【事件の表示】
　平成１０年特許願第３４４５００号「セラミックヒータ及びセラミックヒータの製造法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月２３日出願公開、特開２０００−１７３７４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１０年１２月３日の出願であって、平成１８年１月１１日付けで拒絶査定がなされ（同年１月１８日発送）、これに対し、同年２月１７日に審判請求がなされるとともに、同年３月１４日付けで手続補正がなされたが、これは当審において平成１９年２月２７日付けの補正の却下の決定により却下された。そして、当審により平成１９年３月１９日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年５月２３日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　
２．本願発明 
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に係る発明は、平成１９年５月２３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである（以下、「本願発明」という。）。
　
「窒化珪素質焼結体からなる基体と、
　前記基体に埋設されるとともに、ＷＣを含む導電成分と、窒化珪素からなる絶縁成分とを含む焼結体により構成される発熱抵抗体と
を備えるセラミックヒータにおいて、
　前記発熱抵抗体を構成する前記絶縁成分の焼結された窒化珪素のβ化率が９３％以上であるとともに、
　前記基体を構成する焼結された窒化珪素のβ化率が９３％以上であることを特徴とするセラミックヒータ。」
　
３．引用刊行物
　当審での拒絶の理由に引用した引用例は次の刊行物である。
刊行物１：特開平１０−３０００８４号公報（以下、「引用例１」という。）
刊行物２：特公平５−４９４８号公報（以下、「引用例２」という。）
刊行物３：特開昭６３−１４４１７１号公報（以下、「引用例３」という。）
刊行物４：特開平５−３３９０６０号公報 （以下、「引用例４」という。）
刊行物５：特開平１０−５０４６０号公報（以下、「引用例５」という。）
　　
（１）引用例１（特開平１０−３０００８４号公報）に記載された事項
　引用例１には図面とともに次の事項が記載されている。
・「【請求項１】　　窒化珪素を主成分とするセラミック中に、
Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＶおよびＣｒより選ばれる１種類以上の珪化物、炭化物、又は窒化物を主体とする発熱体を埋設してなるセラミックヒータにおいて、
前記セラミックは、焼結助剤としてＣｒ２Ｏ３換算で０．１重量％〜１０重量％のＣｒ化合物と、
希土類酸化物、酸化アルミニウム、酸化バナジウム、酸化タングステンおよび酸化モリブデンより選ばれる１種類以上の酸化物１重量％〜２５重量％とを含有することを特徴とするセラミックヒータ。」（特許請求の範囲、請求項１）
・「セラミックヒータ３は、後述する方法で製造され、Ｓｉ３Ｎ４質セラミック３１中に取出しリード線３３、３４およびＵ字状の発熱抵抗体３２を埋設している｛取出しリード線３３、３４間の抵抗値（設計値）は７５０ｍΩ｝。発熱抵抗体３２は、Ｓｉ３Ｎ４質セラミック３１中に埋設（埋設深さは０．３ｍｍ以上）され、通電発熱時には８００℃〜１３００℃に昇温する。
取出しリード線３３、３４は、直径０．３ｍｍのＷ（タングステン製）線であり、一端３３１、３４１を発熱抵抗体３２の端部３２１、３２２に連結し、他端３３２、３４２をＳｉ３Ｎ４質セラミック３１の中間および後部でセラミック表面に露出させている。」（段落【００１５】〜【００１６】）
