(57)【要約】  基板を基板キャリアに移載する移載装置と、基板キャリアに装着された基板を処理対象とする処理装置と、移載装置と処理装置間で基板キャリアを搬送し、移載装置から処理装置に基板キャリアを搬送する第１の搬送路の少なくとも一部に基板キャリアの温度低下を抑制する保温機構を有する搬送装置とを備える。
2014184927.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板キャリアに移載する移載装置と、
前記基板キャリアに装着された前記基板を処理対象とする処理装置と、
前記移載装置と前記処理装置間で前記基板キャリアを搬送し、前記移載装置から前記処理装置に前記基板キャリアを搬送する第１の搬送路の少なくとも一部に前記基板キャリアの温度低下を抑制する保温機構を有する搬送装置と
を備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記保温機構が、前記第１の搬送路の周囲に配置され、前記基板キャリアが通過する内部を外気から断熱する断熱トンネルであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記断熱トンネルの壁面に断熱材が配置されていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記保温機構が、前記第１の搬送路の全域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記保温機構が、前記第１の搬送路のうち、他の領域よりも前記基板キャリアが留まる時間が長い領域にのみ配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記搬送装置の前記処理装置から前記移載装置に前記基板キャリアを搬送する第２の搬送路上において前記基板キャリアを冷却する冷却装置を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記処理装置が、前記基板キャリアごと前記基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記処理装置が、前記基板上に膜を形成する成膜装置であることを特徴とする請求項７に記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理対象の基板が基板キャリアに装着されて処理装置に格納される基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルなどの半導体装置の製造における成膜やエッチングなどの処理工程において、処理対象の基板が基板キャリアに装着されて処理装置に搬入される方式がある。この方式を採用した基板処理システムでは、移載装置によって、基板トレイから取り出された未処理の基板が基板キャリアに装着される。そして処理工程後に、移載装置によって処理済の基板が基板キャリアから回収され、基板トレイに格納される。以下において、基板キャリアでの基板の装着及び基板キャリアからの基板の回収を総称して、「基板の移載」という。基板キャリアを用いるこのような基板処理システムでは、基板を装着した基板キャリアが移載装置と処理装置の間で搬送される（例えば、特許文献１参照。）。【０００３】
移載時に基板が割れるのを防止するために、基板キャリアの温度が一定値以下の状態で基板キャリアでの基板の移載を行う必要がある。このため、処理装置内の処理工程によって基板キャリアの温度が高くなっている場合には、強制冷却するなどして基板キャリアの温度を下げてから移載作業を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１９６１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、処理装置における処理工程は、基板の温度を予め決められた設定温度にした状態で行われることも多い。この場合、移載作業後の基板キャリアの温度が低いほど、基板キャリアに装着された新たな基板の温度を処理工程の前に設定温度まで上昇させるのに要する時間が増大する。その結果、処理効率が低下するという問題があった。【０００６】
上記問題点に鑑み、本発明は、基板キャリアに装着された基板の温度を処理工程前に上昇させるのに必要な時間の増大を抑制可能な基板処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、（イ）基板を基板キャリアに移載する移載装置と、（ロ）基板キャリアに装着された基板を処理対象とする処理装置と、（ハ）移載装置と処理装置間で基板キャリアを搬送し、移載装置から処理装置に基板キャリアを搬送する第１の搬送路の少なくとも一部に基板キャリアの温度低下を抑制する保温機構を有する搬送装置とを備える基板処理システムが提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板キャリアに装着された基板の温度を処理工程前に上昇させるのに必要な時間の増大を抑制可能な基板処理システムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムに使用される基板キャリアの構造例を示す模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムに使用される基板キャリアの基板装着面の構成例を示す模式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムによる基板の移載方法の例を示す模式図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの処理装置の構成例を示す模式図である。
