【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３４０８８０５号発明「加工対象物切断方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１．手続の経緯
　　１．本件特許第３４０８８０５号の請求項１ないし３７に係る発明についての出願は、平成１３年９月１３日に優先権主張（優先日、平成１２年９月１３日）を伴って出願されたものであって、平成１５年３月１４日にそれらの発明について特許権の設定登録がなされた。
　　２．平成１５年１１月１４日に申立人是澤勝より、平成１５年１１月１９日に申立人進藤敬司より、それぞれ、特許異議の申立てがなされ、平成１６年１２月２８日に訂正請求がなされ、平成１７年２月４日に、「訂正を認める。特許第３４０８８０５号の請求項１ないし３７に係る特許を維持する。」との、異議の決定がなされ、当該決定は平成１７年３月２２日に確定登録された。
　　３．平成１７年５月３１日に、請求人白澤榮樹より「特許第３４０８８０５号の請求項１ないし６及び１１ないし３７に係る発明についての特許を無効にする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求める無効審判請求がなされた。
　　４．平成１７年１１月１６日付けで、被請求人に対して審尋がなされた。
　　５．平成１７年１２月２０日付けで、請求人より弁駁書が提出された。
　　６．被請求人より、平成１７年８月１５日付けで答弁書及び訂正請求書が、平成１７年１２月６日付けで審尋回答書が、平成１８年１月１０日に口頭審理陳述要領書が、それぞれ、提出された。
　　６．平成１８年１月２４日に、第１回口頭審理が行われた。
　
第２．訂正請求について
（１）訂正請求の内容
　　上記平成１７年８月１５日付け訂正請求の内容は、以下のとおりである。
　・訂正事項１：【請求項１】に、「ウェハ状の加工対象物」とあるのを、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と訂正する。
　・訂正事項２：【請求項２】に、「ウェハ状の加工対象物」とあるのを、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と訂正する。
　・訂正事項３：【請求項３】に、「ウェハ状の加工対象物」とあるのを、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と訂正する。
　・訂正事項４：【請求項４】に、「ウェハ状の加工対象物」とあるのを、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と訂正する。
　・訂正事項５：【請求項１２】を削除する。
　・訂正事項６：【請求項１３】を削除する。
　・訂正事項７：【請求項１４】を削除する。
　・訂正事項８：【請求項１５】を、【請求項１２】とし、「請求項１〜１４のいずれかに記載の加工対象物切断方法」とあるのを、「請求項１〜１１のいずれかに記載の加工対象物切断方法」と訂正する。
　・訂正事項９：【請求項１６】を、【請求頃１３】とし、「請求項１〜１５のいずれかに記載の加工対象物切断方法」とあるのを、「請求項１〜１２のいずれかに記載の加工対象物切断方法」と訂正する。
　・訂正事項１０：【請求項１７】を、【請求項１４】とし、「請求項１〜１６のいずれかに記載の加工対象物切断方法」とあるのを、「請求項１〜１３のいずれかに記載の加工対象物切断方法」と訂正する。
　・訂正事項１１：【請求項１８】を、【請求項１５】と訂正する。
　・訂正事項１２：【請求項１９】を削除する。
　・訂正事項１３：【請求項２０】を、【請求項１６】とし、「請求項１〜１９のいずれかに記載の加工対象物切断方法」とあるのを、「請求項１〜１５のいずれかに記載の加工対象物切断方法」と訂正する。
　・訂正事項１４：【請求項２１】を、【請求項１７】とし、「請求項２０記載の加工対象物切断方法」とあるのを、請求項１６記載の加工対象物切断方法」と訂正する。
　・訂正事項１５：【請求項２２】を、【請求項１８】と訂正する。
　・訂正事項１６−１：【請求項２３】を、【請求項１９】とする。
　・訂正事項１６−２：【請求項２３】に、「ウェハ状の加工対象物」とあるのを、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と訂正する。
　・訂正事項１７：【請求項２４】を、【請求項２０】とし、「請求項２３記載の」とあるのを、「請求項１９記載の」と訂正する。
　・訂正事項１８−１：【請求項２５】を、【請求項２１】とする。
　・訂正事項１８−２：【請求項２５】に、「ウェハ状の加工対象物」とあるのを、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と訂正する。
　・訂正事項１９：【請求項２６】を、【請求項２２】とし、「請求項２５記載の」とあるのを、「請求項２１記載の」と訂正する。
　・訂正事項２０−１：【請求項２７】を、【請求項２３】とする。
　・訂正事項２０−２：【請求項２７】に、「ウェハ状の加工対象物」とあるのを、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」訂正する。
　・訂正事項２１：【請求項２８】を、【請求項２４】とし、「請求項２７記載の」とあるのを、「請求項２３記載の」と訂正する。
　・訂正事項２２−１：【請求項２９】を、【請求項２５】とする。
　・訂正事項２２−２：【請求項２９】に、「ウェハ状の加工対象物」とあるのを、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と訂正する。
　・訂正事項２３：【請求項３０】を【請求項２６】とし、「請求項２９記載の」とあるのを、「請求項２５記載の」と訂正する。
　・訂正事項２４：【請求項３１】を【請求項２７】と訂正する。
　・訂正事項２５：【請求項３２】を【請求項２８】とし、「請求項３１記載の」とあるのを、「請求項２７記載の」と訂正する。
　・訂正事項２６：【請求項３３】を削除する。
　・訂正事項２７：【請求項３４】を削除する。
　・訂正事項２８：【請求項３５】を、【請求項２９】と訂正する。
　・訂正事項２９：【請求項３６】を、【請求項３０】とし、「請求項３５記載の」とあるのを、「請求項２９記載の」と訂正する。
　・訂正事項３０：【請求項３７】を、【請求項３１】とし、「請求項２２記載の加工対象物切断方法」とあるのを、「請求項１８記載の加工対象物切断方法」と訂正する。
　・訂正事項３１：明細書の段落【０００２】の記載「本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断に使用される加工対象物切断方法に関する。」を、「本発明は、半導体材料基板からなる加工対象物の切断に使用される加工対象物切断方法に関する。」と訂正する。
　・訂正事項３２：明細書の段落【０００６】の記載「本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しない加工対象物切断方法を提供することである。」を、「本発明の目的は、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しない加工対象物切断方法を提供することである。」と訂正する。
　・訂正事項３３：明細書の段落【０００７】の記載「【課題を解決するための手段】　本発明に係る加工対象物切断方法は、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。」を、「【課題を解決するための手段】　本発明に係る加工対象物切断方法は、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。」と訂正する。
