【事件の表示】
　特願２００８−１１００９７「ハンダバンプの形成方法および電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月　７日出願公開、特開２００８−１８２２７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明 
　本願は、１９９９年８月６日（優先権主張１９９８年８月１０日、日本国）を国際出願日とする特願２０００−５６５７０５号の一部を、平成１７年８月８日に新たな特許出願とした特願２００５−２２９１３７号の一部を、平成１８年３月８日に新たな特許出願とした特願２００６−６２２０１号の一部を、平成２０年４月２１日に新たな特許出願としたものであって、平成２１年２月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１１日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。 
　 
II．平成２１年３月１１日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論] 
　平成２１年３月１１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
　 
［理由］ 
１．補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおりとなった。 
　「【請求項１】
　電極が設けられた基板の上に、当該電極を覆うように、エポキシアクリレート樹脂またはポリイミド樹脂よりなる第１のレジスト層を形成する工程と、
　上記第１のレジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の大きな第１開口部を形成する工程と、
　上記第１開口部が形成された上記第１のレジスト層上に、第２のレジスト層となるアクリル系樹脂よりなるフィルムを圧着させる工程と、
　上記電極より大きな径を有して上記第１開口部に連通する第２開口部を上記フィルムに形成する工程と、
　上記第１のレジスト層の上記第１開口部と上記フィルムの上記第２開口部とからなって上記電極より大きな径を有し且つ上記電極が露出する凹部に、ハンダ材料を充填する工程と、
　上記ハンダ材料を溶融させた後に固化させることにより、上記凹部内の上記電極上に、上記第１開口部の壁面および上記第２開口部の壁面から離隔するハンダバンプを設ける工程と、
　上記基板および上記第１のレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含み、
　上記電極は、上記ハンダ材料から、上記第１開口部の壁面および上記第２開口部の壁面から離隔して上記ハンダバンプが形成されるように、上記第１開口部および上記第２開口部より小径である、ハンダバンプの形成方法。」（以下、「本願補正発明」という。） 
　 
　上記補正は、補正前の請求項１の「開口部」に、「第１」、「第２」との番号を付加し、「電極」に「上記」を付加することによって明りょうでない記載を釈明するとともに、補正前の請求項１に「上記第１開口部の壁面および上記第２開口部の壁面から離隔する」、及び、「上記電極は、上記ハンダ材料から、上記第１開口部の壁面および上記第２開口部の壁面から離隔して上記ハンダバンプが形成されるように、上記第１開口部および上記第２開口部より小径である」という特定事項を付加することによって「バンプ」及び「電極」を、形状・構造の観点でさらに限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮、及び、同項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的としたものに該当する。 
　 
　次に、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下検討する。 
　 
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平７−２７３４３９号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平７−３００１４号公報（以下、「引用例２」という。）、及び特開平７−１９３３４６号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。 
　
（１）引用例１：特開平７−２７３４３９号公報 
