Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔で送信される定期データと、イベントの発生に応じて送信されるイベントデータを受信装置に対して送信する送信装置であって、
前記受信装置が受信したデータのうち前記イベントデータを特定するための特定情報を生成する特定情報生成手段と、
前記生成された特定情報を前記定期データに含める制御手段と
を有することを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記送信された第１のイベントデータを前記受信装置が特定するための特定情報を、前記第１のイベントデータの次の第２のイベントデータの送信までに送信される定期データに含める
ことを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項３】
複数のイベントデータの組み合わせに基づいて、前記複数のイベントデータ中のエラーを前記受信装置が訂正するための冗長データを生成する冗長データ生成手段を有し、
前記特定情報生成手段は、前記冗長データを生成するために組み合わせた前記複数のイベントデータが、前記組み合わせたイベントデータであることを示す特定情報を生成することを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項４】
第１の種類のイベントの発生に応じて第１の種類のイベントデータが送信され、第２の種類のイベントの発生に応じて第２の種類のイベントデータが送信される場合、前記特定情報生成手段は、前記第１の種類のイベントデータを前記受信装置が特定可能な第１の特定情報と、前記第２の種類のイベントデータを前記受信装置が特定可能な第２の特定情報を生成し、
前記制御手段は、前記第１、第２のイベントデータの送信後に送信される定期データに、前記生成された前記第１、第２の特定情報を含める
ことを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項５】
前記受信装置から定期データの再送要求を受信する受信手段と、
前記再送要求された定期データに対応するイベントデータを特定する特定手段と、
前記再送要求された定期データと共に、前記特定手段によって特定されたイベントデータを、前記受信装置に再送する再送手段と
を有することを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項６】
送信装置によって、所定の間隔で送信される定期データと、イベントの発生に応じて送信されるイベントデータを受信する受信装置であって、
前記受信した定期データに含まれる特定情報に基づいて、前記送信装置によって送信されたイベントデータを特定する特定手段と、
前記特定されたイベントデータを受信したか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により受信していないと判定されたイベントデータの再送要求を前記送信装置に対して送信する送信手段と
を有することを特徴とする受信装置。
【請求項７】
前記判定手段は、受信していないと判定した第１のイベントデータの特定情報を含む定期データの受信から所定時間内に第２のイベントデータを受信したか否かを判定し、
前記送信手段は、前記判定手段により前記第２のイベントデータを受信していないと判定されると前記第１のイベントデータの再送要求を送信する
ことを特徴とする請求項６記載の受信装置。
【請求項８】
前記送信装置によって送信された冗長データを受信する受信手段と、
前記判定手段によって受信していないと判定されたイベントデータを、当該イベントデータに対応する冗長データを用いてエラー訂正する訂正手段を有し、
前記特定情報は、当該特定情報に基づいて特定されるイベントデータが冗長データを生成するために用いられたか否かを示す情報を含み、
前記判定手段は、受信していないと判定したイベントデータが冗長データを生成するために用いられたか否かを前記特定情報に基づいて判定し、
前記送信手段は、前記判定手段により冗長データを生成するために用いられていないと判定されたイベントデータの再送要求を送信する
ことを特徴とする請求項６記載の受信装置。
【請求項９】
所定の間隔で送信される定期データと、イベントの発生に応じて送信されるイベントデータを受信装置に対して送信する送信装置が行う送信方法であって、
前記受信装置が受信したデータのうち前記イベントデータを特定するための特定情報を生成する特定情報生成工程と、
前記生成された特定情報を前記定期データに含める制御工程と
を有することを特徴とする送信方法。
【請求項１０】
所定の間隔で送信される定期データと、イベントの発生に応じて送信されるイベントデータを受信装置に対して送信するコンピュータに、
前記受信装置が受信したデータのうち前記イベントデータを特定するための特定情報を生成する特定情報生成手順と、
前記生成された特定情報を前記定期データに含める制御手順と
を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
送信装置によって、所定の間隔で送信される定期データと、イベントの発生に応じて送信されるイベントデータを受信する受信装置が行う制御方法であって、
前記受信した定期データに含まれる特定情報に基づいて、当該定期データの前に送信されたイベントデータを特定する特定工程と、
前記特定されたイベントデータを受信したか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程により受信していないと判定されたイベントデータの再送要求を前記送信装置に対して送信する送信工程と
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１２】
送信装置によって、所定の間隔で送信される定期データと、イベントの発生に応じて送信されるイベントデータを受信するコンピュータに、
前記受信した定期データに含まれる特定情報に基づいて、当該定期データの前に送信されたイベントデータを特定する特定手順と、
前記特定されたイベントデータを受信したか否かを判定する判定手順と、
前記判定手順により受信していないと判定されたイベントデータの再送要求を前記送信装置に対して送信する送信手順と
を実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画像および当該撮影画像に対応する小画像であるサムネイル画像を作成する撮影装置において、
前記サムネイル画像の解像度よりも大きな中解像度画像を作成する作成手段と、
前記作成手段で作成した中解像度画像を、前記撮影画像と前記サムネイル画像と共に１ファイルとして記憶媒体に記録する記録手段と、
撮影画像の解像度を設定する第１の設定手段と、
