【事件の表示】
　特願２００４−２９６４５６「磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月２０日出願公開、特開２００６−１０８５６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１６年１０月８日の出願であって，平成１９年２月１４日付けの拒絶理由通知に対して，同年４月２３日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年７月１８日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年８月２３日に審判請求がされるとともに，同年９月２５日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年９月２５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，そのうち，請求項１についての補正内容は，次のとおりである。
　
・ 補正前の請求項１の記載
「磁化の向きが固定された第１の固定層と，
　磁化の向きが変化する記録層と，
　前記第１の固定層及び前記記録層間に設けられた第１の非磁性層と
　を具備する磁気抵抗効果素子であって，
　前記記録層は，第１の方向に延在する延在部と，前記延在部の一方の側面の中央部から前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に突出する第１の突出部と，前記延在部の他方の側面の中央部から前記第２の方向に突出する第２の突出部とを有し，
　前記記録層の平面形状は，十字型であり，
　前記延在部の平面形状は，平行四辺形である
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
・補正後の請求項１の記載（下線は補正箇所）
「磁化の向きが固定された第１の固定層と，
　磁化の向きが変化する記録層と，
　前記第１の固定層及び前記記録層間に設けられた第１の非磁性層と
　を具備する磁気抵抗効果素子であって，
　前記記録層は，第１の方向に延在する延在部と，前記延在部の一方の側面の中央部から前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に突出する第１の突出部と，前記延在部の他方の側面の中央部から前記第２の方向に突出する第２の突出部とを有し，
　前記記録層の平面形状は，十字型であり，
　前記延在部の平面形状は，平行四辺形であ
り，
　前記記録層の前記第１の方向における最大の長さを第１の長さと規定し，前記記録層の前記第２の方向における最大の長さを第２の長さと規定した場合，前記第１の長さ／前記第２の長さは１．５乃至２．２であり，
　前記記録層の膜厚は，５ｎｍ乃至２０ｎｍであり，
　原点から４５度傾いた直線とアステロイド曲線とが交わる点における磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｓｗとし，磁化容易軸方向のみの磁場による磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｃとした場合，書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃは０．４１以下である
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
２　補正目的の適否
（１）請求項１についての上記補正事項は，要するに，補正前の
「平行四辺形である」との記載を，
「平行四辺形であり，
　前記記録層の前記第１の方向における最大の長さを第１の長さと規定し，前記記録層の前記第２の方向における最大の長さを第２の長さと規定した場合，前記第１の長さ／前記第２の長さは１．５乃至２．２であり，
　前記記録層の膜厚は，５ｎｍ乃至２０ｎｍであり，
　原点から４５度傾いた直線とアステロイド曲線とが交わる点における磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｓｗとし，磁化容易軸方向のみの磁場による磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｃとした場合，書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃは０．４１以下である」
とするものである。
　
（２）上記の補正内容は，記録層の形状が平行四辺形であることを前提に，その第１の方向における最大の長さと第２の方向における長さの比の範囲と記録層の膜厚の範囲を規定し，同時に，ＨｓｗとＨｃの比の範囲を規定するものである。
