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　平成１１年特許願第３５４５３４号「窒化ケイ素配線基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月２９日出願公開、特開２００１−１７７１９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１２月１４日の出願であって、請求項１〜５に係る発明は、平成１６年７月１４日付手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】窒化ケイ素を主成分とするセラミックスからなる厚みが０．４ｍｍ以下の絶縁基板表面に、配線回路層が被着形成されてなる窒化ケイ素配線基板において、前記セラミックスの室温での抗折強度が７００ＭＰａ以上であるとともに、該配線基板を他の部材に固着するための貫通穴が形成されており、該貫通穴の直径をＡｍｍ、前記絶縁基板の厚みをＴｍｍ、前記絶縁基板側端面から穴端部までの最短距離をＬｍｍとしたとき、Ａ／（Ｌ×Ｔ２）＝＜５０の関係を満足することを特徴とする窒化ケイ素配線基板。」
　なお、請求項１の式「（Ｌ×Ｔ２）」は、出願当初の明細書の記載からすると「（Ｌ×Ｔ２）」の誤記であると認められるので、上記のとおり認定した。
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された特開平１１−３３０３１１号公報（以下、「引用例１」という。）、及び、特許第２６９８７８０号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１（特開平１１−３３０３１１号公報）
（１ａ）「【請求項１】不純物陽イオン元素としてのＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で１．０重量％以下含有し、熱伝導率が６０ｗ／ｍ・ｋ以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に搭載された半導体素子と、この高熱伝導性窒化けい素基板の半導体素子搭載面側に接合された金属回路板と、上記高熱伝導性窒化けい素基板の半導体素子非搭載面側に接合され、かつ機器ケーシングあるいは実装ボードに一体に接合される金属板とを具備することを特徴とする半導体モジュール。」（特許請求の範囲の請求項１）
（１ｂ）「高強度高靭性である窒化けい素基板を使用しているため、モジュールの最大たわみ量を大きく確保することができる。そのため、アッセンブリ工程においてモジュールの締め付け割れが発生せず、半導体モジュールを用いた半導体装置を高い製造歩留りで安価に量産することが可能になる。」（【００２１】）
（１ｃ）「窒化けい素基板自体の機械的強度が優れているため、要求される機械的強度特性を一定とした場合に、他のセラミックス基板を使用した場合と比較して基板厚さをより低減することが可能となる。」（【００２３】）
（１ｄ）「まず本発明において使用する・・・窒化けい素基板について述べ・・・る。・・・それぞれ試料１〜５１に係る窒化けい素焼結体を調製した。さらに得られた焼結体を切断して厚さが０．５ｍｍの所定形状の・・・窒化けい素基板とした。こうして得た試料１〜５１に係る各窒化けい素基板について・・・室温での三点曲げ強度の平均値を測定した。・・・下記表１〜３に示す結果を得た。」（【００２５】〜【００２９】）
（１ｅ）「図１に示した半導体モジュール１ａは、窒化けい素基板１０の外縁部に形成した取付ねじ用貫通孔１１に取付ねじ６ａを挿通して機器ケーシング９等に締着固定される。」（【００４４】）
（１ｆ）表１〜３には、試料１〜１３、１５〜５１の「三点曲げ強度（ＭＰａ）」は、７００〜１０８０であることが示されている（【００３０】〜【００３２】）。
（１ｇ）図１には、Ｓｉ３Ｎ４基板１０表面に接合された金属回路板３上に、半導体素子７が搭載され、基板１０の外縁部に形成された取付ねじ貫通孔１１に取付ねじ６ａを挿通して、機器ケーシング９に締着固定された半導体モジュール１ａの構造を示す断面図が図示されている。
　
（２）引用例２（特許第２６９８７８０号公報）
