【事件の表示】
　特願２００２−２７８５７８「液滴吐出ヘッドの製造方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月１７日出願公開、特開２００３−１７０６０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１４年９月２５日（優先権主張平成１３年９月２６日）の出願であって、平成２０年１月７日に手続補正がなされ、平成２０年２月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月４日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　なお、請求人は、平成２１年１２月２４日付けの審尋に対して、平成２２年２月１９日付けで回答書を提出している。　
　
第２　本件補正の却下の決定 
〔結論〕
　本件補正を却下する。 
　
〔理由〕 
１　補正の内容・目的 
（１）補正の内容　
　ア　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするものであって、特許請求の範囲については、本件補正前の請求項１に、　
「上層にパターニングされた有機材料のマスク層を有し、下層に液滴吐出のための駆動回路が形成された基板に粒子を吹き付けて、マスク層から露出する基板をエッチング加工することによって、液滴吐出ヘッドを製造する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、　
　前記基板に
砥粒用粒子、氷の粒子、ドライアイスの粒子のうちの１種類の粒子
　前記エッチング加工をする際の雰囲気の湿度は、相対湿度が６０％以上であることを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。」とあったものを、　
　
「上層にパターニングされた有機材料のマスク層を有し、下層に液滴吐出のための駆動回路が形成された基板に粒子を吹き付けて、マスク層から露出する基板をエッチング加工することによって、液滴吐出ヘッドを製造する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、　
　前記基板に
氷の粒子、ドライアイスの粒子のうちの１種類の粒子
　前記エッチング加工をする際の雰囲気の湿度は、相対湿度が６０％以上であることを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。」に補正することを含むものである。（下線は審決で付した。以下同じ。）
　
　イ　本件補正後の請求項１に係る上記アの補正内容は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「砥粒用粒子、氷の粒子、ドライアイスの粒子のうちの１種類の粒子」を「氷の粒子、ドライアイスの粒子のうちの１種類の粒子」に限定するものである。　
　
（２）補正の目的　
　上記（１）イの補正内容は、本件補正前の請求項１に記載されていた発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「旧特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（旧特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。　
　
２　刊行物に記載の事項　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−２６０３６４号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の事項が記載されている。　
　ア　「【００３５】　
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図１(a) 〜(g) は、第１の実施の形態における印字ヘッドのインク供給溝とその近傍の構造を工程順に模式的且つ簡略に示す図であり、同図(a) に示す発熱抵抗体及び電極配線のパターン形成後から同図(g) に示すインク供給溝及びインク供給孔の穿設完了までの工程を示している。　
【００３６】図２(a) は、図１(f) の丸Ｃで囲んで示す部分の拡大図であり、図２(b) は、図１(g) に示すインク供給溝及びインク供給孔の穿設終了後に引き続いて隔壁とオリフィス板を積層し、吐出ノズルを形成して完成した印字ヘッド３０の拡大断面図である。　