　・訂正事項３４：明細書の段落【００１０】の記載「本発明に係る加工対象物切断方法は、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。」を、「本発明に係る加工対象物切断方法は、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。」と訂正する。
　・訂正事項３５：明細書の段落【００１１】の記載「本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射している。このため、加工対象物の内部では多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。このクラック領域は上記改質領域の一例であるので、本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工が可能となる。この加工対象物としては、例えば、ガラスを含む部材がある。なお、ピークパワー密度とは、パルスレーザ光の集光点の電界強度を意味する。」を、「本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射している。このため、加工対象物の内部では多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。このクラック領域は上記改質領域の一例であるので、本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工が可能となる。なお、ピークパワー密度とは、パルスレーザ光の集光点の電界強度を意味する。」と訂正する。
　・訂正事項３６：明細書の段落【００１２】の記載「本発明に係る加工対象物切断方法は、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。」を、「本発明に係る加工対象物切断方法は、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。」と訂正する。
　・訂正事項３７：明細書の段落【００１４】の記載「本発明に係る加工対象物切断方法は、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。」を、「本発明に係る加工対象物切断方法は、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。」と訂正する。
　・訂正事項３８：明細書の段落【００１５】の記載「本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射している。本発明のようにパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。この屈折率変化領域は上記改質領域の一例であるので、本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工が可能となる。この加工対象物としては、例えば、ガラスを含む部材である。」を、「本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射している。本発明のようにパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。この屈折率変化領域は上記政質領域の一例であるので、本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工が可能となる。」と訂正する。
　・訂正事項３９：明細書の段落【００２１】の記載「加工対象物として、ガラス、圧電材料及び半導体材料を含む部材が例示される。また、加工対象物としては、照射されたレーザ光の透過性を有する部材がある。また、この加工対象物切断方法は、表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されている加工対象物に通用することができる。電子デバイスとは、半導体素子、液晶等の表示装置、圧電素子等を意味する。」を、「また、加工対象物としては、照射されたレーザ光の透過性を有する部材がある。また、この加工対象物切断方法は、表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されている加工対象物に適用することができる。電子デバイスとは、半導体素子等を意味する。」と訂正する。
　・訂正事項４０：明細書の段落【００２２】の記載「本発明に係る加工対象物切断方法は、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部に改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。また、本発明に係る加工対象物切断方法は、圧電材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部に改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。これらの加工対象物切断方法によれば、上記本発明に係る加工対象物切断方法と同様の理由により、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ切断加工が可能となる。
　本発明に係る加工対象物切断方法において、加工対象物は、その表面に複数の回路部が形成されており、複数の回路部のうち隣接する回路部の間に形成された間隙に臨む加工対象物の内部にレーザ光の集光点を合わせる、ようにすることができる。これによれば、隣接する回路部の間に形成された間隙の位置において、加工対象物を確実に切断することができる。」を、「本発明に係る加工対象物切断方法は、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の内部に改質領域を形成し、この改質領域によって、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることを特徴とする。これらの加工対象物切断方法によれば、上記本発明に係る加工対象物切断方法と同様の理由により、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ切断加工が可能となる。　本発明に係る加工対象物切断方法において、加工対象物は、その表面に複数の回路部が形成されており、複数の回路部のうち隣接する回路部の間に形成された間隙に臨む加工対象物の内部にレーザ光の集光点を合わせる、ようにすることができる。これによれば、隣接する回路部の間に形成された間隙の位置において、加工対象物を確実に切断することができる。」と訂正する。
　・訂正事項４１：明細書の段落【０１１８】の記載「本発明に係る加工対象物切断方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」を、「本発明に係る加工対象物切断方法によれば、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」と訂正する。
　
　　　上記訂正事項は、以下のとおり分類できる。
（ア）請求項の削除に関する訂正
　　　上記訂正事項５ないし７及び１２，２６，２７は、請求項１２ないし１４，１９，３３，３４の削除である。
（イ）発明対象の限定に関する訂正
　　　上記訂正事項１ないし４及び訂正事項１６−２，１８−２，２０−２，２２−２は、請求項１ないし４，１９，２５，２７，２９について、「ウェハ状の加工対象物」を、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」に限定したものである。
（ウ）請求項記載の整合に関する訂正
