【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３５３８４１６号発明「真空処理方法及び真空処理装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３５３８４１６号の請求項１及び２に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　
　本件特許第３５３８４１６号の請求項１、２に係る発明についての手続の経緯は、以下のとおりである。
　
　・平成１３年１２月１８日　　出願（平成９年３月１９日に出願した特願平９−６６０９７号の一部を新たな特許出願としたもの）
　・平成１６年　３月　３日　　特許査定
　・平成１６年　３月２６日　　特許の設定登録
　・平成２１年　６月１８日　　無効審判請求（請求人）
　・平成２１年　９月　７日　　答弁書提出（被請求人）
　・平成２１年１１月２４日　　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
　・平成２１年１１月２６日　　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
　・平成２１年１２月　７日　　口頭審理
　
　
２　当事者の主張
　
（１）請求人の主張
　本件特許の請求項１および２に係る発明は、甲第１号証および甲第２号証に記載された発明に基づいて、出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
（２）甲各号証
　請求人の提出した甲各号証は、次のとおりである。
　　甲第１号証：特開平５−５５１４８号公報
　　甲第２号証：特開平９−５０９４８号公報
　
（３）被請求人の主張
　本件特許の請求項１ないし２に係る発明は、甲各号証の存在に拘わらず、特許法第２９条第２項の規定に該当するおそれはなく、したがって、請求人の前記主張は誤りであり、本件特許が特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効にされることはない。
　
　
３　本件特許の請求項１、２に係る発明
　
　本件特許の請求項１、２に係る発明（以下「本件特許発明１」、「本件特許発明２」という。）は、本件特許明細書の特許請求の範囲に記載された、次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「ウエハに共通のプロセス処理を施す第１及び第２のプロセス処理装置と、
プロセス処埋装置にウエハを搬送する真空搬送装置と、
ウエハを収納する第１及び第２のカセットを載置する大気搬送装置と、
前記各カセット内に収納したウエハを真空搬送装置側に搬出し、真空搬送装置側から搬出された前記プロセス処理装置による処埋の終了した処埋済みウエハをもとのカセットに戻すウエハ搬送装置と、
第１のカセットから搬出したウエハのいずれをも真空雰囲気にある第１のプロセス処理装置に搬送し、第２のカセットから搬出したウエハのいずれをも真空雰囲気にある第２のプロセス処理装置に搬送し、前記第１のプロセス処理装置で共通のプロセス処埋を施したウエハを大気雰囲気にあるもとのカセットに戻し、前記第２のプロセス処理装置で共通のプロセス処理を施したウエハを大気雰囲気にあるもとのカセットに戻すように搬送制御を行う制御装置を備え、
該制御装置は、第１のプロセス処理装置に異常が発生したとき、第１のカセットからのウエハの搬出を中断し、第２のカセットからのウエハの搬出を継続し第２のプロセス処埋装置による処埋を続行することを特徴とする真空処埋装置。」
　
【請求項２】
「第１及び第２のカセットに収納したウエハをそれぞれ第１及び第２のプロセス処理装置に搬送してウエハに共通のプロセス処理を施し、処理済みウエハをもとのカセットに戻す真空処理方法において、
第１のカセットから搬出したウエハのいずれをも真空雰囲気にある第１のプロセス処理装置に搬送し、第２のカセットから搬出したウエハのいずれをも真空雰囲気にある第２のプロセス処理装置に搬送し、前記第１のプロセス処理装置で共通のプロセス処理を施したウエハを大気雰囲気にあるもとのカセットに戻し、前記第２のプロセス処埋装置で共通のプロセス処理を施したウエハを大気雰囲気にあるもとのカセットに戻し、
第１のプロセス処理装置に異常が発生したとき、第１のカセットからのウエハの搬出を中断し、第２のカセットからのウエハの搬出を継続し第２のプロセス処埋装置による処埋を続行することを特徴とする真空処埋方法。」
　
　
４　引用例の記載内容と引用発明
　
（１）引用例１（甲第１号証）：特開平５−５５１４８号公報
　
（１−１）請求人により甲第１号証として提出された、本件特許に係る出願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平５−５５１４８号公報（以下「引用例１」という。）には、図１〜９とともに、次の記載がある。（下線は当合議体で付加したものである。以下同じ。）
　
「【００１９】図１乃至図６は、被処理材として半導体ウェハを使用し、半導体ウェハの表面に減圧エピタキシャル気相成長を行わせるのに適したマルチチャンバ型枚葉処理装置の一例を示すものである。
【００２０】即ち、
本処理装置は、図１に示すように、カセットステーション１０、出入口ポート２０、プラットフォーム３０および複数（図示では２個）の処理チャンバ５０ａ，５０ｂとから主に構成され
【００２１】これにより、
出入口ポート２０は、第１ゲートバルブ２１を開くことによって大気側であるカセットステーション１０側に開放でき
【００２２】
前記カセットステーション１０には、処理チャンバ５０ａ，５０ｂの数に対応した数、即ち図示では２個の内部に複数の半導体ウェハ（被処理材）Ｗを多段に収容するカセット１１ａ，１１ｂを移動不能に設置するカセット設置部が設けられている
【００２３】更に、上記回転位置合せ装置１２と出入口ポート２０とを直線状に結ぶ位置には、
カセットステーション１０側と出入口ポート２０の内部との間での半導体ウェハＷの受渡しを行う搬出入手段として外部ロボット１３が備えられている
【００２４】この外部ロボット１３には、そのアーム部先端に半導体ウェハＷの下面を吸着保持する、例えばセラミック製のハンド１４が連結されている。即ち、このハンド１４には、図２に示すように、２個の真空吸着孔１５ａ，１５ｂが備えられ、更に半導体ウェハＷの有無を検知する検知用の光センサ１６が設けられている。そして、このハンド１４を、旋回中心Ｏ1 に対して半径方向に移動（以下、Ｒ移動という）させるとともに、旋回中心Ｏ1 を中心に水平回転（同じく、θ移動）させ、更に紙面と垂直な上下方向に移動（同じく、Ｚ移動）させるようなされている。
【００２５】なお、このＲ，θおよびＺの各移動機構は、下記の真空用ロボット３２と同じであるので、ここではその説明を省略する。
【００２６】そして、
この外部ロボット１３は
未処理の半導体ウェハＷを一方のカセット１１ａまたは１１ｂから１枚取出して
半導体ウェハＷを第１ゲートバルブ２１を通過させて出入口ポート２０内に搬入させる
そして、出入口ポート２０内に収容されている処理済の半導体ウェハＷを取出してこれを対応するカセット１１ａまたは１１ｂ内に収容する半導体ウェハＷの受渡しを行うようなされている
【００２７】前記出入口ポート２０の内部には、半導体ウェハＷの周縁部下面を支持する、例えば石英製で板状の被処理材支持部２２ａ，２２ｂが上下２段（図３参照）に平行に配置されて固定されている。これによって、例えば上段に位置する支持部２２ａの上に未処理の半導体ウェハＷを、下段に位置する支持部２２ｂに処理済の半導体ウェハＷを夫々載置して支持するようなされている。
【００２８】なお、この各支持部２２ａ，２２ｂの上面には、半導体ウェハＷの形状に沿った凹部２２ａ′，２２ｂ′が設けられ、これによって半導体ウェハＷを位置決めしつつ保持するようなされている。
