【事件の表示】
　特願２０００−１３４６１１「磁気記録媒体の磁化パターン形成方法及び製造方法、磁気記録媒体、並びに磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月３０日出願公開、特開２００１−３３１９０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年５月８日の出願（優先権主張平成１２年２月２５日、平成１２年３月１７日）であって、平成１５年８月１８日付けで手続補正がなされ、その後平成１５年１２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１月１５日に審判が請求されるとともに、平成１６年２月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
 第２　平成１６年２月９日付け手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年２月９日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の
　（ａ）　「【請求項１】基板上に少なくとも１層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体に対し、マスク手段を通して該媒体にエネルギー線を照射し該磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、該磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターンの形成方法であって、
　少なくとも該媒体の磁化パターン形成領域では、該マスク手段と該媒体とのあいだに１μｍ以上、１ｍｍ以下の間隙を設けることを特徴とする磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】基板上に少なくとも１層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体に対し、
フォト
ク
前記
前記
前記
　少なくとも
前記
前記フォト
ク
前記
１０
　
前記保護層の厚さを０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下
　
前記潤滑層の厚さを１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とする
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「マスク手段」について、「
フォト
ク
前記保護層の厚さを０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下
前記潤滑層の厚さを１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とする
　ところで、本件補正の、「少なくとも
前記
前記フォト
ク
前記
１０
１０
　また、本件補正の、「少なくとも
前記
前記フォト
ク
前記
１０
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、また特許法第１７条の２第４項第２号に該当しないので、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
２．
　なお、本件補正の「
１０
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−３４７４４号公報（以下「引用例１」という。）には、「光磁気または磁気ディスクの製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「
記録層に垂直方向に第１の外部磁場を印加することにより上記記録層の磁化の方向を上記第１の外部磁場の方向にそろえた後、上記記録層に上記第１の外部磁場と逆方向の第２の外部磁場を印加した状態で記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて上記記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するようにした
磁気ディスクの製造方法
　（イ）　「第１図Ａ〜Ｄは本発明の一実施例による光磁気または磁気ディスクの製造方法を工程順に示す断面図であり、第２図Ａ〜Ｄはそれぞれ第１図Ａ〜Ｄに対応する平面図である。
　第１図Ａ及び第２図Ａに示すように、まず
基板１上に垂直磁化膜から成る記録層２が形成された
　次に、
第１図Ｂ及び第２図Ｂに示すように、記録すべき信号に対応した多数の開口３ａが形成されたマスク３（第３図参照）を記録層２上に載せる
　次に、第１図Ｃ及び第２図Ｃに示すように、例えば半導体レーザチップ（図示せず）を複数個ライン状に並べた半導体レーザアレイ４によりディスク径よりも幅の大きいライン状のレーザ光５を形成し、記録層２上にマスク３が載せられた上述の光磁気または磁気ディスクをこの半導体レーザアレイ４の下側を例えばレーザ光５の長手方向に垂直方向に移動させることにより、マスク３の全面にレーザ光５を照射する。ここで、このレーザ光５の照射は、外部磁場Ｈｉと逆方向の外部磁場Ｈｗを記録層２に印加した状態で行う。この場合には、レーザ光５の照射により熱アシストが行われることから、Ｈｗ≪Ｈｃでよい。このようにして
マスク３の全面にレーザ光５を照射することにより、このマスク３の開口３ａを通過したレーザ光５により照射された部分の記録層２が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇する。そして、外部磁場Ｈｉと逆方向に印加された外部磁場Ｈｗにより、この温度が上昇した部分の記録層２の磁化が反転し、これによって信号が記録される
　このようにして、第１図Ｄ及び第２図Ｄに示すように、信号が記録された光磁気または磁気ディスクが製造される。」（公報２頁左下欄下から５行〜３頁左上欄末行、［実施例］の項）
