(57)【要約】      （修正有）【課題】部品の維持管理を容易にすることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置１０では、誘電体窓１６が、軸線に沿って上方から順に収容空間と供給孔を画成している。供給源１８が、処理容器内の処理空間に誘電体窓を介してマイクロ波を導入する。導管２０が、プラズマ処理用のガスを供給する。導管は、収容空間に収容された一端部を含む。インジェクタ２２が、一端部側の第１の面及び処理空間側の第２の面を有している。インジェクタには、第１の面から第２の面まで延びる一以上の孔が形成されている。インジェクタは、処理空間内において一端部より下方に収容されており、当該一端部から分離されており、収容空間を画成する底面上に置かれている。環状のシーリング部材が、底面とインジェクタの第２の面とに接している。【選択図】図１
0003169134.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
軸線に沿って上方から順に収容空間と供給孔を画成する内側面を含み、該内側面が前記収容空間を下方から画成する底面を含む、該誘電体窓と、
前記処理容器内の処理空間に前記誘電体窓を介してマイクロ波を導入する供給源と、
プラズマ処理用のガスを供給するための導管であって前記収容空間に収容された一端部を含む該導管と、
前記一端部側の第１の面及び前記処理空間側の第２の面を有し、前記第１の面から前記第２の面まで延びる一以上の孔が形成されており、前記処理空間内において前記一端部より下方に収容されており、該一端部から分離され前記底面上に置かれたインジェクタと、
弾性を有し、前記底面と前記インジェクタの前記第２の面とに接する環状のシーリング部材と、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記供給源は、
同軸導波管と、
複数のスロット対が形成された導電性のスロット板であり、前記同軸導波管に電気的に接続された該スロット板と、
導電性の表面を有し、前記同軸導波管に電気的に接続された冷却ジャケットと、
前記冷却ジャケットと前記スロット板との間に設けられた誘電体板と、
を含み、
前記誘電体窓は、前記スロット板の直下に設けられている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記導管は、導電性を有し、前記スロット板に電気的に接続されており、
前記インジェクタは、導電性を有し、
前記第１の面と前記導管の前記一端部との間に設けられ、該第１の面と該一端部に接する、弾性及び導電性を有する導電部材を更に備える、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記インジェクタの前記第２の面は、前記軸線に交差する第１の領域、及び、前記第１の領域を囲む第２の領域を含み、
前記一以上の孔は、前記第１の面から前記第１の領域まで延びており、
前記シーリング部材は、前記底面と前記第２の領域とに接している、
請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１の面と前記第２の領域との間の前記軸線の延在方向の距離は、前記第１の面と前記第１の領域との間の該軸線の該延在方向の距離より大きく、
前記底面は、前記第２の領域と前記第１の領域の周縁部分に沿って延在している、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
弾性を有する環状の別のシーリング部材であり、前記第１の面と前記導管の前記一端部との間に設けられており、該第１の面と該一端部に接する該別のシーリング部材を更に備える、請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案の種々の態様及び実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、一種のプラズマ処理装置が記載されている。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、マイクロ波発生器、アンテナ、誘電体窓同軸導波管、及びインジェクタベースを備えている。
