【事件の表示】
　特願２０００−３５９１７０「基板洗浄方法および基板洗浄装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月　７日出願公開、特開２００２−１６４３１６、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
 １．手続の経緯 
 　本件審判に係る出願（以下，「本願」という。）は，平成１２年１１月２７日の出願であって，平成１７年７月２７日付け（発送日：同年８月２日）で拒絶理由が通知され，同年９月３０日付けで手続補正され，平成１８年３月２４日付け（発送日：同月２８日）で最後の拒絶理由が通知され，同年５月２４日付けで手続補正されたが，当該手続補正は同年７月２６日付け（発送日：同年８月１日）で補正の却下の決定がされ，同日付けで拒絶査定された。 
 　これに対して，同月３１日に拒絶査定不服審判が請求され，当審で審理し，平成１９年５月２８日付け（発送日：同月２９日）で拒絶理由が通知された，同年７月２７日付けで意見書が提出されたものである。 
 　 
 ２．本願発明 
 　本願の請求項１乃至５に係る発明（以下，「本願発明１」乃至「本願発明５」という。）は，平成１７年９月３０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された，次のとおりである。 
 　 
 【特許請求の範囲】 
 　　【請求項１】 
 　回転している基板に酸またはアルカリの薬液を含む洗浄液を供給して，基板を洗浄する洗浄工程と， 
 　この洗浄工程の後，上記洗浄液が付着している基板を回転させつつ，その回転している基板にハイドロフルオロエーテルを供給して，基板表面の上記洗浄液を洗い流すリンス工程と， 
 　このリンス工程の後，基板に対するハイドロフルオロエーテルの供給が停止している状態で基板を回転させて，基板表面のハイドロフルオロエーテルを振り切り乾燥させる乾燥工程と，を備えることを特徴とする基板洗浄方法。 
 　　【請求項２】 
 　上記乾燥工程は，基板表面に気体を供給しつつ基板を乾燥させることを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。 
 　　【請求項３】 
 　上記乾燥工程において基板表面に供給される気体は，加熱された気体であることを特徴とする請求項２記載の基板洗浄方法。 
 　　【請求項４】 
 　上記乾燥工程は，基板表面に対向する平面で基板表面を覆いつつ基板を乾燥させることを特徴とする請求項２または３記載の基板洗浄方法。 
 　　【請求項５】 
 　基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と， 
 　この基板回転手段によって回転されている基板に，酸またはアルカリの薬液を含む洗浄液を供給する洗浄液供給手段と， 
 　この洗浄液供給手段による洗浄液の供給後，その洗浄液が付着した状態で上記基板回転手段によって回転されている基板に，ハイドロフルオロエーテルを供給するためのリンス液供給手段と，を備えることを特徴とする基板洗浄装置。 
 　 
 ３．引用例に記載された発明 
 （１）引用例１に記載された発明 
 　この出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物であって，拒絶査定の理由で引用した特開平９−３８５９５号公報（以下，「引用例１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。  
 　 
 （ア）「【発明の属する技術分野】 
 　本発明は，被処理基板を洗浄する洗浄方法及びその装置に関する。」（【０００１】） 
 　 
 （イ）「次に上述の洗浄装置を用いて行われる洗浄方法の実施の形態について述べる。先ずウエハＷが図１に示すメインアーム２３により洗浄装置（フッ酸処理部）２９内の回転載置部３，詳しくはメカニカルチャック保持部３４の上に載置された後，クランプ指３８ａによりウエハＷが保持される。次いで回転機構３１により回転載置部３が例えば３００ｒｐｍの回転数で回転すると共に，ノズル６が待機位置から供給位置（先端部がウエハＷ中心部と対向する位置）まで回転し，バルブ６４が開かれて図５（ａ）に示すようにノズル６より例えば０．５％のフッ酸溶液６０が毎分１０００ミリリットルの流量でウエハＷ表面の中心部付近に１分間供給され，こうしてウエハＷ表面の自然酸化膜が除去される。」（【００２５】） 
 　 
 （ウ）「・・・しかる後薬液ノズル６が退避位置に退避すると共に純水ノズル７及び置換媒体ノズル８が供給位置（先端部がウエハＷ中心部に対向する位置）まで回転し，バルブ７４が開かれて図５（ｂ）に示すようにノズル７からウエハＷ表面の中心部付近に純水７０が例えば毎分１０００ミリリットルの流量で１分間供給され，ウエハＷ表面がリンスされる。」（【００２６】） 
 　 
 （エ）「ここで純水７０の供給を停止するつまりバルブ７４を閉じる例えば２〜３秒前にバルブ８４を開き，図５（ｃ）に示すようにノズル８よりウエハＷ表面の中心部付近に置換媒体液例えばＩＰＡ液８０を例えば毎分５００ミリリットルの流量で１０秒間供給する。ウエハＷはフッ酸溶液の供給からＩＰＡ液の供給に至るまでは３００ｒｐｍの回転数で回転し，ＩＰＡ液の供給を停止した後は例えば１秒間その回転数で回転し，その後４秒間３０００ｒｐｍで，更にその後５秒間は５０００ｒｐｍで回転して図５（ｄ）に示すようにＩＰＡ液の除去処理が行われる。このような一連の処理は制御部９内のプログラムに基づいて行なわれる。」（【００２７】） 
 　 
