(57)【要約】  本発明は、エアロゾルデポジション法で作製したセラミック基板の体積抵抗率を増加させ、絶縁信頼性が向上した電子回路基板、それを用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。  本発明は、金属材料と、前記金属材料の表面に形成された１０〜２０ｎｍの結晶粒径を含む無機材料からなる絶縁層とを備え、前記絶縁層は、含有する水分量が０．０８ｇ／ｃｍ３未満であることを特徴とする電子回路基板を提供する。また、本発明は、絶縁層を構成する粒子を含むエアロゾルを金属材料に噴射して金属材料に絶縁層を形成し、前記金属材料表面または前記絶縁層表面のいずれかを加熱することを特徴とする電子回路基板の製造方法を提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料と、
前記金属材料の表面に形成された１０〜２０ｎｍの結晶粒径を含む無機材料からなる絶縁層とを備え、
前記絶縁層は、含有する水分量が０．０８ｇ／ｃｍ３未満であることを特徴とする電子回路基板。
【請求項２】
前記絶縁層の８５℃における体積抵抗率が１．０×１０８Ωｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路基板。
【請求項３】
前記絶縁層がＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３のいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子回路基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子回路基板と、
前記電子回路基板に形成された導体性配線と、
前記導体性配線と接合部材によって接続された半導体素子を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子回路基板と、
前記電子回路基板に樹脂層を介して形成された金属導体板と、
前記金属導体板と接合部材によって接続された半導体素子を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁層を構成する粒子を含むエアロゾルを金属材料に噴射して金属材料の表面に絶縁層を形成し、
前記金属材料表面または前記絶縁層表面のいずれかを加熱することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属材料表面または前記絶縁層表面のいずれかを５０度〜１５０度で加熱することを特徴とする請求項６に記載の電子回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属材料表面または前記絶縁層表面のいずれかを真空チャンバー内で加熱することを特徴とする請求項６に記載の電子回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属材料表面または前記絶縁層表面のいずれかをマイクロ波照射またはヒータにより加熱することを特徴とする請求項６に記載の電子回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路基板、それを用いた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本技術分野の背景技術として、特許第３７８４３４１号公報（特許文献１）がある。この公報には、絶縁性のセラミックス基板の裏面側に冷却用の金属材料を設けた回路基板において、室温環境下で前記金属材料に前記セラミックス基板が接着剤を用いることなく直接接合されており、前記セラミックス基板が、多結晶の脆性材料からなり、結晶同士の界面にはガラス層からなる粒界層が存在せず、前記セラミックス基板と前記金属材料との界面は、前記セラミックス基板が前記金属材料に食い込むアンカー部となっていることを特徴とする回路基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３７８４３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、室温環境下でエアロゾルデポジション法によりセラミックス基板を金属材料に直接形成した電子回路基板が記載されている。ＩＣチップなどの半導体素子を搭載するために、セラミックス基板の表面には導体性配線が形成される。【０００５】
