Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された、第１の色空間における物体の画像データを、第２の色空間の画像データに変換する変換ステップと、
前記物体が配置される仮想三次元空間内において、前記物体の、所定の照明条件に応じた拡散反射色を算出する第１の算出ステップと、
複数の照明条件ごとに鏡面反射色を保持した鏡面反射ルックアップテーブルを、前記所定の照明条件に応じて選択する第１の選択ステップと、
前記変換ステップにより変換された前記物体の画像データに基づき、前記鏡面反射ルックアップテーブルを参照して、前記物体の鏡面反射色を算出する第２の算出ステップと、
前記第２の算出ステップにより算出された鏡面反射色と無色の光源色とに基づき、前記仮想三次元空間内の視線方向における前記物体の鏡面反射色を算出する第３の算出ステップと、
前記第１の算出ステップにより算出された拡散反射色と前記第３の算出ステップにより算出された鏡面反射色とを合成し、前記物体の反射色を算出する第４の算出ステップとを有することを特徴とする色処理方法。
【請求項２】
前記第１の算出ステップは、
前記物体が配置される仮想三次元空間内における前記所定の照明条件に応じた拡散反射ルックアップテーブルを選択する第２の選択ステップと、
前記変換ステップにより変換された前記物体の画像データで前記拡散反射ルックアップテーブルを参照することにより、法線方向における前記物体の拡散反射色を算出する第５の算出ステップと、
前記第５の算出ステップにより算出された法線方向における前記物体の拡散反射色と無色の光源色とに基づいて視線方向における前記物体の、前記所定の照明条件に応じた拡散反射色を算出する第６の算出ステップとを有することを特徴とする請求項１に記載の色処理方法。
【請求項３】
前記第１の算出ステップは、カラーマッチング処理により前記物体の、前記所定の照明条件に応じた拡散反射色を算出することを特徴とする請求項１に記載の色処理方法。
【請求項４】
各照明条件に対応する鏡面反射ルックアップテーブルを生成する第１の生成ステップを更に有することを特徴とする請求項１に記載の色処理方法。
【請求項５】
各照明条件に対応する拡散反射ルックアップテーブルを生成する第２の生成ステップを更に有することを特徴とする請求項２に記載の色処理方法。
【請求項６】
前記第１の生成ステップは、パッチに対する入射光の正反射方向の分光反射率を測定し、当該測定した分光反射率に基づいて鏡面反射ルックアップテーブルを生成することを特徴とする請求項４に記載の色処理方法。
【請求項７】
前記第２の生成ステップは、パッチに対する入射光の拡散方向の分光反射率を測定し、当該測定した分光反射率に基づいて拡散反射ルックアップテーブルを生成することを特徴とする請求項５に記載の色処理方法。
【請求項８】
第１の光源色を算出する光源色算出ステップと、
光沢色が付加された、前記仮想三次元空間内における前記物体以外の物体の反射色を、前記第１の光源色に基づいて算出する第７の算出ステップと、
前記第４の算出ステップにより算出される前記物体の反射色と、前記第７の算出ステップにより算出される前記物体以外の物体の反射色とを合成する合成ステップとを更に有することを特徴とする請求項１に記載の色処理方法。
【請求項９】
前記光源色算出ステップは、前記所定の照明条件に対応する第２の光源色を変換することによって前記第１の光源色を算出することを特徴とする請求項８に記載の色処理方法。
【請求項１０】
入力された、第１の色空間における物体の画像データを、第２の色空間の画像データに変換する変換手段と、
前記物体が配置される仮想三次元空間内において、前記物体の、所定の照明条件に応じた拡散反射色を算出する第１の算出手段と、
複数の照明条件ごとに鏡面反射色を保持した鏡面反射ルックアップテーブルを、前記所定の照明条件に応じた選択する第１の選択手段と、
前記変換手段により変換された前記物体の画像データに基づき、前記鏡面反射ルックアップテーブルを参照して、前記物体の鏡面反射色を算出する第２の算出手段と、
前記第２の算出手段により算出された鏡面反射色と無色の光源色とに基づき、前記仮想三次元空間内の視線方向における前記物体の鏡面反射色を算出する第３の算出手段と、
前記第１の算出手段により算出された拡散反射色と前記第３の算出手段により算出された鏡面反射色とを合成し、前記物体の反射色を算出する第４の算出手段とを有することを特徴とする色処理装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の色処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の色処理方法は、入力された、第１の色空間における物体の画像データを、第２の色空間の画像データに変換する変換ステップと、前記物体が配置される仮想三次元空間内において、前記物体の、所定の照明条件に応じた拡散反射色を算出する第１の算出ステップと、複数の照明条件ごとに鏡面反射色を保持した鏡面反射ルックアップテーブルを、前記所定の照明条件に応じて選択する第１の選択ステップと、前記変換ステップにより変換された前記物体の画像データに基づき、前記鏡面反射ルックアップテーブルを参照して、前記物体の鏡面反射色を算出する第２の算出ステップと、前記第２の算出ステップにより算出された鏡面反射色と無色の光源色とに基づき、前記仮想三次元空間内の視線方向における前記物体の鏡面反射色を算出する第３の算出ステップと、前記第１の算出ステップにより算出された拡散反射色と前記第３の算出ステップにより算出された鏡面反射色とを合成し、前記物体の反射色を算出する第４の算出ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位相同期ループ回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相差信号に応じた周波数で発振する発振器と、
前記発振器の出力を分周した第１のクロックおよび前記第１のクロックよりも周波数の高い第２のクロックを生成する分周器と、
位相比較部とを備え、
前記位相比較部は、
