【事件の表示】
　特願２００１−３５８７５１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月　６日出願公開、特開２００３−１６２７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成１３年１１月２６日の出願であって、平成１６年１１月２日付けで手続補正がなされ、平成１８年７月２４日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月２日付けで手続補正がなされ、平成１９年４月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１７日に審判請求がなされるとともに同年６月１８日付けで手続補正がなされたものである。そして、平成２０年６月１１日付けで審査官から前置報告がなされ、平成２１年５月１日付けで当審より審尋がなされたものである。
　 
第２．平成１９年６月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１９年６月１８日付けの手続補正を却下する。 
　 
［理由］ 
１．補正の内容
　平成１９年６月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容は、
　平成１８年１０月２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の記載
「【請求項１】　半導体チップが搭載された第１の主面とその反対側の第２の主面とを備えた配線基板を有する半導体装置であって、
　前記配線基板の第１の主面に設けられた第１の端子部と、
　前記配線基板の第２の主面に設けられた第２の端子部と、
　前記第１の端子部と前記半導体チップの表面電極とを接続するワイヤと、
　前記第１の主面上に設けられ、前記半導体チップ、前記ワイヤおよび前記第１の端子部を封止する樹脂封止部とを有し、
　前記第１の端子部の表面には第１の金属めっきが形成されており、
　前記第２の端子部は、前記第１の金属めっきおよび前記第１の金属めっき上に形成された第２の金属めっきを有し、
　前記第２の端子部の表面には前記第２の金属めっきが形成されており、
　前記第２の金属めっきの硬度は前記第１の金属めっきの硬度より高く、
　前記第２の端子部の前記第２の金属めっきの硬度が、前記第２の端子部と接触するソケットの端子の表面の金属めっきと同じかまたはそれ以上であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】　第１の主面と、前記第１の主面に反対側の第２の主面と、前記第１の主面に設けられた第１の端子部と、前記第２の主面に設けられた第２の端子部とを備えた配線基板と、
　前記配線基板の第１の主面上に搭載され、その表面に電極パッドを有する半導体チップと、
　一端が前記半導体チップの電極パッドに接続され、他端が前記第１の端子部に接続されたワイヤと、
　前記第１の主面上に設けられ、前記半導体チップ、前記ワイヤおよび前記第１の端子部を封止する樹脂封止部とを有し、
　前記第１の端子部の表面には第１の金属めっきが形成されており、
　前記第２の端子部は、前記第１の金属めっきおよび前記第１の金属めっき上に形成された第２の金属めっきを有し、
　前記第２の端子部の表面には前記第２の金属めっきが形成されており、
　前記第２の金属めっきの硬度が、前記第１の金属めっきの硬度より高いことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】　請求項１または２記載の半導体装置において、前記第１および第２の金属めっきは、金めっきであり、前記第１の金属めっきの金の純度は、前記第２の金属めっきの金の純度より高いことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項４】　請求項３記載の半導体装置において、前記第１の金属めっきの金の純度は、９９．９９％以上であり、前記第２の金属めっきの金の純度は、９９．８〜９９．