【事件の表示】
　特願２００３−３４８７４０号「半田付け端子の表面の処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年５月２７日出願公開、特開２００４−１５２７５０号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１５年１０月７日（優先権主張平成１４年１０月１０日）の出願であって、平成２０年５月９日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年５月２０日）、これに対し、同年６月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年７月２２日付けで手続補正がなされたものである。  
 　 
第２．平成２０年７月２２日付け手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２０年７月２２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 　 　  
［理由］  
１．本件補正について
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、本件補正前に
「端子部と接点部とを設けて形成され、表面に金メッキを施した半田付け端子の表面の処理方法において、端子部と接点部との間の部分の２面を、１方向に進む１本のレーザーによって同時に照射できる方向、且つ端子部と接点部との間のレーザー照射部以外の部分へのレーザーの照射を最小限に抑える方向に半田付け端子を設置してレーザーを２面照射し、この２面照射を端子部と接点部との間の部分の全周に行うことによって、この部分の金メッキを剥離して除去し、レーザー照射は、端子部から接点部への半田上がりを防止可能な幅より広いスポット径を有する波長１１００ｎｍ以下のレーザーを一方向にずらしながら一列に照射してナゲットを形成し、隣り合うナゲットは互いに重複する部分を形成して、該重複した部分の半田上がり方向の幅は半田上がりを防止可能な幅より広いことを特徴とする半田付け端子の表面の処理方法。」
とあったものを
「端子部と接点部とを設けて形成され、表面に金メッキを施した半田付け端子の表面の処理方法において、端子部と接点部との間の部分の２面を、１方向に進む１本のレーザーによって同時に照射できる方向、且つ端子部と接点部との間のレーザー照射部以外の部分へのレーザーの照射を最小限に抑える方向に半田付け端子を設置してレーザーを２面照射し、この２面照射を端子部と接点部との間の部分の全周に行うことによって、この部分の金メッキを剥離して除去し、レーザー照射は、端子部から接点部への半田上がりを防止可能な幅より広いスポット径を有する波長１１００ｎｍ以下のレーザーを一方向にずらしながら一列に照射してナゲットを形成し、隣り合うナゲットは互いに重複する部分を形成して、該重複した部分の半田上がり方向の幅は
０．１３ｍｍ以上である
　
　次に、上記補正について検討する。
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、ナゲットの重複した部分の半田上がり方向の幅について、本件補正前に「半田上がりを防止可能な幅より広い」とあったものを「
０．１３ｍｍ以上である
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。
　
２．刊行物に記載された発明
(1)原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００２−２０３６２７号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。  
a)「【請求項１】 
 鑞接される端子部および接触部を持ったコンタクト
上記コンタクトは、溶接鑞剤に対する低濡れ性表面を持った素材と、上記素材のその表面上に形成され溶接鑞剤に対する高濡れ性を持った物質で構成された仕上げメッキ層と、端子部の高濡れ性仕上げメッキ層の一部領域を選択的に取り除いて設定された上記素材の低濡れ性表面の露出された領域とを具え、
上記素材のこの低濡れ性表面の露出された領域を、溶接鑞剤の這い上がり阻止領域として使用することを特徴とする。」（【特許請求の範囲】）
b)「【発明が解決しようとする課題】図１及び２に示された従来例では、形成された酸化物被膜は、その処理が行なわれているか否かを、目視により確認することができないという欠点がある。図３に示された従来例では、メッキ領域の形成位置の精度が低く、安定した加工を行うことは困難であり、微細なコンタクトの場合に量産性に乏しくなる。また形成された酸化物被膜を目視により確認することはできない。図４に示された従来例では、溶接鑞剤３の量が不足する。このように、図１〜４に示された従来例において、溶接鑞剤３の這い上がり問題が解消されていないことを説明した。
