【事件の表示】
　平成　９年特許願第２４１２１１号「半導体レーザ素子及び光学記録媒体駆動装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２２日出願公開、特開平１０−１３５５６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、平成９年９月５日に出願された特許出願（優先権主張　平成８年９月６日）であって、原審において、平成１６年４月７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１４日付けで手続補正がなされたところ、同年８月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２６日付けで手続補正がなされたものである。　
　
２．平成１６年１０月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定　
［補正却下の決定の結論］　
　平成１６年１０月２６日付けの手続補正を却下する。　
［理由］　
（１）補正後の本願発明　
　平成１６年１０月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１５に記載された発明特定事項について、「前記ストライプ状リッジ部直下の前記量子井戸層の全体積は、略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下であること」との限定を付加しようとするものであるので、特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　
　また、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）は、平成１６年１０月２６日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。　
「【請求項１】第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に形成された量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成された前記第１導電型とは逆導電型となる第２導電型のクラッド層と、を備えた半導体レーザ素子であって、前記第１導電型のクラッド層、前記活性層及び前記第２導電型のクラッド層は共振器を構成し、前記共振器の少なくとも一方の共振器端面側に該端面側の前記活性層への電流注入を阻止するための電流注入阻止構造を備え、前記電流注入阻止構造は、前記第２導電型のクラッド層上に形成され、電流注入のためのストライプ状開口部を有する電流阻止層を含み、前記ストライプ状開口部は、前記少なくとも一方の共振器端面から所定距離離間した位置から共振器長方向に向かって配置され、前記第２導電型のクラッド層は、前記活性層上に形成された平坦部と、該平坦部上のストライプ状リッジ部とを備え、前記電流阻止層は、前記リッジ部の側面上を覆うように前記平坦部上に形成され、且つ前記少なくとも一方の共振器端面から前記所定距離の位置までの前記リッジ部上面の領域上に形成され、前記ストライプ状リッジ部直下の前記量子井戸層の全体積は、略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。」　
　
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。　
　
（２）特許法第３６条第６項第２号違反について　
（ｉ）原審における拒絶の理由のうち、（理由３）は以下のものである。　
「この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
　請求項４〜６において、リッジ部直下の量子井戸層の全体積により発明を特定しているが、半導体レーザの特性は量子井戸層の体積によって決まるものではなく、量子井戸層の体積による特定にいかなる技術的意味があるのか不明である。」　
　また、平成１６年８月２６日付けの拒絶査定の備考には、以下のように記載されている。　
「（理由３について）　
　本願出願人は、平成１６年６月１４日付け手続補正書により、元の請求項４を請求項１とし、同日付け意見書において、量子井戸層の体積に関する事項が引用文献１〜５に記載されておらず、本願発明は引用文献１〜５に基づいて当業者が容易になし得たものでないことを主張している。　
