【事件の表示】
　平成　９年特許願第　６６８２６号「セラミック配線基板を用いた半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月２９日出願公開、特開平１０−２６１７３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯 
　本願は、平成９年３月１９日の出願であって、平成１７年１月２０日付で拒絶理由通知がなされ、同年３月２５日付で意見書及び手続補正書が提出され、平成１７年１月２０日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、同年４月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２０日付で手続補正書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１７年６月２０日付手続補正についての補正却下の決定
　　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１７年６月２０日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
［２−１］補正の内容 
　平成１７年６月２０日付手続補正により、特許請求の範囲の請求項１〜４のうち請求項１は次のとおりに補正された。
「【請求項１】第１のセラミック基板（２）と、
　この第１のセラミック基板（２）の表面に形成され、導体層（２ｂ）上にめっき（６）が施されたボンディングパッド（１００）と、
　前記第１のセラミック基板（２）内に形成され、前記ボンディングパッド（１００）と電気的に接続される、導体が充填された第１のビアホール（２ａ）と、
　前記第１のセラミック基板（２）の裏面側に形成され、前記第１のビアホール（２ａ）と電気的に接続されるビア配線とを備え、
　ワイヤ（９）により電子部品（５）と前記ボンディングパッド（１００）とがボンディングされてなるセラミック配線基板を用いた半導体装置において、
　前記ボンディングパッド（１００）は、前記第１のビアホール（２ａ）の直上に形成され、前記ビア配線は、少なくとも前記第１のビアホール（２ａ）と接触する部分が２層以上の導体層（２ｃ、３ｂ）にて形成されており、
　前記ワイヤ（９）は、前記第１のビアホール（２ａ）および前記２層以上の導体層（２ｃ、３ｂ）の直上にて前記ボンディングパッド（１００）とボンディングされているものであって、
　前記第１のセラミック基板（２）の表面の外周部に第２のセラミック基板（１）が積層形成されており、前記第１、第２のセラミック基板（２、１）にて形成される段差部（１２）から所定距離隔てて前記ボンディングパッド（１００）が形成されていることを特徴とするセラミック配線基板を用いた半導体装置。」
 　　 
［２−２］補正の目的
　上記補正後の請求項１は、補正前の請求項１における「第１のセラミック基板（２）」とその表面に形成される「ボンディングパッド（１００）」と「第２のセラミック基板（１）」との位置関係について、「前記第１のセラミック基板（２）の表面の外周部に第２のセラミック基板（１）が積層形成されており、前記第１、第２のセラミック基板（２、１）にて形成される段差部（１２）から所定距離隔てて前記ボンディングパッド（１００）が形成されている」との限定を付加したものである。
　したがって、当該補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　
［２−３］独立特許要件 
　次いで、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。 
 　　 
（１）補正後の本願発明 
　上記補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、平成１７年６月２０日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記［２−１］の【請求項１】に記載したとおりのものと認める。
　　 
（２）引用刊行物の記載事項 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−２３４５５２号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、及び同特開平６−７７３４４号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　　　　
（２−１）引用刊行物１：特開昭６３−２３４５５２号公報
（１ａ）「１．パッケージ本体に半導体素子収納穴が形成され、該半導体素子収納穴の周辺部に半導体素子と電気的に接続するためのボンディングパッド部が設けられた半導体パッケージにおいて、該ボンディングパッド部の直下には、該ボンディングパッド部と垂直に接続された垂直導体部が設けられ、該垂直導体部の他端には内部配線パターンが接続された・・・半導体パッケージ。」（特許請求の範囲の請求項１）、
