【事件の表示】
　特願２００４−３５７１９２「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年８月１８日出願公開、特開２００５−２２３３１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１２月９日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１６年１月８日）の特許出願であって、平成１９年７月１９日付けで手続補正がなされ、同年８月９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年３月１０日付けで審尋がなされ、同年５月７日に回答書が提出されたものである。
　
第２．補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年９月１２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　平成１９年９月１２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜４と補正するものであって、補正前後の請求項１は以下のとおりである。
（補正前）
　「【請求項１】
　半導体基板上に白金からなる下部電極を形成する工程と、
　第１の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、前記下部電極上に第１の強誘電体膜を形成する工程と、
　第２の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、前記第１の強誘電体膜上に第２の強誘電体膜を形成する工程と、
　前記第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを備え、
　前記第１及び第２の原料ガスはＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）中にＢｉ（ＭＭＰ）３が希釈されたガスであって、前記第１の原料ガスに含まれるビスマスの濃度は、前記第２の原料ガスに含まれるビスマスの濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体基板上に白金からなる下部電極を形成する工程と、
　第１の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、前記下部電極上に第１の強誘電体膜を形成する工程と、
　第２の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、前記第１の強誘電体膜上に第２の強誘電体膜を形成する工程と、
　前記第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを備え、
　前記第１及び第２の強誘電体膜を形成する工程は、酸素ガスを含む雰囲気で行い、
　前記第１及び第２の原料ガスはＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）中にＢｉ（ＭＭＰ）３が希釈されたガスであって、前記第１の原料ガスに含まれるビスマスの濃度は、前記第２の原料ガスに含まれるビスマスの濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正を整理すると、以下のとおりである。
（補正事項）
　補正前の請求項１の「前記第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを備え、」の後に、「前記第１及び第２の強誘電体膜を形成する工程は、酸素ガスを含む雰囲気で行い、」という事項を付加すること。
　
３．補正の目的及び新規事項の追加の有無についての検討
　本件補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第１の強誘電体膜を形成する工程」及び「第２の強誘電体膜を形成する工程」に対して、「酸素ガスを含む雰囲気で行」うという技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正により付加された「前記第１及び第２の強誘電体膜を形成する工程は、酸素ガスを含む雰囲気で行い、」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の００５２段落、００５３段落、０１５３段落等に記載されているから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載されている事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　以上、検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たし、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　したがって、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、更に検討を進める。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜４に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１１−２７９７６２号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜４とともに以下の記載がある（なお、下線は当審において付加したものである。以下同じ。）。
