【事件の表示】
　平成　５年特許願第　　３７６４号「反応性スパッタリング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　８月　２日出願公開、特開平　６−２１２４１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１月１３日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１６年３月２５日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下「本願発明」という。） 
「真空状態の維持が可能なチャンバーと、前記チャンバー内を減圧雰囲気にするための真空ポンプと、前記チャンバー内に固定されたマグネトロン型カソードと、前記カソードに取り付けられたターゲットと、前記チャンバー内で前記ターゲットに対向するように配設され、かつ基板が載置される基板ホルダーと、チャンバー内に放電ガスを供給するための第１のガス供給系と、前記基板ホルダーの孔を通じて反応ガスを供給するための第２のガス供給系と、前記カソードに電圧を印加する電源とを備えるとともに、前記基板ホルダーは前記第２のガス供給系と繋がる孔を基板の載置部の外側のみに有することを特徴とする反応性スパッタリング装置。 」
　
２．引用刊行物記載の発明
(１)これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である昭和６０年８月１５日に頒布された「特開昭６０−１５５６７３号公報 」（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
(1-1)「金属もしくは半導体製のターゲットを備えたスパッタ陰極と基板との間に存在する空間中で、貴ガス及び所望の化合物を形成するための反応性ガスを別個に供給してグロー放電し、その際に反応性ガスをターゲットから基板までの途中で分配装置により多数の分流にして物質流に供給しかつグロー放電を閉じている磁界を通してターゲット表面近くの区域に集中させて少なくとも１個の基板上に金属又は半導体の化合物を反応性スパッタリングする装置であって、マグネトロン陰極、金属性ターゲット、基板支持台、及び陰極を包囲し、基板支持台の方向に開口部を備えているアース電位にあるハウジングを備えており、このハウジング中に分配装置を具備する第一ガス流入部が存在する形式のものにおいて、
ａ）ハウジング(１４)中に、ターゲット(５)と開口部(１４ｃ)との間にターゲット(５)に対して平行の、絞り孔(２０ａ)を有するアース電位にある絞り(２０)が設けられており、
ｂ）絞り(２０)と開口部(１４ｃ)との間に絞り孔(２０ａ)の投影面の外側に分配装置を備えた第二ガス流入部(２１)が設けられており、かつ
ｃ）絞り(２０)と開口部(１４ｃ)との間にハウジング(１４)に対して絶縁されている陽極(２５)が設けられていることを特徴とする金属又は半導体の化合物の反応性スパッタリング装置。」（特許請求の範囲第３項）
(1-2)「第１図には、陰極ベース体２と磁石系とより成るマグネトロン陰極１が図示されており、該磁石系は、ターゲット５とは反対側の磁極面が磁石継鉄３により相互に結合している永久磁石Ｎ−ＳもしくはＳ−Ｎを有する。この磁石系は槽型又は鍋型中空体４中に取り付けられており、その中空体４の縁は気密及び液密に陰極ベース体上と結合している。中空体４の前側に良好に熱伝導性であるように結合しているプレート状の金属ターゲット５が存在し、ターゲット５は堆積層の出発物質である。」（４頁右下欄７〜１７行）
(1-3)「このグロー放電の発生のためマグネトロン陰極１は、その反対極も真空室８と同様に大地１０にアースされている直流電圧源９と連結している。」（５頁左上欄５〜８行）
(1-4)「ターゲット表面５ａに対向する位置に距離“ｂ”をおいて基板１１が存在し、その基板１１の下には基板支持台１２が配置されている。」（５頁左上欄９〜１１行）
