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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電気保護回路を備える半導体装置であって、
前記静電気保護回路は、
電源電位線と基準電位線とによって前記半導体装置が備える半導体集積回路に電流を供給する電源系統と、
信号端子にサージ電圧が発生したとき、前記信号端子に接続された第１ノードを介してサージ電流を前記電源系統に逃がす一次保護回路と、
前記電源系統に発生するサージ電圧に応答してトリガ信号を生成するトリガ回路と、
前記トリガ信号に応答して、前記第１ノードと前記半導体集積回路との間に接続された第２ノードを介してサージ電流を前記電源系統に逃がす二次保護回路
とを具備する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月3日(2012.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
キャリア載置部２Ａ、２Ｂの間には、これらのキャリアＣ１、Ｃ２と、後述のロードロック室２２ａ、２２ｂとの間で基板Ｓの受け渡しを行うための第１の搬送機構３が設けられている。この第１の搬送機構３は支持台２４上に設けられており、上下方向に２段に連設された搬送アーム３１、３２と、これらの搬送アーム３１、３２を進退自在、及び回転自在に支持する基台３３と、を備えている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
以上に説明したように本実施の形態に係るエッチング装置１は、選択された処理レシピで実行されるエッチングの処理時間に応じて、第２の搬送機構５の動作速度を変更することができるようになっている。図１１は、この動作速度の変更にあたり、アーム速度決定プログラム６１３に基づいて実行される動作の流れを示している。エッチング装置１にて基板Ｓの処理を開始するにあたり（スタート）、今回の処理で実行するレシピデータ６２１が選択されると（ステップＳ１）、選択されたレシピデータ６２１データに記憶されているエッチングの処理時間と、（１）〜（５）までの並行動作に要する最短動作時間とを比較する（ステップＳ２）。比較の結果、「最短動作時間≧エッチング処理時間」である場合には（ステップＳ３；ＹＥＳ）、搬送アーム５１、５２の動作速度を最高速度に設定して（ステップＳ４）動作速度の変更作業を終える（エンド）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
このとき、図１４に示すようにエッチング処理の時間が「Ｐ２（＞Ｐ１）」となると、第３の処理室４Ｃから取り出した基板Ｓのロードロック室２２側の入れ替え動作を終えてから、第１の処理室４Ａへの次の基板Ｓの入れ替え動作を開始するまでの期間に新たな待ち時間が発生する。このような場合において、図１５に示すように第３の処理室４Ｃにおけるロードロック室２２の入れ替え動作に係る動作時間を「ＬＬ２（＞ＬＬ１）」とすることにより第２の搬送機構５の動作速度を遅くして、第２の搬送機構５を構成する部品の損耗を抑えることができる。この場合には、「新たな並行動作時間（（Ｌ１−ＰＣ１）＋Ｌ１×２＋ＬＬ１×２＋ＬＬ２）＝エッチング処理時間（Ｐ２）」となるように例えば搬送アーム５１、５２の伸縮速度などを遅くして待ち時間をなくすか、待ち時間が短くなるようにＬＬ２が決定される。そして待ち時間をなくす場合には、例えば図８に示したＭ２、Ｍ４、Ｍ６、Ｍ８の動作時間を「Ｂ’＝Ｂ＋［Ｐ２−｛（Ｌ１−ＰＣ１）＋Ｌ１×２＋ＬＬ１×３｝］／４」とすることにより動作時間の調整を行うことができる。  
また、各処理室４Ａ〜４Ｃとロードロック室２２との間の第２の搬送機構５の回転動作（図８のＭ１）の速度を下げるような動作時間の調整も行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
このほか、上述の実施の形態に係るエッチング装置１では、図１１に示すようにエッチング装置１の運転開始時にレシピデータ６２１に記憶されているエッチングの処理時間と、（１）〜（５）までの並行動作に要する最短動作時間とを比較して（５）の動作における動作速度を予め変更する判断を行っているが、このような判断はエッチング装置１の運転開始時に予め行う場合に限定されず、搬送動作を実行しながら行ってもよい。例えば第２の搬送機構５が、図８に示した動作の流れに基づいて（５）の動作を実行しており、ロードロック室２２ａ、２２ｂ内に基板Ｓを載置する動作（図８のＭ７）を終えた時点にて、次に基板Ｓを搬送する処理室４Ａ〜４Ｃの処理の進行状況を確認し、待ち時間が発生することになる場合にはこの待ち時間がなくなるか短くなるように、基板Ｓを受け取った搬送アーム５２の退縮動作（同Ｍ８）、支持部５３の回転動作（同Ｍ９）の動作を遅くしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
また図１〜図３に示したエッチング装置１の第２の搬送機構５は、複数、例えば２つの搬送アーム５１、５２を備えているが、搬送アームを１つだけ備える搬送機構についても本発明は適用できる。例えば図１７に示す処理装置１０は、搬入用、搬出用の２つのキャリアＣ１、Ｃ２の間に第１の処理室４Ａ（例えば基板Ｓへの膜の塗布処理が行われる）、第２の処理室４Ｂ（例えば塗布された膜の加熱処理が行われる）が直線状に配置されており、これら各キャリアＣ１、Ｃ２、処理室４Ａ、４Ｂの間に配置された３台の搬送機構５Ａ〜５Ｃにて矢印の方向に基板Ｓを搬送する構成となっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2010283285.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、
前記第１の回路と同一又は同等の構成を有し、前記第１の回路と動作マージンが異なる第２の回路と、
前記第１の回路の出力と前記第２の回路の出力を比較する比較器と、
を備え、
前記第１の回路と前記第２の回路へ同一の信号を入力し、前記比較器で前記第１の回路と前記第２の回路の出力の不一致が検出された場合、前記不一致の検出に対応して予め定められた所定の動作が行われる、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、異常動作を事前に予測可能とした半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明によれば、検知したい回路について、２つの同一又は同等の回路の比較を行い、比較する粒度により、故障箇所の断定の粒度を細かく変更することが可能である。このため、故障箇所により異常動作時の動作を変更することが可能となる。
