【事件の表示】
　平成　６年特許願第１４６８２１号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　１月１９日出願公開、特開平　８−　１８０２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続きの経緯
　本願は、平成６年６月２８日の出願であって、平成１７年２月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年３月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月８日に手続補正がなされたものである。
　そして、その後当審において、平成１８年６月２日付けで審尋がなされ、同年８月７日に回答書が提出されている。
　
第２．平成１７年４月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年４月８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容      　
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし７を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし３と補正するものであって、補正後の請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】　単結晶半導体素子が形成されている薄膜が、担体基板に接着層を介して接着されており、前記接着層は、アルカリ不純物の含有量が５ｐｐｍ以下で、硬化収縮率が１０％以下であり、前記薄膜と前記担体基板との線膨張係数の差が１．５×１０-6℃-1以下であることを特徴とする半導体装置。」
　
２．本件補正の内容の整理
　本件補正の内、特許請求の範囲の請求項１についての補正の内容は、以下のように整理される。
（補正事項１）
　補正前の「単結晶半導体素子が形成されている少なくとも１層以上の薄膜」を、「単結晶半導体素子が形成されている薄膜」と補正すること。
（補正事項２）
　補正前の「前記接着層は、可視光硬化型接着剤で、アルカリ不純物の含有量が５ｐｐｍ以下で、硬化収縮率が１０％以下であり」を、「前記接着層は、アルカリ不純物の含有量が５ｐｐｍ以下で、硬化収縮率が１０％以下であり」と補正すること。
　
３．本件補正についての検討
（補正事項１について）
　この補正は、補正前の発明の構成に欠くことができない事項である「少なくとも１層以上の」の記載を削除するものであって、この記載は誤記や明りょうでない記載とは認められないから、この補正は「誤記の訂正」又は「明りょうでない記載の釈明」を目的とするものではない。
　また、この補正は、特許法第１７条の２第３項に規定される「請求項の削除」又は「特許請求の範囲の減縮」のいずれを目的とするものでもないことは明らかである。
　よって、補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たさない。
（補正事項２について）
　この補正は、補正前の「前記接着層」を限定する「可視光硬化型接着剤で、」の記載を削除するものであって、補正前の発明の構成に欠くことができない事項を削除するものであるから、特許法第１７条の２第３項第２号に規定する「特許請求の範囲の減縮」に該当しない。
　そして、補正事項２についての補正は、特許法第１７条の２第３項に規定される「請求項の削除」、「誤記の訂正」又は「明りょうでない記載の釈明」のいずれを目的とするものでもないことは明らかである。
　よって、補正事項２についての補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たさない。
　したがって、上記補正事項１及び２を含む、請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件に適合しないから、請求項１についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件に適合しない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　よって、上記結論のとおり決定する。
　
第３．本願発明
　平成１７年４月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１６年１１月２９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項２ないし４に係る発明は、その請求項２ないし４に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項２】　単結晶半導体素子が形成されている薄膜が接着層と共に少なくとも２層以上積層して、担体基板に前記接着層を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。」
