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　特願２００４−１７６４２９「２層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年５月１２日出願公開、特開２００５−１２２８７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１６年６月１５日（優先権主張　平成１５年９月２２日）の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１７年３月２８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。） 
　「第１基板と、第２基板と、該第１基板及び該第２基板の間に少なくとも第１情報層と、中間層と、第２情報層をこの順に有し、前記第１基板側からレーザー光を入射して情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う２層相変化型情報記録媒体であって、
　前記第１情報層は、少なくとも第１熱拡散層、第１保護層、第１記録層、第２保護層、第１反射層、及び第２熱拡散層をこの順に有してなり、
　前記第１熱拡散層及び前記第２熱拡散層における熱伝導率が、前記第１保護層及び前記第２保護層における熱伝導率よりも大きく、前記第１保護層及び前記第２保護層がＺｎＳを含有し、その膜厚が３５ｎｍ以下であり、前記第１熱拡散層及び前記第２熱拡散層が電気伝導性を示す酸化物を含有し、その膜厚が１０ｎｍ以上であり、かつ、
　前記第１保護層の膜厚ｄ１（ｎｍ）と前記第２保護層の膜厚ｄ２（ｎｍ）とが、次式、
ｄ１≦ｄ２＋５ｎｍの関係を満たす、
ことを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物には、それぞれ次の事項が記載されている。
　
(1)特開２００２−２９８４３３号公報（以下、「引用例１」という。）
　(1-1)「【請求項１】光照射により結晶状態と非結晶状態との間で可逆的な相変化を起こす記録層を含む情報層が２層以上積層され、光入射側に配置されている情報層が、透明誘電体層、記録層、透明誘電体層、透過型反射層、および透明放熱層の順で積層されたことを特徴とする相変化光記録媒体。」（特許請求の範囲）
　(1-2)「また、相変化記録媒体の記録容量をさらに高める技術として、１枚のディスクに２層の記録層を設けてそれぞれの記録層に独立に記録する、いわゆる片面２層媒体が提案されている（例えば、２０００年相変化記録研究会シンポジウム講演論文集、ｐｐ．９０−９５、ｐｐ．９６−１０１）。……」（段落【0007】）
　(1-3)「こうした片面２層媒体では、第２情報層に焦点を結ぶ光は第１情報層を通過するため、第１情報層は第２情報層への記録に必要とされるエネルギーを有する光を透過する必要があり、第１情報層の透過率は５０％以上に設定される。このため、第１情報層には、上述した一般的な片面１層媒体に用いられている厚さ数十ｎｍ以上の金属反射層を設けることができない。この結果、金属反射層による放熱作用も得られなくなり、クロスイレースが起こりやすくなるため、トラックピッチを詰められないという問題が生じる。」（段落【0010】）
　(1-4)「このように記録層の上下が低熱伝導率の厚い透明誘電体層で挟まれ、しかも厚い金属反射膜を設けることができずに、記録層が断熱的な条件にある場合、記録層の冷却速度が小さくなる。このため、図１３に示した溶融部分Ｗｍのうち再結晶化する部分の占める割合が特に大きくなる。したがって、クロスイレースが著しくなり、トラックピッチを詰められなくなる。」（段落【0015】）
　(1-5)「【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、相変化光記録層を含む情報層を２層以上有する相変化光記録媒体において、光入射側の情報層に含まれる記録層でのクロスイレースを低減し、トラックピッチを詰めて高密度記録を可能にすることにある。」（段落【0016】）
　(1-6)「なお、記録層の上下にそれぞれ結晶化促進層を挟んで透明誘電体層を設けてもよい。結晶化促進層は、結晶核発生を促進させて、オーバーライト消去特性を向上させる作用を有する。結晶化促進層の材料としては、典型的にはＧｅＮなどが用いられるが、特に限定されない。」(段落【0025】)
　(1-7)「図１を参照して、第１の態様に係る相変化光記録媒体の一例を説明する。図１の相変化光記録媒体は、第１の基板１、第１の情報層２、分離層３、第２の情報層、４および第２の基板５が積層された構造を有する。光は第１の基板１側から入射される。第１の情報層２は、光入射側から透明誘電体層２１、第１記録層２２、透明誘電体層２３、透過型反射層２４、および透明放熱層２５が積層されたものである。第２の情報層４は、光入射側から透明誘電体層４１、第２記録層４２、透明誘電体層４３、および反射層４４が積層されたものである。」（段落【0026】）