　　　上記訂正事項１６−１，１８−１，２０−１，２２−１と、訂正事項８ないし１１，１３ないし１５，１７，１９，２１，２３ないし２５，２８ないし３０は、上記（ア）の訂正に伴う、請求項の繰り上がり、又は、引用請求項の訂正であり、特許請求の範囲の記載を整合させたものである。
（エ）明細書記載の整合に関する訂正
　　　訂正事項３１ないし４１は、特許請求の範囲の訂正に伴って、明細書の発明の詳細な説明の記載を整合させたものである。
　
（２）当審の判断
　　　上記（ア）及び（イ）の訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　　　上記（ウ）及び（エ）の訂正事項は、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　　　そして、上記（ア）ないし（エ）の訂正事項は、いずれも、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　　さらに、本件無効審判請求の対象とされていない請求項７ないし１０は請求項１ないし５を直接又は間接に引用するものであり、下記に示すように、請求項１ないし５に係る特許は無効とすることができないから、請求項７ないし１０に係る発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
（３）むすび
　　　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１３４条の２ただし書き、同条第５項で準用する特許法第１２６条第３項及び４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３．本件発明
（１）上記のとおり、訂正請求が認められるから、無効審判請求の対象となる請求項１ないし６及び１１ないし３１に係る発明（以下、それぞれを「本件発明１」等という。）は、その訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし６及び１１ないし３１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。
　
　「【請求項１】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。
　　【請求項２】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。
　　【請求項３】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成し、この政質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。
　　【請求項４】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。
　　【請求項５】　レーザ光源から出射される前記レーザ光はパルスレーザ光を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
　　【請求項６】　前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射するとは、一つのレーザ光源から出射されたレーザ光を集光して前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射する、請求項１〜５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
　　【請求項１１】　前記改質領域は、前記加工対象物の内部に合わされたレーザ光の集光点に対して、前記加工対象物を相対的に移動させることにより形成される、請求項１〜１０のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
　　【請求項１２】　前記加工対象物は照射されたレーザ光の透過性を有する材料である、請求項１〜１１のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
　　【請求項１３】　前記加工対象物の表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されている、請求項１〜１２のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
　　【請求項１４】　前記加工対象物に力を加えることによって、前記切断の起点となる領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることで、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１〜１３のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
　　【請求項１５】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。
　　【請求項１６】　前記加工対象物は、その表面に複数の回路部が形成されており、前記複数の回路部のうち隣接する回路部の間に形成された間隙に臨む前記加工対象物の内部にレーザ光の集光点を合わせる、請求項１〜１５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
　　【請求項１７】　前記複数の回路部にレーザ光が照射されない角度でレーザ光が集光される、請求項１６記載の加工対象物切断方法。
　　【請求項１８】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成し、この溶融処理領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。
　　【請求項１９】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、多光子吸収による改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２０】　請求項１９記載の加工対象物切断方法において、前記改質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２１】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、クラック領域を含む改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２２】　請求項２１記載の加工対象物切断方法において、前記改質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２３】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、溶融処理領域を含む改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２４】　請求項２３記載の加工対象物切断方法において、前記政質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２５】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領城を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２６】　請求項２５記載の加工対象物切断方法において、前記改質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２７】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２８】　請求項２７記載の加工対象物切断方法において、前記改質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項２９】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成することで、この溶融処理領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。
