【事件の表示】
　平成１１年特許願第２８９０５７号「熱処理装置および基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２０日出願公開、特開２００１−１１０７９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１０月１２日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成１６年１１月１２日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】低誘電体材料の処理液が塗布された基板に熱処理を施すことによって前記基板上に層間絶縁膜を形成する熱処理装置であって、
　低酸素濃度雰囲気に維持され、基板に前記熱処理を行うための処理室と、
　前記処理室内に設けられ、前記処理室に搬入された基板を載置して加熱する加熱手段と、
　前記処理室に対して進退移動可能に設けられ、前記処理室への基板の搬入および前記処理室からの基板の搬出を行う搬出入手段と、
　前記搬出入手段に設けられ、前記搬出入手段に保持された基板を冷却する冷却手段と、を備え、
　前記搬出入手段は、前記加熱手段による加熱後の基板を受け取った後、前記基板の温度が前記処理液の化学反応が生じる反応臨界温度以下となるまで前記処理室内に前記基板を待機させた後に、前記処理室から退出することを特徴とする熱処理装置。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−１６２４０５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、同じく特開平９−４２８５４号公報（以下、「引用刊行物２」という。）、同じく特開平７−３７８２７号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、夫々下記の事項が記載されている。
　　
（１）引用刊行物１：特開平８−１６２４０５号公報
（１ａ）「【請求項８】被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、
上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して処理室を形成するシャッタと、
上記被処理体を上記載置台上及び載置台の上方位置に移動する支持部材と、
上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進退移動可能な冷却温度調整体と、
上記冷却温度調整体に設けられ、上記被処理体に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を具備することを特徴とする熱処理装置。」（【特許請求の範囲】【請求項８】）、
（１ｂ）発明の第一実施形態として、「【００３２】上記熱処理装置２０は、上記メインアーム５によって搬送されるウエハＷを所定の温度に加熱処理する加熱処理部２１と、この加熱処理部２１にて加熱処理された後のウエハＷを所定の温度例えば室温（２３℃程度）まで冷却（冷却温調）する冷却温度調整体４０の待機部２２とを具備している。」（段落【００３２】）、
「【００３６】・・・待機部２２に配設される冷却温度調整体４０は、上記支持ピン３２によって載置台２４の上方位置に移動されたウエハＷの上下面を覆うサンドイッチ形に配置された上部冷却片４１及び下部冷却片４２と、これら冷却片４１，４２の一端を連結する連結片４３とからなる縦断面形状がほぼコ字状に形成されている。このようにコ字状に形成することにより、上下方向の厚みを薄くでき、また、連結片４３による片持ち支持に構成できるので、移動に都合が良く、構成も簡単にできる。また、上部冷却片４１又は下部冷却片４２又は両者には冷媒としてのペルチェ素子４４が埋設されると共に、ペルチェ素子４４の背部に放熱板４５が配設されており、図示しない電源からの通電によって上部冷却片４１の下面側及び下部冷却片４２の上面側が吸熱されて温度が低下しウエハＷを所定の温度例えば室温（２３℃程度）に冷却し得るように構成されている。なお、ペルチェ素子４４の代りに、図３に示すように、管状の流路４４Ａを内蔵させ、所定温度に冷却された恒温水，ガス等を循環させて冷却するように構成することもできる。」（段落【００３６】）、
