【事件の表示】
　平成　８年特許願第３３５１７７号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月１９日出願公開、特開平１０−１６３１２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１１月２９日に出願され、平成１７年１月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１月２０日に手続補正がなされ、その後、当審において、平成１８年３月７日付けで審尋がなされ、これに対して、同年３月３０日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年１月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１月２０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を以下のとおりに補正するとともに、発明の詳細な説明及び図面の簡単な説明の記載を補正するものである。「【請求項１】　Ｓｉ基板上にＣｏ層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記Ｃｏ層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物層を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記付着後に前記Ｓｉ基板にＰまたはＡｌの何れかのイオン注入を行うことによる前記Ｓｉ基板と前記Ｃｏ層との界面におけるこれらの混合を、前記Ｓｉ基板の温度が−３０℃以下である状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）本件補正の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりである。
［補正事項１］
　本件補正前の請求項１の「Ｓｉ基板上に金属層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記金属層とを反応させて」を「Ｓｉ基板上にＣｏ層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記Ｃｏ層とを反応させて」と補正するとともに、本件補正前の請求項１の「前記Ｓｉ基板と前記金属層との界面におけるこれらの混合」を「前記Ｓｉ基板と前記Ｃｏ層との界面におけるこれらの混合」と補正する。
［補正事項２］
　本件補正前の発明の詳細な説明の０００１段落、０００９段落、及び００１２段落ないし００１４段落の「金属層」を「Ｃｏ層」と補正する。
［補正事項３］
　本件補正前の発明の詳細な説明の００３１段落を削除する。
［補正事項４］
　本件補正前の発明の詳細な説明の００３２段落及び００３３段落の段落番号を、それぞれ００３１及び００３２に繰り上げる。
［補正事項５］
　本件補正前の図面の簡単な説明における符号の説明の記載である「１７　Ｃｏ層（金属層）」を「１７　Ｃｏ層」と補正する。
　
（３）補正の目的の適否及び新規事項追加の有無についての検討
［補正事項１について］
　補正事項１についての補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「金属層」の材料を限定して「Ｃｏ層」とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、図２及び図３とともに、
「【００２１】　図２が、第１実施形態を示している。この第１実施形態では、図２（ａ）に示す様に…【００２２】…ソース／ドレインとしての拡散層１６を形成する。…【００２３】　次に、図２（ｂ）に示す様に、Ｓｉ基板１１を非晶質化させるためのイオン注入を行う。…【００２４】…【００２５】　次に、図２（ｃ）に示す様に、１０〜５０ｎｍ程度の厚さのＣｏ層１７をＳｉ基板１１上の全面に堆積させる。そして…熱処理を行って、図２（ｄ）に示す様に、Ｓｉ基板１１…とＣｏ層１７とを反応させて、拡散層１６…上に…ＣｏＳｉ２層１８を自己整合的に形成する。」（００２１段落ないし００２５段落）、及び
「【００２７】　図３が、第２実施形態を示している。この第２実施形態では、図３（ｂ）（ｃ）と図２（ｂ）（ｃ）との比較からも明らかな様に、イオン種２３のイオン注入とＣｏ層１７の堆積との順序を入れ替えて、イオン種２３のイオン注入によってＳｉ基板１１とＣｏ層１７との界面でこれらを混合させることを除いて、図２に示した第１実施形態と実質的に同様の工程を実行する。」（００２７段落）
と記載されているから、補正事項１についての補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしている。
