【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）エレクトロクロミック電極層及び対電極層の一方を含む第１の電極、
ｂ）前記エレクトロクロミック電極層及び前記対電極層の他方を含む第２の電極、
ｃ）少なくとも２つのイオン輸送層及び緩衝層を含む前記第１及び第２の電極間にイオンを伝導するためのイオン伝導体層であって、前記少なくとも２つのイオン輸送層及び前記緩衝層は、前記イオン輸送層が前記第１及び第２の電極と連絡するように前記イオン伝導体層内で互い違いになっているイオン伝導体層であって、前記緩衝層が、リチウム−系セラミック材料、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むイオン伝導体層、
ｄ）第１の導電層、並びに
ｅ）第２の導電層
を含むエレクトロクロミック素子であって、前記第１及び第２の電極並びに前記イオン伝導体層は前記第１及び第２の導電層間に挟まれているエレクトロクロミック素子。
【請求項２】
前記少なくとも２つのイオン輸送層及び前記緩衝層のうちの互いに隣接する２つの層はいずれも、互いに異なる材料から成る請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項３】
前記少なくとも２つのイオン輸送層が絶縁体を含む、請求項２に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項４】
前記絶縁体が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項３に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項５】
前記絶縁体が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、Ｌａ２ＴｉＯ７、Ｌａ２ＴｉＯ７、ＳｒＺｒＯ３、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＬａＴｉＯ３、ＨｆＯ２及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項３に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項６】
前記絶縁体が、酸化ケイ素と酸化アルミニウムの混合物であり、前記酸化アルミニウムの量に対する前記酸化ケイ素の量が約２５：１〜約１：２５の範囲である、請求項４に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項７】
前記酸化アルミニウムの前記量に対する前記酸化ケイ素の前記量が約１１：１〜約１７：１の範囲である、請求項６に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項８】
前記絶縁体が、酸化ジルコニウムと酸化イットリウムの混合物であり、前記酸化イットリウムの量に対する前記酸化ジルコニウムの量が約２５：１〜約１：２５の範囲である、請求項４に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項９】
前記絶縁体が、金属及び金属酸化物からなる群から選択される添加剤と混合される、請求項４に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１０】
前記少なくとも２つのイオン輸送層が、約１ｎｍ〜約７０ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１１】
前記少なくとも２つのイオン輸送層の前記厚さが約５ｎｍ〜約３０ｎｍの範囲である、請求項１０に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１２】
前記緩衝層が、ＷＯ３、ＮｉＯ、ＣｅＯ２、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１３】
前記リチウム−系セラミック材料が、ケイ酸リチウム、リチウムアルミニウムシリケート、リチウムアルミニウムボレート、ホウ酸リチウム、リチウムシリコンオキシニトライド、リチウムジルコニウムシリケート、ニオブ酸リチウム、リチウムボロシリケート、ホスホケイ酸リチウム、窒化リチウム、リチウムアルミニウムフルオライド及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１４】
前記緩衝層が酸化ニッケルと酸化タングステンの混合物であり、前記酸化タングステンに対する前記酸化ニッケルの量が約２５：１〜１：２５の範囲である、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１５】
前記緩衝層が、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１６】
前記緩衝層の前記厚さが、約３０ｎｍ〜約１５０ｎｍの範囲である、請求項１５に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１７】
前記エレクトロクロミック電極層が、金属酸化物及び金属酸化物の混合物からなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１８】
前記金属酸化物が、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化銅、酸化イリジウム、酸化クロム、酸化コバルト、酸化マンガン及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１７に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項１９】
