(57)【要約】【課題】パワーＭＯＳＦＥＴを内蔵する単セルリチウム電池保護ＩＣであり、ＳＯＴ２６を利用しパッケージングされるマルチチップモジュールを提供する。【解決手段】マルチチップモジュールは、ピンフレーム、電力スイッチチップ及び電池保護チップを有し、前記ピンフレームはチッププレースエリアと六本のピンとを有し、第２ピン及び第５ピンはチッププレースエリアに電気的に接続され、他のピンは各自電気的に絶縁して設置される。前記電力スイッチチップの底面はチッププレースエリア上に電気的に接続され、上面は第１ピン及び第３ピンに電気的に接続される。前記電池保護チップの底面は電力スイッチチップの上面に絶縁して設置される。電池保護チップの上面は電力スイッチチップの上面、第１ピン、第４ピン及び第６ピンに電気的に接続される。前述のマルチチップモジュールはＳＯＴ２６パッケージを利用する。【選択図】図６Ａ
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
マルチチップモジュールであって、
チッププレースエリア、第１ピン、第２ピン、第３ピン、第４ピン、第５ピン及び第６ピンを有するピンフレームと、
第一上面及び第一底面を有する電力スイッチチップと、
第二上面及び第二底面を有し、前記第二底面が前記第一上面の部分エリアに電気的に絶縁されて設置され、前記第二上面が前記第一上面、前記第１ピン、前記第４ピン及び前記第６ピンに電気的に接続される電池保護チップとを含み、
前記第２ピン及び前記第５ピンは前記チッププレースエリアに電気的に接続され、他のピンは各自電気的に絶縁されて設置され、電力スイッチチップの前記第一底面は前記チッププレースエリア上に電気的に接続され、前記第一上面は前記第１ピンと前記第３ピンとに電気的に接続されることを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項２】
前記電力スイッチチップは二つのパワーＭＯＳＦＥＴを有し、前記第一底面は二つの前記パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン接地回路（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｄｒａｉｎ）となり、前記電力スイッチチップの第一上面は第一ゲートエリア、第二ゲートエリア、第一ソースエリア及び第二ソースエリアを有し、前記第一ソースエリアは前記第３ピンに電気的に接続され、前記第二ソースエリアは前記第１ピンに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項３】
前記電池保護チップの前記第二上面は過充電コントロール出力パッド、過放充電コントロール出力パッド、動作電圧入力パッド、グラウンドパッド及び電流計測パッドを有することを特徴とする請求項２に記載のマルチチップモジュール。
【請求項４】
前記過充電コントロール出力パッドは前記第一ゲートエリアに電気的に接続され、前記過放充電コントロール出力パッドは前記第二ゲートエリアに電気的に接続され、前記動作電圧入力パッドは前記第６ピンに電気的に接続され、前記電流計測パッドは前記第４ピンに電気的に接続され、前記グラウンドパッドは前記第１ピンに直接或いは前記第二ソースエリアを経由し前記第１ピンに電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載のマルチチップモジュール。
【請求項５】
前記第１ピンは共通グラウンドピンであり、前記第２ピンは共通ドレインピンであり、前記第３ピンはロードピンであり、前記第４ピンは過電流検知ピンであり、前記第５ピンは共通ドレインピンであり、前記第６ピンは電池電圧検知ピンであることを特徴とする請求項４に記載のマルチチップモジュール。
【請求項６】
前記マルチチップモジュールはＳＯＴ２６パッケージを利用することを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項７】
マルチチップモジュールであって、
チッププレースエリア、第１ピン、第２ピン、第３ピン、第４ピン、第５ピン及び第６ピンを有するピンフレームと、
第一上面及び第一底面を有する電力スイッチチップと、
第二上面及び第二底面を有し、前記第二底面が前記チッププレースエリアに電気的に絶縁されて設置され、前記第二上面が前記第一上面、前記第１ピン、前記第４ピン及び前記第６ピンに電気的に接続される電池保護チップとを含み、
