【事件の表示】
　平成１０年特許願第　９３９６２号「半導体素子内の異なる導電層を研磨する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１０月　９日出願公開、特開平１０−２７０３９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月２３日の出願（パリ条約に基づく優先権主張１９９７年３月２４日、アメリカ合衆国）であって、平成１９年１２月２８日付の手続補正を経て平成２０年４月３日付で拒絶査定がなされ、同年７月１４日に拒絶査定を不服とする審判が請求されるとともに、同年８月１３日付で明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。そして、当審による平成２１年１０月１日付審尋に対し、平成２２年１月６日付で回答書が提出されたものである。
　
２．本件補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　本件補正を却下する。
　
【理由】
2.1　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１及び５は次のとおり補正された。
ａ．＜補正前＞
「【請求項１】　半導体素子の形成方法であって：
　基板（２５０）を用意する段階であって、該基板（２５０）は：
　　　半導体物質；
　　　前記半導体物質を覆うパターニングされた絶縁層（２５５）であって、開口を含むようにパターニングされた絶縁層（２５５）；
　　　第１物質を含み、前記パターニングされた絶縁層上を覆い、前記開口内を充填する第１導電層（２５６）；および
　　　前記第１物質とは異なる第２物質を含み、前記第１導電層を覆う第２導電層（２５８）；
を有する前記基板（２５０）を用意する段階；
　第１酸化成分を含む第１研磨流体を用いて前記第２導電層を研磨し、前記第１導電層の一部を露出させる段階；ならびに
　前記第１酸化成分とは異なる第２酸化成分を含む第２研磨流体を用いて前記第１導電層を研磨し、前記パターニングされた絶縁層の一部を露出させる段階；
　を具備することを特徴とする方法。」
「【請求項５】　半導体素子の形成方法であって：
　導電性部材（２５２）を有する半導体基板（２５０）を用意する段階；
　前記導電性部材上を含む前記半導体基板上に絶縁層（２５５）を堆積する段階；
　前記絶縁層にバイア開口を形成し、前記導電性部材を露出させる段階；
　前記バイア開口内を含み、前記絶縁層上に第１導電層（２５６）を堆積する段階；
　前記第１導電層上に、前記第１導電層とは異なる組成の第２導電層（２５８）を堆積する段階；
　研磨パッドを有する研磨装置（１０）を用意する段階；
　第１研磨流体を用い、少なくとも前記第１導電層を露出させるまで、前記研磨パッドに施与しながら、前記第２導電層を研磨する段階；および
　第２研磨流体を用いて前記
第２導電層
　を具備することを特徴とする方法。」
ｂ．＜補正後＞
「【請求項１】　半導体素子の形成方法であって：
　基板（２５０）を用意する段階であって、該基板（２５０）は：
　　　半導体物質；
　　　前記半導体物質を覆うパターニングされた絶縁層（２５５）であって、開口を含むようにパターニングされた絶縁層（２５５）；
　　　第１物質を含み、前記パターニングされた絶縁層上を覆い、前記開口内を充填する第１導電層（２５６）；および
　　　前記第１物質とは異なる第２物質を含み、前記第１導電層を覆う第２導電層（２５８）；
を有する前記基板（２５０）を用意する段階；
　第１酸化成分を含む第１研磨流体を用いて前記第２導電層を研磨し、前記第１導電層の一部を露出させる段階；ならびに
　前記第１酸化成分とは異なる第２酸化成分を含む第２研磨流体を用いて前記第１導電層を研磨し、前記パターニングされた絶縁層の一部を露出させる段階；
　を具備
し、前記第１導電層を研磨する際には前記第１研磨流体を導入することなく前記第２研磨流体を導入し、かつ前記第２導電層を研磨する際には前記第２研磨流体を導入することなく前記第１研磨流体を導入
「【請求項５】　半導体素子の形成方法であって：
　導電性部材（２５２）を有する半導体基板（２５０）を用意する段階；
　前記導電性部材上を含む前記半導体基板上に絶縁層（２５５）を堆積する段階；
　前記絶縁層にバイア開口を形成し、前記導電性部材を露出させる段階；
　前記バイア開口内を含み、前記絶縁層上に第１導電層（２５６）を堆積する段階；
　前記第１導電層上に、前記第１導電層とは異なる組成の第２導電層（２５８）を堆積する段階；
　研磨パッドを有する研磨装置（１０）を用意する段階；
　第１研磨流体を用い、少なくとも前記第１導電層を露出させるまで、前記研磨パッドに施与しながら、前記第２導電層を研磨する段階；および
　第２研磨流体を用いて前記
第１導電層
　を具備
し、前記第１導電層を研磨する際には前記第１研磨流体を導入することなく前記第２研磨流体を導入し、かつ前記第２導電層を研磨する際には前記第２研磨流体を導入することなく前記第１研磨流体を導入
（なお、下線は補正箇所を明確化する目的で付したものである。）
　また、明細書の段落【０００６】が、上記補正との整合を図る目的で形式的に補正された。
　
2.2　補正の適否の判断
