(57)【要約】  成膜準備のための作業時間が短縮できる低コストのインライン式成膜装置の成膜準備方法を提供する。  複数個の蒸発源２１，２２，２３が列設される真空チャンバ１１内に、各蒸発源が列設された方向に沿って基板Ｓを移送し、基板に多層膜を形成するのに先立って、基板に各蒸発源から供給される蒸発材料の単層膜を成膜して測定用試料を作製する。基板がキャリアＳＣ１にセットされて上流側の蒸発源に対向した位置から下流側の蒸発源に対向した位置まで連続または断続して移送されるものとし、キャリアとして、基板の片面の所定範囲を夫々選択的に遮蔽できる複数個の遮蔽手段３４１，３４２，３４３を備えるものを用い、上流側から下流側に向けてキャリアで基板を移送する際に、各遮蔽手段により夫々遮蔽される所定範囲を順次変更して単一の基板の面内に各蒸発源で蒸発させた蒸発材料の単層膜が夫々成膜される。
2015087505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の蒸発源が列設される真空チャンバ内に、各蒸発源が列設された方向に沿って処理すべき基板を移送し、基板に多層膜を形成するのに先立って、基板に各蒸発源から供給される蒸発材料の単層膜を成膜して測定用試料を作製する工程を含むインライン式成膜装置の成膜準備方法であって、
基板がキャリアにセットされて上流側の蒸発源に対向した位置から下流側の蒸発源に対向した位置まで連続または断続して移送されるものとし、キャリアとして、基板の片面の所定範囲を夫々選択的に遮蔽できる複数個の遮蔽手段を備えるものを用い、上流側から下流側に向けてキャリアで基板を移送する際に、各遮蔽手段により夫々遮蔽される所定範囲を順次変更して単一の基板の面内に各蒸発源から供給される蒸発材料の単層膜が夫々成膜されることを特徴とするインライン式成膜装置の成膜準備方法。
【請求項２】
真空雰囲気の形成が可能な真空チャンバを備え、真空チャンバ内に、複数個の蒸発源が列設されると共に、各蒸発源が列設された方向に沿って処理すべき基板を移送する基板移送手段が設けられるインライン式成膜装置であって、
基板移送手段が、各蒸発源に対向する基板の片面を開放して保持するキャリアと、キャリアを上流側の蒸発源に対向した位置から下流側の蒸発源に対向した位置まで連続または断続して駆動する駆動手段とを備えるものにおいて、
キャリアは、基板の片面の所定範囲を選択的に遮蔽できる遮蔽手段を備え、基板の片面の所定範囲を遮蔽する遮蔽位置と当該所定範囲が蒸発源を臨む開放位置との間で遮蔽手段を移動する移動手段を設けることを特徴とするインライン式成膜装置。
【請求項３】
前記遮蔽手段は、その下面に開設される複数のスリット孔と各スリット孔を夫々塞ぐ遮蔽板とで構成され、前記移動手段により遮蔽板が遮蔽位置と開放位置との間で移動されるように構成したことを特徴とする請求項２記載のインライン式成膜装置。
【請求項４】
前記遮蔽手段は、複数個のローラとキャリアの下面を覆って各ローラに巻き掛けられた単一の遮蔽板を有し、遮蔽板にキャリアにセットされた基板の所定範囲を露出する開口が形成され、前記移動手段により前記開口の位置を基板面内でずらすように構成したことを特徴とする請求項２記載のインライン式成膜装置。
【請求項５】
インライン式成膜装置にて処理すべき基板の片面を開放して当該基板を移送するのに用いられるキャリアであって、
基板の片面の所定範囲を選択的に遮蔽できる遮蔽手段を備え、外部からの動力が伝達されて、基板の片面の所定範囲を遮蔽する遮蔽位置と当該所定範囲を開放する開放位置との間で遮蔽手段を移動させるための被駆動部を更に有することを特徴とするキャリア。
【請求項６】
インライン式成膜装置にて処理すべき基板の片面を開放して当該基板を移送するのに用いられるキャリアであって、
