【事件の表示】
　特願２００１−５２８７５２「半透明の位相シフト領域を有するトリミングマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月１２日国際公開、ＷＯ０１／２５８５２、平成１５年　３月２５日国内公表、特表２００３−５１１７２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１０月６日（パリ条約による優先権主張、１９９９年１０月７日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年７月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月１８日に拒絶査定不服の審判が請求され、その後、当審からの平成１８年９月１４日付けの拒絶理由通知に対して同年１２月１８日に手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年１２月１８日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「第１マスクおよび第２マスクを備える少なくとも２つのマスクを表面に投影する工程であって、上記第１マスクは、透明な第１領域および第２領域を備え、これらの領域は寸法的に臨界の構造を作り出すために第１マスクに関して位相シフトする領域であり、上記第２マスクは、さらなる構造を作り出すための透明な領域と不透明な領域とを備え、そして上記第２マスクはさらに位相シフト領域を有する工程、
　第１マスクによって作り出された寸法的に臨界の構造をさらに構造化するために、上記第２マスクの位相シフト領域を配置し、投影する工程、
　半透明の位相シフトする端部を有する上記第２マスクの透明な領域を通って、上記位相差線を局所的に再露光する工程を含むことを特徴とする表面をリソグラフで構造化するプロセス。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成６年３月１１日に頒布された特開平６−６７４０３号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細パタンを投影レンズを用いてウエハ（基板）上に形成するときのマスクパタン作成方法、マスクならびにパタン形成方法に関するものである。
　
（イ）【０００２】
【従来の技術】従来よりＬＳＩ等の微細パタンを形成するための投影露光技術では、高い解像度が要求されている。そのため投影露光装置の投影レンズでは、光の波長から決まる理論限界に近い解像度を有するに至っている。さらに近年においては、より微細なパタンを転写するための方法として位相シフト法の検討が進んでいる。位相シフト法では、投影レンズの物面に置かれるマスク上の光透過部の一部に、透過光におおよそπの位相差が生じるような透明膜を付加することで、解像度を高めることが可能となる。この位相シフト法はいくつかの手法に分類することができるが、孤立した微細な線パタンを形成する方法として、位相シフト膜の端部で生じるおおよそπの位相差を利用したパタン形成法がある。この方法を図１７を用いて説明する。図１７（ａ）は、位相シフトマスクの断面の一部を示しており、60はマスクを照明する光、61はマスク基板、1500は位相シフト膜で、図中には位相シフト膜1500の存在する部分と存在しない部分との境界辺（シフタエッヂ）が存在している。このマスクを通過した光の複素振幅分布は図１７（ｂ）のようになり、対応する光強度分布は図１７（ｃ）のようになる。ここで、図１７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は横軸が対応しているものとする。これらの図は、エッヂ部で位相がπ変化するため、対応する部分の光強度が０になることを示している。このように位相シフト膜の端辺は非常に細い遮光部を形成し、例えば高圧水銀灯のｇ線（波長が４３６ｎｍ）を用いる場合、焦点深度まで考慮すると、通常のクロム等でできた遮光体パタンを転写すると０．５μｍ幅程度が限界だが、このシフタエッヂを用いると０．２μｍ幅のパタンまで形成できる。この線幅を限界解像線幅と呼ぶこととする。このようにシフタエッヂの利用は、微細なパタン形成への適用が期待されている。
　
（ウ）【０００５】シフタエッヂ法を用いたパタン形成の最大の問題点は、全てのエッヂで微細なパタンが形成されてしまうことにある。図１９はその説明図で、（ａ）に形成したい微細パタン1100を、（ｂ）に（ａ）で示した微細パタンをシフタエッヂ法で形成するための位相シフトパタン1500を含む位相シフトマスクを、（ｃ）に（ｂ）で示したマスクを用いて形成されるパタン15を示す。シフタのエッヂ部で不要なパタンが形成されるのが判る。この不要パタンを生成させない方法として、多段位相シフト膜を利用した手法と複数枚マスクを用いた多重転写法とが提案されている。
【０００６】　（略）
