Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速相変化インク画像形成装置において、
（ａ）画像形成面を有する可動の画像形成部材と、
（ｂ）融解された液体の相変化インクの液滴を、画像を形成するための画像形成面に吐出させるピクセル配置用のコントロールサブシステムに接続されるプリントヘッドシステムと、
（ｃ）画像生成装置に用いられる高速相変化インクであって、５０枚／分を超える割合で画像を生成することができる微粒子のパスティルを含む固体相変化インクを有する相変化インク供給システムと、
を有し、
前記微粒子のパスティルを含む固有相変化インクは、本質的に（i）相変化インクを加熱して液状に溶融するためのサブ粒状サイズの微粒子パスティルであり、（ii）各サブ粒状サイズの微粒子パスティルは蝋状であり、融点が摂氏約１２０度未満であり、そして（iii）各サブ粒状サイズの微粒子パスティルは、ウェントワースーアッデンの粒度区分上で１ｍｍ未満の直径を有する微粒砂、細粒砂、中粒砂、粗粒砂のいずれか１つの大きさであるように構成される、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
サブ粒状サイズのパスティルは、比較的小さな表面積を有し、その表面積の７５％が、粒子組成のバルク流量を増大させるために概ね球状である、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項３】
請求項１に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
溶融速度が最大で３秒毎パスティルである、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項４】
請求項１に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
溶融速度が全体ではパスティルの重量にして少なくとも１０ｇｍ／分である、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項５】
請求項１に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
さらに、（ａ）塩とオキシアルキレン化合物から成る混合物であって、その融点が摂氏約６０度乃至摂氏約１２０度である混合物と、（ｂ）耐光性成分と、（ｃ）耐光性酸化防止剤とを含む、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項６】
請求項１に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
各サブ粒状サイズの微粒子パスティルは、融解速度を増大させるため、ウェストワースーアッデンの粒度区分上で０．０６２５から０．１２５ｍｍの範囲内の直径を有する微粒砂の大きさである、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項７】
請求項１に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
各サブ粒状サイズの微粒子パスティルは、融解速度を増大させるため、ウェストワースーアッデンの粒度区分上で０．１２５から０．２５０ｍｍの範囲内の直径を有する細粒砂の大きさである、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項８】
請求項１に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
各サブ粒状サイズの微粒子パスティルは、融解速度を増大させるため、ウェストワースーアッデンの粒度区分上で０．２５０から０．５００ｍｍの範囲内の直径を有する細微粒砂の大きさである、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項９】
請求項１に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
各サブ粒状サイズの微粒子パスティルは、融解速度を増大させるため、ウェストワースーアッデンの粒度区分上で０．５００から１．００ｍｍの範囲内の直径を有する細微粒砂の大きさである、高速相変化インク画像形成装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の高速相変化インク画像形成装置において、
前記小さな表面積の最大２５％が、粒子組成のバルク流量を増大させるため、実質的に平坦である、高速相変化インク画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜の両側に電極が設けられた電解質膜・電極構造体とセパレータとが水平方向に沿って積層され、発電反応に使用された反応ガスを、積層方向に流通させる反応ガス排出連通孔が設けられるとともに、前記積層方向両端にエンドプレートが配設される燃料電池スタックであって、
前記反応ガス排出連通孔に連通し、発電反応に使用された前記反応ガスから水分を分離する気液分離器を備え、
前記気液分離器の少なくとも一部は、前記エンドプレート間に位置し且つ前記燃料電池スタックの下方に配設されることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池スタックにおいて、前記気液分離器は、前記エンドプレート間に位置し且つ前記燃料電池スタックの平面投影内の下方に配設されることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項３】
請求項１又は２記載の燃料電池スタックにおいて、前記エンドプレート又は該エンドプレートの内側に隣接する絶縁プレートには、前記反応ガス排出連通孔に連通して前記水分を前記気液分離器に導入させる排水通路が、重力方向に形成されることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の燃料電池スタックにおいて、前記燃料電池スタックの平面投影内の下方には、前記セパレータに設けられたセル電圧端子に接続され、発電時のセル電圧を検出する電圧測定装置が配設されることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池スタックにおいて、一方の前記エンドプレートは、他方の前記エンドプレートよりも低くなるように傾斜して配置されるとともに、
一方の前記エンドプレート側にのみ前記気液分離器が配置されることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池スタックにおいて、前記気液分離器は、２つ設けられるとともに、
一方の前記気液分離器は、一方の前記エンドプレートに近接し、他方の前記気液分離器は、他方の前記エンドプレートに近接して配置されることを特徴とする燃料電池スタック。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの端部を有する巻形状ばね部材を該巻形状ばね部材の伸縮方向から透視したとき、前記巻形状ばね部材が、重なる箇所を有さず、かつ、前記二つの端部が巻形状の中心部に位置していることを特徴とする巻形状ばね部材。
