【事件の表示】
　特願２００５−１１８６６３「発光装置及びそれを利用した発光システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月　４日出願公開、特開２００５−３１１３６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年４月１５日（パリ条約による優先権主張　２００４年４月１７日、大韓民国）の特許出願であって、平成２０年５月２７日付けで手続補正がなされたところ、同年７月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年１０月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１０月２９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容・目的
　平成２０年１０月２９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項２３を、以下のとおりの請求項１に補正することを含むものである。 
　
「第１電極と第２電極を備える発光素子と、
主面にキャビティが形成され、前記発光素子が前記キャビティの内部に装着され、前記発光素子と電気的に接続される半導体部材と、を含み、
前記半導体部材は、前記第１及び第２電極とそれぞれ電気的に接続される少なくとも２つの半導体領域が、前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面に備えられるｐｎｐ接合２重しきいツェナーダイオードであり、
前記半導体領域は、
前記第１電極と電気的に接続され、前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面の一部にドープされることで形成された第１ｐタイプ半導体拡散領域と、
前記第２電極と電気的に接続され、前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面の別の一部にドープされることで形成された第２ｐタイプ半導体拡散領域と、
前記半導体部材から前記第１及び第２ｐタイプ半導体拡散領域を除いた領域であるｎタイプ半導体領域と、
を含むことを特徴とする発光装置。」
　
　本件補正は、補正前の請求項２３の「電圧調整ダイオード」を「ｐｎｐ接合２重しきいツェナーダイオード」に限定するものであると認められるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−３５４８３６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  静電気保護用のＳｉダイオードと、このＳｉダイオードの上に導通搭載される赤，緑，青の各色の半導体発光素子との組み合わせからなるフルカラーの半導体発光装置であって、前記Ｓｉダイオードには、前記半導体発光素子を外部の電気回路に導通接続させる回路パターンを形成してなるフルカラー半導体発光装置。
【請求項２】  前記Ｓｉダイオードは、前記各色の半導体発光素子を落とし込んで搭載する凹部を形成してなる請求項１記載のフルカラー半導体発光装置。」
　
　イ　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色の半導体発光素子を含む発光装置に係り、特に発光素子の静電耐圧性を向上させるための静電気保護素子に回路パターンを複合することによってアセンブリが簡単でしかも薄型化が図れるようにしたフルカラー発光の半導体発光装置に関する。」
　
　ウ　「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、発光素子５２〜５４はツェナーダイオード５５〜５７に搭載されて複合素子化されるので、発光素子５２〜５４をプリント基板５１の上に搭載するだけの場合に比べると、ツェナーダイオード５５〜５７の組込み分だけ高さ寸法が大きくなる。このため、プリント基板５１と全ての発光素子５２〜５４とによるＲ，Ｇ，Ｂのフルカラー発光用の発光装置のユニットでは、特に静電耐圧が低いＧとＢの発光素子５３，５４の静電気保護が図れるものの、薄型化の自由度が小さくなり、製品の小型化に支障を招く。
・・・
