【事件の表示】
　特願２０００−２２０８２１「ワークの研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月　８日出願公開、特開２００２−　４３２５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１２年７月２１日の特許出願であって、同１６年９月２１日付で拒絶の理由が通知され、同１６年１１月２５日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同１７年２月２８日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１７年４月６日に本件審判の請求がされ、同１７年４月２７日に手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲について補正をするものであって、補正前後の請求項１の記載は以下のとおりである。なお、下線は当審で付した。
　
(1) 補正前の請求項１
「シリコンウエーハを保持板で保持し、該ウエーハの表面を研磨布に摺接させて研磨する方法において、
　
ＣＶＤまたは熱処理によって少なくとも前記ウエーハ表面にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成させた後、該ウエーハ表面の周辺部分をマスキングしてエッチング処理することにより、または、
　前記ウエーハの中央部分をマスクした上でＣＶＤを行うことにより、あるいは、
　スピンコーティングによって前記ウエーハ表面の周辺部分に樹脂を塗布した後、熱処理することにより、
　シリコン酸化膜、シリコン窒化膜あるいは樹脂膜からなるコート膜を、少なくとも前記ウエーハ表面の周辺部分に形成させるとともに該ウエーハ表面の中央部分ではウエーハ表面が露出するかまたは周辺部分より薄くなるように形成させ、前記ウエーハの裏面を保持してウエーハ表面の研磨を行うことを特徴とするウエーハの研磨方法。」
　
(2) 補正後の請求項１
「シリコンウエーハを保持板で保持し、該ウエーハの表面を研磨布に摺接させて研磨する方法において、
　
　前記ウエーハの中央部分をマスクした上でＣＶＤを行うことにより、あるいは、
　スピンコーティングによって前記ウエーハ表面の周辺部分に樹脂を塗布した後、熱処理することにより、
　シリコン酸化膜、シリコン窒化膜あるいは樹脂膜からなるコート膜を、少なくとも前記ウエーハ表面の周辺部分に形成させるとともに該ウエーハ表面の中央部分ではウエーハ表面が露出するかまたは周辺部分より薄くなるように形成させ、前記ウエーハの裏面を保持してウエーハ表面の研磨を行うことを特徴とするウエーハの研磨方法。」
　
２　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、コート膜の形成についての「ＣＶＤまたは熱処理によって少なくとも前記ウエーハ表面にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成させた後、該ウエーハ表面の周辺部分をマスキングしてエッチング処理することにより、または、」という択一的記載の要素を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
(1) 補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、上記１の(2) の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
(2) 引用例記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１８９５０９号公報（以下「引用例」という。）には、以下のとおり記載されている。
ア　３欄１６−２４行
「【請求項２８】半導体ウェハ上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜上において前記半導体ウェハの縁に沿ってリング状の凸部を形成すると共に、前記半導体ウェハの中央部のチップ領域に複数のトレンチを形成する工程と、前記チップ領域上に前記複数のトレンチを完全に満たす第２絶縁膜を形成する工程と、ＣＭＰにより前記第２絶縁膜を研磨し、前記第２絶縁膜を前記複数のトレンチ内に残存させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
イ　６欄８−２５行
「【０００７】図４１及び図４２は、従来のＣＭＰ装置の構成の概略を示すものである。
【０００８】プラテン（定盤）１１は、円板状であり、回転軸を有している。プラテン１１上には、研磨パッド１２が搭載されている。研磨パッド１２は、柔らかい不織布や硬い樹脂などから構成される。
【０００９】研磨パッド１２の表面には、スラリ（研磨粒子を含んだ溶剤）１３の膜が形成されている。
【００１０】一方、ウェハキャリア１４は、例えばバキュ−ムチャックなどによりウェハ１５を保持している。また、ウェハキャリア１４は、研磨パッド１２の表面とウェハ１５の表面の間にスラリ１３が存在するように、一定の圧力をもってウェハ１５を研磨パッド１２に押し付ける。
【００１１】ウェハキャリア１４も、回転軸を有している。プラテン１１の回転方向ａとウェハキャリアの回転方向ｂは、グロ−バルな領域の平坦化のバラツキをなくすため、一般に同じ方向に設定されている。」
