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【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジアセトンアクリルアミド単位を０．１〜１５ｍｏｌ％含有するジアセトンアクリルアミド共重合変性ポリビニルアルコールと、下記一般式（Ｉ）
【化１】
2011215476.tif 000001
（上式中、Ｒ１及びＲ２は、独立して炭素原子数１〜５のアルキル基であり、Ｒ３及びＲ４は、独立して炭素原子数１〜５のアルキル基であり、ｐ及びｑは同一であっても異なっていてもよい１〜３の整数であり、ｍ及びｎは同一であっても異なっていてもよい零又は正の整数であり、ｍ＋ｎは０〜６０である。）
で表される界面活性剤を少なくとも含有する、平版印刷版原版の保護層形成用組成物。
【請求項２】
さらに、水素添加レシチンを含有する請求項１に記載の保護層形成用組成物。
【請求項３】
さらに、平均粒径１〜１０μｍのマット剤を含有する請求項１または２に記載の保護層形成用組成物。
【請求項４】
支持体上に、（Ａ）赤外線吸収剤、（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）重合性開始剤、及び（Ｄ）重合性化合物を少なくとも含有する画像形成用組成物を塗布して形成された感光層と、該感光層上に前記請求項１〜３のいずれかに記載の保護層形成用組成物を塗布して形成された保護層とを備えた平版印刷版原版。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月9日(2012.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像装置のソフトボタン属性変更方法であって、
タッチスクリーンを通じてソフトボタンを指定し、前記指定されたソフトボタンの属性を変更する要請を受信する段階と、
前記要請に応答して前記指定されたソフトボタンと関連した属性項目を示すウィンドーを提供する段階と、
前記ウィンドーで一つの前記属性項目を選択する命令を受信する段階と、
前記選択された属性項目に該当する属性値を変更するための変更情報を受信する段階と、
前記変更情報に基づいて前記指定されたソフトボタンの前記属性を変更する段階と
を備えることを特徴とする映像装置のソフトボタン属性変更方法。
【請求項２】
前記属性を変更する段階は、
前記指定されたソフトボタンの境界を抽出する段階と、
前記指定されたソフトボタンの前記抽出された境界上に多数のマーカを表示する段階と、
前記多数のマーカを調節するための命令を受信する段階と、
前記指定されたソフトボタンの前記境界を前記調節された多数のマーカに合せる段階と
を備えることを特徴とする、請求項１に記載の映像装置のソフトボタン属性変更方法。
【請求項３】
前記指定されたソフトボタンの前記変更された属性値を格納する段階をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の映像装置のソフトボタン属性変更方法。
【請求項４】
前記属性は、大きさ、回転角、境界線の太さ、背景色及び境界線の形状であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の映像装置のソフトボタン属性変更方法。
【請求項５】
ユーザが命令を入力することができるように多数のソフトボタンを表示し、前記ソフトボタンの中で一つが指定され、前記指定されたソフトボタンの属性を変更するための要請と前記指定されたソフトボタンの属性値を変更するための属性変更情報との入力を受けるタッチスクリーンと、
前記属性変更情報に基づいて前記指定されたソフトボタンの前記属性値を変更するように動作する制御部と、
前記ソフトボタンの前記属性を格納する格納部と
を備えることを特徴とする映像装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記要請に応答して前記指定されたソフトボタンと関連した前記属性を前記格納部から抽出し、
前記抽出された属性を示すウィンドーを前記タッチスクリーンに表示するように制御し、
前記属性変更情報に応答して前記指定されたソフトボタンの境界を抽出し、
前記抽出された境界上に多数のマーカを設定し、
前記属性変更情報に基づいて前記多数のマーカを調節し、
前記指定されたソフトボタンの属性境界を前記調節された多数のマーカに合わせられるように前記指定されたソフトボタンの前記境界を調節するように動作することを特徴とする、請求項５に記載の映像装置。
【請求項７】
前記属性は、前記指定されたソフトボタンの大きさ、回転角、境界線の太さ、背景色及び境界線の形状を備えることを特徴とする、請求項５または６に記載の映像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロウアドレスとカラムアドレスによって定められるアドレス空間を有し、定期的なリフレッシュを必要とするシンクロナスダイナミック型ランダムアクセスメモリに、１フレーム分の画像データを書き込む、もしくは、該書き込んだデータを読み出すためのアクセスを行うアクセス方法であって、
前記アドレス空間内に前記１フレーム分の画像データを格納するためのアクセス領域を、１つのロウアドレスと所定の範囲のコラムアドレスとによって定められるブロックを前記ロウアドレスの方向に所定のロウアドレス範囲の全体にわたって配列した２以上の完全ブロック列を、前記コラムアドレスの方向に配列することにより設定し、
前記ロウアドレスの方向に配列したブロックに順にアクセスすることにより、そのブロックに属するメモリセルおよび同一のロウアドレスを有する他のブロックに属するメモリセルに対してリフレッシュしたと同じ効果を発生させる操作を、１フレーム期間内に前記２以上の完全ブロック列に対して順に行うことを特徴とするメモリアクセス方法。
【請求項２】
前記アドレス空間はｎ個（ｎは２以上の整数）のバンクに区分けされており、
前記アクセス領域の設定を、前記ｎ個のバンクのそれぞれに２以上の前記完全ブロック列を配列することによって行い、
前記ロウアドレスの方向に配列されたブロックに順にアクセスする操作が、該ブロックのそれぞれに対して、前記ｎ個のバンクに配列された対応するブロックに順にアクセスする操作を含むことを特徴とする請求項１記載のメモリアクセス方法。
【請求項３】
前記アクセス領域を、前記２以上の完全ブロック列に加えて、前記ブロックを前記ロウアドレスの方向に前記所定のロウアドレス範囲の一部のみに配列した不完全ブロック列を、前記コラムアドレスの方向に配列することによって設定し、
前記ロウアドレスの方向に配列したブロックに順にアクセスする操作を、前記２以上の完全ブロック列および不完全ブロック列に対して順に行うことを特徴とする請求項１または２記載のメモリアクセス方法。
【請求項４】
前記１フレーム分の画像データが所定のワード数を有し、該所定のワード数が変化したときに、前記コラムアドレスの所定の範囲を変化させずに前記所定のロウアドレス範囲を変化させることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のメモリアクセス方法。
