【事件の表示】
　平成１１年特許願第　５１６７３号「磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月１４日出願公開、特開２０００−２５１２２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年２月２６日の出願であって、平成１６年１１月１日付けで手続補正がなされ、その後平成１６年１１月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１２月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年１月２７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年１月２７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１月２７日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の、
　（ａ）　「【請求項１】　第１の磁性体層をスパッタリング法により形成する第１の工程と、
　前記第１の工程で形成された前記第１の磁性体層上にレーザーアブレーション法により絶縁体層を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程で形成された前記絶縁体層上に第２の磁性体層をスパッタリング法により形成する第３の工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】　スパッタリング法により
１０ｎｍ程度の膜厚の軟磁性体からなる
　前記第１の工程で形成された前記第１の磁性体層上に、レーザーアブレーション法により
１ｎｍ程度の膜厚の絶縁体からなる
　前記第２の工程で形成された前記絶縁体層上に、スパッタリング法により
１０ｎｍ程度の膜厚の軟磁性体からなる
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「第１の磁性体層」について、「
１０ｎｍ程度の膜厚の軟磁性体からなる
１ｎｍ程度の膜厚の絶縁体からなる
１０ｎｍ程度の膜厚の軟磁性体からなる
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第９７／３９４８８号パンフレット（以下「引用例１」という。）には、「３層トンネル接合における幾何学的に増大された磁気抵抗」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「電子トンネルは、電流が、一つの電極から薄い絶縁バリヤ層を通って第２の電極に到達する量子現象である。電極、バリヤおよび対立電極のこの３層システムは、３層トンネル接合デバイスと呼ばれる。上記の
電極が強磁性材料からなる場合には、強磁性体−絶縁体−強磁性体（ＦＭ−Ｉ−ＦＭ）３層トンネル接合が形成される
　磁場による磁性材料の抵抗の変化は“磁気抵抗変化”と呼ばれる。
トンネル接合に於ける抵抗変化に対しては、“接合磁気抵抗変化”
　（イ）　「本発明は、
接合抵抗を持つ磁気３層トンネル接合デバイス
その製造方法
　（ウ）　「本発明のトンネル接合磁気抵抗変化（ＪＭＲ）デバイスは、３つの層のみを備え、超薄膜絶縁層により２つの強磁性体フィルムが隔離されている。」（「ＳＵＭＭＡＲＹ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＩＮＶＥＮＴＩＯＮ（発明の要旨）」の項の記載、３頁３１行〜３４行、日本語訳は同特表公報１１頁１２行〜１４行参照）
　（エ）　「好ましい実施形態においては、本発明の接合デバイスは、第１の独立磁化方向を持つ第１の電極、第２の独立磁化方向を持つ第２電極、および第１および第２の電極の間の絶縁体を備えることにより、３層トンネル接合を形成する。」（「ＳＵＭＭＡＲＹ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＩＮＶＥＮＴＩＯＮ（発明の要旨）」の項の記載、４頁６行〜１１行、日本語訳は同特表公報１１頁１９行〜２１行参照）
　（オ）　「好ましい実施形態においては、第１および第２の電極は通常、強磁性体（ＦＭ）であり、それぞれ約０．５以下の電子スピン偏極値を持つ。」（「ＳＵＭＭＡＲＹ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＩＮＶＥＮＴＩＯＮ（発明の要旨）」の項の記載、４頁２８行〜３１行、日本語訳は同特表公報１２頁３行〜４行）
