(57)【要約】【課題】高湿環境下に晒された後に検出精度の低下から素早く復帰する、曲面形状を有する静電容量型入力装置を提供することを目的とする。【解決手段】曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１は、ユーザに対向する外曲面１ｇを有して合成樹脂で成形された外装体１と、外装体１の内曲面１ｎに倣って一体に設けられたフィルム基材３と、フィルム基材３の外装体１に接合される接合面３ｍの反対面３ｐに形成された導電性高分子からなる導電層５と、導電層５と電気的に接続された配線層７と、を有することを特徴とする。【選択図】図４
2015025680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザに対向する外曲面を有して合成樹脂で成形された外装体と、
該外装体の 内曲面に倣って一体 に設けられたフィルム基材と、
該フィルム基材の前記外装体側の 面の反対面に形成された導電性高分子からなる導電層と、
該導電層と電気的に接続された配線層と、を有することを特徴とする曲面形状を有する静電容量型入力装置。
【請求項２】
前記導電性高分子は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の混合体からなることを特徴とする請求項１に記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
【請求項３】
前記外装体、前記フィルム基材及び前記導電層が透明であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
【請求項４】
前記導電層を覆うように積層された保護層を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に用いられる静電容量型の入力装置に関し、特に、曲面形状を有した静電容量型入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ユーザが軽く触れた指先の部分の僅かな静電容量の変化を検出し、位置や動きの方向を電気信号に変換して出力する静電容量型の入力装置が良く使用されるようになってきた。このような静電容量型入力装置は、スイッチ等の機構部品を省略することができ、意匠性に優れるというメリットがある反面、検出用の透明電極として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Indium Tin Oxide）膜を用いるため、真空成膜が必要となり、工業的には実質的に単なる二次元形状（平面形状）に限定され、適用される製品の適用箇所に制限が設けられるというディメリットがあった。【０００３】
上述したディメリットに鑑み、特許文献１では、表面が曲面の取付け箇所に設置が可能な静電容量センサ（静電容量型入力装置）９００が提案されている。図９は、特許文献１（従来例）の静電容量センサ９００を説明した図であって、図９（ａ）は、実施形態Ａの静電容量センサ９００Ａを模式的に示した説明図であり、図９（ｂ）は、実施形態Ｂの静電容量センサ９００Ｂを模式的に示した説明図である。【０００４】
図９に示す静電容量センサ９００（９００Ａ、９００Ｂ）は、三次元成形されるフィルム基材９０１と、このフィルム基材９０１に一体化される加飾層９１０と、静電容量の変化を検出する導電性の回路パターン層９２０と、フィルム基材９０１を支持する支持体９４０と、回路パターン層９２０の導電インクが滲むのを抑制する保護層９３０Ａと、を備えて構成されている。他に、図９（ａ）に示す静電容量センサ９００Ａでは、加飾層９１０の表面が損傷したり、磨耗するのを防止する保護層９３５を備え、図９（ｂ）に示す静電容量センサ９００Ｂでは、絶縁性のレジスト層９２５を備えている。そして、ユーザの指ＦＮが三次元形状の表面に触れた際に、静電容量センサ９００（９００Ａ、９００Ｂ）は、その指ＦＮの先の部分の僅かな静電容量の変化を回路パターン層９２０で検出するようにしている。【０００５】
また、この静電容量センサ９００（９００Ａ、９００Ｂ）では、回路パターン層９２０として、第一の回路パターン層９２３と第二の回路パターン層９２４を備えるようにして、静電容量センサ９００（９００Ａ、９００Ｂ）の検出精度の向上や構成の多様化を図っている。また、この回路パターン層９２０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Indium Tin Oxide）膜を用いずに、銀ペースト、カーボンインク、導電性ポリマー（信越ポリマー社製：Ｓｅｐｌｅｇｙｄａ）等からなる導電インクを用いて構成されているので、三次元成形されるフィルム基材９０１及び支持体９４０に形成が可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２６７６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来例に用いられている導電性ポリマー（導電性高分子）は、吸湿するとその層の抵抗値が大きくなる性質を有しており、一度吸湿した後水分が抜けないと、検出精度の低下に繋がる虞があった。特に、従来例の構成では、静電容量センサ９００Ａの第二の回路パターン層９２４や静電容量センサ９００Ｂの回路パターン層９２０（９２３、９２４）が、フィルム基材９０１と支持体９４０とに挟まれた層構成をしているので、一旦水分がフィルム基材９０１や支持体９４０を透過して回路パターン層９２０（９２３、９２４）に吸収された場合、水分が容易に抜けないという課題があった。このため、従来例の静電容量センサ９００においては、高湿環境下に晒された後に、検出精度が低下してなかなか復帰しない虞があった。【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するもので、高湿環境下に晒された後に検出精度の低下から素早く復帰する、曲面形状を有する静電容量型入力装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題を解決するために、本発明の静電容量型入力装置は、ユーザに対向する外曲面を有して合成樹脂で成形された外装体と、該外装体の内曲面に倣って一体に設けられたフィルム基材と、該フィルム基材の前記外装体側の面の反対面に形成された導電性高分子からなる導電層と、該導電層と電気的に接続された配線層と、を有することを特徴としている。【００１０】
