【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＣ／ＤＣコンバータに利用される半導体装置であって、
前記ＤＣ−ＤＣコンバータの入力用の第１リードを有する第１ダイパッドと、
前記ＤＣ−ＤＣコンバータの出力用の第２リードを有する第２ダイパッドと、
第３リードを有する第３ダイパッドと、
前記ＤＣ−ＤＣコンバータの基準電位用の第４リードと、
前記第１のダイパッド上に搭載され、前記ＤＣ−ＤＣコンバータのハイサイドスイッチ用ＭＯＳＦＥＴを含む第１半導体チップと、
前記第２のダイパッド上に搭載され、前記ＤＣ−ＤＣコンバータのロウサイドスイッチ用ＭＯＳＦＥＴを含む第２半導体チップと、
前記第３ダイパッド上に搭載され、前記ハイサイドスイッチ用ＭＯＳＦＥＴを駆動する第１ドライバ回路および前記ロウサイドスイッチ用ＭＯＳＦＥＴを駆動する第２ドライバ回路を含む第３半導体チップと、
前記第１、前記第２および前記第３半導体チップを封止する樹脂体と、を含み、
前記第１半導体チップは、前記第１半導体チップの上面に配置された第１ゲート電極用パッドおよび第１ソース電極用パッドと、前記第１半導体チップの上面と反対側の下面に配置され、前記第１ダイパッドと接続された第１ドレイン電極と、を含み、
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップの上面に配置された第２ゲート電極用パッドおよび第２ソース電極用パッドと、前記第２半導体チップの上面と反対側の下面に配置され、前記第２ダイパッドと接続された第２ドレイン電極と、を含み、
前記第１ソース電極用パッドと前記第２ダイパッドとを接続する第１金属板と、
前記第２ソース電極用パッドと前記第４リードとを接続する第２金属板と、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第３半導体チップに設けられた前記第１ドライバ回路のソース側端子と前記第１ソース電極用パッドと接続する第３の金属板を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１チップ搭載部、第２チップ搭載部および第３チップ搭載部と、
前記第１、前記第２および前記第３チップ搭載部の周囲に配置された複数の外部端子と、
前記第１チップ搭載部上に配置され、第１電界効果トランジスタを有する第１半導体チップと、
前記第２チップ搭載部上に配置され、第２電界効果トランジスタを有する第２半導体チップと、
前記第３チップ搭載部上に配置され、前記第１および前記第２電界効果トランジスタの動作を制御する制御回路を含む第３半導体チップと、
前記第１、前記第２および前記第３半導体チップと、前記第１、前記第２および前記第３チップ搭載部と、前記複数の外部端子の一部を封止する封止樹脂とを有し、
前記複数の外部端子は、
入力用電源電位が供給されるべき複数の第１電源端子と、
前記入力用電源電位よりも低い電位が供給されるべき複数の第２電源端子と、
前記第３半導体チップの制御回路を制御する制御信号が入力されるべき複数の信号端子と、
出力用電源電位を外部に出力するための複数の出力端子とを有し、
前記第１電界効果トランジスタのソース電極およびゲート電極は、前記第１半導体チップの主面に形成され、前記第１電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記第１半導体チップの前記主面に対向する裏面に形成され、
前記第１電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記第１チップ搭載部に電気的に接続され、
前記第１チップ搭載部は、前記複数の第１電源端子に電気的に接続され、
前記第２電界効果トランジスタのソース電極およびゲート電極は、前記第２半導体チップの主面に形成され、前記第２電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記第２半導体チップの前記主面に対向する裏面に形成され、
前記第２電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記第２チップ搭載部に電気的に接続され、前記第２チップ搭載部は、前記複数の出力端子に電気的に接続され、
前記第１電界効果トランジスタのソース電極は、前記第２チップ搭載部に第１金属配線によって電気的に接続され、
前記第２電界効果トランジスタのソース電極は、前記複数の第２電源端子に第２金属配線によって電気的に接続され、
前記第３半導体チップの制御回路は、前記複数の信号端子に入力された制御信号によって、前記第１および前記第２電界効果トランジスタのそれぞれのゲート電極を制御し、
前記制御回路は、前記第１電界効果トランジスタの前記ゲート電極を駆動する第１ドライバと、前記第２電界効果トランジスタの前記ゲート電極を駆動する第２ドライバと、を含み、
