【事件の表示】
　特願２００３−　１１３６６「パターンレイヤ間の位置合わせ方法、位置合わせ処理装置、および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１２日出願公開、特開２００４−２２８１５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　  
　本願は平成１５年１月２０日に出願された特許出願であって、本願について、平成１９年８月１６日付け拒絶理由通知によって拒絶理由が通知され、それに対して同年１０月１９日付けで意見書ならびに手続補正書が提出され、さらに同年１１月２日付け拒絶理由通知によって拒絶理由（最後）が通知され、それに対して平成２０年１月１１日付けで意見書ならびに手続補正書が提出されたものの、同年２月７日付けで、前記平成２０年１月１１日付けの手続補正について補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。 
　
　本件審判は、前記拒絶査定を不服として、平成２０年３月１９日に請求された拒絶査定不服審判であって、同日付けで手続補正がなされ、その後、前置審査において、同年７月３日付けで拒絶理由通知（以下、「本件拒絶理由通知」という。）がなされ、それに対して同年９月４日付けで意見書が提出されている。
　さらに、当審において平成２１年５月１２日付けで審尋がなされ、同年７月１５日付けで回答書が提出されている。 
　  
　  
２．本願発明 
　本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成２０年３月１９日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１にかかる発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
　  
「【請求項１】
　複数のパターンレイヤ間の位置合わせ方法であって、
　所定の露光装置で処理する同一ロット内のパイロットウェーハで、前記パイロットウェーハ上に形成された基準パターンに対する現在のパターンレイヤの位置ずれを検査し、
　前記現在のパターンレイヤよりも下層に位置する層の中から、前記現在のパターンレイヤに対する位置合わせの重要度に応じて、前記現在のパターンレイヤを優先的に合わせるべき１以上の層を前記基準パターンの層とともに選択し、
　前記選択した各層間での下層の位置ずれ関係を見積もり、
　前記現在のパターンレイヤの位置ずれ検査結果と、前記見積もった下層の位置ずれ関係とに基づき、位置ずれ補正係数を算出し、
　前記位置ずれ補正係数を前記露光装置に設定して、前記ロットで現在のパターンレイヤの露光を行うことを特徴とする位置合わせ方法。」  
　  
　　
３．前置審査における拒絶の理由について  
　　
　前置審査における拒絶の理由は、本件拒絶理由通知に記載された以下のとおりのものである。
　  
「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
・本願請求項１乃至５
　引用文献１及び２
備考：
　引用文献１には、すでに複数の層が形成されている基板に露光をおこなう際の位置合わせに関して、前記複数の層に対して露光パターン合わせずれを考慮することを課題として、当該複数の層のうち予め定められた所定の層のアライメントマークに基づいてアライメントを行うこと、及び、前記所定の層とそれ以外の下層との間のパターンずれ情報を予め記憶しておいて、当該情報に基づいた補正量を前記アライメントに加えるという技術的思想が開示されている（特に、［００５６］，［００５７］，［００６２］−［００６６］を参照）。
　また引用文献１には、複数の下層を考慮する際に、現在露光しようとする層と相関の強い層に対して重み付けをするという技術的思想が従来から知られていた旨の記載もある（特に、［００１１］を参照）。したがって、引用文献１に記載された発明において、前記所定の層以外の下層を考慮する際に、現在露光しようとする層からみた重要度に応じて層を選択して、上記補正を行うようにすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　よって、本願発明と引用文献１に記載された発明とを比較すると、前者においては、パイロットウェーハを利用して基準パターンの層と現在のパターンレイヤとの位置ずれ量を検査して、現在のパターンレイヤの位置合わせを補正するのに対して、後者においては、パイロットウェーハを使用する旨の記載がなされていない点において相違する。
