Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の処理方法であって、
基板を、化学気相成長法の反応チャンバ内の基板支持部に負荷することと、
前記反応チャンバ内の圧力を、約１×１０−６Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０−６Ｐａ）から１０Ｔｏｒｒ（約１３３３．２２Ｐａ）の間のベーク圧力にまで低減することと、
前記ベーク圧力から堆積圧力にまで、前記反応チャンバ内の圧力を上昇させることと、
前記堆積圧力にて、化学気相成長法によって層を堆積することと、
を含む、半導体基板の処理方法。
【請求項２】
前記圧力を低減することは、約１×１０−３Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０−３Ｐａ）から４Ｔｏｒｒ（約５３３．２９Ｐａ）の間まで、圧力を低減することを含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項３】
前記圧力を上昇させることは、約１Ｔｏｒｒ（約１３３．３２Ｐａ）から１００Ｔｏｒｒ（約１３３３２Ｐａ）の間まで圧力を上昇させることを含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項４】
前記基板を負荷することは、およそ大気圧にて前記基板を前記チャンバに負荷することを含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項５】
前記ベーク圧力にて、前記反応チャンバ内に還元ガス環境を提供することをさらに含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項６】
前記圧力を低減することの前に、前記反応チャンバに前記還元ガス環境を導入することをさらに含む、請求項５に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項７】
前記反応チャンバ内において圧力を低減しながら、約７５０℃から９００℃の間まで前記基板の温度を上昇させることをさらに含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項８】
前記基板の温度を上昇させることは、３０℃未満の前記基板表面にわたる温度範囲を維持することを含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項９】
前記反応チャンバ内において圧力を低減し始めるときから前記層を堆積し始めるまでの時間間隔は４０秒未満である、請求項７に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１０】
前記チャンバに前記基板を負荷する前に、水素を用いて前記基板の表面においてシリコンを終端させることをさらに含み、前記表面を終端させることがＨＦ最終を含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１１】
前記化学気相成長法はエピタキシャル処理を含む、請求項１０に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１２】
半導体基板上での化学気相成長法のためのシステムであって、
約１００リットル未満の大きさを有し、５Ｔｏｒｒ（約６６６．６１Ｐａ）未満の圧力に耐えるように構成された強化構造を備える反応チャンバと、
基板を前記反応チャンバに搬送するように構成されたロボットと、
前記反応チャンバ内において前記基板を加熱するように構成された複数の加熱素子と、
約１×１０−６Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０−６Ｐａ）から４Ｔｏｒｒ（約５３３．２９Ｐａ）の間のベーク圧力にて、低圧でのベークを実行し、その後、圧力を堆積圧力にまで上昇させるようにプログラミングされた制御器と、
を備える、システム。
【請求項１３】
前記制御器は、約９０秒から約２４０秒の間、前記低圧でのベークを実行し、その後、圧力を、約１Ｔｏｒｒ（約１３３．３２）から１００Ｔｏｒｒ（約１３３３２Ｐａ）の間の堆積圧力にまで上昇させるようにプログラミングされている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記制御器は、前記低圧でのベークを実行しながら、前記加熱素子に対して実質的に一定の電力を維持するようにプログラミングされている、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記制御器は、前記低圧でのベークを実行しながら、初期のベーク温度から、約７５０℃から９００℃の間まで、前記基板の温度を上昇させることが可能な閉ループ温度制御モードを有する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記制御器は、前記ベーク圧力にて、前記反応チャンバ内に還元ガス環境を提供するようにプログラミングされている、請求項１２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の無機化合物を有する第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、半導体層、ゲート絶縁層、及びゲート電極を形成し、
前記半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に、前記半導体層と電気的に接続された第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記第１の導電層上に、第２の無機化合物を有する第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層上に、有機化合物を有する第４の絶縁層を形成し、
前記第４の絶縁層をエッチングすることにより、前記第３の絶縁層に達する第１の開口部及び第２の開口部を形成し、
前記第３の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の導電層に達する第３の開口部と、前記第１の絶縁層に達する第４の開口部と、を形成し、
前記第４の絶縁層上に、前記第１の開口部及び前記第３の開口部を介して前記第１の導電層と電気的に接続された第２の導電層を形成し、
前記第１の絶縁層、前記第３の絶縁層、前記第４の絶縁層、及び前記第２の導電層上に、第３の無機化合物を有し、且つ前記第２の開口部及び前記第４の開口部を介して前記第１の絶縁層と接する領域を有する第５絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、第１の無機化合物を有する第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、半導体素子層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記半導体素子層上に、第２の無機化合物を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に、有機化合物を有する第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層をエッチングすることにより、前記第２の絶縁層に達する第１の開口部を形成し、
