Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電素子であって、
当該光電素子は、アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでおり、
当該半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部を有しており、当該孔部の領域内に接続導体材料が配置されており、
当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする光電素子。
【請求項２】
光電素子であって、
当該光電素子は、アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでおり、
当該半導体機能領域は、ラテラル方向の、前記アクティブゾーンと接する側面を有しており、当該側面にはラテラル方向において接続導体材料が後続配置されており、
当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも前記側面の部分領域において電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする光電素子。
【請求項３】
前記半導体機能領域はエピタキシャルに製造されている、請求項１または２記載の光電素子。
【請求項４】
前記半導体機能領域は支持体上に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の光電素子。
【請求項５】
前記支持体は、その上に半導体機能領域がエピタキシャルに製造されている成長基板とは異なっている、請求項３および４記載の光電素子。
【請求項６】
前記接続導体材料は、前記半導体機能領域に対向している支持体面まで延在している、請求項４または５記載の光電素子。
【請求項７】
カバー部を有しており、当該カバー部は、前記半導体機能領域を少なくとも部分的に変形させるまたは覆う、請求項１から６までのいずれか１項記載の光電素子。
【請求項８】
個別化された素子である、請求項１から７までのいずれか１項記載の光電素子。
【請求項９】
前記カバー部は前記個別化が原因で、分断痕を有している、請求項７および８記載の光電素子。
【請求項１０】
前記半導体機能領域の後ろには、少なくとも吸収材料または発光材料が配置されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の光電素子。
【請求項１１】
前記吸収材料または発光材料は前記カバー部内に配置されている、請求項７および１０記載の光電素子。
【請求項１２】
前記吸収材料または発光材料は直接的に前記半導体機能領域上に配置されている、請求項１０記載の光電素子。
【請求項１３】
前記アクティブゾーンは、一重量子井戸構造または多重量子井戸構造を含んでいる、請求項１から１２までのいずれか１項記載の光電素子。
【請求項１４】
前記半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る複数の孔部を有している、請求項１から１３までのいずれか１項記載の光電素子。
【請求項１５】
光電素子の製造方法であって、以下のステップを特徴とする、すなわち、
ａ）支持体層上に配置された半導体層列を伴うウェハ結合体を準備し、当該半導体層列はアクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有しており、
ｂ）アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部が生じる、ないしは、少なくとも１つのラテラル方向の、アクティブゾーンとラテラル方向で接する側面が構成されるように半導体層列を構造化し、
ｃ）アクティブゾーンが少なくとも孔部ないし側面の部分領域において電気的に接続導体材料から絶縁されるように、接続導体材料を前記孔部ないし側面の領域内に配置し、
ｄ）光電素子に個別化し、ここで当該光電素子の電気的な接触接続は少なくとも部分的に接続導体材料を介して行われる、
を特徴とする、光電素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶液を含むウェットエッチング調合物であって、前記水溶液は、
（ａ）ジアミン、トリアミン、および、テトラミンからなるグループから選ばれる二座配位子、三座配位子、または、四座配位子の錯化剤と、
（ｂ）酸化剤と
を備え、
エッチ液のｐＨは、７から１０．５であり、前記エッチング調合物は、銅を１，０００Åエッチングする毎に、エッチングされた銅表面の反射率が１５％以下にならないように等方性にエッチングすることができる
ウェットエッチング調合物。
【請求項２】
前記ウェットエッチング調合物は、少なくとも１，０００Å／分のエッチ速度で銅をエッチングすることができる、請求項１に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項３】
前記ウェットエッチング調合物は、エッチングされた銅領域の表面粗さを増大させずに、基板から少なくとも１，０００Åの銅を除去することができる、請求項１または２に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項４】
前記酸化剤は、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を含む、請求項１から３の何れか１項に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項５】
前記錯化剤は、ジアミンを含む、請求項１から４の何れか１項に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項６】
前記ジアミンは、エチレンジアミン（Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）、および、Ｎ−メチルエチレンジアミン（Ｈ３ＣＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）の少なくとも１つである、請求項５に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項７】
前記錯化剤は、トリアミンを含む、請求項１から４の何れか１項に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項８】
前記トリアミンは、ジエチレントリアミン（Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）である、請求項７に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項９】
前記錯化剤は、テトラミンを含む、請求項１から４の何れか１項に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項１０】
