【事件の表示】
　特願２００１−４０１４１０「抵抗層内蔵型銅張り積層板、それを用いたプリント回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１５日出願公開、特開２００３−２００５２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月２８日に特許出願したものであって、平成１８年１月２６日付けの拒絶理由通知に対して、同年４月３日付けで手続補正がされたが、平成１９年３月１６日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年４月２６日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１−２１に係る発明は、平成１８年４月３日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−２１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１−３に係る発明（以下、「本願発明１−３」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】両面がＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの光沢面になっている基体銅箔の前記片面または他方の片面に、電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電性物質から成る抵抗層が形成されている抵抗層付き銅箔が絶縁基材の片面または両面にラミネートされていることを特徴とする抵抗層内蔵型銅張り積層板。
【請求項２】前記抵抗層の厚みが５〜３００mg／ｍ２である請求項１の抵抗層内蔵型銅張り積層板。
【請求項３】前記基体銅箔における前記抵抗層が形成される表面は、粗面化処理が施されて粗化層が形成されていて、前記粗化層の表面のRz値が１〜４μｍになっている請求項１または２の抵抗層内蔵型銅張り積層板。」
　
３．引用例
　拒絶の理由で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開昭５３−９６４６２号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平１１−３４０５９５号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（３−１）引用例１（特開昭５３−９６４６２号公報）
（１ａ）「本発明は、プリント抵抗回路の製作に供される抵抗回路基板に関する。
　従来の抵抗回路基板は、標準として厚さ７０μ又は３５μ、特別なものとして厚さ１８μの電解銅箔を高導電材料層に用い、この片面にニッケル等の抵抗材料層及び絶縁支持体を設けたものである。」（第１頁左下欄第１８行−右下欄第４行）
　
（１ｂ）「この抵抗回路基板から抵抗回路を形成するには、フォトレジスト法が用いられるが、・・・パターンを高精度に再現することは至難であり、高精度の抵抗値を得ることは不可能であった。また、厚さ１８μの銅箔を用いた場合における形成パターンの最小巾は１５０μが限度であり、このため高抵抗の形成に限界があった。」（第１頁右下欄第５行−第２頁左上欄第２行）
　
（１ｃ）「本発明の抵抗回路基板の製法は、例えばまず、上記した被覆層となる板、フイルム、箔の片面に銅等の高導電材料層を形成し、次にこの上にニッケル等を主成分とする抵抗材料層を形成し、最後にこの上に絶縁支持体を接合することにより製作される。
　このような製法と構造により、高導電材料層の厚さを任意に薄くすることが可能となり前述した多くの問題点を解決するに至ったものである。」（第２頁左下欄第１５行−右下欄第３行）
　
（１ｄ）「次に、本発明の抵抗回路基板をその製法の一例とともに説明する。