　補正前の請求項１には，第１の方向における最大の長さと第２の方向における長さの比と膜厚についての記載はないが，補正前の請求項３と請求項５（いずれも補正前の請求項１を引用している。）には，これに相当する記載があるから，補正後の請求項１は，補正前の下位の請求項の内容を取り込んで減縮したものといえる。
　ＨｓｗとＨｃの比については，補正前の請求項１にも補正前の下位の請求項にも記載がないが，記録層の形状が平行四辺形であることを前提に，「誤書きこみを低減し，かつ熱安定性を向上させる」という発明の目的を達成するために，明細書に記載された範囲内で，記録層に必要な書き込み特性を規定したものと理解できる。
　そうすると，請求項１についての補正は，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものといえる。
　
（３）他の請求項についての補正は，請求項の削除と，請求項の削除に伴う請求項の項番の繰り上げ等であるから，請求項の削除及びそれに伴って生じる明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　
（４）したがって，本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項の規定に適合する。
　
（５）そこで，以下，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）について検討する。
　
３　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正発明を再掲すると，次のとおりである。
【請求項１】
「磁化の向きが固定された第１の固定層と，
　磁化の向きが変化する記録層と，
　前記第１の固定層及び前記記録層間に設けられた第１の非磁性層と
　を具備する磁気抵抗効果素子であって，
　前記記録層は，第１の方向に延在する延在部と，前記延在部の一方の側面の中央部から前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に突出する第１の突出部と，前記延在部の他方の側面の中央部から前記第２の方向に突出する第２の突出部とを有し，
　前記記録層の平面形状は，十字型であり，
　前記延在部の平面形状は，平行四辺形であり，
　前記記録層の前記第１の方向における最大の長さを第１の長さと規定し，前記記録層の前記第２の方向における最大の長さを第２の長さと規定した場合，前記第１の長さ／前記第２の長さは１．５乃至２．２であり，
　前記記録層の膜厚は，５ｎｍ乃至２０ｎｍであり，
　原点から４５度傾いた直線とアステロイド曲線とが交わる点における磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｓｗとし，磁化容易軸方向のみの磁場による磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｃとした場合，書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃは０．４１以下である
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例：特開２００４−１２８０６７号公報
　
（３）引用例の記載と引用発明
（３−１）引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００４−１２８０６７号公報（以下「引用例」という。）には，「磁気抵抗効果素子および磁気メモリ」（発明の名称）に関して，図１〜図５，図１４とともに，次の記載がある（下線は当審で付加，以下同じ。）。
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，磁気抵抗効果素子および磁気メモリに関する
【０００２】
【従来の技術】
固体磁気メモリは，従来から様々のタイプのものが提案されている。近年，巨大磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子を，記憶素子として用いた磁気ランダムアクセスメモリの提案が行われており，特に，磁気抵抗効果素子として強磁性トンネル接合素子を用いた磁気メモリに注目が集まっている。」
・「【０００６】
さて，強磁性トンネル接合をメモリセルに有する磁気メモリの高集積化を考えると，メモリセルの大きさは小さくなり，強磁性トンネル結合を構成する強磁性層の大きさも必然的に小さくなる。一般に，強磁性層が小さくなると，その保磁力は大きくなる。保磁力の大きさは磁化を反転するために必要なスイッチング磁界の大きさの目安となるので，これはスイッチング磁界の増大を意味する。
