【事件の表示】
　特願２０００−１１７０１３「光波長変換ユニット及び光波長変換モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月１６日出願公開、特開２００１−３１８３９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年４月１８日（優先権主張平成１２年３月２日）の出願であって、平成２０年８月２８日付けで手続補正がなされ、同年１０月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２０日に拒絶査定不服審判が請求され、同年１２月１８日付けで手続補正がなされたものである。　
　
第２　平成２０年１２月１８日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１２月１８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容・目的
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書についてするものであり、本件補正前の特許請求の範囲（平成２０年８月２８日付け手続補正後のもの）の請求項１である、
　
「　外部共振器を構成する反射部材側にレーザビームを出射する第１の端面を備えると共に、該第１の端面とは別の第２の端面から基本波であるレーザビームを出射する半導体レーザと、
　前記半導体レーザの第２の端面に直接結合されて、前記半導体レーザの第２の端面から出射された基本波を波長変換する光波長変換素子と、
　前記半導体レーザの第１の端面、及び光波長変換素子の出射端面の少なくとも一方に近接して配置されると共に、前記半導体レーザ又は前記光波長変換素子と光軸合わせされて固定配置されたレンズと、
　前記レンズ、前記半導体レーザ、及び前記光波長変換素子を結合した結合ユニットを気密封止する気密封止部材と、
　を含む光波長変換ユニット。」
　
を、補正後の特許請求の範囲の請求項１として、
　
「　外部共振器を構成する反射部材側にレーザビームを出射する第１の端面を備えると共に、該第１の端面とは別の第２の端面から基本波であるレーザビームを出射する半導体レーザと、
　前記半導体レーザの第２の端面に直接結合されて、前記半導体レーザの第２の端面から出射された基本波を波長変換する光波長変換素子と、
　前記半導体レーザの第１の端面、及び光波長変換素子の出射端面の少なくとも一方に近接して配置されると共に、前記半導体レーザ又は前記光波長変換素子と光軸合わせされて固定配置されたレンズと、
　前記レンズ、前記半導体レーザ、及び前記光波長変換素子を結合した結合ユニットを、該結合ユニットの光軸が内壁面の何れかと交差するように斜めに固定配置して気密封止する直方体形状の気密封止部材と、
　を含む光波長変換ユニット。」
　
に、補正する内容を含むものである。　
　
　上記補正内容は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である、レンズ、半導体レーザ、及び光波長変換素子を結合した結合ユニットを気密封止する気密封止部材について、「結合ユニットの光軸が内壁面の何れかと交差するように斜めに固定配置」するものに限定し、その形状を「直方体形状」に限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）刊行物の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２４９１８３号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の事項が記載されている（下線は、審決で付した。以下同じ）。
　
（ア）「【請求項１】  非線形光学効果を有するＸまたはＹカットの強誘電体結晶基板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成されるとともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反転させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光導波路においてドメイン反転部の並び方向にＴＥモードで導波する基本波を波長変換する光波長変換素子と、
前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレーザービームを発するレーザーと、
前記光導波路から基板中に漏洩した波長変換波を検出する光検出器と、
この光検出器の出力に基づいて前記レーザーの駆動を制御する制御回路とからなる光波長変換モジュール。」
　
（イ）「【００２７】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態による光波長変換モジュールを示すものである。
