Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【図１】本発明に係るアルゴン精製装置の全体概略構成を表す。
【図２】図１に示すアルゴン精製装置の一部たるＰＳＡ系の構成を表す。
【図３】図１に示すアルゴン精製装置の一部たるＴＳＡ系の構成を表す。
【図４】図２に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ１〜５について、各ＰＳＡ吸着塔で行われる工程、並びに、図２に示すＰＳＡ装置の各自動弁およびリサイクルラインの自動弁の開閉状態を示す表である。
【図５】図２に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ６〜１０について、各ＰＳＡ吸着塔で行われる工程、並びに、図２に示すＰＳＡ装置の各自動弁およびリサイクルラインの自動弁の開閉状態を示す表である。
【図６】図２に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ１１〜１５について、各ＰＳＡ吸着塔で行われる工程、並びに、図２に示すＰＳＡ装置の各自動弁およびリサイクルラインの自動弁の開閉状態を示す表である。
【図７】図２に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ１〜５におけるガス流れ状態を表す。
【図８】図２に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ６〜１０におけるガス流れ状態を表す。
【図９】図２に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ１１〜１５におけるガス流れ状態を表す。
【図１０】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ１〜５について、各ＴＳＡ吸着塔で行われる工程、並びに、図３に示すＴＳＡ装置の各自動弁の開閉状態を示す表である。
【図１１】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ６〜１０について、各ＴＳＡ吸着塔で行われる工程、並びに、図３に示すＴＳＡ装置の各自動弁の開閉状態を示す表である。
【図１２】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ１における冷媒流れ状態およびガス流れ状態を表す。
【図１３】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ２における冷媒流れ状態、熱媒流れ状態、およびガス流れ状態を表す。
【図１４】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ３における冷媒流れ状態、熱媒流れ状態、およびガス流れ状態を表す。
【図１５】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ４における冷媒流れ状態およびガス流れ状態を表す。
【図１６】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ５における冷媒流れ状態およびガス流れ状態を表す。
【図１７】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ６における冷媒流れ状態およびガス流れ状態を表す。
【図１８】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ７における冷媒流れ状態、熱媒流れ状態、およびガス流れ状態を表す。
【図１９】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ８における冷媒流れ状態、熱媒流れ状態、およびガス流れ状態を表す。
【図２０】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ９における冷媒流れ状態およびガス流れ状態を表す。
【図２１】図３に示すＴＳＡ装置が実行するＴＳＡ法のステップ１０における冷媒流れ状態およびガス流れ状態を表す。
【図２２】実施例における原料ガス、準精製ガス、および精製ガスの仕様を示す表である。
【図２３】実施例における吸着剤温度を表すグラフである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
本実施例では、ＴＳＡ系５ないしＴＳＡ装置５０において、図１２から図２１に示すように吸着工程、冷媒抜出し工程、加熱脱着工程、熱媒抜出し工程、冷却工程、および蓄圧工程からなる１サイクル（ステップ１〜１０）を吸着塔５１Ａ，５１Ｂのそれぞれにおいて繰り返した。本実施例において使用したＴＳＡ装置５０の吸着塔５１Ａ，５１Ｂのそれぞれは円筒形状（内径２００ｍｍ，内寸高さ１５００ｍｍ）を有する。吸着塔５１Ａ，５１Ｂのそれぞれは、円筒形状（内径２００ｍｍ）の７本の吸着管５１ｃを内部に有する。吸着管５１ｃ内には、吸着剤としてＣａＸ型ゼオライトを充填した。冷媒Ｍ１および熱媒Ｍ２としては、５５％のエタノール水溶液を使用した。ＰＳＡ装置５０に導入される準精製ガスＧ2については、熱交換器５２Ａにて−２０℃まで冷却し、クーラ５２Ｂにて−３５℃まで冷却した。ブラインクーラ５２Ｅでは、冷媒Ｍ１を−４０℃まで冷却した。熱媒タンク５２Ｆでは、熱媒Ｍ２を５０℃まで加熱しつつ保持した。本実施例では、吸着塔５１Ａ，５１Ｂのそれぞれにおいて、吸着工程は３時間、冷媒抜出し工程は０.２時間、加熱脱着工程は１時間、熱媒抜出し工程は０.２時間、冷却工程は１.４時間、および蓄圧工程は０.２時間行った（１サイクルの時間は６時間）。また、吸着工程における吸着塔５１Ａ，５１Ｂの内部の最終到達吸着圧力（最高圧力）は７００ｋＰａＧとし、加熱脱着工程における吸着塔５１Ａ，５１Ｂの内部の最終到達脱着圧力（最低圧力）は２０ｋＰａＧとした。本実施例では、吸着管５１ｃ内の吸着剤の温度を１サイクルにわたって測定した。その結果を図２３のグラフに示す。図２３のグラフでは、横軸はＴＳＡサイクル時間（ｈ）を表し、縦軸は吸着剤の温度（℃）を表す。図２３のグラフに表れているように、吸着管５１ｃ内の吸着剤の温度は、吸着工程の間は−３５℃に維持され、加熱脱着工程では急激に上昇して４０℃に至り、冷却工程では相当程度急速に下降して−３５℃に至った。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月3日(2012.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレス加工により一対の端面を突き合わせて円筒状に形成されると共に長手方向の一部に媒体を支持する媒体支持領域を有する搬送ローラーと、
前記搬送ローラーのうち前記媒体支持領域以外の領域を軸支する軸受と、
前記搬送ローラーと前記軸受の間に介在する潤滑油と、
を備え、
前記搬送ローラーは、前記一対の端面を突き合わせた繋ぎ目のうち前記媒体支持領域以外の領域に開口を有する搬送装置。
【請求項２】
