【事件の表示】
　特願２００１−３９１２３９号「高周波発振型近接スイッチ及びその生産方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月　６日出願公開、特開２００２−２５１９４５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年６月２６日に出願された特願平４−１９３０６２号の一部を平成１３年１２月２５日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年６月１７日付けで補正された明細書および出願当初の図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　
　「物体検出用の発振コイルを含み物体までの距離に応じたレベルの信号を出力するセンサ回路、感度を設定するための不揮発性のメモリ、及び前記不揮発性のメモリに設定された感度と前記センサ回路の出力とに基づく物体検知信号を出力する制御手段、を含む電子回路と、
　前記電子回路を収めた１つのケースと、
　前記ケースの内部の全体を充填している充填材とを具備し、
　製造段階で設定された感度を外部から操作して変更することができないようにされている高周波発振型近接スイッチ。」
　
II．引用例の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭５８−８５２３６号公報（以下、「引用例１」という）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　（１）「この発明は検出器の製造方法に関する。
　一般に検出器例えば高周波発振方式や静電容量方式などの近接スイツチは，物体に接触することなしに物体の接近を検出するものとして用いられている。
　このような検出器の一例である近接スイツチは，第１図ないし第２図に示すように構成されている。近接スイツチのケース１は，金属又は樹脂製の円筒状ケースからなつている。このケース１内には，例えばフエライトコア２に巻回された検出コイル３からなる検知部４が先端に近接して配設されている。また，この検知部４と接続されケース１内の中央付近に配設された処理回路部５などの内蔵部品が収納されている。処理回路部５は，基板６上にＩＣ７等が接続されることにより構成されている。」（公報第１頁右下欄第２〜１７行参照）
　（２）「なお，図中１３は感度調節用の金属片で，矢印方向に移動させ，感度を調節する。」（同第２頁左上欄第１３〜１５行参照）
　（３）「以下，第３図を参照してこの発明の一実施例を示す近接スイツチの製造方法について，説明する。なお，第１図ないし第２図に共通する部分については，同符号を用いて説明は省略する。近接スイツチにおける処理回路部５は，基板６上にＩＣ７や被調整体１４を接続してなつている。この被調整体１４は，厚膜又は薄膜部品つまりセラミツク基板上での厚膜印刷又は印刷抵抗体等のチツプ部品などである。」（同第２頁右上欄第４〜１２行参照）
　（４）「まず，窓部１ａの下部に対応するように処理回路部５の被調整体１４を位置させ，この状態で被調整体１４を含む処理回路部５の一部を除いて検知部４と処理回路部５とを樹脂でモールドして固定する。つぎに被調整体１４に対応する位置つまり窓部１ａにレーザ源１５を配置する。そして，レーザ源１５からのレーザ光１６が被調整体１４に照射できるように焦点を絞り，・・・（中略）・・・被調整体１４に対するトリミングを開始する。このトリミングによって，被調整体１４つまり厚膜印刷体の調整値が変化していく。途中，最適回路定数となつた時点でレーザ源１５をオフする。したがつて，被調整体１４をケース１内に内蔵した状態で機能調整ができることになる。
　なお，被調整体１４の機能調整が完了した後，被調整体１４を樹脂でモールドしてもよい」（同第２頁右上欄第１８行〜左下欄第１８行参照）
　（５）第３図には，近接スイッチの断面図が示されており，１つのケース１内に検知部４とＩＣ７や被調整体１４を接続してなる処理回路部５とよりなる回路構成体が納められていることが図示されている。
　
　上記（１）〜（４）の記載内容からみて、検知部４が、物体の接近の度合に応じた検出信号を出力するものであり、また、処理回路部５における例えばＩＣ７が、被調整体１４に調節された感度と前記検知部４の出力とに基づく物体接近信号を出力するものであることは、明らかである。
　また、上記（４）の冒頭および末尾の記載内容からみて、被調整体１４の機能調整すなわち感度の調節が完了した後、ケース１の内部の全体が樹脂でモールドされることは、明らかであり、そのようにケース１の内部の全体を樹脂でモールドした製造後には、引用例１の高周波発振方式の近接スイッチが、製造段階で調節された感度を外部から操作して再調節することができないようにされていることは、明らかである。
　以上のことから、上記（１）〜（５）の記載内容からみて、引用例１には、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、
　「物体の接近を検出する検出コイル３を含み物体の接近の度合に応じた検出信号を出力する検知部４、感度を調節するための被調整体１４、及び前記被調整体１４に調節された感度と前記検知部４の出力とに基づく物体接近信号を出力するＩＣ７、を含む回路構成体と、
　前記回路構成体を収めた１つのケース１と、
　前記ケース１の内部の全体をモールドする樹脂とを具備し、
　製造段階で調節された感度を外部から操作して再調節することができないようにされている高周波発振方式の近接スイッチ。」
についての発明（以下、「引用発明」という）が記載されているといえる。
　
　また、同じく引用された特開平２−２３９７２０号公報（以下、「引用例２」という）には、次の事項が図面と共に記載されている。
　（６）「このサンプルホールド回路１１は光電スイスッチ受光感度調整用であって、該回路１１の出力はＡ／Ｄ変換回路１２を通し２つの記憶手段１３，１４のいずれかに送られて記憶される。
