【事件の表示】
　特願２００３−　２８５６８「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２９日出願公開、特開２００４−　２９７１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 　  
　本願は、平成８年１月３０日（優先権主張平成７年２月１日、優先権主張平成７年３月２４日、優先権主張平成７年３月３１日）に出願した特願平８−１３５４０号の一部を平成１５年１月６日に新たな特許出願とした特願２００３−４０５号の一部を平成１５年２月５日に新たな特許出願としたものであって、平成１６年８月２７日付で拒絶査定がなされ、これに対し同年９月２２日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年１０月２１日付で特許法第１７条の２第１項第４号の規定による手続補正がなされたものである。　  
　  
２．平成１６年１０月２１日付の手続補正についての補正却下の決定 　  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１６年１０月２１日付の手続補正を却下する。  
　  
［理由］  
（１）補正の内容  
　本件補正は、補正前の請求項１を、下記のように補正することを含むものである。  
　  
「【請求項１】　導電体−絶縁体−導電体を積層した構成のスイッチング素子に接続された液晶駆動用電極がマトリクス状に複数配置されており、前記液晶駆動電極によって液晶を駆動する液晶表示装置において、
　前記液晶駆動電極は、１０μｍ以下の距離で互いに平面的に離間して形成されるとともに同時にそれぞれ所定の電位が加えられる第一画素電極及び第二画素電極を含み、
　前記スイッチング素子は、前記第一画素電極に接続される第一非線型抵抗素子と、
　前記第一画素電極と前記第二画素電極との間に設けられ、前記第一及び第二画素電極と直列に接続される第二非線型抵抗素子と、を具備することを特徴とする液晶表示装置。」 　  
　  
　そして、本件補正は、請求項１〜３に記載した発明を特定するために必要な事項である画素電極について、「同時にそれぞれ所定の電位が加えられる」との限定を行うものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。  
　  
（２）引用刊行物記載の事項　  
　原査定の拒絶の理由において引用された特開平６−２３０４１４号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。　  
　  
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のアドレス線と複数の信号線とから形成されるマトリックス配線と、前記信号線に入力端が接続され該信号線から入力された信号の出力端への導通を前記アドレス線から入力された信号に基づいて継断するスイッチング素子と、該スイッチング素子の出力端に接続された画素電極と、該画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極および前記画素電極の間に挟持される液晶層とを有する液晶表示素子において、　
前記画素電極は少なくとも第１の表示領域の画素電極および第２の表示領域の画素電極に 2分割され、
前記第２の表示領域の画素電極は薄膜トランジスタを 2つ組み合わせて形成される電気抵抗を介挿されて前記スイッチング素子の出力端に接続されるとともに、前記第１の表示領域の画素電極と並列に接続されていることを特徴とする液晶表示素子。」　 
　  
（イ）「【０００１】　
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に関する。」　  
　  
（ウ）「【０００７】また、このような方法で階調表示を行なうと、ＴＮ型液晶表示素子の動作原理上、視角を変えたときの透過率の変化が大きいため、その結果として視野角が狭くなるという問題もある。」　　
　
（エ）「【００１３】本発明はこのような問題点を解決するために成されたもので、階調表示の制御性を優れたものとし、また視角特性を向上させて、表示品位の高い液晶表示素子を実現することを目的としている。」　
　
（オ）「【００１８】　
