【事件の表示】
　特願２００５−２１２６８３「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月　４日出願公開、特開２００５−３１１４０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年７月２８日に出願した特願２０００−２２９２９８号（以下「原出願」という。）の一部を平成１７年７月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年６月２６日付け及び平成１９年７月１３日付けで手続補正がなされたところ、平成２０年６月１９日付けで前記平成１９年７月１３日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月３１日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成１８年６月２６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
「半導体レーザ素子と、前記素子を配置するフレームと、前記フレームに密着するとともに前記半導体レーザ素子のレーザ光の出射方向の前端部にテーパー面を形成した樹脂を備える半導体レーザ装置において、前記フレームは露出した素子配置部と前記レーザ光の出射方向の左右に位置する翼部を備え、前記素子配置部と前記左右の翼部の間に前記樹脂をフレームの表裏に連絡するための樹脂連絡孔を形成し、前記樹脂連絡孔を前記テーパー面より後方に配置したことを特徴とする半導体レーザ装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　原出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１０−１５４８４８号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置に係わる。」
　
　イ　「【００１６】図１〜図４を参照して本発明による半導体レーザ装置の一例を説明する。・・・
【００１７】・・・図４にその平面図を示すように、Ｓｉ等のフォトダイオードＰＤが形成されたサブマウント基板１５が設けられ、この上に半導体レーザＬＤ、例えばヘテロ接合型半導体レーザ等の各種半導体レーザ素子がマウントされる。
・・・
【００１９】一方、図３に斜視図を示すように、リードフレーム２１が設けられる。このリードフレーム２１は、一枚の金属板から打ち抜き等によって形成され、半導体レーザＬＤ、すなわちこれがマウントされた例えばサブマウント基板１５がダイボンドされるマウント部１１Ｍを先端に有するリード１１と、その両側に他の外部端子導出リードを構成する２本のリード１２とを組とする複数組のリードが配列され、それぞれのリード１１および１２の外端部が連結部２１Ｌによって連結された構成を有する。
【００２０】リード１１の半導体レーザＬＤのマウント部、すなわち図示の例では半導体レーザＬＤがマウントされたサブマウント基板１５をマウントするマウント部１１Ｍには、図２の平面図で示すように、その両側のリード１２の先端に対向するように広がる翼１１Ｗ１および１１Ｗ２が設けられて、例えばＴ字形パターンに構成される。
【００２１】そして、また、図３に示すように、リードフレーム２１のリード１１と、その両側のリード１２とを組とし、その先端部にエポキシ樹脂等よりなる樹脂モールド体１３をモールドして、リードフレーム２１の連結部２１Ｌを切り離し、図１および図２に示すように、各リード１１および１２が機械的に連結され、電気的に絶縁されて保持された半導体レーザ装置が構成される。
【００２２】この樹脂モールド体１３は、例えばその全体的形状が直方体をなす形状とし得るものであるが、その成形に当たって凹部１４が設けられる。
【００２３】凹部１４内には、リード１１のマウント部１１Ｍを外部に露出させる。同時に凹部１４内に両側のリード１２の一部、すなわち半導体レーザＬＤおよび光検出素子ＰＤの各電極が接続されたボンディングパッド部１９と、金線等のリードワイヤ１８がボンディングされる電極接続部１２Ａとなる例えば先端部とが外部に露出される。
・・・
【００２８】このようにして樹脂モールド体１３によって周囲が囲まれた保護された半導体レーザＬＤおよびそのモニター用光検出素子のフォトダイオードＰＤが保護された半導体レーザ装置２２を得る。