　（カ）　「接合抵抗は、絶縁体層の厚みを変化させることによりコントロールすることが出来る。好ましくは、絶縁体層の厚みは約２オングストロームから３０オングストロームの範囲にある。絶縁体層は先ずＡｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｔｉ、ＹおよびＳｉから成る一群から選ばれた前駆（プリカーサ：ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）金属薄膜を使用することにより形成される。薄膜層が次に、通常２から１１０秒の範囲で活性化ガスと反応させられることにより、トンネルバリヤを形成する。得られるバリヤ層の厚みは、実施される反応時間の長さによって左右される。好ましくは、絶縁体は、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、およびＹ２Ｏ３から成る一群から選ばれた表面反応型金属膜である。」（「ＳＵＭＭＡＲＹ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＩＮＶＥＮＴＩＯＮ（発明の要旨）」の項の記載、５頁７行〜２０行、日本語訳は同特表公報１２頁１３行〜２１行参照）
　（キ）　「好ましい実施形態においては、３層トンネルデバイスは、真空蒸着チャンバにおいてフラットで平滑な基板を設けることにより製作される。基板は最初に液体窒素により冷却された金属面の上に置くことにより冷却される。薄いシード層がデバイスの為のベースを提供する為に、基板の上に重ねて貼り付けられる。第１（下）電極が次にシード層の上に付着され、続いて絶縁層の前駆体薄膜がその上に付着される。好ましくは、前駆体膜は次に、トンネルバリヤを作る為にガス反応させられる。最後に、上電極が絶縁層の上に付着されるが、この際に上下の電極が重なる部分が絶縁層により分離されてトンネル接合を形成する。
　
電極又は絶縁膜層を付着する為の好ましい方法には、高周波もしくは直流のスパッタリング、又はイオンビームマグネトロンスパッタリング
　理想的には、絶縁層の金属膜は活性化ガスにより完全に反応するが、下の第１の電極に対して反応を誘発することはなく、活性化ガスの分子のみを絶縁層として残す。しかし、好ましくは、金属膜の上面部分は活性化ガスと反応し、金属膜の一部を下側に在る下電極の片側面と接触させておく。これにより、電極の上面が清浄で表面の腐蝕のない状態に保たれる。
　別の実施形態においては、強磁性体電極と絶縁層の金属膜は、スパッタ付着、又は蒸着のいずれもが可能であり、金属膜は上電極を付着する前にグロー放電により活性化ガスと反応させられる。何れの場合にも、好ましくは、第１および第２の電極は磁界の存在下で付着されることにより、トンネル接合の磁界応答特性が改善される。」（「ＳＵＭＭＡＲＹ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＩＮＶＥＮＴＩＯＮ（発明の要旨）」の項の記載、６頁１９行〜７頁１８行、日本語訳は同特表公報１３頁１４行〜１４頁６行）
　（ク）　「図１に示されたように、ＦＭ−Ｉ−ＦＭ薄膜３層トンネル接合２０を製作する好ましい方法の例は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が絶縁層として使用される
真空蒸着プロセス
約８０Åの厚みの第１のＦＭ金属膜１２
約１００〜３００Å厚みの上ＦＭ電極１０
　デバイス２０のトンネル接合抵抗は、グロー放電の時間および使用されるＦＭ材料のタイプによって数百オームから数万キロオームの間の値を示す。
　３層トンネル接合におけるＦＭ電極対に対する好ましい材料には、第１ＦＭ膜層に対しては
コバルト鉄（ＣｏＦｅ）
ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）
各層は真空蒸着プロセスにより形成されるのが好ましいが、スパッタリング、電気メッキ又はレーザーアブレーションのような他の適切なプロセスも代わりに使用することが出来る
　（ケ）　「公称接合抵抗（ＲＪ）が異なる４つの領域に対する室温下で計測されたＪＭＲが、図７から１０に示されている。ＲＪがキロオーム（図７）からミリオーム（図１０）に低下するにつれて、見掛け上のＪＭＲ（△ＲＴ／ＲＪ）は１６．２％から３２４％へと大きく増加する。図７は、その公称ＲＪが約２．６キロオームである幾何学的に磁気抵抗が増大された
コバルト鉄／酸化アルミニウム／ニッケル鉄の３層トンネルデバイス
１２０オングストロームの厚みのコバルト鉄強磁性体層、１２オングストロームの厚みの酸化アルミニウム絶縁体層、および２００オングストロームの厚みのニッケル鉄強磁性体層
　図８は、図７の場合と同じ材料組成を持つが厚みの異なる公称ＲＪが約１０オームの別のトンネルデバイスの応答を示す。この場合には
ＣｏＦｅ、Ａｌ
２
Ｏ
３
およびＮｉＦｅ層の厚みはそれぞれ８０、１４および１５０オングストローム
　図８は約３０％のＪＭＲの増大が、ターミナル接合抵抗を引き下げたことも一因となって実現されることを示している。
　同様に図９は、ＪＭＲが大きい
ＣｏＦｅ（１００Å）／Ａｌ
２
Ｏ
３
（１６Å）／Ｃｏ（１００Å）デバイス
　図１０は
ＣｏＦｅ（１００Å）／ＡｌＮ（１８Å）／ＮｉＦｅ（２７Å）
　（コ）　「４２．　
３層トンネルデバイスの作製方法であって
　
基板を真空中で冷却し
　
薄いシード層をこの基板の上に重ね
　
第１の電極をシード層に付着し
　
絶縁層をこの第１の電極の上に付着し、この絶縁層の厚みは約２オングストロームから３０オングストロームの範囲であり
　
第２の電極をこの絶縁層の上に付着することにより前記第１と第２の電極とがオーバーラップした状態で、前記絶緑層により互いに分離された領域を形成し、前記領域がトンネル接合を形成するトンネルデバイスの作製方法
