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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月12日(2012.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
従って、２，３，３，３−テトラフルオロプロパ−１−エンを調製するための方法であって：（ａ）式Ｉ、ＩＩ、およびＩＩＩから選択される構造を有する、少なくとも一つの化合物を含む出発組成物を提供し、
ＣＸ２＝ＣＣｌ−ＣＨ２Ｘ（式Ｉ）
ＣＸ３−ＣＣｌ＝ＣＨ２（式ＩＩ）
ＣＸ３−ＣＨＣｌ−ＣＨ２Ｘ（式ＩＩＩ）
（式中、ＸはＣｌ、Ｂｒ、およびＩから独立に選択される）；（ｂ）前記出発組成物を第一のフッ素化剤と接触させて、２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを含む第一の中間組成物および第一の塩素含有副生成物を生成し；（ｃ）前記第一の中間組成物を第二のフッ素化剤と接触させて、２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンを含む第二の中間組成物を生成し；そして、（ｄ）前記２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンの少なくとも一部に触媒作用による脱塩化水素化を行い、２，３，３，３−テトラフルオロプロパ−１−エンを含む反応生成物および第二の塩素含有副生成物を生成することを含む、前記方法を提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２，３，３，３−テトラフルオロプロパ−１−エンを調製するための方法であって：
（ａ）式Ｉ、ＩＩ、およびＩＩＩから選択される構造を有する少なくとも一つの化合物を含む出発組成物を提供し、
ＣＸ２＝ＣＣｌ−ＣＨ２Ｘ（式Ｉ）
ＣＸ３−ＣＣｌ＝ＣＨ２（式ＩＩ）
ＣＸ３−ＣＨＣｌ−ＣＨ２Ｘ（式ＩＩＩ）
（式中、少なくとも一つのＸがフッ素でないという条件で、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩから独立に選択される）；
（ｂ）前記出発組成物を第一のフッ素化剤と接触させて、２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを含む第一の中間組成物および第一の塩素含有副生成物を生成し；
（ｃ）前記第一の中間組成物を第二のフッ素化剤と接触させて、２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンを含む第二の中間組成物を生成し；そして、
（ｄ）前記２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンの少なくとも一部に脱塩化水素化を行い、２，３，３，３−テトラフルオロプロパ−１−エンを含む反応生成物および第二の塩素含有副生成物を生成することを含む、前記方法。
【請求項２】
式Ｉに従う該化合物が１，１，２，３−テトラクロロプロペンであり、式ＩＩに従う化合物が２，３，３，３−テトラクロロプロペンであり、式ＩＩＩに従う化合物が１，１，１，２，３−ペンタクロロプロパンである、請求項１の方法。
【請求項３】
請求項１の方法であって、
第一および第二のフッ素化剤がフッ化水素であり、
工程（ｂ）に続いて、または工程（ｂ）と同時であって、工程（ｃ）より前に、前記２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンから前記フッ化水素の少なくとも一部を分離する工程と、工程（ｃ）に続いて、または工程（ｃ）と同時であって、工程（ｄ）より前に、前記２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンから前記フッ化水素の少なくとも一部を分離する工程とを更に含み、
ここで、前記第一のフッ素化剤が前記２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンから分離された前記フッ化水素の少なくとも一部を含み、前記第二のフッ素化剤が前記２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンから分離された前記フッ化水素の少なくとも一部を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月6日(2012.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを排出するシート排出手段と、
前記シート排出手段により排出されたシートが積載される、傾斜したシート積載面を有するシート積載手段と、
前記シート積載手段に積載されたシートを各々シート積載面の傾斜に沿った方向に離れた２つの位置で把持し、前記シート積載面の傾斜に沿った方向に沿ってそれぞれ移動可能な第１、第２把持部材と、
シートに処理を施すシート処理手段と、
前記第１、第２把持部材により把持されたシートを前記シート処理手段に対して前記シート積載面の傾斜に沿った方向の位置決めするよう前記第１、第２把持部材の移動を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記シート積載面は前記第１把持部材よりも前記第２把持部材を下方にして傾斜しており、前記第１把持部材は、前記シート積載手段に排出されたシートの前記シート積載面の傾斜方向の上端を把持し、前記第２把持部材は、前記シート積載手段に排出されたシートの前記シート積載面の傾斜方向の下端を把持することを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記シート積載手段に排出されたシートの前記シート積載面の傾斜方向の下端を受け止めるシート受け止め部材を有し、前記第２把持部材は前記シート受け止め部材に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のシート処理装置。
【請求項４】
前記シートを前記第２把持部材から前記第１把持部材に向かう方向に移動する時、前記制御部は、前記第１把持部材の起動タイミングを前記第２把持部材の起動タイミングよりも相対的に早くするよう前記第１、第２把持部材の移動を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項５】
前記シートを前記第２把持部材から前記第１把持部材に向かう方向に移動する時、前記制御部は、前記第１把持部材の停止タイミングを前記第２把持部材の停止タイミングよりも相対的に遅くするよう前記第１、第２把持部材の移動を制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項６】
