【事件の表示】
　特願２００３−２７５３３「シリコンからなる単結晶及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年８月２７日出願公開，特開２００３−２３８２９０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年２月４日（パリ条約に基づく優先権主張　平成１４年２月７日，ドイツ連邦共和国）の出願であって，平成１８年４月２４日付けで拒絶理由の通知がなされ（発送日は同年同月２７日），同年７月２４日付けで意見書と手続補正書の提出がなされ，平成１９年５月１７日付けで拒絶査定がなされ（発送日は同年同月２３日），これに対し，同年８月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成１８年７月２４日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものであると認められる。
　
「【請求項１】　チョクラルスキー法により，シリコンからなる＜１００＞方位の単結晶を炉内で無転位で引き上げることができる引上速度の最大でも９０％の引上速度で，棒状部がネック部に懸吊されかつ２つの円錐状の端部を有し，前記端部の一方が最大でも７０ｍｍの長さを有するネック部と結合している形で，単結晶を炉内で引き上げる，＜１１３＞方位を有するシリコンからなる単結晶の製造方法。」
　
第３　引用例の記載事項
（１）本願のパリ条約に基づく優先権主張日前に頒布された刊行物である特公昭４９−１９９４０号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１，以下，「引用例１」という。）には，以下の事項が記載されている。
（ア）「本発明者等は種々の研究に基づき３１１面のウエフアを用いた方が易動度または表面準位密度の点からより高性能の半導体素子を得るに好適であることに気がついたので，３１１面を有するウエフアの製作につき種々実験した。この場合，最も単純な方法は，シリコンインゴツトを３１１方向に引上げて，このインゴツトから引上げ方向に垂直な方向に切断して３１１面を有するウエフアを切出すことである。」（１欄３５行〜２欄６行）
（イ）「例えば直径約５０ｍｍφの単結晶インゴツトを引上げるとき，通常の引上げ装置を用いた場合に，シリコンインゴツト原料溶融量を３ｋｇとしたとき，１１１方向では８０％の単結晶引上げが行なえるが，例えば１００方向には温度分布を最適に保つことが困難で，５０％程度しか単結晶化できない。３１１方向では更に困難でせいぜい３０％しか単結晶化できない。それ故３１１方向引上げ単結晶のコストが上がるばかりでなく，３１１面を有するウフフアの量産向上に当り引上げ装置の大形化や設備の増加が必要となるので，かなり余分の投資を要する。」（２欄１０行〜同欄２１行）
　
（２）本願のパリ条約に基づく優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１０−１６０６８８号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２，以下，「引用例２」という。）には，以下の事項が記載されている。
（ア）「【従来の技術】シリコン・ウェーハはシリコン単結晶のインゴットから切り出されているが，このシリコン・インゴットは，現在はチョクラルスキー法で製造するのが主流になっている。図７はチョクラルスキー法で製造されたままの未加工の状態のシリコン・インゴットの正面図である。その製造過程は次の通りである。（１）種結晶１０（直径６〜１２ｍｍ）をシリコン融液に浸ける。（２）種結晶１０を引き上げてネッキング１２（直径２〜４ｍｍ，長さ５０〜１００ｍｍ程度）を形成し，転位や加工欠陥などの格子欠陥を取り除く。（３）肩部１４を形成して，希望直径の１％程度の太さまで太らせる。（４）直胴部１６を所定長さに形成する。（５）尾部１８を形成する。」（段落【０００２】）
（イ）「未加工のシリコン・インゴットの正面図である。」と説明される【図７】には，ネッキング１２が肩部１４と結合し，直胴部１６につながっていることが見て取れる。
　
第４　対比・判断
　引用例１には，記載事項（ア）に「シリコンインゴツトを３１１方向に引上げ」る「方法」が記載されているといえる。
　そして，同記載事項（イ）には，上記「シリコンインゴツト」は「単結晶インゴツト」であること，また，上記「３１１方向に引上げ」は，「通常の引上げ装置を用い」て「原料溶融」し，「単結晶インゴツトを引上げ」，「３１１方向引上げ単結晶」とすること，が記載されているといえる。
　これらの記載事項を本願発明の記載に則って整理すると，引用例１には「通常の引上げ装置を用い，原料溶融し，単結晶シリコンインゴツトを引上げ，３１１方向引上げ単結晶とする方法。」（以下，「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　次に，本願発明と引用例１発明とを対比する。
