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【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、非水電解液およびセパレータを有するリチウムイオン二次電池であって、
前記正極は、下記一般組成式（１）
ＬｉａＮｉ（１−ｂ−ｃ）ＣｏｂＭｃＯ２（１）
［前記一般組成式（１）中、ＭはＭｎおよびＡｌのうちの少なくとも１種の元素であり、０．９≦ａ≦１．３、０＜ｂ、０＜ｃ、ｂ＋ｃ≦０．５である］
で表されるリチウム含有複合酸化物を正極活物質として含有する正極合剤層を、集電体の片面または両面に有するものであり、
前記負極は、ＳｉとＯとを構成元素に含む材料（ただし、Ｓｉに対するＯの原子比ｘは、０．５≦ｘ≦１．５である）と導電性材料との複合体、および前記複合体の含有する導電性材料以外の炭素材料を負極活物質として含有する負極合剤層を、集電体の片面または両面に有するものであり、
前記非水電解液は、ハロゲン置換された環状カーボネートとを含有しており、
負極活物質中における前記複合体の量をＡ（質量％）（ただし、０＜Ａ＜２０）、電池に使用する非水電解液中におけるハロゲン置換された環状カーボネートの含有量をＣ０（質量％）、並びに、電池の初回充放電終了後の非水電解液中におけるハロゲン置換された環状カーボネートの含有量をＣ１（質量％）としたとき、
０．２５≦（Ｃ０／Ａ）≦０．７、および
０．１≦（Ｃ１／Ａ）≦０．５
を満たすことを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項２】
Ｃ０が０．５質量％以上８質量％以下である請求項１に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項３】
Ｃ１が０．５質量％以上２．８質量％以下である請求項２に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項４】
非水電解液は、Ｃ＝Ｃ二重結合を有する環状カーボネートを更に含有しており、
電池に使用する非水電解中におけるＣ＝Ｃ二重結合を有する環状カーボネートの含有量をＢ０（質量％）としたとき、０．４３≦（Ｂ０／Ｃ０）≦２．８を満たしている請求項１〜３のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項５】
非水電解液は、Ｃ＝Ｃ二重結合を有する環状カーボネートを更に含有しており、
電池の初回充放電終了後の非水電解液中におけるＣ＝Ｃ二重結合を有する環状カーボネートの含有量をＢ１（質量％）としたとき、０．５≦（Ｂ１／Ｃ１）≦４．８を満たしている請求項１〜４のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項６】
Ｃ＝Ｃ二重結合を有する環状カーボネートがビニレンカーボネートである請求項４または５に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項７】
ハロゲン置換された環状カーボネートが４−フルオロ−１，３−ジオキソラン−２−オンである請求項１〜６のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項８】
正極活物質として、更にＬｉＣｏＯ２を含有する請求項１〜７のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オフセット角が２°以上１０°以下である４Ｈ炭化珪素単結晶基板を用意する工程と、
化学気相堆積法により、１４００℃以上１６５０℃以下の温度で、炭化珪素からなるエピタキシャル層を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、
前記エピタキシャル層を１３００℃以上１８００℃以下の温度で熱処理する工程と、
を包含し、
前記エピタキシャル層を成長させる工程において、原料ガス中の炭素原子の珪素原子に対する比Ｃ／Ｓｉは１．５以上２以下であり、
前記エピタキシャル層を成長させる工程を、３ｋＰａ以上５４ｋＰａ以下の圧力で行う、炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
【請求項２】
前記エピタキシャル層を成長させる工程において成長するエピタキシャル層は、深い準位過渡分光法において、炭化珪素半導体の伝導帯の下端からの活性化エネルギー差ΔＥａが１．３３ｅｖ以上１．５３ｅＶ以下である準位のピークが、点欠陥ＥＨ6/7センターのピークから分離して観測される請求項１に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
【請求項３】
前記エピタキシャル層を成長させる工程は、前記エピタキシャル層中の点欠陥Ｚ1/2センターの密度が１×１０12ｃｍ-3以下であり、点欠陥ＥＨ6/7センターの密度が５×１０11ｃｍ-3以下となる成長条件で前記エピタキシャル層を成長させる請求項１に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル層を成長させる工程は、前記エピタキシャル層中において、炭化珪素半導体の伝導帯の下端からの活性化エネルギー差ΔＥａが１．３３ｅｖ以上１．５３ｅＶ以下の準位を持つ点欠陥の密度が３×１０11ｃｍ-3以上となる成長条件で前記エピタキシャル層を成長させる請求項３に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
【請求項５】
前記エピタキシャル層を熱処理する工程は、前記エピタキシャル層中において、前記ΔＥａが１．３３ｅｖ以上１．５３ｅＶ以下の準位を持つ点欠陥の密度が前記熱処理を行う前の１／２以下となる条件で前記エピタキシャル層を熱処理する請求項１に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
【請求項６】
前記エピタキシャル層を熱処理する工程は、前記エピタキシャル層中において、前記１．３３ｅｖ以上１．５３ｅＶ以下の準位を持つ点欠陥の密度が３×１０11ｃｍ-3以下となる条件で前記エピタキシャル層を熱処理する請求項５に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
【請求項７】
前記エピタキシャル層を１０μｍ／ｈ以上、２３μｍ／ｈ以下の速度で成長させる請求項１から６のいずれかに記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リア側ミラーと出力側ミラーとからなる共振器と、該共振器中に配置されレーザガスが封入されたレーザチャンバーと、前記レーザチャンバー内のレーザガスを励起する励起手段とを備えたガスレーザ装置において、
前記レーザチャンバーと前記リア側ミラーの間、及び、前記レーザチャンバーと前記出力側ミラーの間の少なくとも一方に、ミラー側のレーザビームの径あるいは幅を広げるビーム拡大光学系を介在させ、
レーザ増幅器を構成している
ことを特徴とする高出力ガスレーザ装置。
