【事件の表示】
　特願２００４−　８７０６７「薄膜磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月３１日出願公開、特開２００５−　８５４５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年３月２４日（パリ条約による優先権主張　平成１５年９月４日、米国）の出願であって、平成１８年１０月２５日付けの拒絶理由通知に応答して平成１９年１月１１日付けで手続補正がなされたが、同年８月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１４日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１乃至９に係る発明は、平成１９年１月１１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】
　記録媒体に対向する媒体対向面と、
　前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第１および第２の磁極層と、
　前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
　前記第２の磁極層は、前記ギャップ層に隣接するように配置され、スロートハイトを規定する端部を含むスロートハイト規定層と、前記スロートハイト規定層における前記ギャップ層とは反対側に配置され、トラック幅を規定するトラック幅規定部を含むトラック幅規定層とを有し、
　前記スロートハイト規定層の幅および前記トラック幅規定部の幅はいずれもトラック幅に等しい薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　前記第１の磁極層を形成する工程と、
　前記第１の磁極層の上に前記薄膜コイルを形成する工程と、
　前記第１の磁極層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
　前記ギャップ層の上に、前記スロートハイト規定層を形成するための磁性層を形成する工程と、
　レジスト層をパターニングすることによって、前記磁性層の上に、前記磁性層にスロートハイトを規定する端部を形成するためのマスクを形成する工程と、
　前記マスクを用い、イオンビームエッチングによって前記磁性層を選択的にエッチングすることによって、前記磁性層にスロートハイトを規定する端部を形成する工程と、
　前記マスクを残したまま、前記磁性層においてエッチングされた部分を埋めるように非磁性層を形成する工程と、
　前記非磁性層の形成後に、前記マスクを除去する工程と、
　前記マスクを除去した後に、前記磁性層および非磁性層の上に前記トラック幅規定層を形成する工程と、
　前記磁性層によって前記スロートハイト規定層を形成すると共に前記第１の磁極層の一部、ギャップ層、スロートハイト規定層およびトラック幅規定部の媒体対向面における幅をトラック幅に揃えるために、前記トラック幅規定層のトラック幅規定部の幅に合うように、前記磁性層、ギャップ層および第１の磁極層の一部をエッチングする工程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
３．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００２−１２３９０４号公報（以下「引用例１」という。）には、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関して、図面と共に、次の記載がある（下線は当審で付した。）。
　
ア．「【請求項１７】　 
記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前記第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層とを有すると共に、前記第１の磁性層が、前記ギャップ層より遠い側から順に配設された第１の磁性層部分および第２の磁性層部分の積層体を含み、前記第２の磁性層部分が、記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定幅を保ちつつ前記記録媒体対向面からこの面より離れる方向に前記ギャップ層に隣接ながら延在して第１の位置で終端し、前記第１の磁性層部分が、前記第２の磁性層部分の前記一定幅と同一の幅を保ちつつ前記記録媒体対向面またはその近傍位置からこの面より離れる方向に延在して前記第１の位置と同一または近傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、前記一定幅部分の幅よりも大きな幅を有すると共に、前記第２の位置から前記記録媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法
前記第２の磁性層のうちの前記第１の磁性層に近い側に窪み領域を形成する第１の工程と、