【請求項２】
前記二つの端部は平面状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の巻形状ばね部材。
【請求項３】
前記巻形状ばね部材の本体の、前記二つの端部近傍における局所リード角は、前記巻形状ばね部材の本体の伸縮方向中央部における局所リード角より大きいことを特徴とする請求項１又は２記載の巻形状ばね部材。
【請求項４】
ベリリウム銅、りん青銅、ベリリウム銅の合金、りん青銅の合金又は銅−ニッケル−シリコン合金の何れかの成分を含む金属材料で形成された請求項１乃至３の何れか一項記載の巻形状ばね部材。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項記載の巻形状ばね部材と、
前記巻形状ばね部材の一つの端部と接続された接続端子を第１の面に有する配線基板とを有し、
前記巻形状ばね部材の他の端部が半導体パッケージに接続され、
前記配線基板の第２の面にマザーボードに接続される接続端子が設けられ、前記半導体パッケージと前記マザーボードとを導通する半導体パッケージ実装用ソケット。
【請求項６】
前記配線基板は、少なくとも２層以上の配線層を有する請求項５記載の半導体パッケージ実装用ソケット。
【請求項７】
前記配線基板の配線ピッチは、前記第１の面側と前記第２の面側とで異なる値を有する請求項６記載の半導体パッケージ実装用ソケット。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れか一項記載の半導体パッケージ実装用ソケットと、
マザーボードとを有する半導体装置組立体。
【請求項９】
板状のばね材料から、二つの端部を有する巻形状ばね用素材を型抜きする型抜き工程と、
前記巻形状ばね用素材を立体成形して巻形状ばね部材を成形する成形工程とを有し、
前記巻形状ばね用素材は、重なる箇所を有さず、かつ、前記二つの端部が巻形状の中心部に位置していることを特徴とする前記巻形状ばね部材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調理容器が載置されるとともに赤外線を透過させるトッププレートと、
前記調理容器を誘導加熱するための加熱コイルと、
前記トッププレートの下方に備えられ、前記調理容器から放射され前記トッププレートを通過した赤外線を受光する赤外線センサと、
前記赤外線センサの検出温度に基づき前記加熱コイルへの供給電力を制御する制御手段と、
前記トッププレート表面に形成され可視光線及び赤外線を遮蔽できる材料からなる無数のドットＤＴを所定の間隔で配置したドット状印刷部と、
このドット状印刷部に囲まれて設けられ、前記赤外線センサに対する前記調理容器から放射される赤外線の通路となる赤外線透過窓と、
を備え、
前記赤外線透過窓の周辺域におけるドット状印刷部は、可視光線及び赤外線の透過を抑制する開口率を有し、
前記赤外線透過窓を覆うドット状印刷部は、可視光線及び赤外線の透過を許容する開口率を有することを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記トッププレート裏面には、前記赤外線透過窓の部分を避けてその周囲に広く、赤外線と可視光線を遮光する層を形成したことを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記赤外線透過窓の部分に施したドット状印刷部の各ドットＤＴ単体の平面積は、前記赤外線の受光窓の平面積に対して小さく、かつ各ドットは一定のピッチＰ１、Ｐ２で配列されていることを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記トッププレート表面のドット状印刷部は、開口率が異なる３つの部分に分けられており、
最も開口率の高い第１の部分は、前記加熱コイルの真上部分に位置しており、
この部分を中心としてその外側に開口率がより低い第２の部分を設け、さらにこの第２の部分の外側にはトッププレート表面の外周端部に至るまでの広い領域に、さらに開口率の低い第３の部分を設け、
前記赤外線透過窓は前記第１の部分の中にあり、
前記赤外線透過窓におけるドット状印刷部のみが前記第３の部分と同等の低い開口率であることを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
調理容器が載置されるとともに赤外線を透過させるトッププレートと、
前記調理容器を誘導加熱するための加熱コイルと、
前記トッププレートの下方に備えられ、前記調理容器から放射され前記トッププレートを通過した赤外線を受光する赤外線センサと、
前記赤外線センサの検出温度に基づき前記加熱コイルへの供給電力を制御する制御手段と、
前記トッププレート裏面に設けられ可視光線及び赤外線を遮蔽できる材料からなる遮光層と、
前記トッププレート表面に形成され可視光線及び赤外線を遮蔽できる材料からなる無数のドットＤＴを所定の間隔で配置したドット状印刷部と、
を備え、
前記ドット印刷部は、少なくとも２つの部分からなり、
第１のドット印刷部は前記加熱コイルの真上部分に位置し可視光線及び赤外線の透過を抑制する開口率を有し、
第２のドット印刷部は、前記トッププレートに設けられ前記調理容器３から放射される赤外線の通路となる赤外線透過窓を覆い、かつ可視光線及び赤外線の透過を許容する開口率に設定されていることを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項６】
調理容器が載置されるとともに赤外線を透過させるトッププレートと、
前記調理容器を誘導加熱するための加熱コイルと、
前記トッププレートの下方に備えられ、前記調理容器から放射され前記トッププレートを通過した赤外線を受光する赤外線センサと、
前記赤外線センサの検出温度に基づき前記加熱コイルへの供給電力を制御する制御手段と、
前記トッププレート表面又は裏面に設けられ可視光線及び赤外線を遮蔽できる材料からなる遮光層と、
前記トッププレートに設けられ前記調理容器から放射される赤外線の通路となる赤外線透過窓と、
を備え、
前記遮光層で囲まれた区域内に前記赤外線透過窓を位置させ、
この赤外線透過窓の表面と裏面の何れか一方又は双方を、可視光線と赤外線を遮蔽できる材料からなる多数のドットＤＴを所定の間隔で配置したドット状印刷部にて覆い、
このドット状印刷部は、可視光線及び赤外線の透過を許容する開口率に設定されていることを特徴とする誘導加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理に関する情報を操作する操作画面の表示を制御する制御手段と、
着脱可能な外部記憶装置を装備する装着部と  
を有する基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記外部記憶装置が前記装着部に装着されている場合、装着された外部記憶装置を取り外すためのボタンが押下可能な場所に配置されるよう制御し、前記外部記憶装置が前記装着部に装着されていない場合、前記ボタンが押下されないよう制御する基板処理装置。