・「つぎに、セラミックヒータ３（比較品のセラミックヒータも同様）の製造方法を説明する。
（１）　平均粒径０．５μｍのＷＣ（炭化タングステン）に、平均粒径０．７μｍの窒化珪素を４０重量％、Ｙｂ２Ｏ３を５重量％添加し、５０時間湿式混合し、泥漿を製造する。尚、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＶおよびＣｒより選ばれる１種類以上の珪化物、炭化物、又は窒化物であればＷＣ（炭化タングステン）以外でも良い｛例えばＭｏＳｉ（二硫化モリブデン）｝。
（２）　・・・（中略）・・・。
（３）　・・・（中略）・・・。
（４）　・・・（中略）・・・。
（５）　取出しリード線３３、３４をセットした射出成形機に造粒物を入れ、図３に示す、立体Ｕ字状の未焼成発熱抵抗体が完成する。
【表１】・・・・・
（６）　表１に示す様に、平均粒径０．７μｍの窒化珪素と、平均粒径０．５〜３μｍのＣｒ化合物（Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｎ、Ｃｒ３Ｃ２、ＣｒＳｉ２、Ｃｒなど）と、平均粒径０．８〜３μｍの酸化物とを配合し、ボールミル中で湿式混合し、バインダーを加えた後、スプレードライにより混合粉末を得る。
（７）　先に製造した未焼成の発熱抵抗体（図３に示す）を上記混合粉末中に埋設し、プレス成形後にホットプレス焼成法で、Ｎ２ガス雰囲気、１７５０℃×６０分、３００ｋｇｆ／ｃｍ２　にて焼成し、焼結体を得る。
（８）　この焼結体をφ３．５の略円筒状に研摩（研摩により他端３３２、３４２が露出）し、金属筒５１、金属金具５２をろう付けし、図２に示すセラミックヒータ３が完成する。」（段落【００１９】〜【００２５】）
　
　上記摘示事項及び図面の記載によれば、引用例１には次の発明が記載されている（以下、「引用発明１」という。）。
「窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体セラミック３１中に埋設され、ＷＣと、窒化珪素とを含む焼結体により構成される発熱抵抗体３２とを備えるセラミックヒータ３。」
　
（２）引用例２（特公平５−４９４８号公報）に記載された事項
　引用例２には図面とともに次の事項が記載されている。
・「〔産業上の利用分野〕
  本発明は、複合セラミツクス及びその製造法に係り、特に焼結時の寸法変化率が小さい複雑形状の導電性部品に適した導電性セラミツクス及びその製造法に関する。」（２頁３欄３２〜３６行）
・「実施例  １〜６
 　平均粒径０．７μｍの金属Ｓｉ粉末と平均粒径０．５μｍのＴｉＮ粉末を第１表の割合に混合し、その１００重量部に対しポリビニルアルコール粉末を９重量部添加して、メタノール５０ｃｃと一緒に２４時間混合した。そして、混合物を１０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力が成形を行い４０φ×１０ｍｍの成形体を得た。
　成形体は、窒素雰囲気中２．５℃／ｈの昇温速度で５００℃まで加熱し、ポリビニルアルコールを分解した後、５℃／ｍｉｎで１１００℃まで加熱し、１１００℃から１４００℃まで４℃／ｈの昇温で加熱することにより、Ｓｉ３Ｎ４ウイスカ−Ｓｉ３Ｎ４粒子＝１／９の焼結体を得た。ここで、このウイスカー／粒子の配合比は、１１００℃から１４００℃まで加熱昇温速度を変化させ、昇温の途中に段階的に温度を保持することにより調整する。また、ウイスカー／粒子の割合は、焼結体の走査電顕観察及び透過電顕観察から求めた。」（４頁８欄４〜２１行）
・「実施例　　７９〜８３
