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　特願２００３−４０５９１１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６７０７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１２月４日の出願であって、平成１９年３月２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年４月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は、明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
　
　「【請求項１】
主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有するとともに前記主表面側に温度検出用の温度センスダイオード（１１）を有する半導体素子（１０）と、
　前記半導体素子（１０）の主裏面の主電極に第１の導電性接合部材（５１）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第１の金属体（２０）と、
　前記半導体素子（１０）の主表面の主電極に第２の導電性接合部材（５２）を介して接合された第２の金属体（４０）と、
　前記第２の金属体（４０）における前記半導体素子（１０）側の面とは反対側の面に第３の導電性接合部材（５３）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第３の金属体（３０）と、を備え、
　装置のほぼ全体が樹脂（８０）でモールドされてなる半導体装置において、
　前記温度センスダイオード（１１）は、前記半導体素子（１０）の主表面の中央部に配置されていることを特徴とする半導体装置。」
　
３．引用例に記載された発明
（１）引用例１（特開２００３−１１００６４号公報）
（１−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００３−１１００６４号公報（以下「引用例１」という。）には、図１〜４とともに以下の記載がある（なお、下線は当合議体において付加したものである。以下同じ。）。
　「【請求項１】  発熱素子と、この発熱素子の両面から放熱するための一対の放熱板とを備え、
装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置において
前記発熱素子の厚さ寸法をｔ１とし、前記一対の放熱板のうちの少なくとも一方の放熱板の厚さ寸法をｔ２としたときに、
ｔ２／ｔ１≧５
が成立するように構成したことを特徴とする半導体装置。」
　
　「【請求項７】  半導体素子と、
この半導体素子の裏面に接合され電極と放熱を兼ねる第１の金属体と、前記半導体素子の表面側に接合され電極と放熱を兼ねる第２の金属体と
前記半導体素子表面のせん断応力、または、前記半導体素子と前記金属体とを接合する接合層における歪み成分等を低減させるように、前記半導体素子の厚さを薄くすると共に、
前記モールド樹脂により装置全体を拘束保持するように構成したことを特徴とする半導体装置。」
　
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱素子と、この発熱素子の両面に接合された一対の放熱板とを備えて成る半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば高耐圧・大電流用の半導体チップ（発熱素子）は、使用時の発熱が大きいため、チップからの放熱性を向上させるための構成が必要になる。この構成の一例として、チップの両面に一対の放熱板を例えば半田層を介して接合する構成が、従来より、考えられており、この構成によれば、チップの両面から放熱できるので、放熱性が向上する。そして、
上記した両面放熱型の半導体装置は、全体が樹脂でモールドされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の半導体装置においては、半導体チップ、ヒートシンク、樹脂の熱膨脹係数の差が大きいため、これら３つの部材の接触部にかなり大きな熱応力が作用し、この熱応力によって、半導体チップが破壊されてしまうことがある。この傾向は、半導体装置に加わる熱サイクルの温度差が大きいほど顕著である。
【０００４】そこで、本発明の目的は、大きな熱応力が作用したとしても、素子破壊を防止することができ、半導体装置の長期的信頼性を向上させることができる半導体装置を提供することにある。」
　
