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　特願２００４−　４２５７８「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２２日出願公開、特開２００４−２０７７５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願は、平成１４年７月２５日（優先権主張平成１３年８月２８日）に出願した特願２００２−２１６８７７号の一部を平成１６年２月１９日に新たな特許出願としたものであって、原審において拒絶査定がなされ、その後、平成１８年５月２９日に拒絶査定不服の審判請求がなされるとともに、同年６月２１日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成１８年６月２１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年６月２１日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１８年３月２０日付の手続補正による
「チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置であって、
　前記暴露処理用ガスの温度を摂氏１０乃至８０℃の範囲の温度に調整するガス温度調整手段と、
　少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
　前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
　ガス分配手段と、
　を備え、
　前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、
　前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、
　前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものであることを特徴とする基板処理装置。」
を、
「チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付けて、前記基板上の有機膜を溶解させることによりリフローさせる処理を実行する基板処理装置であって、
　前記暴露処理用ガスの温度を摂氏１０乃至８０℃の範囲の温度に調整するガス温度調整手段と、
　少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
　前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
　ガス分配手段と、
　を備え、
　前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、
　前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、
　前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものであることを特徴とする基板処理装置。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置」を「チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付けて、前記基板上の有機膜を溶解させることによりリフローさせる処理を実行する基板処理装置」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　引用例１.　特開２０００−２９４５３８号公報
　引用例２.　特開昭６２−２１９９２３号公報
　引用例３.　特開平５−１０２０２４号公報
　引用例４.　特開平１１−２１４２８６号公報
（２）．１　引用例１の記載内容
　引用例１の特許請求の範囲【請求項１】には、
「【請求項１】　内部を真空に排気される真空チャンバと、
　前記真空チャンバの内部に設けられて被処理基板が取り付けられる一方の電極と、
　前記一方の電極に相対向する配置で前記真空チャンバの内部に設けられ、反応ガスをガス吹出孔から前記真空チャンバの内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極とを有し、
　前記他方の電極に、個別のガス供給系統を介して反応ガスのガス供給源に配管接続された複数のガス導入部が、前記真空チャンバの内部に反応ガスを均等な分布で導入できる配置で設けられていることを特徴とする真空処理装置。」
と記載されている。
　
　引用例１の【００２６】〜【００２８】段落には、
「【００２６】この真空処理装置は、…矩形状の被処理基板１４を表面処理の対象としたものである。ガス供給部を兼ねる上部電極２８は、被処理基板１４に対応する矩形状の枠体２９と、多数のガス吹出孔３１がほぼ均等な配置で形成されて枠体２９の下部開口を閉塞するシャワープレート３０と、枠体２９とシャワープレート３０とで囲まれる空間の内部を内外二つの領域に区分する環状の仕切り壁体３２とが一体形成された形状になっている。この上部電極２８と真空チャンバ１の天面部の内部には、仕切り壁体３２により区分された中央領域ガス空間部３３と周辺領域ガス空間部３４とが形成されている。
【００２７】中央領域ガス空間部３３の中央部には、反応ガスＧを供給するための単一のガス導入部３７が設けられているとともに、周辺領域ガス空間部３４には、反応ガスＧを供給するための二つのガス導入部３８，３９が、上記ガス導入部３７の相反する側方位置にそれぞれ設けられている。各ガス導入部３７〜３９には、…一次側バルブ８、マスフローコントローラ（流量調節部）９および二次側バルブ１０からなるガス供給系統６がそれぞれ個別に配管接続されて、ガス供給源７からそれぞれ反応ガスＧが供給される。
【００２８】したがって、この真空処理装置では、上部電極２８の内部を二つに区分した中央領域ガス空間部３３と周辺領域ガス空間部３４とにそれぞれ個別に反応ガスＧを供給するとともに、広い容積を有する周辺領域ガス空間部３４には中央領域ガス空間部３３のガス導入部３７の相反する側方位置で相対向する二つのガス導入部３８，３９から反応ガスＧを供給するので、図７の真空処理装置のようなガス導入部１１に近いガス吹出口４から多くの反応ガスＧが吹き出すことによる反応ガスＧの分布の偏りは格段に低減する。」
と記載されている。
　
　引用例１に記載された図１には、排気口２、３が図示されている。
　
　引用例１に記載された図１は以下のとおりである。
　
　
　
　
　
（２）．２　引用例１に記載された発明
　引用例１の記載から、引用例１には、
「内部を真空に排気される真空チャンバと、
　前記真空チャンバの内部に設けられて被処理基板が取り付けられる一方の電極と、
　前記一方の電極に相対向する配置で前記真空チャンバの内部に設けられ、反応ガスをガス吹出孔から前記真空チャンバの内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極とを有し、
　ガス供給部を兼ねる他方の電極は、被処理基板に対応する枠体と、多数のガス吹出孔がほぼ均等な配置で形成されて枠体の下部開口を閉塞するシャワープレートと、枠体とシャワープレートとで囲まれる空間の内部を内外二つの領域に区分する環状の仕切り壁体とが一体形成された形状になっており、仕切り壁体により区分された中央領域ガス空間部と周辺領域ガス空間部とが形成され、中央領域ガス空間部の中央部には、反応ガスを供給するための単一のガス導入部が設けられているとともに、周辺領域ガス空間部には、反応ガスを供給するための二つのガス導入部が設けられ、各ガス導入部には、ガス供給源からそれぞれ反応ガスが供給され、真空チャンバに排気口が設けられた真空処理装置。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の「真空チャンバ」、「被処理基板」、「反応ガス」、「真空処理装置」、「ガス導入部」、「排気口」及び「ガス空間」は、それぞれ、本願補正発明の、「チャンバ」、「基板」、「暴露処理用ガス」、「基板処理装置」、「ガス導入口」、「ガス排気口」及び「第一の空間」に相当する。
　また、本願補正発明の「ガス導入手段」は、本願明細書の【００７０】段落を参照すると、「ガス導入手段」は、「ガス導入機構」を意味し、当該「ガス導入機構」は、【００９０】段落を参照すると、「蒸気発生装置」及び「貯蔵容器」を意味するから、引用発明の、「ガス供給源」は、本願補正発明の「ガス導入手段」に実質的に相当すると言える。
　また、引用発明では、本願補正発明の「第二の空間」に相当する概念がないが、真空チャンバ内空間であって、「ガス供給部を兼ねる他方の電極」で構成される空間を除く、被処理基板が配置された空間が本願補正発明の「第二の空間」に相当する。
