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【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方にトランジスタを有し、
前記トランジスタの上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第１の電極を有し、
前記第１の電極の上方に光電変換層を有し、
前記光電変換層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層に、開口部を有し、
前記開口部内と前記第２の絶縁層の上方とに第２の電極を有し、
前記開口部は、前記光電変換層の少なくとも一部と重なる領域を有し、
前記光電変換層は、前記トランジスタの少なくとも一部と重なる領域を有し、
前記第１の電極は、前記トランジスタと電気的に接続されており、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、インジウムとガリウムと亜鉛とを有し、
前記基板は、光を透過することができる機能を有し、
前記第１の電極は、光を透過することができる機能を有し、
前記トランジスタは、光を透過することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板の上方に第１のトランジスタを有し、
前記基板の上方に第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタの上方と前記第２のトランジスタの上方とに第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第１の電極を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第３の電極を有し、
前記第１の電極の上方に光電変換層を有し、
前記光電変換層の上方と前記第３の電極の上方とに第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層に、第１の開口部を有し、
前記第２の絶縁層に、第２の開口部を有し、
前記第１の開口部内と前記第２の絶縁層の上方とに発光材料を含む層を有し
前記第２の開口部内と前記第２の絶縁層の上方と前記発光材料を含む層の上方とに第２の電極を有し、
前記第１の開口部は、前記第３の電極の少なくとも一部と重なる領域を有し、
前記第２の開口部は、前記光電変換層の少なくとも一部と重なる領域を有し、
前記光電変換層は、前記第１のトランジスタの少なくとも一部と重なる領域を有し、
前記発光材料を含む層は、前記第２のトランジスタの少なくとも一部と重なる領域を有し、
前記第１の電極は、前記第１のトランジスタと電気的に接続されており、
前記第３の電極は、前記第２のトランジスタと電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、インジウムとガリウムと亜鉛とを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、インジウムとガリウムと亜鉛とを有し、
前記基板は、光を透過することができる機能を有し、
前記第１の電極は、光を透過することができる機能を有し、
前記第３の電極は、光を透過することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタは、光を透過することができる機能を有し、
前記第２のトランジスタは、光を透過することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート絶縁層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体領域と、前記第１の酸化物半導体領域上の第２の酸化物半導体領域と、を有し、
前記第１の酸化物半導体領域は、前記ゲート絶縁層と、前記ソース電極層の側面部と、前記ドレイン電極層の側面部と、接し、
前記第２の酸化物半導体領域の導電率は、前記第１の酸化物半導体領域の導電率より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物半導体領域及び前記第２の酸化物半導体領域はインジウム、ガリウム、亜鉛またはスズのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層上の第１のバッファ層と、
前記ドレイン電極層上の第２のバッファ層と、
前記ゲート絶縁層、前記第１のバッファ層及び前記第２のバッファ層上の酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体領域と、前記第１の酸化物半導体領域上の第２の酸化物半導体領域と、を有し、
前記第１の酸化物半導体領域は、前記ゲート絶縁層と、前記ソース電極層の側面部と、前記ドレイン電極層の側面部と、接し、
前記第１のバッファ層及び前記第２のバッファ層のキャリア濃度は、前記第１の酸化物半導体領域のキャリア濃度より高く、
前記第２の酸化物半導体領域の導電率は、前記第１の酸化物半導体領域の導電率より小さく、
前記第１のバッファ層及び前記第２のバッファ層の導電率は、前記第１の酸化物半導体領域及び前記第２の酸化物半導体領域の導電率より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の酸化物半導体領域、前記第２の酸化物半導体領域、前記第１のバッファ層及び前記第２のバッファ層は、インジウム、ガリウム、亜鉛またはスズのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記第１のバッファ層及び前記第２のバッファ層のキャリア濃度は、１×１０１８／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体領域と前記第２の酸化物半導体領域は接することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体領域と前記第２の酸化物半導体領域との間に、第３の酸化物半導体領域を有し、
前記第３の酸化物半導体領域の導電率は、前記第１の酸化物半導体領域の導電率から前記第２の酸化物半導体領域の導電率まで連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の酸化物半導体領域の導電率は、１．０×１０−８Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第２の酸化物半導体領域の酸素空孔欠陥密度は、前記第１の酸化物半導体領域の酸素空孔欠陥密度より小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第１の電極と、絶縁膜と、発光層と、第２の電極と、
