【事件の表示】
　特願２００３−　８９９７０「電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２９日出願公開、特開２００４−　２９７３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１５年３月２８日（優先日、平成１４年３月２９日）の出願であって、平成１７年１２月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年２月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年３月１３日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年３月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年３月１３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「基板主表面を両面研磨したマスクブランク用基板を準備した後、回転自在な研磨定盤上に設けられた研磨パッドの表面に研磨剤を供給し、該研磨パッド上に基板保持手段によって保持された基板を、前記主表面の分割された複数領域に対応して設けられた複数の加圧体を有する基板加圧手段を用いて前記主表面の分割された複数領域に対して、任意に独立して加圧することにより基板表面を研磨して前記基板主表面の平坦度を修正するマスクブランク用基板の製造方法であって、
　前記マスクブランク用基板は、ＡｒＦ用マスクの基板、Ｆ２用マスクの基板、ＥＵＶ用マスクの基板の何れかに使用される基板であって、
　前記基板の準備は、両面研磨により前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下にし、
　前記基板主表面の表面形状及び平坦度を、前記基板が露光機のステッパーに支持される領域まで含めた測定領域で測定した後、測定したデータに基づき該基板主表面の表面形状及び平坦度が、所望の表面形状及び、０μｍを超え０．２５μｍ以下の平坦度となるように、前記基板側面を囲むように設けられた前記基板保持手段に対して前記研磨パッドを押圧するように加圧して、前記基板主表面の周辺部分における前記研磨パッドからの過剰な圧力を抑制し、かつ、前記基板主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域に対しては、他の領域よりも研磨パッドからの圧力が大きくなるように、前記基板加圧手段によって、前記基板主表面の研磨面と反対側の裏面側より加圧して前記基板主表面を研磨して前記基板主表面の平坦度を修正することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。」
と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「マスクブランク用基板の製造方法」について、補正前の請求項１０の「前記基板の準備は、基板主表面を両面研磨することによって前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下にし」、同じく補正前の請求項４の「前記基板が露光機のステッパーに支持される領域まで含めた領域」、同じく補正前の請求項６の「０μｍを越え０．２５μｍ以下となるように」という事項を限定し、付加するものであり、さらに、基板表面の研磨について、「基板主表面を両面研磨したマスクブランク用基板を準備した後」、「前記主表面の分割された複数領域に対応して設けられた複数の加圧体を有する」、「して前記基板主表面の平坦度を修正する」という事項を限定し、付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６４−２８６１号公報（以下、「引用例１」という。）には、
「本発明は、ガラス、セラミックス等の硬脆材料またはアルミ等の金属からなる被加工物を研摩する装置に関するものである。
〔従来の技術〕