【００２９】このように出入口ポート２０を構成することにより、この容積の小型化を図って、減圧およびガス置換を短時間で行うとともに、装置全体としてのコンパクト化を図り、しかもパーティクルの発生源をなくすことができる。
【００３０】更に、この出入口ポート２０は、図３に示すように、排気口２３を介して真空ポンプ２４に接続されているとともに、給気口２５を介してＨ2ガスやＮ2 ガスを内部に導入できるよう構成されている。これによって、第１ゲートバルブ２１および第２ゲートバルブ３１を閉じて密閉するとともに、この排気口２３および給気口２５を介して、この内部の圧力および雰囲気を独立して制御できるようなされている。
【００３１】前記プラットホーム３０の内部には、上記外部ロボット１３と同様に、Ｒ，θおよびＺの各動作を行う真空用ロボット３２が配置されている。即ち、この真空用ロボット３２には、出入口ポート２０内に固定して配置された各支持部２２ａ，２２ｂに干渉しないように、例えば石英製でフォーク状となして半導体ウェハＷの下面を支持するハンド３３が備えられ、このハンド３３の上面には、半導体ウェハＷの形状に沿った凹部３３ａが設けられて半導体ウェハＷの位置決めを行うようになされている。
【００３２】そして、図３に示すように、固定軸３４内に回転および上下動自在に保持された中空軸３５の駆動部３６による駆動（回転および上下動）によって、旋回中心Ｏ2 を中心として全体として回転（θ移動）および上下動（Ｚ移動）するとともに、この中空軸３５の内部に配置された回転軸（図示せず）の回転によって、図５および図６に示すように、第１アーム３７および第２アーム３８とを、例えばプーリおよびタイミングベルト（図示せず）によって互いに屈伸させて、旋回中心Ｏ2 に対してハンド３２ａを半径方向に移動（Ｒ移動）させるようなされている。
【００３３】更に、このプラットフォーム３０は、図３に示すように、排気口３９を介して真空ポンプ４０に接続されているとともに、給気口４１を介してＨ2 ガスやＮ2 ガスを内部に導入できるよう構成されている。これによって、第２ゲートバルブ３１および第３ゲートバルブ５１ａ，５１ｂを閉じて密閉するとともに、この排気口３９および給気口４１を介して、この内部の圧力および雰囲気を独立して制御できるようなされている。
【００３４】そして、このプラットフォーム３０内の圧力および雰囲気を一定となし、前記出入口ポート２０内の圧力および雰囲気がこのプラットフォーム３０内の圧力および雰囲気と等しくなった時に、第２ゲートバルブ３１を開いて出入口ポート２０とプラットフォーム３０とを連通させ、更に一方の処理チャンバ５０ａまたは５０ｂとプラットフォーム３０とを連通させた状態で、真空用ロボット３２により半導体ウェハＷのプラットフォーム３０を介して出入口ポート２０と処理チャンバ５０ａまたは５０ｂとの間の受渡しが行われる。
【００３５】
前記各処理チャンバ５０ａ，５０ｂは、被処理材としての半導体ウェハＷの表面に減圧エピタキシャル成長させるためのものであり
【００３６】即ち、図４に示すように、この各処理チャンバ５０ａ（５０ｂ）には、ガス導入口５２および排気口５３が設けられて、独立して所定の圧力および雰囲気に制御できるようなされている。
【００３７】処理チャンバ５０ａ（５０ｂ）内には、上面に半導体ウェハＷを載置して保持するサセプタ５４が配置されている。このサセプタ５４は、サセプタホルダ５５を介して中空回転軸５６の上端に設けられ、図示しない回転駆動源によって回転するようなされている。
【００３８】中空回転軸５６には、搬入される半導体ウェハＷのオリフラＷａに合わせるように、サセプタ５４の回転位置決めを行うための図示しないエンコーダが取付けられている。サセプタ５４の下方には、半導体ウェハＷを加熱するヒータ５７が配置されている。このヒータ５７は、前記中空回転軸５６の内部に挿着した固定のヒータ支え軸５８の上端に連結したヒータ支え板５９に複数の絶縁棒６０を介して連結されている。
【００３９】また、前記サセプタ５４の上方に突出自在で正三角形状に配置された３本の突上げピン６１が備えられている。この突上げピン６１は、ヒータ支え軸５８中に上下動可能に設けられた突上げ軸６２の上端に連結されている。
【００４０】この突上げピン６１は、これを上動させることにより、半導体ウェハＷをサセプタ５４の上面から持ち上げ、これによって真空用ロボット３２のハンド３３での半導体ウェハＷの保持を可能となし、下降させることにより、半導体ウェハＷをサセプタ５４の上面に載置するためのものである。
【００４１】即ち、
前記プラットフォーム３０と処理チャンバ５０ａまたは５０ｂとの間での半導体ウェハＷの真空用ロボット３２による受渡しは、以下のようにして行われる
一方の処理チャンバ５０ａでの処理が終了した後に該処置チャンバ５０ａとプラットフォーム３０との間に設けられた第３ゲートバルブ５１ａを開き、この処理チャンバ５０ａとプラットフォーム３０との間で半導体ウェハＷの受渡しを行う場合について説明する（なお、他の処理チャンバ５０ｂも同様である）
【００４２】先ず、上述のように、外部ロボット１３により、出入口ポート２０内へ未処理の半導体ウェハＷを搬入するとともに、出入口ポート２０内から処理済の半導体ウェハＷを搬出して第１ゲートバルブ２１を閉じ、出入口ポート２０内をプラットフォーム３０内と等しい圧力および雰囲気にしたところで、第２ゲートバルブ３１を開いておく。
【００４３】この第２ゲートバルブ３１の開放に相俟って、処理チャンバ５０ａでの半導体ウェハＷに対する処理が終了した後、第３ゲートバルブ５１ａを開き、３本の突上げピン６１を上昇させて半導体ウェハＷをサセプタ５４から上昇させる。この状態で真空用ロボット３２を作動させ、そのハンド３３を処理済の半導体ウェハＷの下方に差し込み、次いで突上げピン６１を下降させて処理済の半導体ウェハＷをハンド３３の上に載せる。そして、半導体ウェハＷを載せたハンド３３をＲ動作させて該半導体ウェハＷを処理チャンバ５０ａからプラットフォーム３０に搬出し、以下、θ、ＲおよびＺの各動作によって処理済の半導体ウェハＷを出入口ポート２０内の下段の支持部２２ｂ上に移す。
【００４４】次いで、真空用ロボット３２を一旦後退させ、上昇、前進および更に上昇させて出入口ポート２０内の上段の支持部２２ａで支持された
未処理の半導体ウェハＷをハンド３３の上に載せ
プラットフォーム３０内に搬入させた後
【００４５】そして、
未処理の半導体ウェハＷを処理チャンバ５０ａ内に搬入した
【００４６】ここに、上記各ロボット１３，２３による半導体ウェハＷの搬送は、処理チャンバ５０ａ，５０ｂが２つあるため、１つの処理チャンバ５０ａまたは５０ｂによる処理時間の１／２の時間間隔で行われる。そこで、出入口ポート２０の減圧およびガス置換を含むウェハ搬送時間が、この処理時間の１／２以内であれば、ロスタイムが生じないことになる。
【００４７】エピタキシャル成長は、半導体ウェハＷを１，１００〜１，２００℃に昇温した後、形成する層の厚さや反応ガスの流量、半導体ウェハＷの回転数等の諸条件によって異なるが、通常１〜数分間行われる。そして、エピタキシャル成長後は、再び処置チャンバ４０内にＨ2 ガスを流して、半導体ウェハＷを２００〜３００℃まで降温させて処理を終了するのであるが、この加熱（heat up)から冷却（cool down)までの時間（処理時間）は、例えば１０分程度である。
【００４８】次に、上記枚葉処理装置による処理方法の一例を図７および図８を参照して説明する。ここに、
図７は、カセットステーション１０（なお、同図以下においてＣＳと略称す）上に設置されたカセット１１ａまたは１１ｂから半導体ウェハＷを取出して、回転位置合せ装置１２（同じくＯＦ）、出入口ポート２０（同じくＩ／Ｏ）、プラットフォーム３０（同じくＰＦ）を順次通過させて一方の処理チャンバ５０ａまたは５０ｂ（同じく、Ｒ１またはＲ２）に搬送し、ここで処理を施した後、処理済の半導体ウェハＷを再びカセット１１ａまたは１１ｂ内に戻すウェハ処理シーケンスを示すものであり、図８は、その時の各チャンバＩ／Ｏ，ＰＲ，Ｒ１およびＲ２における圧力シーケンスを示すものである
