【事件の表示】
　特願２００５−１１１３０２「化合物半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年９月２２日出願公開，特開２００５−２６０２５５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成９年２月７日に出願した特願平９−２５６６２号（国内優先権主張，平成８年２月１９日）の一部を分割して，平成１７年４月７日に新たな特許出願としたものであって，平成２１年８月２７日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１１月１１日に審判の請求がされ，同日に手続補正書が提出されたものである。
　
２　平成２１年１１月１１日の手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）の適否について
（１）本件補正のうち，特許請求の範囲についてする補正は，補正前の請求項４〜７を削除するとともに，補正前の請求項８を請求項４に繰り上げ，引用する他の請求項の番号を整合させるものであるから，請求項の削除を目的とする補正に該当する。また，願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてする補正であることは明らかである。
（２）したがって，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則３条１項及び同２条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第３項及び第４項の規定に適合する。
　
３　本願発明の容易想到性について
３−１　本願発明
　平成２１年１１月１１日に提出された手続補正書によれば，本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりである。
　
【請求項１】
「ＧａＡｓからなるコレクタ及びベース層と，ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを含み，ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成し，基板上に形成された半導体多層と，
　該エミッタ層上に形成され，ＧａＡｓである第１コンタクト層と，該第１コンタクト層上に形成され，ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）層とＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．１）層とが交互に積層された超格子構造であって，電極に最も近い側の層がＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）層からなる超格子構造と，該超格子構造上に形成され，ＩｎＡｓである第２コンタクト層とを有するコンタクト構造と，
　該第２コンタクト層上に形成された電極と，
　該電極上に形成されたバンプとを有し，
　該半導体多層で発生した熱を該第１コンタクト層，該超格子構造，該第２コンタクト層，該電極，及び該バンプを介して外部へ拡散させることを特徴とする化合物半導体装置。」
　
３−２　引用例の記載と引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平５−３０４２９０号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜１２とともに，次の記載がある（下線は当審で付加，以下同じ。）。
　　ア　従来の技術等
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はＧａＡｓなどの化合物半導体層に接続するオーミック電極に関する
【０００２】
【従来の技術】Ｎ型ＧａＡｓ層への低抵抗ノンアロイオーミック電極が，例えばジェイ・エム・ウッダール（Ｊ．Ｍ．Ｗｏｏｄａｌｌ）等によってジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）第１９巻６２６頁（１９８１年）に提案されている。その要旨について，
図５を参照して説明する
Ｎ型ＧａＡｓ動作層２上に，Ｎ型ＩｎＧａＡｓのＩｎＡｓ混晶比を表面に向かって徐々に大きくしたＮ型ＩｎＧａＡｓ傾斜組成層６を形成し，表面をＩｎＡｓ混晶比の大きいＮ型ＩｎＧａＡｓ層として例えばＮ型ＩｎＡｓ層４とする
最後にその上に電極金属５を設ける
【０００３】さらに，
別の構造のＮ型ＧａＡｓ層への低抵抗ノンアロイオーミック電極が，例えばシー・ケー・ペング（Ｃ．Ｋ．Ｐｅｎｇ）らによってアプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）第５３巻９００頁（１９８８年）に提案されている
