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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１領域と、前記第１領域内に複数のメモリセルが形成されるメモリセル形成領域とを有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に第１導電膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１導電膜をパターニングすることにより、前記第１領域内であって前記メモリセル形成領域を挟み、かつ、第１方向に延在する一対の第１ダミーゲート対と、前記第１領域内であって前記メモリセル形成領域を挟み、かつ、前記第１方向と交差する第２方向に延在する一対の第２ダミーゲート対とを形成し、さらに、前記第１領域外に形成されている前記第１導電膜を残す工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記半導体基板内に第１導電型の第１ウェルを形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記第１ダミーゲート対および前記第２ダミーゲート対を覆う前記半導体基板上に第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記第２絶縁膜上に第２導電膜を形成する工程と、
（ｇ）前記第２導電膜上に反射防止膜を形成する工程と、
（ｈ）前記反射防止膜上に第１レジスト膜を形成する工程と、
（ｉ）前記第１レジスト膜をパターニングする工程と、
（ｊ）パターニングされた前記第１レジスト膜をマスクとして前記第２導電膜を加工することにより、前記複数のメモリセルのそれぞれにおけるメモリゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、発熱部品が搭載される配線基板において、基板に形成された孔と、前記孔に挿入された芯材と、前記孔と前記芯材との隙間に充填された樹脂とを備え、前記基板の前記発熱部品が搭載される面において前記芯材と前記樹脂が面一に形成されている配線基板に係るものである。
また、本発明は、基板に形成された孔に芯材を挿入する工程と、前記基板の少なくとも一方の面に樹脂を載置する工程と、前記載置した樹脂を圧下することによって前記孔と前記芯材との間隙に前記樹脂を充填させる工程とを備える配線基板の製造方法に係るものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、基板に穿設される孔は芯材が挿入可能な大きさがあれば隙間の大きさに対する制約がなく、孔と芯材の成形に高い加工精度を必要とせず、製作コストも削減できるという優れた効果を発揮する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱部品が搭載される配線基板において、
基板に形成された孔と、
前記孔に挿入された芯材と、
前記孔と前記芯材との隙間に充填された樹脂と、
を備え、前記基板の前記発熱部品が搭載される面において前記芯材と前記樹脂が面一に形成されていることを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
さらに、
前記基板の前記発熱部品が搭載される面の裏面に形成された樹脂層と、
前記樹脂層の上に形成された銅箔と、
前記樹脂層を貫通して前記銅箔と前記芯材を導通させる銅材と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記基板の前記発熱部品が搭載される面から前記樹脂と前記芯材が突出していることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
基板に形成された孔に芯材を挿入する工程と、
前記基板の少なくとも一方の面に樹脂を載置する工程と、
前記載置した樹脂を圧下することによって前記孔と前記芯材との隙間に前記樹脂を充填させる工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
基板に形成された孔に銅製の芯材を挿入する工程と、
前記基板の少なくとも一方の面に樹脂と銅箔を前記樹脂、前記銅箔の順で積層されるように載置する工程と、
前記載置した前記樹脂および前記銅箔を圧下することによって前記孔と前記芯材との隙間に前記樹脂を充填させる工程と、
前記芯材の上部に位置する前記樹脂と前記銅箔に前記芯材まで貫通する穴を形成する工程と、
前記形成された穴に前記銅箔と前記芯材を導通させる銅材を形成する工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
一方の面に銅箔を有する基板に形成された孔に銅製の芯材を挿入する工程と、
前記基板の他方の面に樹脂を載置する工程と、
前記載置した樹脂を圧下することによって前記孔と前記芯材との隙間に前記樹脂を充填させる工程と、
前記銅箔の一部と前記芯材の上部にエッチングレジストを形成してエッチング処理することでパターンを形成する工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示画面を有する表示部を備えた画像表示装置であって、
前記表示部は、表示部筐体の上面もしくは底面に線状に形成された第１のタッチ入力部と、前記表示部筐体の一方の側面に線状に形成された第２のタッチ入力部とを備え、
前記第１のタッチ入力部により検出された位置情報もしくはタッチした状態での移動量に基づいて、表示画面上の指標を横方向に移動させる処理を行うと共に、前記第２のタッチ入力部により検出された位置情報もしくはタッチした状態での移動量に基づいて、表示画面上の指標を縦方向に移動させる処理を行う制御部を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記第１のタッチ入力部と第２のタッチ入力部は、前記表示部筐体の角部を含む２面に亘って連続して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
画像を表示する表示画面を有する表示部を備えた画像表示装置であって、
前記表示部は、表示部筐体の外周に沿って平行に形成された第１のタッチ入力部と、前記第１のタッチ入力部に直交するように交差して形成された第２のタッチ入力部を備え、
