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【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の製造プロセスの手段により所定のレイアウトを有するＭｕＧＦＥＴのＥＳＤ保護デバイスを製造する方法であって、
当該方法は、第１のセットは製造プロセスにより固定され、第２のセットは可変である、複数の相互に依存したレイアウトおよびプロセスパラメータを選択する工程を含み、第２のセットは、少なくともＭｕＧＦＥＴのＥＳＤ保護デバイスのフィン幅（Ｗｆｉｎ）、ゲート長（ＬＧ）およびフィン数（Ｎ）を含み、第２のセットは、更に、フィン幅（Ｗｆｉｎ）、ゲート長（ＬＧ）およびフィン数（Ｎ）に依存する少なくとも１つの他のパラメータのサブセットを含み、
当該方法は、
ａ）少なくともフィン幅（Ｗｆｉｎ）、ゲート長（ＬＧ）およびフィン数（Ｎ）の採りうる値の複数の組み合わせを選択する工程であって、それぞれの組み合わせは、ＭｕＧＦＥＴのＥＳＤ保護デバイスのために予め決められたＥＳＤの制限に合致するように選択される工程と、
ｂ）予め決められたフィン幅（Ｗｆｉｎ）、ゲート長（ＬＧ）およびフィン数（Ｎ）との関係に基づいて、少なくとも１つのサブセットの他のパラメータのために、複数の値を決定する工程と、
ｃ）工程ｂ）で決定された複数の値に基づいて、少なくとも１つのサブセットの他のパラメータのために、最適値を決定する工程であって、最適値は、予め決定されたＥＳＤの制限から離れた予め決められた設計ターゲットの観点から決定する工程と、
ｄ）工程ｃ）で決められた最適値に基づいて、フィン幅（Ｗｆｉｎ）、ゲート長（ＬＧ）およびフィン数（Ｎ）の値を決定する工程と、
ｅ）所定の製造プロセスと、工程ｄ）で決められた値を用いて、ＭｕＧＦＥＴのＥＳＤ保護デバイスを製造する工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
工程ｃ）の最適値は、予め決定されたＥＳＤの制限と、デバイスの可能な他の要求される特性を考慮して、補間により決定される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レイアウトパラメータ：ランディングパッドとゲートとの距離（ＬＳＤ）、フィンを覆うゲート（Ｗｅｘｔ）、およびフィンとフィンの間隔（Ｓ）は、製造プロセスに応じて、第１のセットまたは第２のセットのいずれかに属する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
レイアウトパラメータ：歪、ウエル注入、選択結晶成長、シリサイドブロッキング、埋め込み酸化物の膜厚は、製造プロセスに応じて、第１のセットまたは第２のセットのいずれかに属する請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
第２のセットの可変パラメータは、更に、レイアウトパラメータ：コンタクト面積（Ｌｃｏｎｔ）およびデバイスの折りたたみファクタ、の１またはそれ以上を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
サブセットの少なくとも１つの他のパラメータは、パラメータ：デバイスの全面積、最大電圧、電圧オーバーシュート中の最大電圧、リーク電流、容量、の１またはそれ以上を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ＭｕＧＦＥＴのＥＳＤ保護デバイスは、寄生バイポーラまたは能動ＭＯＳデバイスモードのいずれかを操作するために提供されたＭＯＳクランプである請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ＭＯＳクランプはバイポーラモードで動作するように設計され、
予め決定されたＥＳＤの制限は、所定のリーク特性に合致し、例えばゲート酸化物ブレイクダウン電圧のような所定の最大電圧Ｖｍａｘを越えないように、デバイスが耐えなければならないＥＳＤ応力を含み、
予め決定された設計ターゲットは、ＭＯＳクランプの最小総面積である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ＭＯＳクランプは、ＭＯＳダイオードモードで動作するように設計され、
予め決定されたＥＳＤの制限は、所定のリーク特性に合致し、例えばゲート酸化物ブレイクダウン電圧のような所定の最大電圧Ｖｍａｘを越えないように、デバイスが耐えなければならないＥＳＤ応力を含み、
予め決定された設計ターゲットは、ＭＯＳクランプの最小総面積および最小フィン数である請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
ＭｕＧＦＥＴのＥＳＤデバイスはゲートダイオードであり、予め決定された設計ターゲットは最小寄生容量である請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ＭｕＧＦＥＴのＥＳＤデバイスは、接地ゲートＮＭＯＳのＭｕＧＦＥＴデバイスである請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月3日(2012.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極上に設けられ、一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられた第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層と逆の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層と、
前記第３の半導体層上に設けられた第２電極と、を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層との界面から前記第３の半導体層との界面に向かって先細りの形状を有する結晶を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１電極上に設けられ、一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられた第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層と逆の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層と、
前記第３の半導体層上に設けられた第２電極と、を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層との界面から前記第３の半導体層との界面に向かって先細りの形状を有する結晶を有し、
前記結晶は、前記第１の半導体層から成長した結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の半導体層はｐ型半導体であり、前記第２の半導体層はｉ型半導体であり、前記第３の半導体層はｎ型半導体であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の半導体層は、非晶質領域と前記結晶を有する領域とを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
