Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセル部と、周辺回路部と、を有する半導体記憶装置であって、
前記メモリセル部は、
所定方向に伸張する絶縁部１と、前記絶縁部１の側面上に順に設けられた下部電極と誘電体膜と上部電極とを備えたキャパシタと、
前記上部電極に電気的に接続されたプレート電極と、
ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタであって、前記下部電極にソース領域及びドレイン領域の何れか一方が電気的に接続されたトランジスタと、
を有し、
前記周辺回路部は、
前記所定方向と同じ方向に伸張するプレート電極であって、前記プレート電極の側面は前記所定方向と平行であるプレート電極と、
前記プレート電極の側面上に順に設けられた上部電極と誘電体膜と下部電極とを有するキャパシタと、
ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタであって、前記下部電極にソース領域及びドレイン領域の何れか一方が電気的に接続されたトランジスタと、
を有し、
前記メモリセル部は、
前記側面上に下部電極及び誘電体膜が設けられた複数の絶縁部１が、特定の方向に一定の間隔で配置された配列を複数、有し、
隣り合う配列は、一方の配列中の前記絶縁部１が他方の配列中の絶縁部１に対して互い違いとなるように配置され、
前記下部電極及び誘電体膜が設けられた絶縁部１間に、導電材料を充填することにより前記上部電極が設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記絶縁部１の形状が、円筒形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記周辺回路部は、
前記プレート電極の形状が、直方体状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記メモリセル部と周辺回路部の間に更に、
前記所定方向と同じ方向に伸張する開口の内壁上に設けられた導電材料膜と、前記開口内に充填された絶縁部２と、を有する境界部を備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
メモリセル部形成領域及び周辺回路部形成領域に、トランジスタと、前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域の何れか一方に電気的に接続されたコンタクトプラグを設ける工程と、
全面に層間絶縁膜を堆積させる工程と、
前記メモリセル部形成領域の層間絶縁膜内に前記コンタクトプラグが露出するように複数の開口１を形成し、前記周辺回路部形成領域の層間絶縁膜内に所定領域を囲むと共に前記コンタクトプラグが露出するように開口２を形成する開口形成工程と、
開口部分が残るように前記開口１及び２の内壁上に導電材料を堆積させて下部電極を形成する工程と、
前記下部電極を形成した開口１内に絶縁材料を充填して絶縁部１を形成すると共に、前記下部電極を形成した開口２内に絶縁材料を充填する工程と、
前記メモリセル部形成領域の層間絶縁膜を除去し、前記周辺回路部形成領域内の前記所定領域を構成する層間絶縁膜を除去して開口３を形成する工程と、
誘電体膜を堆積させて、前記メモリセル部形成領域の下部電極の表面を誘電体膜で被覆し、前記周辺回路部形成領域の開口３の内壁を誘電体膜で被覆する工程と、
前記メモリセル部形成領域において前記誘電体膜及び下部電極を設けた絶縁部１間に導電材料を充填して上部電極を形成し、前記周辺回路部形成領域において開口部分が残るように前記開口３内に導電材料を堆積させることにより上部電極を形成する工程と、
前記メモリセル部形成領域において前記上部電極に電気的に接続されるようにプレート電極を形成し、前記周辺回路部形成領域において前記開口３の開口部分に導電材料を充填させてプレート電極を形成する工程と、
を有する半導体記憶装置の製造方法。
【請求項６】
前記開口形成工程において、
円筒形状の前記開口１を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項７】
前記開口形成工程において、
特定の方向に一定の間隔で配置された前記開口１の配列を複数、有し、
隣り合う開口１の配列において開口１が互い違いとなるように、前記開口１を形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項８】
前記開口形成工程において、
前記所定領域が直方体状となるように、前記開口２を形成することを特徴とする請求項５〜７の何れか１項に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月22日(2011.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の送受信周波数帯域での通信を行なう無線通信機器に用いられ、
対応する周波数帯域が異なり、一端が開放又は短絡され他端が給電点に接続された複数のアンテナと、前記アンテナのいずれかの短絡端側又は給電点側に接続するフィルタと、前記給電点と送受信回路との間に接続され、前記送受信周波数帯域に応じて信号を分波する分波素子とを備え、
前記フィルタは他の経路のアンテナが対応する送受信周波数帯の信号を減衰する特性を有することを特徴とするマルチバンドアンテナ装置。
【請求項２】
複数のアンテナの内、第１のアンテナに対応する送受信周波数帯域ｆ１は第２のアンテナに対応する送受信周波数帯域ｆ２よりも低周波であって、第１のアンテナと接続するフィルタがローパスフィルタ又はバンドパスフィルタであり、第２のアンテナと接続するフィルタがハイパスフィルタ又はバンドパスフィルタであって、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナと前記１のフィルタと前記第２のフィルタは基板に配置され、
前記第１のアンテナの導体部は、その一部が前記基板に実装される基体に形成され、基板に形成された部分と接続して形成され、
前記第２のアンテナの導体部は、薄板状の板金で構成されて前記基板に立設されたことを特徴とする請求項１に記載のマルチバンドアンテナ装置。
【請求項３】
前記第１のアンテナの基板に形成された導体部は、前記基体が実装される表面側と裏面側に形成され、表面側部分よりも裏面側部分が長く形成されていることを特徴とする請求項２に記載のマルチバンドアンテナ装置。
【請求項４】
