【事件の表示】
　特願２００３−１５９１９２「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月３０日出願公開、特開２００４−１３３３８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本願は、平成１５年６月４日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成１４年８月１４日）の出願であって、平成２０年４月３０日付で通知された拒絶の理由に対して、同年７月１４日付けで手続補正書が提出されたが、同年８月４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年１０月８日付で手続補正がなされたものであって、その後当審の審尋に対する回答書が平成２１年７月２１日に提出されたものである。　 
　 
第２．平成２０年１０月８日付の手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］  
　平成２０年１０月８日付の手続補正を却下する。  
　 
［理由］  
１．補正の概要  
　平成２０年１０月８日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項２を以下のとおりとする補正事項を含むものである。 
　  
「　レジストパターンを有するレジストマスクを下地層上に形成し、次いで前記レジストマスクを使って前記下地層を処理する工程と、
　灰化処理を施して前記レジストマスクを除去する灰化処理工程と、
　前記処理した下地層をレジスト用剥離剤組成物により洗浄処理して、前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する洗浄処理工程と
　を有し、前記レジスト用剥離剤組成物として、少なくともスルファミン酸（ＮＨ２ＳＯ３Ｈ）と水とを含有する
酸性
　　  
２．補正の適否の判断  
　上記補正事項は、補正前の請求項９に記載した発明を特定するために必要な事項である「レジスト用剥離剤組成物」を、「
酸性
　そこで、本件補正後の前記請求項２に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下に検討する。
　
（なお、本件補正後の請求項１と２とは、独立した請求項であり、「灰化処理工程」の有無が相違しているが、ここでは、補正前の請求項１の記載を踏まえて、「灰化処理工程」を有する請求項２を取り上げる。）  
　  
３．引用例
 　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その出願後に特許法第４１条第３項の規定により出願公開がされたものとみなされた特願２００２−２０３９８７号の特許出願の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、次のａ．〜ｆ．の事項が記載されている。（下線は当審にて付与。）
　なお、これらａ．〜ｆ．の事項は、他の出願を基礎とした優先権主張を伴う特許出願である特願２００３−１７４８１６号（特開２００４−９４２０３号公報）の願書に最初に添付された明細書及び図面にも記載されたものであって、その公開公報（以下、「公報１」という。）を参照すると、これらａ．〜ｆ．の事項に対応する記載の段落番号等は、括弧内に付記する。　  
　
ａ．「【請求項２】　フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩（ａ成分）、水溶性有機溶媒（ｂ成分）、有機酸および無機酸からなる群より選ばれる１以上の酸（ｃ成分）、水（ｄ成分）およびアンモニウム塩（ｅ成分）を含有し、かつ水素イオン濃度ｐＨが４〜８であることを特徴とするレジスト除去用洗浄液。」（公報１の【請求項２】）
　 
ｂ．「【請求項６】　半導体基板上に、銅を主成分とする金属膜を成膜する工程と、その上に絶縁膜を形成する工程と、さらにその上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより該絶縁膜中にホールまたはトレンチを設ける工程と、ガスによるプラズマ処理または加熱処理により該レジストを除去する工程の後、残存するレジスト残さ物を、請求項１から請求項５のいずれかに記載のレジスト除去用洗浄液を用いて除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項７】　半導体基板上に、銅を主成分とする金属膜を成膜する工程と、その上に絶縁膜を形成する工程と、さらにその上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより該絶縁膜中にホールまたはトレンチを設ける工程の後、残存するレジスト膜およびドライエッチングの際に発生するレジスト残さ物を、請求項１から請求項５のいずれかに記載のレジスト除去用洗浄液を用いて除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（公報１の【請求項１０】、【請求項１１】）