　４３．　請求項４２において、前記第１および第２の電極ならびに絶縁層が高周波マグネトロン
スパッタリング
　４４．　請求項４２において、前記第１および第２の電極ならびに絶縁層が直流マグネトロン
スパッタリング
　４５．　請求項４２において、前記第１および第２の電極ならびに絶縁層がイオンビームマグネトロン
スパッタリング
　
（２）同じく引用された特開平１０−３０８３２０号公報（以下「引用例２」という。）には、「磁気抵抗効果膜の製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（サ）　「【０００５】これら多層構造、またはグラニュラー構造の薄膜は、どちらについても様々な開発が進められてきた。例えば多層構造では、導体層に接する強磁性のＭＲ膜としてパーマロイを用い、その磁化方向の制御のために、さらにＮｉＺｎフェライトの非電導性強磁性体層を
レーザーアブレーション法にて成膜する方法
それぞれの膜厚は１〜１０ｎｍの極薄い層
　（シ）　「【００１１】図１に
レーザーアブレーション法の装置の概念図
ターゲットをレーザー照射により溶融蒸発させ、それを基板に蒸着させる。基本的には真空蒸着法と同じであるが、単位面積当たりの入射エネルギーを高くできるので、薄膜が蒸着材料であるターゲットの組成とほぼ一致するものが容易に得られ、ターゲット組成を調整することにより、所望の薄膜組成とすることができる
低い基板温度でも十分な成膜速度を有し、密着性にすぐれた高密度の高品質な膜が得られる
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記（１）で摘示した記載事項、特に（ア）（イ）（コ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「第１の電極と第２の電極が強磁性材料からなる、強磁性体−絶縁体−強磁性体３層トンネル接合を備える３層トンネルデバイスの作製方法であって、
　基板を真空中で冷却し、
　薄いシード層をこの基板の上に重ね、
　第１の電極をシード層に付着し、
　絶縁層をこの第１の電極の上に付着し、この絶縁層の厚みは約２オングストロームから３０オングストロームの範囲であり、
　第２の電極をこの絶縁層の上に付着することにより前記第１と第２の電極とがオーバーラップした状態で、前記絶緑層により互いに分離された領域を形成し、前記領域がトンネル接合を形成するトンネルデバイスの作製方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「第１の電極」「第２の電極」は、強磁性体であるから、それぞれ補正後の発明の「第１の磁性体層」「第２の磁性体層」に相当している。また、引用例１に記載された発明の「第１の電極」「第２の電極」は、それぞれ「コバルト鉄（ＣｏＦｅ）」「ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）」（上記（ク）参照）が例示され、トンネル磁気抵抗効果素子において普通に用いられる強磁性体電極の材料を前提としているので、引用例１に記載された発明の「第１の電極」「第２の電極」は、「軟磁性体からなる」磁性体層であるといえる。
　引用例１に記載された発明の「絶縁層」は、補正後の発明の「絶縁体層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「強磁性体−絶縁体−強磁性体３層トンネル接合を備える３層トンネルデバイス」は、補正後の発明の「磁気抵抗効果素子」に相当し、引用例１に記載された発明の「強磁性体−絶縁体−強磁性体３層トンネル接合を備える３層トンネルデバイスの作製方法」は、補正後の発明の「磁気抵抗効果素子の製造方法」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「第１の電極をシード層に付着し」は、補正後の発明の「第１の磁性体層を形成する第１の工程」に相当し、引用例１に記載された発明の「絶縁層をこの第１の電極の上に付着し」は、補正後の発明の「前記第１の工程で形成された前記第１の磁性体層上に」「絶縁体からなる絶縁体層を形成する第２の工程」に相当し、引用例１に記載された発明の「第２の電極をこの絶縁層の上に付着すること」は、補正後の発明の「前記第２の工程で形成された前記絶縁体層上に」「第２の磁性体層を形成する第３の工程」に相当している。
　
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）　「軟磁性体からなる第１の磁性体層を形成する第１の工程と、
　前記第１の工程で形成された前記第１の磁性体層上に、絶縁体からなる絶縁体層を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程で形成された前記絶縁体層上に、軟磁性体からなる第２の磁性体層を形成する第３の工程とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法。」
　
