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　特願２００３−　８１１８８「電界放出型電子源の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月１４日出願公開、特開２００４−２８８５４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 ・本願発明
　本願は，平成１５年３月２４日の出願であって、平成１９年１１月１９日付け（送達日：平成１９年１１月２２日）で拒絶査定がなされ、これに対し平成１９年１２月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成２０年１月１８日付け手続補正により明細書又は図面についての補正がなされたものである。
　その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。） 
「【請求項１】
　基板と、前記基板の上に形成され、複数の開口を有する絶縁層と、前記開口に設けられた、シリコンからなる陰極と、前記絶縁層の上に形成された引出し電極とを具備する電界放出型電子源の製造方法であって、
　前記陰極の表面を弗酸溶液でエッチングする工程と、
　前記陰極材料と前記陰極材料とは異なる材料との化学結合による表面改質層を前記陰極の表面にプラズマ処理によって形成する工程と、
　少なくとも酸素元素を含む反応性ガスエッチングによって前記表面改質層の表面から不純物堆積層を除去する工程とを含むことを特徴とする電界放出型電子源の製造方法。」
　
２　引用例記載の発明
（１）引用例１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−１３１９６８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　
a)「【００１０】
【実施例】・・・この例では、基板１上に、ホール７の形成された絶縁層２が設けられ、この絶縁層２のホール７の中心部に、基板１と接して（あるいは基板１と一体の）円錐形のエミッタ３が設けられている。ここで、エミッタ３の表面には、硬質炭素膜または炭化物層からなる被覆膜４が形成されている。また、絶縁層２の基板１とは反対側の面には制御用のゲート電極５が設けられており、さらに、ゲート電極５の上方には、エミッタ３と所定の間隔をへだててアノード６が配置されている。」
　
b)「【００１２】図２（ａ）乃至（ｅ）は図１（ａ），（ｂ）の電界放出型電子源の製造工程例を示す図であり、図２の例では、先づ、図２（ａ）に示すように、基板（この場合はＳｉ）１上にＳｉ3Ｎ4のマスク層９を作製する。次に、図２（ｂ）に示すように、マスク層９をマスクとして基板（Ｓｉ）を異方性エッチングすることによってエミッタ３を作製する。この時、マスク層４０の直下ではエッチングが抑制されるためエミッタは円錐形となる。また、この例では、エミッタ３は基板１と一体のものとしてＳｉ材料で形成される。次いで、図２（ｃ）に示すように、さらにこの上に絶縁層（ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4等）２、ゲート電極層（Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｉ等の金属）５を順次堆積する。次に、図２（ｄ）に示すように、マスク層９上の不要な層２，５をリフト・オフ法で取り去る。なお、このときにマスク層９も取り除く。しかる後、図２（ｅ）に示すように、エミッタ３の表面に被覆膜４を設けて素子を完成させる。この電界放出型電子源の全体の形状については、この素子の応用形態によっても異なるため、特に特定されないが、典型的な例としては、ホール７の直径が１〜８μｍ，絶縁層４１の厚さが１〜４μｍ程度のものである。また、図２（ａ）乃至（ｅ）のプロセス例では、基板１としてＳｉを使用したために、エミッタ３はＳｉ結晶で構成されるが、他のプロセス例として蒸着法（例えばピンホールマスクを用いた蒸着法）を用いる場合には、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｉ等の高融点の金属でエミッタ３を形成することもできる。」
　
c)「【００１６】図１（ａ），（ｂ）あるいは図３（ａ），（ｂ）の電界放出型電子源の応用形態としては、超高速素子（トランジスタ）、フラットパネルディスプレイ、ＳＥＭ等の評価用電子源などが考えられるが、そのうち、特に、フラットパネルディスプレイへの応用が社会的ニーズの点で重要であると考えられる。図５は本発明の電界放出型電子源を適用したフラットパネルディスプレイの構成例を示す図である。図５を参照すると、この例では、基板３１上に、エミッタ列３３とゲート行３５とがアレイ状に配列されており、エミッタ列３３とゲート行３５との各交差部に、例えば図１（ａ），（ｂ）に示したような円錐型の電子源が設けられて、アレイ状基板３８として構成されている。さらに、このアレイ状基板３８上には、アノードとなる透明導電体３６と基板３９とが設けられ、基板３９の透明導電体３６と対向する面には発光体４０が形成されている。ここで、アレイ状基板３８と透明導電体３６と発光体４０が形成されている基板３９とを図示のような位置関係に配置し、これらを樹脂等を用いて貼り合わせ、基板２８，２９間を真空状態にして封止することにより、フラットパネルディスプレイが構成される。」