基板の片面の所定範囲を選択的に遮蔽できる遮蔽手段を備え、基板の片面の所定範囲を遮蔽する遮蔽位置と当該所定範囲を開放する開放位置との間で遮蔽手段を移動させる駆動部を更に有することを特徴とするキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インライン式成膜装置の成膜準備方法及びインライン式成膜装置並びにキャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のインライン式成膜装置は、例えば、ガラス基板等の処理すべき基板の片面（成膜面）に低分子材料膜や金属膜を真空蒸着法にて順次積層（具体的には、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層、陰極等）して有機エレクトロルミネッセンス素子を作製するのに利用されている。このものは、真空ポンプが接続される真空チャンバを備え、真空チャンバ内には、複数個の蒸発源が列設されていると共に、各蒸発源が列設された方向に沿って基板を移送する基板移送手段が設けられている。【０００３】
蒸発源から基板に向かう、基板の下面（成膜面）に成膜をする場合、基板移送手段は、基板の下面を開放して保持するキャリアと、上流側の蒸発源に対向した位置から下流側の蒸発源に対向した位置まで連続（または断続）してキャリアを駆動する駆動手段とを備える。そして、基板移送手段により基板を上流側から下流側に向けて移送し、各蒸発源に対向した位置を通過するときに基板の下面に蒸着源で蒸発させた蒸発材料が夫々供給されることで各単層膜が夫々成膜されて積層膜が形成される（例えば、特許文献１参照）。この場合、各蒸着源の蒸発材料種を変えておけば、各種の膜を所定の膜厚で積層できることになる。【０００４】
ここで、基板移送手段により複数枚の基板を上流側から下流側に向けて一定の速度で順次移送し、各基板表面に積層膜を形成して量産を行う場合、各蒸発源に対向した位置を夫々通過するときに各基板に形成される薄膜の膜厚が所定範囲内のものでないと、積層膜の特性が変化してしまい、これでは製品歩留まりが低下してしまう。基板に夫々形成される薄膜の膜厚は、蒸着源からの蒸発材料の供給量で決定され、例えば、抵抗加熱方式で蒸発材料を蒸発させるようなときには、蒸発材料の加熱温度を調整すれば、基板への供給量を適切に制御することができる。なお、蒸発材料を加熱して蒸発させるとき、加熱当初は蒸発が安定しないため、蒸発源を覆うことができるシャッタを設け、蒸発の安定後、シャッタを退避させて基板への成膜を開始することが一般である。【０００５】
ところで、上記従来例のようなインライン式成膜装置では、蒸発源で蒸発させた蒸発材料は、基板やシャッタだけでなく、蒸発源の周囲や真空チャンバ内に設けた防着板等、真空チャンバ内に存在する部品の表面にも付着、堆積し、この付着、堆積したものが量産に悪影響を与えることがある。このため、減少する蒸発材料の定期的な再供給だけでなく、上記部品の定期的な交換が行われる（所謂メンテナンス）。そして、メンテナンス終了後、量産の開始に先立って、各蒸発源からの膜厚分布や成膜レートが所定範囲のものとなっているかの再確認が行われる（成膜準備）。【０００６】
