【事件の表示】
　平成　９年特許願第５０８５３７号「改善されたエレクトロマイグレーション信頼性を伴う集積回路用金属相互接続構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　２月２０日国際公開、ＷＯ９７／０６５６２、平成１２年　２月１５日国内公表、特表２０００−５０１８８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１．手続の経緯
　本願は、平成８年８月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９５年８月１０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１５年７月３０日付け及び平成２０年１月１０日付けで手続補正がなされ、平成２０年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２３日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２１年４月１３日付けで審尋がなされたものである。
　
　
第２．平成２０年６月２３日付けの手続補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年６月２３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　平成２０年６月２３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、明細書の特許請求の範囲を補正するものであり、その内容は以下のとおりである。
　
　補正前の請求項３の
「半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法において、その製法が
　基板上にチタン層を蒸着させ；
　チタン基層上に窒化チタン層を蒸着させ；
　５００℃を上回る温度で窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム−銅合金層を蒸着させ、かつ
　第４の温度でアルミニウム−銅合金層の上に第２の窒化チタン層を蒸着させる
工程からなる、半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法。」
を、補正後の請求項３の
「半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法において、その製法が
　基板上にチタン層を蒸着させ；
　チタン基層上に窒化チタン層を蒸着させ；
　最低３５０℃の温度で窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム−銅合金層を蒸着させ、かつ
　第４の温度でアルミニウム−銅合金層の上に第２の窒化チタン層を蒸着させる
工程からなる、半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法。」
と補正すること。
　
２．補正の目的の適否についての検討 
　本件補正を整理すると、補正前の請求項３の「５００℃を上回る温度で窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム−銅合金層を蒸着させ」を、補正後の請求項３の「最低３５０℃の温度で窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム−銅合金層を蒸着させ」と補正したものである。
　すなわち、本件補正は、「窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム−銅合金層を蒸着させ」る温度について、補正前の請求項３の「５００℃を上回る温度」から補正後の請求項３の「最低３５０℃の温度」としたものであるが、「５００℃を上回る温度」よりも「最低３５０℃の温度」の方が下限値が低く、補正前の請求項３よりも補正後の請求項３の方が温度範囲が広くなっているから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下、単に「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正が、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないことは明らかである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３．補正の却下の決定についてのむすび 
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものであるから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明の容易想到性について
　
１．本願発明
　平成２０年６月２３日付けの手続補正は上記「第２．」のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２０年１月１０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法において、その製法が
　基板上にチタン層を蒸着させ；
　チタン基層上に窒化チタン層を蒸着させ；
　５００℃を上回る温度で窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム−銅合金層を蒸着させ、かつ
　第４の温度でアルミニウム−銅合金層の上に第２の窒化チタン層を蒸着させる
工程からなる、半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法。」
　
　
２．引用刊行物に記載された発明