前記窪み領域に前記薄膜コイルの一部をなす第１の薄膜コイルを形成する第２の工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】　前記絶縁層が、前記第１の薄膜コイルを覆う第１の絶縁部分を含む場合において、
さらに、
少なくとも、前記第１の薄膜コイルが形成された前記第２の磁性層の前記窪み領域およびその周辺領域を覆うように、前記第１の絶縁層部分の前準備層としての第１の前駆絶縁層を形成する第３の工程と、
少なくとも前記第２の磁性層が露出するまで前記第１の前駆絶縁層を研磨して平坦化することにより前記第１の絶縁層部分を形成する第４の工程とを含むことを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】　前記絶縁層が、さらに、前記第１の絶縁部分に隣接する第２の絶縁部分を含む場合において、
さらに、
前記ギャップ層上における前記記録媒体対向面が形成されるべき位置の近傍から前記第１の位置に至る領域に、前記第２の磁性層部分の前準備層としての前駆磁性層を形成する第５の工程と
少なくとも前記前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように、前記第２の絶縁層部分の前準備層としての第２の前駆絶縁層を形成する第６の工程と
少なくとも前記前駆磁性層が露出するまで前記第２の前駆絶縁層を研磨して平坦化することにより前記第２の絶縁層部分を形成する第７の工程とを含む
　
イ．「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、磁極幅の極微小化が進むにつれ、製造上の問題から磁極自体の厚みも薄くすることが要求され、その結果、ヘッド全体の構成部品（例えばコイル等）の寸法が軒並み極微細化される傾向にある。
記録ヘッドの性能のうち、記録媒体に対する情報の重ね書き特性、すなわちオーバーライト特性を良好に確保するためには、コイルを通電させることにより十分な量の磁束を発生させ、発生した磁束を磁極部分へ供給する必要がある
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、
磁極幅を極微小化しつつ、優れたオーバーライト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する
　
ウ．「【００３２】図１〜図８において、（Ａ）はエアベアリング面（記録媒体対向面）に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図９〜図１２は主要な製造工程に対応する斜視構造を示している。ここで、図９は図３に示した状態に対応し、図１０は図４に示した状態に対応し、図１１は図５に示した状態に対応し、図１２は図６に示した状態に対応する。ただし、図１０では図４における第２の前駆絶縁層１７Ｐの図示を省略し、図１１および図１２では、図５および図６のそれぞれにおけるにフォトレジスト膜９０の図示を省略している。図１３は、図３に示した状態に対応する平面構造を示している。
【００３３】以下の説明では、図１〜図１３の各図中におけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方向」、Ｚ軸方向を「厚み（深さ）方向または高さ方向」として表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面７０に近い側（または後工程においてエアベアリング面７０となる側）を「前側（または前方）」、その反対側を「後側（または後方）」と表記するものとする。」
　
エ．「【００３７】次に、図１に示したように、例えばフレームめっき法により、絶縁膜９上に、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えばパーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）よりなる
下部磁性層１０Ａを約０．８μｍ〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。この下部磁性層１０Ａは、下部磁極１０の一部を構成するものである
　
オ．「【００４０】ここで、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成は、例えば、以下のような手順により行う。すなわち、まず、例えばスパッタリングにより、下部前駆磁性層１１０の表面を覆うようにアルミナ層を形成する。続いて、このアルミナ層の表面を覆うようにフォトレジスト膜を形成したのち、このフォトレジスト膜をフォトリソグラフィ処理によりパターニングし、アルミナ層をエッチングするためのマスクを形成する。このとき形成するマスクの平面形状は、最終的に形成するマスク８０Ａ，８０Ｂの平面形状とほぼ同様となるようにする。続いて、フォトレジスト膜よりなるマスクを用いて、例えばリアクティブイオンエッチング（Reactive Ion Etching；以下、単に「ＲＩＥ」という）により
アルミナ層をエッチングすることによりマスク８０Ａ，８０Ｂを形成する
