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　平成　５年特許願第５１５５７９号「ピエゾ電気共振器製造のための方法およびプラント」拒絶査定不服審判事件〔平成　５年　９月１６日国際公開、ＷＯ９３／１８５８４、平成　７年　８月　３日国内公表、特表平　７−５０７１８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、１９９３年２月２４日（パリ条約による優先権主張１９９２年３月２日、瑞国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１８年３月３日付手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
　
「【請求項１】
　各自がそれぞれの接続導体（９４）へ接続された少なくとも二つの互いに別体のホルダーエレメント（９２）を有するホルダー（９３）と、その互いに対向する主表面間に中心面を有しそして共振器エレメントを形成するようにホルダーエレメント（９２）へ取付けられそして導電的に固着されたピエゾ電気ディスク（９１）を含んでおり、電極がディスク（９１）の主表面のそれぞれへ適用されそしてそれぞれのホルダーエレメント（９２）へ電気的に接続されている共振器の製造方法であって、あらかじめ製造した共振器エレメント（９）の複数をキャリヤー装置上に設置し、キャリヤー装置（１０）を第１の真空レベルにおいてクリーニングするため第１の真空チャンバー（１）へ導入し、キャリヤー（１０）をエレメント（９）と共に第１の真空チャンバー（１）から第１の真空チャンバーへ接続されそして第２の真空レベルが支配する第２の真空チャンバー（３）へ直接移換し、第２の真空チャンバー（３）中で共振器エレメントへ電極材料を適用し、前記第２のチャンバー中で電極が適用された共振器エレメントの共振器周波数を所望の値へ微調節し、そしてキャリヤー（１０）を電極コーティングされそして周波数調節された共振器エレメントと共に第２のチャンバー（３）から第２のチャンバーへ接続された、キャリヤー取出しゲート弁を形成する第３のチャンバー（４）へ移換するステップを含む前記共振器の製造方法において、
　エレメント（９）とキャリアー（１０）を含む結合された装置は、第１の真空チャンバーの中で水蒸気および他の揮発性物質を追い出すために熱処理プロセスへかけられ、かつ第１の真空チャンバー（１）は第２の真空チャンバー（３）が超高真空である間高真空であり、そして
　複数の共振器エレメント（９）を各ディスク（９１）の中心面が列の縦方向に配向するように列としてキャリヤー（１０）上に搭載し、キャリヤー（１０）を前記第２のチャンバー内において与えられ通路に沿って列の縦方向に動かし、各エレメント（９）のディスク（９１）を、少なくとも一つの静止して取付けたコーティング装置（８６）がディスク（９１）の一方の関連する主表面に対して向い合い、そして前記コーティング装置が前記エレメントが与えられた位置に保持されている間に共振器エレメントへ電極材料を適用する与えられた位置（３ｂ）に一時的に配置するため、キャリヤーの前記縦方向運動を停止する更なるステップを特徴とする前記方法。」
　
２．引用例
　これに対して、当審の拒絶の理由で引用された特開平１−２２１０１１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
１「本発明は圧電共振子の共振周波数測定方法，殊に蒸着マスク内に圧電基板を保持した状態で共振周波数を測定する方法に関する。」（１頁左下欄１１行〜１３行）
　
２「第２図（ａ）は圧電基板及びマスクを示す斜視図であって同図に於て１は圧電基板，２ｂは蒸着マスク，３はマスクホルダーである。前記圧電基板と蒸着マスクとの相対的関係は同図（ｂ）に示す如く圧電基板１の表裏両面に電極及びリード部を型取った切欠きを有するマスク２ｂ及び圧電基板１を挿入する中板２ａをマスクホルダー３にて挟持した状態であって，このように圧電基板を保持した蒸着マスクを第３図に示す如く蒸着装置内に搬入する。