　　【請求項３０】　請求項２９記載の加工対象物切断方法において、前記溶融処理領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成する加工対象物切断方法。
　　【請求項３１】　前記加工対象物に力を加えることによって、前記切断の起点となる領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることで、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１８記載の加工対象物切断方法。」
　
第４．請求人の主張
　　　請求人は、証拠方法として甲第１号証ないし甲第６号証を提示し、以下の理由により本件の請求項１ないし６及び１１ないし３１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、無効とすべきであると主張する。なお、請求人は、特許法第２９条第１項第３号違反の無効理由を撤回した。（第１回口頭審理調書の請求人の項１、参照。）
　
（１）甲第１号証の従来技術に関する記載、及び、甲第３号証ないし甲第６号証の記載事項から、「ガラスの表面及び裏面には改質領域を生成することなくガラスの内部のみに改質領域を生成すること」は周知事項である。
（２）甲第１号証記載の実施例は、実施可能であり、甲第１号証記載の発明は未完成ではない。
（３）本件発明１ないし６及び１１ないし３１に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証の記載及び甲第３号証ないし甲第６号証に示される周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
［証拠方法］
　　　甲第１号証　　特開平１１−７１１２４号公報
　　　甲第２号証　　特公昭４６−２４９８９号公報
　　　甲第３号証　　ドイツ国公開第４４０７５４７号公報
　　　甲第４号証　　欧州特許庁公開第０７４３１２８号公報
　　　甲第５号証　　特開平１１−２６７８６１号公報
　　　甲第６号証　　特開平１１−１３８８９６号公報
　
第５．被請求人の主張の概要
　　　これに対して、被請求人は、証拠方法として答弁書に乙第１号証ないし乙第９号証及び参考資料を添付し、審尋回答書に参考文献１ないし３を添付し、口頭審理陳述要領書に添付資料及び乙第１０号証を添付して提出し、本件各発明は、以下の理由から、甲第１号証に記載の事項及び甲第２号証ないし甲第６号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないと、主張している。
　
（１）甲第１号証記載のものは発明として未完成であり、実施不可能であるから、これに基づいて、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
（２）甲第１号証記載のものが未完成であり、実施不可能であることをさておいても、本件発明１と甲第１号証記載のものには、以下の４点の相違点がある。
　　　Ａ．　　本件発明１の切断方法の対象が、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物であるのに対し、甲第１号証に記載のものはガラス製アンプルの首、又は時計皿等を切断するフラットガラスである点。
　　　Ｂ１．　本件発明１の改質領域は加工対象物の内部に多光子吸収によって形成されるのに対し、甲第１号証に記載のものは微小亀裂がどのように形成されるのか不明である点。
　　　Ｃ．　　本件発明１は、改質領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることにより切断を行うものであるのに対し、甲第１号証に記載のものはどのような切断がされるのか不明である点。
　　　Ｄ．　　本件発明１は、切断予定ラインにそって切断の起点となる領域を形成するのに対し、甲第１号証に記載のものはアンプルの首の周囲に１ｍｍ間隔で３つの破断点が形成されるものであるか、アンプルの首周りを走るように分割線に沿って形成するものである点。
　　　以上の相違点により本件発明１は、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３）さらに、本件発明２には、上記相違点Ｂ１に代えて、次の新たな相違点がある。
　　　Ｂ２．　本件発明２は、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で照射するものであるのに対し、甲第１号証に記載のものはどのような照射がされるのか不明である点。
　
（４）更に、本件発明３は、次の新たな相違点がある。
　　　Ｅ．　　本件発明３は、改質領域が溶融処理領域を含むものであるのに対し、甲第１号証に記載のものの微小亀裂はどのようなものか不明である点。
　
（５）更に、本件発明４は、次の新たな相違点がある。
　　　Ｆ．　　本件発明４は、パルス幅が１ｎｓ以下のレーザ光を照射し、改質領域は屈折率変化領域を含むものであるのに対し、甲第１号証に記載のものは、パルス幅が１００ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、微小亀裂はどのようなものか不明である点。
　
（６）更に、本件発明５ないし３１には、上記各相違点に加えて、以下の新たな相違点がある。
　　　Ｅ’　　溶融処理領域が、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である点。
　　　Ｇ　　　加工対象物の表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されている点。
　　　Ｈ　　　加工対象物の表面に形成された複数の回路部のうち隣接する回路部の間に形成された間隙に臨む前記加工対象物の内部にレーザ光の集光点を合わせる点。
　　　Ｉ　　　複数の回路部にレーザ光が照射されない角度でレーザ光が集光される点
　
（７）本件各発明は、以上の各相違点で、甲各号証記載のものと相違しているから、本件各発明が甲第１号証ないし甲第６号証記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　
［証拠方法］
　　　乙第１号証　甲第１号証発明の実施例説明資料（被請求人作製）
　　　乙第２号証　甲第１号証発明の追試報告書（被請求人作製）
　　　乙第３号証　甲第１号証発明の比較試験報告書（被請求人作製）
　　　乙第４号証　「工作機械シリーズ　レーザ加工」第９１〜９６頁、平
　　　　　　　　　成２年９月１０日、工作機械技術研究会編、大河出版
　　　乙第５号証　日経産業新聞　２００２年８月５日　日本経済新聞社
　　　乙第６号証　「電子材料」　２００２年９月号第１７〜２３頁、工業
　　　　　　　　　調査会
　　　乙第７号証　本件発明の実験報告書（被請求人作製）
　　　乙第８号証　溶接学会全国大会講演概要６６集（２０００年４月）第
　　　　　　　　　７２〜７３頁「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加
　　　　　　　　　工特性の評価」
　　　乙第９号証　第４２回レーザ熱加工研究会論文集（１９９７年１１月
　　　　　　　　　）第１０５〜１１１頁「フェムト秒レーザー照射による
　　　　　　　　　ガラス内部への光誘起構造形成」