【００４１】次に、マスク８０Ａ，８０Ｂを用いて、例えばＲＩＥにより、例えば下部磁性層１０Ａが露出するまで下部前駆磁性層１１０をエッチングしてパターニングする。このエッチング処理により、下部前駆磁性層１１０のうち、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成領域以外の領域が選択的に除去され、図２に示したように、下部磁性層１０Ａ上における前方の領域に下部磁性層１０Ｂが選択的に形成されると共に、後方の領域に下部接続部１０Ｃが選択的に形成される。下部磁性層１０Ａ上における下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃ周辺の領域は、下部磁性層１０Ｂ等の厚みに相当する深さを有する窪み領域１０Ｈとなる。
下部磁性層１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃは、共に下部磁極１０の一部を構成するものである
【００４２】一般に、ＲＩＥを用いた場合のエッチング速度は、イオンミリングを用いた場合のエッチング速度よりも速い。このため、エッチング方法としてＲＩＥを用いることにより、イオンミリングを用いる場合よりも、下部磁性層１０Ｂ等を短時間で形成することができる。ＲＩＥによるエッチング処理を用いて下部磁性層１０等を形成する場合には、特に、エッチング時に使用するエッチングガスの種類やエッチング時の加工温度などのエッチング条件を適正化することにより、下部磁性層１０Ｂ等の形成に要する時間をより短縮させることが可能となる。このようなエッチング条件の適正化に関する詳細については、後述する。なお、下部前駆磁性層１１０を形成するためのエッチング処理によりマスク８０Ａ，８０Ｂのそれぞれ自体もエッチングされ、それらの厚みは減少することとなる。エッチング処理が完了した時点で、マスク８０Ａ，８０Ｂが残存するようにしてもよいし（図２参照）、残存しないようにしてもよい。下部前駆磁性層１１０をパターニングするためのエッチング方法としては、必ずしもＲＩＥを用いなければならないものではなく、イオンミリングを用いるようにしてもよい。ここで、下部磁性層１０Ｂが、本発明における「第２の磁性膜パターン」の一具体例に対応し、
下部磁性層１０Ａ，１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃによって構成される下部磁極１０が、本発明における「第２の磁性層」の一具体例に対応する
　
カ．「【００４４】次に、図２に示したように、下部磁性層１０Ｂの形成領域よりも後方の領域（下部接続部１０Ｃの形成領域を除く）における平坦な絶縁膜１１上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の
記録ヘッド用の薄膜コイル１２を約０．８μｍ〜１．２μｍの厚みで選択的に形成する
　
キ．「【００４８】次に、図３に示したように、研磨後の平坦面上に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例えばアルミナよりなる
記録ギャップ層１５を約０．１μｍ〜０．１５μｍの厚みで平坦に形成する
　
ク．「【００５０】次に、図３に示したように、全体を覆うように、例えばスパッタリングにより
基礎磁性層１１６を約０．３μｍ〜１．０μｍの厚みで形成する
【００５１】次に、図３、図９および図１３に示したように、
基礎磁性層１１６上の所定の位置にマスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃを選択的に形成する。マスク８１Ａを形成する際には、その形成領域が、後工程において形成される第２の磁極先端部１６Ａの形成領域を含むようにする
マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃの形成材料および形成方法等は、例えば、上記したマスク８０Ａ，８０Ｂの場合とほぼ同様である
【００５２】次に、
マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃを用いて、例えばＲＩＥにより、基礎磁性層１１６をエッチングしてパターニングする。このエッチング処理により、基礎磁性層１１６のうち、マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃの形成領域以外の領域が選択的に除去され、図４および図１０に示したように、記録ギャップ層１５上における前方の領域に上部前駆磁性層１１６Ａが選択的に形成され
エッチング処理が完了した時点で、マスク８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃが残存するようにしてもよい
記録ギャップ層１５における上部前駆磁性層１１６Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも前方の部分が、本発明における「ギャップ層」の一具体例に対応し、上部前駆磁性層１１６Ａが、本発明における「前駆磁性層」の一具体例に対応する
