【事件の表示】
　特願２００２−１３８４０６「半導体レーザの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月２１日出願公開、特開２００３−３３２６７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１４年５月１４日の出願であって、平成１９年１２月２６日付け及び平成２０年６月６日付けで手続補正がなされたが、同年９月２２日付けで平成２０年６月６日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月３０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１１月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年１１月１７日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２０年１１月１７日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正の内容 
　平成２０年１１月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のとおりの請求項１に補正することを含むものである。
「ウエハ主面にドライエッチング技術を用いて回折格子幅／周期が５０±１０％である回折格子を形成する工程と、前記回折格子を含むウエハ主面上に結晶成長温度ＴＧ１で第１の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程と、前記第１の半導体層上に結晶成長温度ＴＧ２で第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程と、を含んでなり、前記結晶成長温度ＴＧ１が、前記結晶成長温度ＴＧ２より５０〜７０℃低温であり、前記第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程後、光導波方向における前記回折格子の側面とウエハ主面のなす角が７５度以上８５度以下であることを特徴とする半導体レーザの製造方法。」
　
２．補正の目的
　請求項１に係る上記補正は、補正前の請求項１の「回折格子」を「回折格子幅／周期が５０±１０％である」ものに限定するので、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
３．独立特許要件
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
（１）引用例
　原査定と同日付けでなされた補正の却下の決定の理由において引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１９５８３６号公報（以下「引用例」という。）には下記の記載がある。
　
ア「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項７】  回折格子が形成された基板上に第一の基板温度で光ガイド層および基板と同一材料のスペーサ層の一部をこの順で形成する工程と、スペーサ層の成長を中断して前記第一の基板温度よりも高い第二の基板温度へ基板温度を昇温させる工程と、該第二の基板温度で前記スペーサ層の残りの部分および活性層をこの順で形成する工程とを有することを特徴とする半導体光素子の製造方法。
【請求項８】  前記第一の基板温度が５５０℃以上６３０℃以下であることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項９】  前記第二の基板温度が６５０℃以上７５０℃以下であることを特徴とする請求項６乃至８いずれかに記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項１０】  前記光ガイド層、前記スペーサ層および前記活性層を有機金属気相成長法により形成することを特徴とする請求項６乃至９いずれかに記載の半導体光素子の製造方法。」
　