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体膜の作製方法に関し、特にＢｉ、Ｓｒ、Ｐｂ、またはＺｒを含む誘電体膜を化学気相堆積により作製する方法に関する
【０００２】
【従来の技術】化学式（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｎ−１ＢｎＯ３ｎ＋１）２−で表されるＢｉ系層状ペロブスカイト型酸化物は、反転疲労の少ない誘電体であることが知られている。一般的にＡはＢｉ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋのいずれかであり、ＢはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒのいずれかであり、ｎは１〜５の正の整数である。
たとえば、Ａ＝Ｓｒ、Ｂ＝Ｔａ、ｎ＝２の場合（Ｂｉ
２
Ｏ
２
）
２＋
（ＳｒＴａ
２
Ｏ
７
）
２−
である。この場合分子式はＳｒＢｉ
２
Ｔａ
２
Ｏ
９
となる
【０００３】従来Ｂｉ系層状ペロブスカイト型酸化物の誘電体膜はスピンコートやスパッタリングによって成膜されていた。
将来的に半導体メモリ装置のキャパシタ誘電体膜としてＢｉ系層状ペロブスカイト型酸化物膜を用いること等を考えると、微細加工の容易な化学気相堆積（ＣＶＤ）によりＢｉ系層状ペロブスカイト型酸化物膜を成膜することが望まれる
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤにより成膜したＢｉ系層状ペロブスカイト型酸化物膜は、スピンコートやスパッタリングにより成膜したＢｉ系層状ペロブスカイト型酸化物膜よりも電気的特性が劣っていた。
【０００５】本発明の目的は、電気的特性の優れたＢｉ系層状ペロブスカイト型酸化物膜を化学気相堆積により成膜することのできる誘電体膜の作製方法を提供することである。
【０００６】
本発明の他の目的は、厚さ方向に関して均一な組成の誘電体膜を化学気相堆積によって成膜することのできる誘電体膜の作製方法を提供することである
　
ｂ．「【００１１】
【発明の実施の形態】本発明者等は、化学気相堆積によって作製したＢｉ系層状ペロブスカイト型酸化物膜の電気的特性がなぜスピンコート法などで成膜したものよりも劣っているのかを実験的に調べた。
【００１２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明者等の行った実験を説明するためのサンプル及び化学気相堆積（ＣＶＤ）装置の概略断面図及び実験結果を示すグラフである。
【００１３】図２（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１１の表面上に熱酸化法によりＳｉＯ２層１２を成長させ、その上にＴｉ層１３、Ｐｔ層１４をスパッタリングによって堆積した。なお、ＳｉＯ２層１２の厚さは５００ｎｍであり、Ｔｉ層１３の厚さは３０〜５０ｎｍであり、Ｐｔ層１４の厚さは２００ｎｍである。
【００１４】このように準備した下地電極上に層状ペロブスカイト型酸化物膜としてＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜（ＳＢＴ膜）１５を化学気相堆積（ＣＶＤ）により堆積した。なお、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９は、厳密にはＳｒ０．８Ｂｉ２．３Ｔａ２Ｏ９の化学式を持つようなノンストイキオメトリの組成の時、電気的特性が優れていることが知られている。しかしながら、本明細書においてはこのようなノンストイキオメトリの組成を含めてＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９と表す。
【００１５】図２（Ｂ）は、ＣＶＤ装置の構成を概略的に示す。堆積室５１は真空排気可能であり、上部に、温度コントローラを有するガス供給装置５３を備える。堆積室５１の下部には、基板５５を載置するためのサセプタ５６が設けられている。サセプタ５６は、ヒータ５７を内蔵し、基板５５を所望温度に加熱することができる。堆積室５１には排気管５８が接続されており、排気ポンプ５９、除害器６０を介して堆積室５１内を排気することができる。温度コントローラには、加熱／冷却媒体の循環路６５が接続されている。循環路６５中には、冷却器６１、加熱器６２、循環ポンプ６３が備えられている。ガス供給装置５３には、上方から所望組成の原料ガスが供給される。
【００１６】原料ガスのベッセルＶａ、Ｖｂ、Ｖｃは、３種類の原料を収容している。図示の場合、３種類の原料はそれぞれ液体であるものとする。ベッセルＶａ、Ｖｂ、Ｖｃ内に、配管６７を通して窒素ガスが送られ、液面に圧力を印加する。圧力印加により、原料液体が配管６８ａ、６８ｂ、６８ｃにそれぞれ供給される。これらの配管６８ａ、６８ｂ、６８ｃは、ミキサー７０で結合され、３種類の液体が混合された原料液体が液体ポンプ７１に供給される。
【００１７】ミキサー７０は、ベッセルＶａ、Ｖｂ、Ｖｃから供給される原料の混合比を決める働きをする。液体ポンプ７１は、混合原料液体を気化室７２に供給する。気化室７２内には、メッシュフィルタ７３を介して原料液体が供給される。気化室７２内に供給された原料液体は気化し、配管７５から供給される窒素ガスに、スロットルバルブ７４を介して配管７６に輸送される。