　厚さ２０μ〜２００μ、好ましくは１００μ程度の被覆層をなす薄板、例えばアルミニウム箔の片面を有機系レジストにより被覆し、高導電材料層を形成するため他の片面に銅の電解メッキを施す。このメッキの厚みは２μ程度から１０μ程度以上まで任意に選ぶことができる。次に、水洗を行ったのち、高導電材料層の上に抵抗材料層を形成するため、例えば電解ニッケルメッキを厚さ数１００Å〜１０００Å程度に施す。この抵抗材料層の厚みは面積抵抗値に関係するので製品の種類により異なる。また、抵抗材料としてはニッケルのほか、ニッケル−リン、・・・ニッケル−コバルト−ホウ素等を広く用いることができる。就中、５乃至３０重量％のリンを含むニッケル−リンはメッキ処理が簡単でかつ電気抵抗値が適当であるため実用的効果が大きい。抵抗材料層のメッキを行ったのち水洗、乾燥し、その上に絶縁支持体として例えばエポキシ樹脂含浸ガラス布、いわゆるプリプレグを熱圧着により接合して本発明による抵抗回路基板が完成する。」（第３頁左上欄第３行−右上欄第８行）
　
（１ｅ）「次に、上述の実施例１により製作した抵抗回路（銅層厚み５μ）と、従来品（銅層厚み１８μ及び３５μの２種）について、製作可能な導体及び抵抗体の最小線巾、並びに最小間隔巾、及び、製作された抵抗値の設計値からのズレ及びバラツキの実測データを第１表に示す。」（第４頁右下欄第１５−２０行）
　
（１ｆ）第１表からは、銅層厚みが５μ及び１８μの抵抗回路基板が、いずれも抵抗層厚み５００Å、面積抵抗１００Ω／□の抵抗層を有していることを読み取ることができる。
　
　上記の引用例１記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「厚さ１８μの電解銅箔を高導電材料層に用い、この片面にニッケル等の厚み５００Å、面積抵抗１００Ω／□の抵抗材料層及び絶縁支持体を設けた従来の抵抗回路基板」
　
（３−２）引用例３（特開平１１−３４０５９５号公報）
（２ａ）「【請求項１】表面粗度（Ｒｚ）２.０〜４.０μｍの粗化面を有する電解銅箔と、前記電解銅箔の粗化面の上に形成された厚み０.０１〜０.０５mg/dm２のニッケル層と、前記ニッケル層の上に形成された厚み０.１５〜０.５mg/dm２の亜鉛層とから成ることを特徴とする印刷回路基板用の銅箔。
【請求項２】前記電解銅箔の粗化面は、表面粗度（Ｒｚ）２.０μｍ以下の電解銅箔の表面に形成された粒子径０.２〜２.０μｍの粒子が８０％以上占有する粗化粒子層の面である請求項１の印刷回路基板用の銅箔。」（特許請求の範囲）  
 　 
（２ｂ）「【発明の属する技術分野】本発明は、印刷回路基板用の銅箔および樹脂付き銅箔に関し、更に詳しくは、エッチングファクタ（Ｅｆ）値が大きく、高密度超微細配線が可能であり、多層印刷回路基板の製造に用いて好適な印刷回路基板用の銅箔と樹脂付き銅箔に関する。」（【０００１】）
　
（２ｃ）「【従来の技術】印刷回路基板は、通常、次のようにして製造されている。
　すなわち、ガラス・エポキシ樹脂やガラス・ポリイミド樹脂などから成る電気絶縁性の基材の表面に、熱硬化性の接着剤を介して表面回路形成用の銅箔を積層して銅張り積層板とし、その銅張り積層板に、スルーホールの穿設，スルーホールめっきを順次行ったのち、表面の銅箔にエッチング処理を行って所望する回路パターンを形成し、最後に、ソルダーレジストの形成やその他の仕上げ処理が行われる。
　上記した工程における銅張り積層板の製造時に用いる接着剤としては、通常、基材を構成している熱硬化性性樹脂と同種の電気絶縁性樹脂のワニスをガラス布などに含浸・嵌挿させて当該ワニスを半硬化状態にし、それをマトリックス樹脂とするプリプレグ材が主流になっている。
　すなわち、前記した基材の上・下面に所望枚数のプリプレグ材を配置し、更にプリプレグ材の表面に表面回路形成用の銅箔を重ね合わせたのち、全体を熱圧着して銅張り積層板が製造されている。」（【０００２】−【０００５】）
　
（２ｄ）「ここで、表面回路形成用の銅箔としては、一般に電解銅箔が用いられている。この電解銅箔は、表面平滑な回転ドラムの当該表面に通常は硫酸銅浴を用いて銅を電解析出させて成膜し、それを連続的に回転ドラムから剥離して製造されている。したがって、得られた電解銅箔の剥離面は比較的平滑であり、銅の析出面（マット面）は比較的粗い面になっており、銅張り積層板の製造時には、この粗化面であるマット面をプリプレグ材に接合することにより当該粗化面でプリプレグ材に対するアンカー効果を発揮させ、プリプレグ材と電解銅箔との間の接合強度を高めるようにして回路基板としての信頼性の確保がなされている。」（【０００６】） 
 　 
