【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３５９３２００号発明「低金属含率ポリベンゾイミダゾール材料およびその製法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３５９３２００号の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とする。
　特許第３５９３２００号の請求項５ないし８に係る発明についての審判請求は、成り立たない。
　審判費用は、その２分の１を請求人の負担とし、２分の１を被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３５９３２００号に係る発明は、平成８年２月７日に特許出願され、平成１６年９月３日に特許権の設定登録がなされ、平成１７年４月２７日付けで請求項１〜８に係る特許について東海電化工業株式会社（以下、「請求人」という。）より無効審判請求がなされ、平成１７年７月２６日に被請求人　ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社（以下、「被請求人」という。）より上申書が提出され、平成１７年９月２９日に請求人及び被請求人より口頭審理陳述要領書が提出され、同日口頭審理（場所：特許庁審判廷）が実施され、同日書面審理への移行が宣言された。そして、平成１７年１０月１４日に請求人及び被請求人より上申書が提出され、平成１７年１０月２５日に請求人より更に上申書が提出され、平成１７年１０月２６日付けで請求項１〜４に係る特許について無効理由通知がなされ、その応答期間内である平成１７年１１月２８日に意見書及び訂正請求書が提出され、平成１７年１２月２日付けで請求人に対して審尋がなされ、平成１７年１２月２１日付けで請求人より回答書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
　２−１．訂正の要旨
　訂正請求書に添付された全文訂正明細書の記載からみて、被請求人は以下の訂正を求めるものと認められる。
　
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１の
「・・・で表されるポリベンゾイミダゾール材料であって、当該材料中に含まれるアルカリ金属・・・」を「・・・で表される、固相重合法により製造されるポリベンゾイミダゾール材料であって、当該材料中に含まれるアルカリ金属・・・」と訂正する。
　
　２−２．訂正の目的の適否、訂正の範囲の適否及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正前の特許明細書には、「現在、ポリベンゾイミダゾールは唯一米国ヘキストセラニーズ社が商業化しているのみであり、その製法は重合溶剤を用いない固相重合法と呼ばれる製法が採用されている。我々は、ポリベンゾイミダゾールに多量の金属不純物が含まれている原因を追及すべく検討を重ねた結果、ポリベンゾイミダゾールの強度が高いためその製造過程で製造装置に使用されている金属材料が摩耗してポリベンゾイミダゾール中に混入することが、高い金属濃度の原因であることを見い出した。」（段落【０００４】）と記載されており、当該明細書には、請求項１に係る発明における「ポリベンゾイミダゾール材料」として固相重合法により製造されるものを用いることが記載されていたものということができる。
　そうすると、訂正事項１は、この記載に基づいて請求項１の「ポリベンゾイミダゾール材料」の製法を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的として、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
　２−３．まとめ
  したがって、上記訂正は特許法第１３４条の２第１項ただし書及び同条第５項において読み替えて準用する特許法第１２６条第３項から第５項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．本件発明
  上記の結果、訂正後の本件請求項１〜８に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明８」という。）は、訂正された明細書（以下、「訂正明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された以下の事項によって特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
下記の構造式（Ｉ）
（式中、繰り返し単位を構成する各Ｒ１は４価の芳香核であって、窒素原子によって対称的に置換されており、繰り返し単位を構成する各Ｒ２は２価の基であり、炭素数が２から２０までの脂肪族、脂環族および芳香族のラジカルの中から選択され、繰り返し単位を構成する各Ｒ３は水素原子、アルキル基およびアリール基等の基（これらの基がさらに他の基で置換されていてもよい）から独立的に選択され、繰り返し単位を構成する各Ｒ４は水素原子、アルキル基およびアリール基等の基（これらの基がさらに他の基で置換されていてもよい）から独立的に選択され、繰り返し単位を構成する各Ｘは直接結合、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−等から独立的に選択される）、または下記の構造式（ＩＩ）
（式中、繰り返し単位を構成する各Ｒ５は窒素原子（芳香核の隣接した炭素原子上で組み合わされているベンゾイミダゾール環を形成している）を有する芳香核であり、繰り返し単位を構成する各Ｒ６は水素原子、アルキル基およびアリール基等の基（これらの基がさらに他の基で置換されていてもよい）から独立的に選択され、繰り返し単位を構成する各Ｘは直接結合、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−等から独立的に選択される）
で表される、固相重合により製造されるポリベンゾイミダゾール材料であって、当該材料中に含まれるアルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体・表示素子の製造装置部品用ポリベンゾイミダゾール材料。
【請求項２】
クロム、鉄、ニッケルの総濃度が５ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載した半導体・表示素子の製造装置部品用ポリベンゾイミダゾール材料。
【請求項３】
クロム、鉄、ニッケルの内、少なくとも２種類のそれぞれの濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし２に記載した半導体・表示素子の製造装置部品用ポリベンゾイミダゾール材料。
【請求項４】
ポリベンゾイミダゾール材料が下記の構造式
で示される、請求項１または２または３に記載の半導体・表示素子の製造装置部品用ポリベンゾイミダゾール材料。
【請求項５】
ポリベンゾイミダゾール材料を溶液とする工程、それに引き続くゲル状の不溶物を除去するための濾過工程、更に引き続くポリベンゾイミダゾール溶液をポリベンゾイミダゾール材料に対して貧溶剤である溶剤中に投入する工程に於いて、少なくとも一つの工程中あるいは工程後に最終的に得られるポリベンゾイミダゾール材料に含まれる金属濃度を低下させる操作を設けることを特徴とした、請求項１ないし４のいずれか１項に記載したポリベンゾイミダゾール材料の製造方法。
【請求項６】
