【事件の表示】
　特願２００３−３０４６９２「多層基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　６９９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１２月７日に出願した特願平５−３０６８２４号（以下、「原出願」という。）の一部を平成１５年８月２８日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜４に係る発明は、平成１７年７月２２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「複数の絶縁層からなる多層基板上に少なくともパワー素子を配置した多層基板において、一以上の絶縁層の前記パワー素子下部領域に充填部を形成し、該充填部に前記パワー素子の熱伝達用導体を充填したものであって、
　前記充填部は前記多層基板の表面から裏面へ貫通形成されているとともに、前記多層基板の裏面にはグランド電位の金属プレートが固定されており、前記充填部における前記パワー素子側に開口する開口部の面積は、前記多層基板と対面配置されたパワー素子における前記多層基板に対する対向面の面積以上になっていることを特徴とする多層基板。」
　
２．引用刊行物とその主な記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された原出願の出願前に国内において頒布された刊行物である特開昭５３−８４１６４号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開昭５０−１４３０７３号公報（以下、「引用例２」という。）の主な記載事項は、次のとおりである。
（１）引用例１：特開昭５３−８４１６４号公報
（１ａ）「特許請求の範囲
　導電性金属材料が充填され、信号伝達用貫通孔より大口径の貫通孔を、半導体装置の実装位置に、設けたことを特徴とするセラミック配線基板。」（第１頁左下欄３〜６行）
（１ｂ）「第１図は本発明の一実施例の断面図である。
　図において１１は本発明によるセラミック配線基板であって、セラミック基板１の一方の面（上面）には所要の信号配線用導体４を有する多層の信号配線層２が設けられ、表面層３には例えばビームリード１０を有する半導体装置のチップ１２がそのリード１０を表面層３において導体４に接合することにより固定され実装される。セラミック基板１の他方の面（下面）には電源用導体６および絶縁層５を距てて接地導体７が設けられる。
　実装された半導体チップ１２の下部に、上記セラミック配線基板１１を貫通する孔８，９が設けられ、この内２には金属材料が充填されている。この貫通孔８，９の孔径は充分大きく選定するものとする。
　この場合、半導体チップ１２で発生した熱は、孔８，９中に充填された金属材料を伝導し、セラミック配線基板１１の、半導体チップ１２の実装されていない面の方に放散される。本実施例においては、孔８，９に充填された金属はそれぞれ電源用および接地用の導体としても使用される。」（１頁右下欄１行〜２頁左上欄２行）
（１ｃ）「第２図は本発明の異る実施例の断面図である。図において記号１〜７、１０〜１２は第１図と同様のものを示す。
　第２図の実施例においては半導体装置のチップ１２の下部には前記孔８，９に代わり１個の外径の大きい貫通孔１３が設けられ、この中に同様に金属材料が充填され、チップ１２から生ずる熱を伝導して放散させる。この貫通孔１０に充填された金属材料は本実施例においては放熱のみに使用され、接続用導体とは無関係である。」（２頁右上欄１０〜１９行）
（１ｄ）「上記２つの実施例において、セラミック配線基板１１の半導体チップ１２を実装した面の反対側の面に冷却板を設けることによって冷却効果を助長することができる。」（２頁右上欄２０行〜左下欄３行）
　
（２）引用例２：特開昭５０−１４３０７３号公報
（２ａ）「特許請求の範囲
１　セラミック材料より成る厚い基板部分および薄い基板部分と、上記薄い基板部分に充填された高融点金属材料よりなるヒートシンク部とから成る予造体を形成し、この予造体を焼成することを特徴とするヒートシンクを有するセラミック基板の製造法。
２　上記第１項のヒートシンクを有するセラミック基板の製造法において、上記予造体を、貫通孔を有するセラミック材料より成る基板部分を形成し、その後上記貫通孔に高融点金属材料を充填してヒートシンク部を形成し、然る後、ヒートシンク部面を含む厚い基板部分の一主面にセラミックを主成分とする絶縁ペーストを塗布して薄い基板部を形成して製造することを特徴とするヒートシンクを有するセラミック基板の製造法。」（１頁左下欄４〜１９行）