その要旨について，図６と図７を参照して説明する
この構造では，Ｎ型ＩｎＧａＡｓ傾斜組成層の代わりにＮ型ＧａＡｓ／Ｎ型ＩｎＡｓ超格子層７を用いる
超格子層７は，例えば厚さ１ｎｍのＮ型ＧａＡｓ層と厚さ０．５ｎｍのＮ型ＩｎＡｓ層が交互に積層された短周期の等周期超格子構造である
このような短周期超格子の場合，超格子層中のＧａＡｓ層のポテンシャル障壁をトンネル電流が流れるため，超格子層におけるポテンシャル障壁が低く，内部抵抗は非常に小さくなる
こうしてコンタクト抵抗の低いオーミック電極が得られる
【０００４】また，
このようなＩｎＧａＡｓ傾斜組成層やＧａＡｓ／ＩｎＡｓ超格子を用いたオーミック電極は，Ｐ型ＧａＡｓ層への低抵抗ノンアロイオーミック電極としても使えることが知られている
例えば，Ｐ型ＩｎＧａＡｓ傾斜組成層を用いたＰ型ＧａＡｓ層へのオーミック電極が，ジャネガ（Ｐ．Ｌ．Ｊａｎｅｇａ）らによってエレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）第２６巻１３９５頁（１９９０年）に提案されている
その要旨について図９を参照して説明する
Ｐ型ＩｎＧａＡｓ傾斜組成層６′によって，Ｐ型ＧａＡｓ動作層２′からＰ型ＩｎＡｓ層４′まで価電子帯のエネルギーバンドが滑らかにつながる
またＰ型ＩｎＡｓ層４′と電極金属５の間のショットキー障壁は，約０．４〜０．５ｅＶと小さく，さらにＩｎＡｓには１×１０
19
ｃｍ
-3
以上のＰ型高濃度ドーピングが可能である。従って，この構造では正孔の感じるポテンシャル障壁は小さい
こうしてコンタクト抵抗の低いオーミック電極が得られる
【０００５】次に，Ｐ型ＧａＡｓ／Ｐ型ＩｎＡｓ等周期超格子層を用いたＰ型ＧａＡｓ層へのノンアロイオーミック電極について，図１０を参照して説明する。この構造でも，Ｎ型ＧａＡｓ／Ｎ型ＩｎＡｓ等周期超格子を用いた構造と同様に，Ｐ型ＧａＡｓ／Ｐ型ＩｎＡｓ等周期超格子層７′中をトンネル電流が流れることにより，コンタクト抵抗の低いＰ型ＧａＡｓ層へのオーミック電極が得られる。
　　イ　発明の目的等
「【００１３】本発明の目的は，従来の，成長が困難である，あるいはポテンシャル障壁が生じ，また転位および欠陥が入りコンタクト抵抗が増大する，という欠点を除去したＮ型およびＰ型ＧａＡｓ層への低抵抗ノンアロイオーミック電極を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は，半導体基板上に，前記半導体基板の禁制帯幅よりも小さな禁制帯幅を有する第１の半導体と，前記半導体基板と同一の格子定数を有するとともに前記第１の半導体の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する第２の半導体とが交互に積層された超格子層が形成され，前記超格子層上に電極金属が形成されたオーミック電極において，前記超格子層の平均組成が表面に向かって第１の半導体が徐々に大きくなるように周期を変調させた構造を有することを特徴とする
【００１５】また
本発明は，ＧａＡｓ基板上に，ＧａＡｓとＩｎＡｓとが交互に積層された超格子層が形成され，前記超格子層上に電極金属が形成されたオーミック電極において，前記超格子層の平均組成が表面に向かってＩｎＡｓが徐々に大きくなるように周期を変調させた構造を有することを特徴とする
　　ウ　第１及び第２の実施例
「【００２０】
【実施例】次に，
本発明の第１の実施例について，図１および図２を参照して説明する
ＧａＡｓ基板上に，第１の半導体をＮ型ＩｎＡｓ，第２の半導体をＮ型ＧａＡｓとした変調周期超格子を用いたＮ型ＧａＡｓ層へのオーミック電極である
ＧａＡｓ基板１上のＮ型ＧａＡｓ動作層２上にＮ型ＧａＡｓ／Ｎ型ＩｎＡｓ変調周期超格子層３が形成される
さらにＮ型ＧａＡｓ／Ｎ型ＩｎＡｓ変調周期超格子層３上にＩｎＡｓ混晶比の大きいＮ型ＩｎＧａＡｓ層として例えばＮ型ＩｎＡｓ層４が５０ｎｍの厚さに形成されている
最後に，Ｎ型ＩｎＡｓ層４上に電極金属５を形成して素子部が完成する
【００２１】この構造においては，従来例のＩｎＧａＡｓ傾斜組成層を用いた構造のように，ＩｎとＧａの分子線フラックス強度を連続的に徐々に変化させる必要がないため，結晶成長が容易である。また，ポテンシャル障壁が従来のＮ型ＧａＡｓ／Ｎ型ＩｎＡｓ等周期超格子を用いた構造よりも小さい。さらに，Ｎ型ＧａＡｓ／Ｎ型ＩｎＡｓ変調周期超格子層３により，Ｎ型ＧａＡｓ動作層２からＮ型ＩｎＡｓ層４にかけて徐々に格子定数が大きくなる構造となるため，ミスフィット転位密度を低減でき，積層欠陥の発生を抑制できる。従って，コンタクト抵抗の低いオーミット電極が得られる。
【００２２】Ｎ型ＩｎＧａＡｓ傾斜組成層を用いた従来の構造では，コンタクト抵抗率８．６×１０-8Ωｃｍ2であった。またＮ型ＧａＡｓ（厚さ２ｎｍ）／Ｎ型ＩｎＡｓ（厚さ２ｎｍ）等周期超格子層を用いた従来の構造では，コンタクト抵抗率１．５×１０-6Ωｃｍ2であった。それに対してＮ型ＧａＡｓ／Ｎ型ＩｎＡｓ変調周期超格子層を用いた本発明の構造では，コンタクト抵抗率５，８×１０-8Ωｃｍ2という非常に
