【事件の表示】
　特願２００１−１８７３７１「光記録方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月２２日出願公開、特開２００２−　８３４２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
  本件審判の請求に係る特許出願（以下「本願」という。）は、平成13年６月20日（国内優先権主張　平成12年６月22日）に出願されたものあって、平成16年４月23日付けで手続補正がなされたところ、平成16年５月28日付けで拒絶すべきものである旨の査定がなされ、これに対して、平成16年７月１日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成16年８月２日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成16年８月２日付け手続補正について補正の却下の決定
　
　〔補正却下の決定の結論〕
　平成16年８月２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
　〔理由〕
　１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、そのうち、特許請求の範囲についてのものは、請求項の数を６から３に減ずるとともに、請求項１乃至３について、
　「【請求項１】
　記録層とレーザービームの一方を他方に対して一定方向に移動させつつレーザービームを記録層に照射して、記録層に記録マークを形成することにより情報を記録する光記録方法であって、
　前記記録層を有機色素から形成するとともに、この記録層に、前記移動方向に連続的に、前記移動方向の長さが等しい単位長さ及びこれと直交する方向の幅が等しい単位幅の仮想記録セルを想定し、
前記仮想記録セルの単位長さを、最大照射時間のレーザービーム照射により形成される記録マークの長さと等しく、且つ、前記単位長さ及び単位幅を、読み取りレーザービームのビームウエストの直径以下に設定し、各仮
　【請求項２】
　請求項１において、前記記録層を、レーザービームのビーム径を一定としたときの、照射時間に応じてのみ、記録マークの大きさ及び光透過率のうち少なくとも大きさが変調される材料から構成し、レーザービームのビーム径を一定にして照射することを特徴とする光記録方法。
　【請求項３】
　請求項
１又
２
　
とするものである。
　
　２．本件補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「仮想記録セル」について、補正前の請求項３及び５に係る各発明に記載のあった「仮想記録セルの単位長さと記録マークの長さ」及び「読み取りレーザビームのビームウエストの直径」の関係についての要件（上記下線を参照）を付加するものであって、補正前の請求項１に係る発明の要件を具体的に限定しようとするものであるから、本件補正は、特許法第17条の２第４項第１，２号に規定された請求項の削除、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　３．独立特許要件
　次に、本件補正の請求項１に記載された発明が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第17条の２第５項において準用する同法126条第５項の規定に違反するか）否かについて、以下に検討する。
　
　(1)本件補正後発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後発明」という。）は、上記１．の【請求項１】に記載された、以下のとおりのものである。
　「記録層とレーザービームの一方を他方に対して一定方向に移動させつつレーザービームを記録層に照射して、記録層に記録マークを形成することにより情報を記録する光記録方法であって、
