【事件の表示】
　特願２００８−　７４２０５「半導体レーザ装置及び半導体レーザモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月１０日出願公開、特開２００８−１６０１５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年８月８日に出願した特願２００１−２４１１８１号（以下「原出願」という。）の一部を平成２０年３月２１日に新たな特許出願としたものであって、同年１０月３０日付けで手続補正がなされ、平成２１年２月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１９日付けで拒絶査定不服審判請求がなされ、同年４月１５日付けで手続補正がなされた後、当審において平成２２年６月３日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２３日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年７月２３日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１ないし３に係る発明は次のとおりのものと認められる。
　
「【請求項１】
　リッジ型光導波路の外側に所定幅の低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、
　上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／２以下にし、かつ上記低屈折率領域と高屈折率領域の境界における光の電界強度を、上記リッジ型光導波路の中央部における光の電界強度の５／１０００以下とすることを特徴とする半導体レーザ装置。
　【請求項２】
　リッジ型光導波路の外側に所定幅の低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、
　上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／２以下にし、かつ上記低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上とすることを特徴とする半導体レーザ装置。
　【請求項３】
　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、
　上記低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上とすることを特徴とする半導体レーザ装置。」（以下、それぞれを「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）
　
　ここで、請求項１及び２には、「上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／２
　
　この点に関して、原出願の出願当初の明細書（以下「原出願明細書」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項３】　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
・・・
【請求項５】　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
・・・
【請求項７】　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
・・・
【請求項９】　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
　
（２）「【０００８】
　この発明に係る半導体レーザ装置は、また、リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、低屈折率領域の更に外側に低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
・・・
【００１０】
　この発明に係る半導体レーザ装置は、また、リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、低屈折率領域の更に外側に低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
・・・
【００１２】
　この発明に係る半導体レーザ装置は、また、リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、低屈折率領域の更に外側に低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
・・・
【００１４】
　この発明に係る半導体レーザ装置は、また、リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、低屈折率領域の更に外側に低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
　
（３）「【００１７】
実施の形態２．
　次に、この発明の実施の形態２を図にもとづいて説明する。図２は、実施の形態２の説明図で、（ａ）は実施の形態２の構成を示す断面図、（ｂ）は（ａ）におけるｙ方向の電界強度分布を示す図である。
・・・
【００２０】・・・（１）式において、ｋ０２ｎ２（ｙ）−β２＞０　の領域では振動解が存在し、ｋ０２ｎ２（ｙ）−β２＜０の領域では減衰解となる。このため、高屈折率領域１７では振動解となる。高屈折率領域１７がない場合の基本モードを算出し、y＝０つまりリッジ領域１５の中央における電界強度のピークＡに対して、低屈折率領域１６と高屈折率領域１７の境界ｙ＝±ｙ０での電界強度ＢがＡの８／１０００である場合に、高屈折率領域１７が存在する屈折率構造の電界分布をＢＰＭ(Beam Propagation Method)により計算したところ、Ｚ方向に伝搬するに従い電界強度は小さくなって減衰し，終いには消滅することを確認した。一方、ｙ＝±ｙ０での電界強度ＢがＡの５／１０００以下である場合には、Ｚ方向に伝搬しても電界強度の減衰は殆どなく安定な固有モードが存在することが分かった。従って、この実施の形態は、低屈折率領域１６と高屈折率領域１７の境界における電界強度をリッジ領域中央における電界強度の５／１０００以下にして、安定な基本モードを存在させようとするものである。