【０００３】
ステージは、被処理基体を保持するものであり、処理容器の内部に収容されている。アンテナは、ステージの上方に設けられている。アンテナは、マイクロ波発生器に同軸導波管を介して接続されている。このアンテナは、スロットが形成されたスロット板を含んでいる。誘電体窓は、アンテナとステージ上方の処理空間との間に設けられている。
【０００４】
誘電体窓には、インジェクタベースを収容するための収容空間が形成されており、更に当該収容空間から処理空間に向けて延びるガス供給孔が形成されている。インジェクタベースの下面と収容空間を画成する誘電体窓の面との間にはＯリングが設けられている。インジェクタベースは、特許文献１には明示されていないが、導波管等の他の部材に対して固定されている。
【０００５】
このプラズマ処理装置では、インジェクタベースの孔、及び、誘電体窓のガス供給孔を介して、プラズマ処理用のガスが処理空間内に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２１２４３号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載されたインジェクタベースやＯリングは、プラズマ処理用のガスに曝される。
【０００８】
このような事情の下、当技術分野においては、プラズマ処理装置における部品の維持管理を容易にすることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本考案の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理容器、誘電体窓、供給源、導管、インジェクタ、及びシーリング部材を備えている。誘電体窓は、内側面を含み、当該内側面は、軸線に沿って上方から順に収容空間と供給孔を画成している。内側面は、収容空間を下方から画成する底面を含む。供給源は、処理容器内の処理空間に誘電体窓を介してマイクロ波を導入する。導管は、プラズマ処理用のガスを供給する。導管は、収容空間に収容された一端部を含む。インジェクタは、一端部側の第１の面及び処理空間側の第２の面を有する。インジェクタには、第１の面から第２の面まで延びる一以上の孔が形成されている。インジェクタは、処理空間内において一端部より下方に収容されており、当該一端部から分離されており、上記底面上に置かれている。シーリング部材は、環形状を有し、弾性を有している。シーリング部材は、底面とインジェクタの第２の面とに接している。
【００１０】
このプラズマ処理装置では、インジェクタが、誘電体部材の底面上に置かれて導管から分離されているので、当該インジェクタを容易に交換することができる。また、インジェクタが他の部材に結合されておらず底面上に置かれているので、底面とインジェクタとの間の間隙が他の部材の変位により変化することを抑制できる。したがって、底面とインジェクタとの間の間隙を介して流れるガスによるシーリング部材の劣化を抑制することができる。故に、インジェクタ及びシーリング部材の維持管理が容易化され得る。
【００１１】
一実施形態においては、供給源は、同軸導波管、スロット板、冷却ジャケット、及び誘電体板を含む。スロット板は、導電性を有する。スロット板には、複数のスロット対が形成されている。スロット板は、同軸導波管に電気的に接続されている。冷却ジャケットは、導電性の表面を有し、同軸導波管に電気的に接続されている。誘電体板は、冷却ジャケットとスロット板との間に設けられている。誘電体窓は、スロット板の直下に設けられている。冷却ジャケットに冷媒が流されると当該冷却ジャケットが膨脹し、これに伴って導管の一端部が上方に移動することがある。この実施形態によれば、インジェクタが導管から分離されているので、導管の一端部が移動しても、インジェクタは誘電体窓の底面上に置かれた状態を維持する。したがって、底面とインジェクタとの間の間隙の増大が抑制され得る。
【００１２】