前記シートを前記第１把持部材から前記第２把持部材に向かう方向に移動する時、前記制御部は、前記第１把持部材の起動タイミングを前記第２把持部材の起動タイミングよりも相対的に遅くするよう前記第１、第２把持部材の移動を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項７】
前記シートを前記第１把持部材から前記第２把持部材に向かう方向に移動する時、前記制御部は、前記第１把持部材の停止タイミングを前記第２把持部材の停止タイミングよりも相対的に早くするよう前記第１、第２把持部材の移動を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項、又は、請求項６に記載のシート処理装置。
【請求項８】
前記第１把持部材がシートを把持する把持力と、前記第２把持部材がシートを把持する把持力には差があることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項９】
シートに画像を形成する画像形成部と、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシート処理装置と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明のシート処理装置は、シートを排出するシート排出手段と、前記シート排出手段により排出されたシートが積載される、傾斜したシート積載面を有するシート積載手段と、前記シート積載手段に積載されたシートを各々シート積載面の傾斜に沿った方向に離れた２つの位置で把持し、前記シート積載面の傾斜に沿った方向に沿ってそれぞれ移動可能な第１、第２把持部材と、シートに処理を施すシート処理手段と、前記第１、第２把持部材により把持されたシートを前記シート処理手段に対して前記シート積載面の傾斜に沿った方向の位置決めするよう前記第１、第２把持部材の移動を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
実施例６
高分子電解質膜の製造において、フェノチアジンに代え、Ｉｒｇａｎｏｘ５６５を用いる以外は実施例１と同様の方法で高分子電解質膜を調製した。この高分子電解質膜に対し、実施例５（ラジカル耐性評価１）よりも温和な条件でラジカル耐性を評価した。具体的には、以下のような試験条件である。その結果を表８に示す。なお、このＩｒｇａｎｏｘ５６５（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ製）は以下の構造式で示される硫黄原子と窒素原子を分子内に含有する。
2009227979.tif 000001
（ラジカル耐性評価２）
３％過酸化水素に鉄イオン濃度が４ｐｐｍになるように塩化第一鉄を溶解した塩化第一鉄水溶液を準備した。該塩化第一鉄水溶液に、高分子電解質膜を投入し、そのまま６０℃で２時間保温した。その後、高分子電解質膜を取り出し、付着している水分を十分拭き取ってから、その重量を測定した。そして、塩化第一鉄水溶液浸漬前後での重量変化率を求めることにより耐ラジカル性の評価を行った。なお、重量維持率(％)は、浸漬後の高分子電解質膜の重量を、浸漬前の高分子電解質膜の重量で除した値×１００(％)で示す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オキソノール色素骨格を有するフォトレジスト用化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト材料。
【請求項２】
前記フォトレジスト用化合物は、下記一般式(I)で表される化合物である請求項１に記載のフォトレジスト材料。
【化１】
2009227984.tif 000001
［一般式(I)中、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、それぞれ独立に電子求引性基を表し、ただし、Ａで表される電子求引性基とＢで表される電子求引性基のハメットのσｐ値の合計は０．６以上であり、Ｃで表される電子求引性基とＤで表される電子求引性基のハメットのσｐ値の合計は０．６以上であり、ＡとＢとは互いに連結して環を形成してもよく、ＣとＤとは互いに連結して環を形成してもよく、Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０以上３以下の整数を表し、ｎは０以上（２ｍ＋１）以下の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数存在するＲはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環を形成してもよく、Ｘは一般式(I)で表される化合物の電荷を中和する対イオンを表す。]
【請求項３】
前記フォトレジスト用化合物の熱分解温度は１００℃以上５００℃以下である請求項１または２に記載のフォトレジスト材料。
【請求項４】
前記フォトレジスト用化合物を主成分として含む請求項１〜３のいずれか１項に記載のフォトレジスト材料。
【請求項５】
前記フォトレジスト用化合物とともに、溶剤および樹脂成分からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載のフォトレジスト材料。
【請求項６】
前記フォトレジスト用化合物を、前記フォトレジスト材料に含まれる全固形分を基準として５０質量％以上含有する請求項１〜５のいずれか１項に記載のフォトレジスト材料。
【請求項７】
ポジ型フォトレジスト材料として使用される請求項１〜６のいずれか１項に記載のフォトレジスト材料。
【請求項８】
ポジ型耐エッチングレジスト材料として使用される請求項１〜７のいずれか１項に記載のフォトレジスト材料。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のフォトレジスト材料を成膜材料として用いて形成されたフォトレジスト膜。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のフォトレジスト材料を被加工表面に塗布することにより形成された請求項９に記載のフォトレジスト膜。
【請求項１１】
ポジ型フォトレジスト膜である請求項９または１０に記載のフォトレジスト膜。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載のフォトレジスト膜を被加工表面上に配置すること、
上記フォトレジスト膜にパターン露光すること、および、
上記パターン露光後のフォトレジスト膜を有する被加工表面の少なくとも一部にエッチング処理を施し、上記パターン露光において露光された部分に対応する領域における被加工表面の少なくとも一部をエッチングすること
を含む被加工表面のエッチング方法。
【請求項１３】
