【事件の表示】
　特願２００１−１５７６０３「半導体ウェーハのラッピング方法およびその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月６日出願公開、特開２００２−３５３１７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 　
　本願は、平成１３年５月２５日の出願であって、平成２０年４月１８日付け拒絶理由通知に応答して、平成２０年６月２０日に明細書を対象とする手続補正がなされたが、平成２０年８月２８日付けで拒絶査定され、これに対して平成２０年１０月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに平成２０年１１月４日に明細書を対象とする手続補正がなされたものである。
　  
第２　平成２０年１１月４日付け手続補正についての補正却下の決定　
［補正却下の決定の結論］　　
　平成２０年１１月４日付け手続補正（以下、「本件補正」という）を却下する。　
［理由］　
１．本件補正の内容
　本件補正は、平成２０年６月２０日付けで補正された明細書をさらに補正するものであり、補正前の【特許請求の範囲】の請求項２を削除するとともに、請求項１に、
「キャリアの自転方向を反対向きに切り換える半導体ウェーハのラッピング方法。」とあるのを、　
「キャリアの自転方向を反対向きに切り換え、正転時のキャリアの自転速度を、逆転時のキャリアの自転速度の２倍とする半導体ウェーハのラッピング方法。」とする補正を含んでいる。　
 　　
２．新規事項追加の有無、補正の目的の適否　
　この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落００２６及び図面の実施例に関する記載を参照すれば、新規事項を追加するものではない。　
　また、この補正により、正転時と逆転時のキャリアの自転速度について特に限定がなかったものを「正転時のキャリアの自転速度を、逆転時のキャリアの自転速度の２倍とする」として限定するものである。　
　したがって、本件補正は、補正前の請求項１に記載されたキャリアの自転速度を限定して特定する補正を含むものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「改正前特許法」という。）第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。　　
　　
３．本願補正発明　
　補正後の本願の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、上記「本件補正」において、補正後の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「平行な上定盤と下定盤との間で、砥粒を含むラップ液を供給しながら、半導体ウェーハをウェーハ保持孔に保持したキャリアを自転および公転させ、半導体ウェーハの表裏両面をラッピングする半導体ウェーハのラッピング方法において、　　
　上記ラッピング中にあって上記半導体ウェーハの厚さを測定することにより、ラッピングの途中で、この半導体ウェーハの厚さがあらかじめ設定した回転切換値に達した時、上記キャリアの自転方向を反対向きに切り換え、　
　正転時のキャリアの自転速度を、逆転時のキャリアの自転速度の２倍とする半導体ウェーハのラッピング方法。」　　
　　
４．引用文献及び引用文献に記載された発明
　原査定の拒絶理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１１３８６０号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。　
（ａ）段落０００１　　　
 「【発明の属する分野】　
　本発明は、半導体ウェハのラッピング装置およびこれを用いたラッピング方法に係り、スライスドウェハをラッピングする半導体ウェハのラッピング方法に関するものである。」　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（ｂ）段落０００２　
　「【従来の技術】　
　切断された半導体ウェハは、面取りをした後に、ラッピングまたは平面研削によりその切断面を整えている。　
　この内、ラッピングは複数の半導体ウェハを処理するバッチ処理であり、その処理効率がもっとも良い。図４に示すように、このラッピングは一般的には互いに反対方向に回転する上定盤３１（図示せず）と下定盤３との間に、その保持孔に複数の半導体ウェハ１０を装填したラッピングキャリア４を配置して、この
ラッピングキャリア４をサンギア５１とインターナルギア５２の回転差により自転させて、上定盤３１と下定盤３に対してラッピングキャリア４が遊星運動をしながら半導体ウェハ１０をラッピングする
　
（ｃ）段落０００３  　
　「尚、ラッピングキャリア４の自転方向は、下定盤３の回転に対向する方向を正回転（矢印Ｘ）とし、その反対を逆回転（矢印Ｙ）とする。」　　　
　　
（ｄ）段落００１０　
　「先ず、本発明の方法で用いられるラッピング装置について説明する。この装置は、所定の回転速度で一方向に回転駆動せしめられるセンタードラム３０と、該センタードラム３０に同期して回転せしめられ、互いに反対方向に回転する上定盤３１および下定盤３と、該上定盤３１と下定盤３との間に装着せしめられ、保持孔４１内に半導体ウェハ１０を装填するように構成されたラッピングキャリア４と、このラッピングキャリア４の周縁に歯合するように装着され、この
ラッピングキャリア４を回転駆動すべく互いに回転差を有しつつ、同軸的に回転するサンギア５１およびインターナルギア５２
　（下線は当審において付与したものである。）　
　
　そして、上記各記載、及び各図面から次の事項は明白である。　　
・特に記載（ｄ）及び図６から、サンギア５１とインターナルギア５２には回転差が設けられており、この回転差により、記載（ｂ）における従来技術の如く、ラッピングキャリアが上定盤と下定盤に対して遊星運動、すなわち公転すること。　　
　
  したがって、刊行物１には次の発明が記載されているものと認められる。　　
「平行な上定盤と下定盤との間で、半導体ウェハを保持孔に保持したラッピングキャリアを自転および公転させ、半導体ウェハの表裏両面をラッピングする半導体ウェハのラッピング方法において、
　上記ラッピングの途中で、設定した時間が経過した時、上記ラッピングキャリアの自転方向を反対向きに切り換える半導体ウェハのラッピング方法。」（以下、この発明を「引用発明」という。）　
　　
５．対比 　
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、その文言上の意義、構造及び機能等からみて、引用発明における「半導体ウェハ」は、本願補正発明の「半導体ウェーハ」に相当し、以下同様に、「保持孔」は「ウェーハ保持孔」に、「ラッピングキャリア」は「キャリア」にそれぞれ相当する。　