【００４９】なお、同図以下において、Ｈ2 は出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）におけるＨ2 パージを、Ｎ2 は同じくＮ2 パージを、Ｖは同じく真空引きを夫々示している。
【００５０】
ここでは、１つの半導体ウェハＷ
1 
の処理を中心に、各半導体ウェハＷに対する処理の手順を説明する
なお、この半導体ウェハＷ
1 
は、カセット１１ａから取出されて処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）で処置された後、再びカセット１１ａに収容されるものとする
【００５１】先ず、カセットステーション１０（ＣＳ）に設置された一方の
カセット１１ａ内に収容されていた半導体ウェハＷ
1
出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内にＮ
2 
ガスを導入して、これが大気圧になった時に第１ゲートバルブ２１を開いてこれを大気側に開放し（時間ｔ
2 
）、この開放と相俟って、回転位置合せ装置１２（ＯＦ）上に載置されていた半導体ウェハＷ
1 
を外部ロボット１３により出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に搬入する
【００５２】
この搬入後、出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に収納されていた処理済の半導体ウェハＷ
2 
を外部ロボット１３により取出して、これをカセットステーション１０（ＣＳ）上の所定のカセット１１ｂ内に収容する
処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内で半導体ウェハＷ
3 
に対する処理を終了した
【００５３】この状態では、プラットフォーム３０（ＲＦ）を介して出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）と処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）とが連通している状態となり、前記処理チャンバ５０ａの開放と相俟って、処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内での処理が終了した半導体ウェハＷ3 を真空ロボット３２によりプラットフォーム３０（ＲＦ）から出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に導き、ここに載置収容する。この収容後、出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に収容されていた
未処理の半導体ウェハＷ
1 
を
処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内に搬入
【００５４】これによって、この半導体ウェハＷ1 に対する処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内での処理、即ち加熱、エピタキシャル成長および冷却を行うのであるが、この間に出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）では、他方の処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）に対する搬送処理を行う。
【００５５】即ち、上記のようにして第２ゲートバルブ３１を閉じた後、
出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内を真空引きしてこの内部を高真空になし
処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）で処理済の半導体ウェハＷ
3 
を
カセット１１ａ内に収容する
【００５６】この搬出に相俟って、第１ゲートバルブ２１を閉じ（時間ｔ11）、上記と同様にして第２ゲートバルブ３１および第３ゲートバルブ５０ｂを開いた後、
この未処理の半導体ウェハＷ
4 
と他方の処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）で処理された半導体ウェハＷ
5 
との受渡し行う
処理チャンバ５０ｂ（Ｒ２）内に搬入された半導体ウェハＷ
4 
に対する処理
処理済の半導体ウェハＷ
5 
を
カセット１１ｂ内に収容する
【００５７】そして、上記と同様にしてプラットフォーム３０（ＰＦ）と同じ圧力および雰囲気になったところで第２ゲートバルブ３１を開き（時間ｔ15）、一方、上記半導体ウェハＷ1 に対する処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内での処理が終了した後、第３ゲートバルブ５１ａを開き（時間ｔ16）、処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）と出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）とをプラットフォーム３０（ＰＦ）を介して連通させる。この状態で、処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内にある処理済の半導体ウェハＷ1 を真空ロボット３２により出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に搬入した後、出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に収容されている
未処理の半導体ウェハＷ
6 
を処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内に導き
【００５８】そして、この処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内に搬入された半導体ウェハＷ6 に対して、第３ゲートバルブ５１ａを閉じた後、上記と同様に処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）内における処理を施し、
出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内は、真空引きを行ってこの内部を高真空にした後にＮ
2 
ガスを導入し（時間ｔ
19
）、この内部が大気圧に戻った後に、第１ゲートバルブ２１を開いて（時間ｔ
20
）、出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内に未処理の半導体ウェハＷ
7 
を導入する
処理済の半導体ウェハＷ
1 
をカセットステーション１０のカセット１１ａ内に収容して
【００５９】上記実施例は、プラットフォーム３０内の圧力を処理チャンバ５０ａ，５０ｂ内の処理圧力と同一にして、出入口ポート２０内の圧力のみを変化させるようにした例を示しているが、この方法によれば、処理チャンバ５０ａ，５０ｂ内の圧力は、半導体ウェハＷの搬出入時およびエピタキシャル成長時中共に同じで、圧力変動がないため、処理チャンバ５０ａ，５０ｂ内に生じたパーティクルの舞い上がりがなく、従って半導体ウェハＷ上へのパーティクルの付着を極力少なくすることができる。
【００６０】また、出入口ポート２０内は、大気圧と減圧の繰り返しとなるが、この出入口ポート２０内に可動物がないため、パーティクルの発生源がない。しかも出入口ポート２０は、容積がかなり小さく、かつ外部から１枚の半導体ウェハＷが搬入される単純な構成で済むため、外部から持ち込まれたパーティクルは、減圧時またはＨ2 ガスへの置換時に排出され易くなるばかりでなく、プラットフォーム３０の容積に対する出入口ポート２０の容積の割合が小さいため、プラットフォーム３０の圧力または雰囲気の変動を少なく抑えることができる。また、プラットフォーム３０内は、処理チャンバ５０ａ，５０ｂと同様に圧力変動がないため、パーティクルが舞い上ってしまうことはない。
