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　平成　８年特許願第　９７７０４号「シリコン単結晶の製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月　７日出願公開、特開平　９−２６３４９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は平成８年３月２７日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１５年１０月２日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。（以下、「本願発明１」という。）
「シリコン融液を収容するための回転自在のルツボと、ルツボの外周を囲繞するように設けられたヒーターと、ヒーターに直流電流を供給する電極と、ルツボに収容されるシリコン融液に水平方向の磁場を印加する磁石を備えた、８インチφ以上のシリコン単結晶の製造装置において、ヒーターは、複数個の発熱部および２個の主電極部に加えて、２個以上の補助電極部を有し、かつ、ヒーターを補助電極部を介して支持するための２個以上の絶縁性のヒーター支持体がさらに設けられ、かつ、ヒーター支持体と電極の間および隣接するヒーター支持体がある場合には隣接するヒーター支持体とヒーター支持体の間に存在するヒーターの発熱部の数が０であり、かつ、ヒーターの発熱部の厚さが２５ｍｍ以上であることを特徴とする、８インチφ以上のシリコン単結晶の製造装置。」
２．引用文献に記載された事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された特開平４−２６０６８７号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（ア）「チャンバー内のルツボの周囲に配されるヒーターを上下動させる単結晶引上装置において、前記ヒーターは長さ方向にスリットを有する筒状の単一ヒーターであり、且つ当該ヒーターを２個の電極と複数のダミー電極の組み合わせで支持するとともに、これら電極及びダミー電極を同期させて一体的に上下動させるようにしたことを特徴とする単結晶引上装置。」（【請求項１】）
（イ）「電極又は電極とダミー電極の組み合わせが前記ルツボ回転軸の同心円の一の円周上に配されることを特徴とする請求項１又は２記載の単結晶引上装置。」（【請求項３】）
（ウ）「従来はヒーター１０５が２本の電極１０８，１０８によって相対向する２点（円周上で角度１８０°だけ隔てた２点）を支持されているのみであったため、ヒーター１０５の不支持点、特に支持点から周方向に角度９０°をなす点ａ，ｂでの変形量が局部的に大きくなる。特に、近年の単結晶の大口径化の傾向に伴ってヒーター径が大きくなると、ヒーターの局部的な変形量も大きくなり、該ヒーターとルツボとの径方向距離が周方向に不均一となり、チャンバー内の周方向の熱分布に不均一が生じるとともに、ヒーターとこれを囲むヒートシールドとのクリアランスが約２０ｍｍ程度と小さいため、最悪の場合には両者が接触して種々の不具合が発生する虞がある。」（【０００６】）
（エ）「本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、大口径のヒーターであっても、これの変形量を最小限に抑え、該ヒーターとルツボ及びヒートシールドとの距離を周方向に一定に保ってチャンバー内の周方向熱分布の均一化、ヒーターとヒートシールドとの接触防止等を図ることができるとともに、ヒーター自身の耐久性向上を図ることができる単結晶引上装置を提供することにある。」（【０００８】）
（オ）「電極７，７及びダミー電極８…は、図１に示すように、メインチャンバー２の底部を摺動自在に貫通してメインチャンバー２外に延出しており、これら電極７，７及びダミー電極８…の下端に結着されたリング状移動キャリア９には、該移動キャリア９の上下に固設されたリング状のプレート１０，１１間に垂直に架設された３本のガイド軸１２…（図１には１本のみ図示）が摺動自在に挿通している。又、プレート１０，１１間には１本のボールネジ軸１３が回転自在に支承されて垂直に設けられており、該ボールネジ軸１３は前記移動キャリア９に螺合、貫通している。・・（中略）・・ダミー電極８…は電気的に絶縁されており、これらは電極７，７と共にヒーター５の上下動に対してガイド軸として機能する。」（【００１７】〜【００１８】）
（カ）「即ち、ルツボ３内にはシリコン等の多結晶原料が投入され、この多結晶原料はヒーター５によって加熱、溶融され、ルツボ３内には多結晶融液３３が収容される。その後、不図示の巻上装置が駆動され、これに巻回された前記ワイヤー３０が徐々に下げられてその下端に取り付けられた前記種結晶３２がルツボ３内の多結晶融液３３に浸漬される。」（【００２５】）
（キ）図２には、上側から下側へ向かうスリットが１０本、下側から上側へ向かうスリットが８本設けられ、隣り合う２本の下から上に向かうスリット間に上から下へのスリットが２本設けられた部分の下部に電極が設けられ、該下から上に向かうスリットと、電極とは逆側の隣りの、下から上に向かうスリットの間の下部にダミー電極が設けられた、４本のダミー電極と２本の電極が形成されたヒーターであって、電極部以外は上から下に向かうスリットと下から上に向かうスリットが交互に設けられたヒーターが示されている。（【図２】）