　同図に於て６は加熱用ヒーター，７は電極となる金属であって該金属７をヒーターによって加熱溶融しその蒸発金属微粒子をマスク２ｂを介して圧電基板１上に照射センサー４で蒸着量を測定しながらベースとなる電極及びリード部５を形成する。次に蒸着装置内から取出し第４図に示す如くリード端子８を接続し再び共振子夫々に電極部のみ付加蒸着を行なう為電極に相当する部位のみ切欠きを有する蒸着マスク９を被覆し前記リード端子と発振器ＯＳＣを接続した後共振周波数を測定しつつ付加蒸着を行なうものであった為製造工数の増加等の欠点のあったこと前述の通りである。
　そこで本発明は以下の如き手段をとる。即ち，第１図（ａ）に示す如く蒸着マスク２内に保持されベース蒸着の終了した圧電基板１の表裏両面リード部５にソレノイド１６により上下動するプローブ１７を圧接し蒸着マスクから前記圧電基板を取出すことなく共振周波数を測定する。」（２頁左上欄８行〜右上欄１６行）
　
３「第５図はインライン型真空蒸着装置を示すブロック図であって，１０，１１は予備室，１２，１３は蒸着室である。該予備室及び作業室の夫々隔壁には気密壁１４を備え，各室は真空ポンプ１５によって室内を高真空にすることができる。
　蒸着マスク２内に保持された複数の圧電基板１は先づ予備室１０の入口側気密扉を開放し搬入され前記気密扉封止後，真空状態とする。
　次に予備室１０の出口側気密扉１４を開放した後蒸着室１２に搬送し蒸着工程に入る。該蒸着工程は圧電基板に電極及びリード部を形成するためのベース蒸着である。ある程度電極及びリード部が形成された後蒸着を一時停止し，圧電基板個々の共振周波数を前述した如く針状の導体を圧電基板に圧接することによって測定する。更に前記測定で得た結果に基づいて所望の共振周波数に最も近似した圧電基板を選定し，該圧電基板の共振周波数を測定しつつ蒸着を再開し，設定共振周波数に達するまでベース蒸着を行なう。
　その後マスクに保持された圧電基板を蒸着室１３に搬送し，設定共振周波数に達していない他の圧電共振子の共振周波数を前述した手法を用いて個々に測定しつつスポット蒸着を行ない全ての圧電共振子の共振周波数を所望の値にするものである。
　尚，付加蒸着に用いられる蒸着源は圧電共振子個々に蒸着を行なえるよう蒸発金属微粒子の照射方向に指向性をもたせたものとする。蒸着工程終了後の圧電共振子は予備室１１に搬送し出口側気密扉を開放し作業を終了する。
　上述した如き手法によれば付加蒸着まで一括調整方法で行なうことができる為工数を減少させることができる。」（２頁左下欄１３行〜３頁左上欄７行）
　
　以上の記載から、引用例１には、次の発明（以下「引用例１発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「蒸着マスク２内に保持された複数の圧電基板１は先づ予備室１０の入口側気密扉を開放し搬入され前記気密扉封止後，真空状態とし、
　次に予備室１０の出口側気密扉１４を開放した後蒸着室１２に搬送し蒸着工程に入り、
　ある程度電極及びリード部が形成された後蒸着を一時停止し，圧電基板個々の共振周波数を針状の導体（プローブ１７）を圧電基板に圧接することによって測定し、
　更に前記測定で得た結果に基づいて所望の共振周波数に最も近似した圧電基板を選定し，該圧電基板の共振周波数を測定しつつ蒸着を再開し，設定共振周波数に達するまでベース蒸着を行ない、
　その後マスクに保持された圧電基板を蒸着室１３に搬送して、設定共振周波数に達していない他の圧電共振子の共振周波数を個々に測定しつつスポット蒸着を行ない、
　蒸着工程終了後、予備室１１に搬送し出口側気密扉を開放し作業を終了するものであって、
　各室は真空ポンプ１５によって室内を高真空にすることができる
