【事件の表示】
　平成　９年特許願第２２２０９０号「半導体発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月　９日出願公開、特開平１１−　６８１５７、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年８月１９日の出願であって、平成１６年９月２８日付で特許法第２９条第２項の規定に基づく拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月４日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年１２月６日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年１２月６日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１６年１２月６日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、請求項１を下記のように補正することを含むものである。
「【請求項１】　ｐ型電極が設けられたｐ型窒化ガリウム層若しくはｎ型電極が設けられたｎ型窒化ガリウム層、前記ｐ型およびｎ型電極のいずれかの電極に導電性接着剤で接着されており鉄−ニッケル合金または銅−タングステン合金から成る導電性基板、並びにガリウム砒素基板の（１１１）Ａ面上に形成されており前記ｐ型若しくはｎ型窒化ガリウム層上にあって前記電極が設けられている第１の面とは反対側の第２の面の上に設けられた発光層を含む窒化ガリウム系半導体層からなる積層とで構成されている、ことを特徴とする半導体発光素子。」
　
（２）当審の判断
　補正された請求項１において、「ガリウム砒素基板の（１１１）Ａ面上に形成されており」なる事項が付加されたが、この請求項１に係る半導体発光素子において、当該ガリウム砒素基板が除去されていることは記載がない。
　してみると、半導体発光素子の積層構造にはガリウム砒素基板が含まれているものと解される。
　しかるに、本願の願書に最初に添付した明細書または図面（以下、「当初明細書」という。）には、ＧａＡｓ基板を用いると、ＧａＮ系半導体層の発光層から出た光が基板に吸収され、その基板からの反射光の強度が下がる（【０００９】参照。）という問題点を解決するためになされたもので、成長用のＧａＡｓ基板を除去することを特徴としている（【００１３】参照。）ことが記載されているのであり、ＧａＡｓ基板を残すというようなことは記載も示唆もされていない。
　よって、本件補正は、当初明細書に記載された事項の範囲内でなされたものではない。
　
（３）したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年１２月６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年７月９日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
（２）刊行物記載の事項
　原審の拒絶の理由に引用した、この出願前公知の刊行物１〜１０には、それぞれ下記の事項が記載されている。
　刊行物１：特開平３−１７４７８０号公報
　「クラッド層４、活性層３、ウインドウ層２からなるダブルヘテロ構造の表面、裏面に、表面電極１、裏面電極７を設け、裏面に金属板１０を貼り付けたＧａＡｌＡｓ系発光ダイオードであって、前記ウインドウ層２の上に表面電極１を形成した後、エッチング液で前記ダブルヘテロ構造成長用のＧａＡｓ基板を除去し、次いで、クラッド層４に裏面電極７を形成し、該裏面電極７に銀−エポキシ導電性樹脂９でアルミ板（金属板１０）を貼り付ける点。」
　
　刊行物２：特開平８−８８４１０号公報
　　アルミニウム板をクラッド層裏面の周辺部に設けた以外は、上記刊行物１とほぼ同じ内容のものが記載されている。
　
　刊行物３：特開平８−３１６５２７号公報
　「ＧａＮ層からの光がＧａＡｓ基板で吸収され、光の取り出し効率が悪いのを改良するために、発光層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するＺｎＳ等のＩＩ−ＶＩ属の化合物半導体からなる導電性基板上にＧａＮ系の発光層を含むエピタキシャル成長層が形成された半導体発光素子。」
　
　刊行物４：特開平８−１１６０９２号公報
　「ＧａＡｓ基板上に窒化ガリウム系半導体の低温バッファ層、高温バッファ層、クラッド層、活性層、クラッド層を順に成長させてなる半導体発光素子。」
　
　刊行物５：特開平９−８４０３号公報
　「サファイア基板１表面にＧａＮ系のｎ型層、活性層、ｐ型層からなる窒化物半導体層２を積層し、その表面にＮｉとＡｕを含む第１のオーミック電極３０を形成し、一方、ｐ型ＧａＡｓ基板５０の表面にＡｕ−Ｚｎよりなる第２のオーミック電極４０を形成し、両電極同士を貼り合わせ、加熱圧着した後、サファイア基板１を除去し、両面にｐ電極、ｎ電極を形成してなる窒化物半導体素子。」
