Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる量のデータをデ―タベースに供給する局所サーバ・システムであって、  
前記データベースと、
複数の機能エンティティによって送出されたデータを受け取り、キュー構造を備えた中間バッファ記憶装置に、前記複数の機能エンティティによって送出された前記データを同期して送信するデータ・トラッカ装置を備え、
前記中間バッファ装置は、前記複数の機能エンティティによって送出された前記データを順次記憶し、前記データベースに、前記複数の機能エンティティによって送出された前記データを同期して送信する、前記キューを備えたことを特徴とする局所サーバ・システム。
【請求項２】
請求項１記載の局所サーバ・システムであって、前記中間バッファ記憶装置の空き状態の記憶空間及び占有状態の記憶空間の少なくとも一方を監視する記憶空間監視装置を更に備える局所サーバ・システム。
【請求項３】
請求項２記載の局所サーバ・システムであって、前記空き状態の記憶空間及び前記占有状態の記憶空間の少なくとも一方を検出し、前記記憶装置が、特定の記憶空間充填度を超えたか、又は下回った場合、信号を送出する警告装置を更に備える局所サーバ・システム。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の局所サーバ・システムであって、前記データベースは少なくとも２つのデータベース・エンティティを含み、  
第１のデータベース・エンティティは、前記中間バッファ記憶装置を介して、前記複数の機能エンティティによって送出された前記データを受け取り、  
前記複数の機能エンティティによって送出された前記データは、再生され、第２のデータベース・エンティティに送出されるためにデータ書込エンジンに送信される局所サーバ・システム。
【請求項５】
請求項４記載の局所サーバ・システムであって、前記データ書込エンジンは、前記複数の機能エンティティによって送出された前記データを前記第２のデータベース・エンティティに非同期で送出し、  
第２の中間バッファ記憶装置は、前記複数の機能エンティティによって送出された前記データを同期して受け取り、同期データ・ストリームとして前記複数の機能エンティティによって送出された前記データを前記第２のデータベース・エンティティに送信する局所サーバ・システム。
【請求項６】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の局所サーバ・システムであって、前記データ・トラッカ装置は、前記複数の機能エンティティに関する情報へのすばやいアクセスを可能にするキャッシュ・メモリを含む局所サーバ・システム。
【請求項７】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の局所サーバ・システムであって、前記データ・トラッカ装置内の一次情報が、起動手順後に前記データベースから取り出される局所サーバ・システム。
【請求項８】
複数の機能エンティティのうちの少なくとも１つとの間で送受信されたデータを処理するための状態依存性データ処理方法であって、  
状態依存性データ処理装置に、調節可能な等時間間隔で、前記状態依存性データ処理装置による要求により、かつ、前記複数の機能エンティティの前記少なくとも１つによって起動される通信経由の少なくとも１つにおいて前記複数の機能エンティティそれぞれにより、ステータス情報を送出する工程と、  
前記状態依存性データ処理装置における前記複数の機能エンティティそれぞれの前記ステータス情報を記憶する工程と、  
特定された時間を前記ステータス情報に割り当てる工程と、  
前記特定された時間よりも遅い時間に受け取られた新たなステータス情報を前記ステータス情報と比較する工程と、  
前記新たなステータス情報が前記ステータス情報と異なる場合に、前記新たなステータス情報を記憶する工程と
を含み、
前記調節可能な等時間間隔は１つ又は複数のパラメータに基づいて調節可能である状態依存性データ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
床台の上部に配設されたケーシング内を仕切り壁により仕切ってエンジン室と排風室とに区画し、前記エンジン室の床台に作業機と該作業機を駆動するエンジンとを配置し、前記仕切り壁にラジエータを配置するとともに、エンジン室に設けた吸気口から吸引した冷却空気を、前記ラジエータを介して前記排風室に流入させ、該排風室の天板部に設けた排風口から排出するエンジン作業機において、前記排風室の底板の両側に、前記排風口から排風室内に浸入した雨水を排風室内から排出するための排水口をそれぞれ設けるとともに、前記底板の下面に、前記各々の排水口から排出される雨水を受ける集水器をそれぞれ設け、前記床台の両側壁に、前記各排水口から各集水器を介して下方に排出された雨水を床台の外部に排出する樋部材を取り付けるための樋部材取付用の開口部を設けたことを特徴とするエンジン作業機。
【請求項２】
前記排風室の内部に、前記排水口側に向かって下方に傾斜したガイド板を設けるとともに、該ガイド板の下端部から前記排水口に向けて雨水を流下させる縦樋を設けたことを特徴とする請求項１記載のエンジン作業機。
【請求項３】
前記開口部は、前記樋部材の非取付時に閉塞部材によって閉塞されることを特徴とする請求項１又は２記載のエンジン作業機。
【請求項４】
前記樋部材は、前記床台の下部に防油堤を設けたときに前記開口部に取り付けられることを特徴とする請求項１又は２記載のエンジン作業機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明のエンジン作業機は、床台の上部に配設されたケーシング内を仕切り壁により仕切ってエンジン室と排風室とに区画し、前記エンジン室の床台に作業機と該作業機を駆動するエンジンとを配置し、前記仕切り壁にラジエータを配置するとともに、エンジン室に設けた吸気口から吸引した冷却空気を、前記ラジエータを介して前記排風室に流入させ、該排風室の天板部に設けた排風口から排出するエンジン作業機において、前記排風室の底板の両側に、前記排風口から排風室内に浸入した雨水を排風室内から排出するための排水口をそれぞれ設けるとともに、前記底板の下面に、前記各々の排水口から排出される雨水を受ける集水器をそれぞれ設け、前記床台の両側壁に、前記各排水口から各集水器を介して下方に排出された雨水を床台の外部に排出する樋部材を取り付けるための樋部材取付用の開口部を設けたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、本発明のエンジン作業機は、前記排風室の内部に、前記排水口側に向かって下方に傾斜