【事件の表示】
　特願２００１−５５４００８「基板乾燥方法およびその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月２６日国際公開、ＷＯ０１／５３７６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件出願は、平成１２年１月１７日を国際出願日とする出願であって、その後の経緯は以下のとおりである。
　　
　平成１９年　１月２６日　拒絶理由通知
　平成１９年　３月２３日　意見書
　平成１９年　７月２４日　拒絶理由通知
　平成１９年　９月２１日　意見書・手続補正書
　平成１９年１２月２０日　拒絶査定
　平成２０年　１月２４日　本件審判請求
　　　
２　本願発明
　本件出願の請求項１ないし１８に係る発明は、平成１９年９月２１日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項４（請求項１を引用するもの）に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　　
　「【請求項１】　処理槽内に基板を収容し、かつ処理槽内における洗浄液の液面を基板に対して相対的に下降させながら処理槽内に乾燥用流体を供給することにより基板の表面を乾燥させるに当たって、
　洗浄液の液面における基板の全幅にわたって乾燥用流体が広がるように、乾燥用流体の処理槽内への導入に方向性を持たせるとともに、乾燥用流体の導入初速を設定して乾燥用流体を液の状態で処理槽内に導入し、ノズルを用いて乾燥用流体の液滴を形成して洗浄液面上に供給することを特徴とする基板乾燥方法。
【請求項４】　洗浄液の処理槽からの排出に伴って、基板の支承位置を変化させる請求項１または請求項２に記載の基板乾燥方法。」
　　　
３　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１７６７９６号公報（以下「刊行物１」という。）、特開平１０−３３５２９９号公報（以下「刊行物２」という。）、及び特開平１１−３４５７９８号公報（以下「刊行物３」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　　　　
（１）刊行物１
ア　段落【００２２】〜【００２５】
「【００２２】図１は、本発明の第１実施例における乾燥装置を水洗装置に組み込んだ装置１０の正面断面図である。この装置１０は、水洗いを行う洗浄槽１１（例えば石英ガラスでなる）と、この洗浄槽１１の上部を覆う上蓋１２（例えば石英ガラスでなる）とを有し、洗浄槽１１と上蓋１２とにより処理室Ｊを形成している。なお、図１に示される装置１０は、図示しないが、その全体が大気圧に保持できるように、かつ、ＩＰＡが洗浄槽１１から漏れた場合には、これを排気して外部には漏れ出ないような構造となっている。洗浄槽１１は、上部１１ａａがギザギザ状になっている内槽１１ａと、内槽１１ａの外周を覆うように設けられている外槽１１ｂから成る。この外槽１１ｂは、図１に示すように排水管１３を有し、内槽１１ａの上部１１ａａから流れる水を受け止め、排水管１３へと流している。また、内槽１１ａの底部の中央には、給水及び排水を行なう水管１４が配設されている。
【００２３】更に、内槽１１ａの内部には、多数の孔１６ａを有した整流板１６が、水平に配設されており、この上面の中央には、保持具載置部材１７が配設されている。この保持具載置部材１７は、内側に溝１７ａａが形成されたブロック形状の２つの部材１７ａから構成されている。なお、保持具載置部材１７の溝１７ａａは、その２つの側部５３の下端部を嵌合して、保持具１８を載置するものである。この保持具１８は、例えば合成樹脂でなり、２つの側部５３と、これらを結合させている薄板部１８ｂとから構成されている。側部５３は、その上端部に水平方向に突出した突出部５３ａが設けられ、その下部は内側に傾斜しており、この傾斜部分に、ウェーハＷを保持するための孔５３ｂが設けられている。更に、側部５３には、ウェーハＷを孔５３ｂに保持させるためのガイド溝５３ｃが設けられている。なお、本実施例の保持具１８は、ウェーハＷが２５枚収納されている。