ゲル状の不溶物を除去するための濾過工程の後に、ポリベンゾイミダゾール材料に含まれる金属濃度を低下させるために追加される操作として、少なくとも０．１ミクロン以上の微細な不溶物を除く操作を設けることを特徴とする請求項５に記載したポリベンゾイミダゾール材料の製造方法。
【請求項７】
ゲル状の不溶物を除去するための濾過工程の後に、ポリベンゾイミダゾール材料に含まれる金属濃度を低下させるために追加される操作として、溶液に強酸を添加する操作を設けることを特徴とする請求項５または６に記載したポリベンゾイミダゾール材料の製造方法。
【請求項８】
溶液をポリベンゾイミダゾール材料に対して貧溶剤である溶剤中に投入する工程に於いて、ポリベンゾイミダゾール材料に含まれる金属濃度を低下させるために追加される操作として、強酸を含んだ前記貧溶剤を用いるか、または溶液をポリベンゾイミダゾール材料に対して貧溶剤である溶剤中に投入する工程の後に、ポリベンゾイミダゾール材料に含まれる金属濃度を低下させるために追加される操作として、強酸を含んだ前記貧溶剤でポリベンゾイミダゾール材料を洗浄する操作を設けることを特徴とする請求項５または６に記載したポリベンゾイミダゾール材料の製造方法。」
　
４．請求人の主張及び提出した証拠方法
　４−１．請求人の主張
　請求人は、「特許第３５９３２００号は、これを無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、下記甲第１〜１３号証及び参考資料１、２を提出して、訂正前の請求項１〜８に係る特許は以下（１）及び（２）の理由により、特許法第１２３条第１項の規定によって無効とされるべきであると主張している。
（１）訂正前の請求項１〜８に係る発明は、本件出願前に頒布された甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（２）訂正前の本件明細書の発明の詳細な説明には、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないから、本件特許出願は、特許法第３６条第４項に規定された要件を満たしていない。　
　
　４−２．証拠方法及び記載事項　
甲第１号証：特開平６−３２８１４号公報
甲第２号証：特開平７−２９６６４０号公報
甲第３号証：特開平１−９９８１８号公報
甲第４号証：国際公開第９５／０２６３４号パンフレット 
甲第５号証：「ポリイミド樹脂−構造・物性・高機能化・信頼性・薄膜・用途展開−」，技術情報協会，p．341−343、348
甲第６号証：日本金属学会編「改訂５版　金属便覧」，丸善株式会社，H．7．4．5，p．575−576，
甲第７号証：「１４５０４の化学商品」，化学工業日報社，2004．1．27，p．511
甲第８号証：「THE　MERCK　INDEX　−EIGHTH　EDITION−」，MERCKCO．，Inc．，1968，p．374−375
甲第９号証：http:www.upilex.jp/catalog/pdf/sa101.pdf　掲載記事及びその拡大頁
甲第１０号証：特開平７−１４７２４７号公報 
甲第１１号証：米国特許第３，３１３，７８３号明細書
甲第１２号証：特開平７−１３０８２８号公報 
甲第１３号証：特開平６−１３５７８６号公報 
参考資料１：「ジメチルアセトアミドの蒸気圧」と題するグラフ等
参考資料２：「高機能プラスチック成形品　セラゾール」パンフレット，ヘキストジャパン株式会社
　
　なお、甲第１〜３、５〜９号証及び参考資料１は審判請求書に、甲第１０〜１３号証は平成１７年９月２９日付け口頭審理陳述要領書に、そして、参考資料２は平成１７年１０月１４日付け上申書に添付されたものである。また、甲第４号証については、審判請求書の証拠方法の項に「甲第４号証　国際公開番号ＷＯ９５／０２６３４号公報、平成７年１月２６日発行」との表示があり、対応する公表公報である特表平９−５００１６３号公報が添付されていたところ、平成１７年１０月１４日付け上申書に添付して、審判請求書に表示されたとおりの国際公開パンフレットが提出されたものである。
　
５．被請求人の主張及び提出した証拠方法
　５−１．被請求人の主張
　被請求人は、乙第１号証及び資料１〜３を提出して、「本件審判の請求は成り立たない。審判費用は請求人の負担とする。」との審決を求め、請求人が主張する上記（１）及び（２）の理由に対して、（１）訂正後の請求項１〜８に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない、（２）訂正後の本件明細書には、請求人が主張するような記載不備はない、旨主張している。
　
　５−２．証拠方法及び記載事項　
乙第１号証：E．J．Powers　and　G．A．Serad”History　and　Development　of　Polybenzimidazole”the　Symposium　on　the　History　of　High　Performance　Polymers，New　York，American　Chemical　Society，April　15−18，1986
資料１：ブロック端子台カタログ，国際電業株式会社　
資料２：工業用端子台カタログ抜粋，春日電機株式会社
資料３：米国特許第５，９３２，６８８号明細書
　
　なお、乙第１号証は答弁書に、資料１〜３は平成１７年１０月１４日付け上申書に添付されたものである。
　
６．合議体が通知した無効理由について
　６−１．無効理由通知
　平成１７年１０月２６日付けで通知した無効理由は、訂正前の請求項１〜４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効にすべきものである、というものであり、下記の甲各号証が引用された。
　
甲第４号証：国際公開第９５／０２６３４号パンフレット（請求人が提出した甲第４号証）
甲第１０号証：特開平７−１４７２４７号公報（同、甲第１０号証） 
甲第１２号証：特開平７−１３０８２８号公報（同、甲第１２号証） 
甲第１３号証：特開平６−１３５７８６号公報（同、甲第１３号証） 
甲第１４号証：E．J．Powers　and　G．A．Serad”History　and　Development　of　Polybenzimidazole”the　Symposium　on　the　History　of　High　Performance　Polymers，New　York，American　Chemical　Society，April　15−18，1986（被請求人が提出した乙第１号証） 
　
　６−２．甲第４、１０、１２〜１４号証の記載事項
甲第４号証
（ア）「・・・からなるフルオロエラストマー組成物であって、抽出金属及び金属化合物が実質的に含まれない組成物。」（特許請求の範囲の請求項１）
（イ）「請求項１のフルオロエラストマー組成物において、抽出金属及び金属化合物が約５００ｐｐｂ以下の量で存在するフルオロエラストマー組成物。」（同請求項１４）
（ウ）「電子部品、例えば半導体装置の製造では、そのような製造工程に使用される密封部材に対する大変厳しい規格が存在する。従来のフルオロエラストマー及び加硫系はこのような規格に適合しなかった。
　本発明の要約
　本発明は、厳しく高純度の用途に有効なフルオロエラストマー組成物を提供する。」（第１頁第１５〜２１行）
（エ）「特に、該フルオロエラストマー組成物は実質的に金属及び金属化合物を含んではならない。」（第６頁第２７〜２８行）
（オ）「一ヶ月８０℃での超脱イオン水抽出物　Ｏ−リング１個／１００ＭＬＳの試験用液体　空試験値関連結果」との表題の表３には、左端列冒頭に「実施例　検出された金属抽出物」と記載されており、例Ａとして、Ａｌ：９．５ｐｐｂ、Ｃｕ：０．９ｐｐｂ、Ｍｇ：２．７ｐｐｂ、Ｚｎ：０．５ｐｐｂ、Ｎｉ：−、Ｆｅ：３．６ｐｐｂ、Ｃａ：１５．４ｐｐｂ、Ｋ：３．５ｐｐｂ及びＮａ：７ｐｐｂとのデータが示されている。（第１３頁表３）
