【事件の表示】
　平成９年特許願第１０７９７７号「液晶表示パネルとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１１月１３日出願公開、特開平１０−３０１５０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
１　本願は、平成９年４月２５日に特許出願された特願平９−１０７９７７号である。
　
２　原審における平成１７年１２月５日付の拒絶理由通知に対し、平成１８年２月１３日付の意見書及び同日付の特許請求の範囲、明細書及び図面を補正する手続補正書が提出され、さらに、原審における平成１８年３月１０日付の最後の拒絶理由通知に対し、平成１８年５月２９日付の意見書及び同日付の特許請求の範囲及び明細書を補正する手続補正書が提出されたところ、前記平成１８年５月２９日付の手続補正書による補正（以下、これを「
本件補正
　そして、本願特許出願は、前記平成１８年３月１０日付の最後の拒絶理由により、平成１８年６月１２日付で拒絶査定がなされ、その後、前記補正の却下の決定及び拒絶査定を不服として平成１８年７月２０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
３　審判請求人は、前記本件補正における請求項１に「前記遮光膜が前記ＴＦＴの両側の側面を覆っている」の事項を追加する補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定する、いわゆる新規事項の追加には該当しないから、上記本件補正は、同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものではない、よって、本願特許出願は拒絶されるべきものではない旨を主張している。
　
第２　補正の却下の決定の当否に対する判断
１　本件補正の内容
　本件補正は、平成１８年２月１３日付の手続補正に基づいて補正された特許請求の範囲について、
　「【請求項１】　走査信号配線及び画像信号配線と、
　前記走査信号配線及び画像信号配線に電気的に接続されたＴＦＴとを有する絶縁基板と、
　前記絶縁基板に対向する対向基板と、
　前記絶縁基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、
　前記絶縁基板側に設けられるとともに、前記走査信号配線、前記画像信号配線及び前記ＴＦＴの上に設けられた遮光膜と、
　前記絶縁基板側に設けられるとともに、前記遮光膜の上に設けられた着色層と、
　前記着色層の上に設けられた画素電極とを具備し、
　前記画素電極と前記ＴＦＴのドレイン電極との電気的接続点が前記走査信号配線上に位置する液晶表示パネル。
　　【請求項２】　請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法であって、前記着色層をレーザー照射による熱転写法で形成する液晶表示パネルの製造方法。」
の記載を、
　「【請求項１】　走査信号配線及び画像信号配線と、
　前記走査信号配線及び画像信号配線に電気的に接続されたＴＦＴとを有する絶縁基板と、
　前記絶縁基板に対向する対向基板と、
　前記絶縁基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、
　前記絶縁基板側に設けられるとともに、前記走査信号配線、前記画像信号配線及び前記ＴＦＴの上に設けられた遮光膜と、
　前記絶縁基板側に設けられるとともに、前記遮光膜の上に設けられた着色層と、
　前記着色層の上に設けられた画素電極とを具備し、
　前記画素電極と前記ＴＦＴのドレイン電極との電気的接続点が前記走査信号配線上に位置する
とともに、前記遮光膜が前記ＴＦＴの両側の側面を覆っている
　　【請求項２】　請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法であって、前記着色層をレーザー照射による熱転写法で形成する液晶表示パネルの製造方法。」
と補正することを含むものである。
　
２　本件補正における補正事項についての検討
（１）本件補正が特許法第１７条の２第３項の規定に適合するか否か、すなわち、同法第１７条の２第１項第３号（最後に受けた拒絶理由通知に係る同法第５０条の規定により指定期間内に補正をするとき）の規定によりなされた本件補正が、補正の却下の決定の理由であるところの、同法第１７条の２第３項に規定する、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、これを「
当初明細書等
　
（２）当審の判断
ア　本件補正により請求項１に新たに記載された「前記遮光膜が前記ＴＦＴの両側の側面を覆っている」の補正事項について、当初明細書等の記載事項を検討する。
　審判請求人が主張するところの、前記補正事項に関連する当初明細書等の記載事項として、当初明細書等の段落【００２５】に、「走査信号配線１２とＴＦＴ１５と
画素
　また、前記補正事項に関連する当初明細書等の記載事項として、審判請求人は言及してはいないが、当初明細書等の【００３０】にも、「次に、黒色樹脂を走査信号配線１２とＴＦＴ１５と
画素
遮向膜
　
イ　そうしてみると、当初明細書等における段落【００２５】及び【００３０】の前記記載事項の中には、請求項１に新たに記載される「前記遮光膜が前記ＴＦＴの両側の側面を覆っている」の補正事項についての本件補正の明確な根拠となる記載を見いだすことができない。
　しかしながら、当初明細書等の【図２】の「本発明の実施の形態の液晶表示基板における部分断面図」を示した「（ｂ）Ｂ−Ｂ’断面」に図示された「遮光膜１８が、半導体層２０、耐薬液性の保護膜２１、画像信号配線１４及びドレイン電極１９等からなるＴＦＴ１５の両側の側面を覆い、さらに前記遮光膜１８の上に着色層１７を介して画素電極１６が積層され、そして該画素電極１６が前記ドレイン電極１９と電気的接続をしている液晶表示基板の部分断面図」の中に、「遮光膜がＴＦＴの両側の側面を覆っている」ことが少なくとも図示されていると認めることができるから、請求項１に新たに記載される「前記遮光膜が前記ＴＦＴの両側の側面を覆っている」の補正事項は、少なくとも当初明細書等の記載した事項の範囲内でした補正であるということができる。
　
ウ　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしていないということができないから、同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものであるとした原審における補正の却下の決定は、取り消されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記「第２」欄に前述した理由により、本件補正についての補正の却下の決定が取り消されたことにより、本願発明は、前記本件補正に基づいて補正された特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、これを「
本願発明１