「【請求項３】　前記接着層に含まれるアルカリ不純物の含有量が５ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。」
「【請求項４】　前記接着層は硬化収縮率が１０％以下であることを特徴とする請求項２乃至３記載の半導体装置。」
　
　ここで、請求項３に係る発明は請求項２を引用し、請求項４に係る発明は請求項２乃至３を引用しているから、請求項２を引用する請求項３に係る発明（以下、「本願発明１」という。）、及び請求項２を引用する請求項４に係る発明（以下、「本願発明２」という。）は、それぞれ以下のとおりのものであると認める。
「【請求項３】　単結晶半導体素子が形成されている薄膜が接着層と共に少なくとも２層以上積層して、担体基板に前記接着層を介して接着されている半導体装置において、前記接着層に含まれるアルカリ不純物の含有量が５ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装置。」
「【請求項４】　単結晶半導体素子が形成されている薄膜が接着層と共に少なくとも２層以上積層して、担体基板に前記接着層を介して接着されている半導体装置において、前記接着層は硬化収縮率が１０％以下であることを特徴とする半導体装置。」
　
第４．引用した刊行物に記載の発明
（１）特開平５−３１３２０１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日の前である平成５年１１月２６日に日本国内において頒布された特開平５−３１３２０１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１及び図３とともに以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜とに狭持され半導体回路素子が形成されている単結晶シリコン薄膜と、素子平滑化層と、樹脂接着層と、担体基板とを順に形成してなる半導体薄膜素子。」
「【０００７】
【作用】請求項１記載の熱酸化シリコン膜は、課題を解決するための手段で説明した電気回路の形成されていないシリコン基板側を研磨、エッチングして除去するときに研磨、エッチングを阻止して、半導体回路素子の形成されている単結晶シリコン薄膜のみを残す作用を有する。」
「【００１０】
【実施例】・・・図１は、本発明の半導体薄膜素子の構成を示す摸式的断面図であり、１は熱酸化シリコン膜、２は単結晶シリコン薄膜、３は酸化シリコン膜、４は素子平滑化層、５は樹脂接着層、６は担体基板である。単結晶シリコン薄膜２上には、微細化半導体製造技術を適用して、半導体回路素子が形成されている。」
「【００１５】素子平滑化層４は、前記単結晶シリコン薄膜２に前記半導体回路素子を形成し、前記単結晶シリコン薄膜２側を、酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜３、素子平滑化層４を介して樹脂接着層５で担体基板１に接着する際に、接着剤の硬化、収縮に伴う樹脂接着層５内に生じる内部応力を低下させ、その結果前記研磨、エッチングにおける単結晶シリコン薄膜２の剥離を防止する機能を有する。・・・
【００１６】素子平滑化層４の材料としては、シリコンアルコキシドなどの有機系シリコン化合物を溶剤で溶解したものを前記酸化シリコン膜または窒化シリコン膜３上に塗布して１５０〜３００℃で加熱処理して得られた酸化シリコンや、溶剤に溶かしたイミド系モノマまたはエポキシ系モノマを塗布した後加熱重合して得られたイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。・・・
【００１７】また、担体基板１としては、・・・当該担体基板１の線膨張係数とシリコン単結晶の線膨張係数との差が１．５×１０-6／度以内である材料の担体基板を用いるのが好ましい。例えば、本発明の半導体薄膜素子を用いて透過型の光学素子を作製する場合はパイレックスガラスなどのガラス基板を、反射型の光学素子や三次元半導体回路素子を形成するときはシリコン単結晶ウエハなどを用いることができる。
【００１８】樹脂接着層５としては、前記研磨、エッチングや本発明の半導体薄膜素子の作製に関わる種々の洗浄工程において、エッチング液や洗浄液などによる腐食に耐えると同時に強固な接着力を兼ね備えていなければならない。このような目的を満たす樹脂接着層５の材質は、いわゆる含フッ素エポキシ系樹脂であった。これは、種々の割合でフッ素を修飾基として持ったエポキシ系樹脂であり、対薬品性に優れているのみならず、フッ素の量を適当に調整することにより当該接着層の屈折率や硬化前の粘度などを制御することができる。」