　また、引用発明は、上記のとおり、実質的に本願補正発明の「第一の空間」及び「第二の空間」を有し、それらの空間は分離され、「第二の空間」に相当する空間に被処理基板が配置されているから、本願補正発明の「チャンバーの内部空間を、暴露処理用ガスがガス導入口を介して導入される第一の空間と、基板が配置されている第二の空間とに分離」する構成を有している。
　また、引用発明は「多数のガス吹出孔」が「ガス空間」と真空チャンバ内の「ガス供給部を兼ねる他方の電極」以外であって、被処理基板が配置された空間に設けられているから、本願補正発明の「第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口」に相当する構成を有している。
　また、引用発明は、本願補正発明の「ガス分配装置」の「ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、
　前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、
　前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものである」構成を全て備えているから、「ガス分配装置」を有していると言える。
　また、引用発明は、ガス供給部を兼ねる他方の電極に、「環状の仕切り壁体」が設けられ、さらに、「仕切り壁体により区分された中央領域ガス空間部と周辺領域ガス空間部とが形成され、中央領域ガス空間部の中央部には、反応ガスを供給するための単一のガス導入部が設けられているとともに、周辺領域ガス空間部には、反応ガスを供給するための二つのガス導入部が設けられ」る構成を有するが、当該構成は、反応性ガスの偏りをなくすための付加構成にすぎない（引用例１の【００２８】段落参照）から、当該構成を引用発明から省くことができる。
　
　そうすると両者は、
「チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付けて、処理を実行する基板処理装置であって、
　少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
　前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
　ガス分配手段と、
　を備え、
　前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、
　前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、
　前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものである基板処理装置。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願補正発明が、「基板上の有機膜を溶解させることによりリフローさせる」のに対し、引用発明は当該構成の記載がない点。
　
　相違点２
　本願補正発明が、「暴露処理用ガスの温度を摂氏１０乃至８０℃の範囲の温度に調整するガス温度調整手段」を有するのに対し、引用発明は当該構成の記載がない点。
　
（４）判断
　相違点１について検討する。
　「基板上の有機膜を溶解させることによりリフローさせる」ことは、引用例２（［概要］の項参照）に示すように、当業者において公知手段にすぎないから、相違点１に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点２について検討する。
　ガス温度は、有機膜の材料、ガスの吹き付け時間等と関係すると思われるが、本願補正発明では、それらに関する限定がないので、「暴露処理用ガスの温度を摂氏１０乃至８０℃の範囲の温度に調整する」ことには特に臨界的意義がなく、さらに、当該技術分野において、「ガス温度調整手段」を設けることは引用例３（【００１６】〜【００１８】段落参照），引用例４（【００１５】段落参照）に示すように周知手段であるから、相違点２に係る構成については、当業者が適宜決定しうる設計事項である。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び公知手段・周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び公知手段・周知手段に基づいて当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年６月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１８年３月２０日付で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置であって、
　前記暴露処理用ガスの温度を摂氏１０乃至８０℃の範囲の温度に調整するガス温度調整手段と、
　少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
　前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
　ガス分配手段と、
　を備え、
　前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、
　前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、
　前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものであることを特徴とする基板処理装置。」
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例
　引用例１.　特開２０００−２９４５３８号公報
　引用例２.　特開平５−１０２０２４号公報
　引用例３.　特開平１１−２１４２８６号公報
　
（１）．１　引用例１の記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（１）．２　引用例１に記載された発明　引用例１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）は、前記「２．（２）．２」に記載したとおりである。
　
（２）対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　本願発明は、本願補正発明の「チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付けて、前記基板上の有機膜を溶解させることによりリフローさせる処理を実行する基板処理装置」から、「基板上の有機膜を溶解させることによりリフローさせる」を省いたものであることを考慮して、本願補正発明と引用発明を対比した前記「２．（３）」を参照すると、本願発明と引用発明の一致点・相違点は次のとおりとなることは明らかである。
　
　一致点
　「チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付けて、処理を実行する基板処理装置であって、
　少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
　前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
　ガス分配手段と、
　を備え、
　前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、
　前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、
　前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものである基板処理装置。」
　
　相違点
　本願発明が、「暴露処理用ガスの温度を摂氏１０乃至８０℃の範囲の温度に調整するガス温度調整手段」を有するのに対し、引用発明は当該構成の記載がない点。
　
（３）判断
　相違点について検討する。
　ガス温度は、有機膜の材料、ガスの吹き付け時間等と関係すると思われるが、本願補正発明では、それらに関する限定がないので、「暴露処理用ガスの温度を摂氏１０乃至８０℃の範囲の温度に調整する」ことには特に臨界的意義がなく、さらに、当該技術分野において、「ガス温度調整手段」を設けることは引用例３（【００１６】〜【００１８】段落参照），引用例４（【００１５】段落参照）に示すように周知手段であるから、相違点２に係る構成については、当業者が適宜決定しうる設計事項である。　
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 （４）むすび
　そうすると、本願発明は、引用発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。