　なお、後述するように、リッジ領域１５とその外側の低屈折率領域１６で決まる正規化周波数を
π／４
　
（４）「【００２１】実施の形態３．次に、この発明の実施の形態３を図にもとづいて説明する。図４は、実施の形態３の構成を示す断面図である。この図において、１８ａは発振波長がλの半導体レーザの発光パターンである。また、Ｗｂは、低屈折率領域１６の幅を示し、図５は、リッジ領域１５及び低屈折率領域１６の屈折率分布を示す図である。通常、低屈折率領域１６と高屈折率領域１７の境界における電界強度がリッジ領域１５の中央における電界強度に比べてどの程度になるかは、リッジ領域１５の２次元屈折率分布及び低屈折率領域１６の２次元屈折率分布に依存するため、その値を正確に予測することは数値解析によらなければ難しい。そこで半導体レーザの発振波長λとの関係で、基本モードがカットオフされない条件の算出を行なった。図５に示すように、リッジ領域１５は台形であるため、その屈折率分布も破線で示すような台形分布となる。この場合、リッジ領域１５の底部幅２Ｔ（Ｔ＋Ｔ）で、かつそのピークの屈折率がｎａｅｆｆである矩形屈折率分布で近似することが可能である。このような矩形屈折率分布の場合のｙ方向電界分布は、次式のように表せる。
・・・
【００２３】　基本モードのみが許容され高次モードが伝搬されないためには、正規化周波数ｖは
π／４
π／４
・・・
パワーが一定となるように近似すると、スポットサイズω０は次式のようになる。
・・・
【００２６】２Ｔ＝３．５μｍ、ｎａｅｆｆ＝３．４５５４、ｎＣ＝３．４５２４の時、スポットサイズω０は２．４６μｍとなる。よって、低屈折率領域１６の幅Ｗｂ＝１０μｍのときの低屈折率領域１６と高屈折率領域１７の境界ｙ０における電界強度分布は、 式（５）より求まり、リッジ領域中央部の１０−１０以下となり十分に小さくなることが分かる。よって、実施の形態３は、低屈折率領域１６の幅を発振波長の１０倍以上とすることにより、安定な基本モードのみを得るようにしたものである。因みに、ＢＰＭによる計算でも安定な基本モードが確認できている。」
　
（５）「【００２７】実施の形態４．次に、この発明の実施の形態４を図にもとづいて説明する。図６は、実施の形態４を説明するための従来型半導体レーザモジュールを示す概略図である。
・・・
【００２８】　この図において、２０ａは低屈折率領域１６と高屈折率領域１７の境界における電界強度が、リッジ領域１５の中央部における電界強度の５／１０００以下である半導体レーザ、あるいはリッジ領域１５と低屈折率領域１６とで決まる正規化周波数を
π／４
・・・
【００３０】・・・図９は、この発明の実施の形態４の半導体レーザモジュールを示す図である。低屈折率領域１６と高屈折率領域１７の境界における電界強度が、リッジ領域１５の中央部における電界強度の５／１０００以下である半導体レーザあるいはリッジ領域１５と低屈折率領域１６とで決まる正規化周波数を
π／４
　
（６）「【００３１】実施の形態５．次に、この発明の実施の形態５を図にもとづいて説明する。図１１は、実施の形態５の半導体レーザモジュールの構成を示す概略図である。この図において、２０ｂは低屈折率領域１６の幅が発振波長の１０倍以上である半導体レーザ、あるいはリッジ領域１５と低屈折率領域１６とで決まる正規化周波数を
π／４
【００３２】・・・図１１は、実施の形態５の半導体レーザモジュールの構成を示す概略図である。低屈折率領域１６の幅が発振波長の１０倍以上である半導体レーザ２０ｂ、あるいはリッジ領域１５と低屈折率領域１６とで決まる正規化周波数を
π／４
　
（７）「【００３３】
【発明の効果】・・・
【００３４】この発明に係る半導体レーザ装置は、また、リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、低屈折率領域の更に外側に低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、低屈折率領域と高屈折率領域の境界における電界強度を、リッジ型光導波路の中央部における電界強度の５／１０００以下、あるいは、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
【００３５】　この発明に係る半導体レーザ装置は、また、リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、低屈折率領域の更に外側に低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上、あるいは、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
【００３６】この発明に係る半導体レーザ装置は、また、リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、低屈折率領域の更に外側に低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、低屈折率領域と高屈折率領域の境界における電界強度を、リッジ型光導波路の中央部における電界強度の５／１０００以下、あるいは、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
【００３７】この発明に係る半導体レーザ装置は、また、リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、低屈折率領域の更に外側に低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上、あるいは、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
　
　上記（１）〜（７）によれば、原出願明細書には、
　ア　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
　イ　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
　ウ　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
