【事件の表示】
　特願２００２−２３２６０４「可変温度堆積方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月　９日出願公開、特開２００３−１０５５４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、２００２年８月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年８月９日、米国）を出願日とする出願であって、平成１８年５月１日付けで拒絶理由が起案され、同年１０月１３日付けで拒絶査定が起案され、これに対し平成１９年１月１９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２１年１月２０日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋が起案され、回答書が提出されなかったものである。
　
２．平成１９年１月１９日付け手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１月１９日付け手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）平成１９年１月１９日付け手続補正は、願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）に記載された特許請求の範囲
「　【請求項１】　堆積方法であって、該方法は、
　第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着させる工程と、
　前記第１温度とは異なる第２温度において、前記第１層を第２前駆体に接触させ、前記第１層上に少なくとも１単層膜厚の第２層を化学吸着させる工程と、
　を具備することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２】　請求項１に記載の方法であって、更に、前記第１層及び第２層を、前記第２温度よりも高い第３温度とするために加熱する工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３】　請求項１に記載の方法であって、更に、前記第２層を前記第１層と反応させる工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４】　請求項１に記載の方法であって、更に、前記第２温度を達成するために、熱電気ヒートポンプを用いて熱を付加又は除去することにより温度を変更させる工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項５】　請求項４に記載の方法であって、更に、前記熱電気ヒートポンプは、熱的に前記基板に接続されることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項６】　請求項１に記載の方法において、前記第２温度は、前記第２前駆体の流れを開始することにより、前記第１層に接触する前に達成されることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項７】　請求項１に記載の方法において、前記第２温度は、前記第２前駆体の流れを提供することにより、前記第１層に接触させている間まで、達成されないことを特徴とする堆積方法。
　　【請求項８】　請求項１に記載の方法において、前記第１温度は前記第２温度よりも高いことを特徴とする堆積方法。
　　【請求項９】　請求項１に記載の方法において、前記第１温度は、前記第２温度よりも少なくとも約５℃異なることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１０】　請求項１に記載の方法において、前記第１温度は、前記第２温度よりも少なくとも約５０℃異なることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１１】　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２温度は、前記基板の少なくとも一部の温度であることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１２】　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２温度は、前記基板の最外表面の温度であることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１３】　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２温度は、前記前駆体の温度であることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１４】　請求項１に記載の方法であって、更に、バックグラウンド熱を提供する工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１５】　請求項１４に記載の方法において、前記バックグラウンド熱は、前記第１及び第２温度の間の第４温度として提供されることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１６】　