【作用】本発明の液晶表示素子においては、第２の表示領域の画素電極に第１のトランジスタ素子および第２のトランジスタ素子で形成される電気抵抗が接続されているので、このような電気抵抗により、信号線からスイッチング素子を介して印加される信号すなわち映像信号電圧が分圧される。そのように分圧されて電圧低下した印加電圧が第２の表示領域の画素電極に印加されるので、第１の表示領域の画素電極に印加される映像信号電圧との差により、第１の表示領域と第２の表示領域との 2つの異なる領域に対応する液晶セル間での電界強度の差を大きくすることができる。　
【００１９】しかも、前記の電気抵抗は第１のトランジスタ素子および第２のトランジスタ素子を組み合わせて形成されているので、それらの素子の導通しきい値Ｖth以下の電圧では電流が流れない（高抵抗状態となる）という非線形なＩ−Ｖ特性を有している。したがって、走査選択期間が過ぎてスイッチング素子がオフになったときの第１の表示領域の画素電極と第２のそれとの間などでの電位差に起因した電圧の変動を避けることができ、走査選択期間中に一旦各画素電極に書き込まれた電圧を時間的な低下や変動を避けて保持することができる。」　
　
（カ）「【００２０】　
【実施例】以下、本発明の液晶表示素子の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。　
【００２１】（実施例１）本発明の液晶表示素子は図１に示すような等価回路で表わすことができる。すなわち、複数のアドレス線１と複数の信号線３とからなるマトリックス配線と、このマトリックス配線の交差部分近傍に配置され、信号線３に入力端としてドレイン３０９が接続され、信号線３から入力された映像信号電圧の出力端であるソース電極３１１への導通を、アドレス線１からゲート３０７に入力された走査パルスに基づいて継断するスイッチング素子としての電界効果型のＴＦＴ５と、一画素中に第１の表示領域を形成する第１の画素電極７と、この第１の画素電極７との接続を避けて配設され一画素中に第１の表示領域とは別の第２の表示領域を形成する第２の画素電極９と、これら第１の画素電極７および第２の画素電極９に対向する対向電極１１と、画素電極７、９と対向電極１１との間に挟持された液晶層１３と、ＴＦＴ５の出力端としてのソース電極３１１と第２の表示領域の画素電極９との間に介挿されＴＦＴ５のソース電極３１１とドレイン３０９との間に電流が流れたときに電位差を生じるような内部抵抗を有する第１のＴＦＴ素子１５および第２のＴＦＴ素子１７とを具備して、印加される電界強度が互いに異なる第１の表示領域および第２の表示領域が各画素ごとに形成されている。　
【００２２】第１の表示領域の液晶セル１９は、第１の画素電極７と液晶層１３と対向電極１１とによってその主要部が構成され、また前記の第２の表示領域の液晶セル２１は第２の画素電極９と液晶層１３と対向電極１１とによってその主要部が構成される。図１に示すように、第１の表示領域の液晶セル１９には第１のＴＦＴ素子１５および第２のＴＦＴ素子１７は接続されておらず、これらは第２の表示領域の液晶セル２１に直列に接続されている。　
【００２３】そして第１のＴＦＴ素子１５は、ゲートがＴＦＴ５のソース電極３１１に接続され、ソース・ドレインの一方がＴＦＴ５のソース電極３１１に接続され他方が第２の画素電極９に接続されている。また第２のＴＦＴ素子１７はゲートが第２の画素電極９に接続され、ソース・ドレインの一方がＴＦＴ５のソース電極３１１に接続され他方が第２の画素電極９に接続されている。　
【００２４】本発明の液晶表示素子は、このように第１のＴＦＴ素子１５および第２のＴＦＴ素子１７により形成される電気抵抗を第２の表示領域の液晶セル２１に直列に接続することにより、その電気抵抗の分圧により第１の表示領域の液晶セル１９に印加される電圧による電界強度と第２の表示領域の液晶セル２１に印加される電圧による電界強度との差を大きく取ることができ、その結果、階調表示の制御性を優れたものとしまた視角特性を向上させることができる。　
　・・・　（中略）　・・・　
【００３０】次に、このような本発明の液晶表示素子の構造を説明する。図２は第１の実施例の液晶表示素子の構造を示す平面図、図３はそのＴＦＴ５のＡ−Ａ´における断面図である。　
【００３１】第１の実施例の液晶表示素子は、アレイ基板３０１と、対向基板３０３と、これらの基板間に挟持される液晶層１３とからその主要部が構成される。　