【００１４】このようにフルカラー対応のためのＲ，Ｇ，Ｂの組み合わせを１画素とする発光表示装置において、ツェナーダイオードを利用して静電耐圧を補償しようとするとき、製品の薄型化や製造歩留りの点で改善すべき問題が残っている。
【００１５】本発明において解決すべき課題は、電気的接続が簡単でかつ静電気やサージ等の高電圧の印加に対する耐圧の向上によって信頼性を向上し得るフルカラー発光が可能な発光装置を提供することにある。」
　
　エ　「【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、静電気保護用のＳｉダイオードと、このＳｉダイオードの上に導通搭載される赤，緑，青の各色の半導体発光素子との組み合わせからなるフルカラーの半導体発光装置であって、前記Ｓｉダイオードには、前記半導体発光素子を外部の電気回路に導通接続させる回路パターンを形成してなることを特徴とする。
【００１７】この構成では、静電気保護用のＳｉダイオードが従来の回路基板を兼ねた部材とすることができるので、Ｓｉダイオードに発光素子を実装するだけのアセンブリで済むほか、高さ寸法も短くすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】請求項１の発明は、静電気保護用のＳｉダイオードと、このＳｉダイオードの上に導通搭載される赤，緑，青の各色の半導体発光素子との組み合わせからなるフルカラーの半導体発光装置であって、前記Ｓｉダイオードには、前記半導体発光素子を外部の電気回路に導通接続させる回路パターンを形成してなるものであり、Ｓｉダイオードに発光素子を実装するだけのアセンブリで済み、高さ寸法も短い製品が得られる。
【００１９】請求項２の発明は、前記Ｓｉダイオードは、前記各色の半導体発光素子を落とし込んで搭載する凹部を形成してなる請求項１記載のフルカラー半導体発光装置であり、発光素子を凹部の中に収めることで、Ｓｉダイオードと半導体発光素子との積層高さを小さく抑えるという作用を有する。」
　
　オ　「【００２０】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施の形態によるフルカラー半導体発光装置の要部を示す概略平面図、図２は発光素子を含む面で切った要部の縦断面図である。
【００２１】本発明の発光装置は、１枚のＳｉダイオード１をプリント基板兼用の部材として備え、このＳｉダイオード１の上に後述するＲ，Ｇ，Ｂの発光素子を画素単位として３組配列したものである。
【００２２】Ｓｉダイオード１はたとえばｎ型シリコン基板を利用したもので、図２に示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光素子をそれぞれ搭載する部分に凹部１ａ，１ｂ，１ｂ−１を形成している。そして、これらの凹部１ａ〜１ｂ−１に対応して、配線パターン２ａ，２ｂ，２ｃ及びこれらにそれぞれ導通させた電極３ａ，３ｂ，３ｃのパターンを設けている。
【００２３】凹部１ａ〜１ｂ−１にそれぞれ搭載されるＲ，Ｇ，Ｂの発光素子４，５，６は、フリップチップ型のものであり、図３にＢの発光素子６の搭載導通構造を示す。
【００２４】Ｓｉダイオード１は、図３に示すように、ｎ型シリコン基板１ｃを基材とし、図２で説明した配線パターン２ａ〜２ｃ及び電極３ａ〜３ｃを表面側に形成したものである。そして、凹部１ｂ−１の底面部の一部を除いて被覆する酸化膜１ｄを形成し、この酸化膜１ｄで被覆されていない部分を拡散窓としてｐ型不純物イオンを注入することによって、ｐ型半導体領域１ｅを拡散形成している。
【００２５】ｎ型シリコン基板１ｃの表面には、ｎ電極１ｆとｐ電極１ｇをそれぞれ金属蒸着法によって形成する。ｎ電極１ｆは凹部１ｂ−１の右端部に偏って傾斜面までに亘って形成され、酸化膜１ｄが形成されていない部分によってｎ型シリコン基板１ｃに導通している。このｎ電極１ｆはたとえばアルミを利用することができ、傾斜面部分をｎ電極１ｆによる光の反射層として利用する。一方、ｐ電極１ｇはｎ型シリコン基板１ｃに拡散形成したｐ型半導体領域１ｅに接合されている。
【００２６】Ｂの発光素子６は、ＧａＮ系化合物半導体を絶縁性のサファイア基板に積層してその中の１つの層として形成されるＩｎＧａＮ活性層を発光層とし、フリップチップ型としてＳｉダイオード１の上面に搭載されるものである。