前記開口は、前記媒体支持領域と前記軸受に支持される領域との間に配置される請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
前記開口は、前記媒体支持領域の両側にそれぞれ少なくとも一つ以上配置される請求項１又は２に記載の搬送装置。
【請求項４】
前記開口における前記一対の端面間の距離は、前記軸受に供給される潤滑油の表面張力に応じて設定される請求項１から３のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項５】
前記媒体支持領域は、前記搬送ローラーの両端部を除く中央部に設けられている請求項１から４のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項６】
前記媒体支持領域は、無機粒子を含有した高摩擦層である請求項１から５のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項７】
記録媒体を搬送ローラーにより搬送する搬送部と、
前記搬送部により搬送される前記記録媒体に対して印刷処理を行う印刷部と、
を備える印刷装置において、
前記搬送部として請求項１から６のいずれか一項に記載の搬送装置を用いた印刷装置。
【請求項８】
プレス加工により一対の端面を突き合わせて円筒状に形成され、
長手方向の一部に媒体を支持する媒体支持領域を有し、
前記一対の端面を突き合わせた繋ぎ目のうち前記媒体支持領域以外の領域に開口を有する搬送ローラー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
本発明に係る搬送装置は、プレス加工により一対の端面を突き合わせて円筒状に形成されると共に長手方向の一部に媒体を支持する媒体支持領域を有する搬送ローラーと、前記搬送ローラーのうち前記媒体支持領域以外の領域を軸支する軸受と、前記搬送ローラーと前記軸受の間に介在する潤滑油と、を備え、前記搬送ローラーは、前記一対の端面を突き合わせた繋ぎ目のうち前記媒体支持領域以外の領域に開口を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ハニカム押出方向のＣ軸の結晶配向比＝Ａ／（Ａ＋Ｂ）
Ａ：ハニカム押出方向のＣ軸配向度＝Ｉ００２／（Ｉ００２＋Ｉ２３０）
Ｂ：ハニカム垂直方向のＣ軸配向度＝Ｉ００２／（Ｉ００２＋Ｉ２３０）
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのワックスと、
少なくとも１つの脂肪アミドと、
少なくとも１つの抗酸化剤と、
少なくとも１つのソルベント染料着色料と
を含み、前記少なくとも１つのワックスが、少なくとも１つの酸性基を有する極性ワックスを含み、該極性ワックが、０ｍｇＫＯＨ／ｇを超える酸価及び約６０℃乃至約１００℃の融点を有し、前記少なくとも１つの極性ワックスが、カルナバ・ワックスであることを特徴とするインク組成物。
【請求項２】
前記少なくとも１つの脂肪アミドが、ステアリルステアルアミド及びエチレンビス−オレアミドの両方を含むことを特徴とする、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項３】
前記少なくとも１つのワックスが、フィッシャー−トロプシュ・ワックスをさらに含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載のインク組成物。
【請求項４】
前記少なくとも１つの抗酸化剤が、次式：
【化１】
2010285617.tif 000001
で表されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のインク組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１つのソルベント染料着色料が、ソルベントブラック又はソルベントイエローであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のインク組成物。
【請求項６】
展色剤と、
相変化剤と、
少なくとも１つの酸性基を含む極性ワックスと
を含み、前記極性ワックスが、０ｍｇＫＯＨ／ｇを超える酸価、及び６０℃乃至１００℃の融点を有し、前記極性ワックスが、１００〜１６０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有することを特徴とするインク組成物。
【請求項７】
前記極性ワックスが、９７ｍｇＫＯＨ／ｇを超えるけん化価をさらに有することを特徴とする、請求項６に記載のインク組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
すなわち、羽根前縁４ａは、主板２との接合部である主板側前縁端点４ａ１１から、主板側前縁裾野部４１ａ１においては除々に羽根後縁４ｂ方向に後退（羽根の幅が狭くなる方向）し、主板側前縁垂直部４０ａ１では、主板側前縁裾野部４１ａ１の終端から前縁湾曲点４ｈの範囲で、主板２に垂直である。
そして、主板側前縁傾斜部４２ａ１は前縁湾曲点４ｈにおいて折れ曲がって、羽根後縁４ｂとは反対の方向に前進（羽根の幅が広くなる方向）し位置し、やがて、突出羽根前縁４ａ３に繋がっている。
突出羽根前縁４ａ３は略円弧状であって、突出羽根前縁４ａ３のシュラウド３側は、シュラウド側羽根前縁４ａ２に繋がっている。
シュラウド側羽根前縁４ａ２は、羽根後縁４ｂに近づく程、主板２から離れ、やがて、シュラウド３にシュラウド側前縁端点４ｇにおいて接続している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（ト）また、平面視において、前縁湾曲点４ｈと後縁湾曲点４ｊとを結ぶ水平弦線Ｓ１（図６参照）と、突出前縁端点４ｆとシュラウド側後縁端点４ｂ２２とを結ぶ水平弦線Ｓ３（図８参照）とのなす角度θ１が１０°未満（０°＜θ１＜１０°）で、突出前縁端点４ｆが主板側前縁垂直部４０ａ１に対し回転方向Ａに前進するように形成されている。このため、羽根の吸込領域を縮小して、吸込領域を阻害しない。また、突出羽根前縁４ａ３（突出前縁端点４ｆ）を挟み主板側前縁傾斜部４２ａ１およびシュラウド側羽根前縁４ａ２の湾曲部付近に生成される縦渦の下流への移行長さが長過ぎないから、安定した渦が生成され、流れが安定して乱れないことから、低騒音化を図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（羽根後縁）
図１４および図１５は羽根後縁を模式的に説明するものであって、図１４は側面図、図１５は外周仮想円筒を平面に展開した展開図である。
図１４および図１５において、羽根後縁４ｂは、仮想外周円筒（主板外周２ｂとシュラウド外周３ｂとを結ぶ仮想円筒に同じ）上に位置している。そして、主板２寄りであって、主板２に対して傾斜の少ない主板側羽根後縁４ｂ１と、シュラウド３寄りであって、シュラウド３に近づく程、反回転方向に位置する（後退する）シュラウド側羽根後縁４ｂ２とに、概略分けることができる。なお、両者の境界は明りょうでなく、該境界の位置は限定するものではない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図１５において、主板側羽根後縁４ｂ１に相等する範囲において、羽根外面４ｃと主板２とがなす角度を傾斜角度β（４ｂ１）と、羽根内面４ｃと主板２とがなす角度を傾斜角度δ（４ｂ１）とする。このとき、傾斜角度β（４ｂ１）は鈍角で、傾斜角度δ（４ｂ１）は鋭角になっているから（β（４ｂ１）＞９０°＞δ（４ｂ１））、主板側羽根後縁４ｂ１は主板２に近い方が広い略台形状を呈している。
