【事件の表示】
　平成７年特許願第３２２７０５号「非酸性ニッケルめっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年６月１７日出願公開、特開平９−１５７８８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成７年１２月１２日に出願されたものであって、平成１７年４月１１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされると共に、同年６月１７日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１７年６月１７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年６月１７日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】ニッケル塩、ニッケルとキレートを形成するための錯化剤であって、
ａ）ポリカルボン酸またはこれらの塩
ｂ）ポリオキシモノカルボン酸、ポリオキシラクトンまたはこれらの塩
ｃ）アミノポリカルボン酸またはこれらの塩、及び
ｄ）アミノアルコール
からなる群から選ばれる少なくとも一種の錯化剤を含有し、無機陰イオンの合計含有量１．５モル／ｌ以下であり、かつ浴のｐＨが９〜１４であり、金属部分が、銅、銀、ニッケル又はそれらの合金で形成されている、セラミックを複合した金属部品の金属部分へのめっき用ニッケルめっき浴。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「錯化剤」について、上記ａ）〜ｄ）からなる群から選ばれる少なくとも一種の錯化剤と具体的に限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるか否か、すなわち特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特公昭４５−９８４５号公報（以下、「引用例１」、という。）、特開昭６１−９１３８４号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１（特公昭４５−９８４５号公報）
（１ａ）「本発明はニツケルの電気メツキ浴に関する。特に本発明は極めて光沢があり、靱性のあるニツケル面を電着するための電鍍浴に関する。さらに詳細には電鍍浴中に光沢剤としてアレン化合物を用いるニツケル電鍍浴に関する。」（第１欄３１〜３５行）
（１ｂ）「アレン化合物は種々の水性ニツケル電鍍浴、例えば標準のワツツ（Ｗａｔｔｓ）浴、硫酸ニツケル浴、塩化ニツケル浴及びスルフアミン酸ニツケル、硼弗化ニツケル及び蟻酸ニツケルをベースにした種々の他の浴を用いることができる。これらは大部分ｐＨが２以上の酸性浴である。アルカリ性のニツケル電鍍浴も使用できるが、一般にｐＨが８以上にならないことが好ましい。しかし或種の目的に対してはｐＨが１２程度のものも有利に用いられる。」（第３欄１１〜２０行）　
（１ｃ）「実施例７
　１００ｇ／ｌのＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、４０ｇ／ｌのエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム、６０ｇ／ｌのクエン酸ナトリウム、３５ｇ／ｌのＮＨ４Ｃｌ、及び３５ｇ／ｌのトリエタノールアミンを含むアレン電鍍浴を用いた。温度４９℃、ｐＨ＝８．０において電流密度を０．５４〜２．１５Ａ／ｄｍ２（５〜２０Ａ／平方フィート）にし半光沢の電着物を、電流密度２．１５〜７．５Ａ／ｄｍ２（２０〜７０Ａ／平方フィート）において艶消しの半光沢の電着物を、また電流密度７．５Ａ／ｄｍ２（７０Ａ／平方フィート）にして光沢のない艶消しの電着物を得た。さらに０．０５ｇ／ｌの２，２−ジメチル−３，４−ペンタジエノールを加えてこの方法を繰り返すと、各場合において電着物は均一な光沢ないし半光沢のあるものに変つた。」（第７欄１９〜３４行）
（１ｄ）「実施例１０
　アレン化合物として相当量の２，３−ブタジエノン酸を用い、ｐＨを１２に増加させたこと以外実施例７と同じ方法を繰返した。電流密度０．２２〜１．０７Ａ／ｄｍ２（２〜１０Ａ／平方フィート）の範囲内において得られた電着物は十分な光沢をもつていたが、これ以上電流が増加すると光沢がなくなつた。」（第８欄１３〜２０行）
（１ｅ）「本発明のアレン化合物はニツケル電鍍浴の光沢剤として用いる他に、腐食抑制剤、特に酸の溶液及び蒸気に対する腐食防止剤として有用である。」（第１１欄５〜７行）
