Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メインポール、リターンヨーク及び前記メインポールが記録媒体に情報を記録する磁場を発生させるように電流が印加されるコイルを備える垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記メインポールの両側にそれぞれ形成され、前記メインポールと第１間隙をなして離隔されたサイドシールドと、
前記メインポールの上部領域及び前記サイドシールドの上部領域にわたって形成され、前記メインポールと第２間隙をなして前記サイドシールドと所定距離ほど離隔されたトップシールドと、を備えることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記サイドシールドと前記トップシールドとの離隔距離は、前記第２間隙と同じであることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記サイドシールドのスロート長は、前記トップシールドのスロート長と同じであるか、またはそれより長いことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記メインポールの記録媒体側の端部に磁場が集束されるように、前記端部から記録媒体を遠ざかる方向に離隔されたサブヨークがさらに設けられたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記サブヨークは、前記メインポールの上面または下面に接して形成されたことを特徴とする請求項４に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
垂直磁気記録ヘッドの製造方法において、
（イ）メインポール、及び前記メインポールの両側部に前記メインポールと第１間隙ほど離隔されたサイドシールドを形成する工程と、
（ロ）前記メインポールの上部領域及びサイドシールドの上部領域にわたって形成され、前記メインポールと第２間隙をなして前記サイドシールドと所定距離ほど離隔されたトップシールドを形成する工程と、を含むことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記（イ）工程は、
メインポールを形成する工程と、
前記メインポールの側面及び上面を前記第１間隙とほぼ同じ厚さに取り囲む第１絶縁層を形成する工程と、
前記メインポールの両側にサイドシールドを形成する工程と、
前記サイドシールド及び絶縁層が形成されたメインポールを研磨する工程と、を含むことを特徴とする請求項６に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記（イ）工程は、
第１絶縁層及びストップ層を順次に形成する工程と、
前記第１絶縁層及びストップ層をエッチングして前記メインポール形状のトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内部及び前記ストップ層上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層を研磨する工程と、
前記第１絶縁層の両側の一部領域をエッチングする工程と、
前記第１絶縁層の両側にサイドシールドを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項６に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記（ロ）工程は、
前記サイドシールド及びメインポール上に前記第２間隙とほぼ同じ厚さを有する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上にトップシールドを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記サイドシールドのスロート長は、前記トップシールドのスロート長と同じであるか、またはそれより長く形成されることを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月10日(2012.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
音源の方向を検知する検知手段と、
前記検知手段により検知された音源の方向に追従するように前記撮像手段の向きを制御する制御手段と、
前記撮像手段から見た複数の特定の物体の各方向のデータを保持する保持手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記撮像手段の向きが前記複数の特定の物体のうちのいずれか１つを撮影することができる方向範囲内にあるときは、前記保持手段に保持された方向以外には前記撮像手段を向けないように、前記制御を抑制することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記特定の物体から人が離れていくことを認識する認識手段を更に備え、
前記制御手段は更に、前記認識手段により前記特定の物体から人が離れていくことが認識されたときは前記抑制を解除することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御の状態をユーザに通知する通知手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置を用いて会議を撮影することを特徴とするテレビ会議システム。
【請求項５】
前記検知手段は、発言する会議参加者の方向を検知するものであり、
前記特定の物体は、会議に使用されるホワイトボード又は電子黒板とすることを特徴とする請求項４に記載のテレビ会議システム。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置を用いて監視を行うことを特徴とする監視システム。
【請求項７】
撮像手段から見た複数の物体の各方向のデータを保持する保持手段を備える撮像装置の制御方法であって、
検知手段が、音源の方向を検知する検知工程と、
制御手段が、前記検知工程で検知された音源の方向に追従するように前記撮像装置の向きを制御する制御工程と、
を有し、
前記制御工程は、前記撮像装置の向きが前記特定の物体のうちのいずれか１つを撮影することができる方向範囲内にあるときは、前記保持手段に保持された方向以外には前記撮像手段を向けないように、前記撮像装置の向きの制御を抑制することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の撮像装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面によれば、撮像手段と、音源の方向を検知する検知手段と、前記検知手段により検知された音源の方向に追従するように前記撮像手段の向きを制御する制御手段と、前記撮像手段から見た複数の特定の物体の各方向のデータを保持する保持手段とを備え、前記制御手段は、前記撮像手段の向きが前記複数の特定の物体のうちのいずれか１つを撮影することができる方向範囲内にあるときは、前記保持手段に保持された方向以外には前記撮像手段を向けないように、前記制御を抑制することを特徴とする撮像装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月6日(2012.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザモジュールであって、