　「【請求項１】　走査信号配線及び画像信号配線と、
　前記走査信号配線及び画像信号配線に電気的に接続されたＴＦＴとを有する絶縁基板と、
　前記絶縁基板に対向する対向基板と、
　前記絶縁基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、
　前記絶縁基板側に設けられるとともに、前記走査信号配線、前記画像信号配線及び前記ＴＦＴの上に設けられた遮光膜と、
　前記絶縁基板側に設けられるとともに、前記遮光膜の上に設けられた着色層と、
　前記着色層の上に設けられた画素電極とを具備し、
　前記画素電極と前記ＴＦＴのドレイン電極との電気的接続点が前記走査信号配線上に位置するとともに、前記遮光膜が前記ＴＦＴの両側の側面を覆っている液晶表示パネル。」
　
２　引用刊行物
（１）原審における最後の拒絶理由に引用された刊行物であって本願特許出願前に頒布された特開平２−５４２１７号公報（以下、「
引用刊行物１
「（１）複数の走査電極線およびこの走査電極線と交差する複数の信号電極線の各交点に能動素子および画素電極等を形成してなる能動素子アレイ基板と、カラー表示のためのカラーフィルタおよびブラックマトリクスと、上記能動素子基板と対向する対向電極基板と、上記両基板間に挟持された表示材料とを有するマトリクス型表示装置において、
　上記カラーフィルタおよびブラックマトリクスは上記能動素子アレイ基板上に接し、該能動素子アレイ基板と一体化して構成されていることを特徴とするマトリクス型表示装置。」（１頁左欄５〜１６行）
「〔産業上の利用分野〕
　この発明は、能動素子アレイ基板と、カラー表示のためのカラーフィルタおよびブラックマトリクスと、上記能動素子基板と対向する対向電極基板とを備え、上記両基板間に液晶等の表示材料を挟持した構造のマトリクス型表示装置に関するものである。」（１頁左欄１８行〜同頁右欄４行）
「〔課題を解決するための手段〕
　この発明に係るマトリクス型表示装置は、カラー表示のためのカラーフィルタおよびブラックマトリクスを能動素子アレイ基板上に接し、該能動素子アレイ基板と一体化して構成したものである。
〔作用〕
　この発明においては、カラー表示のためのカラーフィルタおよびブラックマトリクスを能動素子アレイ基板上に接し、該能動素子アレイ基板と一体化して構成したから画素電極とカラーフィルタの位置合わせ精度が高く、実効的な開口率が高く、色ズレのないものが得られ、またその製造歩留りも高くできる。
〔実施例〕
　以下、この発明の一実施例を図について説明する。
　第１図は本発明の一実施例によるマトリクス型表示装置を示す断面図であり、図において、第７図と同一符号は同一または相当部分であり、図に示すように、カラーフィルタ１０，１１，１２およびブラックマトリクス１３は、ＴＦＴ４等の能動素子を備えた能動素子アレイ基板８側に形成されている。
　本発明の能動素子アレイ基板８は第３図、第４図、及び第５図に示すように、ガラス等の透明な基板上にＩＴＯ等の透明導電膜よりなる画素電極５を例えば反応性スパッタ法を用いて成膜し、パターニングして形成する。次いでクロム（Ｃｒ）等よりなるゲート電極線２をスパッタ法等で成膜し、パターニングして形成する。この後ゲート絶縁膜１７，アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等の半導体１５および図示しないリン（Ｐ）等の半導体不純物をドープしたＮ型アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ（ｎ））等をプラズマＣＶＤ法等を用いて連続的に成膜した後にａ−Ｓｉ等よりなる半導体１５，ゲート絶縁膜１７を各々所望形状のパターンに加工する。そして、ソース電極線２およびドレイン電極３として例えばＡｌをスパッタ法等で形成し、ドレイン電極３と画素電極５を接続するとともにソース電極線２とドレイン電極３間のａ−Ｓｉ（ｎ）をエッチング除去して、ＴＦＴ４，ドレイン電極３によりＴＦＴ４に接続された画素電極５，ゲート電極線１，およびソース電極線２よりなるマトリクス電極配線が完成する。この後、必要に応じて該マトリクス電極配線構造の機能を検査し、選別してもよい。次に、例えばゼラチンを主体とした染色法で能動素子アレイ基板８上の画素電極５の上部にカラーフィルタ１０，１１，１２、およびブラックマトリクス１３をそれぞれの色が所定の色配列になるように、順次ゼラチン形成〜染色のプロセスを繰り返して形成する。これらカラーフィルタ１０，１１，１２、およびブラックマトリクス１３を形成する際には能動素子アレイ基板８上に形成された図示しない写真製版用の高精度位置決め用レジスターマークを使用する。
　このようにして作成された能動素子アレイ基板８を用いて構成される本実施例によるマトリクス型表示装置では、
　
丸１
　
丸２
　
丸３
　
丸４
　なお、上記実施例では、ＴＦＴ４等の能動素子の上部にブラックマトリクス１３、カラーフィルタ１０，１１，１２等を直接形成したが、ＴＦＴ４等の上部にこれら能動素子の特性を安定させるための保護膜として、ＳｉＮ、またはＳｉＯ２膜１６を形成してからカラーフィルタ１０，１１，１２、ブラックマトリクス１３を形成してもよい。
　また、上記実施例では、能動素子アレイ基板８の画素電極５の上部にブラックマトリクス１３およびカラーフィルタ１０，１１，１２等を形成したが第２図に示すように、カラーフィルタ１０，１１，１２およびブラックマトリクス１３を形成してから画素電極５を形成し、ドレイン電極３に接続するようにしてもよい。この構成の例ではＴＦＴ４を介して供給されるビデオ信号が効果的に液晶６等の表示材料に伝達できる特徴を有している。」（３頁右上欄１行〜４頁左下欄７行）
　「〔発明の効果〕
　以上のように、この発明によればマトリクス型表示装置において、カラー表示のためのカラーフィルタおよびブラックマトリクスを能動素子アレイ基板上に接し、一体化して構成したから画素電極とカラーフィルタの位置合わせ精度が高く、実効的な開口率が高く、色ズレのないものが得られ、またその製造歩留りも高くできるという効果を有する。」（４頁左下欄１７行〜同頁右下欄５行）
　
　そして、引用刊行物１の第３図には、マトリクス状に配線されたゲート電極線１とソース電極線２とに囲まれた領域の一隅角部に、半導体１５等からなるＴＦＴ４が形成されている、マトリクス型表示装置の能動素子アレイ基板を示す平面図が記載されている。また、同第４図には、ＴＦＴアレイ基板８上に配線されたゲート電極線１の上にゲート絶縁体１７を介して半導体１５が配置され、前記ゲート絶縁体１７と前記半導体１５の上部両側にそれぞれソース電極線２とドレイン電極３とが形成され、前記ソース電極線２及びドレイン電極３の上に保護層１６を介して、ブラックマトリクス１３が積層されるとともに、前記ＴＦＴアレイ基板８上に積層されたゲート絶縁体１７に隣接して、前記ＴＦＴアレイ基板８上に画素電極５がドレイン電極３に電気的接続するように形成され、さらにカラーフィルタ（赤）１０が前記画素電極５及びブラックマトリクス１３の上に積層されている、第３図に示されたマトリクス型表示装置の能動素子アレイ基板の断面図が示されている。さらに、第２図には、ＴＦＴアレイ基板８上に形成されたＴＦＴ４に隣接してＴＦＴアレイ基板８上に配置されるカラーフィルタ（赤）１０、カラーフィルタ（緑）１１及びカラーフィルタ（青）１２の各カラーフィルタの上面と前記ＴＦＴ４の上面とにブラックマトリクス１３が積層され、さらに該ブラックマトリクス１３の上面と前記カラーフィルタの各上面とに画素電極５が形成され、該画素電極５が前記ＴＦＴ４に接続するように形成されたＴＦＴアレイ基板８を有する能動素子アレイ基板と、表面に対向電極１４を有する対向電極基板９との間に、液晶６が挟持されているマトリクス型表示装置の断面図が示されている。
