【事件の表示】
　特願２００２−２２６２４０「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月　４日出願公開、特開２００４−　７１７０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年８月２日の出願であって、平成１７年６月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１８年８月１日付けで審尋がなされ、その後同年１０月４日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年７月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１７年７月１４日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
（１）本件補正の内容
　補正前の請求項１ないし４を削除するとともに、補正前の請求項５を補正後の請求項１とし、なおかつ、【００１２】ないし【００１４】を削除し、【発明の名称】及び【００１５】を補正するものであって、補正後の請求項１は以下のとおりである。
「【請求項１】
（ａ）半導体基板の表面上に半導体素子を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体素子を覆うように、前記半導体基板の上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜を、気相成長により形成する工程と、
（ｂ１）前記第１の絶縁膜の表面を、化学機械研磨により平坦化する工程と、
（ｃ）前記第１の絶縁膜の上に、該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い有機絶縁材料またはポーラスシリカで形成される第２の絶縁膜を、塗布法により形成する工程と、
（ｄ）前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を貫通するビアホールを形成する工程と、
（ｅ）前記ビアホール内に導電性プラグを埋め込む工程と、
（ｆ）前記第２の絶縁膜の上に、前記導電性プラグに接続された金属製の配線を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。」
　
（２）本件補正の内容の整理
補正事項を整理すると以下のとおりである。
（ａ）補正事項１
　補正前の請求項１ないし４を削除すること。
（ｂ）補正事項２
　補正前の請求項５の「（ｃ）前記第１の絶縁膜の上に、該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い絶縁材料からなる第２の絶縁膜を、塗布法により形成する工程」を、「（ｃ）前記第１の絶縁膜の上に、該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い有機絶縁材料またはポーラスシリカで形成される第２の絶縁膜を、塗布法により形成する工程」とすること。
（ｃ）補正事項３
　補正前の【００１２】ないし【００１４】を削除すること。
（ｄ）補正事項４
　補正前の明細書の【００１５】を、補正後の明細書の【００１５】と補正すること。
（ｅ）補正事項５
　補正前の【発明の名称】を、補正後の【発明の名称】と補正すること。
　
（３）本件補正についての検討
（３−１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
（ａ）補正事項１について
　補正事項１は、請求項の削除を目的とするものである。
　
（ｂ）補正事項２について
　補正事項２についての補正は、補正前の請求項５の（ｃ）工程の「該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い絶縁材料からなる第２の絶縁膜」を「該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い有機絶縁材料またはポーラスシリカで形成される第２の絶縁膜」と限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
　また、本願明細書の【００１９】、【００３４】には、それぞれ「保護膜６の上に、ポーラスシリカからなる厚さ２５０ｎｍのビア層絶縁膜７が形成されている。」、「上記第１の実施例では、低誘電率絶縁材料としてポーラスシリカを使用したが、誘電率が、酸化シリコンやＰＳＧやＢＰＳＧの誘電率よりも低い他の低誘電率絶縁材料を使用してもよい。例えば、ダウケミカル社のＳｉＬＫ（登録商標）等の有機絶縁材料を使用してもよい。」と記載されているから、補正事項２についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　
（ｃ）補正事項３ないし５について
　補正事項３ないし５についての補正は、補正された特許請求の範囲と整合させるために行われた補正であって、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　
　したがって、補正事項２についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とし、同法同条第３項の規定に適合する。
　
　ここで、補正事項２についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合し、かつ同法同条第４項第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものであるから、本件補正について、同法同条第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