また、シュラウド側羽根後縁４ｂ２に相等する範囲において、羽根外面４ｃとシュラウド３とがなす角度を傾斜角度β（４ｂ２）と、羽根内面４ｄとシュラウド３とがなす角度を傾斜角度δ（４ｂ２）とする。このとき、傾斜角度β（４ｂ２）と傾斜角度δ（４ｂ２）は略同じであるから、シュラウド側羽根後縁４ｂ２は略矩形状を呈している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010285925.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに複数枚の主ブレードの少なくとも一部は、環状のブレード取付部材の第２の側面に沿う第１の辺部と、ケーシングの第３の壁部と対向し且つ複数枚の主ブレードが固定される一端から軸線方向に延びる第２の辺部と、第２の辺部よりも径方向の内側に位置する第３の辺部と、ケーシングの第２の壁部と対向する第４の辺部とを備た構造とすることができる。この場合、第３の辺部は、第１の辺部に連続する第１の辺半部と該第１の辺半部と連続し且つ第４の辺部と連続する第２の辺半部とを備えており、第１の辺半部は第２の辺部との間の距離が第２の辺半部に向かうに従って広がるように傾斜しており、第２の辺半部は第２の辺部と平行に延びているのが好ましい。このようにすれば、傾斜する第１の辺半部と吸引口との間にスペースを確保できるため、吸引口を通して軸方向に空気が吸い込まれた空気が、径方向に向きを変える際に、スムーズに向きを変更することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキル基の炭素数が１〜８のアルキルアクリレート、芳香族ビニル化合物、及びラジカル重合可能な不飽和結合を２つ以上持つ多官能単量体を含む単量体混合物Ａを重合して得られた重合体の存在下で、（メタ）アクリロイル基を有するリン酸エステルを含む単量体混合物Ｂを重合することにより製造された（メタ）アクリル系樹脂であって、（メタ）アクリロイル基を有するリン酸エステル単量体単位を０．９〜２．０質量％含有する（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）と、
メタクリル酸メチルを単位を５０質量％以上含有する（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）（ただし、（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）を除く）と
を含有する（メタ）アクリル系樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１記載の（メタ）アクリル系樹脂組成物からなる成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の用紙は、アルキル基の炭素数が１〜８のアルキルアクリレート、芳香族ビニル化合物、及びラジカル重合可能な不飽和結合を２つ以上持つ多官能単量体を含む単量体混合物Ａを重合して得られた重合体の存在下で、（メタ）アクリロイル基を有するリン酸エステルを含む単量体混合物Ｂを重合することにより製造された（メタ）アクリル系樹脂であって、（メタ）アクリロイル基を有するリン酸エステル単量体単位を０．９〜２．０質量％含有する（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）と、
メタクリル酸メチルを単位を５０質量％以上含有する（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）（ただし、（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）を除く）と
を含有する（メタ）アクリル系樹脂組成物にある。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
［実施例２］
実施例１において、製造例２と同様の方法にて得たドデシルメチルスルフィド６．２ｇ（２８．９ミリモル）に代えて、製造例３と同様の方法にて得たノニルメチルスルフィド５．０ｇ（２８．９ミリモル）を用いた以外は、実施例１と同様にして、３−オキシラニル−２，２，５，５−テトラメチルピロリン−１−オキシル２．５ｇ（１３．７ミリモル、反応率４８％）を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビニルオキシ基を少なくとも２つ有するアントラセン化合物及び／又はナフタレン化合物を含有し、
前記アントラセン化合物及び／又はナフタレン化合物は下記式（１）：
【化１】
2010285403.tif 000001
［式中、Ａは少なくとも１つの水素原子がフェニル基で置換されていてもよいアントラセン環又はナフタレン環を表し、Ｘは炭素原子数１乃至４のアルキレン基、炭素原子数１乃至４のオキシアルキレン基、カルボニル基又は−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｍ−基（ｍは１乃至４の整数）を表し、ｎは２乃至６の整数を表す。］
で表される架橋剤。
【請求項２】
請求項１に記載の架橋剤、ポリマー及び有機溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の架橋剤、主鎖又は側鎖にアントラセン環、ナフタレン環のいずれも有しないポリマー、及び有機溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項４】
さらに光酸発生剤を含む請求項２又は請求項３に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項５】
さらにアミンを含む請求項４に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペプチドが配合されたヘアケア剤であって、
前記ペプチドが、下記式（Ｉ）で表される基を有する基を、側鎖基として備えることを特徴とするヘアケア剤。
−Ｓ−Ｓ−（ＣＨ２）ｎＣＯＯ−        （Ｉ）
（式（Ｉ）中、ｎは１又は２である。）
【請求項２】
カルボキシメチルジスルフィド基、カルボキシメチルジスルフィド基の塩、カルボキシエチルジスルフィド基及びカルボキシエチルジスルフィド基の塩から選択された一種又は二種以上を、前記側鎖基が有する請求項１に記載のヘアケア剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗ＣＤ２０抗体を有効成分として含む、慢性リンパ球性白血病（ＣＬＬ）を治療するための薬学的組成物であって、フルダラビンおよびシクロホスファミドから選択される化学療法と併用して投与されるように製剤化される薬学的組成物。