請求項１４に記載の方法において、前記バックグラウンド熱は、主に、ヒートランプアレイ又はウェーハチャックヒータからなる熱源から発生することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１７】　請求項１に記載の方法において、前記基板はバルク半導体からなることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１８】　請求項１に記載の方法において、前記第１前駆体は前記第２前駆体とは異なることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項１９】　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２層は、それぞれ基本的には単層膜からなることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２０】　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２前駆体の少なくとも一つは、複数の異なる前駆体スピーシからなることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２１】　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２前駆体は、それぞれ基本的には単一の前駆体スピーシからなることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２２】　請求項２１に記載の方法において、前記単一前駆体スピーシは、一つの化学構造のみを表わすことを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２３】　請求項１に記載の方法であって、更に、前記第１層を前記第２前駆体と接触させる前に、前記第１前駆体を除去する工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２４】　堆積方法であって、該方法は、
　基板上に第１スピーシを、前記第１スピーシの堆積にほぼ最適な温度で、原子層堆積する工程と、
　前記第１スピーシ上に第２スピーシを、前記第１スピーシの最適温度とは異なる第２スピーシの堆積にほぼ最適な温度で、原子層堆積する工程と、
　を具備することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２５】　請求項２４に記載の方法であって、更に、前記第１スピーシ上に前記第２スピーシを堆積する前に、前記第１スピーシを除去する工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２６】　請求項２４に記載の方法であって、更に、前記第２スピーシと前記第１スピーシとを、前記第２スピーシの最適温度とは異なる反応のための最適温度において、反応させる工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２７】　請求項２４に記載の方法において、前記第１及び第２スピーシの化学吸着生成物は、基本的に、堆積物質の単層膜からなることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２８】　請求項２４に記載の方法において、前記第１スピーシは前記第２スピーシとは異なることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項２９】　請求項２４に記載の方法であって、更に、前記第１スピーシの堆積及び前記第２スピーシの堆積の少なくとも一つと一緒に、少なくとも一つの追加スピーシを原子層堆積する工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３０】　請求項２４に記載の方法において、前記第１スピーシの最適温度から前記第２スピーシの最適温度への変更は、熱電気ヒートポンプにより熱を付加又は除去することにより行われることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３１】　請求項３０に記載の方法において、前記熱電気ヒートポンプは、熱的に前記基板に接続されることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３２】　請求項２４に記載の方法において、前記第１及び第２スピーシ最適温度は、前記基板の少なくとも一部分の温度であることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３３】　請求項２４に記載の方法であって、更に、前記第１スピーシ上に前記第２スピーシを堆積する前に、前記第１スピーシを除去する工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３４】　堆積方法であって、該方法は、
　基板上に、該基板をヒータにより第１温度に維持したままで、第１組成の第１単層膜を化学吸着する工程と、
　前記ヒータとは異なる装置により熱を付加又は除去し、前記基板を、前記第１温度から少なくとも約１℃異なる第２温度に設定する工程と、
　前記第１組成の前記第１単層膜上に、前記第２基板温度において、第２組成の単層膜を化学吸着する工程と、
　前記基板をほぼ第２温度に設定するために、熱を付加又は除去する工程と、
