【事件の表示】
　特願２００１−３６９９８９「タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２０日出願公開、特開２００３−１７１７６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件は、平成１３年１２月４日の出願であって、平成１８年１０月１８日付けの拒絶理由通知書が送付され、同年１２月２５日付けで手続補正がされ、平成１９年１１月１５日付けで拒絶査定がされたところ、この査定を不服として、同年１２月２７日に審判請求がされるとともに、平成２０年１月２８日付けで手続補正がされたものであり、当審において平成２２年４月５日付けで前置審査報告書に基づく審尋をしたところ、同年６月７日付けで回答書が提出されたものである。  
　  
第２　平成２０年１月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定  
　　
【補正の却下の決定の結論】  
　平成２０年１月２８日付けの手続補正を却下する。  
　　  
【決定の理由】  
　　
Ｉ．補正の内容  
　　
　平成２０年１月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の記載を、以下の（Ａ）とする補正事項を含む。
（Ａ）
「【請求項１】
・・・（中略）・・・
　【請求項６】　ターゲットの相対密度が９９．８％以上であり、かつビッカース硬度が３７０Ｈｖ以上であり、かつターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが１５％以下であり、上記ターゲットに含有される不純物としてのＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎａ，Ｋ，ＵおよびＴｈの合計含有量が０．０１質量％未満であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲットの製造方法において、タングステン原料粉末を成形してタングステン成形体を調製する成形工程と、得られたタングステン成形体を１Ｐａ以下の真空中もしくはＨ２ガス雰囲気中で１１５０℃〜１４５０℃の温度で５時間以上加熱して脱ガス処理を実施する脱ガス処理工程と、脱ガス処理したタングステン成形体を、ターゲットの融点の１／２以上の最高焼結温度で５時間以上保持する最高焼結工程とを備え、上記タングステン成形体を最高焼結温度までに到達させる前に昇温速度２℃／ｍｉｎ〜５℃／ｍｉｎでタングステン成形体を加熱し、中間焼結温度１４５０℃〜１７００℃の温度で最低１．０時間保持する中間焼結工程を実施することを特徴とするタングステンスパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項７】
・・・（中略）・・・　
　【請求項９】　前記成形工程においてタングステン原料粉末を１００ＭＰａ以上でＣＩＰ処理した後に、温度１５００℃以上、加圧力１５０ＭＰａ以上の条件下でＨＩＰ処理を施し、その後に水素雰囲気中でタングステン成形体を加熱温度１８００℃以上で５時間以上保持する最高焼結工程を実施し、その後、熱間鍛造もしくは熱間圧延を行うことを特徴とする請求項６記載のタングステンスパッタリングターゲットの製造方法。」
　　
II．補正の適否、判断
　補正後の請求項９に記載されたタングステンスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｉ．（Ａ）に記載したとおり、請求項６を引用するものであり、その製造工程として、成形工程において、ＣＩＰ処理及びＨＩＰ処理を行い、その後中間焼結工程を経て最終焼結工程を有することを発明特定事項とするものであるが、かかる事項を有するタングステンスパッタリングターゲットの製造方法の発明は、本件の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書」という。）に記載があったということはできない。
　すなわち、本件の当初明細書を見るに、「中間焼結工程」については、【００２９】〜【００３３】に本発明にかかるタングステンスパッタリングターゲットの製法（以下、「製法１」という。）として記載され、実施例１〜４も記載されているものの、この製法１においては、ＣＩＰ処理を行うことは記載されておらず、当該技術分野において自明なことでもない。一方、【００３４】〜【００３６】、実施例５〜８には、その他の製法（以下、「製法２」という。）として、「ＣＩＰ処理」をすることが記載されているものの、製法２において、「中間焼結工程」を行うことは何ら記載されておらず、また、当該技術分野において自明のことでもない。
　よって、上記補正事項は、本件の当初明細書に記載された範囲内においてしたものであるとは云えない。
　　
III．まとめ
　したがって、上記補正事項を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明について
　　
Ｉ．本件発明
　本件の平成２０年１月２８日付けの手続補正は、上記のとおり、却下されることとなった。
　したがって、本件の請求項１−１０に係る発明は、平成１８年１２月２５日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められる。
　そして、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、次のとおりのものである。
　　
「【請求項１】
