【事件の表示】
　平成　７年特許願第５２４７２６号「アクティブ・マトリックス・ピクセル電極の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　９月２８日国際公開、ＷＯ９５／２５９８３、平成　９年１０月２８日国内公表、特表平　９−５１０７９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　  
　本願は、１９９５年３月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９４年３月２１日、米国）を国際出願日とする出願であって、原審において、平成１５年１０月２日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、平成１６年４月１４日付けで手続補正がなされたところ、同年１０月１３日付けで拒絶査定がなされた。そして、これに対し、平成１７年１月１７日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、さらに、同年２月１６日付けで手続補正がなされたものである。　　
　　
２．平成１７年２月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成１７年２月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］　　
　
（１）平成１７年１月１７日付けの手続補正の適否について
　
　平成１７年２月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）が適法であるかどうかの判断の基準となる明細書及び図面は、平成１７年１月１７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面であるので、直前の平成１７年１月１７日付けの手続補正（以下「審判請求時補正」という。）が適法であるかどうかを判断する必要がある。
　
　そこで検討するに、審判請求時補正により、特許請求の範囲は、　　
「【請求項１】
　アクティブ・マトリックス・ディスプレーの製造方法であって、
　絶縁層および第一基板上に半導体層を形成させ、
　該半導体層を用いてトランジスタ回路の配列を形成させ、
　第二基板を、該第一基板とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に取り付けることによって、該トランジスタ回路の配列および該絶縁層を該第一基板から第二基板上に移して、該第一基板を除去し、
　該絶縁層を貫いて伸びるピクセル電極開口部の配列を形成するように該絶縁層の一部を除去し、
　該開口部及び該絶縁層にピクセル電極を形成することを含む方法。
　
【請求項２】
　アクティブ・マトリックス・液晶ディスプレーであって、
　平面に広がる絶縁層上の半導体層を用いて形成させたトランジスタ回路の配列であって、該絶縁層とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に光学的に透明の基板が取り付けられているトランジスタ回路の配列、
　各々が該絶縁層の平面に位置していてトランジスタ回路に導電接触しているピクセル電極の配列、及び
　該ピクセル電極の配列と対電極の間に位置する液晶材料
を含むアクティブ・マトリックス液晶ディスプレー。」
　　
と補正された。　　
　　
　上記審判請求時補正は、平成１６年４月１４日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項２ないし６及び請求項８ないし１１を削除するとともに、請求項７を新たな請求項２とするものであるから、上記審判請求時補正は、特許法１７条の２第４項１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。　　
　　
　したがって、審判請求時補正は適法な補正である。 　
　　
（２）本件補正について
　
ア．本件補正の内容
　
　上記のとおり審判請求時補正は適法な補正であるので、本件補正が適法であるかどうかの判断の基準となる明細書及び図面は、平成１７年１月１７日付けで手続補正された明細書及び図面である。
　
　本件補正により請求項１及び２は、
「【請求項１】　アクティブ・マトリックス・ディスプレーの製造方法であって、
　絶縁層および第一基板上に
単結晶ケイ素
　該
単結晶ケイ素
　第二基板を、該第一基板とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に取り付けることによって、該トランジスタ回路の配列および該絶縁層を該第一基板から第二基板上に移して、該第一基板を除去し、
