【事件の表示】
　平成１０年特許願第５０４０８０号「プラズマエッチングリアクタ及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月　８日国際公開、ＷＯ９８／００８５８、平成１２年１０月３１日国内公表、特表２０００−５１４５９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１月２３日（優先権主張平成８年７月３日）に出願されたものであって、平成１８年９月１日付けの拒絶理由通知に対して、平成１９年３月２日付けで手続補正がされたが、同年６月１９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年９月２５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１０月２２日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成１９年１０月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１０月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
（２−１）補正の概略
　本件補正は、特許請求の範囲についてするものであって、補正前の請求項１に、
「【請求項１】　ウエハをエッチングするためのプラズマエッチングリアクタであって、
　リアクタチャンバと、
　第１電極と、
　第２電極と、
を有し、プラズマが前記第１電極と第２電極間のプロセスガスにより生成され、
　異方性エッチングを増強するために、前記ウエハ上の垂直表面を不動態化するための気体種の固体ソースを備え、前記固体ソースは前記第１電極を覆い、
　前記第１電極に接続された高周波電源と、
　前記固体ソースからの気体種の発生速度を制御するために、前記高周波電源によって前記第１電極に供給される電力を制御する制御装置と、
を有することを特徴とするプラズマエッチングリアクタ。」
とあったものを、
「【請求項１】ウエハ上にフィーチャを異方性エッチングするためのプラズマエッチングリアクタであって、
　リアクタチャンバと、
　第１電極と、
　第２電極と、
を有し、プラズマが前記第１電極と第２電極間のプロセスガスにより生成され、
　異方性エッチングを増強するために、エッチングプロセス中に前記ウエハ上の垂直表面を不動態化する気体種の固体ソースを備え、前記固体ソースは前記第１電極を覆い、
　前記第１電極に接続された高周波電源と、
　前記固体ソースからの気体種の生成速度を制御するために、前記高周波電源によって前記第１電極に供給される電力を制御する制御装置と、
を有することを特徴とするプラズマエッチングリアクタ。」
と補正しようとする事項を含むものである。
　
　すると、本件補正における、請求項１についてする補正は、補正前に「前記ウエハ上の垂直表面を不動態化するための気体種の固体ソース」とあったものを、補正後の「エッチングプロセス中に前記ウエハ上の垂直表面を不動態化する気体種の固体ソース」と補正することによって、不動態化する時期を限定する事項を含むものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後における請求項１に記載されている事項により構成される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを検討する。
　
（２−２）先願明細書等に記載された事項
　本願の優先権の主張の基礎とする出願の日前の平成７年１２月７日に、発明者が山根　徹也であるとして、ソニー株式会社によって出願され、本願の優先権の主張の基礎とする出願の後に、特開平９−１６２１７１号として出願公開された、特願平７−３１９０４７号の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という。）には以下の技術事項が記載されている。
　
（１ａ）「【請求項１】被エッチング基板が載置されるとともに基板電極ＲＦ電源が接続された基板電極と、前記基板電極と対向配置されるとともに対向電極ＲＦ電源が接続された対向電極と、を有するドライエッチング装置において、前記対向電極の少なくとも一部表面は、酸化シリコン系材料層により被覆されていることを特徴とする、ドライエッチング装置。」（特許請求の範囲）  
 　 
（１ｂ）「本実施例は、まず本発明のドライエッチング装置の一構成例につき、図１を参照して説明する。チャンバ７内には被エッチング基板１を載置した基板電極２と、対向電極４とを対向配置し、基板電極２には基板電極ＲＦ電源３を、対向電極４には対向電極ＲＦ電源５をそれぞれブロッキングコンデンサを介して接続する。エッチングガスは、ガス導入手段８から対向電極４の背面に導入する。対向電極４はホロー構造であり、被エッチング基板１に臨む面には多数のガス噴出孔が開口しているガスシャワーヘッドを兼ねている。・・・本ドライエッチング装置の特徴部分は、対向電極４の被エッチング基板１との対向面に酸化シリコン系材料層６が被覆されていること、および対向電極４に独立の対向電極ＲＦ電源５が接続されている点にある。この特徴的な構成の組み合わせにより、酸化シリコン系材料層６をスパッタリングし、チャンバ内に酸化シリコン系の化学種あるいはその分解生成物を所望の割合で供給し、これを被エッチング基板１上に堆積しつつドライエッチングすることが可能である。」（【００１７】−【００１８】） 