前記第１および第２のクロックならびに参照クロックを受け、前記第１のクロックと前記参照クロックとの位相差を前記第２のクロックの周期である第１の時間の精度で検出し、検出した位相差が所定範囲内になるまで、検出した位相差に対応した前記位相差信号を出力する第１の検出部と、
前記第１のクロックおよび前記参照クロックを受け、前記第１の検出部によって検出された位相差が前記所定範囲内となってから、前記第１のクロックと前記参照クロックとの位相差を前記第１の時間よりも短い第２の時間の精度で検出し、検出した位相差に対応した前記位相差信号を出力する第２の検出部とを含む、位相同期ループ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、撮像手段により撮影された画像から、顔を検出する顔検出手段と、前記顔検出手段により検出された顔のうち、目を瞑っている顔を検出する目瞑り検出手段と、前記目瞑り検出手段により目を瞑っている顔が検出された場合に、目瞑りであることを知らせる表示を行う表示手段と、前記顔検出手段によって検出された顔、及び、前記目瞑り検出手段によって検出された目を瞑っている顔の少なくともいずれかに関する情報に応じて、前記表示を行う時間を変更するように前記表示手段を制御する制御手段とを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段により撮影された画像から、顔を検出する顔検出手段と、
前記顔検出手段により検出された顔のうち、目を瞑っている顔を検出する目瞑り検出手段と、
前記目瞑り検出手段により目を瞑っている顔が検出された場合に、目瞑りであることを知らせる表示を行う表示手段と、
前記顔検出手段によって検出された顔、及び、前記目瞑り検出手段によって検出された目を瞑っている顔の少なくともいずれかに関する情報に応じて、前記表示を行う時間を変更するように前記表示手段を制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記目を瞑っている顔の数が第１の閾値を超える場合に、前記目を瞑っている顔の数が多くなるほど、前記表示を行う時間を長くするように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記顔検出手段により検出された顔の数が第２の閾値を超える場合に、前記顔検出手段により検出された顔の数が多くなるほど、前記表示を行う時間を長くするように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記目を瞑っている顔のうち最も小さな顔のサイズが第３の閾値よりも小さい場合に、前記最も小さな顔のサイズが小さいほど、前記表示を行う時間を長くするように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮像手段により撮影された画像から、顔を検出する顔検出手段と、
前記顔検出手段により検出された顔のうち、目を瞑っている顔を検出する目瞑り検出手段と、
前記目瞑り検出手段により目を瞑っている顔が検出された場合に、目瞑りであることを知らせる表示を行う表示手段と、
設定中の撮影設定情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した撮影設定情報に応じて、前記表示を行う時間を、前記予め設定された時間から変更するように前記表示手段を制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記撮影設定情報がセルフタイマを用いた撮影を表す場合に、前記表示を行う時間を、前記撮影設定情報がセルフタイマを用いた撮影を表さない場合よりも長くするように制御することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記表示を消去する手段を更に有することを特徴とする請求項５または６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記撮影設定情報が連写撮影を表す場合に、前記表示を行う時間を０とするように制御することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記撮影設定情報が連写撮影を表す場合に、更に、前記顔検出手段と前記目瞑り検出手段による検出を停止するように制御することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
撮像手段により撮影された画像から顔を検出し、検出された顔のうち、目を瞑っている顔が検出された場合に、目瞑りであることを知らせる表示を行う撮像装置における表示制御方法であって、
制御手段が、前記画像から検出された顔、及び、前記検出された目を瞑っている顔の少なくともいずれかに関する情報に応じて、前記表示を行う時間を変更することを特徴とする表示制御方法。
【請求項１１】
撮像手段により撮影された画像から、目を瞑っている顔が検出された場合に、目瞑りであることを知らせる表示を行う撮像装置における表示制御方法であって、
取得手段が、設定中の撮影設定情報を取得する取得ステップと、
制御手段が、前記取得ステップで取得した撮影設定情報に応じて、表示を行う時間を変更する表示制御ステップと
を有することを特徴とする表示制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記放熱体は、一端に平坦面が形成してあり、
前記熱伝導性絶縁シートは、表面が前記基板の裏面全面に接するとともに、裏面が前記放熱体の一端に形成した平坦面全面に接することを特徴とする請求項１のＬＥＤ照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、熱伝導性絶縁シートは、表面を基板の裏面全面に接するように配置するとともに、裏面には放熱体の一端に形成した平坦面全面が接する構成とすることが好ましい。これにより各部材間の接触面積を十分に確保することができ、いっそう効率よく熱を伝導させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