【請求項２】
２ステージレーザ装置の増幅段レーザに用いられていることを特徴とする請求項１記載の高出力ガスレーザ装置。
【請求項３】
前記ビーム拡大光学系は、１個又は複数の三角プリズムから構成されたビームエキスパンダープリズム系からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の高出力ガスレーザ装置。
【請求項４】
前記レーザチャンバーとは反対側の前記ビームエキスパンダープリズム系を構成する三角プリズムの最も外側の平面に高反射率ミラーコーティング又は部分反射ミラーコーティングを施すことにより、前記リア側ミラー又は前記出力側ミラーを前記ビームエキスパンダープリズム系と一体に構成したことを特徴とする請求項３記載の高出力ガスレーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布された感光性材料に照射系から原版を介して光を照射して前記原版のパターンを前記基板のショット領域に転写するリソグラフィ装置であって、
前記基板の前記パターンが転写される領域を規定する前記基板の外周から所定の幅だけ内側の円形境界線に重なる円弧を縁に含み、前記基板上の前記円形境界線より外側の外周領域に対して光が入射しないように光を遮断する遮光板であって、前記照射系内であって前記基板と共役な位置に配置されている遮光板と、
前記遮光板を前記照射系の光軸に平行な軸の回りに回転駆動する第１駆動部と、
前記遮光板を前記照射系の前記光軸に垂直な平面内で直線駆動する第２駆動部と、
前記パターンを転写すべきショット領域が前記外周領域と接する場合に、前記遮光板が前記ショット領域と接する前記外周領域を覆う位置に位置決めされるように前記第１駆動部及び前記第２駆動部を制御する制御部と、を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記円弧は、前記遮光板の縁の互いに反対側の位置に配置された第１円弧と第２円弧とを含み、前記第１円弧及び前記第２円弧は、前記遮光板の内側から外側に向かう方向に凹状をなすことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記遮光板は開口を有し、
前記円弧は、前記開口の縁に互いに反対側の位置に配置された第１円弧と第２円弧とを含み、前記第１円弧及び前記第２円弧は、前記開口の内側から外側に向かう方向において凸状をなすことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
ショット領域の外縁を規定する直線状の辺より外側の領域に対して光が入射しないように光を遮断する第２遮光板をさらに備え、
前記第２遮光板は、前記照射系内であって前記遮光板が配置される位置とは別の前記基板と共役な位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
ショット領域の外縁を規定する直線状の辺より外側の領域に対して光が入射しないように光を遮断する第２遮光板をさらに備え、
前記第２遮光板は、前記遮光板に隣接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
ショット領域における第１方向に沿った外縁を規定する直線状の辺より外側の領域に対して光が入射しないように光を遮断する第２遮光板をさらに備え、
前記第２遮光板は、前記遮光板に隣接して配置されており、
前記原版は、前記ショット領域における前記第１方向と直交する第２方向に沿った外縁を規定する直線状の辺より外側の領域に対して光が入射しないように光を遮断する遮光部を備えることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記リソグラフィ装置は、前記原版のパターンを投影光学系により前記ショット領域に投影して前記原版のパターンを前記ショット領域に転写する露光装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記リソグラフィ装置は、前記原版を前記感光性材料に押し付けて前記型を介して前記照射系から光を前記感光性材料に照射することによって前記感光性材料を硬化させるインプリント処理を行うインプリント装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パタ−ンを形成された基板を加工する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、基板上に塗布された感光性材料に照射系から原版を介して光を照射して前記原版のパターンを前記基板のショット領域に転写するリソグラフィ装置であって、前記基板の前記パターンが転写される領域を規定する前記基板の外周から所定の幅だけ内側の円形境界線に重なる円弧を縁に含み、前記基板上の前記円形境界線より外側の外周領域に対して光が入射しないように光を遮断する遮光板であって、前記照射系内であって前記基板と共役な位置に配置されている遮光板と、前記遮光板を前記照射系の光軸に平行な軸の回りに回転駆動する第１駆動部と、前記遮光板を前記照射系の前記光軸に垂直な平面内で直線駆動する第２駆動部と、前記パターンを転写すべきショット領域が前記外周領域と接する場合に、前記遮光板が前記ショット領域と接する前記外周領域を覆う位置に位置決めされるように前記第１駆動部及び前記第２駆動部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型層、ｉ型層、ｎ型層である半導体膜を積層した光電変換装置であって、
前記ｉ型層に接し、前記ｉ型層より小さい屈折率の範囲内において前記ｉ型層に接する側から前記ｉ型層に接しない側に向かって屈折率が大きくなる中間層を備え、
前記中間層は、前記ｉ型層を挟むように配置された第１中間層及び第２中間層を備えることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換装置であって、
前記第１中間層は、前記第２中間層より光入射面に近く配置され、
前記第２中間層の前記ｉ型層に接する側の屈折率より前記第１中間層の前記ｉ型層に接する側の屈折率が大きいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光電変換装置であって、
前記第１中間層は、前記第２中間層より光入射面に近く配置され、前記第２中間層以下の膜厚であることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型層、ｉ型層、ｎ型層を積層した光電変換装置であって、
前記ｐ型層と前記ｉ型層との間に配置され、前記ｐ型層及び前記ｉ型層よりも屈折率が小さい第１中間層と、
前記ｎ型層と前記ｉ型層との間に配置され、前記ｎ型層及び前記ｉ型層よりも屈折率が小さい第２中間層と、
を備え、
前記第１中間層は、前記第２中間層より光入射面に近く配置され、前記第２中間層以下の膜厚であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換装置であって、