　　　乙第１０号証　　ドイツ国特許第１９７２８７６６号公報（甲第１号
　　　　　　　　　証のドイツファミリー公報）
　　　参考資料　　本件発明の優位性を示す資料（被請求人作製）
　　　参考文献１　「光学のすすめ」第２０１〜２０２頁、平成９年１０月
　　　　　　　　　３１日、「光学のすすめ」編集委員会編、オプトロニク
　　　　　　　　　ス社
　　　参考文献２　「ＭＳＴＯＤＡＹ」２００１年２月号第２〜３頁、エム
　　　　　　　　　システム技研
　　　参考文献３　「光システム工学、光ディスクの情報記憶システム」
　　　　　　　　　立命館大学電子光情報工学科　浮田研究室
　　　添付資料　　「半導体ウェハとガラスの切断メカニズムの説明」（被
　　　　　　　　　請求人作製）
　
第６．甲第１号証ないし甲第６号証の記載
（１）甲第１号証に記載の事項
　本件出願の優先日前である平成１１年３月１６日に頒布された甲第１号証（特開平１１−７１１２４号公報）には、「ガラス物体に破断点を形成する方法」に関して、図面と共に、以下のとおり記載されている。
　
（ア）【特許請求の範囲】
　「【請求項１】　破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体のガラス壁を破断するためまたはガラス板を分離するために破断点を形成する方法において、
　前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破断点を形成する方法。
　　【請求項２】　前記微小亀裂はレーザー照射により形成する請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】　前記使用されるレーザー放射線はガラスが透明または少なくとも半透明の波長を有し、かつ、レーザーパルス時間は＜１ｍｓである請求項１または請求項２に記載の方法。
　　【請求項４】　前記微小亀裂の大きさは一連のレーザーパルスを備える照射により調整される請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項５】　前記微小亀裂の大きさはその後の熱処理により調整される請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項６】　前記微小亀裂の形成はガラスの標的とする元応力により制御される請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項７】　表面に対して垂直な微小亀裂の大きさはガラス壁の厚みの０．５倍を越えない請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。」
（イ）段落【０００１】ないし【００３７】
　「【発明の属する技術分野】
　本発明は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成（produce）する方法に関する。」（段落【０００１】）
　「【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成することにある。特に、破断開封が困難なアンプルを開封するときに生ずる傷の発生を避け、かつ、アンプルの開封で生ずるアンプル内の医薬品の損傷を妨げることを意図する。
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の目的は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成する方法において、前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破断点を形成する方法により達成される。
　前記微小亀裂はレーザー照射により形成することが好ましい。
　前記使用されるレーザー放射線はガラスが透明または少なくとも半透明の波長を有し、かつ、レーザーパルス時間は＜１ｍｓ、特に＜１００ｎｓであることが好ましい。」（段落【００１３】ないし【００１６】）
　「【発明の実施の形態】
　本発明によれば、適切な破断点は、微小亀裂が制御された方法でアンプルのガラス壁内部に形成されるという事実によって作られる。最初に述べた従来の技術であって、それぞれの場合にガラス壁がガラス表面からの微小亀裂により弱くなる技術に対して、問題の表面は本発明の方法を使用するときに損傷を受けない。」（段落【００２１】）
　「好都合なことに、本発明に従う微小亀裂は集中レーザー照射手段により形成される；アンプルの場合、従来技術から公知であるが、アンプルの首領域で生ずる。直径＜１００μｍのレーザービームをガラス壁の中心に収束することが有益であることが証明された。このことを実施するために、ガラスが透明でありまたは少なくとも半透明である波長を備えるレーザー放射を利用することが必要なことは明らかである。レーザーパラメーターを好適に選択することにより、当業者は、制御された方法で微小亀裂の長さや幾何学的な配列などの形成及び促進を調節することができる。これを実施するための適切なパラメーターを見つけだすことは進歩性を要求せず、これらは当業者によって、例えば適切な通常の実験に基づいて容易に決定できる。上記から明らかなように、ガラス物体（例えば、アンプル）の種々の幾何学性に関するプロセスパラメーターを採用することは容易である。微小亀裂は、約１０〜１０００Ｈｚの繰り返し周波数を備える単一レーザーパルスまたは一連のレーザーパルスを利用して形成できる。」（段落【００２８】）
　「相対的に長期保存及び輸送中でさえアンプルの安定性を保証するために、ガラス表面に垂直な亀裂の大きさは、ガラス壁厚の約０．５倍を越えるべきではない。」（段落【００３０】）
　「２）さらに、適切な破断点は、アンプルの首周りを走るように適切な分割線に沿って形成してよい（いわゆる破断リングアンプルに類似する方法）。この場合、アンプルは予め配列又は調整することなく破断開封できる。破断の適切な方向にマークをつける必要はない。限られた破断方法に対し、適切な破断点の角間隔は３０゜を越えるべきではない。ＤＥ　４２　１４　１５９　Ｃ１およびＤＥ　３５　３７　４３４　Ａ１に記載されたレーザー法を比較すると、本発明の方法が使用されるときの破断の性質は、適切な破断点であって破断線に沿って配列するものによる破断前面のモジュレーション又は変調がかなり減少することによりかなり改良される。これは、ＤＥ　４２　１４　１５９　Ｃ１およびＤＥ　３５　３７　４３４　Ａ１に記載された方法のレーザースポット領域の残留応力領域が、一般的にレーザースポットの中心を通して亀裂前面の適切なラジアルコースを生じないが、むしろ各ケースの亀裂前面がセミサークルセグメント上のスポット中心の周りを走るように亀裂を誘発するからである。この性質の亀裂コースは、破断ガラスと傷害のリスクを増加する。」（段落【００３３】）
　「使用されたレーザー放射源は、Ｑ−スイッチまたはモードロックＮｄソリッドステートレーザーであることが好都合である。短焦点距離を備える適切な光システムは、必要により広いビーム断面を有するレーザービームを＜０．１ｍｍのスポット直径に収束する。大きい湾曲面を有すると、例えば、円柱または屈折の光システム（従来技術）により付加的な形状を備えるビームを提供する必要がある。非ガウスレーザービームプロファイルを用いると、破断方向に微小亀裂の付加的な配向を達成することが可能である。短いレーザーパルス時間のため、必要により、アンプル輸送の間適切な破断点を適用することができるが、これは壁の焦点位置を０．１ｍｍよりも精度よく維持するために、多くの支出が必要である。プロセスコントロールは、例えば、プラズマ形成の光電子的観察及びレーザーパラメーターの再調整によって実施してよい。」（段落【００３５】）
　「この方法は、フラットガラスの分野において特殊な切断プロセスに用いてもよい（例えば、適切な形状（時計皿）のガラス片をガラス板から切断する）。」（段落【００３７】）
