【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも三層の配線パターンが絶縁層を介して積層され、前記絶縁層を貫通し且つ前記配線パターンの中間に配設された中間配線パターンを貫通する貫通孔に金属が充填されて成るヴィアによって、前記中間配線パターンを挟む両面側配線パターンが電気的に接続されている多層配線基板であって、
前記貫通孔には、前記中間配線パターンを挟む両絶縁層の各々に形成された凹部の底面に露出する中間配線パターンに、前記凹部の底面の内径よりも小径の小孔が穿設され、
且つ前記凹部の各々に充填された金属が、前記小孔を介して一体に連結されてヴィアが形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
中間配線パターンに形成された小孔の内壁面が、その中央部又はその近傍が前記小孔の内側方向に突出して先細状に形成されている請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
中間配線パターンに形成された小孔が、前記中間配線パターンの露出面の両面側から穿設加工が施されて形成されている請求項１又は請求項２記載の多層配線基板。
【請求項４】
中間配線パターンに形成された小孔の面積が、前記小孔を含む中間配線パターンが貫通孔に露出する露出面積の１／４以上である請求項１〜３のいずれか一項記載の多層配線基板。
【請求項５】
貫通孔の凹部が、レーザ加工によって形成された凹部であって、中間配線パターン側方向に内径が次第に小径となるテーパ状凹部である請求項１〜４のいずれか一項記載の多層配線基板。
【請求項６】
少なくとも三層の配線パターンが絶縁層を介して積層された積層体に、前記絶縁層を貫通し且つ前記配線パターンの中間に配設された中間配線パターンを貫通する貫通孔に、金属を充填して形成したヴィアによって、前記中間配線パターンを挟む両面側配線パターンを電気的に接続する多層配線基板を製造する際に、
前記貫通孔として、前記中間配線パターンを挟む両絶縁層の各々に形成した凹部の底面に露出する中間配線パターンに、前記凹部の底面の内径よりも小径の小孔を穿設した貫通孔を形成し、
次いで、前記貫通孔の凹部を充填する金属が前記小孔を介して一体に連結されて成るヴィアを形成するように、前記貫通孔にめっきを施すことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
中間配線パターンの両面側の絶縁層の各々に、レーザ加工によって前記中間配線パターンが底面に露出する、内径が中間配線パターン側方向に次第に小径となるテーパ状凹部を形成すると共に、前記底面に露出した中間配線パターンの露出面の両面から穿設加工を施して、内壁面の中央部又はその近傍が内側方向に突出して先細状に形成された小孔を形成する請求項６記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
金属は、中間配線パターンの小孔を閉塞した後、前記中間配線パターンを挟む凹部の各々を充填する請求項６又は請求項７記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
少なくとも三層の配線パターンが絶縁層を介して積層された積層体に、前記絶縁層を貫通し且つ前記配線パターンの中間に配設された中間配線パターンを貫通する貫通孔内に金属を充填する際に、
前記貫通孔として、前記中間配線パターンを挟む両絶縁層の各々に形成した凹部の底面に露出する中間配線パターンに、前記凹部の底面の内径よりも小径の小孔を穿設した貫通孔を形成し、
次いで、前記貫通孔の凹部を充填する金属が前記小孔を介して一体に連結されて成るヴィアを形成するように、前記貫通孔にめっきを施すことを特徴とするヴィアフィル方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
複数の配線パターンが絶縁層を介して積層された多層配線基板では、絶縁層を貫通するヴィアを介して配線パターン同士の電気的な接続がなされている。
かかる多層配線基板としては、例えば下記特許文献１に、図１０に示す多層配線基板が提案されている。この多層配線基板は、樹脂フィルム１００の一面側に形成された配線パターン１０２，１０２を挟んで樹脂層１０４，１０４が形成され、且つ配線パターン１０２の両面側の樹脂層１０４，１０４にレーザ加工によって形成された、底面に配線パターン１０２が露出する凹部１０６，１０６内にめっき金属が充填されて成るヴィア１０８が形成されている。かかるヴィア１０８は、中間部に配線パターン１０２が配設されている。
また、下記特許文献２には、図１１に示すヴィアの形成方法が提案されている。図１１のヴィアの形成方法では、図１１（ａ）に示す様に、絶縁基板２００に鼓状の貫通孔２０２を形成した後、貫通孔２０２の内壁面を含む絶縁基板２００の全面に無電解めっきによって薄膜金属層２０４を形成する［図１１（ｂ）］。
次いで、薄膜金属層２０４を給電層とする電解めっきによって、めっき金属層２０６を形成する［図１１（ｃ）］。その際に、貫通孔２０２内に突出する突出部に電荷が集中し、貫通孔２０２の突出部を覆うめっき金属層２０６がその他の部分よりも厚く形成される。
更に、電解めっきを継続することによって、図１１（ｄ）に示す様に、貫通孔２０２内に突出する突出部が閉塞され、貫通孔２０２の開口部方向にめっき金属層２０６が充填されてヴィアを形成できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
凹部２２及びヴィア用貫通孔４０をレーザで形成したことによって発生した残渣は、基板２０にデスミア処理を施して除去した後、凹部２２及びヴィア用貫通孔４０をめっき金属によって充填する。このヴィア用貫通孔４０をめっき金属による充填は、中間配線パターン１８の小孔３８をめっき金属で閉塞した後、中間配線パターン１８を挟んで両側に形成された凹部３６，３６をめっき金属によって充填する。
先ず、凹部２２及びヴィア用貫通孔４０の内壁面を含む基板２０の全表面に、図４（ａ）に示す様に、めっきによって金属皮膜２３を形成する。
かかる金属皮膜２３によって、ヴィア用貫通孔４０の中間部に配設された中間配線パターン１８の小孔３８は閉塞されている。この金属皮膜２３を形成する際には、先ず、図８（ａ）に示す様に、凹部２２及びヴィア用貫通孔４０の内壁面を含む基板２０の全表面に無電解めっきによって、薄膜金属層２３ａを形成する。次いで、薄膜金属層２３ａを給電層とする電解めっきを施して、薄金属層２３ｂを形成する。かかる薄金属層２３ｂを形成する電解めっきの際に、小孔３８の内方に突出する先細状の突出部の先端に電荷が集中し、小孔３８の先端部にめっき金属が析出して、小孔３８をめっき金属によって容易に閉塞できる。
ここで、中間配線パターン１８の小孔３８が、図９に示す様に、中間配線パターン１８の一面側から穿設加工が施され、小孔３８の形状がテーパ状である場合には、無電解めっきや電解めっきの際に、めっき液の流れに淀み部が形成され、形成される金属皮膜２３に斑が形成され易い傾向がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次いで、ドライフィルム１６，１６を剥離して露出する金属箔１０ｂ及び薄金属皮膜２３をエッチングすることによって、図４（ｃ）に示す様に、中間配線パターン１８，１８とヴィア２４，３０により電気的に接続された両面側配線パターン２８，２８を基板２０の両面側に形成できる。
更に、両面側配線パターン２８，２８のパッド３４を形成する部分を除いてソルダレジスト３２によって被覆することによって、図１に示す多層配線基板２０を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
１０  キャリア付金属箔
１０ａ  キャリア板
１０ｂ  金属箔
１０ｃ  剥離層
１２  絶縁層
１８  中間配線パターン
１８  配線パターン
２０  多層配線基板
２２，３６  凹部
２３  金属皮膜
２３ａ  薄膜金属層
２３ｂ  薄金属層
２４，３０  ヴィア
２８，２８  両面側配線パターン
３８  小孔
４０  ヴィア用貫通孔
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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