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【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項３に記載の音量補正装置において、
前記声平均レベル生成手段は、
前記連続関連音区間の先頭期間において、前記声平均レベル検出手段で検出された前記平均レベルと前記入力音声信号の声区間の平均レベルとを比較し、その比較結果に応じて前記先頭期間における前記平均レベル検出時定数を変化させる
音量補正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の音量補正装置において、
前記声平均レベル生成手段は、
前記連続関連音区間の先頭から一定区間において、前記声平均レベル検出手段で検出された前記平均レベルと前記入力音声信号の声区間の平均レベルとを比較し、その比較結果に応じて前記先頭期間における前記平均レベル検出時定数を変化させる
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
一方、第２平均レベル検出部３４１４は、加算出力信号Ｓｍのレベル変化に応じた閾値レベルθｄを設定する目的で、加算出力信号Ｓｍの平均レベルを検出するもので、その平均レベル検出時定数は大きな値に設定されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
そして、エンベロープ検出部３３からのエンベロープ信号Ｓemvが、選択部３６１の一方の入力端に供給されると共に、連続関連音区間検出フラグＳＦＬＧが選択信号として選択部３６１に供給される。この選択部３６１の出力信号は、積分部３６２に供給される。そして、この積分部３６２の出力信号が、選択部３６１の他方の入力端に供給されると共に、平均レベル生成部３６の出力信号Ｖavr１として出力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９２】
したがって、この第５の実施形態では、ゲイン制御信号生成部２３は、総合平均レベル検出生成部７２からの合成レベル信号のレベルが、基準レベルとなるようにするゲイン制御信号を生成して、可変ゲインアンプ２１Ｌ，２１Ｒに供給するようにする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３０９】
図３４の例においては、図３１の例と同様に、声以外平均レベル生成部７１が設けられる。また、図３４の例においては、声平均レベル生成部３９および総合平均レベル生成部７２の代わりに、総合平均レベル生成部７３が設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子ビューファインダ機能を有する撮像装置、その制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、被写体の光学像を電気信号に変換する撮像素子と、前記撮像素子へ入射する光量を調節する絞りと、前記撮像素子を用いて得られた画像を逐次表示することが可能な表示手段とを備える撮像装置であって、前記被写体の輝度を算出する算出手段と、前記算出手段により算出された輝度が所定輝度を超えたら前記絞りの絞り値を変更する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を開始する時と前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を行っている間とで、前記所定輝度を変更することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の光学像を電気信号に変換する撮像素子と、前記撮像素子へ入射する光量を調節する絞りと、前記撮像素子を用いて得られた画像を逐次表示することが可能な表示手段とを備える撮像装置であって、
前記被写体の輝度を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された輝度が所定輝度を超えたら前記絞りの絞り値を変更する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を開始する時と前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を行っている間とで、前記所定輝度を変更することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記算出手段により算出された輝度が前記所定輝度を上回ったら前記絞りの絞り値を大きくし、前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を開始する時の前記所定輝度を前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を行っている間の前記所定輝度よりも低輝度とすることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記算出手段により算出された輝度が前記所定輝度を下回ったら前記絞りの絞り値を小さくし、前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を開始する時の前記所定輝度を前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を行っている間の前記所定輝度よりも高輝度とすることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
撮像画面における被写体の動きを検出する動き検出手段を有し、
前記制御手段は、前記検出手段により検出された前記被写体の動きに応じて前記所定輝度を変更することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、プログラム線図を変更することで前記所定輝度を変更することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
被写体の光学像を電気信号に変換する撮像素子と、前記撮像素子へ入射する光量を調節する絞りと、前記撮像素子を用いて得られた画像を逐次表示することが可能な表示手段とを備える撮像装置の制御方法であって、
前記被写体の輝度を算出する算出工程と、
前記算出工程で算出された輝度が所定輝度を超えたら前記絞りの絞り値を変更する制御工程と、を有し、
前記制御工程は、前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を開始する時と前記表示手段による前記撮像素子を用いて得られた画像の逐次表示を行っている間とで、前記所定輝度を変更することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータで読み取り可能なプログラムコードを有するプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測色機とインクジェットプリンタと画像データを処理する情報処理装置とを含み、前記インクジェットプリンタにより記録媒体に印刷されたパッチを前記測色機で測定して印刷対象の画像データを補正する画像補正システムにおいて実行される画像補正方法であって、
