【事件の表示】
　特願２００３−１２０４４５「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１８日出願公開、特開２００４−３２７７１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年４月２４日の出願であって、平成２０年１２月１９日付けで手続補正がなされ、平成２１年４月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２９日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成２２年６月２９日付けで前記平成２１年６月２９日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年８月２７日付け手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
　
「化合物半導体よりなるダブルへテロ構造を有してなり、該ダブルへテロ発光層部の活性層が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成された第一の発光層部と、
　前記第一の発光層部とは異なる化合物系の化合物半導体よりなり、前記第一の発光層部とは発光波長域の異なる第二の発光層部と、
　が積層形態にて透明導電性酸化物層を介して貼り合わされ、前記第一の発光層部と前記第二の発光層部との少なくとも一方の非貼り合わせ側の主表面を光取出面として、それら第一の発光層部及び第二の発光層部からの発光光束を前記光取出面から重畳させて取り出すようにし、
　前記第一の発光層部と前記第二の発光層部との一方の非貼り合わせ側の主表面を光取出面として、それら第一の発光層部及び第二の発光層部からの発光光束を前記光取出面から重畳させて取り出すとともに、前記第一の発光層部と前記第二の発光層部とのうち、長波長側の発光波長域を担うものほど、前記光取出面よりも遠い位置に配置されてることを特徴とする発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審における拒絶理由に引用し、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２５２３７１号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の波長領域の色光を発光する第１の半導体発光素子と、この第１の半導体発光素子に隣接配置され、第２の波長領域の色光を発光する第２の半導体発光素子とを備え、前記第１の半導体発光素子はＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成され、このＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成された発光素子に含まれる活性層は互いに異なる波長の色光を発光する複数の複合発光層により構成され、これらの複数の発光層からの発光スペクトルは、少なくとも一部で重なっており、かつ、前記各複合発光層は、ほぼ同一の波長の色光を発光する複数の発光層により構成されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】  前記複数の複合発光層は、量子井戸構造の発光層および障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】  前記各複合発光層に属する複数の発光層は、Ａｌの組成比がほぼ同一のＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成されており、異なる複合発光層に属する発光層は、Ａｌの組成比が互いに異なるＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項４】  前記各複合発光層は、前記障壁層と同じ組成で膜厚が前記障壁層より厚い区画障壁層により、相互に区画されていることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項５】  前記第１の半導体発光素子は、黄色光を発光する半導体発光素子であり、前記第２の半導体発光素子は、青色光を発光する半導体発光素子であることを特徴とする請求項４記載の半導体発光装置。