【００２９】このような構成による半導体レーザ装置２２は、目的とする使用態様に応じて例えば光ディスク、光磁気ディスク等のドライブ装置における光ピックアップの所定部に組み込まれる。この場合、その光ピックアップの所定部に、この半導体レーザ装置２２を設定するに当たり、その樹脂モールド体１３にその設定の基準面を形成するようになし得る。
・・・
【００３３】これら基準面は、樹脂モールド体１３によって形成する場合に限らず、例えば図５および図６にその一例の斜視図および平面図を示すように、リード１１の先端をマウント部１１Ｍより前方に延長させ、この延長部１１ＭＦの前方端面をＹ方向と直交する基準前方面１３Ｆとして形成し得る。また、Ｘ方向の基準面１３Ｓ１および１３Ｓ２を、リード１１の先端部から両側に延長した延長部の端面によって形成することもできる。」
　
　ウ　上記イの【００３３】を踏まえて図１及び図５を見ると、「Ｘ方向の基準面１３Ｓ１および１３Ｓ２」を形成するために設けられる「（リード１１の先端部から両側に延長した）延長部」は、半導体レーザＬＤからの出射光の出射方向の左右に位置することがみてとれる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「一枚の金属板から打ち抜き等によって形成され、半導体レーザＬＤがマウントされたサブマウント基板１５がダイボンドされるマウント部１１Ｍを先端に有するリード１１と、その両側に他の外部端子導出リードを構成する２本のリード１２とを組とする複数組のリードが配列された構成を有するリードフレーム２１の、前記リード１１と、その両側のリード１２とを組とし、その先端部にエポキシ樹脂等よりなる樹脂モールド体１３をモールドして、各リード１１および１２が機械的に連結され、電気的に絶縁されて保持された半導体レーザ装置であって、
　前記樹脂モールド体１３は、その全体的形状が直方体をなす形状とし得るものであるが、その成形に当たって凹部１４が設けられ、凹部１４内には、リード１１のマウント部１１Ｍを外部に露出させ、
　このような構成による半導体レーザ装置は、例えば光ディスク、光磁気ディスク等のドライブ装置における光ピックアップの所定部に組み込まれ、この場合、その光ピックアップの所定部に、この半導体レーザ装置を設定するに当たり、その樹脂モールド体１３にその設定の基準面を形成するようになし得、これら基準面は、樹脂モールド体１３によって形成する場合に限らず、Ｘ方向の基準面１３Ｓ１および１３Ｓ２を、リード１１の先端部から両側に延長した延長部の端面によって形成することもでき、前記延長部は半導体レーザＬＤからの出射光の出射方向の左右に位置する、半導体レーザ装置。」
　
（２）引用刊行物２
　原出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平７−３２１４０７号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザーダイオードチップを樹脂封止して形成したレーザーダイオード装置に関し、特にレーザーダイオードチップからのレーザー光の発光に伴う封止樹脂の損傷防止及び遠視野像を確保する技術に関する。」
　
　イ　「【００２１】
【実施例】以下に図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。図１に、本発明の一実施例に係る樹脂封止形レーザーダイオード装置の斜視図を示す。さらに図８は特に本発明に係り、そのうち図８（ａ）は封止樹脂層３０とレーザーダイオードチップ１０の間に設けられる端面破壊防止層を含む樹脂封止形レーザーダイオード装置を側面から見た拡大断面図を示し、図８（ｂ）は同じく封止樹脂を除いて見た平面図であり、図８（ｃ）は同じく正面から封止樹脂を除いてみた図である。図８ではフォトダイオード７３が作り込まれたＳｉ基板からなる放熱板７１の所定位置にレーザーダイオードチップ１０がシリコーン樹脂によりなる膜厚５０μｍ以上の端面破壊防止層２０で被覆され、更に全体が封止樹脂（透明エポキシ樹脂）３０で封止された様子を拡大して示している。
