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　特願２００３−　　　９３５号「ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２９日出願公開、特開２００４−２１４０７５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成１５年　１月　７日　本件出願
　平成１９年　９月１９日　拒絶理由通知
　平成１９年１１月１４日　意見書・手続補正書
　平成２０年　４月　１日　拒絶査定
　平成２０年　５月　７日　本件審判請求
　平成２０年　５月２３日　手続補正書
　平成２２年　２月　４日　審尋
　平成２２年　３月３０日　回答書　
　
第２　平成２０年５月２３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　　　　　　　　　　　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするとともに、それに関連して発明の詳細な説明の一部を補正するものであって、補正前の請求項２及び補正後の請求項１の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　
（１）補正前の請求項２　
　「【請求項１】ＭｏＳｉ２を主成分として８０ｗｔ％以上含み、残余ＳｉＯ２と不純物からなる発熱体において、該発熱体中に含まれる不純物の内、１６００°Ｃにおける蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上である不純物の総量が３００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
　【請求項２】半導体製造装置用熱処理炉に使用することを特徴とする請求項１記載のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。」
　　　　　　　　　　
（２）補正後の請求項１
　「【請求項１】ＭｏＳｉ２を主成分として８０ｗｔ％以上含み、残余ＳｉＯ２と不純物からなる発熱体において、該発熱体中に含まれる不純物の内、１６００°Ｃにおける蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上である
鉄、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを含む
半導体製造装置熱処理炉用
　　　　
２　補正の適否
　前記補正後の請求項１は、前記補正前の請求項２において、「１６００°Ｃにおける蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上である不純物」とされていたのを、「１６００°Ｃにおける蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上である鉄、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを含む不純物」とし、「半導体製造装置用熱処理炉に使用することを特徴とする請求項１記載のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体」とされていたのを、「半導体製造装置熱処理炉用発熱体」としたものであるから、本件補正の特許請求の範囲についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後における請求項１に記載された事項により特定される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下検討する。
　　
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書の記載からみて、前記１の（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　　　　
（２）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前に日本国内おいて頒布された刊行物である特開平１１−３２２４３１号公報（以下「刊行物１」という。）、特開平１１−３１７２８２号公報（以下「刊行物２」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　　　
ア　刊行物１
（ア）段落【０００１】
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭｏＳｉ２基材またはＭｏＳｉ２を主成分として７０％以上含む基材から成る（以下併せてＭｏＳｉ２を主体とするという）発熱材料に関するものであり、特には発熱材料の表面に形成されるガラス質表面酸化被膜を低酸素拡散性にした発熱材料に関する。」