（２ｅ）「ところで、最近の各種電子部品は高度に集積化され、小型でかつ高密度の印刷回路を内蔵するＩＣやＬＳＩなどが使用されている。そして、このことに対応して、印刷回路基板における回路パターンも高密度化が要求され、微細な線幅の配線から成る回路パターンが形成されている、いわゆるファインパターンの印刷回路基板が要求されるようになった。例えば半導体パッケージに使用される印刷回路基板の場合には、配線と線幅がそれぞれ５０μｍ前後という高密度極微細配線を有する印刷回路基板が要求されている。
　このファインな回路パターンを形成しようとする場合には、エッチング時におけるエッチングファクタ（Ｅｆ）を考慮することが重要である。」（【０００８】−【０００９】）
　
（２ｆ）「このような薄い銅箔を用いると、確かにＥｆ値を向上させることは可能になる。しかしながら、この銅箔の場合も、基材との接合強度の確保のために基材側の表面は粗化面になっていて、この粗化面の突起部が基材に喰い込んでいるので、この突起部を完全にエッチング除去するためにはある時間のエッチング処理を継続しなければならない。粗化面の突起部を完全に除去しないと、それが残銅となり、回路パターンの間隔が狭い場合には絶縁不良を引き起こすからである。
　したがって、粗化面の突起部をエッチング除去する過程で、既に形成されている回路パターンの側壁のエッチングも進行してしまい、結局はＥｆ値は小さくなってしまう。
　薄い銅箔を用いる場合、その表面粗度を小さくすれば上記した問題を解消できることは事実であるが、その場合には銅箔と基材との接合強度は小さくなるため信頼性に富むファインな回路パターンの印刷回路基板を製造することは困難である。」（【００１７】−【００１９】）
　
（２ｇ）「本発明は、上記した要請に応えるべく開発された銅箔であって、線間や線幅が５０μｍ前後のファインな回路パターンである場合でも、大きいＥｆ値と高い接合強度を実現することができる印刷回路基板用の銅箔、および樹脂付き銅箔の提供を目的とする。」（【００２３】）
　
（２ｈ）「上記した粗化面１ａは、ＪＩＳＢ０６０１で規定する１０点平均粗さの値（Ｒｚ）が２.０〜４.０μｍになっている。このＲｚ値が２.０μｍより小さい場合には、前記接合面１Ａを基材と接合したときに充分な接合強度が得られず、またＲｚ値が４.０μｍより大きい場合には、接合面１Ａの突起部の基材への喰い込み量が大きくなり、エッチング時に前記突起部の完全除去に長い時間を要するため、Ｅｆ値が小さくなって、信頼性の高いファインな回路パターンの形成が困難になる。」（【００２７】）
　
（２ｉ）「電解銅箔は、その生産効率を高めるために、通常、２０〜１５０Ａ/dm２という高電流密度で製造されているが、その場合には、マット面のＲｚ値が５μｍ以上のものが製造されやすい。しかしながら、例えば市販の装飾用光沢銅めっき浴やチオ尿素，糖蜜などを添加した電解浴を用いたり、また電流密度を下げるなど電解条件を変えることにより、マット面のＲｚ値を１μｍ前後にまで小さくして平滑にすることもできる。更には、比較的粗いマット面に対して、例えば電解研磨法や化学研磨法などを適用して当該マット面を平滑にすることもできる。」（【００３０】）
　
（２ｊ）「しかしながら、本発明では粗化面１ａのＲｚ値を２.０〜４.０μｍと比較的小さくし、しかも比較的狭い上記範囲内にＲｚ値をおさめることが必要であることを考えると、電解銅箔の製造時に、前記した電解条件を適切に選択してマット面のＲｚ値が２.０μｍ以下である表面平滑な電解銅箔を連続的に製造し、そのマット面に、後述するような粗化処理を施してＲｚ値を２.０〜４.０μｍに高めることが好ましい。」（【００３２】） 
　
（２ｋ）「実施例１
　（１）電解銅箔の製造
　下記の条件で、長さ３００mm，幅３００mm，厚み１０μｍの電解銅箔を製造した。
　　浴組成：金属銅５５g/L，硫酸５５g/L，塩化物イオン３０ppm（ＮａＣｌとして），３−メルカプト１−プロパンスルホン酸ナトリウム１.５ppm，ヒドロキシエチルセルロース１０ppm。
　　浴温：５８℃。
　　対極：含リン銅板。
　　電流密度：５０Ａ/dm２。
　得られた電解銅箔のマット面の表面粗度をＪＩＳＢ０６０１で規定する方法によって測定した。１０点平均表面粗度（Ｒｚ）は１.２μｍであった。
　（２）粗化処理
　まず、金属銅：２０g/L，硫酸：１００g/Lから成る組成の電析浴を建浴した。これを浴(1)とする。また、金属銅：６０g/L，硫酸：１００g/Lから成る電析浴を建浴した。これを浴(2)とする。