　 
（１ｃ）「つぎに本発明のドライエッチング方法の一例として、多結晶シリコンからなるゲート電極加工に適用した例を図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。本実施例で採用した被エッチング基板は、シリコン等の半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２、ｎ+ 多結晶シリコン層１３およびフォトレジストからなるエッチングマスク１４が順次形成されたものである。図２（ａ）に示すこの被エッチング基板を、図１に示したドライエッチング装置の基板電極２上に載置し、一例として下記条件によりｎ+ 多結晶シリコン層１３をパターニングした。
　　　　　Ｃｌ2 流量　　　　　　１００　ｓｃｃｍ
　　　　　ガス圧力　　　　　　　１．２　Ｐａ
　　　　　基板ＲＦ電力　　　　　５００　Ｗ（１３，５６ＭＨｚ）
　　　　　対向ＲＦ電力　　　　　２００　Ｗ（２ＭＨｚ）
　　　　　被処理基板温度　　　　　２０　℃
　本ドライエッチング工程においては、図２（ｂ）に示すようにプラズマ中でＣｌ2 の解離により生じたＣｌ* （Ｃｌラジカル）による反応が、Ｃｌ+ （Ｃｌイオン）の入射にアシストされる形でｎ+ 多結晶シリコン層１３のエッチングが進行し、反応生成物はＳｉＣｌx 等となって排気手段９から除去される。一方、対向電極４を被覆する酸化シリコン系材料層６は、やはりＣｌ+ の入射によりスパッタリングされ、プラズマ中にＳｉＯx やＳｉＣｌx Ｏy 等の化学種や、これらの分解生成物を供給する。これらは揮発性ないしは昇華性が小さい物質であるので、被エッチング基板１上に堆積し、イオン入射の少ないエッチングマスク１４やパターニングされつつあるｎ+ 多結晶シリコン層１３の側面に側壁保護膜１５となって残留する。この側壁保護膜は、Ｃｌ* のアタックからｎ+ 多結晶シリコン層１３パターンの側面を保護し、サイドエッチングの発生を防止し、異方性加工に寄与する。また側壁保護膜１５の堆積量は、対向ＲＦ電力、周波数あるいあは酸化シリコン系材料層６が対向電極４表面を被覆する面積率により再現性よく制御することができる。したがって、側壁保護膜１５の厚さが過剰となってｎ+ 多結晶シリコン層１３パターンが過度の順テーパ形状となったり、側壁保護膜１５の厚さが不足してサイドエッチングが入ることはない。ドライエッチングが終了し、エッチングマスク１４をアッシングあるいあは剥離除去した状態を図２（ｃ）に示す。同図に示すように、レジストマスク１４との寸法変換差なく、異方性形状に優れたｎ+ 多結晶シリコン層１３からなるゲート電極が完成した。」（【００２１】−【００２５】） 
　
（１ｄ）「ドライエッチング装置としてダイオード型の平行平板型装置を採り上げたが、トライオード型の平行平板型ドライエッチング装置であってもよい。また対向電極裏面にマゲネットを配設したマグネトロン方式とすれば、酸化シリコン系材料層のスパッタリング効果を高め、側壁保護膜の形成を促進することが可能である。」（【００３５】）
　
（２−３）当審の判断 
（２−３−１）先願明細書等に記載の発明 
　先願明細書等の上記摘記（１ａ）−（１ｄ）をまとめると、先願明細書等には、
「基板電極２上に載置した、被エッチング基板である、シリコン等の半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２、ｎ+ 多結晶シリコン層１３およびフォトレジストからなるエッチングマスク１４が順次形成されたものを、Ｃｌ2 流量：１００　ｓｃｃｍ、ガス圧力：１．２　Ｐａ、基板ＲＦ電力：５００　Ｗ（１３，５６ＭＨｚ）、対向ＲＦ電力：２００　Ｗ（２ＭＨｚ）、被処理基板温度：２０　℃という条件でドライエッチングして、レジストマスク１４との寸法変換差なく、異方性形状に優れたｎ+ 多結晶シリコン層１３からなるゲート電極を形成する、ドライエッチング装置であって、
　チャンバ７と、
　ホロー構造であり、被エッチング基板１に臨む面には多数のガス噴出孔が開口しているガスシャワーヘッドを兼ねている対向電極４と、
　ブロッキングコンデンサを介して、周波数が１３，５６ＭＨｚである基板電極ＲＦ電源３が接続された基板電極２と、
を有し、プラズマが、前記対向電極４の被エッチング基板１に臨む面に開口された多数のガス噴出孔から導入されるエッチングガスであるＣｌ２により生成され、
　前記ドライエッチングの工程において、プラズマ中でＣｌ2 の解離により生じたＣｌ* （Ｃｌラジカル）による反応が、Ｃｌ+ （Ｃｌイオン）の入射にアシストされる形でｎ+ 多結晶シリコン層１３のエッチングが進行し、反応生成物はＳｉＣｌx 等となって排気手段９から除去される一方で、Ｃｌ+ の入射によりスパッタリングされることで、プラズマ中にＳｉＯx やＳｉＣｌx Ｏy 等の化学種や、これらの分解生成物を供給する、対向電極４を被覆する酸化シリコン系材料層を備え、