【００５３】次に、
図４に示したように、全体を覆うように、例えばアルミナよりなる第２の前駆絶縁層１７Ｐを約０．８μｍ〜２．０μｍの厚みで形成する
【００５４】次に、例えばＣＭＰ法により、
第２の前駆絶縁層１７Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理により、図５に示したように、上部前駆磁性層１１６Ａ、磁路接続部１６Ｂおよびコイル接続部１６Ｓの周辺領域を埋設する絶縁膜１７が形成される
上部前駆磁性層１１６Ａ，磁路接続部１６Ｂおよびコイル接続部１６Ｓが露出する
上部前駆磁性層１１６Ａと絶縁膜１７との境界面１６７Ｙは平面をなし、かつ記録ギャップ層１５の平坦な表面１５Ｍに対して垂直になる
絶縁膜１７の前端の位置は、記録ヘッドの性能を決定する因子のうちの１つであるスロートハイト（ＴＨ）を決定するための基準の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）となる
【００５５】次に、図５および図１１に示したように、
上部前駆磁性層１１６Ａ上から磁路接続部１６Ｂ上にかけての平坦領域に、例えばフレームめっき法により、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を含んで高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（ＣｏＮｉＦｅ；Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁性層１６Ｃを約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する
【００５６】
上部磁性層１６Ｃを形成する際には
第１の磁極先端部１６Ｃ(1) 、中間部１６Ｃ(2) 、後端部１６Ｃ(3) およびヨーク部１６Ｃ(4) を含むようにする。このとき、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅（約０．１μｍ〜０．２μｍ）を有するように第１の磁極先端部１６Ｃ(1) を形成する
【００５７】ここで、
第１の磁極先端部１６Ｃ(1) が、本発明における「一定幅部分」の一具体例に対応
　
ケ．「【００６０】次に、
上部磁性層１６Ｃおよびフォトレジスト膜９０の双方をマスクとして、例えばＲＩＥにより、上部前駆磁性層１１６Ａおよびその周辺領域を選択的にエッチングする。このエッチング処理により、上部前駆磁性層１１６Ａのうち、上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部１６Ｃ(1) に対応する部分以外の部分が選択的に除去され、図６および図１２に示したように、上部磁極１６の一部を構成する第２の磁極先端部１６Ａが形成される
第２の磁極先端部１６Ａは、上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部１６Ｃ(1) と同様に、記録媒体上の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ２を有することとなる
第２の磁極先端部１６Ａ，磁路接続部１６Ｂ，上部磁性層１６Ｃによって構成される上部磁極１６が、本発明における「第１の磁性層」の一具体例に対応する
　
コ．「【００６２】さらに、
上部磁性層１６Ｃおよびフォトレジスト膜９０をマスクとして、例えばＲＩＥにより、全体を約０．３μｍ〜０．４μｍ程度エッチングする。このエッチング処理により、第２の磁極先端部１６Ａ周辺における記録ギャップ層１５、下部磁性層１０Ｂおよび絶縁膜１７のそれぞれの一部が選択的に除去され、図６および図１２に示したように、トリム構造を有する磁極部分１００が形成される
磁極部分１００は、上部磁性層１６Ｃにおける第１の磁極先端部１６Ｃ(1) と、第２の磁極先端部１６Ａと、記録ギャップ層１５の一部と、下部磁性層１０Ｂのうちの第２の磁極先端部１６Ａ等に対応する部分とによって構成される
磁極部分１００を構成する上記の各部位は、互いにほぼ同様の幅を有している。
　
サ．「【００６５】最後に、図８に示したように、
機械加工や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する
　
シ．「【００６８】
絶縁膜１７の前端の位置（第２の磁極先端部１６Ａの後端の位置Ｐ１）は、スロートハイト（ＴＨ）を決定する際の基準となる位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）である
スロートハイト（ＴＨ）は、絶縁膜１７の前端の位置（ＴＨ０位置）からエアベアリング面７０までの長さとして規定される
【００６９】
下部磁極１０は、上記したように、例えば、それぞれ別個に形成された下部磁性層１０Ａ，１０Ｂおよび下部接続部１０Ｃによって構成されている
　