前記対電極層が、金属酸化物及び金属酸化物の混合物からなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項２０】
前記金属酸化物が、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化ニッケル、水酸化ニッケル、酸化イリジウム、酸化銅、酸化タングルテン、酸化タングステン、酸化モリブデン及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１９に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項２１】
前記金属酸化物の混合物が、安定な金属酸化物マトリックスとして存在する第１の遷移金属酸化物及び前記安定な金属酸化物マトリックスにドープされる第２の遷移金属を含む、請求項１９に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項２２】
前記第１の遷移金属酸化物が、クロム、タングステン及びタンタルからなる群から選択され、前記第２の遷移金属酸化物が、バナジウム及びニッケルからなる群から選択される、請求項２１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項２３】
前記第１及び第２の導電層が、金属酸化物からなる群から選択される材料及び遷移金属の透明なコーティングを含む、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項２４】
ガラス及びプラスチックからなる群から選択される基板に配置されている、請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項２５】
少なくとも２つのイオン輸送層及び緩衝層を含む第１の電極と第２の電極間にイオンを輸送するためのイオン伝導体層であって、前記少なくとも２つのイオン輸送層及び前記緩衝層が、前記少なくとも２つのイオン輸送層の前記各々が前記第１及び第２の電極と連絡するように前記イオン伝導体層内で互い違いになり、前記緩衝層が、リチウム−系セラミック材料、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むイオン伝導体層。
【請求項２６】
前記少なくとも２つのイオン輸送層及び前記緩衝層のうちの互いに隣接する２つの層はいずれも、互いに異なる材料から成る請求項２５に記載のイオン伝導体層。
【請求項２７】
前記少なくとも２つのイオン輸送層が絶縁体を含む、請求項２６に記載のイオン伝導体層。
【請求項２８】
前記絶縁体が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項２５に記載のイオン伝導体層。
【請求項２９】
前記少なくとも２つのイオン輸送層が、約１ｎｍ〜約７０ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項２７に記載のイオン伝導体層。
【請求項３０】
前記リチウム−系セラミック材料が、ケイ酸リチウム、リチウムアルミニウムシリケート、リチウムアルミニウムボレート、ホウ酸リチウム、リチウムシリコンオキシニトライド、リチウムジルコニウムシリケート、ニオブ酸リチウム、リチウムボロシリケート、ホスホケイ酸リチウム、窒化リチウム、リチウムアルミニウムフルオライド及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項２５に記載のイオン伝導体層。
【請求項３１】
前記緩衝層が、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項２５に記載のイオン伝導体層。
【請求項３２】
エレクトロクロミック素子を製造するための方法であって：
ａ）第１の導電層を提供するステップ、
ｂ）前記第１の導電層にエレクトロクロミック電極層及び対電極層の一方を沈着させ、それによって第１の沈着電極を提供するステップ、
ｃ）前記第１の沈着電極にイオン伝導体層を沈着するステップであって、前記イオン伝導体層は少なくとも２つのイオン輸送層及び緩衝層を含み、前記少なくとも２つのイオン輸送層及び前記緩衝層は、前記少なくとも２つのイオン輸送層の一方が前記第１の沈着電極と連絡するように連続して適用されており、前記緩衝層が、リチウム−系セラミック材料、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むステップ
ｄ）前記イオン伝導体層に前記エレクトロクロミック電極層及び前記対電極層の他方を沈着させ、それによって前記少なくとも２つのイオン輸送層の他方と連絡している第２の沈着電極を提供するステップ、及び
ｅ）前記第２の沈着電極に第２の導電層を沈着するステップ
を含む方法。
【請求項３３】
その後、前記第１及び第２の沈着電極の少なくとも一方を熱処理ステップに供するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
真空又は不活性雰囲気において前記熱処理ステップを実施するステップを含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
約４０℃〜約５５０℃の範囲の温度において前記熱処理ステップを実施するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記温度が約２００℃〜約５００℃の範囲である、請求項３５４１に記載の方法。
