【事件の表示】
　特願２０００−　７３８２９「プラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２５日出願公開、特開２００１−２５９４１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年３月１６日の出願であって、平成１５年３月１９日付けで明細書に係る手続補正書が提出され、平成１８年４月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成１８年６月２６日付けで意見書及び明細書に係る手続補正書が提出され、平成１９年３月１２日付けで拒絶査定され、平成１９年４月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同年４月２６日付けで明細書に係る手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２１年７月２３日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、これに対する回答書が平成２１年９月３日に提出されたものである。
　
２．平成１９年４月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年４月２６日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１９年４月２６日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】有機物表面層と処理対象部位としての金属を含む処理対象物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、処理空間内の電極部上に前記処理対象物を水平な姿勢で載置し次いで処理空間内に酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態で前記電極部に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させて電子、酸素イオン、酸素ラジカルを発生させ、前記電子と前記酸素イオンによる物理的なエッチング効果で前記処理対象部位上の無機物及び有機物を除去し、また前記酸素ラジカルの化学的反応により、前記処理対象部位上の有機物及び前記電子と前記酸素イオンによるスパッタリングによって前記有機物表面層から飛散して前記処理対象部位に付着する有機物を共にガス化することを特徴とするプラズマ処理方法。」
と補正された。
　上記補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「前記電子と前記酸素イオンによるスパッタリングによって前記有機物表面層から飛散した有機物」について「前記処理対象部位に付着する」有機物との限定を付加するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて以下に検討する。
　
（２）刊行物に記載された事項
（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２６１８６３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】  片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置し、電極と基板ホルダー間でプラズマを生起してプラズマ処理してプリント配線板の金メッキ表面の汚れを除去することを特徴とする表面洗浄法。」（特許請求の範囲　請求項１）
（イ）「【請求項５】  プラズマを生起するのに用いるガスが、酸素及び／またはアルゴンガスである請求項１〜４のいずれかに記載の表面洗浄法。」（特許請求の範囲　請求項５）
（ウ）「ＩＣチップをＰＣＢに実装する際は、実装する前に金属表面を洗浄しないと、ワイヤーボンディング等の接合工法により接合する際、接合が不十分なものが生じ易く、歩留まりが下がるといった問題が生じる。
　金属表面を洗浄する技術としては、乾式法の他に湿式法もあるが、乾式法の方がより洗浄効果が高い。乾式洗浄方法では紫外線（ＵＶ）を用いる方法もあるが、実装Ｂｏａｒｄを酸化しやすく、特に、ガラス／エポキシ系の樹脂をＰＣＢに用いる場合は不向きである。従って、この場合もプラズマを用いた洗浄法が適している。」（段落【０００３】、【０００４】）