（１ａ）「【請求項１】導体配線が形成されているＩＣチップ実装用基板上に半田バンプを形成するに当たり、基板の導体配線が形成されている表面上に感光性の第１のソルダレジスト層を形成し、フォトエッチングにより、第１のソルダレジスト層の半田バンプを形成すべき位置に第１の開口を形成し、次に、第１のソルダレジスト層上に第２のソルダレジスト層を形成し、フォトエッチングにより、第２のソルダレジスト層の前記第１の開口と対応する位置に第１の開口と連通する第２の開口を形成し、前記第１及び第２の開口内に半田を埋め込み、リフロー処理した後、前記第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なうことを特徴とする半田バンプ形成方法。」（特許請求の範囲） 
（１ｂ）「【請求項３】前記第２のソルダレジスト層をフィルム状の感光性ソルダレジスト層で構成したことを特徴とする請求項１又は２に記載の半田バンプ形成方法。」（特許請求の範囲）
（１ｃ）「【請求項５】前記第１のソルダレジスト層の材料を、特定のエッチング剤に対して前記第２のソルダレジスト層の材料よりもエッチング速度が遅い材料で構成したことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の半田バンプ形成方法。」（特許請求の範囲）
（１ｄ）「導体配線の微細化に伴い、導体配線幅が小さくなると共にその配線上に形成されるバンプの面積も小さくなるため、本発明では、十分な半田量を確保する為に形成すべきバンプの高さをできるだけ高くする。この場合、第１のソルダレジスト層上にさらに第２のソルダレジスト層を形成し、半田供給用の開口を設けることにより、開口部の深さが一層深くなり、この結果大量の半田をバンプ形成用に供給することができる。さらに、第２のソルダレジスト層をエッチングにより除去することにより、コンタミネーションを除去でき、又、レジスト表面からの半田バンプ高さも十分確保でき、信頼性も向上する。」（【０００６】）
（１ｅ）「【実施例】図１〜図８は本発明による半田バンプ形成方法を説明するための一連の工程を示す図である。・・・この基板１は樹脂材料やセラミック材料のプリント基板とすることができ、本例では低温焼成基板を用いる。・・・図２に示すように、基板１の配線パターン２が形成されている表面上に液状の第１のソルダレジスト層３を形成する。このソルダレジスト層３は感光性ソルダレジスト層とし、例えば市販の感光性ソルダレジストを主剤／硬化剤の比を４：１の割合で混合することにより得ることができる。・・・次に、フォトエッチングにより、第１のソルダレジスト層３の半田バンプを形成すべき位置に開口１を形成する。・・・次に、図３に示す基板上に第２のソルダレジスト層４を形成する。本例では、第２のソルダレジスト層として厚さ３８μｍの感光性でシート状のドライフィルムを用いる。このドライフィルムとして、例えばデュポン社製のドライフィルム、商品名「ＲＩＳＴＯＮ」を用いる。この第２のソルダレジスト層４をラミネータを用いて第１のソールダレジスト層３上に積層する。・・・このシート状の第２のソルダレジスト層４にフォトエッチングにより第２の開口を形成する。・・・次に、・・・第１及び第２の開口内に半田ペーストを印刷により供給する。・・・次に、図７に示すように、上記基板を２３０℃にセットされたリフロー炉内に導入してリフロー処理を行なう。その後、基板を２％水酸化ナトリウム水溶液内に５分間浸漬して第２のソルダレジスト層だけを除去する。この際、第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なう。尚、エッチ剤として２％水酸化ナトリウム水溶液を用いる場合、ドライフィルムのエッチング速度は速いが、第１のソルタレジスト材料はエッチング速度が極めて遅いためこのようにして、図８に示す半田バンプが得られる。ソルダレジスト層４を除去することにより、半田塗布の際に生ずるフラックス及び半田等の残査を除去でき、耐久性及び信頼性を向上させることができる。また、ＩＣの接合に必要な半田量は第１及び第２のソルダレジスト層３及び４の厚さ、特にシート状の第２のソルダレジスト層の厚さを適切に設定するだけで得ることができる。」（【００１０】−【００１６】） 
（１ｆ）「図１０〜図１８は本発明による半田バンプ形成方法の変形例を示す線図的断面図である。本例では、一層微細化可能な半田バンプ形成方法について説明する。尚、前述した実施例と同一の構成要素には同一符号を付して説明する。図１０は半田を埋め込む直前の形態を示す線図的平面図であり、本例では千鳥状に半田バンプを形成する。尚、図１１〜図１７は図１０のII−II線で切って示す一連の工程図である。図１１に示すように、導体配線２ａ〜２ｃが形成されている基板１を用い、第１のソルダレジスト層３を導体配線２ａ〜２ｃ間に埋め込まれるように塗布する。本例では、第１のソルダレジスト層３として液状の感光性ポリイミド樹脂を用い、乾燥する。」（【００１８】−【００１９】） 
