Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月22日(2011.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テーブルが自在に上昇及び下降するオーバーベッドテーブルにおいて、オーバーベッドテーブルの全ての双輪キャスターを同軸のワイヤーを用いて１箇所でロック状態、及びロック解除状態に操作する末端操作部を設け、
前記オーバーベッドテーブルの脚部にワイヤー蓄積部を設けて、該ワイヤー蓄積部でテーブル部の昇降に伴う脚部の伸縮に対応するワイヤーの弛緩部分を吸収することを特徴とするオーバーベッドテーブル固定装置。
【請求項２】
前記末端操作部は、オーバーベッドテーブルの少なくとも一方の脚部の高い位置に設けたことを特徴とする請求項１に記載のオーバーベッドテーブル固定装置。
【請求項３】
前記ワイヤーは、前記末端操作部からの１本の操作ワイヤーを４本の分岐ワイヤーに分岐して４個の前記車輪ロック機構に接続し、前記１本の操作ワイヤーのインナーワイヤーによる進退移動を、前記４本の分岐ワイヤーのインナーワイヤーによる進退移動として伝達することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のオーバーベッドテーブル固定装置。
【請求項４】
前記４本のワイヤーのうち、２本のワイヤーは前記末端操作部を配置される脚部とは反対側の脚部に延び、経路中にテーブル部の脚部の伸縮に対応するワイヤー蓄積部を設けてワイヤーの弛緩部分を吸収することを特徴とする請求項３に記載のオーバーベッドテーブル固定装置。
【請求項５】
前記双輪キャスターには車輪ロック機構を設けるとともに、該車輪ロック機構と前記末端操作部とを同軸のワイヤーを接続して前記末端操作部の操作を前記車輪ロック機構に伝達して、双輪キャスターのロック状態、及びロック解除状態を操作することを特徴とする請求項１乃至４に記載のオーバーベッドテーブル固定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明は、オーバーベッドテーブル固定装置において、テーブルが自在に上昇及び下降するオーバーベッドテーブルにおいて、オーバーベッドテーブルの全ての双輪キャスターを同軸のワイヤーを用いて１箇所でロック状態、及びロック解除状態に操作する末端操作部を設け、
前記オーバーベッドテーブルの脚部にワイヤー蓄積部を設けて、該ワイヤー蓄積部でテーブル部の昇降に伴う脚部の伸縮に対応するワイヤーの弛緩部分を吸収することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１の発明のオーバーベッドテーブル固定装置によれば、テーブル部が昇降するオーバーベッドテーブルにおいても、一カ所で、且つ、一回の操作でオーバーベッドテーブルの全てのキャスターをロック状態及び解除状態にでき、従来のように各キャスター毎にロックをする必要がなく、特に、忙しい看護師や使用者の労力を軽減すことができ、オーバーベッドテーブルの片側が壁等に近接していても、もう反対側から双輪キャスターをロックすることができる。
請求項２の発明のオーバーベッドテーブル固定装置によれば、末端操作部をオーバーベッドテーブルの脚部の高い位置に設けたので、ベッドの使用者が容易に操作することができ、また、看護師にとっても床まで手を伸ばす必要がなく容易に操作することができる。更に、末端操作部がより上位位置にあるので双輪キャスターのロック状態及び解除状態を一目で確認できる。
請求項３の発明のオーバーベッドテーブル固定装置によれば、操作伝達に同軸ワイヤーを用いたので、オーバーベッドテーブル裏面の双輪キャスターの位置を自由に設定でき、また、リンク機構の組み合わせと異なり、構造も簡単で制作費も安価で、部品点数が少ないことから保守も容易になる。
さらに、既存のオーバーベッドテーブルの双輪キャスター部分と末端操作部を取り替えるだけで、オーバーベッドテーブルを強固にロック状態及びロック解除状態にすることができる。
請求項４の発明のオーバーベッドテーブル固定装置によれば、オーバーベッドテーブルのテーブル部を上下動させ脚部を伸縮させても、ワイヤー経路中に脚部の伸縮に対応するワイヤー蓄積部を設けたので、ワイヤーの弛緩部分を吸収することができ、両脚部の双輪キャスターを同時に操作することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターベンショナルラジオロジーのテーブルの挙動及び移動に関する機械的モデルを較正する方法であって、
少なくとも１つの自由度にわたってテーブルを移動する工程と、
テーブル及びＣ字アームの異なる位置に対応する少なくとも１組の画像を収集する工程と、
異なる位置から試験対象の少なくとも１組の画像を取得する工程と、
前記試験対象の画像を用いてテーブル挙動及び移動の機械的モデルのパラメータを決定する工程と、
医用撮像システムに関するテーブルの真の相対的位置を導出するためにこれらのパラメータをテーブル移動センサにより得られたデータと合成する工程と、
ある基本的自由度に関して画像を収集する工程をさらに含むと共に、
こうして取得した画像内において、試験対象の素成分の位置決めが検出されること、
投影パラメータの行列は、基準位置に対応する画像と非固有パラメータがそこから導かれる画像組の別の収集位置に対応する画像という少なくとも２つの画像に関してこれから導出されること、
計算されるテーブルの移動は、基準位置に関して決定した非固有パラメータと別の収集位置に関する非固有パラメータを合成することによって決定されること、
この計算した移動とシステムのセンサが計測した移動とから、その画像組が対応する相手の基本的自由度に関連付けして基本的移動ベクトルが決定されること、
を含む方法。
【請求項２】
基本的自由度に関する画像を収集する前記工程が１つの自由度にわたる移動により収集した組の異なる画像に関して実現されており、かつ決定した異なる基本的ベクトルに関連して平均基本移動ベクトルが決定されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基本的自由度に関する画像を収集する前記工程が異なる自由度に対して収集した画像組に関して実現されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