前記第１のタッチ入力部により検出された位置情報もしくはタッチした状態での移動量と、前記第２のタッチ入力部により検出された位置情報もしくはタッチした状態での移動量に基づいて、表示画面上の指標を移動させる処理を行う制御部を有することを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の画像表示装置は、画像を表示する表示画面を有する表示部を備えた画像表示装置であって、前記表示部は、表示部筐体の上面もしくは底面に線状に形成された第１のタッチ入力部と、前記表示部筐体の一方の側面に線状に形成された第２のタッチ入力部とを備え、前記第１のタッチ入力部により検出された位置情報もしくはタッチした状態での移動量に基づいて、表示画面上の指標を横方向に移動させる処理を行うと共に、前記第２のタッチ入力部により検出された位置情報もしくはタッチした状態での移動量に基づいて、表示画面上の指標を縦方向に移動させる処理を行う制御部を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像に対して擬似中間調処理を行う擬似中間調処理手段を複数有する画像処理装置であって、
前記入力画像のデータを解析する解析手段と、
前記解析手段の解析結果に応じて、前記入力画像の濃度値を前記擬似中間調処理手段のそれぞれに分配する濃度分配手段と、
前記濃度分配手段により分配された濃度値を、ディザ法を用いて擬似中間調処理することによりＮビット／画素（Nは２以上の整数）のデータを出力する第１の擬似中間調処理手段と、
前記濃度分配手段により分配された濃度値を、前記第１の疑似中間調処理とは異なる擬似中間調処理することによりＮビット／画素のデータを出力する第２の擬似中間調処理手段と、
前記第１の擬似中間調処理手段の出力及び第２の擬似中間調処理手段の出力とを画素ごと混合することにより、Ｎビット／画素のデータを出力する混合手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記擬似中間調処理手段は、出力値の最大値を前記濃度分配手段における濃度分配率にて制限し、
前記混合手段では、前記擬似中間調処理手段からの出力を加算して出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記混合手段により混合された前記擬似中間調処理手段の擬似中間調処理の結果を量子化する量子化手段を備え、
前記量子化手段は、前記混合手段により混合された前記擬似中間調処理手段の夫々から出力される擬似中間調処理の結果の量子化を行い、量子化誤差を前記複数の擬似中間調処理手段の何れかへフィードバックすることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
入力画像に対して擬似中間調処理を行う擬似中間調処理工程を複数有する画像処理方法であって、
前記入力画像のデータを解析する解析工程と、
前記解析工程の解析結果に応じて、前記入力画像の濃度値を前記擬似中間調処理工程のそれぞれに分配する濃度分配工程と、
前記濃度分配工程において分配された濃度値を、ディザ法を用いて擬似中間調処理することによりＮビット／画素（Nは２以上の整数）のデータを出力する第１の擬似中間調処理工程と、
前記濃度分配工程において分配された濃度値を、前記第１の疑似中間調処理とは異なる擬似中間調処理することによりＮビット／画素のデータを出力する第２の擬似中間調処理工程と、
前記第１の擬似中間調処理工程の出力及び第２の擬似中間調処理工程の出力とを画素ごと混合することにより、Ｎビット／画素のデータを出力する混合工程とを備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
入力画像に対して擬似中間調処理を行う擬似中間調処理工程を複数有する画像処理方法の各工程をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記入力画像のデータを解析する解析工程と、
前記解析工程の解析結果に応じて、前記入力画像の濃度値を前記擬似中間調処理工程のそれぞれに分配する濃度分配工程と、
前記濃度分配工程において分配された濃度値を、ディザ法を用いて擬似中間調処理することによりＮビット／画素（Nは２以上の整数）のデータを出力する第１の擬似中間調処理工程と、
前記濃度分配工程において分配された濃度値を、前記第１の疑似中間調処理とは異なる擬似中間調処理することによりＮビット／画素のデータを出力する第２の擬似中間調処理工程と、
前記第１の擬似中間調処理工程の出力及び第２の擬似中間調処理工程の出力とを画素ごと混合することにより、Ｎビット／画素のデータを出力する混合工程とをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の画像処理装置は、入力画像に対して擬似中間調処理を行う擬似中間調処理手段を複数有する画像処理装置であって、前記入力画像のデータを解析する解析手段と、
前記解析手段の解析結果に応じて、前記入力画像の濃度値を前記擬似中間調処理手段のそれぞれに分配する濃度分配手段と、前記濃度分配手段により分配された濃度値を、ディザ法を用いて擬似中間調処理することによりＮビット／画素（Nは２以上の整数）のデータを出力する第１の擬似中間調処理手段と、前記濃度分配手段により分配された濃度値を、前記第１の疑似中間調処理とは異なる擬似中間調処理することによりＮビット／画素のデータを出力する第２の擬似中間調処理手段と、前記第１の擬似中間調処理手段の出力及び第２の擬似中間調処理手段の出力とを画素ごと混合することにより、Ｎビット／画素のデータを出力する混合手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示対象とされる第一の映像と、該第一の映像に対して合成される第二の映像を表示手段に表示する放送受信装置であって、
前記第一の映像を含む領域を変更する領域変更手段と、
前記第二の映像を前記第一の映像とともに表示する際、前記第二の映像が前記第一の映像と重ならないように、前記第一の映像を含む領域の変更を前記領域変更手段に指示する制御手段を具備することを特徴とする放送受信装置。
【請求項２】
前記制御手段は、映像の一部分を含む部分領域に係る情報を取得し、前記第二の映像を表示する際、前記部分領域の映像と前記第二の映像とが重ならないように、前記部分領域の映像を含む領域の変更を前記領域変更手段に指示することを特徴とする、請求項１に記載の放送受信装置。
