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　特願２００３−５３７１３１「発光装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月２４日国際公開、ＷＯ０３／３４５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、２００２年１０月１１日（優先権主張２００１年１０月１２日、２００１年１１月２日、２００２年１月２８日、２００２年７月８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年１０月１１日付け及び平成１９年７月９日付けで手続補正がなされたところ、平成２０年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１７日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年７月１０日付けで前記平成２０年４月１７日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年８月２０日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成２１年８月２０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　
「支持体に配置された発光素子と、その発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収して発光する蛍光体と、その蛍光体を含有し少なくとも前記発光素子を被覆するコーティング層と、を備えた発光装置であって、
　前記コーティング層は、平均粒子径が３．０μｍ以上１０μｍ以下の蛍光体の粒子と、その粒子を取り囲んで固着させる、平均粒子径が１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の微粒子と、により構成されており、
　前記微粒子は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３及びＭＳｉＯ３（なお、Ｍは、Ｚｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒから成る群から選択される少なくとも１種）から成る群から選択される少なくとも１種である、金属アルコキシドを出発原料として生成された酸化物を主たる組成とし、前記酸化物を構成する金属元素と同一の金属元素を構成元素の一つとして含む水酸化物を含んでいることを特徴とする発光装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物
　本願の優先日前に頒布され、当審における拒絶の理由に引用された刊行物である特開２０００−２９９５０３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一の外部端子及び第二の外部端子と、該第一の外部端子及び第二の外部端子に電気的に接続された電極を備えた半導体発光素子と、該半導体発光素子及び前記第一の外部端子及び第二の外部端子の前記半導体発光素子側の端部を被覆する第一の被覆体とを備えた半導体発光装置において、
前記半導体発光素子は、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液又はこれらの組み合わせを固化したガラス材料である第二の被覆体によって直接被覆され、
前記第二の被覆体は、前記半導体発光素子から照射される光に対して光透過性を有し、
前記第二の被覆体は前記第一の被覆体により被覆されたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】  前記ガラス材料は焼成により固化された請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】  前記第二の被覆体を構成する前記ガラス材料は前記半導体発光素子に強固に密着する請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】  前記第一の外部端子及び第二の外部端子の一方の端部に凹部が形成され、前記半導体発光素子は前記第二の被覆体と共に前記凹部の底部に固着された請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】  金属アルコキシドはＳｉ（ＯＣＨ３）４、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｓｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４等のシリコンテトラアルコキシド、ＺｒＳｉ（ＯＣＨ３）４、Ｚｒ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、Ａｌ（ＯＣＨ３）３、Ａｌ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ａｌ（ｉｓｏ−ＯＣ３Ｈ７）３、Ａｌ（ＯＣ４Ｈ９）３から選択された１種又は２種以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体発光装置、特に波長が４２０ｎｍ以下の光を発光する半導体発光装置に属する。」
　
　ウ　「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光装置は、第一の外部端子（３）及び第二の外部端子（４）と、第一の外部端子（３）及び第二の外部端子（４）に電気的に接続された電極（２ｆ，２ｇ)を備えた半導体発光素子（２）と、半導体発光素子（２）及び第一の外部端子（３）及び第二の外部端子（４）の半導体発光素子（２）側の端部を被覆する第一の被覆体（８）とを備えている。半導体発光素子（２）は、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液又はこれらの組み合わせを固化したガラス材料である第二の被覆体（１０）によって直接被覆される。第二の被覆体（１０）は、半導体発光素子（２）から照射される光に対して光透過性を有し、第二の被覆体（１０）は第一の被覆体（８）により被覆される。」