上記実施形態は以下のように付記される（ただし、以下に限定されない）。
（形態１）
第１の回路と、
前記第１の回路と同一又は同等の構成を有し、前記第１の回路と動作マージンが異なる第２の回路と、
前記第１の回路の出力と前記第２の回路の出力を比較する比較器と、
を備え、
前記第１の回路と前記第２の回路へ同一の信号を入力し、前記比較器で前記第１の回路と前記第２の回路の出力の不一致が検出された場合、前記不一致の検出に対応して予め定められた所定の動作が行われる、ことを特徴とする半導体装置。
（形態２）
前記第２の回路は前記第１の回路よりも動作マージンが低くなるように作りこまれており、前記第２の回路は前記第１の回路よりも先に動作異常となる、形態１記載の半導体装置。
（形態３）
前記比較器での比較結果がエラーを示すとき、前記第１、第２の回路をリセットするリセット制御回路を備えている形態１又は２記載の半導体装置。
（形態４）
前記第１、第２の回路が第１、第２のＣＰＵであり、
前記比較器は、前記第１、第２のＣＰＵからのバスへの出力を入力して比較する、形態１乃至３のいずれか１に記載の半導体装置。
（形態５）
前記第１、第２の回路が第１、第２のＣＰＵであり、
前記比較器は、前記第１、第２のＣＰＵの内部信号を入力して比較する、形態１乃至３のいずれか１に記載の半導体装置。
（形態６）
第１の回路に対して、前記第１の回路と同一又は同等の構成を有し、前記第１の回路と動作マージンが異なる第２の回路を設け、
前記第１の回路と前記第２の回路へ同一の信号を入力し、比較器で前記第１の回路と前記第２の回路の出力を比較し、
前記比較器で前記第１の回路と前記第２の回路の出力の不一致が検出された場合、動作異常と予測し、予め定められた所定の動作が行われる、ことを特徴とする異常予測方法。
（形態７）
前記第２の回路は前記第１の回路よりも動作マージンが低くなるように作りこまれており、前記第２の回路は前記第１の回路よりも先に動作異常となる、形態６記載の異常予測方法。
（形態８）
前記比較器での比較結果がエラーを示すとき、前記第１、第２の回路をリセットする、形態６記載の異常予測方法。
（形態９）
前記第１、第２の回路が第１、第２のＣＰＵであり、
前記比較器は、前記第１、第２のＣＰＵからのバスへの出力を入力して比較する、形態６乃至８のいずれか１に記載の異常予測方法。
（形態１０）
前記第１、第２の回路が第１、第２のＣＰＵであり、
前記比較器は、前記第１、第２のＣＰＵの内部信号を入力して比較する、形態６乃至８のいずれか１に記載の異常予測方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタのプロセス特性を測定するプロセスモニタ回路であって、
第１のレベルと第２のレベルの間の遷移を含む信号を生成する生成回路と、
該遷移を含む信号が通過する遅延回路と、
該遅延回路の出力信号の遷移を検出する検出回路とを備え、
該遅延回路は、相対的に速いインバータと遅いインバータとが交互に接続され、
該生成回路は、該検出回路が該遅延回路の出力信号の遷移を検出したことを受けて、該遷移を含む信号を生成する
ことを特徴とするプロセスモニタ回路。
【請求項２】
前記相対的に遅いインバータは、Ｐ型ＭＯＳトランジスタとＮ型ＭＯＳトランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプロセスモニタ回路。
【請求項３】
前記プロセスモニタ回路は、前記遷移を含む信号を正転または反転して前記遅延回路に出力する選択回路を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載のプロセスモニタ回路。
【請求項４】
さらに、前記遅延回路の出力信号の遷移をカウントするカウンタを備え、
前記検出回路は、前記カウンタの最下位ビットの出力によって前記遅延回路の出力信号の遷移を検出することを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載のプロセスモニタ回路。
【請求項５】
相対的に速いインバータと遅いインバータとを交互に接続した遅延回路を用いて、トランジスタのプロセス特性を判定する方法であって、
第１のレベルと第２のレベルの間の遷移を含む信号を生成し、
該遅延回路により前記遷移を含む信号を遅延し、
該遅延回路の出力信号の遷移を検出し、
該遅延回路の出力信号の遷移を検出したことを受けて、該遷移を含む信号を生成する
ことを特徴とするプロセス特性の判定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、トランジスタのプロセス特性を測定するプロセスモニタ回路であって、
第１のレベルと第２のレベルの間の遷移を含む信号を生成する生成回路と、
該遷移を含む信号が通過する遅延回路と、
該遅延回路の出力信号の遷移を検出する検出回路とを備え、
該遅延回路は、相対的に速いインバータと遅いインバータとが交互に接続され、
該生成回路は、該検出回路が該遅延回路の出力信号の遷移を検出したことを受けて、該遷移を含む信号を生成する
ことを特徴とするプロセスモニタ回路を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、前記相対的に遅いインバータは、Ｐ型ＭＯＳトランジスタとＮ型ＭＯＳトランジスタによって構成されていることが好ましい。
また、前記プロセスモニタ回路は、前記遷移を含む信号を正転または反転して前記遅延回路に出力する選択回路を備えることが好ましい。
さらに、前記遅延回路の出力信号の遷移をカウントするカウンタを備え、
前記検出回路は、前記カウンタの最下位ビットの出力によって前記遅延回路の出力信号の遷移を検出することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、相対的に速いインバータと遅いインバータとを交互に接続した遅延回路を用いて、トランジスタのプロセス特性を判定する方法であって、
第１のレベルと第２のレベルの間の遷移を含む信号を生成し、
該遅延回路により前記遷移を含む信号を遅延し、
該遅延回路の出力信号の遷移を検出し、