　（相違点１）　「第１の磁性体層を形成する第１の工程」について、補正後の発明は、「
スパッタリング法により１０ｎｍ程度の膜厚の
レーザーアブレーション法により１ｎｍ程度の膜厚の
スパッタリング法により１０ｎｍ程度の膜厚の
　
（２）相違点１についての判断
　引用例１には、「絶縁体層」の膜厚として、「約２オングストロームから３０オングストロームの範囲」（０．２〜３ｎｍに相当）が示されている。また、引用例１には、一実施例として、第１の磁性体層の膜厚について「約８０Å」（８ｎｍに相当）、「絶縁体層」の膜厚について「約１２〜１４Å」（１．２〜１．４ｎｍに相当）、第２の磁性体層の膜厚について「約１００〜３００Å」（１０〜３０ｎｍに相当）（いずれも上記（ク）参照）が示されている。また、引用例１には、実施例として、第１の磁性体層の膜厚について、「１２０Å」（１２ｎｍに相当）「８０Å」（８ｎｍに相当）「１００Å」（１０ｎｍに相当）、「絶縁体層」の膜厚について、「１２Å」（１．２ｎｍに相当）「１４Å」（１．４ｎｍに相当）「１６Å」（１．６ｎｍに相当）「１８Å」（１．８ｎｍに相当）、第２の磁性体層の膜厚について、「２００Å」（２０ｎｍに相当）「１５０Å」（１５ｎｍに相当）「１００Å」（１０ｎｍに相当）「２７Å」（２．７ｎｍに相当）（いずれも上記（ケ）参照）が例示されている。
　補正後の発明を特定する事項である、「第１の磁性体層」の膜厚を１０ｎｍ程度、「絶縁体層」の膜厚を１ｎｍ程度、「第２の磁性体層」の膜厚を１０ｎｍ程度とすることについては、いずれも、引用例１に記載された各層の膜厚の例示された数値の範囲内であり、また近傍の値が例示されているものであるから、当業者が必要に応じ適宜選定しうる程度の値であり、本願明細書を検討しても、上記特定する数値が臨界的な意義を有するものでもない。
　引用例１には、「ＦＭ−Ｉ−ＦＭ薄膜３層トンネル接合２０を製作する好ましい方法の例は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が絶縁層として使用される真空蒸着プロセスを用いる」ことが記載（上記（ク）参照）され、当該真空蒸着プロセスの代わりに、スパッタリング、電気メッキ又はレーザーアブレーションを使用することが出来る（上記（ク）参照。）と例示されている。してみれば、引用例１に記載された発明の各層の形成にスパッタリングやレーザアブレーションを使用することは、当業者が容易に想到しうることである。
　ところで、第１及び第２の磁性体層をスパッタリング法で形成することは、引用例１の請求項４３〜４５（上記（コ）参照）にも好ましい方法として記載されているところである。
　レーザーアブレーション法は、酸化物膜等を成膜する技術として知られ、極薄い層の成膜に用いられ、ターゲットに一致する所望の薄膜組成を得られ、低い基板温度でも十分な成膜速度が得られ、密着性にすぐれた高密度高品質の膜が得られる効果を有していることが、引用例２に記載されている（上記（サ）（シ）参照）。レーザーアブレーション法による成膜の作用効果として、成膜速度が非常に速いため工業的に生産速度を高めることができ、他の気相法に比較して、成膜雰囲気が比較的自由に変えられるため、酸化物、窒化物等の成膜に適していること等が一般的に知られている。例えば、特開平６−２９３９５８号公報（段落２，３の従来の技術の項）、特開平９−５９７６２号公報（段落２、３の従来の技術の項）参照。
　してみれば、上記引用例１に記載されたトンネル磁気抵抗素子の成膜にレーザアブレーション法を使用する示唆を得て、レーザーアブレーション法で絶縁体層を形成し、第１，第２の磁性体層を、例示されているスパッタリングで形成することに、格別困難性を要したとはいえない。
　請求人は、厚膜の第１及び第２の磁性体層をスパッタリングにより効率よく成膜し、薄膜の絶縁体層をレーザーアブレーション法により精度よく成膜を行うことにより、効率よく、かつ、信頼性が高く、さらに特性の安定した磁気抵抗効果素子を作製できる旨、主張している。しかしながら、スパッタリング方法は信頼性のある効率の良い方法として普通に知られ、レーザアブレーション法が酸化物等の成膜において上記の作用効果を奏するものであるから、請求人の主張する効果は、引用例１、２に記載された発明及び周知の事項から予測される範囲内であるので、上記相違点１は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、本願出願前に頒布された引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１７年１月２７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至４に係る発明は、平成１６年１１月１日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２の３」で検討した補正後の発明から、「第１の磁性体層」についての限定事項である「
１０ｎｍ程度の膜厚の軟磁性体からなる
１ｎｍ程度の膜厚の絶縁体からなる
１０ｎｍ程度の膜厚の軟磁性体からなる
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。