【事件の表示】
　平成１０年特許願第１１６９６６号「太陽電池素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月　５日出願公開、特開平１１−３０７７９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年４月２７日に出願された特許出願であって、平成１６年１０月１５日付で拒絶査定がなされたところ、同年１１月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同年１２月２２日に手続補正がなされ、これに対し、当審において、平成１９年５月１４日付で平成１６年１２月２２日の手続補正を却下するとともに同日付で拒絶理由を通知したところ、平成１９年７月２０日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１９年７月２０日の手続補正についての補正の却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　　平成１９年７月２０日の手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正の内容
　平成１９年７月２０日の手続補正は特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】　一導電型半導体不純物を含有する多結晶シリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、この多結晶シリコン基板の表面側と裏面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記多結晶シリコン基板の表面側に、反応性イオンエッチング法により幅と高さがそれぞれ２μｍ以下でアスペクト比が０．１〜２である微細な突起を多数設けると共に、厚み５０Å以上の窒化シリコン膜から成る反射防止膜を形成し、この反射防止膜を透過し前記微細な突起を有する前記多結晶シリコン基板の前記表面と接着するように前記電極を形成したことを特徴とする太陽電池素子。」（以下、「本願補正発明」という。）と補正することを含むものである。
　　
　本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができるかについて以下に検討する。
　　
（２）刊行物記載の発明
　原審で引用した刊行物１：特開平９−１０２６２５号公報には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１２】
【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｈ）は請求項１に係る太陽電池素子の製造工程を示す図である。まず、同図（ａ）に示すように、０．２〜１．０ｍｍ程度の厚みを有する半導体基板１を用意する。この半導体基板１は、ＣＺ法、ＦＺ法、ＥＦＧ法、或いは鋳造法などで形成された単結晶又は多結晶のシリコンをスライスして形成され、例えばボロン（Ｂ）等のＰ型不純物を含有する。
【００１３】
　次に、同図（ｂ）に示すように、半導体基板１の表面側に微小な凹凸部１ｂを形成する。この微小な凹凸部１ｂは、半導体基板１の表面にマスクを散点状に形成して例えばプラズマエッチング法、スパッタリング法、或いはイオンビームエッチング法などで形成される。・・・
　
【００１５】
　次に、同図（ｃ）に示すように、半導体基板１の表面部分にＮ層１ａを設け、ＰＮ接合部を形成する。Ｎ層１ａの深さは２０００Å〜１μｍ程度である。このＮ層１ａはリンを含む気体例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）等を用いることにより形成する。
【００１６】
　次に、同図（ｄ）に示すように、半導体基板１の表面側のＮ層１ａのみを残して他の部分を除去する。・・・
【００１７】
　次に、同図（ｅ）に示すように、半導体基板１の裏面側の全面にアルミニウムペースト４を塗布して焼き付けることにより、半導体基板１の裏面側にＰ＋領域１ｃを形成する。
【００１８】
　次に、同図（ｆ）に示すように、半導体基板１の裏面側に塗布したアルミニウムペースト４をエッチング除去した後、半導体基板１の表面側に反射防止膜２を形成する。この反射防止膜２は半導体基板１に入射される光を効率よく吸収するための膜であり、その厚みが５００〜１０００Å、屈折率が１．９０〜２．３０程度になるように形成される。・・・この反射防止膜２の材料としては窒化シリコン膜の他に、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）などがある。
【００１９】
　次に、同図（ｇ）に示すように、半導体基板１の表面側に形成した反射防止膜２を表面電極５の形状に応じて除去する。すなわち、表面電極５のパターンと逆パターンを形づくるように反射防止膜２を除去する。
【００２０】
　次に、同図（ｈ）に示すように、半導体基板１の表面側及び裏面側に表面電極５及び裏面電極６を形成する。表面電極５及び裏面電極６は、Ａｇ粉末を主成分とするペーストを半導体基板１の表面及び裏面に厚膜手法で塗布して加熱焼成することにより形成する。」
　
　上記によれば、刊行物１には、
「Ｐ型不純物を含有する単結晶又は多結晶のシリコンをスライスして形成された半導体基板の表面側にリンを含む気体を用いてＮ層を形成し、この半導体基板の表面側及び裏面側に表面電極及び裏面電極を形成した太陽電池素子において、前記半導体基板の表面側に微小な凹凸部をイオンビームエッチング法などで形成すると共に、厚みが５００〜１０００Åの窒化シリコン膜からなる反射防止膜を形成し、該反射防止膜を表面電極の形状に応じて除去し、その部分にＡｇ粉末を主成分とするペーストを厚膜手法で塗布して加熱焼成することにより前記表面電極を形成した太陽電池素子。」なる発明（以下、「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
