【事件の表示】
　平成１１年特許願第１８３９０８号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月１９日出願公開、特開２００１−　１５４７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１１年６月２９日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、平成１６年９月２７日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
　
「【請求項１】半導体基板上に形成された被処理膜上に、溶解液に可溶な可溶性薄膜を形成する工程と、
　前記可溶性薄膜上に、マスク層を形成する工程と、
　前記マスク層上に所望のパターンのレジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンの上面をエッチングしつつ、前記マスク層に該レジストパターンのパターンを転写する工程と、
　残存する前記レジストパターン又は前記マスク層の上面をエッチングしつつ、前記可溶性薄膜及び被処理基板に前記レジストパターン及びマスク層のパターンを転写する工程と、
　前記溶解液を用いて前記可溶性薄膜を除去すると共に、前記マスク層をリフトオフする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
　前記可溶性薄膜が、タングステン酸化物，アルミ酸化物，チタン酸化物，或いはチタン窒化物であり、
　前記溶解液が水またはアルカリ性溶液であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項 
 　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された特開平６−２３７１３６号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。 
  
（１）刊行物（特開平６−２３７１３６号公報）
（１ａ）「【特許請求の範囲】【請求項１】下地（１）上の被エッチング膜（２）を第１レジスト膜（４）で覆い、かつ、該第１レジスト膜（４）上に被エッチング膜（２）との選択比が高い高選択比薄膜（５）を堆積した後、該高選択比薄膜（５）を第２レジスト膜（６）で覆う工程と、
　第２レジスト膜（６）をパターニングした後、該第２レジスト膜（６）をマスクとして高選択比薄膜（５）をエッチングする工程と、第２レジスト膜（６）を剥離した後、高選択比薄膜（５）を介して第１レジスト膜（４）をパターニングする工程と、
　高選択比薄膜（５）をマスクとして被エッチング膜（２）を反応性イオン・エッチングする工程と、
　第１レジスト膜（４）の剥離と同時に、高選択比薄膜（５）を除去する工程とを含むことを特徴とする電子部品素子の製造方法。」
　
（１ｂ）「【０００５】本発明は、これらの不都合に鑑みて創案されたものであって、膜厚が３μｍ以上と厚い酸化膜や金属膜などによっても微細なパターンを精度よく形成することができる製造方法の提供を目的としている。」
　
（１ｃ）「【００１０】本実施例方法においては、まず、図１（ａ）で示すように、下地であるセラミック製の素子基板１を用意し、スパッタリングによって素子基板１の表面上に膜厚が１０μｍ程度とされた被エッチング膜であるＳｉＯ2膜２を堆積した後、このＳｉＯ2膜２上を全面的に覆う膜厚１μｍ程度の第１レジスト膜４をポジ型フォトレジストの塗布・乾燥によって形成する。そして、引き続き、この第１レジスト膜４上に、ＳｉＯ2 膜２との選択比が高い金属材料、例えば、１００以上の選択比を有するアルミニウム（Ａｌ）からなる膜厚３０００Å（オングストローム）程度の高選択比薄膜５を蒸着などの手法によって形成した後、さらに、この高選択比薄膜５上にポジ型フォトレジストを塗布したうえで乾燥させることによって膜厚が１μｍ程度となった第２レジスト膜６を形成する。
【００１１】次に、図１（ｂ）で示すように、最上部に位置する第２レジスト膜６の露光・現像によるパターニングを行った後、パターニングされた第２レジスト膜６をマスクとしたうえでの高選択比薄膜５のエッチングを行う。・・・