【請求項２】
基板処理に関する情報を操作する操作画面の表示を制御する制御手段と、
着脱可能な外部記憶装置を装備する装着部と
を有する基板処理装置の制御方法であって、
前記制御手段は、前記外部記憶装置が前記装着部に装着されている場合、装着された外部記憶装置を取り外すためのボタンが押下可能な場所に表示されるよう制御し、前記外部記憶装置が前記装着部に装着されていない場合、前記ボタンが押下されないよう制御する基板処理装置の制御方法。
【請求項３】
基板処理に関する情報を操作する操作画面の表示を制御する制御手段と、
着脱可能な外部記憶装置を装備する装着部と
を有する基板処理装置の表示方法であって、
前記制御手段は、前記外部記憶装置が前記装着部に装着されている場合、装着された外部記憶装置を取り外すためのボタンを押下可能な場所に明示し、前記外部記憶装置が前記装着部に装着されていない場合、前記ボタンを前記操作画面の背景と同様の色にして暗示する基板処理装置の表示方法。
【請求項４】
基板処理に関する情報を操作する操作画面の表示を制御する制御手段を有する基板処理装置の装着部に着脱可能な外部記憶装置であって、
前記装着部に装着されている場合、取り外すためのボタンが押下可能に明示され、前記装着部に装着されていない場合、前記ボタンが前記操作画面上の背景と同様の色にして暗示されると共に押下されないよう制御される外部記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、基板処理装置の表示方法、基板処理装置の制御方法、外部記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧の印加によって抵抗値が可変する可変抵抗素子を有するメモリセルと、
前記メモリセルへ印加する前記電圧を出力する電源回路と、
前記電源回路と前記メモリセルとの間に形成され、前記電源回路から出力された前記電圧を前記メモリセルに供給する配線と、
前記配線の電圧に応じて、前記メモリセルに記憶された情報を検出するセンスアンプと、
前記配線及び前記センスアンプと前記メモリセルとの間を接続状態または遮断状態のいずれかの状態に切り換える選択回路と、
前記配線に接続された放電回路とを具備し、
前記放電回路は、前記メモリセルに電圧を印加する第１動作の終了後、次に前記メモリセルに電圧を印加する第２動作が開始される直前に、かつ前記選択回路が前記配線及び前記センスアンプと前記メモリセルとの間を遮断状態にしている間に、前記配線に充電されている電荷を放電することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
電圧の印加によって抵抗値が可変する可変抵抗素子を有するメモリセルと、
前記メモリセルへ印加する前記電圧を出力する電源回路と、
前記電源回路と前記メモリセルとの間に形成され、前記電源回路から出力された前記電圧を前記メモリセルに供給する配線と、
前記配線に接続された放電回路とを具備し、
前記放電回路は、前記メモリセルに電圧を印加する第１動作の終了後から、次に前記メモリセルに電圧を印加する第２動作が開始されるまでの間に、前記配線に充電されている電荷を放電することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
前記放電回路は、前記第２動作が開始される直前に、前記配線に充電されている電荷を放電することを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記配線の電圧に応じて、前記メモリセルに記憶された情報を検出するセンスアンプと、
前記配線及び前記センスアンプと前記メモリセルとの間を接続状態または遮断状態のいずれかの状態に切り換える選択回路とをさらに具備し、
前記選択回路が前記配線及び前記センスアンプと前記メモリセルとの間を遮断状態にしている間に、前記放電回路は、前記配線に充電されている電荷を放電することを特徴とする請求項２または３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記第１動作あるいは前記第２動作は、読み出し、セット、及びリセットのいずれかの動作であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記メモリセルはビット線とワード線が交差した位置に配置され、
前記選択回路は、前記ビット線あるいは前記ワード線のいずれかと前記配線との間を接続状態または遮断状態のいずれかの状態に切り換えることを特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタの製造方法において、
金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に金属膜を形成し、
前記金属膜をドライエッチングにより加工し、
前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の製造方法において、
前記導電層のエッチングレートは、前記犠牲層のエッチングレートより低いことを特徴とする製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の製造方法において、
前記導電層のＳｎ濃度は、前記犠牲層のＳｎ濃度より高いことを特徴とする製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の製造方法において、
前記導電層の屈折率は、前記犠牲層の屈折率より高いことを特徴とする製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の製造方法において、
前記導電層は、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏの何れか一つから成り、
前記犠牲層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏの何れか一つから成ることを特徴とするの製造方法。
【請求項６】
薄膜トランジスタの製造方法において、
金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成るエッチストッパ層を形成し、
前記エッチストッパ層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に金属膜を形成し、
前記金属膜をドライエッチングにより加工し、
前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の製造方法において、
前記エッチストッパ層のエッチングレートは、前記犠牲層のエッチングレートより低いことを特徴とする製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の製造方法において、