　前記第２組成の単層膜上に、第１組成の第２単層膜を化学吸着する工程と、
　を具備することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３５】　請求項３４に記載の方法において、前記装置は熱電気効果を呈することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３６】　請求項３５に記載の方法において、前記基板をほぼ第１温度に達成するための熱の付加又は除去は、前記装置による熱の付加又は除去であることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３７】　請求項３４に記載の方法において、前記装置は冷却ガスの流れを提供することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３８】　請求項３７に記載の方法において、前記冷却ガスは、前記第１組成との反応に不活性な物質からなることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項３９】　請求項３４に記載の方法において、前記第２温度は、前記第２組成の単層膜の化学吸着より前に達成されることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４０】　請求項３４に記載の方法において、前記第２温度は、前記第２組成の単層膜の化学吸着の間まで達成されないことを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４１】　請求項３４に記載の方法において、前記第１温度は前記第２温度よりも高いことを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４２】　請求項３４に記載の方法であって、更に、前記第２組成の化学吸着前に、化学吸着されていない如何なる第１組成を除去する工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４３】　請求項３４に記載の方法において、前記第１及び第２組成の少なくとも一つは、複数の異なる前駆体スピーシによって形成されることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４４】　堆積方法であって、該方法は、
　基板上に、該基板をヒータにより第１温度に維持したままで、第１組成の第１単層膜を化学吸着する工程と、
　前記ヒータから入力される熱の量を減らすことにより熱を除去し、冷却ガスの流れを提供する工程であって、前記熱の除去により前記基板を前記第１温度よりも少なくとも約１℃低い第２温度とする工程と、
　前記第２基板温度において、前記第１組成の第１単層膜上に、第２組成の単層膜を化学吸着する工程と、
　前記基板をほぼ前記第１温度とするために熱を付加する工程と、
　前記第２組成の単層膜上に、前記第１組成の第２単層膜を化学吸着する工程と、
　を具備することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４５】　堆積方法であって、該方法は、
　基板上に、該基板をヒータにより第１温度に維持したままで、第１組成の第１単層膜を化学吸着する工程と、
　前記ヒータとは異なる装置により熱を付加又は除去し、前記基板を、前記第１温度より少なくとも約１℃異なる第２温度にする工程と、
　前記第２基板温度において、前記第１組成の第１単層膜上に、第２組成の単層膜を化学吸着する工程と、
　前記基板を前記第２温度よりも高い第３温度にするために熱を付加し、化学吸着された前記第２組成を化学吸着された前記第１組成と反応させる工程と、
　前記基板をほぼ前記第１温度とするために熱を付加又は除去する工程と、
　前記第１及び第２組成の反応層の上に、前記第１組成の第２単層膜を化学吸着する工程と、
　を具備することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４６】　請求項４５に記載の方法において、前記装置は熱電気効果を呈することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４７】　請求項４６に記載の方法において、前記基板をほぼ第１温度とするために熱を付加又は除去する工程は、装置により熱を付加又は除去することからなることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４８】　請求項４５に記載の方法において、前記装置は冷却ガスの流れを提供することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項４９】　請求項４５に記載の方法において、前記第３温度は、前記第２組成の単層膜の化学吸着が完了した後で達成されることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項５０】　請求項４５に記載の方法において、前記第３温度は、前記第２組成の単層膜の化学吸着の間に達成されることを特徴とする堆積方法。
　　【請求項５１】　請求項４５に記載の方法において、前記第１温度は前記第２温度よりも高いことを特徴とする堆積方法。
　　【請求項５２】　請求項４５に記載の方法であって、更に、前記第２組成の化学吸着の前に、化学吸着されていない如何なる第１組成を除去する工程を有することを特徴とする堆積方法。
