【事件の表示】
　平成１０年特許願第１８１０６８号「半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月１４日出願公開、特開２０００−　１１４１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件審判の請求に係る特許願（以下「本願」という。）は、平成１０年６月２６日に出願されたものあって、平成１４年１１月２８日付けで、請求項１〜６に係る各発明について、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨の拒絶理由の通知がなされ、平成１５年１２月２６日付けで、本願は前記拒絶理由で拒絶すべきものである旨の査定がなされたものである。
　そして、平成１６年２月５日付けで、特許法第１２１条第１項の審判が請求され、審判の請求の日から３０日以内の平成１６年３月８日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
II．平成１６年３月８日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　〔補正却下の決定の結論〕
　平成１６年３月８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
　〔理由〕
　１．本件補正について
　(1)補正の内容及び目的
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲は、本件補正前の請求項２，３を削除して請求項の数を１８から１６にするとともに、本件補正前の請求項４以降の請求項番号をそれぞれ、２繰り上げる。
　また、本件補正後の請求項１は、本件補正前の請求項１に対して、本件補正前の請求項２，３に記載のあった構成要件である、大要、「第１及び第２のレーザ素子部の活性層の材料」について、及び、両レーザ素子部の「第３クラッド層」についての構成要件、「共通電極と各レーザ素子部上に設けられる第１及び第２のレーザ電極」についての構成要件、「ヒートシンク上へのマウント」についての要件要件、さらに「基板の下面から各第３クラッド層までの両レーザ素子部の厚さ」についての構成要件等を付加したものである。
　また、本件補正後の請求項２は、補正前の請求項４に対して、「基板の下面から第３クラッド層までの両レーザ素子部の厚さ」についての要件要件を付加したものである。
　さらに、本件補正後の請求項６，７は、本件補正前の請求項８，９に対して、「第１及び第２のレーザ素子部の各活性層について、それぞれ、「ＡｌＧａＡｓを含む」、「ＩｎＧａＰを含む」とするものである。
　
　(2)補正の適否
　しかしながら、本件補正で、「【請求項１】・・・前記基板の下面から前記第３クラッド層までの厚さが前記第１および第２のレーザ素子部で同じであり、・・・」、及び「【請求項２】・・・前記基板の下面から前記第３クラッド層までの厚さが前記第１および第２のレーザ素子部で同じになるようにする・・・」なる、両レーザ素子部の厚さについての要件を追加する補正は、本願当初の明細書等（例えば、【０１０３】）をみても、該当する記載は明確に見いだせず、この補正は、出願当初の明細書等に記載された事項の範囲内のものとはいえず新規事項を追加するものである。
　結局、本件補正は、請求項１，２に係る発明においては、上記したように願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した範囲内においてしたものでなく、特許法１７条の２第２項において準用する同法第１７条第３項の規定に違反するものであり、また、特許法第１７条の２第３項第１〜４号に規定された目的のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
　(3)補正についての結び
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
  (4)独立特許要件の検討
　上記で検討したとおり、本件補正は、特許法１７条の２第２項において準用する同法第１７条第３項の規定に違反するものであり、また、特許法第１７条の２第３項第１〜４号に規定された目的のいずれにも該当しないことは明らかであるから、本来これ以上の検討は不要であるが、仮に、本件補正が、【０１０３】の記載に加え【００６０】【００６１】【図５】【図６】を含めて参酌していくことで、特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号の特許請求の範囲の請求項の削除及び減縮を目的とするものに該当するとした場合、本件補正後の請求項６に係る発明（以下「補正後発明」という。）が特許請求の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについても以下に検討する。
　
　２．独立特許要件について
　 (1)補正後発明
　補正後発明は、以下のとおりである。
「【請求項６】　第１の波長のレーザ光を放出する第１のレーザ素子部と、
　前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を前記第１の波長のレーザ光と略平行な方向に放出する第２のレーザ素子部と、
　前記第１の波長のレーザ光のうちで外部において反射されて戻った第１の戻り光を検出する第１の検出手段と、
　前記第２の波長のレーザ光のうちで外部において反射されて戻った第２の戻り光を検出する第２の検出手段と、を備え、
　前記第１のレーザ素子部は、ＡｌＧａＡｓを含む活性層を有し、
　前記第２のレーザ素子部は、ＩｎＧａＰを含む活性層を有し、
　前記第１のレーザ素子部及び前記第２のレーザ素子部は、同一チップ上に形成されることを特徴とする光集積ユニット。」
　
　 (2)刊行物及びその記載
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−２０４４８７号公報（以下「刊行物１」という。）、及び、特開平１０−１４９５７１号公報（以下「刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の記載がある。
　−刊行物１について−
