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　特願２００５−１０８８８３「密着層を有する発光ダイオードアレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月２７日出願公開、特開２００５−３０３２９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１７年４月５日（パリ条約の例による優先権主張（４３条の２第１項の世界貿易機関の加盟国の国民）２００４年４月１３日、台湾）の出願であって、平成２０年２月１３日付けで手続補正がなされたところ、同年３月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２７日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされ、さらに同年７月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年６月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年６月２７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２０年６月２７日付けの手続補正（以下「本件補正１」という。）は、補正前（平成２０年２月１３日付け手続補正後）の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「基板；
　前記基板上に形成された密着層；
　前記密着層上に形成された透明絶縁層； 
　前記密着層上に備えられた複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層であって、各々の前記エピタキシャル発光スタック層はＰ型接触及びＮ型接触を有し、前記Ｐ型接触及びＮ型接触は前記エピタキシャル発光スタック層の同じ側に備えられている、エピタキシャル発光スタック層；並びに
　前記基板と前記密着層との間に又は前記密着層と複数の電気的に接続された前記エピタキシャル発光スタック層との間に形成された絶縁層；
　を有する発光ダイオードアレイ。」
　
２　目的外補正
　本件補正１は、補正前の請求項１から、「密着層は、有機物質と、絶縁性透明物質と前記有機物質及び前記絶縁性透明物質が組み合わされた物質とを有する群から選択された少なくとも１つの物質を有する」との発明特定事項を削除することを含むものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法における改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正１は、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明、のいずれにも該当しない。 
　したがって、本件補正１は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　新規事項
　本件補正１は、補正前の請求項１の「密着層」の「上に」「透明絶縁層」が「形成され」ること（以下「本件補正事項」という。）を加えることを含むものである。
　
　この点について検討する。
　上記本件補正事項に関して、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「【０００１】
　本発明は、発光ダイオードに関し、特に、密着層を有する発光ダイオードに関する。」
　
　イ　「【０００５】
　本発明に従って、発光ダイオードアレイは、基板と、基板上に形成された反射層と、反射層上に形成された絶縁性透明密着層と、絶縁性透明密着層上に形成された透明導電層と、透明導電層上に形成された第１導電性半導体スタック層と、第１導電性半導体スタック層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２導電性半導体スタック層とを有する。」
　
　ウ　「【０００９】
　・・・図１は、本発明に従った好適な実施形態における発光ダイオードアレイ１００の模式的な断面図である。ＬＥＤアレイ１００は、基板１０と、基板１０上に形成された反射層１１と、反射層１１上に形成された絶縁性透明密着層１２と、絶縁性透明密着層１２上に形成された透明導電層１３と、透明導電層１３上に形成された第１導電性半導体スタック層１４と、第１導電性半導体スタック層１４上に形成された発光層１５と、発光層１５上に形成された第２導電性半導体スタック層１６とを有する。」
　
　エ　「【００１３】
　絶縁性透明密着層１２は、基板１０から第１ＬＥＤ１１０及び第２ＬＥＤ１２０を電気的に分離するために設けられる。絶縁性透明密着層１２は、金属又ははんだから成る導電性密着層により置き換えられることができる。しかしながら、電気的分離を提供する絶縁層は、基板１０から第１ＬＥＤ１１０と第２ＬＥＤ１２０とを電気的に分離するために、導電性密着層１２と透明導電層１３との間又は基板１０と導電性密着層１２との間に付加的に設けられる必要がある。」