【００３７】本例における印字ヘッド３０は、先ず、図２(b) に示すように
駆動回路２９を形成済みのチップ基板３１の上に、
抵抗発熱部３２ａ、共通電極３３及び個別配線電極３４が形成される。
これらの上全面に、
保護膜３５が被着される。
【００３８】この後、本例の特徴として、先ず図１(c) に示すように
保護膜３５の上にレジストマスク３６を積層しパターン化する。
【００３９】すなわち図１(c) に示すレジストマスク３６のパターン孔３６−１は、同図(g) 又は図２(b) に示すインク供給溝４５の穿設部分に対応しており、インク供給溝の幅よりも広い幅Ｄで細長い溝孔として図１(c) の紙面垂直方向に形成されている。この幅Ｄは例えば３００μｍ±１５μｍである。　
【００４０】上記に続いて、同図(d) に示すように、
保護膜３５を上記レジストマスク３６のパターン孔３６−１に従ってドライエッチングもしくはウェットエッチングで切削・削除した後、レジストマスク３６を溶解・除去し
【００４１】この後、同図(e) に示すように、
所定の形状の隔壁３７を積層する。
この隔壁３７の上に、
インク供給溝４５を形成するためのサンドブラスト加工用のレジストマスク３８をパターン化する。
【００４２】図２(a) に示すように、チップ基板３１上面の酸化膜３９の上には、既にパター化された発熱抵抗体膜３２、密着バリア層としての下地配線膜４１と導電膜４２からなる共通電極３３、及びこれらの上を覆っている平坦化層４３と絶縁保護膜４４からなる保護膜３５があり、更にこれらの上をレジストマスク３８が覆っている。
レジストマスク３８の材料には、ドライフィルム又は感光性液状レジストなどを用い、フォトリソグラフィー技術によりインク供給溝４５の開口部の形状を形成する。
【００４３】保護膜３５の幅Ｄの開口を形成している開口部端面３５ａは、共通電極３３の端面よりも距離Ｅだけ延び出して形成され、共通電極３３の端面を完全に覆っている。上記の距離Ｅは、５０μｍ±５μｍで形成されている。　
【００４４】上記のレジストマスク３８のパターン孔３８−１は、保護膜３５の幅Ｄの開口部端面３５ａよりも更に内側に、幅Ｆで設定される。このパターン孔３８−１の幅Ｆは、２００μｍ±１０μｍで形成される。これにより、保護膜３５の開口部端面３５ａに対して、切削位置であるパターン孔３８−１の開口部まで長さＧの余白部が形成されている。この余白部の長さＧは、５０μｍ±５μｍである。　
【００４５】
このレジストマスク３８のパターン孔３８−１に従ってサンドブラスト加工を開始する。
【００４６】そして、図１(g) 及び図２(b) に示すように、
インク供給溝４５の穿設が終了する。
【００４７】この後、
チップ基板３１裏面にもレジストマスク３８が形成され、インク給送孔４６が同様にサンドブラスト加工によって基板裏面から穿設される。
【００４８】この後、
オリフィス板４７を隔壁上に積層して固着し、その抵抗発熱部３２ａに対向する位置に、インクを吐出するための吐出ノズル４８を例えばヘリコン波エッチング装置等を用いたドライエッチングで穿設する
【００４９】以上によって、従来の製造工程上では生じがちであった保護膜の損傷を防止し、これによって
保護膜に損傷が無く信頼性に優れたインクジェットプリンタヘッドの製造方法
　
　イ　「【００６４】尚、
上述した実施の形態では、基板はシリコン基板を用いている
絶縁性基板を用いた
　
　ウ　上記ア及びイから、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。　
　
「シリコン基板または絶縁性基板を用いた基板に、駆動回路を形成したチップ基板の上に、抵抗発熱部、共通電極及び個別配線電極を形成し、これらの上全面に、保護膜を被着し、保護膜の上にレジストマスク３６を積層しパターン化し、保護膜を上記レジストマスク３６のパターン孔３６−１に従ってドライエッチングもしくはウェットエッチングで切削・削除した後、レジストマスク３６を溶解・除去し、所定の形状の隔壁を積層し、この隔壁の上に、材料にドライフィルム又は感光性液状レジストを用いてレジストマスク３８を積層し、フォトリソグラフィー技術によりインク供給溝の開口部の形状を形成し、そのパターン孔３８−１に従ったサンドブラスト加工によりインク供給溝の穿設を行い、チップ基板裏面にもレジストマスク３８を形成し、インク給送孔を同様にサンドブラスト加工によって基板裏面から穿設し、オリフィス板を隔壁上に積層して固着し、その抵抗発熱部に対向する位置に、インクを吐出するための吐出ノズルを、例えばヘリコン波エッチング装置等を用いたドライエッチングで穿設する、保護膜に損傷が無い信頼性に優れたインクジェットプリンタヘッドの製造方法。」　