　また、原審で引用した刊行物２：K.Fukui et al., Surface texturing using reactive ion etching for multicrystalline silicon solar cells, IEEE 26th Photovoltaic Specialists Conference, 1997, pp.47 - 50には、
「ｐ型多結晶シリコン基板の表面側にｎ型半導体不純物を含有させた太陽電池素子において、多結晶シリコン基板のＲＩＥ法（反応性イオンエッチング法）による最適なテクスチャ構造として、円錐の高さが約０．２〜０．４μｍ、底が約０．３〜０．５μｍである太陽電池素子。」なる発明が開示されていると認められる（特に、４９頁左下の記載を参照）。
　　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　（ア）引用発明の「半導体基板」は、「Ｐ型不純物を含有する単結晶又は多結晶のシリコンをスライスして形成され」ているから、本願補正発明の「一導電型半導体不純物を含有する」「多結晶シリコン基板」に相当する。
　（イ）引用発明の「半導体基板の表面側にリンを含む気体を用いてＮ層を形成し」は、本願補正発明の多結晶シリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させ」に相当することは明らかである。
　（ウ）引用発明の「微小な凹凸部」は、本願補正発明の「微細な突起」に相当する。
　（エ）引用発明の「厚みが５００〜１０００Åの窒化シリコン膜からなる反射防止膜」は、本願補正発明の「厚み５０Å以上の窒化シリコン膜から成る反射防止膜」に相当する。
　（オ）引用発明の「表面電極」は、「該反射防止膜を表面電極の形状に応じて除去し、その部分にＡｇ粉末を主成分とするペーストを厚膜手法で塗布して加熱焼成することにより」形成されたものであるから、当該「表面電極」が、微細な突起を有する多結晶シリコン基板の前記表面と接着するように形成されていることは明らかであり、その意味で、引用発明は、本願補正発明の「前記微細な突起を有する前記多結晶シリコン基板の前記表面と接着するように前記電極を形成した」との事項を有する。
　
　よって、両者は、
「一導電型半導体不純物を含有する多結晶シリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、このシリコン基板の表面側と裏面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の表面側に微細な突起を多数設けると共に、厚み５０Å以上の窒化シリコン膜から成る反射防止膜を形成し、前記微細な突起を有する前記多結晶シリコン基板の前記表面と接着するように前記電極を形成した太陽電池素子。」の発明で一致し、下記の点で相違する。
　
 [相違点１]
　本願補正発明は、微細な突起の寸法を、反応性イオンエッチング法により幅と高さがそれぞれ２μｍ以下でアスペクト比が０．１〜２であると規定しているのに対して、引用発明は、微細な突起をイオンビームエッチング法などで形成しているものの、このような具体的な寸法が不明である点。
　
 [相違点２]
　本願補正発明では、表面側の電極を反射防止膜を透過し微細な突起を有する多結晶シリコン基板の表面と接着するように形成したのに対して、引用発明では、反射防止膜を表面電極の形状に応じて除去し、その部分に電極を形成した点。
　
（４）判断
　[相違点１]について
　上記刊行物２には、本願補正発明と類似の構成を有する太陽電池素子において、シリコン基板のＲＩＥ法（反応性イオンエッチング法）による最適なテクスチャ構造として、円錐の高さが約０．２〜０．４μｍ、底が約０．３〜０．５μｍであることが記載されている（上記（２）を参照）。これをアスペクト比（突起の幅／高さ）に換算すると、０．７５〜２．５となる。
　そうしてみると、刊行物２には、突起の幅と高さがそれぞれ２μｍ以下のものが記載され、アスペクト比も本願補正発明の範囲（０．１〜２）と重複したものが示されているということができる。
　そして、このようなテクスチャ構造は、本願明細書【００１５】にも記載されているように、ＲＩＥ法によるガス濃度若しくはエッチング時間の制御により容易にコントロールできるものであるから、本願補正発明のアスペクト比の範囲は望ましい反射率と製造過程で必要とされる強度に応じて適宜設定すべき程度のものに過ぎない。
　また、引用発明は、微小な凹凸部をイオンビームエッチング法（ＲＩＥ法が含まれる。）などで形成しているのであるから、この微小な凹凸の高さと幅及びアスペクト比を反応性イオンエッチング法により形成し、本願補正発明の上記相違点１の範囲となすことは上記刊行物２の記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
　[相違点２]について
　この種、太陽電池素子の表面電極を、反射防止膜上に銀ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、反射防止膜を透過し微細な突起を有する多結晶シリコン基板の表面と接着するように形成することは従来周知の技術（例えば、刊行物３：特開平９−２１３９７９号公報（【０００８】、【００４３】を参照。）及び刊行物４：特開平６−２０９１１５号公報（【０００４】、【００１６】を参照。）などに記載されている。）である。
　また、本願明細書の記載によれば、本願補正発明が上記周知技術を採用した理由としては、「【０００５】　一方、表面が平坦な太陽電池では、シリコン基板上に反射防止膜として８５０Å程度の厚みを有する窒化シリコン膜を形成し、この窒化シリコン膜における電極形成部を弗酸（ＨＦ）などで除去して、この部分に銀ペーストをプリントして焼成することにより、電極を形成していた。
【０００６】　ところが、窒化シリコン膜のパターン抜きを行って電極を形成する場合、工程が多いために作業が煩雑となり、例えば窒化シリコン膜のパターン抜き部分に銀ペーストをプリントする際には、位置合わせが必要となり、この位置ずれなどは歩留りを低下させる要因となる。また、パターン抜き工程でも、プリンターや処理ラインなどの高価な設備を必要とする。
