Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１回転体と第２回転体とを相対回転可能にするとともに、第１回転体にコイルスプリングの内径部あるいは外径部を圧接させる一方、コイルスプリングの一端に突出させた一方の掛け止め部と、他端に突出させた他方の掛け止め部のそれぞれを、第２回転体に掛け止めてなるトルクリミッタにおいて、上記一方及び他方の掛け止め部は、上記コイルスプリングの内側あるいは外側に突出してなるとともに、上記第２回転体は一対の部材からなり、一方の部材には上記一方の掛け止め部が接触する一方の接触面を形成し、他方の部材には上記他方の掛け止め部が接触する他方の接触面を形成し、上記両回転体の一方の相対回転方向に対して一方の掛け止め部を一方の部材の接触面に接触させるかあるいは一定の間隔を保ち、他方の相対回転方向に対して他方の掛け止め部を他方の接触面に接触させるかあるいは一定の間隔を保つとともに、上記一方及び他方の両接触面の軸方向長さを、上記コイルスプリングを形成する線材の太さより長くする構成にし、上記両掛け止め部と両接触面との相対位置を特定した組み付け状態を保って上記両部材を固定したトルクリミッタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そして、第１の発明は、上記一方及び他方の掛け止め部は、上記コイルスプリングの内側あるいは外側に突出してなるとともに、上記第２回転体は一対の部材からなり、一方の部材には上記一方の掛け止め部が接触する一方の接触面を形成し、他方の部材には上記他方の掛け止め部が接触する他方の接触面を形成し、上記両回転体の一方の相対回転方向に対して一方の掛け止め部を一方の部材の接触面に接触させるかあるいは一定の間隔を保ち、他方の相対回転方向に対して他方の掛け止め部を他方の接触面に接触させるかあるいは一定の間隔を保つとともに、上記一方及び他方の両接触面の軸方向長さを、上記コイルスプリングを形成する線材の太さより長くする構成にし、上記両掛け止め部と両接触面との相対位置を特定した組み付け状態を保って上記両部材を固定したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１〜４に示した第１実施形態は、筒状の第１回転体Ｒ１を、同じく筒状の第２回転体Ｒ２に相対回転可能に挿入している。
上記第１回転体Ｒ１は、図２からも明らかなように、その中心に軸孔１を形成するとともに、この軸孔１の一方の端面に環状凸部２を形成し、この環状凸部２にはその直径方向に一対の凹部３，３を形成している。
このようにした第１回転体Ｒ１の軸孔１には、図示していない回転軸を挿入するが、この回転軸には、その直径方向に一対のピンを起立させ、このピンを上記凹部３，３に挿入して、第１回転体Ｒ１と上記回転軸とが一体回転する構成にしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記軸受部７に隣接する内側には、内径を軸受部７よりも大きくした肉厚部８を形成しているが、この肉厚部８の内径を、第１回転体Ｒ１の外周にはめたコイルスプリングＳの外径よりもさらに大きくしている。そして、この肉厚部８には、図２〜４からも明らかなように、掛け止め凹部９を形成し、その掛け止め凹部９内には、上記第１回転体Ｒ１にはめたコイルスプリングＳの一方の掛け止め部５を挿入する。そして、この掛け止め凹部９内で、円周方向において対向する一方の側面を接触面９ａとし、コイルスプリングＳの掛け止め部５がこの接触面９ａに接触するようにしている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010203517.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第一指針および第二指針と、前記第一指針および前記第二指針のそれぞれに対応して時計の文字板面に設けられた第一時刻表示目盛および第二時刻表示目盛と、前記第一指針および前記第二指針をそれぞれ個別に駆動する第一指針駆動部および第二指針駆動部と、前記第一指針駆動部および前記第二指針駆動部の動作をそれぞれ制御する第一指針制御部および第二指針制御部を備えた指針式時計において、
通常運針状態においては、前記第一指針制御部および前記第二指針制御部は、前記第一指針を１つの駆動パルスによって運針される時間間隔が短い時間間隔で駆動し、前記第二指針を１つの駆動パルスによって運針される時間間隔が前記短い時間間隔よりも長い時間間隔で駆動することによって、前記第一指針および前記第二指針を、前記第一時刻表示目盛および第二時刻表示目盛上を同じ平均速度で移動するように、前記第一指針駆動部および前記第二指針駆動部を制御し、
タイミング修正状態においては、前記第二指針制御部は、前記第二指針が駆動される前記駆動のタイミングを、前記第一指針が前記第一時刻表示目盛の１つを表示するタイミングに対して、前記短い時間間隔と等しいかまたは長く、前記長い時間間隔よりは短い所定の時間間隔だけずらす補正手段を備えたことを特徴とする指針式時計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の指針式時計は、第一指針および第二指針と、前記第一指針および前記第二指針のそれぞれに対応して時計の文字板面に設けられた第一時刻表示目盛および第二時刻表示目盛と、前記第一指針および前記第二指針をそれぞれ個別に駆動する第一指針駆動部および第二指針駆動部と、前記第一指針駆動部および前記第二指針駆動部の動作をそれぞれ制御する第一指針制御部および第二指針制御部を備えた指針式時計において、
通常運針状態においては、前記第一指針制御部および前記第二指針制御部は、前記第一指針を１つの駆動パルスによって運針される時間間隔が短い時間間隔で駆動し、前記第二指針を１つの駆動パルスによって運針される時間間隔が前記短い時間間隔よりも長い時間間隔で駆動することによって、前記第一指針および前記第二指針を、前記第一時刻表示目盛および第二時刻表示目盛上を同じ平均速度で移動するように、前記第一指針駆動部および
前記第二指針駆動部を制御し、
タイミング修正状態においては、前記第二指針制御部は、前記第二指針が駆動される前記駆動のタイミングを、前記第一指針が前記第一時刻表示目盛の１つを表示するタイミングに対して、前記短い時間間隔と等しいかまたは長く、前記長い時間間隔よりは短い所定の時間間隔だけずらす補正手段を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１および図２は本発明の実施例１である指針式電子時計の正面図および主要な回路のブロック図である。また図３は図２の内部カウンタの詳細ブロック図、図４は実施例１のタイミング修正状態におけるリューズ１１を示す正面図、図５は実施例１の動作を示すフローチャートである。