　前記した電解銅箔のマット面を、浴(1)を用い、浴温２５℃，電流密度３０Ａ/dm２の条件下で５秒間の粗化処理（粗化粒子層の形成）を行い、上記マット面に銅粒子を析出させた。ついで、浴(2)を用い、浴温６０℃，電流密度１５Ａ/dm２の条件下で１０秒間のめっき処理を行い、前記銅粒子を被覆する緻密な銅のカプセルめっき層を形成した。
　この時点で表面を顕微鏡観察したところ、全面に微粒子状の突起物が形成されている粗化面になっていた。この突起物の粒子径の最大値は１.９μｍ，最小値は０.７μｍであり、またＲｚ値は３.４μｍであった。
　（３）ニッケル層，亜鉛めっき層の形成
　下記組成のニッケルめっき浴を建浴した。
　　硫酸ニッケル六水塩２４０g/L，塩化ニッケル六水塩４５g/L，ホウ酸３０g/L，次亜リン酸ナトリウム５g/L。
　また、下記組成の亜鉛めっき浴を建浴した。
　　硫酸亜鉛七水塩２４g/L，水酸化ナトリウム８５g/L。
　前記電解銅箔の粗化面に、ニッケルめっき浴の浴温を５０℃とし、対極にステンレス鋼板を用い、電流密度０.５Ａ/dm２で１秒間のニッケルめっきを行い、粗化面に厚みが約０.０２mg/dm２の含リンニッケルめっき層を形成し、更にその上に、亜鉛めっき浴の浴温を２５℃とし、対極にステンレス鋼板を用い、電流密度０.４Ａ/dm２で２秒間の亜鉛めっきを行い、厚みが約０.２０mg/dm２の亜鉛めっき層を形成した。
　（４）表面処理
　ついで、銅箔を水洗したのち、三酸化クロム３g/L，ｐＨ１１.５の水酸化ナトリウム水溶液（液温：５５℃）に６秒間浸漬してクロメート処理を行い、水洗乾燥した。
　更に、銅箔を、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン２g/Lの水溶液に１０秒間浸漬したのち取り出し、ついで銅箔の表面を軟質ゴム板でしごいて水切りを行ったのち温度１００℃で乾燥してシランカップリング剤処理を行った。
　（５）片面銅張り積層板の製造
　上記した銅箔を、厚み１mmのガラス繊維エポキシプレプリグシート（ＦＲ−４）の上に配置し、全体を２枚の平滑なステンレス鋼板で挟み、温度１７０℃，圧力５０kg/cm２で６０分間熱圧着し、厚み１mmの片面銅張り積層板を製造した。」（【００６５】−【００７９】）
 　 
４．対比 
（ア）本願発明１と引用例１発明とを対比する。 
（ａ）引用例１発明の「厚さ１８μの電解銅箔」、「抵抗材料層」、「絶縁支持体」、「抵抗回路基板」は、それぞれ順に、本願発明１の「基体銅箔」、「抵抗層」、「絶縁基材」、「抵抗層内蔵型銅張り積層板」に相当する。
（ｂ）引用例１発明の「ニッケル等」は、本願発明１の「導電性物質」の一種であるといえる。
（ｃ）本願発明１の「ラミネート」は、引用例１発明の「・・・を設けた」の一形態であるといえる。
　
　そうすると、両者は、 
「基体銅箔の片面または他方の片面に、導電性物質から成る抵抗層が形成されている抵抗層付き銅箔を絶縁基材の片面または両面に設けたことを特徴とする抵抗層内蔵型銅張り積層板。」
の点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
　相違点１：本願発明１の「基体銅箔」が「両面がＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの光沢面になっている」のに対して、引用例１発明の「厚さ１８μの電解銅箔」の表面の１０点平均粗さの値が明らかでない点。
　
　相違点２：本願発明１の「導電性物質」は「電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである」のに対して、引用例１には「ニッケル等」の電気抵抗率が明示されていない点。
　
　相違点３：本願発明１では、「抵抗層付き銅箔」が「絶縁基材」に「ラミネート」されているのに対して、引用例１には、「・・・を設けた」と記載されているだけである点。
　
５．判断 　 
（１）本願発明１の進歩性について
・相違点１について 
（ア）引用例３の上記摘記（２ｄ）にも記載されているように、一般に電解銅箔は、剥離面と、銅の析出面（マット面）を有するといえる。
　そして、電解銅箔の剥離面が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍ程度の表面粗さを備えた光沢面になっていることが格別のことではないことは、以下の周知文献１−３の記載からも明らかである。
　
　周知文献１：特開平９−１９５０９６号公報