前記パターン露光に使用される光は、λｎｍの波長を有するレーザー光であり、前記フォトレジスト膜に含まれる前記フォトレジスト用化合物の最大吸収波長λｍａｘはλ±１５０ｎｍの範囲にある請求項１２に記載の被加工表面のエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フォトレジスト材料、フォトレジスト膜、およびこれらを用いるエッチング方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち、上記目的は、下記手段によって達成された。
[１]オキソノール色素骨格を有するフォトレジスト用化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト材料。
[２]前記フォトレジスト用化合物は、下記一般式(I)で表される化合物である[１]に記載のフォトレジスト材料。
【化１】
2009227984.tif 000002
［一般式(I)中、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、それぞれ独立に電子求引性基を表し、ただし、Ａで表される電子求引性基とＢで表される電子求引性基のハメットのσｐ値の合計は０．６以上であり、Ｃで表される電子求引性基とＤで表される電子求引性基のハメットのσｐ値の合計は０．６以上であり、ＡとＢとは互いに連結して環を形成してもよく、ＣとＤとは互いに連結して環を形成してもよく、Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０以上３以下の整数を表し、ｎは０以上（２ｍ＋１）以下の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数存在するＲはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環を形成してもよく、Ｘは一般式(I)で表される化合物の電荷を中和する対イオンを表す。]
[３]前記フォトレジスト用化合物の熱分解温度は１００℃以上５００℃以下である[１]または[２]に記載のフォトレジスト用化合物。
[４]前記フォトレジスト用化合物を主成分として含む[１]〜[３]のいずれかに記載のフォトレジスト材料。
[５]前記フォトレジスト用化合物とともに、溶剤および樹脂成分からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む[１]〜[４]のいずれかに記載のフォトレジスト材料。
[６]前記フォトレジスト用化合物を、前記フォトレジスト材料に含まれる全固形分を基準として５０質量％以上含有する[１]〜[５]のいずれかに記載のフォトレジスト材料。
[７]ポジ型フォトレジスト材料として使用される[１]〜[６]のいずれかに記載のフォトレジスト材料。
[８]ポジ型耐エッチングレジスト材料として使用される請求項１〜７のいずれか１項に記載のフォトレジスト材料。
[９][１]〜[８]のいずれかに記載のフォトレジスト材料を成膜材料として用いて形成されたフォトレジスト膜。
[１０][１]〜[８]のいずれかに記載のフォトレジスト材料を被加工表面に塗布することにより形成された[９]に記載のフォトレジスト膜。
[１１]ポジ型フォトレジスト膜である[９]または[１０]に記載のフォトレジスト膜。
[１２][９]〜[１１]のいずれかに記載のフォトレジスト膜を被加工表面上に配置すること、
上記フォトレジスト膜にパターン露光すること、および、
上記パターン露光後のフォトレジスト膜を有する被加工表面の少なくとも一部にエッチング処理を施し、上記パターン露光において露光された部分に対応する領域における被加工表面の少なくとも一部をエッチングすること
を含む被加工表面のエッチング方法。
[１３]前記パターン露光に使用される光は、λｎｍの波長を有するレーザー光であり、前記フォトレジスト膜に含まれる前記フォトレジスト用化合物の最大吸収波長λｍａｘはλ±１５０ｎｍの範囲にある[１２]に記載の被加工表面のエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン系樹脂中に、有機酸金属塩を含有して成り、且つ、該有機酸金属塩の金属がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｒｕ及びＲｈから成る群から選択され、金属超微粒子形成に用いることを特徴とするマスターバッチ。
【請求項２】
前記金属が、少なくともＡｇからなる請求項１に記載のマスターバッチ。
【請求項３】
プラズモン吸収波長３００乃至７００ｎｍにおける吸光度ピーク高さの最大値と最小値の差が０．１未満である請求項２に記載のマスターバッチ。
【請求項４】
前記有機酸が、脂肪酸である請求項１乃至３の何れかに記載のマスターバッチ。
【請求項５】
前記脂肪酸が、３〜３０の炭素数を有する請求項４記載のマスターバッチ。
【請求項６】
前記ポリオレフィン系樹脂と有機酸金属塩との混練を、有機酸金属塩が該樹脂中で熱分解しない温度で行う請求項１乃至５の何れかに記載のマスターバッチの製造方法。
【請求項７】
ポリオレフィン系樹脂に請求項１乃至５の何れかに記載のマスターバッチを配合し、有機酸金属塩が樹脂中で熱分解可能な温度、且つポリオレフィン系樹脂の熱劣化温度以下で加熱混練することで、金属超微粒子が分散された成形物を成形することを特徴とする成形方法。
【請求項８】
前記金属超微粒子の平均粒径が１乃至１００ｎｍである請求項７に記載の成形方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、ポリオレフィン系樹脂中に、有機酸金属塩を含有して成り、且つ、該有機酸金属塩の金属がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｒｕ及びＲｈから成る群から選択され、金属超微粒子形成に用いることを特徴とするマスターバッチが提供される。
本発明のマスターバッチにおいては、
１．金属が、少なくともＡｇからなること、
２．プラズモン吸収波長３００乃至７００ｎｍにおける吸光度ピーク高さの最大値と最小値の差が０．１未満であること、
３．有機酸が、脂肪酸であること、
４．脂肪酸が、３〜３０の炭素数を有すること、
が好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によればまた、ポリオレフィン系樹脂と有機酸金属塩との混練を、有機酸金属塩が該樹脂中で熱分解しない温度で行う上記マスターバッチの製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば更に、ポリオレフィン系樹脂に上記マスターバッチを配合し、有機酸金属塩が樹脂中で熱分解可能な温度、且つポリオレフィン系樹脂の熱劣化温度以下で加熱混練することで、金属超微粒子が分散された成形物を成形することを特徴とする成形方法が提供される。