【００６１】なお、ここで使用されている真空ロボット３２は、可動部を完全にシールして真空中で用いても実質的にパーティクルの発生がないようにしたものである。
【００６２】この方法による場合、プラットフォーム３０内のクリーン度を実測したところ、０．１μｍクラス１０が得られ、超ＬＳＩの製造プロセスとして使用できることが確認されている。
【００６３】
図９は、プラットフォーム３０内の真空度をより高めるとともに、プラットフォーム３０と各処理チャンバ５０ａまたは５０ｂとの間で真空受渡しを行うようにした本発明に係る枚葉処理方法の第２の実施例における各チャンバでの圧力シーケンスを示す
プラットフォーム３０（ＰＦ）内の真空度を
高真空にしておき、処理チャンバ５０ａ，５０ｂ（Ｒ１，Ｒ２）内の圧力をこのプラットフォーム３０内の圧力と等しい圧力まで真空度を高めた状態で、半導体ウェハＷの受渡しを行うようにしたものである
【００６４】即ち、第２ゲートバルブ３１を開いて出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）とプラットフォーム３０（ＰＦ）とを連通させる際に、出入口ポート２０（Ｉ／Ｏ）内の圧力をプラットフォーム３０（ＰＦ）内の圧力と同じ圧力、即ち高真空にするとともに、各処理チャンバ５０ａまたは５０ｂ（Ｒ１またはＲ２）内の圧力を、処理終了後から第３ゲートバルブ５１ａまたは５１ｂを開くまでの間にプラットフォーム３０（ＲＦ）の圧力に等しい高真空となして該第３ゲートバルブ５１ａまたは５１ｂを開く。そして、この状態でプラットフォーム３０（ＰＦ）と各処理チャンバ５０ａまたは５０ｂ（Ｒ１またはＲ２）との間での半導体ウェハＷの受渡しを行い、更に第３ゲートバルブ５１ａまたは５１ｃを閉じた後、処理を開始する前に各処理チャンバ５０ａまたは５０ｂ（Ｒ１またはＲ２）内の圧力を処理圧力に戻すようにしたものである。
【００６５】この方法によれば、処理チャンバ５０ａ，５０ｂ内の圧力が変動するが、処理後に減圧するため、処理チャンバ５０ａ，５０ｂ内の雰囲気の置換およびパーティクルの排出が容易となるばかりでなく、プラットフォーム３０から各処理チャンバ５０ａ，５０ｂへガスが流入することによる処理チャンバ５０ａ、５０ｂの汚染を防止することができる。
【００６６】上記各実施例において、出入口ポート２０は、第１ゲートバルブ２１および第２ゲートバルブ３１が共に閉じている状態では、未処理かまたは処理済のいずれか一方の半導体ウェハＷが１枚収納されているだけである。このため、ベーキングや紫外線照射等により浄化処理等の前処理や熱処理等の後処理を枚葉で的確に行うようにすることができる。」
　
（１−２）引用例１の記載内容を整理すると、次のとおりである。
　
　ア　引用例１の段落【００２０】の下線部には「本処理装置は、図１に示すように、カセットステーション１０、出入口ポート２０、プラットフォーム３０および複数（図示では２個）の処理チャンバ５０ａ，５０ｂとから主に構成され」ることが記載されており、引用例１の段落【００５５】、【００６３】の下線部の記載を整理すると、「出入口ポート２０」、「プラットフォーム３０」、「処理チャンバ５０ａ，５０ｂ」は、「高真空」の状態で使用され得るから、引用例１には、
真空処理装置
　
　イ　引用例１の段落【００２０】、【００３５】の下線部の記載を整理すると、「複数（図示では２個）の処理チャンバ５０ａ，５０ｂ」を、「被処理材としての半導体ウェハＷの表面に減圧エピタキシャル成長させるためのもの」として用いており、「処理チャンバ５０ａ」と「処理チャンバ５０ｂ」は「半導体ウェハＷ」に「減圧エピタキシャル成長」という共通のプロセス処理を施すものであるから、引用例１には、
半導体ウェハに共通のプロセス処理を施す処理チャンバ５０ａ及び処理チャンバ５０ｂ
　
　ウ　引用例１の段落【００２０】、【００４１】、【００４４】、【００４５】の下線部の記載を整理すると、「未処理の半導体ウェハＷを」「プラットフォーム３０内に搬入させた後、」「未処理の半導体ウェハＷを処理チャンバ５０ａ内に搬入」しており、「処理チャンバ５０ｂも同様」であるから、引用例１には、
処理チャンバ５０ａ及び処理チャンバ５０ｂに半導体ウェハを搬入するプラットフォーム３０
　
　エ　引用例１の段落【００２０】、【００２２】の下線部の記載を整理すると、「カセットステーション１０」には、「処理チャンバ５０ａ，５０ｂの数に対応した数、即ち図示では２個の内部に複数の半導体ウェハ（被処理材）Ｗを多段に収容するカセット１１ａ，１１ｂを移動不能に設置するカセット設置部が設けられている」から、引用例１には、
半導体ウェハを収容するカセット１１ａ及びカセット１１ｂを（カセット設置部に）設置するカセットステーション１０
　
　オ　引用例１の段落【００２０】、【００２３】、【００２６】の下線部の記載を整理すると、「カセットステーション１０側と出入口ポート２０の内部との間での半導体ウェハＷの受渡しを行う搬出入手段として」備えられた「外部ロボット１３」は、「未処理の半導体ウェハＷを一方のカセット１１ａまたは１１ｂから１枚取出して」「半導体ウェハＷを第１ゲートバルブ２１を通過させて出入口ポート２０内に搬入させ」、「出入口ポート２０内に収容されている処理済の半導体ウェハＷを取出してこれを対応するカセット１１ａまたは１１ｂ内に収容する半導体ウェハＷの受渡しを行う」ものであり、「出入口ポート２０」が「外部ロボット１３」よりも「プラットフォーム３０」側にあることも図１より明らかである。
　また、引用例１の段落【００４８】、【００５０】の下線部の記載を整理すると、「カセット１１ａまたは１１ｂから半導体ウェハＷを取出して」「一方の処理チャンバ５０ａまたは５０ｂ（同じく、Ｒ１またはＲ２）に搬送し、ここで処理を施した後、処理済の半導体ウェハＷを再びカセット１１ａまたは１１ｂ内に戻」しており、例として挙げられた「半導体ウェハＷ1」は「カセット１１ａから取出されて処理チャンバ５０ａ（Ｒ１）で処置された後、再びカセット１１ａに収容され」ている。
　よって、引用例１には、
カセット１１ａまたは１１ｂ内に収容する半導体ウェハをプラットフォーム３０側（出入口ポート２０内）に搬入させ、プラットフォーム３０側（出入口ポート２０内）に収容されている処理チャンバ５０ａまたは処理チャンバ５０ｂで処理を施した処理済の半導体ウェハを取出して再び（もとの）カセット１１ａまたは１１ｂ内に収容する外部ロボット１３
　
　カ　引用例１の段落【００４８】の下線部の記載を整理すると、図７が「カセット１１ａまたは１１ｂから半導体ウェハＷを取出して」「一方の処理チャンバ５０ａまたは５０ｂ（同じく、Ｒ１またはＲ２）に搬送し、ここで処理を施した後、処理済の半導体ウェハＷを再びカセット１１ａまたは１１ｂ内に戻すウェハ処理シーケンスを示す」ものであり、このようなウェハ処理シーケンスの制御を行うために、真空処理装置が一般的に制御装置を備えていることは技術常識である。
　また、引用例１の段落【００６３】の下線部の記載を整理すると、第２の実施例において「プラットフォーム３０（ＰＦ）内の真空度を」「高真空にしておき、処理チャンバ５０ａ，５０ｂ（Ｒ１，Ｒ２）内の圧力をこのプラットフォーム３０内の圧力と等しい圧力まで真空度を高めた状態で、半導体ウェハＷの受渡しを行う」から、処理チャンバ５０ａ，５０ｂ内を高真空にした状態で、半導体ウェハの受渡しを行っており、引用例１の段落【００２１】、【００５１】、【００５２】、【００５８】の下線部の記載を整理すると、「出入口ポート２０は、第１ゲートバルブ２１を開くことによって大気側であるカセットステーション１０側に開放でき」、「出入口ポート２０」が「大気圧になった時に第１ゲートバルブ２１を開いてこれを大気側に開放し」、「処理済の半導体ウェハＷ2（Ｗ1）を」「カセット１１ｂ（１１ａ）内に収容」するから、処理済の半導体ウェハを大気側のカセット１１ａ，１１ｂに収容している。
　よって、引用例１には、