「【００２１】・・・担体基板６がシリコン単結晶ウエハ６ａであり、当該シリコン単結晶ウエハ６ａ上に半導体回路素子が形成されている場合の実施例の摸式的断面図を図３に示す。図３が図１と異なっている点は、担体基板であるシリコン単結晶ウエハ６ａ上に半導体回路素子が形成されている点と、樹脂接着層５とシリコン単結晶ウエハ６ａとの間に第２の素子平滑化層４ａが形成されている点である。・・・
【００２２】このように２層の半導体回路素子を形成することによって、単結晶シリコン薄膜３に形成した半導体回路素子とシリコン単結晶ウエハ６ａに形成した半導体回路素子とを光学的に結線し、実質的に大規模集積回路を小さな面積内にクロックの遅延なく構成することができる。」
「【００３７】次に、図１５（Ａ）に示すように素子平滑化層４の上に接着剤５ａを塗布する。接着剤５ａとしては、硬化した後に図１５（Ｃ）で示すシリコン単結晶ウエハ２５の除去工程におけるエッチング液の腐食に対して充分強い材料を用いる必要がある。本発明における実施例としては、含フッ素エポキシ系モノマーを紫外線により重合硬化させる紫外線硬化型接着剤を用いた。」
「【００６９】また、このような半導体薄膜素子の製造方法として、第１のシリコン単結晶ウエハ上に第２のシリコン単結晶ウエハを熱圧接した後、第２のシリコン単結晶ウエハを研磨、エッチングすることによって形成された単結晶シリコン薄膜の上に、集積的に半導体回路素子を形成する第１工程と、前記単結晶シリコン薄膜上に形成した半導体回路素子を、担体基板上に接合分離する第２工程よりなる半導体薄膜素子の製造方法を用いることにより、従来作製が困難であった上記半導体薄膜素子の作製を容易ならしめ、半導体と異種材料との接合や半導体素子の三次元化などの技術分野への貢献は極めて大きい。」
　ここで、段落【００１５】の説明から、図１の半導体薄膜素子は、単結晶シリコン薄膜２に半導体回路素子を形成し、前記単結晶シリコン薄膜２側を、酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜３、素子平滑化層４を介して樹脂接着層５で担体基板１に接着して形成されており、熱酸化シリコン膜１と酸化シリコン膜３とに狭持された単結晶シリコン薄膜２が、素子平滑化層４と樹脂接着層５を介して、担体基板６上に設けられていることは明らかである。
　したがって、刊行物１には、
「熱酸化シリコン膜１と酸化シリコン膜３とに狭持され半導体回路素子が形成されている単結晶シリコン薄膜２が、素子平滑化層４を有し、担体基板６に樹脂接着層５を介して接着されている半導体薄膜素子。」（以下、「引用発明」という。）
が記載されている。
　
（２）特開平４−２６２５７６号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日の前である平成４年９月１７日に日本国内において頒布された特開平４−２６２５７６号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１、図１３及び図１４とともに以下の事項が記載されている。
「【００１２】次に、図１に示す基本構造を有する半導体装置の製造方法を説明する。先ず最初に、仮基板の上に絶縁膜を介して積層された単結晶半導体薄膜を有するＳＯＩ基板を形成する第１工程を行なう。次に、該単結晶半導体薄膜に対して半導体集積回路を形成する第２工程を行なう。続いて、形成された集積回路の表面に対して該仮基板と反対側に支持基板を面接着固定する第３工程を行なう。さらに、該仮基板を除去し、平坦な絶縁膜を露出する第４工程を行なう。最後に、該露出した平坦な絶縁膜の表面に対して少くとも電極形成を含む処理を行なう第５工程を実施する。」
「【００３７】次に、図１３を参照して本発明にかかる半導体装置製造方法の第３工程を説明する。この第３工程において、仮基板３８の反対側に支持基板を面接着固定する。その為に、先ず半導体集積回路が形成された薄膜積層１の表面に接着剤を塗布して接着剤層１４を形成する。接着剤の材料としてはポリイミド樹脂あるいはエポキシ樹脂を用いる事が可能である。ポリイミド樹脂は耐熱性に優れており不純物含有量が少ない点で優れている。又、エポキシ樹脂は作業性に優れており且つ強い接着力を有する点で優れている。しかしながら、これらの有機材料はその線膨張係数がシリコン材料と大きく異なっており、半導体装置の使用目的によっては信頼性の点で問題となる場合も考えられる。又、これら有機材料には必然的にアルカリイオンが含まれており、半導体装置の信頼性に悪影響を及ぼす場合も考えられる。そこで、本実施例においては、接着剤として二酸化シリコン粒子を溶媒に分散した組成を有する流動性の無機材料を用いた。かかる二酸化シリコン接着剤は、熱処理を施す事により緻密な二酸化シリコン膜を形成できる。この二酸化シリコン膜はアルカリイオンを殆ど含んでおらず信頼性の点で優れているとともに、その線膨張係数は基板材料と同程度である為熱的ストレスを低減する事ができる。この二酸化シリコン接着剤はスピナー処理、ディッピング処理あるいはスプレー処理等の簡単な方法で集積回路表面に塗布する事ができる。流動性がある為段差平滑性に優れている。