　刊行物１には、「半導体レーザ装置」に関する発明について、以下の記載がある。
　　a．「（１）発振波長が互いに異なる、第１のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置と第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置とが同一の基板上に形成されていることを特徴とする２波長集積型の半導体レーザ装置。
（２）前記基板をＧａＡｓ基板とし、
前記第１のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置を、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐまたは（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０＜ｘ＜１）を活性層とし、（ＡｌｙＧａ１−ｙ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０≦ｘ＜ｙ≦１）またはＡｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐをクラッド層とし、
　前記第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置を、Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ａｓ（０＜ｘ’＜１）を活性層とし、Ａｌｙ’Ｇａ１−ｙ’Ａｓ（０＜ｘ’＜ｙ’＜１）または（Ａｌｙ”Ｇａ１−ｙ”）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０＜ｙ”≦１）またはＡｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐをクラッド層とすることを特徴とする請求項１記載の２波長集積型の半導体レーザ装置。」（【特許請求の範囲】）
　　b．「〔従来技術と発明が解決しようとする課題〕　
　光ディスクなどの光情報処理用の光源として、波長０．７８μｍ帯の短波長半導体レーザ装置および波長０．５８〜０．６８μｍの可視半導体レーザ装置は、その重要性を増している。」（第１頁右下欄第７〜１１行）
　　c．「〔実施例〕　
　以下、本発明の実施例を説明する。
　第１図は、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、１つのレーザの活性層にアンドープＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層を、もう１つのレーザの活性層にアンドープＡｌ０．０９Ｇａ０．９１Ａｓを用いた２波長、デュアルの半導体レーザ装置に本発明を適用した実施例を示す。
　この半導体レーザ装置の構造を、その製造方法に基づいて説明する。
　まずＭＯＶＰＥ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ＳｅドープＧａＡｓバッファ層１０２を１μｍ、Ｓｅドープ（Ａｌ０．４Ｇａ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層１０３を１μｍ、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層１０４を１μｍ、Ｚｎドープ（Ａ１０．４Ｇａ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層１０５をｌμｍ成長し、第１の半導体レーザのためのダブルヘテロ構造を形成した後、第２の半導体レーザを形成するため、ダブルヘテ口構造をストライプ状に化学エツチングして除去する。
　その後、第２の半導体レーザのためのダブルヘテロ構造を、ＳｅドープＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層１０９を１μｍ、アンドープＡｌ０．０９Ｇａ０．９１Ａｓ活性層１１０を０．１μｍ、ＺｎドープＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層１１１を１μｍ順次成長する。
　この時、選択成長を行い第１の半導体レーザ用のダブルヘテロ構造上には結晶成長を行わない。
　その後、ＺｎドープＧａＡｓ層１０８、ＳｅドープＧａＡｓ層１０７を電流を狭さくできる様に、２個の発光部を約１００μｍ離して形成し、ｐ電極１１２を２個のレーザに独立に設け、ｎ電極１１３を形成する。
　本実施例により、同一基板上に発振波長０．７８μｍおよび０．６８μｍのそれぞれの波長を有する２波長のデュアルの半導体レーザ装置ができる。」（第２頁右下欄第４行〜第３頁左上欄第１７行）
　
　以上の記載を活性層の材料に着目して整理すると、刊行物１には、以下の発明が記載されているものと認める。
　「光ディスクなどの光情報処理装置の光源のための半導体レーザ装置であって、
　発振波長が互いに異なる、第１のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置と、第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置とからなり、
  第１のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置は、
Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐまたは（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０＜ｘ＜１）を活性層とし、
　第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置は、
Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ａｓ（０＜ｘ’＜１）を活性層とし、
　第１のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置と、第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置とは、同一のＧａＡｓ基板上に形成されている２波長集積型の半導体レーザ装置。」
