【事件の表示】
　特願２００３−３７７１３９「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月　３日出願公開、特開２００４−１５８８６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１１年１２月２４日（優先権の主張平成１１年２月２６日，以下「本願の原出願」という。）に出願した特願平１１−３６６２７６号の一部を平成１５年１１月６日新たな特許出願としたものであって，平成１９年４月２７日付けの拒絶理由通知に対して，同年６月２７日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年７月２３日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年８月３０日に審判請求がされるとともに，同年９月１９日に手続補正書が提出され，その後当審において平成２１年１２月１８日付けで審尋がなされ，平成２２年２月１０日に回答書が提出されたものである。
　
　
２．平成１９年９月１９日に提出された手続補正書による補正(以下「本件補正」という。)について。
　
（１）本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲及び明細書を補正するものであり，そのうち特許請求の範囲については，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３を補正後の請求項１及び２と補正するものであって，補正後の特許請求の範囲の請求項１及び２は，以下のとおりである。
「　　【請求項１】
　基板の表面に金属薄膜を形成する基板処理装置であって，
　基板の表面に金属の層を形成する金属層形成部と，
　前記基板の熱処理を行う熱処理部と，
　未処理の基板および処理済みの基板を収納するカセットを載置する基板搬入出部と，
　前記金属層形成部，前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う搬送手段と，を備え，
　前記金属層形成部は，基板の表面にメッキ処理を行うメッキ処理部を含み，
　前記メッキ処理部は，電解メッキ液を直接基板に供給してメッキ処理を行うメッキ処理ユニットと，メッキ処理を行った後に基板の後洗浄を行う後洗浄ユニットと，を含み，
　前記搬送手段は，前記メッキ処理部にてメッキ処理が行われて一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入することを特徴とする基板処理装置。
　　【請求項２】
　請求項１記載の基板処理装置において，
　前記金属層形成部，前記熱処理部および前記基板搬入出部が前記搬送手段の周囲に設置されていることを特徴とする基板処理装置。」
　
（２）補正事項の整理
　［補正事項１］
　補正前の請求項１を削除すること。
　［補正事項２］
　補正前の請求項２を，独立請求項形式として，補正後の請求項１とすること。
　〔補正事項３〕
　補正前の請求項３を，内容を変更せずに補正後の請求項２とすること。
　
（３）補正内容についての検討
　［補正事項１］〜［補正事項３］は，総合すれば，補正前の請求項１を削除し，補正前の請求項２及び３を，それぞれ，補正後の請求項１及び２とするものであるから，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当し，また，本願の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「当初明細書」という。）の範囲内でなされたことは明らかであるから，平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
３．本願発明
　平成１９年９月１９日付けの手続補正は，上記２．において検討したとおり，適法になされたものであるから，本願の請求項１及び２に係る発明は，平成１９年９月１９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て，その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであり，そのうち，請求項１に係る発明は，その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのもの（再掲）である。
　
「　　【請求項１】
　基板の表面に金属薄膜を形成する基板処理装置であって，
　基板の表面に金属の層を形成する金属層形成部と，
　前記基板の熱処理を行う熱処理部と，