　しかし、通常の技術常識からすれば、このような量子井戸層の全体積を同じとしたとしても、量子井戸層の幅、厚さ、奥行きの違いによって素子の特性は大きく変わるものと思われ、単に図１３のようなグラフを示しただけではその根拠としては不十分であると言わざるを得ない。　
　したがって、このような数値範囲の有する技術的意味は不明なままであり、臨界的意義を認めることもできない。」　
　
 （ｉｉ）請求人の主張　
　これに対し、請求人は平成１６年１２月１６日付けの手続補正（方式）【請求の理由】において以下のように反論している。　
「また、拒絶理由通知書に記載された理由３に関しまして、リッジ部直下の量子井戸層の形状は、種々の要因によって量子井戸半導体レーザの特性に影響を与えますが、しきい値電流および最大光出力の特性に対しては、その形状を総合的に捉えた量子井戸層の体積に大きく依存致します。本願発明は、本願発明者がこの量子井戸層の体積に注目することで、その体積が略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下である場合に、しきい値電流および最大光出力の特性が良好になるという新たな事実を実験により見出した結果、成し得たものであります。　
　よって、リッジ部直下の量子井戸層の全体積による特定は、上述したように、技術的意味は十分に明瞭であり、また、臨界的意義についても十分に有しており、拒絶理由通知書に記載された理由３につきましても、解消したものと思料致します。」　
　
（ｉｉｉ）当審の判断　
　上記拒絶の理由に関し、本願明細書の関連する記載事項を摘記すると以下のとおりである。　
ａ．「【００１６】特に、前記ストライプ状リッジ部直下の前記量子井戸層の全体積は、略４×１０-17〜略１×１０-16ｍ3であることが好ましい。それにより、しきい値電流および最大光出力の特性が良好となる。　
【００１７】更に、好ましくは、リッジ部直下の量子井戸層の全体積は、略４．５×１０-17〜略９×１０-17ｍ3、より好ましくは略６×１０-17〜略８×１０-17ｍ3である。」　
　
ｂ．「【００７５】次に、上記各実施形態の端面近傍電流注入阻止構造を備えた活性層４のリッジ部１０直下の幅Ｗの量子井戸層の全体積と、しきい値電流及び最大光出力の関係を図１３を示す。尚、最大光出力は、前共振器端面コートは５％、後共振器端面コートは９５％とした素子において測定し、しきい値電流は、両端面ともノンコートとした素子において測定した。　
【００７６】この図１３から判るように、リッジ部１０直下の量子井戸層の全体積は、略１×１０-16ｍ3以下がよく、好ましくは略９×１０-17ｍ3以下、より好ましくは略８×１０-17ｍ3以下である。　
【００７７】尚、リッジ部１０直下の量子井戸層の全体積が小さくなりすぎると、しきい値電流及び最大光出力の特性は悪くなるので、略４×１０-17ｍ3以上がよく、好ましくは略４．５×１０-17ｍ3以上であり、より好ましくは略６×１０-17〜略８×１０-17ｍ3である。」　
　
ｃ．図１３には、リッジ部直下の量子井戸層の全体積と、しきい値電流及び最大光出力の関係を示すグラフが記載されている。　
　
　また、本願明細書には、第１及び第２の実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子が以下のｄ．〜ｇ．のとおり記載されている。　
ｄ．「【００３５】　
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子を図を用いて説明する。　
・・・（中略）・・・　
【００４０】前記多重量子井戸構造６は、層厚１１０Åの引張り歪を有する（ＡｌpＧａ1-p）qＩｎ1-qＰ（１＞ｐ≧０，１＞ｑ＞０．５１：本形態ではｐ＝０、ｑ＝０．６４）量子井戸層６ａ、６ａ、６ａと層厚４０Åの圧縮歪みを有する（ＡｌrＧａ1-r）sＩｎ1-sＰ（１≧ｒ＞０，０＜ｓ＜０．５１：本形態ではｒ＝０．５、ｓ＝０．４４）量子障壁層６ｂ、６ｂとが交互に積層されてなる歪補償型多重量子井戸構造である。　
・・・（中略）・・・　
【００４３】このｐ型エッチング停止層９上には、共振器長方向に延在する下面幅Ｗ５μｍ、層厚１．２μｍのｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）y1Ｉｎ1-y1Ｐ（本形態ではｘ１＝０．７、ｙ１＝０．５）からなるｐ型クラッド層としてのストライプ状リッジ部１０が形成されている。　
・・・（中略）・・・　
【００４９】即ち、本半導体レーザ素子は、一方の共振器端面側に電流注入阻止構造を備える。　
【００５０】尚、本実施形態では、ストライプ状リッジ部１０の直下の幅Ｗの量子井戸層６ａ、６ａ、６ａの全体積は、９．９×１０-17ｍ3である。　