【請求項３７】
物理的気相成長法、中間周波数反応性スパッタリング、ＤＣスパッタリング及び湿式化学法からなる群から選択される方法によって前記第１及び第２の沈着電極を沈着するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３８】
イオンを挿入することによって、前記第１及び第２の沈着電極の少なくとも一方を還元するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３９】
前記還元するステップが、前記第１及び第２の沈着電極の前記沈着するステップ中に実施される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記イオンが、リチウムイオン、ナトリウムイオン及びプロトンからなる群から選択される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
物理的気相成長法、中間周波数反応性スパッタリング、ＤＣスパッタリング、湿式化学法、レーザーアブレーション法、ゾル−ゲル、有機金属分解及び磁気スパッタリングからなる群から選択される方法によって前記少なくとも２つのイオン輸送層を沈着するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項４２】
物理的気相成長法、中間周波数反応性スパッタリング、ＤＣスパッタリング、湿式化学法、レーザーアブレーション法、ゾル−ゲル、有機金属分解及び磁気スパッタリングからなる群から選択される方法によって前記緩衝層を沈着するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項４３】
前記少なくとも２つのイオン輸送層及び緩衝層の隣接する一方が異なる材料を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項４４】
前記少なくとも２つのイオン輸送層が絶縁体を含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記絶縁体が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項４４５０に記載の方法。
【請求項４６】
前記緩衝層が、ＷＯ３、ＮｉＯ、ＣｅＯ２、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４７】
前記リチウム−系セラミック材料が、ケイ酸リチウム、リチウムアルミニウムシリケート、リチウムアルミニウムボレート、ホウ酸リチウム、リチウムシリコンオキシニトライド、リチウムジルコニウムシリケート、ニオブ酸リチウム、リチウムボロシリケート、ホスホケイ酸リチウム、窒化リチウム、リチウムアルミニウムフルオライド及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項４８】
イオン伝導体層を製造する方法であって、
ａ）基板に第１のイオン輸送層を沈着するステップ、
ｂ）前記第１のイオン輸送層に緩衝層を沈着するステップであって、前記緩衝層が、リチウム−系セラミック材料、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化セリウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むステップ、及び
ｃ）前記緩衝層に第２のイオン輸送層を沈着するステップ
を含む、イオン伝導体層を製造する方法。
【請求項４９】
前記第２のイオン輸送層に追加のイオン輸送層及び緩衝層を沈着するステップをさらに含み、前記追加のイオン輸送層及び緩衝層が前記イオン伝導体層内で互い違いになっている、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
前記第１及び第２のイオン輸送層並びに前記緩衝層の隣接する一方が異なる材料を含む、請求項４８又は４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記第１及び第２のイオン輸送層が絶縁体を含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記絶縁体が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
物理的気相成長法、中間周波数反応性スパッタリング、ＤＣスパッタリング、湿式化学法、レーザーアブレーション法、ゾル−ゲル、有機金属分解及び磁気スパッタリングからなる群から選択される方法によって前記第１及び第２のイオン輸送層を沈着するステップを含む、請求項４８又は４９に記載の方法。
【請求項５４】
物理的気相成長法、中間周波数反応性スパッタリング、ＤＣスパッタリング、湿式化学法、レーザーアブレーション法、ゾル−ゲル、有機金属分解及び磁気スパッタリングからなる群から選択される方法によって前記緩衝層を沈着するステップを含む、請求項４８又は４９に記載の方法。
【請求項５５】
前記リチウム−系セラミック材料が、ケイ酸リチウム、リチウムアルミニウムシリケート、リチウムアルミニウムボレート、ホウ酸リチウム、リチウムシリコンオキシニトライド、リチウムジルコニウムシリケート、ニオブ酸リチウム、リチウムボロシリケート、ホスホケイ酸リチウム、窒化リチウム、リチウムアルミニウムフルオライド及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項４８に記載の方法。
【請求項５６】
