【事件の表示】
　平成１１年特許願第１９１３０３号「半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月２６日出願公開、特開２００１−　２４２８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯 
　
　本願は、平成１１年７月６日に出願したものであって、平成１６年６月３日に手続補正がなされ、同年１０月６日付で最後の拒絶理由が通知され、同年１２月９日に手続補正がなされたところ、当該手続補正が平成１７年３月８日付けの補正の却下の決定により却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年５月１３日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．平成１７年５月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定
　 
［補正却下の決定の結論］
　
　平成１７年５月１３日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　
　（１）本件補正の内容
　
　本件補正は、平成１６年６月３日付け手続補正により補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項３を、
　
「【請求項３】
　ＧaＡs基板上にＩnＧaＡs系半導体井戸層及び障壁層を積層した歪量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を結晶成長させる工程において、前記井戸層の成長温度が前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも２００〜３００℃低いことを特徴とする半導体レーザの製造方法。」から
　
「【請求項１】
　ＧaＡs基板上にＩnＧaＡs系半導体井戸層及び障壁層を積層した歪量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を
有機金属化合物気相エピタキシャル成長法により
前記井戸層以外の成長層の成長温度を７００〜８００℃に設定し、前記歪量子井戸活性層からのフォトルミネッセンス強度が前記井戸層以外の結晶層の成長温度で前記井戸層を成長させた場合よりも低くなるように
を
く設定する
　
　上記新たな請求項１に係る補正は、補正前の請求項３に記載した発明を特定するために必要な事項である「結晶成長させる」の成長法について「有機金属化合物気相エピタキシャル成長法により」との限定を付加し、補正前の請求項３に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度」について、「前記井戸層以外の成長層の成長温度を７００〜８００℃に設定し」との限定を付加するとともに、補正前の請求項３に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記井戸層の成長温度が前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも２００〜３００℃低いこと」について、「前記歪量子井戸活性層からのフォトルミネッセンス強度が前記井戸層以外の結晶層の成長温度で前記井戸層を成長させた場合よりも低くなるように」・・・成長温度「を」・・・低「く設定する」と限定するものであって、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２６３７８７号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が、図面と共に記載されている。
　
「【００１８】（実施例２）図４、図５は本発明の実施例２における半導体レーザの断面図である。図４は光の進行方向と垂直な面内の断面図である。また図５は図４の活性層２０の拡大図である。結晶成長は減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて行った。成長圧力は４０ｔｏｒｒ、ＩｎＧａＡｓ結晶成長時のＶ／III比は１２０である。表面が（０，０，１）面から［−１，１，１］方向に０．５度傾斜したＳｉドープｎ型ＧａＡｓ基板１７（キャリア濃度２×１０１８／ｃｍ３）上（但しＧａＡｓ基板表面の傾斜方向は厳密に［−１，１，１］方向である必要はない）にｎ型ＧａＡｓバッファ層１８（Ｓｅドープ、キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３、膜厚０．１μｍ）、ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層１９（Ｓｅドープ、キャリア濃度８×１０１７／ｃｍ３、膜厚１．５μｍ）、ＧａＡｓバリア層２３（膜厚８ｎｍ）を成長温度７００℃で成長させる。その後水素雰囲気中で基板の温度をを６００℃まで下げ、温度が安定した後Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ歪量子井戸層２４（膜厚７ｎｍ）を成長し、その後再度基板温度を７００℃まで上げて温度が安定した後、ＧａＡｓバリア層２５（膜厚８ｎｍ）、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層２１（Ｚｎドープ、キャリア濃度８×１０１７／ｃｍ３、膜厚１．５μｍ）、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２２（Ｚｎドープ、キャリア濃度１×１０１９／ｃｍ３、膜厚０．２μｍ）を順次成長させる。」