（１ｇ）図３には、第１のソルダレジスト層３の導体配線２に対応する位置に第１の開口３ａが形成されることが図示され、第１の開口３ａは、導体配線２よりも小さい径であることが看取できる。図５には、第１のソルダレジスト層３の第１の開口３ａと、第２のソルダレジスト層４の第２の開口部４ａとからなり導体配線２が露出する凹部が図示され、凹部は、導体配線２よりも小さい径であることが看取できる。図７には、リフロー処理後のボール状の半田バンプが図示され、半田バンプ上部は、凹部の壁面と同じ径であって略半球状に盛り上がっていることが看取できる。図８には、第２のソルダレジストが除去されたボール状の半田バンプが図示されている。 
　 
（２）引用例２：特開平７−３００１４号公報 
（２ａ）「【請求項１】電子部品又は基板に設けられた複数の電極にクリーム半田を用いた半田バンプを形成するにあたり、前記電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、しかる後に加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップとを有することを特徴とする半田バンプの形成方法。」（特許請求の範囲） 
（２ｂ）「上記構成により、レジスト枠内にクリーム半田が充填された後、加熱されることにより、クリーム半田が溶融する。ここで、クリーム半田のぬれ性は、レジスト枠に対して低く、電極に対して高いので、クリーム半田は電極に強く付着するとともにレジスト枠から離れ、表面が曲面となった半田バンプを得ることができる。」（【０００７】）
（２ｃ）「このレジスト枠４は、電極３を包囲するように形成するものであり、図１に示すように平面形状を矩形としてもよいし、ハニカム状にしてもよい。また、レジスト枠４はソルダーレジスト又はエッチングレジストのいずれでもよい。後述（図７参照）するように、クリーム半田１０（図３参照）を溶融した後に、レジスト枠４を除去する場合には、エッチングレジストが好適である。」（【０００９】）
（２ｄ）「次に、図５に示す状態から、電子部品をリフロー炉（図示せず）などの加熱手段で加熱させ、レジスト枠４内のクリーム半田１０を溶融する。ここで、レジスト枠４よりも電極３の方が、クリーム半田１０に対するぬれ性が大きいので、クリーム半田１０が溶融すると、図５に示すようにクリーム半田１０の下部は電極３に付着し、上部はその表面張力により略ボール状となる。そして、冷却して半田バンプ形成を完了する。ここで、レジスト枠４は図６に示す状態のまま残しておいてもよいし、図７のように除去してもよい。」（【００１２】−【００１３】）
（２ｅ）図１には、電極３を包囲するレジスト枠４は、電極３よりも大きな径の開口を有することが図示されている。図５には、電極３よりも大きな径のレジスト枠４の開口に、クリーム半田１０が充填されることが図示されている。図６には、レジスト枠４の開口により凹部が形成され、ボール状の半田バンプは、凹部の底面より小径である電極３上に、凹部の壁面から離隔して形成されることが図示されている。
　 
（３）引用例３：特開平７−１９３３４６号公報 
（３ａ）「さらに詳しく述べると、好適な方法により、比較的厚いハンダ・マスクが回路基板の表面上に付着される。必要な厚みを得るために、マスクの塗布を２回以上行うことがある。場合によっては、後から塗布したマスクを処理手順の最終段階付近で除去することができる。ハンダ・マスクは、回路基板上にすでに印刷されているボンド・パッドを囲む開口部を有する。ハンダ・ぺーストが周知のステンシルまたはスクリーン印刷技術によりハンダ・マスク内の開口部内に印刷される。ハンダ・ペーストがリフローされて、ボンド・パッドに付着し、ハンダ・マスクの上面から突出するハンダ・ボールを形成する。このハンダ・ボールがハンダ・マスクの上面と同一面上にあるように圧縮される。これにより、その後の従来の処理段階を行うことができる。最後に、圧縮された電気接点がリフローされて、最終的なハンダ・ボール電気接点が形成される。その後でハンダ・マスクを除去してもよい。」（【０００７】−【０００８】）
