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　特願２０００−５６６８９３「電界効果トランジスタ、集積回路、電界効果トランジスタのゲートを形成する方法、及び集積回路を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月　２日国際公開、ＷＯ００／１１７２２、平成１４年１２月２４日国内公表、特表２００２−５４４６５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年８月１７日（パリ優先権主張：平成１０年８月２１日、アメリカ合衆国）に出願された特許出願であって、平成１５年１２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年３月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年４月２１日付けで審尋がなされ、同年８月１０日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１６年３月４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年３月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を以下のとおりに補正するものである。
　「【請求項１】　電界効果トランジスタであって、該トランジスタは、
　間にチャネル領域を有する一対のソース／ドレイン領域と、
　前記チャネル領域の近傍に動作上配置されるゲートであって、該ゲートは、半導体材料を電気的に導電性にするのに有効なｐタイプ又はｎタイプの少なくとも一方の導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と、その上の、シリサイド層と、ｐタイプ又はｎタイプの導電性増強不純物の拡散を制限するための導電性拡散バリア層とからなり、前記導電性拡散バリア層がＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなるゲートと、
　を有し、前記ゲートと電気的に接続されるコンタクトプラグは、前記半導体材料とは異なるドーパントタイプであることを特徴とする電界効果トランジスタ。
　　【請求項２】　請求項１記載のトランジスタであって、前記導電性拡散バリア層はＷｘＮｙとＴｉＷｘＮｙからなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
　　【請求項３】　請求項１記載のトランジスタであって、前記導電性拡散バリア層はＴｉＯｘＮｙとＴｉＷｘＮｙからなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
　　【請求項４】　請求項１記載のトランジスタであって、前記導電性拡散バリア層は前記シリサイド層の上に形成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。
　　【請求項５】　請求項１記載のトランジスタであって、前記シリサイド層は前記導電性拡散バリア層の上に形成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。
　　【請求項６】　請求項１記載の方法であって、前記導電性拡散バリア層はＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙからなることを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項７】　集積回路であって、該集積回路は、
　ゲート、ゲート絶縁層、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を有する電界効果トランジスタであって、前記ゲートが第１タイプの導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と、その上の、前記第１又は第２タイプの導電性増強不純物の拡散を制限するのに有効で、ＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる導電性拡散バリア層とからなる電界効果トランジスタと、
　前記ゲートと該ゲートまでその中を通って延在するコンタクト構造体に近接して支持される絶縁材料であって、前記コンタクト構造体は、その中に前記ゲートと電気的に接続されると共に第２タイプの導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料を有し、前記ゲートの前記導電性拡散バリア層が前記ゲートの半導体材料と前記絶縁材料を通して設けられた半導体材料との間に設けられるようになった、絶縁材料と、
　を具備することを特徴とする集積回路。
　　【請求項８】　請求項７記載の集積回路であって、前記第１タイプはｎであり、前記第２タイプはｐであることを特徴とする集積回路。
　　【請求項９】　請求項７記載の集積回路であって、前記第１タイプはｐであり、前記第２タイプはｎであることを特徴とする集積回路。
　　【請求項１０】　請求項７記載の集積回路であって、前記ゲートは更に導電性シリサイドを有することを特徴とする集積回路。