基板上に第１電極を形成し、
半導体材料ガスと希釈ガスとを反応室内に導入しプラズマを生成して、前記第１電極上に一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体の第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層形成時よりも前記半導体材料ガスに対する前記希釈ガスの流量比を小さくしてプラズマを生成して、前記第１の半導体層上に、上面に向かって先細りの形状を有する結晶を有する第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、前記第１の半導体層と逆の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に第１電極を形成し、
前記第１電極上に、一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体の第１の半導体層を形成し、
結晶が成長する成膜初期段階までは、半導体材料ガスと希釈ガスとの流量比を１倍以上６倍以下として、プラズマを生成して、前記第１の半導体層上に、上面に向かって先細りの形状を有する前記結晶を有する第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、前記第１の半導体層と逆の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記半導体材料ガスとしては、水素化シリコンガス、フッ化シリコンガス又は塩化シリコンガスを用い、
前記希釈ガスとしては水素を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の半導体層は、非晶質領域と前記結晶を有する領域とを有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１電極を備えた基板と、
該基板の表面に裏面が固定され、表面に矩形の第２電極を備えた半導体素子と、
キャピラリにより、一端を前記第１電極にボールボンディングし、他端を第２電極にステッチボンディングしたワイヤと、
を備え、
前記基板の厚さ方向から見たときに、前記ワイヤは、前記ボールボンディングの際に前記第１電極に形成された接続部の中心と、前記第２電極における４つの角の内、前記接続部の中心から最も遠い角とを結んだ直線上に位置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板の表面に形成された第１電極に、キャピラリによりワイヤをボールボンディングするボールボンディング工程と、
前記キャピラリからワイヤを繰り出しつつ、前記キャピラリを前記基板の表面に裏面が固定された半導体素子の表面に形成された矩形の第２電極に移動させ、該第２電極に前記ワイヤをステッチボンディングするステッチボンディング工程と、
を備え、
前記ステッチボンディング工程は、前記基板の厚さ方向から見たときに、前記ワイヤが前記ボールボンディングの際に前記第１電極に形成された接続部の中心と、前記第２電極における４つの角の内、前記接続部の中心から最も遠い角とを結んだ直線上に位置するように、前記キャピラリを移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板に形成された第１電極および基板上の半導体素子に形成された第２電極をワイヤボンディングした半導体装置並びに半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そして、基板の厚さ方向から見たときに、ワイヤは、ボールボンディングの際に第１電極に形成された接続部の中心と、第２電極における４つの角の内、接続部の中心から最も遠い角とを結んだ直線上に位置したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（第２発明）
第２発明は、基板の表面に形成された第１電極に、キャピラリによりワイヤをボールボンディングするボールボンディング工程と、キャピラリからワイヤを繰り出しつつ、キャピラリを基板の表面に固定された半導体素子の表面に形成された矩形の第２電極に移動させ、この第２電極にワイヤをステッチボンディングするステッチボンディング工程と、を備えた半導体装置の製造方法に関するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そして、基板の厚さ方向から見たときに、ワイヤがボールボンディングの際に第１電極に形成された接続部の中心と、第２電極における４つの角の内、接続部の中心から最も遠い角とを結んだ直線上に位置するように、キャピラリを移動させることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明は、半導体素子が実装された半導体装置および半導体装置の製造方法に適用される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と、
前記配線層の上部において、複数の受光素子が設けられた受光部と、前記受光部と同一層において前記受光部の周囲に設けられた周辺回路部と、
を有する半導体基板を有し、
前記半導体基板の、前記受光部の上部に位置する一の面の表面において、
前記受光部に対応する領域に設けられた入光素子と、
前記周辺回路部に対応する領域のうち少なくとも一部を覆う、金属層により形成された遮光膜と、
前記周辺回路部に対応する領域に、前記遮光膜の開口部に、前記遮光膜とは電気的に絶縁されて形成された第１の電極と、
を有する
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記第１の電極は、前記遮光膜を形成する金属層と同じ金属層から成る
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項３】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記遮光膜の厚さは、前記入光素子の厚さよりも、厚くなっており、かつ、
前記遮光膜の、前記入光素子に対向する端面の表面は、粗面になっている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項４】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板の他の面の表面に設けられた第２の電極を備え、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、前記半導体基板を貫通するように設けられた導電体によって電気的に接続されている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項５】
請求項４記載の光学デバイスにおいて、
