【事件の表示】
　平成１０年特許願第２５３０４１号「画像表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月３１日出願公開、特開２０００−　８９７１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成１０年９月７日の出願であって、平成１６年４月５日付け（発送日；同月７日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月７日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものであり、特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、平成１４年６月２８日付け、及び、平成１６年１月３０日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「複数の冷陰極素子が、行方向、列方向配線により単純マトリクス構造に接続された素子基板と、前記素子基板と対向する位置に前記冷陰極素子に対応する蛍光体とアノード電極を平面状に配列した蛍光板とを有する画像表示装置において、
　前記素子基板と前記蛍光板との間に異常な放電が起きることで前記アノード電極に流れるアノード電流を検知する放電検知手段と、
　前記放電検知手段により検知された前記アノード電流の大きさを記録する放電記録手段と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。」
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−８９６７５号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
１ａ．「【請求項１】　電界放射カーノードルミネセンス（当審注；「電界放射カソードルミネセンス」の誤記と認められる。）表示手段を含む製品であって、該手段は
　a) i) 複数のミクロポイントエミッタ手段（たとえば、２４１−２４ｍ）と、
　　 ii)前記ミクロポイントエミッタ手段に付随した電流を制限するためのインピーダンス手段（たとえば１７１−１７ｎ）とを含む複数の陰極手段、
　b)　複数のゲート電極手段（１２）を含み、前記陰極及びゲート電極手段が行及び列と複数の交差領域を有するマトリクス構造を形成し、複数の前記ミクロポイントエミッタ手段は与えられた交差領域に配置され、前記ミクロポイントエミッタ手段は前記ゲート電極手段に対向し、与えられた交差領域中の前記ミクロポイントエミッタ手段の実質的にそれぞれには、前記ゲート電極手段を貫く開孔（たとえば２５１−２５ｍ）が付随するよう配置されており、さらに前記表示手段は、
　c)　与えられた交差領域中のミクロエミッタ手段から放出された電子が、陽極手段上に入射できるよう配置され、カソードルミネセンスが可能な材料から成る陽極手段（１３）及び
　d)　所定の陰極手段と所定のゲート電極手段との間に第１の電圧Ｖ1 を印加するための手段（１８）及び所定の陰極手段と陽極手段との間に第２の電圧Ｖ2 を印加するための手段（１８）を含む製品において、
　e)　前記インピーダンス手段は与えられた交差領域を含むが、一行又は一列中のすべての交差領域よりは少く含む１ないし複数の交差領域中の実質的にすべてのミクロポイントエミッタ手段に付随した実質的にすべての電流を運ぶ第１のインピーダンス手段（２２）を含むことを特徴とする製品。
・・・
【請求項９】　前記ゲート電極手段から分離され、かつ前記ゲート電極手段と陽極手段との間に配置された補助ゲート電極手段（６７）を更に含むことを特徴とする請求項１記載の製品。
【請求項１０】　導電路は前記補助ゲート電極手段と陽極手段との間に形成され、前記導電路はその中を流れる電流のレベルを示すのに適した手段（６８）を含むことを特徴とする請求項９記載の製品。」（【特許請求の範囲】）
１ｂ．「【０００２】
【従来の技術】
本発明の背景
　フラットパネル電界放射表示（ＦＰＦＥＤ）は知られている。たとえば、セミコンダクター・インターナショナル（Semiconductor International)の１９９１年１２月の１１頁にある報告を参照のこと。また、シー・エイ・スピント（C. A. Spindt) ら、アイ・イーイーイー・トランスアクションズ・オン・エレクトロン・デバイスズ（IEEE　Transactions　on　Electron　Devices)、第３６（１）巻、２２５−２２８頁も参照のこと。簡単にいうと、そのような表示は典型的な場合、平坦な真空セルから成り、セルの裏面に形成された微小な電界放射陰極チップのマトリクスアレイと、セルの前面上のリン被覆陽極を有する。陰極と陽極の間に、しばしば“格子”又は“ゲート”とよばれる第３の要素がある。
