(57)【要約】  ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側からエッチングする第１エッチング工程では、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のプレ構造として形成する。ＳＯＩ基板２００の第２シリコン層２３０側に最終マスク３９０を形成するマスク形成工程では、第１構造体の最終形状に対応した第１マスク３９１をプレ構造内に形成する。ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側からエッチングする第２エッチング工程では、第１マスク３９１を利用して、第２シリコン層２３０及びプレ構造をエッチングすることによって第１構造体の最終形状を形成する。
2015068399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１層及び第２層を含む基板をエッチングして構造体を形成する電子部品の製造方法であって、
前記基板を前記第１層側からエッチングする第１エッチング工程と、
前記基板の前記第２層側にマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを利用して前記基板を前記第２層側からエッチングする第２エッチング工程とを含み、
前記第１エッチング工程では、前記構造体のうち前記第１層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のプレ構造として形成し、
前記マスク形成工程では、前記最終形状に対応したマスクを前記基板の前記第２層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記プレ構造内に形成し、
前記第２エッチング工程では、前記マスクを利用して、前記第２層及び前記プレ構造をエッチングすることによって前記最終形状を形成する、電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品の製造方法において、
前記構造体は、前記第１層及び第２層で形成された第１構造体を有し、
前記第１エッチング工程では、前記第１構造体のうち前記第１層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第１プレ構造として形成し、
前記マスク形成工程では、前記第１構造体の最終形状に対応した第１マスクを前記基板の前記第２層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記第１プレ構造内に形成し、
前記第２エッチング工程では、前記第１マスクを利用して、前記第２層及び前記第１プレ構造をエッチングすることによって前記第１構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品の製造方法において、
前記構造体は、前記第１層を含まず、前記第２層で形成された第２構造体を有し、
前記第１エッチング工程では、前記第１層のうち、前記第２構造体と対向する部分をエッチングして、該第１層に凹部を形成し、
前記マスク形成工程では、前記第２構造体の最終形状に対応した第２マスクを前記基板の前記第２層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記凹部内に形成し、
前記第２エッチング工程では、前記第２マスクを利用して、前記第２層をエッチングすることによって前記第２構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電子部品の製造方法において、
前記マスク形成工程では、前記第１マスク及び第２マスクを、該第１マスク及び該第２マスクの位置関係が規定されたフォトマスクを用いて形成する、電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の電子部品の製造方法において、
前記電子部品は、基礎部と、前記基礎部に対して移動する可動部と、前記可動部を前記基礎部に対し弾性的に連結する連結部とを有し、
前記連結部は、前記第１構造体である、電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の電子部品の製造方法において、
前記構造体は、前記第２層を含まず、前記第１層で形成された第３構造体を有し、
前記第１エッチング工程では、前記第３構造体のうち前記第１層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第３プレ構造として形成し、
前記マスク形成工程では、前記第３構造体の最終形状に対応した第３マスクを前記基板の前記第２層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記第３プレ構造内に形成し、
前記第２エッチング工程では、前記第３マスクを利用して、前記第２層及び前記第３プレ構造をエッチングすることによって前記第３構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電子部品の製造方法において、
前記基板は、前記第１層と前記第２層との間に設けられた第３層を含み、
前記第２エッチング工程では、
前記第３マスクを利用して前記第２層及び前記第３層をエッチングすることによって、該第３層のうち前記第３プレ構造の上の部分を前記第３構造体の最終形状に対応した形状に形成した後、
前記第３マスクを剥離して、前記第３プレ構造の上に残存している前記第３層を利用して前記第３プレ構造をエッチングすることによって、前記第３構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の電子部品の製造方法において、
前記構造体は、前記第１層及び第２層で形成された第１構造体を有し、
前記第１エッチング工程では、前記第１構造体のうち前記第１層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第１プレ構造として形成し、
前記マスク形成工程では、前記第１構造体の最終形状に対応した第１マスクを前記基板の前記第２層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記第１プレ構造内に形成し、
前記第１マスクは、前記第２層の上に形成された下段マスクと、該下段マスクの上に形成された上段マスクとを有し、
前記第２エッチング工程では、
前記第１マスクの前記上段マスク及び前記第３マスクを利用して前記第２層及び前記第３層をエッチングすることによって、前記第１構造体のうち前記第２層及び前記第３層で構成される部分の最終形状を形成すると共に前記第２層及び前記第３層のうち前記第３プレ構造の上の部分を前記第３構造体の最終形状に対応した形状に形成した後、
前記第１マスクの前記上段マスク及び前記第３マスクを剥離して、前記第１マスクの前記下段マスク及び前記第３構造体の上に残存している前記第３層を利用して前記第２層のうち前記第３プレ構造の上の部分及び該第３プレ構造をエッチングすることによって、前記第１構造体の最終形状及び前記第３構造体の最終形状を形成する、電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子部品の製造方法において、
前記マスク形成工程では、前記第１マスク及び第３マスクを、該第１マスク及び該第３マスクの位置関係が規定されたフォトマスクを用いて形成する、電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の電子部品の製造方法において、
前記電子部品は、複数の電極指を含む第１櫛歯電極と、前記第１櫛歯電極の電極指と交互に配列される複数の電極指を含む第２櫛歯電極とを有し、
前記第１櫛歯電極は、前記第１層を含まず、前記第２層で形成された第２構造体であり、
前記第２櫛歯電極は、前記第３構造体である、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに開示された技術は、電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、複数の層を含む基板により形成された構造体を備えた電子部品が知られている。例えば、特許文献１には、ＭＥＭＳミラーが開示されている。このＭＥＭＳミラーは、ミラー板、バネ、可動櫛歯、固定櫛歯等を備えており、複数のシリコン層を含む基板から形成されている。【０００３】
特許文献１のＭＥＭＳミラーは、まずＳＯＩ（Silicon-on-Insulator）基板を加工して、ミラー板、バネ、及び可動櫛歯等を形成する。その後、ＳＯＩ基板上に別の基板を接合し、該別の基板を加工して固定櫛歯を形成する。その他、いくつかの工程を経て、ＭＥＭＳミラーが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１０７６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、複数の層を含む基板を用いて構造体を製造する場合、その製造方法は、特許文献１のような方法に限られない。例えば、複数の層を含む基板を一方の面から加工した後、他方の面から加工する場合もある。このような製造方法においては、１つの構造体を基板の両方の面からそれぞれ加工して形成する場合がある。そのような場合、一方の面から加工した部分と他方の面から加工した部分との位置がずれると、該構造体を正確に形成することができない。【０００６】
ここに開示された技術は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板を両面からそれぞれ加工して構造体を形成する場合であっても、構造体を精度良く形成することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ここに開示された技術は、少なくとも第１層及び第２層を含む基板をエッチングして構造体を形成する電子部品の製造方法が対象である。この電子部品の製造方法は、前記基板を前記第１層側からエッチングする第１エッチング工程と、前記基板の前記第２層側にマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスクを利用して前記基板を前記第２層側からエッチングする第２エッチング工程とを含み、前記第１エッチング工程では、前記構造体のうち前記第１層で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のプレ構造として形成し、前記マスク形成工程では、前記最終形状に対応したマスクを前記基板の前記第２層側であって前記基板の厚み方向に見たときに前記プレ構造内に形成し、前記第２エッチング工程では、前記マスクを利用して、前記第２層及び前記プレ構造をエッチングすることによって前記最終形状を形成するものとする。【０００８】
