【事件の表示】
　平成１０年特許願第５７６９５号「荷電粒子ビーム照射装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年９月２１日出願公開、特開平１１−２５３５６３号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１０年３月１０日の出願であって，平成１６年２月４日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年３月１１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，同年４月１２日受付けの手続補正書により手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年４月１２日受付けの手続補正書による手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月１２日受付けの手続補正書による手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は，平成１５年１１月１７日受付の手続補正書により補正された，本願明細書の特許請求の範囲に記載された
「【請求項１】
　加速器から出射された荷電粒子ビームを走査する電磁石と，前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる層毎に前記荷電粒子ビームを照射する照射手段とを備えた荷電粒子ビーム照射装置において，
　ある第２の層の全領域で，照射する荷電粒子ビームの強度を，前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記第２の層よりも深い位置にある第１の層に照射した荷電粒子ビームの強度よりも低くする強度制御手段を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
【請求項２】
　加速器から出射された荷電粒子ビームを走査する電磁石と，前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる層毎に前記荷電粒子ビームを照射する照射手段とを備えた荷電粒子ビーム照射装置において，
　前記荷電粒子ビームの進行方向に対する層の位置が浅くなるほど，浅い位置に存在する前記層の全領域で，照射する荷電粒子ビームの強度を低くする強度制御手段を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
【請求項３】
　前記強度制御手段は，前記加速器から荷電粒子ビームを出射するときに印加される高周波電場を制御することにより，荷電粒子ビームの強度を制御することを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子ビーム照射装置。
【請求項４】
　前記強度制御手段は，前記加速器から荷電粒子ビームを出射するときに前記高周波電場を発生する電極に加えられる高周波電力の電力値を制御することにより，前記高周波電場を制御することを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子ビーム照射装置。
【請求項５】
　前記強度制御手段は，前記加速器に入射するイオンの量を制御することにより，荷電粒子ビームの強度を制御することを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子ビーム照射装置。
【請求項６】
　前記荷電粒子ビームの線量値に基づいて前記電磁石を制御する電磁石制御手段を備えたことを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子照射装置。
【請求項７】
　前記荷電粒子ビームの軌道上に配置され，かつ前記荷電粒子ビームのエネルギーを変更するデグレーダを備えたことを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子ビーム照射装置。」を
「【請求項１】
　加速器から出射された荷電粒子ビームを走査する電磁石と，前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる層毎に前記荷電粒子ビームを照射する照射手段とを備えた荷電粒子ビーム照射装置において，
　
前記荷電粒子ビームの進行方向において第２の層よりも深い位置にある第１の層に荷電粒子ビームを照射したときにその荷電粒子ビームが照射される第１領域及びそのときに前記荷電粒子ビームの照射を受けない第２領域を含む前記第２の層への前記荷電粒子ビームの照射に際して，前記第１領域および前記第２領域に照射する前記荷電粒子ビームの強度を，前記第１の層に照射した荷電粒子ビームの強度よりも低くする
【請求項２】
　加速器から出射された荷電粒子ビームを走査する電磁石と，前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる層毎に前記荷電粒子ビームを照射する照射手段とを備えた荷電粒子ビーム照射装置において，
　前記荷電粒子ビームの進行方向に対する層の位置が浅くなるほど，浅い位置に存在する前記層に
含まれる，それよりも深い位置に存在する前記層に前記荷電粒子ビームを照射したときにその荷電粒子ビームが照射される第１領域，及びそのときに前記荷電粒子ビームの照射を受けない第２領域に照射する荷電粒子ビームの強度を低くする
【請求項３】
