【事件の表示】
　平成　７年特許願第２２５３０６号「半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　５月１７日出願公開、特開平　８−１２５２８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　平成　７年　９月　１日
　（国内優先権主張　　　平成　６年　９月　１日）
　拒絶理由通知書送付　　平成１６年１１月　２日
　意見書提出　　　　　　平成１６年１２月２４日
　手続補正書提出　　　　平成１６年１２月２４日
　拒絶査定送付　　　　　平成１７年　４月１２日
　審判請求　　　　　　　平成１７年　５月１１日
　手続補正書提出　　　　平成１７年　６月　６日
　
２．平成１７年６月６日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成１７年６月６日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
（１）本件補正・本件補正発明
　平成１７年６月６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】　
第１導電型の
第１導電型の
厚さ０．５μｍ以下の
第２
第１又は第２導電型の
厚さ０．１μｍ未満の
な
厚さ０．５μｍ以下の
クラッド層
　以下、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
（２）刊行物
（刊行物１）
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−１１２１８６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載が認められる。
ア．「第１図（ａ）に本発明のＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザの断面模式図の一例を示す。
半導体基板１０
第２のＡｌＧａＡｓクラッド層４
第１のＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
活性層１
第１のＡｌＧａＩｎＰクラッド層３
メサ形状の第２のＡｌＧａＡｓクラッド層
ＧａＡｓ電流ブロック層
イ．「以下実施例を用いて第２のクラッド層がＡｌＧａＡｓでなることによってもたらされる大きな作用・効果について述べる。実際に作製したＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザの断面模式図を第３図に示す。
第３図はＧａＩｎＰバッファー層９が第１のクラッド層３と第２のクラッド層５及びＧａＡｓ電流ブロック層６の間に挿入されているところだけ第１図と異なる。
ウ．「第４図に製作工程図を示す。最初に第４図（ａ）に示すように、ＧａＡｓ半導体基板１０上に、
厚さ０．８μｍのＡｌ
０．６
Ｇａ
０．４
Ａｓでなる第２のクラッド層４
厚さ０．３μｍの（Ａｌ
０．６
Ｇａ
０．４
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐでなる第１のクラッド層２
厚さ７００ÅのＧａ
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐでなる活性層１
厚さ０．３μｍの（Ａｌ
０．６
Ｇａ
０．４
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐでなる第１のクラッド層３
厚さ０．８μｍのＡｌ
０．６
Ｇａ
０．４
Ａｓでなる第２のクラッド層５
電流ブロック層６
　
　上記の記載において、第４図の製作工程は第３図に示されるＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザに関するものであるが、上記イに記載されるように、第３図は、「ＧａＩｎＰバッファー層９が第１のクラッド層３と第２のクラッド層５及びＧａＡｓ電流ブロック層６の間に挿入されているところだけ第１図と異なる」ものであるから、刊行物１の第１図に示されるＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザにおける各層の材料や層厚は、第４図の製作工程に記載されるものと同じであると認められる。
　したがって、刊行物１にはその第１図に示される構造の
「半導体基板１０上に、厚さ０．８μｍのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓでなる第２のＡｌＧａＡｓクラッド層４、厚さ０．３μｍの（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐでなる第１のＡｌＧａＩｎＰクラッド層２、厚さ７００ÅのＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐでなる活性層１、厚さ０．３μｍの（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐでなる第１のＡｌＧａＩｎＰクラッド層３が順次この順に積層され、その上にメサ形状の厚さ０．８μｍのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓでなる第２のＡｌＧａＡｓクラッド層５を左右よりＧａＡｓ電流ブロック層６により挟み込んだ横モード制御構造を配し、その上面をＧａＡｓキャップ層で覆っているＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザ。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（刊行物２）
　原査定で引用された特開平２−１７４１７８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の記載がある。
