【事件の表示】
　特願２０００−５６６８４７「ハードディスク蒸気潤滑剤注入」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月　２日国際公開、ＷＯ００／１１６６７、平成１４年　７月３０日国内公表、特表２００２−５２３８５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、１９９９年８月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　１９９８年８月２０日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１〜１７に係る発明は、平成１６年３月１５日付けの手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　平滑なハードディスクの製造方法であって、連続して
（ａ）真空エンクロージャ内で、基板上に磁性材料からなる下地層を被膜する工程、
（ｂ）前記真空エンクロージャ内で、前記下地層上に保護層を被膜する工程、
（ｃ）真空気密の隔離チャンバを通じて、前記真空エンクロージャと、真空気密の潤滑処理チャンバとの間で前記基板を輸送して、前記真空エンクロージャを、前記潤滑処理チャンバから前記隔離チャンバによって気密に絶縁する工程、
（ｄ）前記潤滑処理チャンバ内で、前記保護層上に潤滑層を被膜する工程、
から成り、
　前記基板が、前記工程（ａ）から前記工程（ｄ）にわたって真空環境中に維持される、
ところの方法。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願優先権主張日前の刊行物である、特開平９−８１９２８号公報（以下、「引用例１」という。）と特開平８−２０９３５２号公報（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ図面とともに次のように記載されている。なお、下線は、便宜的に当審で付与した。
　
　引用例１には、
　（1-i）「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明においては磁性膜中の結晶粒界にＣｒが偏積していない磁気記録媒体においても、所望の面粗さを備えた磁性膜を用いることにより低ノイズを実現する。即ち、磁気記録媒体は非磁性基板と磁性膜の間に下地膜を設けた構造を持ち、磁性膜の任意位置のＣｒ濃度と平均のＣｒ濃度との差が±７％以内であり、かつ磁性膜は膜面方向の基準長さ５００ｎｍ以上の領域において最大高さ（Ｒｍａｘ）が５ｎｍ以上であることにより低ノイズが実現される。また、
非磁性基板上に、下地膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜の順に積層した磁気記録媒体
　（1-ii）「【００２３】［実施例１］図１に断面図を示す磁気記録媒体を、図２に示す製造工程に従って作製した。作製には直流（ＤＣ）・マグネトロン・スパッタリング成膜装置を用いた。
【００２４】初めに、下地膜のみからなるＸ線回折用の試料を作製した。
基板１に
到達真空度８×１０
 8
Ｔｏｒｒ、Ａｒガス圧５．５ｍＴｏｒｒ、室温下で
下地膜２としてＣｒを３００ｎｍ形成した
【００２５】次に、下地膜と磁性膜のＸ線回折、形態観察及び磁気特性測定用の試料を作製した。基板１に図２（ａ）に示す表面強化ガラスの小片を用い、上記成膜条件の下、図２（ｂ）−（ｃ）に示す通り、
下地膜２としてＣｒを５０ｎｍから３００ｎｍ、磁性膜３としてＣｏ
74
Ｃｒ
13
Ｐｔ
13
を２０ｎｍ順次形成した
【００２５】・・・（中略）・・・。
【００２６】・・・（中略）・・・。
【００２７】上記の結果を基に、
基板１に
直径２．５”の表面強化ガラスを用い
下地膜
磁性膜
保護膜４としてＣを１０ｎｍを順次形成し、最後に潤滑膜１１を真空蒸着により形成した
真空蒸着装置はスパッタリング成膜装置に隣接してあり、スパッタリング成膜装置により保護膜４としてＣを形成してから、真空蒸着装置により潤滑膜１１を形成するまで試料は真空雰囲気中に維持されている
