【事件の表示】
　特願２００２−５０７５１２「高周波増幅装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１０日国際公開、ＷＯ０２／０３５４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００１年６月２９日（優先権主張２０００年６月３０日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年５月１８日付けで拒絶理由通知がなされ、同年７月６日付けで手続補正がなされたが、平成１９年１月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年３月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１９年３月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年３月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の請求項１に係る発明
　本件手続補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「高周波信号を複数段の増幅素子で増幅する高周波増幅装置において、入力された高周波信号を増幅する複数の増幅素子を有する高周波増幅部と、
前記複数の増幅素子に入力される
と補正された。
　
　上記補正は、補正前の請求項１における「前記入力された高周波信号」を「
前記複数の増幅素子に入力される
　そこで、本件手続補正後の上記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
（２）引用例及び周知例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−２７４９０６号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平１１−２５１９３４号公報（以下、「引用例２」という。）、特開平６−１６４２４９号公報（以下、「引用例３」という。）、及び、原査定の備考欄において周知例として引用された特開昭６３−１８７８２０号公報（以下、「周知例１」という。）、特開平５−２２１５９号公報（以下、「周知例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（引用例１：特開昭６２−２７４９０６号公報）
Ａ．「２．特許請求の範囲
　・・・（中略）・・・
（２）ソース接地またはエミッタ接地された半導体増幅素子を備えた高周波増幅器において、
　この半導体増幅素子の制御電極に印加される入力信号の包絡線成分を検出する回路と、
　この回路が検出する包絡線成分にほぼ比例して上記半導体素子のドレイン電極またはコレクタ電極に印加する電圧を変化させる第一の電圧制御回路と、
　前記包絡線成分にほぼ比例して上記半導体素子の制御電極に印加するバイアス電圧を変化させる第二の電圧制御回路と
　を備えたことを特徴とする高周波増幅器。」（第１頁左下欄第４行〜右下欄第６行）
　
Ｂ．「〔産業上の利用分野〕
　本発明は高周波帯の線形増幅器として利用する。本発明は無線送信装置の電力増幅器として利用するに適する。本発明は電源効率（直流消費電力に対する高周波出力の効率）の高い高周波増幅器に関するものである。」（第１頁右下欄第１７行〜第２頁左上欄第３行）
　
Ｃ．「次に第３図は本発明の第二の実施例を説明する図である。図中符号１１は高調波阻止フィルタ、１２は基本周波数同調フィルタ、１３はゲートバイアス電圧制御回路である。符号１５は別の直流増幅器である。
　第３図に示す回路はＦ級増幅に対応した回路を示している。包絡線検波器４、直流増幅器５、ドレイン電圧制御回路６は第１図のものと同様である。ゲートバイアス電圧制御回路１３は入力信号の包絡線の変化に追従してゲート電圧を変化させ、包絡線の各レベルに対してＦ級としての動作が良好に行われるように、ＦＥＴ３のバイアス電圧を制御する。高調波阻止フィルタ１１は出力信号の波形を整形し、ＦＥＴに印加される電圧と電流の位相差が９０度になるように機能する。基本周波数同調フィルタ１２は基本波出力のみが出力されるように機能する。これら二つのフィルタはＦ級増幅するために必要な基本回路であり、このように構成された回路を使用し、さらに増幅器をスイッチング動作するまで高い入カレベルで駆動させることにより、論理的には１００％近い効率を達成できる。