前記エッチストッパ層のＳｎ濃度は、前記犠牲層のＳｎ濃度より高いことを特徴とする製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の製造方法において、
前記導電層の屈折率は、前記犠牲層の屈折率より高いことを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の製造方法において、
前記エッチストッパ層は、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏの何れか一つから成り、
前記犠牲層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏの何れか一つから成ることを特徴とする製造方法。
【請求項１１】
金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に金属膜を形成し、
前記金属膜をドライエッチングにより加工し、
前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行うことにより製造されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１１記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記導電層のエッチングレートは、前記犠牲層のエッチングレートより低いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１１記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記導電層のＳｎ濃度は、前記犠牲層のＳｎ濃度より高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１１記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記導電層の屈折率は、前記犠牲層の屈折率より高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１３記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記導電層は、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏの何れか一つから成り、
前記犠牲層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏの何れか一つから成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成るエッチストッパ層を形成し、
前記エッチストッパ層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に金属膜を形成し、
前記金属膜をドライエッチングにより加工し、
前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行うことにより製造されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
請求項１６記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記エッチストッパ層のエッチングレートは、前記犠牲層のエッチングレートより低いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１８】
請求項１６記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記エッチストッパ層のＳｎ濃度は、前記犠牲層のＳｎ濃度より高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１９】
請求項１６記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記導電層の屈折率は、前記犠牲層の屈折率より高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２０】
請求項１８記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記エッチストッパ層は、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏの何れか一つから成り、
前記犠牲層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏの何れか一つから成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して液滴を供給して前記基板を洗浄処理する基板処理装置であって、前記液滴を吐出するノズルと、
前記ノズルから吐出した前記液滴をさらに微細化して前記基板に供給する液滴微細化手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記液滴微細化手段は、前記ノズルから吐出した前記液滴に対して気体を供給する気体供給ノズルであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記気体供給ノズルからの前記気体の流れを前記ノズルから吐出した前記液滴に対して供給することにより、前記液滴の乱流を発生させることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ノズルと前記気体供給ノズルは、保持部材により一体構造になっていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板に対して液滴を供給して前記基板を洗浄処理する基板処理方法であって、
ノズルから微細粒子の前記液滴を吐出して、
前記ノズルから吐出した前記液滴を、液滴微細化手段によりさらに微細化して前記基板に供給することを特徴とする基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を製造する方法であって、
膜が形成されていない光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得て、当該投影光学系の波面収差を計測する計測工程と、
前記計測工程で組み立てられた投影光学系を分解して前記光学素子の少なくとも一つの表面の形状を加工する加工工程と、
前記加工工程で形状が加工された表面に膜を形成する膜形成工程と、
前記膜形成工程で膜が形成された光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得る組立工程と、
前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を前記加工工程の前に推定する推定工程と、
を含み、
