【事件の表示】
　特願２０００−２２５７３６「走査型露光方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月　８日出願公開、特開２００２−　４３２１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
本願は、平成１２年７月２６日の出願であって、平成１８年３月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年５月１２日付で手続補正がなされ、当審において、上記手続補正が却下されるとともに、拒絶理由通知がなされ、平成１９年１月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年１月１５日付けで手続補正された明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載された次のとおりのものである。
「マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して被処理基板上に転写する際に、マスクの投影領域をスリットによって制限し、このスリットをマスク及び基板と相対的に走査することで、マスクのパターン領域全体を基板上に転写する走査型露光方法であって、
　前記スリットの相対的走査によるマスク全体の露光を、照明系のコヒーレンシーファクタを異ならせて少なくとも２回行い、１回目と２回目で同一パターンに対する前記投影光学系の焦点位置を変え、且つ同一回では焦点位置を一定とすることを特徴とする走査型露光方法。」
　
２．当審の拒絶理由
　当審において平成１８年１１月１３日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願発明は、本願の出願前である特開平８−１５３６６１号公報（以下、「引用例」という。）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
２．１　引用例の記載内容
　【０００８】段落には、
「【０００８】…照明光のビーム・スポットをスキャンさせながら露光することにより上述の問題を解決する方式が考えられた。この方式は、ステップ・アンド・スキャン方式と呼ばれ、光源から出射されスリットを通過したフォトマスクよりも小面積のビーム・スポットを、フォトマスクに対してスキャンさせながら、ウェハに対する露光を行うものである。なお、実用的には、照明光学系と投影光学系は固定したまま、フォトマスクとウェハとを同期させながらその面内方向に移動させる。」
と記載されている。
　
　【００１２】〜【００１４】段落には、
「【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る投影露光方法は、…スリットを通過した照明光をフォトマスクに対してスキャンさせ、該フォトマスクのパターンを投影光学系を用いて基板上に投影するものであって、基板上の任意の１地点を複数の結像面にて露光するものである。
…　
【００１４】
　前記複数の結像面による露光は、結像面を個々に設定したスキャンを複数回行うことによって達成できる。例えば、２つの結像面にて露光するためには、ある結像面に設定した状態にてスキャンを行うことにより１回目の露光を行い、その後、異なる結像面に設定した状態にて再びスキャンを行って、基板の同一地点を再度露光すればよい。」
と記載されている。
　
　【００２４】段落には、
「【００２４】上記投影露光装置においては、照明ユニット１、スリット２、投影光学系５が固定されている…。上記スリット２の開口２ａは、…ｘ軸方向にはフォトマスク４のｘ軸方向の寸法より狭いｗなる幅にて開口している。このため、フォトマスク・ステージ３を駆動してフォトマスク４をｘ軸プラス（＋）方向へ移動させると、…上記スリット２を通過したｗなる幅の照明光Ｌは、フォトマスク４上をｘ軸マイナス（−）方向へスキャンすることとなる。」
と記載されている。
　
　引用例の図１には、照明用光源、スリット、フォトマスク、投影光学系、ウェハの順で配置されることが図示されている。
　
２．２　引用例に記載された発明
　上記引用例の記載から、引用例には、
「光源から出射されスリットを通過したフォトマスクよりも小面積のビーム・スポットを、フォトマスクに対してスキャンさせながら、ウェハに対する露光を行い、スリット、照明光学系及び投影光学系は固定したまま、フォトマスクとウェハとを同期させながらその面内方向に移動させ、該フォトマスクのパターンを投影光学系を用いて基板上に投影するものであって、基板上の任意の１地点を複数の結像面にて露光し、ある結像面に設定した状態にてスキャンを行うことにより１回目の露光を行い、その後、異なる結像面に設定した状態にて再びスキャンを行って、基板の同一地点を再度露光するステップ・アンド・スキャン露光方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
３．　対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを比較する。
　ア．引用発明の「フォトマスク」、「ウェハ」及び「ステップ・アンド・スキャン露光方法」は、本願発明の「マスク」、「被処理基板」及び「走査型露光」に相当する。
　イ．引用発明の「フォトマスクのパターンを投影光学系を用いて基板上に投影する」ことは、本願発明の「マスクのパターンを基板上に転写する」ことに相当する。
　ウ．引用例に記載された実施例を示す図１では、スリットがフォトマスクの光源側に配置されるのに対し、本願発明の実施例を示す図１では、スリットがフォトマスクの投影レンズ側に配置される点で相違するが、両者は、マスクをウェハに投影光学系を用いて投影する際、マスクの投影領域をスリットによって制限する点では同じであり、さらに、スリットをフォトマスクのいずれの側に配置するかは設計事項である。
　そうすると、引用発明の「光源から出射されスリットを通過したフォトマスクよりも小面積のビーム・スポット」が形成されることは、マスクの投影領域をスリットによって制限することを意味するから、引用発明は、本願発明の「マスクの投影領域をスリットによって制限」する構成を実質的に有しているといえる。
　また、引用発明の、スリットを固定したまま「フォトマスクとウェハとを同期させながらその面内方向に移動させ」ることは、本願発明の「スリットをマスク及び基板と相対的に走査すること」に相当する。
　エ．引用発明の「ある結像面に設定した状態にてスキャンを行うことにより１回目の露光を行い、その後、異なる結像面に設定した状態にて再びスキャンを行って、基板の同一地点を再度露光する」ことは、本願発明の「１回目と２回目で同一パターンに対する前記投影光学系の焦点位置を変え」て露光すること」及び「同一回では焦点位置を一定とする」ことに相当する。
　
　そうすると両者は、
「マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して被処理基板上に転写する際に、マスクの投影領域をスリットによって制限し、このスリットをマスク及び基板と相対的に走査することで、マスクのパターンを基板上に転写する走査型露光方法であって、
　前記スリットの相対的走査によるマスク全体の露光を、露光条件を変えて少なくとも２回行い、１回目と２回目で同一パターンに対する前記投影光学系の焦点位置を変え、且つ同一回では焦点位置を一定とする走査型露光方法。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明が、「パターン領域全体を基板上に転写」を作成するのに対し、引用発明は、パターンを基板上に転写するものの、パターン領域全体を基板上に転写する旨の記載がない点。
　
　相違点２
　本願補正発明が、１回目の露光と２回目の露光とで「照明系のコヒーレンシーファクタを異ならせて」行うのに対し、引用発明は、その旨の記載がない点。
　
４．判断
　相違点１について検討する。
　引用発明は、ステップ・アンド・スキャン露光方法でフォトマスクのパターンを投影光学系を用いて基板上に投影（転写）するから、「パターン領域全体を基板上に転写する」ことは、当業者が当然行うことにすぎず、相違点１は実質的な相違ではない。
　
　相違点２について検討する。
　焦点位置に応じて、照明系のコヒーレンシーファクタを変更することは、周知手段（例えば特開平７−１５３６５８号公報参照）であり、本願発明のように焦点位置が異なる１回目と２回目の露光において照明系のコヒーレンシーファクタを異ならせるかどうかは、露光精度とスループットのどちらかを優先するかによって決められる程度の選択事項にすぎず、当業者が容易に想到できたことである。
　
　また、本願発明が有する効果についても引用発明及び周知手段から予測できた程度のものにすぎない。
　　
４．むすび
　そうすると、本願発明は、引用発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。