　　実施例１と同様に、加熱温度と昇温速度を変えて焼結し、Ｓｉ３Ｎ４中のβ−Ｓｉ３Ｎ４の量と耐熱衝撃値との関係を調べた。結果を第１３表に示す。」（１０頁２０欄３６〜３９行）
・第１３表には、１４００℃１時間保持後徐令（「徐冷」の誤記と認める。）という加熱条件で、全Ｓｉ３Ｎ４中のβ−Ｓｉ３Ｎ４含有量（容量％）が９５％、耐熱衝撃値（回）が４８回である点が記載されている。
・「〔発明の効果〕
　本発明によれば、焼結時の寸法変化率が極めて小さく、靱性、耐熱性、耐熱衝撃性にも優れた複合セラミツクスを提供することができる。該複合セラミツクスは、高温度で使用される構造材料をはじめエンジン、熱交換器など広く利用することができる。
　また、導電性化合物の配合量を制御することにより、焼結体の電気抵抗率を１０１０〜１０−５Ωｃｍの範囲で任意に制御できる。更に、抵抗温度係数が正のものを得ることができるので、耐熱衝撃性にすぐれた電流の熱暴走を起こさない電気材料を提供することができる。例えば、各種ヒータ、グロープヒータ、点火用ヒータ、または発電機集電材、モータブラシなどに利用できる。」（１１頁２１欄１６行〜２２欄６行）
　
上記摘示事項及び図面の記載によれば、引用例２には次の発明が記載されている（以下、「引用発明２」という。）。
「各種ヒータ、グロープヒータ、点火用ヒータなどの発熱体に利用できる、ＴｉＮの導電性成分と窒化珪素からなる絶縁成分とを含む、耐熱衝撃性にすぐれ、β化率を９５％とした窒化珪素質焼結体」
　
（３）引用例３（特開昭６３−１４４１７１号公報）に記載された事項
　引用例３には図面とともに次の事項が記載されている。
・「１、α−Ｓｉ３Ｎ４粉末とＹ２Ｏ３粉末とβ−ＳｉＣウイスカおよび不可避的不純物からなる混合粉末であって、α−Ｓｉ３Ｎ４とＹ２Ｏ３の重量比がα−Ｓｉ３Ｎ４：Ｙ２Ｏ３＝９５：５〜８７：１３，α−Ｓｉ３Ｎ４粉末とＹ２Ｏ３粉末の体積とβ−ＳｉＣウイスカの体積の比がα−Ｓｉ３Ｎ４＋Ｙ２Ｏ３：β−ＳｉＣウィスカ＝８４：１６〜６５：３５である混合粉末を型内で昇温し、１０００℃以上の温度で型内に窒素ガスを充填し、１８００〜１８５０℃の範囲の温度および２０ＭＰａ以上の圧力でα−Ｓｉ３Ｎ４の９５％以上がβ−Ｓｉ３Ｎ４に転移するまで加圧保持することを特徴とするβ−ＳｉＣウイスカ／β−Ｓｉ３Ｎ４複合体の製造方法。」（特許請求の範囲）
・「上表中α−Ｓｉ３Ｎ４とβ−Ｓｉ３Ｎ４は次式で示すＸ線強度比により定量化できる。本発明の実施例であるNo.４，５，８，１０，１４，１６，１７はほぼ１００％α−Ｓｉ３Ｎ４がβ−Ｓｉ３Ｎ４に転移していることが確認された。またNo.１，２，３はβ−Ｓｉ３Ｎ４に転移したα−Ｓｉ３Ｎ４が９５％未満であった。
　Ｉα−Ｓｉ３Ｎ４（２１０）／Ｉβ−Ｓｉ３Ｎ４（２１０）×１００％
　表１の結果からβ−ＳｉＣウイスカ／β−Ｓｉ３Ｎ４複合体は１８００〜１８５０℃の間で焼成されることが条件になることがわかる。１８００℃未満ではα−Ｓｉ３Ｎ４が残り過ぎ、１８５０℃を超えるとＳｉ３Ｎ４が分解し、強度の低下を招く。
表２の結果から、Ｙ２Ｏ３がα−Ｓｉ３Ｎ４とＹ２Ｏ３の合計の５重量％より少ないとα−Ｓｉ３Ｎ４が残り、１３重量％より多くなるとガラス層が厚くなり、強度が低下する。
表３の結果からβ−ＳｉＣウイスカの体積がα−Ｓｉ３Ｎ４とＹ２Ｏ３粉末とβ−ＳｉＣの合計の１６重量％より少ないと複合効果が表われず、１６重量％以上でウイスカのネットワークが構成され、電気伝導性が生じ、抵抗値がｌ×ｌ０−２Ωｃｍ以下となり、放電加工が可能となる。」（４頁右上欄１行〜左下欄３行）
　
　上記摘示事項及び図面の記載によれば、引用例３には次の発明が記載されている（以下、「引用発明３」という。）。
