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　特願２００３−３０７４２８「半導体ウェーハの処理法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月２５日出願公開、特開２００４−　９６１１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件出願は、平成１５年８月２９日（優先権主張、平成１４年８月３０日アメリカ合衆国）の特許出願であって、同１８年８月７日付けで拒絶の理由が通知され、同年１１月９日に手続補正がなされ、同１９年９月１２日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同年１２月１３日に本件審判の請求がなされ、同２０年１月１５日に特許請求の範囲、明細書についての手続補正がなされ、当審において同２１年４月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２９日に手続補正がなされたものである。 
 　 
２．本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２１年７月２９日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められる。
　請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「ラッピング工程によって前処理された、前面および裏面が定義されている、裏面にラッピング損傷を有する半導体ウェーハの処理法において、この方法は、次の工程：
ウェーハの裏面を、少なくとも１５００メッシュ程度の小さな粒子を含む研削要素の使用により微細に研削し、ウェーハ材料およびラッピング損傷を除去する工程、この場合このウェーハの微細な裏面研削は、本方法の唯一の研削であり、この微細な裏面研削は、ラッピング工程後にウェーハ材料を実質的に機械的に除去する唯一の工程であり；
ウェーハの裏面の微細な研削後に、ウェーハをエッチングする工程；
裏面の微細な研削工程およびエッチング工程の後に、順次にウェーハの裏面および前面を化学機械的に研磨する工程、および
裏面の化学機械的な研磨中にウェーハ材料を０．５〜４μｍ除去する工程を有することを
特徴とする、半導体ウェーハの処理法。」
　
３．刊行物記載の発明
　これに対し、本願優先日前に頒布された刊行物であって、当審で通知した拒絶理由に引用された特開２００２−２０３８２３号公報（以下「刊行物」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．段落０００１〜０００２
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハ、特に単結晶シリコンウエーハの製造工程において発生するウエーハ表面の加工変質層を化学エッチングにより除去する方法の改善、および単結晶シリコンウエーハの製造方法において発生するウエーハ裏面状態の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体鏡面ウエーハの製造工程は、通常、シリコン等の単結晶棒をスライスし、得られた半導体ウエーハに少なくとも面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨および洗浄・乾燥する工程から構成されている。このような半導体鏡面ウエーハの製造工程の一例を図３に示す。これらの工程は目的により、その一部の工程が入れ替えられたり、複数回繰り返されたり、あるいは熱処理、研削等他の工程が付加、置換されたりして、種々の工程が行われる。例えば、研磨工程が３段程度で行われたり、平面研削工程が研磨工程の前に付加されたりすることがある。」
　
イ．段落００３４
「【００３４】また、本発明では、鏡面研磨工程における研磨代を７μｍ以下とすることができる（請求項９）。本発明の鏡面研磨工程においては、上記エッチング工程において、うねりが小さく、ピットが非常に浅いウエーハが得られているので、研磨代を７μｍ以下と極めて小さくすることができ、高平坦度の鏡面ウエーハを得ることができ、研磨工程の生産性を著しく向上させることができる。なお、この場合、良好な研磨面を得るには、研磨代は２μｍ以上とするのが好ましい。」
　
ウ．段落００７８〜００８９
「【００７８】以下に本発明の裏面研磨を行う場合につき説明する。図２は、本発明の裏面研磨工程を有する半導体ウエーハの加工する方法を例示した一連のフロー図である。前述の図１の半導体ウエーハの加工方法に加えて、ウエーハ表面を鏡面研磨する表面研磨工程の前に裏面研磨工程が行われることがこの方法の特徴である。
【００７９】スライス工程では従来の方法・装置を用いれば良い。・・・。
【００８０】面取り工程も、従来からある方法及び装置を用いれば良い。・・・。ラッピング工程がある場合はラッピング工程の前に入れるのが好ましい。・・・。
