【事件の表示】
　特願２００３−３９９０１０「フロロカーボン膜が形成された金属材料並びにその材料を用いた装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２７日出願公開、特開２００４−１４９９２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成６年１０月２８日に出願した特願平６−２８８８０５号（以下、「原出願」という。）の一部を平成１５年１１月２８日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年７月６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年８月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年９月８日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１８年９月８日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論]
　平成１８年９月８日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件手続補正
　本件手続補正の内容は、平成１８年５月１日付の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の
　「【請求項１】　基盤金属の上にカーボン層からなる膜が形成され、その上にフロロカーボン層からなる膜が形成されてなることを特徴とする金属材料。
【請求項２】　前記基盤金属と前記カーボン層との間にフッ化金属層を有することを特徴とする請求項１記載の金属材料。
【請求項３】　前記フロロカーボン層は１０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項１または２記載の金属材料。
【請求項４】　薬液貯蔵用、薬液配送用、又は薬液反応用装置である薬液装置の接液部に、請求項１ないし３のいずれか１項記載の金属材料を使用したことを特徴とする装置。
【請求項５】　ガス貯蔵用、ガス配送用、又はガス反応用装置であるガス装置の接ガス部に請求項１ないし３のいずれか１項記載の金属材料を使用したことを特徴とする装置。」を、
　「【請求項１】　基盤金属の上にカーボン層からなる膜が形成され、その上にフロロカーボン層からなる膜が形成され、前記基盤金属と前記カーボン層との間にフッ化金属層を有することを特徴とする金属材料。
【請求項２】　前記フッ化金属層は１０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項１記載の金属材料。
【請求項３】　薬液貯蔵用、薬液配送用、又は薬液反応用装置である薬液装置の接液部に、請求項１または２記載の金属材料を使用したことを特徴とする装置。
【請求項４】　ガス貯蔵用、ガス配送用、又はガス反応用装置であるガス装置の接ガス部に請求項１または２記載の金属材料を使用したことを特徴とする装置。」に補正する補正事項を含むものである。
　
２．補正の適否について
　上記補正事項のうち、補正後の請求項２は、補正前の請求項１、２を引用する補正前の請求項３の「フロロカーボン層は１０ｎｍ〜１μｍである」を「フッ化金属層は１０ｎｍ〜１μｍである」に補正するとともに、補正前の請求項１の削除に伴い、請求項の番号を「３」から「２」に、引用請求項の番号を「１または２」から「１」に補正したものである。
　しかしながら、願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）の【０００８】には、「カーボン層及びフロロカーボン層の厚みはフッ化ニッケル層の厚みは１００オングストローム〜１μｍ・・・である。」と記載されているものの、「フッ化ニッケル層」の上位概念である「フッ化金属層」の厚みが１０ｎｍ〜１μｍ（１００オングストローム〜１μｍ）であるとは記載されていないし、当初明細書の他の記載及び図面を参照しても「フッ化金属層」の厚みについては記載がない。また、「フッ化ニッケル層」を「フッ化金属層」に上位概念化できることが、当初明細書や出願時の技術常識に照らして自明であるともいえない。そうすると、「フロロカーボン層は１０ｎｍ〜１μｍである」を「フッ化金属層は１０ｎｍ〜１μｍである」に変更する上記補正事項は、当初明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　さらに、フロロカーボン層に関する限定を、フッ化金属層に関する限定に変更する上記補正事項は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の限定的限縮には該当しないし、同法第１７条の２第４項第１、３、４号に規定する請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　よって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないし、また、同法第１７条の２第４項に規定する要件をも満たしていない。
　
３．むすび
　したがって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定によって読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１８年９月８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１８年５月１日付の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１】　基盤金属の上にカーボン層からなる膜が形成され、その上にフロロカーボン層からなる膜が形成されてなることを特徴とする金属材料。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−８６８７１号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例：特開昭６３−８６８７１号公報