　
　そうすると、上記引用刊行物１における前記摘記事項及び添付図面における記載からみて、引用刊行物１には、次の発明（以下、これを「
引用発明
　「ＴＦＴアレイ基板８上にマトリクス状に配線されたゲート電極線１とソース電極線２とに囲まれた領域の一隅角部に、前記ゲート電極線１の上にゲート絶縁体１７を介して積層された半導体１５の上部両側にそれぞれソース電極線２とドレイン電極３とが形成され、前記半導体１５のドレイン電極３に画素電極５が電気的接続するようにしてＴＦＴ４が形成されたマトリクス型表示装置の能動素子アレイ基板と、表面に対向電極１４を有する対向電極基板９との間に、液晶６が挟持されているマトリクス型表示装置において、
　前記能動素子アレイ基板が、ＴＦＴアレイ基板８上に形成された前記ＴＦＴ４に隣接してＴＦＴアレイ基板８上に配置されるカラーフィルタ（赤）１０、カラーフィルタ（緑）１１及びカラーフィルタ（青）１２の各カラーフィルタの上面と前記ＴＦＴ４の上面とにブラックマトリクス１３が積層され、さらに該ブラックマトリクス１３の上面と前記カラーフィルタの各上面とに画素電極５が形成され、該画素電極５が前記ＴＦＴ４に接続するように形成されたマトリクス型表示装置」
　
（２）原審における最後の拒絶理由に引用された刊行物であって本願特許出願前に頒布された特開平８−１２２８２４号公報（以下、「
周知技術文献１
「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明はカラー表示装置に関する。より詳しくは、画素電極を駆動するスイッチング素子が形成された駆動基板側にカラーフィルタを備えた構造を有するアクティブマトリクス型のカラー表示装置に関する。」
「【０００８】【実施例】　以下、本発明にかかるカラー表示装置の好適な実施例を詳細に説明する。図１は第一実施例の要部を示す模式的な断面図である。図１において、０はガラス等の絶縁材料からなるＴＦＴ基板、１は画素（液晶セル）を構成する透明な画素電極、２はＴＦＴの活性層となる半導体薄膜、３はゲート電極、４は第一層間絶縁膜、５は第二層間絶縁膜、６はＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する信号ライン側の配線電極、７は同じくＴＦＴのドレイン領域Ｄに電気接続する画素電極１側の配線電極、８はＴＦＴを遮光するブラックマスク、９は細分化されたセグメント９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの集合からなるカラーフィルタ、１０は平坦化膜、１１は透明導電膜からなる対向電極、１２は対向基板、１３は電気光学物質として用いられる液晶である。
　【０００９】　ガラス等の透明絶縁基板０上に薄膜トランジスタＴＦＴを構成する半導体薄膜２、例えば多結晶シリコン薄膜が形成され、この半導体薄膜２上にゲート絶縁膜を介してゲート電極３がパタニング形成されている。かかる構成を有するＴＦＴはＰＳＧ等からなる第一層間絶縁膜４により被覆されている。第一層間絶縁膜４の上にはソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに接続する配線電極６，７がパタニング形成されている。これらの配線電極６，７は同じくＰＳＧ等からなる第二層間絶縁膜５により被覆されている。この上にはブラックマスク８、カラーフィルタ９、平坦化膜１０、ＩＴＯ等の透明導電膜等からなる画素電極１がこの順序で形成されている。ドレイン領域Ｄ側の配線電極７は金属膜からなるブラックマスク８を介して画素電極１と電気的に接続している。配線電極７と画素電極１の間に介在するこの金属膜はバリヤフィルムとして機能し、両電極７，１間の電気的な接触を良好なものとしている。なお、このバリヤフィルムはブラックマスク８と同一の金属膜であれば良く、バリヤフィルム自体が下地のＴＦＴを遮光する位置になくても良い。一方、対向電極１１が全面に形成されたガラス等からなる対向基板１２はＴＦＴ基板０に対向して配置され、両基板０，１２間に液晶１３が保持されカラー表示装置を構成する。」
「【００１１】　第二層はカラーフィルタ９に加えてブラックマスク８を含んでおり、少なくともＴＦＴを遮光している。オンチップカラーフィルタ構造に加えオンチップブラック構造が実現でき、画素の高精細化及び高開口率化を促進できる。本例では、ブラックマスク８は金属膜からなり、第四層に属する画素電極１はこの金属膜を介して第一層に属するＴＦＴの配線電極７に電気接続している。この金属膜はバリヤフィルムとして機能し両電極１，７の電気接続を良好なものとする。ＴＦＴは画素電極１を駆動するスイッチング素子であり、本例ではトップゲート型構造を採用している。」
「【００１３】　続いて、……。この上に、遮光性を有する金属膜、例えばＴｉ，Ａｌ，ＴｉＮｘ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ又はこれらのシリサイドをスパッタ等の手段により５０〜１０００ｎｍ程度の厚みで成膜し、所定の形状にパタニングしてブラックマスク８に加工する。
　【００１４】　このブラックマスク８上に、例えば顔料を分散した有機感光材料からなるカラーレジストを０．５〜３．０μｍ程度の膜厚で塗布し、露光、現像、焼成を行ない、カラーフィルタ９の各セグメントを形成する。この工程は、ＲＧＢ毎に異なったカラーレジストを用い、上述した露光、現像、焼成を３回繰り返し、セグメント９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを集積形成する。
　【００１５】　このカラーフィルタ９上に、有機透明材料からなる平坦化膜をスピンコートし、１．０〜３．０μｍ程度の膜厚で塗布する。……。次いで、例えばＩＴＯ等からなる透明導電膜を５０〜２００ｎｍの厚みでスパッタ等により成膜し、所定の形状にパタニングして画素電極１に加工する。以上で図１に示したＴＦＴ基板０の積層構造が完成する。この後、配向膜を塗布しラビング処理後、所定の間隙を介して対向基板１２と接合する。この間隙に液晶１３を注入して、アクティブマトリクス型のカラー表示装置が完成する。」