【００１８】配管７６には、Ｏ２＋Ｎ２ガスを供給するガス供給口７８が設けられている。このようにして、気化した混合原料ガスとＯ２＋Ｎ２ガスがガス供給装置５３に供給される。
【００１９】なお、ＣＶＤの原料が３種類の液体である場合を例示したが、原料として４種類以上または２種類以下の材料を用いることも可能である。以下、Ｂｉ系層状ベロブスカイト型酸化物膜としてＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜をＣＶＤにより堆積する場合を説明する。
【００２０】
Ｓｒ原料としてビスジピバロイルメタナートストロンチウム（Ｓｒ（ＤＰＭ）
２
）、Ｂｉ原料としてトリフェニルビスマス（Ｂｉ（Ｃ
６
Ｈ
５
）
３
）、及びＴａ原料としてテトライソプロポキシジピバロイルメタナートタンタル（Ｔａ（Ｏ−ｉＣ
３
Ｈ
７
）
４
（ＤＰＭ））を用いた。これらの原料を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に、それぞれ０．１５モル／リットル、０．４モル／リットル、及び０．４モル／リットルの濃度になるように溶かした
【００２１】Ｓｒ（ＤＰＭ）２、Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３、及びＴａ（Ｏ−ｉＣ３Ｈ７）４（ＤＰＭ）を、それぞれの流量が０．０６ｓｃｃｍ、０．０６ｓｃｃｍ、及び０．０３ｓｃｃｍとなるように混合し、温度２２０℃に保持した気化室７２に導入した。このとき、溶液原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比は３：８：４である。気化室７２に導入された原料気体をＮ２キャリアガスと共に反応室５１に導入した。反応室５１内に収容された基板５５の温度は約４４０℃に保たれている。
【００２２】基板５５（図２（Ａ）のＰｔ下地電極１４）の上に、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜が堆積する。上述の条件で、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜１５を厚さ約２００ｎｍ堆積させた。
【００２３】
このように作製したＳｒＢｉＴａ
２
Ｏ
９
（審決注：ＳｒＢｉ
２
Ｔａ
２
Ｏ
９
の誤記）の組成を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分析により調べた。図２（Ｃ）に測定の結果得られたＢｉとＳｒの組成比を、Ｔａの組成比を２として示す。Ｓｒの組成は、図２（Ｃ）中の曲線Ｓｒに示すように、膜中の深さによらずほぼ一定であるのに対し、Ｂｉの組成は、破線Ｂｉ１に示すように、下地電極表面の近傍で低く、下地電極表面から遠くなる（膜厚が厚くなる）に従って次第に上昇し、やがてほぼ一定値に近づいている
【００２４】
すなわち、同一組成で作製したはずのＳｒＢｉ
２
Ｔａ
２
Ｏ
９
膜１５は、膜厚方向に組成分布を有しており、下地金属層に近い部分ではＢｉ成分が不足していることが分かった。
【００２５】図３は、Ｐｔ層１４内の厚さ方向に関する２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）による２次イオン検出強度の分布を示す。横軸はＰｔ層１４の上面からの深さを単位ｎｍで表し、縦軸は検出強度を対数目盛で表す。図中の記号○及び△は、それぞれＢｉ及びＳｒに対する検出強度を示す。なお、Ｔａの含有量は、検出限界以下であった。
【００２６】
Ｂｉ原子が、５ｎｍよりも深い領域まで拡散していることがわかる。また、Ｓｒ原子も、Ｐｔ層１４内にわずかながら拡散していることがわかる。ＳｒＢｉ
２
Ｔａ
２
Ｏ
９
膜１５内のＢｉ成分及びＳｒ成分の不足は、これらの原子がＰｔ層１４内に拡散したためと考えられる
【００２７】
そこで、ＳｒＢｉ
２
Ｔａ
２
Ｏ
９
膜１５を厚さ方向に関して２つの部分に分け、第１層１５ａと第２層１５ｂとを異なる条件で堆積した。第１層１５ａは、ソースガス中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：１５：４に設定して堆積し、第２層１５ｂは、ソースガス中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：８：４に設定して堆積した。第１層１５ａ及び第２層１５ｂの厚さは、共に約１００ｎｍである
【００２８】
このようにして作製したＳｒＢｉ
２
Ｔａ
２
Ｏ
９
膜１５の組成を、再びＩＣＰ発光分析により測定した。測定の結果得られたＢｉ組成は、図２（Ｂ）の実線Ｂｉ２に示す通りである。なお、Ｓｒの組成は、前回と同様実線Ｓｒであった。この方法によれば、ＳＢＴ膜１５中で、Ｂｉ組成がほぼ一定に保たれ、高い電気特性が実現できることが分かる
　
ｃ．「【００２９】
図１（Ａ）は、本発明の実施例によるキャパシタを有する半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。Ｓｉ基板１の表面上に、熱酸化によりＳｉＯ
２
層２を形成する。ＳｉＯ
２
層２の上に、例えば厚さ約２０〜３０ｎｍのＴｉ層３をスパッタリングにより形成し、その上に厚さ約１００〜２００ｎｍのＰｔ層４を同じくスパッタリングにより形成する。このようにして積層したＰｔ／Ｔｉ層３、４が下地電極層を構成する。なお、下地電極層はスパッタリングに限らず、蒸着等他の方法によって堆積してもよい
【００３０】
