【事件の表示】
　特願２００３−３１３８１９「バンプを用いた電極構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月３１日出願公開、特開２００５−　８５８５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１５年９月５日の出願であって、平成１９年１０月３０日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年１２月１９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２０年１月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年３月１７日付けで審判請求書の手続補正書が提出されたものである。
　
［２］本願発明
　本願請求項１に係る発明は、平成１９年１２月１９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
　
「基板（１０）と、
　前記基板（１０）の一面上に設けられ、当該一面から突出する金属製のバンプ（５０）と、
　前記バンプ（５０）の上に設けられたはんだ（６０）とを有し、
　前記はんだ（６０）を介して相手部材と接続を行うようにしたバンプを用いた電極構造において、
　前記はんだ（６０）として、Ｓｎの含有量が６０重量％以上であるものを用い、
　前記はんだ（６０）は、前記バンプ（５０）の根元部まで回り込んでおらず、前記バンプ（５０）の根元部よりも先端部側に位置していることを特徴とするバンプを用いた電極構造。」
　
［３］引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された特開平７−２８３２２０号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（刊１ａ）「【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。図１は半導体装置におけるフリップチップ実装法におけるバンプ突起電極部の断面構造を示しているもので、半導体ウエハ基板１１には、詳細は図示していないが半導体回路素子が組み込み形成されているもので、このウエハ基板１１の表面には、この半導体回路素子の電極取り出し部を接続するようにして、アルミニウムを含む金属（例えばＡｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等）による金属配線層１２が形成されている。
…この金属配線層１２の上には、この配線や回路素子を保護するためにＳｉＮ膜あるいはＳｉＯ２膜等の絶縁物によるパッシベーション膜１３が形成されている。このパッシベーション膜１３には、金属配線層１２の上で、電極形成箇所に対応して開口が形成され、この開口を介して金属配線層１２の一部が露出される。
…この金属配線層１２の露出部、さらにその周囲のパッシベーション膜１３上にはバリア層１４が形成されるもので、このバリア層１４は金属配線１２に接する下層としてのＴｉからなる第１のバリアメタル層１４１と、その上のＴｉを含む金属からなる第２のバリアメタル層１４２の積層体によって構成される。
…ここで、第１のバリアメタル層１４１はＴｉを５０Ａ（Ａ：オングストローム）〜３０００Ａ程度の厚さでスパッタあるいは蒸着によって形成される。また第２のバリアメタル層１４２は、ＴｉＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＣ、ＴｉＷ等のチタン含む合成物を、１００Ａ〜３０００Ａ程度の厚さでスパッタあるいは蒸着等のＣＶＤによって成膜される。
…この様に構成されたバリア層１４の上には、例えば銅による電極下地膜１５を厚さ３０００Ａ〜１００００Ａで成膜し、その上に例えば銅による電極１６を形成するもので、その先頭部にはんだ層１７を形成して、はんだバンプ電極１８が構成されるようにしている。」（【０００８】−【００１２】）
　
（刊１ｂ）図１には、ウエハ基板の一面に、当該一面から横方向に傘を広げたキノコ形状に突出したＣｕ電極の上にはんだ層が形成されたはんだバンプ電極が示されるとともに、はんだ層が、Ｃｕ電極の根元部まで回り込んでおらず、前記Ｃｕ電極よりも先端部側に位置している様子が示されている。
　
　また、上記記載事項（刊１ａ）による、上記フリップチップ実装法におけるパンプ突起電極部は、実装基板等の相手部材と接続されるものであることは明らかである。
　
　よって、上記記載事項（刊１ａ）、（刊１ｂ）によれば、引用刊行物１には、
「半導体ウエハ基板と、
　前記半導体ウエハ基板の一面上に設けられ、当該一面から横方向に傘を広げたキノコ形状に突出するＣｕ電極と、
　前記Ｃｕ電極の上に設けられたはんだ層とを有し、
　前記はんだ層を介して相手部材と接続を行うようにしたＣｕ電極を用いた
バンプ突起電極部において、
　前記はんだ層は、前記Ｃｕ電極の根元部まで回り込んでおらず、前記バンプの根元部よりも先端部側に位置しているＣｕ電極を用いたバンプ突起電極部。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
［４］対比・判断
  本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「半導体ウエハ基板」、「Ｃｕ電極」は、それぞれ、本願発明における「基板」、「金属製のバンプ」に相当する。
　また、本願明細書の［００５９］及び図１によれば、「電極構造１００」は相手部材と接続される前の構造を示しているから、引用発明の「バンプ突起電極部」は、本願発明の「電極構造」に相当する。
　
　よって、両者は、
「基板と、
　前記基板の一面上に設けられ、当該一面から突出する金属製のバンプと、
　前記バンプの上に設けられたはんだとを有し、
　前記はんだを介して相手部材と接続を行うようにしたバンプを用いた電極構造において、