・・・（中略）・・・　
【００６１】即ち、本実施形態の半導体レーザ素子では、主レーザ光を出力する端面１３ａ側近傍に活性層４への電流注入を阻止するための電流注入阻止構造を有すると共に、活性層４が、引張り歪みを有する量子井戸層６ａと圧縮歪みを有する障壁層６ｂが交互に積層してなる歪み補償型多重量子井戸構造６を有するので、しきい値電流を小さくしつつ最大光出力を大きくでき、しかも長寿命である。」　
　
ｅ．また、段落【００５８】の【表１】には、第１の実施形態のものは、しきい値電流が４８〜５２ｍＷ、最大高出力が４５ｍＷであることが記載されている。　
　
ｆ．「【００６２】　
　次に、本発明の第２の実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子を図を用いて説明する。　
・・・（中略）・・・　
【００６３】本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第１の実施形態の活性層４の代わりに単一量子井戸構造を有する活性層２４を用いた点のみであるので、第１の実施形態と同じ部分には同一符号を付してその説明は割愛する。　
・・・（中略）・・・　
【００６６】前記単一量子井戸構造２６は、層厚２５０Åの引張り歪を有する（ＡｌpＧａ1-p）qＩｎ1-qＰ（１＞ｐ≧０，１＞ｑ＞０．５１：本形態ではｐ＝０、ｑ＝０．６７）量子井戸層からのみなる。　
・・・（中略）・・・　
【００７０】尚、本実施形態では、ストライプ状リッジ部１０の直下の幅Ｗの量子井戸層２６の全体積は、７．５×１０-17ｍ3である。　
・・・（中略）・・・　
【００７３】　
　この表２から判るように、活性層が多重量子井戸構造である比較例３に比べて、活性層が単一量子井戸構造を有する比較例４の場合、最大光出力を大きく、且つしきい値電流を小さくできることが判る。即ち、最大光出力の増大及びしきい値電流の低減には、活性層が単一量子井戸構造を有することが極めて有効であることが判る。　
【００７４】・・・（後略）・・・」　
　
ｇ．また、段落【００７２】の【表２】には、第２の実施形態のものは、しきい値電流が３８〜４０ｍＷ、最大高出力が６０ｍＷであることが記載されている。　
　
　そこで、上記ａ．〜ｇ．から、ストライプ状リッジ部直下の量子井戸層の全体積を略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下と規定することの技術的意味が明りょうに理解できるか、言い換えればストライプ状リッジ部直下の量子井戸層の全体積を略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下と規定することと、しきい値電流及び最大光出力の特性が良好となることとの間に明りょうな技術的関連（因果関係）があることを理解できるかについて以下に検討する。　
　
ア．図１３に記載されたグラフから、ストライプ状リッジ部直下の量子井戸層の全体積とそれに対応するしきい値電流及び最大光出力の値を正確に読み取ることは困難ではあるが、前記量子井戸層の全体積が略４×１０-17ｍ3のときは、しきい値電流が５５ｍＡより少し小さい程度であり、最大光出力が４５ｍＷより少し大きい程度であることが一応読み取れる。また、前記量子井戸層の全体積が１×１０-16ｍ3の範囲のときは、しきい値電流が５０ｍＡより少し大きい程度であり、最大光出力が４２〜４３ｍＷ程度であることが一応読み取れる。　
　さらに、しきい値電流は、前記量子井戸層の全体積が略７×１０-17ｍ3付近で、最小値約４０ｍＡを示し、最大光出力は量子井戸層の全体積も同じく略７×１０-17ｍ3付近で、最大値約６０ｍＷを示すことが一応読み取れる。　
イ．上記ｄ．及びｅ．には、第１の実施形態の半導体レーザ素子は、前記量子井戸層の全体積が９．９×１０-17ｍ3であって、しきい値電流が４８〜５２ｍＡ、最大光出力が４５ｍＡであることが記載されており、また、上記ｆ．及びｇ．には、から、第２の実施形態の半導体レーザ素子は、前記量子井戸層の全体積が７．５×１０-17ｍ3であって、しきい値電流が３８〜４０ｍＡ、最大光出力が６０ｍＡであることが記載されている。　
　そして、これらの数値は、前記図１３のグラフに照らし合わせると、正確に曲線上に位置するかどうかは不明であるが、少なくとも曲線の近辺に位置するものである。　
ウ．また、第１の実施形態、第２の実施形態の半導体レーザ素子は、両者ともリッジ部直下の量子井戸層の幅Ｗは５μｍ、共振器長Ｌは６００μｍであって、量子井戸層の層厚は、それぞれ０．０３３μｍ、０．０２５μｍであることが理解できる。　
　
しかしながら、　