 （オ）「この際前記３０００〜５０００ｒｐｍの高速回転時には，図３（ｂ）に示すように，今までウエハＷを保持していたクランプ指３８ａからクランプ指３８ｂに切替えて，ウエハＷをクランプ指３８ｂにより保持することが望ましい。このようにウエハＷを保持するクランプ指のグル−プを３８ａから３８ｂに切り替えると，クランプ指３８ａとクランプ指３８ｂとではウエハＷの保持部位が異なるため，クランプ指３８ａとウエハＷの接触部分が，ウエハＷをクランプ指３８ｂで保持することにより露出して，この部分に残存するＩＰＡ液が除去され，これによりこの部分にウオータマークが形成されにくくなるからである。」（【００２８】） 
 　 
 （カ）「上述の実施の形態によれば，ウエハＷ表面に純水を供給した後ＩＰＡ液を供給しているため，ウエハＷ表面上の純水にＩＰＡ液が溶解する。そしてＩＰＡ液は表面張力が純水より小さくてかつ純水との混合性がよく，しかも下地との濡れ性がよいので，供給されたＩＰＡ液は純水と完全に置換される。このようにして置換されたＩＰＡ液は遠心力により除去され，これにより純水がウエハＷ表面上から速やかに除去される。この結果，水，空気中の酸素及びシリコンの反応物の析出や水に含まれるシリカの析出などによるいわゆるウオータマークの発生が防止されて，パーティクルの発生が低減され，またＩＰＡ液には不純物が含まれていないことから，結局歩留まりが向上する。なおＩＰＡ液は実質的に不純物を含まないものであるが，もし仮に微量な不純物を含むとしても，ＩＰＡ液は遠心力により除去されるためウオータマークの発生するおそれは低い。」（【００３０】） 
 　 
 　以上の記載事項及び図面の記載からみて，引用例１には次の二つの発明（以下，「引用発明１−１」，「引用発明１−２」という。）が記載されているものといえる。  
 　 
 ［引用発明１−１］ 
 　回転しているウエハにフッ酸溶液を供給して，ウエハを洗浄する洗浄工程と，この洗浄工程の後，上記フッ酸溶液が付着しているウエハを回転させつつ，その回転しているウエハに純水を供給して，ウエハ表面の上記フッ酸溶液を洗い流すリンス工程と，このリンス工程の後，ＩＰＡ液を供給して純水をＩＰＡ液に置換し，ＩＰＡ液の供給が停止している状態でウエハを回転させて，ウエハ表面のＩＰＡ液を振り切り乾燥させる乾燥工程とを備える被処理基板の洗浄方法。 
 　 
 ［引用発明１−２］ 
 　ウエハを保持しつつ回転させる回転載置部と，この回転載置部によって回転されているウエハに，フッ酸溶液を供給する薬液ノズル６と，この薬液ノズル６によるフッ酸溶液の供給後，そのフッ酸溶液が付着した状態で上記回転載置部によって回転されているウエハに，純水を供給するためのノズル７と，ＩＰＡ液を供給するノズル８とを備える被処理基板の洗浄装置。 
 　 
 （２）引用例２に記載された発明 
 　この出願の出願前に外国で頒布された刊行物であって，当審で新たに発見した国際公開第９９／１５８４５号（以下，「引用例２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。  
 　 
 （キ）「Filed of the Invention 
 This invention relates to a chemical system for drying and/or cleaning semiconductor, optical, electronic and other surfaces.」 
 （当審仮訳（以下，同様）：発明の分野　本発明は，半導体，光学的，電子的，及びその他の表面を乾燥及び／又は清浄化するための科学的システムに関する。）（第１頁第３行〜第５行） 
 　 
 （ク）「Summary of the Invention 
 These needs are met by the invention, which provides a system for drying and/or cleaning foreign substances from selected of a workpiece, such as a semiconductor wafer,・・・,including a selected liquid such as hydrofluoroethe(HFE),・・・.A first processing liquid is prepared at a temperature in a selected range, such as T(bath)=10-90℃, in a tank or other liquid housing, and the workpiece is fully immersed in a first liquid processing bath, or otherwise exposed to the first processing liquid, for a selected time interval. The invention works well, for example, at room temperature. Optionally, the processing liquid is subjected to wave motion through ultrasonic waves at one or more selected frequencies introduced into the liquid. The workpiece is drawn through a second processing liquid at a selected linear withdrawal rate, such as 0.5-5 cm/sec, or slower or faster if desired. The workpiece may be substantially stationary, or may be rotating at a selected angular velocity, as the second processing liquid is transferred to the workpiece. 
