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　平成１１年特許願第　５９８６１号「半導体実装用絶縁基板の改質方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月１９日出願公開、特開２０００−２５６０８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．出願の経緯 
　本願は、平成１１年３月８日の出願であって、平成１５年７月１４日に手続補正書が提出されたが、平成１５年７月３１日付けで拒絶査定がなされ、平成１５年９月１０日に審判請求がなされ、平成１８年４月７日付けで当審において拒絶理由が通知され、平成１８年６月７日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　　
２．本願発明
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１８年６月７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 
「【請求項１】　セラミック基板(11)の一部の面又は全面に金属層(13)が形成された半導体実装用絶縁基板において、
　前記金属層(13)が純度９９．９％以上の銅により形成され、
　前記金属層(13)の融点を絶対温度でＴmとするときに、前記絶縁基板(10)を真空中又は不活性ガス雰囲気下、０．５Ｔm〜０．９８Ｔmの温度で０．５〜５時間熱処理した後に、５〜３０℃／分の降温速度で室温まで徐冷し、
　前記セラミック基板(11)にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系箔からなるろう付け用箔(12)を介して金属層(13)をろう付けすることにより、前記セラミック基板(11)に前記金属層(13)が形成された
　ことを特徴とする半導体実装用絶縁基板の改質方法。」
　　
３．引用文献及び引用文献の記載
　当審拒絶理由通知で引用した引用文献１（特開平６−３１０８２２号公報）、引用文献２（特開平８−１３９４２０号公報）、引用文献３（特開平６−３５０２１５号公報）、引用文献４（特開平９−１８１４２３号公報）には、以下の事項が記載されている。
　　
３−１．引用文献１（特開平６−３１０８２２号公報）の記載事項
（１−ａ）「【請求項１】　窒化アルミニウム又は六方晶窒化ホウ素からなり、その熱抵抗が０．１０℃／Ｗ以下であることを特徴とするセラミックス基板。
【請求項２】　請求項１記載のセラミックス基板の片面には銅回路が形成され、反対の面にはセラミックス基板とほぼ等しい面積を有する銅板が接合されてなることを特徴とする銅回路を有するセラミックス基板。」（【特許請求の範囲】【請求項１】【請求項２】）
（１−ｂ）「本発明は、電子部品のパワーモジュール等に使用されるセラミックス基板及びそのセラミックス基板を用いてなる銅回路を有するセラミックス基板に関する。」（段落【０００１】）
（１−ｃ）「基板の構造的な観点から熱抵抗を減少させるとともに、この場合、当然予想される基板の信頼性についても何ら問題のない、換言すれば、低熱抵抗であり、熱衝撃や熱履歴に対しても十分な耐久性をもったセラミックス基板を完成し、本発明を提案するに至ったものである。」（第２欄第２８行−第３４行）
（１−ｄ）「セラミックス基板の厚みが薄くなると全体の強度が小さくなるため、上記熱膨張差による熱応力に対する抗力が弱くなる。したがって、銅とセラミックスとの熱膨張差による熱応力を可能な限り減少させる必要がある。」（第３欄第４７行−第４欄第２６行）