　前記記録層を有機色素から形成するとともに、この記録層に、前記移動方向に連続的に、前記移動方向の長さが等しい単位長さ及びこれと直交する方向の幅が等しい単位幅の仮想記録セルを想定し、前記仮想記録セルの単位長さを、最大照射時間のレーザービーム照射により形成される記録マークの長さと等しく、且つ、前記単位長さ及び単位幅を、読み取りレーザービームのビームウエストの直径以下に設定し、各仮想記録セル毎に、レーザービームの照射時間を５段階以上に変調し、仮想記録セル内に形成される記録マークの大きさを変えて、仮想記録セルに対する面積比及び記録マークの光透過率のうち少なくとも面積比による、該仮想記録セル全体での光反射率を前記レーザービーム照射時間に応じて変調して、情報を５段階以上のマルチレベル記録することを特徴とする光記録方法。」
　
　(2)刊行物及びその記載
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第00／25308号パンフレット（以下「刊行物」という。2000年５月４日国際公開）には、相変化型記録媒体を用いたものではあるが、レーザー光による多値記録再生方法に関する発明について、以下の記載がある。
　 (i)「発明の開示
　上記問題点は記録ビームによる記録層の溶融後の凝固時の再結晶化を起こさしめ、それを利用して非晶質マークの大きさを多段階に制御すれば解決する。
　要旨として、本発明は以下の発明を包含する。
　（１）エネルギービームの照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化を生じる記録層を有する情報記録用媒体に対して記録用エネルギービームを照射して、局所的に前記記録層を溶融せしめ、凝固時の冷却により非晶質マークを形成することにより、情報の記録を行う記録再生方法において、主として前記凝固時における再結晶化過程と非晶質化過程との競合により非晶質マークの大きさを制御し、再生用光ビームの照射領域からの反射光強度が、その領域内にある結晶領域と非晶質領域との光学特性の差及びそれらの面積に応じて３以上の多段階の記録レベルに制御されていることを特徴とする多値記録再生方法。
　（２）〜（４）　　　・・・(省略)・・・
　（５）記録媒体に対して記録用エネルギービームを相対的に走査せしめて走査方向に沿って溶融領域を形成して非晶質マークを形成するに際し、走査方向に対する非晶質マークの幅を変化させることによってその大きさを制御するとともに上記非晶質マークの幅が、多段階の記録レベルの何れにおいても再生用エネルギービームの走査方向に対する幅より小さくなされている（１）〜（４）のいずれかに記載の方法
　（６）記録媒体に対して記録用エネルギービームを相対的に走査せしめて走査方向に沿って溶融領域を形成して非晶質マークを形成するに際し、走査方向に対する非晶質マークの長さを変化させることによってその大きさを制御するとともに、上記非晶質マークの長さが、多段階の記録レベルの何れにおいても再生用エネルギービームの走査方向に対する長さより小さくなされている（１）〜（５）の何れかに記載の方法。
　（７）〜（１０）　　・・・(省略)・・・
　（１１）一つの記録レベル区間から他の記録レベル区間に遷移するときに基準となる記録レベル区間を経由することなく連続的に遷移する（１）〜（６）のいずれかに記載の方法。
　（１２）１つの記録レベル区間の記録用エネルギービーム照射時間の一部又は全部を、１つ以上の記録パルス区間と１つ以上の遮断区間とに分離すると共に、該記録レベル区間内における記録用エネルギービームのパワーを、記録パルス区間においては、記録層を溶融するに足るパワーＰｗとし、遮断区間においては、Ｐｗよりも小さい０を含むパワーＰｂとし、且つ、該照射時間内の記録用エネルギービームの照射パターンを変化させることによって非晶質マークの大きさを制御する（１）〜（１１）の何れかに記載の方法。
　（１３）（１４）　　・・・(省略)・・・
　（１５）記録パルス区間及び／又は遮断区間の長さを変化させることによって、照射時間内の記録用エネルギービームの照射パターンを変化させる（１２）〜（１４）の何れかに記載の方法。
　（１６）再生用光ビームの径ｒｂを記録区間の空間的長さＴｓ以上とする（１）〜（１５）の何れかに記載の方法。
　（１７）１つの記録レベル区間を形成するための記録用エネルギービーム照射時間の一部又は全部を、１つの記録パルス区間とその前及び／又は後に付随する遮断区間とに分離すると共に、該記録レベル区間内における記録用エネルギービームのパワーを、記録パルス区間においては、記録層を溶融するに足るパワーＰｗとし、遮断区間においては、Ｐｗよりも小さい０を含むパワーＰｂとし、且つ、Ｐｗ、Ｐｂ、記録パルス区間の長さ、及び／又は遮断区間の長さを変化させることによって非晶質マークの大きさを制御する（１６）に記載の方法。