 The second processing liquid has a very low surface tension, much lower than water and most other liquids, and has a higher liquid density than water so that, as the exposed surface area of the workpiece increases, foreign substances are removed from the exposed surface(s) and water and other liquids with higher surface tension are displaced by second liquid. One result of this procedure is that the workpiece surface can be cleaned and simultaneously dried, often within a time interval of length about 1-60 sec, or longer, if desired.」（発明の概要　本発明はこれらの要求を満足する。本発明は，半導体ウエハー，・・・のような加工物の選択された表面を乾燥し及び／又は当該表面から異物を除去するためのシステムであって，ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）・・・のような選択された液体を含むシステムを提供する。第１の処理液体は，タンク又はその他の液体用ハウジング中において，Ｔ（浴内）＝１０〜９０℃のような選択された範囲内の温度で調製され，加工物は，選択された時間間隔で，第１液体処理浴中に十分に浸漬されるか，又は第１処理液体にさらされる。本発明は，例えば，室温で十分に作用する。所望により，１つ以上の選択された振動数で液体に導入される超音波による波動に処理液体がさらされる。加工物は，０．５〜５ｃｍ／秒，又は所望によりさらに遅いか又は速い速度のような選択された線形引出速度で第２処理液体を通して引っ張られる。第２処理液体が加工物に移されるとき，加工物は実質的に静止していてもよく，あるいは選択された角速度で回転していてもよい。第２の処理液体は，水及びほとんどのその他の液体よりずっと低い，非常に低い表面張力を有し，そして水よりも高い液体密度を有するので，加工物の暴露表面積が増加するにつれて，異物が暴露表面から除去され，そしてより高い表面張力を有する水及びその他の液体は第２の液体によって置換される。この方法の１つの結果は，加工物の表面が，しばしば，約１〜６０秒，又は所望によりさらに長い時間間隔で，清浄化されそして乾燥され得るということである。）（第２頁第１８行〜第３頁第１１行） 
 　 
 （ケ）「Description of Best Modes of the Invention 
 In Figure 1, a chemical bath housing or container 11 contains a selected first processing liquid 13 that is prepared at a selected bath temperature in a range T(bath)=10-90℃, optionally using a container heater. The (first) processing liquid 13 may be DI water or some of other suitable liquid. The first liquid 13 is preferably inert and preferably has a relatively high surface tension. DI water, with a surface tension(room temperature) of about 80 dynes/cm, works well here. IPA, with a relatively low surface tension of 17.6 dynes/cm, also works well here. One or more workpieces 17A, 17B, 17C is fully immersed or submerged in the liquid 13 for selected time interval of length in the range　Δt=1-600 seconds. Alternatively, the workpiece(s) need not be immersed in the first processing liquid. The first liquid 13 is optionally subjected to ultrasonic vibrations generated by one or more ultrasonic transducer 19A, 19B located at an outside wall or at an inside wall or on a bottom wall of the housing 11, or that is