【事件の表示】
　特願２００３−２７６９６１「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月１０日出願公開、特開２００５−　３９１５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年７月１８日の出願であって、平成１７年７月２７日付け、及び平成１８年５月１９日付けで手続補正がなされ、その後、平成１８年１２月６日付けで同年５月１９日付けの手続補正の却下がなされるとともに、拒絶査定がなされた。
　そして、それに対して、平成１９年１月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月１５日付けで手続補正がなされ、その後、平成２１年８月７日付けで審尋がなされ、同年１０月７日に回答書が提出された。
　
２．平成１９年２月１５日付けの手続補正についての却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年２月１５日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成１９年２月１５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲（平成１８年５月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されているから、平成１７年７月２７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲をいう。補正前の明細書についても同じ。）の請求項１を、補正後の請求項１と補正するとともに、補正前の明細書の００１５段落を補正後の明細書の００１５段落と補正し、補正前の明細書の００４７段落を削除するものであり、補正前後の請求項１は以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　半導体素子が搭載された基板に封止部材を接合することにより前記半導体装置を封止する半導体装置の製造方法であって、
　前記封止部材に通気孔を形成し、
　該通気孔が形成された前記封止部材を前記基板に接合用接着剤で接合した後で、かつ要加熱工程を終了した後に、紫外線硬化型の接着剤または瞬間接着剤を用いて前記通気孔を閉塞処理し、前記半導体素子を気密封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体素子が搭載された基板に封止部材を接合することにより前記半導体装置を封止する際、
　前記封止部材に通気孔を形成し、
　該通気孔が形成された前記封止部材を前記基板に接合用接着剤で接合した後で、かつ要加熱工程を終了した後に、紫外線硬化型の接着剤を前記通気孔に装着し、紫外線照射を行って前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させて前記通気孔を閉塞処理し、前記半導体素子を気密封止する半導体装置の製造方法であって、
　前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正のうち、請求項１についての補正を整理すると以下のとおりである。
（補正事項１）
　補正前の請求項１の「半導体素子が搭載された基板に封止部材を接合することにより前記半導体装置を封止する半導体装置の製造方法であって、」を、補正後の請求項１の「半導体素子が搭載された基板に封止部材を接合することにより前記半導体装置を封止する際、」と補正すること。
　
（補正事項２）
　補正前の請求項１の「紫外線硬化型の接着剤または瞬間接着剤を用いて前記通気孔を閉塞処理し、」を、補正後の請求項１の「紫外線硬化型の接着剤を前記通気孔に装着し、紫外線照射を行って前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させて前記通気孔を閉塞処理し、」と補正すること。
　
（補正事項３）
　補正前の請求項１の「前記半導体素子を気密封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、補正後の請求項１の「前記半導体素子を気密封止する半導体装置の製造方法であって、　前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正すること。
　
（３）補正の目的及び新規事項の追加の有無についての検討
（３−１）補正事項１
　補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１が本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲、図面を、各々「当初明細書」、「当初特許請求の範囲」、「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項２
