【事件の表示】
　平成１１年特許願第３３５４７９号「ピエゾ抵抗型半導体圧力センサの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年６月８日出願公開、特開２００１−１５５９７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１１年１１月２６日の出願であって、平成１８年１１月２２日付けで手続補正がなされ、平成１９年２月１日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年３月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月６日付けで手続補正がなされ、その後、平成２１年１０月１４日付けで審尋がなされ、それに対する回答はなされなかったものである。
　
２．補正の却下の決定
［結論］ 
　平成１９年４月６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］ 
（１）補正の内容 
　平成１９年４月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜７を、補正後の特許請求の範囲の請求項１と補正するとともに、補正前の明細書の００１１段落、００１３段落、及び００３１段落についての補正を行うものであり、補正前後の請求項１は以下のとおりである。
（補正前）
　「【請求項１】
　ピエゾ抵抗素子が形成された第１のシリコン基板と、台座となる第２のシリコン基板とを重ね合わせて接合するピエゾ抵抗型半導体圧力センサの製造方法であって、
　前記第１のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層を形成し、その上にＡｕ層を形成し、
　前記第２のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層を形成し、その上にポリシリコン層を形成し、
　前記第１のシリコン基板のＡｕ層と前記第２のシリコン基板のポリシリコン層とを重ね、所定の荷重及びＡｕ−Ｓｉ共晶温度以上の温度を加えて両シリコン基板を接合することを特徴とするピエゾ抵抗型半導体圧力センサの製造方法。」
　
（補正後）
　「　【請求項１】
　ピエゾ抵抗素子が形成された第１のシリコン基板と、台座となる第２のシリコン基板とを重ね合わせて接合するピエゾ抵抗型半導体圧力センサの製造方法であって、
　前記第１のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にＡｕ層を形成し、
　前記第２のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にポリシリコン層を形成し、
　前記第１のシリコン基板のＡｕ層と前記第２のシリコン基板のポリシリコン層とを重ね、所定の荷重及びＡｕ−Ｓｉ共晶温度以上の温度を加えて両シリコン基板を接合することを特徴とするピエゾ抵抗型半導体圧力センサの製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、以下のとおりである。
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記第１のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層を形成し、その上にＡｕ層を形成し、　前記第２のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層を形成し、その上にポリシリコン層を形成し、」を、補正後の請求項１の「前記第１のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にＡｕ層を形成し、　前記第２のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にポリシリコン層を形成し、」と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２〜７を削除すること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の明細書の００１１段落及び００３１段落を、各々補正後の明細書の００１１及び００３１段落と補正するとともに、補正前の明細書の００１３段落を削除すること。
　
（３）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無について