located within the first liquid 13 it self. The ultrasonic vibration frequency or frequencies is preferably in the range between 20 kHz and 750 kHz but may be higher if desired. An ultrasonic transducer available from Ney Ultrasonics is capable of generating a sequence of ultrasonic frequencies, including 40,72,104 and 136kHz. Other ultrasonic transducers can generate higher ultrasonic frequencies, and some devices can also generate ultrasonic frequencies as low as 20kHz.」（発明の最良の態様の説明　図１において，化学浴ハウジング又は容器１１は，T（浴内）＝１０〜９０℃の範囲内の選択された浴温度で，所望により容器ヒータ１５を使用して，調製された選択された第１処理液体１３を含む。（第１）処理液体１３はＤＩ水でよく，或いはその他の適する液体でよい。第１液体は不活性であるのが好ましく，そして比較的高い表面張力を有するのが好ましい。約８０ダイン／ｃｍの表面張力（室温）を有するＤＩ水はここで十分に作用する。１７．６ダイン／ｃｍの比較的低い表面張力を有するＩＰＡもここで十分に作用する。１つ以上の加工物１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃは，Δｔ＝１〜６００秒の範囲内の長さの選択された時間間隔の間液体１３中に十分に浸漬されるか又は沈められる。あるいは，加工物は第１処理液体中に浸漬される必要はない。第１液体１３に，所望により，ハウジング１１の外壁又は内壁又は底壁に設けられたか，又は第１液体１３そのものの内部に配置された１つ以上の超音波トランデューサー１９Ａ，１９Ｂによって発生させられた超音波振動を施すことができる。超音波振動の１つ以上の振動数は２０ｋＨｚ乃至７５０ｋＨｚの範囲内であるのが好ましいが，所望によりもっと高くてもよい。Ney Ultrasonicsから入手可能な超音波トランデューサーは，４０，７２，１０４及び１３６ｋＨｚを含む，超音波振動数の連続を発生させることができ，そしていくつかの装置は２０ｋＨｚのように低い超音波振動数も発生させることができる。）（第４頁第５行〜第２７行） 
 　 
 （コ）「The freezing point and boiling point of HFE are approximately T=-135℃ and T=60℃, respectively. HFE has density and surface tension of 1.52 gm/cm3 and 13.6 dynes/cm, respectively. Other HFE formulations have boiling points ranging from 38℃ up to about 80℃. By contrast, isopropyl alcohol(IPA) and water have surface tensions of about 17.6 dynes/cm and 80 dynes/cm, respectively. Thus, HFE can displace IPA, water and most other liquid substances with moderate to high surface tensions from the surface of a workpiece, as the workpiece is withdrawn from a bath or spray of the second liquid. The second liquid may be provided as a conventional liquid or as a vapor, mist, “fog” or other suitable fluid form (collectively referred to here as a second “liquid”), although the conventional liquid form is preferred.」（ＨＦＥの凝固点及び沸点は，それぞれ，大体Ｔ＝−１３５℃及びＴ＝６０℃である。ＨＦＥはそれぞれ１．５２ｇ／ｃｍ３及び１３．６６ダイン／ｃｍの密度と表面張力を有する。その他のＨＦＥ配合物は３８℃から約８０℃までの範囲内の沸点を有する。対照的に，イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）及び水は，それぞれ，約１７．６ダイン／ｃｍ及び８０ダイン／ｃｍの表面張力を有する。従って，ＨＦＥは，ＩＰＡ，水，及び中程度の表面張力乃至高い表面張力を有するほとんどのその他の液体を，加工物が第２液体の浴又は散布から引き出されるときに，置換することができる。第２液体は，従来的な液体として，又は蒸気，ミスト，「霧」，又はその他の適切な流体形態（これらの本明細書中ではひとまとめにして第２「液体」と呼ぶ。）として提供することができるが，従来的液体形態が好ましい。)（第５頁第１５行〜第２６行） 
 　 
