Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
一方、ステップ２４４で稼動ポート数が小さい場合（ＮＯ）、運用管理部２００Ａは、グループ管理テーブル３４０のＮＩＦ優先度が高いＮＩＦ番号上におけるポートを稼動（電源オン）させ、ポート状態をＡＣＴとして（Ｓ２４６）、ステップ２４２に遷移する。ステップ２４３で、稼動ポート数と最適ポート数が一致する場合（ＹＥＳ）、運用管理部２００Ａは、そのままリターンする。
なお、ポート部７００電源のオン／オフは、運用管理部２００Ａからの指示により、ハードウェア制御部５００が実施する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
続いて運用管理部２００Ｄは、障害となったＮＩＦが復旧したかを監視する（Ｓ４５１）。ＮＯのとき、運用管理部２００Ｄは、ステップ４５１に戻る。なお当該ステップ４５１は、一定時間の周期処理やハードウェア制御部５００からの割り込み通知などで実現する。ステップ４５１でＹＥＳのとき、運用管理部２００Ｄは、ネットワークインタフェース部の状態を決定するサブルーチンを実行する（Ｓ４６０）。ＮＩＦ状態の決定サブルーチンからのリターン後、運用管理部２００Ｄは、ステップ４５１に遷移する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
図３９を参照して、冗長化したネットワークインタフェース部４０の状態を決定する処理フローについて説明する。図３９において、運用管理部２００Ｄは、ネットワークインタフェース部グループ管理テーブル４６０から復旧したＮＩＦ番号４６４が所属するＮＩＦグループ番号４６２の中でＮＩＦ障害回数４７０がＮＩＦ障害許容発生回数４４４を上回ったＮＩＦ番号４６４に対してＮＩＦ障害４７２へ「１」を記録する（Ｓ４６１）。運用管理部２００Ｄは、ＮＩＦ状態４６８がＡＣＴであるＮＩＦ数を数え、ＡＣＴのＮＩＦ数が最大稼動ＮＩＦ数より大きいかを比較する（Ｓ４６２）。ＹＥＳのとき、運用管理部２００Ｄは、ＮＩＦ状態４６８がＡＣＴのＮＩＦ番号４６４の内、ＮＩＦ障害４７２が「１」である数をＥＲＲ＿ＮＩＦ＿ＮＵＭへ代入する（Ｓ４６３）。運用管理部２００Ｄは、ＥＲＲ＿ＮＩＦ＿ＮＵＭが０より大きいか判定する（Ｓ４６４）。ＹＥＳのとき、運用管理部２００Ｄは、ＡＣＴのＮＩＦ数とＥＲＲ＿ＮＩＦ＿ＮＵＭの差が最大稼動ＮＩＦ数より大きいか判定する（Ｓ４６５）。差が０より大きいとき（Ｓ４６５：ＹＥＳ）、運用管理部２００Ｄは、ＮＩＦ障害４７２が「１」以外のＮＩＦの中でＮＩＦ優先度４６６が最も低いＮＩＦを待機させ、当該ＮＩＦ番号４６４のＮＩＦ状態４６８をＳＢＹと記録し、リターンする。ステップ４６５がＮＯのとき、運用管理部２００Ｄは、そのままリターンする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
2011199834.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像再生装置及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、動画ファイルの再生を行う画像再生装置及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、高フレームレート区間の有無の確認を行えるようにすることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る画像再生装置は、第１のフレームレートの区間と、前記第１のフレームレートと異なる第２のフレームレートの区間とを含む動画ファイルに対応する動画を表示装置に表示させる手段と、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が前記第１のフレームレートの区間であるかと、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が前記第２のフレームレートの区間であるかとを識別させるための所定の情報が、前記第１のフレームレートの区間に対してスロー再生が行われることを示す情報とともに前記表示装置に表示されるようにする制御手段を有することを特徴とする。
本発明に係るプログラムは、第１のフレームレートの区間と、前記第１のフレームレートと異なる第２のフレームレートの区間とを含む動画ファイルに対応する動画を表示装置に表示させるステップと、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が前記第１のフレームレートの区間であるかと、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が前記第２のフレームレートの区間であるかと、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が再生されているかとを識別させるための所定の情報が、前記第１のフレームレートの区間に対してスロー再生が行われることを示す情報とともに前記表示装置に表示されるように制御するステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、高フレームレート区間の有無の確認を行えるようにすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフレームレートの区間と、前記第１のフレームレートと異なる第２のフレームレートの区間とを含む動画ファイルに対応する動画を表示装置に表示させる手段と、
前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が前記第１のフレームレートの区間であるかと、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が前記第２のフレームレートの区間であるかとを識別させるための所定の情報が、前記第１のフレームレートの区間に対してスロー再生が行われることを示す情報とともに前記表示装置に表示されるようにする制御手段を有することを特徴とする画像再生装置。
【請求項２】
前記動画ファイルが前記第１のフレームレートの区間を含むか否かを前記動画ファイルの属性情報に基づいて判別する判別手段を有することを特徴とする請求項１に記載の画像再生装置。
【請求項３】
前記第１のフレームレートは、高フレームレートであることを特徴とする請求項１または２に記載に記載の画像再生装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記所定の情報と、前記動画ファイルに対応する動画の開始を示す情報と、前記動画ファイルに対応する動画の終了を示す情報とを前記表示装置に表示させるようにすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記所定の情報と、前記動画ファイルに対応する動画のシーケンスを示す情報とを前記表示装置に表示させるようにすることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が再生されているかを識別させるための情報が前記動画ファイルに対応する動画とともに前記表示装置に表示されるように制御することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項７】
