【事件の表示】
　平成１０年特許願第５２１０９８号「基盤上に形成された薄層およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年５月１４日国際公開，ＷＯ９８／２０５４３，平成１３年３月１３日国内公表，特表２００１−５０３５６８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成９年１１月４日の出願（パリ条約に基づく優先権主張：１９９６年１１月５日，仏国）の出願であって，平成２０年１２月１６日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２１年４月３日に審判請求がされるとともに，平成２１年４月３日に手続補正書が提出されたものである。
　
２　補正の適否について
　平成２１年４月３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正）の内容は，補正前の特許請求の範囲の請求項１０及び１１を削除するものであり，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項１号に掲げる補正目的（請求項の削除）に該当するから，補正の要件を満たす。
　
３　本願発明について
　本件補正によれば，本願の特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである（以下，請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
【請求項１】
「第２の材料からなる支持部材上に第１の材料からなる薄層を形成する方法であって，
　−前記第１の材料からなる母材（１）の表面（２）にイオン（３）によるイオン照射を行い，母材のイオン入射深さと同程度の位置にミクロ空隙層を形成し，当該層によって母材をイオン照射を受けた表面（２）とミクロ空隙層（４）との間の薄層領域（５）を含む２つの領域に分割する工程と，
　−母材（１）のイオン照射を受けた面（２）を支持部材（６）の対応する表面に密着させる密着工程と，
　−ミクロ空隙層（４）によって母材（１）が２つの領域に分割される為に充分な温度による熱処理工程を有する方法であって，
　−さらに母材（１）および支持部材（６）のうちの少なくとも一方を，薄肉化された厚さが，密着された両部材が上記の熱処理工程中に両部材の熱膨張係数の相違で発生する応力に抗して密着を維持することができる厚さであることを特徴とする方法。」
　
４　引用例とその記載内容（引用発明）
（１）引用例とその記載内容
　原審の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−２１１１２８号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜４とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの，以下同じ。）。
　　ア　産業上の利用分野及び従来技術
・「【０００１】【産業上の利用分野】
本発明は，薄い半導体材料フィルム，好ましくは単結晶質フィルムの製造に適用可能な製造方法に関する
【０００２】【従来の技術】単結晶質半導体フィルムの製造には種々の方法があるが，多結晶質材料フィルム又は非晶質材料フィルムの製造が比較的簡単である一方で，単結晶質フィルムの製造が遥かに困難なために，これらの方法の実施がしばしば複雑で，費用がかかることは知られている。・・・」
　
　　イ　発明が解決しようとする課題
・「【００１３】【発明が解決しようとする課題】
本発明は
均質で調整された厚さを有するフィルムの製造を可能とする薄い半導体材料フィルムの製造方法に関する
　
　　ウ　課題解決手段
・「【００１４】【課題を解決するための手段】この薄いフィルムの製造方法は，半導体材料が完全に単結晶質の場合にはその面が主要結晶面と実質的に平行であり，材料が多結晶質の場合にはその面が全ての粒子に対して同一指数の主要結晶面に対して僅かに傾斜している
