【事件の表示】
　特願２００２−２２１０８７「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月２６日出願公開、特開２００４−　６３８６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年７月３０日の特許出願であって、平成１９年７月２３日付けで手続補正がなされたが、同年１０月２３日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１１月２９日に拒絶査定に対する審判が請求されるとともに、同年１２月２７日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年４月７日に審尋がなされ、同年６月４日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年１２月２７日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成１９年１２月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１１を補正後の特許請求の範囲の請求項１〜７に補正するものであり、補正前後の請求項１は以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】半導体基板内の少なくとも一部に、不純物を含み、赤外線を吸収するフリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）と、
　上記半導体基板表面の上方から赤外線を照射することにより上記半導体基板に所定のプロセス温度で熱処理を加える工程（ｂ）とを含み、
　上記工程（ｂ）は、
　上記半導体基板の裏面から発せられる赤外放射光を検知する工程（ｂ１）と、
　上記赤外放射光の強度から上記半導体基板の温度を測定して上記赤外線の出力を制御する工程（ｂ２）とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】シリコン基板からなる半導体基板内の少なくとも一部に、平均濃度が３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下である不純物を含み、波長が０．２μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にある赤外線を吸収し、厚さが３μｍ以上であるフリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）と、
　上記半導体基板表面の上方から赤外線を照射することにより上記半導体基板に所定のプロセス温度で熱処理を加える工程（ｂ）とを含み、
　上記工程（ｂ）は、
　上記半導体基板の裏面から発せられる赤外放射光を検知する工程（ｂ１）と、
　上記赤外放射光の強度から上記半導体基板の温度を測定して上記赤外線の出力を制御する工程（ｂ２）とをさらに含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「半導体基板内の少なくとも一部に、不純物を含み、赤外線を吸収するフリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）」を、補正後の請求項１の「シリコン基板からなる半導体基板内の少なくとも一部に、平均濃度が３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下である不純物を含み、波長が０．２μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にある赤外線を吸収し、厚さが３μｍ以上であるフリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）」と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２、７、８及び９を削除するとともに、補正前の請求項３〜６、１０及び１１を、必要に応じて引用する請求項の番号を変更して、補正後の請求項２〜７とすること。
　
（３）補正の目的及び新規事項の追加の有無について
（３−１）補正事項１
