【事件の表示】
　平成１１年特許願第３４５５０４号「エアーギャップを備えたデュアルダマシンの形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月２２日出願公開、特開２００１−１６８１８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年１２月３日に出願された特許出願であって、平成１６年１０月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１７年１月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項１２に係る発明は、平成１６年９月２２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１２に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「第一の導電線上に誘電層を形成する段階と、
　前記誘電層の前記第一の導電線を露出するビア開口を形成し、かつ前記誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階と、
　前記誘電層上に誘電材料部を形成する段階と、
　前記第一の導電線を露出するように前記誘電材料部と前記誘電層とにおいてトレンチを形成する段階と、
　前記トレンチと前記ビア開口とを導電材料で充填して第二の導電線とビアプラグとを形成する段階と、
を備えた、第一の導電線を有する基板上にエアーギャップを備えたデュアルダマシン構造を形成する方法。」
　
３．刊行物記載の発明
　刊行物：特開平１０−２８４５９７号公報
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物には、図１ないし図７とともに以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　下層配線・・・上に層間絶縁膜を形成した後、第１のフォトレジスト膜により、スルーホール及びエアギャップを形成するための空洞部となる部分をパターニングし、そのレジスト開口部をエッチングして、上記層間絶縁膜に上記スルーホール及びエアギャップ用の開口部を形成する工程と、
上記第１のフォトレジスト膜を除去した後、上記スルーホール及びエアギャップ用の開口部の上部だけを塞ぐように全面に絶縁膜を成長させ、上記空洞部を形成する工程と、
第２のフォトレジスト膜で配線形成部をパターニングし、配線部となる溝の底部を上記配線形成部の下にある上記スルーホール用の空洞部の上端部に到達させ、さらに上記スルーホール用空洞部の底部が上記下層配線・・・に到達するまでエッチングすることにより、上記スルーホール及びエアギャップを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】　上記第２のフォトレジスト膜を除去した後、金属を全面に形成し、上記スルーホール及び配線用の開口溝を金属膜で埋設する工程と、
上記スルーホール及び配線の開口溝内部にのみ上記金属が残り、かつそれ以外の上記絶縁膜上の金属が無くなるまで上記金属を研磨することにより、配線部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１及び請求項２）
「【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１〜図７を参照して説明する。まず、図１に示すように、下層配線１・・・の上に絶縁層間膜２を成膜した後、第１のフォトレジスト５をマスクとして用いてドライエッチングを行い、スルーホール及びエアギャップ用開口部３を形成する。次に、図２に示すように、第１のフォトレジスト５を剥離した後、上記スルーホール及びエアギャップ用開口部３の上部だけを塞ぐように絶縁膜２を成膜し、スルーホール及びエアギャップ用空洞部４を形成する。
【０００９】次に、図３に示すように、第２のフォトレジスト６をパターニングする。次に、図４に示すように、上記第２のフォトレジスト６をマスクとして用いてドライエッチングを行い、配線用溝７を形成する。
【００１０】次に、図５に示すように、ドライエッチングを進め、スルーホールを下層配線１まで到達させ、スルーホール８を形成する。このときスルーホール８以外の上記空洞部４はそのままエアギャップ９となる。エッチング後は第２のフォトレジスト６を剥離する。次に、図６に示すように・・・金属１０を全面に形成する。
【００１１】次に、図７に示すように、配線用溝７以外で絶縁膜２上の金属１０がなくなるまでＣＭＰを行い、配線部１１を形成すると共に平坦化する。」（０００８段落ないし００１１段落）
　
　したがって、刊行物には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「下層配線上に層間絶縁膜を形成した後、上記層間絶縁膜にスルーホール及びエアギャップ用の開口部を形成する工程と、
　上記スルーホール及びエアギャップ用の開口部の上部だけを塞ぐように全面に絶縁膜を成長させ、スルーホール用の空洞部及びエアギャップを形成する工程と、
　配線用の開口溝の底部が上記スルーホール用の空洞部の上端部に到達し、さらに上記スルーホール用空洞部の底部が上記下層配線に到達するまで上記絶縁膜及び層間絶縁膜をエッチングすることにより、上記スルーホール及び配線用の開口溝を形成する工程と、
　金属を全面に形成し、上記スルーホール及び配線用の開口溝を上記金属で埋設する工程と、