図１に示すように、本実施の形態の指針式時計１００は、外装ケース１０と、この外装ケース１０の内部に格納される時計本体２０（図２）とを備えている。外装ケース１０は、図示を略した風防ガラスを通して視認可能の文字板１３が配設されている。また、外装ケース１０の胴部には、例えば、径方向に突出するリューズ１１、および押ボタン１２が設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
第二カウンタ２３５６は、３進カウンタ２３５５が桁上げする（１５分）毎の信号を９６回カウントする。即ち、２４時間で桁上がりするカウンタであり、通常運針状態における第二指針１５の表示位置のカウンタとなる。例えば、通常運針状態において、第二カウンタ２３５６のカウント値が４４の場合、第二指針１５は第二時刻表示目盛１３２の４４ステップ目の１１時００分の表示位置を示す。また、通常運針状態でのスイッチ信号が入力されると、４倍処理回路２３５７によって、第二カウンタに４カウントを加算させる。
第三カウンタ２３５７は、５進カウンタが桁上げする（５分）毎の信号を、８倍処理回路２３５８によって８個のカウントに増やし、９６回カウントする。即ち、６０分で桁上がりするカウンタであり、タイミング修正状態における第二指針１５の表示位置のカウンタとなる。例えば、タイミング修正状態において、第三カウンタ２３５７のカウント値が８の場合、第二指針は８ステップ目を示し、５分であることを示す。また、時刻修正状態でのスイッチ信号が入力されると、押ボタン１２の１押し毎に８倍処理回路２３５８によって第三カウンタに８カウントを加算させるが、３進カウンタ２３５５に１カウントのみを加算させる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気ガスに含まれる一酸化窒素の触媒酸化によって生成される二酸化窒素の補助による、粒子フィルターにより収集される煤粒子の連続燃焼によって、ディーゼルエンジンから実質的に煤なしの排気ガスを生成するためのプロセスであって、
ａ．ディープベッド粒子フィルターを用いて、煤粒子を含む排気ガスを濾過し、初期濾過排気ガスを提供する工程であって、該ディープベッド粒子フィルターは、煤粒子のための５０％と８０％との間の濾過効率を有し、そして、その全長にわたって適用される触媒コーティングでコーティングされており、該コーティングは、一酸化窒素を二酸化窒素へと酸化するための白金を含む、工程；
ｂ．該ディープベッド粒子フィルター上に収集された該煤粒子を、二酸化窒素を用いて連続的に燃焼する工程であって、該二酸化窒素は、該排気ガスに含まれる一酸化窒素の触媒酸化によって生成され、そして該煤粒子の燃焼によって一酸化窒素に還元され、これによって、該一酸化窒素の酸化および還元のプロセスが、該排気ガスが該フィルターを通過する間に連続的に繰り返される、工程；および
ｃ．第二の粒子フィルターを通じて該排気ガスを濾過する工程であって、該第二の粒子フィルターは、実質的に煤なしの排気ガスを生成するために少なくとも９５％の濾過効率を有し、該第二の粒子フィルターは、該ディープベッド粒子フィルターの下流に位置する壁流フィルターまたは焼結金属から形成され、該壁流フィルターは、該ディープベッドフィルターの出口面に設置されるものである、工程、
を包含する、プロセス。
【請求項２】
前記第二の粒子フィルターは、約９８％を超える濾過効率を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
ディーゼルエンジンからの排気ガスから煤粒子を取り除くためのデバイスであって、
５０％と８０％との間の濾過効率を有するディープベッド粒子フィルターであって、該ディープベッド粒子フィルターは、その全長にわたって適用される触媒コーティングでコーティングされており、該コーティングは、一酸化窒素を二酸化窒素へと酸化するための白金を含む、ディープベッド粒子フィルター；および
９５％を超える濾過効率を有する第二の粒子フィルターであって、該第二の粒子フィルターは、該ディープベッド粒子フィルターから下流に存在し、そして実質的に煤のない排気ガスを生成し、該第二の粒子フィルターは、該ディープベッド粒子フィルターの下流に位置する壁流フィルターまたは焼結金属から形成されるものであり、該壁流フィルターは、該ディープベッドフィルターの出口面に設置される、第二の粒子フィルター、
を備える、デバイス。
【請求項４】
前記ディープベッド粒子フィルターは、セラミクスファイバー、膨張セラミック材料およびワイヤメッシュからなる群より選択される材料から作られる、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記触媒コーティングは、白金のための少なくとも１つの酸化支持材料を含む、請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
各酸化支持材料は、酸化アルミニウムから形成される、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記触媒コーティングは、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化テルビウム、酸化プラセオジムおよびそれらの混合物からなる群より選択される材料をさらに含む、請求項３に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この放電灯の駆動装置によれば、放電灯に供給される電圧が所定の電圧値まで上昇した後、電力量比変化制御が開始される。したがって、所定の電圧値を、電力量比変化制御を行っても電極の過剰な溶融が生じない程度の値に設定しておけば、電極の過剰な溶融を抑制することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
Ｂ−３．実施例の動作：