「【００１８】　図４は、本発明にかかるカラー表示装置の第四実施例を示す模式的な部分断面図である。基本的には図１に示した第一実施例と同様であり、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。異なる点は、第一実施例がトップゲート型のＴＦＴを採用したのに対し、本実施例はボトムゲート型のＴＦＴを画素電極駆動用のスイッチング素子に用いている。……。次いで、金属膜、例えばＴｉ，Ａｌ，ＴｉＮｘ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ又はこれらの金属シリサイド等をスパッタ法等により５０〜１０００ｎｍ程度の厚みで成膜し、所定の形状にパタニングしてブラックマスク８に加工する。このブラックマスク８の上にカラーフィルタ９を形成する。この形成方法は第一実施例と同様である。さらに、カラーフィルタ９を被覆する様に平坦化膜１０を成膜する。」
「【００１９】【発明の効果】　以上説明した様に、本発明によれば、カラーフィルタと画素電極は平坦化膜を介して隔てられている為、カラーフィルタの表面がスパッタダメージを受ける事はなく、フィルタの表面荒れの問題は解決できた。さらにカラーフィルタ中に含まれる不純物の液晶層への拡散を防ぐ事ができる。又、カラーフィルタの段差も平坦化膜で緩和される為、段差起因のリバースチルトドメインも大幅に減少した。以上により、実用的なオンチップカラーフィルタ構造を提供する事が可能になった。勿論、オンチップカラーフィルタ構造では、画素部の開口率を大きくとれ、又画素電極とカラーフィルタのアライメント誤差が殆んどなくなるので、画素部が微細化しても高開口率を保持できる様になり、アクティブマトリクス型カラー表示装置の高開口率化及び高透過率化に大きな効果が得られる。」
　そして、周知技術文献１の【図１】ないし【図４】には、ＴＦＴ上に形成されたブラックマスク８と、前記ブラックマスク８の上に形成されたカラーフィルタ９と、前記カラーフィルタ９の上に形成された画素電極１が順に積層された、オンチップカラーフィルタ構造及びオンチップブラック構造を有するアクティブマトリクス型カラー表示装置の要部断面図が図示されている。
　
（３）原審における最後の拒絶理由に引用された刊行物であって本願特許出願前に頒布された特開平６−２４２４３３号公報（以下、「
周知技術文献２
「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。より詳しくは、画素電極とスイッチング用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とが集積的に形成されたアクティブマトリクス基板の平坦化技術に関する。」
「【００３０】　図１８はカラーフィルタ層をアクティブマトリクス基板側に設けた本発明にかかるアクティブマトリクス型カラー液晶表示装置の実施例を示す模式的な断面図である。図示する様に、本カラー液晶表示装置は所定の間隙を介して対面配置されたアクティブマトリクス基板７１、対向基板７２と両基板の間隙内に挿入された液晶７３とから構成されている。絶縁基板７４の表面にはＴＦＴが集積的に形成されている。ＴＦＴは島状にパタニングされた第一ポリシリコン７５と、ゲート絶縁膜７６を介してパタニング形成されたゲート電極７７とから構成されている。このゲート電極７７は例えば第二ポリシリコンからなる。このＴＦＴは第一層間絶縁膜７８により被覆されている。ＴＦＴのソース領域Ｓには第一層間絶縁膜７８に設けられた第一コンタクトホール７９を通して金属配線パタン８０が電気接続している。この金属配線パタン８０は第二層間絶縁膜８１により被覆されている。さらに、その上にはパッシベーション膜８２がパタニング形成されている。このパッシベーション膜８２は、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたｐ−ＳｉＮからなる。パッシベーション膜８２の上には遮光膜８３が形成されており、ＴＦＴを遮閉する。ＴＦＴや金属配線膜８０の凹凸を埋める様に平坦化膜８４が堆積されている。この平坦化膜８４は１μｍ〜２μｍ程度の凹凸を埋める為、少なくとも２．０μｍ程度の膜厚を有する。平坦化膜８４、第二層間絶縁膜８１、第一層間絶縁膜７８を挿通して第二コンタクトホール８５が設けられている。第二コンタクトホール８５の内部及びその周辺は金属からなる遮光層８６により被覆されている。この第二コンタクトホール８５を介して画素電極８７がＴＦＴのドレイン領域Ｄに電気接続している。本実施例の特徴事項として、画素電極８７に整合する平坦化層８４の部分は所定の色相で着色処理されており、カラーフィルタを構成する。平坦化層８４の選択的な着色処理は、例えば染色法等を用いる事ができる。従来と異なり、カラーフィルタをアクティブマトリクス基板７１側に一体的に設ける事により、画素電極とカラーフィルタのアライメントマージンを考慮する必要がなくなる。なお、画素電極８７の表面は配向膜８８により被覆されている。一方、対向電極７２の内表面には対向電極８９及び配向膜９０が重ねて成膜されている。上下一対の配向膜９０，８８により挟持された液晶７３は所望の配向状態に均一制御される。」
　そして、周知技術文献２の【図１８】には、ＴＦＴ上に形成された遮光膜８３と、前記遮光膜８３の上に形成された平坦化層８４を兼ねるカラーフィルタと、前記平坦化層８４を兼ねるカラーフィルタの上に形成された画素電極８７が順に積層され、カラーフィルタをアクティブマトリクス基板７１側に一体的に設けたアクティブマトリクス型カラー液晶表示装置のオンチップカラーフィルタ構成の断面図が図示されている。
　
（４）原審における最後の拒絶理由に引用された刊行物であって本願特許出願前に頒布された特開平９−５４３４２号公報（以下、「
周知技術文献３
「【０００１】【発明の属する技術分野】　本発明は液晶表示パネルに関し、特に薄膜電界効果型トランジスタおよび電極をもつ透明絶縁性基板で液晶を挟んだ構造の液晶表示パネル及びその製造方法に関する。」
「【００４５】【実施形態１】　図１は、本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス液晶表示パネルのＴＦＴアレイの画素部を示す平面図であり、図２（Ａ）は、図１のＡ−Ａ′線の断面を示し、図２（Ｂ）は、図１のＢ−Ｂ′線の断面を示している。
　【００４６】　図１及び図２を参照して、ガラス板等の透光性絶縁基板（「ガラス基板」ともいう）９の上に複数の走査線１と複数の信号線２とを交差させて格子状に配置する。
　【００４７】　各格子内には、走査線１と信号線２の交点近傍に配置されるＴＦＴと、このＴＦＴから駆動される画素電極６とから構成される１組のアクティブ画素エレメントがそれぞれ配置される。
　【００４８】　ＴＦＴは走査線１をゲート電極とし、ゲート電極上に絶縁膜（ゲート絶縁膜）１０を介して設けられた非晶質シリコン膜１１からなるチャネル部と、非晶質シリコン膜１１の表面上に設けられたドレイン電極３およびソース電極４からなる。
　【００４９】　そして、非晶質シリコン膜１１、ドレイン電極３、およびソース電極４を覆うように、保護絶縁膜１２が設けられている。
　【００５０】　さらに、保護絶縁膜１２上には、信号線２と、ソース電極４を画素電極６に電気的に接続する配線７とが配置されている。
　【００５１】　信号線２とドレイン電極３とは、ドレイン電極３上に形成されたコンタクトホール５を介して接続されている。」