したガイド板を設けるとともに、該ガイド板の下端部から前記排水口に向けて雨水を流下させる縦樋を設けたことを特徴とし、前記開口部は前記樋部材の非取付時に閉塞部材によって閉塞されること、前記樋部材は、前記床台の下部に防油堤を設けたときに前記開口部に取り付けられることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却流体によって壁を冷却するための多重インピンジメント複合体であって、多重インピンジメント複合体が壁の表面と平面的且つ熱伝導可能に接触可能（１７）であり、またピンホールとして形成されてピンホール層（２）の面上に分散配置される複数の貫通孔（３）を備えた複数のピンホール層（２）と複数のウェブ層（６）とを有し、これらのウェブ層がピンホール層（２）と交互に重ねて配置されかつそれぞれ複数のウェブ（７）を有し、これらのウェブがピンホール層（２）の面上に分散配置されかつそれぞれピンホール層を橋絡しており、一方のウェブ層（６）の各ウェブ（７）が他方のウェブ層（７）の各１つのウェブ（７）と一直線に並べて配置されており、一方のピンホール層（２）の各貫通孔（３）が隣接ピンホール層（３）の貫通孔（３）に対してずらして配置されており、これにより多重インピンジメント複合体（１）がその一方の平坦面（１６）に冷却流体を加圧付加されているとき冷却流体が貫通孔（３）内を流れ、かつウェブ（７）とピンホール層（２）との間にある空隙（８）を貫流し、これによりウェブ（７）内に壁から導かれる熱流（１５）が前記冷却流体で排出可能である多重インピンジメント複合体。
【請求項２】
ウェブ（７）の長手方向がピンホール層（２）に対して垂直に延びている請求項１記載の多重インピンジメント複合体。
【請求項３】
ウェブ（７）が長方形格子状にピンホール層（２）の面にわたって均一に分散配置されている請求項２記載の多重インピンジメント複合体。
【請求項４】
直接隣接する４つのウェブ（７）に対して貫通孔（３）がそれぞれ等距離に配置されており、４つのウェブ（７）の間に生じる空隙（８）が一方のピンホール層（２）または他方のピンホール層（２）のいずれかに貫通孔（３）の１つを有し、貫通孔（３）が互い違いに配置されている請求項３記載の多重インピンジメント複合体。
【請求項５】
ウェブ（７）が円形横断面（９）を有する請求項４記載の多重インピンジメント複合体。
【請求項６】
ウェブ（７）が、対向する２つの鈍角エッジ（１２）と対向する２つの鋭角エッジ（１１）とを備えた槍先形横断面（１０）を有する請求項４記載の多重インピンジメント複合体。
【請求項７】
複数の鋭角エッジ（１１）と交差する仮想線上にそのピンホール層（２）の複数の貫通孔（３）があり、多重インピンジメント複合体（１）がその一方の平坦面（１６）に冷却流体を加圧付加されているとき、これらの貫通孔（３）を通して４つのウェブ（７）の間に形成された空隙（８）内に冷却流体が流出する請求項６記載の多重インピンジメント複合体。
【請求項８】
複数の鈍角エッジ（１２）と交差する仮想線上にそのピンホール層（２）の複数の貫通孔（３）があり、多重インピンジメント複合体（１）がその一方の平坦面（１６）に冷却流体を加圧付加されているとき、これらの貫通孔（３）を通して４つのウェブ（７）の間に形成された空隙（８）内に冷却流体が流入する請求項６記載の多重インピンジメント複合体。
【請求項９】
貫通孔（３）の箇所でピンホール層（２）の板面が面取りされている請求項１ないし８のいずれか１つに記載の多重インピンジメント複合体。
【請求項１０】
多重インピンジメント複合体（１）が壁の表面と平面的且つ熱伝導可能に接触（１７）している請求項１ないし９のいずれか１つに記載の多重インピンジメント複合体を有する壁。
【請求項１１】
多重インピンジメント複合体がウェブ層（６）の１つで前記壁に当接しており、この壁が複数の貫通孔（３）を有し、こうして壁がピンホール層（２）の１つとして形成されている請求項１０記載の壁。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか１つに記載の多重インピンジメント複合体（１）を製造するための方法であって、多重インピンジメント複合体の個々の層をスクリーン印刷法で順次印刷するステップを含み、２つのピンホール層（２）および１つのウェブ層（７）用にそれぞれスクリーンマスクが作製され、このスクリーンマスクを通してペーストが加圧される方法。
【請求項１３】
前記ペーストが金属粉末と結合剤とを有する請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記スクリーンマスクが金属フィルムから光化学的に製造される請求項１２または１３記載の方法。
【請求項１５】
請求項１ないし８のいずれか１つに記載の多重インピンジメント複合体（１）を製造するための方法であって、一定した横断面の層から多重インピンジメント複合体（１）の複数のブロックを予め作製するステップと、これらのブロックを予備乾燥して積重ねるステップとを含む方法。
【請求項１６】
多重インピンジメント複合体（１）が焼結される請求項１２ないし１５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１７】
ピンホール層（２）の板厚がウェブ層（７）の厚さと同じオーダーである請求項１２ないし１６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１８】
請求項１ないし８のいずれか１つに記載の多重インピンジメント複合体（１）を製造するための方法であって、薄い金属フィルムから複数のピンホール層（２）および複数のウェブ層（７）を作製するステップと、これらの金属フィルムを重ねて多重インピンジメント複合体（１）を形成するステップと、液相拡散接合によってこれらの金属フィルムを接合するステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月19日(2011.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）分子中にケイ素官能基として平均２個以上のシラノール基および／またはケイ素原子に結合したケトキシマト基を有し、２３℃における粘度が２０，０００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであるケイ素官能性ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して、
（Ｂ）分子中に１個のシラノール基またはケイ素原子に結合したケトキシマト基を有するケイ素官能性ポリオルガノシロキサン５〜１００重量部と、
（Ｃ）平均粒子径が０．５〜１０μｍの炭酸カルシウム２０〜２００重量部と、