　(1-8)「透明放熱層２５は第１記録層２に吸収された熱を効率的に放熱して記録マーク形成を容易にする機能を有する。上記の機能を発揮するために、透明放熱層２５の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましく、１０Ｗ／ｍＫ以上であることがより好ましく、２０Ｗ／ｍＫ以上であることがさらに好ましい。」(段落【0028】)
　(1-9)「透明放熱層２５の材料は、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴａＯ、ＺｒＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＳｉＣ、およびこれらの複合材料からなる群より選択される。透明放熱層２５の膜厚は情報層を形成する各層の光学設計に依存するが、透過率を考慮すれば膜厚は５０ｎｍ以下であることが好ましい。」(段落【0030】)
　(1-10)「透過型反射層２４は照射された光ビームを反射して光エネルギーを効率よく利用するために設けられる。透過型反射層２４の材料としてはＡｇ、Ａｇを主成分とする合金が好ましく、このほかにもＡｌ、Ａｌを主成分とする合金、Ａｕ、Ａｕを主成分とする合金を用いることができる。これらの材料からなる透過型反射層２４の熱伝導率は、通常、透明放熱層２５の熱伝導率よりも高い。」(段落【0031】)
　(1-11)「これに対して、光吸収性層を設けた場合には、第１記録層から高熱伝導率層までの距離を短くできるとともに、第１記録層から光吸収性層への熱流も生じさせることができる。」（段落【0040】）
　(1-12)「さらに、光吸収性層と、透過型反射層および透明放熱層とを併用した態様も好ましい。たとえば図４に示す相変化光記録媒体では、第１の情報層２が光入射側から光吸収性層２６、透明誘電体層２１、第１記録層２２、透明誘電体層２３、透過型反射層２４および透明放熱層２５を積層した構造を有する。……」（段落【0042】）
　(1-13)「実施例３
　透明放熱層としてＳｉＣを用い、実施例１とほぼ同様な方法で図１と類似の構造を有する相変化光ディスクを製造した。厚さ０．１ｍｍの第１のＰＣ基板上に、第１情報層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2（３０ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／Ｇｅ5Ｓｂ76Ｔｅ19（６ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ2（３５ｎｍ）／Ａｕ（８ｎｍ）／ＳｉＣ（１０ｎｍ）を成膜した。厚さ１．１ｍｍの第２のＰＣ基板上に、第２情報層としてＡｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1（１００ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ2（７０ｎｍ）／ＧｅＳｉＮ（５ｎｍ）／Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5（１８ｎｍ）／ＧｅＳｉＮ（５ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ2（７０ｎｍ）を成膜した。これらの基板どうしを厚さ約２０μｍのＵＶ硬化樹脂を介して膜面で貼り合わせ、光ディスクを製造した。」（段落【0060】）
　
　上記の記載事項によると、引用例１には、
「光照射により結晶状態と非結晶状態との間で可逆的な相変化を起こす記録層を含む情報層が２層以上積層され、光入射側に配置されている情報層が、透明誘電体層、記録層、透明誘電体層、透過型反射層、および透明放熱層の順で積層された相変化光記録媒体であって(上記(1-1))、第１の基板、第１の情報層、分離層、第２の情報層、および第２の基板がこの順で積層された構造を有し、光は第１の基板１側から入射され、第１の情報層は、光入射側から透明誘電体層、第１記録層、透明誘電体層、透過型反射層、および透明放熱層が積層され、第２の情報層は、光入射側から透明誘電体層、第２記録層、透明誘電体層、および反射層がこの順に積層された（上記(1-7））ものであって、基板側から、第１情報層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（３０ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／Ｇｅ５Ｓｂ７６Ｔｅ１９（６ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（３５ｎｍ）／Ａｕ（８ｎｍ）／ＳｉＣ（１０ｎｍ）を成膜した相変化光記録媒体（上記(1-13)）」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
(2)特開平５−５８０４６号公報（以下、「引用例２」という。）
　(2-1)「【請求項１】書き込みおよび消去用のレーザ光が入射される面に設定される透明基板と、