　　【請求項１１】　請求項１０記載の集積回路であって、前記シリサイドと前記導電性拡散バリア層は、共通の金属を有することを特徴とする集積回路。
　　【請求項１２】　請求項７記載の集積回路であって、前記絶縁材料の中の前記半導体材料は前記ゲートの前記導電性拡散バリア層に接触していることを特徴とする集積回路。
　　【請求項１３】　請求項７記載の集積回路であって、前記絶縁材料の中の前記半導体材料は前記ゲートの前記導電性拡散バリア層に接触していないことを特徴とする集積回路。
　　【請求項１４】　請求項７記載の集積回路であって、前記ゲートは更に導電性シリサイドを有し、前記絶縁材料の中の前記半導体材料は前記シリサイドに接触していることを特徴とする集積回路。
　　【請求項１５】　請求項７記載の集積回路であって、前記導電性拡散バリア層は前記ゲート半導体材料の上に支持され、また、前記絶縁材料の中の前記半導体材料はゲートの上に支持されることを特徴とする集積回路。
　　【請求項１６】　請求項７記載の集積回路であって、前記絶縁材料は、その中に半導体材料が設けられる開口を有し、該開口は導電性拡散バリア層の材料が実質的に無いことを特徴とする集積回路。
　　【請求項１７】　請求項７記載の方法であって、前記導電性拡散バリア層はＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙからなることを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項１８】　電界効果トランジスタのゲートを形成する方法であって、該方法は、
　半導体材料を電気的に導電性とするのに有効な少なくともｐタイプ又はｎタイプのうちの一方の導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料の層を基板上に形成する過程と、
　前記半導体材料の層上に導電性のシリサイドの層を形成する過程と、
　ｐタイプ又はｎタイプの導電性増強不純物の拡散に対する導電性拡散バリア層を前記半導体材料の層上に形成する過程であって、前記導電性拡散バリア層はＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる過程と、
　前記半導体材料、導電性シリサイド及び導電性拡散バリア層からなるトランジスタゲートを形成するために、前記半導体材料層、シリサイド層及び導電性拡散バリア層のそれぞれの一部分を除去する過程と、
　からなり、前記ゲートと電気的に接続されるコンタクトプラグは、前記半導体材料とは異なるドーパントタイプであることを特徴とするゲートの形成方法。
　　【請求項１９】　請求項１８記載の方法であって、前記導電性拡散バリア層はＷｘＮｙとＴｉＷｘＮｙであることを特徴とするゲートの形成方法。
　　【請求項２０】　請求項１８記載の方法であって、前記導電性拡散バリア層はＴｉＯｘＮｙとＴｉＷｘＮｙであることを特徴とするゲートの形成方法。
　　【請求項２１】　請求項１８記載の方法であって、前記導電性拡散バリア層はＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙからなることを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項２２】　集積回路を形成する方法であって、該方法は、
　第１タイプの導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と、その上の、第１又は第２タイプの導電性増強不純物の拡散を制限し、ＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる導電性拡散バリア層とを有する、電界効果トランジスタのゲートを基板上に形成する過程と、
　前記基板上に絶縁層を形成する過程と、
　前記絶縁層に開口を形成する過程と、
　第２タイプの導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料を前記開口内に形成する過程と、
　前記開口内に前記ゲートと電気的に接続する前記ドープされた半導体材料を、前記ゲートの前記導電性拡散バリア層が前記ゲートの前記半導体材料と前記開口内の前記半導体材料との間で支持されるように提供する過程と、
　を有することを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項２３】　請求項２２記載の方法であって、前記第１タイプがｎで、前記第２タイプがｐであることを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項２４】　請求項２２記載の方法であって、前記第１タイプがｐで、前記第２タイプがｎであることを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項２５】　請求項２２記載の方法であって、該方法は、前記ゲートが更に導電性シリサイドを有するように形成する過程を有することを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項２６】　請求項２５記載の方法であって、前記シリサイド及び前記導電性拡散バリア層は、共通の金属を有することを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項２７】　