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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラで撮影した映像をエンコーダで映像符号化してＩＰネットワークに出力する監視カメラ装置と、該ＩＰネットワークを介して受信した該映像符号化された映像を復号して表示装置に再生する操作端末と、を備える遠隔映像監視システムにおいて、
前記操作端末は、
描画操作を受け付ける入力手段と、
前記受け付けた描画操作のデータを描画データに変換する変換手段と、
所定のプロトコルで前記描画データを前記エンコーダに送信する描画データ送信手段と、を有し、
監視カメラ装置は、
入力された映像の信号に、受信した前記描画データを処理して生成した描画映像信号を合成した後、該合成された信号を映像符号化することを特徴とする遠隔映像監視システム。
【請求項２】
カメラで撮影した映像をエンコーダで映像符号化してＩＰネットワークに出力する監視カメラ装置と、該ＩＰネットワークを介して受信した該映像符号化された映像を復号して表示装置に再生する操作端末と、を備える遠隔映像監視システムにおいて、
前記操作端末は、
描画操作を受け付け、
前記受け付けた描画操作のデータを描画データに変換し、
所定のプロトコルで前記エンコーダに送信し、
監視カメラ装置は、
入力された映像の信号に、受信した前記描画データを処理して生成した描画映像信号を合成した後、該合成された信号を映像符号化することを特徴とする遠隔映像監視方法。
【請求項３】
映像の入力を受け付ける映像入力手段と、
入力された前記映像を再生する映像再生手段と、
描画操作を受け付ける入力手段と、
受け付けた描画操作のデータを、映像に重畳するための描画データに変換する変換手段と、
所定のプロトコルで前記描画データを送信する描画データ送信手段と、を有することを特徴とする操作装置。
【請求項４】
映像の入力を受け付ける映像入力処理と、
入力された前記映像を再生する映像再生処理と、
描画操作を受け付ける入力処理と、
受け付けた描画操作のデータを、映像に重畳するための描画データに変換する変換処理と、
所定のプロトコルで前記描画データを送信する描画データ送信処理と、をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】遠隔映像監視システム、遠隔映像監視方法、操作装置およびプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像において特定の被写体が存在する被写体領域を認識し、その認識の信頼度を出力する認識手段と、
前記入力画像から抽出した前記被写体領域を含む移動体領域と、後続の入力画像より抽出した抽出領域との間で、複数種類の画像特徴量について重み付け評価をする評価手段と、
前記評価手段による評価の結果に基づいて前記抽出領域の中から前記移動体領域に対応する抽出領域を決定することにより、前記後続の入力画像において前記特定の被写体を追尾する追尾手段と、
前記認識手段が出力した信頼度が閾値を超えている場合に、前記評価手段が行う重み付け評価に用いられる重みを、当該認識が行われた前記入力画像に基づいて更新する更新手段と、を備えることを特徴とする移動体追尾装置。
【請求項２】
前記複数種類の画像特徴量は輝度情報と色情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の移動体追尾装置。
【請求項３】
前記更新手段は、前記認識手段が認識した前記被写体領域の輝度情報および色情報と、前記移動体領域における前記被写体領域以外の背景領域の輝度情報および色情報とに基づいて、前記重みを更新することを特徴とする請求項２に記載の移動体追尾装置。
【請求項４】
前記更新手段は、前記被写体領域と前記背景領域の輝度情報の差分値が予め設定した閾値以下ならば、前記重み評価における輝度情報に対する重みを０とすることを特徴とする請求項３に記載の移動体追尾装置。
【請求項５】
前記更新手段は、前記被写体領域と前記背景領域の色情報の差分値が予め設定した閾値以下ならば、前記重み評価における色情報に対する重みを０とすることを特徴とする請求項３または４に記載の移動体追尾装置。
【請求項６】
前記更新手段は、前記背景領域の輝度情報および色情報が予め設定した閾値以下ならば、前記重み評価における輝度信号の重みを色信号の重みよりも大きくすることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の移動体追尾装置。
【請求項７】
移動体追尾装置の制御方法であって、
認識手段が、入力画像において特定の被写体が存在する被写体領域を認識し、その認識の信頼度を出力する認識工程と、
評価手段が、前記入力画像から抽出した前記被写体領域を含む移動体領域と、後続の入力画像より抽出した抽出領域との間で、複数種類の画像特徴量について重み付け評価をする評価工程と、
追尾手段が、前記評価工程における評価の結果に基づいて前記抽出領域の中から前記移動体領域に対応する抽出領域を決定することにより、前記後続の入力画像において前記特定の被写体を追尾する追尾工程と、
更新手段が、前記認識工程で出力された信頼度が閾値を超えている場合に、前記評価工程で行われる重み付け評価に用いられる重みを、当該認識が行われた前記入力画像に基づいて更新する更新工程と、を有することを特徴とする移動体追尾装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】移動体追尾装置およびその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、移動体追尾装置およびその制御方法に関し、より具体的には、撮像された画像において所定の対象物を追尾する移動体追尾装置およびその制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明の一態様による被写体追尾装置は以下の構成を備える。すなわち、
入力画像において特定の被写体が存在する被写体領域を認識し、その認識の信頼度を出力する認識手段と、
前記入力画像から抽出した前記被写体領域を含む移動体領域と、後続の入力画像より抽出した抽出領域との間で、複数種類の画像特徴量について重み付け評価をする評価手段と、
前記評価手段による評価の結果に基づいて前記抽出領域の中から前記移動体領域に対応する抽出領域を決定することにより、前記後続の入力画像において前記特定の被写体を追尾する追尾手段と、
前記認識手段が出力した信頼度が閾値を超えている場合に、前記評価手段が行う重み付け評価に用いられる重みを、当該認識が行われた前記入力画像に基づいて更新する更新手段と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの平衡水分率が１．５％以下である伝送線路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置であって、