　
（３−２）独立特許要件の検討
（３−２−１）刊行物に記載された発明
　刊行物１．　特開２００１−２７４２３９号公報
　本願の出願日前に国内において頒布された特開２００１−２７４２３９号公報には、図１及び図４とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、層間絶縁膜として高誘電率膜／低誘電率膜の積層絶縁膜を用いた半導体装置およびその製造方法に関する。」
「【００１６】図１（ａ）は、シリコン基板１上に第１の配線層を形成した段階の断面図を示しており、２は層間絶縁膜、３は金属配線を示している。」
「【００１８】次に図１（ｂ）に示すように、全面に高誘電率膜４、低誘電率膜５を順次堆積し、積層構造の層間絶縁膜を形成する。高誘電率膜４は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成したＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜、シリコン窒化膜、ＳｉＯＦ膜・・・、またはこれらの絶縁膜から選ばれた少なくとも２種類以上の絶縁膜の積層膜である。低誘電率膜５は、例えば有機ＳＯＧ膜、ＨＳＱ膜、ＣＶＤ有機シリコン酸化膜、ポーラスシリカ膜である。高誘電率膜４は、一般に、低誘電率膜５に比べて、ヤング率または硬度が高く、機械的強度が強い。
【００１９】次に図１（ｃ）に示すように、図示しない保護膜、高誘電率膜４および低誘電率膜５をエッチングして、金属配線３に対してのヴィアホール６および配線溝７を形成する。なお、図中右側の配線溝の下のヴィアホールは他の断面にあり、図には示していない。また、ヴィアホール６、配線溝７を作る順序は、どちらが先でも良い。
【００２０】ここで、従来と異なる点は、配線溝７の底面は低誘電率膜５内にあり、高誘電率膜４までは達していないことにある。このような配線溝７は、エッチング時間を制御することで形成することができる。
【００２１】次に図１（ｄ）に示すように、ヴィアホール６および配線溝７の内部を埋め込むように、ＤＤ配線となる金属膜８を全面に堆積する。金属膜８は、例えばＡｌ膜またはＣｕ膜である。なお、実際のダマシンプロセスでは、ライナー膜や拡散防止膜等の下地膜を形成してから金属膜８を形成するが、ここでは説明を簡単にするために省略してある。
【００２２】最後に、図１（ｅ）に示すように、低誘電率膜５上の金属膜８を化学的機械的研磨法を用いて研磨し、ヴィアホール６および配線溝７の外部の不要な金属膜８を除去し、表面を平坦化してＤＤ配線８（第２の配線層）が完成する。」
「【００２９】以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ダマシン配線として特にＤＤ配線の場合について説明したが、本発明はシングルダマシン配線（ＳＤ配線）にも適用できる。
【００３０】図４に、本発明をＳＤ配線に適用した場合の図１に相当する工程断面図を示す。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号（添字が異なるものを含む）を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００３１】図１に示したＤＤ配線８の場合、プラグと配線は同じ金属膜により、同時に形成される。しかし、ＳＤ配線の場合、図４に示すように、プラグ８ｐと配線８ｗはそれぞれ別の工程で形成される。
【００３２】また、本発明のＳＤ配線が従来のそれとなる点は、配線の下部角部と低誘電率膜とがコンタクトする構造を実現するために、低誘電率膜５を第１の低誘電率膜５1 と第２の低誘電率膜５2との積層膜にしたことにある。」
「【００３４】また、上記実施形態では、シリコン基板１上の金属配線３とコンタクトするＤＤ配線の場合について説明したが、シリコン基板１の表面のソース／ドレイン拡散層などのように、基板表面の不純物拡散層とコンタクトするＤＤ配線に対しても本発明は有効である。」
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「半導体基板上に、ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４をプラズマＣＶＤ法により形成する工程と、前記高誘電率膜４の上に、有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する工程と、前記高誘電率膜４及び前記低誘電率膜５１を貫通するヴィアホール６を形成する工程と、前記ヴィアホール６内にプラグ８ｐを埋め込む工程と、低誘電率膜５１の上に低誘電率膜５２を形成した後、プラグ８ｐ上を含む低誘電率膜５１の上の低誘電率膜５２に配線溝７を形成し、プラグ８ｐに接続された配線８ｗを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」
　
（３−２−２）対比・判断
　平成１７年７月１４日付けで補正された請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
（１）刊行物発明の「ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４」は、絶縁膜であることは明らかであるから、補正発明の「絶縁材料からなる第１の絶縁膜」に相当する。
（２）刊行物発明の「プラズマＣＶＤ法により形成する」ことは、「ＣＶＤ法」が化学気相成長法を意味するから、補正発明の「気相成長により形成する」ことに相当する。
