【事件の表示】
　平成１０年特許願第３０１４９２号「半導体製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　５月１２日出願公開、特開２０００−１３３５９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 ［１］手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月２２日の出願であって、平成１９年６月１２日付けで拒絶理由通知がなされ、同年８月２０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２０年２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、
同年３月２８日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに、同年４月２８日に手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成２０年４月２８日付け手続補正についての補正の却下の決定
＜結論＞
　平成２０年４月２８日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
＜理由＞
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】真空容器で構成され、該真空容器底板には複数の基体載置台が設けられ、該それぞれ１つの基体載置台を取り囲むように、１つの筒が配置され、該筒を昇降させることにより該筒と該真空容器天板または底板間との間隔を可変とし、該基体表面の処理を行うための処理室を構成する該筒内側の空間と、該基体を移送するための搬送室を主要な部分として構成する該筒外側の空間を分離させるための、１つの該筒につき少なくとも１つの筒昇降機構を有し、該搬送室は該間隔を通して該処理室と該搬送室の該基体の移送を行うための基体移送機構を備え、該処理室は処理室ガス導入口と処理室ガス排気口を有し、該搬送室は搬送室ガス導入口と搬送室ガス排気口を有することを特徴とする半導体製造装置。」とする補正を含むものである。
　
（２）補正の目的
　上記補正は、「基体載置台」が複数設けられること、また、「該筒外側の空間」が該基体を移送するための搬送室を主要な部分として構成することを限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件
　そこで、上記補正後の本願請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
（３−１）補正後の本願発明
　補正後の本願請求項１に係る発明は、平成２０年４月２８日付け手続補正
書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める（以下、「補正後の本願発明１」という。）
　
（３−２）引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開昭６３−
１５３２６３号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「この発明は、真空処理装置に関し、とりわけ、半導体製造装置で代表される成膜プロセスに使用される真空処理装置に関するものである。」（第１頁右欄第６−８行）
　
（ｂ）「第４図は従来の真空処理装置を示し、真空処理室（１）とバッファ室（２）が密閉リング（３）で仕切られている。（４）は密閉リング（３）の構成部材である大径ベローズである。密閉リング（３）を昇降させるためのロッド（５）は真空シール用小径ベローズ（６）でシールされている。真空処理室（１）内には上部電極（７）と下部電極（８）が対向配置されている。…複数のロッド（５）は補強リング（１０）で支持され、駆動源（１１）により昇降される。…バッファ室（２）には真空排気孔（１３）、真空処理室（１）には真空排気孔（１４）がそれぞれ設けられている。」（第１頁右欄第１０行−第２頁左上欄第３行）
　
（ｃ）「以上の構成により、まず、密閉リング（３）とバッファ室（２）天井壁とのすき間から被処理物を真空処理室（１）内の下部電極（８）上へ搬入後、密閉リング（３）をバッファ室（２）の天井壁に押付け、真空処理室（１）をバッファ室（１）（「（２）」の誤記）と真空隔離する。ついで上、下電極（７）（８）の間隔を一定値に保つため、下部電極（８）を上部へ移動した後、目的のガスを上部電極（７）から噴出させ、たとえば、ガスをイオン化し被処理物を処理する。」（第２頁左上欄第４−１２行）
　
（ｄ）第４図には、真空容器底板部に下部電極（８）が設けられ、また、密閉リング（３）が上部のリング状部材と下部の大径ベローズ（４）とから構成され、それらが下部電極（８）を取り囲むように設けられる様子が示されている。
　
　上記記載事項（ｃ）によれば、目的のガスが上部電極から噴出されることから、上部電極はガス噴出孔を有しているものと認められ、該上部電極は真空処理室内に設けられるから、真空処理室はガス導入孔を有しているといえる。
　よって、上記記載事項（ａ）−（ｄ）をまとめると、引用刊行物には、
　
「真空容器で構成され、該真空容器底板には被処理物が載置される下部電極が設けられ、該下部電極を取り囲むように、リング状の部材が配置され、該リング状部材を昇降させることにより該リング状部材と該真空容器天井壁との間隔を可変とし、該被処理物表面の処理を行うための処理室を構成する該リング状部材内側の空間と、該被処理物を搬入するためのバッファ室を主要な部分として構成する該リング状部材外側の空間を分離させるための、該リング状部材昇降機構を有し、該処理室はガス導入孔と真空排気孔を有し、該バッファ室は真空排気孔を有する半導体製造装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（３−３）対比・判断
