【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
第１方向に並設された一つ以上の第１マイクロヒーターと、
第２方向に並設された一つ以上の第２マイクロヒーターと、を含むマイクロヒーターアレイであって、
前記一つ以上の第１マイクロヒーターの各々は、前記第１方向に延びる第１加熱部と、前記基板上に設置され前記第１加熱部を支持する第１支持体と、を含み、
前記一つ以上の第２マイクロヒーターの各々は、前記第２方向に延びる第２加熱部と、前記基板上に設置され前記第２加熱部を支持する第２支持体と、を含むことを特徴とするマイクロヒーターアレイ。
【請求項２】
前記第１方向は前記第２方向に対し直交し、前記一つ以上の第１マイクロヒーターは前記一つ以上の第２マイクロヒーターと交差することを特徴とする請求項１に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項３】
前記第１加熱部は前記第２加熱部と交差することを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項４】
前記第１加熱部または前記第２加熱部の各々は、前記第１または第２支持体にそれぞれ支持され接触している領域に対応する第１領域と、隣り合う前記第１領域の間に対応する第２領域と、をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項５】
前記第１加熱部と前記第２加熱部とが交差する領域において、前記第１加熱部と前記基板間の間隔は、前記第２加熱部と前記基板間の間隔より小さいことを特徴とする請求項３または４に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項６】
前記第１加熱部と前記第２加熱部とが交差する領域において、前記第２加熱部に開口部が形成されることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項７】
前記第２加熱部は、透明電極物質を含んでなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項８】
前記第１加熱部と前記第２加熱部とが交差する領域以外において、前記第１支持体は前記基板と第１加熱部との間に位置し、前記第２支持体は前記基板と第２加熱部との間に位置することを特徴とする請求項３〜７のいずれか一項に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項９】
前記第１加熱部と前記第２加熱部とが交差する領域以外において、前記一つ以上の第１マイクロヒーターの前記第１加熱部の両側から前記第１加熱部の長手方向に沿ってそれぞれ延びる第１連結部と、前記一つ以上の第２マイクロヒーターの前記第２加熱部の両側から前記加熱部の長手方向に沿ってそれぞれ延びる第２連結部と、をさらに含み、
前記第１支持体は、前記基板と前記第１連結部との間に位置して前記第１加熱部及び第１連結部を支持し、前記第２支持体は、前記基板と前記第２連結部との間に位置して前記第２加熱部及び第２連結部を支持することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項１０】
前記第１加熱部と前記第２加熱部とが交差する領域以外において、前記一つ以上の第１マイクロヒーターの前記第１加熱部の両側から前記第１加熱部の長手方向に沿ってそれぞれ延びる第１連結部をさらに含み、
前記第１支持体は、前記基板と前記第１連結部との間に位置して前記第１加熱部及び第１連結部を支持し、前記第２支持体は、前記基板と第２加熱部との間に位置して前記第２加熱部を支持することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項１１】
前記第１加熱部と前記第２加熱部とが交差する領域以外において、前記一つ以上の第２マイクロヒーターの前記第２加熱部の両側から前記第２加熱部の長手方向に沿ってそれぞれ延びる第２連結部をさらに含み、
前記第２支持体は、前記基板と前記第２連結部との間に位置して前記第２加熱部及び第２連結部を支持し、前記第１支持体は、前記基板と第１加熱部との間に位置して前記第１加熱部を支持することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項１２】
前記一つ以上の第１及び第２マイクロヒーターは、独立して駆動されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項１３】
前記第１方向は前記第２方向と同じであることを特徴とする請求項１に記載のマイクロヒーターアレイ。
【請求項１４】
請求項１に記載のマイクロヒーターアレイを提供する段階と、
前記マイクロヒーターアレイに電圧を印加して前記第１加熱部と前記第２加熱部との間にｐｎ接合を形成する段階と、を含んでなることを特徴とするｐｎ接合の形成方法。
【請求項１５】