　未処理の基板および処理済みの基板を収納するカセットを載置する基板搬入出部と，
　前記金属層形成部，前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う搬送手段と，を備え，
　前記金属層形成部は，基板の表面にメッキ処理を行うメッキ処理部を含み，
　前記メッキ処理部は，電解メッキ液を直接基板に供給してメッキ処理を行うメッキ処理ユニットと，メッキ処理を行った後に基板の後洗浄を行う後洗浄ユニットと，を含み，
　前記搬送手段は，前記メッキ処理部にてメッキ処理が行われて一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入することを特徴とする基板処理装置。」
　
４．刊行物に記載された発明
（１）特開平１０−２３７６３９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−２３７６３９号公報（以下「引用例」という。）には，図１，３及び６とともに，以下の記載がある。（下線は当合議体で付加したものである。）
ア　（段落【０００１】〜【０００２】）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は，各種半導体デバイス等の集積回路において相互拡散等を防止する集積回路用バリア膜の作成技術に関し，特にそのような
バリア膜を作成するスパッタリング装置
【０００２】
【従来の技術】
各種メモリやロジック等の半導体デバイスでは，異種層の相互拡散の防止等の目的で，当該異種層の界面にバリア膜を介在させた構造を採用している。このようなバリア膜は，多くの場合，チタンと窒化チタンとを積層した構造を有し
イ　（段落【０００６】）
「【０００６】バリア膜を作成する場合，最初にアルゴンガスを導入してチタン薄膜を作成し，その後，ガスを窒素に変えてスパッタを行い，チタンと窒素の反応を補助的に利用しながら，窒化チタン薄膜を堆積される。この結果，チタン薄膜の上に窒化チタン薄膜が作成された状態となり，バリア膜として利用できることになる。」
ウ　（段落【０００７】〜【０００８】）
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路の集積度は，メモリであれば容量の大規模化，ロジックではあれば動作速度の高速化等を背景として，益々高くなってきている。このような集積度の増加は，デバイスの構造の面では，コンタクトホールや層間ビアホール等のホールのアスペクト比の上昇になって現れてきている。アスペクト比は，ホールの開口に対するホールの深さの比であり，例えば，２５６メガビットのＤＲＡＭの構造では，深さ１〜１．５μｍでホールの開口が直径０．２５μｍ程度の円形のホール（アスペクト比４〜６）を有するに至っている。
【０００８】
上記バリア膜は，上述のような高アスペクト比のホール内にも作成することが必要になってきている。
図６は，ＦＥＴ等のデバイスにおける配線構造が簡略化されて示されている。この構造では，下地シリコン５０１上に酸化シリコン等の絶縁層５０２が形成されており，絶縁層５０２上に配線層５０３が形成されている。そして，絶縁層５０２に形成されたコンタクトホール内にはアルミ又はタングステン等よりなるコンタクト配線５０４が埋め込まれており，コンタクト配線５０４と下地シリコン５０１及び絶縁層５０２との界面にバリア膜５０５が介在されている。
エ　（段落【００１５】〜【００１６】）
「【００１５】このように，チタンと窒化チタンとを積層した構造のバリア膜については，イオン化スパッタをそのまま適用することは困難であり，ボトムカバレッジ率の向上の効果を十分に得ることはできない。本願の発明は，このような課題を解決するためになされたものである。
即ち，集積回路用バリア膜の作成において，イオン化スパッタの手法の応用を工夫して行うことで，高アスペクト比のホールに対して十分に成膜を行うことができるスパッタリング装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため，本願の請求項１記載の発明は，チタンと窒化チタンとを積層した構造の集積回路用バリア膜を作成するスパッタリング装置において，排気系を備えたスパッタチャンバーと，このスパッタチャンバー内に設けられたチタンよりなるターゲットと，このターゲットをスパッタするスパッタ電極と，スパッタ放電のためにスパッタチャンバー内にガスを導入するガス導入手段と，スパッタによってターゲットから放出されたチタンをイオン化させるイオン化手段と，イオン化したチタンが入射する位置に基板を保持する基板ホルダーと，イオン化したチタンを基板に引き込むために基板に垂直な方向に電界を設定する電界設定手段とを備え，チタン薄膜が作成された基板を加熱しながら当該基板の表面に窒素ガスを供給してチタン薄膜の表面を窒化させる窒素アニール手段を有しているという構成を有する。