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【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のオブジェクトを同時に表示する表示手段と、
入力された軌跡が閉曲線であるかを判別する判別手段と、
前記表示手段によって表示されている複数のオブジェクトの中から選択するオブジェクトを決定する選択手段と、を備え、
前記選択手段は、前記判別手段によって前記軌跡が閉曲線と判別された場合は、前記閉曲線によって囲まれた閉領域内に表示されているオブジェクトを選択し、前記軌跡が閉曲線でないと判別された場合は、前記入力された軌跡の下に表示されているオブジェクトを選択することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記判別手段によって前記軌跡が閉曲線であると判別された場合、前記閉曲線によって囲まれた閉領域内に全部が表示されているオブジェクトと、前記入力された軌跡の下に表示されているオブジェクトとを選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記選択手段は、前記判別手段によって前記軌跡が閉曲線であると判別された場合に、更に前記閉曲線である軌跡の入力が開始されてから終了されるまでの一続きの軌跡に基づいて、選択するオブジェクトを決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記判別手段によって前記軌跡が閉曲線であると判別された場合に、前記入力された軌跡の端点の位置を取得する第１の取得手段を更に備え、
前記選択手段は、前記第１の取得手段が取得した端点が存在する位置に基づいて、選択するオブジェクトを決定することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記選択手段は、前記第１の取得手段が取得した端点が存在する位置に基づいて、前記閉曲線によって囲まれた閉領域内に少なくとも一部が表示されているオブジェクトのうち、いずれのオブジェクトを選択するかを決定することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記選択手段は、
前記取得した端点のうち、前記軌跡の入力が終了された終点が前記閉曲線の内側に存在すれば、前記閉曲線に囲まれた閉領域内に全部が表示されているオブジェクトを選択し、
前記終点が前記閉曲線の外側に存在すれば、前記閉曲線に囲まれた閉領域内に一部が表示されているオブジェクトを選択し、
前記終点が前記閉曲線の線上に存在すれば、前記閉曲線に囲まれた閉領域内に少なくとも一部が表示されているオブジェクトを選択することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記判別手段によって前記軌跡が閉曲線と判別された場合に、前記軌跡の入力が終了するまでに前記閉曲線による閉領域の外側にはみ出したはみ出し量を取得する第２の取得手段を更に備え、
前記選択手段は、前記第２の取得手段が取得した前記はみ出し量が所定の閾値より大きいか否かに基づいて、選択するオブジェクトを決定することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記選択手段は、前記第２の取得手段が取得した前記はみ出し量が所定の閾値より大きいか否かに基づいて、前記閉曲線によって囲まれた閉領域内に表示されているオブジェクトに加えて、他のオブジェクトを選択するか否かを決定することを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記選択手段は、
前記第２の取得手段が取得したはみ出し量が所定の閾値より大きい場合には、前記閉曲線に囲まれた閉領域内に表示されているオブジェクトと、前記閉曲線の外側にはみ出した軌跡の下に表示されているオブジェクトとを選択し、
前記第２の取得手段が取得したはみ出し量が前記所定の閾値以下である場合には、前記選択手段は、前記閉曲線に囲まれた閉領域内に表示されているオブジェクトのみを選択することを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記選択手段は、前記閉曲線による閉領域をはみ出した軌跡が、前記軌跡を遡って前記閉領域の付近で終了した場合には、前記閉曲線に囲まれた閉領域内に表示されているオブジェクトのみを選択することを特徴とする請求項８又は９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記判別手段は、前記入力された軌跡の一部が交差している場合に、前記軌跡が閉曲線であると判別することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記判別手段は、前記入力された軌跡が同一オブジェクト上を２回通った場合に前記軌跡が閉曲線であると判別することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１３】
表示手段により、複数のオブジェクトを同時に表示させる表示工程と、
判別手段により、入力された軌跡が閉曲線であるかを判別する判別工程と、
選択手段により、前記表示手段によって表示されている複数のオブジェクトの中から選択するオブジェクトを決定する選択工程と、を有し、
前記選択工程では、前記判別工程において前記軌跡が閉曲線と判別された場合は、前記閉曲線に囲まれた閉領域内に表示されているオブジェクトを選択し、前記軌跡が閉曲線でなかった場合は、前記入力された軌跡の下に表示されているオブジェクトのみを選択することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の情報処理装置の制御方法の各工程をコンピュータにて実施させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、複数のオブジェクトを同時に表示する表示手段と、入力された軌跡が閉曲線であるかを判別する判別手段と、前記表示手段によって表示されている複数のオブジェクトの中から選択するオブジェクトを決定する選択手段と、を備え、前記選択手段は、前記判別手段によって前記軌跡が閉曲線と判別された場合は、前記閉曲線によって囲まれた閉領域内に表示されているオブジェクトを選択し、前記軌跡が閉曲線でないと判別された場合は、前記入力された軌跡の下に表示されているオブジェクトを選択することを特徴とする情報処理装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の情報処理装置は以下の構成を備える。