【００２２】・・・端面破壊防止層２０は量産方法として優れた滴下法により形成された液滴状の外形をなしており、図８（ｂ），（ｃ）で示されるようにチップ１０を中心に前後左右に広がっており、チップ１０の前方発光端面９側は放熱板７１の側面を経てリードフレーム側面を覆い、後方発光端面側は放熱板７１のフォトダイオード７３の受光部７３ａを覆い、リードフレーム７２の表面に広がる。またチップ１０の左右方向は放熱板７１の表面に広がり、リードフレーム７２への封止樹脂３０の食いつき向上のため設けてある貫通孔７７の周囲まで達する。・・・」
　
　ウ　「【００２３】次にこの端面破壊防止層２０の形成方法を説明する。フォトダイオード７３が作り込まれた放熱板７１上の所定位置に、レーザーダイオードチップ１０をジャンクションダウン方式で半田付けする。次に放熱板７１をＡｇエポキシ接着剤７５でリードフレーム７２上に固着し、さらにチップ１０、フォトダイオード７３の電極とリードフレーム７２の外部引出電極端子７２１，７２２をＡｕ線７６によるワイヤボンディングにより接続する。その後液状のシリコーン樹脂の適量を図示しないディスペンサーでチップの上方から滴下する。樹脂は表面張力で放熱板７１とリードフレーム７２上に広がる。熱硬化型シリコーン樹脂では次にクリーンオーブン内で加熱硬化すると図８に示すような形状の端面破壊防止層２０となる。なおｕｖ（紫外線）硬化型シリコーン樹脂の場合は、ｕｖ照射により同様の形状が得られる。
【００２４】上記に従い、各種のシリコーン樹脂をコーティングし、透明エポキシ樹脂で封止したレーザーダイオードを製作し、・・・」
　
　エ　「【００３７】・・・図１３はこの発明に用いられるリードフレーム７２の平面図を示す。このリードフレーム７２は、フォトダイオードが作り込まれ、かつレーザーダイオードチップを搭載する放熱板を固着する部分の放熱を良くするため、その部分の面積を大きくしたＴ字形に設計してあり、そのＴ字の横棒の両端側には封止樹脂とリードフレーム７２との食いつき向上のため貫通孔７７が設けられている。・・・」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「フォトダイオード７３が作り込まれた放熱板７１上の所定位置に、レーザーダイオードチップ１０をジャンクションダウン方式で半田付けし、次に放熱板７１をＡｇエポキシ接着剤７５でリードフレーム７２上に固着し、さらにチップ１０、フォトダイオード７３の電極とリードフレーム７２の外部引出電極端子７２１，７２２をＡｕ線７６によるワイヤボンディングにより接続し、その後液状のシリコーン樹脂の適量をディスペンサーでチップの上方から滴下して端面破壊防止層２０となし、レーザーダイオードチップ１０が前記端面破壊防止層２０で被覆され、更に全体が封止樹脂（透明エポキシ樹脂）３０で封止された樹脂封止形レーザーダイオード装置において、
　前記リードフレーム７２は、レーザーダイオードチップを搭載する放熱板を固着する部分の放熱を良くするため、その部分の面積を大きくしたＴ字形に設計してあり、そのＴ字の横棒の両端側には封止樹脂とリードフレーム７２との食いつき向上のため貫通孔７７が設けられている、樹脂封止形レーザーダイオード装置。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「半導体レーザ装置」は、その「リード１１」が、「半導体レーザＬＤがマウントされたサブマウント基板１５がダイボンドされるマウント部１１Ｍを先端に有する」ものであるから、
　ア　引用発明１の「半導体レーザＬＤ」、「リード１１」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ、本願発明の「半導体レーザ素子」、「（前記素子を配置する）フレーム」及び「半導体レーザ装置」に相当し、
　イ　引用発明１の「半導体レーザ装置」は、本願発明の「半導体レーザ素子と、前記素子を配置するフレームとを備え」との事項を備える。
　
（２）引用発明１の「半導体レーザ装置」は、「リード１１と、その両側のリード１２とを組とし、その先端部にエポキシ樹脂等よりなる樹脂モールド体１３をモールドして、各リード１１および１２が機械的に連結され、電気的に絶縁されて保持された」ものであるから、
　ア　引用発明１の「樹脂モールド体１３」は、本願発明の「（前記フレームに密着する）樹脂」に相当し、
　イ　引用発明１の「リード１１と、その両側のリード１２・・・の先端部にエポキシ樹脂等よりなる樹脂モールド体１３をモールドし」との事項と、本願発明の「前記フレームに密着するとともに前記半導体レーザ素子のレーザ光の出射方向の前端部にテーパー面を形成した樹脂を備え」との事項とは、「前記フレームに密着する樹脂を備え」との点で一致する。