【０００３】たとえば米国特許第4,940,916 号に述べられているように、陰極構造は典型的な場合、個々に場所が探せる多くの条導電体(conductor strip) から成り、ゲート構造は同様に陰極条導電体に対し、一定（典型的な場合、直角）の角度で配置された多数の、個々に場所が探せる条導電体から成る。各交差領域は表示要素（ピクセル）を規定する。各ピクセルには多数のエミッタ（たとえば１０2 −１０3 エミッタ／ピクセル）が付随し、各エミッタにはゲートを貫く開口があり、電子がエミッタから陽極へ自由に通過できるようになっている。与えられたピクセルは陰極条導電体と交差点がピクセルを規定するゲート条導電体間に、適当な電圧を印加することにより励起される。典型的な場合、ゲート電圧より陰極に対してより正の電圧が陽極に印加される。その目的は放出された電子に、必要な比較的高いエネルギー（たとえば約４００ eＶ）を与えることである。」
１ｃ．「【００１４】本発明は各種の異なる設計で実施でき、そのうちのいくつかについては以下で述べる。更に、改善するために、新しい必要に応じて設ける特徴を加えることができる。たとえば、・・・陽極と補助ゲート電極間の間隙中で生じたイオンを捕獲するために、追加された（補助）ゲート電極をつけ加えることができる。そのようなつけ加えた電極は、セル中の圧力をモニターし、ミクロポイントエミッタから陽極へ移動する電子の焦点を合わせ、あるいは曲げるために有利に用いることができる。低圧雰囲気が保てるように、セル中にゲッタリング手段を組込むことができる。そのようなゲッタリング手段は、たとえば Ta 、Ti、Nb又は Zr のようなゲッタリング金属でできたミクロポイントエミッタ（及びゲート電極の両方又は一方）から成る。」
１ｄ．「【００２２】陽極とすでに述べたゲート電極構造上に形成された必要に応じて設ける補助ゲート電極間に流れる電流は、表示セル中の真空をモニターするために使われる。
【００２３】図６は与えられたミクロポイントに付随した層構造を、断面で概略的に示す。基板６０上には、導電層６１が形成されている。（これは適当なインピーダンスを通して、陰極バスにミクロポイントを接続する。）数字６２は（’９１６特許の２４に対応する）抵抗層をさし、６３はスペーサ層を、６４は（図５の環５３ｉに対応する）ゲート電極をさす。数字６５は（図５の５４ｉに対応する）ゲート抵抗をさし、６６は絶縁層（たとえば０．５μｍの SiO2)をさし、６７は補助ゲート電極（たとえば Mo)をさす。陽極６９と補助ゲート電極間の電流を測定するために、手段６８が設けられている。手段６８は電流があらかじめ決められた値を越えた時、必要に応じて出力を出し、セル中の圧力があらかじめ決められたレベル以上に増加したことを示す。
【００２４】電流モニターは周知の手段、たとえばＩＣ増幅器及び適当な従来の読み出し手段により行うことができる。上で引用した手段６８の出力は、以下で述べるように、ゲッタリング手段の点火の引き金となる働きをすることができる。
【００２５】当業者には認識されるであろうが、ＦＰＦＥＤ内は典型的な場合何年という長期間、高真空に保つ必要がある。他方、陽極材料（たとえばリン）の電子照射により、ガス放出が起り、その結果セル内にガスがたまることが知られている。許容できないほどの蓄積を防止するか遅らせ、ＦＰＦＥＤの使用寿命を延すために、セル内にゲッタリング手段を設けることが望ましい。本発明の好ましい実施例は、たとえば表示の動作特性の劣化あるいは補助ゲート／陽極電流の増加が示された時はいつでも、セルの外側から駆動できるゲッタリング手段を含む。たとえば、ゲッタリング手段は Ta 、Ti、Nb又は Zr のような周知のゲッタリング金属の１つから成るミクロポイントを含む。ミクロポイントの主成分（＞９０あるいは９９％）は、通常のエミッタ材料、典型的な場合 Mo から成ると考えられる。また、他のミクロポイントを駆動することなく、一連のゲッタミクロポイント（たとえば２０％）を駆動することができる回路を設けることも考えられる。“駆動”ということでは、ゲッタリング金属がミクロポイント又は付随したゲート電極から蒸発するように、ゲッタミクロポイントから十分電界放射させることを意味する。このことは典型的な場合、ゲッタミクロポイントとゲート間にＶ3 ＞Ｖ1 の電圧を印加し、パワー源とゲッタミクロポイント間に低抵抗路を作ることを必要とする。蒸発したゲッタ金属は、特に陽極上に堆積する。この理由により、ガス圧保持の目的にあわせて、蒸発するゲッタリング金属の量は、できるだけ制限することが望ましい。たとえば、ゲッタミクロポイントはピクセル列（又は行）間の別々の列（又は行）を構成し、各列（又は行）は別々にたどれるようにする。あるいは、ゲッタミクロポイントは、表示の周辺に構成してもよい。」