　しかしながら、半導体露光のアライメントの技術分野において、特定の層に対して位置合わせをする際に、パイロットウェーハに露光を行った結果から、前記特定の層と現在露光を行う層との位置ずれ量を予め調べておいて、当該位置ずれ量を補正量として用いることは、周知の技術的思想である（例えば、引用文献２の［０００６］を参照）。
　引用文献１に記載された発明においても、上記所定の層のアライメントマークに基づいて位置合わせした結果生じる、当該特定の層に対する位置ずれ量を補償するために、上記周知の技術的思想を採用して、パイロットウェーハを利用するようにすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
　　
１.特開平０８−２７４０１７号公報
２.特開２００２−０６４０４６号公報
　　
（以下、省略）」
　  
　  
４．引用例  
　
　前置審査での拒絶の理由に引用された特開平８−２７４０１７号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した）。  
　 
ａ．「【００１３】そこで、本発明の目的とするところは、各々の露光工程においては、アライメントツリーにて定義された対の関係にある下層の一層のアライメントマークのみを測定し、しかも、
対の関係にない他の層との露光パターン合わせずれを考慮しながら、正確に露光パターン合わせを行うことができる
　　
ｂ．「【００１４】本発明の他の目的は、各層の間の露光パターン合わせあるいは露光パターン合わせ精度を、履歴として出力することのできる露光方法及び露光装置を提供することにある。」
　　
ｃ．「【００２６】図１に、本発明が適用される露光装置の一例が示されている。同図において、被処理基板例えば半導体ウエハ１０は、Ｘ，Ｙの２次元方向と、このＸ，Ｙ軸に直交するＺ軸のまわりに回転可能なウエハステージ１２に支持されている。このウエハステージ１２の上方には、露光源例えばエキシマレーザ源１４が配置されている。このエキシマレーザ源１４と半導体ウエハ１０との間には、レチクル１６及び投影レンズ１８が配置されている。
レチクル１６に形成された露光パターン
　
ｄ．「【００４７】第１層のフォトリソグラフィ工程
　
この第１層のフォトリソグラフィ工程は、シリコン基板６０上に、Ｎウェル領域６２及びＰウェル領域（図示せず）を形成するために用いられる
【００４８】第２層のフォトリソグラフィ工程
　この第２のフォトリソグラフィは、素子分離のために用いられる。このために、基板６０上から上述の酸化膜及び窒化膜が除去された後、基板６０上にパッド酸化膜６４及び窒化膜（図示せず）が形成され、Ｎ型ストッパ領域６６と対応する領域の窒化膜を除去するために、図１に示す露光装置を用いた露光工程が実施される。この露光工程を含む第２層のフォトリソグラフィ工程により得られた窒化膜によるマスクを介して、リンのイオン注入を行うことでＮ型ストッパ領域６６が形成される。
【００４９】その後、パッド酸化膜６４の局所的な酸化を進行させることで、素子分離膜としてのＬＯＣＯＳ６８が形成される。
【００５０】第３層のフォトリソグラフィ工程
　素子分離工程が終了後、
図５に示すゲート電極７０を形成するための第３層のフォトリソグラフィ工程が実施される
【００５１】この後、エッチング工程後に残ったポリシリコン領域をマスクとして、例えばＡｓのイオン注入を行うことで、Ｐ型拡散領域７２が形成される。
【００５２】第４層のフォトリソグラフィ工程
　こ
の第４層のフォトリソグラフィ工程は、酸化膜７４内に設けられるコントラクトホール７６を形成するために用いられる
　　　