発振素子が接続可能な第１及び第２の外部接続端子と、
入力側が前記第１の外部接続端子とカップリング容量を介して電気的に接続され、出力側が前記第２の外部接続端子と電気的に接続された反転増幅器と、
前記反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗と、
前記カップリング容量に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路と、
前記第１の外部接続端子と接続された第１の信号入出力部と、
前記第２の外部接続端子と接続された第２の信号入出力部と、を備え、
前記半導体装置を発振回路として使用する場合は、前記反転増幅器および前記バイアス安定化回路を動作状態とすると共に、前記第１及び第２の信号入出力部を停止状態とし、
前記半導体装置を信号入出力回路として使用する場合は、前記反転増幅器および前記バイアス安定化回路を停止状態とすると共に、前記第１及び第２の信号入出力部を動作状態とする、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
入射した光又は放射線を変換する変換素子と、前記変換素子の光電変換に応じた電気信号を転送するスイッチ素子と、を有する複数の画素と、
前記電気信号を転送するための信号配線と、
前記スイッチ素子を駆動するためのゲート配線と、
を有する撮像装置であって、
前記絶縁基板の一方の面に、前記複数の画素と、前記信号配線と、前記ゲート配線と、が配置され、
前記絶縁基板は、前記一方の面と前記一方の面の反対側の他方の面とを電気的に結合するビアを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記ビアは、前記複数の画素が配置された領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記ゲート配線に結合された前記ビアは、前記ゲート配線に結合された画素群に対して、前記ゲート配線の配線方向の中央部に配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記絶縁基板の前記他方の面側に配置された、前記スイッチ素子の駆動信号を出力する駆動回路と、前記電気信号を処理する信号処理回路と、を更に有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記絶縁基板の他方の面側に配置され、前記絶縁基板の前記ビアと結合された回路基板を更に有し、前記駆動回路と前記信号処理回路とが前記回路基板の前記絶縁基板とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
筐体を更に有し、前記筐体と、前記駆動回路及び前記信号処理回路との間に配置された、熱伝導フィラーを含有する樹脂からなる熱伝導性絶縁層を有することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
を具備する放射線撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子で撮像されデジタルデータに変換された画像を圧縮する圧縮部と、
前記圧縮部により得られた圧縮データを格納する記憶部とを備え、
前記圧縮部は、
前記デジタルデータを複数のブロックに分割し、
前記複数のブロック毎に、符号量が目標値周辺になるように可変長符号化方式で圧縮を行い、
各前記ブロックの圧縮データを、該ブロックの前記画像上での位置と１対１に対応付けられた前記記憶部の格納領域に夫々格納することを特徴とする画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に配置された素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜上に配置されたヒューズ素子と、
前記ヒューズ素子上に配置された絶縁膜と、
前記絶縁膜に設けられた接続孔を介して前記ヒューズ素子に接続される第１配線層と、
前記第１配線層とその上方に配置された第２配線層との間に設けられた、平坦化された第１金属間絶縁膜および第２金属間絶縁膜と、
前記第２金属間絶縁膜の上に設けられた保護膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記保護膜は前記ヒューズ素子上方に開口領域を有しており、
隣り合う前記ヒューズ素子に接続される前記第１配線層間のスペース幅を前記第１金属間絶縁膜の側壁厚さの２倍未満とすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
半導体基板上に配置された素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜上に配置されたヒューズ素子と、
前記ヒューズ素子上に配置された絶縁膜と、
前記絶縁膜に設けられた接続孔を介して前記ヒューズ素子に接続される第１配線層と、
前記第１配線層とその上方に配置された第２配線層との間に設けられた、平坦化された第１金属間絶縁膜および第２金属間絶縁膜と、
前記第２金属間絶縁膜の上に設けられた保護膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記保護膜は前記ヒューズ素子上方に開口領域を有し、
前記第１配線層の側面にサイドスペーサーを有し、
隣り合う前記ヒューズ素子に接続される前記第１配線層間のスペース幅を、前記サイドスペーサーを形成するための絶縁膜の側壁厚さの２倍未満とすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記サイドスペーサーは、シリコン酸化膜あるいはリン珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜あるいはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
半導体基板上に素子分離絶縁膜を設ける工程と、
前記素子分離絶縁膜上にヒューズ素子を設ける工程と、
前記ヒューズ素子上に絶縁膜を設ける工程と、
前記絶縁膜に接続孔を介して前記ヒューズ素子に接続される第１配線層を、隣り合う前記ヒューズ素子に接続される前記第１配線層間のスペース幅を前記絶縁膜の側壁厚さの２倍未満となるよう設ける工程と、
前記第１配線層の側面にサイドスペーサーを形成する工程と、
前記第１配線層および前記サイドスペーサーを覆うように第１金属間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１金属間絶縁膜の上にＳＯＧを設けてからエッチバックにより前記第１金属間絶縁膜を平坦化し、その上に第２金属間絶縁膜を設ける工程と、