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−５０７６４号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに次の事項が記載されている。　
　ア　「【０００１】　
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブラスト研削方法、
に関するものである。
「ブラスト研削」とは、被加工物に微粒子を噴射して研削することにより、所定パターンの溝または孔等を形成する加工方法のことである。
　
　イ　「【００１２】　
【発明が解決しようとする課題】ところが、この
サンドブラスト法においては、次のような問題があった。
基板の一部にブラスト研削が不十分な溝を有するものが発生する。
【００１３】
このような不良（ブラスト研削が不十分な溝の発生）は、ブラスト研削途中の溝の中に、研削微粒子と厚膜層が研削されて発生した粉とが残存してしまい、これらの残存粒子により新しい研削微粒子が本来の研削すべき部位へ到達することを妨げられ、その結果研削が不十分となるために発生するものである。
【００１４】図８は、マスク１０５、ブラスト研削途中の厚膜層１０４ｂ、基板１０３の断面図を示したものである。記号１０２ａの矢印で示す方向に、研削微粒子１０２が噴射され、マスク１０５で被覆されていない部分の厚膜層がブラスト研削されて、記号１０４ｂで示される形状まで研削が進行した様子を示している。　
【００１５】ここで、
研削微粒子１０２と研削途中の厚膜層１０４ｂとはいずれも絶縁物であるため、研削微粒子１０２の衝突に伴って、研削中の厚膜層の表面１０９と研削微粒子１０２ｅとの間に静電気が発生する。そして、その静電気はリークするよりも蓄積する方が多いため、この静電気の引力で帯電した研削微粒子１０２ｅは、その逆極性に帯電した研削中の溝の壁に付着し、次第に溝を埋めるように蓄積していく。厚膜層が研削されて発生した粉１１０も厚膜層と同様に帯電しているため、研削微粒子と共に溝の中に蓄積していく。その結果、研削すべき厚膜層の表面１０９（即ち、溝の壁面）へ新しい研削微粒子１０２が効果的に飛来して到達することを妨げ、十分なブラスト研削を実現できないこととなる。
【００１６】本発明は、
上記の問題に鑑み、ブラスト研削中に被研削部材に静電気が蓄積しないようにして、その研削途中の溝の中に、研削微粒子と厚膜層が研削されて発生した粉とが残存することを防止し、これに起因したブラスト研削不良を無くすブラスト研削方法の提供を目的とする
　
　ウ　「【００３３】本実施例を実施例１ないし２等と併用することにより、一層顕著な電荷リークの効果を奏することができる。　
〔第４実施例〕本発明の第４実施例を、図４を参照して説明する。
本実施例は、サンドブラスト法にイオンを発生して噴射する手段を加えることを特徴とするものである。
【００３４】図４（ａ）において、記号７０の
被研削基板は、ブラスト研削により隔壁を形成するためのマスクと厚膜層とを有する基板であり、
この被研削基板７０に対して、ブラストガン７１により、研削微粒子が記号７２に示すように噴射される。
【００３５】本実施例は、このサンドブラスト法に、イオンを発生して噴射する手段７９を加えたものである。記号７８は
イオン発生手段
電圧の極性や放電ガスの選択により種々のイオンを生成することができる。そのようにして生成されたイオンはイオンガン７６によって、記号７７で示すようにブラスト研削部分に噴射される。このイオンは、ブラスト研削中に厚膜層の溝部に発生した静電気の極性（通常は負極性）と逆の極性（通常は正極性）を持つものが生成されているため、溝部に発生した静電気を中和することができる。従って、この静電気により溝部に残留しやすい状態にあった研削微粒子や厚膜層が研削されて発生した粉を、静電気力から開放して溝部から排出しやすくし、ブラスト研削不良を無くすことができる。
　
３　対比  
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。 