　前記ＳｉＯx やＳｉＣｌx Ｏy 等の化学種や、これらの分解生成物は、被エッチング基板１上に堆積し、イオン入射の少ないエッチングマスク１４やパターニングされつつあるｎ+ 多結晶シリコン層１３の側面に側壁保護膜１５となって残留して、Ｃｌ* のアタックからｎ+ 多結晶シリコン層１３パターンの側面を保護し、サイドエッチングの発生を防止し、異方性加工に寄与し、
　前記対向電極４にブロッキングコンデンサを介して接続された、周波数が２ＭＨｚである対向電極ＲＦ電源５と、
　側壁保護膜１５の堆積量を再現性よく制御するために、対向ＲＦ電力を制御することができるドライエッチング装置。」
の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているといえる。
　
（２−３−２）対比 
　本願補正発明と先願発明とを対比する。 
（ａ）先願発明の「シリコン等の半導体基板１１」、「ｎ+ 多結晶シリコン層１３からなるゲート電極」、「ドライエッチング装置」、「チャンバ７」、「対向電極４」、「基板電極２」、「エッチングガスであるＣｌ２」は、それぞれ順に本願補正発明の「ウエハ」、「フィーチャ」、「プラズマエッチングリアクタ」、「リアクタチャンバ」、「第１電極」、「第２電極」、「プロセスガス」に相当する。
　
（ｂ）先願発明は「被エッチング基板である、シリコン等の半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２、ｎ+ 多結晶シリコン層１３およびフォトレジストからなるエッチングマスク１４が順次形成されたものを、Ｃｌ2 流量：１００　ｓｃｃｍ、ガス圧力：１．２　Ｐａ、基板ＲＦ電力：５００　Ｗ（１３，５６ＭＨｚ）、対向ＲＦ電力：２００　Ｗ（２ＭＨｚ）、被処理基板温度：２０　℃という条件でドライエッチングして、レジストマスク１４との寸法変換差なく、異方性形状に優れたｎ+ 多結晶シリコン層１３からなるゲート電極を形成する」ものである。そして、「レジストマスク１４との寸法変換差なく、異方性形状に優れたｎ+ 多結晶シリコン層１３からなるゲート電極を形成する」ことは、ｎ+ 多結晶シリコン層１３に対して異方性の加工を行っていることを意味していると解される。したがって、先願発明の前記「ドライエッチング」は、本願補正発明の「異方性エッチング」に相当する。
　
（ｃ）先願発明は「プラズマが、前記対向電極４の被エッチング基板１に臨む面に開口された多数のガス噴出孔から導入されるエッチングガスであるＣｌ２により生成され」るものである。そして、前記被エッチング基板１は、ブロッキングコンデンサを介して、周波数が１３，５６ＭＨｚである基板電極ＲＦ電源３が接続された基板電極２に載置されるものであり、前記対向電極４が、ブロッキングコンデンサを介して、周波数が２ＭＨｚである対向電極ＲＦ電源５に接続され、かつ、先願発明は、これら以外の電極を備えていないのであるから、先願発明においては、プラズマは、「対向電極と基板電極間」のエッチングガスであるＣｌ２により生成されるといえる。したがって、先願発明は、本願補正発明の「プラズマが前記第１電極と第２電極間のプロセスガスにより生成され」に相当する構成を具備する。
　
（ｄ）本願明細書の、発明の詳細な説明には、以下のように記載されている。
「例として揚げると、固体ソース５０は、例えば、無線周波数励起イオンによる衝撃に際して、固体ソースからリアクタチャンバ内へとシリコンと酸素の気体イオンを出す二酸化ケイ素(ＳｉＯ2)すなわち石英のような誘電体材料から成る。」（本願の公表特許公報第２２頁第９−１２行）、
「例を揚げると、二酸化ケイ素の固体ソースが使用されるなら、二酸化ケイ素からの気体種のスパッターが半導体ウェーハー上の垂直面を不動態化し、その面がガス性のエッチング剤によりアンダーカットされないようにするので、増大した衝撃が異方性エッチングの性能を向上させることになる。」（本願の公表特許公報第２３頁第５−９行）、
　してみれば、本願補正発明において、「不動態化」とは、例えば、固体ソースが二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の場合においては、無線周波数励起イオンによる衝撃に際して、固体ソースからリアクタチャンバ内へと出される、シリコンと酸素の気体イオンである気体種によって、半導体ウェーハー上の垂直面にもたらされるものであって、当該不動態化された半導体ウェーハー上の垂直面は、ガス性のエッチング剤によりアンダーカットされないという性質を帯びることを指していると解される。
　一方、先願発明は「前記ドライエッチングの工程において、プラズマ中でＣｌ2 の解離により生じたＣｌ* （Ｃｌラジカル）による反応が、Ｃｌ+ （Ｃｌイオン）の入射にアシストされる形でｎ+ 多結晶シリコン層１３のエッチングが進行し、反応生成物はＳｉＣｌx 等となって排気手段９から除去される一方で、Ｃｌ+ の入射によりスパッタリングされることで、プラズマ中にＳｉＯx やＳｉＣｌx Ｏy 等の化学種や、これらの分解生成物を供給する、対向電極４を被覆する酸化シリコン系材料層を備え、前記Ｃｌ+ の入射によりスパッタリングされることで、プラズマ中に供給されるＳｉＯx やＳｉＣｌx Ｏy 等の化学種や、これらの分解生成物は、被エッチング基板１上に堆積し、イオン入射の少ないエッチングマスク１４やパターニングされつつあるｎ+ 多結晶シリコン層１３の側面に側壁保護膜１５となって残留して、Ｃｌ* のアタックからｎ+ 多結晶シリコン層１３パターンの側面を保護し、サイドエッチングの発生を防止し、異方性加工に寄与」するものである。