第１のフレームレートの区間と、前記第１のフレームレートと異なる第２のフレームレートの区間とを含む動画ファイルに対応する動画を表示装置に表示させるステップと、
前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が前記第１のフレームレートの区間であるかと、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が前記第２のフレームレートの区間であるかと、前記動画ファイルに対応する動画のどの部分が再生されているかとを識別させるための所定の情報が、前記第１のフレームレートの区間に対してスロー再生が行われることを示す情報とともに前記表示装置に表示されるように制御するステップとをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に接して第１の酸化物絶縁層を形成し、
前記第１の酸化物絶縁層を通過させて前記酸化物半導体層に酸素を導入し、
前記第１の酸化物絶縁層及び前記酸化物半導体層に加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、ソース電極層及びドレイン電極層上に前記酸化物半導体層に接して第１の酸化物絶縁層を形成し、
前記第１の酸化物絶縁層を通過させて前記酸化物半導体層に酸素を導入し、
前記第１の酸化物絶縁層及び前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、
前記第１の酸化物絶縁層上に第１の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に接して第１の酸化物絶縁層を形成し、
前記第１の酸化物絶縁層を通過させて前記酸化物半導体層に酸素を導入し、
前記第１の酸化物絶縁層及び前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、
前記第１の酸化物絶縁層上に第１の絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体層と重なる前記第１の絶縁層上にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層上に前記第１の酸化物絶縁層を形成する前に、前記酸化物半導体層に加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸素の導入は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１の酸化物絶縁層としてスパッタリング法により酸化シリコン層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層に接して前記ゲート電極に重畳する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に酸素を添加し、
酸素が添加された前記酸化物半導体層を加熱処理し、
加熱処理された前記酸化物半導体層に接して、端部をゲート電極に重畳するソース電極、及びドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域に重畳し、前記酸化物半導体層の表面に接して、第１の絶縁層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域に重畳し、前記酸化物半導体層の表面に接する前記第１の絶縁層として酸化珪素層をスパッタリング法で形成する請求項１記載の半導体装置の作製方法。
【請求項３】
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域に重畳し、前記酸化物半導体層の表面に接する前記第１の絶縁層として酸化珪素層と、前記酸化珪素層上に窒化珪素層をスパッタリング法で形成する請求項１記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上にソース電極、及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、及びドレイン電極の端部を覆う酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に酸素を添加し、
酸素が添加された前記酸化物半導体層を加熱処理し、
加熱処理された前記酸化物半導体層に接して、前記ソース電極、及びドレイン電極の端部に重畳するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層に接し、前記ソース電極、及びドレイン電極の端部に重畳するゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記酸化物半導体層に接するゲート絶縁層として酸化珪素層をスパッタリング法で形成する請求項４記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
前記酸化物半導体層に接するゲート絶縁層として酸化珪素層と、前記酸化珪素層上に窒化珪素層をスパッタリング法で形成する請求項４記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１のトランジスタ上に形成された絶縁膜上に、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて第２のトランジスタを作製する半導体装置の作製方法。
【請求項８】
イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて前記酸素の添加を行う請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面電極層と、
前記受光面電極層上に積層された第１光電変換部と、
前記第１光電変換部上に積層され、ＳｉＯ層とシリコン層とを有する反射層と、
前記反射層上に積層された第２光電変換部と、
前記第２光電変換部上に積層された裏面電極層と、
を含み、
前記反射層は、前記第１光電変換部に接する第１シリコン層と、前記第２光電変換層に接する第２シリコン層と、前記第１シリコン層と前記第２シリコン層との間に設けられたＳｉＯ層とを有することを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記ＳｉＯ層は、非晶質であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記シリコン層は、結晶質シリコンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記ＳｉＯ層は、５５０ｎｍの波長の光に対する屈折率が２．４未満であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第２光電変換素子は、結晶質であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１光電変換素子は、非晶質であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記シリコン層は、真性シリコンであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記シリコン層は、一導電型シリコンであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＥＴを用いる電流投入切断スイッチであって、