請求項２２記載の方法であって、該方法は、前記ゲートの導電性拡散バリア層に接触する半導体材料を前記開口内に形成する過程を有することを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項２８】　請求項２２記載の方法であって、前記開口内に形成される半導体材料は前記ゲートの前記導電性拡散バリア層に接触しないことを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項２９】　請求項２２記載の方法であって、該方法は、前記ゲートが更に導電性シリサイドを有するように形成する過程を有し、前記開口内の前記半導体材料が前記シリサイドに接触することを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項３０】　請求項２２記載の方法であって、前記開口は、導電性拡散バリア層の材料を全く有さない導電性材料で充填されることを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項３１】　請求項２２記載の方法であって、前記導電性拡散バリア層は前記シリサイド層の上に形成されることを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項３２】　請求項２２記載の方法であって、前記シリサイド層は前記導電性拡散バリア層の上に形成されることを特徴とする集積回路の形成方法。
　　【請求項３３】　請求項２２記載の方法であって、前記導電性拡散バリア層はＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙからなることを特徴とする集積回路の形成方法。」
　
（２）本件補正の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりである。
　
［補正事項１］
　補正前の請求項１６ないし請求項１９、及び請求項３２ないし請求項３６を削除する。
　
［補正事項２］
　［補正事項２−１］
　補正前の請求項７ないし請求項１５の請求項番号を、それぞれ８ないし１６に変更し、補正前の請求項７ないし請求項９及び請求項１１ないし請求項１５の「請求項６記載の集積回路であって、」を、それぞれ「請求項７記載の集積回路であって、」と補正するととともに、補正前の請求項１０の「請求項９記載の集積回路であって、」を「請求項１０記載の集積回路であって、」と補正する。
　［補正事項２−２］
　補正前の請求項２１及び請求項２２の請求項番号を、それぞれ１９及び２０に変更するとともに、補正前の請求項２１及び請求項２２の「請求項２０記載の方法であって、」を、それぞれ「請求項１８記載の方法であって、」と補正する。
　［補正事項２−３］
　補正前の請求項２４ないし請求項３１、請求項３７及び請求項３８の請求項番号を、それぞれ２３ないし３２に変更し、補正前の請求項２４ないし請求項２６、請求項２８ないし請求項３１、請求項３７及び請求項３８の「請求項２３記載の方法であって、」を、それぞれ「請求項２２記載の方法であって、」と補正するととともに、補正前の請求項２７の「請求項２６記載の方法であって、」を「請求項２５記載の方法であって、」と補正する。
　
［補正事項３］（補正前の請求項１に対する補正事項）
　［補正事項３−１］
　補正前の請求項１の「半導体材料を電気的に導電性にするのに有効なｐタイプ又はｎタイプの少なくとも一方の導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と、」の直後に「その上の、」を追加する。
　［補正事項３−２］
　補正前の請求項１の「前記導電性拡散バリア層がＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなるゲートと、を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。」を「前記導電性拡散バリア層がＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなるゲートと、を有し、前記ゲートと電気的に接続されるコンタクトプラグは、前記半導体材料とは異なるドーパントタイプであることを特徴とする電界効果トランジスタ。」と補正する。
　
［補正事項４］
　補正後の請求項１を引用する請求項６を追加する。
　
［補正事項５］（補正前の請求項６に対する補正事項）
　［補正事項５−１］
　補正前の請求項６の請求項番号を７とする。
　［補正事項５−２］
　補正前の請求項６の「前記ゲートが第１タイプの導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と、」の直後に「その上の、」を追加する。
　［補正事項５−３］
　補正前の請求項６の「金属又は金属化合物のうちの少なくとも一つからなる導電性拡散バリア層」を「ＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる導電性拡散バリア層」と補正する。
　
［補正事項６］
　補正後の請求項７を引用する請求項１７を追加する。
　
［補正事項７］（補正前の請求項２０に対する補正事項）
　［補正事項７−１］