【００２７】すなわち、図３に示すように、発光素子６は透明のサファイア基板６ａに積層したｎ型層及びｐ型層のそれぞれの表面にｎ側電極６ｂ及びｐ側電極６ｃを蒸着法によって形成したものである。また、これらのｎ側電極６ｂ及びｐ側電極６ｃの表面にはそれぞれマイクロバンプ６ｄ，６ｅが形成されている。そして、Ｓｉダイオード１のｎ電極１ｆとｐ電極１ｇとに跨がる配置として発光素子６を搭載し、ｎ側電極６ｂ及びｐ側電極６ｃをそれぞれｐ電極１ｇ及びｎ電極１ｆにマウント接合する。
【００２８】Ｓｉダイオード１に形成されたｐ電極１ｇは、発光素子６のｎ側電極６ｂ及び配線パターン２ｃと導通している。また、ｎ電極１ｆ及びｐ電極１ｇは、アルミニウム等の光反射率の高い金属を蒸着によって形成したものとし、凹部１ｂ−１の内周壁部分の傾斜面を発光方向への反射面として利用する。」
　
　カ　「【００３０】以上の構成において、Ｒ，Ｇ，Ｂの各発光素子４，５，６へ通電されると、それぞれの発光層からの光が放出される。そして、下側及び側方に抜ける光の成分もあるが、サファイア基板が透明であることから図３において上側を向いた面を主光取出し面とした発光が得られる。したがって、Ｒ，Ｇ，Ｂの光の３原色の発光素子４，５，６のそれぞれの発光色とこれらの組み合わせによって、フルカラーの発光が得られる。
【００３１】また、Ｓｉダイオード１を備えることによって、各発光素子４，５，６の静電破壊を防止でき、特に静電耐圧が低いＧａＮ系半導体化合物を必須とするＢの発光素子６の耐久性も向上するので、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光素子４，５，６の組み合わせのフルカラー対応画素を有効に利用した発光表示が可能となる。
【００３２】このように、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光素子４，５，６をそれぞれ凹部１ａ，１ｂ，１ｂ−１の中に落とし込むように組み込むことによって、各発光素子４，５，６どうしの間の光学的な干渉を受けることがない。このため、各発光素子４，５，６に使用する材料のバンドギャップエネルギの違いによる光吸収が抑えられ、それぞれの発光色がより一層鮮明化するとともに高い発光出力が得られる。また、各凹部１ａ〜１ｂ−１の傾斜面に設ける電極を利用した光の反射によって光を主光取出し面方向へ反射させるので、発光輝度を更に向上させることもできる。
【００３３】ここで、本発明においては、Ｓｉダイオード１自身に配線パターン２ａ〜２ｃ及び電極３ａ〜３ｃを形成して、各発光素子４〜６を導通搭載する。すなわち、Ｓｉダイオード1 を回路基板として兼用することができるので、このＳｉダイオード１に配線パターン２ａ〜２ｃ及び電極３ａ〜３ｃを形成したものを予め作製しておけば、発光素子４〜６の搭載のチップ接合だけの工程で済む。
【００３４】また、発光素子４〜６はいずれも凹部１ａ〜１ｂ−１の中に落とし込まれて、Ｓｉダイオード１の表面から突き出ないように組み込まれるので、全体の高さ寸法を小さくでき、最終的に製作される発光装置の薄型化が可能となる。」
　
　キ　「【００３５】
【発明の効果】請求項１の発明では、静電気保護用のＳｉダイオードが従来の回路基板を兼ねた部材とすることができるので、Ｓｉダイオードに発光素子を実装するだけのアセンブリで済み、従来の基板の上に静電気保護素子を搭載し更にその上に発光素子を搭載する構造に比べると製造歩留りが向上する。また、Ｓｉダイオードと発光素子との積層なので、その高さ寸法も小さくなり発光装置を薄型化することができる。
【００３６】請求項２の発明では、発光素子をＳｉダイオードの凹部の中に収めることで、Ｓｉダイオードと半導体発光素子との積層高さを更に低くすることができ、凹部の中に発光素子の全体が落ち込む構成とすれば、Ｓｉダイオードだけの厚さの製品が得られる。」
　
　ク　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「静電気保護用のＳｉダイオードと、このＳｉダイオードの上に導通搭載される赤，緑，青の各色の半導体発光素子との組み合わせからなるフルカラーの半導体発光装置であって、
前記Ｓｉダイオードには、前記半導体発光素子を外部の電気回路に導通接続させる回路パターンを形成してなり、また、前記各色の半導体発光素子を落とし込んで搭載する凹部を形成してなり、
上記構成による効果として、
