【事件の表示】
　平成１１年特許願第３７５２８２号「半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月１４日出願公開，特開２０００−１９５８６６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，平成１１年１２月２８日(パリ条約による優先権主張１９９８年１２月２４日及び１２月２８日，大韓民国)の出願であって，平成１８年７月１９日付けで手続補正がされ，同年１１月２９日付けで拒絶査定がされ，平成１９年３月５日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに，同年４月４日付けで手続補正がされ，その後当審において，平成２１年１０月３０日付けで審尋がされ，平成２２年２月１日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１９年４月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
　
１　本件補正の内容
　本件補正は，本願の特許請求の範囲，及び本願の明細書の発明の詳細な説明を補正するものであり，そのうち本願の特許請求の範囲についてする補正の内容は以下のとおりである。
　
＜　補正事項１　＞
　補正前の本願の特許請求の範囲の請求項１〜２３を削除する。
　
＜　補正事項２　＞
　補正前の本願の特許請求の範囲の請求項２４〜２９について，補正前の請求項２６及び請求項２７を削除する（以下「補正事項２−１」という。）とともに，補正前の請求項２４，請求項２５，請求項２８及び請求項２９を，それぞれ，補正後の本願の特許請求の範囲の請求項１〜４とする（以下「補正事項２−２」という。）。
　
２　補正の適否
（１）　本件補正は，請求項の削除とそれに伴う請求項の項番の繰り上げだけで，請求項の内容に変更はないから，新たな技術的事項を導入するものではなく，特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件に適合する。
　
（２）　補正事項１は，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる，請求項の削除に該当する。
　また，補正事項２のうち，補正事項２−１は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる，請求項の削除に該当し，補正事項２−２は，請求項の削除に伴う，他の請求項の形式的な補正に該当する。
　そうすると，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる，請求項の削除を目的とするものに該当するから，本件補正は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件に適合する。
　
　
第３　本願発明の新規性について
　
１　本願発明について
　平成１９年４月４日付けの手続補正書による手続補正は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件，及び同法第１７条の２第４項に規定する要件に適合するから，本願の請求項１〜４に係る発明は，平成１９年４月４日付けの手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，次のとおりである（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
　
「　【請求項１】　半導体基板上に下部導電膜を形成する段階と，
　前記下部導電膜上に，前記下部導電膜に電気的に連結された連続的な導電膜と，前記連続的な導電膜を貫通するように延びてその側壁が前記連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の島型絶縁体からなる構造を形成する段階と，
　前記連続的な導電膜に電気的に連結されワイヤボンディング領域を含む上部導電膜を形成する段階と
を具備することを特徴とする半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法。　」
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）　引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された特開平０６−１９６５２５号公報（以下「引用例」という。）には，図２〜図４及び図８とともに次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）
　
ア　　従来の技術
「　【０００２】