　この透明基板を介して入射される前記レーザ光を反射する金属反射膜と、
　この金属反射膜と前記透明基板との間に、前記透明基板側の下層保護膜と前記金属反射膜側の上層保護膜にサンドイッチ状に挟まれて設定された光情報の記録膜と、
　前記透明基板と前記記録膜との間に介在設定された熱拡散率の大きい高熱拡散透明膜と、
　を具備したことを特徴とする書き換え可能な光情報記録媒体。」（特許請求の範囲）
　(2-2)「【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。図１は光情報記録媒体10の断面膜構造を模式的に示したもので、例えば円盤状のガラス板、あるいはプラスチック板によって構成された透明基板11を備える。そして、この透明基板11の一方の面から記録用、読み出し用、あるいは消去用のレーザ光が入射されるようにしている。
　この透明基板11の面上（レーザ光の入射面と反対側の面）には、高熱拡散透明膜12が形成される。この高熱拡散透明膜12は例えばＡlＮを１００ｎｍ（ナノメータ）の厚さでスパッタリングすることによって形成される。この様にして形成された高熱拡散透明膜12の光屈折率は、波長８３０ｎｍにおいて約２．０である。
　この高熱拡散透明膜12の上には、ＺnＳ−ＳiＯ2（２０mol ％）を３５ｎｍの厚さでスパッタリングにより形成し、下層保護膜13とするもので、この下層保護膜13の光屈折率は、上記と同じ条件で約２．０である。
　そして、この下層保護膜13の上に記録膜14が形成されるもので、この記録膜14は相変化型書き換え可能光記録膜の代表的な材料であるＧe−Ｓb−Ｔe（Ｇｅ１Ｓｂ２Ｔｅ４、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）を、スパッタリングによって膜厚８０ｎｍに形成して構成される。
　この記録膜14の上に下層保護膜13と同様な上層保護膜15を形成するもので、記録膜14が下層保護膜13と上層保護膜15との間にサンドイッチ状に挟まれて形成されるような積層構造とする。そして、この上層保護膜15の上に金属反射膜16を積層形成するもので、この金属反射膜16はＡlを厚さ１００ｎｍでスパッタリングあるいは真空蒸着法によって形成することによって構成される。」（段落【0010】〜【0014】）
　(2-3)「さらに金属反射膜16も２つの役割を果たしているもので、その１つは急冷効果である。レーザ光照射によって非晶質化を容易にするために、熱伝導率の高い金属材料によってこの反射膜16が構成される。２つ目の役割は、信号のエンハンス効果であり、反射膜16におけるレーザ光反射による光学的干渉を利用して信号を増大している。
　高熱拡散透明膜12は、記録膜14の冷却に対して作用する。この記録膜14の冷却効果は、記録膜14に対するレーザ光の照射による非晶質化を容易にし、また金属反射膜16の作用とあいまって記録膜14中の膜厚方向の温度分布を少なくする効果を発揮する。」（段落【0020】【0021】）
　
３．対比
　
　引用発明における「相変化光記録媒体」は第１の情報層及び第２の情報層を有するから、本願発明の「２層相変化型情報記録媒体」に相当する。
　そして、引用発明の「第１の基板」「第２の基板」「第１の情報層」「分離層」「第２の情報層」は、本願発明の「第１基板」「第２基板」「第１情報層」「中間層」「第２情報層」にそれぞれ相当する。
　引用発明において、光は第１の基板側から入射されるのであるから、引用発明の「透明誘電体層」「第１記録層」「透明誘電体層」「透過型反射層」「透明放熱層」は、それぞれ、本願発明の「第１保護層」「第１記録層」「第２保護層」「第１反射層」「第２熱拡散層」に相当する。
　引用発明において、記録層の上下が低熱伝導率の厚い透明誘電体層で挟まれており（上記(1-4)）、透明放熱層は第１記録層に吸収された熱を効率的に放熱して記録マーク形成を容易にする機能を有する（上記(1-8)）のであるから、透明放熱層（熱拡散層）の熱伝導率が透明誘電体層（保護層）よりも大きいことは、明らかである。
　引用発明は、基板側から、第１情報層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（３０ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／Ｇｅ５Ｓｂ７６Ｔｅ１９（６ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（３５ｎｍ）／Ａｕ（８ｎｍ）／ＳｉＣ（１０ｎｍ）を成膜したものであり、ＧｅＮは結晶化促進層（上記(1-6)）であるから、引用発明の「ＺｎＳ−ＳｉＯ２（３０ｎｍ）」、「ＺｎＳ−ＳｉＯ２（３５ｎｍ）」、「ＳｉＣ（１０ｎｍ）」は、それぞれ、本願発明の「第１保護層（膜厚d1＝30nm）」、「第２保護層（膜厚d2＝35nm）」、「第２熱拡散層（膜厚10nm）」に相当する。
　そうすると、引用発明の熱拡散層の膜厚は１０ｎｍであり、第１及び第２保護層はＺｎＳを含みその膜厚は３５ｎｍ以下であって、ｄ１≦ｄ２＋５（ｎｍ）の条件を満たしている。
　