　
d)「【００３１】また、エミッタ３の表面に炭化物層の被覆膜４が形成される場合についてより詳しく説明する。一般に、周期表IV，V，VI族および鉄族の炭化物は化学的に安定であり、高融点，高硬度の特性を有している。特にＳｉＣ，ＴａＣ，ＷＣ，Ｗ2Ｃ，ＴｉＣ等は優れている。また、プラズマ耐性についても各種金属および半導体よりも優れている。炭化物層の被覆膜４は、エミッタ材料の表面に炭化物を堆積するか、または、エミッタ表面を炭化反応させることにより形成することができる。具体的には、真空中で蒸発金属原子を供給する手段と、該金属原子とガス分子（特に炭化水素ガス）を励起，反応させるプラズマ状態を形成する手段とを設け、基板上に炭化物層として堆積させる。さらに、より具体的には、反応性蒸着法，反応性スパッタ法，イオンプレーティング法，プラズマＣＶＤ法等で形成することができる。圧力は概ね１０-2〜１０-6Torrであり、反応ガスはＣ2Ｈ4，ＣＨ4等を使用できる。また表面を炭化させる場合には、炭化水素ガスのプラズマ中にエミッタ材料表面を晒せば良い。このとき、基板温度が約３００〜６００℃程度に高いものであれば、炭素と金属との反応が促進される。炭化物層は表面の吸着ガスが少ないというよりも、むしろ、プラズマ耐性が高いという効果が大きい。図８には、硬質炭素膜と同様に、炭化物層が被覆された素子（図中、（ｃ）で示す）のエミッション電流の時間経過に基づく変化が示されており、炭化物層が被覆された素子でも、硬質炭素膜と同様に、エミッション電流ＩEの時間変化を従来に比べて小さくすることができる。さらに、炭化物層の場合は、硬質炭素膜と比べてエミッタとの密着力に優れている。」
　
　上記c)における、「基板３１上に、エミッタ列３３とゲート行３５とがアレイ状に配列されており、エミッタ列３３とゲート行３５との各交差部に、例えば図１（ａ），（ｂ）に示したような円錐型の電子源が設けられて、アレイ状基板３８として構成されている。」という記載からみて、円錐型の電子源がアレイ状に複数設けられている様態が開示されているから、これに対応してアレイ状に「複数の」絶縁層２のホール７が設けられていることは明らかである。
　
　以上の記載及び図面を勘案すると、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
　
「基板１と、基板１上に設けられ、複数のホール７が形成された絶縁層２と、絶縁層２のホール７に設けられたＳｉ結晶からなるエミッタ３と、絶縁層２の基板１とは反対側の面に形成された制御用のゲート電極５とを具備する電界放出型電子源の製造工程であって、
　エミッタ材料を炭化反応させることにより形成する炭化物層からなる被覆膜４を前記エミッタ材料の表面をプラズマ中に晒すことにより形成する工程を含む電界放出型電子源の製造工程。」（以下、「引用発明１」という。）
　
（２）引用例２　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００１／００４０４２９明細書（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　
a)「[0007]  In operation, the extraction grid  38  is biased to a voltage on the order of 40-80 volts, although higher or lower voltages may be used, while the substrate  32  is maintained at a voltage of about zero volts. Signals coupled to the gate  56  of the FET  50  turn the FET  50  on, allowing electrons to flow from the source  54  to the n-tank  52  and thus to the emitter  30 . Intense electrical fields between the emitter  30  and the extraction grid  38  then cause field emission of electrons from the emitter  30 . A larger positive voltage, ranging up to as much as 5,000 volts or more but often 2,500 volts or less, is applied to the faceplate  20  via the transparent conductive layer  24 . The electrons emitted from the emitter  30  are accelerated to the faceplate  20  by this voltage and strike the cathodoluminescent layer  26 . This causes light emission in selected areas, i.e., those areas adjacent to where the FETs  50  are conducting, and forms luminous