前記第１中間層及び前記第２中間層の少なくとも一方は前記ｉ型層に接して配置されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光電変換装置であって、
前記第１中間層は、前記第２中間層より光入射面に近く配置され、前記第２中間層よりも屈折率が大きいことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変圧器本体内の鉱油を有する絶縁冷却媒体中に、鉄心と、前記鉄心に装着された絶縁紙が巻回された電線からなるコイルと、コイル絶縁用絶縁体及び前記絶縁冷却媒体の冷却通路を構成する絶縁体を浸漬してなる静止誘導電器において、前記絶縁紙又は絶縁体表面の金属成分を分析定量することにより、鉱油の劣化状態、ならびに静止誘導電器の流動帯電性を診断することを特徴とする静止誘導電器の流動帯電診断方法。
【請求項２】
請求項１に記載された静止誘導電器の流動帯電診断方法において、前記絶縁体はボード材から構成されたことを特徴とする静止誘導電器の流動帯電診断方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載された静止誘導電器の流動帯電診断方法において、前記絶縁紙又は絶縁体表面の金属成分の量から、表面に吸着した硫化物の量を推定することを特徴とする静止誘導電器の流動帯電診断方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載された静止誘導電器の流動帯電診断方法において、前記金属成分は、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕから選ばれた１種であることを特徴とする静止誘導電器の流動帯電診断方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載された静止誘導電器の流動帯電診断方法において、前記金属成分を分析定量する分析方法は、ＸＰＳ分析法、蛍光Ｘ線分析法、ＩＣＰ分析法、ＥＤＸ分析法、ＸＭＡ分析法のいずれかを用いることを特徴とする静止誘導電器の流動帯電診断方法。
【請求項６】
変圧器本体内の鉱油よりなる絶縁冷却媒体中に、鉄心と、前記鉄心に装着された絶縁紙が巻回された電線からなるコイルと、コイル絶縁用絶縁体及び前記絶縁冷却媒体の冷却通路を構成する絶縁体を浸漬してなる静止誘導電器において、前記静止誘導電器に前記絶縁体と同一材料からなる分析用サンプルを着脱自在に設け、分析装置により前記分析用サンプル表面の金属成分を分析定量することにより鉱油の劣化状態、ならびに静止誘導電器の流動帯電性を診断することを特徴とする静止誘導電器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、変圧器本体内の鉱油を有する絶縁冷却媒体中に、鉄心と、前記鉄心に装着さ
れた絶縁紙が巻回された電線からなるコイルと、コイル絶縁用絶縁体及び前記絶縁冷却媒
体の冷却通路を構成する絶縁体を浸漬してなる静止誘導電器において、前記絶縁紙又は絶
縁体表面の金属成分を分析定量することにより、鉱油の劣化状態、ならびに静止誘導電器の流動帯電性を診断することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において、アモルファスｉ型層を含むアモルファス光電変換ユニットと、微結晶ｉ型層を含む微結晶光電変換ユニットと、を接合したタンデム型光電変換装置であって、
前記アモルファス光電変換ユニットと前記微結晶光電変換ユニットとの間に、表面及び裏面において接触する層より低い屈折率を有する中間層を備え、
前記微結晶ｉ型層は、前記基板面内において結晶化率に分布を有し、
前記基板面内において前記微結晶ｉ型層が低い結晶化率であるほど前記中間層の膜厚が薄く形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換装置であって、
前記中間層は、前記基板の周辺領域における膜厚を中央付近の領域における膜厚に比べて薄くしたことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の棒セグメント（１１０）からなるセグメント化廃棄物棒（５００）であって、
前記棒セグメント（１１０）は軸方向に互いに取り外し可能に嵌合されており、
前記棒セグメント（１１０）は個々に金属被覆されており、
前記棒セグメント（１１０）は連続的なマルチセグメント廃棄物棒（５００）を形成しており、
前記棒セグメント（１１０）の少なくとも１つは、原子炉内の廃棄物棒セグメントで前記廃棄棒から生成された同位元素を収集した後の、内部に密封された少なくとも１片の非燃料廃棄物（５１５）を収容する廃棄物棒セグメント（５１０）である、セグメント化廃棄物棒（５００）。
【請求項２】
前記少なくとも１片の廃棄物（５１５）が、収集された燃焼棒セグメントに由来する材料を含む、請求項１に記載のセグメント化廃棄物棒（５００）。
【請求項３】
前記少なくとも１片の廃棄物（５１５）が、クラッディング（５１１）、容器アセンブリ（６００）、雄型エンドプラグ（３３０）、および雌型エンドプラグ（３５０）からなる群から選択される、請求項２に記載のセグメント化廃棄物棒（５００）。
【請求項４】
前記燃焼セグメント化棒と実質的に同様の長さおよび外径を有する、請求項２に記載のセグメント化廃棄物棒（５００）。
【請求項５】
廃棄物（５１５）を収容していない前記棒セグメント（１１０）の少なくとも１つは使用済み核燃料を収容する、請求項１に記載のセグメント化廃棄物棒（５００）。
【請求項６】
前記セグメント化廃棄物棒（５００）の第１端部で前記複数の棒セグメント（１１０）の第１棒セグメントに取り外し可能に嵌合される下方延長部（１３０）と、
前記セグメント化廃棄物棒（５００）の第２端部で前記複数の棒セグメント（１１０）の第２棒セグメントに取り外し可能に嵌合される上方延長部（１２０）とをさらに有しており、前記上方延長部（１２０）および前記下方延長部（１３０）が燃焼セグメント化棒（１００）から再利用される、請求項１に記載のセグメント化廃棄物棒（５００）。
【請求項７】
前記棒セグメント（１１０）が、雄型エンドプラグ（３３０）および雌型エンドプラグ（３５０）を介して取り外し可能に嵌合される、請求項１に記載のセグメント化廃棄物棒（５００）。
【請求項８】
核廃棄物（５１５）を処理する方法であって、
原子炉内の廃棄物棒セグメントで前記廃棄棒から生成された同位元素を収集するステップと、
前記廃棄物（５１５）を廃棄物棒セグメント（５１０）内に配置するステップと、
前記廃棄物（５１５）棒セグメント（５１０）を密封するステップと、
前記廃棄物棒セグメント（５１０）を、上方延長部（１２０）、下方延長部（１３０）、使用済み核燃料を収容する棒セグメント（１１０）、および別の廃棄物棒セグメント（５１０）の少なくとも１つに軸方向に嵌合させることによって、前記廃棄物（５１５）棒セグメント（５１０）をセグメント化廃棄物棒（５００）内に配置するステップとからなる、方法。
【請求項９】
