【事件の表示】
　
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月１４日の出願であって、平成１９年１２月１８日付で通知された拒絶理由に対して、平成２０年２月７日付で手続補正書が提出され、平成２０年４月９日付で最後の拒絶理由が通知され、これに対して、平成２０年６月１３日付で手続補正書が提出されたが、平成２０年７月７日付で、平成２０年６月１３日付の手続補正に対する補正の却下の決定がなされるとともに拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年８月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
第２．原審における平成２０年６月１３日付の手続補正に対する補正却下決定の適否
１．平成２０年７月７日付の補正却下の決定の理由
　上記補正却下の決定の理由の概要は、当該補正後の請求項１−５に係る発明は、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、独立して特許を受けることができないというものであり、具体的には次の理由を含むものである。
　「表面を部分的にラップする」という語句の意味が不明であり、さらに、発明の詳細な説明には、「表面を部分的にラップする」ことについて、当業者が実施し得る程度に記載されていないと認められる。
２．補正後の本願発明
　平成２０年６月１３日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の請求項１〜６を、請求項１〜５にする補正を含むものであり、補正後の請求項１、３は次のとおりのものである。
（１）本件補正発明１及び２　
　「【請求項１】　鉄合金母材、この鉄合金母材の表面上に形成されたニッケル層、このニッケル層上に形成されたパラジウム層、及びこのパラジウム層上に形成された金層を備え、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７μｍ以上０．１μｍ未満の範囲、上記金層の厚さが、０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成されていることを特徴とする鉄合金電子部品。」（以下、「本願補正発明１」という。）
　「【請求項３】　鉄合金母材表面上に第一のニッケル層を薄く形成する第一の工程、上記第一のニッケル層上に上記第一のニッケル層よりも厚い第二のニッケル層を形成する第二の工程、上記第二のニッケル層上にパラジウム層を形成する第三の工程、及び上記パラジウム層上に金層を形成する第四の工程を含み、上記第三の工程におけるパラジウム層及び上記第四の工程における金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７μｍ以上０．１μｍ未満の範囲、上記金層の厚さが、０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように、上記パラジウム層を電流密度が１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件により上記ニッケル層上に電解めっきした後、上記金層を電流密度が０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件により電解めっき処理により形成されていることを特徴とする鉄合金電子部品の表面処理方法。」（以下、「本願補正発明３」という。）
（２）補正の内容　
　この補正は、補正前の請求項１に、「上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成されている」という発明特定事項を付加し、また、補正前の請求項３に「上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように・・・形成されている」という発明特定事項を付加することにより、補正前の請求項１、３の「金層」をさらに限定する補正事項を含んでいるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものを含んでいる。
　そこで、本願補正発明１、３が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下検討する。
　
３．本願明細書の発明の詳細な説明の記載
　平成２０年２月７日付の手続補正書、及び、平成２０年６月１３日付の手続補正書により補正された本願明細書（以下、「本件補正後明細書」という。）において、本願補正発明１、３の「上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように」形成されているという発明特定事項中の「表面を部分的にラップする」ことに関連する記載事項を摘記すると以下のとおりである。
ａ．「図３は、この発明の実施の形態１による鉄合金電子部品母材の表面処理を示す原理図である。図３において、１〜５は、図１におけるものと同一のものである。図３では、金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３の表面を部分的にラップするように形成されている。」（【００１１】）