前記第１の電極の表面に、バンプが設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項６】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板において、前記一の面の表面部に形成された絶縁膜の下面と、前記受光部または前記周辺回路部の上面とが、面一になっている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項７】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記遮光膜の上面と前記第１の電極の上面とが同一の高さであり、かつ、
前記第１の電極の表面に、バンプが設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項８】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板の前記一の面側に、前記入光素子を覆うように、透明カバーが設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項９】
請求項８記載の光学デバイスにおいて、
前記透明カバーの前記半導体基板とは反対側の面の表面に設けられた第１の電極と、
前記半導体基板の他の面の表面に設けられた第２の電極とを備え、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、前記半導体基板および前記透明カバーを貫通するように設けられた導電体によって、電気的に接続されている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１０】
請求項９記載の光学デバイスにおいて、
前記第１の電極の表面に、バンプが設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１１】
請求項８記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板の前記他の面側に、補強基板が設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１２】
請求項１１記載の光学デバイスにおいて、
前記透明カバーの厚さは、前記補強基板の厚さよりも、厚くなっている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項記載の光学デバイスにおいて、
前記受光部は、撮像部である
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項記載の光学デバイスを備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接し、且つチャネル形成領域としての機能を有する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、一導電型を付与する不純物元素を有する第２の半導体層と、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられたバッファ層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、非晶質構造を有し、且つ前記ゲート絶縁層と前記第２の領域に挟まれ、
前記第２の領域は、前記第１の領域から前記第１の半導体層が形成される方向に向けて、略放射状に成長した逆錐形の結晶粒を有し、
前記第１の半導体層は、ドナーとなる不純物元素を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記バッファ層は、非晶質半導体を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接し、且つチャネル形成領域としての機能を有する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、一導電型を付与する不純物元素を有する第２の半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、非晶質構造を有し、且つ前記ゲート絶縁層と前記第２の領域に挟まれ、
前記第２の領域は、前記第１の領域から前記第１の半導体層が形成される方向に向けて、略放射状に成長した逆錐形の結晶粒を有し、
前記第１の半導体層は、ドナーとなる不純物元素を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の半導体層は、ソース領域またはドレイン領域としての機能を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ドナーとなる不純物元素の二次イオン質量分析法によって計測される濃度は、１×１０１６／ｃｍ３乃至３×１０１８／ｃｍ３であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ドナーとなる不純物元素は、リン、砒素、アンチモン、またはビスマスであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される窒素濃度が１×１０２０／ｃｍ３乃至１×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項７において、
前記ゲート絶縁層と前記第１の半導体層との界面近傍において、二次イオン質量分析法によって計測される前記窒素濃度のピーク濃度が３×１０２０／ｃｍ３乃至１×１０２１／ｃｍ３であり、且つ、前記窒素濃度は、前記界面近傍から前記第１の半導体層が形成される方向に向けて減少していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が５×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記結晶粒は、単結晶または双晶を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
結晶粒１２１の形状は、逆錐形である。ここで、逆錐形とは、多数の平面から構成される面と、多数の平面から構成される面の閉じた曲線または折れ線の周上を一周する点の集合とこの多数の平面から構成される面の外に存在する頂点とを結ぶ線によって作られる単数もしくは複数の面と、で囲まれた立体的形状であって、該頂点が基板側に存在するものをいう。即ち、ゲート絶縁層１０４と、ドナーとなる不純物元素が添加された半導体層１０６との界面から離れた位置から、半導体層１０６が堆積される方向に向けて、略放射状に成長した形状である。離散的に形成された結晶核のそれぞれが、ドナーとなる不純物元素が添加された半導体層の形成と共に結晶の方位に沿って成長することで、結晶粒は、結晶核を起点として結晶の成長方向と垂直な面の面内方向に放射状に拡がるように成長する。また、結晶粒１２１内には単結晶または双晶を含む。ここで、逆錐形の結晶粒１２１では、側面は面方位が揃っており、側面の断面形状（図２）は一直線である。そのため、結晶粒１２１は複数の結晶を含んでいる形態よりも単結晶または双晶を含む形態に近いと考えられる。双晶を含む場合には、複数の結晶を含む場合と比較して、ダングリングボンドが少ないため欠陥数が少なく、オフ電流が小さい。また、複数の結晶を含む場合と比較して、粒界が少なく、オン電流が大きい。なお、結晶粒１２１には、複数の結晶を含んでいてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形−し、