　
　エ　「【０００８】本発明の実施の形態では、ガラス材料は焼成により固化される。第二の被覆体（１０）を構成するガラス材料は半導体発光素子（２）に強固に密着する。第一の外部端子（３）及び第二の外部端子（４）の一方の端部に凹部（３ａ）が形成され、半導体発光素子（２）は第二の被覆体（１０）と共に凹部（３ａ）の底部（３ｂ）に固着される。
【０００９】金属アルコキシドはＳｉ（ＯＣＨ３）４（テトラメトキシシラン）、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４（テトラエトキシシラン）、Ｓｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４等のシリコンテトラアルコキシド、ＺｒＳｉ（ＯＣＨ３）４、Ｚｒ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、Ａｌ（ＯＣＨ３）３、Ａｌ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ａｌ（ｉｓｏ−ＯＣ３Ｈ７）３、Ａｌ（ＯＣ４Ｈ９）３から選択された１種又は２種以上である。セラミック前駆体ポリマーはペルヒドロポリシラザンである。第二の被覆体（１０）は、ガラス材料を半導体発光素子（２）の融点よりも低い温度で焼成して形成される。第二の被覆体（１０）は、メタロキサン（ｍｅｔａｌｏｘａｎｅ）結合を主体とする透明な固形ガラス層である。メタロキサンは、一般式：Ｍ(ＯＲ)ｎで表され、Ｍは珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）又は亜鉛（Ｚｎ）から成る群から選ばれた少なくとも一種の金属、Ｒは同種又は異種の炭素数１〜２２の飽和又は不飽和脂肪属炭化水素基、ｎは金属の原子価に相当する数をいう。」
　
　オ　「【００１５】図１に示すように、本実施の形態による発光ダイオード装置（１）は、一方の端部側に凹部（皿形状の電極）（３ａ）及び第一のワイヤ接続部（９ａ）が形成された第一の外部端子（３）と、一方の端部側に第二のワイヤ接続部（９ｂ）が形成された第二の外部端子（４）と、凹部（３ａ）の底面に固着された発光ダイオードチップ（２）と、第一及び第二のワイヤ接続部（９ａ，９ｂ）と発光ダイオードチップ（２）との間に接続された第一及び第二のリード細線（５，６）と、凹部（３ａ）内に充填され発光ダイオードチップ（２）を被覆する第二の被覆体（１０）と、第二の被覆体（１０）の外側を被覆する第一の被覆体（８）とを備えている。第一の外部端子（３）と第二の外部端子（４）は周知のリードフレームから構成され、凹部（３ａ）は第一の外部端子（３）を長さ方向に押し潰して形成される。
【００１６】発光ダイオードチップ（２）は、窒化ガリウム系化合物半導体から成り、約３７０〜４００ｎｍの波長を有する近紫外線で発光する。窒化ガリウム系半導体は、周知のエピタキシャル成長方法等でサファイア等より成る絶縁性基板上に形成されたＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但し、０＜Ｘ≦１）で表される。図２に示す実施の形態では、発光ダイオードチップ（２）は、周知のエピタキシャル成長方法によってサファイアの絶縁性基板（２ａ）上に例えば、ＧａＮから成る窒化ガリウム系半導体によってバッファ層（２ｂ）が形成される。例えば、ＧａＮから成る窒化ガリウム系半導体によってバッファ層（２ｂ）の上にｎ形半導体領域（２ｃ）が形成される。エピタキシャル成長方法によってｎ形半導体領域（２ｃ）上に、例えば、ＩｎＧａＮから成る窒化ガリウム系半導体によって活性層（２ｄ）が形成される。活性層（２ｄ）上に形成される半導体基体（２ｅ）は、例えば、ＧａＮから成るｐ形半導体領域を備えた窒化ガリウム系半導体である。半導体基体（２ｅ）上に形成されたアノード電極（２ｆ）は半導体基体（２ｅ）の上面に露出するｐ形半導体領域に電気的に接続される。ｐ形半導体領域を備えた半導体基体（２ｅ）と活性層（２ｄ）の一部には、ｎ形半導体領域（２ｃ）が露出する切欠部（２ｈ）が形成される。ｎ形半導体領域（２ｃ）上に形成されたカソード電極（２ｇ）は、ｎ形半導体領域（２ｃ）に電気的に接続される。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「一方の端部側に凹部（皿形状の電極）（３ａ）及び第一のワイヤ接続部（９ａ）が形成された第一の外部端子（３）と、一方の端部側に第二のワイヤ接続部（９ｂ）が形成された第二の外部端子（４）と、凹部（３ａ）の底面に固着された発光ダイオードチップ（２）と、第一及び第二のワイヤ接続部（９ａ，９ｂ）と発光ダイオードチップ（２）との間に接続された第一及び第二のリード細線（５，６）と、凹部（３ａ）内に充填され発光ダイオードチップ（２）を被覆する第二の被覆体（１０）と、第二の被覆体（１０）の外側を被覆する第一の被覆体（８）とを備えている発光ダイオード装置（１）であって、
　発光ダイオードチップ（２）は、窒化ガリウム系化合物半導体から成り、約３７０〜４００ｎｍの波長を有する近紫外線で発光し、
　第二の被覆体（１０）は、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液又はこれらの組み合わせを固化したガラス材料であり、
　金属アルコキシドはＳｉ（ＯＣＨ３）４（テトラメトキシシラン）、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４（テトラエトキシシラン）、Ｓｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４等のシリコンテトラアルコキシド、ＺｒＳｉ（ＯＣＨ３）４、Ｚｒ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、Ａｌ（ＯＣＨ３）３、Ａｌ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ａｌ（ｉｓｏ−ＯＣ３Ｈ７）３、Ａｌ（ＯＣ４Ｈ９）３から選択された１種又は２種以上であり、
