【事件の表示】
　平成　８年特許願第２００４３０号「液晶表示セル及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月２０日出願公開、特開平１０−　４８６３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年７月３０日に出願された特許出願であって、平成１６年１１月１９日付で拒絶理由が通知され、平成１７年１月１９日に手続補正がなされ、同年４月６日付で拒絶査定がなされたところ、同年５月１１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同年５月２３日に手続補正がなされ、これに対し、当審において、平成１９年３月１５日付で平成１７年５月２３日の手続補正を却下するとともに同日付で最後の拒絶理由を通知したところ、平成１９年５月１８日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１９年５月１８日の手続補正についての補正の却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　　平成１９年５月１８日の手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正の内容
　本件補正は、平成１７年１月１９日に手続補正がなされた明細書の、特許請求の範囲の請求項１，２、および明細書の段落【０００９】，【００２５】を次のように補正することを含むものである。
　
　【補正事項ａ】
　「【請求項１】　基板上に電極層を介して配向膜を有した液晶表示セルにおいて、前記配向膜を
膜厚２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満
を
　「【請求項１】　基板上に配向制御のためのスリットを備えた電極層を介して配向膜を有した液晶表示セルにおいて、前記配向膜を
膜厚０．２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
と補正する。（下線は、当審で引いた。以下同じ。）
　　
　【補正事項ｂ】
　「【請求項２】　垂直配向膜を有する液晶表示セルの製造方法において、希釈濃度を下げて
膜厚２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満
を
　「【請求項２】　配向制御のためのスリットを備えた電極層と垂直配向膜を有する液晶表示セルの製造方法において、希釈濃度を下げて
膜厚０．２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
と補正する。
  
　【補正事項ｃ】
　「【０００９】【課題を解決するための手段】
　本発明に係る液晶表示セルは、基板上に電極層を介して配向膜を有した液晶表示セルにおいて、前記配向膜を
膜厚２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満
を
　「【０００９】【課題を解決するための手段】
　本発明は、上述の目的を達成するため、以下の（１）〜（３）の構成を備えるものである。
　（１）基板上に配向制御のためのスリットを備えた電極層を介して配向膜を有した液晶表示セルにおいて、前記配向膜を
膜厚０．２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
　（２）配向制御のためのスリットを備えた電極層と垂直配向膜を有する液晶表示セルの製造方法において、希釈濃度を下げて
膜厚０．２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
　（３）液晶にカイラル剤を添加することを特徴とする前記（２）記載の液晶表示セルの製造方法。」
と補正する。
　
　【補正事項ｄ】
　「【００２５】
　配向膜を薄く成膜するほど効果が見られるが、垂直配向の限界値が存在する。これは、材料によって異なるもので、ＲＮ−７８４の場合は希釈濃度０．５ｗｔ％の
膜厚約２００〜５００ｎｍ
を
　「【００２５】
　配向膜を薄く成膜するほど効果が見られるが、垂直配向の限界値が存在する。これは、材料によって異なるもので、ＲＮ−７８４の場合は希釈濃度０．５ｗｔ％の
膜厚約０．２〜０．５ｎｍ
と補正する。
　　
（２）当審の判断
　【補正事項ａ〜ｃ】について
　上記補正事項ａ〜ｃにおいて、「
膜厚２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満
膜厚０．２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
　「２．出願人による対応
　（１）手続補正書による補正