ｅ．「【００５４】図６は、上述した各層のフォトリソグラフィ工程と、各層の露光パターン合わせずれ情報の収集手順とを示すフローチャートである。図６において、ステップ１，２に示す第１層，第２層のフォトリソグラフィ工程ではそれぞれ、同時に第１層，第２層のアライメントマークが各層上に形成されることになる。
この第２層のフォトリソグラフィ工程における露光工程では、予め形成されている第１層のアライメントマークを基準としてウエハ１０のアライメントが行われる
【００５５】図６のステップ４において、第３層のフォトリソグラフィ工程が実施され、このとき同時に第３層のアライメントマークが形成される。また、
第３層の露光工程を実施するには、図４に示すウエハ１０のアライメントツリーに従って、第２層のアライメントマークを基準としてウエハ１０のアライメント位置が決定される
【００５６】この後、
ステップ５において、第２層，第３層の各アライメントマークがアライメント光学系２０を介して収集され、上記と同様にして、第２層，第３層間の露光パターン合わせずれ情報が記憶部３４に記憶される
【００５７】図６のステップ７では、第４層のフォトリソグラフィ工程が実施され、このとき同時に第４層のアライメントマークが形成される。
第４層の露光工程を実施するに際しては、図４に示すアライメントツリーに従って、第２層に形成されたアライメントマークを基準としてウエハ１０のアライメント位置が算出される
【００５８】第４層のフォトリソグラフィ工程の終了後、ステップ８において、図４に示すアライメントツリーにおいて対の関係にない層同士、すなわち第１層−第４層，第３層−第４層の露光パターン合わせずれ情報が、演算部３６にて演算され、これらは記憶部３４に記憶される。
【００５９】その後、ステップ１０において、第５層のフォトリソグラフィ工程が実施され、このとき同時に第５層アライメントマークが形成される。第５層の露光工程は、図４に示すアライメントツリーに従って、第４層に形成されたアライメントマークを基準としてアライメント位置が算出される。
【００６０】その後、ステップ１１において、図４に示すアライメントツリーにて定義された対の関係にある特定層同士、すなわち第４層−第５層の露光パターン合わせずれ情報がアライメント光学系２０を介して測定され、上記と同様にして記憶部３４に記憶される。さらに、ステップ１２において、図４に示すアライメントツリーにて対の関係にない層同士、すなわち第１層−第５層，第２層−第５層，第３層−第５層のそれぞれの露光パターン合わせずれ情報が演算部３６にて演算され、記憶部３４に記憶される。
【００６１】以上の手順により、第１層〜第５層間の異なる層同士の露光パターン合わせずれ情報が全て、記憶部３４に記憶されることになる。従って、この後ステップ１３にて示すように、これらの各層間の露光パターン合わせずれ情報を、履歴情報として出力部４２を介して表示あるいはプリントして出力することができる。」
　　　
ｆ．「【００６２】次に、図７に示すフローチャートを用いて、第４層の露光工程におけるウエハ１０のアライメント位置の決定手順について説明する。
図７に示すステップ１では、図４示すアライメントツリーに従って、第２層に形成されたアライメントマークに基づいて、第４層の露光のためのアライメント情報を演算することになる
【００６３】その後、ステップ１にて求められたアライメント情報を評価するために、ステップ２〜ステップ４が実行される。
【００６４】
ステップ２では、第２層−第３層間の露光パターン合わせずれ情報と、第３層−第４層の露光パターン合わせずれ許容値とが、記憶部３４から読み出される。次にステップ３では、ステップ１で求められたアライメント情報と、ステップ２にて読み出された第２層−第３層の露光パターン合わせずれ情報とに基づいて、第３層−第４層間の露光パターン合わせずれ量が、演算部３６にて演算により求められる。その後ステップ４では、ステップ３で求められた第３層−第４層間の露光パターン合わせずれ量が、ステップ２にて読み出された許容値より小さいか否かが判定される。ステップ４の判断がＹＥＳであれば、ステップ１で求められた第４層の露光のためのアライメント位置が、第２層及び第３層の双方に対して許容範囲であると判定され、ステップ１で求められたアライメント位置情報に従って、ウエハステージ１２の駆動制御が行われることになる