　　
ｃ．「【００１８】
　素子の微細化に伴い、配線と配線との間隔１１は狭く設計されており、上記プロセスにおいて従来の洗浄液を用いると、Ｌｏｗ−ｋ膜表面の変質層７およびＬｏｗ−ｋ膜４自体がエッチングされ、配線と配線との間隔１１がさらに狭くなる。このため、配線間の電気容量が上昇することにより半導体素子の駆動速度の低下といった特性劣化、あるいは配線と配線との短絡といった不良を引き起こすという問題を有していた。また、従来の洗浄液では、レジスト残さ物の除去、銅の腐食防止およびＬｏｗ−ｋ膜の腐食防止のすべてを満足するような性能は得られていなかった。」（公報１の【００１８】）
　
ｄ．「【００１９】
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、上記事情に鑑み、銅配線プロセスにおいて、ドライエッチング後のレジスト膜とエッチング残さ物およびアッシング後のレジスト残さ物とエッチング残さ物を除去する際、優れた除去効果と、銅および層間絶縁膜に対する耐腐食効果を兼ね備え、かつ安全で温和な条件で使用可能なレジスト除去用洗浄液およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」（公報１の【００２５】） 
　 
ｅ．「【００２７】
　　【発明の実施の形態】
　本願にかかる発明の一つである、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩（ａ成分）、水溶性有機溶媒（ｂ成分）、有機酸および無機酸からなる群より選ばれる１以上の酸（ｃ成分）および水（ｄ成分）を含有し、かつ水素イオン濃度ｐＨが４〜８であることを特徴とするレジスト除去用洗浄液についての実施形態は以下の通りである。
【００２８】
　本発明におけるａ成分は、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩である。金属を含まない塩基としては、ヒドロキシアミン類、第１級、第２級または第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、複素環式アミン、芳香族アミン等の有機アミン化合物、アンモニア、低級第４級アンモニウム塩基等が好ましく用いられる。
【００２９】〜【００３２】（省略）
【００３９】
　上記にあげた塩基において、好ましくはアンモニア、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。なかでも、アンモニアが特に好ましい。
【００３３】
　上記ａ成分は、ドライエッチング後の化学増幅型エキシマレジストの除去性に関しては化学増幅型エキシマレジスト中に含まれる光酸発生剤と反応することにより除去性を向上し、アッシング後のレジスト残さ物に対してはレジスト残さ物中の化学結合の開裂を促進することにより除去性を著しく向上させる。
【００３４】
　また、ａ成分の含有量は、０．０１質量％〜１質量％であり、好ましくは０．０５質量％〜０．５質量％である。０．０１質量％未満ではレジスト膜、レジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物の剥離性が低下し、１質量％を超えると銅配線およびＬｏｗ−ｋ膜等の層間絶縁膜に対する腐食が激しくなり好ましくない。
【００３５】
　本発明におけるｂ成分は、水溶性有機溶媒である。水溶性有機溶媒であれば特に限定はされないが、アミド類、グルコールエーテル類等が好ましく用いられる。アミド類としては、・・・（省略）・・・、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、・・・（省略）・・・等が挙げられる。
【００３６】
　グリコールエーテル類としては、・・・（省略）・・・、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、・・・（省略）・・・等が挙げられる。
【００３７】
　また、本発明のｂ成分として、上記アミド類とグルコールエーテル類の混合物を用いることは好ましい。・・・（省略）・・・。
【００３８】（省略）
【００３９】
　上記ｂ成分の含有量は、５０質量％〜９８質量％が好ましく、より好ましくは６０質量％〜９５質量％である。５０質量％未満ではレジスト膜、レジスト残さ物の除去性が低下するとともに銅配線への腐食が激しくなり、一方９８質量％を超えてもレジスト膜、レジスト残さ物の除去性が低下するので好ましくない。
