【事件の表示】
　特願２０００−５１９４６２「ＧａＮ単結晶基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月１４日国際公開、ＷＯ９９／２３６９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月２９日（優先権主張平成９年１０月３０日、日本国、優先権主張平成１０年１月２０日、日本国、優先権主張平成１０年４月１４日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１２年３月８日付け、平成１８年２月１０日付け及び平成１８年６月１６日付けで手続補正がされ、平成１８年８月１４日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年９月２１日に審判請求がされるとともに、同年１０月１７日に手続補正がされたものである。
　
第２　平成１８年１０月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の却下について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１０月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜４３を、次のとおりの補正後の特許請求の範囲の請求項１〜９とするものである。
「【請求項１】　ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板上に、ＳｉＯ２またはＳｉＮで形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍのマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記ＧａＡｓ基板上に、厚さ５０ｎｍ〜１２０ｎｍのバッファ層をハイドライドＶＰＥにて形成するバッファ層形成工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去するＧａＡｓ基板除去工程と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程と、
　を備え、
　前記マスク層の前記開口窓は、ストライプ状のストライプ窓であり、
　前記ストライプ窓は、前記ＧａＡｓ基板の＜１１−２＞方向に延在しており、窓幅が０．３μｍ〜１０μｍの範囲内で、マスク幅が２μｍ〜２０μｍの範囲内であることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項２】　ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板上に、ＳｉＯ２またはＳｉＮで形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍのマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記ＧａＡｓ基板上に、厚さ５０ｎｍ〜１２０ｎｍのバッファ層をハイドライドＶＰＥにて形成するバッファ層形成工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去するＧａＡｓ基板除去工程と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程と、
　を備え、
　前記マスク層の前記開口窓は、ストライプ状のストライプ窓であり、
　前記ストライプ窓は、前記ＧａＡｓ基板の＜１−１０＞方向に延在しており、窓幅が０．３μｍ〜１０μｍの範囲内で、マスク幅が２μｍ〜２０μｍの範囲内であることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項３】　ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板上に、ＳｉＯ２またはＳｉＮで形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍのマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記ＧａＡｓ基板上に、厚さ５０ｎｍ〜１２０ｎｍのバッファ層をハイドライドＶＰＥにて形成するバッファ層形成工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去するＧａＡｓ基板除去工程と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程と、
　を備え、
　前記マスク層の前記開口窓を前記ＧａＡｓ基板の（１１１）面上において＜１１−２＞方向にピッチＬで複数配列して＜１１−２＞窓群を形成すると共に、前記＜１１−２＞窓群を前記ＧａＡｓ基板の（１１１）面の＜−１１０＞方向にピッチｄ（０．７５Ｌ≦ｄ≦１．３Ｌ）で複数並設し、
　前記各＜１１−２＞窓群は、前記各開口窓の中心位置が隣り合う前記＜１１−２＞窓群の前記各開口窓の中心位置に対して前記＜１１−２＞方向に約１／２Ｌずれて並設されており、
　前記各開口窓のピッチＬは、３μｍ〜１０μｍの範囲内であり、
　前記マスク層の前記開口窓の形状は、円形、楕円形、多角形の何れかであることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項４】　ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板上に、ＳｉＯ２またはＳｉＮで形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍのマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記ＧａＡｓ基板上に、厚さ５０ｎｍ〜１２０ｎｍのバッファ層をハイドライドＶＰＥにて形成するバッファ層形成工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去するＧａＡｓ基板除去工程と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程と、
　を備え、
　前記マスク層の前記開口窓を前記ＧａＡｓ基板の（１１１）面上において＜１１−２＞方向にピッチＬで複数配列して＜１１−２＞窓群を形成すると共に、前記＜１１−２＞窓群を前記ＧａＡｓ基板の（１１１）面の＜−１１０＞方向にピッチｄ（０．７５Ｌ≦ｄ≦１．３Ｌ）で複数並設し、
　前記各＜１１−２＞窓群は、前記各開口窓の中心位置が隣り合う前記＜１１−２＞窓群の前記各開口窓の中心位置に対して前記＜１１−２＞方向に約１／２Ｌずれて並設されており、
　前記各開口窓のピッチＬは、３μｍ〜１０μｍの範囲内であり、
　前記マスク層の前記各開口窓は、一辺が１μｍ〜５μｍの方形、又は直径１μｍ〜５μｍの円形であることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項５】　ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板上に、ＳｉＯ２またはＳｉＮで形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍのマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記ＧａＡｓ基板上に、厚さ５０ｎｍ〜１２０ｎｍのバッファ層をハイドライドＶＰＥにて形成するバッファ層形成工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去するＧａＡｓ基板除去工程と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程と、