　補正事項２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「紫外線硬化型の接着剤または瞬間接着剤を用いて前記通気孔を閉塞処理」する工程について、使用する接着剤を「紫外線硬化型の接着剤」のみに限定するとともに、接着方法を限定したものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「紫外線硬化型の接着剤を前記通気孔に装着し、紫外線照射を行って前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させて前記通気孔を閉塞処理」する工程は、当初明細書の００４２〜００４６段落等に記載されているから、補正事項２は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−３）補正事項３
（３−３−１）補正事項３が当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
　補正事項３は、補正前の請求項１に対して、「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いた」構成を新たに付加するものである。
　一方、当初明細書において、「前記紫外線硬化型の接着剤」が「硬化」する時間に関連していると認められる部分は以下のとおりである。
　「【００１９】
　また、請求項３記載の発明は、
　請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
　接着剤を用いて前記通気孔の閉塞処理を行なうと共に、該接着剤として紫外線硬化型の接着剤または瞬間接着材を用いることを特徴とするものである。
　【００２０】
　上記発明によれば、紫外線硬化型の接着剤は紫外線の照射を行なうことにより短時間で、また瞬間接着剤は大気中において短時間で硬化するため、通気孔の閉塞処理を短時間で行なうことができる。このため、接着剤が硬化するまでの時間内における封止部材内の圧力変化により接着不良が発生することを防止できる。」
　「【００４４】
　通気孔２５を閉塞する処理は、本実施例では接合用接着剤２８を用いる。この接合用接着剤２８は紫外線硬化型の接着剤であり、軟化状態の接合用接着剤２８を通気孔２５に装填後、紫外線を照射することにより短時間で硬化する。
　【００４５】
　本実施例のように、紫外線硬化型の接合用接着剤２８を用いることにより、紫外線の照射を行なうことにより短時間で接合用接着剤２８を硬化させることができる。このため、接合用接着剤２８が硬化するまでの時間内に、ホルダ１３内の圧力変化により接着不良が発生することを防止できる。
　【００４６】
　尚、ここで接合用接着剤２８が硬化するまでの時間内に発生するホルダ１３内の圧力変化は、例えば紫外線照射により内部空間２７の温度が上昇し、これによりホルダ１３内の圧力変化すること等が考えられる。
　【００４７】
　また、接合用接着剤２８の種類としては、紫外線硬化型の接着剤に限定されるものではなく、大気中において短時間で硬化する瞬間接着剤を用いることも可能である。」
　
　また、当初特許請求の範囲及び当初図面には、「前記紫外線硬化型の接着剤」が「硬化」する時間に関連する記載は存在しない。
　
（３−３−２）上記（３−３−１）から明らかなように、当初明細書等には、補正事項３についての補正後の請求項１に記載された「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いた」構成は記載されていない。
　次に、「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いた」構成が、当初明細書等から当業者にとって自明のものであるか否かにつき検討する。
　当初明細書の００４５段落には、「紫外線硬化型の接合用接着剤２８を用いることにより、紫外線の照射を行なうことにより短時間で接合用接着剤２８を硬化させることができる。」ことの結果として、「接合用接着剤２８が硬化するまでの時間内に、ホルダ１３内の圧力変化により接着不良が発生することを防止できる。」という効果を奏することが記載されているから、当該記載と００４６段落の「尚、ここで接合用接着剤２８が硬化するまでの時間内に発生するホルダ１３内の圧力変化は、例えば紫外線照射により内部空間２７の温度が上昇し、これによりホルダ１３内の圧力変化すること等が考えられる。」という記載とを合わせて解釈すれば、「接合用接着剤２８」は、「紫外線照射により内部空間２７の温度が上昇し、これによりホルダ１３内の圧力変化」が生じ、「ホルダ１３内の
圧力変化により接着不良が発生する
接着不良が発生する程度の
　したがって、補正後の請求項１に記載された表現に合わせて書き表せば、「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し」
接着不良が発生する程度の
　しかしながら、補正事項３についての補正後の請求項１に記載されている構成は、当初明細書等から当業者にとって自明と認められる「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し」