コンタクト抵抗の低いＮ型ＧａＡｓ層へのオーミック電極が得られた
【００２３】
次に本発明の第２の実施例について，図３を参照して説明する
ＧａＡｓ基板上に，第１の半導体をＰ型ＩｎＡｓ，第２の半導体をＰ型ＧａＡｓとした変調周期超格子を用いたＰ型ＩｎＡｓ層へのオーミック電極である
ＧａＡｓ基板１上のＰ型ＧａＡｓ動作層２′上に，Ｐ型ＧａＡｓ／Ｐ型ＩｎＡｓ変調周期超格子層３′を形成する
さらにＰ型ＧａＡｓ／Ｐ型ＩｎＡｓ変調周期超格子層３′上にＩｎＡｓ混晶比の大きいＰ型ＩｎＧａＡｓ層として例えばＰ型ＩｎＡｓ層４′が５０ｎｍの厚さに形成されている
最後に，Ｐ型ＩｎＡｓ層４′上に電極金属５を形成する
【００２４】この構造において正孔の感じるポテンシャルは，図９に示されるようなＰ型ＩｎＧａＡｓ傾斜組成層を用いた構造に近くなるため，ポテンシャル障壁が従来のＰ型ＧａＡｓ／Ｐ型ＩｎＡｓ等周期超格子層を用いた構造よりも小さくなる。また，この構造でもＰ型ＧａＡｓ／Ｐ型ＩｎＡｓ変調周期超格子中で徐々に格子緩和が起こり，そのため従来よりもミスフィット転位密度を低減でき，積層欠陥の発生を抑制できる。従って，このような構造において，コンタクト抵抗率１×１０-6Ωｃｍ2以下のＰ型ＧａＡｓ層への
低抵抗オーミック電極が得られた
　　エ　発明の効果
「【００３０】
このような良好なＮ型およびＰ型ＧａＡｓ層へのオーミック電極が容易に得られたことにより
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）が得られた
　　
（２）引用発明
　上記ア〜エによれば，図６に示された従来技術及び図１に示された第１の実施例を参照すると，引用例には，次の発明が開示されているといえる（以下，この発明を「引用発明」という。）。
　
　「ＧａＡｓ基板１上に形成されたＧａＡｓ動作層２上に，ＩｎＡｓ層とＧａＡｓ層とが交互に積層された超格子層３又は７を有し，その上にＩｎＡｓ層４を有し，その上に金属電極５が形成されて構成された低抵抗オーミック電極，及びこのオーミック電極を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ。」
　
３−３　本願発明と引用発明の一致点と相違点
（１）対比
　　ア　引用例においては，超格子層を含むオーミック電極の構造を，ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電極部分（エミッタ電極部分，ベース電極部分又はコレクタ電極部分）に適用した場合の，具体的構成は開示されていない。しかし，少なくとも，ヘテロ接合バイポーラトランジスタが，化合物半導体装置であり，コレクタ層，ベース層及びエミッタ層を含み，基板上に形成された半導体多層から構成されるものであることは，当業者に自明である。
　　イ　引用発明における「ＩｎＡｓ層とＧａＡｓ層とが交互に積層された超格子層３又は７」は，本願発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）層とＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．１）層とが交互に積層された超格子構造」において，前者のｘの値を１とし，後者のｘの値を０としたものに相当する。
　　ウ　引用発明の「ＩｎＡｓ層４」及び「金属電極５」は，それぞれ，本願発明の「ＩｎＡｓである第２コンタクト層」及び「第２コンタクト層上に形成された電極」に相当する。
　
（２）そうすると，本願発明と引用発明の一致点と相違点は，以下のとおりとなる。
　
〈一致点〉
「コレクタ及びベース層と，エミッタ層とを含み，ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成し，基板上に形成された半導体多層と，
　ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）層とＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．１）層とが交互に積層された超格子構造と，該超格子構造上に形成され，ＩｎＡｓである第２コンタクト層とを有するコンタクト構造と，
　該第２コンタクト層上に形成された電極と，
　を有する，
　化合物半導体装置。」
　
〈相違点〉
〈相違点１〉
　本願発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは，「ＧａＡｓからなるコレクタ及びベース層と，ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰからなるエミッタ層」を含むのに対し，引用発明においては，ヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタ及びベース層を構成する化合物半導体と，エミッタ層を構成する化合物半導体の組成が特定されていない点。
