【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の伝導型を有するコンタクト層と、
前記第１の伝導型および第１の正味ドーピング濃度を有する、前記コンタクト層上の電圧阻止層と、
前記電圧阻止層上の阻止接合と、
前記阻止接合から間隔を開けて配置された、前記電圧阻止層中の複数の個別ドープ領域と、
を備え、
前記複数の個別ドープ領域は、前記第１の伝導型と、前記第１の正味ドーピング濃度よりも高い第２の正味ドーピング濃度とを有し、前記複数の個別ドープ領域は、前記バラクタダイオードの空乏領域が前記阻止接合に加えられた逆バイアス電圧に応答して広がるときに、前記バラクタダイオードのキャパシタンスを変調するように構成されている
ことを特徴とするバラクタダイオード。
【請求項２】
前記複数の個別ドープ領域は、前記阻止接合から第１の距離の間隔を開けて配置された第１の個別ドープ領域と、前記阻止接合から第２の距離の間隔を開けて配置された第２の個別ドープ領域とを備え、前記第２の距離が前記第１の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のバラクタダイオード。
【請求項３】
前記第１の個別ドープ領域は第１の正味ドーピング濃度を有し、前記第２の個別ドープ領域は第２の正味ドーピング濃度を有し、前記第２の正味ドーピング濃度は前記第１の正味ドーピング濃度よりも低いことを特徴とする請求項２に記載のバラクタダイオード。
【請求項４】
前記複数の個別ドープ領域は、前記阻止接合から第３の距離の間隔を開けて配置された第３の個別ドープ領域をさらに備え、前記第３の距離は前記第２の距離よりも大きく、前記第３の個別ドープ領域は第３の正味ドーピング濃度を有し、前記第３の正味ドーピング濃度は前記第２の正味ドーピング濃度よりも低いことを特徴とする請求項３に記載のバラクタダイオード。
【請求項５】
前記第１の距離は約０．１から０．２μｍであり、前記第２の距離は約０．２から０．３μｍであることを特徴とする請求項２に記載のバラクタダイオード。
【請求項６】
前記第１の個別ドープ領域は、前記阻止接合から前記第１の距離のところに第１の全電荷を供給し、前記第２の個別ドープ領域は、前記キャリア注入接合から前記第２の距離のところに第２の全電荷を供給し、前記第２の全電荷が前記第１の全電荷よりも多いことを特徴とする請求項２に記載のバラクタダイオード。
【請求項７】
前記複数の個別ドープ領域は、前記阻止接合から第３の距離の間隔を開けて配置された第３の個別ドープ領域をさらに備え、前記第３の距離は前記第２の距離よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載のバラクタダイオード。
【請求項８】
前記第３の距離は約０．３から０．４μｍであることを特徴とする請求項７に記載のバラクタダイオード。
【請求項９】
前記第１、第２、および第３の個別ドープ領域は、前記阻止接合に平行な横方向で重なり合っていないことを特徴とする請求項７に記載のバラクタダイオード。
【請求項１０】
前記電圧阻止層の厚さは、前記注入ドープ領域の全深さの２倍より小さいことを特徴とする請求項７に記載のバラクタダイオード。
【請求項１１】
前記電圧阻止層上にショットキー金属コンタクトをさらに備え、前記阻止接合はショットキー障壁接合を備えることを特徴とする請求項１に記載のバラクタダイオード。
【請求項１２】
前記第１の伝導型と反対の第２の伝導型を有する第２の層を前記電圧阻止層上にさらに備え、前記阻止接合は、前記第２の層と前記電圧阻止層の間にＰ−Ｎ接合を備えることを特徴とする請求項１に記載のバラクタダイオード。
【請求項１３】
前記電圧阻止層は炭化珪素を含むことを特徴とする請求項１に記載のバラクタダイオード。
【請求項１４】
請求項１に記載のバラクタダイオードの２つであって、それらの陰極が制御端子に共通に接続された状態で、逆直列構成に接続されているバラクタダイオードを備えることを特徴とする高周波増幅器用の可変インピーダンス整合回路。
【請求項１５】
バラクタダイオードを形成する方法であって、