前記テトラミンは、トリス（２−アミノエチル）アミン（Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）３）である、請求項９に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項１１】
前記水溶液は、エチレンジアミン、および、過酸化水素を含む、請求項１から６の何れか１項に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項１２】
前記ウェットエッチング調合物は、ｐＨアジャスタを含む、請求項１から１１の何れか１項に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項１３】
前記ｐＨアジャスタは、硫酸を含む、請求項１２に記載のウェットエッチング調合物。
【請求項１４】
銅領域を含む半製品の半導体基板における銅含有部分をエッチングする方法であって、
（ａ）露出した銅領域を有する前記半製品の半導体基板を収容する段階と、
（ｂ）前記半製品の半導体基板と、ｐＨ５から１２のウェットエッチ液とを接触させることにより、前記半製品の半導体基板上の銅をエッチングする段階と
を備え、
前記ウェットエッチ液は、
（ｉ）ジアミン、トリアミン、および、テトラミンからなるグループから選ばれる二座配位子、三座配位子、または、四座配位子の錯化剤と、
（ｉｉ）酸化剤と
を含み、
前記基板と接触させることは、前記ウェットエッチ液を回転する基板に吹き付けること、接触スピン、および、前記基板と前記ウェットエッチ液とを薄膜リアクタ内で接触させること、からなるグループから選ばれる
方法。
【請求項１５】
前記ウェットエッチ液は、ｐＨアジャスタをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記錯化剤は、ジアミンを含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ジアミンは、エチレンジアミン（Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）、または、Ｎ−メチルエチレンジアミン（Ｈ３ＣＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）からなるグループから選ばれる、請求項１４から１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記ウェットエッチ液は、エチレンジアミン、および、過酸化水素を含む、請求項１４から１７の何れか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記ウェットエッチ液は、ｐＨアジャスタをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ウェットエッチ液は、６から１０のｐＨを有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記錯化剤は、トリアミンおよびテトラミンからなるグループから選ばれる、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項２２】
エッチングされた前記銅領域は、銅積載部分を有する、請求項１４から２１の何れか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記銅は、少なくとも１，０００Å／分の速度でエッチングされる、請求項１４から２２の何れか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記エッチングする段階は、等方的に行われる、請求項１４から２３の何れか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記ウェットエッチ液の前記ｐＨを上昇させることにより、前記エッチングする段階を停止させる段階をさらに備える、請求項１４から２４の何れか１項に記載の方法。
【請求項２６】
前記ウェットエッチ液の前記ｐＨを上昇させることは、前記ウェットエッチ液に塩基性ｐＨアジャスタを添加することを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記接触させることは、前記ウェットエッチ液を前記回転する基板に吹き付けることを含む、請求項１４から２６の何れか１項に記載の方法。
【請求項２８】
請求項１４から２７の何れか１項に記載の方法により、銅含有部分をエッチングする段階を備える銅領域を含む半製品の半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月25日(2012.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が配列された画素配列領域と前記画素配列領域の周辺に配された周辺領域とを有する光電変換装置であって、
半導体基板の上に配され、前記画素配列領域の配線層の数よりも前記周辺領域の配線層の数が多い多層配線構造と、
前記画素配列領域における前記多層配線構造の上に配された複数の層内レンズと、を備え、
前記複数の層内レンズのそれぞれは、
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の上に配され、前記第１の絶縁体より高い屈折率を有する第２の絶縁体と、を含み、
前記複数の層内レンズのそれぞれにおける前記第１の絶縁体と、前記多層配線構造における前記周辺領域の層間絶縁膜とは、同じ材料で形成されている
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記複数の層内レンズのそれぞれにおける前記第１の絶縁体と、前記多層配線構造における前記周辺領域の層間絶縁膜とは、シリコン酸化物からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁体は、前記光電変換部の上方に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁体の上面は、前記半導体基板の表面から離れる方向へ膨出した曲面を含む
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１の絶縁体は、前記半導体基板の表面に垂直な方向の断面が矩形である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記画素配列領域における最上の配線層と前記周辺領域における最上の配線層とを覆う保護膜をさらに備え、
前記第２の絶縁体と前記保護膜とは、同じ材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第２の絶縁体と前記保護膜とは、シリコン窒化物からなる
ことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記複数の層内レンズのそれぞれは、前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体との間に反射抑制膜をさらに含む
