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　平成１１年特許願第　３１２３０号「光学素子の製造に用いるスタンパ製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月２２日出願公開、特開２０００−２３１０１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．　手続の経緯
　
　本願は、平成１１年２月９日の出願であって、平成１６年７月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１６年８月２６日に拒絶査定不服審判がなされるとともに、平成１６年９月２７日付で手続補正がなされたものである。
　その後、平成１８年７月２０日付で、平成１６年９月２７日付の手続補正を却下する補正却下の決定の通知とともに、同日付けで当審から拒絶理由通知がなされ、それに対して、請求人は、平成１８年９月２５日付の意見書の提出とともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．　記載不備
　
（１）　当審の拒絶理由
　
　当審から平成１８年７月２０日付で通知の拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）のうち、特許法第３６条第６項の規定する要件を満たしていないとした理由は以下のとおりである。
「本件出願は、明細書が下記ア．、イ．の点で不備のため、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない。
ア．請求項１には「エッチングレートを落として時間を掛けて行われる」とあるが、基準となるエッチングレートが不明であり、結果として、本願発明１が不明確となっている。すなわち、あるエッチングレートでエッチングを行った場合、それが「エッチングレートを落として時間を掛けて」行っているのかそうでないのかが全くわからない。
イ．請求項９には、傾斜角θ’が、Tan-1（２ｈ’／ｗ’）＜θ’＜８０°の関係を満たすようにする旨記載されているが、下限値の技術的意義が明細書の記載（特に段落【００４０】）をみても全く不明であり、請求項９に係る発明は明確であるとはいえない。」
　
（２）判断
　
　理由ア．について
　平成１８年９月２９日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）により、本件補正前の請求項１の「エッチングレートを落として時間を掛けて」は、「ドライエッチング装置への供給電力を減じて、エッチングレートを落とし、レジストのエッジを鈍化させて透明基板の溝の側壁のエッチングを進行させる条件で」と補正された。
　しかしながら、レジストのエッジを鈍化させて透過基板の溝の側壁をエッチングを進行させるという事象と、ドライエッチング装置への供給電力の因果関係、一般的な関係が、従来技術水準を考慮しても不明であるので、ドライエッチング装置への供給電力を減じて、とは、どの程度の供給電力なのか、供給電力の値の範囲が不明であり、また、供給電力の具体的な供給先も不明であり、結局、前記レジストのエッジを鈍化させて透明基板の溝の側壁のエッチングを進行させる条件も不明確である。
　したがって、「ドライエッチング装置への供給電力を減じて、エッチングレートを落とし、レジストのエッジを鈍化させて透明基板の溝の側壁のエッチングを進行させる条件で」という構成を含む本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は依然として明確でない。
　
　理由イ．について
　Tan-1（２ｈ'／ｗ'）は、スタンパの凸部の長辺の幅ｗ’を底辺とし、凸部の高さｈ’を高さとする二等辺三角形の底角を意味し、前記スタンパにより得られる光学素子の微細パターンの溝として、前記溝の底の幅ｗ’を底辺とし、前記溝の高さｈ’を高さとする二等辺三角形の底角を意味することは理解できる。
　そして、微細パターンが形成された光学素子の前記微細パターンによる光学機能を実現する上で、一定程度の微細パターンの溝の高さ、幅が必要であるので、前記傾斜角は、光学素子の溝の形状として実用上の観点から適当な値を決めた程度の意味としては理解することができる。
　そうすると、格別の臨界的な意義はないものの、一定程度以上の傾斜角が実用上必要という技術的な意義は理解でき、理由イ．は解消された。
　
　以上により、理由ア．により、請求項１に係る発明は明確でないので、本願は、特許請求の範囲が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　
３．　特許法第２９条第２項について
　
　
　上記２．で指摘の、理由ア．により、請求項１に係る発明は明確でないと判断した点に関して、仮に、請求項１に係る発明は明確であるとした場合、本願の特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定される請求項に係る発明が、特許可能かどうかについて以下にさらに検討する。