前記第２ピン及び前記第５ピンは前記チッププレースエリアに電気的に接続され、他のピンは各自電気的に絶縁されて設置され、電力スイッチチップの前記第一底面は前記チッププレースエリア上に電気的に接続され、前記第二上面は前記第一上面と前記第１ピンと前記第４ピンと前記第６ピンとに電気的に接続されることを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項８】
前記電力スイッチチップは二つのパワーＭＯＳＦＥＴを有し、前記第一底面は二つの前記パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン接地回路（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｄｒａｉｎ）となり、前記電力スイッチチップの第一上面は第一ゲートエリア、第二ゲートエリア、第一ソースエリア及び第二ソースエリアを有し、前記第一ソースエリアは前記第３ピンに電気的に接続され、前記第二ソースエリアは前記第１ピンに電気的に接続されることを特徴とする請求項７に記載のマルチチップモジュール。
【請求項９】
前記電池保護チップの前記第二上面は過充電コントロール出力パッドと、過放充電コントロール出力パッドと、動作電圧入力パッドと、グラウンドパッドと、電流計測パッドとを有することを特徴とする請求項８に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１０】
前記過充電コントロール出力パッドは前記第一ゲートエリアに電気的に接続され、前記過放充電コントロール出力パッドは前記第二ゲートエリアに電気的に接続され、前記動作電圧入力パッドは前記第６ピンに電気的に接続され、前記電流計測パッドは前記第４ピンに電気的に接続され、前記グラウンドパッドは前記第１ピンに直接或いは前記第二ゲートエリアを経由し前記第１ピンに電気的に接続されることを特徴とする請求項９に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１１】
前記第１ピンは共通グラウンドピンであり、前記第２ピンは共通ドレインピンであり、前記第３ピンはロードピンであり、前記第４ピンは過電流検知ピンであり、前記第５ピンは共通ドレインピンであり、前記第６ピンは電池電圧検知ピンであることを特徴とする請求項１０に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１２】
前記マルチチップモジュールはＳＯＴ２６パッケージを利用することを特徴とする請求項７に記載のマルチチップモジュール。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、マルチチップモジュールに関し、より詳しくは、ＳＯＴ２６パッケージを採用し、パワーＭＯＳＦＥＴを内蔵するマルチチップモジュールの応用と、前記マルチチップモジュールを単セルリチウム電池の保護回路としたものに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は従来の単セルリチウム電池装置の概略図である。単セルリチウム電池装置１は各種保護機構を有する。単セルリチウム電池装置１が過充電された場合、強烈な放熱反応が起こり、火災を引き起こす危険性が高まる。現在市場に出ている単セルリチウム電池装置１は主に単セルリチウム電池芯材１０に加え、単セルリチウム電池保護板１２により構成されている。前述の単セルリチウム電池装置１中の単セルリチウム電池保護板１２上の回路は、単セルリチウム電池芯材１０の過充電防止に用いられている。
【０００３】
単セルリチウム電池保護板１２は複数の抵抗器Ｒ１、Ｒ２、コンデンサＣ及び単セルリチウム電池保護ＩＣ１２０に二つのパワーＭＯＳＦＥＴＭ１、Ｍ２からなるパワーＭＯＳＦＥＴＩＣ１２２を加えプリント基板（図示せず）に溶接することで構成される。パワーＭＯＳＦＥＴＩＣ１２２中のパワーＭＯＳＦＥＴＭ１は単セルリチウム電池保護ＩＣ１２０により、単セルリチウム電池芯材１０から電流が流出するのを防ぎ、パワーＭＯＳＦＥＴＭ２は電流が単セルリチウム電池芯材１０内に流入するのを防止する。単セルリチウム電池保護ＩＣ１２０は通常ＳＯＴ２６パッケージが採用され、パワーＭＯＳＦＥＴＩＣ１２２は通常ＴＳＳＯＰ８パッケージが採用される。