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。
【請求項１０】
光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が配列された画素配列領域と前記画素配列領域の周辺に配された周辺領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
半導体基板の上方における前記画素配列領域及び前記周辺領域に絶縁層を形成する第１の工程と、
前記絶縁層をパターニングすることにより、前記画素配列領域における第１の絶縁体と、多層配線構造における前記周辺領域の最上の層間絶縁膜とを形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁体の上に、前記第１の絶縁体より高い屈折率を有した材料で第２の絶縁体を形成する第３の工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面に係る光電変換装置は、光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が配列された画素配列領域と前記画素配列領域の周辺に配された周辺領域とを有する光電変換装置であって、半導体基板の上に配され、前記画素配列領域の配線層の数よりも前記周辺領域の配線層の数が多い多層配線構造と、前記画素配列領域における前記多層配線構造の上に配された複数の層内レンズと、を備え、前記複数の層内レンズのそれぞれは、第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体の上に配され、前記第１の絶縁体より高い屈折率を有する第２の絶縁体と、を含み、前記複数の層内レンズのそれぞれにおける前記第１の絶縁体と、前記多層配線構造における前記周辺領域の層間絶縁膜とは、同じ材料で形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられるゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられる第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上に接して設けられる第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層の第１の領域及び前記第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ前記第２の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、
前記酸化物絶縁層上、前記第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び前記第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ前記第２の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層の第１の領域及び前記第２の酸化物半導体層の第１の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域、並びに前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物絶縁層は、スパッタ法を用いて形成される酸化珪素または酸化アルミニウムである半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分とする膜、若しくはそれらの合金膜とを組み合わせた積層膜からなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記絶縁表面上に容量部を有し、
前記容量部は、容量配線及び当該容量配線と重なる容量電極を有し、
前記容量配線及び前記容量電極は透光性を有する半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に接して第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層の第１の領域及び前記第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ前記第２の酸化物半導体層に接するように酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層上、前記第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び前記第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ前記第２の酸化物半導体層に接するようにソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法であり、
前記第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を脱水化または脱水素化した後、大気に触れることなく、前記第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぐように形成し、
前記第１の酸化物半導体層の第１の領域及び前記第２の酸化物半導体層の第１の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域、並びに前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域となるよう形成される半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に接して第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層の第１の領域及び前記第２の酸化物半導体層の第１の領域と重なり、且つ前記第２の酸化物半導体層に接するように酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層上、前記第１の酸化物半導体層の第２の領域上、及び前記第２の酸化物半導体層の第２の領域と重なり、且つ前記第２の酸化物半導体層に接するようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物絶縁層上、前記ソース電極層上、前記ドレイン電極層上、前記第１の酸化物半導体層の第３の領域上、及び前記第２の酸化物半導体層の第３の領域と重なり、且つ前記第２の酸化物半導体層に接するように保護絶縁層を形成する半導体装置の作製方法であり、