［補正事項２について］
　補正事項２についての補正は、本件補正前の発明の詳細な説明の０００１段落、０００９段落、及び００１２段落ないし００１４段落の記載を、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載に整合させるためのものであり［補正事項１について］で検討したとおりの理由によって、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしている。
［補正事項３について］
　補正事項３についての補正は、本件補正前の発明の詳細な説明の００３１段落を削除するものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしている。
［補正事項４について］
　補正事項４についての補正は、本件補正前の発明の詳細な説明の００３１段落の削除に伴って、本件補正前の発明の詳細な説明の００３２段落及び００３３段落の段落番号を、それぞれ００３１及び００３２に形式的に繰り上げるものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしている。
［補正事項５について］
　補正事項５についての補正は、本件補正前の図面の簡単な説明における符号の説明の記載を、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載に整合させるためのものであり［補正事項１について］で検討したとおりの理由によって、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしている。
　
　以上のとおり、補正事項１ないし補正事項５についての補正は、いずれも特許法第１７条の２第３項の規定を満たすとともに、特許請求の範囲についてする補正である補正事項１についての補正は、同法同条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、以下では、本件補正後の請求項１に係る発明が同法同条第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定された独立特許要件を満たすか否かについて検討する。
　
（４）独立特許要件についての検討
　
（４−１）本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正後発明」という。）は、「（１）本件補正の内容」の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　Ｓｉ基板上にＣｏ層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記Ｃｏ層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物層を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記付着後に前記Ｓｉ基板にＰまたはＡｌの何れかのイオン注入を行うことによる前記Ｓｉ基板と前記Ｃｏ層との界面におけるこれらの混合を、前記Ｓｉ基板の温度が−３０℃以下である状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（４−２）刊行物記載の発明
（ａ）刊行物１：特開平６−３７０３０号公報
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された上記刊行物１には、図５とともに、以下の事項が記載されている。
「【請求項４】　半導体基板に電極用金属を付着させた後に、半導体基板の温度を、絶対温度で表わされた半導体の融点の１５％に相当する温度以下で且つ液体窒素の温度よりは高い温度範囲内の一定温度に制御しながらミキシング用イオンを照射してミキシングを行うことを特徴とする半導体基板の電極形成方法。」
「【００１８】請求項４…に記載の発明においても、ミキシング用イオン照射時の半導体基板温度を、その規定する温度に制御することによって、照射欠陥の生成が少くなるので、その除去が容易になる。」
「【００２４】次に、本発明を利用して、Ｎ型シリコン基板８中にＰＮＰ接合を形成し、電極を取付けるまでの製造プロセスの１例を図５で説明する。まず、フォトマスク９を被せたＮ型シリコン基板８を冷却して−３０℃にする。この基板温度は、イオン注入中一定になるようにする。この様に基板８を冷却しながら、ボロンイオン２７を１×１０１３個注入する。ボロンイオン２７の注入後、マスク９を除去し、次に、電極設置部以外に新たなマスク９’を被せ、電極用金属としてモリブデン２８を電極設置部に０．５μｍ蒸着する。その後、６００ｋｅＶシリコンイオン２９を１×１０１３個照射し、モリブデン２８とシリコン基板８をミキシングして両者の界面にモリブデンシリサイド３１を形成する。このようにしてエミッタ３２、コレクタ３３、ベース３４部の電極を形成する。電極形成後、マスク９’を取り除き、８５０℃で１時間アニールし、モリブデンシリサイド３１の領域を安定させ、かつ照射欠陥を除去する。」