（２ａ）「【請求項１】 熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上で三点曲げ強度（常温）が６５０ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化けい素基板上に酸化層を介して金属回路板を接合してなる窒化けい素回路基板において、上記高熱伝導性窒化けい素基板の厚さをＤS ，金属回路板の厚さをＤM としたときに関係式ＤS ≦２ＤM を満たすことを特徴とする窒化けい素回路基板。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２ｂ）「窒化アルミニウム焼結体基板や酸化アルミニウム焼結体基板などのセラミックス基板を主たる構成材とする回路基板を、アッセンブリ工程にて実装ボートにねじ止め等により固定しようとすると、ねじの押圧力による僅かな変形やハンドリング時の衝撃によって回路基板が破損し、半導体装置の製造歩留りを大幅に低減させる場合がある。したがって、回路基板においても、外力に耐える高強度特性と、高靭性特性と・・・を・・・備えたものが要請されている。」（【０００８】）、「本発明は上記のような課題要請に対処するためになされたものであり・・・回路基板のアッセンブリ工程において発生する締め付け割れ・・・を防止する対策について鋭意研究を重ねた。」（【００１１】【００１２】）
（２ｃ）「実施例１〜３　　・・・厚さがそれぞれ０．２５mm，０．４mm，０．６mmであり、縦２９mm×横６３mmである実施例１〜３用の窒化けい素基板を調製した。・・・次に・・・各窒化けい素基板２表面の回路層を形成する部位・・・に・・・銅回路板４・・・を接触配置し・・・接合体とした。次に各接合体をエッチング処理することにより、所定回路パターン（回路層）を形成した。さらに銅回路板４の中央部に、１６mm角×厚さ０．５mmの半導体素子（出力：３００Ｗ）６を半田接合して実施例１〜３に係る窒化けい素回路基板１を多数製造した。」（【００８５】〜【００８７】）
（２ｄ）表１には、実施例１、２のセラミックス基板として、
　試料Ｎo.　　種類　　　厚さＤs（mm)  　三点曲げ強度（ＭＰａ）
　実施例１　　Ｓｉ３Ｎ４  　　０．２５　　　　　　８６０
　実施例２　　Ｓｉ３Ｎ４  　　０．４　　　　　　　８６０
の窒化ケイ素基板（【０１０６】）が記載されている。
　
３．当審の判断
３−１．引用例記載の発明
　引用例１の摘記（１ａ）によれば、窒化けい素基板に搭載された半導体素子と、この窒化けい素基板の半導体素子搭載面側に接合された金属回路板と、上記窒化けい素基板の半導体素子非搭載面側に接合され、かつ機器ケーシングに一体に接合される金属板とを具備する半導体モジュールが記載され、摘記（１ｄ）には、窒化けい素基板の厚さは０．５ｍｍ、該窒化けい素基板について、室温での三点曲げ強度の平均値を測定したこと、摘記（１ｆ）には、室温での三点曲げ強度は７００〜１０８０ＭＰａであることが記載されている。そうすると、半導体モジュールは、厚さが０．５ｍｍ、室温での三点曲げ強度が７００〜１０８０ＭＰａである窒化けい素基板表面に、金属回路板が接合されてなる窒化けい素回路基板において、半導体素子を搭載しているといえるし、該窒化けい素基板が、窒化けい素を主成分とするセラミックスからなる絶縁基板であることは周知の事項である。
　また、摘記（１ｅ）、（１ｇ）によれば、半導体モジュールは、窒化けい素基板１０の外縁部に形成した取付ねじ貫通孔１１に取付ねじ６ａを挿通して機器ケーシング９に締着固定されることが記載されているから、窒化けい素基板１０表面に金属回路板３が接合されてなる窒化けい素回路基板に貫通孔１１が形成されていることが理解できる。