ここで、前記マスク形成工程は、第１エッチング工程の後に行われる必要はなく、第１エッチング工程の前に行われてもよい。また、「最終形状」とは、第２エッチング工程後の構造体の形状を意味し、第２エッチング工程後に該構造体に何らかの処理又は加工がされても、そのような処理又は加工後の形状を意味するのではない。また、「マスクを利用してエッチングする」とは、該マスク自体を使ってエッチングする場合に限られず、該マスクを使って別のマスクを形成し、該別のマスクを使ってエッチングする場合を含む。
【発明の効果】
【０００９】
前記電子部品の製造方法によれば、構造体を精度良く形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、ミラーデバイスの平面図である。
【図２】図２は、ミラーデバイスの模式的な断面図である。
【図３】図３は、ＳＯＩ基板の断面図である。
【図４】図４は、ＳＯＩ基板にＳｉＯ２膜を形成する工程を示す図である。
【図５】図５は、ミラープレ構造に鏡面層を形成する工程を示す図であり、（Ａ）は、第１レジストマスクを用いてＳｉＯ２膜の一部をエッチングする工程、（Ｂ）は、Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜を成膜する工程、（Ｃ）は、ＳｉＯ２膜上のＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜を除去する工程を示す。
【図６】図６は、第１エッチング工程を示す図であり、（Ａ）は、第２レジストマスクを形成する工程、（Ｂ）は、第１シリコン層をエッチングする工程、（Ｃ）は、第１シリコン側から酸化膜層をエッチングする工程を示す。
【図７】図７は、ＳＯＩ基板にガラス基板を接合する工程を示す図である。
【図８】図８は、第２シリコン層にＳｉＯ２膜を形成する工程を示す図である。
【図９】図９は、第２シリコン層に第２アライメントマークを形成する工程を示す図である。
【図１０】図１０は、酸化膜マスクを形成する工程を示す図であり、（Ａ）は、第４レジストマスクを形成する工程、（Ｂ）は、ＳｉＯ２膜をエッチングする工程を示す。
【図１１】図１１は、第５レジストマスクを形成する工程を示す図であり、（Ａ）は、フォトマスクを配置する工程、（Ｂ）は、第５レジストマスクを形成する工程、（Ｃ）は、酸化膜マスク３７０を成形する工程を示す。
【図１２】図１２は、最終マスクを用いてエッチングする工程を示す図であり、（Ａ）は、第２シリコン層をエッチングする工程、（Ｂ）は、酸化膜層をエッチングする工程を示す。
【図１３】図１３は、プレ構造を最終形状に形成する工程を示す図であり、（Ａ）は、第４レジストマスクを剥離する工程、（Ｂ）は、第１シリコン層及び第２シリコン層の不要な部分をエッチングする工程を示す。
【図１４】図１４は、酸化膜層の不要な部分と酸化膜マスクとを除去する工程を示す図である。
【図１５】図１５は、ワイヤボンディングを行う工程を示す図であり、電極及び鏡面層を形成する工程を示す。
【図１６】図１６は、最終マスクの位置がずれて形成される様子を説明する図であり、（Ａ）フォトマスクがずれて配置された状態、（Ｂ）は、第４レジストマスクがずれて形成された状態、（Ｃ）は、最終マスクがずれて形成された状態を示す。
【図１７】図１７は、ずれた最終マスクを用いてエッチングされる様子を示す図であり、（Ａ）は、第２シリコン層及び酸化膜層をエッチングした状態、（Ｂ）第１シリコン層及び第２シリコン層の不要な部分がエッチングされた状態を示す。
【図１８】図１８は、変形例１に係る製造方法における第１エッチング工程後のＳＯＩ基板の、図１のＡ−Ａ線の断面図を示す。
【図１９】図１９は、最終マスクを形成したＳＯＩ基板の断面図を示す。
【図２０】図２０は、第２シリコン層及び酸化膜層の不要な部分、並びに、プレ構造の不要な部分を除去する直前のＳＯＩ基板の断面図を示す。
【図２１】図２１は、完成したミラーデバイスの断面図を示す。
【図２２】図２２は、変形例２に係る製造方法における第１エッチング工程後のＳＯＩ基板の、図１のＡ−Ａ線の断面図を示す。
【図２３】図２３は、最終マスクを形成したＳＯＩ基板の断面図を示す。
【図２４】図２４は、第２シリコン層及び酸化膜層の不要な部分、並びに、プレ構造の不要な部分を除去する直前のＳＯＩ基板の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１は、ミラーデバイス１００の平面図を、図２は、ミラーデバイス１００の模式的な断面図を示す。尚、図２では、ミラーデバイス１００の一部の構造体を断面図として模式的に例示している。そのため、図２では、構造体の形状、位置関係は正確には図示されていない。
【００１３】
［ミラーデバイスの構成］
ミラーデバイス１００は、枠状のベース部１と、ミラー２と、枠体３と、ミラー２と枠体３とを連結する第１ヒンジ４，４と、枠体３とベース部１とを連結する第２ヒンジ５，５と、枠体３に対してミラー２を駆動する第１及び第２内側駆動電極６Ａ，６Ｂと、ベース部１に対して枠体３を駆動する第１〜第４外側駆動電極７Ａ〜７Ｄと、ミラー２の傾動を制御する制御部（図示省略）とを備えている。ミラーデバイス１００は、ミラー２を互いに直交する主軸Ｘ及び副軸Ｙ回りに傾動させる。ミラーデバイス１００は、電子部品の一例である。
【００１４】
このミラーデバイス１００は、図２に示すように、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板２００を用いて製造されている。ＳＯＩ基板２００は、シリコンで形成された第１シリコン層２１０と、ＳｉＯ２で形成された酸化膜層２２０と、シリコンで形成された第２シリコン層２３０とがこの順で積層されて構成されている。尚、図１においては、第２シリコン層２３０で構成されて、平面視で視認できる部分にハッチングを付している。尚、ミラー２の表面には後述する鏡面層２２が設けられているが、図１ではハッチングを付している。
【００１５】
ベース部１は、概略長方形の枠状に形成されている。ベース部１の略中央には、概略正方形の開口が形成されている。ベース部１の長辺と平行に延び且つミラー２の重心Ｇを通る軸をＸ軸とし、ベース部１の短辺と平行に延び且つミラー２の重心Ｇを通る軸をＹ軸とする。ベース部１の大部分は、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０で形成されている。
【００１６】
枠体３は、略正方形の枠状に形成されている。枠体３は、ベース部１の略中央の開口内に配置されている。枠体３の略中央には、概略正方形の開口が形成されている。枠体３は、Ｘ軸に平行に延びる第１辺部３１及び第３辺部３３と、Ｙ軸に平行に延びる第２辺部３２及び第４辺部３４とを有している。第１辺部３１及び第３辺部３３のうち両端部以外の部分（以下、「中間部分」ともいう）は、第１シリコン層２１０で形成されている。第１辺部３１及び第３辺部３３のうち両端部、並びに第２辺部３２及び第４辺部３４は、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０で形成されている。
【００１７】
ミラー２は、概略円形状をした板状に形成されている。ミラー２は、図２に示すように、ミラー本体２１と、ミラー本体２１の表面に積層された鏡面層２２と、ミラー本体２１の裏面に積層された鏡面層２３とを有している。ミラー本体２１は、第１シリコン層２１０で形成されている。鏡面層２２，２３は、Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜で形成されている。鏡面層２３は、ミラー本体２１の表面において生じる、鏡面層２２に起因する膜応力をバランスさせる機能を有する。これにより、ミラー本体２１、ひいては、鏡面層２２の平面度を向上させることができる。
【００１８】
第１ヒンジ４は、ミラー２の重心Ｇを挟んで対向する位置に設けられている。具体的には、第１ヒンジ４は、ミラー２の周縁部のうちＹ軸上に配置されている。第１ヒンジ４は、一端がミラー２に連結され、他端が枠体３に連結されている。一方の第１ヒンジ４は、枠体３の第１辺部３１の長手方向略中央に連結されている。他方の第１ヒンジ４は、枠体３の第３辺部３３の長手方向略中央に連結されている。第１ヒンジ４は、ミラー２と枠体３の第１辺部３１又は第３辺部３３との間を蛇行するように延びている。これにより、第１ヒンジ４は、容易に変形できるように構成されている。第１ヒンジ４は、第１シリコン層２１０で形成されている。
【００１９】
第２ヒンジ５は、ミラー２の重心Ｇを挟んで対向する位置に設けられている。具体的には、第２ヒンジ５は、枠体３の周縁部のうちＸ軸上に配置されている。すなわち、ミラー２の重心Ｇ回りにおいては、第１ヒンジ４と第２ヒンジ５とが９０度ごとに交互に配置されている。第２ヒンジ５は、一端が枠体３に連結され、他端がベース部１に連結されている。一方の第２ヒンジ５は、枠体３の第２辺部３２の長手方向略中央に連結されている。他方の第２ヒンジ５は、枠体３の第４辺部３４の長手方向略中央に連結されている。第２ヒンジ５は、枠体３の第２辺部３２又は第４辺部３４とベース部１との間を蛇行するように延びている。これにより、第２ヒンジ５は、容易に変形できるように構成されている。第２ヒンジ５は、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０で形成されている。
【００２０】
第１及び第２内側駆動電極６Ａ，６Ｂは、枠体３の内側において２カ所に設けられている。具体的には、第１内側駆動電極６Ａは、枠体３の第２辺部３２とミラー２のうち第２辺部３２と対向する部分に設けられている。第２内側駆動電極６Ｂは、枠体３の第４辺部３４とミラー２のうち第４辺部３４と対向する部分に設けられている。以下、各内側駆動電極６を区別しないときには、単に「内側駆動電極６」と称する。第１内側駆動電極６Ａと第２内側駆動電極６Ｂの構成は同じなので、以下では第１内側駆動電極６Ａの構成を説明する。
【００２１】
第１内側駆動電極６Ａは、内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２とを有している。内側固定櫛歯電極６１は、枠体３の第２辺部３２に設けられている。内側可動櫛歯電極６２は、ミラー２のうち第２辺部３２と対向する部分に設けられている。内側固定櫛歯電極６１は、第１櫛歯電極の一例であり、内側可動櫛歯電極６２は、第２櫛歯電極の一例である。
【００２２】
内側固定櫛歯電極６１は、第２辺部３２からミラー２の方へ延びる複数の電極指６３を有している。複数の電極指６３は、Ｘ軸方向に平行に延び且つ、Ｙ軸方向へ所定の間隔を開けて配列されている。電極指６３は、第２シリコン層２３０で形成されている。
【００２３】
内側可動櫛歯電極６２は、ミラー２から外側へ延びる複数の電極指６４を有している。複数の電極指６４は、Ｘ軸方向に平行に延び且つ、Ｙ軸方向へ所定の間隔を開けて配列されている。一部の電極指６４は、ミラー２からＹ軸と平行に延びる延長部６５に設けられている。平面視において、各電極指６４は、隣り合う２つの電極指６３，６３の間に入り込んでいる。つまり、平面視において、各電極指６３は、隣り合う２つの電極指６４，６４の間に入り込んでいる。ただし、電極指６４は、第１シリコン層２１０で形成されている。そのため、第１内側駆動電極６Ａに電圧が印加されていない状態においては、電極指６３と電極指６４とはミラーデバイス１００の厚み方向（Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向）にずれており、互いに対向していない。