（Ｄ）架橋剤である加水分解性基を有するシラン化合物０．５〜２５重量部、および
（Ｅ）硬化触媒０．０１〜１０重量部
をそれぞれ含有してなり、
前記（Ｄ）成分である加水分解性基を有するシラン化合物は、（Ｄ1）メルカプト基を有する加水分解性基含有シラン化合物を、前記（Ａ）成分であるケイ素官能性ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して０．０５〜５．０重量部の割合で含有することを特徴とする室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物。
【請求項２】
前記（Ｄ）成分である加水分解性基を有するシラン化合物の一部として、ケイ素原子に結合したケトキシマト基を有するシラン化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物。
【請求項３】
前記（Ｄ1）メルカプト基を有する加水分解性基含有シラン化合物は、前記加水分解性基としてメトキシ基またはエトキシ基を有することを特徴とする請求項１または２記載の室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物。
【請求項４】
前記（Ｄ）成分である加水分解性基を有するシラン化合物の一部として、ケイ素原子に結合した置換または非置換の炭化水素基を有するシラン化合物を含有することを特徴とする請求項1乃至３のいずれか１項に記載の室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物。
【請求項５】
前記（Ｄ1）メルカプト基を有する加水分解性基含有シラン化合物を、前記（Ａ）成分であるケイ素官能性ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して、０．１〜４．０重量部の割合で含有することを特徴とする請求項1乃至４のいずれか１項に記載の室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物は、（Ａ）分子中にケイ素官能基として平均２個以上のシラノール基および／またはケイ素原子に結合したケトキシマト基を有し、２３℃における粘度が２０，０００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであるケイ素官能性ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して、（Ｂ）分子中に１個のシラノール基またはケイ素原子に結合したケトキシマト基を有するケイ素官能性ポリオルガノシロキサン５〜１００重量部と、（Ｃ）平均粒子径が０．５〜１０μｍの炭酸カルシウム２０〜２００重量部と、（Ｄ）架橋剤である加水分解性基を有するシラン化合物０．５〜２５重量部、および（Ｅ）硬化触媒０．０１〜１０重量部をそれぞれ含有してなり、前記（Ｄ）成分である加水分解性基を有するシラン化合物は、（Ｄ1）メルカプト基を有する加水分解性基含有シラン化合物を、前記（Ａ）成分であるケイ素官能性ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して０．０５〜５．０重量部の割合で含有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【表１】
2010144124.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【表２】
2010144124.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、水性媒体、カーボンブラック、及び分散樹脂を含有し、該カーボンブラックの濃度が２質量％以下である淡インク組成物と、少なくとも、水性媒体、カーボンブラック、及び分散樹脂を含有し、該カーボンブラックの濃度が２質量％を超える濃インク組成物とを、少なくとも有する、インクジェット記録用のインクセットにおいて、
前記淡インク組成物中のカーボンブラックのＤＢＰ吸油量が１２０ｍｌ／１００ｇ以上であり、前記濃インク組成物中のカーボンブラックのＤＢＰ吸油量が８０ｍｌ／１００ｇ以下であり、
さらに、前記淡インク組成物中における、カーボンブラックの濃度Ｐ１（質量％）と分散樹脂の濃度Ｂ１（質量％）との比（Ｐ１／Ｂ１）が、前記濃インク組成物中における、カーボンブラックの濃度Ｐ２（質量％）と分散樹脂の濃度Ｂ２（質量％）との比（Ｐ２／Ｂ２）以下であることを特徴とするインクセット。
【請求項２】
前記濃インク組成物中における、カーボンブラックの濃度Ｐ２（質量％）と分散樹脂の濃度Ｂ２（質量％）との比（Ｐ２／Ｂ２）が、１．０以上２．０以下である請求項１に記載のインクセット。
【請求項３】
少なくとも前記淡インク組成物及び前記濃インク組成物に含有されている分散樹脂が、ブロック共重合体である請求項１又は２に記載のインクセット。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインクセットを用いて、インク組成物の液滴を吐出し、該液滴を記録媒体上に付着させて印字を行うことを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクセット及びインクジェット記録方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、少なくとも、水性媒体、カーボンブラック、及び分散樹脂を含有しているインク組成物を有するインクセット、並びにインクジェット記録方法に関する。詳細には、光沢紙などにインクジェット記録した場合において、耐擦過性に優れるとともに、光沢ムラを改善した画像の形成が可能なインクセット、及びインクジェット記録方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