イ「【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２１】以下、本発明の第一の実施形態として図１に示した活性層断面構造を有するＤＦＢ−ＬＤについて図２、３の製造工程図に基づいて説明する。まず図２（ａ）に示すように、干渉露光あるいは電子ビーム露光とエッチングによりｎ−ＩｎＰ基板２に回折格子１を形成する。次いで、ｎ−ＩｎＰ基板２をＭＯＶＰＥ成長室に配置し、水素中にホスフィンとアルシンを導入した混合雰囲気中でｎ−ＩｎＰ基板２を第一の基板温度まで昇温する。この第一の基板温度は、好ましくは５５０℃以上６３０℃以下、さらに好ましくは５７５℃以上６００℃以下とする。５５０℃以上とすることにより、良好な結晶性を有するＩｎＧａＡｓＰガイド層が再現性良く成長できる。また６３０℃以下とすることにより良好な回折格子保存高さの制御性・再現性が得られる。なお基板温度は、基板を保持するホルダーの温度を熱電対により測定し、この値を適宜較正することにより測定することができる。
【００２２】次いで、図２（ｂ）に示すように第１の成長基板温度でＩｎＧａＡｓＰガイド層３および第１のＩｎＰスペーサ層６ａを成長する。引き続きホスフィン雰囲気中で第２の成長基板温度まで昇温待機し、基板温度の安定後、図２（ｃ）に示すように第２のＩｎＰスペーサ層６ｂ、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層５の成長を行う。第２の成長基板温度は６５０℃以上７５０℃以下が好ましい。このような温度とすることにより優れたＩｎＧａＡｓＰ活性層の結晶品質が得られる。この後、図３（ａ）に示すようにストライプ状のメサをエッチングにより形成し、次に液相成長法によりｐ−ＩｎＰブロック層７、ｎ−ＩｎＰブロック層８、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層９、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０を順次成長した後、ストライプ状開口を有するＳｉＯ２絶縁膜１１を形成し、ＳｉＯ２絶縁膜１１上及びｎ−ＩｎＰ基板２裏面に電極を形成する。最後に劈開により端面を形成した後、前方端面および後方端面にそれぞれ無反射コーティングおよび高反射率コーティングを施し、図３（ｂ）のようなＤＦＢ−ＬＤを作製する。
・・・
【００２５】
【実施例】（実施例１）この実施例１は前述の本発明の第一の実施形態に係る波長１．３μｍ帯のＤＦＢ−ＬＤの作製例である。
【００２６】図８は実施例１の１．３μｍ帯ＤＦＢ−ＬＤの活性層断面を示したものであり、本図と図３を参照しながら本素子の製造方法を説明する。まず図８（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板２上に周期２０３ｎｍ、深さ１００ｎｍの回折格子１を二光束干渉露光法によって形成する。次いで、ｎ−ＩｎＰ基板をＭＯＶＰＥ成長室に配置し、水素雰囲気中に１００％ホスフィンガス１００ｃｃ／ｍｉｎと１０％アルシンガス１２ｃｃ／ｍｉｎを導入し、基板を６２５℃まで昇温する。１０分の昇温待機時間の後、この基板温度６２５℃で図８（ｂ）に示すようにＩｎＧａＡｓＰガイド層３（ＰＬ発光波長１．０５μｍ、厚さ９０ｎｍ）および第１のＩｎＰスペーサ層６ａ（厚さ１０ｎｍ）を成長する。引き続きホスフィン雰囲気中で６７５℃まで昇温し、３分間の昇温待機時間の後、図８（ｃ）に示すように第２のＩｎＰスペーサ層６ｂ（厚さ２０ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層（ＰＬ発光波長１．１３μｍ、厚さ４０ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸層（圧縮歪量１．０％、厚さ４ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰ障壁層（ＰＬ発光波長１．１３μｍ、厚さ６ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ−ＳＣＨ層（ＰＬ発光波長１．１３μｍ、厚さ６０ｎｍ）からなる歪ＭＱＷ活性層４（量子井戸数１０、ＰＬ発光波長１．３０５μｍ）、ならびにｐ−ＩｎＰクラッド層５（厚さ０．８μｍ）の成長を行う。この後、図３（ａ）に示したように幅１．５μｍのストライプメサをエッチングにより形成し、液相成長法によりｐ−ＩｎＰブロック層７、ｎ−ＩｎＰブロック層８、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層９、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０を順次成長した後、ストライプ状開口を有するＳｉＯ２絶縁膜１１を形成し、ＳｉＯ２絶縁膜１１上及びｎ−ＩｎＰ基板２裏面に電極を形成する。最後に共振器長３００μｍに劈開した後、前方端面および後方端面にそれぞれ反射率１％および９０％のコーティングを施し、図３（ｂ）のようなＤＦＢ−ＬＤを作製した。
