【事件の表示】
　平成　９年特許願第１８９９１８号「有毒物質をガス洗浄する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２６日出願公開、特開平１０−１３７５４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年７月１５日（パリ条約に基づく優先権主張　１９９６年７月１５日、英国）の出願であって，平成１８年７月２４日付けで拒絶理由が通知され（発送日は同年同月３１日）、平成１９年１月２９日付けで意見書が提出され、平成１９年２月１５日付けで拒絶査定がなされ（発送日は同年同月１９日）、これに対して、平成１９年５月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、平成１９年７月１０日付けで手続補正指令書が通知され（発送日は同年同月２３日）、平成１９年８月２２日付けで請求の理由に係る手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明　
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載される発明は、本願の出願当初の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。 
「半導体デバイスを加工するためのツールを含んだ排気プロセスチャンバからの排ガスから有毒物質をガス洗浄する方法において、前記チャンバからの排ガス流を、多方向バルブを含んだダクトの中に向ける段階と、該バルブを選択的に調節し、排ガス流の異なる画分を関連の処理/ 捕集/ 排気箇所に向ける段階とからなることを特徴とする方法。」
　
３．引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された、本願の優先権主張日前である平成７年１月３１日に頒布された刊行物である特開平７−２９８４１号公報 （以下「引用例」という。）には図面と共に次の事項が記載されている。
　（ア）「ところで、この種の減圧用の熱処理装置によりウエハに対して特定の熱処理、例えば薄膜堆積処理を施した後、これに熱拡散処理等を施す場合には処理済みのウエハを別の常圧高温用の熱処理装置へ移載し、ウエハに対して更に所望の熱処理を施すようになっている。このために、ウエハの移載に要する時間が必要とされ、スループットが低下するのみならず、移載時に炉外へウエハを取り出してクリーンルームの大気中に晒すことから、これに僅かではあるがパーティクルが付着して汚染されてしまうという問題点があった。更には、必要な熱処理をウエハに対して施すためには必ず２台の熱処理装置が必要となり、設備費の高騰も余儀なくされていた。」（【0008】）
　（イ）「そして、このテフロンパイプ８４は、減圧熱処理時に使用する真空排気系８４Ａと常圧高温熱処理時に使用する常圧排気系８４Ｂとにより２つに分岐されている。この真空排気系８４Ａには、真空側開閉弁８８、気体置換用の真空ポンプ９０及び除害装置９２が順次介設されている。また、常圧排気系８４Ｂには、常圧側開閉弁９４、排気圧コントローラ９６、スクラバー９７が順次介設される。」（【0021】）
　（ウ）「次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。まず、半導体ウエハＷに対して常圧高温処理を施す場合について説明する。例えば処理温度を約１０００℃とすると、加熱ヒータ１０により処理容器８をそれよりも低い温度、例えば約６００℃まで加熱しておき、この容器内へウエハボート１２に載置されたウエハＷをロードする。すなわち、昇降手段２２を駆動することにより多数枚のウエハＷが搭載されたウエハボート１２を処理容器８内に上昇させてこれをロードし、キャップ部２６によりマニホールド部３４の下端開口部を閉じる。この時、このシール部はＯリング４８を有する高温耐熱シール手段４４によりシールされるので、気密性が良好にシールされることになる。