　
（イ）段落【０００４】〜【０００６】
　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭｏＳｉ２基発熱材料を電気炉の発熱体（ヒーター）として使用する場合、大別すると二つの問題点が挙げられる。一つは、３００〜６００℃の酸化性雰囲気下で長時間保持されたＭｏＳｉ２基発熱材料は、１０００〜１８００℃の領域で生じる酸化挙動と異なり、ガラス質被膜中を拡散してきた酸素によりＭｏとＳｉの同時酸化を起こし酸化物粉末を生成し、ペストと呼ばれる粉状化現象を引き起こすことである。この現象は一般に抵抗発熱体のグリップ部で多く見られ、しばしば通電不良を起こし発熱体の破断の原因となる。もう一つは、抵抗発熱体を繰り返し昇降温しながら使用すると発熱部の径が減少し、発熱体性能が劣化することである。ここでいう性能劣化は、発熱部の径が初期状態より細くなり抵抗値に変化が生じることや、発熱部の表面積が小さくなり炉の昇温速度に支障をきたすこと等である。本発明の課題は、上記の問題点を改良し、耐ペスト性に優れ、且つ長期間性能が劣化しないＭｏＳｉ２を主体とする発熱材料を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意研究を行った結果、以下のような知見を得た。従来のＭｏＳｉ２基発熱材料でペスト現象や径の減少が生じる原因は、ＭｏＳｉ２基発熱材料の表面に生成されるガラス質被膜の耐酸化特性が必ずしも十分でないためである。そのため課題を解決するためには、耐酸化性に十分に優れたガラス質被膜を生成する発熱材料に改善する必要がある。すなわち、一般にガラス質被膜形成による耐酸化特性の向上は、ガラス質被膜の低酸素拡散性によるものである。ガラス質被膜中の酸素拡散は、図２（ａ）に示すようなガラス質被膜の三次元構造の隙間を酸素分子が移動することによって行われる。
【０００６】そして、ガラス中にある種の不適合成分、たとえばＡｌが存在する場合には、図２（ｂ）に示すように三次元網目構造が断ち切られ網目の隙間が拡大されることになる。その結果三次元網目構造の隙間を酸素分子が移動・拡散し易くなるため耐酸化性が劣化するのである。そして、従来のＭｏＳｉ２基発熱材料の場合には、これらの不適合成分含有量については特別な管理は行われておらず、耐酸化性の低下をもたらす原因となっていたことが判明した。不適合成分として、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｐｂ、Ｍｎを確認することができた。従って、ＭｏＳｉ２基原料および抵抗値調節等のために加えられる原料として、これらの不適合成分含有量の低い高純度原料を使用することにより網目の細かいガラス質被膜を生成する発熱材料となり、上記の問題を解決し得ることが分かった。」
　　
（ウ）段落【０００９】〜【００１０】
　「【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、ＭｏＳｉ２基材またはＭｏＳｉ２を主成分として７０％以上含む基材を対象とする。本発明の目的では、適当な酸化物や珪化物を成分として選択することによってＭｏＳｉ２の含有量を約７０％まで低減させることができるので、ＭｏＳｉ２を主成分として７０％以上含む基材もここでは含めた。基材の製法は問わない。基材の形態も任意である。また、この基材と同種のものを被覆材として用いることもできる。
【００１０】抵抗発熱体として使用する場合、適当な方法により棒状に成型し焼成を行う。必要に応じて添加成分（ガラス成分等）を添加するが、重要なことは、ＭｏＳｉ２および必要に応じて使用される添加成分のいずれも不適合成分、すなわち、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａを極力低減した高純度の原料を使用することである。ＭｏＳｉ２基材焼結体中に含まれるＡｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａの含有量は、それぞれ３００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下とすべきである。また、Ｋ、Ｐ、Ｐｂ、Ｍｎ、さらには、Ｌｉ、Ｂａ、Ｂ、Ｚｎについてもそれぞれの成分の含有量が３００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下とすべきである。さらに、望ましくは、これらの不適合成分の合計量が１０００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下とすべきである。」
　
（エ）段落【００１２】〜【００１３】