また，上記課題を解決するため，請求項２記載の発明は，上記請求項１の構成において，イオン化手段は，ターゲットから基板へのチタンの飛行経路において誘導結合型高周波プラズマを形成するものであるという構成を有する。また，上記課題を解決するため，請求項３記載の発明は，上記請求項１又は２の構成において，電界設定手段は，基板ホルダーに所定の高周波電圧を印加することで基板に負のバイアス電圧を与えるものであるという構成を有する。また，上記課題を解決するため，請求項４記載の発明は，上記請求項１，２又は３の構成において，窒素アニール手段は，スパッタチャンバーとは別に設けられたアニールチャンバー，アニールチャンバー内に窒素ガスを導入するアニール用ガス導入手段と，アニールチャンバー内に搬入された基板が載置される加熱ステージとから構成され，当該スパッタチャンバーからスパッタチャンバーに真空中で基板を搬送する構造を有している。また，上記解題を解決するため，請求項５記載の発明は，上記請求項１，２又は３の構成において，ガス導入手段は窒素ガスを導入する窒素ガス導入系を有し，基板ホルダーは基板を所定温度に加熱する加熱手段を内蔵しており，窒素アニール手段は，当該窒素ガス導入系と当該加熱手段によって構成されていて，チタン薄膜を作成したスパッタチャンバー内で連続して当該チタン薄膜の表面を窒化処理することが可能であるという構成を有する。」
オ　（段落【００１７】〜【００１９】）
「【００１７】
【発明の実施の形態】以下，本願発明の実施の形態について説明する。まず，請求項１，２，３及び４の発明に対応した第一の実施形態について説明する。図１は，本願発明の第一の実施形態のスパッタリング装置の構成を説明する平面概略図である。
【００１８】
本実施形態のスパッタリング装置は，いわゆるマルチチャンバータイプの装置である。具体的には，図１に示すように，中央に配置された搬送チャンバー６１と，この搬送チャンバー６１の周囲に配置されたスパッタチャンバー１，処理チャンバー６２，６３，６４，６５，６６，ロードロックチャンバー６７及びアンロードロックチャンバー６８とから構成されている。
また，搬送チャンバー６１内には搬送ロボット６１１が配設されている。搬送ロボット６１１は，ロードロックチャンバーから基板５０を一枚ずつ取り出し，スパッタチャンバー１や各処理チャンバー６２，６３，６４，６５，６６に順次搬送して，基板５０上に所定のバリア膜を作成するようになっている。
カ　（段落【００３６】）
「【００３６】スパッタ放電によってターゲット２がスパッタされ，スパッタされたチタンは，基板５０に向けて飛行する。その飛行の途中，イオン化空間のプラズマＰを通過する際にイオン化する。イオン化したチタンは，引き出し電界によってプラズマから効率良く引き出され，
基板５０に入射する。基板５０に入射したチタンは，ホールの底面や側面に達して膜を堆積し，効率よくホール内を被覆する。所定の厚さで膜が作成されると，電界設定手段８，イオン化手段７，スパッタ電極３，及びガス導入手段４の動作をそれぞれ停止させ，基板５０をスパッタチャンバー１から搬出する。
キ　（段落【００４２】〜【００４５】）
「【００４２】図３を使用して，アニールチャンバー６３における窒素アニールの動作について説明する。排気系６３１によってアニールチャンバー６３内は１０-8Ｔｏｒｒ程度に予め排気されいる。また，加熱ステージ９２は，ヒータ９３によって所定温度に予め加熱されている。
【００４３】この状態で，不図示のゲートバルブを通して基板５０がアニールチャンバー６３内に搬送され，基板ホルダー５に載置される。
そして，クランプ手段９４が動作して基板５０を加熱ステージ９２に押しつける。これによって，基板５０は加熱ステージ９２の温度程度まで急速に加熱される。
これによって，基板５０上に作成されたチタン薄膜の表面が窒化し，窒化チタン層が形成される。
ク　（段落【００４７】〜【００４８】）
「