（３ｂ）「さらに詳細に見るために図面を参照すると、図１は本発明の好適な実施例による回路基板の等角図である。回路基板１０９は、底板１１０を持つ。底板１１０には第１上面１１２がある。ボンド・パッド１１４が周知の方法により底板１１０の上面１１２上に印刷される。ボンド・パッド１１４は、当業者には理解されるように導電性をもつ。好ましくは、ハンダ・マスク層１１６は、当技術では周知のように積層ハンダマスクである。好適な実施例によれば、ハンダ・マスク１１６は、Dupont（商標）SIPAD （商標）またはOPTIPAD （商標）などの乾式薄膜レジストである。これらの乾式薄膜レジストは、０．０７６ないし０．１２７ｍｍの厚みを有する壁を形づくることができることが当業者には理解されよう。ハンダ・マスクを２回以上塗布して、パッド１１４上に所望の体積のハンダを得ることができることも理解されよう。また、異なるマスクを組み合わせて用いることもできる。」（【００１０】−【００１１】）
（３ｃ）「図３は、ペースト２０２がリフローされてハンダ・ボール３０２が形成された後の図２の基板の断面図である。前述のように、壁で仕切られた領域１２２の体積は、領域１２２の体積を有するハンダ・ボールがハンダ・マスク１１６の上面１２０から突出して、他の面に付着することができるハンダ・ボールを設けるように選択されている。」（【００１６】） 
（３ｄ）図１には、ハンダ・マスク１１６の壁１１８で仕切られた領域１２２の径は、ボンド・パッド１１４の径よりも大きいことが図示され、領域１２２は開口であることが看取できる。図２には、領域１２２は、底面にボンド・パッド１１４が露出した凹部であって、この凹部にハンダペースト２０２が充填されることが図示されている。図３には、ハンダ・ボール３０２は、凹部の底面より小径のボンド・パッド１１４上に、凹部の壁面より離隔して形成されることが図示されている。 
　 
３．当審の判断 
３−１．引用例１に記載の発明 
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）、（１ｇ）を総合すれば、引用例１には、
「導体配線が設けられた、低温焼成基板からなるＩＣチップ実装用基板の上に、当該導体配線を覆うように第１のソルダレジスト層として、液状の感光性レジスト層を形成する工程と、
　上記第１のソルダレジスト層の半田バンプを形成すべき位置に第１の開口を形成する工程と、
　上記第１の開口が形成された上記第１のソルダレジスト層上に、第２のソルダレジスト層として、感光性でシート状のドライフィルムである、例えばデュポン社製の商品名「ＲＩＳＴＯＮ」をラミネータを用いて積層する工程と、
　上記第１の開口部に連通する第２の開口部を上記ドライフィルムに形成する工程と、
　上記第１のソルダレジスト層の上記第１の開口部と上記ドライフィルムの上記第２の開口部とからなって上記導体配線が露出する凹部内に、半田ペーストを充填する工程と、
　上記半田ペーストをリフローして半田バンプを得る工程と、
　その後、上記基板を２％水酸化ナトリウム水溶液に５分間浸漬して第２のソルダレジスト層だけを除去する工程と、
を含む半田バンプの形成方法。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
３−２．対比・判断 
（ａ）本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「ＩＣチップ実装用基板」、「第１のソルダレジスト層」、「第２のソルダレジスト層」、「ドライフィルム」、「ラミネータを用いて積層」、「半田ペースト」、「半田ペーストをリフローして半田バンプを得る」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「第１のレジスト層」、「第２のレジスト層」、「フィルム」、「圧着」、「ハンダ材料」、「ハンダ材料を溶融させた後に固化させることによりハンダバンプを設ける」に相当する。
　
（ｂ）引用例１の摘記事項（１ａ）によれば、引用例１発明は、ＩＣチップ実装用基板の導体配線が形成されている表面上に第１のソルダレジスト層を形成し、第１のソルダレジスト層のハンダバンプを形成すべき位置に第１の開口を形成し、次に、第１のソルダレジスト層上に第２のソルダレジスト層を形成し、第２のソルダレジスト層の前記第１の開口と対応する位置に第１の開口と連通する第２の開口を形成し、前記第１及び第２の開口内に半田を埋め込み、リフロー処理した後、前記第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なうハンダバンプ形成方法が記載されている。
　そして、上記「第１のソルダレジスト層のハンダバンプを形成すべき位置」とは、上記ＩＣチップ実装用基板表面上の導体配線に形成されるバンプによって、該導体配線に電流が供給される（若しくは流出する）領域であるということができる。
　一方、「電極」とは、一般に「そこを通って電流が真空、ガス、電解質、半導体などの領域に出入りする導体部分のこと。」（「新コンパクト版電気電子用語事典」平成６年７月２０日改題第１版第６刷株式会社オーム社）程度の意味で用いられている用語であると解され、本願出願において、これと異なる意味に限定して解釈すべき特段の事情も認められない。
