【事件の表示】
　特願２０００−３６１３１７「面発光半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月　７日出願公開、特開２００２−１６４６２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１１月２８日の出願であって、平成２１年２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年５月１日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年５月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年５月１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２１年５月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（出願当初のもの）の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「基板上に設けられた一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に設けられた活性層と、基板側の半導体多層膜反射鏡中に設けられたＡｌを含む被酸化層である特定半導体層の一部領域を選択的に酸化して酸化層を形成することにより電流経路を限定した電流狭窄構造とを有し、電流注入により基板と垂直にレーザ光を放射する面発光半導体レーザ素子において、
　基板側の半導体多層膜反射鏡が、
　相互に屈折率の異なる２層の化合物半導体層のペアからなり、低屈折率層がＡｌＡｓ層である第１半導体多層膜と、
　特定半導体層の一部領域を酸化して酸化層に転化する酸化工程の際の前記被酸化層に対する酸化防止層として、第１半導体多層膜と酸化層との間に形成され、前記被酸化層よりも酸化速度の遅い材料であるＡｌＧａＡｓからなり、相互にＡｌ組成の異なる２層のＡｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ／Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ（ｘ１＞ｘ２）のペアからなる第２半導体多層膜と、を有する
　ことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。」
　
　本件補正は、補正前の請求項１の「特定半導体層」が、「Ａｌを含む被酸化層である」、との限定を行い、同じく「基板側の半導体多層膜反射鏡」が、「（低屈折率層がＡｌＡｓ層である）第１半導体多層膜」と「（特定半導体層の一部領域を酸化して酸化層に転化する酸化工程の際の酸化防止層として、）第１半導体多層膜と酸化層との間に形成され、前記被酸化層よりも酸化速度の遅い材料であるＡｌＧａＡｓからなり、相互にＡｌ組成の異なる２層のＡｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ／Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ（ｘ１＞ｘ２）のペアからなる第２半導体多層膜」とを有する、との限定を行い、同じく「酸化防止層」が「前記被酸化層に対する」ものである、との限定を行うものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　本件補正後の請求項１には、「・・・基板側の半導体多層膜反射鏡中に設けられたＡｌを含む被酸化層である特定半導体層の一部領域を選択的に酸化して酸化層を形成することにより電流経路を限定した電流狭窄構造とを有し、・・・基板側の半導体多層膜反射鏡が、・・・特定半導体層の一部領域を酸化して酸化層に転化する酸化工程の際の
前記被酸化層に対する酸化防止層
前記被酸化層に対する酸化防止層
　
　よって、本願は、請求項１の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
 　 
３　むすび  
　上記２のとおりであって、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、出願当初の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「基板上に設けられた一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に設けられた活性層と、基板側の半導体多層膜反射鏡中に設けられた特定半導体層の一部領域を選択的に酸化して酸化層を形成することにより電流経路を限定した電流狭窄構造とを有し、電流注入により基板と垂直にレーザ光を放射する面発光半導体レーザ素子において、
　基板側の半導体多層膜反射鏡を構成する、相互に屈折率の異なる２層の化合物半導体層のペアの低屈折率層がＡｌＡｓ層であって、
　特定半導体層の一部領域を酸化して酸化層に転化する酸化工程の際のＡｌＡｓ層に対する酸化防止層として、ＡｌＡｓ層よりも酸化速度の遅い材料からなる層が、半導体多層膜反射鏡の活性層側のＡｌＡｓ層と酸化層との間に介在する
　ことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。」
　
２　新規性（特許法第２９条第１項第３号） 
（１）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である国際公開第９９／５７７８９号（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（訳文をかっこ書きで付した。）。
　
　ア　「
Brief Description of the Invention
　This invention relates generally to lasers. More particularly, this invention relates to a vertical-cavity surface-emitting laser with a wavelength-dependent intracavity optical absorber, which may be used as an integrated detector, a self- pulsating laser, a high speed intracavity modulator, or an optical pick-up device.」（第１頁第９〜１３行）
（
発明の要約
　本発明は、全般的にレーザに関する。一層詳しくは、本発明は、統合検出器、自己脈動レーザ、高速キャビティ内モジュレータまたは光学ピックアップ装置として使用し得る波長依存性キャビティ内吸光器を有する垂直キャビティ表面放射式レーザに関する。）