　従来、フォトマスク用ガラス基板の主表面、すなわちその表裏面を同時にかつ高精度に研摩するこの種の研摩装置としては、第５図および第６図に示す如く構成されたものが知られている。すなわち、この研摩装置１は、上下方向に所定の間隔を保って対向配置されその対向面にそれぞれ研摩布２，３を装着してなる上定盤４および下定盤５を図示を省略した駆動モータによってそれぞれ互いに反対方向（矢印Ａ、Ｂ方向）に回転させ、被加工物６を保持して前記上、下定盤４，５間に介在されたキャリア７を太陽歯車８と内歯車９とで遊星歯車運動、つまり前記太陽歯車８の周りを公転させながら自転させると同時に前記両定盤４，５間に研摩剤（例えば、粒径１μｍの酸化セリウム）１０を供給することにより、前記被加工物６の表裏面を同時に研摩するものである。この場合、上定盤４は昇降自在な軸１１に設けられることにより、キャリア７および被加工物６の取出しを可能にし、下定盤５は前記軸１１と同軸配置された他の軸１２に設けられている。太陽歯車８はさらに別の軸１４に設けられ、その上面周縁部には歯としての作用をなす多数のピンギア１５が同一円周上に所定の間隔をおいて全周に亘って植設されている。内歯車９は太陽歯車８と同軸に配設され、ギヤ（図示せず）を介して後記する駆動モータによって回転され、その上面には多数のピンギヤ１６が所定の間隔をおいて植設されており、このピンギヤ１６と前記ピンギヤ１５とに、前記キャリア７の外周面に形成されたインボリュート曲線の一部からなる歯１７が噛合している。また、キャリア７の中央部には貫通孔からなる収納孔１８が開設されており、この中に前記被加工物６が収納されている。なお、太陽歯車８と内歯車９が駆動モータ（図示せず）によって矢印Ａ、Ｂ方向にそれぞれ回転されると、キャリア７は太陽歯車８の周りを矢印Ｃ方向に公転しなからＤ方向に自転する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　ところで、このような従来の研摩装置においては、キャリア７は下定盤５の研摩布３上に置かれ、当然のことながら被加工物６の板厚に比して薄いため、上定盤４の研摩布２とは接触せず、該キャリア７の表面上方に空間が形成されている。このため、研摩加工進行過程において被加工物６の表面側においては研摩剤１０の供給が十分に行われるが、裏面側においてはキャリア７が研摩剤１０を押しのけてしまい、加工に寄与する分量が表面側に比して著しく少なくなってしまうものである。その結果、被加工物６の表裏面で加工速度に差が生じ（表面加工の方が裏面加工より速く進む）、該表裏面での内部応力のバランスが崩れ、トワイマン効果により被加工物６の表面側が凹面状に、裏面側が凸面状に変形してしまい、高精度な平坦面が得られないという欠点があった。また、下側の研摩布３はキャリア７の裏面とこすり合わされるため、上側の研摩布２と比較して摩耗が早いという欠点もあった。
　したがって、本発明では上記のような欠点を改善し、被加工物の表裏面を同じ速度で加工することにより、表裏面の変形を防止し高い平面精度を得ることができる研摩装置を提供しようとするものである。」（１頁右欄２行〜２頁左下欄６行）
との記載が認められ、これらの記載によれば、引用例１には、
「フォトマスク用ガラス基板の主表面、すなわちその表裏面を同時に研摩する研摩方法であって、被加工物の表裏面を同じ速度で加工することにより、表裏面の変形を防止し高い平面精度を得ることができる研摩方法。」
との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−９４３０２号公報（以下、「引用例２」という。）には、
「【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスや半導体等の基板を平坦に研磨する基板研磨方法および基板研磨装置に関するものである。」（段落【０００１】）、
　
「【００２０】
【作用】本発明の基板研磨方法および基板研磨装置によれば、各加圧体を基板に対して点接触の微小な面積で接触させることにより、各加圧体の接触部での圧力の片寄りを生じることがなく、接触点からの加圧力の分布を考慮するだけでよいので、研磨圧力の制御が容易となり、また、全ての加圧体を一つの流体袋体を介して加圧し、加圧体全てに同じ大きさの加圧力を加えることができ、加圧体の間隔や配置を調整制御することによって所望の研磨圧力を得ることができる。そのため、個々の加圧体を加圧する駆動装置が不要となり、装置を大型化や複雑化することなく、多数の加圧体を配置することが可能となり、さらに、加圧体の間隔や加圧体自体の形状を小さくすることができ、より細かい加圧操作が可能となる。
【００２１】さらに、基板保持器の形状を基板形状に合わせることにより、どのような基板形状にも対応することができ、基板の大型化にも対応が容易である。