第２の基板と、トランジスタと、第３の電極と、を有し、
前記第１の電極は、前記第１の基板と重なる第１の領域を有し、
前記絶縁膜は、前記第１の領域と重なる第２の領域を有し、
前記発光層は、前記第２の領域と重なる第３の領域を有し、
前記第２の電極は、前記第３の領域と重なる第４の領域を有し、
前記トランジスタは、前記第２の基板と重なる第５の領域を有し、
前記第３の電極は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記第３の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第３の電極は、前記第４の領域と重なる第６の領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記発光層は、前記第１の電極と重なり、且つ前記絶縁膜と重ならない第７の領域を有し、
前記第２の電極は、前記第７の領域と重なる第８の領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
構造体を有し、
前記構造体は、繊維体と、有機樹脂と、を有し、
前記構造体は、前記第３の電極によって貫通された第９の領域を有し、
前記第３の電極は、導電性樹脂を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上部に互いに離隔して配置され、それぞれが第１の導電型上部半導体層、活性層、及び第２の導電型下部半導体層を有する複数の発光セルと、
前記基板と前記複数の発光セルとの間に互いに離隔して配置され、対応する前記第２の導電型下部半導体層にそれぞれ電気的に接続され、それぞれが隣接する前記複数の発光セルに向かって延びている延長部を有する複数の電極と、
前記複数の発光セルと前記複数の電極との間の領域に配置され、少なくとも一部が隣接する前記複数の発光セルの周縁の下方に延びており、前記複数の電極の延長部を露出させる開口部を有するエッチング防止層と、
前記発光セルの側面を覆う側面絶縁層と、
前記複数の発光セルを電気的に接続され、前記側面絶縁層によって前記複数の発光セルの側面から離隔され、それぞれ前記複数の発光セルの一つに前記第１の導電型上部半導体層が電気的に接続された一端部と、前記エッチング防止層の開口部を通じて、隣接する前記複数の発光セルの一つに前記第２の導電型下部半導体層が電気的に接続された他端部と、を有する複数の配線と、
を備え、
前記複数の電極は、それぞれが反射層及び保護金属層を有し、
前記反射層は、前記第２の導電型下部半導体層の下部領域内に形成され、前記保護金属層は、前記反射層の側面及び下部面を覆うことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記基板と前記複数の電極との間に設けられた層間絶縁層、
を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１の導電型上部半導体層は、それぞれが粗表面を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
犠牲基板上に第１の導電型半導体層、第２の導電型半導体層、及び前記第１の導電型半導体層及び前記第２の導電型半導体層の間に設けられた活性層を有する複数の化合物半導体層を形成して、前記第１の導電型半導体層を前記犠牲基板に近く配置し、
前記複数の化合物半導体層上に前記第２の導電型半導体層を露出させる開口部を有してエッチング防止層を形成し、
前記エッチング防止層の開口部を充填して、前記エッチング防止層上に延びている延長部を有して、互いに離隔する複数の電極を形成し、
前記複数の電極上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層上に基板をボンディングし、
前記犠牲基板を除去して、前記第１の導電型半導体層を露出させ、
前記エッチング防止層が露出するように前記複数の化合物半導体層をパターニングして、互いに離隔した複数の発光セルを形成し、
前記複数の発光セルを覆い、前記第１の導電型半導体層の上面の少なくとも一部を露出させる側面絶縁層を形成すると共に、前記エッチング防止層をパターニングして、前記複数の電極を露出させる開口部を形成し、
前記第１の導電型半導体層と露出した前記複数の電極を接続する配線を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記複数の電極の形成は、
前記エッチング防止層の複数の開口部内のそれぞれに反射層を形成し、
前記反射層を覆う保護金属層を形成することを含むことを特徴とする請求項５に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
露出した前記第１の導電型半導体層の上面に粗表面を形成することを特徴とする請求項５に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング防止層は、シリコン酸化層またはシリコン窒化層で形成することを特徴とする請求項５に記載の発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明のいくつかの態様では、ケミカルメカニカル研磨法で用いるケミカルメカニカル研磨組成物は、水；平均粒子サイズ１００nm以下、好ましくは１〜１００nm、より好ましくは１〜５０nm、さらに好ましくは１〜４０nm、最も好ましくは２０〜３０nmである砥粒を、１〜４０重量％、好ましくは１〜２５重量％、より好ましくは１〜１０重量％、最も好ましくは１〜５重量％；過酸化水素酸化剤０〜１０重量％、好ましくは０．００１〜５重量％、より好ましくは０．０１〜５重量％、最も好ましくは０．０５〜０．８重量％；テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラｔ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラｓｅｃ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド、およびこれらの混合物から選択され、好ましくは、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドおよびこれらの混合物から選択され、最も好ましくはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドである第四級化合物０．００１〜５重量％；式（Ｉ）：