(1-5)「マグネトロン陰極１は真空室８の内部でハウジング１４により包囲されており、ハウジング１４の側壁は投影線１３に対して平行に延びている。」（５頁右上欄３〜６行）
(1-6)「ガス流入部１６は導管１７及び調節弁１８を介して不活性スパッタガス源１９（殊にアルゴン）と連結している。」（５頁右上欄１５〜１８行）
(1-7)「第二ガス流入部２１は導管２２及び調節弁２３を介して反応性ガス源又は反応性ガスと不活性ガスとからの混合物源２４と連結している。」（５頁右下欄１４〜１６行）
(1-8)７頁右上欄の表には、スパッタ条件として、スパッタ圧が２×１０−２ミリバールであることが示されている。
(1-9)「アルミニウム製の金属ターゲットは容易に高速でスパッタリングすることができる。このスパッタリング過程は反応性雰囲気中で、即ち酸素含有ガス雰囲気中で行ない、次第に停止してしまう。それというのもターゲット表面上に電子のとび出しを妨害する非導電性の酸化アルミニウムが形成するからである。」（２頁右下欄１７行〜３頁左上欄３行）
(1-10)「更に、ターゲット表面上に酸化物層が形成することにより荷電し、これは時々ターゲット表面上で放電し、それ故スパッタリング工程を妨害する。」（３頁左上欄８〜１１行）
(1-11)「流れの狭窄により本発明による他の手段との組合せで絞りよりも基板側で供給される反応性ガスのターゲット表面までの逆流は有効に回避され、その際に貴ガスをターゲットと絞りとの間で供給するとある程度絞りにより強められた向流が発生するように促進される。それ故、ターゲット表面の金属状態が持続するので、スパッタリング工程は実質的に時間的に制限されずに低下せず、最初の高いスパッタ速度で継続することができる。」（３頁左下欄１１〜２０行）
　
　引用文献１の記載事項(1-1)には、「反応性スパッタリングする装置であって、マグネトロン陰極、金属性ターゲット、基板支持台、及び陰極を包囲し、基板支持台の方向に開口部を備えているアース電位にあるハウジングを備えており、このハウジング中に分配装置を具備する第一ガス流入部が存在」し、「ハウジング(１４)中に、ターゲット(５)と開口部(１４ｃ)との間にターゲット(５)に対して平行の、絞り孔(２０ａ)を有するアース電位にある絞り(２０)」、及び「絞り(２０)と開口部(１４ｃ)との間に絞り孔(２０ａ)の投影面の外側に分配装置を備えた第二ガス流入部(２１)が設けられて」いる「反応性スパッタリング装置」が記載され、「金属製ターゲット」は、記載事項(1-2)によれば、「マグネトロン陰極」に結合し、「基板支持台」は、記載事項(1-4)によれば、ターゲット表面に対向する位置に配置されている。また、「マグネトロン陰極」は、記載事項(3)によれば、「直流電圧源９」と連結しており、「第一ガス流入部」は、記載事項(1-6)によれば、「不活性スパッタガス源１９」と連結しており、「第二ガス流入部」は、記載事項(1-7)によれば、「反応性ガス源又は反応性ガスと不活性ガスとからの混合物源２４」と連結している。さらに、記載事項(1-1)の「絞り(２０)と開口部(１４ｃ)との間」は、記載事項(1-1)によれば、ハウジングの開口部が基板支持台方向に備えられていることから、絞りの基板支持台側といえる。そして、記載事項(1-5)によれば、「マグネトロン陰極１は真空室８の内部でハウジング１４により包囲され」ていることから、「反応性スパッタリング装置」が「真空室」を備え、「真空室」の内部に「マグネトロン陰極」、「金属性ターゲット」、「基板支持台」、「第一ガス流入部」、「絞り」、及び「第二ガス流入部」が備えられているといえる。
　
　これら記載事項を本願発明の記載ぶりに整理すると、引用文献１には、「真空室と、真空室内部に設けられたマグネトロン陰極と、マグネトロン陰極に結合したターゲットと、ターゲット表面に対向する位置に配置された基板支持台と、不活性スパッタガス源と連結した分配装置を具備する第一ガス流入部と、絞り孔を有する絞りと、絞りの基板支持台側の絞り孔の投影面の外側に設けられた反応性ガス源又は反応性ガスと不活性ガスとからの混合物源と連結した分配装置を具備する第二ガス流入部と、マグネトロン陰極に連結した直流電圧源とを備えた反応性スパッタリング装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