　第二の被覆体（１０）を構成するガラス材料は、発光ダイオードチップ（半導体発光素子）（２）に強固に密着する発光ダイオード装置（半導体発光装置）（１）。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「発光ダイオード装置（半導体発光装置）（１）」は、「一方の端部側に凹部（皿形状の電極）（３ａ）・・・が形成された第一の外部端子（３）」の該「凹部（３ａ）の底面に」「発光ダイオードチップ（２）」を「固着さ」せたものであるから、
　ア　引用発明の「第一の外部端子（３）」、「発光ダイオードチップ（２）」及び「発光ダイオード装置（半導体発光装置）（１）」は、それぞれ、本願発明の「支持体」、「発光素子」及び「発光装置」に相当するとともに、
　イ　引用発明の「発光ダイオード装置（半導体発光装置）（１）」は、本願発明の「支持体上に配置された発光素子と、を備えた」との事項を備える。
　
（２）引用発明の「発光ダイオード装置（半導体発光装置）（１）」は、「（第一の外部端子（３）の）凹部（３ａ）内に充填され発光ダイオードチップ（２）を被覆する第二の被覆体（１０）」「を備えている」から、
　ア　引用発明の「第二の被覆体（１０）」は、本願発明の「（前記発光素子を被覆する）コーティング層」に相当するとともに、
　イ　引用発明の「発光ダイオード装置（半導体発光装置）（１）」は、本願発明の「少なくとも前記発光素子表面を被覆するコーティング層と、を備えた」との事項を備える。
　
（３）引用発明の「第二の被覆体（１０）」は、「金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液又はこれらの組み合わせを固化したガラス材料」であり、前記金属アルコキシドは「Ｓｉ（ＯＣＨ３）４（テトラメトキシシラン）、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４（テトラエトキシシラン）、Ｓｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４等のシリコンテトラアルコキシド、ＺｒＳｉ（ＯＣＨ３）４、Ｚｒ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、Ａｌ（ＯＣＨ３）３、Ａｌ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ａｌ（ｉｓｏ−ＯＣ３Ｈ７）３、Ａｌ（ＯＣ４Ｈ９）３から選択された１種又は２種以上であ」って、引用発明の「第二の被覆体（１０）」は、Ｓｉ、Ａｌ及びＺｒのアルコキシドを加水分解することにより得られる酸化物であるＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２を主たる組成とするものである、といえるから、引用発明の「第二の被覆体（１０）」は、本願発明の「平均粒子径が３．０μｍ以上１０μｍ以下の蛍光体の粒子と、その粒子を取り囲んで固着させる、平均粒子径が１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の微粒子と、により構成されており、前記微粒子は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３及びＭＳｉＯ３（なお、Ｍは、Ｚｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒから成る群から選択される少なくとも１種）から成る群から選択される少なくとも１種である、金属アルコキシドを出発原料として生成された酸化物を主たる組成とし、前記酸化物を構成する金属元素と同一の金属元素を構成元素の一つとして含む水酸化物を含んでいる」との事項と、「ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３及びＭＳｉＯ３（なお、Ｍは、Ｚｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒから成る群から選択される少なくとも１種）から成る群から選択される少なくとも１種である、金属アルコキシドを出発原料として生成された酸化物を主たる組成と」するとの事項を備えている点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、　  
「支持体に配置された発光素子と、少なくとも前記発光素子を被覆するコーティング層と、を備えた発光装置であって、
　前記コーティング層は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３及びＭＳｉＯ３（なお、Ｍは、Ｚｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒから成る群から選択される少なくとも１種）から成る群から選択される少なくとも１種である、金属アルコキシドを出発原料として生成された酸化物を主たる組成とする発光装置。」
である点で一致し、両者は次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　本願発明は、コーティング層が、発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収して発光し、平均粒子径が３．０μｍ以上１０μｍ以下である蛍光体の粒子と、その粒子を取り囲んで固着させる、平均粒子径が１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の微粒子と、により構成され、前記微粒子は、金属アルコキシドを出発原料として生成された酸化物を構成する金属元素と同一の金属元素を構成元素の一つとして含む水酸化物を含んでいるのに対し、引用発明は、コーティング層が、そのような蛍光体の粒子を含有するのか否か明らかではなく、また、上記のような平均粒子径の水酸化物を含んだ微粒子により構成されているのか否か明らかでない点。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）引用発明の「第二の被覆体（１０）」は、「金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液又はこれらの組み合わせを固化したガラス材料であ」るところ、「ゾル−ゲル法」に関して、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−２５３５９８号公報（以下「参考文献」という。）には、以下のような記載がある。
