【事件の表示】
　特願２００４−１４４７９１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月　２日出願公開、特開２００４−３４３１２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１５年５月１６日に特許出願された特願２００３−１３８５８４号の一部を、平成１６年５月１４日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年４月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月６日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２４日付けで手続補正がなされたものである。 
　 
II．平成２０年６月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論] 
　平成２０年６月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
　 
［理由］ 
１．補正後の本願発明 
　本件補正後の、特許請求の範囲の請求項４に係る発明は、 
　「【請求項４】突起電極が形成される主面、側面及び前記主面と反対側の面である裏面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記主面及び前記側面を覆う絶縁材と、
　前記絶縁材の表面上に形成され、前記突起電極と電気的に接続される導電部材と、を備え、
　前記導電部材は、前記絶縁材の前記主面側表面と前記裏面側表面とを貫く貫通孔の内壁を被覆する導電材料がダイシングによって切断され、前記導電部材は、前記主面側の前記絶縁材表面の外周において露出したものであることを特徴とする半導体装置。」
にあるものと認める。
　なお、補正後の請求項４には「前記絶縁膜」とあるが、これは「前記絶縁材」の誤記であると認め、本件補正後の請求項４に係る発明（以下、「本願補正発明」という。） を、上記のように認定した。
　 
　上記補正は、補正前の請求項４に「前記導電部材は、前記主面側の前記絶縁材表面の外周において露出している」という特定事項を付加することによって「導電部材」を、形状・構造の観点でさらに限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。 
　 
　次に、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下検討する。 
　 
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−９３９４２号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。 
　
　引用例１：特開２００２−９３９４２号公報 
（１ａ）「【請求項６】半導体チップの第１の主面に半導体チップの金属電極に連なる配線を含む再配線層が形成され、前記第１の主面上の前記再配線層上に第１の外部端子が形成されている半導体装置において、前記半導体チップの側面には前記再配線層の一部に接続された側面配線が形成されており、該側面配線には外部端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲） 
（１ｂ）「【請求項７】（１）第１の主面上に金属電極に連なる配線を含む再配線層が形成されているウェハを、前記再配線層の裏面が露出するように切断して溝を形成する工程と、（２）切断により形成された溝に絶縁体を埋め込む工程と、
（３）埋め込まれた絶縁体の所定の箇所に前記再配線層の裏面を露出させるスルーホールを形成する工程と、
（４）一端が前記再配線層に接続された、前記スルーホールの内壁面を覆う側面配線と、一端が前記側面配線に接続された、ウェハの第２の主面上に延在する第２主面配線層とを形成する工程と、
（５）前記第（１）の工程における切断線に沿って切断を行い個々のチップに切り分ける工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（１ｃ）「【請求項９】前記第（１）の工程の切断がダイサーにより行われることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（１ｄ）「【請求項１１】前記第（４）の工程において、配線層がメッキ法により形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（１ｅ）「【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実施の形態について実施例に即して説明する。図１は、本発明の第１の実施例の半導体装置１の断面図である。半導体チップ２にはシリコンを用い、寸法が１０×１０×ｔ０．３ｍｍである。そして半導体チップ２の能動素子面（下面）上には、０．１×０．１ｍｍの寸法でＡｌ製の電極３がチップの周辺に沿って３００個配列されている。電極３は、バンプ４を介して導体５ａに電気的に接続されている。一部の導体５ａの先端部には外部端子７ａが固着され、他の一部の導体は、チップ側面からチップ上面へ延びる導体５ｂへ接続されている。導体５ｂの一部の領域は外部端子７ｂとなっている。バンプ４はＡｕ、導体５ａ、導体５ｂはＣｕを用いて形成した。バンプ４の厚さは５０μｍ、導体５ａ、導体５ｂの膜厚は２０μｍとした。・・・また、半導体チップ２と導体５ａの間には、図示の省略された、電極３上に開口を有するパッシベーション膜と絶縁体６ｂとが形成されている。半導体チップの側面と上面は絶縁体６ｃによって被覆され、また、半導体装置１全体は、外部端子形成領域上に開口を有する絶縁体６ａ、６ｄにより被覆されている。絶縁体６ａ、６ｄは、ソルダーレジストで５０μｍ厚、絶縁体６ｃは、エポキシ樹脂でチップ上面での膜厚は２０μｍである。また、絶縁体６ｂは、ポリイミド等の低弾性樹脂により形成されている。」（【０００９】−【００１０】） 