（ウ）段落【００４０】ないし【００４３】
　「図１において、適切な破断点はアンプルの首２（締め付け）の領域においてホウケイ酸ガラス製の２ｍｌアンプル１に形成する。
　締め付けは、アンプルの製造方法において二次成形用具（forming tool）を用いてタレット装置上で直径６．５ｍｍ、壁厚０．８ｍｍに予め形成された。適切な破断点は図１で図式された更なるプロセスラインで適用され、ここで、アンプル１はチェインコンベヤーから、リフト装置３を使用してストップローラー４に対して持ち上げられる。アンプル１は、ローラー６が二次成形用具を追跡するような方法でローラー（roller table)５及び６上に置く。
　パルス時間約１０ｎｓ、パルスエネルギー２５ｍＪのＱ−スイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー７を使用して適切な破断点を作る。レーザービームは、焦点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束させる：直径は約０．１ｍｍである。適切な破断点がガラス壁の中心に形成されるように、アンプルの首２（締め付け）の直径は大きくて０．１ｍｍの公差を有する。１０Ｈｚのレーザー繰り返し周波数を用いると、３つの適切な破断点は周囲方向に沿って１ｍｍ間隔でアンプルの首に適用される。これを達成するために必要なアンプルの回転はローラー４の駆動によって行われる。
　３つの適切な破断点は顕微鏡で見ることが可能で、アンプルを明確にかつ物理的に破断できる。」
　
（２）甲第２号証記載の発明
　本件出願の優先日前である昭和４６年７月１９日に頒布された甲第２号証（特公昭４６−２４９８９号公報）には、「レーザー光線を使用する基体分割法」に関して、図面と共に、以下のとおり記載されている。
　
（ア）特許請求の範囲
　「１　基体表面に基体の厚さ全体を通る局部割れ目（例えば２７）を作るに充分なビームの出力強度のレーザビーム（例えば１２，１３）を指向し、基体とビームとを相対的に動かして割れ目を第１及び第２部分間の境界に沿って進行させることから成る基体に熱衝撃を発生してその第２部分から第１部分を分離するレーザ光線を使用する基体分割方法。」
（イ）第１欄第３７行ないし第２欄第１９行
　「本発明は基体を複数の別々の単位に分割する方法に関する。
　多くの電子回路及び部品、例えば皮膜回路又はダイオード又はトランジスタ又は抵抗器の製造に当っては材料の被着、パターンの発生、選択腐食、陽極処理等の如き多くの製造方法が一般に使用されている。かかる製造方法を複数の別々の回路又は部品に同時に適用する費用は、該方法を１個の別々の回路又は部品に適用する費用と実質上同一であるから１個の基体上の複数の別々の回路を一群として処理するのが普通である。この群処理方法によると個々の回路又は部品の価格を相当減少しうる。しかしながら群処理後基体を分割して個個の回路又は部品を経済的にそして回路を損傷することなしに分離することが肝要である。
基体は普通ガラス、セラミック、水晶又はサフアイヤ又はゲルマニウム又はシリコン等の半導体の薄片であるから分割は相当の問題を呈する。基体なる語はかかる物質又は回路又は別々の部品をその上に形成又は支持しうる任意の他の適当を材料を含むものである。」
（ウ）第４欄第８行ないし第１４行
　「本発明によれば基体の厚さ全体に亘って局部的の割れを発生するに充分なビーム出力強度のレーザビームを基体表面に指向し、基体とビームとを相対的に動して割れ目を第１及び第２の部分間の境界に沿って移動させることにより基体に熱衝撃を発生して基体の第１部分と第２部分とを分離する方法を提供する。」
（エ）第４欄第３９行ないし第５欄第３１行
　「レーザビームを充分高い出力強度レベルで基体１６の予定の区域２６に加えるときは区域２６に局部的の割れ目２７（第３図）ができる。割れ目２７は基体を貫通する。第３図では割れ目２７は基体の線に示され、基件の厚さ全体に及んでいるのが見られる。
　この割れ目は点１３の大きさに相当する区域２６にほぼ限定されるから局部的の割れ目である。区域２６にできる局部温度勾配は部分２６において基体を膨脹させ局部的の割れ目２７を作るものと考えられる。
　ビーム１２を線４１の作る通路に沿って基体を横切って変位するときは局部割れ目２７は線４１に沿って動いて基体１６を線４１に沿って割る。
　出力強度レベルは基体又はその上の回路及び又は部品に対して有害な損傷を与えないような値にする。有害な損傷の例は基体のひび割れ、乱雑な割れ、又は回路及び又は部品上に蒸発した材料が被着することを含んでいる。
　基体分割に必要な最低出力強度レベルは実験的にきめる。
　ある場合には基体にレーザビームを当ると基体が僅か溶融することがある。かかる溶融は希望の局部割れ目２７を作るために必要欠くべからざるものでなく、普通ビームの出力強度レベルを僅か減少するか、或は点１３における出力強度密度を減少するようにビームをぼかすことによって避けることができる。ほかしは基体をレーザビームの焦点面から変位することにより達成しうる。
　かかる溶融は極めて小面積に限定され、そして普通蒸発が起らないために大抵の場合許しうる。蒸発が起るときは溶融をなくするが或は基体上に蒸発した材料が乱雑に被着して基体上の回路および又は部品に損傷を与えることを避けるように蒸発が起らないレベルまで溶融を減少することが望ましい。基体をレーザビームの焦点面に置くときはかかる溶融の幅は約０.１ｍｍ乃至０.６ｍｍの間で変化する。」
（オ）第８欄第１１行ないし第２３行
　「本発明方法によれば基体に直接接触することなしに或はその後基体に応力を加えて分離を行うことなしに基体の制御された分離を行いうる。更にかかる制御された分離は基体又はその上の回路或は部品に有害を損傷を来すことなしに行いうる。更に基体をナイフエッジ上に支持しうるのである場合には回路及び又は部品を損傷することなしに回路４２，４３の如き回路及び部品を架台１８の方へ向けるように基体を裏返すことができる。このため比較的高い変位速度が望まれる際蒸発を顧慮することなしに比較的高い電力レベルを使用しうる。」
　
　　　以上の記載、及び第２図の記載を参照すれば、甲第２号証には、
　「表面に回路即ち電子デバイスが形成された、シリコン等の半導体材料からなる基体の表面にレーザ光を照射して割れ目を作り、基体を割ること。」
　「基体の表面に形成された回路間に存在する間隙にレーザ光を集光せしめること。」
　「回路にレーザ光が照射されない角度でレーザ光を集光すること。」
が開示されていると認められる。
　
（３）甲第３号証ないし甲第６号証
　　　本件出願の優先日前に頒布された、甲第３号証（ドイツ国公開第４４０７５４７号公報（平成７年（１９９５）年９月２１日公開））には、「マーキングされた透明材質物体及びこれに係る製造方法」が記載され、
同様に頒布された、甲第４号証（欧州特許庁公開第０７４３１２８号公報（平成８年（１９９６）年１１月２０日公開）には、「透明な製品にマーキングする方法と装置」が記載され、
同様に頒布された、甲第５号証（特開平１１−２６７８６１号公報（平成１１年１０月５日公開））には、「光透過性材料のマーキング方法」が記載され、
同様に頒布された、甲第６号証（特開平１１−１３８８９６号公報（平成１１年５月２５日公開））には、「レーザーを用いたマーキング方法、マーキング装置、及びマークの観察方法、観察装置」が記載されている。
　これらの記載事項から、甲第３号証ないし甲第６号証には、「ガラスの表面及び裏面には改質領域を生成することなくガラスの内部のみにマーキングすること」が記載されていると認められる。
　
第７．当審の判断
（１）甲第１号証記載の実施例の実施可能性
（ア）焦光点直径について
　　　甲第１号証には、その実施例に関して、以下のとおり記載されている。
　「　【００４０】
　図１において、適切な破断点はアンプルの首２（締め付け）の領域においてホウケイ酸ガラス製の２ｍｌアンプル１に形成する。