　上記補正事項は、請求項５の誤記を訂正するとともに、請求項１及び５に記載した発明を特定する事項である「第１導電層を研磨する段階」及び「第２導電層を研磨する段階」について、「第１導電層を研磨する際には前記第１研磨流体を導入することなく前記第２研磨流体を導入し、かつ前記第２導電層を研磨する際には前記第２研磨流体を導入することなく前記第１研磨流体を導入する」との限定を加えるものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
2.3　本件補正発明
　本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、上記2.1ｂの請求項1に記載された事項により特定されるとおりのものと認められる。
　
2.4　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に発行された次の刊行物には、以下の事項が記載されていると認められる。
　
　刊行物：　米国特許第５５１６３４６号明細書
　
ａ．（第１欄第９〜１４行）
「1. Field of the Invention
  The present invention relates to the field of semiconductor integrated circuit manufacturing, and more specifically, to improved slurries for the chemical mechanical polishing (CMP) of thin films used in semiconductor integrated circuit manufacturing.」
ｂ．（第４欄第２７行〜第５欄第３７行）
「In the fabrication of a contact or via connection between two conductive layers of an integrated circuit, a semiconductor substrate or wafer 300 is provided. Substrate 300 at this point has a conductive layer 301 as the top most layer. （中略） An interlayer dielectric (ILD) 302 is formed over conductive layer 301. Interlayer dielectric 302 is a thin film insulator（中略）
  First, an opening or via hole 304 is formed in interlayer dielectric 302. A photoresist layer is formed over ILD 302 which is then masked, exposed, and developed with techniques well-known in the art to define the location for via hole 304. The insulating layer 302 is then anisotropically etched with tecniques well-known in the art to form via hole 304.（中略）
  Next, as shown in FIG.3b, an adhesion layer or adhesions layers (if used) are blanket deposited over ILD 302. In the preferred method of the present invention, an approximately 200Å titanium (Ti) contact layer 305 is blanket deposited over the top surface of ILD 302, on the sides of ILD 302 in via hole 304 and on conductive layer 301 in via hole 304. The function of titanium contact layer 305 is to decrease the contact resistance of the fabricated plug in order to improve electrical performance. Titanium layer 305 also acts as a polish stop for tungsten and/or TiN polish steps described below. （中略） Next, a titanium nitride (TiN) layer 306, of a thickness of approximately 600Å, is blanket deposited over titanium layer 305. （中略） Titanium nitride layer 306 provides an adhesion layer and a diffusion barrier for a subsequently deposited tungsten layer which is known to have poor adhesion to insulators like SiO2, and high reactivity with metals such as aluminium and titanium.（中略）