　を備え、
　前記マスク層の前記開口窓が前記ＧａＡｓ基板の＜１１−２＞方向を長手方向とする長方形状の長方形窓であり、前記長方形窓を前記ＧａＡｓ基板の（１１１）面上において＜１１−２＞方向にピッチＬで複数配列して＜１１−２＞長方形窓群を形成すると共に、前記＜１１−２＞長方形窓群を＜−１１０＞方向にピッチｄで複数並設し、
　前記各＜１１−２＞長方形窓群は、前記各長方形窓の中心位置が隣り合う前記＜１１−２＞長方形窓群の前記各長方形窓の中心位置に対して前記＜１１−２＞方向に約１／２Ｌずれて並設されており、
　前記長方形窓のピッチＬは４μｍ〜２０μｍで、前記長方形窓の長手方向に隣り合う前記各長方形窓間のマスク長さが１μｍ〜４μｍで、前記各長方形窓の幅ｗは１μｍ〜５μｍで、前記長方形状の前記開口窓の短手方向に隣り合う前記長方形窓群間のマスク幅（ｄ−ｗ）は２μｍ〜１０μｍであることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項６】　ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板上に、ＳｉＯ２またはＳｉＮで形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍのマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記ＧａＡｓ基板上に、厚さ５０ｎｍ〜１２０ｎｍのバッファ層をハイドライドＶＰＥにて形成するバッファ層形成工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去するＧａＡｓ基板除去工程と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程と、
　を備え、
　前記マスク層の前記各開口窓は、六角リング状の六角窓であり、前記六角窓の六つの各辺の方向が、前記ＧａＡｓ基板の＜１１−２＞方向であることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項７】　前記エピタキシャル層は、厚さ５μｍ〜３００μｍの範囲内で成長され、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記エピタキシャル層上にＧａＮからなる第二のエピタキシャル層を積層成長させる工程、
　を更に備えることを特徴とする請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項８】　請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の製造方法によって得られたＧａＮ単結晶基板にＧａＮからなるエピタキシャル層を成長させてＧａＮ単結晶のインゴットを形成するインゴット形成工程と、
　前記インゴットを複数枚に切断する切断工程と、
　を更に備えることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。
【請求項９】　請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の製造方法によって得られたＧａＮ単結晶基板にＧａＮからなるエピタキシャル層を成長させてＧａＮ単結晶のインゴットを形成するインゴット形成工程と、
　前記インゴットを複数枚に劈開する劈開工程と、
　を更に備えることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。」
　
２．　補正事項の整理
（１）補正前の請求項１〜７、１０〜１３、１５〜１９、２１、２３〜２７、２９、３１〜３４、及び３７〜４３を削除すること。
（２）補正後の請求項１についての補正事項は、補正前の請求項７を介して補正前の請求項１を引用する補正前の請求項８を、独立請求項の形式に改めるとともに、以下の[補正事項１]〜[補正事項６]を行い、補正後の請求項１とするものである。
　[補正事項１]補正前の「ＧａＡｓ基板」を、補正後の「ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板」とし、
　[補正事項２]補正前の「互いに離隔配置された複数の開口窓を有するマスク層」を、補正後の「ＳｉＯ２またはＳｉＮで形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍのマスク層」とすること。
　[補正事項３]補正前の「エピタキシャル層を成長させる」を、補正後の「エピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させる」とすること。
　[補正事項４]補正前の「前記ＧａＡｓ基板上にバッファ層」を、補正後の「前記ＧａＡｓ基板上に、厚さ５０ｎｍ〜１２０ｎｍのバッファ層」とすること。
　[補正事項５]補正前の「バッファ層を形成する」を、補正後の「バッファ層をハイドライドＶＰＥにて形成する」とすること。
　[補正事項６]補正前の「前記ＧａＡｓ基板を除去する」を、補正後の「前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去する」とすること。
（３）補正後の請求項２についての補正事項は、前記補正後の請求項１についての補正の記述において、独立請求項の形式に改める請求項が、補正前の請求項７を介して補正前の請求項１を引用する補正前の請求項９であること、及び該請求項を補正後の請求項２とすること以外は、前記補正後の請求項１についての補正事項と同じである。
（４）補正後の請求項３についての補正事項は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項２０を独立請求項の形式に改めるとともに、前記[補正事項１]〜[補正事項６]を行い、さらに、補正後の「前記マスク層の前記開口窓を前記ＧａＡｓ基板の（１１１）面上において＜１１−２＞方向にピッチＬで複数配列して＜１１−２＞窓群を形成すると共に、前記＜１１−２＞窓群を前記ＧａＡｓ基板の（１１１）面の＜−１１０＞方向にピッチｄ（０．７５Ｌ≦ｄ≦１．３Ｌ）で複数並設し、　前記各＜１１−２＞窓群は、前記各開口窓の中心位置が隣り合う前記＜１１−２＞窓群の前記各開口窓の中心位置に対して前記＜１１−２＞方向に約１／２Ｌずれて並設されており、　前記各開口窓のピッチＬは、３μｍ〜１０μｍの範囲内であり、」との文言を付加して、補正後の請求項３とするものである。
（５）補正後の請求項４についての補正事項は、前記補正後の請求項３についての補正の記述において、独立請求項の形式に改める請求項が、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項２２であること、及び、該請求項を補正後の請求項４とすること以外は、前記補正後の請求項３についての補正事項と同じである。
（６）補正後の請求項５についての補正事項は、補正前の請求項２６を介して補正前の請求項１を引用する補正前の請求項２７を更に引用する補正前の請求項２８を、独立請求項の形式に改めるとともに、前記[補正事項１]〜[補正事項６]を行い、補正後の請求項５とするものである。
（７）補正後の請求項６についての補正事項は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項３０を、独立請求項の形式に改めるとともに、前記[補正事項１]〜[補正事項６]を行い、補正後の請求項６とするものである。