　すなわち、先願発明の「対向電極４を被覆する酸化シリコン系材料層」は、ドライエッチングの工程におけるプラズマ中でＣｌ2 の解離により生じたＣｌ* （Ｃｌラジカル）の入射によりスパッタリングされて、プラズマ中に、ＳｉＯx やＳｉＣｌx Ｏy 等の化学種や、これらの分解生成物を供給するものであり、
　また、「対向電極４を被覆する酸化シリコン系材料層」が供給したされた、ＳｉＯx やＳｉＣｌx Ｏy 等の化学種や、これらの分解生成物は、「イオン入射の少ないエッチングマスク１４やパターニングされつつあるｎ+ 多結晶シリコン層１３の側面」に堆積して、側壁保護膜１５となって残留して、Ｃｌ* のアタックからｎ+ 多結晶シリコン層１３パターンの側面を保護し、サイドエッチングの発生を防止して、異方性加工に寄与するという作用を奏するものである。
　そうすると、先願発明における「イオン入射の少ないエッチングマスク１４やパターニングされつつあるｎ+ 多結晶シリコン層１３の側面」、「ＳｉＯx やＳｉＣｌx Ｏy 等の化学種や、これらの分解生成物」、「対向電極４を被覆する酸化シリコン系材料層」は、それぞれ、本願補正発明の「ウエハ上の垂直表面」、「気体種」、「第１電極を覆う固体ソース」に相当する。
　また、先願発明の、イオン入射の少ないエッチングマスク１４やパターニングされつつあるｎ+ 多結晶シリコン層１３の側面に側壁保護膜１５が残留して、Ｃｌ* のアタックからｎ+ 多結晶シリコン層１３パターンの側面を保護することは、本願補正発明の「不動態化」に相当し、その結果として、先願発明において「異方性エッチングを増強」しているものと認められる。
　さらに、先願発明において「不動態化」は、「ドライエッチングの工程において、プラズマ中でＣｌ2 の解離により生じたＣｌ* （Ｃｌラジカル）による反応が、Ｃｌ+ （Ｃｌイオン）の入射にアシストされる形でｎ+ 多結晶シリコン層１３のエッチングが進行し、反応生成物はＳｉＣｌx 等となって排気手段９から除去される一方で」生じるのであるから、先願発明の「不動態化」は、「エッチングプロセス中に」行われるものといえる。
　
（ｅ）先願発明は「対向電極４にブロッキングコンデンサを介して接続された、周波数が２ＭＨｚである対向電極ＲＦ電源５」を有し、「側壁保護膜１５の堆積量を再現性よく制御するために、対向ＲＦ電力を制御することができる」ものである。
　そして、技術常識、及び、本願明細書の「好適実施例の詳細な説明」の項の「ある好適実施例では、側辺電極２６は、好ましくは１３．５６ＭＨｚで・・・電源３０に接続されている。これは高周波数電源・・・であり、周波数は２ＭＨｚ乃至９５０ＭＨｚの範囲にあることが好ましいと理解頂きたい。」（本願の公表特許公報第１７頁第１７−２１行）との記載を参酌すれば、先願発明の「対向電極４にブロッキングコンデンサを介して接続された、周波数が２ＭＨｚである対向電極ＲＦ電源５」は、本願補正発明の「第１電極に接続された高周波電源」に相当すると解され、また、先願発明は「側壁保護膜１５の堆積量を再現性よく制御するために、対向ＲＦ電力を制御することができる」のであるから、先願発明は、本願補正発明の「前記固体ソースからの気体種の生成速度を制御するために、前記高周波電源によって前記第１電極に供給される電力を制御する制御装置」に相当する制御装置を備えているものと認められる。
　
　そうすると、本願補正発明と、先願発明との間で、発明特定事項において差異は認められない。したがって、この出願の上記「本願補正発明」は、その出願の優先権の主張の基礎とする出願の日前の出願であって、その出願の優先権の主張の基礎とする出願後に公開された上記の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人がその出願前の出願に係る上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（２−３−３）本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年１０月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−２２に係る発明（以下、「本願発明１」−「本願発明２２」という。）は、平成１９年３月２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−２２記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　
（３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例２（特開平７−２２３９７号公報）には、以下の技術事項が記載されている。