（２ｂ）「本発明はヒートシンクを有するセラミック基板の製造法に関し、主として出力用トランジスタを含むハイブリッドＩＣ（集積回路装置）用のヒートシンク（放熱金属体）を有するセラミック基板の製造法を対象とする。」（１頁右下欄６〜１０行）
（２ｃ）本発明は・・・その主目的は放熱性、耐熱性の優れた基板を得る製造法を提供することにある。」（２頁左上欄１７〜１９行）
（２ｄ）「完成したセラミック基板の裏面のメタライズ層にＮｉメッキを施し、半田又は熱伝導性、耐熱性がよい接着材を介してＡｌなどの金属からなる大きな金属板１１にセラミック基板を取付ける。一方セラミック基板のヒートシンク８に出力用半導体ペレット１２、例えば出力用トランジスタ素子を鑞材介して取付て、・・・ワイヤ１３で接続する。」（２頁右下欄１２〜２０行）
（２ｅ）「以上説明した実施例Ｉによれば、・・・ヒートシンク下側の絶縁部を薄くすることができる。・・・
　したがって、・・・絶縁部が薄いことにより放熱性がよくなり、・・・耐熱性も極めてよい。
　実施例IIによれば、・・・高融点金属体を含む基板の下主面に絶縁膜を形成するものであるから、絶縁膜が厚い基板に補強され、その膜を極めて薄くすることができる。
　したがって、形成されたセラミック基板を金属板に取付ければ、実施例Ｉと同様に従来のものに比して放熱性、耐熱性が極めてよくなる。」（３頁右上欄１０行〜左下欄１５行）
（２ｆ）４頁の第１図（ｄ）には、セラミック基板の半導体ペレット下部領域に高融点金属材料を充填・焼成して形成されたヒートシンクを設けたセラミック基板において、ヒートシンクの充填部における半導体ペレット側に開口する開口部の面積を、セラミック基板と対面配置された半導体ペレットにおけるセラミック基板に対する対向面の面積以上とする旨が示されている。
　
３．当審の判断
３−１．引用例１記載の発明
（ア）摘示（１ａ）には、導電性金属材料が充填された、信号伝達用貫通孔より大口径の貫通孔を、半導体装置の実装位置に設けたセラミック配線基板が記載されている。
（イ）該セラミック配線基板は、摘示（１ｂ）からみて、セラミック基板、セラミック基板の一方の面（上面）に設けられた多層の信号配線層、半導体チップが固定・実装される表面層、セラミック基板の他方の面（下面）に設けられた絶縁層、電源用導体、及び、接地導体を含んでいるから、引用例１には、「複数の絶縁層からなる多層基板上に半導体チップを実装した多層基板」が記載されているといえるし、該多層基板は、「電源用導体及び接地導体を含む」ものであり、また、前記セラミック配線基板と同様に、「導電性金属材料が充填された、信号伝達用貫通孔より大口径の貫通孔を、半導体チップの実装位置に設けた」ものといえる。
（ウ）摘示（１ｂ）の「半導体チップ１２で発生した熱は、孔８，９中に充填された金属材料を伝導し、セラミック配線基板１１の、半導体チップの実装されていない面の方に放散される。」という記載からみて、前記導電性金属材料は、半導体チップの熱を半導体チップの実装されていない面の方へ伝導するものといえる。
（エ）摘示（１ｄ）には、半導体チップを実装した面の反対側の面に冷却板を設けることが記載されているから、前記多層基板は、半導体チップを実装した面の反対側の面に冷却板が設けられているといえる。
　
　以上の（ア）〜（エ）の事項を考慮すると、引用例１には、次の「多層基板」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「複数の絶縁層からなる多層基板上に半導体チップを実装した多層基板において、該多層基板は、電源用導体及び接地導体を含むものであり、また、半導体チップの熱を半導体チップの実装されていない面の方へ伝導する導電性金属材料が充填された、信号伝達用貫通孔より大口径の貫通孔を、半導体チップの実装位置に設けたものであって、半導体チップを実装した面の反対側の面に冷却板を設けたものである多層基板。」
　
３−２．本願発明１と引用例１発明との対比
　本願発明１と引用例１発明を対比すると、
（カ）引用例１発明における「導電性金属材料」は、半導体チップの熱を伝導するから、本願発明１における「熱伝達用導体」に相当するといえる。
（キ）引用例１発明の多層基板における「貫通孔」は、導電性金属材料が充填されることからみて、本願発明１における「充填部」に相当するといえる。
（ク）引用例１発明の多層基板における「貫通孔」は、半導体チップの実装位置に設けられていることからみて、複数の絶縁層からなる多層基板の半導体チップ下部領域に形成されているといえる。
（ケ）引用例１発明における「冷却板」は、板状のものであるから、「プレート」といえる。
（コ）引用例１発明における「半導体チップ」は、「素子」といえる。
　
　以上の（カ）〜（コ）の事項を考慮すると、両者は、