　補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「半導体基板内の少なくとも一部に、不純物を含み、赤外線を吸収するフリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）」に対して、技術的限定を付加したものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１により新たに付加された事項は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下、本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」といい、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）における特許請求の範囲の請求項３、９及び１１に記載されているから、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることが明らかであり、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項２
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当し、同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−３）補正の目的及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　したがって、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜７に係る発明は、本件補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
　「【請求項１】シリコン基板からなる半導体基板内の少なくとも一部に、平均濃度が３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下である不純物を含み、波長が０．２μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にある赤外線を吸収し、厚さが３μｍ以上であるフリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）と、
　上記半導体基板表面の上方から赤外線を照射することにより上記半導体基板に所定のプロセス温度で熱処理を加える工程（ｂ）とを含み、
　上記工程（ｂ）は、
　上記半導体基板の裏面から発せられる赤外放射光を検知する工程（ｂ１）と、
　上記赤外放射光の強度から上記半導体基板の温度を測定して上記赤外線の出力を制御する工程（ｂ２）とをさらに含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（４−２）引用刊行物に記載された発明
（４−２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平７−２７２９９０号公報（以下「引用例」という。）には、図６〜１０とともに以下の記載がある。
（４−２−１−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】
単一ウエーハの急速熱処理（ＲＴＰ）は、例えば熱酸化および窒化エピタキシャル成長、接合の徐冷、ケイ化物の形成／徐冷、ＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）の完全形成、急熱化学堆積法（ＲＴＣＶＣ）、などの各種の応用において重要な製造技術となってきている。
【０００２】
【従来の技術】ＲＴＰにおける１つの重要な要件は、再現性があって正確な温度の測定および制御を行なうことである。ウエーハのパターンや工程が温度の測定および均一で再現性のあるＲＴＰ法による製造工程のための制御に影響を与えないようにするための一つの方法として、ＲＴＰ照明器に挿入されウエーハの裏面を調べるための光パイプにより、ウエーハの多点の温度を測定している
【０００３】従ってＲＴＰ中のウエーハの裏面の状態や、裏面の特性の変化は、ウエーハの温度の測定の精度と再現性に強い影響を与えるものである。更に、ウエーハの裏面の放射率と表面状態の均一性は、通常高温度測定に強い影響を与え、従ってＲＴＰの均一度とウエーハ間の工程の再現性に強い影響を与える
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置の集積化製造手順には多数のＲＴＰ製造段階が含まれる。従来の集積化技術では、集積、成長、エッチング工程によりウエーハの裏面の構造と放射率がいろいろ変化する。従って集積化工程中に裏面の放射率が再現性があって均一でほとんど変化やドリフトがないようにするために、半導体ウエーハの裏面の適切な前処理が必要ある
【０００５】ウエーハの裏面に単一の二酸化ケイ素層を持つウエーハは市販されている。しかし、単一酸化物層は不純物の外方拡散（従って工程間とウエーハ間の相互汚染）を防ぐのに役立つだけであって、ＲＴＰ法による集積化処理に対して工程の裏面放射率および表面状態を均一にするという上に述べた他の要求には応えない。」
　
（４−２−１−２）「【００１６】
以下に開示するのは、例えば不純物濃度の低いｐ（ｐ
−
）とｎ（ｎ