【０００７】
よって，情報を書き込む際にはより大きな電流を書き込み配線に流さなければならなくなり，消費電力の増加という好ましくない結果をもたらす。したがって，磁気メモリのメモリセルに用いられる強磁性層の保磁力を低減することは高集積化される磁気メモリの実用化において重要な課題である。
【０００８】
一方，磁気メモリは不揮発メモリとして動作するため，安定に記録情報を保持できなければならない。安定に長時間記録するための目安として，熱揺らぎ定数といわれるパラメータが存在し，このパラメータが強磁性層のボリュームと保磁力に比例することが一般的に言われている。したがって，消費電力低減のために保磁力を低減すると，その分熱安定性も同様に低減し，長期間情報を保持することができなくなってしまう。熱安定性が高く，長期間情報を保持することができる強磁性トンネル接合素子を考えることも高集積化磁気メモリの実用化において重要な課題となる。
【０００９】
また，磁気メモリのメモリセルとして用いる場合，長方形をした強磁性体を用いることが一般に考えられている。しかし，長方形の微小強磁性体の場合には，端部にエッジドメインと呼ばれる特殊な磁区が生じることが知られている（例えば，非特許文献２参照）。これは，長方形の短辺では反磁界エネルギーを低減するために，磁化が辺に沿うようにして
渦状に回転するパターンを形成するからである。このような磁気構造の一例を図１４に示す。この図１４から分かるように，磁化領域の中央部分においては磁気異方性に従った方向に磁化が生じるが，両端部においては，中央部分と異なる方向に磁化が生じる。
【００１０】
この長方形の強磁性体に対して磁化反転を行う場合を考えると，エッジドメインが成長してエッジドメインの領域が大きくなるように進行することが知られている。ここで，長方形の両端部のエッジドメインを考えると，互いに平行方向に向いている場合と反平行方向に向いている場合がある。平行方向を向いている場合，３６０度磁壁が形成されるため，保磁力が大きくなる。
【００１１】
この課題を解決するために，記憶層として楕円形の強磁性体を用いることが提案されている（例えば，特許文献３参照）。この文献に記載された技術は，エッジドメインが強磁性体の形状に対し大変敏感であるという性質を利用して，長方形等の場合の端部に生じるエッジドメインの発生をおさえ，単磁区を実現することで，強磁性体全体にわたって一様に反転させることができ，反転磁界を小さくするものである。
【００１２】
また，
記憶層として平行四辺形のように，その隅に直角でない角度を持つ形状の強磁性体を用いることが提案されている
・「【００１５】
上記のように，
記録層の磁化を反転する磁界（スイッチング磁界）を低減し，熱安定性を向上させることは，磁気メモリにおいて必要不可欠な要素である
【００１６】
高集積化磁気メモリのセルに用いられるような微小な磁性体においては，上記のように，その端部に生じるエッジドメインの影響が大きく，磁化反転における磁気的構造パターンの変化が複雑になる。その結果，保磁力が大きくなり，またスイッチング磁界が増大する。
【００１７】
このような複雑な磁気的構造の変化が生じることをできるだけ防ぐ方法として，エッジドメインを固定することが考えられている（例えば，特許文献８，特許文献９参照）。」
・「【００１８】
・・・
【特許文献６】
特願平１１−２６３７４１号公報」
・「【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
エッジドメインを固定することにより，磁化反転の際の挙動が制御できるが，実質的にスイッチング磁界の低減ははかれない。また，エッジドメインを固定するために別の構造を付加する必要があり，高密度化には適さない。
【００２０】
本発明は，
熱的に安定な磁気的構造を有するとともに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁界を低減することのできる磁気抵抗効果素子および磁気メモリを提供することを目的とする
　　イ　第１実施形態
・【００３３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による磁気抵抗効果素子を，図１乃至図４を参照して説明する。図２に示すように，この実施形態の磁気抵抗効果素子２は，磁気メモリのメモリセルとして用いられるものであって，ワード線１０とビット線１２が交差する点に設けられ，下部電極２ａと，反強磁性層２ｂと，基準層となる強磁性層２ｃと，トンネル障壁となる絶縁層２ｄと，記憶層となる強磁性層２ｅと，上部電極２ｆとを備えている。基準層となる強磁性層２ｃは，反強磁性層２ｂとの交換結合力により，磁化の方向が固定されている。記憶層となる強磁性層２ｅは外部磁界によって磁化の方向が変化する。そして，強磁性層２ｃと強磁性層２ｅの磁化の相対的角度によりトンネルコンダクタンスが変化する。