本実施例のプロジェクタにおけるデューティー比変調制御の開始処理について、図１９に基づいて説明する。図１９は、本実施例におけるデューティー比変調制御の開始処理の流れを示すフローチャートである。第１の実施例と同様に、放電灯５００が始動すると、点灯回路制御部８１２は、点灯回路２２０から、供給電力Ｐｐの検出値を取得する。そして、第１の実施例と同様に、点灯回路制御部８１２は、供給電力Ｐｐ＝Ｐ１になると(図１９のステップＳ１０２において、ＹＥＳ)、供給電力Ｐｐ＝Ｐ１になってからの経過時間が、時間Ｔ１を経過したか否か判断する(ステップＳ１０４）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
点灯回路制御部８１２は、供給電力Ｐｐ＝Ｐ１になってから時間Ｔ１が経過したと判断すると（ステップＳ１０４において、ＹＥＳ）、放電灯５００の駆動モードが、「省電力モード」か否か判断する(ステップＳ１０６)。上記したように、ユーザが、操作ボタン（図示しない）を介して「省電力モード」を選択している場合には、メモリに記憶されている省電力モードフラグがＯＮにされ、「省電力モード」が選択されていない場合には、省電力モードフラグがＯＦＦにされる。点灯回路制御部８１２は、メモリに記憶されている省電力モードフラグに基づいて、「省電力モード」か否かを判断する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
そのため、省電力モードで放電灯５００を駆動する場合に、仮に、供給電力Ｐｐが電力値Ｐ２になる前（例えば、Ｃ期間）に、点灯回路制御部８１２が、第２の変調パターンにてデューティー比変調制御を開始すると、陽極において過剰な溶融が生じるおそれがある。陽極において過剰な溶融が生じると、第１の実施例における比較例において示したように、アーク長が短くなって(図１６（ｂ）)、光の利用効率が低下することにより、プロジェクタ１０００によって投写される画像の明るさが低下したり、アーク起点が移動する（図１６（ｃ））ことによって、プロジェクタによって投写される画像にちらつきが生じるおそれがある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
変形例の放電灯駆動装置において、第１の実施例と同様に、放電灯５００が始動すると、図２４に示すように、点灯回路制御部８１２は、供給電力Ｐｐ＝Ｐ１か否か判定する（ステップＵ２０２）。供給電力Ｐｐ＝Ｐ１になると（ステップＵ２０２において、ＹＥＳ）、点灯回路制御部８１２は、点灯回路２２０から供給電流Ｉｐの検出値を取得して、Ｉｐ＝Ｉ１か否か判定する (ステップＵ２０４）。点灯回路制御部８１２は、Ｉｐ＝Ｉ１でないと判断した場合は（ステップＵ２０４において、ＮＯ）、ステップＵ２０４に戻る。すなわち、点灯回路制御部８１２は、Ｉｐ＝Ｉ１になるまでは、ステップＵ２０４を繰り返す。点灯回路制御部８１２は、Ｉｐ＝Ｉ１になったと判断すると（ステップＵ２０４において、ＹＥＳ）、上記した第１の変調パターンにて、デューティー比変調制御を開始する（ステップＵ２０６）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のウエハを保持する保持面を有し、前記複数のウエハを接合すべく前記複数のウエハと共に加熱された基板保持部材を冷却する冷却装置であって、
冷却媒体を収容する冷却部と、
前記基板保持部材及び前記冷却部に対する接触面を有し、前記基板保持部材を前記冷却部に熱的に結合する熱伝導部と
を備える冷却装置。
【請求項２】
前記熱伝導部は、前記基板保持部材と前記冷却部との間に配置され、前記基板保持部材の前記複数のウエハのひとつを保持する保持面と反対側の面に密着する弾性部材を含む請求項１に記載の冷却装置。
【請求項３】
前記弾性部材は、前記基板保持部材の重量により弾性変形して、前記基板保持部材に密着する請求項２に記載の冷却装置。
【請求項４】
前記弾性部材は、前記基板保持部材の重量により弾性変形して、前記冷却部に密着する請求項２または請求項３に記載の冷却装置。
【請求項５】
前記冷却部は、
前記弾性部材に表面が接する板状部材と、
前記板状部材の裏面に接する冷却媒体を流通させる冷媒路と
を有する冷却プレートを備える請求項２から請求項４までのいずれか一項に記載の冷却装置。
【請求項６】
前記弾性部材は、前記冷却部の前記冷却媒体に接する請求項２に記載の冷却装置。
【請求項７】
積層された複数のウエハを保持する保持面を有し、前記複数のウエハを接合すべく前記複数のウエハと共に加熱された基板保持部材を冷却する冷却装置であって、
冷却媒体により冷却され、前記基板保持部材に接触する接触面をそれぞれが有する複数の熱伝導ブロックを含む冷却部と、
前記複数の熱伝導ブロックを前記基板保持部材に対して個別に押し付けつつ支持する支持部と
を備える冷却装置。
【請求項８】
前記支持部は、前記複数の熱伝導ブロックを前記基板保持部材に向かって個別に付勢する付勢部材を含む請求項７に記載の冷却装置。
【請求項９】
前記複数の熱伝導ブロックには、前記冷却媒体を流通させる冷媒路が形成されている請求項７または８に記載の冷却装置。
【請求項１０】
前記接触面は、それぞれ前記基板保持部材に密着する環状の複数の接触面を有し、前記複数の接触面は互いに同心円状に配される請求項７から９のいずれか一項に記載の冷却装置。
【請求項１１】
積層された複数のウエハを保持する保持面を有し、前記複数のウエハを接合すべく前記複数のウエハと共に加熱された基板保持部材を冷却する冷却装置であって、
冷却媒体を収容する冷却部と、
前記基板保持部材と前記冷却部とが互いに近づく方向に押圧する加圧部材とを備え、
前記基板保持部材および前記冷却部は、前記加圧部材により加圧されて押し付けられる接触面を有する冷却装置。
【請求項１２】
互いに向かい合うように配置された一対の前記冷却部を備え、前記複数のウエハを挟み込んで保持する一対の前記基板保持部材を冷却する請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の冷却装置であって、
一方の前記冷却部は一方の前記基板保持部材を冷却し、他方の前記冷却部は他方の前記基板保持部材を冷却する冷却装置。
【請求項１３】
前記一対の冷却部は、前記一対の基板保持部材の間でそれぞれの熱変形に偏りが生じないように前記一対の基板保持部材を冷却する請求項１２に記載の冷却装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載された冷却装置と、
回路が形成されたウエハを保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材に保持された前記ウエハと他のウエハとを相互に位置合わせする位置合わせ装置と、