前記インクジェットプリンタが、前記情報処理装置により入力されたパッチデータに基づいて、パッチをユーザが選択した種類の記録媒体に印刷するパッチ印刷工程と、
前記情報処理装置が、前記インクジェットプリンタによって印刷されたパッチを前記測色機により測定して得られた測色値を取得する取得工程と、
前記情報処理装置が、前記ユーザが選択した記録媒体の種類に対応する測色値と前記インクジェットプリンタからのインク吐出量の値とが関連付けられ予め定められた一覧を参照して、前記取得工程において取得された前記測色値に対応するインク吐出量を選択する第１の選択工程と、
前記情報処理装置が、複数のインク吐出量に対応して、プリンタの階調表現可能な範囲にわたる補正値を表現した複数の補正曲線から、前記第１の選択工程において選択された前記インク吐出量に対応する補正曲線を選択する第２の選択工程と、
前記情報処理装置が、前記第２の選択工程において選択された前記補正曲線を用いて、前記印刷対象の画像データを補正する補正工程と
を備えることを特徴とする画像補正方法。
【請求項２】
測色機とインクジェットプリンタと画像データを処理する情報処理装置とを含み、前記インクジェットプリンタにより記録媒体に印刷されたパッチを前記測色機で測定して印刷対象の画像データを補正する画像補正システムであって、
前記インクジェットプリンタにおいて、前記情報処理装置により入力されたパッチデータに基づいて、パッチをユーザが選択した種類の記録媒体に印刷するパッチ印刷手段と、
前記情報処理装置において、前記インクジェットプリンタによって印刷されたパッチを前記測色機により測定して得られた測色値を取得する取得手段と、
前記情報処理装置において、前記ユーザが選択した記録媒体の種類に対応する測色値と前記インクジェットプリンタからのインク吐出量の値とが関連付けられ予め定められた一覧を参照して、前記取得手段により取得された前記測色値に対応するインク吐出量を選択する第１の選択手段と、
前記情報処理装置において、複数のインク吐出量に対応して、プリンタの階調表現可能な範囲にわたる補正値を表現した複数の補正曲線から、前記第１の選択手段により選択された前記インク吐出量に対応する補正曲線を選択する第２の選択手段と、
前記情報処理装置において、前記第２の選択手段により選択された前記補正曲線を用いて、前記印刷対象の画像データを補正する補正手段と
を備えることを特徴とする画像補正システム。
【請求項３】
前記インク吐出量は、吐出量ランクであることを特徴とする請求項２に記載の画像補正システム。
【請求項４】
前記第１の選択手段により参照される一覧における測色値とは、１つの階調を示す画像が印刷されたパッチを前記測色機で測定して得られた測色値であることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像補正システム。
【請求項５】
前記第１の選択手段により参照される一覧における測色値とは、複数の階調を示す画像が印刷されたパッチを前記測色機で測定して得られた測色値であることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像補正システム。
【請求項６】
前記第１の選択手段によって選択された前記インク吐出量が正しいか否かを、予め定められた基準値を用いて判定する判定手段をさらに備え、
前記判定手段によって前記インク吐出量が正しいと判定されると、前記第２の選択手段によって補正曲線を選択することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の画像補正システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
２枚以上の炭素短繊維紙がフェノール樹脂炭化物を介して積層されてなる、炭素短繊維の繊維配向度が２〜５である多孔質炭素電極基材の製造方法であって、
（１）炭素短繊維とバインダーとを含む紙料を抄紙する工程、
（２）前記抄紙後の紙料を連続して抄紙用フェルトの間に挟んで０〜０．０５ＭＰａの圧力で押圧し、水分率を８０〜８５％とした後、乾燥して炭素短繊維紙を得る工程、
（３）前記炭素短繊維紙にフェノール樹脂を含浸し、フェノール樹脂を含浸した２枚以上の炭素短繊維紙を積層する工程、
（４）前記積層した炭素短繊維紙を、加熱しながら５〜１８ＭＰａの圧力でプレスして前記フェノール樹脂を硬化した後、炭素化する工程、
とを有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
[多孔質炭素電極基材の製造方法]
本発明に係る多孔質炭素電極基材の製造方法は、
２枚以上の炭素短繊維紙がフェノール樹脂炭化物を介して積層されてなる、炭素短繊維の繊維配向度が２〜５である多孔質炭素電極基材の製造方法であって、
（１）炭素短繊維とバインダーとを含む紙料を抄紙する工程、
（２）前記抄紙後の紙料を連続して抄紙用フェルトの間に挟んで０〜０．０５ＭＰａの圧力で押圧し、水分率を８０〜８５％とした後、乾燥して炭素短繊維紙を得る工程、
（３）前記炭素短繊維紙にフェノール樹脂を含浸し、フェノール樹脂を含浸した２枚以上の炭素短繊維紙を積層する工程、
（４）前記積層した炭素短繊維紙を、加熱しながら５〜１８ＭＰａ以下の圧力でプレスして前記フェノール樹脂を硬化した後、炭素化する工程、
とを有する方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能素子と、この機能素子に接続されたリード線からなる電子部品であって、上記リード線が、機能素子に一端を接続された金属製の引き出し電極と、上記引き出し電極の材質よりも硬く、かつ引き出し電極の他端に一端を埋設された金属ワイヤと、この金属ワイヤの一端と他端の間に形成された鍔部とからなり、上記引き出し電極と埋設された金属ワイヤとの界面を溶着して合金層を形成すると共に、この合金層が引き出し電極の他端より表出した部分を被覆するように上記鍔部を配置した電子部品。
【請求項２】
上記鍔部と、上記合金層が引き出し電極の他端より表出した部分との間に、空隙を設けた構成の請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
上記空隙として、引き出し電極の他端から導出した金属ワイヤの根元の全周囲に、凹部を設けた構成の請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
上記鍔部が、平板または曲板であり、金属ワイヤと一体に形成された構成の請求項１〜請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
