Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンを含むシリアルデータを受け取り、クロック信号に同期して前記シリアルデータをサンプリングしてサンプルドデータを生成するレシーバ回路と、
前記サンプルドデータに基づいてクロックデータリカバリを行い、前記クロック信号を生成するＰＬＬ回路と、
前記サンプルドデータに含まれる擬似ロックパターンを検出することによって、前記ＰＬＬ回路の擬似ロックを検出する擬似ロック検出回路と
を備え、
前記擬似ロックパターンは、前記ＰＬＬ回路の擬似ロックが発生している場合に前記レシーバ回路が前記所定のパターンをサンプリングする結果得られるパターンである
クロックデータリカバリ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】クロックデータリカバリ回路
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月27日(2012.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】本発明の実施例としての資料提示装置の外観図である。
【図２】資料提示装置の内部構成を示すブロック図である。
【図３】マスク情報の一例を示す説明図である。
【図４】マスク処理のフローチャートである。
【図５】合成画像が液晶ディスプレイに表示された例を示す説明図である。
【図６】マスク表示用マークに傾きが生じている場合の表示例を示す説明図である。
【図７】マスク表示用マークの大きさが本来の大きさと異なる場合の表示方法を示す図である。
【図８】マスク消去用マークが原画像データ内に検出された場合の表示例を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図６は、マスク表示用マークに傾きが生じている場合の表示例を示す説明図である。原画像データＮ１内のマスク表示用マークに、角度θの傾きが生じている場合には、その角度θに応じて、マスク範囲データの各座標が調整される。この結果、図６に示すように、合成画像Ｎ２中のマスク画像ＭＩの位置および傾きも調整される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図７は、原画像データ内に検出されたマスク表示用マークの大きさが本来の大きさと異なる場合の表示方法を示す図である。図７（ａ）には、マスク表示用マークの本来の大きさを示し、図７（ｂ）には、光学ズームによってマスク表示用マークが２倍の大きさで原画像データ内から検出された例を示している。このように、マスク表示用マークが本来の大きさとは異なる大きさで検出された場合には、その拡大率（図７の場合には２倍）に応じて、マスク画像ＭＩの表示位置と大きさとが調整される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
なお、原画像データ内のマスク表示用マークに傾きが生じており、かつ、マスク表示用マークが本来の大きさと異なる場合には、マスク画像ＭＩに対して、図６と図７とに示した処理が同時に実行される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線発生装置と、該Ｘ線発生装置から照射され被写体を透過したＸ線を検出するＸ線検出器と、該Ｘ線に基づいて検出された検出画像を表示する画像表示手段とを有する画像撮影装置であって、
前記Ｘ線検出器の読み取り領域のサイズである検出画像サイズとビニング条件と前記画像表示手段における表示枠サイズとの情報を受付け、前記情報を利用して、該表示枠サイズを越えないで、且つ該表示枠サイズに対する前記検出画像の表示面積を最大にする第１表示倍率を算出する第１表示倍率算出手段と、
解像度変更指示に応じて、前記受付けたビニング条件を仮変更し、該仮変更したビニング条件と前記受付けた検出画像サイズとを用いて、該表示枠サイズを越えないで、且つ該表示枠サイズに対する前記検出画像の表示面積を最大にする第２表示倍率を算出する第２表示倍率算出手段と、
前記第１表示倍率と前記第２表示倍率とを比較し、該第２表示倍率の方がより１に近い値を示す場合に、前記第２表示倍率と前記仮変更したビニング条件とを選択し、該第１表示倍率の方がより１に近い値を示す場合に、前記第１表示倍率と前記受付けたビニング条件とを選択する選択手段と
を備えることを特徴とする画像撮影装置。
【請求項２】
更に、検出画像サイズ変更指示に応じて、前記検出画像サイズを仮変更し、該仮変更した検出画像サイズの検出画像を前記画像表示手段に表示した場合の表示領域を、前記選択手段により選択したビニング条件と表示倍率を利用して算出し、該表示領域が前記画像表示手段の表示枠サイズに入る場合、前記Ｘ線検出器における前記読み取り領域のサイズを前記検出画像サイズ変更指示に従って変更する手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の画像撮影装置。
【請求項３】
更に、フレームレート維持指示に応じて現在のフレームレート維持する範囲で前記Ｘ線検出器からの信号の読み取り領域を拡大または高解像度化するように、前記検出画像サイズおよび前記ビニング条件の少なくともいずれかを仮変更し、該仮変更に基づいた検出画像サイズおよびビニング条件と前記選択手段により選択された表示倍率とを利用して算出した検出画像の表示領域が、前記画像表示手段の表示枠サイズに入る場合、該仮変更された検出画像サイズおよびビニング条件で前記Ｘ線検出器を動作させることを特徴とする請求項１に記載の画像撮影装置。
【請求項４】
Ｘ線発生装置と、該Ｘ線発生装置から照射され被写体を透過したＸ線を検出するＸ線検出器と、該検出した画像を表示する画像表示手段とを有する画像撮影装置における撮影の制御方法であって、
第１表示倍率算出手段が、前記Ｘ線検出器の読み取り領域のサイズである検出画像サイズとビニング条件と前記画像表示手段における表示枠サイズとの情報を受付け、前記情報を利用して、該表示枠サイズを越えないで、且つ該表示枠サイズに対する前記検出画像の表示面積を最大にする第１表示倍率を算出する第１表示倍率算出工程と、
第２表示倍率算出手段が、解像度変更指示に応じて、前記受付けたビニング条件を仮変更し、該仮変更したビニング条件と前記受付けた検出画像サイズとを用いて、該表示枠サイズを越えないで、且つ該表示枠サイズに対する前記検出画像の表示面積を最大にする第２表示倍率を算出する第２表示倍率算出工程と、