【課題を解決するための手段】この発明は、上述の溶接鑞剤の這い上がり問題を解消した電子部品およびその新規な製法を提供するものである。本願発明の一つの観点として、コンタクト１１の素材に端子部と接触部とを形成しかつ溶接鑞剤３に対する低濡れ性表面を持たせ、その表面上に溶接鑞剤３に対する高濡れ性物質で構成した仕上げメッキ層を形成し、溶融した鑞剤が這い上がってくる端子部１１１の高濡れ性仕上げメッキ層の一部を選択的に取り除いて素材の低濡れ性表面の露出部１１４を形成し、この露出部を溶融した鑞剤の這い上がりを阻止する阻止部として働かせるように構成した改良したコンタクト１１を得て、この改良したコンタクト１１を用いて基板に鑞接して電子部品１０を構成する。」（段落【0009】、【0010】）
c)「図１０に本願発明の他の実施例を示す。この実施例は、図３に示した従来例のコンタクトを改良したものである。（図１０（ａ））この実施例においても、他の図面に示したものと同一物は同一符号を付す。この従来例が前述した如く、メッキ技術を用いて、ニッケルメッキ層の下地層１１Ａを
コンタクト１１
接触部１１２側には接触用の金メッキ部１１２Ａと、端子部１１１側には鑞付け用の金メッキ部１１１Ａを形成する
　次いで、図１０（ｃ）に示す如く、
端子部側の金メッキ部１１１Ａの接触部に近い領域にレーザ加工技術を適用して、帯状に端子部表面を一周するように金メッキ部１１１Ａを除去して下地層１１Ａを露出させ低濡れ性露出部１１４を形成する
溶接鑞剤３
鑞剤３
這い上がりが阻止
　なお、低濡れ性露出部１１４の形成位置は、端子部側金メッキ部１１１Ａと接触部側金メッキ部１１２Ａの接合領域に形成しても、或いは、接触部側金メッキ部１１２Ａの端子部に近い領域に形成しても良い。
【発明の効果】この発明によれば、電子部品のコンタクトにおいて、その溶接鑞剤に対する高い濡れ性の表面層を選択的に一部除去し、低濡れ性の表面を持った下地メッキ層或いは素地を露出させることにより、低濡れ性表面の露出部１１４を形成し、溶接鑞剤の這い上がりをその箇所で阻止することができる。なお、これまで素材は低濡れ性表面を有するものと言う説明において、下地メッキ層は別体として説明してきたが、下地メッキ層が素材と一体となったものを以って素材と考えることもできる。この考えによれば、下地メッキ層の表面が、素材の表面と定義できる。
　この低濡れ性表面の露出部の形成位置精度および幅精度についても、下地メッキおよび仕上げメッキ加工精度に影響を受けず、コンタクトの基準寸法から適正な低濡れ性露出部形成位置を直接に測定設定し、そこに先の加工技術を適用することにより、高濡れ性皮膜の除去位置および範囲を高精度で加工して低濡れ性露出部を得ることができる。また、メッキ、塗布の如く液体による加工技術と比較して、高濡れ性皮膜の除去の如く固体を取り扱う加工技術はその位置精度および、範囲の精度を高める上において好適な技術であり、量産性を向上することができる。更に、除去形成した低濡れ性露出部の位置および範囲を目視で容易に確認することができるので、寸法管理も容易に実施することができ、量産性が向上する。」（段落【0030】〜【0034】）
d)上記摘記事項cおよび【図10】の記載によると、コンタクト１１の中間部分に所定の幅を有する低濡れ性露出部１１４が位置することが示されている。
　
　上記aないしdの記載事項を総合勘案すると、刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。
「鑞接される端子部111および接触部112を持ち、端子部111側には鑞付け用の金メッキ部111Aと接触部112側には接触用の金メッキ部112Aとを形成したコンタクト11の表面層の一部除去方法において、
　コンタクト11の中間部分に位置する端子部111側の金メッキ部111Aの接触部112に近い領域にレーザ加工技術を適用して、帯状に端子部表面を一周させ、金メッキ部111Aを除去して下地層11Aを露出させて、所定の幅を有する低濡れ性露出部114を形成し、溶接鑞剤3の這い上がりを阻止した
　コンタクト11の表面層の一部除去方法。」
　
(2)原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１０−２２１５６号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
a)「【実施例】本発明による
チップインダクタの製造方法
メッキ
導体膜14を被着してある
　このような
基板10の貫通孔12で挟まれたブリッジ部16
レーザー加工機のヘッド20
ヘッド20は基板10の上面に対して角度αだけ傾けて配置してあり
レーザービーム25で走査することにより
ブリッジ部16のＡ面とＢ面に連続してレーザービーム25を照射することができる
　ブリッジ部16の幅は通常１ｍｍ〜数ｍｍ程度なので、走査幅は僅かでよく、ヘッド20の内部の
ミラーを動かすことで走査可能
Ａ面とＢ面を均等にレーザー加工する
隣のブリッジ部16にレーザービーム25が当たらないようにする
