【事件の表示】
　特願２００２−５７４１３３「発光光学素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月２６日国際公開、ＷＯ０２／７５８１９、平成１６年　８月　５日国内公表、特表２００４−５２３９２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、２００２年３月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年３月１５日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成１９年２月２３日に手続補正がなされ、同年６月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月９日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１１月８日に手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成１９年１１月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１１月８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成１９年１１月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「発光半導体素子であって、
　作動時に或るスペクトル分布の光線（６０）を放射する活性層（３２）を含んだ層状構造（３０）と
　前記層状構造（３０）に電流を印加するためのコンタクト（３６；５６，３８，４０）とを有する形式の発光半導体素子において、
　前記活性層（３２）を少なくとも部分的に包囲するコーティング層（３４；４４；５４）を有しており、該コーティング層は干渉エッジフィルタであり、放射光線（６０）の短波長成分を抑え、放射光線（６０）の長波長成分を透過させることを特徴とする発光半導体素子。」
　
　本件補正は、補正前の請求項１の「コーティング層」が、「放射光線（６０）の長波長成分を透過させる」との限定を行うものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）引用刊行物
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平８−１４８７１７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に半導体材料が積層されてなる発光チップを樹脂でモールドした発光ダイオードであって、発光チップの主発光波長が５００ｎｍ以下にあり、順方向電流２０ｍＡにおいて５００μＷ以上の出力を有する青色発光ダイオードにおいて、
前記発光チップの表面に少なくとも主発光波長より短い波長を吸収する薄膜が形成されていることを特徴とする青色発光ダイオード。
【請求項２】  前記薄膜は着色剤が混入されたガラス材料か、または着色剤が混入された酸化物よりなることを特徴とする請求項１に記載の青色発光ダイオード。
【請求項３】  前記半導体材料は窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）よりなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の青色発光ダイオード。」
　
イ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は５００ｎｍ以下の波長に発光する半導体材料より成る高輝度青色発光ダイオードに関する。」
　
ウ　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】・・・高輝度青色ＬＥＤが実現されると、従来の緑色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤでは全く無かった新たな問題が発生してきた。これは従来１ｃｄ以上の高輝度な青色ＬＥＤが実現されていなかったことによる。
【０００５】例えばその問題の一つに、ＬＥＤをモールドしている樹脂（一般的には、無色透明のエポキシ樹脂が使用されている。）が青色ＬＥＤの発する熱、光により非常に劣化しやすいという問題がある。・・・
【０００６】従って本発明はこのような事情を鑑み成されたものであり、その目的とするところは、光度の劣化が少ない高輝度青色ＬＥＤを実現することにあり、具体的にはＬＥＤをモールドしている樹脂の劣化を少なくする発光チップを提供することにより青色ＬＥＤの劣化を少なくすることにある。」
　
エ　「【０００７】
【課題を解決するための手段】我々は、高輝度青色ＬＥＤの発光スペクトルと、モールド樹脂について鋭意研究を重ねたところ、発光チップの発光スペクトルの特定の波長以下で特に樹脂が劣化しやすいことを見いだし、その特定の波長を樹脂が吸収しなくなるように、発光チップを改良することで前記問題を解決するに至った。即ち、本発明の青色ＬＥＤは、基板上に半導体材料が積層されてなる発光チップを樹脂でモールドしたＬＥＤであって、発光チップの主発光波長が５００ｎｍ以下にあり、Ｉｆ２０ｍＡにおいて５００μＷ以上の出力を有する青色ＬＥＤにおいて、前記発光チップの表面に少なくとも主発光波長より短い波長を吸収する薄膜が形成されていることを特徴とする。」
　
オ　「【００１２】
【作用】図３に本発明の一実施例の薄膜の透過率曲線を破線で示す。これはカリガラスにＣｕ、酸化ニッケル等を混入して４４０ｎｍ以下の波長を吸収するように着色したガラスである。なお透過率曲線は空気の透過率を１００％として示している。さらに、この着色ガラスを図３の実線で示す発光スペクトルを有する発光チップの表面に形成した発光チップの発光スペクトルを図４に示す。
【００１３】図３と図４のスペクトルを比較しても分かるように、本発明の青色ＬＥＤは発光波長の短波長成分が大巾にカットされている。短波長成分がカットされたＬＥＤは、カットされていないものに比べてモールド樹脂を劣化させるのが少ないので、ＬＥＤの寿命が飛躍的に向上する。・・・」
　
カ　「【００２０】［実施例２］活性層のＩｎＧａＮ組成が異なり、４９０ｎｍに発光ピークを有する窒化ガリウム系化合物半導体層２’がサファイア基板１に形成されたウェーハを用いる。なお、このウェーハを３５０μｍ角の発光チップに分離して、窒化ガリウム系化合物半導体層２’側を発光観測面側とするＬＥＤを実現すると、Ｉｆ２０ｍＡで、光度２ｃｄ、出力２．５ｍＷを有している。
【００２１】前記ウェーハのｐ型コンタクト層表面に所定の形状のマスクを形成した後、窒化ガリウム系化合物半導体層２’を実施例１と同様にしてエッチングしｎ型コンタクト層に負電極４、ｐ型コンタクト層に正電極５を設けた後、３５０μｍ角のチップに分離する。
【００２２】一方、ガラス材料としてナトリウムガラスにＣｕイオン、Ｎｉイオン等の着色剤が混入されて、４７０ｎｍ以下の波長を８０％以上吸収するような着色ガラスを用意する。
