【事件の表示】
　特願２０００−５０２５０１「多層炭素含有保護オーバーコートを含んで成る磁気記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１月２１日国際公開、ＷＯ９９／０３０９９、平成１４年１月２２日国内公表、特表２００２−５０２０８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成９年（1997年）１０月８日（パリ条約による優先権主張 １９９７年７月１０日 米国）を国際出願日とする出願であって、拒絶査定に対し、平成１９年３月８日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同２２日に手続補正がされたものである。
　そして、特許法第１６４条３項の報告書に基づく審尋に対して、平成２２年１月６日に回答書が提出されている。
　
　本願請求項１〜５に係る発明は、平成１９年３月２２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】　５〜４０原子％の水素濃度を有する、第一の水素化炭素保護オーバーコート；および
　該第一保護オーバーコート上の第二保護オーバーコートであって、該第二保護オーバーコートはグラファイト系炭素からなり、該第二保護オーバーコートは該第一保護オーバーコートと接触している、該第二オーバーコートを含んで成る、磁気記録媒体。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１３０９１９号公報（以下、「引用例」という。）には、磁気記録媒体について、次の事項が記載されたいる。
　（
下線
　
　ア．「（１）粒径が100Å〜500Åの粒子を10４〜10８個／mm２の密度で設けた
非磁性基板上に形成された強磁性金属薄膜と、前記強磁性金属薄膜上に形成されたダイヤモンド状炭素膜、前記ダイヤモンド状炭素膜上に形成されたカーボン保護膜さらにフッ素含有潤滑剤層を有することを特徴とする磁気記録媒体
　イ．「強磁性金属薄膜５上に形成されるダイヤモンド状炭素膜３は、炭化水素を熱分解し、例えばケミカル ベイパー デボジッション（ＣＶＤ）法やイオンビームスパッタ法等で形成される。
　ダイヤモンド状炭素膜３は、ビッカース硬度が2500程度と高く、物理的には、ラマン分析で1333cm−２付近のダイヤモンド構造に基づくピークが観察される。この
硬さを利用してダイヤモンド状炭素膜を下層の強磁性金属薄膜の保護膜として使用し
　ダイヤモンド状炭素膜３の膜厚は80〜160Åの範囲が適当であり、80Å未満の場合には強磁性金属薄膜５が破壊され易くなる傾向が現れ、また160Åを越えると強磁性金属薄膜５とのギャップが大きくなるため、ヘッドの読み取りもしくは書き込みの応答性が劣る所謂スペーシングロスを引き起こす。」（3ページ左下欄6行〜右下欄4行）
　ウ．「次に
カーボン保護膜２は強磁性金属薄膜５を保護すると同時に、カーボン保護膜２自体が摩耗するため摩擦係数を下げる役割を有する
　このカーボン保護膜２の形状は薄状あるいは粒状のどちらでも良いが、どちらかといえば粒状の方がその効果が増す。これは、カーボン保護膜自体でも突起を有する方が、ヘッドと磁気記録媒体との接触面積を低下させて摺動時の摩擦力が低下するためである。
　カーボン保護膜２の材料としては、市販されている炭素棒、炭素粉末、グラファイトもしくは炭化水素等が原料として適応でき、また形成法としては、蒸着法やスパッタ法等通常の手法が適応できる。
　またカーボン保護膜２の膜厚は20〜50Åの範囲が好ましく、20Å未満ではカーボン保護膜２としての機能が発揮し難く、ダイヤモンド状炭素膜３や強磁性金属薄膜５を破壊し易い傾向が現れ、50Åを越えるとスペーシングロスを引き起こす原因となる。」（3ページ右下欄5行〜4ページ左上欄7行）
　エ．「この
強磁性金属薄膜上にＣＨ
4
／Ａｒの混合ガスを0.25Torrの真空度で、ＤＣ電圧を800ボルト印加して（電極をプラスとする）プラズマＣＶＤ法によリダイヤモンド状炭素膜３を70、80〜160、170Åの厚さで各々形成した
　
さらにこの上へメタンガスを原料として電圧を300ボルトから400ボルトにコントロールしてカーボン保護膜２を成膜するか又は、グラファイトをスパッタすることによりダイヤモンド状炭素膜３の上へ粒状のカーボン保護膜２を形成した
　
　上記事項によれば、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　「非磁性基板上に形成された強磁性金属薄膜と、前記強磁性金属薄膜上に形成されたダイヤモンド状炭素膜、前記ダイヤモンド状炭素膜上に形成されたカーボン保護膜さらにフッ素含有潤滑剤層を有する磁気記録媒体」
　
３．対比
　引用発明の「ダイヤモンド状炭素膜」「カーボン保護膜」は、それぞれ、本願発明の「第一保護オーバーコート」「第二保護オーバーコート」に対応する。
　引用発明の「カーボン保護膜」は、グラファイト構造でありダイヤモンド状炭素膜上に形成される（上記ウ、エ）から、本願発明の「第一保護オーバーコート上の第二保護オーバーコートであって、該第二保護オーバーコートはグラファイト系炭素からなり、該第二保護オーバーコートは該第一保護オーバーコートと接触している、該第二オーバーコート」の構成を備えている。
　そして、引用発明の「磁気記録媒体」は、本願発明の「磁気記録媒体」に相当する。
　
　したがって、本願発明と、引用発明との一致点、相違点は、次のとおりである。
　
　［一致点］
　「第一の保護オーバーコート；および該第一保護オーバーコート上の第二保護オーバーコートであって、該第二保護オーバーコートはグラファイト系炭素からなり、該第二保護オーバーコートは該第一保護オーバーコートと接触している、該第二オーバーコートを含んで成る、磁気記録媒体。」である点。
　
　［相違点］
　「第一の保護オーバーコート」について、本願発明では「５〜４０原子％の水素濃度を有する水素化炭素」であるのに対し、引用発明では「ダイヤモンド状炭素膜」である点。
　
４．相違点についての判断
　
　本願優先日当時、磁気記録媒体の保護層にダイヤモンド状炭素（Diamnd-like carbon）の膜が使用されており、その水素含有量は、15〜35atom％（特開平5-4896号公報。段落[0007]等参照。）、20〜30原子％（特開平5-28465号公報。段落[0010]等参照。）、30〜40at％（特開平6-139560号公報。段落[0006]等参照。）、20〜40at％（特開平6-349055号公報。段落[0019]等参照。）である。
　また、水素の含有量が、上記範囲外ではダイヤモンド状炭素が保護層としての特性を発揮し得ないことは明らかであるから、「５〜４０原子％の水素濃度を有する水素化炭素」は、磁気記録媒体の保護層に用いるダイヤモンド状炭素として、周知のものであるということができる。
　そして、「５〜４０原子％の水素濃度を有する水素化炭素」による効果も当業者が予測しうる程度のものにすぎない。
　したがって、本願発明は、引用発明と周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は、引用発明では、保護膜の厚さの合計が100Å以上であるのに対し、本願発明では100Å未満（例えば50〜70Å）である点で、引用発明と相違する旨主張し、補正案を示して補正の機会を要求している。
　しかし、補正できる時期は過ぎており、改めて補正の機会を与えるべき事情も見いだせない。
　また、保護膜の厚さが厚過ぎればスペーシングロスが生じ、薄過ぎれば保護層としての機能が損なわれることは明らかであって、合計の厚さが、100Å以上であるか未満であるかの点について特段の技術的意義があるということはできないから、仮に補正案のとおり補正したところで、上記結論が左右されるものではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。