前記第１の酸化物半導体層の第１の領域及び前記第２の酸化物半導体層の第１の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域、並びに前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域となるよう形成される半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（ＩＩＩ）で表される四座配位子の白金錯体化合物の少なくとも一種を有機層に含有し、更に発光層にカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１０１】
2011049563.tif 000001
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ２は置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、該フェニレン基はピリジン環と結合する炭素原子の隣の炭素原子で白金に結合する。Ｌ１、及びＬ２は単結合を表す。Ｌ３は、下記式のいずれかの連結基を表す。Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ、水素原子または置換基を表し、Ｒ２はアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ニトロ基、又はフルオロアルキル基を表す。Ｒａ、Ｒｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）
【化１０２】
2011049563.tif 000002
【請求項２】
一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を含む四座配位子の白金錯体化合物が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化１０３】
2011049563.tif 000003
（一般式（Ｖ）中、Ｌ１、及びＬ２は単結合を表す。Ｌ３は前記式のいずれかの連結基を表す。Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ２、Ｒ６は、それぞれ、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ニトロ基、又はフルオロアルキル基を表す。Ｒａ、Ｒｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）
【請求項３】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種が、発光層に含有されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種と、少なくとも一種のホスト材料が、発光層に含有されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、環状又は非環状四座配位子の白金
錯体であって、白金に結合したフェニル基のパラ位に置換基を有する白金錯体を有機層に
含有する有機ＥＬ素子が、上記課題を解決することを見出した。すなわち、本発明は下記
の手段により達成された。
（１）
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（ＩＩＩ）で表される四座配位子の白金錯体化合物の少なくとも一種を有機層に含有し、更に発光層にカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１０４】
2011049563.tif 000004
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ２は置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、該フェニレン基はピリジン環と結合する炭素原子の隣の炭素原子で白金に結合する。Ｌ１、及びＬ２は単結合を表す。Ｌ３は、下記式のいずれかの連結基を表す。Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ、水素原子または置換基を表し、Ｒ２はアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ニトロ基、又はフルオロアルキル基を表す。Ｒａ、Ｒｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）
Ｌ３；連結基
【化１０５】
2011049563.tif 000005
（２）
一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を含む四座配位子の白金錯体化合物が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする、（１）に記載の有機電界発光素子。
【化１０６】
2011049563.tif 000006
（一般式（Ｖ）中、Ｌ１、及びＬ２は単結合を表す。Ｌ３は前記式のいずれかの連結基を表す。Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ２、Ｒ６は、それぞれ、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ニトロ基、又はフルオロアルキル基を表す。Ｒａ、Ｒｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）
（３）
前記一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種が、発光層に含有されることを特徴とする、（１）又は（２）に記載の有機電界発光素子。
（４）
前記一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種と、少なくとも一種のホスト材料が、発光層に含有されることを特徴とする、（１）〜（３）のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
本発明は上記（１）〜（４）に関するものであるが、その他の事項についても参考のため記載した。
〔１〕
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（I）で表される部分構造を含む、四座配位子の白金錯体化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
