【事件の表示】
　平成９年特許願第５３３９８１号「ドライエッチング後の側壁残さを除去するための溶液および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１０月２日国際公開、ＷＯ９７／３６２０９号、平成１２年６月２７日国内公表、特表２０００−５０８０８２号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件に係る出願（以下、「本願」という。）は、１９９７年３月１０日（優先権主張１９９６年３月２２日、ＥＰ）を国際出願日とする出願であって、平成１９年４月２３日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年５月８日）、これに対し、同年８月７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、平成２１年１０月１９日付けで当審にて拒絶理由通知がなされ、平成２２年２月２２日に手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明について 
(1)本願発明 
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年２月２２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。    
「半導体ウエハーのドライエッチング後の側壁残さを選択的に除去する方法において、
　ドライエッチング後の半導体ウエハーを、
　ａ）硫酸、
　ｂ）フッ素含有化合物、
　ｃ）過酸化水素、及び
　ｄ）水
を含む溶液で処理して、該半導体ウエハーから側壁残さを除去する工程を有し、
　前記フッ素含有化合物が、フッ素イオン及び一価のカチオンから構成され、かつ該一価のカチオンがアルカリ金属カチオン、アンモニウムカチオン及び水素イオンから選ばれ、
　前記ａ）成分と前記ｂ）成分の重量比が１０：１〜１０００：１の範囲にある、
ことを特徴とする半導体ウエハーのドライエッチング後の側壁残さを選択的に除去する方法。」
　
(2)刊行物
　当審が通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平６−３３３８９８号公報には、図面と共に以下の事項が記載されている。
a)「【請求項１】  半導体基板の表面に残存する有機物及び無機物を除去する強酸及び酸化剤と、
半導体基板の表面を
半導体基板の表面に残存する残渣
を除去するフッ素を生成する
フッ素含有化合物
洗浄液によって
洗浄する
【請求項２】  前記洗浄液には、半導体基板の表面を０．５〜２ｎｍ／分のエッチングレートでエッチングする量の前記フッ素含有化合物が含有されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の洗浄方法。
【請求項３】  前記強酸は硫酸であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の洗浄方法。
【請求項４】  前記酸化剤は過酸化水素水であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の洗浄方法。
【請求項５】  前記洗浄液の温度は８０〜１３０℃の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の洗浄方法。」（【特許請求の範囲】、下線は当審で付与。以下同様。）
b)「第１の洗浄槽１４ａには、例えば硫酸と過酸化水素水とが５：１に混合され約１３０℃に昇温された第１の洗浄液が収容されており、第２の洗浄槽１４ｂには、例えばアンモニア水と過酸化水素水と水とが１：１：５に混合され約７０℃に昇温された第２の洗浄液が収容されている。
　ローダ１７にセットされたキャリアはまず第１の洗浄槽１４ａに送り込まれ、該第１の洗浄槽１４ａにおいてキャリアに保持された半導体基板の表面のレジスト等の有機物及び無機物が第１の洗浄液によって除去され、その後、キャリアは第１の水洗槽１５ａに送り込まれ、第１の洗浄液が洗い落とされる。
　次に、キャリアは第２の洗浄槽１４ｂに送り込まれ、該第２の洗浄槽１４ｂにおいて半導体基板の表面のパーティクルが第２の洗浄液によって除去され、その後、キャリアは第２の水洗槽１５ｂに送り込まれ、第２の洗浄液が洗い落とされる。次に、半導体基板は乾燥手段１６によって乾燥された後、アンローダ１８に引き渡される。尚、前記の一連の搬送は、キャリアのチャック機構を有するロボットにより行なわれる。