　補正前の請求項２０の請求項番号を１８とする。
　［補正事項７−２］
　補正前の請求項２０の「前記基板上に導電性のシリサイドの層を形成する過程と、　ｐタイプ又はｎタイプの導電性増強不純物の拡散に対する導電性拡散バリア層を基板上に形成する過程であって、」を「前記半導体材料の層上に導電性のシリサイドの層を形成する過程と、　ｐタイプ又はｎタイプの導電性増強不純物の拡散に対する導電性拡散バリア層を前記半導体材料の層上に形成する過程であって、」と補正する。
　［補正事項７−３］
　補正前の請求項２０の「からなることを特徴とするゲートの形成方法。」を「からなり、前記ゲートと電気的に接続されるコンタクトプラグは、前記半導体材料とは異なるドーパントタイプであることを特徴とするゲートの形成方法。」と補正する。
　
［補正事項８］
　補正後の請求項１８を引用する請求項２１を追加する。
　
［補正事項９］（補正前の請求項２３に対する補正事項）
　［補正事項９−１］
　補正前の請求項２３の請求項番号を２２とする。
　［補正事項９−２］
　補正前の請求項２３の「第１タイプの導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と、」の直後に「その上の、」を追加する。
　［補正事項９−３］
　補正前の請求項２３の「金属及び金属化合物のうちの少なくとも一つからなる導電性拡散バリア層」を「ＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる導電性拡散バリア層」と補正する。
　
［補正事項１０］
　補正後の請求項２２を引用する請求項３３を追加する。
　
（３）補正の目的の適否及び新規事項追加の有無についての検討
　
［補正事項１について］
　補正事項１についての補正は、請求項の削除を目的とするものである。
　
［補正事項２について］
　［補正事項２−１について］
　補正事項２−１についての補正は、請求項６の追加に伴って、請求項の請求項番号を変更するとともに、引用形式で記載された請求項の引用される請求項番号を変更する補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　［補正事項２−２について］
　補正事項２−２についての補正は、補正前の請求項１６ないし請求項１９の削除、並びに請求項６及び請求項１７の追加に伴って、請求項の請求項番号を変更するとともに、引用形式で記載された請求項の引用される請求項番号を変更する補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　［補正事項２−３について］
　補正事項２−３についての補正は、補正前の請求項１６ないし請求項１９及び請求項３２ないし請求項３６の削除、並びに請求項６、請求項１７及び請求項２１の追加に伴って、請求項の請求項番号を変更するとともに、引用形式で記載された請求項の引用される請求項番号を変更する補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
［補正事項３について］
　［補正事項３−１について］
　補正事項３−１についての補正は、補正前の請求項１における「シリサイド層」及び「導電性拡散バリア層」が「半導体材料」よりも上に設けられていることを限定して「ゲート」の積層順序を明確化するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「本願当初明細書等」という。）には、図４及び図５とともに、「最初に図１−図４を参照しながら好適実施例を説明する。」（０００５段落）、「本実施例では、導電性拡散バリア層２０は、シリサイド層１８及びドープされた半導体材料層１６の両方の層の上に設けられ、そしてシリサイド層１８と接触する。さらに、導電性拡散バリア層２０は、半導体材料層１６には接触していない。」（０００６段落）、及び「図５は、図４の実施例に代わる実施例を示すものである。・・・ここでは、導電性拡散バリア層２０ａは、半導体材料層１６の真上にこれと接触して設けられ、そして、シリサイド層１８ａはバリア層２０ａの真上に設けられる。」（００１１段落）と記載されているから、補正事項３−１についての補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　［補正事項３−２について］
　補正事項３−２についての補正により追加された「コンタクトプラグ」は、補正前の請求項１に係る発明を特定するための事項のいずれの下位概念化にも該当しないから、補正事項３−２についての補正は、発明を特定するための事項を新たに付加する補正であって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
［補正事項４について］
　補正後の請求項１を引用する補正後の請求項６は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項２ないし請求項５のいずれにも対応しないから、補正事項４についての補正は、新たな請求項を追加する補正であって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
［補正事項６について］