（１）引用発明１の「基板」、「レジストマスク３８」、「駆動回路を形成されたチップ基板」、「サンドブラスト加工」及び「インクジェットプリンタヘッドの製造方法」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「マスク層」、「駆動回路が形成された基板」、「『粒子を吹き付けて』『エッチング加工すること』及び『エッチング加工』」及び「『液滴吐出ヘッドを製造する液滴吐出ヘッドの製造方法』及び『液滴吐出ヘッドの製造方法』」に相当する。 
　
（２）引用発明１の「ドライフィルム又は感光性液状レジスト」が有機材料であることは当業者に自明である。したがって、引用発明１の「マスク層（レジストマスク３８）」と本願補正発明の「マスク層」とは、「有機材料の」ものである点で一致する。　
　
（３）引用発明１の「『インク供給溝の開口部の形状を形成』された『マスク層（レジストマスク３８）』」は、「パターニングされた」ものであるといえる。したがって、引用発明１の「マスク層」と本願補正発明の「マスク層」とは、「パターニングされた」ものである点で一致する。　
　また、引用発明１の「そのパターン孔３８−１に従ったサンドブラスト加工」は、パターン孔３８−１から露出する基板を穿つものである。　
　よって、引用発明１の「エッチング加工（サンドブラスト加工）」と本願補正発明の「エッチング加工」とは、「パターニングされたマスク層から露出する基板」に対して行う点で一致する。　
　
（４）引用発明１の「駆動回路を形成したチップ基板」は、その上に、抵抗発熱部、共通電極及び個別配線電極が形成され、これらの上全面に、保護膜が被着され、保護膜が切削・削除された後、所定の形状の隔壁が積層され、この隔壁の上に、レジストマスク３８が積層され、フォトリソグラフィー技術によりインク供給溝の開口部の形状を形成されるものであるから、駆動回路の上にパターニングされた「マスク層（レジストマスク３８）」が積層されているといえる。よって、引用発明１の「基板」と本願補正発明の「基板」とは、「上層にパターニングされたマスク層を有し、下層に駆動回路が形成され」ている点で一致する。　
　
（５）引用発明１の「駆動回路」は、インクジェットプリンタヘッドの駆動回路であるから、これが液滴吐出のためのものであることは当業者に自明である。よって、引用発明１の「駆動回路」と本願補正発明の「駆動回路」とは、「液滴吐出のための」ものである点で一致する。　
　
（６）上記（１）ないし（５）から、本願補正発明と引用発明１とは、 
「上層にパターニングされた有機材料のマスク層を有し、下層に液滴吐出のための駆動回路が形成された基板に粒子を吹き付けて、マスク層から露出する基板をエッチング加工することによって、液滴吐出ヘッドを製造する液滴吐出ヘッドの製造方法。」である点で一致し、次の３点で相違している。  
　 
相違点１：　
　前記エッチング加工を、本願補正発明では、前記基板に粒子を吹き付けて、マスク層から露出する前記基板をエッチング加工する際に、この基板に生じる帯電の極性と反対の極性にイオン化されたイオン雰囲気中で行うのに対して、引用発明１は、そのような雰囲気中で行ってはいない点。　
　
相違点２：　
　前記エッチング加工をする際の雰囲気の湿度が、本願補正発明では、相対湿度６０％以上であるのに対して、引用発明１では不明である点。　
　
相違点３：　
　前記粒子が、本願補正発明では、氷の粒子、ドライアイスの粒子のうちのいずれか１種類であるのに対して、引用発明１では、そうでない点。　
　
４　判断 
　上記相違点１ないし３について検討する。 
　
（１）相違点１について　
　ア　上記２（２）アないしウからみて、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。　
「被加工物に微粒子を噴射して研削することにより、所定パターンの溝または孔等を形成するブラスト研削方法において、　
　研削中に静電気が発生し、帯電した研削微粒子が、逆極性に帯電した研削中の溝の壁に付着し、次第に溝を埋めるように蓄積していき、厚膜層が研削されて発生した粉も厚膜層と同様に帯電しているため、研削微粒子と共に溝の中に蓄積していき、その結果、研削すべき厚膜層の表面（即ち、溝の壁面）へ新しい研削微粒子が効果的に飛来して到達することを妨げ、十分なブラスト研削を実現できなくなる問題に鑑み、ブラスト研削中に被研削部材に静電気が蓄積しないようにして、その研削途中の溝の中に、研削微粒子と厚膜層が研削されて発生した粉とが残存することを防止して、これに起因したブラスト研削不良を無くすことを目的として、　
