【事件の表示】
　特願２００６−６２２０１「ハンダバンプの形成方法および電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年６月１５日出願公開、特開２００６−１５７０６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９９年８月６日（優先権主張１９９８年８月１０日、日本国）を国際出願日とする特願２０００−５６５７０５号の一部を平成１７年８月８日に新たな特許出願としたものである特願２００５−２２９１３７号の一部を、さらに平成１８年３月８日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年２月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年３月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成２０年４月２１日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成２０年４月２１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論]
　平成２０年４月２１日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件手続補正
　本件補正は、補正前の請求項１の「エッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含むハンダバンプの形成方法。」を、「エッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含み、前記エッチング溶液は有機アルカリ水溶液である、ハンダバンプの形成方法。」に、また、補正前の請求項４の「エッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含む電子部品の製造方法。」を、「エッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含み、前記エッチング溶液は有機アルカリ水溶液である、電子部品の製造方法。」に、それぞれ補正するものである。
　
２．補正の適否について
　上記請求項１、４についての補正は、フィルムを除去するエッチング溶液は[有機アルカリ水溶液」であることを限定するものであるが、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「本願当初明細書等」という。）には、実施例２〜７で「モノエタノールアミン溶液」を用いてフィルムを除去することが記載されるのみであって、モノエタノールアミン以外の有機化合物をも包含する「有機アルカリ水溶液」を用いることは、本願当初明細書等に明示的に記載された事項ではなく、しかも、それらの記載から自明な事項でもない。
　よって、本件補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年４月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１９年１２月２１日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】　電極が設けられた基板の上に当該電極を覆うように第１のレジスト層を形成する工程と、
　上記第１のレジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の大きな開口部を形成する工程と、
　上記開口部が形成された上記第１のレジスト層上に、第２のレジスト層となるフィルムを圧着させる工程と、
　上記電極より大きな径を有して上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、
　上記第１のレジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって上記電極より大きな径を有し且つ上記電極が露出する凹部に、ハンダ材料を充填する工程と、
　加熱することで上記ハンダ材料を溶融させた後に固化させることにより、上記凹部内の電極上にハンダバンプを設ける工程と、
　上記基板および上記第１のレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含むハンダバンプの形成方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平７−２７３４３９号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平７−３００１４号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１：特開平７−２７３４３９号公報
（１ａ）「【請求項１】導体配線が形成されているＩＣチップ実装用基板上に半田バンプを形成するに当たり、基板の導体配線が形成されている表面上に・・・第１のソルダレジスト層を形成し・・・第１のソルダレジスト層の半田バンプを形成すべき位置に第１の開口を形成し、次に、第１のソルダレジスト層上に第２のソルダレジスト層を形成し・・・第２のソルダレジスト層の前記第１の開口と対応する位置に第１の開口と連通する第２の開口を形成し、前記第１及び第２の開口内に半田を埋め込み、リフロー処理した後、前記第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なうことを特徴とする半田バンプ形成方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（１ｂ）「【実施例】・・・はじめに、内部に必要な配線が形成されているＩＣチップ実装用基板１を用意する。この基板１は樹脂材料やセラミック材料のプリント基板とすることができ、本例では低温焼成基板を用いる。」（【００１０】）