【００４７】次に，上記構成に係る本実施形態のスパッタリング装置の全体の動作について，図１を使用して説明する。まず，搬送チャンバー６内の搬送ロボット６１１は，ロードロックチャンバー６７内のカセット６７１から基板５０を一枚ずつ取り出し，まずプリヒートチャンバー６２に搬送する。プリヒートチャンバー６２で基板５０を４００℃で１〜２分程度加熱してプリヒートした後，搬送ロボット６１１は基板５０をスパッタチャンバー１に搬送する。そして，スパッタチャンバー１内で上述の通りチタンのスパッタ成膜を行い，基板５０上のホール内にチタン薄膜を作成する。【００４８】次に，基板５０をアニールチャンバー６３に搬送し，上述の通り，窒素アニール処理を行う。これによって，チタン薄膜の表面が窒化され，チタンと窒化チタンの積層膜が作成される。その後，基板５０を冷却チャンバー６６に搬送して所定温度に冷却し，その後，アンロードロックチャンバー６８内のカセット６８１に搬送する。そして，アンロードロックチャンバー６６からカセットごと装置外に取り出される。
　
・ここで，上記ア〜エによれば，引用例に記載された発明が解決しようとする課題の前提として，高アスペクト比のホールに対してチタン薄膜と当該チタン薄膜の表面を窒化させた窒化チタンとを積層した構造の集積回路用バリア膜を形成するとともに，「絶縁層５０２に形成されたコンタクトホール内にはアルミ又はタングステン等よりなるコンタクト配線５０４が埋め込まれており，コンタクト配線５０４と下地シリコン５０１及び絶縁層５０２との界面にバリア膜５０５が介在され」ること，すなわち，コンタクトホール内のバリア膜上にはコンタクト配線が埋め込まれる構成が開示されており，引用例に記載された発明も該構成を前提としたものである。
　
・上記エ〜カによれば，図１に示された，マルチチャンバタイプのスパッタリング装置は，基板５０上にチタン薄膜を作成するスパッタチャンバーを備えている。
　
・上記エ，オ及びキによれば，アニールチャンバ６３は，基板５０を加熱することが開示されている。
　
・上記クによれば，「搬送チャンバー６内の搬送ロボット６１１は」，「ロードロックチャンバー６７内のカセット６７１から基板５０を一枚ずつ取り出」すこと，「基板５０をスパッタチャンバー１に搬送する」こと，「次に，基板５０をアニールチャンバー６３に搬送」すること，及び「その後，アンロードロックチャンバー６８内のカセット６８１に搬送する」ことが開示されている。
　
　したがって，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「高アスペクト比のホールに対してチタン薄膜と当該チタン薄膜の表面を窒化させた窒化チタンとを積層した構造の集積回路用バリア膜であって，該集積回路用バリア膜上にはコンタクト配線が埋め込まれるバリア膜を形成するマルチチャンバータイプのスパッタリング装置であって，
　中央に配置された搬送チャンバー６１と，この搬送チャンバー６１の周囲に配置されたスパッタチャンバー１，アニールチャンバー６３，ロードロックチャンバー６７及びアンロードロックチャンバー６８とから構成され，
　前記スパッタチャンバー１は，基板５０上にチタン薄膜を作成するものであり，
　前記アニールチャンバ６３は，基板５０を加熱するものであり，
　前記搬送チャンバー６１内に配設された搬送ロボット６１１は，前記ロードロックチャンバー６７内のカセット６７１から基板５０を一枚ずつ取り出し，前記基板５０をスパッタチャンバー１に搬送し，前記基板５０をアニールチャンバー６３に搬送し，さらに前記基板５０を前記アンロードロックチャンバー６８内のカセット６８１に搬送するものである，
マルチチャンバータイプのスパッタリング装置。」
　
５．本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「マルチチャンバータイプのスパッタリング装置」は，基板５０上にチタン薄膜を作成するスパッタチャンバーを備えるから，本願発明の「基板の表面に金属薄膜を形成する基板処理装置」に相当する。
　なお，本願特許請求の範囲における用語の「金属薄膜」について本願明細書の記載を見ると，「金属薄膜」は，主に基板のメッキ処理よりも前に形成された金属薄膜を指す語として用いられている。それ以外の意味として，本願明細書の段落【００３１】において，「ウエハの表面にメッキ層の金属薄膜を形成するものがある」との記載があるが，メッキ処理よりも前に金属薄膜を設けることなくメッキ処理のみによって「金属薄膜」を形成することは本願明細書の記載からは読み取れないから，この場合においても，メッキ処理よりも前に形成された金属薄膜が当然に存在するものと認められる。また，本願特許請求の範囲においては，メッキ処理によって形成される層を「金属の層」，あるいは「金属層」としている。したがって，本願発明における「金属薄膜」は，メッキ処理よりも前に形成された金属薄膜であると言うことはできるが，メッキ処理によって形成されたもの，すなわち「金属層形成部」において形成されたものであるとは必ずしも言えない。
（２）引用発明の「アニールチャンバ６３」は，「基板５０を加熱するものであ」るから，本願発明の「基板の熱処理を行う熱処理部」に相当する。