　
（２）引用例２（特開昭６１−９１３８４号公報）
（２ａ）「本発明はハンダ付け性に優れた電気ニッケル又はニッケル合金めっき被膜を与える電気めっき方法に関する。」（第１頁左欄１５〜１７行）
（２ｂ）「本発明により得られるめっき被膜は、・・・・現在ハンダ付け等の目的で行なわれているハンダ、錫、金、銀めっき等の代りに本発明電気ニッケル及びニッケル合金めっき方法を採用でき、例えばリードフレーム、フープ、半導体部品、コンデンサー、抵抗体、コイル、リレー、スイッチ、コネクター、電気接点部品、プリント配線基板等、種々の電気、電子部品のめっきに好適に採用し得る。」（第２頁左下欄６〜１５行）
（２ｃ）「また、電気ニッケルめっき浴及び電気ニッケル合金めっき浴としては、全硫酸浴、全塩化物浴、ワット浴、スルファミン酸浴、無機又は有機化合物による錯化浴、ホウフッ化浴等が用いられる。
　これらめっき浴のｐＨ、それにめっき条件は、使用するめっき浴の種類等によって選定され、例えばｐＨは約１〜１４、特に約２〜１３、めっき温度は約１０〜９０℃、特に約３５〜６０℃、陰極電流密度（Ｄｋ）は約０．０１〜１００Ａ／ｄｍ２、特に約０．１〜１０Ａ／ｄｍ２とすることができる。」（第２頁右下欄１３行〜第３頁左上欄２行）
　
３．当審の判断
３−１．引用例１記載の発明
　引用例１の摘記（１ａ）によれば、本発明はニッケルの電気メッキ浴に関すると記載され、摘記（１ｂ）によれば、或種の目的に対してはｐＨが１２程度のものも有利に用いられることが記載され、その具体例として摘記（１ｄ）によれば、実施例１０として、アレン化合物としての相当量の２，３−ブタジエノン酸を用い、ｐＨを１２に増加させたこと以外実施例７と同じ方法を繰り返したと記載されている。そして、摘記（１ｃ）によれば、実施例７として、１００ｇ／ｌのＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、４０ｇ／ｌのエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム、６０ｇ／ｌのクエン酸ナトリウム、３５ｇ／ｌのＮＨ４Ｃｌ、及び３５ｇ／ｌのトリエタノールアミンを含むアレン電鍍浴が記載されている。
　したがって、摘記（１ｃ）、（１ｄ）によれば、実施例１０には、「１００ｇ／ｌのＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、４０ｇ／ｌのエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム、６０ｇ／ｌのクエン酸ナトリウム、３５ｇ／ｌのＮＨ４Ｃｌ、及び３５ｇ／ｌのトリエタノールアミンを含むアレン電鍍浴であり、アレン化合物としての相当量の２，３−ブタジエノン酸を用い、ｐＨを１２に増加させたニッケル電鍍浴」が記載され、その「１００ｇ／ｌのＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ」及び「３５ｇ／ｌのＮＨ４Ｃｌ」の無機陰イオンの合計含有量は、０．３８ｍｏｌ／ｌ＋０．６５ｍｏｌ／ｌ＝１．０３ｍｏｌ／ｌとなっている。
　更に、当該ニッケルの電気メッキ浴は、通常、導電性の金属部品をめっきする対象とするものであることは自明である。
　そうすると、摘記（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、引用例１には、
 「ニッケル塩としてのＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、ニッケルとキレートを形成するための錯化剤であって、アミノポリカルボン酸塩としてのエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム、ポリカルボン酸塩としてのクエン酸ナトリウム及びアミノアルコールとしてのトリエタノールアミンを含有し、無機陰イオンの合計含有量が１．０３ｍｏｌ／ｌであり、かつ浴のｐＨが１２である金属部品をめっきするニッケル電気メッキ浴。」（以下「引用例１発明」という。）が記載されているといえる。
              
３−２．対比・判断
　本願補正発明１と引用例１発明とを対比すると、両者は、