　レーザー加工機の図示しないＣＰＵにはレーザービームを照射する範囲があらかじめプログラムされる。そしてレーザービーム25は、図２に二点鎖線で示すように、Ｄ面とＡ面の境界の角Ｘを外れる位置からＢ面とＣ面の境界の角Ｙを外れる位置まで走査される。ヘッド20はレーザービーム25をブリッジ部16の長さ方向に対して斜め方向に走査して、ブリッジ部16のＡ面とＢ面に照射する。
レーザービーム25が当たったところの導体膜14は除去され
１回の走査でＡ面からＢ面にかけて繋がった１本の除去部18が形成される
　ブリッジ部16の長手方向に僅かに照射位置をずらした後、再びレーザービームを走査する。この操作を数回繰り返すことにより、図３のように平行な複数本の除去部18をブリッジ部16のＡ面とＢ面に形成する。除去部18はブリッジ部16の長さ方向に対して斜めに形成され、両端の除去部18は短くなされている。除去部18は、図４に示すように基板10の縦または横どちらか一方向に延びた多数のブリッジ部16に形成される。このレーザー加工は、一枚の基板10あたり一つまたは複数のヘッド20を用いて行われる。
　各ブリッジ部16のＡ面とＢ面へのレーザー
加工を終えたら
基板10を裏返して
同様のレーザー加工をブリッジ部16のＣ面とＤ面にも施す
　
　上記aの記載事項を総合勘案すると、刊行物２には、次の発明が記載されていると認められる。
「基板10の貫通孔12で挟まれたブリッジ部16のＡ面とＢ面を、
　レーザービーム25でミラーを動かすことで走査することにより、１回の走査でＡ面とＢ面に連続してレーザービーム25を照射することができるように、レーザー加工機のヘッド20を基板10の上面に対して角度αだけ傾けて配置し、かつ、隣のブリッジ部16にレーザービーム25が当たらないようにし、
　ブリッジ部16のＡ面とＢ面にレーザービーム25を連続して照射してＡ面とＢ面を均等にレーザー加工し、１回の走査でＡ面からＢ面にかけて繋がった１本の除去部18が形成され、加工を終えたら基板10を裏返して同様のレーザー加工をブリッジ部16のＣ面とＤ面にも施し、レーザービーム25が当たったところのメッキにより被着した導体膜14を除去するチップインダクタの製造方法。」
　
３．対比
　本件補正発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　刊行物１に記載された発明の「鑞接される端子部111」は、その構成および機能からみて、本件補正発明の「端子部」に相当し、以下同様に、
　「接触部112」は「接点部」に、
　「端子部111側には鑞付け用の金メッキ部111Aと接触部112側には接触用の金メッキ部112Aとを形成」することは「表面に金メッキを施」すことに、
　「コンタクト11の表面層の一部除去方法」は、コンタクト11表面の鑞付け用の金属メッキ部111Aを一部除去処理する方法であることから、「半田付け端子の表面の処理方法」に、
　それぞれ相当する。
　そして、刊行物１に記載された発明の「コンタクト11の中間部分に位置する端子部111側の金メッキ部111Aの接触部112に近い領域にレーザ加工技術を適用して、帯状に端子部表面を一周させ」ることと本件補正発明の「端子部と接点部との間の部分の２面を、１方向に進む１本のレーザーによって同時に照射できる方向、且つ端子部と接点部との間のレーザー照射部以外の部分へのレーザーの照射を最小限に抑える方向に半田付け端子を設置してレーザーを２面照射し、この２面照射を端子部と接点部との間の部分の全周に行うこと」とは、後者の「端子部と接点部との間」とは、半田付け端子の中間部分であることから、両者は、「半田付け端子の中間部分の全周にレーザー照射を行うこと」で一致する。
　また、刊行物１に記載された発明の「金メッキ部111Aを除去して下地層11Aを露出させて所定の幅を有する低濡れ性露出部114を形成し、鑞剤３の這い上がりを阻止」することと本件補正発明の「金メッキを剥離して除去」することを比較する。本願明細書の「レーザーＬは、金メッキ８を蒸発させたり、あるいは金−ニッケルの合金層８ａを形成させるために、１パルス当たりのエネルギーとして１〜５ｍＪ／ｐｕｌｓｅ、単位面積当たりのエネルギーとして４００〜２０００ｍＪ／ｍｍ２を確保している。」（段落【0040】）との記載によると、本件補正発明の「金メッキを剥離して除去」することは、レーザーのエネルギーにより金メッキ８を蒸発して除去させたり、金−ニッケルの合金層８ａを形成させたりすることといえる。そして、前者においても、レーザーのエネルギーを金メッキ部111Aに付与することにより金メッキ部111Aを除去するものであるから、両者は、レーザーのエネルギーに基づく金メッキの除去方法である点で共通する。したがって、刊行物１に記載された発明の「金メッキ部111Aを除去して下地層11Aを露出させ、所定の幅を有する低濡れ性露出部114を形成し、鑞剤３の這い上がりを阻止」することとは、本件補正発明の「金メッキを剥離して除去」することに相当する。
　
　したがって、上記両者の一致点および相違点は、次のとおりである。
［一致点］
「端子部と接点部とを設けて形成され、表面に金メッキを施した半田付け端子の表面の処理方法において、