該遅延回路の出力信号の遷移を検出したことを受けて、該遷移を含む信号を生成する
ことを特徴とするプロセス特性の判定方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機誘電体からなる絶縁性基材にその厚さ方向に貫通する多数の線状導体が密に設けられた構造を有するコア基板と、
前記コア基板の一方の面に形成され、前記多数の線状導体のうちの第１の複数の線状導体の一端に電気的に接続された第１のパッドと、
前記コア基板の他方の面に形成され、前記第１のパッドに対向して配置され、前記第１の複数の線状導体の他端に電気的に接続された第２のパッドと、
前記コア基板の一方の面に形成され、前記多数の線状導体のうちの第２の複数の線状導体の一端に電気的に接続された第３のパッドと、
前記コア基板の他方の面に形成され、平面視において前記第３のパッドと隣り合い且つ前記第３のパッドと重ならずに配置され、前記多数の線状導体のうちの第３の複数の線状導体の一端に電気的に接続された第４のパッドと
を有し、
前記第１及び前記第２のパッドを介して前記コア基板の一方の面側と他方の面側との配線接続が形成されているとともに、
前記第３のパッド及び前記第２の複数の線状導体と前記第４のパッド及び前記第３の複数の線状導体とは前記絶縁性基材を介して容量結合されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記コア基板の絶縁性基材における多数の線状導体は、隣り合う線状導体間の距離が当該線状導体の直径よりも小さくなるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記コア基板の一方の面に形成され、前記第１及び前記第３のパッド間の領域を被覆する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に前記第１のパッドと一体的に形成された第１の配線層と、
前記第１の絶縁層上に前記第３のパッドと一体的に形成された第２の配線層と、
前記コア基板の他方の面に形成され、前記第２及び前記第４のパッド間の領域を被覆する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に前記第２のパッドと一体的に形成された第３の配線層と、
前記第２の絶縁層上に前記第４のパッドと一体的に形成された第４の配線層と
を有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記コア基板の絶縁性基材における多数の線状導体は、前記第１、前記第２、前記第３及び前記第４のパッドのいずれのパッドにも接続されていない孤立した線状導体を含むことを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記コア基板の絶縁性基材における多数の線状導体は、信号配線につながる前記第１及び前記第２のパッドに接続された前記第１の複数の線状導体の周囲に位置する線状導体であってグランド配線につながるパッドに接続された線状導体を含むことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記線状導体は、直径が３０ｎｍ以上で２μｍ以下の範囲内で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、第１導電型の半導体からなるバッファ層と、第１導電型、第２導電型ないしノンドープの半導体からなるエッチング停止層と、第１導電型、第２導電型、ないしノンドープの半導体からなる光吸収層と、２層の第２導電型の半導体層と、がこの順に積層成長されることによって構成された積層構造を有し、
前記２層の第２導電型の半導体層及び前記光吸収層がメサを構成し、
前記メサの側壁は、当該メサの裾が広がる方向に傾斜する斜面であり、
前記メサの少なくとも前記側壁は、その上に成長された第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層により被覆され、
前記メサの下端部における前記斜面の傾斜角度よりも、前記メサの上端部における前記斜面の傾斜角度の方が小さいことを特徴とするメサ型フォトダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メサ型フォトダイオード
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
また、上記の第２及び第６の実施形態では、受光領域メサ１９、５９の斜面の傾斜角度が受光領域メサ１９、５９の下端から上端に向けて段階的に小さくなっている例を説明し、第３及び第７の実施形態では、受光領域メサ１９、５９の斜面の傾斜角度が受光領域メサ１９、５９の下端から上端に向けて連続的に小さくなっている例を説明したが、これらの例に限らず、受光領域メサ１９、５９の斜面には、傾斜角度が上側に向けて段階的に小さくなっている部分と傾斜角度が上側に向けて連続的に小さくなっている部分とが混在するように、受光領域メサ１９、５９を形成しても良い。同様に、上記の第４及び第８の実施形態の受光領域メサ１９、５９の斜面の少なくとも一部分の傾斜角度も、上側に向けて連続的に小さくなるようにしても良い。
なお、上記実施形態には以下の発明が開示されている。
（付記１）
半導体基板上に、第１導電型の半導体からなるバッファ層と、第１導電型、第２導電型ないしノンドープの半導体からなるエッチング停止層と、第１導電型、第２導電型、ないしノンドープの半導体からなる光吸収層と、２層の第２導電型の半導体層と、がこの順に積層成長されることによって構成された積層構造を有し、
前記２層の第２導電型の半導体層及び前記光吸収層がメサを構成し、
前記メサの側壁は、当該メサの裾が広がる方向に傾斜する斜面であり、
前記メサの少なくとも前記側壁は、その上に成長された第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層により被覆され、
前記メサの下端部における前記斜面の傾斜角度よりも、前記メサの上端部における前記斜面の傾斜角度の方が小さいことを特徴とするメサ型フォトダイオード。
（付記２）
前記エッチング停止層は、第１導電型ないしノンドープであることを特徴とする付記１に記載のメサ型フォトダイオード。
（付記３）
前記積層構造は、更に、前記バッファ層上に積層成長された第１導電型ないしノンドープの半導体からなる増倍層と、前記増倍層上に積層成長された第２導電型の半導体からなる電界緩和層と、を更に有し、