（カ）「本発明のフルオロエラストマー組成物は、特にウェットケミカル環境における使用に適しており、また既知の組成物と比較して金属性、アニオン性及びＴＯＣ抽出物が顕著に少ない。その結果、高純度での他の用途と同様に、半導体ウェットケミカルプロセスにおいて特に好適に用いられる。」（第７頁第１〜６行）
　
甲第１０号証
（キ）「【請求項１】真空処理容器内に被処理体を収納保持すると共に、処理ガスを導入して該被処理体を処理する処理装置において、前記処理容器の内面に、高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂被膜を設けたことを特徴とする処理装置」（特許請求の範囲の請求項１）
（ク）「【請求項６】 真空処理容器内に被処理体を収納保持すると共に、処理ガスを導入して該被処理体を処理する処理装置において、前記処理容器の被処理体搬入出口内面及びその搬入出口を開閉するゲートバルブ内面に、高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂皮膜を設けたことを特徴とする処理装置。（同、請求項６）
（ケ）「【請求項７】 ゲートバルブの閉成時の気密シールを行うＯリング自体を高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂成型品としたことを特徴とする請求項６記載の処理装置。」（同、請求項７）
（コ）「【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体ウェーハや液晶表示（ＬＣＤ）基板等の被処理体に成膜或いはエッチング等の処理を行う処理装置に関する。」（段落【０００１】）
（サ）「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そうした従来の処理装置の真空処理容器に施されたアルマイト処理においては、母材の種類（アルミニューム等）と酸の組み合わせ或いは処理条件（電解条件等）などで成長する被膜の性質が左右され、マイクロクラック等が生じ易く、引いてはこれが原因で耐電気絶縁性や耐腐食性の劣化を起こし、パーティクル等の不純物質の発生を招いていた。更には、電解液中でアルマイト処理する際に、そのアルマイト成長層に多くのアルミニューム及び各種重金属が含まれ、これら重金属元素が飛び出して不純物質となり、これらがウェーハ表面の微細な成膜層の汚染につながり、高密度高集積化が進む半導体素子の電気的特性の異常を招いていた。」（段落【０００５】）」
（シ）「その真空処理容器内面に設けた高分子ポリベンゾイミダゾール（ＰＢＩ）樹脂被膜は、アルマイト成長層よりも、更に一層優れた機械強度、耐熱性、耐電気絶縁性並びに耐腐食性を有する非常に化学的に安定した有機物で、且つ熱膨脹率が母材であるアルミニューム等と略同等で、マイクロクラックや剥離を生じる心配が無いと共に、含有不純物が低レベルで且つ外部からのエネルギーに対し非常に分解し難く、更には表面にポーラス（多孔質）やピンホールを持たないなどの非常に優れた特性を有しているので、真空処理容器の内面の耐熱性、耐電気絶縁性並びに耐腐食性を確実に維持できると共に、パーティクル等の不純物質の発生がなく、しかも真空脱ガス特性が非常に良く、パーティクルフリー、コンタミネーションフリーで非常にクリーンな環境を得て信頼性の高い能率的な処理の実現に有効となる。なお、上記優れた特性に加えて耐プラズマ性にも非常に優れ、各種プラズマ処理装置にも非常に有効となる。」（段落【００１０】）
（ス）「更にまた、前記真空処理容器１の被処理体搬入出口４７の内面及びその搬入出口４７を開閉するゲートバルブ４８の内面にＰＢＩ樹脂被膜５５が設けられている。また、そのゲートバルブ４８の閉成時の気密シールを行うＯリング５０自体がＰＢＩ樹脂成形品とされている。こうして被膜５５の素材であるＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾール）樹脂の化学構造式は、
であって、このＰＢＩ樹脂の合成ペレット市販品を、特殊溶剤、例えば揮発性の極性溶媒などと称されるジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）等の溶剤に溶解させた状態で、前述の各対象面にコーティング（ドーピングや塗布或いは吹付けなど）する。−中略−　或いはＰＢＩ樹脂で一体成形したＰＢＩ樹脂フイルムやプレートを、同じく溶融ＰＢＩ樹脂をバインダーとして用いて対象面に貼り付けることで被膜５５を形成しても良い。」（段落【００４５】〜【００４７】）
（セ）「以上のようなＰＢＩ樹脂被膜５５は、金属や樹脂製品の表面改質に非常に優れた高機能な特性を有する。−中略−　また、・・・含有不純物が非常に低レベルでプラズマに叩かれても出て来ることがない。」（段落【００４８】）
（ソ）「また、クランプリング７０をアルミニューム製としたが、このクランプリング７０自体を高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂成形品（ＰＢＩ樹脂成形品）として構成しても良い。」（段落【００６３】）
　
甲第１２号証
（タ）「【請求項１】ウエハを載置台に載置してそのウエハに表面処理を施す半導体製造装置において、前記載置台の上面を、高誘電率を有しかつ金属を含まない高分子薄膜で被覆したことを特徴とする半導体製造装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
（チ）「【発明が解決しようとする課題】ところが上記した載置台においては、ウエハＳが静電チャック４０に吸着される瞬間に、ウエハＳの裏面とセラミック材料からなる絶縁体４２の上面とが擦り合わされる。このため、絶縁体４２の上面を滑らかに研磨して平滑としなければ、ウエハＳが吸着される度に絶縁体４２の上面が削り取られてダストとなる微粒子が発生してしまうという欠点があった。
　ダストの発生は、ウエハＳを汚染して歩留りを著しく低下させるうえ、そのダストにはウエハＳ上に形成される素子に悪影響を及ぼすＣａ、Ｔｉ、Ｂａ等の金属成分が含まれているため好ましくない。」（段落【０００８】〜【０００９】）
（ツ）「ところで、この実施例においてその特徴とするところは、絶縁体１２の上面を高分子薄膜１５で被覆し、載置台１の上面を平滑とした点にある。すなわち高分子薄膜１５は、電気的に絶縁された高誘電率を有しかつ金属を含まない、例えばポリイミドや含フッ素系のポリマー等で構成される。」（段落【００１８】）
　
甲第１３号証
（テ）「【請求項１】 セラミック部材であって、化学研磨により表面処理されてなり、セラミック材の汚染表面層及び／またはマイクロクラック層が除去され、半導体製造工程での汚染物放出を抑制されてなることを特徴とする半導体製造装置用セラミック部材。」（特許請求の範囲の請求項１）
（ト）「次いで、セラミックスからの微量不純汚染物の放出について検討した。セラミックス自体の減耗速度が大きい時、温度が高くてセラミックス中を不純物や焼成時の付着汚染物が拡散し易い時、また、電界等でセラミックス中の不純物及び焼成汚染物に移動駆動力が存在する時に、汚染が極めて多くなることが知見された。また、微量不純物及び汚染物のうち、Ｎａ等アルカリ金属やＣｕのようにシリコン特性に影響し易いものの存在が特に問題となることも明らかになった。」（段落【００１２】）
（ナ）「実施例２及び比較例２〜３