【００３４】
この実施形態の磁気抵抗効果素子２の記憶層となる強磁性層２ｅの膜面形状を図１に示す。記憶層となる強磁性層２ｅは，図１に示すように，磁化容易軸方向５が磁化困難軸方向に比べて長い長方形状の本体部３と，ほぼ中央部に設けられた突出部４とを有している
すなわち，記憶層２ｅは，本体部３の端部の幅（磁化困難軸方向の長さ）よりも中央部の幅が広い形状となっている。また，この実施形態の形状は十字形状でもある
例えば，本体部３の端部の幅が０．２４μｍ，記憶層２ｅの中央部の幅が０．３６μｍ，記憶層２ｅの磁化容易軸方向の長さが０．４８μｍである。なお，記憶層２ｅの膜厚は２ｎｍである
【００３５】
強磁性層の材料として，本実施形態においては，ＣｏＦｅを用いたが，強磁性材料としては　例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ　やこれらの合金等，通常用いられる磁性材料であっても良い。また，強磁性層は，これらの磁性材料からなる層と，例えばＣｕ，Ａｕ，Ｒｕ，Ａｌ　等の，金属非磁性材料からなる層との積層構造を有する膜であっても良い。
【００３６】
この実施形態による磁気抵抗効果素子２のヒステリシスについて，シミュレーション計算した結果を図３に示す。図３において，横軸は外部磁界を示し，縦軸は，磁化Ｍを飽和磁化Ｍｓによって正規化した値を示している。図３の実線で表したグラフｇ１は記録層２ｅの容易軸方向の磁化曲線を示し，破線で表したグラフｇ２は残留磁化曲線，すなわち，外部磁界を印加した後の外部磁界を零としたときの磁化状態を示す曲線である。この図３から分かるように，磁化容易軸方向の保磁力は９５Ｏｅと求められる。また，この図３から分かるよう，本実施形態による磁気抵抗効果素子においては，スイッチングがシャープに行われることを示しており，“１”，“０”以外の中間的な磁化状態を取らないことを示している。即ち，磁化反転過程において，微小な磁気ドメインが複雑な形で発生していないことを意味している。
【００３７】
次に，
本実施形態による磁気抵抗効果素子のスイッチング磁界のアステロイド曲線を，シミュレーション計算で求めた場合を図４（ａ）に示す。なお，図４（ｂ）は磁化容易軸方向の保磁力で規格化した場合のアステロイド曲線を示している。図４（ａ），（ｂ）において，横軸は磁化容易軸方向の磁界を示し，横軸は磁化困難軸方向の磁界を示す
【００３８】
これらの図４および図５から分かるように，長方形セルでは理想的なアステロイド曲線とはかなり離れたところにシミュレーション計算結果が存在していたが，本実施形態のセル形状を用いることによりある特定の方向で理想的なアステロイド曲線より内側にシミュレーション計算結果が存在している。実際，
本実施形態による磁気抵抗効果素子のスイッチング磁界は長方形セルの磁気抵抗効果素子より約半分に減少し，小さいスイッチング磁界で反転することが可能となる
したがって，情報を書き込む際に要する電流を小さくすることができる
また，本実施形態における磁化容易軸方向の保磁力は，長方形セルの保磁力とほぼ同じであり，熱的安定性は劣化しない
【００３９】
なお，本実施形態では図３に示すように，飽和磁化Ｍｓに対する残留磁化の割合が０．９２となり，図示していない長方形セルのそれとほとんど同じとなる。これは，エッジドメインが存在しているためである。一般に，強磁性体の磁化方向にずれや乱れた部分があり，飽和磁化に対する残留磁化の割合が１より小さくなっているとき，その強磁性体を用いた強磁性トンネル接合では，ずれや乱れのない場合に比べて，トンネル磁気抵抗比が減少する。しかし，本実施形態では絶縁層２ｄを含め上下の強磁性層２ｃ，２ｅが同じ形状になっているため，上下の強磁性層２ｃ，２ｅはほぼ同様の磁気ドメイン構造を持っている。従って，この割合は１より小さくなっているにもかかわらず，磁化方向のトンネル磁気抵抗の減少はほとんどない。
【００４０】
なお，本実施形態においては，従来技術とは異なり，エッジドメインの領域を縮小するものではなく，むしろエッジドメインに，ある大きさの領域を与え，端部にバイアス磁界をかけてエッジドメインを固定することなく磁化反転の核として作用させるものである。
【００４１】
以上説明したように，
本実施形態によれば，熱的に安定な磁気的構造を有するとともに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁界を低減することができる
【００４２】
本実施形態においては，膜面形状は，各頂点が９０度の角度をもつ多角形であったが，これに限定されるものではなく，特に，各頂点は９０度に限定するものではない