Ｐｔ層４の上に、ＳＢＴからなる第１層５を、原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：（１２〜１８）：４として堆積した。なお、液体原料は熱により気化させ、Ｎ
２
キャリアガスと共に反応室に導く。反応室内の圧力は約７ｔｏｒｒ、Ｎ
２
流量は約０．５ｓｌｍ、Ｏ
２
流量は約０．５ｓｌｍ、基板温度は約４００〜４５０℃とする。このような条件で、ＳＢＴからなる厚さ約１００ｎｍの第１層５を堆積する。次に、原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：８：４に変更し、他の条件は第１層５と同様の条件でＳＢＴからなる第２層６を堆積する。
【００３１】ＳＢＴ層成膜後、酸素雰囲気中で温度を７５０〜８５０℃とし、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）を約３０秒間行う。さらにファーネス中に移し、温度７００〜８００℃で３０分間のアニーニング（審決注：「アニーリング」の誤記）を行う。
このようにして誘電体膜の膜質を改良し、その上に上部電極７をスパッタリングにより堆積する。上部電極７は、Ｐｔ層を堆積し、メタルマスクを用いてこのＰｔ膜をスパッタリングすることにより形成される。上部電極７は、例えば直径０．５ｍｍφの円形状にパターニングされる。
【００３２】なお、必要に応じＳＢＴ膜６、５および下部電極４、３もパターニングする。
【００３３】このように下地電極上に先ずＢｉ組成比の高い原料を供給し、ＳＢＴ第１層を形成する。その後、Ｂｉのモル比を少なくして所望のＢｉ組成を実現するのに適した原料を供給し、ＳＢＴ第２層を堆積する。これにより、全厚さに渡ってＢｉ組成の平均化されたＳＢＴ層を得ることができる。Ｂｉ組成の不足を補うことにより、電気的特性の優れた誘電体膜が得られる。」
　
（２−２）ここにおいて、００３０段落に記載された「Ｐｔ層４の上に、ＳＢＴからなる第１層５を、原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：（１２〜１８）：４として堆積」する工程、及び「原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：８：４に変更し、他の条件は第１層５と同様の条件でＳＢＴからなる第２層６を堆積する」工程についてみると、０００１段落〜０００５段落の記載から、引用例は、「Ｂｉ系層状ペロブスカイト型酸化物膜」をＣＶＤにより堆積することを前提としていることが明らかであるから、これらの工程がＣＶＤにより行われていることは明らかである。
　また、００２０段落の記載から、これらの工程においては、原料ガスとして、Ｓｒ（ＤＰＭ）２、Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３及びＴａ（Ｏ−ｉＣ３Ｈ７）４（ＤＰＭ）を、各々テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かしたものが用いられているものと認められる。
　また、００３０段落の「反応室内の圧力は約７ｔｏｒｒ、Ｎ２流量は約０．５ｓｌｍ、Ｏ２流量は約０．５ｓｌｍ、基板温度は約４００〜４５０℃とする。このような条件で、ＳＢＴからなる厚さ約１００ｎｍの第１層５を堆積する。次に、原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：８：４に変更し、他の条件は第１層５と同様の条件でＳＢＴからなる第２層６を堆積する。」という記載から、「第１層５」及び「第２層６」を堆積する工程においては、反応室へのＯ２流量は約０．５ｓｌｍであることが明らかである。
　
（２−３）以上を総合すると、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「Ｓｉ基板１の表面上に、熱酸化によりＳｉＯ２層２を形成し、前記ＳｉＯ２層２の上に、例えば厚さ約２０〜３０ｎｍのＴｉ層３をスパッタリングにより形成し、その上に厚さ約１００〜２００ｎｍのＰｔ層４を同じくスパッタリングにより形成する工程と、
　前記Ｐｔ層４の上に、ＳＢＴからなる第１層５を、原料ガスとして、Ｓｒ（ＤＰＭ）２、Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３及びＴａ（Ｏ−ｉＣ３Ｈ７）４（ＤＰＭ）を、各々テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かして気化したものであって、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：（１２〜１８）：４としたものを用いてＣＶＤにより堆積する工程と、
　原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：８：４に変更し、他の条件は前記第１層５と同様の条件でＳＢＴからなる第２層６を堆積する工程と、
　その上に上部電極７をスパッタリングにより堆積する工程とを備え、
　前記第１層５及び前記第２層６を堆積する工程において、反応室へのＯ２流量は約０．５ｓｌｍであるキャパシタを有する半導体装置の製造方法。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用例の００２９段落の「このようにして積層したＰｔ／Ｔｉ層３、４が下地電極層を構成する。」という記載から明らかなように、引用発明の「Ｔｉ層３」及び「Ｐｔ層４」は補正発明の「下部電極」に相当する。