　
　イ　「
Background of the Invention
　Vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are used as light sources in a variety of electronic applications including fiber optic communications, laser printing, and optical data storage. A VCSEL is an injection diode laser where the laser oscillation and output occur normal to a semiconductor pn junction plane. 」（第１頁第１５〜１９行）
（
背景技術
　垂直キャビティ表面放射式レーザ（ＶＣＳＥＬ）は、光ファイバ通信、レーザ印刷および光学式データ保存を含む種々の電子用途における光源として使用される。或るＶＣＳＥＬは、半導体ｐｎ接合平面に対して垂直にレーザ発振および出力が生じる注入ダイオード・レーザである。）
　
　ウ　「
Summary of the Invention
　A laser comprises a first contact to receive an active region control signal, a second contact to receive an optical absorber control signal, and a sandwich of distributed Bragg reflector mirror stacks. Each distributed Bragg reflector mirror stack has an alternate doping with respect to an adjacent distributed Bragg reflector mirror stack. An active region is positioned in the sandwich to provide optical gain in response to the active region control signal. An optical absorber is positioned in the sandwich. The optical absorber has wavelength dependent absorption. 」（第４頁第２２〜２９行）
（
発明の概要
　レーザは、能動領域制御信号を受信する第１の接点と、吸光器制御信号を受信する第２の接点と、分布形ブラッグ反射ミラー・スタックのサンドイッチとを包含する。各分布形ブラッグ反射ミラー・スタックは、隣接した分布形ブラッグ反射ミラー・スタックに関して別のドーピングを有する。能動領域は、能動領域制御信号に応答して光学ゲインを与えるようにサンドイッチ内に設置してある。吸光器は、サンドイッチ内に設置してある。吸光器は、波長依存吸光作用を有する。）
　
　エ　「
Detailed Description of the Invention
　Figure 1 illustrates an intracavity quantum well photodetector integrated within a vertical-cavity surface emitting laser 20 in accordance with an embodiment of the invention. In one embodiment of the invention, the apparatus 20 includes an n+ doped GaAs substrate 22. Grown on the substrate 22 is an n-doped distributed Bragg reflector (DBR) mirror stack 24. DBR mirror stacks are known in the art. In particular, the optimization of such a structure for a particular application is known in the art. An active gain region 26 is constructed on top of the n-doped DBR mirror stack 24. The active gain region 26 includes a one-wavelength spacer 28 with a quantum well stack 30 positioned therein. The quantum well stack 30 includes two 80-Angstrom thick In0.2Ga0.8As quantum wells. 
　A p-doped DBR mirror stack 36 is positioned on top of the active gain region 26. One or more current confinement layers 38 are formed within the stack 36. The current confinement layer 38 is 3 DBR pairs away from the active region 26. The current confinement layer 38 may be in the form of a 3/4λ-thick AlAs (aluminum arsenide) oxidation layer. An oxidation layer of AIxGa1-xAs, where x is approximately one, may also be used.
・・・
　The apparatus of Figure 1 may be constructed in any number of ways. One advantage of the invention is that its processing steps are consistent and compatible with well known processing steps. The following processing steps may be used in accordance with one embodiment of the invention. 
　A wafer is grown on a GaAs substrate via molecular beam epitaxy with a refractive index profile as shown in Figure 2. 