前記緩衝層が、ＷＯ３、ＮｉＯ、ＣｅＯ２、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む、請求項４８に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
一般に、エレクトロクロミック素子は、光線の透過を調節することができる複合構造を有する。図１は、以下の５層の多層構造を有する典型的な５層固体エレクトロクロミック素子の断面図を例示する。図中、酸化又は還元の結果吸収又は反射の変更を生じるエレクトロクロミック電極層（「ＥＣ」）１４、電極を機能的に交換して、イオンの通過を可能にすると同時に、電子流を遮断するイオン伝導体層（「ＩＣ」）１３、素子がブリーチ又はクリア状態にあるとき、イオンの保存層として作用する対電極層（「ＣＥ」）１２、並びにエレクトロクロミック素子に電位を適用する作用をする２つの導電層（「ＣＬ」）１１及び１５を示している。上記の層は、典型的には、各々基板１６に連続的に適用される。このような素子は、典型的には、電子漏洩及び電気的絶縁破壊を被る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明によると、エレクトロクロミック電極層及び対電極層の一方を含む第１の電極、エレクトロクロミック電極層及び対電極層の他方を含む第２の電極、少なくとも２つのイオン輸送層及び緩衝層を含む第１及び第２の電極間にイオンを伝導するためのイオン伝導体層であって、少なくとも２つのイオン輸送層及び緩衝層は、イオン輸送層が第１及び第２の電極と連絡するようにイオン伝導体層内で互い違いになっているイオン伝導体層、第１の導電層、並びに第２の導電層を含むエレクトロクロミック素子であって、第１及び第２の電極並びにイオン伝導体層は第１及び第２の導電層間に挟まれているエレクトロクロミック素子が発見された。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明の別の実施態様によると、対電極層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化ニッケル、水酸化ニッケル、酸化イリジウム、酸化銅、酸化タングルテン、酸化タングステン、酸化モリブデン及びそれらの混合物を含む金属酸化物及び金属酸化物の混合物からなる群から選択される材料を含む。一部の実施態様において、金属酸化物の混合物は、安定な金属酸化物マトリックスとして存在する第１の遷移金属酸化物及び安定な金属酸化物マトリックスにドープされる第２の遷移金属を含む。好ましい実施態様において、第１の遷移金属酸化物は、クロム、タングステン及びタンタルからなる群から選択され、第２の遷移金属酸化物は、バナジウム及びニッケルからなる群から選択される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明によると、エレクトロクロミック素子を製造するための方法であって：
ａ）第１の導電層を提供するステップ、ｂ）第１の導電層にエレクトロクロミック電極層及び対電極層の一方を沈着させ、それによって沈着電極を提供するステップ、ｃ）第１の沈着電極にイオン伝導体層を沈着するステップであって、イオン伝導体層は少なくとも２つのイオン輸送層及び緩衝層を含み、少なくとも２つのイオン輸送層及び緩衝層は、少なくとも２つのイオン輸送層の一方が第１の沈着電極と連絡するように連続して適用されているステップ、ｄ）イオン伝導体層にエレクトロクロミック電極層及び対電極層の他方を沈着させ、それによって少なくとも２つのイオン輸送層の他方と連絡している第２の沈着電極を提供するステップ、及びｅ）第２の沈着電極に第２の導電層を沈着するステップを含む方法が発見された。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
本発明によると、図３Ａは、改善されたイオン伝導体層を有する固体エレクトロクロミック素子の断面図を例示する。図３Ａの素子は、上記の層の各々が本発明に存在する限りでは、図１に図示する固体素子に類似している。しかし、本発明のイオン伝導体層は、本明細書に記載する多層を含む。従って、本発明の素子は以下の薄層の層を有する。酸化又は還元の結果吸収又は反射の変更を生じる第１の電極として作用するエレクトロクロミック電極層（「ＥＣ」）２４、電極を機能的に交換して、イオンの通過を可能にすると同時に、電子電苛を遮断するイオン輸送層及び緩衝層の交互の層を含むイオン伝導体層（「ＩＣ」）２３、素子がブリーチ状態にあるとき、イオンの保存層として作用する第２の電極として作用する対電極層（「ＣＥ」）２２、並びにエレクトロクロミック素子に電位を適用する作用をする２つの導電層（「ＣＬ」）２１及び２５である。上記の層は各々、典型的には、連続的に基板２６に適用される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
作動時は、図３Ａのエレクトロクロミック素子は、他の導電層２５に対して正の電圧を導電層２１に適用することによって、実質的に透明な状態から透明性が少ない状態又は暗い状態に変換される。印加電圧により、リチウム、ナトリウム又は水素イオンなどの電苛補償イオンは、イオン伝導体層２３によって対電極層２２からエレクトロクロミック電極層２４に通過させられる。一方、電子は、透明な伝導体２１及び２５によって外部回路を輸送され、エレクトロクロミック電極層２４に注入される。注入される電子はエレクトロクロミック電極層を含む材料の可逆的な電気化学的還元を生じ、光学的吸収及び屈折率などの素子の固有の光学的特性の可逆的な変化を生ずる。この全体的な可逆的な過程は、エレクトロクロミック電極層に電苛補償イオンを同時に注入することによって促進される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