前記第１のアンテナの導体の導体部の端部が前記フィルタを介して短絡されることを特徴とする請求項３に記載のマルチバンドアンテナ装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のマルチバンドアンテナ装置を搭載したことを特徴とする通信機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、複数の送受信周波数帯域での通信を行なう無線通信機器に用いられ、対応する周波数帯域が異なり、一端が開放又は短絡され他端が給電点に接続された複数のアンテナと、前記アンテナのいずれかの短絡端側又は給電点側に接続するフィルタと、前記給電点と送受信回路との間に接続され、前記送受信周波数帯域に応じて信号を分波する分波素子とを備え、前記フィルタは他の経路のアンテナが対応する送受信周波数帯の信号を減衰する特性を有することを特徴とするマルチバンドアンテナ装置である。
本発明においては、複数のアンテナの内、第１のアンテナに対応する送受信周波数帯域ｆ１は第２のアンテナに対応する送受信周波数帯域ｆ２よりも低周波であって、第１のアンテナと接続するフィルタがローパスフィルタ又はバンドパスフィルタであり、第２のアンテナと接続するフィルタがハイパスフィルタ又はバンドパスフィルタであって、前記第１のアンテナと前記第２のアンテナと前記１のフィルタと前記第２のフィルタは基板に配置され、前記第１のアンテナの導体部は、その一部が前記基板に実装される基体に形成され、基板に形成された部分と接続して形成され、前記第２のアンテナの導体部は、薄板状の板金で構成されて前記基板に立設されるのが好ましい。
更に、前記第１のアンテナの基板に形成された導体部は、前記基体が実装される表面側と裏面側に形成され、表面側部分よりも裏面側部分が長く形成されているのが好ましく、 前記第１のアンテナの導体の導体部の端部が前記フィルタを介して短絡されても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に反応ガス流路が形成されてなる複数の燃料電池セルと、
内部に反応ガスを収容するガスマニホールドと、
前記ガスマニホールドの上面に配設されて前記複数の燃料電池セルの前記反応ガス流路方向一端を支持する共に、当該ガスマニホールド内に収容された反応ガスを前記各々の反応ガス流路に供給する貫通孔が形成された支持部材と、
を備え、
前記ガスマニホールドの内部に、前記反応ガスを噴出する複数の噴出孔が形成された内部ガス供給配管を配設し、
前記内部ガス供給配管のうち前記噴出孔が形成された位置は、噴射される前記反応ガスが前記ガスマニホールドの底面に向かうような位置であって、
前記噴出孔を介して前記マニホールドの内部に供給された前記反応ガスが、前記ガスマニホールドの底面に向けて噴射された後、分散しながら前記支持部材に向けて上昇し、前記反応ガス流路に流入するよう構成されている燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この目的を達成するため本発明は、内部に反応ガス流路が形成されてなる複数の燃料電池セルと、内部に前記反応ガスを収容するガスマニホールドと、前記ガスマニホールドの上面に配設されて前記複数の燃料電池セルの前記反応ガス流路方向一端を支持する共に、当該ガスマニホールド内に収容された反応ガスを前記各々の反応ガス流路に供給する貫通孔が形成された支持部材とを備え、前記ガスマニホールドの内部に、前記反応ガスを噴出する複数の噴出孔が形成された内部ガス供給配管を配設し、前記内部ガス供給配管のうち前記噴出孔が形成された位置は、噴射される前記反応ガスが前記ガスマニホールドの底面に向かうような位置であって、
前記噴出孔を介して前記マニホールドの内部に供給された前記反応ガスが、前記ガスマニホールドの底面に向けて噴射された後、分散しながら前記支持部材に向けて上昇し、前記反応ガス流路に流入するよう構成されている燃料電池を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線管を含むＸ線管容器を備えたＸ線管装置において、
前記Ｘ線管は、電子を放出する３つ以上の電子発生源及び前記電子発生源から放出された電子をビーム状の電子線に集束させる集束系を含む陰極と、
前記陰極と対向して配置され、その対向面上に前記電子線が衝突してＸ線を放射するＸ線源を形成するターゲットを有する陽極と、
前記陰極及び前記陽極を真空気密に封入する外囲器とを有し、
２つ以上の前記電子発生源により前記ターゲット上に大焦点用のＸ線源を形成するとともに、１つ以上の前記電子発生源により前記ターゲット上に微小焦点用のＸ線源を形成するように構成したことを特徴とするＸ線管装置。
【請求項２】
請求項１記載のＸ線管装置において、
前記陰極の前記集束系は、前記陽極に対して後方に凹む集束溝が前記電子発生源の数と同一数だけ形成された集束体と、
前記集束体の前記陽極側端に接続された集束電極を有し、
複数の前記集束溝のうち中央側の溝には、微小焦点を形成するための第１のカソードが配置してあり、前記中央側の溝を挟んで対称となる位置の溝には、大焦点を形成するための第２のカソードがそれぞれ配置してあることを特徴とするＸ線管装置。
【請求項３】
請求項１記載のＸ線管装置において、
前記陰極の前記集束系は、前記陽極に対して後方に凹む単一の集束溝が形成された第１の集束体と、前記第１の集束体の前記陽極側端に接続された集束電極と、前記陽極に対して後方に凹む複数の集束溝が形成された第２の集束体とを有し、
前記第１の集束体に形成された単一の溝には、微小焦点を形成するための第１のカソードが配置してあり、前記第２の集束体に形成された複数の溝には、それぞれ大焦点を形成するための第２のカソードが配置してあることを特徴とするＸ線管装置。
【請求項４】
請求項３記載のＸ線管装置において、
前記第２の集束体は、前記陽極の中心軸を中心に、前記第１の集束体から３０°から１５０°の範囲で離間した位置に配置されていることを特徴とするＸ線管装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載のＸ線管装置において、
前記各集束体と対向する前記Ｘ線管容器のそれぞれの位置には、前記ターゲットの前記Ｘ線源から放射されるＸ線を外部に照射可能な放射窓が設けてあり、
前記放射窓から前記Ｘ線管容器の外部へと照射されるＸ線の種類を切替可能な撮影切替手段を有することを特徴とするＸ線管装置。
【請求項６】
請求項５記載のＸ線管装置において、
前記撮影切替手段は、前記Ｘ線管容器を、前記陽極の中心軸を中心に回転可能なＸ線管容器回転装置で構成されていることを特徴とするＸ線管装置。
【請求項７】
請求項５記載のＸ線管装置において、
前記撮影切替手段は、前記Ｘ線管を、前記陽極の中心軸を中心に回転可能なＸ線管回転装置で構成されていることを特徴とするＸ線管装置。
【請求項８】
請求項５記載のＸ線管装置において、