　（１８）記録レベル区間の長さが基準長さＴで一定であり、非晶質マークの大きさの制御を、記録パルス区間の記録レベル区間に対するデューティー比を変化させることによって行う（１７）に記載の方法。
（１９）記録レベルの数が４以上である（１）〜（１８）のいずれかに記載の方法。」（３頁17行〜６頁13行）
　 (ii)「図１は孤立した非晶質マークを形成させる場合の再結晶化の様子と得られる反射光強度を示す模式図、図２は、再結晶化領域の幅のみが変化した連続した非結晶質マークを形成する場合の再結晶化の様子と得られる反射光強度を示す模式図である。図１及び図２において、未記録の結晶化状態の領域１（初期結晶化領域）と自己再結晶化によって形成された結晶状態の領域２（再結晶化領域）とは便宜上異なる図柄とした。厳密には、上記２つの結晶状態は、結晶粒径や方位などの点で必ずしも同一ではないことが多いが、本発明では、ここ２つの結晶状態が光学的に識別不可能であることが好ましい。」（１２頁１９行〜２６行）
　 (iii)「図１（ａ）及び図２（ａ）に示したように、記録用エネルギービームを媒体に対して相対的に走査させた場合、非晶質マークの大きさの制御方法として、走査方向に対する非晶質マークの幅を変化させる方法（図１（ａ）及び図２（ａ））や、走査方向に対する非晶質マークの長さを変化させる方法（図１（ａ））を挙げることができる。前者の場合、非晶質マークの幅は、多段階の記録レベルのいずれにおいても、再生用光ビームの記録層面における走査方向に対する幅よりも小さくするのが好ましい。また、後者の場合、非晶質マークの長さは、多段階の記録レベルのいずれにおいても、再生用光ビームの記録層面における走査方向に対する長さよりも小さくするのが好ましい。これらの結果、正確な多値再生が可能となる。ただし、前者の場合、非晶質マークが小さすぎるとクロストークが大きくなるので、通常再生用光ビームの記録層面における走査方向の幅の１／２以上とする。
　いずれの場合においても、本発明においては、再生用光ビームの照射領域（図１及び２において再生用光ビームの外縁４よりも内側の領域）からの反射光強度は、その領域内にある、非晶質マーク３からなる非晶質領域と初期結晶化領域及び再結晶化領域からなる結晶領域との光学特性の差及び面積に応じて様々な値をとる。
　再生用光ビームの記録層面での照射領域（スポット）内における非晶質マークの数は、有限個であればよく、１つ又は複数であってもよい。スポット内に複数の非晶質マークが存在する場合、これを全体として１つの記録レベル区間と見なして、１つの照射領域から１つの反射光強度レベルを生成させてもよい。　また、それぞれの非晶質マークを１つの記録レベル区間に対応させて、それぞれから反射光強度レベルを生成してもよい。後者の場合は、１つの記録レベル区間の空間的長さが、スポット大きさよりも小さいことに相当し、高密度化を実現する上で好ましい。」（13頁９行〜14頁５行）
　 (iv)「再生用のビームスポットの大きさは非晶質マークサイズ、特にマーク幅に対して同程度か若干大きめであるのが好ましい。
　光学的分解能の影響により、反射光は非晶質マークそのものとその周辺の結晶領域の両方の反射光の影響を受けるため、再生光ビームスポット内の非晶質マークの割合が高いほど反射光強度は全面が非晶質状態の時の反射光強度に近づく。
　すなわち、図３に示す、媒体と再生のための光学系との位置関係を示す模式的断面図において、光検出器３０にて検出される再生用光ビームの反射光強度は、集束されたビームスポット内の結晶領域（領域１と領域２の和）と非晶質領域（非晶質マーク３）との面積比で決定される。」（14頁25行〜15頁６行）
　 (v)「そこで、反射光強度は、例えば図１及び図２の（ａ）図に示した非晶質マークの長さもしくは幅の大小に伴い、図１及び図２の（ｂ）に示したように変化する。従って、これらの反射光強度を３以上の有限個の反射光強度レベルに制御することによって３以上の記録レベルを有する多値記録再生が可能となる。記録レベルの個数としては好ましくは４以上であるが、あまりに大きいのも現実的ではないので通常１００以下、好ましくは５０以下である。なお、結晶状態の反射光強度を基準として信号振幅（反射光強度の変化の幅）を規格化したものが変調度である。」（16頁11行〜18行）