したがって、本発明の目的は、画像の耐擦過性を改善させるとともに、画像の光沢ムラを低減させることのできるカーボンブラックを含有した濃淡インクで構成されたインクセット、及び上記インクセットを用いたインクジェット記録方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明者らは、従来技術の課題に対し鋭意検討した結果、濃インクと淡インクとを有するインクセットにおいて、各インクに含まれる顔料と分散樹脂の質量比、及び各インクに含まれる顔料のＤＢＰ（ジブチルフタレート）吸油量を最適化することで、画像の耐擦過性及び光沢ムラを改善できることを見出した。すなわち、本発明は、以下の通りである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、少なくとも、水性媒体、カーボンブラック、及び分散樹脂を含有し、該カーボンブラックの濃度が２質量％以下である淡インクと、少なくとも、水性媒体、カーボンブラック、及び分散樹脂を含有し、該カーボンブラックの濃度が２質量％を超える濃インクとを、少なくとも有する、インクジェット記録用のインクセットにおいて、前記淡インク中におけるカーボンブラックのＤＢＰ吸油量が１２０ｍｌ／１００ｇ以上であり、前記濃インク中におけるカーボンブラックのＤＢＰ吸油量が８０ｍｌ／１００ｇ以下であり、さらに、前記淡インク中におけるカーボンブラックの濃度Ｐ１（質量％）と分散樹脂の濃度Ｂ１（質量％）との比（Ｐ１／Ｂ１）が、前記濃インク中におけるカーボンブラックの濃度Ｐ２（質量％）と分散樹脂の濃度Ｂ２（質量％）との比（Ｐ２／Ｂ２）以下であることを特徴とするインクセットである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の別の実施形態は、前記本発明のインクセットを用いて、インク組成物の液滴を吐出し、該液滴を記録媒体上に付着させて印字を行うことを特徴とするインクジェット記録方法である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、画像の耐擦過性を改善させるとともに、画像の光沢ムラを低減させることができるカーボンブラックを含有した濃淡インクで構成されたインクセット、及びインクジェット記録方法が提供される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
以上で得られたインクを参考例１〜１０及び比較例１〜７とし、その構成を表１中に示した。なお、表１中の「Ｐ／Ｂ」は、インク中における、顔料濃度Ｐ（質量％）と分散樹脂濃度Ｂ（質量％）との比である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
2010144020.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
以上説明したように、本発明によれば、カーボンブラック濃度の異なる濃淡インクを使用して、画像の耐擦過性が改善されるとともに、画像の光沢ムラを低減した画像形成ができるインクセット、及びインクジェット記録方法の提供が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素を基本的に含まず、バインダー相が５〜２５vol％Ｃｏの量のＣｏであり、Ｔｉ：Ｗ原子比が２．５〜１０になる量でＴｉＣおよびＷＣを更に含むサーメット部材であって、Ｃｒ：Ｃｏ原子比が０．０２５〜０．１４になる量で更にＣｒを含むことを特徴とするサーメット部材。
【請求項２】
Ｃｒ：Ｃｏ原子比が０．０３５〜０．０９であることを特徴とする請求項１に記載のサーメット部材。
【請求項３】
ＴｉＣALRが焼結済材料中のＴｉＣ核のＴｉＣ平均長さ比であり、ＴｉＣVR,rawが原材料中のＴｉＣの体積分率である比ｘTic＝ＴｉＣALR／ＴｉＣVR,rawが、１／５より大きいことを特徴とする請求項１または２に記載のサーメット部材。
【請求項４】
前記サーメット部材が５から１２vol％の量のコバルトを含み、前記サーメット部材が１７００〜２５００ＨＶ３の硬さを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のサーメット部材。
【請求項５】
前記サーメット部材が１２〜２５vol％の量のコバルトを含み、前記サーメット部材が１４００〜２０００ＨＶ３の硬さを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のサーメット部材。
【請求項６】
Ｔｉ：Ｗ原子比が４．５〜１０であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のサーメット部材。
【請求項７】
Ｔｉ：Ｗ原子比が２．５〜４．５であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のサーメット部材。
【請求項８】
ＴｉＣおよびＷＣを含む硬質成分を形成する粉末およびバインダー相を形成するコバルト粉末の混合物を混練により形成する工程、前記混合物の造粒工程、加圧成形工程および焼結してサーメット部材にする工程を含む、基本的に窒素を含まないサーメット部材を製造する方法であって、焼結後にコバルトバインダー相がサーメット部材の５〜２５vol％を構成するような量でコバルトが加えられ、ＴｉＣおよびＷＣが、Ｔｉ：Ｗ原子比が２．５〜１０になる量で加えられ、Ｃｒが、Ｃｒ：Ｃｏ原子比が０．０２５〜０．１４になる量で加えられることを特徴とする方法。
【請求項９】
クロムが、コバルトとプリアロイされた状態で添加されることを特徴とする請求項８に記載のサーメット部材を製造する方法。
【請求項１０】
クロムがＣｒ3Ｃ2として添加されることを特徴とする請求項８または９に記載のサーメット部材を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが形成された半導体基板を載置して水平方向に移動させることが可能なステージと、
前記半導体基板の検査対象領域に対して紫外領域の照明光を照射する光源と、
前記紫外領域の照明光が前記検査対象領域に照射するのを遮断する遮断手段と、
前記半導体基板を損傷しない範囲内の前記紫外領域の照明光の照射可能時間を格納する照射条件格納手段と、
前記ステージが停止したことを検出することにより、前記照射条件格納手段に格納された照射可能時間の間、前記紫外領域の照明光を前記検査対象領域に照射し、前記照射可能時間の終了により、前記紫外領域の照明光を遮断するように前記遮断手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
前記照射条件格納手段は、前記半導体基板を検査する各検査工程における前記半導体基板の性質と対応付けられた、前記半導体基板を損傷しない範囲内の前記紫外領域の照明光の光量上限値を格納し、
前記制御手段は、前記照射条件格納手段に格納された光量上限値以下の光量で前記紫外領域の照明光を前記検査対象領域に照射する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項３】
前記紫外領域の照明光は、多波長の紫外領域の照明光から構成されており、
前記照射条件格納手段は、前記多波長の紫外領域の照明光の波長毎に光量上限値を格納し、
前記制御手段は、前記波長毎に光量上限値以下の光量で照射する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項４】
