【事件の表示】
　特願２００１−４０２０６１「アクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年７月２５日出願公開，特開２００３−２０９１１８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年１２月２８日（パリ条約による優先権主張２０００年１２月２９日，韓国）の出願であって，平成１７年９月９日付けの拒絶理由通知に対して，平成１８年１月４日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年９月１日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１２月２５日に審判請求がされるとともに，平成１９年１月２４日に手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１９年１月２４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，その内容は，以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　　・補正前の請求項１の
「前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタのチャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレインが，チャネル領域の電流の流れる方向に実質的に平行である」
　との記載を，補正後の請求項１の
「前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタのチャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレインが，チャネル領域の電流の流れる方向に実質的に平行であり，
　前記各スキャンラインにスキャン信号を印加するゲートドライブＩＣと，
　前記各データラインにデータ信号を印加するデータドライブＩＣとを更に備え，
　前記ゲートドライブＩＣ及びデータドライブＩＣは複数の薄膜トランジスタを備え，各薄膜トランジスタはＳＬＳ方式により形成される」
　と補正する。
　
〈補正事項ｂ〉
　　・補正前の請求項３〜請求項１１を削除する。
　
２　補正目的の適否
（１）ア　補正事項ａについて
　補正事項ａは，補正前の請求項１を引用する補正前の請求項３及び請求項４の内容を請求項１に取り込んで補正前の請求項１の内容をより限定したものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
　　　イ　補正事項ｂについて
　補正事項ｂは，請求項の削除を目的とするものである。
　
（２）したがって，特許請求の範囲についての本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項１号及び２号に規定する要件を満たす。
　
（３）そこで，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（同特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（本願補正発明）は，次のとおりである。
　
【請求項１】
「基板上に一方向に配列されたスキャンラインと，
　前記スキャンラインに垂直な方向に配列されたデータラインと，
　前記データラインと一定の距離を有し，前記データラインに平行な方向に配列されたパワーラインと，
　前記スキャンライン，データライン及びパワーラインの間の画素領域に形成され，印加された電圧に従って光を発光する電界発光素子と，
　前記スキャンラインの信号に従って前記データラインの信号をスイッチングするスイッチングトランジスタと，
　前記スイッチングトランジスタを介して印加される信号に従って前記パワーラインの電源を前記電界発光素子に印加するための駆動トランジスタとを備え，
　前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタがＳＬＳ方式により形成された半導体層を有し，
　前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタのチャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレインが，チャネル領域の電流の流れる方向に実質的に平行であり，
　前記各スキャンラインにスキャン信号を印加するゲートドライブＩＣと，
　前記各データラインにデータ信号を印加するデータドライブＩＣとを更に備え，
　前記ゲートドライブＩＣ及びデータドライブＩＣは複数の薄膜トランジスタを備え，各薄膜トランジスタはＳＬＳ方式により形成されることを特徴とするアクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開平１１−６５４８７号公報
　　引用例２：特表２０００−５０５２４１号公報
　
（３）引用例１の記載と引用発明
（３−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−６５４８７号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜図３，図１３〜図１６とともに，次の記載がある（下線は当審で付加）。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は，有機半導体膜等の発光薄膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの薄膜発光素子を薄膜トランジスタ（以下，ＴＦＴという。）で駆動制御するアクティブマトリクス型表示装置に関するものである
・「【０００３】
図１３は，このような電荷注入型の有機薄膜ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図を示してある
この図に示すアクティブマトリクス型表示装置１Ａでは，透明基板１０上に，複数の走査線ｇａｔｅと，該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと，該データ線ｓｉｇに並列する複数の共通給電線ｃｏｍと，データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成された複数の画素７とが構成されている
データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに対してはデータ線駆動回路３および走査線駆動回路４が構成されている