（３−１）補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「前記第１のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層を形成」する工程、及び「前記第２のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層を形成」する工程に対して、「拡散防止層」を「Ｎｉ」で形成するという技術的限定を付加するものであるから、当該補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「拡散防止層」を「Ｎｉ」で形成することは、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。）における特許請求の範囲の請求項２、並びに００１３段落及び００２２段落に記載されているから、補正事項１は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであり、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項２について
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また、補正事項２が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていることは自明である。
　
（３−３）補正事項３について
　補正事項３は、補正事項１による補正後の特許請求の範囲との整合を取るために、発明の詳細な説明を補正したものであるから、補正事項１と同様に、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−４）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される、上記（１）の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
（４−２−１）引用例１：特開昭６４−２７２７５号公報
（４−２−１−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開昭６４−２７２７５号公報（以下「引用例１」という。）には、第１図と共に以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
　「
この発明は半導体のピエゾ抵抗効果を利用して流体圧力の測定等を行う半導体圧力測定装置に関する
　
半導体プレーナ技術の応用により、シリコンやゲルマニウム等の半導体単結晶板の一部に肉薄のダイヤフラムを設け、このダイヤフラムに感圧素子として拡散抵抗層を形成して、そのピエゾ抵抗効果を利用した圧力変換装置が実用化されている。
　
　「
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。第１図は第１の発明の実施例に用いる圧力変換素子の概略断面構造を示している。即ち、１は例えばｎ型のシリコン単結晶板であり、その中央部に肉薄のダイヤフラム２を設け、このダイヤフラム２にｐ型の拡散抵抗層３を形成している。表面は絶縁層４で覆われその上にＡｌ等からなる電極配線層５が配設されている。電極配線層５は絶縁層４に設けたコンタクトホールを介して拡散抵抗層３に端部で接触し拡散抵抗層３の内部配線や外部への電極取出し端子の役割を果たしている。従って、電極配線層５には必要に応じてリード線６がボンディングされている。単結晶板１はガラスあるいはＡｕ−Ｓｉ共晶合金等の接着層７によりシリコン等からなる固定台８に接着固定されている。
　
（４−２−１−２）ここにおいて、「この発明は半導体のピエゾ抵抗効果を利用して流体圧力の測定等を行う半導体圧力測定装置に関する。　半導体プレーナ技術の応用により、シリコンやゲルマニウム等の半導体単結晶板の一部に肉薄のダイヤフラムを設け、このダイヤフラムに感圧素子として拡散抵抗層を形成して、そのピエゾ抵抗効果を利用した圧力変換装置が実用化されている。」（１ページ右下欄１６行〜２ページ左上欄３行）の記載から、第１図において、「ｎ型のシリコン単結晶板１」に形成された「ｐ型の拡散抵抗層３」は、ピエゾ抵抗素子であることが明らかである。
　
　したがって、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「ピエゾ抵抗素子が形成されたｎ型のシリコン単結晶板１がシリコン等からなる固定台８に接着固定されている、ピエゾ抵抗効果を利用して流体圧力の測定等を行う半導体圧力測定装置の製造方法であって、
　前記シリコン単結晶板１をＡｕ−Ｓｉ共晶合金等の接着層７により前記シリコン等からなる固定台８に接着固定する
　ピエゾ抵抗効果を利用して流体圧力の測定等を行う半導体圧力測定装置の製造方法」
　