前記検査対象領域に照射された紫外領域の照明光の反射光を受光して前記検査対象領域の基板画像を撮影する撮影手段と、
前記撮影手段によって撮影された基板画像を表示する表示手段と、
をさらに備え、
前記制御手段は、前記紫外領域の照明光を遮断する際、前記撮像手段によって撮像されている基板画像の静止画像を撮像してメモリに格納し、前記メモリに格納された静止画像を前記表示手段に表示させるように制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体検査装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記ステージが移動を開始したことを検出することにより、前記静止画像の表示から前記基板画像の動画像表示に切り替えて前記表示手段に表示させるように制御する、
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体検査装置。
【請求項６】
前記遮断手段は、前記光源と前記検査対象領域との間の光路中に配置され、前記紫外領
域の照明光を通過させる状態から遮断させる状態へ切り替えるシャッター機構である、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の半導体検査装置。
【請求項７】
前記遮断手段は、前記光源から出力される光量を０又は略０にする、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の半導体検査装置。
【請求項８】
前記照明可能照射時間は、前記半導体基板を検査する各検査工程における前記半導体基板の性質と対応付けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項９】
回路パターンが形成された半導体基板を載置して水平方向に移動させることが可能なステージと、
前記半導体基板の検査対象領域に対して紫外領域の照明光を照射する光源と、
前記紫外領域の照明光が前記検査対象領域に照射するのを遮断する遮断手段と、
前記半導体基板を損傷しない範囲内の前記紫外領域の照明光の照射可能時間を格納する照射条件格納手段と、
を備える半導体検査装置において実行される半導体検査方法であって、
前記ステージが停止したことを検出することにより、前記紫外領域の照明光が前記検査対象領域に照射されている時間の計時を開始し、
前記照射条件格納手段に格納された照射可能時間の終了により、前記紫外領域の照明光を遮断するように前記遮断手段を制御する、
ことを特徴とする半導体検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するため、下記のような構成を採用した。
すなわち、本発明の一態様によれば、本発明の半導体検査装置は、回路パターンが形成された半導体基板を載置して水平方向に移動させることが可能なステージと、前記半導体基板の検査対象領域に対して紫外領域の照明光を照射する光源と、前記紫外領域の照明光が前記検査対象領域に照射するのを遮断する遮断手段と、前記半導体基板を損傷しない範囲内の前記紫外領域の照明光の照射可能時間を格納する照射条件格納手段と、前記ステージが停止したことを検出することにより、前記照射条件格納手段に格納された照射可能時間の間、前記紫外領域の照明光を前記検査対象領域に照射し、前記照射可能時間の終了により、前記紫外領域の照明光を遮断するように前記遮断手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の半導体検査装置は、前記遮断手段が、前記光源から出力される光量を０又は略０にすることが望ましい。
また、本発明の半導体検査装置は、前記照明可能照射時間が、前記半導体基板を検査する各検査工程における前記半導体基板の性質と対応付けられていることが望ましい。
また、本発明の一態様によれば、本発明の半導体検査方法は、回路パターンが形成された半導体基板を載置して水平方向に移動させることが可能なステージと、前記半導体基板の検査対象領域に対して紫外領域の照明光を照射する光源と、前記紫外領域の照明光が前記検査対象領域に照射するのを遮断する遮断手段と、前記半導体基板を損傷しない範囲内の前記紫外領域の照明光の照射可能時間を格納する照射条件格納手段とを備える半導体検査装置において実行される半導体検査方法であって、前記ステージが停止したことを検出することにより、前記紫外領域の照明光が前記検査対象領域に照射されている時間の計時を開始し、前記照射条件格納手段に格納された照射可能時間の終了により、前記紫外領域の照明光を遮断するように前記遮断手段を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる位置に、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、非晶質を含み、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体層表面の垂直方向に沿ってｃ軸配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる位置に、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、非晶質を含み、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体層表面の垂直方向に沿ってｃ軸配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
ガスを用いたＲＴＡ法を用いて、前記酸化物半導体層中の水素、水分、又はＯＨの脱離を行うための加熱処理を行う工程と、を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる位置に、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、非晶質を含み、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体層表面の垂直方向に沿ってｃ軸配向した結晶を含み、
前記ｃ軸配向した結晶を含む前記第２の領域は、前記加熱処理により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上に前記酸化物半導体層を形成する工程と、