【図６】断熱トンネルの構造例を示す模式的な断面図である。
【図７】断熱トンネルの他の構造例を示す模式的な断面図である。
【図８】断熱トンネルの更に他の構造例を示す模式的な断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムによる保温効果の例を示すグラフである。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの保温機構の他の例を示す模式図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの保温機構の更に他の例を示す模式図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る基板処理システムの構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１１】
本発明の第１の実施形態に係る基板処理システム１は、処理対象の基板１００が基板キャリア１０に装着されて処理装置３０に搬入される。図１に示すように、基板処理システム１は、基板１００を基板キャリア１０に移載する移載装置２０と、基板キャリア１０に装着された基板１００を処理対象とする処理装置３０と、移載装置２０と処理装置３０間で基板キャリア１０を搬送する搬送装置４０とを備える。
【００１２】
図１において搬送装置４０上の基板キャリア１０に付した矢印は、基板キャリア１０の搬送方向を示す。搬送装置４０は、移載装置２０から処理装置３０へ基板キャリア１０を搬送する第１の搬送路４１と、処理装置３０から移載装置２０へ基板キャリア１０を搬送する第２の搬送路４２とを備える。なお、搬送装置４０によって複数の基板キャリア１０が同時に搬送されてもよいし、基板処理システム１内の基板キャリア１０が１つであってもよい。
【００１３】
搬送装置４０は、第１の搬送路４１の少なくとも一部に配置された、基板キャリア１０の温度低下を抑制する保温機構４５を有する。このため、移載装置２０から処理装置３０に搬送される間での基板キャリア１０の温度低下が抑制される。図１に示した例では、保温機構４５が第１の搬送路４１の全域に配置されている。
【００１４】
基板処理システム１は、第２の搬送路４２の周辺に配置され、第２の搬送路４２上において基板キャリア１０を冷却する冷却装置５０を更に備える。冷却装置５０には、例えば冷却風によって基板キャリア１０を冷却する空冷方式などを採用可能である。
【００１５】
ここで、基板キャリア１０について説明する。基板キャリア１０には、基板１００を水平に装着するカートタイプや、基板１００を垂直に装着するボートタイプなどがある。処理効率を向上させるために、ボートタイプの基板キャリア１０を用いて同時に処理できる基板１００の数を増やすことが有効である。即ち、図２に示すような、基板１００が装着される基板プレート１１を複数有するボートタイプの基板キャリア１０を使用することにより、多数の基板１００を同時に処理する処理装置３０のフットプリントを小さくすることができる。ボートタイプの基板キャリア１０では、通常、それぞれの底部が１つの底板１２に固定された複数の基板プレート１１が、基板装着面１１０の面法線方向に沿って配列されている。以下では、基板キャリア１０がボートタイプである場合を例示的に説明する。
【００１６】
ボートタイプの基板キャリア１０では、例えば図３に示すように、基板プレート１１の基板装着面１１０に、基板１００が装着される基板装着領域１１１が水平方向に配列して定義されている。１つの基板装着領域１１１に１枚の基板１００が装着される。なお、図３では基板装着面１１０に４つの基板装着領域１１１が定義されている例を示したが、１つの基板装着面１１０に装着される基板１００の枚数は任意に設定可能である。例えば、１つの基板装着面１１０に定義される基板装着領域１１１が１つでもよい。また、基板プレート１１の対向する２つの主面をそれぞれ基板装着面１１０としてもよい。なお、基板装着面１１０に配置した図示を省略した固定ピンなどによって、基板装着領域１１１上で基板１００が支持される。
【００１７】
基板１００は、例えばシリコン基板やガラス基板などの、半導体装置や太陽電池セルに使用される基板である。
【００１８】
移載装置２０は、処理装置３０での処理が行われた処理済の基板１００を基板キャリア１０から回収し、処理装置３０での処理を行う未処理の基板１００を基板キャリア１０に装着する。例えば、未処理の基板１００が格納された基板トレイ２００が移載装置２０内に搬入される。そして、基板トレイ２００から基板キャリア１０に基板１００が移載される。また、処理済の基板１００が基板キャリア１０から回収されて、基板トレイ２００に格納される。上記のように、移載装置２０によって、基板キャリア１０において処理済の基板１００と未処理の基板１００とが交換される。
【００１９】
移載装置２０における基板１００の移載作業は、例えば図４に示すようなロボットアーム２１によって行われる。即ち、基板回収時においては、基板キャリア１０に装着された基板１００を真空吸着などによってロボットアーム２１で保持する。その後、ロボットアーム２１を移動させて基板キャリア１０から基板１００を回収し、基板１００を基板トレイ２００に格納する。また、基板装着時においては、ロボットアーム２１によって基板１００を基板トレイ２００から取り出す。そして、基板１００を基板キャリア１０上に配置した後にロボットアーム２１が基板１００を離して、基板キャリア１０に基板１００が装着される。なお、図４に示した移載装置２０は、複数の基板１００を基板装着面１１０に同時に装着することが可能である。