　外径３８ｍｍ、内径３５ｍｍφ、長さ（高さ）１２０ｍｍ、肉厚１．５ｍｍの透光性アルミナセラミック管を実施例１と同様にして化学研磨した。これをＣＤＥ（ケミカル・ドライ・エッチング）管として用い、シリコンウェハの汚染レベルを測定した。また、比較例２として化学研磨してない焼成したままのアルミナセラミック管、比較例３として石英ガラス管をＣＤＥ管として用いて同様にシリコンウェハ汚染を測定をした。その結果を表１に示した。
」（段落【００２３】〜【００２４】、表１）
　
甲第１４号証
（ニ）
第１図には、ポリベンゾイミダゾールの合成に用いられるモノマータイプが、第２図には、それから得られるポリベンゾイミダゾールの構造が記載されている。（第３頁第１、２図）
　
　６−３．対比・判断
　（１）本件発明１ 
 　甲第１０号証には、その特許請求の範囲の請求項１に、 
「真空処理容器内に被処理体を収納保持すると共に、処理ガスを導入して該被処理体を処理する処理装置において、前記処理容器の内面に、高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂被膜を設けたことを特徴とする処理装置」（摘示記載（キ）） 
が記載されており、また、請求項６及び７には、それぞれ、
「真空処理容器内に被処理体を収納保持すると共に、処理ガスを導入して該被処理体を処理する処理装置において、前記処理容器の被処理体搬入出口内面及びその搬入出口を開閉するゲートバルブ内面に、高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂皮膜を設けたことを特徴とする処理装置」（摘示記載（ク））及び
「ゲートバルブの閉成時の気密シールを行うＯリング自体を高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂成型品としたことを特徴とする請求項６記載の処理装置」（摘示記載（ケ））
が記載されている。また同号証には、該処理装置が、主に半導体ウェーハや液晶表示（ＬＣＤ）基板等の被処理体に成膜或いはエッチング等の処理を行う処理装置であること（摘示記載（コ））、及び被膜の素材であるＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾール）樹脂の化学構造が 
（以下、「甲１０構造式」という。）であること（摘示記載（ス））も記載されている。
　この甲１０構造式は、本件訂正明細書の請求項４に記載された下記構造式
（以下、「請求項４構造式」という。）と同一であり、請求項４が請求項１を引用しているところから、請求項４構造式が本件発明１における構造式（Ｉ）を限定したものであることは明らかである。また、本件訂正明細書の実施例において、ポリベンゾイミダゾール材料として請求項４構造式、即ち、甲１０構造式と同一の構造式のものが用いられている（段落【００２１】）。
　そうすると、甲１０構造式は本件発明１の構造式（Ｉ）に該当するものであるから、甲第１０号証には、「構造式（Ｉ）で表されるポリベンゾイミダゾール材料であって、半導体・表示素子の製造装置部品用ポリベンゾイミダゾール材料」である点で本件発明１と一致する発明（以下、「甲１０発明」という。）が記載されているものということができるが、甲第１０号証には、本件発明１における、 
（あ）ポリベンゾイミダゾール材料が「固相重合法により製造される」ものである点、及び
（い）「当該（ポリベンゾイミダゾール）材料中に含まれるアルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下である」点 
が記載されていない点で、本件発明１と甲１０発明との間には、一応の相違が認められる。
　
　そこで、これらの相違点について以下に検討する。
（ｉ）（あ）の点について
　ポリベンゾイミダゾールを固相重合法により製造することは、以下の周知例に示すように、本件の出願前、当業界で広く知られている。
周知例１：三田　監訳「高分子大辞典」，丸善株式会社，Ｈ．６．９．２０，ｐ．１０７５「ポリベンゾイミダゾール」の項
周知例２：神戸　編「高分子の耐熱性」，（株）培風館，Ｓ．４５．１２．２０，ｐ．１４〜１５「ｃ．固相重縮合（Solid　state　Polycondensation）」の項
周知例３：高分子学会高分子辞典編集委員会　編「新版高分子辞典」，（株）朝倉書店，１９９１．８．１０「固相重縮合［solid　state　polycondensation］」の項
　そして、甲１０発明において本件発明１の（あ）のように、ポリイミダゾール材料としてこのように周知の固相重合法により製造されたものを用いる点に、特に困難性はない。
 
（ｉｉ）（い）の点について
　甲第１０号証には、「発明が解決しようとする課題」として、従来の真空処理容器では、アルマイト成長層に多くのアルミニューム及び各種重金属が含まれ、これら重金属元素が飛び出して不純物質となり、これらがウェーハ表面の微細な成膜層の汚染につながり、高密度高集積化が進む半導体素子の電気的特性の異常を招いていたこと（摘示記載（サ））が記載されており、これに対して、真空処理容器内面に設けた高分子ポリベンゾイミダゾール（ＰＢＩ）樹脂被膜は、アルマイト成長層よりも、更に一層優れた機械強度、耐熱性、耐電気絶縁性並びに耐腐食性を有する非常に化学的に安定した有機物で、パーティクル等の不純物質の発生がなく、パーティクルフリー、コンタミネーションフリーで非常にクリーンな環境を得て信頼性の高い能率的な処理の実現に有効となること（摘示記載（シ））、ＰＢＩ樹脂被膜は含有不純物が非常に低レベルでプラズマに叩かれても出て来ることがないこと（摘示記載（セ））、及び、Ｏリング、フイルムやプレート、クランプリング自体をＰＢＩ樹脂成形品とすること（摘示記載（ケ）、（ス）、（ソ））が記載されている。
　そうすると、甲第１０号証には、半導体素子の製造装置部品にアルミニュームや各種重金属が含まれているとこれらが不純物となってウェーハ表面を汚染するとの認識のもとに、当該部品に含有不純物が非常に低レベルであるポリベンゾイミダゾール樹脂被膜を施すか部品自体をポリベンゾイミダゾール樹脂成形品とすることが記載されているものということができる。
　一方、甲第１２号証には、ウエハを載置台に載置してそのウエハに表面処理を施す半導体製造装置において、ウエハの裏面とセラミック材料からなる絶縁体の上面とが擦り合わされて発生するダストにはウエハ上に形成される素子に悪影響を及ぼすＣａ、Ｔｉ、Ｂａ等の金属成分が含まれている（摘示記載（チ））という問題の解決を課題として、載置台の上面を、高誘電率を有しかつ金属を含まない高分子薄膜で被覆した半導体製造装置（摘示記載（タ）、（ツ））が記載されている。
　また、甲第１３号証には、半導体製造工程での汚染物放出を抑制されてなる半導体製造装置用セラミック部材（摘示記載（テ））が記載されており、微量不純物及び汚染物のうち、Ｎａ等アルカリ金属やＣｕのようにシリコン特性に影響し易いものの存在が特に問題となること（摘示記載（ト））も記載され、実施例には、「汚染物」としてＦｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌが挙げられている（摘示記載（ナ））。
　このように、甲第１２及び１３号証にはいずれも、半導体素子の製造装置において、製品の品質の観点から装置からの金属成分の発生を防止すべきことが開示されているものということができ、その金属成分には、Ｎａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａといったアルカリ金属及びアルカリ土類金属以外に、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ等の金属が含まれることが明示されている。