９％の範囲であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項５】　請求項３または４記載の半導体装置において、前記第１および第２の金属めっきは、金めっきであり、前記第１の金属めっきのビッカース硬さは、１００（Ｈｖ）程度であり、前記第２の金属めっきのビッカース硬さは、１８０〜２００（Ｈｖ）の範囲であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項６】　請求項３，４または５記載の半導体装置において、前記ワイヤは、金ワイヤであることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項７】　請求項３，４または５記載の半導体装置において、前記第１および第２の端子部は、Ｃｕ箔と、前記Ｃｕ箔上に形成されたＮｉめっきとを有し、前記第１および第２の金属めっきは、前記Ｎｉめっき上にそれぞれ形成されていることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項８】　請求項１，２，３，４，５，６または７記載の半導体装置において、前記半導体チップは、メモリを内蔵し、前記第２の端子部は、メモリカード装着用のカードコネクタの接続端子に接続するための端子であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項９】　請求項１，２，３，４，５，６，７または８記載の半導体装置において、前記半導体装置は、更に、前記第１の主面と前記樹脂封止部とを覆うキャップを有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項１０】　請求項１，２，３，４，５，６，７，８または９記載の半導体装置において、前記第１の端子部の第１の金属めっきと前記第２の端子部の第１の金属めっきは、同工程で形成されていることを特徴とする半導体装置。」（以下、この特許請求の範囲に記載された請求項を「補正前の請求項」という。）を、
　
「【請求項１】　フラッシュメモリチップが搭載された第１の主面とその反対側の第２の主面とを備えた配線基板を有するメモリカードであって、
　前記配線基板の第１の主面に設けられた第１の端子部と、
　前記配線基板の第２の主面に設けられた第２の端子部と、
　前記第１の端子部と前記フラッシュメモリチップの表面電極とを接続するワイヤと、
　前記第１の主面上に設けられ、前記フラッシュメモリチップ、前記ワイヤおよび前記第１の端子部を封止する樹脂封止部とを有し、
　前記第１の端子部の表面には第１の金属めっきが形成されており、
　前記第２の端子部は、前記第１の金属めっきおよび前記第１の金属めっき上に形成された第２の金属めっきを有し、
　前記第２の端子部の表面には前記第２の金属めっきが形成されており、
　前記第２の金属めっきの硬度は前記第１の金属めっきの硬度より高く、
　前記第２の端子部の前記第２の金属めっきの硬度が、前記第２の端子部と接触する前記メモリカード装着用ソケットの接続端子の表面の金属めっきと同じかまたはそれ以上であることを特徴とするメモリカード。
　　【請求項２】　第１の主面と、前記第１の主面に反対側の第２の主面と、前記第１の主面に設けられた第１の端子部と、前記第２の主面に設けられた第２の端子部とを備えた配線基板と、
　前記配線基板の第１の主面上に搭載され、その表面に電極パッドを有するフラッシュメモリチップと、
　一端が前記フラッシュメモリチップの電極パッドに接続され、他端が前記第１の端子部に接続されたワイヤと、
　前記第１の主面上に設けられ、前記フラッシュメモリチップ、前記ワイヤおよび前記第１の端子部を封止する樹脂封止部とを有するメモリカードであって、
　前記第１の端子部の表面には第１の金属めっきが形成されており、
　前記第２の端子部は、前記第１の金属めっきおよび前記第１の金属めっき上に形成された第２の金属めっきを有し、
　前記第２の端子部の表面には前記第２の金属めっきが形成されており、
　前記第２の金属めっきの硬度が、前記第１の金属めっきの硬度より高く、
　前記第２の端子部の前記第２の金属めっきの硬度が、前記第２の端子部と接触する前記メモリカード装着用ソケットの接続端子の表面の金属めっきと同じかまたはそれ以上であることを特徴とするメモリカード。
　　【請求項３】　請求項１または２記載のメモリカードにおいて、前記第１および第２の金属めっきは、金めっきであり、前記第１の金属めっきの金の純度は、前記第２の金属めっきの金の純度より高いことを特徴とするメモリカード。
　　【請求項４】　請求項３記載のメモリカードにおいて、前記第１の金属めっきの金の純度は、９9.９９％以上であり、前記第２の金属めっきの金の純度は、９9.８〜９9.９％の範囲であることを特徴とするメモリカード。
　　【請求項５】　請求項３または４記載のメモリカードにおいて、前記第１および第２の金属めっきは、金めっきであり、前記第１の金属めっきのビッカース硬さは、１００（Ｈｖ）程度であり、前記第２の金属めっきのビッカース硬さは、１８０〜２００（Ｈｖ）の範囲であることを特徴とするメモリカード。
