【事件の表示】
　平成１０年特許願第３７０４３９号「ＳＯＩ基板の熱処理方法及び熱処理装置並びにそれを用いたＳＯＩ基板の作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月１７日出願公開、特開平１１−２５１５６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
本願は、平成１０年１２月２５日（特許法第４１条に基づく優先権主張平成９年１２月２６日）の出願であって、平成１８年４月２４日付けで手続補正がなされ、同年１２月１８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成１９年１月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月１９日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年８月７日付けで審尋がなされ、同年１０月１４日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年２月１９日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年２月１９日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容 
  平成１９年２月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１、６及び７を、補正後の特許請求の範囲の請求項１、６及び７に補正するとともに、補正前の明細書の段落００３２を補正後の明細書の段落００３２と補正するものであり、そのうち補正前後の特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　シリコン表面を有するＳＯＩ基板の熱処理方法において、
　前記ＳＯＩ基板を、非酸化シリコンからなる平面に対向するように、表面が非酸化シリコンからなる支持部材によって支持し、
　前記ＳＯＩ基板を、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とするＳＯＩ基板の熱処理方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】　シリコン表面を有するＳＯＩ基板の熱処理方法において、
　前記ＳＯＩ基板の前記シリコン表面が、非酸化シリコンからなる平面に１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の間隔をおいて対向するように、表面が非酸化シリコンからなる支持部材によって前記ＳＯＩ基板を支持した状態で、
　前記ＳＯＩ基板を、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とするＳＯＩ基板の熱処理方法。」
　
（２）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（２−１）補正前の請求項１における「前記ＳＯＩ基板を、」を、補正後の請求項１における「前記ＳＯＩ基板の前記シリコン表面が、」とする補正については、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「前記ＳＯＩ基板の前記シリコン表面が、」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００５５】及び【００９１】段落の記載に基づく補正である。
　
（２−２）補正前の請求項１における「非酸化シリコンからなる平面に対向するように、」を、補正後の請求項１における「非酸化シリコンからなる平面に１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の間隔をおいて対向するように、」とする補正については、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「非酸化シリコンからなる平面に１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の間隔をおいて対向するように、」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００５５】段落の記載に基づく補正である。
　
（２−３）補正前の請求項１における「支持部材によって支持し、」を、補正後の請求項１における「支持部材によって前記ＳＯＩ基板を支持した状態で、」とする補正については、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「支持部材によって前記ＳＯＩ基板を支持した状態で、」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００９７】段落及び【０１７４】段落の記載に基づく補正である。
　
（２−４）したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものである。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下、「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成１９年２月１９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）先願明細書に記載された発明
（３−３−１）原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その優先権主張の日後に出願公開された特願平９−８０９３９号（特開平１０−２７５９０５号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、「シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ」（発明の名称）に関して、図１とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　この発明は、半導体デバイスの低消費電力化、高速化、高集積化に有効なＳＯＩ（Silicon on Insulator）構造のシリコンウェーハの製造方法に関するものである。」
「【０００８】
【発明の実施の形態】
　以下、この発明の実施の形態を図を参照して説明する。なお、図中、同一の符号は同一または相当の部分を示す。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１のＳＯＩウェーハの製造方法を説明する図であり、（ａ）〜（ｆ）は、各工程の断面図を示す。この製造方法について説明すると、先ず図１（ａ）に示すように、シリコンウェーハ材１を準備し、図２（ｂ）に示すように、シリコンウェーハ材１を熱酸化して表面にシリコン酸化膜２を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、シリコンウェーハ材１の一つの表面から、２×１０16〜１×１０17／ｃｍ2の水素イオン注入を行なって、水素注入層４を形成する。その後、図１（ｄ）に示すように、シリコンウェーハ材１の水素注入をした表面の側に、別のシリコンウェーハ材（ベースウェーハ）などの適当な基板材５を貼り合わせる。