（８）補正後の請求項７についての補正事項は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項１４について、補正前の「請求項１記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法」を、補正後の「請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載のＧａＮ単結晶基板の製造方法」として、補正後の請求項７とするものである。
（９）補正後の請求項８についての補正事項は、補正前の請求項１及び２を引用する補正前の請求項３５について、補正前の「請求項１又は請求項２記載の製造方法によって得られたＧａＮ単結晶基板」を、補正後の「請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の製造方法によって得られたＧａＮ単結晶基板」として、補正後の請求項８とするものである。
（１０）補正後の請求項９についての補正事項は、補正前の請求項１及び２を引用する補正前の請求項３６について、補正前の「請求項１又は請求項２記載の製造方法によって得られたＧａＮ単結晶基板」を、補正後の「請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の製造方法によって得られたＧａＮ単結晶基板」として、補正後の請求項９とするものである。
　
３．　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について
　上記「２．　補正事項の整理」の（１）に記載した補正事項と、上記「２．　補正事項の整理」の（２）〜（７）に記載した補正事項のうち、補正後に独立請求項の形式に改めるとともに請求項の番号を付けかえることは、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当する。また、上記「２．　補正事項の整理」の（２）〜（７）に記載した補正事項のうち、[補正事項１]〜[補正事項６]については、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして、前記[補正事項１]〜[補正事項６]は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものである。
　上記「２．　補正事項の整理」の（８）に記載した補正事項は、補正前の請求項１４が請求項１のみを引用するものであったのに対して、補正後の請求項７は請求項１〜６の６個の請求項を引用するものとなり、引用する請求項の数が増加するものであり、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。よって、前記（８）に記載した補正は、同法第１７条の２第４項の規定を満たしていない。
　また、前記（８）に記載した補正事項と同様に、上記「２．　補正事項の整理」の（９）及び（１０）に記載した補正事項も、補正後において引用する請求項の数が増加するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、同法第１７条の２第４項の規定を満たしていない。
　
４．　独立特許要件の有無の検討
　上記のとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定を満たしていないが、仮に、当該要件を満たすものとみなした場合には、本件補正は、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むから、以下において、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
　
４−１．　本願の補正後の発明について
　本願の補正後の請求項１〜９に係る発明のうち、本願の補正後の請求項２に係る発明は、「第２　１．」に掲げた補正後の特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項２】　ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板上に、ＳｉＯ２またはＳｉＮで形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する厚さ０．０５μｍ〜０．５μｍのマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記ＧａＡｓ基板上に、厚さ５０ｎｍ〜１２０ｎｍのバッファ層をハイドライドＶＰＥにて形成するバッファ層形成工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去するＧａＡｓ基板除去工程と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程と、
　を備え、
　前記マスク層の前記開口窓は、ストライプ状のストライプ窓であり、
　前記ストライプ窓は、前記ＧａＡｓ基板の＜１−１０＞方向に延在しており、窓幅が０．３μｍ〜１０μｍの範囲内で、マスク幅が２μｍ〜２０μｍの範囲内であることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。」
（以下「補正発明」という。）
　
４−２．　刊行物に記載された発明
　（１）　国際公開第９７／１１５１８号
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である国際公開９７／１１５１８号（以下「引用例」という。）には、図１Ａ、図１Ｂ、図２及び図１６Ａ〜図１６Ｃとともに以下の記載がある。
　
　ア　　（明細書１ページ６行〜２ページ１５行）
「本発明は、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌなる所謂III 族元素の少なくとも１種とＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉなる所謂Ｖ族元素の少なくとも１種から構成されるIII −Ｖ族化合物半導体の結晶成長に係わり、特に六方晶系(hexagonal system)の構造を有する結晶又はＶ族元素としてＮ（窒素）を含むことが要請されるIII −Ｖ族化合物（以下、窒化物半導体）の結晶を形成するに望ましい結晶成長技術に関する。
・・・
背景技術
　近年、ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料を用いて青色波長領域の発光を行うダイオードやレーザ素子に関する報告が、・・・に掲載されている。
・・・
　ところで上述の窒化物半導体からなる半導体装置がサファイア基板上に形成される理由は、その結晶構造がＧａＡｓ等（閃亜鉛鉱型の立方晶系構造を有する）と異なり、六方最密充填構造（六方硫化亜鉛又はウルツ鉱構造とも呼ばれる）であることが特公平６−１０１５８７号公報に開示されている。」
　
　イ　　（明細書３ページ２２行〜４ページ９行）
「本発明の第１の目的は、六方晶系（hexagonal system）の結晶構造を有するIII −Ｖ族化合物半導体又はＶ族元素としてＮ（窒素）を含むことが要請される所謂窒化物半導体からなる半導体層を極めて低い欠陥密度で形成する結晶成長技術の実現にある。「極めて低い欠陥密度」とは、上述のＳｉＣ基板を採用した技術でも打破することが難しい１０7ｃｍ-2のオーダ又はそれ以下の欠陥密度を指す。この結晶成長技術は、作製される半導体層の欠陥密度を一様に低減する技術のみならず、所望の領域のみの欠陥密度を低減する所謂選択的な結晶成長についても検討の対象とする。