（１−ｅ）「その第２の方策は、セラミックス基板と銅板を接合させた後、非酸化性雰囲気下において、５００〜７００℃の熱処理を加えることにより、銅板の熱収縮によって生じるセラミックス基板への熱応力を緩和させることによって、反り量の変化を減少させることである。具体的には、セラミックス基板と銅板を接合させ、室温まで冷却した後炉に入れ、非酸化性雰囲気下、例えば窒素ガス中、水素ガス中、アルゴン等の不活性ガス中において、温度５００〜７００℃、処理時間１〜３時間程度の熱処理を行い、２℃／分程度の速度で冷却を行う。この熱処理は、接合後であれば、室温に冷却するまでの途中において、温度５００〜７００℃、保持時間１〜３時間で保持することによっても行うことができる。」（段落【００１８】）
（１−ｆ）「銅板の種類については、無酸素銅、タフピッチ銅などが使用される。セラミックス基板と銅板の接合法としては、活性金属ろう付け法、ＤＢＣ法のいずれでも問題はないが、接合温度の低い活性金属ろう付け法がより好ましい。」（第５欄第４１行−第４５行）
（１−ｇ）「実施例１〜２１、比較例１〜３
　実施例１〜３、実施例１０〜１５及び比較例１〜３では平均粒径３μｍ以下の窒化アルミニウム粉末、実施例４〜９及び実施例１６〜２１では平均粒径１μｍ以下の窒化アルミニウム粉末を含むスラリーを調整した後グリーンシートを成形し、バインダーを除去してから窒素雰囲気下１８５０℃の温度で焼結・・・銀粉末７５重量部、銅粉末２５重量部、ジルコニウム粉末２０重量部、テルピネオール１５重量部及び有機結合剤としてポリイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液を固形分で１．５重量部を混合してろう材ペーストを調整し、・・・上記ろう材ペーストの塗布されたセラミックス基板の両面に、そのサイズに応じた種々の厚みの銅板を接触配置してから炉に投入し、高真空中、温度９００℃で３０分加熱した後、２℃／分の降温速度で室温まで冷却して活性金属ろ付け法による接合体を製造した。そして、実施例１０〜２１については、得られた接合体を別の炉内に入れ、窒素ガス中、温度６５０℃、処理時間２時間の熱処理を行い、２℃／分程度の速度で冷却を行った。・・・銅回路を有するセラミックス基板について、ヒートサイクル（熱衝撃）試験を行った。・・・銅板剥離を起こしているものがあればその時のサイクル数を銅板剥離開始回数とし、その数の大小にて耐ヒートサイクル性を評価した。また、反りは、ダイアルゲージによって測定した。」（段落【００２３】〜段落【００２７】）
（１−ｈ）実施例１〜２１の結果を示した表１及び表２
　　
３−２．引用文献２（特開平８−１３９４２０号公報）の記載事項
（２−ａ）「本発明者らは、以上の問題を解消するために銅結晶の微構造に着目して種々検討した結果、銅の平均結晶粒子径とサブ粒界と呼ばれる欠陥密度とを制御することによって銅の降伏強度を低下させることができ、このような銅によって回路基板の回路部分又は放熱板を形成させると、回路基板の反り、耐久性、抗接強度等が改善され高信頼性の回路基板が得られることを見いだし、本発明を完成させたものである。」（段落【０００７】）
（２−ｂ）「回路基板の信頼性を高めるためには、セラミック基板と銅の熱膨張差によって生じる残留応力と発生応力を緩和することが重要なことになるが、銅の降伏強度を低下させることはその両者に有効な手段である。一般に、金属の降伏強度や硬度等の機械的性質はその金属結晶中の欠陥密度の大小に左右され、欠陥密度が小さいほど小さくなる。従って、回路基板の銅としては欠陥密度が小さい方が望ましいといえる。」（段落【００１２】）
（２−ｃ）「銅板とセラミック基板を加熱接合した後冷却すると、セラミック基板の方が収縮率が小さいので銅の方が大きく収縮しようとするが、この場合、銅の降伏強度が小さいと変形しやすくなるのでセラミック基板の変形に追従して変形しようとし回路基板の反りは小さくなる。一方、銅の降伏強度が大きいと変形は追従しようとせずに収縮応力がそのままセラミック基板にかかり回路基板の反りは大きくなる。以上のことから、銅の降伏強度が小さく変形しやすいような状態にしておくと温度変化による応力を銅の変形に分散させることができるので、ヒートサイクル試験におけるような熱衝撃に対しても良好な耐久性を示すことになる。」（段落【００１４】）