　
３．対比・判断
　引用刊行物の「２．」の「１ａ．」乃至「１ｄ．」の記載から、以下のことが読み取れる。
・フラットパネル電界放射表示装置（ＦＰＦＥＤ）は、典型的には、平坦な真空セルの裏面に形成された複数の条導電体からなる陰極に接続された複数のエミッタとセルの前面に形成されたリン被覆陽極（当審注；引用刊行物とパテント・ファミリーの関係にある刊行物である米国特許第５，２８３，５００号明細書には、「a phosphor-coated anode」と記載されており、この記載からみて、「蛍光体で被覆された陽極」を意味しているものと認められる。）と、陽極と陰極の間に設けられ陰極の条導電体と直交する複数の条伝導体からなるゲートを有していること。
・補助ゲート電極が付加され、陽極と補助ゲート電極間に流れる電流をモニターする手段が設けられることにより、フラットパネル電界放射表示装置内の真空度を監視すること。
　したがって、引用刊行物には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「平坦な真空セルの裏面に形成された複数の条導電体からなる陰極に接続された複数のエミッタと、セルの前面に形成された蛍光体で被覆された陽極と、陽極と陰極の間に設けられ陰極の条導電体と直交する複数の条伝導体からなるゲートとを有するフラットパネル電界放射表示装置において、
　陽極と付加された補助ゲート電極間に流れる電流をモニターする手段を設けることにより、フラットパネル電界放射表示装置内の真空度を監視することを特徴とするフラットパネル電界放射表示装置。」
　本願発明（前者）と引用発明（後者）とを対比する。
・後者の「平坦な真空セルの裏面に形成された複数の条導電体からなる陰極に接続された複数のエミッタと、セルの前面に形成された蛍光体で被覆された陽極と、陽極と陰極の間に設けられ陰極の条導電体と直交する複数の条伝導体からなるゲートとを有するフラットパネル電界放射表示装置」は、前者の「複数の冷陰極素子が、行方向、列方向配線により単純マトリクス構造に接続された素子基板と、前記素子基板と対向する位置に前記冷陰極素子に対応する蛍光体とアノード電極を平面状に配列した蛍光板とを有する画像表示装置」と、「複数の冷陰極素子が、陰極配線により接続された素子基板と、前記素子基板と対向する位置に前記冷陰極素子に対応する蛍光体とアノード電極を平面状に配列した画像表示装置」である点で共通する。
・後者の「陽極と付加された補助ゲート電極間に流れる電流をモニターする手段」は、フラットパネル電界放射表示装置内の真空度を監視するためのものであり、陽極と補助ゲート電極間に生ずる真空度の低下に起因する放電電流を検出しているものと解され、また、その場合の放電電流は、真空空間内の絶縁破壊による放電に起因するものか、そのような絶縁破壊にまでは至らないものの、その前兆をなすような放電に起因するものかは明らかではないが、この放電の検知が真空度を上昇させるためのゲッタリング手段の点火に繋がるものであり、放電は高レベルのものと解されることから、前者の「前記素子基板と前記蛍光板との間に異常な放電が起きることで前記アノード電極に流れるアノード電流を検知する放電検知手段」と、「真空空間内の高レベルの放電によりアノード電極に流れるアノード電流を検知する検知手段」である点で共通する。
　以上より、両者は、
「複数の冷陰極素子が、陰極配線により接続された素子基板と、前記素子基板と対向する位置に前記冷陰極素子に対応する蛍光体とアノード電極を平面状に配列した画像表示装置において、真空空間内の高レベルの放電により前記アノード電極に流れるアノード電流を検知する検知手段を備えることを特徴とする画像表示装置。」の点の構成で一致し、次の各点で相違する。
［相違点１］
　画像表示装置について、前者が、複数の冷陰極素子が、行方向、列方向配線により単純マトリクス構造に接続された素子基板、及び、蛍光体とアノード電極を平面状に配列した蛍光板を有するものであり、放電検知手段について、前者が、素子基板と前記蛍光板との間に異常な放電が起きることで前記アノード電極に流れるアノード電流を検知するものであるのに対し、後者には、これらについての記載がない点。