【００１２】さらに、図１（ｃ）で示すように、全面的な露光及び現像、または、いわゆるドライ現像（Ｏ2ＲＩＥ）を行うことによって第２レジスト膜６を高選択比薄膜５から剥離した後、この高選択比薄膜５を介しての第１レジスト膜４に対するパターニングを行う。その後、図１（ｄ）で示すように、パターンが形成された高選択比薄膜５をマスクとしたうえでＳｉＯ2膜２をフッ素系のプラズマによってＲＩＥすると、このＳｉＯ2膜２には所望形状のパターンが形成される。・・・
【００１３】そこで、引き続き、素子基板１をアセトンなどのような剥離液中に浸漬したうえで超音波振動を加える。すると、図１（ｅ）で示すように、ＳｉＯ2膜２上に残っていた第１レジスト膜４が剥離されると同時に、この第１レジスト膜４上に形成されていた高選択比薄膜５が第１レジスト膜４とともに除去されてしまうことになり、素子基板１の表面上にはＳｉＯ2 膜２からなるパターンのみが残ることになる。」
　
（１ｄ）「【００１４】なお、本実施例においては下地が素子基板１であるものとしているが、これに限られることはなく、例えば、素子基板の表面上を覆って形成された電極膜や中間膜を下地とすることも可能であり、これらの材質はセラミック，水晶やＳｉＯ2，Ｓｉなどのいずれであっても差し支えない。また、ＳｉＯ2膜２のみが被エッチング膜になるとは限らないのも勿論である。さらにまた、フォトレジストがポジ型には限定されずにネガ型であってもよいのは勿論のこと、ＳｉＯ2膜２との選択比が高い高選択比薄膜５の形成材料がＡｌに限られないのも勿論である。」
　
３．対比・判断
　上記摘記事項（１ｄ）には、素子基板の表面を覆って形成された中間膜を下地とすること、その材質はＳｉであることが記載されており、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物には、「Ｓｉの中間膜で表面を覆ったセラミック製の素子基板上に形成された被エッチング膜上に第１レジスト膜を形成する工程と、該第１レジスト膜上に高選択比薄膜を形成する工程と、該高選択比薄膜上にパターニングされた第２レジスト膜を形成する工程と、該第２レジスト膜をマスクとして該高選択比薄膜をエッチングする工程と、該高選択比薄膜を介して該第１レジスト膜及び該被エッチング膜をエッチングする工程と、アセトンなどのような剥離液を用いて、該第１レジスト膜の剥離と同時に、上層の該高選択比薄膜を除去する工程とを含む電子部品素子の製造方法。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「被エッチング膜」、「第１レジスト膜」、「高選択比薄膜」、「第２レジスト膜」、及び「剥離液」は、本願発明の「被処理膜」、「可溶性薄膜」、「マスク層」、「レジストパターン」、及び「溶解液」にそれぞれ相当し、刊行物発明の「第１レジスト膜の剥離と同時に上層の高選択比薄膜を除去する」ことは、本願発明の「可溶性薄膜を除去すると共に、マスク層をリフトオフする」ことに外ならないから、両者は、「基板上に形成された被処理膜上に、溶解液に可溶な可溶性薄膜を形成する工程と、前記可溶性薄膜上に、マスク層を形成する工程と、前記マスク層上に所望のパターンのレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの上面をエッチングしつつ、前記マスク層に該レジストパターンのパターンを転写する工程と、残存する前記レジストパターン又は前記マスク層の上面をエッチングしつつ、前記可溶性薄膜及び被処理基板に前記レジストパターン及びマスク層のパターンを転写する工程と、前記溶解液を用いて前記可溶性薄膜を除去すると共に、前記マスク層をリフトオフする工程とを含む素子の製造方法」点で一致し、次の点で相違する。
 
　相違点１：本願発明では、基板が半導体基板からなる半導体装置の製造方法であるの対し、刊行物発明では、基板がＳｉの中間膜で表面を覆ったセラミック製の素子基板からなる電子部品素子の製造方法である点。
　
　相違点２：本願発明では、可溶性薄膜が、タングステン酸化物，アルミ酸化物，チタン酸化物，或いはチタン窒化物であり、溶解液が水またはアルカリ性溶液であるのに対し、刊行物発明は、可溶性薄膜がレジストであり、溶解液がアセトンなどのような剥離液である点。