「・・・図２に想像線で示すように、冷却温度調整体４０の下部冷却片４２の上面に設けたスペーサ４８によってウエハＷを支持してプロキシミティー状態で冷却温調することも可能である。」（段落【００３８】）、
（１ｃ）発明の第四実施形態として、「【００４７】・・・冷却温度調整体４０よりウエハＷに向かって常温又は冷却された不活性ガスを供給して冷却温調する前のウエハＷを不活性ガス雰囲気に置換する・・・すなわち、冷却温度調整体４０の上部冷却片４１の下面側に、図示しない不活性ガス例えば窒素（Ｎ２）ガスの供給源に接続するＮ２ガス供給通路７０を形成すると共に、このＮ２ガス供給通路７０に適宜間隔をおいて多数の噴口７１を設けることにより、Ｎ２ガス供給源からＮ２ガス供給通路７０に流入するＮ２ガスを、冷却温調される前のウエハＷに向かってシャワー状に供給する」（段落【００４７】）、
「【００４９】上記のように構成することにより、加熱処理されたウエハＷを冷却温調する前に、ウエハＷにＮ２ガスを供給して、高温雰囲気を低温の不活性ガス雰囲気に置換することができる。したがって、加熱処理されたウエハＷの表面を予め低温の同一の雰囲気下において冷却温調することができるので、ウエハＷの面内温度分布を更に均一にすることができる。また、Ｎ２ガス吐出気流により、ウエハＷを高速冷却させ、目標冷却温度までの処理時間を短縮させることもできる。
【００５０】なお、第四実施形態において、その他の部分は上記第一実施形態と同じである」（段落【００４９】、【００５０】）、
（１ｄ）発明の第六実施形態として、「【００５７】・・・冷却温度調整体４０の待機部２２に、ウエハＷの受け渡し用の第２の支持ピン３２ａを上下移動可能に配設することにより、加熱処理部２１で加熱処理された後に第１の支持ピン３２の上昇によって載置台２４の上方位置に移動されたウエハＷを冷却温度調整体４０で受け取った後、冷却温度調整体４０を待機部２２に移動し、・・・冷却温調が終了した後、昇降機構３４ａを駆動させて第２の支持ピン３２ａを冷却温度調整体４０に向かって移動して、下部冷却片４２上のウエハＷを支持した状態で、メインアーム５にウエハＷを受け渡すことができる。」（段落【００５７】）、
（１ｅ）熱処理方法Ａとして、「【００６１】次に、図１２（ｂ）に示すように、支持ピン３２を上昇してウエハＷを載置台２４の上方位置へ移動する（移動工程）。このとき、シャッタ２６を下降させて載置台２４の上部側方を開放させる。次に、図１２（ｃ）に示すように、待機部２２に待機していた冷却温度調整体４０を支持ピン３２にて支持されているウエハＷに向かって移動して、上部冷却片４１と下部冷却片４２との間にウエハＷを位置させ、ペルチェ素子（図１２において図示せず）に通電し又は予め通電しておき、所定時間、所定温度（室温：２３℃）になるまでウエハＷを冷却処理する（冷却温調工程）。」（段落【００６１】）、
（１ｆ）熱処理方法Ｂとして、「【００６５】・・・待機部２２に待機していた冷却温度調整体４０を第１の支持ピン３２にて支持されているウエハＷに向かって移動して、冷却温度調整体４０にウエハＷを受け取る。そして、・・・冷却温度調整体４０を待機部２２に移動させた後、ペルチェ素子（・・）を通電し又は予め通電しておき、所定時間、所定温度（室温：２３℃）になるまでウエハＷを冷却処理する（冷却温調工程）。
【００６６】ウエハＷの冷却温調すなわち熱処理が終了した後、第２の支持ピン３２ａを上昇してウエハＷを支持し、ウエハＷの下方にメインアーム５を挿入してウエハＷを受け取った後、メインアーム５を待機部２２から後退させて、次の処理工程へ搬送する」（段落【００６５】、【００６６】）、
（１ｇ）その他の実施形態として、「【００８０】２）上記実施形態では、この発明の熱処理方法及び装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、その他の処理工程・処理システムの半導体ウエハの加熱及び冷却温調処理するものにも適用できることは勿論である。また、半導体ウエハ以外のＬＣＤ基板，ＣＤ等の熱処理にも適用できる。」（段落【００８０】）が記載されている。