【請求項３】
前記第二の映像としてバナー又はメニューを表示するための描画手段を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の放送受信装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第二の映像を表示する際、前記第一の映像を含み、且つ映像の無い領域を含まないように、前記領域の変更を前記領域変更手段に指示することを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の放送受信装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記第一の映像を含む領域の変更を前記領域変更手段に指示するとともに、変更前の領域を示す情報を記憶手段に記憶させ、前記第二の映像を非表示にする際、前記記憶手段に記憶しておいた情報の示す領域に前記第一の映像を表示させるよう前記領域変更手段に指示することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の放送受信装置。
【請求項６】
前記第一の映像の全体を含む全体領域及び前記部分領域を示す情報を取得する情報取得手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記第二の映像を非表示にする際、前記情報取得手段が取得した情報に応じた部分領域へと、前記第一の映像を含む領域を変更するよう前記領域変更手段に指示することを特徴とする、請求項２から４のいずれか１項に記載の放送受信装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記第二の映像の表示中に、前記第一の映像を含む領域がユーザの操作指示に従って変更された場合、前記第二の映像を非表示にする際、前記第一の映像を含む領域の変更を指示しないことを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の放送受信装置。
【請求項８】
表示対象とされる第一の映像と、該第一の映像に対して合成される第二の映像を表示することが可能な放送受信装置の制御方法であって、
前記第二の映像を前記第一の映像とともに表示する際、前記第二の映像が前記第一の映像と重ならないように、前記第一の映像を含む領域を変更して表示することを特徴とする放送受信装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
OFDM（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）変調信号を受信する受信手段と、
前記OFDM変調信号に含まれる既知信号に対して、そのサブキャリア位置の反転処理を行った結果得られるスペクトル反転有り信号を用いて、前記OFDM変調信号におけるスペクトル反転の発生の有無を検出する検出手段と
を備える受信装置。
【請求項２】
所定のサブキャリア単位のオフセット量を仮定オフセット量として順次設定する設定手段
をさらに備え、
前記検出手段は、前記OFDM変調信号に含まれる既知信号に対して、そのサブキャリア位置を前記仮定オフセット量だけずらしたサブキャリア位置の反転処理を行った結果得られる前記スペクトル反転有り信号を用いて、前記スペクトル反転の発生の有無を検出する
請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記スペクトル反転有り信号と、前記OFDM変調信号に含まれる前記既知信号の前記サブキャリア位置の信号であるスペクトル反転無し信号とを用いて、前記スペクトル反転の発生の有無を検出する
請求項１に記載の受信装置。
【請求項４】
前記検出手段は、前記スペクトル反転有り信号のシンボル間の相関値と、前記スペクトル反転無し信号のシンボル間の相関値とに基づいて、前記スペクトル反転の発生の有無を検出する
請求項３に記載の受信装置。
【請求項５】
前記OFDM変調信号に対して周波数変換を行う周波数変換手段と、
前記検出手段により前記スペクトル反転の発生の有りが検出された場合、周波数変換後の前記OFDM変調信号に対してスペクトル反転処理を行うスペクトル反転手段と
をさらに備える
請求項１に記載の受信装置。
【請求項６】
受信装置が、
OFDM（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）変調信号を受信する受信ステップと、
前記OFDM変調信号に含まれる既知信号に対して、そのサブキャリア位置の反転処理を行った結果得られるスペクトル反転有り信号を用いて、前記OFDM変調信号におけるスペクトル反転の発生の有無を検出する検出ステップと
を含む受信方法。
【請求項７】
受信されたOFDM（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）変調信号に対して処理を実行するコンピュータに、
前記OFDM変調信号に含まれる既知信号に対して、そのサブキャリア位置の反転処理を行った結果得られるスペクトル反転有り信号を用いて、前記OFDM変調信号におけるスペクトル反転の発生の有無を検出する検出ステップ
を含む処理を実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
ステップＳ４３において、制御部８１は、オフセット量検出範囲内の全てのサブキャリア単位のオフセット量を仮定オフセット量ｋに設定したかどうかを判定する。ステップＳ４３でオフセット量検出範囲内の全てのサブキャリア単位のオフセット量を、まだ仮定オフセット量ｋに設定していないと判定された場合、処理はステップＳ４４に進む。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輝度情報と、青色成分と前記輝度との色差の情報である第１の色差情報および赤色成分と前記輝度との色差の情報である第２の色差情報を含む色差情報と、を有する画像データを用意し、
前記画像データのうちの第１のフレームを構成する前記輝度情報と前記色差情報とを前記第１のフレームを構成するデータとして出力し、
前記画像データのうちの前記第１のフレームに続く第２のフレームを構成する前記輝度情報と、前記画像データのうちの前記第１のフレームを構成する前記色差情報と、を前記第２のフレームを構成するデータとして出力する、