前記第１の設定手段で設定された解像度が前記中解像度画像の解像度よりも小さい設定の場合には、前記記録手段は、前記中解像度画像を前記ファイルに含めないように制御する制御手段を有することを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記作成手段は、解像度の異なる２種類以上の中解像度画像を作成することが可能であり、
前記記録手段は、前記第１の設定手段で設定された解像度よりも大きな解像度の中解像度画像は前記ファイルに含めずに、前記第１の設定手段で設定された解像度よりも小さな解像度の中解像度画像を前記ファイルに含めて記録するようにすることを特徴とする請求項１の撮影装置。
【請求項３】
さらに、前記中解像度画像の解像度を設定する第２の設定手段を有することを特徴とする請求項１ないし２に記載の撮影装置。
【請求項４】
前記中解像度画像の解像度は、前記撮像装置に接続された表示機器の表示解像度に応じて設定されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の撮影装置。
【請求項５】
記録媒体に、画像データおよび当該画像データに対応する小画像であるサムネイル画像、および前記サムネイル画像の解像度よりも大きな中解像度画像とが１ファイルとして記録されており、当該画像データを編集することが可能な画像処理装置において、
前記画像データに対して縮小またはトリミングの編集処理を行う編集手段と、
前記編集手段により編集された画像データの解像度が、前記中解像度画像の解像度よりも小さくなる場合には、前記ファイル中に記録されている前記中解像度画像を削除する制御手段を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
撮影画像および当該撮影画像に対応する小画像であるサムネイル画像を作成する撮影装置の制御方法であって、
前記サムネイル画像の解像度よりも大きな中解像度画像を作成する作成工程と、
前記作成工程で作成した中解像度画像を、前記撮影画像と前記サムネイル画像と共に１ファイルとして記憶媒体に記録する記録工程と、
撮影画像の解像度を設定する設定工程と、
前記設定工程で設定された解像度が前記中解像度画像の解像度よりも小さい設定の場合には、前記記録工程は、前記中解像度画像を前記ファイルに含めないように制御する制御工程を有することを特徴とする撮影装置の制御方法。
【請求項７】
記録媒体に、画像データおよび当該画像データに対応する小画像であるサムネイル画像、および、前記サムネイル画像の解像度よりも大きな中解像度画像とが１ファイルとして記録されており、当該画像データを編集することが可能な画像処理装置において、
前記画像データに対して縮小またはトリミングの編集処理を行う編集工程と、
前記編集工程により編集された画像データの解像度が、前記中解像度画像の解像度よりも小さくなる場合には、前記ファイル中に記録されている前記中解像度画像を削除する制御工程を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するため本発明では、撮影画像および当該撮影画像に対応する小画像であるサムネイル画像を作成する撮影装置において、サムネイル画像の解像度よりも大きな中解像度画像を作成する作成手段と、作成手段で作成した中解像度画像を、撮影画像とサムネイル画像と共に１ファイルとして記憶媒体に記録する記録手段と、撮影画像の解像度を設定する第１の設定手段と、第１の設定手段で設定された解像度が中解像度画像の解像度よりも小さい設定の場合には、記録手段は、中解像度画像をファイルに含めないように制御する制御手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記の課題を解決するため本発明では、記録媒体に、画像データおよび当該画像データに対応する小画像であるサムネイル画像、およびサムネイル画像の解像度よりも大きな中解像度画像とが１ファイルとして記録されており、当該画像データを編集することが可能な画像処理装置において、画像データに対して縮小またはトリミングの編集処理を行う編集手段と、編集手段により編集された画像データの解像度が、中解像度画像の解像度よりも小さくなる場合には、ファイル中に記録されている前記中解像度画像を削除する制御手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルが配列されて成るメモリセルアレイと、
第１クロック信号を取り込むための第１バッファと、
上記第１クロック信号とは異なる第２クロック信号を取り込むための第２バッファと、
上記メモリセルアレイへのデータ書き込み又は読み出しに用いられる各種信号を第１内部クロック信号に同期して取り込む第１回路と、
上記メモリセルアレイからの読み出しデータを第２内部クロック信号に同期して出力する第２回路と、
上記第１バッファを介して取り込まれた上記第１クロック信号と、上記第１回路に伝達された上記第１内部クロック信号との位相差が小さくなるように、上記第１クロック信号を遅延して上記第１内部クロック信号を形成する第１ＤＬＬ回路と、
上記第２バッファを介して取り込まれた上記第２クロック信号と、上記第２回路に伝達された上記第２内部クロック信号との位相差が小さくなるように、上記第２クロック信号を遅延して上記第２内部クロック信号を形成する第２ＤＬＬ回路と、を含んで成る半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中国語を検索する方法であって、コンピュータにより実行されるステップが、
ユーザ端末機を介して入力された検索語の字母を検索するか否かを確認し、
前記字母検索に対して、前記検索語の表現によって互いに異なる検索結果を前記ユーザ端末機に提供すること、を含み、
前記字母検索に対して、前記検索語の表現によって互いに異なる検索結果を前記ユーザ端末機に提供することは、
前記検索語が併音キーワード及び数字キーワードを組み合わせて構成された場合に、前記数字キーワードを前記併音キーワードの声調として認識することと、
前記声調に対する前記併音キーワードの検索結果ページを生成することと、
前記生成された検索結果ページを前記ユーザ端末機に送信すること、をさらに含むことを特徴とする中国語検索方法。
【請求項２】
前記字母検索は、
（１）漢語併音字母又はウェイド−ジャイルズ（Wade-Giles）表記法に基づいた併音字母、
（２）ハングル１音節、
（３）漢字１文字、
に対する検索を含むことを特徴とする請求項１に記載の中国語検索方法。
【請求項３】
ユーザ端末機を介して入力された検索語の字母を検索するか否かを確認することは、
前記検索語を分析して、前記併音字母、前記ハングル１音節又は前記漢字１文字で成されたキーワードが抽出される場合に、前記検索語に対して前記字母検索を確認することを含むことを特徴とする請求項２に記載の中国語検索方法。
【請求項４】
前記字母検索に対して、前記検索語の表現によって互いに異なる検索結果を前記ユーザ端末機に提供することは、