（周１）「【従来の技術】一般に、プリント配線板に用いられる電解銅箔は、銅電解液を電解して電気化学的に陰極ドラム面上に銅を電着させた後に剥離して得られ、電解析離箔と呼ばれる。このようにして得られた電解析離箔の電解析出開始面（光沢面）は、比較的平滑であり、電解析出終了面（粗面）は一般的に凹凸を有する。プリント配線板に用いられる銅張積層板は、この電解析離箔の粗面側に粒子状の銅電着物を形成（コブ付け処理）し、この処理面にガラスエポキシ、ポリイミドなどの樹脂基材を張り合わせて製造する。プリント配線板の配線パターンは、銅張積層板をエッチングして形成する。・・・ＪＩＳ　Ｂ　０６０１によれば、１８ミクロン厚さの通常の電解析離箔では、粗面側の表面粗度は５〜８ミクロン程度であり、ＶＬＰ箔の場合は３〜５ミクロン程度である。なお、粗面側とは逆の光沢面側（平滑面側）は、ドラム面の転写となるため、析離箔の種類に係わらず、光沢面側の表面粗度は、１．５〜２．０ミクロン程度である。」（【０００２】−【０００４】）
　
　周知文献２：特開平７−２３１１５２号公報（拒絶理由通知で引用した文献９）
（周２）「さらに平滑面の粗さは通常の電解銅箔ではＲＺ〜０．５〜１μｍと低い・・・」（【０００６】）
　
　周知文献３：特開２０００−２６９６３７号公報
（周３）「・・・キャリヤーとしての電解銅箔の光沢面は平滑に見えるが、ＲＺは約２μｍ前後で、・・・」（【００２５】）
　
　してみれば、引用例１発明の電解銅箔の剥離面を「ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの光沢面になっている」とすることに格別の困難は認められない。
　
（イ）続いて、引用例１発明の電解銅箔の、銅の析出面（マット面）の表面粗さについて検討する。
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｃ）の記載から、引用例１には「従来の抵抗回路基板」が有する「パターンを高精度に再現することは至難であり、高精度の抵抗値を得ることは不可能であった。また、厚さ１８μの銅箔を用いた場合における形成パターンの最小巾は１５０μが限度であり、このため高抵抗の形成に限界があった」という問題点を、「高導電材料層の厚さを任意に薄くすること」によって解決するという、課題解決手段が開示されているものと理解できる。
　
（ウ）一方、引用例３には、引用例１に記載された抵抗回路基板に近接した技術分野に属する発明である、印刷回路基板に係る発明が開示されており、引用例３の上記摘記（２ｅ）に記載されている「このファインな回路パターンを形成しようとする場合には」という技術的課題は、引用例１の上記摘記（１ｂ）に記載されている「パターンを高精度に再現することは至難であり」という技術的課題と、共通する部分を有するものであるといえる。
　そして、引用例３の上記摘記（２ｆ）に、印刷回路基板において単に「薄い銅箔を用いる」としただけでは、「基材との接合強度の確保のために基材側の表面は粗化面になっていて、この粗化面の突起部が基材に喰い込んでいるので、この突起部を完全にエッチング除去する・・・過程で、既に形成されている回路パターンの側壁のエッチングも進行してしまい、結局はＥｆ値は小さくなってしまう」ので「ファインな回路パターンを形成」することが困難であり、また、薄い銅箔を用いた場合において単に「その表面粗度を小さく」しただけでは「銅箔と基材との接合強度は小さくなる」ため信頼性に富むファインな回路パターンの印刷回路基板を製造することは困難であるとする技術的知見が開示されるとともに、上記摘記（２ｈ）の記載から、電解銅箔の「粗化面」の「ＪＩＳＢ０６０１で規定する１０点平均粗さの値（Ｒｚ）」が「２.０μｍより小さい場合」には、「充分な接合強度が得られず」、また、「Ｒｚ値が４.０μｍより大きい場合」には、「Ｅｆ値が小さくなって、信頼性の高いファインな回路パターンの形成が困難になる」ことから、「粗化面」のＪＩＳＢ０６０１で規定する１０点平均粗さの値（Ｒｚ）を「２.０〜４.０μｍ」とすることが望ましいこと、及び、上記摘記（２ｊ）の記載から、「粗化面のＲｚ値を２.０〜４.０μｍと比較的小さくし、しかも比較的狭い上記範囲内にＲｚ値をおさめる」ためには、「電解銅箔の製造時に、・・・電解条件を適切に選択してマット面のＲｚ値が２.０μｍ以下である表面平滑な電解銅箔を連続的に製造し、そのマット面に、・・・粗化処理を施してＲｚ値を２.０〜４.０μｍに高めることが好ましいこと」を理解することができる。