ｂ．「次いで、金ラップめっき４が、０．００３〜０．０２μｍの厚さに形成され（第五の工程）、金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係にあると、図３に示されるように、パラジウムストライクめっき３の核を覆うようになる。この状態では、はんだぬれ性のよい表面処理が得られる。また、金ラップめっき４の上述の厚さでは、金色を発色しない。金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３表面の保護（酸化などによる劣化に対する）を行うものである。このため、金ラップめっき４の厚さは、パラジウムストライクめっき３の核を覆うように、０．００３μｍ以上にする必要がある。」（【００１３】）
ｃ．「金ラップめっき４の厚さを、０．００３μｍ〜０．０２μｍの範囲に形成すれば、パラジウムストライクめっき３の核を覆うと共に、はんだ付け時のはんだ強度の低下も見られない。」（【００１３】）
ｄ．「次に上述した鉄合金電子部品母材の表面処理方法について、さらに具体的に説明する。・・・この３層の形成は、次のようにして行われる。まず、厚さ１〜３μｍのニッケルめっき２が形成された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合されたパラジウム液に漬し、電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件で、パラジウム電解めっきを行い、厚さ０．００７〜０．１μｍのパラジウムストライクめっき３を形成する。」（【００１７】）
ｅ．「次いで、このパラジウムストライクめっき３された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し、電流密度０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件で、金電解めっきを行い、厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４を形成する。」（【００１８】）
ｆ．「このパラジウムストライクめっき３及び金ラップめっき４は、パラジウム液の収容されたパラジウム槽及び金液の収容された金槽を含むめっきラインを、順次、電子部品を一定速度で連続して移動させることによって、形成することができる。パラジウム、金の液濃度及び電流密度により、それぞれ析出速度が変化するので、パラジウム、金の液濃度は、使用しているめっきライン（装置）性能に応じて設定される。」（【００１８】）
ｇ．図１には、鉄合金電子部品の表面処理を示す説明図が、図３には、鉄合金電子部品母材の表面処理を示す原理図が、図６には、表面処理された鉄合金電子部品母材の耐腐食性処理を示す説明図がそれぞれ図示されている。　
　
４．当審の判断
４−１．特許法第３６条第６項第２号の明確性について
　本願補正発明１、３の「表面を部分的にラップする」との発明特定事項は、通常の技術用語ではなく、本件補正後明細書中の発明の詳細な説明の記載（摘記事項ａ〜ｆ）及び図面の記載（摘記事項ｇ）によっても、その意味を明確に示した部分はない。　
（１）審判請求人の主張
　この点、審判請求人は、摘記事項ａに基づいて、『「表面を部分的にラップするように形成」の意味は、図３に示されるように、金ラップめっき４が、パラジウムストライクめっき３の表面を部分的にラップ（被覆）するように形成されていることは明らかであります。すなわち、図３は本願発明の表面処理の原理を示す模式図であり、』と主張し、さらに、摘記事項ｂに基づいて、『「表面を部分的にラップするように形成」は、パラジウムストライクめっきの核の表面の一部を金めっき粒子がラップ（被覆）した状態を意味し、［図１］，［図６］の図面参照記号３，４のパラジウム層，金層は、模式的に単純な層として表されていても、具体的には、表面から観察したとき、金めっき粒子がパラジウムストライクめっきの核を、金色を発色しないようにラップ（被覆）した状態を意味していることは明らかであり、このことは当業者であれば十分理解し得ることと考えます。』と主張する（審判請求書の平成２０年９月２日付の手続補正書３頁下から６行〜４頁１７行参照）。
（２）判断
　しかし、上記審判請求人の主張は採用することができない。
　すなわち、まず、図３は、審判請求人自ら、「図３は本願発明の表面処理の原理を示す模式図であり」と主張するように、金ラップめっきが、パラジウムストライクめっきの表面を部分的にラップ（被覆）する状態を模式的に示したものと解されるから、同図によって、パラジウムストライクめっき表面がどのように覆われていた場合に、「表面を部分的にラップする」ように形成されていると解すべきかを判断することはできない。
　また、本願発明１、３の「表面を部分的にラップする」ように形成されている金層は、その厚さが「０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲」であるとされていることからすると、金層の厚さが基準であると解する余地もあるが、本願補正発明１、３は、「上記金層の厚さが、０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように」形成されていることを発明特定事項としている。すると、金層の厚さに加えて、金層がパラジウムストライク表面を部分的にラップすることが規定されていると解されるから、金層の厚さを、「表面を部分的にラップする」ように形成されていることの基準とすることもできない。