【００４０】
　本発明におけるｃ成分としては、有機酸および無機酸からなる群より選ばれる１以上の酸が用いられる。・・・（省略）・・・。かかるｃ成分は、レジスト除去用洗浄液のｐＨ（水素イオン濃度）の調整に使用されるものであり、添加量は特に制限されるものではない。
【００４１】
　本発明にかかるレジスト除去用洗浄液のｐＨは、４〜８であり、好ましくは５．５〜７．５、より好ましくは６．５〜７．５である。本発明において、洗浄液のｐＨは、極めて重要な影響がある。ｐＨが４未満であると銅系金属膜の腐食が激しくなり、
ｐＨが８を超えるとレジスト膜、レジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物の除去性が低下し、また銅系金属膜およびＬｏｗ−ｋ膜の腐食が大きくなるので好ましくない
【００４２】
　本発明におけるｄ成分としては、水が用いられる。水は、ａ成分であるフッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩をイオン化し、レジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物の除去性能を高めるとともに、洗浄液の引火点を下げ取り扱いを容易にする役割を有する。
【００４３】
　また、
本願にかかる発明の一つのレジスト除去用洗浄液として、上記ａ成分〜ｄ成分に加えて、アンモニウム塩（ｅ成分）をも含有し、かつ水素イオン濃度ｐＨが４〜８であるものは好ましい形態である。ここで、かかるｅ成分は、絶縁膜の腐食を抑制する作用を有し
【００４４】
　本発明におけるｅ成分としては、アンモニウム塩であれば特に制限なく用いられる。たとえば、ギ酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、酪酸アンモニウム等の脂肪族モノカルボン酸アンモニウム塩、グリコール酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、マロン酸アンモニウム、コハク酸アンモニウム、マレイン酸アンモニウム、グルタル酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウム等の脂肪族多価カルボン酸アンモニウム塩、乳酸アンモニウム、グルコン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、リンゴ酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム等のオキシカルボン酸アンモニウム塩、
スルファミン酸アンモニウム
　　
ｆ．「【００５２】
　　【実施例】
　以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５３】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。本発明にかかるレジスト除去用洗浄液のドライエッチングによるレジスト残さ物の除去性、エッチングガスと無機質膜との反応によって生じるエッチング残さ物の除去性、銅膜またはＬｏｗ−ｋ膜に対する耐腐食性効果は、以下のようにして評価を行なった。
【００５４】
　（１）レジスト除去用洗浄液の調製
　・・・（省略）・・・。また、実施例２２〜２５におけるレジスト除去用洗浄液は、ａ成分〜ｅ成分からなるレジスト除去用洗浄液であり、表４内に示した所定質量％のａ成分、ｂ成分、ｅ成分と、必要とされるｄ成分分量全体の９５質量％を混合し、ｃ成分である硝酸およびプロピオン酸を少量加えて、所定のｐＨに調整し、さらにｄ成分を加えて１００質量％とすることにより調製した。加えるべきｃ成分の量は、調整すべきｐＨによって変わり、０．３質量％〜３質量％であった。
【００５５】
　（２）レジスト残さ物除去性
　通常のダマシンプロセスを用いて埋め込み型の第一銅配線１を第一絶縁膜２であるシリコン酸化膜の間に形成し、その上に第一銅配線の保護膜として厚さ６０ｎｍのシリコン窒化膜３およびＬｏｗ−ｋ膜である厚さ６００ｎｍのＣＶＤ−ＳｉＯＮ膜（誘電率２．８）４を順次形成し、その上にパターニングした厚さ４００ｎｍのポジ型レジスト層５を形成した（図１（ａ））。ここで、ＡｒＦ用レジストとしては、アクリル樹脂を含む化学増幅型ＡｒＦエキシマレジストであるＰＡＲ−１０１（住友化学社製）を、ＫｒＦ用レジストとしてはフェノール樹脂を含む化学増幅型ＫｒＦエキシマレジストであるＳＥＰＲ−４３０（信越化学社製）を用いた。
【００５６】