 （サ）「Figure 3 is a flow chart illustrating one embodiment of a suitable procedure for practicing the invention. In step 31, a workpiece(electronic part or parts) is fully immersed in a (preferably inert) first processing liquid, such as deionized(DI) water or IPA that is prepared in a selected temperature in the range T=10-90℃, for an immersion time interval (optional) of selected length in the range Δt=0-600 seconds. In step 33, the first liquid is optionally subjected to ultrasonic wave motion at one or more selected ultrasonic frequencies in the range 20-750 kHz for most or all of the immersion time interval. In step 35, after the time interval of immersion is completed, the workpiece is slowly withdrawn from the bath of the first processing liquid, preferably at a linear rate of withdrawal of between 0.5 and 5 cm/sec and preferably in a clean room or inert environment. In step 37, a selected second processing liquid, such as HFE or eth-HFE, is transferred to the workpiece exposed surface(s) and removed. In step 39(optional), the selected liquid is filtered or otherwise cleaned and returned to the container or to anther container for reuse in another chemical bath. The procedure shown in Figure 2 will provide some cleaning of the workpiece and will usually dry the workpiece in no more than 1-30 seconds after exposure to the HFE or eth-HFE(1-60 sec for the full process). If only workpiece drying is desire, step 33 can be omitted.」（図３は，本発明を実施するための適切な手順の１つの態様を説明するフローチャートである。工程３１において，加工物（１つ以上の電子部品）は，Ｔ＝１０〜９０℃の範囲内の選択された温度で調製された脱イオン（ＤＩ）水又はＩＰＡのような（好ましくは不活性の）第１処理液体中に，Δｔ＝０〜６００秒の範囲内の選択された長さの浸漬時間間隔（選択的）の間，十分に浸漬される。工程３３において，第１液体は，所望により，浸漬時間間隔のほとんどか全ての間，２０〜７５０ｋＨｚの範囲内の１つ以上の選択された超音波振動数において，超音波波動にさらされる。工程３５において，浸漬の時間間隔が終了した後，加工物は，好ましくは０．５乃至５ｃｍ／秒の引出の線速度において，そして好ましくはクリーンルーム又は不活性の環境中において，第１処理液体の浴からゆっくりと引き出される。工程３７において，ＨＦＥ又はｅｔｈ−ＨＦＥのような選択された第２処理液体が，加工物の暴露表面に移されそして除去される。工程３９（選択的）において，選択された液体は濾過されるか又は別の方法で清浄化され，そして前記容器か又はもう１つの化学浴中において再使用されるためのもう１つの容器に戻される。図２に示された手順は，加工物のある程度の清浄化を提供し，そしてＨＦＥ又はｅｔｈ−ＨＦＥへの暴露の後通常１〜３０秒以内に加工物を乾燥する（プロセス全体に対して１〜６０秒）。加工物の乾燥のみが望まれる場合，工程３３を省くことができる。）（第７頁第８行〜第２８行） 
 　 
 （シ）「In Figures 4A and 4B, one or(preferably) many workpieces 41, such as semiconductor wafers, printed circuit boards or the like are picked up by one or more workpiece arms 43A and 43B, and the workpieces are positioned in a first housing or tank 45 that is open at the top and that has a drain aperture 47 at the bottom thereof. Preferably, the housing initially contains deionized(DI) water 49, preferably at a temperature in the range 10-90℃, and