【００２４】
また、電極指６４は、第１シリコン層２１０で形成されているため、ミラー２及び第１ヒンジ４，４を介して枠体３と電気的に導通している。一方、電極指６３は枠体３に設けられているので、電極指６３も枠体３と電気的に導通している。しかし、枠体３のうち第１ヒンジ４，４が連結されている部分（即ち、第１辺部３１及び第３辺部３３の中間部分）は、第１シリコン層２１０で形成されている一方、電極指６３は、枠体３の第２辺部３２及び第４辺部３４のうち第２シリコン層２３０のみから延びている。つまり、電極指６３と電極指６４とは、枠体３の酸化膜層２２０を介して絶縁されている。
【００２５】
第１〜第４外側駆動電極７Ａ〜７Ｄは、枠体３の外側において４カ所に設けられている。具体的には、第１及び第２外側駆動電極７Ａ，７Ｂは、枠体３の第２辺部３２の両端部に設けられている。第３及び第４外側駆動電極７Ｃ，７Ｄは、枠体３の第４辺部３４の両端部に設けられている。以下、各外側駆動電極７を区別しないときには、単に「外側駆動電極７」と称する。第１〜第４外側駆動電極７Ａ〜７Ｄの構成は同じなので、以下では第１外側駆動電極７Ａの構成を説明する。
【００２６】
第１外側駆動電極７Ａは、外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２とを有している。外側固定櫛歯電極７１は、ベース部１のうち第２辺部３２の端部と対向する位置に設けられた凹部に設けられている。外側可動櫛歯電極７２は、枠体３の第２辺部３２に設けられている。外側固定櫛歯電極７１は、第１櫛歯電極の一例であり、外側可動櫛歯電極６２は、第２櫛歯電極の一例である。
【００２７】
外側固定櫛歯電極７１は、複数の電極指７３を有している。ベース部１の凹部は、長方形状に形成されている。複数の電極指７３は、凹部のうちＸ軸と平行に延びる２つの辺部から凹部の内方に向かってＹ軸と平行に延びている。各辺部における複数の電極指７３は、Ｘ軸方向へ所定の間隔を開けて配列されている。電極指７３は、第２シリコン層２３０で形成されている。尚、電極指７３のうち最も枠体３に近い電極指７３（以下、「端部の電極指７３ｚ」と称する。）は、他の電極指７３よりも幅（Ｘ軸方向の寸法）が太く形成されている。これにより、端部の電極指７３ｚが曲がることが抑制される。つまり、他の電極指７３は、平面視で、対応する２つの電極指７４，７４の間に配置されている。それに対し、端部の電極指７３ｚは、平面視で、１つの電極指７４と隣り合うだけで、２つの電極指７４，７４に挟まれていない。そのため、電極指７３と電極指７４との間に静電引力が発生したときに（詳しくは後述する）、他の電極指７３は、その両側において静電引力が発生するのに対し、端部の電極指７３ｚは、電極指７４が存在する一方の側だけでしか静電引力が発生しない。つまり、他の電極指７３は、２つの電極指７４，７４に互いに引っ張られて、何れの電極指７４の方へも曲がらないが、端部の電極指７３ｚは、電極指７４が存在する一方の側へだけ引っ張られる。そこで、端部の電極指７３ｚを他の電極指７３に比べて太くすることによって、端部の電極指７３ｚの曲がりを抑制している。
【００２８】
外側可動櫛歯電極７２は、複数の電極指７４を有している。枠体３の第２辺部３２には、枠体３の外方へ向かってＸ軸と平行に延びる延長部７５が設けられている。複数の電極指７４は、延長部７５からＹ軸と平行に両側へ延び且つ、Ｘ軸方向へ所定の間隔を開けて配列されている。平面視において、各電極指７４は、隣り合う２つの電極指７３，７３の間に入り込んでいる。つまり、平面視において、各電極指７３は、隣り合う２つの電極指７４，７４の間に入り込んでいる。ただし、電極指７４は、第１シリコン層２１０で形成されている。そのため、第１外側駆動電極７Ａに電圧が印加されていない状態においては、電極指７３と電極指７４とはミラーデバイス１００の厚み方向にずれており、互いに対向していない。
【００２９】
ここで、電極指７３は、ベース部１の第２シリコン層２３０で形成されている一方、電極指７４は、枠体３の第１シリコン層２１０で形成されている。そのため、電極指７３と電極指７４とは、酸化膜層２２０を介して絶縁されている。
【００３０】
また、枠体３の第２辺部３２及び第４辺部３４には、内側固定櫛歯電極６１と外側可動櫛歯電極７２とが設けられている。しかし、内側固定櫛歯電極６１は、第２シリコン層２３０で形成されている一方、外側可動櫛歯電極７２は、第１シリコン層２１０で形成されているので、内側固定櫛歯電極６１と外側可動櫛歯電極７２とは、枠体３の酸化膜層２２０を介して絶縁されている。
【００３１】
ベース部１の第２シリコン層２３０で構成される部分は、電気的に絶縁された、いくつかの領域に絶縁溝２４０によって分割されている。具体的には、一方の第２ヒンジ５を介して第１内側駆動電極６Ａの内側固定櫛歯電極６１と電気的に導通している第１領域２４１と、他方の第２ヒンジ５を介して第２内側駆動電極６Ｂの内側固定櫛歯電極６１と電気的に導通している第２領域２４２と、第１外側駆動電極７Ａの外側固定櫛歯電極７１及び第４外側駆動電極７Ｄの外側固定櫛歯電極７１と電気的に導通している第３領域２４３と、第２外側駆動電極７Ｂの外側固定櫛歯電極７１及び第３外側駆動電極７Ｃの外側固定櫛歯電極７１と電気的に導通している第４領域２４４と、最も外側に位置する枠状の第５領域２４５とを有している。
【００３２】
第１領域２４１には、第１駆動電極２５１が設けられている。第１駆動電極２５１は、第２ヒンジ５を介して第１内側駆動電極６Ａの内側固定櫛歯電極６１と電気的に導通している。また、第２領域２４２には、第２駆動電極２５２が設けられている。第２駆動電極２５２は、第２ヒンジ５を介して第２内側駆動電極６Ｂの内側固定櫛歯電極６１と電気的に導通している。
【００３３】
第３領域２４３には、第３駆動電極２５３が設けられている。第３駆動電極２５３は、第１外側駆動電極７Ａの外側固定櫛歯電極７１及び第４外側駆動電極７Ｄの外側固定櫛歯電極７１と電気的に導通している。また、第４領域２４４には、第４駆動電極２５４が設けられている。第４駆動電極２５４は、第２外側駆動電極７Ｂの外側固定櫛歯電極７１及び第３外側駆動電極７Ｃの外側固定櫛歯電極７１と電気的に導通している。
【００３４】
第５領域２４５の四隅のうち対角線上に位置する２つの隅部には、開口部２４５ａ，２４５ａが形成されている。開口部２４５ａは、第２シリコン層２３０及び酸化膜層２２０を貫通している。開口部２４５ａを介して露出する第１シリコン層２１０には、共通電極２５５が設けられている。また、第５領域２４５の四隅のうち開口部２４５ａ，２４５ａが設けられていない２つの隅部には、ダミー電極２５６，２５６が設けられている。ダミー電極２５６は、第２シリコン層２３０の表面に設けられている。
【００３５】
［ミラーデバイスの動作］
次に、このように構成されたミラーデバイス１００の動作について説明する。
【００３６】
制御部は、第１〜第４駆動電極２５１〜２５４に駆動電圧を印加することによって、ミラー２を傾動させる。制御部は、第１駆動電極２５１又は第２駆動電極２５２に駆動電圧を印加することによって、ミラー２をＹ軸回りに傾動させる。一方、制御部は、第３駆動電極２５３又は第４駆動電極２５４に駆動電圧を印加することによって、ミラー２をＸ軸回りに傾動させる。
【００３７】
詳しくは、駆動電圧の印加前においては、内側駆動電極６の内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２とはミラーデバイス１００の厚み方向にずれており、外側駆動電極７の外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２とはミラーデバイス１００の厚み方向にずれている。この状態において、第１駆動電極２５１に駆動電圧が印加されると、第１内側駆動電極６Ａの内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２との間に静電引力が発生する。この静電引力により、内側可動櫛歯電極６２が内側固定櫛歯電極６１に引き寄せられる。その結果、第１内側駆動電極６Ａの内側可動櫛歯電極６２が上昇するようにミラー２がＹ軸回りに傾動する。一方、第２駆動電極２５２に駆動電圧が印加されると、第２内側駆動電極６Ｂの内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２との間に静電引力が発生する。この静電引力により、内側可動櫛歯電極６２が内側固定櫛歯電極６１に引き寄せられる。その結果、第２内側駆動電極６Ｂの内側可動櫛歯電極６２が上昇するようにミラー２がＹ軸回りに傾動する。また、第３駆動電極２５３に駆動電圧が印加されると、第１外側駆動電極７Ａの外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との間、及び、第４外側駆動電極７Ｄの外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との間に静電引力が発生する。この静電引力により、外側可動櫛歯電極７２が外側固定櫛歯電極７１に引き寄せられる。その結果、第１外側駆動電極７Ａの外側可動櫛歯電極７２及び第４外側駆動電極７Ｄの外側可動櫛歯電極７２が上昇するようにミラー２がＸ軸回りに傾動する。一方、第４駆動電極２５４に駆動電圧が印加されると、第２外側駆動電極７Ｂの外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との間、及び、第３外側駆動電極７Ｃの外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との間に静電引力が発生する。この静電引力により、外側可動櫛歯電極７２が外側固定櫛歯電極７１に引き寄せられる。その結果、第２外側駆動電極７Ｂの外側可動櫛歯電極７２及び第３外側駆動電極７Ｃの外側可動櫛歯電極７２が上昇するようにミラー２がＸ軸回りに傾動する。
【００３８】
ミラー２の傾動量は、ミラー２に光を照射し、その反射光をフォトディテクタ等で検出することによって検出することができる。制御部は、こうして検出されるミラー２の傾動量をフィードバックして、第１〜第４駆動電極２５１〜２５４への駆動電圧を調整することによって、ミラー２の傾動を制御する。
【００３９】
［ミラーデバイスの製造方法］
続いて、ミラーデバイス１００の製造方法について説明する。
【００４０】