【００３２】アレイ基板３０１においては、図２、図３に示すように、ガラス基板３０５上に所定の間隔で金属からなるアドレス線１が形成され、その表面は絶縁膜で覆われている。さらにその上にアドレス線１と交差するように所定の間隔で金属からなる信号線３が形成され、その交差部ごとにＴＦＴ５およびＩＴＯからなる第１の画素電極７および第２の画素電極９が形成されている。ＴＦＴ５は、金属からなるゲート電極３０７、ドレイン電極３０９、ソース電極３１１と、例えばアモルファスシリコンからなる半導体膜３１３および低抵抗半導体３１５、３１７により構成されている。ゲート電極３０７はアドレス線１に、ドレイン電極３０９が信号線３に、ソース電極３１１が第１の画素電極７にそれぞれ接続されている。エッチングストッパー層３１９、パッシベーション膜３２１はいずれもＳｉＮx からなる。ゲート電極３０７上にはＳｉＯx 膜３２３とＳｉＮx 膜３２５がゲート絶縁膜として積層されている。また画素電極７、９と蓄積容量線２０１とを一対の電極としその間に挟持されるＳｉＯx 膜３２３を誘電体として蓄積容量Ｃs が形成されている（この蓄積容量Ｃs は図１では説明の簡潔化のために省略している）。そして第１の画素電極７は、ＴＦＴ５のソース電極３１１に接続されるとともに、第２の画素電極９との直接の接続を避けるように配設され一組の第１のＴＦＴ素子１５および第２のＴＦＴ素子１７から形成される電気抵抗を介して第２の画素電極９に接続されている。そしてアレイ基板３０５全面はポリイミドからなる配向膜３２７で覆われている。　
　・・・　（中略）　・・・
【００３５】次に、本発明に係る第１の実施例の液晶表示素子のＴＦＴ素子１５および第２のＴＦＴ素子１７の構造について説明する。図４（ａ）は第１のＴＦＴ素子１５および第２のＴＦＴ素子１７を部分的に拡大して示す平面図、図４（ｂ）はそのＢ−Ｂ´における断面図である。
　・・・　（中略）　・・・
【００４１】第１のＴＦＴ素子１５のドレイン電極１５０９は、第１の画素電極７に接続されるとともに、スルーホール１５１５を通してゲート電極１５０１に接続されている。また、この第１のＴＦＴ素子１５のドレイン電極１５０９は、第２のＴＦＴ素子１７のソース電極１７０９と一体形成されている。このようにして第１のＴＦＴ素子１５のドレイン電極１５０９とゲート電極１５０１と第２のＴＦＴ素子１７のソース電極１７０９とが第１の画素電極７に接続されている。
【００４２】また、第１のＴＦＴ素子１５のソース電極１５１３と第２のＴＦＴ素子１７のドレイン電極１７１３とは一体形成されて接続され、かつ第２のＴＦＴ素子１７のドレイン電極１７１３とゲート電極１７０１とがスルーホール１７１５を通して接続されており、ゲート電極１７０１は第２の画素電極９に電気的に接続されている。このような構造により図１に等価回路で示したような回路が形成されている。」　
　
（キ）　「【００６５】また、上述の第１乃至第４の実施例においては、第２の画素電極９に接続される電気抵抗を形成するＴＦＴ素子は 2個を一組として用いているが、これのみには限定しない。例えば第１の領域に接続されるＴＦＴ素子の数を 2個 1組とし、第２の領域に接続されるＴＦＴ素子の数を 4個2 組とするなどしてもよい。このとき、直列に接続されるＴＦＴ素子の組数の差が大きほど、印加電圧の差も大きくなることは明らかであり、本発明の技術が用いられる場合に応じてその印加電圧の差を調節すべくＴＦＴ素子の組の差を決定すればよい。
【００６６】また、本発明の電気抵抗素子として用いられる第１のＴＦＴ素子１５および第２のＴＦＴ素子１７のようなＴＦＴ素子は上記の用途の他にも、スイッチング素子としてのＴＦＴ５が劣化した場合や動作不良（欠陥）の場合などに、レーザリペア法などにより配線をつなぎ変えることによりその動作不良のＴＦＴ５に代替してスイッチング素子として用いる、いわゆる冗長回路として用いることもできる。この場合、第１の画素電極７は信号線３に電気的に直接に接続されるとともに第２の画素電極９がスイッチング素子としての第１のＴＦＴ素子１５および第２のＴＦＴ素子１７を介して信号線３およびアドレス線１に接続されるようにすることなどが考えられる。
【００６７】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、本発明の液晶表示素子の形成材料などの変更が種々可能であることは言うまでもない。
【００６８】
【発明の効果】以上、詳細な説明で明示したように、本発明によれば、階調表示の制御性を優れたものとし、また視角特性を向上させて、表示品位の高い液晶表示素子を実現することができる。」　
　 
　上記（ア）〜（キ）から、引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。　　  
　  