　　【請求項５３】　請求項４５に記載の方法において、前記第１及び第２組成のうちの少なくとも一つは、複数の異なる前駆体スピーシから形成されることを特徴とする堆積方法。」を
「【請求項１】
　堆積方法であって、
　第１温度にて基板を、ジクロロシランを含有する第１前駆体と接触させ、第１層を少なくとも１単原子/分子層厚で前記基板に化学吸着させる工程と、
　第２温度を提供するため、前記基板と熱的に接続する熱電性ヒートポンプで除熱することにより前記第１温度を変更する工程と、
　前記第１温度よりも低温である前記第２温度にて前記第１層を、アンモニアを含有する第２前駆体と接触させ、第２層を少なくとも１単原子/分子層厚で前記第１層に化学吸着させる工程と、
　前記第２層を前記第１層と反応させ、Ｓｉ３Ｎ４層を形成する工程と、
を含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項２】
　請求項１に記載の方法であって、反応工程は第１層と第２層を、第２温度並びに第１温度よりも高温である第３温度に加熱する工程を含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項３】
　請求項２に記載の方法であって、第１層と第２層を第３温度に加熱する工程は熱電性ヒートポンプで加熱する工程を含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項４】
　請求項１に記載の方法であって、第２温度は第２前駆体の最適化学吸着温度であることを特徴とする堆積方法。
【請求項５】
　請求項４に記載の方法であって、第１温度は第１前駆体の最適化学吸着温度であることを特徴とする堆積方法。
【請求項６】
　請求項１に記載の方法において、前記第２温度は、前記第２前駆体の流れを開始することにより、前記第１層に接触する前に達成されることを特徴とする堆積方法。
【請求項７】
　請求項１に記載の方法において、前記第２温度は、前記第２前駆体の流れを提供することにより、前記第１層に接触させている間まで、達成されないことを特徴とする堆積方法。
【請求項８】
　請求項１に記載の方法において、前記第１温度は、前記第２温度よりも少なくとも約５°Ｃ異なることを特徴とする堆積方法。
【請求項９】
　請求項１に記載の方法において、前記第１温度は、前記第２温度よりも少なくとも約５０°Ｃ異なることを特徴とする堆積方法。
【請求項１０】
　請求項１に記載の方法において、前記第１温度及び前記第２温度は、前記基板の少なくとも一部であることを特徴とする堆積方法。
【請求項１１】
　請求項１に記載の方法において、前記第１温度及び前記第２温度は、前記基板の最外表面の温度であることを特徴とする堆積方法。
【請求項１２】
　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２温度は、前記前駆体の温度であることを特徴とする堆積方法。
【請求項１３】
　請求項１に記載の方法であって、更に、バックグラウンド熱を提供する工程を有することを特徴とする堆積方法。
【請求項１４】
　請求項１３に記載の方法において、前記バックグラウンド熱は、前記第１及び第２温度の間の第４温度として提供されることを特徴とする堆積方法。
【請求項１５】
　請求項１３に記載の方法において、前記バックグラウンド熱は、主に、ヒートランプアレイ又はウェーハチャックヒータからなる熱源から発生することを特徴とする堆積方法。
【請求項１６】
　請求項１に記載の方法において、前記基板はバルク半導体からなることを特徴とする堆積方法。
【請求項１７】
　請求項１に記載の方法であって、第１前駆体はジクロロシランであり、第２前駆体はアンモニアであることを特徴とする堆積方法。
【請求項１８】
　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２層は、それぞれ基本的には単層膜からなることを特徴とする堆積方法。
【請求項１９】
　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２前駆体の少なくとも一つは、複数の異なる前駆体スピーシからなることを特徴とする堆積方法。
【請求項２０】
　請求項１に記載の方法において、前記第１及び第２前駆体は、それぞれ基本的には単一の前駆体スピーシからなることを特徴とする堆積方法。
【請求項２１】
　請求項２０に記載の方法において、前記単一前駆体スピーシは、一つの化学構造のみを表すことを特徴とする堆積方法。
【請求項２２】
　請求項１に記載の方法であって、更に、前記第１層を前記第２前駆体と接触させる前に、前記第１前駆体を除去する工程を有することを特徴とする堆積方法。
【請求項２３】
　堆積方法であって、
　第１化学種を、該第１化学種の略最適堆積温度で基板上に原子層堆積する工程と、
　前記基板と熱的に接続する熱電性ヒートポンプで除熱し、第２化学種を、前記第一化学種最適堆積温度よりも低温である前記第２化学種の略最適堆積温度で前記第１化学種上に原子層堆積する工程と、
　前記第２化学種最適堆積温度並びに前記第１化学種最適堆積温度よりも高温である最適反応温度で前記第２化学種を前記第１化学種と反応させる工程と、
を含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項２４】