ミラーデバイス１００には、第１シリコン層２１０及び第２シリコン層２３０で形成される第１構造体と、第１シリコン層２１０を含まず、第２シリコン層２３０で形成される第２構造体と、第２シリコン層２３０を含まず、第１シリコン層２１０で形成される第３構造体とが含まれる。尚、ここでは、各構造体を第１シリコン層２１０及び第２シリコン層２３０の観点から分類しているため、各構造体は、酸化膜層２２０を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。例えば、本実施形態の第１構造体は、酸化膜層２２０を含んでいる。本実施形態では、ベース部１、枠体３の一部（第１辺部３１の両端部、第３辺部３３の両端部、第２辺部３２及び第４辺部３４）及び第２ヒンジ５が第１構造体である。内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極７１が第２構造体である。ミラー２、枠体３の一部（第１辺部３１の中間部分及び第３辺部３３の中間部分）、第１ヒンジ４、内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２が第３構造体である。
【００４１】
尚、図２では、第１構造体の例としてベース部１及び第２ヒンジ５を、第２構造体の例として内側固定櫛歯電極６１を、第３構造体の例としてミラー２及び内側可動櫛歯電極６２を図示している。以下では、図２に例示された各構造体について説明するが、例示されていない構造体も同じ分類の構造体と同じように形成される。
【００４２】
まず、図３に示すように、ＳＯＩ基板２００を準備する。図３は、ＳＯＩ基板２００の断面図を示している。図３では、ＳＯＩ基板２００に形成が予定される、ミラーデバイス１００の各構造体を破線で示し、ハッチングを付している。ＳＯＩ基板２００は、前述の如く、シリコンで形成された第１シリコン層２１０と、ＳｉＯ２で形成された酸化膜層２２０と、シリコンで形成された第２シリコン層２３０とがこの順で積層されて構成されている。ＳＯＩ基板２００は、基板の一例である。第１シリコン層２１０は、第１層の一例であり、第２シリコン層２３０は、第２層の一例であり、酸化膜層２２０は、第３層の一例である。
【００４３】
次に、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側からエッチングする（第１エッチング工程）。この工程では、第１シリコン層２１０のうち、少なくとも内側固定櫛歯電極６１に対向する部分をエッチングして除去する。それに加えて、第１シリコン層２１０のうちベース部１、ミラー２、第２ヒンジ５及び内側可動櫛歯電極６２を構成する部分を形成するように、それ以外の部分をエッチングする。
【００４４】
詳しくはまず、図４に示すように、ＳＯＩ基板２００の両面に熱酸化によってＳｉＯ２膜２６０を形成する。
【００４５】
次に、ミラー本体２１の裏面の鏡面層２３を成膜する。
【００４６】
まず、図５（Ａ）に示すように、第１レジストマスク３１０をＳＯＩ基板２００の第１シリコン層２１０側のＳｉＯ２膜２６０上に形成して、ＳｉＯ２膜２６０の一部をエッチングする。第１レジストマスク３１０は、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分のＳｉＯ２膜２６０を露出させている。この第１レジストマスク３１０を用いてＳｉＯ２膜２６０をエッチングすることによって、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分のＳｉＯ２膜２６０を除去する。
【００４７】
続いて、第１レジストマスク３１０を剥離し、図５（Ｂ）に示すように、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分の表面にＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０をスパッタリングにより成膜する。このとき、ＳｉＯ２膜２６０の表面にもＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０が成膜される。
【００４８】
そして、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分のＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０の上にレジストマスク（図示省略）を形成し、ＳｉＯ２膜２６０上のＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０をエッチングにより除去する。こうして、図５（Ｃ）に示すように、Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜６１０により鏡面層２３が形成される。尚、第１シリコン層２１０のうちミラー２を構成する部分以外の部分にはＳｉＯ２膜２６０が残存する。
【００４９】
その後、図示は省略するが、第１シリコン層２１０のうち、後述するガラス基板６００を接合する部分のＳｉＯ２膜２６０をエッチングにより除去する。
【００５０】
次に、第１シリコン層２１０の表面に第２レジストマスク３２０を形成する。第２レジストマスク３２０は、第１シリコン層２１０のうち、第１構造体及び第３構造体を構成する部分を覆う形状をしている。図６（Ａ）の例では、第１シリコン層２１０のうちベース部１を構成する部分、ミラー２を構成する部分、第２ヒンジ５を構成する部分及び内側可動櫛歯電極６２を構成する部分が第２レジストマスク３２０で覆われている。第２レジストマスク３２０は、対応する構造体の最終形状よりも大きな形状を有している。以下、特別の断りがない限り、最終形状及び形状は、構造体をミラーデバイス１００の厚み方向に見た場合の形状、即ち、ミラーデバイス１００の厚み方向に投影した形状を意味する。
【００５１】
その後、第２レジストマスク３２０を用いて酸化膜層２６０をエッチングして、酸化膜層２６０のうち第２レジストマスク３２０から露出している部分を除去する。酸化膜層２６０のエッチングは、高密度プラズマ源ＡＰＳ（Advanced Physical Source）を用いたエッチング（以下、「ＡＰＳエッチング」と称する）により行う。
【００５２】
次に、図６（Ｂ）に示すように、第２レジストマスク３２０を用いて第１シリコン層２１０をエッチングする。シリコン層のエッチングは、誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）を用いたエッチング（以下、「ＩＣＰエッチング」と称する）により行う。これにより、第１シリコン層２１０には、ベース部１の第１シリコン層２１０で構成される部分のプレ構造４１、第２ヒンジ５の第１シリコン層２１０で構成される部分のプレ構造４２、ミラー２のプレ構造４３、及び内側可動櫛歯電極６２のプレ構造４４が形成される。ここで、プレ構造とは、最終形状よりも大きな形状を有する構造であり、最終的にはエッチングされて、対応する最終形状に形成される構造である。また、第１シリコン層２１０のうち内側固定櫛歯電極６１に対向する部分がエッチングされ、凹部Ｒが形成される。さらに、第１シリコン層２１０には、第１アライメントマーク２１１が形成される。
【００５３】
以下、プレ構造４１をベース部プレ構造４１と、プレ構造４２を第２ヒンジプレ構造４２と、プレ構造４３をミラープレ構造４３と、プレ構造４４を可動櫛歯プレ構造４４と称する。ただし、各プレ構造を区別しないときには、単にプレ構造と称する場合もある。ベース部プレ構造４１及び第２ヒンジプレ構造４２が第１プレ構造の一例である。ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４が第３プレ構造の一例である。
【００５４】
続いて、図６（Ｃ）に示すように、第２レジストマスク３２０を用いて酸化膜層２２０をＡＰＳエッチングして、酸化膜層２２０のうち第２レジストマスク３２０から露出している部分を薄くする。このとき、酸化膜層２２０を完全にエッチングするのではなく、酸化膜層２２０を薄く残存させる。この酸化膜層２２０のエッチング終了後、第２レジストマスク３２０を剥離する。尚、この酸化膜層２２０を薄くする工程は省略してもよい。
【００５５】
次に、図７に示すように、第１シリコン層２１０の表面にガラス基板６００を陽極接合する。ガラス基板６００は、第１シリコン層２１０のうちＳｉＯ２膜２６０が設けられていない部分に接合される。
【００５６】
次に、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側からエッチングするための最終マスク３９０を形成する（マスク形成工程）。最終マスク３９０は、マスクの一例である。まず、図８に示すように、第２シリコン層２３０の表面にＳｉＯ２膜６２０を成膜する。具体的には、まず、第２シリコン層２３０をバックグラインドにより所望の厚みまで薄く加工する。続いて、第２シリコン層２３０の表面にＳｉＯ２膜６２０を蒸着（例えば減圧ＣＶＤ）により成膜する。
【００５７】
続いて、図９に示すように、ＳｉＯ２膜６２０及び第２シリコン層２３０に第２アライメントマーク２３１を形成する。詳しくは、ＳｉＯ２膜６２０の表面に第３レジストマスク３３０を形成する。この第３レジストマスク３３０を用いてＳｉＯ２膜６２０及び第２シリコン層２３０を順次エッチングすることにより、ＳｉＯ２膜６２０及び第２シリコン層２３０に第２アライメントマーク２３１を形成する。その後、第３レジストマスク３３０を剥離する。
【００５８】
次に、ＳｉＯ２膜６２０をエッチングして酸化膜マスク３７０を形成し、その後、第５レジストマスク３５０を形成する。
【００５９】
まず、図１０（Ａ）に示すように、ＳｉＯ２膜６２０の表面に第４レジストマスク３４０を形成する。後述の第５レジストマスク３５０において詳しく説明するが、第４レジストマスク３４０は、ＳｉＯ２膜６２０の表面にレジストを塗布した後、第２アライメントマーク２３１を利用して所定のフォトマスク（例えば、ステンシルマスク）を配置して該レジストを露光し、現像することによって形成される。フォトマスクは、開口が形成された遮蔽部材であって、ＳＯＩ基板２００とは物理的に分離可能な部材である。フォトマスクには、レジストマスクの位置関係が規定されている。
【００６０】
続いて、第４レジストマスク３４０を用いてＳｉＯ２膜６２０をＡＰＳエッチングすることによって、図１０（Ｂ）に示すように、酸化膜マスク３７０を形成する。その後、第４レジストマスク３４０を剥離する。
【００６１】
酸化膜マスク３７０は、第２シリコン層２３０のうち、第１構造体及び第２構造体を構成する部分を覆う形状をしている。図１０（Ｂ）の例では、第２シリコン層２３０のうちベース部１を構成する部分、第２ヒンジ５を構成する部分及び内側固定櫛歯電極６１を構成する部分が酸化膜マスク３７０で覆われている。酸化膜マスク３７０は、対応する構造体の最終形状よりも大きな形状を有している。
【００６２】
尚、ベース部１のうち絶縁溝２４０に対応する部分及び共通電極２５５が設けられる開口部２４５ａに対応する部分には、酸化膜マスク３７０が設けられていない。
【００６３】
続いて、第２シリコン層２３０及び酸化膜マスク３７０の上に第５レジストマスク３５０を形成する。まず、第２シリコン層２３０及び酸化膜マスク３７０の上からレジスト３５１を塗布する。その後、図１１（Ａ）に示すように、レジスト３５１上にフォトマスク３５２を配置する。フォトマスク３５２を用いてレジスト３５１を露光し、現像することにより、図１１（Ｂ）に示すように、第５レジストマスク３５０が形成される。
【００６４】
