【事件の表示】
　特願２００２−　９０５６９「熱処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１０日出願公開、特開２００３−２８９０４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月２８日の出願であって、平成１８年１０月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年１月１５日付けで手続補正がなされ、平成１９年３月８日付けで平成１９年１月１５日付けの手続補正についての補正がなされ、その後、当審において平成２１年３月３日付けで審尋がなされ、同年５月１９日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年１月１５日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年１月１５日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成１９年３月８日付け手続補正により補正された平成１９年１月１５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１〜５を、補正後の請求項１〜５に補正するとともに、補正前の明細書の段落０００９を補正後の明細書の段落０００９と補正するものであり、そのうち補正前後の請求項１は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　基板を加熱プレートで予備加熱するアシスト加熱手段と、
　基板に対して閃光を照射することにより、前記アシスト加熱手段で予備加熱された基板を処理温度まで昇温させる複数のフラッシュ加熱手段とを備えた熱処理装置であって、
　前記フラッシュ加熱手段が棒状のフラッシュランプから構成されるとともに、前記複数のフラッシュランプに対して基板とは逆側にリフレクタが配設され、
　基板の表面と前記各フラッシュランプとの間の距離を調整する調整機構を備え、
　基板の表面と前記各フラッシュランプとの間の距離を４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下としたことを特徴とする熱処理装置。」
　
（補正後）
「【請求項１】　基板を加熱プレートで予備加熱するアシスト加熱手段と、
　基板に対して閃光を照射することにより、前記アシスト加熱手段で予備加熱された基板を処理温度まで昇温させる複数のフラッシュ加熱手段とを備えた熱処理装置であって、
　前記フラッシュ加熱手段が、互いに平行に列設された複数の棒状のキセノンフラッシュランプから構成されるとともに、前記複数のキセノンフラッシュランプに対して基板とは逆側にリフレクタが配設され、
　基板の表面と前記各キセノンフラッシュランプとの間の距離を調整する調整機構を備え、
　基板の表面と前記各キセノンフラッシュランプとの間の距離を４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲内で調整することを特徴とする熱処理装置。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正における請求項１についての補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の「棒状のフラッシュランプから構成される」を、補正後の請求項１の「互いに平行に列設された複数の棒状のキセノンフラッシュランプから構成される」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項１の「前記複数のフラッシュランプに対して」を、補正後の請求項１の「前記複数のキセノンフラッシュランプに対して」と補正すること。
　
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項１の「基板の表面と前記各フラッシュランプとの間の距離」（２箇所）を、補正後の請求項１の「基板の表面と前記各キセノンフラッシュランプとの間の距離」（２箇所）と補正すること。
　
（補正事項ｄ）
　補正前の請求項１の「４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とした」を、補正後の請求項１の「４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲内で調整する」と補正すること。
　
（３）補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「棒状のフラッシュランプ」について、「互いに平行に列設された複数の棒状のキセノンフラッシュランプ」と限定的に減縮する補正である。
　したがって、補正事項ａについての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「複数のフラッシュランプ」について、「複数のキセノンフラッシュランプ」と限定的に減縮する補正である。
　したがって、補正事項ｂについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃについての補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「各フラッシュランプ」について、「各キセノンフラッシュランプ」と限定的に減縮する補正である。
　したがって、補正事項ｃについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−４）補正事項ｄについて
　補正事項ｄについての補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とした」について、「４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲内で調整する」と限定的に減縮する補正である。