各々の画素７には，走査線ｇａｔｅを介して走査信号が供給される導通制御回路５０と，この導通制御回路５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成されている
導通制御回路５０は，走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ２０と，この第１のＴＦＴ２０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと，この保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０とから構成されている
第２のＴＦＴ３０と薄膜発光素子４０とは，詳しくは後述する対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとの間に直列に接続している
この薄膜発光素子４０は，第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときには共通給電線ｃｏｍから駆動電流が流れ込んで発光するとともに，この発光状態は保持容量ｃａｐによって所定の期間，保持される
【０００４】
このような構成のアクティブマトリクス型表示装置１Ａでは，図１４および図１５（Ａ），（Ｂ）に示すように，いずれの画素７においても，島状の半導体膜を利用して第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０が形成されている
第１のＴＦＴ２０は，ゲート電極２１が走査線ｇａｔｅの一部として構成されている
第１のＴＦＴ２０は，ソース・ドレイン領域の一方に第１層間絶縁膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉｇが電気的に接続し，他方にはドレイン電極２２が電気的に接続している
ドレイン電極２２は，第２のＴＦＴ３０の形成領域に向けて延設されており，この延設部分には第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して電気的に接続している
第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方には，第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して中継電極３５が電気的に接続し，この中継電極３５には第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄膜発光素子４０の画素電極４１が電気的に接続している
【０００５】
画素電極４１は，図１４および図１５（Ｂ），（Ｃ）からわかるように各画素７毎に独立して形成されている
図１３からわかるように，対向電極ｏｐは，画素７が構成されている表示部１１だけでなく，透明基板１０の略全面に形成されている
【０００６】再び，
図１４および図１５（Ａ）において，第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一方には，第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している
共通給電線ｃｏｍの延設部分３９は，第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１の延設部分３６に対して，第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜として挟んで対向し，保持容量ｃａｐを構成している
【０００７】【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記のアクティブマトリクス型表示装置１Ａにおいて，画素電極４１に対向する対向電極ｏｐは，液晶アクティブマトリクス型表示装置と相違して，同じ透明基板１０上においてデータ線ｓｉｇとの間に第２の層間絶縁膜５２しか有しないので，データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生し，データ線駆動回路３の負荷が大きい。
【０００８】そこで，本願発明者は，図１３，図１４，および図１６（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すように，対向電極ｏｐとデータ線ｓｉｇなどとの間に厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付した領域）を設け，データ線ｓｉｇに寄生する容量を低減することを提案する。併せて，この絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ）で有機半導体膜４３の形成領域を囲むことによって，インクジェットヘッドから吐出した液状の材料（吐出液）から有機半導体膜４３を形成する際に吐出液をバンク層ｂａｎｋでせき止め，吐出液が側方にはみ出すことを防止することを提案する。しかし，かかる構造を採用すると，厚いバンク層ｂａｎｋの存在に起因して大きな段差ｂｂが形成され，このバンク層ｂａｎｋの上層に形成される対向電極ｏｐが前記の段差ｂｂの部分で断線しやすい。このような段差ｂｂで対向電極ｏｐに断線が生じると，この部分の対向電極ｏｐは周囲の対向電極ｏｐから絶縁状態になって表示の点欠陥あるいは線欠陥を発生させる。また，データ側駆動回路３や走査側駆動回路４の表面を覆うバンク層ｂａｎｋの外周縁に沿って対向電極ｏｐに断線が起こると，表示部１１の対向電極ｏｐと端子１２との間が完全に絶縁状態になって表示が全くできなくなる。
【０００９】そこで，本発明の課題は，有機半導体膜の周りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑え，この厚い絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線などが発生しないアクティブマトリクス型表示装置を提供することにある。」
　
　　イ　実施例
・「【００１９】【発明の実施の形態】図面を参照して，本発明の実施の形態を説明する。なお，以下の説明において，図１３ないし図１６を説明した要素と共通する部分には同一の符号を付してある。
【００２０】［実施の形態１］
（全体構成）図１は，アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図２は，それに構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図，図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ図２のＡ−Ａ′断面図，Ｂ−Ｂ′断面図，およびＣ−Ｃ′断面図である。
【００２１】