選択手段が、前記第１表示倍率と前記第２表示倍率とを比較し、該第２表示倍率の方がより１に近い値を示す場合に、前記第２表示倍率と前記仮変更したビニング条件とを選択し、該第１表示倍率の方がより１に近い値を示す場合に、前記第１表示倍率と前記受付けたビニング条件とを選択する選択工程と
を備える制御方法。
【請求項５】
請求項４に記載の画像撮影装置における撮影の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者眼角膜に対し超音波ビームを非接触にて送信し，受信するための送受信部を有する超音波探触子を備え、前記探触子によって受信された角膜反射波の特性に基づいて被検者眼の眼圧を測定する非接触式超音波眼圧計であって、
前記被検者眼の前眼部を正面方向から観察するための観察光学系を備え、
前記探触子は、前記送受信部における送信部及び受信部のうち、いずれか一方の部材は前記観察光学系の観察光路外に配置され，他方の部材は前記観察光学系の光路を用いて送信又は受信可能な位置に配置されることにより構成されていることを特徴とする非接触式超音波眼圧計。
【請求項２】
請求項１の非接触式超音波眼圧計において、
前記他方の送受信部は、所定の保持部材によって観察光路中に保持されていることを特徴とする非接触式超音波眼圧計。
【請求項３】
請求項１又は２の非接触式超音波眼圧計において、
前記他方の送受信部は、固視標投影用の光束又はアライメント指標投影用の光束を通過させるための開口部が形成されていることを特徴とする非接触式超音波眼圧計。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの非接触式超音波眼圧計において、
前記他方の送受信部と前記一方の送受信部は、その中心軸が同軸となるように配置されていることを特徴とする非接触式超音波眼圧計。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの非接触式超音波眼圧計において、
前記一方の送受信部は送信部であって、周辺領域から前記角膜に向けて超音波ビームを送信し、
前記前記他方の送受信部は受信部であり、該送信部による角膜反射波を正面方向から受信することを特徴とする非接触式超音波眼圧計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）  被検者眼角膜に対し超音波ビームを非接触にて送信し，受信するための送受信部を有する超音波探触子を備え、前記探触子によって受信された角膜反射波の特性に基づいて被検者眼の眼圧を測定する非接触式超音波眼圧計であって、前記被検者眼の前眼部を正面方向から観察するための観察光学系を備え、前記探触子は、前記送受信部における送信部及び受信部のうち、いずれか一方の部材は前記観察光学系の観察光路外に配置され，他方の部材は前記観察光学系の光路を用いて送信又は受信可能な位置に配置されることにより構成されていることを特徴とする。
（２）  （１）の非接触式超音波眼圧計において、
前記他方の送受信部は、所定の保持部材によって観察光路中に保持されていることを特徴とする。
（３）  （１）又は（２）の非接触式超音波眼圧計において、
前記他方の送受信部は、固視標投影用の光束又はアライメント指標投影用の光束を通過させるための開口部が形成されていることを特徴とする。
（４）  （１）〜（３）のいずれかの非接触式超音波眼圧計において、
前記他方の送受信部と前記一方の送受信部は、その中心軸が同軸となるように配置されていることを特徴とする。
（５）  （１）〜（４）のいずれかの非接触式超音波眼圧計において、前記一方の送受信部は送信部であって、周辺領域から前記角膜に向けて超音波ビームを送信し、前記前記他方の送受信部は受信部であり、該送信部による角膜反射波を正面方向から受信することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項３に記載の医療用品を収容した包装袋を、同じ構造で医療用品の無い大きな包装袋内に収容して二重袋構造としたことを特徴とする医療用品を収容した包装袋。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者眼に複数の電極を設置し，該電極より所定の電気刺激パルス信号を出力させて視覚の再生を促す視覚再生補助装置において、前記電極は立体形状を有するとともに，その表面が処理されることによって不均一で微細な凹凸形状を有することを特徴とする視覚再生補助装置。
【請求項２】
請求項１の視覚再生補助装置において、前記電極は電気化学的な酸化還元反応によって表面処理されていることを特徴とする視覚再生補助装置。
【請求項３】
患者眼に複数の電極を設置し，該電極より所定の電気刺激パルス信号を出力させて視覚の再生を促す視覚再生補助装置の製造方法において、所定の基板上に立体形状を有する複数の電極を形成する第１ステップと、該第１ステップにより前記基板上に形成された前記電極に対して所定の表面処理を施すことにより，前記電極表面に不均一で微細な凹凸形状を施す第２ステップと、を有することを特徴とする視覚再生補助装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３の視覚再生補助装置の製造方法において、前記表面処理は前記電極に対して電気化学的な酸化還元反応を行わせる処理であることを特徴とする視覚再生補助装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）  患者眼に複数の電極を設置し，該電極より所定の電気刺激パルス信号を出力させて視覚の再生を促す視覚再生補助装置において、前記電極は立体形状を有するとともに，その表面が処理されることによって不均一で微細な凹凸形状を有することを特徴とする。
（２）  （１）の視覚再生補助装置において、前記電極は電気化学的な酸化還元反応によって表面処理されていることを特徴とする。
（３）  患者眼に複数の電極を設置し，該電極より所定の電気刺激パルス信号を出力させて視覚の再生を促す視覚再生補助装置の製造方法において、所定の基板上に立体形状を有する複数の電極を形成する第１ステップと、該第１ステップにより前記基板上に形成された前記電極に対して所定の表面処理を施すことにより，前記電極表面に不均一で微細な凹凸形状を施す第２ステップと、を有することを特徴とする。
（４）  （３）の視覚再生補助装置の製造方法において、前記表面処理は前記電極に対して電気化学的な酸化還元反応を行わせる処理であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動を検出する振動検出手段と、
参加型演出を含む複数種類の演出を表出する演出表出手段と、
前記演出表出手段による前記複数種類の演出を制御する演出制御手段と、
