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　平成　８年特許願第　９６５７３号「磁気ヘッド及び磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月３１日出願公開、特開平　９−２８２６１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成８年４月１８日の出願であって、平成１６年６月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年７月２９日に審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　平成１６年７月２９日付け手続補正は、補正前の請求項１を削除し、補正前の請求項３を請求項１とするとともに、補正前の請求項２、４乃至６を、請求項１を引用する請求項２乃至５として項番号を繰り上げるものであるので、特許法第１７条の２第４項第１号に規定する特許請求の範囲の請求項の削除を目的とするものに該当している。
　本願の請求項１乃至５に係る発明は、平成１６年７月２９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、それぞれ本願特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　シールド層に挟まれて配置され、磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み出す磁気ヘッドにおいて、
　軟磁性材料からなり、前記磁気記録媒体の磁場に応じて磁化の方向が変化する第１の磁性層と、
　前記第１の磁性層の初期状態における磁化方向に対し直交する方向の磁化を有する第２の磁性層と、
　前記第１及び第２の磁性層の間に介在し両者をトンネル接合する絶縁層と、
　前記第２の磁性層の少なくとも前記磁気記録媒体側の端部を被覆する被覆層と、
　前記第２の磁性層に隣接して配置された反強磁性層とを有し、
　ヘッド先端側の面に露出する前記第１の磁性層と前記シールドの電位が同電位であり、且つ、前記第２の磁性層の磁化方向は前記反強磁性層との交換結合により決定されていることを特徴とする磁気ヘッド。」
　
２　引用例
（１）　原査定の拒絶の理由で引用された特開平４−１０３０１４号公報（以下「引用例１」という。）には、「強磁性トンネル効果膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子」に関して次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（ア）　「１、
磁性層に他の組成の中間層を挿入して多層構造とした強磁性トンネル素子において、少なくとも一層の磁性層に反強磁性体からのバイアス磁界が印加されていることを特徴とする強磁性トンネル効果膜
２、特許請求の範囲第１項に記載の
強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子
３、特許請求の範囲第２項に記載の磁気抵抗効果素子の少なくとも一部が非磁性金属上に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」（公報１頁左下欄、特許請求の範囲の請求項１乃至３）
　（イ）　「本発明は高い磁気抵抗効果を有する強磁性トンネル効果膜に関し、特に
磁気ディスク装置などに用いる再生用磁気ヘッドに適した磁気抵抗効果素子
　（ウ）　「高密度磁気記録における再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドの研究が進められている。現在、磁気抵抗効果材料としては、Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金薄膜が用いられている。しかし、Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金薄膜を用いた磁気抵抗効果素子は、バルクハウゼンノイズなどのノイズを示すことが多く、他の磁気抵抗効果材料の研究も進められている。」（公報１頁右下欄３行〜１０行、［従来の技術］の項）
　（エ）　「本発明者等は、強磁性トンネル効果を示す多層膜について鋭意研究を重ねた結果、
磁性膜を軟磁性材料とし、一方の磁性層に反強磁性体からのバイアス磁界を印加し、磁性層の磁化の方向を制御することができること
　（オ）　「上述のように、強磁性トンネル効果膜の２層の磁性層の保磁力が大きく異ならなくても（２層の材料が同じであっても）、一方の磁性層に反強磁性体からのバイアス磁界を印加すると、両層の磁化の向きが変化する磁界を変えることができる。このため、ある磁界の範囲内では、両層の磁化の向きは反平行、その範囲以外では、両層の磁化の向きは平行となり、磁気抵抗効果を示すようになる。