前記撮影切替手段は、前記Ｘ線管内の陰極を、前記陽極の中心軸を中心に回転可能な陰極回転装置で構成されていることを特徴とするＸ線管装置。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項記載のＸ線管装置を搭載したＸ線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を解析して中間値を算出する算出手段と、
前記中間値を使用して、前記画像に特徴抽出領域を設定する設定手段と、
前記設定手段において使用された中間値を再利用して前記特徴抽出領域の局所的な特徴を抽出する抽出手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記画像の局所的な特徴には、画像の特徴点と、画像の特徴点に関する特徴量との少なくともいずれかが含まれることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記算出手段は、前記画像の各画素位置での輝度勾配値を算出することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記輝度勾配値の強度が所定のしきい値以上である領域に前記特徴抽出領域を設定することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記算出手段は、前記画像を周波数変換し、当該周波数変換された画像においてピークとなる周波数係数を前記中間値として算出することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記設定手段は、前記ピークとなる周波数係数が所定のしきい値以上である領域に前記特徴抽出領域を設定することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記設定手段は、前記特徴抽出領域を設定する処理を開始してから設定済みの特徴抽出領域の面積を計測し、当該面積が予め定められた値を以上になった場合は、当該処理を中断して、前記画像の全領域に前記特徴抽出領域を設定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記設定手段は、前記特徴抽出領域を設定する処理を開始してから、当該処理が完了するまでに予め定められた時間が経過した場合は、当該処理を中断して、前記画像の全領域に前記特徴抽出領域を設定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記設定手段は、前記画像を複数の部分領域に分割し、該部分領域をランダムな順序で選択し、選択された該順序で該部分領域毎に前記特徴抽出領域を設定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記抽出手段で抽出された局所的な特徴をそれぞれ前記画像に対応づけて保持する保持手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記画像は入力画像であって、
前記入力画像の局所的な特徴と、前記保持手段に保持された画像の局所的な特徴の各々とを比較して、該入力画像の類似画像を検索する検索手段を更に備える
ことを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
情報処理装置の制御方法であって、
算出手段が、画像を解析して中間値を算出する算出工程と、
設定手段が、前記中間値を使用して、前記画像に特徴抽出領域を設定する設定工程と、
抽出手段が、前記設定工程において使用された中間値を再利用して前記特徴抽出領域の局所的な特徴を抽出する抽出工程と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１３】
コンピュータを請求項１に記載の情報処理装置が備える各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明による情報処理装置は以下の構成を備える。即ち、
画像を解析して中間値を算出する算出手段と、
前記中間値を使用して、前記画像に特徴抽出領域を設定する設定手段と、
前記設定手段において使用された中間値を再利用して前記特徴抽出領域の局所的な特徴を抽出する抽出手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ、及び画素電極を有する複数の画素を有し、
前記画素は、走査線として機能する第１の配線と、信号線として機能する第２の配線に電気的に接続されており、
前記薄膜トランジスタは、前記第１の配線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、
前記第２の配線は、前記第１の配線上の前記ゲート絶縁膜上を延在して前記酸化物半導体層上に接しており、
前記画素電極と、前記酸化物半導体層とが重畳して設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタ、及び画素電極を有する複数の画素を有し、
前記画素は、走査線として機能する第１の配線と、信号線として機能する第２の配線に電気的に接続されており、
前記薄膜トランジスタは、前記第１の配線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、
前記第２の配線は、前記第１の配線上の前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜上の層間絶縁膜上を延在して前記酸化物半導体層上に接しており、
前記画素電極と、前記酸化物半導体層とが重畳して設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置を具備することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明光軸方向に沿って配置された一対の電極を内蔵する管球部と、当該管球部から前記照明光軸方向の被照明領域側とその反対側に伸びる一対の封止部と、を有する発光管と、
前記発光管の前記反対側に設置され、前記発光管から射出された光束を前記被照明領域側に向けて反射するリフレクターと、
前記管球部の前記被照明領域側の外面を覆うように前記発光管に設置され、前記発光管から射出された光束を前記リフレクターに向けて反射する副鏡と、を有し、
前記副鏡には隙間が開いていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記隙間は、前記照明光軸方向と直交する方向に開いていることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
副鏡は複数の反射部材からなっており、該複数の反射部材の反射層は前記照明光軸からの距離が異なっており、それら異なる距離の反射部材を隣接させることで前記隙間を作り出す請求項２記載の光源装置。