　そして、次にこのロードの際に容器内に取り込まれた大気を置換するために不活性ガス、例えば窒素ガスをガス導入ポート８（当審注：「１８」が正しい）から供給して、この不活性ガスと置換させる。このようにして、ガス置換操作が終了したならば、次に加熱ヒータ１０の電力を上げて６００℃の処理容器８をプロセス温度、例えば１０００℃まで昇温し、ガス供給系６０を介して処理ガスを供給し、通常の常圧高温処理を行う。この時、排気系７６にあっては真空排気系８４Ａの真空側開閉弁８８を閉じて真空排気系８４Ａを遮断すると共に常圧側開閉弁９４を開いて排気圧コントローラ９６を駆動し、処理容器８内を常圧、すなわち大気圧に維持する。例えば、ガス導入ポート８から処理容器８内へ導入された処理ガスはウエハ領域を上昇しつつこれと接触し、容器天井部まで上昇した処理ガスは内管４と外管６との間隙を流下してガス排気ポート２０から排出される。」（【0022】、【0023】）
　（エ）「次に、ウエハに対して減圧熱処理を施す場合について説明する。例えば１０〜０．１Ｔｏｒｒの真空減圧雰囲気中にて処理温度、約８００℃にて熱処理を施す場合には、例えば常圧高温処理時と同様に容器を予め６００℃程度に加熱しておき、この容器８内へウエハボート１２に載置されたウエハＷをロードし、マニホールド部３４の下端開口部をキャップ部２６により密閉する。
　次に、常圧側開閉弁９４を閉じて常圧排気系８４Ｂを遮断すると共に真空側開閉弁８８を開いて真空ポンプ９０を駆動し、真空排気系８４Ａを介して処理容器８内を真空引きし、この中の雰囲気を所定の減圧状態、例えば１Ｔｏｒｒ程度に維持しつつガス導入ポート１８より処理ガスを容器８内へ導入し、減圧熱処理をウエハに対して施す。この場合、前述と同様にキャップ部２６のＯリング４８は第１及び第２の冷却水路５２、５６により冷却されており、そのシール性が確実に維持され、シールが破れることはない。」（【0026】、【0027】）
　（オ）【図１】（７頁）からは、「ガス導入ポート１８」から「熱処理装置３２」の「処理容器８」へ「処理ガス」が導入され、「処理容器８」からの排気が、「ガス排気ポート２０」、「メタルガスケット７８Ａ」、「フレキシブルチューブ８０」、「メタルガスケット７８Ｂ」、「石英パイプ８２」を通って、「真空排気系８４Ａ」の「真空側排気弁８８」、「真空ポンプ９０」、「除外装置９２」へ、または、「常圧排気系８４Ｂ」の「常圧側開閉弁９４」、「排気圧コントローラ９６」、「スクラバー９７」へ、上記の順序で流動させられることが視認される。
　
４．当審の判断
４−１．引用発明の認定
　引用例の記載事項について検討する。
　ａ）引用例には、上記摘示事項（ウ）によれば、「半導体ウエハＷに対して常圧高温処理を施す場合」に、「処理容器８をプロセス温度、例えば１０００℃まで昇温し、ガス供給系６０を介して処理ガスを供給し、通常の常圧高温処理を行う。この時、排気系７６にあっては真空排気系８４Ａの真空側開閉弁８８を閉じて真空排気系８４Ａを遮断すると共に常圧側開閉弁９４を開いて排気圧コントローラ９６を駆動し、処理容器８内を常圧、すなわち大気圧に維持する」ことが記載され、上記摘示事項（エ）によれば、「ウエハに対して減圧熱処理を施す場合」に、「常圧側開閉弁９４を閉じて常圧排気系８４Ｂを遮断すると共に真空側開閉弁８８を開いて真空ポンプ９０を駆動し、真空排気系８４Ａを介して処理容器８内を真空引きし、この中の雰囲気を所定の減圧状態、例えば１Ｔｏｒｒ程度に維持しつつガス導入ポート１８より処理ガスを容器８内へ導入し、減圧熱処理をウエハに対して施す」ことが記載されているから、
　引用例には、半導体ウエハに対して、