前記第２の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の絶縁層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記第３の絶縁層上に、第３の無機化合物を有し、且つ前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して前記第１の絶縁層と接する領域を有する第４の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に、第１の無機化合物を有する第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、半導体素子層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記半導体素子層上に、第２の無機化合物を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に、有機化合物を有する第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層をエッチングすることにより、前記第２の絶縁層に達する開口部を形成し、
前記第２の絶縁層をエッチングすることにより、前記第２の絶縁層の表面に凹凸を形成し、
前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層上に、第３の無機化合物を有し、且つ前記開口部を介して前記第２の絶縁層の前記凹凸が形成された表面と接する領域を有する第４の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記第５の絶縁層は、表面に凹凸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は３において、
前記第４の絶縁層は、表面に凹凸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の、半導体層、ゲート絶縁層、及びゲート電極と、
前記半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第１の導電層と、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記第１の導電層上の、第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層上の第２の導電層と、
前記第１の絶縁層、前記第３の絶縁層、前記第４の絶縁層、及び前記第２の配線層上の、第５の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の無機化合物を有し、
前記第３の絶縁層は、第２の無機化合物を有し、
前記第４の絶縁層は、有機化合物を有し、
前記第５の絶縁層は、第３の無機化合物を有し、
前記第１の導電層は、前記半導体層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第５の絶縁層は、前記第３の絶縁層及び前記第４の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第１の絶縁層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の半導体素子層と、
前記第１の絶縁層及び前記半導体素子層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の無機化合物を有し、
前記第２の絶縁層は、第２の無機化合物を有し、
前記第３の絶縁層は、有機化合物を有し、
前記第４の絶縁層は、第３の無機化合物を有し、
前記第４の絶縁層は、前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第１の絶縁層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の半導体素子層と、
前記第１の絶縁層及び前記半導体素子層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の無機化合物を有し、
前記第２の絶縁層は、第２の無機化合物を有し、
前記第３の絶縁層は、有機化合物を有し、
前記第４の絶縁層は、第３の無機化合物を有し、
前記第２の絶縁層は、表面に凹凸を有し、
前記第４の絶縁層は、前記凹凸を有する前記第２の絶縁層の表面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６において、
前記第５の絶縁層は、表面に凹凸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７又は８において、
前記第４の絶縁層は、表面に凹凸を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板又は単結晶半導体基板の少なくとも一方に絶縁層を形成し、
加速されたイオンを前記単結晶半導体基板に照射することで、前記単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、
前記絶縁層を介して前記支持基板に前記単結晶半導体基板を固定し、
加熱処理をすることで、前記脆化領域に沿って前記単結晶半導体基板を劈開させ、
前記単結晶半導体基板を前記支持基板から分離させて、前記単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層にレーザビームを照射して、前記単結晶半導体層の前記レーザビームが照射されている領域を前記単結晶半導体層の厚さよりも浅い部分までを溶融して、前記単結晶半導体層を再結晶化し、
前記単結晶半導体層を加工して、第１の膜厚の第１の島状単結晶半導体層と、第１の膜厚より厚い第２の膜厚の第２の島状単結晶半導体層とを形成し、
前記第１の島状単結晶半導体層と、前記第２の島状単結晶半導体層と、の上にゲート絶縁層を形成し、
前記第１の島状単結晶半導体層上に前記ゲート絶縁層を介して第１のゲート電極を形成し、
前記第２の島状単結晶半導体層上に前記ゲート絶縁層を介して第２のゲート電極を形成し、
前記第１の島状単結晶半導体層にｎ型を付与する不純物を添加して、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