（３）刊行物発明の「有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１」は、「ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４」よりも低誘電率を有していることは明らかであり、「有機ＳＯＧ」は有機絶縁材料であることも明らかであるから、刊行物発明の「有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１」は、補正発明の「第１の絶縁膜よりも誘電率の低い有機絶縁材料またはポーラスシリカで形成される第２の絶縁膜」に相当する。
（４）刊行物１には、図４とともに、「図１に示したＤＤ配線８の場合、プラグと配線は同じ金属膜により、同時に形成される。しかし、ＳＤ配線の場合、図４に示すように、プラグ８ｐと配線８ｗはそれぞれ別の工程で形成される。」（【００３１】）と記載されていることから、刊行物発明の「プラグ８ｐ」及び「配線８ｗ」は、「金属膜」で形成すること、及び導電性を有することは明らかである。
　したがって、刊行物発明の金属膜から形成された「プラグ８ｐ」及び「配線８ｗ」は、それぞれ、補正発明の「導電性プラグ」及び「金属製の配線」に相当する。
（５）上記（４）において検討したとおり、刊行物発明の「プラグ８ｐ」及び「配線８ｗ」は、それぞれ、補正発明の「導電性プラグ」及び「金属製の配線」に相当するから、刊行物発明の「低誘電率膜５１の上に低誘電率膜５２を形成した後、プラグ８ｐ上を含む低誘電率膜５１の上の低誘電率膜５２に配線溝７を形成し、プラグ８ｐに接続された配線８ｗを形成する工程」は、補正発明の「前記第２の絶縁膜の上に、前記導電性プラグに接続された金属製の配線を形成する工程」に相当する。
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
　「半導体基板上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜を、気相成長により形成する工程と、前記第１の絶縁膜の上に、該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い有機絶縁材料またはポーラスシリカで形成される第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を貫通するビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に導電性プラグを埋め込む工程と、前記第２の絶縁膜の上に、前記導電性プラグに接続された金属製の配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　補正発明では、「半導体基板の表面上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を覆うように、前記半導体基板の上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜を、気相成長により形成する工程」を備えているのに対して、刊行物発明では、「半導体基板上に、ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４をプラズマＣＶＤ法により形成する工程」を備えているものの、半導体基板の表面上に半導体素子を形成し、半導体素子を覆うように、高誘電率膜４を形成することが明確でない点
相違点２
　補正発明では、「前記第１の絶縁膜の表面を、化学機械研磨により平坦化する工程」を備えているのに対して、刊行物発明では、当該工程を備えるか不明である点
相違点３
　補正発明では、「前記第１の絶縁膜の上に、該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い有機絶縁材料またはポーラスシリカで形成される第２の絶縁膜を、塗布法により形成する工程」を備えているのに対して、刊行物発明では、「前記高誘電率膜４の上に、有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する工程」を備えているものの、当該低誘電率膜５１を塗布法により形成することが明確でない点
　
　以下、各相違点について検討する。
相違点１について
　刊行物１には、「また、上記実施形態では、シリコン基板１上の金属配線３とコンタクトするＤＤ配線の場合について説明したが、シリコン基板１の表面のソース／ドレイン拡散層などのように、基板表面の不純物拡散層とコンタクトするＤＤ配線に対しても本発明は有効である。」（【００３４】）と記載されているから、実施形態に示される、シリコン基板１上の金属配線３とコンタクトするＤＤ配線の場合のみならず、シリコン基板１の表面のソース／ドレイン拡散層などのように、基板表面の不純物拡散層とコンタクトするＤＤ配線に対して適用することも示唆されている。そして、「ソース／ドレイン拡散層」は半導体素子である電界効果トランジスタを構成するものであって、当該電界効果トランジスタは、通常半導体基板の表面上に形成されるものであるから、刊行物１には「半導体基板の表面上に半導体素子を形成する工程」を備えることも示唆されている。
　また、刊行物１には、「例えば、上記実施形態では、ダマシン配線として特にＤＤ配線の場合について説明したが、本発明はシングルダマシン配線（ＳＤ配線）にも適用できる。」（【００２９】）との記載もあり、刊行物１でいう本発明は、ＳＤ配線にも適用できること、具体的には、図４に示される場合を開示している。