　そこで、引用例１の摘記（１ａ）〜（１ｇ）の記載を総合すれば、引用例１には、「窒化けい素を主成分とするセラミックスからなる厚みが０．５ｍｍの絶縁基板表面に、金属回路板が被着形成されてなる窒化けい素回路基板において、前記セラミックスの室温での三点曲げ強度が７００〜１０８０ＭＰａであるとともに、該回路基板を機器ケーシングに固着するための貫通孔が形成されている窒化けい素回路基板。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「金属回路板」、「回路基板」、「機器ケーシング」、「貫通孔」は、本願発明１の「配線回路層」、「配線基板」、「他の部材」、「貫通穴」にそれぞれ相当し、本願発明１の「抗折強度」は、本願明細書段落【００３６】に「ＪＩＳＲ１６０１の３点曲げ試験機により基板強度を・・室温中で測定した。」としているから、引用例１発明の「三点曲げ強度」に相当しており、両者の数値範囲は重複している。
　そうすると、両者は、
「窒化ケイ素を主成分とするセラミックスからなる絶縁基板表面に、配線回路層が被着形成されてなる窒化ケイ素配線基板において、前記セラミックスの室温での抗折強度が７００〜１０８０ＭＰａであるとともに、該配線基板を他の部材に固着するための貫通穴が形成されている窒化ケイ素配線基板。」で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
（イ）絶縁基板の厚みが、本願発明１では０．４ｍｍ以下であるのに対し、引用例１発明では０．５ｍｍである点。
（ロ）本願発明１は、「貫通穴の直径をＡｍｍ、前記絶縁基板の厚みをＴｍｍ、前記絶縁基板側端面から穴端部までの最短距離をＬｍｍとしたとき、Ａ／（Ｌ×Ｔ２）＝＜５０の関係を満足する」のに対し、引用例１発明は、この点が記載されていない点。
　
　次に、上記相違点について検討する。
相違点（イ）について
　引用例１の摘記（１ｂ）によれば、高強度高靭性である窒化けい素基板（絶縁基板）を使用しているため、アッセンブリ工程においてモジュールの締め付け割れが発生しないこと、また、摘記（１ｃ）によれば、窒化けい素基板（絶縁基板）自体の機械的強度が優れているため、要求される機械的強度特性を一定とした場合に、他のセラミックス基板を使用した場合と比較して基板厚さをより低減することが可能となることが記載されているから、引用例１発明においては、窒化けい素を主成分とするセラミックスからなる絶縁基板に締め付け割れが発生しない範囲内で、絶縁基板の厚さを０．５ｍｍよりも薄くしてもよいことが理解できる。
　他方、引用例２の摘記（２ｂ）には、窒化アルミニウム焼結体基板や酸化アルミニウム焼結体基板などのセラミックス基板を主たる構成材とする回路基板を、アッセンブリ工程にて実装ボートにねじ止め等により固定しようとすると回路基板が破損し、半導体装置の製造歩留りを大幅に低減させる場合があり、したがって、回路基板においても、外力に耐える高強度特性と、高靭性特性とを備えたものが要請されていること、本発明は上記のような課題要請に対処するためになされたもので、回路基板のアッセンブリ工程において発生する締め付け割れを防止する対策について鋭意研究を重ねたとし、摘記（２ｃ）には、実施例として厚さが０．２５mm，０．４mmである窒化けい素基板を調製したことが記載され、更に摘記（２ｄ）の「三点曲げ強度（ＭＰａ）：８６０（実施例１）、８６０（実施例２）」と記載されているから、セラミックスの室温での抗折強度（三点曲げ強度）が７００ＭＰａ以上である窒化けい素を主成分とするセラミックスからなる絶縁基板は、厚みが０．４mm、０．２５mmの場合、アッセンブリ工程にて実装ボートにねじ止め等により固定して用いても、すなわち、配線基板（回路基板）に形成した貫通穴にねじを挿通して、他の部材（実装ボート）に固着して用いても、締め付け割れを防止できているものと理解できる。
　そうであれば、引用例１発明において、セラミックスの室温での三点曲げ強度が７００ＭＰａ以上であって、前示のように、締め付け割れが発生せず０．５ｍｍよりも薄い場合の窒化けい素を主成分とするセラミックからなる絶縁基板として、厚みが０．４mm、０．２５mmのものとすることは、当業者にとって格別な創意工夫を要することではない。
　してみると、相違点（イ）は、引用例２の記載から当業者が適宜なし得ることである。
　
相違点（ロ）について
　引用例１発明において、引用例２の摘記（２ｃ）なる実施例に記載の寸法、即ち窒化けい素基板（厚さが０．４mm、０．２５mm、縦２９mm×横６３mm）として、各窒化けい素基板２表面の銅回路板４の中央部に、１６mm角×厚さ０．５mmの半導体素子を搭載することができることは明らかである。その際、引用例１発明の配線基板を機器ケーシングに固着するための貫通穴の直径、基板に於ける配置、即ち基板側端面から穴端部までの最短距離は、基板の厚さ、基板の強度に応じて螺子止めの際破壊が生じないように設計することも当業者ならば通常の創作の範囲内のものである。