このような成膜準備方法として、シャッタが遮蔽位置にある状態で蒸発源の加熱手段を夫々稼働させ、基板をセットしたキャリアを複数個用意し、基板移送手段により各キャリアを上流側から下流側に向けて移送し、このとき、各蒸発源のシャッタを適宜退避位置に移動させて、一枚の基板に対して一つの蒸発源からの蒸発材料を供給して単層膜を成膜し、膜厚分布や成膜レート等の測定用試料を作製することが従来から行なわれている。然し、このような成膜準備方法では、蒸発源の数だけ試料作製用の基板が必要なり、成膜準備コストが高くなるばかりか、蒸発源の数に対応した複数枚の基板をキャリアにセットして移送するため、成膜準備のための作業時間が長くなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２３１４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、以上の点に鑑み、成膜準備のための作業時間が短縮できる低コストのインライン式成膜装置の成膜準備方法及びインライン式成膜装置を提供することをその課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、複数個の蒸発源が列設される真空チャンバ内に、各蒸発源が列設された方向に沿って処理すべき基板を移送し、基板に多層膜を形成するのに先立って、基板に各蒸発源から供給される蒸発材料の単層膜を成膜して測定用試料を作製する工程を含む本発明のインライン式成膜装置の成膜準備方法は、基板がキャリアにセットされて上流側の蒸発源に対向した位置から下流側の蒸発源に対向した位置まで連続または断続して移送されるものとし、キャリアとして、基板の片面の所定範囲を夫々選択的に遮蔽できる複数個の遮蔽手段を備えるものを用い、上流側から下流側に向けてキャリアで基板を移送する際に、各遮蔽手段により夫々遮蔽される所定範囲を順次変更して単一の基板の面内に各蒸発源から供給される蒸発材料の単層膜が夫々成膜されることを特徴とする。【００１０】
これによれば、キャリアに基板をセットした状態で上流側から下流側に移送する間で各蒸発源に対向する位置を通過する際（または前）に、いずれかの遮蔽手段を適宜駆動すれば、基板面内で蒸発材料が供給される範囲を適宜変更できるため、単一の基板面内に成膜範囲を変えて、複数の蒸発源から夫々供給される蒸発材料の単層膜が成膜された測定用試料が得られる。その結果、複数枚の基板を使用する上記従来例と比較して成膜準備ための作業時間を短縮でき、しかも、単一の基板しか使用しないため、低コストであり、特に、真空チャンバ内に設ける蒸発源の数が多いような場合、有利になる。【００１１】
また、上記課題を解決するために、真空雰囲気の形成が可能な真空チャンバを備え、真空チャンバ内に、複数個の蒸発源が列設されると共に、各蒸発源が列設された方向に沿って処理すべき基板を移送する基板移送手段が設けられる本発明のインライン式成膜装置は、基板移送手段が、各蒸発源に対向する基板の片面を開放して保持するキャリアと、キャリアを上流側の蒸発源に対向した位置から下流側の蒸発源に対向した位置まで連続または断続して駆動する駆動手段とを備え、キャリアは、基板の片面の所定範囲を夫々選択的に遮蔽できる複数個の遮蔽手段を備え、基板の片面の所定範囲を遮蔽する遮蔽位置と当該所定範囲が蒸発源を臨む開放位置との間で遮蔽手段を移動する移動手段を設けることを特徴とする。【００１２】
これによれば、単一の基板面内に成膜範囲を変えて複数の蒸発源から蒸発材料を供給して単層膜が夫々成膜される構成を実現することができ、成膜準備のための作業時間の短縮と低コスト化に寄与することができる。【００１３】
本発明においては、前記遮蔽手段は、その下面に開設される複数のスリット孔と各スリット孔を夫々塞ぐ遮蔽板とで構成され、前記移動手段により遮蔽板が遮蔽位置と開放位置との間で移動される構成を採用することができる。他方、前記遮蔽手段は、複数個のローラとキャリアの下面を覆って各ローラに巻き掛けられた単一の遮蔽板を有し、遮蔽板にキャリアにセットされた基板の所定範囲を露出する開口が形成され、前記移動手段により前記開口の位置を基板面内でずらす構成を採用することができる。【００１４】