　したがって、引用発明の「Ｓｉ基板１の表面上に、熱酸化によりＳｉＯ２層２を形成し、前記ＳｉＯ２層２の上に、例えば厚さ約２０〜３０ｎｍのＴｉ層３をスパッタリングにより形成し、その上に厚さ約１００〜２００ｎｍのＰｔ層４を同じくスパッタリングにより形成する工程」と補正発明の「半導体基板上に白金からなる下部電極を形成する工程」とは、「半導体基板上に白金を含む下部電極を形成する工程」である点で一致する。
　
（３−２）引用発明の「第１層５」、「第２層６」が、各々補正発明の「第１の強誘電体膜」、「第２の強誘電体膜」に相当することは明らかである。
　また、引用発明の「Ｓｒ（ＤＰＭ）２、Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３及びＴａ（Ｏ−ｉＣ３Ｈ７）４（ＤＰＭ）を、各々テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かして気化したものであって、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：（１２〜１８）：４とした」「原料ガス」のうちの、「Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３ 」を「テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かして気化した」部分が、補正発明の「第１の原料ガス」に相当し、引用発明の「原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：８：４に変更し、他の条件は前記第１層５と同様の条件」とした「原料ガス」のうちの、「Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３ 」を「テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かして気化した」部分が、補正発明の「第２の原料ガス」に相当するものと認められる。
　したがって、引用発明の「前記Ｐｔ層４の上に、ＳＢＴからなる第１層５を、原料ガスとして、Ｓｒ（ＤＰＭ）２、Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３及びＴａ（Ｏ−ｉＣ３Ｈ７）４（ＤＰＭ）を、各々テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かして気化したものであって、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：（１２〜１８）：４としたものを用いてＣＶＤにより堆積する工程」は、補正発明の「第１の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、前記下部電極上に第１の強誘電体膜を形成する工程」に相当し、引用発明の「原料中のＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比を３：８：４に変更し、他の条件は前記第１層５と同様の条件でＳＢＴからなる第２層６を堆積する工程」は、補正発明の「第２の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、前記第１の強誘電体膜上に第２の強誘電体膜を形成する工程」に相当する。
　
（３−３）引用発明の「その上に上部電極７をスパッタリングにより堆積する工程」は、補正発明の「前記第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する工程」に相当する。
　また、引用発明においては、「前記第１層５及び前記第２層６を堆積する工程において、反応室へのＯ２流量は約０．５ｓｌｍである」から、引用発明は補正発明と同様に、「前記第１及び第２の強誘電体膜を形成する工程は、酸素ガスを含む雰囲気で行」われていることが明らかである。
　また、引用発明においては、「第１の層５」を堆積する際の原料中の「Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比」が「３：（１２〜１８）：４」であるのに対して、「第２の層６」を堆積する際の原料中の「Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａ元素のモル比」は「３：８：４」となっているから、引用発明も補正発明と同様に、「前記第１の原料ガスに含まれるビスマスの濃度は、前記第２の原料ガスに含まれるビスマスの濃度よりも高い」構成になっているものと認められる。
　また、引用発明の「キャパシタを有する半導体装置の製造方法」が補正発明の「半導体装置の製造方法」に相当することは自明である。
　
（３−４）以上を踏まえると、補正発明と引用発明とは、
　「半導体基板上に白金を含む下部電極を形成する工程と、
　第１の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、前記下部電極上に第１の強誘電体膜を形成する工程と、
　第２の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、前記第１の強誘電体膜上に第２の強誘電体膜を形成する工程と、
　前記第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを備え、
　前記第１及び第２の強誘電体膜を形成する工程は、酸素ガスを含む雰囲気で行い、
