(57)【要約】  ２次光の色純度が高く、かつ、応答速度が速い発光装置を得る。青色光を発光するＬＥＤチップ（１３）を封止する樹脂（１４）には、上記青色光の一部を吸収し、赤色光を発光するＫＳＦ蛍光体（１５）及びＣＡＳＮ蛍光体（１６）が分散され、ＫＳＦ蛍光体（１５）は青色光を吸収し禁制遷移により赤色光を発光し、ＣＡＳＮ蛍光体（１６）は青色光を吸収し許容遷移により赤色光を発光する。
2015068513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次光を発光する発光素子と、
上記発光素子を封止する樹脂と、
上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体とを備え、
上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
凹部であるキャビティが一つのみ設けられたパッケージを備え、
上記発光素子は、上記キャビティ内の底面に配されており、
上記樹脂は上記キャビティ内に配されており、
上記樹脂に、上記第１及び第２の蛍光体が分散されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
複数の凹部である第１及び第２のキャビティが設けられたパッケージを備え、
上記発光素子は、上記第１のキャビティ内の底面に配されている第１の発光素子と、上記第２のキャビティ内の底面に配されている第２の発光素子とを含み、
上記第１及び第２のキャビティ内のそれぞれに上記樹脂が配されており、
上記第１の蛍光体は上記第１のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
上記第２の蛍光体は上記第２のキャビティに配されている上記樹脂に分散されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
上記発光装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第１のモードのとき、上記第１の発光素子は、上記第２の発光素子より大きい光量の光を出射することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
上記発光装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第２のモードのとき、上記第２の発光素子は、上記第１の発光素子より大きい光量の光を出射することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の発光装置を備えていることを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置、及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆる液晶ＴＶ（テレビ）に使用されているバックライトには、１次光としての青色光を発光するＬＥＤチップと、当該青色光により励起されて２次光として赤色光を発光する赤蛍光体、および緑色光を発光する緑蛍光体とが用いられる。当該バックライトは、青色光と緑色光、赤色光とが混色することで白色光を出射する。【０００３】
特許文献１には、赤色発光を示す窒化物系蛍光体である２価のＥｕ付活ＣａＡｌＳｉＮ３（以下、ＣＡＳＮ蛍光体と称する）と、緑色発光を示す緑蛍光体とを青色光を発光する青色ＬＥＤにより励起し、白色光を示す発光素子が開示されている。【０００４】
また、緑色発光を示す蛍光体としては、たとえば特許文献２に示すＥｕ付活β型ＳｉＡｌＯＮ蛍光体が従来から好適に使用されてきた。【０００５】
青色ＬＥＤと赤蛍光体と緑蛍光体との組合せで白色光を発光する照明装置を、液晶ＴＶのバックライト光源として用いる場合、蛍光体としての発光スペクトルのピーク波長がより狭いものを用いることで、液晶ＴＶの色再現性が向上する傾向がある。【０００６】
しかしながら、特許文献１に示されている蛍光体であるＣＡＳＮ蛍光体を用いた場合、赤蛍光体の発光スペクトルの波長幅が８０ｎｍ以上となるため、赤色の色再現性が充分でない。【０００７】
そこで、深い赤色を表示できる液晶ＴＶ等の表示装置を実現するために、特許文献３に示されるＭｎ４＋付活Ｋ２ＳｉＦ６の蛍光体（以下、ＫＳＦ蛍光体と称する）を用いたバックライトの開発が進められている。ＫＳＦ蛍光体は、ＣＡＳＮ蛍光体と比べピーク波長が狭スペクトルであり、従来より色再現性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００６‐１６４１３号公報（２００６年１月１９日公開）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２００５‐２５５８９５号公報（２００５年９月２２日公開）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開２０１０‐９３１３２号公報（２０１０年４月２２日公開）」
【特許文献４】国際公開特許公報「ＷＯ２００９／１１０２８５号公報（２００９年９月１１日国際公開）」
【特許文献５】日本国公開特許公報「特表２００９‐５２８４２９号公報（２００９年８月６日公表）」
【特許文献６】日本国公開特許公報「特開２００７‐４９１１４号公報（２００７年２月２２日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、液晶ＴＶの大半は、画像を映像信号のフレーム周波数の整数倍である６０Ｈｚ、１２０Ｈｚあるいは２４０Ｈｚで描画している。ＬＥＤが高速に点灯・消灯できることを利用し、一時的にバックライトを消灯させ不要な映像をユーザに見せない表示を実現できる。【００１０】
例えば、液晶画面に次のフレームの映像に書き換えている最中はバックライトを一時的に消灯させることにより残像感を低減したり、右眼用の映像と左眼用の映像を交互に表示するフレームシーケンシャル方式の３Ｄ（３次元）表示において、画面全体に映像を描ききるまでバックライトを一時的に消灯させ、右眼と左眼の絵が混在した映像を見せない機能を実現することができる。【００１１】
この機能を実現する場合、バックライトに用いられているＬＥＤの駆動方式として点灯と消灯とを繰り返すＰＷＭ（Pulse Width Modulation）駆動方式が使用されるが、その点灯・消灯のタイミングは液晶パネルへの描画と同期して行われるため、ＰＷＭ周期は映像信号のフレーム周波数の整数倍である６０Ｈｚ、１２０Ｈｚあるいは２４０Ｈｚとなる。【００１２】
特許文献３に記載の赤蛍光体（ＫＳＦ蛍光体）を用いると、狭いスペクトルを有する発光が得られ色再現性を向上させることができるものの、ＫＳＦ蛍光体は、発光強度が１／ｅ（ｅは自然対数の底）となるまでの時間（残光時間と称する）が約１０〔ｍｓ〕と、ＣＡＳＮ蛍光体の残光時間より１００〜１０００倍程長い。【００１３】
そのため、液晶パネルへの表示と同期させた調光周波数（ＰＷＭ調光）でＬＥＤを点灯・消灯させる場合、図１７に示すように、ＬＥＤのうちＬＥＤチップからの矩形波である青色光が消灯しているタイミングであっても、当該ＬＥＤチップからの青色光により励起され発光したＫＳＦ蛍光体から赤色光の残光が存在する。このＫＳＦ蛍光体からの赤色光の残光に起因して、表示映像に色が付いて見える現象や、３Ｄ表示時に左右映像が混ざって見えるいわゆるクロストーク現象等の不具合が発生する。このクロストークは、例えば、画面上をテロップ文字が流れる映像などにおいて顕著に発生し、テロップの一部が赤く色付いて見える。【００１４】
なお、図１７では、ＰＷＭ駆動周波数１２０Ｈｚ、Ｄｕｔｙ２０％でバックライトを駆動させたときのＫＳＦ蛍光体の応答波形を表している。【００１５】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、２次光の色純度が高く、かつ、応答速度が速い発光装置、及び照明装置を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、発光装置は、１次光を発光する発光素子と、上記発光素子を封止する樹脂と、上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体とを備え、上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一態様によれば、２次光の色純度が高く、かつ、応答速度が速い発光装置を得るという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態１に係る照明装置におけるＬＥＤの断面図である。
【図２】（ａ）は実施形態１に係るＬＥＤを用いた照明装置の一部を拡大して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す照明装置の断面図である。
【図３】上記ＬＥＤの駆動を制御するＬＥＤ駆動制御部の構成を示すブロック図である。
【図４】ＰＷＭ信号によるＬＥＤの青色光と赤色光との発光の様子を表す図である。
【図５】ＫＳＦ蛍光体の発光スペクトルを表す図である。
【図６】ＣＡＳＮ蛍光体の発光スペクトルを表す図である。
【図７】ＫＳＦ蛍光体と、ＣＡＳＮ蛍光体とのピーク波長における強度比を種々に変更した場合の緑蛍光体を含むＬＥＤの発光スペクトルを表す図である。
【図８】ＫＳＦ蛍光体と、ＣＡＳＮ蛍光体とのピーク波長における強度比をさらに変更した場合の緑蛍光体を含むＬＥＤの発光スペクトルを表す図である。
【図９】ＫＳＦ蛍光体と、ＣＡＳＮ蛍光体とのピーク波長における強度比を種々に変更した場合の緑蛍光体を含まないＬＥＤの発光スペクトルを表す図である。
【図１０】ＫＳＦ蛍光体と、ＣＡＳＮ蛍光体とのピーク波長における強度比が、ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝１００：０の場合の赤蛍光体の残光時間の測定結果を表す図である。
【図１１】ＫＳＦ蛍光体と、ＣＡＳＮ蛍光体とのピーク波長における強度比が、ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝７５：２５の場合の赤蛍光体の残光時間の測定結果を表す図である。
【図１２】ＫＳＦ蛍光体と、ＣＡＳＮ蛍光体とのピーク波長における強度比が、ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０の場合の赤蛍光体の残光時間の測定結果を表す図である。
【図１３】（ａ）は実施形態２に係る照明装置における光源部の一部を拡大して示す平面図であり、（ｂ）は上記照明装置の断面図である。
【図１４】実施形態２に係る照明装置におけるＬＥＤの断面図である。
【図１５】実施形態２に係るＬＥＤにおける第１のＬＥＤチップ及び第２のＬＥＤチップの駆動を制御するＬＥＤ駆動制御部の構成を示すブロック図である。
【図１６】ＰＷＭ信号と、第１のＬＥＤチップ及び第２のＬＥＤチップの駆動状態との関係を表す図である。
【図１７】ＫＳＦ蛍光体を使った従来のＬＥＤにおいてＰＷＭ信号によるＬＥＤの青色光と赤色光との発光の様子を表す図である。
【図１８】ＫＳＦ蛍光体と、残光時間が１００μｓと仮定した蛍光体とを用いて、ＰＷＭ信号によるＬＥＤの青色光と赤色光の発光の様子をシミュレーションした図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
〔実施形態１〕
（照明装置１の構成）
まず、本実施の形態に係るＬＥＤ（発光装置）１１を用いた照明装置１について説明する。図２の（ａ）は実施形態１に係るＬＥＤ１１を用いた照明装置１の一部を拡大して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す照明装置１の断面図である。
【００２０】
図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、照明装置１は、基板２、複数のＬＥＤ１１および導光板５を備えている。なお、照明装置１は、複数のＬＥＤ１１の駆動を制御するための、図２には図示しないＬＥＤ駆動制御部（図３参照）も備えている。
【００２１】
導光板５は、全体が長方形であり、所定の厚さを有している透明部材である。この導光板５は、光入射部５ａから入射される光を面状に放射するように、光放射面５ｂの各部から光を取り出せる構造を有しており、アクリルなどの透明材料によって形成されている。また、導光板５の一辺側の端面は、光が入射する光入射部５ａとして機能する。
【００２２】