「【００７３】【実施形態２】　次に、本発明の第２の実施形態を説明する。図３は、本発明の第２の実施形態のアクティブマトリクス液晶表示パネルのＴＦＴアレイの画素部の平面図を示す。図４（Ａ）は、図３におけるＣ−Ｃ′線の断面を示し、図４（Ｂ）は、図３におけるＤ−Ｄ′線の断面を示す。
　【００７４】　図３及び図４を参照して、ガラス板などの透光性絶縁基板９の上に複数の走査線１と複数の信号線２とを交差させて格子状に配置する。各格子内には、走査線１と信号線２の交点近傍に配置されるＴＦＴと、このＴＦＴから駆動される画素電極６とから構成される１組のアクティブ画素エレメントがそれぞれ配置される。
　【００７５】　ＴＦＴは走査線１をゲート電極とし、ゲート電極上に絶縁膜１０を介して設けられた非晶質シリコン膜１１からなるチャネル部と、非晶質シリコン膜１１の表面上に設けられたドレイン電極３およびソース電極４からなる。
　【００７６】　さらに、非晶質シリコン膜１１およびドレイン電極３およびソース電極４を覆うように、保護絶縁膜１２が設けられている。そして、保護絶縁膜１２上には信号線２、および、ソース電極と画素電極をつなぐ配線７、および、ＴＦＴ遮光層２４が配置されている。
　【００７７】　この時、ソース電極４と画素電極６をつなぐ配線７は、図３に示すように、画素電極６の周囲を覆い、互いに隣りあう走査線と重なるように配置する。
　【００７８】　画素電極６とこれに隣りあう２本の信号線２との間には、それぞれ信号線とオーバーラップさせるパタン１４を設ける。
　【００７９】　このパタン１４上には信号線２と十分離れたところにコンタクトホール５″を形成し、ソース電極４と画素電極６をつなぐ配線７によりパタン１４の最下層の金属層１６と接続する（図４（Ａ）参照）。
　【００８０】　信号線２とドレイン電極３とは、ドレイン電極３上に形成されたコンタクトホール５を介して接続されている。さらに、ＴＦＴ遮光層２４はＴＦＴのチャネル部を覆うように形成されている。」
「【０１０２】【実施形態３】　次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
　【０１０３】　図５は、本発明の第３の実施形態に基づくＴＦＴ部の平面図である。図６（Ａ）は、図５のＥ−Ｅ′の断面図、図６（Ｂ）は、図５のＦ−Ｆ′の断面図を示したものである。
　【０１０４】　本発明の第３の実施形態のアクティブマトリクス液晶パネルでは、前記第１の実施形態のパネルとＴＦＴのソース・ドレイン電極部を除いては全く同じ構造をとる。
　【０１０５】　本実施形態の場合は、ＩＴＯ等の透明電極で構成されたドレイン電極３およびソース電極４の下および周囲にイオンドーピングにより形成したｎ型非晶質シリコン層１７を有する。
　【０１０６】　また、ドレイン電極３と信号線２を接続するためのコンタクトホール、およびソース電極４と配線７（ソース電極４と画素電極６をつなぐ）を接続するためのコンタクトホールは、サイドエッチさせることにより、１９に示す形状をとる。」
　そして、周知技術文献３の【図１】、【図３】及び【図５】のそれぞれには、画素電極６が、ソース電極４と画素電極６をつなぐ配線７を介して、ＴＦＴのソース電極４と電気的接続をするコンタクトホール５’が、走査線１上に配置されている平面図が図示されている。
　
（５）本願特許出願前に頒布された刊行物である特開平２−１７６７２６号公報（以下、「
周知技術文献４
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、複数の画素をマトリクス配列してなる液晶表示装置に関する。」（１頁左欄１２〜１４行）
「〔課題を解決するための手段〕
　本発明は、スイッチングトランジスタを有する複数の画素がマトリクス配列されてなる液晶表示装置において、上記スイッチングトランジスタを高移動度を有する薄膜トランジスタ例えば超薄膜トランジスタ（２）にて形成し、この薄膜トランジスタ（２）を信号線（４）の下に形成して構成する。
　〔作　用〕
　上述の本発明の構成によれば、高移動度を有する薄膜トランジスタ（２）を液晶ディスプレイパネルのスイッチングトランジスタに用いるようにしたので、上記トランジスタ（２）を信号線（４）の下に設けて選択線（３）を直線状に形成することができ、設計ルールの許す限り画素の開口率を向上させることができる。また、この構成は、高解像度化に伴って画素面積が縮小化されていくに従って有効となる。」（２頁右上欄５行〜同頁左下欄３行）
「従って、本実施例では同図に示すように、信号線（４）及び選択線（３）を直線状に形成し、選択線（３）と信号線（４）とに囲まれた四角形領域とこれに連続して一部（１ａ）が信号線（４）下に入り込むような形状の表示電極（１）を形成し、信号線（４）と選択線（３）の交点の下にＷ／Ｌの小さい細長い形の高移動度を有する超薄膜トランジスタ（２）を形成するようにしている。
　尚、超薄膜トランジスタ（２）のドレイン（２ｄ）は上記表示電極（１）の一部（１ａ）に、ソース（２ｓ）は信号線（４）に接続され、ゲート（２ｇ）は直接選択線（３）として機能する。」（２頁右下欄１〜１２行）
「まず、ガラス等の絶縁基板（５）上に、後に形成される信号線（４）の方向に沿って第１層の多結晶シリコン膜又は非晶質シリコン膜等による半導体膜（６）を形成し、この半導体薄膜（６）のゲート部上に例えばＳｉＯ２等よりなるゲート絶縁膜（７）を介して第２層の不純物ドープの半導体層例えば不純物ドープした多結晶シリコン層（８）よりなり、後に選択線（３）として機能するゲート電極（９）を形成し、半導体薄膜（６）のゲート電極（９）を挟む両領域をソース領域（６Ｓ）及びドレイン領域（６ｄ）として構成され、後述するように少くともゲート部が信号線（４）下に存するように形成される。
　その後、ＳｉＯ２等よりなる絶縁層（１０）を形成したのち、この層（１０）の上記ドレイン領域（６ｄ）に対応する箇所にコンタクトホール（１１）を形成する。次に、表示電極（１）を形成する。このとき、表示電極（１）の−部（１ａ）をコンタクトホール（１１）を介してドレイン領域（６ｄ）に接続させるようにする。その後、ＳｉＯ２等からなる眉間絶縁膜（１２）を形成したのち、該膜（１２）及び上記絶縁層（１０）の上記ソース領域（６ｓ）に対応する箇所にコンタクトホール（１３）を形成する。そして、ソース領域（６ｓ）に接続するようにＡｌからなる信号線（４）を形成する。」（２頁右下欄１６行〜３頁左上欄１８行）
　そして、周知技術文献４の【図１】には、画素の開口率を向上させるために、表示電極１の一部１ａとＴＦＴのドレイン領域６ｄとの電気的接続点が信号線４上に配置されている平面図が図示されている。
　
（６）本願特許出願前に頒布された刊行物である特開平７−７２４７３号公報（以下、「
周知技術文献５
「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明はカラー液晶表示装置に関する。より詳しくは、同一基板上に画素電極、スイッチング素子、カラーフィルタ等が集積的に形成されたアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置に関する。さらに詳しくは、カラーフィルタの形成技術に関する。」