【００３８】さらに、図１４に示す工程において、塗布された接着剤膜１４の上に支持基板１５を張り合わせる。・・・
【００３９】最後に、支持基板１５とＳＯＩ基板３７を張り合わせた状態で、仮基板３８を除去し、平坦な面を有する絶縁膜３を露出させる。」
　
第５．本願発明１について
　
１．対比
　本願発明１と引用発明について、以下で対比する。
　引用発明の「半導体回路素子」、「単結晶シリコン薄膜２」、「樹脂接着層５」は、本願発明１の「単結晶半導体素子」、「薄膜」、「接着層」にそれぞれ相当する。そして、引用発明の「半導体薄膜素子」は、実質的に薄膜シリコン回路を構成するものであるから、本願発明１の「半導体装置」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明は、
「単結晶半導体素子が形成されている薄膜が、担体基板に接着層を介して接着されている半導体装置。」
であることにおいて一致しており、次の２点で相違している。
（相違点１）
　本願発明１は、「単結晶半導体素子が形成されている薄膜が接着層と共に少なくとも２層以上積層して」、担体基板に接着されているのに対し、引用発明は、「熱酸化シリコン膜１と酸化シリコン膜３とに狭持され半導体回路素子が形成されている単結晶シリコン薄膜２が、素子平滑化層４を有し」て、担体基板に接着されているものの、「単結晶シリコン薄膜２」を「少なくとも２層以上積層」することが明示されていない点。
（相違点２）
　本願発明１は、「前記接着層に含まれるアルカリ不純物の含有量が５ｐｐｍ以下である」のに対して、引用発明は、このことが明示されていない点。
　
２．判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　刊行物１には、「担体基板１としては、・・・反射型の光学素子や三次元半導体回路素子を形成するときはシリコン単結晶ウエハなどを用いることができる。」（段落【００１７】）と記載されており、刊行物１に記載の半導体薄膜素子が「三次元半導体回路素子」に応用できることが開示されている。また、図３には、担体基板であるシリコン単結晶ウエハ６ａ上に半導体回路素子が形成され、その上に、樹脂接着層５と共に半導体回路素子が形成されている単結晶シリコン薄膜２が設けられた実施例が記載されており、「このように２層の半導体回路素子を形成することによって、・・・実質的に大規模集積回路を小さな面積内にクロックの遅延なく構成することができる。」（段落【００２２】）と、２層に積層された半導体回路素子の優位性について指摘されている。
　更に、一般に「三次元半導体回路素子」とは、半導体素子が形成されている薄膜が複数層積層された半導体装置を意味するものであり、例えば、特開平６−６１４１８号公報（「第２の工程は、被積層ＬＳＩチップの接着工程であり、・・・半導体基板２０１の表面に作製されたＬＳＩチップ部分に、第１の工程で作製された支持基板２０５が搭載された被積層ＬＳＩチップ２０６を位置合わせして、接着剤等によって接着する。・・・この第２の工程は、必要な回数だけ繰り返すことによって、ＬＳＩの積層数を選択することができ」る。［段落【００１０】〜【００１２】、図４、図７等を参照。］）、特開平３−４４０６７号公報（「薄膜デバイス積層プロセスにより第１の半導体基板に形成された第１層目デバイス上に順次薄膜デバイスを積層する。」［第３頁右上欄第５ないし７行、第２図等を参照。］）、及び、国際公開第９３／０１６４９１号（「第１１Ｄ図を参照すると、三次元デバイスが、薄い一様な接着剤１０１８を使用して、二重転写回路１０１０（第１１Ｃ図）の頂部に単一転写回路１０００（第１１Ｂ図）を接着することにより形成される。」［第２５頁第１８ないし２１行の訳文、第１１図を参照。］、「第２４Ａ図は、伝導性材料によって相互接続された３Ｄ回路スタックを示す。・・・回路層１４１０、１４１０’、１４１０”は、介在された薄膜エポキシ樹脂層１４２０、１４２０’、１４２０”によって、キャリア基板１４０１と隣接回路層に接着される。」［第４０頁第２６行ないし第４１頁第２行の訳文、第２４図を参照。］）に記載されるように、半導体素子が形成されている薄膜を接着層等により２層以上積層して、三次元構造の半導体装置を構成することは、本願出願当時周知の技術にすぎない。