〈相違点２〉
　本願発明は，「超格子構造」が「エミッタ層上に形成され，ＧａＡｓ層である」「第１コンタクト層上に形成され」ているのに対し，引用発明においては，「第１コンタクト層」に相当するものの有無が不明である点。
〈相違点３〉
　　本願発明は，「超格子構造」の「電極に最も近い側の層がＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）層」からなるのに対し，引用発明においては，超格子層３の金属電極に最も近い側の層について特に言及はないが，引用例の図１からすると，超格子層３の金属電極５に最も近い側の層が，ＧａＡｓ層のようにみえる点。
〈相違点４〉
　　本願発明は，「該電極上に形成されたバンプとを有し，該半導体多層で発生した熱を該第１コンタクト層，該超格子構造，該第２コンタクト層，該電極，及び該バンプを介して外部へ拡散させる」のに対し，引用発明は，このようなバンプを備えていない点。
　
３−４　検討
（１）相違点１について
　超格子構造を有する引用発明のオーミック電極は，ＧａＡｓ基板とその上に形成された層を基礎としているから，この電極を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタが，ＧａＡｓ系化合物半導体をその構成要素としていることは当業者に自明である。
　そして，以下の周知例１〜３にもあるように，「ＧａＡｓコレクタ層，ＧａＡｓベース層，ＡｌＧａＡｓエミッタ層及びＧａＡｓエミッタコンタクト層」を含んだＧａＡｓ系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの構成は，本願の優先日前に当業者に周知であったから，引用発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタを，「ＧａＡｓからなるコレクタ及びベース層と，ＡｌＧａＡｓからなるエミッタ層」を含む構成とすることは，引用例に接した当業者が直ちに想起できたものである。
　
・周知例１（特開平１−１２００６１号公報）
　第２図とともに，次の記載がある（公報４頁左上欄下から４行〜同右上欄７行）。
「
第２図は実施例により形成された自己整合型ＨＢＴの断面図である
　図は基本的な層構成を示す。
　
図において，１はＳＩ−ＧａＡｓ基板
２はｎ
＋
−ＧａＡｓコレクタコンタクト層
３はｎ−ＧａＡｓコレクタ層，４はｐ
＋
−ＧａＡｓベース層，５はｎ−Ａｌ
０．３
Ｇａ
０．７
Ａｓエミッタ層，６はｎ−ＧａＡｓエミッタコンタクト層
　
・周知例２（特開平２−１８３５１８号公報）
　第３図とともに，次の記載がある（公報２頁右上欄１３行〜同左下欄３行）
「〔
従来の技術
　
第３図は，ｐ型ＧａＡｓ膜及びｎ型ＧａＡｓ膜を有する多層構成の半導体膜を用いた半導体装置の１例であるＨＢＴの概要を示す側断面図である
　
同図において，１は半絶縁性ＧａＡｓ基板，２はｎ
＋
ＧａＡｓコレクタコンタクト層，３はｎ−ＧａＡｓコレクタ層，４はｐ
＋
−ＧａＡｓベース層，５はｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層，６はｎ−ＧａＡｓエミッタコンタクト層
　
・周知例３（特開平６−１６３５６９号公報）
　図２とともに，次の記載がある（段落【００２２】）。
「【００２２】
図２に示したように，ヘテロ接合バイポーラトランジスタは半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に，ｎ
＋
−ＧａＡｓサブコレクタ層２，ｎ−ＧａＡｓコレクタ層３，ｐ
＋
−ＧａＡｓベース層４，ｎ−Ａｌ
ｘ 
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓバリア層５，ｎ
＋
 −Ａｌ
０．２５
Ｇａ
０．７５
Ａｓエミッタ層６及びｎ
+
−ＧａＡｓエミッタコンタクト層７が順次形成されている
　　
（２）相違点２について
　上に述べたように，「ＧａＡｓコレクタ層，ＧａＡｓベース層，ＡｌＧａＡｓエミッタ層及びＧａＡｓエミッタコンタクト層」を含む構成は，ＧａＡｓ系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの周知の構成である。そして，引用発明は，超格子構造を有する引用発明の電極を，ＧａＡｓ層への低抵抗オーミック電極に用いるというものであるから，ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成するＧａＡｓエミッタコンタクト層上に当該電極を形成することは，当業者が自然に思いつくことである。そして，このＧａＡｓエミッタコンタクト層は，本願発明の「エミッタ層上に形成され，ＧａＡｓ層である第１コンタクト層」に相当する。