前記第２金属間絶縁膜の上に保護膜を形成する工程と、
前記ヒューズ素子上方の前記保護膜に開口領域を形成する工程と、
を有する半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容してエッチング処理するプラズマエッチング装置の処理室内部に配置されるプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
プラズマエッチング装置用シリコン製部品と、半導体ウエハ用シリコンインゴットの、いずれかのシリコン廃材を回収する工程と、
回収した前記シリコン廃材の電気特性から不純物の含有量を求める測定工程と、
前記測定工程で求めた不純物の含有量と最終製品の電気特性の目標値とに基づき、前記シリコン廃材の投入量と、シリコン原料の投入量と、不純物の投入量を決定する投入量決定工程と、
前記投入量決定工程で決定した投入量の前記シリコン廃材と、シリコン原料と、不純物とを坩堝に投入し、シリコンインゴットを製造する工程と
を具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
前記シリコン廃材の表面に付着した反応生成物を除去する反応生成物除去工程をさらに具備したことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
前記反応生成物除去工程は、研掃材を圧縮気体と共に前記シリコン廃材に噴射して物理的に反応生成物を除去する段階を含む
ことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。
【請求項４】
請求項２記載のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
前記研掃材は、ＣＯ２粒子、Ａｌ２Ｏ３粒子、ＳｉＯ２粒子、ナイロンビーズのうちの少なくともいずれか１種からなる
ことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。
【請求項５】
請求項２〜４いずれか１項記載のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、
前記反応生成物除去工程は、酸エッチング又はアルカリエッチングによって前記シリコン廃材の反応生成物を除去する段階を含む
ことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法。
【請求項６】
基板を収容してエッチング処理するプラズマエッチング装置の処理室内部に配置されるプラズマエッチング装置用シリコン製部品であって、
プラズマエッチング装置用シリコン製部品と、半導体ウエハ用シリコンインゴットの、いずれかのシリコン廃材を回収する工程と、
回収した前記シリコン廃材の電気特性から不純物の含有量を求める測定工程と、
前記測定工程で求めた不純物の含有量と最終製品の電気特性の目標値とに基づき、前記シリコン廃材の投入量と、シリコン原料の投入量と、不純物の投入量を決定する投入量決定工程と、
前記投入量決定工程で決定した投入量の前記シリコン廃材と、シリコン原料と、不純物とを坩堝に投入し、シリコンインゴットを製造する工程と
を具備したプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法によって再生されたシリコンを含む
ことを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン製部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法は、基板を収容してエッチング処理するプラズマエッチング装置の処理室内部に配置されるプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法であって、プラズマエッチング装置用シリコン製部品と、半導体ウエハ用シリコンインゴットの、いずれかのシリコン廃材を回収する工程と、回収した前記シリコン廃材の電気特性から不純物の含有量を求める測定工程と、前記測定工程で求めた不純物の含有量と最終製品の電気特性の目標値とに基づき、前記シリコン廃材の投入量と、シリコン原料の投入量と、不純物の投入量を決定する投入量決定工程と、前記投入量決定工程で決定した投入量の前記シリコン廃材と、シリコン原料と、不純物とを坩堝に投入し、シリコンインゴットを製造する工程とを具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のプラズマエッチング装置用シリコン製部品は、基板を収容してエッチング処理するプラズマエッチング装置の処理室内部に配置されるプラズマエッチング装置用シリコン製部品であって、プラズマエッチング装置用シリコン製部品と、半導体ウエハ用シリコンインゴットの、いずれかのシリコン廃材を回収する工程と、回収した前記シリコン廃材の電気特性から不純物の含有量を求める測定工程と、前記測定工程で求めた不純物の含有量と最終製品の電気特性の目標値とに基づき、前記シリコン廃材の投入量と、シリコン原料の投入量と、不純物の投入量を決定する投入量決定工程と、前記投入量決定工程で決定した投入量の前記シリコン廃材と、シリコン原料と、不純物とを坩堝に投入し、シリコンインゴットを製造する工程とを具備したプラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法によって再生されたシリコンを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体基板を第１のホルダに保持し、第２の半導体基板を第２のホルダに保持する保持工程と、
前記第１のホルダに保持された前記第１の半導体基板と前記第２のホルダに保持された前記第２の半導体基板とを重ね合せ部において互いに位置合わせして重ね合わせることにより、前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を前記第１のホルダと前記第２のホルダとの間に挟み込んだ状態にする挟込工程と、
前記挟み込み状態を維持しながら前記第１のホルダおよび前記第２のホルダを前記重ね合せ部から搬送する第１の搬送工程と、
搬送されてきた前記第１のホルダおよび前記第の２ホルダの前記挟み込み状態を維持しながら前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを貼り合せ部で互いに貼り合わせることにより積層基板を形成する貼り合せ工程と、
前記第１のホルダおよび前記第２のホルダをそれぞれ変形させることにより、前記積層基板を前記第１のホルダおよび前記第２のホルダから剥離する剥離工程と