　次に、ＣＶＤ−ＳｉＯＮ膜４を、並行平板ＲＩＥを用いて、処理圧力１０Ｐａ、ＲＦ電力３００Ｗ、フロロカーボンとＡｒの混合ガスでドライエッチングして、ビアホール２１を形成させシリコン窒化膜３を露出させた。このとき、ビアホール内にレジスト残さ物６が認められた（図１（ｂ））。
【００５７】
　次に、ドライエッチング後のレジストパターンを、酸素ガスを用いたプラズマにより室温で９０秒間アッシング処理を行なった。このとき、Ｌｏｗ−ｋ膜表面には変質層７が形成されるとともに、その表面およびビアホール２１内にレジスト残さ物６が認められた（図１（ｃ））。
【００５８】
　次いで、上記のレジスト残さ物付着チップ（大きさ２０ｍｍ×２０ｍｍ）を、表１または表２に示した組成を有するレジスト除去用洗浄液２００ｃｍ3に２４℃で３０分間浸漬した後、水洗後乾燥した。ａ成分〜ｄ成分からなるレジスト除去用洗浄液を用いた時のＡｒＦ用レジストおよびそのレジスト残さ物除去性を表１に、ＫｒＦ用レジストおよびそのレジスト残さ物除去性を表２に示した。また、ａ成分〜ｅ成分からなるレジスト除去用洗浄液を用いた時のＡｒＦ用レジストおよびそのレジスト残さ物除去性を表４に示した。表１、表２または表４において、○○および○はレジスト残さ物が認められなかったもの（○○は○より表面状態が良い）であり、×はレジスト残さ物が認められたものを示す。
【００５９】
　次いで、上記と同様の手順で、Ｌｏｗ−ｋ膜４部分にトレンチ部２２を形成し（図２（ｅ）〜図２（ｇ））、残存するレジスト残さ物を上記と同様の手順で除去した（図２（ｈ））。このときの、レジストの除去性は、表１、表２または表４と同様であった。
【００６０】
　（３）エッチングガスと無機質膜との反応残さ物の除去性
　次いで、シリコン窒化膜３を、並行平板ＲＩＥを用いて、処理圧力１０Ｐａ、ＲＦ電力３００Ｗ、フロロカーボンとＡｒの混合ガスでドライエッチングして第一銅配線１を露出させた。このとき、第一銅配線表面上に上記のドライエッチングにより生じたエッチングガスとシリコン窒化膜との反応によってエッチング残さ物８が堆積した（図２（ｉ））。
【００６１】
　次に、上記エッチング残さ物８を、表３の組成を有するａ成分〜ｄ成分からなるレジスト除去用洗浄液により（２）と同様の要領で除去した（図２（ｊ））。その結果を表３に示す。表３における○○、○、×は、表１等と同様の基準で表示したものである。
【００６２】
　次いで、電気めっき法により、ビアホール２１およびトレンチ２２の中に銅を埋め込み、不要な部分を化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、第二銅配線１０を形成した。
【００６３】
　（４）銅配線の耐腐食性
　銅配線の耐腐食性は、銅板チップ（厚み５００ｎｍ、２０ｍｍ×２０ｍｍ）を表１〜表４に示した組成を有する洗浄液に２４℃で３０分間浸漬後、水洗後乾燥したときの銅板のエッチング量（厚みの減少）を蛍光Ｘ線による膜厚測定装置である４Probe（フォ−ディメンジョン社製）により測定した。エッチング量が２ｎｍ未満のものを○、２ｎｍ以上のものを×として表１〜表３に示した。
【００６４】
　（５）Ｌｏｗ−ｋ膜の耐腐食性
　Ｌｏｗ−ｋ膜の耐腐食性は、ＣＶＤ−ＳｉＯＮ膜チップ（厚み５００ｎｍ、２０ｍｍ×２０ｍｍ）を表１〜表４に示した組成を有するレジスト除去用洗浄液に２４℃で３０分間浸漬後、水洗後乾燥したときのＣＶＤ−ＳｉＯＮ膜チップのエッチング量（厚みの減少）を光干渉式膜厚測定装置であるNanospec（ナノメトリクス社製）により測定した。エッチング量が２ｎｍ未満のものを○、２ｎｍ以上のものを×として表１〜表４に示した。
【００６５】
　なお、表１〜表４において、
ＮＨ
４
Ｆはフッ化アンモニウム、ＤＭＡＣはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ＤＧＢＥはジエチレングリコールモノブチルエーテル
【００６６】
【表１】
【００６７】
　実施例１〜実施例４におけるレジスト除去用洗浄液は、ａ成分〜ｄ成分のすべての成分が含まれ、そのｐＨが４〜８の範囲内に入っているため、レジスト除去性、Ｃｕ膜耐腐食性およびＬｏｗ−ｋ膜耐食性いずれもが大きい。これに対して、比較例１はａ成分が含まれていないため、レジスト除去性が小さくなった。比較例２はｐＨが４より小さいため、レジスト剥離性およびＣｕ膜耐腐食性が低下した。比較例３はｐＨが８より大きいため、Ｃｕ膜耐腐食性およびＬｏｗ−ｋ膜耐腐食性が低下した。
【００６８】
　また、実施例３および実施例５〜実施例８から、ｂ成分中のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有量の多いものほどアクリル樹脂を多く含有するＡｒＦエキシマレーザ用レジストおよびその残さ物を除去することがわかる。
【００６９】〜【００７４】・・・（省略）・・・　　 
【００７５】
