【事件の表示】
　平成　７年特許願第１４８８０２号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　３月２２日出願公開、特開平　８−　７７７８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成７年６月１５日（優先権主張平成６年６月２８日、平成６年７月８日）の出願であって、その請求項１４に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１４に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
　
「電流量の差によってデータを記憶するメモリセルと、
　上記メモリセルに接続される信号線と、
　上記信号線に電源電圧を供給する電圧供給手段と、
　上記電圧供給手段に接続され、上記電源電圧が設定値を越えるときには第１電圧検知信号を出力する一方、電源電圧が設定値以下のときには第２電圧検知信号を出力する電源電圧検知手段と、
　上記電源電圧検知手段及び信号線に接続され、上記第２の電圧検知信号を受けたときには上記信号線の電位を上記電源電圧とは異なる電圧に昇圧する昇圧手段とを備えたことを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−２３４３９０号公報（以下、「刊行物」という。）には、半導体集積回路装置に関して、図面と共に以下のような記載がなされている。
　
a)「【０００２】近年、半導体集積回路装置においては、動作可能な外部電源電圧の範囲を広くすることが要求されている。特に、ＥＰＲＯＭのアドレスデコーダにおいては低電圧動作が求められている。」（２ページ左欄２３行〜２６行）
　
b)「【０００５】本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、広い外部電源電圧の範囲で半導体集積回路装置の内部回路を動作させることができる内部電源回路を提供することにある。」（２ページ左欄３８行〜４１行）
　
c)「【０００８】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜図４に従って説明する。図１に示すように、電圧検出回路１１は外部電源ＶE の電圧ＶE を検出し、その外部電源電圧ＶE が予め定められた基準電圧ＶR 以上のときはローレベルの検出信号Ｓを出力し、外部電源電圧ＶE が予め定められた基準電圧ＶR より低いときはハイレベルの検出信号Ｓを出力する。
【０００９】昇圧回路１２は、ハイレベルの検出信号Ｓに基づいて外部電源電圧ＶE を昇圧した昇圧電圧ＶSUを生成する。切り換え回路１３は、ハイレベルの検出信号Ｓに基づいて昇圧電圧ＶSUを内部電源電圧ＶI として各内部回路に供給し、ローレベルの検出信号Ｓに基づいて外部電源電圧ＶE を内部電源電圧ＶI として各内部回路に供給する。」（２ページ右欄８行〜２２行）
　
d)「【００２５】このように本実施例においては、外部電源電圧ＶE が予め定められた基準電圧ＶR 以上のときは外部電源電圧ＶE をそのまま内部電源電圧ＶI として内部回路に供給し、外部電源電圧ＶE が予め定められた基準電圧ＶR より低いときは昇圧して内部電源電圧ＶI を生成する。
【００２６】従って、外部電源電圧ＶE が低いときでも所望の内部電源電圧ＶI を内部回路に供給できるため、広い外部電源電圧ＶE の範囲で内部回路を動作させることができる。」（３ページ右欄４４行〜４ページ左欄３行）
　
　以上の記載から、刊行物には、
「半導体集積回路装置において、
　電圧検出回路１１は外部電源ＶE の電圧ＶE を検出し、その外部電源電圧ＶE が予め定められた基準電圧ＶR 以上のときはローレベルの検出信号Ｓを出力し、
　外部電源電圧ＶE が予め定められた基準電圧ＶR より低いときはハイレベルの検出信号Ｓを出力し、
　昇圧回路１２は、ハイレベルの検出信号Ｓに基づいて外部電源電圧ＶE を昇圧した昇圧電圧ＶSUを生成し、
　切り換え回路１３は、ハイレベルの検出信号Ｓに基づいて昇圧電圧ＶSUを内部電源電圧ＶI として各内部回路に供給し、
　ローレベルの検出信号Ｓに基づいて外部電源電圧ＶE を内部電源電圧ＶI として各内部回路に供給することによって
　外部電源電圧ＶE が低いときでも所望の内部電源電圧ＶI を内部回路に供給できるため、広い外部電源電圧ＶE の範囲で内部回路を動作させることができる半導体集積回路装置。」に関する発明（以下、「刊行物記載発明」という。）が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と刊行物記載発明とを対比すると、刊行物記載発明の「半導体集積回路装置」は、本願発明の「半導体装置」に相当し、以下同様に、「電圧検出回路１１」は「電源電圧検知手段」に、「外部電源ＶE 」は「電圧供給手段」に、「外部電源ＶE の電圧ＶE」は「電源電圧」に、「予め定められた基準電圧ＶR 」は「設定値」に、「ローレベルの検出信号Ｓ」は「第１電圧検知信号」に、「ハイレベルの検出信号Ｓ」は「第２電圧検知信号」に、「昇圧回路１２」は「昇圧手段」に、「外部電源電圧ＶE を昇圧した昇圧電圧ＶSU」は「電源電圧とは異なる電圧」にそれぞれ相当する。
　
