(57)【要約】本発明は、式（１）：Ｃ６Ｈ６−ｉ−［Ｏ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−ＣＨ２―Ｒ−ＣＨ２−Ｘ］ｉ （１）（式中、ｎは２〜６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、または−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣ６Ｈ４−ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１〜６の整数である。Ｒは、−（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ−である。ｘ及びｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは０〜３０の実数である。ｗは０〜２０の実数である。ｐは１〜３の整数である。）で表される化合物、この化合物を含有する潤滑剤及び磁気ディスクに関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）：Ｃ６Ｈ６−ｉ−［Ｏ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−ＣＨ２―Ｒ−ＣＨ２−Ｘ］ｉ  （１）（式中、ｎは２〜６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、または−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１〜６の整数である。Ｒは、−（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ−である。ｘ及びｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは０〜３０の実数である。ｗは０〜２０の実数である。ｐは１〜３の整数である。）で表される化合物。
【請求項２】
式（１）：Ｃ６Ｈ６−ｉ−［Ｏ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−ＣＨ２―Ｒ−ＣＨ２−Ｘ］ｉ  （１）（式中、ｎは２〜６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、または−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１〜６の整数である。Ｒは、−（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ−である。ｘ及びｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは０〜３０の実数である。ｗは０〜２０の実数である。ｐは１〜３の整数である。）で表される化合物を含有する潤滑剤。
【請求項３】
支持体上に少なくとも記録層及び保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（１）：Ｃ６Ｈ６−ｉ−［Ｏ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−ＣＨ２―Ｒ−ＣＨ２−Ｘ］ｉ  （１）（式中、ｎは２〜６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、または−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１〜６の整数である。Ｒは、−（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ−である。ｘ及びｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは０〜３０の実数である。ｗは０〜２０の実数である。ｐは１〜３の整数である。）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、芳香族基及び水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】  磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録及び再生を行うヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面にはヘッドとの接触又は摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜及び潤滑剤被膜が設けられている。炭素保護膜は、一般にスパッタ法又はＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜、及びこの上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになる。特に最表面に用いられる潤滑層は、長期安定性、化学物質耐性、摩擦特性、耐熱特性等の様々な特性が求められる。【０００３】  従来は磁気ディスク用潤滑剤として、分子末端に水酸基、アミノ基等の官能基を有するフルオロポリエーテルが多く用いられてきた。しかし、フルオロポリエーテル系潤滑剤は、ルイス酸への耐久性が低く、磁気ヘッドとの接触等により、主鎖が磁気ヘッド部材中に含まれるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）によって切断されて潤滑剤の低分子化が起こり、最終的に磁気ディスク上から消失してしまうため、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触又は摺動を伴う系では潤滑剤被膜を維持できなくなるという問題がある。【０００４】  また、近年の磁気ディスクの急速な情報記録密度の向上に伴い、磁気ヘッドと磁気ディスクの記録層との間の磁気スペーシングの低減が求められており、磁気ヘッドと磁気ディスクの記録層との間に存在する潤滑層の膜厚をより一層薄くすることが重要となってきている。【０００５】  このような要求に対し、分子末端及び分子鎖中に官能基を有するフルオロポリエーテル系潤滑剤が提案されている（例えば、特許文献１〜４）。特許文献１には、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤を用いることにより、高分子化しても一分子分の膜厚が薄くなることが記載されている。特許文献２には、分子末端及び分子鎖中央に水酸基を有し、さらに分子鎖中央に芳香環を含む場合もある潤滑剤を用いることにより、高被覆率で潤滑層膜厚を薄膜化できることが記載されている。特許文献３には、分子末端及び分子鎖中央に芳香環を有する化合物を用いることにより、耐熱性が改善できることが記載されている。特許文献４には、分子末端に水酸基を有し、分子鎖中央にベンゼン環を有する潤滑剤を用いることにより、一分子あたりの膜厚を低減してヘッドとディスクのスペーシングを低減し、摺動耐久性を発現することが記載されている。【０００６】  しかしながら、一分子あたりの膜厚を低減して磁気ヘッドと磁気ディスクのスペーシングを低減し、かつ磁気ヘッドと接触してもアルミナにより分解されない潤滑剤は特許文献１〜４には記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−０７０１７３号公報