　
　ここで、００２４段落に記載された「製造プロセスの１例」において「ボロンイオン２７」が注入された「シリコン基板８」の領域上に「モリブデン２８」が形成が形成されることは、図５を参酌すれば明らかである。
　
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「ボロンイオンが注入されたシリコン基板の領域上にモリブデンを蒸着した後、シリコンイオンを照射して前記シリコン基板とモリブデンをミキシングして両者の界面にモリブデンシリサイドを形成することを特徴とする半導体基板の電極形成方法。」
　
（ｂ）刊行物２：特開昭５８−１６１３７２号公報
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された上記刊行物２には、図（ａ）ないし図（ｄ）とともに、以下の事項が記載されている。
「図（ａ）において、まず、Ｐ型Ｓｉ基板１１を用い…ゲート酸化膜１３を形成した後…ダイレクトコンタクトの領域となすべきＳｉ基板表面１４を露出させる。次に図（ｂ）に示すようにリンをドーパントして含んだ…多結晶シリコン膜を形成した後…ゲート電極配線部分１５を除いてエッチングする。さらに図（ｃ）のように…Ｍｏ膜１６を…形成する。その後、Ａｓ＋イオンを…注入を行うことにより、多結晶シリコン１５とＭｏ１６と混合し、且つ図（ｄ）に示すドレイン１９およびソース２０を形成する。」（第２頁左下欄第１９行ないし同右下欄第１４行）
「イオン注入不純物としてはＡｓ＋の場合について述べたが、Ｐ＋，Ｂ＋等の不純物を用いた場合も同様な卓効があった。」（第３頁左上欄第１８ないし２０行）
　
（４−３）対比・判断
　本件補正後発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「シリコン基板」は、本件補正後発明の「Ｓｉ基板」に相当する。
　また、刊行物発明の「ボロンイオン」が「シリコン基板」に対してＰ型の不純物になること、及び、本件補正後発明の「Ｓｉ基板の拡散層」が、「Ｓｉ基板」にＮ型又はＰ型の不純物が導入された領域であることは、ともに明らかであるから、刊行物発明の「ボロンイオンが注入されたシリコン基板の領域上」は、本件補正後発明の「Ｓｉ基板の拡散層上」に相当する。
（ｂ）刊行物発明では「ボロンイオンが注入されたシリコン基板の領域上にモリブデンを蒸着した後、」「両者の界面にモリブデンシリサイドを形成」している一方で、本件補正後発明では「Ｓｉ基板上に」「層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記」「層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物層を形成」しているから、刊行物発明の「モリブデン」及び「モリブデンシリサイド」は、本件補正後発明の「層」及び「化合物層」に相当し、刊行物発明の「イオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシング」することは、本件補正後発明の「イオン注入を行うことによる」「Ｓｉ基板と」「層との界面におけるこれらの混合」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「半導体基板の電極」は、「半導体基板」に形成された半導体素子が有する「電極」を意味することは明らかであるから、刊行物発明の「半導体基板の電極形成方法」は、本件補正後発明の「半導体装置の形成方法」に相当する。
　
　したがって、本件補正後発明と刊行物発明は、
「Ｓｉ基板上に層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物層を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記付着後に前記Ｓｉ基板にイオン注入を行うことによる前記Ｓｉ基板と層との界面におけるこれらの混合を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本件補正後発明では「Ｓｉ基板上にＣｏ層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記Ｃｏ層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物層を形成する半導体装置の製造方法において、　前記付着後に前記Ｓｉ基板に」「イオン注入を行うことによる前記Ｓｉ基板と前記Ｃｏ層との界面におけるこれらの混合を」「行う」のに対して、
