【事件の表示】
　平成１１年特許願第　８９３２６号「半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月　７日出願公開、特開２０００−　　３８８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件発明
　本件出願は、平成１１年３月３０日（パリ条約による優先権主張１９９８年３月３０日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、その請求項１乃至３に係る発明は、平成１８年３月１０日付けの手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項３に係る発明（以下「本件発明」という。）は、次のとおりである。　
「【請求項３】　表面から延びる表面側斜面部分と、裏面から延びる裏面側斜面部分と、前記表面側斜面部分と前記裏面側斜面部分との間の周面部分とを有しており、前記周面部分の、前記表面側斜面部分に近い側の部分であって薄厚化するため前記裏面から研削処理した後も残存する部分に半導体ウエハ識別表示を形成して成ることを特徴とする半導体ウエハ。」
　
第２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−２０１６８８号公報（以下「引用例」という。）の記載内容は以下のとおりである。
　
１　引用例記載の事項
　引用例には以下の事項が記載されている。
ア　段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハに情報を記録する技術、特に、ウェハプロセス処理に必要な情報を半導体ウェハに記録するために用いて効果のある技術に関するものである。」
　
イ　段落【０００９】
「以下は、本発明者によって検討された技術であり、その概要は次の通りである。すなわち、本発明者が関与する分野で用いられていたウェハ情報記載技術について説明すると、
（ａ）ウェハ情報としてのウェハの名称をウェハ表面に凹凸構造にして記録する。」
　
ウ　段落【００１３】
「【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の如くウェハの表面にウェハ情報を記録する上記方法には、以下の如き問題のあることが本発明者によって見い出された。」
　
エ　段落【００１８】
「（ｉｉ）ウェハ情報は、薄膜が積層されるウェハ表面に初期のプロセス処理工程で凹凸構造により形成されるため、薄膜の積層数の増化と共に、その凹凸構造における段差部の傾斜が緩慢になる。この結果、凹凸構造部と他の平坦部とのコントラストが無くなり、判読し難くなる。・・・（以下略）・・・。」
　
オ　段落【００２３】〜【００２５】
「【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば以下の通りである。
　すなわち、各工程を経由する毎に所定の処理加工が施される半導体ウェハであって、その周面の円周方向にウェハの処理に関する情報を記録するようにしている。
【作用】上記した手段によれば、半導体ウェハの周面にウェハ処理の進行に関する情報を全て含むウェハ情報が記録され、処理過程でウェハ情報を読み出すことでウェハ処理に関するプロセス情報を知ることができる。したがって、半導体ウェハのプロセス処理を全自動で行うことができると共に、ウェハＩＤ形成作業時間の短縮、クリーン化を図ることができる。」
　
カ　段落【００２７】〜【００３２】
「図１は本発明による半導体ウェハを示す斜視図である。
　図１に示すように、本発明においては、半導体ウェハ１０１の円周面（側面）１０２にウェハ情報（ウェハＩＤ）１０３が記録されている。このウェハ情報１０３は、半導体ウェハ１０１の円周方向の一定方向（本実施例では反時計方向）に形成される。
　図２は、本発明におけるウェハ情報の形成領域を示す部分正面図である。一般に、半導体ウェハの厚みは５５０μｍ程度である。そして、半導体ウェハ１０１の上面から深さ１５０μｍの部分には面取り１０４が施され、同様に、半導体ウェハ１０１の下面から深さ１５０μｍの部分には面取り１０５が施されている。したがって、これら面取り部間に挟まれる情報記録領域１０６は、２５０μｍ（５５０−１５０×２）程度と想定することができる。
　図３は情報記録領域１０６に対するウェハ情報形成方法を示す説明図である。この情報記録領域１０６は、図３に示すように２５０μｍ幅であり、その記録面はウェハ全体で見れば曲面であるが、狭い範囲で見れば平面であり、その情報書き込みにはレーザビームを用いることができる。