一実施形態においては、導管は、導電性を有することができ、スロット板に電気的に接続される。インジェクタも、導電性を有し得る。プラズマ処理装置は、弾性及び導電性を有する導電部材を更に備え得る。導電部材は、第１の面と導管の一端部との間に設けられ、当該第１の面と当該一端部に接していてもよい。この実施形態によれば、導管及びインジェクタの電位を、スロット板と同電位に設定することができる。
【００１３】
一実施形態においては、インジェクタの第２の面は、軸線に交差する第１の領域、及び、第１の領域を囲む第２の領域を含み得る。インジェクタの一以上の孔は、第１の面から第１の領域まで延びており、シーリング部材は、底面と第２の領域とに接していてもよい。この実施形態によれば、ガスの供給経路、即ち、インジェクタの一以上の孔、及び誘電体窓によって画成された供給孔とシーリング部材との間の距離を大きくすることができる。これにより、シーリング部材の劣化が更に抑制される。
【００１４】
一実施形態においては、第１の面と第２の領域との間の軸線の延在方向（以下、「軸線方向」という）の距離は、第１の面と第１の領域との間の軸線方向の距離より大きく、上記底面は、第１の領域の周縁部分と第２の領域とに沿って延在していてもよい。この実施形態によれば、ガスの供給経路とシーリング部材との間の距離を更に大きくすることができる。これにより、シーリング部材の劣化が更に抑制される。
【００１５】
一実施形態においては、プラズマ処理装置は、別のシーリング部材を更に備え得る。このシーリング部材は、弾性を有し、環形状を有し得る。当該シーリング部材は、第１の面と導管の一端部との間に設けられており、当該第１の面と当該一端部に接している。この実施形態によれば、互いに分離された導管の一端部とシーリング部材との間における気密を確保することができる。
【考案の効果】
【００１６】
以上説明したように、本考案の種々の側面及び実施形態によれば、プラズマ処理装置における部品の維持管理が容易化され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図２】一実施形態に係るスロット板を軸線Ｘ方向から見た平面図である。
【図３】図１に示すインジェクタを含む要部を拡大して示す断面図である。
【図４】一実施形態に係る誘電体窓の収容空間及び供給口を拡大して示す断面図である。
【図５】一実施形態に係るインジェクタを示す断面図である。
【図６】一実施形態に係るインジェクタと共に、導管、二つのシーリング部材、及び導電部材を示す分解斜視図である。
【考案を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１９】
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。図１に示すプラズマ処理装置１０は、処理容器１２、ステージ１４、誘電体窓１６、供給源１８、導管２０、及び、インジェクタ２２を備えている。
【００２０】
処理容器１２は、被処理基体Ｗにプラズマ処理を行うための処理空間Ｓを画成している。処理容器１２は、側壁１２ａ、及び、底部１２ｂを含み得る。側壁１２ａは、軸線Ｘ方向に延在する略筒形状を有している。底部１２ｂは、側壁１２ａの下端側に設けられている。底部１２ｂには、排気用の排気孔１２ｈが設けられている。側壁１２ａの上端部は開口している。
【００２１】
側壁１２ａの上端部開口は、処理空間Ｓを気密封止するよう誘電体窓１６によって閉じられている。この誘電体窓１６と側壁１２ａの上端部との間にはＯリング２８が介在していてもよい。このＯリング２８により、処理容器１２の密閉がより確実なものとなる。
【００２２】
供給源１８は、マイクロ波を、誘電体窓１６を介して処理空間Ｓ内に導入する。一実施形態においては、供給源１８は、同軸導波管２４、スロット板２６、冷却ジャケット３０、及び、誘電体板３２を含んでいる。供給源１８は、更に、マイクロ波発生器３４、チューナ３６、導波管３８、及びモード変換器４０を含み得る。
【００２３】
マイクロ波発生器３４は、例えば２．４５ＧＨｚの周波数のマイクロ波を発生する。マイクロ波発生器３４は、チューナ３６を介して導波管３８に接続されている。導波管３８は、例えば、矩形導波管である。導波管３８は、モード変換器４０に接続されており、当該モード変換器４０は、同軸導波管２４の上端に接続されている。
