【事件の表示】
　平成１０年特許願第３２９２３６号「ポリカーボネート樹脂及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月　６日出願公開、特開２０００−１５４２４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１０年１１月１９日の特許出願であって、平成１８年８月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１９年４月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１７日に拒絶査定不服審判が請求され、同年７月２４日に審判請求書の手続補正書（方式）が提出されたものである。 
　そして、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１８年１０月２６日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」ともいう。）は、以下のとおりのものである。 
 「ホスゲンを原料に用いてポリカーボネート樹脂を製造する方法において、四塩化炭素含有量が１００ｐｐｍ以下及び塩素分子含有量が１０００ｐｐｂ以下のホスゲンを用いることを特徴とするポリカーボネート樹脂の製造方法。」 
 　 
第２．原査定の拒絶の理由の概要 
　原査定の理由とされた、平成１８年８月２３日付け拒絶理由通知書に記載した理由の概要は、
「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１、２
・引用文献　１〜５
　　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開平１０−２１１６８６号公報
２．.特開平１０−２２６７２４号公報
３．特開平０７−２２８６７９号公報
４．特開昭６２−２９７３２０号公報
５．特開平０９−０５９０１２号公報」
（なお、拒絶理由通知書における請求項１、２は、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１、２であって、本願の請求項１、４に係る発明に相当する。）
  　 
第３．合議体の判断 
　１．刊行物の記載事項 
　（１）引用文献１（特開平１０−２１１６８６号公報）
　　（１−１）「【請求項４】  ホスゲンを出発原料として製造したカーボネート結合を有する樹脂を所望の形状に成形した精密部材用収納容器において、該カーボネート結合を有する樹脂の製造に用いられる原料ホスゲン中の未反応塩素濃度が１０００ｐｐｂ以下のものである原料ホスゲンを用いて製造されたカーボネート結合を有する樹脂を基材として用いたことを特徴とする精密部材用収納容器。」（特許請求の範囲請求項４）
　　（１−２）「【従来の技術】ポリカーボネート樹脂製収納容器は、透明もしくは半透明で被収納物が透視可能であり耐衝撃性等に優れている点から従来より広く使用されてきた。ところが近年対象とされる被収納物の種類が広がり、汚染を極度に嫌う電気部材、電子機器部材等の精密部材の分野にも使用されるようになってきた。しかし、ウェハー、ＩＣ等の半導体材料等の精密部材に見られるように、その高性能化に伴い、被収納物を組み込み、もしくは加工したものに誤作動が生じることもあることが判明した。
　この誤作動の原因を追及したところ、ポリカーボネート樹脂製の収納容器から精密部材収納中に揮発してくるＣｌ（塩素）であることが判明した。ポリカーボネート樹脂として、成形時の金型腐食を防止するためにＣｌ量を低減させるべく特開昭６２−２９７３２０号公報や特開昭６２−２９７３２１号公報には、ホスゲン中の不純物としてホスゲンより高沸点の四塩化炭素が含有していることが記載されており、成形時において加熱した場合に塩酸を発生させるため、ホスゲン中の四塩化炭素含有量を一定量以下とすることが報告されている。」（段落【０００２】〜【０００３】）
　　（１−３）「
ホスゲンの調製
この液化ホスゲンは直径が５５ｍｍ、高さが５００ｍｍリットルの円筒型容器内に下記の物性の酸性ガス用活性炭（シラサギ  ＧＨ２Ｘ４／６ＵＧ、タケダ製）を充填し、−５℃、７．２ｋｇ／時間、ＳＶ＝４で通液処理した。
表−１に示す塩素含有量の液化ホスゲンは、活性炭塔出口の値で通過したホスゲンを何度も活性炭塔に導くことにより塩素含有量を０ｐｐｍまで低下することが判った。なお、表−１に示すＣｌ２含有量の液化ホスゲンは、所定の液化ホスゲンに新たにＣｌ２ガスをボンベより添加し、表−１の濃度に調整したものである。」（段落【００４０】〜【００４１】）
　
　（２）引用文献２（特開平１０−２２６７２４号公報） 
　　（２−１）「【請求項５】ホスゲンを原料として用いるカーボネート結合を有する樹脂の製造方法において、原料ホスゲンとして塩素濃度が１，０００ｐｐｂ以下のホスゲンを使用することを特徴とする、揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂の製造方法。
・・・