画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１インバータ回路と、
出力ノードが前記第１インバータ回路の入力ノードに接続され、入力ノードが前記第１インバータ回路の出力ノードに接続された、第２インバータ回路と、
ソース及びドレインの一方が前記第１インバータ回路の出力ノードに接続され、他方がビット線に接続された、第１アクセストランジスタと、
を具備し、
前記第１インバータ回路は、第１トランジスタを含み、
前記第１アクセストランジスタ及び前記第１トランジスタのそれぞれは、
基板上に形成され、前記基板面に対して垂直に延びる半導体柱と、
前記半導体柱を前記基板面に平行な方向で取り囲むように形成され、前記半導体柱にチャネル領域を形成させる、ゲート電極と、
前記半導体柱の下端部又は上端部にそれぞれ接続されるソース及びドレインとを備え、
前記第１トランジスタの電流駆動力は、前記第１アクセストランジスタのそれよりも高い
半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された素子と、
前記半導体基板を貫通して形成されたスルーホールと、
前記半導体基板の両面側及び前記スルーホールの内面に形成された絶縁層と、
前記スルーホール内に形成された貫通電極と、
前記絶縁層に形成され、前記素子の接続部に到達するコンタクトホールと、
前記半導体基板の両面側に形成され、前記貫通電極を被覆する第１バリア金属パターン層と、
前記半導体基板の少なくとも上面側に形成され、前記第１バリア金属パターン層に接続される第１配線層と、
前記半導体基板の少なくとも上面側に形成され、前記コンタクトホールを通して前記素子の接続部に接続されて前記第１配線層と同一層からなる第２配線層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１配線層は、前記第１バリア金属パターン層の上に形成された第２バリア金属パターン層とその上に形成された導電パターン層とから形成され、
第２配線層は、前記素子の接続部の上に形成された第２バリア金属パターン層とその上に形成された導電パターン層とから形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記素子は、ツェナーダイオード、トランジスタ又はキャパシタであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記素子は、前記半導体基板の表層部に前記半導体基板と反対導電型の不純物拡散領域が形成されて構成されるツェナーダイオードであり、前記不純物拡散領域及び前記半導体基板の下面が前記接続部となっており、
前記コンタクトホールは前記半導体基板の両面側の前記絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記貫通電極は銅から形成され、
前記第１バリア金属パターン層は、チタン層、下から順にチタン層／窒化チタン層、アルミニウム層、及びアルミニウム合金層のいずれかよりなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板と、前記半導体基板に形成された素子と、前記半導体基板を貫通するスルーホールと、前記半導体基板の両面側及び前記スルーホールの内面に形成されて、前記素子を被覆する絶縁層とを備えた構造体を用意する工程と、
前記スルーホール内に貫通電極を形成する工程と、
前記半導体基板の両面側に、前記貫通電極を被覆する第１バリア金属パターン層をそれぞれ形成する工程と、
前記絶縁層に、前記素子の接続部に到達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内の前記素子の接続部の自然酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板の少なくとも上面側に、前記第１バリア金属パターン層に接続されると共に、前記コンタクトホールを通して前記素子の接続部に接続される配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記配線層を形成する工程において、
前記第１バリア金属パターン層及び前記素子の接続部に接続される第２バリア金属パターン層を形成する工程と、
めっきにより、前記第２バリア金属パターン層の上に導電パターン層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記素子は、ツェナーダイオード、トランジスタ又はキャパシタであることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記素子は、前記半導体基板の表層部に前記半導体基板と反対導電型の不純物拡散領域が形成されて構成されるツェナーダイオードであって、前記不純物拡散領域及び前記半導体基板の下面が前記接続部となっており、
前記コンタクトホールを形成する工程において、
前記コンタクトホールは前記半導体基板の両面側の前記絶縁層に形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記貫通電極は銅から形成され、
前記第１バリア金属パターン層は、チタン層、下から順にチタン層／窒化チタン層、アルミニウム層、及びアルミニウム合金層のいずれかよりなることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、シリコン基板１００の下面側の絶縁層１２０の上に、貫通電極２００に接続されると共に、コンタクトホールＣＨ２を通してツェナーダイオードＺＤのｐ型シリコン部１００ａの下面に接続される配線層３２０を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
続いて、図３（ｄ）に示すように、シリコン基板１０を熱酸化することにより、スルーホールＴＨの内面にシリコン酸化層からなる絶縁層１６を形成する。前述した図３（ａ）において、シリコン基板１０の下面に絶縁層１２を形成しない場合は、スルーホールＴＨの内面とシリコン基板１０の下面に熱酸化によって絶縁層１６が同時に形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
