【事件の表示】
　平成９年特許願第３０６６９号「ドライエッチングにおける基板入射イオンのエネルギー制御方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年８月２５日出願公開、特開平１０−２２６８９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯 
　本願は、平成９年２月１４日の出願であって、平成１５年１月９日付で拒絶理由通知がなされ、同年３月１７日付で意見書が提出され、平成１５年１月９日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、同年４月７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月１６日付で手続補正書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１５年６月１６日付手続補正についての補正却下の決定
　　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１５年６月１６日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
［２−１］補正の内容 
　平成１５年６月１６日付手続補正は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧で交番電力、高周波電力、マイクロ波電力等によりプラズマを形成して導入気体を分解し、発生した電子、原子、分子、ラジカル、イオンの内イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板上の物質をエッチングするドライエッチングにおいて、基板電極に印加する交番電力または高周波電力の波形を正電位と負電位をもった矩形波とし、矩形波のデューティ比を可変して基板入射イオンのエネルギーを制御することを特徴とする基板入射イオンのエネルギー制御方法。
【請求項２】ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧で交番電力、高周波電力、マイクロ波電力等によりプラズマを形成して導入気体を分解し、発生した電子、原子、分子、ラジカル、イオンの内イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板上の物質をエッチングするドライエッチングにおいて、基板電極に印加すべき正電位と負電位をもった矩形波の交番電力または高周波電力を発生する回路装置と、矩形波のデューティ比を制御する回路装置とを有し、基板入射イオンのエネルギーを制御するように構成したことを特徴とする基板入射イオンのエネルギー制御装置。」とする補正を含むものである。
 　　 
［２−２］補正の目的
　請求項１は、補正前の請求項１を、その「基板電極に印加する交番電力または高周波電力の波形を矩形波とし」の「矩形波」を「正電位と負電位をもった矩形波」と限定したものに該当し、
　請求項２は、補正前の請求項２を、その「基板電極に印加すべき矩形波の交番電力または高周波電力」の「矩形波」を「正電位と負電位をもった矩形波」と限定したものに該当する。
　したがって、請求項１、２の補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　
［２−３］独立特許要件 
　次いで、上記の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正後の請求項１、２に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。 
 　　 
（１）補正後の本願発明 
　上記補正後の請求項１、２に係る発明（以下、「本願補正発明１」、「本願補正発明２」という。）は、平成１５年６月１６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりの、上記［２−１］の【請求項１】、【請求項２】に記載したとおりのものと認める。
　　 
（２）引用刊行物の記載事項 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−１３９０７７号公報（以下、単に「引用刊行物」という。）には、
（ａ）「【請求項１２】減圧処理室内に載置した被処理物にプラズマを供給すると共に前記被処理物にバイアス電圧を印加することにより被処理物をエッチングするドライエッチング方法において、前記バイアス電圧としてパルス波形の電圧を印加し、かつ前記パルス波形のデューティー比をエッチング中に変化させることを特徴とするエッチング方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１２】）、