遊技者による参加操作を検出する演出参加手段と、
を含む遊技機であって、
前記参加型演出における参加期間を含む参加管理期間と前記参加管理期間と異なる非参加管理期間とを識別する識別手段と、
前記振動検出手段による振動の検出に基づいて、所定の基準値から離れる値に振動判定情報を更新し、前記振動判定情報が前記基準値と異なる値である場合における前記振動検出手段による振動の非検出に基づいて、前記基準値に近づく値に前記振動判定情報を更新する振動判定情報更新手段と、
前記振動判定情報が前記振動判定情報更新手段における更新により前記基準値と所定の閾値との間の範囲と異なる値となった場合に所定の振動状態と判定する振動判定手段と、
を更に含み、
前記振動検出手段による振動の検出に基づく前記振動判定情報の更新量と前記振動検出手段による振動の非検出に基づく前記振動判定情報の更新量との差を差分更新量として、前記振動判定情報更新手段における前記参加管理期間の前記差分更新量が前記非参加管理期間の前記差分更新量より小さいことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
振動を検出する振動検出手段と、
参加型演出を含む複数種類の演出を表出する演出表出手段と、
前記演出表出手段による前記複数種類の演出の報知を制御する演出制御手段と、
遊技者による参加操作を検出する演出参加手段と、
を含む遊技機であって、
前記参加型演出における参加期間を含む参加管理期間と前記参加管理期間と異なる非参加管理期間とを識別する識別手段と、
前記振動検出手段による振動の検出に基づいて、所定の基準値から離れる値に振動判定情報を更新し、前記振動検出手段による所定の期間の振動の非検出に基づいて、振動判定情報を前記基準値に復帰させる振動判定情報更新手段と、
前記振動判定情報が前記振動判定情報更新手段における更新により前記基準値と所定の閾値との間の範囲と異なる値となった場合に所定の振動状態と判定する振動判定手段と、
を更に含み、
前記振動判定情報更新手段による前記参加管理期間における前記振動判定情報の更新量が前記非参加期間における前記振動判定情報の更新量より小さいことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記参加型演出の前記参加管理期間は、前記参加型演出の前記参加期間と実質的に同一である請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記参加型演出の前記参加管理期間は、前記参加型演出の前記参加期間と前記参加期間前において前記参加期間に連続する前付加期間とを含む請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項５】
前記参加型演出の前記参加管理期間は、前記参加型演出の前記参加期間と前記参加期間後において前記参加期間に連続する後付加期間とを含む請求項１又は２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駐車場に配車されている複数の車両を識別情報で特定される複数の利用者により共用する共用車両管理システムであって、
利用者の識別情報を取得する利用者識別手段と、
前記識別情報に関連付けられた車両選択条件に合致する複数台の候補車両に対してドア開錠信号を送信することにより、駐車場の前記候補車両のドア施錠装置を開錠する施錠制御手段と、
を備え、
利用者から車両選択条件を含む車両予約情報を通信回線を介して取得し、この車両選択条件に合致する車両を利用者の認識情報に関連付けて予約する予約手段を備え、
前記候補車両には、前記予約手段で予約されている予約車両が含まれ、
前記予約手段は、予約車両以外の候補車両の車両ドアが開状態であるときは、この候補車両を予約対象から除外することを特徴とする共用車両管理システム。
【請求項２】
前記予約手段は、駐車場から離れた場所で利用者が通信手段を介して車両予約情報を受け付け可能であると共にこの車両予約情報に基づいて候補車両を選択する中央管理装置を備え、
前記施錠制御手段は、前記中央管理装置から、通信回線を介して候補車両に関する情報を受け取ることを特徴とする請求項１に記載の共用車両管理システム。
【請求項３】
前記施錠制御手段は、候補車両を追加して選択するための車両選択条件を含む追加候補車両情報を利用者から取得する入力装置を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の共用車両管理システム。
【請求項４】
前記候補車両は、前記車両選択条件に合致する型式の異なる複数の車両を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の共用車両管理システム。
【請求項５】
前記施錠制御手段は、予約車両に対してドア開錠信号を送信した後に、予約車両以外の候補車両に対してドア開錠信号を送信することを特徴とする請求項１に記載の共有車両管理システム。
【請求項６】
駐車場に配車されている複数の車両を識別情報で特定される複数の利用者により共用する共用車両管理方法であって、
利用者の識別情報を取得する利用者識別ステップと、
前記識別情報に関連付けられた車両選択条件に合致する複数台の候補車両に対してドア開錠信号を送信することにより、駐車場の前記候補車両のドア施錠装置を開錠する施錠制御ステップと、
を備え、
利用者から車両選択条件を含む予約情報を通信回線を介して取得し、この車両選択条件に合致する車両を利用者の認識情報に関連付けて予約する予約ステップを更に備え、
前記施錠制御ステップでは、前記候補車両に前記予約ステップで予約されている予約車両が含まれ、
前記予約ステップでは、予約車両以外の候補車両の車両ドアが開錠状態であるときは、この候補車両を予約対象から除外することを特徴とする共用車両管理方法。
【請求項７】
前記施錠制御ステップでは、候補車両を追加して選択するための車両選択条件を含む追加候補車両情報を利用者から取得する入力ステップを備えていることを特徴とする請求項６に記載の共用車両管理方法。
【請求項８】