前記電界緩和層上の前記エッチング停止層、並びに、前記光吸収層は、それぞれ第２導電型であり、
当該メサ型フォトダイオードはメサ型アバランシェフォトダイオードであることを特徴とする付記１に記載のメサ型フォトダイオード。
（付記４）
前記斜面の傾斜角度は、前記メサの下端から上端に向けて徐々に小さくなっていることを特徴とする付記１乃至３の何れか１つに記載のメサ型フォトダイオード。
（付記５）
前記斜面の傾斜角度は、前記メサの下端から上端に向けて段階的に小さくなっていることを特徴とする付記４に記載のメサ型フォトダイオード。
（付記６）
前記斜面の傾斜角度は、前記メサの下端から上端に向けて連続的に小さくなっていることを特徴とする付記４に記載のメサ型フォトダイオード。
（付記７）
半導体基板上に、第１導電型の半導体からなるバッファ層と、第１導電型、第２導電型ないしノンドープの半導体からなるエッチング停止層と、第１導電型、第２導電型、ないしノンドープの半導体からなる光吸収層と、２層の第２導電型の半導体層と、をこの順に積層成長させることによって積層構造を形成する第１工程と、
前記２層の第２導電型の半導体層及び前記光吸収層をメサに加工する第２工程と、
前記メサの少なくとも側壁を、その上に成長させた第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層により被覆する第３工程と、
を備え、
前記第２工程では、前記メサの側壁を、当該メサの裾が広がる方向に傾斜する斜面に形成するとともに、前記メサの下端部における前記斜面の傾斜角度よりも前記メサの上端部における前記斜面の傾斜角度を小さくすることを特徴とするメサ型フォトダイオードの製造方法。
（付記８）
前記第３工程では、前記メサの前記側壁上及び頂面上に前記半導体層を成長させ、
前記第３工程の後で、前記メサの前記頂面上に電極を形成し、その後、当該半導体層を少なくとも前記側壁上に残留させることを特徴とする付記７に記載のメサ型フォトダイオードの製造方法。
（付記９）
前記第１工程では、第１導電型ないしノンドープの前記エッチング停止層を成長させることを特徴とする付記７又は８に記載のメサ型フォトダイオードの製造方法。
（付記１０）
前記第１工程では、前記バッファ層上に第１導電型ないしノンドープの半導体からなる増倍層を、前記増倍層上に第２導電型の半導体からなる電界緩和層を、前記電界緩和層上に第２導電型の前記エッチング停止層を、前記エッチング停止層上に第２導電型の前記光吸収層を、この順に積層成長し、
メサ型アバランシェフォトダイオードを製造することを特徴とする付記７又は８に記載のメサ型フォトダイオードの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理する処理チャンバに接続され、内部を真空にすることが可能な搬送室と、前記搬送室内に設けられ、前記処理チャンバと前記搬送室との間で被処理体を受け渡すロボットと、を備える搬送モジュールにおいて、
前記搬送室は、開閉可能な蓋を有し、前記ロボットは、前記被処理体を搬送する機構の一部に中空の回転軸を有し、前記中空の回転軸内には、閉じた状態の前記蓋を支える柱が配置される搬送モジュール。
【請求項２】
前記ロボットの前記機構は、伸縮可能な蛙足式の搬送機構であり、
前記蛙足式の搬送機構は、
中空の第一の回転軸と、
中空の前記第一の回転軸の外周側又は内周側に配置される中空の第二の回転軸と、
前記第一の回転軸に結合される第一のアームと、
前記第二の回転軸に結合される第二のアームと、
前記第一のアームに回転可能に連結される第一のリンクと、
前記第二のアームに回転可能に連結される第二のリンクと、
前記第一及び第二のリンクに回転可能に連結され、被処理体を支持する第一の支持体と、
を有し、
前記柱は、中空の前記第一及び前記第二の回転軸を貫通することを特徴とする請求項１に記載の搬送モジュール。
【請求項３】
前記蛙足式の搬送機構は、前記柱に関して対称に配置される第一及び第二の蛙足式の搬送機構を含み、
前記第一の蛙足式の搬送機構は、前記第一及び前記第二の回転軸、前記第一及び前記第二のアーム、前記第一及び前記第二のリンク、及び前記第一の支持体を有し、
前記第二の蛙足式の搬送機構は、前記第一及び前記第二の回転軸、前記第一及び前記第二のアーム、前記第一のアームに回転可能に連結される第三のリンク、前記第二のアームに回転可能に連結される第四のリンク、前記第三及び第四のリンクに回転可能に連結され、被処理体を支持する第二の支持体、を有し、
折り畳まれた状態の前記第一及び前記第二の蛙足式の搬送機構の一方を伸ばしたとき、他方の蛙足式の搬送機構が前記柱に接近し、かつ前記柱に当たらないことを特徴とする請求項２に記載の搬送モジュール。
【請求項４】
前記柱には、前記搬送室内にガスを吹き出す吹出口が設けられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の搬送モジュール。
【請求項５】
前記蓋には、前記柱の上部に当接可能なねじが螺合し、前記柱に当接した前記ねじを回すことによって、前記蓋が前記柱から持ち上がることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の搬送モジュール。
【請求項６】
前記柱の上部と前記蓋との間には、前記ねじを囲むように環状のシール部材が設けられることを特徴とする請求項５に記載の搬送モジュール。
【請求項７】
被処理体を処理する処理チャンバに接続され、内部を真空にすることが可能な搬送室と、前記搬送室内に設けられ、前記処理チャンバと前記搬送室との間で被処理体を受け渡すロボットと、を備える搬送モジュールにおいて、
前記搬送室は、開閉可能な蓋を有し、前記ロボットは、前記被処理体を搬送する機構の一部に中空の回転軸を有し、前記中空の回転軸内には、前記搬送室内にガスを吹き出す吹出口を有する柱が配置される搬送モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次いで、金属板１２に接着材料であるＡｇペースト１４を介して素子１６を固着する。次いで、Ａｕワイヤ１８を用いたワイヤボンディングが行われる。ワイヤボンディングは、金属板１２のうち、Ａｇペースト１４の圧延キズに沿ったブリードアウト成分が溝２４により遮断されブリードアウト成分の及ばない領域に対して行われる。ワイヤボンディングにより素子１６と金属板１２が接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、アルカリ土類金属を含む有機化合物とを含有し、