　また、上記強磁性トンネル効果膜の少なくとも一部を非磁性金属上に形成することにより、磁気記録媒体に対向する磁性層の面積を小さくすることができ、狭い領域の磁界を検出することが可能となる。」（公報２頁左下欄１９行〜右下欄１２行、［作用］の項）
　（カ）　「同図に示すように、下部磁性層１２および上部磁性層１４の保磁力は、ともに、７Ｏｅである。しかし、上部磁性層１４には反強磁性層１５からのバイアス磁界が印加されており、磁化の向きが変化する磁界の大きさが、高磁界側にシフトしている。（略）
　そこで、上記強磁性トンネル効果膜の電気抵抗の変化を調べるために、第３図のような素子を作製した。上記素子の作製プロセスを以下に述へる。まず、非磁性基板上に幅１０μｍ、厚さ１００ｎｍのＣｕ電極３１をイオンビームスパッタリング法およびイオンミリング法で形成する。次に、Ｃｕ電極３１の上に、１０μｍ×１０μｍ×膜厚１００ｎｍの
Ｆｅ−１．０ａｔ％Ｃ合金からなる下部磁性層
Ａｌ
２
Ｏ
３
からなる中間層
Ｆｅ−１．０ａｔ％Ｃ合金からなる上部磁性層
Ｃｒからなる反強磁性層
　ヘルムホルツコイルを用いて、
Ｃｕ電極の長手方向と直角の面内方向に磁界を印加し、電気抵抗の変化を調べた
　（キ）　「［実施例３］
　実施例１と同様の方法で、磁気抵抗効果素子を作製した。磁性層として、Ｆｅ−１．０ａｔ％Ｃ合金層、中間層として、Ａｌ２Ｏ３層を用いた。
反強磁性層としては、Ｆｅ−５０ａｔ％Ｍｎ合金を用いた
　
（２）　同じく引用された特開平７−３０７０１２号公報（以下「引用例２」という。）には、「磁気抵抗効果型ヘッドおよび録再分離型磁気ヘッド」に関して次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　（サ）　「【００５５】次に、本発明の第５の実施例について、図１２および図１３を参照して説明する。
【００５６】図１２は、この実施例のＭＲヘッドの構造を部分的に示す斜視図であり、図１３は媒体対向面から見た正面図である。基板４１上には、前述した各実施例と同様に、下側シールド層４２と下側再生磁気ギャップ層４３とが順に形成されている。下側再生磁気ギャップ層４３上には、ＭＲ膜４４として、第１の磁性膜（例えばＣｏ９０Ｆｅ１０膜）４５／非磁性膜（例えばＣｕ膜）４６／第２の磁性膜（例えばＣｏ９０Ｆｅ１０膜）４７の３層積層構造を有する
スピンバルブ膜
【００５７】なお、
上側の第２の磁性膜４７は、
ＦｅＭｎ膜や　ＮｉＯ膜等からなる反強磁性膜
により磁化固着されており、下側の第１の磁性膜４５のみが外部磁界（信号磁界）により磁化方向が変化する
【００５８】ＭＲ膜（スピンバルブ膜）４４における下側の第１の磁性膜４５は、媒体対向面方向に突出形成された突出部４５ａを有し、この突出部４５ａを除いて媒体対向面からリセスしている。すなわち、突出部４５ａの先端面のみが媒体対向面を形成している。非磁性膜４６と第２の磁性膜４７は、第１の磁性層４５の突出部４５ａを除く部分の上に積層形成されており、第１の磁性層４５の突出部４５ａを除く部分と同様に、媒体対向面からリセスしている。
【００５９】一対のリード４８は、媒体対向面からリセスした第２の磁性膜４７上にそれぞれ形成されており、これらによってＭＲ素子４９が構成されている。すなわち、
ＭＲ素子４９は、第１の磁性膜４５の突出部４５ａを除いて、媒体対向面からリセスしているため、第１の磁性膜４５の突出部４５ａのみが外部磁界（信号磁界）に応答する。
【００６０】
ＭＲ素子４９上には、上側再生磁気ギャップ層５０と、リード４８および上側シールド層５２間の絶縁耐圧を確保する絶縁層５１が形成されている
再生ヘッドとして機能するシールド型ＭＲヘッド
【００６１】（略）
【００６２】（略）よって、絶縁層５１を形成することでリード４８と上側シールド層５２間の絶縁耐圧を確保した上で、
ＭＲ膜（スピンバルブ膜）４４の磁界応答部では、ＭＲ膜（スピンバルブ膜）４４と上側シールド層５２間を薄い上側再生磁気ギャップ層５０で絶縁する
　（シ）　「【００６６】（略）さらに、
耐食性に劣るリード４８や第２の磁性膜４７の磁化固着のための反強磁性膜等を媒体対向面からリセスさせることにより、耐食性の向上すなわち信頼性の向上を図ることができる
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記２（ア）（イ）（エ）（カ）（キ）に摘示した記載事項によれば、
　「磁性層に他の組成の中間層を挿入して多層構造とした強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子を備えた、磁気ディスク装置などに用いる再生用磁気ヘッドであって、
　上記強磁性トンネル効果膜は、一層の磁性層に反強磁性層からのバイアス磁界が印加され、
　上記強磁性トンネル効果膜は、磁性層を軟磁性材料とし、ＦｅＣ合金等からなる下部磁性層、Ａｌ２Ｏ３等からなる中間層、ＦｅＣ合金等からなる上部磁性層、ＣｒやＦｅＭｎ合金等からなる反強磁性層が順に形成されてなる再生用磁気ヘッド。」