【００２４】一方、上蓋１２は、その下面が開口した箱形状をして、洗浄槽１１の外槽１１ｂを遊嵌するように、洗浄槽１１の上方に配設されている。そして、その中央には搬送管２１が貫通している。この搬送管２１の端部２１ａは、処理室Ｊに配設されており、ここにはノズル２２が設けられている。このノズル２２は、外周に電灯の傘のような形状をした拡散防止板２３が設けられている。この拡散防止板２３は、ノズル２２から後述する混合流体が処理室Ｊに流出するときに、ウェーハＷが配設される内槽１１ａへと集中的に供給されるように、すなわち、ノズル２２の側方に、混合流体が飛散しないようにしている。
【００２５】更に、搬送管２１は、上蓋１２から上方に延びた後、水平方向に延びており、図１の右方においてバルブ２４が配設されている。搬送管２１は、このバルブ２４の下流側（搬送管２１内は、後述するように、搬送ガスが矢印Ｆの方向に供給されるので）に、下流側に向かうにつれて縮径された部分２１ｂを有している。更に、搬送管２１の部分２１ｂの下流側の位置Ｑに噴霧管２５が接続されている。この噴霧管２５は、開口率を可変とする調整バルブ２６を有し、搬送管２１の下方に配設されている容器２９と連通している。そして、この噴霧管２５の端部２５ａは、容器２９に収容されているＩＰＡ溶液２８に没入されている。なお、容器２９の空間Ｋは、吸気管２７を介して外部と接続し、ＩＰＡ溶液２８が搬送管２１に供給されて量が減少しても、容器２９の内部が負圧とならない構造になっている。」
　　　　
イ　段落【００２６】〜【００２９】
「【００２６】本実施例の乾燥装置が組み込まれた装置１０は、以上のようにして構成されるが、次に、その作用について、説明する。
【００２７】まず、公知のように、有機溶媒や酸などの洗浄液によって、ウェーハＷを洗浄する。そして、図１に示すように、ウェーハＷを収納した保持具１８を、洗浄槽１１の内槽１１ａの中央に配設する。すなわち保持具１８の側部５３の下端部を、保持具載置部材１７の溝１７ａａに係合させる。
【００２８】そして、公知のオーバーフロー方式によってウェーハＷの水洗いが行われる。すなわち、水管１４から水（これは通常、超純水である）が供給され、整流板１６の孔１６ａを介して、内槽１１ａに水が満たされた後、内槽１１ａの上部１１ａａから水が、外槽１１ｂへと均一に流される。更に、水が供給され続け、内槽１１ａ内の上に向かう水の流れによって、ウェーハＷが（保持具１３、洗浄槽２０に付着しているダストも）水洗いされる。なお、このとき外槽１１ｂに流れた水は、排水管１３を介して排水される。そして、充分にウェーハＷが水洗いされると、水の供給が停止される。すなわち、ウェーハＷは水Ｖ中に浸漬された状態となり、水洗いが終了する。次に、バルブ２４が開けられ、例えば図示しない送圧ポンプにより、搬送管２１中を、搬送ガス（例えばＮ2 ）が矢印Ｆの方向へと流される。そして、搬送ガスは、部分２１ｂを通過すると、速度が速くなるが、その搬送管を流れる搬送ガスの流速により、搬送管２１中には負圧が発生する。このときには、調整バルブ２６は、所定の開口率に調整されている。そのため、噴霧管２５を介して、容器２９内のＩＰＡ溶液２８が、霧状で、かつ所定の量で、重力に抗して搬送管２１に吸い上げられる。
