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　特願２００２−　７１０２７「発光半導体の方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２９日出願公開、特開２００３−２４３７０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年２月７日の特許出願であって、平成２０年２月１２日付けで手続補正がなされ、同年３月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１６日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年７月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年７月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年７月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容  
　平成２０年７月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。 
　
「複数の半導体層を有し、前記層内に活性領域を含む半導体構造と、
　前記構造における異なる半導体層のそれぞれに接する第１及び第２の導電性の金属電極であって、前記構造の同じ側に配置されている前記第１及び第２の導電性の金属電極と、
　少なくとも銀を含有する前記電極から、少なくとも１つの前記電極が接触している半導体層の表面に銀がマイグレーションすることを防ぐためのマイグレーション障壁であって、少なくともＷを含む前記マイグレーション障壁と、
を含み、
　該マイグレーション障壁が、
　（１）銀及びｐ型III−Ｖ窒化物半導体への密着性を有すること、（２）銀の境界における電場を無効にするのに充分な導電性を有すること、（３）付着法の適合性を有すること、（４）材料パターン加工法の適合性を有すること、（５）湿気のある環境において電場の存在下での選択された金属についての電気化学的マイグレーションがないこと、及び、（６）銀に関する相互溶解性及び反応性が制御されていること、
という特性を有するものである、ことを特徴とする発光デバイス。」
　
　本件補正は、補正前の請求項１の「マイグレーション障壁」が、「（１）銀及びｐ型III−Ｖ窒化物半導体への密着性を有すること、（２）銀の境界における電場を無効にするのに充分な導電性を有すること、（３）付着法の適合性を有すること、（４）材料パターン加工法の適合性を有すること、（５）湿気のある環境において電場の存在下での選択された金属についての電気化学的マイグレーションがないこと、及び、（６）銀に関する相互溶解性及び反応性が制御されていること、という特性を有するものである」との限定を行うものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
２．独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物記載の発明 
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１１−２２０１７１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。 
　 
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、
ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する第１の金属層と、この第１の金属層の少なくとも側面及びこの第１の金属層に覆われていない前記コンタクト層の表面を覆う第２の金属層とにより前記コンタクト層に接続する電極を構成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
・・・
【請求項４】  前記第１の金属層は、銀（Ａｇ）により形成されている事を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素子。」
　
イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、従来技術として特開平６−１２０５６２によるフリップチップ型の発光素子３００の断面図を示す。３０１は、サファイヤ基板、３０２は、ｎ型のＧａＮ層、３０３は、ｐ型のＧａＮ層、３０４は、正電極、３０５は、負電極である。フリップチップ型の発光素子では、ｎ型のＧａＮ層３０２とｐ型のＧａＮ層３０３の界面で発せられた光をｐ型のＧａＮ層３０３上の形成された正電極３０４で反射させ、サファイア基板３０１を通して観察するため、正電極３０４は、比較的大きく形成される。又、ｐ型のＧａＮ層３０３上に形成される正電極３０４に用いる金属層としては、アルミニウム（Ａｌ）などの金属が光の反射効率の上で優れていることが判っているが、これらの光の反射効率上優れている金属の種類の中には、それを電極に用いた際、例えばアルミニウムなどに代表される金属のようにマイグレーションを起こしやすいものが有る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、正電極３０４に用いられた金属が、マイグレーションを起こすと、正電極３０４を構成する金属がイオンとして、負電極３０５側に引き寄せられ、電極層の乱れによる発光強度の低下、正電極３０４とｎ型のＧａＮ層３０２がマイグレーションにより短絡し、寿命の低下という問題が発生する。そこで、例えば図３に示すように、ｐ型のＧａＮ層３０３上に形成する正電極３０４とｐ型のＧａＮ層３０３との距離Ｄを大きくすることにより、短絡までの時間を延ばし、その結果として、寿命を延長する方法も考えられる。しかし、上述のように、フリップチップ型の発光素子については、ｐ型のＧａＮ層３０３上の正電極３０４の大きさ＝発光面積であり、距離Ｄを大きくすることは、正電極の大きさを維持すれば、チップサイズが増大して、生産効率の低下を招き、又、正電極の大きさを小さくすれば、ｐ型のＧａＮ層３０３のＤの隙間から漏れ出る光の量もそれに伴って増大するため、光の反射効率が低下し、発光効率が減少するという問題があった。加えて、電極層の乱れによる発光強度の低下を防止することはできない。
【０００４】本発明は、上記の問題を解決するために成されたものであり、その目的は、発光強度が大きく、かつ、寿命の長い窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供することである。」
　
ウ　「【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するための第１の手段は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する第１の金属層と、この第１の金属層の少なくとも側面及びこの第１の金属層に覆われていないコンタクト層の表面を覆う第２の金属層とによりコンタクト層に接続する電極を形成することである。なお、第２の金属層は、第１の金属層の表面の周囲部およびコンタクト層の露出部を覆う場合と、第１の金属層の表面全体およびコンタクト層の露出部を覆う場合ともを含む。また、第２の手段は、上記の第１の手段において、第２の金属層のコンタクト層に対する単位面積当たりの接触抵抗の値を第１の金属層の値よりも大きくすることである。また、第３の手段は、上記の第１の手段または第２の手段において、第１の金属層または第２の金属層を複数の種類の金属により多層構造に形成することである。また、第４の手段は、上記の第１の手段乃至第３の手段のいずれか１つにおいて、第１の金属層を銀（Ａｇ）により形成することである。・・・」
　
エ　「【０００６】
【作用および発明の効果】図１に、第１の金属層１０８に銀（Ａｇ）を用いた本発明によるフリップチップ型の発光素子１００の断面図を示す。本素子１００では、第１の金属層１０８が、第２の金属層１１０に覆われているためマイグレーションが起こらない。よって本素子１００は、長寿命となる。また、本素子１００では、マイグレーションが起こらないため幅Ｄを小さくできるので第１の金属層１０８を広く取ることができ、その分光の反射効率の優れた金属を第１の金属層１０８に広面積に渡り使用できる。よって発光強度を向上させることができる。また、本素子１００では、幅Ｄの部分でも第２の金属層１１０により光を反射するので、コンタクト層１０７からの光の漏れ出しが殆どなくなり、よって発光強度を更に向上させることができる。また、本素子１００では、第２の金属層１１０の幅Ｄの部分でのコンタクト層１０７に対する接触抵抗の方が第１の金属層１０８のコンタクト層１０７に対する接触抵抗よりも大きいため、殆どの電流は幅Ｄの部分を通らず、コンタクト層１０７と金属層１０８との接触面の方を通る。このため、光の反射効率の優れた金属を広面積に渡り使用している金属層１０８の真上の活性層が発光し、よって発光強度が良い。更に、本素子１００では、幅Ｄの部分は狭いため、コンタクト層１０７と第２の金属層１１０とを接合する際、強い接合強度が要求されるが、図１に示すように第２の金属層１１０を多層構造とすることで、強い接合強度を得ることが可能となる。これにより、本素子１００をマイグレーションが起こらない長寿命な素子にすることができる。また、第２の金属層１１０は、酸素や水分の第１の金属層１０８への侵入を防ぎ、第１の金属層１０８を腐食させないという効果もある。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。