基板２は、細長い長方形（短冊状）に形成されている。基板２は、複数のＬＥＤ１１を実装する実装面に、ＬＥＤ１１への給電のための図示しないプリント配線が形成されている。また、基板２の両端部または一方の端部には、プリント配線に接続される図示しない正極端子および負極端子が設けられている。この正極端子および負極端子に外部からの給電のための配線が接続されることにより、ＬＥＤ１１が給電される。
【００２３】
基板２上には、基板２の長手方向に沿って１列に複数のＬＥＤ１１が実装されている。複数のＬＥＤ１１は、基板２の長手方向に沿ってそれぞれ直列に接続されている。
【００２４】
基板２およびＬＥＤ１１は光源部７を構成している。この光源部７は、複数のＬＥＤ１１のそれぞれのＬＥＤチップ（発光素子）１３からの出射光が導光板５の光入射部５ａに入射するように、複数のＬＥＤ１１のそれぞれの発光面が光入射部５ａに対向し、かつ導光板５と近接する位置に配置されている。
【００２５】
（ＬＥＤ１１の構成）
図１及び図２を用いて、ＬＥＤ１１の構成について詳細に説明する。図１は、照明装置１におけるＬＥＤ１１の断面図である。
【００２６】
図２の（ａ）に示すように、ＬＥＤ１１は、一例として発光面が長方形をなしており、ＬＥＤチップ１３が中央に実装されている。また、図１に示すように、ＬＥＤ１１は、パッケージ１２、ＬＥＤチップ１３、樹脂１４、ＫＳＦ蛍光体（第１の蛍光体）１５、ＣＡＳＮ蛍光体（第２の蛍光体）１６、および緑蛍光体１７を有している。
【００２７】
パッケージ１２は、一つの凹部であるキャビティ（凹部）１２ａが設けられている。キャビティ１２ａは、凹部内の底面にＬＥＤチップ１３を実装するとともに、凹部内側面を反射面とするため、パッケージ１２に設けられた空間である。このパッケージ１２は、ナイロン系材料にて形成されており、図示しないリードフレームがパッケージ１２におけるキャビティ１２ａ内の底面に露出するようにインサート成形により設けられている。このリードフレームは、露出する部分で２分割されている。
【００２８】
パッケージ１２は、凹部であるキャビティ１２ａ内側面を形成する反射面を有している。この反射面は、ＬＥＤチップ１３からの出射光をＬＥＤ１１の外部へ反射するように、高反射率のＡｇまたはＡｌを含む金属膜や白色シリコーンで形成されることが好ましい。
【００２９】
ＬＥＤチップ１３は、例えば、導電性基板を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体発光素子であって、図示はしないが、導電性基板の底面に底面電極が形成され、その逆の面に上部電極が形成されている。ＬＥＤチップ１３の出射光（１次光）は、４３０〜４８０ｎｍの範囲の青色光であり、４５０ｎｍ付近にピーク波長を有する。
【００３０】
また、ＬＥＤチップ１３（青色ＬＥＤチップ）は、上記のリードフレームにおける露出部の一方側に導電性のロウ材によってダイボンドされている。さらに、ＬＥＤチップ１３は、ＬＥＤチップ１３の上部電極とリードフレームにおける露出部の他方側とが図示しないワイヤによってワイヤボンドされている。このように、ＬＥＤチップ１３は、リードフレームと電気的に接続されている。ここでは、上面および下面に電極があるタイプのＬＥＤチップで説明しているが、上面に２つの電極を持つタイプのＬＥＤを使用してもかまわない。
【００３１】
樹脂１４は、キャビティ１２ａ内に充填されることによって、ＬＥＤチップ１３が配置されたキャビティ１２ａを封止している。また、樹脂１４は波長の短い１次光に対して耐久性の高いことが要求されるため、シリコーン樹脂が好適に用いられる。樹脂１４の表面は、光が出射される発光面を形成している。
【００３２】
樹脂１４には、ＬＥＤチップ１３から発光される１次光によって励起され、２次光として、赤色光を発光する２種類の赤蛍光体である第１の赤蛍光体及び第２の赤蛍光体と、緑色光を発光する緑蛍光体１７とが分散されている。第１の赤蛍光体は禁制遷移により赤色光を発光する蛍光体（以下、禁制遷移タイプの蛍光体と称する場合がある）であり、第２の赤蛍光体は許容遷移により赤色光を発光する蛍光体（以下、許容遷移タイプの蛍光体と称する場合がある）である。なお、樹脂１４に分散される赤蛍光体は、少なくとも、禁制遷移タイプの蛍光体と、許容遷移タイプの蛍光体との２種類が分散されていればよく、３種類以上の赤蛍光体が分散されていてもよい。また、緑蛍光体１７は必要に応じて樹脂１４に分散させればよく、なくてもよい。
【００３３】
ＫＳＦ蛍光体１５は、樹脂１４に分散されており、禁制遷移により赤色光を発光する第１の赤蛍光体の一例である。ＫＳＦ蛍光体１５は、１次光である青色光により励起され、１次光よりも長波長である赤色（ピーク波長が６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下）の２次光を発する。ＫＳＦ蛍光体１５は、Ｍｎ４＋付活Ｋ２ＳｉＦ６構造を有する蛍光体である。
【００３４】
ＫＳＦ蛍光体１５は、ピーク波長の波長幅が約３０ｎｍ以下と狭く、高純度の赤色光を発光する。
【００３５】
ＬＥＤチップ１３からの１次光が消灯した時におけるＫＳＦ蛍光体１５からの２次光の発光強度が１／ｅ（ｅは自然対数の底）となるまでに要する時間であるＫＳＦ蛍光体１５の残光時間は、約７ｍｓ〜８ｍｓ程度である。なお、ＫＳＦ蛍光体１５からの２次光が、ほぼ完全に点灯・消灯するには約１０ｍｓ程度必要である。
【００３６】
樹脂１４に分散される第１の赤蛍光体（第１の蛍光体）は、禁制遷移により赤色光を発光する蛍光体であればよい。第１の赤蛍光体は、特に、ピーク波長の波長幅が約３０ｎｍ以下の狭スペクトルを有する蛍光体材料が好ましい。
【００３７】
Ｍｎ４＋付活Ｋ２ＳｉＦ６構造を有する蛍光体以外にも、ピーク波長の波長幅が狭く第１の赤蛍光体として用いることができる材料として、Ｍｎ４＋付活Ｍｇフルオロジャーマネート蛍光体等を挙げることができる。さらに、禁制遷移により赤色光を発光する第１の赤蛍光体は、下記一般式（Ａ１）〜（Ａ８）に示すＭｎ４＋付活複合フッ化物蛍光体の何れかであってもよい。
Ａ２［ＭＦ５］:Ｍｎ４＋・・・一般式（Ａ１）
（上記一般式（Ａ１）において、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４の何れか、又はこれらの組合せから選択され、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの何れか又はこれらの組合せから選択される）
Ａ３［ＭＦ６］:Ｍｎ４＋・・・一般式（Ａ２）
（上記一般式（Ａ２）において、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４の何れか、又はこれらの組合せから選択され、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの何れか又はこれらの組合せから選択される）
Ｚｎ２［ＭＦ７］:Ｍｎ４＋・・・一般式（Ａ３）
（上記一般式（Ａ３）において、[  ]内のＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの何れか又はこれらの組合せから選択される）
Ａ［Ｉｎ２Ｆ７］:Ｍｎ４＋・・・一般式（Ａ４）
（上記一般式（Ａ４）において、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４の何れか又はこれらの組合せから選択される）
Ａ２［ＭＦ６］:Ｍｎ４＋・・・一般式（Ａ５）
（上記一般式（Ａ５）において、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４の何れか又はこれらの組合せから選択され、ＭはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ何れか又はこれらの組合せから選択される）
Ｅ［ＭＦ６］:Ｍｎ４＋・・・一般式（Ａ６）
（上記一般式（Ａ６）において、ＥはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎの何れか又はこれらの組合せから選択され、ＭはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒの何れか又はこれらの組合せから選択される）
Ｂａ０．６５Ｚｒ０．３５Ｆ２．７０:Ｍｎ４＋・・・一般式（Ａ７）
Ａ３［ＺｒＦ７］:Ｍｎ４＋・・・一般式（Ａ８）
（上記一般式（Ａ８）において、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ４の何れか又はこれらの組合せから選択される）
さらに、樹脂１４に分散される第１の赤蛍光体は、Ｍｎ４＋付活Ｋ２ＳｉＦ６構造を有する蛍光体以外にも、例えば、下記一般式（Ａ９）、又は一般式（Ａ１０）で実質的に表される４価のマンガン付活フッ化４価金属塩蛍光体であってもよい。
ＭＩＩ２（ＭＩＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６・・・一般式（Ａ９）
一般式（Ａ９）において、ＭＩＩはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属元素を示し、明るさおよび粉体特性の安定性から、ＭＩＩはＫであることが好ましい。また一般式（Ａ９）において、ＭＩＩＩは、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種の４価の金属元素を示し、明るさおよび粉体特性の安定性から、ＭＩＩＩはＴｉであることが好ましい。
【００３８】
また、一般式（Ａ９）において、Ｍｎの組成比（濃度）を示すｈの値は０．００１≦ｈ≦０．１である。ｈの値が０．００１未満である場合には、十分な明るさが得られないという不具合があり、また、ｈの値が０．１を超える場合には、濃度消光などにより、明るさが大きく低下するという不具合があるためである。明るさおよび粉体特性の安定性から、ｈの値は０．００５≦ｈ≦０．５であることが好ましい。
【００３９】
一般式（Ａ９）で表される第１の赤蛍光体としては、具体的には、Ｋ２（Ｔｉ０．９９Ｍｎ０．０１）Ｆ６、Ｋ２（Ｔｉ０．９Ｍｎ０．１）Ｆ６、Ｋ２（Ｔｉ０．９９９Ｍｎ０．００１）Ｆ６、Ｎａ２（Ｚｒ０．９８Ｍｎ０．０２）Ｆ６、Ｃｓ２（Ｓｉ０．９５Ｍｎ０．０５）Ｆ６、Ｃｓ２（Ｓｎ０．９８Ｍｎ０．０２）Ｆ６、Ｋ２（Ｔｉ０．８８Ｚｒ０．１０Ｍｎ０．０２）Ｆ６、Ｎａ２（Ｔｉ０．７５Ｓｎ０．２０Ｍｎ０．０５）Ｆ６、Ｃｓ２（Ｇｅ０．９９９Ｍｎ０.００１）Ｆ６、（Ｋ０．８０Ｎａ０．２０）２（Ｔｉ０．６９Ｇｅ０．３０Ｍｎ０．０１）Ｆ６などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
ＭＩＶ（ＭＩＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６・・・一般式（Ａ１０）
一般式（Ａ１０）において、ＭＩＩＩは、上述した一般式（Ａ９）におけるＭＩＩＩと同じくＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種の４価の金属元素を示し、同様の理由から、ＭＩＩＩはＴｉであることが好ましい。また一般式（Ａ１０）において、ＭＩＶは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素を示し、明るさおよび粉体特性の安定性から、ＭＩＶはＣａであることが好ましい。また、一般式（Ａ１０）において、Ｍｎの組成比（濃度）を示すｈの値は、上述した一般式（Ａ９）におけるｈと同じく０．００１≦ｈ≦０．１であり、同様の理由から、０．００５≦ｈ≦０．５であることが好ましい。
【００４０】
一般式（Ａ１０）で表される第１の赤蛍光体としては、具体的には、Ｚｎ（Ｔｉ０．９８Ｍｎ０．０２）Ｆ６、Ｂａ（Ｚｒ０．９９５Ｍｎ０．００５）Ｆ６、Ｃａ（Ｔｉ０．９９５Ｍｎ０．００５）Ｆ６、Ｓｒ（Ｚｒ０．９８Ｍｎ０．０２）Ｆ６などを挙げることができるが、勿論これに限定されるものではない。
【００４１】
ＣＡＳＮ蛍光体１６は、樹脂１４に分散されており、許容遷移により赤色光を発光する第２の赤蛍光体の一例である。ＣＡＳＮ蛍光体１６は、１次光である青色光により励起され、１次光よりも長波長である赤色（ピーク波長が６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下）の２次光を発する。ＣＡＳＮ蛍光体１６は、２価のＥｕ付活ＣａＡｌＳｉＮ３構造を有する蛍光体である。
【００４２】