静電気保護用のＳｉダイオードが従来の回路基板を兼ねた部材とすることができるので、Ｓｉダイオードに発光素子を実装するだけのアセンブリで済み、従来の基板の上に静電気保護素子を搭載し更にその上に発光素子を搭載する構造に比べると製造歩留りが向上し、また、Ｓｉダイオードと発光素子との積層なので、その高さ寸法も小さくなり発光装置を薄型化することができ、発光素子をＳｉダイオードの凹部の中に収めることで、Ｓｉダイオードと半導体発光素子との積層高さを更に低くすることができ、凹部の中に発光素子の全体が落ち込む構成とすれば、Ｓｉダイオードだけの厚さの製品が得られ、
実施の形態の具体例において、
Ｓｉダイオード１は、例えばｎ型シリコン基板を利用したもので、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光素子をそれぞれ搭載する部分に凹部１ａ，１ｂ，１ｂ−１を形成してなり、ｎ型シリコン基板１ｃを基材とし、配線パターン２ａ〜２ｃ及び電極３ａ〜３ｃを表面側に形成し、凹部１ｂ−１の底面部の一部を除いて被覆する酸化膜１ｄを形成し、この酸化膜１ｄで被覆されていない部分を拡散窓としてｐ型不純物イオンを注入することによって、ｐ型半導体領域１ｅを拡散形成し、ｎ型シリコン基板１ｃの表面には、ｎ電極１ｆとｐ電極１ｇをそれぞれ金属蒸着法によって形成し、ｎ電極１ｆは凹部１ｂ−１の右端部に偏って傾斜面までに亘って形成され、酸化膜１ｄが形成されていない部分によってｎ型シリコン基板１ｃに導通しており、ｐ電極１ｇはｎ型シリコン基板１ｃに拡散形成したｐ型半導体領域１ｅに接合されており、
発光素子６は、ＧａＮ系化合物半導体を絶縁性のサファイア基板に積層してその中の１つの層として形成されるＩｎＧａＮ活性層を発光層とし、フリップチップ型としてＳｉダイオード１の上面に搭載されるものであり、透明のサファイア基板６ａに積層したｎ型層及びｐ型層のそれぞれの表面にｎ側電極６ｂ及びｐ側電極６ｃを蒸着法によって形成したものであり、
Ｓｉダイオード１のｎ電極１ｆとｐ電極１ｇとに跨がる配置として発光素子６を搭載し、ｎ側電極６ｂ及びｐ側電極６ｃをそれぞれｐ電極１ｇ及びｎ電極１ｆにマウント接合する、
フルカラー半導体発光装置。」
　
（２）対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。 
　
　ア　引用発明の「フルカラー半導体発光装置」は、本願補正発明の「半導体レーザモジュール」に相当する。
　
　イ　引用発明の「半導体発光素子」は、「透明のサファイア基板に積層したｎ型層及びｐ型層のそれぞれの表面にｎ側電極及びｐ側電極を蒸着法によって形成したもの」であるから、本願補正発明の「第１電極と第２電極を備える発光素子」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「静電気保護用のＳｉダイオード」は、「前記半導体発光素子を外部の電気回路に導通接続させる回路パターンを形成してなり、また、前記各色の半導体発光素子を落とし込んで搭載する凹部を形成してな」るものであるから、引用発明の「静電気保護用のＳｉダイオード」及び「凹部」は、それぞれ、本願補正発明の「半導体部材」及び「キャビティ」に相当し、引用発明は、本願補正発明の「主面にキャビティが形成され、前記発光素子が前記キャビティの内部に装着され、前記発光素子と電気的に接続される半導体部材と、を含み」との特定事項を備える。
　また、引用発明の「Ｓｉダイオード」は、実施の形態の具体例において、「基材」としての「ｎ型シリコン基板１ｃ」及び「ｐ型不純物イオンを注入することによって」「拡散形成し」た「ｐ型半導体領域１ｅ」を含むものであり、これらはそれぞれ、「ｎ電極１ｆ」及び「ｐ電極１ｇ」に導通(接合)しており、さらに、「発光素子のＳｉダイオード１のｎ電極１ｆとｐ電極１ｇとに跨がる配置として発光素子６を搭載し、ｎ側電極６ｂ及びｐ側電極６ｃをそれぞれｐ電極１ｇ及びｎ電極１ｆにマウント接合」しているから、引用発明の「Ｓｉダイオード」は、本願補正発明の「前記半導体部材は、前記第１及び第２電極とそれぞれ電気的に接続される少なくとも２つの半導体領域が、前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面に備えられるｐｎｐ接合２重しきいツェナーダイオード」と、「前記半導体部材は、前記第１及び第２電極とそれぞれ電気的に接続される少なくとも２つの半導体領域が備えられるダイオード」である点で一致する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「第１電極と第２電極を備える発光素子と、