収集したすべての画像組に対して計算して非線形最適化処理を実行する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
インターベンショナルラジオロジーテーブルと、
バスキュラＣ字アームと、
前記インターベンショナルラジオロジーテーブルの挙動及び移動の機械的モデルを較正する処理手段と、を備える医用撮像システムであって、
該処理手段は、
少なくとも１つの自由度にわたってテーブルを移動すること、
テーブル及びＣ字アームの異なる位置に対応する少なくとも１組の画像を収集すること、
異なる位置から試験対象の少なくとも１組の画像を取得すること、
試験対象の画像を用いてテーブル挙動及び移動の機械的モデルのパラメータを決定すること、
医用撮像システムに関するテーブルの真の相対的位置を導出するためにこれらのパラメータをテーブル移動センサにより得られたデータと合成すること、
ある基本的自由度に関して画像を収集することと、
によって較正を行っており、
工程をさらに含むと共に、
収集された前記画像内において、
試験対象の素成分の位置決めが検出されること、
投影パラメータの行列は、基準位置に対応する画像と非固有パラメータがそこから導かれる画像組の別の収集位置に対応する画像という少なくとも２つの画像に関してこれから導出されること、
計算されるテーブルの移動は、基準位置に関して決定した非固有パラメータと別の収集位置に関する非固有パラメータを合成することによって決定されること、
この計算した移動とシステムのセンサが計測した移動とから、その画像組が対応する相手の基本的自由度に関連付けして基本的移動ベクトルが決定されること、
が行われる、医用撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録されたテスト画像を読み取る画像読み取り工程と、
前記画像読み取り工程により読み取られた前記テスト画像から定常的に発生するノイズを特定するノイズ特定工程と、
前記ノイズ特定工程により特定されたノイズに対応する補正データを作成する補正データ作成工程と、
前記補正データに基づき画像データを補正する画像補正工程とを有することを特徴とする濃度補正方法。
【請求項２】
前記ノイズ特定工程は、前記テスト画像を複数回印刷することによりノイズを特定することを特徴とする請求項１に記載の濃度補正方法。
【請求項３】
前記ノイズ特定工程は、前記テスト画像に含まれるノイズを異なる周波数帯ごとに分けて特定することを特徴とする請求項１に記載の濃度補正方法。
【請求項４】
前記補正データ作成工程では、前記ノイズ特定工程において特定されたノイズの周波数帯を前記画像データから抽出する処理を行い、前記抽出されたデータに基づき補正データを作成することを特徴とする請求項３に記載の濃度補正方法。
【請求項５】
前記ノイズ特定工程は、前記テスト画像に含まれるノイズを異なる周波数帯ごとに分けるとともに、異なった位置のパッチを組み合わせてノイズを特定することを特徴とする請求項１に記載の濃度補正方法。
【請求項６】
記録媒体に記録されたテスト画像を読み取る画像読み取り手段と、
前記画像読み取り手段により読み取られた前記テスト画像から定常的に発生するノイズを特定するノイズ特定手段と、
前記ノイズ特定手段により特定されたノイズに対応する補正データを作成する補正データ作成手段と、
前記補正データに基づき画像データを補正する画像補正手段とを有することを特徴とする濃度補正装置。
【請求項７】
前記ノイズ特定手段は、前記テスト画像を複数回印刷することによりノイズを特定することを特徴とする請求項６に記載の濃度補正装置。
【請求項８】
前記ノイズ特定手段は、前記テスト画像に含まれるノイズを異なる周波数帯ごとに分けて特定することを特徴とする請求項６に記載の濃度補正装置。
【請求項９】
前記補正データ作成手段は、前記ノイズ特定手段において特定されたノイズの周波数帯を前記画像データから抽出する処理を行い、前記抽出されたデータに基づき補正データを作成することを特徴とする請求項８に記載の濃度補正装置。
【請求項１０】
前記ノイズ特定手段は、前記テスト画像に含まれるノイズを異なる周波数帯ごとに分けるとともに、異なった位置のパッチを組み合わせてノイズを特定することを特徴とする請求項６に記載の濃度補正装置。
【請求項１１】
請求項６〜１０の何れか１項に記載の濃度補正装置を構成する各手段としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自らの発熱もしくは近傍からの受熱によって温度上昇する冷却対象物の熱を奪う熱伝達部材と、該熱伝達部材からの熱を受熱する受熱部材と、該受熱部材からの熱を電子機器の外部へ伝熱する熱輸送手段とを具備し、前記熱伝達部材と前記受熱部材との間に、前記熱伝達部材を保護する保護部材が介在し、前記熱伝達部材が前記冷却対象物に密着した状態で前記受熱部材と前記冷却対象物とを分離した際、前記保護部材は前記熱伝達部材の表面を保護する電子機器の冷却装置を有し、
前記受熱部材を前記保護部材から分離し、前記熱伝達部材の表面を前記保護部材で保護している状態で前記熱伝達部材と前記保護部材とを共に前記冷却対象物を装置本体から取り出し、
前記冷却対象物と前記受熱部材との間に圧力を加えて前記受熱部材を前記保護部材へ押し付け、前記熱伝達部材の表面を前記保護部材で保護している状態で前記熱伝達部材と前記保護部材と共に前記冷却対象物が装置本体に取り付けられるように、
前記冷却対象物と前記受熱部材とが繰り返し着脱可能に構成されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
自らの発熱もしくは近傍からの受熱によって温度上昇する冷却対象物の熱を奪う熱伝達部材と、該熱伝達部材からの熱を受熱する受熱部材と、該受熱部材からの熱を電子機器の外部へ伝熱する熱輸送手段とを具備し、前記熱伝達部材と前記冷却対象物との間に、前記熱伝達部材を保護する保護部材が介在し、前記熱伝達部材が前記受熱部材に密着した状態で前記受熱部材と前記冷却対象物とを分離した際、前記保護部材は前記熱伝達部材の表面を保護する電子機器の冷却装置を有し、
前記冷却対象物を前記保護部材から分離し、前記冷却対象物を装置本体から取り出し、
前記冷却対象物と前記受熱部材との間に圧力を加えて前記冷却対象物を前記保護部材へ押し付け、前記冷却対象物が装置本体に取り付けられるように、
