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　平成１０年特許願第　７４３９１号「固体撮像装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月　８日出願公開、特開平１１−２７４４６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月２３日の出願であって、平成１９年６月２２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２７日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年１２月２１日付けで審尋がなされ、平成２２年２月２２日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年８月２７日付けの手続補正について
（１）補正の内容 
  平成１９年８月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであり、特許請求の範囲についての補正は、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）補正前の請求項１を、削除すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項２を、補正後の請求項１の
「【請求項１】　半導体基板に、光電変換素子が構成されたセンサー部と該センサー部から電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタとを有する複数の単位画素が配列形成され、
　上記センサー部は、第１導電型の半導体領域と、この上に形成された第２導電型の第１半導体領域と、この半導体領域の表面に形成された第１導電型の高不純物濃度層とを有して成る光電変換素子が形成されて成り、
　上記絶縁ゲートトランジスタは、上記第２導電型の第１半導体領域と所要の距離を隔てて形成された第２導電型の第２半導体領域との間に絶縁ゲート部が形成されて成り、
　上記センサー部の上記高不純物濃度層は、上記第２導電型の第１半導体領域の表面の、上記絶縁ゲート部と隣接する部分を除く部分に限定的に形成されて成り、
　上記センサー部の電荷読み出し側を除く周囲の上記第１導電型の半導体領域に、分離絶縁層が形成され、該分離絶縁層の形成部下に第１導電型のチャネルストップ領域が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。」
と補正すること。　
　
（補正事項ｃ）補正前の請求項３を、削除すること。
　
（補正事項ｄ）補正前の請求項４を、補正後の請求項２の
【請求項２】　第１導電型の半導体領域に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
　該絶縁膜上に、導電層を形成する工程と、
　該導電層のゲート電極形成部にレジスト層を形成する工程と、
　該レジスト層をマスクとして上記導電層をパターンエッチングしてゲート電極を形成する工程と、
　上記第１の導電型の半導体領域に、上記レジスト層を残したまま、該レジストと上記ゲート電極をマスクとしてこのゲート電極を挟んでその両側に、第２導電型の不純物を導入して第２導電型の第１および第２半導体領域を形成する工程と、
　上記ゲート電極の、少なくとも上記第１半導体領域と隣接する側面に、絶縁層によるサイドウオールを形成する工程と、
　該サイドウオールと上記ゲート電極とをマスクとして、上記第１半導体領域の表面に、上記ゲート電極と離間して第１導電型の高不純物濃度層を形成する工程とを有し、
　上記高不純物濃度層を形成する工程の後または前に、上記サイドウオールと上記ゲート電極とをマスクとして、上記第２半導体領域の表面に、上記ゲート電極と離間して第２導電型の高不純物濃度領域を形成する工程を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。」
と補正すること。　
　
（補正事項ｅ）補正前の請求項５を、削除すること。
　
（２）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（２−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、補正前の請求項１を削除するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第１号に掲げる第３６条第５項に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（２−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項２を、独立項である補正後の請求項１にするとともに、補正前の請求項２における「該分離絶縁層の形成部下に第２導電型のチャネルストップ領域が形成されている」を、「該分離絶縁層の形成部下に第１導電型のチャネルストップ領域が形成されている」と補正するものであり、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　そして、「第１導電型のチャネルストップ領域」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００２８】段落の記載に基づく補正であり、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（２−３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項３を削除するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる第３６条第５項に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（２−４）補正事項ｄについて