上記鍔部が、略中央部に貫通孔を設けた平板または曲板であり、上記貫通孔に挿通させた金属ワイヤに、圧接または溶接によって密着した構成の請求項１〜請求項３に記載の電子部品。
【請求項６】
前記鍔部が、引き出し電極の他端と反対方向に向かって広がった形状である構成の請求項１〜請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記鍔部が、引き出し電極の他端に向かって広く開口した形状である構成の請求項１〜請求項５に記載の電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子部品
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１について説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２について説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３について説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
（実施の形態４）
以下、実施の形態４について説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
（実施の形態５）
以下、実施の形態５について説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
（実施の形態６）
以下、実施の形態６について説明する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
（実施の形態７）
以下、実施の形態７について説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置本体を収容するチャンバと、該チャンバ内の空気を浄化する浄化手段とを備える露光装置であって、
前記チャンバ内に空気を導入する外気導入口の位置を鉛直方向で変更可能な可動機構を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記浄化手段は、空気中の不純物を除去する不純物除去フィルタを含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記可動機構は、複数の移動可能なパネルを含み、該パネルを移動させることにより、所定の位置に前記外気導入口を設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記可動機構は、複数の開閉可能なパネルを含み、該パネルを開閉させることにより、所定の位置に前記外気導入口を設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記不純物濃度を検出する検出手段を備え、
前記検出手段は、前記不純物除去フィルタの一次側及び二次側に設置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記不純物除去フィルタの予測寿命を算出する算出手段を備えることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記不純物除去フィルタの予測寿命に基づいて、前記可動機構を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記外気導入口の温度を検出する温度検出手段を備え、
前記温度検出手段により検出された導入空気の温度に基づいて、前記可動機構を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記不純物除去フィルタの予測寿命を表示する表示装置を備えることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項１０】
露光装置本体を収容するチャンバ内に空気を導入する外気導入ユニットであって、
前記空気を導入する外気導入口の位置を鉛直方向で変更可能な可動機構を備えることを特徴とする外気導入ユニット。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、露光装置本体を収容するチャンバと、該チャンバ内の空気を浄化する浄化手段とを備える露光装置であって、チャンバ内に空気を導入する外気導入口の位置を鉛直方向で変更可能な可動機構を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
外気導入ユニット２０は、露光装置１の高さ方向（鉛直方向）に設置される空洞装置であり、まず、それぞれ鉛直方向に移動可能な複数枚の可動パネル２１と、該可動パネル２１の駆動を制御する制御部２２とを備える。更に、外気導入ユニット２０は、ガス濃度計２３ａ、２３ｂと、該ガス濃度計２３ａ、２３ｂの測定値に基づいて、不純物除去フィルタ１２ａ、１２ｂの寿命を算出する算出部２４と、表示装置２５とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ガス濃度計２３ａは、不純物除去フィルタ１２ａの一次側に設けられた検出手段であり、導入空気の不純物濃度を測定する。また、ガス濃度計２３ｂは、不純物除去フィルタ１２ａの二次側に設けられたガス濃度計であり、不純物除去フィルタ１２ａを通過した空気のガス濃度を測定する。ここで、ガス濃度計としては、例えば、電気化学センサー式のガス濃度測定器が採用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた半導体素子上に配置された金属配線と、
前記金属配線の上に形成され、前記金属配線を保護する保護膜と、
前記保護膜の上に形成された応力緩衝層と、
前記保護膜及び、前記応力緩衝層を貫通して、前記金属配線上に設けられたビアホールと、
前記ビアホールの内面及び前記金属配線の表面、及び前記応力緩衝層の表面に形成された下地金属膜と、
前記ビアホールを埋め込むように形成された導電層と、
前記導電層の上に形成されたバンプ電極を有し、
平面視にて、前記ビアホールは前記バンプ電極の中心を避けて、前記バンプ電極の下ではあるが周囲の領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた半導体素子上に配置された第１の金属配線と、
前記第１の金属配線の上に絶縁膜を介して配置された第２の金属配線と、
前記第２の金属配線の上に形成され、前記金属配線を保護する保護膜と、
前記保護膜の上に形成された応力緩衝層と、
前記保護膜及び、前記応力緩衝層を貫通して、前記第２の金属配線上に設けられたビアホールと、
前記ビアホールの内面及び前記第２の金属配線の表面、及び前記応力緩衝層の表面に形成された下地金属膜と、
前記ビアホールを埋め込むように形成された導電層と、
前記導電層の上に形成されたバンプ電極と、