前記冷却対象物と前記受熱部材とが繰り返し着脱可能に構成されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
前記保護部材はフッ素樹脂より成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記冷却対象物と前記熱伝達部材との間に粘着部材を設けることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は画像形成装置に関し、詳細には複写機、ファクシミリ、レーザプリンタ等の電子写真記録式画像形成装置の冷却技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はこれらの問題点を解決するためのものであり、高耐久性を実現できる画像形成装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記問題点を解決するために、本発明の画像形成装置は、自らの発熱もしくは近傍からの受熱によって温度上昇する冷却対象物の熱を奪う熱伝達部材と、該熱伝達部材からの熱を受熱する受熱部材と、該受熱部材からの熱を電子機器の外部へ伝熱する熱輸送手段とを具備し、熱伝達部材と受熱部材との間に、熱伝達部材を保護する保護部材が介在し、熱伝達部材が冷却対象物に密着した状態で受熱部材と冷却対象物とを分離した際、保護部材は熱伝達部材の表面を保護する電子機器の冷却装置を有し、受熱部材を保護部材から分離し、熱伝達部材の表面を保護部材で保護している状態で熱伝達部材と保護部材とを共に冷却対象物を装置本体から取り出し、冷却対象物と受熱部材との間に圧力を加えて受熱部材を保護部材へ押し付け、熱伝達部材の表面を保護部材で保護している状態で熱伝達部材と保護部材と共に冷却対象物が装置本体に取り付けられるように、冷却対象物と受熱部材とが繰り返し着脱可能に構成されている。よって、高耐久性を実現できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の画像形成装置は、自らの発熱もしくは近傍からの受熱によって温度上昇する冷却対象物の熱を奪う熱伝達部材と、該熱伝達部材からの熱を受熱する受熱部材と、該受熱部材からの熱を電子機器の外部へ伝熱する熱輸送手段とを具備し、熱伝達部材と冷却対象物との間に、熱伝達部材を保護する保護部材が介在し、熱伝達部材が受熱部材に密着した状態で受熱部材と冷却対象物とを分離した際、保護部材は熱伝達部材の表面を保護する電子機器の冷却装置を有し、冷却対象物を保護部材から分離し、冷却対象物を装置本体から取り出し、冷却対象物と受熱部材との間に圧力を加えて冷却対象物を保護部材へ押し付け、冷却対象物が装置本体に取り付けられるように、冷却対象物と受熱部材とが繰り返し着脱可能に構成されている。よって、高耐久性を実現できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
更に、保護部材はフッ素樹脂より成ることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、冷却対象物と熱伝達部材との間に粘着部材を設けることにより、接触部材を冷却対象物に容易に固定でき、ズレによる装着ミス、延いては冷却効率の低下を回避できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の画像形成装置によれば、メンテナンス時に冷却対象物や受熱部材を繰り返し着脱させても保護部材と冷却対象物又は受熱部材とにより熱伝達部材を外部から保護することで、高耐久性を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
【図１】複数の道路使用弱者（ＶＲＵ）に直面した車両の立面図およびその車両に道路使用弱者を保護するシステムを適用した状態のブロックダイヤグラムである。
【図２】車両の平面図およびその道路使用弱者保護システムのブロックダイヤグラムである。
【図３】道路使用弱者保護システムのブロックダイヤグラムである。
【図４】道路使用弱者保護システムのプロセスのフローチャートである。
【図５ａ】ステレオビジョンシステムの配置の図解を示す図である。
【図５ｂ】ピンホールカメラの画像形成配置の図解を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像のフレームから前記映像の識別に用いられる映像識別子を構成する特徴量ベクトルを抽出する特徴量ベクトル抽出手段と、
前記特徴量ベクトルの信頼度を算出する手段であって、前記映像が特定のパタンである場合には、より値の小さな信頼度を算出する信頼度算出手段と、
前記特徴量ベクトルと前記信頼度とを含む前記映像識別子を出力する多重化手段と、
を備える映像識別子生成装置。
【請求項２】
映像のフレームから前記映像の識別に用いられる映像識別子を構成する特徴量ベクトルを抽出し、
前記特徴量ベクトルの信頼度として、前記映像が特定のパタンである場合には、より値の小さな信頼度を算出し、
前記特徴量ベクトルと前記信頼度とを含む前記映像識別子を出力する、
映像識別子生成方法。
【請求項３】
コンピュータを、
映像のフレームから前記映像の識別に用いられる映像識別子を構成する特徴量ベクトルを抽出する特徴量ベクトル抽出手段と、
前記特徴量ベクトルの信頼度として、前記映像が特定のパタンである場合には、より値の小さな信頼度を算出する信頼度算出手段と、
前記特徴量ベクトルと前記信頼度とを含む前記映像識別子を出力する多重化手段と、
して機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一形態にかかる映像識別子生成装置は、映像のフレームから上記映像の識別に用いられる映像識別子を構成する特徴量ベクトルを抽出する特徴量ベクトル抽出手段と、上記特徴量ベクトルの信頼度を算出する手段であって、上記映像が特定のパタンである場合には、より値の小さな信頼度を算出する信頼度算出手段と、上記特徴量ベクトルと上記信頼度とを含む上記映像識別子を出力する多重化手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル接合と、前記トンネル接合によって分離される強磁性フリー層およびピンド層と、少なくとも１つの導電性構造を通した電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする電気絶縁性および断熱性の材料から構築される少なくとも１つの絶縁層とを備え、前記少なくとも１つの導電性構造はフォノン信号波長よりも小さい幅を有するように構成される、磁性積層体。