【特許文献２】国際公開第ＷＯ２００８／０３８７９９号
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１０／０１９７８６９号明細書
【特許文献４】特許第５３２７８５５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  本発明の課題は、磁気ヘッドと接触しても分解し難く、かつ磁気ヘッドと磁気ディスクのスペーシングを低減することができる化合物およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、ベンゼン環が、分子末端に水酸基等の官能基を有する特定のフルオロポリエーテル鎖で二または三置換された化合物を用いることにより、上記課題を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。【００１０】  本発明は、以下の化合物、潤滑剤及び磁気ディスクに係る。１．式（１）：Ｃ６Ｈ６−ｉ−［Ｏ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−ＣＨ２―Ｒ−ＣＨ２−Ｘ］ｉ  （１）（式中、ｎは２〜６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、または−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１〜６の整数である。Ｒは、−（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ−である。ｘ及びｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは０〜３０の実数である。ｗは０〜２０の実数である。ｐは１〜３の整数である。）で表される化合物。２．式（１）で表される化合物を含有する潤滑剤。３．支持体上に少なくとも記録層及び保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
【発明の効果】
【００１１】  本発明の芳香族基及び水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、一分子あたりの膜厚低減と耐分解性という２つの課題を同時に解決することができる化合物である。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、磁気ヘッドと磁気ディスクとのスペーシングを低減でき、かつ磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触摺動においても優れた耐久性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】  本発明の式（１）で表されるフルオロポリエーテルは、芳香族基及び水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物である。
【００１４】  式（１）で表される本発明の化合物は、例えば片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）と、２つまたは３つのハロゲン化アルコキシ基を有するベンゼン（ｂ）を反応させることにより得られる。具体的には以下の方法により合成される。
【００１５】  第１工程は、片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）を合成する工程である。
【００１６】  両末端に水酸基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ｃ）と、水酸基と反応してエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を形成する化合物（ｄ）を反応させる。反応温度は通常１０〜６０℃、好ましくは２０〜４０℃である。反応時間は、通常２〜２０時間、好ましくは１０〜１５時間である。化合物（ｄ）の使用量は、フルオロポリエーテル（ｃ）に対して０.５〜１.５当量であることが好ましい。この反応を行う際には反応促進剤を使用しても良い。その後、例えばカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、片方の末端に水酸基を有し、かつ他方の末端にエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）を得る。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてジメチルホルムアルデヒド、１，４−ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。反応促進剤としてイミダゾール、ピリジン、水酸化ナトリウムなどを挙げることができる。
【００１７】  両末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル（ｃ）としては、例えばＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される化合物（ｃ−１）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される化合物（ｃ−２）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される化合物（ｃ−３）等を挙げることができる。これらのフルオロポリエーテルの数平均分子量は通常３００〜２０００、好ましくは４００〜１５００、より好ましくは５００〜８００である。ここで数平均分子量は日本電子製ＪＮＭ−ＥＣＸ４００による１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲの測定において、試料を溶媒へは希釈せず、試料そのものを測定に使用した。ケミカルシフトの基準は、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをもって代用した。
【００１８】  ｗは通常０〜２０の実数であり、好ましくは０〜１０の実数であり、さらに好ましくは０〜５の実数である。ｘは、通常０〜３０の実数であり、好ましくは１〜２０の実数であり、さらに好ましくは５〜１０の実数である。ｙは、通常０〜３０の実数であり、好ましくは１〜２０の実数であり、さらに好ましくは５〜１０の実数である。ｚは、通常０〜２０の実数であり、好ましくは１〜１５の実数であり、さらに好ましくは３〜１０の実数である。なお、上記の化合物（ｃ−１）のｐは３であり、化合物（ｃ−２）のｐは１であり、化合物（ｃ−３）のｐは２である。
【００１９】  上記フルオロポリエーテル（ｃ）は、分子量分布を有する化合物であり、重量平均分子量／数平均分子量で示される分子量分布（ＰＤ）として、通常１.０〜１.５であり、好ましくは１.０〜１.３であり、より好ましくは１.０〜１.１である。なお、当該分子量分布は、東ソー製ＨＰＬＣ−８２２０ＧＰＣを用いて、ポリマーラボラトリー製のカラム（ＰＬｇｅｌ  Ｍｉｘｅｄ  Ｅ）、溶離液はＨＣＦＣ系代替フロン、基準物資としては、無官能のフルオロポリエーテルを使用して得られる特性値である。