（ｂ）【作用】として、「【００１０】図１の装置においてパルス電源１７から、図９のような正のパルス電圧を印加した場合について考える。放電開始の瞬間はキャパシタに電荷が蓄積されておらず、図１０のように入力電圧と同じバイアス波形が試料に表れる。図１０のバイアス波形の場合、多量の電子の入射する正サイクルが少量のイオンの入射する負のサイクルに対して十分短いため、正のサイクルに入射する負電荷と負のサイクルに入射する正電荷が等しくなる。このため、１サイクル中で電荷の収支が０となり図１中のキャパシタ２には電荷が誘起されない。したがって、図１０の基板バイアス電圧がエッチング中維持される。図１０の基板バイアス波形では負のサイクルの負電圧によってイオンが基板に加速されることに加えて、正のサイクルでは正電圧が基板に印加されるため電子が加速され試料に垂直入射する。したがって、図１１のように電子６もイオン５も微細パターンの底面まで入射できるようになり、しかも、１サイクル中の正負の電荷の入射量が等しくなるため、電子シェーディング現象によるチャージアップの発生がなくなる。」（段落【００１０】）、
（ｃ）「【００１１】それでは、負のサイクルの時間に対して十分短い正のサイクルの時間とはどの程度の値であろうか。また、１サイクルの時間はいくらにすればいいのだろうか。必要とされる条件をシミュレーションにより見積もった。シミュレーションのパラメータとしては、高密度プラズマを用いたエッチング装置の標準的な値であるプラズマ密度１０１１ ／ｃｍ３、電子温度３ｅＶ、キャパシタ容量３０ｐＦ／ｃｍ２を用いた。また、エッチングガスとして塩素ガスを用いた場合を考え、シミュレーションに用いるイオンの質量を３５．５ａｕとした。
【００１２】まず、入力パルス電圧を２００Ｖ、繰り返し周波数を１０ＭＨｚで一定にし、パルスのデューティー比を１％と１０％の場合について基板バイアス電圧波形を計算した。その結果をそれぞれ図１２および図１３に示す。デューティー比が１％と小さい場合には、パルスが正に大きく立ち上がっており電子が加速されるのに対して、パルスのデューティー比が１０％と大きい場合には、パルスの正の部分がほとんど消滅しており、電子を加速することができなくなっていることがわかる。
【００１３】この基板バイアス電圧波形の正の部分の大きさとデューティー比の関係を図１４に示す。パルスの正の部分の大きさはデューティー比が小さいほど大きくなり、デューティー比５％以下で急激に増加することがわかる。特にデューティー比１％以下では入力パルス電圧の半分の１００Ｖが正のパルスとして表れており、正サイクルと負のサイクルで同等な加速電圧が印加れていることがわかる。したがって、パルスのデューティー比を５％以下、望ましくはデューティー比を１％以下に設定することによって、電子が加速されるようなバイアスが試料に印加されることがわかる。」（段落【００１１】〜【００１３】）、
（ｄ）【実施例】として、「【００２０】（実施例１）図２２はゲート用ポリシリコン加工用マイクロ波エッチング装置に本発明のパルスバイアスを適用した装置の例である。この装置では、マグネトロン１８で発生したマイクロ波を導波管１９を通して放電管２０に導入し、導入されたマイクロ波とコイル２１で作られる磁場の電子サイクロトロン共鳴によって高密度のプラズマを生成できる構造になっている。・・・
【００２１】本装置により塩素プラズマを用いてシリコン酸化膜上に形成したポリシリコン微細パターンをエッチングした。この際パルスの高さは、小さ過ぎると電子を加速するための電圧が低下し電子を微細パターンへ垂直入射させることができなくなる。そのためパルスの高さとして最低でも２０Ｖは必要である。また逆にパルスの電圧は大き過ぎると、イオンの加速エネルギーが大きくなり、ポリシリコンのシリコン酸化膜に対する選択性が劣化する。したがって、パルスの高さは２ＫＶ以下にするのが望ましい。」（段落【００２０】〜【００２１】）、
「【００２８】（実施例３）実施例１の装置を用いゲート用ポリシリコンの加工を行った。本実施例ではパルスの繰り返し周波数を１０ＭＨｚに設定し、図３１のタイミングダイアグラムのようにエッチング開始からポリシリコン残膜厚が０になるジャストエッチのタイミングまでの間にパルスのデューティー比を５０％から１％に変化させた。またジャストエッチ以降のオーバーエッチングではパルスのデューティー比を１％に固定にしてエッチングを行った。この場合も、図２７と同様にノッチのない垂直加工形状が得られた。」（段落【００２８】）が記載されている。
（ｅ）図９には、パルス電源から基板に印加するバイアス入力電圧波形が正電位と負電位をもった矩形波であることが示され、図１０には、放電開始時、及び、バイアス入力電圧波形の正のサイクルが負のサイクルに対して充分短い場合に基板に表れる基板バイアス電圧波形が、上記バイアス入力電圧波形と同様の矩形波であることが示されている。また、図１２には、上記バイアス入力電圧波形のデューティー比が１％の場合に、基板に表れる基板バイアス電圧波形のパルスが正に大きく立ち上がっていることが示されており、図１３には、該デューティー比が１０％の場合に、基板バイアス電圧波形のパルスの正の部分がほとんど消滅し、該基板バイアス電圧波形の負のサイクルの負電圧が、該デューティー比が１％の場合（図１２）に比して大きくなることが示されている。また、図１４には、基板バイアス電圧波形の正の部分の大きさはデューティー比が小さいほど大きくなり、デューティー比５％以下で急激に増加することが示されている。
　　
（３）対比・判断
（３−１）本願補正発明１について
