【事件の表示】
　平成１１年特許願第　４５２１５号「半導体チップおよびそれを用いた半導体装置、ならびに半導体チップの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月　８日出願公開、特開２０００−２４３９００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１１年２月２３日の出願であって、平成１８年１１月２７日付で拒絶理由が通知され、平成１９年２月１日付で意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１９年３月２６日付で拒絶査定がなされ、これを不服として、平成１９年５月７日付で審判請求がなされるとともに、平成１９年６月４日付で手続補正がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１９年６月４日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年６月４日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
［１］平成１９年６月４日付手続補正（以下、「本件手続補正」という。）の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲を、次のとおりに補正（下線部分が補正箇所）しようとするものである。
　
　「【請求項１】
　機能素子が形成され
表面保護膜で覆われ
上記表面保護膜で覆われておらず
ている
　上記貫通部に配置された導電部材と、
　上記機能領域に形成された内部回路と上記導電部材とを電気接続するとともに、
上記機能領域において上記表面保護膜に接し、
　 【請求項２】
　上記貫通部は、上記半導体チップの側壁面において側方に開放して形成された溝であることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
　 【請求項３】
　上記貫通部は、上記半導体チップの側方に対して閉塞された貫通孔であることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
　 【請求項４】
　請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体チップと、
　この半導体チップの上記機能素子が形成された活性表層領域側とは反対側の面である裏面側において上記導電部材に接合される接続部を有する固体装置とを含むことを特徴とする半導体装置。
　 【請求項５】
　半導体基板をスクライブラインで切断することにより半導体チップを製造する方法であって、
　上記半導体基板の上記スクライブラインの近傍の領域であり、機能素子が形成され
表面保護膜で覆われ
上記表面保護膜で覆われておらず
ている
　上記貫通孔内に導電部材を配置する工程と、
　上記機能領域に形成された内部回路と上記導電部材とを電気接続するとともに
、上記機能領域において上記表面保護膜に接し、
　 【請求項６】
　上記貫通孔を上記スクライブライン上に形成することを特徴とする請求項５記載の半導体チップの製造方法。
　 【請求項７】
　上記貫通孔を上記スクライブラインを避けた位置に形成することを特徴とする請求項５記載の半導体チップの製造方法。
　 【請求項８】
　上記貫通孔を形成する工程は、
　上記貫通孔の形成位置に対応した開口を有するレジスト膜を上記半導体基板表面に形成する工程と、
　上記レジスト膜をマスクとして、上記半導体基板をエッチングする工程とを含み、
　上記貫通孔内に導電部材を配置する工程は、上記レジスト膜をマスクとして、上記貫通孔内に上記導電部材を配置する工程を含むことを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。」
　
［２］補正の適否について
１．補正の目的
　上記補正は、
　（１）平成１９年２月１日付手続補正書により補正された請求項（以下、「補正前の請求項」という。）１に記載の「機能素子が形成された機能領域の周辺の半導体基板が露出したスクライブライン領域に、」を、本件補正により補正しようとする請求項（以下、「補正後の請求項」という。）１では、「機能素子が形成され
表面保護膜で覆われ
上記表面保護膜で覆われておらず
ている
　（２）補正前の請求項１に記載の「電気接続するとともに、」と「上記スクライブライン領域において」との間に、補正後の請求項１において、「
上記機能領域において上記表面保護膜に接し、
　（３）補正前の請求項５に記載の「機能素子が形成された機能領域の周辺の上記半導体基板の表面が露出した領域であるスクライブライン領域」を、補正後の請求項５では、「機能素子が形成され
表面保護膜で覆われ
上記表面保護膜で覆われておらず
ている
　（４）補正前の請求項５に記載の「電気接続するとともに」と「上記スクライブライン領域において」との間に、補正後の請求項５において、「
、上記機能領域において上記表面保護膜に接し、