（１ｃ）「基板１の配線パターン２が形成されている表面上に液状の第１のソルダレジスト層３を形成する。このソルダレジスト層３は感光性ソルダレジスト層とし・・・通常のスクリーン印刷法により全面印刷を行ない、その後・・・乾燥する。・・・次に、フォトエッチングにより、第１のソルダレジスト層３の半田バンプを形成すべき位置に開口１を形成する。・・・次に・・・第２のソルダレジスト層４を形成する。本例では、第２のソルダレジスト層として・・・感光性でシート状のドライフィルムを用いる。このドライフィルムとして、例えばデュポン社製のドライフィルム、商品名「ＲＩＳＴＯＮ」を用いる。この第２のソルダレジスト層４をラミネータを用いて第１のソールダレジスト層３上に積層する。・・・このシート状の第２のソルダレジスト層４にフォトエッチングにより第２の開口を形成する。」（【００１１】〜【００１３】）
（１ｄ）「基板を２％水酸化ナトリウム水溶液内に５分間浸漬して第２のソルダレジスト層だけを除去する。この際、第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なう。尚、エッチ剤として２％水酸化ナトリウム水溶液を用いる場合、ドライフィルムのエッチング速度は速いが、第１のソルタレジスト材料はエッチング速度が極めて遅いためこのようにして、図８に示す半田バンプが得られる。・・・また、ＩＣの接合に必要な半田量は第１及び第２のソルダレジスト層３及び４の厚さ、特にシート状の第２のソルダレジスト層の厚さを適切に設定するだけで得ることができる。」（【００１６】）
（１ｅ）図３には、第１のソルダレジスト層３の導体配線２に対応する位置に第１の開口３ａが形成されることが図示され、第１の開口３ａは、導体配線２よりも小さい径であることが看取できる。図５には、第１のソルダレジスト層３の第１の開口３ａと、第２のソルダレジスト層４の第２の開口部４ａとからなり導体配線２が露出する凹部が図示され、凹部は、導体配線２よりも小さい径であることが看取できる。図８には、第２のソルダレジストが除去された半田バンプが図示されている。
　
（２）引用例２：特開平７−３００１４号公報
（２ａ）「【請求項１】電子部品又は基板に設けられた複数の電極にクリーム半田を用いた半田バンプを形成するにあたり、前記電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、しかる後に加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップとを有することを特徴とする半田バンプの形成方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２ｂ）図１には、電極３を包囲するレジスト枠４は、電極３よりも大きな径の開口を有することが図示され、図５には、電極３よりも大きな径のレジスト枠４の開口に、クリーム半田が充填されることが図示されている。　　　
　
３．当審の判断
３−１．引用例１に記載の発明
　引用例１の摘記事項（１ａ）によれば、ＩＣチップ実装用基板の導体配線が形成されている表面上に第１のソルダレジスト層を形成し、第１のソルダレジスト層のハンダバンプを形成すべき位置に第１の開口を形成し、次に、第１のソルダレジスト層上に第２のソルダレジスト層を形成し、第２のソルダレジスト層の前記第１の開口と対応する位置に第１の開口と連通する第２の開口を形成し、前記第１及び第２の開口内にハンダを埋め込み、リフロー処理した後、前記第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なうハンダバンプ形成方法が記載されている。そして、「第１のソルダレジスト層のハンダバンプを形成すべき位置」とは、ＩＣチップ実装用基板面に設けられている導体配線が電極として機能する位置、すなわち、ＩＣチップ実装用基板面に設けられている電極に対応する位置であって、「第１及び第２の開口内」とは、第１の開口と第２の開口とからなって上記電極が露出する凹部であるといえるし、「第１及び第２の開口内にハンダを埋め込み、リフロー処理」するとは、凹部にハンダを埋め込み、リフローしてハンダを溶融させた後固化させることにより、凹部内の電極上にハンダバンプを設けることであるといえる。
　さらに、実施例に関して、摘記事項（１ｃ）によれば、第２のソルダレジスト層としてドライフィルムを用い、第１のソルダレジスト層上にラミネータを用いて積層すること、摘記事項（１ｅ）によれば、第１の開口、及び、第１の開口と第２の開口（フィルムの開口）とからなる凹部は、ともに電極よりも径が小さいこと、摘記事項（１ｄ）によれば、基板を２％水酸化ナトリウム水溶液内に５分間浸漬して第２のソルダレジスト層（フィルム）を除去することが、それぞれ記載され、２％水酸化ナトリウム水溶液はエッチング溶液であって、第２のソルダレジスト層はエッチング処理により除去されることが理解できる。
