【事件の表示】
　平成　７年特許願第２７１３３０号「配線基板とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　５月　２日出願公開、特開平　９−１１３９３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　 
１．手続の経緯 
　 
　本願は、平成７年１０月１９日に出願したものであって、平成１６年７月２６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月３１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。 
　 
２．平成１６年８月３１日付けの手続補正についての補正却下の決定 
　 
［補正却下の決定の結論］ 
　 
　平成１６年８月３１日付けの手続補正を却下する。 
　 
　［理由］ 
　 
　（１）補正後の本願発明 
　 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、 
　「【請求項１】
　複数本のゲート配線と、該ゲート配線を覆う第１の絶縁層と、該ゲート配線に接続するゲート引き出し端子と、該第１の絶縁層の上の複数本のソースドレイン配線と、該ソースドレイン配線を覆う第２の絶縁層と、該ソースドレイン配線に接続するソースドレイン引き出し端子のそれぞれが、少なくとも形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板において、
　該ＴＦＴにコンタクトホールを介して接続される該第２の絶縁層上の画素電極をさらに有し、
　該ゲート引き出し端子および該ゲート引き出し端子とゲート配線とを接続するゲート接続線と該ソースドレイン引き出し端子および該ソースドレイン引き出し端子とソースドレイン配線とを接続するソースドレイン接続線が、該画素電極膜より形成され、
　該ゲート接続線と該ゲート配線とが、該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールを介して接続され、
　該ソースドレイン接続線と該ソースドレイン配線とが、該第２の絶縁層に設けたコンタクトホールを介して接続されてなり、
　該ゲート引き出し端子が該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールより表示領域外の該第２の絶縁層上にあること
　を特徴とする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板。」と補正された。 
　 
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「該ゲート引き出し端子が該第２の絶縁層上にある」の該第２の絶縁層上の場所について「該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールより表示領域外の」との限定を付加するものであって、特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　 
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　 
　（２）記載不備
　本件補正後の請求項１の記載は上記のとおりであるが、その「該ゲート引き出し端子が該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールより表示領域外の該第２の絶縁層上にある」との記載は、「該ゲート引き出し端子が該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールより外であり、かつ、表示領域外の該第２の絶縁層上にある」ことを意味しているのか、「該ゲート引き出し端子が該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールより表示領域外側方向の該第２の絶縁層上にある」ことを意味しているのかが明確でなく、特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本件補正後の特許請求の範囲の記載は特許法３６条６項に規定する要件を満たしていないから、本件特許出願は独立して特許を受けることができない。
　
　（３）進歩性
　
　ア．刊行物記載の発明 
　 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−１６５０５９号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が、図面と共に記載されている。 
　
　（ア）「【０００３】図７は従来の薄膜トランジスタの断面図であり、ここでは、アクティブマトリックス液晶表示素子に用いる薄膜トランジスタパネル（以下ＴＦＴパネルという）に形成されているものを示している。」、
　
　（イ）「【００４５】［工程１］まず、図１（ａ）に示すように、ガラス等からなる透明な基板１０上にゲート電極ＧおよびゲートラインＧＬ（図３参照）を形成する。このゲート電極ＧおよびゲートラインＧＬは、基板１０上にゲート用金属膜１１を成膜し、この金属膜１１をフォトリソグラフィ法によりパターニングして形成する。なお、図１（ａ）において図上右端に示した金属膜１１は、ゲートライン端子部ＧＬａの下層膜である。
【００４６】［工程２］次に、上記図１（ａ）に示したように、上記基板１０上に、上記ゲート電極ＧおよびゲートラインＧＬを覆って、ゲート絶縁膜１２と、ｉ型半導体層１３と、ｎ型半導体層１４と、コンタクト層１５とを順次成膜する。」、
「【００４９】［工程５］次に、図１（ｄ）に示すように、上記ソース，ドレイン用金属膜１６をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ソース，ドレイン電極Ｓ，ＤおよびデータラインＤＬ（図３参照）を形成するとともに、このソース，ドレイン用金属膜１６のパターニングに用いたレジストマスク１９を利用して、上記コンタクト層１５をソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄの形状にパターニングする。なお、図１（ｄ）において図上右側に示した金属膜１６は、データライン端子部ＤＬａの下層膜である。」、