　　本出願人は、手続補正書により以下の通りの補正を行いました。
　　（イ）特許請求の範囲の補正
　　請求項１において、電極層に「配向制御のためのスリットを備えた」という限定を付加しました。また、「２００ｎｍ」を「０．２ｎｍ」に、「６０００ｎｍ」を「６０ｎｍ」に変更いたしました。
・・・・（中略）・・・・
　　（ハ）上記「６０００ｎｍ」を「６０ｎｍ」に変更したのと同様、段落［０００３］、［０００７］の膜厚を変更しました。
　　（ニ）段落［００１３］の「オングストローム＝１０ｎｍ」を「オングストローム＝０．１ｎｍ」に変更しました。
　　（ヘ）段落［００２５］において、「２００〜５００ｎｍ」を「０．２〜０．５ｎｍ」に変更しました。
　（２）補正の根拠
・・・・（中略）・・・・
　　（ロ）「６０００ｎｍ」等を「６０ｎｍ」等に変更した根拠
　　本補正の根拠は、段落［００１３］の換算式の訂正によるものであります。
　　（ハ）「２００〜５００ｎｍ」を「０．２〜０．５ｎｍ」に変更した根拠
　　２００〜５００ｎｍを０．２〜０．５ｎｍとする補正は、誤った換算を行ったために生じた誤りを訂正するものです。本項に記載の範囲は、図２に記載の希釈濃度０．５ｗｔ％における膜厚を記載したものです。現明細書［００２５］項に記載の値と図２の値は大きく乖離し、現記載が誤りであることは明確です。図２から読み取りますと、例えば１ｗｔ％における膜厚は、図から読み取ることのできる範囲で２０Å（＝２ｎｍ）程度であり、０．５ｗｔ％での値は１ｗｔ％での値に対してさらに小さい値であることがわかります。数値として明確に０．２〜０．５ｎｍ（２〜５Å）を読み取ることが容易ではありませんが、少なくとも２０Å（＝２ｎｍ）程度よりは小さい値であることは明確であり、本項補正の傍証となると考えます。
　　なお、上記補正は誤記の訂正であり、特許法第１７条の２第４項第３号の要件を満たすものであります。」（平成１９年５月１８日提出の意見書）
　　
　そこで検討するに、「
膜厚０．２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
　請求人の上記主張によれば、「
膜厚２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満
膜厚０．２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
　しかしながら、単なる換算の誤りであれば、「膜厚２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満」は「
膜厚２ｎｍ以上
膜厚０．２ｎｍ以上
　したがって、「
膜厚２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満
膜厚０．２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
　　
　【補正事項ｄ】について
　「
膜厚約０．２〜０．５ｎｍ
　出願当初明細書等において「
膜厚約２００〜５００ｎｍ
膜厚約０．２〜０．５ｎｍ
　これについても上記「【補正事項ａ〜ｃ】について」の検討で述べたように、単なる換算の誤りであれば、「膜厚約２００〜５００ｎｍ」は「膜厚約
２〜５
０．２〜０．５
　したがって、「
膜厚約２００〜５００ｎｍ
膜厚約０．２〜０．５ｎｍ
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１９年５月１８日の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１月１９日の手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
　　
「【請求項１】　基板上に電極層を介して配向膜を有した液晶表示セルにおいて、前記配向膜を膜厚
２ｎｍ以上６０ｎｍ未満
　　
　上記請求項１において、配向膜の膜厚は「２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満」と規定されているが、以下に詳述するように、上記膜厚の規定は明らかな誤記であって、正しくは「２ｎｍ以上６０ｎｍ未満」である。したがって、本願発明の配向膜の膜厚を「２ｎｍ以上６０ｎｍ未満」と認定する。
　すなわち、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載を参酌すると、配向膜の膜厚と希釈濃度との関係をプロットしたグラフである図２の膜厚（縦軸）目盛りは０〜１０００Å（＝０〜１００ｎｍ）の範囲であるところ、「２００ｎｍ以上６０００ｎｍ未満」との数値範囲は上記グラフの目盛りを大きく逸脱するものであり整合しない。一方で図２のグラフを説明する段落【００１３】には、「図２はポリイミド・ベースの垂直配向膜材料にＲＮ−７８４（日産化学製）を用いたときの上記希釈濃度（ｗｔ％）に対する膜厚（