　刊行物発明では「ボロンイオンが注入されたシリコン基板の領域上にモリブデンを蒸着した後、」「イオンを照射して前記シリコン基板とモリブデンをミキシングして両者の界面にモリブデンシリサイドを形成する」点。
［相違点２］
　本件補正後発明では「ＰまたはＡｌの何れかのイオン注入を行うことによる」「Ｓｉ基板と」「Ｃｏ層との界面におけるこれらの混合を」「行う」のに対して、
　刊行物発明では「シリコンイオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシングして」いる点。
［相違点３］
　本件補正後発明では「イオン注入を行うことによる」「Ｓｉ基板と」「Ｃｏ層との界面におけるこれらの混合を、前記Ｓｉ基板の温度が−３０℃以下である状態で行う」のに対して、
　刊行物発明では「イオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシングして」いる点。
　
　上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　本件補正後発明では「Ｓｉ基板と」「Ｃｏ層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に」形成された「化合物層」の材料が何であるかは明らかではないが、当初明細書等には、図２（ｄ）とともに「図２（ｄ）に示す様に、Ｓｉ基板１１及び多結晶Ｓｉ膜１４とＣｏ層１７とを反応させて、拡散層１６及び多結晶Ｓｉ膜１４上にのみＣｏＳｉ２層１８を自己整合的に形成する。」と記載されているから、上記「化合物層」の材料が「ＣｏＳｉ２層」であることは明らかである。
　一方、シリコン基板上にシリサイドを形成する金属材料膜を形成した後、両者の界面に到達するように注入したイオンによって上記界面を混合してシリサイドを形成する方法、及び、Ｃｏがモリブデンと並んでシリサイドを形成する金属材料であることは、例えば、特開平３−２１０１５号公報に「自己整合性の高いシリサイドを形成する方法として、シリコン基板上に高融点金属膜を形成し、その高融点金属膜とシリコン基板の界面に到達する加速エネルギーでイオンを注入することにより界面を混合するＩＴＭ（Implantation Through Metal）法が有効である。」（第１頁右下欄第１３ないし１９行）、及び「シリコンと反応してシリサイドを形成する高融点金属として、…，Ｍｏ，…，Ｃｏなどを用いる。」（第２頁左下欄第１２ないし１４行）と記載されているように、当業者にとって従来周知の技術であるから、刊行物発明において「モリブデン」に替えてＣｏを用いること、すなわち、「モリブデンシリサイド」に替えてコバルトシリサイドを形成することは、シリサイドを形成する領域の寸法、許容できるシリサイドの抵抗値、シリサイド化に要する熱処理温度等に応じて当業者が容易になし得た事項である。
［相違点２について］
　刊行物２には、図（ａ）ないし図（ｄ）とともに「図（ａ）において、まず、Ｐ型Ｓｉ基板１１を用い…ゲート酸化膜１３を形成した後…ダイレクトコンタクトの領域となすべきＳｉ基板表面１４を露出させる。次に図（ｂ）に示すようにリンをドーパントして含んだ…多結晶シリコン膜を形成した後…ゲート電極配線部分１５を除いてエッチングする。さらに図（ｃ）のように…Ｍｏ膜１６を…形成する。その後、Ａｓ＋イオンを…注入を行うことにより、多結晶シリコン１５とＭｏ１６と混合し、且つ図（ｄ）に示すドレイン１９およびソース２０を形成する。」（第２頁左下欄第１９行ないし同右下欄第１４行）、及び「イオン注入不純物としてはＡｓ＋の場合について述べたが、Ｐ＋，Ｂ＋等の不純物を用いた場合も同様な卓効があった。」（第３頁左上欄第１８ないし２０行）と、シリサイド化に際して、シリコン膜と当該シリコン膜上に形成された金属材料膜を混合させるためのイオン注入不純物としてリンイオンを用いる技術が記載されているから、刊行物発明において「ミキシング」のために必要な「シリコンイオン」を、本件補正後発明で択一的に選択できる「ＰまたはＡｌの何れかのイオン」のうちの前者である「Ｐ」「のイオン」とすることは、シリサイドを形成する半導体領域に必要な導電型や不純物濃度等に応じて当業者が容易になし得た事項である。
［相違点３について］