ゲート電圧設定回路において、電流投入時のゲート抵抗値と電流切断時のゲート抵抗値を異にし、
電流投入時のゲート抵抗の値が、ゲート電圧立ち上がり時にゲート電圧がゲート浮遊キャパシタンスおよびゲート浮遊インダクタンスによって寄生振動を発生するのを防止するのに十分大きな値であり、
かつ該ゲート電圧立ち上がり時間内に、該ＦＥＴが能動領域で動作し、破壊に至る可能性を排除するのに十分小さな値である
ことを特徴とするＦＥＴによる電流投入切断スイッチ。

【請求項２】
請求項１記載の電流投入切断スイッチであって、
電流切断時のゲート抵抗値が、ゲート電圧が急激に低下し、ドレイン・ソース電圧が逆起電力のためにオーバーシュートを発生するのを排除するのに十分大きな値であることを特徴とするＦＥＴによる電流投入切断スイッチ。

【請求項３】
請求項１に記載の電流投入切断スイッチであって、
電流投入時のゲート抵抗の値が、
ゲート電圧立ち上がり時にゲート電圧がゲート浮遊キャパシタンスおよびゲート浮遊インダクタンスによって寄生振動を発生するのを防止するのに十分大きな値であり、
かつ該ゲート電圧立ち上がり時間内に、該ＦＥＴが能動領域で動作し、破壊に至る可能性を排除するのに十分小さな値であり、
また、電流切断時のゲート抵抗値が、ゲート電圧が急激に低下し、ドレイン・ソース電圧が逆起電力のためにオーバーシュートを発生するのを排除するのに十分大きな値である
ことを特徴とするＦＥＴによる電流投入切断スイッチ。
【請求項４】
請求項１に記載の電源投入切断スイッチであり、
電流投入時のゲート抵抗と電流切断時のゲート抵抗の差分抵抗を
電流切断時オンとなるトランジスタスイッチのコレクタ端子とアース間に挿入する
ことを特徴とする電流投入切断スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記撮影光学系には、その光軸方向に移動自在なズームレンズが含まれており、
レンズ鏡胴に回動自在に配設されたカム筒であって、カム溝が形成されたカム筒と、
前記遮光板の大きさを変更させる遮光板移動手段と、
前記カム溝と前記遮光板移動手段とを連結する連結手段と、を備え、
前記レンズ駆動手段は、前記カム筒を回動させることにより前記ズームレンズを光軸方向に進退動作させ、
前記制御手段は、前記レンズ駆動手段を制御することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項７に記載の撮像装置は、請求項６に記載の単眼立体撮像装置において、前記撮影光学系には、その光軸方向に移動自在なズームレンズが含まれており、レンズ鏡胴に回動自在に配設されたカム筒であって、カム溝が形成されたカム筒と、前記遮光板の大きさを変更させる遮光板移動手段と、前記カム溝と前記遮光板移動手段とを連結する連結手段と、を備え、前記レンズ駆動手段は、前記カム筒を回動させることにより前記ズームレンズを光軸方向に進退動作させ、前記制御手段は、前記レンズ駆動手段を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックベースボディ（１）を備えた電気モジュールにおいて、
該ベースボディは複数のセラミック層（１ａ，１ｂ）を有しており、ここで、
ＮＴＣセラミックまたはＰＴＣセラミックを含む機能層（１ａ）が複合材料層（１ｂ）に接しており、
該複合材料層はジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物を含み、該混合物におけるガラス充填物質は、５重量％から３０重量％の割合で存在しており、かつ、ホウケイ酸亜鉛またはケイ酸アルミニウムを含む
ことを特徴とする電気モジュール。
【請求項２】
前記複合材料層（１ｂ）の誘電定数は前記機能層（１ａ）の誘電定数より小さい、請求項１記載の電気モジュール。
【請求項３】
前記複合材料層（１ｂ）はパシベーション機能または電気的分離機能を有する、請求項１または２記載の電気モジュール。
【請求項４】
前記機能層（１ａ）および前記複合材料層（１ｂ）は上下方向に交互に積層されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項５】
前記機能層（１ａ）は複数の内部電極（２）を有しており、該内部電極はそれぞれ電気モジュールの表面に配置された少なくとも１つの外部コンタクト（４）に接続されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項６】
異なる電位の２つの内部電極（２）のあいだに所定の容量が形成されている、請求項５記載の電気モジュール。
【請求項７】
前記内部電極（２）はそれぞれ信号線路の機能を有する、請求項５または６記載の電気モジュール。
【請求項８】
少なくとも１つの内部電極（２）はアース電極である、請求項５から７までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項９】
前記アース電極は前記機能層（１ａ）の別の内部電極（２）に容量結合されている、請求項８記載の電気モジュール。
【請求項１０】
前記機能層（１ａ）の１つの内部電極（２）は隣接する内部電極へ向かう脚部を有し、これにより所定の領域における２つの内部電極間の距離ひいては内部電極間の容量は最小化される、請求項５から９までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１１】
任意の内部電極（２）が前記電気モジュールの表面に配置された同じ電位の外部コンタクト（４）に接続されている、請求項５から１０までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１２】
前記機能層の内部電極（２）は部分的に前記電気モジュールの内部へ延在しており、その端部のみが外部コンタクト（４）に接続されている、請求項５から１１までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１３】
前記複合材料層（１ｂ）は少なくとも１つの内部電極（２）を有する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１４】
前記複合材料層（１ｂ）の前記内部電極（２）により形成される散乱容量は低減される、請求項１３記載の電気モジュール。
【請求項１５】
前記複合材料層（１ｂ）の少なくとも１つの内部電極（２）は信号線路の機能を有する、請求項１３または１４記載の電気モジュール。
【請求項１６】
前記複合材料層（１ｂ）の少なくとも１つの内部電極（２）はアース電極である、請求項１３から１５までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１７】
前記複合材料層（１ｂ）の少なくとも１つの内部電極（２）は前記機能層（１ａ）の２つの内部電極のあいだの結合容量を低減する、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１８】