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置１では，その基体たる透明基板１０の中央部分が表示部１１とされている。透明基板１０の外周部分のうち，データ線ｓｉｇの端部には画像信号を出力するデータ側駆動回路３が構成され，走査線ｇａｔｅの端部には走査信号を出力する走査側駆動回路４が構成されている
これらの駆動回路３，４では，Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦＴとによって相補型ＴＦＴが構成され，この相補型ＴＦＴは，シフトレジスタ回路，レベルシフタ回路，アナログスイッチ回路などを構成している。表示部１１では，液晶アクティブマトリクス型表示装置のアクティブマトリクス基板と同様，透明基板１０上に，複数の走査線ｇａｔｅと，該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと，データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成された複数の画素７とが構成されている
【００２２】
各々の画素７には，走査線ｇａｔｅを介して走査信号が供給される導通制御回路５０と，この導通制御回路５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成されている
ここに示す例においては，導通制御回路５０は，走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ２０と，この第１のＴＦＴ２０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと，この保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０とから構成されている
第２のＴＦＴ３０と薄膜発光素子４０とは，詳しくは後述する対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとの間に直列に接続している
【００２３】
このような構成のアクティブマトリクス型表示装置１では，図２および図３（（Ａ），（Ｂ）に示すように，いずれの画素７においても，島状の半導体膜（シリコン膜）を利用して第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０が形成されている
【００２４】
第１のＴＦＴ２０は，ゲート電極２１が走査線ｇａｔｅの一部として構成されている。第１のＴＦＴ２０は，ソース・ドレイン領域の一方に第１層間絶縁膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉｇが電気的に接続し，他方にはドレイン電極２２が電気的に接続している
ドレイン電極２２は，第２のＴＦＴ３０の形成領域に向けて延設されており，この延設部分には第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して電気的に接続している
【００２５】
第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方には，第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して，データ線ｓｉｇと同時形成された中継電極３５が電気的に接続し，この中継電極３５には第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄膜発光素子４０のＩＴＯ膜からなる透明な画素電極４１が電気的に接続している
【００２６】
図２および図３（Ｂ），（Ｃ）からわかるように，画素電極４１は各画素７毎に独立して形成されている
素電極４１の上層側には，発光薄膜としてポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などのからなる有機半導体膜４３，およびリチウム含有アルミニウム，カルシウムなどの金属膜からなる対向電極ｏｐがこの順に積層され，薄膜発光素子４０が構成されている
・「【００２８】
再び，図２および図３（Ａ）において，第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一方には，第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している
共通給電線ｃｏｍの延設部分３９は，第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１の延設部分３６に対して，第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜として挟んで対向し，保持容量ｃａｐを構成している
【００２９】
このようにアクティブマトリクス型表示装置１において，走査信号によって選択されて第１のＴＦＴ２０がオン状態になると，データ線ｓｉｇからの画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１に印加されるとともに，画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる
その結果，第２のＴＦＴ３０がオン状態になると，対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ負極および正極として電圧が印加され，印加電圧がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜４３に流れる電流（駆動電流）が急激に増大する
従って，発光素子４０は，エレクトロルミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光し，発光素子４０の光は，対向電極ｏｐに反射されて透明な画素電極４１および透明基板１０を透過して出射される
　
　　ウ　駆動回路について
・「【００４８】
なお，図１に示すデータ側駆動回路３や走査側駆動回路４にもＴＦＴが形成されるが，これらのＴＦＴは前記の画素７にＴＦＴを形成していく工程の全部あるいは一部を援用して行われる
それ故，駆動回路を構成するＴＦＴも，画素７のＴＦＴと同一の層間に形成されることになる
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜ウによれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「透明基板１０上に形成された複数の走査線ｇａｔｅと，
　前記走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設されて形成された複数のデータ線ｓｉｇと，
