【事件の表示】
　特願２０００−１９６９３７「半導体ウエーハの加工方法及びプラズマエッチング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１８日出願公開、特開２００２−　１６０４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 ［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年６月２９日の出願であって、その請求項１〜４に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成１７年５月２７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面（以下、「本願明細書及び図面」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、該周辺部分のみをプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２６０７７１号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、下記の事項が記載されている。
　　
（ａ）「【請求項３】少なくともウエーハに気相エッチングを行う半導体ウエーハの製造方法において、前記気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とし、かつウエーハの面粗さを低減する・・・半導体ウエーハの製造方法。」（【特許請求の範囲】【請求項３】）、
（ｂ）【従来の技術】として、「【０００４】この気相エッチング工程の一実施形態としては、例えば、ＰＡＣＥ（Ｐｌａｓｍａ　Ａｓｓｉｓｔｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｅｔｃｈｉｎｇ：プラズマ補助化学エッチング）と呼ばれる技術が開発されている（・・・）。これは気相エッチングによるウエーハの厚さを均一化する方法であり、ウエーハの厚さ分布を測定した後、その厚さ分布に応じてウエーハ上でのプラズマを発生するノズルの走向速度を制御することにより、プラズマによるエッチング除去量を制御し、ウエーハ厚さを均一化することによって、ウエーハを高平坦度化する技術である。」（段落【０００４】）、
（ｃ）【課題を解決するための手段】として、「気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とする・・・
【００１１】このように、気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とすれば、ウエーハの形状が凹凸がある場合のウエーハ加工時間の長時間化および不安定化を防止し、生産性の悪化の問題を解決することができる。また、ウエーハの形状を凹形状とすることは、気相エッチングの仕上がり状態を良好なものとし、より高平坦度のウエーハを得ることができるという効果も有する。」（段落【００１０】、【００１１】）、
「気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とし、かつウエーハの面粗さを低減する・・・
【００１５】このように、気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とし、かつウエーハの面粗さを低減することにより、ＰＡＣＥ等の気相エッチングで問題となる、原料ウエーハの形状の影響によるウエーハ加工時間の長時間化、不安定化及びそれらに伴う生産性の悪化を解決し、高平坦度の半導体ウエーハを高い生産性で製造することができる。」（段落【００１４】、【００１５】）、
（ｄ）「ラッピング、研磨等の加工で、容易に形状を制御することが可能な形状としては、図１（ｃ）及び図１（ｄ）のようなウエーハの中心を基点とした点対称な形状である。このような形状であれば、例えば研磨加工を行う際の研磨条件を変化させることにより、簡単にこのような形状のウエーハを得ることができる。
【００２４】しかし、一般に気相エッチングを行う場合は、ウエーハの中心部より周辺部がより大きくエッチングされ易い傾向があることが知られている。そのため本発明の発明者は、図（ｄ）の凹形状を採用した。このような形状にしたウエーハをＰＡＣＥ等の気相エッチング工程に投入すれば、周辺部がよりエッチングされ易いことに対応して最小限のエッチング除去量で気相エッチングを行うことができ、加工時間を短縮する効果はより顕著なものとなる。また原料ウエーハの形状を凹形状にすることは、加工時間を短縮・安定できるだけではなく、ウエーハの周辺エッジ部における過剰なエッチングを防ぎ、エッチング後、ウエーハ平坦度の仕上がり状態を良くする効果も有する。
【００２５】また、本発明者は、気相エッチングを行う場合はエッチング除去量を少なくした方が短時間でエッチングを行うことができることに着目し、気相エッチング加工前にウエーハの面粗さを低減することにした。あらかじめ所定の面粗さにした原料ウエーハを気相エッチングするようにすれば、エッチングによって除去される量は少なくなり、加工時間は短縮され、安定したものとなる。
【００２６】このウエーハの面粗さを低減する処理は、前記ウエーハの形状を凹形状にする処理と合わせて一緒に実施することが望ましい。合わせて実施をすれば、ウエーハを凹形状にする効果とウエーハの面粗さを低減する効果とが相乗し、高平坦度の半導体ウエーハを製造する生産性はさらに高いものとなる。」（段落【００２３】〜【００２６】）、
（ｅ）【実施例】として、「【００３３】本実施例においては、ＰＡＣＥ工程を一次研磨後の洗浄工程と仕上げ研磨工程との工程間において実施した。またＰＡＣＥ工程に投入する前にウエーハを凹形状にする加工は、ウエーハを粗研磨する一次研磨工程において、ウエーハの中心部の研磨圧を上げることにより行った。この研磨はウエーハの両面を研磨するものとし、ウエーハの表裏面にある波長が１ｍｍ〜５０ｍｍのうねり成分を除去した。その後に、ウエーハをＰＡＣＥ工程に投入し、ウエーハの気相エッチングを行った。」が記載されている。