　引用例：特開平７−８６４０１号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−８６４０１号公報（以下「引用例」という。）には、図１とともに、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、以下の記載がある（下線は当合議体で付加）。
　
「【００１３】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明する断面図である。この例は16M SRAMの１層目配線を示す。
半導体基板 1上に被着された層間絶縁層 2にコンタクトホールを形成する。次いで, スパッタ法等によりバリアメタル膜（下層高融点金属膜） 3として厚さ100 nm/20 nmのTiN(上層)/Ti (下層) の２層からなる積層膜を被着する
【００１４】次いで，上層と下層間のバリア性の向上及び上層Al合金膜のエレクトロマイグレーション防止のために, バリアメタルのアニールを窒素(N2)雰囲気中で 450℃, 30分程度行う。
【００１５】次に, 本発明の工程である上層高融点金属膜／Al合金膜の積層構造の形成工程に入る。
Al合金膜 4として, Al-0.1％Cu-0.1％Ti合金を用い, 成膜温度 350℃で 350nmの厚さに成膜する。ここで，Tiの濃度は合金中の固溶限度である0.15％以下にして，過剰チタンがAlグレインの境界に析出して, グレインの成長を妨げないようにする
【００１６】
上層高融点金属膜 5として，高融点金属化合物膜TiN を用い, 同一真空内で連続して 300℃で10nmの厚さに成膜する
このように，上層高融点金属膜 5の成膜温度よりAl合金膜 4の成膜温度より高くして，上層高融点金属膜 5の成膜前にAlのグレインを成長させて配線の信頼性を向上している
【００１７】
ここで，Al合金膜 4として, 従来用いられていたAl-Si-Cu合金はこの温度でもSiノジュールが発生し残渣となるため，Siが含まれるAl合金は使用しない方がよい
【００１８】また，上層高融点金属膜(TiN) 5 の成膜前には成膜温度でプレヒートを行うが, この時間を 5秒と短くした。TiN 成膜前にプレヒートを行う理由は，良質の膜質を得るためにウエハの脱ガスを行うためと，プレヒートにより成膜温度を安定化させてから成膜を行うためである。プレヒート時間の最小限は成膜装置内のガス圧が安定する時間を目安とし，成膜装置内の放電が安定する時間を選ぶ。プレヒート時間が10秒を越すとAlのヒロックが発生するので，この時間を最大限とする。 (請求項４対応）。
【００１９】また, TiN/Alの相互拡散はTiN の成膜温度が高いほど抑制されることがわかっている。例えば, TiN を 500℃で成膜した場合は, 300 ℃で成膜した場合より膜質は良い（図２参照）。
【００２０】図２はTiN/Tiの相互拡散によるシート抵抗の熱処理温度依存を示す図である。図中, パラメータはTiN/の成膜温度を示し, (1) はTiN を 500℃で成膜した場合, (2) はTiN を 300℃で成膜した場合である。
【００２１】
TiN を 500℃でAl上に成膜すると, Alにヒロックを生ずるが, ヒロックはAlをこれよりさらに高い温度, 例えば 550℃で成膜することで防止できる
【００２２】
次に, 上記３層構造の配線膜をパターニングして配線を形成し，その上に層間絶縁膜 6を被着し，上層配線に対するコンタクトホール 7を形成する
【００２３】この熱処理は, 窒素雰囲気中で 300℃でロードインし，400 ℃ (請求項７対応）で30分程度のアニールを行い, 300 ℃でロードアウトする。ここで，ロードイン／アウトの温度 350℃より高くすると配線が酸化するため, この温度以下とする。 (請求項６対応）
図３はTiN/Tiの相互拡散によるシートコンダクタンスの変化率の経過時間依存を示す図である。
【００２４】図中, パラメータは熱処理温度を示し, (1) は 400℃の熱処理, (2) は 450℃の熱処理である。この結果より, 配線形成後の後工程の熱処理は400 ℃以下の温度で行うようにする (請求項７対応）。
【００２５】
実施例では上層高融点金属膜の下層の配線膜としてAl合金膜を用いたが, これの代わりに純Alを用いても本発明を適用できる
　
　ここで、段落【００１３】の「半導体基板 1上に被着された層間絶縁層 2にコンタクトホールを形成する。次いで, スパッタ法等によりバリアメタル膜（下層高融点金属膜） 3として厚さ100 nm/20 nmのTiN(上層)/Ti (下層) の２層からなる積層膜を被着する」との記載において、「コンタクトホール」も「半導体基板 1上」にあること、及び、積層膜の被着が通常下層から順に行われるものであること、を勘案すれば、段落【００１３】には、半導体基板 1上にスパッタ法等によりTi (下層)を被着し、Ti (下層)上にスパッタ法等によりTiN(上層)を被着する工程が記載されている。
　
　また、段落【００１５】の「Al合金膜 4として, Al-0.1％Cu-0.1％Ti合金を用い, 成膜温度 350℃で 350nmの厚さに成膜する。」との記載、及び、段落【００１６】の「上層高融点金属膜 5として，高融点金属化合物膜TiN を用い, 同一真空内で連続して 300℃で10nmの厚さに成膜する」との記載において、「Al合金膜 4」の成膜温度は「350℃」、「TiN」からなる「上層高融点金属膜 5」の成膜温度は「300℃」となっているが、段落【００２１】の「TiN を 500℃でAl上に成膜すると, Alにヒロックを生ずるが, ヒロックはAlをこれよりさらに高い温度, 例えば 550℃で成膜することで防止できる」との記載を勘案すれば、「TiN」の成膜温度を「500℃」とすることに応じて、「Al合金膜 4」の成膜温度を「550℃」とする条件も開示されていることになる。また、段落【００１７】には、「Al合金膜 4として, ・・・Siが含まれるAl合金は使用しない方がよい」と記載されているから、段落【００１５】〜【００１７】及び段落【００２１】を総合すれば、TiN(上層)上にAl-0.1％Cu-0.1％Ti合金からなるSiが含まれないAl合金膜 4を成膜温度550℃で成膜し、TiNからなる上層高融点金属膜 5を成膜温度500℃で成膜する工程が記載されている。