質量スキャン工程では羽根電極２１の間に補助交流電圧（振幅0.01V〜100V、周波数10kHz 〜 500kHz）が印加される。またトラップワイヤ電極２４には1V〜30V程度の電圧が印加される。トラップRF電圧振幅を変化させることでイオンを質量選択的に共鳴排出する。このとき排出されるイオンのm/zとトラップRF電圧振幅（V）の関係は以下の式で表される。このとき排出されるイオンの軌道１０１を図３に模式的に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
排除工程ではイオントラップ部３２のトラップＲＦ電圧を0にして、トラップ外へとすべてのイオンを排出する。排除工程の時間は0.1〜10ms程度である。その後、イオントラップ部32と検出器３３の各電極の極性を切り替える。イオン源１からイオンガイド部３１までの各電極への印加電圧は質量スキャン工程と同じで、排除時間に導入されたイオンもイオンガイド部31にトラップされる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
放電灯点灯装置１０は、電力制御回路２０を含む。電力制御回路２０は、放電灯９０に供給する駆動電力を生成する。本実施形態においては、電力制御回路２０は、直流電源８０からの電力を入力とし、当該入力電圧を降圧して直流電流Ｉｄを出力するダウンチョッパー回路で構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
第１実施形態に係る放電灯点灯装置１０の制御部４０は、第１区間では第１直流駆動処理Ｄ１（第１直流駆動工程）と第１交流駆動処理Ａ１（第１交流駆動工程）とを交互に行い、第１区間とは異なる第２区間では第２直流駆動処理Ｄ２（第２直流駆動工程）と第２交流駆動処理Ａ２（第２交流駆動工程）とを交互に行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
図６（Ａ）に示す例では、制御部４０は、第１直流駆動処理Ｄ１と第１交流駆動処理Ａ１とを交互に行う第１区間と、第２直流駆動処理Ｄ２と第２交流駆動処理Ａ２とを交互に行う第２区間とが交互に現れるように放電灯駆動部を制御している。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電磁波シールド性フッ素ゴム-金属積層板に関する。さらに詳しくは、オーブン加硫でフッ素ゴム層を形成することが可能な電磁波シールド性フッ素ゴム-金属積層板に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、ゴム層形成のためにオーブン加硫が可能であり、柔軟で、電磁波シールド特性にもすぐれた電磁波シールド性フッ素ゴム-金属積層板を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
かかる本発明の目的は、ポリオール加硫可能なフッ素ゴム100重量部当りポリエステル系可塑剤5〜40重量部、ポリオール系加硫剤0.5〜10重量部およびDBP吸油量が300cm3/100g以上でかつBET比表面積が700m2/g以上である導電性カーボンブラックを組成物中3〜20体積％となるように配合した導電性フッ素ゴム組成物を金属板上に積層し、フッ素ゴム層を加硫させた電磁波シールド性フッ素ゴム-金属積層板によって達成される。この電磁波シールド性フッ素ゴム-金属積層板において、フッ素ゴム層形成のための加硫はオーブン加硫によって行われる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る電磁波シールド性フッ素ゴム-金属積層板は、ゴム層形成のためのオーブン加硫が可能であり、ゴム硬度もデュロメーターAで90以下と柔軟であり、さらに同軸管法によるSパラメーター測定値が7dB以上と電磁波シールド特性の点でもすぐれている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この結果から、次のようなことがいえる。
実施例１：オーブン加硫が可能であり、柔軟で、高い電磁波シールド特性が得られた
実施例２、３：オーブン加硫が可能であり、さらに柔軟で、電磁波シールド特性が得
られた
参考例：加硫剤が有機過酸化物のため、オーブン加硫ではゴム層が加硫しなかった
比較例１：可塑剤がブリードし、加硫阻害が確認された
比較例２：オーブン加硫が可能であるが、柔軟性に乏しい電磁波シールド材料が得ら
れた
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板に実装された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップの横方向の前記配線基板に実装された第２半導体チップと、
前記第１半導体チップに接続され、前記第１半導体チップ上から第２半導体チップの上方に延在して配置された第１放熱手段と、
第２半導体チップに接続され、前記第１放熱手段の下側から外側に、前記第１放熱手段に非接触の状態で延在して配置された第２放熱手段とを有し、
前記第１放熱手段と前記第２放熱手段とが重なる領域において、前記第１放熱手段と前記第２放熱手段との間は空間となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１放熱手段は、前記第１半導体チップの上面に放熱材を介して接続された金属部材からなり、前記第２放熱手段は、水冷ジャケットからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１放熱手段は、前記第１半導体チップの上面に放熱材を介して接続された金属部材からなり、前記第２放熱手段は、水平方向が垂直方向より熱伝導性が高い異方性熱伝導材からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記異方性熱伝導材は、グラファイトシートからなることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１半導体チップは、ＣＰＵ及びＧＰＵの少なくとも一つの機能を有する半導体チップであり、前記第２半導体チップは、メモリチップであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ＣＰＵチップはメモリチップに比べて動作時の発熱量がかなり高いため、ＣＰＵチップからの熱がヒートスプレッダを介してメモリチップに伝導される。