この補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものに該当する。
　
２．独立特許要件
　次に、上記補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
（１）刊行物及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された下記の刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平８−３０６７２４号公報
　　　（平成１８年１１月２７日付拒絶理由通知書の引用文献１）
　
＜刊行物１の記載事項＞
ａ）「【００２１】図２に示すように、本実施例の半導体装置は、半導体チップ１０の回路パターン形成面の端部から前記半導体チップ１０の側面を通り裏面まで設けられた導電材１３と、・・・を有するものである。回路パターン形成面の端部に設けられた導電材１３は、電極パッド１１と接続しているものである。・・・」
　
ｂ）「【００２３】次に本実施例の製造方法であるが、まず複数の半導体チップが形成された半導体ウェハーの各半導体チップのスクライブライン領域に対して、トレンチエッチングにより前記半導体チップの裏面まで貫通したエッチングホール部を形成する。そして前記エッチングホール部から前記半導体チップの電極パッドに導電材を形成する。また前記エッチングホール部内に導電材を形成する。次いで、前記半導体ウェハーの前記エッチングホール部が形成されたスクライブライン領域をダイシングし、個々の半導体チップに分割する。この時、半導体チップの端部（端面部）にエッチングホール部の一部が残存するようにダイシングする・・・。なお、エッチングホール部の形成は、高密度エッチング装置を用いて、トレンチエッチングにより行うものである。」
　
ｃ）「【００２６】・・・なお、図３（ｂ）には、同様に三次元方向に複数の半導体装置を実装して構造を示しているが、個々の半導体装置同士の接合は、半導体装置の側面で導電材１３により接続している構造を示している。
【００２７】以上、本実施例に示したように、半導体チップ１０をチップ状態で、かつチップを貫通したエッチングホール部、チップ側面に設けた導電材により基板に接合させることができ、大幅に実装密度を向上させることができる。」
　
（２）当審の判断
（２−１）刊行物１に記載の発明
ア）上記記載事項ｂ）「・・・エッチングホール部が形成されたスクライブライン領域をダイシングし、・・・半導体チップの端部（端面部）にエッチングホール部の一部が残存するようにダイシングする・・・」との記載及び図２（ｂ）から、スクライブライン領域にエッチングホールが形成されており、電極パッド及び電極パッドよりも内側の領域にはエッチングホールが形成されていないことが明らかであるから、スクライブライン領域は、半導体チップの回路パターン形成面の周辺領域であり、スクライブライン領域の内側は電極パッドが形成されている領域である。
イ）上記記載事項ｂ）の「・・・半導体チップのスクライブライン領域に対して、・・・前記半導体チップの裏面まで貫通したエッチングホール部を形成する。そして前記エッチングホール部から前記半導体チップの電極パッドに導電材を形成する。」の記載、及び図２（ｂ）、図３（ｂ）の記載からみて、導電材が、電極パッドが形成されている領域の電極パッドからスクライブライン領域に形成された半導体チップ端部のエッチングホール部までの半導体チップの表面に形成されていることは明かである。
　
　そこで、上記ア）、イ）の事項を考慮しつつ、上記摘記事項ａ）〜ｃ）をまとめると、刊行物１には、
「複数の半導体チップが形成された半導体ウェハーの各半導体チップの回路パターン形成面において、電極パッドが形成された領域の周辺にスクライブライン領域を設け、前記スクライブライン領域に、半導体チップの裏面まで貫通したエッチングホール部を形成し、
　前記エッチングホール部から前記電極パッドにかけて、前記半導体チップの表面に導電材を形成し、
　前記エッチングホール部内に導電材を形成し、
　前記半導体ウェハーの前記エッチングホール部が形成された前記スクライブライン領域を、前記エッチングホール部の一部が残存するようにダイシングし、個々の半導体チップに分割することにより、
　前記回路パターン形成面の前記電極パッドから電極パッドが形成された領域の周辺の前記スクライブライン領域の半導体チップの端面部において残存した前記エッチングホール部にかけて、半導体チップの表面に形成された導電材を有する半導体装置」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
（２−２）対比・判断
　そこで、本願補正発明と刊行物１発明とを対比すると、
ａ）刊行物１発明の「複数の半導体チップが形成された半導体ウェハーの各半導体チップの回路パターン形成面において、電極パッドが形成された領域の周辺にスクライブライン領域」は、本願補正発明の半導体チップ「周辺のスクライブライン領域」に相当する。