図１は、第１の金属層に銀（Ａｇ）を用いた本発明によるフリップチップ型の発光素子１００の断面図である。１０１は、サファイヤ基板、１０２は、ＡｌＮバッファ層、１０３は、ｎ型のＧａＮ層、１０４は、ｎ型のＧａＮクラッド層、１０５は、活性層、１０６は、ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層、１０７は、ｐ型のＧａＮコンタクト層、１０８は、正電極の一部を構成する第１の金属層であり、銀（Ａｇ）により形成されている。１０９は、負電極であり、１１０は、正電極の一部を構成する第２の金属層である。即ち、第２の金属層１１０は、バナジウム（Ｖ）により形成された金属層１１１とアルミニウム（Ａｌ）により形成された金属層１１２とにより構成されており、接合強度が十分確保できるだけの幅Ｄをもってコンタクト層１０７と接している。本素子１００は、第１の金属層に従来のフリップチップ型の正電極の部材としては用いられていなかった銀（Ａｇ）を用いているため、コンタクト層１０７に対する接触抵抗が小さく、かつ、図１の上方への光の反射効率が非常に良いため、発光強度の面で著しく優れているのが大きな特徴である。なお、第１の金属層１０８に銀（Ａｇ）を用いた上記実施例の場合、第１の金属層１０８の膜厚は、約２００Å〜１μｍの範囲が最も良く、これよりも薄いと光の反射効率が落ち、これよりも厚いと第２の金属層１１０により第１の金属層１０８の側面を完全に覆うことが困難となり、さらに生産コストの面で劣る。」
　
オ　「【０００９】上記の実施例においては、第１の金属層のコンタクト層に面接触する金属層において銀（Ａｇ）を用いたが、この層に用いる金属は、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）であってもよく、また、これらの合金であってもよい。また、上記の実施例においては、第２の金属層のコンタクト層に面接触する金属層においてバナジウム（Ｖ）、チタン（Ｔｉ）を用いたが、この層に用いる金属は、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）またはこれらの合金であってもよく、一般にｎ型のＧａＮ層（１０３、２０３）に取り付ける負電極（１０９、２０９）と同じものであってもよい。また、上記の実施例においては、第２の金属層は、第１の金属層を完全に覆っているが、第２の金属層は、第１の金属層を完全に覆っていなくてもよく、最低限第１の金属層に覆われていないコンタクト層の底面と第１の金属層の側面とを覆っていればよい。」
　
カ　また、図１には、第１の金属層に銀（Ａｇ）を用いた本発明によるフリップチップ型の発光素子１００の断面図が示されており、ｎ型のＧａＮ層１０３に負電極１０９が接していること、及び、正電極１０８と負電極１０９とが発光素子の同じ側に配置されていることが見て取れる。
　
キ　上記ウ及びエを踏まえて図１を見ると、「発光素子」の「窒化ガリウム系化合物半導体から成る層」は、活性層１０５及びｎ型のＧａＮ層１０３を含む、といえる。
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、
ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する第１の金属層と、この第１の金属層の少なくとも側面及びこの第１の金属層に覆われていない前記コンタクト層の表面を覆う第２の金属層とにより前記コンタクト層に接続する電極を構成する窒化ガリウム系化合物半導体素子であって、
前記窒化ガリウム系化合物半導体から成る層は、活性層及びｎ型のＧａＮ層を含み、
前記ｎ型のＧａＮ層に接する負電極を有し、
前記第１の金属層及び第２の金属層は、それぞれ正電極の一部を構成し、
上記正電極と負電極とは発光素子の同じ側に配置されており、
前記第１の金属層は、銀（Ａｇ）により形成され、
前記第１の金属層は、前記第２の金属層に覆われていることによりマイグレーションが起こらないようにされ、
第２の金属層のコンタクト層に面接触する金属層として、タングステン（Ｗ）、またはその合金を用いている
窒化ガリウム系化合物半導体素子。」
　
（２）対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。 
　
ア　引用発明の「窒化ガリウム系化合物半導体素子」は、フリップチップ型の発光素子であるから、本願補正発明の「発光デバイス」に相当する。
　
イ　引用発明は、「窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層された」ものであり、「前記窒化ガリウム系化合物半導体から成る層は、活性層及びｎ型のＧａＮ層を含」むものであるから、引用発明は、本願補正発明の「複数の半導体層を有し、前記層内に活性領域を含む半導体構造」を含み、との事項を備える。
　