　前記データ線ｓｉｇに並列して形成された複数の共通給電線ｃｏｍと，
　前記データ線ｓｉｇと前記走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成された各々の画素７に設けられ，前記走査線ｇａｔｅを介して供給される走査信号と，前記データ線ｓｉｇを介して供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０と，
　前記走査線ｇａｔｅを介して前記走査信号がゲート電極に供給され，ソース・ドレイン領域の一方に前記データ線ｓｉｇが電気的に接続される第１のＴＦＴ２０と，
　前記第１のＴＦＴ２０を介して前記データ線ｓｉｇから供給される前記画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０とを有し，
　前記第２のＴＦＴ３０と前記薄膜発光素子４０とは，対向電極ｏｐと前記共通給電線ｃｏｍとの間に直列に接続しており，前記第１のＴＦＴ２０と前記第２のＴＦＴ３０は，レーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い結晶化された島状の半導体膜を有し，
　前記透明基板１０の外周部分のうち，前記データ線ｓｉｇの端部に形成された前記画像信号を出力するデータ側駆動回路３と，
前記走査線ｇａｔｅの端部に形成された前記走査信号を出力する走査側駆動回路４とを更に備え，
　前記データ側駆動回路３と前記走査側駆動回路４とは，Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦＴとによる相補型ＴＦＴを備え，前記相補型ＴＦＴの形成は前記画素７にＴＦＴを形成していく工程の全部あるいは一部を援用して行われることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。」
　
（４）引用例２の記載
　原査定の拒絶理由通知に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２０００−５０５２４１号公報（以下「引用例２」という。）には，図１〜図３，図７〜図９，図１２とともに，次の記載がある（下線は当審で付加）。
　
　　ア　発明の背景等
・「発明の背景
　
半導体デバイスは例えば水晶又はガラスの基板上のシリコンの層又は膜に形成することができる。この技術はイメージセンサ及びアクティブマトリックス液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）のデバイスの製造に用いられる
後者の場合，適切に透明な基板上の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の規則的なアレイにおいて，各トランジスタは画素コントローラとして作用する。市販されているＡＭＬＣＤデバイスにおいて，薄膜トランジスタは水和したアモルファスシリコン膜に形成される（ａ−Ｓｉ：Ｈ  ＴＦＴ）
　
ＴＦＴのスイッチング特性を増強するため，アモルファスシリコンの代わりに多結晶シリコンが用いられている。多結晶構造体は，例えば堆積しているアモルファス又は微結晶シリコン膜をエキシマレーザで結晶化（ＥＬＣ）することにより得られる
　
しかしながら，ランダムに結晶化している多結晶シリコンを用いる場合，満足されない結果が生じてしまう
小さな粒子のポリシリコンの場合，例えばＴＦＴのアクティブチャネル領域において多数の大きな角度の粒子境界によりデバイス性能が制限されてしまう
大粒子のポリシリコンはこの点に関しては優れているが，あるＴＦＴに別のＴＦＴと比べて顕著な粒子構造の不規則性が存在するとＴＦＴアレイにデバイス特性の不均一性が生じてしまう
　
　　イ　特許請求の範囲
・「41．
基板上の半導体材料の膜に横方向に延在する結晶領域を形成するに当たり
  （ａ）
半導体材料中に熱を誘導するパルス状の放射を用い，前記膜の第１の部分を露光してその厚さにわたって第１の部分の半導体材料を溶融し
  （ｂ）
前記第１の部分の半導体を凝固させ，前記第１の部分の境界部分に少なくとも１個の半導体結晶を形成し，この第１の部分を次のの処理に対する以前の部分とし
  （ｃ）
前記以前の部分からステップ移動方向にステップ移動すると共に少なくとも１個の半導体結晶と部分的に重なり合う半導体の別の部分を露光し
  （ｄ）
前記別の部分の溶融した半導体材料を凝固させ，半導体結晶をステップ移動方向に成長させることにより半導体結晶を拡大させ
  （ｅ）
工程（ｃ）と（ｄ）の組合せを繰り返し，所望の結晶領域が形成されるまで，各工程の別の部分を次の工程の対して以前の部分とする方法
　
　　ウ　発明の概要
・「発明の概要
　
デバイス特性及びデバイスの不均一性を改善するため，基板上の半導体膜に横方向に凝固させる技術を適用する
　この技術の第１の好適な実施例において，露光される構造体は基板により支持された第１の半導体膜，第１の半導体膜上の耐熱性膜，及び耐熱性膜上の第２の半導体膜を含む。この実施例において，構造体の前側及び後側の両方をパルスで露光する。」（７頁２５行〜８頁７行）
・「 
好適な第３の実施例において，ビームを繰り返し照射し，放射パターンを横方向にステップ移動させて溶融及び凝固を繰り返すことにより拡大した単一結晶領域を形成する
　
有益なものとして，この技術は高速液晶表示装置の製造に用いることができ，その製造においては画素コントローラ及び／又はドライバ回路は単一結晶として又は規則的な／準規則的な多結晶膜として形成する
別の用途として，イメージセンサ，スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ），シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）デバイス，及び３次元集積化回路デバイスが含まれる
　
　　エ　第１実施例
・「第１実施例
　図１の投影露光装置は，エキシマレーザ１１，ミラー１２，ビームスプリッタ１３，可変焦点視野レンズ１４，パターン化された投影マスク１５，２個の素子の結像レンズ１６，サンプルステージ１７，可変減衰器１８，及び収束レンズ１９を含んでいる。この投影装置を用いることにより，ステージ１７上のサンプル１０の前側面及び後側面に同時に放射パルスを供給することができる。
　この技術の第１実施例の場合，図２に示すように，透明基板２０，第１のアモルファスシリコン膜２１，ＳｉＯ2膜２２，及び第２のアモルファスシリコン膜２３を含む「二重層」（ＤＬ）サンプル構造体を用意した。アモルファスシリコン膜の膜厚は１００ｎｍとし，ＳｉＯ2膜の膜厚は５００ｎｍとした。例えば窒化シリコン又は高温ガラスのような別の耐熱性材料を膜２２に用いることができる。