　該絶縁層を貫いて伸びるピクセル電極開口部の配列を形成するように該絶縁層の一部を除去し、
　該開口部及び該絶縁層にピクセル電極を形成することを含む方法。
　
【請求項２】　アクティブ・マトリックス・液晶ディスプレーであって、
　平面に広がる絶縁層上の
単結晶ケイ素
　各々が該絶縁層の平面に位置していてトランジスタ回路に導電接触しているピクセル電極の配列、及び
　該ピクセル電極の配列と対電極の間に位置する液晶材料
を含むアクティブ・マトリックス液晶ディスプレー。」
　
と補正された。
　　
　上記本件補正は、平成１７年１月１７日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の、請求項１（２箇所）及び請求項２に記載した「半導体層」について、それぞれ、「単結晶ケイ素」との限定を付加するものである。
　したがって、上記本件補正は、特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　　
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１、２に記載された発明（以下、「本件補正発明１、２」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について検討する。　
　　
イ．引用刊行物記載の発明
　
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平４−１７０５２０号公報（以下「引用例」という。）には、
　
ａ．「２、特許請求の範囲
（１）液晶駆動用箔状回路を樹脂層を介在させて透明支持体に張りつけた液晶表示用基板を液晶パネルの一方の基板の構成要素とすることを特徴とする液晶表示パネル。」（１頁下左欄４〜８行）、
　
ｂ．「（５）液晶駆動用箔状回路が透明絶縁体薄膜とその上に形成した薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路からなり、液晶表示用基板の構成が少なくとも透明支持体、樹脂層、薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路、透明絶縁体薄膜の順に積層されていることを特徴とする請求項１，２または３記載の液晶表示パネル。
（６）液晶表示用箔状回路が箔状の部分的に透明窓を有する単結晶シリコンからなっていて、液晶表示用基板の構成が透明支持体、樹脂層、箔状単結晶シリコンの順に積層されていることを特徴とする請求項１，２または３記載の液晶表示パネル。
（７）腐食性基材上に設けた透明絶縁体薄膜上に薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路を設け、この上に透明支持体を接着樹脂で張りつけて補強した後、腐食基材をエッチングにて除去して作ることを特徴とする液晶表示基板の製造方法」（１頁下右欄２行〜１８行）、
　
ｃ．「ＴＦＴパネルは画質はよいが、薄膜装置を用いて、絵素毎にトランジスタを付けねばならず、歩留まりが悪く、大変高価なものになってしまっている。
　発明が解決しようとする課題
　上記に説明したように、従来ある液晶パネルはその構造並びに製造方法から、価格において制約がある。
　本発明は低価格化を可能にすると共に、従来のパネル構造並びに製造方法では不可能であった大画面（例えば５０インチ）の製造を不可能とするものである。
　課題を解決するための手段
　上記問題を解決するために本発明においては、液晶表示用箔状回路を樹脂層を介在させて透明支持体に張りつけた液晶表示用基板を液晶パネルの一方の基板の構成要素とするようにしている。
　作　　用
　本発明を用いれば、パネルの歩留まりが上がり、容易に大画面化が可能である。且つ、画質も良好のものが得られる。
　実　施　例
　以下、本発明の液晶表示パネルに用いる液晶表示基板の構造について、実施例に沿って、図面を参照しながら説明する。
　第１図は本発明の液晶表示パネルに用いる液晶表示基板の一例の断面図を示す。一般に良く知られているＴＮ液晶を用いた液晶表示パネルはこの基板と対向電極とを間隙をあけて向かい合わせ、間に液晶を注入し、外側に偏光板を配置して構成する。