【請求項５】
ロウアドレスとカラムアドレスによって定められるアドレス空間を有し、定期的なリフレッシュを必要とするシンクロナスダイナミック型ランダムアクセスメモリに、１フレーム分の画像データを書き込む、もしくは、該書き込んだデータを読み出すためのアクセスを制御するメモリ制御装置であって、
前記アドレス空間内に前記１フレーム分の画像データを格納するためのアクセス領域を、１つのロウアドレスと所定の範囲のコラムアドレスとによって定められるブロックを前記ロウアドレスの方向に所定のロウアドレス範囲の全体にわたって配列した２以上の完全ブロック列を、前記コラムアドレスの方向に配列することにより設定するアクセス領域設定部と、
前記ロウアドレス方向に配列されたブロックに順にアクセスすることにより、そのブロックに属するメモリセルおよび同一のアドレスを有する他のブロックに属するメモリセルに対してリフレッシュしたと同じ効果を発生させる操作を、１フレーム期間内に前記２以上の完全ブロック列に対して順に行うように前記メモリにアドレス信号およびアクセス制御信号を供給するアクセス制御部とを備えることを特徴とするメモリ制御装置。
【請求項６】
前記アドレス空間は、ｎ個（ｎは２以上の整数）のバンクに区分けされており、
前記アクセス領域設定部は、前記アクセス領域の設定を、前記ｎ個のバンクのそれぞれに２以上の前記完全ブロック列を配列することによって行い、
前記アクセス制御部は、前記ロウアドレス方向に配列されたブロックに順にアクセスする操作が、該ブロックのそれぞれに対して、前記ｎ個のバンクのそれぞれに配列された対応するブロックに順にアクセスする操作を含むように前記アドレス信号およびアクセス制御信号を前記メモリに供給することを特徴とする請求項５記載のメモリ制御装置。
【請求項７】
前記アクセス領域設定部が、前記２以上の完全ブロック列に加えて、前記ブロックを前記ロウアドレスの方向に前記所定のロウアドレス範囲の一部のみに配列した不完全ブロック列を、前記コラムアドレスの方向に配列することによって前記アクセス領域を設定し、
前記アクセス制御部が、前記ロウアドレスの方向に配列したブロックに順にアクセスする操作を、前記２以上の完全ブロック列および不完全ブロック列に対して順に行うように前記メモリにアドレス信号およびアクセス制御信号を供給することを特徴とする請求項５または６記載のメモリ制御装置。
【請求項８】
前記１フレーム分の画像データが所定のワード数を有し、
前記アクセス領域設定部が、所定のワード数が変化したときに前記コラムアドレスの所定の範囲を変化させずに前記所定のロウアドレス範囲を変化させるロウアドレス範囲設定部を備えることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載のメモリ制御装置。
【請求項９】
前記ロウアドレス範囲設定部が、外部から入力された前記所定のワード数を示す信号に応じて前記所定のロウアドレス範囲を変化させることを特徴とする請求項８記載のメモリ制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
種結晶を用いた昇華システムにおいて炭化珪素の高品質バルク単結晶を製造する方法であって、
ＳｉＣウェーハの成長表面を研磨するステップと、
前記研磨されたＳｉＣウェーハをるつぼ内に導入するステップと、
炭化珪素ソース材料を前記るつぼ内に供給するステップと、
前記炭化珪素ソース材料を昇華させ、前記炭化珪素ソース材料と前記ＳｉＣウェーハとの間に熱勾配を形成するように前記るつぼを加熱するステップであって、前記ソース材料の前記研磨されたＳｉＣウェーハへの気相移動と、前記ＳｉＣウェーハの前記研磨された成長表面における前記ソース材料の凝縮とを促進させることで、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径を有し、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を製造するためのステップと、
を含み、
さらに、前記導入するステップに先立ち、ＳｉＣ種結晶ホルダをアニールするステップと、前記研磨されたＳｉＣウェーハを前記アニールされた種結晶ホルダに取り付けるステップとを含み、前記導入するステップは、前記アニールされた種結晶ホルダと、前記研磨され取り付けられたＳｉＣウェーハとを前記るつぼ内に配置するステップを含む方法。
【請求項２】
前記加熱するステップにおいて炭化珪素の単結晶を形成するステップは、前記加熱するステップにおいて２０００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加熱するステップにおいて炭化珪素の単結晶を形成するステップは、前記加熱するステップにおいて１５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記加熱するステップにおいて炭化珪素の単結晶を形成するステップは、前記加熱するステップにおいて１２００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する炭化珪素の単結晶を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ウェハを研磨するステップは、化学機械研磨を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記研磨するステップに先立ち、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径を有するＳｉＣブールを成長させるステップと、前記ＳｉＣブールからＳｉＣウェハをスライスするステップとをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径を有し、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する前記炭化珪素の単結晶は、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択される単一ポリタイプを有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径を有し、２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有する前記炭化珪素の単結晶から２５００ｃｍ−２未満の１ｃらせん転位密度を有するウェハをスライスするステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
種結晶使用昇華システムにおいて炭化珪素（ＳｉＣ）のバルク単結晶を生産する方法において、
直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを成長させるステップと、
前記ＳｉＣブールを薄切りにして少なくとも１つのウェハを得るステップと、