　引用刊行物には、「減圧処理室内に載置した被処理物にプラズマを供給すると共に前記被処理物にバイアス電圧を印加することにより被処理物をエッチングするドライエッチング方法において、前記バイアス電圧としてパルス波形の電圧を印加し、かつ前記パルス波形のデューティー比をエッチング中に変化させる・・・エッチング方法。」（摘記（ａ）、【請求項１２】）と、「エッチングガスとして塩素ガスを用いた・・・」（摘記（ｃ）、段落【００１１】）と、「マグネトロン１８で発生したマイクロ波を導波管１９を通して放電管２０に導入し、導入されたマイクロ波とコイル２１で作られる磁場の電子サイクロトロン共鳴によって高密度のプラズマを生成できる構造になっている。・・・本装置により塩素プラズマを用いてシリコン酸化膜上に形成したポリシリコン微細パターンをエッチングした。」（摘記（ｄ）段落【００２０】、【００２１】）により、エッチングガスとして塩素ガスを用い、マイクロ波と磁場の電子サイクロトロン共鳴によって高密度の塩素プラズマを形成し、減圧処理室内に載置した被処理物に該プラズマを供給するとともにバイアス電圧を印加することにより、該被処理物をドライエッチングすることが記載されている。
　また、上記バイアス電圧について、引用刊行物には、「パルス電源１７から、図９のような正のパルス電圧を印加した場合・・・図１０の基板バイアス電圧がエッチング中維持される。図１０の基板バイアス波形では負のサイクルの負電圧によってイオンが基板に加速されることに加えて、正のサイクルでは正電圧が基板に印加される」（摘記（ｂ）段落【００１０】）、「パルスのデューティー比を１％と１０％の場合について基板バイアス電圧波形を計算した。その結果をそれぞれ図１２および図１３に示す。デューティー比が１％と小さい場合には、パルスが正に大きく立ち上がっており電子が加速されるのに対して、パルスのデューティー比が１０％と大きい場合には、パルスの正の部分がほとんど消滅しており、電子を加速することができなくなっている」（摘記（ｃ）段落【００１２】）と記載されるとともに、図９、１０には、パルス電源から基板に印加されるバイアス入力電圧波形、及び該基板に表れるバイアス電圧波形が正電位と負電位をもった矩形波であることが示され、図１２、１３には、上記バイアス入力電圧波形のデューティー比が１％の場合には、パルスが正に大きく立ち上がっているのに対し、同デューティー比が１０％の場合には、パルスの正の部分がほとんど消滅し、基板に大きい負電圧が生じていることが示され、図１４には、バイアス電圧波形の正の部分の高さはデューティー比が小さいほど高くなり、デューティー比５％以下で急激に増加することが示されている（摘記（ｅ））。
　また、（実施例３）として、エッチング開始からポリシリコン残膜厚が０になるジャストエッチのタイミングまでの間にパルスのデューティー比を５０％から１％に変化させ、ノッチのない垂直加工形状が得られるようにエッチングを行った実施例が記載されており（摘記（ｄ））、当該実施例では、バイアス電圧波形のデューティー比を５０％から１％に変化させることにより、該バイアス電圧波形の正の部分の高さを変化させて電子の加速を制御し、被処理物のエッチングを制御しているものといえる。
　これらの事項を総合すると、引用刊行物には、「エッチングガスとして塩素ガスを用い、マイクロ波と磁場の電子サイクロトロン共鳴によって高密度の塩素プラズマを形成し、減圧処理室内に載置した被処理物に該プラズマを供給すると共に該被処理物に正電位と負電位をもった矩形波のバイアス電圧を印加して被処理物をエッチングするドライエッチングにおいて、該矩形波のデューティー比を変化させ、該バイアス電圧の正電位の高さを変化させて被処理物のエッチングを制御するドライエッチング方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　そこで、本願補正発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「エッチングガスとして塩素ガスを用い、マイクロ波と磁場の電子サイクロトロン共鳴によって高密度の塩素プラズマを形成し、減圧処理室内に載置した被処理物に該プラズマを供給すると共に該被処理物に正電位と負電位をもった矩形波のバイアス電圧を印加して被処理物をエッチングするドライエッチング」とは、「ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧でマイクロ波電力等によりプラズマを形成して導入気体を分解し、発生した電子、原子、分子、ラジカル、イオンの内イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板上の物質をエッチングするドライエッチング」に他ならず、引用発明における「塩素ガス」、「マイクロ波と磁場の電子サイクロトロン共鳴によって高密度の塩素プラズマを形成し」、「被処理物」、「減圧処理室内に載置した被処理物に該プラズマを供給すると共に該被処理物に正電位と負電位をもった矩形波のバイアス電圧を印加」、「矩形波のデューティー比を変化させ」は夫々、本願補正発明１における「ハロゲン系のガス」、「ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧で交番電力、高周波電力、マイクロ波電力等によりプラズマを形成して導入気体を分解し」、「基板」、「発生した電子、原子、分子、ラジカル、イオンの内イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加・・・基板電極に印加する交番電力または高周波電力の波形を正電位と負電位をもった矩形波とし」、「矩形波のデューティ比を可変して」に相当する。
