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　平成　８年特許願第３２３３９６号「半導体装置の微細レジストパターンの形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月　２日出願公開、特開平１０−１５００２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　
　本願は、平成８年１１月１９日の出願であって、平成１７年３月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、つづいて当審において拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１８年８月２２日に手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項１〜５に係る発明は、上記平成１８年８月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲１〜５に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「半導体基板上又はこの半導体基板上に形成された被膜上に微細レジストパターンを形成する半導体装置の微細レジストパターンの形成方法において、
　前記半導体基板上又は被膜上に酸化膜を形成し、この酸化膜のパターンをフォトリソグラフィーの手法とエッチングとにより形成する工程と、
　作成対象の微細レジストパターンの幅と同一の膜厚であって前記酸化膜のパターンの厚み以下である膜厚を有するポジ型のレジスト膜によって前記酸化膜のパターンを被覆する工程と、
　前記レジスト膜のうち前記半導体基板上又は前記被膜上に形成された平坦部の全厚みについて感光可能な露光量であって前記レジスト膜のうち前記酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の全厚みについて感光可能な露光量よりも少ない露光量で、このレジスト膜の全面を露光し、引き続き、アルカリ水溶液による現像処理を施すことにより、前記レジスト膜のうち前記酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の未感光部分のみを選択的に残存させる工程と、
　前記酸化膜のパターンをエッチングで選択的に除去することによりこの酸化膜のパターンの側壁に残存する前記レジスト膜の未感光部分から成る微細レジストパターンを形成する工程と
　を含むことを特徴とする半導体装置の微細レジストパターンの形成方法。」
　
　
２．引用例及びその記載事項
　
　当審における拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−２２４１６１号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び同じく頒布された刊行物である特開平６−１０４１７１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１（特開平６−２２４１６１号公報）
　
（１ａ）「半導体基板上にマスクパターンを形成するものであって、半導体基板上の被エッチング領域上に、この被エッチング領域及び前記マスクパターンとは異なる材料からなる層を形成し、パタ−ニングを行って所定の島形状に加工する工程と、この島形状部の上に前記マスクパターンとなる層を形成する工程と、このマスクパターンとなる層をエッチバック処理して前記島形状部に側壁を形成する工程と、前記島形状部を除去する工程とを行うことを特徴とした半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項２】） 
　
（１ｂ）「 前記被エッチング領域を配線材料で構成し、前記側壁として残ったマスクパターンをマスクとしてエッチングを行い、前記被エッチング領域を配線として加工することを特徴とした請求項２に記載の半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項３】） 
　
（１ｃ）「・・・マスクパターンの材料としては、被エッチング領域の材料と異なっていれば、導電性、絶縁性等については問わない。」（【０００８】） 
　