これによれば、本発明の静電容量型入力装置は、導電層 が外装体とフィルム基材とに挟まれていないため、フィルム基材の外装体側の面の反対面側に形成された導電層の表面からフィルム基材や外装体に妨げられずに導電層内の水分が抜け易い構成となっている。このことにより、高湿環境下に晒された後に、導電層の抵抗値が元の値に戻りやすく、検出精度の低下から素早く復帰することができる。【００１１】
また、本発明の静電容量型入力装置は、前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の混合体からなることを特徴としている。【００１２】
これによれば、充分な透明性を確保しつつ所望の導電性を得ることができるとともに、高温雰囲気下の安定性や曲げ加工の耐性にも優れている。また、水分散性であるので、容易に塗布、成膜を行うことができる。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置を容易に作製することができる。【００１３】
また、本発明の静電容量型入力装置は、前記外装体、前記フィルム基材及び前記導電層が透明であることを特徴としている。【００１４】
これによれば、操作面全体を透明にすることができる。このことにより、透明性が要求される製品に好適に用いることができる。また、加飾層を加えることによって、適用される製品の装飾性も高めることができる。【００１５】
また、本発明の静電容量型入力装置は、前記導電層を覆うように積層された保護層を有していることを特徴としている。【００１６】
これによれば、導電層を覆うように積層された保護層を有しているので、例えば製造上での物理的な作用による導電層の損傷や、例えば環境下における導電層のダメージ等に対して、導電層が保護される。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置の耐候性を高めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の静電容量型入力装置は、フィルム基材の外装体と対向する面の反対面側から、導電層内の水分が抜け易い構成となっている。このことにより、高湿環境下に晒された後に、導電層の抵抗値が元の値に戻りやすく、検出精度の低下から素早く復帰することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置を説明する斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置を説明する図であって、図１に示すＺ２側から見た斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置を説明する図であって、図１に示すＸ２側から見た側面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置を説明する図であって、曲面形状部分の断面構成図である。
【図５】第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置の効果を説明する図であって、図５（ａ）は、耐湿試験に用いた本案のサンプル片の層構造を示した図であり、図５（ｂ）は、比較に用いたサンプル片の層構造を示した図である。
【図６】第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置の効果を説明する図であって、耐湿試験結果のグラフである。
【図７】第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置の変形例を説明する図であって、図７（ａ）は、図４と比較した変形例１の断面構成図であり、図７（ｂ）は、図４と比較した変形例２の断面構成図である。
【図８】第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置の変形例を説明する図であって、図８（ａ）は、図３と比較した変形例３の断面構成図であり、図８（ｂ）は、図３と比較した変形例４の断面構成図である。
【図９】従来例の静電容量センサを説明した図であって、図９（ａ）は、実施形態Ａの静電容量センサを模式的に示した説明図であり、図９（ｂ）は、実施形態Ｂの静電容量センサを模式的に示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１を説明する斜視図である。図２は、本発明の第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１を説明する図であって、図１に示すＺ２側から見た斜視図である。図３は、本発明の第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１を説明する図であって、図１に示すＸ２側から見た側面図である。図４は、本発明の第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１を説明する図であって、曲面形状部分の断面構成図である。なお、図３及び図４に示す身体特定部位Ｆ１０のサイズと図４に示す各層のサイズは、イメージを示した図であり、実際のサイズを表したものではない。