「【００１１】【課題を解決するための手段】　上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明はコントラストの低下や消費電力の増大を招く事なく位置合わせ不要のオンチップカラーフィルタ構造を提供する事を目的とする。又、低コストで平坦性及び寸法精度に優れたカラーフィルタを提供し高解像度及び高精細のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開口率を改善する事を目的とする。かかる目的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち本発明にかかるカラー液晶表示装置は基本的に、一対の主基板及び対向基板と、両者の間に介在する液晶層とからなるパネル構造を有する。主基板には画素電極、カラーフィルタ及びスイッチング素子が形成されており、対向基板には対向電極が形成されている。本発明の特徴事項として前記カラーフィルタは、各スイッチング素子に電気接続してパタニングされた下地電極上に堆積した電着膜からなり、前記画素電極は同じく各スイッチング素子に電気接続して該電着膜上にパタニング形成された透明導電膜からなる。好ましくは、前記カラーフィルタは三原色毎に区画してマトリクス状に配置されており、区画間に略同一厚みでブラックマスクが形成されている。前記スイッチング素子としては、トップゲートＴＦＴ、ボトムゲートＴＦＴ、ＭＩＭダイオード等を用いる事が可能である。」
「【００１４】【実施例】　以下図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。図１は本発明にかかるカラー液晶表示装置の第１実施例を示す模式的な部分断面図である。ガラス又は石英等の絶縁材料からなる主基板０の上には多結晶シリコン膜（もしくはアモルファスシリコン膜）１が所定の形状でパタニング形成されている。この多結晶シリコン膜１を素子領域としてトップゲート型のＴＦＴが形成されスイッチング素子として機能する。この多結晶シリコン膜１の上にゲート絶縁膜２を介しゲート電極３が形成されている。同時に、ゲートライン及び蓄積容量ライン（図示せず）も形成される。その上にはＰＳＧ等からなる層間絶縁膜４及びアルミニウム等の導電性薄膜からなる信号ライン５がこの順で形成されている。一方画素領域にはＴＦＴのドレインＤに電気接続して下地電極６が所定の形状にパタニング形成されている。この下地電極６はＩＴＯ等の透明導電薄膜から構成されている。この下地電極６に整合して電着膜からなるカラーフィルタ７が形成されている。又、カラーフィルタ７以外の部分にはブラックマスク８が形成されている。ブラックマスク８とカラーフィルタ７の表面は略同一レベルにあり主基板０は平坦化されている。最後に、カラーフィルタ７と整合する様に画素電極９が形成されている。この画素電極９はコンタクトを介してＴＦＴのドレインＤに電気接続している。画素電極９は下地電極６と同様にＩＴＯ等の透明導電薄膜からなる。
　【００１５】　一方該主基板０に対して所定の間隙を介して対面配置された対向基板１１はガラス等の絶縁材料から構成されている。対向基板の内表面には全面的にＩＴＯ等からなる対向電極１０が形成されている。対向電極１０の表面にはポリイミド等の配向膜１２が塗布され、所定の配向処理を施されている。なお、主基板０の内表面にも同様に配向膜１２が形成されている。対向基板１１と主基板０の間隙内には例えばツイストネマティック配向された液晶層１３が封入され、アクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置が構成される。」
「【００１６】　……。次に工程ＦにおいてＲＧＢカラーフィルタを遮光膜として背面露光法によりブラックマスク８を部分的に形成する。この背面露光法はＲＧＢカラーフィルタを紫外線の遮光膜として活用し、ＲＧＢカラーフィルタ間のギャップ部に整合して主基板の上にブラックマスク８を設けるものである。紫外線の光量を調整する事によりブラックマスク８の厚さが制御でき、ＲＧＢカラーフィルタと同一膜厚に成膜可能である。ブラックマスク用材料は主に光硬化性樹脂と黒色着色材の混合物からなる。なお遮光性の信号ライン５の上にはブラックマスクは形成されない。最後に工程Ｇにおいて、主基板平坦化の為、全ての信号ラインを選択した状態でブラックの電着液に浸漬し、信号ライン５上に他のブラックマスク８を堆積する。なお、この工程Ｇは前述した工程Ｆの先に実施しても良い。又全信号ラインに電圧を印加する時、ＴＦＴは非導通状態にしておき画素電極９に電圧が加わらない様にしてある。」
「【００１９】　図４は、本発明にかかるカラー液晶表示装置の第２実施例を示す模式的な部分断面図である。図示する様に、ガラス又は石英等の絶縁材料からなる主基板３０の上にゲートライン３１が形成されている。このゲートライン３１はモリブデン／タングステン合金等の導電性薄膜を所定の形状にパタニングして得られる。このゲートライン３１を被覆する様に２層のゲート絶縁膜３２，３３が形成されている。その上には多結晶シリコン層（もしくはアモルファスシリコン層）３４が所定の形状にパタニング形成されている。この多結晶シリコン層３４を素子領域としてボトムゲート型のＴＦＴが形成される。多結晶シリコン層３４の上には二酸化シリコン等からなる絶縁膜３５がゲートライン３１に整合して設けられる。この絶縁膜３５をエッチングストッパとしてｎ＋のシリコン膜３６を所定の形状にパタニング形成し、ボトムゲート型ＴＦＴのソース及びドレインとする。ソースに電気接続して信号ライン３７を形成する。又ドレインと電気接続して下地電極３８を形成する。下地電極３８の上には電着膜からなるカラーフィルタ３９が形成されている。又カラーフィルタ３９以外の領域にはブラックマスク４０が埋め込まれている。最後に、画素電極４１がカラーフィルタ３９の上に整合して設けられている。この画素電極４１はボトムゲート型ＴＦＴのドレインに電気接続している。
　【００２０】　一方、全面に対向電極４２が形成されたガラス等からなる対向基板４３が、主基板３０に対面して配置されている。これら対向基板４３、主基板３０の内表面には夫々配向膜４４が塗布され所定の配向処理が施されている。両基板３０，４３の間隙内には液晶層４５が封入され、アクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置が構成される。」
「【００２１】　……。次に工程Ｆにおいて、ＲＧＢカラーフィルタを遮光膜として背面露光法によりブラックマスク３６を形成する。なお、背面露光法を用いた場合には遮光性の信号ライン３７の領域にブラックマスクが形成できない。最後に工程Ｇにおいて、信号ライン３７に所定の電圧を印加しブラックの電着液に浸漬して信号ライン３７上に別のブラックマスク３６を堆積する。」
　そして、周知技術文献５の【図１】及び【図４】には、ブラックマスクがＴＦＴの両側の側面を覆っている構造のアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置の部分断面図が図示されている。
