【事件の表示】
　特願２００３−１８４１５２「マルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置及びマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２０日出願公開，特開２００５−　１５８７０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．本件出願は，平成１５年６月２７日の出願であって，平成１８年８月１日付けで拒絶理由が通知され，同年１０月１０日付けで意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出され，同年１１月２０日付けで拒絶理由が通知され，平成１９年４月１０日付けで拒絶査定がなされ，同年５月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，同年６月１８日付けで審判請求書に係る手続補正書が提出されたものである。
　 
２．本願発明
　本件出願の請求項１〜１１に係る発明は，平成１８年１０月１０日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものであって，その請求項１〜１１に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１１」という。）は，それぞれ，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　基板が収容されるチャンバと，
　チャンバ内において基板に対向する位置に設けられる炭素材製の被エッチング部材と，基板と被エッチング部材との間にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と，
　チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ，原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材の炭素成分と原料ガスとからなる前駆体を生成するプラズマ発生手段と，
　基板の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることにより前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させる温度制御手段と
を備えたことを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項２】
　基板が収容され上部が開口されたチャンバと，
　チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と，
　チャンバの上部の開口を密閉する絶縁材製の天井部材と，
　天井部材の外方に設けられチャンバの内部を給電によりプラズマ化するためのアンテナ部材と，
　アンテナ部材の電気の流れに対して基板と天井部材との間に不連続状態で配置される炭素材製の被エッチング部材と，
　アンテナ部材に給電を行うことでチャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ，原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材の炭素成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と，
　基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させる温度制御手段と
を備えたことを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項３】
　基板が収容される円筒状のチャンバと，
　基板に対向する位置におけるチャンバの上方部に設けられる炭素材製の被エッチング部材と，
　チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と，
チャンバの筒部の外方に設けられチャンバの内部を給電によりプラズマ化するためのコイル状のアンテナ部材と，
　アンテナ部材に給電を行うことでチャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ，原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材の炭素成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と，
　基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させる温度制御手段と
を備えたことを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項４】
　基板が収容され上方が開口するチャンバと，
　基板に対向する位置におけるチャンバの上方開口部に設けられる炭素材製の被エッチング部材と，
　チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と，