ＣＡＳＮ蛍光体１６は、ピーク波長の波長幅が、ＫＳＦ蛍光体１５より広い。しかし、ＬＥＤチップ１３からの１次光が消灯した時におけるＣＡＳＮ蛍光体１６からの２次光の発光強度が１／ｅ（ｅは自然対数の底）となるまでに要する時間であるＣＡＳＮ蛍光体１６の残光時間は、１μｓ〜１０μｓ程度であり、ＫＳＦ蛍光体１５より応答速度が速い。
【００４３】
ＫＳＦ蛍光体１５（第１の蛍光体）の残光時間は約１０ｍｓであるので、ＣＡＳＮ蛍光体１６（第２の蛍光体）の残光時間はＫＳＦ蛍光体の残光時間の１００００分の１〜１０００分の１である。すなわち、第２の蛍光体の応答速度は、第１の蛍光体の応答速度の１０００倍以上、好ましくは１００００倍以上速ければよい。
【００４４】
２価のＥｕ付活ＣａＡｌＳｉＮ３構造を有する蛍光体以外にも、第２の赤蛍光体として用いることができる材料として、下記一般式（Ｂ１）で実質的に表される２価のＥｕ付活窒化物蛍光体であってもよい。
（ＸＩＩＩ１−ｊ、Ｅｕｊ）ＸＩＶＳｉＮ３・・・一般式（Ｂ１）
一般式（Ｂ１）において、ＸＩＩＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素を表し、ＸＩＶはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の元素を表し、ｊは０．００１≦ｊ≦０．０５を満足する数を表す。
【００４５】
一般式（Ｂ１）で表される第２の赤蛍光としては、具体的には、（Ｃａ０．９８Ｅｕ０．０２）ＡｌＳｉＮ３、（Ｃａ０．９８５Ｅｕ０．０１５）ＡｌＳｉＮ３、（Ｃａ０．９４Ｓｒ０．０５Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＮ３、（Ｃａ０．９９Ｅｕ０．０１）Ａｌ０．９０Ｇａ０．１０ＳｉＮ３、（Ｃａ０．９８Ｅｕ０．０２）ＡｌＳｉＮ３、（Ｃａ０．９７Ｂａ０．０１Ｅｕ０．０２）Ａｌ０．９９Ｉｎ０．０１ＳｉＮ３、（Ｃａ０．９８Ｅｕ０．０２）ＡｌＳｉＮ３、（Ｃａ０．９９Ｅｕ０．０１）ＡｌＳｉＮ３などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
緑蛍光体１７（緑蛍光体）は、樹脂１４に分散されている。緑蛍光体１７は、１次光である青色光により励起され、１次光よりも長波長の緑色（ピーク波長が５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下）の２次光を発する蛍光体である。
【００４７】
緑蛍光体１７としては、下記一般式（Ｃ１）で表される２価のＥｕ付活酸窒化物蛍光体であるβ型ＳｉＡｌＯＮ、又は下記一般式（Ｃ２）で表される２価のＥｕ付活珪酸塩蛍光体であってもよい。
ＥｕａＳｉｂＡｌｃＯｄＮｅ・・・一般式（Ｃ１）
一般式（Ｃ１）において、Ｅｕの組成比（濃度）を表すａの値は０．００５≦ａ≦０．４である。ａの値が０．００５未満である場合には、十分な明るさが得られないためであり、またａの値が０．４を超える場合には、濃度消光などにより、明るさが大きく低下するためである。なお、粉体特性の安定性、母体の均質性から、上記一般式（Ｃ１）におけるａの値は、０．０１≦ａ≦０．２であることが好ましい。また、一般式（Ｃ１）において、Ｓｉの組成比（濃度）を表すｂおよびＡｌの組成比（濃度）を表すｃは、ｂ＋ｃ＝１２を満足する数であり、Ｏの組成比（濃度）を表すｄおよびＮの組成比（濃度）を表すｅは、ｄ＋ｅ＝１６を満足する数である。
【００４８】
一般式（Ｃ１）で表される緑蛍光体１７としては、具体的には、Ｅｕ０．０５Ｓｉ１１．５０Ａｌ０．５０Ｏ０．０５Ｎ１５．９５、Ｅｕ０．１０Ｓｉ１１．００Ａｌ１．００Ｏ０．１０Ｎ１５．９０、Ｅｕ０．３０Ｓｉ９．８０Ａｌ２．２０Ｏ０．３０Ｎ１５．７０、Ｅｕ０．１５Ｓｉ１０．００Ａｌ２．００Ｏ０．２０Ｎ１５．８０、Ｅｕ０．０１Ｓｉ１１．６０Ａｌ０．４０Ｏ０．０１Ｎ１５．９９、Ｅｕ０．００５Ｓｉ１１．７０Ａｌ０．３０Ｏ０．０３Ｎ１５．９７などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
２（Ｂａ１−ｆ−ｇＹＩｆＥｕｇ）Ｏ・ＳｉＯ２・・・一般式（Ｃ２）
一般式（Ｃ２）において、ＹＩは、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素を示し、高効率な母体を得るためには、ＹＩはＳｒであることが好ましい。一般式（Ｃ２）中、ＹＩの組成比（濃度）を表すｆの値は０＜ｆ≦０．５５であり、ｆの値がこの範囲内であることで、５１０〜５４０ｎｍの範囲の緑色系発光を得ることができる。ｆの値が０．５５を超える場合には、黄色味がかった緑色系発光となり、色純度が悪くなってしまう。さらには、効率、色純度の観点からは、ｆの値は０．１５≦ｆ≦０．４５の範囲の範囲内であることが好ましい。また一般式（Ｃ２）において、Ｅｕの組成比（濃度）を示すｇの値は０．０３≦ｇ≦０．１０である。ｇの値が０．０３未満である場合には、十分な明るさが得られないためであり、また、ｇの値が０．１０を超える場合には、濃度消光などにより、明るさが大きく低下するためである。なお、明るさおよび粉体特性の安定性から、ｇの値は０．０４≦ｇ≦０．０８の範囲内であることが好ましい。
【００４９】
一般式（Ｃ２）で表される緑蛍光体１７としては、具体的には、２（Ｂａ０．７０Ｓｒ０．２６Ｅｕ０．０４）・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．５７Ｓｒ０．３８Ｅｕ０．０５）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．５３Ｓｒ０．４３Ｅｕ０．０４）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．８２Ｓｒ０.１５Ｅｕ０．０３）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．４６Ｓｒ０．４９Ｅｕ０．０５）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．５９Ｓｒ０．３５Ｅｕ０．０６）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．５２Ｓｒ０．４０Ｅｕ０．０８）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．８５Ｓｒ０．１０Ｅｕ０．０５）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．４７Ｓｒ０．５０Ｅｕ０．０３）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．５４Ｓｒ０．３６Ｅｕ０．１０）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．６９Ｓｒ０．２５Ｃａ０．０２Ｅｕ０．０４）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．５６Ｓｒ０．３８Ｍｇ０.０１Ｅｕ０．０５）Ｏ・ＳｉＯ２、２（Ｂａ０．８１Ｓｒ０．１３Ｍｇ０．０１Ｃａ０．０１Ｅｕ０．０４）Ｏ・ＳｉＯ２などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００５０】
また、緑蛍光体１７としては、下記一般式（Ｃ３）で表される２価のＥｕ付活珪酸塩蛍光体であってもよい。
２（Ｍ１１−ｇ，Ｅｕｇ）Ｏ・ＳｉＯ２・・・一般式（Ｃ３）
一般式（Ｃ３）において、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素を表し、ｇは０．００５≦ｇ≦０．１０を満足する数を表す。
【００５１】
一般式（Ｃ３）で表される所謂ＢＯＳＥアルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体はＣＡＳＮ蛍光体同様、発光強度が１／ｅとなるまでの時間である残光時間が１０μｓ以下の許容遷移タイプの蛍光体である。
【００５２】
上記のように構成されるＬＥＤ１１では、ＬＥＤチップ１３から出射される１次光（青色光）が樹脂１４を通過するにつれ、その一部が、ＫＳＦ蛍光体１５を励起し２次光（赤色光）に変換され、ＣＡＳＮ蛍光体１６を励起し２次光（赤色光）に変換され、緑蛍光体１７を励起し２次光（緑色光）に変換される。このように、ＬＥＤ１１からは、青色の１次光と、赤色及び緑色の２次光とが混色して白色光Ｗ０が、ＬＥＤ１１の外部に放射される。
【００５３】
ＬＥＤ１１において、緑蛍光体１７と赤蛍光体（第１の赤蛍光体及び第２の赤蛍光体）との混合比率は、特に制限されないが、赤蛍光体に対し、緑蛍光体１７を重量比で５〜７０％の範囲内の混合比率で混合することが好ましく、１５〜４５％の範囲内の混合比率で混合することがより好ましい。なお、第１の赤蛍光体と、第２の赤蛍光体との混合比については後述する。
【００５４】
（ＬＥＤ駆動制御部１の構成）
図３は、ＬＥＤ１１の駆動を制御するＬＥＤ駆動制御部２１の構成を示すブロック図である。照明装置１は、図３に示すＬＥＤ駆動制御部２１を有する。
【００５５】
図３に示すように、ＬＥＤ駆動制御部２１は、調光制御部（パルス幅変調信号生成手段）２２、定電流回路２３およびＬＥＤ回路２５を有している。ＬＥＤ回路２５は、基板２上に実装されたＬＥＤチップ１３の直列回路である。
【００５６】
調光制御部２２は、ＬＥＤ回路２５におけるＬＥＤチップ１３の点灯時間をＰＷＭ制御によって制御する。このため、調光制御部２２は、ＬＥＤ回路２５に与えるＰＷＭ信号を発生するＰＷＭ回路（図示せず）を有している。このＰＷＭ回路は、外部からの指示に応じてＰＷＭ信号のデューティ比を変更する。
【００５７】
定電流回路２３は、調光制御部２２から供給されるＰＷＭ信号に基づいて、ＬＥＤ回路２５に流す定電流を発生する。定電流回路２３は、ＰＷＭ信号のＨレベルの期間ではオンしてＬＥＤ回路２５へ定電流を流す一方、ＰＷＭ信号のＬレベルの期間ではオフしてＬＥＤ回路２５へ定電流を流さない。
【００５８】
上記のように構成されるＬＥＤ駆動制御部２１では、調光制御部２２が制御するＰＷＭ信号によって、定電流回路２３がＬＥＤ回路２５に流す定電流を制御する。これにより、ＬＥＤチップ１３の光強度が制御される。
【００５９】
（赤蛍光体の発光の様子及び配合について）
図４は、ＰＷＭ信号によるＬＥＤ１１の青色光と赤色光との発光の様子を表す図である。図４において、ＬＥＤチップの発光はＬＥＤチップ１３が出射する青色光の発光の様子を表し、赤蛍光体の発光は、ＬＥＤチップ１３から出射された青色光によって励起発光したＫＳＦ蛍光体１５及びＣＡＳＮ蛍光体１６から出射される赤色光の発光の様子を表す。なお、定電流回路２３からＬＥＤ回路２５へ供給されるＰＷＭ信号の周波数は１２０Ｈｚ、Ｄｕｔｙは２０％、ＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との光強度比は５０：５０である。
【００６０】
図５は、ＫＳＦ蛍光体１５の発光スペクトルを表す図である。図６はＣＡＳＮ蛍光体１６の発光スペクトルを表す図である。
【００６１】
図４に示すように、ＬＥＤチップ１３はＰＷＭ信号のオン・オフ期間に対応して矩形波となるように発光している。そして、ＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との２種類の蛍光体を含有する赤蛍光体の発光の立ち上がり、及び立下り共に、図１７に示したＫＳＦ蛍光体のみからなる赤蛍光体の発光における立ち上がり、及び立下りと比べて急峻となっていることが分かる。
【００６２】
すなわち、ＬＥＤチップの発光がオフとなった後の赤蛍光体の残光は、図１７に示すＫＳＦ蛍光体のみからなる赤蛍光体と比べて、図４に示すＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との２種類の蛍光体を含有する赤蛍光体の方が抑制されていることが分かる。
【００６３】
ＬＥＤ１１に分散する各蛍光体の配合比（重量％）は、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６との光強度比をＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０とした場合、以下の通りである。
ＫＳＦ蛍光体：１００
ＣＡＳＮ蛍光体：１３．７
緑蛍光体：７５．７
なお、緑蛍光体は、ＬＥＤチップ１３の色度により配合比を適宜変更する必要がある。
【００６４】