前記廃棄物（５１５）を前記廃棄物棒セグメント（５１０）内に配置する前に、前記廃棄物棒セグメント（５１０）内に配置するために前記廃棄物（５１５）を準備するステップをさらに有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記廃棄物（５１５）を前記廃棄物棒セグメント（５１０）内に圧縮することによって、前記セグメント化廃棄物棒（５００）を燃料バンドル内に配置するステップをさらに有する、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定電流を出力する定電流生成回路と、
前記定電流に比例する周波数で発振する第１のクロック信号を生成する第１のクロック信号生成回路と、
受光することで光電流を発生する光電変換素子と、
前記光電流に比例する周波数で発振する第２のクロック信号を生成する第２のクロック信号生成回路と、
前記第２のクロック信号のパルス数を一定期間カウントし、当該パルス数のカウント値をデータとするデジタル信号を出力し、前記第１のクロック信号をもとに、前記第２のクロック信号のパルス数のカウントを開始するタイミング、および当該カウントを終了するタイミングを設定するデジタル信号生成回路と、を有し、
前記第２のクロック信号生成回路は、前記第１のクロック信号生成回路と同じ構成の回路であることを特徴とする測光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のクロック信号生成回路は、前記光電流をｘ倍（ｘ≧１）以上に増幅する光電流増幅回路を含み、
前記第２のクロック信号生成回路は、前記光電流増幅回路から出力される増幅電流から、前記第２のクロック信号を生成することを特徴とする測光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１のクロック信号生成回路は、前記定電流をｙ倍（ｙ≧１）以上に増幅する定電流増幅回路を含み、前記定電流増幅回路から出力される増幅電流から、前記第１のクロック信号を生成し、
前記第２のクロック信号生成回路は、前記光電流をｘ倍（ｘ≧１）以上に増幅する光電流増幅回路を含み、前記光電流増幅回路から出力される増幅電流から、前記第２のクロック信号を生成することを特徴とする測光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記光電流増幅回路は、カレントミラー回路であることを特徴とする測光装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記光電流増幅回路および前記定電流増幅回路は、カレントミラー回路であることを特徴とする測光装置。
【請求項６】
定電流を出力する定電流生成回路と、
前記定電流に比例する周波数で発振する第１のクロック信号を生成する第１のクロック信号生成回路と、
受光することで光電流を発生する光電変換素子と、
前記光電流を増幅する第１の増幅回路と、前記第１の増幅回路と増幅率の異なる第２の増幅回路とを含み、前記第１の増幅回路で増幅された第１増幅光電流、および第２の増幅回路で増幅された第２増幅光電流を出力する光電流増幅回路と、
前記第１の増幅光電流、および前記第２の増幅光電流が入力され、一方を出力するゲイン切替回路と、前記ゲイン切替回路から出力される電流から、前記光電流に比例する周波数で発振する第２のクロック信号を生成するクロック信号生成回路とを含む第２のクロック信号生成回路と、
前記第２のクロック信号のパルス数を一定期間カウントし、当該パルス数のカウント値をデータとするデジタル信号を出力し、前記第１のクロック信号をもとに、前記第２のクロック信号のパルス数のカウントを開始するタイミング、および当該カウントを終了するタイミングを設定するデジタル信号生成回路と、を有し、
前記第２のクロック信号生成回路は、前記第１のクロック信号生成回路と同じ構成の回路であることを特徴とする測光装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１のクロック信号生成回路は、前記定電流をｙ倍（ｙ≧１）以上に増幅する第３の増幅回路を含み、前記第３の増幅回路で増幅された定電流をもとに、前記第１のクロック信号を生成することを特徴とする測光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第３の増幅回路は、カレントミラー回路であることを特徴とする測光装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか１項において、
前記第２のクロック信号生成回路の前記第１の増幅回路および前記第２の増幅回路は、カレントミラー回路であることを特徴とする測光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の測光装置と、前記測光装置から出力される前記デジタル信号をもとに表示輝度が調節される表示パネルとを含む電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４個の磁気抵抗効果素子をブリッジ回路に有する磁気センサであって、
前記磁気抵抗効果素子は、１方向の磁気異方性を有する固定層と、磁化方向が外部磁界の方向に回転する自由層と、前記固定層と前記自由層に挟まれた中間層とを有するスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜を備えており、
前記磁気抵抗効果素子の少なくとも一つは、その素子形状の長手方向が固定層磁化方向に対して３６°≦θ＜４５°の鋭角θで傾いていることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
４個の前記磁気抵抗効果素子の内、２個の磁気抵抗効果素子が固定層磁化方向に対して前記鋭角θで傾き、残りの２個が鋭角−θで傾いていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記ブリッジ回路の他にもう一つのブリッジ回路が形成され、両ブリッジ回路の磁気抵抗効果素子は素子形状の長手方向が互いに直交する方向に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項４】
４個の前記磁気抵抗効果素子の内、ハーフブリッジを構成する２個の磁気抵抗効果素子は、固定層磁化方向が反平行方向であり、かつその素子形状の長手方向が固定層磁化方向に対して一方は角度θで傾くとともに他方は角度―θで傾いていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項５】
４個の前記磁気抵抗効果素子の内、一方のハーフブリッジの電源端子側に配置される磁気抵抗効果素子はその素子形状の長手方向が固定層磁化方向に対して一方は角度θで傾くとともに、他方のハーフブリッジの接地端子側に配置される磁気抵抗効果素子は角度―θで傾いていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項６】