例えば、シード層４２は、下から順に、Ｔｉ層（膜厚：５０ｎｍ）／Ｃｕ層（膜厚：３００ｎｍ）から形成される。あるいは、シード層４２は、下から順に、Ｔｉ層／ＴｉＮ層、又はＴｉ層／ＴｉＮ層／Ｃｕ層から形成されてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
そして、シリコン基板１０の上面側にＬＥＤなどの発光素子（不図示）が第１、第２配線層４０，４０ａに接続されて実装され、ツェナーダイオードＺＤは、電源ラインにおいて発光素子と電気的に並列になるように接続されて電源レギュレータとして機能する。そして、シリコン基板１０の下面側の第１、第２配線層４０，４０ａが配線基板（マザーボード）に接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装するのに用いられる配線基板の製造方法であって、
前記配線基板の前記電子部品の実装面側に最外層の配線層を形成する工程と、
前記配線層の一部に画定されるパッドの部分のみを他の配線部分よりも厚く形成する工程と、
前記配線層を覆うように最外層の絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の前記電子部品の実装エリアに対応する部分に、前記電子部品のサイズよりも大きいサイズで当該絶縁層部分を、前記配線層の一部に画定されるパッドの表面が露出するまで段差状に除去して凹部を形成する工程とを含み、
前記凹部を形成する工程において、当該絶縁層部分をブラスト加工により除去して底面が平坦な凹部を形成するとともに、前記凹部内で、前記露出するパッドの表面が前記絶縁層の表面と同一面となるようにし、かつ該パッド以外の前記配線層が前記絶縁層で覆われるようにすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
電子部品を最外層の配線層の一部に画定されるパッドに接続して実装するのに用いられる配線基板の製造方法であって、
前記配線基板の前記電子部品の実装面側に前記配線層の下層の絶縁層を形成する工程と、
前記下層の絶縁層の、前記パッドの位置に対応する部分を残して他の絶縁層部分を厚さ方向に所要量だけ除去し、当該部分に凸部を有した絶縁層を形成する工程と、
前記凸部を有した絶縁層上に、該凸部に対応する部分が段差状になるように前記最外層の配線層を形成する工程と、
前記配線層を覆うように最外層の絶縁層を形成する工程と、
前記最外層の絶縁層の前記電子部品の実装エリアに対応する部分に、前記電子部品のサイズよりも大きいサイズで当該最外層の絶縁層部分を、ブラスト加工により前記配線層の一部に画定される前記パッドの表面が露出するまで段差状に除去して底面が平坦な凹部を形成する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記凸部を有した絶縁膜を形成する工程において、当該他の絶縁層部分をブラスト加工により除去することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記凹部を形成する工程において、該凹部を前記電子部品の実装エリア全体に亘って形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記凹部を形成する工程において、該凹部を前記電子部品の実装エリアの周囲に沿ってその内側に環状に形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
電子部品を実装するのに用いられる配線基板であって、
前記配線基板の前記電子部品の実装面側に形成され、パッドの部分が他の部分より厚く形成された最外層の配線層と、
前記配線層を覆い、前記配線基板を保護する最外層の絶縁層とを有し、
前記絶縁層の前記電子部品の実装エリアに対応する部分に、前記電子部品のサイズよりも大きいサイズで当該絶縁層部分が段差状に除去されてなる、底面が平坦な凹部が形成されており、
前記凹部内において、前記パッドの表面が前記絶縁層の表面と同一面上に露出するとともに、前記凹部の底面をなす前記絶縁層により前記パッドの表面以外の配線層が覆われていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
電子部品を最外層の配線層の一部に画定されるパッドに接続して実装するのに用いられる配線基板であって、
前記配線基板の前記電子部品の実装面側に形成され、前記パッドの位置に対応する部分が他の部分よりも厚く形成された前記配線層の下層の絶縁層と、
前記下層の絶縁層上に形成されて、前記パッドの位置に対応する部分が段差状になった前記最外層の配線層と、
前記配線層を覆い、前記配線基板を保護する最外層の絶縁層とを有し、
前記絶縁層の前記電子部品の実装エリアに対応する部分に、前記電子部品のサイズよりも大きいサイズで当該絶縁層部分が段差状に除去されてなる、底面が平坦な凹部が形成されており、
前記凹部内において、前記パッドの表面が前記絶縁層の表面と同一面上に露出するとともに、前記凹部の底面をなす前記絶縁層により前記パッドの表面以外の配線層が覆われていることを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の基本形態によれば、電子部品を実装するのに用いられる配線基板の製造方法であって、前記配線基板の前記電子部品の実装面側に最外層の配線層を形成する工程と、前記配線層の一部に画定されるパッドの部分のみを他の配線部分よりも厚く形成する工程と、前記配線層の一部に画定されるパッドの部分のみを他の配線部分よりも厚く形成する工程と、前記配線層を覆うように最外層の絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の前記電子部品の実装エリアに対応する部分に、前記電子部品のサイズよりも大きいサイズで当該絶縁層部分を、前記配線層の一部に画定されるパッドの表面が露出するまで段差状に除去して凹部を形成する工程とを含み、前記凹部を形成する工程において、当該絶縁層部分をブラスト加工により除去して底面が平坦な凹部を形成するとともに、前記凹部内で、前記露出するパッドの表面が前記絶縁層の表面と同一面となるようにし、かつ該パッド以外の前記配線層が前記絶縁層で覆われるようにすることを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の他の形態によれば、上記の形態にかかる配線基板の製造方法によって製造される配線基板が提供される。この配線基板は、電子部品を実装するのに用いられる配線基板であって、前記配線基板の前記電子部品の実装面側に形成され、パッドの部分が他の部分より厚く形成された最外層の配線層と、前記配線層を覆い、前記配線基板を保護する最外層の絶縁層とを有し、前記絶縁層の前記電子部品の実装エリアに対応する部分に、前記電子部品のサイズよりも大きいサイズで当該絶縁層部分が段差状に除去されてなる、底面が平坦な凹部が形成されており、前記凹部内において、前記パッドの表面が前記絶縁層の表面と同一面上に露出するとともに、前記凹部の底面をなす前記絶縁層により前記パッドの表面以外の配線層が覆われていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
