【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続端子を有する配線基板と、
前記配線基板上に積層された複数のチップ封止体と、を有し、
それぞれの前記チップ封止体は、半導体集積回路、パッド、及び前記パッドと外部装置とを接続する第１ボンディングワイヤを備えた半導体チップと、前記第１ボンディングワイヤの前記外部装置側の端部を露出するように前記半導体チップを封止する樹脂と、を含み、
前記接続端子と、それぞれの前記チップ封止体の前記第１ボンディングワイヤの前記外部装置側の端部とは、第２ボンディングワイヤによって導電接続され、
前記複数のチップ封止体、前記第２ボンディングワイヤ、及び前記接続端子は、樹脂封止材に封止されている半導体チップ積層体。
【請求項２】
前記チップ封止体は、
平面又は凹形の曲面の切欠き面を有する角部を有し、
前記第１ボンディングワイヤの前記外部装置側の端部は、前記第１ボンディングワイヤの長手方向に対して傾斜を有するように切断されて前記切欠き面から露出している請求項１記載の半導体チップ積層体。
【請求項３】
一対の、又は複数対の前記チップ封止体の切欠き面が対向するように積層され、それぞれの前記切欠き面が形成する空間の形状が、前記一対の、又は複数対の前記チップ封止体の各重ね合わせ面を対称面とする、面対称な形状である請求項２記載の半導体チップ積層体。
【請求項４】
前記チップ封止体の全面を覆う前記樹脂のうち、前記半導体チップの前記半導体集積回路側の面の反対側の面に設けられた部分が、ダイアタッチフィルムである請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体チップ積層体。
【請求項５】
最下層の前記半導体チップが、前記配線基板にフリップチップ実装されている請求項１乃至４何れか一項記載の半導体チップ積層体。
【請求項６】
前記第２ボンディングワイヤは、前記チップ封止体の側面に接触して形成されている請求項１乃至５の何れか一項記載の半導体チップ積層体。
【請求項７】
半導体集積回路及びパッドを備えた半導体チップとなる複数の領域を有する半導体ウエハにダイシングテープを貼り付け、前記半導体ウエハをダイシングし、前記ダイシングテープ上に所定間隔で配置された複数の半導体チップを作製するダイシング工程と、
前記ダイシング工程により得られた個々の前記半導体チップのうち、隣接する前記半導体チップの前記パッド間を第１ボンディングワイヤにより導電接続するパッド接続工程と、
前記ダイシングテープ上に、前記半導体チップ及び前記第１ボンディングワイヤを封止する第１樹脂を形成する第１樹脂形成工程と、
前記ダイシングテープを剥離する剥離工程と、
前記半導体チップ及び前記第１樹脂の前記剥離工程で露出した部分を封止する第２樹脂を形成する第２樹脂形成工程と、
隣接する前記半導体チップ間に位置する前記１樹脂、前記第１ボンディングワイヤ、及び前記第２樹脂を切断して、前記第１ボンディングワイヤの端部が前記第１樹脂から露出する複数のチップ封止体を形成するチップ封止体形成工程と、
前記複数のチップ封止体を積層し、各々の前記チップ封止体の前記第１樹脂から露出する前記第１ボンディングワイヤの端部同士を第２ボンディングワイヤにより相互に接続してチップ積層体を形成するチップ積層体形成工程と、
前記チップ積層体を配線基板上に搭載し、前記チップ積層体と前記配線基板とを封止する第３樹脂を形成する第３樹脂形成工程と、を有する半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項８】
前記ダイシング工程と前記パッド接続工程との間に、ダイシングテープの引張り拡大工程を有する請求項７記載の半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項９】
前記チップ封止体の角部を切欠いて形成される切欠き面内に、前記第１ボンディングワイヤの端部を露出させる角部切欠き工程を有する請求項７又は８記載の半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項１０】
前記パッド接続工程では、隣接する前記半導体チップの前記パッド間の前記第１ボンディングワイヤを含む面内における前記第１ボンディングワイヤの形状が、少なくとも１個の凹部を有する曲線となるように形成される請求項７乃至９の何れか一項記載の半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項１１】
前記第２樹脂として、ダイシングテープの機能を有するダイアタッチフィルムを使用する請求項７乃至１０の何れか一項記載の半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項１２】
前記第２樹脂形成工程と前記チップ封止体形成工程との間に、前記第２樹脂の前記半導体チップを封止する面とは反対側の面に前記チップ封止体の個片化用のダイシングテープを貼り付ける工程を有し、
前記個片化用のダイシングテープが、前記チップ封止体との接着面の反対側の面に接着層を有する請求項７乃至１０の何れか一項記載の半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項１３】
半導体集積回路及びパッドを備えた半導体チップとなる複数の領域を有する半導体ウエハをダイシングし、複数の半導体チップを形成するダイシング工程と、
前記ダイシング工程により得られた個々の前記半導体チップを、ダイアタッチフィルム上に所定間隔で搭載する半導体チップ搭載工程と、