前記アルカリ土類金属を含む有機化合物が、周期表２族元素の金属せっけんであることを特徴とする太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
【請求項２】
前記周期表２族元素の金属せっけんを、０．１ないし５重量％で含有することを特徴とする請求項１記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
【請求項３】
前記周期表２族元素の金属せっけんは、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロンチウム、またはグルコン酸マグネシウムであることを特徴とする請求項１または２記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
【請求項４】
前記周期表２族元素の金属せっけんが、ステアリン酸マグネシウムであることを特徴とする請求項３記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
【請求項５】
導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットと、低融点金属系化合物とを含有し、
前記低融点金属系化合物が、テルル化亜鉛、テルル化アルミニウム、テルル化カドミウム、テルル化カリウム、テルル化ナトリウム、テルル化ガリウム、テルル化銀、テルル化クロム、テルル化ゲルマニウム、テルル化コバルト、テルル化水銀、テルル化スズ、テルル化タングステン、テルル化チタン、テルル化銅、テルル化鉛、テルル化ビスマス、テルル化マンガン、およびテルル化モリブデンから選択される少なくとも１種であることを特徴とする太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
【請求項６】
前記低融点金属系化合物が、テルル化亜鉛であることを特徴とする請求項５記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
【請求項７】
前記低融点金属系化合物を、０．０１ないし１０重量％で含有することを特徴とする請求項５または６記載の太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト。
【請求項８】
半導体基板の受光面側に拡散層を形成し、この拡散層上に反射防止層と表面電極を有し、半導体基板の反受光面側に裏面電極を有する太陽電池素子において、表面電極は請求項１、２、３、４、５、６または７記載の導電性ペーストを反射防止層上に印刷して焼成することにより形成されたものであることを特徴とする太陽電池素子。
【請求項９】
半導体基板の受光面側に拡散層を形成し、この拡散層上に反射防止層を形成し、この反射防止層上に請求項１、２、３、４、５、６または７記載の導電性ペーストを印刷し、半導体基板の反受光面側に裏面電極用導電性ペーストを印刷し、さらに、反射防止層上に印刷された導電性ペーストを焼成することによって拡散層と導通させて表面電極を形成し、裏面電極用導電性ペーストを焼成することによって裏面電極を形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
発光ダイオードの発光強度(輝度)は、発光ダイオードに流れる電流量に応じて決定されている。その輝度と電流とは、正比例関係を有する。即ち、発光ダイオードに高い電流を流せば、高輝度の光が得られ、逆に発光ダイオードに低い電流を流せば、輝度が弱くなる。しかしながら、高輝度の要求に応じるために高い電流が長時間に亘って発光ダイオードに流されると、発光ダイオードの使用寿命が低下するだけでなく、消費電力の浪費にも繋がるという問題点が生ずる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
さらに具体的に上記の各実施形態を実施するに際して、上記の点滅状態記憶ユニット６１０は、容量回路、ＲＣ回路、ダイオードスイッチ回路、トランジスタスイッチ回路のうちのいずれかまたはその組合せであってもよい。但し、その限りではない。点滅制御信号は、発光ダイオードの点滅状態と正比例関係または反比例関係を呈するスイッチクロック信号であってもよい。また、異なる電路回路により、点滅制御信号は、発光ダイオードの点滅状態とはその他の関係を呈するように設計されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された多層配線構造と、
を備え、
前記多層配線構造は、
複数の第１の導電ラインと、
前記複数の第１の導電ラインを覆う絶縁膜と、
前記複数の第１の導電ラインと交差するように前記絶縁膜の上に配された第２の導電ラインと、
を含み、
前記絶縁膜は、前記複数の第１の導電ラインと前記第２の導電ラインとが交差する複数の領域における少なくとも一部の領域にギャップを有し、
前記第２の導電ラインに沿った方向における前記ギャップの幅は、前記第１の導電ラインの幅以下である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の導電ラインに沿った方向における前記ギャップの幅は、前記第２の導電ラインの幅以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、光電変換装置を含み、
前記半導体基板は、光電変換部を含む
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の上方に複数の第１の導電ラインを形成する第１の工程と、
前記複数の第１の導電ラインを覆うように絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜に前記複数の第１の導電ラインの上面の一部を露出する複数の溝をそれぞれ前記第１の導電ラインの幅以下の幅で形成する第３の工程と、
前記複数の溝のそれぞれに第１の絶縁体を埋め込む第４の工程と、
前記絶縁膜及び前記第１の絶縁体の上に、前記複数の第１の導電ラインと交差するように第２の導電ラインを形成する第５の工程と、
前記第５の工程の後に、前記第１の絶縁体を前記複数の溝のそれぞれから除去する第６の工程と、