　
　刊行物６：J. W. Yang, et al., Temperature-mediated phase selection during
     growth of GaN on (111)A and (111)B GaAs substrates,
    APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 67, No. 25, p.3759-3761
　「ＧａＡｓ基板の（１１１）Ａ面上にＧａＮ系の半導体層を積層すること。」
　
　刊行物７：特開平８−２５５９３２号公報
「サファイア基板上に作製されたＡｌＧａＩｎＮ系の半導体レーザ５０１のチップをＦｅ−Ｎｉ合金５０３、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｎ合金５０４、Ｐｂ−Ｓｎハンダ５０５からなる、温度変化によって湾曲するサブマウント５０２上に配置すること。」（図１８，１９及び【００４４】参照。）
　
　刊行物８：特開平８−２６４９０１号公報
「ｎ型ＧａＡｓ（１１１）Ｂ面基板１上にＧａＮ系の層を積層してなるレーザ素子を熱伝導性のよいＣｕ−Ｗ合金からなるステムにマウントし通電動作を試みた点。」
　
　刊行物９：特開昭６１−２０２４８４号公報
「発光ダイオード装置のステム１１に設けた貫通孔１８に、上面に発光ダイオード素子１４を装着したＣｕＷ合金からなる素子支持リード１６を孔内面に対して非接触状態に貫通し、放熱特性を改善した点。」
　
　刊行物１０：特開昭６０−１５７２８４号公報
「半導体レーザ基体２を表面に金属化層３２を有する中間部材３を介して金属支持部材１に装着するのに、Ａｕ−ＳｎソルダやＰｂ−Ｓｎはんだで接着する点。」
　
（３）対比・判断
　（イ）本願の請求項１〜３及び９〜１１に記載された半導体発光素子に係る各発明と上記各刊行物記載のものとを対比する。
　上記各刊行物には、本願の上記各発明に共通な構成である「半導体発光素子の基板として鉄−ニッケル合金または銅−タングステン合金から成る導電性基板をもちいる」ことが記載されておらず示唆もない。
　すなわち、刊行物７〜９に記載された鉄−ニッケル合金または銅−タングステン合金は、いずれも発光素子の一部を構成する基板として用いられているのではなく、発光素子を載置する支持部材であるから、これを刊行物１または２に記載の発光ダイオードの基板であるアルミ板に代えて用いることが容易であるとはいえない。しかも、刊行物１または２に記載の発光ダイオードは、発光層を含む半導体層が、本願発明のような窒化ガリウム系ではなく、ＧａＡｌＡｓ系である。
　よって、本願の請求項１〜３及び９〜１１に係る各発明は、上記各刊行物に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　（ロ）本願の請求項４〜８に記載された半導体発光素子の製造方法に係る各方法発明と上記各刊行物１及び５記載のものとを対比する。
　本願の各方法発明は、『成長用ガリウム砒素基板の（１１１）Ａ面上に成長した発光層を含む窒化ガリウム系半導体層からなる積層の一表面に設けた電極面と、銅−タングステン合金または鉄−ニッケル合金からなる導電性基板とを、導電性接着剤を用いて接着した後に、前記成長用ガリウム砒素基板を除去することを特徴とする』ものであるが、刊行物１記載のものは、「ダブルヘテロ構造成長用のＧａＡｓ基板を除去し、次いで、クラッド層に裏面電極を形成し、該裏面電極に銀−エポキシ導電性樹脂でアルミ板を貼り付ける」ものであって、製造方法が全く異なっている。
　また、刊行物５記載のものは、「サファイア基板１表面にＧａＮ系のｎ型層、活性層、ｐ型層からなる窒化物半導体層２を積層し、その表面にＮｉとＡｕを含む第１のオーミック電極３０を形成し、一方、ｐ型ＧａＡｓ基板５０の表面にＡｕ−Ｚｎよりなる第２のオーミック電極４０を形成し、両電極同士を貼り合わせ、加熱圧着した後、サファイア基板１を除去し、両面にｐ電極、ｎ電極を形成する」ものであり、窒化ガリウム系の半導体層を形成する成長用の基板を他の基板と貼り合わせた後で除去する点で似通っているが、刊行物５の製造方法においては、本願方法発明では除去されるＧａＡｓ基板は、除去されることなく残るものであるし、電極を形成する順番も本願方法発明とは異なっている。
　したがって、本願の請求項４〜８に係る各方法発明は、上記各刊行物に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願の請求項１〜１１に係る各発明は、刊行物１〜刊行物１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　よって、結論のとおり審決する。