  Next, as shown in FIG.3b, a tungsten (W) layer 308 is blanket deposited over TiN layer 306. The deposition completely fills via hole 304 with tungsten. The deposition forms a thick tungsten layer on the top surface of ILD 302. （後略）」
ｃ．（第５欄第３８〜５５行）
「Next, as shown in FIG.3c, tugsten layer 308, titanium nitride layer 306, and titanium layer 305 are chemical mechanically polished back to form metallized plugs. （中略） A slurry is deposited onto polishing  pad 310 from a nozzle 320 during polishing. Slurry chemically passivates or oxidizes the thin film being polished and then abrasively removes or polishes off the passivated surface. （後略）」
ｄ．（第６欄第２６〜３８行）
「（前略） A novel tungsten slurry is used to polish back tungsten film 308. The novel tungsten slurry of the present invention comprises an oxidizing agent capable of oxidizing tungsten, an abrasive for physically removing the oxidized tungsten, and has a pH between two and four. （後略）」
ｅ．（第８欄第１７〜４８行）
「The abrasive polishing of tungsten layer 308 is continued in the above-described manner until substantially all of the tungsten layer 308 formed on the titanium nitride layer 305 formed over the top surface of the interlayer dielectric 302 is removed. Next, TiN adhesion layer 306 (if used) is chemically mechanically polished. The TiN adhesion layer can be polished with the tungsten slurry described above. The polish removal rate of TiN with the tungsten slurry, however, is low (〜450Å/min). A low TiN polish rate, coupled with a high tungsten polish rate can result in significant plug recessing. It is, therefore, preferred to dilute the tungsten slurry with deionized water at a ratio of 9:1 (i.e. 9 parts deionized water to 1 part tungsten slurry) to form a titanium nitride slurry. （中略） By diluting the tungsten slurry, the TiN polish removal rate increases to approximately 800Å/min while the tungsten polish rate decreases to less than ＜1000Å/min. In this way the TiN adhesion layer is removed at a high enough rate to allow for good wafer throughput. More importantly, however, by decreasing the tungsten polish rate to approximately the same rate as the TiN polish rate, the tungsten plug is not overpolished or recessed while polishing the TiN adhesion layer. TiN adhesion layer 306 is polished until all of the TiN formed on titanium layer 305 over the top surface of ILD 302 is removed. （後略）」
ｆ．（第８欄第４９行〜第９欄第７行）