「【００５７】［工程７］まず、上記レジストマスク１９を剥離し、この後、図２（ｅ）に示すように、ゲート絶縁膜１２の上に上記薄膜トランジスタ３０を覆って保護絶縁膜１７を成膜する。
【００５８】［工程８］次に、図２（ｆ）に示すように、上記保護絶縁膜１７をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、上記薄膜トランジスタ３０のソース電極Ｓに対応するコンタクト孔１７ａと、データライン端子部ＤＬａおよびゲートライン端子部ＧＬａに対応する開口１７ｂ，１７ｃとを形成するとともに、ゲート絶縁膜１２にも、上記ゲートライン端子部ＧＬａに対応する開口１２ａを形成する。
【００５９】［工程９］次に、図２（ｇ）に示すように、ＩＴＯ膜等の透明導電膜１８を成膜する。このとき、透明導電膜１８は、上記保護絶縁膜１７に設けたコンタクト孔１７ａと開口１７ｂ，１７ｃおよびゲート絶縁膜１２の開口１２ａ内にも成膜され、薄膜トランジスタ３０のソース電極Ｓ上と、データライン端子部ＤＬａおよびゲートライン端子部ＧＬａの下層膜（ソース，ドレイン用金属膜およびゲート用金属膜）１６，１１の上に積層する。
【００６０】［工程１０］次に、図２（ｈ）に示すように、上記透明導電膜１８をフォトリソグラフィ法により画素電極２０とデータライン端子部ＤＬａおよびゲートライン端子部ＧＬａの上層膜の形状にパターニングし、ＴＦＴパネルを完成する。」
　
　（ウ）引用例に記載のＴＦＴパネルにはゲートライン及びデータラインがそれぞれ複数本形成されていることは当業者に自明である。
　
　（エ）引用例に記載のゲートライン端子部及びデータライン端子部を表示領域内に形成すると液晶表示素子に用いた際に表示に支障が出るため、ゲートライン端子部及びデータライン端子部は表示領域外に形成されていることは当業者に自明である。
　
　上記（ア）〜（エ）によれば、引用例には、次の発明（以下「引用例発明」という。）が記載されていると認めることができる。 
　
「基板上にゲート用金属膜を成膜し、この金属膜をパターニングして、複数の、ゲート電極、ゲートライン及びゲートライン端子部の下層膜を形成し、次に、ゲート絶縁膜と、ｉ型半導体層と、ｎ型半導体層と、コンタクト層とを順次成膜し、次にパターニングして、複数の、ソース，ドレイン電極、データライン及びデータライン端子部の下層膜を形成し、次に、ゲート絶縁膜の上に薄膜トランジスタを覆って保護絶縁膜を成膜し、次に、ソース電極に対応するコンタクト孔１７ａと、データライン端子部およびゲートライン端子部に対応する開口１７ｂ，１７ｃとを形成するとともに、ゲート絶縁膜にも、上記ゲートライン端子部に対応する開口１２ａを形成し、その後、透明導電膜を成膜することにより、透明導電膜は、上記保護絶縁膜に設けたコンタクト孔と各開口およびゲート絶縁膜の開口内にも成膜され、薄膜トランジスタのソース電極上と、データライン端子部およびゲートライン端子部の下層膜の上に積層され、次に、上記透明導電膜を画素電極とデータライン端子部およびゲートライン端子部の上層膜の形状にパターニングして完成したアクティブマトリックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネルであって、上記ゲートライン端子部は表示領域外に形成されているＴＦＴパネル」
　 
　イ．対比 
　 
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを比較する。 
　 
　引用例発明の「ゲートライン」、「ゲート絶縁膜」、「ゲートライン端子」、「データライン」、「保護絶縁膜」、「データライン端子」、「薄膜トランジスタ」、「コンタクト孔にも成膜された透明導電膜をパターニングした画素電極」、「透明導電膜」、「開口１７ｃ及び開口１２ａ」、「開口１７ｂ」及び「ＴＦＴパネル」は、それぞれ、本願補正発明の「ゲート配線」、「第１の絶縁層」、「ゲート引き出し端子」、「ソースドレイン配線」、「第２の絶縁層」、「ソースドレイン引き出し端子」、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」、「コンタクトホールを介して接続される該第２の絶縁層上の画素電極」、「画素電極膜」、「該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホール」、「該第２の絶縁層に設けたコンタクトホール」及び「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」に相当する。 
　 
　引用例発明における「ゲートライン端子部」は、本願補正発明における「ゲート引き出し端子および該ゲート引き出し端子とゲート配線とを接続するゲート接続線」と、ゲート配線の外部接続手段である意味で一致している。
　
　同様に、引用例発明における「データライン端子部」は、本願補正発明における「ソースドレイン引き出し端子および該ソースドレイン引き出し端子とソースドレイン配線とを接続するソースドレイン接続線」と、ソースドレイン配線の外部接続手段である意味で一致している。
　
　したがって、両発明は、「複数本のゲート配線と、該ゲート配線を覆う第１の絶縁層と、該ゲート配線に接続するゲート配線外部接続手段と、該第１の絶縁層の上の複数本のソースドレイン配線と、該ソースドレイン配線を覆う第２の絶縁層と、該ソースドレイン配線に接続するソースドレイン配線外部接続手段のそれぞれが、少なくとも形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板において、該ＴＦＴにコンタクトホールを介して接続される該第２の絶縁層上の画素電極をさらに有し、該ゲート配線外部接続手段と該ソースドレイン配線外部接続手段が、該画素電極膜より形成され、該ゲート配線外部接続手段と該ゲート配線とが、該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールを介して接続され、該ソースドレイン配線外部接続手段と該ソースドレイン配線とが、該第２の絶縁層に設けたコンタクトホールを介して接続されてなり、該ゲート配線外部接続手段が表示領域外の該第２の絶縁層上にある薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板。」の点で一致し、以下の点で相違している。 