しかし、本発明の発明者が特許文献１に記載の方法で作製したセラミックス基板の体積抵抗率を測定したところ、焼結で作製したセラミックス基板の体積抵抗率に比べ低いことが明らかになった。そのため、特許文献１に記載の方法で作製したセラミックス基板に数１００Ｖの直流電圧を負荷し続けた場合、焼結で作製したセラミックス基板に比べ、短絡時間が短く、絶縁信頼性が不十分となる課題が明らかになった。【０００６】
上記問題点に鑑み、本発明は、エアロゾルデポジション法で作製したセラミック基板の体積抵抗率を増加させ、絶縁信頼性が向上した電子回路基板、それを用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、金属材料と、前記金属材料の表面に形成された１０〜２０ｎｍの結晶粒径を含む無機材料からなる絶縁層とを備え、前記絶縁層は、含有する水分量が０．０８ｇ／ｃｍ３未満であることを特徴とする電子回路基板を提供する。【０００８】
また、本発明は、絶縁層を構成する粒子を含むエアロゾルを金属材料に噴射して金属材料の表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層表面を加熱することを特徴とする電子回路基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、エアロゾルデポジション法で作製したセラミック基板の体積抵抗率が増加し、絶縁信頼性が向上した電子回路基板及びその電子回路基板、それを用いた半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例１における電子回路基板の模式図である。
【図２】エアロゾルデポジション装置の構成説明図である。
【図３】実施例１における電子回路基板を用いた半導体装置の模式図である。
【図４】実施例１の変形例１における構造物作製装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施例を図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１に、本実施例における電子回路基板の模式図を示す。金属材料１の表面に無機材料からなる絶縁層２が形成されている。金属材料１の絶縁層２が形成されていない一方の面には、放熱性を向上させるためのフィンが形成されていても良い。絶縁層２はエアロゾルデポジション法により形成され、１０〜２０ｎｍの大きさの結晶粒を含み、グリスやろう材などの接着層なく金属材料１の表面に直接形成されている。【００１３】
絶縁層２に使用する無機材料としては、電気的に絶縁性であればいずれの材料も使用できる。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣなどが挙げられる。絶縁層２に使用する無機材料はこれらの混合とすることもできる。高熱伝導率の点からでは、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３等が望ましい。さらに、大気中での取り扱い、及び無機材料の製造コストの点において、Ａｌ２Ｏ３が最も望ましい。【００１４】
本実施例の特徴は、絶縁層２の含有水分量が０．０８ｇ／ｃｍ３未満であることである。特許文献１に記載された従来構造では、室温環境下で絶縁層を形成するため、周囲に存在する水分が絶縁層に吸着、含有され、その含有水分の影響で絶縁層の体積抵抗率が低下する。体積抵抗率が低いほど、絶縁層に一定電圧を印加し続けたときの短絡時間が短くなり、電子回路基板の絶縁信頼性を確保できない課題がある。一方、本実施例では、含有水分量を０．０８ｇ／ｃｍ３未満に低減することで体積抵抗率を増加させ、絶縁信頼性を向上することができる。【００１５】
本実施例でエアロゾルデポジション法により絶縁層２を金属材料１の表面に形成する過程を説明する。エアロゾルデポジション装置の構成説明図を図２に示す。高圧ガスボンベ２１を開栓し、搬送ガスが搬送管２２を通してエアロゾル発生器２３に導入させる。エアロゾル発生器２３にはあらかじめ絶縁層２を構成する粒子を入れておく。粒径は０．１〜５μｍ程度が望ましい。搬送ガスと混合されることで、当該粒子を含むエアロゾルが発生する。金属材料１は真空チャンバー２５内のステージ２７に固定する。真空チャンバー２５を真空ポンプ２８により減圧することで、搬送ガスが導入されるエアロゾル発生器２３と真空チャンバー２５間には圧力差が生まれる。この圧力差により、エアロゾルは、搬送管２４とノズル２６を通して、金属材料１に向けて噴出される。エアロゾル中の粒子は、金属材料１に衝突し、結合する。さらに粒子が連続的に衝突し、粒子同士も結合することで、絶縁層２が金属材料１の表面に形成される。【００１６】