【表４】
【００７６】
　
実施例２２〜実施例２５におけるレジスト除去用洗浄液は、ａ成分〜ｅ成分のすべての成分が含まれ、そのｐＨが４〜８の範囲内に入っているため、レジスト除去性、Ｃｕ膜耐腐食性およびＬｏｗ−ｋ膜耐食性いずれもが大きい
（公報１の【００３４】〜【０１０５】）
  
ｇ．「【００７７】
　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【００７８】
　　【発明の効果】
　上述のように、本発明にかかる洗浄液は、レジストおよびドライエッチングによって生じたレジスト残さ物ならびにドライエッチングガスと無機質膜との反応によって生じたエッチング残さ物の除去性が高く、かつ銅配線およびＬｏｗ−ｋ膜の耐腐食性が高いため、ビアホール径およびトレンチ幅の広がりが無く、配線間の間隔が維持でき、半導体素子の特性を低下させることなく高集積半導体装置の製造が可能になる。」（公報１の【０１２０】、【０１２１】）
　
　これらの記載事項によると、先願明細書には、以下の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　
　「半導体基板上に、銅を主成分とする金属膜を成膜する工程と、その上に絶縁膜を形成する工程と、さらにその上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより該絶縁膜中にホールまたはトレンチを設ける工程と、ガスによるプラズマ処理または加熱処理により該レジストを除去する工程の後、残存するレジスト残さ物を、レジスト除去用洗浄液を用いて除去することを特徴とする半導体装置の製造方法において、
　該レジスト除去用洗浄液が、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩（ａ成分）、水溶性有機溶媒（ｂ成分）、有機酸および無機酸からなる群より選ばれる１以上の酸（ｃ成分）、水（ｄ成分）およびアンモニウム塩（ｅ成分）を含有し、かつ水素イオン濃度ｐＨが４〜８であるレジスト除去用洗浄液であり、具体例として、ａ成分として、フッ化アンモニウム、ｂ成分として、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールモノブチルエーテル、ｅ成分として、スルファミン酸アンモニウムを含み、ｐＨが７．５である、レジスト除去用洗浄液を用いて除去する半導体装置の製造方法。」
　 
４．対比、判断  
　そこで、本件補正発明と先願発明とを対比する。 
 　　　　　　　　　 
イ）先願発明において、「半導体基板上に、銅を主成分とする金属膜を成膜する工程と、その上に絶縁膜を形成する工程」を経た半導体基板は、本願補正発明の「下地層」に相当するから、先願発明の「半導体基板上に、銅を主成分とする金属膜を成膜する工程と、その上に絶縁膜を形成する工程、さらにその上にレジスト膜を形成する工程」とは、本願補正発明の「レジストパターンを有するレジストマスクを下地層上に形成」することに相当する。
ロ）先願発明の「該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより該絶縁膜中にホールまたはトレンチを設ける工程」、「ガスによるプラズマ処理または加熱処理により該レジストを除去する工程」は、それぞれ、本願補正発明の「前記レジストマスクを使って前記下地層を処理する工程」、「灰化処理を施して前記レジストマスクを除去する灰化処理工程」に相当する。 
ハ）先願発明の「残存するレジスト残さ物」、「レジスト除去用洗浄液」は、それぞれ、本願補正発明の「レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれか」、「レジスト用剥離剤組成物」に相当するものであるから、
　先願発明の「残存するレジスト残さ物を、レジスト除去用洗浄液を用いて除去すること」は、本願補正発明の「前記処理した下地層をレジスト用剥離剤組成物により洗浄処理して、前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する洗浄処理工程」に相当する。
ニ）そして、先願発明の「レジスト除去用洗浄液」と本願補正発明の「レジスト用剥離剤組成物」とは、その組成が、「水」を含む点で共通し、前者が「フッ化水素酸と金属を含まない塩基」、「水溶性有機溶媒」を必須とする点については、これらの物質は、本願補正発明も、下位請求項１１、１２を初め、発明の詳細な説明に好ましい態様や実施例として包含するものであるから、これらの物質の存否について問題とする必要はない。