（４−２−２）引用例２：特開平８−３１６４９７号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平８−３１６４９７号公報（以下「引用例２」という。）には、図１〜３及び図９〜１２と共に以下の記載がある。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、機能素子を覆う保護キャップを有する半導体装置の製造方法に関するものである
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体加速度センサやマイクロダイヤフラム圧力センサ等においては、シリコンチップ上に可動部（振動部）を有し、可動部（振動部）の変位により加速度や圧力等の物理量を電気信号に変換して取り出すようになっている。又、このような半導体装置において、可動部（振動部）を保護するために可動部をキャップにて覆うことが行われている（例えば、特開平５−３２６７０２号公報等）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このようにキャップを備えた半導体装置において量産性に優れた製造技術が求められているにもかかわらず、その手法等は確立されていないのが現状である
【０００４】
そこで、この発明の目的は、保護キャップを有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供することにある
　
　「【００２１】
【実施例】
（第１実施例）以下、この発明を半導体加速度センサに具体化した第１実施例を図面に従って説明する。
【００２２】図１は、本実施例の可動ゲートＭＯＳトランジスタ型加速度センサの平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、図３には図１のＢ−Ｂ断面を示す。
【００２３】半導体基板としてのＰ型シリコン基板１上にはフィールド酸化膜２が形成されるとともにその上に窒化シリコン膜３が形成されている。又、Ｐ型シリコン基板１上には、フィールド酸化膜２および窒化シリコン膜３の無い長方形状の領域４が形成されている。又、領域４におけるＰ型シリコン基板１の上にはゲート絶縁膜５が形成されている。窒化シリコン膜３の上には、領域４を架設するように両持ち梁構造の可動ゲート電極６が配置されている。この可動ゲート電極６は帯状にて直線的に延びるポリシリコン薄膜よりなる。又、フィールド酸化膜２および窒化シリコン膜３よりＰ型シリコン基板１と可動ゲート電極６とが絶縁されている。
【００２４】図３において、Ｐ型シリコン基板１上における可動ゲート電極６の両側には不純物拡散層からなる固定ソース電極７と固定ドレイン電極８が形成され、この電極７，８はＰ型シリコン基板１にイオン注入等によりＮ型不純物を導入することにより形成されたものである。
【００２５】
図２に示すように、Ｐ型シリコン基板１にはＮ型不純物拡散領域９が延設され、Ｎ型不純物拡散領域９はアルミ１０により可動ゲート電極６と接続されるとともにアルミ配線１１と電気的に接続されている。アルミ配線１１の他端部はアルミパッド（電極パッド）１２として窒化シリコン膜３およびシリコン酸化膜１６から露出している。又、図３に示すように、Ｐ型シリコン基板１にはＮ型不純物拡散領域１３が延設され、Ｎ型不純物拡散領域１３は固定ソース電極７と接続されるとともにアルミ配線１４と電気的に接続されている。アルミ配線１４の他端部はアルミパッド（電極パッド）１５として窒化シリコン膜３およびシリコン酸化膜１６から露出している。
【００２６】尚、後述するように可動ゲート電極６以外の領域はシリコン酸化膜１６の上にさらに最終保護膜となる窒化シリコン膜を形成する。そして、アルミパッド１２，１５，１９はボンディングワイヤにて外部の電子回路と接続されている。
【００２７】図３に示すように、Ｐ型シリコン基板１における固定ソース電極７と固定ドレイン電極８との間には、反転層２０が形成され、同反転層２０はシリコン基板１と可動ゲート電極（両持ち梁）６との間に電圧を印加することにより生じたものである。
【００２８】そして、加速度検出の際には、可動ゲート電極６とシリコン基板１との間に電圧をかけると、反転層２０が形成され、固定ソース電極７と固定ドレイン電極８との間に電流が流れる。そして、本加速度センサが加速度を受けて、図３中に示すＺ方向（基板表面に垂直な方向）に可動ゲート電極６が変化した場合には電界強度の変化によって反転層２０のキャリア濃度が増大し電流（ドレイン電流）が増大する。このように、本加速度センサは、シリコン基板１の表面に機能素子としてのセンサ素子（可動ゲートＭＯＳトランジスタ）が形成され、電流量の増減で加速度を検出することができる。
【００２９】
シリコン酸化膜１６の上において、センサ素子の形成領域の周囲にポリシリコン薄膜よりなる接合枠２１が形成されている。接合枠２１は帯状をなし、かつ、環状（より詳しくは、四角環状）に配置されている。接合枠２１の外側における接合枠２１の周辺にアルミパッド（電極パッド）１２，１５，１９が配置されている
