【事件の表示】
　平成１１年特許願第２９３５９８号「高周波磁気デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２７日出願公開、特開２００１−１１８７２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１１年１０月１５日の出願であって，平成１９年１月２５日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年３月１日に審判請求がなされるとともに，同年３月２９日付けで手続補正がなされ，その後，当審において平成２１年６月１７日付けで審尋がなされ，同年８月２１日に回答書が提出され，更に，同年１１月１０日付けで拒絶理由が通知され，その指定期間内の平成２２年１月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２２年１月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。
「【請求項１】　軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる軟磁性多層膜を含む高周波磁気デバイスにおいて，
　前記軟磁性膜と前記無機絶縁膜との間に，前記無機絶縁膜の酸化因子が前記軟磁性膜に侵入するのを防ぐ防止膜が設けられ，
　前記防止膜は非磁性金属膜が酸化した非磁性絶縁膜であり，かつ，前記酸化因子により前記非磁性金属膜の全てが酸化されて前記非磁性絶縁膜に変換される膜厚に設定されてなり，
　前記非磁性金属膜は，Ｔｉ，Ｖ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｓｉの少なくともいずれかから選択された金属膜であり，
　前記軟磁性多層膜は，高周波磁気デバイスに用いられる軟磁性多層膜であり，
　前記軟磁性膜は，金属−金属系非晶質系，金属−半金属非晶質系，高抵抗グラニュラ系の材料の少なくともいずれかから選択された軟磁性膜であり，
　前記無機絶縁膜は，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＭｇＯ，ＢＮの少なくともいずれかから選択された絶縁膜であることを特徴とする高周波磁気デバイス。」
　
第３　刊行物に記載された発明
　１　刊行物１：特開平１１−１７７１６１号公報
　当審の拒絶理由通知に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１には，「磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型薄膜ヘッド」（発明の名称）に関して，図１〜図４とともに以下の事項が記載されている。（なお，下線は，引用箇所のうち特に強調する部分に付加した。以下同様。）
「【請求項１】　基板上に形成された
少なくとも３つ以上強磁性層
磁気抵抗効果素子
【請求項２】　基板上に形成された少なくとも３つ以上強磁性層と少なくとも２つ以上のトンネル障壁を有する強磁性トンネル接合において，トンネル障壁層を形成する層の一部がトンネル障壁層であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項３】　基板上に形成された少なくとも３つ以上強磁性層と少なくとも２つ以上のトンネル障壁を有する強磁性トンネル接合において，
トンネル障壁層を形成する層の少なくとも片側にトンネル障壁防護層となるような膜が挿入されてなる
【請求項４】　トンネル障壁層が1.5nm以下であることを特徴とする請求項１〜請求項３記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】　
トンネル障壁防護層となるような膜が金属膜である
【請求項６】　
金属膜が非磁性金属膜である
「【請求項１５】　
トンネル障壁防護層が10nm以下である
「【０００８】また，
図４（ｃ）に示すように構造的に特性を向上させる方法としては，第１の強磁性層２／第１の絶縁層３／第２の強磁性層４／第２の絶縁層５／第３の強磁性層６という多層構造
【０００９】しかし，
トンネル障壁を形成する絶縁層を作成する場合，Al，またはNiをプラズマ酸化あるいは自然酸化により酸化させる
