【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載のプラズマ処理方法は、処理容器内で高誘電率絶縁膜、並びに窒化珪素膜又はＳｉＯ２膜を有する基板において、処理ガスのプラズマを用いて前記高誘電率絶縁膜をエッチングするプラズマ処理方法であって、前記処理容器内に前記基板を搬入し、前記処理容器内にハロゲン化合物ガス、還元ガス、希ガス及びキセノンガスを含む前記処理ガスを供給し、前記処理容器内で前記処理ガスから前記プラズマを生成し、前記プラズマにより前記高誘電率絶縁膜をエッチングし、前記高誘電率絶縁膜のエッチングでは、前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが、前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ、前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２記載のプラズマ処理方法は、請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記希ガスはヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス及びクリプトンガスからなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３記載のプラズマ処理方法は、請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記還元ガスは水素ガス、一酸化炭素ガス、及びメタンガスからなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４記載のプラズマ処理方法は、請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記ハロゲン化合物ガスはＣ４Ｆ８ガスであり、前記還元ガスは一酸化炭素ガスであり、前記希ガスはアルゴンガスであることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５記載のプラズマ処理方法は、請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記ハロゲン化合物ガスはＣ４Ｆ８ガスであり、前記還元ガスは水素ガスであり、前記希ガスはアルゴンガスであることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項６記載のプラズマ処理方法は、請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記高誘電率絶縁膜は、ハフニウム酸化膜、ジルコニウム酸化膜、及びアルミニウム酸化膜からなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項７記載のプラズマ処理方法は、コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって、前記処理ガスはハロゲンガス、希ガス、及び還元ガスを含むことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項８記載のプラズマ処理方法は、請求項７記載のプラズマ処理方法において、前記希ガスはヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、及びキセノンガスからなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項９記載のプラズマ処理方法は、請求項７又は８記載のプラズマ処理方法において、前記還元ガスは水素ガス、一酸化炭素ガス、及びメタンガスからなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項１０記載のプラズマ処理方法は、請求項７乃至９のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法において、前記ハロゲンガスはフッ素、塩素、及び臭素からなる群から選択された少なくとも１つを含む化合物のガスであることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１１記載のプラズマ処理方法は、請求項７記載のプラズマ処理方法において、前記処理ガスはフッ素化合物のガス、一酸化炭素ガス、及びキセノンガスを少なくとも含むことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記目的を達成するために、請求項１２記載の記憶媒体は、コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記処理ガスはハロゲンガス、希ガス、及び還元ガスを含むことを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記目的を達成するために、請求項１３記載のプラズマ処理装置は、コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理装置であって、前記処理ガスはハロゲンガス、希ガス、及び還元ガスを含むことを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内で高誘電率絶縁膜、並びに窒化珪素膜又はＳｉＯ２膜を有する基板において、処理ガスのプラズマを用いて前記高誘電率絶縁膜をエッチングするプラズマ処理方法であって、
前記処理容器内に前記基板を搬入し、
前記処理容器内にハロゲン化合物ガス、還元ガス、希ガス及びキセノンガスを含む前記処理ガスを供給し、
前記処理容器内で前記処理ガスから前記プラズマを生成し、前記プラズマにより前記高誘電率絶縁膜をエッチングし、
前記高誘電率絶縁膜のエッチングでは、前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが、前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ、前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記希ガスはヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス及びクリプトンガスからなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記還元ガスは水素ガス、一酸化炭素ガス、及びメタンガスからなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記ハロゲン化合物ガスはＣ４Ｆ８ガスであり、前記還元ガスは一酸化炭素ガスであり、前記希ガスはアルゴンガスであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記ハロゲン化合物ガスはＣ４Ｆ８ガスであり、前記還元ガスは水素ガスであり、前記希ガスはアルゴンガスであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記高誘電率絶縁膜は、ハフニウム酸化膜、ジルコニウム酸化膜、及びアルミニウム酸化膜からなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記処理ガスはハロゲンガス、希ガス、及び還元ガスを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記希ガスはヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、及びキセノンガスからなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記還元ガスは水素ガス、一酸化炭素ガス、及びメタンガスからなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項７又は８記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記ハロゲンガスはフッ素、塩素、及び臭素からなる群から選択された少なくとも１つを含む化合物のガスであることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記処理ガスはフッ素化合物のガス、一酸化炭素ガス、及びキセノンガスを少なくとも含むことを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記処理ガスはハロゲンガス、希ガス、及び還元ガスを含むことを特徴とする記憶媒体。
【請求項１３】
コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記処理ガスはハロゲンガス、希ガス、及び還元ガスを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。