その後、内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一となり、かつ、前記ウェハにおける歪みが約０．０５μｍ〜約５μｍの範囲で、反りが約０．０５μｍ〜約５μｍの範囲で、ＴＴＶが約０．５μｍ〜約２μｍの範囲となるように、前記ウェハをラッピングするステップと
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、該方法はさらに、前記ウェハを研磨するステップを備えていることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の方法において、ＳｉＣブールを成長させるステップは、ＳｉＣの種結晶使用昇華成長から成ることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記ＳｉＣの種結晶使用昇華成長は、単結晶ポリタイプの種結晶使用昇華成長から成ることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、前記単結晶ポリタイプは、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、及び１５Ｒポリタイプから成るグループから選択されることを特徴とする方法。
【請求項６】
単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハであって、
直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）であり、
前記ウェハの歪みが約０．０５μｍ〜約５μｍの範囲で、反りが約０．０５μｍ〜約５μｍの範囲で、ＴＴＶが約０．５μｍ〜約２μｍの範囲と約５μｍ未満である
ことを特徴とするウェハ。
【請求項７】
請求項６記載のウェハにおいて、該ウェハは、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、及び１５Ｒポリタイプから成るグループから選択されたポリタイプを有することを特徴とするウェハ。
【請求項８】
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハはさらに、該ウェハの表面上に少なくとも１つのエピタキシャル層を備え、該エピタキシャル層はＩＩＩ族窒化物及び炭化珪素からなるグループから選択された材料で構成されていることを特徴とするウェハ。
【請求項９】
請求項８記載のウェハにおいて、前記ＩＩＩ族窒化物は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、及びこれら組み合わせから成るグループから選択されることを特徴とするウェハ。
【請求項１０】
請求項７〜９いずれかに記載のウェハにおいて、該ウェハは、基板上に設けられた複数のデバイスを備え、該デバイスの各々は、
エピタキシャル層であって、該エピタキシャル層を第１導電型にするのに適したドーパント原子濃度と、ソース、チャネル、及びドレイン部分のそれぞれとを有する、エピタキシャル層と、
前記チャネル部分上にある金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上にある金属ゲート・コンタクトであって、該金属ゲート・コンタクトにバイアスが印加されたときにアクティブ・チャネルを形成するための金属ゲート・コンタクトと、
を備えていることを特徴とするウェハ。
【請求項１１】
請求項７〜９いずれかに記載のウェハにおいて、該ウェハは、基板上に設けられた複数のデバイスを備え、該デバイスの各々は、
前記基板上にある導電性チャネルと、
前記導電性チャネル上にあるソース及びドレインと、
前記導電性チャネル上の前記ソース及び前記ドレインの間にある金属ゲート・コンタクトであって、該金属ゲート・コンタクトにバイアスが印加されたときにアクティブ・チャネルを形成するための金属ゲート・コンタクトと、
を備えていることを特徴とするウェハ。
【請求項１２】
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数の接合型電界効果トランジスタを備えていることを特徴とするウェハ。
【請求項１３】
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数のヘテロ電界効果トランジスタを備えていることを特徴とするウェハ。
【請求項１４】
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数のダイオードを備えていることを特徴とするウェハ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（ａ）〜（ｅ）及び水を含有し、
（ａ）ユーカリエキスを乾燥質量として０．００００１〜１質量％
（ｂ）血行促進剤としてセンブリエキス、ビタミンＥ類、及びニコチン酸類から選ばれる少なくとも一種を０．００００１〜１０質量％
（ｃ）抗炎症剤としてグリチルレチン類を０．０００１〜５質量％
（ｄ）アクリル酸／アクリル酸アルキル（Ｃ１０−３０）コポリマーを０．００１〜３質量％
（ｅ）エタノールを２０〜６０質量％
更に、塩基性物質として、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、又は２−アミノ−２−メチル−１−プロパノールを含有する水性頭皮外用剤。
【請求項２】
成分（ｅ）を２３〜４０質量％、水を５０〜７３質量％含有する請求項１記載の水性頭皮外用剤。
【請求項３】
成分（ｂ）としてセンブリエキスを含有する場合、蒸発残分として０．００１〜０．０５質量％含有し、ビタミンＥ類もしくはニコチン酸類を含有する場合、０．０１〜０．５質量％含有する請求項１又は２に記載の水性頭皮外用剤。
【請求項４】
成分（ａ）を乾燥質量として０．００１〜０．０５質量％、成分（ｃ）を０．０１〜０．５質量％、成分（ｄ）を０．０１〜１質量％含有する請求項１〜３のいずれかに記載の水性頭皮外用剤。
【請求項５】
発毛あるいは伸長してくる毛髪のハリコシ及びツヤ改善用である請求項１〜４のいずれかに記載の水性頭皮外用剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性ポリイミド由来のブロック成分を有する非熱可塑性ポリイミドを含むポリイミドフィルムの製造方法であって、少なくとも下記工程
（Ａ）有機極性溶媒中で、ジアミン成分（ａ）とこれに対し過剰モル量の酸二無水物成分（ｂ）を用いて、末端に酸無水物基を有するプレポリマーを形成する工程、
（Ｂ）（Ａ）工程で得られたプレポリマーと、酸二無水物成分とジアミン成分とを、全工程において実質的に等モルとなるように用いて非熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を合成する工程
（Ｃ）前記非熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を含む製膜ドープ液を流延し、化学的及び／又は熱的にイミド化する工程
を含み、
（Ａ）工程で用いられるジアミン成分（ａ）および酸二無水物成分（ｂ）は、これらを等モル反応させて得られるポリイミドが熱可塑性ポリイミドとなるように選択するとともに、（Ｂ）工程で得られるポリイミド前駆体は、非熱可塑性ポリイミドの前駆体であり、