磁性層まで酸化してしまうと特性が劣化してしまう
実際の素子として使用する場合には，素子作成時に加わる熱でトンネル接合部の磁性層にトンネル障壁形成している絶縁層の酸素が拡散して酸化されたり，強磁性層の結晶が成長してトンネル障壁層を突き破り（電気的にショートする）特性が劣化する
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は第１の強磁性層２／第１の絶縁層（トンネル障壁）３／第２の強磁性層４／第２の絶縁層（トンネル障壁）５／第３の強磁性層６の基本構成を用いる素子において，
トンネル接合を形成する磁性層に対する酸素の拡散を防止する
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するために，この発明の磁気抵抗効果素子，及び磁気抵抗効果型ヘッドは以下のように構成されてる。
【００１２】
図１(a)に示すように，素子の基本構成は基板１上に第１の強磁性膜2／第１の絶縁層（トンネル障壁）3／第２の強磁性膜4／第２の絶縁膜（トンネル障壁）5／第３の強磁性層6からなる
この場合には絶縁障壁を形成する層と強磁性層の界面で酸素が拡散し，強磁性層が酸化され特性が劣化してしまう
【００１３】また，
より安定に特性を得るためにはトンネル障壁を形成する過程でプラズマ酸化あるいは自然酸化の時間，または酸素量を調整して非磁性層（たとえばAl）の一部分だけを酸化させないで残す。あるいは強磁性層とトンネル障壁を形成する層の界面に拡散防止層を挿入する。熱が加わることで強磁性層の結晶粒が成長しトンネル障壁を破壊する場合にはトンネル障壁保護層としてトンネル障壁に影響を与えなお（「い」の誤記。）ような膜をトンネル障壁層と強磁性層の界面に挿入する
「【００２１】（実施の形態３）図３(a)は本発明の磁気抵抗効果素子の構成を示している。素子を作成する過程を以下に説明する。シリコン(Si）基板１上に電極材料1a，
第１の強磁性膜2，絶縁層3を形成するためのアルミウム(Al)をRFスパッタで連続成膜した
アルミニウム(Al)を酸化させアルミナ（Al
2
O）とした。このとき酸素導入量と時間を制御して，アルミニウム(Al)の酸化を行い，強磁性層側の一部分だけを酸化させないでアルミニウム(Al)のまま残す構造（非酸化層9）とした
【００２２】そして，
その上にトンネル障壁保護層3aとしてアルミニウム（Al）をスパッタ
【００２３】このとき酸素導入量と時間を制御して，アルミニウムの酸化を行い，強磁性層側の一部分だけを酸化させないでアルミニウムのまま残す構造（非酸化層9）とした。そして，その上にトンネル障壁保護層5aとしてアルミニウム（Al）をスパッタし，第３の強磁性層6を磁場中で第１の強磁性層の磁化の向きと平行となるようにRFスパッタ装置を用いて連続作製した。素子の加工および電極形成にはイオンミリング装置及びリアクティブイオンエッチング装置，リフトオフ法を用いて行った。
【００２４】測定は実施の形態１と同様な方法で行った。この結果，絶縁障壁層と強磁性層の両方の界面に酸化されてないアルミニウム（Al）がある場合と片方にしかない場合，そして全くない場合では，
アルミニウム(Al)が両方の界面に挿入されている構成のほうが安定な特性が得られ，第２の強磁性層４の軟磁性としての特性も向上した
「【００４７】（実施例３）スパッタ装置を用いて以下に示した構成の磁気抵抗効果素子をSi基板上に作成した。
【００４８】
[Fe(100)/Al+Al
2
O
3
(20)/Al(5)/CoFe(100)/Al＋Al
2
O
3
(20)/Al(5)/Fe(100)]
但し，(  )内の単位はオングストロームである。
【００４９】第１の強磁性層Fe及び第３の強磁性層Feの磁化方向が互いに同方向を向くように磁場中スパッタを行い，第２の強磁性層CoFeの磁化方向がFeと直交するように磁場中スパッタを行った。トンネル障壁層（Al2O3）はアルミニウム(Al)をスパッタした後，RF逆スパッタによるプラズマ酸化法で作成した。このときチャンバーないに導入する酸素の量とプラズマ放電の時間で酸化層の厚みを制御して一部分アルミニウム(Al)のまま残した構造にした。また，もう一方の界面には再度アルミニウム(Al)を５スパッタした。なおこれらの多層構造の作成は全て真空中で行った。電極形成および素子加工にはイオンエッチング，リアクティブエッチング，リフトオフ法を使用した。Fe/Al+Al2O3/CoFe，CoFe/Al+Al2O3/Feのそれぞれの接合に対して接続して磁気抵抗効果の測定を行った。磁気抵抗効果の測定は磁界を