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明のいくつかの態様では、ケミカルメカニカル研磨法で用いるケミカルメカニカル研磨組成物は、水；平均粒子サイズ１００nm以下、好ましくは１〜１００nm、より好ましくは１〜５０nm、さらに好ましくは１〜４０nm、最も好ましくは２０〜３０nmであるコロイドシリカ砥粒を１〜４０重量％、好ましくは１〜２５重量％、より好ましくは１〜１０重量％、最も好ましくは１〜５重量％；過酸化水素酸化剤０〜１０重量％、好ましくは０．００１〜５重量％、より好ましくは０．０１〜５重量％、最も好ましくは０．０５〜０．８重量％；テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラｔ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラｓｅｃ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド、およびこれらの混合物から選択され、好ましくは、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドおよびこれらの混合物から選択され、最も好ましくはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドである第四級化合物０．００１〜５重量％、好ましくは０．００５〜３重量％、より好ましくは０．０１〜２重量％；式（Ｉ）：
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
研磨試験
表１に記載されているケミカルメカニカル研磨組成物を、２００mmブランケットウエーハ（blanket wafer）、具体的には（Ａ）ＴＥＯＳ絶縁ウエーハ；（Ｂ）Coral（登録商標）ｌｏｗ−ｋ絶縁炭素ドープ酸化膜ウエーハ（Novellus Systems, Inc.から市販）；（Ｃ）窒化タンタルウエーハ；および（Ｄ）電気めっき銅ウエーハを用いて試験した。Strasbaugh nSpire（商標）CMPシステムモデル６ＥＣ回転型研磨プラットホームを用いて、実施例におけるブランケットウエーハの全てを、１０１０グルーブパターンを有するVisionPad（商標）3500ポリウレタン研磨パッド（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販されている）を用いて研磨した。全ての実施例で用いた研磨条件には、プラテン速度９３rpm；キャリヤ速度８７rpm；研磨媒体流量２００ml／min、およびダウンフォース１．５psiが含まれる。それぞれの研磨実験に対する除去速度を、表２に示す。なお、除去速度は、ブランケットウエーハ上の研磨前および後のフィルム厚さから算出した。具体的には、Coral（登録商標）ウエーハおよびＴＥＯＳウエーハに対する除去速度を、KLA-Tencorから市販されているSpectraFX 200光学薄膜計測システムを用いて求めた。電気めっき銅ウエーハおよび窒化タンタルウエーハに対する除去速度を、ResMap１６８型４点プローブ抵抗マッピングシステム（Creative Design Engineering, Inc.製）を用いて求めた。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶Ｓｉ領域を含むＳｉウェハであって、前記単結晶Ｓｉ領域上に長手方向を有するラインパターンを含むパターンが設けられた前記Ｓｉウェハの上方に、光源としてフラッシュランプ光源またはレーザーを配置する工程と、
前記光源から放射された光により前記Ｓｉウェハを加熱する工程であって、前記光により前記Ｓｉウェハ上に形成される光強度分布が、前記単結晶Ｓｉ領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向とは異なる方向において強度が最大値となる分布が形成されるように、前記Ｓｉウェハを加熱する工程と
を有し、前記単結晶Ｓｉ領域の前記結晶方位が、前記単結晶Ｓｉ領域の劈開面の面方位であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記Ｓｉウェハを加熱する工程は、ウェハ裏面側から予備加熱された状態で、前記光源から放射された光により前記Ｓｉウェハ表面側から加熱されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記Ｓｉウェハを加熱する工程は第１の加熱処理及び第２の加熱処理を含み、前記第１の加熱処理と前記第２の加熱処理とでは、前記光により前記Ｓｉウェハ上に形成される光強度分布が、異なる方向において強度が最大値となる分布が形成されるように、前記Ｓｉウェハを加熱することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記フラッシュランプ光源は複数のフラッシュランプを含み、かつ、前記複数のフラッシュランプの配列方向が、前記単結晶Ｓｉ領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向と異なる方向になるように、前記フラッシュ光源を前記Ｓｉウェハの上方に配置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記フラッシュランプ光源は複数のフラッシュランプを含み、かつ、前記複数のフラッシュランプの配列方向が、前記単結晶Ｓｉ領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向と異なる方向になるように、前記フラッシュ光源を前記Ｓｉウェハの上方に配置することを特徴とし、
前記複数のフラッシュランプまたは前記Ｓｉウェハを回転させることにより、前記第１の加熱処理時における前記複数のフラッシュランプの配列方向と前記第２の加熱処理時における前記複数のフラッシュランプの配列方向とを異ならせることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層上に設けられたＡｕからなる電極パッドと、
前記電極パッド上にその端部が位置するように、前記半導体層上及び前記電極パッド上に設けられた窒化シリコン膜と、