前記基板保持部材に保持された前記ウエハと前記他のウエハとを加熱して接合する接合装置と
を備え、前記基板保持部材に保持された前記ウエハを前記他のウエハとを前記接合装置により接合した後、前記基板保持部材を前記冷却装置により冷却する接合システム。
【請求項１５】
前記冷却装置により冷却された前記基板保持部材を前記位置合わせ装置に搬送する搬送部を備える請求項１４に記載の接合システム。
【請求項１６】
前記基板保持部材は、前記他のウエハに接合された前記ウエハと分離された後、前記冷却装置で冷却される請求項１４または請求項１５に記載の接合システム。
【請求項１７】
請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載された冷却装置と、
回路が形成された一対の基板を相互に位置合わせする位置合わせ装置と、
前記一対の基板を加熱して接合する接合装置と
を備え、前記位置合わせ装置により位置合わせされた前記一対の基板を、前記接合装置により接合した後、接合された前記一対の基板を前記冷却装置により冷却する接合システム。
【請求項１８】
回路が形成されたウエハを基板保持部材に保持する保持工程と、
前記基板保持部材に保持された前記ウエハと他のウエハとを相互に位置合わせする位置合わせ工程と、
前記基板保持部材に保持された前記ウエハと前記他のウエハとを加熱して接合する接合工程と、
前記接合工程の後、請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載の冷却装置を用いて前記基板保持部材を冷却する冷却工程と
を含む接合方法。
【請求項１９】
前記冷却工程の後、冷却された前記基板保持部材を、前記位置合わせ工程を行う位置合わせ装置に搬送する搬送工程を含む請求項１８に記載の接合方法。
【請求項２０】
前記接合工程の後であって前記冷却工程の前に、接合された前記ウエハを前記基板保持部材から取り外す工程を含む請求項１８または請求項１９に記載の接合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】冷却装置、接合システムおよび接合方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
孔（６）を有する表面を備えるカバープレート（３）を有し、真空状態にすることが可能なチャンバ（２）と、
前記チャンバ（２）の内部に配置され、前記孔（６）内に突出し、前記カバープレート（３）の前記表面（９）に対して垂直もしくは斜角に伸長する方向に変位可能な複数のプレート（８）と、
モータ（１４）、および前記モータ（１４）により所定の経路（１７）に沿って２個の位置間を前後に移動可能なピン（１３）を備える駆動機構（１２）を備える、前記プレート（８）を変位するための駆動手段とを備え、
前記プレート（８）の各々は経路状の開口部（１６）を有し、前記ピン（１３）は前記プレート（８）の各々における前記経路状の開口部（１６）内を誘導され、前記経路状の開口部（１６）は前記ピン（１３）が前記経路（１７）に沿って移動すると前記プレート（８）が所定の手順で前述の方向に変位するようプレート（８）ごとに異なる、ダイエジェクタ（１）。
【請求項２】
前記駆動手段は更に、前記プレート（８）を前述の方向に同時に変位可能な駆動機構（１１）を備える、請求項１に記載のダイエジェクタ（１）。
【請求項３】
前記プレート（８）は、前記経路状の開口部（１６）を有し、前記チャンバ（２）に配置され、前記駆動機構（１２）に結合される第１の部分（８Ａ）と、前記第１の部分（８Ａ）に挿入される第２の部分（８Ｂ）とを備える、請求項１もしくは請求項２に記載のダイエジェクタ（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材のケミカルメカニカル研磨方法であって、
カルコゲニド相変態合金を含む基材を用意し、前記カルコゲニド相変態合金が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金であり；
水；５０ｎｍ以下の平均粒径を有する砥粒１〜４０重量％；第四級アンモニウム化合物０〜２重量％を含み；酸化剤とキレート剤を含まず；ｐＨ６を超え１２以下であるケミカルメカニカル研磨組成物を用意し；
ケミカルメカニカル研磨パッドを用意し；
ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との界面に動的接触を作り出し；次いで
ケミカルメカニカル研磨組成物を、ケミカルメカニカル研磨パッド上で、ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との間の界面又は界面近くに計量分配することを含み、
少なくとも幾つかのカルコゲニド相変態合金が基材から除去される、方法。
【請求項２】
砥粒がコロイドシリカであり；基材が更にＳｉ３Ｎ４を含み；そしてケミカルメカニカル研磨組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対Ｓｉ３Ｎ４の除去速度選択性≧４０：１を示す、請求項１記載の方法。
【請求項３】
砥粒がコロイドシリカであり；基材が更にオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；そしてケミカルメカニカル研磨組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対ＴＥＯＳの除去速度選択性≧４０：１を示す、請求項１記載の方法。
【請求項４】
砥粒がコロイドシリカであり；そしてケミカルメカニカル研磨組成物は、ケミカルメカニカル研磨パッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００ｍｍ研磨機で、プラテン速度６０回転／分、キャリア速度５６回転／分、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ｍｌ／分、及び公称ダウンフォース６．８９ｋＰａ（１．０ｐｓｉ）で、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金の除去速度２００Å／分以上を示す、請求項１記載の方法。
【請求項５】
ケミカルメカニカル研磨組成物が、水；１〜５０ｎｍの平均粒径を有するコロイドシリカ砥粒１〜５重量％；第四級アンモニウム化合物０．０１〜５重量％；及び、ｐＨ７〜１２である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