　「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例について、図１ないし図４を参照しながら説明する。
まず、図１は、本実施例の半導体装置の概略構成を示す断面図である。この図１に示すように、本実施例の半導体装置１は、半導体チップ（発熱素子、半導体素子）２と、下側ヒートシンク（放熱板、第１の金属体）３と、上側ヒートシンク（放熱板、第２の金属体）４と、ヒートシンクブロック５（第３の金属体）とを備えて構成されている
【００１４】
この構成の場合、半導体チップ２の下面と下側ヒートシンク３の上面との間は、接合部材である例えば半田（接合層）６によって接合されている。そして、半導体チップ２の上面とヒートシンクブロック５の下面との間も、半田（接合層）６によって接合されている。更に、ヒートシンクブロック５の上面と上側ヒートシンク４の下面との間も、半田（接合層）６によって接合されている。
【００１５】
尚、上記半導体チップ２は、例えばＩＧＢＴやサイリスタ等のパワー半導体素子から構成されている。
【００１６】
上記半導体チップ２の形状は、本実施例の場合、図２（ａ）に示すように、例えば矩形状の薄板状である。また、下側ヒートシンク３、上側ヒートシンク４及びヒートシンクブロック５は、例えばＣｕやＡｌ等の熱伝導性及び電気伝導性の良い金属で構成されている。この構成の場合、下側ヒートシンク３及び上側ヒートシンク４は、半導体チップ２の各主電極（例えばコレクタ電極やエミッタ電極等）に半田６を介して電気的にも接続されている
【００１７】また、下側ヒートシンク３は、図２（ａ）に示すように、全体として例えばほぼ長方形状の板材であり、端子部３ａが後方へ向けて延びるように突設されている。また、ヒートシンクブロック５は、図２（ａ）に示すように、半導体チップ２よりも１回り小さい程度の大きさの矩形状の板材である。更に、上側ヒートシンク４は、図２（ｄ）に示すように、全体として例えばほぼ長方形状の板材で構成されており、端子部４ａが後方へ向けて延びるように突設されている。尚、下側ヒートシンク３の端子部３ａと、上側ヒートシンク４の端子部４ａは、互いの位置がずれるように、即ち、対向しないように構成されている。
【００１８】また、上記構成の場合、下側ヒートシンク３の上面と上側ヒートシンク４の下面との間の距離は、例えば１〜２ｍｍ程度になるように構成されている。図１及び図２においては、上記距離をかなり拡大して示している。
【００１９】更に、図１に示すように、一対のヒートシンク３、４の隙間、並びに、チップ２及びヒートシンクブロック５の周囲部分には、樹脂（例えばエポキシ樹脂）７が充填封止されている。この場合、ヒートシンク３、４等を樹脂７でモールドするに当たっては、上下型からなる成形型（図示しない）を使用している。尚、樹脂７とヒートシンク３、４との密着力、樹脂７と半導体チップ２との密着力、並びに、樹脂７とヒートシンクブロック５との密着力を強くするために、上記樹脂７をモールドする前に、コーティング樹脂である例えばポリアミド樹脂（図示しない）をヒートシンク３、４、ヒートシンクブロック５及びチップ２の表面に塗布しておくことが好ましい。」
　
（１−２）ここにおいて、引用例１の００１４段落には、「半導体チップ２の下面と下側ヒートシンク３の上面との間は、接合部材である例えば半田（接合層）６によって接合されている。そして、半導体チップ２の上面とヒートシンクブロック５の下面との間も、半田（接合層）６によって接合されている。更に、ヒートシンクブロック５の上面と上側ヒートシンク４の下面との間も、半田（接合層）６によって接合されている。」と記載されているが、便宜上、「半田６」のうち、「半導体チップ２の下面」と「下側ヒートシンク３の上面」との間に存在するもの、「半導体チップ２の上面」と「ヒートシンクブロック５の下面」との間に存在するもの、「ヒートシンクブロック５の上面」と「上側ヒートシンク４の下面」との間に存在するものを、各々「第１の半田６」、「第２の半田６」、「第３の半田６」と呼ぶこととすると、引用例１には、「半導体チップ２の下面と下側ヒートシンク３の上面との間」が「第１の半田６」によって接合され、「半導体チップ２の上面とヒートシンクブロック５の下面との間」が「第２の半田６」によって接合され、「ヒートシンクブロック５の上面と上側ヒートシンク４の下面との間」が「第３の半田６」によって接合されていることが記載されているものと認められる。
　
　さらに、引用例１の００１６段落の「この構成の場合、下側ヒートシンク３及び上側ヒートシンク４は、半導体チップ２の各主電極（例えばコレクタ電極やエミッタ電極等）に半田６を介して電気的にも接続されている。」という記載と合わせて解釈すれば、引用例１には、「半導体チップ２の下面」の「主電極」と「下側ヒートシンク３の上面との間」が「第１の半田６」によって接合され、「半導体チップ２の上面」の「主電極」と「ヒートシンクブロック５の下面との間」が「第２の半田６」によって接合され、「ヒートシンクブロック５の上面と上側ヒートシンク４の下面との間」が「第３の半田６」によって接合されていることが記載されているものと認められる。