　
　以上のとおり、当初明細書等には、基板と、基板上に形成された反射層と、反射層上に形成された絶縁性透明密着層と、絶縁性透明密着層上に形成された透明導電層と、透明導電層上に形成された第１導電性半導体スタック層と、第１導電性半導体スタック層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２導電性半導体スタック層とを有する発光ダイオードアレイにおいて、前記絶縁性透明密着層は、金属又ははんだから成る導電性密着層により置き換えられることができ、電気的分離を提供する絶縁層が、前記導電性密着層と透明導電層との間又は基板と前記導電性密着層との間に付加的に設けられること、は記載されているものと認められる。
　しかしながら、上記本件補正事項（密着層の上に
透明
　よって、本件補正１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　したがって、本件補正１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
 　
第３　平成２０年７月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年７月２５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２０年７月２５日付けの手続補正（以下「本件補正２」という。）は、補正前（平成２０年２月１３日付けの手続補正後）の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「基板；
　前記基板上に形成された密着層；
　前記密着層上に備えられた複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層であって、各々の前記エピタキシャル発光スタック層はＰ型接触及びＮ型接触を有し、前記Ｐ型接触及びＮ型接触は前記エピタキシャル発光スタック層の同じ側に備えられている、エピタキシャル発光スタック層；並びに
　前記基板と前記密着層との間に又は前記密着層と複数の電気的に接続された前記エピタキシャル発光スタック層との間に形成された絶縁層；
　を有する発光ダイオードアレイ。」
　
２　目的外補正
　本件補正２は、補正前の請求項１から、「密着層は、有機物質と、絶縁性透明物質と前記有機物質及び前記絶縁性透明物質が組み合わされた物質とを有する群から選択された少なくとも１つの物質を有する」との発明特定事項を削除することを含むものであるとともに、特許請求の範囲の請求項の数を、補正前の「４８」から「５０」に増加させるものである。よって、本件補正２は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法における改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正２は、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明、のいずれにも該当しない。 
　したがって、本件補正２は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第４　本願発明について
１　本願発明
　本件補正１及び２は上記第２及び第３のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年２月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜４８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「基板；
　前記基板上に形成された密着層であって、前記密着層は、有機物質と、絶縁性透明物質と前記有機物質及び前記絶縁性透明物質が組み合わされた物質とを有する群から選択された少なくとも１つの物質を有する、密着層；並びに
　前記密着層上に備えられた、複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層であって、各々の前記エピタキシャル発光スタック層はＰ型接触とＮ型接触とを有し、前記Ｐ型接触及びＮ型接触は前記エピタキシャル発光スタック層の同じ側に備えられている、エピタキシャル発光スタック層；
を有することを特徴とする発光ダイオードアレイ。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００３−６８１０９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の尖頭状の発光素子を最密配列させて発光面を形成してなることを特徴とする照明装置。
・・・