図５及び図６に示すように、禁制遷移タイプの蛍光体であるＫＳＦ蛍光体１５は、許容遷移タイプの蛍光体であるＣＡＳＮ蛍光体１６と比べて、６３０ｎｍ近傍であるピーク波長幅が狭い狭スペクトルを有することが分かる。このＫＳＦ蛍光体１５のように、発光スペクトルにおけるピーク波長の波長幅は３０ｎｍ以下程度が好ましい。このように、発光スペクトルにおけるピーク波長の波長幅が狭スペクトルである発光スペクトルの方が、発光させることを目的とする赤色の波長帯以外の色の波長帯が含まれる割合が低く、また、目的とする赤色の波長帯が、それ以外の他の色の波長帯と、より明確に分離される。このため、色再現性が広いＬＥＤ１１を得ることができる。
【００６５】
図７〜図９に、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比を種々に変更した場合の発光スペクトルを表す。
【００６６】
図７は、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比を種々に変更した場合の緑蛍光体１７を含むＬＥＤ１１の発光スペクトルを表す図である。
【００６７】
図８は、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比をさらに変更した場合の緑蛍光体１７を含むＬＥＤ１１の発光スペクトルを表す図である。
【００６８】
図９は、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比を種々に変更した場合の緑蛍光体１７を含まないＬＥＤ１１の発光スペクトルを表す図である。
【００６９】
なお、狙い色度によって発光スペクトルは変わるため、図７〜図９に示す発光スペクトルは一例である。
【００７０】
図７において、各スペクトルＳＡ１〜ＳＡ３が表すＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比は以下の通りである。なお、図７においては、ＬＥＤチップ１３による青色光及び緑蛍光体１７による緑色光も含まれている。
スペクトルＳＡ１・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝１００：０
スペクトルＳＡ２・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝６０：４０
スペクトルＳＡ３・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０
図８において、各スペクトルＳＢ１〜ＳＢ５が表すＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比は以下の通りである。なお、図８においては、ＬＥＤチップ１３による青色光及び緑蛍光体１７による緑色光も含まれている。
スペクトルＳＢ１・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝０：１００
スペクトルＳＢ２・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝１００：０
スペクトルＳＢ３・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝２５：７５
スペクトルＳＢ４・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０
スペクトルＳＢ５・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝７５：２５
図９において、各スペクトルＳＢ６〜ＳＢ１０が表すＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比は以下の通りである。なお、図９においては、ＬＥＤチップ１３による青色光は含まれているが、緑蛍光体１７による緑色光は含まれていない。
スペクトルＳＢ６・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝０：１００
スペクトルＳＢ７・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝１００：０
スペクトルＳＢ８・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝２５：７５
スペクトルＳＢ９・・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０
スペクトルＳＢ１０・・ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝７５：２５
図７〜図９に示したように、ＫＳＦ蛍光体１５及びＣＡＳＮ蛍光体１６それぞれから発光された光が混色した赤色光において、ＫＳＦ蛍光体１５から発光された光の成分を多くしていくほど、６３０ｎｍ近傍をピークとする発光スペクトルの幅が狭くピークの強度も高い発光スペクトルが得られることが分かった。
【００７１】
図１０〜図１２に、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比を変更した場合の赤蛍光体の残光時間を測定した結果を表す。
【００７２】
図１０は、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比が、ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝１００：０の場合の赤蛍光体の残光時間の測定結果を表す図である。図１１は、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比が、ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝７５：２５の場合の赤蛍光体の残光時間の測定結果を表す図である。図１２は、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６とのピーク波長における強度比が、ＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０の場合の赤蛍光体の残光時間の測定結果を表す図である。
【００７３】
図１０〜図１２において、横軸は時間、縦軸は発光強度を表す。ＸＡは赤蛍光体による赤色光の立ち下がり開始時間を表し、ＹＡは時間ＸＡにおける発光強度を表す。ＹＡは赤蛍光体のピークの発光強度である。ＹＢはＹＡから発光強度が１／ｅとなったときの発光強度を表し、時間ＸＢは強度ＹＢにおける時間を表す。
【００７４】
図１０において、赤蛍光体の発光強度がピークのＹＡから、１／ｅである強度ＹＢとなるまでの経過時間（時間ＸＡから時間ＸＢまでの経過時間）は７．６１ｍｓであった。
【００７５】
図１１において、赤蛍光体の発光強度がピークのＹＡから、１／ｅである強度ＹＢとなるまでの経過時間（時間ＸＡから時間ＸＢまでの経過時間）は４．２２ｍｓであった。
【００７６】
図１２において、赤蛍光体の発光強度がピークのＹＡから、１／ｅである強度ＹＢとなるまでの経過時間（時間ＸＡから時間ＸＢまでの経過時間）は０．０１５５ｍｓであった。
【００７７】
図１０〜図１２に示したように、ＫＳＦ蛍光体１５及びＣＡＳＮ蛍光体１６それぞれから発光された光が混色した赤色光において、ＣＡＳＮ蛍光体１６から発光された光の成分を多くしていくほど、残光時間が短くなることが分かった。
【００７８】
以上では、第１の赤蛍光体と、第２の赤蛍光体との組み合わせとして、主に、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６との組み合わせについて説明した。しかし、第１の赤蛍光体と、第２の赤蛍光体との組み合わせはこれに限定されるものではない。例えば、第１の赤蛍光体としてＫＳＦ蛍光体１５を用い、第２の赤蛍光体としてＳＣＡＳＮ蛍光体を用いてもよい。ＳＣＡＳＮ蛍光体は以下の化学式で表される。
ＳＣＡＳＮ蛍光体化学式・・・（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ
さらに、第１の赤蛍光体としてＫＳＦ蛍光体１５を用い、第２の赤蛍光体としてαＳｉＡｌＯＮ蛍光体を用いてもよい。αＳｉＡｌＯＮ蛍光体は以下の化学式で表される。
αＳｉＡｌＯＮ蛍光体化学式・・・Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ
なお、図４では第１の赤蛍光体としてＫＳＦ蛍光体１５を用い、第２の赤蛍光体としてＣＡＳＮ蛍光体１６を用いた場合に、それぞれから出射される赤色光の発光の様子を表した。しかし、第２の赤蛍光体は、ＣＡＳＮ蛍光体１６に限定されず、ＣＡＳＮ蛍光体１６の代わりに残光時間が１００μｓ以下の赤色光を発光する蛍光体（第２の蛍光体）であればよい。
【００７９】
図１８は、ＫＳＦ蛍光体と、残光時間が１００μｓと仮定した蛍光体とを用いて、ＰＷＭ信号によるＬＥＤの青色光と赤色光の発光の様子をシミュレーションした図である。
【００８０】
図１８において、ＬＥＤチップの発光はＬＥＤチップ１３が出射する青色光の発光の様子を表し、赤蛍光体の発光は、ＬＥＤチップ１３から出射された青色光によって励起発光したＫＳＦ蛍光体１５及び残光時間が１００μｓの赤色光を発光する蛍光体から出射される赤色光の発光の様子を表す。定電流回路２３からＬＥＤ回路２５へ供給されるＰＷＭ信号の周波数は１２０Ｈｚ、Ｄｕｔｙは２５％、ＫＳＦ蛍光体１５と残光時間が１００μｓの赤色光を発光する蛍光体との光強度比は５０：５０である。
【００８１】
図４と同様に、図１８において、ＫＳＦ蛍光体１５と、残光時間が１００μｓの赤色光を発光する蛍光体との２種類の蛍光体を含有する赤蛍光体の発光の立ち上がり、及び立下り共に、図１７に示したＫＳＦ蛍光体のみからなる赤蛍光体の発光における立ち上がり、及び立下りと比べて、急峻となっていることが分かる。
【００８２】
すなわち、ＬＥＤチップの発光がオフとなった後の赤蛍光体の残光は、図１７に示すＫＳＦ蛍光体のみからなる赤蛍光体と比べて、図１８に示すＫＳＦ蛍光体１５と、残光時間が１００μｓの赤色光を発光する蛍光体との２種類の蛍光体を含有する赤蛍光体の方が抑制されていることが分かる。
【００８３】
ＫＳＦ蛍光体（第１の蛍光体）の残光時間は約１０ｍｓであるので、残光時間が１００μｓの赤色光を発光する蛍光体（第２の蛍光体）の残光時間は、ＫＳＦ蛍光体（第１の蛍光体）の残光時間の１００分の１である。すなわち、第２の蛍光体の応答速度は第１の蛍光体の応答速度の１００倍以上速ければよい。
【００８４】
このように、樹脂１４に分散される第２の赤蛍光体（第２の蛍光体）は、残光時間が１００μｓ以下の赤色光を発光する蛍光体であればよく、許容遷移による赤色光を発光する蛍光体はこの応答時間の要求を満たす。第２の赤蛍光体は、特に、発光強度が１／ｅとなるまでの時間である残光時間が１０μｓ以下である蛍光体材料がより好ましい。
【００８５】
（主な効果）
以上のように、ＬＥＤ１１は、１次光として青色光を発光するＬＥＤチップ１３と、ＬＥＤチップ１３を封止する樹脂１４と、樹脂１４に分散され、１次光である青色光の一部を吸収し、当該青色光より波長が長い２次光としての赤色光を発光するＫＳＦ蛍光体１５及びＣＡＳＮ蛍光体１６とを備えている。そして、ＫＳＦ蛍光体１５は１次光である青色光を吸収し禁制遷移により２次光である赤色光を発光する。一方、ＣＡＳＮ蛍光体１６は１次光である青色光を吸収し許容遷移により２次光である赤色光を発光する。
【００８６】
このため、ＫＳＦ蛍光体１５からの発光により、ピーク波長である６３０ｎｍ近傍の波長幅が狭い赤色光を２次光として得ることができる。このため、色純度が高い２次光を得ることができる。一方、ＣＡＳＮ蛍光体１６により、１次光消灯時の発光強度から発光強度が１／ｅとなるまでに要する時間である残光時間が、１μｓ以上１０μｓ以下程度と速い赤色光を２次光として得ることができる。このため、応答速度が速い２次光を得ることができる。すなわち、２次光としての赤色光の色純度が高く、かつ、応答速度が速いＬＥＤ１１を得ることができる。
【００８７】
また、ＬＥＤ１１は、凹部であるキャビティ１２ａが一つのみ設けられたパッケージ１２を備えている。ＬＥＤチップ１３は、キャビティ１２ａ内の底面に配されており、樹脂１４はキャビティ１２ａ内に配されている。
【００８８】
そして、上記樹脂１４に、禁制遷移により赤色光を発光するＫＳＦ蛍光体１５と、許容遷移により赤色光を発光するＣＡＳＮ蛍光体１６と、の同じ色の光を発光し、かつ、互いに異なる２種類の蛍光体が分散されている。
【００８９】
これにより、１キャビティからなり、２次光としての赤色光の色純度が高く、応答速度が速いＬＥＤ１１を得ることができる。
【００９０】