　被エッチング部材に給電を行うことでチャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ，原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材の炭素成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と，
　基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させる温度制御手段と
を備えたことを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項５】
　基板が収容されるチャンバと，
　チャンバとは隔絶した部位でハロゲンを含有する原料ガスをプラズマ化し励起された原料ガス成分により炭素材製の被エッチング部材をエッチングすることにより気相中に被エッチング部材の炭素成分と原料ガスとの前駆体を生成する生成手段と，
　基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させる温度制御手段と
を備えたことを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項６】
　請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置において，
　被エッチング部材はカーボングラファイトであることを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項７】
　請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置において，
　ハロゲンを含有する原料ガスは塩素を含有する原料ガスであることを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項８】
　請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置において，
　被エッチング部材はカーボングラファイトであり，
　ハロゲンを含有する原料ガスは塩素を含有する原料ガスであり，
　前駆体としてＣＣｌｘを生成すると共に基板に少なくともＣＣｌｘを吸着させ，Ｃｌラジカルにより還元することによりマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に炭素成分を成膜させることを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項９】
　請求項５に記載のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置において，
　生成手段は，チャンバにスリット状開口を介して連通した部位で原料ガスをプラズマ化し，チャンバの内部との差圧によりチャンバ内に前駆体をチャンバ内に送ること
を特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置。
　【請求項１０】
　基板が収容されるチャンバ内をプラズマ化してハロゲンガスプラズマを発生させ，ハロゲンラジカルにより炭素材製の被エッチング部材をエッチングすることにより気相中にハロゲン化炭素の前駆体を生成し，基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くすることで前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させることを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法。
　【請求項１１】
　請求項１０に記載のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法において，
　被エッチング部材をカーボングラファイトとすると共に，塩素ガスプラズマを発生させ，前駆体としてＣＣｌｘを生成すると共に基板に少なくともＣＣｌｘを吸着させ，Ｃｌラジカルにより還元することによりマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に炭素成分を成膜させることを特徴とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法。」
　
３．原審の拒絶理由の内容
　
　平成１９年４月１０日付けの原査定の拒絶の理由は，「この出願については，平成１８年１１月２０日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって，拒絶をすべきものである。」というものであり，上記拒絶理由通知書に記載した理由は，「この出願は，特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。」というものである。
　また，上記拒絶理由通知書には，
「請求項１−１１に係る発明に関して，発明の詳細な説明には，マルチウォールカーボンナノチューブが成長したと記載されているが，実際にマルチウォールカーボンナノチューブが得られたことを裏付ける客観的測定結果が示されていない。
・・・・