【請求項４】  前記尖頭状の発光素子は支持基板上に配列されることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項５】  前記尖頭状の発光素子は、素子の尖頭部と素子の底面部がそれぞれ電極部とされ、直列接続される列の発光素子間では隣接する素子のうち一方の素子の尖頭部と他方の素子の底面部が配線層によって接続されることを特徴とする請求項１記載の照明装置。」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子などの発光素子を複数個密に配列させて該発光素子からの光を照明に用いる照明装置に関する。」
　
　ウ　「【００１４】
【発明の実施の形態】・・・図１は本実施形態の照明装置の一部を拡大して示す平面図であり、図２は図１の照明装置の部分断面図である。本実施形態の照明装置では、透明なガラス基板や合成樹脂基板の如き支持基板１０上に貼り合わされる形で複数の発光ダイオード１１が最密となるように配列されている。１つの発光ダイオード１１は略六角錐形状の結晶部からなり、略六角錐形状の部分は先細りの尖頭部１２を有している。このような略六角錐形状の結晶部を有する発光ダイオード１１は、ＧａＮ系の化合物半導体層によって構成することができ、その製造方法の一例を挙げれば、例えば基板主面をＣ面とするサファイア基板上に低温バッファ層とＧａＮ下部成長層を形成した後、全面にシリコン酸化膜などの成長阻害膜を形成し、その成長阻害膜に数ミクロン乃至数十ミクロンのサイズの開口部を形成し、その開口部を用いた選択成長によって略六角錐形状の結晶部を該開口部から突出させるように形成する。この時、略六角錐形状の結晶部の傾斜面（ファセット）としては、たとえばＳ面（｛１−１０１｝面）若しくは｛１１−２２｝面が傾斜したファセットとして成長する。このＳ面等に活性層を第１導電型半導体層と第２導電型半導体層で挟む形で形成することで発光領域を略六角錐形状の結晶部の傾斜面に形成できる。ここで活性層は例えばＩｎＧａＮ層であり、下側の第１導電型半導体層は例えばシリコンドープのＧａＮ層から形成され、上側の第１導電型半導体層は例えばマグネシウムドープのＧａＮ層から形成される。
・・・
【００１６】略六角錐形状の発光ダイオード１１には、ｎ側電極とｐ側電極１３が形成される。ｐ側電極１３はマグネシウムドープのＧａＮ層上にＮｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。ｎ側電極はシリコンドープのＧａＮ層に接続する下部成長層１４がｎ側電極取り出し領域として機能する。下部成長層１４は選択成長時の結晶種として用いられる半導体層であり、尖頭部１２の底面よりも広い領域に形成されていることから、その尖頭部１２の底面よりも広がった部分を利用して電気的な接続を図ることができる。すなわち、下部成長層１４では、その表面を覆う絶縁膜１５の一部が除去されてコンタクト用の窓部１６が形成される。窓部１６を介して直列接続するように配線層１７が形成されている。配線層１７は窓部１６を介してｎ側電極取り出し領域である下部成長層１４と隣接する発光ダイオード１１のｐ側電極１３を接続する。」
　
　エ　「【００１９】ここで、尖頭部を有する発光素子の製法について図４乃至図７を参照しながら説明すると、発光素子の製造の際に用いられる成長基板２０としては、ウルツ鉱型の化合物半導体層を形成し得るものであれば特に限定されず、種々のものを使用できる。・・・
【００２０】・・・図４に示すように成長基板２０上には選択成長の下部成長層２１が形成される。下部成長層２１としては、化合物半導体層を選択することができ、後の工程でファセット構造を形成することからウルツ鉱型の化合物半導体を選ぶことが好ましい。さらに化合物半導体層としてはウルツ鉱型の結晶構造を有する窒化物半導体、ＢｅＭｇＺｎＣｄＳ系化合物半導体、およびＢｅＭｇＺｎＣｄＯ系化合物半導体などが好ましい。
・・・
【００２２】結晶成長の下部成長層２１の表面には六角形に開口した開口部２３を有する選択マスク２２が形成され、図５に示すように、その六角形状に開口した開口部２３からの選択成長によって半導体層２４が形成される。
・・・
【００２６】このような半導体層２４には、図６に示すように、傾斜面上に第１導電型クラッド層２５、第１の活性層２６、および第２導電型クラッド層２７が積層される。
・・・
【００２９】第１の活性層２６を挟む第１導電型クラッド層２５及び第２導電型クラッド層２７には電極が直接或いは間接的に接続される。・・・また、第１導電型クラッド層２５は下部半導体層２１に電気的に接続されるため、この下部半導体層２１に接続させる形でｎ側電極を形成しても良い。特に下部半導体層２１は貼り合わせ面としても利用されるため、接着面に電極を配設したり、接着層に導電性を付与したりして、ｎ側電極の一部として利用できる。
・・・
【００３１】次に、図７に示すように、成長基板２０の剥離が行われる。・・・