　そうすると、両発明は、「ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧で交番電力、高周波電力、マイクロ波電力等によりプラズマを形成して導入気体を分解し、発生した電子、原子、分子、ラジカル、イオンの内イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板上の物質をエッチングするドライエッチングにおいて、基板電極に印加する交番電力または高周波電力の波形を正電位と負電位をもった矩形波とし、矩形波のデューティ比を可変する制御方法。」の点で一致し、次の点で相違する。 
（イ）本願補正発明１では、矩形波のデューティ比によって基板入射イオンのエネルギーを制御しているのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　
　そこで、上記相違点（イ）について検討するに、プラズマを用いたドライエッチングにおいて、バイアス電圧のデューティー比によって基板入射イオンの加速エネルギーを制御することは、例えば、特開平９−２７３９９号公報（特に、段落【００１１】、【００２２】、図２参照）、特開平９−３６０８６号公報（特に、段落【００１９】、【００２０】、図３参照）に夫々記載されているように、本願出願前周知の技術である。
　また、引用刊行物の図１２、１３には、バイアス電圧のデューティー比によってバイアス電圧の負電圧の大きさが変化することが開示されており（摘記（ｅ））、また、同段落【００１０】には、「負のサイクルの負電圧によってイオンが基板に加速される」（摘記（ｂ））と記載されているので、引用発明のドライエッチング方法においても、バイアス電圧のデューティー比によってバイアス電圧の負電圧の大きさを変化させることで、基板入射イオンの加速エネルギーを制御し得ることが示唆されている。
　そうすると、引用発明のドライエッチング方法において、バイアス電圧のデューティー比を変化させ、該バイアス電圧の正電位の高さを変化させてエッチングを制御することに伴い、該デューティー比によって該バイアス電圧の負電圧の大きさも制御し、基板入射イオンの加速エネルギーを制御することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、上記相違点（イ）に係る本願補正発明１の特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物の記載、及び上記周知の技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。 
 　　 
　したがって、本願補正発明１は、引用刊行物に記載された発明、及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができないため、本願補正発明２について検討するまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
 　　 
［３］本願発明 
　平成１５年６月１６日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１、２に係る発明は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧で交番電力、高周波電力、マイクロ波電力等によりプラズマを形成して導入気体を分解し、発生した電子、原子、分子、ラジカル、イオンの内イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板上の物質をエッチングするドライエッチングにおいて、基板電極に印加する交番電力または高周波電力の波形を矩形波とし、矩形波のデューティ比を可変して基板入射イオンのエネルギーを制御することを特徴とする基板入射イオンのエネルギー制御方法。」
 　　                                                
［４］引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物（特開平８−１３９０７７号
公報）には、上記［２−３］（２）に摘記した事項が記載されている。 
 　　 
［５］対比・判断 
　本願発明１は、上記［３］で認定したとおり、本願補正発明１における「正電位と負電位をもった矩形波」の「正電位と負電位をもった」を削除したものであるから、本願補正発明１は、本願発明１を特定するために必要な事項を全て含み、更に具体的に限定したものに相当する。
　そして、上記［２−３］（３−１）で説示したとおり、本願補正発明１が引用刊行物に記載された発明、及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明１も、同じ理由により、引用刊行物に記載された発明、及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［６］むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明、及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。