最大幅が１μｍ程度より小さいものが好ましく，長さも最大幅の約１．３倍以上で１０倍以内であることが好ましい。強磁性体の厚さは１０ｎｍ以下が良く，５ｎｍ以下がより好ましい
高集積化のためには，素子サイズは小さいことが好ましい
　　ウ　発明の効果
・「【００８３】
【発明の効果】
以上述べたように，
本発明によれば，熱的に安定な磁気的構造を有するとともに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁界を低減することができる
　　エ　図面について
・
図１によれば，長方形の本体部３のほぼ中央部に設けられた突出部４は，２つあり，前記長方形の本体部３の上下にそれぞれ設けられていることが分かる
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜エによれば，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「基準層となる強磁性層２ｃと，トンネル障壁となる絶縁層２ｄと，記憶層となる強磁性層２ｅとを有する磁気抵抗効果素子であって，
　前記記憶層となる強磁性層２ｅは，磁化容易軸方向５が磁化困難軸方向に比べて長い長方形状の本体部３と，前記長方形状の本体部３のほぼ中央部に設けられた突出部４を有し，
　前記突出部４は２つあり，前記長方形状の本体部３の上下にそれぞれ設けられており，
　前記記憶層となる強磁性層２ｅの膜面形状は十字形状であり，
　前記記憶層となる強磁性層２ｅの前記磁化容易軸方向５の長さは，前記記憶層となる強磁性層２ｅの中央部の幅である，最大幅の約１．３倍以上で１０倍以内であり，前記記憶層となる強磁性層２ｅの厚さは１０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
（４）対比
（４−１）次に，本願補正発明と引用発明を対比する。
　　ア　引用発明の「基準層となる強磁性層２ｃ」，「記憶層となる強磁性層２ｅ」，「トンネル障壁となる絶縁層２ｄ」は，それぞれ，本願補正発明の「磁化の向きが固定された第１の固定層」，「磁化の向きが変化する記録層」，「前記第１の固定層及び前記記録層間に設けられた第１の非磁性層」に対応するから，引用発明の「基準層となる強磁性層２ｃと，トンネル障壁となる絶縁層２ｄと，記憶層となる強磁性層２ｅとを有する磁気抵抗効果素子」は，本願補正発明の「磁化の向きが固定された第１の固定層と，磁化の向きが変化する記録層と，前記第１の固定層及び前記記録層間に設けられた第１の非磁性層とを具備する磁気抵抗効果素子」に相当する。
　　イ　引用発明の「磁化容易軸方向５」，「本体部３」は，それぞれ，本願補正発明の「第１の方向」，「延在部」に対応するから，引用発明の「磁化容易軸方向５が磁化困難軸方向に比べて長い」「本体部３」は，本願補正発明の「第１の方向に延在する延在部」に対応する。また，引用発明の「突出部４」（２つある）は，本願補正発明の「第１の突出部」及び「第２の突出部」に対応しており，引用発明の「突出部４」が磁化困難軸方向に設けられていることは，明らかであって，この磁化困難軸方向は，本願補正発明の「前記第１の方向に対して垂直な第２の方向」に対応し，かつ，引用発明の「突出部４は２つあり，前記長方形の本体部３の上下にそれぞれ設けられて」いるから，引用発明は，本願補正発明の「前記延在部の一方の側面の中央部から前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に突出する第１の突出部と，前記延在部の他方の側面の中央部から前記第２の方向に突出する第２の突出部」に対応する構成を備えている。
　そうすると，引用発明における「前記記憶層となる強磁性層２ｅは，磁化容易軸方向５が磁化困難軸方向に比べて長い」「本体部３と，前記」「本体部３のほぼ中央部に設けられた突出部４を有し，前記突出部４は２つあり，前記長方形の本体部３の上下にそれぞれ設けられ」との構成は，本願補正発明の「前記記録層は，第１の方向に延在する延在部と，前記延在部の一方の側面の中央部から前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に突出する第１の突出部と，前記延在部の他方の側面の中央部から前記第２の方向に突出する第２の突出部とを有」するとの構成に相当する。
　　ウ　引用発明の「前記記憶層となる強磁性層２ｅの膜面形状」，「十字形状」は，それぞれ，本願補正発明の「前記記録層の平面形状」，「十字型」に対応するから，引用発明の「前記記憶層となる強磁性層２ｅの膜面形状は十字形状であ」ることは，本願補正発明の「前記記録層の平面形状は，十字型であ」ることに相当する。