本発明の成形方法においては、金属超微粒子の平均粒径が１乃至１００ｎｍであること、が好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気入力信号を提供する第１のマイクロホン及び第２のマイクロホンと、
少なくとも一部において前記電気入力信号に基づき、指向性の空間特性を有する第１のオーディオ信号（ビーム）を提供するビームフォーマと、
を備えており、
前記ビームフォーマが、少なくとも一部において前記電気入力信号に基づき、前記第１のオーディオ信号とは別の空間特性を有する第２のオーディオ信号を提供するようにさらに構成されることを特徴とする補聴器システムであって、
前記補聴器システムが、
使用者に聞こえる出力信号を提供するために前記第１のオーディオ信号と前記第２のオーディオ信号とを混合するように構成されるミキサをさらに備えている、補聴器システム。
【請求項２】
聴覚障害補正アルゴリズムに従い前記混合信号を処理するように構成されるプロセッサをさらに備えている、請求項１に記載の補聴器システム。
【請求項３】
前記第１のオーディオ信号と前記第２のオーディオ信号とを混合する前に、聴覚障害補正アルゴリズムに従い前記第１のオーディオ信号を処理するように構成されるプロセッサをさらに備えている、請求項１に記載の補聴器システム。
【請求項４】
前記ビームフォーマはアダプティブ型である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の補聴器システム。
【請求項５】
前記補聴器システムは、前記第１のオーディオ信号と前記第２のオーディオ信号との混合を制御するために、前記ミキサに操作可能に接続されたユーザ操作インタフェースを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の補聴器システム。
【請求項６】
前記ユーザ操作インタフェースは、無線リンクを介して前記ミキサに操作可能に接続される別個の遠隔制御装置に配置される、請求項５に記載の補聴器システム。
【請求項７】
前記ユーザ操作インタフェースは、手動操作可能なスイッチを含む、請求項５に記載の補聴器システム。
【請求項８】
前記補聴器システムは、通信リンクを介して互いに相互接続される第１の補聴器と第２の補聴器とを備えている両耳補聴器システムであり、前記第１のマイクロホンは前記第１の補聴器に位置し、前記第２のマイクロホンは前記第２の補聴器に位置する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の補聴器システム。
【請求項９】
前記第１の補聴器及び前記第２の補聴器の各々は、前記ビームフォーマに接続される追加のマイクロホンを備えている、請求項８に記載の補聴器システム。
【請求項１０】
前記手動操作可能なスイッチは、前記第１の補聴器及び／又は前記第２の補聴器に配置される、請求項７に従属する、請求項８又は９に記載の補聴器システム。
【請求項１１】
両耳補聴器システムの一部を形成する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の補聴器システム。
【請求項１２】
前記第１のオーディオ信号及び前記第２のオーディオ信号の空間特性は、実質的に相補的である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の補聴器システム。
【請求項１３】
前記第２のオーディオ信号の空間特性は、実質的に無指向性である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の補聴器システム。
【請求項１４】
前記第１のオーディオ信号及び前記第２のオーディオ信号の空間特性は、結果として得られる前記混合オーディオ信号の空間特性を実質的に無指向性とするように生成される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の補聴器システム。
【請求項１５】
指向性オーディオ信号と無指向性オーディオ信号とを提供するマイクロホンと、
前記マイクロホンに操作可能に接続されており、使用者に聞こえる聴覚障害補正出力信号を提供するように構成されたプロセッサと、を備えており、
前記指向性オーディオ信号と前記無指向性オーディオ信号とを混合し、それによって混合オーディオ信号を提供するミキサをさらに備えていることを特徴とする、補聴器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
第１の補聴器２のマイクロホン４は電気入力信号８を提供し、これはビームフォーマ１２に供給されるとともに、破線矢印６０によって示されるとおり、第２の補聴器３８のビームフォーマ４８にも送られる。同様に、第２の補聴器３８のマイクロホン６は電気入力信号１０を提供し、これは、ビームフォーマ４８に供給されるとともに、破線矢印６２によって示されるとおり、第１の補聴器２のビームフォーマ１２にも送られる。従って、ビームフォーマ１２及び４８の各々は、双方のマイクロホンによって提供される電気信号を受け取る。補聴器２、３８の各々における電気入力信号８、１０のさらなる処理は、図１〜図３に示される実施形態に関する上記の記載と同様に行われる。破線矢印６０、６２によって示されるとおりの補聴器２、３８間の入力信号８、１０の転送は、例えば、双方向有線又は無線リンクによって容易となるであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月19日(2011.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・基板と、
・前記基板上に直線状に配置された複数の光源と、
・反射鏡と、
・直線状に配置された複数の前記光源に沿って配置された導光体であって、前記光源からの光が入光する、前記光源の照射面に対して平行に設けられた第１の平面部と、前記第１の平面部に対して傾いて設けられた第２の平面部と、を有する入光面と、前記第１の平面部に対して傾いて設けられた反射面と、を有し、前記第１の平面部を透過した光の一部である第１の光束を前記反射鏡に向けて出射し、前記第２の平面部を透過した光と、前記第１の平面部を透過して前記反射面で反射した光とを合わせた第２の光束を原稿に向けて出射する出射面と、を有する前記導光体と、
を有し、
・前記光源を前記基板上に配置した状態において、前記反射面と前記出射面との交線は、前記第１の平面部と前記第２の平面部との交線よりも低くし、かつ、前記反射鏡は前記第１の光束を前記第２の光束と交差する方向に向けて反射するように構成している
ことを特徴とするライン状照明装置。
【請求項２】
前記反射面は、前記入光面側に設けられた入光面側反射面と、前記出射面側に設けられた出射面側反射面とを有しており、
前記出射面側反射面と前記出射面との交線は、前記入光面側反射面と前記出射面側反射面との交線と同じ高さである