前記加工工程において、前記計測工程で計測された投影光学系の波面収差と前記推定工程で推定された投影光学系の波面収差の変化量とに基づいて、投影光学系の波面収差を低減するように前記少なくとも一つの光学素子の少なくとも一つの表面の形状を加工する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
投影光学系を製造する方法であって、
膜が形成されていない光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得て、当該投影光学系の波面収差を計測する計測工程と、
前記計測工程で組み立てられた投影光学系を分解して前記光学素子の少なくとも一つの表面の形状を加工する加工工程と、
前記加工工程で形状が加工された表面に膜を形成する膜形成工程と、
前記複数の光学素子の間隔を調整する部材を準備する準備工程と、
前記膜形成工程で膜が形成された光学素子を含む複数の光学素子と前記準備工程で準備された部材とを組み立てて投影光学系を得る組立工程と、
前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を前記加工工程の前に推定する推定工程と、
を含み、
前記準備工程において、前記計測工程で計測された投影光学系の波面収差と前記推定工程で推定された投影光学系の波面収差の変化量とに基づいて、投影光学系の波面収差を低減するように前記部材を準備する、ことを特徴とする方法。
【請求項３】
製造すべき投影光学系と同じ諸元を持ち該製造すべき投影光学系とは別の投影光学系について、前記光学素子の少なくとも一つの光学面に膜を形成せずに複数の光学素子を組み立てて得られた投影光学系の波面収差と、当該少なくとも一つの光学面に膜を形成して複数の光学素子を組み立てて得られた投影光学系の波面収差とをそれぞれ計測し、当該計測された投影光学系の波面収差の差から、前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を推定する、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記膜形成工程において膜が形成される光学素子について、膜が形成される前と膜が形成された後とで透過波面を計測し、当該計測された光学素子の透過波面の差に基づいて、前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を推定する、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記膜形成工程において膜が形成される光学素子について、膜が形成される前と膜が形成された後とで表面形状を計測し、当該計測された光学素子の表面形状の差に基づいて、前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を推定する、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、投影光学系を製造する方法であって、膜が形成されていない光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得て、当該投影光学系の波面収差を計測する計測工程と、前記計測工程で組み立てられた投影光学系を分解して前記光学素子の少なくとも一つの表面の形状を加工する加工工程と、前記加工工程で形状が加工された表面に膜を形成する膜形成工程と、前記膜形成工程で膜が形成された光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得る組立工程と、前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を前記加工工程の前に推定する推定工程と、を含み、前記加工工程において、前記計測工程で計測された投影光学系の波面収差と前記推定工程で推定された投影光学系の波面収差の変化量とに基づいて、投影光学系の波面収差を低減するように前記少なくとも一つの光学素子の少なくとも一つの表面の形状を加工する、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011054856.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【図１】図１は、実施例１の不揮発性メモリ素子の製造方法によって得られた不揮発性メモリ素子の模式的な一部断面図である。
【図２】図２の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例１における不揮発性メモリ素子を構成する積層構造体の断面構造を概念的に示す図である。
【図３】図３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、実施例１の不揮発性メモリ素子の製造方法を説明するための、第１磁性材料層等の模式的な一部断面図である。
【図４】図４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図３の（Ｃ）に引き続き、実施例１の不揮発性メモリ素子の製造方法を説明するための、第１磁性材料層等の模式的な一部断面図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の不揮発性メモリ素子、及び、第２磁性材料層、トンネル絶縁膜及び第１磁性材料層をイオンミーリング法にてパターニングして得られた従来の不揮発性メモリ素子における、高読出し抵抗値及び低読出し抵抗値の測定結果を示すグラフである。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２における不揮発性メモリ素子を構成する積層構造体の断面構造を概念的に示す図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３の不揮発性メモリ素子の製造方法によって得られた不揮発性メモリ素子を構成する積層構造体の断面構造を概念的に示す図、及び、等価回路図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例３の不揮発性メモリ素子の製造方法を説明するための、第１磁性材料層等の模式的な一部断面図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、図８の（Ｂ）に引き続き、実施例３の不揮発性メモリ素子の製造方法を説明するための、第１磁性材料層等の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０は、図９の（Ｂ）に引き続き、実施例３の不揮発性メモリ素子の製造方法を説明するための、第１磁性材料層等の模式的な一部断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
［情報の消去］