　更に、甲第４号証には、抽出金属及び金属化合物が約５００ｐｐｂ以下の量で存在するフルオロエラストマー組成物（摘示記載（ア）、（イ））が記載されており、このフルオロエラストマー組成物が半導体装置の密封部材に用いられること（摘示記載（ウ））、当該組成物は実質的に金属及び金属化合物を含んではならないこと（摘示記載（エ））及び当該組成物が金属性、アニオン性及びＴＯＣ抽出物が顕著に少ないこと（摘示記載（カ））が記載されており、実施例には、フルオロエラストマー組成物から製造したＯ−リングを一ヶ月８０℃で超脱イオン水により抽出した抽出物が、例Ａでは、Ａｌ：９．５ｐｐｂ、Ｃｕ：０．９ｐｐｂ、Ｍｇ：２．７ｐｐｂ、Ｚｎ：０．５ｐｐｂ、Ｎｉ：−、Ｆｅ：３．６ｐｐｂ、Ｃａ：１５．４ｐｐｂ、Ｋ：３．５ｐｐｂ及びＮａ：７ｐｐｂであったこと（摘示記載（オ））が示されている。
　この甲第４号証にも、やはり、半導体製造装置の部品の材料中に金属及び金属化合物が実質的に含まれてはならないことが記載されているのであり、「抽出金属及び金属化合物が約５００ｐｐｂ以下の量で存在する」との限定はこれらの含有量の指標というべきである。そして、抽出量が直ちに含有量を意味するものとはいえないとしても、実施例における「一ヶ月８０℃で超脱イオン水により抽出」という測定条件からみて、被測定Ｏ−リング中に含有される金属成分のかなりの部分がこの測定中に抽出されるものと解され、上記のとおり、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を除く抽出金属及びその総計についての数値が１ｐｐｍ即ち１０００ｐｐｂよりはるかに低い値であることに鑑みれば、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下である蓋然性はきわめて高いものというべきである。
　以上の甲第４、１２及び１３号証の記載事項を総合すると、これら各号証には、半導体素子の製造装置において、製品の品質の観点から、装置部品からのアルカリ金属及びアルカリ土類金属を除く金属を含む金属成分の発生を防止すべきこと、そのために部品材料中の金属含有量を低減させること、及び、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下の部品を用いることが教示されているものということができる。
　そして、甲１０発明においても、半導体素子の製造装置部品にアルミニュームや各種重金属が含まれることによる不都合を解消するために、当該部品として含有不純物が非常に低レベルであるポリベンゾイミダゾール樹脂を用いるものである以上、上記各号証の教示に基づいて、ポリベンゾイミダゾール樹脂として、本件発明１の（い）のようにアルカリ金属及びアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下のものを採用することは、当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　また、仮に、甲第４号証にはＯ−リングのアルカリ金属及びアルカリ土類金属を除く金属の総濃度を１０ｐｐｍ以下とすることが開示されていないとしても、上記のように半導体製造装置用の部品に金属成分が含有されることが好ましくないことが当業界で広く認識されていた以上、甲１０発明において、アルカリ金属及び及びアルカリ土類金属を除く金属についてその総濃度の上限を１０ｐｐｍに設定することは、製品に要求される品質等を考慮して、当業者が適宜実験的になし得たものというほかはない。
　
（ｉｉｉ）（あ）と（い）の組合せについて
　被請求人は、平成１７年１１月２８日付けの意見書中で、「本件特許請求の範囲第１項〜第４項に記載された発明は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下であるポリベンゾイミダゾール材料に関するものです。今回の訂正は、ここで意図している金属が、ポリベンゾイミダゾール材料が固相重合法により製造されるときに混入する金属であることを明確にしたものであります。」（第３頁第８〜１２行）と主張している。
　しかしながら、ポリベンゾイミダゾールを固相重合法により製造することは上記のように本件の出願前周知であり、その製法において用いる反応器についても種々のものが知られている。例えば、周知例１に、「工業的な大量生産に適しているのは固相重合である。この方法では、真空または大気圧において固体を重合し、ポリマーの溶解した押出し可能な紡糸原液を直接作ることができる。大気圧における二段階重合には、ガラス製あるいは３１６−ステンレス鋼製の反応器が用いられる。」（第１０７５頁右欄第１２〜１６行）と記載されているように、ガラス製の反応器も周知である。そうすると、甲１０発明において本件発明１の（あ）のように、ポリベンゾイミダゾール材料を「固相重合法により製造される」ものとしても、その固相重合がこのようなガラス製の反応器を用いて行われた場合には、製造されるポリベンゾイミダゾールには金属成分がほとんど含まれず、本件発明１の（い）の要件を自ずから満たすこととなるものと解される。
　また、上記（ｉｉ）のように甲１０発明において、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度を低減しようとするにあたり、ポリベンゾイミダゾールの製造工程中での金属不純物の混入防止のために反応器に金属製以外のものを用いる等の手段を講ずることは、当業者が容易になし得るところというほかはない。
　したがって、本件発明１における（あ）と（い）の組合せに格別の困難性は見出せず、訂正明細書の記載からは、それにより、特に予測を超える効果を奏し得たものとも認められない。
　なお、甲第１４号証（摘示記載（ニ））に記載されているように、ポリベンゾイミダゾールとして、本件発明１の（Ｉ）及び（ＩＩ）の構造式で示されるものはいずれも本件の出願前公知であるから、甲１０発明において、本件発明１の（Ｉ）構造式に該当する甲１０構造式のポリベンゾイミダゾールに代えて本件発明の（ＩＩ）構造式のポリベンゾイミダゾールを用いることも、当業者が容易になし得た範囲を超えるものではない。 
　したがって、本件発明１は甲第４、１０、１２〜１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
 （２）本件発明２及び３ 
　本件発明２及び３は、それぞれ本件発明１において、「鉄、クロム、ニッケルの総濃度が５ｐｐｍ以下である」及び「鉄、クロム、ニッケルの内、少なくとも２種類のそれぞれの濃度が１ｐｐｍ以下である」との限定を付したものである。
　しかしながら、上記のように甲第４号証には、抽出金属及び金属化合物が約５００ｐｐｂ以下の量で存在するフルオロエラストマー組成物（摘示記載（ア）、（イ））が記載されており、実施例（表３）には、フルオロエラストマー組成物から製造したＯ−リングを一ヶ月８０℃で超脱イオン水により抽出した抽出物について、例Ａでは、Ｆｅ（鉄）が３．６ｐｐｂであったことが示され、Ｃｒ（クロム）及びＮｉ（ニッケル）については抽出量が示されていない（摘示記載（オ））。
　そして、実施例における測定条件からみて被測定Ｏ−リング中に含有される金属成分のかなりの部分が抽出されるものと解され、Ｆｅ（鉄）、Ｃｒ（クロム）及びＮｉ（ニッケル）についての抽出量が１ｐｐｍ（１０００ｐｐｂ）よりはるかに低い値、あるいは測定不能な微量であることに鑑みれば、これらのいずれの金属の濃度も、またこれらの金属の総濃度も、１ｐｐｍ以下である蓋然性はきわめて高いから、本件発明２及び３の上記限定事項はいずれも甲第４号証に開示されているものというべきである。