の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「磁気ディスク装置などに用いる再生用磁気ヘッド」は、本願発明の「磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み出す磁気ヘッド」に相当し、一般的に「磁気ディスク装置などに用いる再生用磁気ヘッド」は、磁気記録媒体対向面に露出するシールド層に挟まれるように磁気抵抗効果素子を配置するものであるから、引用例１に記載された発明の再生用磁気ヘッドも、本願発明の「シールド層に挟まれて配置され、磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み出す磁気ヘッド」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明の「中間層」は、強磁性トンネル効果膜のトンネル電流が流れるＡｌ２Ｏ３等からなる中間層のことであるから、本願発明の「第１及び第２の磁性層の間に介在し両者をトンネル接合する絶縁層」に相当している。
　引用例１に記載された発明において、「強磁性トンネル効果膜」は、「ＦｅＣ合金等からなる下部磁性層、Ａｌ２Ｏ３等からなる中間層、ＦｅＣ合金等からなる上部磁性層、ＣｒやＦｅＭｎ合金等からなる反強磁性層が順に形成されてなる」ので、引用例１に記載された発明の「下部磁性層」「上部磁性層」は、それぞれ本願発明の「第１の磁性層」「第２の磁性層」に相当し、引用例１に記載された発明の「反強磁性層」は、本願発明の「第２の磁性層に隣接して配置された反強磁性層」の構成を備えている。そして、引用例１に記載された発明の「上部磁性層」は、反強磁性層に隣接し「反強磁性層からのバイアス磁界が印加されている」ので、上部磁性層は反強磁性層と交換結合していることによりバイアス磁界が印加されているといえ、本願発明の「第２の磁性層の磁化方向は反強磁性層との交換結合により決定されていること」に相当する構成を備えている。一方、引用例１に記載された発明の「下部磁性層」は、外部からの印加磁界に応じて、磁化の方向が変化する（上記（オ）（カ）参照）ものであるから、本願発明の「軟磁性材料からなり、磁気記録媒体の磁場に応じて磁化の方向が変化する第１の磁性層」に相当する構成を備えている。
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「シールド層に挟まれて配置され、磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み出す磁気ヘッドにおいて、
　軟磁性材料からなり、磁気記録媒体の磁場に応じて磁化の方向が変化する第１の磁性層と、
　第２の磁性層と、
　第１及び第２の磁性層の間に介在し両者をトンネル接合する絶縁層と、
　第２の磁性層に隣接して配置された反強磁性層とを有し、
　第２の磁性層の磁化方向は反強磁性層との交換結合により決定されている磁気ヘッド。」
である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
　（相違点１）　「第２の磁性層」について、本願発明では、「第１の磁性層の初期状態における磁化方向に対し直交する方向の磁化を有する」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　（相違点２）　本願発明では、「第２の磁性層の少なくとも磁気記録媒体側の端部を被覆する被覆層」を有し、「ヘッド先端側の面に露出する第１の磁性層とシールドの電位が同電位であり」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断
（相違点１について）
　磁気ヘッドに用いられる磁気抵抗効果素子において、反強磁性層との交換結合により磁化の方向が固定される磁性層の磁化の方向を、磁気記録媒体の磁場に応じて磁化の方向が変化する磁性層の、初期状態における磁化方向に対して、直交する方向に固定することが、従来よりスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用いる磁気ヘッドにおいて行われ、強磁性トンネル効果型の磁気抵抗効果素子を用いる磁気ヘッドにおいても同様に磁化の方向を設定することが、周知の事項である（必要とあれば、例えば、特開平４−４２４１７号公報（公報３頁左下欄９行〜右下欄６行等）、特開平５−３４７０１３号公報（段落１６、３９、４０等）、特開平６−２４４４７７号公報参照。）。
　
（相違点２について）