「窒化珪素のβ化率を高めることにより焼結体の強度及び靱性を向上させるために、窒素ガスを充填し２０ＭＰａ以上の圧力で加圧し、１８００〜１８５０℃で６０分加熱し、β化率９５％以上のβ−Ｓｉ３Ｎ４と導電性成分β−ＳｉＣから成る導電性窒化珪素質焼結体とする製造方法」
　
（４）引用例４（特開平５−３３９０６０号公報　）に記載された事項
　引用例４には図面とともに次の事項が記載されている。
・「次に、上記原料粉末に焼結助剤を添加したあとの成形法には、静水圧プレス成形，射出成形，鋳込み成形などの通常の成形法が採用される。また、成形体に対する焼成は、１気圧以上５００気圧以下の窒素ガス圧下で１７００℃以上２１００℃以下の範囲の温度で行う。この場合、雰囲気を形成する窒素は窒化ケイ素の熱分解を防ぐために必要であり、高温で焼成するほど高圧の窒素雰囲気を使用する。そして、必要な最低圧は、１７００℃以上１７５０℃以下の焼成で１気圧、１８００℃の焼成で２気圧、１９００℃の焼成で５気圧、２０００℃の焼成で１０気圧である。雰囲気が所定圧力よりも低いと窒化ケイ素は熱分解を起こし、窒素を放出してケイ素となるので好ましくない。この焼結に際しては、かさ密度の９６％以上となるまで焼成する。
　したがって、焼成は、１気圧以上５００気圧以下の窒素ガス圧下で１７００℃以上２１００℃以下の温度で行い、β型窒化ケイ素が全窒化ケイ素の９５重量％以上を含み、短軸径が５μｍ以上でかつアスペクト比が５以上である柱状粒子が材料全体の０．５体積％以上を占め、かさ密度が理論密度の９６％以上となるまで焼成する。焼成時間は焼成温度や焼結助剤の種類・量などによっても異なるが、１時間から４時間の焼成でこれらの条件を満たすβ型窒化ケイ素質焼結体が得られる。」（段落【００１８】〜【００１９】）
・「【発明の作用】本発明に係わるβ型窒化ケイ素質焼結体は、α型とβ型とから構成される窒化ケイ素質焼結体において、β型窒化ケイ素が全窒化ケイ素の９５重量％以上であり、焼結体中の全酸素量が３重量％以下であると共に、短軸径が５μｍ以上でかつアスペクト比が５以上である柱状粒子が材料全体の０．５体積％以上を占め、かさ密度が理論密度の９６％以上である構成となっていることから、このβ型窒化ケイ素質焼結体はβ型窒化ケイ素含有量が全窒化ケイ素の９５重量％以上であるため強度および靭性が向上したものとなり、焼結体中の全酸素量が３重量％未満であるため粒界相の割合が低下して靭性値が向上したものとなり、かさ密度が理論密度の９６％以上であるため強度が向上したものとなるのに加えて、焼結体中に短軸径が５μｍ以上でかつアスペクト比が５以上である柱状の結晶粒子が材料全体の０．５体積％以上を占めるものとなっているため、一種の複合材料となり、強度および靭性がより一層向上していると共に強度のばらつきが小さい高性能なβ型窒化ケイ素質焼結体となる。」（段落【００２２】）
・「表２の実施例１の欄に示すように、得られた焼結体中のβ型窒化ケイ素とα型窒化ケイ素の割合はβ相１００％であり、・・・（中略）・・・。
　また、焼結体中の全酸素量は０．９重量％であった。さらに、この焼結体の室温３点曲げ強さは７８０ＭＰａと高い値を有するものであり、ワイブル係数は３０と大きなものとなっていて強度のばらつきが小さいと共に、破壊靭性値は７．７ＭＰａ√ｍであり、ボイド欠陥の発生もなく、β型窒化ケイ素を出発原料としたときでも強度および靭性値の高い特性の良好なβ型窒化ケイ素質焼結体を得ることができた。」（段落【００２７】〜【００２８】）
　
　上記摘示事項及び図面の記載によれば、引用例４には次の発明が記載されている（以下、「引用発明４」という。）。
「窒化珪素のβ化率を高めることにより焼結体の強度及び靱性を向上させるために、窒素ガス１〜５００気圧で１７００℃〜２１００℃で１〜４時間加熱し、β型窒化ケイ素が全窒化ケイ素の９５重量％以上の窒化ケイ素質焼結体とする製造方法」