上記熱可塑性ポリイミド由来のブロック成分の繰り返し単位ｎが３〜９９であることを特徴とする非熱可塑性ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項２】
熱可塑性ポリイミド由来のブロック成分は非熱可塑性ポリイミド全体の２０〜６０ｍｏｌ％含有されることを特徴とする請求項１記載の非熱可塑性ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項３】
熱可塑性ポリイミド由来のブロック成分を構成するジアミン成分として２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパンを必須成分として用いることを特徴とする請求項１または２記載の非熱可塑性ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項４】
熱可塑性ポリイミド由来のブロック成分の繰り返し単位ｎが４〜９０であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の非熱可塑性ポリイミドフィルムの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子の側方に設けられた少なくとも１つの光学部材と、
を含み、
前記発光素子は、
第１クラッド層と、
第２クラッド層と、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる活性層と、
を有し、
前記活性層は、電流が注入されて光を発生する利得領域を構成し、
前記利得領域は、
平面的に見て、前記活性層の第１側面から前記第１側面と平行な第２側面まで、前記第１側面の垂線に対して傾いて設けられる第１利得領域と、
平面的に見て、前記活性層の前記第１側面から前記第２側面まで、前記第１側面の垂線に対して前記第１利得領域と異なる方向に傾いて設けられる第２利得領域と、を含み、
前記光学部材は、前記第１利得領域の前記第２側面側の端面および前記第２利得領域の前記第２側面側の端面から出射される光を屈折させて、同じ向きに進行させる、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記光学部材における光の入射面は、平面的に見て、入射光の進む向きの垂線に対して傾いている、発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記光学部材における光の出射面は、平面的に見て、出射光の進む向きの垂線に対して傾いている、発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記光学部材から出射される光の進行方向は、前記活性層の前記第２側面の垂線方向である、発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記光学部材における光の入射面は、第１入射面および第２入射面からなり、
前記第１入射面は、平面的に見て、前記活性層の前記第２側面に対して、一方の側に傾いており、
前記第２入射面は、平面的に見て、前記活性層の前記第２側面に対して、他方の側に傾いており、
前記光学部材における光の出射面は、平面的に見て、前記活性層の前記第２側面と平行である、発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記光学部材における光の出射面は、第１出射面および第２出射面からなり、
前記第１出射面は、平面的に見て、前記活性層の前記第２側面に対して、一方の側に傾いており、
前記第２出射面は、平面的に見て、前記活性層の前記第２側面に対して、他方の側に傾いており、
前記光学部材における光の入射面は、平面的に見て、前記活性層の前記第２側面と平行である、発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記第１利得領域の前記第１側面側の端面の一部と、前記第２利得領域の前記第１側面側の端面の一部とは、重なっており、
前記利得領域に生じる光の波長帯において、前記第１側面の反射率は、前記第２側面の反射率よりも高い、発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記利得領域は、平面的に見て、Ｖ字形状である、発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記利得領域では、前記第１側面側から平面的に見て、前記第１側面側の端面と、前記第２側面側の端面とは、重なっていない、発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記発光素子は、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
を有する、発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
１つの前記第１利得領域と１つの前記第２利得領域とを含む利得領域対が、複数配列されており、
前記光学部材は、複数の前記利得領域対の前記第１利得領域の前記第２側面側の端面および前記第２利得領域の前記第２側面側の端面から出射される光を屈折させて、全て同じ向きに進行させる、発光装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記光学部材は、前記発光素子と接している、発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
前記光学部材は、前記発光素子から出射される光の波長に対して透過性を有する、発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかにおいて、
前記光学部材における光の入射領域および出射領域のうちの少なくとも一方は、反射低減部材により覆われている、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１クラッド層と、
第２クラッド層と、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる活性層と、
を含み、
前記活性層は、電流が注入されて光を発生する利得領域を構成し、
前記利得領域は、
前記活性層および前記第２クラッド層の積層方向からの平面視にて、前記活性層の第１側面から当該第１側面に対向する前記活性層の第２側面にわたって、前記第１側面の垂線に対して傾いた第１の方向に延在して設けられる第１利得領域と、
前記積層方向からの平面視にて、前記第１側面から前記第２側面にわたって、前記第１の方向と異なり、かつ前記第１側面の垂線に対して傾いた第２の方向に延在して設けられる第２利得領域と、
を有し、
前記積層方向からの平面視にて、前記第１利得領域と前記第２利得領域とは、前記第１側面の位置において重なって設けられ、