【００２８】図示されるようにこの
光波長変換モジュール
半導体レーザー（レーザーダイオード）１０と、この半導体レーザー１０から後方つまり図中左方に発散光状態で出射したレーザビーム１１Ｒ（後方出射光）を平行光化するコリメーターレンズ１２と、平行光化されたレーザービーム１１Ｒを収束させる集光レンズ１３と、これらのレンズ１２および１３の間に配された狭帯域バンドパスフィルター１４と、レーザービーム１１Ｒの集光レンズ１３による収束位置に配されたミラー２０と、光波長変換素子１５とを有している
【００２９】光波長変換素子１５は、図２にも示す通り、非線形光学効果を有する強誘電体であるＬｉＮｂＯ３にＭｇＯが例えば５ｍｏｌ％ドープされたもの（以下、ＭｇＯ−ＬＮと称する）の結晶からなる基板１６に、そのＺ軸と平行な自発分極の向きを反転させたドメイン反転部１７が周期的に形成されてなる周期ドメイン反転構造と、この周期ドメイン反転構造に沿って延びるチャンネル光導波路１８が形成されてなるものである。
・・・
【００３３】図１に示すように
半導体レーザー１０は、光波長変換素子１５の後方端面に直接結合されて
この半導体レーザー１０から前方に発せられた中心波長９５０ｎｍのレーザービーム１１は、チャンネル光導波路１８の端面１８ａから該光導波路１８内に入射する。基本波としてのこのレーザービーム１１はチャンネル光導波路１８をＴＥモードで導波し、その周期ドメイン反転領域で位相整合（いわゆる疑似位相整合）して、波長が１／２つまり４７５ｎｍの第２高調波１９に波長変換される。この第２高調波１９もチャンネル光導波路１８を導波モードで伝搬し、光導波路端面１８ｂから出射
【００３４】
一方、半導体レーザー１０から後方に出射し、平行光化されたレーザビーム１１Ｒは狭帯域バンドパスフィルター１４を透過した後、集光レンズ１３により集光されてミラー２０上において収束する
【００３５】
ミラー２０で反射したレーザービーム１１Ｒは、それまでの光路を逆に辿って半導体レーザー１０にフィードバックされ
上記ミラー２０と半導体レーザー１０の前方端面（図１中の右方の端面）によって半導体レーザー１０の外部共振器が構成され
【００３６】そしてこの外部共振器の中に配された狭帯域バンドパスフィルター１４により、フィードバックされるレーザービーム１１Ｒの波長が選択される。半導体レーザー１０はこの選択された波長で発振し、選択波長は狭帯域バンドパスフィルター１４の回転位置（図１中の矢印Ａ方向の回転位置）に応じて変化するので、この狭帯域バンドパスフィルター１４を適宜回転させることにより、半導体レーザー１０の発振波長を、ドメイン反転部１７の周期と位相整合する波長に選択、ロックすることができる。」
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）の記載に照らして図１をみると、半導体レーザ１０は、前方端面（図１中の右方の端面）と、後方つまり図中左方の端面を有し、前記前方端面が光波長変換素子１５の後方端面に直接結合されていることがみてとれる。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）からみて、引用例１には、
　「半導体レーザー１０と、この半導体レーザー１０から後方つまり図中左方に発散光状態で出射したレーザビーム１１Ｒ（後方出射光）を平行光化するコリメーターレンズ１２と、平行光化されたレーザービーム１１Ｒを収束させる集光レンズ１３と、これらのレンズ１２および１３の間に配された狭帯域バンドパスフィルター１４と、レーザービーム１１Ｒの集光レンズ１３による収束位置に配されたミラー２０と、光波長変換素子１５とを有している光波長変換モジュールにおいて、
　半導体レーザー１０は、前方端面と、後方つまり図中左方の端面を有し、前記前方端面が光波長変換素子１５の後方端面に直接結合されており、
　この半導体レーザー１０から前方に発せられた中心波長９５０ｎｍのレーザービーム１１は、チャンネル光導波路１８の端面１８ａから該光導波路１８内に入射し、基本波としてのこのレーザービーム１１はチャンネル光導波路１８をＴＥモードで導波し、その周期ドメイン反転領域で位相整合（いわゆる疑似位相整合）して、波長が１／２つまり４７５ｎｍの第２高調波１９に波長変換され、この第２高調波１９もチャンネル光導波路１８を導波モードで伝搬し、光導波路端面１８ｂから出射し、
　一方、半導体レーザー１０から後方に出射し、平行光化されたレーザビーム１１Ｒは、狭帯域バンドパスフィルター１４を透過した後、集光レンズ１３により集光されてミラー２０上において収束し、ミラー２０で反射したレーザービーム１１Ｒは、それまでの光路を逆に辿って半導体レーザー１０にフィードバックされ、上記ミラー２０と半導体レーザー１０の前方端面によって半導体レーザー１０の外部共振器が構成されている、光波長変換モジュール。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