【請求項６】  前記第１の半導体発光素子は、ｎ型半導体基板上に形成されたｎ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、このクラッド層上に形成されたＩｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、このガイド層上に形成された前記複数の複合発光層からなる活性層と、この活性層上に形成されたＩｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、このガイド層上に形成されたｐ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、このクラッド層上に形成されたｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層と、この電流拡散層上に形成されたｐ−ＧａＡｓコンタクト層と、この用にして形成された積層体の下面に形成されたｎ型キャリアー電流注入用電極と、前記積層体の上面に形成されたｐ型キャリアー電流注入用電極とを備えたことを特徴とする請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】  前記第２の半導体発光素子は、ＧａＮ系材料により構成されることを特徴とする請求項６記載の半導体発光装置。」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は混色光を発光する半導体発光装置に関し、特に、白色光源用の半導体発光装置に関する。」
　
　ウ　「【０００９】・・・本発明の目的は、小型で、十分な輝度を有し、演色性に優れた白色光源用のＬＥＤを提供することにある。」
　
　エ　「【００１２】本発明のＬＥＤのより具体的な構成は、異なる色光、たとえば、互いに補色の関係にある青と黄色を発光する２個の半導体発光素子が同一のフレーム電極上に隣接して設置されている。そして、これらの内の黄色を発光する半導体発光素子の構成材料には、ＩｎＧａＡｌＰ系の材料が用いられるとともに、このＩｎＧａＡｌＰからの発光スペクトが広帯域化されたものである。
【００１３】すなわち、ＩｎＧａＡｌＰ材料はそのバンド構造が赤から緑色に対し直接遷移型を有するためこの波長範囲における高輝度ＬＥＤ材料としてすでに広く実用化されている。本発明者は、このＩｎＧａＡｌＰ系黄色ＬＥＤとＧａＮ系材料により構成される青色ＬＥＤとを組み合わせることにより、高輝度白色光源の実用化が可能であることに着目した。しかしながら他方において、ＧａＮ系青色ＬＥＤの発光スペクトルは比較的広いが、ＩｎＧａＡｌＰ系の高輝度ＬＥＤによる発光は直接遷移バンド構造からの発光であるため、発光スペクトルが狭く、混色の演色性が十分高くはできないことが判明した。」
　
　オ　「【００１７】図２は本発明の第１の実施形態である半導体発光装置の構造を示す断面図である。第１のフレーム電極１１の上端部に形成された皿状凹部１２内には、第１および第２のＬＥＤ１３、１４が隣接して設置されている。第1のＬＥＤ１３は、ＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成された黄色光を発光する黄色ＬＥＤであり、素子の下面のｎ型電極は、第１のフレーム電極１１の上端部に直接接続される。また、素子の上面のｐ型電極は、第２のフレーム電極１５の上端部にワイヤー１６によりボンディング接続されている。第２のフレーム電極１５は、第１のフレーム電極１１と平行に配置された一対のフレーム電極により構成されている。
【００１８】他方、第２のＬＥＤ１４は、ＧａＮ系材料により構成され、青色光を発光する青色ＬＥＤである。第２のＬＥＤ１４素子の上面にはｐ型電極が形成されており、この電極は、ワイヤー１７により、第２のフレーム電極１５を構成する他方のフレーム電極の上端にボンディング接続されている。また、第２のＬＥＤ１４素子のｎ型電極は、第１のフレーム電極１１の上端部にワイヤー１８によりボンディング接続されている。・・・
【００１９】図３は図２に示す第１のＬＥＤ１３の素子構造を示す断面図である。この素子は、同図（Ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３１、ｎ−ＩｎＡｌＰクラッド層３２、Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐガイド層３３、活性層３４、Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐガイド層３５、ｐ−ＩｎＡｌＰクラッド層３６、ｐ−Ｇａ０．２Ａｌ０．８Ａｓ電流拡散層３７、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３８が順次積層されている。そして、この積層体の下面にはｎ型キャリアー電流注入用電極３９が形成され、上面にはｐ型キャリアー電流注入用電極４０が形成されている。
【００２０】・・・
図３（Ａ）の活性層３４は、図３（Ｂ）の拡大図に示されるように、３個のＩｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐ区画用障壁層５１、５２、５３により分離された４個の複合発光層５４、５５、５６、５７により構成されている。これらの各複合発光層５４、５５、５６、５７は、それぞれ２０層のＩｎ０．５（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）０．５Ｐ発光層５８−１、５８−２、…、５８−２０（(図ではそれぞれ３層のみ示されている。） を含んでいる。各複合発光層に含まれる発光層５８は区画用障壁層５１、５２、５３より薄いＩｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐ障壁層５９により互いに分離されて積層されている。