【００２０】  水酸基と反応してエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を形成する化合物としては、例えば酸無水物、シリルハライド、アルキルハライドなどを挙げることができる。
【００２１】  酸無水物としては、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、ＲａＯＲｂ（Ｒａ及びＲｂは同一又は異なって、ＣＨ３ＣＯ、ＰｈＣＯ、ＣＨ３ＳＯ２、ＰｈＳＯ２、ＣＦ３ＣＨ２ＣＯ、又はＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ２を示す。なお、Ｐｈはフェニルを示す。）で表される化合物を挙げることができる。ＲａＯＲｂで表される化合物の具体例としては、無水トリフルオロメチル酢酸、無水安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、無水酢酸、酢酸安息香酸無水物、メタンスルホン酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物などを挙げることができる。
【００２２】  シリルハライドとしては、（Ｒｃ）３ＳｉＹ、Ｒｄ（Ｒｅ）２ＳｉＹ、ＲｄＲｅＲｇＳｉＹ（Ｒｃは炭素数１〜４のアルキル又はＰｈを示し、Ｒｄは炭素数１〜１８のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、Ｐｈ、ＰｈＣＨ２、ペンタフルオロフェニル、シアノプロピル又はビニルを示し、Ｒｅは炭素数１〜２のアルキル又はＰｈを示し、Ｒｇはフェニル基で置換した炭素数１〜４のアルキルを示し、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す。）で表される化合物を挙げることができる。具体的にはトリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジフェニルシリルクロリド、（３−シアノプロピル）ジメチルクロロシラン、ベンジルクロロジメチルシラン、ブチルジメチルクロロシラン、クロロ（デシル）ジメチルシラン、クロロ（ドデシル）ジメチルシラン、クロロジメチル（３−フェニルプロピル）シラン、クロロジメチルフェニルシラン、クロロジメチルプロピルシラン、クロロジメチルビニルシラン、ジエチルイソプロピルシリルクロリド、ジメチル−ｎ−オクチルクロロシラン、ジメチルエチルシリルクロリド、ジメチルイソプロピルクロロシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、メチルオクタデシル（３−フェニルプロピル）クロロシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、ｔ−ブトキシジフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、トリフェニルクロロシランなどを挙げることができる。
【００２３】  アルキルハライドとしてはＡＹ（Ａは炭素数１〜５のアルキルを示し、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す。）で表される化合物を挙げることができる。具体的にはクロロメタン、ブロモメタン、ヨードメタン、クロロエタン、ブロモエタン、ヨードエタン、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン、１−ヨードプロパン、２−ヨードプロパン、１−ブロモ−２−メチルプロパン、１−ブロモブタン、２−ブロモ−２−メチルプロパン、２−ブロモブタン、１−ヨード−２−メチルプロパン、１−ヨードブタン、２−ヨード−２−メチルプロパン、２−ヨードブタン、１−ヨード−２−メチルブタン、１−ヨード−３−メチルブタン、１−ブロモ−３−メチルブタン、１−ブロモペンタン、２−ブロモ−２−メチルブタン、３−ブロモペンタンなどを挙げることができる。
【００２４】  例えば、化合物（ｃ）としてＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨを用い、化合物（ｄ）として無水酢酸を用いた場合、両者の反応により、ＣＨ３ＣＯＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨとＣＨ３ＣＯＯＨ及びＣＨ３ＣＯＯＨが生成し、この前者の化合物が化合物（ａ）である。また、化合物（ｄ）としてトリメチルシリルクロリドを用いた場合、化合物（ａ）として（ＣＨ３）３ＳｉＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨが生成する。
【００２５】  第２工程は、本発明の化合物を合成する工程である。
【００２６】  上記第１工程で得られたフルオロポリエーテル（ａ）と、式（２）：Ｃ６Ｈ６−ｉ−［Ｏ−（ＣＨ２）ｎ−Ｙ］ｉ  （２）（式中、ｎは２〜６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す。）で表される２つまたは３つのハロゲン化アルコキシ基を有するベンゼン（ｂ）とを、触媒又はアルカリ金属の存在下で反応させる。
【００２７】  式（２）において、ｎは２〜４の整数であることが好ましい。式（２）においてｉが３である化合物の具体例として、１，３，５−トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，２，３−トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，２，４−トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，３，５−トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン、１，２，３−トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン、１，２，４−トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン等を挙げることができる。式（２）においてｉが２である化合物の具体例として、ｏ−ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｍ−ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｐ−ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｏ−ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン、ｍ−ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン、ｐ−ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン等を挙げることができる。