　　　【００４１】
　締め付けは、アンプルの製造方法において二次成形用具（forming tool）を用いてタレット装置上で直径６．５ｍｍ、壁厚０．８ｍｍに予め形成された。適切な破断点は図１で図式された更なるプロセスラインで適用され、ここで、アンプル１はチェインコンベヤーから、リフト装置３を使用してストップローラー４に対して持ち上げられる。アンプル１は、ローラー６が二次成形用具を追跡するような方法でローラー（roller table)５及び６上に置く。
　　　【００４２】
　パルス時間約１０ｎｓ、パルスエネルギー２５ｍＪのＱ−スイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー７を使用して適切な破断点を作る。レーザービームは、焦点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束させる：直径は約０．１ｍｍである。適切な破断点がガラス壁の中心に形成されるように、アンプルの首２（締め付け）の直径は大きくて０．１ｍｍの公差を有する。１０Ｈｚのレーザー繰り返し周波数を用いると、３つの適切な破断点は周囲方向に沿って１ｍｍ間隔でアンプルの首に適用される。これを達成するために必要なアンプルの回転はローラー４の駆動によって行われる。」
　　　段落【００４２】における、「レーザービームは、焦点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束させる：直径は約０．１ｍｍである。」の文中の「直径」が、収束されたレーザービームの直径を意味することは、その文意、及び、当該一文中には主語としては「レーザービーム」しかないことから明らかである。
　　　この点について、請求人は、甲第１号証の従来技術に関する記載（【００２２】、【００２３】）を引用し、弁駁書において、「従来技術においてガラス内部に形成されていた微小亀裂は、破断乃至分離を目的としたものではなくて、０．０１ｍｍ程度の著しく微細なものであり、ガラス物体の機械的安定性を維持するためのものであったことを表示している。」（弁駁書第２頁第２９行乃至第３頁第３行）、「一方、甲第１号証に開示されている発明自体に関して、　（中略）　と記載されている。かかる記載は、甲第１号証に開示されている発明においては、従来の微小亀裂よりも大きい微小亀裂即ち破断点をガラス内部に形成し、これによってガラスの機械的安定性を減少して破断乃至分離を可能にすることを表示している。　甲第１号証における上記記載に鑑みれば、甲第１号証の第７欄においては、実施例としてガラス壁の内部に直径が０．１ｍｍの微小亀裂、即ち従来技術における微小亀裂の約１０倍の大きさを有する微小亀裂を形成したことを、「直径は約０．１ｍｍ」として表示している、と矛盾なく合理的に理解できる。」（弁駁書第３頁第４行ないし第１６行）と主張しているが、甲第１号証の記載からは、レーザービームの収束点の直径と微小亀裂の大きさとの関係は示されていないこと、破断ないし分離のために形成する微小亀裂を、従来の破断のためではない微小亀裂よりも大きするにあたって、その大きさを１０倍とすべき根拠はないことを考慮すれば、引用した甲第１号証の記載「レーザービームは、焦点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束させる：直径は約０．１ｍｍである。」の「直径」を文意に反して破断点の直径とすることはできない。
　　　また、請求人は、甲第１号証の段落【００２８】、【００３５】の記載を引用し、弁駁書において、「直径＜１００μｍ（即ち＜０．１ｍｍ）は直径が０．１ｍｍよりも小さいことを意味し、甲第１号証における「直径は０．１ｍｍ」を、被請求人が主張する如く、集光点の直径が０．１ｍｍであると理解することは不合理であることが明らかである。」（弁駁書第３頁第２２行ないし第２５行）と主張しているが、不等号（＜）に数学的厳密さをもって甲第１号証の当該記載「直径＜１００μｍ」を解釈するならば、直径が１００μｍの場合を含まないことになるとはいえるものの、レーザービームの焦光点の如き物理現象を対象とする場合には測定誤差や、それに基づく有効数字を考慮しなければならないのは自明のことであって、当該記載の解釈に数学的厳密さを要求するべきではなく、集光点の直径が０．１ｍｍである場合を含むと理解することは不合理ではない。
　　　したがって、請求人の主張は、すべて採用できない。
　
（イ）多光子吸収について
　　　段落【００４２】に記載の「約０．１ｍｍ」がレーザービームの集光点直径であるとし、実施例の条件（パルス時間約１０ｎｓ，パルスエネルギー２５ｍＪ，集光点直径約０．１ｍｍ）でレーザービームの収束点におけるエネルギー密度を計算すると、３．１８×１０１０（Ｗ／ｃｍ２）となり、これは多光子吸収を起こす程のエネルギー密度であるといえる。
　
（ウ）開口数（ＮＡ）について
　　　焦光点直径が０．１ｍｍであることから、開口数（ＮＡ）は以下のとおりとなる。
　　　回折現象に基づき、開口数（ＮＡ）と焦光点直径（ｄ）の関係は定まっており、波長をλとすると、焦光点直径の定義によって係数が異なり、（ｉ）焦光点直径をピーク強度が０となる位置で定義するならば、係数は１．２２となり、（ｉｉ）焦光点直径をピーク強度が１／ｅ２となる位置で定義するならば、係数は０．８２となるので、
　　　　ｄ＝１．２２λ／ＮＡ（ｉ）
　　　又は、
　　　　ｄ＝０．８２λ／ＮＡ（ｉｉ）
となる。（被請求人が回答書と共に提出した参考文献１ないし３による。）
　　　上記各式をＮＡについて解けば、
　　　　ＮＡ＝１．２２λ／ｄ（以下、１式という。）
　　　又は、
　　　　ＮＡ＝０．８２λ／ｄ（以下、２式という。）
となる。
　　　甲第１号証の記載における焦光点直径の定義が上記の（ｉ）（ｉｉ）のいずれであるかは明らかではないが、ＮＡの値は１式あるいは２式のいずれかの値、あるいは元のレーザービームのビームプロファイルに応じてその間の値になることは明らかであり、また、当該実施例で用いられているレーザー源はＱ−スイッチＮｄ：ＹＡＧレーザーであるから、そのレーザービームの波長は通常１．０６４ｎｍであり、そうして求めるとＮＡは、
　　　　ＮＡ＝０．０１２９８（１式による。）
　　　又は、
　　　　ＮＡ＝０．００８７２（２式による。）
となる。
　
（エ）集光角について
　　　開口数（ＮＡ）、集光半角（θ）と屈折率（ｎ）の関係は、
　　　　ＮＡ＝ｎ・ｓｉｎθ
で表され、大気中では屈折率（ｎ）は１であるから、
　　　　θ＝ｓｉｎ−１（ＮＡ）
となる。
　　　前記の各ＮＡに対応する集光半角（θ）は、
　　　　θ＝０．０１２９８０４（ｒａｄ）（１式による。）
　　　又は、
　　　　θ＝０．００８７２０２（ｒａｄ）（２式による。）
となる。
　
（オ）ガラス内部の集光について
　　　このように集光半角（θ）が非常に小さいと、レーザービームは殆ど収束せずにガラスに入射することになる。アンプルの首（締め付け）は壁厚０．８ｍｍであるからその中央は、ガラス表面からの距離は０．４ｍｍであって、このような短い距離で、このような集光半角（θ）では、レーザービームの直径は殆ど変わらない。焦光点直径が０．１ｍｍとすると、ガラス表面におけるレーザービーム直径は、
　　　　０．１０６９ｍｍ（１式による。）
　　　　０．１０４６ｍｍ（２式による。）
となって、殆ど変化しておらず、その断面積も、同様に殆ど変化していないから、
エネルギー密度は殆ど変化しないと考えられ、ガラス内部の所望の収束点に達する以前に、ガラス表面で多光子吸収が発生するほどのエネルギー密度となってしまうことになる。
　　　以上のとおりであるから、ガラスの内部にのみ多光子吸収による微小亀裂をつくることは、この実施例で示される条件のもとでは、不可能である。
　
（カ）実施可能性について