　レーザビームによる書き込みは、塵埃を発生しないため、ウェハ表面を汚染することがなく、理想的な書込手段といえる。現状の技術によるレーザビームを用いての書き込み（凹部の形成による）は、Ｓｉウェハ平面上に１０μｍ程度の直径の穴を５μｍ程度の位置精度で行うことが可能である。なお、記録形式としては、各分野で用いられているＥＢＥＣＤＩＣ（拡張２進化１０進コード）等を用いることができる。
　具体的には、図３に示すように、情報記録領域１０６の縦方向（ウェハ厚み方向）の２５０μｍ幅に対し、上側の情報記録の５μｍを除外領域１０７として削除すると共に下側の情報記録の５μｍを除外領域１０８として削除し、残る２４０μｍ幅をレーザビーム穴１０９の加工領域１１０として設定する。」
　
２　引用例記載の発明
　引用例記載の事項を技術常識を勘案しながら本件発明に照らして整理すると、引用例には、以下の発明が記載されていると認められる。
「各工程を経由する毎に所定の処理加工が施される半導体ウェハであって、各処理過程でウエハ情報を読み出すことができるようにするために、半導体ウェハの上面に施される面取り部と、半導体ウェハの下面に施される面取り部と、これら面取り部間に挟まれる周面部分とを有しており、前記周面部分の、上下の面取り部に隣接する所定の除外領域を除く部分に半導体ウエハ情報を記録した半導体ウエハ。」
　
第３　対比
　本件発明と引用例記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例記載の発明の半導体ウエハの「上面」ないし「下面」の何れか一方が本件発明の半導体ウエハの「表面」に相当し、他方が同「裏面」に相当することが明らかであり、そして、引用例記載の発明の上面ないし下面に施される各「面取り部」の何れか一方が本件発明の「表面から延びる表面側斜面部分」に相当し、他方が同「裏面から延びる裏面側斜面部分」に相当する。
　また、引用例記載の発明の「周面部分の、上下の面取り部に隣接する所定の除外領域を除く部分」は、周面部分の所定領域であるという限りで、本件発明の「周面部分の、前記表面側斜面部分に近い側の部分であって薄厚化するため前記裏面から研削処理した後も残存する部分」と共通している。
　さらに、引用例記載の発明において、半導体ウエハ情報を記録することは、本件発明において、半導体ウエハ識別表示を形成することにほかならない。
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「表面から延びる表面側斜面部分と、裏面から延びる裏面側斜面部分と、前記表面側斜面部分と前記裏面側斜面部分との間の周面部分とを有しており、前記周面部分の所定領域に半導体ウエハ識別表示を形成して成る半導体ウエハ。」である点。
［相違点］
　半導体ウエハ識別表示を、本件発明では、周面部分の、表面側斜面部分に近い側の部分であって薄厚化するため裏面から研削処理した後も残存する部分に形成しているのに対して、引用例記載の発明では、周面部分の、表面側斜面部分及び裏面側斜面部分に隣接する除外領域を除く部分に形成している点。
　
第４　相違点についての検討
  半導体ウエハを薄厚化するため裏面から研削処理することは、特に例示するまでもなく従来周知であり、また、この薄厚化をどの程度行うかは、最終製品としてどのような厚さのものを必要とするかに応じて予め設定される事項である。
　そして、引用例記載の発明は、第２の２で認定したように、各処理過程を通じてウエハ情報を読み出すことができるようにすることを前提としていることを考慮すると、半導体ウエハの薄厚化によってウエハ厚み方向の中程まで研削する必要がある場合、この研削によって半導体ウエハ識別表示が消失ないし毀損することがないように、半導体ウエハ識別表示を、周面部分の、表面側斜面部分に近い側の部分であって薄厚化するため裏面から研削処理した後も残存する部分に形成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　
　したがって、本件発明は、引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、平成１９年５月２１日付け上申書及び同日付け回答書に記載された補正案について検討しても、上述のとおり、半導体ウエハ識別表示を、周面部分の、表面側斜面部分に近い側の部分であって薄厚化するため裏面から研削処理した後も残存する部分に形成することは、当業者が容易に想到できたことであるから、「前記裏面から研削処理した後には残存しない部分に形成することなく」形成することも、当業者が容易に発明することができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。