【事件の表示】
　平成１０年特許願第　７７２４５号「窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月１３日出願公開、特開平１１−１９１６５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　平成１０年　３月２５日
　　（優先権主張　平成９年４月１１日、平成９年７月７日、
　　　　　　　　　平成９年７月２８日、平成９年１０月２２日、
　　　　　　　　　平成９年１０月２２日）
　拒絶理由通知書送付　　平成１６年　３月　９日
　意見書提出　　　　　　平成１６年　５月１０日
　手続補正書提出　　　　平成１６年　５月１０日
　拒絶査定送付　　　　　平成１６年１０月１２日
　審判請求　　　　　　　平成１６年１１月１１日
　手続補正書提出　　　　平成１６年１２月１３日
　
２．平成１６年１２月１３日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成１６年１２月１３日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
（１）本件補正・本件補正発明
　平成１６年１２月１３日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１について、
「【請求項１】
　窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の主面上に成長させた窒化物半導体であって、
　前記異種基板の主面には、略水平なテラス部と段差部とを有するようにオフアングルが形成されており、
　前記窒化物半導体は、前記異種基板の主面上に形成された第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の特定部位から選択成長し、さらに横方向に成長した第２の窒化物半導体層とを有することを特徴とする窒化物半導体。」を
「【請求項１】
　
サファイア
Ｃ面
　前記
サファイア
Ｃ面
と共に、前記段差部の最下点を結ぶ直線と前記略水平なテラス部とのなす角が１°以内となる
　前記窒化物半導体は、前記異種基板の主面上に形成された第１窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の特定部位から選択成長し、さらに横方向に成長した第２の窒化物半導体層とを有することを特徴とする窒化物半導体。」と補正することを含むものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　以下、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　なお、補正後の請求項１において、「前記異種基板の主面」及び「第１窒化物半導体層」は、それぞれ、「前記サファイア基板のＣ面」及び「第１の窒化物半導体層」の誤記であると認められる。
　
（２）刊行物
（刊行物１）
　原査定の拒絶の理由に引用された本願優先権主張日前の１９９７年３月２７日に頒布された国際公開第９７／１１５１８号（以下、「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載が認められる。
「１．総論
　本発明者の一人は、本出願の優先権主張の基礎となる特願平７−２３８１４２号の明細書において、次のような半導体レーザ素子を提案している。その一例を図１を参照して説明すると、(0001)C面を有するサファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）の単結晶基板１上に、第１の窒化物半導体層（ＧａＮバッファ層２，ｎ型ＧａＮ光導波層３）を結晶成長させ、次に第１の窒化物半導体層上に設けた絶縁膜マスク４を形成する。この絶縁膜マスク４には四角形窓領域の周期的なパターンが設けられ、この窓領域では第１の窒化物半導体層の上面（ｎ型ＧａＮ光導波層３の上面）が露出している。この状態で絶縁膜４上（窓領域では第１の窒化物半導体層上）に、第２の窒化物半導体層（ｎ型ＧａＮ光導波層５）が選択成長される。なお、図１Ｂは絶縁マスク４の平面を、図１Ａは、図１ＢのＡ−Ａ’断面を示す。
　即ち、本発明者の一人が提案する半導体レーザ素子は、第２の窒化物半導体層の結晶成長の核生成領域を上述の窓領域から露出するｎ型ＧａＮ光導波層３の表面に限定して、その３次元的な生成密度を高めることで、第２の窒化物半導体層をまず窓領域を埋めるように成長させ、その成長表面が絶縁膜４上面に達した段階で絶縁膜４上での成長を開始させるところに特徴を有する。第２の窒化物半導体層は、個々の窓領域から突出した部分の表面が絶縁膜４上面に対して平行方向並びに垂直方向に延伸するように成長するため、窓領域を略同一の面積で且つ周期的に（或いは略等間隔で）設けると、隣接し合う窓領域から夫々延伸してきた結晶層が略同時に絶縁膜４上で合体する。これにより、第２の窒化物半導体層を平坦な成長面を有する結晶層として絶縁膜４上に形成し、また絶縁膜マスクを用いない通常のバルク成長に比べて第２の窒化物半導体層の結晶粒界や結晶欠陥を低減する効果を奏する。」（第４頁第１０行〜第５頁第４行）
　
（刊行物２）