　
　
（１）　本願発明について
　
　本願の請求項１から１０に係る発明は、平成１８年９月２５日付の手続補正により補正された明細書および図面の記載からみて、明細書の特許請求の範囲の請求項１から１０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、特に請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「微細パターンが形成された光学素子を製造するために用いるスタンパであって、表面に設けられた微細パターンの溝の側壁が、スタンパ面に対して傾斜をなし、その傾斜角θ’が、上記微細パターンの高さをｈ’,上記微細パターンの凸部の幅をｗ’とするとき、Tan-1（２ｈ’／ｗ’）＜θ’＜８０°の関係を満たすスタンパを製造する方法であって、上記スタンパの材料である透明基板の洗浄工程と、この透明基板に感光体を塗布するレジスト塗布工程と、塗布された感光体にマスクを密着させて露光する露光工程と、露光した感光体の感光部分を除去する現像工程と、表面に残存したレジストをマスクとして透明基板をドライエッチングする反応性イオンエッチング工程と、残存したレジストを剥離するレジスト除去工程を含むスタンパ製造方法において、
　上記反応性イオンエッチング工程は、ドライエッチング装置への供給電力を減じて、エッチングレートを落とし、レジストのエッジを鈍化させて透明基板の溝の側壁のエッチングを進行させる条件で行なわれることを特徴とするスタンパ製造方法。」
　
　
（２）　引用例
　
　これに対して、当審拒絶理由で引用された、本願特許出願前に頒布された刊行物である特開平７−１６１０８０号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
１．「【０００５】光ディスクを量産するには、大量に同じ形状を複製することが要求されることから、ガイド溝、ＲＯＭ情報、プリフォーマット情報等が反転した形状を表面に有するスタンパーと呼ばれる型を用いるのが一般的である。光ディスク用のスタンパーの従来の製造方法を図５に従って説明する。まず、表面粗度 Ra 1 nm以下に精密研磨された青板ガラス原盤を精密洗浄した(1) 後、シランカップリング剤等のプライマーを表面に塗布し、次いで、レジストを塗布する(2) 。その後、Arレーザー光、He-Cd レーザー光、Krレーザー光、紫外線、遠紫外線等によりレジストをガイド溝やＲＯＭ情報、プリフォーマット情報等の所定のパターンに従って露光し(3) 、次いで、無機アルカリ等の現像液を用いて現像処理し原盤表面に所定のレジストパターンを形成する(4) 。次に、レジストパターン表面にNi膜をスパッタリングすることで導電化し(5) 、更にNi電鋳を行う(6) 。その後、Ni電鋳面を研磨してからガラス原盤よりNi層を剥離し(7) 、プラズマ中でアッシングを行い、パターン表面に付着した残留レジストを除去してスタンパーが完成する(8) 。」
　
２．「【０００９】そこで、レジストパターンの形成されたガラスあるいは石英等の原盤に反応性イオンエッチングを施すことにより、直接原盤表面にパターンを形成してスタンパーを得る、ドライエッチング法が提案された。しかし、この方法でも側壁表面の荒れは殆ど低減されないばかりか、ガラスや石英等をスタンパーとするためプラスティックの射出成形あるいは２Ｐ注型時の離型性が悪くために、複製枚数が数百〜数千枚でスタンパー表面のパターンに破壊が生じるなど、スタンパーの耐久性が乏しいという問題があった。」
　
　したがって、引用例１の上記摘記事項の記載からみて、引用例１には、
　「表面粗度 Ra 1 nm以下に精密研磨された青板ガラス原盤を精密洗浄した後、レジストを塗布し、その後、紫外線、遠紫外線等によりレジストを所定のパターンに従って露光し、次いで、現像処理して所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンの形成された原盤に反応性イオンエッチングを施すことにより、直接原盤表面にパターンを形成し、パターン表面に付着した残留レジストを除去して、スタンパーを得るスタンパーの製造方法。」
の発明（以下「引用例１発明」という。）の記載が認められる。
　
　
（３）　対比
　
　そこで、本願発明と引用例１発明とを対比すると、
　
　引用例１発明の「スタンパー」は、本願発明の「スタンパ」に相当する。
　
　引用例１発明の「ガラス原盤を精密洗浄した」は、本願発明の「スタンパの材料である透明基板の洗浄工程」に相当する。
　
　引用例１発明の「レジストに塗布し」は、本願発明の「この透明基板に感光体を塗布するレジスト塗布工程」に相当する。
　
　引用例１発明の「現像処理して所定のレジストパターンを形成し」は、本願発明の「露光した感光体の感光部分を除去する現像工程」に相当する。
　