前記施錠制御ステップでは、予約車両に対してドア開錠信号を送信した後に、予約車両以外の候補車両に対してドア開錠信号を送信することを特徴とする請求項６に記載の共有車両管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明は、駐車場に配車されている複数の車両を識別情報で特定される複数の利用者により共用する共用車両管理システムであって、利用者の識別情報を取得する利用者識別手段と、識別情報に関連付けられた車両選択条件に合致する複数台の候補車両に対してドア開錠信号を送信することにより、駐車場の候補車両のドア施錠装置を開錠する施錠制御手段と、を備え、利用者から車両選択条件を含む車両予約情報を通信回線を介して取得し、この車両選択条件に合致する車両を利用者の認識情報に関連付けて予約する予約手段を備え、候補車両には、予約手段で予約されている予約車両が含まれ、予約手段は、予約車両以外の候補車両の車両ドアが開状態であるときは、この候補車両を予約対象から除外することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明においては、予約手段が、利用者からの車両選択条件を含む車両予約情報に基づいて、その利用者に対して候補車両を予約することができる。これにより、利用者は駐車場に車両を借りに行く前に、事前に候補車両を予約しておくことができる。
また、本発明においては、予約車両以外の候補車両がドア開状態のときは、この車両に対する他の利用者による予約を規制することにより、誤った車両予約の可能性を回避することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上述した課題を解決するために、本発明は、駐車場に配車されている複数の車両を識別情報で特定される複数の利用者により共用する共用車両管理方法であって、利用者の識別情報を取得する利用者識別ステップと、識別情報に関連付けられた車両選択条件に合致する複数台の候補車両に対してドア開錠信号を送信することにより、駐車場の候補車両のドア施錠装置を開錠する施錠制御ステップと、を備え、利用者から車両選択条件を含む予約情報を通信回線を介して取得し、この車両選択条件に合致する車両を利用者の認識情報に関連付けて予約する予約ステップを更に備え、施錠制御ステップでは、候補車両に予約ステップで予約されている予約車両が含まれ、予約ステップでは、予約車両以外の候補車両の車両ドアが開錠状態であるときは、この候補車両を予約対象から除外することを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超解像光ディスクからの戻り光ビームの中央部から検出される第１の信号と、
前記戻り光ビームのうち、前記超解像光ディスクのトラック方向に対応する方向の周辺部から検出される第２の信号を検出する光ヘッド装置と、
前記第１の信号と前記第２の信号を合成又は分離して演算し再生信号を生成する信号処理手段と
を備えた光ディスク装置において、
前記信号処理手段は、
前記第１の信号の振幅を調整するゲイン調整手段と、
前記第２の信号から前記ゲイン調整手段で振幅調整された第１の信号を減算して第３の信号を生成する減算手段と、
前記第３の信号と前記第１の信号との遅延を補正して第４の信号を生成する遅延手段と有し、
前記遅延手段から出力される前記第４の信号と前記第１の信号を合成して再生信号を生成することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記超解像光ディスクは、光の強度に対して非線形光吸収特性または非線形光透過特性を有する超解像マスク層が付加されたものであることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記第１の信号の利得と位相を調整する第１の利得位相調整手段と、
前記第２の信号の利得と位相を調整する第２の利得位相調整手段と
をさらに備え、
前記ゲイン調整手段は、前記第１の利得位相調整手段で利得及び位相が調整された前記第１の信号の振幅を調整し、
前記減算手段は、前記第２の利得位相調整手段で利得及び位相が調整された前記第２の信号から前記ゲイン調整手段で振幅調整された第１の信号を減算する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記再生信号を２値化して前記光ディスクに記録されたディジタル情報を読み出す２値化手段をさらに備え、
前記第１の利得位相調整手段及び前記第２の利得位相調整手段はＦＩＲ回路で構成され、
前記２値化手段はビタビ復号器であり、
前記第１の利得位相調整手段及び前記第２の利得位相調整手段を構成するＦＩＲ回路のタップ係数と、前記ゲイン調整手段のゲイン値及び前記遅延手段の遅延量を、前記ビタビ復号器の出力に応じて適応的に変化させながら、前記再生信号の波形等化処理する適応等化手段をさらに備えた
ことを特徴とする請求項３に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記光ヘッド装置は、
半導体レーザと、
前記半導体レーザから放射される光ビームを集光して、前記光ディスクに集光スポットを形成する対物レンズと、
前記集光スポットが前記光ディスクで反射した戻り光ビームを受光する、複数に分割された受光面を有し、
前記受光面で受光される前記戻り光ビームの光量を電気信号に変換して出力する受光素子とを備え、
前記受光素子の受光面は、前記戻り光ビームの中央部を受光して前記第１の信号を出力する第１の受光エレメントと、前記戻り光ビームのうち、前記光ディスクのトラックに対応する方向の周辺部を受光して前記第２の信号を出力する第２の受光エレメントを備え、
前記第１の受光エレメントの、前記光ディスクのトラックに対応する方向の幅Ｗは、前記光ビームの波長λ、前記超解像光ディスクの最長マーク長ＭＬ＿ｍａｘ、前記対物レンズの開口数ＮＡ、前記戻り光ビームの受光面上での半径ｒを用いて表される
２×（λ／（２×ＮＡ×ＭＬ＿ｍａｘ）−１）×ｒ
以下の長さであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記光ビームの波長をλ、前記対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、前記超解像光ディスクの最長マーク長ＭＬ＿ｍａｘがλ／（２ＮＡ）よりも小さく、且つλ／（４ＮＡ）よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明に係る光ディスク装置は、
超解像光ディスクからの戻り光ビームの中央部から検出される第１の信号と、
前記戻り光ビームのうち、前記超解像光ディスクのトラック方向に対応する方向の周辺部から検出される第２の信号を検出する光ヘッド装置と、
前記第１の信号と前記第２の信号を合成又は分離して演算し再生信号を生成する信号処理手段と
を備えた光ディスク装置において、
前記信号処理手段は、
前記第１の信号の振幅を調整するゲイン調整手段と、
前記第２の信号から前記ゲイン調整手段で振幅調整された第１の信号を減算して第３の信号を生成する減算手段と、
前記第３の信号と前記第１の信号との遅延を補正して第４の信号を生成する遅延手段と有し、
