【事件の表示】
　特願２０００−５５０６２０「高圧の流体を用いるフラットパネル型ディスプレイの洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月　２日国際公開、ＷＯ９９／６１１７７、平成１４年　６月　４日国内公表、特表２００２−５１６３４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件審判請求に係る特許出願は、１９９９年５月１３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理１９９８年５月２６日、（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、
平成１２年１１月２７日付けで特許法第１８４条の８第１項による特許協力条約第３４条（２）（ｂ）の規定に基づく補正書の翻訳文（補正書の提出日１９９９年１２月２３日）が提出され、　
平成１２年１２月２８日付けで手続補正書が提出され、　
平成１６年８月１０日付けで拒絶理由通知がされ、
平成１７年２月１６日付けで意見書とともに手続補正書が提出され、
平成１７年３月９日付けで拒絶査定がされ、
平成１７年６月１３日付けで拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、
平成１７年７月８日付けで手続補正書が提出され、
平成１８年６月７日付けで、平成１７年７月８日付けの手続補正に対し、補正の却下の決定がされるとともに最後の拒絶理由通知がされ、
平成１８年１２月１３日付けで意見書とともに手続補正書が提出されたものである。
　　
２．本願発明
　平成１８年１２月１３日付けの手続補正（以下、「最後の拒絶理由に対する手続補正」という。）により、本願の特許請求の範囲は請求項１〜請求項９になった。
　最後の拒絶理由に対する手続補正は、補正の却下の決定のされた手続補正前の平成１７年２月１６日付けの手続補正（以下、「先の手続補正」という。）の特許請求の範囲の請求項数が３５あったのを、請求項の削除により請求項数９とするものであり、また、最後の拒絶理由に対する手続補正の請求項１〜６は先の手続補正の請求項２８が引用する請求項として択一形式で記載されていた複数の請求項を個々の請求項にわけて非引用形式の請求項としたものであり、さらに、最後の拒絶理由に対する手続補正の請求項７は先の手続補正の請求項２９に、最後の拒絶理由に対する手続補正の請求項８は先の手続補正の請求項３０に、最後の拒絶理由に対する手続補正の請求項９は先の手続補正の請求項３４に相当するものである。
　以上のとおり、特許法第１７条の２第１項第３号の規定による、最後の拒絶理由に対する手続補正の特許請求の範囲に係る補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものであるから、適法な補正である。
　　
　さて、本願の特許請求の範囲に係る発明は、平成１２年１１月２７日付け特許法第１８４条の８第１項による特許協力条約第３４条（２）（ｂ）の規定に基づく補正書の翻訳文、平成１２年１２月２８日付け手続補正書、平成１７年２月１６日付け手続補正書、平成１８年１２月１３日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、最後の拒絶理由に対する手続補正の特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、下記のものである。                            
「【請求項１】
　フラットパネル型ディスプレイの構成部品を流体を用いて洗浄する方法であって、前記流体の支配的なモル分率を有する成分が、三重点及び臨界点を有し、絶対圧力が該主要成分の三重点における絶対圧力の値よりも高く、且つ該主要成分の臨界点における絶対圧力の値の少なくとも20％以上である流体に対して、前記フラットパネル型ディスプレイの構成部品を曝露する過程を含み、前記曝露過程において、前記流体の絶対温度が、前記主要成分の三重点における絶対温度の値と前記主要成分の臨界点における絶対温度の値との間の少なくとも中間以上に達することを特徴とする方法。」
　　　
３．刊行物及びその記載事項
刊行物１:特開平３−１２３６０４号公報
刊行物２:国際公開第９８/１０８９３号パンフレット　
　
刊行物１について
記載事項(1-1)「選択された基体から２以上の汚染物を除去する方法であって、 
 ａ）前記汚染物を含む前記基体を洗浄ベッセル内に収容する工程と、 
 ｂ）前記汚染物を含む前記基体と選択された濃縮相ガスとを、該濃縮相ガスの臨界圧力以上の圧力下で接触させる工程と、 
 ｃ）前記濃縮相ガスの臨界温度より高い温度と該臨界温度よりも低い温度との間で、一連のステップで前記濃縮相ガスの温度を変化させることにより、前記濃縮相ガスの相を液体状態と超臨界状態との間で変化させる工程であって、前記ステップの夫々の完了時における前記温度を所定時間だけ維持し、また前記濃縮相ガスと前記汚染物を含む前記基体との間の接触を前記夫々のステップで所定時間だけ維持し、ここで前記濃縮相ガスの溶媒スペクトルが与えられ、これによって前記基体から前記２以上の汚染物が除去される工程と、 
を具備する方法。」（請求項１） 
　