　してみれば、引用例１発明において、半田バンプが形成されることによって電流が流入（流出）することとなる、上記導電部材の半田バンプが形成される領域は、本願補正発明の「電極」に相当する領域であるといえる。
　
（ｃ）引用例１発明の「上記基板を２％水酸化ナトリウム水溶液に５分間浸漬して第２のソルダレジスト層だけを除去する工程」との記載に照らして、引用例１発明の「２％水酸化ナトリウム水溶液」は、「基板および第１のレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液」に相当するものといえる。
　
（ｄ）そうすると、結局、本願補正発明と引用例１発明は、
「電極が設けられた基板の上に、当該電極を覆うように、第１のレジスト層を形成する工程と、
　上記第１のレジスト層において上記電極に対応する位置に第１開口部を形成する工程と、
　上記第１開口部が形成された上記第１のレジスト層上に、第２のレジスト層となるフィルムを圧着させる工程と、
　上記第１開口部に連通する第２開口部を上記フィルムに形成する工程と、
　上記第１のレジスト層の上記第１開口部と上記フィルムの上記第２開口部とからなって上記電極が露出する凹部に、ハンダ材料を充填する工程と、
　上記ハンダ材料を溶融させた後に固化させることにより、上記凹部内の上記電極上に、ハンダバンプを設ける工程と、
　上記基板および上記第１のレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、
　を含むハンダバンプの形成方法。」で一致し、次の点で相違する。 
　 
相違点： 
（イ）本願補正発明においては、第１のレジスト層が「エポキシアクリレート樹脂またはポリイミド樹脂よりなる」のに対して、引用例１発明には「液状の感光性レジスト層」とのみ記載されており、具体的な材料が明らかでないない点。
　
（ロ）本願補正発明においては、第２のレジスト層が「アクリル系樹脂よりなるフィルム」のに対して、引用例１発明には「感光性でシート状のドライフィルムである、例えばデュポン社製の商品名「ＲＩＳＴＯＮ」」とのみ記載されており、感光性でシート状のドライフィルムである「ＲＩＳＴＯＮ」が、「アクリル系樹脂よりなるフィルム」であるか否かが明らかでない点。
　
（ハ）本願補正発明は、第１のレジスト層の第１開口部、第２のレジスト層の第２開口部が、電極より大きな径を有し、該電極が、ハンダ材料から、上記第１開口部の壁面および上記第２開口部の壁面より離隔してハンダバンプが形成されるように、上記第１開口部および上記第２開口部より小径であるのに対し、引用例１発明には、このような構成が示されていない点。 
　 
　上記相違点について検討する。 
相違点（イ）について 
　引用例１の上記摘記（１ｆ）には、「本発明による半田バンプ形成方法の変形例」として、「第１のソルダレジスト層３として液状の感光性ポリイミド樹脂を用い」ることが記載されている。してみれば、当業者であれば、引用例１発明の「液状の感光性レジスト層」として、同じく引用例１において本発明の変形例として示されている実施例で用いられている「液状の感光性ポリイミド樹脂」を用いることは容易に想到し得たことといえる。したがって、引用例１発明において、相違点（イ）について、本願補正発明のものとすることに格別の困難は認められない。
　
相違点（ロ）について
　感光性でシート状のドライフィルムである「ＲＩＳＴＯＮ」が、仮に、「アクリル系樹脂よりなるフィルム」でないとしても、下記の周知文献に示されるように、感光性でシート状のドライフィルムよりなるレジストであって、引用例１発明で使用されている２％水酸化ナトリウム水溶液で剥離可能なドライフィルムレジストとして、アクリルを主成分とする樹脂からなるドライフィルムレジストは以下に示すように周知であるから、当業者であれば、引用例１発明において、感光性でシート状のドライフィルムとして、「アクリル系樹脂よりなるフィルム」を用いることは適宜なし得た事項である。
　
周知文献１：特開平７−３２６８５３号公報（拒絶査定時の周知文献）