エ．前記（２）（ｉ）の原審の拒絶査定の備考の記載にもあるように、通常の技術常識からすれば、前記量子井戸層の全体積を同じとしたとしても、前記のリッジ部直下の量子井戸層の幅Ｗ、共振器長Ｌ、量子井戸層の層厚の違いによって素子の特性は大きく変わるものと思われ、さらには、半導体レーザ素子の量子井戸層やそれ以外の層の形状やサイズ等の構造、材料の種類、混晶比等によっても大きく変わるものであることは、当業者において自明の事項である。　
　なお、この点に関しては、請求人も、平成１６年１２月１６日付けの手続補正（方式）【請求の理由】において、「リッジ部直下の量子井戸層の形状は、種々の要因によって量子井戸半導体レーザの特性に影響を与えます」と主張しているところである。　
　
オ．他方、本願明細書には、上記ｂ．のとおり、「【００７５】次に、上記各実施形態の端面近傍電流注入阻止構造を備えた活性層４のリッジ部１０直下の幅Ｗの量子井戸層の全体積と、しきい値電流及び最大光出力の関係を図１３を示す。尚、最大光出力は、前共振器端面コートは５％、後共振器端面コートは９５％とした素子において測定し、しきい値電流は、両端面ともノンコートとした素子において測定した。」と記載されているだけであり、第１の実施形態の半導体レーザ素子において測定したものか、第２の実施形態の半導体レーザ素子においてしたものか、或いは両方であるのかについて記載されていないだけでなく、前記量子井戸層の全体積は、リッジ部直下の量子井戸層の幅Ｗ、共振器長Ｌ、量子井戸層の層厚から計算されるものであるにもかかわらず、どの数値あるいは複数の数値を組み合わせて変化させて測定したものかについても、記載されていない。　
　また、第１または第２の実施形態の半導体レーザ素子のリッジ部直下の量子井戸層の幅Ｗ、共振器長Ｌ、量子井戸層の層厚以外の値、例えば、半導体レーザ素子の量子井戸層やそれ以外の層の形状やサイズ等の構造、材料の種類、混晶比等が、測定時にどのような条件とされていたのかについても、必ずしも明らかではない。　
　さらに、図１３に記載されたグラフは、どのような実験結果を幾つ取得して得られたものであるかについても、図１３自体やその他の記載から読み取ることができない。　
　
カ．また、本願の明細書には、量子井戸層の全体積と、しきい値電流及び最大光出力の関係を測定した具体的数値としては、上記イ．及びウ．のとおり、第１または第２の実施形態の半導体レーザ素子について、２つの数値が記載されているだけであるから、これらから、図１３に記載されているグラフのような、ピークを有する曲線を特定することは困難である。　
　なお、本願の明細書には、比較例１〜４が記載されているが、これらはいずれも、本願補正発明の発明特定事項である量子井戸構造と電流流入阻止構造のどちらかを有しておらず、上記ｂ．の記載の「各実施形態の端面近傍電流注入阻止構造を備えた活性層４のリッジ部１０直下の幅Ｗの量子井戸層の全体積と、しきい値電流及び最大光出力の関係」を示す図１３に記載されたグラフとは関係がないことは、明らかである。　
　
キ．さらに、第１の実施形態、第２の実施形態においては、上記ウ．のとおり、前記量子井戸層の全体積を計算するための値という観点では、量子井戸層の層厚のみ異なっているが、そもそも、両者は、多重量子井戸構造か単一量子井戸構造かという点で異なっており、本願明細書には、上記ｅ．のとおり「【００７３】この表２から判るように、活性層が多重量子井戸構造である比較例３に比べて、活性層が単一量子井戸構造を有する比較例４の場合、最大光出力を大きく、且つしきい値電流を小さくできることが判る。即ち、最大光出力の増大及びしきい値電流の低減には、活性層が単一量子井戸構造を有することが極めて有効であることが判る。」と記載されていることからみても、量子井戸構造の構造自体が、しきい値電流及び最大光出力に大きく関係していることは明らかであるから、第１の実施形態、第２の実施形態を比較しただけでは、量子井戸層の層厚や前記量子井戸層の全体積が、しきい値電流及び最大光出力に大きく関係していると判断することはできない。　
　
ク．これに対し、審判請求人は、平成１６年６月１４日付けの意見書及び同年１２月１６日付けの手続補正（方式）【請求の理由】において、上記（２）（ｉｉ）のように「本願発明は、本願発明者がこの量子井戸層の体積に注目することで、その体積が略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下である場合に、しきい値電流および最大光出力の特性が良好になるという新たな事実を実験により見出した結果、成し得たものであります。」との主張を繰り返しているだけであり、原審の拒絶査定において、「審判請求をするのであれば、本願発明の構成において、量子井戸層の幅と高さと奥行きを全て変えた場合についても、真に量子井戸層の体積が半導体レーザの特性を決定する主要なパラメータであることを示す実験成績証明書、あるいは何らかの理論的根拠を提示されたい。」との示唆がなされているのに対し、実験成績証明書或いは理論的根拠を示さないばかりか、どのような実験を行ったのかについても具体的な説明を行っていない。　