即ち、複数個の数値を定義する属性を含んでいる第１の要素と、該複数個の数値のそれぞれの推移を定義する第２の要素と、を含む複数個の要素から成る構造化文書を取得する取得手段と、前記第１の要素から前記属性を取り出し、該取り出した属性が定義する複数個の数値を前記第１の要素の子要素に変換する第１の変換手段と、前記第２の要素が定義するそれぞれの数値の推移のうち、値が変化する数値の推移を、前記子要素に変換されたそれぞれの数値のうち該値が変化する数値の子要素に変換する第２の変換手段と、前記第１の変換手段、前記第２の変換手段による変換によって更新された前記構造化文書を、出力用構造化文書として出力する出力手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図５（ｂ）の左側には、最初に図形を描画してから２秒後の図形を示しており、右側には、最初に図形を描画してから５秒後の図形を示している。ｖａｌｕｅｓ属性もｄ属性と同様、属性値として複雑なデータ構造をもっているため、属性値を文字として扱わなければならない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の数値を定義する属性を含んでいる第１の要素と、該複数個の数値のそれぞれの推移を定義する第２の要素と、を含む複数個の要素から成る構造化文書を取得する取得手段と、
前記第１の要素から前記属性を取り出し、該取り出した属性が定義する複数個の数値を前記第１の要素の子要素に変換する第１の変換手段と、
前記第２の要素が定義するそれぞれの数値の推移のうち、値が変化する数値の推移を、前記子要素に変換されたそれぞれの数値のうち該値が変化する数値の子要素に変換する第２の変換手段と、
前記第１の変換手段、前記第２の変換手段による変換によって更新された前記構造化文書を、出力用構造化文書として出力する出力手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記属性は、描画コマンドと座標情報のセットを複数セット含み、
前記第１の変換手段は、前記複数セットを前記第１の要素から取り出し、該取り出した複数セットのそれぞれを、前記第１の要素の子要素に変換することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第２の要素は、前記複数セットのそれぞれのセット中の座標情報の推移を定義しており、
前記第２の変換手段は、値が時系列に変化する座標情報の推移を前記第２の要素から特定し、該特定した推移を、前記子要素に変換されたそれぞれのセットのうち、該座標情報を含むセットの子要素に変換することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記第１の変換手段、第２の変換手段は、値が時系列に変化する座標情報に対応する描画コマンドの数が閾値以上でない場合に変換を行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記第１の変換手段、前記第２の変換手段は、前記第２の要素が定義する座標情報の推移に応じて生じる、前記属性に基づく描画領域の変更サイズが閾値以上であれば変換を行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記構造化文書は、ＸＭＬ若しくはＳＶＧの形式の構造化文書であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記出力手段は、前記出力用構造化文書をバイナリＸＭＬの形式に変換してから出力することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記取得手段は、取得した構造化文書を、ＤＯＭ形式で保持していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
情報処理装置が行う情報処理方法であって、
前記情報処理装置の取得手段が、複数個の数値を定義する属性を含んでいる第１の要素と、該複数個の数値のそれぞれの推移を定義する第２の要素と、を含む複数個の要素から成る構造化文書を取得する取得工程と、
前記情報処理装置の第１の変換手段が、前記第１の要素から前記属性を取り出し、該取り出した属性が定義する複数個の数値を前記第１の要素の子要素に変換する第１の変換工程と、
前記情報処理装置の第２の変換手段が、前記第２の要素が定義するそれぞれの数値の推移のうち、値が変化する数値の推移を、前記子要素に変換されたそれぞれの数値のうち該値が変化する数値の子要素に変換する第２の変換工程と、
前記情報処理装置の出力手段が、前記第１の変換工程、前記第２の変換工程による変換によって更新された前記構造化文書を、出力用構造化文書として出力する出力工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
コンピュータを請求項１乃至８の何れか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光レンズがアレイ状に配設されたレンズアレイと、
前記レンズアレイの端部に設けられ、生体の一部に対して近赤外光を照射する近赤外光照射光源と、
前記レンズアレイによって集光された前記生体内で散乱され静脈を透過した近赤外光に基づいて前記静脈の撮像データを生成する静脈撮像データ生成領域と、遮光された前記画素からなる領域であり、前記遮光された画素から出力される出力値である熱雑音出力を生成する熱雑音出力データ生成領域と、を有する撮像素子と、
前記熱雑音出力データ生成領域から出力された前記熱雑音出力データに基づいて、熱雑音の大きさを測定する熱雑音測定部と、
前記熱雑音測定部により測定された前記熱雑音の大きさに基づいて、前記静脈の撮像処理が行われた撮像温度を推定する温度推定部と、
前記静脈撮像データ生成領域により生成された前記静脈撮像データを用いて前記静脈の撮像画像を生成し、前記温度推定部により推定された前記撮像温度に基づいて、前記静脈の撮像画像の補間処理を行う静脈画像補間部と、
を備える、静脈撮像装置。
【請求項２】
前記静脈画像補間部は、前記温度推定部により推定された前記撮像温度に基づいて、所定時間分の前記静脈の撮像画像の積分処理および前記静脈の撮像画像からのノイズ除去処理の少なくとも何れかを行う、請求項１に記載の静脈撮像装置。
【請求項３】
前記撮像素子は、一つの前記受光レンズに対して前記静脈撮像データ生成領域に位置する複数の画素が対応しており、
前記静脈画像補間部は、前記静脈の撮像画像の生成に用いられた前記静脈撮像データを出力した画素の周辺に位置する画素から出力された前記静脈撮像データを利用して前記補間処理を行う、請求項１および２に記載の静脈撮像装置。
【請求項４】
前記熱雑音出力データ生成領域から出力された前記熱雑音出力データに対して、前記熱雑音測定部によって前記熱雑音を定量的に処理するための前処理を行う熱雑音出力前処理部を更に備える、請求項１に記載の静脈撮像装置。
