明らかである。一方、銅張回路基板の銅エッチング液として、本願発明のような塩化第二銅を主成分とする塩化銅系エッチング液は、引用例に示されているばかりでなく、本願出願前周知のものであり、また、この塩化銅系エッチング液を、第１の金属と第１の金属とは異種の第２の金属、例えば銅または銅合金からなる構造の回路基板を同時にエッチングするために用いることも、次の諸例に示されているように本願出願前周知の事項である。
　
　周知例１：特開昭６３−２６３８５号公報　
　請求項７には、「導体板及び貫通接続回路上の銅をエツチングする方法において、・・・」、２頁左下欄１１〜１５行には、「本発明の対象は、１つ以上の金属コア、特に鉄−ニッケル又は鉄コバルトコアを有する導体板の直接的な固着した貫通接続のために本発明による銅エツチング溶液を使用した方法である。」と記載され、３頁右下欄１４行からの「例３」には、塩化銅、塩酸を含むエツチング液を使用した例が記載されている。
　
　周知例２：特開平５−１９５２９９号公報
　段落【０００１】には、「・・・本発明は、銅−インバール(Invar)−銅コアを有する微細電子パッケージにバイア(via)即ちバイア及びスルーホールを化学的エッチングすることに関する。」と記載され、段落【００１８】には、「金属コアパッケージのエッチングの別の問題は、ＣｕＣｌ２／ＨＣｌ及び／又はＦｅＣｌ３／ＨＣｌエッチング剤の必要である。・・」と記載されている。
　
　周知例３：特開平８−４６３３１号公報
　特許請求の範囲には、「【請求項１】金属の電気的相互接続を持つ基板を製造する方法において、前記の相互接続が第二の金属の上におかれた第一の金属からなり、前記のプロセスが前記の第二の金属からなる第二の層の上に置かれた、前記第一の金属からなる第一の層からなる領域をエッチングするステップを含有し、ここで前記の第一と第二の層が共にＨＦ、塩化第二銅ならびに塩化物塩を含有する溶液を用いてエッチングされることを特徴とする、金属の電気的相互接続を持つ基板を製造する方法。【請求項２】前記第一の金属が銅からなることを特徴とする請求項１の方法。【請求項３】前記第二の金属がチタンからなることを特徴とする請求項２の方法。」が記載されている。
　
　そうすると、塩化銅系エッチング液を単一の金属の構造の回路基板のエッチングに適用するのみでなく、第１の金属と第１の金属とは異種の第２の金属、例えば銅または銅合金からなる構造の回路基板のエッチングに適用することも周知であるから、引用例発明のエッチング液を、第１の金属と第１の金属とは異種の第２の金属、例えば銅または銅合金とを有する構造の回路基板の第１の金属と第２の金属とを同時にエッチングするために用いることは、当業者ならは容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明の奏する効果も引用例の記載及び上記周知技術に基いて当業者が予測することができる程度であって、格別顕著なものとは認められない。
　よって、本願発明は引用例に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は、請求項２〜８に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。