　そうすると、刊行物１に記載された事項から示唆される内容を考慮すれば、刊行物発明において、「半導体基板上に半導体素子を形成する工程」を備えることにより、補正発明の如く、「半導体基板の表面上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を覆うように、前記半導体基板の上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜を、気相成長により形成する工程」を備えるようにすることは当業者が容易になし得たものである。
相違点２について
　半導体基板上に形成される層間絶縁膜として、ＣＶＤ法により形成される絶縁膜と塗布法により形成される絶縁膜の積層構造を形成する際に、ＣＶＤ法により形成される絶縁膜の表面をＣＭＰ法により平坦化した後に、塗布法により絶縁膜を更に形成することは、例えば、特開２００１−５３１５１号公報（「【００７１】・・・ＴＥＯＳガスとＯ3ガスとをソースとしたプラズマＣＶＤ法で形成された第１ＴＥＯＳ酸化膜７が形成されており、第１ＴＥＯＳ酸化膜７の表面は、例えばＣＭＰ法によって平坦化されている。さらに、第１ＴＥＯＳ酸化膜７の上層には、有機ＳＯＧ膜８および第２ＴＥＯＳ酸化膜９が順次積層されている。」及び図２０参照）、特開２００２−９３９０２号公報（「【００３２】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、酸化シリコン系の材質からなる第１の絶縁層３０を形成する。第１の絶縁層３０は、たとえばＣＶＤ法により形成されることができる。・・・また、必要に応じて、第１の絶縁層３０をＣＭＰ法により平坦化することができる。【００３３】　次に、第１の絶縁層３０の上に、非感光性の有機ポリマーからなる中間層４０を形成する。・・・中間層４０の形成方法としては、たとえば、塗布法、好ましくはスピンコート法を挙げることができる。」、「【００２４】・・・中間層４０は、非感光性の有機ポリマーからなる。非感光性の有機ポリマーの具体例としては、ポリアリーレンエーテルを主体としたAllied Signal製FLARE（登録商標）、Dow　Chemical製Silk（登録商標）、ＢＣＢ（Benzocyclobutene）を挙げることができる。非感光性の有機ポリマーの比誘電率は、好ましくは３以下である。」及び図２参照）にも開示されているように、従来周知の技術にすぎないものであるから、刊行物発明において、「半導体基板上に、ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４をプラズマＣＶＤ法により形成する工程と、前記高誘電率膜４の上に、有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する工程」を行う際に、高誘電率膜４をプラズマＣＶＤ法により形成した後であって、有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する前に、ＣＭＰ法により、高誘電率膜４の表面を平坦化する工程を採用することで、補正発明の如く、「前記第１の絶縁膜の表面を、化学機械研磨により平坦化する工程」を備えるようにすることは当業者が容易になし得たものである。
　
相違点３について
　有機ＳＯＧ膜は、例えば、半導体大辞典（株式会社工業調査会、１９９９年１２月２０日発行）の第５７３頁に記載されているように、「ポリメチルシロキサンを代表する、膜中にＳｉ−Ｃ結合（一般にはＳｉ−ＣＨ３結合）を持つ塗布シリコン酸化膜（ＳＯＧ：Spin On Glass ）」のことであるから、塗布法により形成されることは明らかであるし、また、同文献の第５７５頁には、ポーラスシリカも、形成方法として、「成膜には、一般に塗布法が用いられるが、（１）湿潤状態でゲル骨格を形成し、その後液相を除去する方法（xerogel）と、（２）熱分解物質を含むＳＯＧを形成し、その後の酸化などの熱処理で空孔を形成する方法がある。」と記載されているように、塗布法を用いるものである。
　したがって、刊行物発明の「有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する」方法としては、塗布法を用いることが技術常識であって、相違点３は実質的な相違点にはならない。
　
　よって、補正発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
（３−３）むすび
　よって、補正発明を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年７月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１６年９月２２日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであり、そのうちの請求項５に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項５に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項５】（ａ）半導体基板の表面上に半導体素子を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体素子を覆うように、前記半導体基板の上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜を、気相成長により形成する工程と、
（ｂ１）前記第１の絶縁膜の表面を、化学機械研磨により平坦化する工程と、
（ｃ）前記第１の絶縁膜の上に、該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い絶縁材料からなる第２の絶縁膜を、塗布法により形成する工程と、