【従来の技術】従来のボンディングパッドは図７に示すように，フィールド酸化膜１上に層間絶縁膜２を形成し，その上に形成した最上層のメタルパッド４のみで構成されるもの，あるいは
図８に示すように，層間絶縁膜２に単一の大きな孔をあけ，上層メタルパッド４と下層メタルパッド５又は下層メタルパッド５とポリシリコン（ポリサイド）パッド６を接続する構造
（中略）
【０００４】従来技術のうち
図８のように層間絶縁膜２に孔を開け，上層メタルパッド４と下層メタルパッド５，さらに最下層のゲート材料の配線に使用するポリシリコン（ポリサイド）パッド６を接続すると，前記剥れに対する強度は向上した。
　
イ　　発明の概要と実施例
「　【０００５】本発明は，
ＬＳＩの製造にタングステンＣＶＤによるホール埋込みを用いる
下地から剥れにくいボンディングパッドの構造を提供する
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解決するために，
集積回路のボンディングパッド部上層メタルパッドと下層メタルパッド間又はメタルパッドとポリシリコンパッド間の接続孔を，多数のスリット又は多数の孔の分散した配列により形成したことを特徴とするボンディングパッドの構造
【０００７】この場合，
スリットの幅あるいは孔の径はブランケットタングステンＣＶＤ／エッチバック技術で完全に埋込まれる程度，すなわち，通常，１．５μｍ程度以下に設定するのが適当である。
図２は格子状のスリット１２，図３は多数の小孔１３を配列した例である。
図３のボンディングパッドの断面図の模式図を図４に示す。図４は２層メタル／１層ポリシリコン配線の例である。
【０００８】
【作用】本発明によれば，従来の単一の大きな孔による接続孔でなく，
ボンディングパッド部の接続孔をタングステンで完全に埋込まれる程度の幅寸法のスリット
が分散した配列にした
【０００９】また，
上層メタルと下層メタル
を前記接続孔を通して接続するようにしたので，パッド剥れに対する強度が向上し，アセンブリ歩留りが向上する。
【００１０】
【実施例】
本発明による効果をテストするため，ボンディングパッドのメタルとメタル間及びメタルとポリシリコン（ポリサイド）間の接続孔として以下にあげるパターンを用意し，１層ポリシリコン，２層メタル配線のサンプルを試作した。
（中略）
パターン（Ｆ）：孔径：０．８μｍ，孔のピッチ：１０μｍ格子状配列（図２）
比較のために図７に示す従来のパッド構造のサンプルを用意した。
【００１１】
ワイヤボンディングは，アルミ線を用い一定の条件のもとで行った。
　
ウ　　図面の簡単な説明
「　【図面の簡単な説明】
（中略）
【図２】本発明の実施例の平面図である。
【図３】本発明の実施例の平面図である。
【図４】本発明の一例の断面模式図である。
（中略）
【図８】従来パッド構造の断面模式図である。
（中略）
【符号の説明】
１  フィールド酸化膜
２  層間絶縁膜
（中略）
４  メタルパッド
５  メタルパッド
（中略）
１１，１２，１４  スリット
　
エ　　図２
　上記ア〜ウの内容を参酌すると，図２から，
集積回路のワイヤボンディングのボンディングパッド部である上層メタルパッドと，下層メタルパッド間を接続する，ボンディングパッド部の接続孔の構造であって，層間絶縁膜２に形成された格子状のスリット１２に埋め込まれた，上記層間絶縁膜２の膜面方向において連続する格子状のタングステン膜と，その側壁が上記格子状のタングステン膜で取り囲まれ，上記格子状のタングステン膜の膜厚方向に延びる上記層間絶縁膜２である，互いに分離された複数個の絶縁体からなる構造
　
（２）　引用発明
　引用例には，図２のボンディングパッド部の接続孔の構造を用いたボンディングパッドの断面図の模式図は示されていないが，図４には，フィールド酸化膜１上に形成された下層のメタルパッド５と上層のメタルパッド４間を接続するボンディングパッド部の接続孔の構造として，図３の層間絶縁膜２に形成された多数の小孔１３に埋め込まれたタングステンからなる構造を用いたボンディングパッドの断面図の模式図が示されている。
　そして，図２のボンディングパッド部の接続孔の構造は，図４のボンディングパッドの断面図の模式図における，上記メタルパッド５と上記メタルパッド４間を接続する構造と同様と考えられるから，引用例には，図２のボンディングパッド部の接続孔の構造を，上記メタルパッド５と上記メタルパッド４間を接続する構造に用いた次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているといえる。
　
「　フィールド酸化膜１上に形成されたメタルパッド５と，上記メタルパッド５上に形成された，上記メタルパッド５に接続された層間絶縁膜２の膜面方向において連続する格子状のタングステン膜と，その側壁が上記格子状のタングステン膜で取り囲まれ，上記格子状のタングステン膜の膜厚方向に延びる上記層間絶縁膜２である，互いに分離された複数個の絶縁体からなる構造と，上記格子状のタングステン膜に接続される，ワイヤボンディングのボンディングパッド部であるメタルパッド４とを具備する集積回路のボンディングパッドの構造。　」