　補正事項ｄは、補正前の請求項３を引用する補正前の請求項４を、独立項である補正後の請求項２にするものであり、実質的に補正をするものではない。
　
（２−５）補正事項ｅについて
　補正事項ｅは、補正前の請求項５を削除するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる第３６条第５項に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３）まとめ
　以上、検討したとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の要件を満たしており、同法同条第４項第１号または第３号に掲げる事項を目的とするものであるから、適法になされたものである。
　
３．本願発明
　平成１９年８月２７日付けの手続補正は、上記のとおり、適法になされたものであるので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１９年８月２７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
（４−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である昭和５３年７月３１日に頒布された刊行物である特開昭５３−８６５１６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、第１〜３図とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において、特に強調する点に付与したものである。以下同様。）
　
「(1)　発明の利用分野
　
本発明は、半導体基板上に光電変換素子および走査回路を集積化した固体撮像装置に関するものである。
(2)　従来技術
　
第１図(a)は固体撮像装置の原理的な構成を示すものである。
前記水平、垂直２つの走査回路はスイッチ素子を内有した光電変換素子３を順次開閉し、２次元状に配列した個々の光電変換素子からの信号を垂直出力線４および水平スイッチ５を通してビデオ出力線６の上に取り出す。
　この種固体撮像素子では解像力の向上を図り、画質を上げるため多数の光電変換素子および走査用の単位回路が必要となる。そのため、一般には集積密度が比較的高く、
第１図(b)に示したように光電変換素子とスイッチ素子が一体化構造で製作できるＭＯＳ−ＬＳＩ技術を用いて作られる。７は垂直走査回路によって開閉するゲート８を備えたスイッチ用ＭＯＳトランジスタ（以下ＭＯＳＴと略記する）、９はそのソース接合領域を利用したｐｎ接合光ダイオード、１０は垂直出力線４につながるスイッチＭＯＳＴ７のドレインである。また、１１はこれらの素子を集積化するＳｉ半導体基板、１２は絶縁用の酸化膜（一般にシリコン酸化膜が使用される）である。
「(3)　発明の目的
(4)　発明の総括説明
　本発明の目的は前記光ダイオードの容量をダイオード寸法を大きくすることなく増加させることにあり、ダイオード接合面の上面に基板と同型かつ濃度の高い不純物層を設け、容量の増加を図るようにしたものである。
(5)　実施例
　以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
　
第２図は固体撮像素子の構成単位となる本発明の光ダイオードの構造（同図(a)）およびその平面パターンを示す図である。１３は第１導電型の半導体基板、１４は垂直走査回路により開閉するスイッチＭＯＳＴであり、絶縁酸化膜１５を介して設けたゲート電極１６と基板と異なる第２導電型不純物で作られた光ダイオード１７−１と信号出力線１８につながるドレイン１７−２によって構成される。１９は光ダイオードの一部に接触させて設けた基板と同じ第１導電型の不純物層である。ここで、不純物層１９の不純物濃度は光ダイオード１７−１より１桁以上大きくとるのがよく、具体的には１０
１７
個／cm
３
以上に選ぶのがよい。同図(ｂ)は光ダイオード部のレイアウトパターンを示す図であり、２０は第２導電型不純物で作られた前記ダイオード１７−１、また、２１は第１導電型不純物で作られた前記不純物層１９に相当する。ここで、光ダイオード１７−１の濃度は不純物層１９の濃度を反転しないように不純物層１９より低濃度１０
１６
〜１０
１８
個／cm
３
）に選ぶ。
ダイオードが基板との間に形成する接合面積すなわちレイアウトパターン２０の面積をＳ′、パターン２０の備える接合容量をＣ′、またパターン２０とパターン２１の重なり面積をＳ″とすれば、