　したがって、刊行物１の記載及び上記周知の技術に基づいて、引用発明において、単結晶シリコン薄膜２を少なくとも２層以上積層し、本願発明１のごとく、「単結晶半導体素子が形成されている薄膜が接着層と共に少なくとも２層以上積層して」、担体基板に接着されているものとすることは、当業者が容易になし得ることである。
（相違点２について）
　アルカリ不純物の含有量について、本願明細書には、「接着層１０３内に特にナトリウムなどのアルカリ不純物が多く含有していると、ＭＯＳ型トランジスタのしきい値電圧が変動してしまう」こと（段落【００１７】）、「接着層１０３のアルカリ不純物含有量を５ｐｐｍ以下にしたところ、該ＭＯＳ型トランジスタのしきい値電圧特性にほとんど悪影響が出なくなること」（段落【００１８】）が一応記載されているが、アルカリ不純物含有量とＭＯＳ型トランジスタのしきい値電圧特性の定量的な関係は示されておらず、また、アルカリ不純物含有量を「５ｐｐｍ以下」とすることにより、どの程度悪影響が出なくなるかも明示されていないから、本願明細書には「前記接着層に含まれるアルカリ不純物の含有量が５ｐｐｍ以下である」ことの、臨界的意義を示す具体的な根拠は記載されていない。
　一方、刊行物２には、半導体集積回路が形成された薄膜積層１と支持基板１５とを接着する接着剤層１４の材料として、ポリイミド樹脂あるいはエポキシ樹脂を用いることについて、「これら有機材料には必然的にアルカリイオンが含まれており、半導体装置の信頼性に悪影響を及ぼす場合も考えられる。」（段落【００３７】）と記載されており、アルカリイオン、即ち、アルカリ不純物を含有することの問題点が指摘されている。そして、更に、「本実施例においては、接着剤として二酸化シリコン粒子を溶媒に分散した組成を有する流動性の無機材料を用いた。かかる二酸化シリコン接着剤は、熱処理を施す事により緻密な二酸化シリコン膜を形成できる。この二酸化シリコン膜はアルカリイオンを殆ど含んでおらず信頼性の点で優れているとともに、その線膨張係数は基板材料と同程度である為熱的ストレスを低減する事ができる。」（段落【００３７】）と、アルカリイオンを殆ど含んでいない材料からなる接着剤を用いることが記載されているから、刊行物２には、半導体集積回路が形成された薄膜積層１と支持基板１５とを接着する接着剤層１４は、アルカリイオン、即ち、アルカリ不純物の含有量が極めて低いものが望ましいことが、実質的に開示されている。
　そして、例えば、特開昭６３−２２６０６４号公報（「中間層２３０のアルカリイオン含有率が増加すると、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造のスイッチ部２１３のＯＦＦ抵抗が減少し、スイッチのＯＮ／ＯＦＦ比がとれなくなる。これらより、シリコーン樹脂で中間層１３０または２３０を構成する場合、アルカリイオンの含有率としては１ｐｐｍ以下が望ましく、このように材料を選択したところ・・・良好な結果を得た。」［第６頁右上欄第１８行ないし左下欄第６行、第２図、第４図を参照。］、「中間層は接着層としても機能する。」［第５頁右上欄第１９ないし２０行］）に記載されるように、半導体装置に用いられる樹脂層のアルカリイオン含有量をｐｐｍのオーダーに抑えることは、従来から行われてきた周知の技術である。
　したがって、引用発明においても、刊行物２の記載及び上記周知の技術に基づいて、樹脂接着層のアルカリ不純物の含有量を極めて低いものとし、且つ、その数値範囲を実験的に好適化して、本願発明１のごとく、「前記接着層に含まれるアルカリ不純物の含有量が５ｐｐｍ以下である」ようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　なお、審判請求人は、請求の理由において、本願発明においては、単結晶シリコン薄膜の裏面に熱酸化シリコン膜を必要としないこと、及び単結晶シリコン薄膜と樹脂接着層との間に素子平坦化層を必要としないことを、刊行物１記載のものとの相違点として主張している。
　本願明細書には、熱酸化ＳｉＯ２からなる保護層２０１や平坦化層５０１を有する半導体装置が、本願発明の「実施例」として記載されており、本願各請求項に係る発明には、熱酸化シリコン膜を有しないことや、素子平坦化層を有しないことは限定されていないから、上記主張は請求項の記載に基づくものとは認められないが、一応この点について検討する。
