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　平成１１年特許願第２３５２４０号「集積回路の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２４３２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年８月２３日の特許法第３６条の２第１項の規定による出願（パリ条約優先権主張、１９９８年８月２６日、米国）であって、平成１５年１２月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年３月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２１日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年４月２２日付けで審尋がなされ、これに対して同年１０月２５日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１６年４月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月２１日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、補正前の請求項１及び６（以下、それぞれ「補正前請求項１」及び「補正前請求項６」という。）を補正後の請求項１及び６（以下、それぞれ「補正後請求項１」及び「補正後請求項６」という。）と補正するものである。
　すなわち、補正前請求項１の
「【請求項１】　第１絶縁層を形成するステップと、
　前記第１絶縁層の中に異なる深さの少なくとも第１トレンチと第２トレンチを形成するステップであって、前記第１トレンチは、前記絶縁層の厚さと同じ深さを有し、前記第２トレンチは前記絶縁層の厚さより、小さい深さを有し、
　前記第１トレンチと第２トレンチ内にポリシリコン材料層を形成するステップと
を有することを特徴とする集積回路の形成方法。」を
　補正後請求項１の
「【請求項１】　二重ポリシリコン構造を製造する方法であって、前記方法が、
　第１絶縁層を形成するステップと、
　前記第１絶縁層の中に異なる深さの少なくとも第１トレンチと第２トレンチを形成するステップであって、前記第１トレンチは、前記絶縁層の厚さと同じ深さを有し、前記第２トレンチは前記絶縁層の厚さより、小さい深さを有し、
　前記第１トレンチと第２トレンチ内にポリシリコン材料層を形成するステップとを有し、前記ポリシリコン材料が前記二重ポリシリコン構造の一部を形成するが、相互接続の一部として形成されない
ことを特徴とする集積回路の形成方法。」と補正すること（以下、「補正事項１」という。）と、
　補正前請求項６の
「【請求項６】　イオンを第１絶縁層内に注入するステップ
をさらに有することを特徴とする請求項１記載の方法。」を
補正後請求項６の
「【請求項６】　イオンを第１絶縁層内に注入するステップ
をさらに有することを特徴とする請求項４記載の方法。」と補正すること（以下、「補正事項２」という。）である。
　
（２）補正事項の整理
　［補正事項１について］
　補正事項１は、補正前請求項１の「第１絶縁層を形成するステップ」の前に補正後請求項１の「二重ポリシリコン構造を製造する方法であって、前記方法が、」を追加すること（以下、「補正事項１−１」という。）と、補正前請求項１の「前記第１トレンチと第２トレンチ内にポリシリコン材料層を形成するステップとを有する」を、補正後請求項１の「前記第１トレンチと第２トレンチ内にポリシリコン材料層を形成するステップとを有し、前記ポリシリコン材料が前記二重ポリシリコン構造の一部を形成するが、相互接続の一部として形成されない」と補正すること（以下、「補正事項１−２」という。）に区分できる。
　［補正事項２について］
　補正事項２は、補正前請求項６の「請求項１記載の方法」を、補正後請求項６の「請求項４記載の方法」と補正するものである。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）新規事項の追加及び補正の目的の適否について
　［補正事項１について］
　補正事項１−１について