前記半導体素子上に前記第１の金属配線により形成された入出力のための金属端子と、を有し、
前記第２の金属配線は前記バンプ電極及び前記ビアホール内に形成された前記導電層と前記金属端子とを、前記金属端子上に設けられたビアを介してつなぐ再配線であり、
平面視にて、前記ビアホールは前記バンプ電極の中心を避けて、前記バンプ電極の下ではあるが周囲の領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記応力緩衝層はポリイミド膜あるいはエポキシを主剤とした有機樹脂膜からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記応力緩衝層はセラミック膜からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記セラミック膜は酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記応力緩衝層はセラミック膜と前記セラミック膜より機械的剛性の小さい材料の２層からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する第１の電子部品と、
前記電極パッド形成面を露出する第１の面、及び前記背面を露出する第２の面を有し、前記第１の電子部品の側面を封止する封止樹脂と、
積層された複数の絶縁層と配線パターンにより構成され、前記封止樹脂の第１の面、及び前記電極パッド形成面に上面が接するように形成され、外周縁が前記封止樹脂の外周縁よりも外側に位置する多層配線構造体と、
前記封止樹脂の外周縁より外側に位置する前記多層配線構造体の上面に形成されたパッドと、を備え、
前記配線パターンが、前記第１の電極パッドに接続された第１の配線パターンと、前記パッドに接続された第２の配線パターンとを有する半導体装置。
【請求項２】
前記第１の電極パッドに接続される前記第１の配線パターン部分は、前記多層配線構造体の上面を構成する絶縁層を貫通するビアであり、
前記ビアが、前記第１の電極パッドに直接接続されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記封止樹脂の第２の面を前記第１の電子部品の背面と略面一にした請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の電子部品の背面及び前記封止樹脂の第２の面上に、第２の電極パッドを有し、該第２の電極パッドが前記パッドと電気的に接続される第２の電子部品を設けた請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
支持体の第１の面に、前記支持体の第１の面を露出する貫通部を有する金属膜を形成する金属膜形成工程と、
第１の電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する前記第１の電子部品を、前記貫通部より露出された前記支持体の第１の面に、前記背面を接着して搭載する第１の電子部品搭載工程と、
前記貫通部内に前記第１の電子部品を封止する封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、
前記電極パッド形成面、前記金属膜、及び前記封止樹脂上に積層された複数の絶縁層と配線パターンを有し、外周縁が前記封止樹脂の外周縁よりも外側に位置する多層配線構造体を形成する多層配線構造体形成工程と、
前記多層配線構造体形成工程後、前記支持体を除去する支持体除去工程と、
前記支持体除去工程後、前記金属膜をパターニングしてパッドを形成するパッド形成工程と、を含み、
前記多層配線構造体形成工程では、前記第１の電極パッドに接続される第１の配線パターンを形成すると共に、前記パッドに接続される第２の配線パターンを形成する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持体除去工程と前記パッド形成工程との間に、前記支持体が配置されていた側から前記第１の電子部品、前記金属膜、及び前記封止樹脂を研削して、前記第１の電子部品、前記金属膜、及び前記封止樹脂の厚さを薄くする研削工程を設けた請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の電極パッド、前記電極パッド形成面、前記金属膜の下面、及び前記封止樹脂の下面と接触する側の面とは反対側に位置する前記多層配線構造体の面に、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンと接続される外部接続用パッドを形成する外部接続用パッド形成工程を設けた請求項５または６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記パッド形成工程後、前記第１の電子部品の背面及び前記封止樹脂の上面に、第２の電極パッドを有した第２の電子部品を搭載し、前記第２の電極パッドと前記パッドとを電気的に接続する第２の電子部品搭載工程をさらに設けた請求項５ないし７のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記多層配線構造体形成工程において、
前記多層配線構造体の上面を構成する絶縁層を貫通するビアを形成し、
前記ビアにより、前記第１の配線パターンと前記第１の電極パッドとを直接接続する請求項５ないし８のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一観点によれば、第１の電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する第１の電子部品と、前記電極パッド形成面を露出する第１の面、及び前記背面を露出する第２の面を有し、前記第１の電子部品の側面を封止する封止樹脂と、積層された複数の絶縁層と配線パターンにより構成され、前記封止樹脂の第１の面、及び前記電極パッド形成面に上面が接するように形成され、外周縁が前記封止樹脂の外周縁よりも外側に位置する多層配線構造体と、前記封止樹脂の外周縁より外側に位置する前記多層配線構造体の上面に形成されたパッドと、を備え、前記配線パターンが、前記第１の電極パッドに接続された第１の配線パターンと、前記パッドに接続された第２の配線パターンとを有する半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の他の観点によれば、支持体の第１の面に、前記支持体の第１の面を露出する貫通部を有する金属膜を形成する金属膜形成工程と、第１の電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する前記第１の電子部品を、前記貫通部より露出された前記支持体の第１の面に、前記背面を接着して搭載する第１の電子部品搭載工程と、前記貫通部内に前記第１の電子部品を封止する封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、前記電極パッド形成面、前記金属膜、及び前記封止樹脂上に積層された複数の絶縁層と配線パターンを有し、外周縁が前記封止樹脂の外周縁よりも外側に位置する多層配線構造体を形成する多層配線構造体形成工程と、前記多層配線構造体形成工程後、前記支持体を除去する支持体除去工程と、前記支持体除去工程後、前記金属膜をパターニングしてパッドを形成するパッド形成工程と、を含み、前記多層配線構造体形成工程では、前記第１の電極パッドに接続される第１の配線パターンを形成すると共に、前記パッドに接続される第２の配線パターンを形成する半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に設けられた保持台上に保持された被処理基板にシリコン酸化膜を成膜するシリコン酸化膜の成膜方法であって、