　摘記事項a)より、刊行物記載発明はＥＰＲＯＭのような「データを記憶するメモリセル」を有する半導体装置であることは明白である。また、当該メモリセルには、必要な「信号線」が接続されていることも明白である。さらに、当該「信号線」には、電源電圧が供給されることが当業者に自明な事項であるから、結局、刊行物記載発明は、「データを記憶するメモリセルと、上記メモリセルに接続される信号線と、上記信号線に電源電圧を供給する電圧供給手段」を有する点で本願発明と一致するものと認められる。
　
　したがって両者は、
　
「データを記憶するメモリセルと、
　上記メモリセルに接続される信号線と、
　上記信号線に電源電圧を供給する電圧供給手段と、
　上記電圧供給手段に接続され、上記電源電圧が設定値を越えるときには第１電圧検知信号を出力する一方、電源電圧が設定値より低いときには第２電圧検知信号を出力する電源電圧検知手段と、
　上記電源電圧検知手段に接続され、上記第２の電圧検知信号を受けたときには上記電源電圧とは異なる電圧に昇圧する昇圧手段とを備えた半導体装置。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］本願発明のメモリセルは、電流量の差によってデータを記憶するメモリセルであるのに対し、刊行物記載発明のメモリセルはどのような仕組みでデータを記憶しているのか明らかでない点。
　
［相違点２］本願発明の電源電圧検知手段は、「電源電圧が設定値を越えるときには第１電圧検知信号を出力する一方、電源電圧が設定値以下のときには第２電圧検知信号を出力する」のに対し、刊行物記載発明の電源電圧検知手段は、電源電圧が設定値以上のときには第１電圧検知信号を出力する一方、電源電圧が設定値より低いときには第２電圧検知信号を出力するものである点。
　
［相違点３］本願発明の昇圧手段は、電源電圧検知手段と共に信号線にも接続され、上記信号線の電位を昇圧するものであるのに対し、刊行物記載発明の昇圧手段は、電源電圧を内部電源電圧ＶI として各内部回路に供給するものであって、電源電圧検知手段には接続されているものの、信号線に接続されているかどうかは不明な点。
　
４．判断
［相違点１］
　電流量の差によってデータを記憶するメモリセルを有するＥＰＲＯＭは従来周知（特開平４−１９２１９６号公報（以下「周知例１」という。）「また、読み出しは消去時のしきい値（２Ｖ）より高い電圧Ｖｃｃを制御ゲート１に与えたときに選択されたメモリトランジスタ１００を介してドレイン３、ソース４間に電流が流れるか否かをセンスアンプ１３でセンスすることにより行われる。つまり、浮遊ゲート２に電子が注入され、論理値０が書き込まれているときは、制御ゲート１に電源電圧Ｖｃｃを印加しても、しきい値が５Ｖと高いのでメモリトランジスタ１００が導通（オン）せず、ドレイン３、ソース４間に電流が流れない。逆に浮遊ゲート２の電子が除去され、論理値１のときは、制御ゲート１に電源電圧Ｖｃｃを印加すると電源電圧Ｖｃｃがしきい値（２Ｖ）より高いので、メモリトランジスタ１００が導通（オン）し、ドレイン３、ソース４間に電流が流れる。これをセンスアンプ１３でセンスして情報を読みとるのである。」（３ページ左下欄１５行〜右下欄１０行）参照。）であり、刊行物記載発明のＥＰＲＯＭのメモリセルとして電流量の差によってデータを記憶するメモリセルを採用することに格別困難性は認められない。
　
［相違点２］
　ある基準値を元に範囲を分ける場合に、基準値以上のときと基準値より低いときに分けるか、基準値を超えるときと基準値以下のときに分けるかは単なる設計的事項に過ぎず、刊行物記載発明において電源電圧が設定値を越えるときには第１電圧検知信号を出力する一方、電源電圧が設定値以下のときには第２電圧検知信号を出力するよう構成することは当業者が適宜なし得るものである。
　
［相違点３］
　本願発明の「信号線」は、「メモリセルに接続」され、「昇圧手段」にも接続されるものであって、当該昇圧手段は、「第２の電圧検知信号を受けたときには上記信号線の電位を上記電源電圧とは異なる電圧に昇圧する」ものである。
　しかしながら、昇圧手段がどのように信号線に接続されるのか、本願明細書のいずれにもその具体的な態様はいずれにも記載されていない。
　通常、メモリセルに接続される信号線はワード線又はビット線であり、当該ワード線又はビット線は、所定のトランジスタなどを介して電源電圧（例えばＶｃｃ）などの電圧が印加されるものである。（周知例１第１図Ｖｃｃ及びトランジスタ２２１を介して接続されるワード線７１、特開平２−３０２９９４号公報（以下「周知例２」という。）第１図Ｖｃｃ及びトランジスタ１１，１２，１３等を介して接続されるワード線ＷＬ１、など。）したがって、本願発明の昇圧手段も、周知例１又は周知例２のＶｃｃが供給されるノードの位置（例えば、本願明細書図１のＶＤＤの位置）に昇圧手段によって昇圧された電圧が供給され、信号線の電位が昇圧されるものと解される。
　一方、刊行物記載発明の昇圧手段は、電源電圧を内部電源電圧ＶI として各内部回路に供給するものであるところ、当該内部電源電圧は、メモリセルを含む内部回路にも供給され、当該メモリセルに接続される信号線にも印加されることによって、結果的に信号線の電位を昇圧するものであると認められるから、本相違は実質的なものではない。
　
　また、本願発明の効果も、刊行物の記載に基づけば、当業者が普通に想起する範囲内のものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知例に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。