基材が、更に、Ｓｉ３Ｎ４を含み；ケミカルメカニカル研磨組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対Ｓｉ３Ｎ４の除去速度選択性≧４０：１を示す、請求項５記載の方法。
【請求項７】
基材が、更に、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；ケミカルメカニカル研磨組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金対ＴＥＯＳの除去速度選択性≧６０：１を示す、請求項５記載の方法。
【請求項８】
ケミカルメカニカル研磨組成物が、ケミカルメカニカル研磨パッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００ｍｍ研磨機で、プラテン速度６０回転／分、キャリア速度５６回転／分、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ｍｌ／分、及び公称ダウンフォース６．８９ｋＰａ（１．０ｐｓｉ）で、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金の除去速度２００Å／分以上を示す、請求項５記載の方法。
【請求項９】
ケミカルメカニカル研磨組成物が、ケミカルメカニカル研磨パッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００ｍｍ研磨機で、プラテン速度６０回転／分、キャリア速度５６回転／分、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ｍｌ／分、及び公称ダウンフォース６．８９ｋＰａ（１．０ｐｓｉ）で、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金の除去速度２００Å／分以上を示す、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
ケミカルメカニカル研磨組成物が、ケミカルメカニカル研磨パッドがポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む２００ｍｍ研磨機で、プラテン速度６０回転／分、キャリア速度５６回転／分、ケミカルメカニカル研磨組成物流速２００ｍｌ／分、及び公称ダウンフォース６．８９ｋＰａ（１．０ｐｓｉ）で、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変態合金の除去速度２００Å／分以上を示す、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、絶縁膜と、を有し、
前記トランジスタは、ゲート電極と、ソース又はドレイン電極と、酸化物半導体と、を有する半導体装置の作製方法であって、
窒素及び酸素を含む雰囲気下において、プラズマ処理を前記酸化物半導体に行い、
前記プラズマ処理後において、前記絶縁膜を前記トランジスタ上方に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁膜は、酸素と、窒素と、珪素と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁膜は、前記酸化物半導体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
無バイアスで前記プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極のチャネル長方向の長さよりも短い値を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
他の通信装置との間で第１の無線ネットワークを介して通信するための通信パラメータを共有する共有手段と、
前記共有手段により前記通信パラメータを共有するために使用した第１の暗号鍵、または、前記共有手段により共有された前記通信パラメータに基づく第２の暗号鍵の少なくとも何れか一方を記憶する記憶手段と、
前記他の通信装置との間で共有するコンテンツデータを、前記記憶手段により記憶された前記第１の暗号鍵、または前記第２の暗号鍵により暗号化する暗号化手段と、
前記暗号化手段により暗号化された前記コンテンツデータを第２のネットワークを介して外部装置へ送信する送信手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記共有手段により共有された前記通信パラメータにより構成される前記第１の無線ネットワークを介して前記他の通信装置と接続しているか否かを判定する第１の判定手段を更に有し、
前記第１の判定手段による判定結果に応じて、前記暗号化手段により前記コンテンツデータを暗号化するか否かを切替えることを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記送信手段は、前記第１の判定手段により前記第１の無線ネットワークを介して前記他の通信装置と接続中と判定された場合は、前記暗号化手段による暗号化を行わずに前記他の通信装置へ前記コンテンツデータを送信し、前記第１の無線ネットワークを介して前記他の通信装置と接続中でないと判定された場合は、前記暗号化手段により暗号化した前記コンテンツデータを前記第２のネットワークを介して前記外部装置へ送信することを特徴とする請求項２記載の通信装置。
【請求項４】
前記コンテンツデータを共有する前記他の通信装置との間で、前記共有手段により共有された前記通信パラメータを用いた前記第１の無線ネットワークの接続を確立済みか否かを判定する第２の判定手段を更に有し、
前記第２の判定手段による判定結果に応じて、前記暗号化手段による前記コンテンツデータの暗号化に前記第１の暗号鍵と前記第２の暗号鍵のいずれを使用するかを選択することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第２の暗号鍵は、前記共有手段により共有された前記通信パラメータにより構成された前記第１の無線ネットワークにおける無線通信路の暗号化に使用される暗号鍵であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記第２の暗号鍵は、前記共有手段により共有された前記通信パラメータにより構成された前記第１の無線ネットワークにおいて単一の相手装置に対して送信する際に使用するセッション鍵と、複数の相手装置に対して送信する際に使用するグループ鍵と、の少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記外部装置は、アクセスポイントを介して通信可能な外部ネットワークとしての前記第２のネットワークに接続されたサーバであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