　また、引用例１の請求項７の「半導体素子と、
この半導体素子の裏面に接合され電極と放熱を兼ねる第１の金属体と、前記半導体素子の表面側に接合され電極と放熱を兼ねる第２の金属体と、
この図１に示すように、本実施例の半導体装置１は、半導体チップ（発熱素子、半導体素子）２と、下側ヒートシンク（放熱板、第１の金属体）３と、上側ヒートシンク（放熱板、第２の金属体）４と、ヒートシンクブロック５（第３の金属体）とを備えて構成されている
　
　したがって、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「半導体チップ２の下面の主電極と下側ヒートシンク３の上面との間が第１の半田６によって接合され、前記半導体チップ２の上面の主電極とヒートシンクブロック５の下面との間が第２の半田６によって接合され、前記ヒートシンクブロック５の上面と上側ヒートシンク４の下面との間が第３の半田６によって接合されており、
　前記下側ヒートシンク３及び前記上側ヒートシンク４が電極と放熱を兼ねるものであり、
　装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置。」
　
（２）引用例２（特開平６−３４２８７６号公報）
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平６−３４２８７６号公報（以下「引用例２」という。）には、図２及び８とともに以下の記載がある。
　「【請求項２】  
半導体基板上に出力用半導体素子と該出力用半導体素子の温度を検出する温度検出用素子とを有する半導体装置であって、上記温度検出用素子は上記半導体基板上の中央部に設けられていることを特徴とする半導体装置
　
　「【請求項６】  
上記温度検出用素子は温度検出用ダイオードであることを特徴とする
　
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、出力用半導体素子の温度上昇による熱破壊を未然に防ぐ機能を備えた半導体装置に関し、特に、大電流を扱う出力用半導体素子を備えた高機能半導体装置に関する
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体基板上に形成された出力用半導体素子を熱破壊から保護する機能を備えた半導体装置としては、半導体基板の外部における出力用半導体素子の近傍にサーミスタからなる温度センサが付設され、該温度センサにより出力用半導体素子の温度を検出し、検出温度が一定の温度に上昇すると電流を遮断する構成のものが知られている
【０００３】しかしながら、上記の半導体装置においては、温度センサが半導体基板の外部に付設されているため、出力用半導体素子の温度と温度センサにより検出した温度との間に時間的なズレが生じるという問題及び出力用半導体素子の温度と温度センサによる検出温度との間の温度差にバラツキが生じるという問題がある。
【０００４】出力用半導体素子の温度と検出温度との間に時間的なズレが生じたり、出力用半導体素子の温度と検出温度との間の温度差にバラツキが生じたりすると、出力用半導体素子が熱破壊を起こす虞れがある危険温度に達しているにも拘らず温度センサが出力用半導体素子の危険温度到達を検知せず、該出力用半導体素子が破壊してしまうことがある。
【０００５】そこで、特開平３−２７６６３６号公報においては、図８に示すように、半導体基板６０上の一方側に出力用トランジスタ６１が形成され、半導体基板６０上の他方側に出力用トランジスタ６１の温度を検出する温度検出用抵抗体６２が設けられた半導体装置が提案されている。尚、図８において、６３は出力用トランジスタ６１のコレクタ領域、６４は出力用トランジスタ６１のベース領域、６５は出力用トランジスタ６１のエミッタ領域、６６は温度検出用抵抗体６２の抵抗体電極である。
【０００６】また、特開平１−２９０２４９号においては、半導体基板上の主要発熱部に温度検出用素子が設けられた半導体集積回路装置が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記２つの半導体装置においては、半導体基板上に温度検出用素子が設けられているため、出力用半導体素子の温度と温度検出用素子が検出する検出温度との間に時間的なズレが生じるという問題はほぼ解決する。
【０００８】
ところが、以下に説明するように、上記２つの半導体装置によると、出力用半導体素子が熱破壊を起こす虞れがある危険温度に達しているにも拘らず温度センサが出力用半導体素子の危険温度到達を検知せず、該出力用半導体素子が破壊してしまうという虞れが解消した訳ではない