（１ｄ）「【作用】即ち、配線材料と異なる材料からなる島形状部に、配線材料からなる側壁を形成した後に、島形状部を除去すれば、側壁だけが残り、これを配線として使用できる。配線の線幅は側壁の幅、即ち、配線層の厚みによって決定されるので、リソグラフィ以下の寸法も可能となる。 
 同様に、被エッチング領域及びマスクパターンとは異なる材料からなる島形状部に、マスクパターン材料からなる側壁を形成した後に、島形状部を除去すれば、リソグラフィ以下の寸法も可能なマスクパターンが形成される。更に、被エッチング領域を、配線材料により形成すれば、マスクパターンをマスクとしてエッチングすることにより、リソグラフィ以下の幅の配線を得ることができる。」（【０００９】〜【００１０】） 
　
（１ｅ）「次に、この実施例の技術を、マスクパターン形成のために応用した第２の実施例を図２乃至図４に基づいて説明する。図２乃至図４は本実施例における半導体装置の製造プロセスを順次示した断面図である。 
 工程〈１〉（ここで、〈１〉〜〈９〉はシステム上表記できない文字を代替してものである。）：半導体基板９上に、熱酸化法やＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜１０を形成すると共に、局所酸化法（ＬＯＣＯＳ）によりフィールド酸化膜１１を形成する（図２Ａ）。
 工程〈２〉：工程〈１〉で作成した基板の表面全体に減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．３μｍ程度の多結晶シリコン膜１２を堆積させ、リン（Ｐ）をドープして導電性を与える（図２Ｂ）。
 工程〈３〉：前記多結晶シリコン膜１２に対し、エッチング選択比の高いシリコン酸化膜１３をＣＶＤ法により０．５μｍ堆積させる（図２Ｃ）。 
 工程〈４〉：リソグラフィ技術、露光、現像等の作業を経て前記シリコン酸化膜１３の上に、レジスト１４のパターニングを形成する。・・・ 
 工程〈５〉：レジスト１４をマスクとして、ＲＩＥ法により前記シリコン酸化膜１３を異方性エッチングした後、酸素プラズマアッシングや熱硫酸を用いたウェト処理等によりレジストを除去し、前記シリコン酸化膜１３を島形状に加工する（以下、島形状部１３ａという）。・・・ 
 工程〈６〉：前記多結晶シリコン膜１２及び島形状部１３ａの上に、減圧ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１５を０．１μｍ堆積させる。（図３Ｆ） 
 工程〈７〉：ＲＩＥ法によりこのシリコン窒化膜１５をエッチバック処理し、前記島形状部１３ａの側面のみに、シリコン窒化膜材からなる幅０．１μｍの側壁１６を形成する（図３Ｇ）。 
 工程〈８〉：希釈フッ酸等を用いたウェット処理等により前記島形状部１３ａ（シリコン酸化膜１３）を除去すると、前記多結晶シリコン膜１２上にシリコン窒化膜材からなる幅０．１μｍのマスクパターン１７（側壁１６）が形成される（図３Ｈ）。 
 工程〈９〉：このマスクパターン１７をマスクとして、ＲＩＥ法により前記多結晶シリコン膜１２を異方性エッチングした（図４Ｉ）後、マスクパターン１７を熱燐酸等を用いて除去すると、前記ゲート酸化膜としてのシリコン酸化膜１０上に、幅０．１μｍの多結晶シリコン材からなるゲート電極１８が形成される（図４Ｊ）。 
 以上のように、本発明にあっては、工程〈６〉においてシリコン窒化膜の膜厚を変化させるだけで、０．５μｍ以下であっても所望のマスクパターンを得ることができる。尚、この第２実施例では、多結晶シリコン上にを微細マスクパターンを形成し、微細幅のゲート電極を加工する例を示したが、例えば、スタック型キャパシタの下部電極上に形成して、下部電極をエッチングし、その表面積を拡大させる等、応用方法は様々である。」（【００１７】〜【００２３】） 
　
（１ｆ）「【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法にあっては、従来の光リソグラフィ技術でもって、その限界を越えた微細幅の配線パターン又はマスクパターンを形成することができる。」（【００２４】） 
　
（１ｇ）そして、【図３】（Ｆ）には、島形状部の側面及びその上方にもシリコン窒化膜が形成されていることが示されている。（【図３】）
　
　
（２）刊行物２（特開平６−１０４１７１号公報） 
　
（２ａ）「半導体装置の製造方法において、 
 実質的に垂直な垂壁を持つ段差または凹部を有するレジストパターンを被加工面上に形成し、 
 前記レジストパターンを硬化させ、 
 前記レジストパターンの全面に薄膜レジスト層を塗布し、 