・・・・平成１８年１０月１０日付け意見書において示された，本願発明のラマンスペクトルは，以下の引用文献１，２に記載された，１３５０ｃｍ−１近辺と１６００ｃｍ−１近辺にブロードのピークを有する，グラッシーカーボン（ガラス状炭素）のラマンスペクトルと，ピーク位置，ピーク比が酷似している。
・・・・してみれば，請求項１−１１に係る発明は，発明の詳細な説明においてサポートされていない。
　
文献１：最新の炭素材料実験技術（分析・解析編），炭素材料学会編集，
　　　　サイペック（株）ＲＥＡＬＩＺＥ事業部門発行，
　　　　２００１年１１月３０日発行
　　　 （第８９頁「第１１章　ラマン分光法による構造解析」 図１参照）
文献２：特開平１１−００１７８３号公報（図１参照）」
と付記されている。
　
４．本願明細書の記載
　平成１８年１０月１０日付けで補正された本件出願の明細書（以下，「本願明細書」という。）の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されている。
ア　「【発明の属する技術分野】
　本発明は，気相成長法により基板の表面にマルチウォールカーボンナノチューブ膜を作製するマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置及びマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法に関する。」（【０００１】）
イ　「【従来の技術】
・・・・
　カーボンナノチューブは，グラファイトシートが閉じた単層構造を有するシングルウォールカーボンナノチューブ（以下ＳＮＴと記す）と，グラファイトシートが閉じた多層構造を有するマルチウォールカーボンナノチューブ（以下ＭＮＴと記す）とが存在している。ＳＮＴとＭＮＴはそれぞれ特性があり，カーボンナノチューブを膜状に作製した場合には両者が混在しないことが望ましい。また，カーボンナノチューブの成長の方向も同一方向に揃っていることが望ましい。
　カーボンナノチューブの膜は，鉄，コバルト，ニッケル，ランタン等の金属を陽極の炭素棒に混入し，アーク放電を行うことにより作製されていた。また，この他にも，グラファイトの円盤にレーザーを照射して，表面に触媒作用を有する金属を備えた基板上に炭素成分を成長させてカーボンナノチューブの膜を成長させることが行われている。」（【０００２】〜【０００５】）
ウ　「【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら，従来用いられてきたカーボンナノチューブの膜の作製では，ＳＮＴとＭＮＴを制御することができず，膜中にＳＮＴとＭＮＴが混在している状態となっていた。また，基板上の所定位置にカーボンナノチューブを配置することや，方向を揃えるように制御することが困難であった。
　カーボンナノチューブの方向を揃える技術として，メタンと水素の混合ガスによるプラズマ化学気相成長法において，カーボンナノチューブの成長中に基板に垂直な電界を印加することにより，電界と同じ方向にカーボンナノチューブを成長させる技術も開発されている。しかし，この場合は極端に成長速度が遅いといった問題があった。
　本発明は，上記状況に鑑みてなされたもので，ＳＮＴとＭＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができるマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置及びマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法を提供することを目的とする。」（【０００６】〜【０００８】）
エ　「【課題を解決するための手段】
　上記目的を解決するための請求項１に係る本発明のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置は，
　基板が収容されるチャンバと，
　チャンバ内において基板に対向する位置に設けられる炭素材製の被エッチング部材と，
　基板と被エッチング部材との間にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と，
　チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ，原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材の炭素成分と原料ガスとからなる前駆体を生成するプラズマ発生手段と，
　基板の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることにより前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させる温度制御手段と
を備えたことを特徴とする。
　・・・・
　上記目的を達成するための請求項１０に係る本発明のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法は，
　基板が収容されるチャンバ内をプラズマ化してハロゲンガスプラズマを発生させ，ハロゲンラジカルにより炭素材製の被エッチング部材をエッチングすることにより気相中にハロゲン化炭素の前駆体を生成し，基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くすることで前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させることを特徴とする。