（１ｂ）実施例として、「ボンディングパッド部４に電気めっきを施す必要がある場合には、第２図に破線で示すように外周部に至る配線パターンを設け、」（第２頁右下欄７〜９行）、
「第３図は第１図に示す本発明の半導体パッケージのボンディングパッド部４の部分平面図であり、同一平面上に二列のボンディングパッド部４を設けるとともに、ボンディングパッド部４を高さの異なる二段の平面上に設けている。」（第２頁右下欄１７行〜第３頁左上欄２行）、
「本発明の半導体パッケージのボンディングパッド部４は、金属細線８により半導体素子６と接続する・・・このワイヤーボンディング方式」（第３頁左上欄１２〜１４行）、
「まずセラミックグリーンシート１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ（第１図）の所定の位置に垂直導体部７を形成するためのスルーホールを形成し、このスルーホール内にタングステンまたはモリブデンなどの金属粉を主成分とするメタライズペーストを充填する。さらに第２図（ａ）〜（ｄ）に示すようにメタライズペーストにより所要の内部配線パターン２をセラミックグリーンシート１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅの表面に印刷する。・・・このようにメタライズペーストにより垂直導体部７および内部配線パターン２などが形成されたセラミックグリーンシートを第１図（ａ）に示すように積層し、加熱加圧または溶剤を介して接着するなどの方法で積層した後、中性または還元雰囲気中で・・・焼成する。露出する配線パターンやステージ部５に無電解めっきなどを施した後、外部リードピン３をろう付けし、金めっき等所要のめっきを施すことにより本発明の半導体パッケージを得ることができる。」（第３頁右上欄２行〜左下欄７行）が記載されており、
（１ｃ）第１図、第２図、第３図には、セラミックグリーンシート１ｃの外周部にセラミックグリーンシート１ｂが積層形成されており、該セラミックグリーンシート１ｂ、１ｃの段差部から所定距離隔ててボンディングパッド部４が形成され、その直下に垂直導体部７が設けられ、該セラミックグリーンシート１ｂ、１ｃの裏面側に垂直導体部７の下端と接続するように内部配線パターン２が設けられている点が示されている。
　　
（２−２）引用刊行物２：特開平６−７７３４４号公報
（２ａ）「【請求項１】セラミックシートに穿設した貫通孔内に導電性ペーストを充填・・・し、次いで、この導電性ペーストを乾燥したのち、前記セラミックシートの上面又は下面にパターン配線を、当該パターン配線の一部が前記貫通孔に重なるように形成する一方、前記セラミックシートの下面又は上面のうち前記貫通孔の部分に、導電性ペーストによる捨てパターンを形成し、次いで、このようにしたセラミックシートの複数枚を積層したのち、高温で焼成する・・・スルーホール付きセラミック製多層回路基板の製造方法。」（【特許請求の範囲】）、
（２ｂ）【発明が解決しようとする課題】として、「セラミックシート１における各貫通孔２内に充填した導電性ペーストは、その乾燥及び高温での焼成に際して体積が収縮することになるから、貫通内２内における導電性ペースト３は、図５に示すように、セラミックシート１の上下両面から窪んだ形状になる。
【０００４】これに加えて、前記セラミックシート１を、その各貫通孔２内に導電性ペースト３を充填したのち、前記テーブル６より持ち上げるときにおいて、各貫通孔２内における導電性ペースト３のうちセラミックシート１の下面側の一部が、テーブル６側に付着して消失することにより、前記体積の収縮と相俟って、セラミックシート１における下面より更に大きく窪んだ形状になって、セラミックシート１の複数枚を積層したとき、各セラミックシートのうち上側のセラミックシート１における貫通孔２内の導電性ペーストが、下側のセラミックシート１における上面に形成したパターン配線５から離れることになるから、各セラミックシート１の相互間に形成するスルーホールの途中に、電気的接続不良（オープン）が多発すると言う問題があった。」（段落【０００３】、【０００４】）、
（２ｃ）【作用】として、「【０００８】・・・セラミックシートの貫通孔内に充填・・・した導電性ペーストを乾燥したあとにおいて、前記セラミックシートの下面又は上面のうち貫通孔の部分に、導電性ペーストによる捨てパターンを形成することにより、貫通孔内の導電性ペーストが、体積の縮小等によって減少しても、この減少した分を、捨てパターンによって埋めることができると共に、この捨てパターンを前記貫通孔内における導電性ペーストに対して一体的に結合することができ、しかも、この捨てパターンと、複数枚のセラミックシートを積層したときにおいて、各セラミックシートの上面又は下面側に形成されているパターン配線に対して確実に接触することができると共に、その後における焼成にて、前記捨てパターンをパターン配線に対して一体化することかできるから、各貫通孔内における導電性ペーストの体積が、その後の焼成によって縮小しても、更には、各セラミックシートにおける貫通孔が互いに食い違い状にずれたりしていても、スルーホールの途中に、電気的接続不良（オープン）が発生することを確実に低下できるのである。」（段落【０００８】）が記載されている。