　
３　対比・判断
（１）　対比
ア　　引用発明の「メタルパッド５」，「接続」，「層間絶縁膜２の膜面方向において連続する格子状のタングステン膜」，「ワイヤボンディングのボンディングパッド部である」，及び「メタルパッド４」は，それぞれ，本願発明の「下部導電膜」，「電気的に連結」，「連続的な導電膜」，「ワイヤボンディング領域を含む」，及び「上部導電膜」に相当する。
　
イ　　引用発明の「複数個の絶縁体」は，その側壁が「層間絶縁膜２の膜面方向において連続する格子状のタングステン膜」（本願発明の「連続的な導電膜」に相当。）によって取り囲まれ，上記「格子状のタングステン膜」の膜厚方向に延びるから，上記「格子状のタングステン膜」を貫通するように延びていることは明らかであり，また，「互いに分離され」ていることから，「島型」であることも明らかである。
　そうすると，引用発明の「その側壁が上記格子状のタングステン膜で取り囲まれ，上記格子状のタングステン膜の膜厚方向に延びる上記層間絶縁膜２である，互いに分離された複数個の絶縁体」は，本願発明の「前記連続的な導電膜を貫通するように延びてその側壁が前記連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の島型絶縁体」に相当する。
　
ウ　　当該技術分野における技術常識に照らせば，「フィールド酸化膜」とは，特段の定義がない限り，半導体基板に半導体素子を形成する際に，各素子の素子領域間を絶縁分離するために，上記半導体基板上に形成される酸化膜をいうから，引用発明の「フィールド酸化膜１上」は，本願発明の「半導体基板上」に相当する。
　
エ　　上記アから，引用発明の「上記格子状のタングステン膜に接続される，ワイヤボンディングのボンディングパッド部であるメタルパッド４」は，本願発明の「前記連続的な導電膜に電気的に連結されワイヤボンディング領域を含む上部導電膜」に相当する。
　
オ　　当該技術分野における技術常識に照らせば，「集積回路」は，半導体基板上に形成された複数個の「半導体素子」によって構成され，「集積回路のボンディングパッド」は，「集積回路」を構成する「半導体素子」に接続されて設けられるものであるから，引用発明の「集積回路のボンディングパッドの構造」は，本願発明の「半導体素子のボンディングパッド構造」に相当する。
　
（２）　判断
ア　　上記２（２）で認定したとおり，引用例に直接開示されているのは，「集積回路のボンディングパッドの構造」であるが，当該構造を得るためには，その要素を形成する段階を経なければならないことは当然である。
　そうすると，引用発明は，その製造の段階も含めて考えると，次のように表現できる。
　
「　フィールド酸化膜１上（本願発明の「半導体基板上」に相当。）にメタルパッド５（本願発明の「下部導電膜」に相当。）を形成する段階と，
　上記メタルパッド５上に，上記メタルパッド５に接続された（本願発明の「電気的に連結された」に相当。）層間絶縁膜２の膜面方向において連続する格子状のタングステン膜（本願発明の「連続的な導電膜」に相当。）と，その側壁が上記格子状のタングステン膜で取り囲まれ，上記格子状のタングステン膜の膜厚方向に延びる上記層間絶縁膜２である，互いに分離された複数個の絶縁体（本願発明の「前記連続的な導電膜を貫通するように延びてその側壁が前記連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の島型絶縁体」に相当。）からなる構造を形成する段階と，
　上記格子状のタングステン膜に接続される，ワイヤボンディングのボンディングパッド部であるメタルパッド４（本願発明の「前記連続的な導電膜に電気的に連結されワイヤボンディング領域を含む上部導電膜」に相当。）を形成する段階と
を具備する集積回路のボンディングパッドの構造（本願発明の「半導体素子のボンディングパッド構造」に相当。）の製造方法
によって製造された集積回路のボンディングパッドの構造。　」
　
イ　　上記アから，本願発明と引用発明は、次の構成を備えている点で共通する。
　
「　半導体基板上に下部導電膜を形成する段階と，
　前記下部導電膜上に，前記下部導電膜に電気的に連結された連続的な導電膜と，前記連続的な導電膜を貫通するように延びてその側壁が前記連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の島型絶縁体からなる構造を形成する段階と，
　前記連続的な導電膜に電気的に連結されワイヤボンディング領域を含む上部導電膜を形成する段階と
を具備する半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法。　」