数字キーワードを含まない検索語に対して、前記検索語に含まれた併音キーワードに対する検索結果ページに、声調別結果ページそれぞれに対するリンクを設定することと、
前記リンクが設定された検索結果ページを前記ユーザ端末機に送信すること、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の中国語検索方法。
【請求項５】
前記声調は、中国語で用いられる４つの声調である第１声、第２声、第３声及び第４声を含み、
前記検索語が併音キーワード及び数字キーワードを組み合わせて構成された場合に、前記数字キーワードを前記併音キーワードの声調として認識することは、
前記数字キーワードが１から４の数字を含む場合に、前記１から４を前記第１声から前記第４声としてそれぞれ認識することを含むことを特徴とする請求項４に記載の中国語検
索方法。
【請求項６】
前記併音キーワードは、漢語併音字母又はウェイド−ジャイルズ（Wade-Giles）表記法に基づいた併音字母を含むことを特徴とする請求項１又は４に記載の中国語検索方法。
【請求項７】
前記字母検索に対して、前記検索語の表現によって互いに異なる検索結果を前記ユーザ端末機に提供することは、
前記検索語がハングル１音節を含むキーワードである場合に、前記音節の発音を用いて検索した結果ページを前記ユーザ端末機に提供することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の中国語検索方法。
【請求項８】
前記字母検索に対して、前記検索語の表現によって互いに異なる検索結果を前記ユーザ端末機に提供することは、
前記検索語が漢字１文字を含むキーワードである場合に、簡体字、繁体字及び異体字に対して前記キーワードと一致する検索結果で構成された検索結果ページを生成して前記ユーザ端末機に提供することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の中国語検索方法。
【請求項９】
前記検索語に対して、漢字辞書及び国語辞書を用いた検索結果ページを生成して前記ユーザ端末機に提供することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の中国語検索方法。
【請求項１０】
コンピュータに、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の中国語検索方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月2日(2011.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポインタが近接したと判定される表示面の領域に基づく位置に、ユーザの操作に応じて選択可能な選択画像を前記表示面に表示させ、前記ポインタが前記表示面に対して接触したことに基づいて選択操作を判定する制御部を備える、
情報処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、表示画像が表示された状態で前記ポインタが近接されたと判定したことに応じて前記選択画像を表示させ、
前記選択画像は、前記表示画像に関連した画像である、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示画像は、メニューを表す画像であり、
前記選択画像は、前記メニューの下位のメニューを表す画像である、
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記表示面から前記ポインタが遠ざかったと判定されてから所定の時間が経過したことに応じて前記選択画像の表示を変化させる、
請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記時間を変更する、
請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記表示面から前記ポインタが遠ざかったと判定されてから所定の時間が経過したことに応じて前記選択画面の表示を中止させる、
請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記表示面に前記ポインタが近接したと判定されると共に、前記ポインタが移動したと判定されたことに応じて、前記表示面の表示を変化させる、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記表示面に前記ポインタが近接したと判定されると共に、前記ポインタが移動したと判定されたことに応じて、前記表示面の表示を拡大、縮小、スクロールのうち少なくとも１つを実行させる、
請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記ポインタが近接した領域に最も近い、前記表示面の四隅の一つに前記選択画面を表示させる
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、表示画像が表示された状態で前記ポインタが近接されたと判定したことに応じて、前記表示画像に基づく位置に前記選択画像を表示させる、
請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記表示画像は、地図画像である、
請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記地図画像上に表示されるルートに応じた位置に前記選択画像を表示させる、
請求項１１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記ポインタの前記表示面に対する近接は、静電容量の変化により検出される、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記ポインタの前記表示面に対する接触は、静電容量の変化により検出される、
請求項１３に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
ポインタが近接したと判定される表示面の領域に基づく位置に、ユーザの操作に応じて選択可能な選択画像を前記表示面に表示させ、前記ポインタが前記表示面に対して接触したことに基づいて選択操作を判定すること
を含む、情報処理方法。
【請求項１６】
ポインタが近接したと判定される表示面の領域に基づく位置に、ユーザの操作に応じて選択可能な選択画像を前記表示面に表示させ、前記ポインタが前記表示面に対して接触したことに基づいて選択操作を判定する機能をコンピュータに実現させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置、情報処理方法、及びプログラムに関し、例えばカーナビゲーション装置に適用することができる。本発明は、表示画面に配置したタッチパネルによりユーザーの操作を受け付ける場合に、このタッチパネルへの指の接近によりメニューを表示することにより、大きさの限られた表示画面を有効に利用して、種々の情報を確実に提供することができるようにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、大きさの限られた表示画面を有効に利用して、種々の情報を確実に提供することができる情報処理装置、情報処理方法、及びプログラムを提案しようとするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
