Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実施例
ポリフッ化ビニリデン樹脂(シグマアルドリッチ社製品；Mw275,000)30重量％とアセチルクエン酸トリブチル70重量％とを、ニーダを用いて170℃の温度で溶融混合した後、冷却した。冷却固化した混合物を、170℃に加熱したSUS鋼板を用いて、スペース厚みが0.5mmとなるように熱プレスした後、20℃の水冷却浴中で固化させることにより、フィルム状成形体を得た。得られた成形体をエタノール中に浸漬させ、アセチルクエン酸トリブチルを抽出、除去した後乾燥することにより、平膜状ポリフッ化ビニリデン多孔質膜を得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さらに、この多孔質平膜について、次の各項目の測定を行った。
最大孔径：ASTM F316-86に基づき、バブルポイント法により測定
液体としてエタノールを使用し、25℃におけるバブルポイントを、次式
から算出した
最大孔径(μm)＝(2860×T)／P
T：表面張力(単位：mN/m)
P：最初に気泡が検知される空気圧力(単位：Pa)
空孔率：平膜の面積および厚みを測定し、ポリフッ化ビニリデンの比重1.78を用い
て、次式から算出した
空孔率(％)＝(1−W／V／1.78)×100
W：平膜の重量(単位：g)
V：見掛け体積(単位：cm3)
透水量：平膜を直径25mmの円形状に打ち抜き、これをロ過ホルダー(アドバンテッ
ク社製攪拌型ウルトラホルダーUHP-25K；有効ロ過面積3.5cm2)にセットし
、25℃、0.1MPaの引加圧条件下で透水試験を行った
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイバー積層体、特に吸収ワイピング布を製造する方法であって、
エンドレスのフィラメントで形成された少なくとも一種のスパンボンデッド不織布材料を、熱エンボスカレンダーを使用して、所定の最大引張力−仕事量を有するように予備接着する工程を含み、
ここで、スパンボンデッド不織布材料の、最大の接着状態における最大引張力−仕事量が、以下の工程、
１つ以上のカレンダーの接触圧及び／又は表面温度を変化させ、このようにして接着されたスパンボンデッド不織布材料の、最大の、ないしは最大限に可能な、最大引張力−仕事量を導出する工程、
によって導出され、
前記予備接着された状態のスパンボンデッド不織布材料の最大引張力−仕事量として、前記最大の接着状態における最大引張力−仕事量の少なくとも５０％の値が、以下の工程、
前記表面温度以外の条件を、前記最大の接着状態における最大引張力−仕事量の導出時における条件と同一に維持し、前記最大の接着状態における最大引張力−仕事量の少なくとも５０％の値が得られるまで、１つ以上のカレンダーの表面温度を変化させる工程、
によって設定され、及び
前記予備接着されたスパンボンデッド不織布材料を、その厚さが増加するように、不織布の平滑面又はその表面を横断して変形させる工程、
前記予備接着されたスパンボンデッド不織布材料を、少なくとも１種のテンサイドで処理する工程、
少なくとも一層の親水性ファイバー製のファイバー層を、前記予備接着したスパンボンデッド不織布材料に施す工程、及び
第２のスパンボンデッド不織布材料を、前記スパンボンデッド不織布材料とファイバー層の積層体に施す工程、
前記スパンボンデッド不織布材料と前記ファイバー層の積層体を、ウォータージェット処理により接着させる工程、
を含み、
前記スパンボンデッド不織布材料の前記変形させる工程は、熱風ドラム乾燥機上で、液圧力で行うか、あるいは吸引ローラによって行われ、
前記スパンボンデッド不織布材料のフィラメントのデニールが、１．５未満であることを特徴とする方法。
【請求項２】
スパンボンデッド不織布材料の予備接着を、スパンボンデッド不織布材料の二つの接着箇所間の平均自由行路長が１５ｍｍ未満である条件下で行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
親水性ファイバーを、少なくとも１基のカーディング機及び／又は少なくとも１基のエア−レイド装置で、スパンボンデッド不織布材料に施す請求項１又は２のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
上記の最大引張力−仕事量は、ＤＩＮ ５３８１５に規定された方法により得られる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
スパンボンデッド不織布をカレンダー、特に熱エンボスカレンダーで予備接着することは本発明の枠内に含まれる。不織布の最大予備接着(pre-bonding)におけるスパンボンデッド不織布の前記の最大引張力−仕事量は、以下のように導かれる。カレンダー又はカレンダーロールの接触圧力及び／又は表面温度は、最初に、このようにして予備結合されたスパンボンデッド不織布に対して、最大の及び最大限に可能な、最大引張力−仕事量が導かれるように変更される。この場合に、これには、最大の接着における、このスパンボンデッド不織布の可能な最大の最大引張力−仕事量が含まれている。このため、本発明に従い、最大の最大引張力−仕事量の少なくとも５０％である値を設定するために、その他が同じ（例えば、最大の最大引張力−仕事量の決定条件と同じ）である条件下で、本発明の最大引張力−仕事量に達するまで、カレンダー又はカレンダーロールの接触圧力及び／又は表面温度を変化させることが適切である。本発明によれば、予備結合工程中に形成される接続点(connection points)の配置又は接着点(bonding points)それぞれの配置は、スパンボンデッド不織布において、最適な妥協が、不織布の閉表面（接着箇所の間の狭い間隔）と良好なニードリング性能（接着箇所の間のより大きな間隔）との間で達成されるように実施されなければならない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
これまでに既に述べたように、スパンボンデッド不織布の予備接着中に、接続箇所又は接着箇所は、スパンボンデッド不織布のフィラメント間で形成される。スパンボンデッド不織布の予備接着は、スパンボンデッド不織布の２個の接着箇所の間に決定された最大の平均自由行路長(maximum free path length)が１５ｍｍ未満であるとの条件下に行うことが適当である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池セルを複数並べて成る太陽電池パネルと、
断面コの字形を成すコ字状部で前記太陽電池パネルの外縁部を全周にわたって囲む枠部材と、
前記枠部材のコ字状部内に配置され前記太陽電池パネルの外縁部との間に全周にわたって挟み込まれた緩衝材とを有する太陽電池モジュールであり、