　また、仮に、甲第４号証には本件発明２及び３の限定事項である、「鉄、クロム、ニッケルの総濃度が５ｐｐｍ以下である」点及び「鉄、クロム、ニッケルの内、少なくとも２種類のそれぞれの濃度が１ｐｐｍ以下である」点が開示されていないとしても、上記（ｉｉ）で指摘したように、半導体製造装置用の部品に金属成分が含有されることが好ましくないことが当業界で広く認識されていた以上、甲１０発明において、ポリベンゾイミダゾールの周知の固相重合法でステンレス鋼製の反応器を用いた場合に樹脂中に取り込まれ得る金属成分である鉄、クロム、ニッケルについて、その含有量の上限値を本件発明２及び３のように設定することは、製品に要求される品質等を考慮して、当業者が適宜実験的になし得たものであり、これらの金属が混入するおそれの少ないガラス製の反応器の採用等の手段によりこのような限定範囲とすることも、当業者が容易になし得たことにすぎない。
　そして、上記のように本件発明１は甲第４、１０、１２〜１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２及び３も本件発明１と同様の理由により、甲第４、１０、１２〜１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
　（３）本件発明４
　本件発明４において限定された構造式は甲１０構造式そのものである。 
　そして、上記のように本件発明１は甲第４、１０、１２〜１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明４も本件発明１と同様の理由により、甲第４、１０、１２〜１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　６−４．まとめ
　したがって、本件発明１〜４についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
７．請求人が主張する特許法第２９条第２項違反について
　請求人は、訂正前の請求項１〜８に係る発明は、本件出願前に頒布された甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張している。
　そして、本件発明１〜４が、甲第４、１０、１２〜１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることは上記のとおりであるから、以下に、本件発明５〜８が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるか否かについて検討する。
　
　７−２．甲第１〜３号証の記載事項
甲第１号証
（ヌ）「不純物を含有する電子部品用樹脂を少なくとも熱水処理もしくは希酸処理のいずれか一つの処理を施し含有不純物を除去する工程と、前記含有不純物の除去された電子部品用樹脂を不純物侵入を防止しながら分離し、乾燥処理する工程とを具備して成ることを特徴とする電子部品用樹脂中の不純物除去方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（ネ）「本発明はこのような事情に対処してなされたもので、電子部品用樹脂中の不純物を容易に、かつ金属系の各不純物元素濃度を０．１ｐｐｍ以下に除去・低減化することが可能な、電子部品用樹脂中の不純物除去方法の提供を目的とする。」（段落【０００７】）
（ノ）「実施例１
先ず、不純物濃度が、Ｎａ：２０ｐｐｍ，Ｋ：３０ｐｐｍ，Ｆｅ：１０ｐｐｍ，Ｃｒ：５０ｐｐｍ，Ｃｕ：１０ｐｐｍのｍ−クレゾールノボラック樹脂１００ｇをテフロン製容器に収容し、さらに０．５Ｍ酢酸水溶液５００ｇを加え、６０℃に加温（加熱）保持した状態で１０分間激しく振とう攪拌し洗浄処理した。その後、テフロン製フィルターを用いて、前記樹脂分を濾取し、上記洗浄処理を再度施してから、テフロン製フィルターで樹脂分を濾取した。なお、このとき２ｌの純水を用いて前記洗浄処理に使用した酢酸を十分に取り除いた。
　前記洗浄処理し、かつ濾取した樹脂分を真空乾燥器内に収容し、５０℃で　２日間乾燥処理して、樹脂中の不純物除去を終了した。−中略−
　なお、ｍ−クレゾールノボラック樹脂１００ｇを酢酸エチル４００ｇに溶解して調製した溶液の形で、上記洗浄処理条件に準じた表１に示す条件で、熱水による洗浄処理（実施例１ａ）、熱水−常温酸溶液による洗浄処理（実施例１ｂ）、熱水−熱酸溶液による洗浄処理（実施例１ｃ）、熱酸溶液による洗浄処理（実施例１ｄ）をそれぞれ行った結果を表２に実施例１の場合と併せて示す。」（段落【００２０】〜【００２２】）
（ハ）「実施例２
先ず、不純物濃度が、Ｎａ：１００ｐｐｍ，Ｋ：３００ｐｐｍ，Ｆｅ：１０ｐｐｍ，Ｃｒ：４．０ｐｐｍ，Ｃｕ：１．０ｐｐｍのｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル化ヒニルフェノール樹脂１００ｇを酢酸エチル４００ｇに溶解して調製した溶液をテフロン製容器に収容し、さらに０．５Ｍ酢酸水溶液５００ｇを加え、４０℃に加温（加熱）保持した状態で１０分間激しく振とう攪拌し洗浄処理た。その後、３０分間静置して樹脂溶液と酸水溶液の２層分離を行い、上層の樹脂溶液を分取した。この樹脂溶液から溶媒（酢酸エチル）を留去した後、アセトン ４００ｇで再度溶液化してから、３ｌの純水中に滴下して再沈殿させた後、テフロン製フィルターを用いて、前記樹脂分を濾取し、その濾取した樹脂分を真空乾燥器内に収容し、５０℃で２日間乾燥処理して、樹脂中の不純物除去を終了した。（註：「ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル化ヒニルフェノール」は「ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル化ビニルフェノール」の、「洗浄処理た」は「洗浄処理した」の誤記と認める。）」（段落【００２４】）　
　
甲第２号証
（ヒ）「電子部品の絶縁材であって、電子部品の少なくとも露出した導電性部分に対してポリベンズアゾール系樹脂の被膜を施したことを特徴とするもの。」（特許請求の範囲の請求項１）
（フ）「本発明において用いられるポリベンズアゾール系樹脂は、好ましくは以下の構造式で示される高分子樹脂である。−構造式省略−
　このようなポリベンズアゾール系の樹脂材料としては、ポリベンズアゾールのＸ基が異なる、たとえば化２に示すポリベンズイミダゾール系の樹脂材料、
−中略−を使用することが可能である。」（段落【０００７】〜【００１３】）
（ヘ）「また上記実施例においては、電子部品として、半導体集積回路チップおよびパワーユニットの放熱手段を例に挙げて、説明したが、本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、本明細書の特許請求の範囲に記載した技術的思想の範囲内において、コンピュータやＡＶ機器などの電気／電子機器に使用されるあらゆる電子部品、たとえばスイッチング素子などに加え、基板状に配線されたリード線自体や各素子のコンタクトポイントに関する絶縁材としても当然に使用することが可能であると了解される。さらにまた、本発明は、各種電気／電子機器に使用されるコネクタ、コンデンサ、コイルの被覆、プリント基板の配線部の被覆、集積回路内部の被覆、端子台の端子ねじの被覆などの用途についても当然に適用することが可能である。」（段落【００３２】）
　