ア．「（産業上の利用分野）
　本発明は半導体レーザ素子に関し、特に光ディスクシステム等の光源に適している半導体レーザ素子に関する。
（従来の技術）
　近年、半導体レーザ素子はコンパクトディスク等の光ディスクの光源として多用されている。このような用途に用いられる半導体レーザ素子では、ディスクからの反射光に依って光出力が変動し、所謂戻り光雑音が誘起されるが、そのような雑音の強度は出来るだけ小さいことが望ましい。戻り光雑音の強度を低下させるために、自励発振と呼ばれる現象を利用した半導体レーザ素子が用いられている。その一例を第１２図に示す。
　第１２図の素子はＶＳＩＳ（V-channeled Substrate Inner Stripe）レーザと称されるものであり、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に、
ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１６
電流狭窄層１６の表面から基板１１に達するＶ字形溝２３によってストライプ状の電流路が形成されており
　このような構造の半導体レーザ素子では、ｐ−クラッド層１２の溝２３外での厚さｄ１を、例えば０．３μｍとし、活性層１３の厚さｄ２を０．１２μｍとすることにより、溝２３の内側と外側での屈折率差Δｎを３×１０−３程度に設定している。このため、活性層１３に注入されたキャリアが空間的及び時間的に揺らぎ易くなり、自励発振が起こる。
（発明が解決しようとする課題）
　このように、従来の半導体レーザ素子では、クラッド層１２の溝２３外での厚さｄｌ及び活性層１３の厚さｄ２を制御することによって、自励発振を起こさせ、戻り光雑音の低減を図っている。しかし、
このような構成は、溝２３の外に於いて活性層１３からの光を基板側の層１６及び１１が吸収することによって導波路が形成される所謂ロスガイド構造となっているため、発振閾値電流が大きくなる
イ．「本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、
低閾値で発振
（課題を解決するための手段）
　
本発明の半導体レーザ素子は、
該積層構造の上方に形成されたストライプ状の電流注入領域を備え、該電流注入領域内外の屈折率差に基づく屈折率導波路が形成されており
（作用）
　…。このような光ガイド層を有し、活性層が量子井戸構造とされていることに加えて、
光吸収領域（前述の第１２図に示す従来例では、電流狭窄層１６及び基板１１）が存在しないので、発振閾値電流が小さくなる。
ウ．「
本発明の第６の実施例の断面構成を第１０図に示す
電流狭窄層としてｎ−Ｇａ
０．４
Ａｌ
０．６
Ａｓ埋込層４２を形成してリッジ状領域３１の側面を埋め込み
クラッド層７よりも大きなＡｌ混晶比を有する埋込層４２は、リッジ状領域３１内外での屈折率差Δｎを与える機能も果している
　
　以上の記載から、刊行物２には、「電流路を形成するクラッド層７のリッジ状領域３１の側面をクラッド層７よりも大きなＡｌ混晶比を有するＧａＡｌＡｓ電流狭窄層４２とした（すなわち、電流狭窄層の屈折率を電流路を形成するクラッド層のリッジ状領域の屈折率より小さいものとした）半導体レーザ素子。」の発明が記載されているものと認められ、また、この構成により、電流狭窄層をＧａＡｓとしたものに比べ発振閾値電流を小さくできたことが記載されているものと認められる。
　
（刊行物３）
　同じく原査定で引用された特開平１−１３４９８５号公報（以下、「刊行物３」という。）には、次の記載がある。
「第３図は、…従来の屈折率導波型半導体レーザ装置の例を示す断面図である。図において、（１）は約１００μｍ厚のｎ型ＧａＡｓ基板、（２）は約１μｍ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ層、（３）は約２μｍ厚のｎ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ下クラッド層、（４）は約０．１２μｍ厚のｐ型ＧａＡｓ活性層、（５）は約０．５μｍ厚のｐ型Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ａｓ光ガイド層、
（７）は約１μｍ厚のｎ型Ａｌ
０．５
Ｇａ
０．５
Ａｓ電流ブロック層
（８）は約１．５μｍ厚のｐ型Ａｌ
０．２７
Ｇａ
０．７３
Ａｓ上クラッド層
　…。
　従来のＩ２Ｓ型半導体レーザ装置は上記のように構成され、ｎ型ＧａＡｓ基板（１）とコンタクト層（９）の間に、ｐｎ接合の順方向バイアスが印加されると、電流は電流ブロック層（７）のストライプ状溝部から活性層（４）へ集中して流れ上、下のクラッド層（８），（３）から正孔と電子が注入される。注入されたキャリアはへテロ接合界面におけるバリアにより、活性層（４）内に閉じ込められて、再結合し発光する。従来例の屈折率導波型レーザでは、
電流ブロック層（７）、上クラッド層（８）各ＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比を変え、前者の屈折率を後者よりも小さくすることにより、実効的に横方向の屈折率分布は、発光領域でステップ状に高くなっている
　
　以上の記載から、刊行物３には、「クラッド層（８）の電流路となる部分を、これよりも屈折率の小さいＡｌＧａＡｓの電流ブロック層（７）で挟んだ構造の半導体レーザ。」の発明が記載されているものと認められる。
　
（刊行物４）
　特開昭６２−７３６８７号公報（以下、「刊行物４」という。）には、次の記載がある。
「〔産業上の利用分野〕
　この発明は、単一横モード発振する高出力半導体レーザに関するものである。
〔従来の技術〕
　第４図は、…従来の自己整合形の半導体レーザの構造を示したもので、図において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２はｎ形ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、３はＧａＡｓ活性層、４はｐ形ＡｌＧａＡｓ上クラッド層、