一方のハーフブリッジの電源端子側に配置される磁気抵抗効果素子の固定層磁化方向と、他方のハーフブリッジの接地端子側に配置される磁気抵抗効果素子の固定層磁化方向が同一方向であることを特徴とする請求項５に記載の磁気センサ。
【請求項７】
前記磁気抵抗効果素子が、直線を折り返した形状であることを特徴とする、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項８】
前記磁気抵抗効果素子が、半円を連結し、素子長手方向に折り返して形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項９】
前記磁気抵抗効果素子が、円の一部を切り欠いた形状を連結し、素子長手方向に折り返して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項１０】
前記磁気抵抗効果素子が、多角形の一部を切り欠いた形状を連結し、素子長手方向に折り返して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項１１】
スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜は、固定層と自由層との間の交換結合磁界Ｈｉｎｔの値が、単位をｋＡ／ｍとして、
−０．４＜Ｈｉｎｔ＜０．４
の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の磁気センサと、前記磁気センサに磁界を与える磁石とを備える回転角度検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月23日(2011.11.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内周側に円筒状軌道面が形成された外輪と、その外輪の内側に同心的に配置されるとともに、自身の外周面に回転半径が周方向に沿って変化する外周カム面が形成された内輪と、前記円筒状軌道面と前記外周カム面との間に形成されるラジアル方向空隙に配置されるロック転動体とを備え、前記ラジアル方向空隙が、前記外周カム面の周方向中間位置に定められた空転位置にて前記ロック転動体の外径よりも大となり、当該周方向における前記外周カム面の第一端側に定められたロック位置に向けて前記ロック転動体の外径より小となるよう連続的に縮小するくさび状空間とされるとともに、前記外周カム面の第二端側において前記内輪の外周面上に設けられたばね支持体と前記ロック転動体との間に圧縮状態で配置され、該ロック転動体を前記ロック位置に向けて周方向に弾性付勢するばね部材を有した一方向クラッチにおいて、
前記ばね部材による前記ロック転動体の前記ロック位置に向けた弾性付勢力が、前記一方向クラッチの周囲環境温度が高くなるほど小さくなるように、前記ロック転動体が前記ロック位置に位置するときの前記ばね部材の圧縮変位量である基準圧縮変位量を、前記周囲環境温度に応じて調整するばね変位調整機構を備え、
前記ばね支持体は前記内輪の外周面上にて該内輪の回転周方向にスライド可能かつ任意の位置を保持可能に設けられ、前記ばね変位調整機構は、前記一方向クラッチの周囲環境温度が高くなるほど前記ロック位置から遠ざかるように、前記ばね支持体を前記内輪の外周面上にてスライド移動させることを特徴とする一方向クラッチ。
【請求項２】
前記ばね変位調整機構がバイメタルにて構成されている請求項１記載の一方向クラッチ。
【請求項３】
前記ばね部材は、前記周囲環境温度の上昇に応じて前記基準圧縮変位量が減少するに伴い、ばね定数を段階的又は連続的に減少させる非線形特性ばねにて構成されてなる請求項１又は２に記載の一方向クラッチ。
【請求項４】
前記非線形特性ばねは、前記基準圧縮変位量が予め定められた基準値を上回る場合に前記ばね定数が予め定められた第一の値となり、前記圧縮変位量が該基準値を下回る場合に前記ばね定数が前記第一の値よりも小さい第二の値となるように、前記ばね定数を段階的に変化させる特性を有するものが使用される請求項３記載の一方向クラッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明の一方向クラッチは、
内周側に円筒状軌道面が形成された外輪と、その外輪の内側に同心的に配置されるとともに、自身の外周面に回転半径が周方向に沿って変化する外周カム面が形成された内輪と、円筒状軌道面と外周カム面との間に形成されるラジアル方向空隙に配置されるロック転動体とを備え、ラジアル方向空隙が、外周カム面の周方向中間位置に定められた空転位置にてロック転動体の外径よりも大となり、当該周方向における外周カム面の第一端側に定められたロック位置に向けてロック転動体の外径より小となるよう連続的に縮小するくさび状空間とされるとともに、外周カム面の第二端側において内輪の外周面上に設けられたばね支持体とロック転動体との間に圧縮状態で配置され、該ロック転動体をロック位置に向けて周方向に弾性付勢するばね部材を有した一方向クラッチにおいて、
ばね部材によるロック転動体のロック位置に向けた弾性付勢力が、一方向クラッチの周囲環境温度が高くなるほど小さくなるように、ロック転動体がロック位置に位置するときのばね部材の圧縮変位量である基準圧縮変位量を、周囲環境温度に応じて調整するばね変位調整機構を備え、
ばね支持体は内輪の外周面上にて該内輪の回転周方向にスライド可能かつ任意の位置を保持可能に設けられ、ばね変位調整機構は、一方向クラッチの周囲環境温度が高くなるほどロック位置から遠ざかるように、ばね支持体を内輪の外周面上にてスライド移動させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風力タービンの最大回転速度設定値である初期回転速度設定値を有する可変速度制御システム（３００）と、
少なくとも２つの運転パラメータを取得するように配列及び配置された少なくとも１つのセンサ（３１４）と、を含み、
前記制御システム（３００）は、取得した前記少なくとも２つの運転パラメータと前記風力タービンの機械的負荷とを比較するよう選択的に構成され、取得した前記少なくとも２つの運転パラメータの結果として前記風力タービンの機械的負荷が低下した場合には、回転速度調整プログラムが起動され、
前記速度調整プログラムは、取得されかつ比較された前記少なくとも２つの運転パラメータに応じて前記初期回転速度設定値よりも大きい調整回転速度設定値を決定し、
前記調整回転速度設定値により、前記風力タービンの前記最大回転速度設定値が増加される、
風力タービン（１００）。
【請求項２】
前記運転パラメータが、発電機速度、電力出力、乱流強度、風速、風向、ウィンドシア、大気温度及び気圧の組合せ、空気密度、構成要素温度、発電機トルク、発電機ロータの電流、発電機ステータの電流、発電機ロータの電圧、発電機ステータの電圧、力率、タワー頂部振動、駆動系振動、ヨー位置並びにそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも２つのパラメータである、請求項１に記載の風力タービン（１００）。
【請求項３】