・取り付け面（２１）を備えたモジュール担体（２０）と、
・前記取り付け面（２１）上に配置されたポンピング装置（１）と、
・前記取り付け面（２１）上に配置された表面発光型半導体レーザ（４０）と、
・前記取り付け面（２１）上に配置された周波数変換装置（６）とを有しており、
前記モジュール担体（２０）の取り付け面（２１）は最大で１００ｍ２の面積を有しており、
前記表面発光型半導体レーザ（４０）は、
・上面（１３１）と取り付け面（１３０）とを有している取り付けブロック（３）と、
・前記取り付けブロック（３）の上面（１３１）上に配置されている少なくとも１つの半導体レーザチップ（４）とを有しており、
・前記取り付けブロック（３）の取り付け面（１３０）は、実質的に、前記取り付けブロックの上面（１３１）に対して垂直に延在しており、ここで
・前記表面発光型半導体レーザ（４０）は、前記取り付けブロック（３）の取り付け面（１３０）でもって、前記モジュール担体（２０）の取り付け面（２１）上に固定されており、ここで
・前記半導体レーザモジュールの高さ（Ｈ）は最大で３．５ｍｍである、
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記半導体レーザモジュールの高さ（Ｈ）は最大で３ｍｍである、請求項１記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記半導体レーザチップ（４）の放射表面の方を向いていない、当該半導体レーザチップ（４）の面は完全に前記取り付けブロック（３）によって覆われている、請求項１または２記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記半導体レーザチップ（４）はＶＥＣＳＥＬである、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記表面発光型半導体レーザ（４０）の取り付けブロック（３）の取り付け面（１３１）は、個別化プロセスによって生成される、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記取り付けブロック（３）は、非金属材料を含んでいるか、または非金属材料から成る、請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記取り付けブロック（３）は少なくとも０．５ｍｍであり、最大で１．７ｍｍである、実質的に均一の厚さ（Ｄ）を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
エタロン（９）を有しており、当該エタロンは周波数選択部材として半導体レーザモジュール内に設けられており、前記モジュール担体（２０）の取り付け面（２１）上に配置されており、
・前記エタロンはエタロン層（２５１）を含んでおり、当該エタロン層は、エタロン担体（２５）上に固定されている、殊に結合されている、ガラスから成り、
・前記エタロン層（２５１）は、少なくとも２０μｍであり、最大で５０μｍであり、殊に最大で３０μｍの均一の厚さを有している、請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
前記エタロン担体（２５）はシリコン、ガラスのうちの少なくとも１つを含む、またはシリコン、ガラスのうちの少なくとも１つから成る、請求項１から８までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１０】
前記エタロン（９）は最大で０．７ｍｍの一定の厚さを有している、請求項８または９記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
前記エタロン（９）は次のように配置されている、すなわち、半導体レーザモジュールの作動中に、周波数変換されたビーム（８）が前記エタロン層（２５１）を通らないように配置されている、請求項８から１０までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１２】
前記半導体レーザモジュールは共振器長Ｄ１＋Ｄ２を有しており、ここでＤ１は、ブラッグミラー（４３）と出力結合部（５）との間の長さであり、Ｄ２は前記出力結合部（５）とエンドミラー（７）との間の長さであり、ここで前記共振器長Ｄ１＋Ｄ２は最大で１０ｍｍである、請求項１から１１までのいずれか１項記載の半導体レーザモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサアレイ領域と周辺回路領域が定義された基板と、
前記周辺回路領域に形成され、第１多層配線を含む第１絶縁膜構造体と、
前記センサアレイ領域に形成され、第２多層配線を含む第２絶縁膜構造体と、を含み、
前記第１多層配線の最上層配線は前記第２多層配線の最上層配線より高く、
前記第１絶縁膜構造体は等方性エッチング停止膜を含み、前記第２絶縁膜構造体は前記等方性エッチング停止膜を含まないことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
前記等方性エッチング停止膜は、前記第２多層配線の最上層配線より高いことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記等方性エッチング停止膜は、前記第１多層配線のうち第ｎ（但し、ｎは１以上の自然数）層の配線と第ｎ＋１層の配線との間に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記等方性エッチング停止膜は、前記第ｎ層の配線と前記第ｎ＋１層の配線と接触しないことを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記第１絶縁膜構造体は、前記第ｎ層の配線と前記第ｎ＋１層の配線との間に形成された下部層間絶縁膜および上部層間絶縁膜をさらに含み、
前記等方性エッチング停止膜は、前記下部層間絶縁膜と上部層間絶縁膜との間に形成されることを特徴とする請求項４に記載のイメージセンサ。
【請求項６】
前記第１絶縁膜構造体は、前記第ｎ層の配線と前記第ｎ＋１層の配線を電気的に連結するビアを含み、前記ビアは前記等方性エッチング停止膜を貫通して形成されることを特徴とする請求項５に記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記等方性エッチング停止膜は、前記第ｎ層の配線と接触することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のイメージセンサ。
【請求項８】
前記第ｎ層の配線は、層間絶縁膜上に形成されて、前記等方性エッチング停止膜は、前記層間絶縁膜の上面および前記第ｎ層の配線の側面に形成されることを特徴とする請求項７に記載のイメージセンサ。
【請求項９】