　圧電共振子の共振周波数測定方法」
　
　同じく当審の拒絶の理由で引用された特表昭６２−５０２８４６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
４「１１．扁平物体に一連の処理作業を行う装置であって：
　隣接して配置される扁平物体に処理作業を行う能力を各々が持つ処理部署を有する処理室と；
　前記処理室を通り前記処理部署の各々をよぎって延在する第１レールと；
　前記第１レールに係合して前記処理室を通して延在して衝接するシャトルの第１の列を形成する複数のシャトルにおいて、前記シャトルの各々は前記処理室を通して扁平物体を運ぶように、また各処理部署に対して前記扁平物体を順々に位置決めするように作動自在であり、また前記シャトルの各々は処理作業により発生する微粒子が前記第１レール上に堆積しないように、前記第１レールを実質的に包囲しており、前記処理部署が前記シャトルの長さの整数倍に等しい距離だけ隔置されている場合のシャトルと；
　シャトルを前記処理部署の各々に隣接して再配置するために、前記シャトルの最後尾の一つを進行させることにより前記シャトルの長さに等しい距離だけ前記衝接するシャトルの第１の列を周期的に進行させる移動装置と；
　前記シャトルが静止している時は前記処理作業を、また前記処理作業が完了した後は前記移動装置を、交互に作動するための制御装置と；を含む装置。
１２．前記処理室の内部は外部大気から密封されており；
　未処理の扁平物体を運ぶシャトルが前記処理室に入る時に通る入口エアロックと、処理済みの扁平物体を運ぶシャトルが前記処理室を出る時に通る出口エアロックと、を有し；
　前記シャトルは前記第１レールに一致する方向に前記エアロックに出入りすることを特徴とする；
　請求の範囲第１１項に記載の装置。」（２頁右上欄５行〜左下欄１１行）
　
５「２７．前記扁平物体は半導体ウェハーであり、前記処理作業は付着、除去、および掃除の作業を含む、請求の範囲第１２項に記載の装置。」（３頁左下欄１４行〜１６行）
　
６「スパッタリングは物体上に物質の被覆を付着させるために使用される工程である。スパッタリングは、例えば、光学被膜を施すため、半導体上に金属被覆層を付着させるため、平板パネルディスプレーに被覆するため、およびメモリーディスクに磁気被膜を施すために使用されることができる。スパッタリングを逆に使用して物体の表面から物質を腐食除去することができる。スパッタリング作業は代表的には減圧の下でアルゴンふん囲の中で行われ、これには大気から密封隔離された処理室と、処理室に物体を積載しまた取出すためのエアロックその他の装備と、を使用する必要がある。高質の被覆を得るために微粒子その他の汚染物を処理質から排除することが大切である。」（６頁左上欄１０行〜２２行）
　
７「ステップ・ドウェル・サイクルのドウェル（休止）期の間、シャトル（２０）およびディスク（２６）は静止し、またディスクが静止する間にスパッタリングその他の処理作業が行われる。スパッタリング作業中、ディスク（２６）の両側はスパッタリング源（４８）からスパッタされる物質の被膜を同時に受ける。シャトル（２０）は孔（４４）およびスパッタリング源（４８）と同心である位置にディスク（２６）を位置決めすることが望ましい。」（９頁左下欄４行〜１１行）
　
８「上記の処理作業が望ましいけれども、他の作業および順序にも対応し得る。例えば、１つ以上の処理作業をスパッター・エッチングにすることもできる。概していえば、処理作業は管理された環境内で扁平物体に行われる広範囲な加熱、清掃、付着、および除去の作業を含む。ディスク以外の、半導体ウェハー、マスク、平板ディスプレーのような扁平物体を処理することが可能であることに注目されたい。」（１０頁左上欄３行〜１０行）
　
　以上の記載から、引用例２には、次の発明（以下「引用例２発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「扁平物体に一連の処理作業を行う装置であって：