　引用発明における「設定した時間が経過した時」は、「設定した値に達した時」という限りで、本願補正発明の「半導体ウェーハの厚さがあらかじめ設定した回転切換値に達した時」と共通する。
　また、引用発明における「正回転」及び「逆回転」は、それぞれ本願補正発明の「正転」及び「逆転」に相当する。　　　
　
　したがって、両者の一致点及び相違点は次のとおりである。　 　　
〈一致点〉　　
「平行な上定盤と下定盤との間で、半導体ウェーハをウェーハ保持孔に保持したキャリアを自転および公転させ、半導体ウェーハの表裏両面をラッピングする半導体ウェーハのラッピング方法において、　　
　上記ラッピングの途中で、設定した値に達した時、上記キャリアの自転方向を反対向きに切り換える半導体ウェーハのラッピング方法。」　　
〈相違点１〉　　
　半導体ウェーハをラッピングする際に、本願補正発明においては、砥粒を含むラップ液を供給するのに対して、引用発明においては、砥粒を含むラップ液を供給するかどうか不明な点。　　
〈相違点２〉　　
　キャリアの自転方向の切り換えを、本願補正発明においては、「ラッピング中にあって半導体ウェーハの厚さを測定することにより、ラッピングの途中で、この半導体ウェーハの厚さがあらかじめ設定した回転切換値に達した時」に行うのに対して、引用発明においては、「ラッピングの途中で、設定した時間が経過した時」に行う点。　　
〈相違点３〉　　
　キャリアの自転速度に関して、本願補正発明においては、「正転時のキャリアの自転速度を、逆転時のキャリアの自転速度の２倍とする」のに対して、引用発明においては、正回転時のラッピングキャリアの自転速度と、逆回転時のラッピングキャリアの自転速度に関して不明な点。　　
　　
６．判断  　
（１）相違点１について　
　半導体ウェーハをラッピングする際に、砥粒を含むラップ液を供給することは、本願出願前に周知の技術（特開平１１−３４７９２６号公報の段落０００２、特開２０００−１０８０２１号公報の段落０００３を参照。）である。　　
　したがって、引用発明に上記周知技術を適用して、本願補正発明の相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。　　　
　　  　
（２）相違点２について　
　ラッピング中に半導体ウェーハの厚さを測定して、その結果に基づきラッピング装置の回転制御を行うことは、本願出願前に周知の技術（特開平９−２６２７６０号公報の段落００１０、特開平１１−１１４８１３号公報の段落０００７を参照。）である。　　
　したがって、引用発明のキャリアの自転方向の切り換えに関して、上記周知技術を適用して、本願補正発明の相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　　
（３）相違点３について　
　半導体ウェーハをラッピングする際に、キャリアの自転速度を正転時と逆転時とで異ならせることは、本願出願前に周知の技術（特開２００１−３０１６４号公報の段落００２９、特開平７−３０８８５５号公報の段落００１７、段落００１９を参照。）である。　
　また、本願明細書及び図面には、キャリアの自転速度を正転時と逆転時とで同じにした場合に比べて、正転時のキャリアの自転速度を、逆転時のキャリアの自転速度の２倍とした方がウェーハ平坦度のバラツキが抑制される記載があるものの、正転時の自転速度を逆転時の自転速度の（３倍や４倍ではなく）２倍とすることの技術的な意義については本願明細書になんら記載はない。
　そうすると、正転時のキャリアの自転速度を、逆転時のキャリアの自転速度の２倍とすることは、実験においてウェーハ平坦度の最適化や好適化を行う過程での当業者の通常の創作能力の発揮であるといえる。　
　したがって、上記周知技術を踏まえ、引用発明のキャリアの自転速度を最適化・好適化して本願補正発明の相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。　
　　　
（４）相違点についてのまとめ　　
　本願補正発明を全体構成でみても、引用発明から予測できる作用効果以上の顕著な作用効果を奏するものではない。　　
　したがって、本願補正発明は、上記刊行物１に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。　　
　
　なお、請求人は平成２２年４月１日付けで提出した回答書の中で、請求項１に関する補正案を提示している。念のため、当該補正案について検討するに、キャリアの自転方向に関して、「ラップ初期の逆転方向からラップ後期の正転方向に切り換え」る技術については、刊行物１の図９（ａ）に記載されているため、仮に当該補正案を採用しても補正後の発明は特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができない。
　　
７．補正却下についてのむすび 　　
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　　
　　
第３　本願発明  　
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２０年６月２０日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１および２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１は以下のとおりのものである。　　
「平行な上定盤と下定盤との間で、砥粒を含むラップ液を供給しながら、半導体ウェーハをウェーハ保持孔に保持したキャリアを自転および公転させ、半導体ウェーハの表裏両面をラッピングする半導体ウェーハのラッピング方法において、　　
　上記ラッピング中にあって上記半導体ウェーハの厚さを測定することにより、ラッピングの途中で、この半導体ウェーハの厚さがあらかじめ設定した回転切換値に達した時、上記キャリアの自転方向を反対向きに切り換える半導体ウェーハのラッピング方法。」（以下、この発明を「本願発明」という）　　　
　　
第４　引用例の記載事項　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献、及びその記載事項は、前記第２、「４．引用文献及び引用文献に記載された発明」に記載したとおりである。　
　　
第５　対比・判断　
　上記第２、「１．本件補正の内容」での検討によれば、本願発明は、前記第２、「３．本願補正発明」から、キャリアの自転速度に関する「正転時のキャリアの自転速度を、逆転時のキャリアの自転速度の２倍とする」との構成を省いたものである。　
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２、「５．対比」及び「６．判断」で検討したように、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　  　
第６　むすび　  　
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　  　
　よって、結論のとおり審決する。