オングストローム＝１０ｎｍ
　　
（２）引用例の記載事項
　当審が拒絶の理由に引用した特開平８−１２２７５０号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
　ａ．「【０００６】【課題を解決するための手段】
　かくして本発明によれば、電極及び配向膜がこの順で形成された一対の絶縁性基板間に液晶層が挟持されてなり、配向膜が液晶層に含まれる液晶分子を絶縁性基板に対して垂直に配向させうる膜であり、液晶層の厚さが液晶の捩じれピッチの４５〜７０％であることを特徴とする液晶電気光学装置が提供される。」
　
　ｂ．「【００１０】本発明に使用できる絶縁性基板は、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。例えば、ガラス、石英、セラミック、樹脂等が挙げられる。また、基板は少なくとも一方が透明であることが必要とされる。基板上には液晶を駆動させるための電極が形成されている。基板が透明の場合は、インジウム酸化錫、酸化錫、酸化インジウム等からなる透明な電極が形成される。不透明な基板の場合は、特に限定されず、インジウム酸化錫、酸化錫、酸化インジウムの他、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニッケル、金、銅、クロム等からなる不透明な電極が形成される。電極の形成方法は、例えば、ＭＯＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等で形成された金属層を、レジスト等をマスクとして所望の形状にエッチングする方法が挙げられる。
【００１１】次に、上記電極が形成された絶縁性基板上には、配向膜が形成されるが、配向膜の形成前に、絶縁膜を形成しておいてもよい。・・・」
　
　ｃ．「【００１２】本発明に使用できる配向膜は、液晶層に含まれる液晶分子を絶縁性基板に対して垂直に配向させうる膜、即ち垂直配向膜である。垂直配向膜は上記性質を有するものであれば公知のものをいずれも使用することができる。例えば、長鎖アルキル基がポリイミド骨格に結合した構造を有する材料が挙げられ、具体的にはＪＡＬＳ−２０３（日本合成ゴム社製）、ＳＥ−７５１１Ｌ（日産化学社製）等のポリイミド系樹脂が挙げられる。配向膜の厚さは、０．０５〜０．１μｍ程度である。配向膜の原料は、配向膜の形成方法としては、例えば、ポリマーを溶かした溶液をスピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、ロール印刷法等で塗布し、乾燥させて形成する方法が挙げられる。・・・
・・・・（中略）・・・・　
【００１４】次に、本発明の液晶層に使用することができる液晶としては、特に限定されないが、ネマティック液晶を用いることが好ましい。負の誘電異方性（ｎ型）を有するネマティック液晶が特に好ましい。・・・
【００１５】更に、本発明では、低電圧で駆動でき、コントラストが良好であり、上下左右で等しい視覚特性を有する液晶電気光学装置を得ようとする場合、液晶層の厚さを液晶の捩じれピッチの４５〜７０％とすることにより実現することができる。・・・使用する液晶そのままで上記関係を満たすことができない場合は、カイラルドーパントを液晶に添加することにより、所望の値に調整することができる。」
　　
　上記ａ〜ｃによれば、引用例には以下の事項が開示されていると認められる。
　「絶縁性基板上に電極を介して配向膜を有した液晶電気光学装置において、前記配向膜を膜厚０．０５〜０．１μｍ程度の長鎖アルキル基がポリイミド骨格に結合した構造を有する材料からなる垂直配向膜とした液晶電気光学装置。」（以下、「引用例発明」という。）
　　
（３）対比・判断
　本願発明と上記引用例発明を対比すると、引用例発明の「絶縁性基板」、「電極」、「配向膜」、「長鎖アルキル基がポリイミド骨格に結合した構造を有する材料」及び「液晶電気光学装置」は、それぞれ、本願発明１の「基板」、「電極層」、「配向膜」、「ポリイミド・ベース」及び「液晶表示セル」に相当する。
　また、引用例発明の配向膜の膜厚「０．０５〜０．１μｍ」は、「５０〜１００ｎｍ」であるから、引用例発明と本願発明の「配向膜の膜厚」は、「５０ｎｍ以上６０ｎｍ未満」の範囲において一致する。
　　
　そうすると、引用例発明は本願発明の発明特定事項をすべて具備するから、本願発明は、引用例に記載された発明である。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項３号に該当し特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。