【事件の表示】
　平成８年特許願第１９３１１６号「ドライエッチング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年２月１３日出願公開、特開平１０−４１２７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年７月２３日の出願であって、その請求項１〜１０に係る発明は、平成１５年１２月１２日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１０に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１０】真空処理室の側壁内に埋め込まれ該真空処理室内の温度を調節するために用いられるセンサーを有することを特徴とするドライエッチング装置。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された特開平７−３２６５８７号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物（特開平７−３２６５８７号公報）
（１ａ）「【０００８】【課題を解決するための手段】・・・本発明によるワーク反応装置の温度調整機構は、半導体製品を製造するためのワークをチャンバ内部に収容し、所定条件の雰囲気の中で上記ワークに対し所要の反応工程を実行するワーク反応装置の上記チャンバ内の温度を調整するワーク反応装置の温度調整機構において、上記チャンバの内壁面にその温度を直接検出する温度センサを設け、この温度センサで検出した温度信号に基づいて任意温度の冷却水を作る熱交換器を設け、この熱交換器から供給される冷却水を上記チャンバの周りに循環させる水冷ジャケットを該チャンバの周りを取り囲むように設置し、この水冷ジャケットに上記熱交換器からの冷却水を循環させることにより上記チャンバの内壁面の温度を略一定とするようにしたものである。」
（１ｂ）「【００１１】【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明によるワーク反応装置の温度調整機構の実施例を示す一部断面説明図である。このワーク反応装置の温度調整機構は、半導体製造工程においてワークとしてのウェハなどに所要の反応工程を実行する例えばプラズマ処理装置のチャンバ内の温度を調整するものである。まず、プラズマ処理装置のうち例えばプラズマＣＶＤ装置は、図１に示すように、例えば円筒形に形成され内部が真空状態とされるチャンバ１を有し、このチャンバ１内の上部にはブラズマを発生させるための上部電極２があり、その下方に対向して下部電極となる試料台３があり、この試料台３上には半導体製品を製造するためのワーク４（例えばウェハ）が載置されるようになっている。・・・・
・・・・・・・
【００１４】すなわち、本発明の温度調整機構は、図１に示すように、温度センサ１０と、熱交換器８と、水冷ジャケット７とを有して成る。上記温度センサ１０は、前記チャンバ１の内壁面の温度を直接検出するもので、該チャンバ１の内壁面に近傍又は接触して設けられ、例えば熱電対又はサーモスタット或いはその他の温度検知素子から成る。また、熱交換器８は、上記温度センサ１０で検出した温度信号に基づいて任意温度の冷却水を作るもので、例えば上記温度センサ１０からの温度信号によりチャンバ１を冷却するのに適当な温度を設定し、外部から注入される純水を上記設定温度になるように適宜加熱又は冷却するようになっている。」
（１ｃ）「【００１９】なお、図１においては、ワーク反応装置としてプラズマＣＶＤ装置でワーク４に所要の反応工程を実行する例を示したが、本発明はこれに限らず、プラズマエッチング装置又はスパッタ装置などにおいても同様に適用できる。」
　
３．当審の判断
３−１．刊行物記載の発明
　上記摘記事項（１ａ）には、半導体製品を製造するためのワークをチャンバ内部に収容し、所定条件の雰囲気の中で上記ワークに対し所要の反応工程を実行するワーク反応装置の上記チャンバ内の温度を調整するワーク反応装置の温度調整機構において、上記チャンバの内壁面にその温度を直接検出する温度センサを設け、この温度センサで検出した温度信号に基づいて熱交換器からの冷却水を循環させることにより上記チャンバの内壁面の温度を略一定とすることが、摘記事項（１ｂ）には、チャンバの内壁面の近傍又は接触して設けられた温度センサにより、真空状態とされるチャンバ１内壁面の温度を検出することが記載されている。ここで、上記ワーク反応装置の温度調整機構は、チャンバの内壁面の近傍又は接触して設けられた温度センサにより、真空状態とされるチャンバ内壁面の温度を検出して、チャンバ内の温度を調整するものであるから、当該温度センサーは、真空状態とされるチャンバ内の温度を調整するために用いられるものであることは明らかである。　　更に、摘記事項（１ｃ）には、ワーク反応装置としてプラズマエッチング装置においても同様に適用できることが記載されている。
　
　そうすると、刊行物には、「真空状態とされるチャンバの内壁面の近傍又は接触して設けられた温度センサを用いることにより、真空状態とされるチャンバ内の温度を調整するプラズマエッチング装置。」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−２．対比・判断
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比する。刊行物発明の「プラズマエッチング装置」は本願発明の「ドライエッチング装置」に外ならず、刊行物発明の「真空状態とされるチャンバ」は本願発明の「真空処理室」に相当するから、両者は、「真空処理室の側壁に設けられ該真空処理室内の温度を調節するために用いられるセンサーを有するドライエッチング装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：センサーについて、本願発明では真空処理室の側壁内に埋め込まれているのに対し、刊行物発明では真空処理室の側壁面の近傍又は接触して設けられている点。
　　
　そこで、上記相違点について次に検討する。
　真空処理室の側壁の温度を測定するためのセンサを側壁内に埋め込むことは次に示すとおり周知の技術にすぎず、刊行物発明の温度センサも真空処理室の側壁の温度を検出するものである以上、側壁の近傍又は接触して設ける替わりに、真空処理室の側壁内に埋め込むようにすることは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　周知文献１：特開平６−１８８２２０号公報
　「【００１２】・・・又、プラズマ処理室１の壁内に温度検出センサー１４が設けられている。温度検出センサー１４でプラズマ処理室１の内壁の温度を検出し、その検出値は温度コントローラ１５に入力される。」
　周知文献２：特開平８−１４４０７２号公報
　「【００２２】・・・、１４はチャンバー容器１の側壁の温度を検出するためにチャンバー容器１の内部側壁近くに埋設された温度検出端子、・・・である。」
　
　そして、本願発明における作用効果も刊行物発明及び上記周知技術から当業者が予測できる程度のもので格別顕著なものとは認められない。
　特に、審判請求書の第２頁下から２行〜第３頁３行で審判請求人が主張する「独立請求項１及び１０記載の本願発明は、このような構成を採用したことにより、「プラズマによりセンサがエッチングされるのを防止でき、またセンサに反応物が堆積されることによりセンサの精度が落ちることを防止できる」という顕著な作用効果を奏するものである。」との効果は、本願明細書のどこにも記載されていないものである。しかし、上記周知文献１、２においても、センサー等が埋設されている以上、当然に奏する効果であって、顕著な作用効果を奏するものであるとはいえない。
　また、本願明細書段落【００４１】中でいう「エッチング時に生じる反応生成物の気化を促進することができる。したがって、パーティクルが真空処理室内および被エッチング材の表面へ付着するのを、さらなる効果をもって防ぐことができる。」という効果も、原査定の拒絶の理由に引用した特開昭６２−１２１２９号公報（３頁左下欄３〜７行）、及び特開平１−２２０４４７号公報（２頁左上欄３〜８行）、特開平７−２７３０８６号公報（２頁２欄４６〜４９行）に記載されているように周知のことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１０に係る発明は、刊行物に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項１〜９に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。