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　特願２００５−　４６２７４「感知電流安定装置を有するメモリーユニット」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月　９日出願公開、特開２００６−　６６０４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年２月２２日（パリ条約による優先権主張２００４年８月２６日、アメリカ合衆国）に出願した特願２００５−４６２７４号であって、拒絶理由通知に応答して平成１９年１２月１４日付けで手続補正がなされたが、平成２０年３月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２２年１月１５日付けで審尋がなされ、同年４月１９日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年６月２３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年６月２３日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６（以下「補正後請求項１」〜「補正後請求項６」という。）は以下のとおりである。
　
　「【請求項１】
　感知電流安定装置を有するメモリーユニットであって、
　メモリーセルと、
　低レベル出力電流を提供する参照セルと、
　前記メモリーセルと前記参照セルに電気的に接続され、前記低レベル出力電流と前記メモリーセルのメモリーセル電流によって電流差を発生する電流ミラーと、
　前記電流ミラーに電気的に接続され、前記電流差に応じて出力電圧を発生する感知増幅器と、
　を含むことを特徴とするメモリーユニット。
　【請求項２】
　前記感知増幅器が前記メモリーセルに電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載のメモリーユニット。
　【請求項３】
　前記メモリーユニットは更に、前記電流ミラーと前記メモリーセルとの間に介在するバイアス電圧回路を含むことを特徴とする請求項１記載のメモリーユニット。
　【請求項４】
　前記メモリーユニットは更に、前記電流ミラーと前記メモリーセルとの間に介在するスイッチ電圧回路を含むことを特徴とする請求項１記載のメモリーユニット。
　【請求項５】
　前記低レベル出力が高ロジックレベルであることを特徴とする請求項１記載のメモリーユニット。
　【請求項６】
　前記低レベル出力が低ロジックレベルであることを特徴とする請求項１記載のメモリーユニット。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると以下のとおりである。
　
［補正事項］
　補正前の請求項１、請求項５及び請求項６を、それぞれ、補正後の請求項１、請求項５及び請求項６とすること。
　
（３）補正の目的、及び新規事項追加の有無
　上記補正事項についての補正は、補正前の請求項１、請求項５及び請求項６における発明特定事項である「参照電流」のレベルを限定する補正であるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、当該補正が、願書に最初に添付した明細書及び願書に最初に添付した図面（以下、願書に最初に添付した明細書、願書に最初に添付した図面を、各々「当初明細書」、「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、当該補正は、特許法１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　
　次に、補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下に検討する。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）補正後の発明
　補正後の請求項１〜６に係る発明は、平成２０年６月２３日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の請求項１の箇所に記載されたとおりのものである。
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特表平８−５１００７９号公報（以下「引用例」という。）には、図３とともに、以下の事項が記載されている。
　なお、以下の検討において、各引用箇所の下線は当審で付した。
　
　「技術分野
　この発明は、半導体メモリ装置および方法に関し、より特定的には半導体センス増幅器回路装置および方法に関する。」（第６ページ第３行〜第５行）
　「図３は、アラカワと異なる、先行技術に従う別のセンス増幅器装置を示す。具体的には、図３は、選択された半導体メモリチップのコアメモリ内の選択されたメモリセルの導通状態を検出するのに効果的なセンス増幅器回路３００を示す。示された特定の