第５レジストマスク３５０は、第１構造体、第２構造体及び第３構造体に対応する位置に設けられている。つまり、第１構造体及び第２構造体を構成する部分は、前記酸化膜マスク３７０と第５レジストマスク３５０とで二重に覆われている。図１１（Ｂ）の例では、第２シリコン層２３０の上であって、ベース部１に対応する部分、第２ヒンジ５に対応する部分及び内側固定櫛歯電極６１に対応する部分には、酸化膜マスク３７０及び第５レジストマスク３５０が設けられている。第２シリコン層２３０の上であって、ミラー２に対応する部分及び内側可動櫛歯電極６２に対応する部分には第５レジストマスク３５０のみが設けられている。ここで、第５レジストマスク３５０は、対応する構造の最終形状と同じ形状を有している。そのため、第５レジストマスク３５０と酸化膜マスク３７０とが重なっている部分においては、酸化膜マスク３７０が第５レジストマスク３５０からはみ出している。
【００６５】
続いて、図１１（Ｃ）に示すように、ＡＰＳエッチングにより第５レジストマスク３５０からはみ出している酸化膜マスク３７０をエッチングにより除去する。これにより、酸化膜マスク３７０と第５レジストマスク３５０とが重なっている部分においては、酸化膜マスク３７０が第５レジストマスク３５０と同じ形状に形成される。
【００６６】
こうして、酸化膜マスク３７０と第５レジストマスク３５０とを含む最終マスク３９０が形成される。最終マスク３９０は、第１構造体の最終形状に対応した第１マスク３９１と、第２構造体の最終形状に対応した第２マスク３９２と、第３構造体の最終形状に対応した第３マスク３９３とを有している。第１マスク３９１は、第２シリコン層２３０の表面であってベース部１に対応する部分及び第２ヒンジ５に対応する部分に形成されている。第２マスク３９２は、第２シリコン層２３０の表面であって内側固定櫛歯電極６１に対応する部分に形成されている。第３マスク３９３は、第２シリコン層２３０の表面であってミラー２に対応する部分及び内側可動櫛歯電極６２に対応する部分に形成されている。また、第１マスク３９１及び第２マスク３９２は、第２シリコン層２３０の上に形成された酸化膜マスク３７０と、該酸化膜マスク３７０の上に形成された第５レジストマスク３５０を有している。酸化膜マスク３７０が下段マスクの一例であり、第５レジストマスク３５０が上段マスクの一例である。一方、第３マスク３９３は、酸化膜マスク３７０を含まず、第５レジストマスク３５０のみを有している。尚、ベース部１のうち絶縁溝２４０に対応する部分及び共通電極２５５が設けられる開口部２４５ａに対応する部分には、酸化膜マスク３７０が設けられておらず、第５レジストマスク３５０のみが設けられている。
【００６７】
次に、最終マスク３９０を用いて第２シリコン層２３０及び酸化膜層２２０をエッチングする（第２エッチング工程）。具体的には、まず、図１２（Ａ）に示すように、第２シリコン層２３０をＩＣＰエッチングする。その結果、ベース部１及び第２ヒンジ５のうち第２シリコン層２３０で構成される部分が形成される。また、内側固定櫛歯電極６１が形成される。さらに、第２シリコン層２３０のうちミラー２及び内側可動櫛歯電極６２に対向する部分が残存する。
【００６８】
ここで、最終マスク３９０は各構造体の最終形状に対応した形状をしているので、この工程で形成されたベース部１及び第２ヒンジ５のうち第２シリコン層２３０で構成される部分、及び内側固定櫛歯電極６１は、最終形状に形成される。
【００６９】
続いて、図１２（Ｂ）に示すように、酸化膜層２２０をＡＰＳエッチングする。その結果、酸化膜層２２０のうち最終マスク３９０から露出している部分が除去される。これにより、第１シリコン層２１０で形成されているプレ構造４１〜４４のうち最終マスク３９０からはみ出している部分が露出するようになる。その後、最終マスク３９０のうち第５レジストマスク３５０を剥離する。
【００７０】
次に、酸化膜マスク３７０を用いて第１シリコン層２１０及び第２シリコン層２３０をエッチングする。詳しくは、第５レジストマスク３５０を剥離することにより、図１３（Ａ）に示すように、残存する第２シリコン層２３０のうち酸化膜マスク３７０に覆われていない部分、即ち、ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４に対向する部分が露出するようになる。このとき、ベース部１のうち絶縁溝２４０に対応する部分及び共通電極２５５が設けられる開口部２４５ａに対応する部分も露出する。さらに、前述の如く、プレ構造４１〜４４のうち酸化膜層２２０からはみ出している部分も露出している。この状態で、ＩＣＰエッチングを行うことにより、図１３（Ｂ）に示すように、第２シリコン層２３０のうちミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４に対向する部分と、ベース部１の螺旋溝２４０及び開口部２４５ａに対応する部分と、プレ構造４１〜４４のうち酸化膜層２２０からはみ出している部分とがエッチングされる。このとき、酸化膜層２２０はプレ構造４１〜４４をエッチングするためのマスクとして機能する。
【００７１】
ここで、酸化膜層２２０は、図１２（Ｂ）の工程において最終マスク３９０を用いてエッチングされることにより、最終マスク３９０と同様の形状に形成されている。つまり、酸化膜層２２０は各構造体の最終形状に対応した形状をしているので、この工程でエッチングされたプレ構造４１〜４４は、対応する構造体の最終形状に形成される。具体的には、ベース部プレ構造４１は、ベース部１のうち第１シリコン層２１０で構成される部分の最終形状に形成される。第２ヒンジプレ構造４２は、第２ヒンジ５のうち第１シリコン層２１０で構成される部分の最終形状に形成される。ミラープレ構造４３は、ミラー２（ミラー本体２１）の最終形状に形成される。可動櫛歯プレ構造４４は、内側可動櫛歯電極６２の最終形状に形成される。
【００７２】
尚、第２ヒンジ５、ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２のＳｉＯ２膜２６０は、プレ構造に対応した形状で残存し、最終形状には形成されていない。
【００７３】
次に、図１４に示すように、ＡＰＳエッチングにより酸化膜マスク３７０と、螺旋溝２４０及び開口部２４５ａの底に位置する酸化膜層２２０と、ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２の上の酸化膜層２２０とを除去する。
【００７４】
このとき、第２ヒンジ５、ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２のＳｉＯ２膜２６０も、除去され、最終形状に形成される。
【００７５】
尚、絶縁溝２４０が形成されることによって、ベース部１には、第１〜第５領域２４１〜２４５が形成される（図１４では、第１領域２４１、第３領域２４３及び第５領域２４５のみ図示）。
【００７６】
続いて、電極及び鏡面層を形成すると共に、ワイヤボンディングにより該電極にワイヤを接続する。具体的には、図１５に示すように、フォトマスク（図示省略）を用いて、所定の箇所にＡｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜をスパッタリングにより成膜し、電極及び鏡面層２２を形成する。図１５の例では、第１駆動電極２５１、第３駆動電極２５３及び共通電極２５５が形成される。また、ミラー本体２１の第２シリコン層２３０側の表面には、Ａｕ／Ｔｉ／Ｐｔ膜が成膜され、鏡面層２２が形成される。その後、第１駆動電極２５１、第３駆動電極２５３及び共通電極２５５にワイヤボンディングを行う（図２参照）。
【００７７】
こうして、ミラーデバイス１００が製造される。
【００７８】
以上のようにＳＯＩ基板２００の両面から加工する製造方法においては、ＳＯＩ基板２００の一方の面から加工するときとＳＯＩ基板２００の他方の面から加工するときとの位置合わせが重要となる。例えば、前記製造方法においては、ＳＯＩ基板２００の両面に形成された第１及び第２アライメントマーク２１１，２３１を利用することによって、ＳＯＩ基板２００の一方の面から加工するときとＳＯＩ基板２００の他方の面から加工するときとの位置合わせを行っている。それでも尚、ＳＯＩ基板２００の一方の面から加工するときとＳＯＩ基板２００の他方の面から加工するときとの位置合わせに誤差を生じる場合がある。例えば、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側から加工した後、第２シリコン層２３０側から加工する際に最終マスク３９０の位置がずれる場合がある。このような場合、従来の製造方法では、第１シリコン層２１０側から加工した構造体と、第２シリコン層２３０側から加工した構造体との位置がずれてしまう。しかしながら、前記製造方法によれば、最終マスク３９０の位置がずれたとしても構造体を正確に形成することができる。
【００７９】
詳しくは、図１６（Ａ）に示すように、フォトマスク３５２の位置がずれると、図１６（Ｂ）に示すように、第５レジストマスク３５０の位置がずれてしまう。第５レジストマスク３５０の位置がずれると、図１６（Ｃ）に示すように、最終的に形成される最終マスク３９０の位置もずれてしまう。その結果、最終マスク３９０を用いて形成される部分も本来の位置からずれてしまう。
【００８０】
特に、第１構造体であるベース部１及び第２ヒンジ５においては、第１シリコン層２１０で構成される部分が先に形成されているので、第１シリコン層２１０で構成される部分と第２シリコン層２３０で構成される部分との位置ずれが問題となる。
【００８１】
しかしながら、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分は、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側から加工したときに、最終形状よりも大きなプレ構造に形成されている。そして、最終マスク３９０の第１マスク３９１が、図１６（Ｃ）に示すように、ミラーデバイス１００の厚み方向に見たときにプレ構造内に形成される。つまり、プレ構造の大きさは、最終マスク３９０の想定される最大限の位置ずれを考慮して設定されている。つまり、最終マスク３９０に想定される最大限の位置ずれが生じたとしても、ミラーデバイス１００の厚み方向に見たときに第１マスク３９１はプレ構造内に配置される。
【００８２】
尚、フォトマスク３５２を配置する前に形成されている酸化膜マスク３７０も、フォトマスク３５２の想定される最大限の位置ずれを考慮して、酸化膜マスク３７０の最終形状、即ち、最終マスク３９０の最終形状よりも大きな形状に形成されている。そのため、フォトマスク３５２の位置がずれたとしても、酸化膜マスク３７０上に形成される第５レジストマスク３５０が酸化膜マスク３７０からはみ出すことが防止される。
【００８３】
そして、この第１マスク３９１を利用して第２シリコン層２３０及び酸化膜層２２０を順次エッチングすることによって、図１７（Ａ）に示すように、第１構造体のうち第２シリコン層２３０で構成される部分を最終形状に形成すると共に、酸化膜層２２０を最終形状に対応した形状に形成する。続いて、酸化膜層２２０及び第１マスク３９１の酸化膜マスク３７０を利用してプレ構造をエッチングすることによって、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状に形成する。