前記複合材料層（１ｂ）の少なくとも１つの内部電極（２）は前記アース電極と前記機能層（１ａ）の前記別の内部電極とのあいだの結合容量を低減する、請求項１７記載の電気モジュール。
【請求項１９】
前記複合材料層（１ｂ）の前記内部電極（２）は前記複合材料層を完全に横断しており、各端部で前記外部コンタクト（４）に接続されている、請求項１３から１８までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２０】
少なくとも１つの内部電極（２）は、正方形、長方形、Ｔ字形、Ｌ字形、湾曲形、メアンダ形のいずれかの形状を有する、請求項５から１９までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２１】
複数の内部電極（２）は等しく成形されており、１つの平面において対称軸線に対して鏡面対称に配置されている、請求項５から２０までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２２】
前記機能層（１ａ）はドープされている、請求項１から２１までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２３】
前記複合材料層（１ｂ）はドープされている、請求項１から２２までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２４】
少なくとも１つの内部電極（２）は前記機能層（１ａ）に接続されており、コンタクト手段（３）により電気モジュール（１）の表面の外部コンタクト（４）に接続されている、請求項１から２３までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２５】
前記コンタクト手段（３）は金属を含む材料によって充填されるスルーコンタクトである、請求項２４記載の電気モジュール。
【請求項２６】
複数の内部電極（２）は上下方向に配置されており、前記コンタクト手段（３）により相互にコンタクトされている、請求項２４または２５記載の電気モジュール。
【請求項２７】
機能層セラミックはＦｅ３Ｏ４，Ｆｅ２Ｏ３，ＮｉＯ，ＣｏＯ，ＢａＴｉＯ３またはＳｒＴｉＯ３を含む、請求項１から２６までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２８】
前記機能層は２つの複合材料層間に配置されている、請求項１から２７までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２９】
上側および下側でそれぞれ複合材料層に接する２つの機能層を含む、請求項１から２７までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項３０】
２つの機能層を含み、一方の機能層は上側および下側で複合材料層に接しており、他方の機能層は前記ベースボディの底部を形成している、請求項１から２７までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置であって、
前記発光装置は、
少なくとも２つの別個のセグメントを含む光透過円筒光学素子であって、前記別個のセグメントの各々は、互いに隣接した平坦な表面を有する、円筒光学素子と、
前記円筒光学素子の前記少なくとも２つのセグメントの各々の端に隣接して配置された少なくとも１つの光放射源と、
前記円筒光学素子内の中央縦軸に沿って配置されたダウンコンバージョン材料であって、前記光放射源によって伝送された光の透過または反射のうちの少なくとも一方のためのダウンコンバージョン材料と
を備え、前記ダウンコンバージョン材料は、前記円筒光学素子の１つのセグメントから別のセグメントへの光の通過を可能とするように適合される、発光装置。
【請求項２】
前記光放射源は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）または共振空洞発光ダイオード（ＲＣＬＥＤ）のうちの１つを含む半導体発光ダイオードである、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光放射源は、前記円筒光学素子の一つの側面端に隣接して配置される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記光放射源は、互いに間隔を空けた第一の放射源と第二の放射源とを含み、前記第一の放射源および前記第二の放射源は、前記円筒光学素子の一つの側面端に近接して配置される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記ダウンコンバージョン材料は、１つのスペクトル領域内で光を吸収し、別のスペクトル領域で発光する蛍光体または他の材料のうちの１つを含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記ダウンコンバージョン材料は、前記円筒光学素子の縦軸に実質的に平行に配置される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光放射源は、前記ダウンコンバージョン材料の各面に少なくとも１つの光源を含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記光源は、少なくとも１つの基板上に実装される、請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記円筒光学素子は、前記ダウンコンバージョン材料により反射された光を受け、前記反射された光を前記円筒光学素子の外側に移送する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記円筒光学素子の前記少なくとも２つの別個のセグメントの各セグメントは、固体材料から構成される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記少なくとも２つの別個のセグメントは、各々、相互に実質的に類似する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記ダウンコンバージョン材料は、平坦な形状である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記ダウンコンバージョン材料は、光の透過および光の反射のための少なくとも第一の面を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記ダウンコンバージョン材料は、光の透過および光の反射のための少なくとも第二の面を有する、請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
発光装置であって、
前記発光装置は、
少なくとも２つの別個のセグメントを含む光透過円筒光学素子であって、前記別個のセグメントの各々は、互いに隣接した平坦な表面を有する、円筒光学素子と、
前記円筒光学素子の端に隣接して配置された少なくとも１つの光放射源と、
前記円筒光学素子内の中央縦軸に沿って配置されたダウンコンバージョン材料であって、前記光放射源によって伝送された光の透過または反射のうちの少なくとも一方のためのダウンコンバージョン材料と