半導体材料ウェーハを，以下の３つの段階：基板のバルクを構成する下方区域６と薄いフィルムを構成する上方区域５とを前記ウェーハの容積部内に限定する微小気泡の層３をイオンの平均進入深さに近い深さの前記ウェーハの容積部に生じる，イオンにより行われる前記ウェーハ１の面４へのボンバード２による注入の第１段階であって，イオンは水素ガスイオン又は稀ガスイオンの中から選択され，注入中のウェーハ温度は，注入イオンにより発生されたガスが拡散により半導体から放出し得る温度より低く維持されている第１段階と，前記ウェーハの平面４を，少なくとも１つの剛性材料層からなる補剛材７と密着させる第２段階と，イオンボンバード２が実施される温度よりも高く，且つこの段階中に前記補剛材と前記ウェーハの平面とは密着させたままで，ウェーハ１中の結晶の再配列作用及び微小気泡内の圧力作用により薄いフィルム５と基板６のバルクとを分離させるのに適した温度で前記ウェーハ１と前記補剛材７とのアセンブリを熱処理する第３段階とで処理することを包含することを特徴とする
【００１５】従って，
本発明は，格子を構成する全ての粒子が半導体面に実質的に平行な主要結晶面（該面は全ての半導体粒子に対して同一指数，例えば（１，０，０）を有する）を有するならば，多結晶質半導体材料にも適用される
・「【００１７】本発明では，イオン注入が実施されるウェーハの温度は作業中常に調整され，その結果温度は，注入イオンによって発生されたガスが急速に拡散し且つ半導体から放出する臨界温度よりも低く維持される。例えば該臨界温度はシリコンへの水素注入の場合で約５００℃である。この温度を超えると，微小気泡が形成されないために，この方法は効果がなくなる。シリコンの場合には，２０〜４５０℃の注入温度が好ましい。
【００１８】ウェーハ−補剛材アセンブリの熱処理という第３段階中には，イオン注入によって発生された無秩序に続いての結晶の再配列が生じる。共に第３段階の熱処理によって生じる結晶の再配列とマクロな気泡を生じる気泡の凝集とによってフィルムと基板とが分離される。これらの気泡内の気体圧力の作用下では，半導体面は高い応力を受ける。表面変形及び形成されたマクロ気泡に相当する火ぶくれ状態の生成を避けることが所望されるならば，これらの応力を補償することが重要である。従って，火ぶくれ状態は，マクロな気泡がその最終成長段階に達して互いに凝集する前に，小さく粉々になり得る。従って，
連続する半導体フィルムの製造が所望されるならば，熱処理段階中に生じる応力を補償することが必要である
本発明に基づけば，この補償は半導体ウェーハ面と補剛材とを密着させることによって行われる
補剛材の機能は，ウェーハ面との接触及びその機械特性により，マクロな気泡によって発生された応力が補償されることである
従って，半導体フィルムは最終的に壁開するまで，熱処理段階中常に平坦且つ損なわれないままであり得る
・「【００１９】
本発明の基づけば，補剛材の製造方法の選択及び補剛材の種類はフィルムについて考えられる各適用によって決まる
例えば意図される用途が絶縁体上シリコン基板の製造ならば，補剛材は，酸化物層又は窒化物層のような少なくとも１つの誘電層によって被覆されたシリコンウェーハからなることが有利であり得る
【００２０】
補剛材について選択された厚さが適当であれば，即ち数マイクロメータ〜数十マイクロメータならば，補剛材は蒸発，アトマイゼーション，プラズマ又は光子によって任意に支援され得る化学蒸着のような方法によってウェーハに結合され得るか又はウェーハ上に製造され得る
【００２１】密着という用語は，例えば静電圧力及び／又は付着接触によって補剛材をウェーハ上に押圧することによって得られる接触を意味する。
【００２２】従って，本発明の補剛材は更に，補剛材及びウェーハ両方に接着性物質を使用して，又は接着性物質の使用が所望されない場合には補剛材と半導体ウェーハとの原子間結合を助けるために，結合されるべき表面の少なくとも１つを先に製造し且つ任意に圧力の選択を伴う熱処理及び／又は静電処理を実施することにより半導体ウェーハに結合され得る。補剛材は静電圧力によってもウェーハに付着され得る。」