　　【請求項６】　請求項３，４または５記載のメモリカードにおいて、前記ワイヤは、金ワイヤであることを特徴とするメモリカード。
　　【請求項７】　請求項３，４または５記載のメモリカードにおいて、前記第１および第２の端子部は、Ｃｕ箔と、前記Ｃｕ箔上に形成されたＮｉめっきとを有し、前記第１および第２の金属めっきは、前記Ｎｉめっき上にそれぞれ形成されていることを特徴とするメモリカード。
　　【請求項８】　請求項１，２，３，４，５，６または７記載のメモリカードにおいて、前記メモリカードは、更に、前記第１の主面と前記樹脂封止部とを覆うキャップを有することを特徴とするメモリカード。
　　【請求項９】　請求項１，２，３，４，５，６，７または８記載のメモリカードにおいて、前記第１の端子部の第１の金属めっきと前記第２の端子部の第１の金属めっきは、同工程で形成されていることを特徴とするメモリカード。」（以下、この特許請求の範囲に記載された請求項を「補正後の請求項」という。）
　に補正するものである。
　 
２．補正の適否
２−１．新規事項の有無、補正の目的要件 
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされており、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして、本件補正は、補正前の請求項８を削除するとともに、補正後の請求項１〜９は、補正前の請求項１〜７、９及び１０についてそれぞれなされた補正であって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるもの）を目的とするものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。 
　
２−２．独立特許要件  
　補正前の請求項１についてなされた補正は、特許法１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とすることから、補正前の請求項１についてする補正、すなわち補正後の請求項１（以下「補正後の発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）以下に検討する。 
　
（１）補正後の発明
　前記補正前の請求項１についてする補正により、補正後の発明は、前記「１．補正の内容」の「補正後の請求項１」に記載された以下のものと認められる。
　
　「フラッシュメモリチップが搭載された第１の主面とその反対側の第２の主面とを備えた配線基板を有するメモリカードであって、
　前記配線基板の第１の主面に設けられた第１の端子部と、
　前記配線基板の第２の主面に設けられた第２の端子部と、
　前記第１の端子部と前記フラッシュメモリチップの表面電極とを接続するワイヤと、
　前記第１の主面上に設けられ、前記フラッシュメモリチップ、前記ワイヤおよび前記第１の端子部を封止する樹脂封止部とを有し、
　前記第１の端子部の表面には第１の金属めっきが形成されており、
　前記第２の端子部は、前記第１の金属めっきおよび前記第１の金属めっき上に形成された第２の金属めっきを有し、
　前記第２の端子部の表面には前記第２の金属めっきが形成されており、
　前記第２の金属めっきの硬度は前記第１の金属めっきの硬度より高く、
　前記第２の端子部の前記第２の金属めっきの硬度が、前記第２の端子部と接触する前記メモリカード装着用ソケットの接続端子の表面の金属めっきと同じかまたはそれ以上であることを特徴とするメモリカード。」
　
（２）引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−７３７３７号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　 
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリーＩＣをＣＯＢ実装によって搭載したカードエッジメモリーカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、接続端子の金メッキは、ボンディング端子の金メッキと同様に軟質金メッキを使用したカードエッジメモリーカードが知られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のカードエッジメモリーカードでは、接続端子部も軟質金メッキのため、機器本体と電気的接続をとるコネクターとの挿抜を繰り返し行なわれると、接続端子の金メッキが容易に剥離し、コネクターとの電気的接続が不安定になるという問題点を有していた。