甲第３号証
（ホ）「単量体としてあるジカルボン酸化合物を使い製造されたポリイミダゾールは次式：
をもつ反復単位をもつ。上式中Ｒは窒素原子が芳香族核の隣接炭素原子、即ちオルト炭素原子上１対をなすベンズイミダゾール環を形成している４価芳香族核であり、かつＲ’は芳香族環、アルキレン基・・・より成る群からえらばれたものである。−中略−
　次の一般式は下記反復単位をもつポリベンズイミダゾール生成の際おこる縮合反応を示している。
上式中ＲとＲ’は上に定義したとおりである。」（第２頁左下欄第１３行〜第３頁左上欄反応式の下第１行）
　
　７−３．対比・判断
　（１）本件発明５ 
　甲第１号証には、「不純物を含有する電子部品用樹脂を少なくとも熱水処理もしくは希酸処理のいずれか一つの処理を施し含有不純物を除去する工程と、前記含有不純物の除去された電子部品用樹脂を不純物侵入を防止しながら分離し、乾燥処理する工程とを具備して成ることを特徴とする電子部品用樹脂中の不純物除去方法」（摘示記載（ヌ））が記載されており、該方法が、電子部品用樹脂中の不純物を容易に、かつ金属系の各不純物元素濃度を０．１ｐｐｍ以下に除去・低減化することが可能な、電子部品用樹脂中の不純物除去方法の提供を目的とする（摘示記載（ネ））ことも記載されている。また、実施例１には、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ、Ｃｒ等の不純物を含有するｍ−クレゾールノボラック樹脂を酢酸エチルに溶解して調製した溶液の形で、熱水による洗浄処理、熱水−常温酸溶液による洗浄処理、熱水−熱酸溶液による洗浄処理及び熱酸溶液による洗浄処理を行うこと（摘示記載（ノ））、実施例２には、同様の不純物を含有するｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル化ビニルフェノール樹脂を酢酸エチルに溶解して調製した溶液に０．５Ｍ酢酸水溶液を加え、４０℃に加温（加熱）保持した状態で１０分間激しく振とう攪拌し洗浄処理し、その後、３０分間静置して樹脂溶液と酸水溶液の２層分離を行い、上層の樹脂溶液を分取して、この樹脂溶液から溶媒（酢酸エチル）を留去した後、アセトンで再度溶液化してから純水中に滴下して再沈殿させた後、テフロン製フィルターを用いて、前記樹脂分を濾取し、その濾取した樹脂分を真空乾燥器内に収容し、５０℃で２日間乾燥処理すること（摘示記載（ハ））が記載されている。
　そうすると、甲第１号証の実施例１及び２には、樹脂材料を溶液とし、それを酸溶液と接触させ、その後樹脂を分離する、樹脂中の金属系不純物を除去する方法、の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているものということができる。
　本件発明５と甲１発明とを対比すると、甲１発明において樹脂溶液を酸溶液と接触させる工程は本件発明５における「最終的に得られるポリベンゾイミダゾール材料に含まれる金属濃度を低下させる操作」に相当するものと解されるから、これらの発明はともに、「樹脂材料を溶液とする工程を含み、少なくとも一つの工程中あるいは工程後に最終的に得られる樹脂材料に含まれる金属濃度を低下させる操作を設ける樹脂材料の製造方法」である点で一致しているが、本件発明５の以下の構成を甲１発明は備えていない点で、これらの発明の間には相違が認められる。
（う）樹脂材料として「ポリベンゾイミダゾール材料」を用い、「請求項１ないし４のいずれか１項に記載したポリベンゾイミダゾール材料」を製造する方法である点。
（え）「（溶液とする工程に）引き続くゲル状の不溶物を除去するための濾過工程」を設ける点、及び、
（お）「（濾過工程に）引き続くポリベンゾイミダゾール溶液をポリベンゾイミダゾール材料に対して貧溶媒である溶剤中に投入する工程」を設ける点
　
　これらの相違点について以下に検討する。
（ｉ）（う）の点について
　「請求項１に記載されたポリベンゾイミダゾール材料」、即ち本件発明１に係るポリベンゾイミダゾール材料は、次の各要件を備えている。
（ａ）構造式（Ｉ）または構造式（ＩＩ）で表されるものである点、
（ｂ）固相重合法により製造されるものである点、
（ｃ）当該材料中に含まれるアルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下である点、及び、
（ｄ）半導体・表示素子の製造装置部品用である点
　本件発明１〜４のいずれかを引用する本件発明５におけるポリベンゾイミダゾール材料は、少なくとも、樹脂材料として（ａ）及び（ｂ）の要件を満たし、製造物として（ｃ）及び（ｄ）の要件を満たすことが必要である。
　この内の（ａ）について、甲第２号証及び甲第３号証には、それぞれ本件請求項１に記載された構造式（１）に該当するポリベンゾイミダゾールが記載されており（摘示記載（フ）、（ホ））、また、（ｂ）については、上記６−（ｉ）に述べたとおり、固相重合法により製造されるポリベンゾイミダゾールは周知である。
　しかしながら、本件訂正明細書の段落【００１１】に記載されているように、ポリベンゾイミダゾールは有機溶媒を用いる通常の手段では溶解しにくい樹脂であることが一般に知られているから、これを溶液化して不純物除去工程に付することを当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。そして、甲第２及び３号証、更には半導体装置の密封部材に用いる実質的に金属及び金属化合物を含まないフルオロエラストマー組成物に係る甲第４号証のいずれにも、固相重合法により製造される構造式（１）に該当するポリベンゾイミダゾール材料を甲１発明に適用することにより、（ｃ）当該材料中に含まれるアルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度を１０ｐｐｍ以下とすることができ、（ｄ）半導体・表示素子の製造装置部品用に供し得るポリベンゾイミダゾールが製造できるか否かについては、何ら教示するところがない。
　
（ｉｉ）（え）の点について
　甲第１号証には、溶液とした樹脂を濾過することについては何ら記載されていない。
　そして、一般に固体状の不純物を液体から分離除去する手法として濾過が周知であるとしても、甲１発明において、樹脂を溶液とする工程に引き続いて濾過工程を設ける必然性はなく、濾別する対象物を本件発明５のように「ゲル状の不溶物」とすることも、甲第１号証に示唆されているものとはいえない。
　
（ｉｉｉ）（お）の点について
　甲第１号証には、酸溶液と接触させた樹脂材料溶液から樹脂を回収する手段については、実施例２に「３０分間静置して樹脂溶液と酸水溶液の２層分離を行い、上層の樹脂溶液を分取した。この樹脂溶液から溶媒（酢酸エチル）を留去した」（摘示記載（ハ））と記載されているにとどまり、酸溶液との接触に引き続いて、本件発明５のように「ポリベンゾイミダゾール溶液をポリベンゾイミダゾール材料に対して貧溶媒である溶剤中に投入」する点については、同号証には記載も示唆もされていない。
　
　そして、本件発明５は、（ｉ）〜（ｉｉｉ）の点により、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が大巾に低下した半導体・表示素子の製造装置部品用ポリイミダゾール材料を製造できるという訂正明細書に記載された作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明５は甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　（２）本件発明６〜８ 