被処理基板を保持する保持台の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器内に供給し、処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し前記被処理基板にシリコン酸化膜を形成する工程と、
酸化性ガスおよび希ガスを処理容器内に供給し、処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し前記被処理基板上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む、シリコン酸化膜の成膜方法。
【請求項２】
前記シリコン酸化膜を形成する工程において、
前記シリコン化合物ガスは、ＴＥＯＳガスであり、
前記酸化性ガスは、酸素ガスであり、
前記希ガスは、アルゴンガスであり、
前記ＴＥＯＳガスと前記酸素ガスの有効流量比（酸素ガス／ＴＥＯＳガス）は、５．０以上１０．０以下であり、
前記アルゴンガスの分圧比は、７５％以上である、請求項１に記載のシリコン酸化膜の成膜方法。
【請求項３】
前記プラズマ処理する工程において、
前記酸化性ガスは、酸素ガスであり、
前記希ガスは、アルゴンガスであり、
前記処理容器内に供給する前記アルゴンガスの分圧比を、９７％以上とする、請求項１または２に記載のシリコン酸化膜の成膜方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理する工程に引き続いて、再びシリコン酸化膜を形成する工程、さらに再び前記プラズマ処理する工程を含む、請求項１〜３のいずれかに記載のシリコン酸化膜の成膜方法。
【請求項５】
前記マイクロ波プラズマは、ラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）により生成されている、請求項１〜４のいずれかに記載のシリコン酸化膜の成膜方法。
【請求項６】
絶縁層となるシリコン酸化膜および導電層を含む半導体装置の製造方法であって、
処理容器内に設けられた保持台上に半導体装置の基となる被処理基板を保持し、
被処理基板を保持する保持台の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器内に供給し、処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し前記被処理基板にシリコン酸化膜を形成する工程と、
酸化性ガスおよび希ガスを処理容器内に供給し、処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し前記被処理基板上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記プラズマ処理する工程に引き続いて、再びシリコン酸化膜を形成する工程、さらに再び前記プラズマ処理する工程を含む、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
その内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器と、
前記処理容器内にプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
その上に被処理基板を保持する保持台と、
プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、
前記保持台と対向する位置に配置され、前記マイクロ波発生器により発生させたマイクロ波を前記処理容器内に導入する誘電体板と、
被処理基板を保持する前記保持台の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを前記処理容器内に供給し、前記処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板にシリコン酸化膜を形成し、酸化性ガスおよび希ガスを前記処理容器内に供給し、前記処理容器内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する制御部とを備える、プラズマ処理装置。
【請求項９】
前記反応ガス供給部は、前記誘電体板の径方向中央に設けられる第一の反応ガス供給部と、前記処理容器内において前記保持台と前記誘電体板との間に配置される円環状の環状部を含む第二の反応ガス供給部とを備える、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリコン酸化膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、およびプラズマ処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに好ましくは、マイクロ波プラズマは、ラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ：Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａ）により生成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図９は、熱酸化膜を基準としたシリコン酸化膜のエッチングレートの厚み方向の比を示す図である。図９において、縦軸は、熱酸化法により成膜したシリコン酸化膜に対するエッチングレートで規格化した比（単位無し）を示し、横軸は、厚み（Å）を示す。また、図９中、丸印は、シリコン酸化膜を形成した後プラズマ処理を行なわなかった場合のシリコン酸化膜、菱形印は、シリコン酸化膜を形成した後プラズマ処理を行なった場合のシリコン酸化膜、三角印は、熱酸化法により成膜したシリコン酸化膜を示す。つまり、三角印は、常に１となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の偏光状態を計測する偏光計測装置であって、
光軸回りに回転して光の偏光状態を変化させる位相子と、