　液晶と触れる基板と対向電極の表面には液晶分子配向層を設け配向処理を行うのが通常である。本発明において、重要であるのは第１図のような構成のものが液晶表示パネルの一方の基板の構成要素となっていることである。この基板の上に種々の処理をしたり、あるいは別の構成物を付加していっても良い。以下においては、基本構成についてのみ記述する。１０１は透明絶縁体薄膜１０８上に形成した液晶駆動用薄膜回路からなる液晶駆動用箔状回路である。図においては薄膜回路を簡単に省略して描いている。１０４はゲート電極、１０５は半導体薄膜、１０６はソースあるいはドレインであり、薄膜トランジスタを構成している。１０７は透明電極である。現実には、種々の付加的な膜を含むものである。これらは本発明の要点において重要でないので省略する。液晶駆動用薄膜回路はアモロファスシリコン薄膜を用いたものとポリシリコン薄膜を用いたものが現在使われている。薄膜素子がアクチブでないものでは、チタンの陽極酸化膜を利用した非直線素子もある。
　１０３は透明支持体であり、１０２は透明支持体と液晶駆動用箔状回路とを張り付ける樹脂層である。
　第１図のような構成を取ることにより多くの利点が生ずる。第１の利点は後述するように、複数枚の液晶駆動用箔状回路を一枚の透明支持体上に平面的に配列接続し、継ぎ目のない画像が得られることである。第２の利点は液晶駆動用箔状回路を形成する際に、その基板が透明でなくともよいことであり、特製の良いトランジスタを得ることができる高温プロセスが使えることである（後述するように、液晶駆動用箔状回路作成プロセスにおいて、後に取り除かれる液晶駆動用箔状回路を形成する基板に透明性が要求されず、耐熱性のある安価な基板が使える）。特にポリシリコンの液晶駆動用薄膜回路の製造に有効である。第３の利点は透明支持体に軽い樹脂が利用できることであり、大型になったときに有利になる。
　第２図は第１図の液晶表示用基板の一つの製造方法を説明する工程図である。第２図（ａ）は腐食性基板２０２上の透明絶縁体薄膜１０８の上に作成した薄膜トランジスタ２０１を含む液晶駆動用箔状回路１０１を表している。腐食性基板２０２は例えばシリコンウェハーがある。透明絶縁体薄膜はシリコンウェハー上に形成した酸化シリコン膜がある。
　このようなものは市販されている。薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜回路はアモロファスシリコン薄膜あるいはポリシリコン薄膜を用いて作成可能である。
　第２図（ｂ）は作成した腐食性基板付き液晶駆動用箔状回路の上に硝子あるいはプラスチック等の透明支持体２０３を樹脂層２０４で張り付けたところを示している。
　第２図（ｃ）は腐食性基板２０２を腐食して取り除いた結果で、液晶表示用基板２０５を示している。
　腐食性基板２０２がシリコンで透明絶縁体薄膜１０８が酸化シリコンの場合は、これをストッパ−として化学エツチングで容易に実現できる。半導体プロセスに馴染みのある技術者には周知のことである。腐食性基板を金属にすることも容易に考えられる。
　第３図第４図は別の一例を示す。液晶表示用基板２０５と対向電極の間に液晶を挟んで駆動する場合、透明絶縁体薄膜１０８が厚いと高い駆動電圧を必要とする。このような場合は、第３図の様に絵素の部分だけ掘り込み３０１を作ることが可能である。あるいは、第４図のように透明絶縁体薄膜にコンタクト窓４０１を明けて、透明電極４０２を形成することも可能である。この場合第１図にある透明電極１０７は要らない。このようなことは、本発明から逸脱するものではない。第４図のものの作成は、第２図の工程の第２図（ｃ）の後、透明絶縁体薄膜にコンタクト窓を明け、透明電極を形成すれば良い。
　使用する液晶によっては液晶表示用基板２０５上透明絶縁体薄膜１０８上に配向膜を設け、配向処理を行うが、これも本発明の範囲外ではない。」（２頁上右欄１９行〜３頁下右欄７行）、及び、
　
ｄ．「第９図は本発明の液晶表示パネルに用いる液晶表示用基板の別の一例の断面図を示す。箔状の単結晶シリコンに窓をあけた液晶駆動用箔状回路９０１を透明支持体９０２に樹脂層９０３を介して張り付けた液晶表示用基板である。９０７は単結晶シリコンであり９０５がトランジスタである。９０４は窒化シリコンあるいは酸化シリコンなどの透明絶縁体薄膜である。９０６は透明電極である。」（４頁上右欄１９行〜同頁下左欄７行）
　
が図面とともに記載されている。
　
（イ）引用例の第４図の記載から、薄膜トランジスタ２０１、透明電極４０２及びコンタクト窓４０１は配列されており、コンタクト窓４０１は透明絶縁体薄膜１０８を貫通しており、透明電極４０２はコンタクト窓４０１及び透明絶縁体薄膜１０８上（図面においては下）に形成されていて透明電極４０２と薄膜トランジスタ２０１は接続していることが見てとれる。
　
（ウ）これらの記載から、引用例には次のａ，ｂの発明が記載されているものと認められる。
　