ことを特徴とする請求項１に記載のライン状照明装置。
【請求項３】
原稿からの反射光を読み取る画像読取装置であって、
（ａ）・基板と、
・前記基板上に直線状に配置された複数の光源と、
・反射鏡と、
・直線状に配置された複数の前記光源に沿って配置された導光体であって、前記光源からの光が入光する、前記光源の照射面に対して平行に設けられた第１の平面部と、前記第１の平面部に対して傾いて設けられた第２の平面部と、を有する入光面と、前記第１の平面部に対して傾いて設けられた反射面と、を有し、前記第１の平面部を透過した光の一部である第１の光束を前記反射鏡に向けて出射し、前記第２の平面部を透過した光と、前記第１の平面部を透過して前記反射面で反射した光とを合わせた第２の光束を原稿に向けて出射する出射面と、を有する前記導光体と、
を有し、
・前記光源を前記基板上に配置した状態において、前記反射面と前記出射面との交線は、前記第１の平面部と前記第２の平面部との交線よりも低くし、かつ、前記反射鏡は前記第１の光束を前記第２の光束と交差する方向に向けて反射するように構成しているライン状照明装置と、
（ｂ）前記原稿からの前記反射光を受光素子上に結像する結像レンズと、
（ｃ）前記受光素子によって受光した前記反射光を信号に変換して画像信号として出力する画像読取部と、
を備えた
ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
前記ライン状照明装置の有する前記反射面は、前記入光面側に設けられた入光面側反射面と、前記出射面側に設けられた出射面側反射面とを有しており、
前記出射面側反射面と前記出射面との交線は、前記入光面側反射面と前記出射面側反射面との交線と同じ高さである
ことを特徴とする請求項３に記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１記載のライン状照明装置は、基板と、前記基板上に直線状に配置された複数の光源と、反射鏡と、直線状に配置された複数の前記光源に沿って配置された導光体であって、前記光源からの光が入光する、前記光源の照射面に対して平行に設けられた第１の平面部と、前記第１の平面部に対して傾いて設けられた第２の平面部と、を有する入光面と、前記第１の平面部に対して傾いて設けられた反射面と、を有し、前記第１の平面部を透過した光の一部である第１の光束を前記反射鏡に向けて出射し、前記第２の平面部を透過した光と、前記第１の平面部を透過して前記反射面で反射した光とを合わせた第２の光束を原稿に向けて出射する出射面と、を有する前記導光体と、を有し、前記光源を前記基板上に配置した状態において、前記反射面と前記出射面との交線は、前記第１の平面部と前記第２の平面部との交線よりも低くし、かつ、前記反射鏡は前記第１の光束を前記第２の光束と交差する方向に向けて反射するように構成していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３記載の画像読取装置は、原稿からの反射光を読み取る画像読取装置であって、基板と、前記基板上に直線状に配置された複数の光源と、反射鏡と、直線状に配置された複数の前記光源に沿って配置された導光体であって、前記光源からの光が入光する、前記光源の照射面に対して平行に設けられた第１の平面部と、前記第１の平面部に対して傾いて設けられた第２の平面部と、を有する入光面と、前記第１の平面部に対して傾いて設けられた反射面と、を有し、前記第１の平面部を透過した光の一部である第１の光束を前記反射鏡に向けて出射し、前記第２の平面部を透過した光と、前記第１の平面部を透過して前記反射面で反射した光とを合わせた第２の光束を原稿に向けて出射する出射面と、を有する前記導光体と、を有し、前記光源を前記基板上に配置した状態において、前記反射面と前記出射面との交線は、前記第１の平面部と前記第２の平面部との交線よりも低くし、かつ、前記反射鏡は前記第１の光束を前記第２の光束と交差する方向に向けて反射するように構成しているライン状照明装置と、前記ライン状照明装置からの光を受光素子上に結像する結像レンズと、前記受光素子によって受光した反射光を信号に変換して画像信号として出力する画像読取部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３つの無機で固体の材料を含むタイプの固体光起電力セル（１）であって、それぞれ以下を含み、
・透明なn型半導体化合物の多孔質層（２）、
・前記多孔質層の孔の少なくとも一部を充填する、透明なｐ型半導体化合物の層（３）、および
・少なくとも一部が接触していない、前記ｎ型およびｐ型層の２つの半導体化合物間に凝集体（４）を形成する無機吸収体化合物、
更に、前記半導体化合物と前記凝集体とは異なる酸化生成物（５）を含み、前記酸化生成物は、前記ｎ型とそれぞれp型の半導体化合物の２つの層の間、および/あるいは前記吸収体の凝集体とp型半導体化合物の層との間に配置される界面層の不連続部分を形成することを特徴とする。
【請求項２】
前記酸化生成物は、前記吸収体化合物および/あるいは前記ｐ型半導体化合物の部分酸化に起因して生じる化学種を含む請求項１に記載の固体光起電力セル。
【請求項３】
前記ｐ型半導体化合物は、CuSCNであり、前記吸収体は、熱的に焼きなましをされた硫化アンチモン基のアンチモン化合物である請求項１或いは２に記載の固体光起電力セル。
【請求項４】
前記セルは、更にチオシアン酸塩化合物MSCN（６）を含み、Mは、アルカリ金属であり、前記界面層は、(SCN)2 および/あるいはポリマー (SCN)nを含む請求項３に記載の固体光起電力セル。
【請求項５】
MSCNのCuSCNに対する重量比は、０．００１から２である請求項３と４に記載の固体光起電力セル。
【請求項６】
前記セルは、壁（９）内に密閉され、前記壁は、少なくとも一部が透明であり、該セルは、乾燥ガス雰囲気を含む請求項１ないし５のいずれか１項に記載の固体光起電力セル。
【請求項７】
前記透明なｎ型半導体化合物は、TiO2、ZnOあるいはSnO2を含む金属酸化物である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の固体光起電力セル。
【請求項８】
前記セルは、互いに貫通する形状をしており、ｎ型半導体化合物の前記多孔質基板（２）は、孔径が１０nmから１００nm の大きさの孔（２a）を有しており、前記孔の内面の少なくとも一部分は、前記吸収体化合物の前記凝集体（４）で覆われ、前記孔は、少なくとも容積比で１０％が、他方の前記p型固体半導体化合物でできたカバー層（３）により充填され、酸化生成物（５）の前記界面層部分は、厚さが０．１nmから５nmである請求項１ないし７のいずれか１項に記載の固体光起電力セル。
【請求項９】
請求項１から８のセルを作製するプロセスであって、前記界面層の前記酸化生成物（５）は、いわゆる光ソーキング（soaking）処理による酸化処理によって得られ、該光ソーキング処理は、前記セルの以下の構成要素を含むデバイスの、酸素含有ガス雰囲気での可視光照射を含んでいる:
・透明なｎ型半導体化合物の前記多孔質層（２）、
・前記多孔質層の前記孔の少なくとも一部を充填する透明なｐ型半導体化合物の前記層（３）および、
・少なくとも一部で接触しないｎ型及びそれぞれp型の前記半導体化合物の２つの前記層の間に位置する凝集体（４）として存在する無機吸収体化合物。
【請求項１０】
前記酸素含有ガス雰囲気は、周囲空気であり、好ましくは、周囲温度での前記周囲空気の過飽和湿気割合より低い湿気割合を含む請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記光ソーキング処理は、０．１kW/m2から５kW/m2の可視光パワーで５分から２０時間の間、前記セルを照射することを含んでいる請求項９から１０のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記光ソーキング処理は、オープン回路状態での前記セルを照明することを含んでいる請求項９から１１のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１３】
直列抵抗と、光起電力変換効率が依存する、たとえば短絡回路の光電流（Jsc）およびオープン回路の電圧(Voc)などのパラメーターとが観察され、光ソーキング処理は、前記セルを以下のように照明することを含む、
・光電変換効率が増大している限り照明し、そして前記変換効率が最大となったときに前記照射を停止し、そして/あるいは
・セルの直列抵抗が減少しているかぎり照明し、そして前記抵抗が最小となったとき前記照射を停止する、
請求項９から１２のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記光ソーキング処理は、非密閉セルに対して行われ、そのセルは、光ソーキング処理の直後に、乾燥ガス雰囲気のもとで密閉される請求項９から１３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記セルは、アルカリ金属チオシアン酸塩MSCN（６）の化合物を含むように製作され、Mは、アルカリ金属、好ましくはLi、Na或いはKであり、以下のステップを踏んで製作される、
・前記吸収体化合物は、ｎ型半導体の前記多孔質層上に堆積され、そして
・前記アルカリ金属チオシアン酸塩MSCN塩が導入され、前記吸収体化合物で覆われた多孔質基板上に注入される、そして
・ｐ型半導体化合物の前記充填層は、前記吸収体化合物を含む前記多孔質基板上にCuSCNを含み、前記アルカリ金属チオシアン酸塩MSCNは、CuSCN溶液、好ましくはジプロピル硫化物内のCuSCN溶液をかけることで堆積され、そして
・前記光ソーキング処理は、こうして得られたデバイス上に実行される、
請求項９から１４のいずれか１項に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接するソース電極層及びドレイン電極層とを含むトランジスタを有し、
前記酸化物半導体層に用いる酸化物半導体の電子親和力をχ（ｅＶ）、バンドギャップをＥｇ（ｅＶ）とすると、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に用いる導電体の仕事関数φｍは、φｍ＞χ＋Ｅｇ／２を満たし、かつ、χ＋Ｅｇ−φｍで表される正孔に対する障壁φＢＰは０．２５ｅＶ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、インジウム、ガリウム、又は亜鉛の少なくとも一種を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接するソース電極層及びドレイン電極層とを含むトランジスタを有し、
前記酸化物半導体層に用いる酸化物半導体の電子親和力をχ（ｅＶ）、バンドギャップをＥｇ（ｅＶ）とすると、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に用いる導電体の仕事関数φｍは、φｍ＞χ＋Ｅｇ／２を満たし、かつ、χ＋Ｅｇ−φｍで表される正孔に対する障壁φＢＰは０．２５ｅＶ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記導電体は金属酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のゲート電極層と、第１のゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と接する第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層とを含むｐチャネル型トランジスタと、
第２のゲート電極層と、第２のゲート絶縁層と、第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層と接する第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層とを含むｎチャネル型トランジスタとを有し、
前記第１の酸化物半導体層に用いる第１の酸化物半導体の電子親和力をχ１（ｅＶ）、バンドギャップをＥｇ１（ｅＶ）とすると、
前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層に用いる第１の導電体の仕事関数φｍ１は、φｍ１＞χ１＋Ｅｇ１／２を満たし、かつ、χ１＋Ｅｇ１−φｍ１で表される正孔に対する障壁φＢＰ１は０．２５ｅＶ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のゲート電極層と、第１のゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と接する第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層とを含むｐチャネル型トランジスタと、
第２のゲート電極層と、第２のゲート絶縁層と、第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層と接する第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層とを含むｎチャネル型トランジスタとを有し、
前記第１の酸化物半導体層に用いる第１の酸化物半導体の電子親和力をχ１（ｅＶ）、バンドギャップをＥｇ１（ｅＶ）とすると、
前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層に用いる第１の導電体の仕事関数φｍ１は、φｍ１＞χ１＋Ｅｇ１／２を満たし、かつ、χ１＋Ｅｇ１−φｍ１で表される正孔に対する障壁φＢＰ１は０．２５ｅＶ未満であり、