前記第２の島状単結晶半導体層にｐ型を付与する不純物を添加して、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
水素ガスを励起して、Ｈ３＋を含むプラズマを生成し、
前記プラズマに含まれるイオンを加速して、前記単結晶半導体基板に前記イオンを含むイオンビームを照射することで、前記脆化領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記イオンビームに含まれるイオンは、イオン種の総量に対してＨ３＋イオンが７０％以上含まれるようにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記単結晶半導体層を加工して、
前記第１の膜厚の前記第１の島状単結晶半導体層と、前記第１の膜厚より大きい前記第２の膜厚の前記第２の島状単結晶半導体層とを形成する方法は、前記第１の島状単結晶半導体層を露出するようにレジストマスクを形成し、
前記第１の島状単結晶半導体層に一導電型を付与する不純物を添加し、
前記第１の島状単結晶半導体層をエッチングして膜厚を薄くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された支持基板を形成した後、前記単結晶半導体層をエッチングして膜厚を薄くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
支持基板又は単結晶半導体基板の少なくとも一方に絶縁層を形成し、
加速されたイオンを前記単結晶半導体基板に照射することで、前記単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、
前記絶縁層を介して前記支持基板に前記単結晶半導体基板を固定し、
加熱処理をすることで、前記脆化領域に沿って前記単結晶半導体基板を劈開させ、
前記単結晶半導体基板を前記支持基板から分離させて、前記単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層にレーザビームを照射して、前記単結晶半導体層の前記レーザビームが照射されている領域を前記単結晶半導体層の厚さよりも浅い部分までを溶融して、前記単結晶半導体層を再結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを有し、
前記ｎチャネル型トランジスタは、第１の膜厚の第１の島状単結晶半導体層と、前記第１の島状単結晶半導体層上のゲート絶縁層と、及び前記ゲート絶縁層上の第１のゲート電極とを有し、
前記ｐチャネル型トランジスタは、第１の膜厚より厚い第２の膜厚の第２の島状単結晶半導体層と、前記第２の島状単結晶半導体層上のゲート絶縁層と、及び前記ゲート絶縁層上の第２のゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に設けられたゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に接し、複数の結晶領域を含む第１の半導体層と、
絶縁層を間に介在して前記第１の半導体層上に積層され、非晶質構造を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型の不純物半導体層と、
前記一導電型の不純物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記絶縁層は前記第１の半導体層の上面及び前記第２の半導体層の下面に接して設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に設けられたゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に接し、第１の領域及び前記第１の領域上の複数の結晶領域を含む第２の領域を有する第１の半導体層と、
絶縁層を間に介在して前記第１の半導体層上に積層され、非晶質構造を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型の不純物半導体層と、
前記一導電型の不純物半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記絶縁層は前記第１の半導体層の上面及び前記第２の半導体層の下面に接して設けられ、
前記第１の半導体層の前記第２の領域は、下面から上面に向かって逆錐形状の結晶を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の半導体層において、二次イオン質量分析法によって計測される窒素濃度が１×１０２０／ｃｍ３以上３×１０２０／ｃｍ３未満の領域に、前記逆錐形状の結晶の頂点が位置していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の半導体層における酸素濃度は、前記第１の半導体層における窒素濃度より低いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の半導体層において、前記第１半導体層の下面から上面の方向に向けて、窒素濃度は減少していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が、５×１０１８／ｃｍ３以下であり、窒素濃度が１×１０２０／ｃｍ３乃至１×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の半導体層における窒素濃度は、前記ゲート絶縁層と前記第１の半導体層との界面近傍において、二次イオン質量分析法によって計測されるピーク濃度が３×１０２０／ｃｍ３乃至１×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記結晶領域は単結晶であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項８において、
前記単結晶は双晶を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記絶縁層は一原子層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、プラズマを生成して複数の結晶領域を含む第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層の上面を変質処理して絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、非晶質構造を有する第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上にソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型の不純物半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物半導体層上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、プラズマを生成して複数の結晶領域を含む第１の半導体層を形成し、
