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　特願２０００−３５４６０４「半導体発光素子の製造方法およびその製造方法に用いられる定形の透明基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月３１日出願公開、特開２００２−１５８１９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１１月２１日の出願であって、その請求項１ないし１０に係る発明は、平成１５年１２月８日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「　【請求項１】　定形の基板に、両面粘着シートを介して、不定形の半導体ウェハを貼付け、これを研削することにより前記半導体ウェハの厚みを薄く加工する半導体発光素子の製造方法であって、
　前記定形な基板には、両面粘着シートと前記定形な基板との間に介在する気泡を取り除くための貫通孔を開設し、
　前記両面粘着シートを介して前記半導体ウェハが貼り付けられた状態の前記定形の基板を真空オーブンに収納して真空引きを行った後、前記半導体ウェハを研削加工することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．刊行物記載の発明（事項）
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開昭６１−１５８１４５号公報（以下、「刊行物１」という。），特開平９−８５６１６号公報（以下、「刊行物２」という。）、及び査定時に提示された刊行物である特開平１０−２９６６２４号公報（以下、「刊行物３」という。）には、次の事項が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（１）刊行物１
（１−ア）第１頁左下欄第５〜１３行
「半導体基板の主表面側に能動素子または受動素子が形成された該半導体基板の裏面の研摩と金属膜形成を含む裏面加工にあたり、半導体基板の主面より大きくかつ、両主面間に連通した透孔が設けられた平板状の支持台に接着剤層を介して半導体基板をその主表面で貼着し、この半導体基板の露出した裏面に研摩および化学処理を施し鏡面化したのち、真空蒸着により金属膜を被着することを特徴とする半導体基板の加工方法。」
（１−イ）第１頁左下欄第１５〜２０行
「〔発明の技術分野〕
　この発明は半導体基板の加工方法に関し、特に半導体基板の主面で能動素子または受動素子が形成されたのと反対側主面（裏面）に対し、研摩、化学処理による鏡面化および、真空蒸着による金属膜の形成方法に用いられる。」
（１−ウ）第１頁右下欄第１〜７行
「〔発明の技術的背景〕
　化合物半導体、特にGaAs結晶を用いたGaAsFETは結晶技術及びプロセス技術の進歩により、各種マイクロ波素子及び集積回路用素子として広範囲に使用されるに至った。しかし、これらのマイクロ波用素子は、一般に基板の厚みを薄くする必要があり、」
（１−エ）第２頁左下欄第２〜１９行
「従来例と同様にGaAs基板の裏面加工を行なう場合について説明する。尚各図中に記した番号は従来例と共通にした。
　第１図（ａ）はGaAs基板を貼り付けるための支持台（１）を示し、厚さ３mmの石英板にその両主面間に連通した透孔（1a，1a，…）が形成されている。
第１図（ｂ）に示す様に石英支持台（１）を加熱しワックス（102）を均一に塗布した後、GaAs基板（103）の裏面を露出する様にかつ、GaAs基板が支持台と平行になる様充分圧着させる。この時にGaAs基板（103）と石英支持台（１）の間にある気泡は、石英支持台（１）の透孔（1a）を通して外部へ逃がす事が出来る。
　次に・・・その後所定の厚み（例えばｔ≦100μｍ）まで研摩材（例えばアルミナ粉末）を用いて研摩する。」
　上記記載事項において、
　半導体基板はサイズ等様々であるから「不定形」ということができ、支持台１は通常定形に形成されているということができる。
　そうすると、上記記載事項及び図の記載からみて、刊行物１には
「定形の支持台（１）に、ワックス（102）を介して、不定形の半導体基板（103）を貼付け、これを研摩することにより前記半導体基板（103）厚みを薄く加工するマイクロ波素子及び集積回路用素子の製造方法であって、
　前記定形な支持台（１）には、ワックス（102）と前記定形な支持台（１）との間に介在する気泡を取り除くための透孔（1a，1a，…）を開設し、
　支持台（１）を加熱しワックス（102）を均一に塗布した後、半導体基板（103）を圧着させる時に前記気泡を透孔から取り除いて後、前記半導体基板（103）を研摩加工するマイクロ波用素子及び集積回路用素子の製造方法。」という発明（以下、「引用発明」という。） が記載されていると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）刊行物２
（２−ア）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ、ＬＣＤ用ガラス板のような薄板状基板の研磨装置に関するもので、特に研磨された薄板状基板に研磨むらが生じないように薄板状基板の保持構造に改良を加えた点を特徴とするものである。」
（２−イ）段落【００１６】