　　
（２）引用刊行物２：特開平９−４２８５４号公報
（２ａ）「【請求項１】加熱板上に基板を搭載して加熱する加熱炉において、　加熱板を貫通する複数の小孔と、該小孔を貫通する複数の小径の棒形状で加熱板より上方に突出可能に設けた基板の保持手段と、該基板の保持手段を昇降させる昇降手段と、加熱板より上方に突出する前記基板の保持手段の長さを制御し、予熱，本加熱及び冷却の各温度に温度制御する手段と、加熱板と基板の保持手段を包含し、外気と遮る容器とを備え、該容器の一面に基板を水平方向に移動して容器内の前記基板の保持手段上に搭載する開口部を設けた・・・加熱炉。」（【特許請求の範囲】、【請求項１】）、
（２ｂ）発明の実施例の動作の説明として、「【００４９】給気管２３は、常に、そのノズルから常温の窒素ガスを開口部９と反対側の方向に向けて略水平に吹き出している。給気管２３のノズルから供給する窒素ガスは高清浄度のものであって、この窒素ガスの供給により、炉体２内は高清浄度が維持されている。また、排気管１３（図２）は、常に、炉体２内の空気を排出し、炉体２内で発生するわずかな塵埃やシール剤の加熱で発生するガスを排気している。」（段落【００４９】）、
「【００５６】さらに、基板１２がホットプレート１６から離れると、給気管２３のノズルから吹き出す窒素ガスが基板１２の表面に吹き付けられ、これにより、基板１２の冷却が促進する。窒素ガスによる冷却でもって、基板１２の余熱によるシール剤の硬化の進行を防止できる。」（段落【００５６】）、
「【００５８】・・・加熱後にホットプレート１６から離して臨界温度以下の温度に冷却することにより、所望するシール剤の特性を得ることができる。」（段落【００５８】）が記載されている。
　　
（３）引用刊行物３：特開平７−３７８２７号公報
（３ａ）「【請求項１】被処理体を水平方向から搬出入する開口部を有する処理室と、この処理室内に設けられ、上記被処理体を水平に保持して上下に移動可能な保持部と、この保持部に保持された被処理体の上下面に均熱部材を介して対向するように上記処理室の上下部に設けられ、所定温度に制御された面状加熱体とを備えたことを特徴とする熱処理装置。
・・・・・・
【請求項４】上記処理室には、上記開口部を介して被処理体の搬出入を行う搬送手段を備えた室が連設され、この室の上記搬送手段には被処理体を面内均一に冷却する冷却手段が設けられていることを特徴する請求項１記載の熱処理装置。」（【特許請求の範囲】【請求項１】、【請求項４】）、
（３ｂ）【実施例】として、「【００１２】上記処理室１内に処理ガス雰囲気を形成するために処理室１内の上部と下部には、中空円環状で内周に複数の通気孔１４を有する第１の処理ガス供給部１５と排気部１６が相対向して設けられ、垂直方向のガス流を形成することができるように構成されている。また、上記処理室１の両側の上記開口部３，４には、これらの開口部３，４の周縁部に沿って中空矩形環状で内周に複数の通気孔１７を有する第２の処理ガス供給部１８と排気部１９が相対向して設けられ、水平方向のガス流を形成することができるように構成されている。そして、上記垂直方向のガス流と水平方向のガス流は、被処理体の処理に応じて適宜選択することができるように構成されている。」（段落【００１２】）、
（３ｃ）「【００２２】・・・ウエハ２の熱処理が終了すると、今度は搬出室３０の搬送アーム２８が気密遮蔽用及び熱遮蔽用のゲートバルブ３２，３１を介して処理室１内に前進し、保持部５からウエハ２を受け取って搬出室３０まで後退する。そして、この搬出室３０でウエハ２は冷却不活性ガス等により例えば常温まで冷却される・・・
【００２３】この冷却後、ウエハ２はロードロック室５３を経て外部に搬出されるが、既に冷却されているので、大気に触れても不要な酸化膜の形成等を生じることはない。」（段落【００２２】、【００２３】）、