　補正後の請求項７を引用する補正後の請求項１７は、末尾の記載が「集積回路の形成方法。」であり、補正後の請求項７に対応する補正前の請求項６を引用する補正前の請求項７ないし請求項１９のいずれにも対応しないから、補正事項６についての補正は、新たな請求項を追加する補正であって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
［補正事項７について］
　［補正事項７−１について］
　補正事項７−１についての補正は、補正前の請求項１６ないし請求項１９の削除、並びに請求項６及び請求項１７の追加に伴って、補正前の請求項２０の請求項番号を１８に繰り上げる補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　［補正事項７−２について］
　補正事項７−２についての補正は、補正前の請求項２０における「シリサイドの層」及び「導電性拡散バリア層」が「半導体材料の層」よりも上に形成することを限定して「電界効果トランジスタのゲート」の積層順序を明確化するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、本願当初明細書等には、図４及び図５とともに、「最初に図１−図４を参照しながら好適実施例を説明する。」（０００５段落）、「本実施例では、導電性拡散バリア層２０は、シリサイド層１８及びドープされた半導体材料層１６の両方の層の上に設けられ、そしてシリサイド層１８と接触する。さらに、導電性拡散バリア層２０は、半導体材料層１６には接触していない。」（０００６段落）、及び「図５は、図４の実施例に代わる実施例を示すものである。・・・ここでは、導電性拡散バリア層２０ａは、半導体材料層１６の真上にこれと接触して設けられ、そして、シリサイド層１８ａはバリア層２０ａの真上に設けられる。」（００１１段落）と記載されているから、補正事項７−２についての補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　［補正事項７−３について］
　補正事項７−３についての補正により追加された「コンタクトプラグ」は、補正前の請求項２０に係る発明を特定するための事項のいずれの下位概念化にも該当しないから、補正事項７−３についての補正は、発明を特定するための事項を新たに付加する補正であって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
［補正事項８について］
　補正後の請求項１８を引用する補正後の請求項２１は、補正後の請求項１８に対応する補正前の請求項２０を引用する補正前の請求項２１及び請求項２２のいずれにも対応しないから、補正事項８についての補正は、新たな請求項を追加する補正であって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、補正前の請求項１に対する補正事項３、補正事項４、補正事項６、補正前の請求項２０に対する補正事項７、及び補正事項８についての補正は、いずれも特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げるいずれを目的とするものでもない。
　したがって、補正事項５、補正事項９及び補正事項１０についての補正の適否を検討するまでもなく、適法ではない補正事項３、補正事項４、補正事項６、補正事項７、及び補正事項８についての補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年３月４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし請求項３８に係る発明は、平成１５年１２月２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３８に記載されたとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
　「電界効果トランジスタであって、該トランジスタは、
　間にチャネル領域を有する一対のソース／ドレイン領域と、
　前記チャネル領域の近傍に動作上配置されるゲートであって、該ゲートは、半導体材料を電気的に導電性にするのに有効なｐタイプ又はｎタイプの少なくとも一方の導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と、シリサイド層と、ｐタイプ又はｎタイプの導電性増強不純物の拡散を制限するための導電性拡散バリア層とからなり、前記導電性拡散バリア層がＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなるゲートと、
　を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。」
　
４．刊行物記載の発明
　
（１）特開平１０−１３５４６０号公報（以下、「刊行物１」という。）
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１には、図１４とともに、以下の事項が記載されている。
　「逆ドープ井戸が中に形成されたドープ半導体基板を備えるＭＯＳＦＥＴデバイスであって、１対の分離領域が前記井戸中に形成され、ゲート酸化物層が前記井戸の上に形成され、ＦＥＴデバイスが前記ゲート酸化物層の上に形成されたゲート電極によって画定され、ソース領域およびドレイン領域が前記ゲート電極に自己整合しかつ前記井戸中に形成され、前記ゲート酸化物層上に形成された前記ゲート電極が前記ソース領域およびドレイン領域に整合し、