エレクトロクロミック素子を比較的低レベルの光透過率から比較的高いレベルの光透過率に変換する過程を逆にするためには、透明な伝導体２１に対して正の電圧を透明な伝導体２５に適用することによって回路の極性を逆にする。これにより、電苛補償イオンはエレクトロクロミック電極層から流出して、イオン伝導体層２３を通過して、対電極層２２に流入する。一方、極性の逆転により、電子はエレクトロクロミック電極層から流出し、外部回路を通過して、対電極層２２に流入する。電子のこの抽出は、エレクトロクロミック電極層を含む材料の可逆的な電気化学的酸化を生じ、固有の光学的特性の上記の変化を逆転させる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
対電極層２２及びエレクトロクロミック電極層２４は図３Ａの全体的な構造において逆にしてもよいことが理解される。このような逆の配列では、図３Ｂに図示するように、対電極層が第１の電極として作用し、エレクトロクロミック電極層が第２の電極として作用する。しかし、対電極層及びエレクトロクロミック電極層が逆転すると、層の適切な極性が確実に維持されるように印加電圧の極性を調節しなければならない。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
イオン伝導体層は任意の数のイオン輸送層及び緩衝層を含んでもよいが、ただし、（ａ）イオン輸送層及び緩衝層はイオン伝導体層内で互い違いになっており、（ｂ）第１の沈着電極、エレクトロクロミック電極層又は対電極層にすぐ隣接して沈着される層はイオン輸送層であり、（ｃ）第２の沈着電極、エレクトロクロミック電極層又は対電極層の他方にすぐ隣接して沈着される層はイオン輸送層である。図３Ａに図示する具体的な実施態様において、イオン伝導体層は、緩衝層３２によって分離されている２つのイオン輸送層３１及び３３を含み、イオン輸送層３１及び３３は、それぞれ、対電極層２２及びエレクトロクロミック電極層２４に連絡している。好ましい一実施態様において、イオン伝導体層は２つのイオン輸送層及び１つの緩衝層を含む。別の好ましい実施態様において、イオン伝導体層は３つのイオン輸送層及び２つの緩衝層を含む。さらに別の好ましい実施態様において、イオン伝導体層は４つのイオン輸送層及び３つの緩衝層を含む。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
本発明のエレクトロクロミック素子は、イオン輸送層の１つと連絡している対電極層２２を含む。対電極層の目的は、エレクトロクロミック電極層に使用されない場合には、主に、リチウム、ナトリウム又は水素イオンなどの荷電相補イオンを「挿入し」、保存することである。イオンが流入又は流出するとき陰影又は透明性を変化するという点においては一部の対電極材料もエレクトロクロミックである。このような材料は、エレクトロクロミック層の着色を補完することができる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
対電極層２２は、典型的には、イオンを保存し、次いで適当な電位に応答してエレクトロクロミック電極層２４に伝導するためにこれらのイオンを放出することができる材料から製造される。一部の実施態様において、対電極層は、バナジウム、ニオブ、ニッケル、イリジウム、コバルト、タングステン、タンタル及びモリブデンの酸化物を含む金属酸化物を含む。対電極層に好ましい金属酸化物材料には、五酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化ニッケル、水酸化ニッケル、酸化イリジウム、酸化コバルト、酸化モリブデン及びクロムバナジウムオキサイド、タングステン−ニッケルオキサイド、タンタル−ニッケルオキサイド等などのこれらの材料のそれらの混合物（層間型及び化学的に組み合わされた形態）が挙げられる。一部の実施態様において、対電極層は、安定な金属酸化物マトリックスとして存在する第１の遷移金属酸化物及び安定な金属酸化物マトリックスにドープされる第２の遷移金属を含む。第１の遷移金属は、クロム、タングステン及びタンタルからなる群から選択される。第２の遷移金属は、バナジウム及びニッケルからなる群から選択される。本発明はまた、上記の金属酸化物の各々のリチウムドープ化合物も考慮している。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
対電極層２２の厚さは、エレクトロクロミック素子に求められる用途、望まれる伝導範囲及び対電極層を含む材料に応じて変わる。従って、厚さは約５０ ｎ〜約６５０ｎｍの範囲であってもよい。本発明の一実施態様において、厚さは約１５０ｎｍ〜約２５０ｎｍの範囲であり、好ましくは、厚さ約１７５ｎｍ〜約２０５ｎｍの範囲である。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
典型的には、導電層２５は、約５ｎｍ〜約１０，０００ｎｍの範囲、好ましくは、約１０ｎｍ〜約１，０００ｎｍの範囲の厚さを有するコーティングとして、例えば、ガラス、プラスチック又は鏡材料などの好適な光学的、電気的、熱的及び機械的特性を有する基板２６に配置される。しかし、エレクトロクロミック素子に十分なコンダクタンスを提供し、必要な場合には光線の透過をあまり妨害しない導電層の厚さを使用することができる。さらに、導電層２１は、典型的には、対電極層２２に配置されるエレクトロクロミック素子の最後の層である。光学的特性を改善するため又は耐湿もしくは引っかき抵抗性を提供するために使用される他の受動層を活性層の上面に配置してもよい。これらの導電層は、従来の方法で電源に接続される。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