　第２のすなわち頂部シリコン膜２３上にパターン投影を行い第１のすなわち底部シリコン膜２１にブロードなビーム照射を行うと，第１のシリコン膜２１は含まれる犠牲層として調整され，頂部シリコン膜２３における横方向の結晶化速度を最大にすることができる。これらの膜の役割は，パターンを基板を介して第１の膜上に投影する場合，反転させることができる。パターンが投影された膜において，横方向に凝固した粒子が形成され，例えばＴＦＴ用に良好に適合した処理膜が形成される。
　図２に基づく構造体は，アモルファス−シリコン，ＳｉＯ2トラックアモルファス−シリコンを水晶基板上に順次低圧化学気相体積することにより用意される。アモルファス又は微結晶堆積する別の適切な堆積方法には，例えばプラズマエンハンスド化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ），蒸着，又はスパッタリングが含まれる。
　サンプルは図１の投影露光装置のステージ１７上に配置ずる。マスク１５は，１０〜１００μｍの種々の分離距離で５０μｍ幅の簡単な細条のパターンを有する。
　マスクパターンは３〜６の範囲の種々の縮小倍率でサンプル上に投影する。後ろ側のエネルギー密度は可変減衰器１８により制御する。サンプルは３０８ｎｍの波長の３０ｎ秒ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて室温で照射され，この波長域において水晶は透明である。このレーザは，LambdaPhysik Compex３０１の商品名で市販されている。ガラス基板の場合，例えば３４８ｎｍのようなより長い波長が必要である。
　ビーム照射は固定された前側エネルギー密度及び種々の後側エネルギー密度で行う。評価した前側エネルギー密度はサンプル面で約１．０Ｊ／ｃｍ2である。後側エネルギー密度は１７０〜６８０ｍＪ／ｃｍ2である。
　照射に続いて試験を行うため，膜全体をセコ（Ｓｅｃｃｏ）エッチ剤を用いて欠陥エッチングを行い，走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試験を行った。最も大きな不均一な粒子は５１０ｍＪ／ｃｍ2の後側エネルギー密度の場合に得られた。これらの粒子は細条状領域の２個の側から横方向に成長し，細条の中心線上に良好に規定された粒子境界で２本の粒子列を形成している。
　
生じた個別の結晶体がＴＦＴのアクティブチャネル領域全体を形成するのに十分でない場合でも，この結晶体は例えば図３Ａ又は図３Ｂに図示するようなＴＦＴのアクティブチャネル領域として作用できる規則的な又は準規則的な多結晶構造体を形成する
ソース電極３１，ドレイン電極３２ゲート電極３３及びアクティブチャネル領域３４を示す
図３Ａにおいて，アクティブチャネル領域は，上述したようにして生成された両方の粒子列を含む。図３Ｂのような十分に大きな粒子の場合，アクティブチャネル領域は粒子の単一列としで形成することができる
　第１の実施例による処理方法において，底部犠牲層２１の役割は，ビームにより加熱する場合エネルギーを蓄積する加熱サセプタの役割として理解することができ，最大の効果はこの膜が溶融する場合に得られる。蓄積した熱は凝固中に解放される。これにより，頂部膜２３が伝導により熱を喪失ずる程度が低減される。従って，最大の利点を得るためには，露光される構造体を適切な寸法にすることが重要である。」（引用例２，９頁１９行〜１１頁１５行）
　
　　オ　第３実施例
・「第３実施例
　図７の投影露光装置は，エキシマレーザ７１，ミラー７２，可変焦点視野レンズ７４，パターンが形成されたマスク７５，２素子結像レンズ７６，サンプルステージ７７，及び可変減衰器７８を含む。サンプル７０はサンプルステージ７７上に配置する。この装置を用いて鮮明なビームを発生させることにより，
順次横方向凝集（ＳＬＳ）プロセスで単一結晶のシリコン領域を段階成長させることができる
　
図８のサンプル構造体は，基板８０，熱酸化膜８１，及びアモルファスシリコン膜８２を有する
　以下の説明において，図９Ａ〜９Ｆ，第１の変形例の２個の例を示す図１０Ａ〜１０Ｆ及び第２の変形例を示す図１１Ａ〜１１Ｂを参照して第３実施例の技術を説明する。
　
本例において矩形にパターン化されているアモルファスシリコン膜８２からスタートし（図９Ａ），２本の破線により境界されているシリコン膜８２の領域９１をパルスで露光し，この領域のシリコンを完全に溶融させ（図９Ｂ），次に領域９１の溶融シリコンを再凝固させる（図９Ｃ）
領域９１は細条状とし，この領域９１の露光はマスクされた露光により又は近接マスクを用いて行うことができる
領域９１の溶融シリコンの再凝固に際し，２個の粒子列が領域９１の破線の境界部から領域９１の中央に向けて爆発的に成長する。２本の粒子列の成長は，最終の距離９２に至る特有の横方向の成長である
領域９１の残りの部分において，微細に粒子化した多結晶領域９３が形成される。好ましくは，この細条の幅は，再凝固に際し２本の粒子列が集束することなく互いに近づくように選択する
　
露光される隣接領域はマスク投影又は近接マスクに対してサンプルを結晶成長の方向にシフト（ステッピング）することにより規定される
シフトした（ステップ移動した）領域９４は図９Ｄの２本の破線により境界される
シフトする距離は，露光される次の領域が前回露光した領域と重なって図９Ｅに示すように一方の結晶の列が部分的に溶融する間に他方の結晶の列が完全に溶融するように設定する
再凝固に際し，部分的に溶融している結晶の列は，
９Ｆに示すように，一層長くなる
露光される部分を繰り返しシストすることにより，所望の長さの単一結晶粒子を成長せることができる
・「図９Ａ〜９Ｆ，図１０Ａ〜１０Ｆ及び図１１Ａ〜１１Ｃの実施例の順次の横方向溶融及び再凝固は，水晶基板上にコートされ膜厚が１００〜２４０ｎｍのの二酸化シリコン上に化学気相堆積（ＣＶＤ）により堆積したアモルファスシリコン膜について行った。単一結晶細条の形成はは，欠陥エッチングサンプルの光学式走査電子顕微鏡により確認した。
　選択的なものとして，基板を加熱して溶融に必要なビームエネルギーを低減し又は１ステップ当たりの横方向の成長距離を増大することができる。この利点は，図１に示すステージ上のサンプルを２方向からの露光により実現することができる。」（引用例２，１６頁２０行〜１６頁末行）
　
　　カ　別の用途，画素コントローラ／トライバ回路への適用
・「
別の処理及び用途
本発明により形成された半導体膜を用いることにより，例えばパターン規定，エッチング，不純物注入，絶縁層の堆積，コンタクト形成，及びパターン化された金属層の相互接続のような良好に確立された別の技術により集積化された半導体デバイスを製造することができる
好適な薄膜半導体トランジスタにおいて，少なくともアクティブチャネル領域は，例えば図３Ａ及び３Ｂに示す単一結晶の規則的な又は少なくともほぼ規則的な微細構造を有する