前記等方性エッチング停止膜は、第２層の配線と第３層の配線との間に形成されたり、第３層の配線と第４層の配線との間に形成されたりすることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のイメージセンサ。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜構造体の第１上部面は、前記第２絶縁膜構造体の第２上部面より高く、
前記第１上部面と前記第２上部面との間を連結する連結面の少なくとも一部は等方性エッチングプロファイルを有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項１１】
前記センサアレイ領域内に形成された多数の光電変換素子と、
前記第２絶縁膜構造体上に、前記多数の光電変換素子に対応される領域に各々形成されたカラーフィルタおよびマイクロレンズをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項１２】
前記第１および第２多層配線は、アルミニウムからなることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項１３】
前記等方性エッチング停止膜は、窒化膜であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のイメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザ（１００）を製造する方法において、
ａ）支持ウェハ（３０）を用意するステップと、
ｂ）複数の半導体レーザチップ（４）を該支持ウェハ（３０）の表面（３１）に取り付けることにより複合体（７０）を形成するステップと、
ｃ）該複合体（７０）を分割して複数の半導体レーザ（１００）を形成するステップが設けられており、
各半導体レーザ（１００）は取り付けブロック（３）と少なくとも１つの半導体レーザチップ（４）を有しており、
各取り付けブロック（３）は取り付け面（１３）を有しており、該取り付け面（１３）は前記取り付けブロック（３）の表面（１２）に対し実質的に垂直に延在し、該取り付けブロック（３）に前記半導体レーザチップ（４）が配置されており、
前記取り付け面（１３）は前記複合体（７０）が分割されるときに形成され、
各取り付けブロック（３）は、該取り付けブロックの取り付け面（１３）によってモジュール支持体（１５）上に取り付けられることを特徴とする、
複数の半導体レーザ（１００）を製造する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記支持ウェハ（３０）は、半導体材料とセラミック材料のうち１つの材料を含むかまたは該１つの材料から成ることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の方法において、
前記半導体チップ（４）は、前記ステップｂ）において前記支持ウェハ（３０）の表面（３１）に個別に取り付けられることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の方法において、
前記半導体チップ（４）は、前記ステップｂ）においてウェハ結合体（４０）として前記支持ウェハ（３０）の表面（３１）に個別に取り付けられることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項記載の方法において、
前記ステップｂ）の後、前記半導体レーザチップ（４）から成長基板（４１）が取り除かれることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項記載の方法において、
前記ステップｂ）の前に各半導体レーザチップ（４）ごとに、前記支持ウェハ（３０）の表面（３１）にコンタクト金属化部（１４）が取り付けられることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項記載の方法において、
前記ステップｂ）の前に各半導体レーザチップ（４）ごとに、前記支持ウェハ（３０）の表面（３１）にヒートシンク（１１）が取り付けられることを特徴とする方法。
【請求項８】
半導体レーザモジュールにおいて、
表面（１２）と取り付け面（１３）を有する取り付けブロック（３）と、該取り付けブロック（３）の表面（１２）に配置された少なくとも１つの半導体レーザチップ（４）と、モジュール支持体（１５）とが設けられており、
前記取り付け面（１３）は、前記取り付けブロック（３）の表面（１２）に対し実質的に垂直に延在しており、該取り付け面（１３）は個別化プロセスにより形成されており、
前記取り付けブロック（３）は、該取り付けブロックの取り付け面（１３）によって前記モジュール支持体（１５）上に取り付けられていることを特徴とする、
半導体レーザモジュール。
【請求項９】
請求項８記載の半導体レーザモジュールにおいて、
請求項１から７のいずれか１項記載の方法により形成されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項１０】
請求項８または９記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記取り付けブロック（３）は、半導体材料とセラミック材料のうち１つの材料を含むかまたは該１つの材料から成ることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれか１項記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記取り付けブロック（３）は、少なくとも０．５ｍｍであり最大で１．７ｍｍである実質的に均等な厚さを有することを特徴とする半導体レーザモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に絶縁膜が形成され、表面から所定の深さに剥離層が形成された複数の単結晶半導体基板と、
前記単結晶半導体基板より面積が大きいベース基板と、を用意し、
前記複数の単結晶半導体基板の各々の表面上に形成された前記絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合することにより、前記ベース基板上に前記複数の単結晶半導体基板を互いに空隙をもって設け、
前記複数の単結晶半導体基板が設けられたベース基板を熱処理装置の処理室に導入し、
前記処理室内において、前記ベース基板の裏面に複数の支持体を接触させて前記ベース基板を支持し、
熱処理を行うことにより前記剥離層において分離することによって、前記ベース基板上に複数の単結晶半導体膜を設ける工程を有し、
前記熱処理時において、前記複数の支持体を、前記複数の半導体基板間に設けられた空隙部分と重畳するように前記ベース基板の裏面に接触させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
表面に絶縁膜が形成され、表面から所定の深さに剥離層が形成された複数の単結晶半導体基板と、
前記単結晶半導体基板より面積が大きいベース基板と、を用意し、
前記複数の単結晶半導体基板の各々の表面上に形成された前記絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合することにより、前記ベース基板上に前記複数の単結晶半導体基板の側面が互いに接するように配列させ、
前記複数の単結晶半導体基板が設けられたベース基板を熱処理装置の処理室に導入し、