（３）引用発明の「ロードロックチャンバー６７内のカセット６７１」には，引用発明の「マルチチャンバータイプのスパッタリング装置」における処理がなされる前の基板５０が収納されるものであり，「ロードロックチャンバー６８内のカセット６８１」には，同じく処理がなされた後の基板５０が収納されるものであることは明らかであるから，これらは併せて，本願発明の「未処理の基板および処理済みの基板を収納するカセットを載置する基板搬入出部」に相当する。
（４）引用発明の「搬送チャンバー６１内に配設された搬送ロボット６１１」は，「前記ロードロックチャンバー６７内のカセット６７１から基板５０を一枚ずつ取り出し，前記基板５０をスパッタチャンバー１に搬送し，前記基板５０をアニールチャンバー６３に搬送するものである，」である。ここで，前述のとおり，引用発明の「アニールチャンバ６３」は，本願発明の「基板の熱処理を行う熱処理部」に相当するものであるから，引用発明の「搬送チャンバー６１内に配設された搬送ロボット６１１」と，本願発明の「前記金属層形成部，前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う搬送手段」とは，「前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う搬送手段」である点で共通する。また，前述のとおり，引用発明の「ロードロックチャンバー６８内のカセット６８１」には，「マルチチャンバータイプのスパッタリング装置」における処理がなされた後の基板５０が収納されるものであることは明らかであるから，引用発明の「搬送チャンバー６１内に配設された搬送ロボット６１１」が「前記基板５０を前記アンロードロックチャンバー６８内のカセット６８１に搬送」することと，本願発明の「前記搬送手段は，前記メッキ処理部にてメッキ処理が行われて一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入する」こととは，「前記搬送手段は，」「一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入する」点で共通する。
　
（５）一致点
　したがって，引用発明と本願発明とは，
「基板の表面に金属薄膜を形成する基板処理装置であって，
　前記基板の熱処理を行う熱処理部と，
　未処理の基板および処理済みの基板を収納するカセットを載置する基板搬入出部と，
　前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う搬送手段と，を備え，
　前記搬送手段は，一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入することを特徴とする基板処理装置。」
の点で一致する。
　
（６）相違点
　一方，本願発明と引用発明は，次の各点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明は，「基板の表面に金属の層を形成する金属層形成部」であって，「基板の表面にメッキ処理を行うメッキ処理部を含み，　前記メッキ処理部は，電解メッキ液を直接基板に供給してメッキ処理を行うメッキ処理ユニットと，メッキ処理を行った後に基板の後洗浄を行う後洗浄ユニットと，を含」むものを備えているのに対し，引用発明は，そのようなものを備えない点。
［相違点２］
　「搬送手段」について，本願発明では，「前記金属層形成部，前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う」ものであり，「前記メッキ処理部にてメッキ処理が行われて一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入する」ものであるのに対して，引用発明では，「前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う搬送手段」であり，「前記金属層形成部」を含むものとの間で基板の搬送を行うものではなく，また，引用発明では「一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入する」ものではあるものの，「前記メッキ処理部にてメッキ処理が行われて」一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入するものではない点。
　
６．判断
　以下において，相違点１及び２について検討する。
　
（１）相違点１について