プラズマ処理または大気に曝す酸化処理により、前記第１の半導体層の上面を変質処理して絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、非晶質構造を有する第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上にソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型の不純物半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物半導体層上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
Ｈ２Ｏプラズマにより前記プラズマ処理を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、
前記ゲート絶縁層を形成後、前記第１の半導体層形成前に、前記ゲート絶縁層の表面に窒素を供給すること特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、
前記第１の半導体層の形成は、窒素を含む雰囲気で行うこと特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電体と、
第２の誘電体と、
第１電源電位が印加される第１配線と、
前記第１の誘電体を介して前記第１配線に隣接して形成され、第２電源電位が印加される第２配線と、
複数の半導体素子を含み、前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続され、前記第１配線および前記第２配線に取り囲まれている集積回路と、
前記第２の誘電体を介して前記第１配線および前記第２配線と重なり、電気的に浮遊状態とされている少なくとも１つの半導体膜または導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１電源電位が印加される第１配線と、
第２電源電位が印加される第２配線と、
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第１絶縁膜上に形成されている第１導電膜と、
前記第２配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜と隣接して前記第１絶縁膜上に形成されている第２導電膜と、
複数の半導体素子を含み、前記第１導電膜および前記第２導電膜に取り囲まれ、前記第１導電膜を経て前記第１電源電位が印加され、前記第２導電膜を経て前記第２電源電位が印加される集積回路と、
前記第１絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜に重なり、電気的に浮遊状態とされている少なくとも１つの半導体膜または第３導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１電源電位が印加される第１配線と、
第２電源電位が印加される第２配線と、
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されている第３絶縁膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第１絶縁膜上に形成されている第１導電膜と、
前記第２配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜に隣接して前記第１絶縁膜上に形成されている第２導電膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜上に形成されている第３導電膜と、
前記第２配線に含まれ、記第３絶縁膜を介して前記第３導電膜に隣接し、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜上に形成されている第４導電膜と、
複数の半導体素子を含み、前記第１導電膜乃至前記第４導電膜に取り囲まれ、前記第１導電膜および前記第３導電膜を経て前記第１電源電位が印加され、前記第２導電膜および前記第４導電膜を経て前記第２電源電位が印加される集積回路と、
前記第１導電膜乃至前記第４導電膜に重なり、前記第１絶縁膜に覆われ、電気的に浮遊状態とされている少なくとも１つの半導体膜または第５導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１電源電位が印加される第１配線と、
第２電源電位が印加される第２配線と、
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第１絶縁膜上に形成されている第１導電膜と、
前記第２配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜と隣接して前記第１絶縁膜上に形成されている第２導電膜と、
複数の半導体素子を含み、前記第１導電膜および前記第２導電膜に取り囲まれ、前記第１導電膜を経て前記第１電源電位が印加され、前記第２導電膜を経て前記第２電源電位が印加される集積回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１電源電位が印加される第１配線と、
第２電源電位が印加される第２配線と、
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されている第３絶縁膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第１絶縁膜上に形成されている第１導電膜と、
前記第２配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜に隣接して前記第１絶縁膜上に形成されている第２導電膜と、
前記第１配線に含まれ、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜上に形成されている第３導電膜と、
前記第２配線に含まれ、記第３絶縁膜を介して前記第３導電膜に隣接し、前記第２絶縁膜を介して前記第１導電膜および前記第２導電膜上に形成されている第４導電膜と、
複数の半導体素子を含み、前記第１導電膜乃至前記第４導電膜に取り囲まれ、前記第１導電膜および前記第３導電膜を経て前記第１電源電位が印加され、前記第２導電膜および前記第４導電膜を経て前記第２電源電位が印加される集積回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３又は請求項５において、
前記第１導電膜と前記第４導電膜は、前記第２絶縁膜を介して隣接し、
前記第２導電膜と前記第３導電膜は、前記第２絶縁膜を介して隣接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記集積回路は、