前記処理室内において、前記ベース基板の裏面に複数の支持体を接触させて前記ベース基板を支持し、
熱処理を行うことにより前記剥離層において分離することによって、前記ベース基板上に複数の単結晶半導体膜を設ける工程を含み、
前記熱処理時において、前記複数の支持体を、隣り合う前記複数の半導体基板の境界部分と重畳するように前記ベース基板の裏面に接触させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
表面に絶縁膜が形成され、表面から所定の深さに剥離層が形成された複数の単結晶半導体基板と、
前記単結晶半導体基板より面積が大きいベース基板と、を用意し、
前記複数の単結晶半導体基板の各々の表面上に形成された前記絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合することにより、前記ベース基板上に前記複数の単結晶半導体基板を互いに空隙をもって設け、
前記複数の単結晶半導体基板が設けられたベース基板を熱処理装置の処理室に導入し、
前記処理室内において、前記ベース基板の表面に複数の支持体を接触させて前記ベース基板を支持し、
熱処理を行うことにより前記剥離層において分離することによって、前記ベース基板上に複数の単結晶半導体膜を設ける工程を有し、
前記熱処理時において、前記複数の支持体を、前記複数の半導体基板間に設けられた空隙部分と重畳するように前記ベース基板の表面に接触させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波照射部を有する製造装置であって、
前記電磁波照射部は、並列に配置された複数の導波管と、
前記複数の導波管にそれぞれ設けられた複数のスロットと、
前記複数のスロットにそれぞれ設けられた複数の誘電体と、
前記誘電体の面に対して垂直な方向に移動可能なステージと、を有することを特徴とする製造装置。
【請求項２】
電磁波照射部を有する製造装置であって、
前記電磁波照射部は、導波管と、
前記導波管に設けられた複数のスロットと、
前記複数のスロットにそれぞれ設けられた複数の誘電体と、
前記複数の誘電体の面に対して平行な方向に移動可能なステージと、を有することを特徴とする製造装置。
【請求項３】
電磁波照射部を有する製造装置であって、
前記電磁波照射部は、導波管と、
前記導波管に設けられた複数のスロットと、
前記複数のスロットにそれぞれ設けられた複数の誘電体と、
複数の流出穴を有するステージと、
前記流出穴のそれぞれに気体を供給する送風機と、
前記ステージの両サイドに配置される搬送ローラと、を有することを特徴とする製造装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記流出穴は、前記ステージの中央部より端部に多く設けられていることを特徴とする製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記複数のスロットのそれぞれは、前記導波管を伝播する電磁波の波長の１／２の間隔で設けられていることを特徴とする製造装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
洗浄部と、熱処理部とを有し、
接合層として機能する絶縁層が表面に設けられ、且つ前記絶縁層と脆化領域との間に単結晶半導体層が設けられた単結晶半導体基板と、ベース基板との接合面を、前記洗浄部によって洗浄し、
前記ベース基板及び前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、前記電磁波照射部によって周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射して前記単結晶半導体基板を加熱し、
前記脆化領域を分離面として前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記ベース基板上に前記単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を固定し、
前記ベース基板に固定された前記単結晶半導体層を、前記熱処理部によって熱処理することを特徴とする製造装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記熱処理部において、前記単結晶半導体層を５００℃以上で加熱することを特徴とする製造装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医用インプラントの支持材料において、
ポリマー、および、前記ポリマーに共有結合していない界面活性剤、
を含み、
前記支持材料は、前記医用インプラントの硬質対向面に連接するように採用される、
支持材料。
【請求項２】
請求項１に記載の支持材料において、
前記ポリマーは、ポリエチレンを含む、支持材料。
【請求項３】
請求項２に記載の支持材料において、
前記ポリエチレンは、超高分子量ポリエチレン(UHMWPE)である、支持材料。
【請求項４】
請求項１に記載の支持材料において、
前記界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、または両性界面活性剤である、支持材料。
【請求項５】
請求項４に記載の支持材料において、
前記界面活性剤は、非イオン性界面活性剤である、支持材料。
【請求項６】
請求項５に記載の支持材料において、
前記非イオン性界面活性剤は、親水性ブロックと疎水性ブロックとのブロックコポリマー、を含む、支持材料。
【請求項７】
請求項６に記載の支持材料において、
前記ブロックコポリマーは、A−Bブロックコポリマー、A−B−Aブロックコポリマー、またはB−A−Bブロックコポリマーであり、
Aが、親水性ブロックであり、Bが、疎水性ブロックである、
支持材料。
【請求項８】
請求項７に記載の支持材料において、
Aは、ポリエチレンオキサイド(PEO)であり、Bは、ポリプロピレンオキサイド(PPO)である、支持材料。
【請求項９】
請求項８に記載の支持材料において、
前記コポリマーの分子量は、約100g/モル〜約20,000g/モルである、支持材料。
【請求項１０】
請求項９に記載の支持材料において、
前記コポリマーの分子量は、約12,600g/モルである、支持材料。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
〔発明の概要〕
本発明は、UHMWPEなどのポリマー、および、このポリマーに共有結合していない界面活性剤を含む、医用インプラント支持材料を提供する。この支持材料は、減少された磨耗率を有する。この支持材料は、減少された磨耗残屑量を生じる。この支持材料は、骨溶解の軽減を提供できる。界面活性剤は、境界潤滑剤として作用し、硬質対向面に連接する場合、この支持材料のポリマーの硬質対向面との間の摩擦を軽減する。本発明の支持材料は、1つ以上の長所を有する。例えば、UHMWPE製であり、界面活性剤を含有する本発明の支持材料は、架橋UHMWPE製の支持材料よりも低い磨耗率を提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
〔発明の詳細な説明〕