【０００９】前者の半導体装置においては、半導体基板の一方側に出力用トランジスタが設けられ且つ半導体基板上の他方側に温度検出用抵抗体が設けられているため出力用トランジスタの温度と温度検出用抵抗体の検出温度との間に温度差が生じることは避けられない。出力用半導体素子の温度と検出温度との間に温度差が生じても、予め両温度間の相関関係を求めておけば出力用半導体素子が危険温度に達することを一応検知できる。しかしながら、半導体基板上における出力用半導体素子が設けられている部位と半導体基板上における温度検出用素子が温度を検出する部位とが離れているので、出力用半導体素子の実際の温度と温度検出用素子が検出する温度との間に温度差が生じる。出力用半導体素子の温度と温度検出用素子が検出する温度との間に温度差が存在する限り、この温度差にバラツキが生じることは避けられない。このため、前者の半導体装置においては、出力用半導体素子が危険温度に達しているにも拘らず、温度検出用素子が出力用半導体素子の危険温度到達を検出しないという現象が発生する。
【００１０】
後者の半導体集積回路装置においては、半導体基板上の主要発熱部が半導体装置における最も温度が高くなる部分であるとは限らない。すなわち、主要発熱部が半導体基板の中央部に形成されている場合には半導体基板上における主要発熱部は最も温度が高くなる部位になる。ところが、特開平１−２９０２４９号に示す半導体集積回路装置のように主要発熱部が半導体基板の側部に形成されている場合には、半導体基板の主要発熱部からは熱が発散しやすいが半導体基板の中央部においては熱が発散し難い。このため、出力用半導体素子が半導体基板の中央部又はその近傍に形成されている場合には、出力用半導体素子が危険温度に達しているにも拘らず、温度検出用素子が出力用半導体素子の危険温度到達を検出しないという現象が発生する
【００１１】
上記に鑑み、本発明は、温度検出素子が出力用半導体素子の危険温度到達を迅速且つ正確に検出できるようにすることを目的とする
　
　「【００４８】以下、本発明の第２実施例に係る半導体装置について説明する。
【００４９】図２は第２実施例に係る半導体装置２を示しており、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるII−II線の断面図である。なお、（ａ）の平面図においては図示の便宜上電極を省略して示している。
【００５０】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置２は、Ｎ型シリコン基板であるコレクタ領域２０と、該コレクタ領域２０上の中央部に形成されたリング状のベース領域２１と、該ベース領域２１上に形成されたＣ字状のエミッタ領域２２と、コレクタ領域２０上におけるベース領域２１及びエミッタ領域２２の内側の空き領域に形成された立方体のカソード領域２３と、該カソード領域２３上に形成された直方体状のアノード領域２４とを備えている
【００５１】コレクタ領域２０の下面にはコレクタ電極２５が設けられ、ベース領域２１の上面にはベース電極２６が設けられ、エミッタ領域２２の上面にはエミッタ電極２７が設けられ、カソード領域２３の上面にはカソード電極２８が設けられ、アノード領域２４の上面にはアノード電極２９が設けられている。
【００５２】
コレクタ領域２０とベース領域２１とエミッタ領域２２とによって出力用半導体素子としての出力用トランジスタ２Ａが構成されており、カソード領域２３とアノード領域２４とによって温度検出用素子としての温度検出用ダイオード２Ｂが構成されている。以上説明したように、温度検出用ダイオード２Ｂはコレクタ領域２０を構成するＮ型シリコン基板の中央部に設けられており、出力用トランジスタ２Ａは温度検出用ダイオード２Ｂを包囲するように設けられている
　
　「【００５７】以下、第２実施例に係る半導体装置２における温度検出用ダイオード２Ｂによる出力用トランジスタ２Ａの温度の検出方法について説明する。
【００５８】温度検出用ダイオード２Ｂのカソード電極２８とアノード電極２９との間に約１Ｖの電圧を印加し、出力用トランジスタ２Ａを４０Ｗ（電圧２０Ｖ，電流２Ａ、デューティ５０％）で動作させて、温度検出用ダイオード２Ｂのカソード領域２３とアノード領域２４とのＰＮ接合部における順方向電圧降下：ＶＦを測定したところ、該順方向電圧降下：ＶＦは３４０ｍＶであった。また、出力用トランジスタ２Ａを６０Ｗ（電圧２０Ｖ，電流３Ａ、デューティ５０％）で動作させて温度検出用ダイオード２Ｂの上記ＰＮ接合部における順方向電圧降下：ＶＦを測定したところ、該順方向電圧降下：ＶＦは４６０ｍＶであった。