【請求項５】
前記熱雑音出力前処理部は、所定時間分の前記熱雑音出力データを累積加算する累積処理、または、前記熱雑音出力データに対するピーク処理の少なくともいずれかを実行する、請求項４に記載の静脈撮像装置。
【請求項６】
少なくとも前記撮像素子の駆動制御を行う駆動制御部を更に備え、
前記駆動制御部は、前記熱雑音測定部により測定された前記熱雑音の大きさに基づいて、前記撮像素子の受光時間およびフレームレートの少なくとも何れかの制御を行う、請求項１に記載の静脈撮像装置。
【請求項７】
前記静脈の撮像画像から静脈パターンを抽出する静脈パターン抽出部を更に備え、
前記静脈パターン抽出部は、前記温度推定部により推定された前記撮像温度に基づいて、前記静脈パターンの抽出に用いられるフィルタのフィルタ特性を変更する、請求項１に記載の静脈撮像装置。
【請求項８】
前記温度推定部から出力された前記撮像温度が所定の閾値以上であった場合に警告を発する警告部を更に備える、請求項１に記載の静脈撮像装置。
【請求項９】
複数の受光レンズがアレイ状に配設されたレンズアレイと、前記レンズアレイの端部に設けられ、生体の一部に対して近赤外光を照射する近赤外光照射光源と、前記レンズアレイによって集光された前記生体内で散乱され静脈を透過した近赤外光に基づいて前記静脈の撮像データを生成する静脈撮像データ生成領域と、遮光された前記画素からなる領域であり、前記遮光された画素から出力される出力値である熱雑音出力を生成する熱雑音出力データ生成領域と、を有する撮像素子と、を備えた静脈撮像装置の前記熱雑音出力データ生成領域から出力された前記熱雑音出力データに基づいて、熱雑音の大きさを測定するステップと、
測定された前記熱雑音の大きさに基づいて、前記静脈の撮像処理が行われた撮像温度を推定するステップと、
前記静脈撮像データ生成領域により生成された前記静脈撮像データを用いて前記静脈の撮像画像を生成し、推定された前記撮像温度に基づいて、前記静脈の撮像画像の補間処理を行うステップと、
を含む、静脈画像補間方法。
【請求項１０】
複数の受光レンズがアレイ状に配設されたレンズアレイと、前記レンズアレイの端部に設けられ、生体の一部に対して近赤外光を照射する近赤外光照射光源と、前記レンズアレイによって集光された前記生体内で散乱され静脈を透過した近赤外光に基づいて前記静脈の撮像データを生成する静脈撮像データ生成領域と、遮光された前記画素からなる領域であり、前記遮光された画素から出力される出力値である熱雑音出力を生成する熱雑音出力データ生成領域と、を有する撮像素子と、を備えた静脈撮像装置を制御するコンピュータに、
前記熱雑音出力データ生成領域から出力された前記熱雑音出力データに基づいて、熱雑音の大きさを測定する熱雑音測定機能と、
前記熱雑音測定機能により測定された前記熱雑音の大きさに基づいて、前記静脈の撮像処理が行われた撮像温度を推定する温度推定機能と、
前記静脈撮像データ生成領域により生成された前記静脈撮像データを用いて前記静脈の撮像画像を生成し、前記温度推定機能により推定された前記撮像温度に基づいて、前記静脈の撮像画像の補間処理を行う静脈画像補間機能と、
を実現させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記撮像素子は、一つの前記受光レンズに対して前記静脈撮像データ生成領域に位置する複数の画素が対応しており、前記静脈画像補間部は、前記静脈の撮像画像の生成に用いられた前記静脈撮像データを出力した画素の周辺に位置する画素から出力された前記静脈撮像データを利用して前記補間処理を行うことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
上記の２次空間微分フィルタとして、例えば、以下に示すＬｏｇ（Ｌａｐｌａｃｉａｎ  ｏｆ  Ｇａｕｓｓｉａｎ）フィルタを用いることが可能である。Ｌｏｇフィルタ（式４）は、ガウス関数を用いた平滑化フィルタであるガウシアン（Ｇａｕｓｓｉａｎ）フィルタ（式３）の２次微分で表される。ここで、以下の式３において、σはガウス関数の標準偏差を表し、ガウシアンフィルタの平滑化の度合いを表す変数である。また、以下の式４におけるσは、式３と同様にガウス関数の標準偏差を表すパラメータであり、σの値を変化させることで、Ｌｏｇフィルタ処理を行なった場合の出力値を変化させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影機器が画像を撮影した時刻の近傍時刻における当該撮影機器の位置情報と、当該近傍時刻における移動体の位置情報と、を用いて、前記撮影機器の移動経路と前記移動体の移動経路との間の類似度を求める計算手段と、
前記計算手段が計算した類似度に基づいて、前記画像と前記移動体との関連度を決定し、決定した関連度を示す情報を前記画像と関係付けて登録する登録手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
更に、
それぞれの時刻における撮影機器の位置情報を管理する第１の管理手段と、
それぞれの時刻における移動体の位置情報を管理する第２の管理手段と、
を備え、
前記計算手段は、
前記撮影機器が画像を撮影した時刻の近傍時刻における位置情報を、前記第１の管理手段が管理する位置情報群から取得する第１の取得手段と、
前記近傍時刻における前記移動体の位置情報を、前記第２の管理手段が管理する位置情報群から取得する第２の取得手段とを備え、
前記第１の取得手段及び前記第２の取得手段が取得したそれぞれの位置情報を用いて、前記類似度を求める
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第１の管理手段は、前記撮影機器により撮影されたそれぞれの画像の撮影位置情報を、それぞれの時刻における撮影機器の位置情報として管理することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記第１の管理手段は、外部の機器により定期的に測定された前記撮影機器の位置情報を、それぞれの時刻における撮影機器の位置情報として管理することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記計算手段は、前記第１の取得手段が取得した位置情報と、前記第２の取得手段が取得した位置情報と、の間の類似度を求めることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記計算手段は、
前記第１の取得手段が取得した位置情報と、前記第２の取得手段が取得した位置情報と、の間の距離を求め、
前記距離の平均値、分散値を求め、
前記平均値と前記分散値とを用いて前記類似度を求め、