　さらに、仮に審判請求人が主張するように、金めっき粒子がパラジウムストライクめっきの核を、「金色を発色しないように」ラップ（被覆）した状態であることが基準であるとしても、パラジウムストライクめっきの表面に金めっき層を形成する過程においては、金色でないパラジウムストライクめっきの下地の上に金層が形成されていくことによって、その表面が徐々に金色に変化するであろう点にかんがみると、金色を発色したか否かにより、「表面を部分的にラップする」ように形成されていることの基準とすることもできない。
　したがって、本願補正発明１、３の金層は、「表面を部分的にラップする」という発明特定事項について明確性を欠くというべきである。
　
４−２．特許法第３６条第４号の実施可能要件について
　次に、出願時の技術常識に照らして、本件補正後明細書に当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているかどうかについて、以下検討する。
（１）判断
　所定のめっきを形成するための製造条件として、めっき液の濃度、電流密度、液温の全部又は一部の組み合わせによる特定が不可欠であることが出願時の技術常識といえることは、例えば、以下の周知例に示すとおりである。
  しかるに、摘記事項（ｄ）〜（ｆ）を含む本件補正後明細書全体をみても、「金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように」形成するための条件としては、電流密度及び金液の濃度についての記載がうかがえるにとどまる。
　そして、電流密度については、摘記事項ｅに「電流密度０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２」と記載されているが、金液の濃度については、摘記事項ｅに「通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し」と記載されているにすぎず、「通常市販されている濃度」あるいは「通常市販されている濃度より薄い濃度」がどの程度の濃度の範囲を指すかは、出願時の技術常識を踏まえても、当業者が理解できる程度に明確かつ十分に記載されているということはできない。また、その他、液温等の製造条件の記載はない。
　よって、本件補正後明細書の発明の詳細な説明において、当業者が本願補正発明１、３の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているということはできない。
（２）周知技術　　
(i) 周知例１：日本プレーティング協会編「現場技術者のための実用めっき（Ｉ）（増補版）」、槇書店、平成９年７月２０日増補７刷発行、３９３、３９４頁　
　３９４頁の「各種金合金めっき液の標準組成と作業条件」に関する表１１−１には、「金及び金合金めっき液」の「代表的液組成および作業条件」として、
　「ｒｉｎｋｅｒ浴
　　　　クエン酸クエン酸ナトリウム　８０〜１００ｇ／ｌ
　　　　金ＫＡｕ（ＣＮ）２　８．０ｇ／ｌ　
　　　　ニッケル（スルファミン酸ニッケル）　３ｇ／ｌ
　　　　亜鉛（酢酸亜鉛として）　０．５ｇ／ｌ
　　　　ｐＨ　４．５〜５．０
　　　　Ｄｋ：１．０〜２．０Ａ／dm２　　　　温度：４０℃　」と記載されている。
(ii) 周知例２：日本プレーティング協会編「現場技術者のための実用めっき（III）」、槇書店、平成元年７月１０日１版２刷発行、１５２頁
　１５２頁の「薄付け金めっき浴」に関する表において、「２４Ｋイングリッシュ」について、金（シアン金カリウムとして）１．２５〜２ｇ／ｌ、６０〜７０℃、１〜４Ａ／dm２の条件が記載されている。
(iii) 周知例３：特開平１０−３１３０８７号公報
　【００１９】の「めっき液組成とめっき条件」に関する表２には、「３．Ｐｄめっき」について、「塩化Ｐｄアンモニウム  ５ｇ／ｌ、塩化アンモニウム　３０ｇ／ｌ、電流密度　０．５Ａ／dm２、温度　室温」、「７．Ａｕフラッシュめっき」について、「シアン化Ａｕカリウム　２ｇ／ｌ、クエン酸カリウム　４０ｇ／ｌ、クエン酸　４０ｇ／ｌ、電流密度　０．５Ａ／dm２、温度　室温」と記載されている。
(iv) 周知例４：特開平４−３３７６５７号公報
　【００１８】には、「光沢Ｎｉめっき（ワット浴）
　　　　ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ　　２５０ｇ／ｌ　　　　　　　
　　　　ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ　　５１ｇ／ｌ　　　　　　
　　　　Ｈ３ＢＯ３　　　　　　　５０ｇ／ｌ　　　　
　　　　・・・・　　　　
　　　　温度　　　　　５０℃　
　　　　電流密度　４Ａ／ｄｍ２　　　　アノード　　Ｎｉ板
　Ｐｄ−Ｎｉめっき液
　　　　・・・　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　金属Ｐｄ濃度　　１０ｇ／ｌ　　　　　　　
　　　　金属Ｎｉ濃度　　　６ｇ／ｌ　　　　　　
　　　　温度　　　　　３０℃
　　　　電流密度　　１Ａ／ｄｍ２　　　　アノード　　白金めっきチタン板
　Ａｕめっき液
　　　　・・・　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　金属Ａｕ濃度　　８ｇ／ｌ　　　　　　　
　　　　温度　　７０℃  
　　　　電流密度　　１Ａ／ｄｍ２　
　　　　アノード　　白金めっきチタン板  」と記載されている。
　
４−３．まとめ