記載事項(1-2)「前記濃縮相ガスが二酸化炭素、亜酸化窒素、アンモニア、ヘリウム、クリプトン、アルゴン、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、エチレン、プロピレン、テトラフルオロメタン、クロロジフルオロメタン、六フッ化硫黄、パーフルオロプロパン及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の方法。」（請求項９） 
　
記載事項(1-3)「前記汚染物がオイル、グリス、潤滑剤、半田フラックス残渣、ホトレジスト、接着剤残渣、可塑剤、未反応モノマー、無機物粒子及び有機物粒子からなる群から選択される請求項１に記載の方法。」（請求項１１） 
　
記載事項(1-4)
「二酸化炭素の臨界温度は３０５Ｋ」（４頁左下欄９行）
　　
記載事項(1-5)「有用であると見出だされた典型的なプロセスパラメータは、・・・約５−１００Ｋ程度臨界温度より上の温度の変化、約５−２５Ｋ程度臨界温度より下の温度の変化・・・を含む。」（５頁右下欄１３〜１７行）
　　
記載事項(1-6)「本発明は、種々の材料からなる広範囲の基板の洗浄に使用可能となる。本プロセスは特に、分解の必要なしに、複雑なハードウエアを洗浄するのに好適である。これらの洗浄の応用例は、半田付けされたコネクタ、ケーブル及び一般的な回路基板の脱フラックス処理、基板からのホトレジストの除去処理、…複雑なハードウエアの脱グリース処理、並びに電子光学、レーザ及び、ポンプ、トランス、リベット、絶縁材、ハウジング、リニヤベアリング、光学的ベンチ部品、熱パイプ、スイッチ、ガスケット、活性金属鋳物を含む宇宙船の複雑なハードウエアの脱汚染物処理、を含む。本発明に従って基板から除去されるであろう汚染物物質は、制限的ではないが、オイル、グリース、潤滑油、半田付けフラックス残渣、ホトレジスト、無機若しくは有機物質からなる粒子、粘着性残渣、可塑剤、未反応モノマー、染料、若しくは誘電性流体、を含む。」（６頁左下欄末２行〜右下欄末３行） 
　
刊行物２について（摘示は特表２００１−５００７９６号公報の和訳で示す。） 
記載事項(2-1)「半導体ウェハの表面を、極低温エアゾルスプレーを表面に当てることによって洗浄する装置」（請求項１２、特表２００１−５００７９６号公報の請求項１２参照） 
　　
記載事項(2-2)「本発明は、フラットパネルディスプレイ、ハードドライブ、複合チップモジュールを含む（ただし、これらに限定されない）あらゆるタイプの超小型電子機器を処理する際に有用である。さらに、本発明は、Ｘ線マスクを含むマイクロリソグラフプロセスに用いられる処理マスクおよび砒化ガリウムウェハまたは珪素からなるウェハを含む（ただし、これに限定されない）あらゆる半導体基板に有用である。」（８頁末１２行〜末７行、同公報１４頁３〜８行参照） 
　　
４．対比・判断
　刊行物１には、上記記載事項（1-1）、（1-3）、（1-5）、（1-6）からみて、「ホトレジスト等により汚染された基体から濃縮相ガスを用いて汚染物を除去する方法であって、汚染された基体を濃縮相ガスに臨界圧力以上の圧力下で接触させる工程と、濃縮相ガスを臨界温度より高い温度と臨界温度よりも低い温度との間で温度を変化させることにより、濃縮相ガスの相を液体状態と超臨界状態との間で変化させる工程により、汚染物であるホトレジスト等を除去する方法」に係る発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　　
　本願発明と刊行物１発明を対比する。 
　刊行物１に具体的に化合物名が示されている『濃縮相ガス』（記載事項(1-2)）のうち、ヘキサン、不活性ガス以外の、二酸化炭素をはじめとする全化合物が、本願の明細書の詳細な説明の段落【００２４】〜【００２６】に記載される、本願発明で使用できる三重点及び臨界点を有している化合物と同じであるから、刊行物１発明の『濃縮相ガスは三重点及び臨界点を有している』ものと認められる。
　また、刊行物１発明の『濃縮相ガス』は『流体』といいえるものである。　また、刊行物１発明の『濃縮相ガスの臨界圧力以上の圧力下』という圧力は、本願発明の『主要成分の三重点における絶対圧力の値よりも高く、且つ該主要成分の臨界点における絶対圧力の値の少なくとも20％以上』という圧力範囲に包含される。
　また、刊行物１発明の『接触させる工程』は、本願発明の『曝露する過程』に相当し、刊行物１発明の『汚染物を除去する』は、本願発明の『洗浄する』に相当する。 　　
　したがって、本願発明と刊行物１発明とは、「『物品』を流体を用いて洗浄する方法であって、前記流体の支配的なモル分率を有する成分が三重点及び臨界点を有し、絶対圧力が該主要成分の『臨界圧力以上の圧力』である流体に対して、『物品』を曝露する過程を含み、前記曝露過程における流体の『絶対温度を所定の条件になるように制御』することを特徴とする方法」で一致し、洗浄される物品が、本願発明は、『フラットパネル型ディスプレイの構成部品』であるのに対し、刊行物１発明は、『ホトレジスト等により汚染された基体』である点（以下、「相違点１」という。）、及び、絶対温度の制御条件が、本願発明は、『流体の絶対温度が、前記主要成分の三重点における絶対温度の値と前記主要成分の臨界点における絶対温度の値との間の少なくとも中間以上に達する』ように制御するものであるのに対し、刊行物１発明では、『濃縮相ガスを臨界温度より高い温度と臨界温度よりも低い温度との間で温度を変化させることにより、濃縮相ガスの相を液体状態と超臨界状態との間で変化させる』ように制御するものである点（以下、「相違点２」という。）で相違する。 