　
（５）引用例５（特開平１０−５０４６０号公報）に記載された事項
　引用例５には図面とともに次の事項が記載されている。
・「【請求項１】窒化珪素質焼結体からなる絶縁性母材中に発熱体を埋設してなるセラミックヒータにおいて、前記窒化珪素質焼結体が、窒化珪素主相と、希土類元素、酸素および珪素を含み、ダイシリケート相を主結晶とする粒界相により構成され、前記発熱体が、ＷＣ、ＴａＮ、Ｍｏ２Ｃのうちのいずれかを主成分とし、添加物として窒化珪素、窒化ホウ素および炭化珪素のうちの少なくとも１種を含み、且つ該発熱体の前記絶縁性母材との界面に前記発熱体主成分を構成する金属の珪化物相が前記発熱体の最小厚みの２５％以下の厚みで存在することを特徴とするセラミックヒータ。」（特許請求の範囲）
・「特に、長時間使用した場合に急激に酸化が進行して磁器にクラックが生じ、発熱体が酸化して発熱体が断線するという問題がある。また、強度の点では、高温環境下で使用されるグロープラグ等においても長期信頼性の点からさらなる高強度が要求され、絶縁強度、耐サージ電圧等の点からも高信頼性が要求されている。また、発熱特性の点では、ヒータとして連続使用または断続使用下での耐久性や急速昇温に対する耐久性等も要求されるが、これまでのセラミックヒータでは、これらの特性を十分に満足するには至っていないのが現状である。」（段落【０００５】）
・「【発明の実施の形態】本発明のセラミックヒータにおける絶縁性母材は、窒化珪素を主成分とする焼結体によって構成するものである。かかる窒化珪素質焼結体としては、β型窒化珪素を主結晶相とするものであり、その粒界相が、希土類元素、酸素および珪素を少なくとも含み、さらには、粒界結晶相がダイシリケート相を主相とする点が大きな特徴である。」（段落【０００９】）
・「次に、本発明のセラミックヒータの具体的な製造方法について説明する。まず、絶縁性母材を形成する主原料として、窒化珪素粉末を用いる。窒化珪素粉末はそれ自体α−Ｓｉ３Ｎ４、β−Ｓｉ３Ｎ４のいずれでも用いることができ、それらの平均粒径は０．１〜１．２μｍが好ましい。」（段落【００１９】）
・「そして、そのヒータ成形体を、常圧焼成、ホットプレス焼成、窒素ガス加圧焼成等の公知の焼成方法によって焼成する。特に、窒素ガス圧力焼成によって焼成のが望ましく、さらには、上記の焼成方法の後に熱間静水圧焼成を行うことによりさらに緻密な焼結体を得る。この時の焼成温度は、高温すぎると助剤の偏析、もしくは発熱体の化学反応による抵抗の上昇を招くため、１９００℃以下、特に、１８００〜１９００℃の窒素ガス含有非酸化性雰囲気で３〜２０時間程度焼成することが望ましい。」（段落【００２２】）
　
　上記摘示事項及び図面の記載によれば、引用例５には次の発明が記載されている（以下、「引用発明５」という。）。
「β型窒化珪素を主結晶相とする窒化珪素質焼結体からなる絶縁性母材中に発熱体を埋設してなるセラミックヒータにおいて、１８００〜１９００℃の窒素ガス含有非酸化性雰囲気で３〜２０時間程度焼成して製造した、前記窒化珪素質焼結体が、窒化珪素主相と、希土類元素、酸素および珪素を含み、前記発熱体が、ＷＣを主成分とし、添加物として窒化珪素を含むセラミックヒータ。」
　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明１とを比較すると、引用発明１における「窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体セラミック３１」は本願発明の「窒化珪素質焼結体からなる基体」に相当し、以下同様に、「ＷＣ」は「ＷＣを含む導電成分」に、「窒化珪素」は「窒化珪素からなる絶縁成分」に各々相当する。