前記類似度は、前記平均値が小さいほど大きく、前記分散値が小さいほど大きい
ことを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記登録手段は、前記類似度が大きいほど、前記画像と前記移動体との関連度がより高いと決定することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記登録手段は、前記関連度を示す情報をメタデータとして前記画像と関係付けて、前記情報処理装置が有するメモリに登録することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
更に、
前記移動体の画像を用いて前記移動体を認識することで、認識の確度を示すスコアを計算する手段と、
前記登録手段により決定された関連度に基づいて前記スコアを修正する手段と
を備えることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
情報処理装置が行う情報処理方法であって、
前記情報処理装置の計算手段が、撮影機器が画像を撮影した時刻の近傍時刻における当該撮影機器の位置情報と、当該近傍時刻における移動体の位置情報と、を用いて、前記撮影機器の移動経路と前記移動体の移動経路との間の類似度を求める計算工程と、
前記情報処理装置の登録手段が、前記計算工程で計算した類似度に基づいて、前記画像と前記移動体との関連度を決定し、決定した関連度を示す情報を前記画像と関係付けて登録する登録工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９の何れか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のサブシステム及び第２のサブシステムを備える情報処理装置であって、
前記第１のサブシステムは、
前記第１のサブシステムが実行する処理タスクよりも高い優先度で第１のソフトウェアカウンタを更新する第１の更新手段と、
前記処理タスクよりも低い優先度で第２のソフトウェアカウンタを更新する第２の更新手段とを有し、
前記第２のサブシステムは、
前記第１のソフトウェアカウンタ及び前記第２のソフトウェアカウンタが更新されたか否かを確認する確認手段と、
前記第１のソフトウェアカウンタ及び前記第２のソフトウェアカウンタの少なくともいずれかが更新されていない場合に、前記第１のサブシステムにおいて障害が発生したと判定する判定手段と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記判定手段は、前記第１のソフトウェアカウンタが更新されたが前記第２のソフトウェアカウンタが更新されていない場合に、前記第１のサブシステムにおいてソフトウェア障害が発生したと判定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記ソフトウェア障害は、前記第１のサブシステムで実行中の処理タスクで発生したデッドロックと無限ループとの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記判定手段は、前記第１のソフトウェアカウンタが更新されていない場合に、前記第１のサブシステムにおいてハードウェア障害が発生したと判定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記ハードウェア障害は、前記第１のサブシステムで発生したＣＰＵ障害とメモリ障害との少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記判定手段は、前記第２のソフトウェアカウンタが更新された場合に、前記第１のサブシステムにおいてソフトウェア障害とハードウェア障害とのいずれも発生していないと判定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第１のソフトウェアカウンタ及び前記第２のソフトウェアカウンタは、前記第１のサブシステム及び前記第２のサブシステムで共有されるメモリが有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記情報処理装置は、第３のソフトウェアカウンタをさらに有し、
前記第１のサブシステムは、前記処理タスクが正常に終了した場合に前記第３のソフトウェアカウンタを更新する第３の更新手段を有し、
前記確認手段は、前記第３のソフトウェアカウンタが更新されたか否かを確認し、
前記判定手段は、前記第３のソフトウェアカウンタが更新されていないと判定された場合に、前記処理タスクが正常に終了しなかったと判定する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記処理タスクは、異なる優先度を有する複数の処理タスクを含み、
前記情報処理装置は、前記複数の処理タスクのそれぞれに対応するタスク別ソフトウェアカウンタをさらに有し、
前記複数の処理タスクのそれぞれは、処理が終了した場合に前記対応するタスク別ソフトウェアカウンタを更新し、
前記確認手段は、前記タスク別ソフトウェアカウンタが更新されたか否かを確認し、
前記判定手段は、前記タスク別ソフトウェアカウンタが更新されていない場合に、更新されていない前記タスク別ソフトウェアカウンタに基づいて、ソフトウェア障害が発生した処理タスクの優先度を特定することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
第１のサブシステム及び第２のサブシステムを備える情報処理装置の制御方法であって、
前記第１のサブシステムは、
処理タスクを実行する工程と、
前記処理タスクよりも高い優先度で第１のソフトウェアカウンタを更新する第１の更新工程と、
前記処理タスクよりも低い優先度で第２のソフトウェアカウンタを更新する第２の更新工程とを実行し、
前記第２のサブシステムは、
前記第１のソフトウェアカウンタ及び前記第２のソフトウェアカウンタが更新されたか否かを判定する工程と、