前記位相子を通過した光の所定の偏光成分のみを通過させる第一の偏光子と、
前記第一の偏光子を通過した光を検出する検出器と、
前記検出器の検出結果を用いて算出される偏光度が１となるように、前記偏光度を算出するための前記位相子の位相差量を求め、求められた位相差量を用いて前記偏光状態を算出する制御部と、を有することを特徴とする偏光計測装置。
【請求項２】
光の所定の偏光成分のみを通過させる第二の偏光子を有し、
前記第二の偏光子を通過した既知の偏光光は、前記位相子に入射し、
前記制御部は、前記位相子に入射した前記既知の偏光光に基づいて該位相子の位相差量を補正することを特徴とする請求項１に記載の偏光計測装置。
【請求項３】
前記第二の偏光子は、既知の偏光光を被検光学系に入射し、
前記制御部は、前記被検光学系の複屈折を算出することを特徴とする請求項２記載の偏光計測装置。
【請求項４】
前記第二の偏光子は、少なくとも３つの既知の偏光光を被検光学系に入射することを特徴とする請求項２記載の偏光計測装置。
【請求項５】
光の偏光状態を計測する偏光計測方法であって、
位相子を光軸回りに回転して光の偏光状態を変化させるステップと、
第一の偏光子を用いて前記位相子を通過した光の所定の偏光成分のみを通過させるステップと、
検出器を用いて前記第一の偏光子を通過した光を検出するステップと、
前記検出器の検出結果を用いて算出される偏光度が１となるように、前記偏光度を算出するための前記位相子の位相差量を求めるステップと、
該求められた位相差量を用いて前記偏光状態を算出するステップと、を有することを特徴とする偏光計測方法。
【請求項６】
原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、
光源からの光を用いて前記原版を照明する照明光学系と、
前記原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
前記原版を照明する露光光の偏光状態、及び、前記投影光学系の複屈折の少なくとも一方を計測する請求項１乃至４のいずれか一に記載の偏光計測装置と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面としての偏光計測装置は、光の偏光状態を計測する偏光計測装置であって、光軸回りに回転して光の偏光状態を変化させる位相子と、前記位相子を通過した光の所定の偏光成分のみを通過させる第一の偏光子と、前記第一の偏光子を通過した光を検出する検出器と、前記検出器の検出結果を用いて算出される偏光度が１となるように、前記偏光度を算出するための前記位相子の位相差量を求め、求められた位相差量を用いて前記偏光状態を算出する制御部と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の側面としての偏光計測方法は、光の偏光状態を計測する偏光計測方法であって、位相子を光軸回りに回転して光の偏光状態を変化させるステップと、第一の偏光子を用いて前記位相子を通過した光の所定の偏光成分のみを通過させるステップと、検出器を用いて前記第一の偏光子を通過した光を検出するステップと、前記検出器の検出結果を用いて算出される偏光度が１となるように、前記偏光度を算出するための前記位相子の位相差量を求めるステップと、該求められた位相差量を用いて前記偏光状態を算出するステップとを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば上記した各実施形態において、第１配線層１２と第２配線層１６の間に他の配線層が位置していても良い。この場合においても、スイッチビア３５は、第１配線３２と第２配線３９を接続する。
（付記１）
基板と、
前記基板上に形成された第１配線層と、
前記第１配線層に形成された第１配線と、
前記第１配線層より上に位置する第２配線層に形成された第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線を接続するスイッチビアと、
を備え、
前記スイッチビアは、少なくとも底部に、電界印加履歴に応じて抵抗値が変化する抵抗変化層を含むスイッチ素子を有する半導体装置。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置において、
前記スイッチビアと同一層に、前記第１配線と前記第２配線を接続し、前記スイッチ素子を有さない配線ビアをさらに備える半導体装置。
（付記３）
付記１又は２に記載の半導体装置において、
前記スイッチビアは、前記スイッチ素子以外の部分が金属で形成されている半導体装置。
（付記４）
付記３に記載の半導体装置において、
前記スイッチ素子は、前記スイッチビアを構成する前記金属と前記抵抗変化層の間に位置する上部電極層を有する半導体装置。
（付記５）
付記４に記載の半導体装置において、
前記抵抗変化層及び前記上部電極層は、前記スイッチビアの底部及び側部に形成されている半導体装置。
（付記６）
付記４又は５に記載の半導体装置において、
前記上部電極層は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｔａの窒化物、Ｔｉの窒化物、Ｗの窒化物、Ｒｕの窒化物、Ｐｔの窒化物、及びＩｒの窒化物からなる第１群から選ばれた一つからなる単層膜、又は前記第１群から選ばれた２つ以上を積層した積層膜である半導体装置。
（付記７）
付記１〜６のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記抵抗変化層は、前記第１配線と直接接続している半導体装置。
（付記８）
付記１〜６のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記スイッチ素子は前記第１配線と前記抵抗変化層の間に位置する下部電極層を有する半導体装置。
（付記９）
付記８に記載の半導体装置において、
前記抵抗変化層及び前記下部電極層は、前記スイッチビアの前記底部及び側部に形成されている半導体装置。
（付記１０）
付記１〜９のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記抵抗変化層は金属酸化物層である半導体装置。
（付記１１）
付記１０に記載の半導体装置において、
前記抵抗変換層は銅の酸化物である半導体装置。
（付記１２）
付記１〜１１のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記第１配線及び前記第２配線は銅を９５重量％以上含有する金属で構成されている半導体装置。
（付記１３）
付記１〜１２のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記第２配線がデュアルダマシン構造を有する半導体装置。
（付記１４）
付記１〜１３のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記第２配線層は、前記第１配線層の一つ上の配線層である半導体装置。
（付記１５）