（周１ａ）「ソルダーレジスト６６にはボールバンプ６２の形成予定位置に対応するダム孔６８が形成される。すなわちこのダム孔６８以外の表面を覆うようにソルダーレジスト６６がスクリーン印刷法により一定厚さに供給されてから、加熱硬化される。この結果バンプ形成面６４は、各パッド６０Ａにオーバーラップするようにソルダーレジスト６６で覆われる。ここに用いるソルダーレジスト６６は後記するドライフィルムレジスト７０、７２の除去の工程で脱落しない性質のものであればよく、エポキシ系のものに限定されるものではない。次にこのプリント配線板５０Ａの両面にドライフィルムレジスト７０、７２を圧着し、ダム孔６８に重なる位置にこのダム孔６８より大きい孔すなわちはんだめっき孔７４を形成する（ステップ１１０）。このドライフィルムレジスト７０、７２は例えば感光性を有するアクリルを主成分とする樹脂で作られ、マスク用フィルムやマスク用ガラスプレートを重ねて露光し焼付けした後、現像し、不要なドライフィルムを除去する。その後さらに後露光、加熱処理により必要なはんだ耐熱性、耐溶剤性などの特性を付与する。次にこのプリント配線板５０Ａには厚付けはんだめっき７６が施される（図１の（Ｄ）、ステップ１１２）。このはんだめっき７６はドライフィルムレジスト７０、７２には析出せず、ダム孔６８およびはんだめっき孔７４に臨むパッド６０Ａの上に析出する。はんだめっき浴の組成や温度などの処理条件を厳密に管理することにより、厚付けはんだめっき７６の析出量も高精度に管理することができる。またドライフィルムレジスト７０の厚さも高精度に管理されているから、はんだめっき７６の析出量は一層高精度に管理され得る。所定量のはんだめっき７６が析出した後、ドライフィルムレジスト７０、７２を剥離する（図１の（Ｅ）、ステップ１１４）。この剥離処理は、前記したようにアクリルを主成分とするドライフィルムレジスト７０、７２を用いる場合には、２％の苛性ソーダ溶液により行うことができる。この結果図１（Ｅ）に示すように、ソルダーレジスト６６のダム孔６８から、はんだめっき孔７４の大きさで所定厚さにはんだめっき７６が突出する状態になる」（【００２０】−【００２３】）
（周１ｂ）「以上の実施例ではエポキシ系のソルダーレジスト６６とアクリル系のドライフィルムレジスト７０とを用いているが、両者の組合せはこれに限定されるものではない。すなわちドライフィルムレジスト７０、７２の剥離処理（図２のステップ１１４）において、ドライフィルムレジスト７０、７２のみを選択的に剥離でき、この時下層のソルダーレジスト６６が剥離されないものであればよい。」（【００２５】
　
相違点（ハ）について
　引用例２の摘記事項（２ａ）−（２ｅ）には、電極３よりも径の大きなレジスト枠４の開口にクリームハンダ（ハンダ材料）１０を充填して、リフロー炉などで加熱し、上記電極上に、上記レジスト枠の内壁から離隔した略ボール状の半田バンプを形成することが記載され、引用例３の摘記事項（３ａ）−（３ｄ）にも、電極（ボンド・パッド１１４）よりも径の大きな積層ハンダ・マスク１１６内の開口部内に、ハンダ・ペースト２０２を充填して、リフローし、上記電極上に、上記積層ハンダ・マスクの内壁から離隔したハンダ・ボールを形成することが記載されており、このようなハンダバンプの形成方法が、本願の優先権の主張の日よりも以前において、広く知られていたことが伺われる。
　そして、引用例２のレジスト枠、引用例３の積層ハンダ・マスク内の開口部は、それぞれ、ハンダ材料を充填する空間である点で、引用例１発明の第１の開口と第２の開口によって形成される凹部に相当する。
　一方、引用例１発明と、引用例２、３に記載された発明は、いずれもハンダバンプを形成する発明である点で、技術分野を共通とするものである。
　してみれば、引用例１発明において、第１のソルダレジスト層の第１の開口部と第２のソルダレジスト層の第２の開口部によって形成される凹部の径を、電極より大きくし、上記電極を、リフロー後のハンダバンプが、上記第１の開口部と第２の開口部の壁面から離隔して形成されるように小径とすることは当業者が適宜なし得たことであると認められる。 
　 
　そして、本願補正発明の奏する効果は、引用例１−３に記載される事項、及び、周知技術から予測することができる程度のものであって、格別顕著であるとは認められない。 
　 
　なお、審判請求人は、審判請求の理由において、「すなわち、電極Ｅについて引用文献２〜４に開示されているのは、「電極Ｅは、形成されるハンダバンプと、単層のレジスト層の開口部の壁面との間に空隙ができる程度に、単層のレジスト層の開口部よりも小径に設定されている」ということである。」として、本願発明の進歩性を主張する。しかしながら、引用例３の上記摘記（３ａ）、（３ｂ）に「必要な厚みを得るために、マスクの塗布を２回以上行うことがある。場合によっては、後から塗布したマスクを処理手順の最終段階付近で除去することができる。」、「ハンダ・マスク層１１６は、当技術では周知のように積層ハンダマスクである。・・・ハンダ・マスクを２回以上塗布して、パッド１１４上に所望の体積のハンダを得ることができることも理解されよう。また、異なるマスクを組み合わせて用いることもできる。」と記載されるように、引用例３には多層のレジスト層を用いることが明記されているから、審判請求人の前記主張は前提を欠き採用することはできない。
