【手続補正書】
【提出日】平成24年6月27日(2012.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に露光光を照射して該基板に形成されるパターンの位置情報を求める位置検査方法であって、
前記基板の所定領域に前記露光光によって改質可能な樹脂層を形成することと、
前記樹脂層に前記露光光を照射して前記パターンのうちの部分パターンを形成することと、
前記基板の前記所定領域以外の領域に実質的に影響を与えることなく、前記樹脂層に形成された前記部分パターンを顕在化させることと、
顕在化された前記部分パターンを検出して、該部分パターンの位置情報を計測することと、
を含むことを特徴とする位置検査方法。
【請求項２】
前記基板に前記露光光の照射によって形成されるパターンは、表示素子用パターンと、該表示素子用パターンから離間したマークパターンとを含み、
前記樹脂層が形成される前記所定領域は前記表示素子用パターンが形成される領域の外側に設定されることを特徴とする請求項１に記載の位置検査方法。
【請求項３】
前記露光光は紫外光であり、前記樹脂層は紫外線硬化樹脂の層であり、
前記部分パターンを顕在化させることは、前記樹脂層のうち紫外光によって硬化していない部分を取り除くことを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の位置検査方法。
【請求項４】
前記露光光は紫外光であり、前記樹脂層は紫外光の照射によって親水性が変化する樹脂の層であり、
前記樹脂層を形成することは、形成した後の前記樹脂を加熱することを含み、
前記部分パターンを顕在化させることは、前記樹脂層のうち紫外光によって親水性が変化した部分をインク材料で着色することを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の位置検査方法。
【請求項５】
前記親水性が変化する樹脂は、ポリイミド樹脂であり、
前記樹脂層を形成することは、前記所定領域に前記ポリイミド樹脂を塗布することと、前記所定領域に塗布された前記ポリイミド樹脂を加熱することとを含むことを特徴とする請求項４に記載の位置検査方法。
【請求項６】
前記インク材料は水銀ナノ粒子を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の位置検査方法。
【請求項７】
前記部分パターンの位置情報を計測することは、前記所定領域内で顕在化された前記部分パターンと前記基板に形成された下地マークとの位置ずれ量を計測することを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の位置検査方法。
【請求項８】
前記所定領域は、前記下地マークに隣接する領域であることを特徴とする請求項７に記載の位置検査方法。
【請求項９】
前記基板は、シート状に形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の位置検査方法。
【請求項１０】
基板に露光光を照射して、第１及び第２パターンを含む複数のパターンを前記基板に順次重ね合わせて形成する露光方法において、
前記基板の第１領域に前記第１パターンの第１部分パターンを形成することと、
前記基板の前記第１領域に対応する第２領域に前記第２パターンの第２部分パターンを形成することと、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の位置検査方法を用いて、前記第１部分パターンに対する前記第２部分パターンの位置情報を計測することと、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項１１】
前記第１部分パターンに対する前記第２部分パターンの位置情報に基づいて、前記基板に対するパターンの形成位置を補正することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の露光方法。
【請求項１２】
基板上に予め形成されている基板マークの位置検出の結果に基づいて、該基板マークから離間して前記基板上に設定される表示素子用のパターン形成領域に露光光を位置合せして照射する露光方法であって、
前記基板上の前記パターン形成領域に前記露光光を照射する前に、前記基板マークに近接すると共に前記パターン形成領域から離間した前記基板上の所定領域に、前記露光光によって改質可能な樹脂層を形成することと、
前記基板上の前記パターン形成領域への前記露光光の照射の際に、前記樹脂層に前記露光光を照射して前記基板マークと位置合せされるべきマークパターンを形成することと、
前記基板上の前記所定領域以外の領域に実質的に影響を与えることなく、前記樹脂層に形成された前記マークパターンを顕在化させることと、
前記顕在化されたマークパターンと前記基板マークとの相対位置関係を計測して、前記基板上の前記パターン形成領域と前記露光光との位置合せ誤差を記憶すること、
該記憶された位置合せ誤差に基づいて、前記基板上の他のパターン形成領域に前記露光光を照射する際、前記基板と前記露光光との相対位置を補正することと、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、基板にパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を前記パターンに基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１４】
露光光の照射によって基板に形成されるパターンの位置情報を求める位置検査装置であって、
前記基板の所定領域に前記露光光によって改質可能な樹脂層を形成する樹脂層形成装置と、
前記樹脂層に前記露光光の照射によって前記パターンのうちの少なくとも部分パターンが形成された後、前記基板の前記所定領域以外の領域に実質的に影響を与えることなく、前記樹脂層に形成された前記部分パターンを顕在化させる顕在化装置と、