【００３０】
キャップ２２は四角形状のシリコン基板よりなり、このキャップ２２の下面に環状の脚部２３が設けられている。この脚部２３はシリコン基板を局所的にエッチングすることにより形成したものである。脚部２３の先端面（下面）には、接合層２４が形成されている。接合層２４は金（Ａｕ）のメッキ膜よりなる。接合層（Ａｕ膜）２４と接合枠２１とが接合されている。つまり、Ａｕ−Ｓｉ合金層を形成して接合されている。より詳しくは、接合枠（ポリシリコン薄膜）２１と接合層（Ａｕ膜）２４とをＡｕ／Ｓｉ共晶温度の３６３℃以上に加熱して共晶反応により接合されている
【００３１】
このように、接合枠２１に対して接合層２４を形成したキャップ２２を接合することにより、シリコン基板１の表面においてキャップ２２内の空隙２５にセンサ素子（可動ゲートＭＯＳトランジスタ）が封止された構造となっている
　
　「【００３９】
図９，１０に示すように、接合層２４を形成するキャップ形成用シリコンウェハ３３として、センサ等が形成されているシリコンウェハと同サイズのものを用意する。
【００４０】次に、脚部２３の底面（先端面）に接合層２４を形成する。より詳しくは、キャップ形成用シリコンウェハ３３に対し、Ａｕ膜との接着性をよくするために下地メタル層（Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ等で膜厚０．１μｍ程度；基板がガラスの場合はこの下地メタルは必須）を形成した後、メッキ法により数μｍ厚のＡｕ膜を形成する（２〜５μｍ程度が適当）。その後、通常のホトリソ法を用いてパターニングする。パターンの線幅は０．１〜０．３ｍｍ程度が適当である。接合層２４の線幅は接合枠２１の線幅より細くなるようにし、確実に接触面が確保できるように設計する。」
　
　「【００４３】又、キャップの脚部２３の幅は前述したように接合枠２１の線幅より細くなるように設計しておくが、この際、本実施例のように、キャップの脚部２３を形成した場合にはキャップを接合枠２１に加圧する際に脚部２３底面部で接触面の確保がしやすくなるため、よりよい封止特性を得やすいという利点がある。
又、Ａｕとポリシリコンの共晶反応による合金層においてボイド等のない良好な接合層を形成にはＡｕのＳｉ側への拡散を極力、抑えることが望ましい。このためキャップとなるシリコン表面に拡散防止層としての酸化膜（図１１において符号５３で示す）を形成した後、下地メタル層を形成する。このようにして接合することにより酸化膜がＡｕの拡散を防ぐバリア層となり、不必要なＡｕの移動を防止することができボイドの発生を防止することができる
【００４４】次に、シリコンウェハ３２へのキャップ形成用シリコンウェハ３３の接合およびウェハダイシングカットを説明する。
図１２に示すように、脚部２３を形成したキャップ形成用シリコンウェハ３３を、センサ等が形成されたシリコンウェハ（半導体ウェハ）３２に位置合わせして、シリコン薄膜よりなる接合枠２１と脚部２３に形成された接合層２４（Ａｕ膜）を重ね合わせ、熱圧着する。より詳細には、加熱温度は４００℃前後で（ＡｕとＳｉの共晶温度；３６３℃）、加重は０．２〜１Ｋｇ／ｍｍ
２
程度、処理時間数十分で接合する
　
（４−３）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ｎ型のシリコン単結晶板１」、「シリコン等からなる固定台８」、「ピエゾ抵抗効果を利用して流体圧力の測定等を行う半導体圧力測定装置」は、各々補正発明の「第１のシリコン基板」、「台座となる第２のシリコン基板」、「ピエゾ抵抗型半導体圧力センサ」に相当する。
　また、引用発明の「前記シリコン単結晶板１をＡｕ−Ｓｉ共晶合金等の接着層７により前記シリコン等からなる固定台８に接着固定する」工程と補正発明の「前記第１のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にＡｕ層を形成し、　前記第２のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にポリシリコン層を形成し、　前記第１のシリコン基板のＡｕ層と前記第２のシリコン基板のポリシリコン層とを重ね、所定の荷重及びＡｕ−Ｓｉ共晶温度以上の温度を加えて両シリコン基板を接合する」工程とは、「前記第１のシリコン基板」と「前記第２のシリコン基板」とを「Ａｕ−Ｓｉ共晶合金」を介して接合する工程である点で一致する。
　
　したがって、補正発明と引用発明とは、
　「ピエゾ抵抗素子が形成された第１のシリコン基板と、台座となる第２のシリコン基板とを重ね合わせて接合するピエゾ抵抗型半導体圧力センサの製造方法であって、