軟磁性を示すCoFe膜
【００５０】この結果，Fe/Al+Al2O3/Al/CoFe，CoFe/Al+Al2O3/Al/Feそれぞれの接合から抵抗変化率が２７％，２８％の結果が得られた。また，歩留まりもトンネル障壁層の片側にアルミニウム(Al)がある場合に比べ１５％向上した。その上，耐熱性に関しても100℃程度の向上が見られた。以上よりトンネル障壁層の両側にアルミニウム(Al)が挿入された構造を用いたほうが歩留まり，耐熱性の面から特性の向上が見られた。よって磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果型ヘッドにおいて実用的な特性を示すことは明らかである。」
　さらに，【００２１】，【００４８】，【００４９】の記載も考慮すると，図３には，「
軟磁性の強磁性層２，４，６とアルミナからなる絶縁層３，５を交互に積層し，強磁性層と絶縁層との間にＡｌ層からなる非酸化層９及びトンネル障壁保護層3a，5aを設けた
　さらに，【０００８】，【０００９】，【００１２】の記載も考慮すると，図１（ａ）及び図４（ｃ）には，「
軟磁性の強磁性層２，４，６と絶縁層３，５を交互に積層した
　
　以上から，刊行物１には，図３の実施例に注目すると，「軟磁性の強磁性層とアルミナからなる絶縁層を交互に積層し，強磁性層と絶縁層との間にＡｌ層を設けた磁気抵抗効果素子。」（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　さらに，刊行物１には，図１（ａ）及び図４（ｃ）の従来例に注目すると，「軟磁性の強磁性層とＡｌを酸化させた絶縁層を交互に積層した磁気抵抗効果素子。」（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
　
　２　刊行物２：特開平０２−０５６７５３号公報
　当審の拒絶理由通知に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２には，「光ディスク」（発明の名称）に関して，第１図〜第４図とともに以下の事項が記載されている。
「〔従来の技術〕
　従来の光ディスク（光磁気ディスクも含む概念として用いる）は直径３０ｃｍのものが多く，ガラスあるいはプラスチックの基板上にトラック案内用の溝（グループ）が予め形成され，その上に保護膜（第１層），磁性膜（第２層），保護膜（第３層）を順次積層し，磁性膜に情報を記録している。この場合，磁性膜には酸化せず希土類金属を含む希土類−遷移金属系の金属膜を使用しており，この膜を酸化から保護するため，磁性膜を上下から挟むような形で２つの保護膜を設けている。
保護膜としては酸化物を使用することが多く，特にＳｉＯ
２
，ＳｉＯ等
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら，このような従来の光ディスクにあっては，保護膜として酸化物を使用する構造となっていたため，外部の空気中からの酸素によっては磁性膜を酸化から保護することができるものの，
酸化物の内部に存在する活発な酸素によって磁性膜を酸化させ
　そこで本発明は，
磁性膜への酸素拡散を防止して
〔課題を解決するための手段〕
　本発明による光ディスクは上記目的達成のため，基板上に，第１の保護膜，情報を記録する磁性膜，第２の保護膜が順次形成された光ディスクにおいて，前記
第１の保護膜と磁性膜との間又は第２の保護膜と磁性膜との間の少なくとも一つ以上の部分に，所定厚さの金属膜を設けている
〔作用〕
　本発明では，磁性膜の両面のうち少なくとも一つ以上の面と保護膜との間に所定厚さの金属膜が設けられ，該金属膜には保護膜中に含まれている金属元素と略同様な成分の元素が用いられる。
　したがって，
保護膜の内部に存在する活発な酸素は金属膜を酸化させるというプロセスによって消費され，磁性膜への酸化拡散が防止される
〔実施例〕