　記憶手段１３，１４を選択するのがティーチングスイッチ１５，１６で、ティーチングスイッチ１５をＯＮするに伴いトリガ回路１７によって記憶手段１３が選択されて、これにサンプルホールド回路出力が記憶される。
　また、ティーチングスイッチ１６をＯＮするとトリガ回路１８によって記憶手段１４が選択されて、これにサンプルホールド回路出力が記憶される。
　尚、記憶手段１３，１４としてはＥＥ−ＰＲＯＭ、あるいはバッテリまたは大容量コンデンサにより電源をバックアップされたＲＡＭが用いられる。
　演算回路１９は両記憶手段１３，１４に記憶された受光信号の大きさを演算し、両受光信号の大きさの間に光電スイッチ１０の受光感度を設定し、これをＤ／Ａ変換回路２０を通し、比較器５のリファレンスレベルを変化させる。」（公報第３頁左上欄第１１行〜右上欄第１２行参照）
　（７）「演算回路１９は両記憶手段１３，１４に記憶された双方の受光信号の大きさを取り出し、ＶＡとＶＢを演算して両者の中間レベルの電圧Ｃに光電スイッチ受光感度を設定し、これで比較器５のリファレンスレベルを調整する。
　従って、以上の光電スイッチ受光感度調整後では、受光手段３にはいって増幅器４で増幅された受光信号の大きさが、比較器５でリファレンスレベルと比較され、受光信号の大きさがこのレベルを超える時に、検出物体２６の検出信号が出力手段９から出力される。」（同第３頁右下欄第４〜１４行参照）
　（８）第１図には、光電スイッチのブロック回路図が示されており、記憶手段１３，１４に記憶された受光信号の大きさと受光手段３の出力とに基づく、検出物体２６の検出信号を出力する比較器５ないし出力手段９よりなる検出信号出力回路、および発振器１ないしＤ／Ａ回路２０よりなる光電スイッチを構成する回路が図示されている。
　また、第３図には、スイッチ感度調整手順の説明図が示されており、光電スイッチ１０が検出物体２６の位置あるいは背景物体２５の位置に応じた受光信号を受光する状況が図示されている。
　
III．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、上記引用発明における「物体の接近を検出する」は、本願発明の「物体検出用の」に、以下順に、「検出コイル３」は「発振コイル」に、「物体の接近の度合に応じた検出信号を出力する」は「物体までの距離に応じたレベルの信号を出力する」に、「検知部４」は「センサ回路」に、「感度を調節」は「感度を設定」に、「調節された感度」は「設定された感度」に、「物体接近信号」は「物体検知信号」に、「例えばＩＣ７」は「制御手段」に、「回路構成体」は「電子回路」に、「ケース１」は「ケース」に、「モールドする樹脂」は「充填している充填材」に、「再調節」は「変更」に、そして「高周波発振方式の近接スイッチ」は「高周波発振型近接スイッチ」に、それぞれ相当するものと認められる。
　また、引用発明の「被調整体１４」と、本願発明の「不揮発性のメモリ」とは、その機能からみて、感度を設定するための「設定手段」である点で共通する。
　したがって、本願発明と引用発明との一致点、相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉
　「物体検出用の発振コイルを含み物体までの距離に応じたレベルの信号を出力するセンサ回路、感度を設定するための設定手段、及び前記設定手段に設定された感度と前記センサ回路の出力とに基づく物体検知信号を出力する制御手段、を含む電子回路と、
　前記電子回路を収めた１つのケースと、
　前記ケースの内部の全体を充填している充填材とを具備し、
　製造段階で設定された感度を外部から操作して変更することができないようにされている高周波発振型近接スイッチ。」
〈相違点〉 
　感度を設定するための設定手段として、本願発明では、不揮発性のメモリを用いているのに対して、引用発明では、被調整体１４を用いている点。
　
IV．判断
　次に、上記相違点について検討する。 
　上記II．における（６）〜（８）の記載内容からみて、引用例２には、
「検出物体２６等の位置に応じた受光信号を出力する受光手段３、受光感度を設定するためのＥＥ−ＰＲＯＭを用いた記憶手段１３，１４、及び前記ＥＥ−ＰＲＯＭを用いた記憶手段１３，１４に記憶された受光信号の大きさと前記受光手段３の出力とに基づく検出物体２６等の検出信号を出力する比較器５ないし出力手段９よりなる検出信号出力回路、を含む発振器１ないしＤ／Ａ回路２０よりなる光電スイッチを構成する回路」、
に関する事項が記載されている。
　そして、上記引用例２に記載された「検出物体２６等の位置に応じた受光信号」は、本願発明の「物体までの距離に応じたレベルの信号」に、以下順に、「受光手段３」は「センサ回路」に、「受光感度」は「感度」に、「ＥＥ−ＰＲＯＭを用いた記憶手段１３，１４」は「不揮発性のメモリ」に、「ＥＥ−ＰＲＯＭを用いた記憶手段１３，１４に記憶された受光信号の大きさ」は「不揮発性のメモリに設定された感度」に、「検出物体２６等の検出信号」は「物体検知信号」に、「比較器５ないし出力手段９よりなる検出信号出力回路」は「制御手段」に、そして「発振器１ないしＤ／Ａ回路２０よりなる光電スイッチを構成する回路」は「電子回路」に、それぞれ相当すると認められるから、引用例２には、
「物体までの距離に応じたレベルの信号を出力するセンサ回路、感度を設定するための不揮発性のメモリ、及び前記不揮発性のメモリに設定された感度と前記センサ回路の出力とに基づく物体検知信号を出力する制御手段、を含む電子回路。」
が開示されている。
　それ故、引用発明における被調整体１４に代えて、上記引用例２に記載された不揮発性のメモリを適用して、本願発明のように不揮発性のメモリを用いて感度設定を行う構成とする程度のことは、当業者であれば必要に応じて容易に想到し得たものといえる。
　そして、本願発明の構成によってもたらされる明細書に記載の効果も、引用発明および引用例２の記載事項から当業者であれば予測できる範囲のものであって、格別なものとはいえない。
　
Ｖ．むすび
　したがって、本願発明は、その出願前に当業者が引用発明および引用例２に記載されたものに基いて容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。