　また本発明の第２の目的は、上述の結晶成長技術を応用して作製される半導体装置の寿命又はこの動作に係るキャリアの寿命もしくは移動度（mobility）を当該半導体装置の実用化に十分な値に改善することにある。特に発光素子やレーザ素子の例においては、上述の選択的な結晶成長方法に基づく導波路や活性層の形状制御や、光損失を低減するに好適な光導波路の構成、及びレーザ素子における平坦又は平滑な活性層から量子効率の高い誘導放出光を取り出すに好適な構成を規定することにある。即ち、本発明の第２の目的の一局面が目指す技術は、青紫色波長領域において基本横モードを安定に導波でき、低閾値かつ高効率で動作するレーザ素子を実現するに好適な導波路や活性層構造を規定することにある。」
　
　ウ　　（明細書５ページ１３行〜６ページ１５行）
「知見１：ＳｉＯ２膜（絶縁膜）上で成長した第２の窒化物半導体層の結晶欠陥密度は１０4〜１０5ｃｍ-2の範囲かこれよりも低い。これに対し、ＳｉＯ２の目空き部にて第１の窒化物半導体層の上面から成長した第２の窒化物半導体層の結晶欠陥密度は、これまで報告されているような１０9〜１０11ｃｍ-2のレベルである。目空き部で成長した第２の窒化物半導体層に見られる欠陥（転位）の殆どはサファイア基板の界面で発生し、第１の窒化物半導体層を貫通してこの層に入り、そのごく一部がＳｉＯ２上に形成された第２の窒化物半導体層に侵入していることである。換言すれば、ＳｉＯ２上の第２の窒化物半導体層に見られる欠陥はＳｉＯ２の目空き部から離れるにつれて急激に減少している。この欠陥の発生は、図１に破線で模式的に示される。
　本発明者は、知見１を図２に示す六方晶系結晶の単位構造に照らし、絶縁膜に目空き部を設けて窒化物半導体結晶成長の核の形成を制限し、その核生成密度を高めて形成した窒化物半導体レーザ素子について次のように考察した。
　六方晶系結晶の１種である六方硫化亜鉛（ウルツ鉱）構造を有する結晶の成長には、欠陥はｃ軸方向に選択的に延伸し、これ以外の軸方向には増殖しないという特徴がある。目空き部及び絶縁膜上で成長した第２の窒化物半導体層は電子線回折パターンからともにウルツ鉱構造の結晶であることが確認されたが、ウルツ鉱構造に特徴的なｃ軸方向に延伸する欠陥は絶縁膜上の窒化物半導体層には殆ど見られない。第２の窒化物半導体層を目空き部側壁上に延伸する仮想界面（図１Ａ，１Ｂに点破線で示す）で２つの領域に分けると、絶縁膜上の領域の欠陥は略全て目空き部側の領域の欠陥を仮想界面にて継承している。従って、絶縁膜上の領域は仮想界面からｃ軸に対して略垂直方向に成長する（即ち、ホモエピタキシャル成長）と仮定すれば、その領域の欠陥密度の低さはｃ軸方向以外には欠陥が増殖しないウルツ鉱構造の結晶成長の性質によるものと説明できる。
　そこで、本発明者は次の結論を得た。
　結論１：窒化物半導体の結晶は、絶縁膜の目空き部にて結晶構造を有する領域の表面から当該表面の原子配列に倣って縦方向（即ち、当該表面に対し垂直方向）に延伸するように成長し、絶縁膜上にて目空き部から突出して成長した窒化物半導体の側面を新たな成長界面として横方向（即ち、当該絶縁膜上面に略平行な方向）に成長する。換言すれば、窒化物半導体の結晶成長は、絶縁膜の目空き部と当該絶縁膜上とで異なる態様を選択的に示す所謂選択性結晶成長であり、また後者の場合、実質的にホモエピタキシャル成長である。」
　
　エ　　（明細書１３ページ９行〜１４ページ２８行）
「本発明の半導体光素子の効果を高めるにあたり、以下に述べる導波路構造の採用は有効である。公知の導波路構造として、電流狭窄層によって利得が得られる発光活性層の領域を制限した利得導波型構造と、リッジストライプ構造や埋め込みヘテロ構造（ＢＨ構造(Buried Heterostructure)）等のストライプ構造によって発光活性層の横方向に屈折率差を設けた屈折率導波型構造がある。とりわけ、屈折率導波型構造は横モードを基本として安定に導波できるので低閾値高効率動作には非常に重要である。
　　・・・
　本発明の半導体光素子を作製する単結晶基板は、上述のサファイア基板に限定されない。サファイア基板に代わる新たな単結晶基板を用いるときの注意事項について、以下に説明する。例えば六方晶系Wurtzite構造の単結晶基板を用いたときに、基板面方位を(0001)C 面としておく。この基板上においてストライプ構造を作製するときには、該基板の(11-20)A 面に垂直であるか平行である方向に合わせて上記絶縁膜マスクパターンを設定することにより、矩形状断面を有する個個の導波路結晶層を合体させて一つの大きな導波路構造を選択成長技術によって容易に作製することができる。また、立方晶系Zinc Blende 構造の単結晶基板を用いたときには、基板面方位を(111)面としておく。この基板上にストライプ構造を作製するときには、該基板の(110)面に垂直であるか、(1-10)面に垂直である方向に絶縁膜マスクパターンを設定することにより、上記と同様な結晶形状を有する導波路構造を作製することが可能である。
　本発明の半導体光素子は、ホモエピタキシャル成長の下地となる絶縁膜に設ける目開き部の形状により、多種の素子を実現できる。まず、絶縁膜の目開き幅を活性層横方向に対して、一次元的或いは二次元的に量子化させることにより、レーザ素子の低閾値動作に有利な量子細線や量子箱構造とした発光活性層とすることができる。また、目開き部を複数の平行ストライプとして形成し、各ストライプ間に選択成長された半導体層（活性層）の夫々から発振する光の位相整合条件を整えることで、フェーズド・アレー構造の半導体レーザ素子を構成し、これにより基本横モードで高出力動作を達成できる。」
　
　オ　　（明細書３４ページ６行〜３７ページ２行）
「本実施例乃至実施例１４では、結晶基板上に絶縁層を２段設け、２段目の絶縁層上に形成された窒化物半導体層に光学的領域を形成した半導体レーザ素子について説明するが、絶縁層の段数、即ち選択成長の繰り返し回数は２段以上でもよい。即ち、絶縁層の段数は光学的領域又はスイッチングされるキャリアの流れる領域に要請される結晶の品質と、製造工程数に依存する生産コストとの釣り合いから決められる。
　本実施例乃至実施例１４で論じる半導体レーザ素子は、基板上部に２段の絶縁膜マスクを設け、窒化物半導体の結晶からなる層を２段階の選択成長で形成することにより、光学的領域（例えば、光導波路層）の結晶転位密度を格段に低減するものである。即ち、１段目の絶縁膜マスクでホモエピタキシャル成長される結晶層の転位密度が１０4〜１０5／ｃｍ2範囲とすると、２段目の絶縁膜マスクでホモエピタキシャル成長される結晶層の転位密度は１０3〜１０4／ｃｍ2の範囲に低減される。この結晶転位密度は、既に実用化されている半導体レーザ素子、即ち窒化物半導体以外のIII-Ｖ族半導体材料（例えば、GaAs、InP）からなる基板上に作製した素子の光学的領域に見られる転位密度とほぼ同レベルである。このような光導波路層における欠陥密度の低減は、光散乱による損失や深い準位による光吸収及びキャリアトラップによる利得損失を軽減するので、半導体レーザ素子の低閾値高効率動作をもたらす。従って、２段階以上の選択成長により低欠陥密度の高品質光導波路を形成することで、例えば基本横モード制御の屈折率導波構造における内部光損失を低減した低閾値高効率で動作する半導体レーザ素子を実現できる。
　さて、図１６Ａ及び図１６Ｂを参照して本実施例の半導体レーザ素子を説明する。