前記第６の工程の後に、前記複数の溝内の前記第１の導電ラインと前記第２の導電ラインとが交差する複数の領域における少なくとも一部の領域をギャップとして残すように、前記複数の溝のそれぞれにおける前記半導体基板の表面に垂直な方向から見た場合に前記第２の導電ラインが重ならない部分に第２の絶縁体を埋め込む第７の工程と、
を含み、
前記第２の導電ラインに沿った方向における前記ギャップの幅は、前記第１の導電ラインの幅以下である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第６の工程では、前記第１の絶縁体の上面のうち前記半導体基板の表面に垂直な方向から見た場合に前記第２の導電ラインが重ならない部分が露出した状態で、前記第１の絶縁体の前記絶縁膜及び前記第２の導電ラインに対するエッチング選択比が高くなる条件で等方性エッチングを行うことにより、前記第１の絶縁体を前記複数の溝のそれぞれから除去する
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第５の工程は、
前記絶縁膜及び前記第１の絶縁体の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、前記複数の第１の導電ラインと交差するように第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝に導電体を埋め込むことにより、前記第２の溝に対応した前記第２の導電ラインを形成する工程と、
を含み、
前記第６の工程は、
前記第１の絶縁体の上面のうち前記半導体基板の表面に垂直な方向から見た場合に前記第２の導電ラインが重ならない部分を露出するように複数の穴を前記第２の絶縁膜に形成する工程と、
前記絶縁膜及び前記第２の導電ラインに対する前記第１の絶縁体のエッチング選択比が高くなる条件で前記複数の穴を介して等方性エッチングを行うことにより、前記第１の絶縁体を前記複数の溝のそれぞれから除去する工程と、
を含み、
前記第７の工程では、
前記複数の穴を介して前記複数の溝のそれぞれに前記第２の絶縁体を埋め込む
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体装置は、光電変換装置を含み、
前記半導体基板は、光電変換部を含む
ことを特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に配された多層配線構造とを備え、前記多層配線構造は、複数の第１の導電ラインと、前記複数の第１の導電ラインを覆う絶縁膜と、前記複数の第１の導電ラインと交差するように前記絶縁膜の上に配された第２の導電ラインと、
を含み、前記絶縁膜は、前記複数の第１の導電ラインと前記第２の導電ラインとが交差する複数の領域における少なくとも一部の領域にギャップを有し、
前記第２の導電ラインに沿った方向における前記ギャップの幅は、前記第１の導電ラインの幅以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上に導電層を形成し、前記導電層をパターニングすることにより、ゲート電極を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜を介して第１導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、光電変換部における電荷蓄積領域となるべき半導体領域を形成する工程と、
前記半導体領域を形成する工程の後に、前記第１の絶縁膜のうち前記ゲート電極が上に存在する部分以外の部分を除去する工程と、
前記半導体基板を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜を介して前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、前記光電変換部における表面領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜は、酸化によって形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸化は、熱酸化あるいはラジカル酸化である
ことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜はシリコン酸膜であり、前記第２の絶縁膜はシリコン酸化膜である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記ゲート電極を形成する工程は、
前記導電層の上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記導電層をエッチングする工程と、
前記マスクを用いて前記第１の絶縁膜の露出した表面をエッチングして薄膜化する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜における前記ゲート電極が上に存在する部分以外の部分より厚い
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート電極が上に存在する部分以外の部分を除去する工程では、化学溶液を用いて当該除去を行う
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体領域を形成する工程において、前記第１導電型の不純物イオンの注入は、前記電荷蓄積領域の一部が前記ゲート電極の下に配されるように、傾斜した角度で行われることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記表面領域を形成する工程において、前記第２導電型の不純物イオンの注入は、前記ゲート電極の上方から前記電荷蓄積領域に向かって、傾斜した角度で行われていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
前記表面領域は、前記ゲート電極の端部から離間して形成される
ことを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