図５に示す磁気記録装置を用い
周速１０ｍ／秒、磁気ヘッド５３の浮上高さ８０ｎｍで
測定し、信号との強度を比較した
　
　引用例２には、
　（2-i）「【００３４】次に
第５図を参照
主真空室１２と、種々の処理が成される複数の処理室２９〜３１を主要な構成要素としている
主真空室１２には、大気中から真空中に基板を導入するロード室２０と、基板を真空中から大気中に排出するアンロード室２１が連結される
主真空室１２、処理室２９〜３１、ロード室２０、アンロード室２１を真空状態に排気する排気系２３、処理室２９〜３１にガスを導入するガス供給系２４が設けられる
【００３５】
主真空室１２は各処理室の間を真空状態で連結し、その中を基板を搬送するためのものである。このため主真空室１２内には、ロード室１２、処理室２９〜３１、アンロード室２１の間を基板１を搬送する搬送機構２２が設けられる
基板を移動するために移動機構３が各々独立して設けられる
【００３６】
ロード室２０は基板を大気中から真空中に導入するためのものであり
真空排気可能な容器と大気開放のためのベント機構２７および真空排気系２３、基板の搬送系２２および大気とロード室２０、ロード室２０と主真空室１２とを仕切るゲート弁２８とで構成される
【００３７】
アンロード室２１は基板を真空中から大気中に戻すためのものであり
真空排気可能な容器と大気解放のためのベント機構２７および真空排気系２３、基板の搬送系２２および大気とアンロード室２１、アンロード室２１と主真空室１２とを仕切るゲート弁２８とで構成される
【００３８】処理室２９〜３１は基板に対し目的の処理を施すための槽であり、処理内容に応じた機能が付加されている。具体的には下記の通りである。
加熱室２９
スパッタ室３０は下地層スパッタリング室３０１と磁性層スパッタリング室３０２からなり、金属、合金や化合物のターゲットをスパッタリングしてディスク基板に薄膜を形成する
【００３９】
ＣＶＤ室３１は基板にＤＬＣ膜を形成するものである
【００４０】排気系２３は主真空室１２および処理室を真空排気するためのもので、真空ポンプとバルブ、排気配管および真空度計測装置などで構成される。また、ガス供給系２４は、処理室にガスを供給するためのもので、ガスボンベ１７、バルブ、配管、レギュレーター、マスフローコントローラなどから構成される。
【００４１】また、電源系２５は各処理室２９〜３０の処理内容に応じた電圧を供給する。制御系２６は例えば制御用のコンピュータであり、この装置全体の動作を制御する。具体的には、基板１の搬送制御、ガスの排気等を含むガスの制御、成膜の動作制御、および各処理室２９〜３０での各種パラメータの計測などを行なう。
【００４２】次に図５に示すこのディスク製造装置を用いて磁気ディスク媒体を製造する方法について説明する。尚、図６に示す磁気ディスクの製造フローも併せて参照する。まず、ディスク基板１がロード室２０にセットされる。ここで、ディスク基板は中央に穴が空いているものであり、
基板の材質としては例えばNiP硬質めっき皮膜を設けた磁気ディスク用アルミニウムーマグネシウム合金基板
基板１は例えば運搬用のカセット（図示せず）に入れられ、ロード室２０にセットされる。そして、ロード室２０から基板１は１枚づつ取り出され、矢印ｃ方向にロードされて主真空室１２内に入れられる。以後、基板１はこの主真空室１２内を搬送機構２２で運ばれながら各処理室２９〜３１で種々の処理をされることになる。各処理室への基板の出し入れは、保持具２を移動機構３で駆動することにより行われる
【００４３】詳しく説明するに、次にこの基板１は加熱室２９に入れられ、所定温度まで加熱される（図６断面A）。その後基板１はただちに下地層スパッタリング室３０１に移動され、非磁性下地層３４が所定の厚さに形成される（図６断面B）。次にこの基板１は隣の磁性層スパッタリング室３０２に移動されて、非磁性下地層３４の上には磁性層３５が所定の厚さで形成される（図６断面C）。磁性層３５は例えばコバルト／クロームを含む材料で構成され、この状態で基板１は保持具２とともに通電状態にある。