基板上に、第１配線を有する第１配線層を形成する工程と、
前記第１配線層上に第１ビア層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１ビア層間絶縁膜に、前記第１配線上に位置するスイッチ素子用ビアホールを形成する工程と、
前記スイッチ素子用ビアホールの少なくとも底部に抵抗変化層を形成する工程と、
前記第１ビア層間絶縁膜上に、前記抵抗変化層に接続する第２配線を有する第２配線層を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
（付記１６）
付記１５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記抵抗変化層を形成する工程は、前記スイッチ素子用ビアホールの底部に露出している前記第１配線の少なくとも表面を酸化する工程である半導体装置の製造方法。
（付記１７）
付記１５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記スイッチ素子用ビアホールを形成する工程と、前記抵抗変化層を形成する工程の間に、前記スイッチ素子用ビアホール内に下部電極層を形成する工程を有し、
前記抵抗変化層を形成する工程は、前記下部電極層の少なくとも表面を酸化する工程である半導体装置の製造方法。
（付記１８）
付記１７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記抵抗変化層を形成する工程は、前記下部電極層の全体を酸化する工程である半導体装置の製造方法。
（付記１９）
付記１５〜１８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記抵抗変化層を形成する工程の後、前記第２配線層を形成する工程の前に、
前記スイッチ素子用ビアホール内に、導電体を埋め込む工程を備え、
前記第２配線層を形成する工程は、
前記導電体上及び前記第１ビア層間絶縁膜上に、配線層絶縁膜を形成する工程と、
前記配線層絶縁膜に、底面に前記導電体が露出している配線溝を形成し、かつ前記第１ビア層間絶縁膜に、前記配線溝と前記第１配線とを接続する配線用ビアホールを形成する工程と、
前記配線溝及び前記配線用ビアホールに金属を埋め込むことにより、前記第２配線を形成し、かつ前記第１配線と前記第２配線を接続する配線ビアを形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１配線層と、
前記第１配線層に形成された第１配線と、
前記第１配線層より上に位置する第２配線層に形成された第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線を接続するスイッチビアと、
を備え、
前記スイッチビアは、少なくとも底部に、電界印加履歴に応じて抵抗値が変化する抵抗変化層を含むスイッチ素子を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板の上面側に設けられた凹部と、
前記凹部の底面側の前記シリコン基板を貫通して形成されたスルーホールと、
前記シリコン基板の両面及び前記スルーホールの内面に形成された絶縁層と、
前記スルーホール内の下部からその高さ方向の途中まで形成された下側導体部と、前記スルーホール内の前記下側導体部の上に形成された接続金属部材とにより構成される貫通電極と、
前記シリコン基板の下面側に前記絶縁層を介して形成され、前記下側導体部に接続された配線層と、
前記凹部の底部に実装され、電子部品の端子金属部材が前記貫通電極の前記接続金属部材に突き刺さって接続された前記電子部品とを有することを特徴とする電子部品装置。
【請求項２】
前記スルーホールはストレート形状を有し、前記電子部品はその下面が前記凹部の底面に当接していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項３】
前記貫通電極の前記接続金属部材はインジウム又はスズからなり、前記電子部品の前記端子金属部材は銅、金、又は金合金からなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項４】
前記下側導体部と前記接続金属部材との間に金属バリア層がさらに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項５】
前記電子部品はＭＥＭＳ部品であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品装置。
【請求項６】
複数の配線基板領域が画定されたシリコンウェハを厚み方向の途中まで加工することにより穴部を形成する工程と、
前記シリコンウェハの両面及び前記穴部の内面に絶縁層を形成する工程と、
前記シリコンウェハを上下反転させて裏面側を上側に向けた状態とし、前記シリコンウェハの上面側の絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記絶縁層をマスクにして前記開口部を通して前記シリコンウェハを前記穴部に到達するまで加工することにより、凹部を形成する工程と、
前記絶縁層を除去することにより、前記シリコンウェハに前記凹部とそれに連通して前記穴部から形成されるストレート形状のスルーホールを得る工程と、
前記シリコンウェハの両面及び前記スルーホールの内面に絶縁層を形成する工程と、
電解めっきによって前記スルーホール内に下側導体部及び接続金属部材を順に形成して貫通電極を得る工程と、
前記シリコンウェハの下面側の前記絶縁層の上に前記下側導体部に接続される配線層を形成する工程とを含む方法によって得られる配線基板と、下面側に端子金属部材を備えた電子部品とを用意する工程と、
加熱雰囲気で、前記配線基板の前記接続金属部材を軟化させ、前記電子部品の前記端子金属部材を前記接続金属部材に突き刺して接続することにより、前記電子部品を前記配線基板の前記凹部に実装する工程とを有することを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項７】
前記電子部品を前記配線基板の実装する工程において、
前記電子部品はその下面が前記凹部の底面に当接して配置されることを特徴とする請求項６に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項８】
前記貫通電極の前記接続金属部材はインジウム又はスズからなり、前記電子部品の前記端子金属部材は銅、金、又は金合金からなることを特徴とする請求項６に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項９】
前記貫通電極の前記接続金属部材はインジウムからなり、前記電子部品の前記端子金属部材は金からなり、
前記電子部品を前記配線基板に実装する工程において、