「本発明の光ダイオードは第３図に示したように従来の固体撮像素子の製作工程に基板と同型の不純物層を形成するための工程を１つ加えることにより簡単に製作することができる。先ず、第１導電型不純物濃度１０１５個／cm３程度の半導体基板１３上に１μｍ程度のシリコン絶縁膜酸化膜１５−１を形成し、ＭＯＳスイッチを形成する位置に相当する部分の前記酸化膜をホトエッチングにより除去する。この上にゲート用のシリコン酸化膜１５−２を例えば熱酸化法により0.1μｍ程度形成し、続いて、0.3〜0.5μm程度の多結晶シリコン８−１をＣＶＤ法（Chemical Vapour Deposition の略）により形成する（第３図(ａ)）。
　ホトエッチングによりゲート領域を除く多結晶シリコンの除去を行いゲート電極８−２を形成する。このゲート電極をマスクにしてゲート電極下以外の前記酸化膜１５−２を除去し、第２導電型の不純物（例えばボロン原子）を熱拡散あるいはイオン打ち込み法により基板に注入して光ダイオード１７−１およびドレイン１７−２を形成する光ダイオードおよびドレインの不純物濃度は１０１７個／cm３程度に選べばよい。この時、第２導電型の不純物はゲート用多結晶シリコン中にも注入されゲート電極の導電率を高める（同図(ｂ)）。
　
絶縁酸化膜（１５−３）、例えばリン原子入りガラス膜をＣＶＤ法により形成し、前記不純物層１９に相当する領域の酸化膜をホトエッチングにより除去する。続いて第１導電型の不純物（例えばリン原子）を熱拡散あるいはイオン打ち込み法により光ダイオードおよび基板の一部に注入し、１０
１８
個／cm
３
の濃度を有する前記不純物層１９を形成する（同図(ｃ)）。
　最後に絶縁酸化膜１５−４、例えばリン原子入りガラス膜をＣＶＤ法により蒸着し、ドレイン１７−２上の酸化膜をホトエッチングにより除去する。このエッチング孔を通してドレイン領域に再び第２導電型の不純物（例えばボロン原子）を熱拡散あるいはイオン打ち込みにより注入し、ドレイン領域の不純物濃度を１０１９〜１０２０個／cm３に高め、本領域上に導電性材料（例えばアルミニウム）の蒸着を行いホトエッチングにより信号出力用の配線１８を形成する。」（第３頁右上欄第８行〜同頁右下欄１０行）
「(6)　まとめ
　以上、実施例を用いて詳細を説明したように、
本発明の固体撮像素子を構成する光ダイオードでは光ダイオードの全面または一部に接触させて基板と同型かつ基板より濃度の高い不純物層を設けることにより信号蓄積容量を従来のダイオードに較べて１桁以上大きくすることができる。
　
（４−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「第１導電型の半導体基板１３上にゲートを備えたスイッチ用ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ素子を内有した光電変換素子を２次元状に配列し、
前記スイッチ用ＭＯＳトランジスタは、絶縁酸化膜１５を介して設けたゲート電極１６と基板と異なる第２導電型不純物で作られた光ダイオード１７−１とドレイン１７−２によって構成され、
光ダイオード１７−１の一部に接触させて設けた基板と同じ第１導電型の不純物層１９を有する固体撮像装置。」
　
５．対比・判断
（５−１）刊行物発明の「第１導電型の半導体基板１３」は、本願発明の「半導体基板」に相当する。
　
（５−２）刊行物発明の「第１導電型の半導体基板１３」、「第２導電型不純物で作られた光ダイオード１７−１」及び「光ダイオード１７−１の一部に接触させて設けた基板と同じ第１導電型の不純物層１９」は、各々本願発明の「第１導電型の半導体領域」、「この上に形成された第２導電型の第１半導体領域」及び「第２導電型の第１半導体領域」「の表面に形成された第１導電型の高不純物濃度層」に相当する。また、刊行物発明の「第１導電型の半導体基板１３」と「第２導電型不純物で作られた光ダイオード１７−１」は、ｐｎ接合光ダイオードからなる光電変換素子を形成していることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「第１導電型の半導体基板１３」、「第２導電型不純物で作られた光ダイオード１７−１」及び「光ダイオード１７−１の一部に接触させて設けた基板と同じ第１導電型の不純物層１９」は、本願発明の「光電変換素子が形成されたセンサー部」に相当する。
　また、引用刊行物の第２図の記載からみて、刊行物発明の「光ダイオード１７−１の一部に接触させて設けた基板と同じ第１導電型の不純物層１９」は、「第２導電型不純物で作られた光ダイオード１７−１」の表面の「絶縁酸化膜１５を介して設けたゲート電極１６」と隣接部分を除く部分に限定的に形成されているものと認められる。
　
　（５−３）引用刊行物の第２図の記載からみて、刊行物発明の「スイッチ用ＭＯＳトランジスタは、」「基板と異なる第２導電型不純物で作られた光ダイオード１７−１」と所定の距離を隔てて形成された「第２導電型不純物で作られた」「ドレイン１７−２」との間に「絶縁酸化膜１５を介して設けたゲート電極１６」が形成されているので、刊行物発明の「スイッチ用ＭＯＳトランジスタ」は、本願発明の「センサー部から電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタ」に相当する。
　
（５−４）刊行物発明の「２次元状に配列」された「ゲートを備えたスイッチ用ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ素子を内有した光電変換素子」は、本願発明の「配列形成され」た「複数の単位画素」に相当する。
　