　
ウ　　ここで，本願発明が「半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法」であるのに対し，引用発明は「半導体素子のボンディングパッド構造」である点で，両者は一応，相違するので，この点について検討すると，上記の相違は，発明を「製造方法」として表現したか，或いは「物」として表現したかということによる，単なる表現上の相違であって，実質的な相違であるとはいえない。
　そうすると，本願発明と引用発明（引用例に記載された発明）とは，同一発明であることに帰着する。
　
（３）　審判請求人の主張について
ア　　審判請求人の主張の概要
　審判請求人は，平成１９年３月５日に提出され，同年４月４日付けで手続補正がされた審判請求書で，「引例２（審決注：本審決の「引用例」と同一文献。）で上層と下層とを連結するタングステンがお互いに連結されたスリット形態を有していても，これは層間絶縁層に形成されたスリットを埋め込む構造であるため，引例１のように層間絶縁層が島状に形成されていない部分を含み（例えば，図２のエッジ領域），やはりスリットのサイズが一定範囲以内に制限される点（段落番号［０００７］参照）で本願発明とは相違する技術である。」旨，主張している。
　また，審判請求人は，平成２２年２月１日に提出した回答書で，本願発明の主要な特徴である
「（ロ）：この下部導電膜上（940）に，当該下部導電膜に電気的に連結された連続的な導電膜（950）と，この連続的な導電膜（950）を貫通するように延びてその側壁が前記連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の島型絶縁体（945I）からなる構造を形成する段階」
について，「本願請求項１には，上記段階（ロ）に，「下部導電膜上に，前記下部導電膜に電気的に連結された連続的な導電膜と，」なる「導電膜」を設ける工程と，「この連続的な導電膜を貫通するように延びてその側壁が前記連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の島型絶縁体」なる「導電膜」に「島型絶縁体」を複数個貫通するように延ばして埋め込む工程と，の形成順序を明確に特定していることが明らかである。」旨，主張している。
　
イ　　検討
　本願の特許請求の範囲の請求項１の「前記下部導電膜上に，前記下部導電膜に電気的に連結された連続的な導電膜と，前記連続的な導電膜を貫通するように延びてその側壁が前記連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の島型絶縁体からなる構造を形成する段階」なる記載は，文言上，「下部導電膜」上に，「前記下部導電膜に電気的に連結された連続的な導電膜」と，「前記連続的な導電膜を貫通するように延びてその側壁が前記連続的な導電膜で取り囲まれた複数個の島型絶縁体」からなる構造を形成する段階であると解するのが自然であり，上記「連続的な導電膜」と上記「島型絶縁体」の形成方法及び形成順序まで特定したものとはいえない。
　また，本願の明細書をみると，上記「連続的な導電膜」と上記「島型絶縁体」からなる構造を形成する方法として，段落【００４１】及び【００４２】に，配線間絶縁膜９４５をパターニングして島型絶縁体９４５Ｉを備える一体型のトレンチを形成した後，該トレンチを充填する導電膜を形成し，該導電膜をエッチバック又は化学的機械的ポリシングで平坦化する方法（以下「第１の方法」という。）が，本願の明細書の段落【００４３】に，複数個のホールが形成された導電膜上全面に絶縁膜を形成して上記複数個のホールを埋め込んだ後，上記導電膜上に形成されている絶縁体をエッチバック又は化学的機械的ポリシングで除去する方法（以下「第２の方法」という。）がそれぞれ記載されているから，本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記の事項は，上記第１の方法及び上記第２の方法の両者を包含するものとして発明が説明されていると解するのが自然である。このように，本願の明細書の発明の詳細な説明の記載との関係からみても，本願の特許請求の範囲の請求項１の上記の記載が上記「連続的な導電膜」と上記「島型絶縁体」の形成方法及び形成順序まで特定したものであるといえないことは，明らかである。
　そうすると，審判請求人の上記主張は採用できない。
　
４　小括
　したがって，本願発明は，引用例に記載された発明である。
　
　
第４　結言
　
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第１項３号に掲げる発明に該当し，特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　
　よって，結論のとおり審決する。