前記ゲート電極が、
前記ゲート酸化物層上に形成されたドープ・ポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層上に形成された窒化タングステン・ドーパント障壁層と、
前記ドーパント障壁層上に形成されたケイ化タングステン層とのスタックを含むことを特徴とするＭＯＳＦＥＴデバイス。」（特許請求の範囲の請求項１）
　「本発明の目的は、ポスト・ゲート導体（ＧＣ）熱サイクル中にドーパント原子がポリシリコン層からＷＳｉｘ層中に移動するのを防ぐことである。」（００１１段落）
　「本発明では、窒化タングステンを障壁として使用する」（００１２段落）
　「本発明によるＧＣスタックを、Ｓｉ／ゲート酸化物／Ｎ＋ポリシリコン／ＷyＮ／ＷＳｉｘ／キャップ絶縁体のようなＮ＋ポリシリコン・ゲートについて例示する。」（００１６段落）
　「Ｎ＋ドープ・ポリシリコン層２０の場合、層２０は、従来のｉｎｓｉｔｕ・ドープ・プロセスによってドープするか、または付着後にイオン注入によってドープする。双対関数ＣＭＯＳでは、Ｎ＋ポリシリコンは、一般にヒ素またはリンでドープし、Ｐ＋ポリシリコンは、一般にホウ素でドープする。」（００３３段落）
　「１０　ＭＯＳＦＥＴデバイス
１１　Ｐ−ドープ・シリコン基板
・・・
１４　トレンチ分離（ＳＴＩ）酸化物膜
１４'　トレンチ分離（ＳＴＩ）酸化物膜
・・・
１７　Ｎ−井戸
１８　二酸化ケイ素ゲート酸化物
２０　ドープ・ポリシリコン層
２２　窒化タングステン（ＷyＮ）層
２４　ケイ化タングステン（ＷＳｉｘ）層
・・・
２７　スタック
・・・
３６　ＰＭＯＳソース／ドレイン領域
３６'　ＰＭＯＳソース／ドレイン領域」（符号の説明）
　
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
　「逆ドープ井戸（１７）が中に形成されたドープ半導体基板（１１）を備えるＭＯＳＦＥＴデバイス（１０）であって、１対の分離領域（１４，１４’）が前記井戸（１７）中に形成され、ゲート酸化物層（１８）が前記井戸（１７）の上に形成され、ＭＯＳＦＥＴデバイス（１０）が前記ゲート酸化物層（１８）の上に形成されたゲート電極によって画定され、ソース領域およびドレイン領域（３６，３６’）が前記ゲート電極に自己整合しかつ前記井戸（１７）中に形成され、前記ゲート酸化物層（１８）上に形成された前記ゲート電極が前記ソース領域およびドレイン領域（３６，３６’）に整合し、
前記ゲート電極が、
前記ゲート酸化物層（１８）上に形成されたドープ・ポリシリコン層（２０）と、
前記ドープ・ポリシリコン層（２０）上に形成された窒化タングステン・ドーパント障壁層（２２）と、
前記ドーパント障壁層（２２）上に形成されたケイ化タングステン層（２４）とのスタック（２７）を含むことを特徴とするＭＯＳＦＥＴデバイス（１０）。」
　
（２）特開昭６３−２０５９５１号公報（以下、「刊行物２という。」）
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である刊行物２には、以下の事項が記載されている。
　「バリヤ層・・・は、導電性材料を含み、その導電性材料は、一般にシリコンをドープする際に使用される典型的なドーパント種（硼素およびリン）に対する拡散バリヤである。・・・
　適当なバリヤ材料の例は、・・・特定的には・・・窒化チタンタングステン、窒化タングステン・・・を含む。」（第９頁左下欄第１２行ないし同頁右下欄第３行）
　
５．対比・判断
　本願発明１と刊行物発明とを対比する。
　刊行物発明の「ＭＯＳＦＥＴデバイス（１０）」、「ソース領域およびドレイン領域（３６，３６’）」及び「ケイ化タングステン層（２４）」は、それぞれ本願発明１の「電界効果トランジスタ」、「ソース／ドレイン領域」及び「シリサイド層」に相当する。
　刊行物発明の「逆ドープ井戸（１７）」のうち「ソース領域およびドレイン領域（３６，３６’）」の間にある領域が、本願発明１の「チャネル領域」に相当することは、技術的に明らかである。
　刊行物１発明では、「ゲート酸化物層（１８）が前記井戸（１７）の上に形成され、」「前記ゲート酸化物層（１８）の上に形成されたゲート電極」と、「ゲート電極」が「逆ドープ井戸（１７）」上に「ゲート酸化物層（１８）」を介して形成されており、また、「ＭＯＳＦＥＴデバイス（１０）」の動作上必要があって配置されていることは技術的に明らかであるから、刊行物発明の「ゲート電極」は、本願発明１の「チャネル領域の近傍に動作上配置されるゲート」に相当する。
　刊行物発明の「ドープ・ポリシリコン層（２０）」に関して、刊行物１には、「Ｎ＋ドープ・ポリシリコン層２０の場合、層２０は、従来のｉｎｓｉｔｕ・ドープ・プロセスによってドープするか、または付着後にイオン注入によってドープする。双対関数ＣＭＯＳでは、Ｎ＋ポリシリコンは、一般にヒ素またはリンでドープし、Ｐ＋ポリシリコンは、一般にホウ素でドープする。」（００３３段落）と記載されているから、刊行物発明の「ドープ・ポリシリコン層（２０）」は、本願発明１の「半導体材料を電気的に導電性にするのに有効なｐタイプ又はｎタイプの少なくとも一方の導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料」に相当する。