光電変換素子と、
前記光電変換素子を流れる電流を増幅する増幅回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項において、
前記集積回路は、ガラス基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
また、やまいも検出用PCRプライマー（配列番号7及び8からなるPCRプライマーセット）を使用した場合は、やまいも含有食品である、チキンラーメン（登録商標）（日清食品）、どん兵衛（登録商標）きつねうどんの麺部位（日清食品）、及びお好み焼き粉（嵯峨野匠庵由来）DNAにおいてのみ、139 bp前後の増幅産物が確認され［表2、図2（D）］、これらの増幅産物のTm値は、約86.3℃であった。他の食品試料由来DNAを使用した場合には、増幅産物は見られなかった［表2、図2（D）］。なお、PCR増幅産物の塩基配列解析の結果、チキンラーメン（登録商標）（日清食品）、どん兵衛（登録商標）きつねうどんの麺部位（日清食品）、及びお好み焼き粉（嵯峨野匠庵由来）由来DNAから増幅されたPCR増幅産物の塩基配列は、やまいものクロロプラストのrbcL遺伝子配列と一致した。すなわち、当該PCRプライマーを用いたPCRは、複数の市販食品において、やまいも非含有食品試料からやまいも由来DNAやその他のDNAを検出しないが、やまいも含有食品試料からやまいも由来DNAを特異的に検出できることを確認した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
さらに、バナナ検出用PCRプライマー（配列番号9及び10からなるPCRプライマーセット）を使用した場合は、バナナ含有食品である、ドライフルーツ＆ナッツグラノーラ（イオン）、果物のチップス（イオン）、ポッキー（登録商標）バナナ（グリコ）、及びポポイスバナナチップス（キタノ）由来DNAにおいてのみ、186 bp前後の増幅産物が確認され［表2、図2（E）］、これらの増幅産物のTm値は、約85.3℃であった。他の食品試料由来DNAを使用した場合には、増幅産物は見られなかった［表2、図2（E）］。なお、PCR増幅産物の塩基配列解析の結果、ドライフルーツ＆ナッツグラノーラ（イオン）、果物のチップス（イオン）、ポッキー（登録商標）バナナ（グリコ）、及びポポイスバナナチップス（キタノ）由来DNAから増幅されたPCR増幅産物の塩基配列は、バナナのクロロプラストのrbcL遺伝子配列と一致した。すなわち、当該PCRプライマーを用いたPCRは、複数の市販食品において、バナナ非含有食品試料からバナナ由来DNAやその他のDNAを検出しないが、バナナ含有食品試料からバナナ由来DNAを特異的に検出できることを確認した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
さらに、大豆検出用PCRプライマー（配列番号11及び12からなるPCRプライマーセット）を使用した場合は、大豆含有食品である、どん兵衛（登録商標）きつねうどんの油揚げ部位（日清食品）及び日清麺の達人みその添付スープ（日清食品）由来DNAにおいてのみ、158 bp前後の増幅産物が確認され［表2、図2（F）］、これらの増幅産物のTm値は、約88.5℃であった。他の食品試料由来DNAを使用した場合には、増幅産物は見られなかった［表2、図2（F）］。なお、PCR増幅産物の塩基配列解析の結果、どん兵衛（登録商標）きつねうどんの油揚げ部位（日清食品）及び日清麺の達人みその添付スープ（日清食品）由来DNAから増幅されたPCR増幅産物の塩基配列は、大豆のクロロプラストのrbcL遺伝子配列と一致した。すなわち、当該PCRプライマーを用いたPCRは、複数の市販食品において、大豆非含有食品試料から大豆由来DNAやその他のDNAを検出しないが、大豆含有食品試料から大豆由来DNAを特異的に検出できることを確認した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
【表２】
2009279000.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009279000.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーデバイスダイと熱的に接続されるように構成される第１の金属層と、
前記パワーデバイスダイの前記第１の金属層の配置された側の反対側に配置される第２の金属層と、からなる半導体装置用パッケージにおいて、
前記第２の金属層は、前記パワーデバイスダイの表面で、ハンダボール接点を介してパッドと電気的かつ熱的に接続されるように構成され、
前記第１の金属層または前記第２の金属層は、前記パワーデバイスダイ、前記ハンダボール接点および前記第１および第２の金属層の少なくとも一部を封止するプラスチックパッケージ体から突出する一体型のリードを有する、
ことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
前記第１の金属層は、前記パワーデバイスダイと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
前記第１の金属層は、第２のハンダボール接点を介して、前記パワーデバイスダイと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
前記第１の金属層の一部は、前記プラスチックパッケージ体から露出してヒートシンクを形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項５】
前記第２の金属層の一部は、前記プラスチックパッケージ体から露出してヒートシンクを形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項６】
さらに、前記第２の金属層の一部と電気的に接続される第２のパワーデバイスダイを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項７】
前記第２の金属層の同一部分は、第１のパワーデバイスダイおよび第２のパワーデバイスダイと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項８】
前記パワーデバイスダイは、ＭＯＳＦＥＴダイを含み、
前記第２の金属層は、前記ＭＯＳＦＥＴダイの表面でゲートパッドと電気的に接続される第１の部分と前記ＭＯＳＦＥＴダイの表面でソースパッドと電気的に接続される第２の部分を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項９】
前記パワーデバイスダイは、集積回路（ＩＣ）ダイを含み、
前記第２の金属層は、前記ＩＣダイの表面で各パッドと電気的に接続される複数の部分を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項１０】