【００４４】次いで、基板１はＣＶＤ室３１（図１の処理槽４）内に移動される。そして基板の磁性層３５の上には保護層３６としてＤＬＣ膜が形成される（図６断面D）。プラズマ処理装置における各部の動作、及び処理槽４内でのＤＬＣ膜の形成工程は図４を参照して既に詳細に説明された。
【００４５】この後、基板１はアンロード室２１に移され、ここから取り出される。このようにして
磁性層３５や保護層３６等の多層膜が形成されたディスク基板は、次に潤滑層３７を形成する工程へと移る
　（2-ii）「【００５１】次に、
潤滑剤について説明する
蒸着法などで潤滑剤が塗布される
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記摘示の記載からみて、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「非磁性基板（例えば直径２．５”の表面強化ガラスなど）上に、下地膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜の順に積層した磁気記録媒体の製造方法において、
　下地膜、磁性膜、保護膜をスパッタリング成膜法で順次形成し、
　最後に潤滑膜を真空蒸着により形成するものであり、
　真空蒸着装置はスパッタリング成膜装置に隣接してあり、スパッタリング成膜装置により保護膜としてＣを形成してから、真空蒸着装置により潤滑膜を形成するまで試料は真空雰囲気中に維持されてなる、
　製造方法。」
　
　そして、
　（イ）引用例１発明の「非磁性基板（例えば直径２．５”の表面強化ガラスなど）上に、下地膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜の順に積層した磁気記録媒体の製造方法において、」は、
　（イ−１）該磁気記録媒体が、直径２．５”の表面強化ガラスなどを基板として用いるので、所謂ハードディスクに他ならないから、また、
　（イ−２）引用例１の図５に示される磁気記録装置を用い、磁気ヘッドを浮上高さ８０ｎｍ、周速１０ｍ／秒で使用している（摘示（1-ii）の段落【００２７】参照）ことを勘案すると、該磁気記録媒体が所謂平滑なものと言えることが明らかであるから、
　本願発明の「平滑なハードディスクの製造方法であって、」に相当する。
　
　（ロ）本願発明の「磁性材料からなる下地層」は、本願明細書の全主旨（例えば、段落【０００３】に従来の典型的なものとして、基板／下地層／磁性層／保護層の順が説明され、本願発明の説明である図１および段落【００１９】においても同様な層構成が説明されていることなど参照）からみて、「磁性層」そのものに他ならないと認められる。なお、本願発明の該表現は、磁性層と基板との間に多くの場合に設けられる下地層ではないかとの誤解を招く不明瞭な表現であるが、前記「磁性層」と解するのが相当である。
　
　（ハ）引用例１発明の「下地膜、磁性膜、保護膜をスパッタリング成膜法で順次形成し、
　最後に潤滑膜を真空蒸着により形成するものであり、
　真空蒸着装置はスパッタリング成膜装置に隣接してあり、スパッタリング成膜装置により保護膜としてＣを形成してから、真空蒸着装置により潤滑膜を形成するまで試料は真空雰囲気中に維持されてなる、」は、
　（ハ−１）該「下地膜、磁性膜、保護膜を順次スパッタリング成膜法で形成し」、次いで潤滑膜を形成することが、本願発明で「連続して」、磁性材料からなる下地層（即ち磁性層）、保護層、潤滑層の形成を行うことと一致していること（なお、「・・膜」と「・・層」は、単に表現上の差異があるに過ぎない。）、
　（ハ−２）該スパッタリング成膜は、例えば下地膜のスパッタリングに関し、「到達真空度８×１０ 8Ｔｏｒｒ、Ａｒガス圧５．５ｍＴｏｒｒ」（摘示（1-ii）の段落【００２４】参照；なお、「８×１０ 8Ｔｏｒｒ」は「８×１０−８Ｔｏｒｒ」の誤記であることは明白である。）の真空で行っている如く、真空で行うことは技術常識であって、また、「真空エンクロージャ」は、本願明細書に特段の定義が無く「真空室」の意味と解せられるから、真空エンクロージャ内であることも明らかであること、