【００２１】ここで、各複合発光層５４、５５、５６、５７に含まれる２０層のＩｎ０．５（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）０．５Ｐ発光層５８−１、５８−２、…、５８−２０は、ほぼ同一の組成を有し、同一の波長の色光を発光する。しかし、異なる複合発光層５４、５５、５６、５７に含まれる発光層５８−１、５８−２、…、５８−２０は、Ａｌ組成（Ｘ）が少しずつ異なり、これによって、各複合発光層５４、５５、５６、５７は、異なる波長の色光を発光する。そしてこれらの各複合発光層５４、５５、５６、５７からの発光スペクトルは、少なくとも一部で重なるように、互いに近接した波長の色光を発光するようにＡｌ組成（ｘ）が選択調整されている。」
　
　カ　「【００２７】図５にこの素子にバイアスを加えた時の発光スペクトルを示す。このように各複合発光層からの色光が重なり合い、全体として波長帯域の広いスペクトルを示していることが解る。
【００２８】図６に、白色光源を目的として、第１のＬＥＤ１３とＧａＮ系青色発光素子である第２のＬＥＤ１４とを同一のフレーム電極１１にマウントした半導体発光装置の発光スペクトルを示す。ここで、ＧａＮ系青色発光素子は、図示しないが、サファイア基板上に、ｎ−ＧａＮコンタクト・クラッド層、ＩｎＧａＮ活性層、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層およびｐ−ＧａＮコンタクト層を順次積層し、ｎ−ＧａＮコンタクト・クラッド層とｐ−ＧａＮコンタクト層に電流注入用電極を形成したものである。また、これらの第１および第２の素子の動作電流はそれぞれ２０ｍＡとした。従来例の図１と比較しても明らかなように、本発明の素子を用いた方が発光波長の帯域が広く、このことから演色性の高い白色光が得られることがわかる。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「第１の波長領域の色光を発光する第１の半導体発光素子と、この第１の半導体発光素子に隣接配置され、第２の波長領域の色光を発光する第２の半導体発光素子とを備え、前記第１の半導体発光素子はＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成され、このＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成された発光素子に含まれる活性層は互いに異なる波長の色光を発光する複数の複合発光層により構成され、これらの複数の発光層からの発光スペクトルは、少なくとも一部で重なっており、かつ、前記各複合発光層は、ほぼ同一の波長の色光を発光する複数の発光層により構成されている半導体発光装置であって、
　前記複数の複合発光層は、量子井戸構造の発光層および障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、前記各複合発光層に属する複数の発光層は、Ａｌの組成比がほぼ同一のＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成されており、異なる複合発光層に属する発光層は、Ａｌの組成比が互いに異なるＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成されており、
　前記第１の半導体発光素子は、黄色光を発光する半導体発光素子であり、前記第２の半導体発光素子は、青色光を発光する半導体発光素子であり、
　前記第１の半導体発光素子は、ｎ型半導体基板上に形成されたｎ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、このクラッド層上に形成されたＩｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、このガイド層上に形成された前記複数の複合発光層からなる活性層と、この活性層上に形成されたＩｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、このガイド層上に形成されたｐ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、このクラッド層上に形成されたｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層と、この電流拡散層上に形成されたｐ−ＧａＡｓコンタクト層と、この用にして形成された積層体の下面に形成されたｎ型キャリアー電流注入用電極と、前記積層体の上面に形成されたｐ型キャリアー電流注入用電極とを備え、
　前記第２の半導体発光素子は、ＧａＮ系材料により構成される、半導体発光装置。」