・・・
　The wafer is then diced into smaller units for ease of processing. A layer of AlAs is then oxidized to provide a current confinement layer. This is done by patterning the sample by standard photolithography to produce 90-micron circles of photoresist. The sample is then etched with a 1:8:40 sulfuric acid:hydrogen peroxide:deionized water solution until the AlAs layer is exposed. The photoresist is then washed off, using acetone followed by methanol. The sample is then placed in an oxidation furnace (flowing water vapor at approximately 425 degrees Celsius) until the desired aperture is achieved. The oxidation time usually needs to be calibrated first. The desired aperture is around 10 microns in diameter. 」（第８頁第２１行〜第１０頁第２９行）
（
発明の詳細な説明
　図１は、本発明の一実施例による垂直キャビティ表面放射式レーザ２０内に統合されたキャビティ内量子ウェル光検出器を示している。本発明の一実施例において、装置２０は、ｎ＋ドープＧａＡｓ基板２２を包含する。基板２２上では、ｎドープ分布型ブラッグ反射（ＤＢＲ）ミラー・スタック２４が成長させられる。ＤＢＲミラー・スタックは、この技術分野では公知である。特に、特定の用途のためのこのような構造の最適化は、従来技術において公知である。能動ゲイン領域２６が、ｎドープＤＢＲミラー・スタック２４の頂面に構成される。能動ゲイン領域２６は、一波長スペーサ２８と、そこに位置する量子ウェル・スタック３０とを有する。量子ウェル・スタック３０は、２つの８０オングストローム厚のＩｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ量子ウェルを包含する。
　ｐドープＤＢＲミラー・スタック３６は、能動ゲイン領域２６の頂面に位置する。１つまたはそれ以上の電流制限層３８が、スタック３６内に形成される。電流制限層３８は、能動領域２６から離れた３つのＤＢＲ対である。電流制限層３８は、３／４λ厚のＡｌＡｓ（アルミニウム・ヒ化物）酸化層の形であってもよい。ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓの酸化層（ここで、ｘは、ほぼ１である）も使用され得る。
・・・
　図１の装置は、任意の方法で構成し得る。本発明の１つ利点は、その処理段階が周知の処理段階と一致しており、互換性を持つということにある。以下の処理段階は、本発明の一実施例に従って使用され得る。
　ウェーハが、図２に示す屈折率分布を有する分子線エピタキシを経てＧａＡｓ基板上で成長させられる。
・・・
　次に、ウェーハは、処理を容易にするために、より小さい単位にさいの目に切られる。次に、ＡｌＡｓの層を酸化して電流制限層を得る。これは、標準のフォトリソグラフィによってサンプルをパターン形成してフォトレジストの９０ミクロン円を生成することによって行われる。次いで、サンプルは、ＡｌＡｓ層が露出するまで、１：８：４０の硫酸：過酸化水素：脱イオン水でエッチングされる。次に、アセトン、次いでメタノールを使用してフォトレジストを洗い落とす。次に、所望の開口を得るまで、サンプルを酸化炉（約摂氏４２５度で水蒸気を流す）内に置く。酸化時間は、通常、最初に較正する必要がある。所望の開口は、直径約１０ミクロンである。）
　
　オ　「Figure 19 illustrates a VCSEL used in the invention to obtain self-pulsation, optical bistability, or optical pick-up. As indicated with arrow 132, the device 130 emits light from its top. 
　The device 130 is constructed on a GaAs substrate 134. An n-doped bottom mirror stack 136 includes 26 pairs of AlAs/Al0.15Ga0.85As DBRs. followed by 10 pairs of Al0.2Ga0.1As/Al0.5Ga0.85As DBRs, and a 3λ/4-thick Al0.98Ga0.02As oxidation layer 138 that is one pair away from the active region 142. The n-doped bottom mirror stack 136 also includes a bottom n-contact 140. 
　The undoped active region 142 is composed of three 70-A GaAs quantum wells with 100-A Al0.15Ga0.85As barriers all within a 1-λ spacer. 
