【事件の表示】
　平成１１年特許願第２０１７８９号「ウエハプローバ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月　９日出願公開、特開２００１−　３３４８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年７月１５日の出願であって、平成１６年６月１１日付け（発送日平成１６年６月１６日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月１３日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年８月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月１３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の記載を、補正前の、
　「【請求項１】窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなるセラミック基板の表面に導体層が形成され、該セラミック基板には温度制御手段が設けられてなることを特徴とするウエハプローバ。」
から、補正後の、
　「【請求項１】窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなるセラミック基板の表面に
チャックトップ
発熱体
に補正する補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「導体層」に関して「チャックトップ」との限定を附加し、また、「温度制御手段」を具体的に「発熱体」に限定するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする事項に該当する。
　そこで、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「補正後第１発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
２　独立特許要件について
（１）補正後第１発明
　「【請求項１】窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなるセラミック基板の表面に
チャックトップ
発熱体
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６４−７２０７９号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　　ア　「この発明は、電気特性測定装置に関する。・・・例えば、多数個の半導体チップを形成した半導体ウエハは、検査工程で半導体チップの電気的特性の測定が行われる。このような電気特性測定装置として、・・・第８図に示すような半導体ウエハプローバが使用されている。」（１頁左下欄１２〜１９行）
　　イ　「本発明は、被測定体を導電性薄板を介して載置台に載置し、この被測定体の電気的特性を測定する装置において、上記載置台を絶縁体により構成することを特徴とする電気特性測定装置を得るものである。」（２頁右下欄４〜８行)
　　ウ　「第１図は、本発明の一実施例の電気特性測定装置の概略構成を示す説明図である。図中（２０）は、載置台である。載置台（２０）上には、半導体ウエハ（２１）等の被測定体が載置されるようになっている。載置台（２０）には、上面のウエハ載置面から底部の裏面側に貫通する真空口（２２）が形成されている。載置台（２０）は、支持台（２３）上に設置されている。真空口（２２）は、支持台（２３）に形成された中空部（２４）に連通している。中空部（２４）は、吸引管（・・・）を介して例えば真空ポンプ（図示せず）のような吸引器に接続されている。載置台（２０）上に載置される半導体ウェハ（２１）は、真空口（２２）等で構成される吸引機構によって、載置台（２０）上に吸着固定されるようになっている。載置台（２０）は、上部（２０ａ）と下部（２０ｂ）の２層構造になっている。上部（２０ａ）は、例えば石英などからなる絶縁体で構成されている。上部（２０ａ）の表面は、ウェハ載置面になっている。ウェハ載置面は、接触抵抗値が低い導電性薄板からなる導体部（２５）で形成されている。導体部（２５）は、例えば金のメツキ、蒸着或いはスパッタリングにより形成することができる。下部（２０ｂ）は、例えばセラミックスのような絶縁体で構成されている。」（３頁左上欄１５行〜右上欄１７行)
　したがって、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　「半導体ウエハ等の被測定体が載置される載置台（２０）の表面に導体部（２５）が形成され、載置台（２０）には、ウエハ載置面から底部の裏面側に貫通する真空口（２２）が形成され、該真空口（２２）等で構成される吸引機構を備えた電気特性測定装置。」　
　
（３）対比
　補正後第１発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「載置台（２０）」、「電気特性測定装置」は、それぞれ、補正後第１発明の「基板」、「ウエハプローバ」に相当する。
　イ　引用発明の導体部（２５）は載置台（２０）の表面に形成され、且つ、載置台（２０）には、ウエハ載置面から裏面側に貫通する真空口（２２）等で構成される吸引機構を備えているから、結局、導体部（２５）はチャックトップとしての機能を有するものである。したがって、引用発明の「導体部（２５）」が、補正後第１発明の「チャックトップ導体層」に相当する。
　以上ア、イの考察から、両者は、
　【一致点】
　「基板の表面にチャックトップ導体層が形成されたウエハプローバ。」
である点で一致し、次の相違点１及び２で相違する。
　【相違点】
　相違点１：補正後第１発明では、基板は、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなるセラミック基板であるのに対して、引用発明では、そのようなものでない点。
　相違点２：補正後第１発明では、基板には発熱体が設けられているのに対して、引用発明では、載置台（２０）には発熱体が設けられていない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　相違点１については、ウエハプローバの基板の材料に関して、例えば、特開平２−７１５４０号公報（「第１図に示す温度調節支持台１は、シリコン・ウエハー又はその他の材料上に形成された集積回路を、それぞれの作業温度範囲内で、試験するためのものである。・・・第２図の断面図に示す如く、この支持台１が、平らな皿形をしたベース１ａと、このベース１ａの上に置かれ、これと共に内部間隙７を形成するプラテン１ｂとから成立っている。電気絶縁体であると共に熱良導体でもあるセラミック材料によって、このプラテンが作られており、又、非常に精密に機械加工された２つの平らな面を持っている。」（５頁右上欄１６行〜左下欄１５行））、特開平３−２２５８４４号公報（「第６図は従来のウエハチャックを示す全体斜視図であり、第７図は第６図のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。図において、１は絶縁物（材質はセラミックが一般的）からなるチャックステージ、２は前記チャックステージ１のチャックトップ部であり、その表面全体には導電性金属のメッキ１０（一般的には金メッキやカニゼンメッキが多い）が形成されている。そして、このチャックトップ部２には、半導体ウエハ８を載置した後これを固定するための真空穴３と吸着溝４が設けられている。」（１頁右下欄１〜１１行））に記載されているように基板をセラミックとすることは周知であり、しかも、前掲特開平２−７１５４０号公報にはさらに、「本発明による温度調節支持プラテンは電気絶縁性で熱伝導性のセラミック材料から作られ・・・この場合、色々なセラミック材料を使用することが出来、例えば、窒化アルミニュウム、・・・のセラミック材である。」（３頁左下欄１３〜２０行）とも記載されており、窒化物セラミックを用いることも周知である。したがって、当該周知技術を引用発明の基板に採用して補正後第１発明のごとく窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなるセラミック基板で構成することは当業者が容易になし得たものである。
　次に、相違点２について検討する。
　当該技術分野において、基板に発熱体を設けることは、例えば、特開昭６４−４６９３０号公報（「ヒータ８５」参照）、前掲特開平２−７１５４０号公報（「加熱抵抗１６」参照）、特開平７−５１９７号公報（「加熱用ヒータ１２」参照）に記載されているごとく周知である。したがって、前記周知の発熱体を引用発明に付加して補正後第１発明のごとく構成することは当業者が容易になし得たものである。
　そして、補正後第１発明の奏する効果についても、引用例の記載事項及び上記周知技術に基づいて当業者が予測できる範囲内のものにすぎない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、補正後第１発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１６年８月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成１２年９月４日付け及び平成１６年２月２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるとおりものであると認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなるセラミック基板の表面に導体層が形成され、該セラミック基板には温度制御手段が設けられてなることを特徴とするウエハプローバ。」
　
第４　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例（特開昭６４−７２０７９号公報）、及び、その記載事項は、上記「第２」の「２（２）引用例」に記載したとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願第１発明は、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で検討した補正後第１発明の発明特定事項から、発明を特定するために必要な事項である「チャックトップ導体層」に関して「チャックトップ」の限定条項を省き、かつ、「発熱体」に関して「温度制御手段」と上位概念化したものである。
　そうすると、本願第１発明の発明特定事項のうち、一部特定事項について限定事項を付加し、かつ、一部特定事項について下位概念化したものに相当する補正後第１発明が、上記のとおり引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願第１発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜１６に係る発明について審究するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。