　前記強度制御手段は，前記加速器から荷電粒子ビームを出射するときに印加される高周波電場を制御することにより，荷電粒子ビームの強度を制御することを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子ビーム照射装置。
【請求項４】
　前記強度制御手段は，前記加速器から荷電粒子ビームを出射するときに前記高周波電場を発生する電極に加えられる高周波電力の電力値を制御することにより，前記高周波電場を制御することを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子ビーム照射装置。
【請求項５】
　前記強度制御手段は，前記加速器に入射するイオンの量を制御することにより，荷電粒子ビームの強度を制御することを特徴とする請求項
１
２
【請求項６】
　前記荷電粒子ビームの線量値に基づいて前記電磁石を制御する電磁石制御手段を備えたことを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子照射装置。
【請求項７】
　前記荷電粒子ビームの軌道上に配置され，かつ前記荷電粒子ビームのエネルギーを変更するデグレーダを備えたことを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の荷電粒子ビーム照射装置。」（下線は補正箇所を示す。）と補正するとともに，これに合わせて明細書中の発明の詳細な説明を補正するものである。
　　
２．補正の目的の適否
　本件補正のうち，本願の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ある第２の層の全領域で，照射する荷電粒子ビームの強度を，前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記第２の層よりも深い位置にある第１の層に照射した荷電粒子ビームの強度よりも低くする」を「前記荷電粒子ビームの進行方向において第２の層よりも深い位置にある第１の層に荷電粒子ビームを照射したときにその荷電粒子ビームが照射される第１領域及びそのときに前記荷電粒子ビームの照射を受けない第２領域を含む前記第２の層への前記荷電粒子ビームの照射に際して，前記第１領域および前記第２領域に照射する前記荷電粒子ビームの強度を，前記第１の層に照射した荷電粒子ビームの強度よりも低くする」とする補正は，本件補正前の「第２の層の全領域」という発明特定事項を「第１の層に荷電粒子ビームを照射したときにその荷電粒子ビームが照射される第１領域及びそのときに前記荷電粒子ビームの照射を受けない第２領域」という下位概念の発明特定事項に限定するものであり，本件補正前の請求項１に係る発明と本件補正後の請求項１に係る発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので，この補正は特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また，本件補正のうち，上記の請求項２の補正についても，同様に，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３．独立特許要件
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−９９１０８号公報（以下，「引用例」という。）には，次の事項が記載されている。
ア．「従来の荷電粒子ビーム装置では，Ｘ方向偏向電磁石とＹ方向偏向電磁石を用いて荷電粒子ビームを走査し，目標を照射している。しかし，荷電粒子ビームの強度が時間的に変化する場合には，病巣をビーム進行方向に対して垂直平面で切った照射野を均一に照射することが困難となり，強く照射される部分と弱くしか照射されない部分が混在してしまい，病巣が残ってしまう虞がある。また，ある大きさ，形状の病巣を荷電粒子ビームで照射する場合，病巣全体を深さ方向にも均一に照射することが難しいという問題もある。」（段落【０００６】）
イ．「図１は，本発明の第１実施例に係る荷電粒子ビーム装置の構成図である。本実施例では，前段加速器９８から低エネルギーのイオンをシンクロトロン型の加速器１００に入射し，加速後，治療室１１１へ出射する。このイオンビームは，回転照射装置１１０（これは，治療室１１１内に設置されている。）により，癌治療に使用される。
　図２は，体内の深さとイオンビームの照射線量の関係の一例を示す図である。図２の照射線量のピークをブラッグピークと呼ぶが，ブラッグピークの位置は，エネルギーにより変化する。従って，図１の制御装置１３０に患部の深さ等の患者情報を入力し，制御装置１３０はこの患者情報に基づいて必要な加速エネルギーの大きさを演算して求める。そして，前段加速器９８から加速器１００にビームを入射した後，制御装置１３０からの制御信号に基づき，加速器１００の電源１６５を制御し，イオンビームを必要なエネルギーにまで加速する。
　加速したビームは，加速器１００から治療室１０１へ出射するとき，ビームの振動の共鳴現象を利用し，振動が増大したビームから出射する。共鳴現象は，加速器内の４極電磁石１４５で制御する。出射過程では，共鳴を制御する４極電磁石１４５の励磁量を加速器電源１６５で変化させて行くに伴い，出射されたビームの強度は図３のように変化する。
　加速器１００から出射し輸送系１７１を経て治療室１１１に導入されたビーム１７２は，回転照射装置１１０を用いて患者に照射される。回転照射装置１１０では，４極電磁石１５０や偏向電磁石１５１を用い，制御装置１３０からのビームエネルギー信号に基づき必要な電流を電源１７０から供給し，ビームを下流に輸送する。