　　
（３）対比・判断
　引用刊行物１には、「パッケージ本体に半導体素子収納穴が形成され、該半導体素子収納穴の周辺部に半導体素子と電気的に接続するためのボンディングパッド部が設けられた半導体パッケージにおいて、該ボンディングパッド部の直下には、該ボンディングパッド部と垂直に接続された垂直導体部が設けられ、該垂直導体部の他端には内部配線パターンが接続された・・・半導体パッケージ」が記載されている（摘記（１ａ）参照）。
　そして、引用刊行物１には、上記「ボンディングパッド部」について、「ボンディングパッド部４に電気めっきを施す必要がある場合には、・・・」、「露出する配線パターン・・・に無電解めっきなどを施した後、・・・金めっき等所要のめっきを施す」、「ボンディングパッド部４は、金属細線８により半導体素子６と接続する・・・このワイヤーボンディング方式」（摘記（１ｂ））との記載により、ボンディングパッド部にめっきを施し、金属細線により該ボンディングパッド部と半導体素子とをボンディングすることが記載されている。また、上記「垂直導体部」について、「垂直導体部７を形成するためのスルーホールを形成し、このスルーホール内にタングステンまたはモリブデンなどの金属粉を主成分とするメタライズペーストを充填する。・・・このようにメタライズペーストにより垂直導体部７および内部配線パターン２などが形成され」（摘記（１ｂ））との記載により、スルーホール内に導体を充填して垂直導体部を形成することが記載されている。また、上記「該垂直導体部の他端には内部配線パターンが接続された」（摘記（１ａ））の「内部配線パターン」について、「第２図（ａ）〜（ｄ）に示すようにメタライズペーストにより所要の内部配線パターン２をセラミックグリーンシート１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅの表面に印刷する。・・・このようにメタライズペーストにより垂直導体部７および内部配線パターン２などが形成されたセラミックグリーンシートを第１図（ａ）に示すように積層し、・・・焼成する。」（摘記（１ｂ））と記載され、第１図（ａ）には、セラミックグリーンシート１ｃの裏面側に垂直導体部の下端と接続するように内部配線パターンが設けられている点が示されている（摘記（１ｃ）参照）。また、上記「パッケージ本体」（摘記（１ａ））の積層構造及び導体の配置について、「第３図は第１図に示す本発明の半導体パッケージのボンディングパッド部４の部分平面図であり、同一平面上に二列のボンディングパッド部４を設けるとともに、ボンディングパッド部４を高さの異なる二段の平面上に設けている。」、「このようにメタライズペーストにより垂直導体部７および内部配線パターン２などが形成されたセラミックグリーンシートを第１図（ａ）に示すように積層し、」（摘記（１ｂ））と記載され、第１図、第２図、第３図には、セラミックグリーンシート１ｃの外周部にセラミックグリーンシート１ｂが積層形成されており、該セラミックグリーンシート１ｂ、１ｃの段差部から所定距離隔ててボンディングパッド部４が形成され、その直下に垂直導体部７が設けられ、該セラミックグリーンシート１ｂ、１ｃの裏面側に垂直導体部７の下端と接続するように内部配線パターン２が設けられている点が示されている（摘記（１ｃ）参照）。
　これらの事項を総合すると、引用刊行物１には、「セラミックグリーンシート１ｃの外周部にセラミックグリーンシート１ｂが積層され、ボンディングパッド部は、該セラミックグリーンシート１ｃの表面に、該セラミックグリーンシート１ｃの垂直導体部の上端にめっきを施して形成され、該垂直導体部は、該ボンディングパッド部の直下にスルーホール内に導体を充填して形成され、該ボンディングパッド部と電気的に接続されており、該セラミックグリーンシート１ｃの裏面側には、該垂直導体部の下端と接続するように内部配線パターンが設けられて焼成されており、半導体素子と該ボンディングパッド部とが金属細線によりボンディングされている半導体パッケージにおいて、上記セラミックグリーンシート１ｂ、１ｃの段差部から所定距離隔てて、該セラミックグリーンシート１ｃの表面に上記ボンディングパッド部が形成されている半導体パッケージ。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明においては、「セラミックグリーンシート１ｃ」、「セラミックグリーンシート１ｂ」は焼成されているから、該焼成された「セラミックグリーンシート１ｃ」、「セラミックグリーンシート１ｂ」は、夫々本願補正発明における「第１のセラミック基板（２）」、「第２のセラミック基板（１）」に相当する。