【請求項４】
前記副鏡を構成する前記複数の反射部材のうち、前記管球部の上部に対向して配置される反射部材は、前記照明光軸から当該反射部材の反射面までの距離が、前記管球部の下部に対向して配置される反射部材の前記照明光軸から当該反射部材の反射面までの距離に比較して大きくなる反射部材を配置していることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置を冷却するための冷却風を発生させる冷却ファンと、
前記光源装置から射出された光束を画像信号に基づき変調して光学像を形成する光学変調装置と、
を備えることを特徴とするプロジェクター。
【請求項６】
前記冷却風は、前記照明光軸に対して略直交する方向から前記光軸方向に向かって吐出されており、前記隙間は該冷却風に対して開口していることを特徴とする請求項５記載のプロジェクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（適用例１）本適用例に係る光源装置は、照明光軸方向に沿って配置された一対の電極を内蔵する管球部と、当該管球部から前記照明光軸方向の被照明領域側とその反対側に伸びる一対の封止部と、を有する発光管と、前記発光管の前記反対側に設置され、前記発光管から射出された光束を前記被照明領域側に向けて反射するリフレクターと、前記管球部の前記被照明領域側の外面を覆うように前記発光管に設置され、前記発光管から射出された光束を前記リフレクターに向けて反射する副鏡と、を有し、前記副鏡は、光軸方向に向かって送られる冷却風を前記管球部に送り込めるよう隙間が開いていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような光源装置によれば、副鏡は隙間を設けることが可能となり、副鏡の通気性を向上させることができる。もって、この隙間から冷却用の冷却風を流入させることができ、効率的に発光管を冷却することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（適用例２）上記適用例に係る光源装置において、前記隙間は、前記照明光軸方向と直交する方向に開いていることが好ましい。このような光源装置によれば、副鏡としての機能を損なうことなく、この隙間から冷却用の冷却風を前記管球部に効率よく流入させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（適用例３）上記適用例に係る光源装置において、副鏡は複数の反射部材からなっており、該複数の反射部材の反射層は前記照明光軸からの距離が異なっており、それら異なる距離の反射部材を隣接させることで前記隙間を作り出すことが好ましい。このような光源装置によれば、隙間を容易に形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（適用例４）上記適用例に係る光源装置において、前記副鏡を構成する前記複数の反射部材のうち、前記管球部の上部に対向して配置される反射部材は、前記照明光軸から当該反射部材の反射面までの距離が、前記管球部の下部に対向して配置される反射部材の前記照明光軸から当該反射部材の反射面までの距離に比較して大きくなる反射部材を配置していることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このような光源装置によれば、管球部の上部に対向して配置される反射部材の照明光軸からの距離の方が、管球部の下部に対向して配置される反射部材の照明光軸からの距離より大きく配置されるため、冷却風は管球部の上部に流入し易く、管球部の下部に流入し難くさせることができる。従って、発光管の管球部の上部の温度と下部の温度との温度差を更に小さくするように冷却することが可能となる。なお、発光管や管球部に関して上下とは、これらの設置が予定される環境において、重力を基準とした方向を意味する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（適用例５）本適用例に係るプロジェクターは、上述したいずれかの光源装置と、前記光源装置を冷却する冷却風を発生する冷却ファンと、光源装置から射出された光束を画像信号に基づき変調して光学像を形成する光学変調装置と、を備えることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このようなプロジェクターによれば、上述した光源装置に加えて、冷却ファンを備えているため、光源装置の長寿命化を図れる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（適用例６）上記適用例に係るプロジェクターにおいて、前記冷却風は、前記照明光軸に対して略直交する方向から前記光軸方向に向かって吐出されており、前記隙間は前記吐出される冷却風を前記管球部に取り込めるように前記冷却風に対して開口していることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このようなプロジェクターによれば、上述した光源装置に対して冷却風を的確に送ることができるため、さらなる光源装置の長寿命化が期待できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の一方の面に第１金属層を積層する第１工程と、
前記絶縁層の他方の面に、第２金属層及び前記第２金属層よりも厚いキャリア層が剥離可能な状態で積層されたキャリア付き金属層を、前記第２金属層が前記絶縁層の他方の面に向くように積層する第２工程と、
前記第１金属層と前記第２金属層とを、前記絶縁層を貫通するビアにより電気的に接続する第３工程と、
前記第１金属層をパターンニングして、前記第１金属層を含む第１配線パターンを形成する第４工程と、
前記第２金属層と導通している前記第１配線パターン上に、前記第２金属層を給電のためのバスラインとして使用する電解めっき法により第３金属層を形成する第５工程と、
前記第２金属層から前記キャリア層を剥離する第６工程と、
前記第５工程及び前記第６工程よりも後に、前記第２金属層をパターンニングして、前記２金属層を含む第２配線パターンを形成する第７工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第７工程は、前記第２金属層上に、前記第２金属層の前記第２配線パターンとなる部分を露出する開口部を有するレジスト層を形成する第７Ａ工程と、
前記第２金属層を給電のためのバスラインとして使用する電解めっき法により前記開口部内に露出する前記第２金属層上に第４金属層を形成する第７Ｂ工程と、