ａ．「ＴＦＴ液晶表示パネルの製造方法であって、透明絶縁体薄膜１０８および腐食性基板２０２上にシリコン薄膜を形成させ、該シリコン薄膜を用いて薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列を形成させ、この腐食性基板が付いている透明絶縁体薄膜１０８及び液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列の上に透明支持体２０３を樹脂層２０４で張り付けたのち、腐食性基板２０２を腐食して取り除き、透明絶縁体薄膜１０８に貫通するコンタクト窓４０１の配列を明け、コンタクト窓４０１及び透明絶縁体薄膜１０８上に透明電極４０２を形成することを含む方法」（以下「引用例発明１」という。）
　
ｂ．「ＴＦＴ液晶表示パネルであって、腐食性基板２０２上の平面に広がる透明絶縁体薄膜１０８上のシリコン薄膜を用いて形成させた薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列であって、この腐食性基板が付いている透明絶縁体薄膜１０８上に形成された液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列の上に透明支持体が樹脂層２０４で張り付けられている薄膜あるいは箔状回路の配列、透明絶縁体薄膜１０８を貫通しているコンタクト窓４０１及び透明絶縁体薄膜１０８上に薄膜トランジスタ２０１に接続して形成されている透明電極４０２の配列、及び　透明電極４０２の配列と対向電極の間に挟まれた液晶を含むＴＦＴ液晶表示パネル」（以下「引用例発明２」という。）
　
ウ．対比・判断
　
（ア）本件補正発明１について
　
ａ．本件補正発明１と引用例発明１との対比
　
（ａ）本件補正発明１と引用例発明１を対比すると、引用例発明１の「ＴＦＴ液晶表示パネル」、「製造方法」、「透明絶縁体薄膜１０８」、「腐食性基板２０２」、「シリコン薄膜」、「薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列」、「透明支持体２０３」、「腐食して取り除き」、「透明絶縁体薄膜１０８に貫通するコンタクト窓４０１の配列」及び「透明電極４０２」は、それぞれ、本件補正発明１の「アクティブ・マトリックス・ディスプレー」、「製造方法」、「絶縁層」、「第一基板」、「ケイ素半導体層」、「トランジスタ回路の配列」、「第二基板」、「除去」、「絶縁層を貫いて伸びるピクセル電極開口部の配列」及び「ピクセル電極」に相当する。　
　　
（ｂ）引用例発明１における透明支持体の樹脂による張り付けに関し、腐食性基板が付いている透明絶縁体薄膜及び液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列の上は、腐食性基板の反対側であって、液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列側である。また、この透明支持体の樹脂による張り付けにより、液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列及び透明絶縁体薄膜が透明支持体の上に移されることは、その後に腐食性基板が取り除かれることからみて明らかである。よって、引用例発明１は、本件補正発明１の「第二基板を、該第一基板とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に取り付けることによって、該トランジスタ回路の配列および該絶縁層を該第一基板から第二基板上に移して、該第一基板を除去し、」の事項を備えている。
　
（ｃ）引用例発明１の「透明絶縁体薄膜１０８に貫通するコンタクト窓４０１の配列を明け、」は、透明絶縁体薄膜の一部を除去して行うことが明らかであるから、本件補正発明１の「該絶縁層を貫いて伸びるピクセル電極開口部の配列を形成するように該絶縁層の一部を除去し、」に相当する。
　
　したがって、本件補正発明１と引用例発明１とは、「アクティブ・マトリックス・ディスプレーの製造方法であって、絶縁層および第一基板上にケイ素半導体層を形成させ、該ケイ素半導体層を用いてトランジスタ回路の配列を形成させ、第二基板を、該第一基板とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に取り付けることによって、該トランジスタ回路の配列および該絶縁層を該第一基板から第二基板上に移して、該第一基板を除去し、該絶縁層を貫いて伸びるピクセル電極開口部の配列を形成するように該絶縁層の一部を除去し、該開口部及び該絶縁層にピクセル電極を形成することを含む方法」である点で一致し、次の点で相違している。  　