前記表面領域を形成する工程の後に、前記光電変換部及び前記ゲート電極の上に反射防止膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面に係る光電変換装置の製造方法は、半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の上に導電層を形成し、前記導電層をパターニングすることにより、ゲート電極を形成する工程と、前記第１の絶縁膜を介して第１導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、光電変換部における電荷蓄積領域となるべき半導体領域を形成する工程と、前記半導体領域を形成する工程の後に、前記第１の絶縁膜のうち前記ゲート電極が上に存在する部分以外の部分を除去する工程と、前記半導体基板を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜を介して前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、前記光電変換部における表面領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表面電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップが搭載されたダイパッドと、
前記半導体チップの周囲に配置された複数のインナリードと、
前記半導体チップの前記複数の表面電極と前記複数のインナリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記複数のインナリード及び前記複数のワイヤを封止する封止体と、
前記複数のインナリードそれぞれと一体で繋がり、前記封止体から露出する複数のアウタリードと、
前記複数のアウタリードそれぞれの表面に形成された外装めっきと、
を有し、
前記外装めっきは、所望の条件で形成された第１鉛フリーめっきと、前記第１鉛フリーめっきの組成と同系列の組成から成る第２鉛フリーめっきとを有し、前記第１鉛フリーめっきと前記第２鉛フリーめっきとが積層されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像データの符号化対象ブロックに対して、過去または未来の画像を参照して動き探索を行う動き探索手段と、
前記動き探索手段による探索結果に従って前記符号化対象ブロックに対して符号化し、符号化データを生成する符号化手段と、
前記符号化手段により生成された符号化データの発生符号量に基づいて、前記生成された符号化データを復号化する場合の、復号化装置が有する符号化データを一時的に記憶する仮想バッファの占有量を検証する仮想バッファ検証手段と、
前記動き探索手段に対して、画質を重視した動き探索を行わせるための第１の評価値と、発生符号量を重視した動き探索を行わせるための第２の評価値とをそれぞれ発生する発生手段と、
前記仮想バッファ検証手段によって検証された前記仮想バッファの占有量に応じて、前記第１の評価値と前記第２の評価値との比重を調整して動き探索を行うように前記動き探索手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする動画像符号化装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記仮想バッファ内の符号化データによる占有量が少ないときは、多いときに比べて、前記第２の評価値を優先した動き探索を行うように前記動き探索手段の動作を制御することを特徴とする請求項１に記載の動画像符号化装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記仮想バッファ内の符号化データによる占有量が多いときは、少ないときに比べて、前記第１の評価値を優先した動き探索を行うように前記動き探索手段の動作を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の動画像符号化装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記仮想バッファの占有量が小さくなるに従って、前記第２の評価値を優先した動き探索を行うように前記動き探索手段の動作を制御することを特徴とする請求項１に記載の動画像符号化装置。
【請求項５】
前記仮想バッファ検証手段は、前記仮想バッファが破綻しない前記符号化対象ブロックを含むピクチャの最大の発生符号量から、前記符号化対象ブロックまでの符号化により前記仮想バッファが破綻しない最大の符号量を算出することにより、前記仮想バッファの占有量を検証することを特徴とする請求項１に記載の動画像符号化装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記符号化対象ブロックまでの符号化により前記仮想バッファが破綻しない最大の符号量と、前記符号化手段による前記符号化対象ブロックまでの符号化で発生した符号量との差が小さくなるに従って、前記第２の評価値を優先した動き探索を行うように前記動き探索手段の動作を制御することを特徴とする請求項５に記載の動画像符号化装置。
【請求項７】
動画像データの符号化対象ブロックに対して、過去または未来の画像を参照して動き探索を行う動き探索工程と、
前記動き探索手段における探索結果に従って前記符号化対象ブロックに対して符号化し、符号化データを生成する符号化工程と、
前記符号化工程において生成された符号化データの発生符号量に基づいて、前記生成された符号化データを復号化する場合の、復号化装置が有する符号化データを一時的に記憶する仮想バッファの占有量を検証する仮想バッファ検証工程と、
前記動き探索工程において、画質を重視した動き探索を行わせるための第１の評価値と、発生符号量を重視した動き探索を行わせるための第２の評価値とをそれぞれ発生する発生工程と、
前記仮想バッファ検証工程において検証された前記仮想バッファの占有量に応じて、前記第１の評価値と前記第２の評価値との比重を調整して動き探索を行うように前記動き探索工程における動作を制御する制御工程とを備えることを特徴とする動画像符号化方法。
【請求項８】
動画像データの符号化対象ブロックに対して、過去または未来の画像を参照して動き探索を行う動き探索工程と、
前記動き探索手段における探索結果に従って前記符号化対象ブロックに対して符号化し、符号化データを生成する符号化工程と、
前記符号化工程において生成された符号化データの発生符号量に基づいて、前記生成された符号化データを復号化する場合の、復号化装置が有する符号化データを一時的に記憶する仮想バッファの占有量を検証する仮想バッファ検証工程と、
前記動き探索工程において、画質を重視した動き探索を行わせるための第１の評価値と、発生符号量を重視した動き探索を行わせるための第２の評価値とをそれぞれ発生する発生工程と、