　第１図の説明で述べた動作と同様に本実施例の場合にも、トレイン電圧制御回路６は、入力信号の包絡線の変化に追随してドレイン電圧を変化させる。同時にゲートバイアス電圧制御回路１３が、同様に入力信号の包絡線の変化に追随してゲート電圧を変化させる。この結果、第４図に示すように負荷線とバイアス点は入力信号の包絡線変化に追随して変化することになる。図では、ゲート電圧は包絡線が大きいときと小さいとき、それぞれＶｇ１、Ｖｇ２により、そのためドレインバイアス電圧もそれぞれＶｄ０、Ｖｄ０’になっている。このようにして包絡線変化によらず定常的にＦ級で増幅動作することができる。すなわちＦ級動作にもかかわらず増幅器は線形増幅器として機能することになる。
　以上の説明はＦ級動作についてであったが、入力電力を過負荷動作まで増大させない場合にはＡ級増幅となるが、この場合にも同様に入力信号レベルによらず常に負荷線いっばいに信号を振って増幅することが可能である。」（第３頁右上欄第１行〜右下欄第１行）
　
Ｄ．「包絡線検波器４は入力信号の包絡線成分を検出する。」（第２頁右下欄第１２〜１３行）
　
　上記Ａ〜Ｄの記載及び関連する図面を参照すると、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例１記載の発明」という。）
「高周波帯の入力信号を半導体増幅素子で増幅する高周波増幅器において、入力された高周波帯の入力信号を増幅する半導体増幅素子を有する高周波増幅部と、前記半導体増幅素子に入力される高周波帯の入力信号の包絡線成分を検出する包絡線検波器と、前記包絡線検波器により検出された前記包絡線成分の変化に追随して、前記半導体増幅素子に印加されるゲート電圧を制御するゲートバイアス電圧制御回路とを備える高周波増幅器。」
　
（引用例２：特開平１１−２５１９３４号公報）
Ｅ．「【００１４】図３は、図１の携帯電話機の送信電力制御方式を適用した携帯電話機の送信部の電力増幅器の他の実施例を示す構成を示す電気的接続図である。図３において、ＩＮは増幅される送信信号の入力端子、ＯＵＴは増幅された送信信号の出力端子である。ＡＰ１，ＡＰ２は電力増幅器、ＤＣ１，ＤＣ２，ＤＣ３はＤＣ−ＤＣコンバータである。Ｅは定電圧源、ＧＴは電力増幅器ＡＰ１，ＡＰ２のゲート電源である。ＣＮＳは、ＤＣ−ＤＣコンバータのＤＣ１，ＤＣ２，ＤＣ３に対する電力制御信号の入力端子である。入力端子ＩＮは電力増幅器ＡＰ１の入力に接続されている。電力増幅器ＡＰ１の出力は電力増幅器ＡＰ２の入力に接続され電力増幅器ＡＰ２の出力は出力端子ＯＵＴに接続されている。定電圧源Ｅは、ＤＣ−ＤＣコンバータのＤＣ１，ＤＣ２の入力に接続されている。ＤＣ−ＤＣコンバータＤＣ１の出力は電力増幅器ＡＰ１に加えられ、ＤＣ−ＤＣコンバータＤＣ２の出力は電力増幅器ＡＰ２に加えられている。又、電力増幅器ＡＰ１と電力増幅器ＡＰ２は、ＤＣ−ＤＣコンバータのＤＣ３を介してゲート電源ＧＴに接続されている。ＤＣ−ＤＣコンバータのＤＣ１，ＤＣ２，ＤＣ３はその出力電圧の値が電力制御信号の入力端子ＣＮＳの信号により制御される。
【００１５】このように構成された電力増幅器の動作を説明すると次の通りである。図２の実施例と、図３の実施例との相違点は、図２の実施例の回路では、電力増幅器ＡＰ１と電力増幅器ＡＰ２は、直接ゲート電源ＧＴに接続されていたが、図３の実施例の回路では、電力増幅器ＡＰ１と電力増幅器ＡＰ２は、ＤＣ−ＤＣコンバータのＤＣ３を介してゲート電源ＧＴに接続されている点である。このような構成の相違により、図３の実施例では、次のような付加的な効果が得られる。電力増幅器ＡＰ１と電力増幅器ＡＰ２が、直接ゲート電源ＧＴに接続されている図２の回路では、そのゲート電源ＧＴの電圧は固定であるため、電力増幅器ＡＰ１と電力増幅器ＡＰ２の電力は、その電源電圧の変更だけにより行われていたが、、図３の実施例の回路では、電力増幅器ＡＰ１と電力増幅器ＡＰ２のゲート電源ＧＴの電圧も、ＤＣ−ＤＣコンバータのＤＣ３により変化することが出来るので、ゲート電源の電圧を変えることによっても、電力増幅器ＡＰ１と電力増幅器ＡＰ２の電力の変更を行なうことが出来る。このため、図３の実施例の回路では図２の回路にくらべてより広範囲の出力電力の変更を効率良く行なうことが可能になる。」
　
　上記Ｅの記載及び関連する図面を参照すると、引用例２には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例２記載の発明」という。）
「複数段の縦続接続された電力増幅器のゲート電源の電圧を制御すること。」
　