・「【００２３】
自立膜の製造に関する適用については，補剛材をフィルムから簡単且つ選択的に分離することができるように補剛材の種類を選択することが適切である
参考までに，単結晶質シリコン膜を製造するには，例えば酸化シリコン補剛材を選択することが可能であり，この補剛材はそれから，プロセスの第３の熱処理段階の後にフッ化水素酸浴中で除去される
・「【００２４】本発明方法の特徴として，第２段階及び第３段階での作業温度の選択は以下の要件に適合せねばならない。ウェーハ上に補剛材を設置するには，第３段階の処理を開始させ得る温度を適用してはならない。このために本発明に基づけば，第３段階の熱処理の温度よりも低い温度でプロセスの第２段階を実施することが必要である。本発明ではこの熱処理は，結晶再配列と気泡の凝集とが効果的に生じる温度で実施されねばならない。例えばシリコンの場合，結晶再配列と気泡の凝集とが適切な動力学で生じ得るには約５００℃を超える温度が必要である。」
・「【００２５】本発明方法を実施するに当たって，ボンバードによる注入に使用されるイオンは通常Ｈ+イオンであるが，この選択は限定的であるとみなすべきではない。従って本方法の原理は，分子水素イオン又はヘリウム，ネオン，クリプトン及びキセノンのような稀ガスのイオンを単独で若しくは組み合わせて使用して適用され得る。
本発明方法を工業的に適用するには，ＩＶ族半導体が好ましく，例えばシリコン，ゲルマニウム，炭化シリコン及びシリコン−ゲルマニウム合金の使用が可能である
　
　　エ　実施例
・「【００２６】【実施例】添付図面を参照して本発明の非制限的実施例を更に詳細に説明する。
【００２７】
これから添付図面を参照して説明する実施例は，Ｈ
+
イオン注入による単結晶質シリコンウェーハ内での薄いフィルムの製造に関する
【００２８】その表面が主要結晶面，例えば（１，０，０）面に相当する単結晶質シリコンウェーハに１５０ｋｅＶでＨ+イオン（プロトン）を注入すると，注入線量が少ない（＜１０16ｃｍ-2）場合には，
図１に示すように深さＲｐで最大濃度を有する深さＰに対する水素濃度プロフィールＣが得られる
【００２９】
約１０
16
ｃｍ
-2
の線量では，注入水素原子は気泡を形成し始め，これらの気泡は表面に平行な面の付近に配分されている。表面の面は主要結晶面に相当し，また結果的に劈開面となる微小気泡面についても同様である
【００３０】
１０
16
ｃｍ
-2
を超える（例えば５・１０
16
ｃｍ
-2
）注入線量では，シリコンを２つの部分に劈開させる気泡と，厚さが１．２マイクロメータの上方フィルム（薄いフィルム）と，基板のバックとの融合を加熱により開始させることが可能である
【００３１】
水素注入は有利な例である。何故ならば，シリコン中でのイオンの制動プロセスは事実上イオン化（電子制動）だからである
原子移動による原子核型制動は飛程の最後にのみ生じる。それ故シリコンの表面層では非常に僅かな欠陥だけが生じ，限定された厚さにわたり，気泡が深さＲｐ（最大濃度の深さ）の付近に集中されている
【００３２】本発明方法を使用すると，注入エネルギを選択することにより広い厚さ範囲内で薄いフィルムの厚さを選択することが可能となる。この特性は，注入イオンの原子番号ｚが小さいだけに一層重要である。例えば以下の表は，Ｈ+イオン（ｚ＝１）の異なる注入エネルギに対して得られ得るフィルムの厚さを示している。
【００３３】
　Ｈ+イオンのエネルギ（ｋｅＶ）　 10　50　100　150　200　500　1000
　フィルムの厚さ（μｍ）　　　　　0.1　0.5　0.9　1.2　1.6　4.7　13.5
図２は封入層１０で任意に被覆された半導体ウェーハ１を示し，該層は，主要結晶面に平行な平面４を通してのＨ
+
イオンのイオンボンバード２を受けている
面４に平行に微小気泡層３を認めることができる
【００３４】図３は，半導体ウェーハ１の面４と密着された補剛材７を示している。本発明の有利な実施例では，材料へのイオン注入は高温酸化シリコン封入層１０を通じて行われ，補剛材７は少なくとも１つの誘電層によって被覆されたシリコンウェーハからなっている。