【００２２】さらに、同じ加圧力を与えられた多数の加圧体により基板全面にわたって均一な研磨圧力を得ることができるとともに、基板の膜厚むらや研磨進行後の研磨量のむらがある場合にはそのむら形状を除去するように加圧体の間隔や配置を調整制御することにより膜厚むらを除去する研磨圧力を得ることができ、基板の平坦化研磨を行なうことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２４】図１は本発明に係る基板研磨装置の一実施例の概略構成図であり、本実施例について図１を参照して説明する。
【００２５】被研磨物であるガラスや半導体等の基板１は、リテーナーリング２内に配置された基板保持器３によって保持され、基板１の研磨面が定盤５に貼り付けられた研磨シート４と接するように配置される。研磨シート４は、耐薬品性、耐摩耗性および弾性回復力に優れたポリエステル繊維不織布または発泡ポリウレタンシートであり、定盤５は図示しない回転装置により回転軸６を介して回転駆動される。基板１は、回転ローラ７の回転により、リテーナーリング２および基板保持器３とともに研磨シート４の上で回転する。研磨液８はノズル９を通して研磨シート３上に供給される。
【００２６】基板１の研磨面を研磨シート４に押し付けるための多数の加圧体１１は、基板１の裏面側に配置され、各加圧体１１における基板１との接触面内で圧力分布の片寄りをなくすために、理想的には基板１の裏面と点接触する構造とし、例えば、加圧体１１の基板裏面に接触する先端部の形状を針状あるいは球面状とし、加圧体１１は鉄あるいはナイロン等の材料で作製する。図１に図示する実施例では、加圧体１１の一形態として基板１に接触する端面が球面状に形成された柱状の加圧体を用いている。加圧体１１を保持する加圧体保持部材１２は、アクリル樹脂等で作製された板状体であり、加圧体１１の断面形状と同じ形状で同じ大きさの穴１２ａが多数開けられ、これらの穴１２ａは各加圧体１１を着脱自在に保持することができる構造である。加圧体保持部材１２は、図１に図示する実施例では、基板保持器３の上面に載置されており、基板１の裏面に接することがないように配置されている。加圧体保持部材１２に保持される加圧体１１同士の間隔は、研磨シート４と基板１の間に発生する研磨圧力を均一にするために、十分に小さく形成され、また、各加圧体１１の断面積も同様に十分小さいことが好ましい。
【００２７】そして、加圧体１１の上には気体などの流体を収納した流体袋体１３が配置され、この流体袋体１３は、多数の加圧体１１による加圧範囲よりも大きく形成されている。流体袋体１３の上にさらに荷重１４を載置することにより、加圧体１１に加圧力を与える。このように、加圧体１１は、流体袋体１３を介して加圧されるために、どのような形状の荷重１４を用いても、個々の加圧体１１が基板１に与える加圧力は全て等しくなる。なお、流体袋体１３は、加圧体１１の配置された周辺部と中心部で均一に接して加圧力に差が生じないようにするために周辺部がだれないように加圧体１１が配置されている範囲で基板１と平行に保つように保持することが必要である。図１に図示する実施例では、加圧体保持部材１２の周辺部の上面に、加圧体保持部材１２の上面から出ている加圧体１１の高さと同じ高さの段差部１２ｂを設け、この段差部１２ｂによって流体袋体１３の周辺部がだれないように支持する。
【００２８】以上のように構成された本発明の第１の実施例においては、加圧体保持部材１２に保持された多数の加圧体１１は基板１の裏面にそれぞれ点接触状に加圧することから、各加圧体１１の接触面内での圧力の片寄りを考慮するなく加圧でき、さらに、全ての加圧体１１を一つの流体袋体１３を介して荷重１４で加圧することから、基板全面に均一な研磨圧力を得ることができる。また、加圧体１１の間隔や加圧体１１自体の形状を小さくすることにより、より細かい加圧操作が可能となる。このように、個々の加圧体を加圧する駆動装置を必要とせず、装置の大型化や複雑化を避けることができる。さらに、多数の加圧体１１はそれぞれ加圧体保持部材１２に着脱自在に保持されているために、加圧体１１の配置や間隔を適宜変更することができ、これにより、基板の厚さむらや研磨進行により生じる研磨のむら形状に合わせて、加圧体１１を適宜配置することにより、厚さむらや研磨むらを除去するような研磨圧力を得ることができる。」（段落【００２０】〜【００２８】）、
と記載されていることが認められる。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−４６０５９号公報（以下、「引用例３」という。）には、