前記レジスト層を除去後、前記第４金属層が形成されていない部分の前記第２金属層を除去し、前記第２金属層に前記第４金属層が積層された前記第２配線パターンを形成する第７Ｃ工程と、を有する請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第７Ｂ工程と前記第７Ｃ工程との間に、前記第２金属層を給電のためのバスラインとして使用する電解めっき法により前記開口部内に露出する前記第４金属層上に第５金属層を形成する第７Ｄ工程を有する請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第３金属層の少なくとも一部は、半導体チップと接続されるパッドであり、
前記第２配線パターン又は前記第５金属層の少なくとも一部は、他の配線基板と接続されるパッドである請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第３金属層は、金（Ａｕ）を含む層である請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第５金属層は、金（Ａｕ）を含む層である請求項３記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第５工程は、前記第１配線パターンの一部を露出し他部を被覆する第１ソルダーレジスト層を形成する第５Ａ工程と、
前記第１ソルダーレジスト層から露出する前記第１配線パターン上に、前記第２金属層を給電のためのバスラインとして使用する電解めっき法により第３金属層を形成する第５Ｂ工程と、を有する請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層の他方の面に、前記第２配線パターンの一部を露出し他部を被覆する第２ソルダーレジスト層を形成する第８工程を有する請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層の他方の面に、前記第５金属層の一部を露出し他部を被覆する第２ソルダーレジスト層を形成する第８工程を有する請求項３又は６記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１工程は、第１金属層及び前記第１金属層よりも厚いキャリア層が剥離可能な状態で積層されたキャリア付き金属層を、前記第１金属層が前記絶縁層の一方の面に向くように積層する第１Ａ工程と、
前記キャリア付き金属層から、前記キャリア層を剥離する第１Ｂ工程と、を有する請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本配線基板の製造方法は、絶縁層の一方の面に第１金属層を積層する第１工程と、前記絶縁層の他方の面に、第２金属層及び前記第２金属層よりも厚いキャリア層が剥離可能な状態で積層されたキャリア付き金属層を、前記第２金属層が前記絶縁層の他方の面に向くように積層する第２工程と、前記第１金属層と前記第２金属層とを、前記絶縁層を貫通するビアにより電気的に接続する第３工程と、前記第１金属層をパターンニングして、前記第１金属層を含む第１配線パターンを形成する第４工程と、前記第２金属層と導通している前記第１配線パターン上に、前記第２金属層を給電のためのバスラインとして使用する電解めっき法により第３金属層を形成する第５工程と、前記第２金属層から前記キャリア層を剥離する第６工程と、前記第５工程及び前記第６工程よりも後に、前記第２金属層をパターンニングして、前記２金属層を含む第２配線パターンを形成する第７工程と、を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【図１】図１は本発明に関連する関連技術において配線基板に平型のリードピンを取り付ける様子を示す断面図（その１）である。
【図２】図２は本発明に関連する関連技術において配線基板に平型のリードピンを取り付ける様子を示す断面図（その２）である。
【図３】図３は本発明に関連する関連技術において配線基板にラウンド型のリードピンを取り付ける様子を示す断面図である。
【図４】図４は本発明の実施形態のリードピンを示す側面図である。
【図５】図５は図４のリードピンの接続ヘッド部を上側からみた平面図である。
【図６】図６は本発明の実施形態の変形例のリードピンを示す側面図である。
【図７】図７は本発明の実施形態のリードピン付き配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図８】図８は本発明の実施形態のリードピン付き配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図９】図９は本発明の実施形態のリードピン付き配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１０】図１０は本発明の実施形態のリードピン付き配線基板の製造方法においてリードピンの傾きが矯正される様子を示す断面図である。
【図１１】図１１は本発明の実施形態のリードピンの接続ヘッド部におけるはんだとの接触面積を示すものである。
【図１２】図１２は本発明の実施形態のリードピンの傾きを矯正する際の戻り量をシミュレーションしたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
これにより、傾いて配置されたリードピン１０は、配線基板２０の下側に宙吊りとなった状態で垂直方向側に適度に傾きが矯正される。従って、リードピン１０の傾き量を設計スペック内に抑えることができるので、リードピン付き配線基板を歩留りよく製造することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図１１のグラフに破線で示すように、本実施形態のリードピン１０の接続ヘッド部１４（厚みＨ：０．１３ｍｍ）をラウンド型のリードピン１０ｘの接続ヘッド部１４ｘ（厚み：１．１５Ｈ＝１．１５×０．１３ｍｍ）にすると、接触面積は０．５ｍｍ2程度となり、この程度の接触面積をもつ場合は十分なピンプル強度を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図１２（ａ）に示すように、解析条件１のサンプルはラウンド型のリードピン（前述の関連技術）であり、解析条件２のサンプルは平型のリードピン（前述の関連技術）である。解析条件３のサンプルは前述した図４の本実施形態のリードピン１０において凸状面Ｃ２及び凹状面Ｃ３を構成するための各半径Ｒを１／２Ｈ（Ｈ：接続ヘッド部１４の厚み）に設定したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図１２（ａ）のグラフに示すように、シミュレーション結果によれば、解析条件１のラウンド型のリードピンの戻り量は−０．０３８ｍｍ程度であった。戻り量のマイナス（−）値は図１２（ｂ）の解析モデルにおいてリードピンが戻り量の矢印の方向に動いたことを意味する。ラウンド型のリードピンは、傾き矯正が容易な構造であり、この程度の移動が起こることにより、リードピンの傾き不良は防止される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