【００３５】他の実施例は，半導体材料に補剛材を固定するために静電圧力を使用している。この場合，例えば５０００Ａ厚さの酸化シリコン層を有するシリコン補剛材が選択される。ウェーハの平面は補剛材の酸化物と接触させられ，ウェーハと補剛材との間には数十ボルトの電位差が適用される。ここで得られる圧力は数１０5〜１０6パスカルである。
【００３６】図４は，基板６のバルクから空間８によって離隔された，補剛材７に結合されたフィルム５を示している。」
　
（２）引用発明と引用発明についての補足説明
（２−１）引用発明
　上記ア〜エによれば，引用例には，
　「補剛材（７）上に薄い半導体フィルム（５）を形成する方法であって，
　半導体フィルムの材料からなる半導体ウェーハ（１）の表面にイオン注入（イオンボンバード（２））を行い，半導体ウェーハ（１）のイオンの平均進入深さに近い深さ（イオン注入深さと同程度の深さ）の位置に微小気泡層（３）を形成し，当該層によって半導体ウェーハ（１）を，イオン注入を受けた面（４）と微小気泡層（３）との間の薄い半導体フィルムを構成する上方区域（５）を含む２つの領域に限定する工程と，
　半導体ウェーハ（１）のイオン注入を受けた面（４）と補剛材（７）とを密着させる工程と，
　微小気泡層（３）の微小気泡内の圧力作用によって半導体ウェーハ（１）を２つの領域（薄い半導体フィルムを構成する上方区域（５）と基板のバルクを構成する下方領域（６））に分離させるのに適した温度で熱処理を行う工程，
　を含む方法。」
　が開示されているといえる（以下，この発明を「引用発明」という。）。
　　
（２−２）引用発明についての補足説明
　引用例の段落【００１５】の記載によれば，引用発明に用いられる半導体ウェーハ（１）の材料は，多結晶でもよいとされているから，単結晶に限定されるものではなく，また，段落【００２５】の記載によれば，ゲルマニウム，炭化シリコン等でもよいとされているから，シリコンに限定されないことは明らかである。
　また，補剛材（７）の材料については，引用例の段落【００１９】では，「
補剛材の製造方法の選択及び補剛材の種類はフィルムについて考えられる各適用によって決まる
補剛材について選択された厚さが適当であれば，即ち数マイクロメータ〜数十マイクロメータならば，補剛材は蒸発，アトマイゼーション，プラズマ又は光子によって任意に支援され得る化学蒸着のような方法によってウェーハに結合され得るか又はウェーハ上に製造され得る
自立膜の製造に関する適用については，補剛材をフィルムから簡単且つ選択的に分離することができるように補剛材の種類を選択することが適切である
参考までに，単結晶質シリコン膜を製造するには，例えば酸化シリコン補剛材を選択することが可能であり，この補剛材はそれから，プロセスの第３の熱処理段階の後にフッ化水素酸浴中で除去される
　以上の記載からすると，引用発明に用いられる半導体ウェーハ（１）と補剛材（７）の材料について，有利な組合せがあるものの，両者は，必ずしも同じ材料で構成されている必要はないことが明らかである。
　　
５　本願発明と引用発明の一致点及び相違点
（１）対比
　本願発明と引用発明とを対比すると，
・引用発明の「補剛材（７）」，「薄い半導体フィルム（５）」，「微小気泡層（３）」，「半導体ウェーハ（１）」は，それぞれ，本願発明の「支持部材（６）」，「薄層」，「ミクロ空隙層（４）」，「母材（１）」に相当する。
・引用発明の「イオン注入（イオンボンバード（２））」は，本願発明の「イオン（３）によるイオン照射」に相当する。
・引用発明の「微小気泡層（３）の微小気泡内の圧力作用によって半導体ウェーハ（１）を２つの領域（薄い半導体フィルムを構成する上方区域（５）と基板のバルクを構成する下方区域（６））に分離させるのに適した温度で熱処理を行う工程」は，表現は異なるものの，本願発明の「ミクロ空隙層（４）によって母材（１）が２つの領域に分割される為に充分な温度による熱処理工程」と同じことである。
　　
（２）一致点及び相違点　
　そうすると，本願発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　《一致点》