顕在化された前記部分パターンを検出して、該部分パターンの位置情報を計測するパターン計測装置と、
を備えることを特徴とする位置検査装置。
【請求項１５】
前記露光光は紫外光であり、前記樹脂層は紫外線硬化樹脂の層であり、
前記顕在化装置は、前記樹脂層のうち紫外光によって硬化していない部分を取り除く吸引部を含むことを特徴とする請求項１４に記載の位置検査装置。
【請求項１６】
前記露光光は紫外光であり、前記樹脂層は紫外光の照射によって親水性が変化する樹脂の層であり、
前記樹脂層形成装置は、形成した後の前記樹脂を加熱する加熱部を含み、
前記顕在化装置は、前記樹脂層のうち紫外光によって親水性が変化した部分をインク材料で着色する着色部を含むことを特徴とする請求項１４に記載の位置検査装置。
【請求項１７】
前記親水性が変化する樹脂は、ポリイミド樹脂であり、
前記樹脂層形成装置は、前記所定領域に前記ポリイミド樹脂を塗布する塗布部と、前記所定領域に塗布された前記ポリイミド樹脂を加熱する加熱部とを含むことを特徴とする請求項１６に記載の位置検査装置。
【請求項１８】
前記パターン計測装置は、前記所定領域内で顕在化された前記部分パターンと前記基板に形成された下地マークとの位置ずれ量を計測することを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の位置検査装置。
【請求項１９】
前記基板は、シート状に形成されていることを特徴とする請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の位置検査装置。
【請求項２０】
基板に露光光を照射して、該基板にパターンを形成する露光装置であって、
請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の位置検査装置と、
前記基板の前記所定領域を含む領域に前記露光光を照射して前記パターンを形成する露光光学系と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２１】
前記基板の位置情報を計測する基板計測装置と、
前記位置検査装置の計測結果に基づいて前記基板計測装置の計測結果を補正する制御装
置と、を備えることを特徴とする請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
請求項２０又は２１に記載の露光装置を用いて、基板にパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を前記パターンに基づいて加工することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項２３】
請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の位置検査装置と、
前記基板を所定方向に移動する搬送機構と、
前記基板の前記所定領域以外の領域に前記露光光で感光する感光層を形成する感光層形成装置と、
前記基板の前記所定領域を含む領域に前記露光光を照射して前記パターンを形成する露光光学系と、
前記位置検査装置によって計測される前記位置情報に応じた処理を行う制御装置と、
を備えることを特徴とするインライン検査システム。
【請求項２４】
前記基板の位置情報を計測する基板計測装置を備え、
前記制御装置は、前記位置情報に基づいて前記基板計測装置の計測結果を補正することを特徴とする請求項２３に記載のインライン検査システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、別の態様によれば、基板上に予め形成されている基板マークの位置検出の結果に基づいて、該基板マークから離間してその基板上に設定される表示素子用のパターン形成領域に露光光を位置合せして照射する露光方法であって、その基板上のそのパターン形成領域にその露光光を照射する前に、その基板マークに近接すると共にそのパターン形成領域から離間したその基板上の所定領域に、その露光光によって改質可能な樹脂層を形成することと、その基板上のそのパターン形成領域へのその露光光の照射の際に、その樹脂層にその露光光を照射してその基板マークと位置合せされるべきマークパターンを形成することと、その基板上のその所定領域以外の領域に実質的に影響を与えることなく、その樹脂層に形成されたそのマークパターンを顕在化させることと、その顕在化されたマークパターンとその基板マークとの相対位置関係を計測して、その基板上のそのパターン形成領域とその露光光との位置合せ誤差を記憶すること、該記憶された位置合せ誤差に基づいて、その基板上の他のパターン形成領域にその露光光を照射する際、その基板とその露光光との相対位置を補正することと、を含む露光方法が提供される。
また、本発明の第３の態様によれば、本発明の第２の態様又はその別の態様による露光方法を用いて、基板にパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板をそのパターンに基づいて加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
また、本発明の第４の態様によれば、露光光の照射によって基板に形成されるパターンの位置情報を求める位置検査装置であって、その基板の所定領域にその露光光によって改質可能な樹脂層を形成する樹脂層形成装置と、その樹脂層にその露光光の照射によってそのパターンのうちの少なくとも部分パターンが形成された後、その基板のその所定領域以外の領域に実質的に影響を与えることなく、その樹脂層に形成されたその部分パターンを顕在化させる顕在化装置と、顕在化されたその部分パターンを検出して、該部分パターンの位置情報を計測するパターン計測装置と、を備える位置検査装置が提供される。