前記遅延手段から出力される前記第４の信号と前記第１の信号を合成して再生信号を生成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
スレッドモータ制御回路６２およびスピンドルモータ制御回路６３は、サーボエラー信号やＭＰＵ８１からの動作命令を元に、スピンドルモータ５１およびスレッドモータ５３の制御を行なう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、光ディスクの再生信号の検出光学系以外に、光ディスク５の情報記録層に対する対物レンズ４の焦点誤差量やトラッキング誤差量を検出するためのセンサー光学系を備えていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、
前記半導体レーザから放射される光ビームを集光して、光の強度に対して非線形光吸収特性又は非線形光透過特性を有する超解像マスク層が付加された超解像光ディスクの情報記録層に集光スポットを形成する対物レンズと、
前記戻り光ビームの中央部が入射する部分を含む第１の領域と、前記超解像光ディスクのトラック方向に前記第１の領域を挟んだ外側にあり前記戻り光ビームの一部が入射する部分を含む第２の領域とを有し、前記第１の領域に入射された前記戻り光ビームを透過させ、前記第２の領域に入射された前記戻り光ビームを遮蔽又は減衰させる光学部材と、
前記光学部材を介して受光した前記戻り光ビームの光量を電気信号に変換して光ディスクの再生信号を検出する受光素子と
を備え、
前記第１の領域の前記トラック方向の寸法は、前記光ビームの波長、前記超解像光ディスクの最長マーク長、対物レンズの開口数、及び前記戻り光ビームの前記光学部材面上での半径に応じて設定される
ことを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項２】
前記第１の領域の前記トラック方向の寸法は、前記光ビームの波長をλ、前記超解像光ディスクの最長マーク長をＭＬ＿ｍａｘ、対物レンズの開口数をＮＡ、前記戻り光ビームの前記光学部材面上での半径をｒで表わすとき、
２×（λ／（２×ＮＡ×ＭＬ＿ｍａｘ）−１）×ｒ
以上であることを特徴とする請求項１に記載の光ヘッド装置。
【請求項３】
前記超解像光ディスクの最長マーク長ＭＬ＿ｍａｘがλ／（２ＮＡ）よりも小さく、且つλ／（４ＮＡ）よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記第２の領域は、光を反射又は吸収させる金属薄膜で構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光ヘッド装置。
【請求項５】
前記第２の領域は、光路を曲げる回折格子で構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光ヘッド装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光ヘッド装置を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この発明に係る光ヘッド装置は、
半導体レーザと、
前記半導体レーザから放射される光ビームを集光して、光の強度に対して非線形光吸収特性又は非線形光透過特性を有する超解像マスク層が付加された超解像光ディスクの情報記録層に集光スポットを形成する対物レンズと、
前記戻り光ビームの中央部が入射する部分を含む第１の領域と、前記超解像光ディスクのトラック方向に前記第１の領域を挟んだ外側にあり前記戻り光ビームの一部が入射する部分を含む第２の領域とを有し、前記第１の領域に入射された前記戻り光ビームを透過させ、前記第２の領域に入射された前記戻り光ビームを遮蔽又は減衰させる光学部材と、
前記光学部材を介して受光した前記戻り光ビームの光量を電気信号に変換して光ディスクの再生信号を検出する受光素子と
を備え、
前記第１の領域の前記トラック方向の寸法は、前記光ビームの波長、前記超解像光ディスクの最長マーク長、対物レンズの開口数、及び前記戻り光ビームの前記光学部材面上での半径に応じて設定される
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体から複数のシーンの動画データを再生する再生手段と、
前記再生手段により再生された動画データを表示装置に出力する出力手段と、
前記再生手段と前記出力手段とを制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記再生手段により再生された現在のシーンの動画データの最後の画面を前記表示装置に出力した場合、前記現在のシーンの最後の画面と、前記再生手段により再生された次のシーンの動画データの先頭の画面とを、所定期間、前記表示装置の同一画面に表示した後、前記次のシーンの動画データを再生し、前記表示装置に前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生手段と前記出力手段とを制御することを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの先頭画面とを同一画面に表示している前記所定期間に再生指示があった場合、前記次のシーンの動画データを再生し、前記表示装置に前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生手段と前記出力手段とを制御することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの先頭画面とを同一画面に表示している前記所定期間に繰り返し再生の指示があった場合、前記現在のシーンの先頭の画面から前記現在のシーンの動画データの再生を開始し、前記現在のシーンの動画データを前記表示装置に出力するように前記再生手段と前記出力手段とを制御することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの先頭画面とを同一画面に表示している前記所定期間に逆再生の指示があった場合、前記現在のシーンの最後の画面から前記現在のシーンの動画データの逆再生を開始し、逆再生された前記現在のシーンの動画データを前記表示装置に出力するように前記再生手段と前記出力手段とを制御することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項５】
第１の再生モードまたは第２の再生モードに設定する手段を備え、