　
（２ａ）「【請求項２】平行平板型構成を採り、該平行平板型構成による被処理体の載置台とこれに対向する対向電極との間に低周波または高周波を印加する低周波または高周波印加手段と、チャンバーの内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線を印加して電子をサイクロイド運動させながら上記チャンバーの内壁面に沿ってリング状に回転させ、上記チャンバーの内壁面の近傍で高密度プラズマを発生させる高密度プラズマ発生手段とを有するプラズマ処理装置を用いて、エッチングモードによる選択的エッチングを行う第１のエッチング工程と、上記被処理体の載置台とこれに対向する対向電極との間に上記低周波または高周波を印加することなく上記高密度プラズマ発生手段を動作させるデポジションモードによる保護膜のデポジション工程と、エッチングモードによる第２のエッチング工程とを順次行うことを特徴とするプラズマ処理方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（２ｂ）「【作用】本発明装置によれば、平行平板型構成とは別に、チャンバー５の内壁面近傍にバイアス電界及び磁力線印加による電子のサイクロトロン運動と回転による高密度プラズマを発生させるマグネトロン放電による高密度プラズマ発生手段６を設けたので、イオンの加速エネルギーの選定と殆ど独立に、高密度プラズマ発生手段６によってプラズマエネルギーの制御を行うことができて目的に応じた最適のイオン加速エネルギーと高密度プラズマ発生を行うことができるものである。したがって、例えばプラズマ処理速度、例えばエッチング速度の選定、異方性エッチングの異方性を高めることができるなどのエッチング条件の選定の自由度が大となる。」（【００１６】−【００１７】）
　
（２ｃ）「また、本発明方法によれば、選択的エッチング作業において、本発明装置を用いることによって、ＭＲＩＥモードによる第１のエッチング→デポジション・モードによるデポジション→ＭＲＩＥモードによる第２のエッチング・モードを順次行うことによって、例えば第１のエッチングで目的とする深さのいわゆるジャストエッチングを行い、その後デポジション動作によって、そのエッチングによって生じた側面にエッチングの保護膜を被着させ、その後第２のエッチングによって充分なエッチングいわゆるオーバーエッチングを行うことができるので、サイドエッチングを回避した垂直性に優れた確実な選択的エッチングを行うことができる。」（【００２１】）
　
（２ｄ）「【実施例】図１を参照して本発明装置の一例を詳細に説明する。本発明装置は、平行平板型構成をとるものであり、チャンバー５内に被処理体１の載置台２に陰極７が配置され、これに対向して対向電極３すなわち陽極が配置される。」（【００２２】）
　
（２ｅ）「チャンバー５は、例えば円筒状のＡｌ容器の内周に円筒状絶縁体１０が配置された構成を有する。この絶縁体１０は、これがスパッタリングされたときに、被処理体１に対してその電気的特性に悪い影響を与えることのない石英ガラス、アルミナ等によって構成される。」（【００２５】）
　
（２ｆ）「この高密度プラズマ発生手段６は、チャンバー５の絶縁体１０内に配置された円筒状のマグネトロン電極１１と、この電極１１の軸心方向に沿う磁力線Ｈを発生させるコイルがチャンバー５の外周に巻回配置され磁界発生用電磁石１２とより構成され、マグネトロン電極１１に低周波または高周波電源１３から低周波または高周波を印加して、これによりチャンバー５の内壁面近傍にセルフバイアスすなわち電位ドロップを発生させるようにする。・・・そして、多数の透孔が穿設されてなる例えば石英板からなるガス分散板１６を介して、プラズマ発生部Ｓ1に、プロセスガス供給口１７からプロセスガスを分散供給する。」（【００２７】−【００３０】）
　
（２ｇ）「実施例１
　この例では、被処理体１が、Ｓｉウエーハで、これの上に形成された厚さ４０ｎｍのＳｉＯ2 より成る絶縁層２２上に形成した配線層２７を所定のパターンにエッチングして配線パターンの形成を行う場合である。配線層２７は、厚さ５ｎｍのＴｉ層２３と厚さ１０ｎｍのＴｉＮ層２４とよりなる下地層上にＡｌ−Ｓｉが１μｍの厚さに形成され、厚さ５ｎｍの表面層２７が形成されている。この配線層２７上に、フォトレジスト２８を目的とする配線パターンのパターンに、周知の方法によって形成する（図３Ａ）。このウエーハすなわち被処理体１を、図１で説明した本発明装置のチャンバー５内の載置台２上に配置して、これの上に形成したフォトレジスト２８をエッチングレジストとしてを用いて例えばプロセスガスとしてＣｌ2 のエッチングガスを供給し，表１で示したＭＲＩＥモード動作によって第１のエッチングを行って配線パターン２９を形成する。このときのエッチングは、オーバーエッチングを避け、配線層２７が丁度エッチングされた程度のいわゆるジャストエッチングでそのエッチングを停止する（図３Ｂ）。続いて、大気にさらすことなく、同一装置内で、プロセスガスをＡｒに変えて表１に基づくデポジション・モードの動作を行う。このようにすると、チャンバー１の内壁の絶縁体１０がスパッタリングされ、配線パターン２９の外部に露出する側面に絶縁被膜による保護膜３０がデポジットされる（図３Ｃ）。この場合、他のデポジション原料ガスの供給によって保護膜３０を形成することもできる。更に続いて、大気にさらすことなく、同一装置内で、上述したと同様のＭＲＩＥモード動作によって第２のエッチングによるオーバーエッチングを行う（図３Ｄ）。・・・この本発明方法によれば、第２のエッチングによるオーバーエッチングに際しては、配線パターン２９の側面には絶縁性保護膜３０が被着されていることによって配線パターンに細りが生じる不都合が回避される。」（【００３９】−【００４６】）