前記枠部材の少なくとも一箇所において、前記コ字状部の対向する２面に、少なくとも残る部分の幅が側面部板厚と緩衝材の厚みの合計以下となる位置まで切り欠き又は溝が形成されることにより切り欠き部が設けられ、該切り欠き部が設けられた位置の前記緩衝材が削除されて、受光面側から裏面側へ通ずる排水路が形成されている
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記切り欠き部は、前記枠部材の対向する２面が前記枠部材の側面部を残す位置まで切り欠かれていることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
太陽電池セルを複数並べて成る太陽電池パネルと、
断面コの字形を成すコ字状部で前記太陽電池パネルの外縁部を全周にわたって囲む枠部材と、
前記枠部材のコ字状部内に配置され前記太陽電池パネルの外縁部との間に全周にわたって挟み込まれた緩衝材とを有する太陽電池モジュールであり、
前記枠部材の少なくとも一箇所において、対向する２面と側面部とが取り除かれて形成された切り欠き部が設けられ、前記切り欠き部が設けられた位置の前記緩衝材が削除されて、受光面側から裏面側へ通ずる排水路が形成されている
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項４】
太陽電池セルを複数並べて成る太陽電池パネルと、
断面コの字形を成すコ字状部で前記太陽電池パネルの外縁部を全周にわたって囲む枠部材と、
前記枠部材のコ字状部内に配置され前記太陽電池パネルの外縁部との間に全周にわたって挟み込まれた緩衝材とを有する太陽電池モジュールであり、
前記枠部材の少なくとも一箇所において、対向する上面部および下面部のうち前記上面部における前記太陽電池パネルに対向する面に開口側から側面部に至る位置まで溝が形成されるとともに、前記下面部において少なくとも残る部分の幅が側面部板厚と緩衝材の厚みの合計以下となる位置まで切り欠き又は溝が形成されることにより切り欠き部が設けられ、該切り欠き部が設けられた位置の前記緩衝材が削除されて、受光面側から裏面側へ通ずる排水路が形成されている
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記枠部材は、各辺を構成する直線状の棒部材が相互に端部を直角に連結されて矩形に形成され、前記切り欠き部は、当該矩形枠部材の角部に設けられている
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記切り欠き部が、前記矩形枠部材の四隅の全てに設けられている
ことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記枠部材には、前記コ字状部の側面部が裏面側に延長するようにして形成された延長部と、この延長部から内方に延びて形成された内フランジ部とが設けられており、当該内フランジ部に水抜き用穴が開口されている
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記枠部材には、前記コ字状部の裏面側に隣接して中空形状の袋状部が設けられており、当該袋状部の内部を通って水が流れるように、前記袋状部に水抜き用穴が開口されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記枠部材には、前記コ字状部の側面部が裏面側に延長するようにして形成された延長部が設けられ、前記コ字状部の側面部の板厚が前記延長部の板厚よりも厚い
ことを特徴とする請求項１、２、４から８のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１０】
前記太陽電池パネルが受光面側で凹とならないように前記太陽電池パネルを押し上げる押し上げ構造をさらに有する
ことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１１】
前記押し上げ構造が、
前記太陽電池パネルの裏面に配設された補強枠と、
前記太陽電池パネルと前記補強枠との間に配置された間隙材とを有し、
前記間隙材は、前記太陽電池パネルを受光面側に凸となるように押し上げる
ことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施の形態８．
図１９は本発明にかかる太陽電池モジュールの実施の形態８の横断面図である。図２０は本発明にかかる太陽電池モジュールの実施の形態８の他の例を示す横断面図である。図１９において、太陽電池モジュール１０２は、実施の形態４と同様な枠部材１１Ｂを有する。そして、太陽電池パネル２が受光面側に凸になるように、太陽電池パネル２を上方に押し上げる押し上げ構造として、太陽電池パネル２の裏面に枠部材１１Ｂに架け渡されるようにして配設された補強枠７と、太陽電池パネル２と補強枠７との間に配置された間隙材８Ｂとを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月2日(2011.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械加工によって損傷を受けた炭化ケイ素結晶構造を、炭化ケイ素構成要素の表面から除去する方法であり、
前記構成要素の炭化ケイ素表面を液体酸化剤で処理することにより炭化ケイ素を酸化ケイ素に転化し、
次に、前記酸化ケイ素を液体での処理により除去することを含み、
炭化ケイ素を酸化ケイ素に転化する前記炭化ケイ素表面の前記処理及び前記酸化ケイ素の前記除去を、少なくとも１回行い、複数回行う場合は順番に繰り返す方法。
【請求項２】
前記炭化ケイ素表面の前記液体酸化剤での前記処理に先立って、前記炭化ケイ素構成要素の前記表面を開放することにより、前記表面を前記液体酸化剤での前記処理に反応させ易くすることを更に含み、前記表面の開放がプラズマエッチング又は液体エッチャントの一方を用いて達成され、前記エッチャントは非酸化剤又は酸化剤の１つである請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記構成要素表面から少なくとも０．