【００８４】
このように、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分も第２シリコン層２３０で構成される部分も、位置がずれた最終マスク３９０によって最終形状に形成される。その結果、ミラーデバイス１００の全体における第１構造体の位置が最終マスク３９０の位置がずれた分だけずれるものの、第１構造体のうち第１シリコン層２１０で構成される部分に対する第２シリコン層２３０で構成される部分の位置ずれが防止されるので、第１構造体を正確に形成することができる。
【００８５】
例えば、第１構造体である第２ヒンジ５の形状が不正確になると、第２ヒンジ５のばね定数が変わることになり、ミラー２の駆動性能が悪化してしまう。つまり、第２ヒンジ５を正確に形成することによって、ミラー２を支持する第２ヒンジ５のばね定数の精度を高めることができ、ミラー２の駆動性能を確保することができる。
【００８６】
ここで、最終マスク３９０の位置がずれる主要な原因の１つは、フォトマスク３５２の位置ずれである。フォトマスク３５２の位置がずれるということは、最終マスク３９０のうち第１マスク３９１だけでなく、第２マスク３９２の位置もずれることになる。
【００８７】
第２構造体は第１シリコン層２１０を含まないので、第２マスク３９２を用いて第２シリコン層２３０をエッチングする際には、第１シリコン層２１０のうち第２構造体に対向する部分は予め除去され、凹部Ｒが形成されている。ところが、第２マスク３９２が第１シリコン層２１０が除去されていない部分までずれると、第２マスク３９２を用いて第２シリコン層２３０をエッチングした結果、第１シリコン層２１０が残存した第２構造体が形成されてしまう。
【００８８】
それに対し、前記製造方法では、第２マスク３９２は、図１６（Ｃ）に示すように、ミラーデバイス１００の厚み方向に見たときに、予め第１シリコン層２１０に形成された凹部Ｒ内に形成される。つまり、凹部Ｒは、最終マスク３９０の想定される最大限の位置ずれを考慮して設定されており、最終マスク３９０に想定される最大限の位置ずれが生じたとしても、ミラーデバイス１００の厚み方向に見たときに第２マスク３９２は凹部Ｒ内に配置される。
【００８９】
そのため、この第２マスク３９２を利用して第２シリコン層２３０をエッチングすることによって、第１シリコン層２１０が残存していない第２構造体を形成することができる。つまり、第２構造体を正確に形成することができる。
【００９０】
例えば、第２構造体である内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極７１の形状が不正確になると、内側固定櫛歯電極６１と内側可動櫛歯電極６２との位置関係、及び、外側固定櫛歯電極７１と外側可動櫛歯電極７２との位置関係がばらつくことになる。その結果、ミラー２の駆動性能が悪化することになる。それに対し、内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極７１を正確に形成することによって、ミラー２の駆動性能を確保することができる。
【００９１】
さらに、前記の製造方法によれば、第２シリコン層２３０を含まず、第１シリコン層２１０で形成される第３構造体も、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側から加工するときに最終形状に形成される。これにより、最終マスク３９０の位置ずれによりミラーデバイス１００の全体における第１構造体及び第２構造体の位置がずれたとしても、第３構造体と第１構造体との位置関係及び第３構造体と第２構造体との位置関係を維持することができる。つまり、第３構造体は、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側から加工するときに最終マスク３９０を用いて最終形状に形成される。最終マスク３９０の位置がずれると、第１〜第３マスク３９１〜３６３の位置も一律にずれる。そのため、第１及び第２構造体がずれた位置に形成された場合、第３構造体も同様にずれた位置に形成される。その結果、第３構造体と第１構造体との位置関係及び第３構造体と第２構造体との位置関係は維持される。それに加えて、第３構造体も第１構造体と同様に、第１エッチング工程では、第１シリコン層２１０を第３構造体の最終形状よりも大きなプレ構造に形成し、マスク形成工程では、第３マスク３９３をミラーデバイス１００の厚み方向に見たときにプレ構造内に形成することによって、第３構造体を正確に形成することができる。
【００９２】
例えば、第１構造体及び第３構造体の両方である枠体３は、第３構造体と第１構造体との位置関係が維持されるので、正確な形状に形成することができる。また、第１構造体である第２ヒンジ５と第３構造体であるミラー２との位置関係が維持されるので、ミラー２の傾動軸のずれを防止することができる。さらに、第２構造体である内側固定櫛歯電極６１と第３構造体である内側可動櫛歯電極６２との位置関係が維持されるので、ミラー２の駆動性能の悪化を防止することができる。同様に、第２構造体である内側固定櫛歯電極６１と第３構造体である内側可動櫛歯電極６２との位置関係が維持されるので、ミラー２の駆動性能の悪化を防止することができる。
【００９３】
尚、ミラーデバイス１００の製造方法は、前記の方法に限られるものではない。
【００９４】
例えば、前記の製造方法では、全ての第１構造体について、第１シリコン層２１０側から加工する際に第１シリコン層２１０で構成される部分をプレ構造に形成した後、第２シリコン層２３０側から加工する際に第２シリコン層２３０で構成される部分を形成すると共に第１シリコン層２１０で構成される部分をプレ構造から最終形状に形成している。また、全ての第３構造体について、第１シリコン層２１０側からプレ構造を形成した後に第２シリコン層２３０側からプレ構造を最終形状に形成している。しかしながら、全ての第１構造体及び第３構造体をこのように形成する必要はない。第１構造体及び第３構造体のうち、一方の面側から加工される部分と他方の面側から加工される部分との位置精度が求められるものだけを、前述の如く、一方の面側からプレ構造に形成し、他方の面側から最終形状に形成する方法とすればよい。例えば、ミラーデバイス１００においては、第１構造体のうち第２ヒンジ５は、第１シリコン層２１０で構成される部分と第２シリコン層２３０で構成される部分との位置がずれるとばね定数が変化するので、２つの部分の位置精度が要求される。一方、第１構造体のうちベース部１は、位置精度が高い方が好ましいものの、第１シリコン層２１０で構成される部分と第２シリコン層２３０で構成される部分との位置がずれても、ミラーデバイス１００の性能に大きな影響はない。また、第３構造体自体は、第１シリコン層２１０で形成され、第２シリコン層２３０を含まないものの、第３構造体のうち内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２はそれぞれ、第２シリコン層２３０で形成される内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極７１と協働して静電引力を発生させる。そのため、内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２は、他の第３構造体、例えば、ミラー２及び第１ヒンジ４と比べて、第２シリコン層２３０で構成される構造体に対して高い位置精度が要求される。このように、第１構造体及び第３構造体のうち高い位置精度が要求されるものだけを前述のようなプレ構造から最終形状という手順で形成し、その他の部分は適宜作りやすい方法で作ればよい。
【００９５】
以下に、変形例に係る製造方法について説明する。以下の説明では、前述の製造方法と異なる部分を中心に説明し、同様の工程については説明を省略する。図１８〜２４は、図１のＡ−Ａ線において切断したミラーデバイス１００の模式的な断面図である。
【００９６】
変形例１の製造方法においては、図１８に示すように、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側からエッチングする際に、第１シリコン層２１０には、第２ヒンジ５の第１シリコン層２１０で構成される部分のプレ構造４５、内側可動櫛歯電極６２のプレ構造４６、及び内側可動櫛歯電極７２のプレ構造（図示省略）が形成される。尚、ベース部１及び枠対３のうち第２ヒンジ５のプレ構造４５と対向する部分もプレ構造４７，４８に形成される。一方、枠体３のうち第１シリコン層２１０のみで構成される部分（第１辺部３１の中間部分及び第３辺部３３の中間部分）、ミラー２、第１ヒンジ４、ベース部１のうち第２ヒンジ５のプレ構造４５と対向していな部分であって第１シリコン層２１０で構成される部分は、この工程で最終形状に形成されている。枠体３には、他の構造体との関係で、プレ構造に形成される部分と最終形状に形成される部分とが含まれる。さらに、枠体３には、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側からエッチングする工程では加工されず、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側からエッチングする工程で全て形成される部分も含まれる。
【００９７】
尚、変形例に係る製造方法では、図６（Ｃ）で示した酸化膜層２２０を薄くする工程は行われない。
【００９８】
続いて、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側からエッチングする際には、まず、図１９に示すような最終マスク３９０が形成される。最終マスク３９０は、第１構造体に対応した第１マスク３９１と、第２構造体に対応した第２マスク３９２と、第３構造体に対応した第３マスク３９３とを有している。第１マスク３９１は、酸化膜マスク３７０及び第５レジストマスク３５０を有し、ベース部１の最終形状及び第２ヒンジ５の最終形状に対応する形状に形成されている。第２マスク３９２は、酸化膜マスク３７０及び第５レジストマスク３５０を有し、内側固定櫛歯電極６１の最終形状に対応する形状に形成されている。第３マスク３９３は、酸化膜マスク３７０を含まず、第５レジストマスク３５０のみを有している。第３マスク３９３は、少なくとも第１構造体の最終形状を覆う一方、第１構造体のプレ構造のうち最終形状からはみ出している部分は覆っていない。
【００９９】