ｂ）刊行物１発明では、「エッチングホール部から前記電極パッドにかけて、前記半導体チップの表面に導電材を形成」しており、これは、スクライブライン領域内側にある電極パッドと半導体チップ表面の導電材とが電気接続されていることとなるので、当該事項は、半導体チップのスクライブライン領域よりも内側の領域の電気的部材と導電部材とを電気的に接続する点で、本願補正発明の「導電部材とを電気接続する」に相当する。
ｃ）刊行物１発明の「エッチングホール部」「内に形成された」「導電材」、及び「回路パターン形成面の前記電極パッドから電極パッドが形成された領域の周辺の前記スクライブライン領域の半導体チップの端面部において残存した前記エッチングホールにかけて、半導体チップの表面に形成された導電材」は、それぞれ本願補正発明の「貫通部」「に配置された」「導電部材」、及びスクライブライン領域を含む半導体チップの表面に形成された「配線」に相当する。
　　
　そうすると、両者は、
「半導体チップ周辺のスクライブライン領域に、表裏面を貫く貫通部が形成されており、
　上記貫通部に配置された導電部材と、
　半導体チップのスクライブライン領域よりも内側の領域の電気的部材と上記導電部材とを電気接続するとともに、上記スクライブライン領域を含む半導体チップの表面に形成された配線とを含む半導体チップ」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願補正発明では、「機能素子が形成され
表面保護膜で覆われ
上記表面保護膜で覆われておらず
ている
　
　相違点２：導電部材と電気的に接続されている半導体チップのスクライブライン領域よりも内側の領域の電気的部材が、本願補正発明では、「機能領域に形成された内部回路」であるが、刊行物１発明では電極パッドから先がどの様になっているのか記載されていない点。
　
　相違点３：本願補正発明は、配線が「
機能領域において上記表面保護膜に接し、
　
　つぎに、上記相違点１〜３について検討する。
　
１）相違点１について
　半導体基板等に複数の機能素子を含む集積回路等の回路パターンを形成し、それぞれを半導体チップとしてダイシングにより分割すること、ダイシングを行う領域をスクライブライン領域とし、回路パターンは破壊されては困ることから、回路パターンが形成されている領域の周辺をスクライブライン領域とすることは、半導体チップのダイシング技術において慣用的に行われているものである。
　そして、刊行物１発明の半導体チップの電極パッドが形成されている側の面を回路パターン形成面としており、さらに電極パッドが形成された領域も、ダイシングを行わないスクライブライン領域の内側の領域であることから、集積回路等の回路パターンが形成された領域であることは明らかであり、集積回路等の回路パターンが形成された領域は機能素子が形成されている領域でもあるから、刊行物１発明の電極パッドが形成された領域は本願補正発明における機能領域に相当する。
　
　また、スクライブライン領域の内側（機能領域）に表面保護膜を形成し、スクライブライン領域に表面保護膜を形成しないで半導体チップの表面を露出させるようなことは、半導体基板等のダイシングにより半導体チップを分割する技術分野において、下記周知例１〜周知例３に示すように周知の技術にすぎず、刊行物１発明において当該周知技術の適用を阻害すべき事項も認められないから、回路パターン形成面に表面保護膜を形成し、スクライブライン領域に表面保護膜を形成しないで半導体チップの表面を露出させるようなことは、刊行物１発明に上記周知技術の単なる適用にすぎず、この点に格別な効果も見いだせない。
　
＜周知例とその記載事項＞
＊周知例１：特開平５−１２９４３０号公報　
　「【０００２】
　 【従来の技術】図７（ａ）、（ｂ）にそれぞれ、スクライブラインを形成する工程後の半導体ウェハーの一部分の上面図および断面図の従来例を示す。５１は半導体基板、５２は半導体素子形成部、５３はチップ上面に形成される保護膜、５４は外部引き出し電極、５５は半導体基板がむき出しになって形成されているスクライブライン、５６は層間膜である。保護膜５３は通常窒化膜などが用いられて、半導体チップ内に異物が入り込まないように、外部引きだし電極の窓開けしたい部分を除く全面に積まれている。」
　
＊周知例２：特開平５−２９３７８号公報
「【０００２】・・・その製造方法の最終工程において、表面保護膜を形成した後にボンディング用パッド上とスクライブライン上との表面保護膜を除去する工程がある。」
「【０００４】図４は・・・、１は砒化ガリウム基板、２は層間絶縁膜・・・３はボンディング用パッドで、一般に金等で形成され内部の配線やトランジスタ等と電気的につながっている。４は表面保護膜・・・・パッド３上に形成された上記表面保護膜４を除去してボンディング領域６を形成し、同時に上記砒化ガリウム基板１上に直接形成された上記表面保護膜４を除去してスクライブライン７を形成する。図４（ｂ）はその完成図である。」
　　
＊周知例３：特開平８−１７２０６２号公報
　「【００２３】次に、図５（７）に示すように、同一のレジストパターンをマスクにしたＲＩＥによって上記機能配線５０を構成するボンディングパッド（図示せず）上の保護膜４０を除去してボンディングパッドを露出させる。これと同じ工程で、隣合う半導体装置領域（２０）の周縁パターン６０間の保護膜４０を除去してスクライブライン１０を形成する。これによって、半導体ウエハ１が形成される。」