１０はｎ形ＧａＡｓブロック層
６は該ブロック層１０をストライプ状にエッチングした溝部に埋込まれたｐ形ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
ブロック層１０は上クラッド層４，６よりも小さな禁制帯幅を有している
　次に動作について説明する。活性層３から発生した光は、活性層３と隣接する上下クラッド層４，２との間の屈折率差により活性層３に閉じ込められ、さらに、電流ブロック層１０による光の吸収および電流狭搾により活性層３に平行な方向、すなわち横方向の光の広がりは制限され、導波される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されており、
ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層１０による光の吸収により横方向の光の広がりを制限している。したがって、この吸収損失のため、微分量子効率が低く、高出力化することが難しいなどの問題があった
　この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、ブロック層による光の吸収損失をなくして微分量子効率を上げ、高出力化できるとともに単−横モード発振できる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
　この発明に係る半導体レーザ装置は、
電流ブロック層に上クラッド層よりも大きな禁制帯幅を有する結晶を用い、
〔作用〕
　この発明においては、ブロック層よりも禁制帯幅の小さい上クラッド層と同じ結晶で溝部を埋込み成長し、活性層の
上記溝部両端に対応する部分の屈折率を溝部に対応する部分の屈折率より小さくすることにより、横方向に実効屈折率差をつけて安定した単一横モード発振を実現でき、さらに光の閉じ込めを強くして微分量子効率を高くできる
〔実施例〕
　以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１図において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２〜５はこの基板１上に順次成長した結晶であり、２はｎ形ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、３はＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ活性層、４はｐ形ＡｌＧａＡｓ上クラッド層であり、該上，下クラッド層４，２は活性層３より大きな禁制帯幅を有する。
５はこの上クラッド層４より禁制帯幅の大きいｎ形ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層
６は上クラッド層４と同じ組成で、同じ禁制帯幅を有するｐ形ＡｌＧａＡｓ層
　次に動作について説明する。上記のように構成された半導体レーザ装置において、下クラッド層２にｎ形ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ〜０．３５）、活性層３にＧａＡｓ層、
上クラッド層４および埋込み層６にｐ形Ａｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓ（ｘ〜０．２５）
電流ブロック層５にｎ形Ａｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓ（ｘ〜０．４９）
活性層に平行な方向すなわち横方向に実効屈折率差をつけることができ、導波領域の屈折率が外側の屈折率よりも高い屈折率導波形ストライプレーザを形成することができる。したがって、導波領域内への光の閉し込めが強くなるため、微分量子効率が高く、単−横モード発振するレーザが得られる
　なお、上記実施例では、活性層３にＧａＡｓ層を用いたものを示したが、この活性層にはＡｌＧａＡｓ層を用いてもよい。また、上記実施例ではＡｌＧａＡｓ系のレーザについて説明したが、ＡｌＧａＡｓ系の他にＩｎＧａＡｌＰ系あるいはＩｎＧａＡｓＰ系の四元混晶半導体を用いたレーザであってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
　以上のように、この発明によれば、
電流ブロック層に上クラッド層および埋込み層よりも大きな禁制帯幅を有する結晶を用いたので
横方向に実効屈折率差がつくように構成でき、これにより微分量子効率を高くできるとともに、高出力化ができ、又単一横モードで発振するものが得られる効果がある。
　
　これらに記載によれば、刊行物４には、「クラッド層６の電流路となる部分を、これよりも屈折率の小さいＡｌＧａＡｓの電流ブロック層５で挟んだ構造の半導体レーザ。」の発明が記載され、この構造により、電流ブロック層としてＧａＡｓを用いた従来の半導体レーザに比べて、微分量子効率を高くできるとともに、高出力化ができる等の効果を奏することが記載されているものと認められる。
　
（３）対比・判断
　本件補正発明と刊行物１発明を比較するに、刊行物１発明の「ＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザ」が「半導体発光装置」であることは明らかであり、また、刊行物１発明の「第２のＡｌＧａＡｓクラッド層４」、「厚さ０．３μｍの（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐでなる第１のＡｌＧａＩｎＰクラッド層２」、「厚さ７００ÅのＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐでなる活性層１」、「厚さ０．３μｍの（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐでなる第１のＡｌＧａＩｎＰクラッド層３」及び「第２のＡｌＧａＡｓクラッド層５」がそれぞれ、本件補正発明の「ＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層」、「ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層」、「ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層」、「ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層」及び「ＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第４クラッド層」に相当することが明らかである。