この静電容量型タッチパネル１００は、例えば図８に示したテレビジョン装置などの電子機器に適用される。このテレビジョン装置２００は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２３０を有しており、この映像表示画面部２３０に、静電容量型タッチパネル１１０が設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2011049101.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2011049101.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、動作モードに応じて最適な画像表示や画像の記録を行うことができる撮像装置及びその制御方法を提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る撮像装置は、被写体を撮像して画像信号を生成する撮像手段と、異なるビデオ方式に対応した複数の撮影モードのいずれかに切り換えるモード切換手段と、フリッカ検知用制御パラメータを設定して前記撮像手段による撮影動作を実行することで得られる画像信号に基づいてフリッカ検知を実行した後に、前記モード切換手段により切り換えられた撮影モードに対応した制御パラメータを設定して前記撮像手段による撮影動作を実行するように制御する制御手段とを有し、前記フリッカ検知用制御パラメータは、前記複数の撮影モードに対応した制御パラメータと異なることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、動作モードに応じて最適な画像表示や画像の記録を行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
前記撮像素子を保持する保持部材と、
前記保持部材に固定され、前記撮像素子を前記保持部材に向けて付勢する付勢部材と、
前記撮像素子と前記付勢部材との間に配置される熱伝導性部材とを備え、
前記付勢部材によって、前記熱伝導性部材を前記撮像素子の裏面に加圧接触させることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記保持部材は金属によって形成され、
前記熱伝導性部材は前記保持部材に接触するように、前記保持部材と前記付勢部材との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記熱伝導性部材は、シート状のグラファイト、前記グラファイトを被覆する補強部材、及び、補強部材に塗布された粘着材を備えて構成され、可撓性を有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記付勢部材は、前記撮像素子の両端において、前記撮像素子を付勢することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
金属によって形成されるシャーシ板を更に有し、
前記シャーシ板は、前記撮像装置の筐体に固定され、
前記熱伝導性部材は、前記シャーシ板に接触することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面としての画像処理方法は、撮像素子と、前記撮像素子を保持する保持部材と、前記保持部材に固定され、前記撮像素子を前記保持部材に向けて付勢する付勢部材と、前記撮像素子と前記付勢部材との間に配置される熱伝導性部材とを備え、前記付勢部材によって、前記熱伝導性部材を前記撮像素子の裏面に加圧接触させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板上にパターンの像を投影光学系により投影し、前記基板を露光する露光方法であって、 
前記投影光学系の像面側に配置された物体を揺動させながら前記物体上に液体を供給して前記液体の液浸領域を形成することと、 
前記液浸領域を介して前記基板上に前記パターンの像を投影して該基板を露光することと、
を含む露光方法。 
【請求項２】
前記物体は前記基板を保持して前記投影光学系下を移動可能な基板ステージを含む請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記基板ステージの上面に対して前記液体を供給する請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記物体は前記基板を含む請求項１に記載の露光方法。
【請求項５】
前記液浸領域に気泡が存在しないように前記物体を揺動させつつ前記液体の供給を行なう請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記像面と平行な平面に関して前記物体を揺動させる請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記像面と平行な第１の方向と第２の方向に前記物体を移動させる請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記第１の方向と前記第２の方向は、前記像面と平行な面内で交差する方向である請求項７に記載の露光方法。
【請求項９】
前記第１の方向と前記第２の方向は、前記像面と平行な面内で直交する方向である請求項７に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記液体の供給は、前記パターンの像が投影される投影領域の両側のうちの一方のみで開始される請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記液体の供給は、前記パターンの像が投影される投影領域の両側から開始される請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光方法。 
【請求項１２】
前記投影領域の両側から異なる量の液体が供給される請求項１１に記載の露光方法。 
【請求項１３】
前記物体の揺動を開始してから前記液体の供給を開始する請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１４】
前記液体の供給を開始してから前記物体を揺動させる請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１５】
前記物体を前記投影光学系下に位置させて前記物体上に前記液体の供給を開始する請求項１〜１４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の露光方法を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクランブルされ送信されたデータを受信データとして受け取り、送信側とのタイミングを調整するエラスティックバッファと、
前記エラスティックバッファでタイミング調整されたデータに対し所定の補完処理を施し出力する補完回路と、
前記補完回路から出力されたデータをデスクランブルするデスクランブル回路とを有し、
前記受信データは、送信側とのタイミングを調整するためのタイミング調整用データセットを有し、
