【事件の表示】
　特願２００２−３６５６３６「半導体ウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月１５日出願公開、特開２００４−２００３１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本願は、平成１４年１２月１７日の特許出願であって、平成２０年１１月４日付で拒絶査定がなされ、同年１２月１１日に査定を不服とする審判が請求されたものである。
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載された事項により特定されるとおり、以下のものであると認める。　
「【請求項１】　研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、研磨された半導体ウェーハを、洗浄液を用いて洗浄する工程とを含む半導体ウェーハの製造方法において、
　前記研磨工程の後に、
　半導体ウェーハをＨＦ洗浄するＨＦ洗浄工程と、
　半導体ウェーハを、半導体ウェーハ内部の銅またはニッケルが表面に析出されたとき１０９atoms／cm２以下になるように、銅またはニッケルの濃度が５０ppt以下になっているＳＣ−１洗浄液を用いてＳＣ−１洗浄するＳＣ−１洗浄工程と
　を実施するとともに、
　ＳＣ−１洗浄液は、銅またはニッケルの濃度が５０pptに到達しないサイクルで交換されること
　を特徴とする半導体ウェーハの製造方法。」
　
２．引用例
　これに対して、本件出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物であって、原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−２１１８３１号公報（以下「引用例」という。）の記載内容は以下のとおりである。
　
2.1　引用例記載の事項
　引用例には以下の事項が記載されている。
ａ．（第1頁左欄下から第５行〜同最下行）
「【〔産業上の利用分野】
　本発明は、半導体基板の洗浄方法に関する。本発明は、例えば、半導体装置製造の際の半導体基板、例えばシリコン基板の洗浄等に利用することができる。」
ｂ．（第1頁右欄第１〜９行）
「【発明の概要】
　本発明は、弗酸溶液による洗浄工程と、アンモニア水と過酸化水素水とを含む液による洗浄工程とを少なくとも有する半導体基板の洗浄方法において、弗酸溶液による洗浄工程を、アンモニア水と過酸化水素水とを含む液による洗浄工程に先立って行うようにすることによって、パーティクル付着の少ない半導体基板洗浄を達成したものである。」
ｃ．（第２頁左上欄第１７行〜同頁右上欄第３行）
「半導体基板の洗浄は種々の場合に行われ、例えばpre-oxidationと称される当初の段階でのシリコン基板の酸化の前や、あるいはゲート酸化膜形成用の酸化の前や、あるいは犠牲酸化と称される、窒化膜から発生するＮＨ３により下地シリコンが窒化されることを防ぐ酸化膜の形成の前などに行われ、その他各種の局面で行われる」
ｄ．（第２頁右下欄第９行〜第３頁左上欄第４行）
「実施例−１
　この実施例は、本発明を、シリコン半導体基板の洗浄に利用したものである。特に６インチシリコンウエハを、その表面をpre-oxidationするに先立って洗浄する場合に、本発明を適用した。
　本実施例では、第１図に示す工程で洗浄を行った。
　即ち、この洗浄方法は、弗酸溶液による洗浄工程Ｃ〔ＨＦ〕と、アンモニア水と過酸化水素水とを含む液による洗浄工程Ｃ〔ＮＨ３〕とを有するが、上記弗酸溶液による洗浄工程Ｃ〔ＨＦ〕を、アンモニア水と過酸化水素水を含む液による洗浄工程Ｃ〔ＮＨ３〕に先立って行った。具体的には第（I）工程で洗浄工程Ｃ〔ＨＦ〕を行い、第（II）工程のリンス工程Ｒ１を介して、第（III）工程で上記洗浄工程Ｃ〔ＮＨ３〕を行った。」
　
2.2　引用例記載の発明
　引用例記載の事項を本件発明の記載に照らして整理すると引用例には以下の発明が記載されていると認める。
「半導体装置製造の際の半導体基板であるシリコンウエハを、必要に応じて各種の局面で洗浄液を用いて洗浄する半導体基板の洗浄方法において、                  弗酸溶液による洗浄工程Ｃ〔ＨＦ〕を、アンモニア水と過酸化水素水を含む液による洗浄工程Ｃ〔ＮＨ３〕に先立って行う半導体基板の洗浄方法。」
　
３．対比
　本件発明と引用例記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例記載の発明の「半導体基板であるシリコンウエハ」及び「弗酸溶液による洗浄工程Ｃ〔ＨＦ〕」が、それぞれ本件発明の「半導体ウェーハ」及び「ＨＦ洗浄工程」に相当することは明らかである。
　また、引用例記載の発明の「アンモニア水と過酸化水素水を含む液による洗浄工程Ｃ〔ＮＨ３〕」は、アンモニア水と過酸化水素水を含む液、すなわち、ＳＣ−１洗浄液を用いた洗浄工程であるという限りで、本件発明の「ＳＣ−１洗浄工程」と共通している。
　また、引用例記載の発明は「半導体基板の洗浄方法」として表現されているが、半導体装置製造の際の半導体ウェーハの洗浄方法であり、当該ウェーハの製造方法の一部をなすものであることからみて、洗浄液を用いて洗浄する工程を含む「半導体ウェーハの製造方法」としても表現できるものである。