【０００９】
　その後、このシリコンウェーハ材１を４００〜６００℃に加熱すると、図５（ｅ）に示すように、基板材５が張り合わされた側のシリコンウェーハ材１の表面部分を水素注入層４から剥がすことができる。こうして基板材５の上に薄いシリコン層６を形成したＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７を得る。この時、薄いシリコン層６の剥がし面には２０ｎｍ程度の凸凹が形成される。そのため、必要に応じて、図５（ｆ）に示すように、シリコン層６の表面を化学的機械的に研磨し平滑化する。ここまでの工程は、いわゆるスマートカット法と称される方法と同様である。
【００１０】
　次に、シリコンウェーハ７を、水素雰囲気中でアニールする。
　図２は、アニールを行うためのアニール装置（炉）をしめす。図２において、７はアニールをするシリコンウェーハ、８はこのウェーハを保持する保持具、９は炉体である。炉体９の上部入り口から水素ガスが導入され、下部出口から排出される。
　このアニール炉により、図１（ｅ）の段階のシリコンウェーハ７を、摂氏１０５０度から１３５０度で水素雰囲気中で数１０秒から数１０分のアニールを行なう。これにより図１（ｆ）に示すような表面の平坦なシリコンウェーハ７が得られる。加熱温度が、摂氏１０５０度以下だと、アニールに長時間を要する。また、加熱温度が、摂氏１３５０度以上だと、シリコンが溶融するので適当でない。
このように、加熱温度を、摂氏１０５０度〜１３５０度の範囲とすることにより、プロセスの安定化、スループットの向上、ウェーハ品質の向上が実現できる。」
　
（３−３−２）上記記載からみて、先願明細書には、以下の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７を、保持具８で保持して、水素雰囲気中でアニールするＳＯＩ構造のシリコンウェーハ製造方法。」
　
（３−４）対比・判断
（３−４−１）先願発明における「ＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７」及び「保持具８」は、補正後の発明の「ＳＯＩ基板」、「支持部材」にそれぞれ相当する。
　
（３−４−２）先願発明の「ＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７」は、「シリコン表面を有する」ことは明らかである。
　
（３−４−３）先願明細書には、「・・・その後、図１（ｄ）に示すように、シリコンウェーハ材１の水素注入をした表面の側に、別のシリコンウェーハ材（ベースウェーハ）などの適当な基板材５を貼り合わせる。」（【０００８】）と記載されていることから、先願発明の「ＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７」の裏面は、「シリコンウェーハ材」からなる「基板材５」であり、先願発明の「ＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７」の裏面は、補正後の発明における「非酸化シリコンからなる平面」に相当する。
　そして、先願明細書の図２からみて、アニール炉内には、「ＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７」が、ある間隔をおいて積層配置されていることは明らかであるから、「ＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７」は、シリコン表面とシリコンからなる裏面とが対向するように、「保持具８」によって、保持されていることも明らかである。
　
（３−４−４）すると、補正後の発明と先願発明とは、
「シリコン表面を有するＳＯＩ基板の熱処理方法において、
　前記ＳＯＩ基板の前記シリコン表面が、非酸化シリコンからなる平面に対向するように、表面が支持部材によって前記ＳＯＩ基板を支持した状態で、
　前記ＳＯＩ基板を、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とするＳＯＩ基板の熱処理方法。」の点で一致し、次の２点で一応相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「前記ＳＯＩ基板の前記シリコン表面が、非酸化シリコンからなる平面に１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の間隔をおいて対向」しているのに対して、先願発明では、「アニール炉内に積層配置されたＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７」の間隔について、特定されていない点。
（相違点２）補正後の発明の「支持部材」は、「表面が非酸化シリコンからな」っているのに対して、先願発明では、「保持具８」の材質が特定されていない点。
　
（３−４−５）上記形式上の相違点１及び２について、以下、検討する。
（相違点１について）
　縦型熱処理装置において、配置するウェハの間隔を「５ｍｍ〜１８ｍｍ」にすることは、下記周知例１ないし３に記載されているように、当該技術分野において通常設定される間隔であり、補正後の発明において、「１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の間隔」とすることに、格別の技術的な意義を認めることはできず、しかも新たな効果を奏するものではないから、課題解決のための具体化手段における微差にすぎない。
　よって、相違点１は、実質的なものではない。
　
（周知例１）特開平９−１９９４３７号公報には、図１及び８とともに、以下の記載がなされている。
「【００２５】また、この発明による縦型熱処理炉用の半導体ウェーハ支持装置は、図８に示すごとく、前述した図１の支持板１０より脚ピン１２を除いた支持板２０の外周の複数箇所、例えば３〜５本の支柱３０によって支持させ、複数の支持板２０を例えば５ｍｍ〜１８ｍｍの等間隔で並列となるように連結して構成される。」
（周知例２）特開平９−２１３６４７号公報には、図２及び３とともに、以下の記載がなされている。