イ　同じく、特開平６−３３８６５０号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに次の事項が記載されている
　   
（ア）「【００１５】また、本発明の短波長レーザ光源は、サブマウント上に半導体レーザおよび光波長変換素子を備え、前記半導体レーザの基本波が前記光導波路に直接結合する短波長レーザ光源において、前記半導体レーザの活性層の形成面および光波長変換素子の光導波路形成面がサブマウントに向き合い、なおかつサブマウントが窒素でパージされたパッケージ内に固定されており、前記光波長変換素子で発生する高調波は前記パッケージに形成された窓を通して外部に放射されるという手段を有するものである。」
　
（イ）「【００２４】次に本発明の第２の実施例の短波長レーザ光源について説明する。図３に実施例２の短波長レーザ光源の構成を示す。この実施例では実施例１の短波長レーザ光源をパッケージ５０に封入した。パッケージ５０には窒素ガスを入れ外気と遮断した。また高調波Ｐ２はコーティングされたガラスによる窓５１より外部に取り出される。５１は赤外光カットでかつ青色光透過のフィルターの役目も兼ねている。５２は石英による光波長変換素子２２のささえであり、これにより振動ぶれを防止している。この短波長レーザ光源全体をペルチエによる±１℃の温度制御を行い安定化を図った。これにより周囲の温度変化に対して高調波Ｐ２の出力変化はほとんど生じなかった。図４に環境温度に対する高調波出力の関係を示す。また窒素ガスにて封入することで空気中での酸化による反射防止膜等の劣化が防止できる。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「半導体レーザー１０」、「光波長変換素子１５」及び「光波長変換モジュール」は、それぞれ、本願補正発明の「半導体レーザ」、「光波長変換素子」及び「光波長変換ユニット」に相当する。
　
イ　引用発明の「半導体レーザー１０」は、「前方端面」と、「後方つまり図中左方の端面」を有し、
（ア）上記「半導体レーザー１０」の「後方つまり図中左方」において、この半導体レーザー１０から後方に出射され平行光化されたレーザビーム１１Ｒが、狭帯域バンドパスフィルター１４を透過した後、集光レンズ１３により集光されてミラー２０上において収束し、ミラー２０で反射したレーザービーム１１Ｒが、それまでの光路を逆に辿って半導体レーザー１０にフィードバックされ、上記ミラー２０と半導体レーザー１０の前方端面によって半導体レーザー１０の外部共振器が構成されているから、引用発明の「『後方つまり図中左方』の端面」が、本願補正発明の「第１の端面」に相当することは明らかであり、引用発明は、本願補正発明の「外部共振器を構成する反射部材側にレーザビームを出射する第１の端面を備える・・・半導体レーザ」との事項を備えているといえ、
（イ）上記「前方端面」は、光波長変換素子１５の後方端面に直接結合されているから、本願補正発明の「第２の端面」に相当し、引用発明において、半導体レーザー１０から前方に発せられたレーザービーム１１が、チャンネル光導波路１８の端面１８ａから該光導波路１８内に入射され、基本波としてこのチャンネル光導波路１８をＴＥモードで導波されるから、引用発明は、本願補正発明の「該第１の端面とは別の第２の端面から基本波であるレーザビームを出射する半導体レーザ」との事項を備える。
　
ウ　引用発明の「光波長変換素子１５」は、その後方端面が、半導体レーザー１０の前方端面に直接結合されるものであるとともに、半導体レーザー１０から前方に発せられたレーザービーム１１を、チャンネル光導波路１８の端面１８ａからこの光導波路１８内に入射させ、基本波として前記チャンネル光導波路１８をＴＥモードで導波させ、その周期ドメイン反転領域で位相整合（いわゆる疑似位相整合）させることにより、波長が１／２の第２高調波１９に波長変換するものであるから、本願補正発明の「光波長変換素子」と、「半導体レーザの第２の端面に直接結合されて、前記半導体レーザの第２の端面から出射された基本波を波長変換する」点で一致する。
　
エ　引用発明の「コリメーターレンズ１２」は、半導体レーザー１０から後方つまり図中左方に発散光状態で出射したレーザビーム１１Ｒ（後方出射光）を平行光化するものであるから、本願補正発明の「レンズ」と、「半導体レーザの第１の端面」側に「配置された」点で一致する。
　
オ　上記アないしエから、本願補正発明と引用発明とは、
「　外部共振器を構成する反射部材側にレーザビームを出射する第１の端面を備えると共に、該第１の端面とは別の第２の端面から基本波であるレーザビームを出射する半導体レーザと、
　前記半導体レーザの第２の端面に直接結合されて、前記半導体レーザの第２の端面から出射された基本波を波長変換する光波長変換素子と、
　前記半導体レーザの第１の端面側に配置されたレンズと、
　を含む光波長変換ユニット。」の点で一致し、
　