第１のパワーデバイスダイの第１の側面と少なくとも熱的に接続される第１の金属層と、
前記第１のパワーデバイスダイの上方または下方に配置されるとともに、ハンダボール接点を介して、前記第１のパワーデバイスダイの第２の側面と電気的に接触する第２のパワーデバイスダイと、
前記第１のパワーデバイスダイから前記第２のパワーデバイスダイの対向する側に配置される第２の金属層と、から構成される半導体装置用パッケージであって、
前記第２の金属層は、前記第２のパワーデバイスダイと少なくとも熱的に接続され、
前記第１の金属層または前記第２の金属層は、前記パワーデバイスダイと、前記ハンダボール接点と、前記第１および第２の金属層の少なくとも一部を封止するプラスチックパッケージ体から突出する一体型のリードを有し、
前記第１のパワーデバイスダイまたは前記第２のパワーデバイスダイは、前記第１の金属層または前記第２の金属層と電気的に接続される、
ことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項１１】
前記第１のパワーデバイスダイは、第２のハンダボール接点を介して、前記第１の金属層と電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項１２】
前記第１のパワーデバイスダイは、第２のハンダボール接点を介して、前記第１および第２の金属層の間に配置される第３の金属層と電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項１３】
前記第１の金属層の一部は、前記プラスチックパッケージ本体から露出されてヒートシンクを形成する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項１４】
前記第２の金属層の一部は、前記プラスチックパッケージ本体から露出されて第２のヒートシンクを形成する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項１５】
パワーデバイスダイの第１の表面と少なくとも熱的に接続される第１の金属層を備える工程と、
ハンダボール接点を介して、前記第１の表面に対向する前記パワーデバイスチップの第２の表面と熱的かつ電気的に接続される第２の金属層を備える工程と、
前記ダイ、前記ハンダボール接点、および前記第１および第２の金属層の少なくとも一部をプラスチック封止材の内部で封止して、パッケージ体を形成する工程と、を有する、
ことを特徴とする半導体装置のパッケージ方法。
【請求項１６】
前記第１の金属層は、前記パワーデバイスダイと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置のパッケージ方法。
【請求項１７】
さらに、前記第２の金属層の平面の外に前記第２の金属層の一部を曲げて、前記パッケージ体から露出させてリードを形成する工程を有する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置のパッケージ方法。
【請求項１８】
前記第２の金属層に、前記第２の金属層の平面の外に曲げられた部分を設けて、パッケージ体から露出させてリードを形成する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置のパッケージ方法。
【請求項１９】
前記第１の金属層は、第２のパワーデバイスダイの第１の表面と少なくとも熱的に接続する部分を備えるとともに、
前記第２の金属層は、ハンダボール接点を介して、前記第１の表面に対向する前記第２のパワーデバイスダイの第２の表面で、各パッドと電気的かつ熱的に接続される部分を有する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置のパッケージ方法。
【請求項２０】
第１のパワーデバイスダイの第１の側面と少なくとも熱的に接続されるように構成される第１の金属層を備える工程と、
前記第１のパワーデバイスダイの上方または下方に配置されるとともに、ハンダボール接点を介して、前記第１のパワーデバイスダイの第２の側面と電気的に接触する第２のパワーデバイスダイを備える工程と、  
前記第１のパワーデバイスダイから前記第２のパワーデバイスダイの対向する側に配置される第２の金属層を備える工程と、を有する半導体装置用パッケージの形成方法において、
前記第２の金属層は、前記第２のパワーデバイスダイと少なくとも熱的に接続され、
前記第１の金属層または前記第２の金属層は、前記パワーデバイスダイと前記ハンダボール接点と前記第１および第２の金属層の少なくとも一部を封止するプラスチックパッケージ体から突出する一体型のリードを有し、
前記第１のパワーデバイスダイまたは前記第２のパワーデバイスダイを、前記第１の金属層または前記第２の金属層と電気的に接続する、
ことを特徴とする半導体装置用パッケージの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月23日(2012.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーンごとに１又は複数のチャプタを設定可能な記録再生装置において、
撮影により得られた前記シーンの映像情報を記録媒体に記録する記録部と、
前記記録部により前記記録媒体に記録された映像情報を再生する再生部と、
前記映像情報に基づく撮影映像に対して顔認識処理を実行する顔認識実行部と、
予めユーザにより登録された人物の顔画像を一覧表示する表示部と、
前記表示部に一覧表示された前記顔画像の中からユーザにより選択された前記顔画像に対応する人物を重要人物として設定する重要人物設定部と、
前記顔認識実行部の前記顔認識処理に基づいて、前記重要人物設定部により設定された重要人物が含まれるチャプタを前記記録媒体から選択的に再生するように前記再生部を制御する制御部と
を備えることを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
再生モードとして複数の再生モードが設けられ、
各前記再生モードには、それぞれ異なる閾値が設定され、
前記制御部は、
ユーザにより指定された前記再生モードの閾値と各前記チャプタの重要度とを比較し、前記重要度が当該再生モードの閾値と同じ又は当該閾値よりも高い前記チャプタを選択的に再生するように前記記録再生部を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
前記重要人物設定部により設定された重要人物に対する前記顔認識実行部の前記顔認識処理に基づいて、前記記録媒体に記録された映像情報の前記チャプタごとの重要度を設定する重要度設定部を備え、
前記制御部は、前記重要度設定部により設定された前記チャプタごとの重要度に基づいて、対応する前記重要度のチャプタを前記記録媒体から選択的に再生するように前記再生部を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項４】
前記重要度設定部は、
