【事件の表示】
　平成８年特許願第３３２１０７号「配線基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年６月２３日出願公開、特開平１０−１６８５７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯の概要
　本願は平成８年１２月１２日の出願であって、平成１５年２月３日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年４月１４日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年５月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１５年６月１１日に審判請求がなされるとともに、平成１５年７月１１日付けで手続補正書が提出され、平成１５年８月１３日付けで前置報告がなされ、平成１７年５月２０日付けで審尋がなされ、平成１７年７月２２日付けで回答書が提出され、平成１８年４月２７日付けで当審により拒絶理由通知がなされ、これに対して、平成１８年７月１０日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　　
II．本願発明
　本願発明は、平成１８年７月１０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２項に記載した事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】ニッケル−ホウ素めっき層上に形成されたニッケル−リンめっき層と、
このニッケル−リンめっき層の表面に、該表面側から置換型無電解金めっきによる厚みが０．０１〜０．１μｍの層と還元型無電解金めっきによる層とにより一様に形成された金めっき層と、
を備え、
４５０℃で５分間放置した後に前記ニッケル−リンめっき層と前記金めっき層との間にフクレやハガレが発生しないという性質を有するとともに、
前記ニッケル−リンめっき層はリン含有量が５〜１０重量％であることを特徴とする配線基板。」
　　
III．引用例
　これに対して、平成１８年４月２７日付けの拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である以下の引用例には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１（特公平６−８４５４６号公報）
(1-1)「絶縁基体上にメタライズ金属層を有する電子部品であって、前記メタライズ金属層の表面にニッケル−ホウ素合金を主成分とする第一金属層と、ニッケル−リン合金を主成分とする第二金属層と、金を主成分とする表面金属層を順次被着させたことを特徴とする電子部品。」（特許請求の範囲）
(1-2)「本発明は電子部品のメタライズ金属層の被覆構造に関し、特に半導体パッケージや多層配線基板等の電子部品のメタライズ金属層の被覆構造に関する。」（第１欄第１０〜１２行）
(1-3)「前記第一金属層13aは、ニッケル化合物とホウ素系還元剤、例えば水素化ホウ素ナトリウムやジメチルアミンボラン等を含む無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解めっき方法により形成される。このようにメタライズ金属層12上に水素化ホウ素ナトリウムやジメチルアミンボラン等の触媒活性の強いホウ素系還元剤を用いてニッケル−ホウ素合金を形成すると、粗面なメタライズ金属層12上に第一金属層13aがその内部にピンホールやボイドを形成することなく均一厚みに被着する。」（第４欄第１７〜２５行）
(1-4)「前記第二金属層13bは、ニッケル化合物とリン系還元剤、例えば次亜リン酸ナトリウム等を含む無電解ニッケルめっき浴を用いて無電解めっき方法により形成される。この第二金属層13bは該第二金属層13b表面に被覆される金の表面金属層14を第一金属層13aに強固に取着する作用を為す。尚、第二金属層13bの作用の正確な理論的裏付は今だ明らかでないが、ニッケル−ホウ素合金を主成分とする第一金属層13aが触媒活性の強いホウ素系還元剤を用いてめっきされ、その表面が極めて平滑であることから、第二金属層13bも第一金属層13a表面にピンホールやボイドを形成することなく均一厚みに被着されること、およびニッケル−リン合金は金との置換反応が緩やかであるために、ニッケル−リン合金層13b上に金の金属層14を形成する場合、金の結晶が緻密になって接合強度が増すとともに、ニッケル−リン合金と金との熱膨張係数が近似していることと考えられる。」（第４欄第２６〜４１行）
(1-5)「前記金を主成分とする表面金属層14は、従来周知の無電解めっき方法により中間金属層13表面に形成される。」（第４欄第４５〜４７行） 
(1-6)「実験例」において、「上記試料を空気中450℃の温度で２分間加熱処理し、しかる後表面金属層を顕微鏡で観察し、斑点状のしみを生じたものの個数及び表面金属層にフクレを生じたものの個数を調べた。」（第６欄第８〜１１行）