「複数のアドレス線と複数の信号線とから形成されるマトリックス配線と、前記信号線に入力端が接続され該信号線から入力された信号の出力端への導通を前記アドレス線から入力された信号に基づいて継断するスイッチング素子と、該スイッチング素子の出力端に接続された画素電極と、該画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極および前記画素電極の間に挟持される液晶層とを有する液晶表示素子において、　
　前記画素電極は少なくとも第１の表示領域の画素電極および第２の表示領域の画素電極に２分割され、　
　第１の表示領域の画素電極は、スイッチング素子のソース電極に接続されるとともに、第２の表示領域の画素電極との直接の接続を避けるように配設され一組の第１のＴＦＴ素子および第２のＴＦＴ素子から形成される電気抵抗を介して第２の表示領域の画素電極に接続されており、電気抵抗の分圧により第１の表示領域の液晶セルに印加される電圧による電界強度と第２の表示領域の液晶セルに印加される電圧による電界強度との差を大きく取ることができる液晶表示素子」　  
　　
（３）対比　  
　本願補正発明と引用刊行物１発明を対比する。　  
　  
（ａ）引用刊行物１発明の「画素電極」、「第１の表示領域の画素電極」、「第２の表示領域の画素電極」及び「液晶表示素子」が、それぞれ、本願補正発明の「液晶駆動電極」、「第一画素電極」、「第二画素電極」及び「液晶表示装置」に相当することは明らかである。　  
　 
（ｂ）引用刊行物１発明の「第１の表示領域の画素電極」は、「第２の表示領域の画素電極との直接の接続を避けるように配設され」ているのであるから、両画素電極は「互いに平面的に離間して形成され」ていることは明らかである。　
　
（ｃ）引用刊行物１発明は「電気抵抗の分圧により第１の表示領域の液晶セルに印加される電圧による電界強度と第２の表示領域の液晶セルに印加される電圧による電界強度との差を大きく取ること」から、本願補正発明の「第一画素電極」及び「第二画素電極」に「同時にそれぞれ所定の電位が加えられる」との技術事項を有することは明らかである。　
　
（ｄ）引用刊行物１発明の「スイッチング素子」は、「信号線に入力端が接続され該信号線から入力された信号の出力端への導通を前記アドレス線から入力された信号に基づいて継断する」とともに、「第１の表示領域の画素電極」に接続されるものであり、本願補正発明の「第一非線型抵抗素子」に相当することは明らかである。　
　
（ｅ）引用刊行物１発明の「一組の第１のＴＦＴ素子および第２のＴＦＴ素子から形成される電気抵抗」は、「第１の表示領域の画素電極」と「第２の表示領域の画素電極」を接続しているとともに、【００１９】に記載されるように「それらの素子の導通しきい値Ｖth以下の電圧では電流が流れない（高抵抗状態となる）という非線形なＩ−Ｖ特性を有している」ものであるから、本願補正発明の「第二非線型抵抗素子」に相当する。　
　
（ｆ）上記（ｄ）、（ｅ）からみて、引用刊行物１発明の「スイッチング素子」及び「一組の第１のＴＦＴ素子および第２のＴＦＴ素子から形成される電気抵抗」は、本願補正発明の「スイッチング素子」に相当することは明らかである。　
　
　したがって、両者は、　  
「スイッチング素子に接続された液晶駆動用電極がマトリクス状に複数配置されており、前記液晶駆動電極によって液晶を駆動する液晶表示装置において、　
　前記液晶駆動電極は、互いに平面的に離間して形成されるとともに同時にそれぞれ所定の電位が加えられる第一画素電極及び第二画素電極を含み、　
　前記スイッチング素子は、前記第一画素電極に接続される第一非線型抵抗素子と、　
　前記第一画素電極と前記第二画素電極との間に設けられ、前記第一及び第二画素電極と直列に接続される第二非線型抵抗素子と、を具備する液晶表示装置。」　  
である点で一致し、次の点で相違する。　  
　  
相違点１：　  
　本願補正発明はスイッチング素子、非線型抵抗素子として「導電体−絶縁体−導電体を積層した構成」のものを用いているのに対し、引用刊行物１発明はスイッチング素子、非線型抵抗素子としてＴＦＴ素子を用いている点。
　
相違点２：　
　本願補正発明は第一画素電極及び第二画素電極を「１０μｍ以下の距離で互いに平面的に離間して形成」しているのに対し、引用刊行物１発明は画素間の離間距離が明らかでない点。　　
　
（４）判断　　  
　上記相違点１につき検討すると、スイッチング素子として、「導電体−絶縁体−導電体を積層した構成」のものはＭＩＭ素子として周知である（例えば、特開平５−５３１５０号公報、特開平４−１０９２２４号公報参照）。