【００２７】本実施例においては回折格子保存高さの設計値を２５ｎｍとしたが、３回の素子作製における２インチウェハ内各５点、合計１５点の回折格子保存高さは平均値２５．２ｎｍ、標準偏差１．２ｎｍであり、本発明を用いずに光ガイド層からｐ−ＩｎＰクラッド層までの成長を一貫して基板温度６７５℃で行った場合の平均値２２．５ｎｍ、標準偏差６ｎｍと比較して大幅に制御性・再現性が改善された。また本実施例において作製した活性層のＰＬ発光強度およびＰＬ半値幅は、基板温度６７５℃で一貫して成長した活性層の発光強度と同等であり、基板温度６２５℃で一貫して成長した活性層と比較すると、１．７倍の発光強度、２７％狭いＰＬ半値幅であった。また、本実施例において作製した３枚の２インチウェハから各１００ｐを任意に抽出した計３００素子の室温での閾値電流およびスロープ効率の中央値はそれぞれ９．３ｍＡ、０．５２Ｗ／Ａ、標準偏差はそれぞれ０．６ｍＡ、０．０７Ｗ／Ａと良好であった」
　
ウ　上記アないしイから、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板上に回折格子を形成する工程と、回折格子が形成された基板上に、良好な回折格子保存高さの制御性・再現性が得られる第一の基板温度６２５℃で光ガイド層および基板と同一材料のスペーサ層の一部をこの順で有機金属気相成長法により形成する工程と、スペーサ層の成長を中断して前記第一の基板温度よりも高く、優れた結晶品質が得られる第二の基板温度６７５℃へ基板温度を昇温させる工程と、該第二の基板温度で前記スペーサ層の残りの部分および活性層をこの順で有機金属気相成長法により形成する工程とを有するＤＦＢ−ＬＤの製造方法。」
　
　　
（２）対比
ア　引用発明の「ＤＦＢ−ＬＤの製造方法」は、本願補正発明と「半導体レーザの製造方法」である点で一致する。
　
イ　本願補正発明の「ウエハ主面」は、本願明細書の段落【００２６】の記載から、基板表面に平行な面を意味するので、本願補正発明の「ウエハ主面にドライエッチング技術を用いて回折格子幅／周期が５０±１０％である回折格子を形成する工程」と、引用発明の「基板上に回折格子を形成する工程」とは、「ウエハ主面に回折格子を形成する工程」である点で一致する。
　
ウ　引用発明の「第一の基板温度６２５℃」、「光ガイド層および基板と同一材料のスペーサ層の一部」、「第二の基板温度６７５℃」及び「スペーサ層の残りの部分および活性層」は、それぞれ、本願補正発明の「結晶成長温度ＴＧ１」、「第１の半導体層」、「結晶成長温度ＴＧ２」及び「第２の半導体層」に相当する。
　
エ　引用発明の「第一の基板温度６２５℃」は、「第二の基板温度６７５℃」より５０℃低温で、有機金属気相成長法はエピタキシャル結晶成長法の一種であるので、引用発明は、本願補正発明の「前記回折格子を含むウエハ主面上に結晶成長温度ＴＧ１で第１の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程と、前記第１の半導体層上に結晶成長温度ＴＧ２で第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程と、を含んでなり、前記結晶成長温度ＴＧ１が、前記結晶成長温度ＴＧ２より５０〜７０℃低温であり」との構成を具備する。
　
オ　上記アないしエから、本願補正発明と引用発明とは、
「ウエハ主面に回折格子を形成する工程と、前記回折格子を含むウエハ主面上に結晶成長温度ＴＧ１で第１の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程と、前記第１の半導体層上に結晶成長温度ＴＧ２で第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程と、を含んでなり、前記結晶成長温度ＴＧ１が、前記結晶成長温度ＴＧ２より５０〜７０℃低温である半導体レーザの製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明は、「ウエハ主面に回折格子を形成する工程」が「ドライエッチング技術を用いて回折格子幅／周期が５０±１０％である回折格子を形成する工程」であるのに対して、引用発明の「ウエハ主面に回折格子を形成する工程」はそのようなものであるのかが不明である点。