【００２９】そして、搬送管２１に吸い込まれた霧状のＩＰＡ溶液は、搬送管２１を流れる搬送ガスと混合され、混合流体となって、搬送ガスの流れにより端部２１ａへと搬送される。そして遂には、ノズル２２の孔２２ａから、処理室Ｊ内に流出される。このとき、ノズル２２の外周には、拡散防止板２３が設けられているので、混合ガスは、ウェーハＷが配設された内槽１１ａの内部へと点線で示すように供給される。処理室Ｊに供給された混合流体のうち霧状のＩＰＡは、水Ｖよりも比重が軽いので、その一部は液面の上に堆積し、膜ｔを作るが、水Ｖと膜ｔとの境界面（これはＨとして示している）では、ＩＰＡが水Ｖの中に拡散する。次に、水管１４から水Ｖを排水し、膜ｔを下降させて、いわゆる公知のマランゴニ現象によって、ウェーハＷを上方から乾燥する。なお、水管１４から水Ｖと膜ｔとが排出された後には、上蓋１２を洗浄槽１１の上方から取り除き、乾燥したウェーハＷを収納している保持具１３を取り出す。」
　　
　上記ア及びイに摘示した事項を、技術常識を勘案しつつ本願発明に照らして整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　　　
　「洗浄槽１１の内槽１１ａ内にウェーハＷを収容し、かつ内槽１１ａ内における水Ｖの液面をウェーハＷに対して相対的に下降させながら内槽１１ａ内にＩＰＡ溶液を供給することによりウェーハＷの表面を乾燥させるに当たって、
　ノズル２２及びノズル２２に設けられた拡散防止板２３により、霧状のＩＰＡ溶液をウェーハＷが配置される内槽１１ａへ集中的に導入し、搬送ガスの流速により搬送管２１中に負圧を発生させて霧状のＩＰＡ溶液を形成して水面上に供給するウェーハ乾燥方法。」　　　
　　
（２）刊行物２　　　　　　　　　　　　　
ア　段落【００１８】
「【００１８】ガス供給管１９は、図４に示されている霧化室４５に連通しているが、この霧化室４５は、ＩＰＡ供給装置４０のノズル部材４２の外周部に取り付けられたカバー４３によって形成されている。この霧化室４５は、更に、Ｎ2 ガスが供給される搬送管４４（これは、流速を大きくするために、霧化室４５の入口で径を細くしている）に連通しているおり、更に、この霧化室４５の下方には、ガス供給管１９に運ばれずに残ったＩＰＡを容器４１へと戻すための孔４３ａが設けられている。なお、この孔４３ａは、霧化室４５から容器４１への流れは許容し、容器４１から霧化室４５への流れは遮断する逆止弁４６を設けられたバイパス４７に接続されている。また、霧化室４５の内部には、ノズル部材４２の先端が突出している。ノズル部材４２は、液状のイソプロピルアルコールＩが封入されている容器４１に螺合しており、その内孔４２ａは容器４１に設けられた管４１ａの内孔に整合している。また、容器４１には、送気管４８が設けられ、この送気管４８から供給される不活性ガス（例えばＮ2 ガス）の圧力によって、イソプロピルアルコールＩをノズル部材４２の先端から噴霧している。また、容器４１内は、リリーフ弁５０を有した排気管４９が接続されている。なお、このリリーフ弁５０は、容器４１内の圧力が、ある一定値以上になったときに、開弁し、その圧力を逃がすものである。」
　
イ　段落【００２２】〜【００２７】
「【００２２】水洗いの動作が終了すると、次に、モータ３３が稼動され、密閉槽３０が降下される。これは、排気バルブ１８を開けて、密閉槽３０の内部空間３１から空気を排出しながら行う。そして、密閉槽３０は、図１に示すように、密閉槽３０が、ウェーハＷを収納したカセット１３をほとんど覆うまで降下されると、排気バルブ１８を閉じる。すると、密閉槽３０の内部空間３１は、水封された空間となる。なお、図１で一点鎖線で示される線は、このときの密閉槽３０内の水面Ｈ’を示しており、これは密閉槽３０の外周の水面Ｈ”と同じ高さである。