【００２４】
同軸導波管２４は、軸線Ｘに沿って延びている。同軸導波管２４は、外側導体２４ａ及び内側導体２４ｂを含んでいる。外側導体２４ａは、軸線Ｘ方向に延びる筒形状を有している。外側導体２４ａの下端は、冷却ジャケット３０の上部表面に電気的に接続され得る。冷却ジャケット３０の表面は、導電性を有し得る。冷却ジャケット３０は、誘電体板３２及びスロット板２６を冷却する。そのために、冷却ジャケット３０内には、冷媒用の流路が形成されている。
【００２５】
内側導体２４ｂは、外側導体２４ａの内部に設けられている。内側導体２４ｂは、軸線Ｘに沿って延びる円筒形状を有している。内側導体２４ｂの下端は、冷却ジャケット３０及び誘電体板３２の中央部分を通って、スロット板２６に接続している。
【００２６】
図２は、一実施形態に係るスロット板を軸線Ｘ方向から見た平面図である。図２に示すように、スロット板２６は、一実施形態においては、ラジアルラインスロットアンテナを構成するスロット板であり得る。このスロット板２６は、導電性を有する金属製の円板から構成され得る。スロット板２６には、複数のスロット対２６ａが形成されている。各スロット対２６ａは、互いに交差又は直交する方向に延びるスロット２６ｂとスロット２６ｃを含んでいる。複数のスロット対２６ａは、径方向に所定の間隔で配置されており、また、周方向に所定の間隔で配置されている。
【００２７】
図１に示すように、スロット板２６の直下には誘電体窓１６が設けられている。また、スロット板２６と冷却ジャケット３０の下側表面の間には誘電体板３２が設けられている。誘電体板３２は、例えば石英製であり、略円板形状を有している。マイクロ波発生器３４により発生されたマイクロ波は、同軸導波管２４を通って、誘電体板３２に伝播され、スロット板２６のスロットから誘電体窓１６を介して、処理空間Ｓ内に導入される。
【００２８】
同軸導波管２４の内側導体２４ｂの内孔には、導管２０が通っている。導管２０は、軸線Ｘに沿って延在しており、その端部は、ガス供給系４２に接続されている。なお、ガス供給系４２に接続された端部は、後述する導管の一端部と反対側の端部である。ガス供給系４２は、プラズマ処理用のガスを供給する。ガス供給系４２は、マスフローコントローラといった流量制御器４２ａ及び開閉弁４２ｂを含んでいる。ガス供給系４２からのガスは、導管２０を介してインジェクタ２２に供給される。インジェクタ２２に供給されたガスは、当該インジェクタ２２及び誘電体窓１６に形成された供給孔を介して、処理空間Ｓに供給される。
【００２９】
このプラズマ処理装置１０では、処理空間Ｓ内にプラズマ処理用のガスが供給され、また、上述したように処理空間Ｓ内に導入されるマイクロ波により誘電体窓１６の直下に電界が発生する。これにより、処理空間Ｓ内にプラズマが発生する。このように、プラズマ処理装置１０は、磁場を加えずにマイクロ波を用いてプラズマを発生させることが可能である。
【００３０】
一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、導管４４を更に備え得る。導管４４は、誘電体窓１６とステージ１４との間において軸線Ｘ周りに、環状に延在している。導管４４には、軸線Ｘに向かう方向にガスを噴射する複数のガス噴射孔４４ｂが設けられている。この導管４４は、ガス供給系４６に接続されている。
【００３１】
ガス供給系４６は、導管４６ａ、開閉弁４６ｂ、及び、マスフローコントローラといった流量制御器４６ｃを含んでいる。導管４４には、流量制御器４６ｃ、開閉弁４６ｂ、及び導管４６ａを介して、処理ガスが供給される。
【００３２】
ステージ１４は、誘電体窓１６と当該ステージ１４との間に処理空間Ｓを挟むように設けられている。このステージ１４上には、被処理基体Ｗが載置される。一実施形態においては、ステージ１４は、台１４ａ、フォーカスリング１４ｂ、及び、静電チャック１４ｃを含み得る。
【００３３】