　請求項２３に記載の方法であって、更に、前記第１スピーシ上に前記第２スピーシを堆積する前に、前記第１スピーシを除去する工程を有することを特徴とする堆積方法。
【請求項２５】
　請求項２３に記載の方法であって、第１化学種はジクロロシランを堆積したものであり、第２化学種はアンモニアを堆積したものであり、反応によってＳｉ３Ｎ４を生成することを特徴とする堆積方法。
【請求項２６】
　請求項２３に記載の方法において、前記第１及び第２スピーシ化学吸着生成物は、基本的に、堆積物質の単層膜からなることを特徴とする堆積方法。
【請求項２７】
　請求項２３に記載の方法において、前記第１スピーシは前記第２スピーシとは異なることを特徴とする堆積方法。
【請求項２８】
　請求項２３に記載の方法であって、第１化学種の堆積及び/又は第２化学種の堆積と共に少なくとも１種の追加化学種を原子層堆積する工程をさらに含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項２９】
　請求項２３に記載の方法であって、第１化学種は当初化学種であり、第２化学種と同一種であることを特徴とする堆積方法。
【請求項３０】
　請求項２３に記載の方法であって、最適反応温度を達成するために熱電性ヒートポンプで加熱する工程をさらに含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項３１】
　請求項２３に記載の方法において、前記第１及び第２スピーシ最適温度は、前記基板の少なくとも一部分の温度であることを特徴とする堆積方法。
【請求項３２】
　堆積方法であって、
　基板上に、該基板をヒータにより第１温度に維持した状態にて第１化合物の第１単分子層を化学吸着させる工程と、
　前記ヒータとは異なる装置で除熱し、前記第１温度より少なくとも略１°Ｃ低い第２温度に前記基板を設定する工程と、
　前記第２基板温度にて前記第１化合物の前記第１単分子層上に第２化合物の単分子層を化学吸着させる工程と、
　熱電効果を発揮する前記装置で加熱し、略前記第１温度に前記基板を設定する工程と、
　前記第２化合物の単分子層上に前記第１化合物の第２単分子層を化学吸着させる工程と、
を含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項３３】
　請求項３２に記載の方法であって、第２基板温度は第２化合物の最適化学吸着温度であることを特徴とする堆積方法。
【請求項３４】
　請求項３２に記載の方法において、前記第２温度は、前記第２組成の単層膜の化学吸着より前に達成されることを特徴とする堆積方法。
【請求項３５】
　請求項３２に記載の方法において、前記第２温度は、前記第２組成の単層膜の化学吸着の間まで達成されないことを特徴とする堆積方法。
【請求項３６】
　請求項３２に記載の方法であって、第１単分子層はジクロロシランを化学吸着させたものであり、第２単分子層はアンモニアを化学吸着させたものであることを特徴とする堆積方法。
【請求項３７】
　堆積方法であって、
　基板上に、該基板をヒータにより第１温度に維持した状態にて第１化合物の第１単分子層を化学吸着させる工程と、
　前記ヒータとは異なる熱電効果を発揮する装置で加熱又は除熱し、前記第１温度より少なくとも略１°Ｃ異なる第２温度に前記基板を設定する工程と、
　前記第２基板温度にて前記第１化合物の前記第１単分子層上に第２化合物の単分子層を化学吸着させる工程と、
　前記第２温度よりも高温である第３温度に前記基板を設定するために加熱し、前記化学吸着された第２化合物を前記化学吸着された第１化合物と化学吸着させる工程と、
　加熱し又は除熱し、略前記第１温度に前記基板を設定する工程と、
　前記第１化合物と前記第２化合物の反応層上に該第１化合物の第２単分子層を化学吸着させる工程と、
を含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項３８】
　請求項３７に記載の方法であって、加熱又は除熱し、略第１温度に基板を設定する工程は熱電効果を発揮する装置で加熱又は除熱する工程を含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項３９】
　請求項３７に記載の方法において、前記第３温度は、前記第２組成の単層膜の化学吸着が完了した後で達成されることを特徴とする堆積方法。
【請求項４０】
　請求項３７に記載の方法において、前記第３温度は、前記第２組成の単層膜の化学吸着の間に達成されることを特徴とする堆積方法。　
【請求項４１】
　請求項３７に記載の方法において、前記第１温度は、前記第２温度よりも高いことを特徴とする堆積方法。
【請求項４２】
　請求項３２又は請求項３７に記載の方法であって、第２化合物を化学吸着させる前に、化学吸着されていない第１化合物を一掃する工程をさらに含んでいることを特徴とする堆積方法。
【請求項４３】
　請求項３２又は請求項３７に記載の方法であって、第１化合物と第２化合物の少なくとも一方は複数の異なる前記物質化学種で提供されることを特徴とする堆積方法。」
と補正するものである。