接着不良が発生する程度の
　
　以上要するに、補正事項３による補正後の請求項１に記載された「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いた」構成は、当初明細書等に記載されておらず、かつ、それらの記載から当業者にとって自明なものとも認められないから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものではない。
　
（３−３−３）以上のとおりであるから、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではなく、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものではない。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）検討の前提
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものではない。
　しかしながら、仮に、補正後の請求項１の「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いた」が、「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し」
接着不良が発生する程度の
　
（４−２）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜３に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、その請求項１に記載された、上記（１）の「補正後」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用発明
（４−３−１）引用例１：特開平４−２７９０４９号公報
（４−３−１−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された特開平４−２７９０４９号公報（以下「引用例１」という。）には、図１及び２とともに以下の記載がある。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】本
発明は半導体装置に関し、特にセラミックパッケージ封入形の半導体装置に関する
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の半導体装置は、図２に示すように、
ケース本体１の上面には半導体チップ５が搭載され、さらに、その電極と内部連結線６により接続され外部リード端子２と電気的に接続する内部電極メタライズ４が形成され、ケース本体１の外周部に設けられた内部電極メタライズ４上のセラミック膜８とキャップ１２との封止部との間に、低融点ガラスや樹脂等の封着材９を塗布し、加熱焼成して封着するという方法で気密封止が行なわれていた。封止用のキャップ７は、内外を貫通する貫通孔等はない構造であった
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体装置は、内外を貫通する貫通孔等はない構造のキャップを用いるため、封着のため高温の加熱焼成を行なう際に、低融点ガラスや樹脂等の封着材が溶融した状態でパッケージ内の雰囲気が膨張し圧力が上昇するため、キャップの浮き上がりや封着材の発泡により気密性および機械的強度の低下を起し易いとという欠点を有していた
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、セラミックパッケージに封入される半導体チップを気密封止する半導体装置において、前記セラミックパッケージのキャップの内面と外面との間を貫通する貫通孔を形成し前記半導体チップの気密封止後前記貫通孔を埋めることを特徴としている。
【０００５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【０００６】図１は本発明の半導体装置の一実施例を示す模式断面図である。
【０００７
】本実施例の半導体装置は、図１に示すように、従来例と同様、上面が平坦なセラミック素材のケース本体１の底面に、外部リード端子２がろう材３により接着され、ケース本体１の上面には半導体チップ５が搭載され、さらに、その電極と内部連結線６により接続され外部リード端子２と電気的に接続する内部電極メタライズ４が形成され、ケース本体１の外周部に設けられた内部電極メタライズ４上のセラミック膜８とキャップ７との封止部との間に、低融点ガラスや樹脂等の封着材９を塗布し、加熱焼成して封着するという方法で気密封止が行なわれる
【０００８】キャップ７には、内面と外面との間を貫通する貫通孔１０を形成し、半導体チップ５の気密封止後に、貫通孔１０を埋める低融点ガラスや樹脂等の充填材１１を充填して気密封止を完成する
