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　特願２００１−３８５１０５「シリカ膜被覆成形体の製造法及びシリカ膜被覆成形体」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月　３日出願公開、特開２００３−１８３０１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１３年１２月１８日の出願であって、平成１８年１１月１６日付けで拒絶理由が起案され、平成１９年１月２２日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年５月２９日付けで拒絶査定が起案され、これに対し同年７月２日に拒絶査定不服審判が請求され、同年８月１日付けで明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成２１年１１月１０日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋が起案され、回答書が提出されなかったものである。
　
２．平成１９年８月１日付け手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年８月１日付け手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）平成１９年８月１日付け手続補正は、平成１９年１月２２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲
「【請求項１】　基材上にシランカップリング剤を下塗りして固体膜を形成させたのち、この上にポリシラザン含有液の層を形成し、成形体表面を赤外線吸収スペクトル法で分析するときの「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、さらにｐＨ９〜１２の弱アルカリ性水で処理するシリカ膜被覆成形体の製造法。
　【請求項２】　ポリシラザンとしてペルヒドロポリシラザンを用い、シリカ転化反応の温度は１００〜２００℃である、請求項１のシリカ膜被覆成形体の製造法。
　【請求項３】　基材上にポリシラザン及びシランカップリング剤含有液の層を形成させ、成形体表面を赤外線吸収スペクトル法で分析するときの「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、さらにｐＨ９〜１２の弱アルカリ性水で処理するシリカ膜被覆成形体の製造法。
　【請求項４】　ポリシラザンとしてペルヒドロポリシラザンを用い、シリカ転化反応の温度は１００〜２００℃である請求項３のシリカ膜被覆成形体の製造法。」を
「【請求項１】
　基材上にシランカップリング剤を下塗りして固体膜を形成させたのち、
　この上にポリシラザン含有液の層を形成し、
　成形体表面を赤外線吸収スペクトル法で分析するときの「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、かつ、少なくとも０．１４以下となる過剰な処理を省くよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、
　さらにｐＨ９〜１２の弱アルカリ性水で処理するシリカ膜被覆成形体の製造法。
　【請求項２】
　ポリシラザンとしてペルヒドロポリシラザンを用い、シリカ転化反応の温度は１００〜２００℃である、請求項１のシリカ膜被覆成形体の製造法。
　【請求項３】
　基材上にポリシラザン及びシランカップリング剤含有液の層を形成させ、
　成形体表面を赤外線吸収スペクトル法で分析するときの「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、かつ、少なくとも０．１４以下となる過剰な処理を省くよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、
　さらにｐＨ９〜１２の弱アルカリ性水で処理するシリカ膜被覆成形体の製造法。
　【請求項４】
　ポリシラザンとしてペルヒドロポリシラザンを用い、シリカ転化反応の温度は１００〜２００℃である請求項３のシリカ膜被覆成形体の製造法」
と補正するものである。
　特許請求の範囲に加えられた補正事項を検討すると、本件補正前の請求項１、３における特定事項である「「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、」を「「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、かつ、少なくとも０．１４以下となる過剰な処理を省くよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、」と補正するもので、発明を特定するために必要な事項である「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比の範囲を限定することが目的であることは明らかであり、本件補正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する補正の要件を満たしているといえる。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて検討する。  
