【事件の表示】
　平成　９年特許願第１３４１２５号「電子放出素子及びこれを用いた表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１１月１７日出願公開、特開平１０−３０８１６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成９年５月２３日（優先権主張平成９年３月４日）の出願であって、平成１６年５月２６日付け（発送日同年５月３１日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年６月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１６年７月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１６年７月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
平成１６年７月１４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
本件補正は、特許請求の範囲の
　
「【請求項１】　金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、
　前記絶縁体層は、酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯｘを含み５０ｎｍ以上の膜厚を有し、前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, Ln, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, Ln, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】　金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、
　前記絶縁体層は、酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときその屈折率が１．３〜３．０になるようなＳｉＯxを含み５０ｎｍ以上の膜厚を有し、前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, Ln, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, Ln, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項３】　真空空間を挾み対向する一対の第１及び第２基板と、前記第１基板内面に設けられた複数の電子放出素子と、前記第２基板内面に設けられたコレクタ電極と、前記コレクタ電極上に形成された蛍光体層と、からなる電子放出表示装置であって、前記電子放出素子の各々は、前記第１基板側に形成された金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成され前記真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記絶縁体層は、５０ｎｍ以上の膜厚を有しかつ酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯxを含み、前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, Ln, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, Ln, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出表示装置。
【請求項４】　真空空間を挾み対向する一対の素子基板及び透明基板と、
　前記素子基板に設けられそれぞれ平行に伸長する複数のオーミック電極と、
　各々が前記オーミック電極上に形成された金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された５０ｎｍ以上の膜厚を有しかつ酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯxを含む絶縁体層、及び前記絶縁体層上に形成され前記真空空間に面する金属薄膜電極からなる複数の電子放出素子と、
　隣接する前記金属薄膜電極を電気的に接続しその一部上に、前記オーミック電極に垂直に伸長して架設され、それぞれが平行に伸長する複数のバス電極と、
　前記透明基板に設けられそれぞれ平行に伸長しかつ前記金属薄膜電極からの放出電子を捕獲する複数のコレクタ電極と、前記コレクタ電極上に形成された蛍光体層からなり、
　前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, Ln, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、
　前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, Ln, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出表示装置。
【請求項５】　前記金属薄膜電極の表面を複数の電子放出領域に画定する第２絶縁体層を有することを特徴とする請求項４記載の電子放出表示装置。
【請求項６】　前記第２絶縁体層は前記バス電極を覆うことを特徴とする請求項５記載の電子放出表示装置。」
を、
　
「【請求項１】　金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、
　前記絶縁体層は、酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯxを含み３００ｎｍを超える膜厚を有し、前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, In, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】　金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、
　前記絶縁体層は、酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときその屈折率が１．３〜３．０になるようなＳｉＯxを含み３００ｎｍを超える膜厚を有し、前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, In, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項３】　真空空間を挾み対向する一対の第１及び第２基板と、前記第１基板内面に設けられた複数の電子放出素子と、前記第２基板内面に設けられたコレクタ電極と、前記コレクタ電極上に形成された蛍光体層と、からなる電子放出表示装置であって、前記電子放出素子の各々は、前記第１基板側に形成された金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成され前記真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記絶縁体層は、３００ｎｍを超える膜厚を有しかつ酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯxを含み、前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, In, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出表示装置。
【請求項４】　真空空間を挾み対向する一対の素子基板及び透明基板と、
　前記素子基板に設けられそれぞれ平行に伸長する複数のオーミック電極と、
　各々が前記オーミック電極上に形成された金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された３００ｎｍを超える膜厚を有しかつ酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯxを含む絶縁体層、及び前記絶縁体層上に形成され前記真空空間に面する金属薄膜電極からなる複数の電子放出素子と、
　隣接する前記金属薄膜電極を電気的に接続しその一部上に、前記オーミック電極に垂直に伸長して架設され、それぞれが平行に伸長する複数のバス電極と、
　前記透明基板に設けられそれぞれ平行に伸長しかつ前記金属薄膜電極からの放出電子を捕獲する複数のコレクタ電極と、前記コレクタ電極上に形成された蛍光体層からなり、
　前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, In, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、
　前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出表示装置。
【請求項５】　前記金属薄膜電極の表面を複数の電子放出領域に画定する第２絶縁体層を有することを特徴とする請求項４記載の電子放出表示装置。
【請求項６】　前記第２絶縁体層は前記バス電極を覆うことを特徴とする請求項５記載の電子放出表示装置。」
　
と補正することを含むものである。
　