　　エ　引用発明の「前記記憶層となる強磁性層２ｅの前記磁化容易軸方向５の長さ」，「前記記憶層となる強磁性層２ｅの中央部の幅である，最大幅」は，それぞれ，本願補正発明の「前記記録層の前記第１の方向における最大の長」（第１の長さ），及び「前記記録層の前記第２の方向における最大の長さ」（第２の長さ）に対応するから，引用発明の「前記記憶層となる強磁性層２ｅの前記磁化容易軸方向５の長さは，前記記憶層となる強磁性層２ｅの中央部の幅である，最大幅の約１．３倍以上で１０倍以内であ」るとの構成，本願補正発明の「前記記録層の前記第１の方向における最大の長さを第１の長さと規定し，前記記録層の前記第２の方向における最大の長さを第２の長さと規定した場合，前記第１の長さ／前記第２の長さは１．５乃至２．２であ」るとの構成と，数値範囲において重なっている。
　　オ　引用発明の「前記記憶層となる強磁性層２ｅの厚さ」は，本願補正発明の「前記記録層の膜厚」に対応するから，引用発明の「前記記憶層となる強磁性層２ｅの厚さは１０ｎｍ以下である」との構成は，本願補正発明の「前記記録層の膜厚は，５ｎｍ乃至２０ｎｍであ」るとの構成と，数値範囲において重なっている。
　
（４−２）そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
〔一致点〕
「磁化の向きが固定された第１の固定層と，
　磁化の向きが変化する記録層と，
　前記第１の固定層及び前記記録層間に設けられた第１の非磁性層と
　を具備する磁気抵抗効果素子であって，
　前記記録層は，第１の方向に延在する延在部と，前記延在部の一方の側面の中央部から前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に突出する第１の突出部と，前記延在部の他方の側面の中央部から前記第２の方向に突出する第２の突出部とを有し，
　前記記録層の平面形状は，十字型であり，
　前記記録層の前記第１の方向における最大の長さを第１の長さと規定し，前記記録層の前記第２の方向における最大の長さを第２の長さと規定した場合，前記第１の長さ／前記第２の長さは１．５乃至２．２であり，
　前記記録層の膜厚は，５ｎｍ乃至２０ｎｍである
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
〔相違点〕
〔相違点１〕
　本願補正発明は，「前記延在部の平面形状は，平行四辺形であ」るのに対して，引用発明は，本願補正発明の「延在部」に対応する「本体部３」が，「長方形状」である点。
　
〔相違点２〕
　本願補正発明は，「原点から４５度傾いた直線とアステロイド曲線とが交わる点における磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｓｗとし，磁化容易軸方向のみの磁場による磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｃとした場合，書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃは０．４１以下である」のに対して，引用発明は，書き込み磁場の比の具体的数値について言及がない点。
　
（５）相違点についての判断
（５−１）相違点１について
　　ア　引用例の段落【００１２】には，「
記憶層として平行四辺形のように，その隅に直角でない角度を持つ形状の強磁性体を用いることが提案されている
本実施形態においては，膜面形状は，各頂点が９０度の角度をもつ多角形であったが，これに限定されるものではなく，特に，各頂点は９０度に限定するものではない
　　イ　さらに，磁気抵抗効果素子の平面形状には，長方形から変形した種々の形状が可能であることが知られている（例えば，拒絶の理由に引用された特開２００４−１２８０１５号公報の段落【００３８】には，「磁気抵抗効果素子」（発明の名称）に関し，図２，図３とともに，次の記載がある。
「更に，本発明においては，少なくともこの情報記録層すなわち強磁性層７の平面パターン，例えば磁気抵抗効果素子１の積層部の平面パターンを，１軸方向に長軸を有する形状で，長軸方向に沿う両側縁が，外側に膨出する形状，あるいは直線形状を有し，その長軸方向の両端が，外側に膨出するパターン形状とする。このようなパターン形状は，図２および図３の各Ａ１〜Ａ６図にパターン形状の例を模式的に示したように，長軸および短軸の中心軸に対して対象性を有する形状とされる。そして，
例えば，図２Ａ１の菱形形状のように，長軸方向に沿う両側縁およびその両端縁が外側に屈曲ないしは屈曲に近似する彎曲形状に膨出するパターン形状とすることができる
あるいは，両側縁が外側に彎曲膨出する形状の，例えば図２Ａ２，図３Ａ４のレモン形状，楕円，ないしは長円，あるいは図示しないが紡錘状等のパターン形状とする