　したがって、本件発明と引用例記載の発明とは、以下の点で一致している。
【一致点】
「半導体ウェーハを、洗浄液を用いて洗浄する工程を含む半導体ウェーハの製造方法において、
　半導体ウェーハをＨＦ洗浄するＨＦ洗浄工程と、
　半導体ウェーハをＳＣ−１洗浄液を用いてＳＣ−１洗浄するＳＣ−１洗浄工程と　を実施する半導体ウェーハの製造方法。」である点。
　そして、本件発明と引用例記載の発明とは、以下の２点で相違している。
【相違点１】
　本件発明では、研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程を含んでおり、この研磨工程の後に研磨された半導体ウェーハを洗浄しているのに対して、引用例記載の発明では、そのようになっているのかどうか明らかでない点。
【相違点２】
　本件発明では、ＳＣ−１洗浄工程において、半導体ウェーハ内部の銅またはニッケルが表面に析出されたとき１０９atoms／cm２以下になるように、銅またはニッケルの濃度が５０ppt以下になっているＳＣ−１洗浄液を用いてＳＣ−１洗浄するとともに、ＳＣ−１洗浄液は、銅またはニッケルの濃度が５０pptに到達しないサイクルで交換されるのに対して、引用例記載の発明では、そのようになっていない点。
　
４．相違点についての検討
　以下に、上記各相違点について検討する。
　
4.1　【相違点１】について                            　
　半導体ウェーハの製造方法において、研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、この研磨工程の後に、研磨された半導体ウェーハを、洗浄液を用いて洗浄する工程とを含むことは、特に例示するまでもなく従来周知である。
　そして、引用例記載の発明は、半導体ウェーハを、必要に応じて各種の局面で洗浄するものであり、また、研磨スラリを用いて研磨された半導体ウェーハの洗浄には不適であるとする特段の事由も見当たらない。
　そうしてみると、引用例記載の発明を、研磨スラリを用いて研磨された半導体ウェーハの洗浄に適用することに格別の困難性はない。
　
4.2　【相違点２】について              
　半導体ウェーハの製造方法において、半導体ウェーハを洗浄する目的が、その製造過程で半導体ウェーハに不可避的に付着するパーティクルを除去するとともに、同様に付着する汚染金属を除去する点にあることは周知である。また、汚染金属の除去に着目した場合、ＨＦ洗浄液は、当該洗浄液中に持ち込まれた汚染金属が半導体ウェーハに再付着しにくいことと、これに対して、ＳＣ−１洗浄液は、その液中の汚染金属が半導体ウェーハに付着して金属汚染を惹起することは、いずれも従来周知である。（ＨＦ洗浄液については、例えば、特開平６−３１４６７９号公報の段落【００１９】、ＳＣ−１洗浄液については、例えば、特開平１０−９８０１８号公報の段落【０００２】、特開平７−２８３１８２号公報の段落【０００４】をそれぞれ参照のこと。）
　そうしてみると、引用例記載の発明を、研磨スラリを用いて研磨された半導体ウェーハの洗浄に適用した場合、ＳＣ−１洗浄工程において、半導体ウェーハを、半導体ウェーハに付着する汚染金属が、最終製品としての性能に悪影響を及ぼすことのない、ある閾値以下となるように、汚染金属の濃度が所定値以下になっているＳＣ−１洗浄液を用いて洗浄するとともに、ＳＣ−１洗浄液は、汚染金属の濃度が上記所定値に到達しないサイクルで交換されるように構成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　そして、本件発明では、汚染金属として「銅またはニッケル」を特定しているが、例えば、本件出願の明細書の段落【００１０】に「汚染金属の種類には、銅（Ｃu）、ニッケル（Ｎi）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆe）などがある。」と記載されているよう、「銅またはニッケル」は、汚染金属の単なる例示にすぎず、汚染金属を「銅またはニッケル」に特定した点に格別の発明性はない。
　また、本件発明では、半導体ウェーハに付着する汚染金属の上記閾値として「半導体ウェーハ内部の銅またはニッケルが表面に析出されたとき１０９atoms／cm２」を、そして、ＳＣ−１洗浄液における汚染金属の濃度の所定値として「５０ppt」をそれぞれ特定しているが、いずれの値も実験を繰り返すなどして適宜設定し得る単なる設計的事項にすぎない。
　
4.3 　まとめ
　本件発明によってもたらされる効果にも、引用例記載の発明及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度の範囲を上回る格別のものを見出すことはできないから、本件発明は引用例記載の発明及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるあるため、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。