　エ　リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／４
　オ　基本モードのみが許容され高次モードが伝搬されないためには、正規化周波数ｖは
π／４
　カ　光密度をできるだけ低減し、かつ動作電圧を低下させるため、リッジ領域１５の底部幅２Ｔは可能な限り大きくすることが望ましいので、通常はｖ（正規化周波数）≒
π／４
が記載されている。
　
　上記のとおり、原出願明細書には、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を、
π／４
π／２
　この点に関し、請求人は、平成２０年１０月３０日付け意見書（【意見の内容】（３））において、「正規化周波数を「π／２」にすることについては公知文献（単行本「光導波路」川上　彰二郎著、朝倉書店１９８０年９月発行）の第２３ページ）に記載されており、周知」であって、「原出願の数値が誤記である」ことは明白であるから、「分割出願の出願日の遡及は認められるべき」旨の主張を行っている。
　しかしながら、上記ア〜エ及びカの事項は、原出願明細書の記載から、それぞれその記載のとおりに理解されるものであって、上記のように単に基本モードのみを伝搬させるために正規化周波数を「π／２」にすることが周知であるからといって、そのことをもって直ちに上記ア〜エ及びカの「
π／４
π／２
　また、上記オについても、「基本モードのみが許容され高次モードが伝搬されないためには、正規化周波数ｖは
π／４
π／２
π／４
π／２
　そして、上記の、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／２
　
　すなわち、「上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数を
π／２
　
　したがって、本願の出願日は現実の出願日（平成２０年３月２１日）である。
　
　
第２　引用刊行物の記載事項
１　引用刊行物１
　当審における拒絶理由に引用し、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−６０３０８号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項３】  リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／４以下にし、かつ上記低屈折率領域と高屈折率領域の境界における電界強度を、上記リッジ型光導波路の中央部における電界強度の５／１０００以下としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】  リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】  リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／４以下にし、かつ上記低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
・・・」
　
（２）「【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下，この発明の実施の形態１を図にもとづいて説明する。図１は、実施の形態１の構成を示す断面図である。この図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２は基板の一面に形成されたｎ側電極、３は基板の他面に形成されたｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、４はアンドープｎ側ＡｌＧａＡｓガイド層、５はアンドープｎ側ＧａＡｓガイド層、６はアンドープＩｎＧａＡｓ量子井戸活性層、７はアンドープＧａＡｓバリア層、８はアンドープｐ側ＧａＡｓガイド層、９はアンドープｐ側ＡｌＧａＡｓガイド層、１０はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、１１はｐ−ＧａＡｓキャップ層で、クラッド層１０及びキャップ層１１の一部をエッチングすることによってリッジ型光導波路領域１５及びその外側に低屈折率領域１６を形成している。１２はキャップ層１１及びクラッド層１０の上部に形成されたＳｉ３Ｎ４絶縁膜、１３はｐ側電極、１７は低屈折率領域１６の外側に形成された高屈折率領域、１４は高屈折率領域１７にワイヤボンド接続された金線である。
【００１６】この実施の形態は、リッジ領域１５の外側に低屈折率領域１６を設けているので、レーザ光をリッジ領域に効率的に閉じ込めることができる。また、電流の閉じ込めはＳｉ３Ｎ４絶縁膜１２に図示のような開口１２Ａを設けることで可能となる。また、低屈折率領域１６の外側に高屈折率領域１７を設け、高屈折率領域１７の上に金線１４をワイヤボンドする構成としているため、低屈折率領域１６における量子井戸活性層６までの距離はｔｌであるのに対して，高屈折率領域１７での量子井戸活性層６までの距離はｔ２と大きくなっている。・・・」
　
（３）「【００１７】実施の形態２．次に、この発明の実施の形態２を図にもとづいて説明する。図２は、実施の形態２の説明図で、（ａ）は実施の形態２の構成を示す断面図、（ｂ）は（ａ）におけるｙ方向の電界強度分布を示す図である。・・・図２において、１８はレーザ光の発光パターン（パワー）を示すものである。また、図３は、実施の形態２における半導体レーザの図２（ａ）におけるｙ方向の屈折率分布、電界強度分布及び伝搬定数の関係を示す図である。・・・
【００２０】・・・高屈折率領域１７がない場合の基本モードを算出し、y＝０つまりリッジ領域１５の中央における電界強度のピークＡに対して、低屈折率領域１６と高屈折率領域１７の境界ｙ＝±yoでの電界強度ＢがＡの８／１０００である場合に、高屈折率領域１７が存在する屈折率構造の電界分布をＢＰＭ(Beam Propagation Method)により計算したところ、Ｚ方向に伝搬するに従い電界強度は小さくなって減衰し，終いには消滅することを確認した。一方、ｙ＝±yoでの電界強度ＢがＡの５／１０００以下である場合には、Ｚ方向に伝搬しても電界強度の減衰は殆どなく安定な固有モードが存在することが分かった。従って、この実施の形態は、低屈折率領域１６と高屈折率領域１７の境界における電界強度をリッジ領域中央における電界強度の５／１０００以下にして、安定な基本モードを存在させようとするものである。・・・」
