【事件の表示】
　特願２０００−２５５８７６「磁気記録媒体の磁化パターン形成方法及び製造方法、磁気記録媒体、磁気記録装置並びに磁化パターン形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月１５日出願公開、特開２００２−　７４６０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年８月２５日の出願であって、平成１５年８月２５日付けで手続補正がなされ、その後平成１５年１２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１月１５日に審判が請求されるとともに、平成１６年２月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年２月９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年２月９日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の、
　（ａ）　「【請求項１】基板上に磁性薄膜を有してなる磁気記録媒体に対し、エネルギー線を照射して磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターン形成方法であって、強度分布が１５％以内のエネルギー線を照射することを特徴とする磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】基板上に磁性薄膜を有してなる磁気記録媒体に対し、エネルギー線を照射して磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターン形成方法であって、
　
前記エネルギー線のビームスポット内の
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「エネルギー線」の「強度分布」について、「
前記エネルギー線のビームスポット内の
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−３４７４４号公報（以下「引用例１」という。）には、「光磁気または磁気ディスクの製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「
記録層に垂直方向に第１の外部磁場を印加することにより上記記録層の磁化の方向を上記第１の外部磁場の方向にそろえた後、上記記録層に上記第１の外部磁場と逆方向の第２の外部磁場を印加した状態で記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて上記記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するようにした
磁気ディスクの製造方法
　（イ）「第１図Ａ〜Ｄは本発明の一実施例による光磁気または磁気ディスクの製造方法を工程順に示す断面図であり、第２図Ａ〜Ｄはそれぞれ第１図Ａ〜Ｄに対応する平面図である。
　第１図Ａ及び第２図Ａに示すように、まず
基板１上に垂直磁化膜から成る記録層２が形成された
　次に、第１図Ｂ及び第２図Ｂに示すように、記録すべき信号に対応した多数の開口３ａが形成されたマスク３（第３図参照）を記録層２上に載せる。ここで、このマスク３は、後述のレーザ光５が透過しない材料により形成され、例えばこのレーザ光５が透過しない材料の膜をリソグラフィー及びエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。
　次に、第１図Ｃ及び第２図Ｃに示すように、例えば半導体レーザチップ（図示せず）を複数個ライン状に並べた半導体レーザアレイ４によりディスク径よりも幅の大きいライン状のレーザ光５を形成し、記録層２上にマスク３が載せられた上述の光磁気または磁気ディスクをこの半導体レーザアレイ４の下側を例えばレーザ光５の長手方向に垂直方向に移動させることにより、マスク３の全面にレーザ光５を照射する。ここで、このレーザ光５の照射は、外部磁場Ｈｉと逆方向の外部磁場Ｈｗを記録層２に印加した状態で行う。この場合には、レーザ光５の照射により熱アシストが行われることから、Ｈｗ≪Ｈｃでよい。このようにしてマスク３の全面にレーザ光５を照射することにより、このマスク３の開口３ａを通過した
レーザ光５により照射された部分の記録層２が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇する。
外部磁場Ｈｗにより、この温度が上昇した部分の記録層２の磁化が反転し、
　このようにして、第１図Ｄ及び第２図Ｄに示すように、信号が記録された光磁気または磁気ディスクが製造される。」（公報２頁左下欄下から５行〜３頁左上欄末行、［実施例］の項）
　（ウ）「以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施例においては、半導体レーザアレイ４を用いてライン状のレーザ光５を形成しているが、このライン状のレーザ光５は必ずしも半導体レーザアレイ４を用いて形成する必要はなく、他の方法により形成することも可能である。また、このレーザ光５としては、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ以外の半導体レーザで発生されたものを用いることも可能であり、さらには半導体レーザ以外のレーザにより発生させたものを用いることも可能である。例えば、このレーザ光５として、ＸｅＣｌエキシマーレーザー（波長３０８ｎｍ）、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＦエキシマーレーザー（波長３０８ｎｍ）などの希ガスハライドエキシマーレーザーにより発生されたものを用いることも可能である。」（公報３頁左下欄３行〜右下欄１行）
　