前記チャプタ内における前記重要人物の登場回数に基づいて当該チャプタの重要度を設定する
ことを特徴とする請求項３に記載の記録再生装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記第１の記録媒体に前記映像情報が記録された前記シーンごとに、当該シーン内に設定された各前記チャプタの重要度を管理し、
ユーザからの要求に応じて、当該シーンごとに、各前記チャプタの前記重要度が設定されているか否かを前記ユーザに提示する
ことを特徴とする請求項３に記載の記録再生装置。
【請求項６】
撮影により得られたシーンの映像情報を記録媒体に対して記録再生すると共に、前記シーンごとに１又は複数のチャプタを設定可能な記録再生装置における記録再生方法において、
前記映像情報に基づく撮影映像に対して顔認識処理を実行する第１のステップと、
予めユーザにより登録された人物の顔画像を一覧表示する第２のステップと、
前記第２のステップで一覧表示された前記顔画像の中からユーザにより選択された前記顔画像に対応する人物を重要人物として設定する第３のステップと、
前記第１のステップの前記顔認識処理に基づいて、前記第３のステップで設定した重要人物が含まれるチャプタを前記記録媒体から選択的に再生する第４のステップと
を備えることを特徴とする記録再生方法。
【請求項７】
再生モードとして複数の再生モードが設けられ、
各前記再生モードには、それぞれ異なる閾値が設定され、
ユーザにより指定された前記再生モードの閾値と各前記チャプタの重要度とを比較し、前記重要度が当該再生モードの閾値と同じ又は当該閾値よりも高い前記チャプタを選択的に再生する
ことを特徴とする請求項６に記載の記録再生方法。
【請求項８】
前記第３のステップで設定した重要人物に対する前記第１のステップの前記顔認識処理に基づいて、前記記録媒体に記録された映像情報の前記チャプタごとの重要度を設定する第５のステップを備え、
前記第４のステップにおいて、前記第５のステップで設定した前記チャプタごとの重要度に基づいて、対応する前記重要度のチャプタを前記記録媒体から選択的に再生する
ことを特徴とする請求項６に記載の記録再生方法。
【請求項９】
前記第５のステップでは、
前記チャプタ内における前記重要人物の登場回数に基づいて当該チャプタの重要度を設定する
ことを特徴とする請求項８に記載の記録再生方法。
【請求項１０】
前記記録媒体に前記映像情報が記録された前記シーンごとに、当該シーン内に設定された各前記チャプタの重要度をそれぞれ管理し、
ユーザからの要求に応じて、当該シーンごとに、各前記チャプタの前記重要度が設定されているか否かを前記ユーザに提示する
ことを特徴とする請求項８に記載の記録再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
かかる課題を解決するため本発明においては、シーンごとに１又は複数のチャプタを設定可能な記録再生装置において、撮影により得られた前記シーンの映像情報を記録媒体に記録する記録部と、前記記録部により前記記録媒体に記録された映像情報を再生する再生部と、前記映像情報に基づく撮影映像に対して顔認識処理を実行する顔認識実行部と、予めユーザにより登録された人物の顔画像を一覧表示する表示部と、前記表示部に一覧表示された前記顔画像の中からユーザにより選択された前記顔画像に対応する人物を重要人物として設定する重要人物設定部と、前記顔認識実行部の前記顔認識処理に基づいて、前記重要人物設定部により設定された重要人物が含まれるチャプタを前記記録媒体から選択的に再生するように前記再生部を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また本発明においては、撮影により得られたシーンの映像情報を記録媒体に対して記録再生すると共に、前記シーンごとに１又は複数のチャプタを設定可能な記録再生装置における記録再生方法において、前記映像情報に基づく撮影映像に対して顔認識処理を実行する第１のステップと、予めユーザにより登録された人物の顔画像を一覧表示する第２のステップと、前記第２のステップで一覧表示された前記顔画像の中からユーザにより選択された前記顔画像に対応する人物を重要人物として設定する第３のステップと、前記第１のステップの前記顔認識処理に基づいて、前記第３のステップで設定した重要人物が含まれるチャプタを前記記録媒体から選択的に再生する第４のステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチャンネル数の音声信号を、チャンネルごとに複数の音声出力部から出力可能な音声出力装置であって、
前記複数の音声出力部から第１チャンネル数である第１音声信号を出力する第１音声出力モードと、
前記第１チャンネル数より少ない第２チャンネル数である第２音声信号と前記第１チャンネル数より少ない第３チャンネル数である第３音声信号とを、前記複数の音声出力部を用いて、同時に出力可能である第２音声出力モードと
を備え、
前記第２音声出力モードにおいて前記第２音声信号および前記第３音声信号を出力するために使用される複数の音声出力部は、前記第１音声出力モードにおいては前記第１音声信号を出力するために使用される、音声出力装置。
【請求項２】
前記第１音声信号は７．１チャンネル、前記第２音声信号は５．１チャンネル、前記第３音声信号は２チャンネルである、請求項１に記載の音声出力装置。
【請求項３】
前記複数の音声出力部のうち、前記第２音声出力モードにおける前記第３音声信号を出力する音声出力部は、前記第１音声出力モードにおける前記第１音声信号のサラウンドバック信号を出力する音声出力部と同じである、請求項２に記載の音声出力装置。
【請求項４】
前記第２チャンネル数および前記第３チャンネル数の和は、前記第１チャンネル数以下である、請求項１に記載の音声出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
自車両が備える車両運転支援装置の障害物検出部により、自車両の側方に存在する障害物を検出すると、
前記車両運転支援装置により、所定時間後の自車両の将来位置を予測し、
前記車両運転支援装置により、その予測した自車両の将来位置に基づき算出した前記障害物に対するリスク度合いに応じて、前記障害物への接近を防止するように自車両を制御する際に、
前記車両運転支援装置により、運転者の前記障害物と反対側の隣接車線への車線変更の意思を検出した場合には、