前記単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を順次形成し、
前記絶縁層上に支持基板を密着させて貼り合わせ、
前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に前記絶縁層、前記第１の電極、前記第１の不純物半導体層、及び前記単結晶半導体基板の一部である第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、
前記第１の単結晶半導体層上に結晶性を有する第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層とは異なる条件により前記第１の半導体層に比較して低い結晶性を有する第２の半導体層を形成し、
熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成し、
前記第２の単結晶半導体層上に、前記第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、
前記第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を順次形成し、
前記絶縁層上に支持基板を密着させて貼り合わせ、
前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に前記絶縁層、前記第１の電極、前記第１の不純物半導体層、及び前記単結晶半導体基板の一部である第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、
前記第１の単結晶半導体層上に結晶性を有する第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層とは異なる条件により非晶質である第２の半導体層を形成し、
熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を単結晶化して、第２の単結晶半導体層を形成し、
前記第２の単結晶半導体層上に、前記第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、
前記第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の半導体層に比較して水素濃度が高くなるように前記第２の半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の半導体層の厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように前記第１の半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記イオンとして、水素を含む原料ガスにより生成されるイオンを用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層の厚さの合計が８００ｎｍ以上となるように前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の不純物半導体層をｐ型不純物半導体層とし、
前記第２の不純物半導体層をｎ型不純物半導体層とすることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の半導体層の形成は、シラン系ガスに対する水素ガスの流量比を５０倍以上とするプラズマ化学気相成長法により行われることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第１の単結晶半導体層上に、結晶性を有する第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層とは異なる条件により前記第１の半導体層に比較して低い結晶性を有する第２の半導体層を形成し、
熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
基板上に設けられた第１の単結晶半導体層上に、結晶性を有する第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層とは異なる条件により非晶質である第２の半導体層を形成し、
熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を単結晶化して、第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板にイオンを照射して前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層と支持基板を密着させて前記単結晶半導体基板と前記支持基板を貼り合わせ、
前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層上に、結晶性を有する第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層とは異なる条件により前記第１の半導体層に比較して低い結晶性を有する第２の半導体層を形成し、
熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板にイオンを照射して前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
支持基板上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記絶縁層を密着させて前記単結晶半導体基板と前記支持基板を貼り合わせ、
前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層上に、結晶性を有する第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層とは異なる条件により前記第１の半導体層に比較して低い結晶性を有する第２の半導体層を形成し、
熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記イオンとして、水素を含む原料ガスにより生成されるイオンを用いることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の半導体層に比較して水素濃度が高くなるように前記第２の半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の半導体層を、その厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように形成し、
前記第２の半導体層を、その厚さが３００ｎｍ以上となるように形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の半導体層を、シラン系ガスに対する水素ガスの流量比を５０倍以上とするプラズマ化学気相成長法により形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に接して、チャネル長方向の一部に設けられた微結晶半導体層と、
前記ゲート絶縁層上の前記微結晶半導体層を覆う半導体層と、