（２）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記（１）で摘示した記載事項、特に（ア）（イ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「記録層に垂直方向に第１の外部磁場を印加することにより上記記録層の磁化の方向を上記第１の外部磁場の方向にそろえた後、上記記録層に上記第１の外部磁場と逆方向の第２の外部磁場を印加した状態で記録すべき信号に対応した開口が形成されたマスクを用いて上記記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するようにした磁気ディスクの製造方法であって、
　磁気ディスクは、基板上に垂直磁化膜から成る記録層が形成されたものであり、
　レーザ光により照射された部分の記録層が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇し、第２の外部磁場により、この温度が上昇した部分の記録層の磁化を反転させるものである、方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「記録層」「磁気ディスク」「レーザ光」は、それぞれ補正後の発明の「磁性薄膜」「磁気記録媒体」「エネルギー線」に相当している。
　引用例１に記載された発明は、マスクを用いて記録層にレーザ光を選択的に照射してこの照射部の上記記録層の磁化を反転させることにより信号を記録するのであるから、引用例１に記載された発明の「磁気ディスクの製造方法」は、補正後の発明の「磁気記録媒体の磁化パターン形成方法」に実質的に相当している。
　引用例１に記載された発明は、「レーザ光により照射された部分の記録層が選択的に加熱されてこの部分の温度が上昇」するので、補正後の発明の「基板上に磁性薄膜を有してなる磁気記録媒体に対し、エネルギー線を照射して磁性薄膜を局所的に加熱する工程」に相当する構成を備えている。
　
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）　「基板上に磁性薄膜を有してなる磁気記録媒体に対し、エネルギー線を照射して磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む、磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。」
　（相違点１）　エネルギー線を照射することについて、補正後の発明は、「エネルギー線のビームスポット内の強度分布が１５％以内のエネルギー線を照射する」と特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定していない点。
　
（３）相違点１についての判断
　引用例１においては、レーザ光を、照射対象に均一に照射することが望まれていることは明らかなことである。すなわち、レーザ光等のエネルギー線を照射して、露光や微細加工を行う技術において、エネルギー線の強度分布を均一になるようにして照射することが、要求され普通に行われている。例えば、原審で引用された特開平７−７３５０９号公報（段落３４等）、特開平８−４５１１４号公報（段落２、１４、図２、５図（ａ）等）、特開平８−１６１７５０号公報を参照されたい。また、拒絶査定で例示された特開平１−１１２２１４号公報や特開昭６４−４２６２０号公報、並びに特開平１−２８３５１０号公報（従来の技術の記載等参照）、特開平８−３７１３９号公報（従来の技術、段落１０等参照）、特開平１１−９７３４０号公報（従来の技術等（段落１〜１３）の記載、図２〜４等参照）に、光照射技術において照射光の強度分布を均一にすることが示されている。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、エネルギー線の照射光の強度分布を均一にすること、即ち、より０％に近いことが望ましいことが明らかであるから、エネルギー線のビームスポット内の強度分布の程度として、０％近傍の数値を選定することは当業者が適宜なしうることであり、補正後の発明のように「１５％以内」とすることに格別困難性を要したとはいえない。
　なお、請求人は、「１５％」という値について、従来エキシマレーザ等のパルスレーザを用いると、通常ビームスポット内の強度分布が３０％程度であったが、これを半分の１５％以内にしたと主張し、本願の明細書の記載によれば、プリズムアレイを配置してビームを分割した後重ね合わせることにより１０％としたホモジナイザを用いる実施例が例示され、またシリンドリカルレンズやコンデンサレンズやスリット等の遮蔽材を用いてもよいと例示されている。しかしながら、ホモジナイザ等の手段を用いてエネルギー線の強度分布を均一化する技術は、先に示したとおり周知の技術であって、エネルギー線のビームスポット内の強度分布が１５％以内のエネルギー線を照射することは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　よって、補正後の発明の効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点１は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１６年２月９日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至１６に係る発明は、平成１５年８月２５日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「第２の２（１）」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２の２」で検討した補正後の発明から、「エネルギー線」の「強度分布」についての限定事項である、「
前記エネルギー線のビームスポット内の
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の２（２）、（３）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。