【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、有機化合物層と、半導体層と、を有し、
前記半導体層は金属酸化物を含み、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記有機化合物層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第３の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて、前記半導体層と接続され、
前記第１の導電層は、第１の領域と、前記第１の領域よりも厚さの大きい第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記第１の導電層が前記有機化合物層と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、有機化合物層と、半導体層と、を有し、
前記半導体層は、金属酸化物を含み、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記有機化合物層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第３の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて、前記半導体層と接続され、
前記第１の導電層は、第１の領域と、前記第１の領域よりも厚さの大きい第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記第１の導電層が前記有機化合物層と接し、
前記第２の領域と重なるように前記コンタクトホールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、有機化合物層と、半導体層と、を有し、
前記半導体層は、金属酸化物を含み、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記有機化合物層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第３の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて、前記半導体層と接続され、
前記第１の導電層は、ｎ（ｎは自然数）層の第１の領域と、ｍ（ｍはｎ以上の自然数）層の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記第１の導電層が前記有機化合物層と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、有機化合物層と、半導体層と、を有し、
前記半導体層は、金属酸化物を含み、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記有機化合物層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第３の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて、前記半導体層と接続され、
前記第１の導電層は、ｎ（ｎは自然数）層の第１の領域と、ｍ（ｍはｎ以上の自然数）層の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記第１の導電層が前記有機化合物層と接し、
前記第２の領域と重なるように前記コンタクトホールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の領域と前記第２の領域との境界に設けられた段差が、絶縁物で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記金属酸化物は、亜鉛とガリウムとインジウムの酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、有機化合物層と、半導体層と、を有し、
前記半導体層は珪素を含み、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記有機化合物層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第３の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて、前記半導体層と接続され、
前記第１の導電層は、第１の領域と、前記第１の領域よりも厚さの大きい第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記第１の導電層が前記有機化合物層と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、有機化合物層と、半導体層と、を有し、
前記半導体層は珪素を含み、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記有機化合物層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第３の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて、前記半導体層と接続され、
前記第１の導電層は、第１の領域と、前記第１の領域よりも厚さの大きい第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記第１の導電層が前記有機化合物層と接し、
前記第２の領域と重なるように前記コンタクトホールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、有機化合物層と、半導体層と、を有し、
前記半導体層は珪素を含み、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記有機化合物層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第３の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて、前記半導体層と接続され、
前記第１の導電層は、ｎ（ｎは自然数）層の第１の領域と、ｍ（ｍはｎ以上の自然数）層の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記第１の導電層が前記有機化合物層と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、有機化合物層と、半導体層と、を有し、
前記半導体層は珪素を含み、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記有機化合物層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第３の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールにおいて、前記半導体層と接続され、
前記第１の導電層は、ｎ（ｎは自然数）層の第１の領域と、ｍ（ｍはｎ以上の自然数）層の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記第１の導電層が前記有機化合物層と接し、
前記第２の領域と重なるように前記コンタクトホールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の領域と前記第２の領域との境界に設けられた段差が、絶縁物で覆われていることを特徴とする半導体装置。