通信装置であって、
他の通信装置との間で第１の無線ネットワークを介して通信するための通信パラメータを共有する共有手段と、
前記共有手段により前記通信パラメータを共有するために使用した第１の暗号鍵、または、前記共有手段により共有された前記通信パラメータに基づく第２の暗号鍵の少なくとも何れか一方を記憶する記憶手段と、
外部装置に記憶されている暗号化されたコンテンツデータを第２のネットワークを介して受信する受信手段と、
前記受信手段により受信したコンテンツデータを、前記記憶手段により記憶された前記第１の暗号鍵、または前記第２の暗号鍵により復号化する復号化手段と、を有することを特徴とする通信装置。
【請求項９】
通信装置の制御方法であって、 
共有手段が、他の通信装置との間で第１の無線ネットワークを介して通信するための通信パラメータを共有する共有工程と、
記憶手段が、前記共有工程において前記通信パラメータを共有するために使用した第１の暗号鍵、または、前記共有工程において共有された前記通信パラメータに基づく第２の暗号鍵の少なくとも何れか一方を記憶する記憶工程と、
暗号化手段が、前記他の通信装置との間で共有するコンテンツデータを、前記記憶工程において記憶された前記第１の暗号鍵、または前記第２の暗号鍵により暗号化する暗号化工程と、
送信手段が、前記暗号化工程において暗号化された前記コンテンツデータを第２のネットワークを介して外部装置へ送信する送信工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１０】
通信装置の制御方法であって、
共有手段が、他の通信装置との間で第１の無線ネットワークを介して通信するための通信パラメータを共有する共有工程と、
記憶手段が、前記共有工程において前記通信パラメータを共有するために使用した第１の暗号鍵、または、前記共有工程において共有された前記通信パラメータに基づく第２の暗号鍵の少なくとも何れか一方を記憶する記憶工程と、
受信手段が、外部装置に記憶されている暗号化されたコンテンツデータを第２のネットワークを介して受信する受信工程と、
復号化手段が、前記受信工程において受信したコンテンツデータを、前記記憶工程において記憶された前記第１の暗号鍵、または前記第２の暗号鍵により復号化する復号化工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版または基板を保持するステージを有し、前記ステージに保持された前記基板を露光する露光装置であって、
前記ステージに設けられた気体室と、
前記気体室内で気体の圧力を変化させて前記ステージを加熱および冷却する調節手段と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記調節手段は、前記気体室に給気する給気系と、
前記気体室から排気する排気系と、を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記調節手段は、前記給気系、前記排気系および前記気体室の少なくとも１つに絞りを有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記調節手段は、前記気体室と前記給気系と前記排気系とに接続された流量制御弁を含む、ことを特徴とする請求項２または３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記調節手段は、前記気体室と前記給気系と前記排気系とに接続された圧力制御弁を含む、ことを特徴とする請求項２または３に記載の露光装置。
【請求項６】
前記調節手段は、前記気体室内の圧力を検出する圧力センサと、前記気体室と前記圧力制御弁との間に配置された流量センサとを含み、前記圧力センサおよび前記流量センサの出力に基づいて前記圧力制御弁を制御する、ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記ステージは、前記原版を保持する原版ステージあるいは前記基板を保持する基板ステージであり、
前記原版ステージは前記原版を保持するチャックを含み、
前記基板ステージは前記基板を保持するチャックを含み、
前記調節手段は、前記気体室を介して前記チャックの温度を調節するものである、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記ステージを移動するアクチュエータを有し、
前記調節手段は、前記気体室を介して前記アクチュエータの温度を調節するものである、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
前記アクチュエータは、リニアモータを含むことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記ステージに設けられたペルチェ素子を有し、
前記調節手段は、前記気体室および前記ペルチェ素子を介して前記ステージの温度を調節するものである、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】
前記ステージは、流体の流路としての流体室を有し、
前記調節手段は、前記流体室および前記気体室を介して前記ステージの温度を調節するものである、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記課題を達成するための本発明の露光装置は、原版または基板を保持するステージを有し、前記ステージに保持された前記基板を露光する露光装置であって、前記ステージに設けられた気体室と、前記気体室内で気体の圧力を変化させて前記ステージを加熱および冷却する調節手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極層（１００’、２０３、２００’、３００、３００’）と、