【０００４】そこで、本発明は、従来のこのような問題点を解決するため接続端子に硬質金メッキを使用したことを特徴とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のカードエッジメモリーカードは、ＣＯＢ実装部のボンディング端子に軟質金メッキ、接続端子に硬質金メッキを使用したことを特徴とする。」
　
（イ）「【０００７】図１は、本発明のカードエッジメモリーカードの構成を示す斜視図である。１は、金属板であり、カード平面部に配置され、その表面には、デザイン等が描かれ化粧板として使用される。２は、カード外形を形成するプラスチックフレームであり、３の回路ブロックに接着固定される。３の回路ブロックは、３１の回路基板上に３２のメモリーＩＣがＣＯＢ方式により実装されている。
【０００８】図２は、図１の、３の回路ブロックのＡ−Ａ’断面図であり、ＣＯＢ実装方式を示す詳細図である。３２１はメモリーＩＣチップであり、３１の基板の基材３１２の上に接着される。３２２は、ボンディングワイヤー線であり、３２１のメモリーＩＣと基板３１の銅箔パターン３１１との電気的接続をとるものである。３２３は、３２１のメモリーＩＣチップと３２２のボンディングワイヤー線を保護するモールド材である。３１１の銅箔パターンと、３２２のボンディングワイヤー線が接続される銅箔パターン上のＡ部には、３２２のボンディングワイヤー線の接続を良好にするため、軟質金がメッキされている。」
　
（ウ）「【００１０】
【発明の効果】  以上説明したように、本発明によれば、ＣＯＢ実装方式を採用したカードエッジメモリーカードの接続端子を硬質金メッキにすることにより機器本体のコネクターとの挿抜による金メッキ剥離が防止され、安定した電気接続が実現される。」
　
　上記（ア）の段落【０００１】における記載「本発明は、メモリーＩＣをＣＯＢ実装によって搭載したカードエッジメモリーカードに関する。」、（イ）の段落【０００７】における記載「３の回路ブロックは、３１の回路基板上に３２のメモリーＩＣがＣＯＢ方式により実装されている。」からすると、引用文献には、メモリーＩＣが搭載された面（以下「第１の面」と言う）とその反対側の面（以下「第２の面」と言う）とを備えた回路基板を有するカードエッジメモリーカードに関する発明が記載されていると解される。
　
　（ア）の段落【０００５】における記載「本発明のカードエッジメモリーカードは、ＣＯＢ実装部のボンディング端子に軟質金メッキ、接続端子に硬質金メッキを使用したことを特徴とする。」、及び（イ）の段落【０００８】における記載「図２は、図１の、３の回路ブロックのＡ−Ａ’断面図であり、ＣＯＢ実装方式を示す詳細図である。３２１はメモリーＩＣチップであり、３１の基板の基材３１２の上に接着される。３２２は、ボンディングワイヤー線であり、３２１のメモリーＩＣと基板３１の銅箔パターン３１１との電気的接続をとるものである。３２３は、３２１のメモリーＩＣチップと３２２のボンディングワイヤー線を保護するモールド材である。」からすると、前記回路基板は、前記第１の面に設けられたボンディング端子と、前記回路基板の第１の面に設けられた接続端子と、前記ボンディング端子と前記メモリーＩＣの表面電極とを接続するボンディングワイヤー線と、前記第１の面上に設けられ、前記メモリーＩＣ、前記ボンディングワイヤー線および前記ボンディング端子をモールディングするモールド材とを有していると解される。
　（ア）の段落【０００５】における記載「本発明のカードエッジメモリーカードは、ＣＯＢ実装部のボンディング端子に軟質金メッキ、接続端子に硬質金メッキを使用したことを特徴とする。」からすると、前記ボンディング端子の表面には軟質金メッキが形成されており、前記接続端子は、硬質金メッキを有し、前記接続端子の表面には前記硬質金メッキが形成されていると解される。
　なお、前記硬質金メッキの硬度が前記軟質金メッキの硬度より高いことは、当業者にとって自明である。
　（ウ）の段落【００１０】における記載「本発明によれば、ＣＯＢ実装方式を採用したカードエッジメモリーカードの接続端子を硬質金メッキにすることにより機器本体のコネクターとの挿抜による金メッキ剥離が防止され、安定した電気接続が実現される。」及び、コネクタが前記接続端子と接触する接続端子を有することは、当業者にとって自明であることからすると、前記接続端子の前記硬質金メッキの硬度は、前記接続端子と接触する前記カードエッジメモリーカード装着用コネクタの接続端子との挿抜による金メッキ剥離を防止し、安定した電気接続を実現するようにされていると解される。
　