前記第１のソフトウェアカウンタ及び前記第２のソフトウェアカウンタの少なくともいずれかが更新されていない場合に、前記第１のサブシステムにおいて障害が発生したと判定する工程とを実行することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題に鑑みて、本発明に係る情報処理装置は、第１のサブシステム及び第２のサブシステムを備える情報処理装置であって、前記第１のサブシステムは、前記第１のサブシステムが実行する処理タスクよりも高い優先度で第１のソフトウェアカウンタを更新する第１の更新手段と、前記処理タスクよりも低い優先度で第２のソフトウェアカウンタを更新する第２の更新手段とを有し、前記第２のサブシステムは、前記第１のソフトウェアカウンタ及び前記第２のソフトウェアカウンタが更新されたか否かを確認する確認手段と、前記第１のソフトウェアカウンタ及び前記第２のソフトウェアカウンタの少なくともいずれかが更新されていない場合に、前記第１のサブシステムにおいて障害が発生したと判定する判定手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に前記第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に前記第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内に第１酸化源を供給する第１酸化源供給系と、
前記処理室内に前記第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給する第２酸化源供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
基板を収容した前記処理室内への原料の供給および排気と、前記処理室内への第１酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成し、前記処理室内への前記原料の供給および排気と、前記処理室内への前記第２酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成するように、前記原料供給系、前記第１酸化源供給系、前記第２酸化源供給系、および、前記排気系を制御するコントローラと、を有する
ことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に実装される発光素子と、該発光素子と電気的に接続される基板上に設けられる電極と、前記発光素子を封止する樹脂体とを備え、
前記発光素子の周囲に該発光素子から出射された光が前記基板の露出した上面に照射されるのを遮る遮光壁部を設けたことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記遮光壁部が、前記発光素子のＰＮ接合層より出射される光が基板の露出した上面に照射されるのを遮る高さを有している請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記遮光壁部は、前記発光素子のＰＮ接合層より低く、且つ、前記基板上に設けられる電極より高く形成される請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記発光素子が前記基板の上面に設けた凹部内に収容され、この凹部の周囲に前記遮光壁部が設けられる請求項１乃至３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記発光素子は、前記基板の凹部に装着されるカップ体に収容され、該カップ体の縁部に前記遮光壁部が設けられる請求項４記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記遮光壁部は、上面に反射部材を備える請求項１乃至５のいずれかに記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一電荷が付加されることにより生じるトランジスタ特性の変位ｘの確率密度関数Ｐ１（ｘ）を決定する工程と、
前記Ｐ１（ｘ）と、付加される電荷の個数ｎの出現確率と、を元に回路設計上想定すべき設計余裕Ｍを決定する工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
以上、実施例について説明したが、本発明は上記実施例の構成にのみ制限されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
なお、本発明において、さらに下記の形態が可能である。
［形態１］
上記本発明の１つの側面による半導体集積回路の設計方法のとおりである。
［形態２］
前記Ｐ１（ｘ）と、付加される電荷の個数ｎの出現確率と、を元に回路設計上想定すべき設計余裕Ｍを決定する工程が、
前記Ｐ１（ｘ）の畳み込み積分によってｎ個の電荷が付加されることによる特性の変位ｘの確率密度関数Ｐｎ（ｘ）を決定する工程と、
前記Ｐｎ（ｘ）を個数ｎの出現確率に応じて重み付けて、付加される電荷数が確率的である場合の変位ｘの確率密度関数Ｐ（ｘ）を決定する工程と、
前記Ｐ（ｘ）より回路設計上想定すべき設計余裕Ｍを決定する工程と、
を含むことを特徴とする形態１記載の半導体集積回路の設計方法。
［形態３］
前記個数ｎの出現確率が期待値λのポアソン分布により決定されることを特徴とする形態２記載の半導体集積回路の設計方法。
［形態４］
前記Ｐ１（ｘ）が複数のトランジスタのランダム・テレグラフ・ノイズの振幅を測定することにより決定されることを特徴とする形態２又は３記載の半導体集積回路の設計方法。
［形態５］
前記Ｐ１（ｘ）およびλが複数のトランジスタのランダム・テレグラフ・ノイズの振幅および出現頻度を測定することにより決定されることを特徴とする形態３記載の半導体集積回路の設計方法。
［形態６］
前記Ｐ１（ｘ）が、第一のデバイス構造によりシミュレーションされる第一のデバイス特性値を決定する工程と、
前記第一のデバイス構造に単一電荷を付加した第二のデバイス構造によりシミュレーションされる第二のデバイス特性値を決定する工程と、
前記第二のデバイス特性値から第一のデバイス特性値を差し引いてｘを決定する工程と、を複数回繰り返すモンテカルロ・シミュレーションによって決定されることを特徴とする形態２又は３記載の半導体集積回路の設計方法。
［形態７］
前記Ｐ１（ｘ）を解析関数によって近似したのち、前記畳み込み積分を実施することを特徴とする形態４乃至６いずれか１に記載の半導体集積回路の設計方法。
［形態８］
前記トランジスタがＭＯＳトランジスタであって、前記単一電荷は前記ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜中に付加される電荷であって、前記トランジスタ特性が前記ＭＯＳトランジスタのしきい値であることを特徴とする形態１乃至７いずれか１に記載の半導体集積回路の設計方法。
［形態９］
前記トランジスタがソースドレイン間のチャネル部が薄膜又は線状に形成された薄膜／線状チャネルトランジスタであって、前記単一電荷は前記チャネル部に存在する不純物に付加される電荷、又は、ゲート絶縁膜と前記チャネル部との界面に存在する電荷を含み、前記トランジスタ特性が前記トランジスタのしきい値であることを特徴とする形態１乃至７いずれか１に記載の半導体集積回路の設計方法。
［形態１０］
上記本発明の他の側面によるトランジスタ特性ばらつきの算出方法のとおりである。
［形態１１］