　しかしながら、新たに請求項３７に加えられた補正事項を検討すると、本件補正前の対応する独立項の請求項４５における特定事項である「前記基板を前記第２温度よりも高い第３温度にするために熱を付加し、化学吸着された前記第２組成を化学吸着された前記第１組成と反応させる工程と、」について「前記第２温度よりも高温である第３温度に前記基板を設定するために加熱し、前記化学吸着された第２化合物を前記化学吸着された第１化合物と化学吸着させる工程と、」とし、当該補正における補正前の「反応」が補正後の「化学吸着」と化学操作として異なることは明らかであり、しかも、本願当初明細書段落【００２４】に「さらに考慮すべき点として、第１前駆体上への第２前駆体の化学吸着は、必ずしも、第１及び第２前駆体が反応することと必ずしも等価ではない。・・・本発明の一つの特徴によれば、堆積方法は、第１及び第２層を、第２層が化学吸着された第２の温度よりも高い第３の温度に加熱する工程を含むことができる。また、本発明による堆積方法は、第２層を第１層と反応させる工程を更に有することができる。第１及び第２層を反応させる工程の一つの例は、上で述べたように第３温度に加熱することである。第１層と第２層を反応させる他の方法も考えることができる。」と両者は明確に工程として区別して認識され、反応方法が加熱以外の他の方法も考えられると明記されている以上、当該補正は、拡張乃至は変更を目的とするものと認められるから、請求項４５に係る発明を特定するために必要な事項を限定するものであるとすることができず、補正前の請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものに限るとする、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮の要件を満足するものであるとすることができない。
　そして、新たな請求項３７に加えられた当該補正は、請求項の削除とみることはできないし、誤記の訂正や明りょうでない記載の釈明でないことも明らかである。
　したがって、本件補正が平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に掲げる事項を目的とするものではないことは明らかである。
　以上のとおりであるから、その余の事項について論及するまでもなく平成１９年１月１９日付け手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年１月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、出願時の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、当初明細書の特許請求の範囲の請求項３のとおりであって、引用する請求項１を用いて独立形式で記載すると以下のとおりである。
「【請求項３】　堆積方法であって、該方法は、
　第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着させる工程と、
　前記第１温度とは異なる第２温度において、前記第１層を第２前駆体に接触させ、前記第１層上に少なくとも１単層膜厚の第２層を化学吸着させる工程と、
　を具備することを特徴とする堆積方法であって、更に、前記第２層を前記第１層と反応させる工程を有することを特徴とする堆積方法。」
　
４．引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−３２６４１２号公報（以下、「引用文献１」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「下記の工程を含むことを特徴とする化合物薄膜形成方法。
（ａ）定常温度に加熱した基板上に第一原料化合物をパルス状にして供給し、第一原料化合物あるいはその分解物を一分子層で基板表面に飽和吸着させる工程、（ｂ）前記第一原料化合物を供給停止後、基板表面の温度を一定温度上昇させる工程、（ｃ）次に、前記第一原料化合物とは異なる第二原料化合物を基板上にパルス状にして供給し、飽和吸着している第一原料化合物あるいはその分解物からなる分子と反応させて一分子層の化合物薄膜を形成させる工程、（ｄ）基板の温度を初期の定常温度まで下降させる工程、（ｅ）前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）の工程を複数回繰り返して、所要の厚みの化合物薄膜を形成させる工程。」（【請求項１】）
（イ）「【作用】本発明によれば、基板上に一分子層飽和吸着が起こる定常温度領域で第一原料化合物を基板上に供給すると一分子層飽和吸着が形成される。その後、基板表面の温度を一定温度上昇させ、前記基板の表面の加熱と同時に、または該加熱より遅れて第二原料化合物を供給して基板表面に吸着された第一原料化合物分子と反応させると、第一原料化合物と第二原料化合物との反応は促進され、また、第一原料化合物に由来する化合物薄膜形成に不要な分子または反応によって生じる化合物薄膜形成に不要な分子である炭素化合物等の脱離を促進させることができる。」（段落【００１６】）
　
５．対比・判断
　引用文献１の記載事項（ア）には「下記の工程を含むことを特徴とする化合物薄膜形成方法。