を含む積層基板の製造方法。
【請求項２】
前記剥離工程は、前記貼り合せ部とは別の剥離部により実施され、
前記貼り合せ工程の後に、前記挟み込み状態を維持しながら前記第１のホルダおよび前記第２のホルダを前記貼り合せ部から前記剥離部に搬送する第２の搬送工程を含む請求項１に記載の積層基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１のホルダおよび前記第２のホルダは、それぞれ前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を保持する基板保持領域を有し、
前記剥離工程において、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの少なくとも一方の前記基板保持領域を中凸に変形させる請求項１または２に記載の積層基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１のホルダおよび前記第２のホルダは、それぞれ前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を保持する基板保持領域を有し、
前記剥離工程において、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの少なくとも一方の前記基板保持領域を中凹に変形させる請求項１から３のいずれか一項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項５】
前記剥離工程では、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダのそれぞれの変形を同時に行う請求項１から４のいずれか一項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項６】
前記貼り合せ工程は、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダ間に前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を挟んだ状態で前記第１のホルダおよび前記第２のホルダを加熱することにより前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を貼り合わせ、
前記剥離工程では、加熱により前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの少なくとも一方に固着した前記基板を剥離する請求項１から５のいずれか一項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項７】
前記剥離工程において、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの間に温度差を生じさせることにより、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダを前記積層基板の厚み方向に変形させる請求項１から６のいずれか１項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項８】
前記剥離工程は、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの一方を冷却することにより、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの前記厚み方向に温度勾配をつけて、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダから前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を剥離する請求項７に記載の積層基板の製造方法。
【請求項９】
前記剥離工程は、さらに、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの他方を冷却することにより、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの前記厚み方向に温度勾配をつけて、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダから前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を剥離する請求項８に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記剥離工程において、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの面内に温度勾配を生じさせることにより、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダをそれぞれ変形させる請求項１から９のいずれか一項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記剥離工程において、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの厚み方向に直交する方向に温度勾配をつけて、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの少なくとも一方を冷却する請求項１０に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１２】
前記剥離工程において、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダをそれぞれ支持する一対のステージに互いに反対向きに冷却媒体を流す請求項１１に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１３】
前記剥離工程において、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダは互いに磁石により連結されている請求項１から１２のいずれか１項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１のホルダおよび前記第２のホルダはそれぞれ静電吸着により前記第１の半導体基板および第２の半導体基板を保持し、
前記剥離工程において、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの前記静電吸着が解除されている請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１５】