　上記（サ）（シ）によれば、引用例２には、再生ヘッドとして機能するシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、（信号磁界により磁化方向が変化する第１の磁性膜）／（非磁性膜）／（反強磁性膜により磁化固着された第２の磁性膜）の、３層積層構造を有するスピンバルブ膜における反強磁性膜等の腐蝕を防止する目的で、反強磁性膜及びこれに隣接する磁化固着された第２の磁性膜を、媒体対向面から後退させて絶縁性の再生ギャップ層等により被覆し、磁化方向が変化する第１の磁性膜は媒体対向面に露出する構造とすることが、記載されている。
　引用例２には、異方性磁気抵抗効果膜やスピンバルブ型磁気抵抗効果膜に関する記載があるものの、強磁性トンネル効果型の磁気抵抗効果素子に関する記載はない。しかしながら、強磁性トンネル効果型のものを磁気抵抗効果素子として用いる磁気ヘッドにおいて、磁気ヘッドとして共通する課題及び類似する構成について、スピンバルブ型磁気抵抗効果膜を磁気抵抗効果素子として用いる磁気ヘッドに関する技術を採用することは、当業者が必要に応じ適宜なし得るところである。
　また、再生用磁気ヘッドにおけるシールド層や磁化方向が変化する磁性層については、記録媒体の対向面に露出させて、磁束を引き入れる機能を有効に果たさせるべきものであることは、引用例２においても示されているように、技術常識である。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、その反強磁性層の腐蝕防止のため、引用例２に記載された発明を採用して、反強磁性層及び隣接する磁性層を絶縁性被覆層により被覆して媒体対向面に露出しないようにし、磁気記録媒体の磁場に応じて磁化の方向が変化する磁性層は露出した状態とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　また、ヘッド先端側に露出するシールド層や磁気抵抗効果膜の電極部の電位を等電位にすることにより、電位差による放電を防ぐことは、磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおける周知の事項であり（必要とあれば、特開昭６１−７７１１４号公報、原審の拒絶査定で引用された特開平６−１１１２５０号公報（以下「周知例１」という。）、特開平４−２１９１６号公報（以下「周知例２」という。）参照。）、当業者が必要に応じ適宜なし得ることにすぎない。
　
　そして、上記相違点１、２を総合的に検討しても、本願発明の効果は、引用例１乃至２に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　なお、請求人は、請求の理由で、引用例２について、「磁気記録媒体側の面に第１の磁性層４５（本願の第２の磁性層に対応）の一部である突起部４５ａが露出しています。従って、磁性層４５に腐蝕が発生するおそれがあります。」と主張している。しかしながら、引用例２における第１の磁性層４５は、反強磁性層に隣接しない、信号磁界により磁化方向が変化する磁性層であって、本願発明の第１の磁性層に相当するものといえるから、請求人の主張は採用できない。
　また、請求人は、請求の理由で、原審の拒絶査定で示された上記周知例１及び２について、いずれも磁気抵抗効果素子層の面内方向に電流を印加する構造の素子であるので異なると主張している。しかしながら、本願発明の特許請求の範囲には電極や端子について何ら記載されていないが、本願発明の「第１の磁性層」は強磁性トンネル効果型磁気抵抗効果素子の一方の電極部といえ、本願発明のシールド層と「第１の磁性層」の電位が同電位である構成は、上記周知例１及び２と、シールド層と磁気抵抗効果素子の一方の電極部とを同電位としている点で、その課題も解決手段も共通しているものである。また、一方の電極部のみ露出し、他方が露出しないから確実に放電を防止できると主張しているが、同様の構成は周知例２にも記載されているとおりであって、強磁性トンネル効果型特有であるとの主張は、採用できない。
　さらに、請求人は、請求の理由で、「審査官殿は、本願の被覆層は磁気ヘッドのＡＢＳ面に形成される通常の保護膜（ＤＬＣ等）を含むと指摘しています。しかし、ＡＢＳ面に形成される通常の保護膜では、第１の磁性層及びシールド層が露出しないため、第１の磁性層とシールド層とを同電位にすることが難しくなり、放電を防止するという効果を得ることができません。」と主張している。しかしながら、同電位にするための具体的な構成は、本願発明において特定されていないうえ、明細書にも記載がないこと、また、同電位する手段は、シールド層と電極部とを電気接続する手段を、磁気ヘッド内部又は場合により媒体対向表面に設けて行われる（上記周知例１及び２参照）ものであることを勘案すると、第１の磁性層及びシールド層が露出することと同電位にすることとが、関連して効果を奏するような主張は、特許請求の範囲や明細書の記載に基づかない主張であって、採用することができない。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１乃至２に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。