the workpiece 41 is completely immersed in the DI water. Preferably, the DI water is filled to the top of, and slightly overflowing from, the first housing 45, in order to minimize accumulation of unwanted material in the DI water through removal by spillover. Alternatively, the workpiece arm(s) 43A and 43B may be replaced by one or more vacuum chucks (preferred) or magnetic or adhesive disks that temporarily grasp and hold the wrokpiece 41.」（図４Ａ及び図４Ｂにおいて，半導体ウエハー，プリント回路板，又は類似物のような，１つの又は（好ましくは）多数の加工物４１は，１つ以上の加工物アーム４３Ａ及び４３Ｂによって取り上げられ，そして加工物は，上部が開いていてその底部にドレン開口４７を有する第１ハウジング又はタンク４５に入れられる。好ましくは，このハウジングは，初めに，好ましくは１０〜９０℃の温度範囲の脱イオン（ＤＩ）水４９を含み，加工物４１はＤＩ水中に完全に浸漬される。好ましくは，あふれ出しによる除去によってＤＩ水中における望ましくない物質の蓄積を最小化するために，ＤＩ水は第１ハウジングの上部まで満たされ，そしてわずかにあふれ出ている。あるいは，加工物アーム４３Ａ及び４３Ｂは，加工物４１を一時的につかみ保持する，１つ以上の真空チャック（好ましい）又は磁気又は粘着円盤で置き換えられてもよい。）（第８頁第３行〜第１５行） 
 　 
 （ス）「In figure 17D, one or more liquid streams 169 of HFE-based liquid is deposited onto a selected location on a surface of a rotating workpiece 161 as the workpiece surface rotates at a selected angular velocity ω about a selected rotation axis that passes through the exposed surface, and the HFE-based liquid is allowed to spread across part of the workpiece surface by action of rotation(centrifugal force, etc.) of the workpiece surface.」（図１７Ｄにおいて，加工物の表面が暴露表面を通って通過する選択された回転軸周りを選択された角速度ωで回転するとき，ＨＦＥ系液体の１つ以上の液体流れ１６９が，回転している加工物１６１の表面上の選択された位置の上に置かれ，そしてＨＦＥ系液体は，加工物表面の回転作用（遠心力その他）によって加工物の一部又は全体を横切って広げられる。）（第２１頁第４行〜第１０行） 
 　 
 　以上の記載事項及び図面の記載からみて，引用例２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されているものといえる。  
 　 
 「半導体ウエハを第１液体に浸漬し，超音波振動を加えて半導体ウエハを洗浄する工程と，この工程の後，上記第１液体が付着している半導体ウエハを回転させつつ，その回転している半導体ウエハにハイドロフルオロエーテルを供給して，半導体ウエハ表面の第１液体と置換する工程と，この置換する工程の後，半導体ウエハ表面のハイドロフルオロエーテルを乾燥させる半導体ウエハの洗浄方法。」 
 　 
 （３）引用例３に記載された発明 
 　この出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物であって，拒絶査定の理由で引用した特開平８−７８３６８号公報（以下，「引用例３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。  
 　 
 （セ）「【産業上の利用分野】 
 　本発明は板状のワークの被処理面を処理するワークの処理技術に関し，たとえば，半導体集積回路の製造に使用される半導体ウエハの洗浄処理に適用して有効な技術に関するものである。」（段落【０００１】） 
 　 
 （ソ）「図示するように，この処理装置は平坦な対向面１ａを有する円板状の第１の処理部材１１を有し，対向面１ａには４本以上の支持ピン２が取り付けられており，これらの支持ピン２によりウエハＷが第１の処理部材１１に設置される。ウエハＷを第１の処理部材１１に設置すると，ウエハＷの一方の被処理面Ｗａと第１の処理部材１１の対向面１ａとの間には隙間３が形成される。 
 　さらにこの処理装置は，平坦な対向面１ｂを有する円板状の第２の処理部材１２を有し，この第２の処理部材１２はその対向面１ｂがウエハＷを介して第１の処理部材１１の対向面１ａに対向して設置されるようになっている。この第２の処理部材１２の対向面１ｂとウエハＷの被処理面Ｗｂとの間には隙間４が形成される。これらの隙間３，４はそれぞれの寸法が0.１〜５ｍｍ程度となるように設定されている。」（段落【００１８】〜【００１９】） 
 　 