　
　−刊行物２について−
　刊行物２には、「光ピックアップ装置」に関する発明について、以下の記載がある。
　　d．「【００１６】ＣＤ、ＣＤ−ＲとＤＶＤとの互換再生を行う光ピックアップ１０の構成を図１に示す。光学手段１中の半導体レーザ１ａ、１ｂから発せられた波長６３５（許容範囲：６２０〜６６０）ｎｍ若しくは波長７８０（許容範囲：７６０〜８００）ｎｍのレーザビームは光学手段１の表面に設けられたホログラム１ｄで選択的に回折され、開口数変更手段４で選択的に遮光されて対物レンズ５に入射する。該対物レンズ５で集光されたレーザビームは、透光性のポリカーボネートの基板７（または７７）を通って光ディスクの信号記録面７ａ（または７７ａ）に照射される。該信号記録面７ａ（または７７ａ）で反射されたレーザビームは前記基板７（または７７）、前記対物レンズ５、前記開口数変更手段４を介して戻り、前記ホログラム１ｄを介して前記光学手段１中に設置された光検出器１ｃで検知される。前記対物レンズ５は基板厚０.６ｍｍの光ディスク用に設計されており、開口数は０.６（許容誤差±０.０５）である。
【００１７】本発明においては、前記光学手段１は波長７８０ｎｍのレーザビームを発する半導体レーザ１ａ、波長６３５ｎｍのレーザビームを発する半導体レーザ１ｂ、光検出器１ｃ及び波長６３５ｎｍのレーザビームは回折せず、波長７８０ｎｍのレーザビームのみを回折するホログラム１ｄを配しており、ＣＤ、ＣＤ−Ｒが再生される場合には前記半導体レーザ１ａが選択駆動され、ＤＶＤが再生される場合には前記半導体レーザ１ｂが選択駆動される。即ち、光学手段１は、波長６３５ｎｍのレーザビームと波長７８０ｎｍのレーザビームとを選択駆動し、波長７８０ｎｍのレーザビームのみを回折して前記対物レンズ４に入射させるとともに、波長６３５ｎｍのレーザビーム、および波長７８０ｎｍのレーザビームの光ディスクの信号記録面での反射光を前記光検出器１ｃに集光する機能を有するものである。」
　　e．「【００１９】また、前記光学手段１中には、前記半導体レーザ１ａ、１ｂと前記光検出器１ｃとが設けられているが、これらの位置関係について説明する。本発明で用いるホログラムは半導体レーザから発せられたレーザビームの波長の違いにより選択的にレーザビームを回折し、前記対物レンズ５に入射させ、前記信号記録面７ａ（または７７ａ）からの反射光を、レーザビームを発した半導体レーザの方向とは異なる方向に集光させる機能を有するものである。図２を参照して、レーザビームを発する半導体レーザＳＬと反射光を検出する光検出器Ｄとの位置関係の決定方法について説明する。半導体レーザＳＬと光検出器Ｄとは同一平面上に設置されており、半導体レーザＳＬとホログラムＨとの距離をＬ、ホログラムＨに設けられた微少な凹凸構造のピッチをｐ、反射光がホログラムＨにより変更された進行方向と法線方向との成す角をθ、レーザビームの波長をλ、半導体レーザＳＬと光検出器Ｄとの距離をＺとする。
【００２０】この場合、
ｓｉｎθ＝λ／ｐ・・・・・・・（１）
Ｚ＝Ｌｔａｎθ・・・・・・・・（２）
が成立する。また、上記、式（１）、（２）より
Ｚ＝Ｌλ／（ｐ２―λ２)１/２・・・（３）
が成立する。従って、レーザビームの波長が長い程、反射光がホログラムＨにより進行方向を変えられる角度θは大きくなる。その結果、半導体レーザＳＬと光検出器Ｄとの距離Ｚは大きくなる。これは、波長の異なるレーザビームを発する半導体レーザを同一の位置に設置したならば、反射光を検出する位置が異なることを意味する。即ち、波長６３５ｎｍのレーザビームの反射光が光検出器Ｄで検出されるならば、波長７８０ｎｍのレーザビームの反射光は光検出器Ｄより半導体レーザＳＬとは反対方向にずれた位置で検出できることになる。
　　　　　　　　　　　・・・　以　下　省　略　・・・　　　　　　　　」
　 (3)対比・判断
　〔補正後発明と刊行物１記載の発明との対比〕
　　i．刊行物１記載の発明における第１のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置と第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置は、発振波長が互いに異なるものであり、それぞれのレーザ装置の活性層は、前者が、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐまたは（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０＜ｘ＜１）、後者が、Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ａｓ（０＜ｘ’＜１）とされている。
　　ii．刊行物１記載の発明の第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置の活性層の材料Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ａｓ（０＜ｘ’＜１）は、補正後発明の第１のレーザ素子部が有するＡｌＧａＡｓを含む活性層と、その材料において、一致し、半導体レーザ素子がダブルへテロ構造を有していることは自明であるから、刊行物１記載の発明における第２のダブルへテロ構造半導体レーザ装置が、補正後発明における第１のレーザ素子部に相当することは明らかである。
　　iii．刊行物１記載の発明の第１のダブルへテロ構造半導体レーザ装置の活性層の材料Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐまたは（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ（０＜ｘ＜１）は、補正後発明の第２のレーザ素子部が有するＩｎＧａＰを含む活性層と、その材料において一致し、刊行物１記載の発明における第１のダブルへテロ構造半導体レーザ装置が、補正後発明における第２のレーザ素子部に相当することは明らかである。
　　iv．刊行物１記載の発明は、第１のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置と、第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置とは、同一のＧａＡｓ基板上に集積形成されるものであり、補正後発明が、第１のレーザ素子部及び第２のレーザ素子部は、同一チップ上に形成して、集積ユニットとした点と差異はない。
