【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカ容器製造用のシリカ粉であって、
粒径が１０〜１０００μｍであり、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを５０〜５０００ｗｔ．ｐｐｍの合計濃度で含有し、
真空下にて１０００℃に加熱したときの水素分子の放出量が３×１０１６〜３×１０１９分子／ｇである
ことを特徴とするシリカ粉。
【請求項２】
前記シリカ粉は、Ａｌを１０〜１００ｗｔ．ｐｐｍの濃度で含有することを特徴とする請求項１に記載のシリカ粉。
【請求項３】
前記含有するＢａの濃度が１００〜１０００ｗｔ．ｐｐｍであり、
前記真空下にて１０００℃に加熱したときの水素分子の放出量が５×１０１６〜５×１０１８分子／ｇであり、
前記シリカ粉が含有するＬｉ、Ｎａ、Ｋの各濃度が６０ｗｔ．ｐｐｂ以下である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリカ粉。
【請求項４】
シリカ容器製造用のシリカ粉の製造方法であって、
粒径が１０〜１０００μｍであり、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの少なくとも１種を５０〜５０００ｗｔ．ｐｐｍの合計濃度で含有するシリカからなる粉末を作製する工程と、
前記粉末を、気密性を有する加熱炉内に投入する工程と、
前記加熱炉内を１０３Ｐａ以下に減圧排気する工程と、
前記加熱炉内に水素ガスを１０〜１００ｖｏｌ．％含有するガスを導入し、該水素を含有するガス雰囲気の圧力を１〜１００ｋｇｆ／ｃｍ２とし、温度を２００〜８００℃として熱処理する工程と、
前記加熱炉内の水素含有ガス雰囲気の圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ２以上に保持したまま、前記粉末を５０℃以下にまで冷却する工程と
を含むことを特徴とするシリカ粉の製造方法。
【請求項５】
前記粉末に、Ｂａを濃度が１００〜１０００ｗｔ．ｐｐｍ、Ａｌを濃度が１０〜１００ｗｔ．ｐｐｍとなるようにそれぞれ含有させることを特徴とする請求項４に記載のシリカ粉の製造方法。
【請求項６】
回転対称性を有し、シリカを主成分とし、少なくとも外周部分に気泡を含有する基体と、該基体の内表面上に形成された、透明シリカガラスからなる内層とを具備するシリカ容器であって、
前記基体のＬｉ、Ｎａ、Ｋの合計濃度が５０ｗｔ．ｐｐｍ以下であり、
前記内層が、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを合計濃度５０〜５０００ｗｔ．ｐｐｍで含有するものであり、かつ、厚さ１０ｍｍの試料を切り出したときの光波長６００ｎｍの光透過率が９１．８〜９３．２％であることを特徴とするシリカ容器。
【請求項７】
前記内層が、Ａｌを１０〜１００ｗｔ．ｐｐｍの濃度で含有するものであることを特徴とする請求項６に記載のシリカ容器。
【請求項８】
前記内層は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの各濃度が６０ｗｔ．ｐｐｂ以下であり、Ｂａの濃度が１００〜１０００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記内層から切り出した試料を真空下にて１０００℃に加熱したときの水素分子の放出量が１×１０１６分子／ｇ未満であることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のシリカ容器。
【請求項９】
回転対称性を有し、シリカを主成分とし、少なくとも外周部分に気泡を含有する基体と、該基体の内表面上に形成された、透明シリカガラスからなる内層とを具備するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、
前記内層を形成するための原料粉として、粒径が１０〜１０００μｍであり、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを５０〜５０００ｗｔ．ｐｐｍの合計濃度で含有し、真空下にて１０００℃に加熱したときの水素分子の放出量が３×１０１６〜３×１０１９分子／ｇであるシリカ粉を準備し、該内層形成用原料粉であるシリカ粉を用いて、前記基体の内表面上に前記内層を形成することを特徴とするシリカ容器の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のシリカ容器の製造方法において、