　同じく原査定で引用された本願優先権主張日前の平成９年１月２１日に頒布された特開平９−２３０２６号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の記載が認められる。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体を用いた発光素子に関する。」
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】　本発明の目的は、バンド端発光を利用した高い発光効率を有する発光素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らはこのような状況をみて鋭意検討の結果、基板面の傾斜角度を特定の範囲内にすることで、高品質の半導体結晶が得られることを見いだし、本発明に至った。即ち、本発明は、次に記す発明である。
【０００６】〔１〕サファイア基板上に、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表されるバンドギャップの異なる少なくとも２つの層を含む化合物半導体が積層されてなる発光素子であって、該サファイアの基板面とＣ面とのなす角が５度未満であり、バンド端発光によることを特徴とする３−５族化合物半導体発光素子。」
「【００１５】
【実施例】以下実施例により本発明を詳しく説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
窒化ガリウム系半導体は、ＭＯＶＰＥ法により作製した。基板としては、その基板面がＣ面となす角が０．０２度であるサファイアを鏡面研磨したものを有機洗浄して用いた。成長はまず、バッファ層として６００℃でＴＭＧとアンモニアによりＧａＮを５００Å成膜した後、ＴＭＧ、アンモニアおよびドーパントとしてシラン（ＳｉＨ4）を用いて１１００℃でＳｉをドープしたＧａＮを３μｍの厚みで成膜した。７８５℃まで降温した後、キャリアガスを水素から窒素に変え、ＴＥＧ、ＴＭＩ、ＴＥＡを用いて、Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ｎを９０秒間、Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ｎを１０分間成長した。厚膜における成長時間と得られた膜厚の関係から求めたＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎの成長速度は約３３Å／分、Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ｎの成長速度は約２５Å／分であった。従って、これらの層の膜厚は各々約５０Åおよび約２５０Åである。次に、温度を１１００℃に昇温し、ＴＭＧ、アンモニアおよびドーパントとしてＣｐ2Ｍｇを用いてＭｇをドープしたＧａＮを５０００Å成長した。成長終了後、基板を取り出し、窒素中８００℃で２０分間の熱処理を行なった。
【００１６】このようにして得られた試料を常法に従い、電極を形成し、ＬＥＤとした。ｐ電極としてＮｉ−Ａｕ合金、ｎ電極としてＡｌを用いた。このＬＥＤに順方向に２０ｍＡの電流を流したところ、ピーク波長４５０ｎｍの明瞭な青色発光を示し、輝度は２６５ｍｃｄであった。
【００１７】比較例１
用いたサファイアの基板面がＣ面となす角が５度であることを除いては実施例１と同様にしてＬＥＤを作製し、実施例１と同様の評価を行なった。その結果、やはり青色発光を示したものの、輝度は５５ｍｃｄであった。」
　
（刊行物３）
　同じく原査定で引用された本願優先権主張日前に頒布された特開平７−２０１７４５号公報（以下、「刊行物３」という。）には、図とともに次の記載が認められる。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サファイア結晶基板上にＧａ、Ａｌ、Ｉｎ等の窒化物薄膜結晶を形成した半導体ウェハ及びその製造方法に関する。」
「【０００３】ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮはサファイア単結晶のＣ−面、即ち（０００１）面の鏡面に研磨された面上にエピタキシャル成長されている。」
「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来方法で成長したＧａＮ結晶は、低温成長バッファ層を介在させてもまだ純度や結晶性が不十分である。」
「【００１２】本発明者等は、従来は基板の成長面については全く未検討で、傾斜していない（０００１）面サファイア基板のみを用いて専らエピタキシャル成長法の改良及び成長結晶の後処理により品質の改善を行なっていた点に着目し、観点を変えて基板の成長面について鋭意検討したところ、成長面を傾斜させると大幅な品質向上がはかれるという知見を得た。
【００１３】したがって本発明の目的は、成長面を傾斜することによって、上述した従来技術の問題点を解決し、純度及び結晶性が大幅に向上し、かつ高濃度ｐ型ドーピングが可能となるＧａＮ及び関連化合物（ＡｌＮ、ＩｎＮ及びこれらとＧａＮの混晶）の半導体ウェハ及びその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＧａＮ等をエピタキシャル成長させる基板としてサファイア単結晶基板の（０００１）面を所定晶軸方向に傾けて鏡面研磨した、いわゆる微傾斜面の基板を用いている。この微傾斜（０００１）面上にＧａＮ等をエピタキシャル成長させることにより高品質な高濃度ｐ型ＧａＮ及び関連化合物のエピタキシャル結晶を実現したものである。」
