【事件の表示】
　平成　６年特許願第１０２７８１号「マイクロ波半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　１月２４日出願公開、特開平　７−　２２８０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は、パリ条約に基づく優先権主張（優先日：平成５年５月１８日、フランス）を伴う平成６年５月１７日の出願であって、平成１５年８月１日付けで拒絶査定され、同年１１月４日に審判請求がなされ、当審において、平成１８年１月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成１８年７月２４日に意見書および手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本件出願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１８年７月２４日付けで補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　少なくとも１つのトランジスタ段を有するマイクロ波集積回路を含み、このトランジスタ段はマイクロ波整合回路およびリンクノードで相互接続された直流バイアス回路を具えるとともにこのリンクノードに接続されたオープンスタブを含む安定化手段を具える半導体装置において、前記オープンスタブは、前記トランジスタ段の動作周波数においてλ／４ラインを具え、このλ／４ラインは、前記動作周波数で前記リンクノードに短絡回路が存在するように接続され、前記安定化手段は、直流阻止コンデンサを通じてマイクロ波モードで基準電圧点に接続された低抵抗を具える安定化回路を含み、前記動作周波数において前記安定化回路を前記トランジスタ段から有効に分離するとともに、前記動作周波数のいずれかの側の周波数帯域において回路発振を終了するよう前記安定化回路を前記トランジスタ段に有効に結合するように、前記低抵抗を前記リンクノードに接続したことを特徴とする半導体装置。」
　
３．引用例に記載された発明
（１）引用例１
　平成１８年１月２０日付けの拒絶理由に引用した特開平４−３３０８０１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に次の記載がある。
　「【従来の技術】図７は従来の一例のマイクロ波モジュールの回路図で、図において５はモノリシックマイクロ波集積回路等を含むマイクロ波集積回路、５１はＦＥＴ素子、５２，５３はマイクロストリップラインによる整合回路、５４，５５は同じくＦＥＴ素子のバイアス供給回路、６ａ，６ｂはマイクロ波集積回路５に給電するバイアス回路、７はバイアス回路用のコンデンサモジュール、７ａ，７ｂはコンデンサ、９ａ，９ｂはマイクロ波信号の入出力端子、１０ａ，１１ａは外部からバイアス電源を取り入れる入力端子、１０ｂ，１１ｂは取り入れた電源を他のマイクロ波モジュール等に供給（中継）する出力端子である。
【０００４】端子９ａに入力したマイクロ波帯の入力信号ＩＮはＦＥＴ５１で増幅されて出力信号ＯＵＴになり、端子９ｂに出力される。バイアス供給回路５４，５５の各ストリップラインａ〜ｄの長さは夫々λ／４に選ばれており、ストリップラインｃ，ｄは終端開放にされている。このため、ＦＥＴ５１のゲートＧ及びドレインＤから見たバイアス供給回路５４，５５のインピーダンスは極めて高く、マイクロ波信号はバイアス回路６ａ，６ｂに影響を与えない。一方、端子１０ａ，１１ａには所定の電源電圧ＶＡ　，ＶＢ　が加えられており、これらはバイアス回路６ａ，６ｂを介してバイアス供給回路５４，５５に加えられる。このバイアス回路６ａ，６ｂとしては、ボンディングワイヤで直接接続する場合もあり、分圧抵抗を介して接続する場合もある。
【０００５】コンデンサ７ａ，７ｂは、このような給電路のインピーダンスを下げ、低周波による発振を防止するためのもので、その目的からして、バイアス供給回路５４，５５のごく近傍に設けるのが好ましい。そこで、従来は、このようなコンデンサ７ａ，７ｂをモジュール化してコンデンサモジュール７と成し、マイクロ波集積回路５の近傍に実装している。」（２頁２欄１〜３３行）
　
　上記記載によれば、引用例１のマイクロ波モジュールは、トランジスタ（ＦＥＴ素子）５１を有するマイクロ波集積回路を含み、該トランジスタ５１にバイアス供給回路５４，５５を介して、バイアス回路６ａ，６ｂとバイアス回路用のコンデンサ７ａ，７ｂとが接続されているから、本願発明１に対応して認定すれば、引用例１には、「少なくとも１つのトランジスタ段を有するマイクロ波集積回路を含み、このトランジスタ段は、各ストリップラインａ〜ｄの長さがλ／４に選定され、ストリップラインｃ，ｄが終端開放にされたバイアス供給回路５４，５５と、ストリップラインａ，ｂとストリップラインｃ，ｄとの間に接続されたバイアス回路６ａ，６ｂとバイアス回路用のコンデンサ７ａ，７ｂを具える半導体装置であって、トランジスタのゲートおよびドレインから見たバイアス供給回路５４，５５のインピーダンスが極めて高く、マイクロ波信号はバイアス回路６ａ，６ｂに影響を与えることがなく、コンデンサ７ａ，７ｂは、このような給電路のインピーダンスを下げ、低周波による発振を防止する半導体装置。」（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　