 該薄膜レジスト層を垂直方向に露光して前記垂壁上の前記薄膜レジスト層のみを残して除去し、 
 残された前記薄膜レジスト層を加熱して再フロー化する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】） 
　
（２ｂ）「【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造法、特に、半導体製造過程におけるドライエッチング処理時のマスクとなるレジストパターンの製法に関するものである。」（段落【０００１】） 
　
（２ｃ）「（ｃ）低粘度レジストによる薄膜レジスト層７を硬化レジストパターン６の全面に厚さ約０．１ミクロンで一様に塗布する。低粘度レジストとしては例えば（ａ）のレジスト材料を溶剤で数倍に希釈したものを用いる。硬化レジストパターン６は硬化処理が終わっているために全面に塗布される薄膜レジスト層７の溶剤に浸かされることはない。低粘度レジストのために硬化レジストパターン６の形状に沿って被加工面２上も含み全面に薄膜レジスト層７が塗布される。 
 （ｄ）図中垂直方向の一括露光により薄膜レジスト層７を感光させる。この感光に使う光は、Ｇ線又はＩ線（水銀輝線）の平行光線を用いて１０乃至５０ミリ秒間の照射である。このように調整された露光量により、硬化レジストパターン６の垂壁４上の薄膜レジスト層７は、光の進行方向に厚みをもっているためほとんど感光しない。ほかの部分、すなわち、硬化レジストパターン６の平面部３上及び被加工面２上の薄膜レジスト層７は、垂直方向に厚みをほとんどもたないため底面まで全部感光する。 
 （ｅ）薄膜レジスト層７をアルカリ性の現像液、例えば水酸化４メチルアンモニウム又は水酸化カリウムを用いて現像する。硬化レジストパターン６の垂壁４上を除いて薄膜レジスト層７は感光しているので現像液に溶解し、垂壁４上の薄膜レジスト層７のみが残る。」（段落【００１１】〜【００１３】） 
　
（２ｄ）そして、図１（ｃ）には、硬化レジストパターンの垂壁上及びその上方にも薄膜レジスト層が形成されていることが、図１（ｅ）には、硬化レジストパターンの垂壁上に薄膜レジスト層が側壁となって残留していることが示されている。（【図１】）
　
　
３．対比
　
　摘記事項（１ａ）には、半導体基板上にマスクパターンを形成することが記載され、摘記事項（１ｅ）には、半導体基板上に多結晶シリコン膜を堆積させる工程、多結晶シリコン膜に対し、エッチング選択比の高いシリコン酸化膜を０．５μｍ堆積させる工程、リソグラフィ技術、露光、現像等の作業を経てシリコン酸化膜の上に、レジストのパターニングを形成する工程、レジストをマスクとして、シリコン酸化膜を異方性エッチングした後、レジストを除去し、シリコン酸化膜を島形状部に加工する工程、多結晶シリコン膜及び島形状部の上に、シリコン窒化膜を０．１μｍ堆積させる工程、ＲＩＥ法によりこのシリコン窒化膜をエッチバック処理し、島形状部の側面のみに、シリコン窒化膜材からなる幅０．１μｍの側壁を形成する工程、希釈フッ酸等を用いたウェット処理等により島形状部（シリコン酸化膜）を除去すると、多結晶シリコン膜上にシリコン窒化膜材からなる幅０．１μｍのマスクパターン（側壁）が形成される工程が記載され、摘記事項（１ｇ）には、島形状部の側面及びその上方にもシリコン窒化膜が形成されていることが示されている。
　
　ここで、リソグラフィ技術、露光、現像等の作業を経てシリコン酸化膜の上に、レジストのパターニングを形成し、レジストをマスクとして、シリコン酸化膜を異方性エッチングした後、レジストを除去し、シリコン酸化膜を島形状部に加工していることから、島形状部をフォトグラフィーの手法とエッチングとにより形成しているものである。
　
　また、シリコン窒化膜は島形状部の側面及びその上方にも形成され、ＲＩＥ法によりこのシリコン窒化膜をエッチバック処理し、島形状部の側面のみに、シリコン窒化膜材からなる側壁を形成していることから、ＲＩＥ法によるエッチバック処理を施すことにより、シリコン窒化膜のうち島形状部の側面及びその上方に形成された部分の一部分である側壁のみを選択的に残存させているものである。
　
　さらに、希釈フッ酸等を用いたウェット処理等により島形状部を除去して、多結晶シリコン膜上であって島形状部の側面にシリコン窒化膜材からなる幅０．１μｍのマスクパターンを形成していることから、島形状部をエッチングで選択的に除去することにより島形状部の側面に残存するシリコン窒化膜の側壁から成る幅０．１μｍの微細シリコン窒化膜パターンが形成されているものである。
　
