【事件の表示】
　平成　９年特許願第２３４６３４号「半導体露光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月１６日出願公開、特開平１１−　７４３３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成９年８月２９日の出願であって、同１４年１１月１８日付で拒絶の理由が通知され、同１５年１月２４日に意見書とともに手続補正書が提出されたが、同１５年１０月１６日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、同１５年１２月１０日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同１６年１月９日に明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［理由］
１．補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１−１　補正前の請求項１
「【請求項１】支持部材上に載置された半導体ウエハに対して微細パターンを形成するための露光処理を施こす露光装置において、前記支持部材が、１０〜４０℃における熱膨張率が０．７×１０−６／℃以下であり、ヤング率が１３０ＧＰａ以上のセラミックスからなることを特徴とする半導体露光装置。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１−２　補正後の請求項１
「【請求項１】支持部材上に載置された半導体ウエハに対して微細パターンを形成するための露光処理を施こす露光装置において、前記支持部材が、
コージェライトを主体とし、Ｙまたは希土類元素を酸化物換算で３〜１５重量％の割合で含有するとともに、
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．補正の適否
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である支持部材について「コージェライトを主体とし、Ｙまたは希土類元素を酸化物換算で３〜１５重量％の割合で含有する」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−１　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、前記１−２に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「半導体露光装置」であると認める。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−２　刊行物記載の発明（事項）
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平０６−１００３０６号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開昭５６−１５５０６８号公報（以下、「刊行物２」という。）、及び特開昭５５−２４３３６号公報 （以下、「刊行物３」という。）、並びに前置報告書において周知例として示されたファインセラミックス事典編集委員会編，「ファインセラミックス事典」，技報堂出版株式会社，１版，１９８７年４月３０日，ｐ．１８５（以下、「刊行物４」という。）及び素木洋一著，「焼結セラミック詳論４　ファインセラミックス」，１版，株式会社技報堂，昭和５１年１月２５日，ｐ．３０３（以下、「刊行物５」という。）には、以下の事項が記載されている。　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（１）刊行物１
（１−ａ）特許請求の範囲
「【請求項１３】２０〜３０℃の常温域における曲げ強度が、４０ｋｇ／ｍｍ２以上であり、かつ同常温域における平均熱膨張係数が１．５×１０−６／Ｋ以下であることを特徴とする請求項３〜１２記載の複合セラミックス焼結体。」
（１−ｂ）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、サイアロン結晶粒子および複合セラミックス焼結体に関し、低熱膨張と同時に機械的強度を満足する材料が要求される精密機器部品、電子工業用部品の分野において好適に用いられる。さらに具体的には、近年、部品の高精度化および高集積化に伴い、材料の要求特性が厳しくなっているハイブリッドＩＣ基板やセラミックス多層基板、半導体製造用露光装置などに用いられるＸ−Ｙステージ、プレート、レチクルホルダ、ウェハーホルダなどのステッパー材料、ブロックゲージや定盤などの精密測定用部材として好適に用いられる。」
（１−ｃ）段落【０００２】
「【従来の技術】低熱膨張セラミックスとしてよく知られているものに、コーディエライト、リチウムアルミノ珪酸塩、チタン酸アルミニウムなどがある。これらは、いずれも ２．０×１０−６／Ｋ以下という極めて低い熱膨張係数を有するが、多孔質で機械的強度が著しく低い。このため、保護管、坩堝などの大きな負荷のかからない耐熱、耐衝撃部品に用いられているばかりで、大型構造用途への展開が阻まれている。」
（１−ｄ）段落【０００４】，【０００５】
「低熱膨張と同時に高強度が要求される用途には、上記に示したような既存の低熱膨張セラミックスは不適であり、新たな素材の研究開発が望まれる。
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の低熱膨張セラミックスの上述した低強度で多孔質であるという構造材料としては致命的な欠点に鑑み、熱膨張係数が１．５×１０−６／Ｋ以下と低く、かつ、緻密で機械的性質の優れた複合セラミックス焼結体およびそれに適したサイアロン結晶粒子を提供することを目的とする。」