−
）型のバルク半導体ウエーハに適用できる第１の望ましい裏面調製法である。説明は、工程に従って生成される構造の断面を示す図６から図１０を参照して行なう
【００１７】
１）ＴＥＯＳ（４エチル・オルソ・ケイ酸塩）などを用いたよく知られたＬＰＣＶＤ法により、ウエーハの上面（表面）と下面（裏面）に酸化ケイ素層６を堆積する。また酸化物層は、高圧熱酸化（ＨＩＰＯＸ）によって作ることもできる。
【００１８】２）ＬＰＣＶＤ法を用いて、ウエーハの前面と裏面に窒化ケイ素層１０を堆積する。
【００１９】
３）裏面のｐ
−
基板に対して、ｐ型不純物ホウ素のイオン注入を行なう。または裏面のｎ
−
基板に対して、ｎ型不純物（リン）のイオン注入を行なう。例えば不純物の濃度の低いｐ
−
型基板に対しては、２００−４００ＫｅＶで１ｃｍ
２
当り５×１０
１５
から５×１０
１６
のホウ素原子の注入を行なってよい。この工程により、基板の裏面には不純物濃度の高い層１４が形成される
【００２０】４）ウエーハの裏面をホトレジスト１２で被膜する（これは任意である）。
【００２１】５）表面の窒化物層１０をエッチングで除く。これはよく知られたプラズマエッチング法で行なうことができる。片側プラズマエッチングを用いる場合は、ウエーハの裏面のホトレジストマスクはなくてよい。
【００２２】６）ＨＦエッチング液を用いて表面の酸化物層６を除き、次にホトレジスト１２を除く。
【００２３】７）ウエーハの前加熱清浄を行なった後、注入徐冷を行い、裏面の不純物を活性化し注入する。
【００２４】
８）これでウエーハは、ＲＴＰ法による装置の集積化処理の準備ができた。裏面のｐ
＋
層は、赤外線エネルギーがウエーハを透過するのを防ぐのに用いる。
【００２５】従って、ウエーハの裏面は不伝導性であることが望ましい。酸化物／窒化物の層があると、高温度の熱処理中に、ホウ素のｐ＋不純物外方拡散や相互汚染の影響を防ぐことができる。更に窒化ケイ素が酸化を妨げるので、これらの層はウエーハの裏面に酸化物が成長するのを防いでいる。最後の製造工程において集積化工程中裏面の酸化物／窒化物層は変わらず均一である。
【００２６】裏面の酸化物／窒化物層は、最後に裏面の金属被覆を行なう前に取り除くことができる。このような状件により、多数のＲＴＰ工程を用いた単一ウエーハ集積化処理中の高温計による温度の測定と校正が簡単になる。必要があれば、高濃度の不純物（すなわちホウ素）をウエーハの裏面に注入する（またはウエーハ裏面近くの不純物濃度の高い層、すなわち裏面のｐ＋層を形成する）ために必要な高温徐冷は、本来の集中(gathering thermal cycle)と組み合わせることができる。これにより、熱徐冷工程を別に行なう必要がなくなる。」
　「【００４７】
【効果】本発明の効果は次の通りである。
【００４８】1.  均一で再現性のよい裏面放射率が得られる。」
　
（４−２−２）ここにおいて、００１６段落以降に記載された「第１の望ましい裏面調製法」についてみると、引用例には、「ウエーハ」を構成する「基板」がどのような材料からなるものであるのかについての直接的な記載はないが、一般に、半導体の技術分野においては、特に断りがない限り、「基板」がシリコン基板を意味するものであることは当業者における技術常識であるとともに、００１７段落の「ＴＥＯＳ（４エチル・オルソ・ケイ酸塩）などを用いたよく知られたＬＰＣＶＤ法により、ウエーハの上面（表面）と下面（裏面）に酸化ケイ素層６を堆積する。また酸化物層は、高圧熱酸化（ＨＩＰＯＸ）によって作ることもできる。」という記載から判断して、引用例の「ウエーハ」を構成する「基板」は、「高圧熱酸化（ＨＩＰＯＸ）」を行うことにより「酸化ケイ素層」を形成することができるものであるから、引用例の「ウエーハ」を構成する「基板」がシリコン基板であるものと認められる。
　
　また、０００２段落の「【従来の技術】ＲＴＰにおける１つの重要な要件は、再現性があって正確な温度の測定および制御を行なうことである。ウエーハのパターンや工程が温度の測定および均一で再現性のあるＲＴＰ法による製造工程のための制御に影響を与えないようにするための一つの方法として、ＲＴＰ照明器に挿入されウエーハの裏面を調べるための光パイプにより、ウエーハの多点の温度を測定している。」という記載、及び０００４段落の「【０００４】　【発明が解決しようとする課題】半導体装置の集積化製造手順には多数のＲＴＰ製造段階が含まれる。従来の集積化技術では、集積、成長、エッチング工程によりウエーハの裏面の構造と放射率がいろいろ変化する。従って集積化工程中に裏面の放射率が再現性があって均一でほとんど変化やドリフトがないようにするために、半導体ウエーハの裏面の適切な前処理が必要ある。」という記載から、引用例においては、上記「第１の望ましい裏面調製法」により製造された「ウエーハ」に対して「ＲＴＰ」を行うことが前提とされていることが明らかである。