ガスを用いたＲＴＡ法を用いて、前記酸化物半導体層中の水素、水分、又はＯＨの脱離を行うための加熱処理を行う工程と、を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる位置に、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、非晶質を含み、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体層表面の垂直方向に沿ってｃ軸配向した結晶を含み、
前記ｃ軸配向した結晶を含む前記第２の領域は、前記加熱処理により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
ガスを用いたＲＴＡ法を用いて、前記酸化物半導体層中の水素、水分、又はＯＨの脱離を行うための加熱処理を行う工程と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる位置に、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、非晶質を含み、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体層表面の垂直方向に沿ってｃ軸配向した結晶を含み、
前記ｃ軸配向した結晶を含む前記第２の領域は、前記加熱処理により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体層を形成する工程と、
ガスを用いたＲＴＡ法を用いて、前記酸化物半導体層中の水素、水分、又はＯＨの脱離を行うための加熱処理を行う工程と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる位置に、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、非晶質を含み、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体層表面の垂直方向に沿ってｃ軸配向した結晶を含み、
前記ｃ軸配向した結晶を含む前記第２の領域は、前記加熱処理により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材を付与することにより記録媒体に画像を記録するための画像処理装置であって、
前記画像に含まれるオブジェクトのサイズに関する情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記オブジェクトのサイズに関する情報に応じて、前記オブジェクトのエッジ領域と内部領域のうち該内部領域を記録するための前記記録材の付与量を低減させるための処理を行う低減画像の非エッジ部のデータを間引くための間引き率を決定するための決定手段と、を備え、
前記オブジェクトのサイズが第１のサイズの場合に単位領域あたりの前記記録材の付与量を低減させる量は、前記オブジェクトのサイズが前記第１のサイズよりも小さい第２のサイズの場合に前記単位領域あたりの前記記録材の付与量を低減させる量よりも少ないことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記オブジェクトの属性を判定する判定手段を更に備え、
前記取得手段は、前記オブジェクトの属性が文字と判定された場合に前記文字のサイズに関する情報を取得するための手段を含み、
前記低減手段は、前記文字のサイズに関する情報に応じて前記文字の内部領域に対する前記記録材の付与量を低減することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記文字のサイズに関する情報は、前記文字のポイント数であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記オブジェクトの属性を判定する判定手段を更に備え、
前記取得手段は、前記オブジェクトの属性が線画と判定された場合に前記線画のサイズに関する情報を取得するための手段を含み、
前記低減手段は、前記線画のサイズに関する情報に応じて前記線画の内部領域に対する前記記録材の付与量を低減することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記線画のサイズに関する情報は、前記線画のポイント数であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記記録材の付与量を低減させる処理は、前記記録材を付与することを示すデータを間引く間引き処理であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記記録媒体に前記記録材を付与する付与手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
記録材を付与することにより記録媒体に画像を記録するための画像処理方法であって、
前記画像に含まれるオブジェクトのサイズに関する情報を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された前記オブジェクトのサイズに関する情報に応じて前記オブジェクトのエッジ領域と内部領域のうち該内部領域を記録するための前記記録材の付与量を低減させるための処理を行う低減工程と、を備え、
前記低減工程において、前記オブジェクトのサイズが第１のサイズの場合に単位領域あたりの前記記録材の付与量を決定させる量は、前記オブジェクトのサイズが前記第１のサイズよりも小さい第２のサイズの場合に前記単位領域あたりの前記記録材の付与量を決定させる量よりも少ないことを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１から７のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明は、記録材を付与することにより記録媒体に画像を記録するための画像処理装置であって、前記画像に含まれるオブジェクトのサイズに関する情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記オブジェクトのサイズに関する情報に応じて、前記オブジェクトのエッジ領域と内部領域のうち該内部領域を記録するための前記記録材の付与量を低減させるための処理を行う低減画像の非エッジ部のデータを間引くための間引き率を決定するための決定手段と、を備え、前記オブジェクトのサイズが第１のサイズの場合に単位領域あたりの前記記録材の付与量を低減させる量は、前記オブジェクトのサイズが前記第１のサイズよりも小さい第２のサイズの場合に前記単位領域あたりの前記記録材の付与量を低減させる量よりも少ないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る押しボタン構造は、スイッチを筐体の内部に配置し、筺体の側面に