これに対して、解析条件３の本実施形態のリードピン（凸状面及び凹状面の各Ｒ＝１／２Ｈ）では戻り量が解析条件１（ラウンド型のリードピン）と同等（−０．０３８ｍｍ程度）であり、傾き矯正が容易な構造であることが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、この第１実施形態において、マスク３の遮光領域３１及び透過領域３２はその形
状が矩形に限るものではなく、円形等種々の形状にすることができる。また、上記実施形
態においては、第２工程にて、チャネル領域を画定する遮光領域以外のマスクを使用しな
いものであったが、第２工程においても、マスクを使用し、第１工程において、遮光領域
であった部分を透過領域とし、透過領域であった部分を遮光領域として、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜
において第１工程でアモルファスのまま残存した部分のみにレーザ光を照射してこの部分
をアニールすることとしてもよい。また、この場合に、第２工程における透過領域を、第
１工程における遮光領域よりも小さくして、第１工程のレーザ光照射領域と、第２工程の
レーザ光照射領域との間に間隙を設けてもよい。これにより、第２工程において、アモル
ファス領域が多結晶化するときに、第１工程で既に多結晶化しているポリシリコン部分を
起点として結晶成長が生じないようにすることができる。これにより、第１工程のポリシ
リコンの結晶粒形態に影響を受けることなく、第２工程において、ポリシリコンを成長さ
せることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜が塗布された基板を第１の気圧調整機構内に搬入する搬入ステップと、
前記基板の周辺雰囲気を第１の気圧調整機構によって大気圧から減圧する減圧ステップと、
前記基板からのアウトガス量に相関する物理量を測定する測定ステップと、
前記物理量の測定結果に基づいて、前記基板へのＥＵＶ露光を露光部で行うか否かを判定する判定ステップと、
前記ＥＵＶ露光を行なわないと判定した場合に、前記基板へのＥＵＶ露光を行なうことなく前記基板を第２の気圧調整機構内に搬送する搬送ステップと、
前記基板の周辺雰囲気を前記第２の気圧調整機構によって大気圧へ加圧する加圧ステップと、
前記基板を前記第２の気圧調整機構外へ搬出する搬出ステップと、
を含み、
前記物理量は、前記減圧ステップの際の基板の温度であり、
前記搬送ステップは、前記基板を前記第１の気圧調整機構から前記露光部内に搬送することなく前記第１の気圧調整機構から前記第２の気圧調整機構へ搬送することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
レジスト膜が塗布された基板を第１の気圧調整機構内に搬入する搬入ステップと、
前記基板の周辺雰囲気を第１の気圧調整機構によって大気圧から減圧する減圧ステップと、
前記基板からのアウトガス量に相関する物理量を測定する測定ステップと、
前記物理量の測定結果に基づいて、前記基板へのＥＵＶ露光を露光部で行うか否かを判定する判定ステップと、
前記ＥＵＶ露光を行なわないと判定した場合に、前記基板へのＥＵＶ露光を行なうことなく前記基板を第２の気圧調整機構内に搬送する搬送ステップと、
前記基板の周辺雰囲気を前記第２の気圧調整機構によって大気圧へ加圧する加圧ステップと、
前記基板を前記第２の気圧調整機構外へ搬出する搬出ステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記物理量は、前記減圧ステップの際の基板の温度であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記物理量は、前記減圧ステップの際の前記第１の気圧調整機構内における圧力であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記搬送ステップの前に、前記基板の温度を調整する温調ステップをさらに含み、
前記物理量は、前記温調ステップの際の基板の温度であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記搬送ステップは、前記基板を前記第１の気圧調整機構から前記露光部内に搬送することなく前記第１の気圧調整機構から前記第２の気圧調整機構へ搬送することを特徴とする請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
レジスト膜が塗布された基板を搬入するとともに前記基板の周辺雰囲気を大気圧から減圧する第１の気圧調整機構と、
前記基板からのアウトガス量に相関する物理量を測定する測定部と、
前記物理量の測定結果に基づいて、前記基板へのＥＵＶ露光を行うか否かを判定する判定部と、
前記第１の気圧調整機構から前記基板を搬入して前記基板へのＥＵＶ露光を行なう露光部と、
前記第１の気圧調整機構または前記露光部から前記基板を搬入して前記基板の周辺雰囲気を大気圧へ加圧し、その後、前記基板を搬出する第２の気圧調整機構と、
を備え、
前記物理量は、前記基板の周辺雰囲気を減圧する際の基板の温度であり、
前記判定部が、前記ＥＵＶ露光を行なわないと判定した場合には、前記基板を前記第１の気圧調整機構から前記露光部内に搬送することなく前記第１の気圧調整機構から前記第２の気圧調整機構へ搬送し、前記露光部が前記基板へのＥＵＶ露光を行なうことなく第２の気圧調整機構が前記基板を搬出することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
レジスト膜が塗布された基板を搬入するとともに前記基板の周辺雰囲気を大気圧から減圧する第１の気圧調整機構と、
前記基板からのアウトガス量に相関する物理量を測定する測定部と、
前記物理量の測定結果に基づいて、前記基板へのＥＵＶ露光を行うか否かを判定する判定部と、
前記第１の気圧調整機構から前記基板を搬入して前記基板へのＥＵＶ露光を行なう露光部と、
前記第１の気圧調整機構または前記露光部から前記基板を搬入して前記基板の周辺雰囲気を大気圧へ加圧し、その後、前記基板を搬出する第２の気圧調整機構と、
を備え、