を備え、前記円筒光学素子の前記少なくとも２つの別個のセグメントのうちの第一のセグメントは、第一の表面を有し、前記円筒光学素子の前記少なくとも２つの別個のセグメントのうちの第二のセグメントは、第二の表面を有し、前記ダウンコンバージョン材料は、前記第一の表面と前記第二の表面との間に配置されている、発光装置。
【請求項１６】
前記第一の表面は、第一の平坦な表面であり、前記第二の表面は、第二の平坦な表面である、請求項１５に記載の発光装置。
【請求項１７】
発光装置であって、
前記発光装置は、
少なくとも２つの別個のセグメントを含む光透過円筒光学素子と、
前記円筒光学素子の端に隣接して配置された少なくとも１つの光放射源と、
前記円筒光学素子内の中央縦軸に沿って配置されたダウンコンバージョン材料であって、前記光放射源によって伝送された光の透過または反射のうちの少なくとも一方のためのダウンコンバージョン材料と
を備える、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月13日(2012.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
立体画像表示手段と、
前記取得したＦ値の小さい画像、Ｆ値の大きい画像、及び前記生成した左右視点画像をそれぞれ前記立体画像表示手段に表示させる表示制御手段と、
前記立体画像表示手段に表示された画像のうち記録媒体に記録する画像の指示をユーザからの入力により受け付ける入力手段と、
前記ユーザにより指示された画像を前記記録媒体に記録する記録手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１１から１４のいずれかに記載の立体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項１５に示すように請求項１１から１４のいずれかに記載の立体撮像装置において、立体画像表示手段と、前記取得したＦ値の小さい画像、Ｆ値の大きい画像、及び前記生成した左右視点画像をそれぞれ前記立体画像表示手段に表示させる表示制御手段と、前記立体画像表示手段に表示された画像のうち記録媒体に記録する画像の指示をユーザからの入力により受け付ける入力手段と、前記ユーザにより指示された画像を前記記録媒体に記録する記録手段と、を備えたことを特徴としている。これにより、３枚の立体視用の画像のうちの最適な画像を選択して記録することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリードを付属する電子部品と、
前記複数のリードの個々を挿入可能に形成された前記複数のリードと同数の貫通孔、および前記貫通孔間の直線上を横断するように形成された溝孔と、表面とその反対側の裏面を有する配線基板と、
前記複数のリードの各々を隔離するように前記複数のリード間の前記溝孔の上方に形成され、前記電子部品と前記配線基板の表面との間に介在して設置される第１絶縁スペーサと、
前記配線基板の裏面側から前記溝孔に挿入されて前記第１絶縁スペーサと係合することにより、前記複数のリードの先端部の各々を隔離するように形成された第２絶縁スペーサと、
を備えたことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
前記第１絶縁スペーサは、前記複数のリードの少なくとも１つのリードを収容可能なリード収容部を有し、前記リード収容部には、絶縁樹脂が充填されたことを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
【請求項３】
前記第１絶縁スペーサまたは前記第２絶縁スペーサのいずれか一方の端部は第１凹部を有し、前記第１絶縁スペーサまたは前記第２絶縁スペーサのいずれか他方の端部は前記第１凹部と係合する第１凸部を有することを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記第１絶縁スペーサまたは前記第２絶縁スペーサのいずれか一方の係合される端部の側面には少なくとも１つの第２凹部を有し、前記第１凸部または前記１凹部のいずれか他方の係合される端部の側面には、前記第２凹部に収容され嵌合する第２凸部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品の実装構造。
【請求項５】
定格電圧が２００Ｖ以上で使用される電力変換装置の実装基板は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品の実装構造により構成されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
複数のリードを付属する電子部品を第１絶縁スペーサに装着する電子部品装着工程と、前記複数のリードの個々を挿入可能に形成された前記複数のリードと同数の貫通孔、および前記貫通孔間の直線上を横断するように形成された溝孔と、表面とその反対側の裏面を有する配線基板を準備する配線基板準備工程と、
前記電子部品の装着された前記第１絶縁スペーサを前記配線基板に装着する第１絶縁スペーサ装着工程と、
前記複数のリードと前記配線基板とをはんだにより接続して固定するはんだ付け工程と、
第２絶縁スペーサを前記配線基板の裏面側から前記溝孔に挿入して、前記第１絶縁スペーサの端部に係合させる第２絶縁スペーサの装着工程と、
絶縁樹脂を、前記第１絶縁スペーサのリード収容部に充填して硬化させる絶縁樹脂の充填・硬化工程とからなることを特徴とする電子部品の実装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスの液化のための装置であって、
精製ガスが液化され捕集される断熱領域と、
前記断熱領域の外部にある第１部分及び前記断熱領域の内部にある第２部分を備えると共に、精製ガス流を前記第１部分から前記第２部分のガス供給管に供給するガス供給システムと、
前記断熱領域の外部にある温部分及び前記断熱領域の内部にある冷部分を備えると共に、前記冷部分が前記精製ガス流を冷却するために前記ガス供給システムの前記第２部分と熱交換する極低温冷却器と、
前記断熱領域の内部にある入力端及び前記断熱領域の外部にある出力端を備える取り出し管とを含み、
前記ガス供給システムの前記第１部分は、前記精製ガス流を大気圧以上の高圧にするべく前記ガスを圧縮するための圧縮機を含み、
前記極低温冷却器の前記冷部分は、大気圧下での前記ガスの沸点より高くかつ前記高圧下での前記ガスの沸点より低い最低温度を有し、
前記ガス供給システムの前記第２部分は、前記圧力を前記高圧から大気圧へと低下させ、前記精製ガス流の一部を蒸発させるようにして前記精製ガス流の留分を大気圧下での前記ガスの沸点に冷却する流量制限器を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記極低温冷却器は、パルスチューブ極低温冷却器であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記極低温冷却器は、複数成分混合冷媒を用いた閉サイクル、カスケード、絞り膨張冷却サイクル極低温冷却器であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記極低温冷却器の前記冷部分は、第１熱交換器と第２熱交換器とを備えた対向流式熱交換器を含み、