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装置は、キャップの内面と外面との間を貫通する貫通孔を設けることにより、ケース本体にキャップを封止するときの加熱焼成時におけるパッケージ内の雰囲気圧力の上昇を抑圧できるので、キャップの浮き上がりや封着材の発泡による気密性および機械的強度の低下を防止できるという効果を有している。」
　
（４−３−１−２）
　以上を総合すると、引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「上面に半導体チップ５が搭載された上面が平坦なセラミック素材のケース本体１の外周部に設けられた内部電極メタライズ４上のセラミック膜８とキャップ７との封止部との間に、低融点ガラスや樹脂等の封着材９を塗布し、加熱焼成して封着するという方法で気密封止が行なわれる際、
　キャップ７には、内面と外面との間を貫通する貫通孔１０を形成し、
　前記半導体チップ５の気密封止後に、前記貫通孔１０を埋める低融点ガラスや樹脂等の充填材１１を充填して気密封止を完成することを特徴とするセラミックパッケージ封入形の半導体装置の製造方法。」
　
（４−３−２）引用例２：特開２０００−１５０８４４号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された特開２０００−１５０８４４号公報（以下「引用例２」という。）には、図１〜５とともに以下の記載がある。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージに固体撮像素子を搭載して構成される固体撮像装置の製造方法に関する
　「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。図１乃至図４は本発明に係る固体撮像装置の製造方法の一実施形態を説明する図である。なお、本実施形態においては、上記従来技術で挙げた構成部分と同様の部分に同じ符号を付し、重複する説明は極力省略する。
【００１３】先ず、固体撮像装置の製造にあたっては、図１に示す平面構造を有するプラスチック製またはセラミックス製のパッケージ１を用意する。このパッケージ１は、平面視四角形をなすもので、その一面（上面）を開口した凹部２を有している。凹部２は固体撮像素子６（図３参照）の収納空間を形成するもので、この凹部２の開口周面がシールガラス５（図２，図３参照）とのシール面３となっている。また、凹部２の底面には、そこに搭載される固体撮像素子の平面サイズに対応した素子搭載領域Ｅが設定されている。なお、図１において、パッケージ１の凹部２の両サイドに形成されている段部１ａは、固体撮像素子６とワイヤ等を介して電気的に接続されるインナーリードが配置形成される部分である。
【００１４】ここで本実施形態においては、パッケージ１単体の状態で、素子搭載領域Ｅを除く凹部２の底面に貫通穴７を形成してある。この貫通穴７は、例えば穴径がφ１ｍｍ〜φ２ｍｍの丸穴で、その一端は凹部２底面に開口し、その他端はパッケージ１底面に開口している。つまり、凹部２に連通する状態で貫通穴７を形成してある。
【００１５】また、貫通穴７の具体的な形成方法としては、例えばパッケージ１がプラスチック製のものであれば、これを成形金型で樹脂成形するときに、貫通穴７の径と位置に対応して金型キャビティ内にピンを立てておくことにより、パッケージ成形と同時に形成することができる。また、パッケージ成形後においても、細いキリやドリルを用いた穴開け加工により形成することができる。
【００１６】一方、パッケージ１がセラミックス製のものである場合は、レーザ加工、高圧ジェット噴射加工、マイクロ波加工、電子ビーム加工、ダイヤモンドキリによる穴開け加工などによって貫通穴７を形成することができる。また、パッケージ１が樹脂成形セラミックスである場合は、その成形と同時に貫通穴７を形成することができる。
【００１７】なお、ここでは貫通穴７を丸穴としているが、穴の形状については特に丸穴でなくてもかまわない。また、貫通穴７の形成位置についても、凹部２に連通する状態で形成してあればよく、したがってパッケージ１の周壁部に形成してあってもかまわない。さらに、パッケージ１の凹部２底面やパッケージ周壁部に合計２つまたはそれ以上の貫通穴７を形成してもよい。
【００１８】ただし、貫通穴７の数が増えると、パッケージ成形後にこれを形成するときの穴開け加工に手間がかかるうえ、後述する後処理（穴を塞ぐ処理）が面倒になるため、穴径との兼ね合いで必要最小限にとどめることが望ましい。また、パッケージ１の周壁部に貫通穴７を形成した場合は、製品として完成した固体撮像装置をマザーボード等に実装した状態でも、貫通穴７の形成跡が外部から見えることになる。これに対して、図例のように凹部２底面に貫通穴を形成した場合はその形成跡がマザーボード等に遮蔽されて外部から隠れるため、外観上の観点からすると、凹部２底面に貫通穴７を形成した方が好ましい。
【００１９】こうして貫通穴７の開いたパッケージ１を用意したら、その後は、パッケージ１の凹部２底面、すなわち素子搭載領域Ｅに固体撮像素子（ＣＣＤチップ等）６を搭載し、これをダイボンド材を用いて固着する。これにより、パッケージ１の凹部２内に固体撮像素子６が収納された状態となる（図３参照）。