【００２３】次に、図４に示すように、排気管４８から、すなわち矢印Ｃの方向に、例えばＮ2 などの不活性ガスを、例えば０．５ｋｇ／ｃｍ２ の圧力で流し、容器４１の内圧を高くする。この圧力によって、イソプロピルアルコールＩは管４１ａの内孔及びノズル部材４２の内孔４２ａを通って、霧化室４５にミスト状となって噴出される。同時に、搬送管４４から、すなわち矢印Ｄの方向に、Ｎ2 ガスが、例えば０．１ｍ／ｓ以上の速度で供給される。供給されたＮ2 ガスは、霧化室４５にあるＩＰＡのミストＭを混合して、ガス供給管１９へと流れる。なお、霧化室４５でミスト状となったＩＰＡが搬送管４４からのＮ2 ガスによって搬送されずに、霧化室４５の下方に溜ったＩＰＡは、逆止弁４６を開け、バイパス４７を介して、容器４１内へと戻される。
【００２４】すなわち、ＩＰＡのミストＭを含有したＮ2 ガスが、図１で示すように、ガス供給管１９から密閉槽３０の内部空間３１に供給される。供給されたガスの圧力により、密閉槽３０にある水Ｖは下方へと押圧され、すなわち、その内部空間３１の水面Ｈ’は、徐々に下がる。なお、供給されたＩＰＡのミストＭは、水Ｖよりも比重が軽いので、その一部は液面Ｈ’の上に堆積し、膜ｔを作るが、水Ｖと膜ｔとの境界面（これは水面Ｈ’と同じレベルとして示されている）では、ＩＰＡが水Ｖの中に拡散する。従って、従来の技術で上述したように、マランゴニ現象によって、その膜ｔの液面の降下とともに、ウェーハＷは上方から乾燥される。なお、このとき、液面が低下したために、内槽２１にある水は、矢印Ｅで示すように外槽２２へと流れ、排水管２３を介して排水される。そして、図６に示されるように、ガスの圧力によって低下した膜ｔの液面ｔａが、ウェーハＷの下端部を下回ると、図２の送気管４８のＮ2 ガスの供給を停止し、密閉槽３０へのガスの供給を停止させる。すなわち、これにてウェーハＷの乾燥が終了する。
【００２５】乾燥が終了すると、管１５に接続されている排水管２６を介して、洗浄槽２０の内槽２１にある水Ｖを排水する。このときには、密閉槽３０に供給されたＩＰＡは、可溶性であるため、すべて密閉槽３０の水Ｖに溶ける。従って、洗浄槽２０の内槽２１の水Ｖを排水することで、密閉槽３０に供給されたＩＰＡはすべて排出される。そして、密閉槽３０にある水がほとんどすべて排水された後、モータ３３を、密閉槽３０を降下させた時とは逆方向に回転させて、密閉槽３０を上昇させる。そして、乾燥したウェーハＷを収納したカセット１３を取り出す。
【００２６】本実施例では、水封された空間である内部空間３１において、ウェーハＷを乾燥させたので、乾燥に用いたＩＰＡが外部に漏れるということがない。また、乾燥するために供給されたＩＰＡは、水封として使用された水Ｖに溶け、水Ｖと一緒に洗浄槽２０から排出される。従って、乾燥に供給されたＩＰＡを気体として排出するための排気設備が不要となる。また、乾燥が行われる内部空間３１は、ウェーハＷが収納されたカセット１３を覆うだけの容積でよいので、この中に供給されるＩＰＡの量を少なくすることもできる。
【００２７】また、本実施例では、水封している水の液面を低下させながら、ミスト状のＩＰＡをその水の表面に拡散しているので、すなわちマランゴニ現象によって、ウェーハを乾燥しているので、マランゴニ現象を用いた乾燥で得られる効果が本実施例でも得られる。また、マランゴニ現象を用いたので、密閉槽３０の内部空間３１には、ガス状でなくミスト状のＩＰＡを供給してもよく、例えば管の継ぎ目などからＩＰＡが漏れるという恐れも一層なくなる。また、ＩＰＡがガスでないため、密閉槽３０の液面低下の速さは、ミスト状のＩＰＡを搬送するＮ2 ガスによる内部空間３１の圧力上昇により制御することができる。なお、ミスト状のＩＰＡをＮ2 ガスによって搬送させたので、このＮ2 ガスがウェーハＷに残留するということはなく、かつＩＰＡの使用量を低下させることができる。」
　　
　上記ア及びイで摘示した事項をふまえると、刊行物２には、次の事項が記載されているものと認められる。
　　　　