（１ａ）「基材上に放電プラズマ法、物理蒸着法及び化学蒸着法の少なくとも１種の方法で炭素含有膜を形成させた後、フッ化窒素化合物の存在下において、低圧下で放電して発生する含フッ素プラズマガスと該炭素含有膜とを接触させることを特徴とする基材表面の改質方法。」（特許請求の範囲第１項）
（１ｂ）「基材としては・・・例えば金属・・・を用いることができる。」（２頁左下欄２〜４行）
（１ｃ）「基材上に形成させる炭素含有膜は、炭素原子のみによって構成される無定形炭素や黒鉛、ダイヤモンド等の構造を有する皮膜であってもよく・・・」（３頁左下欄１４〜１６行）
（１ｄ）「好ましい炭素含有膜の厚さは、目的によって一様ではないので特に限定されないが、通常０．０１〜１０μｍ程度の厚さで基材表面の改質の目的を達成できる。
　基材上に炭素含有膜を形成させた後は、フッ化窒素化合物の存在下において放電して、放電により発生する含フッ素プラズマガスを基材上に形成した炭素含有膜に接触させることによって、基材上にフッ素−炭素結合を有する化合物の薄膜が生成する。」（３頁左下欄１８行〜右下欄９行）
（１ｅ）「本発明で用いられるプラズマ発生方法としては、（１）内部電極方式による直流グロー放電又は低周波放電、（２）内部電極方式、外部電極方式又はコイル型方式による高周波放電、（３）導波管型方式によるマイクロ波放電、（４）電子サイクロトロン共鳴放電（ＥＣＲ放電）、（５）電極を使用しない誘導コイル型高周波放電、等を挙げることができるが、これらに限定されず、放電によってプラズマを発生し、炭素含有膜と反応を起こす方法であればいずれの方法でもよい。
　放電処理の方法は、常法に従えばよく、含フッ素プラズマが発生する条件において、基材表面に対して要求する性質に応じて適宜放電条件を決定すればよい。」（４頁左上欄５〜１８行、なお、数字を囲む○の代わりに（　）を使用している。）
（１ｆ）「本発明で放電装置内に置く基材の位置は、プラズマを発生させる電場内であってもよく、また含フッ素化合物のプラズマを通過するガスが活性な状態で達する範囲内であれば電場外であってもよい。」（４頁左下欄１４〜１８行）
（１ｇ）「本発明方法によれば、試料気体の種類、圧力、放電の方法、例えば交流、直流、高周波などの方法、放電時間、電極間距離、基板温度、放電のＯＮ、ＯＦＦの繰り返しなど諸条件を調節することによって、炭素含有膜フッ素化程度をコントロールすることができ、基材表面の疎水性能等を調整することが可能である。」（４頁右下欄１２〜１８行）
　
３．当審の判断
３−１．引用例に記載の発明
　引用例の摘記事項（１ａ）によれば、基材表面の改質方法に関して、基材上に炭素含有膜を形成させた後、フッ化窒素化合物の存在下において、低圧下で放電して発生する含フッ素プラズマガスと該炭素含有膜とを接触させることが記載され、摘記事項（１ｂ）によれば、該基材として金属を用いること、摘記事項（１ｃ）によれば、該炭素含有膜は、炭素原子のみによって構成されてもよいこと、摘記事項（１ｄ）によれば、含フッ素プラズマガスを、基材上に形成した炭素含有膜に接触させることによって、基材上にフッ素−炭素結合を有する化合物の薄膜が生成することが記載されている。そうすると、引用例には、基材金属上に炭素原子のみの層からなる膜を形成させた後、含フッ素プラズマガスと該炭素原子のみの層からなる膜とを接触させることにより、フッ素−炭素結合を有する化合物の薄膜を形成させてなる金属材料も開示されているといえる。
　そして、摘記事項（１ｄ）には、炭素含有膜の厚さは１０μｍ程度であることが記載され、また、摘記事項（１ｃ）には、炭素含有膜の炭素として、無定形炭素が記載され、さらに、摘記事項（１ｆ）、（１ｇ）には、放電装置内に置く基材の位置は、含フッ素化合物のプラズマを通過するガスが活性な状態で達する範囲内であれば、プラズマを発生させる電場外であってよく、試料気体の種類、圧力、放電時間、基板温度等の諸条件を調節することによって、炭素含有膜フッ素化程度をコントロ−ルすることが記載されているから、引用例には、炭素原子のみの層の炭素が無定形炭素であり、炭素原子のみの層を含フッ素プラズマガスに接触させる位置が電場外であるような、炭素原子のみの層に対する含フッ素プラズマガスの浸入深さが浅いものが例示されているといえる。
　してみれば、引用例には、基材金属側に炭素原子のみの層が残存する場合についても記載されているといえるから、「基材金属の上に炭素原子のみの層が形成され、その上にフッ素−炭素結合を有する化合物の薄膜が形成されてなる金属材料。」（以下、「引用例発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と引用例発明とを対比すると、引用例発明の「基材金属」、「炭素原子のみの層」、「フッ素−炭素結合を有する化合物の薄膜」は、それぞれ、本願発明１の「基盤金属」、「カーボン層からなる膜」、「フロロカーボン層からなる膜」に相当するから、両者は一致しており、相違するところはない。
　したがって、本願発明１は、引用例に記載された発明である。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　したがって、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。