このため、メモリチップはＣＰＵチップからの熱によって誤動作することがあり、半導体装置の十分な信頼性が得られない問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は半導体装置に係り、配線基板と、前記配線基板に実装された第１半導体チップと、前記第１半導体チップの横方向の前記配線基板に実装された第２半導体チップと、前記第１半導体チップに接続され、前記第１半導体チップ上から第２半導体チップの上方に延在して配置された第１放熱手段と、第２半導体チップに接続され、前記第１放熱手段の下側から外側に、前記第１放熱手段に非接触の状態で延在して配置された第２放熱手段とを有し、前記第１放熱手段と前記第２放熱手段とが重なる領域において、前記第１放熱手段と前記第２放熱手段との間は空間となっていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この態様では、第１半導体チップの上方の第１放熱手段から第２半導体チップ側に熱が伝導する場合であっても、冷却能力の高い水冷ジャケット又は厚み方向に熱伝導しくにい異方性熱伝導材によって熱伝導を遮断することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図５〜図７では、他の要素は図３と同一であるのでその説明を省略する。第１〜第３変形例の半導体装置１ａ，１ｂ，１ｃにおいても、図３の半導体装置１と同様な効果を奏する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
第２実施形態の半導体装置２では、ＣＰＵチップ２０から発生する熱は、ＣＰＵチップ２０上の放熱材２６を介して放熱金属部材４０に放熱される。このとき、メモリチップ３０の上には異方性熱伝導材６０及び断熱材２８が配置されているので、メモリチップ３０上の放熱金属部材４０からの熱は断熱材２８で遮断される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2011023587.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2011023587.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2011023587.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2011023587.tif 000004
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2011023587.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主表面および第２主表面を含むガラス基板と、
集光部および画素回路を含む画素回路チップと、
前記画素回路からの信号を処理する信号処理回路が形成された信号処理回路チップと、
を備え、
前記画素回路チップは、前記第１主表面から間隔をあけて配置されると共に、前記集光部が前記ガラス基板を通過した光を受光するように配置され、
前記信号処理回路チップは、前記第１主表面に設けられると共に、前記集光部と前記ガラス基板との間に位置する領域から離れた位置に配置された、固定撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
図２は、有機金属気相成長法を用いて様々な成長条件で半極性面ＧａＮ上に成長された窒化ガリウムの炭素濃度を二次イオン質量分析法で調べた炭素プロファイルを示す図面である。図２において、特性線Ｃ、Ａは、それぞれ、炭素濃度のプロファイル及びアルミニウム濃度を表す。アルミニウムは、成長条件の変更位置を示すためにマーカーとして０．１％以下の組成になるように添加されている。図３は、図２おける窒化ガリウムの成長条件（１）〜（１０）に用いられた成長条件と窒化ガリウムにおける炭素濃度との関係を示す図面である。なお、窒化ガリウムの成長において、有機ガリウム原料として、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いた。図３において、温度の単位は「摂氏」であり、成長レートＧＲの単位は「μｍ／時」であり、アンモニア（ＮＨ３）の流量の単位は「ｓｌｍ（標準状態における毎分のリットル単位の流量）」であり、炭素濃度の単位は「ｃｍ−３」である。図３には、Ｖ／III（モル流量比）及び炭素濃度「Ｃ」が示されている。炭素濃度の表記において例えば「０．８５Ｅ１６」は０．８５×１０１６を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
非特許文献によれば、｛１０−１１｝面ＧａＮにおいて炭素がアクセプタとして振舞う根拠は、(１−１０１)が窒素終端面であることとして説明されている。図１１は、この半極性｛１０−１１｝面における原子配列を模式的に示す図面である。図１２は、半極性｛２０−２１｝面における原子配列を模式的に示す図面である。図１３は、同様に半極性面である｛１０−１４｝面における原子配列を模式的に示す図面である。図１２に示されるように、｛２０−２１｝面の原子配列は、完全な窒素終端面ではない。
｛１０−１１｝面：最表面の原子は全て窒素であり、窒素終端面である。
｛２０−２１｝面：最表面の２／３はＧａ原子であり、窒素終端面ではない。
｛１０−１４｝面：最表面の３／５はＧａ原子であり、窒素終端面ではない。