　「ウェーハＷの表面を乾燥させるに当たって、ミスト状のＩＰＡを水面上に供給するために、ノズル部材４２を用いてミスト状のＩＰＡを形成すること。」　
　
（３）刊行物３
ア　【請求項２】
「【請求項２】 洗浄槽（１）（７）内に被洗浄体（６）を収容した状態で洗浄槽（１）（７）内に洗浄液を置換するための有機溶剤を供給することにより被洗浄体（６）を乾燥する方法であって、被洗浄体（６）の第１の所定位置を支承した状態で被洗浄体（６）を乾燥した後、被洗浄体（６）の第１の所定位置と異なる第２の所定位置を支承した状態で被洗浄体を乾燥することを特徴とする被洗浄体処理方法。」
　
イ　段落【０００６】〜【０００８】
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の構成の装置を採用した場合には、洗浄液、または有機溶剤を洗浄槽に供給している間、半導体ウエハが支承部材により支承され続けているとともに、半導体ウエハの支承位置が一定であるから、半導体ウエハが支承部材により支承されている部分、およびその近傍箇所において洗浄液、有機溶剤、または不活性ガスが流れにくくなり（洗浄液、有機溶剤または不活性ガスが流れない部分もある）、洗浄、または乾燥の工程中の液体の置換に時間がかかり、上記の部分における洗浄、または乾燥のための所要時間が長くなるだけでなく、洗浄むら、または乾燥むらが発生し、しかも、洗浄液、または有機溶剤の消費量が多くなってしまう。
【０００７】特に、同時処理可能な半導体ウエハの枚数を多くし、支承される半導体ウエハどうしの間隔を小さくする場合には、上記の不都合が顕著になってしまう。
【０００８】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、洗浄、または乾燥のための所要時間を短縮できるとともに、洗浄むら、または乾燥むらの発生を大幅に抑制することができる被洗浄体処理方法およびその装置を提供することを目的としている。」
　　
ウ　段落【００２３】〜【００２５】
「【００２３】次いで、図１の被洗浄体処理装置を例にとって被洗浄体処理方法の一実施態様を説明する。図５は被洗浄体処理方法の一実施態様を説明するフローチャートである。ステップＳＰ１において、第２支承部材４により被洗浄体としての半導体ウエハ６を支承した状態で昇降軸３を下降させることにより、半導体ウエハ６を洗浄槽１内に投入し、ステップＳＰ２において、洗浄槽１内に第１の洗浄液を供給して半導体ウエハ６を洗浄し、ステップＳＰ３において、洗浄槽１内への第１の洗浄液の供給を行いつつ、昇降軸３をさらに下降させて半導体ウエハ６を第１支承部材２により支承させ、ステップＳＰ４において、洗浄槽１内にリンス液を供給して第１の洗浄液を排出することにより半導体ウエハ６のリンスを行い、ステップＳＰ５において、洗浄槽１内へのリンス液の供給を行いつつ、昇降軸３を上昇させて半導体ウエハ６を第２支承部材４により支承させ、ステップＳＰ６において、洗浄槽１内に第２の洗浄液を供給してリンス液を排出することにより半導体ウエハ６を洗浄し、ステップＳＰ７において、洗浄槽１内への第２の洗浄液の供給を行いつつ、昇降軸３を下降させて半導体ウエハ６を第１支承部材２により支承させ、ステップＳＰ８において、洗浄槽１内にリンス液を供給して第２の洗浄液を排出することにより半導体ウエハ６のリンスを行い、ステップＳＰ９において、洗浄槽１内へのリンス液の供給を行いつつ、昇降軸３を上昇させて半導体ウエハ６を第２支承部材４により支承させ、ステップＳＰ１０において、洗浄槽１からリンス液を排出して有機溶剤を供給することにより半導体ウエハ６上のリンス液と有機溶剤との置換を行い、不活性ガスで有機溶剤を蒸発させ、ステップＳＰ１１において、洗浄槽１内への不活性ガスの供給を行いつつ、昇降軸３を下降させて半導体ウエハ６を第１支承部材２により支承させ、最後に、ステップＳＰ１２において、昇降軸３を十分に上昇させて半導体ウエハ６を洗浄槽１から取出し、そのまま一連の処理を終了する。