　ブラスト研削により隔壁を形成するためのマスクと厚膜層とを有する被研削基板に対して、ブラストガンにより、研削微粒子を噴射する際に、イオン発生手段により、ブラスト研削中に厚膜層の溝部に発生した静電気の極性（通常は負極性）と逆の極性（通常は正極性）を持つイオンを生成し、これをイオンガンによって、ブラスト研削部分に噴射することによって、前記溝部に発生した静電気を中和することができ、静電気により溝部に残留しやすい状態にあった研削微粒子や厚膜層が研削されて発生した粉を、静電気力から開放して溝部から排出しやすくし、ブラスト研削不良を無くしたブラスト研削方法。」　
　イ　サンドブラスト加工の際に静電気が発生し易いことは、当業者に自明の事項である（特開２０００−２０４３５４号公報の【０００３】〜【００１１】の記載、特開２０００−１２９２４２号公報の【００１０】の記載参照。以下「自明の事項」という。）。　
　ウ　上記イによれば、引用発明１の「（基板に）粒子を吹き付けてするエッチング加工（サンドブラスト加工）」で静電気が発生し易いことは当業者に自明である。　
　したがって、上記ア及びイからして、引用発明１において、「マスク層から露出する基板」の「エッチング加工（サンドブラスト加工）」により発生する静電気によって、該基板に穿設するインク供給溝やインク給送孔が帯電する極性と逆の極性を持つイオンを発生するイオン発生手段と、イオンガンとを設け、前記基板に粒子を吹き付けて、マスク層から露出する前記基板をエッチング加工する際に該基板に生じる帯電の極性と逆の極性を持つイオンを前記イオン発生手段で生成し、これを前記イオンガンによってエッチング加工の箇所に噴射するようにして、静電気の蓄積に起因するエッチング不良を無くすことは、当業者が、引用発明２及び自明の事項に基づいて容易に想到することができたことである。　
　エ　上記ウの「前記基板に粒子を吹き付けて、マスク層から露出する前記基板をエッチング加工する際に該基板に生じる帯電の極性と逆の極性を持つイオンを前記イオン発生手段で生成し、これを前記イオンガンによってエッチング加工の箇所に噴射するようにし」た場合の引用発明１の「エッチング加工」は、「前記基板に粒子を吹き付けて、マスク層から露出する前記基板をエッチング加工する際に、この基板に生じる帯電の極性と反対の極性にイオン化されたイオン雰囲気中で」行われる点で本願補正発明の「エッチング加工」と一致することになるから、引用発明１において、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、上記ウからみて、当業者が引用発明２及び自明の事項に基づいて容易に想到することができたことである。　
　
（２）相違点２について　
　ア　引用発明１の「（基板に）粒子を吹き付けてするエッチング加工（サンドブラスト加工）」で静電気が発生し易いことと、静電気の蓄積に起因してエッチング不良が生じることは、上記（１）ウで述べたとおりである。　
　イ　静電気は湿度が低いと発生しやすく湿度が高いと発生しにくいことは、一般常識というべきところ、引用発明１のサンドブラスト加工などの「粒子を吹き付けてするエッチング加工」においても、静電気は湿度が低いと発生しやすく湿度が高いと発生しにくいことは技術常識である（上記特開２０００−２０４３５４号公報の【０００８】の記載、上記特開２０００−１２９２４２号公報の【００１０】の記載及び特開平３−２８７３７８号公報の４頁右上欄１９行〜同頁左下欄２行の記載参照。以下「技術常識」という。）。　
　ウ　引用発明１において、静電気の蓄積に起因するエッチング不良を無くすことは、当業者が、引用発明２及び自明の事項に基づいて容易に想到することができたことである（上記（１）ウ参照。）ところ、上記ア及びイからみて、引用発明１において、湿度を高くして静電気が発生しにくくすることにより、静電気の蓄積に起因するエッチング不良をより無くすようにすることは、当業者が、引用発明２、自明の事項及び技術常識に基づいて容易に想到することができたことである。　