　上記補正は、補正前の請求項１〜４に記載された「５０ｎｍ以上の膜厚」を「３００ｎｍを超える膜厚」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　さらに、上記補正は、補正前の請求項１〜４に記載された誤記「Ｌｎ」を「Ｉｎ」に訂正するものであるから、特許法第１７条の２第４項第３号の誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本件補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第５項において読み替えて準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前である平成６年１０月２１日に頒布された刊行物である特開平６−２９５６５８公報（以下、「引用例１」という。）には、
　
（１−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、遷移元素および／または遷移元素化合物を用いた電子放出素子、その製造方法および表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子放出素子としては、熱電子源と冷陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源には電界放出型（ＦＥ）、金属／絶縁層／金属型（以下、ＭＩＭと略す）や表面伝導型電子放出素子（ＳＣＥ）等がある。」
　
（１−２）「【０１０３】実施例７ （ＭＩＭ型）
本発明は上述したＳＣＥの場合だけでなく、遷移元素を電子源として用いる電子放出素子、例えば遷移元素を電極材料として用いるＭＩＭ等も含まれる。絶縁性基板の上に真空蒸着法により下電極としてＡｕを１０００Å、絶縁層としてＳｉＯ２ を３０００Å、上電極としてＣｒを１０００Å積層した。Ｃｒ上電極をビピリジンを配位子として錯形成した。金下電極は露出部が小さく、また金は錯体を形成しにくく環境安定性が高いことはよく知られてる。
【０１０４】上電極と下電極に電圧を印加して電子放出をおこなったところ素子電流Ｉｆの変動率は１％程度であった。ＭＩＭ型の錯形成をしない場合の比較例では素子電流Ｉｆの変動率は５％程度であった。」
　
が記載されている。
　
　したがって、これらの記載事項によると、引用例１には、つぎのとおりの発明、
　
「Ａｕからなる下電極、前記下電極上に形成された絶縁層及び前記絶縁層上に形成され真空空間に面する上電極からなり、前記下電極及び前記上電極間に電圧を印加し電子を放出する電子放出素子であって、
　前記絶縁層は、ＳｉＯ２を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが２になるようなＳｉＯxを含み３０００Å（３００ｎｍ）の膜厚を有し、前記下電極はＡｕからなり、前記上電極はＣｒからなる、ことを特徴とする電子放出素子。」（以下、これを「引用例１に記載の発明」という。）
　　
が記載されているものと認める。
　
（２）対比・判断
　本件補正発明１と引用例１に記載の発明とを対比する。
　引用例１に記載の発明における「Ａｕからなる下電極」、「絶縁層」、「上電極」、「電圧」、「電子放出素子」、「ＳｉＯ２を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが２になるようなＳｉＯxを含み」、「Ａｕ」は、それぞれ、
　本件補正発明１における「金属又は半導体からなる電子供給層」、「絶縁体層」、「金属薄膜電極」、「電界」、「電子放出素子」、「酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯxを含み」、「Ｓｉ， ・・・，　Ａｕ，・・・, 又はＬｕ」に相当する。
　　
　したがって、両者は、
　
【一致点】
「金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、
　前記絶縁体層は、酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯxを含み、前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, In, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、前記金属薄膜電極は金属からなる、ことを特徴とする電子放出素子。」
で一致し、
　
【相違点１】
　「本件補正発明１では、絶縁体層の膜厚が、３００ｎｍを超えるのに対して、
引用例１に記載の発明では、絶縁層の膜厚が、３０００Å（３００ｎｍ）である点。」、
　
【相違点２】
　「本件補正発明１では、金属薄膜電極をなす金属が、Pt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuであるのに対して、
　引用例１に記載の発明では、上電極をなす金属が、Ｃｒである点。」
　
で相違する。
　　
　そこで、上記【相違点１】について検討する。
引用例１には、確かに、絶縁層の膜厚を３００ｎｍにすることしか記載されていないが、この記載は、必ずしも３００ｎｍの１点のみを意味するものではなく、放出電流や電子放出効率に格別の差異がなければ、３００ｎｍ近傍の適当な範囲を選択することを排除するものではない。そこで、本願の図２や図３を見てみると、絶縁体層膜厚３００ｎｍ近傍、特に、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲における放出電流や電子放出効率は、ほぼ一定であって、絶縁体層膜厚３００ｎｍにおける放出電流や電子放出効率と、格別の差異があるわけではないと解される。
　したがって、引用例１記載の電子放出素子において、その絶縁層を、３００nmを超える膜厚とすることは、３００ｎｍ近傍の適当な膜厚を選択したにすぎず、この点に困難性は認められない。
　
　つぎに、上記【相違点２】について検討する。
ＭＩＭ型の電子放出素子の上電極として、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇ等を使用することは、本願の優先権主張の日前周知であるから（例えば、特開昭６３−９１９２５公報、特開平７−６５７１０公報、特開平８−１６３４７１公報参照。）、引用例１記載の電子放出素子において、その上電極を、Ｃｒに換えて、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇ等とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本件補正発明１の奏する効果は、引用例１に記載の発明及び周知の事項に基づいて当業者が予測可能な範囲内のものである。
　
したがって、本件補正発明１は、引用例１に記載の発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において読み替えて準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
　平成１６年７月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１６年２月１９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】　金属又は半導体からなる電子供給層、前記電子供給層上に形成された絶縁体層及び前記絶縁体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、前記電子供給層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、
　前記絶縁体層は、酸化珪素を主成分とし、層全体では原子比ｘと表したときｘが０．５〜２になるようなＳｉＯｘを含み５０ｎｍ以上の膜厚を有し、前記電子供給層はSi, Ge, SiC, GaAs, InP, CdSe, Al, Au, Ag, Cu, V, Ni, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, Ln, Sn, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなり、前記金属薄膜電極はPt, Au, W, Ru, Ir, Al, V, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Tc, Rh, Pd, Ag, Cd, Ln, Sn, Ta, Re, Os, Tl, Pb, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 又はLuからなる、ことを特徴とする電子放出素子。」
　
　
４．引用例に記載の発明
　引用例１に記載の発明は、前記「２．（１）」に記載したとおりである。
　
　
５．対比・判断
　本願発明１は、実質的に、前記「２．」で検討した本件補正発明１の数値範囲「３００ｎｍを超える」を「５０ｎｍ以上の」に拡大したものである。
　そうすると、本願発明１の数値範囲「５０ｎｍ以上の」を「３００ｎｍを超える」に減縮し、その他の発明特定事項が実質的に同じである本件補正発明１が、前記「２．（２）」に記載したとおり、引用例１に記載の発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、本件補正発明１についての判断で示したのと同様の理由により、引用例１に記載の発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１に記載の発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明１が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。