　上記摘示事項「ア」乃至「シ」によれば、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部に、記録ギャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁極層および第２の磁極層と、前記第１の磁極層と第２の磁極層との間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前記第１の磁極層および第２の磁極層から絶縁する絶縁層とを備え、
　前記第１の磁極層が、前記記録ギャップ層より遠い側から順に配設された第１の磁極先端部および第２の磁極先端部を含み、前記第２の磁極先端部が記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定幅を保ちつつ前記記録媒体対向面から離れる方向に前記記録ギャップ層に隣接して延在してスロートハイトを決定するための第１の位置で終端し、前記第１の磁極先端部が、前記第２の磁極先端部の前記一定幅と同一の幅を保ちつつ前記記録媒体対向面から離れる方向に延在して第２の位置で終端する記録トラック幅を規定する一定幅部分とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第２の磁性層を形成し、
　前記第２の磁性層上に薄膜コイルを形成し、
　前記第２の磁性層の磁極に記録ギャップ層を形成し、
　前記記録ギャップ層の上に、前記第２の磁極先端部を形成するための基礎磁性層を形成し、
　前記基礎磁性層上の所定の位置に前記第２の磁極先端部を含む上部前駆磁性層を形成するためのマスクを形成し、
　前記マスクを用いて、前記基礎磁性層をエッチングして、マスクの形成領域以外の領域を選択的に除去し、上部前駆磁性層を形成し、
　前記マスクを残存させて、全体を覆うように前駆絶縁層を形成し、
　前記前駆絶縁層を研磨して、前記上部前駆磁性層の周辺領域を埋設する絶縁膜を形成し、
　前記絶縁層を形成するための研磨処理を行う際には、前記上部前駆磁性層が露出し、
　前記絶縁膜の前端の位置は、スロートハイトを決定するための基準の位置となり、
　前記上部前駆磁性層および前記絶縁膜上の平坦領域に、前記記録トラック幅を規定する一定幅を有する前記第１の磁極先端部を形成し、
　前記第１の磁極先端部をマスクとして、前記上部前駆磁性層を選択的にエッチングして前記第１の磁極先端部に対応する部分以外の部分を選択的に除去して前記第２の磁極先端部を形成し、
　前記第１の磁極先端部と、前記第２の磁極先端部と、前記記録ギャップ層と、前記第２の磁性層の一部とを、互いにほぼ同様の幅を有するようにエッチングする
　薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００２−１９７６１２号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は当審で付した。）。
　
ス．「【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、
過研磨加工を行うことなく埋込パターンを高精度に形成可能な埋込パターンの形成方法およびこの方法を利用した磁気ヘッドの製造方法
　
セ．「【００３９】続いて、
フォトリソグラフィ処理によってマスク層３１およびフォトレジスト層３２を同時にパターニングすることにより、図１に示したように、パターニング処理後のマスク層３１の残存部分およびフォトレジスト層３２の残存部分により構成され、後工程において形成される溝４２（図２参照）を規定するための開口を有するリフトオフマスク４０を形成する。
リフトオフマスク４０を用いて、例えばアルゴン（Ａｒ）などのイオンビーム４１を用いたイオンビームエッチングによって下部磁極１１Ｂをエッチングする
エッチング時において活性塩化物や活性フッ化物によってエッチング対象物（下部磁極１１Ｂ）がアタックされることによる弊害を防止することを考慮すれば、イオンビームエッチングを用いるのが好ましい
【００４１】続いて、図３に示したように、
リフトオフマスク４０を配設したまま、例えばスパッタリングにより、少なくとも溝４２が埋め込まれるように非磁性埋込層５０を形成する。非磁性埋込層５０を形成する際には、例えば、形成材料として酸化アルミニウム（アルミナ；Ａｌ2 Ｏ3 ）や酸化珪素（シリカ；ＳｉＯ2 ）などの非磁性材料を用いる
約０．３μｍ〜０．５５μｍの厚みとなるように非磁性埋込層５０を形成する。下部磁極１１Ｂに設けられた溝４２は、非磁性埋込層５０によって満たされる
【００４２】続いて、リフト処理を行う。すなわち、例えばＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）またはアセトンを含むエッチャントを用いたウェットエッチングによってマスク層３１を溶解させることにより、
リフトオフマスク４０を除去する。
下部磁極１１Ｂおよび非磁性埋込パターン２０の表面は、全体に渡ってほぼ平坦となる
　
ソ．「【００４７】また、例えば、上記実施の形態では、本発明の埋込パターンの形成方法を、薄膜磁気ヘッドのうちの非磁性埋込パターン２０の形成工程に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、
