【事件の表示】
　平成　９年特許願第２０１１５３号「高周波電力増幅器およびこれを用いた移動体通信装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１２月　４日出願公開、特開平１０−３２２１４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は，平成９年７月２８日（優先権主張平成８年１０月４日，平成９年３月１４日）の出願であって，平成１６年８月６日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年９月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに，同年１０月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年１０月１２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年１０月１２日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
　（１）補正後の本願発明
　本件補正により，平成１６年７月１３日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲である
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　入力信号が供給される信号入力端子と，出力信号を出力する信号出力端子と，前段のドレインと後段のゲートの間に設けられた段間整合回路を介して連結されて各々のソースに基準電位が供給されると共に各々のドレインに電源電位が供給された複数段の電界効果トランジスタと，前記信号入力端子と初段の電界効果トランジスタのゲートの間に設けられた入力整合回路と，最終段の電界効果トランジスタのドレインと前記信号出力端子の間に設けられた出力整合回路とを有すると共に，充満電位と終止電位との間に差を生じるバッテリに接続されて，所定の周期で間欠的に送信される高周波信号を受信して所望の値にまで増幅する高周波電力増幅器において，
　前記複数段の電界効果トランジスタは，前段のインピーダンス整合回路が接続されるゲートと，前記バッテリと後段のインピーダンス整合回路が接続されるドレインとをそれぞれ備え，
　前記複数段の電界効果トランジスタのうちの少なくとも前記最終段の電界効果トランジスタが，半絶縁性基板と，この基板の表面に設けられた第１導電型のチャネル領域と，このチャネル領域上に設けられ，前記基板との間でショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して前記基板表面に離間して設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域と，これらソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の前記チャネル領域近傍に設けられ前記ソース領域およびドレイン領域の何れか一方にのみ接する第２導電型領域と，を備えることを特徴とする高周波電力増幅器。
・・・（中略）・・・
【請求項６】
　ソースが接地され，ゲートに高周波入力信号が供給されると共にこのゲートが直流電位を供給するための端子との間に高抵抗を介して接続され，ドレインが高周波信号を出力すると共にインダクタ素子を介して高電位電源に接続された電界効果トランジスタにより構成されると共に，充満電位と終止電位との間に差を生じるバッテリに接続されて，所定の周期で間欠的に送信される高周波信号を受信して所望の値にまで増幅する高周波電力増幅器において，
　前記複数段の電界効果トランジスタは，前段のインピーダンス整合回路が接続されるゲートと，前記バッテリと後段のインピーダンス整合回路が接続されるドレインとをそれぞれ備え，
　前記複数段の電界トランジスタのうちの少なくとも最終段の電界効果トランジスタが，
半絶縁性基板と，この基板の表面に設けられた第１導電型のチャネル領域と，このチャネル領域上に設けられ，前記基板との間でショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して前記基板表面に離間して設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域と，これらソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の前記チャネル領域近傍に設けられ前記ソース領域およびドレイン領域の何れか一方のみに接する第２導電型領域と，を備えると共に，
　前記電界効果トランジスタは，２．４Ｖ以下の電源電圧を有し，かつ，前記ゲート電極は０Ｖ以上の直流電位の供給を受けることを特徴とする高周波電力増幅器。
　（以下省略）・・・」が，
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　入力信号が供給される信号入力端子と，出力信号を出力する信号出力端子と，前段のドレインと後段のゲートの間に設けられた段間整合回路を介して連結されて各々のソースに基準電位が供給されると共に各々のドレインに電源電位が供給された複数段の電界効果トランジスタと，前記信号入力端子と初段の電界効果トランジスタのゲートの間に設けられた入力整合回路と，最終段の電界効果トランジスタのドレインと前記信号出力端子の間に設けられた出力整合回路とを有すると共に，充満電位と終止電位との間に差を生じるバッテリに接続されて，所定の周期で間欠的に送信される高周波信号を受信して所望の値にまで増幅する高周波電力増幅器において，