（２−ｄ）「【００１５】
　ところで、銅結晶中の欠陥の大きなものとしては粒子間に存在する粒界と、熱によって結晶粒内に発生した双晶とがある。この双晶は通常の粒界と区別するために「サブ粒界」とも呼ばれている。本発明においては、これらの両方を少なくする必要がある。
【００１６】
　粒子間に存在する粒界を少なくするには、結晶粒子をできるだけ大きくすればよく、またサブ粒界を少なくするには焼きなまし等の熱処理を行ってその密度を減少させればよい。銅回路と放熱銅板をセラミック基板に形成させるには、通常、セラミック基板に銅板を８００℃以上の温度で加熱接合しそれをエッチングして行われるので加熱接合前後における銅の状態は大きく異なる。
【００１７】
　銅の結晶粒子は、上記加熱接合によって大きくなるので接合前の銅板の結晶粒子の大きさには特別な配慮を払う必要はないが、不純物が多く含まれていると粒成長を阻害するので、本発明においては無酸素銅板等のように不純物の少ない銅板を使用することが好ましい。
【００１８】
　一方、サブ粒界は、上記加熱接合のみによっては減少しないのであらかじめサブ粒界の少ない銅板を使用することが好ましい。また、上記加熱接合後にサブ粒界を減少させる方法としては、加熱後の冷却速度をできるだけ小さくする、具体的には非酸化性雰囲気下好ましくは１０-5Ｔｏｒｒ以下程度の真空中、２℃／分以下の冷却速度、望ましくは５００〜７００℃の温度域を３時間程度以上で冷却することによって行うことができるので、この方法を採用することもできる。
【００１９】
　本発明において、銅の平均結晶粒子径が４００μｍ未満では銅の降伏強度が高すぎるために回路基板の反りが大きくなる。一方、銅の平均結晶粒子径が適切であっても平均サブ粒界密度が２０ｍｍ／ｍｍ2 をこえると同様に回路基板の反りが大きくなる。」（段落【００１５】〜段落【００１９】）
　　
３−３．引用文献３（特開平６−３５０２１５号公報）の記載事項
（３−ａ）「本発明者らは、以上のような問題点を解決するためにさらに検討を重ねた結果、銅板を窒化アルミニウム基板に接合させる前に、銅板を４００〜６００℃程度の温度で熱処理するなどして銅板の機械的性質すなわちビッカース硬度（Ｈｖ）を５５以下に変化させれば熱衝撃や熱履歴に対する充分な耐久性を持った銅回路を有する窒化アルミニウム基板を製造することができることを見いだし、本発明を完成させたものである。」（段落【０００６】）
（３−ｂ）「本発明は、このような銅回路を有する窒化アルミニウム基板において、その銅回路をビッカース硬度（Ｈｖ）５５以下の銅板を用いて形成させたことが大きな特徴である。ビッカース硬度（Ｈｖ）５５以下の銅板を得るための具体的な手段は焼なましであり、その条件は、窒素、アルゴン、真空等の非酸化性雰囲気下、３００〜６００℃特に４００〜５００℃程度の温度で２〜４時間特に２〜３時間程度保持することが望ましい。処理温度が低すぎたり保持時間が短かったりすると焼なましの効果を得ることができず、また、処理温度が高すぎたり保持時間が長すぎると機械的性質が強くなってしまい不適当となる。焼なましされる銅板としては、無酸素銅板が一般的であるが、タフピッチ銅板等のようにある程度不純物を含んだものであってもよい。」（段落【００１１】）
（３−ｃ）「【作用】
　活性金属ろう付け法においては、銅板又は銅回路パターンと窒化アルミニウム基板との接合温度は８００〜１０００℃程度であるが、比較的短時間で上記反応が起こるので、銅の結晶粒子が焼なましによって成長するよりも、ろう材の金属成分と速く反応してしまうので、冷却後の銅には焼なましによる機械的性質の改善効果は付与されず、ビッカース硬度（Ｈｖ）はかなり大きいままの状態にある。・・・ＤＢＣ法の場合は、その接合温度は１０００℃以上であり、活性金属ろう付け法よりも高温となるので逆に銅の結晶粒子が成長しすぎてしまい、ビッカース硬度（Ｈｖ）を５５以下にする効果、すなわち窒化アルミニウム基板との熱膨張率の差による熱応力を緩和する効果は期待できなくなる。・・・本発明のように、銅回路をあらかじめ焼なまし等の処理を行ってビッカース硬度（Ｈｖ）を５５以下とした銅板を用いて形成させれば、上記の熱応力を緩和することができるものである。」（段落【００１２】〜段落【００１４】）