　常圧高温処理を施す場合には、処理容器８をプロセス温度まで昇温し、ガス供給系６０を介して処理ガスを供給し、排気系７６にあっては真空排気系８４Ａの真空側開閉弁８８を閉じて真空排気系８４Ａを遮断すると共に常圧側開閉弁９４を開いて排気圧コントローラ９６を駆動し、処理容器８内を常圧、すなわち大気圧に維持し、
　減圧熱処理を施す場合には、常圧側開閉弁９４を閉じて常圧排気系８４Ｂを遮断すると共に真空側開閉弁８８を開いて真空ポンプ９０を駆動し、真空排気系８４Ａを介して処理容器８内を真空引きし、この中の雰囲気を所定の減圧状態、例えば１Ｔｏｒｒ程度に維持しつつガス導入ポート１８より処理ガスを容器８内へ導入する発明について記載されているといえる。
　ｂ）上記摘示事項（イ）には、「真空排気系８４Ａ」には「真空側開閉弁８８、気体置換用の真空ポンプ９０及び除害装置９２が順次介設されている」ことが、また、「常圧排気系８４Ｂ」には「常圧側開閉弁９４、排気圧コントローラ９６、スクラバー９７が順次介設される」ことが記載されており、上記摘示事項（オ）には、「処理容器８」からの排気が、「真空排気系８４Ａ」の「真空側排気弁８８」、「真空ポンプ９０」、「除外装置９２」へ、または、「常圧排気系８４Ｂ」の「常圧側開閉弁９４」、「排気圧コントローラ９６」、「スクラバー９７」へ、上記の順序で流動させられることが指摘されていることから、
　上記発明は、「処理容器８」からの排気について、
　常圧高温処理を施す場合には、真空排気系８４Ａの真空側開閉弁８８を閉じて真空排気系８４Ａを遮断すると共に常圧側開閉弁９４を開いて排気圧コントローラ９６を駆動しスクラバー９７へ排気を流動させ、
　減圧熱処理を施す場合には、常圧側開閉弁９４を閉じて常圧排気系８４Ｂを遮断すると共に真空側開閉弁８８を開いて真空ポンプ９０を駆動し除害装置９２へ排気を流動させるものであるといえる。
　ｃ）上記摘示事項（ア）には、「減圧用の熱処理装置によりウエハに対して特定の熱処理、例えば薄膜堆積処理を施した後、これに熱拡散処理等を施す場合には処理済みのウエハを別の常圧高温用の熱処理装置へ移載し、ウエハに対して更に所望の熱処理を施す」と記載されていることから、上記発明は、減圧熱処理を施す場合には薄膜堆積処理がなされ、常圧高温処理を施す場合には熱拡散処理がなされるものであるといえる。
　ｄ）以上の検討結果から、上記記載事項（ア）〜（オ）を、上記ａ）〜ｃ）の検討にしたがって、本願発明の記載ぶりに則して表現すると、引用例には、
「処理容器８からの排気について、半導体ウエハに、
　常圧高温処理を施して熱拡散処理をなす場合には、真空排気系８４Ａの真空側開閉弁８８を閉じて真空排気系８４Ａを遮断すると共に常圧側開閉弁９４を開いて排気圧コントローラ９６を駆動しスクラバー９７へ排気を流動させ、
　減圧熱処理を施して薄膜堆積処理をなす場合には、常圧側開閉弁９４を閉じて常圧排気系８４Ｂを遮断すると共に真空側開閉弁８８を開いて真空ポンプ９０を駆動し除害装置９２へ排気を流動させる」発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
４−２．本願発明と引用発明との対比
　ｉ）「スクラバー」、「除害装置」は、いずれもガス中から有害成分を除去する（要すれば、「スクラバー」については、例えば、特開平０４−２９７５８０号公報の【0016】、特開平０３−２２９６０９号公報の1頁右下欄１４行〜２頁右上欄８行、「除害装置」については、例えば、特開平０７−２９７１２７号公報の【0019】、特開平０６−２０７２７５号公報の【0039】を参照。後二者では「除外装置」とされているが、当該「除外装置」は害のある物質を除外するものであるので、「除害装置」の意味であることは明らかである。）ものである。