前記判定部が、前記ＥＵＶ露光を行なわないと判定した場合には、前記露光部が前記基板へのＥＵＶ露光を行なうことなく第２の気圧調整機構が前記基板を搬出することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記物理量は、前記基板の周辺雰囲気を減圧する際の基板の温度であることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記物理量は、前記基板の周辺雰囲気を減圧する際の前記第１の気圧調整機構内における圧力であることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記露光部は、前記基板の温度を調整する温調部を有し、
前記物理量は、前記温調部が前記基板の温度を調整する際の前記基板の温度であることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記判定部が、前記ＥＵＶ露光を行なわないと判定した場合には、前記基板を前記第１の気圧調整機構から前記露光部内に搬送することなく前記第１の気圧調整機構から前記第２の気圧調整機構へ搬送することを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１つに記載の露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第２半導体層と前記第１コンタクト領域との間隔よりも、前記第２半導体層と前記第２コンタクト領域との間隔の方が広いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第３の金型に配置された基板上に、孔部を有する第４の金型を配置する工程と、
第１の金型に保持するキャップのカバー部が前記孔部内で前記基板に搭載されたチップを覆うよう、前記第１の金型を前記第４の金型に接触させる工程と、
前記カバー部と前記孔部の壁面との間に樹脂材料を充填して固化させ、前記キャップのカバー部と前記基板とを接合し前記チップを気密に封止する接合部を成形する工程とを、含む、中空樹脂パッケージの形成方法。
【請求項２】
前記第１の金型と第２の金型とでキャップのカバー部を成形する工程と、
成形された前記キャップのカバー部を第１の金型に保持したまま、前記第１の金型から第２の金型を分離する工程と、を有する、請求項１に記載の中空樹脂パッケージの形成方法。
【請求項３】
前記第３の金型を、前記第１の金型の一方の面に対向する位置に固定し、
前記第１の金型の前記一方の面と間隔を置いた位置に設けられた、前記第２の金型および前記第４の金型を支持しているスライド機構を移動させることにより、前記カバー部を成形する工程では、前記第２の金型を前記第１の金型と対向する位置に配置し、前記接合部を成形する工程では、前記第４の金型を前記第１の金型と対向する位置に配置する、請求項２に記載の中空樹脂パッケージの形成方法。
【請求項４】
前記第１の金型の前記一方の面と間隔を置いた位置に設けられた、前記第２の金型と、前記第３の金型と、前記第４の金型とが設けられたスライド機構を移動させ、前記第２の金型または前記第３の金型と第４の金型を前記第１の金型の一方の面と対向する位置に配置する、請求項１に記載の中空樹脂パッケージの形成方法。
【請求項５】
一方の面にキャップのカバー部を保持可能な凹部が形成された第１の金型と、
基板を配置可能な第３の金型と、
前記第１の金型と前記第３の金型との間に介在することができ、前記カバー部との間に樹脂材料を充填して固化させ、前記カバー部の外周に位置する接合部を成形して前記キャップを完成させるとともに、前記接合部によって前記キャップと前記基板とを接合する孔部を有する第４の金型と、を有する、中空樹脂パッケージの形成装置。
【請求項６】
前記一方の面と対向可能な面に、突起部と前記突起部の外周に位置する溝とが設けられ、前記第１の金型と前記第２の金型とが接合した状態で、前記凹部と前記突起部との間の隙間と前記溝とによって、前記キャップのカバー部形成用のキャビティが構成される第２の金型を有し、
前記第１の金型と前記第２の金型とが対向した状態と、前記第１の金型と前記第４の金型と前記第３の金型とが順番に重なるように対向した状態とを可能にするように、少なくとも前記第２の金型と前記第４の金型を移動させるスライド機構とを有する、請求項５に記載の中空樹脂パッケージの形成装置。
【請求項７】
前記第３の金型は、前記第１の金型の前記一方の面に対向する位置に固定されており、前記第２の金型と前記第４の金型は、前記スライド機構に設けられたスプリングを有する機構部により支持され、前記第３の金型上に配置された基板の高さよりも高い位置に設けられている、請求項６に記載の中空樹脂パッケージの形成装置。
【請求項８】
前記第２の金型の前記突起部が設けられているのとは反対の面であり、前記第２の金型と前記第３の金型とが接するときにチップと対向する位置に、前記チップよりも大きな窪みが設けられている、請求項７に記載の中空樹脂パッケージの形成装置。
【請求項９】
前記第２の金型は前記スライド機構上に配置されており、
前記第４の金型が前記スライド機構上に設けられたスプリングを有する機構部により支持されており、
前記スライド機構上であり、かつ該スライド機構と前記第４の金型との間に前記第３の金型が配置されている、請求項６に記載の中空樹脂パッケージの形成装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に搭載されたチップと、
前記チップを覆うカバー部と、
前記カバー部の外周に射出成形され、前記カバー部を基板と接合し前記チップを気密に封止する接合部と、を備えることを特徴とする、中空樹脂パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の中空樹脂パッケージの形成方法は、第３の金型に配置された基板上に、孔部を有する第４の金型を配置する工程と、第１の金型に保持するキャップのカバー部が孔部内で基板に搭載されたチップを覆うよう、第１の金型を第４の金型に接触させる工程と、カバー部と孔部の壁面との間に樹脂材料を充填して固化させ、キャップのカバー部と基板とを接合しチップを気密に封止する接合部を成形する工程とを、含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用する設備、装置または移動手段に応じてそれぞれ環境負荷値が定められた複数の行動の中から選択された行動に基づいて、対象期間中に利用者が予定する行動を示す行動予定情報を設定する設定手段と、
前記対象期間の少なくとも一時点までに前記利用者により行われた行動を特定する行動情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された行動情報により特定される行動の環境負荷値と、前記行動情報により特定される行動以後に前記行動予定情報において予定される行動の環境負荷値とに基づいて、前記対象期間における前記利用者の行動の総環境負荷値を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された総環境負荷値と、前記対象期間について予め定められた環境負荷の目標値とを共に表示する表示情報を生成する表示情報生成手段と、