０５μｍの深さまでの量の炭化ケイ素が除去される請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記深さは約１μｍ〜約５０μｍである請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記深さは約１μｍ〜約５μｍである請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記炭化ケイ素表面の前記液体酸化剤による前記処理は、約２０℃から約２００℃の温度にて、約１時間から約１００時間に亘って超音波浴内で行われる請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記炭化ケイ素表面の前記液体酸化剤による前記処理は、約１時間から約４０時間に亘って行われる請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記酸化ケイ素の前記除去は、約２０℃から約２００℃の温度にて、約５分から約１０時間に亘って超音波浴内で行われる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記炭化ケイ素表面の前記液体酸化剤による前記処理及び酸化ケイ素の前記除去が、順番に、サイクルとして、少なくとも２回繰り返される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記液体酸化剤は、ＫＭｎＯ４、ＨＮＯ３、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２ＳＯ４及びこれらの組み合わせから成る群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記液体酸化剤は、ＫＭｎＯ４、ＨＮＯ３、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２ＳＯ４及びこれらの組み合わせから成る群から選択される請求項７記載の方法。
【請求項１２】
前記液体酸化剤は、ＫＭｎＯ４、ＨＮＯ３、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２ＳＯ４及びこれらの組み合わせから成る群から選択される請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記酸化剤はＫＭｎＯ４である請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記ＫＭｎＯ４の濃度は、蒸留水中において約１０重量％〜最高濃度である請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記ＫＭｎＯ４の濃度は、蒸留水中において約１０重量％〜約３５重量％である請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記酸化剤はＨ２Ｏ２＋Ｈ２ＳＯ４である請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２ＳＯ４の濃度は、Ｈ２Ｏ２：Ｈ２ＳＯ４の重量比が約１：１から約１：１０となるようなものであり、Ｈ２Ｏ２の濃度は蒸留水中において約３５重量％であり、Ｈ２ＳＯ４の濃度は蒸留水中において約９３重量％である請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
半導体製造構成要素であり、機械加工された領域を有する炭化ケイ素構造を含み、前記機械加工された領域には、原則的に、前記機械加工によって引き起こされた結晶損傷がない半導体製造構成要素。
【請求項１９】
前記構成要素には、成形に続いて約５００℃より高い温度に構成要素をさらすことによって引き起こされた損傷がない請求項１８記載の半導体製造構成要素。
【請求項２０】
前記炭化ケイ素はＣＶＤ法により堆積されたバルク炭化ケイ素である請求項１８記載の半導体製造構成要素。
【請求項２１】
前記炭化ケイ素はＣＶＤ法により堆積されたバルク炭化ケイ素である請求項１９記載の半導体製造構成要素。
【請求項２２】
前記構成要素は、シャワーヘッド又はガス拡散装置、プロセスキット、加工チャンバライナ、スリットバルブドア、フォーカスリング、サスペンションリング、サセプタ、台座部及びバッフルから成る群から選択される請求項１８記載の構成要素。
【請求項２３】
前記構成要素は、シャワーヘッド又はガス拡散装置、プロセスキット、加工チャンバライナ、スリットバルブドア、フォーカスリング、サスペンションリング、サセプタ、台座部及びバッフルから成る群から選択される請求項１９記載の構成要素。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スレッドのプライを熱可塑性又は粘弾性材料（Ａ，Ｂ）で連続的に外装する装置であって、前記プライが、相互にほぼ平行なスレッド（Ｆ）のアレイで形成され、前記外装装置が、
−スレッド案内（３５）を有し、
−被覆チャンバ（３１）を有し、第１の供給チャネル（１０）及び第２の供給チャネル（２０）が、前記被覆チャンバ内に延び、前記供給チャネル（１０，２０）が、互いに独立し、それぞれ第１の供給手段（１３）及び第２の供給手段（２３）に連結されていて、第１の材料（Ａ）及び第２の材料（Ｂ）を圧力下で且つ規定された流量で送り出すことができ、前記供給チャネル（１０，２０）の出口（１１，２１）が、前記スレッド（Ｆ）のプライの平面の上及び下に配置され、
−出口ダイ（３２）を有し、前記外装装置の稼働中、前記スレッド（Ｆ）のプライが、前記出口ダイを通って走行する、外装装置において、
制御器（４０）に接続されていて、前記供給手段（１３，２３）の各々圧力を制御する圧力測定手段（１２，２２）が、互いに向かい合うと共に一線をなして、前記プライの平面の各側で且つ前記供給チャネル（１０，２０）の前記出口（１１，２１）のすぐ付近で前記被覆チャンバ（３１）内に配置されている、外装装置。
【請求項２】
前記供給チャネルの前記出口（１１，２１）は、前記スレッドのプライが前記外装装置を通って前進する方向に沿って所与の距離（ｄ）だけ互いにずれている、請求項１記載の外装装置。
【請求項３】
スレッドのプライを熱可塑性又は粘弾性材料（Ａ，Ｂ）で連続的に外装する方法であって、前記プライが、相互にほぼ平行なスレッド（Ｆ）のアレイで形成され、前記スレッドが、請求項１又は請求項２記載の外装装置中を所与の方向に走行する、方法において、前記供給手段（１３，２３）の作動を前記被覆チャンバ（３１）内に配置された前記２つの圧力測定手段によって測定された圧力差がゼロであるように調整する、外装方法。
【請求項４】
前記材料（Ａ，Ｂ）は、ゴムを主成分とする粘弾性材料である、請求項３記載の外装方法。
【請求項５】
前記スレッドのプライの上側フェースに被着された前記材料（Ａ）は、前記スレッドのプライの下側フェースに被着された前記材料（Ｂ）とは種類が異なっている、請求項３又は４記載の外装方法。
【請求項６】
前記供給チャネル（１０，１１）の前記出口（１１，２１）相互間の前記距離（ｄ）を変化させて前記スレッドのプライの前記下側フェースに被着された前記材料（Ｂ）の厚さ（ｂ）に対する前記スレッドのプライの前記上側フェースに被着された前記材料（Ａ）の厚さ（ａ）を変化させる、請求項５記載の外装方法。
【請求項７】