前記第１の酸化物半導体層に用いる第１の酸化物半導体と前記第２の酸化物半導体層に用いる第２の酸化物半導体とは同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記第１の導電体は金属酸化物であり、前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層に用いる第２の導電体は金属であることを特徴とする半導体装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、回路基板およびその製造方法に関するものであり、特に、プロセス性能を向上させることのできる回路基板およびその製造方法に関するものである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
非ＡＢＦを使用して製造する方法は、非ＡＢＦの表面に薄い銅層を押圧することを含む。それから、平版印刷、メッキ、剥離、エッチング等のセミアディティブ工程を行って、微細パターンを有する回路層を形成する。しかし、薄い銅膜は非ＡＢＦに対して接着力が弱いため、非ＡＢＦを使用する方法の工程能力は、ＡＢＦを使用する方法の工程能力よりも低い。従って、現在のセミアディティブ工程では、ＡＢＦのような特定の材料を使用する場合に、メッキ銅を形成する前に尻銅（bottom copper）を形成しなくても、ＡＢＦにメッキ銅を形成することができる。また、非ＡＢＦを使用する場合は、非ＡＢＦに尻銅とメッキ銅の両方を形成することが必要となる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明は、プロセス性能を向上させることのできる回路基板およびその製造方法を提供する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
以上のように、回路基板およびその製造方法において、誘電層の上に絶縁層を形成し、それから、絶縁層の上に無電解メッキ層を形成する。絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きいため、プロセス性能が向上する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図１Ｄおよび１Ｅを参照すると、ブラインドバイアＣの側壁および絶縁層１２０の残りの部分の上に無電解メッキ層１３０を形成する。この無電解メッキ層１３０の上にパターン化された導電層１４０をメッキして、無電解メッキ層１３０の一部分を覆う。注意すべきこととして、絶縁層１２０は熱可塑性樹脂でもよく、誘電層１１０は熱硬化性樹脂でもよい。誘電層１１０の上に無電解メッキ層１３０を直接形成する場合、無電解メッキ層１３０は熱硬化性樹脂に対して接着力が弱いため、プロセス性能を上げることができない。本発明では、誘電層１１０の上に絶縁層１２０を形成し、それから、絶縁層１２０の上に無電解メッキ層１３０を形成する。絶縁層１２０と無電解メッキ層１３０の間の結合力は、誘電層１１０と無電解メッキ層１３０の間の結合力よりも大きいため、プロセス性能が向上する。本実施形態において、無電解メッキ層１３０の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、およびＳｎから成る群から選ばれた金属である。しかしながら、無電解メッキ層１３０の材料は、これらに限定されない。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
以上のように、回路基板およびその製造方法において、誘電層の上に絶縁層を形成し、それから、絶縁層の上に無電解メッキ層を形成する。絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きいため、プロセス性能が向上する。本発明の絶縁材料はＡＢＦに限定されないため、製造コストが下がる。同様に、本発明の絶縁材料が粗くなった後、無電解メッキプロセスまたは液浸コーティング（immersion coating）プロセスを行うことによって、その上に無電解メッキ層を形成することができる。
それから、平版印刷、メッキ、剥離、エッチング等のセミアディティブ工程を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、第１のソース電極層と前記第１のソース電極層上の第２のソース電極層とを有するソース電極層、及び、第１のドレイン電極層と前記第１のドレイン電極層上の第２のドレイン電極層とを有するドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層の上面及び前記第２のソース電極層の側面に接する第１の側壁と、
前記第１のドレイン電極層の上面及び前記第２のドレイン電極層の側面に接する第２の側壁と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記第１の側壁、及び前記第２の側壁上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、を有し、
前記第１の側壁は、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極層との間に設けられ、前記ゲート電極層と少なくとも一部が重なり、
前記第２の側壁は、前記ゲート絶縁層と前記ドレイン電極層との間に設けられ、前記ゲート電極層と少なくとも一部が重なり、
前記第１のソース電極層は、前記第２のソース電極層の端部を超えて延在し、
前記第１のドレイン電極層は、前記第２のドレイン電極層の端部を超えて延在する半導体素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート電極層と、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層との間に前記ゲート絶縁層及び絶縁層を有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、前記ゲート絶縁層及び前記絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部と重なる半導体素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度は１×１０１２／ｃｍ３未満である半導体素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体素子のオフ電流値は、１×１０−１３Ａ未満である半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月22日(2011.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜をエッチングして、島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施し、