前記電極パッドの表面の一部及び前記窒化シリコン膜の前記端部に接し、かつ前記電極パッドの表面の他部が露出するように設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる金属層と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属層は、前記電極パッド表面から前記窒化シリコン膜表面にかけて連続的に、前記電極パッド表面及び前記窒化シリコン膜表面に接して設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記窒化シリコン膜表面に設けられたポリイミド層またはベンゾシクロブテン層を具備することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属層は、前記電極パッド表面から前記ポリイミド層表面またはベンゾシクロブテン層表面にかけて連続的に、前記電極パッド表面、及び前記ポリイミド層表面またはベンゾシクロブテン層表面に接して設けられていることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属層と重なるように前記金属層の表面に接して設けられたＡｕ層を具備することを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属層と離間し、前記露出された電極パッドの表面に接続されたワイヤを具備することを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、半導体層と、前記半導体層上に設けられたＡｕからなる電極パッドと、前記電極パッド上にその端部が位置するように、前記半導体層上及び前記電極パッド上に設けられた窒化シリコン膜と、前記電極パッドの表面の一部及び前記窒化シリコン膜の前記端部に接し、かつ前記電極パッドの表面の他部が露出するように設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる金属層と、を具備することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制することで、半導体装置の信頼性を向上させることできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記構成において、前記金属層は、前記電極パッド表面から前記窒化シリコン膜表面にかけて連続的に、前記電極パッド表面及び前記窒化シリコン膜表面に接して設けられている構成とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記構成において、前記窒化シリコン膜表面に設けられたポリイミド層またはベンゾシクロブテン層を具備する構成とすることができる。この構成によれば、ポリイミド層またはベンゾシクロブテン層を浸透した水分が、窒化シリコン膜とポリイミド層またはベンゾシクロブテン層との界面から侵入することを抑制することができる。また、半導体装置の最表面を保護することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記構成において、前記金属層は、前記電極パッド表面から前記ポリイミド層表面またはベンゾシクロブテン層表面にかけて連続的に、前記電極パッド表面、及び前記ポリイミド層表面またはベンゾシクロブテン層表面に接して設けられている構成とすることができる。この構成によれば、窒化シリコン膜とポリイミド層またはベンゾシクロブテン層との界面から水分が浸入することも抑制することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記構成において、前記金属層と重なるように前記金属層の表面に接して設けられたＡｕ層を具備する構成とすることができる。この構成によれば、金属層の製造工程において、Ａｕ層をマスクとすることができるため、金属層を確実に形成することができる。また、金属層を保護することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記構成において、前記金属層と離間し、前記露出された電極パッドの表面に接続されたワイヤを具備する構成とすることができる。この構成によれば、ワイヤにかかる応力により金属層に亀裂や剥離が発生することを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓ系半導体、ＩｎＰ系半導体、及びＧａＮ系半導体のいずれかからなる半導体層と、
前記半導体層上に設けられ、その端部が前記半導体層の表面に接する第１窒化シリコン膜と、
前記第１窒化シリコン膜の前記端部を覆うように、前記半導体層上及び前記第１窒化シリコン膜上に設けられたポリイミドまたはベンゾシクロブテンのいずれかからなる保護膜と、
前記半導体層の表面及び前記第１窒化シリコン膜の前記端部の表面に接するように、前記半導体層と前記保護膜との間から前記第１窒化シリコン膜の端部と前記保護膜との間にかけて連続的に設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる第１金属層と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１金属層の表面に設けられたＡｕ層を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体層と前記第１窒化シリコン膜との間に設けられ、その端部が前記半導体層の表面に接し、かつ前記端部が前記第１窒化シリコン膜に覆われている第２窒化シリコン膜と、
前記半導体層の表面及び前記第２窒化シリコン膜の前記端部の表面に接するように、前記半導体層と前記第１窒化シリコン膜との間から前記第１窒化シリコン膜と前記第２窒化シリコン膜との間にかけて連続的に設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる第２金属層と、を具備することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体層と前記第１窒化シリコン膜との間にＡｕからなる電極パッドが設けられていることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電極パッドの上に位置する第１窒化シリコン膜の別の端部及び前記電極パッドの表面に接し、かつ前記電極パッドの表面が露出するように、前記電極パッドの表面から前記第１窒化シリコン膜と前記保護膜との間にかけて連続的に設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる第３金属層を具備することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３金属層と離間して、前記露出された電極パッドの表面に接続されたワイヤを具備することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、ＧａＡｓ系半導体、ＩｎＰ系半導体、及びＧａＮ系半導体のいずれかからなる半導体層と、前記半導体層上に設けられ、その端部が前記半導体層の表面に接する第１窒化シリコン膜と、前記第１窒化シリコン膜の前記端部を覆うように、前記半導体層上及び前記第１窒化シリコン膜上に設けられたポリイミドまたはベンゾシクロブテンのいずれかからなる保護膜と、前記半導体層の表面及び前記第１窒化シリコン膜の前記端部の表面に接するように、前記半導体層と前記保護膜との間から前記第１窒化シリコン膜の端部と前記保護膜との間にかけて連続的に設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる第１金属層と、を具備することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、水分への耐性が高く、かつ窒化シリコン及び半導体と密着性の高いＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる第１金属層が設けられているため、水分の浸入による半導体装置の信頼性低下を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記構成において、前記第１金属層の表面に設けられたＡｕ層を具備する構成とすることができる。