【請求項２】
リツキシマブ（rituximab）を有効成分として含む、慢性リンパ球性白血病（ＣＬＬ）を治療するための薬学的組成物であって、フルダラビンおよびシクロホスファミドから選択される化学療法と併用して投与されるように製剤化される薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記リザーブタンク１０の底面後側と前面上側に夫々車体１３への取付部１４を形成し、この取付部１４のうち底面後側の取付部である第１取付部１４ａを中心として前記リザーブタンク１０を車両前後方向へ揺動自在に車体１３に支持する一方、車両前後方向と直交する方向から見た場合、前面上側の取付部である第２取付部１４ｂを前記リザーブタンク１０との取付部１５から車両下方へ延びるとともに車両後方へ屈曲する屈曲部１６を備えたブラケット１７を介して前記車体１３へ支持し、前記エンジンフード７を介して前記リザーブタンク１０の前側上部に下向きの衝撃力が作用した場合、前記ブラケット１７を変形させ、前記リザーブタンク１０の前側上部を下方に移動させる構造とする。
詳述すれば、前記リザーブタンク１０に、図１及び図４、図５に示す如く、リザーブタンク１０の底面後側において右側に底面後側の取付部である第１取付部１４ａを形成するとともに、リザーブタンク１０の底面後側において左側にクランプ１８を形成する。
そして、前記底面後側の取付部である第１取付部１４ａの点Ｐを中心として車両前後方向へ揺動自在となるように、前記リザーブタンク１０を前記車体１３に支持する。
このとき、前記底面後側の取付部である第１取付部１４ａは、点Ｐを中心とした揺動を自在とするために、ボルトによる締結構造ではなく、ピンを車体側の取付孔に挿入した凹凸係合や爪を車体側の回転軸に嵌合した構造などを利用した固定方策とする。
また、前記リザーブタンク１０には、図１及び図４、図５に示す如く、リザーブタンク１０の前面上側に前記前面上側の取付部である第２取付部１４ｂを形成する。
つまり、前記リザーブタンク１０を、図５〜図９に示す如く、中空箱状の容器形状に形成した際に、リザーブタンク１０の底面後側かつ中央部位に前記底面後側の取付部である第１取付部１４ａを形成するとともに、リザーブタンク１０の前面上側かつ中央部位に前記前面上側の取付部である第２取付部１４ｂを形成するものである。
このとき、前記リザーブタンク１０の前面右上側に、図７及び図８に示す如く、前記エンジン９の出口部分の冷却水の一部をリザーブタンク１０に流入させるために、後述するリザーブタンクインレットホースである第１ホース２４を接続する流入用第１接続部１０ａを設ける。
前記リザーブタンク１０の前面上側且つ中央部位であって、前記前面上側の取付部である第２取付部１４ｂよりも上方には、図７及び図８に示す如く、前記ラジエータ８の後述するラジエータインレットタンク２３に流入した冷却水の一部をリザーブタンク１０に流入させるために、後述するリザーブタンクインレットホースである第２ホース２５を接続する流入用第２接続部１０ｂを設ける。
前記リザーブタンク１０の右側面下側且つ中央部位には、図７〜図９に示す如く、リザーブタンク１０内の冷却水を前記エンジン９の図示しないウォータポンプへ流出させるために、後述する第１タンクアウトレットホース２８を接続する流出用接続部１０ｃを設ける。
そして、前記リザーブタンク１０の前面上側の取付部である第２取付部１４ｂを、図１に示す如く、前記ブラケット１７を介して前記車体１３へ支持する。
このとき、ブラケット１７は、図１１及び図１２に示す如く、前記リザーブタンク１０の前面上側の取付部である第２取付部１４ｂに取り付けられる取付部１５と、車両前後方向と直交する方向から見た場合、取付部１５から車両下方へ延びるとともに車両後方へ屈曲する屈曲部１６とを備えている。
前記ブラケット１７の屈曲部１６は、図１１及び図１２に示す如く、車両上方に位置する前記取付部１５から車両下方へ向かって、一旦左右方向の幅寸法が減少し、その後に漸次寸法が増加する脆弱部を屈曲点とし、屈曲点より下方の部分が車両後方へ屈曲する「くの字」形状であって、途中部位の寸法減少箇所によって屈曲可能な構造を確保している。
また、前記ブラケット１７は、板状部材の周縁部位を折り返した形状を有し、この折り返し部位によって適正な強度を確保している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
従って、上記の構造により、図１に１点鎖線で示す如く、前記エンジンフード７に荷重Ｆが作用してエンジンフード７が変形され、このエンジンフード７を介して前記リザーブタンク１０の上部に下向き方向の衝撃力が作用した場合に、リザーブタンク１０には底面後側の取付部である第１取付部１４ａの点Ｐを中心に回転するモーメントＭ（図１参照。）が作用する。
そして、回転中心の点Ｐから離れたリザーブタンク１０の前面上側と前記車体１３の間を連結する前記ブラケット１７を上記モーメントＭによって変形させ、図１に示す前記リザーブタンク１０の点Ｐを通過する垂線Ｌを角度θだけ車両前側に傾斜させることができ、リザーブタンク１０の前側上部を下方へ移動させることができる。
そのため、リザーブタンク１０の上方に前記エンジンフード７が変形可能な空間を創出でき、衝撃吸収性を向上させることができる。
しかも、前記リザーブタンク１０が底面後側の取付部である第１取付部１４ａの点Ｐを中心として回転することにより、この回転時にリザーブタンク１０の前側上部に接続されるパイプやホース類が破損あるいは接続不良となることを防止できる。
つまり、前記リザーブタンク１０の前面に位置する前記ブラケット１７の変形によって、前記リザーブタンク１０が底面後側の取付部である第１取付部１４ａの点Ｐを中心として回転すると、点Ｐから最も離間する位置であるリザーブタンク１０の前面上側などに設けられる流入用第１及び第２接続部１０ａ、１０ｂ部位が大きく変位するため、上述のリザーブタンク１０の本体部と比べて脆弱な流入用第１及び第２接続部１０ａ、１０ｂが過大な加重を受けることを回避できるものである。
また、前記リザーブタンク１０の底面後側を前記車体１３に回転自在に支持したことによって、リザーブタンク１０をバッテリ等の部品の前面部に近接した状態で配設でき、前記エンジンルーム２内の狭い空間内に効率的に配置でき、エンジンルーム２内の空間を有効に利用することができる。