　
特に注目すべきことは，図１２に線図的に示す液晶表示装置にこのようなＴＦＴが含まれることである
このデバイスは，少なくとも表示窓部分１２１が透明な基板１２０を含む。この表示窓含む１２１は画素１２２の規則的なアレイを含み，各画素はＴＦＴ画素コントローラを含む。各画素コントローラはドライバ１２３により個別にアドレスされることができる
好ましくは，画素コントローラ及び／又はドライバ回路は本発明の技術に基づいて形成した半導体材料で形成する
　
別の用途して，イメージセンサ，スタテックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ），シリコン−オンインシュレータ（ＳＯＩ）デバイス，及び三次元集積回路デバイスが含まれる
　
（５）対比
（５−１）次に，本願補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「透明基板１０」及び「走査線ｇａｔｅ」は，それぞれ，本願補正発明の「基板」及び「スキャンライン」に対応するので，引用発明の「透明基板１０上に形成された複数の走査線ｇａｔｅ」は，本願補正発明の「基板上に一方向に配列されたスキャンライン」に相当する。
　　イ　引用発明の「交差する方向」及び「データ線ｓｉｇ」は，それぞれ，本願補正発明の「垂直な方向」及び「データライン」に対応するので，引用発明の「前記走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設されて形成されたた複数のデータ線ｓｉｇ」は，本願補正発明の「前記スキャンラインに垂直な方向に配列されたデータライン」に相当する。
　　ウ　引用発明の「前記データ線ｓｉｇに並列して形成された」及び「共通給電線ｃｏｍ」は，それぞれ，本願補正発明の「前記データラインと一定の距離を有し，前記データラインに平行な方向に配列された」及び「パワーライン」に対応するので，引用発明の「前記データ線ｓｉｇに並列して形成された複数の共通給電線ｃｏｍ」は，本願補正発明の「前記データラインと一定の距離を有し，前記データラインに平行な方向に配列されたパワーライン」に相当する。
　　エ　引用発明の「画素７」及び「発光する薄膜発光素子４０」は，それぞれ，本願補正発明の「画素領域」及び「電界発光素子」に対応するので，引用発明の「前記データ線ｓｉｇと前記走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成された各々の画素７に設けられ，前記走査線ｇａｔｅを介して供給される走査信号と，前記データ線ｓｉｇを介して供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０」は，本願補正発明の「前記スキャンライン，データライン及びパワーラインの間の画素領域に形成され，印加された電圧に従って光を発光する電界発光素子」に相当する。
　　オ　引用発明の「走査信号」，「画像信号」及び「第１のＴＦＴ２０」は，それぞれ，本願補正発明の「スキャンラインの信号」，「データラインの信号」及び「スイッチングトランジスタ」に対応するので，引用発明の「前記走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供給され，ソース・ドレイン領域の一方に前記画像信号を供給する前記データ線ｓｉｇが電気的に接続される第１のＴＦＴ２０」は，本願補正発明の「前記スキャンラインの信号に従って前記データラインの信号をスイッチングするスイッチングトランジスタ」に相当する。
　　カ　引用発明の「第２のＴＦＴ３０」は，本願補正発明の「駆動トランジスタ」に相当し，また，引用発明の「前記第２のＴＦＴ３０と前記薄膜発光素子４０とは，対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとの間に直列に接続して」いるとの記載から，引用発明の「第２のＴＦＴ３０」は，「共通給電線ｃｏｍ」からの電圧を「薄膜発光素子４０」に供給していることが明らかである。したがって，引用発明の「前記第１のＴＦＴ２０を介して前記データ線ｓｉｇから供給される画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０」は，本願補正発明の「前記スイッチングトランジスタを介して印加される信号に従って前記パワーラインの電源を前記電界発光素子に印加するための駆動トランジスタ」に相当する。
　　キ　引用発明の「島状の半導体膜」は，本願補正発明の「半導体層」に対応するので，引用発明の「前記第１のＴＦＴ２０と前記第２のＴＦＴ３０」が「島状の半導体膜を有」することは，本願補正発明の「前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタが」「半導体層を有」することに相当する。
　　ク　引用発明の「走査信号」及び「走査側駆動回路４」は，それぞれ，本願補正発明の「スキャン信号」及び「ゲートドライブＩＣ」に対応するので，引用発明の「前記走査線ｇａｔｅの端部に形成された前記走査信号を出力する走査側駆動回路４」は，本願補正発明の「前記各スキャンラインにスキャン信号を印加するゲートドライブＩＣ」に相当する。
　　ケ　引用発明の「画像信号」及び「データ側駆動回路３」は，それぞれ，本願補正発明の「データ信号」及び「データドライブＩＣ」に対応するので，引用発明の「透明基板１０の外周部分のうち，前記データ線ｓｉｇの端部に形成された前記画像信号を出力するデータ側駆動回路３」は，本願補正発明の「前記各データラインにデータ信号を印加するデータドライブＩＣ」に相当する。
　　コ　引用発明の「相補型ＴＦＴ」は，本願補正発明の「薄膜トランジスタ」に対応するので，引用発明の「前記データ側駆動回路３と前記走査側駆動回路４とは，Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦＴとによる相補型ＴＦＴを備え」ることは，本願補正発明の「前記ゲートドライブＩＣ及びデータドライブＩＣは複数の薄膜トランジスタを備え」ることに相当する。
　　サ　引用発明の「アクティブマトリクス型表示装置」は，有機半導体膜を有する「電界発光素子」を有しているので，本願補正発明の「アクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置」に相当する。
　
（５−２）そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「基板上に一方向に配列されたスキャンラインと，
　前記スキャンラインに垂直な方向に配列されたデータラインと，
　前記データラインと一定の距離を有し，前記データラインに平行な方向に配列されたパワーラインと，
　前記スキャンライン，データライン及びパワーラインの間の画素領域に形成され，印加された電圧に従って光を発光する電界発光素子と，