センス増幅器回路３００は、可変しきい値メモリデバイスの分野に特に適用できる
　ここでの目的のために、および慣例によって、可変しきい値デバイスを含むメモリセルの導通状態は、セルが導通しているかまたは「オン」である場合、「ロー」と定義され、セルが非導通であるかまたは「オフ」である場合、「ハイ」と定義される。
　チップメモリ内の特定のコアセル３１０の導通状態に関する情報は、ビット線３２０に沿って流れる電流によって伝送され、
ビット線３２０はいくつかの付加的なデバイスを介してセンスノード３４０に接続され、これは１つ以上のインバータ３５０の入力側に接続され、インバータ３５０はセンスノード３４０で発生された電圧を増幅
　よく知られているように、コアセル３１０は１つ以上のトランジスタを含むことができ、たとえば
コアセル３１０は、そのドレインでビット線３２０に接続され、そのソースで可変しきい値トランジスタ３１２のドレインに接続され、
さらに、センス増幅器３００は、基準側入力線４３０を有し、これはコアセル３１０と類似した基準セル４１０にさらに接続される。基準セル４１０は、基準セル選択トランジスタ４１１のゲートで基準セル選択線４１３によって駆動され、基準セル可変しきい値トランジスタ４１２のゲートで基準センス線４１４によって駆動される。
　センス増幅器のコア側入力、すなわちデータバス３３０は、差動増幅器３３３への反転入力として作用し、第１のパストランジスタ３３１のソースにも接続される。第１のパストランジスタ３３１のドレインは、センスノード３４０に接続され、これは第２のパストランジスタ３４２のソースと、カレントミラートランジスタ３４１のドレインと、増幅インバータ３５０の入力と、クランプトランジスタ３６０のドレインおよびゲートとに接続される。
　センス増幅器の基準側入力、すなわち基準データノード４３０は、第３のパストランジスタ４３１のソースに接続される。第３のパストランジスタ４３１のドレインは、基準ノード４４０に接続され、これはまた、カレントミラートランジスタ４４１のゲートおよびドレインと、カレントミラートランジスタ３４１のゲートとに接続される。」（第６ページ第１４行〜第８ページ第３行）
　「第３のパストランジスタ４３１の機能は、基準データノード４３０の電圧電位を、データバス３３０上の電圧電位と本質的に等しい値に制限することである。この装置は、選択されたコアセル３１０および基準セル４１０の両方に、ほぼ同じドレインバイアス条件を与える。基準セル選択線４１３および基準センス線４１４に適切なバイアス電圧を印加すると、電流ＩＲＥＦが基準セルを流れる。この基準電流は、２つのカレントミラー接続されたトランジスタ４４１および３４１によって反射され、センスノード３４０で電流ＩＳＥＮＳＥとして反映される。
　さまざまなデバイスサイズおよびバイアスレベルは、典型的には、ＩＣＯＲＥの約半分と本質的に等しい電流ＩＳＥＮＳＥを得るような態様で選択され、ここでＩＣＯＲＥは「ロー」状態のコアセルの電流に対応する。したがって、導通セルの内容を読出す場合、センスノード３４０での電流の和は、第１および第２のパストランジスタ３３１および３４２を導通状態にかつ電圧電位を比較的低く保つようなものであり、一方、非導通セルを読出す場合、センスノード３４０での電流の和は、センスノードを、前に説明された導通コアセルの場合に対応するものより高い電圧電位に充電するようなものである。前に説明されたように、センスノード３４０の電圧電位は、低い限界がＶＢ＋ＶＤに近い値に制限され、高い値が、クランプトランジスタ３６０とノード３７０でクランプトランジスタ３６０のソースに接続されるクランプ電圧源ＶＣとの組合せによって制限される。センスノード３４０の電圧の振れが小さいことが望ましい。なぜなら、それにより電荷転送が減少し、したがって応答時間がより高速になるからである。さらに、インバータ３５０のトリップポイントは、最低のセンスノード電位、すなわちＶＢ＋ＶＤより高く、クランプトランジスタ３６０およびクランプ電圧源ＶＣによって決定される最高のセンスノード電位より低くなければならない。」（第８ページ第２８行〜第９ページ第２３行）
　
　ここにおいて、「電流ＩＲＥＦが基準セルを流れる。」（第９ページ第４行）との記載及び図３より、「基準セル可変しきい値トランジスタ４１２」には「電流ＩＲＥＦ」が流れていることは明らかである。
　また、「バイアス条件のそのような組合せは、
コアセル３１０をデータバス３３０に効果的に接続し
データバス３３０は
カレントミラートランジスタ３４１のドレインと、
とに接続される。
　同様に、「さらに、センス増幅器３００は、
基準側入力線４３０を有し
基準セル４１０にさらに接続される
基準データノード４３０は
カレントミラートランジスタ４４１のゲートおよびドレインと
接続される
　さらに、「基準セル選択線４１３および基準センス線４１４に適切なバイアス電圧を印加すると、
電流Ｉ
ＲＥＦ
が基準セルを流れる。この基準電流は、