【００２８】  反応温度は通常５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃である。反応時間は、通常２０〜１００時間、好ましくは５０〜８０時間である。化合物（ｂ）は、化合物（ａ）に対して０．２〜１.０当量使用することが好ましい。触媒は、化合物（ａ）に対して０．０５〜０．１当量使用することが好ましく、アルカリ金属は化合物（ａ）に対して１．０〜２．０当量使用するのが好ましい。触媒としてｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、水素化ナトリウムなどのアルカリ化合物などを用いることができる。アルカリ金属としてナトリウム、カリウムなどを用いることができる。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてｔ−ブタノール、トルエン、キシレンなどを用いることができる。その後、例えば水洗及び脱水する。その後、フルオロポリエーテルの片方の末端に残存している保護基（エステル基、シロキシ基またはアルコキシ基）を加水分解などにより脱保護する。これによりＸ＝−ＯＨである本発明の化合物（１）が得られる。脱保護を行う際には、テトラブチルアンモニウムフルオリド、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム等の脱保護促進剤を用いてもよい。
【００２９】  Ｘ＝−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、又は−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３である本発明の化合物（１）は、上記工程により得られたＸ＝−ＯＨの化合物から、例えば、以下のようにして製造することができる。
【００３０】  Ｘ＝−ＯＨの化合物にアルカリ金属、Ｙ（ＣＨ２）ｍＯＨ（Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示し、ｍは１〜６の整数である。）で表されるハロアルコールを反応させることにより、Ｘ＝−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨである本発明の化合物（１）が得られる。ｍは１〜４が好ましく、２〜４がさらに好ましい。アルカリ金属として、ナトリウム、カリウムなどを用いることができる。
【００３１】  Ｘ＝−ＯＨの化合物にグリシドールを触媒の存在下で反応させることにより、Ｘ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨである本発明の化合物（１）が得られる。
【００３２】  Ｘ＝−ＯＨの化合物にグリシジルフェニルエーテルを触媒の存在下で反応させることにより、Ｘ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５である本発明の化合物（１）が得られる。
【００３３】  Ｘ＝−ＯＨの化合物にグリシジル４−メトキシフェニルエーテルを触媒の存在下で反応させることにより、Ｘ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３である本発明の化合物（１）が得られる。
【００３４】  これらの反応において、反応温度は通常５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃である。反応時間は、通常２０〜１００時間、好ましくは５０〜８０時間である。反応は溶剤中で行ってもよい。アルカリ化合物は、Ｘ＝−ＯＨである本発明の化合物（１）の水酸基に対して、１．０〜２.０当量使用することが好ましい。触媒は、Ｘ＝−ＯＨである本発明の化合物（１）の水酸基に対して、０．０５〜０.１当量使用することが好ましい。Ｙ（ＣＨ２）ｍＯＨ、グリシドール、グリシジルフェニルエーテルまたはグリシジル４−メトキシフェニルエーテルは、それぞれＸ＝−ＯＨである本発明の化合物（１）の水酸基に対して、１．０〜２.０当量使用することが好ましい。その後、例えば水洗及び脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、目的とする化合物がフラクションとして得られる。
【００３５】  本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ−５０６０、ＰＦ−５０８０、ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０.００１〜０.１ｗｔ％である。
【００３６】  本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えばＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
【００３７】  本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクとヘッドの低スペーシング化を実現し、さらに摺動耐久性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、分子末端の水酸基による炭素保護膜に存在する極性部位との相互作用、加えて分子鎖中の芳香族基による炭素保護膜に存在する炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや、光磁気記録装置、磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはＳｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＳｉＯ２などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
【００３８】  図１に本発明の磁気ディスク断面の模式図を示す。本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有する構成である。支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
【００３９】  磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。保護層の材料はカーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。
【００４０】  現在、流通している潤滑層の厚さは３０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、他の潤滑剤と混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５〜１５Åが好ましい。
【００４１】  下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理及び／又は紫外線処理を行うことができる。熱処理温度は、通常６０〜１５０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
【００４２】  本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録、再生又は消去を行うための磁気ヘッド、磁気ディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系とからなる磁気ディスク装置に応用できる。