【０００４】
更に、市場にはパワーＭＯＳＦＥＴ内蔵の単セルリチウム電池保護ＩＣもあり、このような複合単セルリチウム電池保護ＩＣはＴＳＳＯＰ８パッケージとＭＳＯＰ８パッケージを採用している。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＴＳＳＯＰ８パッケージを採用した単セルリチウム電池保護ＩＣは、その体積が４．３５ｍｍ×３．１５ｍｍ×０．９２ｍｍと非常に大きく、このようなパッケージ体積は薄くて軽量な小型製品の設計目的には不向きである。
【０００６】
本考案は、このような従来の問題に鑑みてなされたものである。上記課題解決のため、本考案は、パワーＭＯＳＦＥＴ内蔵の単セルリチウム電池保護ＩＣを備えた、ＳＯＴ２６（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ２６；ＳＯＴ２６）パッケージによるマルチチップモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決し、目的を達成するために、本考案に係るマルチチップモジュールは、チッププレースエリア、第１ピン、第２ピン、第３ピン、第４ピン、第５ピン及び第６ピンを有し、前記第２ピン及び前記第５ピンが前記チッププレースエリアに電気的に接続され、他のピンがそれぞれ電気的に絶縁されて設置されるピンフレームと、第一上面及び第一底面を有し、前記第一底面が前記チッププレースエリア上に電気的に接続され、前記第一上面が前記第１ピン及び前記第３ピンに電気的に接続される電力スイッチチップと、第二上面及び第二底面を有し、前記第二底面が電気的に絶縁されて前記第一上面の部分エリアに設置され、前記第二上面が前記第一上面、前記第１ピン、前記第４ピン及び前記第６ピンに電気的に接続される電池保護チップとを含むことを特徴とする。
【０００８】
本考案の別の形態では、本考案のマルチチップモジュール中の電池保護チップの設置位置は、前述の形態の電力スイッチチップの第一上面の部分エリア上からチッププレースエリア上に変更し、電気的に絶縁して設置される。
【考案の効果】
【０００９】
上述のとおり、本考案に係るマルチチップモジュールはパワーＭＯＳＦＥＴ内蔵の単セルリチウム電池保護ＩＣであり、ＳＯＴ２６パッケージを採用し、体積はおよそ２．９５ｍｍ×１．５６ｍｍ×１．１１ｍｍとなる。これにより、本考案に係るマルチチップモジュールはＳＯＴ２６パッケージによりコスト削減、薄型化、軽量小型化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来の単セルリチウム電池装置を示す概略図である。
【図２Ａ】本考案の実施形態１のマルチチップモジュールのピン配置を示す概略図である。
【図２Ｂ】本考案の実施形態２のマルチチップモジュールのピン配置を示す概略図である。
【図３】本考案の実施形態１のマルチチップモジュールを応用した回路を示す概略図である。
【図４Ａ】本考案の実施形態１の電池保護チップのピン配置を示す概略図である。
【図４Ｂ】本考案の実施形態２の電池保護チップのピン配置を示す概略図である。
【図５Ａ】本考案の実施形態１の電力スイッチチップのピン配置を示す概略図である。
【図５Ｂ】本考案の実施形態２の電力スイッチチップのピン配置を示す概略図である。
【図６Ａ】本考案の実施形態１のマルチチップモジュールのパッケージ構造を示す概略図である。
【図６Ｂ】本考案の実施形態１のマルチチップモジュールの別のパッケージ構造を示す概略図である。
【図７Ａ】本考案の実施形態２のマルチチップモジュールのパッケージ構造を示す概略図である。
【図７Ｂ】本考案の実施形態２のマルチチップモジュールの別のパッケージ構造を示す概略図である。
【図８Ａ】本考案の実施形態１のマルチチップモジュールのパッケージ構造を示す概略図である。
【図８Ｂ】本考案の実施形態１のマルチチップモジュールの別のパッケージ構造を示す概略図である。
【図９Ａ】本考案の実施形態２のマルチチップモジュールのパッケージ構造を示す概略図である。
【図９Ｂ】本考案の実施形態２のマルチチップモジュールの別のパッケージ構造を示す概略図である。
【考案を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面に基づいて、本考案を実施するための形態について、詳細に説明する。
