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　特願２００３−１２５８３５「超音波洗浄モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　６８５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件審判に係る出願は，平成１５年４月３０日の出願（パリ条約による優先権主張：２００２年４月３０日　米国）であって，平成１７年７月２７日付け（発送日：同年８月２日）で拒絶理由が通知され，この拒絶理由の通知で指定された期間内である同年１１月２日付けで手続補正されたが，平成１７年１１月２８日付け（発送日：同年１２月６日）で拒絶査定され，平成１８年３月１日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明
　本件審判に係る出願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は，平成１７年１１月２日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
【請求項１】
　複数の切断凹所が形成される表面を備える切断チャックであって，前記切断チャックの表面に取り付けられ，かつ複数の電子パッケージを備える基板から，切断装置が別個の電子パッケージを分離可能にする前記切断チャック，
　前記チャック及び分離された該電子パッケージより上に支持され，かつ前記電子パッケージ上に流体を放出し得るように作動するパルセータノズル，及び
　前記ノズルを通過する流体を超音波により励磁するように構成され，該ノズルと協働する超音波生成器であって，これにより，前記電子パッケージが分離された後ではあるが該電子パッケージが前記切断チャック上に依然として取り付けられた状態で，超音波により励磁された前記流体が前記電子パッケージ上に放出され，かつ該電子パッケージを清掃する，前記超音波生成器を備える超音波洗浄モジュール。
　
３．引用例に記載された発明
（１）引用例１に記載された発明
　この出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物であって，原査定の理由に引用した特開平４−２０６７２５号公報には，図面とともに，次の事項が記載されている。
（ア）「（産業上の利用分野）
　本発明は，半導体ウエーハを洗浄する方法及び装置に関する。」（第２頁左上欄第４行〜第５行）
（イ）「（従来の技術）
　半導体ウエーハをダイシングによりペレット毎に切断する最中に，シリコンくずを除去する洗浄が行われている。」（第２頁左上欄第６行〜第９行）
（ウ）「第３図は，半導体ウエーハをダイシングした後に洗浄する工程で用いられる装置を示したものである。台５は半導体ウエーハ４を搭載するものである。ノズル１の内部に発振子２が設置され，ノズル１に管３が接続されている。管３は純水をノズル１に送るものである。発振子２は，加振器として送られた洗浄液Ａに約０．５ＭＨｚ以上の超音波の振動を与えるためのものである。ノズル２（審決注：ノズル１の誤記と認める。）は振動を与えられた洗浄液Ａを半導体ウエーハ４の表面にかけるものである。台５は矢印Ｃのように回転が可能である。また，ノズル１は管３における図示されていない支持部を支点として矢印Ｂのように回動が可能である。」（第３頁左下欄第１４行〜右下欄第６行）
（エ）「管３を通過した洗浄液Ａが発信子２により約０．５ＭＨｚ以上の超音波の振動が与えられ，ノズル１から台５に搭載された半導体ウエーハ４の表面にかけられる。ノズル１の矢印Ｂのような回動と台５の矢印Ｃのような回転により，半導体ウエーハ４の表面全体に洗浄液Ａｇａかけられる。」（第３頁右下欄第７行〜第１２行）
（オ）「以上の洗浄によって，半導体ウエーハの表面又は切断溝中のシリコンくずを十分に除去することができる。このため，この後のダイボンディングを行う工程において，シリコンくずによって半導体ウエーハに傷がつくことを防止することができる。さらに洗浄液に与える振動の周波数が約０．５ＭＨｚと高いため，静電破壊が発生しない上，細かいシリコンくずをも十分に除去できる。」（第３頁右下欄第１５行〜第４頁左上欄第３行）
　
　ここで，摘示事項（ウ）の「ダイシングした後」の意味は，技術常識から見て，ダイシングにより切断された後の半導体ウエーハは，複数のペレットとなり，台の表面に取り付けられて，洗浄されているものと認められる。
　
　以上の摘示事項から，引用例１には，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されているものと認める。
　
　台及び切断されたペレットより上に支持され，かつ前記ペレット上に流体を放出し得るように作動するノズル，及び
　前記ノズルを通過する洗浄液を超音波により励磁するように構成され，該ノズルと協働する発振子であって，これにより超音波により励磁された前記洗浄液が前記ペレット上に放出され，かつ該ペレットを清掃する，前記発振子を備える半導体ウエーハを洗浄する装置。
　
（２）引用例２に記載された発明
　この出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物であって，原査定の理由に引用した特開２０００−１００７５７号公報には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　
（カ）「【発明の属する技術分野】