　
（７）本願特許出願前に頒布された刊行物である特開平８−１７９３７６号公報（以下、「
周知技術文献６
「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明はカラー表示装置に関する。より詳しくは、画素電極を駆動するスイッチング素子が形成された駆動基板にカラーフィルタを備えた構造を有するアクティブマトリクス型のカラー表示装置に関する。」
「【０００６】【課題を解決するための手段】　……。又、駆動基板には非開口部に形成した薄膜トランジスタからなるスイッチング素子を被覆する様に遮光膜（ブラックマスク）がパタニング形成されている。」
「【０００８】【実施例】　以下、本発明にかかるカラー表示装置の好適な実施例を詳細に説明する。図１は第１実施例の要部を示す模式的な断面図である。図１において、０はガラス等の透明絶縁材料からなる駆動基板、１は画素を構成する透明な画素電極、２はＴＦＴの活性層となる半導体薄膜、３はゲート電極、４は第１層間絶縁膜、５は第２層間絶縁膜、６はＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する信号線側の配線電極、７はＴＦＴを被覆する遮光膜（ブラックマスク）、８，９，１０は各々赤色、緑色、青色に着色したカラーフィルタ、１１は平坦化膜、１２は対向基板、１３は透明導電膜からなる対向電極、１４は電気光学物質として用いられる液晶である。
　【０００９】　駆動基板０の上にＴＦＴを構成する半導体薄膜２として、例えば多結晶シリコン薄膜が形成され、この半導体薄膜２上にゲート絶縁膜１５を介してゲート電極３がパタニング形成されている。かかる構成を有するＴＦＴはＰＳＧ等からなる第１層間絶縁膜４により被覆されている。第１層間絶縁膜４の上にはソース領域Ｓに接続する配線電極６がパタニング形成されている。この配線電極６は同じくＰＳＧ等からなる第２層間絶縁膜５により被覆されている。この上には遮光膜７、カラーフィルタ８，９，１０、平坦化膜１１、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１がこの順序で形成されている。ＴＦＴのドレイン領域Ｄは金属膜からなるブラックマスク７を介して画素電極１と電気的に接続している。ドレイン領域Ｄと画素電極１の間に介在するブラックマスク７はバリヤフィルムとして機能し、ドレイン領域Ｄと画素電極１との電気的な接触を良好なものとしている。一方、対向電極１３が全面に形成されたガラス等からなる対向基板１２は駆動基板０に対向して配置され、両基板０，１２間に液晶１４が保持されカラー表示装置を構成する。」
「【００１０】　……。なお、駆動基板０には非開口部Ｂに形成したＴＦＴを被覆する様にブラックマスク７がパタニング形成されている。以上の説明から明らかな様に、画素開口部Ａは光透過性であり、非開口部Ｂは光不透過性である。」
「【００１３】　……。この上に、遮光性を有する金属膜、例えばＴｉ，Ａｌ，ＴｉＮｘ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ又はこれらのシリサイドをスパッタ等の手段により５０〜１０００ｎｍ程度の厚みで成膜し、所定の形状にパタニングしてブラックマスク７に加工する。」
「【００１６】　図３は、本発明にかかるカラー表示装置の第２実施例を示す模式的な部分断面図である。基本的には図１及び２に示した第１実施例と同様であり、……。次いで、金属膜、例えばＴｉ，Ａｌ，ＴｉＮｘ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ又はこれ等の金属シリサイド等をスパッタ法により５０〜１０００ｎｍ程度の厚みで成膜し、所定の形状にパタニングしてブラックマスク７に加工する。」
　そして、周知技術文献６の【図１】及び【図３】には、ブラックマスク（遮光膜）７がＴＦＴの両側の側面を覆っている構造のアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置の模式的な部分断面図が図示されている。
　
３　対比
　本願発明１と前記引用発明とを比較すると、引用発明における「マトリクス状に配線されたゲート電極線１とソース電極線２」、「ＴＦＴ４」、「ＴＦＴアレイ基板８」、「表面に対向電極１４を有する対向電極基板９」、「液晶６」、「カラーフィルタ（赤）１０、カラーフィルタ（緑）１１及びカラーフィルタ（青）１２」、「カラーフィルタの各上面に形成された画素電極５」、「ドレイン電極３」、「ドレイン電極３に画素電極５が電気的接続する」及び「マトリクス型表示装置」のそれぞれは、本願発明１における「走査信号配線及び画像信号配線」、「ＴＦＴ」、「絶縁基板」、「前記絶縁基板に対向する対向基板」、「前記絶縁基板と前記対向基板との間に挟持された液晶」、「前記絶縁基板側に設けられる着色層」、「前記着色層の上に設けられた画素電極」、「前記ＴＦＴのドレイン電極」、「前記画素電極と前記ＴＦＴのドレイン電極との電気的接続点」及び「液晶表示パネル」のそれぞれに相当する。
　そして、引用発明のＴＦＴ４は、ＴＦＴアレイ基板８上にマトリクス状に配線されたゲート電極線１とソース電極線２とに囲まれた領域の一隅角部に、前記ゲート電極線１の上にゲート絶縁体１７を介して積層された半導体１５の上部両側にそれぞれソース電極線２とドレイン電極３とが形成され、前記半導体１５のドレイン電極３に画素電極５が電気的接続するようにして形成されており、しかも、前記ＴＦＴ４の上面にブラックマトリクス１３が積層しているのであるから、引用発明のブラックマトリクス１３は、結局のところ、ＴＦＴアレイ基板８上のゲート電極線１とソース電極線２と前記ＴＦＴ４との上に設けられていることになるから、引用発明の「ＴＦＴ４の上面に積層されたブラックマトリクス１３」が、本願発明１の「前記絶縁基板側に設けられるとともに、前記走査信号配線、前記画像信号配線及び前記ＴＦＴの上に設けられた遮光膜」に相当する。
　
　そうすると、本願発明１と引用発明とは、
「走査信号配線及び画像信号配線と、
　前記走査信号配線及び画像信号配線に電気的に接続されたＴＦＴとを有する絶縁基板と、
　前記絶縁基板に対向する対向基板と、
　前記絶縁基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、
　前記絶縁基板側に設けられるとともに、前記走査信号配線、前記画像信号配線及び前記ＴＦＴの上に設けられた遮光膜と、
　前記絶縁基板側に設けられる着色層と、
　前記着色層の上に設けられた画素電極とを具備した液晶表示パネル」
である点で一致し、次の点で構成が相違する。
　
相違点１
　
相違点２
　
相違点３
　
４　相違点についての検討
（１）相違点１について