　前記第１の原料ガスに含まれるビスマスの濃度は、前記第２の原料ガスに含まれるビスマスの濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　「下部電極」が、補正発明では「白金からなる」のに対して、引用発明では「Ｔｉ層３」及び「Ｐｔ層４」からなる点。
　
（相違点２）
　「前記第１及び第２の原料ガス」が、補正発明では「ＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）中にＢｉ（ＭＭＰ）３が希釈されたガス」であるのに対して、引用発明では「Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３」を「テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）」に溶かして気化したものである点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
　引用発明における「下部電極」である「Ｐｔ層４」及び「Ｔｉ層３」のうちの「Ｔｉ層３」は、不所望な原子の拡散の防止を目的として設けられた、いわゆるバリア層であることは、当業者の技術常識であるところ、一般に、バリア層は必須のものではなく、導電層が形成される部位の構造等に応じ、当該導電層が接する層との間での不所望な原子の拡散が起こる可能性を勘案して適宜設けるものであることも、例えば、下記周知文献１及び２の記載からも分かるように当業者における技術常識である。
　
ａ．周知文献１：特開平１１−１０３０２４号公報
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電体の不揮発性を利用したＦｅＲＡＭ（Ferroelectonic Random Access Memory）等の強誘電体素子と、それを用いた半導体装置とに関する。」
　「【００１９】本発明の強誘電体素子の下部電極の材料としては、耐酸化性に優れた材料であれば、どのような電極材料でもよいが、白金族元素またはその合金もしくは酸化物などを用いることができる。特に白金は、これを用いることで強誘電体素子を量産性よく生産できるため、本発明の素子に適している。」
　「【００２５】下部電極または上部電極の成膜方法としては、スピンコート法、有機金属または酢酸塩などを用いる塗布法、スプレー法もしくはミスト法、ＭＯＣＶＤ（metal-organic chemical vapor diposition）法、スパッタ法、ＭＢＥ（molecular beam epitaxy）法、または、レーザ蒸着法など、適宜用いることができる。
また、下地基板と下部電極との間には、バリア層などを適宜設けてもよい
　
ｂ．周知文献２：特開２００３−１３３５２５号公報
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリ素子及びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、キャパシタが高誘電体膜や強誘電体膜を有する場合に好適な半導体メモリ素子及びその製造方法に関する。」
　「【００１９】第１の層間絶縁膜上には、キャパシタが形成される。キャパシタは、第１の層間絶縁膜側から、下部電極、キャパシタ絶縁膜及び上部電極とからなる。下部電極及び上部電極は、特に限定されず、公知の材料をいずれも使用することができる。例えば、Ｐｔ、ＰｔＲｈ、ＰｔＲｈＯｘ、Ｉｒ、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＲｕＯｘ等からなる電極を用いることが可能である。キャパシタ絶縁膜も特に限定されず、公知の材料をいずれも使用することができる。・・・【００２０】・・・上部電極及び下部電極の製造方法は、特に限定されず、蒸着法、ＣＶＤ法等が挙げられる。キャパシタ絶縁膜の製造方法は、特に限定されず、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、ＭＯＣＶＤ法、前駆体の焼成法等が挙げられる。
なお、下部電極と層間絶縁膜との間に、密着層やバリア層を形成していてもよい。
　
　したがって、引用発明において、「Ｔｉ層３」を設けるか否かは、下部電極が形成される部位の構造等に応じ、下部電極が接する層との間での不所望な原子の拡散が起こる可能性を勘案しつつ当業者が適宜選択し得る設計的事項であると認められるから、相違点１は、当業者が適宜なし得る範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）一般に、ＣＶＤやＡＬＤ等の成膜に用いる材料として、ビスマスの原料（前駆体）としてのＢｉ（ＭＭＰ）３や希釈材料としてのＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）は、例えば、下記周知文献３〜６に記載されているように、いずれも当業者において周知である。
　
ａ．周知文献３： YOUNG JIN CHO et al., Atomic Layer Deposition(ALD) of Bismuth Titanium Oxide Thin Films Using Direct Liquid Injection(DLI) Method, Integrated Ferroelectrics 59, 2003, pp.1483-1489
　「酸化ビスマス・チタンの薄膜が、ルテニウム及び白金が被覆されたシリコン基板の上に、原子層成長法（ＡＬＤ）により形成された。