「【００２５】上記実施例では、処理室１の両側に開口部３，４を設けて搬入室２９と搬出室３０をそれぞれ連設しているが、上記処理室１の一側に共通の開口部を設けて兼用の搬入・搬出室を連設したものであってもよい。・・・熱処理の終ったウエハ２を面内均一で冷却する手段としては、ウエハ２の上面と下面を覆う上板部４２ａ及び下板部４２ｂを有するアーム体４２と、このアーム体４２の切欠部４６を開閉可能に覆う覆い体４９又は上記覆い手段と採用し、これらアーム体４２及び覆い体４９若しくは覆い手段を例えば水冷管等により直接冷却する構造としたものであってもよい。
【００２６】本発明の熱処理装置により処理される被処理体としては、少なくとも面状形状の被処理体であればよく、半導体ウエハ以外にも例えばＬＣＤ等であってもよい。また、本発明が適用される熱処理としては、ＣＶＤ以外にも例えば酸化、拡散、アニール等にも適用できることは勿論である。」（段落【００２５】、【００２６】）が記載されている。
　　
［３］対比・判断
　摘記（１ａ）によれば、引用刊行物１には、被処理体を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、
上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して処理室を形成するシャッタと、
上記被処理体を上記載置台上及び載置台の上方位置に移動する支持部材と、
上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進退移動可能な冷却温度調整体と、
上記冷却温度調整体に設けられ、上記被処理体に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を具備することを特徴とする熱処理装置が記載されている。
　そして、摘記（１ｇ）によれば、上記被処理体としては、処理液が塗布された半導体ウエハ、ＬＣＤ基板、ＣＤ等が含まれており、また、摘記（１ｃ）によれば、上記処理室内において、上記冷却温度調整体より半導体ウエハに向けて常温又は冷却された窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給して冷却温調する前の半導体ウエハの周囲を不活性ガス雰囲気とすることが記載されており、また、摘記（１ｂ）（１ｅ）によれば、上記冷却温度調整体は、上記処理室外の待機部に配設されており、該待機部から該処理室内の半導体ウエハに向かって移動して該ウエハを受け取ってスペーサで支持し、該冷却温度調整体に埋設されるペルチェ素子、或いは内蔵される冷却媒体の管状流路等により、該処理室内において該ウエハを室温（２３℃程度）まで冷却できることが記載されている。
　　
　これらの事項を総合すると、引用刊行物１には、
「処理液が塗布された半導体ウエハ等の基板を載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、
上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して処理室を形成するシャッタと、
上記基板を上記載置台上及び載置台の上方位置に移動する支持部材と、
上記処理室外の待機部に配設されており、上記支持部材にて支持される上記基板に向かって進退移動可能で、該待機部から該処理室内の該基板に向かって移動して該基板を受け取って支持し、該処理室内において、該基板に向けて常温又は冷却された窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給して冷却温調する前の該基板の周囲を不活性ガス雰囲気とし、埋設するペルチェ素子、或いは内蔵する冷却媒体の管状流路等により該基板を室温（２３℃程度）まで冷却する冷却温度調整体と、を具備する熱処理装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　　