（第４の実施形態（参考例）…図１５〜図１８参照）
図１５は本発明の第４実施形態に係る配線基板（半導体パッケージ）の構成を示したものである。同様に、（ａ）はその配線基板を上面から診たときの構成、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿って縦断面的に見たときの構成、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線 に沿って縦断面的に見たときの構成をぞれぞれ示している。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このような整数値である輝度信号Ｙが、ＢＴ．７０９に準拠した輝度信号として、例えばＭＰＥＧなどの所定のフォーマットに従ってエンコードされる。また整数値である色差信号ＣＢ／ＣＲが、ＢＴ．７０９に準拠した色差信号として、輝度信号と同じフォーマットに従ってエンコードされる。
上記図１のビデオエンコード（Ｓ３−１）では、上記図２に示したＢＴ．７０９に準拠した輝度信号、色差信号を処理対象とする。
即ち処理対象は８ビットで「８’ｈ０１」〜「８’ｈＦＥ」の間で推移する映像データである。また 「８’ｈ０１」〜「８’ｈ０Ｆ」のアンダーシュート領域、及び「８’ｈＥＣ」〜「８’ｈＦＥ」のオーバーシュート領域は、輝度信号値や色差信号値について使用することは可能ではあるが、ＢＴ．７０９に準拠した輝度信号、色差信号の範囲ではない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図７（ａ）に画像例を示す。この例では、背景画像Ａ１、画像Ａ２、ノイズ画像Ａ３、及び画像Ａ４，Ａ５が表れているとする。
ここで背景Ａ１の輝度データ値は「８’ｈ１０」であるとする。
またノイズ画像Ａ３の部分の輝度データ値は「８’ｈ１７」等、下位レベル領域に該当する値であるとする。
画像Ａ４の部分は、輝度データ値は「８’ｈ２３」であるとする。
画像Ａ５の部分は、輝度データ値は「８’ｈ１６」であり、下位レベル領域に該当する値であるとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010245939.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像から追尾物体を検出する追尾処理部を備える画像処理装置において、
前記追尾処理部が、
前記追尾物体を示す信号である追尾信号を設定する追尾信号設定部と、
前記追尾物体を示すとともに前記追尾信号とは異なる信号である予備追尾信号を設定する予備追尾信号設定部と、
前記入力画像から前記追尾信号を検出することにより前記追尾物体を検出する追尾対象検出部と、を備え、
前記追尾信号設定部が、設定されている前記追尾信号に替えて前記予備追尾信号を新たな追尾信号として設定し直す切替動作を実行可能とすることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記入力画像中に探索領域を設定する探索領域設定部と、
前記探索領域内の信号の度数分布を求める画像解析部と、をさらに備え、
前記予備追尾信号設定部が、前記度数分布に基づいて前記予備追尾信号を設定し、
前記追尾信号設定部が、前記度数分布に基づいて前記追尾信号の適否を判定するものであり、設定されている前記追尾信号が不適正なものであると判定する場合に前記切替動作を実行し、
前記追尾対象検出部が、前記探索領域内の画像から前記追尾信号を検出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記予備信号設定部が、前記度数分布中の度数が大きい信号ほど優先して前記予備追尾信号に設定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記入力画像が前記追尾処理部に順次入力されるとともに、前記画像解析部が前記度数分布を順次出力し、
前記予備追尾信号設定部が、順次出力される前記度数分布について所定の回数以上連続して所定の閾値を超える度数を有している信号を、前記予備追尾信号として設定することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記予備追尾信号設定部が、前記入力画像の背景を示す信号を除外して、前記予備追尾信号を設定することを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
繰り返し入力される撮影画像から特定物体を検出して追尾する追尾処理部を備える画像処理装置において、
前記追尾処理部は、
前記特定物体を示す信号である第１追尾信号を検出する第１追尾信号検出部と、  
前記特定物体を示すとともに前記第１追尾信号とは異なる信号である第２追尾信号を検出する第２追尾信号検出部と、
前記第１追尾信号検出部、及び前記第２追尾信号検出部の検出結果に基づいて、前記第１追尾信号、及び前記第２追尾信号のいずれか一方を追尾信号に設定する追尾信号設定部と、を備え、
前記追尾処理部は、前記追尾信号を検出することにより前記特定物体を検出することを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
撮像により前記入力画像を生成する撮像部と、
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の画像処理装置と、を備え、