　　
３−４．引用文献４（特開平９−１８１４２３号公報）の記載事項
（４−ａ）「【請求項１】　セラミックス基板上に活性金属成分を含むろう材を介して金属回路パターンを形成させた後、不要ろう材を薬液処理により除去して得られたものであり、その薬液が（ａ）フッ酸単独、（ｂ）硝酸、硫酸、及び塩酸から選ばれた少なくとも一種の無機酸とフッ酸との混酸、（ｃ）王水、又は（ｄ）水酸化ナトリウム溶液及び／又は水酸化カリウム溶液であることを特徴とするセラミックス回路基板。」（【特許請求の範囲】【請求項１】）
（４−ｂ）「【請求項３】　活性金属成分を含むろう材の金属成分として、銅成分と活性金属成分としてのチタン成分及び／又はハフニウム成分とを含有してなるものを用いたものであることを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。」（【特許請求の範囲】【請求項３】）
（４−ｃ）「【請求項５】　活性金属成分を含むろう材として、銀成分をさらに含有してなるものを用いたものであることを特徴とする請求項３記載のセラミックス回路基板。」（【特許請求の範囲】【請求項５】）
（４−ｄ）「【請求項１０】　活性金属成分を含むろう材として、箔を用いたものであることを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。」（【特許請求の範囲】【請求項１０】）
（４−ｅ）「【請求項１７】　金属回路パターンの材質が、銅、ニッケル、銅合金及びニッケル合金から選ばれた一種又は二種以上であることを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。」（【特許請求の範囲】【請求項１７】）
（４−ｆ）「合金箔を使用する場合の金属成分の具体的な組み合わせは次のとおりである。すなわち、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｚｒ、・・・Ｚｒ成分とＴｉ成分の合計量は３５重量部以下にするのがよい。」（段落【００２７】）
　　
４．対比・判断
 　摘示事項（１−ａ）によると、「セラミックス基板の片面には銅回路が形成され、反対の面にはセラミックス基板とほぼ等しい面積を有する銅板が接合されてなることを特徴とする銅回路を有するセラミックス基板」が記載され、該セラミックス基板は、摘示事項（１−ｂ）からみて、「電子部品のパワーモジュール等に使用され」るものであり、摘示事項（１−ｆ）からみて、銅板としては「無酸素銅、タフピッチ銅などが使用され」、セラミックス基板と銅板は、活性金属ろ付け法で接合されることが記載されている。
　そして、摘示事項（１−ｄ）及び（１−ｅ）によると、銅とセラミックスとの熱膨張差による熱応力を可能な限り減少させるため、つまり銅板の熱収縮によって生じるセラミックス基板への熱応力を緩和させるための一つの方策として、「セラミックス基板と銅板を接合させ、室温まで冷却した後炉に入れ、非酸化性雰囲気下、例えば窒素ガス中、水素ガス中、アルゴン等の不活性ガス中において、温度５００〜７００℃、処理時間１〜３時間程度の熱処理を行い、２℃／分程度の速度で冷却を行う」ことが記載されている。
 　これらを本願発明１の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、「セラミックス基板の片面に銅回路が形成され、反対の面にはセラミックス基板とほぼ等しい面積を有する銅板が接合された、銅回路を有する電子部品のパワーモジュール等に使用されるセラミックス基板において、銅板として無酸素銅板を用い、セラミックス基板と銅板とを接合させた後、不活性ガス中において、温度５００〜７００℃で１〜３時間程度の熱処理を行い、２℃／分程度の速度で冷却を行い、セラミックス基板と銅回路は活性金属ろう付け法によって接合する、方法」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。 