また、インライン式成膜装置にて処理すべき基板の片面を開放して当該基板を移送するのに用いられる本発明のキャリアは、基板の片面の所定範囲を選択的に遮蔽できる遮蔽手段を備え、外部からの動力が伝達されて、基板の片面の所定範囲を遮蔽する遮蔽位置と当該所定範囲を開放する開放位置との間で遮蔽手段を移動させるための被駆動部を更に有するか、または、基板の片面の所定範囲を遮蔽する遮蔽位置と当該所定範囲を開放する開放位置との間で遮蔽手段を移動させる駆動部を更に有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態のインライン式成膜装置の構成を示す平面図、（ｂ）は、その要部の拡大断面図。（ｃ）は、図１（ｂ）中のｃ−ｃ線に沿った断面図。
【図２】本発明の成膜準備方法の実施に使用されるキャリアの斜視図。
【図３】図２に示すキャリアを用いて成膜する手順を説明する断面図。
【図４】図２に示すキャリアを用いた成膜するときの遮蔽板の開閉を説明する断面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の成膜準備方法の実施に使用される変形例に係るキャリアを用いて成膜する手順を説明する断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、他の変形例に係るキャリアを説明する図。
【図７】更に他の変形例に係るキャリアを説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、処理すべき基板をガラス基板（以下、「基板Ｓ」という）とし、この基板ＳをキャリアＳＣ１にセットした状態で移送して基板Ｓ片面（成膜面）に真空蒸着法にて複数の薄膜を成膜する場合を例に本発明のインライン式成膜装置の実施形態を説明する。以下において、後述の蒸発源側を「下」、蒸発源から基板Ｓに向かう方向を「上」とし、また、基板Ｓは、図１（ａ）及び（ｂ）中、右側から左側に移動するものとし、これを基準に方向を示す用語を用いるものとする。
【００１７】
図１（ａ）〜（ｃ）を参照して、ＤＭは、本実施形態のインライン式成膜装置（以下、「成膜装置ＤＭ」という）であり、成膜装置ＤＭは、成膜室１ａを画成する左右方向に長手の第１の真空チャンバ１１を備える。第１の真空チャンバ１１の長手方向両端にはゲートバルブＧＶを介して、準備室１ｂ，１ｃを夫々画成する第２、第３の各真空チャンバ１２，１３が連設されている。また、第２の真空チャンバ１２には、ロードロック室１ｄ，１ｅを夫々画成する第４、第５の真空チャンバ１４，１５がゲートバルブＧＶを介して夫々連設されると共に、第３の真空チャンバ１３には、ロードロック室１ｆ，１ｇを画成する第６、第７の各真空チャンバ１６，１７がゲートバルブＧＶを介して夫々連設されている。第１〜第７の各真空チャンバ１１〜１７には、公知の真空ポンプが夫々接続され、大気圧から所定圧力に真空引きして保持できるよう（真空雰囲気の形成が可能）になっている。
【００１８】
第２の真空チャンバ１２において、第４の真空チャンバ１４に搬入したキャリアＳＣ１に第５の真空チャンバ１５に搬入した基板Ｓをセットし、第１の真空チャンバ１１に移送する。そして、第１の真空チャンバ１１を通過したものが第３の各真空チャンバ１３に移送され、第６、第７の各真空チャンバ１６，１７に基板ＳとキャリアＳＣ１とが別個に回収される。なお、ロードロック室１ｄ〜１ｇでの基板ＷとキャリアＳＣ１との搬入または搬出方法や、準備室１ｂ，１ｃでの基板ＳとキャリアＳＣ１とのセット方法や回収方法等は、真空移送ロボットを用いた公知の方法が利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００１９】