図１２に示されるように、｛２０−２１｝面は窒素終端面でなく、発明者らの実験によれば、｛２０−２１｝面や｛１０−１０｝面に係る窒化ガリウムにおいて、炭素が浅いアクセプタとして振舞う。このことから、本実施の形態に係る浅い炭素アクセプタによる技術的寄与は、窒素終端面に起因するものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月30日(2012.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データ中のセルに含まれている図形に対応するパターンを、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画する描画部と、
前記試料上の描画領域全体に対応する前記描画データが入力されて格納される入力バッファと、
前記試料上の描画領域を複数に分割することによって得られる短冊状のストライプ枠を複数のブロック枠に更に分割する分割部と、
前記ストライプ枠内の前記複数のブロック枠のうち、互いに隣接する少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とをまとめることによって仮想ブロック枠を構成する仮想ブロック枠構成部と、
前記試料上の描画領域全体に対応する前記描画データの一部である仮想ブロック枠に対応するデータが、前記入力バッファから読み出されて格納される入力データ分割モジュールの出力バッファと、
前記仮想ブロック枠に対応するデータを、前記入力データ分割モジュールの前記出力バッファから、前記第１ブロック枠に対応する第１コンバータと前記第２ブロック枠に対応する第２コンバータとの共有メモリに転送する転送部と、
前記共有メモリに転送された前記仮想ブロック枠に対応するデータのうち、前記第１ブロック枠と前記第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、前記第１ブロック枠内に位置する図形のデータを描画装置内部フォーマットデータに変換処理する第１コンバータと、
前記共有メモリに転送された前記仮想ブロック枠に対応するデータのうち、前記第１ブロック枠と前記第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、前記第２ブロック枠内に位置する図形のデータを、前記第１コンバータによる変換処理に並列して描画装置内部フォーマットデータに変換処理する前記第２コンバータと、を具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記仮想ブロック枠構成部が、まとめられる前記ブロック枠の数と、前記共有メモリを共有しているコンバータの数とが一致するように、前記仮想ブロック枠を構成することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
少なくとも図形階層とセル階層とに階層化されている描画データに複数のセルが含まれており、
各セルに１個以上含まれている図形に対応するパターンが、荷電粒子ビームによって試料上の描画領域に描画される荷電粒子ビーム描画方法において、
前記試料上の描画領域全体に対応する描画データを入力バッファに格納し、
前記試料上の描画領域を複数に分割することによって得られる短冊状のストライプ枠を複数のブロック枠に更に分割し、
前記ストライプ枠内の前記複数のブロック枠のうち、互いに隣接する少なくとも第１ブロック枠と第２ブロック枠とをまとめることによって仮想ブロック枠を構成し、
前記試料上の描画領域全体に対応する前記描画データの一部である仮想ブロック枠に対応するデータを、入力バッファから読み出して、入力データ分割モジュールの出力バッファに格納し、
前記仮想ブロック枠に対応するデータを、入力データ分割モジュールの出力バッファから、第１ブロック枠に対応する第１コンバータと第２ブロック枠に対応する第２コンバータとの共有メモリに転送し、
前記共有メモリに転送された前記仮想ブロック枠に対応するデータのうち、前記第１ブロック枠と前記第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、前記第１ブロック枠内に位置する図形のデータを、前記第１コンバータによって描画装置内部フォーマットデータに変換処理し、
前記共有メモリに転送された前記仮想ブロック枠に対応するデータのうち、前記第１ブロック枠と前記第２ブロック枠とに跨るセル内に位置し、かつ、前記第２ブロック枠内に位置する図形のデータを、前記第１コンバータによる変換処理に並列して、前記第２コンバータによって描画装置内部フォーマットデータに変換処理することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項４】
前記仮想ブロック枠を構成するためにまとめられる前記ブロック枠の数と、前記共有メモリを共有しているコンバータの数とを一致させることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
前記ストライプ枠内のすべてのブロック枠がいずれかの仮想ブロック枠に含まれるように、前記ストライプ枠内に複数の仮想ブロック枠を構成することを特徴とする請求項３又は４に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
バリア層２９は、少なくとも井戸層２８の下部界面２８Ｓｄと接する上部界面近傍領域２９ｕにおいて、酸素以外のｎ型不純物を１×１０１７ｃｍ−３以上１×１０１９ｃｍ−３以下の濃度で含む。酸素以外のｎ型不純物としては、例えば、IV族元素を用いることができる。IV族元素としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、スズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを用いることができる。ｎ型ドーパントがシリコンである場合、ドーピングガスとして、モノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）、モノシラン、ジシラン、テトラエチルシラン等を用いることができる。ｎ型ドーパントがゲルマニウムである場合、ドーピングガスとして、モノゲルマン、テトラエチルゲルマニウム等を用いることができる。ｎ型ドーパントがスズである場合、ドーピングガスとして、テトラエチルスズ、テトラメチルスズ等を用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