前記配線基板の前記接続金属部材に、前記電子部品の前記端子金属部材と反応して得られるインジウム・金合金が形成されることを特徴とする請求項６に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電子部品はＭＥＭＳ部品であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の電子部品装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は電子部品装置に係り、シリコン基板と、前記シリコン基板の上面側に設けられた凹部と、前記凹部の底面側の前記シリコン基板を貫通して形成されたスルーホールと、前記シリコン基板の両面及び前記スルーホールの内面に形成された絶縁層と、前記スルーホール内の下部からその高さ方向の途中まで形成された下側導体部と、前記スルーホール内の前記下側導体部の上に形成された接続金属部材とにより構成される貫通電極と、前記シリコン基板の下面側に前記絶縁層を介して形成され、前記下側導体部に接続された配線層と、前記凹部の底部に実装され、電子部品の端子金属部材が前記貫通電極の前記接続金属部材に突き刺さって接続された前記電子部品とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月10日(2012.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側端面に配線電極が露出するように配設された第１の回路基板と、
前記第１の回路基板に実装された、ＩＣチップを含む半導体部品と、
前記半導体部品の少なくとも一部を覆う、樹脂からなるモールド体と、
前記モールド体の表面を被覆する被覆部とを備え、
前記被覆部が、導体粒子と樹脂との複合物を含むとともに、前記第１の回路基板の側端面に露出された配線電極と接触するように形成された半導体装置。
【請求項２】
前記第１の回路基板の側端面に露出された配線電極が、グランド用の配線電極である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記モールド体が、前記半導体部品の前記第１の回路基板との接続部分を封止している請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体部品は、一部分を露出させて残部が前記モールド体により覆われており、
前記被覆部は、前記半導体部品の露出した一部分と前記モールド体の表面とを被覆している請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導体粒子が、洋白、ステンレス鋼、銅、鉄、銀、アルミニウム、金、およびニッケルの少なくとも１種を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の回路基板が実装される、配線電極を有する第２の回路基板を更に備え、
前記被覆部が、前記第２の回路基板の配線電極と接触するように形成された請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記被覆部が、前記第２の回路基板の前記第１の回路基板が実装される面に露出した配線電極と接触するように形成される請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の回路基板の前記第２の回路基板との接続部分が、樹脂により封止されている請求項６または７記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するための本発明は、側端面に配線電極が露出するように配設された第１の回路基板と、
前記第１の回路基板に実装された、ＩＣチップを含む半導体部品と、
前記半導体部品の少なくとも一部を覆う、樹脂からなるモールド体と、
前記モールド体の表面を被覆する被覆部とを備え、
前記被覆部が、導体粒子と樹脂との複合物を含むとともに、前記第１の回路基板の側端面に露出された配線電極と接触するように形成された半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のさらに好ましい形態においては、前記導体粒子が、洋白、ステンレス鋼、銅、鉄、銀、アルミニウム、金、およびニッケルの少なくとも１種を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、前記発光素子から出射される光を透過して外部に放出する透光性部材とを有し、前記発光素子と前記透光性部材とが接着材を介して接着された発光装置を製造する方法であって、
前記発光素子を基板に載置する第１の工程と、
前記発光素子の上面を露出させて前記発光素子の側面を第１の光反射性部材で覆う第２の工程と、
前記第２の工程の後で、前記上面に接着剤を塗布し、前記発光素子と前記透光性部材とを接着する第３の工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３の工程の後で、前記透光性部材の上面を露出させて前記透光性部材の側面を第２の光反射性部材で覆う第４の工程を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程よりも前に、前記発光素子と前記基板との隙間を光反射性部材で覆う工程を更に含む請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第４の工程は印刷法により行われる請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の光反射部材は、前記第２の光反射部材よりも低弾性もしくは低線膨張である請求項１〜４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記発光素子は、成長用基板上に半導体層が積層されて形成された発光素子であり、前記成長用基板は前記半導体層との接合面に凹凸を有している請求項１〜５に記載の発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にトランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、半導体層と、を有し、
前記導電層は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とを介して、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層は、窒素と珪素とを含み、
前記第２の絶縁層は、酸素と珪素とを含み、
前記半導体層は、
前記基板表面の法線方向に沿って成長した結晶を有する第１の領域と、
非晶質を有する第２の領域と、
前記第１の領域と前記第２の領域の間に設けられ、前記結晶と非晶質とが混在した第３の領域と、を有し、
前記半導体層において、二次イオン質量分析法によって計測される窒素濃度は、前記第１の領域と前記第３の領域との界面近傍においてピークを有することを特徴とする半導体装置。