 （タ）「所定のリンス時間が経過した後に，リンス液の供給を停止すると同時に，ガス容器２５内の乾燥用ガスとしての窒素ガスを連通孔９ａ，９ｂを介して隙間３，４内に供給しながら，ウエハＷをモータ６により，たとえば３０００〜４０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させてリンス液を隙間３，４内から洗浄除去した後にウエハＷの両方の被処理面Ｗａ，Ｗｂを乾燥させる。このときに，窒素ガスを加熱して供給するようにしても良く，窒素ガスに代えて他の不活性ガスを乾燥用ガスとしても良い。」（段落【００２８】） 
 　 
 　以上の記載事項及び図面の記載からみて，引用例３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されているものといえる。  
 　 
 「ウエハリンスした後，ウエハの処理面に対向する処理部材でウエハの処理面を覆いつつ，ウエハを回転させて加熱した窒素ガスを供給しつつウエハを乾燥させるウエハの洗浄処理方法。」 
 　 
 ４．本願発明１について 
 （１）対比 
 　本願発明１と引用発明１−１とを対比すると，引用発明１−１における「ウエハ」が本願発明における「基板」に相当し，以下，それぞれ「フッ酸溶液」が「酸またはアルカリの薬液を含む洗浄液」，「被処理基板の洗浄方法」が「基板洗浄方法」に相当する。 
 　 
 　また，引用発明１−１におけるリンス工程でウエハに供給される純水は，本願発明１におけるハイドロフルオロエーテルと同様に，リンス液である点で共通しているものと認められる。 
 　 
 　してみると，本願発明１と引用発明１−１とは， 
 「回転している基板に酸またはアルカリの薬液を含む洗浄液を供給して，基板を洗浄する洗浄工程と，この洗浄工程の後，上記洗浄液が付着している基板を回転させつつ，その回転している基板にリンス液を供給して，基板表面の上記洗浄液を洗い流すリンス工程と，このリンス工程の後，基板を回転させて，基板表面のリンス液を乾燥させる乾燥工程と，を備えることを特徴とする基板洗浄方法。」 
 　である点で一致し，次の点で相違する。 
 　 
 ・本願発明１では，リンス液が「ハイドロフルオロエーテル」であるのに対して，引用発明１−１では，リンス液が「純水」である点（以下，「相違点１」という。）。 
 ・本願発明１では，乾燥工程で「基板に対するハイドロフルオロエーテルの供給が停止している状態で基板を回転させて，基板表面のハイドロフルオロエーテルを振り切り乾燥させる」のに対して，引用発明１−１では，「ＩＰＡ液を供給して純水をＩＰＡ液に置換し，ＩＰＡ液の供給が停止している状態でウエハを回転させて，ウエハ表面のＩＰＡ液を振り切り乾燥させる」点（以下，「相違点２」という。）。 
 　 
 （２）当審の判断 
 　上記相違点について検討する。 
　引用発明１−１には、酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液をハイドロフルオロエーテルでリンスするような構成はない。
　また，引用発明２は、第１液体による処理後の半導体ウエハにハイドロフルオロエーテルを供給するものであるが、第１液体として用いられるのは、不活性なものが好ましいとされており、実施形態では、純水、ＩＰＡが第１液体として例示されている。
　そして、第１液体が純水やＩＰＡのように不活性なものであれば、その第１液体による処理後に、純水やＩＰＡをリンスする必要性は認められない。してみると，引用発明２のハイドロフルオロエーテルは、第１液体である純水やＩＰＡをリンスするためのものとは認められず，半導体ウエハの乾燥を促進させるための単なる乾燥促進剤として用いられているものと解するほかない。
　よって、引用発明２は、薬液のように活性な液をハイドロフルオロエーテルでリンスするという構成はなく、引用例２にそのような技術思想を示唆するような記載もない。
　さらに、引用発明３も、酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液をハイドロフルオロエーテルでリンスするという構成はない。
　
　次いで，引用発明１−１に引用発明２乃至３を組み合わせることについて検討すると，引用発明１−１における酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液による洗浄工程後，リンス液によるリンス工程を欠くことはできない。
　そして，引用発明２におけるハイドロフルオロエーテルは，上記のとおり，乾燥を促進させる乾燥促進剤であって，薬液のように活性な液をリンスするものではないことから，引用発明１−１におけるリンス液に置換することはできず，リンス工程後の乾燥工程におけるＩＰＡ液と置換することしか，当業者には予測し得ないものである。
　さらに，仮に，引用発明１−１におけるリンス工程を省略する可能性について検討しても，上記のとおり，引用発明１−１におけるリンス工程は，洗浄液が酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液であることから必要不可欠な工程であること，そして，酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液にハイドロフルオロエーテルを直接接触させた場合の反応について，引用例１ないし３の記載から，当業者が予測し得ないことを勘案すると，当業者が容易になし得たということはできない。
　
　したがって，本願発明１は，引用発明１乃至３のいずれからも，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また，その他の拒絶理由も発見しない。
　
 ５．本願発明２乃至本願発明４について 