前記利得領域にて発生する光は、前記第１利得領域の前記第２側面側の端面および前記第２利得領域の前記第２側面側の端面から出射される、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記利得領域にて発生する光の波長帯において、前記第１側面の反射率は、前記第２側面の反射率よりも高い、発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１利得領域にて発生する光の一部は、前記第１側面における前記第１利得領域と前記第２利得領域との重なり面において反射して、前記第２利得領域の前記第２側面側の端面から出射され、
前記第２利得領域にて発生する光の一部は、前記重なり面において反射して、前記第１利得領域の前記第２側面側の端面から出射される、発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記積層方向からの平面視における前記第１利得領域の平面形状と、前記積層方向からの平面視における前記第２利得領域の平面形状とは、前記第１側面の垂線に対して線対称である、発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記利得領域は、前記第１側面側からの平面視において、前記第１側面側の端面と、前記第２側面側の端面とは、重なっていない、発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記積層方向からの平面視にて、前記第１側面の垂線に対する前記利得領域の外縁の傾き角θ、前記利得領域の前記第１側面側の端面の幅ｂ、および、前記第１側面と前記第２側面との間の距離Ｌは、下記式（１）を満たす、発光装置。
ｔａｎθ＞ｂ／Ｌ  …（１）
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記積層方向からの平面視にて、前記利得領域の前記第２側面側の端面の幅は、前記第１側面側の端面の幅と同じである、発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記利得領域に生じる光の波長帯において、前記第１側面の反射率Ｒは、下記式（Ｉ）を満たす、発光装置。
Ｒ＞（ｅＧＬ／ｃｏｓθ−１）／（２ｅＧＬ／ｃｏｓθ）  …（Ｉ）
但し、ｅは、自然対数の底であり、Ｇは、ｇ−αであり、ｇは、利得定数であり、αは、内部損失であり、θは、前記積層方向からの平面視における、前記第１側面の垂線に対する前記利得領域の外縁の傾き角であり、Ｌは、前記第１側面と前記第２側面との間の距離である。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
を含む、発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１電極とオーミックコンタクトする第１層と、
前記第２電極とオーミックコンタクトする第２層と、
を含み、
前記第１電極と前記第１層との接触面、および、前記第２電極と前記第２層との接触面のうちの少なくとも一方は、前記積層方向からの平面視における前記利得領域と同じ平面形状を有する、発光装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１クラッド層、前記第２クラッド層、前記活性層、を含んで柱状に形成された柱状部を含み、
前記第１層の前記接触面側の部分および前記第２層の前記接触面側の部分のうちの少なくとも一方は、前記柱状部の少なくとも一部を構成し、
前記柱状部は、前記利得領域と同じ平面形状を有し、
前記柱状部の側方には、絶縁部が設けられており、
前記絶縁部は、前記第１側面と前記第２側面との間において、前記柱状部の側面に接している、発光装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第１側面と前記第２側面との間において、少なくとも前記活性層の側面は、前記絶縁部により覆われている、発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
前記第１利得領域および前記第２利得領域の前記積層方向から平面視における平面形状は、平行四辺形である、発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかにおいて、
前記第１利得領域の前記第２側面側の端面および前記第２利得領域の前記第２側面側の端面から出射される光は、レーザ光ではない光である、発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれかにおいて、
前記利得領域は、複数配列されている、発光装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
複数の前記利得領域の第２側面側の端面は、互いに重なっていない、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１クラッド層と、
第２クラッド層と、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる活性層と、
を含み、
前記活性層は、電流が注入されて光を発生する利得領域を構成し、
前記利得領域は、第１利得部分と、該第１利得部分にて発生する光を受ける位置に前記第１利得部分と離間して位置する第２利得部分と、を有し、
前記第２利得部分は、光を出射する出射端面を有する、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記利得領域は、前記活性層の第１側面側の端面と、前記第１側面と平行な前記活性層の第２側面側の端面と、を有し、
前記利得領域では、前記第１側面側から見て、前記第１側面側の端面と、前記第２側面側の端面とは、重なっておらず、
前記第２側面側の端面は、前記出射端面である、発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記出射端面から出射される光は、レーザ光でない光である、発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第２利得部分の面積は、前記第１利得部分の面積より小さい、発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第２利得部分を構成する層構造は、前記第１利得部分を構成する層構造と異なる、発光装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記第２利得部分を構成する量子井戸構造は、前記第１利得部分を構成する量子井戸構造と異なる、発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記第１側面の反射率は、前記利得領域に生じる光の波長帯において、前記第２側面の反射率よりも高く、
前記利得領域は、一の方向に向かって設けられた第１利得領域と、前記一の方向とは異なる他の方向に向かって設けられた第２利得領域と、を含み、