得られた最終製品の適合性を判定するために前記被覆チャンバ（３１）内に配置された前記２つの圧力測定手段（１２，２２）相互間の圧力差を用いる、請求項３〜６のうちいずれか一に記載の外装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
疎水性生物吸収ポリマーに結合したポリアニオン性多糖類を含む、水不溶性生体親和性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の図柄が表示された複数のリールを回転させて停止させる遊技を実施可能なスロットマシンであって、
抽選処理により複数の役の中から少なくとも１の役を決定する役抽選を行なうための役抽選手段と、
複数の図柄が表示された複数のリールを回転させた後、遊技者のリール停止操作に基づく信号を受信したとき、前記役抽選の結果に応じて、回転させたリールの停止制御を行なうリール制御手段と、
前記役抽選で何れかの役に決定したとき当選フラグを設定し、該当選フラグが設定された状態で、前記リール停止制御により該役抽選で決定された役に対応した図柄の組み合わせが有効ライン上に表示されて入賞したと判断したとき、該入賞したと判断された役に対応した入賞処理を行なう入賞処理制御手段と、
遊技機の機能を一時停止状態にするフリーズ演出を実施するフリーズ実施手段と、を備え、
所定の開始要件を達成したとき、所定時間実施される単位フリーズ演出を開始し、
前記単位フリーズ演出を実施中に、次の前記単位フリーズ演出を実施するか否か定める単位フリーズ演出決定処理を行なって、該決定処理で次の前記単位フリーズ演出を実施すると決定した場合には、次の前記単位フリーズ演出を行なうことを特徴とするスロットマシン。
【請求項２】
複数の図柄が表示された複数のリールを回転させて停止させる遊技を実施可能なスロットマシンであって、
抽選処理により複数の役の中から少なくとも１の役を決定する役抽選を行なうための役抽選手段と、
複数の図柄が表示された複数のリールを回転させた後、遊技者のリール停止操作に基づく信号を受信したとき、前記役抽選の結果に応じて、回転させたリールの停止制御を行なうリール制御手段と、
前記役抽選で何れかの役に決定したとき当選フラグを設定し、該当選フラグが設定された状態で、前記リール停止制御により該役抽選で決定された役に対応した図柄の組み合わせが有効ライン上に表示されて入賞したと判断したとき、該入賞したと判断された役に対応した入賞処理を行なう入賞処理制御手段と、
遊技機の機能を一時停止状態にするフリーズ演出を実施するフリーズ実施手段と、を備え、
所定の開始要件を達成したとき、所定時間実施される単位フリーズ演出の実施回数を定める単位フリーズ演出決定処理を行ない、前記単位フリーズ演出決定処理で実施が決定された回数の前記単位フリーズ演出を行なうことを特徴とするスロットマシン。
【請求項３】
前記単位フリーズ演出として、フリーズの実施態様の異なる複数の単位フリーズ演出があり、前記単位フリーズ演出決定処理によって、前記複数の単位フリーズ演出の中から１の前記単位フリーズ演出を選択して実施することを特徴とする請求項１または２に記載のスロットマシン。
【請求項４】
所定の演出を実施するための制御処理を行なう演出制御手段を更に備え、
実施される前記単位フリーズ演出に対応して送信される信号に基づいて、前記演出制御手段により、実施される前記単位フリーズ演出に対応した演出を行なうことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のスロットマシン。
【請求項５】
所定の演出を実施するための制御処理を行なう演出制御手段を更に備え、
前記演出制御手段が、遊技者が前記リール停止操作により前記役抽選で当選した役に対応した図柄を表示させるのに有用な情報を含む報知演出を実施する場合において、
前記フリーズ演出を実施する時間に対応させて、前記報知演出の実施回数を定めることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のスロットマシン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体に収容され、衣類を脱水する脱水槽と、
該脱水槽の振動に関する情報を含む検出信号を出力するセンサ要素と、
前記検出信号に基づき、前記脱水槽を制御する制御装置と、を含み、
前記脱水槽は、前記衣類を脱水するために回転する内槽と、該内槽を収容する外槽と、を含み、
該外槽は、前記筐体に対向する外面を有する円筒状の周壁を含み、
前記センサ要素は、前記脱水槽の振幅に応じて、姿勢を変えるレバー部を備える機械式スイッチ素子を有する第１センサ素子と、前記外面の加速度を検出する加速度センサを有する第２センサ素子と、を含むことを特徴とする脱水装置。
【請求項２】
前記第１センサ素子は、前記筐体の角隅部に配設され、前記第２センサ素子は前記第１センサ素子に対して、前記筐体の対角線上に配設されたことを特徴とする請求項１に記載の脱水装置。
【請求項３】
前記筐体は、前記脱水槽に沿って立設される第１壁と、該第１壁とは反対側の第２壁と、前記第１壁と前記第２壁との間で立設される第３壁と、該第３壁とは反対側の第４壁と、を含み、
前記第１センサ素子は、前記脱水槽の第１方向である前記第１壁と前記第３壁との間に形成された角隅部に向かう方向の振幅を検出し、
前記第２センサ素子は、前記第２壁と前記第４壁と前記脱水槽とに囲まれる空間に配設されることを特徴とする請求項１に記載の脱水装置。
【請求項４】
前記第２センサ素子は、前記外面に取り付けられることを特徴とする請求項２又は３に記載の脱水装置。
【請求項５】
前記制御装置は、前記レバー部の姿勢及び前記加速度のうち少なくとも一方に応じて、前記内槽の回転を調整することを特徴とする請求項２又は３に記載の脱水装置。
【請求項６】
前記内槽を回転させるための駆動源を更に備え、
前記外槽は、前記駆動源が取り付けられる底壁を含み、
前記周壁は、前記底壁が接続される第１縁と、該第１縁とは反対側の第２縁とを含み、
前記加速度センサは、前記第２縁の近傍に取り付けられることを特徴とする請求項２又は３に記載の脱水装置。
【請求項７】
前記脱水槽の下方への変位を抑制する抑制要素を更に備え、
前記抑制要素は、前記内槽の回転中心に対して、前記第４壁側に偏心して配設されることを特徴とする請求項３に記載の脱水装置。
【請求項８】
前記抑制要素は、前記衣類を乾燥するための乾燥空気を前記脱水槽に送り込むとともに該脱水槽から前記乾燥空気を回収するように前記脱水槽の周りで前記乾燥空気を循環させる循環システムを含むことを特徴とする請求項７に記載の脱水装置。
【請求項９】
前記加速度センサは、前記外槽の半径方向の加速度成分及び前記外槽の周方向の加速度成分のうち少なくとも一方を検出することを特徴とする請求項２又は３に記載の脱水装置。
【請求項１０】