　隣接して配置される扁平物体に処理作業を行う能力を各々が持つ処理部署を有する処理室と；
　前記処理室を通り前記処理部署の各々をよぎって延在する第１レールと；
　前記第１レールに係合して前記処理室を通して延在して衝接するシャトルの第１の列を形成する複数のシャトルにおいて、前記シャトルの各々は前記処理室を通して扁平物体を運ぶように、また各処理部署に対して前記扁平物体を順々に位置決めするように作動自在であり、
　前記シャトルが静止している時は前記処理作業を、また前記処理作業が完了した後は前記移動装置を、交互に作動するための制御装置とを含み、
　前記処理室の内部は外部大気から密封されており；
　未処理の扁平物体を運ぶシャトルが前記処理室に入る時に通る入口エアロックと、処理済みの扁平物体を運ぶシャトルが前記処理室を出る時に通る出口エアロックと、を有し；
　前記シャトルは前記第１レールに一致する方向に前記エアロックに出入りし、
　ステップ・ドウェル・サイクルのドウェル（休止）期の間、シャトル（２０）およびディスク（２６）は静止し、またディスクが静止する間にスパッタリングその他の処理作業が行われ、
　スパッタリング作業中、ディスク（２６）の両側はスパッタリング源（４８）からスパッタされる物質の被膜を同時に受け、
　シャトル（２０）は孔（４４）およびスパッタリング源（４８）と同心である位置にディスク（２６）を位置決めし、
　前記処理作業は付着、除去、および掃除の作業を含み、
　スパッタリング作業は代表的には減圧の下でアルゴンふん囲の中で行われ、これには大気から密封隔離された処理室と、処理室に物体を積載しまた取出すためのエアロックその他の装備とを使用する必要があり、
　高質の被覆を得るために微粒子その他の汚染物を処理質から排除することが大切であり、
　処理作業は管理された環境内で扁平物体に行われる広範囲な加熱、清掃、付着、および除去の作業を含む装置。」
　
　同じく当審の拒絶の理由で引用された特開昭６２−１６１９５９号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
９「本発明は、インライン式のスパッタリング装置や蒸着装置等のインライン式成膜装置に関する。
（従来の技術）
　従来、前記のようなインライン式成膜装置は、基本的には仕込室、成膜室及び取出室の３室を仕切バルブを介して連接した構成を備えるものが一般である。こうしたインライン式の装置は、成膜室内を大気にさらさないこと、仕込室に於いて基板又は基板を取付けした治具の脱ガスや加熱等の前処理を行なえるので成膜室の雰囲気が悪くならないこと、及びバッチ式の装置に較べて作業者一人当りの生産量が大きいことなどの利点があるので生産装置として多用されている。」（１頁左下欄１５行〜右下欄１０行）
　
　本願優先日前公知の、特公昭６３−４７２７号公報（以下「周知例１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
１０「本発明は水晶振動子の周波数調整装置、特に、水晶振動子の表面に微少量の金属物質を蒸着することにより周波数を調整するようにした水晶振動子の調整装置に関する。
  一般に水晶振動子１は第１図に示すように適当な形状にカツトとした水晶片２の両面に銀、アルミニユーム、金等の物質を真空蒸着により設けることにより励振電極３，３（一方は図示せず）および端子４，４と成し、この水晶片２を基台５に植設した導出端子６，６と接続された保持部材７，７に挾持させた後、保持部材７，７と端子４，４とを導電性の接着剤により接着し、水晶片２の周波数を端子４，４、保持部材７，７、導出端子６，６を介して外部へ取出すものである。」（１頁左欄１８行〜右欄４行）
　
３．対比