前記第１利得領域の前記第１側面側の端面のうちの少なくとも一部と、前記第２利得領域の前記第１側面側の端面のうちの少なくとも一部とは、重なって利得領域対をなす、発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記利得領域対は、複数配列されている、発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
前記第１電極とオーミックコンタクトする第１層と、
前記第２電極とオーミックコンタクトする第２層と、
をさらに有し、
前記第１電極と前記第１層との接触面、および、前記第２電極と前記第２層との接触面のうちの少なくとも一方は、前記利得領域と同じ平面形状を有する、発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記活性層は、前記第１利得部分と前記第２利得部分とに挟まれた接続部分を有し、
前記第１層および前記第２層のうちの少なくとも一方は、柱状部の少なくとも一部を構成し、
前記柱状部は、前記利得領域の平面形状と、前記接続部分の平面形状と、を合わせた平面形状を有し、
前記柱状部の側方には、絶縁部が設けられており、
前記絶縁部は、平面的に見て、前記第１側面と前記第２側面との間において、前記柱状部の側面に接している、発光装置。
【請求項１１】
第１クラッド層と、
第２クラッド層と、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる活性層と、
を含み、
前記活性層は、電流が注入されて光を発生する利得領域を構成し、
前記利得領域は、第１利得部分と、前記第１利得部分と離間して位置する第２利得部分と、を有し、
前記第２利得部分は、光を出射する出射端面を有し、
前記第１利得部分と前記第２利得部分とは、一直線上に位置する、発光装置。
【請求項１２】
第１クラッド層と、
第２クラッド層と、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる活性層と、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
を含み、
前記活性層は、前記第１電極および前記第２電極によって電流が注入されて光を発生し、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方は、第１部分、前記第１部分と電気的に分離された第２部分、を有する、発光装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１電極および前記第２電極の各々が、前記第１部分、前記第２部分、を有する、発光装置。
【請求項１４】
第１クラッド層と、
第２クラッド層と、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる活性層と、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
を含み、
前記活性層は、前記第１電極および前記第２電極によって電流が注入されて光を発生し、
前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方は、第１部分、前記第１部分と電気的に分離された第２部分、を有する、発光装置。
【請求項１５】
請求項１２ないし１４のいずれかにおいて、
前記第１部分および前記第２部分は、一直線上に位置する、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置され、少なくとも発光層と第一の有機化合物層と第二の有機化合物層と電子注入層とをこの順に含む積層体と、を有し、
前記第一の有機化合物層を構成する有機化合物が、下記一般式［１］で示される部分構造を含まない芳香族化合物のみからなり、
前記第二の有機化合物層が、下記一般式［１］で示される部分構造を含む芳香族化合物を含み、
前記電子注入層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物が含まれていることを特徴とする有機発光素子。
【化１】
2009238910.tif 000001
（式［１］において、Ａｒはベンゼン環を含む環状構造を表す。）
【請求項２】
前記電子注入層が、有機化合物からなるホストと、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物からなるドナードーパントと、を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記ドナードーパントが無機塩であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記ドナードーパントがアルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩であることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記ドナードーパントがセシウム化合物であることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記ドナードーパントが炭酸セシウムであることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記ドナードーパントが有機塩であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光素子。
【請求項８】
前記第一の有機化合物層を構成する有機化合物がオリゴフルオレン化合物であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記第一の有機化合物層を構成する有機化合物が、フルオレン骨格とベンゼン骨格とを有するフルオレン−フェニル化合物であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９に記載の有機発光素子を備えることを特徴とする照明。
【請求項１１】
請求項１乃至９に記載の有機発光素子を備えることを特徴とするディスプレイ。
【請求項１２】
画像表示部を有し、
前記画像表示部に、請求項１１に記載のディスプレイを備えることを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項１３】
露光光源を有し、
前記露光光源に、請求項１乃至９に記載の有機発光素子が用いられることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置され、少なくとも発光層と第一の有機化合物層と第二の有機化合物層と電子注入層とをこの順に含む積層体と、を有し、
前記第一の有機化合物層を構成する有機化合物が、下記一般式［１］で示される部分構造を含まない芳香族化合物のみからなり、
前記第二の有機化合物層が、下記一般式［１］で示される部分構造を含む芳香族化合物を含み、
前記電子注入層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物が含まれていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の一方の面に光吸収層を選択的に形成し、