光ディスク装置１は情報を記録する際、情報光学系３のレーザダイオード１５から高い光強度でなる波長約６６０［ｎｍ］の赤色光ビームを出射させ、第１ダイクロイックミラー７、第２ダイクロイックミラー８、対物レンズ９を介して光ディスク１０の記録層１１に照射して記録マークを形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一方光ディスク装置１は情報を再生する際、情報光学系３のレーザダイオード１５から、記録をする際よりも低い光強度でなる赤色光ビームを出射させ、第１ダイクロイックミラー７、第２ダイクロイックミラー８、対物レンズ９を介して赤色光ビームを光ディスク１０の記録層１１に照射する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
再生用フォトディテクタ５３には、検出領域が設けられており、当該検出領域により再生光ビームＬ３を検出し、このとき検出した光量に応じて再生検出信号を生成して、これらを信号処理部３３（図４）へ送出する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
制御部３１は、反射光ビームＬ２の検出結果を基に、対物レンズ４７のフォーカス制御及びトラッキング制御を行い、光ビームＬ１の焦点Ｆを目標トラックに追従させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
集光レンズ１５１は、再生光ビームＬ３を集光し、ピンホール板１５２を介して再生用フォトディテクタ１５３へ照射する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のバンクを有するアドレス空間からなるメモリに対して、データアクセス要求を行う複数のモジュールからデータアクセスを行うデータアクセス制御装置であって、
前記複数のモジュールのうち、前記メモリに対するデータアクセスの優先度が相対的に高いデータを出力する高速モジュールと、
前記複数のモジュールのうち、前記メモリに対するデータアクセスの優先度が相対的に低いデータを出力する低速モジュールと、
前記各モジュールから前記メモリへのデータアクセスの要求を受付け、該要求の優先度に応じてデータアクセス要求を許可する信号を対応する前記モジュールへ送信するとともに、許可した該モジュールから要求されたメモリアクセス条件に基づいて前記メモリへのデータアクセスを制御するメモリ制御部と、
を備え、
前記高速モジュールは、前記メモリ制御部に対して、前記複数バンクへの書き込み要求数だけ連続したデータアクセス要求を、隣接する要求で異なるバンクに連続して行い、アクセス要求元モジュールから前記メモリへ連続的にデータ書き込みを行う場合において、前記メモリの異なる複数のバンクへのアクセスであって、かつこれらのアクセスが最短時間となるような書き込みデータが所定以上溜まったときに、前記アクセス要求元モジュールから前記メモリ制御部への書き込み要求信号が発せられることを特徴とするデータアクセス制御装置。
【請求項２】
前記高速モジュールは、連続する書き込み要求数を、前記メモリのバンク数に対して整数倍に設定することを特徴とする請求項１に記載のデータアクセス制御装置。
【請求項３】
前記高速モジュールは、連続する書き込み要求数を、転送レートとデータ量とに基づいて設定することを特徴とする請求項１または２に記載のデータアクセス制御装置。
【請求項４】
前記高速モジュールを含むデータアクセスの優先度が相対的に高い複数のモジュールを１グループとして扱い、グループ外の他のモジュールよりもデータアクセスの優先度を高くしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のデータアクセス制御装置。
【請求項５】
前記メモリ制御部は、グループ化された前記複数のモジュールの全てのデータアクセス要求がなくなるまで該グループにバスを占有させ、グループ外の他のモジュールのデータアクセス要求をマスクすることを特徴とする請求項４に記載のデータアクセス制御装置。
【請求項６】
前記マスク処理は、前記メモリ制御部の設定によりグループ別に行うことを特徴とする請求項５に記載のデータアクセス制御装置。
【請求項７】
複数のバンクを有するアドレス空間からなるメモリと、該メモリに対してデータアクセス要求を行うモジュールであって、前記メモリに対するデータアクセスの優先度が相対的に高いデータを出力する高速モジュールと、前記メモリに対してデータアクセス要求を行うモジュールであって、該メモリに対するデータアクセスの優先度が相対的に低いデータを出力する低速モジュールと、前記各モジュールから前記メモリへのデータアクセスの要求を受付け、該要求の優先度に応じてデータアクセス要求を許可する信号を対応する前記モジュールへ送信するとともに、許可した該モジュールから要求されたメモリアクセス条件に基づいて前記メモリへのデータアクセスを制御するメモリ制御部と、を備えるデータアクセス制御装置を用いたデータアクセス制御方法であって、
前記メモリ制御部により、前記高速モジュールの設定に従い、該高速モジュールに対して複数バンクへのアクセス要求を連続して行い、該高速モジュールに対する連続したアクセス要求の処理後に前記低速モジュールに対するバンクへのアクセス要求を行うようにしたことを特徴とするデータアクセス制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した課題を解決するために、本発明にかかるデータアクセス制御装置は、複数のバンクを有するアドレス空間からなるメモリに対して、データアクセス要求を行う複数のモジュールからデータアクセスを行うデータアクセス制御装置であって、前記複数のモジュールのうち、前記メモリに対するデータアクセスの優先度が相対的に高いデータを出力する高速モジュールと、前記複数のモジュールのうち、前記メモリに対するデータアクセスの優先度が相対的に低いデータを出力する低速モジュールと、前記各モジュールから前記メモリへのデータアクセスの要求を受付け、該要求の優先度に応じてデータアクセス要求を許可する信号を対応する前記モジュールへ送信するとともに、許可した該モジュールから要求されたメモリアクセス条件に基づいて前記メモリへのデータアクセスを制御するメモリ制御部と、を備え、前記高速モジュールは、前記メモリ制御部に対して、前記複数バンクへの書き込み要求数だけ連続したデータアクセス要求を、隣接する要求で異なるバンクに連続して行い、アクセス要求元モジュールから前記メモリへ連続的にデータ書き込みを行う場合において、前記メモリの異なる複数のバンクへのアクセスであって、かつこれらのアクセスが最短時間となるような書き込みデータが所定以上溜まったときに、前記アクセス要求元モジュールから前記メモリ制御部への書き込み要求信号が発せられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の基板と、