　先ず、サファイア(α-Al2O3)単結晶基板１の(0001)C面上に、図１６Ｂに示す２つのストライプ状の開口部なる目開き部４０を有する絶縁膜マスク４を形成する。絶縁膜マスク４のストライプは、サファイア基板１の(11-20)A面に平行に延伸するように形成される。次に、GaN バッファ層２２，ｎ型GaN 光導波層２３まで有機金属気相成長法により第一段階の選択成長を行う。この際、ｎ型ＧａＮ層２３は２本のストライプ状開口部（目開き部）４０に結晶成長し、中央部の絶縁膜マスク上で横方向にホモエピタキシャル成長して合体することにより、一つの結晶層を形成している。
　その後、ｎ型ＧａＮ層２３上面に２段目の絶縁膜マスク４１を形成する。絶縁膜マスク４１には、絶縁膜マスク４の中央部（即ち、２本のストライプ状の目開き部４０に挟まれたマスキング領域）上部に、ストライプ状開口部として目開き部４２が形成されている。この目開き部４２のストライプは、絶縁膜マスク４の目開き部４０のストライプに略平行に延伸するため、絶縁膜マスク４１上面から見ると目開き部４０は絶縁膜マスク４１により覆われている。この絶縁膜マスク４１により第二段階の選択成長を行うことにより、ｎ型GaN 光導波層５，AlGaN光分離閉じ込め層とGaN 量子障壁層及びGaInN 圧縮歪量子井戸層からなる圧縮歪多重量子井戸活性層６，ｐ型GaN 光導波層７，ｐ型GaInN コンタクト層８を順次設ける。次に、リソグラフィにより絶縁膜９を設けて、ｐ側電極１０とｎ側電極１１を蒸着する。最後に、絶縁膜マスクのストライプに垂直な方向に劈開して共振器面を切り出し、スクライブにより素子を分離して図１６Ａに示す素子縦断面（図１６ＢのＬ−Ｌ’断面）を得る。即ち、この半導体素子は絶縁膜マスク４１に形成された目開き部４２のストライプ方向にレーザ光を発振する共振器構造を有する。
　本実施例では、絶縁膜マスク４による選択成長で得られた低結晶欠陥密度の半導体層２３を土台として、この上に絶縁膜マスク４１を設け、これによる選択成長でレーザ発振のための導波路構造を形成することで、当該導波路構造における光損失を実施例１乃至１０の素子のそれに比べて低減することができた。即ち、基板上に形成した絶縁膜マスク４上でホモエピタキシャル成長させた窒化物半導体層（ＧａＮ層）２３の結晶欠陥密度が１０4〜１０5／ｃｍ2のレベルであったのに対し、このホモエピタキシャル成長で形成したＧａＮ層２３を土台に、絶縁膜マスク４１上でホモエピタキシャル成長させた窒化物半導体層５〜８の結晶欠陥密度は１０3〜１０4／ｃｍ2のレベルに低減できた。
　・・・
　本実施例の変形例を図１６Ｃにより説明する。素子の作製は、上述の図１６Ａの場合と同じであるが、層８まで成長した後に、絶縁膜を利用したエッチングにより図１６Ｃに示すように層７及び８にリッジストライプ状に加工する。リッジストライプの底部幅は２〜９μｍの範囲に設定する。さらに、絶縁膜を利用してリッジストライプの両側に埋込層１２を形成する。埋込層１２は、選択成長によるｎ型GaN 電流狭窄層としても、誘電体絶縁膜を埋め込んだ層としてもよい。絶縁膜マスク４，４１の仕様は図１６Ａの素子と同じであり、埋込層１２は目開き部４２のストライプと略平行に延伸したストライプとして形成される。なお、図１６Ｃは図１６ＢのＬ−Ｌ’断面を示す。
　図１６Ｃの素子では、発光活性層６横方向において、リッジストライプ幅にのみ有効に電流が注入でき、複素屈折率差を設けた屈折率導波が達成できる。また、発光活性層６に注入されるキャリアの流れは、目開き部４２に加えて埋込層１２の間隙でも制限されるため、発光活性層６の所望の領域にキャリアを効率よく注入でき、発光効率を上げられる。本素子は、図１６Ａの素子のＢＨストライプ構造とほぼ同程度に低閾値でかつ高効率でレーザ動作し、室温における発振波長は４１０〜４３０ｎｍの範囲であった。」
　
　ここで、上記ア、イ及びウの記載から、引用例に記載された技術は、その目的として、ＧａＮなどの六方晶の窒化物半導体膜を、低い欠陥密度で形成する結晶成長を実現することを含むことが明らかである。
　上記ウ及びオの記載から、引用例には、基板上にストライプ状の開口部である目開き部４０を有するＳｉＯ２からなる絶縁膜マスク４を形成し、次に、ＧａＮバッファ層２２、ｎ型ＧａＮ光導波層２３まで有機金属気相成長法により第一段階の選択成長を行い、中央部の絶縁膜マスク上で横方向にホモエピタキシャル成長して合体することにより、一つの結晶層を形成する技術が示されており、続けて図１６Ａ〜図１６Ｃに示されているように、さらに絶縁膜マスク４１を用いて第二段階の選択成長を行うことにより、さらに結晶欠陥密度が低減された窒化物半導体層５〜８を形成することも示されている。また、リッジストライプ状に加工された層７及び８において、該リッジストライプの底部幅を２〜９μｍの範囲に設定することが記載されている。さらに、図１６Ｂ及び図１６Ｃについて、点線で示された補助線に注目すると、絶縁膜マスク４の幅と、層７及び層８からなるリッジストライプの底部幅が略等しいこと、及び、ストライプ状開口部（目開き部）４０の幅が、前記絶縁膜マスク４の幅よりもやや狭いことが見て取れる。
　上記エ及びオの記載から、引用例の図１６Ａ〜図１６Ｃに示されたものにおいて、単結晶基板としてサファイア基板に代えて、基板面方位を（１１１）面とした立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造の単結晶基板を用いることができ、この際、絶縁膜マスク４として、該基板の（１１０）面に垂直である方向か、（１−１０）面に垂直である方向に延伸したストライプ状の絶縁膜マスクパターンを設定できることが明らかである。
　
　したがって、引用例には、以下の発明が記載されている。
「基板面方位を（１１１）面とした立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造の単結晶基板上に、該単結晶基板の（１１０）面に垂直である方向か、（１−１０）面に垂直である方向に延伸したストライプ状の開口部である目開き部４０を有するＳｉＯ２からなる絶縁膜マスク４を形成し、次に、ＧａＮバッファ層２２を有機金属気相成長法により選択成長を行い、次に、ｎ型ＧａＮ光導波層２３を有機金属気相成長法により選択成長を行い、中央部の絶縁膜マスク上で横方向にホモエピタキシャル成長して合体することにより、一つの結晶層を形成する工程を備えることを特徴とする、六方晶のＧａＮ結晶層の形成方法。」
（以下「引用発明」という。）
　
４−３．　　対比
　補正発明と引用発明を比較する。
・ＧａＡｓが立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造を有する材料であること、及び、ＧａＡｓ（１１１）面であることが、ＧａＡｓ（１１１）Ａ面又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ面のいずれかであることを意味することは明らかである。また、引用発明の「基板面方位を（１１１）面とした」「単結晶基板」が、通常（１１１）基板と称されることも明らかである。したがって、補正発明の「ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板」と、引用発明の「基板面方位を（１１１）面とした立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造の単結晶基板」とは、立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造を有する材料の（１１１）基板である点で共通する。