２つのイオン輸送層を使用するエレクトロクロミック素子の例示的な一例は以下である：底面の導電層、酸化タングステンエレクトロクロミック電極層、第１の酸化ケイ素イオン輸送層、酸化タングステン緩衝層、第２の酸化ケイ素層、酸化ニッケル対電極層及び上面の導電層。２つのイオン輸送層を有するエレクトロクロミック素子の別の例は以下である：底面の導電層、酸化タングステンエレクトロクロミック電極層、第１の酸化ケイ素イオン輸送層、酸化ニオブ緩衝層、第２の酸化ケイ素イオン輸送層、酸化ニッケル対電極層及び上面の導電層。３つのイオン輸送層を有するエレクトロクロミック素子の一例は以下である：底面の導電層、酸化タングステンエレクトロクロミック電極層、第１の酸化ケイ素イオン輸送層、第１の酸化タングステン緩衝層、第２酸化ケイ素イオン輸送層、第２の酸化タングステン緩衝層、第３の酸化ケイ素イオン輸送層、酸化ニッケル対電極層及び上面の導電層。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
次いで、第１の電極、エレクトロクロミック電極層又は対電極層を、湿式化学的方法、化学的気相成長法又は物理的気相成長法によって底面の透明な導電層に沈着する。好ましい沈着方法には、ゾル−ゲル、噴霧熱分解、電着、有機金属分解、レーザーアブレーション、パルスレーザーアブレーション、エバポレーション、ｅ−ビーム支援エバポレーション、スパッタリング、中間周波数反応性スパッタリング、ＲＦスパッタリング、磁気スパッタリング、ＤＣスパッタリング、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング等が挙げられる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
次いで、イオン伝導体層を含む個々のイオン輸送層及び緩衝層を沈着されている第１の電極に逐次的に沈着する。任意の数のイオン輸送層及び緩衝層をエレクトロクロミック電極層に沈着することができるが、ただし、ａ）イオン輸送層及び緩衝層はイオン伝導体層内で互い違いである。ｂ）沈着されている第１の電極、エレクトロクロミック電極又は対電極のすぐ隣に沈着される層はイオン輸送層である。そして、ｃ）沈着されている第２の電極、エレクトロクロミック電極又は対電極の他方のすぐ隣に沈着される層はイオン輸送層である。イオン輸送層及び緩衝層は、本明細書において考察されている材料を含んでもよい。好ましい実施態様において、イオン輸送層及び緩衝層の隣接する一方は異なる材料を含む。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
次いで、第２の電極、エレクトロクロミック電極層又は対電極層の他方を、湿式化学的方法、化学的気相成長法又は物理的気相成長法によって底面の透明な伝導層に沈着される。好ましい沈着方法には、ゾル−ゲル技法、噴霧熱分解、電着、有機金属分解、レーザーアブレーション、パルスレーザーアブレーション、エバポレーション、ｅ−ビーム支援エバポレーション、スパッタリング、中間周波数反応性スパッタリング、ＲＦスパッタリング、磁気スパッタリング、ＤＣスパッタリング、反応性ＤＣマグネトロンスパッタリング等が挙げられる。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
第２の伝導層２１は、当技術分野において周知で、第１の伝導層２５の沈着の際に上記されている方法によって対電極層２２に沈着される。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
本発明の素子は、必要に応じて、エレクトロクロミック素子を加熱することによって加熱処理してもよい。一部の実施態様において、熱処理過程は、素子製造後、すなわち、エレクトロクロミック層が沈着され、エレクトロクロミック層及び／又は対電極層の少なくとも一方が、上記の荷電相補イオンの介在によって還元された後に実施される。この時点において熱処理過程を実施すると、エレクトロクロミック素子のスイッチング特性が改善される。さらに、熱処理過程は、素子、特に透明な伝導体層の導電性及び透明性を改善すると考えられる。さらに、本発明のイオン伝導体の改善は、任意の熱処理過程中に界面のインテグリティを安定化する助けとなる熱安定化層として作用すると考えられる。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
すでに記載したように、対電極層２２及びエレクトロクロミック層２４の位置は、図３に示す全体的な構造において逆であってもよい。層が逆の場合でも、各層を製造するために実施しなければならないステップに関して素子を製造する方法を変更しないことを当業者は理解していると思われる。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
【図１】典型的な５層エレクトロクロミック素子の略図による断面図である。
【図２】典型的な大面積エレクトロクロミック素子の内部電圧対電流密度及び光学密度のグラフである。
【図３】図３Ａは、本発明の一実施態様による改善されたイオン伝導体層を有する５層エレクトロクロミック素子の略図による断面図である。図３Ｂは、対電極層とエレクトロクロミック電極層が逆になっている、改善されたイオン伝導体層を有する５層エレクトロクロミック素子の略図による断面図である。