【請求項２】
前記導電性構造は、フォノン伝送をブロックしつつ電気的導通を許すように寸法決めされる、請求項１に記載の磁性積層体。
【請求項３】
前記導電性構造は、電気信号波長がフォノン波長よりも小さいことによりフォノンをブロックする、請求項１または２に記載の磁性積層体。
【請求項４】
前記電気的伝導はプログラミング電流である、請求項１から３のいずれか１項に記載の磁性積層体。
【請求項５】
前記電気的伝導は読出電流であり、前記フリー層は磁界でプログラムされる、請求項１から３のいずれか１項に記載の磁性積層体。
【請求項６】
前記絶縁層はＮｉＯである、請求項１から５のいずれか１項に記載の磁性積層体。
【請求項７】
前記絶縁層はフォノンブロック電子伝導（ＰＢＥＴ）材料である、請求項１から５のいずれか１項に記載の磁性積層体。
【請求項８】
前記導電性構造はフォノンブロック電子伝導（ＰＢＥＴ）材料で充填される、請求項１から５のいずれか１項に記載の磁性積層体。
【請求項９】
前記絶縁層は前記ピンド層に接するように隣接し、
前記導電性構造は前記ピンド層と前記絶縁層との境界から前記絶縁層を通って延在する、請求項１から８のいずれか１項に記載の磁性積層体。
【請求項１０】
複数の導電性構造は、選択された長さおよび幅を有する予め定められたパターンで絶縁層内に配置される、請求項１から９のいずれか１項に記載の磁性積層体。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの絶縁層は、
導電性構造および第１の密度を有する第１の絶縁層と、導電性構造を有しておらず前記第１の密度よりも高い第２の密度を有する第２の絶縁層とを有し、前記第１の絶縁層は前記第２の絶縁層に接するように隣接し、前記第２の絶縁層は前記ピンド層に接するように隣接する、請求項１から８のいずれか１項に記載の磁性積層体。
【請求項１２】
前記第１および第２の絶縁層は同じ材料から構築される、請求項１１に記載の磁性積層体。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの絶縁層は、
前記ピンド層に接するように隣接する第１の絶縁層と、前記フリー層に接するように隣接する第２の絶縁層とを含む、請求項１２に記載の磁性積層体。
【請求項１４】
トンネル接合と、前記トンネル接合によって分離される強磁性フリー層およびピンド層と、少なくとも１つの導電性構造を通した電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする電気絶縁性および断熱性の材料から構築される少なくとも１つの絶縁層とを設けるステップを備え、
前記導電性構造は、予め定められた電流を導電材料に通して前記材料を予め定められた幅を有する前記絶縁性の材料に注入することによって形成され、
前記導電性構造は、フォノン信号波長よりも小さい幅を有する、方法。
【請求項１５】
トンネル接合と、前記トンネル接合によって分離される強磁性フリー層およびピンド層と、少なくとも１つの導電性構造を通した電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする電気絶縁性および断熱性の材料から構築される少なくとも１つの絶縁層とを設けるステップを備え、
前記導電性構造は、予め定められた幅を有する前記絶縁層の部分を除去し、除去された前記部分をフォノンブロック電子伝導（ＰＢＥＴ）材料で充填することによって形成され、
前記導電性構造は、フォノン信号波長よりも小さい幅を有する、方法。
【請求項１６】
メモリセルであって、
トンネル接合と、前記トンネル接合によって分離される強磁性フリー層およびピンド層と、
電気絶縁性および断熱性の材料から各々が構築される第１および第２の絶縁層とを備え、前記第１の絶縁層は、前記第１の絶縁層を通した電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする少なくとも１つの導電性構造を有し、前記第２の絶縁層は、導電性構造を全く有しておらず前記第１の絶縁層よりも密度が高く、
前記第１の絶縁層は前記第２の絶縁層に接するように隣接し、前記第２の絶縁層は前記ピンド層に接するように隣接し、
前記少なくとも１つの導電性構造は、フォノン信号波長よりも小さい幅を有する、メモリセル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月28日(2012.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直管蛍光ランプ形状を有し、複数のＬＥＤ素子を配置したＬＥＤランプ部と、
前記ＬＥＤランプ部の両端にそれぞれ備えられ、直管型蛍光灯灯具のソケットに取り付け可能な支持ピンを備えた一対のエンドキャップ部と、
電源からの電力線に接続された電源コネクターを接続可能な本体コネクター部と、
を有するＬＥＤ照明装置と、
電源からの電力線に接続され、前記ＬＥＤ照明装置の本体コネクター部に接続可能な電源コネクターを有する直管型蛍光灯灯具と、
を有するＬＥＤ照明システム。
【請求項２】
前記本体コネクター部は、前記一対のエンドキャップ部のうちの一方の近傍に備えられていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ照明システム。
【請求項３】
前記ＬＥＤランプ部の前記複数のＬＥＤ素子のそれぞれは、直管軸方向に並べられるとともに、直管軸に垂直な方向で隣接するＬＥＤ素子どうしが重なるように斜めに配置されることを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤ照明システム。
【請求項４】
前記エンドキャップ部は、互いに独立して回動可能に取り付けられている二つの部材から構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一に記載のＬＥＤ照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状の回転側リング板及び該回転側リング板の内周縁に形成された円筒状の内周筒部で構成するロテータと、
