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　平成　７年特許願第３０４７２８号「埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　８月３０日出願公開、特開平　８−２２２８０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年１１月２２日（パリ条約による優先権主張１９９４年１１月２８日、米国）の出願であって、原審において、平成１７年７月２５日付で最初の拒絶理由が通知され、これに対し、同年１１月２日付で手続補正がなされたが、同年１２月８日付で再び拒絶理由が通知され、当該拒絶理由に基づいて平成１８年４月５日付で拒絶査定がなされたところ、これに対し、同年７月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月９日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年８月９日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月９日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
　本件補正は、特許請求の範囲について、補正前には「埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法」（請求項１）に係る単一の請求項のみが記載されていたものを、「埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法」（請求項１）と「屈折率ガイド型レーザ構造」（請求項２）に係る二つの請求項が記載されたものに補正しようとするものであるから、請求項の削除（特許法第１７条の２第４項第１号）、特許請求の範囲の減縮（同第２号）、誤記の訂正（同第３号）、明りょうでない記載の釈明（同第４号）のいずれをも目的とするものではない。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　平成１８年８月９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年１１月２日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】 埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法であって、
　（ａ）ＩＩＩＶ結晶基板上に、下部クラッド層、下部クラッド層上の活性層、及び上部クラッド層から成る半導体材料からなる複数の層を含む構造を提供し、前記上部クラッド層がエッチストップ層を含むステップと、
　（ｂ）前記エッチストップ層をエッチングストッパーとして用いて、前記構造をエッチングしメサを形成するステップと、
　（ｃ）前記メサの頂部及び側面上に第１のＳｉＮ層を提供するステップと、
　（ｄ）前記構造の表面全体にシリコン層を提供するステップと、
　（ｅ）前記構造の表面全体に第２のＳｉＮ層を提供するステップと、
　（ｆ）無秩序化されない領域の両側で活性層の下のレベルまで延出した両側に並んだ無秩序領域を形成するために、前記構造の複数の領域を無秩序化し、該両側に並んだ無秩序領域が無秩序化されない領域の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記無秩序領域が前記メサ領域まで延出しているステップと、
　を含む埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法。」
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願優先日前に頒布された刊行物である特開平６−９７５８９号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　
　ア．「【０００９】
【作用】本発明によれば、第２導電型クラッド層の一部を化学的エッチングにより除去してメサストライプを形成し、このメサストライプ底部からシリコンを拡散して量子井戸構造を含む活性層を無秩序化するため、拡散に要する熱処理時間を大幅に短縮させることができる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面とともに説明する。図１は本実施例の半導体レーザアレイ素子の斜視図、図２、図３はその製造方法を説明するための工程断面図、図４は得られた半導体レーザアレイ素子のシリコン拡散領域の拡大図である。
