【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体と、
該圧電体を挟んで対向する電極対と、
前記電極対に挟まれた前記圧電体が接合された振動板と、
前記圧電体及び前記振動板を含んだ可動部に対向して配置されるベース基板と、
を備え、前記電極対に駆動電圧が印加されることにより前記可動部が前記ベース基板に近づく方向に変位するアクチュエータ素子であって、
前記圧電体の分極（Ｐｒ）−電界（Ｅ）ヒステリシス特性が電界に対して偏っており、
前記電極対に前記駆動電圧とは逆方向の電圧が印加されることにより、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位することを特徴とするアクチュエータ素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記Ｐｒ−Ｅヒステリシス特性における正電界側の抗電界と負電界側の抗電界のうち、前記駆動電圧の印加による駆動時の電界方向の抗電界をＥc_a、前記逆方向の電圧の印加によって前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際の電界方向の抗電界をＥc_bとするとき、
｜Ｅc_ｂ｜＞｜Ｅc_a｜であることを特徴とするアクチュエータ素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際には、前記駆動電圧の極性を入れ替えた電圧を印加し、前記圧電体のｄ３１方向の伸びを利用して前記可動部を変位させることを特徴とするアクチュエータ素子。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記可動部を前記ベース基板に近づける方向に駆動する際に印加される前記駆動電圧は前記圧電体の抗電界｜Ｅc_a｜以上の電界を発生させるものであり、
前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際に印加される前記電圧は、前記圧電体の抗電界｜Ｅc_b｜以下の電界を発生させるものであることを特徴とするアクチュエータ素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記電極対のうち前記ベース基板側の電極を下部電極、その反対側を上部電極とするとき、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際に前記電極対に印加する前記電圧の向きは、前記下部電極から前記上部電極に向かう方向の電界を発生させるものであることを特徴とするアクチュエータ素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、
前記圧電体に印加される電圧と変位の関係を表す電圧−変位ヒステリシス特性は、負電圧側と正電圧側とにまたがる連続した範囲で略比例の関係となるリニア領域を有し、当該連続するリニア領域内で変位の方向が反転することを特徴とするアクチュエータ素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記圧電体が、下記一般式（Ｐ−１）で表される１種又は複数種のペロブスカイト型酸化物からなる（不可避不純物を含んでいてもよい。）ことを特徴とするアクチュエータ素子。
Ｐｂａ（Ｚｒｂ１Ｔｉｂ２Ｘｂ３）Ｏ３・・・（Ｐ−１）
（式（Ｐ−１）中、ＸはＶ族及びＶＩ族の元素群より選ばれた少なくとも１種の金属元素である。ａ＞０、ｂ１＞０、ｂ２＞０、ｂ３≧０。ａ≧１．０であり、かつｂ１＋ｂ２＋ｂ３＝１．０である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で１．０からずれてもよい。）
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のアクチュエータ素子を駆動する駆動方法であって、
前記Ｐｒ−Ｅヒステリシス特性における正電界側の抗電界と負電界側の抗電界のうち、前記駆動電圧の印加による駆動時の電界方向の抗電界をＥc_a、前記逆方向の電圧の印加によって前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際の電界方向の抗電界をＥc_bとするとき、
前記可動部を前記ベース基板に近づける方向に駆動する際に、前記圧電体の抗電界｜Ｅc_a｜以上の電界を発生させる駆動電圧を印加し、
前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際には、前記圧電体の抗電界｜Ｅc_b｜以下の電界を発生させる電圧を印加することを特徴とするアクチュエータ素子の駆動方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のアクチュエータ素子のデバイス検査時に、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位するように、前記駆動電圧とは逆方向の電圧を印加することを特徴とするデバイス検査方法。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のアクチュエータ素子を用いたＭＥＭＳスイッチであって、
前記ベース基板上に固定電極が設けられ、前記可動部の一部に、前記固定電極に対して接離する可動電極が設けられ、これら固定電極及び可動電極間の距離が２０μｍ以下であることを特徴とするＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１１】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のアクチュエータ素子の製造方法であって、
前記可動部と前記ベース基板との間に液体が浸入し得るウエットエッチング工程又は洗浄工程があることを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のアクチュエータ素子の製造方法であって、
前記ベース基板となる第１のシリコン（Ｓｉ）ウエハと、前記圧電体の膜を形成した第２のシリコン（Ｓｉ）ウエハの少なくとも２枚のＳｉウエハを貼り合せる接合工程を含み、
前記接合工程の前に、前記第２のＳｉウエハ上に前記圧電体を成膜し、当該成膜後の前記第２のＳｉウエハと前記第１のＳｉウエハとを貼り合せることを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（発明１）：発明１に係るアクチュエータ素子は、圧電体と、該圧電体を挟んで対向する電極対と、前記電極対に挟まれた前記圧電体が接合された振動板と、前記圧電体及び前記振動板を含んだ可動部に対向して配置されるベース基板と、を備え、前記電極対に駆動電圧が印加されることにより前記可動部が前記ベース基板に近づく方向に変位するアクチュエータ素子であって、前記圧電体の分極（Ｐｒ）−電界（Ｅ）ヒステリシス特性が電界に対して偏っており、前記電極対に前記駆動電圧とは逆方向の電圧が印加されることにより、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（発明２）：発明２に係るアクチュエータ素子は、発明１において、前記Ｐｒ−Ｅヒステリシス特性における正電界側の抗電界と負電界側の抗電界のうち、前記駆動電圧の印加による駆動時の電界方向の抗電界をＥc_a、前記逆方向の電圧の印加によって前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際の電界方向の抗電界をＥc_bとするとき、
｜Ｅc_ｂ｜＞｜Ｅc_a｜であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（発明３）：発明３に係るアクチュエータ素子は、発明２において、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際には、前記駆動電圧の極性を入れ替えた電圧を印加し、前記圧電体のｄ３１方向の伸びを利用して前記可動部を変位させることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（発明４）：発明４に係るアクチュエータ素子は、発明２又は３において、前記可動部を前記ベース基板に近づける方向に駆動する際に印加される前記駆動電圧は前記圧電体の抗電界｜Ｅc_a｜以上の電界を発生させるものであり、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際に印加される前記電圧は、前記圧電体の抗電界｜Ｅc_b｜以下の電界を発生させるものであることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（発明５）：発明５に係るアクチュエータ素子は、発明１乃至４のいずれか１項において、前記電極対のうち前記ベース基板側の電極を下部電極、その反対側を上部電極とするとき、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際に前記電極対に印加する前記電圧の向きは、前記下部電極から前記上部電極に向かう方向の電界を発生させるものであることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（発明８）：発明８に係るアクチュエータ素子の駆動方法は、発明１乃至７のいずれか１項に記載のアクチュエータ素子を駆動する駆動方法であって、前記Ｐｒ−Ｅヒステリシス特性における正電界側の抗電界と負電界側の抗電界のうち、前記駆動電圧の印加による駆動時の電界方向の抗電界をＥc_a、前記逆方向の電圧の印加によって前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際の電界方向の抗電界をＥc_bとするとき、前記可動部を前記ベース基板に近づける方向に駆動する際に、前記圧電体の抗電界｜Ｅc_a｜以上の電界を発生させる駆動電圧を印加し、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位する際には、前記圧電体の抗電界｜Ｅc_b｜以下の電界を発生させる電圧を印加することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（発明９）：発明９は、発明１乃至７のいずれか１項に記載のアクチュエータ素子のデバイス検査時に、前記可動部が前記ベース基板から離れる方向に変位するように、前記駆動電圧とは逆方向の電圧を印加することを特徴とするデバイス検査方法を提供する。