　また、審判請求人は、審判請求の理由において、「引用文献１には、第１のソルダレジスト層３と第２のソルダレジスト層４とが異なる構成材料よりなることさえ記載されていない。」と主張するが、引用例１の上記摘記（１ｃ）の「前記第１のソルダレジスト層の材料を、特定のエッチング剤に対して前記第２のソルダレジスト層の材料よりもエッチング速度が遅い材料で構成した」との記載は、第１のソルダレジスト層３と第２のソルダレジスト層４とを異なる材料で構成したことを示しているから、審判請求人の前記主張は引用例１の記載に基づかないものであり採用できない。
　さらに、引用例１の前記「前記第１のソルダレジスト層の材料を、特定のエッチング剤に対して前記第２のソルダレジスト層の材料よりもエッチング速度が遅い材料で構成した」との記載は、引用例１の上記摘記（１ｅ）の「エッチ剤として２％水酸化ナトリウム水溶液を用いる場合、ドライフィルムのエッチング速度は速いが、第１のソルタレジスト材料はエッチング速度が極めて遅い」との記載も考慮すれば、第１のソルダレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して第２のソルダレジスト層を選択的にエッチング除去することを示しているものと解されるから、審判請求人が、審判請求の理由において主張する「このことは、図８を参照して説明されるエッチング処理では、第１のソルダレジスト層３がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して第２のソルダレジスト層４が選択的にエッチング除去されるのではない、ことを含意する。」との主張は、採用できない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１−３発明に記載された発明、及び、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
４．むすび 
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、結論のとおり決定する。 
　 
III．本願発明について 
１．本願発明 
　平成２１年３月１１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２０年１２月２６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。 
　「【請求項１】電極が設けられた基板の上に、当該電極を覆うように、エポキシアクリレート樹脂またはポリイミド樹脂よりなる第１のレジスト層を形成する工程と、上記第１のレジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の大きな開口部を形成する工程と、上記開口部が形成された上記第１のレジスト層上に、第２のレジスト層となるアクリル系樹脂よりなるフィルムを圧着させる工程と、上記電極より大きな径を有して上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、上記第１のレジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって上記電極より大きな径を有し且つ上記電極が露出する凹部に、ハンダ材料を充填する工程と、上記ハンダ材料を溶融させた後に固化させることにより、上記凹部内の電極上にハンダバンプを設ける工程と、上記基板および上記第１のレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含むハンダバンプの形成方法。」 
　 
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶理由に引用された引用例１〜３とその主な記載事項は、前記「ＩＩ．２．」に記載したとおりである。 
　 
３．当審の判断 
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み、さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明が、前記「ＩＩ．３．」に記載したとおり、引用例１−３に記載された発明、及び、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も同様の理由で、引用例１−３に記載された発明、及び、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。