主面にキャビティが形成され、前記発光素子が前記キャビティの内部に装着され、前記発光素子と電気的に接続される半導体部材と、を含み、
前記半導体部材は、前記第１及び第２電極とそれぞれ電気的に接続される少なくとも２つの半導体領域が備えられるダイオードである、
発光装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
ａ．本願補正発明の「半導体部材」は、「ｐｎｐ接合２重しきいツェナーダイオード」である、すなわち、「前記第１電極と電気的に接続され、」「前記主面の一部にドープされることで形成された第１ｐタイプ半導体拡散領域」と、「前記第２電極と電気的に接続され、」「前記主面の別の一部にドープされることで形成された第２ｐタイプ半導体拡散領域」と、「前記半導体部材から前記第１及び第２ｐタイプ半導体拡散領域を除いた領域であるｎタイプ半導体領域」とを含むものであるのに対して、引用発明の「静電気保護用のＳｉダイオード」（半導体部材）は、その実施の形態の具体例において、「ｎ型シリコン基板１ｃに拡散形成したｐ型半導体領域」を１つ有するものとされており、上記本願補正発明の特定事項を有していない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ．本願補正発明の「半導体部材」の「少なくとも２つの半導体領域」は「前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面に備えられる」ものである、すなわち、「第１ｐタイプ半導体拡散領域」が「前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面の一部にドープされることで形成され」、「第２ｐタイプ半導体拡散領域」が「前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面の別の一部にドープされることで形成された」ものであるのに対して、引用発明の「Ｓｉダイオード」（半導体部材）の「ｐ型半導体領域１ｅを拡散形成し」た位置は、その実施の形態の具体例において、「凹部１ｂ−１の底面部の一部」である点（以下「相違点２」という。）。
　
（３）判断 
　上記各相違点について検討する。 
　
　ア　相違点１について
　発光装置の保護回路として双方向性のツェナーダイオード（ｐｎｐ接合２重しきいツェナーダイオード）を用いること、そして、該ツェナーダイオードを、発光素子を搭載する半導体基板上に作製すること、すなわち、不純物拡散によって、半導体基板上に２つのｐ型半導体領域とｎ型半導体領域とを形成することは、本願の優先日当時において周知の技術である（特開２００１−１５８１５号公報（請求項６、段落００３１〜００３５、図１３〜図１５参照。）、特開２００３−１７５７４号公報（全文、全図参照。）、特開２００１−２４４５０６号公報（全文、全図、特に、請求項１、図２、図９参照。）等参照。）。
　したがって、引用発明において、上記周知技術を採用し、「静電気保護用のＳｉダイオード」を、「ｐｎｐ接合２重しきいツェナーダイオード」とし、「前記第１電極と電気的に接続され、主面の一部にドープされることで形成された第１ｐタイプ半導体拡散領域と、前記第２電極と電気的に接続され、主面の別の一部にドープされることで形成された第２ｐタイプ半導体拡散領域と、前記半導体部材から前記第１及び第２ｐタイプ半導体拡散領域を除いた領域であるｎタイプ半導体領域と、を含む」ものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　イ　相違点２について
　上記（１）に示した引用刊行物において、「ｐ型半導体領域１ｅを拡散形成し」た位置を「凹部１ｂ−１の底面部の一部」であるとした点は、実施の形態の具体例における記載であるから、引用発明の一実施例を特定したものにすぎないといえる。
　上記（１）ア、エ、キの引用刊行物における請求項とそれに対応した効果に関する記載によれば、引用発明における「凹部」は、半導体発光素子を落とし込んで搭載することにより発光装置の高さ寸法を小さくするためのものであって、発明の課題とその解決手段という観点からは、その底部に半導体拡散領域を形成する必然性はない。