「・・・この基板保持盤５Ａの基板保持面は、例えば、セラミック製の空気の出入りが容易な多数の貫通孔が形成されている硬質で平板な多孔質材層５０で構成されていることである。具体的には基板保持盤５Ａの基板保持面に均一な厚さで精密に仕上げられた板状の多孔質板をガラス材で接着した。・・・」
（２−ウ）段落【００１７】，【００１８】
「　次に、このような構成の研磨装置１を用いて半導体ウエハＳを研磨する場合の前記基板保持盤５Ａによる半導体ウエハＳの保持方法を説明する。先ず、両面接着シート１０の片側の粘着剤層１０Ａを研磨しようとする半導体ウエハＳの裏面に、気泡が入らないように貼り付ける。この場合、両面接着シート１０は半導体ウエハＳの裏面上で、その一側縁から反らせながら貼ることができるので空気を逃がすことができ、容易に無気泡で貼ることができる。
　次に、半導体ウエハＳの外径に合わせて両面接着シート１０の不要な部分を切り取り、粘着剤層１０Ｂの面を多孔質材層５０の平面に接着する。この場合は、半導体ウエハＳが硬いため、その裏面に接着されている両面接着シート１０を反らせて貼ることはできない。従って、空気を封じ込んで接着してしまうことがある。しかし、空気を封じ込んだ面は前記多孔質材層５０の平面であるので、万一、空気が封じ込まれていても、その空気は多孔質材層５０の平面から外部に逃げ出すので、前記接着界面に気泡が発生して留まっていることはない。従って、多孔質材層５０の全平面に貼り終えると、気泡が存在しない平面状に粘着剤層１０Ｂを以て基板保持盤５の保持面である多孔質材層５０に貼り付けることができ、半導体ウエハＳを接着、固定することができる。」
　上記記載事項において、「両面接着シート」は、両面の接着剤が粘着剤であるから、両面粘着シートと言い換えることができる。
　そうすると、上記記載事項からみて、刊行物２には、
「研磨される半導体ウェハのような薄板状基板が、両面粘着シートを介して貫通孔が形成された多孔質材層で構成されている基板保持盤の基板保持面に貼り付けられること。」という事項（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（３）刊行物３
（３−ア）【特許請求の範囲】
「【請求項１】  貼付定盤の一部または全体を気体は透過させるが粘度の高い接着剤は浸透させない多孔質とした貼付定盤（１）に半導体ウエハを貼り付ける方法。
【請求項２】  請求項１の貼付定盤（１）をとおして真空（４）で半導体ウエハ（２）の接着面側を吸引しながら貼り付ける方法及び装置。
・・・・
【請求項８】  半導体ウエハ（１８）を貼付定盤（１７）に圧接させる時、温度制御された加熱気体を半導体ウエハ（１８）の非接着面側に吹き当て、その気体の熱で接着層（１９）全体を加熱し接着に適した温度に上昇させ、貼付定盤（１７）に貼り付ける方法及び装置。」
（３−イ）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】半導体ウエハの製造工程でセラミック或いはパイレックス製の貼付定盤（貼付板）に半導体ウエハを接着剤で貼り付けて鏡面研磨（いわゆる「ポリシング」）している、一般にこのような方式をウエハマウント方式と呼んでいるが、本発明はこの貼付定盤に半導体ウエハを貼り付けた時の平坦度や強度等の貼付精度の向上に関するものである。  以降では「半導体ウエハ」を省略して単にウエハと述べることがある。」
（３−ウ）段落【００３２】〜【００３４】
「【発明の実施の形態】発明の実施について図面を参照して説明する。約９０℃に加熱した厚さ２０mmの円盤状の全体が多孔質アルミナセラミックの貼付定盤１と液状の接着剤が厚さ約０．００３mmに均一に塗布された接着層３を持つ半導体ウエハ２が接着される工程を順に説明する。  ここでは乾燥時に約７０℃以上で軟化する接着剤を使用する。
　接着層３を上に向けた半導体ウエハ２の中心に向つて下方から垂直に、圧縮気体５を圧力調整器１０で減圧し、気体加熱器９を通して約７０℃に加熱して、この気体噴流を吹き当ててこのウエハを水平に浮き上がらせておく。  乾燥時間として設定された時間経過後この気体の加熱は停止させ下記の工程を開始させる。
　貼付定盤１を真空吸着盤６で水平に吸着保持させておいて半導体ウエハ２の上に互いの接着面が平行となるように垂直に下降し接触させる。  この時同時に上下の耐圧容器７が半導体ウエハ２と貼付定盤１を包含する一つの圧力容器を形成するような位置に接近させる。」
（３−エ）段落【００５２】
「・・・請求項１の貼付定盤を用い請求項２の貼り付け方法を用いると、貼付定盤１自体が空気等の気体を透過できる多孔質となっている為、接着剤が加熱時に発生するガスや接着層３と貼付定盤１との間に残留する空気等の気泡を取り除き、かつ真空４の圧力は接着層３全体に均一に且つウエハと貼付定盤の接触から加圧完了まで連続的に作用するため、ウエハ全体に同じ力で貼り付けることができ、結果として従来の方法に比べてウエハ全体に気泡や歪みの少ない平坦で均一な強度の接着状態を得ることができる。」
　上記記載事項の記載からみて、刊行物３には、
「鏡面研磨される半導体ウェハを貼付定盤に貼り付ける際に、貼付定盤を加熱し、半導体ウェハを加熱することで接着剤全体を加熱し接着に適した温度に上昇させると共に、多孔質の貼付定盤をとおして真空引きすることにより、接着剤と貼付定盤との間に残留する気泡を取り除き、研磨すること。」という事項（以下、「刊行物３記載の事項」という。）が記載されていると認めれれる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比