または，両外側が直線的なカプセル形状（図３Ａ５），長方形状（図３Ａ６）等に形成することができる
しかしながら，本発明は，この図２および図３の各Ａ１〜Ａ６に示した例に限定されるものではない
　　ウ　そして，上記アで摘示した引用例の段落【００４２】の記載からみて，引用発明は，「特に，各頂点は９０度に限定するものではない。」から，引用発明の「本体部３」には，各頂点が９０度である長方形のほかに，各頂点が９０度ではない四角形，例えば，台形や平行四辺形などの形状が示唆されているといえる。
　　エ　更に言えば，長方形は，平行四辺形のうち，各頂点が９０度のものをいうから，本願補正発明の「平行四辺形」には「長方形」が含まれるとも考えられ（請求項１では，平行四辺形の頂点の角度について規定されていない。），その場合，相違点１は実質的には相違点とならない。　
　　オ　審判請求人は，本願補正発明の「前記延在部の平面形状は，平行四辺形であ」ることによる作用・効果について，平成１９年４月２３日に提出の意見書，平成１９年９月２５日に提出の審判請求書の請求の理由を補充する手続補正書，及び平成２２年２月２２日に提出した回答書において主張する。
　しかし，本願の明細書には，本願補正発明の「前記延在部の平面形状」を「平行四辺形」としたことによる作用・効果について何も記載されていない。
　また，審判請求人の主張が，どの程度の頂点角を有する「平行四辺形」を前提としたものかも，不明である。
　　カ　したがって，相違点１は，少なくとも，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（５−２）相違点２について
　　ア　本願の明細書の発明の詳細な説明の段落【００２３】には，次の記載がある。
「次に，Ｈｃばらつきを考慮すると，１Ｍビットの素子アレイを実現するためには，Ｈｓｗ／Ｈｃは０．４１以下が望ましいと考えられる。これは，次の理由からである。図３に示すように，まず，基本アステロイド曲線Ａｂａｓｅを基準として，±１０％のＨｃばらつきを考慮し，最大アステロイド曲線Ａｍａｘ，最小アステロイド曲線Ａｍｉｎをそれぞれ規定する。次に，最小アステロイド曲線Ａｍｉｎから求められるＸ軸切片とＹ軸切片からそれぞれ垂直な直線Ｌ１，Ｌ２を引き，これらの直線Ｌ１，Ｌ２が交わる交点Ａを求める。この交点Ａが，最大アステロイド曲線Ａｍａｘ上の点Ｐｍａｘよりも外側に位置すれば，書き込み動作が実現できる。つまり，図３中の斜線領域Ｒの面積が書き込みマージンとなり，書き込み動作を実現するには，この書き込みマージンがゼロよりも大きいことが必要となる。そこで，書き込み磁場の比Ｈｓｗ／Ｈｃに対する書き込みマージンをそれぞれ調べた。その結果，図４に示すように，書き込み磁場の比Ｈｓｗ／Ｈｃが０．４３になると，書き込みマージン（図３の領域Ｒの面積）は−０．０１，すなわち０以下となることが分かった。さらに，書き込み磁場の比Ｈｓｗ／Ｈｃが０．４２の場合，書き込みマージンは０．０１となり，非常にマージンが少なく，誤書き込みの恐れがある。このため，書き込みマージンが０．０２以上となる０．４１以下が最も望ましい書き込み磁場の比Ｈｓｗ／Ｈｃであると言える。」　この記載は，本願補正発明において，「原点から４５度傾いた直線とアステロイド曲線とが交わる点における磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｓｗとし，磁化容易軸方向のみの磁場による磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｃとした場合，書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃは０．４１以下」としたことの技術的意義について説明したものと理解できる。
　　イ　しかしながら，磁気抵抗効果素子において，「書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃ」が小さいほど，書き込みマージンが大きくなることは，技術常識である。（これについては，例えば，特開２００４−１７９１８３号公報の，「アステロイドの形が良いという意味は，図１３に示すアステロイド曲線ｇ１のように，他のアステロイド曲線ｇ２，ｇ３に比べて座標軸側にあり，このため，スピン反転時のスイッチング磁界の値は小さく，スピン反転以外の時のスイッチング磁界の値が大きいことを意味する。このようなアステロイド形状をしていると，セル選択が容易である。」（段落【００５０】，図１３）との記載を参照。）