【００６５】
一方、ステップ４の判断がＮＯである場合には、ステップ５に移行し、第３層に対する許容値を満たす方向に、アライメント位置の補正が行われることになる。その後、好ましくはステップ３，４を再度実施し、補正後のアライメント位置が、第３層に対する許容値を満足するか否かが再度判定される。ステップ４の判断がＮＯである限り、ステップ３〜５が繰り返し実施されることになる
【００６６】上記の方法により第４層の露光のためのアライメント位置を算出することで、各層間のＸ，Ｙ方向の露光パターン合わせずれ許容値をａとした場合、第２層，第３層及び第５層に対する第４層の露光パターン合わせずれ量をそれぞれａとすることができる。第１層−第４層間の露光パターン合わせずれ量のＸ，Ｙ方向の各平均値は、（ａ2＋ａ2）1/2に設定できる。
この第４層の露光を行うにあたり、第１層との位置関係も考慮することで、第１層−第４層の露光パターン合わせずれ量を許容値ａ以内に押さえることもできる
アライメントツリーにて定義された対の関係にない他の一層又は複数層との露光パターン合わせずれを考慮する場合、各層との合わせずれ許容値に重み付けをして、位置合わせの適否を判定することもできる
　 　
ｇ．図４
ｈ．図６
　
ｉ．図７
　　　　
ｊ．図５には、以下のとおり、実施例の方法により作成されるＭＯＳトランジスタの構造が図示されている。
　　
　　
　　
　これらの記載事項からして、引用例１には、  
　  
「第１〜３層のフォトリソグラフィ工程を行った後、
　アライメントツリーに従って、第２層に形成されたアライメントマークに基づいて、第４層の露光のためのウエハのアライメント位置情報を演算し、
記憶部３４から第２層−第３層の露光パターン合わせずれ情報および第３層−第４層の露光パターン合わせずれ許容値を読み出し、 
　前記第４層の露光のためのアライメント位置情報と、前記第２−第３層の露光パターン合わせずれ情報とに基づいて、第３層−第４層間の露光パターン合わせずれ量を演算し、
前記第３層−第４層間の露光パターン合わせずれ量が前記第３層−第４層の露光パターン合わせずれ許容値より小さいか否かが判定され、
　前記判定の判断がＮＯであれば、第３層に対する許容値を満たす方向にアライメント位置情報の補正が行われ、
　前記判定の判断がＹＥＳであれば、前記第４層の露光のためのアライメント位置情報が、第２層および第３層の双方に対して許容範囲であると判定され、前記第４層の露光のためのアライメント位置情報に従ってウエハステージ１２の駆動制御が行われ、第４層の露光工程が実施される、アライメント位置の決定手順。」
　  
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。  
　  
　  
５．本願発明と引用発明との対比  
　  
　本願発明と引用発明とを対比する。  
　　
　なお、本願発明において、「
現在のパターンレイヤの位置ずれを検査
本願発明はそれら両方の場合を含むもの
　　
　 
＜対応関係Ａ＞  
　引用発明の「アライメント位置の決定手順」は、複数の層間での位置を合わせるためのものであるから、本願発明の「複数のパターンレイヤ間の位置合わせ方法」に相当する。
　 
＜対応関係Ｂ＞  
　引用発明の「第２層に形成されたアライメントマーク」は、本願発明の「基準パターン」に相当する。
　
＜対応関係Ｃ＞
　引用発明の「第４層」は、現在露光工程が実施される層といえるから、本願発明の「現在のパターンレイヤ」に相当する。
　
＜対応関係Ｄ＞
　引用発明の「第２層に形成されたアライメントマークに基づいて、第４層の露光のためのウエハのアライメント位置情報を演算」する工程は、技術常識を参酌すると、第２層に形成されたアライメントマークに基づいて現在露光工程が実施される層の露光パターンである第４層露光パターンの位置ずれを検査して、その結果に基づいて演算を行うものであるから、当該工程はアライメントのための「基準パターン」であるアライメントマークに対する「現在のパターンレイヤ」といえる現在露光工程が実施される第４層露光パターンの位置ずれを検査する工程を含むものといえる。