　したがって、両発明は次の［一致点］で一致し、［相違点］で相違する。
　
［一致点］
　窒化珪素質焼結体からなる基体と、
　前記基体に埋設されるとともに、ＷＣを含む導電成分と、窒化珪素からなる絶縁成分とを含む焼結体により構成される発熱抵抗体と
を備えることを特徴とするセラミックヒータ。
　
［相違点］
　本願発明では、発熱抵抗体を構成する前記絶縁成分の焼結された窒化珪素のβ化率が９３％以上であるとともに、基体を構成する焼結された窒化珪素のβ化率が９３％以上であるのに対し、引用発明１は、この構成はない点。
　　
　以下、この相違点について検討する。
　
　引用発明５は、引用発明１と同様に発熱体がＷＣと窒化珪素とからなるセラミックヒータにおいて、本願発明の基体に相当する絶縁性母材がβ型窒化珪素を主結晶相とする窒化珪素質焼結体からなるものであり、引用発明２は、導電成分がＷＣではなくＴｉＮであるが、各種ヒータ、グロープヒータ、点火用ヒータなどの発熱体に利用できる、窒化珪素質焼結体において、耐熱衝撃性にすぐれ、β化率を９５％としたものである。
　このように、セラミックヒータにおいても、基体となるセラミック及び発熱抵抗体の窒化珪素をそれぞれβ化すること自体は、引用発明５及び引用発明２にて本願出願時に公知の事項である。　
　また、窒化珪素焼結体において、強度を増すために窒化珪素をβ化することは、本願出願時に周知〔例えば、特開平６−１６６３号公報（段落【０００９】、図１）、特開平５−３０６１７０号公報を参照〕の事項であり、導電性成分を含む窒化珪素質焼結体に関する引用発明３及び一般的な窒化珪素質焼結体に関する引用発明４は、ヒータ用という特定はないものの、窒化珪素質焼結体において、β化率を９５％以上とすることによりその強度及び靱性を向上させるものであり、引用発明３及び引用発明４を、同様の窒化珪素質焼結体からなるセラミックヒータに適用することに対する阻害要因は見あたらない。
　以上のことを勘案し、さらに、引用例５に、セラミックヒータにおいて強度や断続使用下での耐久性が要求されることが記載されている（段落【０００５】を参照。）ことからみて、焼結体である発熱抵抗体においても強度や耐久性を高めることは当業者が設計上考慮するべき事項といえるから、セラミックヒータ全体の強度を向上させるために、基体となるセラミック３１及び発熱抵抗体３２の窒化珪素を共にβ化すること、並びに、そのβ化に際し、より強度や靱性を高めるために、窒化珪素のβ化率を９５％以上とすることは、引用発明１に、引用発明２ないし引用発明５を適用することにより、当業者が容易になし得たことである。
　そして、β化率を９３％以上とした点は、９５％以上としたものと比べて臨界的意義はなく、当業者が適宜設定する設計事項である。
　してみれば、引用発明１に、引用発明２ないし引用発明５及び周知事項を適用して、本願発明の相違点に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　また、本願発明の通電時に断線を抑制するという効果については、発熱抵抗体を構成する焼結体の強度及び靱性が向上することにより副次的に奏される効果であって、引用例１ないし５及び周知事項に記載の事項から当業者が予測し得る範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明１ないし引用発明５及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
 　
５．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、引用発明１ないし引用発明５及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。