　
　上記記載からみて、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認めることができる。 
　
「ＧａＡｓ基板１７上にＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層１９、ＧａＡｓバリア層２３を成長温度７００℃で成長させ、その後基板の温度を６００℃まで下げ、温度が安定した後Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ歪量子井戸層２４を成長し、その後再度基板温度を７００℃まで上げて温度が安定した後、ＧａＡｓバリア層２５、Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層２１、ＧａＡｓコンタクト層２２を減圧ＭＯＣＶＤ法を用いて順次成長させる工程を備えた半導体レーザの製造方法」
　 
（３）対比
　
　そこで、本願補正発明と引用発明とを比較する。
　
ア．引用発明の「ＧａＡｓ基板１７」、「Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ歪量子井戸層２４」、「ＧａＡｓバリア層２３、２５」、「減圧ＭＯＣＶＤ法」及び「半導体レーザの製造方法」は、それぞれ、本願補正発明の「ＧaＡs基板」、「ＩnＧaＡs系半導体井戸層」、「障壁層」、「有機金属化合物気相エピタキシャル成長法」及び「半導体レーザの製造方法」に相当する。 
　
イ．引用発明における「順次成長させたＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層１９、ＧａＡｓバリア層２３、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ歪量子井戸層２４、ＧａＡｓバリア層２５及びＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層２１」は本願補正発明の「ダブルヘテロ構造」に該当し、その「ＧａＡｓバリア層２３、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ歪量子井戸層２４及びＧａＡｓバリア層２５」は、本願補正発明の「歪量子井戸活性層」に該当することが当業者に自明である。
　
ウ．引用発明における「７００℃」は本願補正発明の「７００〜８００℃」と「７００℃」において一致し、引用発明においてＩｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ歪量子井戸層２４を成長する温度「６００℃」は、歪量子井戸層以外の結晶層であるＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層１９及び２１、ＧａＡｓバリア層２３及び２５の成長温度「７００℃」よりも１００℃低いから、引用発明の井戸層の成長温度は本願補正発明の井戸層の成長温度と「井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低く設定する」点で一致している。
　
エ．したがって、両発明は、「ＧaＡs基板上にＩnＧaＡs系半導体井戸層及び障壁層を積層した歪量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を有機金属化合物気相エピタキシャル成長法により結晶成長させる工程において、前記井戸層以外の成長層の成長温度を７００℃に設定し、前記井戸層の成長温度を前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低く設定する半導体レーザの製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。 
　 
［相違点］
　
　前記井戸層の成長温度を前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低く設定する程度が、本願補正発明においては、「前記歪量子井戸活性層からのフォトルミネッセンス強度が前記井戸層以外の結晶層の成長温度で前記井戸層を成長させた場合よりも低くなるように」、井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも「２００〜３００℃」低いのに対して、引用発明においては、「前記歪量子井戸活性層からのフォトルミネッセンス強度が前記井戸層以外の結晶層の成長温度で前記井戸層を成長させた場合よりも低くなる」か否かは明らかでなく、その低さが「１００℃」である点。
　
（４）判断
　 
　上記相違点について検討する。 
　 
ア．本願補正発明において、井戸層の成長温度を前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低く設定することに関し、本願明細書には次の事項が図面とともに記載されている。
　
（ア）「【０００７】歪量子井戸層には、ミスフィット転位と呼ばれる結晶欠陥が発生しない臨界膜厚（ＣＬＴ：Critical Layer Thickness）が存在し、通常、井戸層厚は臨界膜厚を超えないように設定される。しかしながら、臨界膜厚は、Ｉn組成率を高めることによって減少するため、長波長で発振するＩn組成の高い歪量子井戸では、井戸層厚が臨界膜厚に近い値となってしまう。図５の結果は、井戸層厚が臨界膜厚に近づくにつれて劣化速度が上昇していることを示していることに他ならない。本発明は、臨界膜厚を増大させることによって信頼性を高めた歪量子井戸半導体レーザを提供することを目的とする。」