　（ウ）「以上述べたように、本発明によれば、記録層に第１の外部磁場と逆方向の第２の外部磁場を印加した状態で記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するようにしているので、信号が記録された光磁気または磁気ディスクを容易に製造することができ、これによって再生専用の光磁気または磁気ディスクを大量複製することができる。」（公報３頁右下欄下から１０行〜末行、［発明の効果］の項）
　（エ）　レーザ光照射時の記録層及びマスクの一部分の拡大断面図である第４図には、基板１の上に記録層２が形成され、その上に間隔をあけてマスク３が図示され、マスクの開口３ａを通してレーザ光５が照射されることが、図示されている。
　
（２）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記（１）で摘示した記載事項、特に（ア）（イ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「記録層に垂直方向に第１の外部磁場を印加することにより上記記録層の磁化の方向を上記第１の外部磁場の方向にそろえた後、上記記録層に上記第１の外部磁場と逆方向の第２の外部磁場を印加した状態で記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて上記記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するようにした磁気ディスクの製造方法であって、
　磁気ディスクは、基板上に垂直磁化膜から成る記録層が形成されたものであり、
　マスクの全面にレーザ光を照射することにより、このマスクの開口を通過したレーザ光により照射された部分の記録層が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇し、第２の外部磁場により、この温度が上昇した部分の記録層の磁化を反転させるものである、方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「記録層」「磁気ディスク」「レーザ光」は、それぞれ補正後の発明の「磁性薄膜」「磁気記録媒体」「エネルギー線」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「マスク」は、レーザ光を選択的に照射するためのマスクであるから、補正後の発明の「フォトマスク」に相当している。
　引用例１に記載された発明は、マスクを用いてレーザ光を選択的に照射してこの照射部の磁化を反転させることにより信号を記録するのであるから、引用例１に記載された発明の「磁気ディスクの製造方法」は、補正後の発明の「磁気記録媒体の磁化パターン形成方法」に実質的に相当している。
　引用例１に記載された発明は、「マスクの全面にレーザ光を照射することにより、このマスクの開口を通過したレーザ光により照射された部分の記録層が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇」するので、補正後の発明の「基板上に少なくとも１層の磁性薄膜を有してなる磁気記録媒体に対し、フォトマスクを通して前記媒体にエネルギー線を照射し前記磁性薄膜を局所的に加熱する工程」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明は、「記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて上記記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録する」ものであり、上記（イ）（ウ）（第１図、第４図参照）から、「少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とを設ける」構成を備えているといえる。
　
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）　「基板上に少なくとも１層の磁性薄膜を有してなる磁気記録媒体に対し、フォトマスクを通して前記媒体にエネルギー線を照射し前記磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、前記磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターンの形成方法であって、少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とを設ける、磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。」　
　（相違点１）　「磁気記録媒体」について、補正後の発明は、「基板上に少なくとも１層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる」と特定し、「前記保護層の厚さを０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、前記潤滑層の厚さを１ｎｍ以上１０ｎｍ以下」と特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定していない点。
　（相違点２）　補正後の発明は、「少なくとも前記媒体の磁化パターン形成領域では、前記フォトマスクと前記媒体とのあいだに１μｍ以上、１ｍｍ以下の間隙を設け」と特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、間隙について特定していない点。
　
（３）判断
（相違点１について）