 ［相違点］　
　前記ケイ素半導体層が、本件補正発明１においては「単結晶」のものと特定されているのに対して、引用例発明１においては、「単結晶」ではない点。
　　
ｂ．本件補正発明１についての判断
　
　上記相違点について検討する。
　
（ａ）絶縁層および第一基板上に単結晶ケイ素半導体層を形成させ、該単結晶ケイ素半導体層を用いてトランジスタ回路の配列を形成させ、第二基板を、該第一基板とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に取り付けることによって、該トランジスタ回路の配列および該絶縁層を該第一基板から第二基板上に移して、該第一基板を除去することを含むアクティブ・マトリックス・ディスプレーの製造方法は、本願の優先日前に周知である（例．特開平６−７５２４４号公報（段落０００１〜００１０、段落００１５、段落００５６〜００５７、段落００６０〜００７０、図１、図２、図３１、図３３、図３４及び図３５参照。）、特開平４−３１３７３４号公報（段落０００９、００１０、００１９、００２０及び図３参照。））。
　
（ｂ）引用例には単結晶シリコンを用いた発明（上記２．（２）イ．（ア）ｂ．及びｄ．参照。）も記載されており、引用例発明１のケイ素半導体層として「単結晶ケイ素半導体層」を用いることに対する阻害要因がないことは当業者に明らかである。
　
（ｃ）よって、上記（ａ）の周知技術を採用し、引用例発明１のケイ素半導体層を「単結晶」とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（ｄ）したがって、本件補正発明１は、引用例発明１及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（イ）本件補正発明２について
　
ａ．本件補正発明２と引用例発明２との対比
　
（ａ）本件補正発明２と引用例発明２を対比すると、引用例発明２の「ＴＦＴ液晶表示パネル」、「腐食性基板２０２上の平面に広がる透明絶縁体薄膜１０８」、「シリコン薄膜」、「薄膜トランジスタを含む液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列」、「透明支持体」、「樹脂層２０４で張り付けられ」、「薄膜トランジスタ２０１に接続して形成されている」、「透明電極４０２の配列」、「対向電極」、「挟まれた」及び「液晶」は、それぞれ、本件補正発明２の「アクティブ・マトリックス・液晶ディスプレー」、「平面に広がる絶縁層」、「ケイ素半導体層」、「トランジスタ回路の配列」、「光学的に透明の基板」、「取り付けられ」、「トランジスタ回路に導電接触している」、「ピクセル電極の配列」、「対電極」、「間に位置する」及び「液晶材料」に相当する。　
　
（ｂ）引用例発明２における「腐食性基板が付いている透明絶縁体薄膜１０８上に形成された液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列の上」は、透明絶縁体薄膜１０８と液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路とを対比したときに、透明絶縁体薄膜１０８とは反対側であって、液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列の側であるから、引用例発明２の透明支持体が張り付けられるのは、透明絶縁体薄膜１０８とは反対側の、液晶駆動用薄膜あるいは箔状回路の配列の側である。よって、引用例発明２は、本件補正発明２の「該絶縁層とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に光学的に透明の基板が取り付けられているトランジスタ回路の配列」の事項を備えている。
　
（ｃ）引用例発明２の透明電極４０２の配列は、コンタクト窓４０１及び透明絶縁体薄膜１０８上に形成されているから、透明絶縁体薄膜の平面に位置しているものである。よって、引用例発明２は、本件補正発明２の「各々が該絶縁層の平面に位置していてトランジスタ回路に導電接触しているピクセル電極の配列」の事項を備えている。
　
　したがって、本件補正発明２と引用例発明２とは、「アクティブ・マトリックス・液晶ディスプレーであって、平面に広がる絶縁層上のケイ素半導体層を用いて形成させたトランジスタ回路の配列であって、該絶縁層とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に光学的に透明の基板が取り付けられているトランジスタ回路の配列、各々が該絶縁層の平面に位置していてトランジスタ回路に導電接触しているピクセル電極の配列、及び該ピクセル電極の配列と対電極の間に位置する液晶材料を含むアクティブ・マトリックス液晶ディスプレー」である点で一致し、次の点で相違している。  　