　
（２）引用刊行物２
　当審における拒絶理由に引用し、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−４５２０６号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ４種の発光ダイオードを含む照明光源であって、
前記４種の発光ダイオードは、青色を発光する青色発光ダイオードと、青緑色を発光する青緑色発光ダイオードと、橙色を発光する橙色発光ダイオードと、赤色を発光する赤色発光ダイオードとである、照明光源。」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードを備えた照明光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」と称する。）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光を示す半導体素子であり、・・・。」
　
　ウ　「【０００５】本発明は・・・、その主な目的は、高効率かつ高演色性を示すＬＥＤ照明光源を提供することにある。」
　
　エ　「【００４４】図４に示した照明光源は、４種のＬＥＤ（１１、１２、１３、１４）を含む照明光源である。具体的には、本実施形態の照明光源は、青色を発光する青色ＬＥＤ１１と、青緑色を発光する青緑色ＬＥＤ１２と、橙色を発光する橙色ＬＥＤ１３と、赤色を発光する赤色ＬＥＤ１４から構成されている。
【００４５】青色ＬＥＤ１１および青緑色ＬＥＤ１２は、例えば、ＧａＮ系（ＧａＮだけでなく、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮも含む。すなわち、一般式ＩｎｉＧａｊＡｌｋＮ、ただし、０≦ｉ、０＜ｊ、０≦ｋ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝１）のＬＥＤである。橙色ＬＥＤ１３および赤色ＬＥＤ１４は、例えば、ＡｌＩｎＧａＰ系、ＧａＡｓＰ系、または、ＧａＡｌＡｓ系のＬＥＤである。これらのＬＥＤは、市販品を用いることが可能である。
・・・
【００４７】本実施形態では、ＬＥＤ（１１〜１４）は、リードフレーム２０の一部として形成された例えば皿状（またはカップ状）の台座２１上に配置されている。ＬＥＤの下端（下部端子）は、台座２１に接触するように配置され、ＬＥＤの上端（上部端子）は、ボンディングワイヤ２２を介してリード２３に電気的に接続されている。」
　
　オ　「【０１１８】・・・
（実施形態７）図１６を参照しながら、本発明による実施形態７にかかる照明光源を説明する。本実施形態では、青色ＬＥＤ１１の発光部位と、橙色ＬＥＤ１３の発光部位とが、一つのチップ内に設けられており、かつ、赤色ＬＥＤ１４の発光部位と、青緑色ＬＥＤ１２の発光部位とが、一つのチップ内に設けられている。・・・
【０１１９】本実施形態の照明光源では、青色ＬＥＤ１１の発光層と、橙色ＬＥＤ１３の発光層を一つのＬＥＤベアチップとして一体構成し、青緑色ＬＥＤ１２の発光層と、赤色ＬＥＤ１４の発光層を一つのＬＥＤチップとして一体構成している。このような構成の場合、通常４つの色のベアチップを並べる必要があったものが、２つのベアチップで済むことになる。一つのベアチップ内の両ＬＥＤは互いに補色関係にあり、かつ、両者の発光位置が一つのＬＥＤベアチップ状で限りなく同一に近づくため、より混色に有利である。さらに、両者がより熱的に接合されているため両発光層間の温度が均一化され、両者を熱的に同一とみなせることができ、その結果、光出力に対する熱の影響のフィードバックコントロールが行いやすくなるという利点も得られる。
【０１２０】また、青色発光と橙色発光とは、ＧａＮ系発光材料とＡｌＩｎＧａＰ系発光材料との組み合わせであり、青緑色発光と赤色発光もＧａＮ系発光材料とＡｌＩｎＧａＰ系発光材料との組み合わせで形成できるため、一つに接合されたベアチップ各々の発光材料の組み合わせを同一にすることが可能となる。そのため、材料の組み合わせを同一にできることから、熱の影響のフィードバックコントロールがより行いやすくなっている。
【０１２１】最初に、図１７（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、２つの発光層を有するＬＥＤベアチップを作製するプロセスを説明する。
【０１２２】まず、図１７（ａ）に示すように、ＬＥＤ成膜用の基板１１６上に、少なくともＰ型半導体層とＮ型半導体層と活性層とを含む第１のＬＥＤ発光層１１１を形成する。
【０１２３】次に、図１７（ｂ）に示すように、基板１１６を剥離して、第１のＬＥＤ発光層１１１を得る。基板１１６の剥離は、基板１１６およびＬＥＤ発光層の種類によって適宜選択すればよく、例えば、基板１１６の研磨、メカニカルな剥離、エッチングによる基板１１６の除去、熱ストレスによる剥離、レーザーやマイクロウェーブを利用した剥離などの手法が採用され得る。