（ａ）定常温度に加熱した基板上に第一原料化合物をパルス状にして供給し、第一原料化合物あるいはその分解物を一分子層で基板表面に飽和吸着させる工程、（ｂ）前記第一原料化合物を供給停止後、基板表面の温度を一定温度上昇させる工程、（ｃ）次に、前記第一原料化合物とは異なる第二原料化合物を基板上にパルス状にして供給し、飽和吸着している第一原料化合物あるいはその分解物からなる分子と反応させて一分子層の化合物薄膜を形成させる工程、（ｄ）基板の温度を初期の定常温度まで下降させる工程、（ｅ）前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）の工程を複数回繰り返して、所要の厚みの化合物薄膜を形成させる工程。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　そこで、本願発明と引用発明を対比すると、本願発明の「化学吸着」とは、当初明細書の段落【００１１】に「理論的には、化学吸着は、露出された初期基板の全面上に、均一な一原子又は分子厚の単層膜を形成するものである。」とあるように、引用発明の「一分子層で基板表面に飽和吸着させる工程」に相当するということができ、本願発明の「前駆体」は、「生成物の材料となる物質」のことであるから、「原料」と称することができ、引用発明における「第一原料化合物」及び「第二原料化合物」は、それぞれ本願発明の「第１前駆体」及び「第２前駆体」に相当するということができ、本願発明の「堆積方法」は、当初明細書の段落【０００９】に「原子層堆積（ＡＬＤ）方法は、基板上に連続的な複数の原子層を形成することを含む。」とあることからみて「基板上に連続的な複数の層を形成すること」と認められるから、引用発明の「前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）の工程を複数回繰り返して、所要の厚みの化合物薄膜を形成させる工程」は、本願発明の「堆積方法」に相当することは明らかで、引用発明の「（ａ）定常温度に加熱した基板上に第一原料化合物をパルス状にして供給し、第一原料化合物あるいはその分解物を一分子層で基板表面に飽和吸着させる工程」は、本願発明の「第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着させる工程」に相当し、引用発明の「（ｂ）前記第一原料化合物を供給停止後、基板表面の温度を一定温度上昇させる工程、（ｃ）次に、前記第一原料化合物とは異なる第二原料化合物を基板上にパルス状にして供給」することは、本願発明の「前記第１温度とは異なる第２温度において、前記第１層を第２前駆体に接触させる工程」に相当し、引用発明の「飽和吸着している第一原料化合物あるいはその分解物からなる分子と反応させて一分子層の化合物薄膜を形成させる工程」は、本願発明の「更に、前記第２層を前記第１層と反応させる工程」に相当するものであると認められる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、「第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着させる工程と、
　前記第１温度とは異なる第２温度において、前記第１層を第２前駆体に接触させる工程と、
　を具備する堆積方法であって、更に、前記第２層を前記第１層と反応させる工程を有する堆積方法。」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　本願発明においては「第１層上に少なくとも１単層膜厚の第２層を化学吸着させ」るのに対して、引用発明は、「第２層を化学吸着」することについては特定されていない点（以下、「一応の相違点（ａ）」という。）。
　そこで、上記一応の相違点（ａ）について検討する。
　引用発明は、「一分子層で基板表面に飽和吸着」し、「第一原料化合物とは異なる第二原料化合物を基板上にパルス状にして供給し、飽和吸着している第一原料化合物あるいはその分解物からなる分子と反応させて一分子層の化合物薄膜を形成させる」ものであって、飽和吸着した第一原料化合物の一分子層は、第二の原料化合物と反応して一分子層の化合物薄膜を形成するからには、化合物同士が化学反応という相互作用可能な位置まで近接することが必要であることは明らかである。そして、例えば、平成１８年５月１日付け拒絶理由通知において従来技術として提示した特開平３−１９２１１号公報の第５頁左下欄第３〜１８行の「第３図はＧｅとＳｉのへテロ接合から成る超格子の形成に対して本発明を適用した例であって、・・・基板に吸着したＧｅＨ２Ｃ１２は４５０℃において分解し、Ｇｅ単原子層を生成する。このＧｅ単原子層に吸着したＳｉ２Ｈ６が６３０℃において分解し、Ｓｉ単原子層を生成する。そののち、基板温度を２００℃に冷却する。」という記載に接すれば、化学吸着は、分解等の化学反応の前提条件であって、前記近接が化学吸着に相当することは明らかである。したがって、引用発明には、「第２層を化学吸着」することは、記載されているに等しい事項というべきである。
　したがって、本願発明は、上記引用文献１に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は、平成１９年４月２６日付けの審判請求書の手続補正書において
「【拒絶理由３に対する反論】
　本願の独立形式請求項に記載されているように、請求項の特徴は、第２温度が第１温度よりも低温である点にあります。」と主張しているが、本件補正後の請求項３７が「前記第１温度より少なくとも略１°Ｃ異なる第２温度に前記基板を設定する工程」を有することは上述のとおりであるから、依然として様々な温度を設定しうることが請求されており、このことと矛盾して全ての独立形式請求項が「第２温度が第１温度よりも低温である」ことを前提になされた請求人の主張は失当であり、採用することはできない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項３に係る発明は、引用文献１に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。