　回転照射装置１１０の下流側には，走査用電磁石１２０，１２１が設置され，ビームの進行方向に垂直な平面内でビームをｘ方向及びｙ方向に２次元的に走査する。走査用電磁石の走査範囲は，患者情報に基づき制御装置１３０で算出し，この結果から，走査用電磁石の電源１６０を制御する。」（段落【００１２】−段落【００１６】）
ウ．「本実施例では，ビームの走査速度を，ビームの強度が高いとき程速くし，ビームの強度が弱いとき程遅くし，患部の照射野全域で常にイオンビームの照射量が均一となるように制御する。」（段落【００１７】）
エ．「本実施例の荷電粒子ビーム装置では，患者の患部に関する情報を，制御装置１8０に入力する。入力される情報は，患部位置，形状，照射治療の履歴，患部が吸収した放射線量等である。制御装置１８０は，患部を深さ方向の多数の層に分割し，図７の処理に従って，加速器及び走査電磁石の制御に必要な種々のパラメータを定める。
　まず，図７のステップ１１で，患部を仮想的に多数の層Ｌｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）に分割する。ステップ１２では，それぞれの層Ｌｉでの患部の深さから，それぞれの深さの患部を照射するビームのエネルギーを求め，それぞれをＥ１，Ｅ２，…，Ｅｎとする。次に，ステップ１３で，各層Ｌｉについて，患部の広がり，形状の情報から，走査電磁石１２０，１２１の走査範囲を定める。本実施例では，図６のｘ方向の走査電磁石１２０の走査速さに比べて，ｙ方向の走査電磁石１２１の走査速さを大きくする。そこで，ｘ方向の走査電磁石１２０の電流に応じ，ｙ方向の走査電磁石電流の最大値を患部形状に応じて設定する。
　次のステップ１４では，層Ｌｉについて，ビーム照射量の目標空間分布を定める。これは，図２に示したブラッグピークが層Ｌｉの位置に一致するようにすると，図８に示す様に，層Ｌｊのように層Ｌｉより浅い位置では，図２のプラトー部に相当する照射を受けるため，吸収線量が必要以上に多くなる部分が生じることを防止するためである。従って，層Ｌｉにブラッグピークを合わせるとき，層Ｌｉの中で既にプラトー部の照射を受けた中央領域の照射線量は，プラトー部の照射を受けていない部分に比べて照射量を低減する。」（段落【００２４】−段落【００２６】）
オ．図１には，加速器１００から出射された荷電粒子ビーム１７２を走査する走査用電磁石１２０，１２１と回転照射装置１１０を備えた荷電粒子ビーム装置が図示されている。
　また，上記エ．の「図２に示したブラッグピークが層Ｌｉの位置に一致するようにすると，図８に示す様に，層Ｌｊのように層Ｌｉより浅い位置では，図２のプラトー部に相当する照射を受けるため，吸収線量が必要以上に多くなる部分が生じることを防止するためである。従って，層Ｌｉにブラッグピークを合わせるとき，層Ｌｉの中で既にプラトー部の照射を受けた中央領域の照射線量は，プラトー部の照射を受けていない部分に比べて照射量を低減する。」という記載及び図８の図示内容からみて，引用例には，荷電粒子ビームの進行方向において層Ｌｊよりも深い位置にある層Ｌｉに荷電粒子ビームを照射したときにその荷電粒子ビームが照射される中央領域及びそのときに前記荷電粒子ビームの照射を受けない部分を含む前記層Ｌｊへの前記荷電粒子ビームの照射に際して，前記層Ｌｊのうち，中央領域の照射線量を，前記荷電粒子ビームの照射を受けていない部分に比べて照射量を低減する点が記載されているといえる。
　
　してみれば，引用例には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「加速器１００から出射された荷電粒子ビーム１７２を走査する走査用電磁石１２０，１２１と，前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を多数に分割してなる各層Ｌｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）に前記荷電粒子ビームを照射する回転照射装置１１０を備えた荷電粒子ビーム装置において，
　荷電粒子ビームの進行方向において層Ｌｊよりも深い位置にある層Ｌｉに荷電粒子ビームを照射したときにその荷電粒子ビームが照射される中央領域及びそのときに前記荷電粒子ビームの照射を受けない部分を含む前記層Ｌｊへの前記荷電粒子ビームの照射に際して，前記層Ｌｊのうち，中央領域の照射量を，前記荷電粒子ビームの照射を受けていない部分に比べて低減する制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明を対比するに，後者の「加速器１００」は，その機能及び作用からみて，前者の「加速器」に相当し，以下同様に，後者の「荷電粒子ビーム１７２」は前者の「荷電粒子ビーム」に，後者の「走査用電磁石１２０，１２１」は前者の「電磁石」に，後者の「多数」は前者の「複数」に，後者の「各層Ｌｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）に」は前者の「層毎に」に，後者の「回転照射装置１１０」は前者の「照射手段」に，後者の「荷電粒子ビーム装置」は前者の「荷電粒子ビーム照射装置」に，後者の「層Ｌｊ」は前者の「第２の層」に，後者の「層Ｌｉ」は前者の「第１の層」に，後者の「中央領域」は前者の「第１領域」に，後者の「前記荷電粒子ビームの照射を受けない部分」は前者の「前記荷電粒子ビームの照射を受けない第２領域」に，それぞれ相当する。
　また，本願補正発明の「前記第１領域および前記第２領域に照射する前記荷電粒子ビームの強度を，前記第１の層に照射した荷電粒子ビームの強度よりも低くする強度制御手段」と引用発明の「前記層Ｌｊのうち，中央領域の照射線量を，前記荷電粒子ビームの照射を受けていない部分に比べて照射量を低減する制御装置」とは，荷電粒子ビームの照射を制御する手段である点で共通する。