【００２１】
本発明の第１実施形態の曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１は、静電容量式と呼ばれる検出方式を用いており、図３に示すように、ユーザが自身の身体特定部位Ｆ１０（図３では指の先で、以下指先Ｆ１０と記述する）を静電容量型入力装置１０１の表面に近接または接触させたときに、静電容量値の変化によって表面上における指先Ｆ１０の座標位置を検出し、指先Ｆ１０の座標位置に応じた入力操作が行えるようになっている。
【００２２】
この静電容量型入力装置１０１は、図１ないし図４に示すように、ユーザに対向する外曲面１ｇを有した外装体１と、外装体１の内面の内曲面１ｎに倣って一体に形成されたフィルム基材３と、フィルム基材３の反対面３ｐに形成された導電層５と、導電層５と電気的に接続された配線層７と、を有して構成される。他に、静電容量型入力装置１０１には、図示はしていないが、配線層７を介して導電層５からの静電容量値の変化の信号を受信する検出部と、検出部からの信号に基づいて命令信号を出力する制御部と、を有している。なお、検出部と制御部については、静電容量型のセンサにおける一般的な機能を有しており、本発明に対して何等限定するものではないので、詳細な説明は省略する。
【００２３】
静電容量型入力装置１０１の外装体１は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、Polyethylene terephthalate）やポリカーボネート（ＰＣ、polycarbonate）等の透明な合成樹脂を用いて、射出成形を行って、立体的に三次元成形されている。また、本発明の第１実施形態の静電容量型入力装置１０１では、図１ないし図３に示すように、外形が矩形の形状を有しており、中央部分には、ユーザに対向する外曲面１ｇが凸状のドーム形状を有して（曲面形状を有して）構成されている。また、矩形の外周の一辺から一方向に延びた取出部１ｔを備えている。
【００２４】
静電容量型入力装置１０１のフィルム基材３は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、Polyethylene terephthalate）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、Polyethylene naphthalate)等の透明なフィルムを用いており、図４に示すように、外装体１と接合された接合面３ｍ側に透明な接着層２２を設けて、外装体１の内面である凹状の内曲面１ｎに倣って一体に形成されている。また、外装体１の取出部１ｔの内面にも倣って端子部３ｔが一体に形成されており、この端子部３ｔから前述した検出部との電気的な接続を行っている。
【００２５】
この一体に形成する作製方法として、外装体１の射出成形時に、このフィルム基材３を型に挟み込んでインサート成形する方法を用いている。これにより、フィルム基材３を立体的な三次元形状にするとともに、外装体１の内曲面１ｎに倣って一体に形成することができる。また、別な作製方法として、フィルム基材を予め型によりプレス成形して立体的な三次元形状にしておき、立体的に三次元成形されている外装体に重ね合わせて、フィルム基材を接着させることによっても容易に作製することができる。また、前述した三次元形状にしたフィルム基材を型に挟み込んでインサート成形し、外装体と一体に形成する方法でも容易に作製することができる。
【００２６】
また、フィルム基材３の外装体１と接合される接合面３ｍには、図４に示すように、製品のデザイン性を向上させる等のため、加飾層５２が設けられている。この加飾層５２は、必要に応じ、文字、図形、記号、またはこれらの組み合わせた模様を、スクリーン印刷法やタンポ印刷法等でフィルム基材３に直接印刷することで容易に作製することができる。また、加飾層５２は、デザイン性の向上という目的以外にも、例えば配線層７をユーザから視認できないようにするための目隠し層や光源からの光を遮断する遮光層等、様々な用途に利用することができる。なお、説明を容易にするため、図１ないし図３には、加飾層５２の模様を敢えて図示していない。
【００２７】
静電容量型入力装置１０１の導電層５は、図４に示すように、フィルム基材３の接合面３ｍとは反対側の反対面３ｐに形成されており、導電性高分子である、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の混合体（以下、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳと表記する）を用いている。このＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、透明であり、しかも充分な透明性を確保しつつ所望の導電性を得ることができる材料である。また、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、高温雰囲気下の安定性にも優れており、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Indium Tin Oxide）と比較して、曲げ加工に対しても強い耐性を有している。更に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、水分散性であるので、容易に塗布することができるとともに、乾燥、硬化させることにより容易に成膜を行うことができる。なお、導電層５のフィルム基材３への塗布は、スクリーン印刷法等で容易に行うことができる。