【００２０】次いで、固体撮像素子に設けられた電極パッドとこれに対応してパッケージ１の段部１ａに配置形成されたインナーリード（不図示）とを金線等のワイヤを介して電気的に接続（ワイヤボンディング）する。
【００２１】続いて、図２に示すように、パッケージ１のシール面３に液状の樹脂（例えば熱硬化性樹脂、あるいは紫外線硬化型樹脂等）４を塗布する。このとき、パッケージ１のシール面３に対しては、凹部２の周辺部を完全に囲む状態（図５におけるスリットＳの無い状態）で液状の樹脂４を連続的に塗布する。
【００２２】
次に、図３に示すように、パッケージ１との位置を合わせて、そのシール面３上に液状の樹脂４を介してシールガラス５を被せる。このとき、シールガラス５を上方から加圧してシール面３に押し付けると、凹部２内のエアが図中二点鎖線で示すように貫通穴７を通して外部に逃げる。これにより、パッケージ１の内圧上昇を確実に回避することができるため、内圧上昇に伴うシールガラス５の浮き上がりや接合不良を防止することが可能となる。なお、液状の樹脂４については、シールガラス５を加圧接合した段階で、加熱あるいは紫外線照射等により硬化させる
【００２３】
続いて、図４に示すように、パッケージ１の底面側から、例えば熱硬化性樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂からなる液状の樹脂８を貫通穴７に注入（または充填）してこれを硬化させることにより、貫通穴７を樹脂８によって塞ぐ。これにより、貫通穴７でのエアーの通り（パス）が樹脂８によって阻止されるため、パッケージ１の凹部２内を気密状態に保持することができる
　
（４−３−３）引用例３：特開昭５９−２１４２４１号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された特開昭５９−２１４２４１号公報（以下「引用例３」という。）には、第３図〜第５図とともに以下の記載がある。
　「〔発明の技術分野〕
　この発明は、匡体内に半導体素子が収納され、匡体内部が気密を要求される半導体装置に関するものである。
　「〔発明の実施例〕
　以下にこの発明の一実施例を第３図に基づいて説明すると、図において、（８）は匡体（２）の側壁開口端部に形成された段部（１ｃ）に、周縁が熱硬化性接着剤（６）にて接着され、匡体（２）の開口部（２ａ）を封塞して匡体（２）の収納部（２ｂ）を気密にするためのガラス繊維を含んだ樹脂製の蓋体で、一部に樹脂溜め用凹部（８ａ）を有し、この凹部（８ａ）の底に匡体（２）の収納部（２ｂ）と外部とを連通する空気穴（８ｂ）が形成されているものである。（９）はこの蓋体の凹部（８ａ）内に注入され、蓋体（８）の空気穴（８ｂを封ずる紫外線硬化型樹脂である。
　
この様に構成される半導体装置の製造は、まず、第４図に示すように、上記従来例と同様にして蓋体（８）を匡体（２）に装着する。そして、匡体（２）の開口部（２ａ）を封塞した蓋体（８）の凹部（８ａ）内に紫外線硬化型樹脂（９）を注入し、その後、第５図に示すように、紫外線硬化型樹脂（９）に紫外線（Ａ）を照射して硬化させることにより、蓋体（８）の空気穴（８ｂ）が完全に封じられ、従って匡体（２）内部の充分な気密性が得られるものである。しかも、樹脂の注入及び紫外線の照射と作業の条件が一定しやすいものであるので、ばらつきの無い安定した品質の半導体装置が得られるものである
　なお、紫外線硬化型樹脂（９）の注入及び硬化には、市販されているディスペンサ（樹脂注入器）、マーキング乾燥用の紫外線乾燥炉を用いることができ、自動化も容易に行なえるという利点をも有するものである
　また、紫外線硬化型樹脂（９）は速乾性があり、数十秒で硬化するので、工期短縮という利点をも有するものである。」（２ページ右上欄１６行〜右下欄７行）
　
（４−４）補正発明と引用発明との対比
（４−４−１）補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体チップ５」、「上面に半導体チップ５が搭載された上面が平坦なセラミック素材のケース本体１」、「キャップ７」が、各々補正発明の「半導体素子」、「半導体素子が搭載された基板」、「封止部材」に相当することは明らかである。
　そして、引用発明の「低融点ガラスや樹脂等の封着材９を塗布し、加熱焼成して封着するという方法で気密封止が行なわれる」構成は、補正発明の「封止部材を接合することにより前記半導体装置を封止する」構成に相当するから、引用発明の「上面に半導体チップ５が搭載された上面が平坦なセラミック素材のケース本体１の外周部に設けられた内部電極メタライズ４上のセラミック膜８とキャップ７との封止部との間に、低融点ガラスや樹脂等の封着材９を塗布し、加熱焼成して封着するという方法で気密封止が行なわれる際」は、補正発明の「半導体素子が搭載された基板に封止部材を接合することにより前記半導体装置を封止する際」に相当する。