　また、引用刊行物の図３からは、上記（１）オに示した実施の形態の具体例において、Ｓｉダイオードの「ｎ電極１ｆとｐ電極１ｇ」は、凹部の底面部、凹部の側壁、側壁の上端から延長される主面上に延在して形成されていることが見て取れること、そして、発光素子６の「ｎ側電極６ｂ及びｐ側電極６ｃ」は、それぞれ、「ｐ電極１ｇ及びｎ電極１ｆにマウント接合する」ものであることから、Ｓｉダイオードと発光素子との電気的接合は、「ｐ型半導体領域１ｅ」が側壁の上端から延長される主面上を含め「ｐ電極１ｇ」が延在する基板上のどの位置にあっても可能であると認められる。
　してみると、引用発明において「ｐ型半導体領域１ｅを拡散形成」する位置をどこにするかは、当業者が発明の実施に際して適宜選択し得る設計的事項であると認められ、上記アに示したとおり、引用発明に周知技術を適用して静電気保護用のＳｉダイオードをｐｎｐ接合２重しきいツェナーダイオードとする際に、その２つのｐ型半導体領域を、キャビティ（凹部）の側壁の上端から延長される主面に備えられるものとし、相違点２に係る本願補正発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　ウ　相違点２に係る発明特定事項の効果について
　なお、審判請求人は、審判請求書等において、本願補正発明の相違点２に係る特定事項の特有の効果を主張しているため、この点について以下検討する。
　
（ア）本願の明細書には、半導体拡散領域を、キャビティの底面に形成する実施形態と、半導体部材の主面に形成する実施形態とが記載されているが、それぞれの実施形態を採ることの技術的意義、それぞれの実施形態特有の効果等については、何ら記載されていない。かえって、「本発明の第１及び第２実施形態のように、半導体部材２１が電圧調整ダイオードの役割をするために、１対の連結電極２６と電気的に接続される複数の半導体領域がキャビティ２０の側壁の上端に延長される前記主面に形成される。しかしながら、この半導体領域は、キャビティ２０の底面に形成されることも可能である。」（段落００３９）、「図示されていないが、このｐ−ウェル及びｎ−ウェルから構成される半導体領域を半導体部材２１に形成するとき、本発明の第１及び第２実施形態において説明した通り、キャビティ２０の側壁の上端から延長される半導体部材２１の主面に具現することもできる。」（段落００４８）と記載されているように、上記２つの実施形態は、互いに代替可能であることが明示されている。
　してみると、本願明細書の記載からは、半導体拡散領域の位置をどこにするかは当業者が発明の実施に際して適宜選択し得る設計的事項であるとした上記イの判断を覆すべき根拠は見いだせない。
　
（イ）上記事項の効果について、審判請求人は、審判請求書の請求の理由（（３）本願発明が特許されるべき理由　（ｄ）本願発明と引用発明との対比　１）本願請求項１及び２に係る発明と引用発明との対比 ）において、「一般に、半導体領域をキャビティ内に形成することは、半導体部材の平坦な部分である主面上に形成することよりも困難であることは明らかであり、本願請求項１に係る発明は、上記構成を有することにより、エッチングプロセス等によりキャビティを形成する以前に、半導体部材の平坦な部分である主面に対するドーピングプロセスによって、容易に各半導体拡散領域を形成することが可能となるという特有の効果を奏するものである。したがって、半導体領域を『「前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面」に備える、又は、形成する点は、格別の効果を奏するものとはいえないから、適宜なし得る設計事項である』とした認定は成り立たない。」と主張している。
　しかしながら、上記のような特有の効果を奏することが本願明細書に開示されていないことは上記（ア）に示したとおりであり、また、半導体拡散領域を形成する際に、「半導体領域をキャビティ内に形成することは、半導体部材の平坦な部分である主面上に形成することよりも困難である」というような技術常識の存在も認められない。
　