　補正事項１−１についての補正により追加された「二重ポリシリコン構造を製造する方法であって、前記方法が、」という記載が、補正前請求項１の「集積回路の形成方法」を限定するためのものであるとしても、「二重ポリシリコン構造」が「集積回路」の構成のどの部分を意味するか、また「二重ポリシリコン構造」がどのようなものであるかについては、特許法第３６条の２第４項の規定により明細書及び図面とみなされた同条第２項に規定する外国語書面の翻訳文（以下、「当初明細書等」という。）の記載を参酌しても明らかではないから、補正事項１−１についての補正は、補正前請求項１に係る発明を特定するための事項のいずれの下位概念化にも該当せず、当該補正は、発明を特定するための事項を実質的に新たに付加する補正であって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
　補正事項１−２について
　補正事項１−２についての補正は、実質的に、「ポリシリコン材料が前記二重ポリシリコン構造の一部を形成するが、相互接続の一部として形成されない」ことを追加するものであるが、（ａ）「ポリシリコン材料」が「二重ポリシリコン構造」の構成のどの部分を構成しているのか、また「二重ポリシリコン構造」がどのようなものであるか、当初明細書等を参酌しても明らかでないから、「ポリシリコン材料」の構成をどのように限定しているのか明らかでない。また、（ｂ）「ポリシリコン材料」と他の構成要素との接続関係に関し「相互接続の一部として形成されない」ことはどのような構成を意味するか当初明細書等を参酌しても明らかでなく、補正前請求項１に係る発明を特定するための事項のいずれの下位概念化にも該当しないから、補正事項１−２についての補正は、発明を特定するための事項を新たに付加する補正であって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
　また、半導体分野において、「相互接続」とは、ある領域と他の領域とを相互に接続することを意味するから、「ポリシリコン材料」が「相互接続の一部として形成されない」とは、ポリシリコン材料がある領域と他の領域とを相互に接続するための領域の一部としては形成されないことを意味するとも解釈できる。　
　しかしながら、当初明細書等には、【００２１】段落の「実際のデバイスにおいては、電気接続（図示せず）がポリシリコン層４０とソース／ドレイン領域３４に電気的接続が従来方法により行われる。」及び【００２７】段落の「従来方法によりポリシリコン層４０とソース／ドレイン領域３４への電気的接続を行う。」において、「ポリシリコン材料」が「相互接続の一部を形成する」ことが記載されており、また、当初明細書等には、「ポリシリコン層」の電気的接続について上記段落以外には何らの記載もないから、補正事項１−２についての補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものとは認められない。
　
　したがって、補正事項１−１及び補正事項１−２を含む補正事項１についての補正は、当初明細書等に記載された範囲内においてなされたものとは認められず、また、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
　［補正事項２について］
　補正事項２についての補正は、請求項６が引用する請求項を、請求項１から請求項４に変更するものである。
　そして、請求項４は請求項３を引用し、また、請求項３は補正後請求項１を引用するものであるから、補正後請求項６は実質的に補正後請求項１を引用するものであり、補正後請求項６に係る発明は、補正後請求項１に係る発明を前提とするものであるから、補正事項２についての補正は、上記［補正事項１について］において検討したとおりの理由により、当初明細書等に記載された範囲内においてなされたものとは認められず、また、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
　したがって、補正事項１及び補正事項２についての補正を含む本件補正は、当初明細書等に記載された範囲内においてなされたものとは認められず、また、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもないので、特許法第１７条の２第３項及び同第４項第１号ないし第４号に規定された要件を満たさず、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　なお、以下では、仮に、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、且つ、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものとして、独立特許要件について検討する。
　
（３−２）独立特許要件について
　［補正後請求項１について］