「【発明の属する技術分野】本発明は、液晶や大面積半導体センサー等の矩形状で大面積のガラス基板の加工に際して、基板上に形成された配線膜や絶縁膜の表面を一定厚みだけ均一に除去して微小な凹凸を平坦化する基板研磨装置に関するものである。」（段落【０００１】）、
　
「図１において、円板状のキャリア２は、矩形状の基板収容穴３内に被研磨物である大面積の矩形状の基板１を保持して、基板１の被研磨面を研磨定盤４の上に貼り付けられている研磨シート５に接するように載置される。円板状のキャリア２は、研磨定盤４の上方に配置された少なくとも２個の支持ローラ９、１０に支持され、その位置で支持ローラ９を回転駆動する回転駆動モータ１１により回転駆動されるように構成され、また、研磨定盤４は図示しない回転駆動機構により回転駆動されるように構成されている。基板１を裏面側から研磨シート５に対して加圧する加圧手段は、基板１の裏面側を個々に加圧するように配列された複数の加圧制御機構７と、円板状のキャリア２の上面に固定され、複数の加圧制御機構７を保持する荷重治具８とを備え、複数の加圧制御機構７は基板１をその裏面側から樹脂パッド６を介して加圧し、基板１の被研磨面を研磨シート５に対して押圧する。なお、樹脂パッド６は加圧制御機構７による加圧により基板１の裏面が損傷されるのを防止する作用をする。」（段落【００１８】）、
と記載されていることが認められる。
　
（３）対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「フォトマスク用ガラス基板」は、本願補正発明の「マスクブランク用基板」に相当し、以下同様に、「研摩」は「研磨」に、「表裏面を同時に研摩」は「両面研磨」に、それぞれ相当するから、両者は、
「基板主表面を両面研磨するマスクブランク用基板の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　マスクブランク用基板の製造方法に関して、本願補正発明は、「基板主表面を両面研磨したマスクブランク用基板を準備した後、回転自在な研磨定盤上に設けられた研磨パッドの表面に研磨剤を供給し、該研磨パッド上に基板保持手段によって保持された基板を、前記主表面の分割された複数領域に対応して設けられた複数の加圧体を有する基板加圧手段を用いて前記主表面の分割された複数領域に対して、任意に独立して加圧することにより基板表面を研磨して前記基板主表面の平坦度を修正するマスクブランク用基板の製造方法」であるのに対し、引用例１発明は、「フォトマスク用ガラス基板の主表面、すなわちその表裏面を同時に研摩する研摩方法」にとどまる点。
　
［相違点２］
　マスクブランク用基板に関して、本願補正発明は、「ＡｒＦ用マスクの基板、Ｆ２用マスクの基板、ＥＵＶ用マスクの基板の何れかに使用される基板」であるのに対し、引用例１発明は、係る限定が付されていない点。
　
［相違点３］
　基板主表面の表面粗さ及び平坦度について、本願補正発明は、「基板の準備は、両面研磨により基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下にし、前記基板主表面の表面形状及び平坦度を、前記基板が露光機のステッパーに支持される領域まで含めた測定領域で測定した後、測定したデータに基づき該基板主表面の表面形状及び平坦度が、所望の表面形状及び、０μｍを超え０．２５μｍ以下の平坦度となるように、前記基板主表面の平坦度を修正する」というものであるのに対し、引用例１発明は、係る限定が付されていない点。
　
［相違点４］
　平坦度の修正に関して、本願補正発明は、「基板側面を囲むように設けられた基板保持手段に対して研磨パッドを押圧するように加圧して、基板主表面の周辺部分における前記研磨パッドからの過剰な圧力を抑制し、かつ、前記基板主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域に対しては、他の領域よりも研磨パッドからの圧力が大きくなるように、前記基板加圧手段によって、前記基板主表面の研磨面と反対側の裏面側より加圧して前記基板主表面を研磨して」いるのに対し、引用例１発明は、係る限定が付されていない点。
　
　次に相違点について検討する。
［相違点１］について
