【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にフィン型半導体領域を形成する工程（ａ）と、
半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する第１の不純物をプラズマドーピング法によって前記フィン型半導体領域の上部及び側部に導入する工程（ｂ）と、
第２の不純物として酸素又は窒素を前記フィン型半導体領域の上部及び側部に導入する工程（ｃ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）でプラズマドーピング法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）でイオン注入法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）の両工程が終了した後に、
前記フィン型半導体領域の上部を除去する工程（ｄ）をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｄ）でウェットエッチング法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｄ）でドライエッチング法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）の両工程が終了した時点で、前記フィン型半導体領域の側部の抵抗は、前記フィン型半導体領域の上部の抵抗と比べて同等以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ａ）の後で且つ前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）の両工程の前に、
前記半導体領域の所定の部分における少なくとも側面上にゲート絶縁膜を形成する工程（ｅ）と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程（ｆ）とをさらに備え、
前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）では、前記第１の不純物及び前記第２の不純物を、前記ゲート電極の外側に位置する前記フィン型半導体領域に導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の不純物はボロン、リン又は砒素であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上にフィン型半導体領域を形成する工程（ａ）と、
半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する第１の不純物をプラズマドーピング法によって前記フィン型半導体領域の上部及び側部に導入する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、前記フィン型半導体領域の上部を除去する工程（ｃ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）でドライエッチング法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）が終了した時点で、前記フィン型半導体領域の側部の抵抗は、前記フィン型半導体領域の上部の抵抗と比べて同等以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ａ）の後で且つ前記工程（ｂ）の前に、
前記半導体領域の所定の部分における少なくとも側面上にゲート絶縁膜を形成する工程（ｄ）と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程（ｅ）とをさらに備え、
前記工程（ｂ）では、前記第１の不純物を、前記ゲート電極の外側に位置する前記フィン型半導体領域に導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の不純物はボロン、リン又は砒素であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記フィン型半導体領域は、前記基板上に形成された絶縁層上に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記フィン型半導体領域はシリコンからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
基板上に形成されたフィン型半導体領域を備えた半導体装置であって、
前記フィン型半導体領域の上部及び側部に、半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する第１の不純物が導入されていると共に、前記フィン型半導体領域の上部及び側部に、第２の不純物として酸素又は窒素がさらに導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体装置において、
前記フィン型半導体領域の側部の抵抗は、前記フィン型半導体領域の上部の抵抗と比べて同等以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７又は１８に記載の半導体装置において、
前記フィン型半導体領域の上部には、前記第２の不純物が導入されることにより絶縁物領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記フィン型半導体領域は、前記基板上に形成された絶縁層上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記フィン型半導体領域の所定の部分における少なくとも側面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とをさらに備え、
前記第１の不純物及び前記第２の不純物は、前記ゲート電極の外側に位置する前記フィン型半導体領域に導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の半導体装置において、
前記ゲート電極の外側に位置する前記フィン型半導体領域の側部には、前記第１の不純物が導入されることによりエクステンション領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項２２に記載の半導体装置において、
前記ゲート電極の側面上に形成された絶縁性サイドウォールスペーサをさらに備え、
前記エクステンション領域は、前記フィン型半導体領域における前記絶縁性サイドウォールスペーサにより覆われている部分に形成されており、
前記絶縁性サイドウォールスペーサの外側に位置する前記フィン型半導体領域の側部には、前記第１の不純物が導入されることによりソース・ドレイン領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１７〜２３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記フィン型半導体領域はシリコンからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項１７〜２４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１の不純物はボロン、リン又は砒素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する第１の不純物をプラズマドーピング法によって被処理体に導入する第１のプラズマドーピング装置と、
第２の不純物として酸素又は窒素をプラズマドーピング法によって前記被処理体に導入する第２のプラズマドーピング装置とを備えていることを特徴とするプラズマドーピングシステム。
【請求項２７】
半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する第１の不純物をプラズマドーピング法によって被処理体に導入するプラズマドーピング装置と、
第２の不純物として酸素又は窒素をイオン注入法によって前記被処理体に導入するイオン注入装置とを備えていることを特徴とするプラズマドーピングシステム。
【請求項２８】
請求項２６又は２７に記載のプラズマドーピングシステムにおいて、
前記被処理体に対してドライエッチングを行うドライエッチング装置をさらに備えていることを特徴とするプラズマドーピングシステム。
【請求項２９】
半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する第１の不純物をプラズマドーピング法によって被処理体に導入するプラズマドーピング装置と、
前記被処理体に対してドライエッチングを行うドライエッチング装置とを備えていることを特徴とするプラズマドーピングシステム。
【請求項３０】
基板上にフィン型半導体領域を形成する工程（ａ）と、
半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する不純物、及び酸素をプラズマドーピング法によって前記フィン型半導体領域の上部及び側部に導入する工程（ｂ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
基板上に形成されたフィン型半導体領域を備えた半導体装置であって、
前記フィン型半導体領域の上部及び側部に、半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する不純物、及び酸素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３２】
半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する不純物、及び酸素をプラズマドーピング法によって被処理体に導入することを特徴とするプラズマドーピングシステム。