 　本願発明２乃至本願発明４と引用発明１−１とを対比すると，本願発明１と同様の点で一致し，上記相違点１，相違点２に加えて，次の点で相違する。 
 　 
 ・本願発明２では，「乾燥工程は，基板表面に気体を供給しつつ基板を乾燥させる」のに対して，引用発明１−１では，そのような構成はない点（以下，「相違点３」という。）。 
 ・本願発明３では，「乾燥工程において基板表面に供給される気体は，加熱された気体である」よう構成するのに対して，引用発明１−１では，そのような構成はない点（以下，「相違点４」という。）。 
 ・本願発明４では，「乾燥工程は，基板表面に対向する平面で基板表面を覆いつつ基板を乾燥させる」のに対して，引用発明１−１では，そのような構成はない点（以下，「相違点５」という。）。 
 　 
 　上記相違点について検討するまでもなく，本願発明１が上記のとおり進歩性を有するものであるから，本願発明１を引用する本願発明２乃至本願発明４が進歩性を有することは明らかである。
　また，本願発明１と同様に，本願発明２乃至本願発明４についても，その他の拒絶理由を発見しない。
 　 
 ６．本願発明５について 
 （１）対比 
 　本願発明５と引用発明１−２とを対比すると，引用発明１−２における「ウエハ」が本願発明における「基板」に相当し，以下，それぞれ「回転載置部」が「基板回転手段」，「フッ酸溶液」が「酸またはアルカリの薬液を含む洗浄液」，「薬液ノズル６」が「洗浄液供給手段」，「被処理基板の洗浄装置」が「基板洗浄装置」に相当する。 
 　 
 　また，引用発明１−２におけるウエハに供給される純水は，本願発明１におけるハイドロフルオロエーテルと同様に，リンス液である点で共通しているものと認められ，引用発明１−２における「ノズル７」は，本願発明５における「リンス液供給手段」に相当するものと認められる。 
 　 
 　してみると，本願発明５と引用発明１−２とは， 
 「基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と， 
 　この基板回転手段によって回転されている基板に，酸またはアルカリの薬液を含む洗浄液を供給する洗浄液供給手段と， 
 　この洗浄液供給手段による洗浄液の供給後，その洗浄液が付着した状態で上記基板回転手段によって回転されている基板に，リンス液を供給するためのリンス液供給手段と，を備えることを特徴とする基板洗浄装置。」 
 　である点で一致し，次の点で相違する。 
 　 
 ・本願発明５では，リンス液が「ハイドロフルオロエーテル」であるのに対して，引用発明１−２では，リンス液が「純水」である点（以下，「相違点６」という。）。 
　
（２）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明１−２，引用発明３には、酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液をハイドロフルオロエーテルでリンスするような構成はない。
　また，引用発明２は、第１液体による処理後の半導体ウエハにハイドロフルオロエーテルを供給するものであるが、第１液体として用いられるのは、不活性なものが好ましいとされており、実施形態では、純水、ＩＰＡが第１液体として例示されている。
　そして、第１液体が純水やＩＰＡのように不活性なものであれば、その第１液体による処理後に、純水やＩＰＡをリンスする必要性は認められない。してみると，引用発明２のハイドロフルオロエーテルは、第１液体である純水やＩＰＡをリンスするためのものとは認められず，半導体ウエハの乾燥を促進させるための単なる乾燥促進剤として用いられているものと解するほかない。
　よって、引用発明２は、薬液のように活性な液をハイドロフルオロエーテルでリンスするという構成はなく、引用例２にそのような技術思想を示唆するような記載もない。
　
　次いで，引用発明１−２に引用発明２乃至３を組み合わせることについて検討しても，引用発明１−２における酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液による洗浄工程後，リンス液によるリンス工程を欠くことはできないものであり，そして，引用発明２におけるハイドロフルオロエーテルは，上記のとおり，乾燥を促進させる乾燥促進剤であって，薬液のように活性な液をリンスするものではないことから，引用発明１−２におけるリンス液に置換することはできず，リンス工程後の乾燥工程におけるＩＰＡ液と置換することしか，当業者には予測し得ないものである。
　さらに，仮に，引用発明１−２におけるリンス工程を省略する可能性について検討しても，上記のとおり，引用発明１−２におけるリンス工程は，洗浄液が酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液であることから必要不可欠な工程であること，そして，酸又はアルカリの薬液を含む洗浄液にハイドロフルオロエーテルを直接接触させた場合の反応について，引用例１ないし３の記載から，当業者が予測し得ないことを勘案すると，当業者が容易になし得たということはできない。
　
　したがって，本願発明５は，引用発明１乃至３のいずれからも，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また，その他の拒絶理由も発見しない。
　
７．むすび
　以上のとおり，本願発明１乃至５は，引用発明１乃至３に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず，また，その他の拒絶理由も発見できないことから，本願発明１乃至５は，特許すべきものである。
　よって，上記結論のとおり審決する。