（１ｆ）「これら絶縁体のうち６ａと６ｄは必ずしも必要ではないが、信頼性上形成することが好ましい。」（【００１０】） 
（１ｇ）「図２〜図４は、本発明の第１の実施例の製造方法を工程順に示す断面図である
。まず、Ａｌ製の電極３を有し、電極３上に開口を有するパッシベーション膜である絶縁体６ｅによって覆われたウェハ８上に、・・・電解メッキ法によりＡｕを５０μｍ程度堆積してバンプ４を形成し、・・・その後、全面に絶縁体６ｂを堆積する。・・・次に、その絶縁体６ｂをＣＭＰ法によりバンプ４の表面が露出するまで研磨し平坦化する。・・・そして無電解メッキ法によりＣｕを２０μｍ堆積して導体５ａを形成する。以上により再配線層１１が形成される〔図２（ｅ）〕。次に、・・・その全面にソルダーレジストを５０μｍ堆積して絶縁体６ａを形成し、・・・レジストマスク１４をマスクとして外部電極形成領域上の絶縁体６ａをドライエッチングにより除去する〔図３（ｇ）〕。・・・次に、これを半導体チップ２に切断するため溝９を形成する。切断深さは、再配線層１１の導体５ａの手前、完全に絶縁体６ｂがなくなるところまでとした。切断にはダイシング装置を用い、その条件は、ブレード厚３００μｍ・・・とした。・・・次に、切断されたウェハ８上面に適量のエポキシ樹脂を塗布しスキージングして溝９に埋め込み、ウェハ上面および溝９内に絶縁体６ｃを形成した。そして、１５０℃１時間の熱処理を行って絶縁体６ｃを硬化させる〔図３（ｉ）〕。次に、埋め込まれた絶縁体６ｃの所定の箇所にスルーホール１０を形成する。このスルーホール形成にはレーザを用いた。スルーホール１０は絶縁体６ｃのみに形成し、導体５ａを貫通してはならないが、絶縁体と導体では絶縁体の方が弱いレーザ出力で削ることが可能なため、レーザ照射条件の設定は容易である〔図３（ｊ）〕。次に、スパッタ法によりＴｉ／ＴｉＮとＣｕからなるメッキ下地層を形成し、導体形成領域上に開口を有するメッキレジスト膜を形成した後、電解メッキによりＣｕを堆積して、スルーホール１０内壁、底面および絶縁体６ｃ上に導体５ｂを形成する。これにより、電極３、バンプ４、導体５ａ、導体５ｂは電気的に接続される。次に、メッキレジスト膜を除去し、露出したメッキ下地層をエッチング除去する〔図４（ｋ）〕。次に、ソルダーレジストである絶縁体６ｄを形成し、選択的に開口して導体５ｂを露出して外部端子７ｂを形成する〔図４（ｌ）〕。・・・最後に、切断して半導体装置１を得る。切断にはダイシング装置を用いた。ダイシング条件は、ブレード厚５０μｍ・・・とした〔図４（ｎ）〕。」（【００１２】−【００１７】）
（１ｈ）図１は、引用例１に記載された発明の、第１の実施例の断面図であって、同図から、導体５ａが、半導体チップ２のバンプ４が形成された面に形成された絶縁体６ｂの外周において、ソルダーレジストである絶縁体６ａによって覆われていることを看取することができる。
　 
３．当審の判断 
３−１．引用例１に記載の発明 
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）、（１ｇ）−（１ｈ）を総合すれば、引用例１には、
「バンプが形成される主面、側面及び前記主面と反対側の面である裏面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記主面を覆う絶縁体６ｂ、及び、前記半導体チップの前記側面を覆う絶縁体６ｃと、
　前記絶縁体６ｂ及び６ｃの表面上に形成され、前記バンプと電気的に接続される導体５ａ及び導体５ｂと、を備え、
　前記導体５ｂは、前記絶縁体６ｃの前記主面側表面と前記裏面側表面とを貫くスルーホールの内壁を被覆する導体５ｂがダイシング装置によって切断されたものである半導体装置。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
３−２．対比・判断 
（ａ）本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「バンプ」、「絶縁体６ｂ」、「絶縁体６ｃ」、「導体５ａ及び導体５ｂ」、「ダイシング装置によって切断」は、それぞれ本願補正発明の「突起電極」、「半導体チップの主面を覆う絶縁材」、「半導体チップの側面を覆う絶縁材」、「導電部材」、「ダイシングによって切断」に相当する。
　
（ｂ）そうすると、結局、本願補正発明と引用例１発明は、
「突起電極が形成される主面、側面及び前記主面と反対側の面である裏面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記主面及び前記側面を覆う絶縁材と、