　半導体鏡面ウエーハの製造方法に係るものではあるが、まず、両面研磨装置を用いて試料ウェーハを両面研磨し、その後、高い平坦度を得るために片面研磨を行うことは、例えば、特開平９−９７７７５号公報に示されるように周知である。また、液晶等の矩形状で大面積のガラス基板の加工に係るものであるが、引用例３の段落【００１８】には、被研磨物である基板１を裏面側から研磨シート５に対して加圧する加圧手段と、基板１の裏面側を個々に加圧するように配列された複数の加圧制御機構７を備える旨の記載がある。ところで、前記周知技術や引用例３において、研磨される対象物が半導体ウエーハやガラス基板等というように素材の種類が異なる点は、両面研磨や片面研磨の適用に関して本質的な差異ではない。してみると、引用例３に示される前記技術思想を引用例１発明に適用することに阻害要因はないと認められるから、相違点１に係る本願補正発明の構成は、引用例１発明に、引用例３に示される技術思想及び周知技術を適用することにより、当業者が容易に想到しえたものというべきである。
　
［相違点２］について
　位相シフトマスクブランク用の透明基板の用途として、ＡｒＦレーザによる露光に用いることは、周知（例えば、特開平１１−２３７７２７号公報、段落【００１６】を参照。）であるから、この相違点は、格別なものとは認められない。
　
［相違点３］について
　まず、本願補正発明において、表面形状及び平坦度の測定領域を、基板が露光機のステッパーに支持される領域まで含めた測定領域とした点について検討すると、本願の発明の詳細な説明中の段落【０００９】において、「本発明における平坦度は、基板主表面の表面側に任意に設けた基準面から主表面内における表面形状の最大高さと最小高さの差」と記載されているから、「表面形状及び平坦度」は、「平坦度」という用語により代表されると認められ、さらに、同じく段落【００１０】において、平坦度の測定領域として、基板主表面の適宜の領域を必要に応じて定めることが記載されていることからも明らかなように、基板が露光機のステッパーに支持される領域まで含めた測定領域とした点は、当業者が設計上適宜定める事項に属するものと認められる。
　次に、両面研磨により基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下にし、０μｍを超え０．２５μｍ以下の平坦度となるように、前記基板主表面の平坦度を修正する点について検討すると、本願補正発明の、両面研磨された基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下という数値限定や、修正された基板主表面の平坦度が０μｍを超え０．２５μｍ以下という数値限定については、臨界的意義はないものと認められ、また、［相違点１］について、で周知例として示した特開平９−９７７７５号公報の段落【００３３】〜【００３８】には、半導体鏡面ウエーハの製造方法に係るものではあるが、両面研磨装置を用いてまず試料ウェーハを両面研磨して１μｍ以下の平坦度（ＴＴＶ）とし、その後、片面研磨装置を用いて片面研磨して、平均値が０．３μｍ（ＬＴＶmax）の高い平坦度の加工を行う旨の記載があり、さらに、［相違点２］について、で周知例として示した特開平１１−２３７７２７号公報の段落【００１３】には、中心線平均粗さが０．１〜５０ｎｍＲａである位相シフトマスクブランクが記載されているから、引用例１発明のフォトマスク用ガラス基板主表面の表面粗さや平坦度をこの相違点に係る本願補正発明のような数値範囲とすることは、当業者が適宜に選択できた設計事項というべきである。
　なお、前記周知例として示した特開平９−９７７７５号公報の平坦度のＴＴＶ及びＬＴＶmaxの定義は、各々、同文献の段落【００１３】、【００３７】に、「TOTAL THICKNESS VARIATION、すなわちウエーハ全面における最大厚と最小厚の差」、「LOCAL THICKNESS VARIATION max：ウエーハ面上を２０ｍｍ×２０ｍｍの多数の方形に区分し、各区分の中で最大厚と最小厚の差をとり、ウエーハ面上においてその差の値のもっとも大きなもの」のように記載されているが、この周知例における平坦度がＴＴＶ及びＬＴＶmaxであることは、前記本願補正発明の数値範囲についての判断に影響を与えない。
　
［相違点４］について