【００２０】
処理装置３０は、例えば図５に示すような、基板取込室３１、処理室３２、基板取出室３３からなるインライン式製造装置などである。処理室３２において、例えば成膜処理、エッチング処理、スパッタ処理などが行われる。
【００２１】
図５に示した処理装置３０では、基板１００が装着された基板キャリア１０が基板取込室３１に取り込まれる。そして、基板キャリア１０が基板取込室３１から処理室３２に搬送され、処理室３２において所定の処理が行われる。例えば処理室３２において基板１００に薄膜が形成された後、基板キャリア１０は処理室３２から基板取出室３３に搬送される。その後、基板取出室３３から基板キャリア１０が取り出される、なお、処理装置３０が、基板取出室３３を備えない、基板取込室３１と処理室３２からなる構造であってもよい。
【００２２】
例えば処理装置３０がプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置である場合には、基板キャリア１０はアノード電極として使用される。処理室３２内に原料ガスを導入後、基板キャリア１０とカソード電極間に電力を供給して原料ガスをプラズマ状態にする。形成されたプラズマに基板１００を曝すことにより、原料ガスに含まれる原料を主成分とする所望の薄膜が基板１００の露出した表面に形成される。原料ガスを適宜選択することによって、シリコン半導体薄膜、シリコン窒化薄膜、シリコン酸化薄膜、シリコン酸窒化薄膜、カーボン薄膜などの所望の薄膜を基板１００上に形成することができる。例えば、基板１００が太陽電池セルである場合に、アンモニア（ＮＨ3）ガスとシラン（ＳｉＨ4）ガスの混合ガスを用いて、基板１００上に反射防止膜や絶縁膜として窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を形成できる。
【００２３】
太陽電池反射防止膜の成膜処理などでは、処理対象の基板１００の温度を予め決められた所定の温度にした状態で、基板１００に膜を形成する。このため、処理装置３０で成膜処理する場合には、処理室３２に搬入される前に、基板取込室３１において基板キャリア１０ごと基板１００は予備加熱される。つまり、基板取込室３１は予備加熱室を兼ねる。そして、予備加熱後の基板１００が処理室３２に搬入され、成膜処理が行われる。
【００２４】
既に述べたように、基板１００が割れるのを防止するために、基板キャリア１０の温度が一定値以下の状態において基板１００を基板キャリア１０で移載する必要がある。例えば、基板キャリア１０の温度が２００℃程度以下で、基板１００の移載作業を行う。以下において、移載作業に適した基板キャリア１０の温度を「移載温度」という。したがって、処理装置３０内の処理工程後の基板キャリア１０の温度が移載温度よりも高い場合には、移載作業前に基板キャリア１０の温度を移載温度まで下げておく必要がある。
【００２５】
このため、基板処理システム１では、処理装置３０から搬出された基板キャリア１０を冷却装置５０によって冷却する。ただし、移載作業までに基板キャリア１０の温度が移載温度以下まで自然に冷却されるなら、冷却装置５０は不要である。
【００２６】
ところで、処理装置３０での処理工程における基板１００の温度（以下において「処理温度」という。）は、移載温度より高温であることが多い。例えば処理装置３０がプラズマＣＶＤ装置である場合に、処理温度が４００℃程度に設定される。
【００２７】
したがって、処理装置３０による処理のために、基板キャリア１０に装着した未処理の基板１００の温度を、処理工程前に処理温度に上昇させる必要がある。例えば、図５に示した基板取込室３１において、基板１００を装着した基板キャリア１０が処理温度まで予備加熱される。予備加熱に要する時間の増大を抑制するために、処理装置３０に搬入時の基板キャリア１０の温度は高いほど好ましい。
【００２８】
しかし、移載温度まで低下した基板キャリア１０の温度が移載装置２０から処理装置３０に搬送される間に更に低下すると、基板キャリア１０を処理温度まで上昇させるための予備加熱の時間が増大する。その結果、処理作業全体のスループットが下がり、処理効率が低下してしまう。
【００２９】
これに対し、図１に示した基板処理システム１では、基板キャリア１０が移載装置２０から処理装置３０まで搬送される第１の搬送路４１に、保温機構４５が配置されている。これにより、基板キャリア１０が保温され、基板キャリア１０の温度低下を抑制することができる。その結果、未処理の基板１００を装着した基板キャリア１０を処理温度まで上昇させるための加熱時間の増大が抑制される。
【００３０】
保温機構４５には、例えば図６に示すような、第１の搬送路４１の周囲に配置され、基板キャリア１０が通過する内部を外気から断熱する断熱トンネル４５１を採用可能である。図６は、基板キャリア１０の搬送方向と垂直な面に沿った断面図である。断熱トンネル４５１の壁面には断熱材４５１１が配置されている。断熱材４５１１には、熱伝導性の低い無機材料などが使用される。なお、図６では、ステンレス鋼材（ＳＵＳ）などからなる壁面材４５１２に挟まれて断熱材４５１１が配置されている例を示した。しかし、図７に示すように断熱トンネル４５１の内壁面に断熱材４５１１を配置した構造や、図８に示すように断熱トンネル４５１の外壁面に断熱材４５１１を配置した構造を採用してもよい。図７や図８に示した構造の断熱トンネル４５１によっても、基板キャリア１０が通過する内部を外気から断熱することができる。