　そして、上記の０００２段落の記載から、引用例において想定している急速熱処理（ＲＴＰ）は、「ウエーハ」に対して「ＲＴＰ照明器」により照射を行うものであって、「ウエーハの裏面を調べるための光パイプにより、ウエーハの多点の温度を測定」し、測定結果に基づいて「ＲＴＰ照明器」を制御する工程を含むものであることが明らかである。
　
（４−２−３）以上を総合すると、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「不純物の濃度の低いｐ−型シリコン基板に対して、２００−４００ＫｅＶで１ｃｍ２当り５×１０１５から５×１０１６のホウ素原子の注入を行なうことにより、前記基板の裏面に不純物濃度の高い層１４が形成されたウエーハを製造する工程、
　前記ウエーハに対してＲＴＰ照明器により照射を行うことにより急速熱処理を行う工程とを含み、
　前記急速熱処理を行う工程は、
　前記ウエーハの裏面を調べるための光パイプにより、前記ウエーハの多点の温度を測定する工程と、
　測定結果に基づいてＲＴＰ照明器を制御する工程とを更に含むことを特徴とする半導体装置の集積化製造手順。」
　
（４−３）補正発明と引用発明との対比
（４−３−１）引用発明の「不純物の濃度の低いｐ−型シリコン基板」、「不純物濃度の高い層１４」は、各々補正発明の「シリコン基板からなる半導体基板」、「フリーキャリア吸収層」に相当する。
　そして、引用例の「８）これでウエーハは、ＲＴＰ法による装置の集積化処理の準備ができた。裏面のｐ＋層は、赤外線エネルギーがウエーハを透過するのを防ぐのに用いる。」（００２４段落）という記載から、引用発明の「不純物濃度の高い層１４」は「赤外線エネルギーがウエーハを透過するのを防ぐ」ために設けられたものであることが明らかであるが、ここにおいて、「赤外線エネルギーがウエーハを透過するのを防ぐ」とは、赤外線を吸収することを意味するものであることは当業者にとって明らかであるから、引用発明の「不純物濃度の高い層１４」は、補正発明の「フリーキャリア吸収層」と同様に、赤外線を吸収する機能を有していることが明らかである。
　したがって、引用発明の「不純物の濃度の低いｐ−型シリコン基板に対して、２００−４００ＫｅＶで１ｃｍ２当り５×１０１５から５×１０１６のホウ素原子の注入を行なうことにより、前記基板の裏面に不純物濃度の高い層１４が形成されたウエーハを製造する工程」は、補正発明の「シリコン基板からなる半導体基板内の少なくとも一部に、平均濃度が３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下である不純物を含み、波長が０．２μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にある赤外線を吸収し、厚さが３μｍ以上であるフリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）」に対応しており、両者は「シリコン基板からなる半導体基板内の少なくとも一部に、」「不純物を含み、」「赤外線を吸収」する「フリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）」である点で一致する。
　
（４−３−２）引用発明の「ＲＴＰ照明器」が、赤外線ランプを備えており、赤外線が照射されるものであることは当業者の技術常識であり、また、引用発明の「急速熱処理」があらかじめ計画されたプロセス温度で行われること、すなわち本願発明のように「所定のプロセス温度」で行われることは当業者にとって自明である。
　そして、引用発明において、「前記ウエーハに対して」熱処理を行えば、「前記ウエーハ」を構成する「不純物の濃度の低いｐ−型シリコン基板」に対しても熱処理が行われることは明らかであるから、引用発明の「前記ウエーハに対してＲＴＰ照明器により照射を行うことにより急速熱処理を行う工程」は、補正発明の「上記半導体基板表面の上方から赤外線を照射することにより上記半導体基板に所定のプロセス温度で熱処理を加える工程（ｂ）」に対応しており、両者は、「上記半導体基板表面」に「赤外線を照射することにより上記半導体基板に所定のプロセス温度で熱処理を加える工程（ｂ）」である点で一致する。
　
（４−３−３）引用発明の「前記ウエーハの裏面を調べるための光パイプにより、前記ウエーハの多点の温度を測定する工程と、　測定結果に基づいてＲＴＰ照明器を制御する工程」についてみると、ここにおいて、「前記ウエーハの裏面を調べるための光パイプにより、前記ウエーハの多点の温度を測定する」とは、「前記ウエーハの裏面を調べるための光パイプにより」「前記ウエーハの裏面を調べ」、調べた結果に基づいて「前記ウエーハの多点の温度を測定する」ことを意味するものであることは自明である。
　そして、「前記ウエーハの裏面を調べるための光パイプにより」「前記ウエーハの裏面を調べ」るとは、具体的には、「前記ウエーハの裏面」から発せられる赤外放射光を検知することを意味するものであることは当業者にとって明らかである。