 　ここで、本願発明１と引用発明１とを対比すると、後者における「銅回路」又は「銅板」、「電子部品のパワーモジュール等に使用されるセラミックス基板」、及び「不活性ガス中」は、それぞれ、前者の「金属層」又は「銅」、「半導体実装用絶縁基板」、及び「不活性ガス雰囲気下」に相当し、後者において、「セラミックス基板と銅板とを接合させた後、不活性ガス中において、温度５００〜７００℃で１〜３時間程度の熱処理を行い、２℃／分程度の速度で冷却を行」うことは、銅とセラミックスとの熱膨張差による熱応力を可能な限り減少させるため、つまり銅板の熱収縮によって生じるセラミックス基板への熱応力を緩和させるための処理であって、銅回路を有するセラミックス基板を改質しているといえるから、前者における「半導体実装用絶縁基板の改質方法」に相当する。
　したがって両者は、「セラミック基板の一部の面又は全面に金属層が形成された半導体実装用絶縁基板において、金属層が、銅により形成され、前記絶縁基板を不活性ガス雰囲気下、熱処理し、冷却する、セラミック基板に金属層をろう付けすることにより前記セラミック基板に金属層が形成された半導体実装用絶縁基板の改質方法」である点で一致し、以下の点で相違する。
 　　 
相違点１：本願発明１は、金属層が「純度９９．９％以上の銅により形成され」ているのに対し、引用発明１は、「無酸素銅板」を用いている点 
 　　 
相違点２：本願発明１は、「金属層の融点を絶対温度でＴｍとするとき、０．５Ｔm〜０．９８Ｔmの温度で０．５〜５時間熱処理した後に、５〜３０℃／分の降温速度で室温まで徐冷」しているのに対し、引用発明１は、「温度５００〜７００℃で１〜３時間程度の熱処理を行い、２℃／分程度の速度で冷却」を行っている点 
 　　 
 相違点３：本願発明１は、「セラミック基板にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう付け用箔を介して金属層をろう付け」しているのに対し、引用発明１は、活性金属の種類、ろう付けの具体的方法が不明である点  
 　　 
　最初に相違点２について検討する。
　本願発明１の熱処理温度である「０．５Ｔｍ〜０．９８Ｔｍ」は、銅の融点が絶対温度で約１３５８Ｋであることから、約６７９Ｋ〜１３３１Ｋ（４０６℃〜１０５８℃）となり、引用発明１の熱処理温度５００〜７００℃は、本願発明１の熱処理温度の範囲に完全に含まれる。また、引用発明１における熱処理時間１〜３時間程度は、本願発明１の熱処理時間０．５〜５時間に完全に含まれるから、熱処理温度及び熱処理時間において本願発明１と引用発明１との間に差異はない。
　次に、冷却の条件について検討する。
　まず、引用発明１における、銅とセラミックスとの熱膨張差による熱応力を可能な限り減少させる、つまり、銅板の熱収縮によって生じるセラミック基板への熱応力を緩和させるための熱処理の意義について、さらに考察する。
　引用文献３の摘示事項（３−ｂ）には、銅板に、非酸化性雰囲気下、３００〜６００℃特に４００〜５００℃程度の温度で２〜４時間特に２〜３時間程度保持する条件で、焼きなましすることによりビッカース硬度が５５以下の銅板を得られることが開示され、摘示事項（３−ｃ）には、活性金属ろう付け法においては、銅の結晶粒子が焼きなましによって成長するよりも、ろう材の金属成分と速く反応してしまうので、冷却後の銅には焼きなましによる機械的性質の改善効果は付与されないこと、一方ＤＢＣ法の場合は、銅の結晶粒子が成長しすぎてしまい、ビッカース硬度を５５以下にする効果、すなわち窒化アルミニウム基板との熱膨張率の差による熱応力を緩和する効果が期待できないことが開示されていることからみて、銅板を引用発明１の熱処理条件と重複する条件で焼なまし処理すると結晶粒子が成長することによって、ビッカース硬度が低下し、それによって窒化アルミニウムとの熱膨張率の差による熱応力を緩和できることが公知であるといえる。