　
（４）「【００２１】実施の形態３．次に、この発明の実施の形態３を図にもとづいて説明する。図４は、実施の形態３の構成を示す断面図である。この図において、１８ａは発振波長がλの半導体レーザの発光パターンである。また、Ｗｂは、低屈折率領域１６の幅を示し、図５は、リッジ領域１５及び低屈折率領域１６の屈折率分布を示す図である。・・・
【００２６】・・・よって、実施の形態３は、低屈折率領域１６の幅を発振波長の１０倍以上とすることにより、安定な基本モードのみを得るようにしたものである。・・・」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。
　
「リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／４以下にし、かつ上記低屈折率領域と高屈折率領域の境界における電界強度を、上記リッジ型光導波路の中央部における電界強度の５／１０００以下とした半導体レーザ装置。」（以下「引用発明１ａ」という。）
　
「リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上とした半導体レーザ装置。」（以下「引用発明１ｂ」という。）
　
「リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／４以下にし、かつ上記低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上とした半導体レーザ装置。」（以下「引用発明１ｃ」という。）
　
２　引用刊行物２
　当審における拒絶理由に引用し、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１−１００９８５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「技術分野
　この発明は、結晶層厚を場所に応じて変えることにより活性層付近に実効屈折率変化を生じさせ、屈折率の変化によりレーザ光の横方向モードの閉込めを達成し、基本モード発振を可能とする半導体レーザに関する。」（第１頁左下欄最下行〜同頁右下欄第５行）
　
（２）「結晶層厚を変えることにより屈折率導波型レーザを実現している例としてＣＳＰレーザおよびリッジ導波型レーザを第６図および第７図にそれぞれ示す。」（第２頁左上欄第８〜１１行）
　
（３）「第７図のリッジ導波型レーザでは平坦なｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層２，ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ活性層３，ｐ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層４そしてｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を連続成長させる。この後素子化工程において，ＲＩＥ装置等でエッチングすることによりクラッド層４の一部とキャップ層１０とからなるリッジ部を形成する。そして絶縁膜９（たとえばＳｉＯ２）をリッジ部の頂上面以外の表面に形成し，チップの両面にオーミック電極としてｐ−電極７とｎ−電極８を形成する。
　リッジ導波型レーザはリッジ加工時にどれだけの厚さのｐ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層４を残すかにより屈折率の低下量が決まる。屈折率の低下量は、残されたｐ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層４の厚さが薄い程大きくなるので実効屈折率の接合方向の分布はリッジ加工の形状を反映してこの場合にもステップ状の凸状となる。
　注入キャリアによる屈折率の低下は第６図に示すＣＳＰレーザでは基板加工部，第７図に示すリッジ導波型レーザではリッジ加工部のいわゆる電流集中領域で生じ，この低下量が前記の結晶層厚変化による実効屈折率差を越えない範囲で半導体レーザは基本モード動作する。しかもそれら実効屈折率差（または実効屈折率差と屈折率低下量との差）が小さい程基本モード動作は容易となる。逆にいえば実効屈折率差が大きいと高次モードを発生しやすい。」（第２頁右上欄第１１行〜同頁左下欄第１８行）
　
（４）　上記（３）を踏まえて第７図をみると、引用刊行物２の「リッジ導波型レーザ」は、その断面中央部に「（クラッド層４の一部とキャップ層１０とからなる）リッジ部」、及び、断面左右両端部に「（クラッド層４の一部とキャップ層１０とからなる）左右リッジ部」が形成されていること、が理解できる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「平坦なｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層２，ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ活性層３，ｐ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層４そしてｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を連続成長させ、この後素子化工程において、ＲＩＥ装置等でエッチングすることにより断面中央部にクラッド層４の一部とキャップ層１０とからなるリッジ部、及び、断面左右両端部にクラッド層４の一部とキャップ層１０とからなる左右リッジ部を形成し、そして絶縁膜９を前記リッジ部の頂上面以外の表面に形成し、チップの両面にオーミック電極としてｐ−電極７とｎ−電極８を形成する、リッジ導波型レーザ。」
　
　
第３　新規性（特許法第２９条第１項第３号）
１　本願発明１について
　本願発明１と引用発明１ａを対比する。
　
（１）引用発明１ａの「低屈折率領域」は、所定幅を有しているといえる。