　また、刊行物１発明の「第２のＡｌＧａＡｓクラッド層５」はメサ形状であるから、リッジ構造の電流路となっており、さらに、刊行物１発明の「電流ブロック層６」は、刊行物１の図１を参照すれば明らかなように、本件補正発明の「電流阻止層」と同様、リッジ側壁及びＡｌＧａＩｎＰクラッド層に接している。
　以上のことから、本件補正発明と刊行物１発明はともに
「ＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層と、該第１クラッド層に隣接して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第２クラッド層と、該第２クラッド層に隣接して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる厚さ０．１μｍ未満の活性層と、該活性層に隣接して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍ以下の第３クラッド層と、該第３クラッド層に隣接して、ＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなる第４クラッド層を具備し、該第１クラッド層及び／又は第４クラッド層が、ＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなるリッジ構造を有しており、且つ該リッジ構造の左右に該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層を具備する半導体発光装置であって、該電流阻止層が、前記リッジ側壁及びＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＩｎＰからなるクラッド層に接している半導体発光装置。」の発明である点で一致する。
　一方、次の点で相違する。
ａ．本件補正発明では、各クラッド層及び活性層について導電型の限定があるのに対し、刊行物１には、これらの導電型についての記載がない点。
ｂ．本件補正発明では、「該電流阻止層がＡｌＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓからなり、かつ該電流阻止層の屈折率が、電流路となる該リッジ構造部分の屈折率よりも小さい」とされているのに対し、刊行物１発明の「電流ブロック層６」はＧａＡｓであり、その屈折率は電流路となるメサ形状の第２のＡｌＧａＡｓクラッド層５の屈折率より大きい点。
　
（４）判断
　まず、相違点ａについて検討するに、活性層をクラッド層で挟んで構成するいわゆるダブルヘテロ構造の半導体発光素子において、活性層に対して反対側に位置するクラッド層をそれぞれｎ型及びｐ型とすることは周知であり、また、活性層は、本願明細書の段落【００１１】に「アンドープの状態（この場合でもわずかに第１又は第２導電型になっている）」と記載されるものであるから、刊行物１発明においても、各クラッド層及び活性層についての導電型は本件補正発明と同様になっているものと考えられ、相違点ａは格別の差異とはいえない。
　次に、相違点ｂについて検討する。
　半導体レーザの横モード制御構造として、ＡｌＧａＡｓクラッド層の電流路部分をこれよりも屈折率の小さいＡｌＧａＡｓの電流ブロック層で挟み込んだ構造は、上記刊行物２ないし４に記載されているように周知であり、また、刊行物２及び４には、ＧａＡｓ電流ブロック層の問題点を解決するために前記の構造が採用される旨記載されているところであり、さらに、刊行物２には、リッジ形状のＡｌＧａＡｓクラッド層をこれよりも屈折率の小さいＡｌＧａＡｓの電流ブロック層で挟む構造も記載されているのであるから、刊行物１発明において、そのＧａＡｓ電流ブロック層６を、第２のＡｌＧａＡｓクラッド層５より屈折率が小さいＡｌＧａＡｓ電流阻止層とすることにより、相違点ｂに係る本件補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、本件補正発明が奏するとする効果についても、上記刊行物１ないし４に記載された事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
（５）むすび
　したがって、本件補正発明は、上記刊行物１に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たしていないので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年６月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年１２月２４日付けで補正された明細書の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記本件補正発明から上記平成１７年６月６日付け手続補正で限定した事項を欠くものであるから、本願発明が上記刊行物１に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは、上記補正却下の決定の理由から明らかである。
　したがって、本願発明は、上記刊行物１に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。