前記制御手段は、前記第１の再生モードにおいては、前記現在のシーンの最後の画面を前記表示装置に出力した場合、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの先頭の画面とを前記表示装置の同一画面に所定期間表示した後、前記次のシーンの動画データを再生し、前記表示装置に前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生手段と前記出力手段とを制御し、前記第２の再生モードにおいては、前記現在のシーンの動画データに引き続いて前記次のシーンの動画データを再生し、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの動画データの先頭の画面とを前記表示装置の同一画面に表示せずに、前記現在のシーンに引き続いて前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生手段と前記出力手段とを制御することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項６】
記録媒体から複数のシーンの動画データを再生する再生工程と、
前記再生工程において再生された動画データを表示装置に出力する出力工程と、
前記再生工程と前記出力工程とにおける処理を制御する制御工程とを備え、
前記制御工程においては、前記再生工程において再生された現在のシーンの動画データの最後の画面を前記表示装置に出力した場合、前記現在のシーンの最後の画面と、前記再生工程において再生された次のシーンの動画データの先頭の画面とを、所定期間、前記表示装置の同一画面に表示した後、前記次のシーンの動画データを再生し、前記表示装置に前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生工程と前記出力工程とにおける処理を制御することを特徴とする再生装置の制御方法。
【請求項７】
前記制御工程においては、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの先頭画面とを同一画面に表示している前記所定期間に再生指示があった場合、前記次のシーンの動画データを再生し、前記表示装置に前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生工程と前記出力工程とにおける処理を制御することを特徴とする請求項６に記載の再生装置の制御方法。
【請求項８】
前記制御工程においては、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの先頭画面とを同一画面に表示している前記所定期間に繰り返し再生の指示があった場合、前記現在のシーンの先頭の画面から前記現在のシーンの動画データの再生を開始し、前記現在のシーンの動画データを前記表示装置に出力するように前記再生工程と前記出力工程とにおける処理を制御することを特徴とする請求項６に記載の再生装置の制御方法。
【請求項９】
前記制御工程においては、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの先頭画面とを同一画面に表示している前記所定期間に逆再生の指示があった場合、前記現在のシーンの最後の画面から前記現在のシーンの動画データの逆再生を開始し、逆再生された前記現在のシーンの動画データを前記表示装置に出力するように前記再生工程と前記出力工程とにおける処理を制御することを特徴とする請求項６に記載の再生装置の制御方法。
【請求項１０】
第１の再生モードまたは第２の再生モードに設定する工程を備え、
前記制御工程においては、前記第１の再生モードにおいては、前記現在のシーンの最後の画面を前記表示装置に出力した場合、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの先頭の画面とを前記表示装置の同一画面に所定期間表示した後、前記次のシーンの動画データを再生し、前記表示装置に前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生工程と前記出力工程とにおける処理を制御し、前記第２の再生モードにおいては、前記現在のシーンの動画データに引き続いて前記次のシーンの動画データを再生し、前記現在のシーンの最後の画面と前記次のシーンの動画データの先頭の画面とを前記表示装置の同一画面に表示せずに、前記現在のシーンに引き続いて前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生工程と前記出力工程とにおける処理を制御することを特徴とする請求項６に記載の再生装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は再生装置及びその制御方法に関し、特に、複数のシーンが記録された記録媒体から画像データを再生する際に用いて好適な技術に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の再生装置は、記録媒体から複数のシーンの動画データを再生する再生手段と、前記再生手段により再生された動画データを表示装置に出力する出力手段と、前記再生手段と前記出力手段とを制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記再生手段により再生された現在のシーンの動画データの最後の画面を前記表示装置に出力した場合、前記現在のシーンの最後の画面と、前記再生手段により再生された次のシーンの動画データの先頭の画面とを、所定期間、前記表示装置の同一画面に表示した後、前記次のシーンの動画データを再生し、前記表示装置に前記次のシーンの動画データを出力するように前記再生手段と前記出力手段とを制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に書換可能な不揮発性のメモリセルが複数配列された第１および第２のメモリアレイと、
各前記メモリセルのデータ書換に必要な書換電圧を生成する第１の電源回路と、
前記第１および第２のメモリアレイのデータ書換を指令する書換指令部と、
第１の書換可能信号が活性化状態の場合に、前記書換指令部の指令に従って前記第１の電源回路から前記第１のメモリアレイに前記書換電圧を供給する第１の電圧供給制御部と、
第２の書換可能信号が活性化状態の場合に、前記書換指令部の指令に従って前記第１の電源回路から前記第２のメモリアレイに前記書換電圧を供給する第２の電圧供給制御部とを備える、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光の照射によって再生される情報記録媒体であって、