本発明は、界面活性剤が、タンパク質含有血清などの液体媒質中で、硬質対向面に連接するポリマー表面の、硬質対向面との間（between a polymer surface articulating against a hard counterface）の摩擦を軽減する、および/または、潤滑効果を提供するという観察に基づく。したがって、ある実施形態では、本発明は、ポリマーおよびこのポリマーと共有結合していない界面活性剤を含む医用インプラント支持材料を提供し、この支持材料は、この医用インプラントの硬質対向面への連接に採用される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
〔実施の態様〕
（１）医用インプラントの支持材料において、
ポリマー、および、前記ポリマーに共有結合していない界面活性剤、
を含み、
前記支持材料は、前記医用インプラントの硬質対向面に連接するように採用される、
支持材料。
（２）実施態様１に記載の支持材料において、
前記ポリマーは、ポリエチレンを含む、支持材料。
（３）実施態様２に記載の支持材料において、
前記ポリエチレンは、超高分子量ポリエチレン(UHMWPE)である、支持材料。
（４）実施態様１に記載の支持材料において、
前記界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、または両性界面活性剤である、支持材料。
（５）実施態様４に記載の支持材料において、
前記界面活性剤は、非イオン性界面活性剤である、支持材料。
（６）実施態様５に記載の支持材料において、
前記非イオン性界面活性剤は、親水性ブロックと疎水性ブロックとのブロックコポリマー、を含む、支持材料。
（７）実施態様６に記載の支持材料において、
前記ブロックコポリマーは、A−Bブロックコポリマー、A−B−Aブロックコポリマー、またはB−A−Bブロックコポリマーであり、
Aが、親水性ブロックであり、Bが、疎水性ブロックである、
支持材料。
（８）実施態様７に記載の支持材料において、
Aは、ポリエチレンオキサイド(PEO)であり、Bは、ポリプロピレンオキサイド(PPO)である、支持材料。
（９）実施態様８に記載の支持材料において、
前記コポリマーの分子量は、約100g/モル〜約20,000g/モルである、支持材料。
（１０）実施態様９に記載の支持材料において、
前記コポリマーの分子量は、約12,600g/モルである、支持材料。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶液を吐出するノズルとこのノズルの周囲に設けられたねじ穴とを有するノズルプレートを、前記ねじ穴にねじを挿入して本体部に固定した塗布ヘッドと、
前記ノズルプレートにおける前記ノズルが開口する先端面に付着した溶液を拭き取るワイピング部材と、を備えた溶液塗布装置において、
前記ノズルプレートにおける前記ねじ穴の開口面は、前記ノズルの先端面よりも前記溶液の吐出方向に関して後退した位置に形成されてなり、かつ、
前記ノズルプレートを前記ねじを用いて前記本体部に固定したときの当該ねじの頭部が、前記ノズルの先端面よりも前記溶液の吐出方向に関して後退して位置することを特徴とする溶液塗布装置。
【請求項２】
前記ノズルプレートは、前記先端面の周縁部が面取りされた面取り部を有することを特徴とする請求項１に記載の溶液塗布装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、溶液を吐出するノズルとこのノズルの周囲に設けられたねじ穴とを有するノズルプレートを、前記ねじ穴にねじを挿入して本体部に固定した塗布ヘッドと、
前記ノズルプレートにおける前記ノズルが開口する先端面に付着した溶液を拭き取るワイピング部材と、を備えた溶液塗布装置において、
前記ノズルプレートにおける前記ねじ穴の開口面は、前記ノズルの先端面よりも前記溶液の吐出方向に関して後退した位置に形成されてなり、かつ、
前記ノズルプレートを前記ねじを用いて前記本体部に固定したときの当該ねじの頭部が、前記ノズルの先端面よりも前記溶液の吐出方向に関して後退して位置することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記［Ａ］〜［Ｃ］を含み、かつ、［Ａ］エポキシ樹脂が、［Ａａ］、および、［Ａｂ］を含むエポキシ樹脂組成物。
［Ａ］エポキシ樹脂
［Ａａ］縮合多環骨格、ビフェニル骨格、オキサゾリドン環の骨格から選ばれる少なくとも１つの骨格を有するエポキシ樹脂；［Ａ］エポキシ樹脂１００質量％のうち３０〜８０質量％
［Ａｂ］多官能アミン型エポキシ樹脂；［Ａ］エポキシ樹脂１００質量％のうち２０〜７０質量％
［Ｂ］芳香族アミン系硬化剤
［Ｃ］Ｓ−Ｂ−Ｍ、Ｂ−ＭおよびＭ−Ｂ−Ｍからなる群から選ばれる少なくとも１種のブロック共重合体
（ここで、前記の各ブロックは共有結合によって連結されるか、一方のブロックに一つの共有結合形成を介して結合され、他方のブロックに他の共有結合形成を介して結合された中間分子によって連結されており、ブロックＭはポリメタクリル酸メチルのホモポリマーまたは、メタクリル酸メチルを少なくとも５０重量％含むコポリマーからなるブロックであり、ブロックＢはブロックＭに非相溶で、そのガラス転移温度が２０℃以下であり、ブロックＳはブロックＢおよびＭに非相溶で、かつ、そのガラス転移温度が、ブロックＢのガラス転移温度よりも高いブロックである）。
【請求項２】
［Ａａ］において、縮合多環骨格が、ナフタレン骨格、フルオレン骨格およびジシクロペンタジエン骨格から選ばれる少なくとも１つの骨格であり、かつ、［Ｂ］の芳香族アミン系硬化剤がジアミノジフェニルスルフォンである、請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
［Ａ］エポキシ樹脂が、［Ａｃ］として、液状ビスフェノール型エポキシを、［Ａ］エポキシ樹脂１００質量％のうち１０〜４０質量％含む、請求項１または２に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
［Ａａ］が、オキサゾリドン環の骨格、またはナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂である、請求項１〜３のいずれかに記載のポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
［Ａａ］が、エポキシ当量が３００〜５００の範囲にあり、オキサゾリドン環の骨格を有する２官能エポキシであり、かつ、［Ｂ］の活性水素量が、［Ａ］エポキシ樹脂中のエポキシ基量の０．６〜１．２倍である、請求項４に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
［Ｃ］が、Ｍ−Ｂ−Ｍで表されるブロック共重合体であり、Ｍブロックがメタクリル酸メチルよりもＳＰ値の高いモノマーを共重合成分として含有する、請求項１〜５のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を硬化させた相分離の大きさが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるエポキシ樹脂硬化物。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を硬化させたエポキシ樹脂硬化物であって、曲げ弾性率が３．６ＧＰａ以上であり、かつガラス転移温度が１８０℃以上であるエポキシ樹脂硬化物。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を強化繊維に含浸させてなるプリプレグ。