　以下，本発明を図面に基づいて説明する。
　第１〜４図は本発明に係る光ディスクの一実施例を示す図である。第１図は光ディスクの断面を示す図であり，この図において，１は基板である。基板１は厚さが１．２ｍｍ程度で，材料としては透明なプラスチック又はガラスが用いられ，基板１上にはトラック案内用の溝が形成されている。基板１の上には保護膜（第１層）２，金属膜（第１′層）３，磁性膜（第２層）４，金属膜（第３′層）５および保護膜（第３層）６が順次形成されており，これらはディスクの媒体となる。これらの媒体は全てＲＦスパッタにより製膜され，例えばガス圧０．５Ｐａ以下，パワー０．８〜１．０ｋｗのスパッタ条件で行われる。
　
保護膜２，６としてはＺｒＯ
２
が用いられ
金属膜３，５としてはＺｒが用いられ
金属膜３，５の厚さは４０Å程度
　以上の構造を有する光ディスクへの情報の記録は基板ｌのグループに沿って磁性膜４に直径的０．８μｍのピットと呼ばれる孔を形成することで行われる。このピットの有無がそれぞれビット“１”，“０”に対応する。一方，記録再生は半導体レーザを用いて行い，記録時２０ｍＷのパルス発振，読取４ｍＷで連続発振させてピットの有無を検出する。信号は反射したレーザ光の強度の変化としてホトダイオードで検出，増幅し，ピットの有無に対応した“１”，“０”の内部信号に変換して外部に情報として取出される。
　次いで，従来例に対する効果を考察する。
　本実施例では，
磁性膜４の両面側にそれぞれ金属膜３，５が設けられているため，保護膜２，６の界面に活発な酸素が存在していても，この酸素は金属膜３，５を酸化することによって消費され，金属膜３，５が保護膜２，６と同一の酸化物に変わっていく。したがって，保護膜２，６から磁性膜４への酸素の拡散が防止され，磁性膜４の酸化が抑えられる
　なお，磁性膜４の酸化防止のため本実施例では
金属膜３，５にＺｒなる金属材料を用い
酸化防止ができれば他の金属材料，例えばＴｉ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ等でもよい
一方，金属膜３，５の厚さは必要以上に大きくすると，金属が全て酸化されて保護膜２，６と同様の酸化物に変わらないので，金属膜３，５の厚さは極薄い一定範囲のものが望ましい
　第２，３図はこの膜厚と酸素イオンの含有量との関係をＳＩＭＳ（二次イオン質量分析）によって測定したものであり，第２図は金属膜３，５の膜厚が２０Åのとき，第３図は膜厚が４０Åのときの測定状況を示している。第２，３図中，横方向は光ディスクの媒体の積層方向に対応し基板１からの距離を深さ〔Å〕によって表示しており，また，縦方向はＳＩＭＳ強度（すなわち，酸素イオン含有量）に対応している。これらの図から明らかであるように
膜厚が２０Åでは酸素が磁性膜４中に浸入拡散するが，４０Åでは酸素の拡散は見られない
金属膜３，５の最適な厚さも変わると考えられ，一般には数Å〜数１０Åの範囲が好ましい
　
第４　本願発明と引用発明１との対比・判断
　本願発明と引用発明１とを対比する。
（ａ）引用発明１の「軟磁性の強磁性層」は，本願発明の「軟磁性膜」に相当する。
（ｂ）引用発明１の「アルミナからなる絶縁層」は，本願発明の「無機絶縁膜」に相当するとともに，「前記無機絶縁膜は，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＭｇＯ，ＢＮの少なくともいずれかから選択された絶縁膜」に相当する。
（ｃ）引用発明１の「磁気抵抗効果素子」と，本願発明の「高周波磁気デバイス」とは，「磁気デバイス」である点で共通する。
　
　よって，両者は，
「軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる磁気デバイスにおいて，
　前記無機絶縁膜は，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＭｇＯ，ＢＮの少なくともいずれかから選択された絶縁膜であることを特徴とする磁気デバイス。」である点で一致し，以下の点で相違する。
　
［相違点１］本願発明は，「軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる軟磁性多層膜を含む高周波磁気デバイス」であり，「前記軟磁性多層膜は，高周波磁気デバイスに用いられる軟磁性多層膜であ」るのに対して，引用発明１は「軟磁性の強磁性層とアルミナからなる絶縁層を交互に積層し」「た磁気抵抗効果素子」である点。