　そして，請求項１１に係る本発明のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法は，・・・・を特徴とする。」（【０００９】〜【００１９】）
オ　「【発明の実施の形態】
　本発明は，基板が収容されるチャンバ内をプラズマ化して塩素ガス（Ｃｌ２ガス）を発生させ，Ｃｌラジカルにより炭素材製の被エッチング部材（グラファイト）をエッチングすることにより気相中に前駆体としてＣＣｌｘを生成し，基板側の温度をグラファイトの温度よりも低くすることで前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させるようにしたものである。
　即ち，基板に少なくともＣＣｌｘを吸着させ，Ｃｌラジカルにより還元することによりマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に炭素成分を成膜させるようにしたものである。
　このため，成長速度が速く単一の材料（マルチウォールカーボンナノチューブ，以下ＭＮＴと記す）のみが一様な方向性で成長する。従って，シングルウォールカーボンナノチューブ（以下ＳＮＴと記す）とＭＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができる。」（【００２０】〜【００２２】）
カ　「以下，図面に基づいて本発明の実施形態に係るマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置及びマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法を説明する。
　＜第１の実施形態＞
　図１には本発明の第１実施形態例に係るマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置の概略側面，図２には炭素成分の成膜状況を表す概念，図３にはマルチウォールカーボンナノチューブの成膜状況を表す概念を示してある。
・・・・
　上述したマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置では，チャンバ１の内部にノズル１４から原料ガス１８を供給すると共に，プラズマアンテナ８から電磁波をチャンバの内部に入射することで，原料ガス１８中の塩素ガスをイオン化して塩素ガスプラズマを発生させる。プラズマは，ガスプラズマ１９で図示する領域に発生する。このときの反応は，次式で表すことができる。
　Ｃｌ２ → ２Ｃｌ＊ ・・・・・・（１）
　ここで，Ｃｌ＊ は塩素ガスラジカルを表す。
　このガスプラズマ１９がグラファイト製の被エッチング部材１１に作用することにより，被エッチング部材１１が加熱されると共に，グラファイトにエッチング反応が生じる。このときの反応は，例えば，次式で表される。
　Ｃ（ｓ）＋Ｃｌ＊  →  ＣＣｌ  （ｇ）  ・・・・（２）
　ここで，ｓは固体状態，ｇはガス状態を表す。式（２）は，グラファイトがガスプラズマ１９によりエッチングされ，ガス化した状態を表す。前駆体２０は，ガス化したＣＣｌ（ＣＣｌｘ）である。
　ガスプラズマ１９を発生させることにより被エッチング部材１１が加熱され（例えば３００℃〜７００℃），更に温度制御手段６により基板３の温度を被エッチング部材１１の温度よりも低い温度（例えば１００℃〜３００℃）に設定する。この結果，前駆体２０は基板３に吸着される。このときの反応は，例えば，次式で表される。基板３の温度を被エッチング部材１１の温度よりも低くすることで以下の前駆体２０が基板３に吸着される熱関係の状態になる。
　ＣＣｌ（ｇ）  →  ＣＣｌ（ａｄ）  ・・・・（３）
　ここで，ａｄは吸着状態を表す。
　図２（ａ）に示すように，基板３に吸着した塩化炭素ＣＣｌは，塩素ガスラジカルＣｌ＊により還元されてＣ成分となることで，カーボンナノチューブの一部を形成する。このときの反応は，例えば，次式で表される。
　ＣＣｌ  （ａｄ）＋Ｃｌ＊ →Ｃ（ｓ）＋Ｃｌ２  ↑  ・・（４）
　更に，図２（ｂ）に示すように，上式（２）において発生したガス化したＣＣｌの一部は，基板３に吸着する（上式（３）参照）前に，塩素ガスラジカルＣｌ＊により還元されてガス状態の炭素となる。このときの反応は，例えば，次式で表される。
　ＣＣｌ  （ｇ）＋Ｃｌ＊ →Ｃ（ｇ）＋Ｃｌ２  ↑  ・・（５）
　この後，ガス状態の炭素成分は，基板３に成膜され，カーボンナノチューブの一部となる。
　図３に示すように，基板３の表面に同一方向のＭＮＴ２１が多数成長し，カーボンナノチューブ膜２２が成膜される。ＭＮＴ２１はＳＰ２混成軌道の結合構造となっている。マルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置における熱エネルギーを高温に制御したり，原料ガスの塩素濃度等を制御することにより，混成軌道の結合構造を選択して，例えば，被エッチング部材の温度を高温にし，プラズマの密度を高め，基板に負のバイアスを印加することにより，ダイヤモンドライクカーボンの膜を作製することも可能である。