前記剥離工程で前記第１のホルダおよび前記第２のホルダと前記積層基板とがそれぞれ剥離したか否かを判断する判断工程を含む請求項１から１４のいずれか一項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１のホルダおよび前記第２のホルダは静電吸着により前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を保持し、
前記判断工程は、静電吸着のリーク電流の値に基づいて剥離したか否かを判断する請求項１５に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１７】
第１のホルダに保持された第１の半導体基板と第２のホルダに保持された第２の半導体基板とを互いに位置合わせして重ね合わせることにより前記第１のホルダと前記第２のホルダとの間に前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を挟み込む挟込部と、
前記第１のホルダと前記第２のホルダとの間に前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を挟んだ状態で前記第１のホルダおよび前記第２のホルダを搬送する搬送部と、
搬送された前記第１のホルダと前記第２のホルダとの間に挟んだ状態で前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに貼り合わせることにより積層基板を形成する貼り合せ部と、
前記第１のホルダおよび前記第２のホルダをそれぞれ変形させることにより、前記積層基板を前記第１のホルダおよび前記第２のホルダから剥離する剥離部と
を備える基板貼り合せ装置。
【請求項１８】
前記積層基板を挟んだ状態で前記第１のホルダおよび前記第２のホルダを前記貼り合せ部から前記剥離部に搬送する第２の搬送部を備える請求項１７に記載の基板貼り合せ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層基板の製造方法および基板貼り合せ装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面とを備えた積層体からなる配線基板であって、
第１の熱膨張率を有する複数の第１の層と、
第２の熱膨張率を有する複数の第２の層と
を有し、
前記第１の層は互いに異なる厚みを有し、且つ前記第２の層は互いに異なる厚みを有し、
前記第１の層と前記第２の層とは、一層ずつ交互に積層されて、前記第１の面と前記第２の面とを備えた前記積層体を形成し、
前記積層体の前記第１の面側から前記第２の面側に向けて前記第１の層の厚みは減少し、
前記積層体の前記第２の面側から前記第１の面側に向けて前記第２の層の厚みは減少し、
前記積層体の前記第１の面側と前記第２の面側とは、前記積層体に形成された配線を介して電気的に導通し、
前記第１の層の前記第１の熱膨張率は、前記第２の層の前記第２の熱膨張率よりも低い
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１の面側に半導体チップ搭載面が形成され、且つ、前記第２の面側に有機基板搭載面が形成され、
前記第１の熱膨張率は、前記半導体チップ搭載面に搭載される半導体チップの熱膨張率と等しく、
前記第２の熱膨張率は、前記有機基板搭載面に接続される有機基板コア材の熱膨張率と等しい
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項２記載の配線基板であって、
前記第１の層と前記第２の層の積層体は、両面に電極配線が形成された前記有機基板コア材上に形成され、
前記有機基板コア材の両面に形成された該電極配線は、前記有機基板コア材を貫通した配線部により互いに電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項３記載の配線基板であって、
前記有機基板コア材は凹部を有し、
前記電極配線は該凹部の底面に形成され、
前記積層体は前記凹部内に形成されている
ことを特徴とする配線基板
【請求項５】
請求項４記載の配線基板であって、
前記積層体において、前記有機基板コア材の前記電極配線に相当する位置で前記積層体の厚み方向に貫通して延在する絶縁部と、
前記積層体の厚み方向に前記絶縁部を貫通して延在する導電部と
をさらに有し、
該導電部の一端は前記積層体の表面に絶縁層を介して形成された配線に接続され、反対端は前記有機基板コア材の前記電極配線に接続されることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項２乃至５のうちいずれか一項記載の配線基板であって、
前記第１の層は前記半導体チップを形成するシリコンにより形成され、前記第２の層は前記有機基板コア材を形成する樹脂により形成されることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
第１の面と第２の面とを備えた積層体からなる配線基板の製造方法であって、
底面に電極配線が形成された凹部を有する有機基板コア材を準備し、
前記凹部内に、互いに厚みの異なる複数の第１の層と互いに厚みの異なる複数の第２の層を、前記積層体の前記第１の面側から前記第２の面側に向けて前記第１の層の厚みは減少し、且つ  前記積層体の前記第２の面側から前記第１の面側に向けて前記第２の層の厚みが減少するように、交互に積層して前記積層体を形成し、
前記積層体の前記第１の面側に半導体チップ搭載面が形成され、且つ、前記第２の面側に有機基板搭載面が形成され、
前記有機基板コア材の前記電極配線に相当する位置において前記積層体を貫通する第１の孔を形成し、
前記積層体の表面に絶縁樹脂層を形成する共に前記孔に絶縁樹脂を充填し、
前記第１の孔に充填された絶縁樹脂を貫通する第２の孔を形成し、
前記絶縁樹脂層の表面に配線を形成すると共に該配線の導電材料を前記第２の孔に充填して前記配線と前記有機基板コア材の電極配線とを電気的に接続する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の配線基板の製造方法であって、
前記有機基板コア材に複数の前記凹部を形成し、
前記凹部の各々に前記積層体を形成し、
前記積層体上の前記配線と前記有機基板コア材の電極配線とを電気的に接続し、
前記有機基板コア材を切断して個々の配線基板に分割する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１の層を前記半導体チップを形成するシリコンにより形成し、前記第２の層を前記有機基板コア材を形成する樹脂により形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の配線基板の製造方法であって、