（引用例３：特開平６−１６４２４９号公報）
Ｆ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は可変利得増幅回路に関し、特にエミッタ接続型の高周波増幅用の可変利得増幅回路に関するものである。」
　
Ｇ．「【００２０】図２は本発明の他の実施例の原理を説明する回路図であり、図１と同等部分は同一符号により示している。この回路では、可変電流源６をトランジスタ１のベースと回路電源電圧との間に設け、図１の例とは逆に、この可変電流源６の電流をトランジスタ１のベースバイアス電流として供給するようにしている。
【００２１】すなわち、可変電流源６の電流を増加させれば、それだけトランジスタ１にはベースバイアス電流が余計に供給されて増加し、逆に可変電流源６の電流を減少させれば、トランジスタ１へのベースバイアス電流はそれだけ減少する。この様に、可変電流源６の電流制御によって、増幅用トランジスタ１への供給ベースバイアス電流が増減制御されて利得制御が可能となるのである。」
　
Ｈ．「【００２７】図５は図２の回路の具体例を示しており、図１〜図４と同等部分は同一符号により示す。トランジスタ１のベースと回路電源電圧との間の可変電流源６を、図４と同様にカレントミラー回路構成として、制御電圧とミラー電流との関係を略リニアとしたものである。
【００２８】本例では、カレントミラー用のトランジスタ６７，６８は共にＰＮＰトランジスタとなっており、制御電圧６５を抵抗６９を介してダイオード構成のトランジスタ６８のベース電圧とし、トランジスタ６７のミラー電流を抵抗７０を介してトランジスタ１のベースへ供給するようにしたものである。この回路の動作は図２のそれと同一である。」
　
　引用例３の図２のものにおいて、ブロック図で示される「ベースバイアス回路５」は、図５の具体例においては、増幅用トランジスタ１のコレクタとベースとの間の抵抗５１と、ベースとグランドとの間の抵抗５２とからなるものであり、それ自体で増幅用トランジスタ１に所定のバイアス電流を流すものである。
　そして、カレントミラー回路構成よりなる「可変電流源６」は、上記所定のバイアス電流に対して、さらに可変のバイアス電流を供給する構成となっているということができる。
　
　よって、上記Ｆ〜Ｈの記載及び関連する図面を参照すると、引用例３には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例３記載の発明」という。）
「高周波増幅回路において、ベースバイアス回路により流される増幅用トランジスタの所定のバイアス電流と、可変電流源により供給される可変のバイアス電流との和のバイアス電流を供給すること。」
　
（周知例１：特開昭６３−１８７８２０号公報）
Ｉ．「第１図はこの発明の一実施例を示す回路図であり、第４図と同一部分は同記号を用いている。図において８はチョークコイル、９はコンデンサ、１０は基準電圧、１１は切換信号１２によってバイアス電圧が制御されるバイアス電圧可変部である。
　このように構成された装置において、バイアス電圧可変部１１は切換信号１２に対応したバイアス電圧を発生し、チョークコイル８を介してダイオード５を逆バイアスにバイアスする。逆バイアス電圧とダイオード５の検波特性との関係は第２図に示すようになっており、ｖＢは逆バイアス電圧、Ｉは入力信号の振幅、ｖｉはダイオード５のアノードカソード間電圧、ＤＣは整流され出力される直流出力電圧である。この図からわかるとおり、バイアス電圧ｖＢを可変すれば入力信号のピーク値はダイオードの任意の動作点に設定することが可能であり、直流出力電圧を任意の値に設定できる。
　このため、送信電力すなわち第２図の入力信号Ｉの振幅が変化しても、バイアス電圧ｖＢの値を選定して入力信号のピーク値をダイオード５の同じ動作点に設定し、同一レベルの直流出力電圧を得ることが可能である。第３図は検波特性を示すグラフであり、横軸が送信電力、縦軸が直流出力電圧、ｖＢ１〜ｖＢ６はバイアス電圧値を変化させたときの入出力特性カーブである。この図からわかるとうり、送信電力を１〜６に変化した時の直流出力電圧はバイアス電圧ｖＢ１〜ｖＢ６のそれぞれの条件で一定値ｖ０とすることが可能である。」（第２頁右上欄第９行〜左下欄第１７行）
　
（周知例２：特開平５−２２１５９号公報）