また、活性層６９が１×１０１７ｃｍ−３以上８×１０１７ｃｍ−３以下の酸素濃度を有するように、ｎ型Ｉｎ０．０３Ａｌ０．１４Ｇａ０．８３Ｎクラッド層６３、ｎ型ＧａＮガイド層６５、ｎ型Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎガイド層６７、及び、活性層６９の各層の成長時に、含有水分濃度を適宜調節したアンモニア（ＮＨ３）を窒素原料として供給した。また、バリア層の成長時に、シリコン（Ｓｉ）をドープするために、水素（Ｈ２）で希釈したモノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）ガスを供給した。実施例１、実施例２、比較例１、及び、比較例２のそれぞれについて、モノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）ガスの供給量を変え、バリア層中のシリコン濃度を変化させた。シリコン濃度は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）で分析した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
また、活性層７５における酸素濃度が１×１０１７ｃｍ−３以上８×１０１７ｃｍ−３以下となるように、ｎ型Ｉｎ０．０３Ａｌ０．１４Ｇａ０．８３Ｎクラッド層７２からｐ型ＧａＮコンタクト層８０までの各層の成長時に、含有水分濃度を適宜調節したアンモニア（ＮＨ３）を窒素原料として供給した。また、バリア層の成長時に、シリコン（Ｓｉ）をドープするために、水素（Ｈ２）で希釈したモノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）ガスを供給した。実施例３、実施例４、実施例５、比較例３、及び、比較例４のそれぞれについて、モノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）ガスの供給量を変え、バリア層中のシリコン濃度を変化させた。シリコン濃度は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）で分析した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
また、活性層９４における酸素濃度が１×１０１７ｃｍ−３以上８×１０１７ｃｍ−３以下となるように、ｎ型ＧａＮバッファ層９２からｐ型ＧａＮコンタクト層９６までの各層の成長時に、含有水分濃度を適宜調節したアンモニア（ＮＨ３）を窒素原料として供給した。また、バリア層の成長時に、シリコン（Ｓｉ）をドープするために、水素（Ｈ２）で希釈したモノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）ガスを供給した。実施例６、実施例７、及び、比較例５のそれぞれについて、モノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）ガスの供給量を変え、バリア層中のシリコン濃度を変化させた。シリコン濃度は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）で分析した。また、カソードルミネッセンス法（ＣＬ）によって、貫通転位密度と対応する暗点密度を測定した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
図１１は、実施例６、実施例７、及び、比較例５における、バリア層成長時のモノメチルシランガスの流量、バリア層中のＳｉ濃度、暗点密度、及び、ＬＥＤ出力を示す図である。ＬＥＤ出力の測定は、室温においてパルス駆動で行った。図１１に示すように、バリア層成長時のモノメチルシランガスの流量（ｓｃｃｍ）は、比較例５、実施例６、実施例７、の順に、それぞれ０、１、５とした。バリア層中のＳｉ濃度（ｃｍ−３）は、比較例５、実施例６、実施例７の順に、それぞれ検出限界以下、１．２×１０１８、６．１×１０１８となった。暗点密度（ｃｍ−２）は、比較例５、実施例６、実施例７、の順に、それぞれ２．０×１０６、３．０×１０５、８．０×１０４となった。駆動電流５００ｍＡにおけるＬＥＤ出力（ｍＷ）は、比較例５、実施例６、実施例７、の順に、それぞれ１１、１４、１５であった。また、実施例６、実施例７、及び、比較例５の発光波長は、全て５２０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
また、バリア層の成長時に、シリコン（Ｓｉ）をドープするために、水素（Ｈ２）で希釈したモノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）ガスを供給した。比較例６及び比較例７のそれぞれについて、モノメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）ガスの供給量を変え、バリア層中のシリコン濃度を変化させた。シリコン濃度は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）で分析した。また、カソードルミネッセンス法（ＣＬ）によって、発光像を測定し、フォトルミネッセンス法（ＰＬ）によって、発光波長と発光強度を測定した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011023539.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕから成る電極を有する配線基板と、
Ｃｕから成る電極を有し、Ｎｉ粒子が分散されたＳｎ−Ｉｎ系合金から成るはんだを介して前記配線基板上に搭載された半導体チップと、を含み、
前記はんだは、前記半導体チップの前記電極と前記配線基板の前記電極の間に配置されており、