　
　結局、両発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
　［一致点］
　「第１の波長のレーザ光を放出する第１のレーザ素子部と、
　前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を前記第１の波長のレーザ光と略平行な方向に放出する第２のレーザ素子部と、
　を備え、
　前記第１のレーザ素子部は、ＡｌＧａＡｓを含む活性層を有し、
　前記第２のレーザ素子部は、ＩｎＧａＰを含む活性層を有し、
　前記第１のレーザ素子部及び前記第２のレーザ素子部は、同一チップ上に形成されることを特徴とする光集積ユニット。」
　
　［相違点］
　補正後発明が、光集積ユニットにおいて「 第１の波長のレーザ光のうちで外部において反射されて戻った第１の戻り光を検出する第１の検出手段と、
　第２の波長のレーザ光のうちで外部において反射されて戻った第２の戻り光を検出する第２の検出手段と」を備えているのに対して、刊行物１記載の発明では、光ディスクのなどの光情報処理用の光源としての記載はあるが検出手段にまでは言及してない点。
　
　［判断］
　刊行物１記載の発明は、上記したように、「光ディスクなどの光情報処理装置の光源のための半導体レーザ装置」としてなされたものであって、光ディスク装置である以上は、光源である半導体レーザと半導体レーザから出射され、光ディスク等、外部で反射されて戻ったレーザ光を検出する検出手段と、を（例えば、同一基板上に一体的に）備える構成としていること、２波長集積型の半導体レーザ装置を光ディスク装置等の光ピックアップ装置に適用しようとする場合、外部で反射されて戻ってきたレーザ光を検出する手段を、（例えば、一体的に）備える構成としていることは、明確な記載がなくとも、周知、ないし、適宜に採用し得る範囲内のもので、相違点を判断していく前提構成として相違はない。
　そして、光ピックアップ装置において、光源が、波長の異なる２波長のレーザ光を発する場合、上記刊行物２では「レーザビームの波長が長い程、反射光がホログラムＨにより進行方向を変えられる角度θは大きくなる。その結果、半導体レーザＳＬと光検出器Ｄとの距離Ｚは大きくなる。これは、波長の異なるレーザビームを発する半導体レーザを同一の位置に設置したならば、反射光を検出する位置が異なることを意味する。即ち、波長６３５ｎｍのレーザビームの反射光が光検出器Ｄで検出されるならば、波長７８０ｎｍのレーザビームの反射光は光検出器Ｄより半導体レーザＳＬとは反対方向にずれた位置で検出できることになる」（【００２０】）と記載されていることから、異なる波長のレーザ光を発する半導体レーザで、両レーザ光の発光位置が極めて近接している場合には、両半導体レーザーの戻り光の収束位置は当然異なるものであり、それぞれの戻り光を検出するために異なる位置に有効検出部を配置することは当業者が容易に想到し得たものである。
　なお、必要であれば特開平９−９１７４５号公報，特開平９−９７４４８号公報等を参照されたい。
　
　よって、刊行物１記載の発明において、検出手段を設けようとする場合、波長の異なる第１および第２のダブルヘテロ構造半導体レーザ装置のそれぞれの戻り光に対応して、各個別に検出手段を設けることは、当業者であれば、当然になし得ることと認める。
　
　以上のとおりであるから、本件補正後の請求項６に係る発明は、刊行物１及び２記載の各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであり、特許法第２９条第２項の規定より、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　 (4)補正についての結び 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
III．本願発明について
　１．本願発明
　平成１６年３月８日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜１８に係る各発明は、平成１５年２月３日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面からみて、特許請求の範囲請求項１〜１８に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項８の記載は、以下のとおりである。
　「【請求項８】第１の波長のレーザ光を放出する第１のレーザ素子部と、
　前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を前記第１の波長のレーザ光と略平行な方向に放出する第２のレーザ素子部と、
　前記第１の波長のレーザ光のうちで外部において反射されて戻った第１の戻り光を検出する第１の検出手段と、
　前記第２の波長のレーザ光のうちで外部において反射されて戻った第２の戻り光を検出する第２の検出手段と、を備え、
　前記第１のレーザ素子部及び前記第２のレーザ素子部は、同一の半導体基板上に形成されることを特徴とする光集積ユニット。」（以下「本願発明」という。）
　
　２．刊行物及びその記載
　前記II．２．(3)のとおりである。
　
　３．対比・判断
　本願発明は、前記補正後発明に対して、各レーザ素子部について、活性層の材料を限定する要件を除いたものに相当するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する前記補正後発明が、前記II．２(3)に記載したとおり、刊行物１及び２記載の各発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものである。
　
　４.むすび
　以上のとおり、本願請求項８に係る発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであるから、本願は、その余の請求項について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。