(1-7)「上記実験結果で明らかなように、従来の・・・被覆構造では表面金属層に斑点状のシミを発生して外観不良となったり、あるいは表面金属層のフクレ発生によって不良品となるものが100個中52個あるいは100個中58個もあるのに対し、本発明のメタライズ金属層の被覆構造ではいずれもほとんどない。」（第５欄第２９〜３６行）
　　
（２）引用例２（特開平７−３４２５８号公報）
(2-1)「本発明は置換型無電解金めっき液に関し、更に詳しくは、無シアンで浴安定性、下地金属との密着性に優れ、長期連続使用が可能な置換型の無電解金めっき液に関する。」（段落【0001】）
(2-2)「一般に独立回路基板は予めレジストで微細回路を形成し、半田レベラー処理又は微細回路上に無電解ニッケルめっきを施し、次いで、無電解金めっき処理が行なわれる。この様な用途において、無電解金めっき液は、浴安定性、均一な析出性、めっき被膜の半田濡れ性、下地の無電解ニッケルめっき被膜との密着性等の特性が要求される。」（段落【0002】）
(2-3)「従来のシアン化合物を含まない置換タイプの無電解金めっき液では・・・析出速度及び密着性が下地無電解ニッケルめっきの影響を受け易いという問題点がある。例えば、低含リン率の被膜上では析出速度は速いが密着性が悪くなり、また高含リン率の被膜上では、析出速度が遅く密着性が悪くなる。」（段落【0003】）
(2-4)「置換タイプの無電解金めっき液を自己触媒タイプの無電解金めっきの下地のめっきに応用した場合には」（段落【0003】）
(2-5)「本発明の主な目的は、ピンホールのない均一で緻密な金被膜を形成でき、析出速度が下地の無電解ニッケルめっき被膜の影響を受け難く・・・置換型無電解金めっき液を提供することである。」（段落【0004】）
(2-6)「本発明の無電解金めっき液は、無電解ニッケルめっき被膜を被めっき物とする場合に、均一で緻密なめっき被膜を形成できる。無電解ニッケルめっき被膜の種類は、特に限定されず、Ｎｉ−Ｐ系無電解めっき被膜・・・等に良好な置換金被膜を形成できる。特に、リン含有量が大きく異なるＮｉ−Ｐ系無電解めっき被膜においても、めっき被膜の種類の違いによる影響を受け難く、均一で緻密なめっき被膜を形成できる。」（段落【0016】）
(2-7)「本発明の置換型無電解金めっき液によれば、下地の無電解ニッケルめっき被膜の種類によらず無電解ニッケルめっき被膜を均一に溶解でき、被膜欠陥のない均一で密着性の良い金被膜を形成することができる。そして、得られる金被膜は、ピンホール等の被膜欠陥がほとんどなく、半田濡れ性が良好である。」（段落【0017】）
(2-8)「独立回路基板及び１×５ｃｍの圧延銅板を用い、銅部分に無電解ニッケルめっき被膜（含リン率８〜９％）を約５μｍ形成し、これを各置換めっき液に浸漬して金被膜を形成した後、膜厚、被膜外観、未析出の有無、密着性、半田濡れ性を測定した。結果を表１及び表２に示す。」（段落【0019】）
　そして、「表１」（段落【0028】）には、金膜厚が０．０５〜０．０７μｍであったこと、密着性は、剥離試験の結果、剥離なく良好であったことが示されている。
　　
IV．対比・判断
(IV-1)本願発明１について
　引用例１の上記(1-1)〜(1-7)の記載を綜合すると、引用例１には、
「ニッケル−ホウ素めっき層上に形成されたニッケル−リンめっき層と、このニッケル−リンめっき層の表面に形成された無電解金めっき層とを備えることを特徴とする配線基板。」
が記載されているといえる。（以下、これを「引用発明」という。）
　本願発明１と、引用発明とを対比すると、本願発明１は、引用発明と、
　ニッケル−ホウ素めっき層上に形成されたニッケル−リンめっき層と、このニッケル−リンめっき層の表面に形成された無電解金めっき層とを備えることを特徴とする配線基板、
の点で一致し、そして、以下の点で相違している。
　　
（イ）本願発明１では、無電解金めっき層は、「表面側から置換型無電解金めっきによる厚みが０．０１〜０．１μｍの層と還元型無電解金めっきによる層とにより一様に形成された」２層構造のものであるのに対して、引用発明では、無電解金めっき層を、上記の２層構造とする特定がなされていない点、
（ロ）本願発明１では、「４５０℃で５分間放置した後に前記ニッケル−リンめっき層と前記金めっき層との間にフクレやハガレが発生しないという性質を有する」と特定されているのに対して、引用発明では当該特定がなされていない点、及び、
（ハ）本願発明１では、ニッケル−リンめっき層のリン含有量について、「５〜１０重量％」に特定されているのに対して、引用発明では、当該記載がなされていない点。
　　
　そこで、これら相違点について、以下検討する。
（ａ）相違点（イ）について
(a-1）無電解金めっき層を形成する場合、還元型無電解金めっきを行なう前に、置換型無電解金めっきで下地めっきを行い、下層の置換型無電解金めっき層と、上層の還元型無電解金めっき層との２層構造とすることは、引用例２（摘記(2-4)）に記載されているのをはじめ、当技術分野で周知の技術である（要すれば、特開平４−２６１０９１号公報（特に請求項１、３）、特開平１−１１１８８１号公報（特に特許請求の範囲１）、特開平８−２９１３８９号公報（特に段落【0003】）、特開平８−３２２０８号公報（特に段落【0004】）、特開平５−２２２５４１号公報（特に段落【0002】、【0005】）、特開平５−３１５７３１号公報（特に段落【0003】）を参照されたい。）。そして、一方、引用例２には、Ｎｉ−Ｐ系無電解めっき被膜上に、均一で緻密な置換型無電解金めっき被膜を形成できること（摘記2-6、2-7）が記載されている。