【０１２４】次に、図１７（ｃ）に示すように、他のＬＥＤ発光層１１３が形成されている基板１１６’に、第１のＬＥＤ発光層１１１を張り付けると、２つの発光色を発するＬＥＤベアチップが得られる。このように、第１のＬＥＤの発光層および他のＬＥＤの各々またはいずれかを剥離した後、張り合わせて、一つのＬＥＤベアチップにする。この例では、異種発光層の張り合わせを主体に説明しているが、勿論、同種材料同士の張り合わせも可能である。張り合わせにおいては、高真空を用いて行われる真空接合、接着剤を用いた接合（接着）、加圧を用いて行われる接合、加熱を用いて行われる接合などの手法の採用することができる。加えて、これらの手法を組み合わせて採用することも可能である。
【０１２５】以下、図１８から図２１を参照しながら、張り合わせの組み合わせパターンを例示する。この張り合わせのバリエーションは多数存在するが、以下では、主なパターンを示す。なお、便宜上、青色ＬＥＤ１１、青緑色ＬＥＤ１２、橙色ＬＥＤ１３および赤色ＬＥＤ１４の発光層を、それぞれ、発光層１１１、１１２、１１３および１１４とする。これらのＬＥＤ発光層の周囲に、上記実施形態３で示した蛍光体１５を形成してもよい。
・・・
【０１３７】図２１（ａ）は、各色のＬＥＤ発光層（１１１〜１１４）を、１つの導電性基板１１６に形成した構造を示している。この構造の場合、基板１１６の下側に共通した一つの電極を設け、かつ、各ＬＥＤ発光層の上面に１つずつ電極を設けたものと、各ＬＥＤ発光層の上面に２つずつ電極を設けたものとを混在させている。
【０１３８】図２１（ｂ）は、ＬＥＤ発光層をそのまま並置した構造を示している。この構造の場合、基板１１６が不要となるとともに、図１４（ｃ）に示した張り合わせプロセスを行わなくてもよい。
【０１３９】図２１（ｃ）は、両面電極のＬＥＤ発光層を２つそのまま積層した構造を示している。この構造の場合でも、基板１１６は不要となる。また、このコンセプトの場合、片面電極および両面電極のＬＥＤ発光層を積層するバリエーションや、４つのＬＥＤ発光層を積層するバリエーションもあり得る。
【０１４０】図２０および図２１に示した構造も、多数の考えられる組み合わせの一例であり、各発光色のＬＥＤ発光層の組み替えのバリエーションはもとより、図２０（ａ）、図２１（ａ）および（ｂ）に示した構造の上下関係の反転パターンもある。
【０１４１】なお、本実施形態で用いたＬＥＤとして、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflecor）の構成を有するレーザダイオードや、Resonant Cavity発光ダイオードまたはNon-Resonant Cavity発光ダイオードを採用することが可能であり、さらには、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）の構成を有するレーザダイオードを採用することも可能である。」
　
　カ　「【０１４２】
【発明の効果】本発明によると、青色を発光する青色発光ダイオードと、青緑色を発光する青緑色発光ダイオードと、橙色を発光する橙色発光ダイオードと、赤色を発光する赤色発光ダイオードとの４種の発光ダイオードを含むので、最小構成要素の色数のＬＥＤで、高効率かつ高演色性を示すＬＥＤ照明光源を提供することができる。」
　
　キ　上記オ（特に【０１３８】及び【０１３９】）を踏まえて図２１（ｂ）及び（ｃ）を見ると、引用刊行物２には、「照明光源」を、図２１（ｂ）のように各色のＬＥＤ発光層（１１１〜１１４）をそのまま並置した構造としても、あるいは、図２１（ｃ）のように両面電極のＬＥＤ発光層を２つそのまま積層した構造としても良いことが示されており、さらに、上記オの「片面電極および両面電極のＬＥＤ発光層を積層する」（【０１３９】）に照らせば、後者（図２１（ｃ））の構造の場合、片面電極および両面電極のＬＥＤ発光層を積層するバリエーションもあり得ることが記載されている、といえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「４種の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む照明光源であって、
　前記４種の発光ダイオードは、青色を発光する青色発光ダイオードと、青緑色を発光する青緑色発光ダイオードと、橙色を発光する橙色発光ダイオードと、赤色を発光する赤色発光ダイオードとであり、
　各色のＬＥＤ発光層をそのまま並置した構造としても、あるいは、両面電極のＬＥＤ発光層を２つそのまま積層した構造としても良く、さらに、後者の構造の場合、片面電極および両面電極のＬＥＤ発光層を積層するバリエーションもあり得る、照明光源。」
　
（３）引用刊行物３
　当審における拒絶理由に引用し、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−４３６２６号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　「【００２４】一般に、半導体のエネルギバンドギャップに相当する波長より、波長が短いとその光は半導体に吸収され、逆に波長が長いとその光は吸収されずに透過することが知られている。