ウ　引用発明は、「ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する」とともに「正電極の一部を構成する『第１の金属層』」、及び、「ｎ型のＧａＮ層に接する負電極」を有し、「上記正電極と負電極とは発光素子の同じ側に配置されて」いるから、
（ア）引用発明の「正電極の一部を構成する『第１の金属層』」及び「負電極」は、それぞれ、本願補正発明の「第１の導電性の金属電極」及び「第２の導電性の金属電極」に相当し、
（イ）引用発明は、本願補正発明の「前記構造における異なる半導体層のそれぞれに接する第１及び第２の導電性の金属電極であって、前記構造の同じ側に配置されている前記第１及び第２の導電性の金属電極」を含み、との事項を備える。
　
エ　引用発明の「第２の金属層」は、第１の金属層の少なくとも側面及びこの第１の金属層に覆われていない前記コンタクト層の表面を覆うことにより、銀（Ａｇ）により形成された第１の金属層のマイグレーションが起こらないようにするものであり、かつ、該第２の金属層のコンタクト層に面接触する金属層としてタングステン（Ｗ）またはその合金を用いるから、本願補正発明の「少なくとも銀を含有する前記電極から、少なくとも１つの前記電極が接触している半導体層の表面に銀がマイグレーションすることを防ぐためのマイグレーション障壁であって、少なくともＷを含む前記マイグレーション障壁」に相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「複数の半導体層を有し、前記層内に活性領域を含む半導体構造と、
　前記構造における異なる半導体層のそれぞれに接する第１及び第２の導電性の金属電極であって、前記構造の同じ側に配置されている前記第１及び第２の導電性の金属電極と、
　少なくとも銀を含有する前記電極から、少なくとも１つの前記電極が接触している半導体層の表面に銀がマイグレーションすることを防ぐためのマイグレーション障壁であって、少なくともＷを含む前記マイグレーション障壁と、
を含む発光デバイス」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
相違点 
　マイグレーション障壁が、本願補正発明では、「（１）銀及びｐ型III−Ｖ窒化物半導体への密着性を有すること、（２）銀の境界における電場を無効にするのに充分な導電性を有すること、（３）付着法の適合性を有すること、（４）材料パターン加工法の適合性を有すること、（５）湿気のある環境において電場の存在下での選択された金属についての電気化学的マイグレーションがないこと、及び、（６）銀に関する相互溶解性及び反応性が制御されていること、という特性を有するものである」のに対し、引用発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（３）判断 
　上記相違点につき検討する。 
ア　相違点における（１）の事項について
　引用発明の「第２の金属層」（マイグレーション障壁）は、第１の金属層を覆い、第１の金属層と共に正電極をなすものであるから、銀により形成される第１の金属層への密着性は当然要請される特性であるといえる。また、引用発明の「第２の金属層」は、引用刊行物に「本素子１００では、幅Ｄの部分は狭いため、コンタクト層１０７と第２の金属層１１０とを接合する際、強い接合強度が要求される」（段落［０００６］）と記載されているとおり、コンタクト層を形成するＰ型窒化ガリウム系化合物半導体との強い接合強度が要請されるものである。
　したがって、引用発明において、「第２の金属層」に求められる上記要請に対応するために、「第２の金属層」の材料として、銀及びｐ型III−Ｖ窒化物半導体への密着性を有するという特性を有するものを選択することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
イ　相違点における（２）の事項について
　引用発明の「第２の金属層」は、第１の金属層と共に正電極の一部を構成するものであるから、電極を構成するのに充分な高い導電性を有するものが求められることは当然のことである。そして、上記のような導電性を有する「第２の金属層」が、第１の金属層の少なくとも側面及びこの第１の金属層に覆われていない前記コンタクト層の表面、すなわち、銀の境界を覆い、その領域における電場を無効にすべきものとすることは、第２の金属層が第１の金属層のマイグレーション障壁であることからして、当然要請される事項である。
　したがって、引用発明において、上記要請に対応するために、「第２の金属層」として、銀の境界における電場を無効にするのに充分な導電性を有するものを選択することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
ウ　相違点における（３）及び（４）の事項について
　引用刊行物において、「第２の金属層」の形成方法について具体的記載はないが、「第２の金属層」は、発光素子の正電極の部位に、第１の金属層を覆うことができる所定のパターンで付着されるものであるから、適宜の付着法及び材料パターン加工法の適合性を有する必要性があることは明らかである。