　「【００１２】
【実施例】以下、実施例に基づいて説明するが、本発明は実施例によって制限されるものではない。
ａ．グリップ部の耐ペスト性試験
（実施例１）高純度原料粉末を使用して、ＭｏＳｉ２−１５％ＳｉＯ２焼結体からなる直径９ｍｍのＭｏＳｉ２基発熱体を作製した。このＭｏＳｉ２基発熱体の化学分析値を表１に示す（実施例１）。不適合成分はそれぞれ２０ｐｐｍ以下であった。また、比較のため従来のＭｏＳｉ２基発熱体を用意した（比較例１）。
【００１３】
【表１】　（略）　」
　
（オ）段落【００１６】〜【００１７】
　「【００１６】（実施例２）高純度のＭｏＳｉ２と異なる不適合成分を含むＳｉＯ２を用いて、３種類のＭｏＳｉ２−１０％ＳｉＯ２焼結体からなる、直径９ｍｍ、長さ１００ｍｍのＭｏＳｉ２基発熱体を作製した（実施例２および比較例２、３）。このＭｏＳｉ２基発熱体の化学分析値を表２に示す。
【００１７】
【表２】　（略）」
　
（カ）段落【００１９】〜【００２０】
　「【００１９】ｂ．ガラス質被膜の成長速度試験
（実施例３、４）不適合成分の異なる２種類のＭｏＳｉ２−５％ＳｉＯ２焼結体からなる直径４ｍｍのＭｏＳｉ２基発熱体を作製した（実施例３、４）。このＭｏＳｉ２基発熱体の化学分析値を表３に示す。
【００２０】
【表３】　（略）」
　
（キ）段落【００２３】〜【００２４】
　「【００２３】ｃ．最高使用温度試験
（実施例５）高純度原料粉末を使用して、ＭｏＳｉ２−５％ＳｉＯ２焼結体からなる直径４ｍｍ、長さ２００ｍｍのＭｏＳｉ２基発熱体を作製した（実施例５）。このＭｏＳｉ２基発熱体の化学分析値を表４に示す。
【００２４】
【表４】　（略）」
　　　
　上記（ア）ないし（キ）に摘示した事項を、技術常識を勘案しつつ本件補正発明に照らして整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
　「ＭｏＳｉ２を主成分として７０％以上含み、残余ＳｉＯ２と不適合成分からなる発熱体において、該発熱体中に含まれる不適合成分の内、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを少なくとも含む不適合成分の合計量が１００ｐｐｍ以下であるＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。」
　
イ　刊行物２
（ア）段落【０００１】
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２）系複合セラミックス発熱体に関し、さらに詳しくは半導体製造装置の酸化・拡散炉やＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure-Chemical Vapor Deposition：低圧化学蒸着）等の厳しい温度分布の要求される熱処理炉の発熱体、及びその製造方法に関する。」　　　　
　
（イ）段落【０００３】〜【０００５】
　「【０００３】ところが、ＭｏＳｉ２発熱体は、１４００℃以上の温度で且つ大気雰囲気で使用する場合、表面にシリカ（ＳｉＯ２）の緻密な酸化保護皮膜が生成され安定的に使用できるが、酸化・拡散炉やＬＰ−ＣＶＤ炉で使用される４００〜１２００℃の温度範囲では、上述の緻密な酸化保護皮膜が生成されず、ＭｏＳｉ２発熱体に特徴的な低温酸化、即ち多結晶体が粉化するいわゆるペスト現象を伴う酸化、が問題となり、ユーザーにとっては寿命の点で満足されていないのが実状である。
【０００４】　（略）
【０００５】従って、本発明の目的は、ＭｏＳｉ２発熱体の低温酸化を防ぎ且つ十分な寿命を持つ半導体装置の熱処理炉などの低温加熱用二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法を提供することである。」
　　
（ウ）段落【０００９】〜【００１０】
　「【０００９】本発明の複合セラミックス発熱体の製造方法は、二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体を焼成、曲げ加工及び接合加工により製造する方法において、２０〜４５容量％の粘土鉱物粉末をＭｏＳｉ２粉末に加えて水とともに混練し、成形、乾燥後、非酸化性雰囲気中で１２５０〜１５５０℃で焼成を行うことにより上記網状及び網目状組織を得る。また、できるだけ高密度の発熱体とするためには、（ａ）平均粒径５μｍ以下であるＭｏＳｉ２粉末と、（ｂ）平均粒径１μｍ以下である粘土鉱物を用いる。それらの原料粉末に水を加えて混練し、適宜選択される加工方法により所望のサイズの形状に成形、乾燥後、窒素、アルゴンガス等の非酸化性雰囲気中、１２５０〜１５５０℃で焼成を行う。