前記加速度センサは、前記外槽の半径方向の加速度成分及び前記外槽の周方向の加速度成分に対して直交する方向の加速度成分を検出することを特徴とする請求項２又は３に記載の脱水装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技領域における遊技を統括的に制御する遊技制御装置と、
前記遊技制御装置からの指令に対応して当該遊技機に関わる所要の制御を行う従属制御装置と、を備え、
所定の始動条件が成立したことに基づき遊技領域にて補助遊技を実行し、該補助遊技の結果に対応して遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生可能な遊技機において、
前記遊技制御装置は、
前記従属制御装置に指令を出力するための通信用ポートと、
所定の起動信号に対応して前記通信用ポートを初期状態にする初期化手段と、
遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、
前記演算処理手段によって更新される情報が記憶され、当該遊技機への電源供給が停止しても前記記憶された情報の記憶保持が可能な記憶手段と、を備え、
前記演算処理手段は、
前記起動信号の発生後に、前記記憶手段に記憶保持された情報の正当性を判定する正当性判定手段と、
前記通信用ポートを前記初期状態のまま所定時間維持するための維持タイマを、前記正当性判定手段によって正当性が判定される前記記憶手段に記憶された情報を更新することなく計時するタイマ計時手段と、
前記記憶手段のすべての領域を初期化する初期化指示を受け付ける初期化指示受付手段と、
前記初期化指示受付手段が前記初期化指示を受け付けたことに基づいて前記記憶手段を初期化する記憶手段初期化手段と、を備え、
前記従属制御装置は、
前記通信用ポートが前記初期状態を維持している間に起動し、該通信用ポートからの指令を受信可能な指令受信可能状態となるとともに、
前記演算処理手段は、
前記タイマ計時手段によって前記維持タイマの更新が開始される前に、前記初期化指示受付手段が前記初期化指示を受け付けたか否かを確認するために、前記初期化指示受付手段から前記初期化指示の読み込みを行い、
前記初期化指示受付手段が前記初期化指示を受け付けたことが確認された場合には、前記記憶手段初期化手段によって前記記憶手段を初期化することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記遊技制御装置には、更新可能な情報が記憶されて、且つ前記正当性判定手段による正当性判定の対象とならない判定対象外記憶領域が備えられ、
前記タイマ計時手段は、該判定対象外記憶領域を用いて前記維持タイマを計時することを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記撮影位置推定部は、さらに、前記撮影の時において前記画像データを取得した撮像装置の移動方向に基づいて前記領域を推定することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ホウ素粒子と耐熱性バインダーとを含み、耐熱性バインダーがノルボルネン重合体である反射材組成物。
【請求項２】
酸化チタンを実質的に含有しない請求項１に記載の反射材組成物。
【請求項３】
含有する前記窒化ホウ素の体積平均粒径が０．１〜３００μｍである請求項１又は２に記載の反射材組成物。
【請求項４】
前記窒化ホウ素の含有量が、耐熱性バインダー１００質量部に対し、１０〜３００質量部である請求項１〜３のいずれか１項に記載の反射材組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の反射材組成物を硬化してなる反射体。
【請求項６】
光半導体素子と、前記光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させる反射体とを基板上に有し、
前記反射体の光反射面の少なくとも一部が請求項１〜４のいずれか１項に記載の反射体組成物の硬化物である半導体発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを偏向する複数段の偏向器によってそれぞれ偏向されるサイズの異なる偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域内に照射される荷電粒子ビームの総電荷量を算出する総電荷量算出部と、
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく、当該最小偏向領域の代表温度を算出する代表温度算出部と、
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域に照射される照射量を入力し、当該最小偏向領域の代表温度を用いて当該最小偏向領域に照射される照射量を変調する照射量変調部と、
前記複数段の偏向器を有し、前記複数段の偏向器を用いて、変調された照射量で当該最小偏向領域内にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記描画部は、
描画対象となる基板を載置する、移動可能なステージと、
前記複数段の偏向器として、
前記ステージの移動に追従するように、前記基板の描画領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１の小領域の基準位置に荷電粒子ビームを順に偏向する第１の偏向器と、
各第１の小領域の基準位置から、各第１の小領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第２の小領域の基準位置に前記荷電粒子ビームを順に偏向する第２の偏向器と、
各第２の小領域の基準位置から、当該第２の小領域内に照射されるビームのショット位置に前記荷電粒子ビームを偏向する第３の偏向器と、
を有し、
前記最小偏向領域として、前記第２の小領域が用いられることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱により生じる温度上昇量を算出する温度上昇量算出部をさらに備え、
前記代表温度算出部は、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の複数の最小偏向領域からの伝熱により生じる各温度上昇量を累積加算することで、当該最小偏向領域の前記代表温度を求めることを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記温度上昇量は、前記他の最小偏向領域が描画された後に当該最小偏向領域が描画されるまでの経過時間に依存することを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
荷電粒子ビームを偏向する複数段の偏向器によってそれぞれ偏向されるサイズの異なる偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域内に照射される荷電粒子ビームの総電荷量を算出する工程と、