・単結晶基板の（１１０）面に垂直である方向、及び（１−１０）面に垂直である方向は、それぞれ、＜１１０＞方向及び＜１−１０＞方向であることは明らかである。また、補正発明においては、マスク層を形成する材料は「ＳｉＯ２またはＳｉＮ」と、択一的に記載されているものである。したがって、引用発明の「該単結晶基板の」「（１−１０）面に垂直である方向に延伸したストライプ状の開口部である目開き部４０を有するＳｉＯ２からなる絶縁膜マスク４を形成」することは、補正発明の「ＳｉＯ２」「で形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有する」「マスク層を形成するマスク層形成工程」であって、「前記マスク層の前記開口窓は、ストライプ状のストライプ窓であり、前記ストライプ窓は、前記」「基板の＜１−１０＞方向に延在して」いることに相当する。
・引用発明は「六方晶のＧａＮ結晶層の形成方法」であって、「ｎ型ＧａＮ光導波層２３」が六方晶のＧａＮ結晶層であることは明らかであるから、引用発明の「絶縁膜マスク４を形成し、次に、ＧａＮバッファ層２２を有機金属気相成長法により選択成長を行い、次に、ｎ型ＧａＮ光導波層２３を有機金属気相成長法により選択成長を行い、中央部の絶縁膜マスク上で横方向にホモエピタキシャル成長して合体することにより、一つの結晶層を形成する」ことは、補正発明の、「前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層を」「成長させるエピタキシャル層成長工程と、前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記」「基板上に、」「バッファ層を」「形成するバッファ層形成工程」に相当する。
　
　したがって、補正発明と引用発明とは、
「立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造を有する材料の（１１１）基板上に、
　ＳｉＯ２で形成されており、互いに離隔配置された複数の開口窓を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記基板上に、バッファ層を形成するバッファ層形成工程と、
　を備え、
　前記マスク層の前記開口窓は、ストライプ状のストライプ窓であり、前記ストライプ窓は、前記立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造を有する材料の（１１１）基板の＜１−１０＞方向に延在していることを特徴とするＧａＮ結晶層の形成方法。」
である点で一致する。
　
　一方、両者は、以下の各点で相違する。
・相違点１
　補正発明においては、基板として「ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板」を用いているのに対して、引用発明においては、基板として「基板面方位を（１１１）面とした立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造の単結晶基板」を用いており、具体的な基板材料は規定されていない点。
　
・相違点２
　補正発明においては、マスク層の厚さを「０．０５μｍ〜０．５μｍ」としているのに対して、引用発明においては、マスク層の厚さは規定されていない点。
　
・相違点３
　補正発明においては、エピタキシャル層をハイドライドＶＰＥにて成長させるのに対して、引用発明においては、有機金属気相成長法により成長させる点。
　
・相違点４
　補正発明においては、形成するバッファ層の厚さを「５０ｎｍ〜１２０ｎｍ」としているのに対して、引用発明においては、形成するバッファ層の厚さは規定されていない点。
　
・相違点５
　補正発明においては、バッファ層をハイドライドＶＰＥにて成長させるのに対して、引用発明においては、有機金属気相成長法により成長させる点。
　
・相違点６
　補正発明は、「エピタキシャル層成長工程の後に、前記ＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去するＧａＡｓ基板除去工程」を備えるとともに、「ＧａＮ単結晶基板の製造方法」であるのに対して、引用発明においては、基板の除去は行われず、また、「ＧａＮ結晶層の形成方法」であって、「ＧａＮ単結晶基板の製造方法」ではない点。
　
・相違点７
　補正発明においては、「前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程」を備えるのに対して、引用発明においては、そのような工程を備えない点。
　
・相違点８
　「ストライプ状のストライプ窓」について、補正発明においては、その「窓幅が０．３μｍ〜１０μｍの範囲内で、マスク幅が２μｍ〜２０μｍの範囲内である」のに対して、引用発明においては、具体的寸法は規定されていない点。
　
４−４．　当審の判断
　以下、上記各相違点について検討する。
　
・相違点１について
　ＧａＡｓは、立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造の単結晶を構成する材料として周知のものである。また、以下の周知例１及び２に記載されているように、ＧａＡｓ基板上にＧａＮ結晶層を成長させることは従来周知の技術である。
周知例１:　特開平８−１８１０７７号公報
「【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００１３】図１は、本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長方法の一実施例を示す工程図である。１１はＧａＡｓ基板、１２ａは第１のＧａＮ層、１２ｂは第２のＧａＮ層である。
【００１４】まず、成長方法の工程について説明する。基板としては（１００）面、および（１１１）Ｂ面を有するＧａＡｓ１１を用いた（図１（ａ））。このＧａＡｓ基板１１を図２のようなハイドライド気相成長装置にセットし、５１０℃の温度で３０ｎｍの第１のＧａＮ層１２を成長させた（図１（ｂ））。引き続いて、基板温度を７００℃まで昇温し、第２のＧａＮ層１２ｂを成長させた（図１（ｂ））。
　・・・
【００１６】このようにして得られた（１００）面、および（１１１）Ｂ面ＧａＡｓ基板上のＧａＮ層（図１（ｃ））について、Ｘ線回折によりその結晶性を調べた結果、（１００）面のＧａＡｓ基板上で立方晶の結晶が、（１１１）Ｂ面ＧａＡｓ基板上で六方晶の単結晶が得られた。また、Ｘ線回折ピークの半値幅は、７００℃の温度でＧａＡｓ基板に直接成長したＧａＮ膜の半値幅が１５分であったのに対し、本実施例による方法で形成したＧａＮ膜では約３分であり、結晶性が大幅に向上した。また、発光ダイオードを作製した結果、従来のＧａＡｓ上の発光ダイオードに比較して１０倍以上の明るさが得られた。」
　
周知例２:　特開平９−１２９９２０号公報
「【００２７】本発明の３−５族化合物半導体のヘテロエピタキシャル結晶成長用基板としては、サファイア、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＮＧＯ（ＮｄＧａＯ3 ）、スピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）等が挙げられ、とくにサファイアは透明であり、また大面積の高品質の結晶が得られるため、好ましい。」
「【００３７】本発明に係る３−５族化合物半導体の製造方法としては、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥと記すことがある。）法、分子線エピタキシー（以下、ＭＢＥと記すことがある。）法、ハイドライド気相成長（以下、ＨＶＰＥと記すことがある。）法などが挙げられる。なお、ＭＢＥ法を用いる場合、窒素原料としては、窒素ガス、アンモニア、及びその他の窒素化合物を気体状態で供給する方法である気体ソース分子線エピタキシー（以下、ＧＳＭＢＥと記すことがある。）法が一般的に用いられている。この場合、窒素原料が化学的に不活性で、窒素原子が結晶中に取り込まれにくいことがある。その場合には、マイクロ波などにより窒素原料を励起して、活性状態にして供給することで、窒素の取り込み効率を上げることができる。」