前記車両運転支援装置により、前記障害物への接近を防止する制御を抑制することを特徴とする車両運転支援方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項２に記載のレンズ駆動装置であって、さらに、前記確認窓の前記長孔よりも広がった開口端部に、前記連結ギアと前記操作リングとの係合状態を確認するための光学部材を配置したことを特徴とするレンズ駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項５に示すように、請求項２に記載のレンズ駆動装置であって、さらに、前記確認窓の前記長孔よりも広がった開口端部に、前記連結ギアと前記操作リングとの係合状態を確認するための光学部材を配置したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記テーパ面は、そのテーパ角が１０度以下に形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載のレンズ駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項２または３に記載のレンズ駆動装置であって、さらに、前記連結部材の一部と接触する前記切替部材は円柱状に形成され、前記テーパ面と接触する該円柱状に形成された前記切替部材の上端部には面取りが施されたことを特徴とするレンズ駆動装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項４に示すように、請求項２または３に記載のレンズ駆動装置であって、さらに、前記連結部材の一部と接触する前記切替部材は円柱状に形成され、前記テーパ面と接触する該円柱状に形成された前記切替部材の上端部には面取りが施されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学基材の上に形成された、層厚が少なくとも７００ｎｍのプライマー層と、
前記プライマー層の上に形成された、層厚が少なくとも３５ｎｍのバインダー層と、
前記バインダー層の上に形成されたハードコート層と、
を有し、
前記バインダー層の屈折率は前記プライマー層の屈折率および前記ハードコート層の屈折率よりも低い、
光学物品。
【請求項２】
請求項１において、前記プライマー層の層厚は少なくとも８００ｎｍである、光学物品。
【請求項３】
請求項１または２において、前記プライマー層の層厚は少なくとも９００ｎｍである、光学物品。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記プライマー層の層厚は少なくとも１０００ｎｍである、光学物品。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記バインダー層の層厚は少なくとも５０ｎｍである、光学物品。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記光学基材の屈折率が少なくとも１．７である、光学物品。
【請求項７】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記光学基材はレンズ基材である、光学物品。
【請求項８】
光学基材にプライマー層を形成する第１の組成物を塗布することと、
前記第1の組成物が塗布された光学基材を仮焼成することと、
ハードコート層を形成する第２の組成物を塗布および焼成することと、
を有し、
前記仮焼成の温度を制御することによって、前記プライマー層の上に前記プライマー層よりも屈折率が低いバインダー層を析出させることと、
を含む、
光学物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学物品および光学物品の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
３．１ｃ  屈折率が１．７３３１のポリビニルアルコールプライマーの例
実施例３の屈折率が１．７３３１のプライマー層２は次のようにして成膜してもよい。ステンレス製容器内において、メタノール７０質量部に水６００質量部を加える。この溶液に、平均重合度１０００の完全ケン化型ポリビニルアルコール（和光純薬（株）製）１００質量部を純水９００質量部に混合する。さらに、これに、９０℃で３時間保持して完全に溶解させたポリビニルアルコール溶液を１００質量部混合して溶解させる。さらに、酸化チタン、酸化スズ、酸化ケイ素を主体とする複合微粒子ゾル（ルチル型結晶構造、メタノール分散、表面処理剤γ−グリシドキシプロピルトリメトキシラン、触媒化成工業（株）製、商品名：オプトレイク、固形分濃度２０％）２００質量部を加えて攪拌し、さらに尿素２質量部を混合して完全に溶解させる。さらに、０．１Ｎ塩酸水溶液を７質量部と、シリコーン系界面活性剤（東レ・ダウコーニング（株）製、商品名：Ｌ−７６０４）１質量部を添加し、３０分攪拌する。これにより、プライマー層形成用組成物が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有した基板と、
歯部を有し、所定のステップ角毎に回転、停止可能なステップモータと、
前記歯部と噛合う従動歯部を有し、前記歯部の動力を受けて回転、停止可能な伝達部材と、
前記伝達部材の動力を受けて回転、停止可能な駆動リングと、
前記駆動リングの動力を受けて前記開口から退避した退避位置又は前記開口の少なくとも一部を覆う絞り位置に停止可能な羽根と、を備え、
前記駆動リングは、前記羽根に係合する駆動ピンと、従動ピンとを有し、
前記伝達部材は、前記従動ピンと係合するカム溝を有し、
前記伝達部材の回転量と前記駆動リングとの回転量との関係は非線形である、ことを特徴とする絞り装置。
【請求項２】
前記開口の口径が最小となる最小絞り時での前記駆動リングの最小絞り停止位置と前記最小絞り停止位置に隣接した停止可能位置との間隔は、前記最小絞り時以外での前記駆動リングの隣接する停止可能位置の間隔よりも大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の絞り装置。
【請求項３】
前記駆動リングの停止可能位置の間隔は、前記羽根が退避位置から前記絞り位置へ移動するように前記駆動リングが移動するにつれて大きくなる、ことを特徴とする請求項２に記載の絞り装置。
【請求項４】
前記駆動ピンと前記羽根の回転支点との距離は、前記羽根が前記退避位置にある場合よりも前記絞り位置にある場合の方が長い、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の絞り装置。
【請求項５】
前記従動ピンと前記伝達部材の回転支点との距離は、前記羽根が前記絞り位置にある場合よりも前記退避位置にある場合の方が短い、ことを特徴とする請求項４に記載の絞り装置。
【請求項６】
前記従動ピンは、前記駆動リングが所定方向に回転している間に前記カム溝の一部分を往復する、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の絞り装置。
【請求項７】
前記従動ピンは、前記羽根が前記絞り位置から前記退避位置へ移動するように前記駆動リングが回転している間に前記カム溝の一部分を往復する、ことを特徴とする請求項６に記載の絞り装置。
【請求項８】
前記従動ピンは、前記駆動リングが所定方向に回転している間に前記カム溝の一端に当接してその後に前記一端から離れる、ことを特徴とする請求項６に記載の絞り装置。
【請求項９】
前記伝達部材は、可撓性を有している、ことを特徴とする請求項１乃至８の何れかの絞り装置。