（ウ）また、審判請求人は、平成２１年１２月２３日付けの回答書（３．本願発明と引用文献及び周知文献の発明との対比 （１）本願請求項１及び２に係る発明について）において、「（ｃ）本願請求項１に係る発光装置では、このような構成により、基板に対するドーピングにより「ｎタイプ半導体領域」を形成し、基板の主面上に「ｐタイプ半導体拡散領域」を形成した後、「キャビティ」を形成することが可能となるため、ｐタイプ半導体拡散領域のドーピング工程を容易かつ正確に実行することが可能となるものである。そして、一般に、このように製造工程を改善可能であることが、最終生産物としての発光装置の性能の向上に対して、大きく寄与するものであることは明らかである。」とも主張している。
　しかしながら、上記主張の技術的意味自体明確ではなく、また、そもそも、本願の明細書において開示されている製造方法（段落００５０〜００６４及び図６〜図１１）は、基板の主面上に「キャビティ」を形成した後に、「ｐタイプ半導体拡散領域」を形成するもののみであり、本願の明細書には、上記出願人の主張のような、「キャビティ」と「ｐタイプ半導体拡散領域」の形成の順序を逆にした製造方法については記載も示唆もないのであるから、本願補正発明が上記主張のような効果を奏するものと認めることはできない。
（エ）上記（ア）〜（ウ）のとおり、本願補正発明の相違点２に係る発明特定事項が格別の効果を奏するものであるとの主張は採用することができるものではなく、上記イに示した判断を覆すべき根拠は見いだせない。
　
　エ　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、引用刊行物記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年５月２７日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３７に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項２１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「第１電極と第２電極を備えた発光素子と、
主面にキャビティが形成され、前記発光素子が前記キャビティの内部に装着され、前記発光素子と電気的に接続される半導体部材と、を含み、
前記半導体部材は、前記第１及び第２電極とそれぞれ電気的に接続される少なくとも２つの半導体領域が前記主面に備えられ、前記半導体領域の少なくとも１つが前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面に備えられる電圧調整ダイオードであり、
前記半導体領域は、
前記第１電極と電気的に接続され、前記主面の一部に形成された第１半導体領域と、
前記第２電極と電気的に接続され、前記主面の一部に形成された第２半導体領域と、
前記半導体部材から前記第１及び第２半導体領域を除いた領域である第３半導体領域と、
を含むことを特徴とする発光装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−３５４８３６号公報（「引用刊行物」）には、上記第２の２（１）に摘記した事項及び引用発明が記載されている。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　本願発明は、上記第２の１に示した本願補正発明から、「電圧調整ダイオード」を「ｐｎｐ接合２重しきいツェナーダイオード」とした限定、「前記第１半導体領域が、前記第１電極と電気的に接続され、前記主面の一部にドープされることで形成された第１ｐタイプ半導体拡散領域を含み、前記第２半導体領域が、前記第２電極と電気的に接続され、前記主面の一部にドープされることで形成された第２ｐタイプ半導体拡散領域を含み、前記第３半導体領域が、前記半導体部材から前記第１及び第２ｐタイプ半導体拡散領域を除いた領域であるｎタイプ半導体領域を含む」との限定（請求項２１を引用する請求項２２の記載事項）、及び「前記第１及び第２ｐタイプ半導体拡散領域は、前記キャビティの側壁の上端から延長される前記主面に備えられる」との限定（請求項２２を引用する請求項２３の記載事項）を省いたものである。
　してみると、上記第１の２に示したように、上記全ての限定を含んだ本願補正発明が、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、上記各限定を省いたものである本願発明も、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。