　　
［３］当審の判断
（１）引用刊行物に記載された発明
　摘記（ａ）によれば、引用刊行物には、少なくともウエーハに気相エッチングを行う半導体ウエーハの製造方法において、該気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とし、かつウエーハの面粗さを低減する半導体ウエーハの製造方法が記載されている。
　また、摘記（ｂ）には、半導体ウエーハの平坦度を高める気相エッチング技術として、ＰＡＣＥと呼ばれるプラズマエッチング技術があること、また、摘記（ｃ）には、ＰＡＣＥ等の気相エッチングを行う前に、ウエーハを凹形状とし、かつウエーハの面粗さを低減することにより、原料ウエーハの形状の影響によるウエーハ加工時間の長時間化、不安定化及びそれらに伴う生産性の悪化を解決し、高平坦度の半導体ウエーハを高い生産性で製造できることが記載されている。
　また更に、摘記（ｅ）には、ウエーハを凹形状にする加工を、ウエーハを粗研磨する一次研磨工程において、ウエーハの中心部の研磨圧を上げることにより行い、ウエーハの両面を研磨してウエーハの表裏面にある波長１ｍｍ〜５０ｍｍのうねり成分を除去し、その後に、ウエーハをＰＡＣＥ工程に投入し、ウエーハの気相エッチングを行った実施例が記載されている。
　　
　これらの事項を総合すると、引用刊行物には、「半導体ウエーハにプラズマエッチングを行う、高平坦度の半導体ウエーハの製造方法において、該プラズマエッチングを行う前に、該ウエーハの一次研磨工程において、該ウエーハの中心部の研磨圧を上げることにより該ウエーハを凹形状とし、かつ該ウエーハの面粗さを低減した後、該ウエーハをＰＡＣＥ工程に投入してプラズマエッチングする、高平坦度の半導体ウエーハの製造方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　　
（２）本願発明１と引用発明との対比・判断
　本願発明１と引用発明とを対比すると、半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨することは、半導体ウエーハの表面を研磨するための常套手段であるから、引用発明における「ウエーハの一次研磨」は、本願発明１における「半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨」に相当し、引用発明における「ウエーハの一次研磨工程において、・・・ウエーハの面粗さを低減した後、該ウエーハをＰＡＣＥ工程に投入してプラズマエッチングする」は、本願発明１における「半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする」に相当する。
　また、引用発明における「ウエーハの中心部の研磨圧を上げる」、「凹形状」、「高平坦度の半導体ウエーハの製造方法」は、夫々本願発明１における「半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして」、「周辺部分が盛り上がった形状」、「半導体ウエーハの加工方法」に相当する。
　してみると、両者は、「半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、プラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本願発明１では、周辺部分のみをプラズマエッチングしているのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　
　そこで、相違点（イ）について以下検討する。
　ウエーハの平坦化のためのプラズマエッチングにおいて、ウエーハの凹部をプラズマエッチングすることなく、凸部のみをプラズマエッチングして平坦化することは、例えば、特開平１０−１４７８９３号公報（特に、段落【０００５】、段落【００２４】、段落【００２６】第８欄３８〜４４行、段落【００３１】第１０欄１１〜１５行、段落【００３８】第１２欄２０〜２３行参照）；特開平９−２７４８２号公報（特に、段落【００１９】、段落【００２０】参照）に記載されるように、本願出願前周知の技術であると認められる。
　一方、引用発明では、ウエーハのプラズマエッチングを行う前の一次研磨工程において、該ウエーハの中心部（本願発明１における「中央部分」に相当する）の研磨圧を上げることにより該ウエーハを凹形状とし、かつ該ウエーハの面粗さを低減している。そして、引用刊行物には、該ウエーハの面粗さの低減により、プラズマエッチングによって除去する量を少なくできるので、プラズマエッチングによる該ウエーハの加工時間を短縮できて、生産性を高められることが記載されており（摘記（ｃ）（ｄ）参照）、該記載により、上記プラズマエッチングによって除去する量を、生産性を高めるために少なく抑える必要があり、また、該プラズマエッチングの減量を補うように、上記一次研磨工程においてウエーハを研磨できることが示唆されているといえる。
　してみると、引用発明において、ウエーハの凹形状の凹部へのプラズマエッチングに代わる研磨を上記一次研磨工程等で行うこととし、上記周知技術のように、該凹部をプラズマエッチングすることなく、該凹形状の周辺部分の凸部のみをプラズマエッチングすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、それによってもたらされる本願発明１の効果も、引用刊行物の記載、及び上記周知技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２〜４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。