「Next, titanium layer 305 (if used) formed on the top surface of ILD 302 is removed by chemical mechanical polish. In the preferred embodiment of the present invention, a novel titanium slurry is used to facilitate the chemical mechanical polishing of titanium layer 305. The novel titanium slurry of the present invention comprises a flouride salt, an abrasive, and has a pH≦8. （後略）」
　
　摘記事項ｂにおいて、「semiconductor substrate 300」が半導体物質からなる基板を指すことは明白であり、「interlayer dielectric (ILD) 302」がパターニングされた絶縁層であって半導体物質を覆い、「via hole 304」からなる開口を含むことは、当業者が容易に理解し得る。また、「titanium contact layer 305」がチタンを含む第１の導電層であって、上記開口内を充填し、「tungsten layer 308」がタングステンを含む第２の導電層であって、窒化チタンを含む第３の層である「titanium nitride (TiN) layer 306」を介して、上記第１の導電層を覆うことも、同様に容易に理解される。
　摘記事項ｃ，ｄ，ｅ，ｆからは、上記第２の導電層が、「oxidizing agent」すなわち酸化剤を含む第１の「slurry」すなわち研磨流体を用いて、上記第３の層の上面が露出するまで研磨され、その後、上記第１の導電層が第１の研磨流体とは異なる成分を含む第２の研磨流体を用いて上記絶縁層の上面が露出するまで研磨されることが理解される。
　そして、刊行物に記載された方法は、摘記事項ｂの冒頭の記載から理解されるとおり、半導体物質からなる基板において、層間の導電部を形成するものであるから、「半導体素子の形成方法」と呼ぶことができるものである。
　
　そこで、上記摘記事項を本件補正発明の記載に沿って整理すると、刊行物には次の事項が記載されていると認められる。
「半導体素子の形成方法であって：
　基板を用意する段階であって、該基板は：
　　　半導体物質；
　　　前記半導体物質を覆うパターニングされた絶縁層であって、開口を含むようにパターニングされた絶縁層；
　　　チタンを含み、前記パターニングされた絶縁層上を覆い、前記開口内を充填する第１導電層；および
　　　タングステンを含み、第３層を介して前記第１導電層を覆う第２導電層；
を有する前記基板を用意する段階；
　酸化剤を含む第１研磨流体を用いて前記第２導電層を研磨し、前記第３層の一部を露出させる段階；ならびに
　前記第１研磨流体とは異なる成分を含む第２研磨流体を用いて前記第１導電層を研磨し、前記パターニングされた絶縁層の一部を露出させる段階；
　を具備する方法。」（以下、「刊行物記載の発明」という。）
　
2.5　対比
　本件補正発明と刊行物記載の発明とを対比すると、後者の「チタン」と「タングステン」が、前者の「第１物質」と「第１物質とは異なる第２物質」にそれぞれ相当することは明白である。また、後者の第１研磨流体に含まれる「酸化剤」は「第１の酸化成分」といい表すことができる。
　そして、後者の「第２研磨流体」は、第１研磨流体とは異なる成分を含むものである限りにおいて、前者の「第１酸化成分とは異なる第２酸化成分を含む第２研磨流体」と共通する。
　
　そうしてみると、両者は次の点において一致及び相違するものと認められる。
＜一致点＞
「半導体素子の形成方法であって：
　基板を用意する段階であって、該基板は：
　　　半導体物質；
　　　前記半導体物質を覆うパターニングされた絶縁層であって、開口を含むようにパターニングされた絶縁層；
　　　第１物質を含み、前記パターニングされた絶縁層上を覆い、前記開口内を充填する第１導電層；および
　　　前記第１物質とは異なる第２物質を含み、前記第１導電層を覆う第２導電層；
を有する前記基板を用意する段階；
　第１酸化成分を含む第１研磨流体を用いて前記第２導電層を研磨する段階；ならびに
　前記第１研磨流体とは異なる成分を含む第２研磨流体を用いて前記第１導電層を研磨し、前記パターニングされた絶縁層の一部を露出させる段階；
　を具備する方法。」である点。
＜相違点１＞
　第２導電層を研磨する段階は、前者では第１導電層の一部を露出させるのに対し、後者では第１導電層と第２導電層との間にある第３層の一部を露出させる点。
＜相違点２＞
　第２研磨流体は、前者では第１酸化成分と異なる第２酸化成分を含むのに対し、後者ではこのようなものでない点。
＜相違点３＞
　前者では、第１導電層を研磨する際には第１研磨流体を導入することなく第２研磨流体を導入し、かつ第２導電層を研磨する際には第２研磨流体を導入することなく第１研磨流体を導入するのに対し、後者ではこのような特定がない点。　
　
2.6　判断
　以下、上記各相違点について検討する。
　
2.6.1　＜相違点１＞について