　 (vi)「記録密度をさらに向上させるために、図６の様に、一つの反射光強度レベルに対応する１つの記録レベル区間から他の記録レベル区間へ遷移するときに、基準となる記録レベル区間を経由することなく連続的に遷移させる第２の方法が好ましい。
　図６は、上記第２の方法による、記録レベル区間毎の反射光強度レベルの配列の一例を示す模式図である。反射光強度レベルは、反射光強度の大きな順に、レベル０、レベル１、・・・レベル７までの８つに分かれている。また、レベル０は結晶レベルとなっている。Ｔ１〜Ｔ２３で示される記録レベル区間は、それぞれ隣の記録レベルとの間に、基準となる記録レベルを経由することなく連続的に次の記録レベル区間に遷移している。図４及び図５においては基準となる記録レベル区間として結晶レベルを用いており、一方、図６においても結晶レベルの記録レベル区間も存在している。しかし、図６においては、結晶レベルも１つの他の記録レベルと同様に扱っており、遷移の際に必ずしも結晶レベルを経由していない点で、図４及び５の方法とは異なっている。」（18頁13行〜26行）
　 (vii)「本発明においては、１つの非晶質マークを形成するために、単一のパワーの記録用エネルギービームを照射するのではなく、大小異なるパワーの少なくとも２つのビームを用いて、それらの大きさと照射時間を制御することにより、記録層に形成される溶融領域の冷却速度すなわち１つ以上の再結晶化領域の大きさを制御するのが好ましい。
　具体的には、１つの記録レベル区間の記録用エネルギービームの照射時間の一部又は全部を、記録層を溶融するに足るパワーＰｗのビームを照射する１つ以上の記録パルス区間と、それに付随する、弱いパワーを照射する１つ以上の遮断区間とに分離するのが好ましい。
　この場合、記録パルス区間でのパワーＰｗとその時間幅Ｔｗは溶融領域の大きさを制御し、遮断区間でのパワーＰｂとその時間幅Ｔｂは冷却速度を制御すると考えられる。これらＰｗ、Ｐｂ、Ｔｗ、Ｔｂ、記録パルス区間の数、及び遮断区間の数等を要素とする照射パターンを変化させることによって非晶質マークの大きさを制御する。」（20頁８〜21行）
　 (viii)「非晶質マークの大きさを変化させるためには、Ｐｂ及びＰｗの値を変化させてもよく、またＴｂ及びＴｗの値を変化させてもよい。一般に時間を変化させる方法が容易なので後者が好ましい。」（22頁２行〜４行）
　 (ix)「本発明においては、より高密度に記録を行うため、記録レベル区間の空間的長さＴｓを再生光ビームのスポット長さｒｂ以下とするのが好ましい。この際、一記録レベル区間の長さＴは、時間的にも空間的にも一定値とするのが好ましい。
　なぜなら、そのような短い記録レベル区間の長さ変化を意図的に検出することは困難だからである。また、記録用エネルギービームの径も再生ビームの径と同程度の大きさが好ましい。なお、一記録レベル区間の長さＴｓがより小さすぎると光学的に識別不能となってしまうことがあるので、Ｔｓは（１／４）ｒｂ以上とするのが好ましい。」（24頁２行〜９行）
　(x)「より好ましくは、図２３に示された照射パターンの様に、記録レベル区間の長さＴｏで一定とし、非晶質マークの大きさの制御を記録パルス区間の記録レベル区間に対する比としてデューティー比を変化させて行なうのが、エネルギービーム制御が容易であり、好ましい。この場合、記録パルス区間のデューティ比が１００％である場合には、「自己再結晶化」により、略初期結晶化状態の反射光強度に戻るようにするのがさらに好ましい。即ち、さらに好ましい態様においては、エネルギービームのパワーとしてＰｗとＰｂの２つのパワーのみを用いる。
　図２３において、記録パルス区間τのデューティ比を増加させると、当初は溶融領域の拡大で非晶質マーク面積が拡大し、反射強度は低下する。しかし、さらにデューティ比を増加させると反射強度最小の点を経て、以後は単調に増加する。これは、むしろ遮断区間が短くなって溶融領域の冷却速度が低下し、却って、再結晶化領域が増えるからである。図２３のような記録方式を用いる場合、特に、上記デューティ比の増加と共に反射光強度が単調に増加する区間を利用し、デューティ比のみで、反射光強度を多段階に制御することが好ましい。なお、この際に、使用するデューティ比に対して、反射光強度が略比例して変化する様な媒体を使用するのが好ましい。」（24頁21行〜25頁９行）