【００５９】一方、動作している出力用トランジスタ２Ａの定常状態における温度を熱電対を用いて実測したところ、４０Ｗ、６０Ｗで動作している出力用トランジスタ２Ａの温度はそれぞれ１７０℃、２３０℃であった。
【００６０】温度検出用ダイオード２Ｂの上記ＰＮ接合部における順方向電圧降下：ＶＦは、温度検出用ダイオード２Ｂのカソード電極２８とアノード電極２９との間の電圧値の差であり、該電圧値の差は温度によって変化する。
【００６１】
出力用トランジスタ２Ａの温度と温度検出用ダイオード２Ｂの順方向電圧降下：Ｖ
Ｆ
との相関関係を明確にすることにより、温度検出用ダイオード２Ｂの上記ＰＮ接合部における順方向電圧降下：Ｖ
Ｆ
に対して出力用トランジスタ２Ａの温度を対応づけることができる。従って、温度検出用ダイオード２Ｂのカソード領域２３とアノード領域２４とのＰＮ接合部における順方向電圧降下：Ｖ
Ｆ
を測定することにより出力用トランジスタ２Ａの温度を容易に検出することができる
【００６２】
第２実施例に係る半導体装置２においても、温度検出用ダイオード２Ｂは出力用トランジスタ２Ａ内に形成されているため、出力用トランジスタ２Ａと温度検出用ダイオード２Ｂとの間の位置ズレに起因する検出温度のバラツキを解消することができると共に、出力用トランジスタ２Ａと温度検出用ダイオード２Ｂとの間の離隔距離に起因する出力用トランジスタ２Ａの温度と検出温度との時間的なズレを解消することができる
【００６３】
従って、第２実施例に係る半導体装置２によると、出力用トランジスタ２Ａの温度を検出する際の正確性及び迅速性が向上する
　
　「【０１０１】
請求項２の発明に係る半導体装置によると、出力用半導体素子の温度を検出する温度検出用素子が半導体基板上の中央部に設けられているため、温度検出用素子は熱が籠るため温度が高くなる半導体基板中央部の温度を検出することができるので、温度検出用素子は出力用半導体素子の危険温度到達を正確に検出することができる
　
４．本願発明と引用発明との対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体チップ２」、「半導体チップ２の下面」、「半導体チップ２の上面」、「下側ヒートシンク３」、「ヒートシンクブロック５」、「上側ヒートシンク４」、「第１の半田６」、「第２の半田６」、「第３の半田６」は、各々「半導体素子（１０）」、「半導体素子（１０）の主裏面」、「半導体素子（１０）の主表面」、「第１の金属体（２０）」、「第２の金属体（４０）」、「第３の金属体（３０）」、「第１の導電性接合部材（５１）」、「第２の導電性接合部材（５２）」、「第３の導電性接合部材（５３）」に相当する。
　
（２）引用発明において、「半導体チップ２」が、その「下面」及び「上面」に各々「主電極」を有していることは明らかであるから、引用発明の「半導体チップ２」は、本願発明のように「主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有する」ものである。
　
　また、引用発明の「下側ヒートシンク３」は、「半導体チップ２の下面の主電極」に「第１の半田６」を介して「接合され」ており、かつ、当該「下側ヒートシンク３」は「電極と放熱を兼ねるものであ」るから、引用発明の「下側ヒートシンク３」は、本願発明の「第１の金属体（２０）」と同様に、「前記半導体素子（１０）の主裏面の主電極に第１の導電性接合部材（５１）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる」ものであると認められる。
　
　また、引用発明の「ヒートシンクブロック５」は、「前記半導体チップ２の上面の主電極」に「第２の半田６」を介して「接合され」ているから、引用発明の「ヒートシンクブロック５」は、本願発明の「第２の金属体（４０）」と同様に、「前記半導体素子（１０）の主表面の主電極に第２の導電性接合部材（５２）を介して接合された」ものであると認められる。
　
　また、引用発明の「上側ヒートシンク４」は、「ヒートシンクブロック５」における「半導体チップ２」側の面とは反対側の面である「上面」に「第３の半田６」を介して「接合されており、」かつ、当該「上側ヒートシンク４」は「電極と放熱を兼ねるものであ」るから、引用発明の「上側ヒートシンク４」は、本願発明の「第３の金属体（３０）」と同様に、「前記第２の金属体（４０）における前記半導体素子（１０）側の面とは反対側の面に第３の導電性接合部材（５３）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる」ものであると認められる。
　
　さらに、引用発明の「装置のほぼ全体を樹脂でモールドした」構成が本願発明の「装置のほぼ全体が樹脂（８０）でモールドされてなる」構成に相当することは当業者にとって自明である。
　