【００１１】まず図２（ａ）に示すようにｎ−ＧａＡｓ基板１（ｎ＝２×１０18ｃｍ-3、厚さ３５０μｍ）上にｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２（ｎ＝２×１０18ｃｍ-3、ｘ＝０．５、厚さ１．０μｍ）、アンドープＡｌyＧａ1-yＡｓ光閉じ込め層３（ｙ＝０．３、厚さ０．１μｍ）、アンドープＡｌzＧａ1-zＡｓ量子井戸層４（ｚ＝０．１、厚さ１００Å、）、アンドープＡｌyＧａ1-yＡｓ光閉じ込め層５（ｙ＝０．３、厚さ０．１μｍ）、ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６（ｐ＝１×１０18ｃｍ-3、ｘ＝０．５、厚さ１．０μｍ）、ｐ−ＧａＡｓキャップ層７（ｐ＝１×１０19ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）をＭＯＣＶＤ装置により順次エピタキシャル成長する（上記ｘ，ｙ，ｚは基本的にダブルヘテロ構造を構成するための条件であり、１≧ｘ＞ｙ＞ｚである。）。
【００１２】次に図２（ｂ）に示すようにレーザ基板上にフォトリソグラフィによって幅５μｍのストライプ状のフォトレジスト８を間隔１０μｍで形成し、これをマスクとしてＨ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：８：１００なる組成のエッチャントによりｐ−ＧａＡｓキャップ層７並びにｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６の一部をエッチング除去してメサストライプ９を形成する。エッチングの深さは後に述べるシリコン拡散の時間を短縮することに大きく影響するのでメサストライプ９の底部から量子井戸層４までの距離が０．１μｍ程度になるように時間で制御する。
【００１３】つづいて図２（ｃ）に示すように電子ビーム蒸着装置を使って拡散源のシリコン１０（厚さ１００Å）を蒸着する。この時シリコン１０はメサストライプ９の底部とともに、メサストライプ９を形成後にメサストライプ９の頭部に残っているフォトレジスト８上にも蒸着されるが、これはレジストはく離液によってリフトオフする。
【００１４】つづいて図３（ａ）に示すようにＲＦスパッタリングによって拡散保護膜のＳｉＮｘ層１１（厚さ０．１μｍ）を堆積し、ヒ素粒１０ｍｇとともに石英アンプル内に封入（真空度６×１０-6Ｔｏｒｒ）し、８５０℃／２０分間の熱処理を行う。これにより、メサストライプ９の底部を中心にシリコン１０が拡散して拡散領域１２を形成し、この領域の量子井戸層４は無秩序化される。前記従来技術がの無秩序化領域を形成するための熱処理時間が１０時間であったのに対して、本実施例では、それが２０分で良い。すなわち、本実施例ではｐ−ＧａＡｓキャップ層７並びにｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６の一部を除去してメサストライプ９を形成した後、このメサストライプ９の底部からシリコンを拡散して量子井戸層４を含む活性層を無秩序化するための拡散を要する熱処理時間を短縮させることができる。」
　イ．「【００１６】次に得られた半導体レーザアレイ素子の動作について図１の部分拡大図である図４により説明する。図４においてｐ側電極１４に注入された電流は電流ブロック層１１によって狭くされ、ｐ−ＧａＡｓキャップ層７を通ってｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６に流れ込む。ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６と拡散領域１２の境界面にはｐｎ接合１６が生じ、このｐｎ接合１６は無秩序化していない活性領域１８（図１の活性領域１８ａ、１８ｂ）に存在するｐｎ接合１７に比べ高いターンオン電圧を有しているから、注入された電流の大部分は活性領域１８に存在するｐｎ接合１７の方へ流れる。さらに無秩序化された拡散領域１２はＡｌ組成比が元の値よりも増加するため屈折率が低下し、従って無秩序化されていない活性領域１８は相対的に高い屈折率を有することになり、光導波性が高められる。こうして、結局拡散領域１２によって挟まれた活性領域１８においてリーク電流が小さく低しきい値電流かつ高効率のレーザ発振が得られる。ｐ側電極１４ｂに電流を注入した場合も同様の結果が得られる。」
が記載されている。
　
　また、【図４】からは、以下の事項が見てとれる。
　ウ．「無秩序化されない領域の両側で活性領域１８の下のレベルまで延出した両側に拡散領域１２が並んで形成されているとともに、この拡散領域１２とｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６との境界面であるｐｎ接合１６がメサストライプ領域まで延出しており、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２とｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６とに挟まれた活性領域１８が拡散領域１２中に埋め込まれた構造となっている。」
　
　これらア〜ウの記載によれば、引用例１には、
「ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザアレイ素子の製造方法であって、
　（あ）ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２、アンドープＡｌyＧａ1-yＡｓ光閉じ込め層３とアンドープＡｌyＧａ1-yＡｓ光閉じ込め層５とに挟まれたアンドープＡｌzＧａ1-zＡｓ量子井戸層４、ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６、ｐ−ＧａＡｓキャップ層７の各層を含む構造を形成するステップと、
　（い）フォトレジスト８をマスクとして、前記構造をエッチングしメサストライプ９を形成するステップと、
　（う）メサストライプ９の底部及びメサストライプ９の頭部に残っているフォトレジスト８上にシリコン１０を蒸着するステップと、
　（え）フォトレジスト８をレジストはく離液によってリフトオフするステップと、
　（お）前記構造の表面全体にＳｉＮｘ層１１を堆積するステップと、
　（か）無秩序化されない領域の両側で活性領域１８の下のレベルまで延出した両側に並んだ拡散領域１２を形成するために、前記構造の複数の領域を無秩序化し、該両側に並んだ拡散領域１２が無秩序化されない活性領域１８の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記拡散領域１２がメサストライプ領域まで延出しているように形成するステップと、
　を含むダブルヘテロ構造を有する半導体レーザアレイ素子の製造方法。」
との発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　同じく、米国特許第４８２４７９８号明細書（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、
　エ．「ここで、本発明の薄膜二層複合材源１０が示されている第１図を参照する。二層複合材源１０は、半導体構造１２上に堆積されている。構造１２は、 III−Ｖ族化合物または III−Ｖ族組成成分（たとえばＧａ，Ａｓ，および／またはＡｌ）からなる合金であってもよいし、一つまたはそれ以上のIII−Ｖ族層の連続体であってもよいし、例えばＧａＡｓのようなIII−Ｖ族の基板であってもよい。源１０は、好ましい堆積された特徴を持つ、拡散を可能にする成分が多量にドープされた不純物源層１４とキャップ保護膜１６とからなる二つの堆積された層で構成される。不純物源１４は、例えば、Ａｓ，ＰまたはＳｂを多量にドープしたＳｉまたはＧｅであり、保護層１６は、Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，ＡｌＮまたはＳｉＯxＮyからなっていてもよい。」（第４欄第１１〜２５行の翻訳。）
　オ．「二層拡散源１０は、半導体構造中への不純物拡散の選択的パターニングを提供するために、マスキング技術と組み合わせて適用されてもよい。そのようなパターン化された拡散源１０が第２図に描かれている。源１０の堆積の前に、Ｓｉ3Ｎ4のマスキング層２０が半導体構造１２の表面に堆積される。層２０は、キャップ層１６に関して前に説明したのと同じやり方で堆積される。その堆積の後、構造１２は、ＭＯ−ＣＶＤ反応器から取り出され、構造１２の表面を露出するようにＳｉ3Ｎ4薄膜２０の一部分を取り除くことにより、パターン２２を形成するために、当該技術分野において知られた技術を用いて、層２０に選択的エッチが前もって形成される。次に、源１０が第１図に関して前に説明したようなやり方で堆積され、８２５℃というような高温でアニーリングされて、Ｓｉ拡散プロファイル２４が構造１２中に形成される。」（第６欄第３１〜４７行の翻訳。）
　カ．「第４図において、半導体構造３０は、ヘテロ構造半導体レーザの形成に適用してもよい。」（第７欄第５〜７行の翻訳）
が記載されている。
　
　また、第２図からは下記の事項が見てとれる。
　キ．「半導体構造１２の上には、パターン２２を有するマスキング層２０、不純物源１４、キャップ層１６が順に積層されている。」
　
　（３）対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを比較する。
　ａ．引用例１発明の「ｎ−ＧａＡｓ基板１」、「ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２」、「アンドープＡｌyＧａ1-yＡｓ光閉じ込め層３とアンドープＡｌyＧａ1-yＡｓ光閉じ込め層５とに挟まれたアンドープＡｌzＧａ1-zＡｓ量子井戸層４」、「ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６」、「各層を含む構造」、「メサストライプ９」、「ＳｉＮｘ層１１」、「活性領域１８」、「拡散領域１２」は、本願発明の「ＩＩＩＶ結晶基板（当審註：「 III−Ｖ族結晶基板」の誤記）」、「下部クラッド層」、「下部クラッド層上の活性層」、「上部クラッド層」、「半導体材料からなる複数の層を含む構造」、「メサ」、「ＳｉＮ層」、「活性層」、「無秩序領域」に相当し、