また、樹脂１４に分散されているＫＳＦ蛍光体１５が発光する２次光である赤色光のピーク波長の波長幅（波長帯）は３０ｎｍ以下である。このため、色純度が高い赤色光を得ることができる。さらに、ＬＥＤチップ１３が点灯している１次光を消灯した時における２次光の強度が１／ｅとなるまでに要する時間である残光時間が、ＣＡＳＮ蛍光体１６は１μｓ以上１０μｓ以下程度と１００μｓ以下であり、応答速度が速い。このため、２次光としての赤色光の色純度が高く、かつ、応答速度が速いＬＥＤ１１を得ることができる。
【００９１】
（付記事項）
なお、第１の実施形態では、ＬＥＤチップ１３を封止する樹脂１４には赤蛍光体であるＫＳＦ蛍光体１５及びＣＡＳＮ蛍光体１６と、緑蛍光体１７とが分散されているものとして説明した。この緑蛍光体１７としてＭｎ賦活γ‐ＡｌＯＮと２価のＥｕ付活酸窒化物蛍光体であるβ型ＳｉＡｌＯＮまたは２価のＥｕ付活珪酸塩蛍光体とが分散されていてもよい。
【００９２】
これにより、特許文献３に記載されている通り、緑色蛍光体のＭｎ賦活γ‐ＡｌＯＮは赤蛍光体であるＫＳＦ蛍光体と同様に、禁制遷移タイプの蛍光体で、狭スペクトルが得られるが応答速度が遅い。緑蛍光体の２価のＥｕ付活酸窒化物蛍光体と２価のＥｕ付活珪酸塩蛍光体は、赤蛍光体であるＣＡＳＮ蛍光体と同様に応答速度が速い。
【００９３】
〔実施形態２〕
本発明の第２の実施形態について、図１３〜図１６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【００９４】
図１３の（ａ）は実施形態２に係る照明装置３１における光源部３７の一部を拡大して示す平面図であり、図１３の（ｂ）は照明装置３１の断面図である。
【００９５】
図１３の（ａ）および（ｂ）に示すように、照明装置３１は、基板２、複数のＬＥＤ（発光装置）４１および導光板５を備えている。なお、照明装置３１は、複数のＬＥＤ４１の駆動を制御するための、図１３には図示しないＬＥＤ駆動制御部（図１５参照）も備えている。
【００９６】
基板２上には、複数のＬＥＤ４１が基板２の長手方向に沿って一列に並ぶように実装されている。また、ＬＥＤ４１は、互いに間隔をおいて配置された２つのＬＥＤチップ（第１の発光素子）４３及びＬＥＤチップ（第２の発光素子）４４を有している。
【００９７】
ＬＥＤ４１は、各ＬＥＤ４１の一方のＬＥＤチップ４３が基板２の長手方向に沿って一列に並び、他方のＬＥＤチップ４４が基板２の長手方向に沿って一列に並ぶように配置される。また、ＬＥＤ４１においては、隣接する列の間で、２つのＬＥＤチップ４３・４４が列の方向（基板２の長手方向）と直交する方向（基板２の短手方向）に並ぶように、間隔をおいて配置されている。
【００９８】
同一列方向（基板２の長手方向）に並ぶ複数のＬＥＤチップ４３は、直列に接続されており、それぞれ後述するＬＥＤ回路５５を構成している。また、同一列方向（基板２の長手方向）に並ぶＬＥＤチップ４４は、直列に接続されており、それぞれ後述するＬＥＤ回路５６を構成している。
【００９９】
基板２およびＬＥＤ４１は、光源部３７を構成している。この光源部３７は、複数のＬＥＤ４１のそれぞれのＬＥＤチップ４３・４４からの出射光が導光板５の光入射部５ａに入射するように、複数のＬＥＤ４１のそれぞれの発光面が光入射部５ａに対向し、かつ導光板５と近接する位置に配置されている。
【０１００】
（ＬＥＤ４１の構成）
図１４は、照明装置３１におけるＬＥＤ４１の断面図である。ＬＥＤ４１は、パッケージ４２、ＬＥＤチップ４３・４４、樹脂１４、ＫＳＦ蛍光体１５、ＣＡＳＮ蛍光体１６、および緑蛍光体１７を有している。
【０１０１】
パッケージ４２は、二つの凹部である第１のキャビティ（凹部）４２ａ及び第２のキャビティ（凹部）４２ｂが設けられている。第１のキャビティ４２ａは、凹部内の底面にＬＥＤチップ４３を実装するとともに、凹部内側面を反射面とするため、パッケージ４２に設けられた空間である。第２のキャビティ４２ｂは、凹部内の底面にＬＥＤチップ４４を実装するとともに、凹部内側面を反射面とするため、パッケージ４２に設けられた空間である。
【０１０２】
パッケージ４２は、前述の実施形態１におけるパッケージ１２と同様、ナイロン系材料にて形成されており、図示しないリードフレームがパッケージ４２における第１のキャビティ４２ａ及び第２のキャビティ４２ｂそれぞれ内の底面に露出するようにインサート成形により設けられている。このリードフレームは、第１のキャビティ４２ａ及び第２のキャビティ４２ｂそれぞれ内の露出する部分で２分割されている。
【０１０３】
パッケージ４２は、第１のキャビティ４２ａ及び第２のキャビティ４２ｂそれぞれの内側面を形成する反射面を有している。この反射面はそれぞれ、ＬＥＤチップ４３・４４の出射光をＬＥＤ４１の外部へ反射するように、高反射率のＡｇまたはＡｌを含む金属膜や白色シリコーンで形成されることが好ましい。
【０１０４】
さらに、パッケージ４２は、２箇所の第１のキャビティ４２ａ・第２のキャビティ４２ｂの間に隔壁４２ｃを有している。この隔壁４２ｃにより、２つのＬＥＤチップ４３・４４からの出射光が、ＬＥＤ４１における２つのＬＥＤチップ４３・４４の間で遮断されている。すなわち、２つのＬＥＤチップ４３・４４は、隔壁４２ｃにより光学的に分離されている。
【０１０５】
パッケージ４２における一方の凹部である第１のキャビティ４２ａは、底部にＬＥＤチップ４３が実装されており、樹脂１４が第１のキャビティ４２ａ内に充填されることでＬＥＤチップ４３が封止されている。ＬＥＤチップ４３を封止する樹脂１４にはＫＳＦ蛍光体１５と、緑蛍光体１７とが分散されている。
【０１０６】
また、パッケージ４２における他方の凹部である第２のキャビティ４２ｂは、底部にＬＥＤチップ４４が実装されており、樹脂１４が第２のキャビティ４２ｂに充填されることでＬＥＤチップ４４が封止されている。ＬＥＤチップ４４を封止する樹脂１４にはＣＡＳＮ蛍光体１６と、緑蛍光体１７とが分散されている。
【０１０７】
ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６との発光強度比が５０：５０の場合、ＫＳＦ蛍光体１５と、緑蛍光体１７との配合比（重量％）は１００：７５．７である。一方、ＣＡＳＮ蛍光体１６と、緑蛍光体１７との配合比（重量％）は１３．７：７５．７である。なお、緑蛍光体１７は、ＬＥＤチップ４３・４４の色度によって配合比が変わる。
【０１０８】
ＬＥＤチップ４３・４４は、例えば、導電性基板を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体発光素子であって、図示はしないが、導電性基板の底面に底面電極が形成され、その逆の面に上部電極が形成されている。ＬＥＤチップ１３と同様に、ＬＥＤチップ４３・４４は、それぞれの出射光（１次光）が、４３０〜４８０ｎｍの範囲の青色光であり、４５０ｎｍ付近にピーク波長を有する青色ＬＥＤチップである。
【０１０９】
上記のように構成されるＬＥＤ４１では、一方のＬＥＤチップ４３から出射される１次光（青色光）が樹脂１４を通過するにつれ、その一部が、ＫＳＦ蛍光体１５を励起し２次光（赤色光）に変換され、緑蛍光体１７を励起し２次光（緑色光）に変換される。このように、第１のキャビティ４２ａからは、青色の１次光と、ＫＳＦ蛍光体１５から発光された赤色及び緑色の２次光とが混色して第１白色光Ｗ１が、ＬＥＤ４１の外部に放射される。
【０１１０】
また、ＬＥＤ４１では、第２のキャビティ４２ｂから出射される１次光（青色光）が樹脂１４を通過するにつれ、その一部が、ＣＡＳＮ蛍光体１６を励起し２次光（赤色光）に変換され、緑蛍光体１７を励起し２次光（緑色光）に変換される。このように、ＬＥＤ４１の第２のキャビティ４２ｂからは、青色の１次光と、ＣＡＳＮ蛍光体１６から発光された赤色及び緑色の２次光とが混色して第２白色光Ｗ２が、ＬＥＤ４１の外部に放射される。
【０１１１】
したがって、ＬＥＤ４１のうち、第１のキャビティ４２ａから放射される第１白色光Ｗ１と、第２のキャビティ４２ｂから放射される第２白色光Ｗ２とが混色した白色光Ｗ４がＬＥＤ４１の外部に放射される。
【０１１２】
このように、ＬＥＤ４１は、複数の凹部である第１のキャビティ４２ａ・第２のキャビティ４２ｂが設けられたパッケージ４２を備え、ＬＥＤチップ４３は第１のキャビティ４２ａ内の底面に配され、ＬＥＤチップ４４は第２のキャビティ４２ｂ内の底面に配されている。
【０１１３】
そして、第１のキャビティ４２ａ及び第２のキャビティ４２ｂ内のそれぞれに樹脂１４が配されており、ＫＳＦ蛍光体１５は第１のキャビティ４２ａに配されている樹脂１４に分散されており、ＣＡＳＮ蛍光体１６は第２のキャビティ４２ｂに配されている樹脂１４に分散されている。これにより、複数のキャビティである第１のキャビティ４２ａ及び第２のキャビティ４２ｂを有し、２次光としての赤色光の色純度が高く、かつ、応答速度が速いＬＥＤ４１を得ることができる。
【０１１４】
なお、ＬＥＤ４１は、２つキャビティである第１のキャビティ４２ａ・第２のキャビティ４２ｂが一体的にパッケージ４２に設けられるものとして説明したが、パッケージ４２に設けられるキャビティの個数は２つに限定されず、３つ以上であってもよい。
【０１１５】
また、ＬＥＤ４１はひとつのパッケージ内に第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２とを出射する発光部を設けたもので説明したが、第１白色光を出射するＬＥＤと、第２白色光を出射するＬＥＤとの２つのパッケージに分けた構成でもよい。すなわち、ＬＥＤ４１は、第１白色光Ｗ１と、第２白色光Ｗ２との光強度の比率を変えることができる構成であればよく、それぞれ別パッケージである２種類以上のＬＥＤからなる構成であってもよい。
【０１１６】
（ＬＥＤ駆動制御部５１の構成）
図１５は、ＬＥＤチップ４３・４４の駆動を制御するＬＥＤ駆動制御部５１の構成を示すブロック図である。
【０１１７】
図１５に示すように、ＬＥＤ駆動制御部５１は、調光制御部（パルス幅変調信号生成手段）５２、定電流回路５３・５４およびＬＥＤ回路５５・５６を有している。ＬＥＤ回路５５は、基板２上に実装されたＬＥＤチップ４３の直列回路である。ＬＥＤ回路５６は、基板２上に実装されたＬＥＤチップ４４の直列回路である。
【０１１８】
調光制御部５２は、ＬＥＤ回路５５・５６におけるそれぞれのＬＥＤチップ４３・４４の点灯時間をＰＷＭ制御によって個別に制御する。このため、調光制御部５２は、ＬＥＤ回路５５に与えるＰＷＭ信号である第１のＰＷＭ信号と、ＬＥＤ回路５６に与えるＰＷＭ信号である第２のＰＷＭ信号と、を個別に発生するＰＷＭ回路（図示せず）を有している。このＰＷＭ回路は、外部からの指示に応じてＰＷＭ信号のデューティ比を変更し、第１のＰＷＭ信号と第２のＰＷＭ信号とを生成する。
【０１１９】
定電流回路５３は、調光制御部５２から供給される第１のＰＷＭ信号に基づいて、ＬＥＤ回路５５に流す定電流を発生する。定電流回路５３は、第１のＰＷＭ信号のＨレベルの期間でオンしてＬＥＤ回路５５へ定電流を流す一方、第１のＰＷＭ信号のＬレベルの期間でオフしてＬＥＤ回路５５へ定電流を流さない。
【０１２０】
定電流回路５４は、調光制御部５２から供給される第２のＰＷＭ信号に基づいて、ＬＥＤ回路５６に流す定電流を発生する。定電流回路５４は、第２のＰＷＭ信号のＨレベルの期間でオンしてＬＥＤ回路５６へ定電流を流す一方、第２のＰＷＭ信号のＬレベルの期間でオフしてＬＥＤ回路５６へ定電流を流さない。
【０１２１】
上記のように、ＬＥＤ駆動制御部５１では、調光制御部５２が、ＬＥＤチップ４３をパルス幅変調により発光させるための第１のＰＷＭ信号と、ＬＥＤチップ４４をパルス幅変調により発光させるための第２のＰＷＭ信号とを生成する。そして、調光制御部５２は、生成した第１のＰＷＭ信号を定電流回路５３に出力する。定電流回路５３は調光制御部５２から入力された第１のＰＷＭ信号に基づいて電流をＬＥＤ回路５５に流すことでＬＥＤチップ４３を駆動する。また、調光制御部５２は、生成した第２のＰＷＭ信号を定電流回路５４に出力する。定電流回路５４は調光制御部５２から入力された第２のＰＷＭ信号に基づいて電流をＬＥＤ回路５６に流すことでＬＥＤチップ４４を駆動する。
【０１２２】
これにより、調光制御部５２が個別に制御する第１のＰＷＭ信号によって定電流回路５３がＬＥＤ回路５５に流す定電流を制御し、第２のＰＷＭ信号によって定電流回路５４がＬＥＤ回路５６に流す定電流を制御する。これにより、ＬＥＤチップ４３・４４の光強度が個別に制御される。
【０１２３】
このため、ＬＥＤチップ４３からの１次光とＫＳＦ蛍光体１５が上記１次光を吸収して発光した２次光との混色光である第１白色光Ｗ１と、ＬＥＤチップ４４からの１次光とＣＡＳＮ蛍光体１６が上記１次光を吸収して発光した２次光との混色光である第２白色光Ｗ２の強度とを個別に調整することができる。このため、色再現性が広く、かつ、応答速度が速い光源部３７を得ることができる。