【００２８】
また、導電層５は、詳細な図示はしていないが、ライン状のパターンが複数本、平行に並んだ電極パターンを有しており、この電極パターンとユーザ自身の指先Ｆ１０との静電容量値の変化を検出する電極の機能を有している。また、従来例では、Ｘ方向の第一の回路パターン層９２３とＹ方向の第二の回路パターン層９２４の２層の電極で静電容量値の変化を検出する座標検出装置としていたが、本発明の第１実施形態では、導電層５を１層で構成し、１層の電極で静電容量値の変化を検出するようにしている。このため、従来例では、回路パターン層９２０の電極の厚みが１〜１５μｍ、又は１０〜１５μｍ程度であると開示しているが、本発明の第１実施形態の導電層５の厚みは、０．１〜数μｍ程度と、薄い 構成となっている。
【００２９】
以上、上述したように、外装体１、フィルム基材３及び導電層５が透明であるので、操作面全体を透明にすることができる。このことにより、透明性が要求される製品に好適に用いることができる。また、上述した加飾層５２を加えることによって、適用される製品の装飾性も高めることができる。
【００３０】
静電容量型入力装置１０１の配線層７は、図４に示すように、導電層５の一部に重ねて形成され導電層５と電気的に接続しているとともに、図２に示すように、矩形の外周部３ｓから端子部３ｔにかけて敷設されている。この端子部３ｔの配線層７は、コネクタ等を利用して検出部に繋がっている配線と容易に接続することができる。
【００３１】
また、この配線層７は、導電層５が反対面３ｐに形成されたフィルム基材３に、銀ペーストやカーボンインク等をスクリーン印刷して、乾燥、硬化させることにより、容易に作製することができる。また、配線層７は、銀ペーストやカーボンインク等の導電性複合部材を用いているので、導電層５と同様に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Indium Tin Oxide）と比較して、曲げ加工に対しても強い耐性を有している。
【００３２】
静電容量型入力装置１０１の保護層 ９は、絶縁性の合成樹脂材料を用い、図４に示すように、導電層５を覆うように形成されている。また、本発明の第１実施形態では、配線層７も覆うようにして、保護層９が形成されている。これにより、例えば製造上での物理的な作用による導電層５の損傷や、例えば環境下における導電層５のダメージ等に対して、導電層５が保護されることとなる。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１の耐候性を高めることができる。なお、保護層９も透明であることは言うまでもない。また、保護層９は、導電層５が吸収した水分を放出する妨げとならないよう、フィルム基材３と比べて薄く形成されている。
【００３３】
また、この保護層９は、導電層５が反対面３ｐに形成されたフィルム基材３に、絶縁性インク等をスクリーン印刷して、乾燥、硬化させることにより、容易に導電層５を覆うように積層させることができる。
【００３４】
以上のように構成された静電容量型入力装置１０１は、従来例の静電容量センサ９００Ａの第二の回路パターン層９２４や静電容量センサ９００Ｂの回路パターン層９２０（９２３、９２４）が、フィルム基材９０１と支持体９４０とに挟まれた層構成とは違い、フィルム基材３と外装体１（従来例の支持体９４０に相当する）との間に導電層５が挟まれていない層構成をしている。このため、フィルム基材３の外装体１と接合された接合面３ｍの反対面３ｐ側から、導電層５内の水分が抜け易い構成となっている。このことにより、高温高湿環境などで外装体１を透過してきた水分によって導電層５が吸湿して抵抗値が大きくなることが生じたとしても、常温常湿環境に戻った際に導電層５の抵抗値が元の値に戻りやすいので、検出精度の低下から素早く復帰することができる。また、外装体１の内曲面１ｎ側に導電層５及び配線層７を設けたので、外装体１及びフィルム基材３により外曲面１ｇ側からの紫外線が吸収されて、導電層５及び配線層７が紫外線に曝露されることを防止することができる。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１の耐候性を向上させることができる。
【００３５】
また、本発明の第１実施形態では、従来例と比較して、導電層５の厚みが０．１〜数μｍ程度と約１／１０薄い 構成としているので、導電層５は、従来例より厚みが小さくなった比率に応じて湿度の影響をより受け易くなっている。このため、本発明の第１実施形態の静電容量型入力装置１０１は、より効果が顕著に現れてくる。
【００３６】
以上のように構成された本発明の第１実施形態の曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１における、効果について、一部図面を用いて以下に説明する。
【００３７】