台１４ａは、筒状支持部４８によって支持されている。筒状支持部４８は、絶縁性の材料で構成されており、底部１２ｂから垂直上方に延びている。また、筒状支持部４８の外周には、導電性の筒状支持部５０が設けられている。筒状支持部５０は、筒状支持部４８の外周に沿って処理容器１２の底部１２ｂから垂直上方に延びている。この筒状支持部５０と側壁１２ａとの間には、環状の排気路５１が形成されている。
【００３４】
排気路５１の上部には、複数の貫通孔が設けられた環状のバッフル板５２が取り付けられている。排気孔１２ｈの下部には排気管５４を介して排気装置５６が接続されている。排気装置５６は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有している。排気装置５６により、処理容器１２内の処理空間Ｓを所望の真空度まで減圧することができる。
【００３５】
台１４ａは、高周波電極を兼ねている。台１４ａには、マッチングユニット６０及び給電棒６２を介して、ＲＦバイアス用の高周波電源５８が電気的に接続されている。高周波電源５８は、被処理基体Ｗに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、１３．６５ＭＨｚの高周波電力を所定のパワーで出力する。マッチングユニット６０は、高周波電源５８側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器１２といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容している。この整合器の中に自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれている。
【００３６】
台１４ａの上面には、静電チャック１４ｃが設けられている。静電チャック１４ｃは、被処理基体Ｗを静電吸着力で保持する。静電チャック１４ｃの径方向外側には、被処理基体Ｗの周囲を環状に囲むフォーカスリング１４ｂが設けられている。静電チャック１４ｃは、電極１４ｄ、絶縁膜１４ｅ、及び、絶縁膜１４ｆを含んでいる。電極１４ｄは、導電膜によって構成されており、絶縁膜１４ｅと絶縁膜１４ｆの間に設けられている。電極１４ｄには、高圧の直流電源６４がスイッチ６６および被覆線６８を介して電気的に接続されている。静電チャック１４ｃは、直流電源６４より印加される直流電圧により発生するクーロン力によって、被処理基体Ｗを吸着保持することができる。
【００３７】
台１４ａの内部には、周方向に延びる環状の冷媒室１４ｇが設けられている。この冷媒室１４ｇには、チラーユニット（図示せず）より配管７０，７２を介して所定の温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給される。冷媒の温度によって静電チャック１４ｃの伝熱ガス、例えば、Ｈｅガスがガス供給管７４を介して静電チャック１４ｃの上面と被処理基体Ｗの裏面との間に供給される。
【００３８】
以下、図３、図４、図５、及び図６を参照して、インジェクタ２２とその周囲の構成についてより詳細に説明する。図３は、図１に示すインジェクタを含む要部を拡大して示す断面図である。図４は、一実施形態に係る誘電体窓の収容空間及び供給口を拡大して示す断面図である。図５は、一実施形態に係るインジェクタを示す断面図である。また、図６は、一実施形態に係るインジェクタと共に、導管、二つのシーリング部材、及び導電部材を示す分解斜視図である。
【００３９】
誘電体窓１６は、略円板形状を有しており、例えば石英のような誘電体から構成されている。図３及び図４に示すように、誘電体窓１６は、内側面１６ｆを含んでいる。この内側面１６ｆは、収容空間１６ｓと供給孔１６ｈを画成している。収容空間１６ｓは、供給孔１６ｈの上方に設けられている。供給孔１６ｈは、収容空間１６ｓから誘電体窓１６の下面まで延びている。
【００４０】
内側面１６ｆは、面１６ｆ１、面（底面）１６ｆ２、及び面１６ｆ３を含んでいる。面１６ｆ１は、軸線Ｘに対して側方から収容空間１６ｓを画成している。底面１６ｆ２は、収容空間１６ｓを下方から画成している。また、面１６ｆ３は、供給孔１６ｈを画成している。供給孔１６ｈは、一実施形態では、下方に向かうにつれて直径が小さくなるテーパ形状を有している。
【００４１】