前記半導体層上に接する非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上に接して、離間して設けられたソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、を有し、
前記一対の不純物半導体層の一方は、前記微結晶半導体層と、少なくとも一部が重畳し、
前記半導体層は、少なくとも一部が前記ゲート絶縁層に接し、
前記半導体層は、非晶質構造の中に離散的に存在する複数の結晶領域を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に接して、チャネル長方向の一部に離間して設けられた一対の微結晶半導体層と、
前記ゲート絶縁層上の前記一対の微結晶半導体層を覆う半導体層と、
前記半導体層上に接する非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上に接して、離間して設けられたソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、を有し、
前記一対の不純物半導体層の一方は、前記一対の微結晶半導体層の一方と、少なくとも一部が重畳し、
前記一対の不純物半導体層の他方は、前記一対の微結晶半導体層の他方と、少なくとも一部が重畳し、
前記半導体層は、少なくとも一部が前記ゲート絶縁層に接し、
前記半導体層は、非晶質構造の中に離散的に存在する複数の結晶領域を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に接して、チャネル長方向の一部に設けられた微結晶半導体層と、
前記ゲート絶縁層上の前記微結晶半導体層を覆う半導体層と、
前記半導体層上に接する非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上に接して、離間して設けられたソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、を有し、
前記一対の不純物半導体層は、前記微結晶半導体層と重畳せず、
前記半導体層は、少なくとも一部が前記ゲート絶縁層に接し、
前記半導体層は、非晶質構造の中に離散的に存在する複数の結晶領域を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記微結晶半導体層はリン、ヒ素、アンチモンのいずれか一を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記複数の結晶領域は、前記ゲート絶縁層と前記半導体層との界面から離れた位置から、前記半導体層が堆積される方向に向けて、前記一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層に達しない領域内において略放射状に成長した逆錐形状の構造を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記半導体層は、前記ゲート絶縁層との界面近傍に、半導体の配位数を減らしてダングリングボンドを生成する第１の不純物元素と、
前記第１の不純物元素よりもダングリングボンドを生成しにくい第２の不純物元素と、を含み、
前記第１の不純物元素の濃度は、前記第２の不純物元素の濃度よりも一桁以上小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の不純物元素は酸素であり、前記第２の不純物元素は窒素であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項７において、
前記半導体層における窒素の濃度は、前記ゲート絶縁層に接する側から前記非晶質半導体層に接する側まで単調に減少していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記非晶質半導体層は非晶質シリコン層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の耐衝撃層と、第２の耐衝撃層と、第１の衝撃拡散層と、第２の衝撃拡散層と、半導体集積回路と、を有し、
前記半導体集積回路は、前記第１の耐衝撃層と前記第２の耐衝撃層との間に設けられ、
前記第１の耐衝撃層は、前記半導体集積回路と前記第１の衝撃拡散層との間に設けられ、
前記第２の衝撃拡散層は、前記半導体集積回路と前記第２の耐衝撃層との間に設けられ、
前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層は、繊維体と有機樹脂を有し、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層は、前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層より弾性率が低く、かつ破断強度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記繊維体の糸束には表面処理が施されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層は前記繊維体に前記有機樹脂が含浸された構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記繊維体は、一定間隔をあけた経糸と、一定間隔をあけた緯糸とで織られており、隣り合う前記経糸と隣り合う前記緯糸とで囲まれた、前記経糸及び前記緯糸が存在しない領域内においても前記有機樹脂が存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体集積回路と前記第２の衝撃拡散層との間に接着層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層はゴム弾性を有する膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体集積回路と前記第１の耐衝撃層の間にアンテナを有し、
前記アンテナと前記第１の耐衝撃層の間に無機絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記繊維体の糸束の断面は楕円形または平板状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記有機樹脂に熱伝導性フィラーが分散されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記繊維体の糸束内に熱伝導性フィラーが分散されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
基板上に剥離層を介して半導体集積回路を形成する工程と、
前記基板上に形成された前記半導体集積回路に第１の耐衝撃層を接着する工程と、
前記第１の耐衝撃層に第１の衝撃拡散層を接着する工程と、
前記第１の耐衝撃層が接着された前記半導体集積回路を前記基板より剥離する工程と、
第２の耐衝撃層と第２の衝撃拡散層とを接着する工程と、
前記第２の耐衝撃層に接着された前記第２の衝撃拡散層を、前記基板より剥離された前記半導体集積回路に接着する工程と、を有し、