　
　そこで、上記相違点１、２について、次に検討する。
　
相違点１について
　基板に半導体基板を用いた半導体装置の製造方法において、基板上の被処理膜上に、可溶性薄膜、マスク層、及びレジストパターンを順次形成し、該マスク層に該レジストパターンのパターンを転写し、該可溶性薄膜及び被処理基板に該レジストパターン及びマスク層のパターンを半導体基板上の被処理膜にパターンを転写した後、溶解液を用いて該可溶性薄膜を除去すると共に、該マスク層をリフトオフすることは、例えば次の特許公報に記載されているように周知のことである。
　
周知例１：特開平７−２８８２４７号公報
（【００２２】、【００２９】〜【００３１】、図３参照。周知例１の「緩衝層６」が本願発明の「可溶性薄膜」に相当する。）
　
周知例２：特開昭６２−１３６０２８号公報
（第３頁右上欄第８行〜同頁左下欄第１０行、第１図〜第４図参照。周知例２の「中間樹脂膜３」が本願発明の「可溶性薄膜」に相当する。）
　
　そして、刊行物発明において、Ｓｉの中間膜で覆った素子基板に代えて、上記周知技術の、シリコン等の半導体基板を用い、半導体装置の製造方法とすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
相違点２について
　リフトオフに用いられる可溶性薄膜の材料をタングステン酸化物とし、溶解液を水またはアルカリ性溶液とすることも、例えば次の特許公報に記載されているように周知のことである。
　
周知例３：特開平７−１４７０１３号公報
「【００１８】【作用】　本発明者によれば、エッチング後のマスク除去時の残渣発生や被加工面への損傷を防止するために、エッチング用マスクの下層にリフトオフ用の薄膜を設ける。
・・・
【００２４】また、リフトオフ薄膜の材質はプロセス耐性を考慮して選ばれるが、湿式溶解性は勿論のこと、接着性(密着性)、耐熱性、耐溶剤性、剥離性などプロセス耐性を兼ねそなえたものを選択する。
【００２５】たとえば、リフトオフ薄膜としては、アルカリ水溶液に可溶な金属あるいは金属酸化膜などを用いることができる。また、この場合は、特に、純水により溶解可能な酸化モリブデン薄膜（ＭｏＯ3またはＭｏＯ2）、酸化タングステン（ＷＯ3またはＷＯ2）薄膜が好ましい。リフトオフ用の剥離液として純水を用いることにより、素子等に損傷を与えない製造プロセスが可能となるからである。」
　
周知例４：特開昭５８−２８８８１号公報
「・・・第１図（ａ）のように、シリコン基板１１の表面に形成されたＳｉＯ２（二酸化シリコン）からなる絶縁膜１２に金属酸化物膜１３をデイプまたはスピンコートし熱処理して形成し、・・・。ここで金属酸化物膜１３は熱的に後述の誘電体薄膜をデポジットさせる高温度に耐え、かつ誘電体薄膜を侵さないアルカリのエッチング液に容易に溶ける物質が望ましい。たとえばＷＯ３（酸化タングステン）は融点１，４７３℃で耐熱性が高く、ＫＯＨ（水酸化カリウム）などのアルカリ溶液にも溶けやすいので、金属酸化物膜１３として適している。・・・しかるのち、上記基板１１をＫＯＨ溶液に浸し、金属酸化物膜１３を溶かすことにより、金属酸化物膜１３上の電極層１５，１７および誘電体薄膜１６をリフトオフし、第１図（ｃ）に示すような誘電体薄膜１６の微細加工パターンを得る。」（第２頁左上欄第１１行〜同頁右上欄第２０行）
　
　そして、リフトオフの際の溶解液によって可溶性薄膜より下層にある素子や材料等が損傷されないように、可溶性薄膜の材料と溶解液を選択しようとすることは、上記周知例２（第３頁左下欄第１３〜１８行）、及び周知例３に記載されているように技術常識であって、刊行物発明においても、当然、その配慮がなされているといえるから、刊行物発明の可溶性薄膜の材料と溶解液として、上記周知例３、及び周知例４に記載のものを選択することは、当業者にとって容易に想到できたものである。
　
　また、本願発明における作用効果も、刊行物発明、及び上記周知技術から当業者が予測できる程度のもので格別顕著なものとは認められない。 
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。