トリ（1-メトキシ-2-メチル-2-プロポキシ）ビスマス、Ｂｉ（ｍｍｐ）
３
及びテトラキス（1-メトキシ-2-メチル-2-プロポキシ）チタン、Ｔｉ（ｍｍｐ）
４
（旭電化工業Ｋ．Ｋ．日本）が有機金属前駆体として選択され、これらの前駆体はエチルシクロヘキサン（ＥＣＨ）中で混合されて２３０度に加熱された気化器を通された
　
ｂ．周知文献４：Anthony C. Jones, Molecular design of improved precursors for the MOCVD of electroceramic oxides, J. Mater. Chem., 2002, VOL.12, pp.2576-2590
　「それゆえ、
［Ｂｉ（ｍｍｐ）
３
］は、ＳｒＢｉ
２
Ｔａ
２
Ｏ
９
及びＳｒＢｉ
２
（Ｔａ
ｘ
Ｎｂ
１−ｘ
）
２
Ｏ
９
の液体注入ＭＯＣＶＤのための既存のＢｉ原料に対して多大な利点を有し
　
ｃ．周知文献５：国際公開０３／０３５９２６号
　「本発明は、化学気相成長のための前駆体に関する。特に本発明は、これに限定されるものではないが、化学気相成長法による酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム／酸化シリコン（ＺＳＯ）及び酸化ハフニウム／酸化シリコン（ＨＳＯ）の成長のための前駆体に関する。」（１ページ３行〜７行の訳文）
　「
また、前駆体を組み合わせて複合酸化物のＭＯＣＶＤに使用することができる。例えば、Ｂｉ（ｍｍｐ）
３
／Ｔｉ（ＯＰｒｉ）
２
（ｍｍｐ）
２
又はＢｉ（ｍｍｐ）
３
／Ｔｉ（ｍｍｐ）
４
の組合せによるチタン酸ビスマスのＭＯＣＶＤが挙げられる
　
ｄ．周知文献６：特開２００３−１６６０５８号公報
　「【００２３】
上記のＣＶＤ用原料に使用する有機溶剤としては、特に制限を受けることはなく周知一般の有機溶剤を用いることができる。該有機溶剤としては、例えば、
テトラヒドロフラン
エチルシクロヘキサン
　
　したがって、引用発明において、「Ｂｉ（Ｃ６Ｈ５）３」に代えて上記周知のビスマス原料（前駆体）である「Ｂｉ（ＭＭＰ）３」を用いるとともに、「テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）」に代えて上記周知の希釈材料である「ＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）」を用いることにより、補正発明のように、「前記第１及び第２の原料ガスはＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）中にＢｉ（ＭＭＰ）３が希釈されたガス」である構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２−２）これに関連して、審判請求人は、平成２２年５月７日に提出した回答書の２．（２）及び（３）において、「本件出願人は、ＡＬＤ法とＣＶＤ法とでは、使用する原料の組成によって、成膜メカニズムが全く異なることを特に主張しております。つまり、ＡＬＤ法と同じ材料をＣＶＤ法で使用することが出来たとしても、原料の組成についてまでも、ＡＬＤ法からＣＶＤ法に当業者が容易に想到できるものではなく、格別な困難性が存在するものと思料します。・・・従いまして、本願請求項１に係る発明は特許されるべきものです。」と主張している。
　しかしながら、一般に、ＡＬＤ法とＣＶＤ法とは、化学的によく似た気相薄膜形成法であり、両者において同一の原材料が使用できることは、例えば、上記周知文献５の「本発明に係る前駆体は、前駆体を有機金属バブラーに収容する従来のＭＯＣＶＤ又は前駆体を適切な不活性有機溶媒に溶解し、加熱蒸発器を使用して気相に蒸発させる液体注入ＭＯＣＶＤによって、単一あるいは混合酸化層又は膜を成膜する際に使用することができる。
前駆体は、原子層堆積法（ＡＬＤ）など、その他の化学気相成長技術によって酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化チタンの膜を成膜する際にも好適に使用することができる
本発明の目的は、ＣＶＤまたはＡＬＣＶＤによってハフニウム金属酸化物薄膜を堆積するために用いられ得るハフニウム前駆体を提供することである
　また、仮に、ＡＬＤ法における原料等をＣＶＤ法に転用することが困難であるとみなした場合であっても、ＣＶＤ法においてＢｉ（ＭＭＰ）３やＥＣＨ（エチルシクロヘキサン）を用いることは上記周知文献４〜６に記載されており、周知技術であることが明らかであるから、審判請求人の主張は採用できない。
　
（４−３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正発明は、周知文献１〜７に記載された周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明
　平成１９年９月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１９年７月１９日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１１−２７９７６２号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正発明から技術的限定を除外した発明である本願発明も当然に、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、上記結論の通り審決する。