　刊行物発明では「イオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシング」する際の基板温度が明らかではなく、刊行物１の「【００２４】次に、本発明を利用して、Ｎ型シリコン基板８中にＰＮＰ接合を形成し、電極を取付けるまでの製造プロセスの１例を図５で説明する。まず、フォトマスク９を被せたＮ型シリコン基板８を冷却して−３０℃にする。この基板温度は、イオン注入中一定になるようにする。この様に基板８を冷却しながら、ボロンイオン２７を１×１０１３個注入する。ボロンイオン２７の注入後、マスク９を除去し、次に、電極設置部以外に新たなマスク９’を被せ、電極用金属としてモリブデン２８を電極設置部に０．５μｍ蒸着する。その後、６００ｋｅＶシリコンイオン２９を１×１０１３個照射し、モリブデン２８とシリコン基板８をミキシングして両者の界面にモリブデンシリサイド３１を形成する。このようにしてエミッタ３２、コレクタ３３、ベース３４部の電極を形成する。電極形成後、マスク９’を取り除き、８５０℃で１時間アニールし、モリブデンシリサイド３１の領域を安定させ、かつ照射欠陥を除去する。」という記載を参酌しても「ボロンイオン２７の注入」時の「シリコン基板」を「−３０℃」に冷却することは記載されているものの「６００ｋｅＶシリコンイオン２９を１×１０１３個照射し、モリブデン２８とシリコン基板８をミキシング」する際の「シリコン基板」の温度が「−３０℃」であることは明記されていない。
　しかしながら、刊行物１には「【請求項４】　半導体基板に電極用金属を付着させた後に、半導体基板の温度を、絶対温度で表わされた半導体の融点の１５％に相当する温度以下で且つ液体窒素の温度よりは高い温度範囲内の一定温度に制御しながらミキシング用イオンを照射してミキシングを行うことを特徴とする半導体基板の電極形成方法。」及び「【００１８】請求項４…に記載の発明においても、ミキシング用イオン照射時の半導体基板温度を、その規定する温度に制御することによって、照射欠陥の生成が少くなるので、その除去が容易になる。」と記載されているように「ミキシング用イオン照射時の半導体基板」を「絶対温度で表わされた半導体の融点の１５％に相当する温度以下で且つ液体窒素の温度よりは高い温度範囲内の一定温度に制御」する旨の記載はされているものの、上記「温度範囲内の一定温度に制御」をしない旨の記載はなされていない。
　そして、刊行物発明における「シリコン基板」の融点は１４１５℃（＝１６８８Ｋ）である（S.M.Sze, Physics of Semiconductor Devices SECOND EDITION, JOHN WIILY  SONS, 1981, p.851）から、上記の「温度範囲」の上限である「絶対温度で表わされた半導体の融点の１５％」が、
　１６８８Ｋ×０．１５＝２５３．２Ｋ＝−１９．８℃≒−２０℃
となることも併せて判断すると、上記００２４段落に記載された「製造プロセスの１例」においても「６００ｋｅＶシリコンイオン２９を１×１０１３個照射し、モリブデン２８とシリコン基板８をミキシング」する際に「シリコン基板」を冷却していること、及び、その際の「シリコン基板」の温度が「ミキシング」に先だって行われている「ボロンイオン」のイオン注入時の「−３０℃」であることは明らかであるから、相違点３は実質的なものとはいえない。
　仮に、相違点３が実質的なものではないとしても、刊行物１には「ミキシング用イオン照射時の半導体基板温度を、その規定する温度に制御することによって、照射欠陥の生成が少くなるので、その除去が容易になる。」（００１８段落）と「ミキシング用イオン照射時の半導体基板」を冷却することによって「照射欠陥の生成が少くなる」ことが記載されているから、刊行物発明において、「イオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシング」する際の基板温度を「−３０℃以下」にすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　
　したがって、本件補正後発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、補正事項１についての補正は、特許法第１７条の２第３項の規定を満たすとともに、同法同条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるが、本件補正後発明は、同法第２９条第２項の規定により、その特許出願の際独立して特許を受けることができないから、適法でない補正事項１についての補正を含む本件補正は、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たさず、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年１月２０日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし請求項３に係る発明は、平成１６年１２月７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　Ｓｉ基板上に金属層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記金属層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物層を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記付着後に前記Ｓｉ基板にＰまたはＡｌの何れかのイオン注入を行うことによる前記Ｓｉ基板と前記金属層との界面におけるこれらの混合を、前記Ｓｉ基板の温度が−３０℃以下である状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