　
　以上のことから、本願明細書及び図面から、半導体レーザ素子のストライプ状リッジ部直下の量子井戸層の全体積が、しきい値電流及び最大光出力に大きく関係しているとの確証を上記ａ．〜ｇ．の記載から見出すことはできない。　
　さらに、請求人の主張（上記（２）（ｉｉ））を斟酌しても、ストライプ状リッジ部直下の量子井戸層の全体積を略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下と規定することの技術的意味を理解することはできない。　
　
　よって、発明の解決しようとする課題である「しきい値電流及び最大光出力の特性が良好とする」ことと、その解決手段である「ストライプ状リッジ部直下の量子井戸層の全体積を略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下と規定すること」との関係が明らかでなく、当該解決手段がどのような技術的意味を有するのか理解することができないから、本願補正発明は不明確である。　
　したがって、本願補正発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないので特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　
（３）むすび　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
３．本願発明について　
（１）本願発明　
　平成１６年１０月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、同年６月１４日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜２１に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のものである。　
「【請求項１】第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に形成された量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成された前記第１導電型とは逆導電型となる第２導電型のクラッド層と、を備えた半導体レーザ素子であって、前記第１導電型のクラッド層、前記活性層及び前記第２導電型のクラッド層は共振器を構成し、前記共振器の少なくとも一方の共振器端面側に該端面側の前記活性層への電流注入を阻止するための電流注入阻止構造を備え、前記電流注入阻止構造は、前記第２導電型のクラッド層上に形成され、電流注入のためのストライプ状開口部を有する電流阻止層を含み、前記ストライプ状開口部は、前記少なくとも一方の共振器端面から所定距離離間した位置から共振器長方向に向かって配置され、前記第２導電型のクラッド層は、前記活性層上に形成された平坦部と、該平坦部上のストライプ状リッジ部とを備え、前記電流阻止層は、前記リッジ部の側面上を覆うように前記平坦部上に形成され、且つ前記少なくとも一方の共振器端面から前記所定距離の位置までの前記リッジ部上面の領域上に形成され、前記ストライプ状リッジ部直下の前記量子井戸層の全体積は、略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。」　
　
（２）判断　
　平成１６年１０月２６日付けの手続補正において、請求項１は補正されていないので、本願発明は、本願補正発明と同内容であり、「前記ストライプ状リッジ部直下の前記量子井戸層の全体積は、略４×１０-17ｍ3以上、略１×１０-16ｍ3以下であること」との事項を含むものであるから、上記「２．（２）（ｉｉｉ）」に記載したとおり、その発明が不明確であるから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。　
　
（３）むすび　
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないので特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。