【００４３】  本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理又は制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。
【実施例】
【００４４】  以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。なお、１９Ｆ−ＮＭＲは溶媒；なし、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをケミカルシフトの基準として、１Ｈ−ＮＭＲは溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏの条件で測定した。【００４５】実施例１Ｃ６Ｈ３−［Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｏ−ＣＨ２―Ｒ−ＣＨ２−ＯＨ］３（化合物１）の合成  Ｒは−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−である。【００４６】  アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（５０ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表されるフルオロポリエーテル（ｗ＝１.５、数平均分子量７００、分子量分布１.１５）１００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（２５ｇ）およびイミダゾール（１１ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、混合物を水洗及び脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ１）を５６ｇ得た。この化合物（ａ１）（５６ｇ）をｔ−ブタノール（２８ｇ）に溶解させ、式（ｂ１）：  【００４７】
【化１】
2015093237.tif 000002
【００４８】で表される化合物（７ｇ）と水素化ナトリウム（３ｇ）を加えて、７０℃で４日間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物１を２０ｇ得た。【００４９】  化合物１は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６８ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物１の同定結果を示す。【００５０】１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）δ＝−８３.５ｐｐｍ〔３０Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，δ＝−１２０.３ｐｐｍ〔６Ｆ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，〔６Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，δ＝−１２３.１ｐｐｍ〔６Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，δ＝−１２５.８ｐｐｍ〔１８Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，δ＝−１２７.４ｐｐｍ〔１２Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，ｗ＝１.５【００５１】１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）δ＝１．９ｐｐｍ〔６Ｈ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ〔２７Ｈ，ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−、（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，δ＝６.１ｐｐｍ〔３Ｈ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕【００５２】実施例２Ｃ６Ｈ３−［Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｏ−ＣＨ２―Ｒ−ＣＨ２−ＯＨ］３（化合物２）の合成  Ｒは−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−である。【００５３】  アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（１００ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表されるフルオロポリエーテル（ｘ＝６、ｙ＝６、数平均分子量１３００、分子量分布１.２０）２００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（２５ｇ）およびイミダゾール（９ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、混合物を水洗及び脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ２）を１００ｇ得た。この化合物（ａ２）（８２ｇ）をｔ−ブタノール（７４ｇ）に溶解させ、上記の式（ｂ１）で表される化合物（７ｇ）と水素化ナトリウム（３ｇ）を加えて、７０℃で４日間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物２を２７ｇ得た。【００５４】  化合物２は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７６ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物２の同定結果を示す。【００５５】１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣ���2Ｏを−５３．７ｐｐｍとする。）δ＝−５２.１ｐｐｍ、−５３.７ｐｐｍ、−５５.４ｐｐｍ〔３２Ｆ，−ＯＣＦ２Ｏ−〕，δ＝−７８．０ｐｐｍ、−８０．０ｐｐｍ〔６Ｆ，（−ＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，δ＝−８１．０，−８３．０ｐｐｍ〔６Ｆ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，δ＝−８９.１ｐｐｍ、−９０.７ｐｐｍ〔６７Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕ｘ＝５.４ｙ＝５.６【００５６】１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）δ＝１．９ｐｐｍ〔６Ｈ，（−ＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，δ＝３.