【００２５】長波長ＬＥＤチップ１０と短波長ＬＥＤチップ２０は縦積み構造になっているが、短波長ＬＥＤチップ２０は長波長の光に対しては透明となり、長波長ＬＥＤチップ１０で発光された長波長の光は短波長ＬＥＤチップ２０を透過して上方に取り出される。
【００２６】このようなことから、長波長の光と短波長の光は物理的に重なって発光するために、両方の光例えば赤と緑の混色は効率良く行われることになる。
・・・
【００２９】以上のように、第１の実施形態によれば、長波長ＬＥＤチップ１０の上面に短波長ＬＥＤチップ２０を搭載したので、混色を効率良く行うことができ、更に従来使用されていた散乱材を一切不用としたため、発光強度の低下を大幅に改良することができる。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
　引用発明１の「半導体発光装置」は、「第１の波長領域の色光を発光する第１の半導体発光素子と、・・・第２の波長領域の色光を発光する第２の半導体発光素子とを備え、前記第１の半導体発光素子はＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成され、このＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成された発光素子に含まれる活性層は互いに異なる波長の色光を発光する複数の複合発光層により構成され、・・・前記第１の半導体発光素子は、黄色光を発光する半導体発光素子であり、前記第２の半導体発光素子は、青色光を発光する半導体発光素子であり、前記第１の半導体発光素子は、・・・ｎ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、このクラッド層上に形成されたＩｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、このガイド層上に形成された前記複数の複合発光層からなる活性層と、この活性層上に形成されたＩｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、このガイド層上に形成されたｐ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、・・・を備え、前記第２の半導体発光素子は、ＧａＮ系材料により構成される」ものであるから、
　ア　引用発明１の「（ＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成され、ｎ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、Ｉｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、互いに異なる波長の色光を発光する複数の複合発光層により構成された活性層と、Ｉｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、ｐ−ＩｎＡｌＰクラッド層とを備え、黄色光を発光する）第１の半導体発光素子」、「（ＧａＮ系材料により構成され、青色光を発光する）第２の半導体発光素子」及び「半導体発光装置」は、それぞれ、本願発明の「（化合物半導体よりなるダブルへテロ構造を有してなり、該ダブルへテロ発光層部の活性層が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成された）第一の発光層部」、「（前記第一の発光層部とは異なる化合物系の化合物半導体よりなり、前記第一の発光層部とは発光波長域の異なる）第二の発光層部」及び「発光素子」に相当する。また、
　イ　引用発明１の「第１の波長領域の色光を発光する第１の半導体発光素子と、・・・第２の波長領域の色光を発光する第２の半導体発光素子とを備え、前記第１の半導体発光素子はＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成され、このＩｎＧａＡｌＰ系材料により構成された発光素子に含まれる活性層は互いに異なる波長の色光を発光する複数の複合発光層により構成され、・・・前記第１の半導体発光素子は、ｎ型半導体基板上に形成されたｎ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、このクラッド層上に形成されたＩｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、このガイド層上に形成された前記複数の複合発光層からなる活性層と、この活性層上に形成されたＩｎ（ＧａＡｌ）Ｐガイド層と、このガイド層上に形成されたｐ−ＩｎＡｌＰクラッド層と、・・・を備え、前記第２の半導体発光素子は、ＧａＮ系材料により構成され」との事項は、本願発明の「化合物半導体よりなるダブルへテロ構造を有してなり、該ダブルへテロ発光層部の活性層が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成された第一の発光層部と、前記第一の発光層部とは異なる化合物系の化合物半導体よりなり、前記第一の発光層部とは発光波長域の異なる第二の発光層部と、が積層形態にて透明導電性酸化物層を介して貼り合わされ」との事項と、「化合物半導体よりなるダブルへテロ構造を有してなり、該ダブルへテロ発光層部の活性層が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成された第一の発光層部と、前記第一の発光層部とは異なる化合物系の化合物半導体よりなり、前記第一の発光層部とは発光波長域の異なる第二の発光層部と、を備える」点で一致する。