　本願発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「圧電基板１」、「気密扉１４」は、それぞれ本件発明１の「（ピエゾ電気）ディスク（９１）」、「ゲート弁」に相当する。
　引用例１発明は、圧電共振子の共振周波数測定方法であるが、蒸着室１２と蒸着室１３で圧電基板に電極とリード部を形成し共振周波数を測定して圧電共振子を得ている点で、「共振器の製造方法」であるということができる。
　引用例１発明の「蒸着マスク２」は、圧電基板を保持し、予備室１０、蒸着室１２、蒸着室１３及び予備室１１を順次搬送されるものであるから、本願発明の「キャリヤー（装置）」に相当する。また当該キャリヤー（装置）には、複数の圧電基板が保持されていて、当該圧電基板は共振器の一部、すなわち共振器エレメントであるといえるから、引用例１発明も、「あらかじめ製造した共振器エレメントの複数をキャリヤー装置上に設置」しているといえる。
　また、引用例１発明における「予備室１０」は蒸着室１２の前段に位置する真空チャンバーである点で本願発明の「第１の真空チャンバー」に相当し、引用例１発明における「蒸着室１２」及び「蒸着室１３」は、圧電共振子に電極を適用する真空チャンバーであり、電極が適用された圧電共振子の共振器周波数を測定しつつ設定共振周波数に達するまでベース蒸着やスポット蒸着を行う真空チャンバーであるから、「蒸着室１２」と「蒸着室１３」は本願発明の「第２の（真空）チャンバー」に相当する。
　また、引用例１発明の「予備室１０」、「蒸着室１２」、「蒸着室１３」、「予備室１１」の各室は、気密扉１４によって隔離され、それぞれ独立した真空ポンプによって高真空にされる（第５図及び上記摘記事項３参照。）ことから、引用例１発明の第１の真空チャンバー及び第２の真空チャンバーは、それぞれの真空レベル、すなわち、第１の真空レベルの第１真空チャンバー、及び第２の真空レベルが支配する第２の真空チャンバーであるといえる。
　引用例１発明は、「予備室１０の出口側気密扉１４を開放した後蒸着室１２に搬送」することから、「キャリヤーをエレメントと共に第１の真空チャンバーから第１の真空チャンバーへ接続されそして第２の真空レベルが支配する第２の真空チャンバーへ直接移換」しているといえる。
　更に引用例１発明の「予備室１１」は、蒸着室１３に接続され、出口側気密扉を解放して作業が終了することから、本願発明の「第３のチャンバー（４）」に相当し、引用例１発明の「ある程度電極及びリード部が形成された後蒸着を一時停止し，圧電基板個々の共振周波数を針状の導体（プローブ１７）を圧電基板に圧接することによって測定し、
　更に前記測定で得た結果に基づいて所望の共振周波数に最も近似した圧電基板を選定し，該圧電基板の共振周波数を測定しつつ蒸着を再開し，設定共振周波数に達するまでベース蒸着を行ない、
　その後マスクに保持された圧電基板を蒸着室１３に搬送して、設定共振周波数に達していない他の圧電共振子の共振周波数を個々に測定しつつスポット蒸着を行ない、
　蒸着工程終了後、予備室１１に搬送する」工程は、本願発明と「第２の真空チャンバー中で共振器エレメントへ電極材料を適用し、前記第２のチャンバー中で電極が適用された共振器エレメントの共振器周波数を所望の値へ微調節する工程」、及び、「キャリヤーを電極コーティングされそして周波数調節された共振器エレメントと共に第２のチャンバーから第２のチャンバーへ接続された、キャリヤー取出しゲート弁を形成する第３のチャンバーへ移換するステップ」である点で一致する。
　また、蒸着室１２における蒸着工程で圧電基板１に電極及びリード部を形成する際は、圧電基板は所定の位置に一時的に配置されることは明白であり、そのためのキャリヤーの運動が停止されることも明らかである。
　
　以上を総合して両者は、
　