（エ）「プラズマを用いた乾式洗浄装置を用いてＰＣＢの金メッキ表面の清浄化を行う場合、工業的にはその処理速度が特に重要である。従来、ＰＣＢの洗浄処理は、ＰＣＢを電極に対して水平に設置して処理する場合が多かった。特に、平行平板型の電極を用いたプラズマ処理装置では、電極上に電極と平行にＰＣＢを設置していたため、ＰＣＢの両面洗浄を行いたい場合には、一度ＰＣＢを装置外へ取り出してＰＣＢの処理面を返して処理しなければならないといった煩わしさがあった。さらに、このような処理法で数多くのＰＣＢを処理し、処理速度を向上させる為には電極、或いはチャンバーの大きさが大きくなりすぎ、事実上の制限があった。」（段落【０００５】）
（オ）「本発明者等は、乾式洗浄装置を用いたプラズマ表面処理の処理速度を向上させる為に鋭意検討した結果、電極に対しＰＣＢを垂直方向に立ててプラズマ処理すれば、処理速度を大幅に向上できることを見いだした。また、ＰＣＢを立てて処理する場合、特に基板ホルダーの形状が重要であることを見いだし、本発明を完成するに至った。」（段落【０００７】）
（カ）「本発明において用いるガス種としては、ＰＣＢの金メッキ表面の有機物を除去する為には、酸素を含んだ可燃性ガス、とりわけ酸素ガスを用いるのが好ましい。これはＰＣＢ表面に付着した炭素化合物、或いは窒素化合物を、ＣＯ、ＣＯ2、ＮＯ、ＮＯ2 等の揮発性化合物にして除去するからである。また、ＰＣＢ表面には前記した有機物の他に、ニッケル（Ｎｉ）等、下地層の金属やその他の金属化合物が付着している場合があり、それらを除去するためには酸素ガスでなく、アルゴン（Ａｒ）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスといった不活性ガスが有効であり、とりわけＡｒガスが好ましい。
　従来、ＰＣＢの金メッキ表面の汚れをプラズマを用いたドライプロセスにより除去するには、有機物系の汚れの場合と金属を中心とした無機化合物系の汚れの場合でその除去（洗浄）法、洗浄装置は異なっていたが、本発明においては、両方の汚れを同一装置にて、同時に除去できる。つまり、本発明における乾式洗浄装置を用いて、酸素ガスとＡｒガスの割合が一定のものを用いることで前記した有機物系の汚れと無機化合物系の汚れを同時に除去できるのである。酸素ガスとＡｒガスの割合（比）はＰＣＢ金メッキ表面の汚れの状態によって異なることは言うまでもなく、その比（酸素ガス／酸素ガス＋Ａｒガス）は０〜１の任意の値、を用いることができる。」（段落【００１８】、【００１９】）
（キ）「以下、平行平板型のＲＦ電極を用いた場合の連続処理装置を例に、（図３）を示しながらより具体的に説明する。１３．５６ＭＨｚの平行平板型高周波電極（ＲＦ電極）６１と対向電極７１（接地）・・・を有するプラズマ洗浄室１１・・・に・・・、搬入室２１・・・、搬出室２２・・・を連結した。搬入室２１とプラズマ洗浄室１１間のＰＣＢの搬送手段及び、搬出室２２とプラズマ洗浄室１１間のＰＣＢの搬送手段には搬送用のアーム４１・・・がそれぞれ設置されている。搬送用アーム４１の先端は基板ホルダー３１を載せる為にフォーク状の構造になっている。・・・。また、洗浄室１１には洗浄に用いるガスライン１４（酸素及び／またはＡｒ）が連結されている。
　プラズマ洗浄法として、まずＰＣＢ５１を基板ホルダー３１に立てて設置する。その後、ＰＣＢ５１及び基板ホルダー３１を搬入室２１内の搬送用アーム４１の先端（フォーク状構造）に設置し、・・・、ＰＣＢ５１を載せた基板ホルダー３１をプラズマ洗浄室１１に搬送し、対向電極７１上に設置する。・・・。プラズマ洗浄室１１にはガスライン１４を通してガスを流し、一定時間プラズマを生起する。・・・。一定時間のプラズマ洗浄が終了した後、・・・、搬出室２２にあった搬送用アーム４１がＰＣＢ５１を載せた基板ホルダー３１をプラズマ洗浄室１１から搬出室２２へ搬送し、・・・ＰＣＢ５１並びに基板ホルダー３１を取り出す。この時、搬入室２１にある基板ホルダー３１に設置された新たなＰＣＢ５１は、・・・、プラズマ洗浄室１１へ搬送する。こうして繰り返し搬送、プラズマ処理することで連続的にかつ高速でＰＣＢの金メッキ表面をプラズマ洗浄できるのである。」（段落【００２０】、【００２１】）として、【図３】には、平行平板型のＲＦ電極を有するプラズマ洗浄室を備えた連続処理装置が示されている。
（ク）「〔比較例１〕基板ホルダーを用いずに（図３）に示す装置（電極間隔を７ｃｍに設定）のプラズマ洗浄室のみを用いて、実施例１に示した５ｃｍ×２２ｃｍ（４ｃｍ角のパッケージが５つ連結されたもの）ＰＣＢを電極と平行に設置した後、そのＰＣＢ金メッキ表面（両面に金メッキ部分が存在）を酸素ガスを用いてプラズマ洗浄した。その条件を下記に示すが、両面処理を行うために片面をプラズマ洗浄した後、一度取り出してからＰＣＢの反対面の処理を行った。接地電極側に最大限設置できるＰＣＢは４枚であった。