（ｉ）原査定の拒絶の理由において引用された特開平１０−２１２１１４号公報（以下、「引用文献１」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】  ポリシラザンを含む組成物の塗膜を基材表面に形成し、セラミックス化してＳｉＯ２系セラミックス膜を形成する方法において、前記塗膜に赤外線を照射する工程を含むことを特徴とする方法。」（特許請求の範囲）
（イ）「フィルムには、密着性向上のためにコロナ放電処理、シランカップリング剤の塗布、等の前処理を施すこともでき、用途に合わせて周知の処理を施すことができる。」（段落【００３９】）
（ウ）「
赤外線照射
本発明によると、このような方法でコーティングした後、ポリシラザンを含む塗膜に赤外線を照射して該塗膜のセラミックス化を行う。本発明の方法では、常用されているいずれの赤外線発生装置でも使用することが可能である。本明細書における「赤外線」とは、一般に解釈されている波長、具体的には波長約０．８〜１０００μｍを有する輻射線を意味する。この赤外線は波長約０．８〜２．０μｍの近赤外線と、波長約２．０〜４．０μｍの中赤外線と、波長約４．０〜１０００μｍの遠赤外線との三つの領域に分けられる。一般に、これらの赤外線を塗膜側から照射した場合、膜厚にもよるが、近赤外線は、コーティングされた基材（例、プラスチック基材）まで透過しこれを加熱する。また、中赤外線の場合は、基材と塗膜の界面から塗膜内部まで透過しこれを加熱する。さらに、遠赤外線の場合は、塗膜内部から塗膜表面まで透過しこれを加熱する。本発明の方法では、基材を損ないにくい点で、近赤外線よりも中赤外線、さらには中赤外線よりも遠赤外線を使用することが好ましい。すなわち、本発明の方法では一般に０．８〜１０００μｍ、好ましくは２．０〜１０００μｍ、より好ましくは４．０〜１０００μｍの赤外線が用いられる。
　赤外線の照射は、照射される塗膜を担持している基材がその耐熱温度以下に、基材の種類によるが、プラスチックフィルムの場合は好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１００℃以下に保持されるように、照射強度を調節して実施する。一般に、赤外線照射処理時の基材温度が１５０℃以上になると、プラスチックフィルム等の場合には基材が変形したり、その強度が劣化するなど、基材が損なわれる。しかしながら、ポリイミド等の耐熱性の高いフィルムや、シリコンウェハー、ガラス、金属、等の基板の場合にはより高温での処理が可能であり、そのような場合でも、本発明によるポリシラザン塗膜のセラミックス化方法は、赤外線照射工程のみでセラミックス化を完了させることができ、またその膜特性を向上させる上で実際に有効である。従って、この赤外線照射時の基材温度に一般的な上限はなく、基材の種類によって当業者が適宜設定することができる。また、赤外線照射雰囲気に特に制限はなく、空気中で実施すればよい。（段落【００４０】〜【００４１】）
（エ）「
追加のセラミックス化処理
本発明によると、ポリシラザン含有塗膜にセラミックス化処理の一部又は全部として赤外線照射を施すことによって、目的のＳｉＯ２系セラミックス膜が得られる。赤外線照射後に別のセラミックス化処理を施すことができるが、以下、追加のセラミックス化処理について説明する。上記の赤外線照射処理においては、場合によってはＳｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈが存在する膜が形成される。この時点でポリシラザン塗膜の一部がセラミックス化している場合もあるが、この塗膜はまだセラミックスへの転化が不完全である。この塗膜を、次に述べる２つの方法＜１＞及び＜２＞のいずれか一方又は両方によって、セラミックスに転化させることが可能である（○囲い文字は表記不能のため○囲いを＜＞で代用する。）。
＜１＞水蒸気雰囲気中での熱処理。
圧力は特に限定されるものではないが、１〜３気圧が現実的に適当である。相対湿度は特に限定されるものではないが、１０〜１００％ＲＨが好ましい。温度は室温以上で効果的であるが室温〜１５０℃が好ましい。熱処理時間は特に限定されるものではないが１０分〜３０日が現実的に適当である。
　水蒸気雰囲気中での熱処理により、ポリシラザンの酸化または水蒸気との加水分解が進行するので、上記のような低い加熱温度で、実質的にＳｉＯ２からなる緻密な膜の形成が可能となる。但し、このＳｉＯ２膜はポリシラザンに由来するため窒素を原子百分率で０．０５〜５％含有する。この窒素含有量が５％よりも多いと膜のセラミックス化が不十分となり所期の効果（例えばガスバリヤ性や耐磨耗性）が得られない。一方、窒素含有量を０．０５％よりも少なくすることは困難である。好ましい窒素含有量は原子百分率で０．１〜３％である。