　したがって、引用発明の上記工程は、本願発明の「所定の露光装置で処理する同一ロット内のパイロットウェーハで、前記パイロットウェーハ上に形成された基準パターンに対する現在のパターンレイヤの位置ずれを検査」する工程と、「所定の露光装置で処理するウェーハ上に形成された基準パターンに対する現在のパターンレイヤの位置ずれを検査」する工程を含んでいる点で共通する。
　
＜対応関係Ｅ＞
　引用発明の「記憶部３４から第２層−第３層の露光パターン合わせずれ情報・・・を読み出し」という工程において、「第２層」および「第３層」は現に露光する「第４層」よりも下層に位置し、「第２層」のアライメントマークは「第４層」のアライメントの基準となるものである。
　また、複数の層間のずれ情報の中から、特定の層間のずれ情報を読み出すということは、特定の層間を対象として選択することであるから、特定の層間に属する２つの層を選択することであるともいえる。
　そうすると、引用発明の当該工程は、本願発明の「前記現在のパターンレイヤよりも下層に位置する層の中から、前記現在のパターンレイヤに対する位置合わせの重要度に応じて、前記現在のパターンレイヤを優先的に合わせるべき１以上の層を前記基準パターンの層とともに選択し」という工程と、「前記現在のパターンレイヤよりも下層に位置する層の中から、１以上の層を前記基準パターンの層とともに選択」する点で共通する。
　
＜対応関係Ｆ＞
　引用発明の「記憶部３４から第２層−第３層の露光パターン合わせずれ情報・・・を読み出し」という工程において、「露光パターン合わせずれ情報」の読み込みにより、選択された「第２層−第３層」の層間での層の位置ずれの大きさを取得することができるから、選択された層間での層の位置ずれの関係がどの程度であるのかを見積もっているといえる。
　そうすると、引用発明の当該工程は、本願発明の「前記選択した各層間での下層の位置ずれ関係を見積もり」という工程に相当する。
　　
＜対応関係Ｇ＞
　引用発明の
「前記第４層の露光のためのアライメント位置情報と、前記第２−第３層の露光パターン合わせずれ情報とに基づいて、第３層−第４層間の露光パターン合わせずれ量を演算し、
前記第３層−第４層間の露光パターン合わせずれ量が前記第３層−第４層の露光パターン合わせずれ許容値より小さいか否かが判定され、
　前記判定の判断がＮＯであれば、第３層に対する許容値を満たす方向にアライメント位置情報の補正が行われ、
前記判定の判断がＹＥＳであれば、前記第４層の露光のためのアライメント位置情報が、第２層および第２層の双方に対して許容範囲であると判定され、前記第４層の露光のためのアライメント位置情報に従ってウエハステージ１２の駆動制御が行われ、第４層の露光工程が実施される」
という工程は、（上記「＜対応関係Ｄ＞」で述べたように）位置ずれを検査した結果から得られる「前記第４層の露光のためのアライメント位置情報」と「前記第２−第３層の露光パターン合わせずれ情報」とに基づいて、第３層に対する許容値を満たす方向に補正された「アライメント位置情報」という情報を生成し、当該補正された「アライメント位置情報」が露光装置に設定されることで現在露光する第４層の露光を行うものであるから、当該工程は、本願発明の
「前記現在のパターンレイヤの位置ずれ検査結果と、前記見積もった下層の位置ずれ関係とに基づき、位置ずれ補正係数を算出し、前記位置ずれ補正係数を前記露光装置に設定して、前記ロットで現在のパターンレイヤの露光を行う」
という工程と、
「前記現在のパターンレイヤの位置ずれ検査結果と、前記見積もった下層の位置ずれ関係とに基づき、位置ずれを補正するための情報を算出し、前記位置ずれを補正するための情報を前記露光装置に設定して、現在のパターンレイヤの露光を行う」点で共通する。
　 
　以上の対応関係Ａ〜Ｇからして、本願発明と引用発明とは、  
　  
「複数のパターンレイヤ間の位置合わせ方法であって、
　所定の露光装置で処理するウェーハ上に形成された基準パターンに対する現在のパターンレイヤの位置ずれを検査し、
　前記現在のパターンレイヤよりも下層に位置する層の中から、１以上の層を前記基準パターンの層とともに選択し、
　前記選択した各層間での下層の位置ずれ関係を見積もり、