巡回符号である誤り訂正符号を用いて、前記情報記録媒体のアドレス情報を符号化した誤り訂正符号語であるシンボル列Ｃ（ｉ）［ｉ＝０、１、２、・・・ｎ：ｎは整数］のうち、ｍ個（２≦ｍ＜ｎ：ｍは整数）のシンボルに対して、それぞれのシンボルの全ビットを反転するビット反転が行われた変換情報がトラックの蛇行形状により記録されており、
前記ビット反転が行われるｍ個のシンボルの間に少なくとも１つのビット反転が行われないシンボルが存在し、前記ビット反転が行われる複数のシンボルは互いに隣接しないｋ個（ｋは３以上の整数）のシンボル群に分けられており、かつ、シンボルＣ（０）とシンボルＣ（ｎ）の少なくとも一方は前記ビット反転が行われておらず、
前記ｋの２倍の数が、前記誤り訂正符号で訂正可能なシンボルの数よりも大きく、
前記ｋ個のシンボル群のうちの１つは、シンボルＣ（０）、シンボルＣ（２）およびシンボルＣ（３）を含み、且つ、シンボルＣ（ｎ）がビット反転していない
ことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の情報記録媒体に情報を再生する再生方法であって、
前記記録媒体にレーザー光を集光して、前記トラックの蛇行形状から前記変換情報を読み取り、
前記変換情報のうち、前記ビット反転が行われたｍ個のシンボルと同じ場所に位置するシンボルに対してビット反転を行ってアドレス情報を生成し、
前記アドレス情報に基づいて前記情報記録媒体に記録された情報の再生を行う、
ことを特徴とする再生方法。
【請求項３】
請求項１に記載の情報記録媒体に情報を記録する記録方法であって、
前記記録媒体にレーザー光を集光して、前記トラックの蛇行形状から前記変換情報を読み取り、
前記変換情報のうち、前記ビット反転が行われたｍ個のシンボルと同じ場所に位置するシンボルに対してビット反転を行ってアドレス情報を生成し、
前記アドレス情報に基づいて前記情報記録媒体に情報を記録する、
ことを特徴とする記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極活物質粒子と、結着物質である金属酸化物を生成するための金属元素含有化合物とが少なくとも含有される電極活物質層形成溶液を、集電体上の少なくとも一部に塗布して塗膜を形成する塗布工程と、上記塗布工程後に実施される加熱工程であって、上記塗膜を加熱して溶媒を蒸発させるとともに、上記金属元素含有化合物を熱分解して金属酸化物を生成することによって、上記集電体上に金属酸化物と上記電極活物質粒子とを含有する電極活物質層を形成する加熱工程とを含み、上記加熱工程において生成される金属酸化物が、アルカリ金属イオン挿入脱離反応を示さない金属酸化物となるよう、上記塗布工程に用いられる上記金属元素含有化合物を予め選択し、且つ、上記加熱工程における加熱温度を、上記金属元素含有化合物の熱分解開始温度以上であって、上記加熱工程において生成される金属酸化物の結晶化温度以上である温度とすることを特徴とする非水電解液二次電池用電極板の製造方法。
【請求項２】
上記金属元素含有化合物が、金属塩であることを特徴とする請求項１に記載の非水電解液
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】  即ち、本発明は、（１）電極活物質粒子と、結着物質である金属酸化物を生成するための金属元素含有化合物とが少なくとも含有される電極活物質層形成溶液を、集電体上の少なくとも一部に塗布して塗膜を形成する塗布工程と、上記塗布工程後に実施される加熱工程であって、上記塗膜を加熱して溶媒を蒸発させるとともに、上記金属元素含有化合物を熱分解して金属酸化物を生成することによって、上記集電体上に金属酸化物と上記電極活物質粒子とを含有する電極活物質層を形成する加熱工程とを含み、上記加熱工程において生成される金属酸化物が、アルカリ金属イオン挿入脱離反応を示さない金属酸化物となるよう、上記塗布工程に用いられる上記金属元素含有化合物を予め選択し、且つ、上記加熱工程における加熱温度を、上記金属元素含有化合物の熱分解開始温度以上であって、上記加熱工程において生成される金属酸化物の結晶化温度以上である温度とすることを特徴とする非水電解液二次電池用電極板の製造方法、（２）上記金属元素含有化合物が、金属塩であることを特徴とする上記（１）に記載の非水電解液二次電池用電極板の製造方法、を要旨とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に抵抗素子を備える半導体装置であって、
前記抵抗素子は、
金属膜と、
前記金属膜の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられたシリコン抵抗層と、
からなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
なお、本実施形態では、ヒューズ素子のシリコン層３４の表面全面にシリサイド層７５を形成する例を示したが、コンタクトプラグ８０とコンタクトプラグ８２を電気的に接続する範囲であれば、シリコン層３４の表面全面に形成する必要はないことは言うまでもない。上記実施形態によれば、以下の発明が開示されている。
（付記１）
基板上に抵抗素子を備える半導体装置であって、
前記抵抗素子は、
金属膜と、
前記金属膜の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられたシリコン抵抗層と、
からなることを特徴とする半導体装置。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ＨｆＳｉＯＮ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＡｌＯ、Ａｌ２Ｏ３から選ばれる少なくとも一つを有する半導体装置。
（付記３）
付記１または２に記載の半導体装置において、
前記抵抗素子は、前記基板と前記金属膜との間に位置するゲート絶縁膜をさらに含むことを特徴とする半導体装置。
（付記４）
付記１乃至３いずれかに記載の半導体装置において、
前記基板は、素子分離領域と素子形成領域とに区画されており、
前記素子分離領域の少なくとも一部に前記抵抗素子を備え、
前記素子形成領域には、金属ゲート電極を有するＭＯＳトランジスタをさらに備えることを特徴とする半導体装置。
（付記５）
付記４に記載の半導体装置において、
前記ＭＯＳトランジスタは、
前記基板の前記素子形成領域に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられた前記金属ゲート電極と、