　前記第１のシリコン基板と前記第２のシリコン基板とをＡｕ−Ｓｉ共晶合金を介して接合することを特徴とするピエゾ抵抗型半導体圧力センサの製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　「前記第１のシリコン基板と前記第２のシリコン基板とをＡｕ−Ｓｉ共晶合金を介して接合する」に際して、補正発明では、「前記第１のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にＡｕ層を形成し、　前記第２のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にポリシリコン層を形成し、　前記第１のシリコン基板のＡｕ層と前記第２のシリコン基板のポリシリコン層とを重ね、所定の荷重及びＡｕ−Ｓｉ共晶温度以上の温度を加えて両シリコン基板を接合」しているのに対して、引用発明では、「前記シリコン単結晶板１をＡｕ−Ｓｉ共晶合金の接着層７により前記シリコン等からなる固定台８に接着固定」している点。
　
（４−４）相違点についての当合議体の判断
（４−４−１）引用例２には、「図２に示すように、Ｐ型シリコン基板１にはＮ型不純物拡散領域９が延設され、Ｎ型不純物拡散領域９はアルミ１０により可動ゲート電極６と接続されるとともにアルミ配線１１と電気的に接続されている。アルミ配線１１の他端部はアルミパッド（電極パッド）１２として窒化シリコン膜３およびシリコン酸化膜１６から露出している。」（００２５段落）、「シリコン酸化膜１６の上において、センサ素子の形成領域の周囲にポリシリコン薄膜よりなる接合枠２１が形成されている。」（００２９段落）、「キャップ２２は四角形状のシリコン基板よりなり、このキャップ２２の下面に環状の脚部２３が設けられている。・・・脚部２３の先端面（下面）には、接合層２４が形成されている。接合層２４は金（Ａｕ）のメッキ膜よりなる。接合層（Ａｕ膜）２４と接合枠２１とが接合されている。つまり、Ａｕ−Ｓｉ合金層を形成して接合されている。より詳しくは、接合枠（ポリシリコン薄膜）２１と接合層（Ａｕ膜）２４とをＡｕ／Ｓｉ共晶温度の３６３℃以上に加熱して共晶反応により接合されている。」（００３０段落）、及び「図１２に示すように、脚部２３を形成したキャップ形成用シリコンウェハ３３を、センサ等が形成されたシリコンウェハ（半導体ウェハ）３２に位置合わせして、シリコン薄膜よりなる接合枠２１と脚部２３に形成された接合層２４（Ａｕ膜）を重ね合わせ、熱圧着する。より詳細には、加熱温度は４００℃前後で（ＡｕとＳｉの共晶温度；３６３℃）、加重は０．２〜１Ｋｇ／ｍｍ２程度、処理時間数十分で接合する。」（００４４段落）と記載されており、当該引用例２には、「四角形状のシリコン基板」よりなる「キャップ２２」と「Ｐ型シリコン基板１」上の「シリコン酸化膜１６」とを、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金により接合するに際して、接合する両面に各々Ａｕ層とポリシリコン層を形成し、両者を重ねて、「４００℃前後」というＡｕ−Ｓｉの共晶温度以上の温度と、「０．２〜１Ｋｇ／ｍｍ２程度」の加重を加えて両者を接合する発明が記載されているものと認められる。
　
（４−４−２）そして、引用発明と引用例２に記載された発明とは、半導体圧力センサという共通の技術分野に属し、しかもセンサ本体とそれを保護する部材とをＡｕ−Ｓｉ共晶合金を用いて接合するという点で、構造的にも共通するものであり、さらに、引用例２に記載された発明が解決しようとする課題である「容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する」（０００４段落）ということは、半導体分野全般における普遍的とも言える課題であり、引用発明においても、できるだけ容易に製造することができるようにすることは、当業者が当然察知し得た課題であると認められるから、引用発明において、「前記シリコン単結晶板１をＡｕ−Ｓｉ共晶合金の接着層７により前記シリコン等からなる固定台８に接着固定する」に際して、引用例２に記載された発明を組み合わせ、「ｎ型のシリコン単結晶板１」にＡｕ層を形成し、「シリコン等からなる固定台８」にポリシリコン層を形成し、両者を重ね、４００℃前後というＡｕ−Ｓｉの共晶温度以上の温度と、０．２〜１Ｋｇ／ｍｍ２程度の加重を加えて両者を接合すること、すなわち、補正発明の「前記第１のシリコン基板に」「Ａｕ層を形成し、　前記第２のシリコン基板に」「ポリシリコン層を形成し、　前記第１のシリコン基板のＡｕ層と前記第２のシリコン基板のポリシリコン層とを重ね、所定の荷重及びＡｕ−Ｓｉ共晶温度以上の温度を加えて両シリコン基板を接合する」工程に相当する工程を設けることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（４−４−３）ところで、一般に、Ａｕ−Ｓｉ共晶合金を形成することによりシリコン製の部材を接着する際に、Ａｕ原子がシリコンへと拡散し、接合面にボイドができてしまうことを防止するために、シリコン製の部材とＡｕ−Ｓｉ共晶合金が形成される部分との間に拡散防止層を設けておくことは、例えば、引用例２に「又、Ａｕとポリシリコンの共晶反応による合金層においてボイド等のない良好な接合層を形成にはＡｕのＳｉ側への拡散を極力、抑えることが望ましい。