０〜４．０ｐｐｍ〔２７Ｈ，ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ−、（−ＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，δ＝６.１ｐｐｍ〔３Ｈ，（−ＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕【００５７】実施例３Ｃ６Ｈ３−［Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｏ−ＣＨ２−Ｒ−ＣＨ２−ＯＨ］３（化合物３）の合成  Ｒは−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。【００５８】  アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（１７５ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表されるフルオロポリエーテル（ｚ＝７、数平均分子量１４８０、分子量分布１.２０）３５０ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（４５ｇ）およびイミダゾール（１８ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、水洗、脱水、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ３）を２００ｇ得た。この化合物（ａ３）（１４０ｇ）をｔ−ブタノール（１４０ｇ）に溶解させ、上記の式（ｂ１）で表される化合物（１２ｇ）と水素化ナトリウム（４ｇ）を加えて、７０℃で４日間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（１００ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物３を３０ｇ得た。【００５９】  化合物３は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７７ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物３の同定結果を示す。【００６０】１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ2ＣＦ２Ｏを−１２９．７ｐｐｍとする。）【００６１】δ＝−８３.７ｐｐｍ〔８８Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕δ＝−８６．４ｐｐｍ〔１２Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕δ＝−１２４．３ｐｐｍ〔６Ｆ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕δ＝−１２７．５ｐｐｍ〔６Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，δ＝−１２９．７ｐｐｍ〔４４Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕ｚ＝７．３【００６２】１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）δ＝１．９ｐｐｍ〔６Ｈ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，δ＝２．８〜４．２ｐｐｍ〔２７Ｈ，ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−、（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ３〕，δ＝６.１ｐｐｍ〔３Ｈ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３−Ｃ６Ｈ���〕【００６３】実施例４Ｃ６Ｈ４−［Ｏ−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＨ２−Ｒ−ＣＨ２−ＯＨ］２（化合物４）の合成  Ｒは−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。【００６４】  アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（１７５ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表されるフルオロポリエーテル（ｚ＝７、数平均分子量１４８０、分子量分布１.２０）３５０ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（４５ｇ）およびイミダゾール（１８ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、混合物を水洗及び脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ３）を２００ｇ得た。この化合物（ａ３）（１４０ｇ）をｔ−ブタノール（１４０ｇ）に溶解させ、式（ｂ２）：  【００６５】
【化２】
2015093237.tif 000003
【００６６】で表される化合物（１０ｇ）と水素化ナトリウム（３ｇ）を加えて、７０℃で４日間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物４を３２ｇ得た。【００６７】  化合物４は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７１ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物４の同定結果を示す。【００６８】１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ2ＣＦ２Ｏを−１２９．７ｐｐｍとする。）【００６９】δ＝−８３.７ｐｐｍ〔５７Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕δ＝−８６．４ｐｐｍ〔８Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−Ｃ６Ｈ４〕δ＝−１２４．３ｐｐｍ〔４Ｆ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−Ｃ６Ｈ４〕δ＝−１２７．５ｐｐｍ〔４Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，δ＝−１２９．７ｐｐｍ〔２８Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕ｚ＝７．１【００７０】１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）δ＝３．２〜３．８ｐｐｍ〔１８Ｈ，ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−、（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−Ｃ６Ｈ４〕，δ＝６．