薄膜磁気ヘッドのうちの他の構成要素または薄膜磁気ヘッド以外の他の分野における各種デバイス等の製造に適用可能である
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明と本願発明の「記録媒体」は共通し、引用発明の「記録媒体対向面」は、本願発明の「媒体対向面」に相当する。
（２）引用発明の「磁極」は、本願発明の「磁極部分」に相当するから、引用発明の「記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁極層および第２の磁極層」は、本願発明の「前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第１および第２の磁極層」に相当する。
（３）引用発明の「記録ギャップ層」は、対向する２つの磁極の間に設けられているから、本願発明の「第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層」に相当する。
（４）引用発明の「薄膜コイル」は、「前記第１の磁極層と第２の磁極層との間に配設され」、「前記第１の磁極層および第２の磁極層から絶縁」されているから、本願発明の「少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル」に相当する。
（５）引用発明の「第１の磁極層」及び「第２の磁極層」は、「上部磁極」（段落【００６０】）及び「下部磁極」（段落【００４２】）のことであるから、本願発明の「第２の磁極層」及び「第１の磁極層」にそれぞれ相当する。
（６）引用発明と本願発明の「スロートハイト」は共通する。そして、引用発明の「第２の磁極先端部」は、ギャップ層上に配設され、記録媒体対向面から離れる方向に延在してスロートハイトを決定するための第１の位置で終端しているから、本願発明の「ギャップ層に隣接するように配置され、スロートハイトを規定する端部を規定する端部を含むスロートハイト層」に相当する。
（７）引用発明の「記録トラック幅」は、本願発明の「トラック幅」に相当する。そして、引用発明の「第１の磁極先端部」は、ギャップ層より遠い側に配設され、記録媒体対向面から離れる方向に延在して第２の位置で終端する記録トラック幅を規定する一定幅部分であるから、本願発明の「スロートハイト規定層における前記ギャップ層とは反対側に配置され、トラック幅を規定するトラック幅規定部を含むトラック幅規定層」に相当する。
（８）引用発明の「第１の磁極先端部」及び「第２の磁極先端部」は、記録トラック幅を規定するための一定幅を保つから、いずれも記録トラック幅に等しいものである。
（９）引用発明と本願発明の「薄膜磁気ヘッド」は共通する。
（１０）引用発明の「第２の磁性層を形成し」は、本願発明の「第１の磁極層を形成する」工程に相当する。
（１１）引用発明の「第２の磁性層上に薄膜コイルを形成し」は、本願発明の「第１の磁極層の上に薄膜コイルを形成する」工程に相当する。
（１２）引用発明の「第２の磁性層の磁極に記録ギャップ層を形成し」は、本願発明の「第１の磁極層の磁極部分の上にギャップ層を形成する」工程に相当する。
（１３）引用発明の「基礎磁性層」は、本願発明の「磁性層」に相当するから、引用発明の「前記記録ギャップ層の上に、前記第２の磁極先端部を形成するための基礎磁性層を形成し」は、本願発明の「前記ギャップ層の上に、スロートハイト規定層を形成するための磁性層を形成する」工程に相当する。
（１４）引用発明と本願発明の「マスク」は共通し、引用発明の「上部前駆磁性層」は、「第２の磁極先端部を含む」ものであるから、本願発明の「スロートハイトを規定する端部に相当する。
　すると、引用発明の「前記基礎磁性層上に前記第２の磁極先端部を含む上部前駆磁性層を形成するためのマスクを形成し」は、本願発明の「前記磁性層の上に、前記磁性層にスロートハイトを規定する端部を形成するためのマスクを形成する」工程に相当する。
（１５）引用発明の「前記マスクを用いて、前記基礎磁性層をエッチングして、マスクの形成領域以外の領域が選択的に除去し、記録ギャップ層上に上部前駆磁性層を形成し」は、本願発明の「マスクを用い、」「前記磁性層を選択的にエッチングすることによって、前記磁性層にスロートハイトを規定する端部を形成する」工程に相当する。
（１６）引用発明の「前記マスクを残存させて，全体を覆うように前記前駆絶縁層を形成し」は、本願発明の「前記マスクを残したまま、」「非磁性層を形成する」工程に相当する。
（１７）引用発明は、「前記絶縁層を形成するための研磨処理を行う際には、前記上部前駆磁性層が露出」するのであるから、非磁性層の形成後に、マスクを除去する工程を有しているといえる。　
（１８）引用発明の「前記上部前駆磁性層および前記絶縁膜上の平坦領域に、前記記録トラック幅を規定する一定幅を有する前記第１の磁極先端部を形成し」は、本願発明の「マスクを除去した後に、磁性層および非磁性層の上にトラック幅規定層を形成する」工程に相当する。