　 
［相違点］ 
　
　ａ．前記「ゲート配線外部接続手段」が、本願補正発明においては、「ゲート引き出し端子」と「ゲート接続線」とに区別され、該ゲート接続線は「ゲート引き出し端子とゲート配線とを接続する」もので、コンタクトホールを介してゲート配線と接続する部分であって、該ゲート引き出し端子は第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールより表示領域外であるのに対して、引用例発明においては、そのような区別はなく、端子とコンタクトホールは重ねて同じ場所に配置されている点。
　
　ｂ．前記「ソースドレイン配線外部接続手段」が、本願補正発明においては、「ソースドレイン引き出し端子」と「ソースドレイン接続線」とに区別され、該ソースドレイン接続線は「ソースドレイン引き出し端子とソースドレイン配線とを接続する」もので、コンタクトホールを介してソースドレイン配線と接続する部分であるのに対して、引用例発明においては、そのような区別はなく、端子とコンタクトホールは重ねて同じ場所に配置されている点。
　 
　ウ．判断 
　 
　上記相違点ａ、ｂについて検討する。 
　 
　端子部と配線とをコンタクトホールを介して接続する際に、外部と接続する端子とコンタクトホールを介して下層の配線と接続する接続線とを区別し、端子はコンタクトホールより表示領域外側方向に配置することは、アクティブマトリックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネルの技術分野において周知であり（例．原審における拒絶の理由に引用した特開平７−１４７４１０号公報（図１（Ａ）、図１（Ｂ）参照。）、同じく原審における拒絶の理由に引用した特開平５−５３１２７号公報（図１Ｄ、図３参照。））、端子とコンタクトホールを引用例発明のように同じ箇所に配置するか、上記周知技術のように、端子をコンタクトホールより表示領域外側方向に配置するかは、当業者が適宜選択することができた設計事項と認められる。そして、引用例発明の「ゲート配線外部接続手段」及び「ソースドレイン配線外部接続手段」にこの周知技術を採用することに困難な点はない。
　よって、上記相違点ａ、ｂは、引用例発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　 
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　なお、請求人は、審判請求書において、「ゲート引き出し端子、ゲート接続線、ソースドレイン引き出し端子、及びソースドレイン接続線を画素電極膜で形成することができるので、分割露光において必要とする露光マスクの枚数と露光回数（ショット数）を低減し、積層構成の配線基板の生産性向上とコストダウンを図ることができる」との効果を主張している。
　しかし、上記「分割露光において必要とする露光マスクの枚数と露光回数（ショット数）を低減」できるとの効果は、特定の分割露光を前提としての製造方法の発明に関する効果であるから、請求項１に係る発明の範囲外の主張というべきであって、これを斟酌することはできない。
　「ゲート引き出し端子、ゲート接続線、ソースドレイン引き出し端子、及びソースドレイン接続線を画素電極膜で形成することができるので、積層構成の配線基板の生産性向上とコストダウンを図ることができる」との効果は、引用例発明及び上記周知技術の効果の総和以上のものではなく格別のものではない。
　 
　（４）むすび 
　 
　以上のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。 
　 
３．本願発明について 
　 
（１）本願発明 
　 
　平成１６年８月３１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年３月２６日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。  
　「【請求項１】
　複数本のゲート配線と、該ゲート配線を覆う第１の絶縁層と、該ゲート配線に接続するゲート引き出し端子と、該第１の絶縁層の上の複数本のソースドレイン配線と、該ソースドレイン配線を覆う第２の絶縁層と、該ソースドレイン配線に接続するソースドレイン引き出し端子のそれぞれが、少なくとも形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板において、
　該ＴＦＴにコンタクトホールを介して接続される該第２の絶縁層上の画素電極をさらに有し、
　該ゲート引き出し端子および該ゲート引き出し端子とゲート配線とを接続するゲート接続線と該ソースドレイン引き出し端子および該ソースドレイン引き出し端子とソースドレイン配線とを接続するソースドレイン接続線が、該画素電極膜より形成され、
　該ゲート接続線と該ゲート配線とが、該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールを介して接続され、
　該ソースドレイン接続線と該ソースドレイン配線とが、該第２の絶縁層に設けたコンタクトホールを介して接続されてなり、
　該ゲート引き出し端子が該第２の絶縁層上にあること
　を特徴とする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板。」（以下、「本願発明」という。） 
　 
　（２）引用例 
　 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記「２．（３）ア．」に記載したとおりである。　 
　 
　（３）対比・判断 
　 
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「該ゲート引き出し端子が該第２の絶縁層上にある」の限定事項である「該第１及び第２の絶縁層を貫通して形成されたコンタクトホールより表示領域外の」との限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（３）ウ．に記載したとおり、引用例及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
　（４）むすび 
　 
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。