［相違点２］本願発明は，「前記軟磁性膜と前記無機絶縁膜との間に，前記無機絶縁膜の酸化因子が前記軟磁性膜に侵入するのを防ぐ防止膜が設けられ，　前記防止膜は非磁性金属膜が酸化した非磁性絶縁膜であり，かつ，前記酸化因子により前記非磁性金属膜の全てが酸化されて前記非磁性絶縁膜に変換される膜厚に設定されてなり，　前記非磁性金属膜は，Ｔｉ，Ｖ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｓｉの少なくともいずれかから選択された金属膜であ」るとの構成を備えているのに対して，引用発明１は，「強磁性層と絶縁層との間にＡｌ層を設けた」との構成を備えている点。
［相違点３］本願発明は，「前記軟磁性膜は，金属−金属系非晶質系，金属−半金属非晶質系，高抵抗グラニュラ系の材料の少なくともいずれかから選択された軟磁性膜であ」るのに対して，引用発明１は「軟磁性の強磁性層」である点。
　
　そこで，上記相違点について検討する。
［相違点１について］
（ａ）引用発明１の「軟磁性の強磁性層とアルミナからなる絶縁層を交互に積層し」たものも「軟磁性多層膜」と言え，引用発明１の「磁気抵抗効果素子」も高周波で用いられるので，相違点１については，本願発明と引用発明１は，実質的には相違していない。
（ｂ）仮に，相違しているとしても，「軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる軟磁性多層膜を含む高周波磁気デバイス」は，以下の周知例１〜３にも記載されているように周知技術であり，この周知技術においても無機絶縁膜による磁性膜の酸化の問題が生ずることは当業者が容易に理解できることであるから，引用発明１の技術を周知技術の「軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる軟磁性多層膜を含む高周波磁気デバイス」に適用することは，当業者が適宜なし得たことである。
　・周知例１：特開平９−７４０１６号公報
「【要約】
【目的】　本発明は高飽和磁束密度を有する
磁性薄膜と絶縁薄膜との多層膜
１００ＭＨｚ以上の高周波領域で損失の低い磁性薄膜を得る
【構成】　
磁性薄膜と絶縁薄膜を交互に積層する多層磁性薄膜
１００ＭＨｚ
高周波低損失磁性薄膜およびそれを用いた高周波デバイス
「【００１８】
ＣｏＦｅＳｉＢ系およびＣｏＮｂＺｒ系磁性薄膜
　・周知例２：特開平５−２２６１５０号公報
「【要約】　　　（修正有）
【目的】本発明は，低い保磁力と大きな透磁率を持ち，かつ透磁率の
高周波特性の極めて優れた軟磁性多層膜
【構成】本発明は，
磁性層と薄いセラミックス層とを交互に積層した多層膜
「【０００２】
【従来の技術】電子機器部品の軽量化，高集積化にともない
インダクタ，トランス
１００ＭＨｚ程度以上の周波数域で用いる
「【００１２】・・・
ＣｏＮｂＺｒ
薄いＡｌＮ：１００オングストローム
・・・」
　・周知例３：特開平７−２９７３２号公報
「【請求項２】　絶縁性基板上に，コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と，該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟むように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有し，特定の周波数の信号を前記導電性金属層に印加することにより使用される薄膜磁気素子であって，
前記
磁性層は，絶縁膜により互いに絶縁分離されて積層された多層の磁性膜からなることを特徴とする薄膜磁気素子
「【０００２】
【従来の技術】上記の薄膜磁気素子は，小容量（数ワット程度）の電源部品として用いられるため，使用されるスイッチング周波数が
０．５〜５ＭＨｚ
「【０００４】・・・
渦電流を抑制するためには，抵抗率は大きい方が好ましい