　してみれば，本願補正発明と引用発明とは，
「加速器から出射された荷電粒子ビームを走査する電磁石と，前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる層毎に前記荷電粒子ビームを照射する照射手段とを備えた荷電粒子ビーム照射装置において，
　前記荷電粒子ビームの進行方向において第２の層よりも深い位置にある第１の層に荷電粒子ビームを照射したときにその荷電粒子ビームが照射される第１領域及びそのときに前記荷電粒子ビームの照射を受けない第２領域を含む前記第２の層への前記荷電粒子ビームの照射に際して，荷電粒子ビームの照射を制御する手段を備えた荷電粒子ビーム照射装置。」
である点で一致し，次の点で相違する。
　
（相違点）
　荷電粒子ビームの照射を制御する手段について，本願補正発明においては「前記第１領域および前記第２領域に照射する前記荷電粒子ビームの強度を，前記第１の層に照射した荷電粒子ビームの強度よりも低くする強度制御手段」であるのに対して，引用発明においては，「前記層Ｌｊのうち中央領域の照射量を，前記荷電粒子ビームの照射を受けていない部分に比べて低減する制御装置」である点。
　　
（３）判断
　相違点について検討する。
　上記引用例の記載（１）ア．及びエ．から，引用発明においては，病巣のビーム進行方向に対して垂直平面で切った照射野のみならず，病巣を深さ方向においても，ビーム照射量を均一にすべきであるという技術的課題が存在することは明らかであり，病巣の浅い層では，それよりも深い層へ既に照射した際に生じるプラトー部に相当する照射により吸収線量が必要以上に多くなる部分が生じないよう，層Ｌｊ（第２の層）のうち中央領域（第１領域）では，荷電粒子ビームの照射を受けていない部分（第２領域）に比べて照射量を低減していることは明白である。
　ところで，上記引用例の記載（１）ウ．に，「ビームの走査速度を，ビームの強度が高いとき程速くし，ビームの強度が弱いとき程遅くし，患部の照射野全域で常にイオンビームの照射量が均一となるように制御する。」と記載されていることから，照射量を低減するには，ビーム強度を低減するか，ビーム走査速度を増大させるかの，少なくとも一方を採用すれば良いことは明白である。
　そして，ビーム強度の強弱を調整制御する手段が周知技術であること（特開平８−２１３２００号公報，特開平５−１９８３９７号公報等を参照。）を踏まえれば，引用発明において，層Ｌｊ（第２の層）を照射するに当たり，照射量を低減すべき中央領域（第１領域）の存在を考慮して，層Ｌｉ（第１の層）よりもビーム強度を弱くすることは，層Ｌｊ（第２の層）に占める中央領域（第１領域）の面積比率や当該層Ｌｊ（第２の層）全域における照射量の均一化の観点から，当業者が容易になし得ることである。
　よって，上記相違点に係る本願発明の発明特定事項は，引用発明及び上述の周知技術に基づいて当業者が容易になし得るものである。
　
　また，上記相違点によって，本願補正発明が奏する作用・効果も，引用発明及び上述の周知技術から予測される範囲のものであって，格別なものとは認められない。
　　
４．むすび
　以上のとおり，本願補正発明は，引用発明及び上述の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明についての判断
１．本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成１５年１１月１７日受付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。
「加速器から出射された荷電粒子ビームを走査する電磁石と，前記荷電粒子ビームの進行方向に患部を複数に分割してなる層毎に前記荷電粒子ビームを照射する照射手段とを備えた荷電粒子ビーム照射装置において，
　ある第２の層の全領域で，照射する荷電粒子ビームの強度を，前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記第２の層よりも深い位置にある第１の層に照射した荷電粒子ビームの強度よりも低くする強度制御手段を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。」
　
２．引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は，前記「第２［理由］３．（１）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は，前記「第２［理由］１．ないし３．」で検討した本願補正発明から，第２の層について，「第１の層に荷電粒子ビームを照射したときにその荷電粒子ビームが照射される第１領域及びそのときに前記荷電粒子ビームの照射を受けない第２領域」という下位概念の発明特定事項を，「第２の層の全領域」という上位概念の発明特定事項としたものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項をすべて含み，さらに，他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が，前記「第２［理由］３．（２），（３）」で検討したとおり，引用発明及び上述の周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様に，引用発明及び上述の周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び上述の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。