前記基板上に実装された電子部品と、
前記基板上の周縁部に立設された電極ポストと、
前記電子部品および前記電極ポストを被覆して前記基板上に設けられた封止樹脂と、からなり、
前記電極ポストの端面が、前記封止樹脂表面に露出した構造体を有し、
前記電極ポストの端面上に配設される導電性接合材と、前記封止樹脂の表面上で且つ該電極ポストの端面露出位置と異なる位置に配設される接合材とによって、前記封止樹脂の表面にシールド材が接合されていること
を特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記接合材は、前記導電性接合材に対して、弾性率が小さいこと
を特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記電極ポストは、前記基板の周縁部の一箇所に設けられており、
前記接合材は、前記基板の異なる三つのコーナー部に配設されていること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の電子装置。
【請求項４】
前記電極ポストは、前記基板の一つのコーナー部に立設されていること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項５】
前記封止樹脂は、表面の前記電極ポストが露出する部分が窪んだ形状を有すること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項６】
前記シールド材は、前記基板の側面位置まで覆う形状を有すること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項７】
前記電極ポストは、複数の電極ポストが近接させて設けられていること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項８】
矩形状の基板に電子部品を実装する工程と、
前記基板の周縁部に電極ポストを立設する工程と、
前記電子部品および前記電極ポストを、封止樹脂を用いてモールドして、モールドパッケージを形成する工程と、
前記モールドパッケージの上層部分の封止樹脂を除去して、前記電極ポストの端面を露出させる工程と、
前記電極ポストの端面上に導電性接合材を配設する工程と、
前記封止樹脂の表面上であって、且つ前記電極ポストの端面が露出する位置とは異なる位置に接合材を配設する工程と、
前記導電性接合材と前記接合材とによって、前記封止樹脂の表面にシールド材を接合する工程と、を備えること
を特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記接合材は、前記導電性接合材に対して、弾性率が小さいこと
を特徴とする請求項８記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記モールドパッケージの上層部分の封止樹脂を除去して、前記電極ポストの端面を露出させる工程は、
前記電極ポストの立設位置の上方位置における封止樹脂のみを除去して、前記電極ポストが露出する部分を窪んだ形状にする工程であること
を特徴とする請求項８または請求項９記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板の周縁部に電極ポストを立設する工程は、
前記基板の周縁部の一箇所に電極ポストを立設する工程であり、
前記接合材を配設する工程は、
前記基板の異なる三つのコーナー部に接合材を配設する工程であること
を特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板の周縁部に電極ポストを立設する工程は、
前記基板の一つのコーナー部に電極ポストを立設する工程であること
を特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
【請求項１３】
前記シールド材は、前記基板の側面位置まで覆う形状を有すること
を特徴とする請求項８〜１２のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板の周縁部に電極ポストを立設する工程は、
複数の電極ポストを近接させて立設する工程であること
を特徴とする請求項８〜１３のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
開示の電子装置は、矩形状の基板と、前記基板上に実装された電子部品と、前記基板上の周縁部に立設された電極ポストと、前記電子部品および前記電極ポストを被覆して前記基板上に設けられた封止樹脂と、からなり、前記電極ポストの端面が、前記封止樹脂表面に露出した構造体を有し、前記電極ポストの端面上に配設される導電性接合材と、前記封止樹脂の表面上で且つ該電極ポストの端面露出位置と異なる位置に配設される接合材とによって、前記封止樹脂の表面にシールド材が接合されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続用のパッドを有する配線基板と、
前記配線基板の上に形成され、前記パッドに到達する第１のビアホールを備えた第１クラッド層と、
前記ビアホールを充填して形成され、前記第１クラッド層の面から突出する突出部を有する第１の導体部分と、
前記第１クラッド層の上に形成されたコア層と、
前記第１クラッド層及び前記コア層の上に形成され、前記第１の導体部分に到達する第２のビアホールを備えた第２クラッド層と、
前記第２のビアホールを充填して形成され、前記第１の導体部分の突出部に接続された第２の導体部分とを含むことを特徴とする光導波路積層配線基板。
【請求項２】
前記第２の導体部分は、前記第２のクラッド層の表面と同じ面に露出して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光導波路積層配線基板。
【請求項３】
接続用のパッドを有する配線基板と、
前記配線基板の上に形成され、前記パッドに到達する第１のビアホールを備えた第１クラッド層と、
前記ビアホールを充填して形成され、前記第１クラッド層の面から突出する突出部を有する第１の導体部分と、
前記第１クラッド層の上に形成されたコア層と、
前記第１クラッド層及び前記コア層の上に形成され、前記第１の導体部分に到達する第２のビアホールを備えた第２クラッド層と、