環状の固定側リング板及び該固定側リング板の外周縁に形成された円筒状の外周筒部で構成するステータとを、時計回り方向及び反時計回り方向に相対回転可能に嵌合し、
前記ロテータの回転側リング板及び内周筒部と、前記ステータの固定側リング板及び外周筒部とで収容空間を構成し、
該収容空間底部に、複数の回転ローラーを軸支する環状のリテーナを載置するとともに、
前記収容空間における前記リテーナ上部に、
前記ロテータ側と前記ステータ側とを電気的に接続したフラットケーブルを、前記回転ローラーに沿って巻き締め及び巻き戻し可能に収容した回転コネクタ装置であって、
前記リテーナに設けた円周状の軸受部によって、前記回転ローラーに設けた回転軸部を回転自在に軸支する構成とし、
前記回転軸部を、
前記軸受部の円周面と摺動する摺動部を有し、円周方向に複数配置した脚部と、該脚部の先端に形成し、前記軸受部の円周縁に係止する係止部とで構成し、
前記脚部において、少なくとも前記摺動部における径方向断面を、
前記軸受部と点接触、もしくは前記脚部の周方向幅より狭い接触幅で線接触する径方向断面形状に形成した
回転コネクタ装置。
【請求項２】
前記径方向断面形状における前記軸受部に対向する形状を、
前記軸受部の方向へ山形の突形状に形成した
請求項１に記載の回転コネクタ装置。
【請求項３】
前記突形状を、
前記軸受部の曲率半径よりも小さい曲率半径の曲面に形成した
請求項２に記載の回転コネクタ装置。
【請求項４】
前記係止部を、
径方向へ突出して前記円周縁に係止する鉤爪状のフック形状とした
請求項１から請求項３のいずれかに記載の回転コネクタ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月19日(2012.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図1Aは、スピントランスファートルク(STT)MRAMセルを形成する際に使用される磁気トンネル接合(MTJ)構造10の簡略横断面図である。MTJ10は、部分的に、基準層12、トンネル層14、および自由層16を含むように示されている。基準層12および自由層16は、強磁性層である。トンネル層14は、非磁性層である。基準層12の磁化の方向は、固定であり、変わらない。しかし、自由層16の磁化の方向は、MTJ構造に十分に大きい電流を通すことにより変えることができる。図1Aでは、基準層12および自由層16は同じ磁化方向を有すると仮定する、すなわちそれらは平行状態にある。図1Bでは、基準層12および自由層16は反対の磁化方向を有すると仮定する、すなわちそれらは反平行状態にある。図1Cでは、基準層12および自由層16は、自由層16とトンネル層14の接触面によって定義される平面に対して垂直である同じ磁化方向を有すると仮定する。図1Dでは、基準層12および自由層16は、自由層16とトンネル層14の接触面によって定義される平面に対して垂直である反対の磁化方向を有すると仮定する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図5は、図4Aおよび4Bに示すMTJ10などの従来のMTJのための、約25nsから35nsまでの間の時間に生じる「0」書込み動作中、および約45nsから55nsまでの間の時間に生じる「1」書込み動作中のノードWL、SL、SNおよびBLにおける電圧レベルの例示的タイミング図である。電源電圧Vccは、1.8ボルトであると仮定する。信号WL、ならびに列選択信号である信号CSは、3.0ボルトのより高いVppプログラミング電圧に上げられたように示されている。「0」書込み動作中は、ノードBL、SL、およびSNは、それぞれ1.43V、0.34V、および0.88Vにほぼ等しいように示されている。「1」書込み動作中は、ノードBL、SL、およびSNの電圧は、それぞれ0.21V、1.43V、および0.84Vにほぼ等しいように示されている。図示していないが、この例示的コンピュータシミュレーションでは、「0」書込み動作中および「1」書込み動作中にMTJを流れる電流は、それぞれ121μAおよび99.2μAである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
隠し読出し比較160(代替として、本明細書では比較ブロックと呼ばれる)は、図7に示すように、排他的論理和またはXOR275、インバータおよびマルチプレクサ270を含む。隠し読出し比較は、ENW260および再書込み(REW)信号290によって制御され、これらは両方とも制御ロジック140から送信される。XOR275の入力は、検知回路255からのDR285、およびENWに応答するラッチ182における入力バッファデータからのデータ書込みDW280である。マルチプレクサは、その2つの入力、反転されたDR285信号またはDW信号のどちらがその出力YからREWに応答する書込みドライバの入力Dへ通過するか選択する。隠し読出し比較160はまた、MAT102の中にローカルに配置されてもよく、グローバル検知アンプおよびグローバル書込みドライバと共に配置されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４の発明は、請求項３に記載のパッチアンテナの実装方法において、前記実装基板上にはさらに、前記パッチアンテナの接地電極と対向する位置に半田が付加された接地電極が設けられ、当該実装基板側の接地電極に付加された半田の溶融と、前記給電ピンの下端部に付加された半田の溶融とを同時に行うことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係るパッチアンテナを示した断面図である。
【図２】図１のパッチアンテナにおける半田の添設の仕方を説明するための給電ピン及び半田の斜視図である。
【図３】図１のパッチアンテナの製造方法の工程図であり、（Ａ）は基台の上にアンテナ本体を載置するときの様子を示す図、（Ｂ）は基台の上にアンテナ本体を載置した状態を示す図、（Ｃ）はアンテナ本体の貫通孔に給電ピンを挿入する様子を示す図、（Ｄ）は給電ピンと放射電極とを電気的に接続した状態を示す図、（Ｅ）は給電ピンに半田を添設する様子を示す図である。