　前記スキャンラインの信号に従って前記データラインの信号をスイッチングするスイッチングトランジスタと，
　前記スイッチングトランジスタを介して印加される信号に従って前記パワーラインの電源を前記電界発光素子に印加するための駆動トランジスタとを備え，
　前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタが半導体層を有し，
　前記各スキャンラインにスキャン信号を印加するゲートドライブＩＣと，
　前記各データラインにデータ信号を印加するデータドライブＩＣとを更に備え，
　前記ゲートドライブＩＣ及びデータドライブＩＣは複数の薄膜トランジスタを備えることを特徴とするアクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は，「スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタ」及び「ゲートドライブＩＣ及びデータドライブＩＣ」の「各薄膜トランジスタ」が，「ＳＬＳ（Sequential Lateral Solidification）方式により形成される」のに対して，引用発明は，本願補正発明の「スイッチングトランジスタ」に相当する「第１のＴＦＴ２０」と，本願補正発明の「駆動トランジスタ」に相当する「第２のＴＦＴ３０」と，本願補正発明の「ゲートドライブＩＣ及びデータドライブＩＣ」の「各薄膜トランジスタ」に相当する「前記データ側駆動回路３と前記走査側駆動回路４と」の「相補型ＴＦＴ」が，いずれも，ＳＬＳ方式により形成されるものではない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は，「前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタのチャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレインが，チャネル領域の電流の流れる方向に実質的に平行であ」るのに対して，引用発明においては，「チャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレイン」と「チャネル領域の電流の流れる方向」についての限定がない点。
　
　なお，一致点は，本願補正発明が前提としている従来のアクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置に相当するものである。
　
（６）相違点についての判断
（６−１）相違点１について
　　ア　引用例２の図８，図９及び前記（４）イ（特許請求の範囲），オ（第３の実施例）によれば，引用例２には，「ＳＬＳ(Sequential Lateral Solidification）」によるプロセスで，基板上にシリコンの単一結晶粒子を成長させる技術が開示されている。
　
　　イ　さらに，引用例２には，前記（４）カ（別の用途，画素コントローラ／トライバ回路への適用）で摘示したように，図１２とともに，次の記載がある。
　「好適な薄膜半導体トランジスタにおいて，少なくともアクティブチャネル領域は，例えば図３Ａ及び３Ｂに示す単一結晶の規則的な又は少なくともほぼ規則的な微細構造を有する。　特に注目すべきことは，図１２に線図的に示す液晶表示装置にこのようなＴＦＴが含まれることである。このデバイスは，少なくとも表示窓部分１２１が透明な基板１２０を含む。この表示窓含む１２１は画素１２２の規則的なアレイを含み，各画素はＴＦＴ画素コントローラを含む。各画素コントローラはドライバ１２３により個別にアドレスされることができる。好ましくは，画素コントローラ及び／又はドライバ回路は本発明の技術に基づいて形成した半導体材料で形成する。」（引用例２，１７頁５〜１４行）
　したがって，引用例２には，「アクティブマトリックス液晶表示装置」のアクティブマトリックス部分の「画素コントローラ」を構成する「ＴＦＴ」だけでなく，周辺の駆動回路である「ドライバ回路」にも，「ＳＬＳ」によるプロセスで形成したシリコン薄膜を適用することが，好ましい一応用例として記載されていることが分かる。
　ここで，引用例２の「画素コントローラ」を構成する「ＴＦＴ」は，本願補正発明の「スイッチングトランジスタ」及び「駆動トランジスタ」に，また，引用例２の「ドライバ回路」は，本願補正発明の「ゲートドライブＩＣ」及び「データドライブＩＣ」に対応するものである。
　
　　ウ　そうすると，結局，上記相違点１は，アクティブマトリックス型液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として好適なものとして知られていた，「ＳＬＳ(Sequential Lateral Solidification）」によるプロセスで形成した薄膜トランジスタを，周辺のドライバ回路も含めて，アクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置に適用したことに帰着する。
　
　　エ　ところで，上述のように，引用例２においては，「ＳＬＳ(Sequential Lateral Solidification）」によるプロセスで形成した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を，周辺のドライバ回路も含めてアクティブマトリックス型液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に適用した実施例が示されているところ，前記（４）のア（発明の背景），ウ（発明の概要），カ（別の用途，画素コントローラ／トライバ回路への適用）の記載から明らかなように，引用例２に記載の技術は，「液晶表示」装置を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）だけでなく，多数のＴＦＴが用いられ，個々のＴＦＴに均一な特性が要求される装置のＴＦＴに等しく適用できるものである。
　
　　オ　そして，引用発明に係るアクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置においても，それを構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に均一な特性が要求されることは当然であるから，周辺のドライブＩＣを含め，引用発明のアクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に，「ＳＬＳ(Sequential Lateral Solidification）」によるプロセスで形成した薄膜トランジスタを採用することにより，相違点１に係る構成とすることは，当業者にとって極めて容易であったといえる。