　引用発明は，「高アスペクト比のホールに対してチタン薄膜と当該チタン薄膜の表面を窒化させた窒化チタンとを積層した構造の集積回路用バリア膜であって，該集積回路用バリア膜上にはコンタクト配線が埋め込まれるバリア膜を形成するマルチチャンバータイプのスパッタリング装置」であるが，半導体集積回路の製造において，バリア膜とその上に埋め込まれるコンタクト配線を形成するにあたり，前記コンタクト配線を電気メッキ（電解メッキ）により形成することは，次の周知例１及び２にも示されているように，従来周知の技術である。
・周知例１：　特開平６−３２６０５５号公報
　本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である，特開平６−３２６０５５号公報には，以下の記載がある。
「【００１５】次に，図２（ｂ）に示すように，メッキ下地メタルとしてＷＳｉ膜（膜厚1000Å）／Ｔｉ膜（膜厚100Å）／Ａｕ（膜厚1000Å）等の鍍金電極12をコンタクトホール11内の配線層２とコンタクトするようにスパッタリング等により形成する。そして，ＷＳｉ／Ｔｉ／Ａｕ鍍金電極12を用い，電界鍍金法によりコンタクトホール11を覆うようにＷＳｉ／Ｔｉ／Ａｕ鍍金電極12上に膜厚１μｍ程度のＡｕ鍍金配線層13を形成することにより，図２（ｃ）に示すような配線構造を得ることができる。」（ここで「電界鍍金法」は，「電解鍍金法」の誤記と認められる。）
・周知例２：　特開平１０−１６３２０８号公報
　本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である，特開平１０−１６３２０８号公報には，以下の記載がある。
「【００１２】ここで図４Ａ〜図４Ｅを参照すると，種々の段階における相互接続構造を示す一連の連続的な断面図によって，好適なプロセスが図示されている。（・・・中略・・・）基板上の誘電体層内に形成された窪み１２ｂは，相互接続金属の形状を規定する。窪み１２ａ，１２ｂは，従来の製造技法によって，本装置を超クリーン環境に入れる前に，基板内に形成される。図４Ｂには，好ましくはＴｉＷで作られＣＶＤまたはプラズマ・デポジットによって形成された，バリア層または接着層１４が示されている。
【００１３】図４Ｃに示すように，電気メッキまたは無電解メッキ技法を用いて，Ｃｕの厚い膜を層１４上に形成する。層１６の厚さを調節して，溝を完全に埋めるようにする。（・・・以下略・・・）」
　
　また，引用発明は「マルチチャンバータイプのスパッタリング装置」であり，スパッタチャンバだけではなくアニールチャンバ及び各チャンバ間の基板の搬送を行う搬送チャンバをも備え，スパッタチャンバにおけるスパッタ，及びアニールチャンバにおけるアニールを含む一連の処理を行うものである。このように，必要とされる処理を行うチャンバを搬送チャンバに結合して，所望される一連の処理を行う装置は，次の周知例３及び４にも示されているように，従来周知の技術である。
・周知例３：　特開平１０−１４４７５７号公報
　本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された，特開平１０−１４４７５７号公報には，以下の記載がある。
「【００１５】
【１．第１の実施の形態】
＜１−１．機構的概略構成と装置配列＞図１は第１の実施の形態の基板処理システム１の構成図である。同図および以下の各図においては，水平面をＸ−Ｙ面とし，鉛直方向をＺ軸方向とする３次元座標系Ｘ−Ｙ−Ｚが定義されている。以下，図１を用いてこの基板処理システム１について説明していく。
【００１６】図示のようにこのシステムは六角柱状をなす搬送チャンバ２０の周囲にローダ・アンローダ１０，バッファチャンバ３０およびそれに隣接した洗浄・乾燥チャンバ４０からなる基板処理ユニットＷＵを２組，および成膜チャンバ５０を３機，放射状に備えた基板処理システムである。そして，このシステムは各部に接続された図示しない制御部によるタイミング制御によって，搬送チャンバ２０を介してローダ・アンローダ１０内にセットされる複数の未処理の基板Ｗを収納したカセットＣＡから，基板Ｗを１枚ずつ取り出して各チャンバ間を搬送しつつ，洗浄・乾燥チャンバ４０において成膜前洗浄処理の後に乾燥処理を行い，さらに成膜チャンバ５０において成膜処理を行い，最終的に全基板処理が終了した基板Ｗをローダ・アンローダ１０内のカセットＣＡに収納する枚葉成膜処理を行うシステムである。なお，基板処理ユニットＷＶは，搬送チャンバ２０の側面に容易に取り付けられるように一体として製造されている。」
・周知例４：　特開平８−２１３３６６号公報
　本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された，特開平８−２１３３６６号公報には，以下の記載がある。