前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層は、繊維体と有機樹脂を有し、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層は、前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層より弾性率が低く、かつ破断強度が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記繊維体の糸束に表面処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層として前記繊維体に前記有機樹脂が含浸された構造体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記繊維体は一定間隔をあけた経糸と、一定間隔をあけた緯糸とで織られており、隣り合う前記経糸と隣り合う前記緯糸とで囲まれた、前記経糸及び前記緯糸が存在しない領域内においても前記有機樹脂が存在することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第２の衝撃拡散層を、前記基板より剥離された前記半導体集積回路に接着層を用いて接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層としてゴム弾性を有する膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記半導体集積回路上に前記第１の耐衝撃層、前記第１の耐衝撃層上に前記第１の衝撃拡散層を積層して加熱及び加圧処理により、前記半導体集積回路、前記第１の耐衝撃層、及び前記第１の衝撃拡散層間を同時に接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記半導体集積回路上にアンテナを形成し、
前記アンテナ上に無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層上に前記第１の耐衝撃層を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁物上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極の側面に接し、端部が前記第１の半導体層上に延伸されたサイドウォールと、
前記第１の半導体層に接して積層され、かつ前記サイドウォールの端部の少なくとも一部に接し又は該一部を覆って形成された第２の半導体層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁物上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極の側面に接し、端部が前記第１の半導体層上に延伸されたサイドウォールと、
前記第１の半導体層に接して積層され、かつ前記サイドウォールの端部の少なくとも一部に接し又は該一部を覆って形成された第２の半導体層と、
を有し、
前記第１の半導体層は、チャネル形成領域、低濃度不純物領域、及び高濃度不純物領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記低濃度不純物領域は、前記サイドウォールと重なる領域を有し、
前記高濃度不純物領域は、前記サイドウォールと重なる領域を有し、
前記第２の半導体層は、高濃度不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の半導体層の高濃度不純物領域の上面は、前記サイドウォールに接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁物上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に順に積層するゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層に導電性を付与する不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成し、
前記ゲート電極の側面に接し、端部が前記第１の半導体層上に延伸するサイドウォールを形成し、
前記ゲート電極と、前記サイドウォールと、前記サイドウォールの端部と、前記第１の半導体層と、を覆って第２の半導体膜を形成し、
レジストマスクを用いて前記第２の半導体体膜をエッチングして、前記第１の半導体層に接して積層し、かつ前記端部の少なくとも一部に接し又は該一部を覆って、２つの第２の半導体層を形成し、
前記２つの第２の半導体層に導電性を付与する不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁物上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に順に積層するゲート絶縁膜、ゲート電極、絶縁層を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層に導電性を付与する不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成し、
前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、
前記絶縁層と、前記サイドウォールと、前記第１の半導体層と、を覆って第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜を覆ってネガ型レジストを形成し、
前記ネガ型レジストに、前記ゲート電極をマスクとして前記絶縁物の裏面側から露光を行ってレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第２の半導体膜をエッチングし、
前記エッチングされた第２の半導体膜をパターニングして、前記第１の半導体層に接して積層し、かつ前記サイドウォールの一部に接し又は該一部を覆って、２つの第２の半導体層を形成し、
前記２つの第２の半導体層に導電性を付与する不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の半導体層の高濃度不純物領域の上面を前記サイドウォールに接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に材料層を形成し、
開口部を有する反射層が設けられた第２の基板の前記反射層と前記材料層とを対向させ、
前記第２の基板側から前記第１の基板に光を照射して、前記光が照射される方向において前記開口部と重なる位置にある前記材料層を除去することを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、または銀を含む合金のいずれかを含むことを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、窒化チタン、窒化クロム、窒化マンガン、チタン、またはカーボンのいずれかを含むことを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物からなることを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記材料層は、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含むことを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