images such as text, pictures and the like. Integrating the FETs  50  in the substrate  32  to provide an active display  10  (i.e., a display  10  including active circuitry for addressing and providing control signals to specific emitters  30 , etc.) yields advantages in size, simplicity and ease of interconnection of the display  10  to other electronic componentry.」
（当審訳：「[0007]  オペレーションにおいては、基板32が約0ボルトの電圧で維持される間に、より高いかより低い電圧は使用されてもよいが、バイアスは40-80ボルトのオーダーの電圧が抽出グリッド38にかけられる。FET 50のゲート56に信号が入力されるとFET 50がオンになり、ソース54からn-タンク52、およびエミッター30まで電子が流れる。その後、エミッター30と抽出グリッド38の間の強い電界は、エミッター30からの電子の電界放出を引き起こす。5,000ボルト以上、しばしば2,500ボルト以下に及ぶ大きな正の電圧は、透明な導電層24を通してフェースプレート20に印加される。エミッター30から放射された電子は、この電圧によってフェースプレート20まで加速され、陰極線蛍光層26に衝突する。これは、選択されたエリア(つまりFET 50が導いている場所に隣接しているエリア)の光放射を引き起こし、テキスト、絵などの発光イメージを形成する。アクティブ・ディスプレイ10(アドレスしたり特定のエミッター30などに制御信号を提供するアクティブ回路を含むディスプレイ10)を提供するために基板32中のFET 50を集積することは、他の電子コンポーネント類へのディスプレイ10を相互に連結する際のサイズ、簡単さおよび容易さにおいて利点をもたらす。」
　
b)「[0009]  Residual gas analysis indicates that the dominant materials outgassed from some display cathodoluminescent layers  26  include oxygen and hydroxyl radicals. This leads to oxidation of the emitters  30  and especially emitters  30  formed from silicon. Silicon emitters  30  are useful because they are readily formed and integrated with other electronic devices on silicon substrates. Electron emission is reduced when silicon emitters  30  oxidize. This degrades performance of the display  10 .」
（当審訳：「[0009]残留ガス分析は、ガスがいくつかのディスプレイ陰極線蛍光層26から放出されたガスの多くが酸素とヒドロキシル・ラジカルを含むことを示す。このことは、シリコンから形成されたエミッター30(特にエミッター30)の酸化につながる。シリコン・エミッター30が容易に形成され、シリコン基板上の他の電子機器に集積されるので、シリコン・エミッター30は有用である。シリコン・エミッター30が酸化すると、電子の放出量が低減する。これは、ディスプレイ10.の能力を下げる。」）
　
c)「[0026]   FIG. 6  is a flow chart of a process  80  for manufacturing emitters  30  according to an embodiment of the present invention. The substrate  32  having a plurality of the emitters  30  has been previously formed, and the surface of the substrate  32  and the emitters  30  have been previously coated with the dielectric layer  34 . The extraction grid  38  has been previously deposited, and the chemical-mechanical polish and etch have been previously carried out to expose at least the tips of the emitters  30 . Optional step  82  removes any native oxide from the emitters  30 , via, e.g., a conventional hydrogen fluoride etching step. Other methods for removal of native oxide are also suitable for use with the present invention, provided that the oxide removal process does not blunt the tips of the emitters  30 .