（ｄ）前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を貫通するビアホールを形成する工程と、
（ｅ）前記ビアホール内に導電性プラグを埋め込む工程と、
（ｆ）前記第２の絶縁膜の上に、前記導電性プラグに接続された金属製の配線を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。」
　
４．刊行物記載の発明
　刊行物１には、上記「２．（３−２−１）刊行物に記載された発明」の「刊行物１．」に記載されるとおりの事項が記載され、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「半導体基板上に、ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４をプラズマＣＶＤ法により形成する工程と、前記高誘電率膜４の上に、有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する工程と、前記高誘電率膜４及び前記低誘電率膜５１を貫通するヴィアホール６を形成する工程と、前記ヴィアホール６内にプラグ８ｐを埋め込む工程と、低誘電率膜５１の上に低誘電率膜５２を形成した後、プラグ８ｐ上を含む低誘電率膜５１の上の低誘電率膜５２に配線溝７を形成し、プラグ８ｐに接続された配線８ｗを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比検討する。
（１）刊行物発明の「ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４」は、絶縁膜であることは明らかであるから、本願発明の「絶縁材料からなる第１の絶縁膜」に相当する。
（２）刊行物発明の「プラズマＣＶＤ法により形成する」ことは、「ＣＶＤ法」が化学気相成長法を意味するから、本願発明の「気相成長により形成する」ことに相当する。
（３）刊行物発明の「有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１」は、「ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４」よりも低誘電率を有していることは明らかであるから、刊行物発明の「有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１」は、本願発明の「第１の絶縁膜よりも誘電率の低い第２の絶縁膜」に相当する。
（４）刊行物１には、図４とともに、「図１に示したＤＤ配線８の場合、プラグと配線は同じ金属膜により、同時に形成される。しかし、ＳＤ配線の場合、図４に示すように、プラグ８ｐと配線８ｗはそれぞれ別の工程で形成される。」（【００３１】）と記載されていることから、刊行物発明の「プラグ８ｐ」及び「配線８ｗ」は、「金属膜」で形成すること、及び導電性を有することは明らかである。
　したがって、刊行物発明の金属膜から形成された「プラグ８ｐ」及び「配線８ｗ」は、それぞれ、本願発明の「導電性プラグ」及び「金属製の配線」に相当する。
（５）上記（４）において検討したとおり、刊行物発明の「プラグ８ｐ」及び「配線８ｗ」は、それぞれ、本願発明の「導電性プラグ」及び「金属製の配線」に相当するから、刊行物発明の「低誘電率膜５１の上に低誘電率膜５２を形成した後、プラグ８ｐ上を含む低誘電率膜５１の上の低誘電率膜５２に配線溝７を形成し、プラグ８ｐに接続された配線８ｗを形成する工程」は、本願発明の「前記第２の絶縁膜の上に、前記導電性プラグに接続された金属製の配線を形成する工程」に相当する。
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
「半導体基板上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜を、気相成長により形成する工程と、前記第１の絶縁膜の上に、該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を貫通するビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に導電性プラグを埋め込む工程と、前記第２の絶縁膜の上に、前記導電性プラグに接続された金属製の配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　本願発明では、「半導体基板の表面上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を覆うように、前記半導体基板の上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜を、気相成長により形成する工程」を備えているのに対して、刊行物発明では、「半導体基板上に、ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４をプラズマＣＶＤ法により形成する工程」を備えているものの、半導体基板の表面上に半導体素子を形成し、半導体素子を覆うように、高誘電率膜４を形成することが明確でない点
相違点２
　本願発明では、「前記第１の絶縁膜の表面を、化学機械研磨により平坦化する工程」を備えているのに対して、刊行物発明では、当該工程を備えるか不明である点
相違点３
　本願発明では、「前記第１の絶縁膜の上に、該第１の絶縁膜よりも誘電率の低い絶縁材料からなる第２の絶縁膜を、塗布法により形成する工程」を備えているのに対して、刊行物発明では、「前記高誘電率膜４の上に、有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する工程」を備えているものの、当該低誘電率膜５１を塗布法により形成することが明確でない点