この構成によれば、第１金属層の製造工程において、Ａｕ層をマスクとすることができるため、第１金属層を確実に形成することができる。また、第１金属層を保護することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記構成において、前記半導体層と前記第１窒化シリコン膜との間に設けられ、その端部が前記半導体層の表面に接し、かつ前記端部が前記第１窒化シリコン膜に覆われている第２窒化シリコン膜と、前記半導体層の表面及び前記第２窒化シリコン膜の前記端部の表面に接するように、前記半導体層と前記第１窒化シリコン膜との間から前記第１窒化シリコン膜と前記第２窒化シリコン膜との間にかけて連続的に設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる第２金属層と、を具備する構成とすることができる。この構成によれば、第１金属層に欠陥が発生した場合でも、水分の浸入を抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記構成において、前記電極パッドの上に位置する第１窒化シリコン膜の別の端部及び前記電極パッドの表面に接し、かつ前記電極パッドの表面が露出するように、前記電極パッドの表面から前記第１窒化シリコン膜と前記保護膜との間にかけて連続的に設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる第３金属層を具備する構成とすることができる。この構成によれば、第１窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記構成において、前記第３金属層と離間して、前記露出された電極パッドの表面に接続されたワイヤを具備する構成とすることができる。この構成によれば、ワイヤにかかる応力により第３金属層に剥離が発生することを抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接し、且つチャネル形成領域としての機能を有する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、一導電型を付与する不純物元素を有する第２の半導体層と、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられたバッファ層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、非晶質構造を有し、且つ前記ゲート絶縁層と前記第２の領域に挟まれ、
前記第２の領域は、前記第１の領域から前記第１の半導体層が形成される方向に向けて、略放射状に成長した逆錐形の第１の結晶粒を有し、
前記第１の半導体層は、粒径が１ｎｍ以上５ｎｍ以下の第２の結晶粒を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記バッファ層は、非晶質半導体を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接し、且つチャネル形成領域としての機能を有する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、一導電型を付与する不純物元素を有する第２の半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、非晶質構造を有し、且つ前記ゲート絶縁層と前記第２の領域に挟まれ、
前記第２の領域は、前記第１の領域から前記第１の半導体層が形成される方向に向けて、略放射状に成長した逆錐形の第１の結晶粒を有し、
前記第１の半導体層は、粒径が１ｎｍ以上５ｎｍ以下の第２の結晶粒を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の半導体層は、ソース領域またはドレイン領域としての機能を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の結晶粒と前記第２の結晶粒の間を充填する非晶質構造を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は、ＮＨ基を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される窒素濃度が１×１０２０ｃｍ−３乃至１×１０２１ｃｍ−３であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項７において、
前記ゲート絶縁層と前記第１の半導体層との界面近傍において、二次イオン質量分析法によって計測される前記窒素濃度のピーク濃度が３×１０２０ｃｍ−３乃至１×１０２１ｃｍ−３であり、且つ、前記窒素濃度は、前記界面近傍から前記第１の半導体層が形成される方向に向けて減少していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は、低温フォトルミネッセンス分光により測定されたスペクトルのピーク領域が、１．３１ｅＶ以上１．３９ｅＶ以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が５×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の結晶粒は、単結晶または双晶を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
