【手続補正書】
【提出日】平成24年5月30日(2012.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料が載置された可動ステージが、前記試料の描画領域を仮想分割することにより構成される複数の短冊状のストライプの長手方向に移動せしめられている時に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって前記試料の前記ストライプ内にパターンが描画される連続移動描画モードと、前記可動ステージの停止中に、前記主偏向器および前記副偏向器により偏向された前記荷電粒子ビームを照射することによって前記試料の前記ストライプ内にパターンが描画されるステップアンドリピート描画モードとが備えられており、ステップアンドリピート描画モード時に、 
荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御するＪＯＢ制御部と、 
前記荷電粒子ビームのショットデータを生成するショットデータ生成部と、 
前記ショットデータ生成部から転送された前記ショットデータに含まれている主偏向座標および副偏向座標に基づいて前記主偏向器および前記副偏向器を制御する偏向制御部と、 
ストライプ情報を前記ショットデータ生成部から受け取り、前記試料の前記ストライプ内にパターンを描画するためのショット開始指示を偏向制御部に送る描画制御部と、 
前記偏向制御部から前記描画制御部に送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を前記荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出する描画区画判定部と、 
前記描画制御部からのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて前記描画区画判定部により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして前記可動ステージを移動させるステージ制御部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 
【請求項２】
前記ステップアンドリピート描画モード時に、 
１番目にパターンの描画が行われる第１ストライプが前記荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、 
前記描画制御部が、前記偏向制御部に主偏向座標要求を送り、 
前記偏向制御部から前記描画制御部に送られた主偏向座標報告に含まれている最初の主偏向座標に基づいて、前記描画区画判定部が、最初にパターンが描画される区画と、最初にパターンが描画される区画を前記荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、 
前記ステージ制御部が、最初の主偏向座標に基づいて前記描画区画判定部により算出されたステージ座標まで前記可動ステージを移動させ、 
ｎ（ｎは２以上の整数）番目にパターンの描画が行われる第ｎストライプが前記荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、 
前記描画制御部が、前記偏向制御部に主偏向座標要求を送り、 
前記偏向制御部から前記描画制御部に送られた主偏向座標報告に含まれている最初の主偏向座標に基づいて、前記描画区画判定部が、最初にパターンが描画される区画と、最初にパターンが描画される区画を前記荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、 
前記ステージ制御部が、最初の主偏向座標に基づいて前記描画区画判定部により算出されたステージ座標まで前記可動ステージを移動させることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 
【請求項３】
試料が載置された可動ステージが、前記試料の描画領域を仮想分割することにより構成される複数の短冊状のストライプの長手方向に移動せしめられている時に、主偏向器および副偏向器により偏向された荷電粒子ビームを照射することによって前記試料のストライプ内にパターンが描画される連続移動描画モードと、前記可動ステージの停止中に、前記主偏向器および前記副偏向器により偏向された前記荷電粒子ビームを照射することによって前記試料の前記ストライプ内にパターンが描画されるステップアンドリピート描画モードとが備えられている荷電粒子ビーム描画装置の荷電粒子ビーム描画方法において、 
前記ステップアンドリピート描画モード時に、 
ＪＯＢ制御部が前記荷電粒子ビーム描画装置による描画動作全体を制御し、 
ショットデータ生成部が荷電粒子ビームのショットデータを生成し、 
前記ショットデータ生成部から転送されたショットデータに含まれている主偏向座標および副偏向座標に基づいて偏向制御部が前記主偏向器および前記副偏向器を制御し、 
描画制御部が、ストライプ情報を前記ショットデータ生成部から受け取ると共に、前記試料のストライプ内にパターンを描画するためのショット開始指示を偏向制御部に送り、 
描画区画判定部が、前記偏向制御部から前記描画制御部に送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を前記荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、 
ステージ制御部が、前記描画制御部からのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて前記描画区画判定部により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージを移動させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 
【請求項４】
前記ステップアンドリピート描画モード時に、 
１番目にパターンの描画が行われる第１ストライプが前記荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、 
前記描画制御部が、前記ショットデータ生成部から送られた第１ストライプ情報に含まれている第１ストライプの先端の座標に基づいて、前記第１ストライプ内の先端に位置する区画を前記荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標を算出し、 
前記ステージ制御部が、前記描画制御部からのステージ移動指示を受けて、前記第１ストライプの先端の座標に基づいて前記描画制御部により算出されたステージ座標まで可動ステージを移動させ、 
ｎ（ｎは２以上の整数）番目にパターンの描画が行われる第ｎストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、 
前記描画制御部が、前記ショットデータ生成部から送られた第ｎストライプ情報に含まれている第ｎストライプの先端の座標に基づいて、第ｎストライプ内の先端に位置する区画を荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標を算出し、 
前記ステージ制御部が、前記描画制御部からのステージ移動指示を受けて、第ｎストライプの先端の座標に基づいて前記描画制御部により算出されたステージ座標まで前記可動ステージを移動させることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。 
【請求項５】
前記ステップアンドリピート描画モード時に、 
１番目にパターンの描画が行われる第１ストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、 
前記描画制御部が、前記偏向制御部に主偏向座標要求を送り、 
前記偏向制御部から前記描画制御部に送られた主偏向座標報告に含まれている最初の主偏向座標に基づいて、前記描画区画判定部が、最初にパターンが描画される区画と、最初にパターンが描画される区画を前記荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、 
前記ステージ制御部が、最初の主偏向座標に基づいて前記描画区画判定部により算出されたステージ座標まで可動ステージを移動させ、 
ｎ（ｎは２以上の整数）番目にパターンの描画が行われる第ｎストライプが荷電粒子ビームの照射位置に配置される前に、 
前記描画制御部が、前記偏向制御部に主偏向座標要求を送り、 
前記偏向制御部から前記描画制御部に送られた主偏向座標報告に含まれている最初の主偏向座標に基づいて、前記描画区画判定部が、最初にパターンが描画される区画と、最初にパターンが描画される区画を前記荷電粒子ビームの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、 
前記ステージ制御部が、最初の主偏向座標に基づいて前記描画区画判定部により算出されたステージ座標まで前記可動ステージを移動させることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。