【００１２】
図２Ａは本考案の実施形態１のマルチチップモジュールのピン配置を示す概略図である。マルチチップモジュール２はＳＯＴ２６（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ２６；ＳＯＴ２６）パッケージを採用し、６本のピンを有し、６本のピンの機能はそれぞれ、第１ピンＰＩＮ１はグラウンドピン（ＧＮＤ）、第２ピンＰＩＮ２及び第５ピンＰＩＮ５はドレインピン（Ｄ１２）、第３ピンＰＩＮ３はロードピン（ＢＡＴＮ）、第４ピンＰＩＮ４は過電流検知ピン（ＣＳ）、第６ピンＰＩＮ６は電池電圧検知ピン（ＶＣＣ）である。
【００１３】
図２Ｂは本考案の実施形態２のマルチチップモジュールのピン配置を示す概略図である。マルチチップモジュール２の６本のピンの機能はそれぞれ、第１ピンＰＩＮ１はロードピン（ＢＡＴＮ）、第２ピンＰＩＮ２及び第５ピンＰＩＮ５はドレインピン（Ｄ１２）、第３ピンＰＩＮ３はグラウンドピン（ＧＮＤ）、第４ピンＰＩＮ４は電池電圧検知ピン（ＶＣＣ）、第６ピンＰＩＮ６は過電流検知ピン（ＣＳ）である。
【００１４】
図３は本考案の実施形態１のマルチチップモジュールを応用した回路を示す概略図である。マルチチップモジュール２を単セルリチウム電池芯材３と、複数の抵抗器Ｒ１、Ｒ２及びコンデンサＣとともにプリント基板（図示せず）上に溶接し、単セルリチウム電池装置（図示せず）を構成する。また図３に示すように、マルチチップモジュール２の第３ピンＰＩＮ３及び第４ピンＰＩＮ４の間に抵抗器Ｒ２を接続させ、電流検知用途に用いる。このほか、第１ピンＰＩＮ１及び第６ピンＰＩＮ６の間に抵抗器Ｒ１、コンデンサＣ及び単セルリチウム電池芯材３を接続し、単セルリチウム電池芯材３の動作電圧を取得できる。
【００１５】
本実施形態のＳＯＴ２６（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ２６；ＳＯＴ２６）パッケージを採用したマルチチップモジュール２は薄くて軽量な小型パッケージを提供し、プリント基板と単セルリチウム電池装置全体の使用空間の合理化を可能とする。
【００１６】
図４Ａは本考案の実施形態１の電池保護チップのピン配置を示す概略図である。電池保護チップ２０は上面２０２と底面２０４とを有し、上面２０２は過充電コントロール出力パッドＯＣ、過放充電コントロール出力パッドＯＤ、動作電圧入力パッドＶＣＣ、グラウンドパッドＧＮＤ及び電流計測パッドＣＳを有する。図４Ｂは本考案の実施形態２の電池保護チップのピン配置を示す概略図である。電池保護チップ３０は上面３０２と底面３０４とを有し、上面３０２は過充電コントロール出力パッドＯＣ、過放充電コントロール出力パッドＯＤ、動作電圧入力パッドＶＣＣ、グラウンドパッドＧＮＤ及び電流計測パッドＣＳを有する。
【００１７】
図５Ａは本考案の実施形態１の電力スイッチチップのピン配置を示す概略図である。電力スイッチチップ２２は上面２２２と底面２２４とを有し、電力スイッチチップ２２は二つのパワーＭＯＳＦＥＴを有する。底面２２４は前記パワーＭＯＳＦＥＴの２つのドレイン接地回路（ＣＯＭＭＯn  ＤＲＡin）であり、上面２２２は第一ソースエリア２２１、第一ゲートエリア２２５、第二ソースエリア２２３及び第二ゲートエリア２２７を有する。図５Ｂは本考案の実施形態２の電力スイッチチップのピン配置を示す概略図である。電力スイッチチップ３２は上面３２２と底面３２４とを有し、電力スイッチチップ３２は二つのパワーＭＯＳＦＥＴを有する。底面３２４は前記パワーＭＯＳＦＥＴの２つのドレイン接地回路（ＣＯＭＭＯn  ＤＲＡin）であり、上面３２２は第一ソースエリア３２１、第一ゲートエリア３２５、第二ソースエリア３２３及び第二ゲートエリア３２７を有する。
【００１８】
図６Ａは本考案の実施形態１のマルチチップモジュールのパッケージ構造を示す概略図である。マルチチップモジュール２はピンフレーム２１、電力スイッチチップ２２及び電池保護チップ２０で構成される。ピンフレーム２１はチッププレースエリア２１１、第１ピンＰＩＮ１、第２ピンＰＩＮ２、第３ピンＰＩＮ３、第４ピンＰＩＮ４、第５ピンＰＩＮ５及び第６ピンＰＩＮ６を有する。第２ピンＰＩＮ２及び第５ピンＰＩＮ５はチッププレースエリア２１１に電気的に接続され、ピンＰＩＮ１、ＰＩＮ３、ＰＩＮ４、ＰＩＮ６はそれぞれ電気的に絶縁され設置される。
【００１９】