[0027]  In step  84 , a layer of titanium is formed over the surface of the extraction grid  38  and also over at least the tips of the emitters  30 . The layer of titanium may be applied in any of several ways, including evaporation, chemical vapor deposition and the like, however, sputtering is preferred. The layer of titanium should not be so thick as to distort the tips of the emitters  30  and should be thick enough to ensure coating of the tips, i.e., to obviate formation of pinholes in the titanium layer. In one embodiment, the titanium layer is on the order of five hundred angstroms thick.」
（当審訳：「[0026]図6は、現在の発明の実施例によってエミッター30を製造する工程80のフローチャートである。エミッター30を複数有する基板32が先ず形成され、また、基板32およびエミッター30の表面は誘電体層34で覆われている。抽出グリッド38は蒸着され、化学・機械的な研磨及びエッチングはエミッター30の先端を少なくとも露出するために実行された。オプションの工程82によりエミッター30からいかなる自然酸化物も、例えば従来のフッ化水素エッチングによって取り除かれる。さらに、酸化物除去プロセスがエミッター30の先端を鈍くしないのであれば、自然酸化物の除去のために他の方法も使用できる。
[0027] 工程84で、チタンの層は、抽出グリッド38の表面、およびさらに少なくともエミッター30の先端を覆って形成される。チタンの層は、蒸着、化学蒸着法などを含むいくつかの方法のうちのどれでも適用される可能性があるが、好ましくはスパッタリングによる。チタンの層はエミッター30の先端を変形させるほどの厚さであるべきでなく、しかも、チタン層の中にピンホールが形成されないように、その先端を確実に被覆できるよう十分な厚さであるべきである。1つの具体化では、チタン層は厚さが約500オングストロームである。」）
　
　上記記載a)における、「エミッター30と抽出グリッド38の間の強い電界は、エミッター30からの電子の電界放出を引き起こす。」という記載からみて、エミッター30すなわち陰極は電界放出型のものであるといえる。
　
　また、上記記載c)の「製造工程80」に係る記載において、「工程84」に関して「チタンの層は、抽出グリッド38の表面、およびさらに少なくともエミッター30の先端を覆って形成される。」とあり、エミッター表面にチタンの層を形成している。そして、これに先立つ「工程82」に関して「エミッター30からいかなる自然酸化物も、例えば従来のフッ化水素エッチングによって取り除」くことが記載されている。　
　
　以上を勘案すると、引用例２には次の技術事項が記載されていると認められる。
　
「電界放出型エミッターの製造における、シリコンからなるエミッターの表面をフッ化水素エッチングする工程。」（以下、「引用例２に記載された技術事項」という。）
　
（３）引用例３
　さらに、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特表２００１−５１８６８２号公報 （以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　
a)「【０００３】
  一般にディスプレイ動作において、電子放出素子は清浄であることが望ましい。特にディスプレイ製造の際に電子放出素子の表面上に積み重なった異物により、電子トンネルバリア(electron tunneling barriers)の高さ及び／又は幅が大きくなる。これにより、ディスプレイの動作電圧がより高くなる。また電子放出表面の異物によって、不均一な放出が生じ、放出が不安定となる。結果として、通常はディスプレイ性能が劣化し、ディスプレイ故障さえも生じる。」
　
b)「【００１９】
  図１（ａ）において、円錐形の電子放出素子１０のベース部は電気的非絶縁性の領域に接触する（ここでは示さないが、図１２に示す）。ディスプレイ動作においては、電子は主に電子放出コーン（円錐体）１０の先端から放出される。通常、コーン１０は主として金属（標準的にはモリブデン）からなる。コーン１０を形成するために用いることのできる他の材料としては、（ａ）ニッケル、パラジウム、及び白金のような金属、（ｂ）ルテニウム酸化物のような導電性の金属酸化物、（ｃ）金属カーバイド、及び（ｄ）金属ケイ化物がある。コーン１０は概ね金属からなるが、同時に電子放出特性を高める薄いコーティングを有し得る。例えば、コーン１０を炭素又は炭素を含有する材料によってコーティングすることにより、仕事関数を低下させ、フラットパネル型ＣＲＴディスプレイの必要な動作電圧を低下させることができる。