設けた開口部に押しボタン部材を装着し、押しボタン部材の本体部に設けられた操作面が筺体外部から加重操作されることで押しボタン部材を筺体内に移動させてスイッチを押すように構成される押しボタン構造において、筺体は、鉛直方向に回転の中心を有する筐体側回転部を備え、押しボタン部材は、本体部の操作面に対する側面から延びる弾性片と、当該弾性片の先端部に設けられ押しボタン部材が筐体に装着された状態で鉛直方向に回転の中心を有するボタン側回転部とを備え、互いの回転の中心が一致するようにボタン側回転部と筐体側回転部とを枢着させるようにしたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチを筐体の内部に配置し、前記筺体の側面に設けた開口部に押しボタン部材を装着し、前記押しボタン部材の本体部に設けられた操作面が前記筺体外部から加重操作されることで前記押しボタン部材を前記筺体内に移動させて前記スイッチを押すように構成される押しボタン構造において、
前記筺体は、鉛直方向に回転の中心を有する筐体側回転部を備え、
前記押しボタン部材は、前記本体部の前記操作面に対する側面から延びる弾性片と、当該弾性片の先端部に設けられ前記押しボタン部材が前記筐体に装着された状態で鉛直方向に回転の中心を有するボタン側回転部とを備え、
互いの回転の中心が一致するように前記ボタン側回転部と前記筐体側回転部とを枢着させたことを特徴とする押しボタン構造。
【請求項２】
前記押しボタン部材は、前記弾性片の延びる前記側面と反対側の側面から延びる第２の弾性片をさらに備え、
前記筐体は、前記筺体外部から前記操作面への加重操作時に前記第２の弾性片に当接する位置に配置されるリブをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の押しボタン構造。
【請求項３】
前記筐体は、前記第２の弾性片を鉛直方向に弾性変形させることにより前記押しボタン部材を仮留め可能な位置に配置される第２のリブをさらに備えたことを特徴とする請求項２記載の押しボタン構造。
【請求項４】
スイッチを筐体の内部に配置し、前記筺体の側面に設けた開口部に押しボタン部材を装着し、前記押しボタン部材の本体部に設けられた操作面が前記筺体外部から加重操作されることで前記押しボタン部材を前記筺体内に移動させて前記スイッチを押すように構成される押しボタン構造において、
前記筺体は、前記開口部を挟んで互いに平行に配置され、鉛直方向に回転の中心を有する一対の筐体側回転部を備え、
前記押しボタン部材は、結合可能な前記本体部と前記スイッチを押下する押下面を有する押しボタン基材とを含んで形成され、
前記押しボタン基材は、前記押下面に対する両側面から延びる一対の弾性片と、当該一対の弾性片のそれぞれの先端部に設けられ前記押しボタン部材が前記筐体に装着された状態で鉛直方向に回転の中心を有する一対のボタン側回転部とを備え、
互いの回転の中心が一致するように前記一対のボタン側回転部のそれぞれと前記一対の筐体側回転部のそれぞれとを枢着させたことを特徴とする押しボタン構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体記憶装置に関し、特に、ＲＯＭチップの物理的な観察からＲＯＭデータが解読されるのを困難化する方法に適用して好適なものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、ＲＯＭチップの物理的な観察からＲＯＭデータが解読されるのを困難化することが可能な半導体記憶装置を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様によれば、ビット線と電源線との間の接続経路上の第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の箇所のうち少なくとも１箇所以上において切断箇所が設けられることでＲＯＭデータとして‘１’が書き込まれており、前記切断箇所が一致しない複数個のメモリセルと、前記ビット線と前記電源線との間の接続経路上に切断箇所が設けられておらずＲＯＭデータとして‘０’が書き込まれたメモリセルとを備えることを特徴とする半導体記憶装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と電源線との間の接続経路上の第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の箇所のうち少なくとも１箇所以上において切断箇所が設けられることでＲＯＭデータとして‘１’が書き込まれており、前記切断箇所が一致しない複数個のメモリセルと、
前記ビット線と前記電源線との間の接続経路上に切断箇所が設けられておらずＲＯＭデータとして‘０’が書き込まれたメモリセルと、を有するメモリセル群を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記接続経路には、互いに異なる層に前記第１〜第Ｎの箇所に対応する第１〜第Ｎのコンタクト電極が設けられ、前記切断箇所が設けられたメモリセルにおいては、それぞれの切断箇所に対応した前記第１〜第Ｎのコンタクト電極がそれぞれ配置されていないことを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記切断箇所が設けられたメモリセルは、それぞれ前記接続経路上で前記ビット線と切断されたトランジスタを備えており、
前記切断箇所が設けられていないメモリセルは、前記接続経路を介して前記ビット線と接続されたトランジスタを備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記メモリセル群は、ロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記メモリセル群は、隣接する２個の前記メモリセルごとにソースが共有されたメモリセル対を備え、
前記メモリセル対は、
前記ビット線と前記電源線との間の接続経路上において両方のメモリセルに切断箇所が設けられておらずＲＯＭデータとして‘００’が書き込まれた第１のメモリセル対と、
前記ビット線と前記電源線との間の接続経路上で一方のメモリセルに切断箇所が設けられることでＲＯＭデータとして‘１０’が書き込まれた第２のメモリセル対と、
前記ビット線と前記電源線との間の接続経路上で他方のメモリセルに切断箇所が設けられることでＲＯＭデータとして‘０１’が書き込まれた第３のメモリセル対と、
前記ビット線と前記電源線との間の接続経路上で両方のメモリセルに切断箇所が設けられることでＲＯＭデータとして‘１１’が書き込まれた第４のメモリセル対とを備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