　したがって，相違点２は，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（３）相違点３について
　本願発明においては，「超格子構造」の「電極に最も近い側の層がＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）層」からなるとされているが，ｘ＝１のときのＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）は，ＩｎＡｓであり，この超格子構造上に形成される第２コンタクト層もＩｎＡｓであるので，両者は実質的に区別ができない。　
　実際，本願の実施例１を説明する明細書の段落【００３７】の説明及び図３は，いずれも，「ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ超格子グレーディッド層１０６ｂ」のうち，「ＩｎＡｓからなる第２コンタクト層１０６ｃ」に隣接する層（電極に最も近い側の層）が，「ＧａＡｓ１分子層」であるような記載となっている。このことは，本願発明が，「第２コンタクト層」であるＩｎＡｓ層と「電極に最も近い側の層」であるＩｎＡｓ層とを区別せずに，両者を一体化したひとつのＩｎＡｓ層（「ＩｎＡｓからなる第２コンタクト層１０６ｃ」）として扱っていることを示すものである。
　これに対し，引用発明も，「ＩｎＡｓ層とＧａＡｓ層とが互いに積層された超格子層３又は７」上に「ＩｎＡｓ層４」が形成された構造であり，仮に，「超格子層３」のうち「金属電極５」に最も近い側が「ＩｎＡｓ層」だったとしても，当該「ＩｎＡｓ層」は「ＩｎＡｓ層４」と一体化して区別ができない。
　そうすると，引用発明において，「超格子層３」のうち「金属電極５」に最も近い側の層が，「ＩｎＡｓ層」と「ＧａＡｓ層」のいずれであっても，物の構成としてみると，本願発明と同様，「ＩｎＡｓ層４」に隣接する層が「ＧａＡｓ層」となる（引用例の「図１」のようになる）点で，変わりはない。
　したがって，この点において本願発明と引用発明との間に構成上の差異はないから，相違点３は，実質的な相違点ではない。
　
（４）相違点４について
　ヘテロ接合バイポーラトランジスタは，高電流で動作させるために，発熱密度が高く，動作時の放熱が課題であること，及び，エミッタ電極上に金属バンプを形成することにより，効率よく放熱ができることは，以下の周知例４〜６にもあるように，本願の優先日前に当業者に周知の技術であった。
　超格子構造を有する引用発明の電極においても，ヘテロ接合バイポーラトランジスタに用いた場合は，放熱の課題があるのは明らかであるから，引用発明において，ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ電極上にバンプを形成し，放熱効率を高めることは，当業者が直ちに思いつくことである。
　そして，ヘテロ接合バイポーラトランジスタの発熱は，主にトランジスタを構成する層の接合部で生じることが知られているから，「バンプ」は，「該半導体多層で発生した熱を該第１コンタクト層，該超格子構造，該第２コンタクト層，該電極，及び該バンプを介して外部へ拡散させる」ものとして機能することが明らかである。
　そうすると，相違点４は，当業者が容易に想到し得たものである。　
　
・周知例４（特開平６−１０４２７５号公報，原査定の拒絶の理由で引用）
　図２とともに，次の記載がある。
　【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は，
ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）のようなエミッタトップ型またはコレクタトップ型の縦型構造トランジスタに係り
　【０００４】
「【発明が解決しようとする課題】
縦型構造トランジスタ，特に高速・高周波デバイスとして期待されているＨＢＴは，高電流密度で動作するために発熱密度が高いものとなる
発熱は特にトップ層接合部の直下において著しい
　【００１４】
「半導体基板３０上には上記のように構成された縦型トランジスタ４０が複数個並列に形成されており，
各縦型トランジスタ４０のエミッタ引き出し電極６３が一連に連なった状態で連絡されている
エミッタ引き出し電極６３のうち半導体基板３０上に位置する引き出し延在部分６３ａ上にＴｉ層８０が形成され，Ｔｉ層８０の上部に金（Ａｕ）からなる円柱状のバンプ電極９０がメッキ法により形成されている
　【００１７】
「
縦型トランジスタ４０の発熱箇所である接合部とバンプ電極９０との間の距離は７μｍであり，それら両者間が熱伝導率がＧａＡｓに比べて６倍以上も高いＡｕを含む金属からなるエミッタ引き出し電極６３で接続されている
バンプ電極９０をヒートシンク（図示せず）に対してフリップチップボンディングすることにより，放熱効率を著しく高めることができ，熱抵抗を大幅に軽減することができる
　
・周知例５（特開平６−３４９８４６号公報）
　図１とともに，次の記載がある。
　【０００３】