 ［相違点］　
　前記ケイ素半導体層が、本件補正発明２においては「単結晶」のものと特定されているのに対して、引用例発明２においては、「単結晶」ではない点。
　
ｂ．本件補正発明２についての判断
　
　上記相違点について検討する。
　
（ａ）絶縁層上の単結晶ケイ素半導体層を用いて形成させたトランジスタ回路の配列を含むアクティブ・マトリックス液晶ディスプレーは、本願の優先日前に周知である（例．特開平６−７５２４４号公報（段落０００１〜００１０、段落００１５、図１及び図２参照。）、特開平４−３１３７３４号公報（段落０００９、００１０、００１９、００２０及び図３参照。）特開平５−２１０３６４号公報（段落００１１、００３４〜００３９及び図４参照。）、特開平５−３０３１１６号公報（段落００１１〜００４７、図２〜図６参照。））。
　
（ｂ）引用例には単結晶シリコンを用いた発明（上記２．（２）イ．（ア）ｂ．及びｄ．参照。）も記載されており、引用例発明２のケイ素半導体層として「単結晶ケイ素半導体層」を用いることに対する阻害要因がないことは当業者に明らかである。
　
（ｃ）よって、上記（ａ）の周知技術を採用し、引用例発明２のケイ素半導体層を「単結晶」とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（ｄ）したがって、本件補正発明２は、引用例発明２及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
エ．むすび 　
　上記（ア）、（イ）のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。　
　　
３．本願発明
　
　平成１７年２月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１、２に係る各発明（以下「本願発明１、２」という。）は、平成１７年１月１７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。　
「【請求項１】　アクティブ・マトリックス・ディスプレーの製造方法であって、
　絶縁層および第一基板上に半導体層を形成させ、
　該半導体層を用いてトランジスタ回路の配列を形成させ、
　第二基板を、該第一基板とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に取り付けることによって、該トランジスタ回路の配列および該絶縁層を該第一基板から第二基板上に移して、該第一基板を除去し、
　該絶縁層を貫いて伸びるピクセル電極開口部の配列を形成するように該絶縁層の一部を除去し、
　該開口部及び該絶縁層にピクセル電極を形成することを含む方法。
　
【請求項２】　アクティブ・マトリックス・液晶ディスプレーであって、
　平面に広がる絶縁層上の半導体層を用いて形成させたトランジスタ回路の配列であって、該絶縁層とは反対側の、トランジスタ回路の配列の側に光学的に透明の基板が取り付けられているトランジスタ回路の配列、
　各々が該絶縁層の平面に位置していてトランジスタ回路に導電接触しているピクセル電極の配列、及び
　該ピクセル電極の配列と対電極の間に位置する液晶材料
を含むアクティブ・マトリックス液晶ディスプレー。」
　
４．引用例　
　　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記２．（２）イ．に記載したとおりである。　　
　　
５．対比・判断　
　本願発明１、２は、前記２．（２）で検討した本件補正発明１、２における「単結晶ケイ素半導体層」から「単結晶ケイ素」という限定を削除して「半導体層」に拡張するものである。　
　そうすると、本願発明１、２の構成要件をすべて含み、その構成要件をさらに限定したものに相当する本件補正発明１、２が、前記２．ウ．（ア）及び（イ）にそれぞれ記載したとおり、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１、２もそれぞれ同様の理由により、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　　
　　
（３）むすび　
　以上のとおり、本願発明１、２は、それぞれ引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。