前記はんだ内にはＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ化合物が形成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ化合物は、前記半導体チップの前記電極あるいは前記配線基板の前記電極のどちらか一方と接触する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ化合物は、前記半導体チップの前記電極および前記配線基板の前記電極の両方と接触する請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）Ｃｕから成る電極を有する半導体チップと、Ｃｕから成る電極を有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）Ｎｉ粒子が分散されたＳｎ−Ｉｎ系合金から成るはんだを介して、前記半導体チップを前記配線基板上に搭載する工程；
（ｃ）前記はんだに熱を加えることで、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ化合物を前記はんだ内に形成する工程；
ここで、
前記（ｂ）工程では、前記はんだは、前記半導体チップの前記電極と前記配線基板の前記電極の間に供給される。
【請求項５】
前記Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ化合物は、前記半導体チップの前記電極あるいは前記配線基板の前記電極のどちらか一方と接触する請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ化合物は、前記半導体チップの前記電極および前記配線基板の前記電極の両方と接触する請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの主面上に導電パターンが形成された配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記配線基板と導体接続するための複数の電極を備える集積回路チップと、
を備え、
前記導電パターンは、
前記複数の電極のうち少なくとも１つに導体を介して接続される引き出し配線パターンと、
前記集積回路チップおよび前記引き出し配線パターンのいずれとも物理的に離間されており、前記引き出し配線パターンに比べて大きな表面積を有する放熱用パターンと、
を備え、
前記引き出し配線パターンと前記放熱用パターンは間隙を介して対向するよう配置されており、
前記引き出し配線パターンおよび前記放熱用パターンが互いに対向する部分の形状はともに凹凸形状を有し、互いの凹凸形状が前記間隙を介して噛み合うように配置されている、
半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学系のための鏡筒を備える撮像ユニットであって、
前記鏡筒の一方の端部、前記鏡筒の他方の端部、及び、前記鏡筒の胴部のうちの少なくとも２つの部分に形成された電極と、
前記電極どうしを電気的に接続する配線部と、
前記一方の端部若しくは前記他方の端部に設けられた撮像素子と
前記鏡筒に設けられた複数の機能要素と、
前記鏡筒に設けた複数の外部電極からの多重信号を変換する多重信号変換素子と、を有し、
前記配線部は、前記撮像素子及び前記複数の機能要素と、前記多重信号変換素子との間で信号を通信し、
前記多重信号変換素子は、前記鏡筒内において互いに熱的に分離して配置された、論理回路部及び駆動回路部を備えることを特徴とする撮像ユニット。
【請求項２】
前記論理回路部は、前記撮像素子が設けられた第１の基板上に設けられており、
前記駆動回路部は、前記第１の基板とは別に設けられた第２の基板上に形成されている請求項１に記載の撮像ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る撮像ユニットは、光学系のための鏡筒を備える撮像ユニットであって、鏡筒の一方の端部、鏡筒の他方の端部、及び、鏡筒の胴部のうちの少なくとも２つの部分に形成された電極と、電極どうしを電気的に接続する配線部と、一方の端部若しくは他方の端部に設けられた撮像素子と鏡筒に設けられた複数の機能要素と、鏡筒に設けた複数の外部電極からの多重信号を変換する多重信号変換素子と、を有し、配線部は、撮像素子及び複数の機能要素と、多重信号変換素子との間で信号を通信し、多重信号変換素子は、鏡筒内において互いに熱的に分離して配置された、論理回路部及び駆動回路部を備えることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る撮像ユニットにおいて、論理回路部は、撮像素子が設けられた第１の基板上に設けられており、駆動回路部は、第１の基板とは別に設けられた第２の基板上に形成されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、P2その他の、P1以外のOFDMシンボル、すなわち、P2のOFDMシンボルと、データ(Normal)のOFDMシンボルについては、DVB-T2で規定されているサブキャリア間隔のうちの最も広いサブキャリア間隔の他、その最も広いサブキャリア間隔以外のサブキャリア間隔（2K，4K，8K，16K、及び、32KのFFTサイズそれぞれに対応する間隔）のサブキャリアの使用が可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
なお、P2において、エクステンデッドキャリア(Extended Carrier)には、すべて、パイロット信号が配置される。また、MISOのP2では、ノーマルキャリア(Normal Carrier)の両端それぞれの２つのサブキャリアには、パイロット信号が配置される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９４】
位相検出部６４は、セレクタ６３ＩからのI成分と、セレクタ６３ＱからのQ成分とからなる、PRBS復号後のサブキャリアの位相を求め、マッピング部５６（図１１）に供給する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2011023993.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列動作が可能な第１の動画像処理ユニットと第２の動画像処理ユニットとを具備する動画像処理装置であって、