前記補完回路は、前記タイミング調整用データセットに含まれるタイミング調整用データの数が所望の個数となるように、正常なタイミング調整用データを最初に受信後、既存データをタイミング調整用データに置換して必要数出力する、データ受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ受信装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元立体映像を知覚させる左眼用画像と右眼用画像を時分割で表示した場合に、左眼用画像を左眼に、右眼用画像を右眼に入力させるための左眼用シャッタと右眼用シャッタを駆動させるタイミング信号を複数方向に出力するタイミング信号出力手段と、
前記３次元立体映像を鑑賞する鑑賞者を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により撮像された画像から、前記鑑賞者の位置情報および人数情報を検出する検出手段と、
検出された前記位置情報および人数情報に基づいて、前記タイミング信号出力手段における前記タイミング信号の出力方向および出力レベルを制御する出力制御手段と
を備える表示装置。
【請求項２】
前記出力制御手段は、前記位置情報が表す方向と前記人数情報に基づいて前記タイミング信号の出力方向を、前記位置情報が表す距離に基づいて前記タイミング信号の出力レベルを制御する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記撮像手段は、表示パネルの背面側の中央部に配置される
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記タイミング信号出力手段は、左方向、中央方向、右方向の方向ごとに配置される
請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記検出手段は、前記左眼用シャッタと右眼用シャッタを備えるシャッタメガネの個数および大きさを検出することにより、前記鑑賞者の位置情報および人数情報を検出する
請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
３次元立体映像を知覚させる左眼用画像と右眼用画像を時分割で表示した場合に、左眼用画像を左眼に、右眼用画像を右眼に入力させるための左眼用シャッタと右眼用シャッタを駆動させるタイミング信号を複数方向に出力するタイミング信号出力手段を備える表示装置が、
前記３次元立体映像を鑑賞する鑑賞者を撮像し、
撮像された画像から、前記鑑賞者の位置情報および人数情報を検出し、
前記タイミング信号出力手段における前記タイミング信号の出力方向および出力レベルを、検出された前記位置情報および人数情報に基づいて制御する
制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１あるいは請求項２記載のキャリア間干渉除去装置であって、
前記振幅・位相変動量取得部は、
前記遅延プロファイルにおける前記少なくとも一つの到来波のうち、受信レベルが所定の条件を満足する到来波を、前記計算対象となる到来波として有する選択遅延プロファイルを選択する到来波選択部と、
前記選択遅延プロファイルを所定時間遅延させて選択遅延信号を得る遅延部と、
前記選択遅延プロファイル及び前記選択遅延信号に基づき、前記計算対象となる到来波についての振幅及び位相の時間変動量を計算する振幅・位相変動量計算部とを含む、
キャリア間干渉除去装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図１に戻って、遅延部２は、遅延プロファイルＤＰ１を予め決められた時間Δだけ遅延して遅延信号ΔＤＰ１を出力する。本実施の形態では、１伝送シンボル長（＝Δ）だけ遅延させるものとするが、受信する信号構成に応じて異なる遅延時間を設定してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
この周波数選択性フェージングが各サブキャリアに及ぼす影響を調べるために、第２のFFT演算部７は、遅延プロファイルＤＰ１を周波数領域に変換して周波数領域遅延プロファイルを得る。ここで得られる周波数領域遅延プロファイルは、各サブキャリアに作用する周波数選択性フェージングの影響、つまり、振幅の減衰量と位相の回転量を示す値である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2011049937.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置からの要求に応じて、記憶媒体に記憶されたコンテンツを送信することが可能な画像処理装置であって、
前記表示装置から、前記コンテンツを管理するディレクトリに関する情報の送信要求を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した送信要求に対する応答を送信する送信手段と、
前記送信手段による応答の送信後に前記記憶媒体に記憶されたコンテンツに変更があった場合、所定のディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することで、前記表示装置に前記所定のディレクトリに関する情報の送信要求を再び送信させる通知手段とを有し、
前記コンテンツが記憶媒体に追加された結果、前記コンテンツを管理するディレクトリと同じ階層に新たなディレクトリが作成された場合、前記通知手段は前記コンテンツを管理するディレクトリの上位の階層にあるディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記コンテンツを管理するディレクトリは所定の数のコンテンツを管理し、
前記コンテンツが追加されることで前記ディレクトリの管理するコンテンツが前記所定の数を超える場合、前記所定の数を超えるコンテンツは異なるディレクトリで管理されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
表示装置からの要求に応じて、記憶媒体に記憶されたコンテンツを送信することが可能な画像処理装置であって、
前記表示装置から、前記コンテンツを管理するディレクトリに関する情報の送信要求を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した送信要求に対する応答を送信する送信手段と、
前記送信手段による応答の送信後に前記記憶媒体に記憶されたコンテンツに変更があった場合、所定のディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することで、前記表示装置に前記所定のディレクトリに関する情報の送信要求を再び送信させる通知手段とを有し、
前記コンテンツが記憶媒体から削除された結果、前記コンテンツを管理するディレクトリに１つのコンテンツも存在しなくなった場合、前記通知手段は前記コンテンツを管理するディレクトリの上位の階層にあるディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