前記第２の加熱処理が施された島状の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施し、
前記第２の加熱処理が施された島状の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記島状の酸化物半導体膜と接するように、酸素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施し、
前記第２の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施し、
前記第２の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記島状の酸化物半導体膜と接するように、酸素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施し、
前記第２の加熱処理が施された島状の酸化物半導体膜上に、前記ゲート電極と重なる位置にチャネル保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施し、
前記第２の加熱処理が施された酸化物半導体膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、前記ゲート電極と重なる位置にチャネル保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記チャネル保護膜は、酸素を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜をエッチングして、前記第１の電極と重なる位置に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記島状の酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施し、
前記第２の加熱処理が施された前記島状の酸化物半導体膜上に、前記第１の電極と離隔する第２の電極を形成し、
前記第１の電極、前記島状の酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで、前記島状の酸化物半導体膜の端部と重なるように、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第２の加熱処理を施し、
前記第２の加熱処理が施された前記酸化物半導体膜をエッチングして、島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、前記第１の電極と離隔する第２の電極を形成し、
前記第１の電極、前記島状の酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで、前記島状の酸化物半導体膜の端部と重なるように、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記酸素の添加は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１の加熱処理または前記第２の加熱処理は、３００℃以上８５０℃以下の範囲で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出力するＬＥＤパッケージであって、
安着溝が形成されるハウジングと、
前記安着溝に安着される一つ以上のＬＥＤと、
前記ＬＥＤの上側に前記安着溝の内部を満たすよう充填剤で形成された、上面が凸のレンズと、
を含んで構成され、
前記レンズは、前記ＬＥＤパッケージから出射される光の指向角を、前記レンズが結合されていないときより広くするＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
前記レンズは、一定の屈折率を有する充填剤によって形成された請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
前記レンズは、屈折率が異なる二つ以上の充填剤が積層されて形成された請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
前記レンズは、ガラス、シリコン、レジンのいずれかまたは２以上の物質から製作される請求項１から３のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
前記安着溝には、相互に異なる色相の光を発光する二つ以上のＬＥＤが装着される請求項１から４のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージを一つ以上含むことを特徴とするバックライトユニット。
【請求項７】
相互に異なる色相の光を発光する二つ以上のＬＥＤが相互に隣接するように群を成して配列される請求項６に記載のバックライトユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明による光を出力するＬＥＤパッケージは、安着溝が形成されるハウジングと、安着溝に安着される一つ以上のＬＥＤと、ＬＥＤの上側に安着溝の内部を満たすよう充填剤で形成された、上面が凸のレンズと、を含んで構成され、レンズは、ＬＥＤパッケージから出射される光の指向角を、レンズが結合されていないときより広くする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
一つの態様において、レンズは、一定の屈折率を有する充填剤によって形成されてよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一つの態様において、レンズは、屈折率が異なる二つ以上の充填剤が積層されて形成されてよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
一つの態様において、安着溝は、円形の水平断面を有するように形成されてよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一つの態様において、指向角半値幅が１２０度以上になるように、レンズの上面に形成された勾配の高さは勾配が始まる地点のレンズ直径の１０から３０％であってよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
一つの態様において、安着溝は、多角形の水平断面を有するように形成されてよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
一つの態様において、レンズの上面に形成された勾配の高さは、勾配が始まる地点のレンズ対角線の長さの１０から３０％であってよい。