図５は、第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１の効果を説明する図であって、図５（ａ）は、耐湿試験に用いた本案のサンプル片ＳＰ１の層構造を示した図であり、図５（ｂ）は、比較に用いたサンプル片ＣＰ９の層構造を示した図である。本案のサンプル片ＳＰ１は、外装体１、接着層２２、フィルム基材３、導電層５、配線層７、保護層９の順で積層された層構成となっており、比較のサンプル片ＣＰ９は、外装体Ｃ１、接着層Ｃ２２、配線層Ｃ７、導電層Ｃ５、フィルム基材Ｃ３の順で積層された層構成となっている。比較のサンプル片ＣＰ９は、導電層Ｃ５が外装体Ｃ１とフィルム基材Ｃ３に挟まれた層構成となっているのに対し、本案のサンプル片ＳＰ１は、導電層５が外装体１とフィルム基材３に挟まれていない層構成をしている。図 ６ は、第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１の効果を説明する図であって、図５に示した各サンプル片を用いて耐湿試験を行った結果のグラフである。横軸は、高温多湿の環境下に晒した累積の曝露時間（単位は時間）であり、縦軸は、初期の抵抗値と高温多湿の環境下に一定時間晒した後の抵抗値を測定し、その抵抗値変化（単位はパーセント）を示している。また、図中のＡ１は、本案のサンプル片ＳＰ１の結果で有り、図中のＣ１は、比較のサンプル片ＣＰ９の結果である。なお 、 この高温多湿の耐湿試験は、６０℃で、９５％湿度の環境下に所望の時間晒した後、常温常湿に戻して２時間後に各サンプルの抵抗値を測定し、これを繰り返して行った。
【００３８】
本発明の第１実施形態の曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１は、曲面を有して形成された外装体１と一体に形成されたフィルム基材３に、導電性高分子からなる導電層５が形成されているので、従来例の層構成とは違い、フィルム基材３の外装体１と接合された接合面３ｍの反対面３ｐ側から、導電層５内の水分が抜け易い構成となっている。このため、図６に示すように、高温高湿環境などで外装体１を透過してきた水分によって導電層５が吸湿して抵抗値が大きくなることが生じたとしても、常温常湿環境に戻った際に、導電層５の抵抗値が、他の層構成の結果（図中のＣ１）と比較して、大きくならない（図中のＡ１）。これは、高温多湿環境で導電層５が吸湿した水分が常温常湿に戻したあとの２時間で大部分抜けたことにより抵抗変化率が抑えられたと考えられる。このことにより、検出精度の低下から素早く復帰することができ、検出精度の低下を防止することができる。
【００３９】
また、外装体１の内曲面１ｎ側に導電層５及び配線層７を設けたので、外装体１及びフィルム基材３により外曲面１ｇ側からの紫外線が吸収されて、導電層５及び配線層７が紫外線に曝露されることを防止することができる。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１の耐候性を向上させることができる。
【００４０】
また、導電性高分子がＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなので、充分な透明性を確保しつつ所望の導電性を得ることができるとともに、高温雰囲気下の安定性や曲げ加工の耐性にも優れている。また、水分散性であるので、容易に塗布、成膜を行うことができる。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１を容易に作製することができる。
【００４１】
また、外装体１、フィルム基材３及び導電層５が透明であるので、操作面全体を透明にすることができる。このことにより、透明性が要求される製品に好適に用いることができる。また、加飾層を加えることによって、適用される製品の装飾性も高めることができる。
【００４２】
また、導電層５を覆うように積層された保護層９を有しているので、例えば製造上での物理的な作用による導電層５の損傷や、例えば環境下における導電層５のダメージ等に対して、導電層５が保護される。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１の耐候性を高めることができる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば次のように変形して実施することができ、これらの実施形態も本発明の技術的範囲に属する。
【００４４】
図７は、第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１の変形例を説明する図であって、図７（ａ）は、図４と比較した変形例１の静電容量型入力装置Ｃ１０１の断面構成図であり、図７（ｂ）は、図４と比較した変形例２の静電容量型入力装置Ｃ１０２の断面構成図である。図８は、第１実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置１０１の変形例を説明する図であって、図８（ａ）は、図３と比較した変形例３の静電容量型入力装置Ｃ１０３の断面構成図であり、図８（ｂ）は、図３と比較した変形例４の静電容量型入力装置Ｃ１０４の断面構成図である。
【００４５】
＜変形例１＞
上記第１実施形態では、ユーザに対向する外曲面１ｇが凸状のドーム形状を有して構成されていたが、図７（ａ）に示すように、ユーザに対向する外曲面１ｇが凹状の椀形状を有して構成されていても良い。
【００４６】
＜変形例２＞
上記第１実施形態では、ユーザに対向する外曲面１ｇが凸状の単純なドーム形状を有して構成されていたが、この形状に限らなく、例えば図７（ａ）に示すように、違った凸形状が組み合わされた形状でも良い。
【００４７】
＜変形例３＞
上記第１実施形態では、導電層５を覆うように保護層９を設けるように好適に構成したが、図８（ａ）に示すように、保護層９を設けない構成にしても良い。
【００４８】
＜変形例４＞
上記第１実施形態に対して、図８（ｂ）に示すように、外装体１と加飾層５２との間に、中間層Ｃ４２を設けるように好適に構成しても良い。これにより、射出成形時において、外装体１となる高温で流動した合成樹脂から加飾層５２を保護することができる。