ウ　１９欄３６行−２１欄３６行
「【０１４８】［Ｃ］図２２及び図２３は、本発明の第３実施の形態に関わる半導体装置を示すものである。
【０１４９】ウェハ２１上には、酸化膜２７及びポリシリコン膜２８が形成されている。また、ウェハ２１のチップ領域において、ウェハ２１、酸化膜２７及びポリシリコン膜２８には、複数のトレンチ２９が形成されている。
【０１５０】また、ウェハ２１の縁に沿った領域、即ちウェハ２１の縁からチップ領域Ｘの手前（最大、数ｍｍ位）までの領域には、凸部２１Ｂが設けられている。
【０１５１】この凸部２１Ｂを構成する材料は、特に限定されないが、凸部２１Ｂは、ＣＭＰの対象となる絶縁膜に対して、研磨レ−トが異なる材料（大きな選択比を有する材料）から構成するのがよい。
【０１５２】例えば、ＣＭＰにより研磨する絶縁膜が、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜のような場合には、凸部２１Ｂは、ポリシリコン、窒化シリコン（ＳｉＮ）、カ−ボン（Ｃ）、タングステン（Ｗ）、タングステンシリサイド、チタン（Ｔｉ）、チタンシリサイドなどから構成される。
【０１５３】凸部２１Ｂの高さＨや幅Ｗは、研磨パッドの弾性力、半導体製造プロセス、ウェハに形成する素子の種類、構造、サイズなどのパラメ−タによって所定値に決定されるが、高さＨは、概ね０．１≦Ｈ≦１００μｍの範囲、幅Ｗは、０＜Ｗ≦２〜５ｍｍ（縁からチップ領域までの幅）の範囲に設定される。
　・・・
【０１５６】上記構成を有する半導体装置を用いることにより、例えば、ＳＴＩプロセスにおいてＣＭＰを採用しても、研磨パッドの弾性力に起因するウェハ縁部の高荷重は、ウェハ２１の縁部に設けられた凸部２１Ｂにかかるため、縁垂れが生じることがない。
【０１５７】即ち、ウェハ縁部の高荷重は、凸部２１Ｂにのみかかるため、凸部より内側のチップ領域（素子領域）Ｘには何ら悪影響を与えないため、半導体製造プロセスにおける高歩留りを達成することができる。
【０１５８】なお、この凸部２１Ｂは、フォトリソグラフィとＲＩＥにより容易に形成することができる。
【０１５９】次に、上述の第３実施の形態に関わる半導体装置の実施例について説明する。
【０１６０】この実施例は、ウェハに形成されたトレンチ内のみに絶縁膜を満たす際（ＳＴＩ）のＣＭＰプロセスに関するものである。
【０１６１】まず、図２４に示すように、厚さが６００〜７００μｍの通常のウェハ（シリコンウェハ）ウェハ２１の主面上に、例えば、熱酸化法により、厚さが約０．０１μｍの酸化膜（シリコン酸化膜）２７を形成する。また、例えばＬＰＣＶＤ法を用いて、酸化膜２７上に、約０．１μｍの厚さを有するポリシリコン膜２８を形成する。
【０１６２】また、フォトリソグラフィプロセスにより、ポリシリコン膜２８上にレジストパタ−ンを形成する。このレジストパタ−ンをマスクにして、異方性エッチング（ＲＩＥなど）により、ウェハ２１、酸化膜２７及びポリシリコン膜２８をエッチングし、複数のトレンチ２９を形成する。この後、レジストパタ−ンは、剥離される。
【０１６３】この後、ＬＰＣＶＤ法により、ポリシリコン膜２８上にさらにポリシリコン膜を形成し、フォトリソグラフィとＲＩＥにより、上のポリシリコン膜をウェハ２１の縁に沿って残存させる。その結果、ウェハ２１の縁部には、リング状の凸部２１Ｂが形成される。
【０１６４】なお、凸部２１Ｂの高さＨは、所定値（例えば、０．４μｍ程度）に設定され、その幅Ｗは、ウェハの縁からチップ領域までの幅よりも短かい値（例えば、２ｍｍ以下、最適には０．５〜１．５ｍｍ）に設定される。
【０１６５】また、トレンチ２９を形成する工程と凸部２１Ｂを形成する工程を入れ替えてもよい。即ち、ウェハ２１の縁に沿って凸部２１Ｂを形成した後に、トレンチ２９を形成してもよい。
【０１６６】この後、例えば、ＬＰＣＶＤ法により、ポリシリコン膜２８上に、複数のトレンチ２９を完全に満たす絶縁膜（ＴＥＯＳ膜など）３０を約１μｍの膜厚で形成する。
【０１６７】次に、図２５に示すように、ＣＭＰにより絶縁膜３０を研磨し、トレンチ２９内のみに絶縁膜３０を残存させる。ＣＭＰプロセスを実行するに当たっては、樹脂製のような硬い研磨パッドと、酸化セリウム（ＣｅＯ）、セリアなどの研磨粒子を含むスラリ（研磨溶剤）を使用する。
【０１６８】本実施例によれば、ウェハ２１の縁において縁垂れは発生しておらず、ウェハ２１の凸部２１Ｂがほぼそのまま残存している。即ち、縁垂れを防止しつつ、トレンチ２９内のみに絶縁膜３０を満たすことができる。
【０１６９】なお、凸部２１Ｂの高さは、ＣＭＰプロセス終了後において、この凸部２１Ｂが残存している程度の値に設定される。即ち、この凸部２１Ｂが存在していることにより、ＣＭＰ時にウェハ２１の縁部に局所的な高荷重がかかっても、ウェハ２１の縁から最大１０ｍｍの範囲で生じる縁垂れを有効に防止できる。」
　
　上記摘記事項より、引用例には、次の事項が記載されていると認める。
「ウェハ２１、酸化膜２７、ポリシリコン膜２８及びトレンチ２９を満たす絶縁膜３０からなる被研磨物をウェハキャリア１４で保持し、該被研磨物の表面を研磨パッド１２に摺接させて研磨する方法において、
　フォトリソグラフィとＲＩＥにより、
　窒化シリコンからなるリング状の凸部２１Ｂを、前記被研磨物表面のウェハ２１の縁に沿った領域に形成させるとともに該被研磨物表面の中央部では被研磨物表面が露出するように形成させ、前記被研磨物の裏面を保持して被研磨物の表面の研磨を行う被研磨物の研磨方法。」