(２)周知技術として原査定に引用された「特公昭５６−５１２２８号公報」（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
(2-1)「本発明は、被膜の真空蒸着装置に関する。」（２頁左欄１４行）
(2-2)「第３図は本発明の装置の他の実施態様を示し、この装置において反応ガス供給装置は、プラズマのイオン化に最も有効な条件が得られるように配置されている。この場合、反応ガス供給装置は、基板ホルダ２１’と一体的に形成され、ホルダ２１’の壁部の中に同軸的に形成されたマニホルドキャビテイ２６を有している。このマニホルドキャビテイ２６は１つまたは複数の反応性ガス源（図示されず）と連通している。マニホルドキャビテイ２６は基板ホルダ２１’の側壁の一部区域を包囲し、基板２３’に対して直接に１つまたは複数の反応ガスを通過させるために、この区域中に開口２７が作られている。」（４頁左欄３４行〜右欄６行）
　
　記載事項(2-2)には、反応ガス供給装置は、基板ホルダ２１’と一体的に形成され、ホルダ２１’の壁部の中にマニホルドキャビテイ２６を有し、マニホルドキャビテイ２６は基板ホルダ２１’の側壁を包囲し、基板２３’に対して直接に反応ガスを通過させるための開口２７を有することが記載され、記載事項(2-1)によれば、この反応ガス供給装置が真空蒸着装置に用いることが記載されている。
　
　記載事項(2-1)〜(2-2)を整理すると、引用文献２には、真空蒸着装置に用いる反応ガス供給装置であって、基板ホルダの側壁に、基板に対して直接に反応ガスを通過させるための開口を有する反応ガス供給装置が記載されている。（以下、「周知技術１」という。）
　
(３)周知技術として引用する「特開平３−６３６６号公報」（以下、「引用文献３」という）には、次の事項が記載されている。
　
(3-1)「反応ガス雰囲気中で蒸着を行う反応蒸着装置の基板ホルダー固定台であって、真空中でロードロック室から蒸着室に設置された前記基板ホルダー固定台に基板ホルダーの脱着が可能な構造であるとともに、前記基板ホルダー固定台に反応ガス吹付機構を組込んだ構造であることを特徴とする反応蒸着装置用基板ホルダー固定台。」（特許請求の範囲）
(3-2)「第３図(１)、(２)の実施例では、反応ガスを固定台内で基板の周りに分配するのに両端を封じてコの字に曲げた空中パイプ31を利用し、基板への反応ガス吹き付けは空中パイプ31に設けた細いパイプ32を通して行なう。」（２頁左下欄１９行〜右下欄３行）
　
　記載事項(3-1)には、反応蒸着装置の基板ホルダー固定台であって、前記基板ホルダー固定台に反応ガス吹付機構を組込んだ構造である反応蒸着装置用基板ホルダー固定台が記載されており、記載事項(3-2)によれば、反応ガス吹付機構が、反応ガスを固定台内で基板の周りに分配するのに両端を封じてコの字に曲げた空中パイプ31、および空中パイプ31に設けた細いパイプ32からなることが記載されている。
　
　記載事項(3-1)〜(3-2)を整理すると、引用文献３には、反応蒸着装置の基板ホルダー固定台であって、反応ガスを固定台内で基板の周りに分配する両端を封じてコの字に曲げた空中パイプ、および空中パイプに設けた細いパイプからなる反応ガス吹付機構を備えた基板ホルダー固定台が記載されている。（以下、「周知技術２」という。）
　
３．対比
　引用発明の「真空室」、「マグネトロン陰極」、「基板支持台」、「不活性スパッタガス源と連結した分配装置を具備する第一ガス流入部」、「反応性ガス源又は反応性ガスと不活性ガスとからの混合物源と連結した分配装置を具備する第二ガス流入部」、及び「マグネトロン陰極に連結した直流電圧源」は、それぞれ本願発明の「真空状態の維持が可能なチャンバー」、「マグネトロン型カソード」、「基板ホルダー」、「放電ガスを供給するための第１のガス供給系」、「反応ガスを供給するための第２のガス供給系」、及び「カソードに電圧を印加する電源」に相当する。