　以下、各相違点について検討する。
相違点１について
　刊行物１には、「また、上記実施形態では、シリコン基板１上の金属配線３とコンタクトするＤＤ配線の場合について説明したが、シリコン基板１の表面のソース／ドレイン拡散層などのように、基板表面の不純物拡散層とコンタクトするＤＤ配線に対しても本発明は有効である。」（【００３４】）と記載されているから、実施形態に示される、シリコン基板１上の金属配線３とコンタクトするＤＤ配線の場合のみならず、シリコン基板１の表面のソース／ドレイン拡散層などのように、基板表面の不純物拡散層とコンタクトするＤＤ配線に対して適用することも示唆されている。そして、「ソース／ドレイン拡散層」は半導体素子である電界効果トランジスタを構成するものであって、当該電界効果トランジスタは、通常半導体基板の表面上に形成されるものであるから、刊行物１には「半導体基板の表面上に半導体素子を形成する工程」を備えることも示唆されている。
　また、刊行物１には、「例えば、上記実施形態では、ダマシン配線として特にＤＤ配線の場合について説明したが、本発明はシングルダマシン配線（ＳＤ配線）にも適用できる。」（【００２９】）との記載もあり、刊行物１でいう本発明は、ＳＤ配線にも適用できること、具体的には、図４に示される場合を開示している。
　そうすると、刊行物１に記載された事項から示唆される内容を考慮すれば、刊行物発明において、「半導体基板上に半導体素子を形成する工程」を備えることにより、本願発明の如く、「半導体基板の表面上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を覆うように、前記半導体基板の上に、絶縁材料からなる第１の絶縁膜を、気相成長により形成する工程」を備えるようにすることは当業者が容易になし得たものである。
相違点２について
　半導体基板上に形成される層間絶縁膜として、ＣＶＤ法により形成される絶縁膜と塗布法により形成される絶縁膜の積層構造を形成する際に、ＣＶＤ法により形成される絶縁膜の表面をＣＭＰ法により平坦化した後に、塗布法により絶縁膜を更に形成することは、例えば、特開２００１−５３１５１号公報（「【００７１】・・・ＴＥＯＳガスとＯ3ガスとをソースとしたプラズマＣＶＤ法で形成された第１ＴＥＯＳ酸化膜７が形成されており、第１ＴＥＯＳ酸化膜７の表面は、例えばＣＭＰ法によって平坦化されている。さらに、第１ＴＥＯＳ酸化膜７の上層には、有機ＳＯＧ膜８および第２ＴＥＯＳ酸化膜９が順次積層されている。」及び図２０参照）、特開２００２−９３９０２号公報（「【００３２】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、酸化シリコン系の材質からなる第１の絶縁層３０を形成する。第１の絶縁層３０は、たとえばＣＶＤ法により形成されることができる。・・・また、必要に応じて、第１の絶縁層３０をＣＭＰ法により平坦化することができる。【００３３】　次に、第１の絶縁層３０の上に、非感光性の有機ポリマーからなる中間層４０を形成する。・・・中間層４０の形成方法としては、たとえば、塗布法、好ましくはスピンコート法を挙げることができる。」、「【００２４】・・・中間層４０は、非感光性の有機ポリマーからなる。非感光性の有機ポリマーの具体例としては、ポリアリーレンエーテルを主体としたAllied Signal製FLARE（登録商標）、Dow　Chemical製Silk（登録商標）、ＢＣＢ（Benzocyclobutene）を挙げることができる。非感光性の有機ポリマーの比誘電率は、好ましくは３以下である。」及び図２参照）にも開示されているように、従来周知の技術にすぎないものであるから、刊行物発明において、「半導体基板上に、ＴＥＯＳ膜もしくはＳｉＯ2膜からなる高誘電率膜４をプラズマＣＶＤ法により形成する工程と、前記高誘電率膜４の上に、有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する工程」を行う際に、高誘電率膜４をプラズマＣＶＤ法により形成した後であって、有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する前に、ＣＭＰ法により、高誘電率膜４の表面を平坦化する工程を採用することで、本願発明の如く、「前記第１の絶縁膜の表面を、化学機械研磨により平坦化する工程」を備えるようにすることは当業者が容易になし得たものである。
相違点３について
　有機ＳＯＧ膜は、例えば、半導体大辞典（株式会社工業調査会、１９９９年１２月２０日発行）の第５７３頁に記載されているように、「ポリメチルシロキサンを代表する、膜中にＳｉ−Ｃ結合（一般にはＳｉ−ＣＨ３結合）を持つ塗布シリコン酸化膜（ＳＯＧ：Spin On Glass ）」のことであるから、塗布法により形成されることは明らかであるし、また、同文献の第５７５頁には、ポーラスシリカも、形成方法として、「成膜には、一般に塗布法が用いられるが、（１）湿潤状態でゲル骨格を形成し、その後液相を除去する方法（xerogel）と、（２）熱分解物質を含むＳＯＧを形成し、その後の酸化などの熱処理で空孔を形成する方法がある。」と記載されているように、塗布法を用いるものである。
　したがって、刊行物発明の「有機ＳＯＧ膜或いはポーラスシリカ膜からなる低誘電率膜５１を形成する」方法としては、塗布法を用いることが技術常識であって、相違点３は実質的な相違点にはならない。
　
　したがって、本願の請求項５に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項１ないし４に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。