　また、「有機酸および無機酸からなる群より選ばれる１以上の酸（ｃ成分）」については、摘記事項ｃ．【００４０】「レジスト除去用洗浄液のｐＨ（水素イオン濃度）の調整に使用されるものであり、添加量は特に制限されるものではない」との記載からみて、酸性度を高めるためのｐＨ調整剤であって、周知のものであるから、この存否についても問題とする必要はないものと認められる。
（ｐＨ調整剤の当分野での使用に関する周知例については、必要であれば、本願明細書【００１４】、【００１５】中に特許文献１、２として引用された特開２０００−２５８９２４号公報の【００１０】「酸性で使用する場合は、有機酸、無機酸等を添加すれば良い」、特開２００１−３４６３０３号公報の【００３７】「公知のｐＨ調節剤」等の記載を参照。）
 　　　　　　　　　　　 
　こうしたことから、本願補正発明と先願発明とは、次の点で一致ないし下記相違点１、２にて一応相違する。 
　
［一致点］ 
「レジストパターンを有するレジストマスクを下地層上に形成し、次いで前記レジストマスクを使って前記下地層を処理する工程と、
　灰化処理を施して前記レジストマスクを除去する灰化処理工程と、
　前記処理した下地層をレジスト用剥離剤組成物により洗浄処理して、前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する洗浄処理工程と
　を有し、前記レジスト用剥離剤組成物として、
　少なくともスルファミン酸（ＮＨ２ＳＯ３Ｈ）またはそのアンモニウム塩
と水とを含有するレジスト用剥離剤組成物を使用する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　 
［相違点１］「スルファミン酸」に関して、
　本願補正発明は、「スルファミン酸」を必須の成分とするのに対し、
　先願発明は、その「スルファミン酸」の「アンモニウム塩」が包含される点。
　
［相違点２］「レジスト用剥離剤組成物」に関し、
　本願補正発明は、「酸性」とするのに対し、
　引用発明では、「スルファミン酸アンモニウム」を包含する例のｐＨは７．５である点。
　
　以下、相違点について相違する。
　　 
（相違点１について） 
　「スルファミン酸アンモニウム塩」は、水との混合状態で一部「スルファミン酸」であるといえるから、実質的な相違点とはならない。
　
　なお、この点につき、請求人は、請求の理由で、「拒絶査定において、・・・スルファミン酸とアンモニアの混合物を含む組成物との区別がつかないと指摘されて」いることには触れているものの、そうであっても、本願発明は、「酸性レジスト用剥離剤組成物」に限定したから、引用例とは異なる旨を主張するにすぎない。
　よって、「スルファミン酸アンモニウム塩」が「スルファミン酸とアンモニアの混合物を含む組成物との区別がつかない」との指摘に関し、請求人は特段反論していない。
　
（相違点２について） 
　まず、「酸性」の限定について検討する。
　「酸性」に限定した補正は、上記本件補正によるが、請求の理由では、その根拠を出願当初明細書の段落番号【００１８】としている。
　この【００１８】には、「低誘電率絶縁膜を浸食するアルカリ性剥離剤に代えて酸性剥離剤を使用することが必要であるが、従来の酸性剥離剤はレジストの剥離性が低い。そこで、従来のカルボン酸系又はシュウ酸系に代わる酸を探した」との記載がある。
　しかしながら、この記載は、剥離剤成分が「酸性」であることを規定しているが、「レジスト用剥離剤組成物」として、「酸性」であるかを規定したものではない。
　そして、本願の出願当初明細書【００１４】には、「上述のように、アルカリ性剥離剤が低誘電率絶縁膜を浸食するという欠点を有するので、アルカリ性剥離剤に代わるものとして、カルボン酸系の酸を主成分とした酸性剥離剤が市販されている。
また、酸性剥離剤としてホスホン酸塩を主成分とする剥離剤も市販されている。例えば特開２０００−２５８９２４号公報は、酸化剤、ホスホン酸系キレート剤、及び水溶性フッ素化合物を有するレジスト用剥離剤組成物及びレジストの剥離方法を提案している。
更には、特開２００１−３４５３０３号公報は、有機アルカリと錯化剤を含有する表面処理剤であって、錯化剤としてホスホン酸塩を、有機溶媒として有機アルカリを使用したものを提案している。」
と、「酸性剥離剤」という語が出てくるが、例示されている、「特開２０００−２５８９２４号公報」を参照するに、【００１０】に、「・・・ｐＨに特に制限はない。通常、ｐＨ３〜１２の範囲・・・」と記載されており、実施例でも、ｐＨの記載はない。また、「特開２００１−３４５３０３号公報」を参照するに、本願明細書で引用しているように、「有機アルカリ」を含み、該公報の請求項１３や実施例からみても、全体の組成のｐＨは高い。
　そして、本願の出願当初明細書【００１６】【発明が解決しようとする課題】には、
「しかし、従来の酸性剥離液は、それぞれ、以下に説明するように、実用化の上で問題があった。