【００３１】
図９に、第１の搬送路４１の周囲に断熱トンネル４５１を配置した場合の温度変化を検討した結果を示す。縦軸は測定された温度、横軸は経過時間である。図９において、実線で示した温度特性Ａは、第１の搬送路４１の周囲に断熱トンネル４５１を配置した場合の温度変化であり、破線で示した温度特性Ｂは、第１の搬送路４１の周囲に断熱トンネル４５１を配置していない場合の温度変化である。温度特性Ａと温度特性Ｂの温度降下時の勾配を比較すると、断熱トンネル４５１によって基板キャリア１０の温度低下を抑制できることがわかる。
【００３２】
基板キャリア１０に移載後に基板１００の温度が低下した場合、処理温度まで基板１００の温度を上昇させるための時間が増大し、１バッチに要する時間が増大する。ここで、「１バッチに要する時間」とは、基板１００を基板キャリア１０に装着した後、処理温度で基板１００の処理を行い、基板キャリア１０から基板１００を回収するまでの時間である。発明者らの調査によれば、保温機構４５を配置していない場合、基板１００移載後に基板キャリア１０の温度が１００℃以下に低下した。基板キャリア１０の温度が１００℃以下であると、１バッチに要する時間は１３０秒程度であった。これに対し、保温機構４５に断熱トンネル４５１を採用した基板処理システム１では、処理装置３０に搬入される時点での基板キャリア１０の温度は１００℃を下回ることはなかった。その結果、１バッチに要する時間は１００秒程度を維持できた。
【００３３】
以上に説明したように、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システム１では、第１の搬送路４１に保温機構４５を配置することによって、移載装置２０から処理装置３０に搬送される間での基板キャリア１０の温度低下が抑制される。したがって、基板処理システム１によれば、基板キャリア１０の温度低下に起因する移載作業時での基板１００の破損を防止しつつ、未処理の基板１００の温度を処理工程前に処理温度まで上昇させるのに必要な時間の増大を抑制できる。その結果、処理効率の低下が抑制される。
【００３４】
＜変形例＞
保温機構４５には、図１０に示すようなヒータ４５２による保温方法を採用してもよい。例えば、第１の搬送路４１に沿ってラインヒータを配置する。第１の搬送路４１を搬送中の基板キャリア１０の周囲にヒータ４５２を配置することにより、移載装置２０から処理装置３０に搬送される間での基板キャリア１０の温度低下が抑制される。なお、ヒータ４５２を基板キャリア１０の周囲だけではなく、基板プレート１１間に配置してもよい。
【００３５】
また、図１１に示すように、保温機構４５として温風器４５３を採用してもよい。即ち、第１の搬送路４１に沿って配置された温風器４５３から放出される温風によって、基板キャリア１０を保温する。なお、基板１００に温風が直接あたらないように、例えば第１の搬送路４１の下方から温風を噴きかけることが好ましい。
【００３６】
（第２の実施形態）
図１に示した基板処理システム１では、第１の搬送路４１の全域に保温機構４５が配置されている。しかし、第１の搬送路４１のうちで基板キャリア１０が留まる時間が短い領域においては、基板キャリア１０の保温は必ずしも必要ではない。
【００３７】
図１２に示した変形例の基板処理システム１では、Ｌ字形状の第１の搬送路４１のうち、長辺領域にのみ保温機構４５を配置し、短辺領域には保温機構４５が配置されていない。基板処理システム１において複数の基板キャリア１０が同時に使用される場合、処理装置３０での処理のために、図１２に示すように基板キャリア１０が第１の搬送路４１の長辺領域で待機することがある。このように、第１の搬送路４１の長辺領域では、基板キャリア１０が通過するのに時間を要する場合がある。したがって、長辺領域に保温機構４５を配置することが、基板キャリア１０の温度低下を抑制するために効果的である。一方、第１の搬送路４１の短辺領域は、基板キャリア１０が待機せずに通過するだけである。このため、基板キャリア１０が留まる時間が短い短辺領域に保温機構４５を配置しなくても、基板キャリア１０の温度低下はほとんど生じない。
【００３８】
上記のように保温機構４５が配置されていない領域を搬送路に設けることによって、基板処理システム１の製造コストを削減できる。
【００３９】
（その他の実施形態）
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替第１の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４０】
上記では、基板キャリア１０が基板１００を垂直に装着するボートタイプである例を示したが、他のタイプの基板キャリア１０にも本発明を適用することが可能である。例えば基板キャリア１０が、水平方向に延伸する基板装着面１１０に基板１００を水平に装着するカートタイプであってもよい。
【００４１】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、基板キャリアを用いる基板処理システムに利用可能である。
【図１】
2014184927.tif 000003
【図２】
2014184927.tif 000004
【図３】
2014184927.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2014184927.tif 000011