前記第１方向は前記第２方向に対し直交し、前記一つ以上の第１マイクロヒーターは前記一つ以上の第２マイクロヒーターと交差することを特徴とする請求項１４に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項１６】
前記マイクロヒーターアレイをチャンバ内に備える段階と、
前記一つ以上の第１及び第２マイクロヒーターの少なくとも一つに電圧を印加する段階と、
前記チャンバ内部へソースガス及びｐ−型ドーピングガスを注入する段階と、
電圧を印加した前記第１加熱部及び第２加熱部の少なくとも一つにｐ−型物質層を成長させる段階と、
前記チャンバ内部へソースガス及びｎ−型ドーピングガスを注入する段階と、
前記ｐ−型物質層上にｎ−型物質層を成長させる段階と、を含むことを特徴とする請求項１４または１５に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項１７】
触媒層及びバッファー層の少なくとも一つを前記第１及び第２加熱部の少なくとも一つに形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項１８】
前記ｐ−型物質層及びｎ−型物質層の間にＩｎＸＧａ１−ＸＮ層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６または１７に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項１９】
前記第１及び第２加熱部の少なくとも一つに電圧を印加して前記ｐ−型物質層とｎ−型物質層を加熱する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６〜１８のいずれか一項に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項２０】
前記第１方向は前記第２方向と同じであり、前記一つ以上の第１及び第２マイクロヒーターは互いに交互に配置されることを特徴とする請求項１４に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項２１】
前記ｐｎ接合を形成する段階は、前記第１加熱部または前記第２加熱部の一つにｐ−型物質層と、前記第１加熱部または前記第２加熱部の残りの一つにｎ−型物質層と、をそれぞれ形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載のマイクロヒーターアレイを利用したｐｎ接合の形成方法。
【請求項２２】
前記マイクロヒーターアレイを真空チャンバ内に備える段階と、
前記一つ以上の第１マイクロヒーターに電圧を印加する段階と、
前記チャンバ内部へソースガス及びｐ−型ドーピングガスを注入する段階と、
前記第１加熱部にｐ−型物質層を成長させる段階と、
前記一つ以上の第２マイクロヒーターに電圧を印加する段階と、
前記チャンバ内部へソースガス及びｎ−型ドーピングガスを注入する段階と、
前記ｐ−型物質層と接するようにｎ−型物質層を前記第２加熱部に成長させる段階と、を含むことを特徴とする請求項２１に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項２３】
前記第１加熱部または第２加熱部の各々は、前記第１または第２支持体に支持され接触している領域に対応する第１領域と、隣り合う前記第１領域の間に対応する第２領域と、に区画する段階と、
前記第１加熱部の第２領域にそれぞれｐ−型物質層を形成する段階と、
前記第２加熱部の第２領域にそれぞれｎ−型物質層を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項２４】
前記第１及び第２加熱部の少なくとも一つに電圧を印加して前記ｐ−型物質層とｎ−型物質層を加熱する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか一項に記載のｐｎ接合の形成方法。
【請求項２５】
請求項１に記載のマイクロヒーターアレイと、前記一つ以上の第１マイクロヒーターと第２マイクロヒーターとの間に形成される一つ以上のｐｎ接合と、を含み、
前記一つ以上のｐｎ接合は、前記一つ以上の第１加熱部と第２加熱部との間に形成されるｐ−型物質層及びｎ−型物質層を含むことを特徴とするｐｎ接合素子。
【請求項２６】
前記第１方向は前記第２方向に対し直交し、前記一つ以上の第１マイクロヒーターは前記一つ以上の第２マイクロヒーターと交差することを特徴とする請求項２５に記載のｐｎ接合素子。
【請求項２７】
前記第１及び第２加熱部は、前記ｐ−型及びｎ−型物質層の各々に電圧を印加する電極として使用されることを特徴とする請求項２５または２６に記載のｐｎ接合素子。
【請求項２８】
前記第１方向は前記第２方向と同じであることを特徴とする請求項２５に記載のｐｎ接合素子。
【請求項２９】
前記第１及び第２加熱部は、前記ｐ−型及びｎ−型物質層の各々に電圧を印加する電極として使用されることを特徴とする請求項２８に記載のｐｎ接合素子。