　刊行物１の摘記事項ｂから理解されるとおり、刊行物記載の発明において、第３層は第２導電層と第１導電層との接着性を補うための補助的な役割を担うものであり、摘記事項ｅにも「TiN adhesion layer 306 (if used)」と記載されていることからも理解されるように、必須のものでないことは当業者にとって自明であるから、第３層を省略して第２導電層が第１導電層を直接覆うようにすることは、当業者が容易に想到し得るものであり、その場合、第２の導電層を研磨することによって第１導電層の一部が露出することは明白である。
　
2.6.2　＜相違点２＞について
　研磨対象となる物質によって研磨流体の成分を選択することはＣＭＰ研磨において従来周知の技術であり、第２導電層と異なる物質を含む第１導電層を研磨するにあたり、第１研磨流体とは異なる成分を含む研磨流体を用いることは刊行物にも記載されている。また、導電層のＣＭＰ研磨において酸化成分を含む研磨流体を用いることも、例えば刊行物１記載の発明における第２導電層の研磨にも見られるごとく、従来周知の技術である。
　そうしてみると、第２導電層と異なる物質を含む第１導電層を研磨するにあたり、第１研磨流体とは異なる酸化成分を含む研磨流体を用いることは、当業者であれば容易に想到し得るものである。
　
2.6.3　＜相違点３＞について
　刊行物記載の発明において、第１導電層又は第２導電層を研磨する際に、各導電層の研磨に適した研磨流体に加え、異なる物質を含む他の導電層の研磨に用いる研磨流体をさらに導入すべき事情は何ら見当たらないため、刊行物記載の発明においても、第１導電層を研磨する際には第１研磨流体を導入することなく第２研磨流体を導入し、かつ第２導電層を研磨する際には第２研磨流体を導入することなく第１研磨流体を導入していると考えるべきである。したがって、＜相違点３＞に係る発明特定事項は刊行物にも実質的に記載されているの等しいというべきであるから、＜相違点３＞は実質的な相違点ではない。
　
2.7　まとめ
　本件補正発明には、刊行物記載の発明及び従来周知の技術に基いて普通に予測される範囲を超える格別の作用効果を見出すこともできないため、本件補正発明は刊行物記載の発明及び従来周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、改正前特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　なお、請求人は平成２２年１月６日付回答書において補正案を提示しており、この補正案を許容すべき法的な根拠はないものの、一応、ここで検討しておく。該補正案は、「半導体素子の形成方法」について「機械化学式式研磨装置により」「機械化学式研磨装置のプラテン上に支持された基板に半導体素子を形成する」との限定と、「第１研磨流体から第２研磨流体への切り替えの間、プラテンは回転し続ける」との限定を加えるものと認められる。
　しかしながら、刊行物記載の発明も機械化学式研磨（ＣＭＰ）装置を用いて半導体素子を形成するものであり、このような装置においてプラテン上に支持された基板に半導体素子を形成することは普通に行われている。（刊行物のFIG.2cを参照。）
　また、ＣＭＰ研磨において、ウェハを搬送することなく複数の工程を連続して行うために、複数の研磨流体又は洗浄液を順次供給することは、例えば特開平８−２５５７７４号公報、特開平７−２０１７８６号公報、特開平１−１５３２７３号公報にも見られるように従来周知の技術であり、これらの周知技術において研磨流体又は洗浄液を切り替える際にプラテンの回転を停止させるべき事情もないことから、第１研磨流体から第２研磨流体への切り替えの間、プラテンを回転させ続けることは、当業者が容易に想到し得るものというべきである。
　したがって、補正により上記限定を加えても、本件補正発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるとの結論には変わりはないため、補正案は採用しない。
　
３．本願発明について
3.1　本願発明
　平成２０年８月１３日付の特許請求の範囲と明細書を補正対象書類とする手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１９年１２月２８日付手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記2.1ａの請求項1に記載の事項により特定されるとおりのものである。
　
3.2　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物とその記載事項は、上記2.4項に記載したとおりである。
　
3.3　対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本件補正発明から、発明特定事項である「第１導電層を研磨する段階」及び「第２導電層を研磨する段階」について、「第１導電層を研磨する際には前記第１研磨流体を導入することなく前記第２研磨流体を導入し、かつ前記第２導電層を研磨する際には前記第２研磨流体を導入することなく前記第１研磨流体を導入する」との限定を除いたものに該当する。
　そうすると、本願発明の構成を全て含む本件補正発明が、上記2.7項に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同じ理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
3.4　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。