端子台１６は鍔部外方に突出して形成され、一方の端子台１６Ａの上面はカバー５０を載置する平坦部１７を有し、この平坦部１７にはカバー５０の後述する係止爪５１を係止する溝部１７Ｂを設ける。この一方の端子台１６Ａにはカバー５０を載置しその上面にコモンモードコア４０を載置する。
またカバー５０を載置する一方の端子台１６Ａの高さは、カバー５０を載置しない他方の端子台１６Ｂの高さよりカバー５０の厚み分低く形成している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
またノーマルモードコア３０は、中鍔部１４の凹部１５内に一端３０Ａが挿入されこの一端３０Ａが凹部１５内の開口底面１５Ａに突き当てられると共に、中鍔部１４の凹部１５の開口から突出する他端３０Ｂがカバー５０により押接されるため、ノーマルモードコア３０のより正確な位置決めができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011086842.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011086842.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011086842.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２は、本実施例の２次元フォトニック結晶発光ダイオードの発光のメカニズムを示す模式図である。なお、図２では第１活性層１２及び第２活性層１３をそれぞれ複数の層で表しているが、これは第１活性層１２及び第２活性層１３は多重量子井戸構造であることを示している。
本実施例の２次元フォトニック結晶発光ダイオードでは、第１活性層１２及び第２活性層１３の局在準位領域において、第２電極１６（又は透明電極層１５）及び第１電極１７から注入された電子及び正孔が再結合することにより、短波長光２０及び長波長光２１がそれぞれ放出される。ここで、長波長光２１の発光効率は、第１活性層１２に設けられた空孔１８により低下している。しかしながら、短波長光２０が第２活性層１３に吸収され、光励起が生じることにより、長波長光２１Ａが第２活性層１３で再発光される。従って、本来の発光過程で生じた長波長光２１と再発光により生じた長波長光２１Ａとが、空孔１８より外部に放出され、その結果、発光効率と光取り出し効率の高い２次元フォトニック結晶発光ダイオードを得ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図６に、本変形例の２次元フォトニック結晶発光ダイオードの発光のメカニズムを示す模式図を示す。本変形例の２次元フォトニック結晶発光ダイオードの第２活性層１３からは、上記実施例と同様に、本来の発光過程により生じる長波長光２１と、第１活性層１２が発する短波長光２０を吸収することにより再発光された長波長光２１Ａとが、空孔１８から放出される。一方、第１活性層１２が発する短波長光２０の全てが第２活性層１３に吸収されないようにすることにより、短波長光２０の一部である短波長光２０Ａを空孔１８から放出させる。この短波長光２０Ａと、長波長光２１及び２１Ａとを混色させることにより、所望の演色性を有する光を発する２次元フォトニック結晶発光ダイオードを得ることができる。例えば、短波長光２０の発光波長を450〜500nmの青色光に、長波長光２１（及び２１Ａ）の発光波長をその補色である560〜670nmの黄色光にすることで、発光効率及び光取り出し効率の高い白色光を発する２次元フォトニック結晶発光ダイオードを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成され、半導体領域を含む活性領域と、
前記半導体基板に形成されたトレンチ型の素子分離領域と、
前記素子分離領域を囲み、且つ、前記活性領域の半導体領域から離れて配置され、前記半導体基板に形成されたフッ素拡散領域と
を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記活性領域の半導体領域が光電変換領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記活性領域の半導体領域と前記フッ素拡散領域との間に、チャネルストップ領域を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記活性領域の上には、ゲート酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項５】
半導体基板に形成された、活性領域とトレンチ型の素子分離領域とを有する半導体素子の製造方法であって、
前記半導体基板の上に、前記素子分離領域を形成する領域を開口したマスクを形成する工程と、
前記開口を介して、前記半導体基板にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内壁を絶縁膜で覆う工程と、
前記絶縁膜にフッ素を注入する工程と、
熱処理により前記フッ素を拡散させることにより、前記素子分離領域を囲み、且つ、前記活性領域から離れた位置にフッ素拡散領域を形成する工程と、
前記トレンチを絶縁体で埋めることにより、前記トレンチ型の素子分離領域を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記マスクを、前記絶縁膜よりも厚く形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記フッ素を注入する工程では、フッ素が前記絶縁膜を貫通して前記半導体基板に到達することのないように、フッ素を注入するときの加速エネルギーを制御することを特徴とする請求項５または６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記フッ素を注入する工程では、前記トレンチにフッ素のイオンを傾斜注入することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記フッ素拡散領域を形成した後、前記トレンチを絶縁体で埋める前に、前記フッ素を注入するときよりも大きなエネルギーでイオン注入を行って、前記活性領域と前記フッ素拡散領域との間にチャネルストップ領域を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011086840.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011086840.tif 000002