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく、当該最小偏向領域の代表温度を算出する工程と、
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域に照射される照射量を入力し、当該最小偏向領域の代表温度を用いて当該最小偏向領域に照射される照射量を変調する工程と、
前記複数段の偏向器を用いて、変調された照射量で当該最小偏向領域内にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述したように、ショット数と照射量が際限なく増え続けている中、電流密度を上げることで描画時間の短縮を図るが、これにより、レジストが過熱して感度が変化し、線幅精度が悪化する、レジストヒーティングと呼ばれる現象が生じてしまうといった問題があった。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔と、
前記金属箔上に直接設けられ、前記金属箔に由来する金属の拡散を防止する拡散防止層と、
前記拡散防止層上に直接設けられる反射層と
を備えてなる電極箔。
【請求項２】
有機ＥＬ素子または有機太陽電池のアノードまたはカソードとして用いられる、請求項１に記載の電極箔。
【請求項３】
少なくとも前記反射層側に絶縁層を有しない、請求項１または２に記載の電極箔。
【請求項４】
前記電極箔の前記反射層側の最表面が、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される、１０．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有する超平坦面である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項５】
前記金属箔が、１〜２５０μｍの厚さを有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項６】
前記金属箔が、非磁性金属箔である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項７】
前記金属箔が、銅箔である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項８】
前記拡散防止層が、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃ、Ｚｎ、Ｌｉ、 Ｙ、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化ガリウム、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化チタン、窒化クロム、窒化タンタル、ＮｉＰ、Ｎｉ−Ｚｎ、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ３、ＮａＡｌＦ６、ＮａＦ６からなる群から選択される少なくとも１種を含んでなる層である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項９】
前記反射層が、アルミニウム膜、アルミニウム系合金膜、銀膜、銀系合金膜からなる群から選択される少なくとも一種である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項１０】
前記反射層上に直接設けられる透明又は半透明のバッファ層をさらに備えてなり、前記バッファ層の表面が前記超平坦面を構成する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項１１】
前記バッファ層が、導電性非晶質炭素膜、導電性酸化物膜、マグネシウム系合金膜、およびフッ化物膜からなる群から選択される少なくとも一種である、請求項１０に記載の電極箔。
【請求項１２】
前記電極箔が、１〜３００μｍの厚さを有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項１３】
前記金属箔の前記反射層と反対側の表面が、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４に準拠して測定される、１．０μｍ以上の十点平均粗さＲｚを有する粗化面である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電極箔と、
前記電極箔の前記反射層側の最表面に直接設けられ、有機ＥＬ層および／または有機太陽電池活性層からなる有機半導体層と、
前記有機半導体層上に設けられる、透明又は半透明の対向電極と、
を備えた、有機ＥＬ素子および／または有機太陽電池である、有機デバイス。
【請求項１５】
前記対向電極が、導電性非晶質炭素膜、導電性酸化物膜、マグネシウム系合金膜、およびフッ化物膜からなる群から選択される少なくとも一種を備えてなる、請求項１４に記載の有機デバイス。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の有機デバイスを有機ＥＬ素子として備えてなる、有機ＥＬ照明。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012069236.tif 000001
【図２】
2012069236.tif 000002
【図３】
2012069236.tif 000003
【図４】
2012069236.tif 000004
【図５】
2012069236.tif 000005
【図６】
2012069236.tif 000006
【図７】
2012069236.tif 000007
【図８】
2012069236.tif 000008
【図９】
2012069236.tif 000009
【図１０】
2012069236.tif 000010
【図１１】
2012069236.tif 000011
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【図１】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図２】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図３】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図４】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図５】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図６】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図７】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図８】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図９】本発明の１実施例を示す回路図である。