【請求項１０】
請求項９に記載のプリプレグを硬化させてなる繊維強化複合材料。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれかに記載のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を硬化させた硬化物と、強化繊維基材を含む繊維強化複合材料。
【請求項１２】
請求項７または８に記載のエポキシ樹脂硬化物と、強化繊維基材を含む繊維強化複合材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明はかかる課題を解決するために以下の構成を有する。すなわち、
（１）下記［Ａ］〜［Ｃ］を含み、かつ、［Ａ］エポキシ樹脂が、［Ａａ］、および、［Ａｂ］を含むエポキシ樹脂組成物。
［Ａ］エポキシ樹脂
［Ａａ］縮合多環骨格、ビフェニル骨格、オキサゾリドン環の骨格から選ばれる少なくとも１つの骨格を有するエポキシ樹脂；［Ａ］エポキシ樹脂１００質量％のうち３０〜８０質量％
［Ａｂ］多官能アミン型エポキシ樹脂；［Ａ］エポキシ樹脂１００質量％のうち２０〜７０質量％
［Ｂ］芳香族アミン系硬化剤
［Ｃ］Ｓ−Ｂ−Ｍ、Ｂ−ＭおよびＭ−Ｂ−Ｍからなる群から選ばれる少なくとも１種のブロック共重合体
（ここで、前記の各ブロックは共有結合によって連結されるか、一方のブロックに一つの共有結合形成を介して結合され、他方のブロックに他の共有結合形成を介して結合された中間分子によって連結されており、ブロックＭはポリメタクリル酸メチルのホモポリマーまたは、メタクリル酸メチルを少なくとも５０重量％含むコポリマーからなるブロックであり、ブロックＢはブロックＭに非相溶で、そのガラス転移温度が２０℃以下であり、ブロックＳはブロックＢおよびＭに非相溶で、かつ、そのガラス転移温度が、ブロックＢのガラス転移温度よりも高いブロックである）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（４）［Ａａ］が、オキサゾリドン環の骨格、またはナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂である、前記（１）〜（３）のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（８）前記（１）〜（６）のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を硬化させたエポキシ樹脂硬化物であって、曲げ弾性率が３．６ＧＰａ以上であり、かつガラス転移温度が１８０℃以上であるエポキシ樹脂硬化物。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（９）前記（１）〜（６）のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を強化繊維に含浸させてなるプリプレグ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（１１）前記（１）〜（６）のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を硬化させた硬化物と強化繊維基材を含む繊維強化複合材料。
（１２）前記（７）または（８）に記載のエポキシ樹脂硬化物と、強化繊維基材を含む繊維強化複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月26日(2012.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体のフッ化タンタルカリウム(K2TaF7)の層を、加熱されていない第一反応容器に充填する工程；
固体のナトリウム金属の層を、固体のK2TaF7の層を覆うように、加熱されていない第一反応容器に充填する工程；
固体の希釈塩の層を、固体のK2TaF7の層及び固体のナトリウム金属の層を覆うように、加熱されていない第一反応容器に充填する工程；
K2TaF7の層の固体状態での還元を促進するために、第一段階温度に第一反応容器を加熱する工程；
予め充填されたK2TaF7、固体のナトリウム金属、及び、固体の希釈塩を融解するために十分な第二段階温度に、第二反応容器を加熱する工程；
反応容器に主要量のナトリウム金属及びK2TaF7を添加する工程；及び
タンタル粉末を生成するために、主要量のナトリウム金属及びK2TaF7を反応させる工程を含むタンタル粉末の生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グルコースを構成糖とするα−グルカンであって、メチル化分析において、下記の特徴を有する分岐α−グルカンを含有する脂質代謝改善剤。
（１）２，３，６−トリメチル−１，４，５−トリアセチルグルシトールと２，３，４−トリメチル−１，５，６−トリアセチルグルシトールの比が１：０．６乃至１：４の範囲にある；
（２）２，３，６−トリメチル−１，４，５−トリアセチルグルシトールと２，３，４−トリメチル−１，５，６−トリアセチルグルシトールとの合計が部分メチル化グルシトールアセテートの６０％以上を占める；
（３）２，４，６−トリメチル−１，３，５−トリアセチルグルシトールが部分メチル化グルシトールアセテートの０．５％以上１０％未満である；及び
（４）２，４−ジメチル−１，３，５，６−テトラアセチルグルシトールが部分メチル化グルシトールアセテートの０．５％以上である。
【請求項２】
分岐α−グルカンの重量平均分子量（Ｍｗ）が２００，０００以下であり、かつ、重量平均分子量（Ｍｗ）を数平均分子量（Ｍｎ）で除した値（Ｍｗ／Ｍｎ）が２０未満である請求項１記載の脂質代謝改善剤。
【請求項３】
分岐α−グルカンが、イソマルトデキストラナーゼ（ＥＣ  ３．２．１．９４）消化により、消化物の固形物当たりイソマルトースを２５質量％以上５０質量％以下生成することを特徴とする請求項１又は２記載の脂質代謝改善剤。
【請求項４】
分岐α−グルカンが、高速液体クロマトグラフ法（酵素−ＨＰＬＣ法）により求めた水溶性食物繊維含量が４０質量％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の脂質代謝改善剤。
【請求項５】
分岐α−グルカンと共に医薬品添加物及び医薬部外品添加物から選ばれる１種または２種以上の添加剤を配合してなる請求項１乃至４の何れかに記載の脂質代謝改善剤。
【請求項６】
分岐α−グルカンを０．５質量％以上含有する液状の形態であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の脂質代謝改善剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、（Ａ）赤外線吸収剤、（Ｂ）重合開始剤、（Ｃ）重合性化合物、及び、（Ｄ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する画像記録層を有することを特徴とする平版印刷版原版。
【化１】
2010100037.tif 000001