【０００７】図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、２枚のマスクを用いた多重転写法を説明した図で、図１９の（ａ）を形成すべきパタンとしている。図２０（ａ）は図１９（ｂ）と同じ位相シフト膜付きのマスク１、（ｂ）は遮光体のみで構成されるマスク２を示している。（ｃ）はこれら２枚のマスクをパタン形成のために重ねた状態で示してある。２枚のマスクを用いて露光した後現像すると、２枚のマスク両方で遮光された部分のみが、最終的な遮光部としてパタン形成される。（ｃ）の破線で示したパタンがこれに相当する。即ち、マスク１の位相差がπとなる境界辺で微細なパタンを形成しておき、マスク２で、不要な部分は露光して除去する。この多重転写法は、使用する位相シフト膜として、透過する光の位相差でπ相当となる１種だけで良く、マスク製作が容易な利点を有している。
　
　これらの記載より、引用例１には、
「ウェハ上に投影レンズを用いてＬＳＩ等の微細パタンを形成する方法において、
　位相シフトパタン(1500)を含む位相シフト膜付きのマスク１を用いて微細なパタンを形成する工程と、
　遮光体部(13)と光透過部(14)とを備えたマスク２を用いて前記微細なパタンのうち不要な部分を露光して除去する工程と、
　を含む多重転写法からなる方法」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されている。
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「マスク１」は本願発明の「第１マスク」に相当するものであり、同マスク１の位相シフトパタン(1500)の内側領域と外側領域とが、本願発明の第１マスクの「透明な第１領域および第２領域」に相当する。そして、これらにより形成される引用発明の「微細なパタン」が本願発明の「第１マスクによって作り出された寸法的に臨界の構造」および「位相差線」に相当する。
　引用発明の「マスク２」は本願発明の「第２マスク」に対応するものであり、同マスク２の「遮光体部(13)と光透過部(14)」が本願発明の「透明な領域と不透明な領域」に相当する。そして、引用発明では、マスク１により形成された微細なパタンのうち不要な部分を、遮光体部(13)と光透過部(14)とを備えたマスク２を用いて露光して除去しており、本願発明の「第１マスクによって作り出された寸法的に臨界の構造をさらに構造化するために、上記第２マスクを配置し、投影」し、「第２マスクの透明な領域を通って、上記位相差線を局所的に再露光」する作用と同様の作用をするので、いずれも「再構造化マスク」と呼ぶことができる。
　また、引用発明の「ウェハ上に投影レンズを用いてＬＳＩ等の微細パタンを形成する方法」は、本願発明における「表面をリソグラフで構造化するプロセス」に相当するものである。
　
　してみれば、本願発明と引用発明とは、
「第１マスクおよび再構造化マスクを備える少なくとも２つのマスクを表面に投影する工程であって、上記第１マスクは、透明な第１領域および第２領域を備え、これらの領域は寸法的に臨界の構造を作り出すために第１マスクに関して位相シフトする領域であり、上記再構造化マスクは、さらなる構造を作り出すための透明な領域と不透明な領域とを備え、
　第１マスクによって作り出された寸法的に臨界の構造をさらに構造化するために、上記再構造化マスクを配置し、投影する工程、
　上記再構造化マスクの透明な領域を通って、上記位相差線を局所的に再露光する工程を含むことを特徴とする表面をリソグラフで構造化するプロセス。」
　である点で一致し、以下の点において相違している。
　
［相違点］
　再構造化マスクが、本願発明では、透明な領域の端部に、半透明の位相シフト領域が形成されており、同領域を第１マスクによって作り出される位相差線に配置して投影させるのに対して、引用発明では、半透明の位相シフト領域が形成されていない点。
　
５．判断
　上記相違点について
　露光工程により微細なパターンを形成する方法においては、パターンの解像度を向上させるために、露光に用いるフォトマスクの光透過領域の外周に半透明の位相シフト領域を設けることは、本願の優先日以前から周知の技術であったことが認められる（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平８−２９２５５０号公報（特に、【０００１】−【０００５】、【００１８】−【００２０】）、その他、周知例として、特開平６−２３０５５６号公報（特に、【０００１】−【０００３】）を参照。）
　してみれば、引用発明も、投影レンズを用いてＬＳＩ等の微細パタンを形成する方法であることから、マスク１によって形成された位相差線をさらに構造化するための工程である、マスク２により再露光を行う工程において、構造化する際の解像度を向上させるために、前記周知の技術を採用して、マスク２の透明な領域の端部に半透明の位相シフト領域を設けることは、当業者であれば容易に想到することができたといえる。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び前記周知の技術から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び前記周知の技術に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。