またさらに半導体製造装置の特にプロセスチューブの外管、即ち均熱管を取り除いた構造の熱処理炉に用いる場合には、（ａ）Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ等の金属不純物量がそれぞれ０．０１mass％以下であり且つこれらの総金属不純物量が０．０７mass% 以下のＭｏＳｉ２粉末と、（ｂ）Ｆｅが０．３mass％以下、Ｃｕが０．１mass％以下、Ｎａが０．１mass% 以下、Ｋが０．１mass％以下の天然粘土鉱物あるいは人工の粘土鉱物を用いる。ただし、焼成後、適当な脱Ｎａ処理を行うことによって、発熱体のＮａを０．０５mass％以下に引き下げることが可能な場合には、Ｆｅが０．３mass％以下、 Ｃｕが０．１mass％以下、Ｋが０．１mass％以下であればＮａが０．１mass％以上の粘土鉱物も使用できる。
【００１０】以下、本発明を詳しく説明する。原料にはできるだけ高純度の材料を使用する。半導体材料においてはＦｅ、Ｃｕ等の重金属あるいはＮａ、Ｋ等のアルカリ金属に起因するデバイス不良が問題となるが、発熱体に不純物として微量に含まれるこれらの元素は、プロセスチューブの外管、即ち均熱管を取り除いた構造の加熱炉の場合、発熱体から加熱炉の内管である石英管を通り抜け、石英反応管内で加熱されている半導体ウエハを汚染する。よって、そのような半導体製造装置としては炉内外材料の純度を向上することが強く求められている。特にＣｕは石英管中の拡散係数が大きいためにより微量に抑える必要がある。上記の問題を防止するために、本発明における発熱体としては、Ｆｅ不純物が０．０５mass％以下、好ましくは０．０３mass％以下、またＣｕ不純物は０．０１mass％以下、好ましくは０．００５mass％以下とすることを特徴とする。あるいは、ＭｏＳｉ２原料として、その原料であるＭｏとＳｉについて９９．９％純度以上、好ましくは９９．９９％純度以上の原料、あるいはＦｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ不純物量がそれぞれ０．０１mass％以下のＭｏとＳｉの原料を用いて合成したＭｏＳｉ２を用いることを特徴とする。」
　
（エ)段落【００２０】　　
「【００２０】
【作用】本発明の二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体を、一般に低温酸化の起こる低温、即ち１２００℃以下、特に５００℃近傍での加熱、例えば半導体製造装置の酸化・拡散炉やＬＰ−ＣＶＤで使用する際には、下記の（ａ）、（ｂ）が重要である。
（ａ）ＭｏＳｉ２相とシリカ系酸化物相あるいはガラス相とが互いに網目状に絡み合った組織とすることにより、ＭｏＳｉ２の結晶粒界を少なくし、粒界酸化反応によるペスト現象を含む低温酸化を防止できる。これとは異なり、ＭｏＳｉ２相がシリカ系酸化物相あるいはガラス相により完全に包囲されている（すなわち、シリカ系酸化物相あるいはガラス相のみが網状構造をもつ）と、低温酸化は防止されるが焼結体の骨格を形成するＭｏＳｉ２相の網目状構造が全く存在しなくなり、この結果比抵抗が高くなりすぎ、発熱体として機能しなくなる。また熱伝導度が低下し耐熱衝撃性の著しい低下を起こす。
（ｂ）使用する原料の高純度。これは特にプロセスチューブの外管、即ち均熱管を取り除いた構造の加熱炉の場合重要で、不純物による半導体ウエーハの汚染を防止するためである。これらにより、本発明による二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体は、低温酸化に強く、優れた寿命を示すため、加熱炉工業の進歩に貢献することができる。したがって、（ａ）、（ｂ）により半導体デバイスの汚染の問題無く、デバイスの微細化の追求や生産性の向上を助ける装置として本発明は半導体産業に貢献する。」
　　
（オ）段落【００２４】〜【００２５】
　「【００２４】実施例３〜６
平均粒径が１．７μｍでＦｅ不純物が０．００６mass％、Ｃｕ不純物が０．００１mass％、Ａｌ不純物が０．００８mass％、Ｃａ不純物が０．００１mass％以下、Ｍｇ不純物が０．００１mass％以下、Ｎａ不純物が０．００５mass％以下、Ｋ不純物が０．００１mass％以下のＭｏＳｉ２とＦｅ２ Ｏ３で０．００５mass％、Ｎａ２Ｏで３．９８mass％、Ｋ不純物が０．０２mass％の人工（合成）スメクタイト系粘土鉱物（商品名スメクトンＳＡ：クニミネ工業製）、さらに平均粒径２．６μｍでＦｅ不純物が０．０１mass％、Ｃｕ不純物が０．００１mass％のＭｏＢを表２に示した配合で複合し、実施例２と同様な方法で３ｍｍφと６ｍｍφの棒状焼結体を作製し、続いて１５００℃で真空に引きながら乾燥空気をマスフローメーターを介して炉内に導入することによって３torrに維持して５時間、脱Ｎａ処理を行った。さらに、ショットブラストにより脱Ｎａ処理後の材料の表面酸化被膜を除去し、通電処理後、Ｕ字型発熱体を作製した。これらの焼結体のＦｅ不純物は０．０２mass％、Ｃｕ不純物は０．００１mass％、Ｎａ不純物は０．０１５mass％、Ｋ不純物は０．０１２mass％であった。３ｍｍφの棒状焼結体については、１５００℃で１分の通電により酸化保護被膜を形成した後、スパン５０ｍｍ、クロスヘッド速度０．５ｍｍ／ｍｉｎの３点曲げ試験を行い材料曲げ強度を測定した。Ｕ字型発熱体に関しては、実施例２と同様な方法で炉内雰囲気温度４００℃で、７２０時間連続通電試験を行い低温酸化に特徴的なＭｏＳｉ２の粉化現象について観察した。それらの結果を表２に示す。