前記追尾処理部による前記追尾物体の検出結果に基づいた制御が行われることを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、原稿を読み取り画像データを生成する読取手段と、前記読取手段によって生成された画像データの保存先を示す保存先情報を、情報処理装置から受信する受信手段と、前記情報処理装置をユーザに選択させるための選択画面を表示部に表示させる表示制御手段と、前記選択画面で選択された情報処理装置に、読み取り開始の要求を送信する第１の送信手段と、前記第１の送信手段によって送信された要求に応じて前記選択された情報処理装置から送信された読み取り開始指示を受信するのに応じて、前記読取手段に原稿の読み取りを開始させる読取制御手段と、前記読取手段で生成された画像データを前記選択された情報処理装置に送信する第２の送信手段と、を備え、前記保存先情報には、前記情報処理装置から他の機器に前記画像データを転送して保存する場合には、当該他の機器の情報が含まれ、前記表示制御手段は、前記保存先情報に前記他の機器の情報が含まれる場合に、当該他の機器の情報を前記表示部に表示させる、ことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を読み取り画像データを生成する読取手段と、
前記読取手段によって生成された画像データの保存先を示す保存先情報を、情報処理装置から受信する受信手段と、
前記情報処理装置をユーザに選択させるための選択画面を表示部に表示させる表示制御手段と、
前記選択画面で選択された情報処理装置に、読み取り開始の要求を送信する第１の送信手段と、
前記第１の送信手段によって送信された要求に応じて前記選択された情報処理装置から送信された読み取り開始指示を受信するのに応じて、前記読取手段に原稿の読み取りを開始させる読取制御手段と、
前記読取手段で生成された画像データを前記選択された情報処理装置に送信する第２の送信手段と、を備え、
前記保存先情報には、前記情報処理装置から他の機器に前記画像データを転送して保存する場合には、当該他の機器の情報が含まれ、
前記表示制御手段は、前記保存先情報に前記他の機器の情報が含まれる場合に、当該他の機器の情報を前記表示部に表示させる、
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記読取手段で生成された画像データに対して画像処理を施す画像処理手段を備え、
前記第２の送信手段は、前記画像処理手段により画像処理を施した後の前記画像データを前記選択された情報処理装置に送信する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記情報処理装置から送信される前記保存先情報には、該情報処理装置と前記他の機器との間の通信方法を示す情報が含まれ、
前記表示制御手段は、前記保存先情報に前記他の機器の情報が含まれる場合に、前記通信方法を示す情報を前記表示部に表示させる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、
前記保存先情報に前記他の機器の情報が含まれない場合に、前記情報処理装置を前記画像データの送信先として前記選択画面に表示させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、
前記保存先情報に前記他の機器の情報が含まれる場合に、前記情報処理装置とともに前記他の機器の情報を前記画像データの送信先として前記選択画面に表示させることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記受信手段は、前記読取手段が原稿を読み取るための設定情報を、前記情報処理装置から受信することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記表示部に表示された、複数の情報処理装置の中から情報処理装置を選択する画面において情報処理装置が選択された後、前記表示制御手段は、当該選択された情報処理装置から送信された前記設定情報を前記表示部に表示させることを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
原稿を読み取り画像データを生成する読取ステップと、
前記読取ステップによって生成された画像データの保存先を示す保存先情報を、情報処理装置から受信する受信ステップと、
前記情報処理装置をユーザに選択させるための選択画面を表示部に表示させる表示制御ステップと、
前記選択画面で選択された情報処理装置に、読み取り開始の要求を送信する第１の送信ステップと、
前記第１の送信ステップによって送信された要求に応じて前記選択された情報処理装置から送信された読み取り開始指示を受信するのに応じて、前記読取ステップに原稿の読み取りを開始させる読取制御ステップと、
前記読取ステップで生成された画像データを前記選択された情報処理装置に送信する第２の送信ステップと、を備え、
前記保存先情報には、前記情報処理装置から他の機器に前記画像データを転送して保存する場合には、当該他の機器の情報が含まれ、
前記表示制御ステップでは、前記保存先情報に前記他の機器の情報が含まれる場合に、当該他の機器の情報を前記表示部に表示させる、
ことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
画像処理装置を制御するプログラムであって、
原稿を読み取り画像データを生成する読取ステップと、
前記読取ステップによって生成された画像データの保存先を示す保存先情報を、情報処理装置から受信する受信ステップと、
前記情報処理装置をユーザに選択させるための選択画面を表示部に表示させる表示制御ステップと、
前記選択画面で選択された情報処理装置に、読み取り開始の要求を送信する第１の送信ステップと、
前記第１の送信ステップによって送信された要求に応じて前記選択された情報処理装置から送信された読み取り開始指示を受信するのに応じて、前記読取ステップに原稿の読み取りを開始させる読取制御ステップと、
前記読取ステップで生成された画像データを前記選択された情報処理装置に送信する第２の送信ステップと、をコンピュータに実行させ、
前記保存先情報には、前記情報処理装置から他の機器に前記画像データを転送して保存する場合には、当該他の機器の情報が含まれ、
前記表示制御ステップでは、前記保存先情報に前記他の機器の情報が含まれる場合に、当該他の機器の情報を前記表示部に表示させる、
ことを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
