【事件の表示】
　特願２００３−　１１５２３「液晶表示素子、その製造方法、および液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　４５２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成８年８月８日に出願した特願平８−２１０２７１号（優先権主張 平成７年９月２８日、平成７年１２月２５日）の一部を平成１５年１月２０日に新たな特許出願としたものであって、平成１６年２月１２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年３月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１６年４月１６日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月１６日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）本件補正後の本件発明について 
 　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の記載、
「【請求項１】走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に画素電極が接続された液晶表示素子において、
　上記走査配線、信号配線、およびスイッチング素子と、上記画素電極との間に、層間絶縁膜を備えてなり、該層間絶縁膜は、耐熱温度２００℃以上の材料からなる樹脂であることを特徴とする液晶表示素子。
　【請求項２】上記層間絶縁膜は、低い比誘電率を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
　【請求項３】走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に画素電極が接続された液晶表示素子の製浩方法において、
　基板上に、走査配線、信号配線、およびスイッチング素子を形成する工程と、
　走査配線と信号配線とスイッチング素子とを覆うように耐熱温度２００℃以上の材料からなる樹脂を塗布し、パターニングして、コンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する工程と、
　上記層間絶縁膜上およびコンタクトホール内部に、画素電極を２００℃以上で成膜する工程とを含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
　【請求項４】上記層間絶縁膜表面に光照射を行って該層間絶縁膜の膜質改善を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子の製造方法。
　【請求項５】走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に画素電極が接続された液晶表示素子を有する液晶表示装置において、
　上記走査配線、信号配線、およびスイッチング素子と、上記画素電極との間に、層間絶縁膜を備えてなり、該層間絶縁膜は、耐熱温度２００℃以上の材料からなる樹脂であることを特徴とする液晶表示装置。」を、
　
「【請求項１】走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に画素電極が接続された液晶表示素子において、
　上記走査配線、信号配線、およびスイッチング素子と、上記画素電極との間に、層間絶縁膜を備えてなり、該層間絶縁膜は、耐熱温度２００℃以上の材料からなる
誘電率４以下の
　【請求項２】走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に画素電極が接続された液晶表示素子の製浩方法において、
　基板上に、走査配線、信号配線、およびスイッチング素子を形成する工程と、
　走査配線と信号配線とスイッチング素子とを覆うように耐熱温度２００℃以上の材料からなる
誘電率４以下の
　上記層間絶縁膜上およびコンタクトホール内部に、画素電極を２００℃以上で成膜する工程とを含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
　【請求項３】上記層間絶縁膜表面に光照射を行って該層間絶縁膜の膜質改善を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項２記載の液晶表示素子の製造方法。
　【請求項４】走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に画素電極が接続された液晶表示素子を有する液晶表示装置において、
　上記走査配線、信号配線、およびスイッチング素子と、上記画素電極との間に、層間絶縁膜を備えてなり、該層間絶縁膜は、耐熱温度２００℃以上の材料からなる
誘電率４以下の
　
　上記補正は、補正前の請求項１、２、４に係る「層間絶縁膜」の材料である樹脂について、「誘電率４以下の」と限定することを含むものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
 
（２）引用文献の記載事項 
　
（イ）原査定の理由で引用された特開平４−２５７８２６号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面と共に、次の事項が記載されている。
　
ａ．「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、対向基板と貼り合わせられて液晶表示装置を形成するアクティブマトリクス基板の製造方法に関する。」
　