３．対比・判断
　これらの記載及び図２を参照すると、引用文献１には、「チャンバー内のルツボ回転軸を有するルツボの周囲にヒーターが配された単結晶引上装置において、ヒーターには、上側から下側へ向かうスリットが１０本、下側から上側へ向かうスリットが８本設けられ、隣り合う２本の下から上に向かうスリット間に上から下へのスリットが２本設けられた部分の下部に電極が設けられ、該下から上に向かうスリットと、電極とは逆側の隣りの、下から上に向かうスリットの間の下部にダミー電極が設けられた、複数のダミー電極と２本の電極が形成され、電極部以外は上から下に向かうスリットと下から上に向かうスリットが交互に設けられ、電極上部以外は上から下に向かうスリットと下から上に向かうスリットが交互に設けられたたヒーターで、ダミー電極は電気的に絶縁され、ルツボにはシリコン等の多結晶原料が投入され、大口径のヒーターを用いて大口径の単結晶を作成する単結晶引上装置」（以下「引用発明１」）という）が記載されている。
　引用発明１における「ルツボの周囲に配される」、「２本の電極」、「複数のダミー電極」は、それぞれ、本願発明１の「ルツボの外周を囲繞するように」、「２個の主電極」、「２個以上の補助電極」に相当し、引用発明１のヒータも電極とダミー電極に接触して支持されるから、「主電極部」および「補助電極部」を備えており、回転軸を有するルツボであるから、ルツボは回転自在であること、シリコン多結晶を原料とするからシリコン単結晶を製造することは明らかである。
　してみると、両者は、「シリコン融液を収容するための回転自在のルツボと、ルツボの外周を囲繞するように設けられたヒーターと、ヒーターに電流を供給する電極とを備えたシリコン単結晶の製造装置において、ヒーターは、２個の主電極部に加えて２個以上の補助電極部を有するシリコン単結晶製造装置」である点で一致し、下記の点で相違する。
ａ．本願発明１においては、ヒーターに直流電流を供給しているのに対し、引用発明１では、電流が直流であることは記載されていない点。
ｂ．本願発明１においては８インチφ以上の単結晶を製造することが規定されているのに対し、引用発明１では大口径のヒーターを用いて大口径の単結晶を作成することを目指してはいるものの、８インチφ以上の単結晶を製造するとは規定されていない点
ｃ． 本願発明１においてはヒーターを補助電極部を介して支持するための２個以上の絶縁性のヒーター支持体がさらに設けられるのに対し、引用発明１では、ダミー電極は電気的に絶縁されていると記載されているものの具体的な手段については記載のない点。
ｄ．本願発明１においては、複数の発熱部を有し、ヒーター支持体と電極の間および隣接するヒーター支持体がある場合には隣接するヒーター支持体とヒーター支持体の間にあるヒーターの発熱部の数が０であることが規定されているのに対し、引用発明１においては、ヒーターには上側から下側へ向かうスリットが１０本、下側から上側へ向かうスリットが８本設けられ、隣り合う２本の下から上に向かうスリット間に上から下へのスリットが２本設けられた部分の下部に電極が設けられ、該下から上に向かうスリットと、電極とは逆側の隣りの、下から上に向かうスリットの間の部分にダミー電極が設けられ、４本のダミー電極と２本の電極が形成され、電極部以外は上から下に向かうスリットと下から上に向かうスリットが交互に設けられたヒーターが示されている点。
ｅ．本願発明１においてはルツボに収容されるシリコン融液に水平方向の磁場を印加する磁石を備えているのに対し、引用発明１では磁場を印加することについては記載のない点。
ｆ．本願発明１においてはヒーターの発熱部の厚さが２５ｍｍ以上であるのに対し、引用発明１では厚さについて規定されていない点。
　上記相違点について検討する。
ａ．単結晶引き上げ装置においてルツボ内の溶融原料の撹拌を抑え良好な単結晶を得るためにヒーターに電流を供給する際に、直流電流を用いることはごく一般的に行われていることにすぎず、当業者であれば当然採用する構成にすぎない（必要であれば、特開昭６３−２０６３８１号公報参照）。
ｂ．引用発明１においても、大口径のシリコン単結晶を引き上げることを目指すものであり、本願発明１において８インチφ以上の単結晶を引き上げると数値限定を付して特定することは当業者であれば適宜なし得ることにすぎない。
ｃ．引用発明１においては、ダミー電極は、絶縁されており、当然、何らかの支持は必要であることから、絶縁性の支持体によって支持されていると認められる。