　前記はんだは、前記バンプの根元部まで回り込んでおらず、前記バンプの根元部よりも先端部側に位置していることを特徴とするバンプを用いた電極構造。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　前記はんだとして、本願発明では、Ｓｎの含有量が６０重量％以上であるものを用いるのに対し、引用発明では、そのような特定がない点。
　
　そして、上記相違点について検討すると、
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された特開２００１−３０８１２９号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（刊２ａ）「【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップボンディングアプリケーションのための半導体ウェハにおける鉛フリーはんだバンプ接続の形成方法に関する。」（【０００１】）
　
（刊２ｂ）「本件第１の発明は、フリップチップ用のはんだバンプをチップ又はウェハ上に形成する方法であって、
（ａ）チップ又はウェハであって、該チップ又はウェハに電気接続するための複数の金属ボンドパッドが形成されたチップ又はウェハを準備するステップと、（ｂ）純錫、又は、錫−銅、錫−銀、錫−ビスマス若しくは錫−銀−銅から成る群から選択された１種の錫合金を含むはんだバンプを、電気メッキ法によって形成するステップと、（ｃ）前記はんだバンプを、該はんだの融点以上の温度に加熱してリフローさせるステップとを備えたことを特徴とする。
…前記はんだバンプは、純錫、２ｗｔ％以下（好ましくは約０．７％）が銅である錫−銅合金、２０ｗｔ％以下（好ましくは約３．５ｗｔ％又は約１０ｗｔ％）が銀である錫−銀合金、５〜２５ｗｔ％（好ましくは約２０ｗｔ％）がビスマスである錫−ビスマス合金、５ｗｔ％以下（好ましくは約３．５ｗｔ％）が銀であり、２ｗｔ％以下（好ましくは約０．７ｗｔ％）が銅であり、残りが錫である錫−銀−銅合金から成ることが望ましい。」（【００１３】−【００１４】）
　
（刊２ｃ）図３の（ｄ）には、ウェハの一面上に設けられ、当該一面から突出する金属ボンドパッドと、前記パッド上にはんだが設けられたはんだバンプが示されている。
　
　上記記載事項（刊２ａ）−（刊２ｃ）によれば、フリップチップ接続用の電極構造として、ウェハの一面上に設けられ、当該一面から突出する金属ボンドパッド（「金属製のバンプ」に相当）と、前記パッド上にはんだが設けられ、該はんだとして、
錫（Ｓｎ）の含有量が６０ｗｔ％以上（６０重量％以上）である種々の鉛フリーはんだ
　そして、フリップチップ接続用のはんだバンプ（「電極構造」）において、はんだの鉛フリー化は通常考慮されるべき周知の事項であることから、引用発明におけるはんだとして、上記引用刊行物２に記載される錫（Ｓｎ）の含有量が６０ｗｔ％以上（６０重量％以上）である鉛フリーはんだを適用することは当業者が容易になしえたことである。
　また、本願発明において、「前記はんだは、前記バンプの根元部まで回り込んでおらず、前記バンプの根元部よりも先端部側に位置していること」は、「Ｓｎの含有量が６０重量％以上のはんだを用いること」によるものであり、それ以外の条件についての開示は認められないことから、引用発明において錫の含有量が６０ｗｔ％以上の鉛フリーはんだを適用した場合においても、前記はんだは、前記バンプの根元部まで回り込んでおらず、前記バンプの根元部よりも先端部側に位置しているものと認められ、さらに、本願明細書の【００６９】には、傘の横方向の広がりによっても、はんだがバンプの根元部まで回り込まないようにできること、【００７２】によれば、はんだの下部のバンプ５０がＣｕであること、【００７３】，【００７４】及び図２によれば、上記Ｃｕからなる傘状バンプ５０の上に設けるはんだ組成として、Ｓｎが６０重量％以上（Ｓｎが９６．５重量％のＳｎ−Ａｇ系はんだの実施例あり）であれば、はんだの回り込みが０％であることが示されており、これに対して、引用発明は、傘を広げた形状のＣｕ電極を有しており、引用刊行物２（【００３８】）には、錫の含有量が６０ｗｔ％以上の鉛フリーはんだとして、Ｓｎ９６．５ｗｔ％、Ａｇ３．５ｗｔ％の組成のものも記載されていることからすれば、引用発明に引用刊行物２記載の錫含有鉛フリーはんだを適用すれば、はんだの回り込みが生じない蓋然性は極めて高いものであり、これを否定すべき点も認められない。
　そして、本願発明が、引用刊行物１、２からは予想し得ない効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書（平成２０年３月１７日付け手続補正書（方式））において、請求項１および請求項２に係る発明においては、「前
記はんだ（６０９）を介して相手部材と接続を行うようにしたバンプを用いた電極構造において」との記載により、バンプ電極と相手部材とを接続するためのリフローを行った後の構造であることを特定しているため、引用文献１との相違点は明白である」（第３頁第７−１０行）等主張しているが、
上記記載あるいは明細書中の記載を参酌しても、「バンプ電極と相手部材とを接続するためのリフローを行った後の構造」を意味していることが明らかであるとは認められず、仮に、本願発明が、バンプ電極と相手部材とを接続するためのリフローを行った後の構造に係るものであるとしても、接続後の構造において、「前記はんだは、前記バンプの根元部まで回り込んでおらず、前記バンプの根元部よりも先端部側に位置していること」は、「Ｓｎの含有量が６０重量％以上のはんだを用いること」によるものであって、本願明細書中に、その他の条件について開示がないことは同じであり、引用発明のフリップチップ用のはんだバンプも相手部材と接続されて使用されるものであるから、Ｓｎの含有量が６０重量％以上のはんだを適用した場合、接合後には、前記はんだは、前記バンプの根元部まで回り込んでおらず、前記バンプの根元部よりも先端部側に位置しているものというべきであるから、審判請求人の主張は採用できない。
　
［５］むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。