　ターゲットの相対密度が９９％以上であり、かつビッカース硬度が３３０Ｈｖ以上であり、かつターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが３０％以下であり、上記ターゲットに含有される不純物としてのＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎａ，Ｋ，ＵおよびＴｈの合計含有量が０．０１質量％未満であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲット。」
　　
II．原査定の理由の概要  
　原審の拒絶査定の理由は、概略以下のとおりである。 
「本件発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。　
　本件発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開平０６−２２０６２５号公報」
　　
III．刊行物の記載事項 　
１．刊行物１
　原審において引用した刊行物１には、以下の記載がある。
　　
［１ａ］【請求項１】
「タングステン焼結体の圧延材であって，前記圧延材は，結晶粒径が３０〜３００μｍのタングステン粒子を有するとともにＨv ３６０〜４００の範囲内の硬度と，９９．０％以上の相対密度とを有することを特徴とするタングステンターゲット材。」
　　
［１ｂ］【０００１】
「本発明は，スパッターターゲット材に関し，詳しくは，高純度のタングステン円板からなるスパッターターゲット材及びその製造方法に関する。」
　　
［１ｃ］【０００７】
「一般的にスパッター材は理論密度の８５ないし９０％以上が必須で，最近では９３〜９５％が望ましいとされている。というのはスパッターした時の原子の飛びがムラない事が望まれる訳でターゲット材を上空から見た場合なるべく均一にしかも密に配列してるのが良い。」
　　
［１ｄ］【００１３】
「そこで，本発明の技術的課題は，スパッターターゲット用の材料品質特性を満足し，圧延加工とその後二次加工に於けるトラブルを皆無にし，実用性のある低コストのスパッターターゲット材及びその製造方法を提供することにある。」
　　
［１ｅ］【００２０】〜【００２３】
「【実施例】
　以下，本発明の実施例について，図面を参照して説明する。
　タングステン精練の純化工程によって得られた高純度のタングステン粉末を用いて，プレスし，焼結する際に，最初に真空雰囲気で１４００℃，１７００℃の２種類の温度で熱処理を行ってから，１８００℃及び２１００℃の焼結を行い焼結体を製作した。また，真空雰囲気の熱処理を行わない従来の焼結方法で，製作した焼結体を本発明品との比較品として用意した。
　本発明品及び比較品の粉末，焼結体のときの化学成分を分析し，その結果を下記の表１に示した。
　【表１】
」
　　
［１ｆ］【００２６】〜【００２７】
「次に，焼結体熱間圧延を行った。そのときの加工方法は，水素雰囲気の加熱炉にて１２００℃及び１５００℃にて加熱し，１回の加熱で圧延機に１回通し，その繰り返しを行って所定の圧延率を得た。各パス毎の圧延率は，圧延前の板厚に対し圧延後約２ｍｍ減少するように圧延した。このときの圧延率と比重との関係を表２に示す。
　【表２】
」
　　
［１ｇ］【００２９】〜【００３１】
「更に，圧延後の板及び円板を熱処理によって，Ｈｖ３６０から４００の範囲内に軟化させた。このときの再結晶粒径は，３０μｍから３００μｍの均粒内であった。２次焼結及び圧延後の熱処理による粒径及び硬度を表３に示す。
　【表３】
　熱処理の条件は，圧延後の硬度によって熱処理の温度を変えて上記の硬度範囲にした。この硬度範囲にしたものとを比較して，二次加工を行ったところ，前記したものは，二次加工が容易にできた。一方，後記のものは，二次加工でクラックや欠けが発生した。なお，ここで二次加工とは，旋盤加工，ワイヤーカット，ウォータジェット加工，穴開け加工，平面研磨の事を呼ぶ。」
　　
　　
IV．当審の判断 
１．刊行物１に記載された発明 
　　
　刊行物１の摘示［１ａ］には、「タングステン焼結体の圧延材であって，前記圧延材は，結晶粒径が３０〜３００μｍのタングステン粒子を有するとともにＨv ３６０〜４００の範囲内の硬度と，９９．０％以上の相対密度とを有することを特徴とするタングステンターゲット材」が記載されており、その実施例として、摘示［１ｅ］には、高純度のタングステン粉末を用いて本発明品を製作するものであって、【表１】に「本発明品」の化学成分分析結果が示されており、その分析結果によると、
・真空処理条件１７００℃のターゲットに含有されるＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，
　Ｃｕ，Ａｌ，ＵおよびＴｈの合計含有量が、２．５２２ｐｐｍ未満、
であることが、さらに、摘示［１ｆ］には、熱間圧延による圧延率（加工度）により、相対密度９９．７％の例が記載され、摘示［１ｇ］には、熱間圧延後の熱処理により、板の表面硬度を３６０Ｈｖ、４００Ｈｖとした例が記載されている。
　ここで、摘示［１ｂ］より、タングステン焼結体が高純度スパッタリングターゲットであることも明らかである。
　そこで、上記の記載事項及び認定事項を本件発明の記載ぶりに則して整理して記載すると、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　　
『ターゲットの相対密度が９９．７％であり、かつビッカース硬度が３６０〜４００Ｈｖであり、上記ターゲットのＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，ＵおよびＴｈの合計含有量が２．５２２ｐｐｍ未満である高純度タングステンスパッタリングターゲット』