前記ダイアタッチフィルム上に搭載された個々の前記半導体チップのうち、隣接する前記半導体チップの前記パッド間を第１ボンディングワイヤにより導電接続するパッド接続工程と、
前記ダイアタッチフィルム上に、前記半導体チップ及び前記第１ボンディングワイヤを封止する樹脂を形成する樹脂形成工程と、
隣接する前記半導体チップ間に位置する前記樹脂、前記第１ボンディングワイヤ、及び前記ダイアタッチフィルムを切断して、前記第１ボンディングワイヤの端部が前記樹脂から露出する複数のチップ封止体を形成するチップ封止体形成工程と、
前記複数のチップ封止体を積層し、各々の前記チップ封止体の前記樹脂から露出する前記第１ボンディングワイヤの端部同士を第２ボンディングワイヤにより相互に接続してチップ積層体を形成するチップ積層体形成工程と、
前記チップ積層体を配線基板上に搭載し、前記チップ積層体と前記配線基板とを配線接続する配線接続工程と、を有する半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項１４】
前記配線接続された前記チップ積層体と前記配線基板を樹脂封止するチップ積層体樹脂封止工程を有する請求項１３記載の半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項１５】
前記チップ封止体の角部を切欠いて形成される切欠き面内に、前記第１ボンディングワイヤの端部を露出させる角部切欠き工程を有する請求項１３又は１４記載の半導体チップ積層体の製造方法。
【請求項１６】
前記パッド接続工程では、隣接する前記半導体チップの前記パッド間の前記第１ボンディングワイヤを含む面内における前記第１ボンディングワイヤの形状が、少なくとも１個の凹部を有する曲線となるように形成される請求項１３乃至１５の何れか一項記載の半導体チップ積層体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本半導体チップ積層体は、接続端子を有する配線基板と、前記配線基板上に積層された複数のチップ封止体と、を有し、それぞれの前記チップ封止体は、半導体集積回路、パッド、及び前記パッドと外部装置とを接続する第１ボンディングワイヤを備えた半導体チップと、前記第１ボンディングワイヤの前記外部装置側の端部を露出するように前記半導体チップを封止する樹脂と、を含み、前記接続端子と、それぞれの前記チップ封止体の前記第１ボンディングワイヤの前記外部装置側の端部とは、第２ボンディングワイヤによって導電接続され、前記複数のチップ封止体、前記第２ボンディングワイヤ、及び前記接続端子は、樹脂封止材に封止されていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体チップ積層体の製造方法の一の形態は、半導体集積回路及びパッドを備えた半導体チップとなる複数の領域を有する半導体ウエハにダイシングテープを貼り付け、前記半導体ウエハをダイシングし、前記ダイシングテープ上に所定間隔で配置された複数の半導体チップを作製するダイシング工程と、前記ダイシング工程により得られた個々の前記半導体チップのうち、隣接する前記半導体チップの前記パッド間を第１ボンディングワイヤにより導電接続するパッド接続工程と、前記ダイシングテープ上に、前記半導体チップ及び前記第１ボンディングワイヤを封止する第１樹脂を形成する第１樹脂形成工程と、前記ダイシングテープを剥離する剥離工程と、前記半導体チップ及び前記第１樹脂の前記剥離工程で露出した部分を封止する第２樹脂を形成する第２樹脂形成工程と、隣接する前記半導体チップ間に位置する前記１樹脂、前記第１ボンディングワイヤ、及び前記第２樹脂を切断して、前記第１ボンディングワイヤの端部が前記第１樹脂から露出する複数のチップ封止体を形成するチップ封止体形成工程と、前記複数のチップ封止体を積層し、各々の前記チップ封止体の前記第１樹脂から露出する前記第１ボンディングワイヤの端部同士を第２ボンディングワイヤにより相互に接続してチップ積層体を形成するチップ積層体形成工程と、前記チップ積層体を配線基板上に搭載し、前記チップ積層体と前記配線基板とを封止する第３樹脂を形成する第３樹脂形成工程と、を有することを要件とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本半導体チップ積層体の製造方法の他の形態は、半導体集積回路及びパッドを備えた半導体チップとなる複数の領域を有する半導体ウエハをダイシングし、複数の半導体チップを形成するダイシング工程と、前記ダイシング工程により得られた個々の前記半導体チップを、ダイアタッチフィルム上に所定間隔で搭載する半導体チップ搭載工程と、前記ダイアタッチフィルム上に搭載された個々の前記半導体チップのうち、隣接する前記半導体チップの前記パッド間を第１ボンディングワイヤにより導電接続するパッド接続工程と、前記ダイアタッチフィルム上に、前記半導体チップ及び前記第１ボンディングワイヤを封止する樹脂を形成する樹脂形成工程と、隣接する前記半導体チップ間に位置する前記樹脂、前記第１ボンディングワイヤ、及び前記ダイアタッチフィルムを切断して、前記第１ボンディングワイヤの端部が前記樹脂から露出する複数のチップ封止体を形成するチップ封止体形成工程と、前記複数のチップ封止体を積層し、各々の前記チップ封止体の前記樹脂から露出する前記第１ボンディングワイヤの端部同士を第２ボンディングワイヤにより相互に接続してチップ積層体を形成するチップ積層体形成工程と、前記チップ積層体を配線基板上に搭載し、前記チップ積層体と前記配線基板とを配線接続する配線接続工程と、を有することを要件とする。