（以下「引用例記載の発明」という。）
　
(3) 対比
　補正発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例記載の発明の「ウェハキャリア」は、補正発明の「保持板」に相当しており、以下同様に、「研磨パッド」は「研磨布」に、「窒化シリコンからなるリング状の凸部」は「シリコン窒化膜からなるコート膜」に、「ウェハの縁に沿った領域」は「周辺部分」に、「中央部」は「中央部分」にそれぞれ相当していることが明らかである。
　また、引用例記載の発明の「ウェハ、酸化膜、ポリシリコン膜及びトレンチを満たす絶縁膜からなる被研磨物」は、被研磨物であることに限り、補正発明の「シリコンウエーハ」と一致している。
　
　以上のとおりであるので、両者は、次の「被研磨物の研磨方法」で一致している。
「被研磨物を保持板で保持し、該被研磨物の表面を研磨布に摺接させて研磨する方法において、
　シリコン窒化膜からなるコート膜を、前記被研磨物の表面の周辺部分に形成させるとともに該被研磨物表面の中央部分では被研磨物表面が露出するように形成させ、前記被研磨物の裏面を保持して被研磨物表面の研磨を行う被研磨物の研磨方法。」
　
　そして、両者は、次の点で相違している。
ア　相違点１
　シリコン窒化膜からなるコート膜が、補正発明では、中央部分をマスクした上でＣＶＤを行うことにより形成されているのに対し、引用例記載の発明では、そのようなものではない点。
イ　相違点２
　被研磨物が、補正発明では、シリコンウエーハであるのに対し、引用例記載の発明では、ウェハ、酸化膜、ポリシリコン膜及びトレンチを満たす絶縁膜からなる被研磨物である点。
　
(4) 相違点の検討
　そこで、上記各相違点について、以下検討する。
ア　相違点１について
　窒化シリコン膜をＣＶＤにより形成することは、例えば、本件出願前に頒布された刊行物である特開昭６０−５３０３３号公報、特開昭６２−１５６８２１号公報等に記載されているように従来周知であり、また、ＣＶＤによる膜の形成において、被膜したくない部分をマスクをすることも、例えば、本件出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２６９６４６号公報、特開平８−１２９９８０号公報等に記載されているように従来周知である。
　したがって、引用例記載の発明において、被研磨物表面の中央部分をマスクした上でＣＶＤを行うことにより、シリコン窒化膜からなるコート膜を、被研磨物の表面の周辺部分に形成させるとともに該被研磨物表面の中央部分では被研磨物表面が露出するように形成させることは、上記従来周知の各事項を採用することにより、当業者が容易に想到することができたことである。
　
イ　相違点２について
　引用例記載の発明の研磨方法は、ウェハ、酸化膜、ポリシリコン膜及びトレンチを満たす絶縁膜からなる被研磨物の表面を研磨するものであるが、引用例記載の発明のような研磨布に摺接させて研磨する研磨方法によりシリコンウエーハの表面を研磨することは、例えば、特開平９−９７７７５号公報に記載されているように従来周知である。
　したがって、引用例記載の発明において、被研磨物をシリコンウエーハに変更してシリコンウエーハの表面を研磨することは、上記従来周知の事項を参酌することにより、当業者が容易に想到することができたことである。
　
ウ　補正発明の作用効果について
　補正発明が奏する作用効果は、引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について 
１　本件発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至３に係る発明は、平成１６年１１月２５日付手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記第２の１の(1) の補正前の請求項１に示したとおりである。
　
２　引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記第２の２の(2) に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本件発明は、上記第２の２で述べたとおり、補正発明の特定事項に択一的記載の要素を付加するものである。
　そうすると、本件発明は、補正発明と同様、被研磨物を保持板で保持し、該被研磨物の表面を研磨布に摺接させて研磨する方法において、シリコン窒化膜からなるコート膜を、前記被研磨物の表面の周辺部分に形成させるとともに該被研磨物表面の中央部分では被研磨物表面が露出するように形成させ、前記被研磨物の裏面を保持して被研磨物表面の研磨を行う被研磨物の研磨方法である点で引用例記載の発明と一致し、上記相違点１及び２で相違していることになる。
　したがって、本件発明についても、上記第２の２の(4) で検討した補正発明と同じ理由により、引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであるので、本件発明は、引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願の請求項２及び３に係る発明について判断するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。