また、引用発明における「ボンディングパッド部は、該セラミックグリーンシート１ｃの表面に、該セラミックグリーンシート１ｃの垂直導体部の上端にめっきを施して形成され、該垂直導体部は、該ボンディングパッド部の直下にスルーホール内に導体を充填して形成され、・・・該セラミックグリーンシート１ｃの裏面側には、該垂直導体部の下端と接続するように内部配線パターンが設けられ」の「ボンディングパッド部」、「垂直導体部」、「内部配線パターン」は、夫々本願補正発明における「導体層（２ｂ）上にめっき（６）が施されたボンディングパッド（１００）」、「導体が充填された第１のビアホール（２ａ）」、「ビア配線」に相当する。また、引用発明における「半導体素子と該ボンディングパッド部とが金属細線によりボンディングされている半導体パッケージ」の「半導体素子」、「金属細線」、「半導体パッケージ」は、夫々本願補正発明における「電子部品（５）」、「ワイヤ（９）」、「セラミック配線基板を用いた半導体装置」に相当する。また、引用発明では、「垂直導体部は、ボンディングパッド部の直下にスルーホール内に導体を充填して形成され、・・・該垂直導体部の下端と接続するように内部配線パターンが設けられ・・・半導体素子と該ボンディングパッド部とが金属細線によりボンディングされている」のであるから、ボンディングパッド部は、垂直導体部の直上に形成され、金属細線は、該垂直導体部及び該垂直導体部の下端と接続する内部配線パターンの直上にて該ボンディングパッド部とボンディングされていることに他ならない。
　そうすると、両発明は、「第１のセラミック基板（２）と、この第１のセラミック基板（２）の表面に形成され、導体層（２ｂ）上にめっき（６）が施されたボンディングパッド（１００）と、前記第１のセラミック基板（２）内に形成され、前記ボンディングパッド（１００）と電気的に接続される、導体が充填された第１のビアホール（２ａ）と、前記第１のセラミック基板（２）の裏面側に形成され、前記第１のビアホール（２ａ）と電気的に接続されるビア配線とを備え、ワイヤ（９）により電子部品（５）と前記ボンディングパッド（１００）とがボンディングされてなるセラミック配線基板を用いた半導体装置において、前記ボンディングパッド（１００）は、前記第１のビアホール（２ａ）の直上に形成され、前記ワイヤ（９）は、前記第１のビアホール（２ａ）の直上にて前記ボンディングパッド（１００）とボンディングされているものであって、
　前記第１のセラミック基板（２）の表面の外周部に第２のセラミック基板（１）が積層形成されており、前記第１、第２のセラミック基板（２、１）にて形成される段差部（１２）から所定距離隔てて前記ボンディングパッド（１００）が形成されているセラミック配線基板を用いた半導体装置。」の点で一致し、次の点で相違する。 
（イ）本願補正発明では、ビア配線は、少なくとも第１のビアホール（２ａ）と接触する部分が２層以上の導体層（２ｃ、３ｂ）にて形成されており、ワイヤ（９）は、２層以上の導体層（２ｃ、３ｂ）の直上にてボンディングパッド（１００）とボンディングされているのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　
　そこで、上記相違点（イ）について検討するに、引用刊行物２には、スルーホール付きセラミック製多層回路基板を製造する場合に、セラミックシートに穿設した貫通孔内に導電性ペーストを充填し、次いで、この導電性ペーストを乾燥した後、該セラミックシートの上面又は下面にパターン配線を、当該パターン配線の一部が該貫通孔に重なるように形成する一方、該セラミックシートの下面又は上面のうち該貫通孔の部分に、導電性ペーストによる捨てパターンを形成し、次いで、該セラミックシートの複数枚を積層して焼成することが記載されており（摘記（２ａ）参照）、上記の捨てパターンを形成する理由として、セラミックシートの各貫通孔内に充填した導電性ペーストは、その乾燥及び焼成に際して体積が収縮することになるから、貫通孔内における導電性ペーストは、セラミックシートの上下両面から窪んだ形状になり、セラミックシートの複数枚を積層したとき、上側のセラミックシートにおける貫通孔内の導電性ペーストが、下側のセラミックシートにおける上面に形成したパターン配線から離れることになり、スルーホールの途中に電気的接続不良（オープン）が多発するので、上記の捨てパターンを形成することにより、貫通孔内の導電性ペーストが体積の縮小等によって減少しても、この減少した分を捨てパターンによって埋めることができると共に、この捨てパターンを貫通孔内における導電性ペースト、及び各セラミックシートの上面又は下面側に形成されているパターン配線に対して一体化できるから、各貫通孔内における導電性ペーストの体積が縮小しても、更には、各セラミックシートにおける貫通孔が互いに食い違い状にずれたりしていても、上記電気的接続不良（オープン）の発生を低減できることが記載されており（摘記（２ｂ）摘記（２ｃ）参照）、上記の貫通孔内の導電性ペーストが体積の縮小等によって減少しても、この減少した分を捨てパターンによって埋めることができるとの記載により、上記の捨てパターンを形成することで、セラミックシート上面の貫通孔内の窪んだ形状を埋めることができ、該貫通孔内の上端面を平坦化できることも示唆されている。