　このため，成長速度が速く単一のＭＮＴ２１のみが一様な方向性で成長し，ＳＮＴが混在しない状態でＭＮＴ２１の方向が揃ったカーボンナノチューブ膜２２を短時間で作製することができる。しかも，触媒作用の金属を介在させることなく基板３の表面に直接カーボンナノチューブ膜２２を作製することができる。」（【００２３】〜【００４０】）
キ　「【発明の効果】
　請求項１に係る本発明のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置は，・・・・を特徴とする。
　このため，シングルウォールカーボンナノチューブとマルチウォールカーボンナノチューブが混在しない状態でマルチウォールカーボンナノチューブの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができ量産性に優れたマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置とすることが可能となる。
・・・・
　請求項１０に係る本発明のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法は，・・・・を特徴とする。
　このため，シングルウォールカーボンナノチューブとマルチウォールカーボンナノチューブが混在しない状態でマルチウォールカーボンナノチューブの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができ量産性に優れたマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法とすることが可能となる。
　請求項１１に係る本発明のマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法は，・・・・を特徴とする。
　このため，カーボングラファイト及び安価な塩素ガスを用いてマルチウォールカーボンナノチューブ膜を作製することができる。」（【００８３】〜【０１０２】）
　
５．当審の判断
５．１　明細書のサポート要件
　特許法第３６条第６項第１号には，「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること。」と規定されており，この規定は，いわゆる「明細書のサポート要件」に関するものである。
　そして，「特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきもの」である（知的財産高等裁判所平成１７年（行ケ）第１００４２号判決（平成１７年１１月１１日判決言渡））。　
　　
　この観点に立って，以下検討する。
　
５．２　検討
（１）本願発明１〜１１について
（１ａ）本願明細書には，
　記載事項アに，「本発明は，気相成長法により基板の表面にマルチウォールカーボンナノチューブ膜を作製するマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置及びマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法に関する」と記載され，
　記載事項イに，【従来の技術】について，「カーボンナノチューブは・・・・シングルウォールカーボンナノチューブ（以下ＳＮＴと記す）と，・・・・マルチウォールカーボンナノチューブ（以下ＭＮＴと記す）とが存在し・・・ＳＮＴとＭＮＴはそれぞれ特性があり，カーボンナノチューブを膜状に作製した場合には両者が混在しないことが望ましい。また，カーボンナノチューブの成長の方向も同一方向に揃っていることが望ましい。」と記載され，
　記載事項ウに，【発明が解決しようとする課題】について，「従来用いられてきたカーボンナノチューブの膜の作製では，ＳＮＴとＭＮＴを制御することができず，膜中にＳＮＴとＭＮＴが混在している状態となっていた。また，基板上の所定位置にカーボンナノチューブを配置することや，方向を揃えるように制御することが困難であった。
　カーボンナノチューブの方向を揃える技術として・・・・プラズマ化学気相成長法において・・・・基板に垂直な電界を印加することにより，電界と同じ方向にカーボンナノチューブを成長させる技術も開発されている。しかし，この場合は極端に成長速度が遅いといった問題があった。
　本発明は，上記状況に鑑みてなされたもので，ＳＮＴとＭＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができるマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置及びマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法を提供することを目的とする。」
と記載されている。
　これらの記載事項から，本願発明１〜１１の解決しようとする課題は，「ＳＮＴとＭＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができるマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置及びマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法を提供する」ことにあると認められる。
　そこで，発明の詳細な説明には，本願発明１〜１１が，この課題を解決できることを当業者が認識できるように開示されているか否かをみてみることにする。