カルボン酸系の酸を主成分とする酸性剥離剤、及びホスホン酸系キレート剤を有する酸性剥離剤は、レジストの剥離性が低く、実際の生産工程で満足できる剥離効果を得ることが難しいことである。
また、錯化剤としてホスホン酸塩を有する酸性剥離剤は、ｐＨが９以上のアルカリ領域で使用することが必要であるために、低誘電率膜がアルカリ領域の雰囲気によって変質するおそれがあるという問題があった。・・・」
というように、「酸性剥離液」、「酸性剥離剤」という語句が用いられているものの、「特に、ｐＨが９以上のアルカリ領域で使用することが必要」とあるように、それらの語句がいわゆる、ｐＨが低い酸性領域の組成物を示しているのではないことは明らかである。
　これら本願の出願当初明細書の記載からみて、「酸性」という語の意味は、剥離成分が「酸性」であるかを意味しており、「レジスト用剥離剤組成物」が「酸性」であるかを意味するのでないことは明らかである。
　そして、本願の出願当初明細書には、これら以外に、「酸性」、あるいは、ｐＨを示す記載がなく、実施形態で示された「レジスト用剥離剤組成物」のｐＨも示されていない。
　したがって、「酸性」という言葉は、「剥離剤」成分に用いられているものであり、「レジスト用剥離剤組成物」に対するものではない。
  　
　一方、先願発明に使用される、「スルファミン酸アンモニウム」は、
例えば、昭和化学株式会社が作成している、化学物質等安全データシート（http://www.st.rim.or.jp/~shw/MSDS/01300150.pdf）よりテキストを抜粋コピーすると、
「１.化学物質及び会社情報
昭　和　化　学　株　式　会　社
東京都中央区日本橋本町４−３−８
・・・
改訂　平成19年7月19日
化学物質等のコード　：　0130-0150
化学物質等の名称　　：　アミド硫酸アンモニウム(スルファミン酸アンモニウム)
・・・
９．物理的及び化学的性質
　物理的状態、形状、色など： 白色〜無色の結晶又は粉末
　臭い ： 無臭
  pH ： 4.7〜5.7（5％水溶液）」
とあり、これによれば、５％水溶液のｐＨは４．７〜５．７であるから、「酸性」成分であるといえる。
　
　よって、「酸性」に限定した相違点２についても、実質的な相違点ではない。
　
（付記）　
　なお、上記相違点２の検討に関して併せて検討した内容を付記する。
　
　「酸性」の意味するところは上記のとおりであるが、仮に、「組成物」が「酸性」であるという意味であるとした場合について一応ここで検討する。
　請求人は、組成物が「酸性」であることを前提に回答書で下記の通り主張している。
　『また、引用例３ではレジスト用剥離組成物のｐＨについて、段落［００４８］に「レジスト除去用洗浄液のｐＨは、４〜８であり、好ましくは５．５〜７．５、より好ましくは６．５〜７．５である。」と記載されています。このように、引用例３に記載のレジスト用剥離組成物のｐＨは、中性であるｐＨ７を含む範囲であり、このｐＨ７を基準として酸性からアルカリ性をまで含む前後の範囲を示していると考えられます。このように、引用例３に記載のレジスト用剥離組成物は、ｐＨ４〜８という範囲が規定されているものの、これはほぼ中性のレジスト用剥離組成物であります。このため、ｐＨ４〜との記載をもって引用例３に記載のレジスト用剥離組成物が、酸性レジスト用剥離組成物とすることができるものではありません。 
　従って、引用例３に記載のレジスト用剥離組成物が酸性のレジスト用剥離組成物であり、本願発明に係る酸性レジスト用剥離組成物と同一であるとの判断は、適正ではありません。 
　また、引用例３には、具体的な実施例においてスルファミン酸を用いている実施例２４及び実施例２５が記載されています。このスルファミン酸を用いた実施例は、有機酸及び無機酸からなる群より選ばれる１以上の酸（ｃ成分）として多種多様の酸から、スルファミン酸を選択する根拠になる記載であると思われます。しかし、スルファミン酸を用いたレジスト用剥離組成物を示す実施例２４及び実施例２５では、組成物のｐＨが７．５と記載されています。つまり、引用例３には、スルファミン酸を用いたレジスト用剥離組成物としては、ｐＨ７以上であり、アルカリ性に傾いたほぼ中性のレジスト用剥離組成物しか記載されていません。このため、引用例３には、有機酸及び無機酸からなる群より選ばれる１以上の酸（ｃ成分）として、スルファミン酸を用いて、さらに、水素イオン濃度が４〜８の範囲として、ｐＨ７以下である酸性のレジスト除去用洗浄液は、まったく記載されていません。このため、引用例３には、本願発明の半導体装置の製造方法に係るレジスト用剥離組成物である、スルファミン酸と水を含む酸性レジスト用剥離組成物は、引用例３には記載されていません。 
　従って、引用例３に記載された発明と、本願発明に係るレジスト用剥離組成物とは、同一ではありません。』