底面２２４はチッププレースエリア２１１上に電気的に接続されて設置され、また上面２２２は第１ピンＰＩＮ１及び第３ピンＰＩＮ３に電気的に接続される。底面２２４は導電性接着剤によりチッププレースエリア２１１と電気的に接続される。上面２２２上の第一ソースエリア２２１はリード線により第３ピンＰＩＮ３と電気的に接続され、第二ソースエリア２２３はリード線により第１ピンＰＩＮ１と電気的に接続される。
【００２０】
電池保護チップ２０の底面２０４は電力スイッチチップ２２の上面２２２の部分エリア上に電気的に絶縁されて設置され、電池保護チップ２０の上面２０２は電力スイッチチップ２２の上面２２２、第１ピンＰＩＮ１、第４ピンＰＩＮ４及び第６ピンＰＩＮ６に電気的に接続される。電池保護チップ２０は絶縁性接着剤により電力スイッチチップ２２の上面２２２の部分エリア上に設置される。
【００２１】
電池保護チップ２０の上面２０２上の過充電コントロール出力パッドＯＣはリード線により電力スイッチチップ２２の上面２２２上の第一ゲートエリア２２５に電気的に接続される。過放充電コントロール出力パッドＯＤはリード線により電力スイッチチップ２２の上面２２２上の第二ゲートエリア２２７に電気的に接続される。動作電圧入力パッドＶＣＣはリード線によりピンフレーム２１の第６ピンＰＩＮ６に電気的に接続される。電流計測パッドＣＳはリード線によりピンフレーム２１の第４ピンＰＩＮ４に電気的に接続される。グラウンドパッドＧＮＤはリード線によりピンフレーム２１の第１ピンＰＩＮ１に電気的に接続、或いは、電力スイッチチップ２２の上面２２２上の第二ソースエリア２２３を経由しピンフレーム２１の第１ピンＰＩＮ１に電気的に接続される（図６Ｂに図示する）。
【００２２】
図７Ａは本考案の実施形態２のマルチチップモジュールのパッケージ構造を示す概略図である。図７Ａのマルチチップモジュール３と前述の図６Ａのマルチチップモジュール２の相違点は、マルチチップモジュール３の電池保護チップ３０及び電力スイッチチップ３２はどちらもピンフレーム３１のチッププレースエリア３１１上に設置されることである。
【００２３】
電力スイッチチップ３２の底面３２４はチッププレースエリア３１１上に電気的に接続して設置され、上面３２２の第一ソースエリア３２１及び第二ソースエリア３２３はピンフレーム３１の第３ピンＰＩＮ３及び第１ピンＰＩＮ１にそれぞれ電気的に接続される。
【００２４】
電池保護チップ３０の底面３０４はチッププレースエリア３１１上に電気的に絶縁されて設置され、上面３０２の過充電コントロール出力パッドＯＣ及び過放充電コントロール出力パッドＯＤは電力スイッチチップ３２の上面３２２の第一ゲートエリア３２５及び第二ゲートエリア３２７にそれぞれ電気的に接続される。また、電池保護チップ３０の上面３０２の電流計測パッドＣＳ及び動作電圧入力パッドＶＣＣはピンフレーム３１の第４ピンＰＩＮ４及び第６ピンＰＩＮ６にそれぞれ電気的に接続される。上面３０２のグラウンドパッドＧＮＤはピンフレーム３１の第１ピンＰＩＮ１に電気的に接続、或いは、電力スイッチチップ３２の上面３２２上の第二ソースエリア３２３を経由しピンフレーム３１の第１ピンＰＩＮ１に電気的に接続される（図７Ｂに図示する）。
【００２５】
図８Ａは本考案の実施形態１のマルチチップモジュールのパッケージ構造を示す概略図である。図８Ａのマルチチップモジュール２’と前述の図６Ａのマルチチップモジュール２の相違点は、図８Ａに図示した電池保護チップ２０上の各パッドの設置位置と図６Ａに図示した各パッドの設置位置が左右反転していることである。
【００２６】
図８Ａに示すように、電池保護チップ２０の過充電コントロール出力パッドＯＣはリード線により電力スイッチチップ２２の第二ゲートエリア２２７に電気的に接続される。過放充電コントロール出力パッドＯＤはリード線により電力スイッチチップ２２の第一ゲートエリア２２５に電気的に接続される。動作電圧入力パッドＶＣＣはリード線によりピンフレーム２１の第４ピンＰＩＮ４に電気的に接続される。電流計測パッドＣＳはリード線によりピンフレーム２１の第６ピンＰＩＮ６に電気的に接続される。グラウンドパッドＧＮＤはリード線によりピンフレーム２１の第３ピンＰＩＮ３に電気的に接続、或いは、電力スイッチチップ２２の第一ソースエリア２２１を経由しピンフレーム２１の第３ピンＰＩＮ３  に電気的に接続される（図８Ｂに図示する）。図８Ａ及び図８Ｂに図示するマルチチップモジュール２’のピン配置は図２Ｂのものと同じである。図９Ａは本考案の実施形態２のマルチチップモジュールのパッケージ構造を示す概略図である。図９Ａのマルチチップモジュール３’と前述の図７Ａのマルチチップモジュール３の相違点は、図９Ａに図示した電池保護チップ３０上の各パッドの設置位置と図７Ａに図示した各パッドの設置位置が左右反転していることである。