前記運転パラメータが、空気乱流強度、空気密度、タワー振動、大気温度、風力タービン構成要素温度、ヨー位置及びそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも２つのパラメータである、請求項１に記載の風力タービン（１００）。
【請求項４】
前記少なくとも１つのセンサ（３１４）が、該風力タービン（１００）上に又はそれに近接近して配列及び配置される、請求項１に記載の風力タービン（１００）。
【請求項５】
前記制御システム（３００）が、外部要件に応じて選択的に構成される、請求項１に記載の風力タービン（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機（２）と燃焼器（４）とタービン（６）とを有し、圧縮機終圧（１２０、１１８）が制御量として利用される、ガスタービン（１）の運転方法であって、
圧縮機終圧（１２０、１１８）の最大変化速度が予め設定されていることを特徴とするガスタービン（１）の運転方法。
【請求項２】
圧縮機終圧（１２０、１１８）の設定値が予め与えられていることを特徴とする請求項１に記載の運転方法。
【請求項３】
ガスタービン（１）の圧縮機（２）が多数の可調整前置静翼（３）を有し、圧縮機終圧（１２０、１１８）がその前置静翼（３）の位置変化によって調整されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ガスタービン（１）の排ガス温度が、燃焼器（４）のバーナ（１０）への燃料供給の変化によって調整されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
ガスタービン（１）の圧縮機（２）の出口で空気が取り出されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
取り出された空気が空気分解装置に供給され、この空気分解装置で得られた酸素が合成ガスを発生するために利用され、その合成ガスがガスタービン用の高温ガスを発生するために燃焼されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
圧縮機（２）と燃焼器（４）とタービン（６）と圧縮機終圧センサが付設された制御装置とを有するガスタービン（１）であって、
その制御装置が、請求項１ないし６のいずれか１つに記載の方法を実施するために設計されていることを特徴とするガスタービン。
【請求項８】
請求項７に記載のガスタービン（１）を備えていることを特徴とするガス・蒸気複合タービン設備。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隙間（１）を空けた状態で互いにはめ合わされ静止して配置された部位を有する２個の構造要素（８、１１）と、前記隙間（１）を漏れ止めするシール要素（４）とを備え、前記両構造要素（８、１１）の一方が、漏れ止めすべき隙間（１）の領域に他方の構造要素（８、１１）に向けて開いた側壁面（２３）付き溝（７）を有し、前記シール要素（４）が両側面（第１側面（３１ａ）と第２側面（３１ｂ））を備えた保持要素（６）を有し、前記シール要素（４）が少なくとも部分的に前記溝（７）の中に配置され、保持要素（６）の第１側面（３１ａ）がこの第１側面（３１ａ）に作用する圧力と第２側面（３１ｂ）に作用する圧力との圧力差によって前記溝（７）の側壁面（２３）に押し付けられる、部品配置構造であって、
溝（７）の側壁面（２３）又は保持要素（６）の第１側面（３１ａ）が、少なくとも１つの圧力バランス窪み（２５）を有していることを特徴とする部品配置構造。
【請求項２】
前記溝（７）が環状溝として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の部品配置構造。
【請求項３】
保持要素（６）が保持リングとして形成されていることを特徴とする請求項２に記載の部品配置構造。
【請求項４】
シール要素（４）が、ブラシシール、コードシール、割りシールリング、無端シールリングを有していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の部品配置構造。
【請求項５】
溝（７）が、この溝（７）がそれに向いて開いた構造要素（８）の周りに環状に設けられ、圧力バランス窪み（２５）が溝（７）の側壁面（２３）全体に沿って又は保持要素（６）の第１側面（３１ａ）全体に沿って設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の部品配置構造。
【請求項６】
溝（７）が、この溝（７）がそれに向いて開いた構造要素（８）の周りに環状に設けられ、圧力バランス窪み（２５）が溝（７）の側壁面（２３）全体に沿って又は保持要素（６）の第１側面（３１ａ）全体に沿って複数のセグメントの形で設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の部品配置構造。
【請求項７】
溝（７）の側壁面（２３）又は保持要素（６）の第１側面（３１ａ）が被覆されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の部品配置構造。
【請求項８】
圧力バランス窪み（２５）が１ｍｍ〜１０ｍｍの深さを有していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の部品配置構造。
【請求項９】
互いにはめ合わされた２個の構造要素（８、１１）の一方のはめ合い部位が、火炎管（８）の出口（９）を形成していることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の部品配置構造。
【請求項１０】
互いにはめ合わされた２個の構造要素（８、１１）の一方のはめ合い部位が、火炎管（８）とタービン入口（１２）との間に配置された移行要素（１１）の部位を形成していることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の部品配置構造。
【請求項１１】
２個の構造要素（８、１１）の互いにはめ合わされる部位が円筒状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の部品配置構造。
【請求項１２】
火炎管出口（９）を備えた火炎管（８）とこの火炎管（８）から出る燃焼ガスの流れ方向（１４）において火炎管出口（９）に後置接続され火炎管出口（９）に合わされた入口を備えた移行要素（１１）とを有し、その火炎管出口（９）および移行要素（１１）の入口が部分的に互いにはめ合わされ、火炎管出口（９）と移行要素（１１）の入口との間に隙間（１１）が生じており、火炎管出口（９）あるいは移行要素（１１）が、漏れ止めすべき隙間（１）の範囲を延び移行部位（１１）あるいは火炎管出口（９）に向けて開いた側壁面（２３）付き溝（７）を有し、前記隙間（１）が両側面（第１側面（３１ａ）と第２側面（３１ｂ））を備えた保持要素（６）を有するシール要素（４）によって漏れ止めされ、そのシール要素（４）が少なくとも部分的に前記溝（７）の中に配置され、保持要素（６）の第１側面（３１ａ）が、この第１側面（３１ａ）に作用する圧力と第２側面（３１ｂ）に作用する圧力との圧力差によって前記溝（７）の側壁面（２３）に押し付けられる、燃焼器装置であって、