　以上のことを踏まえ、引用発明の「前記ウエーハの裏面を調べるための光パイプにより、前記ウエーハの多点の温度を測定する工程と、　測定結果に基づいてＲＴＰ照明器を制御する工程」と、補正発明の「上記半導体基板の裏面から発せられる赤外放射光を検知する工程（ｂ１）と、　上記赤外放射光の強度から上記半導体基板の温度を測定して上記赤外線の出力を制御する工程（ｂ２）」とを対比すると、引用発明の「前記ウエーハの裏面を調べるための光パイプにより」「前記ウエーハの裏面を調べ」る工程の部分が、補正発明の「上記半導体基板の裏面から発せられる赤外放射光を検知する工程（ｂ１）」に相当し、引用発明の調べた結果に基づいて「前記ウエーハの多点の温度を測定する工程と、　測定結果に基づいてＲＴＰ照明器を制御する工程」の部分が、補正発明の「上記赤外放射光の強度から上記半導体基板の温度を測定して上記赤外線の出力を制御する工程（ｂ２）」に相当するものと認められる。
　また、引用発明の「半導体装置の集積化製造手順」が補正発明の「半導体装置の製造方法」に相当することは、当業者にとって明らかである。
　
（４−３−４）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「シリコン基板からなる半導体基板内の少なくとも一部に、不純物を含み、赤外線を吸収するフリーキャリア吸収層を形成する工程（ａ）と、
　上記半導体基板表面に赤外線を照射することにより上記半導体基板に所定のプロセス温度で熱処理を加える工程（ｂ）とを含み、
　上記工程（ｂ）は、
　上記半導体基板の裏面から発せられる赤外放射光を検知する工程（ｂ１）と、
　上記赤外放射光の強度から上記半導体基板の温度を測定して上記赤外線の出力を制御する工程（ｂ２）とをさらに含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　「フリーキャリア吸収層」に関して、補正発明では、「平均濃度が３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下である不純物を含み、波長が０．２μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にある赤外線を吸収し、厚さが３μｍ以上である」という数値限定がなされているのに対して、引用発明では、「２００−４００ＫｅＶで１ｃｍ２当り５×１０１５から５×１０１６のホウ素原子の注入を行なうことにより」形成された「不純物濃度の高い」ものであるという特定がなされているが、不純物の平均濃度、吸収する赤外線の波長、及び厚さについての数値限定がなされていない点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「上記半導体基板表面の上方から赤外線を照射」しているのに対して、引用発明は、「ＲＴＰ照明器」において、赤外線の照射がどの方向から行われるのかについて特定されていない点。
　
（４−４）相違点についての当審の判断
（４−４−１）相違点１について
（４−４−１−１）引用発明において、「不純物濃度の高い層１４」により「赤外線エネルギーがウエーハを透過するのを防ぐ」（引用例の００２４段落）という所期の目的を達成するためには、当該「不純物濃度の高い層１４」において赤外線の十分な吸収が実現される必要があることは、当業者であれば当然に察知し得たことである。
　
　ところで、一般に、半導体基板を加熱するために用いられる赤外線ランプから発せられる光の波長が、０．数μｍ〜数μｍの範囲にあることは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知文献１及び２に記載されているように、当業者において周知である。
（周知文献１：特開平７−３２１１２０号公報）
　周知文献１には、以下の記載がある。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの熱処理方法に関する。」
　「【００１０】上記昇降温プロファイルにおいて、ランプレートは５０°Ｃ／ｓｅｃ以上であればよい。この昇温速度は非常に速いが、
熱源として波長０．１〜４μｍのランプを用いているため、
　
（周知文献２：特開昭６２−４２５１９号公報）
　周知文献２には、第２図とともに以下の記載がある。
　「
インコヒーレント光線例えばハロゲンランプ光線等は、コヒーレント光であるレーザービーム等と異なり波長に分布を持っている。この波長分布を第２図に示す。例示したインコヒーレント光線の光源は、赤外線照射ハロゲンランプ光であり、横軸に波長（μｍ），縦軸に強度（相対値で、ランプ電圧を１４４Ｖとしたときのピーク強度を１とする。）をとっている
　
また、当該周知文献２の第２図には、赤外線照射ハロゲンランプから発せられる光の波長が、０．数μｍ〜数μｍの範囲にわたっていることが示されている