　してみると、引用発明１における熱処理によっても、銅の結晶粒子が成長していると解され、結晶粒子が成長して大きくなることにより、銅とセラミックスとの熱膨張差による熱応力が減少する、つまり銅板の熱収縮によって生じるセラミックス基板への熱応力が緩和されるものと解される。
　また、引用文献２の摘示事項（２−ｂ）には、セラミック基板と銅との熱膨張差によって生じる残留応力と発生応力を緩和するためには、銅の降伏強度を低下させることが有効な手段であることが開示されており、かつ、降伏強度又は降伏応力が結晶粒径の平方根に反比例することはホールペッチの法則としてよく知られたことである（必要であれば、特開平８−３３７８５３号公報）。さらに、引用文献３には、上述したとおり、引用発明１の熱処理条件と重複する条件で焼きなまし処理することにより結晶粒子が成長して大きくなることが開示されているといえる。
　してみると、上記引用文献２及び３の開示および周知の技術からみても、やはり引用発明１における熱処理によって、銅の結晶粒子が成長すると解され、結晶粒子が成長して大きくなることにより、降伏強度又は降伏応力が小さくなり、それによって銅とセラミックとの熱膨張差による熱応力が減少する、つまり銅板の熱収縮によって生じるセラミックス基板への熱応力が緩和されるものと解される。
　つまり、引用発明１の熱処理は、結晶粒子を成長させて大きくする、降伏強度を小さくする、熱応力を減少又は緩和するという意義を有しているといえる。
　ここで、加熱された金属の冷却速度、つまり降温速度を大きくすると結晶粒が微細になり、冷却速度が小さくなると結晶粒が十分に成長することは請求人も本願明細書の段落【０００３】で認めているように周知であること（必要であれば、さらに特開平７−１１３７７２号公報）、さらに上述したとおり、降伏強度は結晶粒径の平方根に反比例することも周知である。
　また、例えば特開平９−１６２３２５号公報に、「ベタ銅板の配置された窒化ケイ素基板は、８００〜９５０℃好ましくは８２０〜９００℃の温度で熱処理して両者の接合体を製造する。・・・熱処理後の冷却は、残留応力を極力少なくするために冷却速度を５℃／分以下特に２℃／分以下とする。」（第４欄第４５行−第４７行）と記載されていること、及び、特開平４−１７０３７４号公報に、「活性金属を含む銀銅共晶ろう材を用いて銅板とＡｌＮセラミックス焼結体とを接合する場合に、焼成温度から５００℃〜７００℃まで急冷すると、ろう材成分が銅板へ拡散するのを抑制することができ、銅板が硬化するのを防止することができる。次いでこの温度から徐冷すると急冷時に生じた初晶が合体する。その時のろう材層の変形により銅板とＡｌＮセラミックスとの間の熱応力が緩和される。」ことを考慮して「接合後５００℃以上７００℃以下の温度域まで５℃／分以上の降温速度で急冷した後、２００℃以下まで、５℃／分以下の降温速度で徐冷する」と記載されていることから、銅板を加熱接合した後の冷却速度ではあるが、冷却速度が残留応力、又はろう材による銅板の硬化に影響することが周知であり、５℃／分以上の冷却速度が当業界において特異は値であるともいえない。
　そうすると、引用発明１において、求められる熱応力緩和の程度、つまり降伏強度の程度に応じた結晶粒径、さらに、熱応力と関係すると解される残留応力、及びろう材の影響による銅板の硬化等の要因を考慮して、熱処理後の冷却を２℃／分で行うことに代えて、５〜３０℃／分の降温速度で室温まで冷却することは当業者が容易に想到しうることである。
　
　次に、相違点１について検討する。 
　引用発明１は「銅板として無酸素銅板」を用いるものであり、「無酸素銅板」が不純物の少ない銅板であることは当業者に明らかであるから、不純物を少ないことを純度で表し、かつその程度を９９．９％以上と限定することは当業者が適宜なしうることである。