【０１２４】
（ＬＥＤチップ４３・４４の点灯制御）
図１６は、ＰＷＭ信号と、ＬＥＤチップ４３・４４の駆動状態との関係を表す図である。図１６において、状態（１）〜（４）は以下の状態を示す。
状態（１）：ＬＥＤチップ４３は点灯で、ＬＥＤチップ４４は非点灯が要求される場合
状態（２）：ＬＥＤチップ４３は非点灯で、ＬＥＤチップ４４は点灯が要求される場合
状態（３）：ＬＥＤチップ４３及びＬＥＤチップ４４の両方共に点灯が要求される場合
状態（４）：ＬＥＤチップ４３及びＬＥＤチップ４４の両方共に非点灯が要求される場合
図１６に示すように、状態（１）が要求されるとき、調光制御部５２が備えるＰＷＭ回路は、ＬＥＤチップ４３がＨレベルとなるＰＷＭ信号を生成し、ＬＥＤチップ４４がＬレベルとなるＰＷＭ信号を生成する。上記ＰＷＭ回路は、それぞれ生成したＰＷＭ信号を定電流回路５３・５４それぞれに出力する。定電流回路５３は、上記ＰＷＭ回路から出力されたＨレベルのＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５５に流し、ＬＥＤチップ４３を点灯させる。一方、定電流回路５４は、上記ＰＷＭ回路から出力されたＬレベルのＰＷＭ信号に基づき定電流はＬＥＤ回路５５に流さず、ＬＥＤチップ４４を非点灯とさせる。これにより、ＫＳＦ蛍光体１５が発光した赤色光を含む第１白色Ｗ１のみからなる白色光Ｗ４が第１のキャビティ４２ａからＬＥＤ４１外部へ出射する。
【０１２５】
状態（２）のとき、上記ＰＷＭ回路は、ＬＥＤチップ４３がＬレベルとなるＰＷＭ信号を生成し、ＬＥＤチップ４４がＨレベルとなるＰＷＭ信号を生成する。上記ＰＷＭ回路は、それぞれ生成したＰＷＭ信号を定電流回路５３・５４それぞれに出力する。定電流回路５３は、上記ＰＷＭ回路から出力されたＬレベルのＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５５に流さず、ＬＥＤチップ４３を非点灯とさせる。一方、定電流回路５４は、上記ＰＷＭ回路から出力されたＨレベルのＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５５に流し、ＬＥＤチップ４４を点灯させる。これにより、ＣＡＳＮ蛍光体１６が発光した赤色光を含む第２白色Ｗ２のみからなる白色光Ｗ４が第２のキャビティ４２ｂからＬＥＤ４１外部へ出射する。
【０１２６】
状態（３）のとき、上記ＰＷＭ回路は、ＬＥＤチップ４３がＨレベルとなるＰＷＭ信号を生成し、ＬＥＤチップ４４がＨレベルとなるＰＷＭ信号を生成する。上記ＰＷＭ回路は、それぞれ生成したＰＷＭ信号を定電流回路５３・５４それぞれに出力する。定電流回路５３は、上記ＰＷＭ回路から出力されたＨレベルのＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５５に流し、ＬＥＤチップ４３を点灯させる。一方、定電流回路５４は、上記ＰＷＭ回路から出力されたＨレベルのＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５６に流し、ＬＥＤチップ４４を点灯させる。これにより、ＫＳＦ蛍光体１５が発光した赤色光を含む第１白色Ｗ１及びＣＡＳＮ蛍光体１６が発光した赤色光を含む第２白色Ｗ２からなる白色光Ｗ４が第１のキャビティ４２ａ及び第２のキャビティ４２ｂからＬＥＤ４１外部へ出射する。
【０１２７】
状態（４）のとき、上記ＰＷＭ回路は、ＬＥＤチップ４３がＬレベルとなるＰＷＭ信号を生成し、ＬＥＤチップ４４がＬレベルとなるＰＷＭ信号を生成する。上記ＰＷＭ回路は、それぞれ生成したＰＷＭ信号を定電流回路５３・５４それぞれに出力する。定電流回路５３は、上記ＰＷＭ回路から出力されたＬレベルのＰＷＭ信号に基づき定電流はＬＥＤ回路５５に流さず、ＬＥＤチップ４３を非点灯とさせる。また、定電流回路５４は、上記ＰＷＭ回路から出力されたＬレベルのＰＷＭ信号に基づき定電流はＬＥＤ回路５６に流さず、ＬＥＤチップ４４を非点灯とさせる。これによりＬＥＤ４１は非点灯となる。
【０１２８】
また、調光制御部５２から定電流回路５３と定電流回路５４との電流設定値を変えてＬＥＤチップ５５およびＬＥＤチップ５６が発光する光強度を制御し、第１白色Ｗ１と第２白色Ｗ２との光量の比率を任意に制御することもできる。
【０１２９】
ＬＥＤチップ５５・５６の駆動電流値やＰＷＭ信号のＤＵＴＹ比を、調光制御部５２によって制御することで、容易に第１白色Ｗ１と第２白色Ｗ２との光量の比率を変えることができる。
【０１３０】
ここで、本実施の形態において、照明装置３１（図１３参照）と、照明装置３１が照明する表示パネルとからなることで、照明装置３１が用いられる液晶テレビ等の表示装置に要求される表示モードとして、例えば、下記のモード（第１のモード）Ａ、モード（第２のモード）Ｂが挙げられる。
モードＡ：応答速度よりも鮮明な画質が要求される場合
モードＢ：鮮明な画質よりも応答速度が要求される場合
モードＡのとき、照明装置３１において、調光制御部５２は、第１白色Ｗ１の光量を大きくし、第２白色Ｗ２の光量を小さくする。あるいは第２白色Ｗ２の光量をゼロにする。すなわち、調光制御部５２は、ＬＥＤチップ４４を非点灯とするか、ＬＥＤチップ４４の光量をＬＥＤチップ４３より小さくすると共に、ＬＥＤチップ４３の光量をＬＥＤチップ４４の光量より大きくする。これにより、ＬＥＤチップ４３は、ＬＥＤチップ４４より大きい光量の光を出射する。この結果、上記表示装置は、より鮮明な画像を表示することができる。
【０１３１】
モードＢのとき、照明装置３１において、調光制御部５２は、第１白色Ｗ１の光量を小さくし、第２白色Ｗ２の光量を第１白色Ｗ１より大きくする。あるいは第１白色Ｗ１の光量をゼロにする。すなわち、調光制御部５２は、ＬＥＤチップ４３を非点灯とするか、ＬＥＤチップ４３の光量をＬＥＤチップ４４より小さくすると共に、ＬＥＤチップ４４の光量をＬＥＤチップ４３の光量より大きくする。これにより、ＬＥＤチップ４４は、ＬＥＤチップ４３より大きい光量の光を出射する。この結果、上記表示装置は、より応答速度を速くして画像を表示することができる。
【０１３２】
以上により、照明装置３１が用いられる液晶テレビ等の表示装置に要求されるモードＡ・Ｂの何れも、照明装置３１によって実現することができる。
【０１３３】
なお、第２の実施形態では、ＬＥＤチップ４３を封止する樹脂１４には赤蛍光体としてＫＳＦ蛍光体１５と、緑蛍光体１７とが分散され、ＬＥＤチップ４４を封止する樹脂１４には赤蛍光体としてＣＡＳＮ蛍光体１６と、緑蛍光体１７とが分散されているものとして説明した。しかし、ＬＥＤチップ４３を封止する樹脂１４には赤蛍光体としてＫＳＦ蛍光体１５と、緑蛍光体としてＭｎ賦活γ‐ＡｌＯＮとが分散され、ＬＥＤチップ４４を封止する樹脂１４には赤蛍光体としてＣＡＳＮ蛍光体１６と、緑蛍光体として２価のＥｕ付活酸窒化物蛍光体であるβ型ＳｉＡｌＯＮまたは２価のＥｕ付活珪酸塩蛍光体とが分散されていてもよい。
【０１３４】
〔実施形態３〕
本発明の第３の実施形態について説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１３５】
実施形態１で説明したＬＥＤ１１（図１等参照）又は実施形態２で説明したＬＥＤ４１（図１４参照）におけるＤｕｔｙが５０％以下の駆動状態の場合で、ＰＷＭ信号の周波数に応じて、ＫＳＦ蛍光体１５と、ＣＡＳＮ蛍光体１６との配合比率を調整しておく。これにより、ＬＥＤ１１またはＬＥＤ４１が使用されている液晶ＴＶ等の表示装置における動画品質の改善効果を得ることができる。
（ａ）ＰＷＭ信号の周波数（フレーム周波数）が６０Ｈｚ以上１２０Ｈｚ未満のとき
表示装置において、照明装置１、３１のＰＷＭ信号の周波数（フレーム周波数）を６０Ｈｚ以上１２０Ｈｚ未満とする。この場合、ＬＥＤ１１またはＬＥＤ４１におけるＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との発光強度比（発光スペクトルのピーク割合）をＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝２０：８０とする必要がある。 
【０１３６】
実施形態１で説明した１パッケージ当たり１キャビティのＬＥＤ１１を搭載した照明装置１を製造する場合、ＬＥＤ１１の製造工程における、樹脂１４にＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６とを分散させる工程において、ＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との配合比率（重量％）がＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝４０:２１．９となるように樹脂１４に分散させる。これにより、ＬＥＤ１１におけるＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との発光強度比（発光スペクトルのピーク割合）をＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝２０：８０とすることができる。
【０１３７】
一方、実施形態２では、２つの光源からの白色光(第１白色Ｗと第２白色Ｗ)の発光強度比を、ＰＷＭのＤＵＴＹ比、またはＬＥＤ駆動電流値を変えることで変化させる。それにより、実施形態２はＴＶの動作モードに応じて発光強度比を適時切り替えることができ、更に、光量比を細かく設定できる等のメリットを得ることができる。
【０１３８】
実施形態２では、ＬＥＤ４１の製造条件を、第１のキャビティ４２ａと第２のキャビティ４２ｂそれぞれ内に分散する蛍光体の配合比が、２つの光源(ＬＥＤチップ４３・４４)を同条件で駆動したときに発光強度比が５０：５０となるような比率となるよう説明した。そして、ＤＵＴＹ比あるいは駆動電流を変えることで、第１のキャビティ４２ａと第２のキャビティ４２ｂとの発光強度比を変更する。
【０１３９】
実施形態２で説明した１パッケージ当たり２キャビティのＬＥＤ４１を搭載した照明装置１を製造する場合、第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２のピーク波長との強度比が２０：８０となるＰＷＭ信号またはＬＥＤ駆動電流に制御することで実現する。
【０１４０】
ＬＥＤ４１の製造工程における、樹脂１４にＫＳＦ蛍光体１５と緑蛍光体１７とを分散させる工程において、ＫＳＦ蛍光体１５と緑蛍光体１７との配合比率（重量％）がＫＳＦ：緑蛍光体＝１００:７５．７となるように樹脂１４に分散する。これにより、ＫＳＦ：緑蛍光体＝１００:７５．７となるように第１のキャビティ４２ａを封止する樹脂１４にＫＳＦ蛍光体１５と緑蛍光体１７とが分散される。
【０１４１】
さらに、ＬＥＤ４１の製造工程における、樹脂１４にＣＡＳＮ蛍光体１６と緑蛍光体１７とを分散させる工程において、ＣＡＳＮ蛍光体１６と緑蛍光体１７との配合比率（重量％）がＣＡＳＮ：緑蛍光体＝１３．７:７５．７となるように樹脂１４に分散する。これにより、ＣＡＳＮ：緑蛍光体＝１３．７:７５．７となるように第２のキャビティ４２ｂを封止する樹脂１４にＣＡＳＮ蛍光体１６と緑蛍光体１７とが分散される。
【０１４２】
なお、ＬＥＤ４１の他の製造工程は、通常の１パッケージ当たり２キャビティを有するＬＥＤの製造工程を同じである。照明装置３１は、このようにして得られたＬＥＤ４１を搭載する。
【０１４３】
さらに、調光制御部５２（図１５参照）は、第１白色光Ｗ１の赤色波長成分のピーク波長と、第２白色光Ｗ２の赤色波長成分のピーク波長との強度比が２０：８０となるように第１のＰＷＭ信号及び第２のＰＷＭ信号をそれぞれ生成し、第１のＰＷＭ信号を定電流回路５３に出力し、第２のＰＷＭ信号を定電流回路５４に出力する。定電流回路５３は、調光制御部５２から入力された第１のＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５５へ出力し、定電流回路５４は、調光制御部５２から入力された第２のＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５６へ出力する。
【０１４４】