　
（２ｈ）図１は、引用例２に記載された発明装置の一例の断面図であって、同図から、陰極７と対向電極３（陽極）によって上下を、マグネトロン電極１１によって側面を囲まれた領域に、分散供給されたプロセスガスにより、プラズマが、生成されることを読み取ることができる。
　
　引用例２の上記摘記（２ａ）−（２ｈ）の記載をまとめると、引用例２には、
「被処理体１であるＳｉウエーハの上に形成された厚さ４０ｎｍのＳｉＯ2より成る絶縁層２２上に形成した配線層２７を所定のパターンにエッチングして配線パターンを形成するために、ＭＲＩＥモードによる第１のエッチング→デポジション・モードによるデポジション→ＭＲＩＥモードによる第２のエッチング・モードを順次行い、サイドエッチングを回避した垂直性に優れた確実な選択的エッチングを行うプラズマ処理装置であって、
　チャンバーと、
　スパッタリングされたときに、被処理体１に対してその電気的特性に悪い影響を与えることのない石英ガラス等によって構成される絶縁体１０内に配置された円筒状のマグネトロン電極１１と、
　陰極７と、
を有し、プラズマが、陰極７と対向電極３（陽極）によって上下を、マグネトロン電極１１によって側面を囲まれた領域に、分散供給されたプロセスガスにより生成され、
　チャンバー１の内壁の絶縁体１０がスパッタリングされ、配線パターン２９の外部に露出する側面に絶縁被膜による保護膜３０がデポジットされることによって、第２のエッチングによるオーバーエッチングに際しては、配線パターン２９の側面に絶縁性保護膜３０が被着されていることによって配線パターンに細りが生じる不都合を回避し、
　マグネトロン電極１１に高周波を印加する高周波電源１３とを有し、
　イオンの加速エネルギーの選定と殆ど独立に、マグネトロン電極１１と磁界発生用電磁石１２とより構成される高密度プラズマ発生手段６によってプラズマエネルギーの制御を行い、目的に応じた最適のイオン加速エネルギーと高密度プラズマ発生を行うことで、異方性エッチングの異方性を高めることができるなどのエッチング条件の選定の自由度を大となすプラズマ処理装置。」
の発明（以下、「引用例発明」が記載されているといえる。
　
（３−２）対比・判断
　引用例発明と、本願発明１とを対比する。
（ａ）本願発明１は「ウエハ」をエッチングするためのプラズマエッチングリアクタに関する発明である。
　一方、本願の明細書には以下のように記載されている。
（ａ−１）「図１及び図２の実施例について、本発明は低圧(３−５ミリトール)で、高いプラズマ密度(ウェーハー位置で１０11ｃｍ3)と低いイオンエネルギー(１５乃至３０電子ボルト以下)を持つプラズマを含んだ磁界を意図している。・・・低圧では、しかしながら、速いエッチング速度を維持する目的で、エッチング中の半導体ウェーハー上のフィルムと反応するプラズマ粒子の数を増やすためには、ウェーハー位置でプラズマ密度が高くなければならない。」（本願の公表特許公報第２１頁第１０−２４行）
（ａ−２）「エッチング中、エッチング剤の気体が、例えば酸化層の上に蒸着されているポリシリコンを選択的にエッチングで取り除くために使用される。」（本願の公表特許公報第２３頁第１１−１３行）
（ａ−３）「別の例では、半導体ウェーハーはポリシリコン層上に蒸着されているタングステンシリサイド(ＷＳｉ2)を含んでおり、そのポリシリコン層は酸化物基板上に蒸着されている。」（本願の公表特許公報第２４頁第４−６行）
　そして、上記（ａ−１）−（ａ−３）の記載を参酌すれば、本願発明１における「ウエハ」は、半導体ウェーハそのものだけを意味しているのではなく、表面にポリシリコン等の他の材料層（フィルム）を蒸着等した半導体ウェーハをも含む意味合いで使用されているものと解することが相当であるといえる。
　してみれば、引用例発明の「被処理体１であるＳｉウエーハの上に形成された厚さ４０ｎｍのＳｉＯ2より成る絶縁層２２上に形成した配線層２７を所定のパターンにエッチング」することは、本願発明１の「ウエハをエッチングする」ことに相当するといえる。
　
（ｂ）引用例発明の「プラズマ処理装置」、「チャンバー」、「円筒状のマグネトロン電極１１」、「陰極７」は、それぞれ本願発明１の「プラズマエッチングリアクタ」、「リアクタチャンバ」、「第１電極」、「第２電極」に相当する。
　
（ｃ）本願発明１は「プラズマが前記第１電極と第２電極間のプロセスガスにより生成され」るものである。
　一方、本願の明細書には、次のように記載されている。