【００８１】平坦化工程では、ラッピング工程のみ、または平面研削工程のみでも良いが、前述のように平面研削工程の方が機械的歪みは小さく、またラッピング工程に比べ、ウエーハ形状を比較的容易に制御でき、同じ形状を安定的に得ることができ好ましい。・・・。
【００８２】・・・。特にラッピング工程をそのまま残した工程ではラッピング工程、平面研削工程、エッチング工程の順に行なうことが好ましい。こうすることによって、ラッピングに起因する深いピットを除去できるし、平面研削に起因する研削条痕を除去又は浅くすることができる。
【００８３】平坦化工程の条件としては、ラッピング工程の場合、＃１２００〜＃１５００程度のラッピング砥粒を用い平坦化することが好ましい。ラップ代（ラッピングによる取り代）は両面で４０〜６０μｍ程度で良い。・・・。
【００８４】ラッピングに続き平面研削を行なう場合、＃１５００〜＃４０００程度の砥粒砥石を用いることが好ましい。研削代（平面研削による取り代）はおよそ片面１０μｍ程度で良い。平面研削に使用する砥石は、高ヤング率、研削装置は砥石が中心切り込みであるインフィード型の研削装置が好ましい。
【００８５】平坦化工程として平面研削を用いると、例えば歪みの少ない研削工程後でも研削条痕が残ってしまう。・・・。
【００８６】・・・。本発明では、表面研磨の前の工程において平面研削を行っても、その形状を維持したままエッチング及び研磨して、研削条痕を除去することができる。
【００８７】すなわち、本発明のエッチング工程では、前述のように、エッチング工程でまずアルカリエッチングをした後、酸エッチングを行うものとした。さらに酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチングを行うことにより、うねりが小さくなり、研削条痕も浅くすることができる。
【００８８】裏面研磨工程は、酸エッチングの後、表面研磨工程前に実施する。・・・。これには研磨代（研磨による取り代）は片面で０．４μｍ以下０．０５μｍ以上、好ましくは０．１μｍから０．３μｍ程度が好ましい。
【００８９】表面研磨工程は、研磨による外周ダレが生じない条件で研磨すれば特に限定されない。しかし、特に複数段で研磨する場合、表面側全体で研磨代を４μｍ以下とすることが好ましい。・・・。」
　
エ．段落０１２５〜０１２６ 
「【０１２５】次にウエーハ裏面を研磨した。研磨条件は、研磨装置：枚葉式研磨装置、研磨布：不織布タイプ研磨布、研磨剤：コロイダルシリカ研磨剤（ｐＨ＝１０．５）を用いて研磨した。研磨代は０．１μｍで行なった。なお、この研磨代は光沢度によっては０．０５〜０．３μｍ程度とすることもできる。
【０１２６】次に、ウエーハ外周部の面取り部分を鏡面研磨した。このような工程を終了したウエーハの表面を鏡面研磨した。研磨は複数段（一次研磨、２次研磨、仕上げ研磨の３段）で行なった。表面側全体の研磨代は目標３μｍとした。主な研磨条件は、研磨装置：枚葉式研磨装置、研磨布：不織布タイプ研磨布、研磨剤：コロイダルシリカ研磨剤（ｐＨ＝１０．５）を用いて研磨した。」
　
　上記記載を、図２を参照しつつ、技術常識を踏まえ、本願発明に照らして整理すると、上記刊行物には、次の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　
「ラッピング工程によって前処理された、表面および裏面が定義されている、表面および裏面にラッピングに起因する深いピット損傷を有する半導体ウェーハの処理法において、この方法は、次の工程：
ウェーハの両面を、＃１５００〜＃４０００程度の研削砥粒により研削し、ウェーハ材料およびラッピングに起因する深いピットを除去する工程、この場合このウェーハの両面研削は、ラッピング工程後にウェーハ材料を実質的に機械的に除去する工程であり；
ウェーハの両面の研削後に、ウェーハを順次にアルカリおよび酸エッチングする工程；
両面の研削工程およびエッチング工程の後に、順次にウェーハの裏面および表面を不織布タイプ研磨布とコロイダルシリカ研磨剤を利用して研磨する工程、および
裏面の不織布タイプ研磨布とコロイダルシリカ研磨剤を利用した研磨中にウェーハ材料を７μｍ以下除去する工程を有する、
半導体ウェーハの処理法。」 
　 
４．対比・判断 
　刊行物発明の「表面」は本願発明の「前面」に相当し、同様に、「ラッピングに起因する深いピット」は「ラッピング損傷」に、「＃１５００〜＃４０００程度の研削砥粒」は「少なくとも１５００メッシュ程度の小さな粒子を含む研削要素」に、「順次にアルカリおよび酸エッチングする工程」は「エッチングする工程」に、それぞれ相当する。
　ラッピング損傷を有する面である刊行物発明の「表面および裏面」と、本願発明の「裏面」は、「裏面」である限りにおいて一致する。
　研削対象である刊行物発明の「ウェーハの両面」と、本願発明の「ウェーハの裏面」は、「ウェーハの裏面」である限りにおいて一致する。
　裏面の研磨除去量である刊行物発明の「７μｍ以下」と、本願発明の「０．５〜４μｍ」は、「０．５〜４μｍ」である限りにおいて一致する。
　
　そうすると、本願発明と刊行物発明とは、以下の点で一致する。 