「【００６１】図１に示す本実施例の半導体製造装置１Ａは，例えば半導体ウエハ上の絶縁膜に接続孔を形成するためのクラスタツールであり，その中央搬送部２ａの外周には，ロードロック部３ａ，アンロード部４ａ，メインエッチング処理部５ａ，メインアッシング処理部６ａ，サブエッチング処理部７ａ，８ａ，サブアッシング処理部９ａが設置されている。
【００６２】中央搬送部２ａは，半導体ウエハ（図１には図示せず）を半導体製造装置１Ａの各部に搬送するための機構部であり，搬送アーム等のような半導体ウエハ搬送機構（図示せず）を備えているとともに，搬送室内を真空状態に維持するための真空維持機能を備えている。」
　
　さらに，半導体ウェハ，すなわち半導体基板に対してメッキを行う装置は，次の周知例５及び６にも示されているように，従来周知のものである。また，メッキ処理後に洗浄を行うことは技術的常識であり，そのための洗浄機構をメッキ装置に付帯させることも，周知例５に示されているように周知である。
・周知例５：　特開平１０−１６３２０８号公報（前記周知例２と同じ文献である。）には，以下の記載がある。
「【００１４】（・・・中略・・・）ここで図１を参照すると，本発明の製造装置の全体的な構造が，概略的に示されている。装置３０は，関連する装置を密閉するためのチャンバ３２を有する。装置内の空気環境は，従来の製造ライン程厳格ではない。典型的に，クラス１０００のクリーン・ルームが適当である。
【００１５】チャンバ３２に対して半導体ウエハの導入および抽出を行うために，入力および出力ステーション(input and output station)３４が設けられている。無電解ＴｉＷデポジット・ステーション，および電気メッキまたは無電解メッキＣｕ・デポジット・ステーション３８が設けられている。これらのステーションは，典型的に，メッキ溶液で充填されたメッキ・タンク，およびウエハを支持する運搬ステーションである。好ましくは，予備／金属洗浄タンク４０および洗浄ステーションも，チャンバ３２内に設けられている。（・・・中略・・・）基板を装置に向かって進ませたり，装置から離れるように移動させることができる適当な自動インデクサ装置４６が，チャンバ３２内に設けられている。研磨装置４２，４４，およびウオータ・ジェット洗浄装置に隣接して，追加の転送装置４８を設けることが好ましい。
【００１６】装置３０の好適実施例が図２に示されている。装置３０は，チャンバ３２，主研磨機４２，補助研磨機４４，および電気メッキ・タンク３６，３８を備える電気メッキ・ステーション６０を有する。無負荷／負荷ステーション(unload/loadstation)３４，ウオータ・ジェット洗浄ステーション５０，タンク４０を収容した洗浄ステーション６２，および自動インデクサ装置４６も含まれている。また，この装置は，無電解バリア層メッキ装置，およびバリア・エッチング槽も含んでいる。図６に，基板上にＣｕをメッキする電気メッキ装置６０を示している。装置６０は，ポンプ７４によって溶液を循環させる溶液タンク７２，一定温度を保持する熱交換機７６，およびフィルタ７８を含んでいる。内部バッフル(internal baffle)８０が，バッフル８０上の電極８２に取り付けられているウエハ１０に向けて溶液を送出する。電極はモータ８４によって回転する。第２の電極８６がタンク７２内に取り付けられ，電源８８から給電される。」
・周知例６：　特開平１０−２０４６９０号公報
　本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された，特開平１０−２０４６９０号公報には，以下の記載がある。
「【０００５】そのために本発明による自動ウェーハめっき装置は，水平方向で伸縮可能とした把持アームを上下動可能に且つ上下動軸を中心とした回動動作可能にして有する搬送ロボットを備え，またこの搬送ロボットを囲むように且つ前記把持アームの最大伸長時に当該把持アームの先端部の把持部が到達可能な範囲内にそれぞれ位置させて配したロードステージ，向き合わせステージ，めっきステージ，回収ステージ，及び洗浄ステージを備えている。
【０００６】そして搬送ロボットがその把持アームにおける回動動作，上下動動作及び伸縮動作の組み合わせにより，ロードステージに載置の供給用カセットからウェーハを１枚ずつ把持して取り出す動作，このウェーハを搬送して向き合わせステージに供給する動作，向き合わせステージで向き合わせ済のウェーハを搬送してめっきステージに供給する動作，めっきステージでめっき済のウェーハを搬送して回収ステージに供給する動作，及び回収ステージでめっき液の回収処理を終えたウェーハを搬送して洗浄ステージに供給する動作を各ウェーハごとに順次繰り返し，これにより各ウェーハに一連のめっき関連処理を施す。」