（１９）引用発明の「前記第１の磁極先端部をマスクとして、前記上部前駆磁性層を選択的にエッチングして前記第１の磁極先端部に対応する部分以外の部分を選択的に除去して前記第２の磁極先端部を形成し、」「前記第１の磁極先端部と、前記第２の磁極先端部と、前記記録ギャップ層と、前記第２の磁性層の一部とを、互いにほぼ同様の幅を有するようにエッチングする」は、本願発明の「前記磁性層によって前記スロートハイト規定層を形成すると共に前記第１の磁極層の一部、ギャップ層、スロートハイト規定層およびトラック幅規定部の媒体対向面における幅をトラック幅に揃えるために、前記トラック幅規定層のトラック幅規定部の幅に合うように、磁性層、ギャップ層および第１の磁極層の一部をエッチングする」工程に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明は次の点で一致する。 
　
＜一致点＞
「記録媒体に対向する媒体対向面と、
　前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第１および第２の磁極層と、
　前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
　少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
　前記第２の磁極層は、前記ギャップ層に隣接するように配置され、スロートハイトを規定する端部を含むスロートハイト規定層と、前記スロートハイト規定層における前記ギャップ層とは反対側に配置され、トラック幅を規定するトラック幅規定部を含むトラック幅規定層とを有し、
　前記スロートハイト規定層の幅および前記トラック幅規定部の幅はいずれもトラック幅に等しい薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　前記第１の磁極層を形成する工程と、
　前記第１の磁極層の上に前記薄膜コイルを形成する工程と、
　前記第１の磁極層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
　前記ギャップ層の上に、前記スロートハイト規定層を形成するための磁性層を形成する工程と、
　前記磁性層の上に、前記磁性層にスロートハイトを規定する端部を形成するためのマスクを形成する工程と、
　前記マスクを用い、エッチングによって前記磁性層を選択的にエッチングすることによって、前記磁性層にスロートハイトを規定する端部を形成する工程と、
　前記マスクを残したまま、非磁性層を形成する工程と、
　前記非磁性層の形成後に、前記マスクを除去する工程と、
　前記マスクを除去した後に、前記磁性層および非磁性層の上に前記トラック幅規定層を形成する工程と、
　前記磁性層によって前記スロートハイト規定層を形成すると共に前記第１の磁極層の一部、ギャップ層、スロートハイト規定層およびトラック幅規定部の媒体対向面における幅をトラック幅に揃えるために、前記トラック幅規定層のトラック幅規定部の幅に合うように、前記磁性層、ギャップ層および第１の磁極層の一部をエッチングする工程とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
　一方、次の各点で相違する。
 ＜相違点＞  
（ａ）「マスクを形成する」工程について、本願発明は、「レジスト層をパターニングすることによって」形成するのに対し、引用発明は、アルミナ層をエッチングすることによりマスクを形成している点。
（ｂ）「エッチング」について、本願発明は、「イオンビームエッチング」であるのに対し、引用発明は、「リアクティブイオンエッチング（RIE）」である点。
（ｃ）「非磁性層を形成する」工程について、本願発明は、「磁性層においてエッチングされた部分を埋めるように非磁性層を形成する」のに対し、引用発明は、全体を覆うように前駆絶縁層（非磁性層）を形成している点。　
　
５．当審の判断
　上記相違点（ａ）ないし（ｃ）について検討する。
　磁気ヘッドの製造方法に関して、引用発明及び本願発明と同一の技術分野に属する引用例２には、過研磨加工を行うことなく埋込パタンを高精度に形成する方法であって、磁性層上にフォトレジスト層をパターンニングすることにより、リストオフマスクを形成し、このリストオフマスクを用いてイオンビームエッチングすることにより、前記磁性層に溝を形成し、リストオフマスクを配設したまま、前記溝に非磁性埋込パターン（非磁性層）を埋め込む方法が記載されている。
　してみれば、引用発明において、引用例２に記載されている上記方法を適用して、アルミナ層をマスクとすることに代えて、フォトレジスト層をパターンニングすることによってマスクを形成し（相違点（ａ））、エッチングとしてイオンビームエッチングを用い（相違点（ｂ））、基礎磁性層（磁性層）においてエッチングされた部分を埋めるように前駆絶縁層（非磁性層）を形成すること（相違点（ｃ））は当業者が容易になし得ることである。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用例１及び２から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。