　引用例１発明の「レジストパターンの形成された原盤に反応性イオンエッチングを施すことにより、直接原盤表面にパターンを形成して」は、本願発明の「表面に残存したレジストをマスクとして透明基板をドライエッチングする反応性イオンエッチング工程」に相当する。
　
　引用例１発明の「パターン表面に付着した残留レジストを除去して」は、本願発明の「残存したレジストを剥離するレジスト除去工程」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「スタンパの材料である透明基板の洗浄工程と、この透明基板に感光体を塗布するレジスト塗布工程と、塗布された感光体を露光する露光工程と、露光した感光体の感光部分を除去する現像工程と、表面に残存したレジストをマスクとして透明基板をドライエッチングする反応性イオンエッチング工程と、残存したレジストを剥離するレジスト除去工程を含むスタンパ製造方法。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：本願発明が、微細パターンが形成された光学素子を製造するために用いるスタンパの製造方法であるのに対し、引用例１発明は光ディスクを製造するために用いるスタンパの製造方法である点。
　
相違点２：本願発明が、表面に設けられた微細パターンの溝の側壁が、スタンパ面に対して傾斜をなし、その傾斜角θ’が、上記微細パターンの高さをｈ’,上記微細パターンの凸部の幅をｗ’とするとき、Tan-1（２ｈ’／ｗ’）＜θ’＜８０°の関係を満たすスタンパの製造方法であるのに対し、引用例１発明には、かかる限定が付されていない点。
　
相違点３：露光工程が、本願発明は、マスクを密着させて行うのに対し、引用例１発明には、かかる限定が付されていない点。
　
相違点４：反応性イオンエッチング工程が、本願発明は、ドライエッチング装置への供給電力を減じて、エッチングレートを落とし、レジストのエッジを鈍化させて透明基板の溝の側壁のエッチングを進行させる条件で行なわれるのに対して、引用例１発明は、かかる限定が付されていない点。
　
　
（４）　判断
　
（相違点１）について
　微細パターンが形成された光学素子を製造するのに「型」を用いて行うことは従来周知の技術であり（特開平１０−１７７１０７号公報、特開平４−１７０５０２号公報　参照）、相違点１については何ら格別のものとは認められない。
　
（相違点２）について
　良好な状態で離型するために、表面に設けられた微細パターンの溝の側壁を、スタンパ面に対して傾斜をなすようにすることは従来周知の技術である（特開平２−１５０３２５号公報、国際公開第９５／２８７０５号　参照）。
　また、傾斜角θ’を、Tan-1(２ｈ’／ｗ’)＜θ’＜８０°の関係を満たすようにした点についても、上限値８０°、下限値Tan-1(２ｈ’／ｗ’)に臨界的意義が認められず、しかも、下限値Tan-1(２ｈ’／ｗ’)が微細パターンの高さｈ’、微細パターンの凸部の幅ｗ’に応じて変動することに伴ってその値が不定となる、といった事情を勘案すれば、何ら格別のものとは認められず、結局のところ、引用例１発明に上記従来周知の技術を適用し、上記相違点２に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（相違点３）について
　露光に際して、マスクを密着させることはその例を挙げるまでもなく従来周知の技術であるから、引用例１発明に前記従来周知の技術を適用することにより、「マスクを密着させて露光する」ことは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（相違点４）について
　反応性イオンエッチング工程における条件をどのように設定するかは、微細パターンの溝の形状に応じて当業者が適宜設定するものである。
　そして、上記相違点２の検討したように表面に設けられた微細パターンの溝の側壁を、スタンパ面に対して傾斜をなすようにすることは従来周知の技術である。
　そして、反応性イオンエッチング工程により、溝の側壁が傾斜している形状を得る技術も従来周知の技術である（特開平５−２８２７１３号公報、特開平５−１５１６２６号公報）。
　以上のことを考慮すれば、「ドライエッチング装置への供給電力を減じて、エッチングレートを落とし、レジストのエッジを鈍化させて透明基板の溝の側壁のエッチングを進行させる条件」は、何ら格別の条件とは認められず、引用例１発明に上記従来周知の技術を適用し、上記相違点５に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　そして、本願発明の効果は、引用例１発明及び従来周知の技術から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．　むすび
　
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしてなく、また、本願発明は、引用例１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。