　The p-doped mirror stack 144 includes a p-doped 3λ/4-thick Al0.98Ga0.02As oxidation layer 145 that is one pair away from the active region 142. The stack 144 also includes 5 pairs of p-doped Al0.9Ga0.1As/GaAs and 4 pairs of P+doped Al0.9Ga0.1As/Al0.15Ga0.85As for the p-contact146. 」（第１６頁第１６〜２９行）
（図１９は、自己脈動、光学双安定性または光学ピックアップを得るために本発明で使用されるＶＣＳＥＬを示している。矢印１３２で示すように、装置１３０は、その頂面から光を発する。
　装置１３０は、ＧａＡｓ基板１３４上に構成される。ｎドープ底部ミラー・スタック１３６は、２６対のＡｌＡｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、それに続く１０対のＡｌ０．２Ｇａ０．１Ａｓ（審決注：「Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ」あるいは「Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ」の誤りと認める。）／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、３λ／４厚のＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８（能動領域１４２から離れた一対である）とを包含する。ｎドープ底部ミラー・スタック１３６は、また、底部ｎ接点１４０を包含する。
　アンドープ能動領域１４２は、３つの７０ÅのＧａＡｓ量子ウェルと、１００ÅのＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓバリアとからなり、これらはすべて１−λスペーサ内にある。
　ｐドープ・ミラー・スタック１４４は、能動領域１４２から離れた一対であるｐドープ３λ／４厚Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１４５を包含する。このスタック１４４は、また、５対のｐドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／ＧａＡｓと、ｐ接点１４６のための４対のＰ＋ドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓとを包含する。）
　
　カ　上記イ及びオを踏まえて図１９を見ると、図１９に示されたＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）は、
　（ア）ＧａＡｓ基板１３４上に積層した、２６対のＡｌＡｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、それに続く１０対のＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ（あるいはＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ）／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、３λ／４厚のＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８と、底部ｎ接点１４０とを包含するｎドープ底部ミラー・スタック１３６と、
　（イ）前記ｎドープ底部ミラー・スタック１３６上に積層した、３つの７０ÅのＧａＡｓ量子ウェルと、１００ÅのＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓバリアとからなるアンドープ能動領域１４２と、
　（ウ）前記アンドープ能動領域１４２上に積層した、ｐドープ３λ／４厚Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１４５と、５対のｐドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／ＧａＡｓと、ｐ接点１４６のための４対のＰ＋ドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓとを包含するｐドープ・ミラー・スタック１４４と、
からなるものである、といえる。
　
　キ　上記エ及びオを踏まえて図１９を見ると、図１９に示されたＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）の「Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８」は、その中央部を除く両側の部分が酸化層として電流制限層を形成している、といえる。
　
　ク　上記オを踏まえて図１９を見ると、図１９に示されたＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）は、ＧａＡｓ基板１３４と垂直にレーザ光を放射することが見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ＧａＡｓ基板１３４上に、２６対のＡｌＡｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、それに続く１０対のＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ（あるいはＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ）／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、３λ／４厚のＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８と、底部ｎ接点１４０とを包含するｎドープ底部ミラー・スタック１３６を積層し、
　前記ｎドープ底部ミラー・スタック１３６上に、３つの７０ÅのＧａＡｓ量子ウェルと、１００ÅのＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓバリアとからなるアンドープ能動領域１４２を積層し、
　前記アンドープ能動領域１４２上に、ｐドープ３λ／４厚Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１４５と、５対のｐドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／ＧａＡｓと、ｐ接点１４６のための４対のＰ＋ドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓとを包含するｐドープ・ミラー・スタック１４４を積層した、ＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）であって、
　前記Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８は、その中央部を除く両側の部分が酸化層として電流制限層を形成しており、
　ＧａＡｓ基板１３４と垂直にレーザ光を放射する、ＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）。」
 　 
（２）対比
  本願発明と引用発明を対比する。