（１−ｅ）段落【００５８】
「さらに本発明の方法による複合焼結体は、常温から２００ ℃の温度域において、平均熱膨張係数が、３．０×１０−６／Ｋ以下であることが特徴である。この程度の熱膨張係数であれば、各種精密部材への適用が可能な数字である。さらに平均熱膨張係数が、２．０×１０−６／Ｋ以下であれば、半導体製造装置用の超精密ステージなどのステッパー部材としての用途展開が可能である。」
  　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　刊行物１において、半導体製造用露光装置が微細パターンを形成するための露光処理を施すことは明らかである。
　上記記載事項からみて、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「Ｘ−Ｙステージ上に載置されたハイブリッドＩＣ基板に対して微細パターンを形成するための露光処理を施こす露光装置において、前記Ｘ−Ｙステージが、２０〜３０℃の常温域における平均熱膨張係数が１．５×１０−６／Ｋ以下と低く、かつ、同常温域における曲げ強度が４０ｋｇ/ｍｍ２以上である緻密で機械的強度の優れた複合セラミックス焼結体からなる半導体製造用露光装置。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）刊行物２
（２−ａ）特許請求の範囲
「Ｙ，ＬａおよびＣｅから選ばれる希土類元素の少なくとも１種以上の酸化物を重量％で０．３〜８％含有せしめてなるコーデイエライト質の緻密質低膨張焼結体。」
（２−ｂ）第２頁左上欄第５行〜同頁右上欄第１７行
「これら低膨張性酸化物セラミクスを用いる従来の技術は・・・得られた焼成品は気孔を多く含むものであり、強度も充分なものではなかった。
　本発明は、・・・強度の大きい緻密質低膨張焼結体を提供するものである。
　即ち、コーデイエライトを形成する低膨張性酸化物セラミクスにＹ，Ｌａ，Ｃｅからなる希土類元素を酸化物、有機塩、無機塩あるいはその他の形で添加することにより、比較的低温で焼成しても（即ち、焼成中の軟化、変形が生じない程度の低温で焼成しても）、気孔の少ない、よく焼き締つた緻密な焼成品を得ることを可能ならしめたものである。
　本発明の骨子は前述の如く、コーデイエライト質の低膨張性酸化物セラミクスにＹ，Ｌａ，Ｃｅからなる希土類元素ないしはこれらの酸化物、有機塩、無機塩等の化合物のうち、少くとも１種以上を添加するものであるが、その添加量は低膨張性酸化物セラミックスと希土類元素ないしは希土類元素の化合物の合量に対し、酸化物換算で０．３〜８重量％、好ましくは１〜４重量％がよい。添加量を上記範囲に制限する理由は、０．３重量％以下では、比較的低温で焼成した場合でも緻密質にできるという本発明の効果が極めて不充分となり、また、８重量％以上では焼結体の熱膨張率が大きくなり、目的とする低膨張性が達成されないことによる。」
（２−ｃ）第２表
　曲げ強度（Ｋｇ／ｃｍ２）が３１２〜４８３であること。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（３）刊行物３
（３−ａ）第１頁右下欄第１７〜１９行
「本発明はＹ２Ｏ２成分を重量％で０．３〜８％含有せしめた本質的にコージエライト組成からなるセラミツクス材料」
（３−ｂ）第２頁左下欄第６行〜同頁右下欄第４行
「ここでＹ２Ｏ２成分の配合割合を０．３〜８％とした理由については、０．３％以下では上述した比較的低温で焼成した場合でも緻密質にしうるという効果が不充分となり本発明の目的とする優れた電気的特性が達成されないからであり、また８％以上では得られた焼結体の熱膨張率が大きくなりすぎ低膨張セラミツクスの特質を損なうことになつてしまうからである。・・・
　即ち、物理的性質としては、・・・２５〜１０００℃における熱膨張係数が３０×１０-７／℃以下であり、曲げ強度も通常３００Ｋｇ／ｃｍ２以上多くは５００Ｋｇ／ｃｍ２以上のものとして容易に得られる。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（４）刊行物４
（４−ａ）第１８５頁
　表２　コーディエライト，ムライト，アルミナ焼結体の性質
　コーディエライトの線膨張係数（２５−８００℃）/Ｋ−１ が１．５×１０−６  、曲げ強度／ＭＰａが２４５及びヤング率／ＧＰａが１３９であること。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（５）刊行物５
（５−ａ）第３０３頁
　表−３．１６　ＬａｍｅｒとＷａｒｎｅｒによるコーディエライト素地の組成と性質
　多くのコーディエライトの熱膨張係数が高温になるほど大きくなり、温度が低くなると小さくなること。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−３　対比
　本件補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「Ｘ−Ｙステージ」、「半導体製造に用いられるハイブリッドＩＣ基板」及び「半導体製造用露光装置」は、前者の「支持部材」、「半導体ウエハ」及び「半導体露光装置」に、それぞれ相当することは明らかである。