　また、引用発明の「内面と外面との間を貫通する貫通孔１０」が、補正発明の「通気孔」に相当するから、引用発明の「キャップ７には、内面と外面との間を貫通する貫通孔１０を形成」する構成は、補正発明の「前記封止部材に通気孔を形成」する構成に相当する。
　
　引用発明の「低融点ガラスや樹脂等の封着材９」は、補正発明の「接合用接着剤」に相当する。
　そして、引用発明において、「半導体チップ５の気密封止」は、「上面に半導体チップ５が搭載された上面が平坦なセラミック素材のケース本体１の外周部に設けられた内部電極メタライズ４上のセラミック膜８とキャップ７との封止部との間に、低融点ガラスや樹脂等の封着材９を塗布し、加熱焼成して」行われるものであるから、当該「半導体チップ５の気密封止」が、「貫通孔１０」が形成された「キャップ７」を「ケース本体１」に「低融点ガラスや樹脂等の封着材９」で接合した後、「加熱焼成」という加熱工程を経て実現されるものであることは明らかである。
　したがって、引用発明の「前記半導体チップ５の気密封止後」は、補正発明の「該通気孔が形成された前記封止部材を前記基板に接合用接着剤で接合した後で、かつ要加熱工程を終了した後」に相当する。
　
　引用発明の「低融点ガラスや樹脂等の充填材１１」は、補正発明の「紫外線硬化型の接着剤」と対応しており、両者は充填材である点で共通する。
　そして、引用発明の「気密封止を完成する」構成が、補正発明の「前記半導体素子を気密封止する」構成に相当することは明らかであるから、引用発明の「前記貫通孔１０を埋める低融点ガラスや樹脂等の充填材１１を充填して気密封止を完成する」構成は、「紫外線硬化型の接着剤を前記通気孔に装着し、紫外線照射を行って前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させて前記通気孔を閉塞処理し、前記半導体素子を気密封止する」構成に対応しており、両者は「充填材を前記通気孔に装着し、前記半導体素子を気密封止する」構成である点で共通する。
　また、引用発明の「セラミックパッケージ封入形の半導体装置の製造方法」が、補正発明の「半導体装置の製造方法」相当することは明らかである。
　
（４−４−２）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「半導体素子が搭載された基板に封止部材を接合することにより前記半導体装置を封止する際、
　前記封止部材に通気孔を形成し、
　該通気孔が形成された前記封止部材を前記基板に接合用接着剤で接合した後で、かつ要加熱工程を終了した後に、充填材を前記通気孔に装着し、前記半導体素子を気密封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　「充填材を前記通気孔に装着し、前記半導体素子を気密封止する」に際して、補正発明は、「紫外線硬化型の接着剤を前記通気孔に装着し、紫外線照射を行って前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させて前記通気孔を閉塞処理」することにより封止を実現しているのに対して、引用発明は、「前記貫通孔１０を埋める低融点ガラスや樹脂等の充填材１１を充填」することにより封止を実現している点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いた」という構成を有しているのに対して、引用発明はそのような構成を有していない点。
　
（４−５）相違点についての当審の判断
（４−５−１）相違点１について
　一般に、半導体装置の製造方法において、匡体に形成された貫通孔を気密封止するに際して、紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外線を照射して硬化させることにより封止を実現することは、当業者における周知技術である。
　例えば、上記引用例２には、「こうして貫通穴７の開いたパッケージ１を用意したら、その後は、パッケージ１の凹部２底面、すなわち素子搭載領域Ｅに固体撮像素子（ＣＣＤチップ等）６を搭載し、これをダイボンド材を用いて固着する。・・・次に、図３に示すように、パッケージ１との位置を合わせて、そのシール面３上に液状の樹脂４を介してシールガラス５を被せる。・・・なお、液状の樹脂４については、シールガラス５を加圧接合した段階で、加熱あるいは紫外線照射等により硬化させる。・・・続いて、
図４に示すように、パッケージ１の底面側から、例えば熱硬化性樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂からなる液状の樹脂８を貫通穴７に注入（または充填）してこれを硬化させることにより、貫通穴７を樹脂８によって塞ぐ。これにより、貫通穴７でのエアーの通り（パス）が樹脂８によって阻止されるため、パッケージ１の凹部２内を気密状態に保持することができる