　本願補正発明は、「半導体レーザの第１の端面、及び光波長変換素子の出射端面の少なくとも一方に近接して配置されると共に、半導体レーザ又は光波長変換素子と光軸合わせされて固定配置されたレンズ」を有し、「レンズ、半導体レーザ、及び光波長変換素子を結合した結合ユニット」を有し、「該結合ユニットの光軸が内壁面の何れかと交差するように斜めに固定配置して気密封止する直方体形状の気密封止部材」を有するのに対し、引用発明は、そのようなものかどうか明らかでない点（以下「相違点」という。）で相違する。
　
（３）判断
　上記相違点について検討する。　
ア　引用発明において、ミラー２０と半導体レーザー１０の前方端面によって半導体レーザー１０の外部共振器が構成されているところ、外部共振器内に配置するコリメーターレンズ１２を、半導体レーザと光軸合わせして配置することは、当業者が当然に行うことである。
　
イ　引用発明において、コリメーターレンズ１２は、半導体レーザー１０から発散光状態で出射したレーザビーム１１Ｒ（後方出射光）を平行光化するものであるところ、発散光状態の光を逃さないようにするために、前記コリメーターレンズ１２を半導体レーザー１０の後方つまり図中左方の端面に近接して配置することも、当業者が当然に行うことである。
　
ウ　本願明細書の「直接結合とは、半導体レーザの出射端面と光波長変換素子とを相近接する状態にして両素子をレンズを介さずに
光学的に結合
物理的に接合
　
エ　上記（１）イに照らせば、引用例２には、サブマウント上に半導体レーザおよび光波長変換素子を備え、前記半導体レーザの基本波が前記光導波路に直接結合する短波長レーザ光源において、前記半導体レーザの活性層の形成面および光波長変換素子の光導波路形成面がサブマウントに向き合い、なおかつサブマウントが窒素でパージされたパッケージ内に固定されており、これにより周囲の温度変化に対して高調波の出力変化がほとんど生じなかった旨の事項が開示されているところ、周囲の温度変化に対して高調波の出力変化を抑制することは当業者に自明の課題であり、引用発明において、前記課題を満たすために、コリメータ−レンズ１２、半導体レーザー１０及び光波長変換素子１５を、窒素でパージされたパッケージ内に固定することは、当業者が容易に想到するところである。
　
オ　また、本願補正発明の「該結合ユニットの光軸が内壁面の何れかと交差するように斜めに固定配置」すること、及び、気密封止部材を「直方体形状」とすることの技術上の意義について、本願明細書には何ら記載はなく、このことによりモジュール全体を小型化するといった、請求人が請求の理由において主張する効果が当然に生じるものとも認められない。しかるところ、パッケージ内に、コリメータ−レンズ１２、半導体レーザー１０及び光波長変換素子１５を固定するときには、必ず何らかの配置を行うのであるから、その配置を上記の様なものとなすことは、当業者が適宜設計的になし得た事項以上のものということはできない。
　
カ　以上の検討によれば、引用発明において、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得たものというべきである。
　
キ　そして、本願補正発明の奏する効果が、引用発明及び引用例２の記載事項及び上記周知技術から当業者が予測可能な域を超える程の格別なものとは認められない。
　
ク　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２の記載事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、独立して特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上の検討によれば、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年８月２８日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１で、本件補正前の請求項１として記載されたとおりのものである。
　
２　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され本願出願前に頒布された刊行物である引用例及びその記載事項は、前記第２［理由］２（１）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、前記第２で検討した本願補正発明から、前記第２［理由］１で述べた限定事項を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２［理由］２（２）、（３）に記載したとおり、引用例１に記載された発明、引用例２の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１に記載された発明、引用例２の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。