このためキャップとなるシリコン表面に拡散防止層としての酸化膜（図１１において符号５３で示す）を形成した後、下地メタル層を形成する。このようにして接合することにより酸化膜がＡｕの拡散を防ぐバリア層となり、不必要なＡｕの移動を防止することができボイドの発生を防止することができる。」（００４３段落）と記載されているように、当業者における周知技術であり、かつ、Ａｕ等に対する拡散防止層としてＮｉを用いることも、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１０−２２２１０２号公報に、図４を参照して、「図４は、本発明を適用した液晶デバイス搭載用ＩＣチップ２０の実施例の断面図を示す。」（００２２段落）、「この実施例の遮光膜２６Ｂは、Ｔｉのような高融点金属からなる金属層２６ａの上に金もしくはプラチナ等の耐食性が高く低抵抗の金属からなる保護層２６ｂを形成した２層構造とされている。」（００２４段落）、及び「上記遮光層２６Ｂは、２層構造の他、下層金属層として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ等のパッド金属への密着性の良い金属からなる密着層の上に、
Ｎｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｃｕ，ＷあるいはＭｏ等のバリア機能を有する金属からなるバリア層を形成し、さらにその上に上層金属層として金またはプラチナ等からなる密着層表面の保護機能を有する金属からなる保護層を形成した３層構造としてもよく、
　したがって、引用発明において、「前記シリコン単結晶板１をＡｕ−Ｓｉ共晶合金の接着層７により前記シリコン等からなる固定台８に接着固定する」に際して、引用例２に記載された発明を組み合わせ、「ｎ型のシリコン単結晶板１」にＡｕ層を形成し、「シリコン等からなる固定台８」にポリシリコン層を形成し、両者を重ね、４００℃前後というＡｕ−Ｓｉの共晶温度以上の温度と、０．２〜１Ｋｇ／ｍｍ２程度の加重を加えて両者を接合するに当たり、「ｎ型のシリコン単結晶板１」にＡｕ層との間、及び「シリコン等からなる固定台８」とポリシリコン層との間に、各々拡散防止層をＮｉで形成すること、すなわち、補正発明のように、「前記第１のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にＡｕ層を形成し、　前記第２のシリコン基板にＡｕの拡散を防止する拡散防止層をＮｉで形成し、その上にポリシリコン層を形成し、　前記第１のシリコン基板のＡｕ層と前記第２のシリコン基板のポリシリコン層とを重ね、所定の荷重及びＡｕ−Ｓｉ共晶温度以上の温度を加えて両シリコン基板を接合する」ことは、当業者が適宜なし得た事項である。
　
（４−４−４）以上のとおりであるから、補正発明と引用発明との相違点は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、補正発明は、当業者における周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下の決定のむすび
　 以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年４月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたから、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成１８年１１月２２日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記２．（１）の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開昭６４−２７２７５号公報（引用例１）には、上記２．（４−２−１）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されており、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平８−３１６４９７号公報（引用例２）には、上記２．（４−２−２）に記載したとおりの事項が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を付加した発明である補正発明は、上記２．（４）において検討したとおり、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。