【事件の表示】
　特願２００５−１９００７４「窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月１８日出願公開、特開２００７−　１２７８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１７年６月２９日の出願であって、平成２０年９月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１１月２５日付けで手続補正がなされたものであるが、その後当審において、平成２２年３月３１日付けで、平成２０年１１月２５日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶理由が通知され、これに応答して平成２２年６月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年６月４日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のものである。
「紫外線領域の波長成分を含む光を発生する窒化物半導体発光素子であって、
　金属支持基体と、
　前記金属支持基体上に設けられＡｌ及びＧａを含むｎ導電型の窒化物半導体層と、
　前記ｎ導電型の窒化物半導体層上に設けられ３００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の波長領域内の波長の光を発生する量子井戸構造を有する発光層と、
　前記発光層上に設けられＡｌ及びＧａを含むｐ導電型の窒化物半導体層と、
　前記ｐ導電型の窒化物半導体層上に設けられ前記光が透過可能な半透明電極と、を備え、
　前記半透明電極が、前記ｐ導電型の窒化物半導体層の略表面全体にわたって設けられている、窒化物半導体発光素子。」
　
　
３．引用例・引用発明
　当審において、平成２２年３月３１日付けで通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）に引用した、本願の出願前に頒布された特開２００５−８５８５１号公報（以下「引用例」という。）には、下記の事項が記載されている。
 　 
（１）「【００５０】 
 （実施例２） 
 ここで、図３を参照しながら実施例２について説明する。 
 【００５１】 
 図３は、実施例２に係る窒化物系ＬＥＤの模式的な断面図である。 
 【００５２】 
 図３において、各符号は上述した図２（ａ）（ｂ）と同様であるが、ＣｕＷ基板５０の上に順次、ｎ−Ａ１ＧａＮ層４１、ＧａＮ／Ａ１ＧａＮ多重量子井戸層４２、ｐ−ＡｌＧａＮ層４３が設けられ、第二の窒化物半導体層となり発光素子構造４０を構成している。そして、ｐ−ＡｌＧａＮ層４３上には上部電極６０が、ＣｕＷ基板５０の底面には底面電極７０が設けられている。 
 【００５３】 
 実施例２に係る窒化物系ＬＥＤの作製について説明する。 
 【００５４】 
 実施例１と同様に、サファイア基板１０上へｎ−ＧａＮ層２０、Ｔｉ膜３０を形成した後、熱処理を行い下地基板とした。この下地基板上にｐ−ＡｌＧａＮ層４３（厚さ０．５μｍ）、ＧａＮ／Ａ１ＧａＮ多重量子井戸層４２（ＧａＮ厚さ２ｎｍ，ＡｌＧａＮ厚さ４ｎｍ）、ｎ−Ａ１ＧａＮ層４１（厚さ３μｍ）を順次形成し、最後にその上にＣｕＷ基板５０を貼付した。尚、ｎ−Ａ１ＧａＮ層４１、およびｐ−ＡｌＧａＮ層４３の組成は、実施例１と同様のものとした。 
 【００５５】 
 その後、機械的に下地基板を剥離し、ｐ−Ａ１ＧａＮ層４３の表面に上部電極６０を、ＣｕＷ基板５０の底面に底面電極７０を設け、図３に示す窒化物系ＬＥＤを作製した。 
 【００５６】 
 当該窒化物系ＬＥＤに２０ｍＡ通電したところ、発光波長３５４ｎｍで、発光出力は１．４ｍＷであった。」 
 　 
（２）　上記（１）から、引用例には、下記の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 「ＣｕＷ基板５０の上に順次、ｎ−Ａ１ＧａＮ層４１、ＧａＮ／Ａ１ＧａＮ多重量子井戸層４２、ｐ−ＡｌＧａＮ層４３が設けられ、ｐ−ＡｌＧａＮ層４３上には上部電極６０が、ＣｕＷ基板５０の底面には底面電極７０が設けられている、発光波長３５４ｎｍの窒化物系ＬＥＤ。」 
 　 
　
４．対比 
　本願発明と引用発明を対比する。 
（１）　引用発明は、「ＣｕＷ基板５０の上に順次、ｎ−Ａ１ＧａＮ層４１、ＧａＮ／Ａ１ＧａＮ多重量子井戸層４２、ｐ−ＡｌＧａＮ層４３が設けられ、ｐ−ＡｌＧａＮ層４３上には上部電極６０が、ＣｕＷ基板５０の底面には底面電極７０が設けられている、発光波長３５４ｎｍの窒化物系ＬＥＤ」であるので、引用発明の「ＣｕＷ基板５０」、「ｎ−Ａ１ＧａＮ層４１」、「ＧａＮ／Ａ１ＧａＮ多重量子井戸層４２」及び「ｐ−ＡｌＧａＮ層４３」は、それぞれ本願発明の「金属支持基体」、「（前記金属支持基体上に設けられ）Ａｌ及びＧａを含むｎ導電型の窒化物半導体層」、「（前記ｎ導電型の窒化物半導体層上に設けられ）３００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の波長領域内の波長の光を発生する量子井戸構造を有する発光層」及び「（前記発光層上に設けられ）Ａｌ及びＧａを含むｐ導電型の窒化物半導体層」に相当するとともに、引用発明は、本願発明の「紫外線領域の波長成分を含む光を発生する窒化物半導体発光素子であって」との特定事項を具備する。