前記第２のビアホールを充填して形成され、前記第１の導体部分の突出部に接続された第２の導体部分と、
前記第１クラッド層、前記コア層及び前記第２クラッド層からなる光導波路基板に形成された反射ミラーと、
前記第２の導体部分に接続された状態で前記第２クラッド層の上に実装され、前記反射ミラーの上に光出射面又は光入射面が配置された光学部品とを有することを特徴とする実装構造。
【請求項４】
接続用のパッドを有した配線基板を用意する工程と、
前記配線基板の前記パッドが形成されている側の面に、第１クラッド層を形成後、該第１クラッド層に、前記パッドに達する第１のビアホールを形成する工程と、
前記第１のビアホールを導電性材料で充填して、前記第１クラッド層の面から突出する突出部を有する第１の導体部分を形成する工程と、
前記第１クラッド層上の、前記第１の導体部分が形成されている部分の近傍領域に、コア層をパターニング形成する工程と、
前記第１クラッド層及び前記コア層上に、前記第１の導体部分を被覆する第２クラッド層を形成後、該第２クラッド層に、前記第１の導体部分に達する第２のビアホールを形成する工程と、
前記第２のビアホールを導電性材料で充填して第２の導体部分を形成する工程とを含むことを特徴とする光導波路積層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１クラッド層及び第２クラッド層の材料としてそれぞれ紫外線硬化型の樹脂を使用し、該樹脂を用いて形成された各クラッド層をパターニングしてそれぞれ前記第１、第２のビアホールを形成することを特徴とする請求項４に記載の光導波路積層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記紫外線硬化型の樹脂を用いて形成された各クラッド層に対し、前記パターニングに代えて、レーザ加工によりそれぞれ前記第１、第２のビアホールを形成することを特徴とする請求項５に記載の光導波路積層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の導体部分及び第２の導体部分を、それぞれ無電解めっき又は電解めっきにより形成することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の光導波路積層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の導体部分を形成する工程の後に、前記第１クラッド層、コア層及び第２クラッド層からなる光導波路基板の、実装される光学部品の光出射面又は光入射面に対向する位置に、反射ミラーを形成することを特徴とする４乃至６のいずれか一項に記載の光導波路積層配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記従来技術の課題を解決するため、本発明によれば、接続用のパッドを有した配線基板を用意する工程と、前記配線基板の前記パッドが形成されている側の面に、第１クラッド層を形成後、該第１クラッド層に、前記パッドに達する第１のビアホールを形成する工程と、前記第１のビアホールを導電性材料で充填して、前記第１クラッド層の面から突出する突出部を有する第１の導体部分を形成する工程と、前記第１クラッド層上の、前記第１の導体部分が形成されている部分の近傍領域に、コア層をパターニング形成する工程と、前記第１クラッド層及び前記コア層上に、前記第１の導体部分を被覆する第２クラッド層を形成後、該第２クラッド層に、前記第１の導体部分に達する第２のビアホールを形成する工程と、前記第２のビアホールを導電性材料で充填して第２の導体部分を形成する工程とを含むことを特徴とする光導波路積層配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月12日(2012.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、前記上面に形成された複数のボンディングリード、前記上面とは反対側の下面、及び前記下面に形成された複数のランドを有する配線基板と、
主面及び前記主面に形成された複数の電極パッドを有し、前記配線基板の前記上面上に搭載された半導体チップと、
前記配線基板の前記複数のボンディングリードと前記半導体チップの前記複数の電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の金属ワイヤと、
前記配線基板の前記複数のランドにそれぞれ設けられた複数の外部端子とを有し、
前記複数の金属ワイヤは、複数の第１のワイヤと複数の第２のワイヤとを含み、
前記複数の第１のワイヤのそれぞれは、前記複数の第２のワイヤのそれぞれより短く、かつ細いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と出力端子との間に設けられたパワートランジスタと、
前記入力端子にカソードが接続され、前記出力端子にアノードが接続される温度検出ダイオードと、
前記温度検出ダイオードの前記カソードから前記アノードに流れる逆方向リーク電流を増幅した検出電流を出力する電流増幅器と、
前記検出電流を電圧に変換した過熱検出信号を出力する第１の変換抵抗と、
前記過熱検出信号に応じて制御信号をゲーティングするゲーティング回路と、
前記ゲーティング回路の出力信号に基づき前記パワートランジスタの制御端子に駆動信号を出力するドライバー回路と、
を有する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部ＤＢＲ層、上部ＤＢＲ層、これらの間に介在する活性層、とが少なくとも積層されて構成され、前記上部ＤＢＲ層の表面層にレーザ光を外部に出射するレーザ光出射領域を備えた垂直共振器型面発光レーザであって、
前記上部ＤＢＲ層は、ドーピングされた第１の多層膜半導体層と、ドーピングされていない第２の多層膜半導体層と、を備え、
前記上部ＤＢＲ層に設けられる電極が、前記第１の多層膜半導体層の上部であって、前記第２の多層膜半導体層に囲まれた領域に形成され、
前記レーザ光出射領域が前記第２の多層膜半導体層の表面層に形成されており、
前記第１の多層膜半導体層と前記第２の多層膜半導体層とが、連続した半導体単結晶で構成され、
前記第１の多層膜半導体層の表面層がコンタクト層によって形成され、該コンタクト層の上に前記第２の多層膜半導体層が積層されていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項２】
前記コンタクト層は、前記第１の多層膜半導体層における該コンタクト層以外の他の多層膜半導体層と比較して、高濃度にドーピングされていることを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項３】
前記第２の多層膜半導体層の表面層は、該表面層の面内方向の中央部にレーザ光出射領域を備え、