　
　そこで、以下に引用例１発明において、引用例２の摘記（２ｃ）実施例に記載の窒化けい素基板の寸法を採用した場合、貫通穴の直径をＡｍｍ、絶縁基板側端面から穴端部までの最短距離をＬｍｍとすると、Ａ／（Ｌ×Ｔ２）＝＜５０の関係を満足するか否かについて検討する。
〔ａ１〕まず、セラミックスからなる絶縁基板に、約０．８ｍｍ、１．４ｍｍ、４．０４〜４．４ｍｍ、５ｍｍの貫通穴を形成し、ねじにより固着することは、例えば、次のとおり周知である。
　
　周知例１：特開平８−８８３０２号公報
（周１ａ）「第３の実施例の特徴は、放熱板１２の支持手段の変形にあり、他の構造および機能は第１の実施例のものと同じである。図９を参照すると、第３の実施例のピン１５は、直径約１．０ｍｍの第１の部分１５１と・・・第２の部分１５２とを含む。・・・基板４２は、セラミック基板である。・・・放熱板１２の穴１２４の直径は、約１．４ｍｍである。第１の部分１５１は穴１２４を通過できるが、第２の部分１５２は通過できない。このため、放熱板１２は、第２の部分１５２により支持される。」（【００９０】〜【００９２】）
（周１ｂ）「第１の実施例の支持部材は、放熱板１２を含む。・・・放熱板１２は、良熱伝導性の材料で形成される。具体的には・・・ＡＩＮなど高熱伝導性のセラミックも使用可能である。」（【００３９】、【００４０】）と記載され、
（周１ｃ）図９には、放熱板１２に形成された穴１２４に、ピン１５の第１の部分１５１を挿通した構造が図示されている。
　以上によれば、第３の実施例では、ＡｌＮなどのセラミックス板（放熱板１２）に、直径約１．４ｍｍの貫通穴が形成されていることになる。
　
（周１ｄ）「第５の実施例の特徴は、支持部材１０の下脚１１の固定手段の変形にあり、他の構造および機能は第３の実施例のものと同じである。図１３を参照すると、本実施例のピン１７は・・・第１の部分１７１・・・第２の部分１７２、および、直径０．７ｍｍの第３の部分１７３を有する。・・・基板４２は、直径約０．８ｍｍの穴４８を有する。ピン１７の第３の部分１７３は、基板４２の穴４８に挿入される。」（【０１０５】〜【０１０７】）と記載され、
（周１ｅ）図１３には、ピン１７の第３の部分１７３を、基板４２に設けられた穴４８に挿通した構造が図示されている。
　以上によれば、上記第３の実施例の基板４２に係る記載を参酌すると、第５の実施例では、セラミックス基板（基板４２）に、直径約０．８ｍｍの貫通穴が形成されていることになる。
　
　周知例２：特開平５−１９１０９６号公報
（周２ａ）「【請求項１】　電子回路を配線印刷したセラミック基板に電子部品および機構部品を搭載してなる電子部品組立体における、前記セラミック基板の穴に、組立用のピンを固定する電子部品組立体の組立方法において、前記穴と前記ピンとの間に薄肉の軟質金属を介在させて固定することを特徴とする電子部品組立体の組立方法。・・・
【請求項３】　軟質金属の薄肉円筒体の肉厚を０．０１ｍｍないし０．１ｍｍとしたことを特徴とする請求項２記載の電子部品組立体の組立方法。
【請求項４】　軟質金属の薄肉円筒体とセラミック基板の穴との間隙を、片側クリアランスで０．０１ｍｍないし０．１ｍｍとしたことを特徴とする請求項２および３記載のいずれかの電子部品組立体の組立方法。」（特許請求の範囲の請求項１、３、４）
（周２ｂ）「位置決めピン７は・・・先端部の直径が４ｍｍのものを使用した。」（【００１５】）と記載されている。
　以上によれば、セラミック基板の貫通穴（穴）の直径は、４．０４〜４．４ｍｍとなる。
　
　周知例３：特開平８−２２２６７０号公報
（周３ａ）「 実施例５　・・・ＡｌＮ−Ｃｕ基板より成る底板１は窒化アルミニウム焼結体基板５の厚さを０．６ｍｍとして銅板層４の合計厚みを０．４ｍｍ及び０．６ｍｍであるものをそれぞれ作製した（表裏同じ厚みで形成）。その後、ＡｌＮ−Ｃｕ基板より成る底板１の一方の銅板面に長さ１０ｍｍ、Ｍ５（ネジ山距離８ｍｍ）の銅のネジをフィン固定用としてＡｇロー・・・で接合した。」（【００６２】）と記載されている。