カセット１１ａまたはカセット１１ｂから取出した半導体ウェハを高真空にした処理チャンバ５０ａまたは処理チャンバ５０ｂに搬送し、前記処理チャンバ５０ａまたは処理チャンバ５０ｂで（共通のプロセス）処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のカセット１１ａまたは１１ｂ内に戻すようにウェハ処理シーケンスの制御を行う制御装置
　
　キ　引用例１の段落【００５０】〜【００５８】の下線部の記載を図７を参照しつつ整理すると、処理される半導体ウェハＷ1〜半導体ウェハＷ７の搬送の流れは、以下のようになる。
　
　　半導体ウェハ　搬出カセット　　処理チャンバ　　搬入カセット
　　　　Ｗ２　　　　　不明　　→　　不明　　　→　　１１ｂ
　　　　Ｗ３　　　　　不明　　→　　５０ａ　　→　　１１ａ
　　　　Ｗ５　　　　　不明　　→　　５０ｂ　　→　　１１ｂ
　　　　Ｗ１　　　　　１１ａ　→　　５０ａ　　→　　１１ａ
　　　　Ｗ４　　　　　不明　　→　　５０ｂ　　→　　不明
　　　　Ｗ６　　　　　不明　　→　　５０ａ　　→　　不明
　　　　Ｗ７　　　　　不明　　→　　不明　　　→　　不明
　
　段落【００５０】〜【００５８】の記載は、「１つの半導体ウェハＷ１の処理を中心に、各半導体ウェハＷに対する処理の手順を説明」したものであるから、すべての「半導体ウェハ」について、「搬出カセット」、「処理チャンバ」、「搬入カセット」が明示されているわけではないものの、少なくとも以下の（ア）〜（ウ）については開示されているものと認められる。
（ア）「半導体ウェハＷ1」に関しては、「カセット１１ａ」から搬出され、「処理チャンバ５０ａ」での処理を経て、もとの「カセット１１ａ」に再び搬入されている。
（イ）処理チャンバは、「処理チャンバ５０ａ」と「処理チャンバ５０ｂ」とが交互に使用され、カセットへの搬入は、「カセット１１ａ」と「カセット１１ｂ」とに交互に行われている。
（ウ）「処理チャンバ５０ａ」で処理された半導体ウェハは「カセット１１ａ」に搬入され、「処理チャンバ５０ｂ」で処理された半導体ウェハは「カセット１１ｂ」に搬入されている。
　よって、上記（ア）〜（ウ）の点と、段落【００４８】の「カセット１１ａまたは１１ｂから半導体ウェハＷを取出して、・・・一方の処理チャンバ５０ａまたは５０ｂ（同じく、Ｒ１またはＲ２）に搬送し、ここで処理を施した後、処理済の半導体ウェハＷを
再び
カセット１１ａから
再びカセット１１ａに
カセット１１ａから取出した半導体ウェハのいずれをも、処理チャンバ５０ａに搬送し、ここ（処理チャンバ５０ａ）で処理を施した処理済の半導体ウェハを再び（もとの）カセット１１ａ内に戻し、カセット１１ｂから取出した半導体ウェハのいずれをも、処理チャンバ５０ｂに搬送し、ここ（処理チャンバ５０ｂ）で処理を施した処理済の半導体ウェハを再び（もとの）カセット１１ｂ内に戻す
ウェハ処理シーケンス
　
（１−３）上記（１−２）のア〜キによれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が開示されているといえる。
　
「半導体ウェハに共通のプロセス処理を施す処理チャンバ５０ａ及び処理チャンバ５０ｂと、
　処理チャンバ５０ａ及び処理チャンバ５０ｂに半導体ウェハを搬入するプラットフォーム３０と、
　半導体ウェハを収容するカセット１１ａ及びカセット１１ｂを設置するカセットステーション１０と、
　カセット１１ａまたは１１ｂ内に収容する半導体ウェハをプラットフォーム３０側に搬入させ、プラットフォーム３０側に収容されている処理チャンバ５０ａまたは処理チャンバ５０ｂで処理を施した処理済の半導体ウェハを取出して再びもとのカセット１１ａまたは１１ｂ内に収容する外部ロボット１３と、
　カセット１１ａから取出した半導体ウェハのいずれをも、高真空にした処理チャンバ５０ａに搬送し、カセット１１ｂから取出した半導体ウェハのいずれをも、高真空にした処理チャンバ５０ｂに搬送し、前記処理チャンバ５０ａで共通のプロセス処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のもとのカセット１１ａ内に戻し、前記処理チャンバ５０ｂで共通のプロセス処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のもとのカセット１１ｂ内に戻すようにウェハ処理シーケンスの制御を行う制御装置と、
　を備えることを特徴とする真空処理装置。」
　
（１−４）また、上記（１−２）のア〜キを、半導体ウェハの処理方法の観点からみれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が開示されているといえる。
　
「カセット１１ａまたは１１ｂ内に収容する半導体ウェハを処理チャンバ５０ａまたは処理チャンバ５０ｂに搬入させて半導体ウェハに共通のプロセス処理を施し、処理済の半導体ウェハを取出して再びもとのカセット１１ａまたは１１ｂ内に収容する真空処理方法において、
　カセット１１ａから取出した半導体ウェハのいずれをも、高真空にした処理チャンバ５０ａに搬送し、カセット１１ｂから取出した半導体ウェハのいずれをも、高真空にした処理チャンバ５０ｂに搬送し、前記処理チャンバ５０ａで共通のプロセス処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のもとのカセット１１ａ内に戻し、前記処理チャンバ５０ｂで共通のプロセス処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のもとのカセット１１ｂ内に戻す、
　ことを特徴とする真空処理方法。」
　
　
（２）引用例２（甲第２号証）：特開平９−５０９４８号公報
　
（２−１）請求人により甲第２号証として提出された、本件特許に係る出願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平９−５０９４８号公報（以下「引用例２」という。）には、図１〜７とともに、次の記載がある。
　
「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ここで、
半導体製造においては、例えば、外因によってプロセスモジュールでのプロセス条件が変動する、各モジュールのコントローラで処理エラーが発生する等といった、種々な障害が発生する場合がある
このような障害に発生に対して、上記した従来の半導体製造装置にあっては、障害箇所が一部のプロセス系であっても、統合制御コントローラが全ての処理動作を中断させていた
したがって、未処理のウエハが僅かであるような場合でも、これらウエハの処理が続行されないため、結果として、ウエハ処理が大幅に遅延してしまう事態が生じていた
【００１０】本発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、
一部のプロセス系で障害が生じた場合には、残余の正常なプロセス系で基板（ウエハ）処理を続行し、総じて生産効率を向上させる半導体製造装置の障害対処システムを提供することを目的とする
「【００１３】
【実施例】
本発明の一実施例に係る半導体製造装置の障害対処システム
プロセスモジュールＰＭ１とＰＭ２とから成るプロセス系と、プロセスモジュールＰＭ４とＰＭ３とから成るプロセス系とのいずれにも障害がなく正常に稼働している状態では、本実施例においても、統合制御コントローラＧＣが図３に示したテーブル内容に従って各コントローラＰＣ１〜ＰＣ４、ＣＣ１、ＣＣ２、ＴＣを統括して制御し、図４に示したようにウエハを奇数枚目と偶数枚目に分けてそれぞれのプロセス系で分散処理させる