　
　したがって、本願発明１と刊行物発明は、
　「電界効果トランジスタであって、該トランジスタは、
　間にチャネル領域を有する一対のソース／ドレイン領域と、
　前記チャネル領域の近傍に動作上配置されるゲートであって、該ゲートは、半導体材料を電気的に導電性にするのに有効なｐタイプ又はｎタイプの少なくとも一方の導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と、シリサイド層と、
　を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　本願発明１は、「ゲート」が「ｐタイプ又はｎタイプの導電性増強不純物の拡散を制限するための導電性拡散バリア層」を備え「前記導電性拡散バリア層がＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる」のに対して、
　刊行物発明は、「ゲート電極」が「窒化タングステン・ドーパント障壁層（２２）」を備えている点。
　
　上記相違点について検討する。
　まず、本願発明１の「導電性拡散バリア層がＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる」の解釈について検討する。
　本願当初明細書等において、「導電性拡散バリア層」として「ＷｘＮｙ」、「ＴｉＯｘＮｙ」及び「ＴｉＷｘＮｙ」が並列して記載されているのは、請求項２６を引用する請求項３９のみであって、請求項２６及び請求項３９は以下のとおりである。
　「【請求項２６】　電界効果トランジスタのゲートを形成する方法であって、該方法は、
　基板上に導電性にドープされた半導体材料の層を形成する過程と、
　前記基板上に導電性拡散バリア層を形成する過程と、
　半導体材料、導電性シリサイド及び導電性拡散バリア層を有するトランジスタゲートを形成するために、半導体材料層、シリサイド層及び導電性拡散バリア層の各一部分を除去する過程と、
　からなることを特徴とするゲートの形成方法。」
　「【請求項３９】　請求項２６記載の方法であって、ＴｉＮ，ＴｉＯｘＮｙ，ＷｘＮｙ及びＴｉＷｘＮｙ、並びにその混合物からなる群から選択される前記導電性拡散バリア層を形成する過程を有することを特徴とするゲートの形成方法。」
　したがって、本願発明１の「導電性拡散バリア層がＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる」は、「導電性拡散バリア層がＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなる」「混合物」を意味するものと解釈する。
　上記のとおりに解釈すると、「ＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙ」の任意の二つの混合物（３通り）及び三つ全ての混合物は、重複を排除し組成を示す添字を省略すると「ＴｉＷＮ」及び「ＴｉＷＯＮ」のいずれかとなる。
　なお、審判請求人も、平成１５年１２月２日に「手続補正書」と同時に提出した「意見書」において「補正した独立請求項１及び２０では、導電性拡散バリア層が、ＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなることを明確にしました。・・・ＰＣＴ国際出願時の請求項３９に、“その混合物”と明確に記載されているとおり、今回補正したような請求項は出願当初より念頭に入れていたものです。したがって、今回の請求項１及び２０の補正は、出願時の開示内容を超えた、何ら新規事項を追加するものではありません。」（３．（２））と、「導電性拡散バリア層が、ＷｘＮｙ，ＴｉＯｘＮｙ，ＴｉＷｘＮｙのうちの少なくとも二つからなること」の根拠が当初明細書等の請求項３９の記載にあると主張している。
　一方、刊行物発明の「ゲート電極」が備えている「窒化タングステン・ドーパント障壁層（２２）」が、刊行物１の「本発明の目的は、ポスト・ゲート導体（ＧＣ）熱サイクル中にドーパント原子がポリシリコン層からＷＳｉｘ層中に移動するのを防ぐことである。」（００１１段落）及び「本発明では、窒化タングステンを障壁として使用する」（００１２段落）という記載を併せて勘案すれば、「ドープ・ポリシリコン層（２０）」中のドーパント原子の拡散を制限するためのものであることは明らかである。
　そして、刊行物２には、「バリヤ層・・・は、導電性材料を含み、その導電性材料は、一般にシリコンをドープする際に使用される典型的なドーパント種（硼素およびリン）に対する拡散バリヤである。・・・適当なバリヤ材料の例は、・・・特定的には・・・窒化チタンタングステン、窒化タングステン・・・を含む。」（第９頁左下欄第１２行ないし同頁右下欄第３行）と、「典型的なドーパント種（硼素およびリン）に対する拡散バリヤ」として「窒化タングステン」と並んで「窒化チタンタングステン」を用いる技術が記載されているから、刊行物１発明における「窒化タングステン・ドーパント障壁層（２２）」を刊行物２に記載された上記技術に基づいて「窒化チタンタングステン」とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし請求項３８に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。