【図４】図１のパッチアンテナの実装方法の工程図であり、（Ａ）は実装に使用される実装基板の正面図、（Ｂ）は実装基板の上にアンテナ本体を載置するときの様子を示す図、（Ｃ）は実装基板の上にアンテナ本体を載置した状態を示す図、（Ｄ）は給電ピンと給電パッドとを電気的に接続した状態を示す図である。
【図５】図１のパッチアンテナの給電ピンに添設された半田の溶融の状態を示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、給電ピン１３は例えば真鍮製で全体が棒状に形成されている。この給電ピン１３は貫通孔２０に挿入されている。この給電ピン１３の上端は、放射電極１０の上面から突出している。そして、給電ピン１３の上端部は第１の半田３０を介して放射電極１０と電気的に接続されている。この場合の第１の半田３０としては、例えば、高融点半田が使用されている。
一方、給電ピン１３の下端部は凹部２１内に臨んでいる。この給電ピン１３の下端部には第２の半田４０が添設されている。この第２の半田４０の添設は、例えば、図２に示すように、第２の半田４０として環状の固形半田を給電ピン１３の下端部に外嵌することによってなされている。この第２の半田４０としては、上記第１の半田３０よりも融点が低い低融点半田が使用されている。この場合の第２の半田４０の量は、溶融した際に、給電ピン１３の下端部から垂れ下がり、接地電極１２の下面から突出することが可能となる量に設定されている。
この給電ピン１３及び第２の半田４０の下端は、接地電極１２の下面と面一、又は当該下面よりも上方に位置している。そのため、給電ピン１３及び第２の半田４０は、それを取り囲む壁によって保護され、パッチアンテナ１の搬送の際などに外部の物体との衝突が防止される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
なお、上記製造方法によれば、上面に突起５１を形成した基台５０を使用しているが、上面に突起５１を設けずに、基台５０の上面を平面としてもよい。この場合には、誘電体１１の貫通孔２０に挿入した給電ピン１３の下端を基台５０の上面に当接させれば、給電ピン１３の下端は接地電極１２の下面と面一となる。
また、上記製造方法によれば、アンテナ本体１Ａを基台５０に載置した後に給電ピン１３を貫通孔２０に挿入したが、基台５０に載置する前に、給電ピン１３を上又は下からアンテナ本体１Ａの貫通孔２０に挿入しておき、その後にアンテナ本体１Ａを基台５０に載置し、給電ピン１３の下端を突起５１に当接させてもよい。
さらには、アンテナ本体１Ａを基台５０の上に載置する前に、給電ピン１３に第２の半田４０を添接しておくとともに、給電ピン１３をアンテナ本体１Ａの貫通孔２０に下から挿入しておき、その後にアンテナ本体１Ａを基台５０に載置してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
続いて、パッチアンテナ１の実装方法を説明する。
この実装では、図４（Ａ）に示すような実装基板６０が使用される。この実装基板６０は、給電ピン１３に電気的に接続すべき給電パッド６１と、接地電極１２に電気的に接続すべき接地電極６２とを上面に備えている。
パッチアンテナ１を実装するにあたっては、まず、図４（Ｂ）に示すように、この実装基板６０の給電パッド６１及び接地電極６２の上にクリーム半田７０を塗布する。
次に、給電ピン１３の下端及び第２の半田４０と実装基板６０の給電パッド６１とが対向するように位置決めして、図４（Ｃ）に示すように、実装基板６０の上にパッチアンテナ１を載置する。この時点では、給電ピン１３及び第２の半田４０の下端はクリーム半田７０に当接されていなくてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、図４（Ｃ）の状態を保ったまま、実装基板５０及びパッチアンテナ１をリフロー炉に挿入し、第２の半田４０及びクリーム半田７０を溶融させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下方向に貫く貫通孔と下面に開口し前記貫通孔の直径よりも大きい内周を有し当該貫通孔と連通された凹部とを有する誘電体と、前記誘電体の上面に形成された放射電極と、前記誘電体の下面に形成された接地電極とを備え、前記貫通孔には給電ピンが挿入され、前記給電ピンの上端部で前記放射電極と電気的に接続されたパッチアンテナにおいて、
前記給電ピンの下端部は前記凹部内に臨み、前記給電ピンの下端部には半田が添設され、前記給電ピン及び半田の下端は、前記接地電極の下面と面一、又は当該下面よりも上方に位置していることを特徴とするパッチアンテナ。
【請求項２】
前記給電ピンの下端部は棒状に形成され、当該給電ピンの下端部には前記半田として環状の固形半田が外嵌されていることを特徴とする請求項１に記載のパッチアンテナ。
【請求項３】
請求項１又は２のパッチアンテナを、上面に給電パッドが形成された実装基板の上に載置し、前記半田を加熱によって溶融させることによって、前記給電ピンの下端部と前記給電パッドとを電気的に接続することを特徴とするパッチアンテナの実装方法。
【請求項４】
前記実装基板上にはさらに、前記パッチアンテナの接地電極と対向する位置に半田が付加された接地電極が設けられ、当該実装基板側の接地電極に付加された半田の溶融と、前記給電ピンの下端部に付加された半田の溶融とを同時に行うことを特徴とする請求項３に記載のパッチアンテナの実装方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012109822.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るパッチアンテナを示す断面図である。
【図２】図１のパッチアンテナの製造方法の工程図であり、（Ａ）は基台の上にアンテナ本体を載置するときの様子を示す図、（Ｂ）は基台の上にアンテナ本体を載置した状態を示す図、（Ｃ）はアンテナ本体の貫通孔に給電ピンを挿入する様子を示す図、（Ｄ）はアンテナ本体の放射電極と給電ピンとを電気的に接続した状態を示す図である。
【図３】図１のパッチアンテナの実装方法の工程図であり、（Ａ）は実装に使用される実装基板の正面図、（Ｂ）は実装基板の上にアンテナ本体を載置するときの様子を示す図、（Ｃ）は実装基板の上にアンテナ本体を載置した状態を示す図、（Ｄ）は給電ピンの下端部と実装基板の給電パッドとを電気的に接続した状態を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るパッチアンテナを示す断面図である。