前記電極層に沿って延在する感応材料層（１０１、２０１、３０１、４０１、４５１、５０１）であって、感応材料の体積は局所的電場の作用によって２つの電気的状態の間で局所的に変更されるように適合される、前記感応材料層とを含み、さらに
前記感応材料層に全体的に平行な基準面を有し、該基準面は電極層と組み合わせて静電場を加える少なくとも１つの要素が該基準面に沿って動かされることを意図されている、データ記憶媒体であって、
前記基準面に平行に、電極層の一部を形成し、少なくとも１つの電気絶縁帯によって分離される複数の導電部（１００”、２００”、３００”、４００”、４５０”、５００”）を含み、導電部は基準面に平行な少なくとも一方向に多くても１００ｎｍに等しい寸法を有し、導電部の少なくとも一部は電気的に相互接続されており、導電部は感応材料層内のデータ書込み／読取り位置（１０７；２０７；３０７；４０７；５０６）を画定することを特徴とする、媒体。
【請求項２】
前記寸法が多くても５０ｎｍに等しいことを特徴とする、請求項１に記載の媒体。
【請求項３】
前記複数の導電部の各々が、基準面に平行に測定して、前記複数の隣接する導電部から１００ｎｍ未満の距離にあることを特徴とする、請求項１または２に記載の媒体。
【請求項４】
感応材料層が強誘電体材料を含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の媒体。
【請求項５】
強誘電体材料がタンタル酸リチウムＬｉＴａＯ３であることを特徴とする、請求項４に記載の媒体。
【請求項６】
支持基板と電極層との間に酸化層をさらに含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の媒体。
【請求項７】
電極層が平面であり、感応材料層が平面でありかつ連続的であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の媒体。
【請求項８】
前記導電部が第１の組の平行線の線と第２の組の平行導線の線との交差領域を含み、第２の組の線は第１の組の線と横断的に交わり、これらの線は前記導電部を相互接続し、第１の組および第２の組の線は同一平面上にあることを特徴とする、請求項７に記載の媒体。
【請求項９】
第１および第２の組の線が、少なくとも２つの異なる方向の２つの単結晶材料構造間のボンディング界面の転移に形成され、これらの線は前記導電部を相互接続することを特徴とする、請求項８に記載の媒体。
【請求項１０】
導電線が長方形または正方形のメッシュを画定することを特徴とする、請求項８または９に記載の媒体。
【請求項１１】
導電部が下層の導電材料層から感応層の方に突き出たランドを含むことを特徴とする、請求項７から１０のいずれか一項に記載の媒体。
【請求項１２】
下層が互いに交差する導電線を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の媒体。
【請求項１３】
下層が連続的であることを特徴とする、請求項１１に記載の媒体。
【請求項１４】
基準面が感応材料層(５０１)と感応材料層に対して電極層（５０４）の反対側で電極を形成する複数の線（５０３）との間にあることを特徴とする、請求項７に記載の媒体。
【請求項１５】
電極層（４００；４５０）と感応材料層（４０１；４５１）が各々が複数部分で形成され、電極層の各部分は基準面に対する２つの深さの一方または他方にあり、感応材料層の各部分は電極層の部分に沿って延在し、前記電極層が基板の表面にあることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の媒体。
【請求項１６】
浅い深さにある電極層の複数部分（４００”、４５０”）が、第２の深さにおいて、電極層の複数部分に対して突き出たランドの最上部を構成することを特徴とする、請求項１５に記載の媒体。
【請求項１７】
浅い深さにある電極層の複数部分が、第２の深さにおいて、電極層の複数部分に対して突き出た格子の表面を構成することを特徴とする、請求項１５に記載の媒体。
【請求項１８】
電極層（１００’；２０３、２００’；３００、３００’）と感応材料層（１０１；２０１；３０１）が形成され、電気絶縁材料（１０２；２０２；３０５）が、電極層内に複数の導電部（１００”；２００’、２００”；３００’、３００”）を画定するために使用される、請求項１から１７のいずれか一項に記載のデータ記憶媒体を製造する方法。
【請求項１９】
電極層が２つの単結晶構造（３０５’；３０５”）を結合するステップによって製造され、２つの単結晶副層間のボンディング界面に転位の交差を形成し、前記結合するステップの後に導電材料（３００）が前記副層の１つを通って拡散して前記転位に導電線（図１１Ａ；１１Ｂ）を形成するステップが続くことを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
電極層が感応材料層（１０１；２０１）に導電材料層（１００；２００）を蒸着することによって形成され、導電部（１００”；２００’；２００”）は導電材料層において少なくとも電気絶縁材料（１０２；２０２）のエッチングおよび蒸着操作によって画定され、この後、電極層が前記支持基板（１０４；２０５）に結合されることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記導電部（１００”；２００’；２００”）を接続する接続部分が前記導電材料層内に形成されることを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
導電部が、第１の導電層と呼ばれる前記導電材料層をエッチングすることによって絶縁される導電材料ランド（２００’）の形をとり、ランドに前記導電材料ランドを相互接続する第２の導電層（２０３）が蒸着されることを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