〔一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、又はアルキル基、アリール基及び複素環基より選ばれる基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも一つは、アミド結合を含有する置換基を有する基、ウレタン結合を含有する置換基を有する基、ウレア結合を含有する置換基を有する基、又は２つ以上のヒドロキシ基を有する基を表す。〕
【請求項２】
アミド結合、ウレタン結合、又はウレア結合を含有する置換基を有する、アルキル基、アリール基、及び複素環基より選ばれる基が、更にヒドロキシ基を有することを特徴とする請求項１に記載の平版印刷版原版。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物のＲ１〜Ｒ３のうち少なくとも一つは、２つ以上のヒドロキシ基を有するアルキル基であることを特徴とする請求項１又は２に記載の平版印刷版原版。
【請求項４】
前記画像記録層がイソシアヌル酸構造を有する重合性化合物を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の平版印刷版原版。
【請求項５】
画像記録層が、露光後に印刷機上で印刷インキと湿し水とを供給して未露光部分を除去することにより画像形成可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の平版印刷版原版。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の平版印刷版原版を、画像露光した後に印刷機に装着するか、又は、印刷機に装着した後に画像露光し、印刷インキと湿し水とを供給して機上現像処理を行い、印刷することを特徴とする印刷方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、又はアルキル基、アリール基及び複素環基より選ばれる基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも一つは、アミド結合を含有する置換基を有する基、ウレタン結合を含有する置換基を有する基、ウレア結合を含有する置換基を有する基、又は２つ以上のヒドロキシ基を有する基を表す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
２．アミド結合、ウレタン結合、又はウレア結合を含有する置換基を有する、アルキル基、アリール基、及び複素環基より選ばれる基が、更にヒドロキシ基を有することを特徴とする前記１に記載の平版印刷版原版。
３．一般式（Ｉ）で表される化合物のＲ１〜Ｒ３のうち少なくとも一つは、２つ以上のヒドロキシ基を有するアルキル基であることを特徴とする前記１又は２に記載の平版印刷版原版。
４．前記画像記録層がイソシアヌル酸構造を有する重合性化合物を含むことを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の平版印刷版原版。
５．画像記録層が、露光後に印刷機上で印刷インキと湿し水とを供給して未露光部分を除去することにより画像形成可能であることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の平版印刷版原版。
６．前記１〜５のいずれか１項に記載の平版印刷版原版を、画像露光した後に印刷機に装着するか、又は、印刷機に装着した後に画像露光し、印刷インキと湿し水とを供給して機上現像処理を行い、印刷することを特徴とする印刷方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、又はアルキル基、アリール基及び複素環基より選ばれる基を表し、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも一つは、アミド結合を含有する置換基を有する基、ウレタン結合を含有する置換基を有する基、ウレア結合を含有する置換基を有する基、又は２つ以上のヒドロキシ基を有する基を表す。
ここで、アミド結合とは、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ４）−なる構造を表し、ウレタン結合とは、−Ｎ（Ｒ５）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−なる構造を表し、ウレア結合とは、−Ｎ（Ｒ６）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ７）−なる構造を表す。Ｒ4〜Ｒ７はそれぞれ独立に、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよい複素環基を表す。
以下では、アミド結合、ウレタン結合、及びウレア結合を特定結合とも記載する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３５】
上記アンモニウム基含有ポリマーは、一般式（１１）及び一般式（１２）で表される構造単位を、それぞれ少なくとも１種含有するが、どちらかが２種以上であってもよいし、両方が２種以上であってもよい。両構造単位の比率は限定されないが、特に好ましくは、５：９５〜８０：２０である。また、このポリマーは、本発明の効果を確保できる範囲内で、他の共重合成分を含有してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３６】
上記アンモニウム基含有ポリマーは、下記の測定方法で求められる還元比粘度（単位：ｃＳｔ／ｇ／ｍｌ）の値で、５〜１２０の範囲のものが好ましく、１０〜１１０の範囲のものがより好ましく、１５〜１００の範囲のものが特に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータを駆動源として操舵系にステアリング操作を補助するためのアシスト力を付与する操舵力補助装置と、
操舵トルクを検出する操舵トルク検出手段と、
前記操舵力補助装置の作動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、検出された操舵トルクを操舵状態に応じて補正し、
補正後の操舵トルクに基づき前記操舵力補助装置に発生させるべき前記アシスト力の基礎成分を演算するものであって、
補正後の前記操舵トルクの変化に対する前記基礎成分の変化の割合であるアシスト勾配を、補正前の前記操舵トルク及び補正後の前記操舵トルクに基づき補正し、
補正後のアシスト勾配に基づきその補償制御の特性を変更すること、
を特徴とする電動パワーステアリング装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電動パワーステアリング装置において、
前記制御手段は、前記操舵トルクを増大する補正が行なわれた場合には、前記アシスト勾配を増大させる補正を行なうこと、
を特徴とする電動パワーステアリング装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電動パワーステアリング装置において、
前記アシスト勾配の補正は、補正前の前記操舵トルクに対する補正後の前記操舵トルクの補正倍率に基づき行なわれること、を特徴とする電動パワーステアリング装置。
【請求項４】