更に、前記リザーブタンク１０を車体１３に支持する際に、リザーブタンク１０の底面後側において、右側に底面後側の取付部である第１取付部１４ａを形成するとともに、左側にクランプ１８を形成する一方、リザーブタンク１０の前面上側において、前面上側の取付部である第２取付部１４ｂを形成したことにより、リザーブタンク１０の底面後側の第１取付部１４ａを軽い固定方策とすることができ、リザーブタンク１０の取付作業性の向上に寄与し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図に示すように、本発明の実施の形態において、採泥用ボート１は、インフレータブルボート２の気胴３上に作業用デッキ５を設置すると共に、底布４と作業用デッキ５の対応個所の夫々に、後述するピストンコアラー６を挿通させるための開口部７、８を形成すると共に、作業用デッキ５の上側にピストンコアラー６を吊持するための櫓９とウインチ機構を設置した構成である。図において符号１０はウインチ機構の構成要素の滑車であり、櫓９に垂下支持している。また符号１１はウインチ本体である。後述するように、ウインチ機構は、ピストンコアラー６の吊持用と引揚げ用に使用するもので、滑車１０は吊持用と引揚げ用のワイヤーを巻掛け可能に構成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
またこの実施の形態において、ピストンコアラー６の主ウェイト２０は、ケース２８と、ケース２８内に収容する複数のウェイト２９とから構成しており、この構成のピストンコアラー６では、複数のウェイト２９をケース２８から取り外して取り扱うことができ、従ってピストンコアラー６の要素の取扱いが非常に容易となり、また個々のウェイト２９は軽量化を図ることができるので、作業の安全性を高めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このようにして本発明に係る採泥用ボートは、海、河川、湖沼における底の泥土等の採取個所まで船外機１２により移動し、所定の場所において、図５（ａ）に示すように、ピストンコアラー６を、櫓９の上部に垂下支持した滑車１０を介してウインチ機構のワイヤー２４により採泥用ボートの作業用デッキ５の開口部７に位置させて吊持支持し、この状態でウインチ本体１１を動作させて採泥用管体１５を副ウェイト２３と共に下降させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
こうして採泥用管体１５内に対象場所の泥土等が吸入された後、先端に回収フック２６を設けたワイヤー２７を、櫓９の上部に垂下支持した滑車１０を介して垂下させて、回収フック２６を採泥用管体１５の吊持部２１に引っ掛け、この状態においてウインチ機構を動作させて採泥用管体１５を上昇させて、採泥用ボートの作業用デッキ５上に回収する。この際、採泥用管体１５の下端のヘッド部１７には弁体１６を設けているため、この弁体１６が泥ストッパーと作用して、採泥用管体１５内に吸入した泥土等が排出されてしまうことがない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１            採泥用ボート
２            インフレータブルボート
３            気胴
４            底布
５            作業用デッキ
６            ピストンコアラー
７、８        開口部
９            櫓
１０          滑車
１１          ウインチ本体
１２          船外機
１３          バッテリー
１４          周囲壁
１５          採泥用管体
１６          弁体
１７          ヘッド部
１８          ワイヤー
１９          ピストン
２０          主ウェイト
２１          吊持部
２２          天秤部
２３          副ウェイト
２４          ワイヤー
２５          係合部
２６          回収フック
２７          ワイヤー
２８          ケース
２９          ウェイト
３０          アウトリガー浮体
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る車体の後部構造は、車体の後部に、車両前後方向の長さが車両上下方向の長さよりも短くなるように配置された充電器を設け、前記充電器の下端を車体部材に支持すると共に、前記充電器の上部の後側に、前記充電器における車幅方向の長さ全体に亘って直線状に延びる円筒状の支持部材を充電器に近接して配置したことを主要な特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車体の後部に充電器を配設した車体の後部構造であって、
前記充電器の下端を車体部材に支持すると共に、前記充電器は、車両前後方向の長さが車両上下方向の長さよりも短くなるように配置され、前記充電器の上部の後側に、前記充電器における車幅方向の長さ全体に亘って直線状に延びる円筒状の支持部材を充電器に近接して配置したことを特徴とする車体の後部構造。
【請求項２】
前記支持部材によって左右のホイールハウス同士を連結したことを特徴とする請求項１に記載の車体の後部構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ又はＺｎの少なくとも一方の元素と水素とを含むアモルファス酸化物半導体であって、
前記アモルファス酸化物半導体が１×１０２０ｃｍ−３より多く１×１０２２ｃｍ−３以下の水素原子又は重水素原子を含有しており、かつ、
前記アモルファス酸化物半導体のキャリア電子密度は、１０１８ｃｍ−３未満であることを特徴とするアモルファス酸化物半導体。
【請求項２】
前記アモルファス酸化物半導体中で、過剰な酸素（ＯＥＸ）と水素の結合を除く、酸素と水素の結合の密度が１×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１に記載のアモルファス酸化物半導体。
【請求項３】
チャネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、
前記チャネル層が、請求項１または２に記載のアモルファス酸化物半導体であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記アモルファス酸化物半導体の電気抵抗率は、１０Ωより大きく１ｘ１０６Ωより小さいことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記アモルファス酸化物半導体が、Ｇａ及びＳｎの少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
基板上で表示素子の電極と薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極とが接続されてなる表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、請求項３から５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示素子は、液晶セルであることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記基板上に前記表示素子及び前記薄膜トランジスタが二次元状に複数配されてなることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