【請求項８】
第１の基板の一方の面上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に材料層を形成し、
開口部を有する反射層が設けられた第２の基板の前記反射層と前記材料層とを対向させ、
前記第２の基板側から前記第１の基板に第１の光を照射して前記材料層を部分的に除去することによって、前記光吸収層上に前記材料層を部分的に残存させ、
残存した前記材料層と第３の基板の一方の面とを対向させ、
前記第１の基板の一方の面に対向する他方の面側から第２の光を照射して、残存した前記材料層を前記第３の基板の一方の面上に蒸着させ、
前記第１の光の照射により、前記第１の光が照射される方向において前記開口部と重なる位置にある前記材料層は除去され、前記開口部と重ならない位置にある前記材料層は前記光吸収層上に残存することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、または銀を含む合金のいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、窒化チタン、窒化クロム、窒化マンガン、チタン、またはカーボンのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、
前記材料層は、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の一方の面上に開口部を有する機能層を形成し、
前記第１の基板の一方の面および前記機能層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に材料層を形成し、
前記第１の基板の一方の面に対向する他方の面から第１の波長を有する光を照射し、前記材料層の前記開口部と重なる部分を除去することによって、前記機能層上に前記光吸収層を介して前記材料層を残存させ、
残存した前記材料層と第２の基板の一方の面とを対向させ、
前記第１の基板の他方の面側から前記第１の波長と異なる第２の波長を有する光を照射して、残存した前記材料層を前記第２の基板の一方の面上に蒸着させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の波長をλ１とし、前記第２の波長をλ２とすると、前記λ１及び前記λ２は、λ２＞１．４λ１、またはλ２＜０．８λ１、かつλ２≠λ１／（２ｎ＋１）（但し、ｎは自然数）を満たすことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記機能層は、第１の機能膜と前記第１の機能膜よりも屈折率の低い第２の機能膜とを有し、
前記第１の機能膜の屈折率をｎ１、前記第２の機能膜の屈折率をｎ２、前記第１の機能膜の膜厚をｘ１、前記第２の機能膜の膜厚をｘ２とすると、０．９×（λ１／４ｎ１）≦ｘ１≦１．１×（λ１／４ｎ１）、０．９×（λ１／４ｎ２）≦ｘ２≦１．１×（λ１／４ｎ２）であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記ｎ１は、２．０以上３．０以下であり、前記ｎ２は、１．２以上１．７以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１の機能膜は、酸化チタンまたは酸化亜鉛を含み、前記第２の機能膜は、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記機能層は、前記第１の光に対する反射率が７０％以上であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記光吸収層は、前記第１の光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、窒化チタン、窒化クロム、窒化マンガン、チタン、またはカーボンのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記材料層は、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源部と、
前記光源部から発せられた色光の少なくとも一部を他の色光に変換する色変換層と、
前記色変換層を封止する不透水性の封止シートと
を備えた発光装置。
【請求項２】
前記封止シートは、前記色変換層の側から樹脂シートと不透水層とを有する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記封止シートは、前記樹脂シートと他の樹脂シートとにより前記不透水層を挟み込んで構成されている
請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記封止シートが一対設けられ、
前記色変換層を間に挟んで前記一対の封止シート同士を貼り合わせる貼合層をさらに含む
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記貼合層は、前記色変換層全体を覆うように設けられている
請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記光源部は、青色（Ｂ：Blue）の光を発する青色発光ダイオードを含む
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記色変換層は、前記青色光の一部を他の色光に変換することにより、全体として白色光を出射するようになっている
請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記光源部は、前記色変換層の表面に平行な方向に沿って配列された複数の発光ダイオードを含む
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記光源部は、
発光ダイオードと、
前記発光ダイオードから発せられた光を伝搬させて面発光を行う導光板と
を含む
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記導光板の光入射面もしくは光出射面上に前記色変換層が形成され、その上を前記封止シートが覆っている
請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記色変換層は、蛍光材料を含んで構成されている
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１２】
光源部から発せられた色光の少なくとも一部を他の色光に変換する色変換層と、
前記色変換層を封止する不透水性の封止シートと
を備えた色変換シート。
【請求項１３】
光源部と、
画像データに基づいて駆動される表示パネルと、
前記光源部から発せられた色光の少なくとも一部を他の色光に変換して前記表示パネルに導く色変換層と、
前記色変換層を封止する不透水性の封止シートと
を備えた表示装置。
【請求項１４】
前記光源部と前記表示パネルとの間に、前記光源部の側から順に光拡散部材と、集光部材とが設けられている