【請求項１１】ホスゲンとして、一酸化炭素と塩素との反応によって得られたホスゲンを使用する、請求項５〜１０のいずれかに記載の揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂の製造方法。
【請求項１２】一酸化炭素と塩素との反応によって得られたホスゲンを吸着処理する、請求項１１に記載の揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂の製造方法。
【請求項１３】吸着処理が活性炭を用いて行われる、請求項１２に記載の揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂の製造方法。」（特許請求の範囲請求項５〜１３） 
　　（２−２）「一方、特開昭６２−２９７３２０号公報や特開昭６２−２９７３２１号公報には、カーボネート結合を有する樹脂の原料であるホスゲン中の不純物として、ホスゲンより高沸点の四塩化炭素が含有されていることが記載されており、このようなホスゲンを原料として製造された樹脂の成形時において加熱により塩化水素を発生させるため、ホスゲン中の四塩化炭素含有量を一定量以下とすることが報告されている。」（段落【０００３】） 
　　（２−３）「【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、最終製品として得られるポリカーボネートの成形品から常温において揮発性塩素に関して鋭意検討を行った結果、驚くべきことに、この揮発性塩素とポリカーボネートの製造原料として用いられるホスゲン中に不純物として含有される塩素との間に関係があることが判った。即ち、ホスゲン中に不純物として残存する塩素は、ポリカーボネートの製造工程における初期の反応段階で原料の特定箇所を何らかの形で塩素化し、最終工程まで変化しないまま残存して、成形後、常温で放置する間に徐々に塩素が揮発してくる原因となることが判明した（検出はＣｌイオンとして認められる）。一方、前記したような四塩化炭素がポリカーボネート中に残留している場合や、二相界面重縮合法によるポリカーボネートの製造工程において生成するクロロホーメート基が残留している場合は、樹脂の溶融成形時に塩化水素の発生が認められる。しかしながらこれらは前記した成形後において揮発してくる塩素とは明確に区別されるべきものである。即ち、反応性の非常に高いＣｌ基の場合、溶融成形の際の熱で直ぐに塩化水素に変化するが、上記の塩素化された部位の場合では溶融成形で外れるよりもむしろ、成形後、常温下で光分解等により徐々に塩素が生成してゆくものであることが判った。従って、四塩化炭素がポリカーボネート中に残留している場合や二相界面重縮合法によるポリカーボネート製造工程の途中で生成するクロロホーメート基が残留している場合には、溶融成形後、成形品を一旦純水で洗浄することで除去される。
　一方、上記のホスゲン中に残存する塩素により塩素化された部位の場合、溶融成形時にポリカーボネートに熱がかかることにより一時的に塩素が発生するものもあるが、一旦純水により洗浄してもなお完全に除去されず、常温で放置しておくと徐々に発生してくることが判った（検出はＣｌイオンとして認められる）。この様な塩素を「揮発性塩素」と云う。このような揮発性塩素の存在は、これまで無視されがちであったが、近年の様々なポリカーボネート樹脂成形品の品質・物性向上に伴い問題となることが判明した。本発明の目的は、揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂及びその製造方法を提供することにある。」（段落【０００５】〜【０００６】） 
　　（２−４）「【発明の実施の形態】
[I] 揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂の製造
(1)  概  要
本発明の揮発性塩素の少ないカーボネート樹脂の製造方法においては、公知のカーボネート結合を有する樹脂の製造方法と同等の方法で実施でき、特に制限は無く、ホスゲンを原料とする各種の製造方法を採用することができる。この場合、上記「ホスゲンを原料とする」とは、ホスゲンを上記樹脂の直接の原料とする場合だけでなく、ホスゲンを原料として上記樹脂の中間体を製造し、それを用いて上記樹脂を製造する等の場合をも含むものである。上記公知のカーボネート結合を有する樹脂の製造方法としては、通常、ジフェノール類とカーボネート原料とを反応させてポリカーボネート樹脂を得るに際し、カーボネート原料としてカーボネート原料として、ホスゲン又はホスゲンを原料とするカーボネート原料を使用する方法である。・・・等を例示することができる。
(2)  原材料
(a) ホスゲン　
塩素濃度
　　（２−５）「【発明の効果】本発明の揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂は、常温で保持した際に徐々に揮発する塩素が少なく品質が安定している。また、本発明の製造方法により得られるポリカーボネート樹脂は、前記の性質に加え、高温成形における熱安定性が著しく向上して、溶融成形後の色相変化が小さく、着色の少ない成形品を得ることができるので、従来品に比べ、その用途範囲を大きく拡大できる利点を有する。」（段落【００３３】）　