　
（エ）してみれば、引用例１と引用例３に接した当業者であれば、引用例１発明と、引用例３に記載された発明の属する技術分野が近接しており、また、引用例１発明においても、ファインなパターン形成と、高い接合強度が望ましいことが明らかであることから、引用例１に記載された「従来の抵抗回路基板」に相当する引用例１発明について、引用例１に記載された単なる「高導電材料層の厚さを任意に薄くすること」という課題解決手段を適用した場合には、引用例３において開示されている「基材との接合強度の確保のために基材側の表面は粗化面になっていて、この粗化面の突起部が基材に喰い込んでいるので、この突起部を完全にエッチング除去する・・・過程で、既に形成されている回路パターンの側壁のエッチングも進行してしまい、結局はＥｆ値は小さくなってしまう」こととなり、ファインな回路パターンを形成することが困難となる等の不都合が生じるであろうことに思い至り、引用例１発明に、引用例１に記載された「高導電材料層の厚さを任意に薄くすること」という課題解決手段を適用することに替えて、引用例３に記載された「電解銅箔の製造時に、・・・電解条件を適切に選択してマット面のＲｚ値が２.０μｍ以下である表面平滑な電解銅箔を連続的に製造し、そのマット面に、・・・粗化処理を施してＲｚ値を２.０〜４.０μｍに高め」た銅箔を用いることで、充分な接合強度と、信頼性の高いファインな回路パターンの双方の特質を備えるようにすることは、当業者が容易に想到しえたことと認められる。
　
（オ）そして、引用例３の前記「マット面のＲｚ値が２.０μｍ以下である表面平滑な電解銅箔」として、引用例３の上記摘記（２ｋ）には、実施例１として「得られた電解銅箔のマット面の表面粗度をＪＩＳＢ０６０１で規定する方法によって測定した。１０点平均表面粗度（Ｒｚ）は１.２μｍであった。」ものが記載されているのであるから、電解銅箔の銅の析出面（マット面）の表面を「ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの光沢面」とすることに格別の困難は認められない。
　
（カ）してみれば、引用例１発明において、電解銅箔の剥離面、及び、銅の析出面（マット面）の両面を、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの光沢面とすることは、当業者が容易になし得たことであると認められる。また、このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲のものと認められる。
　
・相違点２について
　ニッケルの体積抵抗率（本願発明１の電気抵抗率に相当する）は、０℃において、６．２×１０−８Ω・m、１００℃において１０．３×１０−８Ω・m（理科年表（平成１１年））であるから、引用例１発明の「ニッケル等の厚み５００Å、面積抵抗１００Ω／□の抵抗材料層」を構成する導電性物質の電気抵抗率は、本願発明１で規定する「０.０５〜２μΩ・ｍ」の範囲に含まれていると認められる。
　してみれば、相違点２は、実質的な差異であるとはいえない。
　
・相違点３について
　引用例１の上記摘記（１ｄ）に「本発明の抵抗回路基板をその製法の一例とともに説明する」として記載された「本発明の抵抗回路基板」は、引用例１の上記摘記（１ａ）に記載された「従来の抵抗回路基板」に対して、引用例１の上記摘記（１ｃ）に記載されるように「本発明の抵抗回路基板の製法は、例えばまず、上記した被覆層となる板、フイルム、箔の片面に銅等の高導電材料層を形成し、次にこの上にニッケル等を主成分とする抵抗材料層を形成し、最後にこの上に絶縁支持体を接合する」ように工夫を凝らすことによって、「高導電材料層の厚さを任意に薄くすることが可能となり前述した多くの問題点を解決」したものであると理解することができるから、引用例１における「従来の抵抗回路基板」と引用例１における「本発明の抵抗回路基板」とは、前記「上記した被覆層となる板、フイルム、箔の片面に銅等の高導電材料層を形成し」という構成を除き同一の構成を具備するものと解される。
　一方、引用例１の上記（１ｄ）に記載されている「抵抗材料層のメッキを行ったのち水洗、乾燥し、その上に絶縁支持体として例えばエポキシ樹脂含浸ガラス布、いわゆるプリプレグを熱圧着により接合して」の「熱圧着」は、本願発明１の「ラミネート」に相当する。