【００２０】
  汚染物質(contaminant material)１２は、電子放出素子１０の円錐形の外側表面上の様々な場所に位置する。汚染物１２はコーン１０を形成した後に、様々な状況でコーン１０上に蓄積する。汚染物１２の一部は、通常コーン１０を形成した後のフラットパネル型ディスプレイの製造工程においてコーン１０上に堆積する。異物１２は、高分子材料、とりわけ高分子の残留物のような有機材料及び／又は無機材料で、それらはフォトリソグラフィ処理工程に由来し得るものであり、また金属硝酸塩、酸化物、及び炭酸塩を含むプラズマ（ドライ）又は化学（ウエット）エッチング工程の固体の反応副生物もあり得る。」
　
c)「【００２７】
  所定の用途における図１で示された別の技術では、図１（ａ）の構造物を酸素プラズマに曝露し、汚染物１２をガス状の産物１４に変える。酸素プラズマ工程において電子放出コーン１０の材料が実質的に酸化されない場合には、図１（ｂ）に示す構造体がプラズマ工程の完了時のものである。例えばプラズマ工程においてコーン１０の材料の一部が酸化された場合、通常この別法の技術は、後述するように図３（ａ）〜（ｄ）又は図６（ａ）〜（ｄ）で示される。その場合、後述するように酸化膜エッチング(oxide etch)が実施され、コーン１０の円錐形表面から酸化物が除去される。」
　
　引用例３の記載c)、図１（ａ）〜（ｃ）によれば、汚染物質１２は電子放出素子１０の表面に層をなし、プラズマ工程を経て電子放出素子１０の表面から除去されているものと解することができる。
　
　以上を勘案すると、引用例３には次の技術事項が記載されていると認められる。
　
「炭素又は炭素を含有する材料によるコーティングを有する円錐形の電子放出素子１０を、酸素プラズマに曝露し、円錐形の外側表面上の様々な場所に位置する汚染物質１２の層をガス状の産物１４に変え電子放出素子１０の表面から汚染物質１２の層を除去すること。」（以下、「引用例３に記載された技術事項」という。）
　
３．対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１に記載された発明の「基板１」、「基板１上に設けられ」、「複数のホール７の形成された絶縁層２」、「絶縁層２のホール７に設けられたＳｉ結晶からなるエミッタ３」、「絶縁層２の基板１とは反対側の面」、「制御用のゲート電極５」、「電界放出型電子源」、「製造工程」、「エミッタ材料を炭化反応させることにより形成する炭化物層からなる被覆膜４」、「エミッタ材料の表面」、「プラズマ中に晒す」はそれぞれ本願発明の「基板」、「基板の上に形成され」、「複数の開口を有する絶縁層」、「前記開口に設けられた、シリコンからなる陰極」、「絶縁層の上」、「引出し電極」、「電界放出型電子源」、「製造方法」、「陰極材料と前記陰極材料とは異なる材料との化学結合による表面改質層」、「陰極の表面」、「プラズマ処理」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、本願発明と引用例１に記載された発明とは、
「基板と、前記基板の上に形成され、複数の開口を有する絶縁層と、前記開口に設けられた、シリコンからなる陰極と、前記絶縁層の上に形成された引出し電極とを具備する電界放出型電子源の製造方法であって、
　前記陰極材料と前記陰極材料とは異なる材料との化学結合による表面改質層を前記陰極の表面にプラズマ処理によって形成する工程を含む」点において一致し、引用発明が次の各技術事項に係る限定を有していない点において相違する。
　
１）「陰極材料と前記陰極材料とは異なる材料との化学結合による表面改質層を前記陰極の表面にプラズマ処理によって形成する工程」の前に、「前記陰極の表面を弗酸溶液でエッチングする工程」を行うこと。（以下、「相違する構成１」という。）
　
２）「陰極材料と前記陰極材料とは異なる材料との化学結合による表面改質層を前記陰極の表面にプラズマ処理によって形成する工程」の後に、「少なくとも酸素元素を含む反応性ガスエッチングによって前記表面改質層の表面から不純物堆積層を除去する工程」を行うこと。（以下、「相違する構成２」という。）
　
４．当審の判断
４−１．相違点について  　
　上記相違点について検討する。
（１）相違する構成１について
　引用例２に記載された技術事項における「シリコンからなるエミッターの表面」は本願発明の「陰極の表面」に相当する。
　また、引用例２に記載された技術事項は、エミッター表面にチタンの層を形成する際の前処理として、エミッター30に存在する自然酸化物を除去しエミッター表面を清浄にするために行うものであるから、本願発明の「相違する構成１」に係る工程と同じ技術的意義を有している。
　
　一方、引用例１には、エミッタ３の表面を炭化反応させる前の、エミッタ３の表面の取り扱いについて特段の記載はないが、引用発明１においてもエミッタ３の表面が自然酸化する蓋然性のあること、かつ、エミッタ表面を炭化反応させる前にエミッタ３の表面が自然酸化した酸化物を除くことが好ましいことは、当業者にとって明らかである。