結晶粒１２１の形状は、逆錐形である。ここで、逆錐形とは、多数の平面から構成される面と、多数の平面から構成される面の閉じた曲線または折れ線の周上を一周する点の集合とこの多数の平面から構成される面の外に存在する頂点とを結ぶ線によって作られる単数もしくは複数の面と、で囲まれた立体的形状であって、該頂点が基板側に存在するものをいう。換言すると、後の実施例において説明するように、ゲート絶縁層１０４と半導体層１０６との界面から離れた位置から、半導体層１０６が堆積される方向に向けて、ソース領域及びドレイン領域１１０に達しない領域内において略放射状に成長した形状である。離散的に形成された結晶核のそれぞれが、半導体層の形成と共に結晶の方位に沿って成長することで、結晶粒は、結晶核を起点として結晶の成長方向と垂直な面の面内方向に拡がるように成長する。このように結晶粒を有することで、非晶質半導体よりもオン電流を高くすることができる。また、結晶粒１２１内には単結晶または双晶を含む。ここで、逆錐形の結晶粒１２１では、側面は面方位が揃っており、側面の断面形状（図２）は一直線である。そのため、結晶粒１２１は複数の結晶を含んでいる形態よりも単結晶または双晶を含む形態に近いと考えられる。双晶を含む場合には、複数の結晶を含む場合と比較して、ダングリングボンドが少ないため欠陥数が少なく、オフ電流が小さい。また、複数の結晶を含む場合と比較して、粒界が少なく、オン電流が大きい。なお、結晶粒１２１には、複数の結晶を含んでいてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月22日(2011.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、図３を参照すると、Ga1-xInxP電流拡散層１４上にプラズマCVD法、熱CVD法あるいはスパッタリング法で成膜してフォトリソグラフィ／バッファード弗酸（BHF）エッチング法あるいはドライエッチング法により厚さ90nmの酸化シリコン（SiO2）層１５を形成する。さらに、Ga1-xInxP電流拡散層１４及び酸化シリコン層１５上に抵抗加熱蒸着法、電子ビーム（EB）蒸着法あるいはスパッタリング法により厚さ300nmのAuZnよりなる反射電極層１６を形成する。この場合、酸化シリコン層１５がパターン化されるのはGa1-xInxP電流拡散層１４とAuZn反射電極層１６とのオーミック接合をとるためである。酸化シリコン層１５及び反射電極層１６が一体となって反射層として機能する。尚、酸化シリコン層１５は他の透明な誘電体材料層たとえばAl2O3、SiNx、TaOx、TiOx、ITO、ZnOの層でもよく、また、反射電極層１６は他の高反射性金属で形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、
大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、前記処理容器内において前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を生成し、この原子状酸素により前記所定元素含有層を酸化して酸化層に改質する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、
大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、前記処理容器内において前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を生成し、この原子状酸素により前記所定元素含有層を酸化して酸化層に改質する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理容器内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、
基板を収容した前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元
素含有層を形成する処理と、大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給することで、前記処理容器内において前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を生成し、この原子状酸素により前記所定元素含有層を酸化して酸化層に改質する処理と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成するように、前記原料ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記水素含有ガス供給系および前記圧力調整部を制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧された処理室内に処理ガスの誘導結合プラズマを生成することにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
前記処理室内に設けられ，前記被処理基板を載置する載置台と，
前記処理室内に前記処理ガスを導入するガス供給部と，
前記処理室内を排気して減圧する排気部と，
前記載置台に対向して配置された板状誘電体と，
前記板状誘電体の上側に配設された高周波アンテナと，
前記高周波アンテナを上方から覆うように設けられたシールド部材と，
前記板状誘電体と前記載置台との間に前記誘導結合プラズマを生成するための高周波を前記高周波アンテナに印加する高周波電源と，を備え，
前記高周波アンテナは，前記板状誘電体の中心軸周りに巻回する平面渦巻きコイル状であって，その両端を開放するとともに，巻き方向長さの中点又はその中点の近傍を接地点とし，前記高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子からなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記アンテナ素子に対する前記シールド部材の高さを調整するシールド高さ調整機構を設け，このシールド高さ調整機構によって前記アンテナ素子と前記シールド部材との距離を調整可能としたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記板状誘電体に対する前記高周波アンテナの高さを調整するアンテナ高さ調整機構を設け，このアンテナ高さ調整機構によって前記アンテナ素子と前記板状誘電体との距離を調整可能としたことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記高周波アンテナの接地点よりも内側又は外側の部分においてインピーダンスが５０オームとなる位置を，前記高周波電源からの高周波を印加する給電ポイントにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記高周波電源の出力側に設けた高周波パワーメータと，
前記高周波パワーメータによって検出される高周波電力に応じて，前記シールド高さ調整機構を制御して前記シールド部材の高さを調整して前記アンテナ素子の共振周波数が最適になるように自動的に調整する制御部と，