　しかしながら、前記のように、有機物や無機物を第１の洗浄液で除去し、洗浄した後、残渣及びパーティクルを第２の洗浄液で除去し、洗浄する必要があるため、洗浄槽及び水洗槽を各２組容易する必要があるので、占有面積の増大及びスループットの低下が避けられない。
　また、酸化膜エッチング時のＣ−Ｆ系の残渣やシリコンエッチング時のＳｉ−Ｂｒ系の残渣は、硫酸と過酸化水素水よりなる洗浄液では分解除去できないため、半導体基板表面をエッチングできる溶液によりリフトオフ的に洗浄することが必要である。
　そこで、１つの洗浄槽のみで有機物、無機物、エッチング残渣及びパーティクルを除去する洗浄方法が考慮され、特開平４−２３４１８８号公報に示されるように、強酸と酸化剤と弗酸とを含有した洗浄液を用いて半導体基板の表面を洗浄する洗浄方法が提案されている。」（段落【0006】ないし【0011】）
c)「【作用】請求項１の構成により、半導体基板の表面に残存する有機物及び無機物は強酸及び酸化剤により除去される。
半導体基板の表面に残存するエッチング残渣物
は
生成されたフッ素イオンによって
リフトオフされて除去される
d)「まず、洗浄槽２に、後述する各所定量の硫酸よりなる強酸及び過酸化水素水よりなる酸化剤を、強酸供給管４及び酸化剤供給管５からそれぞれ供給し、外槽３に溢れさせておく。水は濃度約３０％の過酸化水素水を使用することにより、過酸化水素中の水で代用する。この状態で、外槽３にフルオロ硫酸供給手段１０から後述する所定量のフルオロ硫酸を供給し、外槽３内で混合された洗浄液を、洗浄液循環管６に設けられた加熱装置８により例えば１００℃に加熱した状態でポンプ７によりフィルタ９を介して洗浄槽２に送り込む。」（段落【0042】）
e)「図３は、硫酸：過酸化水素水＝５：１の混合液に、弗酸を１％添加した場合とフルオロ硫酸を０．７％添加した場合とにおけるシリコン酸化膜のエッチングレートの時間変化を示している。洗浄液の温度は約１００℃である。時間０におけるエッチングレートは弗酸及びフルオロ硫酸の濃度差の関係で正しい比較はできないが、図３から明らかなように、フルオロ硫酸を用いた場合の方がエッチングレートの変化率は小さい。
　図４は、フルオロ硫酸及び弗酸の濃度とシリコン酸化膜のエッチングレートとの関係を示している。洗浄液の温度は約１００℃である。
　
半導体基板の表面の残渣及びパーティクルを除去するためには、半導体基板の表面を数ｎｍエッチングすることが好ましい。
　図５は洗浄液の温度とエッチングレートとの関係を示している。洗浄液の温度としては８０〜１３０℃の範囲内が好ましい。その理由は次の通りである。すなわち、洗浄液の温度が８０℃未満になると、レジストを剥離する能力及び有機物分解能力が低下し、スループットが極めて悪化するためであり、洗浄液の温度が１３０℃を超えると、フッ素イオンの蒸発が激しくなりフッ素イオンによるエッチングが殆ど行われなくなるからである。洗浄液の温度が８０℃〜１００℃の範囲内では、フッ素イオンの蒸発が抑制される一方、前記の反応式により弗酸ひいてはフッ素イオンが供給されるので、エッチングレートは極めて安定する。」（段落【0048】ないし【0051】）
f)「図７（ａ）及び（ｂ）は半導体基板表面の残渣の除去状態を示す図であり、（ａ）はポリシリコン膜をレジストパターンを用いてドライエッチングした後に硫酸及び過酸化水素水を含む洗浄液により洗浄した場合の断面構造を示し、（ｂ）は同じくポリシリコン膜をレジストパターンを用いて
ドライエッチングした後に
残渣
g)「請求項２の発明に係る半導体装置の洗浄方法によると、通常の洗浄時間である５〜１０分間に半導体基板の表面が数ｎｍエッチングされるので、半導体基板表面を荒らすことなく残渣及びパーティクルを確実に除去できる。」（段落【0065】）
h)上記摘記事項cに「半導体基板の表面に残存するエッチング残渣物及びパーティクルは、半導体基板の表面が」「生成されたフッ素イオンによって極微量だけエッチングされることによりリフトオフされて除去される」こと、上記摘記事項eに「半導体基板の表面の残渣及びパーティクルを除去するためには、半導体基板の表面を数ｎｍエッチングすることが好ましい」ことおよび「硫酸：過酸化水素水＝５：１の混合液に、弗酸を１％添加した」ことが記載されている。