基板と、Ｉｎ又はＺｎの少なくとも一方の元素と水素を含むアモルファス酸化物半導体から構成されたチャネル層と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とから少なくともなる薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記チャネル層は成膜ガスに水蒸気を含有するスパッタ法により形成され、
前記チャネル層が形成された後に、１５０℃以上５００℃以下の範囲で熱処理が行なわれ、
前記チャネル層は、１×１０２０ｃｍ−３より多く１×１０２２ｃｍ−３以下の水素原子を含有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記成膜ガスの導入水蒸気分圧は、８×１０−４Ｐａ以上であることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
基板と、Ｉｎ又はＺｎの少なくとも一方の元素と水素を含むアモルファス酸化物半導体から構成されたチャネル層と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とから少なくともなる薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記チャネル層は溶液塗布によって形成され、
前記チャネル層が形成された後に、５００℃以下の範囲で熱処理が行なわれ、
前記チャネル層は、１×１０２０ｃｍ−３より多く１×１０２２ｃｍ−３以下の水素原子を含有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
基板と、Ｉｎ又はＺｎの少なくとも一方の元素と水素を含むアモルファス酸化物半導体から構成されたチャネル層と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とから少なくともなる薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記チャネル層は電気析出法によって形成され、
前記チャネル層が形成された後に、５００℃以下の範囲で熱処理が行なわれ、
前記チャネル層は、１×１０２０ｃｍ−３より多く１×１０２２ｃｍ−３以下の水素原子を含有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、Ｉｎ又はＺｎの少なくとも一方の元素と水素とを含むアモルファス酸化物半導体であって、前記アモルファス酸化物半導体が１×１０２０ｃｍ−３より多く１×１０２２ｃｍ−３以下の水素原子又は重水素原子を含有しており、かつ、前記アモルファス酸化物半導体のキャリア電子密度は、１０１８ｃｍ−３未満である薄膜トランジスタに関する。また、前記アモルファス酸化物半導体中で、過剰な酸素（ＯＥＸ）（ここで、該過剰な酸素とは、前記アモルファス酸化物半導体の一部分の数原子サイズを単位として見た際のミクロな領域において過剰な状態にある酸素である）と水素の結合（ＯＥＸ−Ｈ結合及びＨ−ＯＥＸ−Ｈ結合）を除く、酸素と水素の結合（Ｏ−Ｈ結合）の密度は１×１０１８ｃｍ−３以下である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、前記ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、前記ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極層上に端部が重畳するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、前記ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、前記ソース電極層及びドレイン電極層上にインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極層上に端部が重畳するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及びドレイン電極層の表面、及びゲート絶縁膜の表面のうちソース電極層及びドレイン電極層に覆われていない領域をプラズマでスパッタリング処理し、前記ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、前記ソース電極層及びドレイン電極層上にインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、前記ソース電極層及びドレイン電極層の表面を大気にさらすことなく、前記ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体層のチャネル形成領域上にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
不活性気体雰囲気で前記ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマ処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５において、
ＸＲＤ測定チャートにおいて、前記酸化物半導体層の結晶化を示すピークが３０°≦２シータ≦３５°の範囲であることを特徴とする半導体装置の作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、半導体層と、第１の層と、第２の層と、第１の金属層と、第２の金属層と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の層は、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の層は、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記第１の層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の金属層、及び前記第２の金属層の一方は、ソース電極となる機能を有し、
前記第１の金属層、及び前記第２の金属層の他方は、ドレイン電極となる機能を有し、
前記半導体層、前記第１の層、及び前記第２の層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
前記第１の層の酸素濃度、及び前記第２の層の酸素濃度は、前記半導体層の酸素濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、半導体層と、第１の層と、第２の層と、第１の金属層と、第２の金属層と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の層は、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の層は、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記第１の層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の金属層は、前記第２の層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の金属層、及び前記第２の金属層の一方は、ソース電極となる機能を有し、