「【００１３】このように構成された熱処理炉１４内へ収容される本発明のウエハボート４４について説明する。このウエハボート４４は、前述のようにその全体が耐熱性材料、例えば石英で構成されており、具体的にはこのボート４４は図２及び図３にも示すように例えば６本の支柱２を有し、その上下端を保持板４で固定している。上記６本の支柱２は、保持板４の略半円側において所定の間隔を隔てて配置されており、これと反対側の半円側がウエハをこれに搬入搬出するための搬入搬出側となる。これらの６本の支柱２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ、２Ｆは、図示例においては略半円弧上において略等間隔で配置されているが、各支柱２Ａ〜２Ｆの配置間隔はこれに限定されない。また、支柱の数も６本に限定されないのは勿論である。そして、上記支柱２には、図２中において水平方向になされた多数のリング状の載置台８が支柱２の長手方向に所定のピッチＬ１で取付固定されている。このピッチＬ１は、例えば８インチウエハの場合には１５ｍｍ程度に設定され、載置台８は全部で例えば６０個程度設けられる。」
（周知例３）特開平９−２３２２４４号公報には、図２ないし４とともに、以下の記載がなされている。
「【００１１】そして前記支柱３（３Ａ〜３Ｆ）の各々には、支柱３の軸方向と直交する多数の溝部４が前記軸方向に間隔をおいて形成されている。この溝部４は、図２及び図３に示すように支柱３である管状体の外面から管壁の内側まで、例えば管状体の直径部分付近まで切り込まれて形成されており、溝部４の上下幅Ｌ（図４参照）はウエハＷが受け渡し時に上下できる長さを見込んで例えば３．３５ｍｍの大きさとされ、溝部４の配列ピッチＰ（図４参照）は、例えば６．３５ｍｍとされる。」
　
（相違点２について）
　縦型熱処理装置において、ウェハの支持部材（ボート）の材質として非酸化シリコンを使用することは、下記周知例４、５に記載されているように、当該技術分野において周知の技術であり、また、本願明細書の「【０１７５】一方、ウエハを支持するボートを石英ガラス製のものに代えて同様な実験を試みたところ、ウエハ中央部のエッチング量はＳｉＣ製ボートの場合と同様に１ｎｍ以下であったが、ある１つのウエハＷにおいてボートで支持されている位置付近でのエッチング量が最大で８ｎｍと大きくなったものがあった。すなわち、ボート材質は非酸化シリコンの表面をもつもの、例えばＳｉＣにすることが好ましい。」との記載、すなわち、補正後の発明のように、ＳＯＩ基板を表面が非酸化シリコンからなる支持部材によって支持して水素雰囲気中で熱処理すれば、支持部材によって支持された位置付近でのシリコン膜の膜厚減少量を抑制し、膜厚均一性の維持を可能にすることができるという効果についても、下記周知例５に「【０００５】また、熱処理中にボートを構成する石英がＨ2 と反応してＨ2 Ｏが発生し、更にＨ2 Ｏとシリコンウェハとが反応して、特にシリコンウェハの石英ボートの溝部に接触している部分やその近傍が大きくエッチングされる。・・・このようにウェハ表面に局所的にくぼみが生じると、露光工程でパターンを形成する際に不良が生じるという問題があった。・・・【０００６】本発明は前記問題点を解決するためになされたものであり、還元性ガス雰囲気中での熱処理によりシリコンウェハのＯＳＦの発生を抑制しながら、・・・ウェハの局所的なエッチングを防止できる熱処理方法を提供することを目的とする。」と記載されているように、周知の効果であるから、縦型熱処理装置において、ウェハの支持部材（ボート）の材料として、非酸化シリコンを使用することは、課題解決のための具体化手段における微差にすぎない。
　よって、相違点２は、実質的なものではない。
　
（周知例４）特開昭５７−１４８３４４号公報には、以下の記載がなされている。
「本発明によれば、シリコン酸化膜を高温水素雰囲気中で還元除去する際、シリコン・カーバイド（ＳｉＣ）またはシリコンから成る炉心管とボートで処理するようにした製造装置を得る。」（第２頁左上欄第１２〜１５行）
（周知例５）特開平５−１５２２３０号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、石英ボートは、高温で変形を起こしやすい。このため、特に縦型熱処理炉では熱処理中のウェハの落下事故や、自動ウェハ移載の際にミスが生じるという問題があった。
【０００５】また、熱処理中にボートを構成する石英がＨ2 と反応してＨ2 Ｏが発生し、更にＨ2 Ｏとシリコンウェハとが反応して、特にシリコンウェハの石英ボートの溝部に接触している部分やその近傍が大きくエッチングされる。この反応機構は以下のようなものである。このようにウェハ表面に局所的にくぼみが生じると、露光工程でパターンを形成する際に不良が生じるという問題があった。
Ｈ2 ＋ＳｉＯ2 　→　ＳｉＯ＋Ｈ2 Ｏ
Ｈ2 Ｏ＋Ｓｉ　→　ＳｉＯ＋Ｈ2 
【０００６】本発明は前記問題点を解決するためになされたものであり、還元性ガス雰囲気中での熱処理によりシリコンウェハのＯＳＦの発生を抑制しながら、熱処理中のウェハの落下事故や、ウェハの局所的なエッチングを防止できる熱処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコンウェハの熱処理方法は、シリコンウェハをシリコン製のボートに載せ、還元性ガス雰囲気中、１０００〜１３００℃で熱処理することを特徴とするものである。」
　
（３−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と先願発明との相違点は、いずれも、実質的なものでなく、補正後の発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、補正後の発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願日に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、補正後の発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものを含むが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１９年２月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１８年４月２４日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．先願明細書に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された先願明細書には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項、並びに上記２．（３−３−２）において認定したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、先願明細書に記載された発明と同一である以上、本願発明も、当然に先願明細書に記載された発明と同一であると認められ、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願日に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。