　そこで、引用例１の摘記事項（１ａ）、（１ｃ）〜（１ｅ）の記載を総合すれば、引用例１には、「電極が設けられたＩＣチップ実装用基板の上に当該電極を覆うように第１のソルダレジスト層を形成する工程と、上記第１のソルダレジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の小さな開口部を形成する工程と、上記開口部が形成された上記第１のソルダレジスト層上に、第２のソルダレジスト層となるフィルムをラミネータにより積層させる工程と、上記電極より小さな径を有して上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、上記第１のソルダレジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって上記電極より小さな径を有し且つ上記電極が露出する凹部に、ハンダ材料を充填する工程と、リフローすることで上記ハンダ材料を溶融させた後に固化させることにより、上記凹部内の電極上にハンダバンプを設ける工程と、２％水酸化ナトリウム水溶液をエッチング溶液として使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含むハンダバンプの形成方法。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「ＩＣチップ実装用基板」、「ソルダレジスト層」、「リフロー」、「２％水酸化ナトリウム水溶液」は、それぞれ本願発明１の「基板」、「レジスト層」、「加熱」、「エッチング溶液」に相当し、本願発明１の「フィルムを圧着させる工程」は、フィルムを積層する工程といえるから、両者は、
　「電極が設けられた基板の上に当該電極を覆うように第１のレジスト層を形成する工程と、上記第１のレジスト層において上記電極に対応する位置に開口部を形成する工程と、上記開口部が形成された上記第１のレジスト層上に、第２のレジスト層となるフィルムを積層させる工程と、上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、上記第１のレジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって且つ上記電極が露出する凹部に、ハンダ材料を充填する工程と、加熱することで上記ハンダ材料を溶融させた後に固化させることにより、上記凹部内の電極上にハンダバンプを設ける工程と、エッチング溶液を使用して行うエッチング処理により上記フィルムを除去する工程と、を含むハンダバンプの形成方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
（イ）本願発明１は、第１のレジスト層の開口部、フィルムの開口部、及び、凹部が、電極より大きな径を有するのに対し、引用例１発明は、第１のレジスト層の開口部、フィルムの開口部、及び、凹部が、電極より小さな径を有する点
（ロ）本願発明１は、フィルムを「圧着させる」のに対し、引用例１発明は、フィルムをラミネータにより積層させる点
（ハ）本願発明１は、「上記基板および上記第１のレジスト層がエッチング耐性を有する」エッチング溶液であるのに対し、引用例１発明は、エッチング溶液が２％水酸化ナトリウム水溶液である点
　
　上記相違点について検討する。
相違点（イ）について
　引用例２の摘記事項（２ａ）、（２ｂ）によれば、電極よりも径の大きなレジスト枠の開口に半田材料を充填して、開口内の電極上にハンダバンプを形成することが記載されている。そうであれば、引用例１発明の第１のレジスト層の開口部、フィルムの開口部、及び、凹部を、電極より大きな径を有するものとすることは、当業者にとって格別困難なことではない。
　してみると、相違点（イ）は、引用例２の記載から当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点（ロ）について
　フィルムを積層するためのラミネータとして、フィルムを圧着させるものは通常のものであるから、引用例１発明のフィルムを積層するに際し圧着することは、当業者にとって創意を要することではない。
　してみると、相違点（ロ）は、当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点（ハ）について
　引用例１の摘記事項（１ｄ）によれば、エッチング溶液である２％水酸化ナトリウム水溶液は、フィルム（第２のソルダレジスト層）のエッチング速度は速いが、第１のレジスト材料はエッチング速度が極めて遅いことが記載されている。すると、引用例１発明のエッチング溶液（２％水酸化ナトリウム水溶液）は、第１のレジスト層がエッチング耐性を有するエッチング溶液であるといえるところ、摘記事項（１ｂ）には、「基板１は樹脂材料やセラミック材料のプリント基板とすることができ、本例では低温焼成基板を用いる。」と記載されている。すると、引用例１発明は、基板としてセラミック基板を用いる場合を含んでおり、セラミック基板も、２％水酸化ナトリウム水溶液に対し、エッチング耐性を有することは明らかである。
　してみると、引用例１発明は、エッチング溶液（２％水酸化ナトリウム水溶液）に対し基板および第１のレジスト層がエッチング耐性を有する場合を包含するから、相違点（ロ）は、実質的な相違点ではない。
　
　そして、本願発明１の奏する効果も、引用例１、２の記載から予測することができる程度のものであって、格別顕著であるとは認められない。
　
　したがって、本願発明１は、引用例１発明、及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることがきたものである。
　
４．むすび               
　以上のとおり、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。