上記本発明のさらに他の側面によるトランジスタ特性ばらつき算出システムのとおりである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内に軸を中心として回転可能に取り付けられ、１又は複数の基板を保持するようになっている基板キャリアと、
前記ガスチャンバ内で前記基板キャリアに向かって前記軸と実質的に平行な方向にガス流れを向けるように配置されたガス流れ生成器であって、前記ガス流れが実質的に均一の速度を有しながら前記軸からの異なる半径方向距離において反応ガスの異なる濃度を有するように構成されているガス流れ生成器とを備えた基板を処理するための反応器。
【請求項２】
前記ガス生成器は、前記ガス流れ生成器の前記軸からの半径方向距離に直接比例する割合の濃度の前記反応ガスを含む前記ガス流れを供給するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の反応器。
【請求項３】
前記ガス流れ生成器は、互いに離間された複数のガス流入口と、前記ガス流入口に接続される異なるガス源を備え、前記ガス源は、異なる入口を通して供給されるガスが、異なる濃度の前記反応ガスを含むと共に、実質的に一定の全ガス速度を維持するように、設定されることを特徴とする請求項１に記載の反応器。 
【請求項４】
前記ガス流れ生成器は、下流方向を有するキャリアガス通路と下流方向を有する反応ガス通路とを画成する構造であって、前記反応ガス通路が前記キャリアガス通路の近傍に延在する構造と、前記チャンバーに入るキャリアガスが前記キャリアガス通路を通して下流方向に流れるように、前記キャリアガス通路を介して前記チャンバーの内部と連通するキャリアガス源と、前記チャンバーに入る反応ガスが前記反応ガス通路を通して下流方向に流れるように、前期反応ガス通路を介して前記チャンバーの内部と連通する反応ガス源とを備え、前記ガス通路の各々は、前記通路を通る下流方向におけるガス流れに対して抵抗を有し、前記キャリアガス通路の抵抗は、前記軸から半径方向外方に向かって徐々に大きくなり、前記反応ガス通路の抵抗は、前記軸から半径方向外方に向かって徐々に小さくなることを特徴とする請求項１に記載の反応器。 
【請求項５】
板を備える閉塞構造をさらに備え、前記キャリアガス通路は、前記板内を貫通するキャリアガスのスロットの形態にあり、前記反応ガス通路は、前記板内を貫通する反応ガスのスロットの形態にあり、前記各スロットは、半径方向外方と直交する幅を有し、前記キャリアガスのスロットは、外側方向において徐々に小さくなり、前記反応ガスのスロットは、内側方向において徐々に小さくなることを特徴とする請求項４に記載の反応器。 
【請求項６】
基板支持体に１又は複数の基板を、この基板の処理されるべき１又は複数の表面が軸と実質的に直交して位置するように支持しながら、前記基板支持体をチャンバー内で前記軸を中心として回転させる工程と、
前記チャンバー内で前記１又は複数の表面に向かって流れる複数のガス流れを前記軸と実質的に平行の方向に前記チャンバーに導入する工程であって、前記ガス流れのそれぞれが前記チャンバー内の前記１又は複数の表面に向かって実質的に均一な速度で流れる工程と、
前記複数の流れのそれぞれを形成するように前記反応ガスと前記キャリアガスとを混合する工程であって、前記１又は複数の表面の半径方向外側の部分に向かって流れるガス流れが、前記１又は複数の表面の半径方向内側の部分に向かって流れる前記ガス流れよりも前記反応ガスが高濃度であるように前記ガスが混合される工程とを含む基板を処理する方法。
【請求項７】
前記導入工程は、前記軸から異なる半径方向距離に配置される複数の入口を通して、前記ガス流れを前記チャンバー内に放出する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記混合工程は、前記入口の少なくとも一部から放出する前に、前記キャリアガスを前記反応ガスと混合させ、異なる濃度の前記キャリアガスを含む流れが、前記複数の入口の異なる入口から放出されるように、行なわれることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記チャンバー内において、前記反応ガスが前記基板で反応し、前記反応ガスからエピタキシャル反応によって誘導される成分を含む層を前記１又は複数の表面に成長させるような反応条件を、維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記反応ガスがアルキル金属を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。 
【請求項１１】
前記キャリアガスが窒素を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記混合工程が、各流れの前記反応ガス濃度が前記軸から前記流れの半径方向距離に正比例するように実施されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記混合工程は、前記キャリアガスの濃度が異なる流れが前記チャンバー内を前記１又は複数の表面に向かって流れるように、前記入口の少なくとも一部から放出した直後に前記キャリアガスを前記反応ガスと混合させるように行なわれることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記チャンバーは、前記入口と前記基板支持体の間に配置される多孔性の噴射板をさらに備え、前記多孔性の噴射板は前記基板支持体に対向する下流面を有し、
前記混合工程は、前記キャリアガスの濃度が異なる流れが前記噴射板の前記下流面から出て前記１又は複数の表面に向かって流れるように行われることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池と、該燃料電池のアノード流路へ水素を供給する水素供給手段と、前記燃料電池のカソード流路へ供給される空気及び前記カソード流路から排出される空気の空気量を調整する空気量調整手段と、前記燃料電池に接続された外部負荷と、前記水素供給手段、前記空気量調整手段及び前記外部負荷の動作を制御する制御部とを備えた燃料電池システムにおいて、
前記制御部は、燃料電池システムの起動時に、飽和蒸気圧未満の空気を前記燃料電池の前記カソード流路へ充填させ、空気の充填後、前記燃料電池の前記カソード流路に空気を連続的に流通させ、前記燃料電池から負荷を取り出すように制御することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池システムにおいて、
前記空気量調整手段は、前記燃料電池のカソード流路に空気を供給する空気供給ラインと、その空気供給ラインに設けられたカソード調圧弁及び空気圧力センサと、前記燃料電池のカソード流路から空気を排出する空気排出ラインと、その空気排出ラインに設けられた空気出口弁とを備え、