上記に示す蛍光体の配合比率(重量％)で製造した場合、ＬＥＤチップ４３とＬＥＤチップ４４とを同じ駆動条件で点灯させると、第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２とのピーク波長の光強度比が５０：５０で出射される。ここで、調光制御部５２は第１のＰＷＭ信号および第２のＰＷＭ信号のＤＵＴＹ比の比率を２０：８０とすれば第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２のピーク波長の強度比が２０：８０となる。ＬＥＤチップの順方向電流vs発光輝度の特性に合わせて、ＬＥＤ駆動電流値を、ＬＥＤチップ４３とＬＥＤチップ４４との発光輝度が２０：８０となる電流値を定電流回路５３と定電流回路５４とから出力するように設定しても構わない。
【０１４５】
蛍光体の配合比率が異なる場合であっても、ＰＷＭ信号のＤＵＴＹ比やＬＥＤ駆動電流値を適切に設定すれば、同様に、第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２のピーク波長の強度比が２０：８０である光強度が実現できることは言うまでも無い。
【０１４６】
以上により、ＬＥＤ４１におけるＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との発光強度比（発光スペクトルのピーク割合）をＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝２０：８０とすることができる。
（ｂ）ＰＷＭ信号の周波数（フレーム周波数）が１２０Ｈｚ以上２４０Ｈｚ未満のとき
表示装置において、照明装置１・３１のＰＷＭ信号の周波数（フレーム周波数）を１２０Ｈｚ以上２４０Ｈｚ未満としてもよい。この場合、ＬＥＤ１１またはＬＥＤ４１におけるＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との発光強度比（発光スペクトルのピーク割合）をＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０とする必要がある。
【０１４７】
実施形態１で説明した１パッケージ当たり１キャビティのＬＥＤ１１を搭載した照明装置１を製造する場合、ＬＥＤ１１の製造工程における、樹脂１４にＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６とを分散させる工程において、ＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との配合比率（重量％）がＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝１００:１３．７となるように樹脂１４に分散する。これにより、ＬＥＤ１１におけるＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との発光強度比（発光スペクトルのピーク割合）をＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０とすることができる。
【０１４８】
実施形態２で説明した１パッケージ当たり２キャビティのＬＥＤ４１を搭載した照明装置１を製造する場合、第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２とのピーク波長の強度比が５０：５０となるＰＷＭ信号またはＬＥＤ駆動電流に制御することで実現する。
【０１４９】
ＬＥＤ４１の製造工程における、樹脂１４にＫＳＦ蛍光体１５と緑蛍光体１７とを分散させる工程において、ＫＳＦ蛍光体１５と緑蛍光体１７との配合比率（重量％）がＫＳＦ：緑蛍光体＝１００:７５．７となるように樹脂１４に分散する。これにより、ＫＳＦ：緑蛍光体＝１００:７５．７となるように第１のキャビティ４２ａを封止する樹脂１４にＫＳＦ蛍光体１５と緑蛍光体１７とが分散される。
【０１５０】
さらに、ＬＥＤ４１の製造工程における、樹脂１４にＣＡＳＮ蛍光体１６と緑蛍光体１７とを分散させる工程において、ＣＡＳＮ蛍光体１６と緑蛍光体１７との配合比率（重量％）がＣＡＳＮ：緑蛍光体＝１３．７:７５．７となるように樹脂１４に分散する。これにより、ＣＡＳＮ：緑蛍光体＝１３．７:７５．７となるように第２のキャビティ４２ｂを封止する樹脂１４にＣＡＳＮ蛍光体１６と緑蛍光体１７とが分散される。
【０１５１】
なお、ＬＥＤ４１の他の製造工程は、通常の１パッケージ当たり２キャビティを有するＬＥＤの製造工程を同じである。照明装置３１は、このようにして得られたＬＥＤ４１を搭載する。
【０１５２】
さらに、調光制御部５２（図１５参照）は、第１白色光Ｗ１の赤色波長成分のピーク波長と、第２白色光Ｗ２の赤色波長成分のピーク波長との強度比が５０：５０となるように第１のＰＷＭ信号及び第２のＰＷＭ信号をそれぞれ生成し、定電流回路５３へ第１のＰＷＭ信号を出力し、定電流回路５４へ第２のＰＷＭ信号を出力する。定電流回路５３は調光制御部５２から入力された第１のＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５５へ出力する。定電流回路５４は調光制御部５２から入力された第２のＰＷＭ信号に基づき定電流をＬＥＤ回路５６へ出力する。
【０１５３】
上記に示す蛍光体の配合比率(重量％)で製造した場合、ＬＥＤチップ４３とＬＥＤチップ４４とを同じ駆動条件で点灯させると、第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２とのピーク波長の光強度比が５０：５０で出射される。この場合、調光制御部５２は第１のＰＷＭ信号および第２のＰＷＭ信号は同じＤＵＴＹ比、定電流回路５３と５４で出力するＬＥＤ駆動電流値を同じ値に設定すれば、第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２とのピーク波長の強度比が５０：５０となる。
【０１５４】
なお、蛍光体の配合比率が異なる場合であっても、ＰＷＭ信号のＤＵＴＹ比やＬＥＤ駆動電流値を適切に設定すれば、同様に、第１白色光Ｗ１と第２白色光Ｗ２とのピーク波長の強度比が５０：５０の光強度が実現できることは言うまでも無い。
【０１５５】
以上により、ＬＥＤ４１におけるＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６との発光強度比（発光スペクトルのピーク割合）をＫＳＦ：ＣＡＳＮ＝５０：５０とすることができる。
（ｃ）ＰＷＭ信号の周波数（フレーム周波数）が２４０Ｈｚ以上のとき
ＰＷＭ信号の周波数が２４０Ｈｚ以上では、残光による色付き現象が目立ちにくくなるため、赤蛍光体としてＫＳＦ蛍光体１５のみで使用することも可能であるが、ＫＳＦ蛍光体１５とＣＡＳＮ蛍光体１６とを組合せて使う方がより好ましい。
【０１５６】
ＰＷＭ信号の周波数を高くすることで、ＴＶの画面上を流れるテロップ等の色付き現象が低減するのは、青・緑・赤の３色が出力されているＯＮ期間と、赤色の残光だけが残っているＯＦＦ期間とが短くなり、間隔も縮まることに起因する。それにより、下記（１）及び（２）の理由が考えられる。
（１）画面上をテロップが流れても、赤色残光だけが発光している時間が短くなると、テロップ文字に残光色が見えてしまう領域の幅が小さくなり目につきにくくなる。
（２）青・緑・赤の３色が出力されているＯＮ期間と、赤色の残光だけが残っているＯＦＦ期間を繰り返す間隔が短いため、残像により人の目には色が分離して見えにくくなる。
【０１５７】
なお、通常、テレビ放送を表示する表示装置では、ＰＷＭ信号の周波数を６０Ｈｚ以下で駆動させることは無い。
【０１５８】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る発光装置は、１次光を発光する発光素子と、上記発光素子を封止する樹脂と、上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体とを備え、上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光することを特徴とする。
【０１５９】
上記構成によると、上記第１の蛍光体により、発光波長におけるピーク波長の幅が狭い上記２次光が得られる。また、上記第２の蛍光体により、応答速度が速い上記２次光が得られる。これにより、上記２次光の色純度が高く、かつ、応答速度が速い発光装置を得ることができる。
【０１６０】
本発明の態様２に係る発光装置は、上記態様１において、凹部であるキャビティが一つのみ設けられたパッケージを備え、上記発光素子は、上記キャビティ内の底面に配されており、上記樹脂は上記キャビティ内に配されており、上記樹脂に、上記第１及び第２の蛍光体が分散されていてもよい。上記構成により、１キャビテイからなり、２次光の色純度が高く、応答速度が速い発光装置を得ることができる。
【０１６１】
本発明の態様３に係る発光装置は、上記態様１において、複数の凹部である第１及び第２のキャビティが設けられたパッケージを備え、上記発光素子は、上記第１のキャビティ内の底面に配されている第１の発光素子と、上記第２のキャビティ内の底面に配されている第２の発光素子とを含み、上記第１及び第２のキャビティ内のそれぞれに上記樹脂が配されており、上記第１の蛍光体は上記第１のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、上記第２の蛍光体は上記第２のキャビティに配されている上記樹脂に分散されていてもよい。上記構成により、複数のキャビティである第１及び第２のキャビティを有し、２次光の色純度が高く、応答速度が速い発光装置を得ることができる。
【０１６２】
本発明の態様４に係る発光装置は、上記態様３において、上記発光装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第１のモードのとき、上記第１の発光素子は、上記第２の発光素子より大きい光量の光を出射してもよい。上記構成により、より鮮明な画像を表示させることができる。
【０１６３】
本発明の態様５に係る発光装置は、上記態様３において、上記発光装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第２のモードのとき、上記第２の発光素子は、上記第１の発光素子より大きい光量の光を出射してもよい。上記構成により、より応答速度を速くして画像を表示させることができる。
【０１６４】
本発明の態様６に係る照明装置は、上記態様１〜５において、上記発光装置を備えていてもよい。上記構成により、上記２次光の色純度が高く、かつ、応答速度が速い照明装置を得ることができる。
【０１６５】
本発明の他の態様に係る発光装置は、上記態様において、上記第１の蛍光体が発光する上記２次光のピーク波長の波長帯が３０ｎｍ以下であり、上記発光素子が点灯している上記１次光を消灯した時における上記２次光の強度が１／ｅ（ｅは自然対数の底）となるまでに要する時間を残光時間とすると、上記第２の蛍光体の残光時間は上記第１の蛍光体の残光時間の１００分の１以下であってもよい。上記構成により、２次光の色純度が高く、応答速度が速い発光装置を得ることができる。
【０１６６】
本発明の他の態様に係る発光装置は、上記態様において、上記第１の蛍光体は、４価のマンガン付活フッ化４価金属塩蛍光体を含んでもよい。上記構成により、一態様としての上記第１の蛍光体を得ることができる。
【０１６７】
本発明の他の態様に係る発光装置は、上記態様において、上記発光素子は、ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の上記１次光を発光する窒化ガリウム系半導体であってもよい。上記構成により、一態様としての上記発光素子を得ることができる。
【０１６８】
本発明の他の態様に係る発光装置は、上記態様において、上記第２の蛍光体は、２価のＥｕ付活ＣａＡｌＳｉＮ３構造を有する蛍光体を含んでもよい。上記構成により、一態様としての上記第２の蛍光体を得ることができる。
【０１６９】
本発明の他の態様に係る発光モジュールは、上記態様において、上記発光装置と、上記第１の発光素子をパルス幅変調により発光させるための第１のパルス幅変調信号と、上記第２の発光素子をパルス幅変調により発光させるための第２のパルス幅変調信号とを生成するパルス幅変調信号生成手段と、を備えていてもよい。
【０１７０】
上記構成により、上記第１の発光素子と、上記第２の発光素子とを個別に駆動制御することができる。このため、上記第１の発光素子からの１次光と上記第１の蛍光体が上記１次光を吸収して発光した２次光との混色光の強度と、上記第２の発光素子からの１次光と上記第２の蛍光体が上記１次光を吸収して発光した２次光との混色光の強度とを個別に調整することができる。このため、色再現性が広く、かつ、応答速度が速い発光モジュールを得ることができる。