【００２５】
【表２】　（略）
ＭｏＢの複合により曲げ強度の向上することが観察された。」　
　　
　前記（ア）ないし（オ）で摘示した事項をふまえると、刊行物２には、次の事項が記載されているものと認められる。
　　
　「ＭｏＳｉ２系複合セラミックス発熱体を半導体製造装置の熱処理炉に用いること、及び発熱体に含まれる不純物である鉄等の量を所定量以下とすること。」
　
（３）対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「不適合成分」は本件補正発明の「不純物」に、引用発明の「合計量」は「総量」に、それぞれ相当する。
　引用発明の「マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを少なくとも含む不適合成分の合計量が１００ｐｐｍ以下である」点は、「マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを少なくとも含む不純物の総量が所定量以下である」という限りにおいて、本件補正発明の「１６００°Ｃにおける蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上である鉄、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを含む不純物の総量が３００ｐｐｍ以下である」点と共通する。
　引用発明の「発熱体」は、その限りにおいて、「半導体製造装置熱処理炉用発熱体」と共通する。　
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
　　
＜一致点＞
  「ＭｏＳｉ２を主成分として含み、残余ＳｉＯ２と不純物からなる発熱体において、該発熱体中に含まれる不純物の内、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを少なくとも含む不純物の総量が所定量以下であるＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。」の点。
　　　　
＜相違点１＞
　ＭｏＳｉ２を主成分とする点について、
　本件補正発明は、「ＭｏＳｉ２を８０ｗｔ％以上含」むのに対し、
　引用発明は、「ＭｏＳｉ２を７０％以上含」む点。
　
＜相違点２＞
　本件補正発明では、発熱体は半導体製造装置熱処理炉用であり、不純物の総量を所定量以下にする不純物の対象に鉄が含まれており、鉄、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを含む不純物は、１６００℃における蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上であり、その不純物の総量は３００ｐｐｍ以下であるのに対し、
　引用発明では、発熱体はその用途が不明であり、不純物の総量を所定量以下にする不純物の対象に鉄が含まれておらず、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを少なくとも含む不純物は、１６００℃における蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上であるかどうか不明であり、その不純物の総量が１００ｐｐｍ以下である点。
　　　
（４）相違点についての検討
ア　相違点１について
　引用発明は、ＭｏＳｉ２を主成分として７０％以上含むところ、例えば、発熱体におけるＭｏＳｉ２が１００％の近傍では、ＭｏＳｉ２が８０ｗｔ％以上であることは明らかである。
　してみると、相違点１は、実質的な相違点ではない。　
　　
イ　相違点２について
（ア）刊行物２には、前記（２）のイに示したとおりの事項（「ＭｏＳｉ２系複合セラミックス発熱体を半導体製造装置の熱処理炉に用いること、及び発熱体に含まれる不純物である鉄等の量を所定量以下とすること。」）が記載されている。