Ｊ．「【００２３】図５の高周波検出回路の回路図を参照すると、図１の送信機における高周波検出回路８の第３の例である高周波検出回路８Ｃは、上述の例８Ａおよび８Ｂの場合と同様に、高周波信号Ｖｉｎを入力端子８１に受けて検波器８３で検波し、検波器出力電圧Ｖｏｕｔを生じる。上述の例８Ａおよび８Ｂと違って、この例８Ｃでは検波器８３の出力に得られた検波器出力電圧Ｖｄｅｔをそのまま検出出力電圧Ｖｏｕｔとする。検波器８３の負バイアス端子８５にはバイアス回路９７が接続され、正バイアス端子８２とバイアス回路９７との間の電位差により検波用ダイオードＤ１１へのバイアス電流Ｉｂを供給する。バイアス電流Ｉｂの値はバイアス電流設定回路９８により制御する。上記高周波電力増幅器出力のＯＦＦ期間に対応する高周波信号Ｖｉｎの上記ＯＦＦ期間には、高周波検出回路８Ｃは負帰還ループを構成し、検出出力電圧Ｖｏｕｔを所定値，好ましくは０Ｖに設定するように、バイアス電流Ｉｂの値を帰還ループによって調整する。一方、このＯＦＦ期間のすぐ後の上記ＯＮ期間には、バイアス電流設定回路９８は、上記バイアス電流が上記ＯＦＦ期間のバイアス電流Ｉｂを継続するようにバイアス回路９７を制御する。これによって、バイアス電流Ｉｂは、高周波信号Ｖｉｎの上記ＯＦＦ期間の始めごとに補正され、上記ＯＮ期間の検出出力電圧Ｖｏｕｔは上記ＯＦＦ期間の所定値の検出出力電圧Ｖｏｕｔからの増加分として明確に決定される。この結果、高周波検出回路８Ｃは、検波用ダイオードＤ１１に対する温度変化の影響や検波器８３の回路素子の諸定数のばらつきによる検出出力の変動を防止できる。」
　
　上記周知例１には、「ダイオード５」に加わる逆バイアス電圧を制御することにより、該ダイオード５の検波特性を調整するようにすることが記載され、上記周知例２には、「検波用ダイオードＤ１１」へのバイアス電流を制御して検波器出力電圧を調整するようにすることが記載されている。
　いずれにしても、上記周知例１，２の記載を参照すると、次の技術が周知技術であるということができる。（以下、「周知技術」という。）
「検波器の検波用ダイオードのバイアスを調整して検波特性を調整すること。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、次のことがいえる。
　
（あ）引用例１記載の発明における「高周波帯の入力信号」、「半導体増幅素子」、「高周波増幅器」は、それぞれ、本願補正発明における「高周波信号」、「増幅素子」、「高周波増幅装置」に相当する。
　
（い）引用例１記載の発明において「高周波帯の入力信号の包絡線成分を検出する」ことは、実質的に、本願補正発明において「高周波信号の振幅を測定する」ことに相当する事項である。
　よって、引用例１記載の発明における「半導体増幅素子に入力される高周波帯の入力信号の包絡線成分を検出する包絡線検波器」は、本願補正発明における「増幅素子に入力される高周波信号の振幅を測定する測定回路」に相当する。
　
（う）引用例１記載の発明において「包絡線検波器により検出された包絡線成分の変化に追随して、半導体増幅素子に印加されるゲート電圧を制御する」ことは、実質的に、本願補正発明において「測定回路により測定された振幅の値に応じて連続的に、増幅素子に印加されるバイアスを制御する」ことに相当する事項である。
　よって、引用例１記載の発明における「包絡線検波器により検出された包絡線成分の変化に追随して、半導体増幅素子に印加されるゲート電圧を制御するゲートバイアス電圧制御回路」は、本願補正発明における「測定回路により測定された振幅の値に応じて連続的に、増幅素子に印加されるバイアスを制御するバイアス制御回路」に相当する。
　
　上記（あ）〜（う）の事項を踏まえると、本願補正発明と引用例１記載の発明とは、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
　本願補正発明と引用例１記載の発明とは、ともに、
「高周波信号を増幅素子で増幅する高周波増幅装置において、入力された高周波信号を増幅する増幅素子を有する高周波増幅部と、前記増幅素子に入力される高周波信号の振幅を測定する測定回路と、前記測定回路により測定された前記振幅の値に応じて連続的に、前記増幅素子に印加されるバイアスを制御するバイアス制御回路とを備える高周波増幅装置。」
である点。
　
（相違点）
　相違点１：「増幅素子」が、本願補正発明においては、「複数段の増幅素子」あるいは「複数の増幅素子」であるのに対し、引用例１記載の発明においては、「複数段の増幅素子」あるいは「複数の増幅素子」であるとはされていない点。
　
　相違点２：「バイアス制御回路」が、本願補正発明においては、「測定回路により測定された振幅に応じた値の電流を出力する電流加算回路」と、「電流加算回路からの電流および所定の基準電流の和に応じたバイアスを複数の増幅素子に印加するバイアス印加回路」と、「入力された高周波信号の振幅に応じて測定回路を導通する電流を調整する検波調整回路」とを有するのに対し、引用例１記載の発明においては、そのような回路を有するものであるとはされていない点。