【０１７１】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１７２】
本発明は、発光装置、及び照明装置に利用することができる。
【符号の説明】
【０１７３】
１・３１  照明装置
５  導光板
７・３７  光源部
１１・４１  ＬＥＤ（発光装置）
１２・４２  パッケージ
１２ａ  キャビティ
１３  ＬＥＤチップ（発光素子）
１４  樹脂
１５  ＫＳＦ蛍光体（第１の蛍光体）
１６  ＣＡＳＮ蛍光体（第２の蛍光体）
１７  緑蛍光体
２１・５１  ＬＥＤ駆動制御部
２２・５２  調光制御部（パルス幅変調信号生成手段）
２３  定電流回路
２５  ＬＥＤ回路
４２ａ  第１のキャビティ
４２ｂ  第２のキャビティ
４２ｃ  隔壁
４３  ＬＥＤチップ（第１の発光素子）
４４  ＬＥＤチップ（第２の発光素子）
５３・５４  定電流回路
５５・５６  ＬＥＤ回路
Ｗ０  白色光
Ｗ１  第１白色光
Ｗ２  第２白色光
Ｗ４  白色光
【図１】
2015068513.tif 000003
【図２】
2015068513.tif 000004
【図３】
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【図４】
2015068513.tif 000006
【図５】
2015068513.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2015068513.tif 000013
【図１２】
2015068513.tif 000014
【図１３】
2015068513.tif 000015
【図１４】
2015068513.tif 000016
【図１５】
2015068513.tif 000017
【図１６】
2015068513.tif 000018
【図１７】
2015068513.tif 000019
【図１８】
2015068513.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次光を発光する発光素子と、
上記発光素子を封止する樹脂と、
上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体と、
凹部であるキャビティが一つのみ設けられたパッケージとを備え、
上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光し、
上記発光素子は、上記キャビティ内の底面に配されており、
上記樹脂は上記キャビティ内に配されており、
上記樹脂に、上記第１及び第２の蛍光体が分散されており
上記第１の蛍光体が発光する上記２次光の発光スペクトルにおけるピーク波長の波長幅は、上記第２の蛍光体が発光する上記２次光の発光スペクトルにおけるピーク波長の波長幅より狭く、
上記第２の蛍光体の応答速度は、上記第１の蛍光体の応答速度より速いことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
上記第１の蛍光体は、ピーク波長の波長幅が３０ｎｍ以下の狭スペクトルを有する蛍光体であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
上記第１の蛍光体は、Ｍｎ４＋付活Ｋ２ＳｉＦ６構造を有する蛍光体であり、上記第２の蛍光体は、２価のＥｕ付活ＣａＡｌＳｉＮ３構造を有する蛍光体であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
上記第１の蛍光体のピーク波長における強度と、上記第２の蛍光体のピーク波長における強度とを合わせた強度において、当該第２の蛍光体のピーク波長における強度の割合は２５％以上５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
さらに、上記樹脂に、上記１次光により励起され、緑色の２次光を発する緑蛍光体が分散されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
１次光を発光する発光素子と、
上記発光素子を封止する樹脂と、
上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体と、
複数の凹部である第１及び第２のキャビティが設けられたパッケージとを備え、
上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光し、
上記発光素子は、上記第１のキャビティ内の底面に配されている第１の発光素子と、上記第２のキャビティ内の底面に配されている第２の発光素子とを含み、
上記第１及び第２のキャビティ内のそれぞれに上記樹脂が配されており、
上記第１の蛍光体は上記第１のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
上記第２の蛍光体は上記第２のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
自装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第１のモードのとき、上記第１の発光素子は、上記第２の発光素子より大きい光量の光を出射することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
１次光を発光する発光素子と、
上記発光素子を封止する樹脂と、
上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体と、
複数の凹部である第１及び第２のキャビティが設けられたパッケージとを備え、
上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光し、
上記発光素子は、上記第１のキャビティ内の底面に配されている第１の発光素子と、上記第２のキャビティ内の底面に配されている第２の発光素子とを含み、
上記第１及び第２のキャビティ内のそれぞれに上記樹脂が配されており、
上記第１の蛍光体は上記第１のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
上記第２の蛍光体は上記第２のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
自装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第２のモードのとき、上記第２の発光素子は、上記第１の発光素子より大きい光量の光を出射することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の発光装置を備えていることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月16日(2016.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次光を発光する発光素子と、
上記発光素子を封止する樹脂と、
上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体と、
複数の凹部である第１及び第２のキャビティが設けられたパッケージとを備え、
上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光し、
上記発光素子は、上記第１のキャビティ内の底面に配されている第１の発光素子と、上記第２のキャビティ内の底面に配されている第２の発光素子とを含み、
上記第１及び第２のキャビティ内のそれぞれに上記樹脂が配されており、
上記第１の蛍光体は上記第１のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
上記第２の蛍光体は上記第２のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
自装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第１のモードのとき、上記第１の発光素子は、上記第２の発光素子より大きい光量の光を出射することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
１次光を発光する発光素子と、
上記発光素子を封止する樹脂と、
上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体と、
複数の凹部である第１及び第２のキャビティが設けられたパッケージとを備え、
上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光し、
上記発光素子は、上記第１のキャビティ内の底面に配されている第１の発光素子と、上記第２のキャビティ内の底面に配されている第２の発光素子とを含み、
上記第１及び第２のキャビティ内のそれぞれに上記樹脂が配されており、
上記第１の蛍光体は上記第１のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
上記第２の蛍光体は上記第２のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、
自装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第２のモードのとき、上記第２の発光素子は、上記第１の発光素子より大きい光量の光を出射することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置を備えていることを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、１次光を発光する発光素子と、上記発光素子を封止する樹脂と、上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体と、複数の凹部である第１及び第２のキャビティが設けられたパッケージとを備え、上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光し、上記発光素子は、上記第１のキャビティ内の底面に配されている第１の発光素子と、上記第２のキャビティ内の底面に配されている第２の発光素子とを含み、上記第１及び第２のキャビティ内のそれぞれに上記樹脂が配されており、上記第１の蛍光体は上記第１のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、上記第２の蛍光体は上記第２のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、自装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第１のモードのとき、上記第１の発光素子は、上記第２の発光素子より大きい光量の光を出射することを特徴としている。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、１次光を発光する発光素子と、上記発光素子を封止する樹脂と、上記樹脂に分散され、上記１次光の一部を吸収し、当該１次光より波長が長い２次光を発光する第１及び第２の蛍光体と、複数の凹部である第１及び第２のキャビティが設けられたパッケージとを備え、上記第１の蛍光体は上記１次光を吸収し禁制遷移により上記２次光を発光し、上記第２の蛍光体は上記１次光を吸収し許容遷移により上記２次光を発光し、上記発光素子は、上記第１のキャビティ内の底面に配されている第１の発光素子と、上記第２のキャビティ内の底面に配されている第２の発光素子とを含み、上記第１及び第２のキャビティ内のそれぞれに上記樹脂が配されており、上記第１の蛍光体は上記第１のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、上記第２の蛍光体は上記第２のキャビティに配されている上記樹脂に分散されており、自装置が照明する表示パネルが画像を表示するに際し、当該表示パネルの表示モードとして、応答速度よりも鮮明な画質が要求される第１のモードと、鮮明な画質よりも応答速度が要求される第２のモードとのうち、上記第２のモードのとき、上記第２の発光素子は、上記第１の発光素子より大きい光量の光を出射することを特徴としている。
【国際調査報告】
2015068513.tif 000021
2015068513.tif 000022
2015068513.tif 000023
2015068513.tif 000024