　
　「ゾル−ゲル法について、「ゾル−ゲル法の科学」（作花済夫著、アグネ承風社、１９８８／７／５発行）の８〜９頁には、次のように記載されている。ゾル−ゲル法とは、金属の有機または無機化合物の溶液から酸化物の固体を作製する方法である。溶液中で上記化合物の加水分解・重合反応を進ませると、溶液は金属酸化物または水酸化物の微粒子が溶解したゾルとなる。更に、反応を進ませて、そのゾルをゲルとして固定し、できた多孔質のゲルを加熱すれば酸化物の固体を作成できる。この方法によれば、高度に均一で微細な粒子からなる多結晶セラミックを容易に作成できる。
　第６図は上記「ゾル−ゲル法の科学」の１１頁に記載されたゾル−ゲル法の概要を示す図である。ゾル−ゲル法では、出発原料は有機物、無機物のいずれでもよく、また、特定の種類の化合物に限られないが、一般に金属アルコキシドが多く用いられている。
　まず、目的とする酸化物に対応する金属アルコキシドをアルコールに溶解して混合溶液を造る。次に、加水分解に必要な水、触媒としての酸をアルコール溶液として添加する。上記の混合溶液を室温〜８０℃で撹拌しながら加水分解と重合反応を進ませると、金属酸化物の粒子が生じ、溶液はゾルとなり、反応が進むと全体が固まったゲルとなる。上記ゲル体を乾燥させ、更に加熱すると、固体セラミックスやガラスを得ることができる。」（第２頁左下欄第１３行〜同頁右下欄第１９行）
　
　参考文献の上記記載によれば、「ゾル−ゲル法」とは、金属の有機または無機化合物の溶液から酸化物の固体を作製する方法であって、溶液中で上記化合物の加水分解・重合反応を進ませると、溶液は金属酸化物または水酸化物の微粒子が溶解したゾルとなり、更に、反応を進ませて、そのゾルをゲルとして固定し、できた多孔質のゲルを加熱すれば酸化物の固体を作成できるものであり、また、出発原料は、一般に金属アルコキシドが多く用いられること、が理解できる。
　そうすると、本願発明の「コーティング層」に相当し、「金属アルコキシド・・・を含有する溶液をゾル−ゲル法により加水分解重合して成る溶液・・・を固化したガラス材料であ」る、引用発明の「第二の被覆体（１０）」も、本願発明と同様に「微粒子」により構成されているものであると認められる。
　
（２）また、金属アルコキシドを出発原料としてゾル−ゲル法により製造した金属酸化物が、一般に当該金属の水酸化物を含んでいることは本願の優先日前に周知であるから（例えば、国際公開第９７／４９７７５号（第５頁第１７から２３行）、特開２００１−２３００５９号公報（【００２５】）、特開平６−２０００４０号公報（【００１１】〜【００１３】）参照。）、上記（１）に照らせば、引用発明の「第二の被覆体（１０）」は、本願発明と同様に「金属アルコキシドを出発原料として生成され、酸化物を主たる組成とし、前記酸化物を構成する金属元素と同一の金属元素を構成元素の一つとして含む水酸化物を含んでいる微粒子」により構成されているものであると認められる。
　
（３）しかるところ、窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子を覆う光透過性の被覆部材に、その平均粒径が３．０から１５．０μｍ、５〜２０μｍ、或いは粒径が４．６μｍ、５．３μｍ程度であって、該半導体発光素子からの光を吸収して発光する蛍光体を含有させる発光装置は本願の優先日前に周知であり（それぞれ、特開平１０−２４７７５０号公報（【００１４】）、特開２００１−７７４３３号公報（【００２０】、【００２１】、特開２０００−３１５３０号公報（【００４１】、【００４２】）参照。）、また、金属アルコキシドを出発原料としたゾル−ゲル法によって、粒径が２〜２０ｎｍ、０．００１〜０．０５μｍ（１〜５０ｎｍ）或いは数１００Å（数１０ｎｍ）程度の金属酸化物の粒子（粉末）を製造し得ることは本願の優先日前に周知であるから（それぞれ、特開平８−２４５８２７号公報（【００２７】〜【００３０】）、特開２０００−３２７９３０号公報（【００３０】〜【００３２】）、特開平６−３２２２８８号公報（【０００２】）参照。）、引用発明の「第二の被覆体（１０）」に、平均粒子径が３．０μｍ以上１０μｍ以下程度の蛍光体の粒子を含ませるとともに、該「第二の被覆体（１０）」を構成する「（金属アルコキシドを出発原料として生成され、酸化物を主たる組成とし、前記酸化物を構成する金属元素と同一の金属元素を構成元素の一つとして含む水酸化物を含んでいる）微粒子」の平均粒子径を１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下程度となし、該微粒子が蛍光体の粒子を取り囲んで固着させるようになして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　そして、本願明細書の記載をみても、蛍光体の粒子及び微粒子の平均粒子径を特定することについて格別の技術的意義を認めることができず、本願発明において、これらの平均粒子径を定めたことに、設計的事項以上の技術的意義があるものとは認められない。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、引用発明、参考文献の上記記載事項及び上記各周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明、参考文献の記載事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明、参考文献の記載事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。