＜２＞ 触媒を含有した蒸留水中に浸す。
触媒としては、酸、塩基が好ましく、その種類については特に限定されないが、例えば、・・・；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ピリジン、アンモニア水等のアルカリ類・・・等を使用することができる。」（段落【００４４】〜【００４７】）
（オ）「
膜特性の評価
上記実施例１〜２１及び比較例１〜３で得られたセラミック被膜は、ＩＲ分光法におけるＳｉ−Ｈ振動（Ｎ−Ｈ振動）ピークの消失と、Ｓｉ−Ｏ振動ピークの出現により、すべて実質的にシリカへ転化したことを確認した。また、これらセラミック被膜の膜厚は、分光法により可視領域のスペクトル中の干渉を生じたピークを用いて計算したところ、すべて０．４μｍであることがわかった。」（段落【００９９】）
（ｉｉ）引用文献１の記載事項（ア）には「ポリシラザンを含む組成物の塗膜を基材表面に形成し、セラミックス化してＳｉＯ２系セラミックス膜を形成する方法において、前記塗膜に赤外線を照射する工程を含むことを特徴とする方法。」が記載され、記載事項（イ）には「密着性向上のためにコロナ放電処理、シランカップリング剤の塗布、等の前処理を施すこと」ことが記載され、記載事項（ウ）には「コーティングした後、ポリシラザンを含む塗膜に赤外線を照射して該塗膜のセラミックス化を行う。」こと、「遠赤外線の場合は、塗膜内部から塗膜表面まで透過しこれを加熱する。」こと及び「赤外線照射雰囲気に特に制限はなく、空気中で実施すればよい。」と記載され、記載事項（エ）には「追加のセラミックス化処理」として「触媒を含有した蒸留水中に浸す。触媒としては、・・・アンモニア水等のアルカリ類・・・等を使用すること」が記載され、記載事項（オ）には、「得られたセラミック被膜は、ＩＲ分光法におけるＳｉ−Ｈ振動（Ｎ−Ｈ振動）ピークの消失と、Ｓｉ−Ｏ振動ピークの出現により、すべて実質的にシリカへ転化したことを確認した。」ことが記載されている。
　これらを本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると「基材表面にシランカップリング剤の塗布を前処理として施し、ポリシラザンを含む組成物の塗膜を形成し、セラミックス化してＳｉＯ２系セラミックス膜を形成する方法において、空気中で前記塗膜に赤外線を照射して加熱する工程、アンモニア水を触媒として含有した蒸留水に浸して追加のセラミック処理を行う工程、得られたセラミック被膜は、ＩＲ分光法におけるＳｉ−Ｈ振動（Ｎ−Ｈ振動）ピークの消失と、Ｓｉ−Ｏ振動ピークの出現により、すべて実質的にシリカへ転化したことを確認する膜特性の評価を含む方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が引用文献１には記載されていると認められる。
　そこで、本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明の「塗布を前処理として施」すことが本願補正発明の「下塗り」に相当することは明らかで、下塗り（プライマ液塗布）後乾燥を行うことは技術常識（要すれば、原査定の拒絶の理由において引用された特開平１０−２２５３９３号公報（以下、「引用文献２」という。）の実施例を参照されたい。）であるから、引用発明の「基材表面にシランカップリング剤の塗布を前処理として施し」が本願補正発明の「基材上にシランカップリング剤を下塗りして固体膜を形成させたのち、」に相当すると認められ、引用発明の前処理を施した基材表面に「ポリシラザンを含む組成物の塗膜を形成」することは、本願補正発明の「この上にポリシラザン含有液の層を形成」することに外ならない。また、引用発明の「空気中で前記塗膜に赤外線を照射して加熱する工程」は、本願補正発明の「酸化雰囲気で加熱」に相当する。そして、引用発明における「セラミックス化してＳｉＯ２系セラミックス膜を形成する方法」は、本願補正発明の「シリカ転化反応させ、」及び「シリカ膜被覆成形体の製造法。」に相当し、引用発明の「アンモニア水」が「弱アルカリ性水」であり、「ｐＨ９〜１２」を示すものと認められるから、引用発明の「アンモニア水を触媒として含有した蒸留水に浸して」は、本願補正発明の「さらにｐＨ９〜１２の弱アルカリ性水で処理する」に相当する。
　してみると、本願補正発明と引用発明とは、「基材上にシランカップリング剤を下塗りして固体膜を形成させたのち、
　この上にポリシラザン含有液の層を形成し、
　酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、
　さらにｐＨ９〜１２の弱アルカリ性水で処理するシリカ膜被覆成形体の製造法。」である点で一致し、