「ラッピング工程によって前処理された、前面および裏面が定義されている、裏面にラッピング損傷を有する半導体ウェーハの処理法において、この方法は、次の工程：
ウェーハの裏面を、少なくとも１５００メッシュ程度の小さな粒子を含む研削要素の使用により研削し、ウェーハ材料およびラッピング損傷を除去する工程、この場合このウェーハの裏面研削は、ラッピング工程後にウェーハ材料を実質的に機械的に除去する工程であり；
ウェーハの裏面の研削後に、ウェーハをエッチングする工程；
裏面の研削工程およびエッチング工程の後に、順次にウェーハの裏面および前面を研磨する工程、および
裏面の研磨中にウェーハ材料を０．５〜４μｍ除去する工程を有する、
半導体ウェーハの処理法。」 
 　 
　そして、以下の点で相違する。
　相違点１：ラッピング損傷を有する面について、本願発明は「裏面」であるが、刊行物発明は「表面および裏面」である点。
　
　相違点２：研削について、本願発明は、ラッピング損傷を有する面である「ウェーハの裏面」を「微細に」研削する「本方法の唯一の研削」であり、「機械的に除去する唯一の工程」であるが、刊行物発明は、ラッピング損傷を有する面である「ウェーハの両面」を対象とし、「微細に」であるか、「唯一」であるかは明らかでない点。
　
　相違点３：研磨について、本願発明は、「化学機械的」であり、裏面の除去量が「０．５〜４μｍ」であるが、刊行物発明は、「不織布タイプ研磨布とコロイダルシリカ研磨剤を利用」するものであり、裏面の除去量が「７μｍ以下」である点。 
 　 
　相違点１について検討する。
　ラッピング損傷を有する面については、本願発明は、その実施例である図２を参照すると、ラッピングにより「表面および裏面」に損傷が生じるものを含むものである。
　よって、相違点１は、実質的相違点ではない。
　
　相違点２について検討する。
　研削・研磨は、対象物である製品を、最終的に、所定の厚み（除去量）、表面粗さとするためになされるものであるから、具体的な研削・研磨手段については、上記３．ア．の段落０００２にもみられるごとく、適宜選択されている。
　例えば、効率と精度の両立を図るべく、効率は高いが精度がでない荒研削を行い、次いで効率は低いが精度が出せる仕上げ研磨という２工程で行うこと、段取り換えの負担を考慮し、精度が出せる仕上げ研磨のみによる１工程で行うことなどが、行われている。
　刊行物発明の「ウェーハの前面」についてみると、最終的な所定の厚み（除去量）、表面粗さは、エッチング工程の後の、「ウェーハの裏面および表面を不織布タイプ研磨布とコロイダルシリカ研磨剤を利用して研磨する工程」により達成していることから、かかる「研磨工程」のみであっても、「最終的な所定の厚み、表面粗さ」が達成できることは、容易に想起しうるところである。
　よって、工程数削減の観点から、刊行物発明の「ウェーハの前面」について、「研磨工程」のみとすること、すなわち「研削工程」を省略することは、必要に応じてなしうる設計的事項にすぎず、その結果、刊行物発明は、「ウェーハの裏面」を研削することとなる。
　「微細に」については、刊行物1発明の「研削工程」は、上記のとおり、用いられる「研削要素」が、本願発明同様であるから、当然「微細に」研削されるものである。
　「唯一」については、刊行物発明は、刊行物の発明の詳細な説明、図面を参照するに、他に「研削工程」、「機械的に除去する工程」が必須であることを示す記載はないから、刊行物発明における「研削」は、「唯一の研削」であり、「機械的に除去する唯一の工程」であると認められる。
　したがって、相違点２に係る事項は、格別なものではない。
　
　請求人は、意見書で、「本発明の発明者たちは、前面の微細な研削の工程を、何らの欠点もなく省略しうることを見出しました。しかも、この事実は、引用例の教示によって示唆されたものでないことは、明白なことです。」と主張する。
　しかし、上記のとおり、技術常識を踏まえれば、最終研磨工程のみで、最終的な所定の厚み、表面粗さが達成できることは、容易に想起しうることから、請求人の主張は採用できない。　
　
　相違点３について検討する。
　ウェーハの研磨において、不織布タイプ研磨布とコロイダルシリカ研磨剤を利用した化学機械的（ＣＭＰ）研磨は、良く用いられる手段である。
　よって、刊行物発明の「不織布タイプ研磨布とコロイダルシリカ研磨剤を利用」する研磨は、その旨明記はないものの「化学機械的」であるか、少なくとも「化学機械的」であることが示唆されていると認められる。
　裏面の除去量が「０．５〜４μｍ」である点については、上記３．エ．の段落０１２５に、実施例として「０．１μｍ」が記載されていることから、刊行物発明の「７μｍ以下」に、少なくとも「０．１μｍ」が含まれ、刊行物１発明と本願発明とは、裏面の除去量の範囲に重複部分がある。
　したがって、相違点３に係る事項は、格別なものではない。
　
　また、これら相違点を総合勘案しても、格別の技術的意義が生じるとは認められない。
　
５．むすび 
　本願発明は、刊行物発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものであるから、結論のとおり審決する。