前記基体を形成するための原料粉として、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの合計濃度が５０ｗｔ．ｐｐｍ以下であり、粒径１０〜１０００μｍの粉末を作製する工程と、
回転対称性を有しており、減圧用の孔が内壁に分配されて形成されている減圧可能外型枠を回転させながら、該減圧可能外型枠の内壁に前記基体形成用原料粉を導入し、該減圧可能外型枠の内壁に応じた所定形状に仮成形して基体の仮成形体とする工程と、
前記減圧可能外型枠を回転させながら、前記基体の仮成形体の内表面上に、前記準備した内層形成用の原料粉であるシリカ粉を導入し、前記基体の仮成形体の内表面に応じた所定形状に仮成形して内層の仮成形体とする工程と、
前記減圧可能外型枠に形成されている減圧用の孔によって減圧することにより、前記基体と内層の仮成形体を前記基体の仮成形体の外周側から減圧して脱ガスするとともに、放電加熱溶融法により前記基体と内層の仮成形体の内側から加熱することによって、前記基体の仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに、前記基体の仮成形体の内側部分及び前記内層の仮成形体を溶融ガラス体とし、前記基体と前記内層とを形成する工程と
を含むことを特徴とするシリカ容器の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載のシリカ容器の製造方法において、
前記基体を形成するための原料粉として、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの合計濃度が５０ｗｔ．ｐｐｍ以下であり、粒径１０〜１０００μｍの粉末を作製する工程と、
回転対称性を有しており、減圧用の孔が内壁に分配されて形成されている減圧可能外型枠を回転させながら、該減圧可能外型枠の内壁に前記基体形成用原料粉を導入し、該減圧可能外型枠の内壁に応じた所定形状に仮成形して基体の仮成形体とする工程と、
前記減圧可能外型枠に形成されている減圧用の孔によって減圧することにより、前記基体の仮成形体を外周側から減圧して脱ガスするとともに、放電加熱溶融法により前記基体の仮成形体の内側から高温加熱することによって、前記基体の仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに内側部分を溶融ガラス体とした基体を形成する工程と、
前記基体の内側から、前記準備した内層形成用の原料粉であるシリカ粉を散布しつつ、放電加熱溶融法により内側から高温加熱することによって、前記基体の内表面上に前記内層を形成する工程と
を含むことを特徴とするシリカ容器の製造方法。
【請求項１２】
前記内層を形成する工程を、前記減圧可能外型枠に形成されている減圧用の孔によって減圧して脱ガスしながら行うことを特徴とする請求項１１に記載のシリカ容器の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載のシリカ容器の製造方法において、
前記基体を形成するための原料粉として、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの合計濃度が５０ｗｔ．ｐｐｍ以下であり、粒径１０〜１０００μｍの粉末を作製する工程と、
回転対称性を有している外型枠の内壁に前記基体形成用原料粉を導入し、該外型枠の内壁に応じた所定形状に仮成形して基体の仮成形体とする工程と、
放電加熱溶融法により前記基体の仮成形体の内側から高温加熱して基体を形成する工程と、
前記基体の内側から、前記準備した内層形成用の原料粉であるシリカ粉を散布しつつ、放電加熱溶融法により内側から高温加熱することによって、前記基体の内表面上に前記内層を形成する工程と
を含むことを特徴とするシリカ容器の製造方法。
【請求項１４】
前記放電加熱溶融法による工程のうち少なくとも一つを、酸素ガスを１〜３０ｖｏｌ．％含む、不活性ガスとの混合雰囲気下にて行うことを特徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれか一項に記載のシリカ容器の製造方法。
【請求項１５】
前記放電加熱溶融法による工程のうち少なくとも一つを、露点温度１０℃〜−１０℃に設定され、かつ該設定温度の±１℃の範囲に制御されている空気である雰囲気下にて行うことを特徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれか一項に記載のシリカ容器の製造方法。