【事件の表示】
　特願２００３−１８８２７５「プラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月　５日出願公開、特開２００３−３４７２７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成９年３月１９日に出願した特願平９−６６０９９号（以下、「本願の原出願」という。）の一部を平成１５年６月３０日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年１０月３日付けで拒絶査定がなされ、平成１９年１１月２日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２１年１０月１５日付けで当審において上記手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２２年１月８日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年２月２３日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
［２］本願発明
　平成２２年２月２３日付け手続補正は、特許請求の範囲の請求項１における
「前記処理室内にＦを含むガスとＢを含むガスを多段ステップで供給してＡｌを含む積層膜である被エッチング材料を多段ステップでエッチング処理する」を、「前記処理室内に
Ｃｌ
Ｆ
　そして、本願明細書（【００３０】等）の記載によれば、上記補正前の「Ｂを含むガス」は、「Ｃｌを含むガス」の誤りであることは明らかであり、
上記補正は、誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
　よって、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　処理室内に処理ガスを導入するガス導入手段およびプラズマ生成装置を有し、導入した処理ガスをプラズマ化して処理室に配置した試料にエッチング処理を施し、更にＦを含むガスを用いて処理室内に付着する被エッチング材料を含む堆積物を除去する第１クリーニング処理およびＢを含むガスを用いて処理室内に付着する処理室内の内部構成材料のイオンスパッタ物を除去する第２クリーニング処理を施す手段を有するプラズマ処理装置であって、
　前記プラズマ処理装置は、前記処理室内に
Ｃｌ
Ｆ
　
［３］引用刊行物の記載事項
　当審において、平成２１年１０月１５日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願が出願されたとみなされる、本願の原出願の日前に頒布された特開平７−１３０７０６号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特開平３−６２５２０号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用刊行物１
（ａ）「【請求項１】少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガスをプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置であって、
前記反応処理室内に少なくとも一種類の塩素系…のガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に発生した低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気させることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（ｂ）「図２は、平行平板電極を使用した従来の反応性イオンエッチング装置を示すものである。反応処理室…は例えばアルミニウムやアルミニウム合金によって構成されている。……
反応処理室…の上部には、アルミニウム合金によって構成された平行平板電極を構成する上部電極…が設けられ、反応処理室…の内部には下部電極…が設けられている。
……
…上記構成において、被処理体…のエッチングを行う場合、上部電極…の複数の透孔…から反応処理室…の内部に反応ガスを導入するとともに、排気パイプ…からこれを排気し、反応処理室…内の圧力を制御する。これとともに、高周波電源…より下部電極……に高周波電力を供給し、上部電極…および下部電極…の相互間にプラズマを生成することにより、被処理体…の被エッチング膜がエッチングされる。」（【０００３】−【０００４】）
　
（ｃ）「【発明が解決しようとする課題】…従来の半導体処理装置においては、上部電極…と下部電極…の相互間で、フッ素系ガス例えばＣＨＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６等をプラズマ化し、被処理体…をプラズマ処理する。このため、被処理体…のみならず反応処理室…の内壁材までもエッチングしてしまう。このときに発生するＡｌＦ３ なる反応生成物は非常に蒸気圧が低いため排気されにくく、反応処理室…の内壁に堆積…する現象が発生する。これら反応生成物は処理毎に経時的に厚くなり、パーティクルの発生源となる。」（【０００５】）
　　
（ｄ）「…この発明は、上記課題を解決するため、…反応処理室内に少なくとも一種類の塩素系…のガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化し、…被処理体の処理に伴い反応処理室内に発生した低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気させている。」（【０００８】）
　
（ｅ）「また、クリーニングのためのプラズマ処理に使用するガスはＣｌ２ガスに限定されるものではなく、ＢＣｌ３等に代表されるＣｌとの化合物ガスでもよい。」（【００１７】）
　
（２）引用刊行物２
（ａ）「同じ処理室を用いてＡｌ合金膜とバリアメタルをプラズマエッチングしたときの処理室内のクリーニング方法において、塩素を含むガスによる放電とフッ素を含むガスによる放電とを組合わせて行うことを特徴とする
プラズマクリーニング方法。」（特許請求の範囲）
　
（ｂ）「〔実施例〕
　…エッチングの被処理物として、上層がＡｌ合金膜で下層がバリアメタルの構造をなしたもので、例えば、Ａｌ合金膜としてはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜で、バリアメタルとしてはＴｉＷである。　　　　
　Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜は塩素を主体とするガスでエッチングされ、Ａｌの生成物による反応生成物が処理室内に残留しているものと考えられる。また、ＴｉＷ膜はフッ素系ガスを主体としてエッチングされ、ＴｉおよびＷの生成物による反応生成物が、Ａｌの生成物による反応生成物と一緒になって処理室内に残留しているものと考えられる。このような残留反応生成物は、これらのエッチングプロセスを繰り返すことによって、……ベルジャや電極廻りの部品に黒濁して表れてくる。
　このような残留反応生成物をクリーニングするに当って、塩素を含むガス、…をプラズマ化して約５分間プラズマクリーニングを行ない、ついで、フッ素ガスを含むガス、…をプラズマ化して約５分間プラズマクリーニングを行なう。」（第２頁左上欄第１１行−同頁右上欄第１５行）
　　　　
［４］引用刊行物１発明
　上記引用刊行物１の記載（ａ）−（ｅ）によれば、引用刊行物１には、
　「反応処理室内にフッ素を含むガスを導入する手段およびプラズマ生成装置を有し、導入したフッ素を含むガスをプラズマ化して反応処理室に配置した被処理体にエッチング処理を施し、ＢＣｌ２を用いて処理室内に付着するアルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成される反応処理室の内壁材がエッチングされた時に発生するエッチング反応生成物（ＡｌＦ３ ）を除去するクリーニング処理を施す手段を有するプラズマ処理装置。」の発明（以下、「引用刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
［５］対比・判断
　本願発明と引用刊行物１発明とを対比すると、
　引用刊行物１発明における「反応処理室」、「フッ素を含むガス」、「被処理体」、「ＢＣｌ２」、「アルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成される反応処理室の内壁材」は、それぞれ、本願発明の「処理室」、「処理ガス」、「試料」、「Ｂを含むガス」、「処理室内の内部構成材料」に相当する。
　そして、本願発明における「処理室内の内部構成材料のイオンスパッタ物」、および引用刊行物１発明における「アルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成される反応処理室の内壁材がエッチングされた時に発生するエッチング反応生成物（ＡｌＦ３ ）」は、共に、「処理室内の内部構成材料を含有する付着物」である点で共通する。
　
　よって、両者は
「処理室内に処理ガスを導入するガス導入手段およびプラズマ生成装置を有し、導入した処理ガスをプラズマ化して処理室に配置した試料にエッチング処理を施し、Ｂを含むガスを用いて処理室内の内部構成材料を含有する付着物を除去するクリーニング処理を施す手段を有するプラズマ処理装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明では、前記プラズマ処理装置が、前記処理室内にＣｌを含むガスとＦを含むガスを多段ステップで供給してＡｌを含む積層膜である被エッチング材料を多段ステップでエッチング処理するものであり、更にＦを含むガスを用いて処理室内に付着する被エッチング材料を含む堆積物を除去する第１クリーニング処理を施す手段を有するのに対し、引用刊行物１発明では、その点が明らかでないこと。
　
（相違点２）
　処理室内の内部構成材料を含有する付着物が、本願発明では、内部構成材料のイオンスパッタ物であるのに対し、引用刊行物１発明では、内部構成材料がエッチングされた時に発生する反応生成物（ＡｌＦ３ ）である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。　
・（相違点１）について
　上記引用刊行物２の記載事項（ａ），（ｂ）によれば、引用刊行物２には
Ａｌ膜、バリアメタル膜からなる被処理物
を、塩素を主体とするガス
とフッ素系ガス
を多段ステップで供給し、多段ステップでエッチング処理すること
そして、その後、Ｆを含むガスを用いて、ベルジャ内
に付着した、被エッチング材料を含む反応生成物
を除去すること
　そして、上記刊行物１発明は、フッ素を含むガスを用いてエッチング処理を行うプラズマエッチング装置に関するものであることから、該エッチング処理として、上記引用刊行物２記載のフッ素を含むガスを使用する多段エッチング処理を適用し、併せてそのエッチング反応生成物のクリーニング処理も採用することに格別の困難性は認められない。
　
・（相違点２）について
　プラズマエッチング処理の際、処理室内のアルミニウムからなる内部構成材料がスパッタされ、処理室内に付着することは下記周知例１、２の記載事項のとおり周知である。そして、プラズマエッチングガスがＦを含むガスの場合には、ＡｌＦ３が形成された状態でスパッタされることも下記周知例１のように周知であるから、引用刊行物１発明における反応生成物ＡｌＦ３には、内部構成材料のイオンスパッタ物も含まれているものと認められるから、この点において、両者は実質的に相違しない。
　
※周知例１（特開平４−５６７７０号公報）
　「ＣＦ４とＯ２の混合ガスを使用し、これに高周波電圧を加圧してグロー放電し、エッチングにより反応生成物の異物を除去するものであったが、電極のアルミニュームＡｌとＣＦ４の弗素が化合して弗化アルミニューム（ＡｌＦ３）が生じ、これが１対の電極の中心部にスパッタされて付着する現象があった。」（第２頁左上欄第１２−１８行）
　
※周知例２（特開昭６３−５５９３９号公報）
　「ドライエッチング装置に係り、…塩素を含まないフッ化炭素系ガス（例えばデュポン社の登録商標であるフレオン）をエッチングガスとして用い、ＳｉＯ２膜のエッチングを行う場合において、処理室内の金属（例えばＡｌ）製部材がプラズマ中のイオンによってスパッタされ、」（第１頁左欄第１６行−同頁右欄末行）
　
　そして、本願発明が、引用刊行物１、２に記載された内容および周知技術からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
  よって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
［６］むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。