　プラズマ洗浄条件：
　　酸素ガス流量          １００  ｓｃｃｍ
　　・・・
　上記の洗浄条件で、計２００枚のＰＣＢの金属表面を連続して洗浄した。処理に要した時間（ＰＣＢをチャンバーに設置し、プラズマ処理後に取り出す工程に要した時間も含む）はトータルで１７時間１８分であった。また、洗浄効果として、表面に付着している炭素元素の金元素に対する割合をオージェ電子分光法（ＡＥＳ）で求めた。未処理表面、１バッチ目、５バッチ目、１０バッチ目の処理されたＰＣＢ２枚（１枚は中心部、もう１枚はコーナー部に設置されたもの）を取り、各元素の割合を分析し、結果を（表３）に示した。（表３）から、実施例１によりは劣るが、充分な洗浄効果を維持できていることが分かる。尚、（表３）はプラズマ処理したＰＣＢ金メッキ表面の片面を分析したものであるが、反対の面を分析しても同様な結果が得られた。また、本比較例におけるプラズマ洗浄に要した人員は１名である。」として、【表３】には、未処理表面、１バッチ目、５バッチ目、１０バッチ目で中心部及びコーナー部に設置されて処理されたＰＣＢの金／炭素の割合が記載されている。（段落【００３０】〜【００３３】）
　
（３）対比、判断
　刊行物１には、記載事項（ア）に「片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置し、電極と基板ホルダー間でプラズマを生起してプラズマ処理してプリント配線板の金メッキ表面の汚れを除去することを特徴とする表面洗浄法。」が記載され、記載事項（イ）には、記載事項（ア）に記載された方法において「プラズマを生起するのに用いるガスが、酸素及び／またはアルゴンガスである」ことが記載されている。また、記載事項（カ）には、「ＰＣＢの金メッキ表面の有機物を除去する為には、酸素を含んだ可燃性ガス、とりわけ酸素ガスを用いるのが好ましい。これはＰＣＢ表面に付着した炭素化合物、・・・を、ＣＯ、ＣＯ2、・・・ 等の揮発性化合物にして除去するからである」こと、「ＰＣＢ表面には前記した有機物の他に、ニッケル（Ｎｉ）等、下地層の金属やその他の金属化合物が付着している場合があり、それらを除去するためには酸素ガスでなく、アルゴン（Ａｒ）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスといった不活性ガスが有効であ」ること、及び、「酸素ガスとＡｒガスの割合が一定のものを用いることで前記した有機物系の汚れと無機化合物系の汚れを同時に除去できる」ことが記載されている。さらに、記載事項（キ）には「１３．５６ＭＨｚの平行平板型高周波電極（ＲＦ電極）６１と対向電極７１（接地）・・・を有するプラズマ洗浄室１１」に「ガスライン１４（酸素及び／またはＡｒ）が連結され」た装置を用い、「ＰＣＢ５１を載せた基板ホルダー３１をプラズマ洗浄室１１に搬送し、対向電極７１上に設置」し、「プラズマ洗浄室１１にはガスライン１４を通してガスを流し、一定時間プラズマを生起」してプラズマ洗浄を行うことが記載されている。
　これらの記載事項を整理すると、刊行物１には、
「プリント配線板の金メッキ表面の汚れを除去する表面洗浄法であって、高周波電極を有するプラズマ洗浄室内に片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置し、次いでプラズマ洗浄室内に酸素及び／またはアルゴンガスを流し、高周波電極と基板ホルダー間でプラズマを生起してプラズマ処理して、金メッキ表面の有機物系の汚れと無機化合物系の汚れを除去し、また金メッキ表面の有機物系の汚れを揮発性化合物にして除去することによりプリント配線板の金メッキ表面の汚れを除去する表面洗浄法。」
の発明（以下、「刊行１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　本願補正発明と刊行１発明とを対比すると、刊行１発明の「プリント配線板」、「金メッキ表面」は、それぞれ本願補正発明の「処理対象物」、「処理対象部位としての金属」に相当することは明らかである。そして、刊行物１の記載事項（ウ）に、ＩＣチップをＰＣＢに実装する際の金属表面の洗浄に関し「乾式洗浄方法では紫外線（ＵＶ）を用いる方法もあるが、実装Ｂｏａｒｄを酸化しやすく、特に、ガラス／エポキシ系の樹脂をＰＣＢに用いる場合は不向きである」との記載があるとおり、ＰＣＢ、即ちプリント配線板としてエポキシ樹脂等の有機樹脂を基板材料とするものは本願出願前広く用いられているから、刊行１発明の「プリント配線板」が有機樹脂を基板材料とするものを含むことは明らかであり、この場合、刊行１発明の「プリント配線板」は「金メッキ表面」と共に基板の表面層である「有機物表面層」を有することは明らかである。