【図１０】従来の回路ではなく、本発明の効果を説明する為に使う本発明者の先の多値バッファー手段の１例を示す回路図である。
【図１１】従来の回路ではなく、本発明の効果を説明する為に使う本発明者の先の多値バッファー手段の１例を示す回路図である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池の正極端子と負極端子のうちどちらかを構成する電池缶の外部に不導体膜を介して絶縁された状態で電導性基材が配備されてなり、
前記電導性基材が、前記電池缶とは反対極である電極端子と電気的に接続されなり、
前記電導性基材が、前記正極端子と前記負極端子の一部を除く残部を満遍なく包み込むように配備されてなり、
前記電池缶と前記電導性基材を絶縁させる不導体膜の融点が１００℃〜２００℃であり、
前記電導性基材が、非伝導性ハードケースの内壁に付着されているものであり、
前記非伝導性ハードケースが、両電極端子の一部が外部に露出されている状態で、少なくとも部分的に電池のボディ体を包み込むものである、２次電池。
【請求項２】
前記電導性基材が、熱伝導性を有するものである、請求項１に記載の２次電池。
【請求項３】
前記電導性基材が、Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ，ステインレス鋼及びカーボンよりなる群から選択されるいずれか１種以上の材料からなるものである、請求項１又は２に記載の２次電池。
【請求項４】
前記電導性基材の外側に、外部との電気的な接触を回避するために高分子樹脂層を備えてなる、請求項１に記載の２次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々がソース領域及びドレイン領域を有し、電気的に並列接続された複数のユニットセルと、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のゲート電極と、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のソース電極と、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のドレイン電極と、
前記複数のユニットセルのうちの対応するユニットセルを、少なくとも第１の活性部分及び第２の活性部分に分割する複数の熱スペーサとを備え、
前記ユニットセルの前記ゲート電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極が前記対応する熱スペーサを横切っており、
前記ユニットセルの前記第１の活性部分及び前記第２の活性部分はメサを含み、前記熱スペーサは前記メサ間の領域を含み、
前記ユニットセルの前記第１の被制御電極及び／又は前記第２の被制御電極の少なくとも１つは、前記メサ間の前記領域にかかるエアブリッジを含むことを特徴とする高出力高周波電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記ユニットセルの前記制御電極は前記メサの側壁上に設けられ、前記メサ間の前記領域の底面へと延びていることを特徴とする請求項１に記載の高出力高周波電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記メサは基板上のエピタキシャル層を含み、前記メサ間の前記領域は前記基板の露出領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の高出力高周波電界効果トランジスタ。
【請求項４】
各々制御電極と第１の被制御電極及び第２の被制御電極とを有するユニットセルを複数備え、これらのユニットセルを並列に接続した高出力高周波半導体デバイスであって、
前記ユニットセルの少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分に分割し、前記第２の活性部分を前記第１の活性部分から離隔する熱スペーサを備え、
前記少なくとも１つのユニットセルの制御電極と第１の被制御電極及び第２の被制御電極は、前記熱スペーサを横切って延びており、
前記少なくとも１つのユニットセルの前記第１の活性部分及び前記第２の活性部分はメサを含み、前記熱スペーサは前記メサ間の領域を含み、
前記少なくとも１つのユニットセルの前記第１の被制御電極及び／又は前記第２の被制御電極の少なくとも１つは、前記メサ間の前記領域に架かるエアブリッジを含むことを特徴とする高出力高周波半導体デバイス。
【請求項５】
各々制御電極と第１の被制御電極及び第２の被制御電極とを有するユニットセルを複数備え、これらのユニットセルを並列に接続した高出力高周波半導体デバイスであって、
前記ユニットセルの少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分に分割し、前記第２の活性部分を前記第１の活性部分から離隔する第１の熱スペーサを備え、
前記少なくとも１つのユニットセルの制御電極と第１の被制御電極及び第２の被制御電極は、前記第１の熱スペーサを横切って延びており、
前記制御電極が前記第１の活性部分と前記第２の活性部分との間で前記熱スペーサと交差するところでの該制御電極の断面積が、前記少なくとも１つのユニットセルの前記第１の活性部分及び前記第２の活性部分上の前記制御電極の断面積よりも大きいことを特徴とする高出力高周波半導体デバイス。
【請求項６】
各々制御電極と第１の被制御電極及び第２の被制御電極とを有するユニットセルを複数備え、これらのユニットセルを並列に接続した高出力高周波半導体デバイスであって、
前記ユニットセルの少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分に分割し、前記第２の活性部分を前記第１の活性部分から離隔する第１の熱スペーサを備え、
前記少なくとも１つのユニットセルの制御電極と第１の被制御電極及び第２の被制御電極は、前記第１の熱スペーサを横切って延びており、
前記制御電極が前記第１の活性部分と前記第２の活性部分との間で前記熱スペーサと交差するところでの該制御電極の幅が、前記少なくとも１つのユニットセルの前記第１の活性部分及び前記第２の活性部分上の前記制御電極の幅よりも大きいことを特徴とする高出力高周波半導体デバイス。
【請求項７】