　してみれば、引用例１に記載された「従来の抵抗回路基板」である、引用例１発明において「抵抗層付き銅箔」は「絶縁基材」に「ラミネート」されているものと認められるから、相違点３は実質的な差異であるとはいえない。
　
　したがって、引用例１発明において、相違点１〜３について本願発明１の構成を採用することは、引用例１及び引用例３に記載された事項、並びに、従来周知の技術から容易に想到し得たことである。また、相違点１〜３を組み合わせたことによる格別の効果も認めることはできない。
　
（２）本願発明２の進歩性について
　本願発明２と、引用例１発明とを対比すると、本願発明１と引用例１発明との一致点で一致し、その相違点に加えて、次の点で相違する。
　
・相違点４：本願発明２の抵抗層の厚みが「５〜３００mg／ｍ２」であるのに対して、引用例１発明では「５００Å」である点。
　
　そこで、上記相違点４について検討する。
　引用例１の上記摘記（１ｄ）の「この抵抗材料層の厚みは面積抵抗値に関係するので製品の種類により異なる。」との記載から、抵抗回路基板は、製品の種類によって異なる面積抵抗値を有する抵抗材料層を具備していること、及び、抵抗材料層の厚みと面積抵抗値との間に関係があることを理解することができる。一方、抵抗材料層の厚みが薄くなると、面積抵抗値が高くなることは周知の事項である。したがって、引用例１発明において、抵抗材料層の厚みを５００Åよりも薄くすることで、面積抵抗値を１００Ω／□よりも高い、所定の面積抵抗値を有する抵抗材料層を具備した抵抗回路基板を得ることは、引用例１に示唆されているものといえる。
　一方、引用例１の上記摘記（１ｄ）には「電解ニッケルメッキを厚さ数１００Å〜１０００Å程度に施す。」と記載されている。
　ニッケルの密度は８．９０g／ｃｍ３（２５℃）であるから、上記電解ニッケルメッキの１００Åの厚さは、８９mg／ｍ２に相当する厚さということができる。
　してみれば、当業者であれば、引用例１発明において、前記「電解ニッケルメッキを厚さ数１００Å〜１０００Å程度に施す。」との記載に基づいて、抵抗材料層を５００Åよりも薄い、例えば「５〜３００mg／ｍ２」の範囲に含まれる厚みにすることは適宜なし得たことと認められる。なお、「５〜３００mg／ｍ２」の範囲の上限値、及び、下限値に臨界的な意義を認めることはできない。
　また、このような構成を採用することを妨げる特段の理由も認められず、この構成を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲のものといえる。
　したがって、引用例１発明において、相違点４について、本願発明２のようにすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　
（３）本願発明３の進歩性について
　本願発明３（請求項１を引用する請求項３に係る発明）と、引用例１発明とを対比すると、本願発明１と引用例１発明との一致点で一致し、その相違点に加えて、次の点で相違する。
　
・相違点５：本願発明３においては「前記基体銅箔における前記抵抗層が形成される表面は、粗面化処理が施されて粗化層が形成されていて、前記粗化層の表面のRz値が１〜４μｍになっている」のに対して、引用例１発明では、この点が明らかでない点。
　
　そこで、上記相違点５について検討する。
　引用例３の「表面粗度（Ｒｚ）２.０〜４.０μｍの粗化面」は、本願発明３の「Rz値が１〜４μｍになっている」粗化層に相当する。そして、引用例１発明の電解銅箔として、引用例３に記載された表面粗度を有する電解銅箔を用いることが容易であったことは、上記の「（１）本願発明１の進歩性について」で検討したとおりである。そして、このような構成を採用することを妨げる特段の理由も認められず、この構成を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲のものといえる。
　したがって、引用例１発明において、相違点５について、本願発明３のようにすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明１−３は、引用例１及び引用例３に記載された発明、並びに、従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。