【００２４】図５のフローチャートから明らかなように、第１の洗浄液を供給して半導体ウエハ６を洗浄している間、および第２の洗浄液を供給して半導体ウエハ６を洗浄している間に、第１支承部材２による半導体ウエハ６の支承および第２支承部材４による半導体ウエハ６の支承を選択的に行うのであるから、支承部材による半導体ウエハ６の支承位置が変化し、この結果、半導体ウエハ６の全範囲を短時間で確実に洗浄することができ、洗浄むらの発生を大幅に抑制することができる。そして、各洗浄液の消費量を大幅に減少させることができる。
【００２５】また、有機溶剤を供給し、リンス液と置換した後に不活性ガスを供給して半導体ウエハ６を乾燥している間にも、第１支承部材２による半導体ウエハ６の支承および第２支承部材４による半導体ウエハ６の支承を選択的に行うのであるから、支承部材による半導体ウエハ６の支承位置が変化し、この結果、半導体ウエハ６の全範囲を短時間で確実に乾燥することができ、乾燥むらの発生を大幅に抑制することができる。そして、不活性ガスの消費量を大幅に減少させることができる。」　　　
　
エ　段落【００２７】〜【００２８】
「【００２７】図６は被洗浄体処理方法の他の実施態様を説明するフローチャートである。ステップＳＰ１において、第２支承部材４により被洗浄体としての半導体ウエハ６を支承した状態で昇降軸３を下降させることにより、半導体ウエハ６を洗浄槽１内に投入し、ステップＳＰ２において、洗浄槽１内にリンス液を供給して半導体ウエハ６をリンスし、ステップＳＰ３において、洗浄槽１内にリンス液を供給しつつ、昇降軸３をさらに下降させて半導体ウエハ６を第１支承部材２により支承させ、ステップＳＰ４において、洗浄槽１内への乾燥用の有機溶剤蒸気の供給を開始し、ステップＳＰ５において、洗浄槽１からのリンス液の排出を開始し、リンス液面に対する半導体ウエハ６の相対位置を上側に移動させることにより半導体ウエハ６上のリンス液と有機溶剤の置換を行い、ステップＳＰ６において不活性ガスを洗浄槽１内に供給し、ウエハ６上の有機溶剤を蒸発乾燥させ、ステップＳＰ７において（図示せず）、半導体ウエハ６の相対的移動を行わせつつ、昇降軸３を上昇させて半導体ウエハ６を第２支承部材４により支承させ、半導体ウエハ６の乾燥が終了した後に、ステップＳＰ８において、昇降軸３を十分に上昇させて半導体ウエハ６を洗浄槽１から取出し、そのまま一連の処理を終了する。
【００２８】この実施態様の場合にも、リンス中、乾燥中において、第１支承部材２による半導体ウエハ６の支承および第２支承部材４による半導体ウエハ６の支承を選択的に行うのであるから、支承部材による半導体ウエハ６の支承位置が変化し、この結果、半導体ウエハ６の全範囲を短時間で確実にリンスし、乾燥することができ、乾燥むらの発生を大幅に抑制することができる。そして、リンス液、有機溶剤の消費量を大幅に減少させることができる。もちろん、第１支承部材２による半導体ウエハ６の支承および第２支承部材４による半導体ウエハ６の支承の順序を逆転させても同様の作用を達成することができる。また、リンス工程を省略することもできる。」
　　
　上記アないしエで摘示した事項をふまえると、刊行物３には、次の事項が記載されているものと認められる。
　　
　「洗浄槽内に半導体ウエハを収容し、洗浄槽内に洗浄液を置換するための有機溶剤を供給することにより半導体ウエハを乾燥するに当たって、半導体ウエハの乾燥中に、支承部材による半導体ウエハの支承位置を変化させること。」
　　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「洗浄槽１１の内槽１１ａ」は、本願発明の「処理槽」に相当する。