　半田付け端子の中間部分の全周にレーザー照射を行い、金メッキを剥離して除去する半田付け端子の表面の処理方法。」
　
［相違点１］
　半田付け端子の中間部分の全周へのレーザー照射が、本件補正発明では、端子部と接点部との間の部分の２面を、１方向に進む１本のレーザーによって同時に照射できる方向、且つ端子部と接点部との間のレーザー照射部以外の部分へのレーザーの照射を最小限に抑える方向に半田付け端子を設置してレーザーを２面照射し、この２面照射を端子部と接点部との間の部分の全周に行うものであるのに対して、刊行物１に記載された発明では、コンタクト11の中間部分に位置する端子部111側の金メッキ部111Aの接触部112に近い領域にレーザ加工技術を適用して、帯状に端子部表面を一周させるが、２面照射を行うものであるか否か不明である点。
　
［相違点２］
　レーザー照射が、本件補正発明では、端子部から接点部への半田上がりを防止可能な幅より広いスポット径を有する波長１１００ｎｍ以下のレーザーを一方向にずらしながら一列に照射してナゲットを形成し、隣り合うナゲットは互いに重複する部分を形成して、該重複した部分の半田上がり方向の幅は０．１３ｍｍ以上であるのに対して、刊行物１に記載された発明では、
金メッキ部111Aを除去して下地層11Aを露出させて所定の幅を有する低濡れ性露出部114を形成し、溶接鑞剤3の這い上がりを阻止するが、本件補正発明の当該発明特定事項を具備するか否か不明である点。
　
４．当審の判断  
(1)相違点１について
　本件補正発明と刊行物２に記載された発明とを対比する。
　刊行物２に記載された発明の「基板10の貫通孔12で挟まれたブリッジ部16のＡ面とＢ面」と本件補正発明の「端子部と接点部との間の部分の２面」とは、「被照射対象物の２面」である点で共通し、以下同様に、
　「レーザービーム25でミラーを動かすことで走査することにより、１回の走査でＡ面とＢ面に連続してレーザービーム25を照射することができるように、レーザー加工機のヘッド20を基板10の上面に対して角度αだけ傾けて配置」することと「１方向に進む１本のレーザーによって同時に照射できる方向」「に半田付け端子を設置」することとは、前者は、ミラーを動かして１本のレーザービーム25を１方向に１回走査することにより、Ａ面とＢ面に連続して照射できる角度で被対象物のブリッジ部16を配置したものであるから、両者は、「１方向に進む１本のレーザーによって同時に照射できる方向に被照射対象物を設置」する点で、
　「隣のブリッジ部にレーザービーム25が当たらないように」することと「端子部と接点部との間のレーザー照射部以外の部分へのレーザーの照射を最小限に抑える方向に半田付け端子を設置」することとは、前者において、隣のブリッジ部にレーザービーム25が当たらないように被照射対象物を配置したものであるから、両者は、「被照射対象物のレーザー照射部以外の部分へのレーザーの照射を最小限に抑える方向に被照射対象物を設置」する点で、
　「加工を終えたら基板10を裏返して同様のレーザー加工をブリッジ部16のＣ面とＤ面にも施」すことと「この２面照射を端子部と接点部との間の部分の全周に行うこと」とは、前者は、ブリッジ部16のＡ面とＢ面にレーザー加工を施すことに加えて、Ｃ面とＤ面にもレーザー加工を施すことであるから、両者は、「この２面照射を被照射対象物の全周に行うこと」で、
　「レーザービーム25が当たったところのメッキにより被着した導体膜14を除去する」ことと「この部分の金メッキを剥離して除去」することとは、「被照射対象物のメッキを除去」することで、
　「チップインダクタの製造方法」と「半田付け端子の表面の処理方法」とは、前者が、被照射対象物の表面の導体膜14をレーザービーム25の照射により除去処理する方法であるから、両者は、「被照射対象物表面のレーザーによる処理方法」で、
　それぞれ共通する。
　そして、刊行物２に記載された発明の「ブリッジ部16のＡ面とＢ面にレーザービーム25を連続して照射」することは、その構成および機能からみて、本件補正発明の「レーザーを２面照射」することに相当する。
　
　したがって、刊行物２に記載された発明は、
「被照射対象物の２面を、
　１方向に進む１本のレーザーによって同時に照射できる方向に被照射対象物を設置し、かつ、被照射対象物のレーザー照射部以外の部分へのレーザーの照射を最小限に抑える方向に被照射対象物を設置し、
　レーザーを２面照射し、この２面照射を被照射対象物の全周に行い、被照射対象物のメッキを除去する
　被照射対象物表面のレーザーによる処理方法。」
と言い換えることができる。
　
　そして、刊行物１および２に記載された発明は、ともに被照射対象物の表面のメッキを１方向に進む１本のレーザー照射により除去する処理方法である点で共通する。
　したがって、刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載された発明を適用して、上記相違点１における本件補正発明が具備する発明特定事項に到達することは、当業者が容易になし得たものである。
　
(2)相違点２について