【００１４】本実施例の統合制御コントローラＧＣは、各プロセスモジュールコントローラＰＣ１〜ＰＣ４からのエラー信号を受けて、各プロセスモジュールコントローラＰＣ１〜ＰＣ４及び各プロセスモジュールＰＣ１〜ＰＣ４での障害発生を検知する手段を有しており、システム稼働中はこの障害発生検知を常時行っている。また、本実施例の統合制御コントローラＧＣは、ウエハ搬送テーブルＴの内容を書き換える手段を有しており、障害発生を検知したときには、この書換手段によってテーブルＴの内容を書き換え、障害が発生したプロセス系で処理する予定のウエハを残余の正常なプロセス系へ振り替えて処理を続行する縮退運用を実施する。なお、本実施例では、統合制御コントローラＧＣの操作パネルを操作して、作業者が縮退運用を実施するか否かを選択指示することができ、当該指示がなされている場合にのみ、統合制御コントローラＧＣが縮退運用を実施する。
【００１５】次に、各プロセス系を成すプロセスモジュールコントローラＰＣ１〜ＰＣ４及びプロセスモジュールＰＣ１〜ＰＣ４で障害が発生した場合における、本実施例のシステムの動作を図５〜図７を参照して説明する。まず、システムが起動されると統合制御コントローラＧＣが各プロセスモジュールコントローラＰＣ１〜ＰＣ４からのエラー信号の監視を開始し（ステップＳＳ１）、
プロセスモジュールコントローラＰＣ１〜ＰＣ４或いはプロセスモジュールＰＣ１〜ＰＣ４のいずれかで障害が発生して、統合制御コントローラＧＣが当該障害に係るプロセスモジュールコントローラＰＣ１〜ＰＣ４からのエラー信号を受信すると、縮退運用を実施する指示がなされていか否かを判断する（ステップＳ２）
【００１６】
この結果、縮退運用の実施が指示されていない場合には、従来と同様に全てのプロセス系の処理を中断させる（ステップＳ３）
なお、本実施例では、統合制御コントローラＧＣの操作パネルを操作して、縮退運用をすることなく、正常なプロセス系のみをそのまま稼動させるように選択指示することもでき、この指示がなされている場合には、正常なプロセス系は図３に示した内容のままのテーブエルＴに従って自己が処理すべきウエハのみの処理を続行する（ステップＳ３）
一方、上記の判断の結果、縮退運用実施の指示がなされている場合には、エラー信号及び図３のテーブル内容に基づいて、障害が発生したプロセス系が奇数枚目のウエハを処理する系であるかを統合制御コントローラＧＣが判断する（ステップＳ４）
【００１７】この結果、奇数枚目のウエハを処理する系（すなわち、ＰＭ１及びＰＭ２の系）で障害が発生している場合にはウエハ搬送テーブルＴの奇数枚目のウエハに関するスケジュールを書き換える一方（ステップＳ５）、偶数枚目のウエハを処理する系（すなわち、ＰＭ４及びＰＭ３の系）で障害が発生している場合にはウエハ搬送テーブルＴの偶数枚目のウエハに関するスケジュールを書き換える（ステップＳ６）。
【００１８】この書き換え処理は統合制御コントローラＧＣの書換手段でなされ、例えば、図３中及び図５図中に×印で示すように、１枚目（奇数枚目）のウエハのプロセス処理中に障害が発生した場合には、図６に＊印で示すように、ウエハ搬送テーブルＴの当該ウエハ以降の奇数枚目に係るスケジュールが書き換えられる。すなわち、３枚目、５枚目、７枚目、９枚目のウエハは、正常な処理においてはプロセスモジュールＰＭ１及びＰＭ２から成るプロセス系で処理されるようにスケジュールされているが（図３参照）、このプロセス系に障害が発生したことにより、プロセスモジュールＰＭ４及びＰＭ３から成る正常なプロセス系で処理されるように書き換えられる。
【００１９】このようにテーブルＴの書き換えがなされた後、このテーブルＴの内容に従って統合制御コントローラＧＣが制御を行う（ステップＳ７）。この結果、図５に示すように、プロセスモジュールＰＭ４及びＰＭ３から成る正常なプロセス系において、後続する（３枚目以降の）ウエハが処理される。したがって、障害が生じたプロセス系で処理する予定のウエハについても処理が続行され、ウエハに薄膜形成等の所定の処理が施される。
【００２０】なお、この縮退運用による処理においては、プロセス系が減少することによってウエハ搬送の重複が減少することから、統合制御コントローラＧＣは図５に示すように３枚目以降のウエハについての待ち時間を調整し、２経路で処理していたものを１経路で処理するように制御を行う。このため、プロセス系に障害が生じても装置を停止することなく、全てのウエハを処理することができる。
【００２１】なお、上記の実施例では、統合制御コントローラＧＣはコントローラＰＣ１〜ＰＣ４からのエラー信号で障害発生を検知するようにしたが、各コントローラＰＣ１〜ＰＣ４や各プロセスモジュールＰＣ１〜ＰＣ４を直接監視して、障害発生を検知するようにしてもよい。また、上記実施例の半導体製造装置では、搬入用と搬出用のカセットモジュールＣＭ１、ＣＭ２をそれぞれ設けたが、１つのカセットモジュールで搬入と搬出とを兼用させることも可能である。
【００２２】また、
本発明においては、半導体製造装置のプロセス系は２つ以上あればよく、また、各プロセス系は１つ以上のプロセスモジュールで構成されていればよい
本発明はクラスタ型以外の半導体製造装置にも適用することが可能であり、要は、２つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置であれば本発明を適用することができる
　
　
（２−２）引用例２の記載内容を整理すると、次のとおりである。
　
　ア　引用例２の段落【００１３】〜【００１６】の下線部の記載を整理すると、「半導体製造装置の障害対処システム」において、「ウエハ」を（「奇数枚目と偶数枚目」の）２系統に分けて、「プロセスモジュールＰＭ１とＰＭ２とから成るプロセス系と、プロセスモジュールＰＭ４とＰＭ３とから成るプロセス系」の２つの「プロセス系で分散処理させる」に際して、「プロセスモジュールＰＣ１〜ＰＣ４のいずれかで障害が発生し」た時に、「従来と同様に全てのプロセス系の処理を中断させる」、「正常なプロセス系のみをそのまま稼動させる」、「縮退運用を実施する」の３通りの対応指示を選択でき、このうち、「正常なプロセス系のみをそのまま稼動させる」「指示がなされている場合には、正常なプロセス系は」「自己が処理すべきウエハのみの処理を続行する」ことが記載されており、「正常なプロセス系のみをそのまま稼動させる」（「自己が処理すべきウエハのみの処理を続行する」）ということは、逆に言えば「障害が発生し」た（プロセスモジュールを含む）「プロセス系の処理を中断させる」ということであるから、引用例２には、
ウエハを２系統に分けて２つのプロセス系で分散処理させるに際して、プロセスモジュールのいずれかで障害が発生した時に、障害が発生したプロセスモジュールを含む側のプロセス系の処理を中断させ、正常な側のプロセス系のみをそのまま稼動させて自己が処理すべきウエハのみの処理を続行する、半導体製造装置の障害対処システム
　
　イ　引用例２の段落【０００９】、【００１０】の下線部の記載を整理すると、「従来の半導体製造装置にあっては、障害箇所が一部のプロセス系であっても、統合制御コントローラが全ての処理動作を中断させていた」ために「結果として、ウエハ処理が大幅に遅延してしまう事態が生じていた」という問題を解決するために、「一部のプロセス系で障害が生じた場合には、残余の正常なプロセス系で基板（ウエハ）処理を続行し、総じて生産効率を向上させる」ことを目的とすることが記載されている。
　そして、「正常なプロセス系のみをそのまま稼動させる」場合であっても、（引用例２の主たる発明部分である「縮退運用を実施する」場合よりは劣るものの）、従来の「全てのプロセス系の処理を中断させる」場合と比較すれば、「一部のプロセス系で障害が生じた場合には、残余の正常なプロセス系で基板（ウエハ）処理を続行」しており、「生産効率を向上させる」ことができるのは明らかである。
　よって、引用例２には、
障害が発生した時に、正常なプロセス系のみをそのまま稼動させることにより、従来の全てのプロセス系の処理を中断させる場合と比較して、生産効率を向上させること
　
　
５　本件特許発明１について
　
（１）本件特許発明１と引用発明１との対比
　本件特許発明１と引用発明１とを対比する。
　