　
　さらに、段落【００２２】の「次に, 上記３層構造の配線膜をパターニングして配線を形成し，その上に層間絶縁膜 6を被着し，上層配線に対するコンタクトホール 7を形成する。」との記載及び図１より、多層相互接続構造体を製造していることは明らかである。
　
　よって、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「多層相互接続構造体を有する半導体装置の製造方法において、
　半導体基板 1上にスパッタ法等によりTi (下層)を被着し、
　Ti (下層)上にスパッタ法等によりTiN(上層)を被着し、
　TiN(上層)上にAl-0.1％Cu-0.1％Ti合金からなるSiが含まれないAl合金膜 4を成膜温度550℃で成膜し、
　TiNからなる上層高融点金属膜 5を成膜温度500℃で成膜する、
工程からなる、多層相互接続構造体を有する半導体装置の製造方法。」
　
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「多層相互接続構造体を有する半導体装置の製造方法」は、本願発明の「半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法」に相当する。
（２）引用発明の「半導体基板 1」、「Ti (下層)」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「チタン層」（及び「チタン基層」）に相当するから、引用発明の「半導体基板 1上にスパッタ法等によりTi (下層)を被着し」は、本願発明の「基板上にチタン層を蒸着させ」に相当する。
（３）引用発明の「TiN(上層)」は、本願発明の「窒化チタン層」に相当するから、引用発明の「Ti (下層)上にスパッタ法等によりTiN(上層)を被着し」は、本願発明の「チタン基層上に窒化チタン層を蒸着させ」に相当する。
（４）引用発明の「Al-0.1％Cu-0.1％Ti合金からなるSiが含まれないAl合金膜 4」は、本願発明の「シリコン不含アルミニウム−銅合金層」に対応し、本願発明の「５００℃を上回る温度で窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム−銅合金層を蒸着させ」と引用発明の「TiN(上層)上にAl-0.1％Cu-0.1％Ti合金からなるSiが含まれないAl合金膜 4を成膜温度550℃で成膜し」とは、「５００℃を上回る温度で窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム」「合金層を蒸着させ」る点で共通する。
（５）引用発明の「500℃」、「TiNからなる上層高融点金属膜 5」は、それぞれ、本願発明の「第４の温度」、「第２の窒化チタン層」に相当するから、本願発明と引用発明とは、「第４の温度でアルミニウム」「合金層の上に第２の窒化チタン層を蒸着させる」点で共通する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 
　
（一致点）
「半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法において、その製法が
　基板上にチタン層を蒸着させ；
　チタン基層上に窒化チタン層を蒸着させ；
　５００℃を上回る温度で窒化チタン層上にシリコン不含アルミニウム合金層を蒸着させ、かつ
　第４の温度でアルミニウム合金層の上に第２の窒化チタン層を蒸着させる
工程からなる、半導体集積回路用多層相互接続構造体の製法。」
　
（相違点）
　「シリコン不含アルミニウム合金層」に関して、本願発明は、「シリコン不含アルミニウム−銅合金層」であってアルミニウム及び銅で構成されるのに対し、引用発明は、「Al-0.1％Cu-0.1％Ti合金からなるSiが含まれないAl合金膜 4」であってAl及びCuだけでなくTiも含んで構成される点。
　
　
４．当審の判断 
　以下において、相違点について検討する。
　
　引用例の、段落【００１５】の「ここで，Tiの濃度は合金中の固溶限度である0.15％以下にして，過剰チタンがAlグレインの境界に析出して, グレインの成長を妨げないようにする」との記載、及び、段落【００２５】の「実施例では上層高融点金属膜の下層の配線膜としてAl合金膜を用いたが, これの代わりに純Alを用いても本発明を適用できる。」との記載によると、Al合金膜に含まれるTiの濃度は低いのが望ましく、Tiを含まない場合も許容しているものと認められる。
　また、半導体集積回路の技術分野において、アルミニウム合金配線の材料として、アルミニウムと銅で構成される「シリコン不含アルミニウム−銅合金」を用いることは、当業者における従来周知の技術である。
　よって、引用発明において、「Siが含まれないAl合金膜 4」を構成する材料として、「Al-0.1％Cu-0.1％Ti合金」のうちTiを含まない材料、すなわち、本願発明のような「シリコン不含アルミニウム−銅合金」を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　したがって、本願発明（本願の請求項３に係る発明）は、引用発明（引用例に記載された発明）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　
第４．結言
　以上検討したとおり、本願の請求項３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。