　　　以上のとおりであるから、甲第１号証記載の実施例は実施不可能であり、発明が完成しているとはいえず、したがって、発明として完成していない甲第１号証記載の事項を、本件各発明の進歩性を判断する際に考慮に入れることはできない。
　
（キ）甲第２号証ないし甲第６号証記載の事項
　　　甲第２号証には、第６．（２）に示したとおり、「表面に回路即ち電子デバイスが形成された、シリコン等の半導体材料からなる基体の表面にレーザ光を照射して割れ目を作り、基体を割ること。」が記載されているが、加工対象物である基体の内部に「切断領域の内部に改質領域を形成し、加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」ことは記載も示唆もされていない。
　　　一方、甲第３号証ないし甲第６号証には、第６．（３）に示したとおり、「ガラスの表面及び裏面には改質領域を生成することなくガラスの内部のみにマーキングすること」が記載されていると認められる。しかしながら、甲第３号証ないし甲第６号証記載の上記事項は、「マーキング」に関するものであるから、割れが発生してはならないものであり、したがって、甲第３号証ないし甲第６号証記載の事項は、当該事項を割れを発生させる甲第２号証記載の事項と組み合わせることを妨げる事情があるとするのが相当である。
　
（ク）むすび
　　　したがって、本件発明１は、甲第１号証ないし甲第６号証記載の事項から当業者が容易に発明をすることができたものである、とすることはできない。
　
（２）甲第１号証に発明が認定できるとする場合
　　　甲第１号証の実施例に関する記載には技術的な矛盾があることは上述したとおりであるが、仮に、実施例を除く甲第１号証の記載内容が正しいとすると、甲第１号証には、上記第６．（１）（ア）、（イ）の記載から、以下の発明が開示されているとも解しうる。
　
「ガラス物体の内部に焦光点を合わせてレーザ光を照射し、ガラス物体の内部に微小亀裂を形成し、この微小亀裂によって、前記ガラス物体の分割線に沿って前記ガラス物体のガラス表面から所定距離内側に、切断の起点となる破断点を形成する、ガラス物体の切断方法。」（以下、「甲第１号証記載の発明」という。）
　
　　　そこで、甲第１号証に上記発明が記載されていると仮定して、本件発明が甲第１号証ないし甲第６号証記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるか否かについて、以下、検討する。
　
（ア）本件発明１について
（ｉ）対比
　　　本件発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、後者の「ガラス物体」は、前者の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と「加工対象物」の限りで、後者の「微小亀裂」は、前者の「多光子吸収による改質領域」と「改質領域」の限りで、それぞれ共通する。また、後者において、破断点を起点としてガラス物体の厚さ方向に向かって割れが発生しないと、ガラス物体が切断されないことからみて、後者においても、破断点を起点として、ガラス物体の厚さ方向に割れを発生させることは明らかである。
　　　そして、後者の「分割線」は、前者の「切断予定ライン」に相当する。
　　　以上のとおりであるから、両者は、
　　「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。」である点で、一致しているということができる。
　　　そして、第１に、切断の起点となる領域を形成する領域が、前者は「多光子吸収による改質領域」であるのに対して、後者では、レーザ光照射による「微小亀裂」という領域であって、これが多光子吸収による形成されたものであるか否かが不明である点（以下、相違点１という。）と、第２に、前者は、加工対象物が「ウェハ状の半導体材料」であるのに対して、後者の加工対象物は、「フラットガラス板」である点（以下、相違点２という。）で相違している。
　
（ｉｉ）判断
　　　そこで、上記相違点２について検討すると、甲第３号証ないし甲第６号証記載の事項は、上述したように、「割れが発生してはならないもの」であって、割れを発生させる甲第１号証記載の発明と組み合わせることができない事情が存在する。
　　　また、甲第２号証には、半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の表面にレーザ光を照射して割れ目を作り、基体を切断することが記載されているものの、加工対象物の内部に改質領域、切断の起点となる領域を形成する点については記載されていない。
　　　すなわち、甲第１号証ないし甲第６号証には、加工対象物を「半導体材料からなるウェハ状」のものとするとの事項と、「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の内部に改質領域、切断の起点となる領域を形成」するとの事項を併せ備えるという本件発明１の構成を示すものはない。
　　　一方、本件発明１は、上記２つの事項を併せ備えることにより、後者の事項を備えるものの前者の事項を備えていない甲第１号証記載の発明では、改質層の幅が数十μｍとなり、切断の突起が極大かつ多数となり、端面にクラックに起因するギザギザが現れ、ミクロ的には蛇行する切断面しか得られないのに対して、改質層の幅は数μｍであり、切断の起点が極めて微細な領域に集中した極少ない極小なものであって、極めて綺麗で蛇行の無い直線状の破断面が得られるという、顕著な作用効果を奏しているものと認められる。（口頭審理陳述要領書に添付された添付資料の写真１ないし写真１２を参照。）
　　　そうすると、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は甲第１号証ないし甲第６号証記載の発明（事項）に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
（イ）本件発明２ないし６及び１１ないし３１について
　　　本件発明２ないし６及び１１ないし３１と、甲第１号証記載の発明を対比すると、両者は、少なくとも上記相違点２で相違する。
　　　さらに、本件発明３、２３、２４は、改質領域が、「溶融処理領域を含む改質領域」である点（以下、相違点３という。）でも、甲第１号証記載の発明と相違しており、この点は、甲第２号証ないし甲第６号証記載には記載も示唆もされていない。
　　　さらに、本件発明４、２５、２６は、改質領域が、「屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域」である点（以下、相違点４という。）でも、甲第１号証記載の発明と相違しており、この点は、甲第２号証ないし甲第６号証記載には記載も示唆もされていない。
　　　さらに、本件発明１８、２９、３０，３１は、切断の起点となる領域を形成する領域が、「単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域」である点（以下、相違点５という。）でも、甲第１号証記載の発明と相違しており、この点は、甲第２号証ないし甲第６号証記載には記載も示唆もされていない。
　　　以上のとおりであるから、本件発明２ないし６及び１１ないし３１も、甲第１号証ないし甲第６号証記載の発明（事項）に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
第８．むすび
　　　以上のとおりであるから、無効審判申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１ないし６及び１１ないし３１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　　　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　　　よって、結論のとおり決定する。