　ア　引用発明の「ＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）」は、「ＧａＡｓ基板１３４上に、・・・ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、それに続く・・・Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ（あるいはＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ）／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、・・・Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８と、底部ｎ接点１４０とを包含するｎドープ底部ミラー・スタック１３６を積層し、前記ｎドープ底部ミラー・スタック１３６上に、・・・ＧａＡｓ量子ウェルと、・・・Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓバリアとからなるアンドープ能動領域１４２を積層し、前記アンドープ能動領域１４２上に、・・・５対のｐドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／ＧａＡｓと、ｐ接点１４６のための４対のＰ＋ドープＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓとを包含するｐドープ・ミラー・スタック１４４を積層した」ものであり、前記「底部ｎ接点１４０」と「ｐ接点１４６」との間に電流を注入することにより「ＧａＡｓ基板１３４と垂直にレーザ光を放射する」ものである、といえるから、
　（ア）引用発明の「ＧａＡｓ基板１３４」、「ｎドープ底部ミラー・スタック１３６」、「『ｎドープ底部ミラー・スタック１３６』及び『ｐドープ・ミラー・スタック１４４』」、「アンドープ能動領域１４２」及び「ＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「基板側の半導体多層膜反射鏡」、「（基板上に設けられた）一対の半導体多層膜反射鏡」、「（一対の半導体多層膜反射鏡の間に設けられた）活性層」及び「面発光半導体レーザ素子」に相当し、
　（イ）引用発明の「ＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）」は、本願発明の「基板上に設けられた一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に設けられた活性層とを有し、電流注入により基板と垂直にレーザ光を放射する」との事項を備える。
　
　イ　引用発明の「Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８」は、「ｎドープ底部ミラー・スタック１３６」に包含され、「その中央部を除く両側の部分が酸化層として電流制限層を形成して」いるものであり、当該「Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８」が、Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層の中央部を除く両側の部分を選択的に酸化して形成されるものであることは当業者において明らかであるから、
　（ア）引用発明の「（その中央部を除く両側の部分が酸化層として電流制限層を形成している）Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８」は、本願発明の「（基板側の半導体多層膜反射鏡中に設けられた特定半導体層の一部領域を選択的に酸化して形成された）酸化層」に相当し、
　（イ）引用発明の「ＶＣＳＥＬ（垂直キャビティ表面放射式レーザ）」は、本願発明の「基板側の半導体多層膜反射鏡中に設けられた特定半導体層の一部領域を選択的に酸化して酸化層を形成することにより電流経路を限定した電流狭窄構造とを有し」との事項を備える。
　
　ウ　引用発明の「ｎドープ底部ミラー・スタック１３６」は、「２６対のＡｌＡｓ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、それに続く１０対のＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ（あるいはＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ）／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲと、・・・Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８と・・・を包含する」ものであり、「ＡｌＡｓ」の屈折率が「Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ」より低いことは当業者において明らかであり、また、前記「Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ（あるいはＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ）／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲ（を構成する層）」は、「ＡｌＡｓ」よりも酸化速度が遅く、当該「Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ（あるいはＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ）／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲ（を構成する層）」が「Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ酸化層１３８」の酸化工程の際に「ＡｌＡｓ」の層に対して酸化防止層として作用することも当業者において明らかであるから、
　（ア）引用発明の「Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ（あるいはＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ）／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓＤＢＲ（を構成する層）」は、本願発明の「（半導体多層膜反射鏡の活性層側のＡｌＡｓ層と酸化層との間に介在し、）特定半導体層の一部領域を酸化して酸化層に転化する酸化工程の際のＡｌＡｓ層に対する酸化防止層として、ＡｌＡｓ層よりも酸化速度の遅い材料からなる層」に相当し、
　（イ）引用発明は、本願発明の「基板側の半導体多層膜反射鏡を構成する、相互に屈折率の異なる２層の化合物半導体層のペアの低屈折率層がＡｌＡｓ層であって、特定半導体層の一部領域を酸化して酸化層に転化する酸化工程の際のＡｌＡｓ層に対する酸化防止層として、ＡｌＡｓ層よりも酸化速度の遅い材料からなる層が、半導体多層膜反射鏡の活性層側のＡｌＡｓ層と酸化層との間に介在する」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
 「基板上に設けられた一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に設けられた活性層と、基板側の半導体多層膜反射鏡中に設けられた特定半導体層の一部領域を選択的に酸化して酸化層を形成することにより電流経路を限定した電流狭窄構造とを有し、電流注入により基板と垂直にレーザ光を放射する面発光半導体レーザ素子において、
　基板側の半導体多層膜反射鏡を構成する、相互に屈折率の異なる２層の化合物半導体層のペアの低屈折率層がＡｌＡｓ層であって、
　特定半導体層の一部領域を酸化して酸化層に転化する酸化工程の際のＡｌＡｓ層に対する酸化防止層として、ＡｌＡｓ層よりも酸化速度の遅い材料からなる層が、半導体多層膜反射鏡の活性層側のＡｌＡｓ層と酸化層との間に介在する
　面発光半導体レーザ素子。」
である点で一致する。
　
　してみると、両発明の間には相違点は存在せず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明である。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。