　特開平９−１０９８３号公報の段落【0070】には、ＹＡＧレーザの標準波が１．０６μｍ（１０６０ｎｍ）であることが示され、特開平７−１９３３５６号公報の【請求項1】、【請求項2】、段落【0007】には、レーザーとして、スポット径が５０〜５００μｍ（０．０５〜０．５ｍｍ）のＹＡＧレーザーを用い、レーザー照射を行うことにより金属薄膜を１００〜５００μｍ（０．１〜０．５ｍｍ）の幅で除去することが示され、特開昭６３−１６０７７５号公報の第2頁右下欄第14行〜同第19行、第3頁左下欄第7行〜同第12行には、レーザーとして、スポット径が３５０μｍ（０．３５ｍｍ）以下、波長が０．５〜１．２μｍ（５００〜１２００ｎｍ）の固体レーザを用い、レーザー照射を行うことにより金属薄膜を加工幅２００μｍ（０．２ｍｍ）以下で除去することが示され、さらに、特開２００２−２９０００７号公報の段落活【0005】、【0016】には、パルス状レーザーとして、ＹＡＧレーザーを用い、金属薄膜を除去することが示されている。
　このように、スポット径が０．１３ｍｍより広く、波長が１１００ｎｍ以下のレーザーを用い、レーザー照射を行うことにより金属薄膜を除去することは、本願の優先権主張の日前に周知の技術事項である（以下「周知の技術事項１」という。）。
　また、レーザー照射の技術分野において、生産性向上のために、被照射対象物にレーザーを一方向にずらしながら一列照射して加工跡であるナゲットを形成し、隣り合うナゲット同士で互いに重複する部分を形成することは、本件の優先権主張の日前に周知の技術事項である（例えば、特開平５−１２１２７７号公報の段落【0001】、【0003】、【0008】〜【0010】、【図1】〜【図3】や上記特開２００２−２９０００７号公報の段落【0002】、【図1】参照。以下「周知の技術事項２」という。）。
　そして、刊行物１に記載された発明は、溶接鑞剤３の這い上がりを阻止するためにコンタクト11の金メッキ部111Aを帯状に除去して下地層11Aを露出させるものであるが、刊行物１に記載された発明において、溶接鑞剤3の這い上がりを阻止するために除去する金メッキ部111Aの長軸方向の帯幅をどのような値とするのかは、コンタクト11の形状、下地層11Aの材料、溶接鑞剤3の成分や鑞付け処理の条件等を勘案して当業者が実験等を通して決定し得たことでもある。
　しかも、本件補正発明が、ナゲットの重複した部分の半田上がり方向の幅を０．１３ｍｍ以上としたことに臨界的意義はない。
　したがって、刊行物１に記載された発明において、レーザー照射に用いるレーザーとして、上記周知の技術事項１のレーザーを用い、レーザー照射方法として、上記周知の技術事項２の一列照射方法を用いることは当業者が容易になし得たものである。
　
(3)小括
　本件補正発明の奏する効果についてみても、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　したがって、本件補正発明は、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に想到し得たものである。  
　ゆえに、本件補正発明は、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　  
 　 
(4)まとめ 
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
第３．本願発明について  
(1)本願発明  
　平成２０年７月２２日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年４月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであり、前記「第２［理由］１」の本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。  
 　  
(2)刊行物  
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物１、２、刊行物１、２の記載事項および刊行物１、２に記載された発明は、前記「第２［理由］２」に記載したとおりである。  
 　  
(3)対比および判断  
　本願発明は、前記「第２［理由］」で検討した本件補正発明におけるナゲットの重複した部分の半田上がり方向の幅について、「
０．１３ｍｍ以上である
　そうすると、実質的に本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２［理由］３、４」に記載したとおり、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様に、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　  
(4)むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願は拒絶すべきものである。  
 　  
　よって、結論のとおり審決する。