　
（６−２）相違点２について
　　ア　前記（４）ア（発明の背景）で摘示したように，引用例２には，発明の背景として，次の記載がある。
　「しかしながら，ランダムに結晶化している多結晶シリコンを用いる場合，満足されない結果が生じてしまう。小さな粒子のポリシリコンの場合，例えばＴＦＴのアクティブチャネル領域において多数の大きな角度の粒子境界によりデバイス性能が制限されてしまう。大粒子のポリシリコンはこの点に関しては優れているが，あるＴＦＴに別のＴＦＴと比べて顕著な粒子構造の不規則性が存在するとＴＦＴアレイにデバイス特性の不均一性が生じてしまう。」（引用例２，７頁７〜２４行）
　　　
　　イ　さらに，次の記載がある。
　「生じた個別の結晶体がＴＦＴのアクティブチャネル領域全体を形成するのに十分でない場合でも，この結晶体は例えば図３Ａ又は図３Ｂに図示するようなＴＦＴのアクティブチャネル領域として作用できる規則的な又は準規則的な多結晶構造体を形成する。ソース電極３１，ドレイン電極３２ゲート電極３３及びアクティブチャネル領域３４を示す。図３Ａにおいて，アクティブチャネル領域は，上述したようにして生成された両方の粒子列を含む。図３Ｂのような十分に大きな粒子の場合，アクティブチャネル領域は粒子の単一列としで形成することができる。」（１１頁２〜９行），「好適な薄膜半導体トランジスタにおいて，少なくともアクティブチャネル領域は，例えば図３Ａ及び３Ｂに示す単一結晶の規則的な又は少なくともほぼ規則的な微細構造を有する。」（引用例２，１７頁５〜７行）
　
　　ウ　上記ア，イよれば，引用例２には，「ＴＦＴのアクティブチャネル領域として作用できる」「多結晶構造体」が「粒子の単一列」であり，「ソース電極３１」と「ドレイン電極３２」の位置関係からみて，「多結晶構造体」の各「粒子」の長手方向は，アクティブチャネル領域の電流の流れる方向にほぼ平行であることが，示唆されている。
　　
　　エ　そうすると，引用発明のアクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に，「ＳＬＳ(Sequential Lateral Solidification）」によるプロセスで形成した薄膜トランジスタを採用するに当たって，本願補正発明のように「前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタのチャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレインが，チャネル領域の電流の流れる方向に実質的に平行」となるようにすることは，当業者に普通に期待できる考慮事項といえる。
　
（７）以上のとおり，相違点１，２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たものである。
　
（８）したがって，本願補正発明は，引用発明と引用例２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　以上の次第で，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により，却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明 
１　以上のとおり，本件補正（平成１９年１月２４日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１８年１月４日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された，次のとおりのものである。 
 　 
　【請求項１】
 「基板上に一方向に配列されたスキャンラインと，
　前記スキャンラインに垂直な方向に配列されたデータラインと，
　前記データラインと一定の距離を有し，前記データラインに平行な方向に配列されたパワーラインと，
　前記スキャンライン，データライン及びパワーラインの間の画素領域に形成され，印加された電圧に従って光を発光する電界発光素子と，
　前記スキャンラインの信号に従って前記データラインの信号をスイッチングするスイッチングトランジスタと，
　前記スイッチングトランジスタを介して印加される信号に従って前記パワーラインの電源を前記電界発光素子に印加するための駆動トランジスタとを備え，
　前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタがＳＬＳ方式により形成された半導体層を有し，
　前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタのチャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレインが，チャネル領域の電流の流れる方向に実質的に平行であることを特徴とするアクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置。」
 　 
２　引用例１の記載事項，引用発明，引用例２の記載事項については，前記第２，３（３−１），（３−２），（４）において認定したとおりである。
　
３　対比・判断 
 　前記第２，２で検討したように，本願補正発明（本件補正後の請求項１に係る発明）は，補正前の請求項１に，「前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタのチャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレインが，チャネル領域の電流の流れる方向に実質的に平行である」とあるのを，「前記スイッチングトランジスタ又は駆動トランジスタのチャネル領域を形成する多結晶シリコンのグレインが，チャネル領域の電流の流れる方向に実質的に平行であり，
　前記各スキャンラインにスキャン信号を印加するゲートドライブＩＣと，
　前記各データラインにデータ信号を印加するデータドライブＩＣとを更に備え，
　前記ゲートドライブＩＣ及びデータドライブＩＣは複数の薄膜トランジスタを備え，各薄膜トランジスタはＳＬＳ方式により形成される」と限定したものである。
　逆に言えば，本願発明（本件補正前の請求項１に係る発明）は，本願補正発明から，このような限定をなくしたものである。 
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２，３において検討したとおり，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 
　　 
第４　結言 
 　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
 　 
 　よって，結論のとおり審決する。