（５−５）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「半導体基板に、光電変換素子が構成されたセンサー部と該センサー部から電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタとを有する複数の単位画素が配列形成され、
　上記センサー部は、第１導電型の半導体領域と、この上に形成された第２導電型の第１半導体領域と、この半導体領域の表面に形成された第１導電型の高不純物濃度層とを有して成る光電変換素子が形成されて成り、
　上記絶縁ゲートトランジスタは、上記第２導電型の第１半導体領域と所要の距離を隔てて形成された第２導電型の第２半導体領域との間に絶縁ゲート部が形成されて成り、
　上記センサー部の上記高不純物濃度層は、上記第２導電型の第１半導体領域の表面の、上記絶縁ゲート部と隣接する部分を除く部分に限定的に形成されて成る固体撮像装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）本願発明では、「上記センサー部の電荷読み出し側を除く周囲の上記第１導電型の半導体領域に、分離絶縁層が形成され、該分離絶縁層の形成部下に第１導電型のチャネルストップ領域が形成されている」のに対して、刊行物発明では、そのような特定はなされていない点。
　
（５−６）上記相違点について、以下、検討する。
  固体撮像装置において、ホトダイオードの電荷読み出し側を除く周囲の半導体基板上に、分離絶縁層を形成し、分離絶縁層の形成部下に半導体基板と同じ導電型のチャネルストップ層を形成することは、以下の周知例１及び２に記載されるように、当業者において普通に用いられている従来周知の技術である。
　
（周知例１）：特開昭６０−２５７６７６号公報には、第２図とともに、以下の記載がなされている。
　「産業上の利用分野
  本発明はビデオカメラ等に用いられる固体撮像装置に関するものである。」（第１頁右下欄第２〜４行）
　「第２図は従来のインターライン転送型ＣＣＤ撮像素子の単位画素のＣＣＤの転送方向に垂直な断面模式図を示すものである。第２図において、(1)はＰ形シリコン基板、(2)は基板(1)と協同してＰＮ接合フォトダイオードを形成するＮ形領域、(3)は埋め込みチャネルＣＣＤ（ＢＣＣＤ）を形成するＮ形領域、(4)はＮ形領域(2)、(3)間の基板面に形成された酸化膜、(5)は酸化膜(4)上においてフォトダイオードからＢＣＣＤ(3)へ信号電荷を移すスイッチングゲートを形成するための多結晶シリコン膜、
(6)は隣接画素との分離領域を形成する選択酸化膜（ＬＯＣＯＳ）であり、(7)は選択酸化膜(6)の下部に形成されたＰ
＋
領域よりなるチャンネルストッパーである。
　
（周知例２）：特開平１−１０３８６０号公報には、第１〜５図とともに、以下の記載がなされている。
　「〔産業上の利用分野〕
  本発明は撮像装置に係り、特に半導体基板上に複数個の受光素子等を集積化した固体撮像装置に関する。」（第４頁右下欄第１９行〜第５頁左上欄第２行）
　「第３図は第２図の１個のホトダイオード近傍の断面構造を示す図である。
ｐ型シリコン基板１７内に、酸化膜１２及びｐ型不純物領域(ｐ+拡散層)１１で分離されたホトダイオードを構成するｎ型不純物領域（ｎ+層）１５が設けられている。この酸化膜１２とｐ型不純物領域１１とは、素子分離領域であり、特に絵素（画素）同志を分離するので画素分離領域という。
　「第４図は、第１図中の、読出しＭＯＳトランジスタスイッチ５１５〜５１８のうちの、２個直列に接続された１組のＭＯＳトランジスタスイッチ５１５，５１６の断面構造を示す図である。スイッチ５１７，５１８の断面図は、これと同様なので省略する。ｎ型シリコン基板９上にはｐ型ウエル１０が形成される。ｐ型ウエル１０内にはＳｉＯ２等の絶縁膜１２及びｐ型不純物領域（ｐ+拡散層）１１によって分離された、ソース１８，ドレイン１９，ゲート２０より成るｎ型ＭＯＳトランジスタ５１５が設けてある。ここで、
絶縁膜１２及びｐ型不純物領域１１は素子分離領域を形成する。
S
o
I
　「第５図は、第１図中のホドダ２個のＭＯＳトランジスタスイッチとで構成される一絵素の断面構成を示す図である。第５図では、
ホトダイオード１０１を構成するｎ型不純物領域（ｎ型拡散層）１をソースとし、これに隣接して設けられたｎ型不純物領域をドレイン２とし、これらの間にゲート３を設け、ＭＯＳトランジスタ１０５をシリコン基板内に設ける。ソース５，ドレイン６，ゲート７より成るＭＯＳトランジスタ１０６がＳＯＩ内に設けられる。
その他の構造は第４図のものと同じである。
　
　よって、刊行物発明において、上記周知技術を採用し、光ダイオード１７−１の電荷読み出し側を除く周囲の半導体基板１３に分離絶縁層を形成し、当該分離絶縁層の形成部下に当該半導体基板１３と同じ導電型のチャネルストップ層を形成することにより、本願発明のように、「上記センサー部の電荷読み出し側を除く周囲の上記第１導電型の半導体領域に、分離絶縁層が形成され、該分離絶縁層の形成部下に第１導電型のチャネルストップ領域が形成されている」構成（上記相違点に係る構成）とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（５−７）本願発明と刊行物発明との相違点は、当業者が、引用刊行物に記載された発明及び周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。