【図５】図４のパッチアンテナを実装基板に載置した状態を示す図である。
【図６】図４のパッチアンテナを実装基板に実装した状態を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るパッチアンテナを示す断面図である。
【図８】図７のパッチアンテナを実装基板に載置した状態を示す図である。
【図９】図７のパッチアンテナを実装基板に実装した状態を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、給電ピン１３は例えば真鍮製で全体が棒状に形成されている。この給電ピン１３は貫通孔２０に挿入されている。この給電ピン１３の上端は、放射電極１０の上面から突出している。そして、給電ピン１３の上端部は第１の半田３０を介して放射電極１０と電気的に接続されている。
この仮止め状態では、給電ピン１３の下端は、接地電極１２の下面と同一、又は、当該下面よりも上方に位置している。そのため、給電ピン１３の下端部は、パッチアンテナ１の搬送の際などに、それを取り囲む壁によって保護され、外部の物体との衝突が防止される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、パッチアンテナ１の製造方法について図３を用いて説明する。
この製造方法では、図２（Ａ）に示すように、始発材料としてアンテナ本体１Ａが使用される。ここで、アンテナ本体１Ａとは、放射電極１０、誘電体１１及び接地電極１２を備え、誘電体１１に貫通孔２０及び凹部２１が形成されたものを言う。
また、この製造方法では、図２（Ａ）に示すように、アンテナ本体１Ａを載置するための基台５０が使用される。基台５０の上面には突起５１が形成されている。この突起５１は、アンテナ本体１Ａの貫通孔２０近くの接地電極１２の欠損部分１２ａに対向して形成されており、基台５０の上面から僅かに突出している。基台５０の上面のその他の部分は平面となっている。また、突起５１の上面も平面となっている。この突起５１は、給電ピン１３の下端を接地電極１２の下面よりも上方に位置させるためのものである。
パッチアンテナ１を製造するにあたっては、まず、図２（Ａ）に示すように接地電極１２を下方に向けた状態で、アンテナ本体１Ａを基台５０の上に載置する。載置した状態では、図２（Ｂ）に示すように、基台５０の突起５１と接地電極１２の欠損部分１２ａとの平面的な位置を合致させるようにする。
次に、図２（Ｃ）に示すように、アンテナ本体１Ａの貫通孔２０に上方から給電ピン１３を挿入する。そして、給電ピン１３の下端を突起５１の上面に当接させる。給電ピン１３の下端を突起５１の上面に当接させた状態では、給電ピン１３の上端は、放射電極１０の上面から突出している。一方、給電ピン１３の下端は、接地電極１２の下面よりも上方に位置している。
この状態で、アンテナ本体１Ａの上面に半田３０を付着させ、半田３０を加熱によって溶融させ、第２（Ｄ）に示すように、給電ピン１３を、その上端部が半田３０を介して放射電極１０の上面と電気的に接続された状態で、仮止めする。
これによって、図１に示すパッチアンテナ１が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
続いて、パッチアンテナ１の実装方法を説明する。
この実装では、図３（Ａ）に示すような実装基板６０が使用される。この実装基板６０は、給電ピン１３に電気的に接続すべき給電パッド６１と、接地電極１２に電気的に接続すべき接地電極６２とを上面に備えている。
パッチアンテナ１を実装するにあたっては、まず、図３（Ｂ）に示すように、この実装基板６０の給電パッド６１及び接地電極６２の上にクリーム半田７０を塗布する。
次に、給電ピン１３の下端と実装基板６０の給電パッド６１とが対向するように位置決めして、図３（Ｃ）に示すように、実装基板６０の上にパッチアンテナ１を載置する。この時点では、給電ピン１３の下端はクリーム半田７０に当接されていなくてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、図３（Ｃ）の状態を保ったまま、実装基板５０及びパッチアンテナ１をリフロー炉に挿入し、半田３０及びクリーム半田７０を溶融させる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光パターンを生成し縮小させた該露光パターンを複数ショット露光するマスクレス露光方法であって、
前記露光時に、前記露光パターンのエッジが強調されるように各ショットの露光パターンを変更させながら露光を行うことを特徴とするマスクレス露光方法。
【請求項２】
請求項１記載のマスクレス露光方法において、
前記露光パターンの高照射部分の端部近傍の露光量増大により前記強調を行っていることを特徴とするマスクレス露光方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のマスクレス露光方法において、
前記露光パターンの低照射部分の端部近傍の露光量減少により前記強調を行っていることを特徴とするマスクレス露光方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のマスクレス露光方法において、
前記エッジの強調は該当個所の前記露光パターンの照射時間と非照射時間との調整により行っていることを特徴とするマスクレス露光方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のマスクレス露光方法において、