　引用例２の段落【００２１】には、「基板保持器の形状を基板形状に合わせる」との記載があり、そして、段落【００２２】、【００２５】、【００２６】には、被研磨物であるガラス基板１が、リテーナーリング２内に配置された基板保持器３によって保持され、リテーナーリング２および基板保持器３とともに研磨シート４の上で回転し、そして、加圧体保持部材１２は、基板保持器３の上面に載置されており、基板１の研磨面を研磨シート４に押し付け、さらに、研磨量のむらがある場合にはそのむら形状を除去するように、同じ加圧力を与えられた多数の加圧体１１を基板１の裏面側に間隔を調整可能に配置する旨の記載がある。
　前記引用例２の「基板保持器３」、「研磨シート４」は、各々、本願補正発明の「基板保持手段」、「研磨パッド」に相当する。
　ところで、前記「基板保持器の形状を基板形状に合わせる」との記載から、引用例２の基板保持器３が本願補正発明の基板保持手段のように、基板側面を囲むように設けられていることは自明である。また、前記したように、引用例２の基板保持器３は、研磨シート４の上にあり、加圧体保持部材１２は、基板保持器３の上面に載置されているのであるから、引用例２の基板保持器３は、本願補正発明の「基板保持手段の基板主表面の周辺部分における前記研磨パッドからの過剰な圧力を抑制し」と同様の機能を有していることは明らかである。さらに、引用例２では、同じ加圧力を与えられた多数の加圧体１１を基板１の裏面側に間隔を調整可能に配置しているから、本願補正発明の「相対的に凸状になっている領域に対しては、他の領域よりも研磨パッドからの圧力が大きくなるように、前記基板加圧手段によって、前記基板主表面の研磨面と反対側の裏面側より加圧して前記基板主表面を研磨」と同様の構成を備えている。
　そうすると、この相違点４に係る本願補正発明の構成は、引用例１発明に、引用例２に示される技術思想を適用することにより、当業者が容易に想到しえたものというべきである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１、引用例２、引用例３及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定で準用する同法第１２６条第５項に規定される独立特許要件を満たしていないものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定によって却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年３月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１７年６月１７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「回転自在な研磨定盤上に設けられた研磨パッドの表面に研磨剤を供給し、該研磨パッド上に基板保持手段によって保持された基板を、基板加圧手段を用いて前記基板主表面の分割された複数領域に対して、任意に独立して加圧することにより基板表面を研磨するマスクブランク用基板の製造方法であって、
　マスクブランク用基板を準備し、該基板主表面の表面形状及び平坦度を測定した後、測定したデータに基づき該基板主表面の表面形状及び平坦度が、所望の表面形状及び平坦度となるように、前記基板側面を囲むように設けられた前記基板保持手段に対して前記研磨パッドを押圧するように加圧して、前記基板主表面の周辺部分における前記研磨パッドからの過剰な圧力を抑制し、かつ、前記基板主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域に対しては、他の領域よりも研磨パッドからの圧力が大きくなるように、前記基板加圧手段によって、前記基板主表面の研磨面と反対側の裏面側より加圧して前記基板主表面を研磨することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「マスクブランク用基板の製造方法」の限定事項である「基板主表面を両面研磨したマスクブランク用基板を準備した後」、「して前記基板主表面の平坦度を修正」、「前記マスクブランク用基板は、ＡｒＦ用マスクの基板、Ｆ２用マスクの基板、ＥＵＶ用マスクの基板の何れかに使用される基板であって、前記基板の準備は、両面研磨により前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下にし」、「前記基板が露光機のステッパーに支持される領域まで含めた測定領域で」、「０μｍを超え０．２５μｍ以下の平坦度となるように」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。