図３に示すように、収容空間１６ｓ内には、インジェクタ２２が収容されている。インジェクタ２２は、導電性を有しており、略円板形状を有している。インジェクタ２２は、例えば、アルミニウム又はステンレス製である。
【００４２】
図３及び図５に示すように、インジェクタ２２は、第１の面２２ａ及び第２の面２２ｂを含んでいる。第２の面２２ｂは、第１の面２２ａに対して軸線Ｘ方向において反対側に設けられており、第１の面２２ａより処理空間Ｓ側（下方）に設けられている。第２の面２２ｂは、供給孔１６ｈに面している。一実施形態においては、第２の面２２ｂには、Ｙ２Ｏ３の膜が形成されていてもよい。この膜は、Ｙ２Ｏ３を第２の面２２ｂにコーティングした後に、コーティングされた膜を電子ビームにより溶融させることによって形成されてもよい。
【００４３】
インジェクタ２２には、軸線Ｘ方向に延びる複数の孔２２ｈが形成されている。これら孔２２ｈは、第１の面２２ａから第２の面２２ｂまで貫通している。一実施形態においては、インジェクタ２２には、孔２２ｈを画成する面と第１の面２２ａとの境界、及び、孔２２ｈを画成する面と第２の面２２ｂとの境界において、面取りがなされていてもよい。
面取りにより上記境界部分への電界の集中を抑制して異状放電を抑制することができる。第２の面２２ｂは、軸線Ｘを中心に環状に延在する溝２２ｃを画成している。溝２２ｃは、複数の孔２２ｈの第２の面２２ｂ側の開口を取り囲むように、設けられている。溝２２ｃ内には、シーリング部材８４が嵌められている。シーリング部材８４は、弾性を有する環状の部材であり、例えば、Ｏリングである。シーリング部材８４は、第２の面２２ｂと底面１６ｆ２に接触して、インジェクタ２２と誘電体窓１６との間の気密を確保している。
【００４４】
一実施形態においては、第２の面２２ｂは、第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２を含んでいる。第１の領域Ｒ１は、軸線Ｘに交差しており、当該第１の領域Ｒ１には、複数の孔２２ｈの第２の面２２ｂ側の開口が設けられている。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１を囲んでいる。一実施形態においては、この第２の領域Ｒ２によって上述した溝２２ｃが画成されていてもよい。これにより、供給孔１６ｈからシーリング部材８４までの距離が長くなる。その結果、シーリング部材８４の劣化を抑制することができる。
【００４５】
また、第２の領域Ｒ２から第１の面２２ａまでの軸線Ｘ方向の距離は、第１の領域Ｒ１から第１の面２２ｂまでの軸線Ｘ方向の距離よりも大きくなっていてもよい。この場合には、誘電体窓１６の底面１６ｆ２は、第１の領域Ｒ１の周縁部分と第２の領域Ｒ２に沿うように、段状の面として構成される。これにより、供給孔１６ｈからシーリング部材８４までの距離が更に長くなる。その結果、シーリング部材８４の劣化を更に抑制することができる。
【００４６】
図３に示すように、インジェクタ２２は、収容空間１６ｓを画成する底面１６ｆ２上に置かれている。収容空間１６ｓ内においては、インジェクタ２２の上方に導管２０の一端部２０ｂが収容されている。
【００４７】
導管２０は、一実施形態においては、導電性を有する金属製である。導管２０は、本体部２０ａ及び一端部２０ｂを含んでいる。本体部２０ａは、軸線Ｘに沿って延びる円筒形状を有している。一端部２０ｂは、略円板形状を有しており、本体部２０ａより大きな外径を有している。導管２０には、本体部２０ａ及び一端部２０ｂにわたって貫通するガス供給用の内孔が設けられている。この導管２０の本体部２０ａは、内側導体２４ｂの内孔を通っている。
【００４８】
内側導体２４ｂは、上述したように、スロット板２６に接続されている。一実施形態においては、スロット板２６には、軸線Ｘに沿って設けられた貫通孔が形成されている。当該貫通孔を画成するスロット板２６の内側縁部は、内側導体２４ｂの下端と金属製の部材８０とにより、狭持されている。この部材８０は、内側導体２４ｂの下端にねじ８２によって固定されている。また、スロット板２６の下面には、導管２０の一端部２０ｂの上面が接触している。このように、内側導体２４ｂ、スロット板２６、及び導管２０は、電気的に接続されている。