　
（３）引用発明１の「樹脂モールド体１３」は、「その全体的形状が直方体をなす形状とし得るものであるが、その成形に当たって凹部１４が設けられ、凹部１４内には、リード１１のマウント部１１Ｍを外部に露出させ」るものであり、該「（リード１１の）マウント部１１Ｍ」には「半導体レーザＬＤがマウントされたサブマウント基板１５がダイボンドされる」から、
　ア　引用発明１の「（外部に露出された）マウント部１１Ｍ」は、本願発明の「（露出した）素子配置部」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記フレームは露出した素子配置部を備え」との事項を備える。
　
（４）引用発明１の「延長部」は、「リード１１の先端部から両側に延長した」ものであり、「半導体レーザＬＤからの出射光の出射方向の左右に位置する」ものであるから、
　ア　引用発明１の「延長部」は、本願発明の「（レーザ光の主射方向の左右に位置する）翼部」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「レーザ光の主射方向の左右に位置する翼部を備え」との事項を備える。
　
　したがって、本願発明と引用発明１とは、　  
「半導体レーザ素子と、前記素子を配置するフレームと、前記フレームに密着する樹脂を備える半導体レーザ装置において、前記フレームは露出した素子配置部と前記レーザ光の出射方向の左右に位置する翼部を備える半導体レーザ装置。」
である点で一致し、両者は次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　本願発明は、樹脂が、半導体レーザ素子のレーザ光の出射方向の前端部にテーパー面を形成したものであり、（フレームの）素子配置部と左右の翼部の間に前記樹脂をフレームの表裏に連絡するための樹脂連絡孔を形成し、前記樹脂連絡孔を前記テーパー面より後方に配置したのに対し、引用発明１は、樹脂が、レーザ光の出射方向の前端部にそのようなテーパー面を形成しておらず、また、フレームの素子配置部と左右の翼部の間にそのような樹脂連絡孔を形成するのか否か明らかでない点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
　引用発明１の「半導体レーザ装置」は、「例えば光ディスク、光磁気ディスク等のドライブ装置における光ピックアップの所定部に組み込まれ」るものであり、光ピックアップの所定部に接続されるものであるところ、２つの光学部品を接続する際に、接続する光学部品に先細り形状のテーパー面を形成して両者を接続しやすくすることは原出願の出願時において周知の技術であり（例えば、特開昭６１−８８２０８号公報（第１頁右下欄下から４行目〜第２頁左上欄第１２行、第５図）、特開平４−２１５６０７号公報（【００２１】〜【００２８】、図１２〜図１８）、特開２０００−４７０６１号公報（【００２５】〜【００２８】、図２、図３）参照。）、また、引用刊行物２には、上記２（２）のとおりの引用発明２が記載され、リードフレームを封止樹脂で封止した樹脂封止形レーザーダイオード装置において、該リードフレームに封止樹脂とリードフレームとの食いつき向上のための貫通孔を形成することが示されていることを考慮すると、引用発明１において、上記周知技術を適用して樹脂モールド体１３の半導体レーザＬＤのレーザ光の出射方向の前端部にテーパー面を形成し、さらに、上記引用発明２を適用してリード１１のマウント部１１Ｍと延長部の間の樹脂モールド体１３がモールドされた領域に該樹脂モールド体１３とリード１１との食いつき向上のための貫通孔を形成することは当業者が容易になし得ることであり、その際、該貫通孔をどの位置に形成するかは当業者が設計上適宜定め得る事項というべきであって、当該貫通孔を樹脂モールド体１３の幅が広い部分に形成して、前記テーパー面より後方に配置するようになすことに格別の困難があるものともいえない。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、引用発明１、２及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。