モータを駆動源として操舵系にステアリング操作を補助するためのアシスト力を付与する操舵力補助装置と、
操舵トルクを検出する操舵トルク検出手段と、
前記操舵力補助装置の作動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、検出された操舵トルクを操舵状態に応じて補正し、
補正後の操舵トルクに基づき前記操舵力補助装置に発生させるべき前記アシスト力の基礎成分を演算するものであって、
補正前の前記操舵トルクの変化に対する前記基礎成分の変化の割合であるアシスト勾配に基づきその補償制御の特性を変更すること、
を特徴とする電動パワーステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、モータを駆動源として操舵系にステアリング操作を補助するためのアシスト力を付与する操舵力補助装置と、操舵トルクを検出する操舵トルク検出手段と、前記操舵力補助装置の作動を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、検出された操舵トルクを操舵状態に応じて補正し、補正後の操舵トルクに基づき前記操舵力補助装置に発生させるべき前記アシスト力の基礎成分を演算するものであって、補正後の前記操舵トルクの変化に対する前記基礎成分の変化の割合であるアシスト勾配を、補正前の前記操舵トルク及び補正後の前記操舵トルクに基づき補正し、補正後のアシスト勾配に基づきその補償制御の特性を変更すること、を要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記構成によれば、実際にシステムとして考慮した場合における正しいアシスト勾配を用いて、そのアシスト勾配補償制御が実行される。その結果、アシスト力の基礎成分を演算する前段階において操舵トルクの補正が実行された場合であっても、適切なアシスト勾配補償の実行を担保して、より高い安定性を確保することができるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記制御手段は、前記操舵トルクを増大する補正が行なわれた場合には、前記アシスト勾配を増大させる補正を行なうこと、を要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記アシスト勾配の補正は、補正前の前記操舵トルクに対する補正後の前記操舵トルクの補正倍率に基づき行なわれること、を要旨とする。
上記構成によれば、実際にシステムとして考慮した場合における正しいアシスト勾配を求めることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４に記載の発明は、モータを駆動源として操舵系にステアリング操作を補助するためのアシスト力を付与する操舵力補助装置と、操舵トルクを検出する操舵トルク検出手段と、前記操舵力補助装置の作動を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、検出された操舵トルクを操舵状態に応じて補正し、補正後の操舵トルクに基づき前記操舵力補助装置に発生させるべき前記アシスト力の基礎成分を演算するものであって、補正前の前記操舵トルクの変化に対する前記基礎成分の変化の割合であるアシスト勾配に基づきその補償制御の特性を変更すること、を要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月19日(2012.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）：
（Ａ）主鎖にセルロース骨格を有し、全水酸基の６７mol％以上が基−Ｏ-Ｍ-Ｒ（ＭはＣＨ２又はカルボニル基Ｃ＝Ｏを示し、Ｒは炭素数３〜４０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルケニル基を示す）で置換されているセルロース誘導体、
（Ｂ）２５℃で液状のエステル油、
（Ｃ）２５℃で液状の炭化水素油
を含有し、成分（Ｂ）及び（Ｃ）の質量割合が、（Ｂ）／（Ｃ）＝８／１〜１／４である油性化粧料。
【請求項２】
成分（Ａ）を０．１〜２０質量％、成分（Ｂ）を１０〜８０質量％、成分（Ｃ）を５〜６０質量％含有する請求項１記載の油性化粧料。
【請求項３】
成分（Ｃ）が、数平均分子量１０００〜５０００の液状炭化水素油を含むものである請求項１又は２記載の油性化粧料。
【請求項４】
成分（Ｃ）が、数平均分子量７００以下の液状炭化水素油と数平均分子量１０００以上の液状炭化水素油を含むものである請求項１又は２記載の油性化粧料。
【請求項５】
成分（Ｂ）が、分岐飽和脂肪酸エステルを含むものである請求項１〜４のいずれか１項記載の油性化粧料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
特許文献１０には、遷移金属カチオン（Ｃｕ、Ａｇ）により交換されたＹゼオライト等のミクロ孔固体を使用して、π−コンプレックス化現象（π−complexing phenomenon）を介してガソリン等の液体炭化水素留分の脱硫を行うことが記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
固体をベースとする亜鉛フェライトの性能を示す２つのパラメータは、記載された例において区別され得る：
・動的容量（dynamic capacity）；これは、急進展の直前に吸着剤上に捕捉された硫黄の量に対応する。用いられた操作条件下に、亜鉛フェライトベースの吸着剤の動的硫黄容量は９重量％であった；
・飽和容量（saturation capacity）：これは、飽和後に測定される吸着剤の最大硫黄容量に対応する。用いられた操作条件下に、亜鉛フェライトベースの吸着剤の硫黄飽和容量は１４重量％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
ＡＲＹＬ−Ｏ−ＨＥＴＥＲＯＡＲＹＬ （Ｉ）
（式中、ＡＲＹＬは、
アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アリールアルキル、ハロゲン、ハロアルキル、ハロアルキレン、ハロアルコキシ、ハロアルキルチオ、５〜６員環ヘテロアリール、および３〜７員環の飽和または部分不飽和複素環
の群から、互いに独立して選択される基で任意選択的に一置換または多置換されているＣ６〜Ｃ２０アリールであり、
そして
ＨＥＴＥＲＯＡＲＹＬは、
アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アリールアルキル、ハロゲン、ハロアルキル、ハロアルキレン、ハロアルコキシ、ハロアルキルチオ、５〜６員環ヘテロアリール、３〜７員環の飽和または部分不飽和複素環
の群から、互いに独立して選択される基で任意選択的に一置換または多置換されているピラジニル、ピリジル、ピリミジニルまたはピリダジニルである）
の化合物を調製するための方法であって、式（ＩＩ）
ＡＲＹＬ−Ｏ−Ｃａｔ＋ （ＩＩ）
（式中、ＡＲＹＬは上記の意味を有し、そしてＣａｔ＋は任意の所望の一価の陽イオンまたは１／ｎ当量のｎ価の陽イオンである）
の化合物が式（ＩＩＩ）
ＨＥＴＥＲＯＡＲＹＬ−Ｙ （ＩＩＩ）
（式中、ＨＥＴＥＲＯＡＲＹＬは上記の意味を有し、そしてＹはハロゲンまたは擬ハロゲンである）
の化合物と反応させられることを特徴とする方法。