「００３４】図２において，１はシリコン基板，２はシリコン基板を熱酸化して形成されたシリコン酸化膜と該シリコン酸化膜上にスパッタにより形成されたシリコン窒化膜とからなる下地絶縁膜である。これらが絶縁性基板を構成する。９は薄膜トランス及び薄膜インダクタとして使用される薄膜磁気素子であって，下地絶縁膜２上に形成されている。薄膜磁気素子９は帯状のアルミニウム膜又は銅膜からなるコイル導体１０と，層間絶縁膜１１を介して該コイル導体１０を上下両側から挟んで形成された軟磁性層12ａ，12ｂからなる。ここで，
軟磁性層12ａ，12ｂはそれぞれ膜厚５０Å以下の絶縁膜１３により互いに分離された１００層以上の薄い軟磁性膜１４からなる
一層当たりの軟磁性膜１４の膜厚は５００Å以下とされる
軟磁性膜１４として
CoFeBSiO
　
［相違点２について］
（ａ）刊行物１には，「【０００９】・・・
磁性層まで酸化してしまうと特性が劣化してしまう
実際の素子として使用する場合には，素子作成時に加わる熱でトンネル接合部の磁性層にトンネル障壁形成している絶縁層の酸素が拡散して酸化されたり，
特性が劣化する
トンネル接合を形成する磁性層に対する酸素の拡散を防止する
より安定に特性を得るためにはトンネル障壁を形成する過程でプラズマ酸化あるいは自然酸化の時間，または酸素量を調整して非磁性層（たとえばAl）の一部分だけを酸化させないで残す。あるいは強磁性層とトンネル障壁を形成する層の界面に拡散防止層を挿入する。
アルミニウム(Al)が両方の界面に挿入されている構成のほうが安定な特性が得られ，第２の強磁性層４の軟磁性としての特性も向上した
（ｂ）ここで，引用発明１において，「素子作成時に加わる熱でトンネル接合部の磁性層にトンネル障壁を形成している絶縁層の酸素が拡散して酸化されるのを防止する」ために，「非磁性層（たとえばAl）の一部分だけを酸化させないで残す」などして，「強磁性層と絶縁層との間にＡｌ層を設けた」ことは，本願発明における「前記軟磁性膜と前記無機絶縁膜との間に，前記無機絶縁膜の酸化因子が前記軟磁性膜に侵入するのを防ぐ防止膜」を設けたことに相当し，その設置目的も同じである。
　そして，本願発明においても，
素子作成時の加熱前には
（ｃ）また，引用発明１の「Ａｌ層」は，本願発明の「前記非磁性金属膜は，Ｔｉ，Ｖ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｓｉの少なくともいずれかから選択された金属膜」に相当する。
（ｄ）引用発明１では，「
素子作成時に加わる熱で
素子作成時に加わる熱で
素子作成時の加熱後の完成した素子としては，
（ｅ）刊行物２には，「磁性膜４の両面側にそれぞれ金属膜３，５が設けられているため，保護膜２，６の界面に活発な酸素が存在していても，この酸素は金属膜３，５を酸化することによって消費され，金属膜３，５が保護膜２，６と同一の酸化物に変わっていく。したがって，保護膜２，６から磁性膜４への酸素の拡散が防止され，磁性膜４の酸化が抑えられる。・・・
一方，金属膜３，５の厚さは必要以上に大きくすると，金属が全て酸化されて保護膜２，６と同様の酸化物に変わらないので，金属膜３，５の厚さは極薄い一定範囲のものが望ましい
金属が全て酸化されて保護膜２，６と同様の酸化物に変わらないので
金属が全て酸化されて保護膜２，６と同様の酸化物に変わる
（ｆ）また，刊行物１では，「【請求項１５】
トンネル障壁防護層が10nm以下である
金属膜３，５の最適な厚さも変わると考えられ，一般には数Å〜数１０Åの範囲が好ましい
非磁性金属膜は，１０Å以上１００Å以下の膜厚に設定されることが好適である
（ｇ）引用発明１において，「Ａｌ層」が，素子作成時に加わる熱で「絶縁層の酸素が拡散して酸化される」ことにより，「素子作成時に加わる熱でトンネル接合部の磁性層にトンネル障壁を形成している絶縁層の酸素が拡散して酸化されるのを防止する」ためには，「Ａｌ層」として，加熱時において酸化される厚さ以上の厚さが必要であることは，当業者が容易に理解できることである。
　また，刊行物１の図１（ａ）にも示されるように，本来は，磁性層と絶縁層が交互に積層されるものであり，酸化後に酸化されずに残る「Ａｌ層」（非磁性金属膜）は，非磁性かつ導電性であって，磁性層でも絶縁層でもないので，正に余計な層であり，最終的にはない方が好ましいことは明らかであるから，必要最低限とすれば，理想的には酸化後に酸化されずに残る「Ａｌ層」（非磁性金属膜）がちょうどなくなれば良いことは，上記（ｅ）（ｆ）の記載も考慮すれば，当業者が容易に推測できることである。