液滴吐出装置を用いて、前記光吸収層に接する材料層を選択的に形成し、
前記第１の基板の前記材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、
前記第１の基板の他方の面側から光を前記光吸収層に照射して、前記光吸収層と重なる位置にある前記材料層の少なくとも一部を選択的に加熱し、前記第２の基板の被成膜面に成膜を行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板の一方の面に光吸収層を選択的に形成し、
前記光吸収層を囲む隔壁を選択的に形成し、
前記光吸収層と重なり、且つ、前記隔壁で囲まれた領域に、液滴吐出装置を用いて、材料層を選択的に形成し、
前記第１の基板の前記材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、
前記第１の基板の他方の面側から光を前記光吸収層に照射して、前記光吸収層と重なる位置にある前記材料層の少なくとも一部を選択的に加熱し、前記第２の基板の被成膜面に成膜を行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記隔壁の高さは、前記光吸収層の膜厚よりも高いことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記光吸収層が島状に形成されていることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記材料層は有機化合物からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記光吸収層の膜厚は、１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記光は周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素短繊維を樹脂炭化物で結着してなる多孔質炭素電極基材であって、前記樹脂炭化物の原料樹脂が、フェノール・トリアジン誘導体共縮合樹脂Ｔと熱硬化性樹脂Ｒとを含む多孔質炭素電極基材。
【請求項２】
前記フェノール・トリアジン誘導体共縮合樹脂Ｔと前記熱硬化性樹脂Ｒの混合比が、固形分質量比でＴ：Ｒ＝２５：７５〜５０：５０である請求項１に記載の多孔質炭素電極基材。
【請求項３】
前記原料樹脂が、さらに黒鉛粉末を含む請求項１又は２に記載の多孔質炭素電極基材。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の多孔質炭素電極基材を、触媒を担持した炭素粉末を主体とする触媒層を介して高分子電解質膜の片面又は両面に接合してなる膜−電極接合体。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の多孔質炭素電極基材を用いた固体高分子型燃料電池。
【請求項６】
請求項４に記載の膜−電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。
【請求項７】
炭素短繊維に混合樹脂を付着させた混合樹脂含浸炭素繊維紙であって、前記混合樹脂が、フェノール・トリアジン誘導体共縮合樹脂Ｔと熱硬化性樹脂Ｒとを含む、混合樹脂含浸炭素繊維紙。
【請求項８】
前記フェノール・トリアジン誘導体共縮合樹脂Ｔと前記熱硬化性樹脂Ｒの混合比が、固形分質量比でＴ：Ｒ＝２５：７５〜５０：５０である請求項７に記載の混合樹脂含浸炭素繊維紙。
【請求項９】
前記混合樹脂が、さらに黒鉛粉末を含む請求項７又は８に記載の混合樹脂含浸炭素繊維紙。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明は下記の構成からなる。
（１）炭素短繊維を樹脂炭化物で結着してなる多孔質炭素電極基材であって、前記樹脂炭化物の原料樹脂が、フェノール・トリアジン誘導体共縮合樹脂Ｔと熱硬化性樹脂Ｒとを含む多孔質炭素電極基材。
（２）前記フェノール・トリアジン誘導体共縮合樹脂Ｔと前記熱硬化性樹脂Ｒの混合比が、固形分質量比でＴ：Ｒ＝２５：７５〜５０：５０である前記（１）に記載の多孔質炭素電極機材。
（３）前記原料樹脂が、さらに黒鉛粉末を含む前記（１）又は（２）に記載の多孔質炭素電極基材。
（４）前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の多孔質炭素電極基材を、触媒を担持した炭素粉末を主体とする触媒層を介して高分子電解質膜の片面又は両面に接合してなる膜−電極接合体。
（５）前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の多孔質炭素電極基材を用いた固体高分子型燃料電池。
（６）前記（４）記載の膜−電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。
（７）炭素短繊維に混合樹脂を付着させた混合樹脂含浸炭素繊維紙であって、前記混合樹脂が、フェノール・トリアジン誘導体共縮合樹脂Ｔと熱硬化性樹脂Ｒとを含む、混合樹脂含浸炭素繊維紙。
（８）前記フェノール・トリアジン誘導体共縮合樹脂Ｔと前記熱硬化性樹脂Ｒの混合比が、固形分質量比でＴ：Ｒ＝２５：７５〜５０：５０である前期（７）に記載の混合樹脂含浸炭素繊維紙。
（９）前記混合樹脂が、さらに黒鉛粉末を含む前記（７）又は（８）に記載の混合樹脂含浸炭素繊維紙。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の成膜用基板と、第１の電極を有する素子基板とを用い、
前記第１の成膜用基板は、透光性を有し、かつ、一方の面に、開口部を有する反射層と、光吸収層と、前記反射層と前記光吸収層との間に設けられた断熱層と、前記光吸収層上に湿式法を用いて形成した材料層と、を有し、
前記素子基板の前記第１の電極が形成された面と、前記第１の成膜用基板の前記材料層が形成された面とを対向して配置し、
前記第１の成膜用基板の前記第１の材料層が形成されていない側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、前記光吸収層に接している前記材料層を加熱し、前記材料層の少なくとも一部を前記素子基板の前記第１の電極上に成膜する工程を有し、
前記第１の成膜用基板を、他の材料層が形成された第２の成膜用基板と交換し、前記工程を繰り返すことで、少なくとも前記第１の電極上に、複数の層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記断熱層の前記レーザ光に対する透過率は６０％以上であり、かつ前記断熱層に用いる材料の熱伝導率は、前記反射層および前記光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記断熱層は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素のいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記光吸収層は、金属窒化物、金属、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に選択的に光吸収層を形成し、