　したがって、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
　メモリーＩＣが搭載された第１の面とその反対側の第２の面とを備えた回路基板を有するカードエッジメモリーカードであって、
　前記回路基板の第１の面に設けられたボンディング端子と、
　前記回路基板の第１の面に設けられた接続端子と、
　前記ボンディング端子と前記メモリーＩＣの表面電極とを接続するボンディングワイヤー線と、
　前記第１の面上に設けられ、前記メモリーＩＣ、前記ボンディングワイヤー線および前記ボンディング端子をモールディングするモールド材とを有し、
　前記ボンディング端子の表面には軟質金メッキが形成されており、
　前記接続端子は、硬質金メッキを有し、
　前記接続端子の表面には前記硬質金メッキが形成されており、
　前記硬質金メッキの硬度は前記軟質金メッキの硬度より高く、
　前記接続端子の前記硬質金メッキの硬度が、前記接続端子と接触する前記カードエッジメモリーカード装着用コネクタの接続端子との挿抜による金メッキ剥離を防止し、安定した電気接続を実現するようにされていることを特徴とするカードエッジメモリーカード。
　 
（３）対比 
　ここで、補正後の発明と引用発明とを比較する。 
　引用発明の「第１の面」、「第２の面」、「回路基板」、及び「カードエッジメモリーカード」は、それぞれ、補正後の発明の「第１の主面」、「第２の主面」、「配線基板」及び「メモリカード」に相当する。
　引用発明の「ボンディング端子」、「接続端子」、「ボンディングワイヤー線」、「モールディング」、及び「モールド材」は、それぞれ、補正後の発明の「第１の端子部」、「第２の端子部」、「ワイヤ」、「封止」、及び「樹脂封止部」に相当する。
　引用発明の「軟質金メッキ」、「硬質金メッキ」、及び「カードエッジメモリーカード装着用コネクタ」は、それぞれ、補正後の発明の「第１の金属めっき」、「第２の金属めっき」、及び「メモリカード装着用ソケット」に相当する。
　
　そして、引用発明の「メモリーＩＣ」と、補正後の発明の「フラッシュメモリチップ」とは、ともに、メモリチップである点で一致する。
　引用発明の「接続端子の前記硬質金メッキの硬度」が、前記接続端子と接触する前記カードエッジメモリーカード装着用コネクタの接続端子との挿抜による金メッキ剥離を防止し、安定した電気接続を実現するようにされていることと、補正後の発明の「第２の端子部の前記第２の金属めっきの硬度」が、前記第２の端子部と接触する前記メモリカード装着用ソケットの接続端子の表面の金属めっきと同じかまたはそれ以上であるようにされていることとは、ともに、第２の端子部の前記第２の金属めっきの硬度が、メモリカード装着用ソケットの接続端子への抜き差しを続けることで前記第２の金属めっきが削れて接触不良を引き起こすことを防止するようにされている点で共通する。
　よって、補正後の発明と引用発明とは、以下の点で一致し、また、相違している。 
　 
（一致点） 
　メモリチップが搭載された第１の主面とその反対側の第２の主面とを備えた配線基板を有するメモリカードであって、
　前記配線基板の第１の主面に設けられた第１の端子部と、
　前記配線基板に設けられた第２の端子部と、
　前記第１の端子部と前記メモリチップの表面電極とを接続するワイヤと、
　前記第１の主面上に設けられ、前記メモリチップ、前記ワイヤおよび前記第１の端子部を封止する樹脂封止部とを有し、
　前記第１の端子部の表面には第１の金属めっきが形成されており、
　前記第２の端子部は、第２の金属めっきを有し、
　前記第２の端子部の表面には前記第２の金属めっきが形成されており、
　前記第２の金属めっきの硬度は前記第１の金属めっきの硬度より高く、
　前記第２の端子部の前記第２の金属めっきの硬度が、前記第２の端子部と接触する前記メモリカード装着用ソケットの接続端子への抜き差しを続けることで前記第２の金属めっきが削れて接触不良を引き起こすことを防止するようにされていることを特徴とするメモリカード。
　
（相違点１）
　「メモリチップ」について、補正後の発明は「フラッシュメモリチップ」であるのに対して、引用発明は「メモリーＩＣ」である点。
　
（相違点２）
　補正後の発明の「第２の端子部」は、フラッシュメモリチップが搭載された第１の主面とその反対側の第２の主面に設けられているのに対して、引用発明の「接続端子」は、メモリーＩＣが搭載された第１の面に設けられている点。
　
（相違点３）
　補正後の発明の「第２の端子部」は、第１の金属めっきおよび前記第１の金属めっき上に形成された第２の金属めっきを有しているのに対して、引用発明の「接続端子」は、軟質金メッキおよび前記軟質金メッキ上に形成された硬質金メッキを有するものでない点。