（ｈ）以上から，引用発明１における「Ａｌ層」の膜厚を必要最小限にして，本願発明のように「前記防止膜は非磁性金属膜が酸化した非磁性絶縁膜であり，かつ，前記酸化因子により前記非磁性金属膜の全てが酸化されて前記非磁性絶縁膜に変換される膜厚に設定」することは，当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点３について］
　例えば，上記の周知例１〜３にも記載されているように，軟磁性膜として，金属−金属系非晶質系，金属−半金属非晶質系，高抵抗グラニュラ系の材料を用いることは周知技術であるから，引用発明１において，「軟磁性の強磁性層」を本願発明のように「前記軟磁性膜は，金属−金属系非晶質系，金属−半金属非晶質系，高抵抗グラニュラ系の材料の少なくともいずれかから選択された軟磁性膜であ」るようにすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって，本願発明は，刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　本願発明と引用発明２との対比・判断
　本願発明と引用発明２とを対比する。
（ａ）引用発明２の「軟磁性の強磁性層」は，本願発明の「軟磁性膜」に相当する。
（ｂ）引用発明２の「Ａｌを酸化させた絶縁層」は，本願発明の「無機絶縁膜」に相当するとともに，「前記無機絶縁膜は，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＭｇＯ，ＢＮの少なくともいずれかから選択された絶縁膜」に相当する。
（ｃ）引用発明２の「磁気抵抗効果素子」と，本願発明の「高周波磁気デバイス」とは，「磁気デバイス」である点で共通する。
　
　よって，両者は，
「軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる磁気デバイスにおいて，
　前記無機絶縁膜は，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＭｇＯ，ＢＮの少なくともいずれかから選択された絶縁膜であることを特徴とする磁気デバイス。」である点で一致し，以下の点で相違する。
　
［相違点１］本願発明は，「軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる軟磁性多層膜を含む高周波磁気デバイス」であり，「前記軟磁性多層膜は，高周波磁気デバイスに用いられる軟磁性多層膜であ」るのに対して，引用発明２は「軟磁性の強磁性層とＡｌを酸化させた絶縁層を交互に積層し」「た磁気抵抗効果素子」である点。
［相違点２］本願発明は，「前記軟磁性膜と前記無機絶縁膜との間に，前記無機絶縁膜の酸化因子が前記軟磁性膜に侵入するのを防ぐ防止膜が設けられ，　前記防止膜は非磁性金属膜が酸化した非磁性絶縁膜であり，かつ，前記酸化因子により前記非磁性金属膜の全てが酸化されて前記非磁性絶縁膜に変換される膜厚に設定されてなり，　前記非磁性金属膜は，Ｔｉ，Ｖ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｓｉの少なくともいずれかから選択された金属膜であ」るとの構成を備えているのに対して，引用発明２は，そのような構成について記載されていない点。
［相違点３］本願発明は，「前記軟磁性膜は，金属−金属系非晶質系，金属−半金属非晶質系，高抵抗グラニュラ系の材料の少なくともいずれかから選択された軟磁性膜であ」るのに対して，引用発明２は「軟磁性の強磁性層」である点。
　
　そこで，上記相違点について検討する。
［相違点１について］
（ａ）引用発明２の「軟磁性の強磁性層とＡｌを酸化させた絶縁層を交互に積層し」たものも「軟磁性多層膜」と言え，引用発明２の「磁気抵抗効果素子」も高周波で用いられるので，相違点１については，本願発明と引用発明２は，実質的には相違していない。