　まず、引用発明の「熱酸化シリコン膜」は、「電気回路の形成されていないシリコン基板側を研磨、エッチングして除去するときに研磨、エッチングを阻止して、半導体回路素子の形成されている単結晶シリコン薄膜のみを残す作用」（刊行物１の段落【０００７】）を有するものであるから、半導体薄膜素子の製造過程において作用・効果を奏するものであり、その作用が達成された研磨、エッチング工程終了後に、不要となった当該熱酸化シリコン膜を除去することは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。また、半導体薄膜素子完成後においても、当該熱酸化シリコン膜は、単結晶シリコン薄膜に形成された半導体回路素子を外部の環境から電気的に保護する機能を備えているが、当該熱酸化シリコン膜は、単結晶シリコン薄膜の半導体回路素子を形成する面とは反対側の面に形成されており、半導体回路素子を直接被覆するものではなく、また他の表面保護膜により代替可能なものにすぎないから、この熱酸化シリコン膜を除去することは格別困難なことではない。
　次に、引用発明の「素子平坦化層」は、樹脂接着層の内部応力を緩和して単結晶シリコン薄膜の担体基板からの剥離を防止する作用を有するものであるから、これは使用する樹脂接着層の特性に応じて必要性が変わるものであり、例えば、刊行物２には、素子平坦化層を形成することなく、半導体集積回路が形成された薄膜積層１の表面に接着剤を塗布して接着剤層１４を形成し、支持基板１５を張り合わせることが記載されているから、引用発明において、素子平坦化層を設けないことも、当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、引用発明において、熱酸化シリコン膜や素子平坦化層を削除することは当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　
３．まとめ
　したがって、本願発明１は、刊行物１、２に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６．本願発明２について
　
１．対比
　本願発明２と引用発明について、以下で対比する。
　引用発明の「半導体回路素子」、「単結晶シリコン薄膜２」、「樹脂接着層５」は、本願発明２の「単結晶半導体素子」、「薄膜」、「接着層」にそれぞれ相当する。そして、引用発明の「半導体薄膜素子」は、実質的に薄膜シリコン回路を構成するものであるから、本願発明２の「半導体装置」に相当する。
　したがって、本願発明２と引用発明は、
「単結晶半導体素子が形成されている薄膜が、担体基板に接着層を介して接着されている半導体装置。」
であることにおいて一致しており、次の２点で相違している。
（相違点１）
　本願発明２は、「単結晶半導体素子が形成されている薄膜が接着層と共に少なくとも２層以上積層して」、担体基板に接着されているのに対し、引用発明は、「熱酸化シリコン膜１と酸化シリコン膜３とに狭持され半導体回路素子が形成されている単結晶シリコン薄膜２が、素子平滑化層４を有し」て、担体基板に接着されているものの、「単結晶シリコン薄膜２」を「少なくとも２層以上積層」することが明示されていない点。
（相違点２）
　本願発明２は、「前記接着層は硬化収縮率が１０％以下である」のに対して、引用発明は、このことが明示されていない点。
　
２．判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　刊行物１には、「担体基板１としては、・・・反射型の光学素子や三次元半導体回路素子を形成するときはシリコン単結晶ウエハなどを用いることができる。」（段落【００１７】）と記載されており、刊行物１に記載の半導体薄膜素子が「三次元半導体回路素子」に応用できることが開示されている。また、図３には、担体基板であるシリコン単結晶ウエハ６ａ上に半導体回路素子が形成され、その上に、樹脂接着層５と共に半導体回路素子が形成されている単結晶シリコン薄膜２が設けられた実施例が記載されており、「このように２層の半導体回路素子を形成することによって、・・・実質的に大規模集積回路を小さな面積内にクロックの遅延なく構成することができる。」（段落【００２２】）と、２層に積層された半導体回路素子の優位性について指摘されている。
　更に、一般に「三次元半導体回路素子」とは、半導体素子が形成されている薄膜が複数層積層された半導体装置を意味するものであり、例えば、特開平６−６１４１８号公報（「第２の工程は、被積層ＬＳＩチップの接着工程であり、・・・半導体基板２０１の表面に作製されたＬＳＩチップ部分に、第１の工程で作製された支持基板２０５が搭載された被積層ＬＳＩチップ２０６を位置合わせして、接着剤等によって接着する。・・・この第２の工程は、必要な回数だけ繰り返すことによって、ＬＳＩの積層数を選択することができ」る。［段落【００１０】〜【００１２】、図４、図７等を参照。］）、特開平３−４４０６７号公報（「薄膜デバイス積層プロセスにより第１の半導体基板に形成された第１層目デバイス上に順次薄膜デバイスを積層する。」［第３頁右上欄第５ないし７行、第２図等を参照。］）、及び、国際公開第９３／０１６４９１号（「第１１Ｄ図を参照すると、三次元デバイスが、薄い一様な接着剤１０１８を使用して、二重転写回路１０１０（第１１Ｃ図）の頂部に単一転写回路１０００（第１１Ｂ図）を接着することにより形成される。」［第２５頁第１８ないし２１行の訳文、第１１図を参照。］、「第２４Ａ図は、伝導性材料によって相互接続された３Ｄ回路スタックを示す。・・・回路層１４１０、１４１０’、１４１０”は、介在された薄膜エポキシ樹脂層１４２０、１４２０’、１４２０”によって、キャリア基板１４０１と隣接回路層に接着される。」［第４０頁第２６行ないし第４１頁第２行の訳文、第２４図を参照。］）に記載されるように、半導体素子が形成されている薄膜を接着層等により２層以上積層して、三次元構造の半導体装置を構成することは、本願出願当時周知の技術にすぎない。