　以下同様に、「ウェーハＷ」は「基板」に、「水Ｖ」は「洗浄液」に、「ＩＰＡ溶液」は「乾燥用流体」に、「ウェーハ乾燥」は「基板乾燥」に、それぞれ相当する。
　引用発明の「ノズル２２及びノズル２２に設けられた拡散防止板２３により、霧状のＩＰＡ溶液をウェーハＷが配置される内槽１１ａへ集中的に導入」する点は、拡散防止版２３によりノズル２２の側方に霧状のＩＰＡ溶液と搬送ガスの混合流体が飛散しないこと（刊行物１の段落【００２４】、上記３の（１）ア）、及び霧状のＩＰＡ溶液はＩＰＡ自体は気体ではなく液の状態であることをふまえると、「乾燥用流体の処理槽内への導入に方向性を持たせるとともに、乾燥用流体を液の状態で処理槽内に導入」するという限りにおいて、本願発明の「洗浄液の液面における基板の全幅にわたって乾燥用流体が広がるように、乾燥用流体の処理槽内への導入に方向性を持たせるとともに、乾燥用流体の導入初速を設定して乾燥用流体を液の状態で処理槽内に導入」点と共通する。
　引用発明の「霧状のＩＰＡ溶液を形成」する点は、霧状のＩＰＡ溶液はＩＰＡ自体が液滴であることをふまえると、本願発明の「乾燥用流体の液滴を形成」する点に相当する。　
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
　　
＜一致点＞
　「処理槽内に基板を収容し、かつ処理槽内における洗浄液の液面を基板に対して相対的に下降させながら処理槽内に乾燥用流体を供給することにより基板の表面を乾燥させるに当たって、
　乾燥用流体の処理槽内への導入に方向性を持たせるとともに、乾燥用流体を液の状態で処理槽内に導入し、乾燥用流体の液滴を形成して洗浄液面上に供給する基板乾燥方法。」の点。
　　
＜相違点１＞
　乾燥用流体の処理槽内への導入に方向性を持たせるとともに、乾燥用流体を液の状態で処理槽内に導入し、乾燥用流体の液滴を形成して洗浄液面上に供給する点につき、
　本願発明は、洗浄液の液面における基板の全幅にわたって乾燥用流体が広がるようにするためであり、導入初速を設定しており、液滴をノズルを用いて形成しているのに対し、
　引用発明は、乾燥用流体である霧状のＩＰＡ溶液を内槽１１ａへ集中的に導入するためであり、導入初速について言及がなく、液滴を搬送ガスの流速により搬送管２１中に負圧を発生させて形成している点。
　　
＜相違点２＞
　本願発明では、洗浄液の処理槽からの排出に伴って、基板の支承位置を変化させるのに対し、引用発明では、基板の支承位置を変化させていない点。
　
５　相違点についての検討
（１）相違点１について
　引用発明は、乾燥用流体である霧状のＩＰＡ溶液を内槽１１ａへ集中的に導入しているところ、洗浄液の液面における基板の全幅にわたって乾燥用流体が拡がらなければ、乾燥用流体による基板の乾燥がなされない部分、あるいは不十分となる部分が生ずることは明らかである。そうすると、引用発明において、乾燥用流体により洗浄液の液面における基板の全幅にわたって乾燥用流体が拡がるようにすること、及びそのために適宜の導入初速を設定することは、当業者が当然に配慮すべき設計事項というべきものである。
　次に、刊行物２には、上記３の（２）に示したとおり、「ウェーハＷの表面を乾燥させるに当たって、ミスト状のＩＰＡを水面上に供給するために、ノズル部材４２を用いてミスト状のＩＰＡを形成すること。」が記載されている。
　ここで、刊行物２に記載された事項の「ウェーハＷ」、及び「水」は、それぞれ、本願発明の「基板」、及び「洗浄液」と言い換えることができる。また、刊行物２に記載された事項の「ミスト状のＩＰＡ」は、ＩＰＡ自体は液滴であることをふまえると、本願発明の「乾燥用流体」、あるいは、「乾燥用流体の液滴」と言い換えることができる。さらに、刊行物２に記載された事項の「ノズル部材４２」は、それを用いてミスト状のＩＰＡ、すなわち乾燥用流体の液滴が形成され水面上に供給されるから、本願発明の「ノズル」と言い換えることができる。