【００４９】
＜変形例５＞
上記第１実施形態では、外装体１、フィルム基材３、導電層５及び保護層９を透明にして、操作面全体を透明にした構成にしたが、提供される製品によっては、必ずしも透明にする必要はない。
【００５０】
＜変形例６＞
上記第１実施形態では、導電層５を１層設けて、この１層の電極で静電容量値の変化を検出することにより、ユーザ自身の指先Ｆ１０の位置を検出するように好適に構成していたが、この形態に限るものではない。例えば、従来例のように、Ｘ方向の第１導電層とＹ方向の第２導電層の２層の電極で静電容量値の変化を検出することにより、座標を検出できる座標入力装置を構成しても良い。また、１層の導電層用いて、ユーザ自身の指先Ｆ１０を検知し、例えばスイッチ装置を構成しても良い。
【００５１】
本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１    外装体
１ｇ  外曲面
１ｎ  内曲面
３    フィルム基材
３ｍ  接合面
３ｐ  反対面
５    導電層
７    配線層
９    保護層
１０１、Ｃ１０１、Ｃ１０２、Ｃ１０３、Ｃ１０４  静電容量型入力装置
【図１】
2015025680.tif 000003
【図２】
2015025680.tif 000004
【図３】
2015025680.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年1月28日(2016.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、外装体１、フィルム基材３及び導電層５が透明であるので、操作面全体を透明にすることができる。このことにより、透明性が要求される製品に好適に用いることができる。また、加飾層５２を加えることによって、適用される製品の装飾性も高めることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
＜変形例２＞
上記第１実施形態では、ユーザに対向する外曲面１ｇが凸状の単純なドーム形状を有して構成されていたが、この形状に限らなく、例えば図７（ｂ）に示すように、違った凸形状が組み合わされた形状でも良い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月28日(2016.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザに対向する外曲面を有して合成樹脂で成形された外装体と、
該外装体の内曲面に倣って一体に設けられたフィルム基材と、
該フィルム基材の前記外装体側の面の反対面に形成された導電性高分子からなる導電層と、
該導電層と電気的に接続された配線層と、
前記導電層の前記フィルム基材側の面の反対面を覆うように積層された、前記フィルム基材よりも薄い保護層と、
を有することを特徴とする曲面形状を有する静電容量型入力装置。
【請求項２】
前記導電性高分子は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の混合体からなることを特徴とする請求項１に記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
【請求項３】
前記外装体、前記フィルム基材、前記導電層及び前記保護層が透明であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
【請求項４】
前記保護層は、絶縁性の合成樹脂材料からなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この課題を解決するために、本発明の静電容量型入力装置は、ユーザに対向する外曲面を有して合成樹脂で成形された外装体と、該外装体の内曲面に倣って一体に設けられたフィルム基材と、該フィルム基材の前記外装体側の面の反対面に形成された導電性高分子からなる導電層と、該導電層と電気的に接続された配線層と、前記導電層の前記フィルム基材側の面の反対面を覆うように積層された、前記フィルム基材よりも薄い保護層と、を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
これによれば、本発明の静電容量型入力装置は、導電層 が外装体とフィルム基材とに挟まれていないため、フィルム基材の外装体側の面の反対面側に形成された導電層の表面からフィルム基材や外装体に妨げられずに導電層内の水分が抜け易い構成となっている。このことにより、高湿環境下に晒された後に、導電層の抵抗値が元の値に戻りやすく、検出精度の低下から素早く復帰することができる。
また、導電層を覆うように積層されたフィルム基材より薄い保護層を有しているので、例えば製造上での物理的な作用による導電層の損傷や、例えば環境下における導電層のダメージ等に対して、導電層が保護される。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置の耐候性を高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の静電容量型入力装置は、前記外装体、前記フィルム基材、前記導電層及び前記保護層が透明であることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の静電容量型入力装置は、前記保護層が、絶縁性の合成樹脂材料からなることを特徴とする。
【国際調査報告】
2015025680.tif 000012
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