　そして、フッ素化合物としての弗酸は、水溶液中でフッ素イオンと水素イオンとを生成するものである。
　また、上記摘記事項fおよび【図7】(b)の記載から、硫酸および過酸化水素水に加えて、フッ素イオンを生成する弗酸が添加された洗浄液により半導体基板表面を洗浄すると、ポリシリコン膜、シリコン酸化膜はほぼそのままとし、エッチング残渣を選択的に除去することが示されている。
　これらのことから、刊行物には、
硫酸および過酸化水素水に加えて、フッ素イオンを生成する弗酸が添加された洗浄液
半導体基板の表面を数ｎｍエッチングすることにより、半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を選択的に除去する工程および方法
　
　上記記載事項及び図面の図示内容からみて、刊行物には、次の発明が記載されている。
「半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を生成されたフッ素イオンによってリフトオフして除去する方法において、
　ドライエッチングした後の半導体基板の表面を
　硫酸および過酸化水素水に加えて、フッ素イオンを生成する弗酸が添加された洗浄液により洗浄して、半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を選択的に除去する工程を有し、
　フッ素含有化合物として、水溶液中でフッ素イオンと水素イオンとを生成する弗酸を用い、
　半導体基板の表面を数ｎｍエッチングすることにより、半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を選択的に除去する方法。」
　
３．対比
　本願発明と刊行物に記載された発明を対比する。
　刊行物に記載された発明の「半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を生成されたフッ素イオンによってリフトオフして選択的に除去する方法」および「半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を選択的に除去する方法」は、その構成および機能からみて、本願発明の「半導体ウエハーのドライエッチング後の側壁残さを選択的に除去する方法」に相当し、以下、同様に、
　「ドライエッチングした後の半導体基板の表面」は「ドライエッチング後の半導体ウエハー」に、
　「過酸化水素水」は「過酸化水素」および「水」に、
　「フッ素イオンを生成する弗酸」は「フッ素含有化合物」に、
　「洗浄液」は「溶液」に、
　「洗浄」することは「処理」することに、
　「半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を選択的に除去する工程」は「半導体ウエハーから側壁残さを除去する工程」に、
　それぞれ相当する。
　そして、刊行物に記載された発明の「フッ素含有化合物として、水溶液中でフッ素イオンと水素イオンとを生成する弗酸を用い」ることと、本願発明の「フッ素含有化合物が、フッ素イオン及び一価のカチオンから構成され、かつ該一価のカチオンがアルカリ金属カチオン、アンモニウムカチオン及び水素イオンから選ばれ」ることとは、「フッ素含有化合物が、フッ素イオン及び一価のカチオンから構成され、かつ該一価のカチオンが水素イオンから選ばれ」る点で共通する。
　
　したがって、上記両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。　　　［一致点］
「半導体ウエハーのドライエッチング後の側壁残さを選択的に除去する方法において、
　ドライエッチング後の半導体ウエハーを、
　ａ）硫酸、
　ｂ）フッ素含有化合物、
　ｃ）過酸化水素、及び
　ｄ）水
を含む溶液で処理して、該半導体ウエハーから側壁残さを除去する工程を有し、
　前記フッ素含有化合物が、フッ素イオン及び一価のカチオンから構成され、かつ該一価のカチオンが水素イオンから選ばれた
　半導体ウエハーのドライエッチング後の側壁残さを選択的に除去する方法。」
　
［相違点］
　本願発明が、硫酸成分とフッ素含有化合物成分の重量比が１０：１〜１０００：１の範囲にあるのに対して、刊行物に記載された発明では、当該発明特定事項を具備するか否か不明である点。
　