【００３２】成長基板２０の分離後、個々に分離された発光素子３０が図９に示すように支持基板２９上に貼り合わされる。この貼り合わせは、例えば転写技術によって行うことができ、各発光素子３０は下部半導体層２１の底部が支持基板２９の表面に貼り合わせられる。続いて、金属薄膜からなるｐ側電極の形成や層間絶縁膜となる酸化膜が形成され、下部半導体層２１上の一部の酸化膜に窓部が形成されてコンタクトホールが形成され、そのコンタクトホールの底部で臨む下部半導体層２１とｐ側電極を隣接する素子の間で所要の配線層を用いて接続することで直列接続が行われる。すなわち、一方の素子の下部半導体層２１と、これに隣接する素子のｐ側電極を電気的に接続することを繰り返し行うことで、発光ダイオードの直列接続が形成される。」
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「支持基板上に貼り合わされる形で複数の発光ダイオードが最密となるように配列されている照明装置であって、
　１つの発光ダイオードは略六角錐形状の結晶部からなり、略六角錐形状の部分は先細りの尖頭部を有しており、
　このような略六角錐形状の結晶部を有する発光ダイオードは、成長基板上に選択成長の下部成長層が形成され、該下部成長層の表面には六角形に開口した開口部を有する選択マスクが形成され、その六角形状に開口した開口部からの選択成長によって半導体層が形成され、この半導体層には、傾斜面上に第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層が積層され、活性層を挟む第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層には電極が直接或いは間接的に接続され、特に下部半導体層は貼り合わせ面としても利用されるため、接着層に導電性を付与したりして、ｎ側電極の一部として利用でき、次に、成長基板の剥離が行われ、成長基板の分離後、個々に分離された発光素子が支持基板上に貼り合わされ、各発光素子は下部半導体層の底部が支持基板の表面に貼り合わせられ、続いて、金属薄膜からなるｐ側電極の形成や層間絶縁膜となる酸化膜が形成され、下部半導体層上の一部の酸化膜に窓部が形成されてコンタクトホールが形成され、そのコンタクトホールの底部で臨む下部半導体層とｐ側電極を隣接する素子の間で所要の配線層を用いて接続することで直列接続が行われ、すなわち、一方の素子の下部半導体層と、これに隣接する素子のｐ側電極を電気的に接続することを繰り返し行うことで、発光ダイオードの直列接続が形成される、照明装置。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「支持基板」は、本願発明の「基板」に相当する。
　
（２）引用発明の「照明装置」は、「支持基板上に貼り合わされる形で複数の発光ダイオードが最密となるように配列されている」ものであるから、本願発明の「発光ダイオードアレイ」に相当する。
　
（３）引用発明の「照明装置」は、その「発光ダイオード」が、「成長基板上に選択成長の下部成長層が形成され、該下部成長層の表面には六角形に開口した開口部を有する選択マスクが形成され、その六角形状に開口した開口部からの選択成長によって半導体層が形成され、この半導体層には、傾斜面上に第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層が積層され、活性層を挟む第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層には電極が直接或いは間接的に接続され、特に下部半導体層は貼り合わせ面としても利用されるため、接着層に導電性を付与したりして、ｎ側電極の一部として利用でき、次に、成長基板の剥離が行われ、成長基板の分離後、個々に分離された発光素子が支持基板上に貼り合わされ、各発光素子は下部半導体層の底部が支持基板の表面に貼り合わせられ、続いて、金属薄膜からなるｐ側電極の形成や層間絶縁膜となる酸化膜が形成され、下部半導体層上の一部の酸化膜に窓部が形成されてコンタクトホールが形成され、そのコンタクトホールの底部で臨む下部半導体層とｐ側電極を隣接する素子の間で所要の配線層を用いて接続することで直列接続が行われ」るものであり、「発光ダイオード」の「貼り合わせ面としても利用される」「下部半導体層」は、「支持基板」上に形成された「接着層」により該「支持基板」に貼り合わされるといえ、また、「第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層に」「接続され」る「電極」は、「第１導電型クラッド層、第１の活性層、および第２導電型クラッド層」からなる「発光ダイオード」の同じ側（支持基板と反対側）に形成されるといえるから、
　ア　引用発明の「接着層」は、本願発明の「（基板上に形成された）密着層」に相当するとともに、
　イ　引用発明の「第１導電型クラッド層、活性層、および導電型クラッド層」、「第２導電型クラッド層に接続される電極」及び「第１導電型クラッド層に接続される電極」は、それぞれ、本願発明の「エピタキシャル発光スタック層」、「Ｐ型接触」及び「Ｎ型接触」に相当する。また、
　ウ　引用発明の「照明装置」は、本願発明の「前記基板上に形成された密着層を有する」との事項を備えるとともに、