【図１０】
2014184927.tif 000012
【図１１】
2014184927.tif 000013
【図１２】
2014184927.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月21日(2015.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板キャリアに移載する移載装置と、
前記基板キャリアに装着された前記基板を処理対象とする処理装置と、
前記移載装置と前記処理装置間で前記基板キャリアを搬送し、前記移載装置から前記処理装置に前記基板キャリアを搬送する第１の搬送路の少なくとも一部に前記基板キャリアの温度低下を抑制する保温機構を有する搬送装置と
を備え、前記保温機構が、前記第１の搬送路の周囲に配置され、前記基板キャリアが通過する内部を外気から断熱する断熱トンネルであることを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記断熱トンネルの壁面に断熱材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記保温機構が、前記第１の搬送路の全域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記保温機構が、前記第１の搬送路のうち、他の領域よりも前記基板キャリアが留まる時間が長い領域にのみ配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記搬送装置の前記処理装置から前記移載装置に前記基板キャリアを搬送する第２の搬送路上において前記基板キャリアを冷却する冷却装置を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記処理装置が、前記基板キャリアごと前記基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記処理装置が、前記基板上に膜を形成する成膜装置であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様によれば、（イ）基板を基板キャリアに移載する移載装置と、（ロ）基板キャリアに装着された基板を処理対象とする処理装置と、（ハ）移載装置と処理装置間で基板キャリアを搬送し、移載装置から処理装置に基板キャリアを搬送する第１の搬送路の少なくとも一部に基板キャリアの温度低下を抑制する保温機構を有する搬送装置とを備え、保温機構が、第１の搬送路の周囲に配置され、基板キャリアが通過する内部を外気から断熱する断熱トンネルである基板処理システムが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板キャリアに移載する移載装置と、
前記基板キャリアに装着された前記基板を処理対象とする処理装置と、
前記移載装置と前記処理装置間で前記基板キャリアを搬送し、前記移載装置から前記処理装置に前記基板キャリアを搬送する第１の搬送路の少なくとも一部に前記基板キャリアの温度低下を抑制する保温機構を有する搬送装置と
を備え、前記保温機構が、前記第１の搬送路の周囲に配置され、前記基板が装着された前記基板キャリアが通過する内部を外気から断熱する断熱トンネルであることを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記断熱トンネルの壁面に断熱材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記保温機構が、前記第１の搬送路の全域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記保温機構が、前記第１の搬送路のうち、他の領域よりも前記基板キャリアが留まる時間が長い領域にのみ配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記搬送装置の前記処理装置から前記移載装置に前記基板キャリアを搬送する第２の搬送路上において前記基板キャリアを冷却する冷却装置を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記処理装置が、前記基板キャリアごと前記基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記処理装置が、前記基板上に膜を形成する成膜装置であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記保温機構が、前記基板を前記基板キャリアに移載する作業からの前記基板キャリアの温度の低下を抑制することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様によれば、（イ）基板を基板キャリアに移載する移載装置と、（ロ）基板キャリアに装着された基板を処理対象とする処理装置と、（ハ）移載装置と処理装置間で基板キャリアを搬送し、移載装置から処理装置に基板キャリアを搬送する第１の搬送路の少なくとも一部に基板キャリアの温度低下を抑制する保温機構を有する搬送装置とを備え、保温機構が、第１の搬送路の周囲に配置され、基板が装着された基板キャリアが通過する内部を外気から断熱する断熱トンネルである基板処理システムが提供される。
【国際調査報告】
2014184927.tif 000015
2014184927.tif 000016