　（ハ−３）該「真空蒸着装置により潤滑膜を形成する」ことは、「真空気密の潤滑処理チャンバ」内で「潤滑層を被覆する」ことに他ならないこと、
　（ハ−４）該「真空蒸着装置はスパッタリング成膜装置に隣接してあ」るため、両装置の間で基板の輸送が行われるのが明らかであり、その輸送は、本願発明の「前記真空エンクロージャと、真空気密の潤滑処理チャンバとの間で前記基板を輸送して」の工程に相当すること、
　（ハ−５）該「スパッタリング成膜装置により保護膜としてＣを形成してから、真空蒸着装置により潤滑膜を形成するまで試料は真空雰囲気中に維持されてなる」が、少なくとも、本願発明の「前記工程（ａ）から前記工程（ｄ）にわたって真空環境中に維持される」の一部に当たる「工程（ｂ）から工程（ｄ）にわたって真空環境中に維持される」に相当することから、
　本願発明の「連続して
（ａ）真空エンクロージャ内で、基板上に磁性材料からなる下地層を被膜する工程、
（ｂ）前記真空エンクロージャ内で、前記下地層上に保護層を被膜する工程、
（ｃ）前記真空エンクロージャと、真空気密の潤滑処理チャンバとの間で前記基板を輸送する工程、
（ｄ）前記潤滑処理チャンバ内で、前記保護層上に潤滑層を被膜する工程、
から成り、
　前記基板が、前記工程（ｂ）から前記工程（ｄ）にわたって真空環境中に維持される、」に相当する。
　なお、（ｃ）の工程に関する本願発明の更なる特定、及び、真空環境中に維持される工程が「（ａ）から」である点は、追って相違点として検討する。
　
　してみると、両発明は、次の一致点で一致し、次の相違点で相違する。
＜一致点＞
　「平滑なハードディスクの製造方法であって、連続して
（ａ）真空エンクロージャ内で、基板上に磁性材料からなる下地層を被膜する工程、
（ｂ）前記真空エンクロージャ内で、前記下地層上に保護層を被膜する工程、
（ｃ）前記真空エンクロージャと、真空気密の潤滑処理チャンバとの間で前記基板を輸送する工程、
（ｄ）前記潤滑処理チャンバ内で、前記保護層上に潤滑層を被膜する工程、
から成り、
　前記基板が、前記工程（ｂ）から前記工程（ｄ）にわたって真空環境中に維持される、
ところの方法。」
　
＜相違点＞　
　（Ａ）（ｃ）工程の「前記真空エンクロージャと、真空気密の潤滑処理チャンバとの間で前記基板を輸送する工程」に関し、本願発明では、「真空気密の隔離チャンバを通じて、」と「前記真空エンクロージャを、前記潤滑処理チャンバから前記隔離チャンバによって気密に絶縁する工程、」と更に特定されているのに対し、引用例１発明ではそのような言及がない点、
　（Ｂ）真空環境中に維持されることに関し、本願発明では、「前記工程（ａ）から前記工程（ｄ）にわたって真空環境中に維持される、」と特定しているのに対し、引用例１発明では、少なくとも「前記工程（ｂ）から前記工程（ｄ）にわたって真空環境中に維持される」ことが明らかであるものの、工程（ａ）にもわたって維持されるのかが明確ではない点。
　
　そこで、これらの相違点について、先ず（Ｂ）の点、次いで（Ａ）の点の順に検討する。
　（Ｂ）の点について
　ところで、引用例２には、磁気記録媒体（ハードディスク）の製造に関し、主真空室１２を介して、基板上への下地膜のスパッタリング室、磁性層スパッタリング室、保護層であるＤＬＣ膜（ダイヤモンドライク膜でＣ膜に相当）のＣＶＤ室を設け、それら一連の処理中及び処理室間を輸送中も、基板が真空環境中に維持されることが示されている。かような構成、即ち、磁性材料からなる下地層（即ち磁性層）を被覆し、その上に保護層を被覆する各工程にわたって真空環境中維持することを、引用例１発明においても採用することは、当業者であれば、適宜乃至、容易に採用し得る程度のことというべきである。
　よって、（Ｂ）の相違点にかかる本願発明の構成は、当業者が適宜乃至容易に採用し得る。
　
　（Ａ）の点について