（３）以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　「主表面および主裏面にそれぞれ主電極を有する半導体素子（１０）と、
　前記半導体素子（１０）の主裏面の主電極に第１の導電性接合部材（５１）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第１の金属体（２０）と、
　前記半導体素子（１０）の主表面の主電極に第２の導電性接合部材（５２）を介して接合された第２の金属体（４０）と、
　前記第２の金属体（４０）における前記半導体素子（１０）側の面とは反対側の面に第３の導電性接合部材（５３）を介して接合され、電極と放熱体とを兼ねる第３の金属体（３０）と、を備え、
　装置のほぼ全体が樹脂（８０）でモールドされてなる半導体装置。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　本願発明は、「半導体素子（１０）」が「主表面側に温度検出用の温度センスダイオード（１１）を有する」ものであり、かつ、「前記温度センスダイオード（１１）は、前記半導体素子（１０）の主表面の中央部に配置されている」のに対して、引用発明はそのような構成を備えていない点。
　
５．相違点についての当審の判断
（１）引用例２の「本発明は、出力用半導体素子の温度上昇による熱破壊を未然に防ぐ機能を備えた半導体装置に関し、特に、
大電流を扱う出力用半導体素子を備えた高機能半導体装置に関する
従来より、半導体基板上に形成された出力用半導体素子を熱破壊から保護する機能を備えた半導体装置としては、
温度センサが付設され、
本発明は、温度検出素子が出力用半導体素子の危険温度到達を迅速且つ正確に検出できるようにすることを目的とする
上記温度検出用素子は上記半導体基板上の中央部に設けられている
コレクタ領域２０とベース領域２１とエミッタ領域２２とによって出力用半導体素子としての出力用トランジスタ２Ａが構成されており、カソード領域２３とアノード領域２４とによって温度検出用素子としての温度検出用ダイオード２Ｂが構成されている。以上説明したように、温度検出用ダイオード２Ｂはコレクタ領域２０を構成するＮ型シリコン基板の中央部に設けられており、出力用トランジスタ２Ａは温度検出用ダイオード２Ｂを包囲するように設けられている
出力用半導体素子の温度を検出する温度検出用素子が半導体基板上の中央部に設けられているため、温度検出用素子は熱が籠るため温度が高くなる半導体基板中央部の温度を検出することができるので、温度検出用素子は出力用半導体素子の危険温度到達を正確に検出することができる
　
（２）一方、引用発明についてみると、引用例１に「本発明は、発熱素子と、この発熱素子の両面に接合された一対の放熱板とを備えて成る半導体装置に関する。」（０００１段落）、及び「例えば高耐圧・大電流用の半導体チップ（発熱素子）は、使用時の発熱が大きいため、チップからの放熱性を向上させるための構成が必要になる。」（０００２段落）と記載されているとおり、引用発明における「半導体チップ２」は、「高耐圧・大電流用」であって、発熱を伴うものであることが明らかであり、また、通常そのような素子は、出力段に用いること、すなわち出力用半導体素子として用いるものであることは当業者における技術常識である。
　そして、引用例２に、「従来より、半導体基板上に形成された出力用半導体素子を熱破壊から保護する機能を備えた半導体装置としては、・・・温度センサが付設され、該温度センサにより出力用半導体素子の温度を検出し、検出温度が一定の温度に上昇すると電流を遮断する構成のものが知られている。」（０００２段落）と記載されているように、出力用半導体素子において、熱破壊から保護するために温度センサを付設することは、半導体分野において従来から行われてきた周知技術であり、かつ、温度センサとして半導体チップの上面に設けたダイオードを用いることも、例えば引用例２の「コレクタ領域２０とベース領域２１とエミッタ領域２２とによって出力用半導体素子としての出力用トランジスタ２Ａが構成されており、カソード領域２３とアノード領域２４とによって温度検出用素子としての温度検出用ダイオード２Ｂが構成されている。」（００５２段落）にも記載されているとおり、当業者における周知技術であるから、引用発明において、「半導体チップ２」の上面に設けたダイオードを用いること、すなわち本願発明のように、「半導体素子（１０）」が「主表面側に温度検出用の温度センスダイオード（１１）を有する」構成とすることは当業者が適宜なし得たことである。
　