（１）引用例１発明の「通常の引上げ装置を用い，原料溶融し，単結晶シリコンインゴツトを引上げ」，「引上げ単結晶とする方法」は，チョクラルスキー法とも呼ばれることが自明（要すれば，志田正二編集代表，「化学辞典（普及版）」，森北出版株式会社，１９９３年１０月３０日，普及版第９刷発行，３９２頁，「結晶引上げ法」の項参照）であり，上記「通常の引上げ装置」が炉を備え，該炉内で単結晶が引上げられることも明らか（要すれば，阿部孝夫著，「シリコン」，株式会社培風館，１９９８年１１月１５日，初版第４刷発行，６頁，「図１．３　ＣＺ（当審註：ＣＺとはチョクラルスキー（ＣＺｏｃｈｒａｌｓｋｉ）の略）引上げ装置の概念図」参照）であることを踏まえると，本願発明の「チョクラルスキー法により」，「単結晶を炉内で引き上げる」，「シリコンからなる単結晶の製造方法」に相当する。
（２）本願発明の「＜１１３＞方位」は，技術常識として，結晶における等価な方向指数をまとめて表したものであって，単位格子が立方晶（立方体）であるシリコンの場合には，＜１１３＞方位として表される等価な方向指数には［１１３］，［１３１］及び［３１１］がある。
　そして，引用例１発明の「３１１方向」は，上記［３１１］であることが自明であるから，本願発明の「＜１１３＞方位」に含まれる。
　そうすると，引用例１発明の「３１１方向引上げ単結晶」は，本願発明の「＜１１３＞方位を有するシリコンからなる単結晶」に相当することは明らかである。
　以上（１），（２）の点を踏まえると，本願発明と引用例１発明は「チョクラルスキー法により，単結晶を炉内で引き上げる，＜１１３＞方位を有するシリコンからなる単結晶の製造方法。」である点で一致し，以下の点で相違している。
　
相違点ａ：単結晶の引き上げにつき，本願発明は，「シリコンからなる＜１００＞方位の単結晶を炉内で無転位で引き上げることができる引上速度の最大でも９０％の引上速度」と特定するのに対し，引用例１発明は，引上速度について特定がない点
相違点ｂ：本願発明は，「棒状部がネック部に懸吊されかつ２つの円錐状の端部を有し，前記端部の一方が最大でも７０ｍｍの長さを有するネック部と結合している形」と特定するのに対し，引用例１発明は，棒状部やネック部，円錐状の端部について記載がなく，ゆえに，ネック部の長さについても特定がない点
　
　これら相違点について，以下に検討する。
　
（相違点ａについて）
　単結晶シリコンの引き上げにおいて，結晶乱れと引上速度が関連することは技術常識（要すれば，前述，「シリコン」，７頁下から５〜４行参照）であるから，引用例１発明において，引上げ単結晶に乱れが生じないよう，好適な引上速度を求めることは，当業者であれば通常行うことにすぎない。
　そして，引用例１の記載事項（イ）から，３１１方向の単結晶の引き上げは，１００方向（当審註：本願発明の＜１００＞方位に相当）を基準としてみた場合に，更に困難であることが理解される。そうすると，＜１１３＞方位の引き上げ条件を＜１００＞方位の該条件を基準として表すことは，当業者にとって容易であるといえ，＜１１３＞方位の引上速度を＜１００＞方位の無転位引上速度の最大でも９０％と表すことに格別の困難はないというべきである。
　以上のことから，引用例１発明において，上述の技術常識を踏まえ，相違点ａに係る本願発明の特定をなすことは，当業者にとって格別の困難なく行い得るということができる。
　そして，たとえ，相違点ａに係る本願発明の特定に意義があるとしても，該特定を説明する本願明細書の段落【００１４】に記載された「図３は棒状部位置に依存する始端円錐部の引上後の（胴部相；ｂｏｄｙ　ｐｈａｓｅ）の引上速度の比較を示し・・・＜１００＞方位の単結晶の引上時の最終引上速度は，＜１１３＞方位の単結晶の最終引上速度と比較して約０．９８ｍｍ／ｍｉｎでより早い」及び【図３】に視認できる「＜１１３＞方位」の「およそ１．５〜０．８ｍｍ／ｍｉｎ」との引上速度は，単結晶シリコンの引上速度として通常採用されている範囲内のものにすぎない（要すれば，特開平５−３１９９８８号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３，以下，「引用例３」という。）の段落【００１６】，深水克郎編，「シリコン結晶・ウェーハ技術の課題」，株式会社リアライズ社，平成６年１月３１日発行，２４８頁，表２の「成長速度」参照）。
　そうすると，上記特定は，当業者の通常の創作能力の発揮によりなし得る最適化にすぎないものであって，格別のものではない。
　
（相違点ｂについて）
　引用例２の記載事項（ア）には，従来の技術として，「チョクラルスキー法」は「（１）種結晶１０（直径６〜１２ｍｍ）をシリコン融液に浸ける。（２）種結晶１０を引き上げてネッキング１２（直径２〜４ｍｍ，長さ５０〜１００ｍｍ程度）を形成し，転位や加工欠陥などの格子欠陥を取り除く。（３）肩部１４を形成して，希望直径の１％程度の太さまで太らせる。（４）直胴部１６を所定長さに形成する。（５）尾部１８を形成する。」と記載され，同視認事項（イ）には，上記ネッキングが肩部と結合し，直胴部につながっていることが見て取れる。