　さらに、引用発明１のエミッタ３に対して、当該酸化物を除くことを行うことを妨げる特段の事情も認められない。
　
　なお、引用例２に記載された技術事項における「フッ化水素エッチング」は、気体の「フッ化水素」によるエッチングと、「フッ化水素水溶液」すなわち「フッ化水素酸」＝「弗酸溶液」を用いてなすエッチングとの両義を含むが、フッ化水素を用いたエッチングにおいて「弗酸溶液」を用いてなすことは、例えば下記の文献に示されているように周知技術である。
　
１）特開平７−２６７６７９号公報（段落【０００３】、【０００５】、【００１５】）
２）特開平１１−１４５０７８号公報（段落【０００４】、【０００７】）
３）特開２０００−２１０９００号公報（段落【０００４】）
　
　してみると、引用発明１の「エミッタ材料を炭化反応させることにより形成する炭化物層からなる被覆膜４を前記エミッタ材料の表面をプラズマ中に晒すことにより形成する工程」の前に、引用例２に記載された技術事項及び周知技術を適用して、「エミッター材料の表面を弗酸溶液でエッチングする」工程を施すこと、すなわち、「シリコンからなるエミッターの表面を弗酸溶液でエッチングする工程」を経てから、「エミッタ材料を炭化反応させることにより形成する炭化物層からなる被覆膜４を前記エミッタ材料の表面をプラズマ中に晒すことにより形成する工程」を行うようになすことは、当業者が容易に想到し得ることといえる。
　
（２）相違する構成２について　
　引用例３に記載された技術事項の「炭素又は炭素を含有する材料によるコーティング」、「外側表面」、「汚染物質１２の層」、「電子放出素子１０の表面から汚染物質１２の層を除去」は、本願発明の「表面改質層」、「表面」、「不純物堆積層」、「表面改質層の表面から不純物堆積層を除去」にそれぞれ相当する。
　
　また、一般に「反応性ガスエッチング」を行う際、エッチングガスがプラズマ化されるから、引用例３に記載された事項の「酸素プラズマに曝露」は、本願発明の「酸素元素を含む反応性ガスエッチング」に相当する。
　
　一方、引用例１には、エミッタ３の表面を炭化反応させた後の、エミッタ３の表面の取り扱いについて特段の記載はないが、引用発明１においても炭化反応させたエミッタ３の表面に不純物が堆積する蓋然性のあること、かつ、エミッタ３の表面に堆積した不純物を除去することが望ましいことは、当業者にとって明らかである。　
　さらに、引用発明１の炭化反応させた後のエミッタ３の、表面に堆積した不純物を除去することを妨げる特段の事情も認められない。
　
　してみると、引用発明１のエミッタ３の炭化反応させた表面に、引用例３に記載された技術事項を適用して、「炭素又は炭素を含有する材料によるコーティングを有する電子放出素子１０を、酸素プラズマに曝露し、外側表面上の様々な場所に位置する汚染物質１２の層をガス状の産物１４に変え電子放出素子１０の表面から汚染物質１２の層を除去する」工程を施すこと、すなわち、「エミッタ材料を炭化反応させることにより形成する炭化物層からなる被覆膜４を前記エミッタ材料の表面をプラズマ中に晒すことにより形成する工程」の後に、「炭素又は炭素を含有する材料によるコーティングを有する電子放出素子１０を、酸素プラズマに曝露し、外側表面上の様々な場所に位置する汚染物質１２の層をガス状の産物１４に変え電子放出素子１０の表面から汚染物質１２の層を除去する」を行うようになすことは、当業者が容易に想到し得ることといえる。
　
　そして、本願発明の効果は、引用発明１、引用例２に記載された技術事項、及び、引用例３に記載された技術事項、並びに、周知技術から、当業者が予測できる程度のものであるといえる。
　
　したがって、本願発明は、引用発明１、引用例２に記載された技術事項、及び、引用例３に記載された技術事項、並びに、周知技術から、当業者が容易になしえたものといえる。
　
４−２．平成２１年８月２１日付け回答書における補正案について　
　次に、平成２１年８月３日付け審尋に対して提出された、平成２１年８月２１日付け回答書に記載された補正案について検討し、付言する。
　
　上記補正案における請求項１に記載された発明は、平成２０年１月１８日付け手続補正書における請求項１を削除し、当該補正書における請求項４を繰り上げたものであって、本願発明に対してプラズマ処理のガスとして「ＣＨＦ３を含むガス」を用いるという技術事項を追加したものである。
　
　一方、下記の文献に示されるように、シリコン材料に対してプラズマ処理を行うに際して、ＣＨＦ３を含むガスを用いてなすこと、また、その結果シリコンが炭化することは当業者にとって周知の技術的知見である。
　
１） 特開２００２−２２０２９９号公報（段落【００２３】、【００２５】）
２） 特開昭５６−８７３２５号公報（第１頁左欄１６行−同頁右欄１６行）
３）特開平６−３２６０５８号公報（段落【０００５】−【０００６】）
　
　してみると、上記補正案の請求項１にかかる発明は、引用発明１、引用例２に記載された技術事項、引用例３に記載された技術事項、及び、周知技術、並びに、前記周知の技術的知見に基づいて、当業者が容易になしえたものといえる。
　
　したがって、上記補正案に係る補正を行ったとしても、依然として本願発明の進歩性に係る判断は変わらない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術並びに周知の技術的知見に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。