　そこで、本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「処理液が塗布された半導体ウエハ等の基板を載置して所定温度に加熱する・・・熱処理装置」は、処理液が塗布された基板に熱処理を施す熱処理装置に他ならず、引用発明における「処理室」、「所定温度に加熱する発熱体を有する載置台」は、夫々本願発明１における「熱処理を行うための処理室」、「処理室内に設けられ、前記処理室に搬入された基板を載置して加熱する加熱手段」に相当する。また、引用発明における「上記処理室外の待機部に配設されており、上記支持部材にて支持される上記基板に向かって進退移動可能で、該待機部から該処理室内の該基板に向かって移動して該基板を受け取って支持し、該処理室内において、・・・埋設するペルチェ素子、或いは内蔵する冷却媒体の管状流路等により該基板を室温（２３℃程度）まで冷却する冷却温度調整体」において、「処理室外の待機部に配設されており、・・・上記基板に向かって進退移動可能で」とは、処理室に対して進退移動可能に設けられ、該処理室内へ進入でき、該処理室から退出できることに他ならず、同「該基板を受け取って支持し、該処理室内において、・・・該基板を室温（２３℃程度）まで冷却する」とは、室温（２３℃程度）が処理液の通常の化学反応が生じる温度でないことは明らかであるから、該基板を受け取った後冷却し、該基板の温度が該基板の処理液の化学反応が生じる反応臨界温度以下となるまで処理室内に該基板を待機させることに他ならない。そうであれば、上記「冷却温度調整体」は、本願発明１における「処理室に対して進退移動可能に設けられ」ている「手段」に相当し、上記「埋設するペルチェ素子、或いは内蔵する冷却媒体の管状流路等」は、本願発明１における「手段に保持された基板を冷却する冷却手段」に相当する。
　また、引用発明における「該処理室内において、該基板に向けて常温又は冷却された窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給して冷却温調する前の該基板の周囲を不活性ガス雰囲気とし、」とは、処理室内の冷却温調する前の基板の周囲の雰囲気を低酸素濃度雰囲気にしていることであるといえる。
  そうすると、両者は、「処理液が塗布された基板に熱処理を施す熱処理装置であって、
基板に前記熱処理を行うための処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記処理室に搬入された基板を載置して加熱する加熱手段と、
前記処理室に対して進退移動可能に設けられている手段と、
前記進退移動可能に設けられている手段に設けられ、同手段に保持された基板を冷却する冷却手段と、を備え、
前記進退移動可能に設けられている手段は、前記加熱手段による加熱後の基板を受け取った後、前記基板の温度が前記処理液の化学反応が生じる反応臨界温度以下となるまで前記処理室内に前記基板を待機させた後に、前記処理室から退出する熱処理装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本願発明１では、処理室を低酸素濃度雰囲気に維持して、低誘電体材料の処理液が塗布された基板に熱処理を施すことによって該基板上に層間絶縁膜を形成するのに対し、引用発明では、処理室内の冷却温調する前の基板の周囲の雰囲気を低酸素濃度雰囲気にするものの、処理室を低酸素濃度雰囲気に維持するとはしておらず、また、基板に低誘電体材料の処理液を塗布し、該基板上に層間絶縁膜を形成するともしていない点。
（ロ）基板を冷却する冷却手段が設けられ、処理室に対して進退移動可能に設けられている手段が、本願発明１では、処理室への基板の搬入および前記処理室からの基板の搬出を行う搬出入手段であるのに対し、引用発明では、冷却温度調整体である点。
　　
　そこでまず、相違点（イ）について検討する。
  引用発明では、処理室内の冷却温調する前の基板の周囲の雰囲気を低酸素濃度雰囲気にするものの、該処理室全体の雰囲気については示されていない。