ｂ．「【０００７】【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、透明絶縁性基板上に薄膜トランジスタをマトリクス状に配設して薄膜トランジスタアレイを形成する第１の工程と、該薄膜トランジスタアレイの表面に有機系透明絶縁膜を塗布してパターニングする第２の工程と、該有機系透明絶縁膜を不活性ガスをプラズマ化した雰囲気下で表面処理する第３の工程と、表面処理後の該有機系透明絶縁膜の表面に透明導電膜をパターニングし、該薄膜トランジスタアレイのドレイン電極に電気的に接続される絵素電極を形成する第４の工程とを含んでなり、そのことにより上記目的が達成される。
　　　【０００８】ここで、本発明においては、有機系透明導電膜として、アクリル樹脂膜やポリイミド膜を使用する。」
　
ｃ．「【００１０】【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
　　　【００１１】図１および図２は本発明方法により製造されるアクティブマトリクス基板を示しており、このアクティブマトリクス基板は、透明のガラス基板１上にソースバスライン７およびゲートバスライン３を縦横に配線し、両バスライン３、７で囲まれた矩形状の領域に絵素電極１１をマトリクス状に配設してなる。
　　　【００１２】ゲートバスライン３にはゲート電極２が分岐され、ソースバスライン７にはソース電極６が分岐される。ゲート電極２の位置にはスイッチング素子として機能するＴＦＴ３０が形成される。このＴＦＴ３０は前記ソース電極６とドレイン電極８を備え、図１に示す構造になっている。
　　　【００１３】以下、図１に従いアクティブマトリクス基板の構造およびその製造手順について説明する。図１（ａ）に示すように、まずスパッタリング法によりガラス基板１上に膜厚３００ｎｍのＴａ膜を成膜し、次いで、該Ｔａ膜をフォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極２を形成する（この時図２に示すゲートバスライン３が同時に形成される。）。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板１上にゲート電極２を覆うようにして膜厚４００ｎｍのＳｉＮx膜からなるゲート絶縁膜４、膜厚１００ｎｍのａ-Ｓｉからなる半導体層５およびリン（Ｐ）をドーピングした膜厚４０ｎｍのn+−Ｓｉ層９を連続して積層し、これを図示する断面形状にパターニングする。
　　　【００１４】次いで、これらを覆うようにしてガラス基板１上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍのＭｏ膜を成膜し、これをパターニングしてソース電極６（この時図２に示されるソースバスライン７が同時に形成される。）およびドレイン電極８を得、これによりＴＦＴ３０がマトリクス状に配置されたＴＦＴアレイが作成される。
　　　【００１５】次に、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１上に膜厚１μｍのアクリル樹脂からなる層間絶縁膜１０を塗布し、これをパターニングして、該層間絶縁膜１０のドレイン電極８の端部に相当する部分にコンタクトホール１２を開口する。次いで、層間絶縁膜１０の表面を、Ａｒ、Ｎ2、Ｎｅのような不活性ガスをプラズマ化した雰囲気下で表面処理する。これにより、層間絶縁膜１０の表面精度が向上する。
　　　【００１６】次いで、図３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜１０の上にスパッタリング法により膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、この膜をレジストおよびウェットエッチャントを用いたエッチング法によりパターニングして、図示する形状の絵素電極１１を得る。該絵素電極１１の端部はコンタクトホール１２を通してドレイン電極８の端部に電気的に接続される。
　　　【００１７】・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
　　　【００１８】なお、上記実施例では、層間絶縁膜１０としてアクリル樹脂膜を用いたが、こりに限らず、ポリイミド膜を用いてもよい。」
　
ｄ．また、【図１】、【図２】からは、「ゲートバスラインとソースバスラインとの交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に絵素電極が接続された液晶表示素子において、上記ゲートバスライン、ソースバスライン、およびスイッチング素子と、上記絵素電極との間に、層間絶縁膜を備えてなるアクティブマトリクス基板」が見て取れる。
　
　ここで、上記層間絶縁膜には、アクリル樹脂を用いているが、ポリイミド樹脂でもよいとされる（摘記ｃ【００１８】）。　　　
　　　　
　したがって、上記ａ〜ｄによれば、引用文献１には、
「ゲートバスラインとソースバスラインとの交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に絵素電極が接続されたアクティブマトリクス基板において、
　上記ゲートバスライン、ソースバスライン、およびスイッチング素子と、上記絵素電極との間に、層間絶縁膜を備えてなり、該層間絶縁膜は、ポリイミド樹脂であるアクティブマトリクス基板」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（ロ）原査定の理由で引用された特開平７−１０４３０７号公報（平成７年４月２１日発行、以下、「引用文献２」という。）には、図面と共に、次の事項が記載されている。
　
ｅ．「【００１６】【実施例】以下に、図面に基づき本発明を実施例により詳細に説明する。（実施例１）ソーダライムシリケートからなるガラス基板上にエポキシ系のバインダーを用いた顔料にて、印刷法を用いて、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色からなるカラーフィルター３をガラス基板の表面の一部に形成し、このカラーフィルター３上にポリイミドからなる保護膜２を形成した。得られた基板表面には、図１及び図２に示すように、カラーフィルター３及び保護膜２が形成されている部分と形成されていない周辺部１がある。」