  一方、本願発明の「処理/ 捕集/ 排気箇所」は、「例えば湿式又は乾式ガス洗浄器或いは熱処理ユニットによって、例えばその画分の1つ以上のガスを無毒種に変換する」（本願当初明細書【0011】）ものであって、「排気プロセスチャンバからの排ガスからの有毒物質」を無害化するものであり、引用発明は、「スクラバー９７」、「除害装置９２」によってガス中から有害成分を除去するものであることから、引用発明の「スクラバー９７」、「除害装置９２」は本願発明の「処理/ 捕集/ 排気箇所」に相当し、引用発明は「有毒物質をガス洗浄する方法」に関する発明と言い得る。
　ｉｉ）上記摘示事項（ウ）に「処理容器８内へ導入された処理ガスはウエハ領域を上昇しつつこれと接触し・・ガス排気ポート２０から排出される」とあることから、「処理容器８」は半導体ウエハを処理し、排気を出すものといえるので、引用発明における「処理容器８」は本願発明における「排気プロセスチャンバ」に相当する。
　ｉｉｉ）引用発明では、常圧高温処理を施して熱拡散処理をなす場合の処理ガスと、減圧熱処理を施して薄膜堆積処理をなす場合の処理ガスとは相違するといえるので、当該処理の結果としての「処理容器８からの排気」もそれぞれの処理の場合で相違するから、引用発明の常圧高温処理で「スクラバー９７」へ流動する排気と、減圧熱処理で「除害装置９２」へ流動する排気とは相違するといえる。
　よって、引用発明の、「処理容器８からの排気について」、「常圧高温処理を施して熱拡散処理をなす場合」に「スクラバー９７」へ「流動」する「排気」と、「減圧熱処理を施して薄膜堆積処理をなす場合」に「除害装置９２」へ「流動」する「排気」とは、本願発明の「排ガス流の異なる画分」に相当する。
　そして、上記ｉ）より、引用発明の「スクラバー９７」、「除害装置９２」は本願発明の「処理/ 捕集/ 排気箇所」に相当するから、
　引用発明の「処理容器８からの排気について」、「常圧高温処理を施して熱拡散処理をなす場合」に「スクラバー９７へ排気を流動させ」、「減圧熱処理を施して薄膜堆積処理をなす場合」に「除害装置９２へ排気を流動させ」ることは、本願発明の「排ガス流の異なる画分を関連の処理/ 捕集/ 排気箇所に向ける段階」に相当する。
　ｉｖ）また、引用発明の「真空側開閉弁８」、「常圧側開閉弁９４」は、「排気」の、「スクラバー９７」へ向かう方向と「除害装置９２」へ向かう方向とを切り換えるものであるから、本願発明の「バルブ」に相当し、引用発明の「真空側開閉弁８」、「常圧側開閉弁９４」は排気の流路中にあることは明らかだから、当該流路は本発明の「ダクト」に相当する。　
　すると、引用発明の、「処理容器８からの排気」を、「真空排気系８４Ａの真空側開閉弁８８」と「常圧排気系８４Ｂ」の「常圧側開閉弁９４」に流し、
「常圧高温処理を施して熱拡散処理をなす場合」には「真空側開閉弁８８を閉じて」「常圧側開閉弁９４を開いて」、「スクラバー９７へ排気を流動させ」、
「減圧熱処理を施して薄膜堆積処理をなす場合」には「真空側開閉弁８８を開いて」「常圧側開閉弁９４を閉じて」、「除害装置９２へ排気を流動させ」ることは、
本願発明の「排気プロセスチャンバからの排ガス流を、バルブを含んだダクトの中に向ける段階と、バルブを選択的に調節し、排ガス流の異なる画分を関連の処理/ 捕集/ 排気箇所に向ける段階」に相当する。
　ｖ）引用発明における「熱拡散処理」、「薄膜堆積処理」は、「半導体ウエハ」上に薄膜を堆積させ、加熱して歪みをとるなどの処理を行うものであるから、「半導体ウエハ」を当該処理によって「加工する」ものと言い得るものであり、また、「半導体デバイス」は「半導体ウエハ」を原材料として製作されるものであるから、その「半導体ウエハ」を「加工する」引用発明は「半導体デバイスを加工する」ものと言い得る。
　さらに、例えば上記摘示事項（エ）に「処理容器８・・・この容器内へウエハボート１２に載置されたウエハＷをロードする」とあるように、「処理容器８」は、「熱拡散処理」、「薄膜堆積処理」のための「ウエハボード１２」等の「加工する」設備を有するから、「処理容器８」は本願発明の「加工するためのツール」と言い得るものを含むものである。