　前記複数段の電界効果トランジスタは，前段のインピーダンス整合回路が接続されるゲートと，前記バッテリと後段のインピーダンス整合回路が接続されるドレインとをそれぞれ備え，
　前記複数段の電界効果トランジスタのうちの少なくとも前記最終段の電界効果トランジスタが，半絶縁性基板と，この基板の表面に設けられた第１導電型のチャネル領域と，このチャネル領域上に設けられ，前記基板との間でショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して前記基板表面に離間して設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域と，これらソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の前記チャネル領域近傍に設けられ前記ソース領域およびドレイン領域の何れか一方にのみ接する第２導電型領域と，を備えることを特徴とする高周波電力増幅器。
・・・（中略）・・・
【請求項６】
　ソースが接地され，ゲートに高周波入力信号が供給されると共にこのゲートが直流電位を供給するための端子との間に高抵抗を介して接続され，ドレインが高周波信号を出力すると共にインダクタ素子を介して高電位電源に接続された電界効果トランジスタにより構成されると共に，充満電位と終止電位との間に差を生じるバッテリに接続されて，所定の周期で間欠的に送信される高周波信号を受信して所望の値にまで増幅する高周波電力増幅器において，
　前記複数段の電界効果トランジスタは，前段のインピーダンス整合回路が接続されるゲートと，前記バッテリと後段のインピーダンス整合回路が接続されるドレインとをそれぞれ備え，
　前記複数段の電界トランジスタのうちの少なくとも最終段の電界効果トランジスタが，
半絶縁性基板と，この基板の表面に設けられた第１導電型のチャネル領域と，このチャネル領域上に設けられ，前記基板との間でショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して前記基板表面に離間して設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域と，これらソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の前記チャネル領域近傍に設けられ前記ソース領域およびドレイン領域の何れか一方のみに接する第２導電型領域と，を備えると共に，
　前記電界効果トランジスタは，２．４Ｖ以下の電源電圧を有し，かつ，前記ゲート電極は０Ｖ以上の直流電位の供給を受けると共に，
　
前記バッテリと前記ドレインとの間には，前記バッテリの充満電位と終止電位の間の電位に基づくゲートバイアスを検出するゲートバイアス手段がさらに設けられている
　（以下省略）・・・」と補正された。
　なお，下線部は，実質的な補正箇所である。
　
　したがって，本件補正は，補正前の請求項６に「
前記バッテリと前記ドレインとの間には，前記バッテリの充満電位と終止電位の間の電位に基づくゲートバイアスを検出するゲートバイアス手段がさらに設けられている
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下，「補正後発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（２）引用発明及び周知発明
　原査定の拒絶の理由に引用された，本件出願前公知の刊行物である特開平７−１５４１６９号公報（以下，「引用文献」という。）には，
「【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は，高効率動作が要求される移動端末機器等における高周波電力増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
　近年，移動通信の分野においては，ディジタル変調方式を利用したシステムの実用化が進み，そこでは変調方式の関係から線形増幅が要求され，電力増幅器もその例外ではない。
【０００３】図５は従来例としての一般的な二段増幅器の構成を示し，１および２は電力増幅用のＦＥＴであり，３，４，５は整合回路である。また，図６はデバイスとしてガリウム砒素ＭＥＳＦＥＴを用いた電力増幅器の特性を示し，横軸に入力をとり，曲線Ａは出力を示し，曲線Ｂは消費電流を示し，曲線Ｃは無線送信規格として重要な隣接チャネル漏洩電力の変化を示す。電力増幅器としては，必要な最大出力において，隣接チャネル漏洩電力Ｃが規格を充分に満たすことが要求され，さらにその時の消費電力も極力減らすような設計およびデバイスの選定を必要とする。」（第２頁第１欄。以下，「摘記事項」という。）と記載されている。
　
　上記摘記事項中の「ＦＥＴ」は電界効果トランジスタのことであり，
同「ガリウム砒素ＭＥＳＦＥＴ」とは，チャネル領域上に設けられ，ショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して離間して設けられたソース領域およびドレイン領域とを備える電界効果トランジスタのことであり，
また，上記摘記事項中で指摘されている図５には，「入力」と記載されており，そこには，入力信号が供給される信号入力端子が当然存在し，
図５には「出力」と記載されており，そこには，出力信号を出力する信号出力端子が当然存在し，
同図５中の「ＦＥＴ１」からの線と「ＶＤ１」からの線が結合された点は，「ＦＥＴ１」のドレインに接続された箇所であり，また，「ＦＥＴ２」も同様であり，
同図５中の「ＦＥＴ１」の接地につながる部分はソースであって，また，「ＦＥＴ２」も同様であり，
同図５中の「整合回路４」は，前段のドレインと後段のゲートの間に設けられた段間整合回路であり，