　
（４）判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　上記引用例２記載の発明に見られるように、増幅器を複数段の縦続接続構成とし、各増幅器に加わるゲート電源電圧、すなわち複数段の増幅器を構成する各増幅素子に加わるバイアスを制御するようにすることは、公知の技術である。
　そして、増幅器の分野では、例えば必要とする増幅率を得るためなどの目的で、増幅器を複数段の構成とすることは、ごく普通に行われていることにすぎない。
　してみれば、引用例１記載の発明において、上記引用例２記載の発明を参酌し、バイアスの制御対象となる「半導体増幅素子」を、「複数段の増幅素子」あるいは「複数の増幅素子」とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（相違点２について）
　一般に、増幅回路において、ベースバイアス回路により流される増幅用トランジスタの所定のバイアス電流に対して、可変電流源により可変のバイアス電流を加算することは、引用例３記載の発明に見られるような技術にすぎない。
　ここで、引用例１記載の発明において、引用例１の第３図の実施例では、「半導体増幅素子」としてＦＥＴを用いているため、ゲートバイアスを制御する回路が「ゲートバイアス電圧制御回路」となっているが、引用例１において他の実施例として示されている第５図の実施例では、「半導体増幅素子」としてバイポーラトランジスタを用いる増幅回路が示されており、一般に、「半導体増幅素子」として「ＦＥＴ」も「バイポーラトランジスタ」もごく普通に用いられる素子にすぎないことを鑑みれば、バイポーラトランジスタを用いる増幅回路において引用例１記載の発明における「ゲートバイアス電圧制御回路」に相当する回路を構成しようとするときには、電流制御を行うようなベースバイアス回路を用いればよいということは、当業者にとって自明である。
　そして、引用例３記載の発明において、「ベースバイアス回路により流される増幅用トランジスタの所定のバイアス電流」を「所定の基準電流」と称し、該「所定の基準電流」に対してさらに「可変のバイアス電流」を供給する「可変電流源」を「電流加算回路」と称するようにすることは、当業者が適宜になし得ることにすぎない。
　さらに、上記「相違点１について」の項で検討したように、バイアスの制御対象となる「半導体増幅素子」を、「複数段の増幅素子」あるいは「複数の増幅素子」とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　してみれば、引用例１記載の発明において、「半導体増幅素子」として複数のバイポーラトランジスタを用いるようにするとともに、引用例３記載の発明を参酌し、「包絡線検波器により検出された包絡線成分の変化に追随して、半導体増幅素子に印加されるゲート電圧を制御するゲートバイアス電圧制御回路」によって加えられる可変バイアスを、「可変電流源」による「可変のバイアス電流」とし、「ベースバイアス回路により流される増幅用トランジスタの所定のバイアス電流」（所定の基準電流）に加算するような構成とすること、すなわち、「測定回路により測定された振幅に応じた値の電流を出力する電流加算回路」及び「電流加算回路からの電流および所定の基準電流の和に応じたバイアスを複数の増幅素子に印加するバイアス印加回路」を有するような「バイアス制御回路」を用いるようにすることは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　次に、「入力された高周波信号の振幅に応じて測定回路を導通する電流を調整する検波調整回路」であるが、この「検波調整回路」については、本願明細書に次の記載がある。
　「以上のように、この実施の形態７によれば、実施の形態１による効果の他、バイアス制御回路２６が、測定回路２７が高周波信号の振幅を測定する際にその振幅に応じて導通する電流の値を設定する検波調整回路２３を有するので、測定回路２７の動作条件（検波回路２１を構成するダイオードの動作点）を制御することができ、装置の調整を簡単に実行するという効果が得られる。」（明細書第１８頁第２３〜２７行）
　すなわち、上記「検波調整回路」は、何を調整するものであるかというと、具体的には、「検波回路を構成するダイオードの動作点」を調整するものに他ならず、このことは、上記周知例１，２に見られるような「検波器の検波用ダイオードに対するバイアスを調整して検波特性を調整する」という周知技術にすぎないものである。