溝（７）の側壁面（２３）又は保持要素（６）の第１側面（３１ａ）が、少なくとも１つの圧力バランス窪み（２５）を有していることを特徴とする燃焼器装置。
【請求項１３】
溝（７）の側壁面（２３）又は保持要素（６）の第１側面（３１ａ）が被覆されていることを特徴とする請求項１２に記載の燃焼器装置。
【請求項１４】
圧力バランス窪み（２５）が１ｍｍ〜１０ｍｍの深さを有していることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の燃焼器装置。
【請求項１５】
溝（７）が環状溝として形成されていることを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれか１つに記載の燃焼器装置。
【請求項１６】
シール要素（４）が、ブラシシール、コードシール、割りシールリング、無端シールリングを有していることを特徴とする請求項１２ないし１５のいずれか１つに記載の燃焼器装置。
【請求項１７】
溝（７）がこの溝（７）がそれに向いて開いた移行要素（１１）あるいは火炎管出口（９）の周りに環状に設けられ、圧力バランス窪み（２５）が溝（７）の側壁面（２３）全体に沿って又は保持要素（６）の第１側面（３１ａ）全体に沿って設けられていることを特徴とする請求項１２ないし１６のいずれか１つに記載の燃焼器装置。
【請求項１８】
溝（７）がこの溝（７）がそれに向いて開いた移行要素（１１）あるいは火炎管出口（９）の周りに環状に設けられ、圧力バランス窪み（２５）が溝（７）の側壁面（２３）全体に沿って又は保持要素（６）の第１側面（３１ａ）全体に沿って複数のセグメントの形で設けられていることを特徴とする請求項１７に記載の燃焼器装置。
【請求項１９】
請求項１２ないし１８のいずれか１つに記載の燃焼器装置を有していることを特徴とするガスタービン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通電により回転力を発生するモータと、
このモータに発生する回転力をエンジンのリングギヤに伝達するピニオンギヤと、
バッテリから前記モータに電流を流すためのモータ回路に設けられるメイン接点を開閉する第１の電磁スイッチと、
前記モータ回路に前記メイン接点と直列に接続される抵抗体と、
前記モータ回路に前記抵抗体と並列に接続される補助接点を有し、この補助接点を開閉する第２の電磁スイッチとを備え、
前記第１の電磁スイッチにより前記メイン接点を閉じて、前記抵抗体により抑制された電流を前記モータに通電した後、所定のタイミングで前記第２の電磁スイッチにより前記補助接点を閉じて前記抵抗体を短絡することにより、前記バッテリの全電圧を前記モータへ印加する方式のスタータであって、
前記第１の電磁スイッチに通電した後、前記第２の電磁スイッチに通電するまでの時間を抵抗体通電時間と呼ぶ時に、前記第２の電磁スイッチの通電時に前記モータに流れる最大電流値を、前記第１の電磁スイッチの通電時に前記モータに流れる最大電流値以下になる様に、前記抵抗体通電時間を設定するとともに、
前記抵抗体通電時間は、前記第１の電磁スイッチに通電するオン時刻を基準として、前記第２の電磁スイッチに通電するオンタイミングを遅延回路により設定することを特徴とするスタータ。
【請求項２】
請求項１に記載したスタータにおいて、
前記遅延回路は、スタータ温度、スタータ周囲の温度、あるいはエンジンの温度の何れかによって前記抵抗体通電時間を可変することを特徴とするスタータ。
【請求項３】
請求項２に記載したスタータにおいて、
前記遅延回路は、スタータ周囲の温度またはエンジンの温度が、低温度から高温度になるにつれて、前記抵抗体通電時間を短く制御することを特徴とするスタータ。
【請求項４】
請求項１〜３に記載した何れかのスタータにおいて、
前記第１の電磁スイッチの通電時に前記モータに流れる電流は、少なくとも、前記モータの発生トルクが、エンジンの上死点乗り越しトルク以上となる電流値であることを特徴とするスタータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、抵抗体通電時間は、第１の電磁スイッチに通電するオン時刻を基準として、第２の電磁スイッチに通電するオンタイミングを遅延回路により設定することを特徴とする。  上記の構成によれば、第２の電磁スイッチのオンタイミングを決定するために、電流値を検出してフィードバックする必要はなく、遅延回路のタイマ設定だけで行うことができるので、回路構成を簡略化でき、コストを低減できる。また、回路構成の簡略化により、回路規模を小さくできるので、例えば、第２の電磁スイッチ内部の限られた空間に遅延回路を内蔵することが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（請求項２の発明）
請求項１に記載したスタータにおいて、遅延回路は、スタータ温度、スタータ周囲の温度、あるいはエンジンの温度の何れかによって抵抗体通電時間を可変することを特徴とする。
温度変化により、エンジンの回転に要する上死点乗り越しトルクが変わるため、第２の電磁スイッチへの通電開始時のモータ回転数が変化する、すなわち、モータ逆起電力が変化するため、温度に応じて抵抗体通電時間を可変することにより、第２の電磁スイッチの通電時にモータに流れる最大電流を、第１の電磁スイッチの通電時にモータに流れる最大電流に対して安定させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（請求項３の発明）
請求項２に記載したスタータにおいて、遅延回路は、スタータ周囲の温度またはエンジンの温度が、低温度から高温度になるにつれて、抵抗体通電時間を短く制御することを特徴とする。
低温度では、エンジンの上死点乗り越しトルクが大きく、且つ、バッテリの内部抵抗が大きいことから、第１の電磁スイッチ通電時にモータの回転数の立ち上がりが遅くなり、第２の電磁スイッチ通電時の最大電流値が第１の電磁スイッチ通電時の最大電流値を超える恐れがある。これに対し、抵抗体通電時間を長くすると、モータの回転数のより高いところで第２の電磁スイッチを通電することになるため、第２の電磁スイッチ通電時の最大電流値をより下げることができ、第１の電磁スイッチ通電時の最大電流値を超える危険性を回避できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（請求項４の発明）
請求項１〜３に記載した何れかのスタータにおいて、第１の電磁スイッチの通電時にモータに流れる電流は、少なくとも、モータの発生トルクが、エンジンの上死点乗り越しトルク以上となる電流値であることを特徴とする。