第２電極７２に負電位（−電位）を印加すると共に、第１電極７１に正電位（＋電位）又はゼロ電位を印加すると、高抵抗層８１内に形成されていた電流パス、あるいは、不純物準位を構成する金属原子がイオン化して、高抵抗層８１内を移動してイオン源層８２へと戻る。その結果、高抵抗層８１内から電流パス若しくは欠陥が消滅して、高抵抗層８１の抵抗値が高くなる。このとき、イオン源層８２の抵抗値は元々低いので、高抵抗層８１の抵抗値が高くなることにより、不揮発性メモリ素子全体の抵抗値も高くなる。つまり、不揮発性メモリ素子がオフ状態（非導通状態）となる。このときの不揮発性メモリ素子全体の抵抗が消去抵抗となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスタをレーザトリミングする方法であって、
回路基板平面層上の一連のレジスタの各レジスタについての抵抗値を測定し、
各レジスタについて、測定された抵抗値及び目標抵抗値に基づいて、前記一連のレジスタを１つ又はそれ以上のビンに区分し、
前記抵抗値を測定して前記ビンに区分した後、前記ビンのそれぞれに割り当てられたレーザトリムファイルにしたがってレーザドリルが制御されることによって、各々のビン内のレジスタをトリミングする、
ことからなり、
前記レーザトリムファイルは、前記レーザドリルを制御するのに用いられる一連の設定パラメータを定義し、
前記レーザトリムファイルは、前記レジスタ内に平らなトリム溝を形成するためのドリルパターンを含み、
前記レーザドリルは、前記レーサドリルがアップロードしたレーザトリムファイルに含まれる一連の設定パラメータに基づいて、それぞれのレジスタ上でドリル作動を行うよう制御されるものであり、
前記ビンのそれぞれに予め割り当てられたレーザトリムファイルは、当該レーザトリムファイルにしたがってトリミングされたレジスタの抵抗値が、測定された抵抗値から目標抵抗値へと合致するように変化することが予期される、一連の設定パラメータを定義している、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記レーザトリムファイルにより定義される前記構成パラメータが、少なくとも、前記レーザドリルのスポットサイズ及び電力レベルを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レジスタが環状レジスタからなる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザトリムファイルが、少なくとも、平らな溝を形成するためのステップサイズ、重なり係数及び前記レジスタ上での送りステップ数を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
特定のビンに関連するトリムされた各レジスタの抵抗値を測定し、
前記特定のビン内のトリムされたレジスタの測定された抵抗値の分布に基づいて、該特定のビンに関連する前記レーザトリムファイルを調整する、
ことをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
特定のビンに関連するトリムされた各レジスタの抵抗値を測定し、
前記トリムされた抵抗値の分布を表示する、ことをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
各々のビンに関連する測定された抵抗値の分布を表示する、ことをさらに含む請求項１
に記載の方法。
【請求項８】
前記回路基板の平面層が印刷回路基板からなる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
レジスタをレーザトリミングするためのシステムであって、
回路基板平面層上の一連のレジスタの各レジスタについての抵抗値を測定するように構成されたテスタと、
各レジスタについて、測定された抵抗値及び目標抵抗値に基づいて、前記一連のレジスタを１つ又はそれ以上のビンに区分するように構成されたトリムアプリケーションと、
前記抵抗値を測定して前記ビンに区分した後、前記ビンのそれぞれに割り当てられたレーザトリムファイルにしたがって制御されることによって、各々のビン内のレジスタをトリミングするように構成されたレーザドリルと、
を含み、
前記レーザトリムファイルは、前記レーザドリルを制御するのに用いられる一連の設定パラメータを定義し、
前記レーザトリムファイルは、前記レジスタ内に平らなトリム溝を形成するためのドリルパターンを含み、
前記レーザドリルは、前記レーザトリムファイルを読み取り、前記レーザトリムファイルに含まれる一連の設定パラメータにしたがって、それぞれのレジスタ上でドリル作動を行うよう制御されるものであり、
前記ビンのそれぞれに予め割り当てられたレーザトリムファイルは、前記レーザドリルが前記レーザトリムファイルにしたがって制御されることによって実行されるレジスタのトリミングの結果、所定の抵抗値を有するレジスタが所定の目標値に合致するように変化することが予期される、一連の設定パラメータが定義されている、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記レーザトリムファイルにより定義される前記構成パラメータが、少なくとも、前記レーザドリルのスポットサイズ及び電力レベルを含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記レジスタが環状レジスタからなる請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記レーザトリムファイルが、さらに、該レジスタ内に平らな溝を形成するためのドリルパターンを該レジスタ上に定義するものである、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記回路基板の平面層が印刷回路基板からなる請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記テスタが、さらに、特定のビンに関連する各々のトリムされた環状レジスタの抵抗値を測定するように構成された請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記レーザトリムアプリケーションが、さらに、前記特定のビン内の前記トリムされたレジスタの前記測定された抵抗値の分布に基づいて、該特定のビンに関連するレーザトリムファイルを調整するように構成された請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記レーザトリムアプリケーションが、さらに、前記トリムされた抵抗値の分布を表示して、前記特定のビンに関連するレーザドリルファイルの性能を評価するように構成された請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記レーザトリムアプリケーションが、さらに、各々のビンに関連する測定された抵抗値の分布を表示して、基になる受動素子形成工程の性能を評価するように構成された請求項９に記載のシステム。
【請求項１８】
レジスタのレーザトリミングに用いられるコンピュータに、
回路基板平面層上の一連のレジスタの各レジスタについての抵抗値を測定し、
各レジスタについて、測定された抵抗値及び目標抵抗値に基づいて、前記一連のレジスタを１つ又はそれ以上のビンに区分し、