　したがって、補正事項ｄについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）検討の前提
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下、「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後の発明」という。）は、平成１９年３月８日付け手続補正により補正された平成１９年１月１５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として摘示したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された発明
（４−３−１）刊行物：特開２００１−２３７１９５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１３年８月３１日に頒布された刊行物である特開２００１−２３７１９５号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１、２及び６とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ等の製造において、ワークに熱処理を施して、表面に酸化膜を形成させたり、内部に不純物を拡散させたりすることが知られている。上記熱処理に係る加熱方法として、閃光放電ランプよりの閃光をワークに照射してワークの反応温度まで加熱する閃光照射加熱方法が知られている。係る閃光放電ランプによる加熱方法では、ワークに閃光放電ランプよりの閃光を照射するに先立ち、ワークをあらかじめある温度まで予備的に加熱しておく。この理由は、閃光放電ランプのみでワークを例えば５００℃以上昇温させようとすると、極めて大きな照射強度が必要になり、短時間で発光管の破裂に至るなど、使用寿命が著しく短くなるため、比較的小さな照射強度で所定の反応温度までワークの温度を昇温できるように、閃光照射時の温度と反応温度との温度差を小さくするためである。このような閃光放電ランプによる加熱方法は、例えば特開昭５７−１６２３４０号公報に開示されている。
【０００３】
閃光放電ランプを用いた閃光照射加熱装置（従来装置）の構成を図６に示す。同図に示すように、ワーク４１の直上には、複数本の閃光放電ランプ１１が平板状のワーク４１に対して平行に並設されており、更にその上には該閃光放電ランプ１１の閃光をワーク４１に向けて照射する反射ミラー１２が具備されている。同図において、ワーク４１が搭載される載置台５には、例えばワーク４１と略同心円に配置された複数の環状ヒータ（図示省略）等からなる予備加熱手段を具えており、この予備加熱手段により、ワーク４１は閃光照射に先立って予備的に加熱される（予備加熱）。ワーク４１が十分に予備加熱された後、ワーク４１に閃光照射すると、ワークは被照射面が瞬時に反応温度まで昇温し（尚、後段において、閃光照射による加熱を「主加熱」と称す）、熱処理が完遂されるようになる。
【０００４】上記閃光照射による加熱方法においては、ワークに熱的ダメージが生じない範囲で適宜予備加熱すれば良いが、なかでもその温度を高くすると、ワーク熱処理に必要な反応温度との差が小さくなるので、主加熱時の昇温かかるエネルギーが小さくて済み、よって閃光エネルギーの強度を小さくすることができ、閃光放電ランプの短寿命化を防止できて好ましいものとなる。
【０００５】
【発明の解決しようとする課題】ところで、従来装置係る予備加熱手段では温度制御が困難で、ワークの全域を均一に加熱することができなかった。このため、ワークの主加熱後においては、予備加熱時の温度差によって処理にむらを生じたり、欠損が生じる。
【０００６】又、閃光放電ランプを用いた加熱装置では、ワークを枚挙に処理するものであり、高い生産性を実現させるために予備加熱に要する時間を短縮し、高効率化を図りたいという事情がある。しかしながら、従来装置に係るヒータでは一般に温度の立上がりが鈍くて上記要請に対応することはできなかった。
【０００７】以上のように、閃光照射に先立つ予備加熱においては、ワークの温度を急速、且つ、均一に昇温させることは不可能であった。そこで本願発明は、半導体ワーク等のワークを閃光放電ランプよりの閃光を照射して加熱処理する閃光照射加熱装置において、ワークを効率よく、急速、且つ、均一に加熱することができる予備加熱手段を提供し、よって、短時間で均一にワークを熱処理することができる閃光照射加熱装置を提供することにある。」、
「【００１９】
閃光放電ランプ１１は、発光管の大きさが例えば、外径１０ｍｍ、肉厚１．０ｍｍ、全長が２８０ｍｍであり、石英ガラスよりなる。
キセノン（Ｘｅ）ガスが封入されている。
　
（４−３−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ワーク４１を複数の環状ヒータで予備的に加熱する予備加熱手段を備える載置台５と、
　ワーク４１に対して閃光を照射することにより、前記予備加熱手段で予備加熱されたワーク４１を反応温度まで昇温させる複数本の閃光放電ランプ１１とを備えた加熱装置であって、
　前記複数本の閃光放電ランプ１１が、前記ワーク４１に対して平行に並設されるとともに、前記複数本の閃光放電ランプ１１の上に反射ミラー１２が具備された、
加熱装置。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）引用発明における「ワーク４１」、「反応温度」、「加熱装置」及び「反射ミラー１２」は、各々補正後の発明における「基板」、「処理温度」、「熱処理装置」及び「リフレクタ」に相当する。
　
（４−４−２）本件明細書の【発明の詳細な説明】には、「熱処理室６５内には、
熱拡散板７３と加熱プレート７４とがこの順で配設されている。