センスノード３４０で電流Ｉ
ＳＥＮＳＥ
として反映される
導通セルの内容を読出す場合、
電圧電位を比較的低く保つようなものであり
非導通セルを読出す場合、
センスノードを、前に説明された導通コアセルの場合に対応するものより高い電圧電位に充電する
　
　以上を総合すると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「センス増幅器回路３００を有する可変しきい値メモリデバイスであって、
　可変しきい値トランジスタ３１２と、
　電流ＩＲＥＦが流れる基準セル可変しきい値トランジスタ４１２と、
　前記可変しきい値トランジスタ３１２と前記基準セル可変しきい値トランジスタ４１２に電気的に接続され、前記電流ＩＲＥＦと前記可変しきい値トランジスタ３１２の電流によってセンスノード３４０に電圧電位を発生するカレントミラートランジスタ３４１及びカレントミラートランジスタ４４１と、
　前記センスノード３４０に接続され、前記電圧電位を増幅するインバータ３５０と、
を含むことを特徴とする可変しきい値メモリデバイス。」
　
（４−３）対比
　以下に補正後の発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「可変しきい値メモリデバイス」、「可変しきい値トランジスタ３１２」、「可変しきい値トランジスタ３１２の電流」は、それぞれ、補正後の発明の「メモリーユニット」、「メモリーセル」、「メモリーセルのメモリーセル電流」に相当する。
　また、引用発明の「センス増幅器回路３００」も、本願明細書の００１１段落に記載されているように「【００１１】　温度、圧力、電圧が異なる環境により、メモリーセル２４の出力電流Ｉｃｅｌｌには幅がそれぞれ異なるドリフトが生じる。しかしこの発明では、メモリーセル２４と参照セル２２が同じ動作環境にあるため、たとえ非理想的な環境で電流Ｉｃｅｌｌにドリフトが生じても、電流Ｉｒｅｆにもそれと同じ幅のドリフトが生じる」結果、メモリセルに流れる電流の変化による影響を低減する機能を有しているものと認められるから、引用発明の「センス増幅器回路３００」は、補正後の発明の「感知電流安定装置」に相当する。
　さらに、引用発明の「基準セル可変しきい値トランジスタ４１２」は、補正後の発明の「参照セル」に相当する。
　また、引用発明の「カレントミラートランジスタ３４１及びカレントミラートランジスタ４４１」は、補正後の発明の「電流ミラー」に対応しており、両者は、前記参照電流と前記メモリーセルのメモリーセル電流によって出力信号を発生させている点で共通する。
　同様に、引用発明の「インバータ３５０」は、補正後の発明の「感知増幅器」に対応しており、両者は、前記電流ミラーに電気的に接続され、前記出力信号に応じて出力電圧を発生する感知増幅器である点で共通する。
　
　したがって、補正後の発明と引用発明とは、
　「感知電流安定装置を有するメモリーユニットであって、
　メモリーセルと、
　参照電流を提供する参照セルと、
　前記メモリーセルと前記参照セルに電気的に接続され、前記参照電流と前記メモリーセルのメモリーセル電流によって出力信号を発生する電流ミラーと、
　前記電流ミラーに電気的に接続され、前記出力信号に応じて出力電圧を発生する感知増幅器と、
　を含むことを特徴とするメモリーユニット。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正後の発明は、「参照電流」が「低レベル出力電流」であるのに対して、引用発明の「参照電流」は、引用例に「この基準電流は、２つのカレントミラー接続されたトランジスタ４４１および３４１によって反射され、センスノード３４０で電流ＩＳＥＮＳＥとして反映される。　さまざまなデバイスサイズおよびバイアスレベルは、典型的には、ＩＣＯＲＥの約半分と本質的に等しい電流ＩＳＥＮＳＥを得るような態様で選択され、ここでＩＣＯＲＥは「ロー」状態のコアセルの電流に対応する。」（第９ページ第４行〜第１０行）と記載されているように、「ロー」状態のコアセルの電流ＩＣＯＲＥの約半分と本質的に等しい電流ＩＳＥＮＳＥを得るような電流ＩＲＥＦである点。
　
（相違点２）
　補正後の発明は、「電流ミラー」が「電流差」を発生しており、「感知増幅器」が「前記電流差に応じて出力電圧を発生」しているのに対して、引用発明では、「カレントミラートランジスタ３４１及びカレントミラートランジスタ４４１」が「センスノード３４０に電圧電位」を発生しており、「インバータ３５０」が「前記電圧電位に応じて出力電圧を発生」している点。
　
（４−４）判断
（４−４−１）相違点１について
　引用発明において、「基準セル可変しきい値トランジスタ４１２」に流れる参照電流「ＩＲＥＦ」は、「カレントミラートランジスタ３４１及びカレントミラートランジスタ４４１」によって、「可変しきい値トランジスタ３１２」に流れる電流の基準となる「電流ＩＳＥＮＳＥ」を作成するためのものであるところ、その基準をどの程度の電流とするかは当業者が適宜選択し得る事項である。