前記第２の層を半硬化状態で積層することを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施態様によれば、第１の面と第２の面とを備えた積層体からなる配線基板であって、第１の熱膨張率を有する複数の第１の層と、第２の熱膨張率を有する複数の第２の層とを有し、前記第１の層は互いに異なる厚みを有し、且つ前記第２の層は互いに異なる厚みを有し、前記第１の層と前記第２の層とは、一層ずつ交互に積層されて、前記第１の面と前記第２の面とを備えた前記積層体を形成し、前記積層体の前記第１の面側から前記第２の面側に向けて前記第１の層の厚みは減少し、前記積層体の前記第２の面側から前記第１の面側に向けて前記第２の層の厚みは減少し、前記積層体の前記第１の面側と前記第２の面側とは、前記積層体に形成された配線を介して電気的に導通し、前記第１の層の前記第１の熱膨張率は、前記第２の層の前記第２の熱膨張率よりも低いことを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の実施態様によれば、第１の面と第２の面とを備えた積層体からなる配線基板の製造方法であって、底面に電極配線が形成された凹部を有する有機基板コア材を準備し、前記凹部内に、互いに厚みの異なる複数の第１の層と互いに厚みの異なる複数の第２の層を、前記積層体の前記第１の面側から前記第２の面側に向けて前記第１の層の厚みは減少し、且つ  前記積層体の前記第２の面側から前記第１の面側に向けて前記第２の層の厚みが減少するように、交互に積層して前記積層体を形成し、前記積層体の前記第１の面側に半導体チップ搭載面が形成され、且つ、前記第２の面側に有機基板搭載面が形成され、前記有機基板コア材の前記電極配線に相当する位置において前記積層体を貫通する第１の孔を形成し、前記積層体の表面に絶縁樹脂層を形成する共に前記孔に絶縁樹脂を充填し、前記第１の孔に充填された絶縁樹脂を貫通する第２の孔を形成し、前記絶縁樹脂層の表面に配線を形成すると共に該配線の導電材料を前記第２の孔に充填して前記配線と前記有機基板コア材の電極配線とを電気的に接続することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月23日(2012.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
しかしながら、本発明者らが上記目的を達成するために組成及びその製造方法、配向性等を検討した結果、図３に示される直線上から大きくはずれる、同じ誘電率ε３３を有しながらｄ３３値がこれまでの材料に比して大きい圧電体、即ち、上記式（１）及び（２）を満足する圧電体２０ｐとすることにより、下記式（３）及び（４）を満足する、ｄ３３値及びｇ３３が共に優れる、すなわち、発信能および受信能が共に優れる圧電体とすることに成功した（図４を参照。組成は図中に記載。詳細は特願２００９−１６２４２３を参照のこと。）。
１００＜ｄ３３（ｐｍ／Ｖ）  ・・・（３）
８０＜ｇ３３（×１０−３Ｖ・ｍ／Ｎ）  ・・・（４）
（式中、ｇ３３は前記圧電体の電圧出力定数（圧電感度定数）である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
既に述べたように、ペロブスカイト型酸化物において、ＡサイトイオンとＢサイトイオンの質量差｜ＭＡ−ＭＢ｜が大きいほど電気機械結合係数が大きくなり、ｄ定数が高くなる。一方、ｓはヤング率の逆数であるため、比較的低いヤング率の材料を選定することによりある程度特性を高めることは可能であるが、ある程度材料によって範囲が固定される値である。従って、比誘電率を高くすることなくｄ３３値を高くするには、ｋ３３値を高くすることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
Ａサイト及びＢサイトにドーパントを添加することにより、電気特性が良好になることが知られている。ドーパントとして好ましい元素としては、既に述べたＮｂやＭｎの他、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｗ，及びＬｎ（＝ランタニド元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，及びＬｕ））等の金属イオンが挙げられる。また、第３成分を構成する元素の一部が各サイトのドーパントとして機能してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子間に溝を有する基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタを有する処理室と、
前記基板の表面上に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記基板の表面上に供給されたガスを励起するプラズマ生成部と、
素子間に溝を有する基板を前記サセプタに載置し、
前記基板の前記溝に第１成膜レートによって第１酸化膜を形成し、前記第１成膜レートより遅い第２成膜レートによって前記第１酸化膜に第２酸化膜を形成するよう前記ガス供給部と前記プラズマ生成部とを制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１酸化膜の形成時には、前記プラズマ生成部に第１高周波電力を前記プラズマ生成部に供給し、前記第２酸化膜の形成時には、前記第１高周波電力よりも小さい第２高周波電力を前記プラズマ生成部に供給するように制御する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
素子間に溝を有する基板をサセプタへ載置するステップと、
前記基板の前記溝に第１成膜レートによって第一酸化膜を形成する第１酸化膜形成ステップと、
前記第１成膜レートより遅い第２成膜レートによって前記第１酸化膜に第２酸化膜を形成する第２酸化膜形成ステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１酸化膜形成ステップでは、第１高周波電力をプラズマ生成部に供給し、
前記第２酸化膜形成ステップでは、前記第１高周波電力より小さい第２高周波電力を前記プラズマ生成部に供給する、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置および半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ領域及びスクライブ領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された多層配線と、
前記チップ領域に形成され、且つ、前記多層配線の最上層に形成された第１パッドと、
前記スクライブ領域に形成され、且つ、前記多層配線の最上層に形成されたテスト用の第２パッドと、