　補正後請求項１には「二重ポリシリコン構造を製造する方法」および「前記ポリシリコン材料が前記二重ポリシリコン構造の一部を形成する」とあるが、「二重ポリシリコン構造」に関して、当初明細書等には、「本発明により平面状表面を有する二重ポリシリコン構造を実現できる。この二重ポリシリコン構造は、均一の厚さを有する第１絶縁層と、この第１絶縁層内に異なる深さを有する複数のトレンチと、第１絶縁層よりも薄い第２絶縁層（各トレンチの底において）と、このトレンチを少なくとも部分的に充填するポリシリコン層を有し、比較的平坦な表面を有する。」（【０００７】）、「これにより図４に示した二重ポリシリコン構造が形成できる。」（【００２０】）と記載されているのみで、「二重ポリシリコン構造」は定義されていないから、「二重ポリシリコン構造」がどのような構成であるか明確でなく、補正後請求項１に係る発明の構成が明確でない。
　また、補正後請求項１には「前記ポリシリコン材料が前記二重ポリシリコン構造の一部を形成するが、相互接続の一部として形成されない」とあるが、「前記ポリシリコン材料」が「相互接続の一部として形成されない」との構成に関し、当初明細書等には、「前記ポリシリコン材料」が「相互接続の一部として形成されない」との記載はなく、また、当初明細書等の【００２１】段落の記載、「実際のデバイスにおいては、電気接続（図示せず）がポリシリコン層４０とソース／ドレイン領域３４に電気的接続が従来方法により行われる。」を参酌しても、「ポリシリコン材料」と他の構成要素がどのような関係で「相互接続の一部として形成されない」としているのか明らかでなく、「ポリシリコン材料」の構成をどのように限定しているのかも明確でなく、補正後請求項１に係る発明の構成は明確でない。
　したがって、補正後請求項１に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、本願の特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（３−３）むすび
　したがって、補正事項１及び補正事項２についての補正を含む本件補正は、当初明細書等に記載された範囲内においてなされたものとは認められず、また、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもないので、特許法第１７条の２第３項及び同第４項第１号ないし第４号に規定された要件を満たさず、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　仮に、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、且つ、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものとしても、補正後請求項１に係る発明は、その構成が不明確であり、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、その特許出願の際、独立して特許を受けることができるものではなく、補正事項１及び補正事項２についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年４月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成１５年９月２５日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「第１絶縁層を形成するステップと、
　前記第１絶縁層の中に異なる深さの少なくとも第１トレンチと第２トレンチを形成するステップであって、前記第１トレンチは、前記絶縁層の厚さと同じ深さを有し、前記第２トレンチは前記絶縁層の厚さより、小さい深さを有し、
　前記第１トレンチと第２トレンチ内にポリシリコン材料層を形成するステップと
を有することを特徴とする集積回路の形成方法。」
　
４．刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平５−１０２３２５号公報
　刊行物１は、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布されたものであって、図１および図２とともに以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線された半導体装置に係り、特には、コンタクトホールに導体膜を埋め込む、いわゆるプラグ形成技術に関する。」（０００１段落）