前記第１の動画像処理ユニットと前記第２の動画像処理ユニットとが前記並列動作を実行する際に、前記第１の動画像処理ユニットと前記第２の動画像処理ユニットとが処理するデータ処理単位は、所定数の画素を含むマクロブロックを含むものであり、
前記第１の動画像処理ユニットは１つの画像の１つの行に配列された第１の複数のマクロブロックを順次処理するものであり、前記第２の動画像処理ユニットは前記１つの画像の前記１つの行の次の行に配列された第２の複数のマクロブロックを順次処理するものであり、
前記第１の動画像処理ユニットと前記第２の動画像処理ユニットとは、画像復号時のブロック歪を低減するための第１のデブロッキングフィルタと第２のデブロッキングフィルタとをそれぞれ含むものであり、
前記第１のデブロッキングフィルタの動作タイミングと比較して、前記第２のデブロッキングフィルタの動作タイミングは、前記マクロブロック２個分のデブロッキングフィルタ処理時間、少なくとも遅延されるものであり、
前記動画像処理装置は、少なくとも第１のバッファと第２のバッファとを含むデータ転送ユニットを更に具備するものであり、
前記第１のデブロッキングフィルタの第１のフィルタ処理結果は前記データ転送ユニットの前記第１のバッファに蓄積可能とされ、前記第２のデブロッキングフィルタの第２のフィルタ処理結果は前記データ転送ユニットの前記第２のバッファに蓄積可能とされ、
前記第１のバッファに蓄積された前記第１のフィルタ処理結果と前記第２のバッファに蓄積された前記第２のフィルタ処理結果とは、外部メモリに前記第１のバッファと前記第２のバッファとから順次に転送可能とされたことを特徴とする動画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】動画像処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに露出量が異なる複数の画像データを合成して高階調画像データを生成する画像処理装置であって、
合成の対象となる複数のＭビット画像データを入力する入力手段と、
前記入力された複数のＭビット画像データの中から、露出の基準とする基準画像データを決定する決定手段と、
前記複数のＭビット画像データを合成し１つのＮビット合成画像データ（Ｎ＞Ｍ）を生成する合成手段と、
前記基準画像データにおける所定の基準輝度が変化しないように、前記Ｎビット合成画像データに対する階調圧縮の特性パラメータを設定する特性パラメータ設定手段と、
前記設定された特性パラメータに基づいて、前記Ｎビット合成画像データに含まれる所定の周波数未満の画像成分の輝度階調を圧縮することにより、Ｍビット合成画像データを生成する生成手段と、
を含むことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
さらに、
前記基準画像データにおいて、全画素数に対する所定の第１輝度値より小さい輝度値を有する画素数の比率であるシャドー画素率を判定するシャドー画素率判定手段を含み、
前記特性パラメータ設定手段は、前記シャドー画素率に応じて前記所定の基準輝度未満の画素値を有する画素について黒潰れが軽減されるような特性パラメータを設定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
さらに、
前記基準画像データにおいて、全画素数に対する所定の第２輝度値より大きい輝度値を有する画素数の比率であるハイライト画素率を判定するハイライト画素率判定手段を含み、
前記特性パラメータ設定手段は、前記ハイライト画素率に応じて前記所定の基準輝度を超える画素値を有する画素について白飛びが軽減されるような特性パラメータを設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記所定の基準輝度は、前記基準画像データにおける主要被写体の輝度であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記所定の周波数は、Ｒｅｔｉｎｅｘモデルにおける輝度照明成分を抽出するために使用されるローパスフィルタのカットオフ周波数であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記生成手段は、さらに、前記圧縮による輝度階調の変化量に応じて、前記Ｍビット合成画像データの色成分を調整することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
さらに、前記Ｍビット合成画像データを出力する出力デバイスのダイナミックレンジ特性に基づいて、前記Ｍビット合成画像データのガンマ特性を補正するガンマ特性補正手段を含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
互いに露出量が異なる複数の画像データを合成して高階調画像データを生成する画像処理装置の制御方法であって、
入力手段が、合成の対象となる複数のＭビット画像データを入力する入力工程と、
決定手段が、前記入力された複数のＭビット画像データの中から、露出の基準とする基準画像データを決定する決定工程と、
合成手段が、前記複数のＭビット画像データを合成し１つのＮビット合成画像データ（Ｎ＞Ｍ）を生成する合成工程と、
特性パラメータ設定手段が、前記基準画像データにおける所定の基準輝度が変化しないように、前記Ｎビット合成画像データに対する階調圧縮の特性パラメータを設定する特性パラメータ設定工程と、
生成手段が、前記設定された特性パラメータに基づいて、前記Ｎビット合成画像データに含まれる所定の周波数未満の画像成分の輝度階調を圧縮することにより、Ｍビット合成画像データを生成する生成工程と、
を含むことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを請求項１乃至７の何れか一項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。