　
（４−４−１−２）また、一般に、高濃度の不純物層を用いて赤外線を吸収するに当たり、不純物の濃度が高ければ高いほど、また、層が厚ければ厚いほど赤外線の吸収能力が高くなることは当業者にとって自明であるから、当該高濃度の不純物層を形成するに当たり、不純物濃度を十分に高くするとともに、十分厚くすることは、当業者であれば当然に想到し得ることであり、一例として、不純物層の濃度を１０１９〜１０２０ｃｍ−３程度の高濃度とし、層の厚さを数μｍ程度とすることも、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知文献３及び４に記載されているように、当業者において周知である。
（周知文献３：特開平９−１８１３５２号公報）
　周知文献３には、以下の記載がある。
　「【００１７】そして、シリコン基板１１の他面１１ｂには、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等のドナー不純物を高濃度で含んだ不純物含有シリコン層１４が形成されている。この不純物含有シリコン層１４のドナー不純物濃度は、５×１０２０／ｃｍ３以上とされている。この実施形態では、不純物含有シリコン層１４は、シリコン基板１１の他面１１ｂにドナー不純物を拡散して形成されている。」
　「【００２２】
なお、ドナー不純物の拡散処理は、ドナー不純物の濃度が高く、拡散深さが深いほど赤外線の吸収能力を増大することができるが、ドナー不純物の濃度は、上述した５×１０
２０
／ｃｍ
３
で充分であり、拡散深さは、１μｍから５μｍ程度あれば良い。
　
（周知文献４：特開２０００−３５６５４４号公報）
　周知文献４には、図３とともに以下の記載がある。
　「【００５３】図３は本発明の実施の形態の一実施例を、一部を切断して示す構成説明図である。図において、ＳＯＩ基板１を構成するシリコン基板２の表面には、シリコン酸化膜３が形成され、シリコン酸化膜３の上にはシリコン活性層４が形成されている。
【００５４】
本実施例では、このシリコン活性層４に、高濃度（およそ５×１０19／ｃｍ3）の不純物としてボロンをドープして蛇行状の測温部兼赤外線吸収部５を形成している
【００５５】測温部兼赤外線吸収部５の両端には、アルミニウム電極部６，７が設けられている。測温部兼赤外線吸収部５の下部のシリコン基板２とシリコン酸化膜３は、選択的に除去されて中空部８が形成されている。
【００５６】本実施例では、測温部兼赤外線吸収部５の抵抗体幅：１０μｍ、　line:space  １：１　
抵抗体厚：１．７μｍ
　
（４−４−１−３）したがって、上記周知技術を勘案すれば、引用発明において、赤外線を有効に吸収させるために、「不純物濃度の高い層１４」について、不純物の平均濃度として「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」の値を採用すること、吸収する赤外線の波長（当該波長の光には、赤外線領域外の光も含まれているが、補正発明に倣ってこのように記載する。）として「０．２μｍ以上５．０μｍ以下」の値を採用すること、及び厚さとして「３μｍ以上」の値を採用することは、いずれも当業者にとって特段の困難性はない（引用発明において特定されている「２００−４００ＫｅＶで１ｃｍ２当り５×１０１５から５×１０１６のホウ素原子の注入」という「不純物濃度の高い層１４」の形成方法とも当然矛盾しない。）事項である。
　
（４−４−１−４）次に、補正発明において、「フリーキャリア吸収層」の平均濃度、吸収する赤外線の波長及び厚さに関してなされている「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」、「０．２μｍ以上５．０μｍ以下」及び「３μｍ以上」という、３つの数値限定により顕著な効果が生じているか否かについて検討する。
　検討に先立ち、引用発明についてみると、引用発明も、「不純物濃度の高い層１４」を設けることにより、赤外線を吸収させ、均一で再現性のよい裏面放射率を実現することにより、ＲＴＰにおける正確な温度の測定と制御を目指したものであるから、赤外線を有効に吸収させるために、「不純物濃度の高い層１４」について、「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」の不純物の平均濃度、「０．２μｍ以上５．０μｍ以下」の吸収する赤外線の波長、及び「３μｍ以上」の厚さを採用すれば、本願の図３及び明細書の００４９段落に記載されているような、予熱段階におけるウエハ面内での温度のばらつきを軽減するという効果を奏することは、当業者であれば当然に予測できたものである。