前記レーザ光出射領域は、該レーザ光出射領域の中央部がエッチングされて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項４】
前記第２の多層膜半導体層の表面層は、該表面層の面内方向の中央部にレーザ光出射領域を備え、
前記レーザ光出射領域は、中心部分を残してリング状にエッチングされて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、つぎのように構成した垂直共振器型面発光レーザを提供するものである。
本発明の垂直共振器型面発光レーザは、
基板上に、下部ＤＢＲ層、上部ＤＢＲ層、これらの間に介在する活性層、とが少なくとも積層されて構成され、前記上部ＤＢＲ層の表面層にレーザ光を外部に出射するレーザ光出射領域を備えた垂直共振器型面発光レーザであって、
前記上部ＤＢＲ層は、ドーピングされた第１の多層膜半導体層と、ドーピングされていない第２の多層膜半導体層と、を備え、
前記上部ＤＢＲ層に設けられる電極が、前記第１の多層膜半導体層の上部であって、前記第２の多層膜半導体層に囲まれた領域に形成され、
前記レーザ光出射領域が前記第２の多層膜半導体層の表面層に形成されており、
前記第１の多層膜半導体層と前記第２の多層膜半導体層とが、連続した半導体単結晶で構成され、
前記第１の多層膜半導体層の表面層がコンタクト層によって形成され、該コンタクト層の上に前記第２の多層膜半導体層が積層されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は、裏面電極型太陽電池セルと、配線シートと、を備え、裏面電極型太陽電池セルは、半導体基板と、半導体基板の一方の面側に設置された第１導電型用電極と第２導電型用電極とを含み、配線シートは、絶縁性基材と、絶縁性基材の一方の面側に設置された第１導電型用配線と第２導電型用配線とを含み、第１導電型用電極と第１導電型用配線とが錫含有半田層によって電気的に接続されているとともに、第２導電型用電極と第２導電型用配線とが錫含有半田層によって電気的に接続されており、第１導電型用電極が接触している半導体基板の領域である第１のコンタクト領域および第２導電型用電極が接触している半導体基板の領域である第２のコンタクト領域の少なくとも一方に対応する領域に錫含有半田層が設置されていない配線シート付き太陽電池セルである。ここで、本発明の配線シート付き太陽電池セルにおいては、第１導電型用電極および第２導電型用電極の少なくとも一方の幅方向の中心に対して、該電極に接触する錫含有半田層の幅方向の中心の位置がずれていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面電極型太陽電池セルと、
配線シートと、を備え、
前記裏面電極型太陽電池セルは、半導体基板と、前記半導体基板の一方の面側に設置された第１導電型用電極と第２導電型用電極とを含み、
前記配線シートは、絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面側に設置された第１導電型用配線と第２導電型用配線とを含み、
前記第１導電型用電極と前記第１導電型用配線とが錫含有半田層によって電気的に接続されているとともに、前記第２導電型用電極と前記第２導電型用配線とが錫含有半田層によって電気的に接続されており、
前記第１導電型用電極が接触している前記半導体基板の領域である第１のコンタクト領域および前記第２導電型用電極が接触している前記半導体基板の領域である第２のコンタクト領域の少なくとも一方に対応する領域に前記錫含有半田層が設置されていない、配線シート付き太陽電池セル。
【請求項２】
前記第１導電型用電極および前記第２導電型用電極の少なくとも一方の幅方向の中心に対して、該電極に接触する前記錫含有半田層の幅方向の中心の位置がずれている、請求項１に記載の配線シート付き太陽電池セル。
【請求項３】
前記第１のコンタクト領域と前記錫含有半田層との幅方向における最短距離が、前記第１のコンタクト領域と前記第１導電型用銀電極の頂点との高さ方向における最短距離の３倍以上である、請求項１または２に記載の配線シート付き太陽電池セル。
【請求項４】
前記第２のコンタクト領域と前記錫含有半田層との幅方向における最短距離が、前記第２のコンタクト領域と前記第２導電型用銀電極の頂点との高さ方向における最短距離の３倍以上である、請求項３に記載の配線シート付き太陽電池セル。
【請求項５】
前記第１導電型用電極の幅方向の中心に対して、該第１導電型用電極に接触する錫含有半田層の幅方向の中心の位置がずれているとともに、該第１導電型用電極に接触している前記半導体基板の領域である第１のコンタクト領域の幅方向の中心の位置が前記錫含有半田層の幅方向の中心の位置とは逆側にずれている、請求項１から４のいずれかに記載の配線シート付き太陽電池セル。
【請求項６】
前記第２導電型用電極の幅方向の中心に対して、該第２導電型用電極に接触する錫含有半田層の幅方向の中心の位置がずれているとともに、該第２導電型用電極に接触している前記半導体基板の領域である第２のコンタクト領域の幅方向の中心の位置が前記錫含有半田層の幅方向の中心の位置とは逆側にずれている、請求項５に記載の配線シート付き太陽電池セル。
【請求項７】
前記錫含有半田層が少なくとも錫とビスマスとを含む、請求項１から６のいずれかに記載の配線シート付き太陽電池セル。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の配線シート付き太陽電池セルを含む、太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電荷に変換する複数の光電変換素子と、前記光電変換素子の電荷を保持する第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域に電気的に接続されたゲート電極を有するＭＯＳトランジスタと、第２の半導体領域と、を有する半導体基板と、
前記半導体基板を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配される金属配線層と、
前記第１の半導体領域と、前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極とを前記金属配線層を介さずに、電気的に接続する局所配線と、
前記第２の半導体領域と、前記金属配線層とを、電気的に接続するコンタクトと、を有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記絶縁膜に局所配線のための溝を形成するステップと、
前記絶縁膜にコンタクトのためのコンタクトホールを形成するステップと、
前記溝と、前記コンタクトホールに同時に導電体を形成するステップと
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記溝を形成するステップと、前記コンタクトホールを形成するステップは、同時に行うことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