「
一般に知られているように，上記ＨＢＴは，高電流密度で動作するため，必然的に発熱密度が高くなる
したがって，適正に動作させるためには，基板表面に形成された接合部（ｐｎ接合）の発熱を効率良く半導体基板外へ逃がさなければならない
　【００４９】
「
本発明の一実施例であるバンプ電極を設けた縦型構造トランジスタの断面図を図１（ａ）に，及びその上面図を図１（ｂ）に示す
１はバンプ電極，３はエミッタ電極，４は上層配線，５はエミッタフィンガー部，６はベース電極，７はコレクタ層，８はベース層，９はサブコレクタ層，１０はＧａＡｓ等の半絶縁性基板，１１はポリイミドからなる層間絶縁膜，１２はコレクタ電極，１３はベース引き出し電極，１４はコレクタ引き出し電極を示している
エミッタ電極３はバンプ電極１と接続されている
　【００７８】
「【発明の効果】以上述べたように，本発明によれば，
半導体チップの表面からきわめて効率よく放熱できる縦型構造トランジスタ及びこれを用いた半導体装置を構成できる
　
・周知例６（特開平５−１９０５６３号公報）
　図１，２とともに，次の記載がある。
　【０００３】
「
知られているように，上記ＨＢＴは，高電流密度で動作するため，必然的に発熱密度が高くなる
したがって，適正に動作させるためには，基板表面に形成された接合部(pn接合)の発熱を効率良く半導体基板外へ逃がさなければならない
　【００１６】
「
図１はこの発明の一実施例のマイクロ波電力増幅用npnエミッタトップ型ＨＢＴの平面パターンを示し，図２は上記ＨＢＴの断面を示している
れらの図に示すように，このＨＢＴは，半絶縁性基板１０の表面に順に積層されたサブコレクタ層１２，コレクタ層８，ベース層７，エミッタ層５を備えている
エミッタ電極３の直上に，Ｔi層２を介して，金(Ａu)からなる円柱状のバンプ電極１が設けられている
　【００２８】
「【発明の効果】以上より明らかなように，
この発明の縦型構造トランジスタは，半導体基板表面に形成された，複数に分割された接合部の直上に，バンプ電極を設けているので，バンプ電極と発熱箇所との距離を従来に比して極めて近接させることができる
したがって，上記バンプ電極をヒートシンクにボンディングすることによって，著しく放熱効率を高めることができ，熱抵抗を大幅に低減することができる
　
（５）審判請求人の主張について
　審判請求人は，審判請求書において，「本発明は，ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）という材料のうち，熱伝導率が高い領域ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．１）とＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）だけを用いて（図４ご参照），エミッタ層とエミッタ電極との間のコンタクト構造を構成し，加えてエミッタ電極上にバンプを形成することによって，エミッタ層からエミッタ電極を介してバンプに至る経路における，電気伝導性だけでなく放熱性にも優れた化合物半導体装置を実現したものであり，特に高パワーで使用される化合物半導体装置では，その特性や信頼性低下を防止できるという高い効果が得られるものであります。」と主張する。
　確かに，引用発明は，放熱性（熱伝導度）の観点からではなく，電気伝導度の観点からＧａＡｓ層とＩｎＡｓ層の組合せを選択したものである。しかし，引用例には，ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．１）とＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９≦ｘ≦１）の典型的な組合せであるＧａＡｓ層とＩｎＡｓ層を交互に積層した超格子構造からなる電極を，ヘテロ接合バイポーラトランジスタに用いることが開示されているのであり，本願発明で採用されているヘテロ接合バイポーラトランジスタの構成材料（ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ）も，代表的な材料の組合せとして知られているものであり，放熱のためにヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ電極上にバンプを形成することも周知なのであるから，当業者であれば，技術常識に照らして，引用発明に基づいて自然に本願発明の構成に到達し得たものといえる。
　放熱性（熱伝導度）の観点からも，上記の材料の組合せが優れていることを見いだしたことは，本願発明の容易想到性を左右するほどのものとはいえない。
　
４　結言
　以上の次第で，本願発明は，技術常識に照らして引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができず，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。