４．刊行物記載の発明
（１）刊行物１：特開平６−３７０３０号公報
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された上記刊行物１には、「２．［理由］（４）（４−２）（ａ）」に記載されたとおりの事項及び以下の刊行物発明が記載されている。
「ボロンイオンが注入されたシリコン基板の領域上にモリブデンを蒸着した後、シリコンイオンを照射して前記シリコン基板とモリブデンをミキシングして両者の界面にモリブデンシリサイドを形成することを特徴とする半導体基板の電極形成方法。」
　
（２）刊行物２：特開昭５８−１６１３７２号公報
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された上記刊行物２には、「２．［理由］（４）（４−２）（ｂ）」に記載されたとおりの事項が記載されている。
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（１）刊行物発明の「シリコン基板」は、本願発明の「Ｓｉ基板」に相当する。
　また、刊行物発明の「ボロンイオン」が「シリコン基板」に対してＰ型の不純物になること、及び、本願発明の「Ｓｉ基板の拡散層」が、「Ｓｉ基板」にＮ型又はＰ型の不純物が導入された領域であることは、ともに明らかであるから、刊行物発明の「ボロンイオンが注入されたシリコン基板の領域上」は、本願発明の「Ｓｉ基板の拡散層上」に相当する。
（２）刊行物発明では「ボロンイオンが注入されたシリコン基板の領域上にモリブデンを蒸着した後、」「両者の界面にモリブデンシリサイドを形成」している一方で、本願発明では「Ｓｉ基板上に金属層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記金属層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物層を形成」しているから、刊行物発明の「モリブデン」及び「モリブデンシリサイド」は、本願発明の「金属層」及び「化合物層」に相当し、刊行物発明の「イオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシング」することは、本願発明の「イオン注入を行うことによる」「Ｓｉ基板と」「金属層との界面におけるこれらの混合」に相当する。
（３）刊行物発明の「半導体基板の電極」は、「半導体基板」に形成された半導体素子が有する「電極」を意味することは明らかであるから、刊行物発明の「半導体基板の電極形成方法」は、本願発明の「半導体装置の形成方法」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明は、
「Ｓｉ基板上に金属層を付着させ、前記Ｓｉ基板と前記金属層とを反応させて前記Ｓｉ基板の拡散層上に化合物層を形成する半導体装置の製造方法において、
　前記付着後に前記Ｓｉ基板にイオン注入を行うことによる前記Ｓｉ基板と金属層との界面におけるこれらの混合を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明では「ＰまたはＡｌの何れかのイオン注入を行うことによる」「Ｓｉ基板と」「金属層との界面におけるこれらの混合を」「行う」のに対して、
　刊行物発明では「シリコンイオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシングして」いる点。
［相違点２］
　本願発明では「イオン注入を行うことによる」「Ｓｉ基板と」「金属層との界面におけるこれらの混合を、前記Ｓｉ基板の温度が−３０℃以下である状態で行う」のに対して、
　刊行物発明では「イオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシングして」いる点。
　