前記第１の金属層及び前記第２の金属層の他方は、ドレイン電極となる機能を有し、
前記半導体層、前記第１の層、及び前記第２の層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
前記第１の層の酸素濃度、及び前記第２の層の酸素濃度は、前記半導体層の酸素濃度よりも低く、
前記第１の層、及び前記第２の層は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の結晶粒を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、半導体層と、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、第１の金属層と、第２の金属層と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の層は、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の層は、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第３の層は、前記第１の層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第４の層は、前記第２の層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記第３の層をはさんで前記第１の層と重なる領域を有し、
前記第２の金属層は、前記第４の層をはさんで前記第３の層と重なる領域を有し、
前記第１の金属層、及び前記第２の金属層の一方は、ソース電極となる機能を有し、
前記第１の金属層、及び前記第２の金属層の他方は、ドレイン電極となる機能を有し、
前記半導体層、前記第１の層、及び前記第２の層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
前記第１の層の酸素濃度、前記第２の層の酸素濃度、前記第３の層の酸素濃度、及び前記第４の層の酸素濃度は、前記半導体層の酸素濃度よりも低く、
前記第３の層、及び前記第４の層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛のうちのいずれか二と、タングステン、モリブデン、チタン、ニッケル、またはアルミニウムと、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、半導体層と、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、第１の金属層と、第２の金属層と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の層は、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の層は、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第３の層は、前記第１の層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第４の層は、前記第２の層をはさんで前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の金属層は、前記第３の層をはさんで前記第１の層と重なる領域を有し、
前記第２の金属層は、前記第４の層をはさんで前記第３の層と重なる領域を有し、
前記第１の金属層、及び前記第２の金属層の一方は、ソース電極となる機能を有し、
前記第１の金属層、及び前記第２の金属層の他方は、ドレイン電極となる機能を有し、
前記半導体層、前記第１の層、及び前記第２の層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
前記第１の層の酸素濃度、前記第２の層の酸素濃度、前記第３の層の酸素濃度、及び前記第４の層の酸素濃度は、前記半導体層の酸素濃度よりも低く、
前記第１の層、及び前記第２の層は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の結晶粒を含み、
前記第３の層、及び前記第４の層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛のうちのいずれか二と、タングステン、モリブデン、チタン、ニッケル、またはアルミニウムと、を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上の発光素子と、
第２の基板上のレーザ媒体と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板はシール材により貼り合わされ、
前記発光素子及び前記レーザ媒体は、前記第１の基板、前記第２の基板、及び前記シール材により封止されていることを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の基板上の光共振器を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の基板と前記レーザ媒体の間に、透光性を有する誘電体膜を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の基板と前記発光素子の間、前記第１の基板における前記発光素子が設けられた面の裏面側、又は前記第２の基板における前記レーザ媒体が設けられた面の裏面側に、反射膜を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記発光素子と前記レーザ媒体の距離は、１ｍｍ以下であることを特徴とするレーザ装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に、乾燥剤を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記レーザ媒体が形成されている領域は、前記発光素子が形成されている領域よりも広いことを特徴とするレーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層の表面に第１の酸素ラジカル処理を行い、
前記第１の酸素ラジカル処理を行った後、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層の表面に第２の酸素ラジカル処理を行い、
前記第２の酸素ラジカル処理を行った後、前記酸化物半導体層上に絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層の表面に酸素ラジカル処理を行い、
前記酸素ラジカル処理を行った後、前記酸化物半導体層上に絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