　そこで、補正発明において、「フリーキャリア吸収層」の平均濃度、吸収する赤外線の波長及び厚さに関してなされている「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」、「０．２μｍ以上５．０μｍ以下」及び「３μｍ以上」という、３つの数値限定により、当業者の予測を超える顕著な効果が生じているか否かについて検討する。
　
（４−４−１−５）本願明細書の発明の詳細な説明において、上に述べた３つの数値限定と効果との関係について、図４とともに以下の記載がある。
　「【００５９】
　次に、フリーキャリア吸収層２の適正な厚さについて行った検討結果を説明する。
　　【００６０】
　
図４は、フリーキャリア吸収層の厚さと基板温度のばらつきとの関係を示す図である。図中で「Pre-Heat」と示すのは昇温段階での温度のばらつきであり、「Process」と示すのはプロセス温度処理段階での温度ばらつきである。なお、フリーキャリア吸収層に含まれる平均不純物濃度は３×１０
１８
ｃｍ
−３
である
　　【００６１】
　
図４から分かるように、昇温段階においては、フリーキャリア吸収層の厚さが３μｍを境にして基板温度のばらつき具合が大きく異なっている。すなわち、厚さが３μｍ以上の場合、基板温度のばらつきは２〜３℃以内でほぼ一定になっている
　　【００６２】
　
プロセス温度処理段階でも、昇温段階と同じく、フリーキャリア吸収層の厚さが３μｍ未満では温度のばらつきが大きいが、３μｍ以上では温度のばらつきは約０．２℃以内でほぼ一定になっている
　　【００６３】
　
この結果から、フリーキャリア吸収層の厚さは、３μｍであることが最も好ましいことが分かった。ただし、基板温度のばらつきが３℃程度でも半導体装置の製造に有用であるので、フリーキャリア吸収層の厚さは１μｍ以上であればよい
　　【００６４】
　一方、フリーキャリア吸収層に適した不純物濃度の範囲は３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下である。一般に、フリーキャリア吸収が起こる不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３以上とされており、また、５×１０２２ｃｍ−３がＳｉ中の不純物の固溶限界であるからである。
　　【００６５】
  また、フリーキャリア吸収はｐ型、ｎ型どちらの不純物でも起こるため、本実施形態の方法におけるフリーキャリア吸収層中の不純物は、ｐ型、ｎ型どちらでもよい。不純物としては、Ｐ（リン）の他、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂ（ボロン）、Ｉｎ（インジウム）などが用いられる。
　　【００６６】
　また、フリーキャリア吸収層２は半導体基板１の下部に限らず内部や上部に設けられていても、赤外光を吸収する能力は同じである。」
　
　以上の記載によれば、平均不純物濃度が３×１０１８ｃｍ−３である「フリーキャリア吸収層」については、その厚さが、３μｍを境として、それよりも厚い場合に、薄い場合と比較して基板温度のばらつきが非常に少なくなるという効果を有するものと認められる。
　しかしながら、基板温度のばらつきが非常に少なくなるのは、「フリーキャリア吸収層」の平均不純物濃度を３×１０１８ｃｍ−３とした場合であって、本願明細書及び図面を精査しても、補正発明のように、「フリーキャリア吸収層」の平均不純物濃度が「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」という範囲にある場合において、平均不純物濃度が３×１０１８ｃｍ−３である場合と同様に、当該「フリーキャリア吸収層」の厚さが、３μｍを境として、それよりも厚いと基板温度のばらつきが非常に少なくなることは、本願の明細書又は図面に記載されておらず、また、当業者にとって自明な事項とも認められない。
　したがって、補正発明において、「フリーキャリア吸収層」の平均濃度、吸収する赤外線の波長及び厚さに関してなされている「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」、「０．２μｍ以上５．０μｍ以下」及び「３μｍ以上」という、３つの数値限定による効果は、当業者が当然に予測できた程度のものであり、それを超えるような顕著な効果が生じているとは認められない。
　
　以上のとおりであるから、補正発明において、「フリーキャリア吸収層」の平均濃度、吸収する赤外線の波長及び厚さに関してなされている「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」、「０．２μｍ以上５．０μｍ以下」及び「３μｍ以上」という３つの数値限定が臨界的意義を有しているとは認められない。
　