「図面を参照すると、そして特に図１に限定すると、本発明によるプラズマエッチングリアクタ２０の実施例の側断面が示されている。・・・リアクタ２０は、接地された上方電極２４、側辺電極２６、及び底部電極２８により境界区分されたリアクタチャンバ２２を含んでいる。」（本願の公表特許公報第１７頁第１２−１７行）
　また、本願の図１からは、プラズマが、本願発明１の第２電極に相当する底部電極２８と上方電極２４によって上下を、また、本願発明１の第１電極に相当する側辺電極２６によって側面を囲まれた領域に、供給されたプロセスガスにより生成されることを読み取ることができる。
　してみれば、少なくとも本願の図１に記載された電極の配置によってプラズマが生成される場合は、本願発明１の「プラズマが前記第１電極と第２電極間のプロセスガスにより生成され」るという要件を満たしているということができるものと解される。
　他方、引用例発明は「プラズマが、陰極７と対向電極３（陽極）によって上下を、マグネトロン電極１１によって側面を囲まれた領域に、分散供給されたプロセスガスにより生成され」るものである。
　してみれば、引用例発明は「プラズマがマグネトロン電極１１と陰極７間のプロセスガスにより生成され」る発明であるといえる。
　したがって、引用例発明は、本願発明１の「プラズマが前記第１電極と第２電極間のプロセスガスにより生成され」に相当する構成を具備しているといえる。
　
（ｄ）引用例発明の「配線パターン２９の外部に露出する側面」は、本願発明１の「ウエハ上の垂直表面」に相当する。また、引用例発明の「チャンバー１の内壁の絶縁体１０がスパッタリングされ、配線パターン２９の外部に露出する側面にデポジットされた、絶縁被膜による保護膜３０」は、「第２のエッチングによるオーバーエッチングに際しては、配線パターンに細りが生じる不都合を回避」して、垂直性に優れた確実な選択的エッチングを行うのに資するのであるから、本願発明１の「異方性エッチングを増強するために、前記ウエハ上の垂直表面を不動態化する」ものに相当するといえる。
　さらに、本願明細書の「例として揚げると、固体ソース５０は、例えば、無線周波数励起イオンによる衝撃に際して、固体ソースからリアクタチャンバ内へとシリコンと酸素の気体イオンを出す二酸化ケイ素(ＳｉＯ2)すなわち石英のような誘電体材料から成る。」（本願の公表特許公報第２２頁第９−１２行）、「例を揚げると、二酸化ケイ素の固体ソースが使用されるなら、二酸化ケイ素からの気体種のスパッターが半導体ウェーハー上の垂直面を不動態化し、その面がガス性のエッチング剤によりアンダーカットされないようにするので、増大した衝撃が異方性エッチングの性能を向上させることになる。」（本願の公表特許公報第２３頁第５−９行）等の記載を参酌すれば、引用例発明の「スパッタリングされたときに、被処理体１に対してその電気的特性に悪い影響を与えることのない石英ガラス等によって構成される絶縁体１０」は、本願発明１の「気体種の固体ソース」に相当するといえる。
　
　すると、本願発明１と、引用例発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
　ウエハをエッチングするためのプラズマエッチングリアクタであって、
　リアクタチャンバと、
　第１電極と、
　第２電極と、
を有し、プラズマが前記第１電極と第２電極間のプロセスガスにより生成され、
　異方性エッチングを増強するために、前記ウエハ上の垂直表面を不動態化する気体種の固体ソースを備え、前記固体ソースは前記第１電極を覆い、
　前記第１電極に接続された高周波電源と、
を有することを特徴とするプラズマエッチングリアクタ。
　
　一方で、両者は、次の点で一応相違する。
＜一応の相違点＞
　本願発明１は「前記固体ソースからの気体種の発生速度を制御するために、前記高周波電源によって前記第１電極に供給される電力を制御する制御装置」を有するのに対して、引用例発明は「イオンの加速エネルギーの選定と殆ど独立に、マグネトロン電極１１と磁界発生用電磁石１２とより構成される高密度プラズマ発生手段６によってプラズマエネルギーの制御を行い、目的に応じた最適のイオン加速エネルギーと高密度プラズマ発生を行うことで、異方性エッチングの異方性を高めることができるなどのエッチング条件の選定の自由度を大となす」ものではあるが、該プラズマエネルギーの制御を行うための具体的な機構については明記されていない点。
　
　そこで、前記一応の相違点について検討する。
　引用例２の上記摘記（２ａ）、（２ｅ）、（２ｆ）、（２ｇ）の記載を総合すれば、マグネトロン電極１１と磁界発生用電磁石１２とより構成される高密度プラズマ発生手段６によって、高密度プラズマが生成され、当該プラズマが円筒状絶縁体１０をスパッタリングし、その結果、配線パターン２９の外部に露出する側面に絶縁被膜による保護膜３０がデポジットされ、その保護膜が配線パターンに細りが生じる不都合を回避させることが理解できる。