前記仮想バッファ検証工程において検証された前記仮想バッファの占有量に応じて、前記第１の評価値と前記第２の評価値との比重を調整して動き探索を行うように前記動き探索工程における動作を制御する制御工程とをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の動画像符号化装置は、動画像データの符号化対象ブロックに対して、過去または未来の画像を参照して動き探索を行う動き探索手段と、前記動き探索手段による探索結果に従って前記符号化対象ブロックに対して符号化し、符号化データを生成する符号化手段と、前記符号化手段により生成された符号化データの発生符号量に基づいて、前記生成された符号化データを復号化する場合の、復号化装置が有する符号化データを一時的に記憶する仮想バッファの占有量を検証する仮想バッファ検証手段と、前記動き探索手段に対して、画質を重視した動き探索を行わせるための第１の評価値と、発生符号量を重視した動き探索を行わせるための第２の評価値とをそれぞれ発生する発生手段と、前記仮想バッファ検証手段によって検証された前記仮想バッファの占有量に応じて、前記第１の評価値と前記第２の評価値との比重を調整して動き探索を行うように前記動き探索手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送受信ベースバンド信号を変復調する変復調部を含むベースバンド部と、
受信ベースバンド信号をディジタル変換するＡ／Ｄ変換器及び送信ベースバンド信号をアナログ変換するＤ／Ａ変換器を介して前記ベースバンド部に接続され、前記受信ベースバンド信号及び前記送信ベースバンド信号を直交変換する送信側直交変換器及び受信側直交変換器を有するアナログ部と、
前記ベースバンド部に設けた、前記アナログ部の直交誤差を補正するための補正回路と、
該補正回路のパラメータを制御する補正計算部と、
を有する通信装置において、
同一周波数で９０度位相差をもった単一トーンのＩ／Ｑ信号を基準信号として前記補正回路に供給する基準信号生成部と、
前記送信側直交変換器によって直交変換されアップコンバートされた前記基準信号からパワーエンベロープ信号を抽出するパワーディテクタと、
前記パワーエンベロープ信号を、前記Ａ／Ｄ変換器を介して、前記ベースバンド部に取り込むループバック経路と、を有し、
前記補正計算部は、
前記アナログ部の送信側の直交誤差を補正するために、前記Ａ／Ｄ変換器を介して取り込まれた前記パワーエンベロープ信号から前記基準信号と同じ周波数の信号成分のパワーと、前記基準信号の２倍の周波数のパワーを部分フーリエ変換回路によって算出するトーンパワー算出部を有し、算出された各パワーが最小となるように前記補正パラメータを制御することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の通信システムにおいて、前記変復調部は、高速フーリエ変換回路で構成されたＯＦＤＭ変復調回路を有しており、
前記部分フーリエ変換回路の周波数解析精度は、前記ＯＦＤＭ変復調回路に求められる周波数解析変換精度よりも高精度に設定可能であることを特徴とした通信装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の通信装置において、
前記アナログ部での歪みを検出するために、ループバックされた前記パワーエンベロープ信号のトータルパワーを算出するトータルパワー算出部と、
前記部分フーリエ変換回路の乗算器に与える定数を可変にすることで、トーン検出する周波数ビンの周波数値を変更する周波数ビン変更手段と、を有し、
前記周波数変更手段によって各周波数ビンでの周波数パワーを、前記部分フーリエ変換回路を用いて算出し、前記トータルパワーと各周波数ビンのパワー比から、前記アナログ部で発生した高調波歪み状態を検出することを特徴とする通信装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の通信装置において、
前記Ａ／Ｄ変換器から前記ベースバンド部へ入力された入力信号を前記補正回路に入力する前にスケーリングを行うための振幅調整用回路を有していることを特徴とする通信装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の通信装置において、
前記アナログ部の受信側の直交誤差を補正するために、
前記アナログ部の受信側に、前記送信側アナログ部における直交誤差の補正を反映した補正後基準信号を前記受信側直交変換器に入力するための第２のループバック経路を有し、
前記補正計算部は、前記アナログ部の受信側及び前記Ａ／Ｄ変換器を通過した前記補正後基準信号のＩ成分／Ｑ成分のパワーを計算するＩ／Ｑパワー計算部と、ＩＱ積和平均を計算するＩＱ積和平均計算部と、Ｉ／Ｑ平均を計算するＩＱ平均計算部と、を有し、計算された値に基づいて前記補正パラメータを制御することを特徴とする通信装置。
【請求項６】
請求項５に記載の通信装置において、前記Ｉ／Ｑパワー計算部の乗算器と前記部分フーリエ変換回路の乗算器を併用することを特徴とする通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項１乃至３の何れか一項に記載の通信装置において、前記Ａ／Ｄ変換器から前記ベースバンド部へ入力された入力信号を前記補正回路に入力する前にスケーリングを行うための振幅調整用回路を有していることを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項１乃至４の何れか一項に記載の通信装置において、前記アナログ部の受信側の直交誤差を補正するために、前記アナログ部の受信側に、前記送信側アナログ部における直交誤差の補正を反映した補正後基準信号を前記受信側直交変換器に入力するための第２のループバック経路を有し、前記補正計算部は、前記アナログ部の受信側及び前記Ａ／Ｄ変換器を通過した前記補正後基準信号のＩ成分／Ｑ成分のパワーを計算するＩ／Ｑパワー計算部と、ＩＱ積和平均を計算するＩＱ積和平均計算部と、Ｉ／Ｑ平均を計算するＩＱ平均計算部と、を有し、計算された値に基づいて前記補正パラメータを制御することを特徴とする。
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の通信装置において、前記Ｉ／Ｑパワー計算部の乗算器と前記部分フーリエ変換回路の乗算器を併用することを特徴とする。