この加熱プレート７４は、窒化アルミニウムから構成され、その内部にヒータとこのヒータを制御するためのセンサとを収納した構成を有する。
半導体ウエハーＷはその下面を熱拡散板７３の表面に支持されて
　一方、引用刊行物には、「・・・ワーク４１が搭載される載置台５には、例えばワーク４１と略同心円に配置された複数の環状ヒータ（図示省略）等からなる予備加熱手段を具えており、この予備加熱手段により、ワーク４１は閃光照射に先立って予備的に加熱される（予備加熱）。・・・」（【０００３】）と記載されており、当該記載からすれば、ワーク４１は、載置台５に配置された環状ヒータにより、当該載置台を介して加熱されることは明らかである点を参酌すると、載置台５は、補正後の発明における「加熱プレート」としての機能も有しているものといえるから、引用発明における「環状ヒータで予備的に加熱する予備加熱手段を具える載置台５」は、補正後の発明における「加熱プレートで予備加熱する予備加熱手段を具えたアシスト加熱手段」に相当する。
　
（４−４−３）引用刊行物の「閃光放電ランプ１１は、発光管の大きさが例えば、
外径１０ｍｍ、肉厚１．０ｍｍ、全長が２８０ｍｍ
キセノン（Ｘｅ）ガスが封入されている。
　
（４−４−４）引用刊行物の「・・・ワーク４１の直上には、複数本の閃光放電ランプ１１が平板状のワーク４１に対して平行に並設されており、更にその上には該閃光放電ランプ１１の閃光をワーク４１に向けて照射する反射ミラー１２が具備されている。・・・」（【０００３】）という記載から、引用発明における「反射ミラー１２」は、「閃光放電ランプ１１」に対して、「ワーク４１」とは逆側に配置されていることは明らかである。
　
（４−４−５）以上を勘案すると、補正後の発明と引用発明とは、
「基板を加熱プレートで予備加熱するアシスト加熱手段と、
　基板に対して閃光を照射することにより、前記アシスト加熱手段で予備加熱された基板を処理温度まで昇温させる複数のフラッシュ加熱手段とを備えた熱処理装置であって、
　前記フラッシュ加熱手段が、互いに平行に列設された複数の棒状のキセノンフラッシュランプから構成されるとともに、前記複数のキセノンフラッシュランプに対して基板とは逆側にリフレクタが配設されている、
熱処理装置。」である点で一致し、以下の２点で相違する。
　
（相違点１）
　補正後の発明では、「基板の表面と各キセノンフラッシュランプとの間の距離を調整する調整機構を備え」ているのに対し、引用発明では、そのような調整機構を備えていない点。
　
（相違点２）
　補正後の発明では、「基板の表面と各キセノンフラッシュランプとの間の距離を４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲内で調整する」のに対して、引用発明では、ワーク４１の表面と各閃光放電ランプ１１との間の距離を調整することについての記載がない点。
　
（４−５）判断
（４−５−１）相違点１、２について
　半導体ウェーハのランプ式熱処理装置において、熱処理時に面内均一の最適条件にするために半導体ウェーハと加熱ランプとの距離を調節することは、以下の周知例に記載されるように、従来周知である。
 　
（周知例）
　特開平３−２７８５２３号公報には、第１図とともに、
「本発明は半導体工業における、半導体ウェーハの熱処理装置に関し、特に拡散・酸化・アニール・成膜工程に使用する半導体ウェーハのランプ式熱処理装置に関する。」（第１頁右下欄第２〜５行）、
「次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。本実施例では、半導体ウェーハ搬送機９により、金属チャンバー２内に運搬された半導体ウェーハ１がガス供給器１１により金属チャンバー２内を空気から所定の熱処理雰囲気に置換した後、熱処理を行い、
半導体ウェーハ１の大きさ、熱処理温度により半導体ウェーハ１と加熱ランプ３の距離を調節する。
各処理温度、各半導体ウェーハの大きさによる熱処理時の面内均一の最適条件の半導体ウェーハ１と加熱ランプの距離をシステムコントローラに記憶させる。
　
　したがって、引用発明において、補正後の発明のように、「ワーク４１の表面と各閃光放電ランプ１１との間の距離を調整する調整機構を備え」ることは、周知技術に基づいて、当業者が容易になし得たものである。
　そして、処理温度、ワークの大きさ、面内均一性等の条件を考慮しつつ、最適化を行った結果として、「ワーク４１の表面と各閃光放電ランプ１１との間の距離を４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲内で調整する」ことも、当業者が適宜なし得る設計的事項といえる。
　
（４−５−２）よって、相違点１、２は、当業者が容易に想到し得る範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についての纏め
　以上、検討したとおり、補正後の発明と引用発明との相違点は、当業者が、周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１９年３月８日付け手続補正により補正された平成１９年１月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１７年６月８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記２．（１）の補正前の請求項１として摘示したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（４−３−１）に記載したとおりの事項、及び上記２．（４−３−２）に記載したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、当然に引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。