前記第１の基板及び前記光吸収層上に有機化合物材料を含む粉体を散布し、
前記有機化合物材料を含む粉体を加熱して少なくとも前記光吸収層上に固定させ、前記光吸収層上に材料層を形成して成膜用基板を作製し、
前記成膜用基板の前記材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記第１の基板を通過させて光を前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記材料層に含まれる材料を前記被成膜基板に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
第１の基板上に選択的に光吸収層を形成し、
前記第１の基板及び前記光吸収層上に有機化合物材料を含む粉体を散布し、
前記有機化合物材料を含む粉体を加熱して前記第１の基板及び前記光吸収層上に固定させ、前記第１の基板及び前記光吸収層上に材料層を形成して成膜用基板を作製し、
前記成膜用基板の前記材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記第１の基板を通過させて光を前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記材料層に含まれる材料を前記被成膜基板に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
第１の基板上に選択的に光吸収層を形成し、
前記第１の基板及び前記光吸収層上に有機化合物材料を含む粉体を散布し、
前記第１の基板上において前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む粉体を選択的に加熱して前記光吸収層上に固定させ、前記光吸収層上に材料層を形成し、
前記第１の基板上において固定させなかった前記有機化合物材料を含む粉体を除去し回収して成膜用基板を作製し、
前記成膜用基板の前記材料層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記第１の基板を通過させて光を前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記材料層に含まれる材料を前記被成膜基板に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項３において、前記回収した前記有機化合物材料を含む粉体を再利用して、材料層を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記第１の基板上において固定させなかった前記有機化合物材料を含む粉体は、気体の噴射によって除去することを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記有機化合物材料を含む粉体を加熱して溶融させ前記光吸収層上に固定させることを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記有機化合物材料を含む粉体を加熱する工程は光照射によって行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記成膜用基板の前記材料層形成面と、前記被成膜基板の前記被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板上方に前記被成膜基板を配置することを特徴とする成膜方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記有機化合物材料を含む粉体を加熱する工程は窒素、又は希ガス雰囲気下で行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記第１の基板及び前記光吸収層上に前記有機化合物材料を含む粉体を散布する工程は、前記第１の基板端部を覆うマスクを用いて行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記光吸収層に光を照射する工程は、前記材料層を加熱状態にして行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記光吸収層に光を照射する工程は減圧下で行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記光として周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を用いることを特徴とする成膜方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、前記光を照射面で線状に成形することを特徴とする成膜方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の成膜方法を用い、前記材料層の一部を、前記被成膜基板の被成膜面上に形成されている第１の電極上に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オンライン絶対位相較正用システム（１２０）であって、
それぞれの周波数で複数の励振信号（１２４）を発生させる励振源（１２２）と、
上記励振源（１２４）に伝送線（１２８）を介して結合したセンサ（１２２）であって、上記励振信号（１２４）を受信するセンサー（１２２）と、
上記センサーに結合した位相検出器（１３４）であって、上記センサーからそれぞれの励振信号（１２４）に対応する複数の反射信号（１３２）を受信し、それぞれの反射信号（１３２）と励振信号（１２４）との位相差を表す電圧を出力する位相検出器（１３４）と、
各周波数及び伝送線（１２８）の長さに基づいて位相差を計算し、算出した位相差及び電圧出力に基づいて位相検出器（１３４）に対する位相−電圧伝達関数を決定するプロセッサ（１０４）と
を備えるシステム（１２０）。
【請求項２】
前記周波数が伝送線の長さの範囲内で波長の整数倍に対応し、位相差の反復値をもたらす、請求項１に記載のシステム（１２０）。
【請求項３】
前記センサーが容量性プローブを含む、請求項１に記載のシステム（１２０）。
【請求項４】
前記励振源（１２２）が電圧制御発振器を含む、請求項１に記載のシステム（１２０）。
【請求項５】
オンライン絶対位相較正のための方法（１８０）であって、
それぞれの周波数で複数の励振信号を発生させ（１８２）、
励振信号を伝送線を介して送信し（１８４）、
センサーで励振信号を受信するとともに反射させ（１８６）、
位相検出器によって、各周波数での反射励振信号と送信励振信号との位相差を各々表す複数の電圧を発生させる複数の位相測定を実行し（１８８）、
プロセッサにより、周波数及び伝送線の長さに基づいて位相差を計算し（１９０）、
プロセッサにより、算出した前記位相差及び電圧出力に基づいて位相検出器に対する位相−電圧伝達関数を決定する（１９２）
ことを含む方法（１８０）。
【請求項６】
前記励振信号が高周波励振信号からなる、請求項５記載の方法（１８０）。