　
　以上の摘記事項を図面とともに総合整理すると、刊行物には、結局、以下のとおりの発明が記載されているものと認める。
　
　「記録用光ビームの照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化を生じる記録層を有する情報記録用媒体の記録層に対して、記録用光ビームを相対的に走査し、記録層に非晶質マークを形成して、情報を記録する光記録方法であって、
　一つの非晶質マークを一つの記録レベル区間に対応させ、
　記録レベル区間は、時間的にも空間的にも一定の長さとし、空間的長さが再生用光ビームのスポット長さ以下であって、次の記録レベル区間に連続的に遷移するものとし、
　一つの記録レベル区間を形成するための記録用光ビーム照射時間の一部又は全部を、一つの記録パルス区間とその前及び／又は後に付随する遮断区間とに分離すると共に、
　該記録レベル区間内における記録用光ビームのパワーを、記録パルス区間においては、記録層を溶融するに足るパワーＰｗ、遮断区間においては、Ｐｗよりも小さい０を含むパワーＰｂとし、
　記録媒体に対して記録用光ビームを相対的に走査せしめて、情報を記録する際に、
　記録レベル区間毎に、記録パルス区間の記録レベル区間に対するデューティー比を変化させることによって、非晶質マークの幅及び長さが、多段階の記録レベルの何れにおいても再生用光ビームの走査方向に対する幅及び長さより小さい範囲で、走査方向に対する非晶質マークの幅及び長さを多段階に変化させて、非晶質マークの大きさを制御して、
　記録レベル区間毎に、再生用光ビームが記録層に照射、集束したビームスポット内の結晶領域と非晶質マークとの面積比で決定される反射光強度を制御し、
　デューティー比の増加と共に反射光強度が単調に増加する区間を利用して、デューティ比のみで、反射光強度を多段階に制御し、
　デューティ比が最大の略初期結晶化状態の反射光強度を含めて、好ましくは４以上、５０以下の記録レベルを有する多値記録再生が可能な光記録方法。」
　
　(3)対比・判断
　 〔対比〕
　補正後発明と刊行物記載の発明とを対比する。
　a．両発明は、記録層について、前者が有機色素材料、後者が相変化型である点で異なるものの、いずれも、光記録方法に関するものであって、記録用光（レーザー）ビームの照射時間を変えて、記録マーク部分の大きさを変えることよって、反射光強度を多段階に制御し、情報を５段階以上のマルチレベル記録する点で共通する。
　b．刊行物記載の発明において、記録レベル区間は、一つの非晶質マークに対応し、時間的にも空間的にも一定の長さとされ、空間的長さが、再生用光ビームのスポット長さ以下であって、次の記録レベル区間に遷移する連続的なものとされている。
　光記録再生装置では、再生用光ビームのスポットは、対物レンズの焦点位置に形成されたスポット、即ち、レーザビームのビームウエスト部分のスポットを用いることは自明であり、刊行物記載の発明における記録レベル区間の長さは、結局、再生用光ビーム（読み取りレーザビーム）のビームウエストの直径以下であることは明らかであり、その幅についての具体的寸法はともかく、一定の幅を有していることは明らかであるから、刊行物記載の発明における記録レベル区間が、記録マークの長さとの関係及び具体的幅寸法はともかく、補正後発明における仮想記録セルに相当することは明らかであり、刊行物記載の発明においても、仮想記録セルを想定していることは明らかである。
　c．刊行物記載の発明において、記録レベル区間毎の反射光強度は、再生用光ビームが記録層に照射、集束したビームスポット内の結晶領域と非晶質マークとの面積比で決定されるとされている。
　各記録レベル区間は、記録前には、全体が結晶状態であり、結晶領域と非晶質マークとの面積比とは、各記録レベル区間の区間全体の面積に対する非晶質マークの面積比に対応し、記録レベル区間毎の反射光強度は、各記録レベル区間の区間全体での光反射率に対応していることは明らかである。