第１の真空チャンバ１１の下部には、同一線上に位置させ左右方向に所定間隔で複数個の蒸発源２１，２２，２３が列設されている（図１では、３個の場合を例示）。蒸発源２１，２２，２３により蒸発される蒸発材料としては、基板Ｓに積層しようとする各薄膜の組成に応じて適宜選択され、また、蒸発源２１，２２，２３としては、蒸発材料種に応じて公知の抵抗加熱方式や電子銃方式のものが用いられる。また、蒸発源２１，２２，２３には、蒸発材料を加熱して蒸発させるとき、加熱当初は蒸発が安定しない場合があるため、蒸発源を覆って基板Ｓへの蒸発材料の到達を防止するシャッタ２１を備えている。そして、各蒸発源が列設された左右方向に沿って基板Ｓを移送する基板移送手段３が第１の真空チャンバ１１の上部に設けられている。
【００２０】
基板移送手段３は、キャリアＳＣ１と、互いに対をなすように第１の真空チャンバ１１の上壁に夫々等間隔で列設された駆動手段としての駆動ローラＤＲとを備える。駆動ローラＤＲは、同期して同一の回転数で回転駆動するように構成された公知のものである。また、キャリアＳＣ１は、図１（ｃ）に示すように、中央に基板Ｓの輪郭に対応する基板収納孔３１ａが開設されたキャリア本体３１を有し、基板収納孔３１ａの下端内縁にはその内方に向けて延出する延出片３２が形成され、基板収納孔３１ａにその上側から落とし込むと、基板Ｓの周縁が延出片３２で支持され、その内方部分が成膜面となるようになっている。また、左右方向に直交する方向に位置するキャリア本体３１の上端外縁にはその外方に向けて延出するフランジ部３３が夫々形成され、フランジ部３３の下面が駆動ローラＤＲに夫々摩擦係合することで下流側へと移送されるようになっている。そして、成膜室１ａ内にて、キャリアＳＣ１に下面を開放して支持された基板Ｓが、上流側（図１中、右側）の蒸発源２１に対向した位置から下流側の蒸発源２３に対向した位置まで連続または断続して移動され、各蒸発源２１，２２，２３に対向した位置を通過するときに基板Ｓの下面に蒸着源２１，２２，２３で蒸発させた蒸発材料が夫々供給されて成膜される。
【００２１】
ところで、上記成膜装置ＤＭでは、減少する蒸発材料を定期的に各蒸発源２１，２２，２３に再供給するだけでなく、第１の真空チャンバ１１に設けた防着板（図示せず）等の部品を定期的に交換する必要がある。その後、量産の開始に先立って、各蒸発源２１，２２，２３からの膜厚分布や成膜レートが所定範囲のものとなっているかの再確認が行われ（成膜準備）、この成膜準備は、量産時の条件で基板Ｓに各蒸発源２１，２２，２３からの単層膜を成膜して測定用試料を作製し、これを評価して行われるが、成膜準備ための作業時間が短縮できて低コスト化が図れるようにする必要がある。
【００２２】
本実施形態では、成膜準備用のキャリアＳＣ２を用いて単一の基板Ｓ面内に成膜範囲を変えて各蒸発源蒸発源２１，２２，２３で蒸発させた蒸発材料の単層膜が夫々成膜されるようにした。図２〜図４を参照して、キャリアＳＣ２は、量産に用いるキャリアＳＣ１と略同一の形態を有するものであるが、その中央に基板Ｓの輪郭に対応する基板収納部３１１が凹設されている。基板収納部３１１の下面には、左右方向に直交する方向に延びる複数のスリット孔３１２が左右方向に等間隔で開設されている。キャリア本体３１の下面には、各スリット孔３１２を夫々塞ぐように遮蔽手段としての遮蔽板３４１，３４２，３４３が設けられている。そして、遮蔽板３４１，３４２，３４３の各々によりスリット孔３１２を選択的に塞いで基板Ｓ下面の所定範囲を遮蔽する遮蔽位置と所定範囲が蒸発源２１，２２，２３を臨む開放位置との間で遮蔽板３４１，３４２，３４３を別個に移動するために移動手段４が設けられている。
【００２３】