前記露光パターンを、反射角変更制御可能なマイクロミラーを複数有するＤＭＤにより形成することを特徴とするマスクレス露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第１の発明のマスクレス露光方法は、露光パターンを生成し縮小させた該露光パターンを複数ショット露光するマスクレス露光方法であって、前記露光時に、前記露光パターンのエッジが強調されるように各ショットの露光パターンを変更させながら露光を行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第２の発明のマスクレス露光方法は、第１の発明のマスクレス露光方法において、前記露光パターンの高照射部分の端部近傍の露光量増大により前記強調を行っていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第３の発明のマスクレス露光方法は、第１または第２の発明のマスクレス露光方法において、前記露光パターンの低照射部分の端部近傍の露光量減少により前記強調を行っていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第４の発明のマスクレス露光方法は、第１ないし第３のいずれか１の発明のマスクレス露光方法において、前記エッジの強調は該当個所の前記露光パターンの照射時間と非照射時間との調整により行っていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に、第１の多結晶シリコン膜と、導電型または不純物濃度が前記第１の多結晶シリコン膜とは異なる第２の多結晶シリコン膜とを形成する形成工程と、
前記第１の多結晶シリコン膜から第１のパターンを形成し、前記第２の多結晶シリコン膜から第２のパターンを形成するパターニング工程と、を含み、
前記パターニング工程は、
前記第１の多結晶シリコン膜および前記第２の多結晶シリコン膜の除去すべき領域を互いに異なる深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、
前記第１のエッチング工程でエッチングがなされた前記第１の多結晶シリコン膜および前記第２の多結晶シリコン膜における当該エッチングによって露出した側面を酸化して前記側面に酸化膜を形成する酸化工程と、
前記側面に前記酸化膜が形成された前記第１の多結晶シリコン膜および前記第２の多結晶シリコン膜をエッチングする第２のエッチング工程と、を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の多結晶シリコン膜は、
前記パターニング工程で除去されるべき第１の除去領域を含み、
前記第２の多結晶シリコン膜は、前記パターニング工程で除去されるべき第２の除去領域を含み、
前記第１のエッチング工程では、前記第１の多結晶シリコン膜の前記第１の除去領域を第１の深さまでエッチングするとともに、前記第２の多結晶シリコン膜の前記第２の除去領域を第２の深さまでエッチングし、
前記酸化工程では、前記第１のエッチング工程の後に残っている前記第１の除去領域および前記第２の除去領域のそれぞれの上面を酸化して前記上面に酸化膜を形成し
前記第２のエッチング工程は、
前記第１の除去領域の第１の多結晶シリコン膜および前記第２の除去領域の第２の多結晶シリコン膜が露出するまで、前記第１の除去領域および前記第２の除去領域のそれぞれに形成された前記酸化膜をエッチングする第１の工程と、
前記半導体基板の表面が露出するまで前記第１の除去領域および第２の除去領域をエッチングする第２の工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の多結晶シリコン膜および前記第２の多結晶シリコン膜は、ｎ型の不純物を含み、前記第１の多結晶シリコンのｎ型の不純物の濃度は、前記第２の多結晶シリコンのｎ型の不純物の濃度より高く、
前記第１の深さは、前記第２の深さより大きく、
前記酸化工程で前記第１の除去領域に形成される前記酸化膜は、前記酸化工程で前記第２の除去領域に形成される前記酸化膜より厚い
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の多結晶シリコン膜および前記第２の多結晶シリコン膜は、ｎ型の不純物を含み、前記第１の多結晶シリコンのｎ型の不純物の濃度は、前記第２の多結晶シリコンのｎ型の不純物の濃度より高く、
前記第１の多結晶シリコン膜は、
前記パターニング工程で除去されるべき第１の除去領域を含み、
前記第２の多結晶シリコン膜は、前記パターニング工程で除去されるべき第２の除去領域を含み、
前記第１のエッチング工程では、前記半導体基板の表面を露出させるまで前記第１の多結晶シリコン膜の前記第１の除去領域をエッチングすると同時に、前記第２の多結晶シリコン膜の前記第２の除去領域を前記半導体基板の前記表面を露出させない深さまでエッチングし、
前記酸化工程では、前記第１のエッチング工程で露出させた前記半導体基板の前記表面を酸化するとともに、前記第１のエッチング工程の後に残っている前記第２の除去領域の上面を酸化し、
前記第２のエッチング工程は、
前記第１のエッチング工程の後に残っている前記第２の除去領域が露出するまで前記酸化膜をエッチングする第１の工程と、
前記半導体基板の表面が露出するまで前記第１のエッチング工程で残された前記第２の多結晶シリコン膜をエッチングする第２の工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記酸化工程では、酸素、あるいは水を含んだガスを用いて酸化を行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体装置は、撮像センサを含む
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の１つの側面に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に、第１の多結晶シリコン膜と、導電型または不純物濃度が前記第１の多結晶シリコン膜とは異なる第２の多結晶シリコン膜とを形成する形成工程と、前記第１の多結晶シリコン膜から第１のパターンを形成し、前記第２の多結晶シリコン膜から第２のパターンを形成するパターニング工程と、を含み、前記パターニング工程は、前記第１の多結晶シリコン膜および前記第２の多結晶シリコン膜の除去すべき領域を互いに異なる深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、前記第１のエッチング工程でエッチングがなされた前記第１の多結晶シリコン膜および前記第２の多結晶シリコン膜における当該エッチングによって露出した側面を酸化して前記側面に酸化膜を形成する酸化工程と、前記側面が前記酸化膜で保護された状態で前記第１の多結晶シリコン膜および前記第２の多結晶シリコン膜を更にエッチングする第２のエッチング工程と、を含む。