　したがって、引用発明の「処理容器８」は本願発明の「半導体デバイスを加工するためのツールを含んだ」ものと言い得る。
　ｖｉ）以上から本願発明と引用発明とは
「半導体デバイスを加工するためのツールを含んだ排気プロセスチャンバからの排ガスから有毒物質をガス洗浄する方法において、前記チャンバからの排ガス流を、バルブを含んだダクトの中に向ける段階と、該バルブを選択的に調節し、排ガス流の異なる画分を関連の処理/ 捕集/ 排気箇所に向ける段階からなる方法。」の点（一致点）で一致し、次の点で両者は相違する。
　
（相違点）本願発明は「チャンバからの排ガス流を、多方向バルブを含んだダクトの中に向ける段階」を有し、「バルブ」が「多方向バルブ」であるのに対し、引用発明は「多方向バルブ」を用いておらず、「真空側開閉弁８」、「常圧側開閉弁９４」の開閉により排気方向を切り換えて排ガス流の排気を行っている点
　
４−３．相違点の検討
　例えば特開昭６２−１８８２１７号公報の４頁第１，２図、1頁右下欄１５行〜２頁左上欄２行及び３頁左上欄１４行〜同頁右上欄４行には、「半導体レーザ、例えばガリウムアルミニウム砒素（ＧａＡｌＡｓ）半導体レーザ用化合物半導体薄膜結晶成長法」としての「有機金属熱分解気相成長法」において、「原料ガス導入ダクト１２から導入されたガスは、成長炉１内で熱分解し、試料（基板）２上に結晶を成長せしめ、ガス導出ダクト１１から排出され三方弁１２を介してフィルタハウジング１３に導びかれる・・・その後排ガス処理装置１５で除毒後屋外へ排出される。三方弁１２には真空ポンプ１６が接続されており結晶成長に先立ち成長炉内のガスを排気し、ガス置換ができるようになっている」ことが記載されており、また、同様のことが特開昭６２−０８５４２２号公報（４頁第１，２図、１頁右下欄８〜１５行及び３頁右上欄３〜１１行）、特開昭６２−０７３６１８号公報（４頁第１図、１頁右下欄５〜１２行及び２頁右下欄１７行〜３頁左上欄３行）、特開昭６１−２４２９９４号公報（３頁第２図、１頁左下欄１８行〜同頁右下欄４行及び２頁右下欄１７行〜３頁左上欄３行）にも記載されており、半導体デバイスを製作する気相成長法において、処理容器からの排ガス流の種類に応じて排ガス流の流路中にある三方弁を切り換えて排気ガス流の流路を選択して排ガス流を排気処理装置へ導いて処理することは、例えば上記の各文献に示されるように、周知技術である。
　そして、三方弁は多方向バルブの一種であることは明らかである。
　ここで、引用発明も、上記摘示事項（ア）（エ）から「処理容器８内を真空引きし、この中の雰囲気を所定の減圧状態・・・に維持しつつガス導入ポート１８より処理ガスを容器８内へ導入し、減圧熱処理」を「半導体ウエハ」に対して行うことで「薄膜堆積処理」を施して半導体デバイスを製作するものであり、当該処理は気相成長法によるものといえる。
　すると、引用発明は、半導体デバイスを製作する気相成長法において、排ガス流の流路中にある「真空側開閉弁８」、「常圧側開閉弁９４」の開閉により「処理容器８」からの排ガス流の種類に応じて排気方向を切り換えて排ガス流の排気を行っているものであるから、同様の半導体デバイスを製作する気相成長法における排ガス流の流路選択に関する技術手段である上記周知技術を引用発明に適用して、「常圧側開閉弁９４」と「真空側開閉弁８８」に代えて三方弁を用いることは当業者が容易に推考し得ることといえる。
　そして、上記相違点における三方弁を用いることに基づく本願発明の奏する効果も引用例の記載と周知技術から予測できる範囲のものであり格別なものではない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に記載された発明に言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。