　したがって、本願補正発明１、３の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、本件補正後明細書の発明の詳細な説明の記載は、同条第４項に規定する要件を見たしていないから、本願は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　なお、本件と関連する出願において、「表面を部分的にラップする」点が特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない旨判示された点にも留意する必要がある（平成２０年（行ケ）第１０１７１号）。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、原審における、平成２０年６月１３日付の手続補正に対する補正の却下の決定は適法なものである。
　
第３．本願発明の特許要件
１．本願発明１
　上記のとおり、原審における、平成２０年６月１３日付の手続補正に対する補正の却下の決定は適法なものであるから、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２０年２月７日付の手続補正書により補正された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１】　鉄合金母材、この鉄合金母材の表面上に形成されたニッケル層、このニッケル層上に形成されたパラジウム層、及びこのパラジウム層上に形成された金層を備え、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように形成されていることを特徴とする鉄合金電子部品。」
　
２．刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−３３７６５７号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１：特開平４−３３７６５７号公報
（１ａ）「【請求項１】インナーリード部およびアウターリード部を有する半導体装置用のリードフレームであって、前記リードフレームの全面にＮｉ系めっき層を有し、その上層の少なくともインナーリード部およびアウターリード部にＰｄまたはＰｄ合金めっき層を有し、さらにその上層の少なくともインナーリード部およびアウターリード部にＡｕめっき層を有することを特徴とする半導体装置用リードフレーム。」（特許請求の範囲の請求項１）
（１ｂ）「ＰｄまたはＰｄ合金めっき層１５は・・・Ｗ／Ｂ性、はんだ付け性を付与するが高価であるから層厚を余り厚くしない方が有利で、０．０１μｍ以上であればよい。」（【００１３】）
（１ｃ）「ＰｄまたはＰｄ合金めつき層１５の上にＡｕめっき層１６を設ける。・・・これにより低コストで半導体組立時の耐熱性を大幅に向上することができる。Ａｕめっき層１６の厚さは０．０１μｍ以上あれば半導体組立後も優れたＷ／Ｂ性、はんだ付け性を保つことができる。」（【００１４】）
（１ｄ）「（実施例２）Ｆｅ合金リードフレーム全面に光沢Ｎｉめっきを０．５μｍ　設けた後、Ｐｄ−Ｎｉめっきを０．１μｍ行ない、さらにＡｕめっきを０．０２μｍ行なった。各めっき厚は蛍光Ｘ線膜厚計により測定した。」（【００１８】）
　
３．当審の判断
３−１．引用例記載の発明
　引用例１の摘記事項（１ａ）によれば、Ｎｉ系めっき層を有し、その上層にＰｄ又はＰｄ合金めっき層を有し、さらにその上層にＡｕめっき層を有する半導体装置用リードフレームが記載され、摘記事項（１ｄ）によれば、実施例では、鉄合金リードフレームに、Ｎｉめっきを設けた後、Ｐｄ−Ｎｉめっきを０．１μｍ行ない、さらにＡｕめっきを０．０２μｍ行なったことが記載されている。すると、鉄合金母材の表面上に形成されたＮｉめっき層、このＮｉめっき層上に形成された厚さ０．１μｍのＰｄ又はＰｄ合金めっき層、及びこのＰｄ又はＰｄ合金めっき層上に形成された厚さ０．０２μｍのＡｕめっき層を備えた半導体装置用鉄合金リードフレームが開示されているといえる。
　そこで、引用例１の摘記事項（１ａ）、（１ｄ）の記載を総合すれば、引用例１には、「鉄合金母材、この鉄合金母材の表面上に形成されたニッケル層、このニッケル層上に形成されたパラジウム層、及びこのパラジウム層上に形成された金層を備え、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが０．１μｍ、上記金層の厚さが０．０２μｍ、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように形成されている半導体装置用鉄合金リードフレーム。」（以下、「引用例発明」という。）が記載されていることになる。　
　
３−２．対比と判断
　本願発明１と引用例発明とを対比すると、引用例発明の「半導体装置用鉄合金リードフレーム」は、本願発明１の「鉄合金電子部品」に相当するから、両者は、
　「鉄合金母材、この鉄合金母材の表面上に形成されたニッケル層、このニッケル層上に形成されたパラジウム層、及びこのパラジウム層上に形成された金層を備え、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが０．１μｍ、上記金層の厚さが０．０２μｍ、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように形成されている鉄合金電子部品。」で一致し、他に異なるところはない。
　してみると、本願発明１は、引用例発明である。
　　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。