　補正後の本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「被処理物が載置される下部電極」、「搬入」、「バッファ室」、「天井壁」、「ガス導入孔」、「真空排気孔」は、それぞれ、補正後の本願発明１における「基体載置台」、「移送」、「搬送室」、「天板」、「ガス導入口」、「ガス排気口」に相当するから、両者は、
　
「真空容器で構成され、該真空容器底板には基体載置台が設けられ、該基体載置台を取り囲むように、１つの筒が配置され、該筒を昇降させることにより該筒と該真空容器天板間との間隔を可変とし、該基体表面の処理を行うための処理室を構成する該筒内側の空間と、該基体を移送するための搬送室を主要な部分として構成する該筒外側の空間を分離させるための、１つの該筒につき少なくとも１つの筒昇降機構を有し、該処理室は処理室ガス導入口と処理室ガス排気口を有し、該搬送室は搬送室ガス排気口を有することを特徴とする半導体製造装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正後の本願発明１では、基体載置台が複数設けられ、該それぞれ１つの基体載置台を取り囲むように、１つの筒が配置されるのに対して、引用発明では、それが明らかでない点。
　
（相違点２）
　補正後の本願発明１では、該搬送室が基体移送機構を備えるのに対し、引用発明では、それが明らかでない点。
　
（相違点３）
　補正後の本願発明１では、該搬送室はガス導入口を有するのに対し、引用発明では、それが明らかでない点。
　
 そこで、上記相違点について検討する。
・相違点１について
　半導体製造装置として、１つの搬送室の周囲に複数の真空処理室を配するものは周知であり（例えば、特開平４−２５４３４９号公報の【０００１】、【図４】、特開平４−２５１９２１号公報の【０００１】、【図７】には、）半導体製造装置として、１つの搬送室の周囲に複数の真空処理室を配するものが示されている。）、引用発明において、複数の基体載置台を設けるとともに、該それぞれ１つの基体載置台を取り囲むように、１つの筒が配置されるようにすることは当業者が容易になしえたことと認める。
　
・相違点２について
　引用発明の実施にあたり、基体移送機構を設けることは当業者が容易に想到することであり、それを搬送室に設置することは設計的事項にすぎない。
　
・相違点３について
　搬送室にガス導入口を設けることも、所望に応じて当業者が適宜なしえた事項にすぎない（特開平１０−１７２９７８号公報（原査定の拒絶の理由に引用された刊行物４）の【図１】にも示されるように、搬送室にガス導入口およびガス排気口を設けること自体、本出願前周知の事項である。）
　
　そして、補正後の本願発明１が引用発明及び周知技術からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
　よって、補正後の本願発明１は、引用発明および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３−４）むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　平成２０年４月２８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１−７に係る発明は、平成１９年８月２０日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
　
「【請求項１】真空容器で構成され、該真空容器底板には少なくとも１つ以上の基体載置台が設けられ、該それぞれ１つの基体載置台を取り囲むように、１つの筒が配置され、該筒を昇降させることにより該筒と該真空容器天板または底板間との間隔を可変とし、該基体表面の処理を行うための処理室を構成する該筒内側の空間と該基体を移送するための搬送室を構成する該筒外側の空間を分離させるための、１つの該筒につき少なくとも１つの筒昇降機構を有し、該搬送室は該間隔を通して該処理室と該搬送室の該基体の移送を行うための基体移送機構を備え、該処理室は処理室ガス導入口と処理室ガス排気口を有し、該搬送室は搬送室ガス導入口と搬送室ガス排気口を有することを特徴とする半導体製造装置。」（以下、「本願発明１」という。）
　
［４］引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物２（特開昭６３−１５３２６３号公報）には、上記［２］（３）（３−２）に記載のとおりの発明が記載されている。
　
［５］対比・判断
　補正後の本願発明１は、本願発明１における「少なくとも１つ以上の基体載置台」、「搬送室を構成する」を、それぞれ、「複数の基体載置台」、「搬送室を主要な部分として構成する」とさらに限定したものである。
　そして、上記［２］（３）のとおり、補正後の本願発明１が引用発明および周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものであることから、本願発明１についても、引用発明および周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
[６］むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そのため、本願請求項２−７に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。