　　ウ　そして，引用例の段落【００３８】の「これらの図４および図５から分かるように，長方形セルでは理想的なアステロイド曲線とはかなり離れたところにシミュレーション計算結果が存在していたが，本実施形態のセル形状を用いることによりある特定の方向で理想的なアステロイド曲線より内側にシミュレーション計算結果が存在している。実際，本実施形態による磁気抵抗効果素子のスイッチング次回は長方形セルの磁気抵抗効果素子よりも約半分に減少し，小さいスイッチング磁界で反転することが可能となる。」との記載，及び図４（ａ），（ｂ）に示されたアステロイド曲線の計算結果からすると，引用発明においても，書き込み磁場の比Ｈｓｗ／Ｈｃは０．３程度以下となっているものと理解でき，本願補正発明と同様，「書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃは０．４１以下」となっている。
　　エ　そうすると，本願補正発明において，「原点から４５度傾いた直線とアステロイド曲線とが交わる点における磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｓｗとし，磁化容易軸方向のみの磁場による磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｃとした場合，書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃは０．４１以下である」ようにした点には，磁気抵抗効果素子を磁気メモリとして用いるために望まれる範囲を提示したという以上の意義を見いだすことができない。
　　オ　したがって，相違点２は，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）以上のとおり，上記相違点１，２は，当業者が容易に想到できたものであるから，本願補正発明は，周知技術を参酌することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により，却下すべきものである。
　　
第３　本願発明 
１　以上のとおり，本件補正（平成１９年９月２５日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１９年４月２３日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載されたとおりのものであり，以下に再掲する。 
 　 
【請求項１】
「磁化の向きが固定された第１の固定層と，
　磁化の向きが変化する記録層と，
　前記第１の固定層及び前記記録層間に設けられた第１の非磁性層と
　を具備する磁気抵抗効果素子であって，
　前記記録層は，第１の方向に延在する延在部と，前記延在部の一方の側面の中央部から前記第１の方向に対して垂直な第２の方向に突出する第１の突出部と，前記延在部の他方の側面の中央部から前記第２の方向に突出する第２の突出部とを有し，
　前記記録層の平面形状は，十字型であり，
　前記延在部の平面形状は，平行四辺形である
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
 　 
２　引用例の記載と引用発明については，前記第２，３の（３−１），（３−２）において認定したとおりである。
　
３　対比・判断 
 　前記第２の１，２で検討したように，本願補正発明は，本件補正前の発明の「平行四辺形である」を，「平行四辺形であり，
　前記記録層の前記第１の方向における最大の長さを第１の長さと規定し，前記記録層の前記第２の方向における最大の長さを第２の長さと規定した場合，前記第１の長さ／前記第２の長さは１．５乃至２．２であり，
　前記記録層の膜厚は，５ｎｍ乃至２０ｎｍであり，
　原点から４５度傾いた直線とアステロイド曲線とが交わる点における磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｓｗとし，磁化容易軸方向のみの磁場による磁化反転に必要な書き込み磁場をＨｃとした場合，書き込み磁場の比であるＨｓｗ／Ｈｃは０．４１以下である」と限定したものである。逆にいえば，本件補正前の発明（本願発明）は，本願補正発明から，このような限定をなくしたものである。 
 　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２，３において検討したとおり，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　　
第４　結言 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
　したがって，本願は，その余の請求項について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。