　
　（３）引用文献３（特開平０７−２２８６７９号公報）
　　（３−１）「特開昭６２−２９７３２０には原料ホスゲンとして、四塩化炭素濃度が２００ｐｐｍ以下のホスゲンを使用して芳香族ポリカーボネートを製造する方法が示されている。この四塩化炭素は、製品中に混入した場合、ペレット化や成形時の加熱により酸性成分が発生し成形機の金型を腐食させたり、得られる芳香族ポリカーボネートの成形品の色調が悪くなるなどの品質の低下を引き起こすとされている。」（段落【０００３】）
　　（３−２）「実施例１
芳香族ポリカーボネートを製造するにあたり、ホスゲン中のヘキサクロロエタンを除去するためホスゲンの精製を行った。即ち、一酸化炭素と塩素を活性炭中で反応させて得られた粗製ホスゲン（ヘキサクロロエタン：６５ｐｐｍ，四塩化炭素：７５０ｐｐｍ）を、−５℃まで冷却して液化し、次いで３０〜３５℃で蒸発させて一次精製ホスゲンを得た（ヘキサクロロエタン：１２ｐｐｍ，四塩化炭素：１４５ｐｐｍ）。この一次精製ホスゲンを、充填剤を有し１５℃に制御された内径２０ｍｍ、長さ１．５ｍの管内を通気することにより二次精製を行い（ヘキサクロロエタン：２ｐｐｍ，四塩化炭素：４８ｐｐｍ）反応系へ供給した。」(段落【００２１】)
　
　（４）引用文献４（特開昭６２−２９７３２０号公報） 
　　（４−１）「（１）ホスゲンを原料として用いるカーボネート結合を有する樹脂の製造方法において、原料ホスゲンとして、四塩化炭素濃度が２００ｐｐｍ以下のホスゲンを重合系に導入して重合することを特徴とするカーボネート結合を有する樹脂の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　　（４−２）「〔発明の目的〕
　本発明者らはペレット化や成形時に酸性成分が発生するのを防止し、ペレツトや成形片の色調を改良するため種々検討を重ねた結果、これらの悪影響を与える主原因が原料ホスゲン中に存在する四塩化炭素（ＣＣｌ４）であることを究明し、原料ホスゲン中のこれを２００ppm以下にすることにより、ペレツト化や成形時に酸性成分の発生がなく、ペレツト及び成形片の色調が良好な品質のすぐれたカーボネート結合を有する樹脂を製造出来ることを知得して本発明を完成した。」（第１頁右下欄下から３行〜第２頁左上欄９行）
　　（４−３）「原料ホスゲン中のＣＣｌ４の除去方法としては活性炭等によるＣＣｌ４の吸着除去やホスゲンと四塩化炭素の沸点差を利用した蒸留による分離除去等があり、いずれの方法で除去してもかまわない。」（第３頁左上欄１〜５行）
 　 
　（５）引用文献５（特開平０９−０５９０１２号公報） 
　　（５−１）「【請求項１】  活性炭を触媒として、一酸化炭素と塩素を反応させて、四塩化炭素濃度が１００ｐｐｍ（容積）以下の粗ホスゲンを得、該粗ホスゲンを、−４０〜７℃のもとで液化させることによって精製することを特徴とする、ホスゲンの製造法。
【請求項２】  活性炭を触媒として、一酸化炭素と塩素を反応させて、四塩化炭素濃度が１００ｐｐｍ（容積）以下の粗ホスゲンを得、該粗ホスゲンを、−４０〜７℃のもとで液化させた後、さらに、９〜２５℃のもとで気化させることによって精製することを特徴とする、ホスゲンの製造法。
【請求項３】  メタン含有率が１００ｐｐｍ（容積）以下である、一酸化炭素を用いる請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  精製ホスゲン中のホスゲンの純度が９９％（重量）以上であり、かつ、四塩化炭素濃度が１０ｐｐｍ（重量）以下である請求項３記載の方法。」（特許請求の範囲）
　　（５−２）「特開昭６２−２９７３２０号公報および特開昭６２−２９７３２１号公報には、ポリカーボネート樹脂の原料として、四塩化炭素濃度がある一定量以下のホスゲンを用いる方法が開示されている。この方法では、得られたポリマー中には四塩化炭素が数十ｐｐｍのオーダーで残存するために、金型腐食はある程度抑制できるが、ポリマーの耐熱性は未だ充分ではない。
【発明が解決しようとする課題】発明者らは、上記の課題を解決するため鋭意検討した結果、界面重合法において、ホスゲンの原料である一酸化炭素中のメタン濃度を特定し、粗ホスゲン中の四塩化炭素濃度を特定し、粗ホスゲンの精製を特定の条件で行うことにより、塩素系化合物、特に四塩化炭素の少ないホスゲンが得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。」（段落【０００６】〜【０００７】）
　　（５−３）「【発明の効果】本発明の方法を用いることにより、純度の高いホスゲンを製造することが可能である。特に界面重合法によりポリカーボネートを合成する際に、ポリマーへ残存すると色相や耐熱性に悪影響を及ぼす塩素系化合物、中でも四塩化炭素の含有量を効率良く低減できる。したがって、光学用記録板材料や、自動車のヘッドランプ用材料などの透明性、耐熱性を要求されるポリカーボネート樹脂製造用原料として、純度の高いホスゲンの製造方法を提供することが可能となる。」（段落【００３０】）