　そうすると、刊行物２に記載された事項は、「基板の表面を乾燥させるに当たって、乾燥用流体の液滴を洗浄液面上に供給するために、ノズルを用いて乾燥用流体の液滴を形成すること。」と言い換えることができる。
　引用発明と刊行物２に記載された事項とは、ともに、霧状のＩＰＡを洗浄液面上に供給して基板の表面を乾燥させる点で共通するから、引用発明において液滴である霧状のＩＰＡ溶液を形成するのに、刊行物２に記載された事項を適用してノズルを用いることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、引用発明において、洗浄液の液面における基板の全幅にわたって乾燥用流体が広がるようにすること、そのために導入初速を設定すること、及び液滴をノズルを用いて形成することは、当業者が容易になし得たことである。
　　　
（２）相違点２について
　刊行物３には、上記３の（３）に示したとおり、「洗浄槽内に半導体ウエハを収容し、洗浄槽内に洗浄液を置換するための有機溶剤を供給することにより半導体ウエハを乾燥するに当たって、半導体ウエハの乾燥中に、支承部材による半導体ウエハの支承位置を変化させること。」が記載されている。
　刊行物３に記載された事項の「洗浄槽」は、本願発明の「処理槽」と言い換えることができる。以下同様に、「半導体ウエハ」は「基板」と、「有機溶剤」は「乾燥用流体」と、「支承部材による半導体ウエハの支承位置を変化させる」は、「基板の支承位置を変化させる」と、それぞれ言い換えることができる。
　そうすると、刊行物３に記載された事項は、「処理槽内に基板を収容し、処理槽内に洗浄液を置換するための乾燥用流体を供給することにより基板を乾燥するに当たって、基板の乾燥中に、基板の支承位置を変化させること。」と言い換えることができる。
　ここで、刊行物３には、乾燥中に半導体ウエハの支承位置が一定であることの弊害、すなわち、「半導体ウエハが支承部材により支承されている部分、およびその近傍箇所において洗浄液、有機溶剤、または不活性ガスが流れにくくなり（洗浄液、有機溶剤または不活性ガスが流れない部分もある）、洗浄、または乾燥の工程中の液体の置換に時間がかかり、上記の部分における洗浄、または乾燥のための所要時間が長くなるだけでなく、洗浄むら、または乾燥むらが発生」すること（段落【０００６】、上記３の（３）ア参照）が記載されているところ、このような弊害が引用発明によるウェーハの乾燥においても生ずることは明らかである。
　してみると、引用発明における乾燥中に刊行物３に記載された事項を適用し、基板の支承位置を変化させることは当業者が容易になし得たことである。また、このとき、引用発明におけるウェーハの乾燥は、処理槽である内槽１１ａからの洗浄液の排出中に行われるから、処理液の処理槽からの排出に伴って、基板の支承位置を変化させることとなるのは明らかである。　
　　
（３）本願発明の効果について
　本願発明の効果についてみても、引用発明並びに刊行物２及び刊行物３に記載された事項から当業者が十分に予測できる範囲内のものであって、顕著なものとはいえない。
　　
（４）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明並びに刊行物２及び刊行物３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明並びに刊行物２及び刊行物３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件出願は、その余の請求項について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。