　したがって、引用発明において、上記の必要性に対応するために、「第２の金属層」として付着法の適合性を有し、材料パターン加工法の適合性を有するものを選択することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
エ　相違点における（５）の事項について
　銀（イオン）のマイグレーションが湿気及び電場の存在下において起こることは、本願出願時において周知の事項であるところ（必要であれば、特開平１１−１９１６４１号公報の段落［００２３］、特開２０００−３１２０３３号公報の段落［００２０］等参照。）、引用発明の「第２の金属層」は、銀により形成される第１の金属層がマイグレーションを起こすことを防ぐためのものであるから、マイグレーションが起こる環境（湿気及び電場の存在下）において銀についての電気化学的マイグレーションがないものを選択する必要性があることは明らかである。
　したがって、引用発明において、上記の必要性に対応するために、「第２の金属層」として、湿気のある環境において電場の存在下での選択された金属についての電気化学的マイグレーションがないものを選択することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
オ　相違点における（６）の事項について
　引用発明の「第２の金属層」は、上記のとおり銀により形成される第１の金属層がマイグレーションを起こすことを防ぐためのものであり、かつ、該第１の金属層と共に正電極の一部を構成するものであるから、銀に関する相互溶解性及び反応性が制御されている必要性があることは当業者にとって明らかである。
　したがって、引用発明において、上記の必要性に対応するために、「第２の金属層」として、銀に関する相互溶解性及び反応性が制御されているものを選択することは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　上記ア〜オのとおり、引用発明において、マイグレーション障壁（第２の金属層）として、上記相違点に係る（１）〜（６）の各特性を有するものを選択することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願補正発明と引用発明とは、少なくともＷを含むマイグレーション障壁を備えることによって、銀を含有する電極から該電極が接触している半導体層の表面に銀がマイグレーションすることを防ぐことができるという点においても共通するものであるから、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明から予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年２月１２日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３９に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「複数の半導体層を有し、前記層内に活性領域を含む半導体構造と、
　前記構造における異なる半導体層のそれぞれに接する第１及び第２の導電性の金属電極であって、前記構造の同じ側に配置されている前記第１及び第２の導電性の金属電極と、
　少なくとも銀を含有する前記電極から、少なくとも１つの前記電極が接触している半導体層の表面へ銀がマイグレーションすることを防ぐためのマイグレーション障壁であって
、少なくともＷを含む前記マイグレーション障壁と、
を含むことを特徴とする発光デバイス。」（以下「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物及び引用発明は、上記第２の２（１）に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　本願発明は、上記第２の２で検討した本願補正発明において、「該マイグレーション障壁が、（１）銀及びｐ型III−Ｖ窒化物半導体への密着性を有すること、（２）銀の境界における電場を無効にするのに充分な導電性を有すること、（３）付着法の適合性を有すること、（４）材料パターン加工法の適合性を有すること、（５）湿気のある環境において電場の存在下での選択された金属についての電気化学的マイグレーションがないこと、及び、（６）銀に関する相互溶解性及び反応性が制御されていること、という特性を有するものである」との限定を省いたものである。
　そうすると、上記第２の２（２）での検討に照らして、本願発明と引用発明との間に相違するところはないものと認められるから、本願発明は引用刊行物に記載された発明である。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。