前記抵抗値を測定して前記ビンに区分した後、前記ビンのそれぞれに割り当てられたレーザトリムファイルにしたがってレーザドリルが制御されることによって、各々のビン内のレジスタをトリミングする、
ことを実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記レーザトリムファイルは、前記レーザドリルを制御するのに用いられる一連の設定パラメータを定義し、
前記レーザトリムファイルは、前記レジスタ内に平らなトリム溝を形成するためのドリルパターンを含み、
前記レーザドリルは、前記レーサドリルがアップロードしたレーザトリムファイルに含まれる一連の設定パラメータに基づいて、それぞれのレジスタ上でドリル作動を行うよう制御されるものであり、
前記ビンのそれぞれに予め割り当てられたレーザトリムファイルは、当該レーザトリムファイルにしたがってトリミングされたレジスタの抵抗値が、測定された抵抗値から目標抵抗値へと合致するように変化することが予期される、一連の設定パラメータを定義している、記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップからの光を、蛍光体又は波長吸収剤を含む樹脂カバーを通過させることによって発光色を変換してなるＬＥＤランプの製造方法であって、
蛍光体または波長吸収剤を含む樹脂カバーを形成するステップ、
蛍光体または波長吸収剤を含有するとともに接着剤を含むバインダーを作成するステップ、
樹脂カバーを、バインダーを介してＬＥＤチップの上部から被せ、樹脂カバーとＬＥＤチップおよびチップの載った基板との隙間をバインダーにより封止するステップ、
バインダーを硬化させるステップ、
からなる、上記製造方法。
【請求項２】
樹脂カバーとＬＥＤチップの間にバインダー層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
バインダーが、シリコーン系接着剤、エポキシ系接着剤又は無機微粒子から選ばれる結合剤を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤランプの製造方法。
【請求項４】
バインダーが、充填剤および／または拡散材を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
ＬＥＤがフリップチップ型ＬＥＤであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
樹脂カバーが、キャップ状に形成されたものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
樹脂カバーの外側に樹脂により形成されたレンズ部を有する請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
レンズ部がフレネルレンズである請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に、画素部と、駆動回路部とを有し、
前記画素部は、第１のトランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極を有し、
前記第１のゲート電極上にゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層上に第１のソース電極及び第１のドレイン電極を有し、
前記第１のソース電極及び第１のドレイン電極上に酸化物絶縁層を有し、
前記画素部において、画素電極上に液晶層を有し、
前記画素電極は前記酸化物絶縁層に形成された第１のコンタクトホールを介して、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、
第２のゲート電極を有し、
前記第２のゲート電極上に前記ゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に第２の酸化物半導体層を有し、
前記第２の酸化物半導体層上に第２のソース電極及び第２のドレイン電極を有し、
前記第２のソース電極及び第２のドレイン電極上に前記酸化物絶縁層を有し、
前記駆動回路部において、第１の導電層と、第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と同一層から形成され、
前記第２の導電層は、前記画素電極と同一層から形成され、
前記第２の導電層は、前記ゲート絶縁層及び前記酸化物絶縁層に形成された第２のコンタクトホールに設けられた領域を有し、
前記第２の導電層を介して、前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極と、前記第１の導電層とは電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート絶縁層は、酸化珪素層、酸化窒化珪素層、又は酸化アルミニウム層の単層又は積層を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記画素電極及び前記第２の導電層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛を有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月13日(2012.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記入射面は、前記光源の端部よりも離れた位置を中心とする円弧、又は、楕円弧の断面形状を有する凹曲面であることを特徴とする請求項１の車両用灯具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に係る車両用灯具は、請求項１に係る発明において、前記入射面は、前記光源の端部よりも離れた位置を中心とする円弧、又は、楕円弧の断面形状を有する凹曲面であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ＬＥＤ光源３０は、例えば、一つ又は複数のＬＥＤチップをパッケージ化した白色光を出射する光源であり、光を放出する平面状の光放出面３０Ａが略鉛直方向上向きに配置されている。例えば、ＬＥＤチップとして青色発光のＩｎＧａＮ系のＬＥＤチップを用い、図６に示すように回路基板２０２に実装された当該ＬＥＤチップ２００上に波長変換材料層２０４を平面状に設けたものを用いることができる。波長変換材料層２０４は、例えば公知のＹＡＧ蛍光体をシリコーン樹脂中に分散したものなどが用いられる。これによりＬＥＤチップからの青色と、ＹＡＧ蛍光体に波長変換された黄色（赤色成分および緑色成分を含む光）との混色により白色光を出射する。なお、光放出面３０Ａは平面状に限るものではなく、凸形状をなしたものでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質及び正極集電体から成る正極と、負極活物質及び負極集電体から成る負極と、前記正極及び前記負極間に充填される電解質と、を含む電気化学セル本体を収納し、
周縁部をヒートシールすることにより前記電気化学セル本体を密封する電気化学セル用包装材であって、