真空チャンバー内部には、チャンバー内壁に付着した水分、搬送ガスに含まれる水分、原料粒子に付着した水分が残存している。これらの残存した水分が、形成中の絶縁層表面に吸着した場合、水分が絶縁層中に残留する。絶縁層中の水分を低減させるためには、絶縁層を形成する金属材料または形成中の絶縁層表面を加熱しておき、水分の吸着を防ぐ必要がある。その方法として、例えば、絶縁層表面へのマイクロ波照射、ヒーターによる金属材料や搬送ガスの加熱がある。真空チャンバーは減圧下にあるため、加熱温度は大気中の水の沸点である１００℃以下で良い。例えば、絶縁層形成中の真空チャンバー内の圧力が数１０〜数１００Ｐａの場合、加熱温度を約５０℃以上にすることで水分を除去することが可能である。また、水分除去を短時間で行う必要がある場合、加熱温度は１００℃以上にしても良い。このとき、加熱温度を１５０℃以下とすることで、金属表面の酸化や熱応力による膜の剥離を防止することができる。【００１７】
本実施例で作製した電子回路基板の絶縁層２の水分含有量と体積抵抗率の関係を評価した。表１に金属材料の加熱温度、絶縁層２の水分含有量と体積抵抗率の関係を示す。【００１８】
【表１】
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【００１９】
水分含有量は２次イオン質量分析によりＨ量を測定し、そのＨ量を水分（Ｈ２Ｏ）量に換算した。Ｈ量の測定の際には、絶縁層２の表面に付着した水分の影響を避けるため、測定箇所をイオンスパッタ処理により約５００ｎｍエッチングした後、絶縁層２の膜厚方向に対して３μｍ測定を行った。１次イオンには加速電圧５．０ｋＶのＣｓ＋イオンを用いた。測定領域は３９μｍ×３９μｍである。また、絶縁層２の体積抵抗率測定のために、絶縁層２に銀ペーストで直径１５ｍｍの円形電極を形成した。電極と金属材料１の間に直流１００Ｖの電圧を印加し、電流値が安定する電圧印加後１分後の電流値から電気抵抗値を算出した。測定温度は８５℃である。この電気抵抗値と電極面積、絶縁層の厚みから体積抵抗率を換算した。絶縁層の形成には、中心粒径２．５μｍの普通ソーダ易焼結Ａｌ２Ｏ３粒子を用いてエアロゾルデポジション法により、膜厚２０μｍの絶縁層を形成した。搬送ガスはＮ２で、ガス流量は４Ｌ／ｍｉｎである。金属材料には厚み３ｍｍの板状のタフピッチ銅を用いた。水分除去方法としては、絶縁層形成時に金属材料の加熱を行った。加熱温度は５０℃、７５℃、１００℃、１２５℃である。絶縁層を室温で形成する従来構造では、水分量が０．１１ｇ／ｃｍ３、体積抵抗率が１．４×１０７Ω・ｍであった。一方、金属材料を加熱した本実施例では、水分量が０．１１ｇ／ｃｍ３未満であった。特に水分量が０．０８ｇ／ｃｍ３以下では、体積抵抗率は１．０×１０８Ω・ｍ以上であり、本実施例の絶縁層は従来構造に比べ、体積抵抗率がおよそ１桁増加し、絶縁信頼性が向上していることを確認した。【００２０】
図３に本実施例における電子回路基板を用いた半導体装置の例を示す。絶縁層２の金属材料１が接合していない一方の面には、導体性配線３が形成される。導体性配線３の形成方法として、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法、スクリーン印刷法など従来公知のいずれの方法も使用できる。半導体素子５は、接合部材４を介して導体性配線３に接続される。また、接合部材５としては、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系などのはんだ、Ａｇなどの金属、及び金属フィラー入り樹脂などが挙げられる。半導体素子５上面と導体性配線３はＡｕ、Ａｌなどの金属ワイヤ６により接続される。半導体素子の発熱と冷却により発生する熱応力の影響で半導体素子５と金属ワイヤ６の接続信頼性が不十分なときは、金属ワイヤ６の代わりに接続面積を拡大できるＡｌ、Ｃｕなどの金属リボンを用いても良い。【００２１】
本実施例における電子回路基板では、半導体装置の絶縁信頼性が向上することに加え、半導体装置の放熱特性が向上することで、半導体素子の動作信頼性も向上する。従来構造の絶縁層（体積抵抗率１．４×１０７Ω・ｍ）では、絶縁層の絶縁抵抗が、例えば１０８Ω以上必要である場合、膜厚は７１０μｍ必要であった（絶縁層の形成面積を１ｃｍ２と想定）。しかし、本実施例では、体積抵抗率が増加している（体積抵抗率１．０×１０８Ω・ｍ）ため、膜厚１００μｍで１０８Ωの絶縁抵抗を実現できる。従来構造に比べ、必要膜厚は１／７以下であり、絶縁層の熱抵抗も１／７以下となることから、半導体装置の放熱特性が向上する。【００２２】