　・・・・（中略）・・・・
【０００９】　本発明はこのような従来技術に鑑みてなされたものであり、表面が微細な凹凸構造を有するシリコン基板上に形成される反射防止膜のパターニングの煩雑を解消する・・・」点にあったことが理解できる。
　そうすると、本願補正発明の上記従来技術に相当し、それゆえ本願補正発明と同様な上記課題を有すると解される引用発明が、かかる課題を解決すべく上記周知技術を採用するに至る、十分な動機ないしは理由を有することは明らかである。
　したがって、引用発明の表面電極を、反射防止膜を表面電極の形状に応じて除去しその部分に形成する代わりに、上記刊行物３，４に記載された従来周知の技術を用いて形成することは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、上記刊行物１及び２記載のもの及び上記刊行物３，４に記載された従来周知の技術から予想される程度のものであって、格別とはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１及び２記載の発明及び上記刊行物３，４に記載された従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は、平成１９年７月２０日に提出した意見書において、「引用文献３に記載された技術は、ミラー指数（１００）の結晶面に平行な主面を有するｐ型シリコン基板１の表面が、水酸化ナトリウムとイソプロピルアルコールを含む水溶液中でエッチング処理されたものです（段落００３８）。従いまして、表面に微細な凹凸が形成されていないシリコン基板を用いる引用文献３に記載された技術と、引用文献１，２に記載された発明とを組み合わせる動機付けは存在せず、引用文献１，２と引用文献３とを組み合わせることはできません。」などと主張する。
　そこで、請求人の上記主張について検討するに、刊行物３（請求人のいう引用文献３）には、以下のような事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】　図８および図９は、従来の太陽電池セルの製造工程を説明するための概略的な断面図である。
【０００３】　まず、図８（Ａ）において、ミラー指数（１００）の結晶面に平行な主面を有しかつ約０．４ｍｍの厚さを有するｐ型シリコン基板１が用意される。このシリコン基板１は数％の水酸化ナトリウムとイソプロピルアルコールを含む約８０℃の水溶液中で約３０分間エッチング処理され、基板表面の歪みが除去されるとともに、基板１の主面は図８（Ａ）中の丸印１Ａ内で拡大されて示されているようなピラミッド状の凹凸形状にされる。このエッチングはテクスチャーエッチングと呼ばれ、ピラミッド状の凹凸形状１Ａは、基板１の主面における光反射を減少させて基板１内へ光を取入れる効率を改善するものである。
【０００４】　図８（Ｂ）においては、約１０００℃における約３０分間の熱処理によって、ｎ型不純物（一般にはリン）を基板１から拡散させてｎ＋層２を形成し、それによって、ｐ型基板１とｎ＋層２との間にｐｎ接合が形成される。
【０００５】　図８（Ｃ）において、公知のスプレー方法を利用して、基板１の受光面となる前面上に金属酸化物からなる反射防止膜３が形成される。
　・・・・（中略）・・・・
【０００７】　図９（Ａ）において、銀ペーストとアルミペーストを基板１の背面にスクリーン印刷して７００℃〜８００℃で焼成することによって、背面銀電極４と背面アルミ電極５が形成される。このとき同時に、ｐ＋層６が形成され、これはキャリアを効率的に収集するように働く。
【０００８】　図９（Ｂ）において、銀ペーストを反射防止膜３上にスクリーン印刷して７００℃〜７５０℃で焼成し、前面銀電極７が形成される。この焼成の間、銀ペーストは反射防止膜３と反応して貫通し、ｎ＋層２と接合する。」
　上記記載によれば、上記周知技術がテクスチャー構造（微細な突起）を有するシリコン基板に適用されていることは明らかであるから、「表面に微細な凹凸が形成されていないシリコン基板を用いる引用文献３に記載された技術と、引用文献１，２に記載された発明とを組み合わせる動機付けは存在」しないとの請求人の上記主張は失当であり、採用することができない。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１９年７月２０日の手続補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年９月２４日の手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
　　
「【請求項１】　一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、このシリコン基板の表面側と裏面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の表面側に幅と高さがそれぞれ２μｍ以下でアスペクト比が０．１〜２である微細な突起を多数設けると共に、厚み５０Å以上の窒化シリコン膜から成る反射防止膜を形成し、この反射防止膜を透過するように前記電極を形成したことを特徴とする太陽電池素子。」
　　
（２）刊行物の記載事項
　原審の拒絶の理由で引用した刊行物１，２およびその記載事項は、上記「２．（２）」に、また、当審の拒絶の理由で引用した周知技術（刊行物３，４）は上記「２．（４）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、「シリコン基板」および「電極」に関し、それぞれ本願補正発明の「多結晶」および「前記微細な突起を有する前記多結晶シリコン基板の前記表面と接着」との事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１，２に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。