　また、ボンディングパッドの下地面を平坦化することで、ボンディングパッド面を平坦化してワイヤボンディングの不良の発生を防止することは、例えば、特開昭６１−５１８６３号公報（第２頁左上欄１７行〜右上欄６行、同頁右上欄１７〜１９行、第７図、第９図参照）、実願昭５９−１０５２１０号（実開昭６１−２２３６３号）のマイクロフイルム（実用新案登録請求の範囲、第２頁１〜９行、第１図、第２図参照）に記載されるように、本願出願前周知の技術であるから、引用発明における垂直導体部端面の窪んだ形状を埋めて電気的接続不良（オープン）の発生を低減すると共に、同垂直導体部上端面を平坦化することで、その直上に形成されるボンディングパッド部のめっき面を平坦化してワイヤボンディングの不良の発生を防止するために、上記の捨てパターンを引用発明における垂直導体部下端のセラミックグリーンシート１ｃの裏面側に設けることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、上記の捨てパターンを引用発明における垂直導体部下端のセラミックグリーンシート１ｃの裏面側に設ければ、該捨てパターンとそれと重なる内部配線パターンとで２層の導体層が形成されることは明らかであり、引用発明では、内部配線パターンの垂直導体部下端部分の直上にてボンディングパッド部がワイヤボンディングされているのであるから、上記２層の導体層とし、該導体層の直上にてボンディングパッド部をワイヤボンディングすることは、上記の捨てパターンを引用発明における垂直導体部下端のセラミックグリーンシート１ｃの裏面側に設けることに伴い、当業者が適宜に行えたものと認められる。
　そして、本願補正発明の上記相違点（イ）に係る特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物１、２の記載、及び上記周知技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。 
　　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないため、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
 　　 
［３］本願発明 
　平成１７年６月２０日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜６に係る発明は、平成１７年３月２５日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであるところ、その本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】第１のセラミック基板（２）と、
　この第１のセラミック基板（２）の表面に形成され、導体層（２ｂ）上にめっき（６）が施されたボンディングパッド（１００）と、
　前記第１のセラミック基板（２）内に形成され、前記ボンディングパッド（１００）と電気的に接続される、導体が充填された第１のビアホール（２ａ）と、
　前記第１のセラミック基板（２）の裏面側に形成され、前記第１のビアホール（２ａ）と電気的に接続されるビア配線とを備え、
　ワイヤ（９）により電子部品（５）と前記ボンディングパッド（１００）とがボンディングされてなるセラミック配線基板を用いた半導体装置において、
　前記ボンディングパッド（１００）は、前記第１のビアホール（２ａ）の直上に形成され、前記ビア配線は、少なくとも前記第１のビアホール（２ａ）と接触する部分が２層以上の導体層（２ｃ、３ｂ）にて形成されており、
　前記ワイヤ（９）は、前記第１のビアホール（２ａ）および前記２層以上の導体層（２ｃ、３ｂ）の直上にて前記ボンディングパッド（１００）とボンディングされていることを特徴とするセラミック配線基板を用いた半導体装置。」
 　　                                                
［４］引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１、２には、上記［２−３］（２−１）、（２−２）に摘記した事項が夫々記載されている。 
 　　 
［５］対比・判断 
　本願発明は、上記［３］で認定したとおり、本願補正発明における「前記第１のセラミック基板（２）の表面の外周部に第２のセラミック基板（１）が積層形成されており、前記第１、第２のセラミック基板（２、１）にて形成される段差部（１２）から所定距離隔てて前記ボンディングパッド（１００）が形成されている」との限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、上記［２−３］（３）で述べたとおり、引用刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［６］むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。