各々がソース領域及びドレイン領域を有し、電気的に並列接続された複数のユニットセルと、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のゲート電極と、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のソース電極と、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のドレイン電極と、
前記複数のユニットセルのうちの対応するユニットセルを、少なくとも第１の活性部分及び第２の活性部分に分割する複数の熱スペーサとを備え、
前記ユニットセルの前記ゲート電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極が前記対応する熱スペーサを横切っており、
前記複数の熱スペーサの寸法は、不均一であることを特徴とする高出力高周波電界効果トランジスタ。
【請求項８】
各々がソース領域及びドレイン領域を有し、電気的に並列接続された複数のユニットセルと、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のゲート電極と、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のソース電極と、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のドレイン電極と、
前記複数のユニットセルのうちの対応するユニットセルを、少なくとも第１の活性部分及び第２の活性部分に分割する複数の熱スペーサとを備え、
前記ユニットセルの前記ゲート電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極が前記対応する熱スペーサを横切っており、
前記制御電極が前記熱スペーサと交差するところでの該制御電極の断面積が、前記ユニットセルの前記第１の活性部分及び前記第２の活性部分上の前記制御電極の断面積よりも大きいことを特徴とする高出力高周波電界効果トランジスタ。
【請求項９】
各々がソース領域及びドレイン領域を有し、電気的に並列接続された複数のユニットセルと、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のゲート電極と、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のソース電極と、
前記ユニットセルの、電気的に並列接続された複数のドレイン電極と、
前記複数のユニットセルのうちの対応するユニットセルを、少なくとも第１の活性部分及び第２の活性部分に分割する複数の熱スペーサとを備え、
前記ユニットセルの前記ゲート電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極が前記対応する熱スペーサを横切っており、
前記制御電極が前記熱スペーサと交差するところでの該制御電極の幅が、前記ユニットセルの前記第１の活性部分及び前記第２の活性部分上の前記制御電極の幅よりも大きいことを特徴とする高出力高周波電界効果トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間項を含む微分方程式を離散化した解析実行モジュールによる過度解析により解析対象の物理量を解析手段によって算出する第１解析を行い、
算出された前記物理量を、第１補正手段において時間高調波次数を用いて補正し、
前記物理量の補正後に、時間項を含む前記微分方程式を離散化した解析実行モジュールによる過度解析により前記解析対象の定常後の物理量を前記解析手段によって算出する第２解析を行うことを特徴とする高速定常場解析方法。
【請求項２】
設定時間幅内に存在する、前記第１解析によって算出された複数の前記物理量を用いて、前記物理量の時間平均量を、時間平均手段によって算出し、
前記第１補正手段による前記物理量の補正が、前記時間平均量を反映した前記時間高調波次数を用いて行われる請求項１に記載の高速定常場解析方法。
【請求項３】
時間項を含む微分方程式を離散化した解析実行モジュールによる過度解析により解析対象の物理量を算出する第１解析を行う解析手段と、
算出された前記物理量を、時間高調波次数を用いて補正する第１補正手段と、
前記物理量の補正後に、時間項を含む前記微分方程式を離散化した解析実行モジュールによる過度解析により前記解析対象の定常後の物理量を算出する第２解析を行う前記解析手段とを備えたことを特徴とする高速定常場解析装置。
【請求項４】
設定時間幅内に存在する、前記第１解析によって算出された複数の前記物理量を用いて、前記物理量の時間平均量を算出する時間平均手段と、
前記物理量の補正を、前記時間平均量を反映した前記時間高調波次数を用いて行う前記第１補正手段とを備えた請求項３に記載の高速定常場解析装置。
【請求項５】
高速定常場解析を行うためにコンピュータを、
時間項を含む微分方程式を離散化した解析実行モジュールによる過度解析により解析対象の物理量を算出する第１解析を行う解析手段、
算出された前記物理量を、時間高調波次数を用いて補正する第１補正手段、および
前記物理量の補正後に、時間項を含む前記微分方程式を離散化した解析実行モジュールによる前記過度解析により解析対象の定常後の物理量を算出する第２解析を行う前記解析手段、
として機能させるための定常場高速解析プログラム。
【請求項６】
高速定常場解析を行うためにコンピュータを、
設定時間幅内に存在する、前記第１解析によって算出された複数の前記物理量を用いて、前記物理量の時間平均量を算出する時間平均手段、および
前記物理量の補正を、前記時間平均量を反映した前記時間高調波次数を用いて行う前記第１補正手段、
として機能させるための請求項５に記載の定常場高速解析プログラム。
【請求項７】
高速定常場解析を行うためにコンピュータを、
時間項を含む微分方程式を離散化した解析実行モジュールによる過度解析により解析対象の物理量を算出する第１解析を行う解析手段、
算出された前記物理量を、時間高調波次数を用いて補正する第１補正手段、および
前記物理量の補正後に、時間項を含む前記微分方程式を離散化した解析実行モジュールによる過度解析により前記解析対象の定常後の物理量を算出する第２解析を行う前記解析
手段、
として機能させるための定常場高速解析プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項８】
高速定常場解析を行うためにコンピュータを、
設定時間幅内に存在する、前記第１解析によって算出された複数の前記物理量を用いて、前記物理量の時間平均量を算出する時間平均手段、および
前記物理量の補正を、前記時間平均量を反映した前記時間高調波次数を用いて行う前記第１補正手段、
として機能させるための定常場高速解析プログラムを記録した請求項７に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。