　また、引用文献２の摘示事項（２−ｄ）の特に段落【００１７】には、「銅の結晶粒子は、・・・不純物が多く含まれていると粒成長を阻害するので、本発明においては無酸素銅板等のように不純物の少ない銅板を使用することが好ましい。」と記載されており、上記相違点２についての検討で述べたとおり、引用発明１における熱処理は、結晶粒子を成長させて大きくし、それによって降伏強度を小さくし、結果として熱応力を緩和しているものと解されることから、引用発明１において、結晶粒径を大きくすることを阻害しないよう、不純物の少ない銅板を使用することは当業者が容易に想到しうることであり、その程度を９９．９％以上と限定することは当業者が適宜なしうることである。
 　　 
 　最後に、相違点３について検討する。 
 　摘示事項（４−ａ）ないし（４−ｆ）からみて、引用文献４には、セラミックス基板上に銅で金属回路パターンを形成する際に、銅成分と、銀成分と、活性金属としてチタン成分を含有するろう材を用い、該ろう材を箔としてろう付けすることが開示されているといえる。
　そして、引用発明１もセラミックス基板上に銅の回路をろう付けにより形成したものであるから、該ろう付けとして、引用文献４に記載された、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のろうを箔として用いてろう付けすることは当業者が容易に想到しうることである。
　　
 　そして、上記相違点１乃至３に係る発明特定事項を採用することによる本願発明１の「金属層が容易に変形してセラミック基板の熱膨張に柔軟に対応するので、セラミック基板や、半導体チップおよび金属層を接合するはんだにクラックが発生することはなく、熱サイクルに対する絶縁基板の信頼性を向上することができる」という効果について検討すると、摘示事項（１−ｇ）、（１−ｈ）には、引用発明１が耐ヒートサイクル性に優れた銅回路を有するセラミック基板であることが開示されており、さらに、摘示事項（２−ｃ）には、降伏強度を小さくすることによって、ヒートサイクルに対して耐久性を有する回路基板となること、摘示事項（３−ａ）には、熱なましによって銅板の硬度を低下すると熱衝撃や熱履歴に対する耐久性を有する基板を製造できることが開示されていることからみて、当業者が予測しうるものであって、格別顕著な効果であるとは認められない。
　また、本願明細書の記載をみても、特に降温速度を５〜３０℃／分と限定する技術的意味について記載はなく、実施例、比較例をみても降温速度によって格別な効果が奏されるとも認められない。
　なお、請求人は平成１５年１１月１日付けの実験成績証明書において、窒化アルミニウムに銅をＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系箔を用いてろう付けし、所定温度で所定時間処理すると、温度サイクル寿命が長くなること、該温度サイクル寿命に対する熱処理効果は銅をＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系箔を用いてろう付けした例の方が、アルミニウムをＡｌ−Ｓｉ系箔を用いてろう付けした例に比べて大きいことを示しているが、該効果のうち、温度サイクル寿命が長くなる点については、上述したとおり、引用文献１乃至３の記載から当業者が予測しうるものである。また、温度サイクル寿命に対する熱処理効果の違いについては、当初明細書には記載されていない効果であるから、そのような主張を採用することはできない。仮に、該効果についての主張を採用したとしても、引用発明１も銅をセラミック基板にろう付けしたものであって、やはり温度サイクル寿命に対する熱処理効果が大きくなると予測されるから、格別顕著な効果であるとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願請求項１に係る発明は、引用文献１ないし４に記載された発明、及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。