　
（イ）「【００２３】［効果］図２に示すように、歪量子井戸層の成長温度を低温化すると素子の劣化速度を低減できるという実験事実は、臨界膜厚を増大させると素子の劣化を抑制できることを示している。
【００２４】即ち、本発明による歪量子井戸半導体レーザの製造方法によれば、ＩnＧaＡs系歪量子井戸層の成長温度を歪量子井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低くすることによって臨界膜厚を増大させることができ、高信頼性を有する歪量子井戸半導体レーザを製造することができるという効果がある。
【００２５】また、本発明においては、ＩnＧaＡs井戸層とＧaＡs系障壁層とをそれぞれ交互に複数積層（多重）成長することで作製した多重歪量子井戸活性層を他の結晶成長層に比べて低温で成長することでも高信頼性を有する歪量子井戸半導体レーザを製造することができる。図４は、図１に示した構造を有する歪量子井戸半導体レーザエピ基板からのフォトルミネッセンス（ＰＬ：Photoluminescence ）強度を、歪量子井戸活性層以外の成長層の結晶成長温度を基準とした際の歪量子井戸活性層の結晶成長温度との差をパラメータとしてプロットしたグラフである。活性層の成長温度を低温化していくに従ってフォトルミネッセンス強度が低下している。レーザエピ基板からのフォトルミネッセンス強度と素子特性には相関性がある。活性層の成長温度を１００℃程度低温にした場合には、レーザエピ基板からのフォトルミネッセンス強度の低下はほとんど見られず、素子特性も変わらない。
【００２６】活性層の温度を２００℃程度低温にした場合には、フォトルミネッセンス強度は約５分の２程度まで減衰するが、素子特性におよぼす影響は少ない。活性層の成長温度を３００℃程度低温にした場合には、フォトルミネッセンス強度は約１０分の１にまで減衰し、それに応じた素子特性も低下するが、実用的レベルは満足される。３００℃以上の低温化は、素子特性が実用的レベルを割込んでしまうために現実的ではない。即ち、本発明による歪量子井戸半導体レーザの製造方法によれば、歪量子井戸活性層の成長温度を歪量子井戸活性層以外の結晶成長層の成長温度よりも低くすることによって臨界膜厚を増大させることができ、高信頼性を有する歪量子井戸半導体レーザを製造することができるという効果がある。
【００２７】本発明においては、前述した先行技術に比較し、７００〜８００℃で歪量子井戸活性層以降の成長層を成長しているので、結晶の品質を損なうことはなく、良好な素子特性を得ることができる。特に、本発明の第一の実施の形態においては、高Ｉn組成の井戸層を低温で、低Ｉn組成の障壁層を高温で成長しているため、高品質のエピタキシャル膜を成長することができ、極めて良好な素子特性を実現できる。また、本発明においては、歪量子井戸活性層を他の結晶成長層に比べて低温で成長することで臨界膜厚を増大させてミスフィット転位の発生を抑制し、歪量子井戸半導体レーザの信頼性を高めているので、結晶成長方法は常圧有機金属化合物気相エピタキシャル成長法に限らず、分子線エピタキシャル成長法やガスソース分子線エピタキシャル成長法、あるいはケミカルビームエピタキシャル成長法などにも適用することが可能である点で先行技術と異なる。
【００２８】さらに、本発明においては、歪量子井戸活性層を他の結晶成長層に比べて低温で成長することで臨界膜厚を増大させて歪量子井戸半導体レーザの信頼性を高めることを目的としている点で先行技術と異なる。以上説明したように、本発明は、歪量子井戸層の成長温度を低温化し臨界膜厚を増大させることで素子の劣化を抑制できるという新しい知見に基づいているため、従来の歪量子井戸半導体レーザの製造技術よりも優れており、高信頼性を有する歪量子井戸半導体レーザの汎用化、及びこれを用いた各種機器の高性能化や低価格化を推進することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明による歪量子井戸半導体レーザ及び歪量子井戸半導体レーザの製造方法は、歪量子井戸活性層の成長温度を低くすることで臨界膜厚を増大させ、高い信頼性を有する歪量子井戸半導体レーザを供することができる。また、層厚の厚い上部クラッド層成長時には成長温度を戻すので、Ａlを含んだ成長層の品質をも損なうことがなく、素子特性の良好な歪量子井戸半導体レーザを実現できる。」
　
（ウ）「【００１１】［第一番目の実施の形態］・・・・（中略）・・・・【００１２】まず、有機金属化合物気相エピタキシャル成長法により、ＧaＡs基板１上に成長温度７００〜８００℃でＧaＡlＡs下部クラッド層２を結晶成長し、成長温度を５０〜３００℃下げてＩnＧaＡs井戸層を、成長温度を７００〜８００℃に戻してＧaＡs障壁層を交互に複数積層（多重）成長させて多重歪量子井戸活性層３を作製し、成長温度７００〜８００℃でＧaＡlＡs上部クラッド層４、ＧaＡsコンタクト層５を成長させた。」
　