【００２７】
図９Ａに示すように、電池保護チップ３０の過充電コントロール出力パッドＯＣは電力スイッチチップ３２の第二ゲートエリア３２７に電気的に接続され、過放充電コントロール出力パッドＯＤは電力スイッチチップ３２の第一ゲートエリア３２５に電気的に接続される。また、電池保護チップ３０の電流計測パッドＣＳはピンフレーム３１の第６ピンＰＩＮ６に電気的に接続され、動作電圧入力パッドＶＣＣはピンフレーム３１の第４ピンＰＩＮ４に電気的に接続される。電池保護チップ３０のグラウンドパッドＧＮＤはピンフレーム３１の第３ピンＰＩＮ３に電気的に接続、或いは、電力スイッチチップ３２の第一ソースエリア３２１を経由しピンフレーム３１の第３ピンＰＩＮ３に電気的に接続される（図９Ｂに図示する）。図９Ａ及び図９Ｂに図示したマルチチップモジュール３’のピン配置は図２Ｂのものと同じである。
【００２８】
上述のとおり、本考案に係るマルチチップモジュールはパワーＭＯＳＦＥＴ内蔵の単セルリチウム電池保護ＩＣであり、ＳＯＴ２６パッケージを採用し、体積はおよそ２．９５ｍｍ×１．５６ｍｍ×１．１１ｍｍとなる。これにより、本考案に係るマルチチップモジュールはＳＯＴ２６パッケージによりコスト削減、薄型化、軽量小型化を実現できる。
【００２９】
上述の実施形態は本考案の技術思想及び特徴を説明するためのものにすぎず、当前記技術分野を熟知する者に本考案の内容を理解させると共にこれをもって実施させることを目的とし、本考案の実用新案登録請求の範囲を限定するものではない。従って、本考案の精神を逸脱せずに行う各種の同様の効果をもつ改良又は変更は、後述の請求項に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００３０】
１  単セルリチウム電池装置
１０  単セルリチウム電池芯材
１２  単セルリチウム電池保護板
Ｒ１、Ｒ２  抵抗器
Ｃ  コンデンサ
１２０  単セルリチウム電池保護ＩＣ
１２２  パワーＭＯＳＦＥＴＩＣ
Ｍ１、Ｍ２  パワーＭＯＳＦＥＴ
２、２’、３、３’  マルチチップモジュール
ＰＩＮ１  第１ピン
ＰＩＮ２  第２ピン
ＰＩＮ３  第３ピン
ＰＩＮ４  第４ピン
ＰＩＮ５  第５ピン
ＰＩＮ６  第６ピン
３  単セルリチウム電池芯材
Ｒ１、Ｒ２  抵抗器
Ｃ  コンデンサ
２０、３０  電池保護チップ
２０２、３０２  上面
２０４、３０４  底面
ＯＣ  過充電コントロール出力パッド
ＯＤ  過放充電コントロール出力パッド
ＶＣＣ  動作電圧入力パッド
ＧＮＤ  グラウンドパッド
ＣＳ  電流計測パッド
２２、３２  電力スイッチチップ
２２２、３２２  上面
２２４、３２４  底面
２２１、３２１  第一ソースエリア
２２５、３２５  第一ゲートエリア
２２３、３２３  第二ソースエリア
２２７、３２７  第二ゲートエリア
２１、３１  ピンフレーム
２１１、３１１  チッププレースエリア
【図１】
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【図２Ａ】
0003166059.tif 000004
【図２Ｂ】
0003166059.tif 000005
【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
0003166059.tif 000008
【図５Ａ】
0003166059.tif 000009
【図５Ｂ】
0003166059.tif 000010
【図６Ａ】
0003166059.tif 000011
【図６Ｂ】
0003166059.tif 000012
【図７Ａ】
0003166059.tif 000013
【図７Ｂ】
0003166059.tif 000014
【図８Ａ】
0003166059.tif 000015
【図８Ｂ】
0003166059.tif 000016
【図９Ａ】
0003166059.tif 000017
【図９Ｂ】
0003166059.tif 000018