第２の導電層（２０３）が連続的であることを特徴とする、請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３行３列の鍵盤をもつ携帯入力端末の和文入力において、すべての字母を形式的に子音と母音に分けて、さらに以下のような方法を用いることによって、子音と母音の自動的交代を実現する入力方式。すなわち、そのうちの２行３列に形式的母音として５個の母音とともに子音鍵盤に置かれた零音価の子音符と結合して、ん、の入力を担う鼻音符を設定し、同じこの２行３列に、零音価の子音符とｋ、ｓ、ｔ、ｎ、ｈの子音鍵を置き、さらにこのうちのｋ、ｓ、ｔ、ｈの鍵については、それが普通に押し下げられたときには、その音価どおりに入力され、やや長く押し下げられたときには、その濁音が入力されるというような、１回の押し下げの中で、清音と濁音の弁別する方式を設定し、前記の形式的母音とこれらの子音の間に子音鍵と母音鍵の自動的交代を実現するとともに、残りの１行３列の鍵に１回の押し下げによって入力されるｍ、ｙ、ｒの鍵と、２回の押し下げによって入力されるれるｗ、ｐの鍵ならびにその鍵を押し下げるとその直前に入力された字母が普通の大きさであったときには小さく、小さかった場合には普通の大きさに変える機能を持った文字大小鍵を置き、前記の形式的母音とこれらの形式的子音の間に子音鍵と母音鍵の自動的交代を実現するとともに、子音と母音の自動的交代の原則の下での従属的方式として、必要に応じて子音鍵の間の連続入力を保障するように設定することによって、３行３列の鍵盤をもつ携帯入力端末の和文入力において、すべての字母を形式的に子音と母音に分けて、子音と母音の自動的交代を実現する入力方式。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの外周辺に沿って設けられた第１電極と、
前記第１電極に対向する前記半導体チップの外周辺に沿って設けられ、前記半導体チップの裏面電位との電位差が前記第１電極よりも大きい第２電極と、
前記半導体チップの外周辺と前記第１電極との間、および前記半導体チップの外周辺と前記第２電極との間を通り前記半導体チップの外周全体に沿って設けられてなる導電性のガードリングと、
前記ガードリングの一部領域を排することで、前記ガードリングを互いに絶縁された複数の単位領域に分割するための、複数のガードリング絶縁部と、を有し、
前記第１電極側及び前記第２電極側のいずれか一方に設けられた前記ガードリングの前記単位領域の端部は、前記第１電極側及び前記第２電極側の他方に設けられた前記ガードリングの前記単位領域の端部より前記半導体チップの外周辺側に配置されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップの外周辺に沿って設けられた第１電極と、
前記第１電極に対向する前記半導体チップの外周辺に沿って設けられ、前記半導体チップの裏面電位との電位差が前記第１電極よりも大きい第２電極と、
前記半導体チップの外周辺と前記第２電極との間を通り、前記第１電極側の外周辺を除く前記半導体チップの外周辺に沿って設けられた導電性のガードリングと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記ガードリング絶縁部の少なくとも１つは、前記第１および第２電極とは別に設けられた前記半導体チップの裏面電位と実質的に同電位の電極と、前記半導体チップの外周との間に設けられてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの外周を除く領域は絶縁膜によって被覆されてなり、前記ガードリングは、前記半導体チップの外周における前記絶縁膜によって被覆されない領域、および前記絶縁膜上の両方に連続して設けられてなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ガードリングは、Ｔｉ、Ｔａ、およびＰｔの何れかからなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、半導体チップと、前記半導体チップの外周辺に沿って設けられた第１電極と、前記第１電極に対向する前記半導体チップの外周辺に沿って設けられ、前記半導体チップの裏面電位との電位差が前記第１電極よりも大きい第２電極と、前記半導体チップの外周辺と前記第１電極との間、および前記半導体チップの外周辺と前記第２電極との間を通り前記半導体チップの外周全体に沿って設けられてなる導電性のガードリングと、前記ガードリングの一部領域を排することで、前記ガードリングを互いに絶縁された複数の単位領域に分割するための、複数のガードリング絶縁部と、を有し、前記第１電極側及び前記第２電極側のいずれか一方に設けられた前記ガードリングの前記単位領域の端部は、前記第１電極側及び前記第２電極側の他方に設けられた前記ガードリングの前記単位領域の端部より前記半導体チップの外周辺側に配置されてなることを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、ガードリングを越えて半導体チップ内に水分が浸入した場合でも、半導体チップ上の第１電極と第２電極との短絡を抑制することができる。これにより、半導体チップの動作不良の発生を低減できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記構成において、前記ガードリング絶縁部の少なくとも１つは、前記第１および第２電極とは別に設けられた前記半導体チップの裏面電位と実質的に同電位の電極と、前記半導体チップの外周との間に設けられてなる構成とすることができる。この構成によれば、ガードリング絶縁部から水分が浸入した場合でも、イオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記構成において、前記半導体チップの外周を除く領域は絶縁膜によって被覆されてなり、前記ガードリングは、前記半導体チップの外周における前記絶縁膜によって被覆されない領域、および前記絶縁膜上の両方に連続して設けられてなる構成とすることができる。この構成によれば、絶縁膜と半導体との境界から水分が浸入することを抑制できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、半導体チップと、前記半導体チップの外周辺に沿って設けられた第１電極と、前記第１電極に対向する前記半導体チップの外周辺に沿って設けられ、前記半導体チップの裏面電位との電位差が前記第１電極よりも大きい第２電極と、前記半導体チップの外周辺と前記第２電極との間を通り、前記第１電極側の外周辺を除く前記半導体チップの外周辺に沿って設けられた導電性のガードリングと、を有することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、ガードリングを越えて半導体チップ内に水分が浸入した場合でも、半導体チップ上の第１電極と第２電極との短絡を抑制することができる。これにより、半導体チップの動作不良の発生を低減できる。