　また、刊行１発明の「プラズマ洗浄室」、「酸素及び／またはアルゴンガス」は、それぞれ本願補正発明の「処理空間」、「酸素ガスを含むプラズマ発生用ガス」に相当することは明らかである。そして、刊行１発明の「高周波電極」は、高周波電圧を印加する電極であることは明らかであり、この点において本願補正発明の「電極部」と共通し、刊行１発明の「プラズマ洗浄室内に片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置」することと、本願補正発明の「処理空間内の電極部上に前記処理対象物を水平な姿勢で載置」することは、「処理空間内に前記処理対象物を設置」することである点で共通する。加えて、刊行１発明の「プラズマを生起」することは、高周波電極に高周波電圧を印加することによりなされることは明らかであり、本願補正発明の「プラズマ放電を発生」させることに相当する。
　さらに、刊行１発明の金メッキ表面の「有機物系の汚れ」、「無機化合物系の汚れ」は、それぞれ本願補正発明の処理対象部位上の「有機物」、「無機物」に相当することは明らかであり、刊行１発明の「揮発性化合物にして除去する」ことは、化学的反応によるものであることは明らかであり、本願補正発明の「ガス化する」ことに相当する。
　そして、刊行１発明の「表面洗浄法」は、プラズマ処理してプリント配線板の金メッキ表面の汚れを除去する方法であるから、プリント配線板をプラズマ処理する「プラズマ処理方法」といえるものである。
　よって、両者は、
「有機物表面層と処理対象部位としての金属を含む処理対象物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、処理空間内に前記処理対象物を設置し次いで処理空間内に酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態で電極部に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させて前記処理対象部位上の無機物及び有機物を除去し、また化学的反応により、前記処理対象部位上の有機物をガス化することを特徴とするプラズマ処理方法」
で一致し、次の点で相違する。
相違点ａ：本願補正発明は、「処理空間内に前記処理対象物を設置」することが「処理空間内の電極部上に前記処理対象物を水平な姿勢で載置」することであり、この「電極部」に高周波電圧を印加するものであるのに対し、刊行１発明は、処理空間内に「片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置」することであり、基板ホルダーとは別の高周波電極に高周波電圧を印加するものである点
相違点ｂ：本願補正発明は、プラズマ放電を発生させて「電子、酸素イオン、酸素ラジカルを発生させ、前記電子と前記酸素イオンによる物理的なエッチング効果で」前記処理対象部位上の無機物及び有機物を除去し、また「前記酸素ラジカルの」化学的反応により有機物をガス化するものであるのに対し、刊行１発明はプラズマ放電により電子、酸素イオン、酸素ラジカルを発生させること自体、特定がない点
相違点ｃ：本願補正発明は、「前記電子と前記酸素イオンによるスパッタリングによって前記有機物表面層から飛散して前記処理対象部位に付着する有機物を共に」ガス化するものであるのに対し、刊行１発明はかかる特定がない点
　
　そこで、相違点ａについて検討する。
　刊行物１の記載事項（エ）の「プラズマを用いた乾式洗浄装置を用いてＰＣＢの金メッキ表面の清浄化を行う場合、工業的にはその処理速度が特に重要である」との記載、記載事項（オ）の「本発明者等は、乾式洗浄装置を用いたプラズマ表面処理の処理速度を向上させる為に鋭意検討した結果、電極に対しＰＣＢを垂直方向に立ててプラズマ処理すれば、処理速度を大幅に向上できることを見いだした」との記載からみて、刊行１発明は、プリント配線板をプラズマ処理するに際し、その処理速度を向上させるために、「片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置」するという手段を採用したものであると認められる。