（２）引用発明１ａの「（リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる）正規化周波数」は、「π／４以下」であるから、引用発明１ａは、本願発明１の「上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／２以下にし」との事項を満たす。
　
　したがって、両者は、
 「リッジ型光導波路の外側に所定幅の低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、
　上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／２以下にし、かつ上記低屈折率領域と高屈折率領域の境界における光の電界強度を、上記リッジ型光導波路の中央部における光の電界強度の５／１０００以下とする半導体レーザ装置。」
である点で一致し、両者の間には相違点は存在しないから、本願発明１は引用刊行物に記載された発明である。
　
　なお、上記（２）において、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を、本願発明１では、π／２以下とするのに対し、引用発明１ａでは、π／４以下とするものであるが、この特定自体についてみても、平板状光導波路において、シングルモード導波路構造とするためにその規格化周波数（正規化周波数）をπ／２以下とすることは本願の出願時点で周知である（例えば、前田光治監修、副島俊雄外１名著、「新版　光ファイバ通信」（昭和５８年６月１２日２版）、（株）電気通信技術ニュース社、ｐ．５０〜５２、及び、川上彰二郎著、「光導波路」（１９８０年９月），朝倉書店、ｐ．１８〜２３参照。）から、引用発明１ａの「半導体レーザ装置」において、シングルモード導波路構造とするためにその正規化周波数をπ／２以下とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
２　本願発明２について
　本願発明２と引用発明１ｃを対比する。
　
（１）引用発明１ａの「低屈折率領域」は、所定幅を有しているといえる。
（２）引用発明１ａの「（リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる）正規化周波数」は、「π／４以下」であるから、引用発明１ｃは、本願発明２の「上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／２以下にし」との事項を満たす。
　
　したがって、両者は、
 「リッジ型光導波路の外側に所定幅の低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、
　上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ／２以下にし、かつ上記低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上とする半導体レーザ装置。」
である点で一致し、両者の間には相違点は存在しないから、本願発明２は引用刊行物に記載された発明である。
　
　なお、上記（２）において、リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を、本願発明２では、π／２以下とするのに対し、引用発明１ｃでは、π／４以下とするものであるが、この特定自体についてみても、上記１のとおり、当業者が容易になし得ることである。
　
３　本願発明３について
　本願発明３と引用発明１ｂを対比すると、両者は、
 「リッジ型光導波路の外側に低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置において、
　上記低屈折率領域の幅を発振波長の１０倍以上とする半導体レーザ装置。」
である点で一致し、両者の間には相違点は存在しないから、本願発明３は引用刊行物に記載された発明である。
　
４　第３のまとめ
　上記１ないし３のとおり、本願発明１ないし３は引用刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　
第４　進歩性（特許法第２９条第２項）
１　本願発明１について
　本願発明１と引用発明２とを対比する。
　
　引用発明２の「リッジ導波型レーザ」は、「平坦なｎ−ＧａＡｓ基板１上に・・・ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ活性層３，ｐ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層４そしてｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を連続成長させ、この後素子化工程において、ＲＩＥ装置等でエッチングすることにより断面中央部にクラッド層４の一部とキャップ層１０とからなるリッジ部、及び、断面左右両端部にクラッド層４の一部とキャップ層１０とからなる左右リッジ部を形成」するものであり、「『断面中央部』の『リッジ部』」と「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」との間のエッチングされた領域は「低屈折率領域」であり、前記「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」は、該「低屈折率領域」の屈折率より高い屈折率の「高屈折率領域」ということができるから、
　ア　引用発明２の「『断面中央部』の『リッジ部』」、「（『断面中央部』の『リッジ部』と『断面左右両端部』の『左右リッジ部』との間の）エッチングされた領域」、「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」及び「リッジ導波型レーザ」は、それぞれ、本願発明１の「リッジ型光導波路」、「（リッジ型光導波路の外側に設けられた所定幅の）低屈折率領域」、「（上記低屈折率領域の更に外側に設けられた上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の）高屈折率領域」及び「半導体レーザ装置」に相当し、
　イ　引用発明２は、本願発明１の「リッジ型光導波路の外側に所定幅の低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、