「支持部材上に薄層を形成する方法であって，
　−母材（１）の表面（２）にイオン（３）によるイオン照射を行い，母材のイオン入射深さと同程度の位置にミクロ空隙層を形成し，当該層によって母材をイオン照射を受けた表面（２）とミクロ空隙層（４）との間の薄層領域（５）を含む２つの領域に分割する工程と，
　−母材（１）のイオン照射を受けた面（２）を支持部材（６）の対応する表面に密着させる密着工程と，
　−ミクロ空隙層（４）によって母材（１）が２つの領域に分割される為に充分な温度による熱処理工程，
　を有する方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願発明では，支持部材（６）と，薄層が形成される母材（１）とは，前者が第２の材料，後者が第１の材料からなるとされ，両者は異なる材料からなることが前提とされていると理解されるのに対し，引用発明では，母材（半導体ウェーハ）がシリコンからなるものの場合，支持部材（補剛材）もシリコンウェーハからなることが有利であるとされ（引用例の段落【００１９】），両者を異なる材料で構成することは積極的には意図されていない点。
　
《相違点２》
　本願発明は，「さらに母材（１）および支持部材（６）のうちの少なくとも一方を，薄肉化された厚さが，密着された両部材が上記の熱処理工程中に両部材の熱膨張係数の相違で発生する応力に抗して密着を維持することができる厚さである」との構成を備えるのに対し，引用発明はこの構成を欠いている点。
　
６　本願発明の容易想到性について
６−１　本願の優先日前の一般的技術水準について
（１）相違点について検討する前に，基板に半導体薄層を密着させる技術について，本願の優先日前の一般的技術水準を見てみることとする。
　
（２）原審の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物であるTakao Abe, et al., Fabrication and Bonding Strength of Bonded Silicon-Quartz Wafers, Jpn. J. Appl. Phys. Part. 1, Vol. 32, No. 1B,（１９９３年１月）３３４〜３３７頁には，Fig.1〜６とともに，次の記載がある。
　　ア　冒頭の要約
・「
Ａ multiply repeated process of thinning of silicon layer and annealing of the bonded silicon-quartz interface is proposed for tight bonding between ａ silicon wafer and ａ quartz wafer which have different thermal expansion coefficients
Silicon layers on quartz with a thickness of 2μｍ±0.5μｍ were debonded by a high temperature annealing over 650 C， whereas in the case of thinner silicon layers with a thickness under 0.5μｍ tensile strengths over 80 MPa (800 kgf/cm
２
) were　obtained in the temperature range from 700 C to 1100 C
　
　　イ　接合及び薄肉化工程
・「2.1  Bonding and thinning processes
　Prime quality silicon wafers with (100) orientation and synthetic quartz wafers for photomask applications with the same diameter of 100 mm and thickness of 525μｍ are used. 