（４−４−１−６）以上検討したとおり、引用発明において、赤外線を有効に吸収させるために、「不純物濃度の高い層１４」について、不純物の平均濃度として「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」の値を採用すること、吸収する赤外線の波長として「０．２μｍ以上５．０μｍ以下」の値を採用すること、及び厚さとして「３μｍ以上」の値を採用することは、周知技術を勘案すれば、当業者にとって特段の困難性はなく、かつ、「フリーキャリア吸収層」の平均濃度、吸収する赤外線の波長及び厚さに関してなされている「３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下」、「０．２μｍ以上５．０μｍ以下」及び「３μｍ以上」という数値限定は臨界的意義を有しないから、引用発明において、「不純物濃度の高い層１４」を、補正発明のように、「平均濃度が３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下である不純物を含み、波長が０．２μｍ以上５．０μｍ以下の範囲にある赤外線を吸収し、厚さが３μｍ以上である」ものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点１は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４−２）相違点２について
（４−４−２−１）一般に、ＲＴＰのためにウエハを赤外線で加熱するに当たり、加熱用の赤外線を上方から照射することは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−７７０３７号公報（以下「周知文献５」という。）の図１にも記載されているように、当業者における周知技術（赤外線の照射手法として、最もよく用いられるものの一つ）である。
　したがって、当該周知技術を勘案すれば、引用発明において、本願発明のように、「上記半導体基板表面の上方から赤外線を照射」する構成とすることは、当業者が容易になし得たことであり、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４−２−２）なお、これに関連して、審判請求人は、前記回答書の（２）（ｂ）において、補正発明が進歩性を有することの根拠として、「半導体基板の表面から赤外線を照射した場合、表面側に位置する膜がまず加熱され、表面部を透過した光がフリーキャリア濃度の高い基板を加熱し、最終的には基板からの熱伝導によりウエハは一定温度になります。　しかし、裏面から照射した場合、光は基板のフリーキャリア濃度の高い部分ですべて吸収され、表面側の膜には到達しません。この場合、表面側の膜は基板からの熱伝導のみによって加熱されます。長時間経過後にはどちらの場合も表面側の膜の温度は同じになりますが、ＲＴＰのごとき過渡的な処理（数秒〜数十秒）ではこの差は致命的な差となりえます。よって本願発明で光を基板の上方から照射することには意味があり、引用文献１の方法では得られない大きな効果が期待できます。」と主張している。
　
　そこで、これについて検討すると、補正発明においては、「フリーキャリア吸収層」を形成する箇所は、「半導体基板内の少なくとも一部」であって、半導体基板の裏面ではないから、審判請求人が主張する効果は、補正発明の構成と対応しないものであり、採用することができない。
　また、仮に、補正発明において、「フリーキャリア吸収層」が半導体基板の裏面に形成されるものであるとみなした場合であっても、上方から赤外線を照射した方が、下方から赤外線を照射した場合に比べて、基板の表面側に赤外線が当たるため、より急速に基板表面側を加熱することができるという程度のことは、当業者であれば即座に察知し得たものと認められるから、審判請求人の主張は採用できない。
　
（４−４−３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明と引用発明との相違点は、周知技術を勘案することにより、当業者が容易になし得た範囲に含まれるものであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下の決定についてのむすび
　以上、検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年１２月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成１９年７月２３日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記２．（１）の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平７−２７２９９０号公報（引用例）には、上記２．（４−２）に記載したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記２．（４）において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。