図５中の「ＦＥＴ１」は初段の電界効果トランジスタということができるから，「整合回路３」は，当然，入力整合回路であり，同様に，「ＦＥＴ２」は最終段の電界効果トランジスタといえ，「整合回路５」は，出力整合回路であり，
「ＶＤ１」「ＶＤ２」が電源部に接続されていること，各整合回路がインピーダンス整合をしていることは自明であり，しかも全体として，高周波電力増幅器であることも明らかであるから，
引用文献には，
「入力信号が供給される信号入力端子と，出力信号を出力する信号出力端子と，前段のドレインと後段のゲートの間に設けられた段間整合回路を介して連結されて各々のソースに接地電位が供給されると共に各々のドレインに電源電位が供給された複数段の電界効果トランジスタと，前記信号入力端子と初段の電界効果トランジスタのゲートの間に設けられた入力整合回路と，最終段の電界効果トランジスタのドレインと前記信号出力端子の間に設けられた出力整合回路とを有すると共に，電源装置に接続され，送信される高周波信号を受信して所望の値にまで増幅する高周波電力増幅器において，
　前記複数段の電界効果トランジスタは，前段のインピーダンス整合回路が接続されるゲートと，前記電源装置と後段のインピーダンス整合回路が接続されるドレインとをそれぞれ備え，
　前記複数段の電界効果トランジスタが，チャネル領域上に設けられ，ショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して離間して設けられたソース領域およびドレイン領域と，を備える高周波電力増幅器。」（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
　
　また，原査定の拒絶の理由に引用された，本件出願前公知の刊行物である特開昭６１−５５９７３号公報，特開昭６１−１０１０８０号公報，特開昭６２−２４５６７８号公報，特開昭６１−１１０４６６号公報には，「半絶縁性基板と，この基板の表面に設けられた第１導電型のチャネル領域と，このチャネル領域上に設けられ，前記基板との間でショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して前記基板表面に離間して設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域と，これらソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の前記チャネル領域近傍に設けられ前記ソース領域およびドレイン領域の何れか一方にのみ接する第２導電型領域と，を備える電界効果トランジスタ」（以下，「周知発明」という。）が開示されており，周知発明ということができる。
　
（３）対比　　
　そこで，補正後発明と引用発明とを比較する。
補正後発明は，再掲すると，
「入力信号が供給される信号入力端子と，出力信号を出力する信号出力端子と，前段のドレインと後段のゲートの間に設けられた段間整合回路を介して連結されて各々のソースに基準電位が供給されると共に各々のドレインに電源電位が供給された複数段の電界効果トランジスタと，前記信号入力端子と初段の電界効果トランジスタのゲートの間に設けられた入力整合回路と，最終段の電界効果トランジスタのドレインと前記信号出力端子の間に設けられた出力整合回路とを有すると共に，充満電位と終止電位との間に差を生じるバッテリに接続されて，所定の周期で間欠的に送信される高周波信号を受信して所望の値にまで増幅する高周波電力増幅器において，
　前記複数段の電界効果トランジスタは，前段のインピーダンス整合回路が接続されるゲートと，前記バッテリと後段のインピーダンス整合回路が接続されるドレインとをそれぞれ備え，
　前記複数段の電界効果トランジスタのうちの少なくとも前記最終段の電界効果トランジスタが，半絶縁性基板と，この基板の表面に設けられた第１導電型のチャネル領域と，このチャネル領域上に設けられ，前記基板との間でショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して前記基板表面に離間して設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域と，これらソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の前記チャネル領域近傍に設けられ前記ソース領域およびドレイン領域の何れか一方にのみ接する第２導電型領域と，を備えることを特徴とする高周波電力増幅器。」である。
　
　ところで，「接地電位」は一種の基準電位であり，一方，「バッテリ」は電源装置の一種であるから，　
　両者は，
「入力信号が供給される信号入力端子と，出力信号を出力する信号出力端子と，前段のドレインと後段のゲートの間に設けられた段間整合回路を介して連結されて各々のソースに基準電位が供給されると共に各々のドレインに電源電位が供給された複数段の電界効果トランジスタと，前記信号入力端子と初段の電界効果トランジスタのゲートの間に設けられた入力整合回路と，最終段の電界効果トランジスタのドレインと前記信号出力端子の間に設けられた出力整合回路とを有すると共に，電源装置に接続され，送信される高周波信号を受信して所望の値にまで増幅する高周波電力増幅器において，
　前記複数段の電界効果トランジスタは，前段のインピーダンス整合回路が接続されるゲートと，前記電源装置と後段のインピーダンス整合回路が接続されるドレインとをそれぞれ備え，