前記コンテンツの追加が連続して発生する場合、前記通知手段は、すべてのコンテンツの追加が行われた後、前記通知を前記表示装置に送信することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記コンテンツを管理するディレクトリは、前記表示装置に公開するための仮想ディレクトリであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記コンテンツは、ファイル番号、日付、撮影条件のうち少なくとも一つに基づき、異なるディレクトリで管理されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
互いに関連するコンテンツは同じディレクトリで管理されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
連写撮影により得られた複数のコンテンツは同じディレクトリで管理されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
表示装置からの要求に応じて、記憶媒体に記憶されたコンテンツを送信することが可能な画像処理装置の制御方法であって、
前記表示装置から、前記コンテンツを管理するディレクトリに関する情報の送信要求を受信する受信工程と、
前記受信工程で受信した送信要求に対する応答を送信する送信工程と、
前記送信工程での応答の送信後に前記記憶媒体に記憶されたコンテンツに変更があった場合、所定のディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することで、前記表示装置に前記所定のディレクトリに関する情報の送信要求を再び送信させる通知工程とを有し、
前記コンテンツが記憶媒体に追加された結果、前記コンテンツを管理するディレクトリと同じ階層に新たなディレクトリが作成された場合、前記通知工程では前記コンテンツを管理するディレクトリの上位の階層にあるディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
表示装置からの要求に応じて、記憶媒体に記憶されたコンテンツを送信することが可能な画像処理装置の制御方法であって、
前記表示装置から、前記コンテンツを管理するディレクトリに関する情報の送信要求を受信する受信工程と、
前記受信工程で受信した送信要求に対する応答を送信する送信工程と、
前記送信工程での応答の送信後に前記記憶媒体に記憶されたコンテンツに変更があった場合、所定のディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することで、前記表示装置に前記所定のディレクトリに関する情報の送信要求を再び送信させる通知工程とを有し、
前記コンテンツが記憶媒体から削除された結果、前記コンテンツを管理するディレクトリに１つのコンテンツも存在しなくなった場合、前記通知工程では前記コンテンツを管理するディレクトリの上位の階層にあるディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させるためのコンピュータが読み取り可能なプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の画像処理装置は、表示装置からの要求に応じて、記憶媒体に記憶されたコンテンツを送信することが可能な画像処理装置であって、前記表示装置から、前記コンテンツを管理するディレクトリに関する情報の送信要求を受信する受信手段と、前記受信手段により受信した送信要求に対する応答を送信する送信手段と、前記送信手段による応答の送信後に前記記憶媒体に記憶されたコンテンツに変更があった場合、所定のディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することで、前記表示装置に前記所定のディレクトリに関する情報の送信要求を再び送信させる通知手段とを有し、前記コンテンツが記憶媒体に追加された結果、前記コンテンツを管理するディレクトリと同じ階層に新たなディレクトリが作成された場合、前記通知手段は前記コンテンツを管理するディレクトリの上位の階層にあるディレクトリに変更があったことを前記表示装置に通知することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回動させることで、回動位置を第一の位置と第二の位置とに切り替える第一の操作部材と、
前記第一の操作部材の回動中心近傍に配置される第二の操作部材と、
撮影モードを静止画撮影モードと動画撮影モードとに切り替え、ファインダモードを光学ファインダモードと電子ファインダモードとに切り替えるとともに、動画撮影の開始および終了を実行する制御手段と、を備え、
前記第一の操作部材を前記第二の位置から前記第一の位置に回動させるとき、前記制御手段は、前記撮影モードを前記静止画撮影モードに切り替えるとともに、前記ファインダモードを前記電子ファインダモードから前記光学ファインダモードへ強制的に切り替え、
前記第一の操作部材を前記第一の位置から前記第二の位置に回動させるとき、前記制御手段は、前記撮影モードを前記動画撮影モードに切り替えるとともに、前記ファインダモードを前記光学ファインダモードから前記電子ファインダモードへ強制的に切り替え、
前記第一の操作部材が前記第一の位置となるとき、前記第二の操作部材の操作によって、前記制御手段は前記ファインダモードを前記光学ファインダモードと前記電子ファインダモードとに交互に切り替え、
前記第一の操作部材が前記第二の位置となるとき、前記第二の操作部材の操作によって、前記制御手段は前記動画撮影の開始と終了とを交互に実行することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮影モードが前記動画撮影モードに切り替えられているとき、前記動画撮影モードでの静止画撮影の撮影条件を選択するモードダイヤルを有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第一の操作部材と前記第二の操作部材は、前記電子ファインダを構成する表示部の近傍における該表示部と同一面上に配置され、かつ、前記撮像装置のグリップを握った手で操作可能な位置に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、つぎのように構成した撮像装置を提供するものである。
本発明の撮像装置は、
回動させることで、回動位置を第一の位置と第二の位置とに切り替える第一の操作部材と、
前記第一の操作部材の回動中心近傍に配置される第二の操作部材と、
撮影モードを静止画撮影モードと動画撮影モードとに切り替え、ファインダモードを光学ファインダモードと電子ファインダモードとに切り替えるとともに、動画撮影の開始および終了を実行する制御手段と、を備え、
前記第一の操作部材を前記第二の位置から前記第一の位置に回動させるとき、前記制御手段は、前記撮影モードを前記静止画撮影モードに切り替えるとともに、前記ファインダモードを前記電子ファインダモードから前記光学ファインダモードへ強制的に切り替え、
前記第一の操作部材を前記第一の位置から前記第二の位置に回動させるとき、前記制御手段は、前記撮影モードを前記動画撮影モードに切り替えるとともに、前記ファインダモードを前記光学ファインダモードから前記電子ファインダモードへ強制的に切り替え、