　前記現在のパターンレイヤの位置ずれ検査結果と、前記見積もった下層の位置ずれ関係とに基づき、位置ずれを補正するための情報を算出し、
　前記位置ずれを補正するための情報を前記露光装置に設定して、現在のパターンレイヤの露光を行う位置合わせ方法」 
　  
の点で一致し、
　
　以下の相違点１〜４（本願発明の「現在のパターンレイヤの位置ずれを検査」する工程が露光前にマスク（レチクル）パターンを対象に行われる場合。）、または、相違点１〜５（本願発明の「現在のパターンレイヤの位置ずれを検査」する工程が露光後に実際に形成されたパターンを対象に行われる場合。）で相違する。  
　　  
（相違点１）  
　現在のパターンレイヤの位置ずれの検査対象として、本願発明は「同一ロット内のパイロットウェーハ」を用いているのに対して、引用発明のウエハはパイロットウェーハではない点。
　 
（相違点２）  
　基準パターンの層とともに選択する１以上の層について、本願発明は「前記現在のパターンレイヤに対する位置合わせの重要度に応じて、前記現在のパターンレイヤを優先的に合わせるべき１以上の層を選択する」という基準を採用しているのに対して、引用発明は選択の基準が明確でない点。
　 
（相違点３）
　位置ずれを補正するための情報として、本願発明は「補正係数」を算出しているのに対して、引用発明は補正されたアライメント位置情報を演算している点。
　 
（相違点４） 
　位置ずれを補正するための情報の利用に関して、本願発明は「ロットで現在のパターンレイヤの露光を行う」のに対して、引用発明はアライメント位置の決定手順で対象としたウエハの露光を行う点。
　　 
（相違点５）
　現在のパターンレイヤの位置ずれの検査工程について、本願発明は露光後に実際に形成されたパターンを対象に行っているのに対して、引用発明は露光前の露光パターンを対象に行われている点
　
　
６．当審の判断  
　  
　上記各相違点について検討する。  
　  
（１）相違点１，４について  
　パイロットウェーハを用いて、ロットの露光処理に必要な調整用の情報を予め求めておくことで、個別のウェーハの露光処理を行う度に処理に必要な調整用の情報を得る工程を省いて処理工程を簡略化することは、露光装置の技術分野における周知の技術に過ぎない。例えば、特開２００２−３５３１２１号公報（第１の実施形態等参照。）、特開平１１−６７６５２号公報（【００１４】〜【００２１】等参照。）、特開平４−２４９１３号公報（公報第３ページ左下欄「（イ）製品検査目的に使用する場合」の記載等参照。）等を参照されたい。
　そうすると、引用発明において、処理工程の簡略化という周知課題の解決のため、第４層の露光処理を行うための調整用の情報である、補正されたアライメント位置情報を個別に得る構成を上記周知のパイロットウェーハを用いる技術に置換し、ロットの露光処理前にパイロットウェーハを用いて、第４層の露光パターンの位置ずれ検査（上記「＜対応関係Ｄ＞」で述べた検査工程。）等を行うことにより、補正されたアライメント位置情報を予め求めておき、当該情報を用いてロットに対して露光処理を行うようにすることで、相違点１，４にかかる構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　 
（２）相違点２について
　
（２−１）引用発明において、第４層よりも下層に位置する第１〜３層の中から、アライメントマークを有する第２層とともに第３層が選ばれており、第１層は選ばれていない（第３層−第４層間の露光パターン合わせずれ量を演算し許容値内に収めることが必須であるが、第１層−第４層間については行っていない。引用例の【００６６】でも「この第４層の露光を行うにあたり、第１層との位置関係も考慮することで、第１層−第４層の露光パターン合わせずれ量を許容値ａ以内に押さえること
も
　また、上記摘記事項ｃ．によれば、第１層の工程では「Ｎウェル領域６２及びＰウェル領域」が形成され、第３層の工程では「ゲート電極７０」が形成され、第４層の工程では「コンラクトホール７６」（当審注：「コン
タ
　そうすると、引用発明においても、第３層の選択は、第４層に対する位置合わせの重要度に応じて、優先的に合わせるべき層として選択されているといえるから、この点は実質的な相違点ではない。