前記ガス供給システムの前記第２部分は、前記対向流式熱交換器と熱交換する熱交換器部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ガス供給システムの前記第２部分は、前記ガス供給管の低温端に接続した温パージ管を含み、
前記ガス供給システムの前記第１部分は、前記温パージ管に入る温ガスの流れを制御するパージ弁と、前記温ガスが前記ガス供給管を上方へと通過して流れ、排気されることを許可する３方向弁とを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ガス供給システムの前記第１部分は、圧縮ガスが前記断熱領域に流れ込むことを許可する取り出し弁と、前記ガスが前記断熱領域に入る前に前記ガスの圧力を低下させる圧力調整器とを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記取り出し弁に接続したキーロックを更に含み、
前記キーロックは、ロックされているときに前記取り出し弁が開くことを防止し、ユーザーキーによってアンロックされているときに前記取り出し弁を開くようにすることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記取り出し弁に接続した近接センサを更に含み、
前記近接センサは、取り出しデュワーが検出されていない時に前記取り出し弁が開くことを防止し、取り出しデュワーが検出されている時に前記取り出し弁が開くようにすることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
液化ガスの製造方法であって、
精製ガスを製造するために、ガス供給システムの第１部分でガスを精製し、
凝縮ガスを製造するために、前記ガス供給システムの第２部分で前記精製ガスを冷却し、
断熱領域で前記凝縮ガスを捕集し、
前記凝縮ガスを前記断熱領域から取り出し管を通して取り出し、
前記ガスの冷却は、大気圧下での前記ガスの沸点より高く、かつ高圧下での前記ガスの沸点より低い最低温度を有する極低温冷却器を用いて前記精製ガスの温度を低下させることを含み、
更に、前記精製ガスが大気圧以上の圧力となるように前記ガスを圧縮し、
前記凝縮ガスの一部を蒸発させて前記凝縮ガスの留分を大気圧下での前記ガスの沸点に冷却するために前記凝縮ガスを大気圧まで膨張させることを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
前記極低温冷却器は、パルスチューブ極低温冷却器であることを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記極低温冷却器は、複数成分混合冷媒を用いた閉サイクル、カスケード、絞り膨張冷却サイクル極低温冷却器であることを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記極低温冷却器は、対向流式熱交換器であり、前記精製ガスの温度を低下させることは、前記精製ガスを前記対向流式熱交換器と熱交換させることを含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１３】
更に、
前記精製ガスが温パージ管を通過して流れることを許可するパージ弁を断続的に開放する過程と、
前記温ガスを前記温パージ管から上方へガス供給管の低温端を通して送る過程と、
前記温ガスを前記ガス供給管から外部へと３方向弁を通して排気する過程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記凝縮ガスの取り出しは、
ガスが断熱領域の内部へと流れることを許可する取り出し弁を開放する過程と、
前記ガスが前記断熱領域に入る前に前記ガスの圧力を低下させる過程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記凝縮ガスの取り出しは、
取り出し可能とするためにユーザーキーを要求することを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記凝縮ガスの取り出しは、
取り出しデュワーの近接を検出する過程と、
取り出しを可能とするために取り出しデュワーの存在の検出を要求する過程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプボディに組合されたシリンダと、
前記ポンプボディとの間で前記シリンダを挟むシリンダホルダと、
シリンダに滑合して往復動するプランジャと、
前記プランジャの一端部により燃料が加圧される加圧室と、
前記加圧室に吸入される燃料が通過する低圧燃料通路と、
前記低圧燃料通路に連通し、前記シリンダホルダとシンリンダとで形成される低圧燃料室とを備え、
前記プランジャの外周部には前記シリンダと滑合する部分よりも直径が小さい段付き部を有し、
前記段付き部は、前記低圧燃料室の燃料を加圧又は減圧することで、前記低圧燃料通路に燃料を吐出し、または前記低圧燃料室に燃料を吸入し、
前記低圧燃料室と前記低圧通路との間の燃料流動は、前記シリンダと前記シリンダホルダとの間に設けた孔若しくは溝を通るように構成された高圧燃料供給ポンプ。
【請求項２】
請求項１に記載のものにおいて、
前記孔若しくは溝が、前記シリンダの周囲に沿う方向の幅（Ｂ）よりも中心軸線から放射方向の寸法（Ｈあるいはｍ）の方が小さく形成されている高圧燃料供給ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月13日(2012.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行体を有する下部車体と、この下部車体の上方に旋回可能に設けられ運転室を有する上部旋回体と、この上部旋回体の前部に揺動可能に取り付けられた作業フロントとを備えた作業機械の前記作業フロントに駆動指令を出力し、運転室内に設けられた作業機械の操作装置において、
少なくとも上下方向に移動可能に設けられた横置き操作レバーと、この横置き操作レバーの上下方向移動に応じて前記作業フロントを駆動する油圧制御装置とを備え、この油圧制御装置からの操作指令においては、前記横置き操作レバーの移動量が所定量以下では前記作業フロントを駆動しない不感帯を有しており、この不感帯の大きさが前記横置き操作レバーの上方への移動については下方への移動よりも小さく、下方への移動については上方への移動よりも大きく設定されていることを特徴とする作業機械の操作装置。
【請求項２】
走行体を有する下部車体と、この下部車体の上方に旋回可能に設けられ運転室を有する上部旋回体と、この上部旋回体の前部に揺動可能に取り付けられた左右一対の作業フロントとを備えた作業機械の前記作業フロントに駆動指令を出力し、前記運転室内に配置された作業機械の操作装置において、
前記左右一対のフロントに対応して左右一対配置され、その各々が少なくとも上下方向に移動可能に設けられた横置き操作レバーと、この横置き操作レバーの上下方向移動に応じて前記作業フロントを駆動する油圧制御装置とを備え、この油圧制御装置からの操作指令においては、前記横置き操作レバーの移動量が所定量以下では前記作業フロントを駆動しない不感帯を有しており、この不感帯の大きさが前記横置き操作レバーの上方への移動については下方への移動よりも小さく、下方への移動については上方への移動よりも大きく設定されていることを特徴とする作業機械の操作装置。