「リッジ型光導波路の外側に所定幅の低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を、本願発明１では、π／２以下にするのに対し、引用発明２では、その値が明らかではない点。
［相違点２］
　本願発明１は、低屈折率領域と高屈折率領域の境界における光の電界強度を、リッジ型光導波路の中央部における光の電界強度の５／１０００以下とするのに対し、引用発明２は、その光の電界強度の比をどのようにするのか不明である点。
　
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　上記第３の１で検討したとおり、平板状光導波路において、シングルモード導波路構造とするためにその規格化周波数（正規化周波数）をπ／２以下とすることは本願の出願時点で周知であるから、引用発明２の「リッジ導波型レーザ」において、シングルモード導波路構造とするためにその正規化周波数をπ／２以下として、上記相違点１に係る本願発明１の構成とすることは当業者が容易になし得ることである。
［相違点２］について
　引用発明２の「リッジ導波型レーザ」において、その「『断面中央部』の『リッジ部』」を伝搬する伝搬光が、高屈折率領域である「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」に漏れて減衰しないように、「『断面中央部』の『リッジ部』」に比べて「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」の光の電界強度を小さくすべきことは当業者が容易に想到し得ることであるところ、その比の値を５／１０００以下とすることは当業者が適宜に設定し得る程度のことである。
　
　そして、本願発明１によってもたされる効果は、引用発明２及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明１は、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２　本願発明２について
　本願発明２と引用発明２を対比する。
　
　引用発明２の「リッジ導波型レーザ」は、平坦なｎ−ＧａＡｓ基板１上に・・・ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ活性層３，ｐ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓクラッド層４そしてｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を連続成長させ、この後素子化工程において、ＲＩＥ装置等でエッチングすることにより断面中央部にクラッド層４の一部とキャップ層１０とからなるリッジ部、及び、断面左右両端部にクラッド層４の一部とキャップ層１０とからなる左右リッジ部を形成」するものであり、「『断面中央部』の『リッジ部』」と「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」との間のエッチングされた領域は「低屈折率領域」であり、前記「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」は、該「低屈折率領域」の屈折率より高い屈折率の「高屈折率領域」ということができるから、
　ア　引用発明２の「『断面中央部』の『リッジ部』」、「（『断面中央部』の『リッジ部』と『断面左右両端部』の『左右リッジ部』との間の）エッチングされた領域」、「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」及び「リッジ導波型レーザ」は、それぞれ、本願発明１の「リッジ型光導波路」、「（リッジ型光導波路の外側に設けられた所定幅の）低屈折率領域」、「（上記低屈折率領域の更に外側に設けられた上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の）高屈折率領域」及び「半導体レーザ装置」に相当し、
　イ　引用発明２は、本願発明１の「リッジ型光導波路の外側に所定幅の低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、
「リッジ型光導波路の外側に所定幅の低屈折率領域を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域を設けた半導体レーザ装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１´］
　リッジ型光導波路と低屈折率領域で決まる正規化周波数を、本願発明２では、π／２以下にするのに対し、引用発明２では、その値が明らかではない点。
［相違点３］
　低屈折率領域の幅を、本願発明２では、発振波長の１０倍以上とするのに対し、引用発明２では、どのようにするのか不明である点。
　
　上記相違点につき検討する。
［相違点１´］について
　上記第３の１で検討したとおり、平板状光導波路において、シングルモード導波路構造とするためにその規格化周波数（正規化周波数）をπ／２以下とすることは本願の出願時点で周知であるから、引用発明２の「リッジ導波型レーザ」において、シングルモード導波路構造とするためにその正規化周波数をπ／２以下として、上記相違点１´に係る本願発明２の構成とすることは当業者が容易になし得ることである。
［相違点３］について
　引用発明２の「リッジ導波型レーザ」において、その「『断面中央部』の『リッジ部』」を伝搬する伝搬光が、高屈折率領域である「『断面左右両端部』の『左右リッジ部』」に漏れて減衰しないように、両者の間の低屈折率領域の幅を大きくすべきことは当業者が容易に想到し得ることであるところ、当該低屈折率領域の幅の値を１０倍以上とすることは当業者が適宜に設定し得る程度のことである。
　
　そして、本願発明２によってもたされる効果は、引用発明２及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明２は、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
３　第４のまとめ
　以上のとおり、本願発明１及び２は、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。