　
（相違点４）
  補正後の発明の「第２の端子部の第２の金属めっきの硬度」が、前記第２の端子部と接触するメモリカード装着用ソケットの接続端子の表面の金属めっきと同じかまたはそれ以上であるのに対して、引用発明の「接続端子の硬質金メッキの硬度」は、前記接続端子と接触する前記カードエッジメモリーカード装着用コネクタの接続端子との挿抜による金メッキ剥離を防止し、安定した電気接続を実現するようにされている点。
　
（４）判断 
　相違点１について検討する。
　メモリカードにおいて、メモリチップとしてフラッシュメモリチップを搭載することは、当業者にとって常識的・基礎的事項（以下、「常識的・基礎的技術事項１」と言う。）である。（例えば、特開２００１−３１９２１２号公報の段落【０００４】における記載「このメモリカード１００は、樹脂製のカード型保持体１０１を備え、この保持体１０１にはフラッシュメモリチップを有する記憶装置モジュール１０３が埋設され、・・・（後略）」参照。）
　よって、引用発明の「メモリーＩＣ」をフラッシュメモリチップとすることは、当業者であれば、適宜なし得たことである。
　よって、上記相違点１は格別のものではない。
　
　相違点２について検討する。
　メモリカードにおいて、メモリカード装着用ソケットの接続端子と接触する接続端子をメモリチップが搭載された第１の主面とその反対側の第２の面に設けられる構成は、当業者にとって常識的・基礎的事項（以下、「常識的・基礎的技術事項２」と言う。）である。（例えば、特開２００１−３１９２１２号公報の段落【０００４】における記載「保持体１０１にはフラッシュメモリチップを有する記憶装置モジュール１０３が埋設され、その記憶装置モジュール１０３の複数の平面外部電極１０２が該カード型保持体１０１の裏面側に露出されている。」及び段落【００１７】における記載「・・・（前略）・・・前記メモリカードの装着時に該メモリカードの露出電極と接触するソケット電極とを備えたカードソケット・・・（後略）」参照。）
　よって、引用発明の「接続端子」をメモリーＩＣが搭載された第１の面とその反対側の第２の面に設けることは、当業者であれば、適宜なし得たことである。
　よって、上記相違点２は格別のものではない。
　
　相違点３について検討する。
　メモリカードの外部接続端子部を、銅箔層１３ａ、軟質金めっき層、硬質金めっき層とから構成して、外部接続端子の表面に硬質金めっきを施す構成は、当業者にとって常識的・基礎的事項（以下、「常識的・基礎的技術事項３」と言う。）である。（例えば、特開平９−９２９５３号公報の段落【０００２】における記載「従来のＩＣカード等に装着されているＩＣモジュールの一例の構成を示す断面図である。ＩＣモジュール１０は、プリント基板１１と、プリント基板１１上に搭載されたＩＣチップ１２とを有する。プリント基板１１の一方の面上（図中上面）には、外部接続端子部１３が設けられている。外部接続端子部１３は、銅箔層１３ａ、軟質金めっき層１３ｂ、硬質金めっき層１３ｃとから構成されている。・・・（中略）・・・外部接続端子の表面に硬質金めっきを施すのは、端子を介して読み書き装置とのデータの授受を行うからであり、そのための導電性や耐磨耗性が要求されるからである。」参照。）
　よって、引用発明の「接続端子」を軟質金メッキおよび前記軟質金メッキ上に形成された硬質金メッキを有するように構成することは、当業者であれば、適宜なし得たことである。
　よって、上記相違点３は格別のものではない。
　
　相違点４について検討する。
　接続端子と接触する他方の接続端子との挿抜によるメッキ金属の摩耗を防止し、安定した電気接続を実現するために、前記接続端子のメッキ金属の硬度を前記接続端子と接触する他方の接続端子のメッキ金属と同じかまたはそれ以上とする構成は、当業者にとって常識的・基礎的事項（以下、「常識的・基礎的技術事項４」と言う。）である。（例えば、実願平４−８８５６２号（実開平６−４５２６８号）のＣＤ−ＲＯＭの段落【０００９】における記載「コンタクトピンの接触子とコンタクトパッドとが同一硬度の金属である場合には両者は相互に浸食（摩耗）し合うこともあるが、コンタクトピンの接触子とコンタクトパッドとをそれぞれ構成する金属に硬度差を持たせることで、何れか一方の摩耗を防止することができる。また、通常、コンタクトピンの先端やコンタクトパッドにはＡｕ、Ｐｔ／Ｒｈ合金等によるメッキが施される。この場合、コンタクトピンに施されるメッキ金属と、コンタクトパッドに施されるメッキ金属の硬度に差を持たせることで、上記と同様、一方のメッキ金属の摩耗を防止することができる。」参照。）