４．当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物に記載された発明は、半導体基板の表面を硫酸および過酸化水素水に加えて、フッ素イオンを生成する弗酸が添加された洗浄液により洗浄することにより、半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を選択的に除去するものであり、半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を効率的に除去するという技術的課題を解決するものである。また、フッ素イオン濃度を調整すると半導体基板表面のエッチングレートが変化することは、本願の優先権主張の日前に広く知られた技術事項である。したがって、刊行物に記載された発明において、半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を効率的に除去するという技術的課題を解決するために、フッ素イオン濃度を調整して、半導体基板の表面に残存するエッチング残渣を選択的に除去するために最適な濃度範囲とすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　同様に、刊行物に記載された発明において、硫酸は、前記２．の摘記事項aによれば、半導体表面に残存する有機物および無機物を除去する機能を有するものであるから、硫酸濃度を調整して、半導体基板の表面に残存する有機物および無機物を除去するために最適な濃度範囲とすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　さらに、半導体基板洗浄の技術分野において、シリコン酸化膜は、基板表面保護機能、絶縁機能を有するものであり、フッ素含有化合物によるエッチング量が高すぎると、シリコン酸化膜が削られ過ぎてシリコン酸化膜が有する表面保護機能、絶縁機能を損うものである。一方、フッ素含有化合物によるエッチング量が低すぎると、シリコン酸化膜があまり削られず、洗浄によるエッチング残渣の除去効率が低下する。このように、シリコン酸化膜のエッチング量には、自ずとその上限値および下限値が存在する。そして、シリコン酸化膜の上限のエッチング量は、シリコン酸化膜の表面保護機能および絶縁機能を考慮して決定されるものであり、当該エッチング量に応じて単位時間当たりのエッチング量の変化に相当するエッチングレートの上限値は定まる。そして、エッチングレートの上限値は、洗浄液の温度、接触時間等の洗浄条件に応じて、弗酸の濃度を調節することにより決定される。一方、シリコン酸化膜の下限のエッチング量は、除去されるべき化合物の性質（例えば、その材質、形状）に基いて決定されるものであり、当該エッチング量に応じて単位時間当たりのエッチング量の変化に相当するエッチングレートの下限値は定まる。また、エッチングレートの下限値は、洗浄液の温度、接触時間等の洗浄条件等に応じて弗酸の濃度を調節することにより決定される。　したがって、刊行物に記載された発明において、基板表面のエッチング量を数ｎｍに抑えるために、【図4】に示された弗酸の濃度とシリコン酸化膜のエッチングレートとの関係や【図5】に示された洗浄液の温度とエッチングレートとの関係等を活用して、最適な弗酸濃度を実験等を通じて定めることは、当業者が適宜なし得たものである。
　しかも、本願発明において、硫酸成分とフッ素含有化合物成分のそれぞれの濃度について特定されておらず、また、明細書にも硫酸成分に対するフッ素含有化合物成分の重量比が持つ意義について説明がなく、硫酸成分とフッ素含有化合物成分の重量比の上限値を１０：１、下限値を１０００：１としたことに臨界的意義を確認することはできない。
　そして、半導体基板表面に残存するエッチング残渣を除去するためのフッ素イオン濃度の調節と、半導体基板表面に残存する有機物および無機物を除去するための硫酸濃度の調節とは独立してなされるものであるから、硫酸濃度に対するフッ素イオンを生成する弗酸の濃度をどのような値とするのかは、当業者が適宜決定し得たものである。
　また、本願発明が奏する効果についてみても、刊行物に記載された発明により奏される効果から当業者が予測できる範囲内のものである。
　ゆえに、本願発明は、刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　　  
　
　よって、結論のとおり審決する。