 　 
　相違点１について検討する。 
　刊行物１発明は、『ホトレジスト等により汚染された基体から濃縮相ガスを用いて汚染物を除去する方法』であるところ、ホトレジストを使用して基体が製造される産業分野は多岐にわたっていることは周知であり、刊行物２には、刊行物２の洗浄方法が有用に適用できる物品として、フラットパネルディスプレイや、Ｘ線マスクを含むマイクロリソグラフプロセスに用いられる処理マスクを含むあらゆる半導体基板に有用であると記載されている（記載事項(2-2)）。
　刊行物２の上記記載からみても、フラットパネル型ディスプレイの構成部品の洗浄もマイクロリソグラフプロセスに用いられる処理マスクを使用して製造される多岐にわたる基体と同様の洗浄方法を用い得るといえるから、フラットパネル型ディスプレイの洗浄に当たって、多岐にわたる産業分野のホトレジストを使用した基体の洗浄に使用可能な刊行物１発明の洗浄方法を選択してみることは、これを阻害する特段の事情も存在しない以上、当業者が容易に着想し得たことである。 
 　 
　相違点２について検討する。
　刊行物１発明は、本願発明と同じ流体を用いて、本願発明と同じく臨界圧力以上の圧力下で、本願発明と同じく流体の絶対温度を制御して洗浄する方法であるところ、その温度制御条件は『濃縮相ガスを臨界温度より高い温度と臨界温度よりも低い温度との間で温度を変化させることにより、濃縮相ガスの相を液体状態と超臨界状態との間で変化させる』というものであり、刊行物１には、制御により設定される温度について『有用であると見出だされた典型的なプロセスパラメーターは、・・・約５−１００Ｋ程度臨界温度より上の温度の変化、約５−２５Ｋ程度臨界温度より下の温度の変化・・・を含む。』と記載されている（記載事項（1-5））。
　ここで、上記の、臨界温度よりも『約５−２５Ｋ程度下の温度』が、三重点温度、臨界温度、あるいは、本願発明を特定する事項である『三重点における絶対温度の値と臨界点における絶対温度の値との中間の値』とどのような関係にあるかを二酸化炭素を例として検討してみる。
　刊行物１の詳細な説明中には、二酸化炭素の臨界温度は３０５Ｋと記載さている（記載事項（1-4））が、三重点温度については記載されていないので、本願の明細書中に記載されている三重点温度２１６Ｋをもって検討してみると、三重点温度２１６Ｋと臨界温度３０５Ｋとの間には８９Ｋの開きがあるので、『三重点における絶対温度の値と臨界点における絶対温度の値との中間の値』と『臨界温度』との開きは４４．５Ｋである。
　そうすると、刊行物１発明で臨界温度よりも低い温度としている『臨界温度よりも約５−２５Ｋ程度下の温度』は、『三重点における絶対温度の値と臨界点における絶対温度の値との中間の値』よりは高い温度であるから、本願発明の温度に関する特定は刊行物１発明の温度制御条件を包含するものである。
　そうすると、相違点２には実質的な相違はない。
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１及び２に記載される事項から当業者が容易に着想することができるものであり、また、予測することができない効果が奏されているとは認められないから、本願発明は当業者が容易に発明し得たものである。
　　　　　　
　なお、請求人は、平成１８年１２月１３日付けの意見書の（３）の項で、「本願発明は、フラットパネルディスプレイの構成部品等のような頑丈な部品の洗浄目的で超臨界ガスを用いる場合に、・・・特定の圧力条件と、・・・特定の温度条件において、適切な高い溶解作用と拡散係数の適切な増大とが達成できるという発見に基づくものです。即ち、この超臨界ガスの圧力条件及び温度条件は、単なる設計事項でなく、フラットパネル型ディスプレイの構成部品等のような頑丈な部品の洗浄に適合した流体の圧力及び温度の特定の条件を設定するものです。」と主張し、さらに「何れの引用例にも、フラットパネルディスプレイの構成部品等のような頑丈な部品の洗浄に適合した流体の条件として・・・特定の圧力条件及び温度条件を同時に満たす流体を用いることは全く記載されておりません。」と主張している。　　　
　しかしながら、相違点１についてのところで述べたように、フラットパネルディスプレイの洗浄には、マイクロリソグラフプロセスに用いられる処理マスクを含む半導体基板の洗浄等と同様の洗浄方法が適用できることは刊行物２に記載されているところ（記載事項（2-2））、請求人の主張によれば、フラットパネル型ディスプレイの構成部品は頑丈なのであるから、フラットパネル型ディスプレイの構成部品すなわち頑丈な部品を洗浄する方法に、ホトレジスト等を除去する方法である刊行物１発明の洗浄方法が適合すると着想することは、困難なことではない。
　したがって、請求人の上記主張によって、本願発明は当業者が容易に発明し得たものであるという結論は変わるものでない。
　
５．結論
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本願は、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。