　ところで、引用発明において、熱破壊から保護するための温度センスダイオードを付設するに当たり、なるべく迅速かつ正確に「半導体チップ２」が熱破壊を起こすおそれがある危険温度に到達したことを検出できるようにすることは、当業者であれば当然に試みる事項であるが、一般に、大電力用の発熱を伴う素子が形成された半導体チップにおいて、中央部の温度が最も高くなることは、例えば、引用例２に「温度検出用素子は熱が籠るため温度が高くなる半導体基板中央部の温度を検出することができるので・・・」（０１０１段落）と記載されているように半導体分野における技術常識であるから、引用発明においても引用例２に記載された半導体装置と同様に、「半導体チップ２」の中央部の温度が最も高くなること、換言すれば、中央部が最も危険温度に到達しやすいことは当業者であれば容易に察知し得た事項である。
　したがって、引用例１及び２に接した当業者であれば、引用発明において、本願発明のように、「半導体素子（１０）」が「主表面側に温度検出用の温度センスダイオード（１１）を有する」構成とするに際して、できるだけ迅速かつ正確に「半導体チップ２」の危険温度到達を検出できるように、最も温度が高くなる「半導体チップ２」の中央部に温度センスダイオードを付設すること、すなわち、本願発明のように、「前記温度センスダイオード（１１）は、前記半導体素子（１０）の主表面の中央部に配置されている」構成とすることは、容易に想到し得たことである。
　
（３）なお、これに関連して、審判請求人は審判請求書の「請求の理由」のＩＩＩ．（２）において、「しかしながら、本願発明の上記した前提となる構成の半導体装置の場合、半導体素子の主裏面、主表面の主電極に導電性接合部材を介して金属体がそれぞれ接合されているので、半導体素子の主表面での温度分布は良好なものとなっており、引用文献２、３に記載のもののように、放熱素子の中央に温度センスダイオードを配置して精度よく温度を検出できるとする必要性は何ら存在しない。逆に、温度センスダイオードからの引き出し配線を短くし、その配線に乗るノイズを低減するようにするためには、本願の図４に示すように、温度センスダイオードを半導体素子の外周部に配置するのが通常である。　したがって、引用文献１に接した当業者が引用文献２、３に記載の技術を考慮したとしても、本願の図４に示すように、温度センスダイオードを半導体素子の外周部に配置するものが想定されるにすぎない。」と主張している。
　
　しかしながら、放熱部材を設けた半導体チップであっても、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１０−２０９３５０号公報の「このステム４の上部にパワーＭＯＳ−ＦＥＴチップ１も同じくハンダ付け（図１の５に示す。）される。また、この状態でパワーＭＯＳ−ＦＥＴチップ１の中央部直下に過熱検出回路チップ２の過熱検出素子が位置するようになるのが望ましい。なぜなら、パワーＭＯＳ−ＦＥＴチップ１の最も温度上昇の激しい中央部の温度を検出することができるからである。」（００１０段落）（ここにおいて、「ステム４」が放熱部材として機能することは明らかである。）という記載からも明らかなように、程度の差こそあれ、半導体チップの中央部が最も高温になるものと認められるから、引用発明においても、温度の検出に正確を期するために、「半導体チップ２」の中央部に温度センスダイオードを付設することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　更に言えば、本願発明や引用発明においては、半導体チップの両面に設けられた主電極が半田を介して放熱部材（本願発明の「第１の金属体（２０）」及び「第３の金属体（３０）」、並びに引用発明の「下側ヒートシンク３」及び「上側ヒートシンク４」）に接続される構造となっているが、主電極の大きさや配置等について何ら特定がなされていないから、例えば、チップ全体の面積に比べて主電極の面積が小さいものや、主電極がチップの端部寄りに存在するもの等も発明の範囲に含まれるものと認められるが、そのような場合には、半導体チップ内の温度分布に相当程度の偏りが生じ、その中央部の温度が顕著に高くなることは明白であり、「本願発明の上記した前提となる構成の半導体装置の場合・・・放熱素子の中央に温度センスダイオードを配置して精度よく温度を検出できるとする必要性は何ら存在しない。」という審判請求人の主張は、その前提を欠くものである。
　
　したがって、審判請求人の主張は採用できず、引用発明において、「半導体チップ２」の上面中央部に温度センスダイオードを付設することは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　以上、検討したとおり、本願発明は、当業者における周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　本願は、請求項１に係る発明が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。