　この発明は，集積回路チップのダイシング処理時に，テープを用いることなくテープレス基板を切断する方法および装置と，そのような切断方法および装置に適用される，ネストを用いて基板を支持するためのダイシング用基板支持装置に関するものである。
　　【従来の技術】
　集積回路チップの製造時には，複数の集積回路チップがウェーハまたはプリント基板などの単一基板上に配置されることが多く，この単一基板は集積回路チップを分離するために最終的にダイシングされる。基板は，個々のチップをもたらすために，全製造工程中の実質的にいかなる時点において鋸挽きまたはダイシングされてもよいが，典型的には，ボールグリッドアレーおよびダイが基板上に形成された後に鋸挽きされる。」（【０００１】〜【０００２】）
（キ）「（実施の形態４）
　図８および図９は，この発明の実施の形態４に従った真空保持プレートとネスト機構との組合せを示し，この組合せにより，基板のＢＧＡ面を上に向けた状態でダイシングを行うことができるようになる。図８を参照して，ネスト５０２は複数のネスト開口部５０４を含み，これらはネスト５０２の厚さを通して形成される。・・・（中略）・・・ネスト５０２は真空保持プレート５２０と嵌り合うような形態である。図９の例では，真空保持プレート５２０は真空ブロック台５２０Ａとベースプレート５２０Ｂとを含む。真空ブロック台５２０Ａは複数の突出した真空ペデスタル５２２を含む。各真空ペデスタル５２２はネスト５０２のネスト開口部５０４内にはまるような形態である。各真空ペデスタル５２２はペデスタル上面５２６をさらに含み，これは，切断されたダイの下面とで切断時に，真空シールを形成するように平らである。各真空ペデスタル５２２は真空ポート５２８をさらに含む。真空ブロック台５２０Ａがベースプレート５２０Ｂ上に取り付けられると，ベースプレート５２０Ｂの凹状チャンバ５３０に真空ポートが接続される。」（【００４１】〜【００４２】）
（ク）「切断される基板をその上に有するネスト５０２が，真空ブロック台５２０Ａの上にネスト５０２を置くことによって真空保持プレートに取り付けられると，真空ペデスタル５２２はネスト５０２のネスト開口部５０４を通って突出する。・・・（中略）・・・したがって，ペデスタルの上面５２６によって基板はネスト５０２の上面５０８から持ち上げられる。・・・（中略）・・・。その後，真空がオンにされ，真空ポート５２８が個々のダイの下面によって基板をしっかりと押さえつけるようになる。真空がオンにされた後，基板が切断され得る。」（【００４３】）
（ケ）「隣接する真空ペデスタル５２２は凹状のチャネル５５０によって隔てられる。このチャネル５５０はカッティングソーの幅よりも遙に広い幅を有して作られるため，切断時に鋸刃の配置に関してある程度の柔軟性と公差を許容する。」（【００４４】）
（コ）「切断の後，真空はオンにされたままであり，図面には示していない上カバーがネスト５０２の上および切断されたダイの上に置かれる。上カバー，切断されたダイおよびネスト５０２の組合せにより，カバー付きネスト固定具が形成される。真空がオンにされたままであるため，切断された個々のダイの各々はこの時点では依然として真空ペデスタル５２２のペデスタル上面５２６上にしっかりと保持されている。・・・（中略）・・・その後，カバー付きネスト固定具が真空保持プレート５２０から持ち上げられる。切断された個々のダイはもはやネスト５０２の上面５０８から持ち上げられないため，下に落ちるか，または上カバーの重さによって下向きに押しやられて上面５０８上に置かれ，かつ保持壁５０６によって移動を制限される。この態様で，上カバーおよび上面５０８はそれらの間にある切断された各ダイを捉え，保持壁５０６により，切断された個々のダイの回転移動および並進移動が実質的に制限される。後に，カバー付きネスト固定具は洗浄／すすぎ／乾燥マシンまで搬送される。」（【００４５】）
　
　以上の摘示事項から，引用例２には，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されているものと認める。
　
　複数のチャネルが形成される表面を備えるダイシング用基板支持装置であって，前記ダイシング用基板支持装置の表面に取り付けられ，かつ複数のダイを備える基板から，カッティングソーが別個のダイを切断するダイシング用基板支持装置であって，前記ダイが切断された後ではあるが該ダイが前記ダイシング用基板支持装置に依然として取り付けられた状態で洗浄される装置。
　
４．対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると，引用発明１における「半導体ウエーハ」が本願発明における「基板」に相当し，以下，それぞれ，「切断」が「分離」，「ノズル」が「パルセータノズル」，「洗浄液」が「液体」，「発振子」が「超音波生成器」，「半導体ウエーハを洗浄する装置」が「超音波洗浄モジュール」に相当する。
　また，引用発明１におけるペレットは，基板から分離される「被洗浄物」である点で本願発明の電子パッケージと共通し，引用発明１における台は，被洗浄物を保持する「チャック」として機能する点で本願発明における切断チャックと共通する。
　
　してみると，本願発明と引用発明１とは，
　
　チャック及び分離された被洗浄物より上に支持され，かつ前記被洗浄物上に流体を放出し得るように作動するパルセータノズル，及び
　前記ノズルを通過する流体を超音波により励磁するように構成され，該ノズルと協働する超音波発生器であって，これにより超音波により励磁された前記流体が前記被洗浄物上に放出され，かつ該被洗浄物を清掃する，前記超音波発生器を備える超音波洗浄モジュール。