   刊行物２記載の事項の「ＭｏＳｉ２系複合セラミックス発熱体」は、本件補正発明の「ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体」と言い換えることができるから、刊行物２記載の事項は、「ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体を半導体製造装置の熱処理炉に用いること、及び発熱体に含まれる不純物である鉄等の量を所定量以下とすること。」と言い換えることができる。
　引用発明と刊行物２記載の事項とは、ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体で共通し、かつ、両者は、刊行物１の段落【０００４】（前記（２）のア（イ））、刊行物２の段落【０００５】（前記（２）のイ（イ））にそれぞれ示されるように、発熱体に含まれる不純物の量を少なくすることで発熱体の寿命の向上を図るという課題も共通する。
　そうすると、引用発明に刊行物２事項を適用することで、引用発明の発熱体を半導体製造装置の熱処理炉用とすること、及び引用発明における不純物の総量を所定量以下にする不純物の対象に、鉄を含ませることは、当業者が容易になし得たことである。
　　
（イ）不純物の総量について、引用発明及び刊行物２記載の事項は、ともに、不純物の下限については制限されておらず、その総量が少ないほど好ましいことは明らかである。
　一方、本件補正発明についてみても、不純物の総量の下限は零を含んでおり、かつ、不純物の総量を３００ｐｐｍ以下とすることで格別な臨界的な効果を奏するものともいえない。
　そうすると、鉄、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを含む不純物の総量を３００ｐｐｍ以下とすることは、当業者が適宜なし得た事項にすぎない。
　　
（ウ）さらに、引用発明の不純物のマンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムは、本件補正発明のマンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムと何ら異なるところはないから、１６００℃における蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上であることは明らかである。また、刊行物２記載の事項の不純物の鉄は、半導体ウエハを汚染する（刊行物２の段落【００１０】、前記（２）のイ（ウ）参照）ものであり、１６００℃における蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上であることは明らかである。
　　
（エ）以上のとおりであるから、引用発明において相違点２に係る事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。　　　
　
ウ　本件補正発明の効果について
　本件補正発明の作用効果についてみても、引用発明、刊行物２記載の事項から当業者が十分予測できる範囲内のものであって顕著なものともいえない。
　　
エ　したがって、本件補正発明は、引用発明、刊行物２記載の事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　
３　むすび
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１９年１１月１４日付け手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２の１（１）に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　　　　
２　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１及び２には、前記第２の２（２）ア及びイで示したとおりの事項が記載されている。
　　　　
３　対比、判断
　本願発明は、本件補正発明の「１６００°Ｃにおける蒸気圧が１．０×１０−３ｍｍＨｇ以上である鉄、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを含む不純物」から「鉄、マンガン、マグネシウム、ナトリウム、カリウムを含む」との限定をなくし、「半導体製造装置熱処理炉用発熱体」を「半導体製造装置用熱処理炉に使用することを特徴とする請求項１記載のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体」としたものである。
　そうすると、本願発明を構成する事項をすべて含む本件補正発明が、上記第２の２（４）で示したとおり、引用発明及び刊行物２記載の事項により、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　　　
４　むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。