　ｂ．引用例１発明の「ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザアレイ素子」は、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２とｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層６とに挟まれた活性領域１８が拡散領域１２中に埋め込まれた構造となっているものであるから（前記ウの摘記事項を参照。）、本願発明の「埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザ」に相当するので、
　両発明は、
「 埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法であって、
　（ａ’）III −Ｖ族結晶基板上に、下部クラッド層、下部クラッド層上の活性層、及び上部クラッド層から成る半導体材料からなる複数の層を含む構造を提供するステップと、
　（ｂ’）前記構造をエッチングしメサを形成するステップと、
　（ｄ’）前記構造の表面にシリコン層を提供するステップと、
　（ｅ）前記構造の表面全体にＳｉＮ層を提供するステップと、
　（ｆ）無秩序化されない領域の両側で活性層の下のレベルまで延出した両側に並んだ無秩序領域を形成するために、前記構造の複数の領域を無秩序化し、該両側に並んだ無秩序領域が無秩序化されない領域の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記無秩序領域が前記メサ領域まで延出しているように形成するステップと、
　を含む埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法。」
の点で一致し，以下の点で相違している。
　
　［相違点１］本願発明においては、「上部クラッド層がエッチストップ層を含む」ものであって、「エッチストップ層をエッチングストッパーとして用いて、前記構造をエッチングしメサを形成する」のに対し、引用例１発明においては、エッチストップ層を設けずに、フォトレジスト８をマスクとして用いて、前記構造をエッチングしメサストライプ９を形成する点。
　
　［相違点２］本願発明においては、「（ｃ）前記メサの頂部及び側面上に第１のＳｉＮ層を提供するステップ」を有するとともに、前記構造の表面全体にシリコン層を提供するようにしているのに対し、引用例１発明においては、当該ステップを有しておらず、前記構造の表面の全体にはシリコン層を提供していない点。
　
　（４）判断
　［相違点１］について
　半導体レーザのメサをエッチングにより形成する技術において、上部クラッド層中にエッチストップ層を設けることは周知技術である（例えば、原審の拒絶理由で例示された特開平６−３２６４１９号公報、その他、特開平６−１３２６０３号公報等を参照。）から、引用例１発明において、当該周知の事項を適用して、フォトレジストをマスクとしたエッチングに代えて、上部クラッド層中にエッチストップ層を設けてエッチングを行うようにすることは、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　［相違点２］について
　引用例２には、半導体構造にパターニングされたシリコン拡散プロファイルを形成するために、まず、半導体構造表面のシリコンの進入口とはしない部分にＳｉ3Ｎ4のマスキング層を堆積し、その上の表面全体にＳｉ拡散源層を堆積し、さらにその上にＳｉ3Ｎ4のキャップ層を堆積して、アニーリングによる不純物の拡散を行う技術が記載されており（摘記事項エ、オ、キを参照。）、しかも、当該技術をヘテロ構造半導体レーザの製造に適用することが示唆されているから（摘記事項カを参照。）、引用例１発明において、所望の領域にシリコンを拡散して無秩序領域を形成するために、引用例２に記載された当該技術を適用して、シリコンの進入口とはしないメサの頂部及び側面上にＳｉＮ層をマスキング層として堆積した後に構造の表面全体にシリコンを積層して、シリコンの拡散を行うようにすることは、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　よって、本願発明は、引用例１，２に記載された発明および前記周知技術に基づいて、当業者が容易に想到することができたものである。
　また、本願発明の作用効果も、引用例１，２に記載された発明および前記周知技術から、当業者が予測できる範囲のものにすぎない。
　
　（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明および前記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。