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記光源部と前記光拡散部材との間に、前記色変換層および前記封止シートが設けられている
請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記光拡散部材と前記集光部材との間に、前記色変換層および前記封止シートが設けられている
請求項１４または請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記光拡散部材は、前記光源部の側から順に光拡散フィルムと光拡散板とを含み、
前記光拡散フィルムと前記光拡散板との間に、前記色変換層および前記封止シートが設けられている
請求項１４ないし請求項１６のいずれかに記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の固定筒と、
前記固定筒に対して回転可能な第１カム筒と、
前記固定筒に対して前記第１カム筒とは反対側に嵌合するとともに、前記固定筒に対して回転可能な第２カム筒と、
前記固定筒の端部に隣接して配置されるとともに、前記第１カム筒と前記第２カム筒とを連動する連動部材と、を備えることを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項２】
請求項１に記載のレンズ鏡筒において、
前記固定筒は、直線状の直進溝を有し、
前記直進溝に係合して該直進溝に沿って移動する矩形状の移動コマを備えることを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項３】
請求項２に記載のレンズ鏡筒において、
前記固定筒に嵌合して該固定筒に対して移動可能な移動筒を有し、
前記移動コマは、前記移動筒に設けられたことを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項４】
請求項３に記載のレンズ鏡筒において、
前記第２カム筒は、カム溝を有し、
前記移動コマは、前記カム溝に係合するカムフォロアを一体的に備え、
前記第２カム筒の回転により、前記移動筒を移動することを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のレンズ鏡筒において、
第１のレンズ群と、前記第１カム筒の回転によって前記第１のレンズ群との間隔が変更される第２のレンズ群とを有し、
前記連動部材は、前記第１および第２のレンズ群の間隔が最短となる状態で、前記固定筒の端部に最も近接して位置することを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれか一項に記載のレンズ鏡筒において、
前記第１のレンズ群を保持する第１レンズ保持枠と前記第２のレンズ群を保持する第２レンズ保持枠との間隔を、前記第１のレンズ群と第２のレンズ群との間隔よりも狭くしたことを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項７】
請求項６に記載のレンズ鏡筒において、
前記第２レンズ保持枠は、該第２レンズ保持枠の外周において全周に亘って設けられたフランジ部を有し、
前記第１レンズ保持枠は、該第１レンズ保持枠から前記フランジ部に対向する突起を有することを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項８】
請求項２〜７のいずれか一項に記載のレンズ鏡筒において、
前記第１のレンズ群と前記第２のレンズ群との間隔を、規定の位置に結像不可能な状態に短縮可能であることを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒を備える撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、円筒状の固定筒（６０）と、前記固定筒（６０）に対して回転可能な第１カム筒（７１）と前記固定筒（６０）に対して前記第１カム筒（７１）とは反対側に嵌合するとともに、前記固定筒（６０）に対して回転可能な第２カム筒（７３）と、前記固定筒（６０）の端部に隣接して配置されるとともに、前記第１カム筒（７１）と前記第２カム筒（７３）とを連動する連動部材（９０）とを備えることを特徴とするレンズ鏡筒（１）である。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のレンズ鏡筒（１）において、前記固定筒（６０）は、直線状の直進溝（６１）を有し、前記直進溝（６１）に係合して該直進溝（６１）に沿って移動する矩形状の移動コマ（１００）を備えることを特徴とするレンズ鏡筒（１）である。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のレンズ鏡筒（１）において、前記固定筒（６０）に嵌合して該固定筒（６０）に対して移動可能な移動筒（７２）を有し、前記移動コマ（１００）は、前記移動筒（７２）に設けられたことを特徴とするレンズ鏡筒（１）である。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のレンズ鏡筒（１）において、前記第２カム筒（７３）は、カム溝（７３ａ）を有し、前記移動コマ（１００）は、前記カム溝（７３ａ）に係合するカムフォロア（１０２）を一体的に備え、前記第２カム筒（７３）の回転により、前記移動筒（７２）を移動することを特徴とするレンズ鏡筒（１）である。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載のレンズ鏡筒（１）において、第１のレンズ群（Ｌ１）と、前記第１カム筒（７１）の回転によって前記第１のレンズ群（Ｌ１）との間隔が変更される第２のレンズ群（Ｌ２）とを有し、前記連動部材（９０）は、前記第１および第２のレンズ群（Ｌ２）の間隔が最短となる状態で、前記固定筒（６０）の端部に最も近接して位置することを特徴とするレンズ鏡筒（１）である。
請求項６に記載の発明は、請求項２〜５のいずれか一項に記載のレンズ鏡筒（１）において、前記第１のレンズ群（Ｌ１）を保持する第１レンズ保持枠（１１）と前記第２のレンズ群（Ｌ２）を保持する第２レンズ保持枠（２０）との間隔を、前記第１のレンズ群（Ｌ１）と第２のレンズ群（Ｌ２）との間隔よりも狭くしたことを特徴とするレンズ鏡筒（１）である。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載のレンズ鏡筒（１）において、前記第２レンズ保持枠（２０）は、該第２レンズ保持枠（２０）の外周において全周に亘って設けられたフランジ部（２３Ｂ）を有し、前記第１レンズ保持枠（１１）は、該第１レンズ保持枠（１１）から前記フランジ部（２３Ｂ）に対向する突起（１２Ａ）を有することを特徴とするレンズ鏡筒（１）である。
請求項８に記載の発明は、請求項２〜７のいずれか一項に記載のレンズ鏡筒（１）において、前記第１のレンズ群（Ｌ１）と前記第２のレンズ群（Ｌ２）との間隔を、規定の位置に結像不可能な状態に短縮可能であることを特徴とするレンズ鏡筒（１）である。
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒（１）を備える撮像装置（２００）である。
なお、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。