　
相違点２：
　本願補正発明は、「前記第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程後、光導波方向における前記回折格子の側面とウエハ主面のなす角が７５度以上８５度以下である」のに対し、引用発明はそのようなものであるのかが不明である点。
　
　
（３）判断
　
ア　相違点１
　はじめに、本願補正発明において、「回折格子幅／周期が５０±１０％である回折格子を形成する」との構成の技術的意義について検討する。
　この構成に関して、本願明細書には、以下の記載がある。
「【００３２】
図４は回折格子幅／周期（以下、ｄｕｔｙと呼ぶ）に対する結合定数の変動を回折格子１２の側面角度１３が４０度と８０度の場合に計算した結果である。なお、回折格子幅は回折格子１２の底部で規定される。結合定数はｄｕｔｙに対して正弦曲線を描く。回折格子１２の側面角度１３が小さくなるにつれて、正弦曲線のピーク値はｄｕｔｙの大きい方に移動する。回折格子周期はおよそ０．２μｍ程度であるので、ｄｕｔｙが５０％以上の回折格子１２を形成するためには加工幅が０．１μｍ以下となり、加工自体が困難となる。それゆえ、ｄｕｔｙは一般に５０％近傍で設計されるが、製造時にはウエハプロセス上必ずｄｕｔｙのばらつきが生じる。
【００３３】
ｄｕｔｙばらつきを５０±１０％とした場合の結合定数の変動幅を、回折格子の側面角度１３が４０度と８０度に対して計算した結果を図５に示す。同じｄｕｔｙばらつきに対して結合定数変動は、回折格子の側面角度１３が８０度の場合では側面角度４０度の場合の半分以下に低減されることが分かる。本発明の実施の形態１の半導体レーザでは回折格子の側面角度１３を７０度以上９０度未満、望ましくは７５度以上８５度以下とし、その中心値を８０度近傍としたので、製造工程上不可避なｄｕｔｙばらつきを低減できるため、結合定数の変動が抑制され、この結果、結合定数の制御性が向上して素子特性が安定する効果がある。」
　以上の記載から、本願補正発明は、回折格子幅／周期を、製造工程上不可避なばらつきを考慮して、一般に設計される５０％近傍の５０±１０％としたものであると認められる。
　しかるところ、ドライエッチング技術を用いて回折格子を形成することは周知（例えば、特開平１１−２８３９６８号公報の段落【０００２】〜【０００４】、【００２８】〜【００３４】、特開平１０−２２５５８号公報の段落【００１４】を参照。）であるので、引用発明にこの周知の技術を採用するとともに、回折格子の回折格子幅／周期を一般に用いられる数値（例えば、特開平８−２４２０３４号公報の段落【０００８】を参照。）である５０％程度とし、引用発明を相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到できたことである。
　
イ　相違点２
　はじめに、本願補正発明において、「前記第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程後、光導波方向における前記回折格子の側面とウエハ主面のなす角が７５度以上８５度以下である」との構成の技術的意義について検討する。
　この構成に関して、本願明細書には、以下の記載がある。
「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ＤＦＢ型半導体レーザでは、光波と回折格子との結合が最も重要なパラメータであり、単一モード性、温度特性等の素子特性を安定化させるため、結合定数を所望の値に作りこむことが最も重要である。しかしながら、上述の従来技術では作製した回折格子の深さ制御の重要性が指摘されているのみで、回折格子の形状における重要な要素の一つである側面角度、すなわち光導波方向における回折格子の側面とウエハ主面のなす角度については何ら言及されてなかった。
【００１１】
また、従来のＤＦＢ型半導体レーザの製造方法では、かかる回折格子の側面角度の制御は困難であった。よって、従来のＤＦＢ型半導体レーザでは製造上不可避な回折格子の周期性ばらつき、つまり回折格子の底部の幅が個々の回折格子間で周期的にばらつくことに起因する結合定数の制御性の悪化が生じ、この結果、素子特性が安定しない問題があった。・・・
【００１２】