　上記摘記事項（１ａ）〜（１ｇ）を総合すると、刊行物１には、以下の発明が記載されていることになる。
　
「半導体基板上に堆積された多結晶シリコン膜上にシリコン酸化膜を０．５μｍ堆積させ、島形状部をフォトグラフィーの手法とエッチングとにより形成する工程、
多結晶シリコン膜及び島形状部の上に、シリコン窒化膜を０．１μｍ堆積させる工程、
ＲＩＥ法によるエッチバック処理を施すことにより、シリコン窒化膜のうち島形状部の側面及びその上方に形成された部分の一部分である側壁のみを選択的に残存させる工程、
島形状部をエッチングで選択的に除去することにより島形状部の側面に残存するシリコン窒化膜の側壁から成る幅０．１μｍの微細シリコン窒化膜パターンが形成される工程
とを含む半導体基板上に微細シリコン窒化膜パターンを形成する方法。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
　
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　
　刊行物１発明の「半導体基板上に堆積された多結晶シリコン膜」は、本願発明の「半導体基板上に形成された被膜」に相当し、以下同様に、「シリコン酸化膜」は「酸化膜」に、「島形状部」は「酸化膜のパターン」に、「多結晶シリコン膜及び島形状部の上に、・・・堆積」は「酸化膜のパターンを被覆」に、「島形状部の側面及びその上方に形成された部分」は「酸化膜のパターンの側壁に形成された部分」に、「半導体基板上に・・・パターンを形成する方法」は「半導体装置の・・・パターンの形成方法」に、それぞれ相当している。
　
　また、シリコン窒化膜を０．１μｍ堆積させ、微細シリコン窒化膜パターンの幅が０．１μｍであり、島形状部が膜厚０．５μｍのシリコン酸化膜より形成したものであるから、シリコン窒化膜は、微細シリコン窒化膜パターンの幅と同一の膜厚であって島形状部の厚み以下である膜厚を有している。
　
　したがって、両者は、
「半導体基板上に形成された被膜上に微細パターンを形成する半導体装置の微細パターンの形成方法において、
　被膜上に酸化膜を形成し、この酸化膜のパターンをフォトリソグラフィーの手法とエッチングとにより形成する工程と、
　作成対象の微細パターンの幅と同一の膜厚であって前記酸化膜のパターンの厚み以下である膜厚を有するパターン形成材料膜によって前記酸化膜のパターンを被覆する工程と、
　パターン形成材料膜のうち前記酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の一部分のみを選択的に残存させる工程と、
　前記酸化膜のパターンをエッチングで選択的に除去することによりこの酸化膜のパターンの側壁に残存するパターン形成材料膜の一部分から成る微細パターンを形成する工程と
　を含む半導体装置の微細パターンの形成方法。」
の点で一致するものの、以下の点で相違している。
　
　
［相違点１］
　半導体基板上に形成された被膜上に形成する微細パターン、微細パターンの形成方法、及び作成対象の微細パターンが、本願発明では、微細レジストパターンについてのものであるのに対し、刊行物１発明では、微細シリコン窒化膜パターンについてのものである点。
　
［相違点２］
　酸化膜のパターンを被覆するパターン形成材料膜が、本願発明では、ポジ型のレジスト膜であるのに対し、刊行物１発明では、シリコン窒化膜である点。
　
［相違点３］
　本願発明は、レジスト膜のうち半導体基板上又は被膜上に形成された平坦部の全厚みについて感光可能な露光量であってレジスト膜のうち酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の全厚みについて感光可能な露光量よりも少ない露光量で、このレジスト膜の全面を露光し、引き続き、アルカリ水溶液による現像処理を施すことにより、レジスト膜のうち酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の未感光部分のみを選択的に残存させているのに対し、刊行物１発明は、ＲＩＥ法によるエッチバック処理を施すことにより、シリコン窒化膜のうち島形状部の側面及びその上方に形成された部分の一部分である側壁のみを選択的に残存させている点。
　
［相違点４］
　酸化膜のパターンをエッチングで選択的に除去することによりこの酸化膜のパターンの側壁に残存させて形成しているのが、本願発明では、レジスト膜の未感光部分から成る微細レジストパターンであるのに対し、刊行物１発明では、シリコン窒化膜の側壁から成る微細シリコン窒化膜パターンである点。