（２）引用例２
　同じく、平成１８年１月２０日付けの拒絶理由に引用した特開昭５３−５４４５４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面と共に次の記載がある。
　「本発明は、スプリアス発振を防止するとともに、電力消費の低減を図ったマイクロ波増幅器のバイアス回路に関するものである。
　マイクロ波増幅器におけるバイアス回路では、従来、スタブ等を用いて信号帯域でのバイアス回路のインピーダンスを分布定数的に大きくして、バイアス回路が信号に影響を与えないようにしている。例えばＦＥＴ（Field Effect Transistor）２のコレクタ・バイアスを供給する場合、第１図に示すように、ＦＥＴ２のコレクタに接続された導波管１からλ／２のスタブ４を取出し、そのλ／４の点より抵抗Ｒとインダクタンス・コイルＬの並列回路を介してバイアス電源電圧Ｖを加えている。しかし、周波数が信号帯域より低くなるにしたがって、スタブ４の効果が減少し、バイアス回路は有限のインピーダンスとして見えてくる。一方、増幅に用いられるＦＥＴ２等の半導体素子は、低い周波数帯でゲインが大であるから、バイアス回路がスプリアス発振の原因になることが少なくない。」（１頁下段左１５行〜下段右１４行）
　「本発明によるバイアス回路は、第２図に示すように、信号帯域でバイアス回路の影響を防ぐため、ストリップ・ラインあるいは導線による分布定数的な高周波阻止回路Ｌ０を作り、この阻止回路Ｌ０と直列に２つの終端回路を並列に接続する。一方の終端回路は、高周波でも使用できる、例えばチップ抵抗Ｒ１およびチップ・コンデンサＣ１の直列接続からなり、他方の終端回路は個別部品の抵抗Ｒ２、コイルＬ２の並列接続にさらに電源用ブス・コンデンサＣ２の直列接続からなる。バイアス電流は、個別部品のコイルＬ２および高周波阻止回路Ｌ０により供給する。したがって、個別部品のコイルＬ２、抵抗Ｒ２の並列回路は、構造的にバイアス電源端子への接続線を兼用する。
　信号帯域として、６ＧＨｚを中心に数１００ＭＨｚの周波数帯を用いる場合、それより僅か低い周波数から数ＭＨｚまでの周波数においてスプリアス発振が起る可能性がある。信号帯域では、高周波阻止回路Ｌ０が十分大きいインピーダンス値を有するため、バイアス回路の影響は無視できる。信号帯域より低い周波数では、個別部品の抵抗Ｒ２、コイルＬ２のみで終端した場合には、構造的にバイアス供給も兼ねているため、周波数が数１００ＭＨｚ以上では分布定数的にインピーダンスが増加して、信号は反射する。そこで、チップ抵抗Ｒ１、チップ・コンデンサＣ１による終端回路を並列に付加する。例えば、５０Ωのチップ抵抗Ｒ１、４７Ωのチップ・コンデンサＣ１、および５０Ωの個別部品抵抗Ｒ２、２７μＨのコイルＬ２とする。チップ・コンデンサＣ１は、数ＧＨｚにおいても容量性に見えるものが用いられる。したがって、高周波での等価回路は、第３図に示すようになる。第３図から明らかなように、６ＧＨｚの信号帯域ではストリップ・ラインあるいは導線の高周波阻止回路Ｌ０によって、バイアス回路は信号線（ストリップ・ラインＳＬ）と完全に切り離される。また、信号帯域より低い２ＧＨｚ程度の周波数では、阻止回路Ｌ０を通って信号の一部が廻り込むが、チップ・コンデンサＣ１のインピーダンスが小さいため、チップ抵抗Ｒ１で終端され、インピーダンス整合されて反射は生じない。」（２頁上段右１９行〜下段右１９行）
　「次に、第４図において、横軸に周波数、縦軸に損失量をとった場合、挿入損失（Insertion Loss）はＡの曲線、帰還損失（Return Loss）はＢの曲線で表される。勿論、挿入損失は０になることが望ましく、また帰還損失が大きければ反射の量は少いから、すべての周波数で帰還損失はできる限り大きいことが望ましく、実際には−３０ｄＢ（電力比）あればよい。
　第２図のバイアス回路に、第４図の特性を具備させるためには、素子Ｒ１，Ｒ２，Ｃ１，Ｌ２の値を適切に選定することが必要であり、計算機等で各帯域に対するパラメータを与えて算出する。」（３頁上段左１８行〜上段右９行）
　
　上記記載の高周波阻止回路Ｌ０は、第１図および第２図の記載から、ＦＥＴ２のコレクタに接続された導波管１からλ／２のスタブ４を取り出し、そのλ／４の点にバイアス回路を接続したものであって、明確には記載されていないものの、引用例２の記載からオープンスタブであることは明らかである。そうすると、該スタブ４は、バイアス回路の接続点において、トランジスタの動作周波数におけるλ／４ラインとなって、前記動作周波数で前記接続点に短絡回路が存在するように接続されているといえる。また、抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１との直列接続回路は、動作周波数より低い周波数帯域における信号の反射を防止するために、バイアス回路の接続点と基準電圧点との間に接続されたものであるから、安定化回路であるといえ、スタブ４とともに安定化手段を構成する。