この最終マスク３９０を用いて第２シリコン層２３０及び酸化膜層２２０をエッチングする。まず、最終マスク３９０から露出する第２シリコン層２３０をＩＣＰエッチングする。続いて、ＩＣＰエッチングにより露出した酸化膜層２２０をＡＰＳエッチングする。これにより、プレ構造のうち最終形状からはみ出した部分が第２シリコン層２３０側へ露出するようになる。続いて、図２０に示すように、最終マスク３９０のうち第５レジストマスク３５０を剥離する。第５レジストマスク３５０を剥離することによって、第２シリコン層２３０のうち、第２構造体（内側固定櫛歯電極６１）及び第３構造体（ベース部１、枠体３及び第２ヒンジ５）を構成しない部分が露出するようになる。そして、酸化膜マスク３７０を用いて第２シリコン層２３０及び第１シリコン層２１０をエッチングする。その結果、第２シリコン層２３０のうち、第２構造体及び第３構造体を構成する部分以外の部分が除去され、第１シリコン層２１０のプレ構造４５〜４８が、対応する構造体の最終形状に形成される。尚、この段階では、第２ヒンジ５、ミラー２及び枠体３のＳｉＯ２膜２６０は、プレ構造に対応した形状で残存する。
【０１００】
続いて、ＡＰＳエッチングにより、酸化膜マスク３７０と、第１構造体（ミラー２、第１ヒンジ４、枠体３及び内側可動櫛歯電極６２）の上の酸化膜層２２０と、ミラー２、第２ヒンジ５及び枠体３のＳｉＯ２膜２６０のうち最終形状からはみ出している部分とを除去する。
【０１０１】
その後、前述の製造方法と同様に、電極及び鏡面層を形成すると共にワイヤボンディングにより該電極にワイヤを接続され、ミラーデバイス１００が完成する。
【０１０２】
この製造方法によれば、第１構造体のうち第２ヒンジ５、並びに第３構造体のうち内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２が第１シリコン層２１０側からプレ構造４５，４６に形成され、第２シリコン層２３０側から最終形状に形成される。これにより、第２ヒンジ５は、第１シリコン層２１０で構成される部分と第２シリコン層２３０で構成される部分がずれることなく形成される。また、内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２は、それぞれ内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極７１に対する位置精度が高い状態で形成される。
【０１０３】
また、第３構造体のうち、内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２よりも求められる位置精度が低い、ミラー２、枠体３及び第１ヒンジ４は、第１シリコン層２１０側から形成する際に最終形状に形成される。ただし、第１シリコン層２１０で構成される部分は、第１シリコン層２１０側からエッチングすることにより、形状精度を向上させやすい。つまり、前述のようにＳＯＩ基板２００の第１シリコン層２１０側にガラス基板６００を接合する構成では、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側からエッチングする際に、ＳＯＩ基板２００とガラス基板６００との間に熱がこもりやすく、オーバーエッチングが生じやすい環境にある。そのため、形状精度の観点だけで見れば、変形例１に係るミラー２及び第１ヒンジ４のように、第１シリコン層２１０で構成される部分は第１シリコン層２１０側からエッチングすることが好ましい。したがって、第２シリコン層２３０で構成される部分に対する第１シリコン層２１０で構成される部分の位置精度よりも、第１シリコン層２１０で構成される部分自体の形状精度の方を優先する場合には、変形例１に係る製造方法のように、第１シリコン層２１０で構成される部分を第１シリコン層２１０側からエッチングして最終形状に形成することが好ましい。
【０１０４】
一方、第１シリコン層２１０で構成される部分自体の形状精度よりも、第２シリコン層２３０で構成される部分に対する第１シリコン層２１０で構成される部分の位置精度の方を優先する場合には、以下の変形例２に係る製造方法が好ましい。
【０１０５】
変形例２に係る製造方法においては、図２２に示すように、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側からエッチングする際に、第１シリコン層２１０には、第２ヒンジ５の第１シリコン層２１０で構成される部分のプレ構造４５、内側可動櫛歯電極６２のプレ構造４６、内側可動櫛歯電極７２のプレ構造（図示省略）、第１ヒンジ４のプレ構造４９が形成される。尚、ベース部１及び枠対３のうち第２ヒンジ５のプレ構造４５と対向する部分もプレ構造４７，４８に形成される。一方、枠体３のうち第１シリコン層２１０のみで構成される部分（第１辺部３１の中間部分及び第３辺部３３の中間部分）、ミラー２、ベース部１のうち第２ヒンジ５のプレ構造４５と対向していな部分であって第１シリコン層２１０で構成される部分は、この工程で最終形状に形成されている。変形例１では第１ヒンジ４を最終形状に形成しているのに対し、変形例２では第１ヒンジ４をプレ構造４９に形成する。
【０１０６】
続いて、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側からエッチングする際には、まず、図２３に示すような最終マスク３９０が形成される。最終マスク３９０は、第１構造体に対応した第１マスク３９１と、第２構造体に対応した第２マスク３９２と、第３構造体に対応した第３マスク３９３とを有している。第１マスク３９１は、酸化膜マスク３７０及び第５レジストマスク３５０を有し、ベース部１の最終形状及び第２ヒンジ５の最終形状に対応する形状に形成されている。第２マスク３９２は、酸化膜マスク３７０及び第５レジストマスク３５０を有し、内側固定櫛歯電極６１の最終形状に対応する形状に形成されている。第３マスク３９３は、酸化膜マスク３７０を含まず、第５レジストマスク３５０のみを有している。第３マスク３９３は、少なくとも第１構造体の最終形状を覆う一方、第１構造体のプレ構造のうち最終形状からはみ出している部分は覆っていない。変形例１では第３マスク３９３がミラー２と第１ヒンジ４との間のスペースも覆っているのに対し、変形例２では第３マスク３９３がミラー２と第１ヒンジ４との間のスペースを露出させる。
【０１０７】
この最終マスク３９０を用いて第２シリコン層２３０及び酸化膜層２２０をエッチングする。まず、最終マスク３９０から露出する第２シリコン層２３０をＩＣＰエッチングする。続いて、ＩＣＰエッチングにより露出した酸化膜層２２０をＡＰＳエッチングする。これにより、プレ構造のうち最終形状からはみ出した部分が第２シリコン層２３０側へ露出するようになる。このとき、変形例１と異なり、第２シリコン層２３０が第１ヒンジ４の外形を縁取るようにエッチングされる。続いて、図２４に示すように、最終マスク３９０のうち第５レジストマスク３５０を剥離する。第５レジストマスク３５０を剥離することによって、第２シリコン層２３０のうち、第２構造体（内側固定櫛歯電極６１）及び第３構造体（ベース部１、枠体３及び第２ヒンジ５）を構成しない部分が露出するようになる。そして、酸化膜マスク３７０を用いて第２シリコン層２３０及び第１シリコン層２１０をエッチングする。その結果、第２シリコン層２３０のうち、第２構造体及び第３構造体を構成する部分以外の部分が除去されると共に、第１シリコン層２１０のプレ構造４５〜４９が、対応する構造体の最終形状に形成される。尚、この段階では、ミラー２、第１ヒンジ４、第２ヒンジ５及び枠体３のＳｉＯ２膜２６０は、プレ構造に対応した形状で残存する。
【０１０８】
続いて、ＡＰＳエッチングにより、酸化膜マスク３７０と、第１構造体（ミラー２、第１ヒンジ４、枠体３及び内側可動櫛歯電極６２）の上の酸化膜層２２０と、ミラー２、第１ヒンジ４、第２ヒンジ５及び枠体３のＳｉＯ２膜２６０のうち最終形状からはみ出している部分とを除去する。
【０１０９】
その後、前述の製造方法と同様に、電極及び鏡面層を形成すると共にワイヤボンディングにより該電極にワイヤを接続され、ミラーデバイス１００が完成する。
【０１１０】
この製造方法によれば、第１構造体のうち第２ヒンジ５、並びに第３構造体のうち第１ヒンジ４、内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２が第１シリコン層２１０側からプレ構造４５，４６，４９に形成され、第２シリコン層２３０側から最終形状に形成される。これにより、第２ヒンジ５は、第１シリコン層２１０で構成される部分と第２シリコン層２３０で構成される部分がずれることなく形成される。また、内側可動櫛歯電極６２及び外側可動櫛歯電極７２は、それぞれ内側固定櫛歯電極６１及び外側固定櫛歯電極６２に対する位置精度が高い状態で形成される。それに加えて、第１ヒンジ４は、第２シリコン層２３０で構成される構造体（例えば、ベース部１）に対して高い位置精度で形成される。
【０１１１】
つまり、変形例１に係る製造方法のように、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側から形成する際に第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状に形成することによって、該部分の形状精度を向上させることができる。一方、変形例２に係る製造方法のように、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側から形成する際に第１シリコン層２１０で構成される部分をプレ構造に形成し、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側から形成する際にプレ構造を最終形状に形成することによって、該部分の位置精度を向上させることができる。
【０１１２】
［効果］
したがって、前記電子部品の製造方法は、前記ＳＯＩ基板２００を前記第１シリコン層２１０側からエッチングする第１エッチング工程と、前記ＳＯＩ基板２００の前記第２シリコン層２３０側に最終マスク３９０を形成するマスク形成工程と、前記最終マスク３９０を利用して前記ＳＯＩ基板２００を前記第２シリコン層２３０側からエッチングする第２エッチング工程とを含み、前記構造体は、前記第１シリコン層２１０及び第２シリコン層２３０で形成された第１構造体、例えば、第２ヒンジ５を有し、前記第１エッチング工程では、前記第２ヒンジ５のうち前記第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状よりも大きな形状の第２ヒンジプレ構造４２として形成し、前記マスク形成工程では、前記第２ヒンジ５の最終形状に対応した第１マスク３９１を前記ＳＯＩ基板２００の前記第２シリコン層２３０側であって前記ＳＯＩ基板２００の厚み方向に見たときに前記第２ヒンジプレ構造４２内に形成し、前記第２エッチング工程では、前記第１マスク３９１を利用して、前記第２シリコン層２３０及び前記第２ヒンジプレ構造４２をエッチングすることによって前記第２ヒンジ５の最終形状を形成する。
【０１１３】
前記の構成によれば、ＳＯＩ基板２００を両面から加工する場合において、第１シリコン層２１０側から加工するときには、第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状には加工せず、最終形状よりも大きなプレ構造に形成しておき、第２シリコン層２３０側から加工するときに、第２シリコン層２３０と共にプレ構造を加工することによって第１構造体を形成する。第１構造体の形状が最終的に決まるのは第２エッチング工程なので、ＳＯＩ基板２００を第１シリコン層２１０側から加工するときと第２シリコン層２３０側から加工するときとで位置ずれが生じたとしても、第１構造体を正確に形成することができる。さらに、ＳＯＩ基板２００の厚み方向に見たときに第１マスク３９１をプレ構造内に配置することによって、第１構造体をより正確に形成することができる。