前記第１パッド上及び前記第２パッド上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、且つ、前記第１パッド上の一部を開口する第1開口部と、
前記パッシベーション膜に形成され、且つ、前記第２パッド上の一部を開口する第２開口部と、
前記チップ領域において、前記パッシベーション膜上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され、且つ、前記第１開口部を介して前記第1パッドと電気的に接続する再配線とを有し、
前記第１パッド及び前記第２パッドは、それぞれ、第1導電性膜及び前記第１導電性膜上に形成された第２導電性膜を含み、
前記スクライブ領域においては、前記第１絶縁膜及び前記再配線は形成されておらず、
前記第２開口部内において露出している前記第２パッドの表面には、前記第２導電性膜が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１導電性膜は、アルミニウムまたは銅を主成分とする材料からなり、
前記第２導電性膜は、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステンまたは窒化タングステンからなる単層膜、若しくは、これらの積層膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体集積回路装置において、
前記パッシベーション膜は、窒化シリコン膜の単層膜、若しくは、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1絶縁膜は、ポリミイド樹脂膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記再配線は、銅膜及び前記銅膜上に形成されたニッケル膜を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体集積回路装置は、更に、
前記第１絶縁膜上及び前記再配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜に形成され、且つ、前記再配線上の一部を開口する第３開口部とを有し、
前記スクライブ領域においては、前記第２絶縁膜は形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体集積回路装置において、
前記第２絶縁膜は、ポリミイド樹脂膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の半導体集積回路装置は、更に、
前記第３開口部を介して前記再配線と電気的に接続するバンプ電極とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記チップ領域と前記スクライブ領域の境界領域における前記パッシベーション膜には第４開口部が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１パッドと前記第２パッドは、電気的に接続していることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体基板には不揮発性メモリセルが形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムであって、
当該無線通信システムとは別の１つ以上の他の種類の無線通信システムにおいて周波数帯域が利用されているか否かを検出する検出手段と、
前記他の無線通信システムにおいて通信される情報の種類に応じて設定された優先度に基づいて、前記検出手段によって利用されていないと検出された周波数帯域を当該無線通信システムが利用するように決定する周波数帯域決定手段と
を有する無線通信システム。
【請求項２】
請求項１の無線通信システムにおいて、
１次利用システムにおける通信において伝送情報の欠落が生じる場合であっても、
２次利用システムがリアルタイム性の低い伝送情報種別のチャネルを優先的に利用するように制御する手段を有する無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面の上に、炭素を含んだ炭素層を形成する工程と、
前記炭素層に電磁波を照射して、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記炭素層に電磁波を照射して、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程は、前記炭素層に電磁波を照射することにより加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記電磁波が、レーザーであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記レーザーが、エキシマレーザーであることを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面の上に、炭素を含んだ炭素層を形成する工程と、
前記炭素層を選択的に加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】
レーザー照射を用いて前記炭素層を選択的に加熱することを特徴とする請求項５記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記レーザー照射は、エキシマレーザーを用いることを特徴とする請求項６記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程では、前記炭素層の温度を、１３００℃以上２３００℃以下にすることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面の上に、炭素を含んだ炭素層を形成する工程と、前記炭素層に電磁波を照射して、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。また、前記炭素層に電磁波を照射して、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程は、前記炭素層に電磁波を照射することにより加熱する工程を含むことを特徴とする。
本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、
前記炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の他の半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面の上に、炭素を含んだ炭素層を形成する工程と、