　したがって、引用例２には、「少なくとも１つのトランジスタ段を有するマイクロ波増幅回路を含み、このトランジスタ段はλ／２スタブのλ／４の点に接続された直流バイアス回路を具えるとともにこの接続点に接続されたオープンスタブを含む安定化手段を具える半導体装置において、前記オープンスタブは、前記トランジスタ段の動作周波数においてλ／４ラインを具え、このλ／４ラインは、前記動作周波数で前記接続点に短絡回路が存在するように接続され、前記安定化手段は、前記接続点と基準電圧点との間に抵抗とコンデンサとが直列接続された安定化回路を含み、前記動作周波数において前記安定化回路を前記トランジスタ段から有効に分離するとともに、前記動作周波数より低い側の周波数帯域においてスプリアス発振を終了するよう前記安定化回路を前記トランジスタ段に有効に結合するように、前記抵抗を前記接続点に接続したことを特徴とする半導体装置。」（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
４．対比・判断
（１）本願発明１と引用発明２との対比
　引用発明２において、スタブと直流バイアス回路との接続点はリンクノードを構成するものであり、安定化回路のコンデンサは直流阻止コンデンサであって、マイクロ波モードで抵抗を基準電圧点に接続するといえるから、本願発明１と引用発明２とは、「少なくとも１つのトランジスタ段を有するマイクロ波増幅回路を含み、このトランジスタ段はリンクノードに接続された直流バイアス回路を具えるとともにこのリンクノードに接続されたオープンスタブを含む安定化手段を具える半導体装置において、前記オープンスタブは、前記トランジスタ段の動作周波数においてλ／４ラインを具え、このλ／４ラインは、前記動作周波数で前記リンクノードに短絡回路が存在するように接続され、前記安定化手段は、直流阻止コンデンサを通じてマイクロ波モードで基準電圧点に接続された抵抗を具える安定化回路を含み、前記動作周波数において前記安定化回路を前記トランジスタ段から有効に分離するとともに、前記動作周波数のいずれかの側の周波数帯域において回路発振を終了するよう前記安定化回路を前記トランジスタ段に有効に結合するように、前記抵抗を前記リンクノードに接続したことを特徴とする半導体装置。」である点で共通し、次の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明１は、少なくとも１つのトランジスタ段を有するマイクロ波集積回路を含むのに対し、引用発明２は、少なくとも１つのトランジスタ段を有するマイクロ波増幅回路を含むものであって、集積回路化されていない点。
（相違点２）
　本願発明１は、トランジスタ段が、マイクロ波整合回路およびリンクノードで相互接続された直流バイアス回路を具えるものであるのに対し、引用発明２は、トランジスタ段が、λ／２スタブのλ／４の点に接続された直流バイアス回路を具えるものである点。
（相違点３）
　本願発明１は、安定化回路の抵抗が低抵抗であるのに対し、引用発明２は、安定化回路の抵抗が低抵抗であるか否か明らかでない点。
　
（２）相違点についての検討
　上記相違点１について検討するに、引用例１には、上記のように、「少なくとも１つのトランジスタ段を有するマイクロ波集積回路を含み、このトランジスタ段は、各ストリップラインａ〜ｄの長さがλ／４に選定され、ストリップラインｃ，ｄが終端開放にされたバイアス供給回路５４，５５と、ストリップラインａ，ｂとストリップラインｃ，ｄとの間に接続されたバイアス回路６ａ，６ｂとバイアス回路用のコンデンサ７ａ，７ｂを具える半導体装置であって、トランジスタのゲートおよびドレインから見たバイアス供給回路５４，５５のインピーダンスが極めて高く、マイクロ波信号はバイアス回路６ａ，６ｂに影響を与えることがなく、コンデンサ７ａ，７ｂは、このような給電路のインピーダンスを下げ、低周波による発振を防止する半導体装置。」が記載されており、引用発明２のマイクロ波増幅回路を引用発明１のように集積回路化することに何ら困難性はない。
　上記相違点２について検討するに、引用発明２のλ／２スタブは、動作周波数において直流バイアス回路のインピーダンスを分布定数的に大きくして、直流バイアス回路が信号に影響を与えないようにするものであるから、作用効果の面で本願発明１のマイクロ波整合回路と実質的な差異はない。また、整合回路を介してトランジスタ段に直流バイアス回路を接続することは、特開平３−１９２８０１号公報、特開平３−１３５２０７号公報、特開平２−２２６９０１号公報に記載されるように一般的に行われる周知の事項にすぎない。したがって、相違点２に係る構成とすることは当業者が容易になし得ることである。
　上記相違点３について検討するに、引用発明２の抵抗の値は発振が生じないように当業者が適宜設定すべきものであるから、これを低抵抗とすることは当業者が適宜なし得ることである。
　
　また、本願発明１の効果も引用発明１、２および周知技術から当業者が予測可能な範囲のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明１、２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。