を備えたことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
減圧された処理室を備えるプラズマ処理装置において前記処理室内に処理ガスの誘導結合プラズマを生成することにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって，
前記プラズマ処理装置は，
前記処理室内に設けられ，前記被処理基板を載置する載置台と，
前記処理室内に前記処理ガスを導入するガス供給部と，
前記処理室内を排気して減圧する排気部と，
前記載置台に対向して配置された板状誘電体と，
前記板状誘電体の上側に配設され，その板状誘電体の中心軸周りに巻回する平面渦巻きコイル状であって，その両端を開放するとともに，巻き方向長さの中点又はその中点の近傍を接地点とし，前記高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子からなる高周波アンテナと，
前記高周波アンテナを上方から覆うように設けられたシールド部材と，
前記板状誘電体と前記載置台との間に前記誘導結合プラズマを生成するための高周波を前記高周波アンテナに印加する高周波電源と，
前記アンテナ素子に対する前記シールド部材の高さを調整可能なシールド高さ調整機構を設け，前記シールド高さ調整機構と，
前記高周波電源の出力側に設けた高周波パワーメータと，
を備え，
前記シールド部材の高さ調整を行う際に，前記高周波パワーメータによって検出される高周波電力に応じて，前記シールド高さ調整機構を制御して前記シールド部材の高さを調整して前記アンテナ素子の共振周波数が最適になるように自動的に調整した上で，前記被処理基板に対するプラズマ処理を実行することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジングに可動に配置された少なくとも１つのレバー部材と、
前記ハウジング内に配置されるとともに、前記少なくとも１つのレバー部材を所定の方向に付勢する少なくとも１つのコイルばねと、
前記コイルばねの一端を支持可能に構成されたばね受け部と、
前記コイルばねを前記ハウジング内に挿入するための、該ハウジングに形成された開口部と、
前記ハウジングの前記開口部に連通するとともに、前記ばね受け部内を少なくとも部分的に延びかつ前記コイルばねの外径より短い幅を備えたスリットと、
を有する端子台。
【請求項２】
前記ばね受け部は、前記コイルばねの一端が当接する受け面と、該受け面から突出するとともに該受け面の外周部の一部であって前記スリットを塞がない位置に設けられるばね端部保持部とを有する、請求項１に記載の端子台。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子および発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
第１の層と、
発光層と、
陰極と、を有し、
前記陰極は、透光性を有し、
前記第１の層は、有機化合物と、金属酸化物と、を含有し、
前記陽極は、アルミニウムを含む合金の膜と、チタンまたは酸化チタンを含む膜と、を有し、
前記チタンまたは酸化チタンを含む膜と、前記第１の層とは接している発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記発光層と、前記陰極との間に、バッファ層を有し、
前記陰極は、マグネシウムと銀を含む合金膜と、透光性を有する膜と、を有し、
前記バッファ層と、前記マグネシウムと銀を含む合金膜とは接している発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記透光性を有する膜は、酸化インジウム−酸化スズ膜、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ膜、酸化インジウム−酸化亜鉛膜、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム膜、酸化モリブデン膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜、酸化マグネシウム膜、酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、酸化チタン膜、酸化ジルコニウム膜、窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜、窒化チタン膜、窒化ジルコニウム膜、炭化珪素膜、炭化アルミニウム膜のいずれか一である発光素子。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記バッファ層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属またはこれらの化合物を有する発光素子。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記マグネシウムと銀を含む合金膜における銀の割合は、体積比で２：８（＝Ｍｇ：Ａｇ）かそれよりも多い発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記アルミニウムを含む合金の膜は、アルミニウムとチタンの合金の膜、アルミニウムとネオジムの合金の膜、またはアルミニウムとニッケルの合金の膜である発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属酸化物は、酸化モリブデンである発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御回路とを有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電灯に交流駆動電流を供給し、前記放電灯を駆動する放電灯駆動部と、
前記放電灯に供給される前記交流駆動電流を検出する電流検出部と、
前記放電灯駆動部を制御する制御部とを含み、
前記制御部は、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から所与の時間において前記電流検出部で検出される前記交流駆動電流の挙動に基づいて、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記所与の時間経過後の前記放電灯駆動部を制御することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放電灯点灯装置において、
前記制御部は、
前記交流駆動電流の第１極性時における平均電流値の絶対値が第１の閾値以上となり、かつ、前記交流駆動電流の第２極性時における平均電流値の絶対値が第２の閾値以上となる第１期間が第１の基準時間以上続いたか否かを判定する第１の判定処理を行い、