　したがって、刊行物１の記載及び上記周知の技術に基づいて、引用発明において、単結晶シリコン薄膜２を少なくとも２層以上積層し、本願発明２のごとく、「単結晶半導体素子が形成されている薄膜が接着層と共に少なくとも２層以上積層して」、担体基板に接着されているものとすることは、当業者が容易になし得ることである。
（相違点２について）
　接着層の硬化収縮率について、本願明細書には、「実験検討の結果、硬化収縮が１０％以内の接着剤を使用すると、単結晶半導体素子１０１の電気特性の変動および、薄膜１０２の剥離やひび割れなどの不良を大幅に低減できることがわかった」（段落【００１８】）旨が一応記載されているが、硬化収縮率と単結晶半導体素子１０１の電気特性の変動の定量的な関係は示されておらず、また、硬化収縮率を「１０％以下」とすることにより、どの程度不良が低減できるかも明示されていないから、本願明細書には「前記接着層は硬化収縮率が１０％以下である」ことの、臨界的意義を示す具体的な根拠は記載されていない。そして、発明の実施例においては、接着層として「含フッ素エポキシ系接着剤」及び「光硬化型接着剤」を利用すること（段落【００２０】【００２１】）が開示されている。
　一方、刊行物１には、接着層の硬化収縮率を「１０％以下」とすることは明示されていないものの、実施例において、「樹脂接着層５の材質は、いわゆる含フッ素エポキシ系樹脂であった。」（段落【００１８】）、及び「接着剤５ａとしては、・・・含フッ素エポキシ系モノマーを紫外線により重合硬化させる紫外線硬化型接着剤を用いた。」（段落【００３７】）と記載されているから、引用発明の樹脂接着層５は、本願発明２における接着層（「含フッ素エポキシ系接着剤」及び「光硬化型接着剤」）と同等の材料が使用されている。したがって、引用発明の樹脂接着層５も、本願発明２における接着層と同等の特性を備えているものと推測される。
　また、一般に、半導体装置を構成する材料層が製造過程において収縮すると、半導体装置内に内部応力や歪みを生じさせ、素子特性に悪影響を与えて望ましくないから、材料層の収縮率等を小さくすることは、当業者が当然に考慮すべきことにすぎない。
　そして、例えば、特開平４−７５３８１号公報（光硬化型絶縁樹脂を介して実装した半導体素子に関し、「光照射による絶縁樹脂の硬化と同時に気泡あるいは剥離が生じる場合もある。この場合、硬化の際の体積収縮が大きいことに起因することが分かった。このため・・・樹脂の収縮率を３．５％以下にすることにより改善され」る。［第３頁左上欄第１１ないし１６行、第１図等を参照。］）や、特開平６−８５０９２号公報（「耐熱性紫外線硬化樹脂を層間絶縁膜として使用する場合、硬化収縮率が大きいときは基板や配線部との間で歪みが生じるため、硬化時に配線部分が切断されたり、基板とはく離したり、基板が割れたりすることもある。・・・このため、硬化収縮率は５％以下であることが望ましい。」［段落【００１２】、図１等を参照。］）に記載されるように、半導体装置に用いられる樹脂層の硬化収縮率を数％のオーダーに抑えることは、従来から行われてきた周知の技術である。
　したがって、引用発明においても、刊行物１の記載及び上記周知の技術に基づいて、樹脂接着層の硬化収縮率を小さいものとし、且つ、その数値範囲を実験的に好適化して、本願発明２のごとく、「前記接着層は硬化収縮率が１０％以下である」ようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　なお、引用発明において、熱酸化シリコン膜や素子平坦化層を削除することは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることであり、これは「第５．本願発明１について　２．判断」において検討したとおりである。
　
３．まとめ
　したがって、本願発明２は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項１、請求項２、請求項５ないし７に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。