Ａ cleaned silicon and quartz surface stick strongly together by themselves at room temperature, but the bonding strength is not high enough to use ａ surface grinder to remove the silicon layer with a the thickness of almost 520μｍ
In order to increase the bonding strength of silicon and quartz, high temperature annealing is necessary
However, due to the large difference of the thermal expansion coefficients(Si:2.33×10
-6
/C, Silica:0.6×10
-6
/C), a bonded quartz wafer will be broken above ａ temperature of 180 C. It would be desirable to use ａ thinner silicon wafer, for example ａ thickness of 150μm, but such ａ wafers is too thin to be handled directly
The outline of our process is schematically shown in Fig. 1
At first silicon wafers with thickness of 300μｍ are used as starting silicon material
After bonding at room temperature, the bonded wafer is annealed at 300 C，for 2 h and then etched off at 80 C with ａ KOH solution to ａ silicon thickness of 150μｍ
After annealing at 450 C，for 2 h，the silicon layer is removed by ａ surface grinder to ａ thickness of 5μm and finally polished off by ａ conventional mechano-chemical polisher to two kinds of thicknesses of 2μｍ±0.5μｍ and 0.5μｍ±0.5μｍ
An oxygen ambient is used for the specimen preparations as ａ passivation from surface contaminations but ａ nitrogen ambient over 900 C to avoid thick oxide growth is used for the tensile test annealings for 2 h as  described in the next section
　
　　ウ　結果
・「3.  Results
　
Figure 3 shows the results of the specimens with the thickness of 2μｍ±0.5μｍ at different temperatures. Over 700 C range, all specimens show the fracture of quartz
　
Figure 4 shows the results of the specimens with the thickness of 0.5μm±0.5μｍ
At the temperatures of 700 C and 800 C, almost perfect bonding is obtained under the thickness of 1.0μｍ. At the temperatures of 900 C, 1000 C and 1100 C, almost perfect bonding is only obtained under the thickness of 0.5μｍ
　
　　エ　結論
・「5.　Conclusion
　　Silicon wafers and synthetic quartz wafers with a thickness of 300μm and 525μm, respectively, stick together at room temperature. The silicon layer is then thinned by KOH solution to ａ thickness of 150μm followed by annealing at 300 C for, 2 h in dry O2. After the 2nd annealing with 450 C, 2 h in dry O2 the silicon layer is ground off to 5μm by ａ surface grinder. Finally, the silicon layer is polished to two kinds of the thicknesses: one is 2μｍ±0.5μｍ and the other is 0.5μｍ±0.5 μｍ. 