　また、刊行物１記載の発明は「機械的強度に優れた」ものであり、本件補正発明の「ヤング率が１３０ＧＰａ以上」という事項も「機械的強度に優れた」と表現できるものであるから、刊行物１記載の発明の「２０〜３０℃の常温域における平均熱膨張係数が１．５×１０−６／℃以下と低く、かつ、同常温域における曲げ強度が４０ｋｇ/ｍｍ２以上である緻密で機械的強度の優れた複合セラミックス焼結体」は、「低熱膨張率であり、機械的強度に優れたセラミックス」である限りにおいて、本件補正発明の「コージェライトを主体とし、Ｙまたは希土類元素を酸化物換算で３〜１５重量％の割合で含有するとともに、１０〜４０℃における熱膨張率が０．７×１０−６／℃以下であり、ヤング率が１３０ＧＰａ以上のセラミックス」と共通している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
［一致点］
　「支持部材上に載置された半導体ウエハに対して微細パターンを形成するための露光処理を施こす露光装置において、前記支持部材が、低熱膨張率であり、機械的強度に優れたセラミックスからなる半導体露光装置。」である点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点］
　本件補正発明では、支持部材が、コージェライトを主体とし、Ｙまたは希土類元素を酸化物換算で３〜１５重量％の割合で含有するとともに、１０〜４０℃における熱膨張率が０．７×１０−６／℃以下であり、ヤング率が１３０ＧＰａ以上のセラミックスからなるのに対して、
　刊行物１記載の発明では、支持部材が、２０〜３０℃の常温域における熱膨張率が１．５×１０−６／℃以下であり、また、緻密で曲げ強度の大きい複合セラミックス焼結体からなる点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２−４　相違点についての判断
　本件補正発明において、コージェライトを主体とし、Ｙまたは希土類元素を酸化物換算で３〜１５重量％の割合で含有するとすることの技術的意義は、通常、熱膨張率の低い２ＭｇＯ−２Ａｌ2 Ｏ３ −５ＳｉＯ2 の組成からなるコージェライト系セラミックスはヤング率が低いが、Ｙまたは希土類元素を酸化物換算で３〜１５重量％の割合で添加することにより焼結性を高めることができる結果、ヤング率を１３０ＧＰａ以上に高めることができることと認められる。（明細書段落【００１６】〜【００１８】参照。）
　ところで、刊行物１には、コージェライトは、２．０ ×１０−６／Ｋ以下という極めて低い熱膨張係数を有するが、多孔質で機械的強度が著しく低く、大型構造用途への展開が阻まれていることが記載されており（前記記載事項（１−ｃ）参照。）、このコージェライトが緻密になり高強度化されれば、半導体露光装置における支持部材として有用であるということは、当業者にとって自明な事項である。
　そして、刊行物２及び３に記載されているように、コージェライトを主体とする低熱膨張セラミックスに、希土類元素を酸化物換算で０．３〜８重量％の割合で添加することにより、緻密質な高強度の低膨張性のコージェライトセラミックスが得られること（前記記載事項（２−ｂ）及び前記記載事項（３−ｂ）参照。）は、周知事項である。
　また、刊行物４には、コージェライトの線膨張係数（２５−８００℃）/Ｋ  が１．５×１０−６ 及びヤング率が１３９ＧＰａであることが記載されており（上記記載事項（４−ａ）参照。）、この熱膨張係数の値は、刊行物５に記載の多くのコージェライトでは、高温になるほど大きくなり、温度が低くなると小さくなるということ（前記記載事項（５−ａ）参照。）を参酌すれば、本件補正発明の１０〜４０℃の温度範囲における熱膨張率はより小さな数値になり、また、ヤング率も、Ｙまたは希土類元素を前記割合で添加すれば大きくなることは明らかである。
　そして、Ｘ−Ｙステージ等の支持部材としてできるだけ低熱膨張率で高強度（ヤング率の高い）の材料を用いるべきであることは明らかであるとともに、本件補正発明において、１０〜４０℃における熱膨張率を０．７×１０−６／℃以下とし、ヤング率を１３０ＧＰａ以上としたことの数値限定に格別な臨界的意義を見出すこともできない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　してみると、刊行物１記載の発明の支持部材として、刊行物２ないし３記載の周知のコージェライトセラミックスを採用し、本件補正発明のような値にＹまたは希土類元素の含有割合、熱膨張係数及びヤング率を特定することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本件補正発明は、刊行物１記載の発明及び前記刊行物２ないし５記載の周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年１月２４日付の手続補正書により補正がされた明細書の特許請求の範囲の請求項１記載された事項により特定される前記第２の１−１に示したとおりのものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用刊行物
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、前記第２の２−２に示したとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比・判断
　本願発明は、前記第２の２．で検討したように、本件補正発明の特定事項から前記限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２−４に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項２ないし６に係る発明について検討するまでもなく本件出願は拒絶するべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。