相違点ａ：本願補正発明の特定事項「弱アルカリ性水の処理」の技術的意義が「被覆表面の親水性を高めるために、このあと更に、弱アルカリ性水（ｐＨ９〜１２）で処理したり、温水で処理してもよい」(本願明細書段落【００３６】)というものであるのに対して、引用発明は「追加のセラミック処理を行う」ものである点、
相違点ｂ：本願補正発明が「成形体表面を赤外線吸収スペクトル法で分析するときの「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、かつ、少なくとも０．１４以下となる過剰な処理を省く」のに対して、引用発明は「追加のセラミック処理を行う工程、得られたセラミック被膜は、ＩＲ分光法におけるＳｉ−Ｈ振動（Ｎ−Ｈ振動）ピークの消失と、Ｓｉ−Ｏ振動ピークの出現により、すべて実質的にシリカへ転化したことを確認する」ものである点、
で相違する。
　各相違点について、以下検討する。
　相違点ａについては、例えば、特開平１０−６７８７３号公報（以下、「周知例」という。）には、「本発明では上記課題を達成するために、樹脂からなる表面を有する基材表面を親水処理する工程と、前記表面を光触媒とシリコ−ン樹脂を含む層で被覆する工程と、前記シリコ−ン樹脂中のケイ素原子に結合する有機基の少なくとも一部を水酸基に置換する工程と、を含むことを特徴とする基材表面の親水化方法を提供する。表面を光触媒とシリコ−ン樹脂を含む層で被覆する工程と、光触媒とシリコ−ン樹脂を含む層中のシリコ−ン樹脂中のケイ素原子に結合する有機基の少なくとも一部を水酸基に置換する工程により、基材を親水化させることができる。また、基材表面を親水処理することにより、表面層を基材に強固に固着できようになる。親水処理方法としては、放電処理、アルカリ処理、又は光触媒を接触させながら前記光触媒を励起させうるエネルギ−を有する光子を含む光を照射する工程を利用するのが簡便であり好ましい。」（段落【０００７】）とされ、アルカリ処理が親水化に効果があることが周知であるといえるから、本願補正発明が特定する「ｐＨ９〜１２の弱アルカリ性水で処理する」ことが「親水化」効果をも有することが当業者において技術常識であるということができ、相違点ａは、引用発明における追加のセラミック処理が親水化効果を奏することを単に確認したにすぎないといえる。
　相違点ｂについては、引用文献１に「赤外線照射処理においては、場合によってはＳｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈが存在する膜が形成される。この時点でポリシラザン塗膜の一部がセラミックス化している場合もあるが、この塗膜はまだセラミックスへの転化が不完全である。この塗膜を、次に述べる２つの方法及びのいずれか一方又は両方によって、セラミックスに転化させることが可能である。」（記載事項（エ））と記載されるように、引用発明の「セラミックス化」では追加のセラミック処理を行う工程前では、まだセラミックスへの転化が不完全な場合が存在し、その段階では、当然、ＩＲ分光法におけるＳｉ−Ｈ振動（Ｎ−Ｈ振動）ピークと、Ｓｉ−Ｏ振動ピークの比は０とならず、一定値を示すものと認められ、セラミックスへの転化の度合いを示すこの比を指標として膜を評価することは、当業者であれば自然に採用する手段にすぎないものと認められる。そして、引用文献１の記載事項（エ）に「一方、窒素含有量を０．０５％よりも少なくすることは困難である。好ましい窒素含有量は原子百分率で０．１〜３％である。」と記載されるように窒素の場合ではあるが、困難な処理を省き適当な不純物量の範囲を設定することが記載されているので、それをセラミック化の主要な反応である「ＩＲ分光法におけるＳｉ−Ｈ振動（Ｎ−Ｈ振動）ピークの消失と、Ｓｉ−Ｏ振動ピークの出現に」（記載事項（オ））適用して、好ましい水素含有量即ちＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比の数値範囲の設定を行うことは、当業者において容易に想到しうる事項というべきであって、その上下限の数値については、本願の「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比の上下限の根拠となった実験例に関し「この実験結果は、ポリシラザンの種類にもよるが」(本願明細書段落【００６２】)と自ら記載するように上下限それぞれ一種類のポリシラザンについてのものを根拠とするだけで（シランカップリング剤についてはその種類はおろか、使用の有無について記載もない）、臨界的意義を有するものとは認められない。