「【０００４】この半導体装置を形成するには、図２(a)に示すように、絶縁層３の所定箇所をエッチングしてコンタクトホール１a，１bを形成した後、同図(b)に示すように、ＣＶＤなどによってコンタクトホール１a，１bが完全に埋まるように導体膜５を積層する。次に、エッチングによりコンタクトホール１a，１bに埋設された導体膜５以外の箇所に存在する導体膜５を除去するいわゆる平坦化処理を行う。そして、同図(c)に示すように、平坦化されたコンタクトホール１a，１bの上の部分に配線層６a，６bを形成する。」（０００４段落）
「【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る半導体装置を製造工程順に示す断面図であり、図２の従来例に対応する部分には同一の符号を付す。
【００１３】図１において、１a，１bはそれぞれ深さの異なるコンタクトホール、２はＡlの下地配線、３はＳiＯ2の絶縁層、４はp層、５はＷやポリシリコンの導体膜、６a、６bはＡlの配線層である。
【００１４】この実施例の特徴は、各コンタクトホール１a，１bについて、その深さＬa，Ｌbと開口径Ｄa，Ｄbとのアスペクト比Ｌa／Ｄa，Ｌb／Ｄbが一定になるように設定されていることである。したがって、一方のコンタクトホール１aは、その深さＬaが浅いので、これに合わせてその開口径Ｄaは小さく設定され、他方のコンタクトホール１bは、その深さＬbが深いので、これに合わせてその開口径Ｄbは大きく設定される。
【００１５】この構成にすれば、図１(a)において、各コンタクトホール１a，１bを形成した後、図１(b)において、ＣＶＤなどによってコンタクトホール１a，１bが完全に導体膜５で埋まるように積層した際に、コンタクトホール１a，１bの上端から導体膜５の表面までの膜厚Ｐa，Ｐbはいずれも略等しくなる。
【００１６】このため、次に、エッチングによりコンタクトホール１a，１bに埋設された導体膜５以外の箇所に存在する導体膜５を除去する平坦化処理においては、上記の膜厚Ｐa，Ｐbの大きさにばらつきが無いので、エチッチング時間を一義的に設定することができ、したがって、エッチング不十分で絶縁層３の表面に存在する導体膜５を取り残したり、オーバエッチングのために深さの浅い方のコンタクトホール１a内の導体膜５が消失するといったことが無くなる。」（００１２〜００１６段落）
　また、図１には、ｐ層４上にSiO2の絶縁層３が形成されていること、および、コンタクトホール１ｂの深さＬｂがSiO2の絶縁層３の膜厚と同じ深さであることが示されている。
　
　これらの記載より、刊行物１には、以下の事項が記載されている。
（１）p層４上に形成されたSiO2の絶縁層３に各コンタクトホール１ａ，１ｂを形成する工程。
（２）コンタクトホール１ａ，１ｂは、ぞれぞれ深さの異なるコンタクトホールであること。
（３）一方のコンタクトホール１ａは、その深さＬａが浅く、他方のコンタクトホール１ｂは、その深さＬｂが深いこと。
（４） コンタクトホール１ｂの深さＬｂがSiO2の絶縁層３の膜厚と同じ深さであること。
（５）コンタクトホール１ａ，１ｂを導体膜５で埋設する工程。
（６）導体膜５はＷ又はポリシリコンであること。
（７）コンタクトホール１ａ，１ｂを備えた半導体装置を製造する方法。
　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「p層４上に形成されたＳｉＯ２の絶縁層３に深さの異なるコンタクトホール１ａ，１ｂを形成する工程と、コンタクトホール１ａ，１ｂをＷ又はポリシリコンからなる導体膜５で埋設する工程を有し、一方のコンタクトホール１ａは、その深さＬａが浅く、他方のコンタクトホール１ｂは、その深さＬｂが深く、かつ、コンタクトホール１ｂの深さＬｂが前記SiO2の絶縁層３の膜厚と同じ深さであることを特徴とする半導体装置を製造する方法。」
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ＳｉＯ２の絶縁層３」および「工程」は、それぞれ、本願発明の「第１絶縁層」および「ステップ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明には「ＳｉＯ２の絶縁層３」を形成する工程について明示されていないが、「ＳｉＯ２の絶縁層３」は「ｐ層４上に形成された」ものであり、刊行物発明が「ＳｉＯ２の絶縁層３」を形成する工程を実質的に有することは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明も「ＳｉＯ２の絶縁層３」を形成する工程を実質的に備えている。
（ｃ）「絶縁層３の所定箇所をエッチングしてコンタクトホール１a，１bを形成」する（０００４段落）のであるから、刊行物発明の「コンタクトホール１a，１b」は「ＳｉＯ２の絶縁層３」をエッチングにより除去した部分であり、本願発明においても、図１及び００１２段落の記載より、「第１絶縁層」をエッチングにより除去した部分が「第１トレンチ」および「第２トレンチ」であるから、刊行物発明の「コンタクトホール１ａ，１ｂ」は、それぞれ、本願発明の「第１トレンチ」及び「第２トレンチ」に相当する。