「【００４３】
【実施例】以下実施例により本発明を詳しく説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４４】実施例１
３−５族化合物半導体は、ＭＯＶＰＥ法により作製した。基板はその基板面がＣ面であるサファイアを鏡面研磨したものを有機洗浄して用いた。成長はまず、バッファ層として５５０℃でＴＭＧとアンモニアによりＧａＮを５００Å成膜した後、ＴＭＧとアンモニアを用いて１１００℃でノンドープのＧａＮを１．５μｍの厚みで成長し、その後さらにドーパントとしてシラン（ＳｉＨ4 ）を用いて１１００℃でＳｉをドープしたＧａＮを３μｍの厚みで成膜した。このようにして得られた試料のＸ線回折による（０００２）面のロッキングカーブを測定したところその半値幅は５．６分であった。この半値幅は、ノンドープの試料とほぼ同等の値であり、Ｓｉのドーピングによる結晶性の低下は生じていないことがわかる。」
　
　また、基板面方位が（１１１）面であるＧａＡｓ基板は、ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板のいずれかであることは明らかである。
　それゆえ、引用発明に記載された「基板面方位を（１１１）面とした立方晶系Ｚｉｎｃ　Ｂｌｅｎｄｅ構造の単結晶基板」として、「ＧａＡｓ（１１１）Ａ基板又はＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板であるＧａＡｓ基板」を採用することは当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点２について
　ＧａＮ結晶層を選択成長させるに際して用いられるマスク層の厚さとしては、以下の周知例３に０．２μｍ、及び周知例４に約７０ｎｍ（＝０．０７μｍ）と記載されており、この程度の膜厚のマスク層を用いることは、従来より普通になされていたことである。
周知例３: Masaki Nagahara, et al.,'Selective Growth of Cubic GaN in
          Small Areas on Patterned GaAs(100) Substrates by Metalorganic
          Vapor Phase Epitaxy', Japanese Journal of Applied Physics, 
          Vol.33, Part 1, No.1B,(1994), pp.694-697
「小領域での選択成長のため、我々は、Fig.1に示されるように、GaAs(100)基板上にマスクパターンを作成した。マスクとして、我々は、基板上にスパッタリングにより０．２μｍ厚のＳｉＯ２を堆積し、フォトリソグラフィとウェットエッチングにより正方形の窓が開口された。」
（６９４ページ左欄の「2.Experimental」項の冒頭の２つの文の翻訳）
　
周知例４： 松嶋秀忠　他,「ＭＯＶＰＥ法によるサブミクロンパターン
           へのＧａＮ基板選択成長」,電子情報通信学会技術研究報告,
           信学技報Vol.97, No.61, （1997年5月）, pp.41-46
「本実験では、metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)法によりサファイア(0001)面上にAlNバッファ層を介してGaNを約１．５μｍ成長させたアンドープGaN(0001)基板を用いた。この基板上に高周波スパッタ装置により、SiO2膜を約７０ｎｍ堆積させSiO2マスクとした。」
（４２ページ右欄「２．１　試料作製方法」項の冒頭の２つの文）
　
　それゆえ、前記マスク層の厚さとして、０．０５μｍ〜０．５μｍの範囲内の値を選択することは、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点３について
　ＧａＮからなる層を成長させる方法として、ハイドライドＶＰＥ、すなわちハイドライド気相成長方法（ＨＶＰＥ）は、前出の周知例１及び２に記載されているように、従来周知の技術であり、さらに、周知例１には、ＧａＡｓ基板上にハイドライド気相成長方法によりＧａＮ結晶層を成長させることも記載されている。
　それゆえ、ＧａＮのエピタキシャル層を成長させる方法として、ハイドライドＶＰＥを用いることは、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点４について
　ＧａＮの結晶層を成長させるのに先立って形成されるバッファ層の厚さとしては、前出の周知例２に記載されているように、５００Å（すなわち５０ｎｍ）程度の値は普通に採用されるものである。
　それゆえ、前記バッファ層の厚さとして、５０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内となる程度の値を選択することは、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点５について
　前記「・相違点３について」において記載したとおり、ＧａＮからなる層を成長させる方法として、ハイドライドＶＰＥ、すなわちハイドライド気相成長方法（ＨＶＰＥ）は、従来周知の技術であり、バッファ層を形成する方法としてハイドライドＶＰＥを用いることは、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点６について
　基板上にＧａＮの結晶層を形成した後に、前記基板を除去することにより、ＧａＮ結晶からなる基板を得ることは、以下の周知例５に記載されているように従来周知の技術である。
　
周知例５：　特開平７−２７３０４８号公報
「【００１７】結晶成長時間は、５時間以上であれば、結晶成長方向の厚みを、従来では全く得られなかった５００μｍ以上とすることができ、さらに成長を継続することで、所謂バルク結晶として５ｃｍあるいはそれ以上の所望の厚みを得ることができる。５時間未満では、バルク結晶としての十分な厚さがない故、単結晶成長後の冷却時において、ＧａＮ単結晶側にクラックが発生することがある。
【００１８】上記のように、本発明の製造方法によって、 III−Ｖ族の窒素系化合物単結晶のバルク単結晶が得られる。これを基板およびバッファ層から分離することによって、該単結晶の単独基板を得ることが可能となる。さらには、該分離させた単結晶の厚みによっては、これをさらに厚み方向に分割し該単結晶の単独基板とすることができる。図１（ｃ）に示すように、バッファ層２をエッチング等によって除去するか、この部分で機械的に切断し、上記 III−Ｖ族の窒素系化合物単結晶３を分離し、さらには、該分離させた単結晶３の厚みが、例えば１０ｍｍに達するほどの充分なものであれば、これをさらに厚み方向に分割し該単結晶の単独基板とすることができる。当該分割は自体既知の方法によって行えばよい。」
「【００２０】
【実施例】以下、実施例を示し本発明を具体的に説明する。
実施例１