（１ｂ）本願明細書には，記載事項エに，【課題を解決するための手段】として，本願発明１〜１１が記載され，記載事項オに，【発明の実施の形態】として，「本発明は，基板が収容されるチャンバ内をプラズマ化して塩素ガス（Ｃｌ２ガス）を発生させ，Ｃｌラジカルにより炭素材製の被エッチング部材（グラファイト）をエッチングすることにより気相中に前駆体としてＣＣｌｘを生成し，基板側の温度をグラファイトの温度よりも低くすることで前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させるようにしたものであ」り，「即ち，基板に少なくともＣＣｌｘを吸着させ，Ｃｌラジカルにより還元することによりマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に炭素成分を成膜させるようにしたものである」ため，「成長速度が速く単一の材料（マルチウォールカーボンナノチューブ，以下ＭＮＴと記す）のみが一様な方向性で成長」し，「シングルウォールカーボンナノチューブ（以下ＳＮＴと記す）とＭＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができる」ことが記載され，記載事項カに，＜第１の実施形態＞として，（１）「Ｃｌ２ → ２Ｃｌ＊」，（２）「Ｃ（ｓ）＋Ｃｌ＊  →  ＣＣｌ（ｇ）」，（３）「ＣＣｌ（ｇ）  →  ＣＣｌ（ａｄ）」，（４）「ＣＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ＊  →Ｃ（ｓ）＋Ｃｌ２  ↑」，（５）「ＣＣｌ（ｇ）＋Ｃｌ＊ →Ｃ（ｇ）＋Ｃｌ２  ↑ 」という反応式（１）〜（５）によって，図２に示すように，本願発明１〜１１に係るマルチウォールカーボンナノチューブが生成する反応がなされ，「図３に示すように，基板３の表面に同一方向のＭＮＴ２１が多数成長し，カーボンナノチューブ膜２２が成膜され」，「成長速度が速く単一のＭＮＴ２１のみが一様な方向性で成長し，ＳＮＴが混在しない状態でＭＮＴ２１の方向が揃ったカーボンナノチューブ膜２２を短時間で作製することができ」，「しかも，触媒作用の金属を介在させることなく基板３の表面に直接カーボンナノチューブ膜２２を作製することができる」ことが記載され，記載事項キに，本願発明１〜１１に係る【発明の効果】として，「シングルウォールカーボンナノチューブとマルチウォールカーボンナノチューブが混在しない状態でマルチウォールカーボンナノチューブの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができ量産性に優れたマルチウォールカーボンナノチューブ膜」の作成が可能となることが記載されているといえる。
　また，本願明細書には，記載事項カの＜第１の実施形態＞の他，＜第２の実施形態＞から＜第４の実施形態＞が示されており，各実施形態で用いた装置の構造には差異があるものの，何れも，＜第１の実施形態＞と同様に反応式（１）〜（５）により，マルチウォールカーボンナノチューブ膜が形成されることが記載されているから，これらの実施形態において，＜第１の実施形態＞と同様の反応機構によりマルチウォールカーボンナノチューブ膜が形成することが記載されているといえる。
　したがって，本願明細書の記載によれば，本願発明１〜１１は，「チャンバ内をプラズマ化して塩素ガス（Ｃｌ２ガス）を発生させ，Ｃｌラジカルにより炭素材製の被エッチング部材（グラファイト）をエッチングすることにより気相中に前駆体としてＣＣｌｘを生成し，基板側の温度をグラファイトの温度よりも低くすることで前駆体の炭素成分をマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に成膜させ」，「即ち，基板に少なくともＣＣｌｘを吸着させ，Ｃｌラジカルにより還元することによりマルチウォールカーボンナノチューブ膜として基板に炭素成分を成膜させる」ことにより，上記課題を解決したものであり，かかるマルチウォールカーボンナノチューブ膜を生成するための反応は，上記反応式（１）〜（５）によるものといえる。
（１ｃ）しかしながら，本願明細書には，上記のとおり，記載事項カに，「図３に示すように，基板３の表面に同一方向のＭＮＴ２１が多数成長し，カーボンナノチューブ膜２２が成膜され」，「成長速度が速く単一のＭＮＴ２１のみが一様な方向性で成長し，ＳＮＴが混在しない状態でＭＮＴ２１の方向が揃ったカーボンナノチューブ膜２２を短時間で作製することができ」，「しかも，触媒作用の金属を介在させることなく基板３の表面に直接カーボンナノチューブ膜２２を作製することができる」ることが記載され，記載事項キに，本願発明１〜１１により「シングルウォールカーボンナノチューブとマルチウォールカーボンナノチューブが混在しない状態でマルチウォールカーボンナノチューブの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができ量産性に優れたマルチウォールカーボンナノチューブ膜」の作成が可能となることが記載されているものの，これらの記載は，結論を述べたものにすぎず，これらの記載を裏付ける記載は見当たらない。