（ｄ）刊行物発明では「コンタクトホール１ｂの深さＬｂ」が「SiO2の絶縁層３の膜厚と同じ深さであ」り、また、「一方のコンタクトホール１ａは、その深さＬａが浅く、他方のコンタクトホール１ｂは、その深さＬｂが深」いから、「コンタクトホール１ａ」の「深さＬａ」は、「SiO2の絶縁層３の膜厚」よりも小さい深さであることは、当業者にとって明らかである。
（ｅ）刊行物発明の「ポリシリコンからなる導電膜５」は、本願発明の「ポリシリコン材料層」に相当し、刊行物発明の「Ｗ又はポリシリコンからなる導体膜５で埋設する」は、「ポリシリコンからなる導体膜５で埋設する」ことを含み、また、「埋設する」とは、埋め込んで形成することを意味するから、刊行物発明の「ポリシリコンからなる導体膜５で埋設する」は、本願発明の「ポリシリコン材料層を形成する」に相当する。
　よって、両者は、
　「第１絶縁層を形成するステップと、前記第１絶縁層に第１トレンチと第２トレンチを形成するステップであって、前記第１トレンチは、前記絶縁層の厚さと同じ深さを有し、前記第２トレンチは前記絶縁層の厚さより、小さい深さを有し、前記第１トレンチと第２トレンチ内にポリシリコン材料層を形成するステップを有する方法」である点で一致し、以下の各点で相違する。
　相違点１　
　本願発明は、「前記第１絶縁層の中に異なる深さの少なくとも第１トレンチと第２トレンチを形成するステップ」を備えるのに対し、刊行物発明は、「ＳｉＯ２の絶縁層３に深さの異なるコンタクトホール１ａ，１ｂを形成する工程」を備えた点。
　相違点２　
　本願発明は、「前記第１トレンチと第２トレンチ内にポリシリコン材料層を形成するステップ」を備えるのに対し、刊行物発明は、「コンタクトホール１ａ，１ｂをＷまたはポリシリコンからなる導体膜５で埋設する工程」を備える点。
　相違点３　
　本願発明は、「集積回路の形成方法」であるのに対し、刊行物発明は、「半導体装置を製造する方法」である点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　［相違点１について］
　刊行物発明の「コンタクトホール１ａ，１ｂを形成する工程」とは、「コンタクトホール１ａ，１ｂ」という２つコンタクトホールを形成する工程を意味し、また、本願発明の「少なくとも第１トレンチと第２トレンチを形成するステップ」とは、「第１トレンチと第２トレンチ」を少なくとも含むトレンチ（コンタクトホール）を形成する工程を意味するから、刊行物発明における「コンタクトホール１ａ，ａｂを形成する工程」は、本願発明の「少なくとも第１トレンチと第２トレンチを形成するステップ」に相当する。
　また、「５．対比・判断」の「（ｃ）」及び「（ｄ）」を参酌すれば、刊行物発明における「深さの異なるコンタクトホール１ａ，１ｂ」が、本願発明の「異なる深さの」「第１トレンチと第２トレンチ」に相当することは、当業者にとって明らかである。
　したがって、上記相違点１は、実質的なものではない。
　
　［相違点２について］
　刊行物発明の「コンタクトホール１ａ，１ｂをＷ又はポリシリコンからなる導体膜５で埋設する工程」は、「コンタクトホール１ａ，１ｂ」内を「Ｗ」「からなる導体膜５で埋設する工程」と、「コンタクトホール１ａ，１ｂ」内を「ポリシリコンからなる導体膜５で埋設する工程」という２つの工程を択一的に記載したものであり、上記（ｅ）で検討したとおり、刊行物発明の「コンタクトホール１ａ，１ｂ」内を「ポリシリコンからなる導体膜５で埋設する工程」が、本願発明の「前記第１トレンチと第２トレンチ内にポリシリコン材料層を形成するステップ」に相当することは、当業者にとって明らかであるから、上記相違点２は、実質的なものではない。
　
　［相違点３について］
　集積回路が複数の半導体装置が複数組み合わされたものを意味すること、そして、「集積回路の形成方法」が、集積回路を構成する各半導体装置の形成方法、言い換えると、半導体装置を製造する方法をも意味することは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明の「半導体装置を製造する方法」は、本願発明の「集積回路の形成方法」に相当しており、上記相違点３は、実質的なものではない。
　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許請求の範囲の請求項２ないし１６に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。