　 
　しかしながら、上記のように、回答書にて、引用例３、すなわち、先願発明について、スルファミン酸アンモニウムを含む具体例はｐＨ７．５とアルカリ性に傾いたものの「ほぼ中性」であることを認めているように、ｐＨが高い「アルカリ性」ではなく、「中性」域を用いたことを、請求人は認めている。
　さらに、ｐＨ「６．５〜７．５」を「ほぼ中性」といっているように、「ほぼ中性」のなかに、「酸性」「アルカリ性」両方含まれているわけである。
　してみると、請求人がいう、引用例３の「ほぼ中性」のなかには、「酸性」領域も含むものである。
　そして、「スルファミン酸アンモニウム」を含む場合において、「そのｐＨが４〜８の範囲内に入っているため、ＡｒＦ用レジスト除去性、Ｃｕ膜耐腐食性およびＬｏｗ−ｋ膜耐食性いずれもが大きい。また、ｅ１成分が含まれない実施例３および実施例６と対比すると、表中の符号は同じ○であるものの、Ｌｏｗ−ｋ膜耐食性がさらに向上する傾向が見られた。」の記載からみて、ｐＨが４〜８の範囲内であることが必要で、回答書で引用する先願明細書の段落［００４８］に「ｐＨが８を超えると」、「除去性」および「Ｃｕ膜耐腐食性およびＬｏｗ−ｋ膜耐食性」が低下することが記載されている。
　一方、本願明細書において、ｐＨ８ではなく、ｐＨ７以下とすることによる、格別な技術的意義が記載されているわけでもなく、ｐＨを４未満の「酸性」領域にしたものでもない。
　したがって、先願発明において、スルファミン酸アンモニウムを含む系においても、実施例のｐＨ７．５のみに限定的に解釈する必要はなく、ｐＨ調整剤によりｐＨ４〜８の所望のｐＨに調整することは、ｐＨ７．５と同様に記載されているに等しい事項と認められ、レジスト用剥離剤組成物を酸性にすることも記載されているに等しい事項であるといえる。
　以上、組成物が「酸性」であると解釈した上でも、先願発明と実質的に同一であると認められる。
　
５．まとめ
　よって、本願補正発明は先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願補正発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができない。 
　
６．むすび 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　
第３．本願発明について  
１．本願発明  
　平成２０年１０月８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２０に係る発明は、平成２０年７月１４日付の手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項９に係る発明は次のとおりのものと認める。  
　 
「　レジストパターンを有するレジストマスクを下地層上に形成し、次いで前記レジストマスクを使って前記下地層を処理する工程と、
　灰化処理を施して前記レジストマスクを除去する灰化処理工程と、
　前記処理した下地層をレジスト用剥離剤組成物により洗浄処理して、前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの残渣の少なくともいずれかを剥離、除去する洗浄処理工程と
　を有し、前記レジスト用剥離剤組成物として、少なくともスルファミン酸（ＮＨ２ＳＯ３Ｈ）と水とを含有するレジスト用剥離剤組成物を使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　 
２．引用例  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その出願後に特許法第４１条第３項の規定により出願公開がされたものとみなされた特願２００２−２０３９８７号の特許出願の願書に最初に添付された明細書及び図面には、上記「第２．３」に示したとおりの事項が記載されている。
　
３．対比、判断 
　本願の請求項９に係る発明は、上記「第２．　１．」欄に示した本願補正発明における、「酸性レジスト用剥離剤組成物」を「酸性」とする限定を含まないものである。  
　 
　そうすると、本願の請求項９に係る発明の特定事項を全て含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２．　３．」欄〜「第２．　５．」に記載したとおり、先願明細書に記載された発明と同一のものであるから、本願の請求項９に係る発明の発明１も、同様の理由により、本願補正発明は先願明細書に記載された発明と同一である。 
　 
４．むすび  
　以上のとおり、本願の請求項９に係る発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。