即ち，記載事項カで引用された図２，図３は，何れも「概念図」にすぎず，基板３の表面に実際に，同一方向のＭＮＴが多数成長したことを裏付けるものではなく，他の記載をみても，「ＳＮＴとＭＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜」が実際に得られたことを当業者が客観的に理解できる記載（例えば，透過型電子顕微鏡等による膜の観察あるいは分析に関する記載）は何ら見当たらない。しかも，本願明細書には，実施の形態において得られた「マルチウォールカーボンナノチューブ膜」が「ＳＮＴとＭＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃った」ものであるか否かだけではなく，「マルチウォールカーボンナノチューブ膜」といえるものが実際に形成されたことを客観的に裏付ける記載も見当たらない。また，上記（１）〜（５）の反応式についてみても，かかる反応式によりＣ（炭素）が生成し，基板に炭素からなる膜が成膜されることは考えられなくもないが，炭素には，「非晶質炭素」，「黒鉛」，「ダイヤモンド」，「フラーレン」，「カーボンナノチューブ」等様々な形態があり，従来，「カーボンナノチューブの膜は，・・・・金属を陽極の炭素棒に混入し，アーク放電を行うことにより作製され・・・また，この他にも，グラファイトの円盤にレーザーを照射して，表面に触媒作用を有する金属を備えた基板上に炭素成分を成長させてカーボンナノチューブの膜を成長させることが行われて」（記載事項イ）おり，「カーボンナノチューブの方向を揃える技術として・・・・プラズマ化学気相成長法において・・・・基板に垂直な電界を印加することにより，電界と同じ方向にカーボンナノチューブを成長させる技術」もあるが「極端に成長速度が遅いといった問題があった」（記載事項ウ）にもかかわらず，何故，上記Ｃｌラジカルを利用した反応式（１）〜（５）によると，「触媒作用の金属を介在させることなく基板の表面に直接カーボンナノチューブ膜を作製することができ」（記載事項カ），しかも，電界を印加することなく，その膜が「ＳＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃ったカーボンナノチューブ膜」（記載事項カ）になり，かつ「短時間で作製することができる」（記載事項カ）といえるのか，本願明細書に具体的な説明がなされているとはいえない。そして，Ｃｌラジカルを利用した反応式（１）〜（５）によれば，上記課題を解決でき，目的とするマルチウォールカーボンナノチューブ膜を作成できることが，本願明細書の記載に技術常識を加味すれば当業者に理解できるともいえない。
（１ｄ）加えて，本願明細書には，記載事項カに，「マルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置における熱エネルギーを高温に制御したり，原料ガスの塩素濃度等を制御することにより，混成軌道の結合構造を選択して，例えば，被エッチング部材の温度を高温にし，プラズマの密度を高め，基板に負のバイアスを印加することにより，ダイヤモンドライクカーボンの膜を作製することも可能である。」と記載されているところ，本願発明１〜１１には，「基板（側）の温度を被エッチング部材（側）の温度よりも低く」という事項は特定されているものの，温度，塩素濃度，プラズマ密度といった条件について数値による特定はなされていないことから，本願発明１〜１１において，これらの条件によってはカーボンナノチューブ膜ではなく，ダイヤモンドライクカーボンの膜が作成されるとみることもできる。そうすると，上記（１）〜（５）の反応式により，本願発明１〜１１により，上記課題を解決できる場合があるとしても，本願発明１〜１１に特定されていない事項（例えば，温度，塩素濃度，プラズマ密度等）を調整するといった特定の場合と推定される。
（１ｅ）以上の点からみると，本願発明１〜１１により，本願明細書における「ＳＮＴとＭＮＴが混在しない状態でＭＮＴの方向が揃ったマルチウォールカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができるマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製装置及びマルチウォールカーボンナノチューブ膜作製方法を提供する」という上記課題を解決し得ることが，発明の詳細な説明に当業者が認識できるように記載されているとはいえず，本願発明１〜１１は明細書のサポート要件に適合するものではない。
　
（２）請求人の主張について
（２ａ）請求人は，平成１９年６月１８日付け手続補正書により補正した審判請求書において，
「本願発明により，マルチウォールカーボンナノチューブ（以降，ＭＮＴと略す。）からなるカーボンナノチューブ膜（マルチウォールカーボンナノチューブ膜）が作製されたことについて，又，同一方向のＭＮＴが作製されたことについて，裏付けとなる測定結果を示す添付資料を参照して説明します。
　添付資料に示すように，一般的なＭＮＴ（Maruyama et al.）のラマンスペクトルは，１６００ｃｍ−１近辺に特有のピークを有するものです。