前記第１電界効果トランジスタの前記ソース電極と前記第１ドライバのソース側接地端子の電極とが、第３金属配線によって接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１チップ搭載部、前記第２チップ搭載部および前記第３チップ搭載部は、前記封止樹脂から露出することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１および前記第２金属配線は、複数のワイヤからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１、前記第２および前記第３金属配線は、ワイヤまたは金属板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、第１辺と、前記第１辺に対向する第２辺と、前記第１辺および前記第２辺の間に設けられた第３辺と、前記第３辺に対向する第４辺を有し、
前記複数の第１電源端子は、前記第２辺と前記第４辺とに配置され、
前記複数の第２電源端子は、前記第１辺と前記第４辺とに配置され、
前記複数の出力端子は、前記第３辺に配置され、
前記複数の信号端子は、前記第２辺と前記第３辺とに配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
複数の外部端子の一部を封止する封止樹脂を有する半導体装置であって、
第１チップ搭載部、第２チップ搭載部および第３チップ搭載部と、
前記第１、前記第２および前記第３チップ搭載部の周囲に配置された複数の外部端子と、
前記第１チップ搭載部上に配置され、第１電界効果トランジスタを有する第１半導体チップと、
前記第２チップ搭載部上に配置され、第２電界効果トランジスタを有する第２半導体チップと、
前記第３チップ搭載部上に配置され、前記第１および前記第２電界効果トランジスタの動作を制御する制御回路を含む第３半導体チップと、
前記第１、前記第２および前記第３半導体チップと、前記第１、前記第２および前記第３チップ搭載部と、前記複数の外部端子の一部を封止する封止樹脂とを有し、
前記複数の外部端子は、
入力用電源電位が供給されるべき複数の第１電源端子と、
前記入力用電源電位よりも低い電位が供給されるべき複数の第２電源端子と、
前記第３半導体チップの制御回路を制御する制御信号が入力されるべき複数の信号端子と、
出力用電源電位を外部に出力するための複数の出力端子とを有し、
前記第１電界効果トランジスタのソース電極およびゲート電極は、前記第１半導体チップの主面に形成され、前記第１電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記第１半導体チップの前記主面に対向する裏面に形成され、
前記第１電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記第１チップ搭載部に電気的に接続され、
前記第１チップ搭載部は、前記複数の第１電源端子に電気的に接続され、
前記第２電界効果トランジスタのソース電極およびゲート電極は、前記第２半導体チップの主面に形成され、前記第２電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記第２半導体チップの前記主面に対向する裏面に形成され、
前記第２電界効果トランジスタのドレイン電極は、前記第２チップ搭載部に電気的に接続され、前記第２チップ搭載部は、前記複数の出力端子に電気的に接続され、
前記第１電界効果トランジスタのソース電極は、前記第２チップ搭載部に第１金属配線によって電気的に接続され、
前記第２電界効果トランジスタのソース電極は、前記複数の第２電源端子に第２金属配線によって電気的に接続され、
前記第３半導体チップの制御回路は、前記複数の信号端子に入力された制御信号によって、前記第１および前記第２電界効果トランジスタのそれぞれのゲート電極を制御し、
前記制御回路は、前記第１電界効果トランジスタの前記ゲート電極を駆動する第１ドライバと、前記第２電界効果トランジスタの前記ゲート電極を駆動する第２ドライバと、を含み、
前記第１電界効果トランジスタの前記ソース電極と前記第１ドライバのソース側接地端子の電極とが、第３金属配線によって接続され、
前記半導体装置は、第１辺と、前記第１辺に対向する第２辺と、前記第１辺および前記第２辺の間に設けられた第３辺と、前記第３辺に対向する第４辺を有し、
前記複数の第１電源端子は、前記第２辺と前記第４辺とに配置され、
前記複数の第２電源端子は、前記第１辺と前記第４辺とに配置され、
前記複数の出力端子は、前記第３辺に配置され、
前記複数の信号端子は、前記第２辺と前記第３辺とに配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記第１チップ搭載部、前記第２チップ搭載部および前記第３チップ搭載部は、前記封止樹脂から露出することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置において、
前記第１および前記第２金属配線は、複数のワイヤからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体装置において、
前記第１、前記第２および前記第３金属配線は、ワイヤまたは金属板であることを特徴とする半導体装置。