　
２）相違点２について
　半導体基板等に形成した半導体チップは、半導体基板自体に形成した回路パターン部における機能素子等の内部回路と、外部との電気的な接続点を設けることが必須であり、例えば、上記周知例１〜３等、通常は内部回路と外部との電気的な接続点の一部にパッドを形成しており、刊行物１発明においても、これを否定すべき記載がないことから、刊行物１発明における電極パッドは、内部回路と接続されているか、すくなくとも周知技術が単に適用されるたものにすぎないから、刊行物１発明において、スクライブラインよりも内側の電極パッドが形成されて領域（機能領域）に形成された内部回路と導電部材とは電気的に接続されているか、仮にそうでなくとも周知技術を単に適用することで、当業者が容易に想到し得たものである。
　
３）相違点３について
　刊行物１発明において、半導体チップの表面に形成した導電材により、半導体チップの電極パッドとエッチングホール部の導電材とを接続する場合、電極パッドが形成されている領域とスクライブライン領域とが、上記相違点１で判断したように、上記周知例１〜３の通りの周知の構造となっていれば、電極パッドが形成されている領域において、表面保護膜に接し、スクライブライン領域において、半導体基板が露出された半導体基板表面に導電部材が接するように形成されることは明らかである。
　
　ところで、審判請求人は、請求の理由において、本願発明は「配線によって表面保護膜の剥がれを抑制する」との格別の効果を有している旨の主張を行っているが、当該効果及び課題は、明細書中に記載されておらず、これを採用できない。
　なお、審判請求人が主張する上記効果についても、上記周知例１に記載された下記事項のように周知の効果にすぎない。
　
＜周知例１の記載事項＞
「【０００８】【作用】本発明の第一の発明では、・・・、はがれが起こりやすい保護膜とスクライブラインの境界上を、密着性の高い金属膜が被って押さえるので、保護膜をはがれにくくすることができる。」
「【００１３】なお、第一の発明の第一の実施例において、・・・図２に示すように部分的に補強したり、・・・金属膜６の形状は問わない。」
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び周知例１〜３に記載された周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３．まとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
ＩＩＩ．本願発明について　
［１］本願発明
　平成１９年６月４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年２月１日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　機能素子が形成された機能領域の周辺の半導体基板が露出したスクライブライン領域に、表裏面を貫く貫通部が形成されており、
　上記貫通部に配置された導電部材と、
　上記機能領域に形成された内部回路と上記導電部材とを電気接続するとともに、上記スクライブライン領域において上記半導体基板の表面に接する配線とを含むことを特徴とする半導体チップ。」
　
［２］刊行物及びその記載事項
　平成１８年１１月２７日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された刊行物１及び周知例１〜３並びにその記載事項は、上記「ＩＩ．［２］２．（１）刊行物及びその記載事項」及び同「２．（２）（２−２）対比・判断」に記載されたとおりである。
　
［３］対比・判断
　本願発明は、前記「ＩＩ．２．」で検討した本願補正発明から「機能領域」の限定事項である、「表面保護膜で覆われた」との構成を省き、「スクライブライン領域」の限定事項である「上記表面保護膜で覆われておらず」との構成を省き、更に、本願補正発明から「配線」の限定事項である「上記機能領域において上記表面保護膜に接し、」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「ＩＩ．［２］２．（２）（２−２）対比・判断」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び周知例１〜３に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により 刊行物１に記載された発明及び周知例１〜３に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知例１〜３に記載された周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜請求項８に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。