　また、引用刊行物１発明のＴＦＴ素子に代えて、ＭＩＭ素子を用いることは、引用刊行物１発明の「【００２４】　・・・　その電気抵抗の分圧により第１の表示領域の液晶セル１９に印加される電圧による電界強度と第２の表示領域の液晶セル２１に印加される電圧による電界強度との差を大きく取ることができ、その結果、階調表示の制御性を優れたものとしまた視角特性を向上させることができる」（摘記（カ））との目的を阻害するものではない。　
　さらに、ＴＦＴ素子もスイッチング素子として周知であることを勘案すれば、引用刊行物１発明のＴＦＴ素子に代えてＭＩＭ素子を用いることは、いわば周知技術の転用程度のことであり、当業者が容易に想到しうる程度のことにすぎない。　
　なお、本願明細書においても、実施例９において、ＴＦＴ素子を用いる事例が記載されており、ＭＩＭ素子、ＴＦＴ素子はスイッチング素子として、転用可能であることは明らかである。　
　
　上記相違点２につき検討すると、画素電極同士をどの程度、離間させるかは、画素の構成や開口率等を考慮して決められるものである。また、１０μｍ以下との数値限定には格別の臨界的意義は認められず、さらに、例えば特開平４−１０９２２４号公報には画素間のギャップが１μｍ程度であることが開示されているように、１０μｍ以下との数値自体も通常用いられないような格別な値とも認められない。　
　したがって、１０μｍ以下との数値限定を行うことは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る設計事項にすぎない。
　
　しかも、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用刊行物１発明、引用刊行物１の記載事項、及び周知事項に基づいて、当業者が予測し得る程度のものにすぎない。　  
　 
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１に記載された発明、引用刊行物１の記載事項、及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　 
　  
（５）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　  
　  
３．本願発明について  
（１）本願発明 　  
　平成１６年１０月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年３月８日付手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。  
　  
「【請求項１】　導電体−絶縁体−導電体を積層した構成のスイッチング素子に接続された液晶駆動用電極がマトリクス状に複数配置されており、前記液晶駆動電極によって液晶を駆動する液晶表示装置において、
　前記液晶駆動電極は、１０μｍ以下の距離で互いに平面的に離間して形成された第一画素電極及び第二画素電極を含み、
　前記スイッチング素子は、前記第一画素電極に接続される第一非線型抵抗素子と、
　前記第一画素電極と前記第二画素電極との間に設けられ、前記第一及び第二画素電極と直列に接続される第二非線型抵抗素子と、を具備することを特徴とする液晶表示装置。」（以下、「本願発明」という。）  
　  
（２）引用刊行物記載の事項　  
　原査定の拒絶理由に引用された刊行物の記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。　
　  
（３）対比・判断 　  
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、画素電極について、「同時にそれぞれ所定の電位が加えられる」との限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件の全てが含まれる本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、上記引用刊行物１記載の発明、引用刊行物１に記載の事項及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、上記引用刊行物１記載の発明、引用刊行物１に記載の事項、及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　  
　  
（４）むすび 　  
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１記載の発明、引用刊行物１に記載の事項、及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。