　しかし、刊行物１の記載を検討すると、記載事項（エ）には、「プラズマを用いた乾式洗浄装置を用いてＰＣＢの金メッキ表面の清浄化を行う場合」について、「従来、ＰＣＢの洗浄処理は、ＰＣＢを電極に対して水平に設置して処理する場合が多かった」こと、及び、「特に、平行平板型の電極を用いたプラズマ処理装置では、電極上に電極と平行にＰＣＢを設置していた」ことが記載されており、これらの記載からみて、刊行物１には、従来法として、電極上にプリント配線板を水平な姿勢で載置してプラズマ処理をすることが記載されているといえる。さらに、刊行物１には、記載事項（ク）に〔比較例１〕として「基板ホルダーを用いずに（図３）に示す装置（電極間隔を７ｃｍに設定）のプラズマ洗浄室のみを用いて、実施例１に示した５ｃｍ×２２ｃｍ（４ｃｍ角のパッケージが５つ連結されたもの）ＰＣＢを電極と平行に設置した後、そのＰＣＢ金メッキ表面（両面に金メッキ部分が存在）を酸素ガスを用いてプラズマ洗浄した」例が具体的に記載され、「実施例１によりは劣るが、充分な洗浄効果を維持できている」ことが、処理されたＰＣＢの金／炭素の割合を示す表と共に記載されている。
　確かに、刊行物１に記載された上記の従来法は、記載事項（エ）に記載されているとおり処理速度において問題があるものではあるが、上述のとおり、記載事項（ク）には、この方法によっても充分な洗浄効果が得られることが具体的に記載されているのであるから、プラズマ処理の処理速度を特に問題としない場合、刊行１発明において、「片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置」してプラズマ処理をする代わりに、従来どおり、電極部上に処理対象物であるプリント配線板を水平な姿勢で載置してプラズマ処理をするようにすることが、当業者にとって格別困難なことであるとは認められない。
　そして、電極部上に処理対象物を水平な姿勢で載置してプラズマ処理するに際し、この電極部に高周波電圧を印加してプラズマ処理することは本願出願前周知の技術的事項である（必要であれば、特開平４−３１３３７３号公報、特に段落【０００４】、【０００５】、図１、特開平１１−１１７０８１号公報、特に段落【０００２】を参照されたい。）
　してみれば、刊行１発明において、処理空間内に「片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置」し、基板ホルダーとは別の高周波電極に高周波電圧を印加する代わりに、「処理空間内の電極部上に前記処理対象物を水平な姿勢で載置」し、この「電極部」に高周波電圧を印加するようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　次に、相違点ｂについて検討する。
　プラズマ放電を発生させることによりプラズマ発生用ガスの電子、イオン、ラジカルが発生することは本願出願前広く知られたことであり、刊行１発明も、本願補正発明と同様、酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを用いるものであることからみて、プラズマ放電を発生させることにより電子、酸素イオン、酸素ラジカルが発生しているものと認められる。そして、刊行１発明も、本願補正発明と同様、酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを用い、プラズマ放電を発生させて処理対象部位上の無機物及び有機物を除去し、有機物をガス化するものであることからみて、刊行１発明も、本願補正発明と同様、処理対象部位上の無機物及び有機物の除去は電子と酸素イオンによる物理的なエッチング効果でなされ、有機物のガス化は酸素ラジカルの化学的反応によりなされているものと認められる。
　
　最後に、相違点ｃについて検討する。
　処理対象物をプラズマ処理するに際し、処理空間内に処理対象物を設置し、この処理空間内でプラズマ放電を発生させてプラズマ処理を行うと、処理対象物の表面に目的とする処理が施されると同時に処理対象物の表面がプラズマ中に存在する電子及びイオンに曝されることによりダメージを受けることは、プラズマ処理技術分野において本願出願前周知の事項である（必要であれば、拒絶理由通知において先行技術文献ａとして示した特開平８−３１５９９６号公報、特に段落【０００３】を参照されたい。）。
　よって、片面上に溝が形成された金属製の基板ホルダーの溝にプリント配線板を立てて設置し、高周波電極と基板ホルダー間でプラズマを生起してプラズマ処理する刊行１発明においても、処理対象物であるプリント配線板の金メッキ表面の汚れが除去されると同時に、有機物表面層がプラズマ放電により発生した電子及び酸素イオンに曝されダメージを受ける、即ち有機物表面層が電子及び酸素イオンによりスパッタリングされ、有機物が飛散するものと認められる。
　しかし、刊行物１の記載事項（カ）に記載されているように、刊行１発明は、酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを用いてプラズマ放電を発生させて、ＰＣＢの金メッキ表面の有機物をＣＯ、ＣＯ2 等の揮発性化合物にして除去するものであり、刊行１発明における有機物をガス化する作用は、金メッキ表面の有機物のみならず有機物表面層から飛散した有機物にも及ぶことは当該技術分野における技術常識からみて明らかである。