　しかしながら、引用刊行物２に「【００４９】給気管２３は、常に、そのノズルから常温の窒素ガスを開口部９と反対側の方向に向けて略水平に吹き出している。給気管２３のノズルから供給する窒素ガスは高清浄度のものであって、この窒素ガスの供給により、炉体２内は高清浄度が維持されている。」（摘記（２ｂ））と記載され、また、引用刊行物３に「上記処理室１内に処理ガス雰囲気を形成するために処理室１内の上部と下部には、中空円環状で内周に複数の通気孔１４を有する第１の処理ガス供給部１５と排気部１６が相対向して設けられ、垂直方向のガス流を形成する・・・。また、上記処理室１の両側の上記開口部３，４には、これらの開口部３，４の周縁部に沿って中空矩形環状で内周に複数の通気孔１７を有する第２の処理ガス供給部１８と排気部１９が相対向して設けられ、水平方向のガス流を形成する・・・。そして、上記垂直方向のガス流と水平方向のガス流は、被処理体の処理に応じて適宜選択することができる」（摘記（３ｂ））と記載されているように、熱処理装置の処理室を所定の処理ガス雰囲気に維持することは本願出願前周知の事項であると認められる。
　また、低酸素濃度雰囲気に維持し、低誘電体材料の処理液が塗布された基板に熱処理を施すことによって該基板上に層間絶縁膜を形成することは、例えば、次の周知例１〜４にも夫々記載されているように、本願出願前周知の技術であると認められる。
周知例１：特開平９−２０５０８８号公報
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置における絶縁膜の形成方法に関し、特に０．２５μｍ以下の設計ルールによるデバイスプロセスに用いられる層間絶縁膜に好適な絶縁膜の形成方法に関するものである。
【０００２】【従来の技術】半導体装置の微細化，低消費電力化および高速化等の要求に伴い、それらを実現するための手段の一つとして層間絶縁膜の低誘電率化が検討されている。」（段落【０００１】、【０００２】）、
「【００２７】次いで、これをスピンコーターで基体１表面に塗布し、５００ｎｍ程度の厚さのフロロカーボン膜からなる絶縁膜２を形成した。このときの回転数は、３０００ｒｐｍとした。引き続き、窒素ガス雰囲気で、また雰囲気の圧力を大気圧として、１００℃程度のベーキングを約２分間行い、ガラス転移温度が１６０℃、熱分解温度が４５０℃のポリテトラフルオエチレン系のフロロカーボン膜からなる絶縁膜２を形成した。
【００２８】次に、絶縁膜２から溶媒を除去するために、窒素ガス雰囲気中で熱処理を行う。この場合も、熱処理時の所定の温度を絶縁膜２のガラス転移温度の１６０℃以上、絶縁膜２の熱分解温度４５０℃未満の温度範囲内に設定する。また熱処理の際は、雰囲気の圧力を基体１と絶縁膜２との密着力よりも高く、望ましくは絶縁膜２が流動するのに必要な圧力にする。
【００２９】図２は、この実施形態において、フロロカーボン膜からなる絶縁膜２を熱処理する際の温度，雰囲気圧力の設定を示したタイムチャートである。」（段落【００２７】〜【００２９】）と記載され、
【図２】には、熱処理の温度と窒素ガス雰囲気圧力の推移が示されている。
　　
周知例２：特開平３−２００３２９号公報
「本発明は・・・超大規模集積（ＶＬＳＩ）層間誘電体の性能とを、スピンオンガラス（ＳＯＧ）物質の化学的変性を行うことにより向上させるＳＯＧ法に関する」（第２頁右上欄２〜５行）、
「ＳＯＧ膜２０４をスピンオンした後で、約３５０〜４５０℃のＯ２雰囲気中でアニールする。・・・Ｎ２のような他の不活性雰囲気を使用することも本発明の範囲内に含まれる。・・・ＤＭＤＣＳのフラスコを通じて泡立てられ、流量が１時間当り約０．１４立方ｍ（・・・）であるＮ２の流れの中でアニール温度から室温まで半導体装置２００を冷却する。」（第６頁右上欄１４行〜左下欄３行）と記載されている。
　　
周知例３：特開平１０−２８４６０２号公報
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体装置およびその製造に関し、特に高速動作に適した誘電率の低い層間絶縁膜を有する半導体装置およびその製造方法に関する。」（段落【０００１】）、
　図１、図４が示されるとともに、「【００２２】・・・図４を参照するに、焼成は窒素雰囲気中において行われるが、窒素雰囲気中の酸素濃度が高くなると膜１０の比誘電率が増大するのが認められた。これは、図１の構造において結合部３を構成するバインダあるいはシリカ粒子２の表面に結合したアルコキシシランあるいはハロゲン化ＳｉＨ4 の加水分解物が酸素により酸化され、水分を吸着しやすい状態となったためと考えられる。