　「ニッケル塩、ニッケルとキレートを形成するための錯化剤であって、ａ）ポリカルボン酸塩、ｃ）アミノポリカルボン酸塩及びｄ）アミノアルコールを含有し、無機陰イオンの合計含有量が１．０３ｍｏｌ／ｌであり、かつ浴のｐＨが１２であるニッケルめっき浴。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：本願補正発明１は、ニッケルめっきの対象が、金属部分が銅、銀、ニッケル又はそれらの合金で形成されている、セラミックを複合した金属部品の金属部分であるのに対し、引用例１発明は、金属部品をめっきするものである点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　ニッケルめっきが電気、電子部品のめっきに採用され得ることは、例えば、引用例２の摘記（２ｂ）に記載されているように従来よく知られており、その電気、電子部品の金属部分が銅、銀、ニッケル又はそれらの合金等で形成されることも周知の事項である。
　また、前記電気、電子部品が、セラミックと金属を複合したものは、以下に示すとおり本出願前周知の事項である。
　周知例１：特開平４−２３３０８号公報、「セラミック素体３の両端に下地電極４と金属メッキ層５とよりなる外部電極６が形成されたセラミックコンデンサー１０・・・供されている。即ち下地電極４は、Ａｇ・・・からなる貴金属粉末と・・・、下地電極４の導電性皮膜の表面を・・・Ｎｉ・・の金属メッキ層５で被覆し、・・・電解メッキ法により行なわれる。」（第１頁右欄１行〜第２頁左上欄１１行）
　周知例２：特開平３−６０１８５号公報、「ＰＧＡ基板には、セラミックを基板とし配線層がアルミニウム・・・、銅配線層にはニッケル・・の被膜を、電気めっき法により施す。」（第１頁右欄６〜１５行）
　周知例３：特開平７−９０６７５号公報、「【０００２】【従来の技術】・・・例えば、チップ型の積層セラミックコンデンサの外部電極の製造工程においては、導電膜上にめっき被膜が形成される。【０００３】図２は、このようなチップ型積層セラミックコンデンサの外部電極の部分を示す拡大断面図である。・・・外部電極４は、セラミック素子１の一方端部の外表面に先ず導電膜４ａを形成し、この導電膜４ａの上に電気めっきにより第１のめっき被膜４ｂを形成し、・・・一般に導電膜４ａとしては、導電性に優れた材料としてＡｇまたはＡｇ−Ｐｄの膜が形成され、第１のめっき被膜４ｂとしてＮｉ膜等が形成され、・・・」（【０００２】【０００３】）
　
　そうすると、引用例１発明の金属部品をめっきするニッケルめっき浴を、金属部分が銅、銀、ニッケル又はそれらの合金で形成されている、セラミックを複合した金属部品の金属部分へのめっき用に適用してみようとすることは、当業者ならば容易に想到し得るものである。
　そして、本願補正発明１により奏する効果も引用例１、２の記載及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって、格別顕著なものとは認められない。　
　よって、本願補正発明１は、引用例１、２に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項の規定によって読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定によって却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
　平成１７年６月１７日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１６年５月７日付の手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】ニッケル塩、ニッケルとキレートを形成するための錯化剤を含有し、無機陰イオンの合計含有量１．５モル／ｌ以下であり、かつ浴のｐＨが９〜１４であり、金属部分が、銅、銀、ニッケル又はそれらの合金で形成されている、セラミックを複合した金属部品の金属部分へのめっき用ニッケルめっき浴。」
　
１．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及び引用例２とその記載事項は、上記II．２に記載されたとおりである。         
　
２．対比・判断
　本願発明１を特定するために必要な事項を含み、さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１は、上記II．３に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記と同じ理由により、本願発明１も、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。