　したがって、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、
　「第１基板と、第２基板と、該第１基板及び該第２基板の間に少なくとも第１情報層と、中間層と、第２情報層をこの順に有し、前記第１基板側からレーザー光を入射して情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う２層相変化型情報記録媒体であって、
　前記第１情報層は、少なくとも第１保護層、第１記録層、第２保護層、第１反射層、及び第２熱拡散層をこの順に有してなり、
　熱拡散層における熱伝導率が、前記第１保護層及び前記第２保護層における熱伝導率よりも大きく、前記第１保護層及び前記第２保護層がＺｎＳを含有し、その膜厚が３５ｎｍ以下であり、第２熱拡散層の膜厚が１０ｎｍ以上であり、かつ、
　前記第１保護層の膜厚ｄ１（ｎｍ）と前記第２保護層の膜厚ｄ２（ｎｍ）とが、次式、
ｄ１≦ｄ２＋５ｎｍの関係を満たす２層相変化型情報記録媒体。」である点において一致し、以下の点で相違する。
　
　ア．本願発明が、第１基板と第１保護層の間に膜厚が１０ｎｍ以上の第１熱拡散層を設けるのに対し、引用発明は、第１熱拡散層を有していない点。（相違点１）
　
　イ．熱拡散層として、本願発明が電気伝導性を示す酸化物を含有するのに対し、引用発明は電気伝導性を示す酸化物を含有する点について明記されていない点。（相違点２）
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　(1)相違点１について
　相変化型情報記録媒体において、記録できる情報量を高める技術として記録層を多層とすることが提案されているが（上記(1-2)）、片面２層媒体では第１情報層の光線透過率を50％以上とする必要があり、そのためには金属反射層の厚さを薄くせざるを得ず、金属反射層による放熱作用が得られないという問題があることが、引用例１に記載されている（上記(1-3)、(1-4)）。
　引用発明は透明放熱層を設けることにより、かかる課題を解決するものであるが（上記(1-5)）、引用例１には、引用発明とは別の態様として、第１の情報層が光入射側から光吸収性層、透明誘電体層、第１記録層、透明誘電体層、透過型反射層および透明放熱層を積層した構造を有するものが記載されており（上記(1-12)）、光吸収性層は第１記録層から光吸収性層への熱流も生じさせる作用を有している（上記(1-11)）。
　
　一方、引用例２には、記録層が１層の相変化型の光情報記録媒体であるが、透明基板上に高熱拡散透明膜（例えば１００ｎｍ）、下層保護膜、記録膜、上層保護膜、金属反射膜が順次積層された媒体が記載されており（上記(2-1)、(2-2)）、高熱拡散透明膜は、金属反射膜とともに記録膜を冷却する作用を有し、記録膜に対するレーザ光の照射による非晶質化を容易にし、また金属反射膜の作用とあいまって記録膜中の膜厚方向の温度分布を少なくする効果を発揮するものである（上記(2-3)）。
　引用例２における高熱拡散透明膜、引用発明における透明放熱層はいずれも相変化光記録媒体における記録層に吸収された熱を効率的に放熱して記録マーク形成を容易にする機能を有する点で共通するものであり、引用例１の別の態様における光吸収性層も記録層の熱を放熱する作用を有するのであることを考慮すれば、引用発明において、第１情報層の第１基板と透明誘電体層２１（第１保護層）との間にも膜厚が１０ｎｍ以上程度の透明放熱層（第１熱拡散層）を設けることは容易に推考できるというべきである。
　
　(2)相違点２について
　引用例１には、「透明放熱層２５の材料は、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴａＯ、ＺｒＯ2、
ＺｎＯ
ＴｉＯ
2
　そうすると、引用発明において、透明放熱層（本願発明の熱拡散層に相当する）の材料としてＺｎＯやＴｉＯ2を使用する場合には、本願発明と区別できないから、相違点２は実質的な相違点とはなり得ない。
　
　請求人は、審判請求書の請求の理由を補正する平成１７年６月２４日付け手続補正書において、熱拡散層の材料としてＡｌＮを用いた参考比較例を示し、電気伝導性を有する酸化物以外では本願発明の所望の効果を奏さない旨主張している。
　しかしながら、本願実施例１乃至７はいずれもＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）を用いたものであって、ＺｎＯやＴｉＯ２などのＩＺＯ以外の電気伝導度を有する酸化物に普遍的な効果であるとすることはできない。
　そもそも、先に示したように、引用例１において熱拡散層の材料として、ＡｌＮやＳｉＣとともに電気伝導性を示す酸化物（ＺｎＯ、ＴｉＯ２）が例示されているから請求人の主張を採用することはできない。
　
　そして、上記相違点について総合的に検討しても、本願発明の効果は、引用例１及び２に記載された発明から、当業者であれば予測しうる程度のものにすぎない。
　
　したがって、本願発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。