本発明の半導体レーザおよびその製造方法は、回折格子の側面角度を所定の角度に制御することにより回折格子における底部の幅の周期性ばらつきに対する結合定数の制御性が向上して、この結果、素子特性の安定した半導体レーザを得ることを目的としている。」
「【００２３】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１における半導体レーザの製造方法を図１〜３に基づき説明する。ここで図１は本発明の実施の形態１における半導体レーザの製造方法、図２は実施の形態１の半導体レーザにおけるＭＱＷ活性層の構成を示す断面図、図３は実施の形態１の半導体レーザにおける回折格子の一部の断面図、をそれぞれ示している。
・・・　
【００２６】
上述のエピタキシャル結晶成長後、電子線露光等のリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用いて光導波方向に沿って所定周期で連続する回折格子１２を形成する。この場合のエッチング深さはｎ型ＩｎＰキャップ層６、ｎ型Ｉｎ０．８Ｇａ０．２Ａｓ０．４Ｐ０．６回折格子層５を経てｎ型ＩｎＰバリア層４の途中にまで達するようにする。また、ｎ型Ｉｎ０．８Ｇａ０．２Ａｓ０．４Ｐ０．６回折格子層５のドライエッチングでは容易にほぼ垂直方向にエッチングできるため、回折格子１２のエッチング角度、つまり回折格子の側面角度１３（図３）はウエハ主面に対して８０度を中心に７０度以上９０度未満の範囲になる。・・・
【００２７】
この際、ｎ型第１ＩｎＰクラッド層７の結晶成長温度ＴＧ１は５００℃とし、ｎ型第２ＩｎＰクラッド層８の結晶成長温度ＴＧ２は５６０℃とする。すなわち、意図的に結晶成長温度ＴＧ１に対して結晶成長温度ＴＧ２を相対的に６０℃程度高温に設定する。このとき、ｎ型第１ＩｎＰクラッド層７は相対的に低温（ＴＧ１）である結晶成長温度５００℃で結晶成長しているため、熱の影響による回折格子１２の形状の変形はｎ型ＩｎＰキャップ層６のみに生じ、ｎ型ＩｎＰキャップ層６下部のｎ型Ｉｎ０．８Ｇａ０．２Ａｓ０．４Ｐ０．６回折格子層５のエッチング形状は変形しない。つまり、回折格子１２の側面角度１３はエッチング直後とほぼ同一の値を示す。これは、ｎ型Ｉｎ０．８Ｇａ０．２Ａｓ０．４Ｐ０．６回折格子層５の上部がｎ型ＩｎＰキャップ層６で覆われて保護されているからである。・・・
【００２９】
次に、ｎ型第２ＩｎＰクラッド層８の結晶成長では結晶成長温度ＴＧ２は相対的に高温である５６０℃に設定しているが、回折格子１２は既に全体をｎ型第１ＩｎＰクラッド層７で覆われているので形状変化は生じず、エッチング直後の回折格子の側面角度１３を良好に保持できる。・・・
【００３０】
その後、光導波路形成を目的としたメサエッチングを行い、次いで、電流狭窄を目的とした電流ブロック構造（図示せず）を結晶成長し、さらにｎ型ＩｎＰコンタクト層９を１μｍ厚積層してエピタキシャル結晶成長を全て完了した後に、ウエハ表面側にｎ電極１０、ウエハ裏面側にｐ電極１１を真空蒸着法、スパッタ法等の手段によって成膜して、ウエハプロセスが終了する。アセンブリ工程において、素子両端面をへき開によって形成し、その前後端面に端面反射膜を形成して、チップ分離を施して単一モード動作する半導体レーザを得る。
【００３１】
このようにして得られた実施の形態１の半導体レーザでは、回折格子１２の形状がエッチング形状のまま保持され、素子完成後の回折格子の側面角度１３がエッチング直後と同じほぼ８０度となること、回折格子を埋め込んだｎ型第１ＩｎＰクラッド層７、ｎ型第２ＩｎＰクラッド層８に結晶欠陥が殆ど発生しないことが透過電子顕微鏡観察によって確認された。
【００３２】
図４は回折格子幅／周期（以下、ｄｕｔｙと呼ぶ）に対する結合定数の変動を回折格子１２の側面角度１３が４０度と８０度の場合に計算した結果である。なお、回折格子幅は回折格子１２の底部で規定される。結合定数はｄｕｔｙに対して正弦曲線を描く。回折格子１２の側面角度１３が小さくなるにつれて、正弦曲線のピーク値はｄｕｔｙの大きい方に移動する。回折格子周期はおよそ０．２μｍ程度であるので、ｄｕｔｙが５０％以上の回折格子１２を形成するためには加工幅が０．１μｍ以下となり、加工自体が困難となる。それゆえ、ｄｕｔｙは一般に５０％近傍で設計されるが、製造時にはウエハプロセス上必ずｄｕｔｙのばらつきが生じる。
【００３３】