　よって、引用発明の「接続端子の硬質金メッキの硬度」を前記接続端子と接触する前記カードエッジメモリーカード装着用コネクタの接続端子との挿抜による金メッキ剥離を防止し、安定した電気接続を実現するために、前記接続端子の硬質金メッキの硬度を前記接続端子と接触するカードエッジメモリーカード装着用コネクタの接続端子の表面の金属めっきと同じかまたはそれ以上とすることは、当業者であれば、適宜なし得たことである。
　よって、上記相違点４は格別のものではない。
　
　そして、補正後の発明の構成によってもたらされる効果も、当業者であれば当然に予測可能なものに過ぎず格別なものとは認められない。
　
　したがって、補正後の発明は上記引用発明、及び上記常識的・基礎的技術事項に基づいて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび 
　以上のとおり、補正後の発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定により準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合していないから、前記補正前の請求項１についてする補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について 
　平成１９年６月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１８年１０月２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 
　 
　「半導体チップが搭載された第１の主面とその反対側の第２の主面とを備えた配線基板を有する半導体装置であって、
　前記配線基板の第１の主面に設けられた第１の端子部と、
　前記配線基板の第２の主面に設けられた第２の端子部と、
　前記第１の端子部と前記半導体チップの表面電極とを接続するワイヤと、
　前記第１の主面上に設けられ、前記半導体チップ、前記ワイヤおよび前記第１の端子部を封止する樹脂封止部とを有し、
　前記第１の端子部の表面には第１の金属めっきが形成されており、
　前記第２の端子部は、前記第１の金属めっきおよび前記第１の金属めっき上に形成された第２の金属めっきを有し、
　前記第２の端子部の表面には前記第２の金属めっきが形成されており、
　前記第２の金属めっきの硬度は前記第１の金属めっきの硬度より高く、
　前記第２の端子部の前記第２の金属めっきの硬度が、前記第２の端子部と接触するソケットの端子の表面の金属めっきと同じかまたはそれ以上であることを特徴とする半導体装置。」
　
（１）引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された、引用文献およびその記載事項は、前記「第２．平成１９年６月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「２．補正の適否」の「２−２．独立特許要件」の「（２）引用文献」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断 
　本願発明は、前記「第２．平成１９年６月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「２．補正の適否」の「２−２．独立特許要件」の「（１）補正後の発明」に記載された補正後の発明の発明特定事項「フラッシュメモリチップ」をその上位概念である「半導体チップ」とし、補正後の発明の発明特定事項「メモリカード」をその上位概念である「半導体装置」とし、補正後の発明の発明特定事項「メモリカード装着用ソケットの接続端子」をその上位概念である「ソケットの端子」としたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに特定の構成要件に限定要件を付加したものに相当する補正後の発明が、前記「第２．平成１９年６月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「２．補正の適否」の「２−２．独立特許要件」の「（４）判断」に記載したとおり、引用発明、及び常識的・基礎的技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、及び常識的・基礎的技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
（３）むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。