　上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　刊行物２には、図（ａ）ないし図（ｄ）とともに「図（ａ）において、まず、Ｐ型Ｓｉ基板１１を用い…ゲート酸化膜１３を形成した後…ダイレクトコンタクトの領域となすべきＳｉ基板表面１４を露出させる。次に図（ｂ）に示すようにリンをドーパントして含んだ…多結晶シリコン膜を形成した後…ゲート電極配線部分１５を除いてエッチングする。さらに図（ｃ）のように…Ｍｏ膜１６を…形成する。その後、Ａｓ＋イオンを…注入を行うことにより、多結晶シリコン１５とＭｏ１６と混合し、且つ図（ｄ）に示すドレイン１９およびソース２０を形成する。」（第２頁左下欄第１９行ないし同右下欄第１４行）、及び「イオン注入不純物としてはＡｓ＋の場合について述べたが、Ｐ＋，Ｂ＋等の不純物を用いた場合も同様な卓効があった。」（第３頁左上欄第１８ないし２０行）と、シリサイド化に際して、シリコン膜と当該シリコン膜上に形成された金属材料膜を混合させるためのイオン注入不純物としてリンイオンを用いる技術が記載されているから、刊行物発明において「ミキシング」のために必要な「シリコンイオン」を、本願発明で択一的に選択できる「ＰまたはＡｌの何れかのイオン」のうちの前者である「Ｐ」「のイオン」とすることは、シリサイドを形成する半導体領域の導電型や不純物濃度等に応じて当業者が容易になし得た事項である。
［相違点２について］
　刊行物発明では「イオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシング」する際の基板温度が明らかではなく、刊行物１の「【００２４】次に、本発明を利用して、Ｎ型シリコン基板８中にＰＮＰ接合を形成し、電極を取付けるまでの製造プロセスの１例を図５で説明する。まず、フォトマスク９を被せたＮ型シリコン基板８を冷却して−３０℃にする。この基板温度は、イオン注入中一定になるようにする。この様に基板８を冷却しながら、ボロンイオン２７を１×１０１３個注入する。ボロンイオン２７の注入後、マスク９を除去し、次に、電極設置部以外に新たなマスク９’を被せ、電極用金属としてモリブデン２８を電極設置部に０．５μｍ蒸着する。その後、６００ｋｅＶシリコンイオン２９を１×１０１３個照射し、モリブデン２８とシリコン基板８をミキシングして両者の界面にモリブデンシリサイド３１を形成する。このようにしてエミッタ３２、コレクタ３３、ベース３４部の電極を形成する。電極形成後、マスク９’を取り除き、８５０℃で１時間アニールし、モリブデンシリサイド３１の領域を安定させ、かつ照射欠陥を除去する。」という記載を参酌しても「ボロンイオン２７の注入」時の「シリコン基板」を「−３０℃」に冷却することは記載されているものの「６００ｋｅＶシリコンイオン２９を１×１０１３個照射し、モリブデン２８とシリコン基板８をミキシング」する際の「シリコン基板」の温度が「−３０℃」であることは明記されていない。
　しかしながら、刊行物１には「【請求項４】　半導体基板に電極用金属を付着させた後に、半導体基板の温度を、絶対温度で表わされた半導体の融点の１５％に相当する温度以下で且つ液体窒素の温度よりは高い温度範囲内の一定温度に制御しながらミキシング用イオンを照射してミキシングを行うことを特徴とする半導体基板の電極形成方法。」及び「【００１８】請求項４…に記載の発明においても、ミキシング用イオン照射時の半導体基板温度を、その規定する温度に制御することによって、照射欠陥の生成が少くなるので、その除去が容易になる。」と記載されているように「ミキシング用イオン照射時の半導体基板」を「絶対温度で表わされた半導体の融点の１５％に相当する温度以下で且つ液体窒素の温度よりは高い温度範囲内の一定温度に制御」する旨の記載はされているものの、上記「温度範囲内の一定温度に制御」をしない旨の記載はなされていない。
　そして、刊行物発明における「シリコン基板」の融点は１４１５℃（＝１６８８Ｋ）である（S.M.Sze, Physics of Semiconductor Devices SECOND EDITION, JOHN WIILY  SONS, 1981, p.851）から、上記の「温度範囲」の上限である「絶対温度で表わされた半導体の融点の１５％」が、
　１６８８Ｋ×０．１５＝２５３．２Ｋ＝−１９．８℃≒−２０℃
となることも併せて判断すると、上記００２４段落に記載された「製造プロセスの１例」においても「６００ｋｅＶシリコンイオン２９を１×１０１３個照射し、モリブデン２８とシリコン基板８をミキシング」する際に「シリコン基板」を冷却していること、及び、その際の「シリコン基板」の温度が「ミキシング」に先だって行われている「ボロンイオン」のイオン注入時の「−３０℃」であることは明らかであるから、相違点２は実質的なものとはいえない。
　仮に、相違点２が実質的なものではないとしても、刊行物１には「ミキシング用イオン照射時の半導体基板温度を、その規定する温度に制御することによって、照射欠陥の生成が少くなるので、その除去が容易になる。」（００１８段落）と「ミキシング用イオン照射時の半導体基板」を冷却することによって「照射欠陥の生成が少くなる」ことが記載されているから、刊行物発明において、「イオンを照射して」「シリコン基板とモリブデンをミキシング」する際の基板温度を「−３０℃以下」にすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２及び請求項３に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。