移動手段４は、左右方向に直交する方向に位置する遮蔽板３４１，３４２，３４３の一辺が固定される回転軸４１と、回転軸４１を支承する一対の軸受部４２ａ、４２ｂと、一方の軸受部４２ａから外方に突出させた回転軸４１の先端に設けたドリブン側のクラッチ４３と、遮蔽板３４１，３４２，３４３を遮蔽位置または開放位置に吸着保持するためにキャリア本体の下面に設けたマグネット４４ａ，４４ｂとを備える。この場合、回転軸４１と軸受部４２ａ、４２ｂとドリブン側のクラッチ４３とが、外部からの動力を受けて遮蔽板３４１，３４２，３４３を駆動させるための被動部を構成する。移動手段４は更に、第１の真空チャンバ１１の内側壁に形成した透孔１１に挿設される駆動軸４５を備える（図４参照）。透孔１１（駆動軸４５、ひいては後述のドライブ側のクラッチ４６が設けられる位置）は、上流側の蒸発源２１，２２，２３の上流側、及び各蒸発源２１，２２，２３相互の間に形成されている（図３参照）。駆動軸４５の第１の真空チャンバ１１内の一端にはドライブ側のクラッチ４６が設けられ、その他端にはモータ４７の出力軸（図示せず）に連結されている。
【００２４】
モータ４７は支持板４６ａで支持され、支持板４６ａと第１の真空チャンバ１１の外側壁との間には、駆動軸４５及び透孔１１の周囲を囲って第１の真空チャンバ１１を気密保持しつつ、ドライブ側のクラッチ４６をドリブン側のクラッチ４３に対して進退させるためのべローズ４８と駆動部品４９とが設けられている。駆動部品４９は、例えば、支持板４６ａを貫通して設けた操作軸４９ａとエアシリンダ４９ｂとで構成することができる。そして、ドライブ側のクラッチ４６とドリブン側のクラッチ４３とが離間してキャリアＳＣ２の移送を阻害しない退避位置から、駆動部品４９を作動させてドライブ側のクラッチ４６とドリブン側のクラッチ４３とが係合する進入位置に移動させ、この状態でモータ４７により駆動軸４５を回転駆動すると、マグネット４４ａ，４４ｂの吸着力に抗して遮蔽板３４１，３４２，３４３が揺動し、遮蔽位置と開放位置との間で移動自在となる。以下に、図４を参照して、測定用試料を作製する本実施形態の成膜準備方法を説明する。
【００２５】
各蒸発源２１，２２，２３への蒸発材料の再供給等の後、第１〜第７の各真空チャンバ１１〜１７を大気圧から所定圧力に真空引きする。第２の真空チャンバ１２において、第４の真空チャンバ１４に搬入したキャリアＳＣ２に第５の真空チャンバ１５に搬入した測定用試料としての基板Ｓをセットし、第１の真空チャンバ１１に移送する。このとき、全ての遮蔽板３４１，３４２，３４３は、遮蔽側のマグネット４４ａに吸着保持されている。また、シャッタ２１で夫々蒸発源２１，２２，２３を覆った状態で蒸発材料の加熱を開始させておく。なお、基板Ｓとしては、量産に用いるものを利用でき、また、スリット孔３１２に対応する基板Ｓの所定範囲にのみシリコンウエハやガラス基板を貼付したものを用いることもできる。
【００２６】
第１の真空チャンバ１１において、駆動ローラＤＲを回転駆動してキャリアＳＣ２の移送を開始し、最上流側に位置する移動手段４の駆動軸４５に、移送方向先頭に位置する遮蔽板３４１の回転軸４１が対応する位置に到達すると、駆動ローラＤＲの回転駆動を一旦停止する。そして、駆動部品４９により進入位置に移動させてドライブ側のクラッチ４６とドリブン側のクラッチ４３とを係合し、この状態でモータ４７により駆動軸４５を回転駆動し、遮蔽側のマグネット４４ａの吸着力に抗して遮蔽板３４１を揺動させて開放位置に移動し、開放側のマグネット４４ｂに吸着保持させる。この場合、基板Ｓの第１の所定範囲Ｓ１のみがスリット孔３１２を介して最上流側の蒸発源２１を臨むようになる。この状態で下流側へとキャリアＳＣ２の移送を再開し、最上流側の蒸発源２１のシャッタ２１のみを退避させる。これにより、当該蒸発源２１に対向した位置を通過するときに基板Ｓの下面の所定範囲Ｓ１にのみ蒸着源２１で蒸発させた蒸発材料が供給されて成膜される。