　エ　上記ウにおいて、「湿度を高くして静電気が発生しにくくすることにより、静電気の蓄積に起因するエッチング不良をより無くすようにする」際に、湿度を如何なる値にするかは当業者が適宜決定すべき設計上の事項というべきところ、本願明細書の発明の詳細な説明の記載からみて、本願補正発明の「相対湿度６０％以上」との湿度の下限に「湿度を高くして静電気が発生しにくくする」ことを超える技術上の意義を把握することができないこと、及び、湿度を高くして静電気が発生しにくくする際に湿度を６０％以上の値とすることに困難な点はない（例えば、上記特開平３−２８７３７８号公報の４頁右上欄２０行の「湿度設定としては、８０〜９０％程度が望ましい。」との記載参照。）ことから、引用発明１において、（本願補正発明と同様に、）「（基板に）粒子を吹き付けてするエッチング加工（サンドブラスト加工）」する際の雰囲気の湿度を特定の値まで高くすることは、当業者が、引用発明２、自明の事項及び技術常識に基づいて容易に想到することができたことであり（上記ウ参照。）、その特定の値を本願補正発明において相対湿度で６０％以上の値とした点は当業者が適宜決定することができた設計上の事項である。
　よって、引用発明１において、上記相違点２に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が、引用発明２、自明の事項及び技術常識に基づいて容易になし得た程度のことである。
　
（３）相違点３について　
　サンドブラスト法の砂などの砥粒に代えて氷粒やドライアイス粒を使用するブラスト法は本願の優先日前に周知である（特開昭５９−１１６６号公報の２頁左上欄５行〜１６行の記載、特開昭６３−１６９７２号公報の１頁右下欄５〜２０行の記載、特開２０００−１０５４７０号公報の【０００６】及び【０００９】の記載、及び特開２０００−１７６８３７号公報の【０００３】の記載参照。以下「周知技術」という。）から、引用発明１において、「（基板に）粒子を吹き付けてするエッチング加工」において使用する粒子を氷粒又はドライアイス粒のうちのいずれか１種類として、上記相違点３に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が周知技術に基づいて容易になし得た程度のことである。　
　
（４）効果について　
　本願補正発明の奏する効果は、引用発明１及び２の奏する効果、自明の事項、技術常識並びに周知技術の奏する効果から当業者が予測することができた程度のものである。　
　
（５）したがって、本願補正発明は、引用例１及び２にそれぞれ記載された発明、自明の事項、技術常識並びに周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
５　小括 
　以上のとおり、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、旧特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。　
　 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、平成２０年１月７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２〔理由〕１（１）ア」に本件補正前の請求項１として記載したとおりである。 
　 
２　引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、２及びその記載事項は、上記「第２〔理由〕２」に記載したとおりである。 
　 
３　対比・判断 
　本願補正発明は、上記「第２　１（１）イ」で述べたとおり、本願発明を特定するために必要な事項を限定したものであるから、本願補正発明は、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付加したものに相当する。そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２〔理由〕４」に記載したとおり、引用例１及び２にそれぞれ記載された発明、自明の事項、技術常識並びに周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１及び２にそれぞれ記載された発明、自明の事項、技術常識並びに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　　 
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２にそれぞれ記載された発明、自明の事項、技術常識並びに周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。