　してみれば、引用例１のニッケル−リン合金めっき層上に形成する金めっき層として、上記の下層の置換型無電解金めっき層と上層の還元型無電解金めっき層との２層構造の金めっき層とすること、及び、当該下層の置換型無電解金めっき層として、引用例２に記載された均一で緻密な置換型無電解金めっき層を採用することは、当業者が容易に想到できたことと認められる。
　また、めっき層を「一様に」形成することは、めっき技術分野で通常のことといえる。
　　
(a-2)置換型無電解金めっき層の厚さについて、引用例２の実施例には、「０．０５」μｍ、「０．０６」μｍ、及び「０．０７」μｍ（摘記2-8）と記載されて、本願発明１の「０．０１〜０．１μｍ」と重複する厚さが記載されている。また、上記周知例の特開平４−２６１０９１号公報には、「０．０４μｍ以下」（段落【0005】）、特開平５−２２２５４１号公報には「置換金めっき膜の好ましい厚さは０．００５μｍから０．１μｍ」（段落【0005】）と記載されているとおり、本願発明１で特定する「０．０１〜０．１μｍ」との厚さは、置換型無電解金めっきの通常の厚さを包含するものと認められる。
　なお、請求人は、上記引用例２の記載に関して、表１（第４頁）に記載された「金膜厚」の０．０５〜０．０７μｍは、１０分当りの生成速度であり、３０分ではその３倍の厚さになると主張している。
　しかし、表１の「金膜厚　（μｍ／１０分）」は、一定のめっき速度でめっきが堆積し続けることを意味するとはいえない。即ち、当該表１には、「未析出の有無　（めっき時間１０分）」が「無し」と記載されており、１０分間で未析出部分が無くなり、０．０５〜０．０７μｍの膜厚の金めっきの形成が完了したことが示されている。そして、置換型無電解金めっき層は、下地金属が完全に覆われた段階で反応が停止するので（要すれば、本願明細書段落【0013】、及び上記周知例の特開平８−２９１３８９号公報段落【0003】を参照。）、１０分で形成された被膜の膜厚が、３０分でその３倍となるとはいえない。表１の「密着性　（めっき時間３０分）」とは、密着性試験の場合のめっき時間を記載したに過ぎず、また、これが、上記３倍の厚さを意味するということはできない。
　　
　以上(a-1)及び(a-2)のとおりであるから、相違点（イ）のとおり特定した点に、格別の困難性があるとすることはできない。
　　
（ｂ）相違点（ハ）について
　引用例２には、置換タイプの無電解金めっき液では、析出速度及び密着性が下地無電解ニッケルめっきの影響を受け易いという問題点があり、例えば、低含リン率の被膜上では析出速度は速いが密着性が悪くなり、また高含リン率の被膜上では、析出速度が遅く密着性が悪くなる（摘記2-3）と記載されて、下地となるニッケルめっき中のリン含有量が、置換型無電解金めっきの密着性や析出速度に影響を及ぼすことが説明され、かつ、実施例では、無電解ニッケルめっき被膜の含リン率を、「８〜９％」（摘記2-8）としたことが記載されている。そして、この含リン率は、本願発明１で特定するリン含有量（５〜１０重量％）と重複している。また、本願発明１でリン含有量を５〜１０重量％としたことによる効果は、含有量が重複する引用例２の含りん率（８〜９％）とした場合にも、同様に奏される効果であるといえる。
　したがって、相違点（ハ）のとおりにリン含有量を特定した点に、格別の困難性があるとすることはできない。
　　
（ｃ）相違点（ロ）について
(c-1)相違点（ロ）は、本願発明１の構成に基く作用効果に係る特定事項と認められるところ、上記（ａ）項及び（ｂ）項に記載したとおり、相違点（イ）及び（ハ）に係る構成には格別の困難性はなく、したがって、本願発明１の構成は引用例１及び２の記載に基づき当業者が容易に想到できたことである。そして、構成が同じであれば、それにより奏される作用効果も同等といえる。してみれば、相違点（ロ）のフクレやハガレの発生に係る効果は、引用例１及び２に記載された発明に基いて構成上容易に発明できた発明と同等といえ、実質的な相違点とはならないものである。
　　
(c-2)また、引用例１には、「４５０℃の温度」で「２分間」（摘記1-6）のフクレ試験を行ったことが記載されている。
　してみれば、フクレやハガレの試験を、引用例１と同様、４５０℃の温度で行うことに格別の困難性があるとはいえない。また、上記「２分間」の加熱時間を延長し、「５分間」として、フクレやハガレのより厳しい評価を行うことは、当業者が要求するレベルに応じて、適宜設定し得ることと認められる。
　　
　以上、(c-1)及び(c-2)のとおりであるから、相違点（ロ）は、実質的な相違点を構成しないものであり、また、当業者が容易に特定し得たことである。
　　
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１及び２に記載された発明並びに周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。