第１の伝導型および第１の正味ドーピング濃度を有する電圧阻止層を形成するステップと、
キャリア注入接合から間隔を開けて配置された複数の個別ドープ領域を前記電圧阻止層中に形成するステップであって、前記複数の個別ドープ領域は、前記第１の伝導型と、前記第１の正味ドーピング濃度よりも高い第２の正味ドーピング濃度とを有し、前記複数の個別ドープ領域は、前記バラクタダイオードの空乏領域が前記キャリア注入接合に加えられた逆バイアス電圧に応答して広がるときに、前記バラクタダイオードのキャパシタンスを変調するように構成されているステップと、
前記電圧阻止層上に阻止接合を形成するステップと
を含むことを特徴とするバラクタダイオードの形成方法。
【請求項１６】
前記複数の個別ドープ領域を形成する前記ステップは、前記電圧阻止層中へイオンを注入するステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の個別ドープ領域を形成する前記ステップは、
第１の注入エネルギーおよび第１のドーズ量で第１のイオンを選択的に注入して、前記阻止接合から第１の距離の間隔を開けて配置された第１の個別ドープ領域を形成し、第２の注入エネルギーおよび第２のドーズ量で第２のイオンを選択的に注入して、前記キャリア注入接合から第２の距離の間隔を開けて配置された第２の個別ドープ領域を形成するステップを含み、前記第２の距離は前記第１の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第１のイオンおよび第２のイオンを選択的に注入する前記ステップは、前記第１および第２の個別ドープ領域が前記キャリア注入接合に平行な横方向で重なり合わないように、前記第１のイオンおよび前記第２のイオンを選択的に注入するステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の個別ドープ領域は、前記阻止接合から前記第１の距離のところに第１の全電荷を供給し、前記第２の個別ドープ領域は、前記キャリア注入接合から前記第２の距離のところに第２の全電荷を供給し、前記第２の全電荷は前記第１の全電荷よりも少ないことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の個別ドープ領域は第１の正味ドーピング濃度を有し、前記第２の個別ドープ領域は第２の正味ドーピング濃度を有し、前記第２の正味ドーピング濃度は前記第１の正味ドーピング濃度よりも低いことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記電圧阻止層中へイオンを注入する前記ステップは、前記電圧阻止層上に多レベル注入マスクを形成するステップと、前記多層注入マスクを通して前記電圧阻止層中へイオンを注入するステップとを含み、前記多レベル注入マスクを通して注入されたイオンは、前記多レベル注入マスクの異なる厚さに対応して前記電圧阻止層中の異なる深さに位置付けされることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
第１の伝導型を有する共通コンタクト層と、
前記第１の伝導型および第１の正味ドーピング濃度を有する、前記共通コンタクト層上の第１の電圧阻止層と、
前記第１の電圧阻止層上の第１の阻止接合と、
前記第１の阻止接合から間隔を開けて配置された、前記第１の電圧阻止層中の第１の複数の個別ドープ領域であって、前記第１の伝導型と、前記第１の正味ドーピング濃度よりも高い第２の正味ドーピング濃度とを有する第１の複数の個別ドープ領域と、
前記第１の電圧阻止層から間隔を開けて配置され、前記第１の伝導型および第３の正味ドーピング濃度を有する、前記共通コンタクト層上の第２の電圧阻止層と、
前記第２の電圧阻止層上の第２の阻止接合と、
前記第２の阻止接合から間隔を開けて配置された、前記第２の電圧阻止層中の第２の複数の個別ドープ領域であって、前記第１の伝導型と、前記第３の正味ドーピング濃度よりも高い第４の正味ドーピング濃度とを有する第２の複数の個別ドープ領域と、
前記共通コンタクト層上のオーミックコンタクトと
を備えることを特徴とするバラクタダイオード構造。