　そして、刊行１発明において、電子と酸素イオンによるスパッタリングによって有機物表面層から飛散した有機物が直ちにガス化されることなく処理対象部位である金メッキ表面に付着したとしても、もともと金メッキ表面に存在していた有機物と共にガス化することは、当業者が推認し得た事項にすぎない。
　
　そして、補正後の本願明細書及び図面の記載を検討しても、上記相違点で挙げた本願補正発明の特定事項を採用したことにより当業者が予測し得ない格別顕著な効果が奏されたものとは認められない。
　仮に、本願補正発明において、「処理空間内の電極部上に前記処理対象物を水平な姿勢で載置」し、この「電極部」に高周波電圧を印加するようにしたことにより、電子及び酸素イオンによるエッチング効果やスパッタリング作用がより大きくなり、酸素ラジカルによるガス化がより進むとしても、これらの作用、効果は、電極部上に処理対象物を水平な姿勢で載置したことにより、この処理対象物が他の被処理対象物に妨げられることなくプラズマ中の電子、酸素イオン、酸素ラジカルに曝されること、及び、処理対象物を載置した電極部に高周波電圧を印加したことにより、この電極部に発生するセルフバイアスに基づく作用、効果に過ぎず、当業者が予測し得ない格別顕著な効果であるとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明 
　平成１９年４月２６日付けの手続補正は、前記２．のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明４」という。）は、平成１８年６月２６日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された以下のとおりのものである。
【請求項１】有機物表面層と処理対象部位としての金属を含む処理対象物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、処理空間内の電極部上に前記処理対象物を水平な姿勢で載置し次いで処理空間内に酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態で前記電極部に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させて電子、酸素イオン、酸素ラジカルを発生させ、前記電子と前記酸素イオンによる物理的なエッチング効果で前記処理対象部位上の無機物及び有機物を除去し、また前記酸素ラジカルの化学的反応により、前記処理対象部位上の有機物及び前記電子と前記酸素イオンによるスパッタリングによって前記有機物表面層から飛散した有機物を共にガス化することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】前記プラズマ発生用ガスは、酸素ガスのみを含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】前記プラズマ発生用ガスは、酸素ガス及び希ガスを含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】前記プラズマ処理において、１０［Ｐａ］〜５０［Ｐａ］の範囲の圧力のプラズマ発生用ガスを供給することを特徴とする請求項１乃至３記載のプラズマ処理方法。
　
（２）刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である刊行物１及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明に関し、「前記電子と前記酸素イオンによるスパッタリングによって前記有機物表面層から飛散して前記処理対象部位に付着する有機物」を「前記電子と前記酸素イオンによるスパッタリングによって前記有機物表面層から飛散した有機物」に拡張したものである。
　してみると、本願発明１の発明特定事項のうち「前記電子と前記酸素イオンによるスパッタリングによって前記有機物表面層から飛散した有機物」を「前記電子と前記酸素イオンによるスパッタリングによって前記有機物表面層から飛散して前記処理対象部位に付着する有機物」に限定したものに相当する本願補正発明が、前記２．（３）に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明と同様の理由により、本願発明１も、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。