　　
２．本件発明について
　本件発明（前者）と刊行物１発明（後者）と対比すると、後者の『ターゲットの相対密度が９９．７％』、『ビッカース硬度が３６０〜４００Ｈｖ』は、前者の「ターゲットの相対密度が９９％以上」、「ビッカース硬度が３３０Ｈｖ以上」を満たしていることは明らかである。
　してみると両者は、
　　
「ターゲットの相対密度が９９％以上であり、かつビッカース硬度が３３０Ｈｖ以上であるタングステンスパッタリングターゲット。」
　　
との点で一致するものの、次の２点で一応相違している。
　　
相違点１：本件発明においては、「ターゲットに含有される不純物としてのＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎａ，Ｋ，ＵおよびＴｈの合計含有量が０．０１質量％未満」であるのに対して、刊行物１発明においては、「ターゲットのＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，ＵおよびＴｈの合計含有量が２．５２２ｐｐｍ未満」であり、Ｎａ，Ｋの含有量が不明である点。
　　
相違点２：本件発明においては、「ターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが３０％以下」であるのに対し、刊行物１発明においては、「ターゲット全体のビッカース硬度のばらつき」の程度について不明である点。
　　
　上記相違点について順次検討する。
　　
・相違点１について
　刊行物１の【表１】には、Ｎａ，Ｋの含有量についての記載はないものの、高純度タングステンスパッタリングターゲットに含まれるＮａ，Ｋの含有量は、１ｐｐｍより少ないものが通常である（特開平０５−２２２５２５号公報の【００１７】の【表２】Ｎａ＋Ｋ＋Ｃａが０．７〜０．９ｐｐｍの例が、また特開平０３−１５０３５６号公報の実施例には、アルカリ金属含有量が１００ｐｐｂの例が記載されている）といえる。してみると、刊行物１発明の高純度タングステンスパッタリングターゲットのＮａ，Ｋの含有割合が、仮に１ｐｐｍ程度であるとしても、結局のところ、「Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎａ，Ｋ，ＵおよびＴｈの合計含有量が０．０１質量％未満」との条件を満たすことは明らかである。（なお、刊行物１の摘示［１ｅ］の【表１】の化学成分分析結果には、Ｎａ，Ｋが示されていないことから見て、それぞれ検出限界以下であったともいえる。この場合もやはり、「ターゲットに含有される不純物としてのＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎａ，Ｋ，ＵおよびＴｈの合計含有量が０．０１質量％未満」との条件を満たすといえる。）
　してみれば、当該相違点は実質的な相違点とはなり得ない。
　　
・相違点２について
　刊行物１の摘示［１ｃ］にあるように、ターゲット材として、本件発明と同じく（本件明細書【００２５】、図１の硬度の試験片採取位置より明らか）上から見てより均一な性状のものを必要としていることは当該技術分野において自明の課題であり、さらに、刊行物１の摘示［１ｇ］によれば、板の表面硬度を３６０〜４００Ｈｖに調整しないと、二次加工でクラックや欠けが生じる旨記載されている。つまり、刊行物１発明の板の表面硬度は、ターゲットのいずれの部分においてもクラックや欠けが生じないように、３６０〜４００Ｈｖの幅、すなわち１０％程度の幅で調整されるということに他ならない。
　してみると、刊行物１発明は、「ターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが３０％以下」との条件を満たすものであると推認される。
　したがって、当該相違点も実質的な相違点とはなり得ない。
　また仮に、この点が実質的な相違点であるとしても、上述の通り、板の表面硬度を３６０〜４００Ｈｖに調整しないと、二次加工でクラックや欠けが生じるおそれがあるから、刊行物１発明の板の表面硬度の分布を、３６０〜４００Ｈｖにおさまるように調整すること、すなわち、「ターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが３０％以下」との条件を満たすものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　　
３．回答書における補正案について
　請求人は回答書において、補正案を提示している。
　しかしながら、補正案は、平成２０年１月２８日付けの手続補正の請求項６〜９に相当するものであって、上記「第２　平成２０年１月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定」における検討にあるように、新規事項を含むものである。
　したがって、回答書における補正案は、特許にすることができないものであることが明らかであるため、補正案に基づく請求人の主張を採用することができない。
　　
VI．まとめ
　以上のとおり、本件発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　あるいは、本件発明は、刊行物１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、その他の発明について検討するまでもなく、本件は原査定の理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。