　本願発明と、引用発明とを対比すると、後者の「支持台（１）」は前者の「基板」に、以下同様に、「半導体基板（103）」は「半導体ウェハ」に、「透孔（１a，１ａ，…）」は「貫通孔」に、それぞれ、相当することは明らかである。
　また、後者の「ワックス（102）」は、前者の「両面粘着シート」と「接着手段」である限りにおいて共通し、後者の「マイクロ波用素子及び集積回路用素子」は、前者の「半導体発光素子」と「半導体素子」である限りにおいて共通している。
　してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
［一致点］
「定形の基板に、接着剤を介して、不定形の半導体ウェハを貼付け、これを研削又は研磨することにより前記半導体ウェハの厚みを薄く加工する半導体素子の製造方法であって、
　前記定形な基板には、接着剤と前記定形な基板との間に介在する気泡を取り除くための貫通孔を開設し、
　前記気泡を前記貫通孔から取り除いて後、前記半導体ウェハを研削又は研磨加工する半導体素子の製造方法。」
［相違点１］
　接着手段が、前者では、両面粘着シートであるのに対して、後者では、ワックスである点。
［相違点２］
　前者では、接着手段（両面粘着シート）を介して前記半導体ウェハが貼り付けられた状態の基板を真空オーブンに収納して真空引きを行っているのに対して、後者では、加熱された基板に接着手段（ワックス（102））を均一に塗布し、この接着手段（ワックス（102））を介して前記半導体ウェハが貼り付けられるものの、真空引きを行っていない点。
［相違点３］
　前者では、半導体素子が半導体発光素子であり、研削を行うものであるのに対して、後者では、半導体素子がマイクロ波用素子及び集積回路用素子であり、研磨を行うものである点。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．判断
［相違点１］について
　刊行物２には、研磨される半導体ウェハを両面粘着シートを介して貫通孔が形成された硬質で平板な多孔質材層で構成されている基板保持盤の基板保持面に貼り付けられることが記載されている（上記刊行物２記載の事項参照。）ので、当該事項を引用発明に適用し、ワックスを両面粘着テープに換えることは当業者であれば適宜なし得た設計的事項にすぎないことである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点２］について
　刊行物３記載の事項は、「多孔質の貼付定盤」が気体を透過させることから、「貫通孔が開設された基板」に相当することは明らかであるので、「鏡面研磨される半導体ウェハを基板に貼り付ける際に、基板を加熱し半導体ウェハを加熱することで接着剤全体を加熱し接着に適した温度に上昇させると共に、貫通孔が開設された基板をとおして真空引きすることにより、接着層と基板との間に残留する気泡を取り除くこと」と言い換えることができる。
　引用発明と刊行物３記載の事項とは、基板に接着剤を介して半導体ウェハを貼付け、これを研磨加工する際に、接着剤と基板との間に介在する気泡を基板に開設した貫通孔から取り除く点で技術分野・課題が共通しており、しかも、引用発明に刊行物３記載の事項の適用を阻害する特段の事由も見出せない。
　そうすると、引用発明に刊行物３記載の事項を適用することにより、接着剤全体を加熱させると共に、貫通孔が開設された基板をとおして真空引きすることは当業者であれば容易になし得たことである。そして、その適用に際し、本願発明では、真空オーブンで真空引きすることの加熱についての具体的態様が何ら特定されてない以上、半導体ウェハが基板に貼り付け後に加熱と共に真空引きすることに格別な技術的意義を認めることはできず、例示するまでもなく周知の真空引きする真空オーブンを用い、半導体ウェハが貼り付けられた状態の基板を真空オーブンで真空引きすることにより、相違点２に係る本願発明の特定事項とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
［相違点３］について
　本願発明の半導体発光素子と引用発明のマイクロ波用素子及び集積回路用素子とは、半導体素子として技術分野が共通し、また、半導体素子を研削又は研磨することは、いずれも普通に行われていることから、引用発明のものを半導体発光素子とし、研削を行うものとすることに格別な困難性があるとすることはできない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、本願発明の奏する効果も、引用発明、刊行物２記載の事項、刊行物３記載の事項及び周知の事項から予測できる程度のものであって格別なものでもない。
　したがって、本願発明は、引用発明、刊行物２記載の事項、刊行物３記載の事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、刊行物２記載の事項、刊行物３記載の事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項２ないし１０に係る発明について検討するまでもなく本件出願は拒絶するべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。