　上記周知例１，２のものは、「回路」（周知例１においては第１図の「電力増幅部１」、周知例２においては図１の「電力増幅器３」）の「出力」を検波する検波器の検波用ダイオードのバイアスを調整して検波特性を調整するようなものであるが、このような検波用ダイオードのバイアス調整による検波特性の調整技術は、「回路」の「入力」を検波する検波器に対しても同様に適用することができるということは、当業者にとって自明である。
　そして、引用例１記載の発明における「包絡線検波器」は、その具体的構成が明らかでないが、検波器の構成として検波用ダイオードを用いた構成は、ごく一般的な構成にすぎないから、上記周知技術を引用例１記載の発明における「包絡線検波器」の検波特性を調整するために適用することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　してみれば、引用例１記載の発明において、上記周知技術を参酌し、「入力された高周波信号の振幅に応じて測定回路を導通する電流を調整する検波調整回路」を設けるようにすることは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　以上のとおり、引用例１記載の発明に対して、引用例２，３に記載の発明及び上記周知技術を参酌し、「バイアス制御回路」を、「測定回路により測定された振幅に応じた値の電流を出力する電流加算回路」と、「電流加算回路からの電流および所定の基準電流の和に応じたバイアスを複数の増幅素子に印加するバイアス印加回路」と、「入力された高周波信号の振幅に応じて測定回路を導通する電流を調整する検波調整回路」とを有するものとすることは、当業者が適宜になし得ることである。
　
（本願補正発明の作用効果について）
　そして、本願補正発明の構成によってもたらされる効果も、引用例１〜３に記載の発明及び上記周知技術から当業者が容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１〜３に記載の発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　よって、本件手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本願発明
　平成１９年３月１４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１８年７月６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「高周波信号を複数段の増幅素子で増幅する高周波増幅装置において、入力された高周波信号を増幅する複数の増幅素子を有する高周波増幅部と、前記入力された高周波信号の振幅を測定する測定回路と、前記測定回路により測定された前記振幅の値に応じて連続的に、前記増幅素子に印加されるバイアスを制御するバイアス制御回路とを備え、前記バイアス制御回路は、前記測定回路により測定された振幅に応じた値の電流を出力する電流加算回路と、前記電流加算回路からの電流および所定の基準電流の和に応じたバイアスを複数の増幅素子に印加するバイアス印加回路と、前記入力された高周波信号の振幅に応じて前記測定回路を導通する電流を調整する検波調整回路とを有することを特徴とする高周波増幅装置。」
　
（２）引用例及び周知例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例及び周知例とその記載事項は、上記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明における「
前記複数の増幅素子に入力される
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに特定の限定を施したものに相当する本願補正発明が、上記２．（４）に記載したとおり、引用例１〜３に記載の発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記特定の限定を省いた本願発明は、同様に、引用例１〜３に記載の発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１〜３に記載の発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。