　各成膜処理を連続して、基板を真空環境中に維持して真空下に行う際に、成膜処理装置と別の成膜処理装置との間を直結せずに別途のバッファ室を設け、気密に絶縁し、そこを介して基板等を輸送することは適宜なされていることにすぎない。例えば、引用例２においても主真空室がそうであるし、特開平８−７２６８号公報（例えば、図６、段落【０００３】に記載のチャンバー間の相互作用を緩衝するバッファチャンバー参照）、特開平１−２１３８２７号公報（例えば、第２図、第３頁右上欄〜左下欄に記載のゲートバルブを備えるバッファチャンバ参照）、国際公開パンフレットＷＯ９６／３５８２３（例えば、Ｆｉｇ１Ａ，１Ｂ，第７頁など参照）、特開平５−２５０６６５号公報（例えば、図１、請求項１、段落【００１２】〜【００１９】、【００２１】〜【００２５】など参照）などを参照されたい。
　してみると、引用例１発明の真空処理チャンバから潤滑処理チャンバへの基板の輸送において、バッファチャンバのような隔離チャンバによって機密絶縁する（Ａ）の相違点に係る本願発明の構成は、当業者が容易に想到し得る程度のことというべきである。
　なお、引用例１発明において、保護膜を形成後に大気に曝すことなく続く潤滑剤の蒸着処理を行うことが行われていることが明らかであるから、係る一致点によって生じる作用効果は、明示されているか否かにかかわらず、もともと有しているのであり、その作用効果をもって発明が異なると解することはできない。
　
　ところで、審判請求理由において、請求人は、引用例１（当審注：次の文中の引用文献１は、引用例１に相当する引用文献２の誤記である。）に対して、「この記憶媒体を得るために、保護膜が形成されたあと、保護層が大気に晒されることなく、潤滑膜が形成されればよいものです。つまり、「真空蒸着装置はスパッタリング成膜装置に隣接してあり、スパッタリング成膜装置により保護膜4としてＣを形成してから、真空蒸着装置により潤滑膜11を形成するまで試料は真空雰囲気中に維持されている。」（引用文献１の公開公報段落番号0027）の説明にように、スパッタリング成膜装置において、保護膜が形成された試料を真空雰囲気中で、真空蒸着装置へと移りし、そこで潤滑膜がその保護膜上形成されることで、引用文献１の磁気記憶媒体を製造することができます。逆にいうならば、真空蒸着装置内で、所望の潤滑膜が形成されるとき、スパッタリング装置がどのような状況にあるかは問題となりません。潤滑膜のための材料がスパッタリング装置へと流れ込んでも、潤滑膜の形成にはなんら関係なく、スパッタリング装置と真空蒸着装置とを気密に絶縁する必要がありません。
　したがって、「保護膜を形成してから、真空蒸着装置により潤滑膜を形成するまで試料は真空雰囲気中に維持されている。」との記載があるにしても、真空蒸着装置をスパッタリング成膜装置とを隣接しただけでは、両装置を気密に絶縁することを開示したことにはなりません。」（審判請求理由の平成１７年３月２５日付け手続補正書参照）と主張している。
　しかしながら、各処理に影響があるような互いに汚染が生じるような条件で処理を行うことは、技術常識上採用し得ないものであるから、請求人の前記主張は、そもそも論外の主張で失当であり、採用できない。なお、本願明細書には、独立した気密システムとすることの開示はあるが、潤滑剤のための材料がスパッタリング装置へと流れ込む問題があり、それを回避するためであることなど何ら記載されていないから、仮にその問題が従来認識されていない新規な課題であれば、主張する課題そのものが新規事項というべきであるが、そもそも当然に配慮すべきこと（課題）にすぎないのである。
　
　そして、上記相違点を総合的に勘案しても、これらの相違点に係る構成の採用は当業者が容易に想到し得る程度のものと認められ、その採用によって格別予想外の作用効果を奏しているとも認められない。
　よって、本願発明は、引用例２を勘案し引用例１発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。それ故、他の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。