　上記スルーホール及び配線用の開口溝内部にのみ上記金属が残り、かつそれ以外の上記絶縁膜上の金属が無くなるまで上記金属を研磨する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
４．対比・判断
（１）本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「下層配線」及び「層間絶縁間」は、それぞれ本願発明の「第一の導電線」及び「誘電層」に相当するから、刊行物発明の「下層配線上に層間絶縁膜を形成した」は、本願発明の「第一の導電線上に誘電層を形成する」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「スルーホール」「用の開口部」及び「エアギャップ」は、それぞれ本願発明の「ビア開口」及び「ギャップ」に相当する。
　また、「画定」が「くぎりをはっきりと定めること。」（新村出編「広辞苑第五版」岩波書店）を意味することを勘案しても、本願発明の「誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階」の意味内容は明らかではないから、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「本願当初明細書等」という。）の記載を参酌する。
　本願当初明細書等には、図１、図３及び図４とともに以下の事項が記載されている。
「図３及び図１で示すように、フォトレジスト層２１０を誘電層２０８上に形成する。それから、誘電層２０８，停止層２０６及び誘電層２０４をフォトレジスト層２１０を利用して範囲を画定し、次いでフォトレジスト２１０によって被覆されていない誘電層２０８、停止層２０６，及び誘電層２０４の一部を除去して、ビア開口２１２ａ及び後でエアーギャップを形成する開口２１２ｂを形成する。」（００１３段落）
「次に、図４に示したように、誘電層２０８上・・・に誘電材料部２１４を形成する。誘電材料部２１４の形成の処方箋を蒸着中に調整して、段差被覆特性がわずかだけ劣った誘電材料部２１４を形成する。」（００１４段落）
　本願発明は「誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階」の直後に「前記誘電層上に誘電材料部を形成する段階」を備えており、この「前記誘電層上に誘電材料部を形成する段階」は、００１４段落の上記記載に対応しているから、本願発明は「誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階」を終えた時点で、００１３段落の上記記載における「ビア開口２１２ａ及び後でエアーギャップを形成する開口２１２ｂ」が形成されている必要があることは明らかである。
　以上の点を踏まえると、本願発明の「誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階」は、「誘電層の所定の位置にギャップを形成するための開口を形成する段階」を意味するものと解することができる。
　したがって、刊行物発明の「層間絶縁膜にスルーホール及びエアギャップ用の開口部を形成する工程」は、本願発明の「誘電層」に「ビア開口を形成し、かつ前記誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「絶縁膜」は、本願発明の「誘電材料部」に相当するから、刊行物発明の「スルーホール及びエアギャップ用の開口部の上部だけを塞ぐように全面に絶縁膜を成長させ、スルーホール用の空洞部及びエアギャップを形成する工程」は、本願発明の「誘電層上に誘電材料部を形成する段階」に相当する。
（ｄ）本願当初明細書等には図８とともに「トレンチ２１８を導電材料２２０で充填して上部レベルの導電線２２０ｂを形成する。」（００１６段落）と、「トレンチ」が「上部レベルの導電線」を形成するためのものであることが記載されているから、刊行物発明の「配線用の開口溝」は、本願発明の「トレンチ」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「絶縁膜及び層間絶縁膜をエッチングすることにより、」「配線用の開口溝を形成する工程」は、本願発明の「誘電材料部と」「誘電層とにおいてトレンチを形成する段階」に相当する。
（ｅ）刊行物発明の「金属」は、本願発明の「導電材料」に相当し、刊行物発明の「スルーホール」「内部にのみ」残った「金属」、及び「配線の開口溝内部にのみ」残った「金属」は、それぞれ本願発明の「ビアプラグ」及び「第二の導電線」にそれぞれ相当するから、刊行物発明の「金属を全面に形成し、」「スルーホール及び配線用の開口溝を上記金属で埋設する工程と、　上記スルーホール及び配線用の開口溝内部にのみ上記金属が残り、かつそれ以外の上記絶縁膜上の金属が無くなるまで上記金属を研磨する工程」は、本願発明の「トレンチと」「ビア開口とを導電材料で充填して第二の導電線とビアプラグとを形成する段階」に相当する。
　また、刊行物発明は「金属を全面に形成し、」「スルーホール及び配線用の開口溝を上記金属で埋設する工程と、　上記スルーホール及び配線用の開口溝内部にのみ上記金属が残り、かつそれ以外の上記絶縁膜上の金属が無くなるまで上記金属を研磨する工程」を備えているから、刊行物発明がいわゆるデュアルダマシン法であることも明らかである。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明は
「第一の導電線上に誘電層を形成する段階と、