前記取得手段により取得された行動情報に示される行動以後に前記行動予定情報において予定される行動を更新する更新手段と、
を含むことを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
前記複数の行動ごとに画像が対応づけられ、
前記表示情報生成手段は、時間を示す第１の軸と、環境負荷値を示す第２の軸をそれぞれ座標軸とした座標系に、前記利用者が予定する行動に対応づけられた画像を、当該行動を行う時間及び環境負荷値に応じた座標位置に配置した表示情報を生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記更新手段は、前記座標系に配置された画像の前記第１の軸における位置が変更された場合に、当該変更された位置に応じて前記画像に対応した行動の時間情報を更新する
ことを特徴とする請求項２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記更新手段は、前記座標系に配置された画像の前記第２の軸における位置が変更された場合に、当該変更された位置に応じた行動に前記画像に対応した行動を変更する
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記表示情報生成手段は、前記取得手段により取得された行動情報により特定される行動による総環境負荷値を表示する表示情報を生成する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の情報処理システム。
【請求項６】
コンピュータを、
利用する設備、装置または移動手段に応じてそれぞれ環境負荷値が定められた複数の行動の中から選択された行動に基づいて、対象期間中に利用者が予定する行動を示す行動予定情報を設定する設定手段と、
前記対象期間の少なくとも一時点までに前記利用者により行われた行動を特定する行動情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された行動情報により特定される行動の環境負荷値と、前記行動情報により特定される行動以後に前記行動予定情報において予定される行動の環境負荷値とに基づいて、前記対象期間における前記利用者の行動の総環境負荷値を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された総環境負荷値と、前記対象期間について予め定められた環境負荷の目標値とを共に表示する表示情報を生成する表示情報生成手段と、
前記取得手段により取得された行動情報に示される行動以後に前記行動予定情報において予定される行動を更新する更新手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速道路に付随して設置されているサービスエリアまたはパーキングエリア内の車両の位置を自車位置として検出する自車位置検出手段と、
前記サービスエリアまたは前記パーキングエリアへ進入するための導入路と前記高速道路との分岐点を基準に逆走判定範囲を設定する範囲設定手段と、
前記逆走判定範囲内における前記車両の走行距離を取得する走行距離取得手段と、
前記走行距離の合計が所定の閾値より大きい場合に前記車両が逆走しようとしていると判断する逆走判定手段と、
前記逆走判定手段によって前記車両が逆走しようとしていると判定されたとき所定の報知を行う報知手段とを備えることを特徴とする車載装置。
【請求項２】
請求項１に記載の車載装置において、
前記範囲設定手段は、前記分岐点を中心とし、所定の第１の距離を半径とし、所定の第１の角度を中心角とする扇形の範囲であって、前記中心角は前記分岐点における前記高速道路の進行方向から前記導入路の方向に向かって広がるものとすることを特徴とする車載装置。
【請求項３】
請求項２に記載の車載装置において、
前記第１の角度は、前記分岐点における前記高速道路の進行方向と前記導入路の進行方向との間の劣角に基づいて算出することを特徴とする車載装置。
【請求項４】
請求項１に記載の車載装置において、
前記範囲設定手段は、前記分岐点を中心とし、所定の第２の距離を半径とし、所定の第２の角度を中心角とする扇形の範囲であって、前記中心角は前記分岐点における前記導入路の進行方向を中心に左右に広がるものとすることを特徴とする車載装置。
【請求項５】
請求項４に記載の車載装置において、
前記第２の角度は、前記分岐点における前記高速道路の進行方向と前記導入路の進行方向の間の劣角に基づいて算出することを特徴とする車載装置。
【請求項６】
請求項２から５のいずれかに記載の車載装置において、
前記第１の距離または前記第２の距離は、前記導入路の長さより大きい値に設定することを特徴とする車載装置。
【請求項７】
請求項２から６のいずれかに記載の車載装置において、
前記逆走判定手段は、前記第１の距離または前記第２の距離から前記導入路の長さを減算した値に基づいて前記閾値を設定することを特徴とする車載装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１の発明は、高速道路に付随して設置されているサービスエリアまたはパーキングエリア内の車両の位置を自車位置として検出する自車位置検出手段と、サービスエリアまたはパーキングエリアへ進入するための導入路と高速道路との分岐点を基準に逆走判定範囲を設定する範囲設定手段と、逆走判定範囲内における車両の走行距離を取得する走行距離取得手段と、走行距離の合計が所定の閾値より大きい場合に車両が逆走しようとしていると判断する逆走判定手段と、逆走判定手段によって車両が逆走しようとしていると判定されたとき所定の報知を行う報知手段とを備える車載装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタが設けられた基板を金属箔で包み、
前記金属箔で包まれた状態の前記基板に加熱処理を行い、前記基板に静電気が発生することを抑止することを特徴とする除電方法。
【請求項２】
基板上に酸化物半導体層を有するトランジスタを形成し、
前記トランジスタが設けられた前記基板を導電性を有する金属箔で包んだ状態で、加熱処理を行う半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記加熱処理の温度は１００℃以上３００℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記加熱処理を行う加熱装置は、接地電位と電気的に接続し、且つ、前記金属箔も接地電位と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。