前記金属ゲート電極の上に設けられたシリコン電極と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
（付記６）
付記１乃至５いずれかに記載の半導体装置において、
前記抵抗素子は、前記シリコン抵抗層の上に互いに間隔を隔てて配置された第１のコンタクトプラグおよび第２のコンタクトプラグを有し、前記第１および第２のコンタクトプラグと前記シリコン抵抗層の間にシリサイド層が介在することを特徴とする半導体装置。
（付記７）
基板上に抵抗素子を備える半導体装置の製造方法であって、
前記基板の上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上にシリコン層を形成する工程を含み、
前記抵抗素子は、前記金属膜、前記絶縁膜、及び前記シリコン層を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
付記７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板は、前記抵抗素子が少なくとも一部に形成される素子分離領域と、ＭＯＳトランジスタが形成される素子形成領域とに区画されており、
前記基板の上に前記金属膜を形成する工程は、前記素子分離領域において前記抵抗素子の金属膜を形成すると同時に、前記素子形成領域において前記ＭＯＳトランジスタの金属ゲート電極を形成する工程を含み、
前記金属膜の上に前記絶縁膜を形成する工程において、前記素子分離領域において前記抵抗素子の前記金属膜の上に前記絶縁膜を形成し、かつ前記金属ゲート電極の上に前記絶縁膜を形成せず、
前記絶縁膜の上に前記シリコン層を形成する工程は、前記素子分離領域において前記抵抗素子の前記絶縁膜の上にシリコン抵抗層を形成すると同時に、前記素子形成領域において前記ＭＯＳトランジスタの前記金属ゲート電極の上にシリコン電極を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
（付記９）
付記７または８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板の上に前記金属膜を形成する工程の前に、前記基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程をさらに含む、半導体装置の製造方法。
（付記１０）
付記９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板の上に前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、前記素子分離領域に前記金属膜の下に位置するゲート絶縁膜を形成すると同時に、前記素子形成領域に前記ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子を有する電子部品と、
端子を有する配線基板と、
絶縁性基材にその厚さ方向に貫通する多数の線状導体が設けられて隣り合う該線状導体間の距離が該線状導体の直径よりも小さくなるように配置され、前記絶縁性基材の両面に、前記複数の線状導体を共有する形でそれぞれ導体層からなる１対のパッドが形成された介在基板とを備え、
前記電子部品と前記配線基板の間に前記介在基板が配置されて、一方の前記パッドに前記電子部品の端子が接続され、他方の前記パッドに前記配線基板の端子が接続されて、前記電子部品の端子と前記配線基板の端子とが前記複数の線状導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
前記１対のパッドは、当該パッドの周囲に所定の間隔を空けて、グランドに繋がる導体層によって囲まれていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
【請求項３】
前記介在基板の熱膨張係数は、前記電子部品の熱膨張係数よりも大きく、かつ、前記配線基板の熱膨張係数よりも小さく選定されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記電子部品と前記介在基板の間の空隙、及び、前記配線基板と前記介在基板の間の空隙に、体積収縮性を有する樹脂が充填されていることを特徴とする請求項３記載の電子部品の実装構造。
【請求項５】
前記樹脂に無機フィラーが混合されていることを特徴とする請求項４記載の電子部品の実装構造。
【請求項６】
前記1対のパッドの表面に、それぞれ低融点金属の導体層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
【請求項７】
前記絶縁性基材における多数の線状導体は、いずれのパッドにも接続されていない孤立した線状導体を含むことを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
【請求項８】
前記絶縁性基材はアルミニウム基板を陽極酸化して得た酸化アルミニウムの多孔質酸化膜からなり、前記線状導体は当該絶縁性基材の多孔部分に充填された導電体からなることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の基本形態によれば、端子を有する電子部品と、端子を有する配線基板と、絶縁性基材にその厚さ方向に貫通する多数の線状導体が設けられて隣り合う該線状導体間の距離が該線状導体の直径よりも小さくなるように配置され、前記絶縁性基材の両面に前記複数の線状導体を共有する形でそれぞれ導体層からなる１対のパッドが形成された介在基板とを備え、前記電子部品と前記配線基板の間に前記介在基板が配置されて、一方の前記パッドに前記電子部品の端子が接続され、他方の前記パッドに前記配線基板の端子が接続されて、前記電子部品の端子と前記配線基板の端子とが前記複数の線状導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子部品の実装構造が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記積層パターンは、網目状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記積層パターンは、レジスト層により形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の発光ダイオード。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記積層パターンは、銅パターンにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の発光ダイオード。