　
　である点で一致し，次の点で相違する。
　
・本願発明は，「チャック」が「複数の切断凹所が形成される表面を備える切断チャックであって，前記切断チャックの表面に取り付けられ，かつ複数の電子パッケージを備える基板から，切断装置が別個の電子パッケージを分離可能にする前記切断チャック，」であって，「前記電子パッケージが分離された後ではあるが該電子パッケージが前記切断チャック上に依然として取り付けられた状態で」洗浄されるのに対して，引用発明１は，「チャック」が，単なる「台」である点（以下，「相違点１」という。）。
・本願発明は，「被洗浄物」が「電子パッケージ」であるのに対して，引用発明は「ペレット」である点（以下，「相違点２」という。）。
　
５．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　
　相違点１について検討すると，引用発明２における「チャネル」，「ダイシング用基板支持装置」，「カッティングソー」が本願発明における「切断凹所」，「切断チャック」，「切断装置」に相当する。
　また，引用発明２における「ダイ」は，引用発明１における「ペレット」と同様に，「被洗浄物」である点で本願発明における電子パッケージと共通するものである。
　してみると，引用発明２は，「複数の切断凹所が形成される表面を備える切断チャックであって，前記切断チャックの表面に取り付けられ，かつ複数の被洗浄物を備える基板から，切断装置が別個の被洗浄物を切断する切断チャックであって，前記被洗浄物が切断された後ではあるが該被洗浄物が前記切断チャックに依然として取り付けられた状態で洗浄される装置。」ということができるものであり，すなわち，ダイシングした基板を支持装置に支持したままで洗浄するための装置であるといえる。
　そして，引用発明１と引用発明２とは関連する技術分野に属する発明といえるものであって，引用発明１及び引用発明２に接した当業者が，引用発明１におけるチャックとして，引用発明２の適用を試みることは，通常の能力の発揮というべきであり，格別困難なものとはいえない。
　
　ついで，相違点２について検討するにあたり，本願発明の「電子パッケージ」なる用語について検討すると，願書に添付した明細書には，「電子パッケージ」なる用語について，「半導体チップスケールパッケージのような多数の別個の電子パッケージ」と記載されている（段落【０００２】）ことから，「電子パッケージ」とは，少なくとも「半導体チップスケールパッケージ」を含む概念であると認められる。
　そして，審判請求人は，電子パッケージに関し，審判請求書中で以下のとおり主張している。
「平成１７年１１月２日付意見書でも述べたように，複数の電子パッケージを有する基板を清掃するために超音波ノズルを使用することは自明ではない。 
 　１−４）何故なら，“電子パッケージ”は，集積回路を外部から保護するためにカプセルに封じ込め，かつこの電子パッケージを外部に電気接続するために基板に結合した，パッケージされた集積回路を意味するからである。 
 　１−５）それ故に，この電子パッケージは基板に実装された半導体チップ，ダイと基板間の電気接続，及びプラスチックカプセル封じを含む。 
 　１−６）電子パッケージはウェーハと比べて全く異なる特性を有し，かつ異なる仕方で取り扱われるものである。 
 　１−７）電子及び半導体業界では，伝統的に，電子パッケーを清掃するために超音波を用いてこなかった。何故なら，或る超音波周波数は電子パッケージ内のワイヤー結線の共振周波数に近いためであり，かつパッケージ内のワイヤーで結線された電子素子に影響を及ぼし得るからである（本願明細書[００１２]段落の「何故なら，これらのタンクに対する超音波駆動周波数は，大抵，電子装置の結線の共振周波数に近いレベルである約４０キロヘルツであり，かつ基板１の結線された電子装置に影響を及ぼし得るためである。」との記載を参照されたい）。 」 　
　しかしながら，半導体チップスケールパッケージは，従来からよく知られている電子パッケージのようなワイヤー結線はなされないものであって，洗浄にあたっての取扱いは，半導体チップと同様に行われるものであることが，従来周知である（例えば，特開２０００−７７３６３号公報の段落【０００７】には，「ＣＳＰ等の被加工物を所定の治具に収容したま状態のままで切削工程，洗浄工程及び乾燥工程を順次遂行するものであり，特に洗浄工程において比較的高温に加熱した洗浄水を使用した超音波洗浄を行う」ことが記載されており，また，特開２０００−３２３４３９号公報の段落【００１５】には，「前記洗浄部６０は，切断部５０で切断されたチップＣをウェーハフレームＦに載置したままスピン洗浄する。」と記載されている。）。
　また，そもそも，従来からの電子パッケージの如く，ワイヤー結線により半導体チップと外部とを電気的に接続するものは，電子パッケージをダイシングして洗浄するような工程が必要とされることはなく，してみると，審判請求人の主張は，そもそも半導体チップスケールパッケージにないワイヤ結線の存在を前提とした，明細書の記載に基づかない主張というべきであって，採用することはできない。
　
　したがって，本願発明は，引用発明１及び引用発明２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
６．むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明１及び引用発明２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。