　前記絶縁材の表面上に形成され、前記突起電極と電気的に接続される導電部材と、を備え、
　前記導電部材は、前記絶縁材の前記主面側表面と前記裏面側表面とを貫く貫通孔の内壁を被覆する導電材料がダイシングによって切断されたものである半導体装置。」で一致し、次の点で一応相違する。 
　 
相違点： 
（イ）本願補正発明においては、導電部材は、主面側の絶縁材表面の外周において露出したものであるのに対して、引用例１発明では、導体５ａが、半導体チップ２のバンプ４が形成された面に形成された絶縁体６ｂの外周において、ソルダーレジストである絶縁体６ａによって覆われている点。
　 
　上記相違点について検討する。 
相違点（イ）について 
　引用例１の上記摘記（１ｆ）には、「これら絶縁体のうち６ａと６ｄは必ずしも必要ではない」と記載されている。してみれば、引用例１発明が「導体５ａが、半導体チップ２のバンプ４が形成された面に形成された絶縁体６ｂの外周において、ソルダーレジストである絶縁体６ａによって覆われている」としても、引用例１には、前記絶縁体のうち６ａと６ｄが必ずしも必要ではないことが示されているのであるから、引用例１には、「導体５ａが、半導体チップ２のバンプ４が形成された面に形成された絶縁体６ｂの外周において、ソルダーレジストである絶縁体６ａによって覆われていない」構造を有した半導体装置に係る発明もまた開示されているものと解することができる。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明であるといえる。 
　
　なお、仮に、引用例１に、「導体５ａが、半導体チップ２のバンプ４が形成された面に形成された絶縁体６ｂの外周において、ソルダーレジストである絶縁体６ａによって覆われていない」構造を有した半導体装置に係る発明が記載されていないと解したとしても、半導体チップの主面及び側面を覆う絶縁材の表面上に形成された導電部材を、前記主面側の前記絶縁材の外周において露出させた構造は、以下に示すように周知なものであるから、絶縁体６ａ及び６ｄを具備した引用例１発明において、引用例１の前記摘記（１ｆ）の「これら絶縁体のうち６ａと６ｄは必ずしも必要ではない」との示唆に従って、絶縁体のうち６ａと６ｄを省略して、導体５ａを半導体チップ２のバンプ４が形成された面に形成された絶縁体６ｂの外周において露出した構造となすことは当業者が適宜なし得たことと認められるから、本願補正発明は、引用例１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
周知文献１：米国特許第４９８４３５８号明細書（前置報告書において周知文献として提示した引用文献４）
（周１）Ｆｉｇ．８Ｂ、Ｆｉｇ．１０−１１から、半導体チップの主面及び側面を覆う絶縁材の表面上に形成された導電部材を、前記主面側の前記絶縁材の外周において露出させた構造を看取することができる。
　
周知文献２：特開２００１−３３９０１１号公報
（周２）図３２から、半導体チップの主面及び側面を覆う絶縁材の表面上に形成された導電部材を、前記主面側の前記絶縁材の外周において露出させた構造を看取することができる。
　 
４．むすび 
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許法第２９条第１項第３号、もしくは、同法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、結論のとおり決定する。 
　 
III．本願発明について 
１．本願発明 
　平成２０年６月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−１０に係る発明は、平成１９年８月２４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項４に係る発明（以下、「本願発明４」という。）は、次のとおりのものである。 
　「【請求項４】突起電極が形成される主面、側面及び前記主面と反対側の面である裏面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記主面及び前記側面を覆う絶縁材と、
　前記絶縁材の表面上に形成され、前記突起電極と電気的に接続される導電部材と、を備え、
　前記導電部材は、前記絶縁材の前記主面側表面と前記裏面側表面とを貫く貫通孔の内壁を被覆する導電材料がダイシングによって切断されたものであることを特徴とする半導体装置。」 
　 
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶理由に引用された引用例１とその主な記載事項は、前記「ＩＩ．２．」に記載したとおりである。 
　 
３．当審の判断 
　本願発明４を特定するに必要な事項を全て含み、さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明が、前記「ＩＩ．３．」に記載したとおり、引用例１に記載された発明であるから、本願発明４も同様の理由で、引用例１に記載された発明である。 
　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明４は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。