　一方，本願発明により作製されたもの（This work）のラマンスペクトルは，１３５０ｃｍ−１近辺と１６００ｃｍ−１近辺に特有のピークを有するものです。本願発明により作製されたもの（This work）の１３５０ｃｍ−１近辺のピークは，グラファイト（Graphite）のラマンスペクトルの１３５０ｃｍ−１近辺のピークと重なるものですが，一般的なＭＮＴ（Maruyama et al.）のラマンスペクトルにおいても同様の位置にわずかなピークが検出されています。これは，測定時の配向面の関係で，グラファイト構造が検出されたものと考えられます。本願発明により作製されたもの（This work）の１６００ｃｍ−１近辺のピークが，一般的なＭＮＴ（Maruyama et al.）の１６００ｃｍ−１近辺の特有のピークと重なることから，本願発明により，ＭＮＴからなるカーボンナノチューブ膜が作製されたことが裏付けられます。
　また，作製方法や結晶構造の異なるもの，例えば，ダイアモンド（Diamond），グラファイト（Graphite），プラズマＣＶＤによるもの（p-CVD），カーボン（Carbon）等のラマンスペクトルと本願発明により作製されたもの（This work）のラマンスペクトルを比較してみると，本願発明により作製されたもの（This work）は，ダイアモンド（Diamond），グラファイト（Graphite），プラズマＣＶＤによるもの（p-CVD），カーボン（Carbon）等とは異なる位置にラマンスペクトルのピークを有しており，このことから，本願発明により作製されたもの（This work）は，ＭＮＴ以外のものからできていないことが裏付けられます。
　さらに，添付資料に示すように，本願発明により作製されたもの（This work）のラマンスペクトルにおいて，グラファイト（Graphite）構造を示す１３５０ｃｍ−１近辺のピークが急峻なピークとして検出されていることから，本願発明により作製されたＭＮＴは，同一方向に成長していることが裏付けられます。
・・・・・
　上述の如く平成１８年１０月１０日付けの手続補正書において，特許法第３６条第６項第１号の規定を満たすべく，必要な補正を行うと共に，本願発明の裏付けとなる測定結果を示して，釈明を行いましたので，本拒絶理由は解消したものと考えます。」
と主張することから，この主張について以下検討する。
（２ｂ）上記添付資料の（This work），（Maruyama et al.）とされる試料が，如何なる条件で作成されたものであるか判然としないが，これら「（Maruyama et al.）」，「（This work）」のラマンスペクトルが，それぞれ「一般的なＭＮＴ」，「本願発明１〜１１により得られた試料」のラマンスペクトルであるとしても，両者のラマンスペクトルの形状（主ピークの位置，幅，強度等）は全体として異なっており，後者が「一般的なＭＮＴ」のスペクトルの特徴を示すとは直ちにはいえない。そして，この添付資料のラマンスペクトルは，上記３．で述べた「平成１８年１１月２０日付け拒絶理由通知書」に言及された「平成１８年１０月１０日付け意見書」において示されたものと同様のものであって，その「（This work）」のラマンスペクトルは，「１３５０ｃｍ−１近辺」と「１６００ｃｍ−１近辺」の２つのピークを有し，かつ前者のピーク強度が後者よりも大きい点で，前記拒絶理由通知書に付記された文献１，２（上記３．参照）に示されるグラッシーカーボンのラマンスペクトルに類似している。
　また，炭素のラマンスペクトルにおいて，「１６００ｃｍ−１近辺」のＧバンド（graphite band）と呼ばれるピークは，グラファイト構造に起因すること（齋藤弥八・坂東俊治著，「カーボンナノチューブの基礎」，コロナ社，１９９８年１１月１３日，初版，第１１５頁１行〜第１１６頁２行及び第１１５頁脚注（以下，「文献３」という。），齋藤理一郎・篠原久典編，「カーボンナノチューブの基礎と応用」，培風館，２００４年３月３１日，初版，第２２８頁１７行〜第２３０頁４行，第２３１頁１７〜２５行（以下，「文献４」という。））及び，ＭＮＴのラマンスペクトルは，微結晶グラファイトまたはグラファイト粒子と類似のラマンスペクトルを示すことがあること（特開２００２−３７６１４号公報の【００２１】及び図３，文献３の第１２５頁２〜１０行及び図６．１３）からみても，「１６００ｃｍ−１近辺のピーク」が直ちに「ＭＮＴ」のピークということはできない。
　さらに，炭素のラマンスペクトルにおいて，上記のとおり，Ｇバンドがグラファイト構造に起因するのに対して，「１３５０ｃｍ−１近辺」のＤバンド（disorder band）と呼ばれるピークは，結晶構造の乱れや欠陥等に起因し，このＤバンドは，カーボンナノチューブ中の不純物であるアモルファスやナノ粒子等から生じることがあるところ（文献３，４），請求人の「本願発明により作製されたもの（This work）のラマンスペクトルにおいて，グラファイト（Graphite）構造を示す１３５０ｃｍ−１近辺のピークが急峻なピークとして検出されていることから，本願発明により作製されたＭＮＴは，同一方向に成長している」との主張は，「１３５０ｃｍ−１近辺のピーク」はＤバンドに対応するにもかかわらず，この「ピークが急峻」であることと「ＭＮＴは，同一方向に成長」することとが何故関連づけることができるのか，その根拠が全く不明である。
　したがって，請求人の上記主張は採用できない。
　
６．むすび 
　以上のとおりであるから，本件出願は，依然として，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないので，特許を受けることができない。
　したがって，本件出願は拒絶すべきものである。　
　よって，結論のとおり審決する。