　このＭ５ネジをフィン固定用のネジとしてセラミック基板（ＡｌＮ−Ｃｕ基板）に形成した貫通穴に挿通してフィンを固定する場合には、約５ｍｍの貫通穴を基板に形成することになる。
　
　そうすると、引用例１発明において、貫通穴の直径Ａ＝０．８、１．４、４．０４〜４．４、５ｍｍとすることは、当業者ならば通常採用し得るこものといえる。
　
〔ａ２〕そして、「Ａ／（Ｌ×Ｔ２）＝＜５０」を変形すると、「Ｌ＝＞Ａ／（５０×Ｔ２）」となるから、貫通穴の直径Ａ＝０．８、１．４、４．０４〜４．４、５、厚みＴ＝０．４、０．２５の場合に、本願発明１のＬの条件は、次のとおりとなる。
　（１）Ｔ＝０．４、Ａ＝０．８の場合、Ｌ＝＞０．１
　（２）　　　　　　Ａ＝１．４の場合、Ｌ＝＞０．１７５
　（３）　　　　　　Ａ＝４．０４の場合、Ｌ＝＞０．５０５
　（４）　　　　　　Ａ＝４．４の場合、Ｌ＝＞０．５５
　（５）　　　　　　Ａ＝５の場合、Ｌ＝＞０．６２５
　（６）Ｔ＝０．２５、Ａ＝０．８の場合、Ｌ＝＞０．２５６
　（７）　　　　　　　Ａ＝１．４の場合、Ｌ＝＞０．４４８
　（８）　　　　　　　Ａ＝４．０４の場合、Ｌ＝＞１．２９
　（９）　　　　　　　Ａ＝４．４の場合、Ｌ＝＞１．４１
（１０）　　　　　　　Ａ＝５の場合、Ｌ＝＞１．６
　
〔ａ３〕そこで、引用例１発明の絶縁基板が、絶縁基板の厚み（Ｔｍｍ）が０．４ｍｍ、０．２５ｍｍ、貫通穴の直径（Ａｍｍ）が０．８ｍｍ、１．４ｍｍ、４．０４〜４．４ｍｍ、５ｍｍで、「縦２９ｍｍ×横６３ｍｍ」の場合に、絶縁基板側端面から穴端部までの最短距離（Ｌ’ｍｍ）がどのような値になるかについて検討する。
　引用例１発明において、高い実装密度を達成することが周知の課題であることを考慮すると、貫通穴は、絶縁基板の４隅に４箇所できるだけＬ’の値を小さくして設けることが通常考えられるが、基板の厚さ、基板の強度に応じて螺子止めの際破壊が生じないように、Ｌ’の最小値として貫通穴の直径程度の値を採用することも当業者が通常採用し得ることであるといえるから、上記（１）〜（１０）のＴとＡの値の場合に、引用例１発明の「縦２９ｍｍ×横６３ｍｍ」の絶縁基板がとり得る「絶縁基板側端面から穴端部までの最短距離Ｌ’ｍｍ」の値は、次のとおりである。
（１’）Ｔ＝０．４、Ａ＝０．８の場合、　０．８≦Ｌ’
（２’）　　　　　　Ａ＝１．４の場合、　１．４≦Ｌ’
（３’）　　　　　　Ａ＝４．０４の場合、４．０４≦Ｌ’
（４’）　　　　　　Ａ＝４．４の場合、　　４．４≦Ｌ’
（５’）　　　　　　Ａ＝５の場合、　　　　　　５≦Ｌ’
（６’）Ｔ＝０．２５、Ａ＝０．８の場合、　０．８≦Ｌ’
（７’）　　　　　　　Ａ＝１．４の場合、　１．４≦Ｌ’
（８’）　　　　　　　Ａ＝４．０４の場合、４．０４≦Ｌ’
（９’）　　　　　　　Ａ＝４．４の場合、　４．４≦Ｌ’
（１０’）　　　　　　Ａ＝５の場合、　　　　　５≦Ｌ’
　そうすると、（１’）厚みＴ＝０．４ｍｍ、直径Ａ＝０．８ｍｍの場合、０．８≦Ｌ’は、（１）のＬ＝＞０．１を満たしており、他の（２’）〜（１０’）の場合のＬ’の値は、（２）〜（１０）の場合のＬの条件を満たしており、結局のところ、通常の貫通孔の配置、即ち絶縁基板の４隅に４箇所できるだけＬ’の値を小さくして設け、更にＬ’の最小値として貫通穴の直径程度の値を採用すれば、「縦２９ｍｍ×横６３ｍｍ」の絶縁基板がとり得る「絶縁基板側端面から穴端部までの最短距離Ｌ’ｍｍ」の値は、Ａ／（Ｌ×Ｔ２）＝＜５０の関係を満足している。
　以上のとおり、引用例１発明において、引用例２の記載、及び上記周知の事項から検討すると、相違点（ロ）は、通常採用しうる範囲内のものであって、当業者が適宜なし得る設計的事項であることが確認される。
　
　そして、本願発明１の奏する効果も引用例１、２の記載、及び上記周知の事項から予測される範囲のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　
　よって、本願発明１は、引用例１発明、引用例２に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、上記のとおり審決する。