（ｂ）仮に，相違しているとしても，「軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる軟磁性多層膜を含む高周波磁気デバイス」は，上記の周知例１〜３にも記載されているように周知技術であり，引用発明２の技術を周知技術の「軟磁性膜と無機絶縁膜を交互に積層してなる軟磁性多層膜を含む高周波磁気デバイス」に適用することは，当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２について］
（ａ）本願発明は，「前記軟磁性膜と前記無機絶縁膜との間に，前記無機絶縁膜の酸化因子が前記軟磁性膜に侵入するのを防ぐ防止膜が設けられ，　前記防止膜は非磁性金属膜が酸化した非磁性絶縁膜であり，かつ，前記酸化因子により前記非磁性金属膜の全てが酸化されて前記非磁性絶縁膜に変換される膜厚に設定されてなり，　前記非磁性金属膜は，Ｔｉ，Ｖ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｓｉの少なくともいずれかから選択された金属膜であ」るとの構成を備えており，本願発明の「高周波磁気デバイス」の防止膜である「非磁性金属膜の全てが酸化されて前記非磁性絶縁膜に変換される」と，本願発明の無機絶縁膜（例えばＡｌ２Ｏ３）及び非磁性金属膜（例えばＡｌ）の全てが酸化された非磁性絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）が，すべてＡｌ２Ｏ３膜である場合も含まれる。
　そうすると，本願発明の無機絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）及び非磁性絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）を合わせたＡｌ２Ｏ３膜は，引用発明２の「Ａｌを酸化させた絶縁層」，すなわちＡｌ２Ｏ３層と格別の差異は，認められない。
　よって，相違点２については，本願発明と引用発明２は，実質的には相違していない。
（ｂ）請求人は，平成２２年１月１４日付け意見書において，「しかしながら，本願発明においては，製膜当初は非磁性金属膜であったものが，その後の酸化により全て非磁性絶縁膜に変換するものであり，このような場合には組成に分布が生じるのが通常であって，当初から無機絶縁膜のみを製膜した場合と構造上同一となることはなく，本願発明は図１（ａ）の構造と同一ではない。」と主張している。
　しかし，刊行物１の「【０００９】しかし，トンネル障壁を形成する絶縁層を作成する場合，Al，またはNiをプラズマ酸化あるいは自然酸化により酸化させる。」，「【００１３】また，より安定に特性を得るためにはトンネル障壁を形成する過程でプラズマ酸化あるいは自然酸化の時間，または酸素量を調整して非磁性層（たとえばAl）の一部分だけを酸化させないで残す。」などの記載から，引用発明２の絶縁層は，Ａｌを成膜後酸化させてＡｌ２Ｏ３にしたものである。
　また，本願発明において，無機絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）の製法は限定されていないので，Ａｌを成膜後酸化させてＡｌ２Ｏ３にしたものも含まれ，さらに，非磁性金属膜（Ａｌ）の全てが酸化されて非磁性絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）になるのであるから，Ａｌを成膜後酸化させてＡｌ２Ｏ３にした引用発明２の絶縁層と格別の差異があるとは，認められない。
　
［相違点３について］
　例えば，上記の周知例１〜３にも記載されているように，軟磁性膜として，金属−金属系非晶質系，金属−半金属非晶質系，高抵抗グラニュラ系の材料を用いることは周知技術であるから，引用発明２において，「軟磁性の強磁性層」を本願発明のように「前記軟磁性膜は，金属−金属系非晶質系，金属−半金属非晶質系，高抵抗グラニュラ系の材料の少なくともいずれかから選択された軟磁性膜であ」るようにすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって，本願発明は，刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明は，刊行物１又は刊行物１，２に記載された発明，及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。