［相違点２］
　前者が、放電検知手段により検知されたアノード電流の大きさを記録する放電記録手段を有しているのに対し、後者には、この点についての記載がない点。
　
　そこで、上記各相違点について検討する。
［相違点１］について
　複数の冷陰極素子が、行方向、列方向配線により単純マトリクス構造に接続された素子基板、及び、蛍光体とアノード電極を平面状に配列した蛍光板を有する本願発明の前提となる画像表示装置は、例えば、特開平８−２３４６９０号公報［【従来の技術】として、段落【０００４】及び【０００５】に「このように、冷陰極素子は熱陰極素子に比べて、いろいろな利点をもっているので、近年、冷陰極素子の研究開発がさかんである。とくに、画像表示装置に応用する冷陰極素子に対する研究開発はさかんである。これは、冷陰極素子は微細なので高い密度で配置でき、１画素にひとつ冷陰極素子を対応させる電子発生部を作製しやすく、電子線で励起発光する蛍光板と組み合わせて薄型の画像表示装置（ディスプレイ）を作製できるからである。マトリックス配線は、マトリックス状に交差する行配線と列配線の各交点に、それぞれ素子を接続する配線方法である。図32は、単純マトリックス配線の一例を表す。図中、74は冷陰極素子、72は行配線、73は列配線、75は行配線72の配線抵抗、76は列配線73の配線抵抗である。この例は、縦にｍ個、横にｎ個で合計ｎ×ｍ個の冷陰極素子を２次元的にマトリックス状に配置させている。Dx1,Dx2...Dxmは、行配線72の１行目の配線の端子、２行目配線の端子、...、ｍ行目配線の端子を表す。また、Dy1,Dy2...Dynは、列配線73の１列目の配線の端子、２列目配線の端子、...、ｎ列目配線の端子を表す。なお、以後、Ｍ行目の行方向配線を行配線Ｍ、Ｎ列目の列方向配線を列配線Ｎと呼ぶことにする。」と記載されている。］に示されるように従来周知のものである。
　また、本願発明の画像表示装置において異常な放電が起きる場合に関して、本願明細書には、段落【０１５８】及び【０１５９】に「上述した放電の起きた画像表示装置の一つを例に取ってみると、そのメモリ６００９に記録された放電の履歴情報によれば、その放電の履歴情報から放電の起き方がＤＣ的というよりはむしろ瞬間的であり、また頻度が長時間耐久試験を行った際、十分長い時間が経過した後に増えてきたことや、そのアノード電流の大きさなどから、時間の経過とともに、真空度の劣化で起きたことがこの場合の放電の要因ではないかと推測された。これに対する対策として、真空度を向上させるために前述した追加的にゲッター材料を加熱して、ゲッター膜の吸着作用により真空度を向上させた。」と記載されており、この記載等からみて、本願発明は、異常な放電が起こる場合として、真空度の劣化に起因する場合が推測されるところ、真空度の劣化に起因する放電の発生は、引用発明と相応するものである（「２．」の記載「１ｃ．」及び「１ｄ．」参照。）。尤も、引用発明には、素子基板と前記蛍光板との間に異常な放電が起きる点については記載されていないが、この点は、引用発明が、冷陰極を用いた表示装置ではあるものの、本願発明の前提となる画像表示装置とは異なるタイプの表示装置であるという点に基づく差異によるものと認められる。
　以上を勘案すれば、引用発明に上記周知事項を適用し、表示装置として本願発明の前提となる画像表示装置を採用するとともに素子基板と前記蛍光板との間の異常な放電を検出するようにして相違点１に係る構成とすることは、当業者が格別の推考力を要することとは認められない。
［相違点２］について
　機器の異常の発生を監視し、異常の発生時刻や異常時の測定量等を記録しておくことは、各種の分野において用いられている従来周知の事項である。また、放電状態の解析のために、異常放電時の放電電流等を記録することも、例えば、特開平３−３５９３３号公報に示されるように従来周知である。
　そうすると、このような従来周知の事項を勘案すれば、引用発明に上記周知事項を適用し、放電記録手段を付加して相違点２に係る構成とすることは、当業者が格別の推考力を要することとは認められない。
　
　そして、本願発明による効果も、引用刊行物の記載及び上記周知事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　以上より、本願発明は、引用発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるから、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。