　本件発明６〜８は、本件発明５において更に技術的限定を付加したものであるが、上記のように本件発明５が甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件発明６〜８も同様の理由により、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　７−４．まとめ
　したがって、本件発明５〜８についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　
８．請求人が主張する特許法第３６条第４項違反について
　請求人は、以下の点により、訂正前の本件特許明細書の発明の詳細な説明には、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない旨主張している。
（１）（ａ）特許請求の範囲の請求項１に記載された「構造式（ＩＩ）」で表されるポリベンゾイミダゾール材料については、発明の詳細な説明にどのような材料であるか記載されておらず、出願時に当業者が入手できたということもできない。
　（ｂ）また、構造式（Ｉ）についてもＲ２が芳香族である例が記載されているのみであり、構造式（Ｉ）の全てを当業者が実施できる程度に記載しているとはいえない。
　（ｃ）段落【００２０】には「固有粘度０．６」との記載があるが、固有粘度は「重合体の無限希釈における還元粘度またはインヘレント粘度の極限値」を表す値であり、還元粘度等の測定にあたっては測定温度、測定溶媒の記載は必須であるから、単に「固有粘度０．６」では構造式（Ｉ）で表されるポリベンゾイミダゾール材料を特定できない。
（２）（ｄ）請求項１に記載された「当該材料中に含まれるアルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体・表示素子の製造装置部品」における半導体・表示素子の製造装置部品について段落【００１７】に具体例として挙げられた、搬送部品、固定部品、絶縁部品、各種ガスケット、絶縁基板等の材料がアルカリ金属であるナトリウムを含むことにより半導体の製造歩留まりを大きく低下させることは周知であるが、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を金属の総濃度から除いた微量の金属不純物により大きく左右される「半導体・表示素子の製造装置部品」の特性がどのようなものか不明である。
　（ｅ）「金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下であること」とあるが、１０ｐｐｍを超えると最終製品の特性にどのような影響が出るのか不明である。
　（ｆ）請求項２に記載された「クロム、鉄、ニッケルの総濃度が５ｐｐｍ以下である」点についての技術的意義が記載されていない。
　（ｇ）段落【０００４】には「ポリベンゾイミダゾールの強度が高いためその製造過程で製造装置に使用されている金属材料が摩耗してポリベンゾイミダゾール中に混入することが、高い金属濃度の原因であることを見い出した」と記載されているが、製造過程で使用される装置の材質として想定されるステンレスにはクロム、鉄、ニッケル以外にマンガン、モリブデン、シリコン等が含まれており、このような種々の金属元素の中からクロム、鉄、ニッケルのみを特定した理由が記載されていない。
（３）（ｈ）請求項１に記載された「当該材料中に含まれるアルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度が１０ｐｐｍ以下である」ポリベンゾイミダゾールを実現する方法が不明である。
　（ｉ）段落【００１１】及び実施例１には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを加えてポリベンゾイミダゾール溶液を得たことが記載されているが、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの沸点は１６５．５℃であり、本件発明のポリベンゾイミダゾール樹脂粉末は有機溶剤の沸点より高温度で溶解させることが必要であるが、発明の詳細な説明にはこれを行うための圧力容器の材質、シール材、攪拌機、溶解圧力等について記載されていない。
　
　そこで、本件訂正明細書について、請求人が指摘するような不備があるか否かについて以下に検討する。
（１）（ａ）構造式（ＩＩ）で表される化合物自体及びその製法が本件の出願前に知られていたものであることは乙第１号証（無効理由通知で引用した甲第１４号証）の記載（摘示記載（ニ））からみて明らかであり、当業者がこのような化合物を製造して本件発明の材料として使用することは容易になし得たものというべきである。
　（ｂ）構造式（Ｉ）で表される化合物については、Ｒ２が芳香族であるものについての実施例が示されており、これを脂肪族、脂環族に置き換えた場合の効果も容易に想定されるものであるから、芳香族以外の例示がないことをもって、発明が実施できないとまではいえない。
　（ｃ）特許請求の範囲に係る発明で用いるポリベンゾイミダゾール材料が、段落【００２０】（実施例）に記載された「固有粘度０．６」のものに限定されるものと解すべき理由はなく、特許請求の範囲に規定された要件を満たすものである限り種々の固有粘度の樹脂を用い得るものというべきである。
（２）（ｄ）、（ｅ）半導体・表示素子の製造装置部品についてアルカリ金属およびアルカリ土類金属を含有することが好ましくないことが知られていたとしても、それ以外の金属の濃度に着目してその低減を図ることは特に異とするに足りない。そして、製造装置部品中のそのような金属の含有量を低減させることにより、製造される半導体等の品質が向上することは容易に予測されるところであり、「１０ｐｐｍ以下」との含有量限定は、製品に要求される品質に基づくものと理解されるから、この点で発明が実施できないとまではいえない。
　（ｆ）、（ｇ）「クロム、鉄、ニッケルの総濃度が５ｐｐｍ以下である」との限定は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の不純物として代表的なものについて含有量を限定したものであり、このような金属の含有量の指標であるものと解されるから、この記載の技術的意味が不明であるとはいえない。
（３）（ｈ）アルカリ金属およびアルカリ土類金属を除く金属の総濃度を低減させる手段については、訂正明細書中に濾別、イオン交換体との接触等の具体的方法が開示（段落【００１４】〜【００１５】）されており、また、実施例にも、メンブランフィルターを用いた濾過（実施例１）、塩酸水溶液による洗浄（実施例３）等の具体例が示されているから、金属の総濃度を１０ｐｐｍ以下にする方法が不明であるとはいえない。　
　（ｉ）本件訂正明細書には、ポリベンゾイミダゾール材料を溶液化するための溶媒及び溶解条件について記載（段落【００１１】）されており、通常の高温高圧処理に用いられるオートクレーブ等の装置を適宜選択することによりこの記載に従って実施することは十分可能であると解されるから、この点で発明が実施できないとまではいえない。
　したがって、本件訂正明細書の記載には、請求人が主張するような不備はない。
　　
９．結　論
　以上のとおりであるから、本件発明１〜４についての特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　また、請求人の主張する理由及び証拠によっては本件発明５〜８に係る特許を取り消すことはできない。
　そして、他に本件発明５〜８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。