The thinner silicon layers under 0.5μｍ show a high bonding strengths from low (500 C)to high temperatures (1100 C)
　　
　上記ア〜エの記載から，石英からなる基板とシリコンからなる薄層を接着させようとする場合，熱膨張係数の差に起因する応力により，十分な強度が得られないという問題があること，及び，シリコンからなる薄層を薄くすることにより，応力の差が吸収され，十分な接着強度が得られるようになり，その効果は，薄層が薄いほど高まることが分かる。
　　
（３）本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−１３０５９０号公報（１９９５年５月１９日公開：半導体基板の製造方法）には，図１〜４とともに，次の記載がある。
・「【０００１】【産業上の利用分野】
本発明は，熱膨張係数の異なる２枚の各ウェーハを接合して一体化させたＳＯＩ構造（Ｓｉ／ＳｉＯ
2
構造）による半導体基板の製造方法に関し，特に単結晶のシリコンウェーハと石英ウェーハとを相互に貼着結合して形成するＳＯＩ構造による半導体基板の製造方法に係る
・「【０００８】
本発明は
熱膨張率が相互に異なる２枚の各ウェーハ，つまり，こゝでは，シリコンウェーハと石英ウェーハとの相互を熱処理により貼着結合してＳＯＩ構造による半導体基板を形成する場合，これらの両ウェーハの熱膨張率の差異に起因する熱歪み，ひゞ割れ，部分的な剥離などの熱損傷を生ずる惧れのない，この種のＳＯＩ構造による半導体基板の製造方法を提供する
・「【０００９】【課題を解決するための手段】一般的に，図１において模擬的に示されるような工程において，表面を鏡面仕上げして清浄化したシリコンウェーハと石英ウェーハとの相互を接触させると，これらの両者は，室温においても或る程度までの貼着結合が可能であるが，このような室温程度の温度による貼着では，先にも述べたように薄層化のためのシリコンウェーハの平面研削に耐えるまでの接合力が得られず，しかも，これらの各ウェーハの厚さが５００〜６００μｍ程度である場合などにあっては，当該平面研削に耐える程度の接合力を得るのに必要な高温熱処理が前記したような理由によって不可能である。
【００１０】すなわち，
通常のシリコンウェーハや石英ウェーハの厚さは５００〜８００μｍであり，本発明の半導体基板において，支持部材を構成する石英ウェーハは所定の厚さを維持されるとしても，シリコンウェーハは最終的に１０μｍ以下から，更に１μｍ以下の薄層にまでする関係上，予め３００μｍ位に薄くしたものを使用する
一方のウェーハ（本発明ではシリコンウェーハ）を薄層化すればする程，前記熱膨張係数の差に伴う悪影響を少なくした高温の熱処理が可能となり，より強固な本接合された半導体基板が得られる
　
　以上の記載から，石英ウェーハとシリコンウェーハは，熱膨張率の差に起因する歪み等により，十分な接着強度が得られないという問題があること，及び，一方のウェーハを薄層化すればするほど，熱膨張係数の差に伴う悪影響を少なくできることが分かる。
　
（４）本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−９７３８９号公報（１９９６年４月１２日公開：基板上に半導体薄膜を有する構造の製造方法）には，「従来の技術」として，次の記載がある。
・「【０００２】【従来の技術】
薄膜と異なる性質を有する基板に対して薄膜を配置する際には，一般に，異なる膨張係数に基づく膨張度の差の問題が発生する
薄膜と基板との間の膨張係数の差は，重大な機械的応力をもたらす
【０００３】
既知の薄膜の製造工程，例えば，石英基板への単結晶シリコンの製造は，以下の工程を有している
−石英基板上に単結晶シリコンウェハを周囲温度で固着させる。この場合，固着に先立って両表面を清浄とし，化学処理を施しておく。
−過度に膨張応力を生成させずに結合エネルギを増加させるために，５０から７０℃の低温で熱処理を施す。ここで，過度に膨張応力を生成させてしまうと，基板やウェハが割れたり分離したりすることになる。
−
シリコンウェハを機械的，機械化学的（mechanicochemical） あるいは化学的に侵食して，数マイクロメートルから数十マイクロメートルの厚さのシリコン膜だけを残す
−シリコン膜の固着力を高めるために１００℃を少し超える温度で熱処理を施す。この処理中において
シリコンと石英との境界にはたらく応力は，シリコン膜の膜厚が薄くなるほど，より小さいものとなる
−所望の厚さを得るために膜に対して化学的あるいは機械化学的な最終研磨を行う。
−シリコン・石英間の結合を完全なものとするために，例えば６００℃で高温熱処理を行う。」
　
　以上の記載から，石英基板上に単結晶シリコンウェハを固着させようとする場合，両者の膨張係数の差による応力が問題となるが，シリコンウエハの膜厚を薄くすることにより，両者間に働く応力を小さくできることが分かる。
　