　
　したがって、両者は、　  
「化合物半導体よりなるダブルへテロ構造を有してなり、該ダブルへテロ発光層部の活性層が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成された第一の発光層部と、
　前記第一の発光層部とは異なる化合物系の化合物半導体よりなり、前記第一の発光層部とは発光波長域の異なる第二の発光層部と、
を備える発光素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　本願発明は、第一の発光層部と第二の発光層部とが積層形態にて透明導電性酸化物層を介して貼り合わされ、前記第一の発光層部と前記第二の発光層部との少なくとも一方の非貼り合わせ側の主表面を光取出面として、それら第一の発光層部及び第二の発光層部からの発光光束を前記光取出面から重畳させて取り出すようにし、前記第一の発光層部と前記第二の発光層部との一方の非貼り合わせ側の主表面を光取出面として、それら第一の発光層部及び第二の発光層部からの発光光束を前記光取出面から重畳させて取り出すとともに、前記第一の発光層部と前記第二の発光層部とのうち、長波長側の発光波長域を担うものほど、前記光取出面よりも遠い位置に配置されてるのに対し、引用発明１は、第一の発光層部と第二の発光層部とが隣接配置されており、積層形態にて透明導電性酸化物層を介して貼り合わされてはおらず、第一の発光層部と第二の発光層部との少なくとも一方の非貼り合わせ側の主表面を光取出面として、それら第一の発光層部及び第二の発光層部からの発光光束を前記光取出面から重畳させて取り出すようにはしていない点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
　引用刊行物２には、上記２（２）のとおりの引用発明２が記載され、発光色の異なる複数のＬＥＤ発光層を、そのまま並置した構造としても、あるいは、片面電極および両面電極のＬＥＤ発光層を２つ積層した構造としても良いことが示され、また、上記２（３）によれば、引用刊行物３には、縦積み構造のＬＥＤチップにおいて、混色を効率良く行うために長波長ＬＥＤチップの上面に短波長ＬＥＤチップを搭載すべきことが示されているから、引用発明１の「半導体発光装置」において、「第１の半導体発光素子」及び「第２の半導体発光素子」を隣接配置する代わりに、黄色光を発光する「第１の半導体発光素子」の上面により短波長の青色光を発光する「第２の半導体発光素子」を積層し、「第１の半導体発光素子」と「第２の半導体発光素子」の間にそのどちらかに設けられた両面電極のうちの一方の電極を挟み込んで前記「第２の半導体発光素子」の上面を光取出面となすことは当業者が容易になし得ることである。そして、その際、前記一方の電極を、「第１の半導体発光素子」からの黄色光を透過する透明なものとすることは当業者が必要に応じて適宜になし得ることであり、また、複数の半導体発光素子をＩＴＯ等の透明電極を介して積層することが本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−３０５３２７号公報（【００３０】、図３）及び特開昭６２−２３００６７号公報（第４頁右下欄第１２行〜第５頁左上欄第９行、第９図）に記載されていたことに照らせば、「第１の半導体発光素子」と「第２の半導体発光素子」の間に挟み込まれた前記一方の電極をＩＴＯ等の透明導電性酸化物層となし、両者を該透明導電性酸化物層を介して貼り合わせるようになすことに格別の困難はないものと認められる。
　
　そして、本願明細書の記載をみても、本願発明において、第一の発光層部と第二の発光層部とを透明導電性酸化物層を介して貼り合わせた点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められず、本願発明の奏する効果が、引用発明１、２及び引用刊行物３の記載事項から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び引用刊行物３の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び引用刊行物３の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。