　ここで，引用例２の上記記載のうち，「ネッキング」及び「直胴部」は，それぞれ本願発明の「ネック部」及び「棒状部」に相当することが明らかである。また，引用例２の「肩部」及び「尾部」は，円錐状に形成されることが技術常識から明らかであるから，本願発明の「２つの円錐状の端部」に相当し，そうすると，引用例２の「ネッキングと肩部が結合し」ていることは，本願発明の「端部の一方」が「ネック部と結合している形」に相当するといえる。さらに，引用例２の上記「ネッキング」と「直胴部」がつながっていることは，引上げに際し，直胴部がネッキングに懸吊されることといえ，そうすると，本願発明の「棒上部がネック部に懸吊され」ることに相当する開示であるといえる。
　そして，引用例２に記載の技術は，単結晶シリコンの引き上げ法による製造という点において，引用例１発明と同じ技術分野に属し，共通の課題を有するといえる。
　そうすると，引用例１発明の「単結晶シリコンインゴツト」を「引上げる方法」において，上記引用例２に記載の，転位や加工欠陥などの格子欠陥を取り除くためネッキングを形成し，ネッキングと結合する肩部を形成し，直胴部を形成し，尾部を形成するという，従来からある一般的な技術を採用し，相違点ｂに係る本願発明の特定における「棒状部がネック部に懸吊されかつ２つの円錐状の端部を有し，上記端部の一方がネック部と結合している形」をなすことは，当業者であれば容易になし得ることである。
　そして，相違点ｂに係る本願発明のネック部の「最大でも７０ｍｍの長さを有する」との特定についてみると，引用例２の上記「ネッキング・・・長さ５０〜１００ｍｍ程度」との記載から，ネック部の長さとして最大７０ｍｍという数値範囲は通常のものであって，当業者であれば実験的に決定しうるものということができる。
　
　以上のことから，本願発明は，引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　そして，本願発明が相違点ａ，ｂに係る特定を採用することにより，引用例１及び２並びに周知技術から当業者が予測することのできない格別顕著な効果を奏するものとも認められない。
　
　これに対し，請求人は平成１９年８月２１日付け審判請求書において，以下のとおり主張する。
（主張１）「引用文献１に具体的には，３１１方向の単結晶引き上げは３０％しか単結晶化できず，この単結晶化率の低下の問題は，かなり余分の投資を要しても，せいぜい４０％まで向上できるにすぎず，運転コストの高騰化を避けることはできないことが明らかにされています（・・・）。
　・・・・・・
　つまり，引用文献１では・・・３１１方向の単結晶をあきらめ，別の方法を採用しているのであり，原査定の拒絶理由の『最も単純な方法として３１１方向の引き上げを挙げており（・・・），製品に求められる品質，経済性を考慮してかかる方法を採用することは，当業者が容易になし得る』との認定は明らかに誤りであります。」
（主張２）「さらに，引用文献１には，３１１方向に引き上げる方法に関し，具体的な方法並びに具体的条件を一切開示しておらず，引用文献１の記載から，実質的に３１１方向に引き上げる方法が当業者に実施できる程度に開示されているとはいえず，このような引用文献１から本願発明を当業者といえども容易になしえるものではありません。」
　そこで，上記主張について検討する。
（主張１について）
　引用例１の記載事項（ア）における「３１１面を有するウエフアの製作につき種々実験した。この場合，最も単純な方法は，シリコンインゴツトを３１１方向に引上げて」との記載，及び，同記載事項（イ）における「例えば直径約５０ｍｍφの単結晶インゴツトを引上げるとき，通常の引上げ装置を用いた場合に，シリコンインゴツト原料溶融量を３ｋｇとしたとき，・・・３１１方向では更に困難でせいぜい３０％しか単結晶化できない。それ故３１１方向引上げ単結晶のコストが上がるばかりでなく，３１１面を有するウフフア（当審註：「ウエフア」の誤記と認める。）の量産向上に当り引上げ装置の大型化や設備の増加が必要となるので，かなり余分の投資を要する。」との記載からは，実際に３１１方向に単結晶シリコンインゴツトを引上げられること，そして改善の余地があること，が示唆されていると理解するのが通常である。
　そして，上記記載に接した当業者であれば，３１１方向に単結晶シリコンインゴツトを引き上げるには改善すべき点があると考え，種々の条件の最適化を試みると理解するのが通常であって，一概にあきらめるということはできない。
　これらのことに照らし合わせると，上記請求人の主張は何ら根拠がなく，失当である。
（主張２について）
　引用例１の記載事項（イ）には，「通常の引上げ装置を用いた場合に，・・・３１１方向では・・・」と記載されていることから，引用例１には３１１方向に引き上げる方法に関し，通常の引上げ装置を用いることが示されているといえ，上記記載に接した当業者であれば，通常の引上げ装置で適用される方法や条件を試みると理解するのが通常である。
　そうすると，「具体的な方法並びに具体的条件を一切開示しておらず」とする請求人の主張は，本件明細書の開示の程度からみても失当であり，採用できない。
　
第５　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。