「複数の絶縁層からなる多層基板上に素子を配置した多層基板において、一以上の絶縁層の前記素子下部領域に充填部を形成し、該充填部に前記素子の熱伝達用導体を充填したものであって、前記充填部は前記多層基板の表面から裏面へ貫通形成されているとともに、前記多層基板の裏面にはプレートが固定された多層基板。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　　　相違点１：多層基板上に配置した素子が、本願発明１では、「パワー素子」であるのに対し、引用例１発明では、「パワー素子」であることが不明である点
　　　相違点２：多層基板の裏面に固定されたプレートが、本願発明１では、「グランド電位の金属プレート」であるのに対し、引用例１発明では、「冷却板」である点
　　　相違点３：本願発明１では、「充填部における素子側に開口する開口部の面積は、多層基板と対面配置された素子における多層基板に対する対向面の面積以上になっている」のに対し、引用例１には、そのような事項が記載されていない点
　
３−３．相違点についての検討
（ｉ）相違点１について
　熱を発生し放熱されるべき素子として「パワー素子」は、原出願の出願前に周知のものであるから、引用例１発明において、熱を発生し放熱されるべき素子（半導体チップ）を「パワー素子」とすることは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（ii）相違点２について
　パワー素子等の放熱されるべき素子を配置した基板において、放熱に供されるシート状物を、接地回路の一部として利用できるようにグランド電位の金属製のものとすることは、次の周知例１，２の記載にみられるように、原出願の出願前に周知の事項であるから、引用例１発明の、接地導体（接地回路）を含み、放熱されるべき素子（半導体チップ）を配置した多層基板において、放熱に供されるシート状物である冷却板を接地回路の一部として利用できるように「グランド電位の金属プレート」とすることは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　周知例１：実願昭６３−８９２６８号（実願平２−１１３９１号）のマイクロフィルム
　　摘示周１Ａ：「実用新案登録請求の範囲
　発熱部品が取り付けられる両面回路基板の一方の面に、前記発熱部品と密着する密着用銅箔を設け、前記密着用銅箔は、前記両面回路基板のスルーホール内に充填された熱伝導材を介して、前記両面回路基板の他方の面に設けられた放熱用銅箔に接続されていることを特徴とする発熱部品の放熱構造。」（１頁３〜１０行）
　　摘示周１Ｂ：「第２図はミニモールド型のパワートランジスタ１０をエミッタ接地で使用する場合の適用例であり、パワートランジスタ１０のエミッタ１０ａを密着用銅箔６にハンダ付けすることにより、この密着用銅箔６、ハンダ８および放熱用銅箔７が接地回路としての機能を担うと共に、熱伝達経路としての機能を担うようになっている。」（５頁７〜１３行）
　
　周知例２：特開平５−２１１２７７号公報
　　摘示周２Ａ：「【従来の技術】従来の高出力トランジスタ用パッケージについて、図４（ａ）の平面図およびそのＡ−Ｂ断面図である図４（ｂ）を参照して説明する。
　放熱板となる金属部６の中央に半導体チップをマウントするための突起が形成されている。・・・
　従来のパッケージに回路部品を実装した状態について、図５（ａ）の平面図および図５（ｂ）の断面図を参照して説明する。
　回路部品は全て金属部６上にマウントされ、半導体チップ４はマウントによって裏面が接地される。・・・」（段落【０００２】〜【０００５】）
　
（iii）相違点３について
　引用例２の摘示（２ａ）〜（２ｆ）には、出力用トランジスタ等の出力用半導体ペレット（本願発明１におけるパワー素子に相当するもの、以下、「パワー素子」という。）を配置した放熱性のよいセラミック基板において、ヒートシンクの充填部におけるパワー素子側に開口する開口部の面積を、基板と対面配置されたパワー素子における基板に対する対向面の面積以上とする旨が示されているし、また、熱伝導に関する技術において、熱伝導体における熱伝導方向の断面積を大きくすれば、該熱伝導方向の熱抵抗を低減できることは、原出願の出願前に周知の事項であるから、引用例１発明において、半導体チップの熱を半導体チップの実装されていない面の方へ伝導する際の熱抵抗の低減等を課題として、前記相違点３で示される本願発明１の特定事項を採用することは、引用例２の前示の記載や前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たことというべきである。
　
（iv）相違点検討のまとめ
　上記（ｉ）〜（iii）のとおり、上記相違点１〜３は、いずれも、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。