本実施例では、ＧａＮのバルク単結晶およびこれをさらに分割して得られるＧａＮ単結晶単独の基板の製造例を示す。５ｃｍ×５ｃｍ、厚さ３００μｍのサファイア基板上に、スパッタ法によってＺｎＯよりなる１００ｎｍのバッファ層を形成し、このバッファ層上に対して、ＨＶＰＥ法によってＧａＮ単結晶を成長させた。供給する原料ガスをＧａＣｌとＮＨ3 とし、成長温度を１１００±５０℃に維持した状態でエピタキシャル成長させ、成長時間を３００時間としたところ成長方向に３０ｍｍのＧａＮ単結晶が成長した。ついでバッファ層のＺｎＯをエッチング除去し、基板側から上記ＧａＮ単結晶を分離して、５ｃｍ×５ｃｍ、厚さ３０ｍｍという従来では得ることのできない巨大なＧａＮ単結晶単独の結晶塊を得た。上記で得られたＧａＮ単結晶をダイヤモンド・スクライバーを用いて厚み方向に切断分割し、５ｃｍ×５ｃｍ、厚さ３００μｍのＧａＮ単結晶単独の基板が多数枚得られた。」
　
　ここで、前記基板を除去する際にどのような方法を採用するかは、前記基板の材料等に応じて当業者が適宜に選択し得ることであり、ＧａＡｓ基板を採用した場合、該ＧａＡｓ基板そのものをエッチングにより除去することは、以下の周知例６に記載されているように従来周知の技術であるから、当業者が適宜になし得たことである。
　
周知例６：　特開平９−６１８６５号公報
「【００１９】これらの基板材料のなかでは、サファイア、ＺｎＯ等が可視部で透明であるため、本発明の光変調器への応用に好ましい。特にサファイア基板を用いた場合、低温でＡｌＮやＧａＮ等をバッファ層とし、その上に高温で該化合物半導体を成長する２段階成長方法により、結晶性の高い該化合物半導体が成長できることが知られており重要である。また、ＧａＡｓ、ＺｎＯ等のエッチングが比較的容易な基板を用いて該化合物半導体を成長した後、基板をエッチング処理して取り除くことも可能である。」
　
　また、引用発明は、絶縁膜マスクを用いた選択成長を行うことにより、低い結晶転位密度で結晶成長を実現しようとするものであり、前記第２　４−２．（１）オ　に摘記したように、前記絶縁膜マスクを用いた選択成長を複数回にわたって行うことにより、より低い結晶転位密度で結晶成長することも可能であるから、事実上単結晶と見なしうる程度の結晶層を得て、これを単結晶基板とすることは、当業者が適宜になし得たことである。
　したがって、相違点６については、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点７について
　単結晶基板を、素子形成など種々の応用に用いることは当然になされることであり、前記素子形成などの用途に適合するように、前記単結晶基板表面及び裏面を平滑な状態とすることは、当業者における技術常識である。
　それゆえ、基板の除去を経て単結晶基板とした後に、その表面及び裏面を研磨することは当業者が適宜になし得たことである。この際、前記基板が除去された後に、単結晶基板の裏面に、前記マスク層及び前記バッファ層の下面が表出し、これが研磨されることは明らかである。
　したがって、相違点７については、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点８について
　引用例には、前記第２　４−２．（１）オ　に摘記したとおり、リッジストライプ状に加工された層７及び８において、該リッジストライプの底部幅を２〜９μｍの範囲に設定することが記載されている。また、図１６Ｂ及び図１６Ｃについて、点線で示された補助線に注目すると、絶縁膜マスク４の幅と、層７及び層８からなるリッジストライプの底部幅が略等しいこと、及び、ストライプ状開口部（目開き部）４０の幅が、前記絶縁膜マスク４の幅よりもやや狭いことが見て取れる。
　これらのことから、前記絶縁膜マスク４の幅は、層７及び層８からなるリッジストライプの底部幅、すなわち、２μｍ〜９μｍと略等しいものであり、また、ストライプ状開口部（目開き部）４０の幅は、２μｍ〜９μｍよりもやや狭いものである。そして、そのような各部寸法を有する絶縁膜マスク４を用いて選択成長を行い、前記絶縁膜マスク４上で横方向にホモエピタキシャル成長して合体することにより、一つの結晶層を形成できることが明らかである。
　したがって、引用発明において、「ストライプ状のストライプ窓」について、マスク幅を２μｍ〜９μｍ程度とし、その窓幅を前記マスク幅の２μｍ〜９μｍ程度よりやや小さい程度とすることにより、結果として、マスク幅を２μｍ〜２０μｍの範囲内とし、その窓幅を０．３μｍ〜１０μｍの範囲内とすることは、当業者が適宜になし得たことである。
　
４−５．小括
　　よって、補正発明は、引用例に記載された発明ならびに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　したがって、本件補正は、上記「２．　補正事項の整理」の（８）、（９）及び（１０）に記載した補正事項が、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　また、仮に、上記「２．　補正事項の整理」の（８）、（９）及び（１０）に記載した補正事項が同法第１７条の２第４項の規定を満たすものであるとしても、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．　本願発明
　平成１８年１０月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４３に係る発明は、平成１８年６月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜４３に記載された事項により特定されるものであり、そのうち請求項１に係る発明は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　ＧａＡｓ基板上に、互いに離隔配置された複数の開口窓を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　前記マスク層上に、六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の前に、前記マスク層の前記開口窓内における前記ＧａＡｓ基板上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、
　前記エピタキシャル層成長工程の後に、
　前記ＧａＡｓ基板を除去するＧａＡｓ基板除去工程と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の下面と、前記エピタキシャル層の上面を研磨する研磨工程と、
　を備えることを特徴とするＧａＮ単結晶基板の製造方法。」
（以下「本願発明」という。）
　
２．　引用発明
　引用発明は、上記第２　４−２．で認定したとおりのものである。
　
３．　対比・判断
　上記第２　２．「補正事項の整理」及び第２　３．「補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について」において記したように、補正発明（補正後の特許請求の範囲の請求項２に記載された発明）は、補正前の請求項７を介して補正前の請求項１（本願発明）を引用する補正前の請求項９について、前記［補正事項１］〜［補正事項６］に係る限定を付したものである。言い換えると、本願発明は、補正発明から補正前の請求項７及び補正前の請求項９に記載された事項、並びに、前記［補正事項１］〜［補正事項６］に係る限定をいずれも除いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである補正発明が、上記第２　４−３．〜第２　４−５．において検討したとおり、引用発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．まとめ
　以上検討したとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。