　前記誘電層にビア開口を形成し、かつ前記誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階と、
　前記誘電層上に誘電材料部を形成する段階と、
　前記誘電材料部と前記誘電層とにおいてトレンチを形成する段階と、
　前記トレンチと前記ビア開口とを導電材料で充填して第二の導電線とビアプラグとを形成する段階と、
を備えた、第一の導電線を有する基板上にエアーギャップを備えたデュアルダマシン構造を形成する方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　本願発明は「誘電層の」「第一の導電線を露出するビア開口を形成し、かつ前記誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階と、　前記誘電層上に誘電材料部を形成する段階と、　前記第一の導電線を露出するように前記誘電材料部と前記誘電層とにおいてトレンチを形成する段階」を備えているのに対して、
　刊行物発明は「層間絶縁膜にスルーホール及びエアギャップ用の開口部を形成する工程と、　上記スルーホール及びエアギャップ用の開口部の上部だけを塞ぐように全面に絶縁膜を成長させ、スルーホール用の空洞部及びエアギャップを形成する工程と、　配線用の開口溝の底部が上記スルーホール用の空洞部の上端部に到達し、さらに上記スルーホール用空洞部の底部が上記下層配線に到達するまで上記絶縁膜及び層間絶縁膜をエッチングすることにより、上記スルーホール及び配線用の開口溝を形成する工程」を備えている点。
　
（２）上記相違点について検討する。
　上記相違点は、実質的に、本願発明では「誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する段階」において「誘電層の」「第一の導電線を露出するビア開口を形成」するのに対して、刊行物発明では「配線用の開口溝の底部が」「スルーホール用の空洞部の上端部に到達し」た段階において「さらに上記スルーホール用空洞部の底部が」「下層配線に到達するまで」「絶縁膜及び層間絶縁膜をエッチングする」点であるから、以下この点について検討する。
　デュアルダマシン法により上層配線を形成するための配線溝とコンタクトプラグを形成するためのコンタクトホールに導電性材料を埋め込み形成する際、当該埋め込み形成に先立って、下層配線が露出するようにコンタクトホールを形成しなければならないことは、多層配線の機能を考えれば、当業者にとって技術的に明らかなことである。
　そして、コンタクトホールの形成に際して下層配線を露出させる工程をいかなる段階において行うかは、コンタクトホール形成のためのエッチング条件、エッチングの対象となる層間絶縁膜の材料、コンタクトホールの口径やアスペクト比、下層配線の材料や許容できる下層配線表面における損傷の程度等に応じて当業者が適宜選択すべき事項であると判断されるから、刊行物発明において、「配線用の開口溝の底部が」「スルーホール用の空洞部の上端部に到達し」た段階において「さらに上記スルーホール用空洞部の底部が」「下層配線に到達するまで」「絶縁膜及び層間絶縁膜をエッチングする」ことに替えて、「層間絶縁膜にスルーホール及びエアギャップ用の開口部を形成する工程」において「下層配線」が露出するように「スルーホール」「用の開口部」を形成することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書における請求の理由を補充するために提出した平成１７年２月１６日付けの手続補正書において「（1）引用文献１のエアーギャップは絶縁層全体を全く貫通していない（引用文献１の図面の符号９をご参照いただきたい）。それに対して、本願発明のエアーギャップは絶縁層全体を貫通している（本願の図面の符号２１２ｂをご参照いただきたい）。（2）引用文献１は上層における隣り合った配線部１１間の寄生容量の問題を解決するものである（引用文献１の［００２７］をご参照いただきたい）。それに対して、本願発明は下層における隣り合った金属層２０２間の寄生容量の問題を解決するものである。」と主張している。
　しかしながら、本願発明が「下層における隣り合った金属層２０２間の寄生容量の問題を解決する」ものであることを主張するためには、少なくとも、請求項において、隣り合った「第一の導電線」の間に「エアーギャップ」が「誘電層」「全体を貫通して」形成されることを限定する必要があるにもかかわらず、平成１６年９月２２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１には、「第一の導電線」と「エアーギャップ」との位置関係については何ら限定がなく、「エアーギャップ」が「誘電層」「全体を貫通して」形成されることについても何ら限定がない。
　さらに、上記請求項１には「誘電層の」「第一の導電線を露出するビア開口を形成し、かつ前記誘電層の所定の位置にギャップを形成するために前記誘電層を画定する」と記載されており、上記記載は「ビア開口」の形成は「第一の導電線を露出する」まで行えば足りるということを意味するが、この場合は「エアーギャップ」が「誘電層」「全体を貫通して」形成されず、隣り合った「第一の導電線」の間に「誘電層」が残存することになるから、隣り合った「第一の導電線」の間の「寄生容量の問題を解決する」ことはできないものと判断される。
　以上のとおり、審判請求人の上記主張は、特許請求の範囲に記載されている発明特定事項に基づいたものとはいえない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。