【０１１４】
また、前記構造体は、前記第１シリコン層２１０を含まず、前記第２シリコン層２３０で形成された第２構造体、例えば、内側固定櫛歯電極６１を有し、前記第１エッチング工程では、前記第１シリコン層２１０のうち、前記内側固定櫛歯電極６１と対向する部分をエッチングして、該第１シリコン層２１０に凹部Ｒを形成し、前記マスク形成工程では、前記内側固定櫛歯電極６１の最終形状に対応した第２マスク３９２を前記ＳＯＩ基板２００の前記第２シリコン層２３０側であって前記ＳＯＩ基板２００の厚み方向に見たときに前記凹部Ｒ内に形成し、前記第２エッチング工程では、前記第２マスク３９２を利用して、前記第２シリコン層２３０をエッチングすることによって前記内側固定櫛歯電極６１の最終形状を形成する。
【０１１５】
この構成によれば、第２シリコン層２３０のうち対向する位置の第１シリコン層２１０が除去された部分で第２構造体を形成することができる。そのため、第１シリコン層２１０が残存していない第２構造体を形成することができる。
【０１１６】
前記マスク形成工程では、前記第１マスク３９１及び第２マスク３９２を、該第１マスク３９１及び該第２マスク３９２の位置関係が規定されたフォトマスク３５２を用いて形成する。
【０１１７】
前記の構成によれば、フォトマスク３５２の位置がずれた場合には、第１マスク３９１と共に第２マスク３９２の位置もずれる。その結果、第１構造体と第２構造体との位置関係を維持することができる。
【０１１８】
また、前記ＳＯＩ基板２００は、前記第１シリコン層２１０と前記第２シリコン層２３０との間に設けられた酸化膜層２２０を含み、前記構造体は、前記第２シリコン層２３０を含まず、前記第１シリコン層２１０で形成された第３構造体、例えば、ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２を有し、前記第１エッチング工程では、前記ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２のうち前記第１シリコン層２１０で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４として形成し、前記マスク形成工程では、前記ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２の最終形状に対応した第３マスク３９３を前記ＳＯＩ基板２００の前記第２シリコン層２３０側であって前記ＳＯＩ基板２００の厚み方向に見たときに前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４内に形成し、前記第２エッチング工程では、前記第３マスク３９３を利用して前記第２シリコン層２３０及び前記酸化膜層２２０をエッチングすることによって、該酸化膜層２２０のうち前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４の上の部分を前記ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２の最終形状に対応した形状に形成した後、前記第３マスク３９３を剥離して、前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４の上に残存している前記酸化膜層２２０を利用して前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４をエッチングすることによって、前記ミラー２及び内側可動櫛歯電極６２の最終形状を形成する。
【０１１９】
この構成によれば、第２シリコン層２３０を含まない第３構造体であっても、ＳＯＩ基板２００を第２シリコン層２３０側から加工する第２エッチング工程によって最終形状が決まる。第３構造体も第１構造体と同様に、第１エッチング工程では、第１シリコン層２１０を第３構造体の最終形状よりも大きなプレ構造に形成し、マスク形成工程では、第３マスク３９３をミラーデバイス１００の厚み方向に見たときにプレ構造内に形成することによって、第３構造体を正確に形成することができる。
【０１２０】
また、このように、第１シリコン層２１０と第２シリコン層２３０との間に別の層（酸化膜層２２０）が介在する基板については、該基板の両方の面からそれぞれ加工することが必要な場合もある。そのような場合には前述の製造方法が有効であり、構造体を正確に形成することができる。
【０１２１】
また、前記第１及び第２マスク３９１，３６２は、前記第２シリコン層２３０の上に形成された酸化膜マスク３７０と、該酸化膜マスク３７０の上に形成された第５レジストマスク３５０とを有し、前記第２エッチング工程では、前記第１及び第２マスク３９１，３６２の前記第５レジストマスク３５０並びに前記第３マスク３９３を利用して前記第２シリコン層２３０及び前記酸化膜層２２０をエッチングすることによって、前記第１構造体のうち前記第２シリコン層２３０及び前記酸化膜層２２０で構成される部分の最終形状及び第２構造体の最終形状を形成すると共に、前記第２シリコン層２３０及び前記酸化膜層２２０のうち前記第３構造体の上の部分を前記第３構造体の最終形状に対応した形状に形成した後、前記第１及び第２マスク３９１，３６２の前記第５レジストマスク３５０並びに前記第３マスク３９３を剥離して、前記第１及び第２マスク３９１，３６２の前記酸化膜マスク３７０並びに前記第３構造体の上に残存している前記酸化膜層２２０を利用して前記第２シリコン層２３０のうち前記ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４の上の部分及び該ミラープレ構造４３及び可動櫛歯プレ構造４４をエッチングすることによって、前記第１構造体の最終形状及び前記第３構造体の最終形状を形成する。
【０１２２】
前記の構成によれば、第１シリコン層２１０、酸化膜層２２０及び第２シリコン層２３０を含む基板の場合には、第２エッチング工程において、酸化膜層２２０をマスクとして利用して第３構造体を形成する。そして、第１及び第２マスク３９１，３６２を酸化膜マスク３７０と第５レジストマスク３５０との二重構造とすることによって、酸化膜層２２０を所望の形状に形成し、マスクとして利用することができる。
【０１２３】
前記マスク形成工程では、前記第１マスク３９１、第２マスク３９２及び第３マスク３９３を、該第１マスク３９１、該第２マスク３９２及び該第３マスク３９３の位置関係が規定されたフォトマスク３５２を用いて形成する。
【０１２４】
この構成によれば、フォトマスク３５２の位置がずれた場合には、第１マスク３９１と共に第２マスク３９２及び第３マスク３９３の位置もずれる。その結果、第１構造体と第３構造体との位置関係を維持することができると共に、第２構造体と第３構造体との位置関係を維持することができる。
【０１２５】
《その他の実施形態》
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、前記実施形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。また、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
【０１２６】
前記実施形態について、以下のような構成としてもよい。
【０１２７】
前記ミラーデバイス１００は、電子部品の一例であり、前記製造方法を適用できる電子部品はこれに限られるものではない。また、ミラーデバイス１００の構成も例示に過ぎず、これに限られるものではない。さらに、第１構造体、第２構造体及び第３構造体も例示に過ぎない。
【０１２８】
また、前記製造方法では、エッチングや成膜が具体的に特定されている場合もあるが、これらに限られるものではない。つまり、前記製造方法を実現できる限り、エッチングの種類が特に限定されるわけではなく、成膜の方法が限定されるわけではない。また、レジストマスクは、ポジ型のレジストであっても、ネガ型のレジストであってもよい。さらに、前記実施形態で説明した材質及び形状は、一例に過ぎず、これらに限定されるものではない。
【０１２９】
また、前記製造方法では、基板としてＳＯＩ基板を用いているが、これに限られるものではない。２以上の層を有する基板であれば、前記製造方法を適用することができる。
【０１３０】
さらに、前記製造方法は、電子部品を製造できる限り、各工程の順番を入れ替えたり、何れかの工程を省略したりしてもよい。
【０１３１】
また、前記実施形態では、第２アライメントマーク２３１を用いてフォトマスク３５２を配置するときの位置ずれに起因して最終マスク３９０に位置ずれが生じた場合の電子部品の製造について説明しているが、位置ずれの発生メカニズムはこれに限られるものではない。例えば、最終マスク３９０の形成方法が変われば、最終マスク３９０の位置ずれの発生メカニズムも変わる。前記製造方法は、最終マスク３９０の形成方法や最終マスク３９０の位置ずれの発生メカニズムに限定されるものではない。基板を一方の面から加工するときと他方の面から加工するときとでの位置ずれに対して広く有効である。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
以上説明したように、ここに開示された技術は、基板を両面から加工する、電子部品の製造方法について有用である。
【符号の説明】
【０１３３】
１００      ミラーデバイス（電子部品）
１          ベース部（第１構造体）
２          ミラー（第３構造体）
３          枠体（第１構造体、第３構造体）
４          第１ヒンジ（第３構造体）
５          第２ヒンジ（第１構造体）
６１        内側固定櫛歯電極（第２構造体）
６２        内側可動櫛歯電極（第３構造体）
７１        外側固定櫛歯電極（第２構造体）
７２        外側可動櫛歯電極（第３構造体）
４１        ベース部プレ構造（第１プレ構造）
４２        第２ヒンジプレ構造（第１プレ構造）
４３        ミラープレ構造（第３プレ構造）
４４        可動櫛歯プレ構造（第３プレ構造）
２００      ＳＯＩ基板（基板）
２１０      第１シリコン層（第１層）
２２０      酸化膜層（第３層）
２３０      第２シリコン層（第２層）
３４０      酸化膜マスク（下段マスク）
３５０      第４レジストマスク（上段マスク）
３９０      最終マスク（マスク）
３９１      第１マスク
３９２      第２マスク
３９３      第３マスク
３７２      フォトマスク
Ｒ          凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【国際調査報告】
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