　引用例１には、磁気ディスクの記録層以外の層について詳細な記載がないが、磁気ディスクは、記録層である磁性薄膜の上に、保護層と潤滑層を順次有しているものであることが周知の事項であって、その保護層の厚さとして０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、潤滑層の厚さとして１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度は、周知の厚さであって、例えば、特開平４−２８３４１８号公報（磁気ディスクは、記録層の表面に１０〜３０ｎｍのスパッタカーボン膜からなる保護膜と３〜６ｎｍの潤滑膜とを順に積層した構成である旨の、従来技術の記載（段落３）参照）、特開平８−７７５４４号公報（１０ｎｍの保護層及び２ｎｍの潤滑層である旨の従来技術の記載（段落４）等参照）、特開平８−２０３０５９号公報（２０ｎｍ程度の保護膜と５ｎｍ程度の潤滑層を順に積層した構成である旨の記載（段落２〜４、１５）等参照）に記載されている。
　よって、上記相違点１は、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　
（相違点２について）
　引用例１には、マスクと磁気記録媒体との配置について、「第１図Ｂ及び第２図Ｂに示すように、記録すべき信号に対応した多数の開口３ａが形成されたマスク３（第３図参照）を記録層２上に載せる」（上記（イ）参照）と記載され、また、レーザ光照射時の記録層及びマスクの一部分の拡大断面図である第４図には、基板１の上に記録層２が形成され、その上に間隔をあけてマスク３が図示されている（上記（エ）参照）。ただ、上記図示では、間隔が積極的にあけられているのか、模式図として示す必要性から間隔があいているのか明確ではない。
　フォトマスクとエネルギー線を用いて、フォトマスクのパターンを被転写体に転写する技術に於いて、フォトマスクを被転写体に密着させるコンタクト方式とともに、接触させない程度（数μｍ〜数１０μｍ程度）に近接させるプロキシミティ方式が、周知の事項であって、プロキシミティ方式は、コンタクト方式の欠点であるマスクや被転写体の損傷を改良するものであることが、知られている。例えば、原審の拒絶査定において周知の根拠として示された特開平４−７３７６６号公報には、「マスクと被転写体とを触れない程度の間隔をおいて配置し、露光用光をマスク全面に走査しこのマスクのパターンを被転写体に転写するプロキシミティ露光装置」が従来の技術（特許請求の範囲の請求項１の一部、公報２頁右上欄１５行〜左下欄７行等）として示され、触れない程度の間隔として１０〜５０μｍが例示され（公報４頁左上欄６〜７行）、当該間隔を調整すれば、被転写体に曲がりなどの変形が生じてもマスクのパターンを正確に転写できる作用効果が記載されている（公報７頁左上欄１７行〜２０行）。また、特開昭５７−４４１５０号公報には、マスクと基板を密着させないプロキシミティ法による露光は、マスクに損傷を生じたり、ごみが付着したりすることが少ないという利点がある旨（公報１頁左下欄９行〜１１行の従来技術の説明）、及び５０μｍの間隔の例示（公報１頁右下欄７行）が記載されている。また、特開昭５７−３４３３３号公報には、マスクと被露光物との位置関係は、合わせ精度と解像度に直接影響を与え、密着方式は解像度が良いものの、密着するのでマスクの表面に損傷や異物の付着があり、マスク寿命の低下をもたらしたりウエハ面にピンホールが発生したりする欠点があり、この欠点を改良する為に考えられたマスクとウエハを接触させないで露光させる方式（プロキシミティ法）が、マスクとウエハの間隔を数μｍ〜数１０μｍに保っておき、非接触で露光を行う方法であることが記載されている（公報１頁右下欄５行〜２頁左上欄４行）。また、特開昭５４−１４１５７３号公報（公報１頁右下欄従来の技術の記載参照）にも同様の記載がある。
　してみれば、引用例１に記載された発明の、レーザー光により媒体を選択的に照射する技術において、フォトマスクのパターンを被転写体である媒体に転写するための、フォトマスクと媒体との配置として、近接するが接触しない程度の間隙（数μｍ〜数１０μｍ程度）を設けるようにすることは、当業者であれば、上記フォトマスクに関する周知の事項を採用して容易に想到しうることである。また上記相違点２における数値範囲の「１μｍ以上、１ｍｍ以下」は、近接するが接触しない程度の間隙（数μｍ〜数１０μｍ程度）を含む範囲であり、上限下限の数値に格別意義があるといえない。なお、「１μｍ以上、１０ｍｍ以下」の範囲であるとしても、同様に格別意義があるとはいえない。
　
　そして、上記相違点１、２を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例１に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、本願出願前に頒布された上記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１６年２月９日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至２１に係る発明は、平成１５年８月１８日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。                                            
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「第２の２（１）」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２の２」で検討した補正後の発明から、「マスク手段」についての限定事項である「
フォト
前記保護層の厚さを０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下
前記潤滑層の厚さを１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とする
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の２（２）、（３）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。