８ｐｐｍ〔４Ｈ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−Ｃ６Ｈ４〕【００７１】実施例５Ｃ６Ｈ４−［Ｏ−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＨ２−Ｒ−ＣＨ２−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ］２（化合物５）の合成  Ｒは−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。【００７２】  実施例４で得られた化合物４（３０ｇ）をｔ−ブタノール（１５ｇ）に溶解させ、グリシドール（１．５ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０．２ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物５を１３ｇ得た。【００７３】  化合物５は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６９ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物５の同定結果を示す。【００７４】１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ2ＣＦ２Ｏを−１２９．７ｐｐｍとする。）【００７５】δ＝−８３.７ｐｐｍ〔５５Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕δ＝−８６．４ｐｐｍ〔８Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−Ｃ６Ｈ４〕δ＝−１２４．３ｐｐｍ〔８Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−Ｃ６Ｈ４〕δ＝−１２９．７ｐｐｍ〔２８Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕ｚ＝６．９【００７６】１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）δ＝３．２〜３．８ｐｐｍ〔２６Ｈ，ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−、（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−Ｃ６Ｈ４〕，δ＝６．８ｐｐｍ〔４Ｈ，（−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−Ｃ６Ｈ４〕【００７７】  比較のために、特許文献４の実施例２に従って合成した化合物６を使用した。【００７８】（化合物６）（ＨＯ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−ＣＨ２）３−Ｒ１  ここでＲ１は下記式（ａ）：  【００７９】
【化３】
2015093237.tif 000004
【００８０】で表される基であり、Ｒ２は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。【００８１】試験例１（酸化アルミニウムに対する耐分解性の評価）  潤滑剤（化合物１〜６）に、それぞれ２０重量％のＡｌ２Ｏ３を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合することにより、耐分解性評価用の試料を調製した。耐分解性の評価は、熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を用いて、２５０℃で１００分間加熱した後の潤滑剤の重量減少率を測定することにより行った。試料は２０ｍｇ、測定は窒素雰囲気下で行った。得られた結果を表１に示す。  【００８２】
【表１】
2015093237.tif 000005
【００８３】試験例２（高速回転下ディスク上での潤滑剤保持特性の評価）  潤滑剤（化合物１、２、５及び６）をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解した。この溶液中の潤滑剤の濃度は０.０５重量％であった。直径２.５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。この後、磁気ディスクを１８５ｎｍの波長を含む低圧水銀ランプに２０秒照射し、ＦＴ−ＩＲで磁気ディスク上の化合物の平均膜厚を測定した。この膜厚をｈÅとする。次に、温度３０〜４０℃、湿度８０〜９０ＲＨ％の環境下、５４００ｒｐｍで潤滑剤を塗布した磁気ディスクを４週間高速回転させた。この後、磁気ディスク上に残った化合物の平均膜厚をＦＴ−ＩＲで測定した。この膜厚をｃÅとする。高速回転下での磁気ディスクとの吸着性の強弱を示す指標として、潤滑剤保持率を下記式より算出した。潤滑剤保持率（％）＝１００×ｃ／ｈ  【００８４】
【表２】
2015093237.tif 000006
【００８５】試験例３（単分子膜厚の測定）  磁気ディスク上に塗布された潤滑剤の単分子膜厚（一分子あたりの膜厚）は、ＪＯＵＲＮＡＬ  ｏｆ  ＴＲＩＢＯＬＯＧＹ，ＯＣＴＯＢＥＲ  ２００４，ＶＯＬ.１２６，ＰＡＧＥ７５１に記載されているように、ディスク上での潤滑剤の拡散挙動をエリプソメーターで観察する際に確認される。単分子膜厚は、潤滑剤被膜のテラス部位の膜厚として得られる。【００８６】  具体的には、化合物１、２、３、５及び６を、それぞれＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解した。この溶液の化合物１、２、３、５及び６の濃度はいずれも０.１重量％であった。直径２.５インチの磁気ディスクの一部分（約１／４）をこの溶液に浸漬し、速度４ｍｍ／ｓで引き上げることにより、潤滑層として化合物１、２、３、５又は６が塗布された部分と塗布されていない部分からなるディスクを作製した。塗布された部分の平均膜厚は、３２Åであった。【００８７】  上記のディスクを作製後すぐに、エリプソメーターに装着し、５０℃の温度条件下にて一定時間毎に塗布部と非塗布部の境界付近における膜厚の変化を測定し、形成するテラス部位の膜厚として潤滑剤の単分子膜厚を得た。結果を表３に示す。  【００８８】
【表３】
2015093237.tif 000007
【００８９】  これらの結果から、本発明の芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、ベンゼン環と３本のフルオロポリエーテル鎖とがＣＨ２で連結された化合物６に比べて、優れたアルミナ耐分解性及び潤滑剤保持特性を有しており、かつ低い単分子膜厚を示すことが確認された。
【符号の説明】
【００９０】１    支持体２    記録層３    保護層４    潤滑層
【図１】
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【国際調査報告】
2015093237.tif 000009
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