　
ｆ．「【００２３】また、本実施例で作製したガラス基板上にスパッタリング法により膜厚２５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、サンプル２とした。成膜温度は２００℃とし、ＩＴＯ膜は保護膜が形成されている部分にもされていない部分にも全面に形成した。」
　　　
　したがって、上記ｅ〜ｆによれば、引用文献２には、「ガラス基板の表面の一部に形成されたカラーフィルター上にポリイミドからなる保護膜を形成し、さらにその上にスパッタリング法によりＩＴＯ膜を２００℃で成膜すること」が記載されている。
　
（３）対比・判断 
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「ゲートバスライン」、「ソースバスライン」、「絵素電極」及び「アクティブマトリクス基板」は、本件補正発明の「走査配線」、「信号配線」、「画素電極」及び「液晶表示素子」にそれぞれ相当する。　
　また、引用発明の層間絶縁膜は樹脂であるから、両者は、「走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に画素電極が接続された液晶表示素子において、上記走査配線、信号配線、およびスイッチング素子と、上記画素電極との間に、層間絶縁膜を備えてなり、該層間絶縁膜は樹脂である液晶表示素子。」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
相違点１：本件補正発明は、層間絶縁膜について「耐熱温度２００℃以上の材料からなる樹脂」とされているのに対し、引用文献１には、層間絶縁膜の耐熱温度について記載されていない点。
　
相違点２：本件補正発明は、層間絶縁膜について「誘電率４以下の樹脂」とされているのに対し、引用文献１には、層間絶縁膜の誘電率について記載されていない点。
　
　相違点１について検討する。
　　
　引用文献２によれば、ポリイミドからなる保護膜上にスパッタリング法によりＩＴＯ膜を成膜する際、成膜温度を２００℃で行うことが記載されている（摘記ｅ、ｆ）。
　一方、樹脂膜上に透明導電膜を成膜する場合、成膜温度は樹脂膜の耐熱温度以下（又は、樹脂膜の耐熱温度は成膜温度以上）であることは技術常識であるから（例えば、特開平６−１６０８７６号公報の【００２９】等参照）、引用文献２に記載されたポリイミド樹脂の耐熱温度は２００℃以上であると認められる。
　　
　また、スパッタリング法によりＩＴＯ膜などの透明導電膜を成膜する場合、２００〜４００℃の高温で成膜して低抵抗化することは周知であるから（特開平６−１６０８７６号公報【００２９】、特開平７−４３７３５号公報【００１５】等参照）、引用発明において、ＩＴＯ膜でなる絵素電極の低抵抗化を図るため、層間絶縁膜の樹脂として耐熱温度２００℃以上の樹脂を用いることは当業者が容易に想到し得るものと認められる。
　
　相違点２について検討する。
　　
　引用発明において層間絶縁膜として使用されるポリイミド樹脂の誘電率は、平成７年５月１２日発行の特開平７−１２０７８４号公報【００２９】に約３〜４と記載され、また、平成７年６月２３日発行の特開平７−１５９７８６号公報【００７４】に２．９と記載されているように４以下のものが周知であるから、引用発明において、誘電率が４以下のポリイミド樹脂でなる層間絶縁膜を採用することは当業者が普通になし得ることであると認められる。
　
　そして、本件補正発明の効果は、引用文献１、２及び周知技術から当業者が当然予測し得る範囲のものである。
　                                 
　したがって、本件補正発明は、引用文献１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび 
 　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
３．本件発明について 
　平成１６年４月１６日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本件の請求項に係る発明は、平成１６年１月１３日付の手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、以下のとおりである。 
「【請求項１】走査配線と信号配線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子に画素電極が接続された液晶表示素子において
、
　上記走査配線、信号配線、およびスイッチング素子と、上記画素電極との間に、層間絶縁膜を備えてなり、該層間絶縁膜は、耐熱温度２００℃以上の材料からなる樹脂であることを特徴とする液晶表示素子。」
　 
（１）引用例記載の発明
　原査定の理由に引用された引用文献１、２及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断 
　本件発明は、前記「２．」で検討した本件補正発明から、その発明を特定するために必要な事項である「層間絶縁膜」の材料である樹脂について「誘電率４以下の」との構成を省いたものである。
　
　そうすると、本件発明の構成要件を全て含み、さらにその構成要件の一部を限定・具体化したものに相当する本件補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用文献１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、同様の理由により引用文献１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
（３）むすび 
　以上のとおり、本件発明は、引用文献１、２に記載された発明及び及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　よって、結論のとおり審決する。