上記の構成によれば、第１の電磁スイッチ通電時にモータの回転が上昇し易くなるため、第２の電磁スイッチ通電時のモータの回転がより上がることになる。その結果、第１の電磁スイッチ通電から第２の電磁スイッチ通電までの抵抗体通電時間をより短くすることができ、エンジン始動に要する時間を短縮できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダと少なくとも一つのドッファとを含んでいて、綿および合成繊維の少なくとも一方を処理するフラットカードまたはローラカードにおける装置であって、前記シリンダおよび前記ドッファのそれぞれは鋸歯を備えた全鋼製針布を有しており、前記シリンダ上の前記針布および前記ドッファ上の前記針布は２５．４ｍｍ２（平方インチ）あたりの針頭密度（ｐｐｓｉ）を有しているという装置において、
前記ドッファ（５）上の前記針布（５ａ）が少なくとも４００ｐｐｓｉの針頭密度を有しており、前記シリンダ（４）上の前記針布（４ａ）の針頭密度（ｐｐｓｉ）と前記ドッファ（５）の前記針布（５ａ）の針頭密度（ｐｐｓｉ）との間の比率は、前記シリンダの回転毎に前記シリンダ（４）から前記ドッファ（５）まで転移される繊維塊の割合に影響し、それにより、フラットカードまたはローラカードの生産速度または品質がより高くなるようにした、装置。
【請求項２】
前記繊維塊の割合は前記シリンダ上において増加する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記供給速度が一定でありつつ、前記カード機の前記出口における前記スライバ重量は増加する、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記スライバ重量が一定でありつつ、前記カード機の前記出口における前記供給速度は増加する、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記シリンダにおける前記針頭密度と前記ドッファにおける前記針頭密度との間の比率を変えることによって、転移要因を変えることができる、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記シリンダおよび前記ドッファの２５．４ｍｍ２（平方インチ）あたりの点総数は、要因Ｖ１および前記シリンダの針頭数の積よりも小さく、前記要因Ｖ１は、２．２×１０−３よりも小さいようにした、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記シリンダの針頭数および前記ドッファの針頭数の間の比率は、シリンダの針頭数４５０から５５０ｐｐｓｉの範囲にて１より小さいようにした請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記シリンダの針頭数および前記ドッファの針頭数の間の比率は、シリンダの針頭数５５１から６５０ｐｐｓｉの範囲にて１．２３より小さいようにした請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記シリンダの針頭数および前記ドッファの針頭数の間の比率は、シリンダの針頭数６５１から７５０ｐｐｓｉの範囲にて１．４６より小さいようにした請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記シリンダの針頭数および前記ドッファの針頭数の間の比率は、シリンダの針頭数７５１から８５０ｐｐｓｉの範囲にて１．６８より小さいようにした請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記シリンダの針頭数および前記ドッファの針頭数の間の比率は、シリンダの針頭数８５１から９５０ｐｐｓｉの範囲にて１．９１より小さいようにした請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記シリンダの針頭数および前記ドッファの針頭数の間の比率は、シリンダの針頭数９５１から１０５０ｐｐｓｉの範囲にて２．１３より小さいようにした請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記ドッファ用針布の脚部幅が０．８ｍｍよりも小さいようにした請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記ドッファ用針布の間隔が１．７ｍｍよりも小さいようにした請求項１から１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記ドッファ用針布に関して、針頭数および前面角の積が、１．３２×１０４である請求項１から１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
貫通深さ（歯溝深さｈ６）が１．８ｍｍよりも小さいようにした請求項１から１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
フィリング高さ（ブレード高さｈ３）が、２．７ｍｍよりも小さいようにした請求項１から１６のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（２）まず、繊維ウェブの構成繊維を第１交絡させた後、繊維ウェブの構成繊維の一部を所定の模様を有する支持体上で水流交絡させることにより、例えば、支持体の模様に対応する所定の模様を有する複数のストライプ（ストライプＤ）を発現させ、ストライプ模様を形成する。次いで、この工程の後に、ストライプＤを構成する構成繊維の全部を、ストライプＤの形成に用いた支持体とは異なる模様を有する支持体上で水流交絡（第６交絡）させ、当該構成繊維を再配列させて、ストライプＤの上にストライプＤと同じ幅のストライプＤとは異なる模様のストライプを形成する。この場合、ストライプＤおよびストライプＤの上に形成されるストライプの幅が４〜５０ｍｍであればよい。また、第６交絡による構成繊維の再配列によって形成されるストライプの幅は、ストライプＤの幅より小さくしてもよい。この場合、第６交絡による構成繊維の再配列によって形成されるストライプ、またはストライプＤのうちの第６交絡による構成繊維が再配列されなかった残余の部分からなるストライプの幅が４〜５０ｍｍであればよい。第６交絡による構成繊維の再配列によって形成されるストライプの幅は、ストライプＤの幅よりおおきくてもよく、第６交絡による構成繊維の再配列によって形成されるストライプは、ストライプＤを完全に覆うように形成されてもよい。この場合、第６交絡によって形成されるストライプの幅が４〜５０ｍｍであればよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
［拭き取り特性］
ガラス面上にＪＩＳダスト７種を１０ｃｍ×３０ｃｍの広さに均一に０．５０ｇ分散し、あらかじめ質量を測定しておいた、実施例１〜２２、２４〜２９および比較例１〜５、７、８の不織布（縦７ｃｍ、横１２ｃｍ）で、上記ダストを拭き取った。拭き取りは、拭き取りに寄与する面積が３５ｃｍ2となるように不織布をスポンジに取付け、５００ｇの加重をかけた状態で行った。２往復させた後の不織布の質量を測定し、下記（式１）によりダスト吸着率を算出し、下記基準に従った拭き取り特性について評価した。その結果を表５〜表７に示している。