前記制御部は、前記空気供給ラインを通して飽和蒸気圧未満の空気を燃料電池のカソード流路へ充填する際、前記空気出口弁を閉止した状態にし、前記カソード流路の圧力を発電時のカソード流路内の圧力よりも高めるように制御することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項３】
請求項２記載の燃料電池システムにおいて、
前記制御部は、前記空気ラインを通して飽和蒸気圧未満の空気を燃料電池のカソード流路へ充填させ前記カソード流路に空気を連続的に流通させる際に、前記空気出口弁を開放することにより前記カソード流路に充填されていた空気を一気に噴出させるように制御することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項４】
請求項３記載の燃料電池システムにおいて、
空気を流通させた後に燃料電池から負荷を取り出すことにより、燃料電池１セル当りの出力電圧の最高値を８００ｍＶ以下にすることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか１項記載の燃料電池システムにおいて、
前記燃料電池の出力電圧を計測する電圧センサを備え、
飽和蒸気圧未満の空気を前記カソード流路へ充填する際に、前記燃料電池に取り付けた前記空気圧力センサ及び前記電圧センサの情報に基づき前記カソード流路に供給する空気量を制御することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項６】
請求項５記載の燃料電池システムにおいて、
飽和蒸気圧未満の空気を前記カソード流路へ充填する際に、前記空気出口弁を閉止した状態にし、空気の供給を開始した後、１セル当りの出力電圧が予め設定された第１の閾値電圧よりも高い場合は、空気の供給を停止して前記出力電圧を低減させ、他方、前記出力電圧が前記第１の閾値電圧以下であって、かつ前記カソード流路に充填された空気の圧力上昇後、前記出力電圧が予め設定された第２の閾値電圧よりも高い場合は、空気の供給を停止すると共に前記空気出口弁を開いて前記出力電圧を低減させることを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本願の特許請求の範囲における請求項１から請求項７までのいずれかに記載された発明（以下、本発明という。）に係るコネクタ装置は、板状部材差込み部が設けられたハウジングと、ハウジング内に配列配置され、配線板状部材が板状部材差込み部を通じてハウジングに差し込まれたとき、その配線板状部材における複数の信号接続端子部、または、複数の信号接続端子部及び接地接続部に接触接続される複数のコンタクトと、ハウジングを部分的もしくは全体的に覆い、ハウジングに差し込まれた配線板状部材を係止する状態をとる係止部が形成された導電性シェルと、ハウジングに対して回動可能に設けられ、第１の回動位置とそれとは異なる第２の回動位置とを選択的にとる操作レバーと、を備えて成り、導電性シェルに形成された係止部が、導電性シェルからその内側に伸びる腕状部分と、腕状部分の先端に設けられ、ハウジングに差し込まれた配線板状部材に設けられた係合切欠きまたは係合孔に係合する状態をとる係合突起部分と、係合突起部分に連なり、操作レバーからの押圧力を受ける状態をとる受圧部分と、受圧部分から伸びる状態呈示部分とを有して形成され、操作レバーが第１の回動位置をとるとき、係合突起部分がハウジングに差し込まれた配線板状部材に設けられた係合切欠きまたは係合孔との係合を行ってその配線板状部材を係止するとともに、状態呈示部分が第１の位置をとり、また、操作レバーが第２の回動位置をとるとき、受圧部分が操作レバーにより押圧変位せしめられて、係合突起部分がハウジングに差し込まれた配線板状部材に設けられた係合切欠きまたは係合孔との係合を解除してその配線板状部材の係止を止めるとともに、状態呈示部分が第１の位置とは異なる第２の位置をとり、第１の位置をとる状態呈示部分及び第２の位置をとる状態呈示部分のうちの少なくとも一方が、導電性シェルの外部から視認できるものとされることを特徴とするものとされる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図８は、図３におけるVIII−VIII線断面を示す。図８には、ハウジング１１に設けられたコンタクト１３、及び、導電性シェル１４に形成された第１の接地用コンタクト１６と第２の接地用コンタクト１７とが示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
板状部材差込み部が設けられたハウジングと、
該ハウジング内に配列配置され、配線板状部材が上記板状部材差込み部を通じて上記ハウジングに差し込まれたとき、上記ハウジングに差し込まれた配線板状部材における複数の信号接続端子部、または、複数の信号接続端子部及び接地接続部に接触接続される複数のコンタクトと、
上記ハウジングを部分的もしくは全体的に覆い、上記ハウジングに差し込まれた配線板状部材を係止する状態をとる係止部が形成された導電性シェルと、
上記ハウジングに対して回動可能に設けられ、第１の回動位置と該第１の回動位置とは異なる第２の回動位置とを選択的にとる操作レバーと、
を備えて成り、
上記導電性シェルに形成された係止部が、上記導電性シェルから該導電性シェルの内側に伸びる腕状部分と、該腕状部分の先端に設けられ、上記ハウジングに差し込まれた配線板状部材に設けられた係合切欠きまたは係合孔に係合する状態をとる係合突起部分と、該係合突起部分に連なり、上記操作レバーからの押圧力を受ける状態をとる受圧部分と、該受圧部分から伸びる状態呈示部分とを有して形成され、上記操作レバーが上記第１の回動位置をとるとき、上記係合突起部分が上記ハウジングに差し込まれた配線板状部材に設けられた係合切欠きまたは係合孔との係合を行って該配線板状部材を係止するとともに、上記状態呈示部分が第１の位置をとり、また、上記操作レバーが上記第２の回動位置をとるとき、上記受圧部分が上記操作レバーにより押圧変位せしめられて、上記係合突起部分が上記ハウジングに差し込まれた配線板状部材に設けられた係合切欠きまたは係合孔との係合を解除して該配線板状部材の係止を止めるとともに、上記状態呈示部分が上記第１の位置とは異なる第２の位置をとり、上記第１の位置をとる上記状態呈示部分及び上記第２の位置をとる上記状態呈示部分のうちの少なくとも一方が、上記導電性シェルの外部から視認できるものとされることを特徴とするコネクタ装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