【００２３】図４の関係より、膜１０の比誘電率を３．０以下に抑えるためには、焼成時の雰囲気中の酸素濃度を１％以下に抑える必要があることがわかる。」（段落【００２２】、【００２３】）と記載されている。
　　
周知例４：特開平１０−１４４６７２号公報
「【００２４】基板上にポリカルボシラン樹脂溶液を塗布したなら、適当な温度に加温して溶剤を乾燥させることによりポリカルボシラン樹脂被膜を形成することができる。溶剤乾燥に用いられる温度は、使用する溶剤の種類や所望の乾燥処理時間等に応じて適宜決めればよいが、一般には８０〜２５０℃程度の温度が採用される。
【００２５】形成した樹脂被膜を、次いで熱処理して本発明に係る絶縁膜に変える。この熱処理は、窒素ガスのような不活性雰囲気で行っても、あるいは酸素雰囲気（例えば空気）中で行ってもよい。不活性ガス雰囲気での熱処理を採用した方が、酸素雰囲気で熱処理した場合よりも低い誘電率の絶縁膜が得られるため有利である。樹脂被膜は、たとえ不活性雰囲気中で熱処理した場合にも、その雰囲気中あるいは樹脂被膜中に微量に存在する残留水分等のためＲ１のフルオロカーボン基以外の置換基Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４のアルキル基が酸化されて架橋し、フッ素を含んだＳｉ−Ｏ系の絶縁膜に変えられ、この絶縁膜は約２．５以下の極めて低い誘電率を示す。」（段落【００２４】、【００２５】）、
「【００２８】本発明により形成した絶縁膜は誘電率が低く、そのため半導体装置の層間絶縁膜として適用することにより、従来の絶縁材料を用いた場合に比べて高速に応答する高速デバイスを実現できる。」（段落【００２８】）と記載されている。
　　
　また、低誘電体材料の処理液が塗布された基板の、熱処理温度から室温への冷却工程をも含めて全熱処理工程を、窒素ガス雰囲気等の低酸素濃度雰囲気で行うことも、周知例１、２に、同工程を窒素ガス雰囲気等の低酸素濃度雰囲気で行うことが記載されており、本願出願前周知の技術であると認められる。
　そして、引用刊行物１には、半導体ウエハの塗布・現像処理システムばかりか、その他の処理工程・処理システムの半導体ウエハの加熱及び冷却温調処理にも適用でき、また、半導体ウエハ以外のＬＣＤ基板，ＣＤ等の熱処理にも適用できる旨記載されているので（摘記（１ｇ）参照）、引用発明において、処理室の雰囲気を、冷却温調する前の基板の周囲の雰囲気と同じく低酸素濃度雰囲気に維持して、低誘電体材料の処理液が塗布された基板に熱処理を施すことによって該基板上に層間絶縁膜を形成することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
　次に、相違点（ロ）について検討する。
　摘記（１ｄ）（１ｆ）によれば、引用刊行物１には、処理室内で半導体ウエハを冷却温度調整体に受け取り、待機部に搬送することが記載されているので、引用発明において、基板を冷却温度調整体により処理室から搬出できることは明らかである。また、引用刊行物３には、搬入室と搬出室とを兼ねる搬入・搬出室を処理室の一側に連設し、該搬入・搬出室に被処理体を冷却する冷却手段を設けた搬送手段（アーム体等）を備え、該搬送手段を被処理体の搬出入手段として兼用することが記載されているので（摘記（３ａ）（３ｂ）参照）、処理室に対して進退移動可能に設けられ、基板を受け取って搬出できる引用発明における冷却温度調整体により、該搬送手段と同様、基板の搬出ばかりか、基板の搬入も行えることは、当業者が普通に予測し得ることであるといえる。
　そうすると、引用発明における冷却温度調整体を、処理室への基板の搬入および前記処理室からの基板の搬出を行う搬出入手段とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、相違点（イ）（ロ）に係る本願発明１の特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物１〜３の記載、及び上記周知技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物１〜３に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。