【００２３】前記発光チップの電極面をマスクした後、前記着色ガラスをチップ全面に蒸着してガラス薄膜３’を形成する。ガラス薄膜形成後、強固にガラス薄膜を付着させるために４００℃以上でアニーリングを行い、最後にエッチングしてマスクを除去する。マスクを除去した後の発光チップの構造を示す断面図を図２に示す。」
　
キ　図２、上記ア（【請求項１】）及びカの記載に照らせば、窒化ガリウム系化合物半導体層２’がサファイア基板１に形成されたウェーハを分離して形成される「発光チップ」は、主発光波長が５００ｎｍ以下の光線を放射する「活性層」を含むとともに、「ｎ型コンタクト層に負電極４、ｐ型コンタクト層に正電極５を設け」てなるものといえる。
　
ク　上記ア（【請求項１】）、オ（【００１２】）及びカ（【００２２】）に照らして図３を見ると、発光チップの表面に形成された着色ガラスからなる薄膜は、該発光チップの発光スペクトル（実線）のうち、短波長成分を吸収し、長波長成分を透過させるもの（破線）であるといえる。
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「主発光波長が５００ｎｍ以下の光線を放射する活性層を含むとともに、ｎ型コンタクト層に負電極４、ｐ型コンタクト層に正電極５を設けてなる発光チップ、を樹脂でモールドした青色発光ダイオードにおいて、
　前記発光チップの発光スペクトルの特定の波長以下で前記樹脂が劣化しやすいので、該発光チップの表面に、該発光チップの発光スペクトルのうち、短波長成分を吸収し、長波長成分を透過させる着色ガラスからなる薄膜を形成した青色発光ダイオード。」
　
（２）対比  
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「発光チップ」は、「主発光波長が５００ｎｍ以下の光線を放射する活性層を含むとともに、ｎ型コンタクト層に負電極４、ｐ型コンタクト層に正電極５を設けてな」り、作動時に或るスペクトル分布の光線を放射する活性層を含んだ層状構造を有するものといえるとともに、前記「『負電極４』及び『正電極５』」は前記層状構造に電流を印加するためのものである、といえるから、
（ア）引用発明の「発光チップ」は、本願補正発明の「発光半導体素子」に相当するとともに、
（イ）引用発明の「発光チップ」は、本願補正発明の「作動時に或るスペクトル分布の光線を放射する活性層を含んだ層状構造」を有するものといえ、
（ウ）引用発明の「『負電極４』及び『正電極５』」は、本願補正発明の「（前記層状構造に電流を印加するための）コンタクト」に相当するとともに、
（エ）引用発明の「発光チップ」は、本願補正発明の「前記層状構造に電流を印加するためのコンタクトとを有する形式の」ものであるといえる。
　
イ　引用発明の「発光チップ」は、「（その）表面に、該発光チップの発光スペクトルのうち、短波長成分を吸収し、長波長成分を透過させる薄膜を形成し」たものであり、該「薄膜」は活性層を包囲するものであるといえるから、
（ア）引用発明の「薄膜」及び「発光チップの発光スペクトル」は、それぞれ、本願補正発明の「コーティング層」及び「放射光線」に相当するとともに、
（イ）引用発明の「薄膜」は、本願補正発明の「前記活性層を少なくとも部分的に包囲する」との事項を備え、
（ウ）引用発明の「薄膜」は、本願補正発明の「放射光線の短波長成分を抑え、放射光線の長波長成分を透過させる」との事項を備える。
　
ウ　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「発光半導体素子であって、
　作動時に或るスペクトル分布の光線を放射する活性層を含んだ層状構造と
　前記層状構造に電流を印加するためのコンタクトとを有する形式の発光半導体素子において、
　前記活性層を少なくとも部分的に包囲するコーティング層を有しており、該コーティング層は、放射光線の短波長成分を抑え、放射光線の長波長成分を透過させる発光半導体素子。」
の点で一致し、以下の点で相違する。  
 　  
相違点
　放射光線の短波長成分を抑え、放射光線の長波長成分を透過させるコーティング層が、本願補正発明では、干渉エッジフィルタであるのに対し、引用発明では、着色ガラスからなる薄膜であって、干渉エッジフィルタではない点。
　
（３）判断  
　上記相違点につき検討する。
　所定の波長より短い波長域の光をカットし、長い波長域の光を透過させるための光学部材として、干渉フィルタを用いることは本願の優先日前に周知であるから（例えば、特開平２−１７８６３６号公報（第２頁左上欄下から２行目〜第３頁左上欄第４行、第１図、第２図）、特開平２−２５０２０１号公報（第２頁右上欄第５〜１７行、第１図、第２図）、特開平６−２５００１８号公報（【００１７】〜【００２０】、図２）参照。）、引用発明にこの周知技術を適用し、放射光線の短波長成分を抑え、放射光線の長波長成分を透過させるコーティング層として、着色ガラスからなる薄膜に換えて所定の波長より短い波長域の光をカットし、長い波長域の光を透過させる干渉フィルタ（干渉エッジフィルタ）を用いて、本願補正発明の上記相違点の構成となすことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から予測し得る程度のものである。  
 　  
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物記載の発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　  
（４）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年２月２３日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「発光半導体素子であって、
　作動時に或るスペクトル分布の光線（６０）を放射する活性層（３２）を含んだ層状構造（３０）と
　前記層状構造（３０）に電流を印加するためのコンタクト（３６；５６，３８，４０）とを有する形式の発光半導体素子において、
　前記活性層（３２）を少なくとも部分的に包囲するコーティング層（３４；４４；５４）を有しており、該コーティング層は干渉エッジフィルタであり、放射光線（６０）の短波長成分を抑える、ことを特徴とする発光半導体素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物及び引用発明は、上記第２の２（１）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２（２）及び（３）で検討した本願補正発明において、「コーティング層」が、「放射光線（６０）の長波長成分を透過させる」との限定を省いたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記第２の２（２）及び（３）で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。