「【００２４】　ところで、前述した低温成長ＡｌＮバッファや低温成長ＧａＮバッファはこの二次元成長を促進する効果があると考えられるがまだ不十分である。二次元成長を実現するためには成長モードをステップフローモードにすることが有効である。
【００２５】この点で、図１に示すように、本発明の微傾斜（０００１）面サファイア単結晶基板４を用いると、微傾斜（０００１）面５に多くのステップ６が存在するため、このステップ端を基点としたＧａＮエピタキシャル結晶２のステップフローモード成長が容易に実現する。」
　
　（３）対比・判断
　本件補正発明と上記刊行物１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）を比較するに、引用発明も「窒化物半導体」に関する発明であって、引用発明の第１の窒化物半導体層は、サファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）の単結晶基板１の(0001)C面上に成長され、また、引用発明の第２の窒化物半導体層は、絶縁膜４上（窓領域では第１の窒化物半導体層上）に選択成長され、個々の窓領域から突出した部分の表面が絶縁膜４上面に対して平行方向に延伸するように成長するから、引用発明の「サファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）の単結晶基板１」、「第１の窒化物半導体層」、「窓領域」及び「第２の窒化物半導体層」が本件補正発明の「サファイア基板」、「第１の窒化物半導体層」、「特定部位」及び「第２の窒化物半導体層」にそれぞれ相当し、両者はともに
「サファイア基板のＣ面上に成長させた窒化物半導体であって、
　前記窒化物半導体は、前記サファイア基板のＣ面上に形成された第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の特定部位から選択成長し、さらに横方向に成長した第２の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体。」の発明である点で一致するものの次の点で相違する。
　本件補正発明では、「前記サファイア基板のＣ面には、略水平なテラス部と段差部とを有すると共に、前記段差部の最下点を結ぶ直線と前記略水平なテラス部とのなす角が１°以内となるようにオフアングルが形成されて」いるのに対し、引用発明のＣ面にはこのようなオフアングルが形成されていない点。
　
　この点について検討するに、上記刊行物２の実施例に記載されているように、サファイア基板のＣ面上に窒化物半導体を成長させるものにおいて、高品質の半導体結晶を得るために、基板面を傾斜させ、そのオフアングル角を０．０２°とするものが知られているから、引用発明においても、このようなオフアングル角が１°以内の傾斜基板を採用することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　なお、傾斜基板を採用した場合に、基板面が略水平なテラス部と段差部とを有すること、また、前記段差部の最下点を結ぶ直線と前記略水平なテラス部とのなす角がオフアングル角となることは、例えば、上記刊行物３の図１等から明らかである。
　
　そして、引用発明において、このような傾斜基板を採用すれば、その上に成長される第１の窒化物半導体層として高品質の半導体結晶が得られることになり、これを窓領域として成長する第２の窒化物半導体層も高品質の半導体結晶になると考えられるところであるから、本願明細書に「【０１０２】…。適当にオフアングルした異種基板を用いることにより、窒化物半導体と異種基板との原子間距離が接近し、ステップ成長が可能となり、より一層結晶欠陥の少ないＧａＮ基板が得られる。」、また、「【０１０４】…。このＬＥＤ素子は実施例１３のＬＥＤ素子と比較して、出力でおよそ５％向上した。」、「【０１２５】…。このＬＥＤ素子は実施例１９のＬＥＤ素子と比較して、出力でおよそ５％向上した。」と記載される効果についても、上記刊行物１ないし３から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別のものとはいえない
　
（４）むすび
　したがって、本件補正発明は、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年１２月１３日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年５月１０日付けで補正された明細書の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記２．［II］（１）において、補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
　そして、本願発明は、本件補正発明において、窒化物半導体を成長させる基板の面が「サファイア基板のＣ面」であるとの事項及び「前記段差部の最下点を結ぶ直線と前記略水平なテラス部とのなす角が１°以内」との事項を欠くものであるから、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは、上記補正却下の決定の理由から明らかである。
　
（２）むすび
　したがって、本願発明は、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。