「共振器の製造方法であって、あらかじめ製造した共振器エレメントの複数をキャリヤー装置上に設置し、キャリヤー装置を第１の真空レベルの第１の真空チャンバーへ導入し、キャリヤーをエレメントと共に第１の真空チャンバーから第１の真空チャンバーへ接続されそして第２の真空レベルが支配する第２の真空チャンバーへ直接移換し、第２の真空チャンバー中で共振器エレメントへ電極材料を適用し、前記第２のチャンバー中で電極が適用された共振器エレメントの共振器周波数を所望の値へ微調節し、そしてキャリヤーを電極コーティングされそして周波数調節された共振器エレメントと共に第２のチャンバーから第２のチャンバーへ接続された、キャリヤー取出しゲート弁を形成する第３のチャンバーへ移換するステップを含む前記共振器の製造方法において、
　コーティング装置が前記エレメントが与えられた位置に保持されている間に共振器エレメントへ電極材料を適用する与えられた位置に一時的に配置するため、キャリヤーの縦方向運動を停止する更なるステップを有する前記方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］本願発明の共振器は、「各自がそれぞれの接続導体（９４）へ接続された少なくとも二つの互いに別体のホルダーエレメント（９２）を有するホルダー（９３）と、その互いに対向する主表面間に中心面を有しそして共振器エレメントを形成するようにホルダーエレメント（９２）へ取付けられそして導電的に固着されたピエゾ電気ディスク（９１）を含んでおり、電極がディスク（９１）の主表面のそれぞれへ適用されそしてそれぞれのホルダーエレメント（９２）へ電気的に接続されている」共振器エレメントであるのに対し、引用例１発明の共振器は、圧電基板である点。
　
［相違点２］本願発明は、キャリヤー装置を第１の真空レベルにおいてクリーニングするため第１真空チャンバーへ導入し、エレメント（９）とキャリアー（１０）を含む結合された装置は、第１の真空チャンバーの中で水蒸気および他の揮発性物質を追い出すために熱処理プロセスへかけられ、かつ第１の真空チャンバー（１）は第２の真空チャンバー（３）が超高真空である間高真空であるのに対し、引用例１発明では第１真空チャンバーでクリーニングや熱処理プロセスが行われるか不明であり、また第１真空チャンバーと第２真空チャンバーの真空度について明らかでない点。
　
［相違点３］本願発明は、複数の共振器エレメント（９）を各ディスク（９１）の中心面が列の縦方向に配向するように列としてキャリヤー（１０）上に搭載し、キャリヤー（１０）を前記第２のチャンバー内において与えられ通路に沿って列の縦方向に動かし、各エレメント（９）のディスク（９１）を、少なくとも一つの静止して取付けたコーティング装置（８６）がディスク（９１）の一方の関連する主表面に対して向い合うのに対し、引用例１発明ではそのような構成を有しない点。
　
４．判断
［相違点１］
　周知例１の上記摘記事項１０及び第１図を参照して、周知例１の水晶振動子１の「導出端子６」、「保持部材７」、「水晶片２」及び「励振電極３」は、本願発明の共振器の「接続導体（９４）」、「ホルダーエレメント（９２）」、「ピエゾ電気ディスク（９１）」及び「電極」に相当することは明らかであり、このような形状の共振器エレメントは本願出願前周知なものであるから、引用例１発明の共振器を「各自がそれぞれの接続導体（９４）へ接続された少なくとも二つの互いに別体のホルダーエレメント（９２）を有するホルダー（９３）と、その互いに対向する主表面間に中心面を有しそして共振器エレメントを形成するようにホルダーエレメント（９２）へ取付けられそして導電的に固着されたピエゾ電気ディスク（９１）を含んでおり、電極がディスク（９１）の主表面のそれぞれへ適用されそしてそれぞれのホルダーエレメント（９２）へ電気的に接続されている」共振器エレメントとすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
［相違点２］