　そして、本願発明によって得られた「本発明によれば、住宅設備の水回りに使われる樹脂成形体をはじめとする成形体で、汚れが付きにくく（防汚染性）、あるいは汚れを落としやすい（易清掃性）シリカ膜被覆成形体を容易に製造できる。また、シリカ転化反応等の処理温度を室温（０〜３０℃）とすることもでき、また、３０〜１００℃のあいだの適当な温度とすることもできる。この場合、処理温度が低いほどシリカ転化反応に時間（日数）を要するが、浴室リフォーム等の場合には有効な方法となる。」という効果については、本願は請求項において成形体の用途を特定しておらず、引用文献１では、「より好ましくは１００℃以下に保持されるように、照射強度を調節して実施する。」（記載事項（ウ））と本願発明と同様な温度範囲を開示しており、「本発明のシリカ膜被覆成形体は、親水性のシリカ膜で被覆されているので、水との接触角を５０°以下にすることができる。そのため、脂汚れ・石鹸カス等の汚れが付着しても水で洗い流すだけで容易に除去でき、防汚染性に優れる。また、表面に水が付着してもその親水性のゆえに液滴が広がり、表面が早く乾きやすい。シリカ膜の密着性、耐熱水性、耐摩耗性、ハードコート性等も優れる。」という効果も比較例に基づくものでなく、一般的なシリカ膜の特性に基づくものであり、さらに、「本発明で開示したシリカ膜評価方法によれば、最適なシリカ転化度をもつ膜の作製条件を容易に設定することができ、過剰な処理（加熱及び時間）を省くことができる。」という効果も前記相違点ｂで検討したように格別のものとすることはできない。
　したがって、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明並びに引用文献２に記載された技術常識及び周知例に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ｉｉｉ）以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。そうすると、その他の事項について検討するまでもなく、平成１９年８月１日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反してなされたものである。
　
（２）したがって、平成１９年８月１日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年８月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は平成１９年１月２２日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲１〜４に記載されるとおりのものであるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のものである。
「【請求項１】　基材上にシランカップリング剤を下塗りして固体膜を形成させたのち、この上にポリシラザン含有液の層を形成し、成形体表面を赤外線吸収スペクトル法で分析するときの「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、さらにｐＨ９〜１２の弱アルカリ性水で処理するシリカ膜被覆成形体の製造法。」
　
４．引用文献等
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開平１０−２１２１１４号公報）の記載事項は、前記２．（１）に記載したとおりである。
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平１０−２２５３９３号公報）は、下塗り（プライマ液塗布）後乾燥を行うことが技術常識であることを説明するもので、周知例（特開平１０−６７８７３号公報）は、親水化処理方法に関する技術を説明するものである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明に関して、限定事項である「「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、かつ、少なくとも０．１４以下となる過剰な処理を省くよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、」を「「ＳｉＨの吸光度」／「ＳｉＯの吸光度」の比が０．７以下となるよう、酸化雰囲気で加熱してシリカ転化反応させ、」と拡張するものである。
　してみると、本願発明の構成を全て含み、さらに前記の特定事項を限定したものである本願補正発明が、上記２．に記載したとおり、引用文献１に記載された発明並びに引用文献２に記載された技術常識及び周知例に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用文献１に記載された発明並びに引用文献２に記載された技術常識及び周知例に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえる。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明並びに引用文献２に記載された技術常識及び周知例に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に記載された発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。