図４に本実施例における電子回路基板を用いた半導体装置の別の例を示す。この半導体装置は、数Ａ〜数１００Ａ程度の大電流を扱うＩＧＢＴなどのパワー半導体を搭載したパワーモジュールとして利用できる。体積抵抗率の向上した水分量が０．０８ｇ／ｃｍ３未満である絶縁層を適用することで、半導体素子にパワー半導体を搭載した場合においても、半導体装置の絶縁信頼性と放熱特性が向上する。【００２３】
パワーモジュールに使用される金属導体板８には、電気抵抗を低くしジュール熱による損失を低減するための比抵抗の低さと厚みが求められる。金属導体の厚みは、電気抵抗を低くするだけでなく、半導体素子の発熱を金属導体板８内で拡散させ、金属材料へ流れる熱流束を小さくする効果があり、半導体装置の熱抵抗低減にも寄与する。パワーモジュールでは使用電流と発熱拡散の観点から、厚さが数１００μｍ〜数ｍｍ、比抵抗はＡｌ合金板材と同等の３μΩ・ｃｍ以下である導体の使用が望ましい。このような導体を実現するため、図４に示す例では、絶縁層２に樹脂層７を介して、金属導体板８が接着している。金属導体板８は、Ａｌ合金、Ｃｕ合金などからなる金属板である。接着する金属導体板８をあらかじめ加工しておくことで、任意の厚みをもつ金属導体を形成できる。金属導体板８の表面は、防錆のためのめっき処理、樹脂層７との接着力向上のための粗面化処理、酸化処理等の表面処理がされていても良い。【００２４】
樹脂層７の樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フッ素系樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂などが挙げられる。樹脂層７の塗布方法として、スクリーン印刷法、インクジェット法、ロールコーター法、ディスペンサー法など従来公知のいずれの方法も使用できる。また、樹脂層７は、絶縁層２と金属導体板８の間にシート状の樹脂を設置し熱圧着により接着させることで形成してもよい。所望の厚みをもつシートを用いることで、樹脂層７の厚み制御が容易になる。また、樹脂層７は、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２などの絶縁性の無機粒子をフィラーとして含有してもよい。無機粒子を含有することで、樹脂層７の熱伝導率が向上する。樹脂層７の熱伝導率が向上すると、動作中の半導体素子の温度上昇を抑えることができるため、半導体装置の動作信頼性が向上する。【００２５】
半導体素子５は、接合部材４を介して金属導体板８に接続される。半導体素子５としては、スイッチング動作によって直流電流を交流電流に変換するＩＧＢＴなどのパワー半導体素子やこれらのパワー半導体素子を制御するための制御回路用半導体素子が挙げられる。また、接合部材４としては、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系などのはんだ、Ａｇなどの金属、及び金属フィラー入り樹脂などが挙げられる。半導体素子５上面と金属導体板８はＡｌなどの金属ワイヤ６により接続される。半導体素子の発熱と冷却により発生する熱応力の影響で半導体素子５と金属ワイヤ６の接続信頼性が不十分なときは、金属ワイヤ６の代わりに接続面積を拡大できるＡｌ、Ｃｕなどの金属リボンを用いても良い。金属導体板８には外部接続端子９が接続される。金属板１の周囲には樹脂ケース１０が接着され、絶縁性ゲル剤などの封止剤１１が内部に充填される。【００２６】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１    金属材料
２    絶縁層
３    導体性配線
４    接合部材
５    半導体素子
６    金属ワイヤ
７    樹脂層
８    金属導体板
９    外部接続端子
１０  樹脂ケース
１１  封止材
２１  高圧ガスボンベ
２２、２４  搬送管
２３  エアロゾル発生器
２５  真空チャンバー
２６  ノズル
２７  ステージ
２８  真空ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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