　してみれば、引用例発明において、高密度プラズマ発生手段６を独立して制御することは、本願発明１の「前記固体ソースからの気体種の発生速度を制御する」ことに相当するといえる。そして、「マグネトロン電極１１と磁界発生用電磁石１２とより構成される高密度プラズマ発生手段６によってプラズマエネルギーの制御を行」うことは、高密度プラズマ発生手段に供給する電力を制御することに外ならないから、当業者であれば、引用例発明が、マグネトロン電極に供給される電力を制御する制御装置を備えていることを理解することができるものと認められる。
　したがって、引用例発明は、本願発明の「前記固体ソースからの気体種の発生速度を制御するために、前記高周波電源によって前記第１電極に供給される電力を制御する制御装置」に相当する構成を備えているものといえる。
　
　以上によれば、本願発明１と、引用例発明とは、本願発明１を構成する要件の全てにおいて一致するから、本願発明１は引用例２に記載された発明である。
　
　また、仮に、引用例発明が、本願発明１の「固体ソースからの気体種の発生速度を制御するために、前記高周波電源によって前記第１電極に供給される電力を制御する制御装置」を具備していると認めることができなかったとしても、プラズマ処理装置において、各電極に供給される電力を互いに独立して制御することによって、作業をより精密に調整することは周知の技術であるから、引用例発明の「マグネトロン電極１１と磁界発生用電磁石１２とより構成される高密度プラズマ発生手段６によってプラズマエネルギーの制御を行」うために、引用例発明のマグネトロン電極に供給される電力を制御する「制御装置」を付加することは当業者が容易になし得たことであり、また、このような構成を採用した事による効果も格別なものではないから、本願発明１は、引用例２に記載された発明と周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　周知技術：特開平５−２０６０７３号公報（本願に対する平成１８年９月１日付けの拒絶理由通知書で引用した引用文献１）
（周ａ）「【請求項１】　異方性プラズマエッチング処理を少なくともウェハホルダ（４）及びこのウェハホルダ（４）を環状に囲む環状電極（１０）を有するエッチング反応器（１）内で行い、またその反応器にウェハホルダ（４）及び環状電極（１０）を介して周波数の異なる２つのＲＦ電力が互いに独立して印加され、　構造化すべき層の材料とは異なる材料からなる少なくとも１つの下部層及び構造化すべき層を含んでいる層構造（８）を有する基板（７）がエッチング反応器（１）内に装入され、エッチング反応器（１）内に下部層の材料を含むターゲット（１４）が備えられ、ＲＦ電力を環状電極（１０）で上記材料がターゲット（１４）からスパッタリングされるように調整するとともに、この材料がエッチング処理中に露出される下部層の表面上にエッチング処理により主として下部層が作用を受けるように堆積するように調整することを特徴とする層の構造化方法。」（特許請求の範囲）
（周ｂ）「エッチング室１にはウェハホルダ４が配設されている。ウェハホルダ４はリード線５を介して１００ｋＨｚの発電機６と接続されている。・・・ウェハホルダ４に対向してエッチング室１内には接地されている電極９が配設されている。更にエッチング室１内には環状電極１０が配設されている。環状電極１０は電極９とウェハホルダ４との間の空間を環状に囲んでいる。・・・環状電極１０はリード線１２を介して１３．５６ＭＨｚの発電機１３と接続されている。・・・石英カバー１４はエッチング室１内でターゲットの役目をする。エッチング室１の作動中に、すなわち１３．５６ＭＨｚの発電機１３及び１００ｋＨｚの発電機６の投入時に石英カバー１４はスパッタリングにより削除されることになる。１３．５６ＭＨｚの発電機１３及び１００ｋＨｚの発電機６のＲＦ電力は互いに独立して調整可能である。１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を高めることにより石英カバー１４のスパッタリング削除は高められる。それにより基板７上の層構造８内の下部層の露出表面上にＳｉＯ2 の堆積物が増大する。これに対して１００ｋＨｚのＲＦ電力を減ずることは基板７上に配設される層構造に対するエッチング作用を減少させることになる。このようにして１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力及び１００ｋＨｚのＲＦ電力は基板上にＳｉＯ2 の析出及びＳｉＯ2に対するエッチング作用の均衡を保つように調整される。」（【００２１】−【００２５】）
　
　なお、審判請求人は、平成１９年３月２日付けの意見書において、「引用文献２は、固体ソースを用いていないプラズマエッチングリアクタを開示しているにすぎないので、本願発明とは明らかに相違するものである。」と主張するが、引用例２の「石英ガラスによって構成される円筒状絶縁体１０」が、本願発明１の「固体ソース」に相当すると認められるから、審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
（３−３）むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例２に記載された発明であるか、もしくは、引用例２に記載された発明と周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。