　d．刊行物記載の発明において、非晶質マークの大きさは、記録パルス区間の記録レベル区間に対するデューティー比、即ち、記録用光ビームの照射時間によって、制御されるものであるから、刊行物記載の発明においても、記録レベル区間の光反射率は、記録用光ビームの照射時間に応じて変調されていることは明らかであり、各仮想記録セル毎に、レーザービームの照射時間を５段階以上に変調し、仮想記録セル内に形成される記録マークの大きさを変えて、仮想記録セルに対する面積比及び記録マークの光透過率のうち少なくとも面積比による、該仮想記録セル全体での光反射率を前記レーザービーム照射時間に応じて変調して、情報を記録する点で、補正後発明と差異はない。
　
　結局、両発明の［一致点］及び［相違点］は、以下のとおりである。
　［一致点］
「記録層とレーザービームの一方を他方に対して一定方向に移動させつつレーザービームを記録層に照射して、記録層に記録マークを形成することにより情報を記録する光記録方法であって、
　記録層に、前記移動方向に連続的に、前記移動方向の長さが等しい単位長さ及びこれと直交する方向の幅が等しい単位幅の仮想記録セルを想定し、且つ、前記単位長さを、読み取りレーザービームのビームウエストの直径以下に設定し、各仮想記録セル毎に、レーザービームの照射時間を５段階以上に変調し、仮想記録セル内に形成される記録マークの大きさを変えて、仮想記録セルに対する面積比及び記録マークの光透過率のうち少なくとも面積比による、該仮想記録セル全体での光反射率を前記レーザービーム照射時間に応じて変調して、情報を５段階以上のマルチレベル記録する光記録方法。」
　
　［相違点］
　(イ) 記録層材料について、補正後発明が、有機色素を用いているのに対して、刊行物記載の発明が、相変化材料である点。
　
　(ロ) 仮想記録セルの単位長さについて、補正後発明が、最大照射時間のレーザービーム照射により形成される記録マークの長さと等しく設定しているのに対して、刊行物記載の発明では、具体的に規定していない点。
　
　(ハ) 仮想記録セルの単位幅について、補正後発明が、読み取りレーザービームのビームウエストの直径以下に設定しているのに対して、刊行物記載の発明では、具体的に規定していない点。
　
　［判断］
　各相違点について検討する。
　−相違点(イ)について−
　刊行物記載の発明は、記録・消去が何度でも可能な書換型の光ディスクを考慮して、相変化型の記録層を用いたものである。
　光記録再生装置において、一度だけ記録が可能な追記型記録媒体の記録層材料として、有機色素材料は、周知のものである。そして、有機色素材料を含めて、ヒートモードにより記録マークを形成する一般的な光記録材料を用いた記録層において、記録用光（レーザ）ビームの照射時間で、記録マークの大きさ、即ち、面積が制御できること、記録マークの大きさ（面積）とその周囲面積の比で、反射光強度が変化することは、何れも自明であり、刊行物記載の発明の記録用光ビームの照射時間制御による多値記録再生方法を有機色素から形成された記録層を有する記録媒体に適用することに格別の困難性はなく、当業者であれば適宜になし得るものと認める。
　
　−相違点(ロ)について−
　相変化型の記録層では、非晶質マークを形成する際に、記録用光ビーム照射による加熱溶融後の冷却期間が、必須であるのに対して、有機色素系のものでは、冷却期間は必要なく、記録用光ビームの照射時間に応じた大きさの記録マークが形成されることは自明である。
　刊行物記載の発明は、記録パルス区間の記録レベル区間に対するデューティー比によって、記録レベル区間毎に反射光強度を制御するものであり、有機色素系の記録層に最大デューティー比の照射時間でレーザービーム照射した場合でも、形成される記録マークは、記録レベル区間の長さ以内であることは自明であり、仮想記録セルの単位長さを最大照射時間のレーザービーム照射により形成される記録マークの長さと等しくすることに格別の困難性はなく、そもそも仮想記録セルの単位長さを最大記録マークの長さと等しくした実施例は本願明細書を参酌して、明確に記載された事項でないことも勘案して、当業者であれば、適宜になし得るものと認める。
　
　−相違点(ハ)について−
