【事件の表示】
　特願２０００−　１２２２５「半導体製造装置用ウェハ保持体」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月２７日出願公開、特開２００１−２０３２５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 ・本願発明
　本願は、平成１２年１月２０日の出願であって、その請求項１ないし５に係る発明は、当審での平成１８年１１月２０日付けの拒絶の理由に対して提出された平成１９年１月２６日付けの手続補正書及び出願当初の図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は、次のとおりである。（以下「本願発明」という。）
「ヒータと前記ヒータを挟み込む１対のセラミックス基材とを備え、かつ前記ヒータを挟んで互いに対面するウェハ保持面と背面を有する１２インチウェハ用半導体製造装置用ウェハ保持体であって、前記ヒータより前記背面側のセラミックスは、前記ヒータより前記ウェハ保持面側の部分と比べて低い熱伝導率を有したセラミックスであり、かつ前記ヒータより前記ウェハ保持面側のセラミックスと接合されている、半導体製造装置用ウェハ保持体。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審での平成１８年１１月２０日付けの拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成８年１月２９日に頒布された特公平８−８２４７号公報 （以下「引用例」という。）には、以下の発明が記載されている。
ア　第２欄第８行−第１０行
「本発明は、ブラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、プラズマエッチング、光エッチング装置等に使用される半導体ウエハー加熱装置に関するものである。」
イ　第４欄第１８行−第２２行
「第２図において、19は半導体製造用熱ＣＶＤに使用される容器、１はその内部のケース14に取付けられた半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーターであり、その大きさは例えば４〜８インチとしてウエハーを設置可能なサイズとしておく。」
ウ　第４欄第３４行−第５欄第６行
「第１図は、第２図において半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター１付近を拡大して示す断面図である。
　このセラミックスヒーター１は、緻密質セラミックスからなる円盤基体内部に、タングステン系等の抵抗発熱体５を渦巻状に埋設したものである。
　そして、抵抗発熱体５の埋設箇所を境として、ウエハー加熱面３側のセラミックス基材２Ａの材質と、背面４側の基材２Ｂの材質とを変える。基材２Ｂには、中空シース10の先端部分を接合層９を介して接合すると共に、円盤状セラミックスヒーター１の中央部及び端部において、例えば直方体状の塊状端子６を埋設する。この塊状端子６は、図示しない耐熱金属線を介して、抵抗発熱体５へと電気的に接続されている。電力供給用のケーブル８の端部には、例えばタングステン、モリブデン等の高融点金属からなる電極棒７が接続され、この電極棒７が塊状端子６に対して結合又は接合されている。
　そして、セラミックス基材２Ａの熱伝導率をセラミックス基材２Ｂの熱伝導率よりも大きくした。
　こうした半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター１によれば、緻密質セラミックス基材２Ａ，２Ｂの内部に抵抗発熱体５を埋設してあるので、半導体製造装置内部の汚染や、間接加熱方式の場合における熱効率の悪化の問題を解決できる。」
エ　第５欄第１８行−第２０行
「第１図において、セラミックスヒーター１を作製するには、セラミックス材料へと抵抗発熱体５を埋設した状態でホットプレス（HP）法で焼結する。」
オ　第６欄第９行−第１２行
「ウエハー加熱面３は平滑面とすることが好ましく、特にウエハー加熱面３にウエハーを直接セットする場合には、平面度を５００μｍ以下としてウエハーの裏面へのデポジション用ガスの侵入を防止する必要がある。」
カ　ここで、摘記事項ウに「緻密質セラミックス基材２Ａ，２Ｂの内部に抵抗発熱体５を埋設してある」と記載されていることから、セラミックス基材２Ａとセラミックス基材２Ｂとが接合されていることは明らかである。また、図面の第１図を参照すると、抵抗発熱体５は、セラミックス基材２Ａとセラミックス基材２Ｂとに挟み込まれている。
　以上アないしオの記載事項、及びカの認定事項から、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「抵抗発熱体５と前記抵抗発熱体５を挟み込む１対のセラミックス基材２Ａ、セラミックス基材２Ｂとを備え、かつ前記抵抗発熱体５を挟んで互いに対面するウエハー加熱面３と背面４を有する４〜８インチ用半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター１であって、前記抵抗発熱体５より前記背面４側のセラミックス基材２Ｂは、前記抵抗発熱体５よりウエハー加熱面３側のセラミックス基材２Ａと比べて低い熱伝導率を有したセラミックスであり、かつ前記抵抗発熱体５よりウエハー加熱面３側のセラミックス基材２Ａと接合されている、ウエハー加熱面３にウエハーを直接セットすることが可能な半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター１。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明の「抵抗発熱体５」は、本願発明の「ヒータ」に相当する。また、加熱面にウェハが載置されることが明らかであるから、引用発明の「ウエハー加熱面３」、「背面４」は、それぞれ、本願発明の「ウェハ保持面」、「背面」に相当する。そうすると、引用発明の「セラミックス基材２Ａ」は、それぞれ、本願発明の「ウェハ保持面側のセラミックス基材」、「ウェハ保持面側のセラミックス」、あるいは「ウェハ保持面側の部分」に相当し、引用発明の「セラミックス基材２Ｂ」は、本願発明の「背面側のセラミックス基材」、あるいは「背面側のセラミックス」に相当することは明らかである。さらに、引用発明の「半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター１」は、ウエハー加熱面３に直接ウエハーをセットすることができるので、本願発明の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当する。
　以上の点から、両者は「ヒータと前記ヒータを挟み込む１対のセラミックス基材とを備え、かつ前記ヒータを挟んで互いに対面するウェハ保持面と背面を有する半導体製造装置用ウェハ保持体であって、前記ヒータより前記背面側のセラミックスは、前記ヒータより前記ウェハ保持面側の部分と比べて低い熱伝導率を有したセラミックスであり、かつ前記ヒータより前記ウェハ保持面側のセラミックスと接合されている、半導体製造装置用ウェハ保持体」で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点＞
　半導体製造装置用ウェハ保持体の大きさを、本願発明では「１２インチウェハ用」としているのに対し、引用発明では、「４〜８インチ用」としている点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　本件出願の出願時に１２インチのウェハを製造することは周知の事項である。そして、４〜８インチ用のウェハの技術を１２インチ用のウェハに適用できないとする阻害要因は格別見当たらず、また、特に１２インチ用のウェハに適用したことによる臨界的な効果も特段見当たらないことから、引用発明を１２インチウェハ用に適用することは当業者が容易になし得たものである。
　なお、審判請求人は、平成１９年１月２６日付けの意見書において、「明細書の段落００１１に記載しましたように、ヒータ下部（背面側）へ熱が逃げることを防止できますので、保持体下部に配置されたシールの劣化を抑制することもできます。シールの劣化はシールに伝わる熱の絶対量によって寄与度が変わります。シールに伝わる熱の絶対量は１２インチの方が大きいので、シールの劣化は１２インチの方がより顕著になります。このため、１２インチヒータでは、本願のように熱伝導率を発熱体の上下で変えて下部への熱の伝わりを抑制することは、１２インチ未満の大きさのヒータより顕著な効果を得ることができます。」（１頁下から９行目〜下から３行目。）と主張しているが、ウェハの寸法が大きくなればその分ウェハを加熱するための発熱量が大きくなり、熱伝達量を抑えることが、その分だけ、シールの劣化対策としてより大きな効果があることは当然予想される範囲であって、それ以上の特段の効果は存在しない。
　以上の点から、審判請求人の上記意見書の主張は採用できない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願の請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。