＜１．第１の実施の形態＞
［高周波伝送システムの構成例］
図１に示すように、本発明に係る高周波伝送システム１００Ａは、通信システムの一例であり、例えば、伝送する信号の周波数が３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚのミリ波の信号を高速伝送することが可能である。この高周波伝送システム１００Ａは、基板４０上に実装された、部品Ａ，部品Ｂ，部品Ｃ，部品Ｄと、これらの部品Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを結合する導波路２０とから構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
［高周波伝送システムのブロック構成例］
図２に示すように、高周波伝送システム１００Ａは、送信装置２００と受信装置３００とこれらを結合する導波路２０とを備えている。送信装置２００は、信号入力部１０と変調回路１２と周波数変換回路１４と増幅器１６と基板との結合回路１８とを有している。受信装置３００は、基板との結合回路２２と増幅器２４と周波数変換回路２６と復調回路２８と信号出力部３０とを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の無線通信装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）第1の主面上に複数のデバイス領域を有する回路基板を、ダイ・ボンディング装置内に、導入する工程；
（ｂ）前記ダイ・ボンディング装置内において、各デバイス領域に、上層の半導体チップとその裏面の接着剤層を有する複数のチップ状積層体を、相互に位置をずらせて積層するように固定する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記ダイ・ボンディング装置内において、各チップ状積層体を第1の温度に加熱した状態で、各チップ状積層体の露出した表面に均一な静的ガス圧を作用させる工程。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパッド電極が配置された表面を有する半導体チップと、
前記半導体チップが搭載された第１主面と前記第１主面とは反対側の第２主面とを有するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記半導体チップの前記複数のパッド電極と前記複数のリードとをそれぞれ接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記ダイパッドの一部、前記複数のリードの一部、および前記複数のボンディングワイヤを封止する封止体と、を有し、
前記封止体から前記ダイパッドの前記第２主面は露出し、
前記ダイパッドの前記第１主面の粗さは、前記第２主面の粗さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、以上の実施の形態では、本発明の構成が、基板１００の電子回路基板２１０と対向する面（外部電極構造）および基板１００の半導体素子２２０と対向する面の両方に適用された構成を示したが、いずれか一方のみこのような構成として、他方は通常のパターンとすることもできる。なお上記した実施形態によれば、以下の発明が開示されている。
（付記１）
基材と、
前記基材の一面に形成された複数のパッドと、
前記基材の一面の前記複数のパッド上に形成されるとともに、各前記パッドをそれぞれ露出させる複数の開口部が形成された絶縁膜と、
を含み、
前記絶縁膜の前記複数の開口部は、前記複数のパッドのうち、角部に形成されたパッドの前記基材の中心部から遠い角部側の第１の周縁部が前記絶縁膜により覆われるとともに、前記第１の周縁部よりも前記基材の中心部に近い側の第２の周縁部が露出されるように形成された基板。
（付記２）
付記１に記載の基板において、
前記基材の一面に形成されるとともに、各前記パッドとそれぞれ連続して形成されるとともに、前記基材中に設けられたコンタクトと接続された複数の配線をさらに含み、
前記絶縁膜の前記複数の開口部は、前記複数のパッドのうち、前記角部に形成されたパッド以外の少なくとも一のパッドの当該パッドと対応する前記配線との接続箇所以外の周縁部全体を露出させるように形成された基板。
（付記３）
付記２に記載の基板において、
前記絶縁膜の前記複数の開口部は、前記複数のパッドのうち、少なくとも内周部に形成されたパッドの当該パッドと対応する前記配線との接続箇所以外の周縁部全体を露出させるように形成された基板。
（付記４）
付記１から３いずれかに記載の基板において、
前記複数のパッドのうち、前記角部に形成された前記パッドは、前記基材の前記中心部から遠い角部側に補強パターンが形成された形状を有し、前記第１の周縁部は、前記補強パターンに設けられた基板。
（付記５）
付記１から４いずれかに記載の基板において、
前記複数のパッドは、マトリクス状に配置された基板。
（付記６）
付記１から５いずれかに記載の基板において、
前記複数のパッドは、半田材料を介して、外部の端子と接合される基板。
（付記７）
付記１から６いずれかに記載の基板と、
前記基板の一面上に搭載された半導体素子と、
を含む半導体装置。
（付記８）
付記７に記載の半導体装置において、
前記基板の前記一面とは反対側の面に配置された電子回路基板をさらに含み、
前記基板の前記基材の前記一面は、前記電子回路基板と対向するように設けられ、前記複数のパッドは、前記電子回路基板の端子と接続された半導体装置。
（付記９）
付記７に記載の半導体装置において、
前記基板の前記基材の前記一面は、前記半導体素子と対向するように設けられ、前記複数のパッドは、前記半導体素子の端子と接続された半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の一面に形成された複数のパッドと、
前記基材の一面の前記複数のパッド上に形成されるとともに、各前記パッドをそれぞれ露出させる複数の開口部が形成された絶縁膜と、
を含み、
前記絶縁膜の前記複数の開口部は、前記複数のパッドのうち、角部に形成されたパッドの前記基材の中心部から遠い角部側の第１の周縁部が前記絶縁膜により覆われるとともに、前記第１の周縁部よりも前記基材の中心部に近い側の第２の周縁部が露出されるように形成された基板。