【００２７】
次に、最上流側の蒸発源２１を通過し、基板移動方向で隣接する移動手段４の駆動軸４５に、移送方向先頭に位置する遮蔽板３４１の回転軸４１が対応する位置に到達すると、駆動ローラＤＲの回転駆動を一旦停止し、上記と同一の操作で開放側のマグネット４４ｂの吸着力に抗して遮蔽板３４１を揺動させて遮蔽位置に移動し、遮蔽側のマグネット４４ａに吸着保持させる。これにより、蒸着源２１で成膜された第１の所定範囲Ｓ１が再度遮蔽される。そして、キャリアＳＣ２の移送を再開し、上記隣接する移動手段４の駆動軸４５に、隣接する遮蔽板３４２の回転軸４１が対応する位置に到達すると、上記と同一の操作で遮蔽板３４２を揺動させて開放位置に移動し、開放側のマグネット４４ｂに吸着保持させ、この状態で、蒸発源２２のシャッタ２１のみを退避させ、基板Ｓの下面の第２の所定範囲Ｓ２にのみ蒸着源２２で蒸発させた蒸発材料が供給されて成膜される。この操作を更に繰り返して、基板Ｓの下面の第３の所定範囲Ｓ３にのみ蒸着源２３で蒸発させた蒸発材料が供給されて成膜すると、成膜準備用の基板Ｓが形成される。
【００２８】
以上によれば、キャリアＳＣ２に基板Ｓをセットした状態で上流側から下流側に移送する間で各蒸発源２１，２２，２３に対向する位置を通過する前に、いずれかの遮蔽手段３４１，３４２，３４３を適宜駆動すれば、基板Ｓ面内で蒸発材料が供給される範囲を適宜変更できるため、単一の基板Ｓの面内に、複数の蒸発源からの蒸発材料を供給して単層膜を夫々成膜することができる。その結果、複数枚の基板Ｓを使用する上記従来例と比較して成膜準備ための作業時間を短縮でき、しかも、単一の基板しか使用しないため、低コストであり、特に、真空チャンバ１１内に設ける蒸発源の数が多いような場合、有利になる。
【００２９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではない。上記実施形態では、キャリアＳＣ１、ＳＣ２として、基板収納孔３１ａやスリット孔３１２が開設されたものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、キャリア下面に粘着テープを用いて基板を貼付するようにしてもよい。また、移動手段４が複数枚の遮蔽板３４１，３４２，３４３を備える場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、基板Ｓを下流側に向かって移送する際に適宜成膜される範囲を変えることができるものであれば、本発明に広く適用することができる。
【００３０】
また、例えば、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、キャリアＳＣ３は、キャリア本体３１の両フランジ部３３の上左端及び上右端側に夫々設けられ、軸受４０１で軸支されたローラ４０２，４０３と、キャリア本体３１の下面を覆って両ローラ４０２，４０３に巻き掛けられた遮蔽板３００とを備え、遮蔽板３００には、キャリアＳＣ３にセットされた基板Ｓの所定範囲を露出する開口３０１が形成されている。この場合、搬送方向前側のローラ４０２の回転軸は、外方に突出され、その先端にはドリブン側のクラッチ４０４が設けられ、これらの部品が外部からの動力を受けて遮蔽板３００を駆動させるための被動部を構成する。そして、上記実施形態と同様の移動手段４により、キャリアＳＣ３に基板Ｓをセットした状態で上流側から下流側に移送する間で各蒸発源２１，２２，２３に対向する位置を通過する前に、開口３０１を適宜変えれば、基板Ｓ面内で蒸発材料が供給される範囲を適宜変更、つまり、基板Ｓの片面の所定範囲を遮蔽する遮蔽位置と当該所定範囲が蒸発源２１，２２，２３を臨む開放位置との間で遮蔽手段として遮蔽板３００が移動することとなる。この場合、一度の移動手段４の操作で基板Ｓ面内における蒸発材料が供給される所定範囲を変更でき、有利である。