前記炭素層を選択的に加熱し、炭化珪素からなる炭化緩衝層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収納した基板収容容器から基板移載機構により前記基板を取出し、基板保持具へ搬送する工程を有する基板移載方法であって、前記基板を前記基板保持具に搬送する前に、前記基板収容容器の位置と前記基板収容容器の個数情報及び前記基板収容容器に収容された基板の枚数情報と、前記基板収容容器の所定スロットから前記基板保持具の所定スロットに基板を移載するか規定した情報と、を比較する工程を設けたことを特徴とする基板移載方法。
【請求項２】
基板を収納した基板収容容器から基板移載機構により前記基板を取出し、基板保持具へ搬送する工程と、前記基板が保持された基板保持具を反応炉内へ装入する工程と、前記基板を処理し、処理後の前記基板保持具を前記反応炉から取出す工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板を前記基板保持具に搬送する前に、前記基板収容容器の位置と前記基板収容容器の個数情報及び前記基板収容容器に収容された基板の枚数情報と、前記基板収容容器の所定スロットから前記基板保持具の所定スロットに基板を移載するか規定した情報と、を比較する工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板を収納した基板収容容器から前記基板を取出し、基板保持具へ搬送する基板移載機構と、前記基板を前記基板保持具に搬送する前に、前記基板収容容器の位置と前記基板収容容器の個数情報及び前記基板収容容器に収容された基板の枚数情報と、前記基板収容容器の所定スロットから前記基板保持具の所定スロットに基板移載するか規定した情報と、を比較する制御部を設けた基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対的に厚いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタと相対的に薄いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタを同一半導体基板上に形成する半導体装置において、前記相対的に薄いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタが形成される領域のフィールド絶縁膜の端を相対的に厚いゲート絶縁膜で覆うことにより、前記相対的に薄いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタのチャネル領域が前記フィールド絶縁膜のバーズビーク領域からオフセットされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記相対的に厚いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタは、ソースおよびドレインの高濃度拡散層が前記フィールド絶縁膜によってオフセットされている構造であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
相対的に厚いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタと相対的に薄いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタを同一半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法において、
第１導電型の半導体基板上にパッド酸化膜を形成する工程と、
前記パッド酸化膜上に窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜の所定の領域をエッチングする工程と、
前記エッチングにて形成された窒化膜の開口領域を通じて、後に第１導電型の反転防止拡散層および第２導電型のオフセット拡散層を形成するための不純物を前記半導体基板にイオン注入する工程と、
前記窒化膜がエッチングされた領域にフィールド絶縁膜を形成するとともに前記第１導電型の反転防止拡散層および前記第２導電型のオフセット拡散層を形成する工程と、
前記窒化膜および前記パッド酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板表面に相対的に厚いゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記相対的に厚いゲート絶縁膜を所望の領域のみ除去する工程と、
相対的に薄いゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記相対的に厚いゲート絶縁膜および前記相対的に薄いゲート絶縁膜上に多結晶シリコン膜を堆積する工程と、
前記多結晶シリコン膜に導電性を持たせる工程と、
前記多結晶シリコン膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程と、
前記相対的に厚いゲート絶縁膜をマスクとして、第２導電型の高濃度拡散層となる領域に自己整合的に不純物をイオン注入する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記相対的に厚いゲート絶縁膜を形成する工程は、前記相対的に薄いゲート絶縁膜を形成する工程よりも早く行われることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記相対的に厚いゲート絶縁膜を所望の領域のみ除去する工程において、前記相対的に薄いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタが形成される領域の前記フィールド絶縁膜の端のバーズビーク部分は除去されないことを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記相対的に厚いゲート絶縁膜を所望の領域のみ除去する工程において、前記相対的に厚いゲート絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタの高濃度拡散層となる領域にある前記相対的に厚いゲート絶縁膜が除去されることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記相対的に厚いゲート絶縁膜をマスクとして、前記第２導電型の高濃度拡散層となる領域に自己整合的に不純物をイオン注入する工程において、前記イオン注入を行うときの注入エネルギーは前記相対的に厚いゲート絶縁膜を突き抜けないエネルギーであることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。