　
　
４．判断
　
　上記相違点１〜４について検討する。
　
　刊行物２には、半導体製造過程におけるドライエッチング処理時のマスクとなるレジストパターンの製法に関して、硬化レジストパターンの形状に沿って全面に薄膜レジスト層が一様に塗布されること、薄膜レジスト層のうち硬化レジストパターンの平面部上及び被加工面上の薄膜レジスト層は底面まで全部感光し、硬化レジストパターンの垂壁上の薄膜レジスト層はほとんど感光しないように調整された露光量で、この薄膜レジスト層を垂直方向の一括露光により感光させ、引き続き、アルカリ性の現像液を用いて現像することにより、薄膜レジスト層のうち硬化レジストパターンの垂壁上のみを残すことが記載され（摘記事項（２ｂ）、（２ｃ））、塗布された薄膜レジスト層は、一様な膜厚であって硬化レジストパターンの厚み以下である膜厚を有し、硬化レジストパターンの垂壁上及びその上方にも形成されること、硬化レジストパターンの垂壁上に残った薄膜レジスト層は、側壁となって残留していることが示されている（摘記事項（２ｄ））。
　
　ここで、薄膜レジスト層の側壁は、硬化レジストパターンの垂壁上及びその上方に形成された部分の一部分である未感光部分であり、また、感光部分が現像液で除去されていることから、刊行物２に記載の薄膜レジスト層は、ポジ型であるといえる。
　
　半導体製造分野においては、側壁は様々な方法で形成され、マスクとして利用される際も様々な態様で用いられることは周知（必要であれば特開昭５１−１４８３６８号公報、第２頁左上欄第４行〜同頁右上欄第１行参照）であり、また、例えば特開平６−９７１２９号公報（段落【０００９】、【図１】等）に示されているように、レジスト膜の未感光部分による側壁が定まった状態で残ることも知られているから、半導体製造過程で側壁を利用する点で刊行物２と共通する刊行物１発明において、側壁形成材料及び側壁形成方法として、刊行物２に記載のものを適用することは、半導体製造分野における当業者が容易になし得たことである。
　
　また、上記相違点１〜４は、パターン形成材料膜が、本願発明では、ポジ型のレジスト膜であるのに対し、刊行物１発明では、シリコン窒化膜であること、及びその材料の違いに伴い、パターン形成材料膜のうち酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の一部分のみを選択的に残存させるための構成として、本願発明は、レジスト膜のうち半導体基板上又は被膜上に形成された平坦部の全厚みについて感光可能な露光量であってレジスト膜のうち酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の全厚みについて感光可能な露光量よりも少ない露光量で、このレジスト膜の全面を露光し、引き続き、アルカリ水溶液による現像処理を施すことにより、レジスト膜のうち酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の未感光部分のみを選択的に残存させているのに対し、刊行物１発明は、ＲＩＥ法によるエッチバック処理を施すことにより、シリコン窒化膜のうち島形状部の側面及びその上方に形成された部分の一部分である側壁のみを選択的に残存させていることによるものである。
　
　よって、刊行物１発明において、側壁形成材料及び側壁形成方法として、刊行物２に記載のものを適用して、パターン形成材料膜をポジ型のレジスト膜とし、パターン形成材料膜のうち酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の一部分のみを選択的に残存させるための構成を、レジスト膜のうち半導体基板上又は被膜上に形成された平坦部の全厚みについて感光可能な露光量であってレジスト膜のうち酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の全厚みについて感光可能な露光量よりも少ない露光量で、このレジスト膜の全面を露光し、引き続き、アルカリ水溶液による現像処理を施すことにより、レジスト膜のうち酸化膜のパターンの側壁に形成された部分の未感光部分のみを選択的に残存させることとすることにより、相違点１〜４に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　
　そして、本願発明による効果も、刊行物１、２の記載及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。