オゾンを用いて前記第１の酸素ラジカル処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項３において、
オゾンを用いて前記第２の酸素ラジカル処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２において、
オゾンを用いて前記酸素ラジカル処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ゲート絶縁層及び前記酸化物半導体層を、大気に曝さずに連続的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月16日(2012.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体色素レーザ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板間に、光源と、第１の発光体と、光共振器と、を有し、
前記光共振器は、回折格子および第２の発光体を含み、
前記光源は、前記第２の基板に設けられ、
前記第１の発光体及び前記光共振器は、前記第１の基板に設けられ、
前記第２の発光体は、少なくとも前記回折格子と重なる位置に設けられ、
前記第１の発光体は、前記光源が発する光を吸収する物質を有し、
前記第２の発光体は、前記光源および前記第１の発光体が発する光を吸収する物質を有することを特徴とする固体色素レーザ装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記光源は、有機ＥＬ、発光ダイオード、冷陰極管、平面蛍光ランプのいずれか一であることを特徴とする固体色素レーザ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記光源が発する光を、前記第１の発光体の上面及び前記光共振器の上面で受け、
前記第１の発光体が発する光を、前記光共振器の端面で受けることを特徴とする固体色素レーザ装置。
【請求項４】
第１の基板と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板間に、発光素子と、第１の発光体と、光共振器と、を有し、
前記光共振器は、回折格子および第２の発光体を含み、
前記発光素子は、前記第２の基板に設けられ、
前記第１の発光体及び前記光共振器は、前記第１の基板に設けられ、
前記第２の発光体は、少なくとも前記回折格子と重なる位置に設けられ、
前記第１の発光体は、前記発光素子が発する光を吸収する物質を有し、
前記第２の発光体は、前記発光素子および前記第１の発光体が発する光を吸収する物質を有することを特徴とする固体色素レーザ装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記発光素子が発する光を、前記第１の発光体の上面及び前記光共振器の上面で受け、
前記第１の発光体が発する光を、前記光共振器の端面で受けることを特徴とする固体色素レーザ装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の発光体には、発光量子効率が５０％以上の物質を用いることを特徴とする固体色素レーザ装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の発光体は、スチルベン系、クマリン系、キサンテン系、シアニン系、オキサジン系、ローダミン系、スチリル系の発光量子効率が５０％以上であり、かつレーザ活性を有する物質を用いることを特徴とする固体色素レーザ装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の基板上の端部であって、前記光共振器によって固体色素レーザ光が発振される方向とは異なる方向に反射体を有することを特徴とする固体色素レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体素子及び前記半導体素子と電気的に接続された第１の電極を形成し、
前記半導体素子と電気的に接続された第１の電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加する第１のドーピング工程を行い、前記絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥部を形成し、
前記絶縁膜中に、前記第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加する第２のドーピング工程を行い、前記絶縁膜中の前記第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥部を形成し、
前記第１及び第２の欠陥部上に、金属元素を含む導電材料を形成し、
前記第１及び第２の欠陥部のうちの上方の欠陥部から、下方の欠陥部に、前記金属元素を拡散させることにより、
前記絶縁膜中に、第１の電極と、前記金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体素子及び前記半導体素子と電気的に接続された第１の電極を形成し、
前記半導体素子及び前記半導体素子と電気的に接続された第１の電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加する第１のドーピング工程を行い、前記絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥部を形成し、
前記絶縁膜中に、前記第１の加速電圧と同じ電圧で、前記第１のイオンとは異なる第２のイオンを添加する第２のドーピング工程を行い、前記絶縁膜中の前記第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥部を形成し、
前記第１及び第２の欠陥部上に、金属元素を含む導電材料を形成し、
前記第１及び第２の欠陥部のうちの上方の欠陥部から、下方の欠陥部に、前記金属元素を拡散させることにより、
前記絶縁膜中に、第１の電極と、前記金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のイオンまたは第２のイオンは、水素イオン、又は希ガスイオンのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１のイオンと第２のイオンは、同じイオンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１のイオンと前記第２のイオンは異なるイオンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ、シロキサン材料、ポリシラザン材料のいずれか一種または複数種を単層または積層で形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記金属元素は、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。