（５）本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−２８６３１０号公報（１９９２年１０月１２日公開：半導体基板）には，図１とともに，次の記載がある。
　　ア　産業上の利用分野及び従来技術
・「【０００１】【産業上の利用分野】
本発明は２枚のウエーハを貼着して形成される半導体基板，特に石英ウエーハとシリコンウエーハを貼着して形成されるＳＯＩ構造（Ｓｉ／ＳｉＯ
２
）の半導体基板とその製造方法に関する
【０００２】【従来の技術】２枚のウエーハを貼着して形成される半導体基板はより高密度化した集積回路を形成する上で有利であり，近年例えばＨＤテレビ対応の液晶デバイス等のＴＦＴと周辺駆動回路形成用基板に前記ＳＯＩ構造の半導体基板が用いられている。」
・「【０００４】しかしながら
シリコンウエーハと石英ガラスの接合の場合は，発明者等の実験によれば両者の接合面を鏡面研磨仕上げを行い，更にその仕上げ面を清浄化したものは室温で強く貼り合うが，そのシリコンウエーハ・・・結合力が不足であり，その熱膨張係数が異なる・・・ために，該加熱処理中若しくは両ウエーハ本接合後の冷却工程中に，一方のウエーハにひびが入ったりまたは剥離が生じて破損する
　
　　イ　解決しようとする課題
・「【０００８】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み，ウエーハ同士を熱処理により貼着して半導体基板を形成するも，
前記した熱膨張率の差異に起因する熱歪，剥離，ひび割れ等の各種の熱損傷が生じる事のない半導体基板とその製造方法を提供する事を目的とする
　
　　ウ　課題を解決する手段　
・「【００１２】本発明はかかる知見に基づいてなされたものであり，先ず請求項１に記載した発明では
低温域で仮接合を行った後，化学的処理にて一のウエーハの薄層化を行い，次に前記低温域より大なる（熱膨張率が影響しない程度の）温度域で加熱処理して本接合を行った後
　
　　エ　実施例
・「【００１８】一方，
ボンドウエーハには直径１００ｍｍで且つ厚さが５４０μｍの円形シリコンウエーハを用意し，これを平面研削により５４０μｍから３００μｍまで薄層化した後，更に表面の凹凸の高さを約５ｎｍ程度で最終仕上げすることにより，３００μｍから２８５μｍまでさらに薄層化させ
　
　上記ア〜エの記載から，石英ウエーハとシリコンウエーハと貼着しようとすると，熱膨張率の差により剥離が生じる問題があること，及び，両者のうち一方（例えばシリコンウエハ（ボンドウエハ））を薄層化することにより，接合強度を高めることができることが分かる。
　
（６）以上によれば，シリコンからなる薄層をこれとは異なる材料からなる基板に密着させようとする場合，両者の熱膨張係数の差に基づく応力により，十分な密着強度が得られないという問題があるが，薄層をより薄くすることで，応力が吸収され，密着力を高めることができる，との知見は，本願の優先日前において当業者の技術常識（周知技術）となっていたものと認められる。
　
６−２　相違点についての検討
（１）相違点１について　
　引用例の実施例では，シリコンからなる薄層（母材）の場合について，補剛材（支持部材）にシリコンウェーハを用いたものが説明されているが，これは，飽くまでも「有利」な実施例（段落【００１９】，【００３４】）として説明されていることからすると，薄層（母材）と補剛材（支持部材）が異なる材料から構成されている場合を排除するものではなく，むしろ，前記４（２−２）「引用発明についての補足説明」で述べたように，両者の材料が異なる場合も想定しているものと理解できる。
　そして，上記６−１で検討したように，シリコンからなる薄膜をこれとは異なる材料の基板と密着させることが，本願の優先日前に周知であったことも考慮すると，引用発明において，薄層（母材）と支持部材を異なる材料で構成するようにすることは，当業者にとって自然な発想といえる。
　
（２）相違点２について
　薄層と支持部材を密着させる場合，両者間に生じる応力を補償する必要があることは，引用発明においても認識されているところ（引用例の段落【００１８】中，後半の記載），薄層と支持部材を異なる材料で構成する場合，熱膨張係数の差に基づく応力の問題がより顕著になることは当業者に自明であり，この問題の解決手段のひとつして，薄層をより薄く（薄肉化）して応力を緩和させることが本願の優先日前に当業者に周知であったことは，上に述べたとおりである。そして，薄肉化は，そもそも，「密着された両部材」が「熱膨張係数の相違で発生する応力に抗して密着を維持する」ために行うのであり，応力の緩和の度合いは薄肉化の程度に依存することが知られていたのであるから，薄層と支持部材を異なる材料で構成するに当たって，「少なくとも母材および支持部材のうちの少なくとも一方」を薄肉化し，「薄肉化された厚さが，密着された両部材が上記の熱処理工程中に両部材の熱膨張係数の相違で発生する応力に抗して密着を維持することができる厚さである」ようにすること（相違点２に係る構成とすること）は，当業者が容易に想到し得たものである。
　　
６−３　小括
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
７　結言
　以上のとおりであるから，本願は，その余の請求項について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。