　引用例２発明は、「扁平物体に一連の処理作業を行う装置」であるが、スパッタリングによって電極等の材料を付着させるためには、「大気から密封隔離された処理室と、処理室に物体を積載しまた取出すためのエアロックその他の装備とを使用する必要があ」って、「高質の被覆を得るために微粒子その他の汚染物を処理質から排除することが大切であ」るものである。
　一方、電極の適用などの成膜前に必要な前処理を行うこと（引用例２発明や引用例３の摘記事項９、特開昭６２−８９８８１号公報、１頁左下欄５行〜９行「１．試料にスパッタ成膜する成膜手段と、前記試料をスパッタエッチするスパッタエッチ手段と、前記
試料をベーキングする加熱手段
加熱手段
加熱によって
水分（Ｈ
２
Ｏ），Ｏ
２
，Ｈ
２
，ＣＯ
２
などの脱ガスが効率的に行なえる
真空室Ａ〜Ｈは、それぞれ独立の真空排気装置を備える
　基板交換室５も真空排気装置を備える。従来の基板搬送室２５も真空排気装置を備えていたのであるが、真空度が低かつた。
　本発明の基板交換室５はより超高真空に引くことができる。円形の空間であり、排気コンダクタンスが高いので、真空に引きやすいという事がある。
　真空室の内どれかが、基板導入室、基板取出室、成長室に当る。この他に、ガスエツチング室や、分析室などに当ててもよい。」の各記載、特開昭６１−２０３５５４号公報第７図、１０頁右下欄８行〜１０行「第７図に示すように、
３段階の差別的にポンピンクされる真空室
真空室の３つの区域Ａ、ＢおよびＣは、３台の低温真空ポンプ６３［ＣＴＩクリオゲニクス（Ｃｒｙｏｇｅｎｉｃｓ）のＣＴ−型］により差別的にポンピングされる
超高真空
　この段階において、
成長室２は、結晶成長に備えて超高真空
基板準備室１０もまた高真空状態
　
［相違点３］
　引用例２記載発明の「扁平物体」、「シャトル」及び「スパッタリング源」は、本願発明の「共振器エレメント（９）のディスク（９１）」、「キャリヤー（１０）」及び「コーティング装置（８６）」に対応するものである。
　また引用例２発明は、第１レール上を扁平物体が搭載されたシャトルが移動するものであり、図１及び図３などを参照すると、本願発明の「エレメント（９）を各ディスク（９１）の中心面が列の縦方向に配向するように列としてキャリヤー（１０）上に搭載し、キャリヤー（１０）を前記第２のチャンバー内において与えられ通路に沿って列の縦方向に動かし」ている構成を示していると言える。
　また引用例２発明の「ディスクが静止する間にスパッタリングその他の処理作業が行われ、
　スパッタリング作業中、ディスク（２６）の両側はスパッタリング源（４８）からスパッタされる物質の被膜を同時に受け」る構成は、本願発明の「各エレメント（９）のディスク（９１）を、少なくとも一つの静止して取付けたコーティング装置（８６）がディスク（９１）の一方の関連する主表面に対して向い合う」構成に相当しているから、結局、引用例２発明は、本願発明の「複数の共振器エレメント（９）を各ディスク（９１）の中心面が列の縦方向に配向するように列としてキャリヤー（１０）上に搭載し、キャリヤー（１０）を前記第２のチャンバー内において与えられ通路に沿って列の縦方向に動かし、各エレメント（９）のディスク（９１）を、少なくとも一つの静止して取付けたコーティング装置（８６）がディスク（９１）の一方の関連する主表面に対して向い合う」構成を有しているといえ、引用例１発明と引用例２発明は共に扁平物体に電極等を適用するものであるという技術的関連性を有することから、引用例１発明に引用例２発明の上記構成を採用することは当業者にとって容易である。
　
　また、本願発明の効果も、引用例１発明、引用例２発明及び周知技術に基づけば、当業者が普通に想起する範囲内のものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１発明、引用例２発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。