ｄｕｔｙばらつきを５０±１０％とした場合の結合定数の変動幅を、回折格子の側面角度１３が４０度と８０度に対して計算した結果を図５に示す。同じｄｕｔｙばらつきに対して結合定数変動は、回折格子の側面角度１３が８０度の場合では側面角度４０度の場合の半分以下に低減されることが分かる。本発明の実施の形態１の半導体レーザでは回折格子の側面角度１３を７０度以上９０度未満、望ましくは７５度以上８５度以下とし、その中心値を８０度近傍としたので、製造工程上不可避なｄｕｔｙばらつきを低減できるため、結合定数の変動が抑制され、この結果、結合定数の制御性が向上して素子特性が安定する効果がある。」
　上記の記載から、本願補正発明は、製造上不可避な回折格子における底部の幅の周期性ばらつきに対する結合定数の変動を抑制し結合定数の制御性を向上させ、結果、素子特性の安定した半導体レーザ素子を得ることを目的とし、そのために、ドライエッチング技術を用いて、回折格子のエッチング角度、つまり光導波方向における前記回折格子の側面とウエハのなす角度をほぼ垂直方向にエッチングし、結果として、当該角度が８０度近傍の７５度以上８５度以下となった後、その後の製造工程を経て完成された半導体レーザにおいて、当該角度が保持されるようにした半導体レーザの製造方法の発明であると認められる。
　すなわち、本願補正発明は、光導波方向における前記回折格子の側面とウエハ主面のなす角が７５度以上８５度以下にエッチングする方法として、ドライエッチング技術を用いて、光導波方向における前記回折格子の側面とウエハのなす角度をほぼ垂直方向にエッチングすること以上の格別な方法を用いるものではないので、本願補正発明は、光導波方向における前記回折格子の側面とウエハのなす角度を、ドライエッチング技術によってほぼ垂直方向にエッチングし、結果として、「光導波方向における前記回折格子の側面とウエハ主面のなす角が７５度以上８５度以下」となった後、「前記第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程後」も、この角度が保持されるようにした半導体レーザの製造方法であると認められる。
　しかるところ、ドライエッチング技術を用いて、回折格子のエッチング角度、つまり光導波方向における前記回折格子の側面とウエハのなす角度をほぼ垂直に形成することは周知（例えば、上記特開平１１−２８３９６８号公報の段落【０００５】〜【０００８】】、【００２８】〜【００３４】、上記特開平１０−２２５５８号公報の段落【００１４】を参照。）であり、引用発明は、「回折格子が形成された基板上に、良好な回折格子保存高さの制御性・再現性が得られる第一の基板温度６２５℃で光ガイド層および基板と同一材料のスペーサ層の一部をこの順で有機金属気相成長法により形成する工程」を有するものであるので、引用発明にこの周知技術を適用し、結果として、引用発明を相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２０年１１月７日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年１２月２６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。 
「　ウエハ主面にドライエッチング技術を用いて回折格子を形成する工程と、
　前記回折格子を含むウエハ主面上に結晶成長温度ＴＧ１で第１の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程と、
　前記第１の半導体層上に結晶成長温度ＴＧ２で第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程と、を含んでなり、前記結晶成長温度ＴＧ１が、前記結晶成長温度ＴＧ２より５０〜７０℃低温であり、
　前記第２の半導体層をエピタキシャル結晶成長する工程後、光導波方向における前記回折格子の側面とウエハ主面のなす角が７５度以上８５度以下であることを特徴とする半導体レーザの製造方法。」（以下「本願発明」という。）
 　 
２．引用例
　上記「第２　３．（１）」に記載のとおりのものである。
　
３．対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明において、「回折格子」が「回折格子幅／周期が５０±１０％である」との限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．（２）及び（３）」で検討したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。