前記第１の判定処理で前記第１期間が第１の基準時間以上続いたものと判定した場合には、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記第１期間の開始時までの第１時間の長さに基づいて、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記所与の時間経過後の前記放電灯駆動部を制御することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項３】
請求項１に記載の放電灯点灯装置において、
前記制御部は、
前記交流駆動電流の第１極性時における平均電流値の絶対値及び前記交流駆動電流の第２極性時における平均電流値の絶対値のいずれか一方が第３の閾値以上となる第２期間が第２の基準時間以上続いたか否かを判定する第２の判定処理を行い、
前記第２の判定処理で前記第２期間が第２の基準時間以上続いたものと判定した場合には、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記第２期間の開始時までの第２時間の長さに基づいて、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記所与の時間経過後の前記放電灯駆動部を制御することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項４】
請求項１に記載の放電灯点灯装置において、
前記制御部は、
前記交流駆動電流の第１極性時における平均電流値の絶対値が第１の閾値以上となり、かつ、前記交流駆動電流の第２極性時における平均電流値の絶対値が第２の閾値以上となる第１期間が第１の基準時間以上続いたか否かを判定する第１の判定処理と、
前記交流駆動電流の第１極性時における平均電流値の絶対値及び前記交流駆動電流の第２極性時における平均電流値の絶対値のいずれか一方が第３の閾値以上となる第２期間が第２の基準時間以上続いたか否かを判定する第２の判定処理とを行い、
前記第１の判定処理で前記第１期間が第１の基準時間以上続いたものと判定し、前記第２の判定処理で前記第２期間が第２の基準時間以上続いたものと判定した場合には、前記第２期間の開始時から前記第１期間の開始時までの第３時間の長さに基づいて、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記所与の時間経過後の前記放電灯駆動部を制御することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかに記載の放電灯点灯装置において、
前記制御部は、前記第１時間、前記第２時間及び前記第３時間のいずれかの長さに基づいて前記放電灯の仕様を判定する仕様判定処理を行い、前記仕様判定処理の結果に基づいて、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記所与の時間経過後の前記放電灯駆動部を制御することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項６】
請求項５に記載の放電灯点灯装置において、
前記制御部は、放電灯点灯装置と前記放電灯との接続後又は放電灯点灯装置のリセット処理後の初回点灯時に前記仕様判定処理を行うことを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の放電灯点灯装置において、
前記放電灯駆動部は、
放電灯駆動用電力を生成する電力制御回路と、
前記電力制御回路が出力する直流電流を所与のタイミングで極性反転することで前記放電灯に供給する前記交流駆動電流を生成出力する交流変換回路とを含み、
前記制御部は、前記交流変換回路に対して前記交流駆動電流の極性反転タイミングを制御する交流変換制御と、前記電力制御回路に対して前記電力制御回路が出力する直流電流の電流値を制御する電流制御とのうち少なくとも一方を行うことにより前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記所与の時間経過後の前記放電灯駆動部を制御することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の放電灯点灯装置において、
前記制御部は、前記放電灯駆動部を制御することにより、前記交流駆動電流の電流値、周波数、デューティー比及び波形の少なくとも１つを制御することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の放電灯点灯装置を含むことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１０】
放電灯に交流駆動電流を供給し、前記放電灯を駆動する放電灯駆動部と、
前記放電灯に供給される前記交流駆動電流を検出する電流検出部と、
前記放電灯駆動部を制御する制御部とを含む放電灯点灯装置の制御方法であって、
前記制御部は、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から所与の時間において前記電流検出部で検出される前記交流駆動電流の挙動に基づいて、前記放電灯の点灯駆動動作開始時から前記所与の時間経過後の前記放電灯駆動部を制御することを特徴とする放電灯点灯装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
ステップＳ３２において、交流駆動電流Ｉの第１極性時における平均電流値の絶対値及び交流駆動電流Ｉの第２極性時における平均電流値の絶対値のいずれか一方が第３の閾値以上であるものと判定した場合（ステップＳ３２でＹＥＳの場合）には、制御部４０は、ステップＳ３２で交流駆動電流Ｉの第１極性時における平均電流値の絶対値及び交流駆動電流Ｉの第２極性時における平均電流値の絶対値のいずれか一方が第３の閾値以上となる第２期間が第２の基準時間以上続いたか否かを判定する（ステップＳ３４）。第２の基準時間は、例えば０．５秒程度としてもよい。ステップＳ３４は、グロー放電期間からアーク放電期間の半波期間へ移行したか否かを判定することに相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
ステップＳ３６において第２時間の長さが第２の規定時間未満であるものと判定した場合（ステップＳ３６でＮＯの場合）には、制御部４０は、初期の放電灯に適した駆動制御を行う（ステップＳ３８）。ステップＳ３６において第２時間の長さが第２の規定時間以上であるものと判定した場合（ステップＳ３６でＹＥＳの場合）には、制御部４０は、長時間使用後の放電灯に適した駆動制御を行う（ステップＳ４０）。