前記第一の操作部材が前記第一の位置となるとき、前記第二の操作部材の操作によって、前記制御手段は前記ファインダモードを前記光学ファインダモードと前記電子ファインダモードとに交互に切り替え、
前記第一の操作部材が前記第二の位置となるとき、前記第二の操作部材の操作によって、前記制御手段は前記動画撮影の開始と終了とを交互に実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月14日(2012.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子を有するカメラ装置と、
絞りを含み、被写体からの光を前記撮像素子に導くレンズ装置と、
前記レンズ装置の被写体側に配置されたワイパと、を備える撮像システムにおいて、
前記撮像素子から出力される撮影画像の明るさの変化を減少させる調整機能を備えており、
前記ワイパが作動している際には前記調整機能を停止する、
ことを特徴とする撮像システム。
【請求項２】
撮像素子を有するカメラ装置と、
絞りを含み、被写体からの光を前記撮像素子に導くレンズ装置と、
前記レンズ装置の被写体側に配置されたワイパと、を備える撮像システムにおいて、
前記撮像素子から出力される撮影画像の明るさの変化を減少させる調整機能を備えており、
前記レンズ装置はズーム機能を有し、
前記レンズ装置のズーム位置が閾値よりも広角側の際には、前記ワイパの作動中は前記調整機能を停止させ、
前記レンズ装置のズーム位置が前記閾値よりも望遠側の際には、前記ワイパの作動中であっても前記調整機能による調整を行う、
ことを特徴とする撮像システム。
【請求項３】
前記調整機能は、前記絞りの開口径を調整する機能、前記撮像素子のゲインを調整する機能、の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像システム。
【請求項４】
前記調整機能は、前記撮像システム内に設けられた光量センサー、又は前記撮像素子の出力に基づいて、前記明るさの変化を減少させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像システム。
【請求項５】
前記調整機能と独立して、前記絞りの開口径を制御する制御機能を備え、
前記制御機能が、前記ワイパのワイパブレードが前記レンズ装置の有効径内を通過するタイミングに応じて前記絞りの開口径を広げる、又は前記撮像素子のゲインを上げる、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像システム。
【請求項６】
レンズと、絞りと、前記レンズの被写体側に配置されたワイパとを備え、前記被写体からの光を撮像素子に導くレンズ装置であって、
前記撮像素子に入射した光量に基づいて、前記絞りの開口径を調整する調整機能を備えており、
前記ワイパが作動している際には、前記調整機能を停止する、
ことを特徴とするレンズ装置。
【請求項７】
レンズと、絞りと、前記レンズの被写体側に配置されたワイパとを備え、前記被写体からの光を撮像素子に導くレンズ装置であって、
前記撮像素子に入射した光量に基づいて、前記絞りの開口径を調整する調整機能を備えており、
前記レンズ装置はズーム機能を有し、
前記レンズ装置のズーム位置が閾値よりも広角側の際には、前記ワイパの作動中は前記調整機能を停止させ、
前記レンズ装置のズーム位置が前記閾値よりも望遠側の際には、前記ワイパの作動中であっても前記調整機能による調整を行う、
ことを特徴とするレンズ装置。
【請求項８】
前記調整機能と独立して、前記絞りの開口径を制御する制御機能を備え、
前記制御機能が、前記ワイパのワイパブレードが前記レンズの有効径内を通過するタイミングに応じて前記絞りの開口径を広げる、ことを特徴とする請求項６又は７に記載のレンズ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月16日(2012.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記フロントエンドには、前記複数のエレメントのうちの固定された前記エレメントの識別情報を予め記憶させるとともに、固定された前記エレメントに所定のタイミングのタイムスロットを割り当てさせ、前記複数のエレメントに対する前記外部の装置からのポーリングのリクエストを受信したとき、前記外部の装置に対して、前記所定のタイミングのタイムスロットで、記憶された前記識別情報を付加したレスポンスを、固定された前記エレメントの前記レスポンスとして送信させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ステップＳ３１において、識別番号がＩＤ１であるセキュアエレメント６２−１は、その受信部１０１でこのリクエストメッセージを受信すると、記憶部１０４はそのタイムスロット番号１を揮発的に記憶する。その結果、以後、セキュアエレメント６２−１は、記憶したタイムスロット番号１のタイミングで通信する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
次に、ステップＳ３５８において、フロントエンド１６１の送信部８１は、メッセージ処理部８３によって、２番目に早いタイムスロット番号１に対応付けが変更された識別番号ＩＤ２が付加されたPollingレスポンスメッセージを返す。ステップＳ３２７において、外部NFCデバイス５２は、このレスポンスメッセージを受信する。これにより、外部NFCデバイス５２は、２番目に早いタイムスロット番号１に対応するセキュアエレメント６２−２の識別番号を知ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
ステップＳ４４１において、識別番号がＩＤ２であるセキュアエレメント６２−２は、その受信部１０１でこのリクエストメッセージを受信すると、記憶部１０４はそのタイムスロット番号２を揮発的に記憶する。その結果、以後、セキュアエレメント６２−２は、記憶したタイムスロット番号２のタイミングで通信する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
以上のようにして、NFCデバイス５１の起動時に、フロントエンド１６１は、セキュアエレメント６２のタイムスロットを設定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記フロントエンドは、前記複数のエレメントのうちの固定された前記エレメントの識別情報を予め記憶するとともに、固定された前記エレメントに所定のタイミングのタイムスロットを割り当て、前記複数のエレメントに対する前記外部の装置からのポーリングのリクエストを受信したとき、前記外部の装置に対して、前記所定のタイミングのタイムスロットで、記憶された前記識別情報を付加したレスポンスを、固定された前記エレメントの前記レスポンスとして送信する
請求項４に記載の情報処理装置。