　ア　引用発明１の「半導体ウェハ」、「処理チャンバ５０ａ」、「処理チャンバ５０ｂ」、「プラットフォーム３０」、「カセット１１ａ」、「カセット１１ｂ」、「カセットステーション１０」、「外部ロボット１３」、「高真空」、「大気側」は、それぞれ、本件特許発明１の「ウエハ」、「第１のプロセス処理装置」、「第２のプロセス処理装置」、「真空搬送装置」、「第１のカセット」、「第２のカセット」、「大気搬送装置」、「ウエハ搬送装置」、「真空雰囲気」、「大気雰囲気」に相当する。
　
　イ　引用発明１の「ウェハ処理シーケンスの制御」は、搬送に関する制御を含むものであるから、本件特許発明１の「搬送制御」に相当する。
　
　ウ　そうすると、本件特許発明１と引用発明１の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「ウエハに共通のプロセス処理を施す第１及び第２のプロセス処理装置と、
プロセス処埋装置にウエハを搬送する真空搬送装置と、
ウエハを収納する第１及び第２のカセットを載置する大気搬送装置と、
前記各カセット内に収納したウエハを真空搬送装置側に搬出し、真空搬送装置側から搬出された前記プロセス処理装置による処埋の終了した処埋済みウエハをもとのカセットに戻すウエハ搬送装置と、
第１のカセットから搬出したウエハのいずれをも真空雰囲気にある第１のプロセス処理装置に搬送し、第２のカセットから搬出したウエハのいずれをも真空雰囲気にある第２のプロセス処理装置に搬送し、前記第１のプロセス処理装置で共通のプロセス処埋を施したウエハを大気雰囲気にあるもとのカセットに戻し、前記第２のプロセス処理装置で共通のプロセス処理を施したウエハを大気雰囲気にあるもとのカセットに戻すように搬送制御を行う制御装置を備えることを特徴とする真空処埋装置。」
　
《相違点》
　本件特許発明１は、「該制御装置は、第１のプロセス処理装置に異常が発生したとき、第１のカセットからのウエハの搬出を中断し、第２のカセットからのウエハの搬出を継続し第２のプロセス処埋装置による処埋を続行する」のに対し、引用発明１は、「処理チャンバ５０ａ」に異常が発生した場合の対処について、特に明示しない点。
　
（２）本件特許発明１と引用発明１との相違点の判断
　上記（１）で認定した相違点について検討する。
　
　ア　上記４（２−２）アより、引用例２には、ウエハを２系統に分けて２つのプロセス系で分散処理させるに際して、プロセスモジュールのいずれかで障害が発生した時に、障害が発生したプロセスモジュールを含む側のプロセス系の処理を中断させ、正常な側のプロセス系のみをそのまま稼動させて自己が処理すべきウエハのみの処理を続行する、半導体製造装置の障害対処システムが開示されており、上記４（２−２）イより、障害が発生した時に、正常なプロセス系のみをそのまま稼動させることにより、引用例２には、従来の全てのプロセス系の処理を中断させる場合と比較して、生産効率を向上させることが開示されている。
　
　イ　引用発明１は、「カセット１１ａから取出した半導体ウェハのいずれをも、高真空にした処理チャンバ５０ａに搬送し、カセット１１ｂから取出した半導体ウェハのいずれをも、高真空にした処理チャンバ５０ｂに搬送し、前記処理チャンバ５０ａで共通のプロセス処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のもとのカセット１１ａ内に戻し、前記処理チャンバ５０ｂで共通のプロセス処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のもとのカセット１１ｂ内に戻す」ものであるから、「カセット１１ａから取出した半導体ウェハ」と「カセット１１ｂから取出した半導体ウェハ」の２系統に分けて、「処理チャンバ５０ａ」をプロセスモジュールとした「カセット１１ａ」→「処理チャンバ５０ａ」→「カセット１１ａ」の経路で処理を行うプロセス系と、「処理チャンバ５０ｂ」をプロセスモジュールとした「カセット１１ｂ」→「処理チャンバ５０ｂ」→「カセット１１ｂ」の経路で処理を行うプロセス系とで分散処理を行うものである。
　
　ウ　引用発明１においても、プロセス系の一部において障害が発生することは当然考えられることであり、そのような場合でも生産効率の低下を最小限にとどめたいという課題を内在していることは明らかである。また、引用例２の段落【００２２】の下線部には、「２つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置であれば本発明を適用することができる」と記載されているが、上記イより、引用発明１が「２つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置」に該当することは明らかである。
　
　エ　よって、引用発明１において、引用例２に開示された技術思想を適用し、「ウエハを２系統に分けて２つのプロセス系で分散処理させるに際して、プロセスモジュールのいずれかで障害が発生した時に、障害が発生したプロセスモジュールを含む側のプロセス系の処理を中断させ、正常な側のプロセス系のみをそのまま稼動させて自己が処理すべきウエハのみの処理を続行する」制御を「制御装置」に対して行わせることは、当業者が容易になし得たことである。そしてその際に、プロセスモジュールである「処理チャンバ５０ａ」及び「処理チャンバ５０ｂ」のうち、「処理チャンバ５０ａ」に障害が発生した場合は、「カセット１１ａ」→「処理チャンバ５０ａ」→「カセット１１ａ」の経路の処理が、中断すべき障害が発生した側のプロセス系に該当し、「カセット１１ｂ」→「処理チャンバ５０ｂ」→「カセット１１ｂ」の経路の処理が、続行すべき正常な側のプロセス系に該当するから、結果として、本件特許発明１のように、「該制御装置は、第１のプロセス処理装置に異常が発生したとき、第１のカセットからのウエハの搬出を中断し、第２のカセットからのウエハの搬出を継続し第２のプロセス処埋装置による処埋を続行する」との構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　オ　被請求人は、口頭審理陳述要領書において、「甲第２号証には、プロセスモジュールで障害が発生した場合における同一カセット内のウエハに関して、（１）縮退運用の実施が指示されていない場合には、従来と同様に全てのプロセス系の処理を中断させる。（２）正常なプロセス系のみをそのまま稼働させる。（３）縮退運用実施の指示がなされている場合には、正常なプロセス系で処理されるようにウエハ搬送テーブルを書き換えることが示されている。　このように、プロセスモジュールで障害が発生した場合において、正常なプロセス系のみをそのまま稼働させる処理は、障害発生時に取られる処理のうちの一つにすぎない。」（６頁１９〜２８行）とした上で、「このように、プロセスモジュールで障害が発生した場合において取られる処理の１つに過ぎない処理を、方式の異なる甲第１号証に適用すること、を示唆する記載も見あたらない。すなわち、甲第２号証での最適な障害発生対処法ではない処理である前記（２）の処理（正常なプロセス系のみをそのまま稼働させる処理）を甲第１号証に適用する動機付けが見当たらない。」（６頁２９行〜７頁４行）と主張する。
　しかしながら、引用例２（甲第２号証）に開示された上記（１）〜（３）の３つの処理は、障害が生じた際の基本的な対処法を類型化したものと理解でき、それぞれ長所及び短所を有しているものの、いずれも状況に応じて使い分けることのできる有効な処理であることは明らかである。確かに、引用例２では上記（３）の処理に主眼を置いた記載がなされているが、それは、上記（３）の処理がより高度の制御を必要とするからであり、上記（２）の処理の採用を妨げるものではない。
　