　
　２．刊行物に記載された発明の認定
　摘示（２−１）の記載からみて、引用文献２には、 
 「【請求項５】ホスゲンを原料として用いるカーボネート結合を有する樹脂の製造方法において、原料ホスゲンとして塩素濃度が１，０００ｐｐｂ以下のホスゲンを使用することを特徴とする、揮発性塩素の少ないポリカーボネート樹脂の製造方法。」に係る発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
　
　３．対比、判断 
　（１）本願発明と引用発明との対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　両発明は、揮発性塩素が少なく色調の良いポリカーボネート樹脂の提供という点で、共通の課題を有するものであって（本願明細書段落【０００７】、【０００８】等及び摘示（２−３））、「ホスゲンを原料に用いてポリカーボネート樹脂を製造する方法において、塩素分子含有量が１０００ｐｐｂ以下のホスゲンを用いることを特徴とするポリカーボネート樹脂の製造方法。」の点で一致しているが、以下の点において相違している。 
　
 ＜相違点＞ 
 　本願発明は、ホスゲンについて、さらに「四塩化炭素含有量が１００ｐｐｍ以下」との特定がなされているのに対し、引用発明では四塩化炭素含有量について特定されていない点。 　
　
　（２）相違点についての検討 
　摘示（１−２）、（２−２）、（３−１）、（４−１）、（４−２）、（５−１）〜（５−３）の記載からみて、本願出願時には、ポリカーボネート樹脂の製造に使用する原料ホスゲン中の四塩化炭素は、得られるポリカーボネート樹脂の成形時に金型腐食等の要因となること及び成形品の色調に悪影響を与えることから、原料ホスゲン中の四塩化炭素含有量を低減させる必要があることは周知の事項であった。
　引用発明は、上記周知の事項を前提とするものであるから（摘示（２−２））、より色調等の品質の改善されたポリカーボネート樹脂を製造するために、塩素分子とともに四塩化炭素の含有量の低減をも図ること及びその含有量の許容範囲を決定することは当業者が当然に試みる事項と認められる。
　そして、引用文献３〜５には、四塩化炭素の低減方法も記載されており（摘示（３−２）、（４−３）、（５−１））、これらの方法と引用文献２に記載の塩素原子の低減方法(摘示（２−４）)あるいは引用文献１に記載の塩素原子の低減方法(摘示（１−１）、（１−３））とは、いずれも蒸留あるいは活性炭による吸着等の通常の精製手段を用いるものであって、これらを組み合わせることに特段の阻害要因は見当たらない。
　したがって、塩素原子とともに四塩化炭素の低減を図ることに格別技術的な困難があるものとは認められない。
　また、本願発明の揮発性塩素が少なく色調の良いポリカーボネート樹脂を提供するとの作用効果は、引用発明の効果（摘示（２−５））及び上記周知事項から予測し得たものである。
 　 
　この点について、審判請求人は、平成１９年５月１７日付け審判請求書（平成１９年７月２４日付け手続補正書（方式）により補正）において、本願発明は、「本願発明は、ホスゲンを原料に用いて製造したポリカーボネート樹脂において、四塩化炭素が１０ｐｐｍ以下及び揮発性塩素が１００ｐｐｂ以下含有することを特徴とするポリカーボネート樹脂、該ポリカーボネート樹脂から形成された光ディスク用基板（または精密機器収納容器）という新規な構成により、湿熱処理後のエラー率（または常温処理後の半導体ウエハーと水との接触角）に優れるという効果を奏するものであり、この効果は当業者の予測の範囲を超えた顕著なものである。この顕著な効果は、ポリカーボネート樹脂中の四塩化炭素濃度のみあるいは揮発性塩素濃度のみを低減させただけでは達成できないものである。」旨主張している。 
　しかしながら、審判請求人の主張は、本願請求項４に係る発明の樹脂を特定の用途（本願請求項５または６に係る発明）に用いた場合の効果に関する主張にすぎない。
　これに対し、ポリカーボネート樹脂の製造方法に係る本願発明の効果は、揮発性塩素が少なく色調の良いポリカーボネート樹脂を提供することに存するのであって、上記の審判請求人の主張する効果は、本願発明において特段考慮すべきものとは認められない。
　したがって、上記審判請求人の主張は採用できない。 
 　 
　（３）まとめ 
　よって、本願発明は、引用文献２に記載された発明及び引用文献１、３〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
 　 
第４．むすび 
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明についての原査定の拒絶の理由は妥当なものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願はこの理由により拒絶すべきものである。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。