　エ　引用発明の「照明装置」は、本願発明の「前記密着層上に備えられた、複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層であって、各々の前記エピタキシャル発光スタック層はＰ型接触とＮ型接触とを有し、前記Ｐ型接触及びＮ型接触は前記エピタキシャル発光スタック層の同じ側に備えられている、エピタキシャル発光スタック層を有する」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「基板；
　前記基板上に形成された密着層；並びに
　前記密着層上に備えられた、複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層であって、各々の前記エピタキシャル発光スタック層はＰ型接触とＮ型接触とを有し、前記Ｐ型接触及びＮ型接触は前記エピタキシャル発光スタック層の同じ側に備えられている、エピタキシャル発光スタック層；
を有する発光ダイオードアレイ。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
　密着層が、本願発明では、有機物質と、絶縁性透明物質と前記有機物質及び前記絶縁性透明物質が組み合わされた物質とを有する群から選択された少なくとも１つの物質を有するのに対し、引用発明では、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
　
４　判断  
　上記相違点につき検討する。
　本願発明の「有機物質と、絶縁性透明物質と前記有機物質及び前記絶縁性透明物質が組み合わされた物質とを有する群から選択された少なくとも１つの物質」について、本願明細書の【０００７】及び【００１５】の「絶縁性透明密着層は、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びペルフルオロシクロブテン（ＰＦＣＢ）から成る材料群から選択された少なくとも１種類の材料から構成される。」との記載を参酌すると、上記の「少なくとも１つの物質」とは、「有機物質から成る材料群から選択される少なくとも１つの物質」であってもよいものと解される。しかるところ、基板と半導体からなる発光素子構造とを有機物質からなる接着層で接着することは、本願の優先日当時において周知であるから（例えば、特開平６−１５２０７０号公報（【００２０】、【００２１】、図３）、特開２００４−５６１０９号公報（【００８３】、図１８（ａ）、（ｂ））、特開２００３−８６８３６号公報（【００３９】〜【００４７】、図１〜３）、特開２００２−２４６６４０号公報（【００１３】、【００１８】、【００１９】、図１〜３）参照。）、引用発明において、接着層（密着層）を有機物質となして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　なお、審判請求人は、平成２１年９月８日付けの回答書において、本願の請求項について補正を希望し、請求項１に係る発明を次のように補正する旨回答している。
　
「基板； 
　前記基板上に形成された密着層； 
　前記密着層上に備えられた複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層であって、各々の前記エピタキシャル発光スタック層はＰ型接触及びＮ型接触を有し、前記Ｐ型接触及びＮ型接触は前記エピタキシャル発光スタック層の同じ側に備えられている、エピタキシャル発光スタック層；並びに 
　前記基板と前記密着層と前記複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層との間に形成された絶縁層； 
　を有することを特徴とする発光ダイオードアレイ。」（以下「本願回答書発明」という。）
　
　そこで、その補正の可否について検討するに、上記本願回答書発明は、上記で検討した本願発明において、「密着層は、有機物質と、絶縁性透明物質と前記有機物質及び前記絶縁性透明物質が組み合わされた物質とを有する群から選択された少なくとも１つの物質を有する」との事項を削除する一方、「前記基板と前記密着層と前記複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層との間に形成された絶縁層を有する」との事項（以下「付加事項」という。）を付加するものであると認められるところ、前記２の引用発明の「照明装置」において、「支持基板」と「接着層」、及び「接着層」と「第１導電型クラッド層、活性層、および導電型クラッド層」の間の電気的分離を確実に行う必要に応じて、それぞれの層の間に絶縁層を設けることは当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、本願回答書発明は、上記で検討した本願発明と同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、回答書の上記補正を受け入れる余地はない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。