　そして、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−２８１８８０号公報には、図９とともに、「【０１０２】あるいは、図９に示されるように、付加抵抗６０を選択ビット線ＢＬ♯に対して直列に接続する構成とすることも可能である。この構成では、
参照セル中の抵抗素子５２（トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと同様）へは、電気抵抗Ｒｍａｘに対応する記憶データが書込まれる。
選択ビット線ＢＬ♯および参照ビット線ＢＬｒの通過電流差を検知・増幅して、選択メモリセルからのデータ読出を実行できる
ダミーセルとなる各スピンバルブ素子３１には、”１”又は”０”を統一して書き込んでおき
　したがって、相違点１は当業者が適宜選択し得る設計的事項の範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４−２）相違点２について
　引用発明は、「カレントミラートランジスタ３４１及びカレントミラートランジスタ４４１」によって、電流ＩＲＥＦを反映した電流ＩＳＥＮＳＥと可変しきい値トランジスタ３１２の電流という二つの電流を発生することによって、その二つの電流の違い、つまり、「電流差」を発生しており、その「電流差」に応じてセンスノード３４０に電圧電位が生じるものである。よって、引用発明の「カレントミラートランジスタ３４１及びカレントミラートランジスタ４４１」（補正後の発明の「電流ミラー」に相当）は、電流ＩＲＥＦ（「参照電流」）と可変しきい値トランジスタ３１２の電流（補正後の発明の「メモリーセルのメモリーセル電流」に相当）の電流差を発生しており、補正後の発明の「電流差を発生する電流ミラー」に相当するものである。
　また、引用発明の「インバータ３５０」は、「センスノード３４０」の「電圧電位に応じて出力電圧を発生」しているが、「センスノード３４０」の「電圧電位」は、電流ＩＲＥＦ（「参照電流」）と可変しきい値トランジスタ３１２の電流（補正後の発明の「メモリーセルのメモリーセル電流」に相当）の電流差に応じて生じているのであるから、「インバータ３５０」は、上記電流差に応じた出力電圧を発生しているものと認められる。よって、「インバータ３５０」は、補正後の発明の「前記電流差に応じて出力電圧を発生する感知増幅器」に相当する。
　したがって、相違点２は実質的なものではない。
　
　また、仮に、補正後の発明の「前記低レベル出力電流と前記メモリーセルのメモリーセル電流によって電流差を発生する」が、前記低レベル出力電流と前記メモリーセルのメモリーセル
電流の差の電流を出力すること
出力側トランジスタに電流信号Ｉ1とほぼ同一の電流Ｉ1'（ベース電流に起因する誤差を有する）が流れる
出力端子OUTからは、２つの電流信号Ｉ1'，Ｉ2の差に応じた差電流信号（Ｉ2−Ｉ1'）が出力される
入力電流Ｉ
１
と基準電流Ｉ
２
との差電流
電流差を電圧電位として出力する
電流差を差の電流として出力する
　したがって、相違点２は実質的なものではないか、仮に実質的なものであったとしても当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４−３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明は、当業者における周知技術を勘案することにより、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（５）補正却下の決定についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１９年１２月１４日付けの明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　感知電流安定装置を有するメモリーユニットであって、
　メモリーセルと、
　参照電流を提供する参照セルと、
　前記メモリーセルと前記参照セルに電気的に接続され、前記参照電流と前記メモリーセルのメモリーセル電流によって電流差を発生する電流ミラーと、
　前記電流ミラーに電気的に接続され、前記電流差に応じて出力電圧を発生する感知増幅器と、
　を含むことを特徴とするメモリーユニット。」
　
４．引用刊行物に記載された発明
　引用刊行物に記載された発明は、上記２．（４−２）において引用発明として認定したとおりのものである。
　
５．判断
　本願発明は、補正後の発明から、本件補正によりなされた技術的限定を省いたものである。
　そうすると、２．（４）において検討したとおり、補正後の発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正後の発明から技術的限定を省いた本願発明についても、当然に、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。