上記操作レバーが、上記回転軸部が二カ所に設けられたものとされ、該二カ所に設けられた回転軸部が、上記ハウジングにおける上記複数のコンタクトの配列方向の両端部により夫々回転可能に支持されることを特徴とする請求項２記載のコネクタ装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
上記係止部が、上記導電性シェルにおける、上記ハウジングにおける上記複数のコンタクトの配列方向の両端部に近接した二カ所に夫々形成されることを特徴とする請求項１記載のコネクタ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを載置するステージとを含む半導体処理装置であって、
前記ステージは前記基板ホルダを真空吸着により吸着し、
前記基板ホルダは、基板を、静電吸着、真空吸着、並びに、静電吸着および真空吸着の両方、のいずれで保持するかが切り替えられることを備える半導体処理装置。
【請求項２】
前記基板ホルダが前記ステージに載置されるまでは、静電吸着により前記基板を前記基板ホルダに保持し、
前記基板ホルダが前記ステージに配置されてからは、真空吸着により前記基板を前記基板ホルダに保持する請求項１に記載の半導体処理装置。
【請求項３】
前記基板ホルダは、
前記基板を保持するための静電吸着部と、
前記基板を保持する保持面に設けられた貫通孔とを備え、
前記ステージは、
前記基板ホルダを前記ステージに吸引するための第１の開口と、
前記基板ホルダの前記貫通孔を介して前記基板を前記基板ホルダに吸引するための第２の開口とを備える請求項１または２に記載の半導体処理装置。
【請求項４】
前記ステージは、前記第１の開口に接続される第１吸引部と、前記第２の開口に接続される第２吸引部とを備える請求項３に記載の半導体処理装置。
【請求項５】
前記貫通孔は、前記保持面の内部の周縁部に複数設けられる請求項３または４に記載の半導体処理装置。
【請求項６】
前記貫通孔は、前記保持面の内部の中心部よりも周縁部に密に複数設けられる請求項５に記載の半導体処理装置。
【請求項７】
前記第２吸引部は、前記基板ホルダを載置する載置面の内部の周縁部に複数設けられる請求項４に記載の半導体処理装置。
【請求項８】
前記基板を前記基板ホルダから剥離するときに、前記第１吸引部および前記貫通孔を介して、前記基板方向に気体を噴出する請求項４または７に記載の半導体処理装置。
【請求項９】
前記基板ホルダを前記ステージから剥離するときに、前記第２吸引部を介して、前記基板ホルダ方向に気体を噴出する請求項４、７または８に記載の半導体処理装置。
【請求項１０】
前記貫通孔にはポーラス材が埋め込まれている請求項３から９のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
【請求項１１】
前記基板ホルダは、
前記基板を保持するための静電吸着部と、
前記基板を保持する保持面に設けられたポーラス部とを備え、
前記ステージは、
一端の開口が前記基板ホルダを載置する載置面において前記ポーラス部と対向する第１吸引部と、
一端の開口が前記載置面において前記ポーラス部とは対向せずに前記基板ホルダに対向する第２吸引部とを備える請求項１に記載の半導体処理装置。
【請求項１２】
前記ポーラス部は、前記保持面の内部の周縁部に複数設けられる請求項１１に記載の半導体処理装置。
【請求項１３】
前記ポーラス部は、前記保持面の内部の中心部よりも周縁部に密に複数設けられる請求項１２に記載の半導体処理装置。
【請求項１４】
前記第２吸引部は、前記載置面の内部の周縁部に複数設けられる請求項１１から１３のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
【請求項１５】
前記基板を前記基板ホルダから剥離するときに、前記第１吸引部および前記ポーラス部を介して、前記基板方向に気体を噴出する請求項１１から１４のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
【請求項１６】
前記基板ホルダを前記ステージから剥離するときに、前記第２吸引部を介して、前記基板ホルダ方向に気体を噴出する請求項１１から１５のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
【請求項１７】
前記基板ホルダは、
前記基板を保持するための静電吸着部と、
前記基板を保持する保持面に設けられたポーラス部と、
前記ポーラス部の前記保持面とは反対側の面に接続される導通孔とを備え、
前記ステージは、
一端の開口が前記基板ホルダを載置する載置面において前記導通孔と接続される第１吸引部と、
一端の開口が前記載置面において前記導通孔とは接続されずに前記基板ホルダに対向する第２吸引部とを備える請求項１に記載の半導体処理装置。
【請求項１８】
前記第２吸引部は、前記載置面の内部の周縁部に複数設けられる請求項１７に記載の半導体処理装置。
【請求項１９】
前記基板を前記基板ホルダから剥離するときに、前記第１吸引部および前記導通孔を介して、前記基板方向に気体を噴出する請求項１７または１８に記載の半導体処理装置。
【請求項２０】
前記基板ホルダを前記ステージから剥離するときに、前記第２吸引部を介して、前記基板ホルダ方向に気体を噴出する請求項１７から１９のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
【請求項２１】
前記第１吸引部の他端の開口に接続された第１真空排気装置と、前記第２吸引部の他端の開口に接続された第２真空排気装置とを備え、
前記基板を前記基板ホルダに保持する保持動作と、前記基板ホルダを前記ステージに載置する載置動作を独立して制御するために、前記第１真空排気装置と前記第２真空排気装置を独立して制御する請求項４または１７に記載の半導体処理装置。
【請求項２２】
前記第１吸引部の他端の開口に接続された第１バルブと、前記第２吸引部の他端の開口に接続された第２バルブと、前記第１バルブ及び前記第２バルブに接続された真空排気装置とを備え、
前記基板を前記基板ホルダに保持する保持動作と、前記基板ホルダを前記ステージに載置する載置動作を独立して制御するために、第１バルブと第２バルブを独立して制御する請求項４、７または２１に記載の半導体処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
はんだ収容部に収容された溶融はんだを噴流手段により、ノズルから噴流させ、その噴流されたはんだにガスを吹き付ける噴流はんだ槽において、
前記ノズルを挿入する開口部と当該開口部より外側に位置する側壁とを有し、前記はんだ収容部の少なくとも一部を覆うカバー本体部と、
前記側壁の方向に向けて前記ガスを供給する複数の供給口を有し、前記開口部の周囲を囲うように当該開口部と前記側壁との間に設けられる供給管とを備えることを特徴とする噴流はんだ槽。