　カ　また、被請求人は、口頭審理陳述要領書において、「甲第１号証のものは、二つのカセットから二つの処理室にそれぞれウエハを搬入出するというウエハの搬送方式がとられ、また、二つの処理室では同一の処理あるいは分割された連続処理の一部を実行する処理方式であり、１つのカセットに収容されているウエハを分散して処理する分散処理方式ではない。」（６頁７〜１０行）とした上で、「なお、甲第２号証の段落【００２２】には、「２つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置であれば本発明を適用することができる」と記載されているが、前記「２つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置」が、甲第２号証のものとは異なる搬送方式をとる甲第１号証の半導体処理装置を指すと解すべき理由はない。」（７頁１１〜１５行）と主張する。
　しかしながら、引用例２（甲第２号証）に開示された「２つ以上のプロセス系」は、「障害が発生したプロセス系」及び「正常なプロセス系」という概念で扱われており、この２つに区分することができさえすればよいのであるから、搬送方式によって制限を受けるものではない。そして、引用発明１の「カセット１１ａ」→「処理チャンバ５０ａ」→「カセット１１ａ」の経路及び「カセット１１ｂ」→「処理チャンバ５０ｂ」→「カセット１１ｂ」の経路からなる２つの「ウェハ処理シーケンス」は、例えば「処理チャンバ５０ａ」に障害が生じた場合には、前者の経路が「障害が発生したプロセス系」となると同時に、後者の経路が「正常なプロセス系」として機能し続けることを考えれば、上記「２つ以上のプロセス系」に該当することは明らかであり、引用発明１が引用例２に開示された上記「２つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置」に該当することも明らかである。
　
　キ　上記オ、カで検討したとおり、被請求人の主張は採用できない。
　
　ク　したがって、本件特許発明１は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６　本件特許発明２について
　
（１）本件特許発明２と引用発明２との対比
　本件特許発明２と引用発明２とを対比する。
　
　ア　引用発明２の「カセット１１ａ」、「カセット１１ｂ」、「半導体ウェハ」、「処理チャンバ５０ａ」、「処理チャンバ５０ｂ」、「高真空」、「大気側」は、それぞれ、本件特許発明２の「第１のカセット」、「第２のカセット」、「ウエハ」、「第１のプロセス処理装置」、「第２のプロセス処理装置」、「真空雰囲気」、「大気雰囲気」に相当する。
　
　イ　そうすると、本件特許発明２と引用発明２の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「第１及び第２のカセットに収納したウエハをそれぞれ第１及び第２のプロセス処理装置に搬送してウエハに共通のプロセス処理を施し、処理済みウエハをもとのカセットに戻す真空処理方法において、
第１のカセットから搬出したウエハのいずれをも真空雰囲気にある第１のプロセス処理装置に搬送し、第２のカセットから搬出したウエハのいずれをも真空雰囲気にある第２のプロセス処理装置に搬送し、前記第１のプロセス処理装置で共通のプロセス処理を施したウエハを大気雰囲気にあるもとのカセットに戻し、前記第２のプロセス処埋装置で共通のプロセス処理を施したウエハを大気雰囲気にあるもとのカセットに戻すことを特徴とする真空処埋方法。」
　
《相違点》
　本件特許発明２は、「第１のプロセス処理装置に異常が発生したとき、第１のカセットからのウエハの搬出を中断し、第２のカセットからのウエハの搬出を継続し第２のプロセス処埋装置による処埋を続行する」のに対し、引用発明２は、「処理チャンバ５０ａ」に異常が発生したときの対処について、特に明示しない点。
　
（２）本件特許発明２と引用発明２との相違点の判断
　上記（１）で認定した相違点について検討する。
　
　ア　上記４（２−２）アより、引用例２には、ウエハを２系統に分けて２つのプロセス系で分散処理させるに際して、プロセスモジュールのいずれかで障害が発生した時に、障害が発生したプロセスモジュールを含む側のプロセス系の処理を中断させ、正常な側のプロセス系のみをそのまま稼動させて自己が処理すべきウエハのみの処理を続行する、半導体製造装置の障害対処システムが開示されており、上記４（２−２）イより、障害が発生した時に、正常なプロセス系のみをそのまま稼動させることにより、引用例２には、従来の全てのプロセス系の処理を中断させる場合と比較して、生産効率を向上させることが開示されている。
　
　イ　引用発明２は、「カセット１１ａから取出した半導体ウェハのいずれをも、高真空にした処理チャンバ５０ａに搬送し、カセット１１ｂから取出した半導体ウェハのいずれをも、高真空にした処理チャンバ５０ｂに搬送し、前記処理チャンバ５０ａで共通のプロセス処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のもとのカセット１１ａ内に戻し、前記処理チャンバ５０ｂで共通のプロセス処理を施した処理済の半導体ウェハを再び大気側のもとのカセット１１ｂ内に戻す」ものであるから、「カセット１１ａから取出した半導体ウェハ」と「カセット１１ｂから取出した半導体ウェハ」の２系統に分けて、「処理チャンバ５０ａ」をプロセスモジュールとした「カセット１１ａ」→「処理チャンバ５０ａ」→「カセット１１ａ」の経路で処理を行うプロセス系と、「処理チャンバ５０ｂ」をプロセスモジュールとした「カセット１１ｂ」→「処理チャンバ５０ｂ」→「カセット１１ｂ」の経路で処理を行うプロセス系とで分散処理を行うものである。
　
　ウ　引用発明２においても、プロセス系の一部において障害が発生することは当然考えられることであり、そのような場合でも生産効率の低下を最小限にとどめたいという課題を内在していることは明らかである。また、引用例２の段落【００２２】の下線部には、「２つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置であれば本発明を適用することができる」と記載されているが、上記イより、引用発明２が「２つ以上のプロセス系で処理対象の基板を分散処理する半導体製造装置」を用いた処理方法に該当することは明らかである。
　
　エ　よって、引用発明２において、引用例２に開示された技術思想を適用し、「ウエハを２系統に分けて２つのプロセス系で分散処理させるに際して、プロセスモジュールのいずれかで障害が発生した時に、障害が発生したプロセスモジュールを含む側のプロセス系の処理を中断させ、正常な側のプロセス系のみをそのまま稼動させて自己が処理すべきウエハのみの処理を続行する」ことは、当業者が容易になし得たことである。そしてその際に、プロセスモジュールである「処理チャンバ５０ａ」及び「処理チャンバ５０ｂ」のうち、「処理チャンバ５０ａ」に障害が発生した場合は、「カセット１１ａ」→「処理チャンバ５０ａ」→「カセット１１ａ」の経路の処理が、中断すべき障害が発生した側のプロセス系に該当し、「カセット１１ｂ」→「処理チャンバ５０ｂ」→「カセット１１ｂ」の経路の処理が、続行すべき正常な側のプロセス系に該当するから、結果として、本件特許発明２のように、「第１のプロセス処理装置に異常が発生したとき、第１のカセットからのウエハの搬出を中断し、第２のカセットからのウエハの搬出を継続し第２のプロセス処埋装置による処埋を続行する」との構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　オ　したがって、本件特許発明２は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
７　結言
　
　以上の次第で、本件特許の請求項１、２に係る発明は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件特許の請求項１、２に係る発明は、特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものであるから、特許法１２３条１項２号に該当し、無効とすべきものである。
　
　審判に関する費用については、特許法１６９条２項の規定で準用する民事訴訟法６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。