【００４９】
図３に示すように、インジェクタ２２は、底面１６ｆ２上に置かれているが、導管２０の一端部２０ｂからは分離されている。したがって、インジェクタ２２は、容易に交換することが可能である。また、インジェクタ２２は、他の部材の変位が発生しても、第２の面２２ｂと底面１６ｆ２との間の間隙（クリアランス）の増大を抑制することができる。例えば、冷却ジャケット３０に冷媒が供給されることにより、当該冷却ジャケット３０内の圧力が高まると、冷却ジャケット３０が膨脹することがある。この膨脹によって、導管２０が上方に引き上げられることがある。このような他の部材の変位があっても、インジェクタ２２の位置は影響されない。したがって、第２の面２２ｂと底面１６ｆ２との間の間隙（クリアランス）の増大を抑制することができる。その結果、当該間隙を介した流入し得る処理ガスによるシーリング部材８４の劣化を抑制することができる。
【００５０】
一実施形態においては、図３、図５、及び図６に示すように、インジェクタ２２の第１の面２２ａは、軸線Ｘを中心に環状に延在する溝２２ｄを画成し得る。溝２２ｄは、複数の孔２２ｈの第１の面２２ａ側の開口を取り囲むように、設けられている。この溝２２ｄには、シーリング部材８８が嵌められる。シーリング部材８８は、弾性を有する環状の部材であり、例えば、Ｏリングである。シーリング部材８８は、インジェクタ２２の第１の面２２ａと導管２０の一端部２０ｂの下面に接する。これにより、互いに分離されているインジェクタ２２の第１の面２２ａと導管２０の一端部２０ｂの下面の間の気密を確保することができる。
【００５１】
また、第１の面２２ａは、軸線Ｘを中心に環状に延在する別の溝２２ｅを更に画成し得る。この溝２２ｅは、溝２２ｄの外側に設けられ得る。この溝２２ｅには、導電部材８６が嵌められる。導電部材８６は、導電性及び弾性を有し、軸線Ｘを中心とした環状の閉曲線に沿って延在し得る。図６に示すように、導電部材８６は、例えば、軸線Ｘを中心とした環状の閉曲線に沿って螺旋状に設けられた金属部材であってもよい。この導電部材８６は、インジェクタ２２を導管２０に電気的に接続する。その結果、内側導体２４ｂ、スロット板２６、導管２０、及びインジェクタ２２は、互いに電気的に接続される。これら内側導体２４ｂ、スロット板２６、導管２０、及びインジェクタ２２は、例えば、接地電位に維持される。これにより、インジェクタ２２の孔２２ｈにおけるプラズマの発生が抑制される。
【００５２】
以上、種々の実施形態について説明したが、これら実施形態に限定されることなく、種々の変形態様を構成することが可能である。例えば、上述したプラズマ処理装置１０では、供給源としてラジアルラインスロットアンテナを有する供給源１８が用いられているが、他のタイプのプラズマ処理装置に採用されているマイクロ波の供給源が用いられてもよい。例えば、ＳＷＰ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｗａｖｅ  Ｐｌａｓｍａ、表面波プラズマ）型のプラズマ処理装置におけるマイクロ波の供給源が用いられてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１４…ステージ、１６…誘電体窓、１６ｓ…収容空間、１６ｈ…供給孔、１６ｆ…内側面、１６ｆ２…底面、１８…供給源、２０…導管、２０ａ…本体部、２０ｂ…一端部、２２…インジェクタ、２２ａ…第１の面、２２ｂ…第２の面、Ｒ１…第１の領域、Ｒ２…第２の領域、２２ｃ…溝、２２ｄ…溝、２２ｅ…溝、２２ｈ…孔、２４…同軸導波管、２６…スロット板、３０…冷却ジャケット、３２…誘電体板、３４…マイクロ波発生器、３６…チューナ、３８…導波管、４０…モード変換器、４２…ガス供給系、８４…シーリング部材、８６…導電部材、８８…シーリング部材、Ｓ…処理空間、Ｗ…被処理基体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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