　刊行物記載の発明では、非晶質マークの幅及び長さについて、多段階の記録レベルの何れにおいても再生用光ビームの走査方向に対する幅及び長さより小さい範囲としている。
　記録レベル区間の幅は、最大の非晶質マークを記録し得る幅であればよく、再生用光ビームの走査方向に対する幅、即ち、読み取りレーザービームのビームウエストの直径以下とすることに格別の困難性はなく、当業者であれば、適宜になし得るものと認める。
　
　以上のとおりであるから、本件補正後の請求項１に係る発明は、刊行物記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明し得たものであり、特許法第29条第２項の規定より、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　４．補正についての結び 
　したがって、本件補正は、特許法第17条の２第５項において準用する同法第126条第５項の規定に違反するので、特許法第159条第１項の規定において読み替えて準用する同法第53条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
III．本願発明について
　１．本願発明
　平成16年８月２日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜６に係る各発明は、平成16年４月23日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面からみて、特許請求の範囲請求項１〜６に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１の記載は、以下のとおりである。
　「【請求項１】
　記録層とレーザービームの一方を他方に対して一定方向に移動させつつレーザービームを記録層に照射して、記録層に記録マークを形成することにより情報を記録する光記録方法であって、
　前記記録層を有機色素から形成するとともに、この記録層に、前記移動方向に連続的に、前記移動方向の長さが等しい単位長さ及びこれと直交する方向の幅が等しい単位幅の仮想記録セルを想定し、各記仮想記録セル毎に、レーザービームの照射時間を５段階以上に変調し、仮想記録セル内に形成される記録マークの大きさを変えて、仮想記録セルに対する面積比及び記録マークの光透過率のうち少なくとも面積比による、該仮想記録セル全体での光反射率を前記レーザービーム照射時間に応じて変調して、情報を５段階以上のマルチレベル記録することを特徴とする光記録方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　２．刊行物及びその記載
　これに対し、原査定で引用された刊行物は、上記した国際公開第00／25308号パンフレット（以下「刊行物」という。2000年５月４日国際公開）であって、その記載は上記「II．〔理由〕２．(2)刊行物及びその記載」のとおりである。
　
　３．対比・判断
　本願発明は、「上記II．」で検討した補正後発明から、「仮想記録セルの単位長さと記録マークの長さ」及び「読み取りレーザビームのビームウエストの直径」の関係について、「
前記仮想記録セルの単位長さを、最大照射時間のレーザービーム照射により形成される記録マークの長さと等しく、且つ、前記単位長さ及び単位幅を、読み取りレーザービームのビームウエストの直径以下に設定し、各仮
　即ち、仮想記録セルの単位長について、上位概念の構成としたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を実質的に全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後発明が、上記「II．〔理由〕３．(3)の対比・判断」に記載したとおり、刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、本願発明も、同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
 ４．むすび 
　以上のとおりであるから、本願請求項１に記載された発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する