　引用発明は、「真空室」を備え、また、上記記載事項(1-8)に記載したとおり、スパッタ圧が２×１０−２ミリバールで使用されていることから、引用発明の反応性スパッタリング装置が、チャンバー内を減圧雰囲気にするための真空ポンプを備えていることは明らかである。
　そこで、本願発明と引用発明を対比すると、両者は、
「真空状態の維持が可能なチャンバーと、前記チャンバー内を減圧雰囲気にするための真空ポンプと、前記チャンバー内に固定されたマグネトロン型カソードと、前記カソードに取り付けられたターゲットと、前記チャンバー内で前記ターゲットに対向するように配設され、かつ基板が載置される基板ホルダーと、チャンバー内に放電ガスを供給するための第１のガス供給系と、反応ガスを供給するための第２のガス供給系と、前記カソードに電圧を印加する電源とを備える反応性スパッタリング装置」で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　本願発明では、第２のガス供給系が、「基板ホルダーの孔を通じて反応ガスを供給するための第２のガス供給系」であり、さらに「前記基板ホルダーは前記第２のガス供給系と繋がる孔を基板の載置部の外側のみに有」しているのに対して、引用発明では、第２のガス供給系が、絞りの基板支持台側の絞り孔の投影面の外側に設置された第２のガス供給系である点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　上記記載事項(1-9)〜(1-11)によれば、引用発明の「ターゲット表面に酸化物層の形成を防止し、高いスパッタリング速度を維持し、また、スパッタリング工程の妨害を抑制できる」との効果は、反応室内部に絞りを設け、絞りの基板支持台側の絞り孔の投影面の外側から反応性ガスを供給し、さらに貴ガスを絞りのターゲット側に供給して向流を形成することにより、反応性ガスがターゲット表面まで逆流することを回避することにより達成される。これら効果は、反応性ガスの供給についてみると、これをスパッタガスと個別に供給し、絞りの基板支持台側の絞り孔の投影面の外側から供給さえすれば得られるのものであって、その供給位置を問わないのであるから、反応ガスを供給する第２のガス供給系は、絞りの基板支持台側の絞り孔の投影面の外側であればどの様な場所に設けてもよいといえる。
　そして、本願発明の、基板ホルダーが前記第２のガス供給系と繋がる孔を基板の載置部の外側のみに有することに関しては、周知技術１、及び周知技術２に照らせば、反応性ガスを用いる蒸着装置において、基板ホルダーの基板載置面の外周のみに孔を設けて、該孔から反応性ガスを供給することは、本願出願前周知の技術であるといえ、これを、反応性ガスを用いる物理蒸着装置として共通する反応性スパッタリング装置に適用することに、格別な困難性はない。
　しかも、本願発明において、第２のガス供給系が、基板ホルダーの孔を通じて反応ガスを供給するための第２のガス供給系であり、前記基板ホルダーは前記第２のガス供給系と繋がる孔を基板の載置部の外側のみに有していることによって、格別な作用効果を奏することは、本願明細書には何等記載されてもない。
　したがって、引用発明の第２のガス供給系を、基板ホルダーに、第２のガス供給系と繋がる孔を基板の載置部の外側のみに形成し、前記孔を通じて反応ガスを供給する第２のガス供給系とすることは、上記した周知の技術に基づき当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。
　そして、本願発明の「ターゲット表面にターゲット材と反応ガスとの反応による化合物が形成されにくくなる」との効果は、引用発明の効果と同じ効果であり、本願発明の他の効果についても、引用発明から容易に予測できる事項にすぎない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明、及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。