【００３１】
上記においては、キャリアＳＣ２，ＳＣ３に被動部を設けて外部からの動力を受けて遮蔽板３４１，３４２，３４３，３００を駆動させるものを例に説明したが、これに限定されるものではない。図５に示す実施形態と同一の部材または要素について同一の符号を用いて示す図６のように、キャリアＳＣ４自体に、遮蔽板３００の開口３０１を移動させる駆動部を直接設けてもよい。当該変形例に係るキャリアＳＣ４では、ローラ４０２，４０３の回転軸４０２ａ,４０３ａがフランジ部３３に立設した一対の支持部材４１０ａ，４１０ｂで夫々軸支され、一方の支持部材４１０ａから外方に突出させた回転軸４０２ａ,４０３ａの先端部分に、帯状の弾性材４２０ａをコイル状に巻回してなるゼンマイバネ４２０が固定されている。これにより、キャリアＳＣ４の下流側への移動に伴ってゼンマイバネ４２０が元に戻ろうとする力でローラ４０２，４０３が回転されることで遮蔽板３００の開口３０１が移動し、基板Ｓ面内で蒸発材料が供給される範囲を適宜変更することができる。
【００３２】
また、上記実施形態では、スリット孔３１２毎に遮蔽板３４１，３４２，３４３を設けたものを例示したが、図２〜図４に示す実施形態と同一の部材または要素について同一の符号を用いて示す図７のように、他の変形例に係るキャリアＳＣ５では、移送方向先頭に位置する遮蔽板３４１が省略され、隣接する遮蔽板３４２が開放位置に移動されると、移送方向先頭に位置するスリット孔３１２が遮蔽され、更に、隣接する遮蔽板３４３が開放位置に移動されると、中央のスリット孔３１２が遮蔽されるようにしている。また、当該キャリアＳＣ５では、遮蔽板３４２，３４３を移動させる駆動部４３０がキャリアＳＣ４に直接設けられている。駆動部４３０としては、モータ等の公知のアクチュエータが用いられる。この場合、駆動部４３０への給電は、例えば、公知の非接触給電方法を適用したり、または、第１の真空チャンバ１１に設けた各駆動ローラＤＲと、各駆動ローラＤＲを転動するキャリア本体３１のフランジ部３３とを介して行うことができる。一方で、駆動部４３０としてバッテリー付きのものを採用し、給電のための機構を省略することができる。また、カム等の機構を設けて遮蔽位置と開放位置との間で遮蔽板３４１，３４２，３４３を別個に移動できるようにしてもよく、公知のマイクロスイッチやセンサーを用いて遮蔽板３４１，３４２，３４３の開閉のタイミングは制御すればよい。なお、上述の駆動部としてのアクチュエータはキャリアＳＣ４にも当然に採用することができる。
【００３３】
更に、上記実施形態では、成膜装置ＤＭの蒸発源２１，２２，２３として、抵抗加熱方式や電子銃方式のものを用いて真空蒸着法により成膜するものを例に説明したが、移送される基板に対して成膜できるものであれば特に限定はなく、例えばスパッタリングカソードを蒸発源として用いることができ、更に、ＣＶＤ法により成膜するためのガス導入手段で構成することもできる。
【符号の説明】
【００３４】
ＤＭ…インライン式成膜装置、１１…真空チャンバ、２１，２２，２３…蒸発源、３４１，３４２，３４３，３００…遮蔽板（遮蔽手段）、４…移動手段、ＤＲ…駆動ローラ（基板移送手段）、Ｓ…基板、ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，ＳＣ４，ＳＣ５…キャリア（基板移送手段）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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