【請求項３】
前記横置き操作レバーは前後方向の移動が可能であり、前記油圧制御装置は前記横置き操作レバーの前後方向の移動に対する不感帯の大きさを、上方への移動に対する不感帯と下方への移動に対する不感帯の間としていることを特徴とする請求項１または２に記載の作業機械の操作装置。
【請求項４】
前記フロントは作業具と、この作業具に接続するアームと、このアームに接続し前記上部旋回体に取り付けられるブームと、前記作業具を上下方向に揺動させる作業具シリンダと、前記アームを揺動させるアームシリンダと、前記ブームを揺動させるブームシリンダとを有し、前記油圧制御装置は、前記横置き操作アームの上下方向移動に応じて前記アームシリンダまたはブームシリンダのいずれかを伸縮させ、この伸縮するシリンダへの速度指令値は前記横置き操作アームの不感帯部分を除いた移動量に比例させたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の作業機械の操作装置。
【請求項５】
前記油圧制御装置は、前記横置き操作レバーの上下の移動で前記ブームを車体に対し上下方向に揺動させ、前記横置き操作レバーの前後の移動で前記アームを前記ブームに対し上下に揺動させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の作業機械の操作装置。
【請求項６】
前記横置き操作レバーは３次元ジョイスティックであり、上下方向および前後方向の操作の復元力を同一のばねで発生させていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の作業機械の操作装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成する本発明の他の特徴は、走行体を有する下部車体と、この下部車体の上方に旋回可能に設けられ運転室を有する上部旋回体と、この上部旋回体の前部に揺動可能に取り付けられた左右一対の作業フロントとを備えた作業機械の前記作業フロントに駆動指令を出力し、前記運転室内に配置された作業機械の操作装置において、前記左右一対のフロントに対応して左右一対配置され、その各々が少なくとも上下方向に移動可能に設けられた横置き操作レバーと、この横置き操作レバーの上下方向移動に応じて前記作業フロントを駆動する油圧制御装置とを備え、この油圧制御装置からの操作指令においては、前記横置き操作レバーの移動量が所定量以下では前記作業フロントを駆動しない不感帯を有しており、この不感帯の大きさが前記横置き操作レバーの上方への移動については下方への移動よりも小さく、下方への移動については上方への移動よりも大きく設定されていることにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そしてこれらの特徴において、前記横置き操作レバーは前後方向の移動が可能であり、前記油圧制御装置は前記横置き操作レバーの前後方向の移動に対する不感帯の大きさを、上方への移動に対する不感帯と下方への移動に対する不感帯の間としていることが望ましい。また、前記フロントは作業具と、この作業具に接続するアームと、このアームに接続し前記上部旋回体に取り付けられるブームと、前記作業具を上下方向に揺動させる作業具シリンダと、前記アームを揺動させるアームシリンダと、前記ブームを揺動させるブームシリンダとを有し、前記油圧制御装置は、前記横置き操作アームの上下方向移動に応じて前記アームシリンダまたはブームシリンダのいずれかを伸縮させ、この伸縮するシリンダへの速度指令値は前記横置き操作レバーの不感帯部分を除いた移動量に比例させるのがさらに好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、前記油圧制御装置は、前記横置き操作レバーの上下の移動で前記ブームを車体に対し上下方向に揺動させ、前記横置き操作アームの前後の移動で前記アームを前記ブームに対し上下に揺動させるのがよい。また、前記横置き操作レバーは３次元ジョイスティックであり、上下方向および前後方向の操作の復元力を同一のばねで発生させているものがこのましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
これら図８中の各図において、横置き操作レバー５４ａを操作しても各シリンダを動かさない範囲、すなわち不感帯を定めている。これは操作者の意図しない僅かな横置き操作レバー５４ａの動きで、各シリンダが動作することを防止するためである。この図８の各図中では、横置き操作レバー５４ａを上方に移動させる場合に不感帯を１０％、下方に移動させる場合に不感帯を２０％、前方及び後方に移動させる場合には不感帯を１５％としている。また、シリンダが最大速度指令値に達するときの横置き操作レバー５４ａの操作量は、横置き操作レバー５４ａを上方に移動させるときが９０％、下方に移動させるときが１００％、前方及び後方に移動させるときが９５％に設定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、弁座補強上部１８は、弁孔１６を樹脂製弁上体３方向から見たとき、弓形形状となることにより、弁座支持部１７を補強することができ強度が増すため、弁座支持部１７のたわみ幅を小さくすることができ弁座一端１５ｂの傾き角度を低減することができる。
具体的には、弁孔１６を樹脂製弁上体３方向からみたときの弁孔１６の第１ポート連通流路２１ａ側に弓形形状となる弁座補強上部１８を形成することができる。弁孔１６の第２流路２２側の弁座他端１５ａは、第１流路２１と第２流路２２を隔てる垂直方向の支持部２０を有するため強度が強い。他方、弁孔１６の第１ポート連通流路２１ａ側の弁座支持部１７はその下方向に第１流路２１が通るため垂直方向の支持がなく強度が弱い。そのため、強度が弱い部分に弁座補強上部１８を形成することにより弁座支持部１７のたわみを防止することができる。それにより、弁座１５の傾きを低減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、弁孔１６に対して第１ポート連通流路２１ａ側に弓形形状となるように弁座補強上部１８を形成することで、図３に示すように弁座支持部１７を弁孔１６に対して円周方向Ｓに強くすることができる。すなわち、弁座補強上部１８が弓形形状であることにより、強度を持つ筒状の弁孔１６へのつながりが強くなる。弁座補強上部１８は弁孔１６へのつながりを強くすることで、支持部２０により強度を持つ筒状の弁孔１６の剛性を利用し、弁座支持部１７の剛性を増すことができる。その結果、弁座支持部１７のたわみを低減し弁座１５の傾きを従来の流体制御弁１００と比較して６１パーセント低減することができる。
また、弁座補強上部１８は第１弁孔連通流路２１ｂを一部塞ぐように形成されているが、流体の流れの妨げを最小限にすることができる。すなわち、流体は真っすぐ流れる性質を有するため、第１弁孔連通流路２１ｂを流れる流体は流路のＲ部２１ｃの外側部分を多く流れる。そのため、Ｒ部２１ｃの内側部分に弓形の弁座補強上部１８が形成されていたとしても流体の流量に与える影響は少ない。その結果、第１弁孔連通流路２１ｂを流れる流体の妨げを最小限とすることができる。