　
（２）よって、引用発明と本願発明とは、 
「紫外線領域の波長成分を含む光を発生する窒化物半導体発光素子であって、
　金属支持基体と、
　前記金属支持基体上に設けられＡｌ及びＧａを含むｎ導電型の窒化物半導体層と、
　前記ｎ導電型の窒化物半導体層上に設けられ３００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の波長領域内の波長の光を発生する量子井戸構造を有する発光層と、
　前記発光層上に設けられＡｌ及びＧａを含むｐ導電型の窒化物半導体層と、を備える窒化物半導体発光素子。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
相違点：
　本願発明は、「前記ｐ導電型の窒化物半導体層上に設けられ前記光が透過可能な半透明電極を備え、前記半透明電極が、前記ｐ導電型の窒化物半導体層の略表面全体にわたって設けられている、」のに対して、引用発明はそのようなものを備えていない点。
　
　
５．判断
　上記相違点について検討すると、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）からなるダブルヘテロ構造を有する窒化物系半導体が用いられた紫外ＬＥＤにおいて、発光観測面側となるｐ型窒化物系半導体層上に、発光層の発光を外部に取り出すために透光性の金属からなるｐ側電極を略表面全体にわたって設ける構造は、本願の出願時点で周知（例えば、当審拒絶理由に引用した特開２００３−４６１２７号公報の段落【０００２】〜【０００４】のほか、特開平６−３１４８２２号公報の段落【０００５】〜【０００９】、図２を参照）であるから、引用発明の「ｐ−ＡｌＧａＮ層４３」上に、この周知の「発光観測面側となるｐ型窒化物系半導体層上に、発光層の発光を外部に取り出すために透光性の金属からなるｐ側電極を略表面全体にわたって設ける構造」を適用して、引用発明を本願発明の上記相違点に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　よって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、平成２２年６月４日付け意見書の第３頁「（２−１）本願発明１と引用発明２との対比」において、上記相違点について、「本願発明は、ｎ導電型の窒化物半導体層での電子の広がり難さを金属支持基体によって補うことに加え、Ａｌ及びＧａを含むｐ導電型の窒化物半導体層でのホールの広がり難さを、半透明電極をｐ導電型の窒化物半導体層の略表面全体にわたって設けることで解消するようにして、各窒化物半導体層における電子やホールの広がり難さといった課題を上述した構成でそれぞれ解決することにより、電流注入面積を大きくし、発光素子の発光面積を大きくするといった特段の作用効果を奏するものとなっているが、引用例の段落【００５７】〜【００６０】等を参酌すると、引用例では、本願発明に類する「ｐアップ構造」よりも、本願発明と異なる「ｐダウン構造」の方が出力特性において好ましいといった技術思想が形成されており、このような技術思想の引用発明において、本願発明に類する「ｐアップ構造」の出力特性を半透明電極を用いて高めるといった技術的な意味、つまり、ｐ導電型の窒化物半導体層の上に半透明電極を設けるといった示唆や言及を見出すことはできない、従って、仮に当業者が引用発明に接したとしても、あまり好ましい例として扱われていない「ｐアップ構造」をあえて選び、更に、この「ｐアップ構造」において、「半透明電極をｐ導電型の窒化物半導体層の略表面全体にわたって設ける」といった構成とすることは、本願発明を事後的にでも見ない限り、当業者といえども容易には想到し得ない」旨主張する。
　しかしながら、引用例の【００６０】の記載は、「引用発明」が「ｐ型層であるｐ−ＡｌＧａＮ層４３側が光の取り出し側となり上部電極６０が設けられているため、上部電極６０を当該層全面に広げることが出来ないので注入電流は、ｐ−ＡｌＧａＮ層４３で拡散することとなるが、ｐ型層での電流拡散は困難なため、発光面積が減少する結果、「ｐダウン構造」の実施例１に係る窒化物系ＬＥＤと比較してより低い発光出力に留まったものと考えられる」ことをいうものであって、「上部電極６０」を「ｐ型層であるｐ−ＡｌＧａＮ層４３」全面に広げることが望ましいことを示唆するものであり、前記周知の構造を、出力特性においてあまり好ましくない引用発明に適用することは、当業者にとって十分な動機付けがあるというべきであるから、請求人の前記主張は採用できない。
　
　
６．むすび
　本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。