イ．上記ア．（ア）、（イ）の記載からみて、本願補正発明において、井戸層の成長温度を前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低く設定する理由は、井戸層厚が臨界膜厚に近づくにつれて劣化速度が上昇するから、臨界膜厚を増大させて信頼性を高めるため、歪量子井戸層の成長温度を低温化し臨界膜厚を増大させたものであると解されるが、その場合に、井戸層の成長温度を前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低く設定する程度は、５０〜３００℃であって（上記ア．（ウ）の記載参照。）、５０〜２００℃低くする場合と２００℃〜３００℃低くする場合とを区別して臨界膜厚の増大の程度を検討した結果については具体的に開示されていない。また、第一番目の実施の形態の記載（上記ア．（ウ）参照。）では、成長温度を下げてＩnＧaＡs井戸層を成長させる際の下げ幅が「５０〜３００℃」の範囲のどの値なのか特定されていない。
　さらに、本願の図２には、各発振波長における「駆動電流が０．５％上昇するまでの時間（ｈｒｓ）」をプロットしたグラフが示されているが、それによれば、「本発明によるＬＤ」として「○」印を使い、９８０ｎｍ、９９０ｎｍ、１０００ｎｍ、１０１０ｎｍの各発振波長において一部重なり３つ、１０２０ｎｍの発振波長において一部重なり２つか３つ記載されているが、その２つか３つの「○」印が「本発明によるＬＤ」のうちどの具体例に対応するものか不明である。
　してみると、井戸層の成長温度を前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低く設定する程度は、５０〜２００℃低くする場合と２００℃〜３００℃低くする場合とで、臨界膜厚の増大の程度、劣化速度の程度、信頼性等に関し、有意な差があるとは、少なくとも本願の明細書及び図面の記載からは確認することができない。
　ところで、上記ア．（イ）の【００２５】、【００２６】及び図４の記載からみて、
歪量子井戸活性層
前記歪量子井戸活性層以外の結晶成長層
井戸層の
前記井戸層以外の結晶成長層
歪量子井戸活性層
前記歪量子井戸活性層以外の結晶成長層
　さらに、引用発明のクラッド層はＡｌＧａＡｓであり井戸層はＩｎＧａＡｓであるが、ＡｌＧａＡｓ層とＩｎＧａＡｓ層の最適な成長温度に２００〜２５０℃の温度差があることは本願出願前に周知である（例．特開平７−１９３３３３号公報（段落０００４、０００５参照。）、特開平６−２０４５９９号公報（段落００１８、００２３参照。））。
　
ウ．上記イ．の検討結果からみて、上記相違点である、前記井戸層の成長温度を前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低く設定する程度が、本願補正発明が、「前記歪量子井戸活性層からのフォトルミネッセンス強度が前記井戸層以外の結晶層の成長温度で前記井戸層を成長させた場合よりも低くなるように」「２００〜３００℃」としている点は、引用発明が「１００℃」である場合に比較して、臨界膜厚の増大の程度、劣化速度の程度、信頼性等に関し有意な差があるとは認められず、格別素子特性がより向上するものとはいえず、さらに引用発明のクラッド層及び井戸層の各々の最適な成長温度に２００〜２５０℃の温度差があることが周知なのであるから、上記相違点は設計上の変更事項であり格別のものではない。
　
エ．本願補正発明の奏する効果は引用発明の奏する効果以上のものではない。
　
オ．したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。。
　
（５）むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下するべきものである。
　
３．本願発明について 
　 
（１）本願発明 
　 
　平成１７年５月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年６月３日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、その請求項３に係る発明は次のとおりのものである。
　
「【請求項３】
　ＧaＡs基板上にＩnＧaＡs系半導体井戸層及び障壁層を積層した歪量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を結晶成長させる工程において、前記井戸層の成長温度が前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも２００〜３００℃低いことを特徴とする半導体レーザの製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　 
（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、上記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「結晶成長させる」の限定事項である「有機金属化合物気相エピタキシャル成長法により」との限定を省き、「前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度」の限定事項である「前記井戸層以外の成長層の成長温度を７００〜８００℃に設定し」との限定を省くとともに、「前記井戸層の成長温度が前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも２００〜３００℃低いこと」の限定事項である「前記歪量子井戸活性層からのフォトルミネッセンス強度が前記井戸層以外の結晶層の成長温度で前記井戸層を成長させた場合よりも低くなるように」・・・・成長温度「を」・・・・低「く設定する」との限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。