また、強度が弱い弁座支持部１７を補強することで、弁座支持部１７及び支持部２０を円周方向に均一に強度を保つことができる。弁座支持部１７の強度を保つことができることにより、弁座１５でシール荷重を受けたときに強度が弱い弁座支持部１７がたわむことを防止することができる。円周方向に均一なシール力を発生できるためシール性能の低下を低減することができる。特に高温状態や過大なシール荷重が弁座に係る場合に有効となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
＜流体制御弁の作用効果＞
流体の入力出力の作用効果については、第１実施形態の流体制御弁１と同様であるため説明を割愛する。
（弁座補強部の効果）
本実施形態によれば、弁座補強上部６８と弁座補強下部６９とにより弁座支持部６７に対して断面略Ｌ形状となることにより、弁座補強上部６８と弁座補強下部６９との強度を用いることができる。そのため、弁座支持部６７の強度を従来の流体制御弁１００と比較して強くすることができる。すなわち、弁座補強上部６８と弁座補強下部６９とが形成されることにより弁座支持部６７が従来よりも強度を保つことができるため、たわみ幅を小さくすることができる。そのため、弁座一端１５ｂが傾くことを低減させることができるため、ダイアフラム弁体４と弁座１５との間のシールの不均一を防止することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
（発明の詳細）
本発明によれば、人体に接着剤で取付けられる人工肛門または創傷ケアデバイスを包含する人工肛門または創傷ケア器具であって、上記接着剤は、ホットメルト型シリコーン感圧接着剤組成物および強化材から成り、かつ
ｉ．制限された低温流；
ｉｉ．１９．６Ｎ（２０００グラム）以下の粘着力（ＡＳＴＭ  Ｄ２７２９；接触力０．９８Ｎ（１００ｇ）；接触時間２秒；剥離速度０．１mm／秒）；
ｉｉｉ．２２℃における伸び率５％および頻度（frequency）１rad／ｓでの１．０×１０４Ｐa〜５．０×１０６Ｐaの貯蔵弾性率（Ｇ'）および損失弾性率（Ｇ''）；および
ｉｖ．０．０７８Ｎ／ｍｍ（２．０Ｎ／in）以上の剥離強度または接着基面（substrate）（ＡＳＴＭ  Ｄ３３３０；ステンレス鋼接着基面）からきれいに剥離しない強度
の特性を有することを特徴とする人工肛門または創傷ケア器具が提供される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
人体に接着剤で取付けられる人工肛門または創傷ケアデバイスを包含する人工肛門または創傷ケア器具であって、上記接着剤は、ホットメルト型シリコーン感圧接着剤組成物および強化材から成り、かつ
i．制限された低温流；
ii．１９．６Ｎ（２０００グラム）以下の粘着力（ＡＳＴＭ  Ｄ２７２９；接触力０．９８Ｎ（１００ｇ）；接触時間２秒；剥離速度０．１ｍｍ／秒）；
iii．２２℃における伸び率５％および頻度１rad／sでの１．０×１０４Ｐａ〜５．０×１０６Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）および損失弾性率（Ｇ”）；および
iv．０．０７８Ｎ／ｍｍ（２．０Ｎ／in）以上の剥離強度または接着基面（ＡＳＴＭ  Ｄ３３３０；ステンレス鋼接着基面）からきれいに剥離しない強度
の特性を有することを特徴とする人工肛門または創傷ケア器具。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図４を参照して、本発明の１つの実施形態に従い、また上記で確認された大型燃料バンドル８０に関連する問題に苦慮することなく、制御棒及び制御棒駆動装置を減少させる利点を得るために、実質的に標準の大きさの燃料バンドル３６及び大型制御棒７６が炉心２２で用いられる。具体的に言えば、原子炉炉心２２は、大型制御棒７６及び従来の大きさの燃料バンドル３６を含む。各大型制御棒７６は、１６個の従来の大きさの燃料バンドル３６に対して毒物質制御を施すような寸法に作られる。従来の大きさの燃料集合体３６及び大型制御棒７６は、Ｆ格子構成９４に配置されて、制御棒駆動装置及び制御棒の数を極力少なくするのを助ける。Ｆ格子構成９４は、各大型制御棒７６を囲繞する１６個の従来の燃料バンドル３６を備える互い違いの配列９６になった大型の制御棒７６を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジルコニウム化合物及びチタン化合物の少なくとも1種（Ａ）、有機ホスホン酸及びリン酸並びにそれらの塩よりなる群から選ばれる少なくとも1種（Ｂ）、金属がバナジウムもしくはチタンであるβ−ジケトン金属錯体の少なくとも１種（Ｃ）、並びにアクリル樹脂及びウレタン樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも１種の水分散樹脂もしくは水溶性樹脂（Ｄ）を配合してなり、成分（Ｂ）と成分（Ａ）との質量比（Ｂ）／（Ａ）が１／１０００〜３／１であり、成分（Ｃ）と成分（Ａ）との質量比（Ｃ）／（Ａ）が１／５００〜１／２であり、成分（Ｄ）と成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｃ）の合計との固形分質量比（Ｄ）／［（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）］が１／１００〜１００／１である塗布型水系金属表面処理剤であって、金属が亜鉛めっき鋼板、５５％アルミ亜鉛めっき鋼板、５％アルミ亜鉛めっき鋼板、鉄亜鉛めっき鋼板並びにこれらを素材とする成形加工品、鋳造品、シート及びコイルから選ばれる該水系金属表面処理剤。
【請求項２】
シランカップリング剤（Ｅ）を、成分（Ｅ）の固形分と成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｃ）の合計との質量比として（Ｅ）／［（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）］が１／１００〜２／１となるように配合した請求項１記載の水系金属表面処理剤。
【請求項３】
コロイダルシリカ（Ｆ）を、成分（Ｆ）の固形分と成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｃ）の合計との質量比として（Ｆ）／［（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）］が１／１０〜４／１となるように配合した請求項１又は２記載の水系金属表面処理剤。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか1項に記載の水系金属表面処理剤を亜鉛めっき鋼板、５５％アルミ亜鉛めっき鋼板、５％アルミ亜鉛めっき鋼板、鉄亜鉛めっき鋼板並びにこれらを素材とする成形加工品、鋳造品、シート及びコイルから選ばれる金属材料の表面に塗布し乾燥して、乾燥皮膜質量として０．０５〜３ｇ／ｍ２の皮膜を形成させることを特徴とする金属材料の表面処理方法。
【請求項５】
請求項４記載の表面処理方法で表面処理された亜鉛めっき鋼板、５５％アルミ亜鉛めっき鋼板、５％アルミ亜鉛めっき鋼板、鉄亜鉛めっき鋼板並びにこれらを素材とする成形加工品、鋳造品、シート及びコイルから選ばれる金属材料。