ｄ．本願発明１においては、上端から下端側へ向かう溝から、次の上端から下端側へ向かう溝までを１個の加熱部として数えており（【０００９】）、この数え方に従って引用発明１におけるヒーター全体、ヒーター支持体と電極の間、ヒーター支持体同士の間の加熱部の数をそれぞれ数えてみると、ヒーター全体では、上端側から下端側へ向かうスリットが１０個あり、引用発明１における「スリット」は本願発明１における「溝」に相当するから、上端側から下端側に向かう溝と溝の間、即ち、加熱部は１０個あることになる。ヒーター支持体と電極の間とは、ヒーター支持体によって支持されるダミー電極と電極の間であり、図２における左半分にある電極とダミー電極の間又は右半分にある電極とダミー電極の間に相当する。この図においては左右対称なので、左側の電極とダミー電極の間について検討する。この場合、左側の電極とは、左側裏面から連なり、下から上に向かうスリットであって一番左にあるものまでの間となる。また、左側のダミー電極とは、下から上に向かうスリットであって左から２番目のものと３番目のものの間となる。してみると、引用発明１において、両者の間に上端から下端側へ向かう溝から次の上端から下端へ向かう溝、即ち、加熱部は存在していない。また、ヒーター支持体同士の間とは、ヒーター支持体によって支持されるダミー電極同士の間であり、図２における左右２対のダミー電極間に相当し、左のダミー電極は下から上に向かうスリットであって左から２番目のものと３番目のものの間にあたり、右のダミー電極は下から上に向かうスリットであって、右から２番目のものと３番目のものの間に相当することから、ヒーター支持体同士の間とは、下から上に向かうスリットであって、左から２番目のものと右から２番目のものの間のことである。してみると、両者の間に上端から下端側へ向かう溝から次の上端から下端へ向かう溝、即ち、加熱部は存在していない。したがって、引用発明１では、ヒーター支持体と電極の間および隣接するヒーター支持体とヒーター支持体の間に存在するヒーターの発熱部の数が０ということになる。
　次に、仮に「下端から上端側へ向かう溝から、次の下端から上端側へ向かう溝まで」を１個の加熱部として数えた場合についても検討してみると、ヒーター全体では加熱部の数は８個で、ダミー電極と電極の間の加熱部の数は０、ダミー電極間の加熱部の数は１ということになる。しかしながら、引用発明１では、単結晶の大口径化に従ってヒーターの変形量が大きくなるという問題点があったところ、ダミー電極を設けることによってヒーターの耐久性を高めているのであるから、十分にヒーターの変形を防げるよう、ダミー電極の数を増やし、ダミー電極間の加熱部の数を０と特定することは、当業者がヒーターの強度に応じて適宜なしうる事項にすぎない。
ｅ．単結晶の大口径を目指すことによりヒーターとともにルツボの大径化を伴う引用発明１において、ルツボ内の対流をより強力に抑制すべく、単結晶引き上げの際に磁場を印加することは、当業者であれば容易に想到し得る単なる周知技術の適用にすぎず、その際に磁場と電流の相互作用によってヒーターにローレンツ力が働くことは自明であり、引用発明１において、ヒーターの機械的強度を高め、その破壊を防ぐという目的を達成させる際に電流と磁場の相互作用による力による破壊も防止することも考慮しつつヒーターを構成させることは当業者が予測の範囲内の事項である。
　なお、請求人は、審判請求書で本願発明１においては、ヒーター各セグメントに上下に流れる電流と磁場との相互作用によりヒーターに大きな力が働き、ヒーターの破壊が生じることを防止することを目的としているのに対し、引用発明１では磁場を加えておらず、電流と磁場による力は働かず、ヒーターの破壊が生じることを防止することとは全く関係がない旨主張している。しかし、シリコン単結晶引上において、ルツボの中に収容された単結晶製造用原料融液に磁場を加えて対流を抑制することは、ごく一般的に行われている周知慣用の技術であり、その際に上下ジグザクのヒーター中で電流の向きが上下する事により、ヒーターの各部分が反平行の力を受けるため、多くの箇所でヒーターを固定しなくてはならないことも従来から知られていることであり（必要であれば、特開昭６３−２９７２９２号公報参照）、単に、磁場を加えることについて記載がないから、ヒーターの破壊を防止する目的を有する引用発明１と全く関係がないという請求人の主張は採用できない。
ｆ．引用発明１においても、大口径化に伴うヒーターの変形、破壊を防止するべく、ヒーターの機械的強度を高めるという本願発明１と同様の目的を有している。してみれば、強度を向上させるためにヒーター厚さを厚くすることは適宜なしうることにすぎず、２５ｍｍ以上の厚さと数値限定を付すことも当業者であれば容易になし得る（必要であれば、特開平５−４３３８５号公報参照）。
　以上を総合すると、引用発明１において、電流として直流電流を用い、引き上げるシリコン単結晶を８インチφ以上とし、補助電極部を介して支持するための２個以上の絶縁性のヒーター支持体を設け、複数の発熱部を有し、ヒーター支持体と電極の間および隣接するヒーター支持体がある場合には隣接するヒーター支持体とヒーター支持体の間に存在するヒーターの発熱部の数を０となったヒーターを用い、ルツボに収容されるシリコン融液に水平方向の磁場を印加する磁石を備え、ヒーターの発熱部の厚さを２５ｍｍ以上とすることによって、本願発明１とすることは当業者が容易になし得ることである。
　そして、上記相違点ａ〜ｆに係る発明特定事項を採用することによって得られる本願発明１の効果も当業者が予測し得るものであって、格別顕著であるとすることはできない。
４．むすび
　したがって、本願発明１は、引用文献１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論の通り審決する。