さらに、前記絶縁膜の下に、エッチングストッパー膜を形成するステップを有することを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電体は、主として高融点金属材料又は高融点シリサイド材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電体は、高融点金属拡散防止層で覆われていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記固体撮像装置は、前記半導体基板に配され、前記第１の半導体領域の電荷を初期化するリセットＭＯＳトランジスタを有し、
さらに、前記リセットＭＯＳトランジスタのソース領域又はドレイン領域と前記局所配線とが接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記局所配線は、前記複数の光電変換素子の間に形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
光を電荷に変換する複数の光電変換素子と、前記光電変換素子の電荷を保持する第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域に電気的に接続されたゲート電極を有するＭＯＳトランジスタと、第２の半導体領域と、を有する半導体基板と、
前記半導体基板を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配される金属配線層と、
前記絶縁膜内に配され、前記第１の半導体領域と前記ゲート電極とを、前記金属配線層を介さずに、電気的に接続する局所配線と、
前記絶縁膜内に配され、前記第２の半導体領域と前記金属配線層とを接続するコンタクトと
を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１の半導体領域は前記複数の光電変換素子のそれぞれに対応して配され、
前記局所配線は、前記複数の光電変換素子のそれぞれに対応して配された複数の第１の半導体領域と、前記ゲート電極とを、前記金属配線層を介さずに、電気的に接続することを特徴とする請求項８記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記局所配線は、前記複数の光電変換素子の間に配されていることを特徴とする請求項８又は９記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
さらに、リセットトランジスタと、前記局所配線とは別の局所配線とを有し、前記リセットトランジスタは、前記局所配線と前記別の局所配線との間に配されていることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、光を電荷に変換する複数の光電変換素子と、前記光電変換素子の電荷を保持する第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域に電気的に接続されたゲート電極を有するＭＯＳトランジスタと、第２の半導体領域と、を有する半導体基板と、前記半導体基板を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に配される金属配線層と、前記第１の半導体領域と、前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極とを前記金属配線層を介さずに、電気的に接続する局所配線と、前記第２の半導体領域と、前記金属配線層とを、電気的に接続するコンタクトと、を有する固体撮像装置の製造方法であって、前記絶縁膜に局所配線のための溝を形成するステップと、前記絶縁膜にコンタクトのためのコンタクトホールを形成するステップと、前記溝と、前記コンタクトホールに同時に導電体を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月11日(2012.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続端子を有する配線基板と、
前記配線基板上に積層された、パッドを有する複数の半導体チップと、
一方の端部が前記複数の半導体チップの前記パッドと接続され、他方の端部が前記複数の半導体チップの側面から突出する導電性連結材と、
前記複数の半導体チップにおける前記導電性連結材の前記他方の端部と前記配線基板の前記接続端子とを接続する導電性部材と、を有し、
前記複数の半導体チップの側面には前記複数の半導体チップの各々を構成する導電性材料が露出しており、前記複数の半導体チップの側面と前記導電性部材との間には間隙が設けられ、
前記導電性部材は、導電性ペースト、又は、はんだの何れか一の材料であり、
前記複数の半導体チップ、前記導電性連結材、前記導電性部材、及び前記間隙は、同一の封止樹脂により覆われている半導体チップ積層体。
【請求項２】
前記配線基板上に積層された前記複数の半導体チップのうち、隣接する半導体チップにおいて、前記導電性連結材の前記他方の端部が異なる方向に突出している請求項１記載の半導体チップ積層体。
【請求項３】
前記配線基板上に積層された前記複数の半導体チップのうち、少なくとも１つの半導体チップは、他の半導体チップと大きさが異なる請求項１又は２記載の半導体チップ積層体。
【請求項４】
前記配線基板上に積層された前記複数の半導体チップのうち、前記配線基板に対向する半導体チップは、前記配線基板とフリップチップ接続されている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体チップ積層体。
【請求項５】
前記導電性部材は、チクソ性を有する材料である請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体チップ積層体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体チップ積層体は、接続端子を有する配線基板と、前記配線基板上に積層された、パッドを有する複数の半導体チップと、一方の端部が前記複数の半導体チップの前記パッドと接続され、他方の端部が前記複数の半導体チップの側面から突出する導電性連結材と、前記複数の半導体チップにおける前記導電性連結材の前記他方の端部と前記配線基板の前記接続端子とを接続する導電性部材と、を有し、前記複数の半導体チップの側面には前記複数の半導体チップの各々を構成する導電性材料が露出しており、前記複数の半導体チップの側面と前記導電性部材との間には間隙が設けられ、前記導電性部材は、導電性ペースト、又は、はんだの何れか一の材料であり、前記複数の半導体チップ、前記導電性連結材、前記導電性部材、及び前記間隙は、同一の封止樹脂により覆われていることを要件とする。