　　
（２−２）仮に、この点が相違点であるとしても、引用例の【００６６】において、「アライメントツリーにて定義された対の関係にない他の一層又は複数層との露光パターン合わせずれを考慮する場合、各層との合わせずれ許容値に重み付けをして、位置合わせの適否を判定することもできる。」という記載がある。
　ここで、当該記載は、技術常識を踏まえれば、「アライメントツリーにて定義された対の関係にない他の一層又は複数層との露光パターン合わせずれ」を均等に扱うのではなく、特定の層との位置合わせの必要性に応じて、その重みを大きくしたり、小さくしたりできるということであるから、全ての層との位置合わせを考慮するのではなく、位置合わせを選択的に行うという技術思想を示唆しているものといえる。
　そうすると、当該示唆に基づき、特に位置合わせの必要性の低い層については位置合わせの適否の判定対象とせず、位置合わせの必要性の高い一部の層についてのみ判定対象とすることは、当業者にとって格別の創意を必要としない設計変更である。あるいは、位置合わせの必要性の低い層との合わせずれ許容値を十分に大きく設定するだけでも、その層との露光パターン合わせずれに基づくアライメント位置の補正は実質的に行われなくなり、位置合わせの必要性の高い他の層との露光パターン合わせずれに基づくアライメント位置の補正のみが選択的に行われるようになる。
　よって、引用例の上記記載に従って、各層の露光パターンとの位置合わせの必要性に応じて選択的にアライメント位置の補正を行うようにすることで、相違点２にかかる構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
（３）相違点３について
　補正された情報で処理装置を制御する際、補正された情報そのものを直接設定するのではなく、補正係数を設定して処理装置の側で補正係数を用いて情報を補正することは、処理装置の技術分野における周知技術に過ぎない。
　そうすると、引用発明において当該周知技術を採用し、補正されたアライメント位置情報の代わりにアライメント位置情報を補正するための補正係数を露光装置に与えるようにすることで、相違点３にかかる構成を得ることは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
（４）相違点５について
　上記「（１）相違点１，４について」で述べたように、引用発明において、ウエハの露光処理を行うための調整用の情報を個別に得るようにしている構成を上記周知のパイロットウェーハを用いる技術に置換することは、当業者であれば容易になし得ることである。
　そして、パイロットウェーハを用いる技術では、実際に露光処理を行った後、形成されたパターンを検査して調整用の情報を得るようにすることも周知構成であるから、引用発明において、パイロットウェーハを用いる技術を適用する場合、露光前の第４層の露光パターンを対象として位置ずれの検査（上記「＜対応関係Ｄ＞」で述べた検査工程。）等の工程を行うのではなく、実際に形成された第４層の露光パターンを対象として位置ずれの検査等の工程を行うようにすることは、当業者にとって格別の創意を必要としない設計変更に過ぎない。
　　
　 
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明および周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。  
　  
　よって、本願発明は、引用発明および周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　  
　  
７．むすび  
　  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、前置審査において通知された拒絶の理由に示された引用発明および周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。　  　
　   
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。