「【００１５】
【実施の形態】以下，本発明の一実施形態を説明する。図１に本実施形態による自動ウェーハめっき装置の構成を平面配置について簡略化して示してある。図１に見られるように，本実施形態による自動ウェーハめっき装置は，クリーンルーム化を可能としたハウジング１の内部に搬送ロボット２を中心にし，その回りにほぼ円形配置にしてロードステージ３，向き合わせステージ４，めっきステージ５，回収ステージ６，及び洗浄ステージ７を設けた構造となる。これらの各ステージの中心からの距離は，図中に一点鎖線の円で示すように，後述する搬送ロボット２における把持アーム８の伸長時先端部が到達可能な範囲とする。」
　そうすると，引用発明によって形成されるバリア膜上にさらに電気メッキによってコンタクト配線を形成するべく，引用発明に係るマルチチャンバータイプのスパッタリング装置の搬送チャンバに対して，さらに電気メッキを行う装置を加えることは，当業者が容易に想到し得たことである。この際，電気メッキ処理を行うために，電気メッキを行う装置が，電解メッキ液を直接基板に供給してメッキ処理を行うメッキ処理部分を備えることは明らかである。また，上述のとおり，メッキ装置としてメッキ処理後に洗浄を行う部分を備えたものは周知であるから，この点は当業者が適宜になし得たことである。したがって，引用発明において，「基板の表面に金属の層を形成する金属層形成部」であって，「基板の表面にメッキ処理を行うメッキ処理部を含み，　前記メッキ処理部は，電解メッキ液を直接基板に供給してメッキ処理を行うメッキ処理ユニットと，メッキ処理を行った後に基板の後洗浄を行う後洗浄ユニットと，を含」むものを備えるようにすることに，何ら困難はない。
　なお，請求人は，回答書において，「半導体製造装置の分野においては，他の技術分野に比して「汚染」という不具合に対して（たとえ極微量の汚染であったとしても）極度に配慮するのが当業者の常識であります。
　　　・・・（中略）・・・
　また，汚染に対して極度に配慮するという当業者の技術常識を踏まえれば，メッキ工程を行うためのメッキチャンバーを新たにクラスタツールの構成要素として採り入れることは当業者にとってきわめて自然な発想であるとの指摘も当を得たものではございません。」と主張するが，前記周知例１，２，５及び６にも示されているように，半導体製造装置としてメッキ装置を用いることは周知の技術であるから，半導体装置の一連の製造工程において，メッキ工程が必要ならば，クラスタツールにメッキ装置を加えると発想すること自体に何ら困難は見いだせない。仮に，メッキ工程そのものが汚染源となりうるにしても，当業者が，通常採りうる汚染対策を施した上でクラスタツールにメッキ装置を加えることを想到できないほどのものとは認められないから，上記請求人の主張は採用できない。
　
（２）相違点２について
　上記「（１）相違点１について」において検討したとおり，引用発明において，「基板の表面に金属の層を形成する金属層形成部」であって，「基板の表面にメッキ処理を行うメッキ処理部を含み，　前記メッキ処理部は，電解メッキ液を直接基板に供給してメッキ処理を行うメッキ処理ユニットと，メッキ処理を行った後に基板の後洗浄を行う後洗浄ユニットと，を含」むものを備えるようにすることに何ら困難はないものである。そして，前記「金属層形成部」を備えることにより，引用発明における搬送手段は，「前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う」のみならず，前記「金属層形成部」，「前記熱処理部および前記基板搬入出部の間で前記基板の搬送を行う」ものとなることは明らかである。
　また，前記「金属層形成部」が「メッキ処理を行うメッキ処理部を含」むから，引用発明にかかる基板処理装置においてなされる一連の処理が，前記「メッキ処理部にてメッキ処理が行われて」終了するものとなり，その結果，「搬送手段」が「前記メッキ処理部にてメッキ処理が行われて」一連の処理が終了した基板を処理済みの基板として前記基板搬入出部に載置されたカセットに搬入するものとなることも明らかである。
　すなわち，相違点２に係る構成は，相違点１に係る構成を備えることに伴い，当然に備わるものであって，この点についても何ら困難はない。
　
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから，本願は，請求項２に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである
　よって，結論のとおり審決する。