少なくとも、基材層、接着剤層、金属箔層、熱接着性樹脂層がこの順に積層された構造を有する多層フィルムであり、
前記基材層、前記接着剤層、前記金属箔層のいずれかの層に識別標識が含まれ、
前記基材層上面にマットニス層が形成されていることを特徴とする電気化学セル用包装材。
【請求項２】
正極活物質及び正極集電体から成る正極と、負極活物質及び負極集電体から成る負極と、前記正極及び前記負極間に充填される電解質と、を含む電気化学セル本体を収納し、
周縁部をヒートシールすることにより前記電気化学セル本体を密封する電気化学セル用包装材であって、
少なくとも、基材層、接着剤層、金属箔層、熱接着性樹脂層がこの順に積層された構造を有する多層フィルムであり、
前記基材層、前記接着剤層、前記金属箔層のいずれかの層に識別標識が含まれ、
前記基材層上面にマット処理が施され、表面が所定の表面粗さに加工されていることを特徴とする電気化学セル用包装材。
【請求項３】
正極活物質及び正極集電体から成る正極と、負極活物質及び負極集電体から成る負極と、前記正極及び前記負極間に充填される電解質と、を含む電気化学セル本体を収納し、
周縁部をヒートシールすることにより前記電気化学セル本体を密封する電気化学セル用包装材であって、
少なくとも、基材層、接着剤層、金属箔層、熱接着性樹脂層がこの順に積層された構造を有する多層フィルムであり、
前記基材層、前記接着剤層、前記金属箔層のいずれかの層に識別標識が含まれ、
前記基材層が延伸ナイロンフィルムで構成され、前記識別標識が、着色された前記延伸ナイロンフィルムにより構成されていることを特徴とする電気化学セル用包装材。
【請求項４】
正極活物質及び正極集電体から成る正極と、負極活物質及び負極集電体から成る負極と、前記正極及び前記負極間に充填される電解質と、を含む電気化学セル本体を収納し、
周縁部をヒートシールすることにより前記電気化学セル本体を密封する電気化学セル用包装材であって、
少なくとも、基材層、接着剤層、金属箔層、熱接着性樹脂層がこの順に積層された構造を有する多層フィルムであり、
前記基材層、前記接着剤層、前記金属箔層のいずれかの層に識別標識が含まれ、
前記識別標識が、前記金属箔層を構成する金属箔表面に施された凹凸により構成されていることを特徴とする電気化学セル用包装材。
【請求項５】
前記識別標識が、パール顔料を構成樹脂に含有させて構成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気化学セル用包装材。
【請求項６】
前記識別標識が、蛍光顔料を構成樹脂に含有させて構成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気化学セル用包装材。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子分離領域で区画された１つのフォトダイオード領域と、
転送ゲートを介して前記１つのフォトダイオード領域に接続するＣＣＤレジスタと
を具備し、
前記１つのフォトダイオード領域は、
複数のテーパ状領域を備え、
前記複数のテーパ状領域の各々は、
前記転送ゲートに近づくにしたがって幅が広くなるように形成されている
ＣＣＤイメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
制御部１３０Ａは、処理実行部１３５Ａをさらに備えることとしてもよい。受信部１４１Ａは、処理を実行する旨を示す処理要求を情報入力装置２００Ａからさらに受信する場合も想定される。その場合には、処理実行部１３５Ａは、受信部１４１Ａによって処理要求が受信されると、新たな注目オブジェクト位置情報に応じた処理を実行する。新たな注目オブジェクト位置情報に応じた処理としては、例えば、新たな注目オブジェクト位置情報として（Ｘ１，Ｙ１）が選択された場合には、（Ｘ１，Ｙ１）が示す位置に表示されるオブジェクト１１１ａであるテキストボックスに文字列を入力させる処理が想定される。また、例えば、新たな注目オブジェクト位置情報として（Ｘ９，Ｙ９）が選択された場合には、（Ｘ９，Ｙ９）が示す位置に表示されるオブジェクト１１１ｉに対応する処理としてデータ登録が実行される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
Ａ１（Ｘ１，Ｙ１）の属する領域Ｒ１は、Ａ１（Ｘ１，Ｙ１）からの距離が他のオブジェクト位置Ａ２（Ｘ２，Ｙ２）〜Ａ９（Ｘ９，Ｙ９）からの距離よりも小さい位置の集合である。同様に、Ａ２（Ｘ２，Ｙ２）の属する領域Ｒ２は、Ａ２（Ｘ２，Ｙ２）からの距離が他のオブジェクト位置Ａ１（Ｘ１，Ｙ１）、Ａ３（Ｘ３，Ｙ３）〜Ａ９（Ｘ９，Ｙ９）からの距離よりも小さい位置の集合である。他の領域Ｒ３〜Ｒ９（不図示）についても同様に定義される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
カーソル位置決定部１３６Ｂは、例えば、記憶部１２０Ｂによって記憶されているカーソル位置情報と受信部１４１Ｂによって受信されたベクトルとに基づいて新たなカーソル位置情報を決定することとしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
カーソル位置決定部１３６Ｂは、記憶部１２０Ｂによって記憶されているカーソル位置情報に受信部１４１Ｂによって受信されたベクトルを加算することによって新たなカーソル位置情報を決定することとしてもよい。上記した例では、カーソル位置決定部１３６Ｂは、記憶部１２０Ｂによって記憶されているカーソル位置情報が（ｘ１，ｙ１）である場合に、受信部１４１Ｂによってベクトル（ｘ２−ｘ１，ｙ２−ｙ１）が受信されると、Ｃ１（ｘ１，ｙ１）にベクトル（ｘ２−ｘ１，ｙ２−ｙ１）を加算することによって新たなカーソル位置情報（ｘ２，ｙ２）を決定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
制御部１３０Ｂは、処理実行部１３５Ｂをさらに備えることとしてもよい。受信部１４１Ｂは、処理を実行する旨を示す処理要求を情報入力装置２００Ｂからさらに受信する場合も想定される。その場合には、処理実行部１３５Ｂは、受信部１４１Ｂによって処理要求が受信されると、新たな注目オブジェクト位置情報に応じた処理を実行する。新たな注目オブジェクト位置情報に応じた処理としては、例えば、新たな注目オブジェクト位置情報として（Ｘ１，Ｙ１）が選択された場合には、（Ｘ１，Ｙ１）が示す位置に表示されるオブジェクト１１１ａであるテキストボックスに文字列を入力させる処理が想定される。また、例えば、新たな注目オブジェクト位置情報として（Ｘ９，Ｙ９）が選択された場合には、（Ｘ９，Ｙ９）が示す位置に表示されるオブジェクト１１１ｉに対応する処理としてデータ登録が実行される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011054049.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2011054049.tif 000002