　前記複数段の電界効果トランジスタのうちの少なくとも前記最終段の電界効果トランジスタが，チャネル領域上に設けられ，ショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して離間して設けられたソース領域およびドレイン領域と，を備える高周波電力増幅器。」の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　電源装置に関して，補正後発明では，「充満電位と終止電位との間に差を生じるバッテリ」であるが，引用発明では，不明である。
　
（相違点２）
　送信される高周波信号に関し，補正後発明では，「所定の周期で間欠的に送信される」との限定がなされているが，引用発明では，不明である。
　
（相違点３）
　「前記複数段の電界効果トランジスタのうちの少なくとも前記最終段の電界効果トランジスタ」に関して，補正後発明では，「半絶縁性基板と，この基板の表面に設けられた第１導電型のチャネル領域と，このチャネル領域上に設けられ，前記基板との間でショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して前記基板表面に離間して設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域と，これらソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の前記チャネル領域近傍に設けられ前記ソース領域およびドレイン領域の何れか一方にのみ接する第２導電型領域」を備える構造になっているが，引用発明では，この構造のものを使用しているのか不明である。
　
　（４）判断
　そこで，上記相違点について検討する。
　
・（相違点１）について
　上記摘記事項の冒頭記載から明らかなように，引用発明は，移動端末機器等における高周波電力増幅器を対象としていることは明らかであるから，バッテリを基本的な電源とするものである。また，バッテリである以上，充満電位と終止電位との間に差が生じることは自明である。したがって，引用発明においても，実質的には，充満電位と終止電位との間に差を生じるバッテリを使用しているといえることであって，そこには格別な創意工夫を見出すことはできない。　
　
・（相違点２）について
　上記摘記事項の冒頭記載から明らかなように，引用発明は，移動通信の分野を対象としており，この分野において，高周波信号を所定の周期で間欠的に送信することは，例示するまでもない，周知技術である。
　
・（相違点３）について
　「半絶縁性基板と，この基板の表面に設けられた第１導電型のチャネル領域と，このチャネル領域上に設けられ，前記基板との間でショットキー接合を有するゲート電極と，前記チャネル領域を介して前記基板表面に離間して設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域と，これらソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の前記チャネル領域近傍に設けられ前記ソース領域およびドレイン領域の何れか一方にのみ接する第２導電型領域と，を備える電界効果トランジスタ」は，周知発明にすぎないから，引用発明中の「電界効果トランジスタ」を，この周知発明とする程度のことは，単なる設計的事項にすぎない。
　この点について，請求人は，審判請求書等で，本願の図１４に開示された従来構造の電界効果トランジスタでは，キンクが発生するが，補正後発明では，上記相違点３に係る構造の電界効果トランジスタを採用しており，この問題が解決できると，その効果を主張している。しかし，この従来構造の電界効果トランジスタでキンクが発生すること及びその発生原因の概略は，例えば，特開平４−９３０３８号公報，ＢＡＲＴ　Ｊ．ＶＡＮ　ＺＥＧＨＢＲＯＥＣＫ　他著「Ｐａｒａｓｉｔｉｃ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｉｎ　Ｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ　ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ’ｓ」ＩＥＥＥ，ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥ　ＬＥＴＴＥＲＳ，ＶＯＬ．ＥＤＬ−８，ＮＯ．５，ＭＡＹ　１９８７，ｐｐ１８８−１９０等に記載されているように，当業者のよく知るところであり，これら周知の知見によって，上記周知発明に係る構造の電界効果トランジスタでキンクの問題が解決できることは，ほとんど自明的に導かれる事項ということができる。したがって，上記主張を採用することはできない。　
　そして，上記相違点１〜３に係る変更によって格別な作用・効果を奏するに至ったともいえない。
　
　（５）むすび
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり，特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年１０月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成１６年７月１３日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，上記「２．（１）」の冒頭に記載したとおりのものであるが，請求項１については，本件補正によって，実質的に補正されていないから，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４．むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用発明，周知発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。