　上記周知技術文献１〔特開平８−１２２８２４号公報〕には、「画素電極を駆動するスイッチング素子が形成された駆動基板側にカラーフィルタを備えた構造を有するアクティブマトリクス型のカラー表示装置において、ＴＦＴ上に形成されたブラックマスク８と、前記ブラックマスク８の上に形成されたカラーフィルタ９と、前記カラーフィルタ９の上に形成された画素電極１を順に積層する」技術が開示されている。そして、前記周知技術文献１の【図１】ないし【図４】の図示から、ＴＦＴ上に形成されたブラックマスク８と、前記ブラックマスク８の上に形成されたカラーフィルタ９と、前記カラーフィルタ９の上に形成された画素電極１が順に積層された、オンチップカラーフィルタ構造及びオンチップブラック構造を有するアクティブマトリクス型カラー表示装置の記載が看取できる。
　また、上記周知技術文献２〔特開平６−２４２４３３号公報〕にも、「画素電極とスイッチング用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とが集積的に形成されたアクティブマトリクス基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、ＴＦＴ上に形成された遮光膜８３と、前記遮光膜８３の上に形成された平坦化層８４を兼ねるカラーフィルタと、前記平坦化層８４を兼ねるカラーフィルタの上に形成された画素電極８７を順に積層させる」技術が開示され、そして、前記周知技術文献２の【図１８】には、ＴＦＴ上に形成された遮光膜８３と、前記遮光膜８３の上に形成された平坦化層８４を兼ねるカラーフィルタと、前記平坦化層８４を兼ねるカラーフィルタの上に形成された画素電極８７が順に積層させ、カラーフィルタをアクティブマトリクス基板７１側に一体的に設けたアクティブマトリクス型カラー液晶表示装置のオンチップカラーフィルタ構成が図示されている。
　上記周知技術文献１及び周知技術文献２に開示されているかかる技術事項から、「遮光膜が走査信号配線、画像信号配線及びＴＦＴの上に設けられ、着色層が前記遮光膜の上に設けられ、画素電極が前記着色層の上に設けられ」る構成とすることは、本願特許出願時の周知技術であるといえる。
　そうすると、引用発明に、周知技術文献１及び周知技術文献２に開示されている周知技術を適用することにより、本願発明１の相違点１に係る前記構成とすることは、当業者が困難性を伴うことなく容易に想到し得ることである。
　
（２）相違点２について
　上記周知技術文献３〔特開平９−５４３４２号公報〕には、薄膜電界効果型トランジスタおよび電極をもつ透明絶縁性基板で液晶を挟んだ構造を有し、ガラス板等の透光性絶縁基板９の上に複数の走査線１と複数の信号線２とを交差させて格子状に配置するアクティブマトリクス液晶表示パネルにおいて、画素電極６が、ソース電極４と画素電極６をつなぐ配線７を介して、ＴＦＴのソース電極４と電気的接続をするためのコンタクトホール５’（本願発明１の「電気的接続点」に相当する。）を、走査線１（本願発明１の「走査信号配線」に相当する。）上に配置する」技術が開示されている。そして、前記周知技術文献３の【図１】、【図３】及び【図５】の図示から、画素電極６が、ソース電極４と画素電極６をつなぐ配線７を介して、ＴＦＴのソース電極４と電気的接続をするコンタクトホール５’が、走査線１上に配置されていることが看取できる。この場合、走査線１上に配置されているコンタクトホール５’で、画素電極６とＴＦＴのソース電極４とを電気的接続しているが、画素の開口率を向上させる目的においては、走査線１上に配置されるコンタクトホール５’で画素電極６と電気的接続するＴＦＴの電極を、ソース電極４ではなくドレイン電極３とすることも可能であることを参酌すると、前記周知技術文献３には、画素電極６と少なくともＴＦＴのいずれかの電極との電気的接続をするコンタクトホール５’を、走査線１上に配置することが開示されているといえる。
　また、上記周知技術文献４〔特開平２−１７６７２６号公報〕にも、「複数の画素をマトリクス配列してなる液晶表示装置において、表示電極１の一部１ａ（本願発明１の「画素電極」に相当する。）とＴＦＴのドレイン領域６ｄ（本願発明１の「ドレイン電極」に相当する。）との電気的接続点を信号線４（本願発明１の「走査信号配線」に相当する。）上に配置する」技術が開示され、そして、前記周知技術文献４の【図１】には、画素の開口率を向上させるために、表示電極１の一部１ａとＴＦＴのドレイン領域６ｄとの電気的接続点が信号線４上に配置されていることが図示されている。
　上記周知技術文献３及び周知技術文献４に開示されている技術事項から、画素の開口率を向上させるために、「画素電極とＴＦＴのドレイン電極との電気的接続点が走査信号配線上に位置する」技術は、本願特許出願時の周知技術であるといえる。
　そうすると、引用発明に、周知技術文献３及び周知技術文献４に開示されている周知技術を採用することにより、本願発明１の相違点２に係る前記構成とすることは、当業者が困難性を伴うことなく容易に想到し得ることである。
　
（３）相違点３について
　上記周知技術文献５〔特開平７−７２４７３号公報〕には、「同一基板上に画素電極、スイッチング素子、カラーフィルタ等が集積的に形成されたアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置において、ブラックマスクがＴＦＴの両側の側面を覆う」技術が開示されている。そして、前記周知技術文献５の【図１】及び【図４】の図示から、ブラックマスクがＴＦＴの両側の側面を覆っている構造のアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置が看取できる。
　また、上記周知技術文献６〔特開平８−１７９３７６号公報〕にも、「画素電極を駆動するスイッチング素子が形成された駆動基板にカラーフィルタを備えた構造を有するアクティブマトリクス型のカラー表示装置において、ブラックマスク（遮光膜）７がＴＦＴの両側の側面を覆う」技術が開示され、そして、前記周知技術文献６の【図１】及び【図３】には、ブラックマスク（遮光膜）７がＴＦＴの両側の側面を覆っている構造のアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置が図示されている。
　上記周知技術文献５及び周知技術文献６に開示されている技術事項から、「遮光膜がＴＦＴの両側の側面を覆っている」ようにする技術は、本願特許出願時の周知技術であるといえる。
　
　そうすると、引用発明に、周知技術文献５及び周知技術文献６に開示されている周知技術を付加することにより、本願発明１の相違点３に係る前記構成を得ることは、当業者が困難性を伴うことなく容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願発明１の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術から予測できる範囲内のものであって、格別のものということができない。
　
（４）まとめ
　したがって、本願発明１は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本願発明１が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。