　また、上記引用例３には、「以下にこの発明の一実施例を第３図に基づいて説明すると、図において、（８）は匡体（２）の側壁開口端部に形成された段部（１ｃ）に、周縁が熱硬化性接着剤（６）にて接着され、匡体（２）の開口部（２ａ）を封塞して匡体（２）の収納部（２ｂ）を気密にするためのガラス繊維を含んだ樹脂製の蓋体で、一部に樹脂溜め用凹部（８ａ）を有し、この凹部（８ａ）の底に匡体（２）の収納部（２ｂ）と外部とを連通する空気穴（８ｂ）が形成されているものである。（９）はこの蓋体の凹部（８ａ）内に注入され、蓋体（８）の空気穴（８ｂを封ずる紫外線硬化型樹脂である。　この様に構成される半導体装置の製造は、まず、第４図に示すように、上記従来例と同様にして蓋体（８）を匡体（２）に装着する。
そして、匡体（２）の開口部（２ａ）を封塞した蓋体（８）の凹部（８ａ）内に紫外線硬化型樹脂（９）を注入し、その後、第５図に示すように、紫外線硬化型樹脂（９）に紫外線（Ａ）を照射して硬化させることにより、蓋体（８）の空気穴（８ｂ）が完全に封じられ、従って匡体（２）内部の充分な気密性が得られるものである
　
　したがって、上記周知技術を勘案すれば、引用発明において、「前記貫通孔１０」を埋めて気密封止するに際して、「低融点ガラスや樹脂等の充填材１１を充填」する構成に替え、紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外線を照射して硬化させる構成とすること、すなわち、補正発明のように「紫外線硬化型の接着剤を前記通気孔に装着し、紫外線照射を行って前記紫外線硬化型の接着剤を硬化させて前記通気孔を閉塞処理」することにより封止を実現する構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（４−５−２）相違点２について
（４−５−２−１）上記（４−１）に記載したとおり、補正発明の独立特許要件についての検討は、補正発明における「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いた」が、「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し」
接着不良が発生する程度の
　
　紫外線硬化型の接着剤を硬化させる際に、紫外線の照射を行うための光源が必要であることは当然であるが、一般に、そのような紫外線照射用の光源が熱を発生し、照射された部分の温度が上昇することは当業者における技術常識である。
　例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０００−１６２３９７号公報には、「【発明が解決しようとする課題】上記した従来の紫外線硬化装置で紫外線硬化するディスク６は、例えばポリカーボネート材で構成し、
接着剤としては、例えば紫外線硬化型接着剤を用いて構成し、さらに紫外線放射光源としては、例えば閃光式放電ランプを４本所定の間隔を有して配置してある。
同紫外線放射光源の温度は上昇して短寿命となるおそれがあり、また同紫外線放射光源からの輻射熱で紫外線透過板面の温度が上昇し、さらに紫外線透過板面からの熱を受けてディスクが変形し易い欠点がある。
　
　また、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００１−２２８４６５号公報には、「【００１７】シール材１０４は、基板１０１、対向基板１０２の周縁部間に熱硬化性接着剤又は光硬化性接着剤を塗布し、接着剤を硬化することにより形成される。接着剤の硬化は、熱硬化性接着剤の場合には、通常１００〜１６０℃程度に加熱することにより行われ、光硬化性接着剤の場合には、紫外線等を照射することにより行われる。
光硬化性接着剤の場合には、加熱は行われないが、紫外線ランプのからの発熱で、８０℃程度まで昇温する。
したがって、シール材１０４として、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤のいずれを使用する場合においても、液晶セルは１００〜１６０℃程度あるいは８０℃程度に加熱される。
熱膨張係数の大きい基板が、熱膨張係数の小さい基板と比較して、温度上昇とともに大きく膨張する。さらに、基板の周縁部はシール材１０４によって固定されているので、膨張した基板に湾曲が生じる。」
　
（４−５−２−２）したがって、上に述べた当業者における技術常識に鑑みれば、引用発明において、「前記貫通孔１０」を埋めて気密封止するに際して、「低融点ガラスや樹脂等の充填材１１を充填」する構成に替え、紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外線を照射して硬化させる構成を採用するに当たり、「紫外線照射」の際に、紫外線照射用の光源が熱を発生し、紫外線が照射される「キャップ７」の温度が上昇することは、当業者が直ちに察知し得たことである。
　そして、引用発明は、引用例１の０００３段落に記載されているように、「封着のため高温の加熱焼成を行なう際に、低融点ガラスや樹脂等の封着材が溶融した状態でパッケージ内の雰囲気が膨張し圧力が上昇するため、キャップの浮き上がりや封着材の発泡により気密性および機械的強度の低下を起し易い」という従来技術の欠点を解消するためのものであるから、「キャップ７」の温度上昇に伴って「セラミックパッケージ」内部の温度が上昇し、圧力が上昇することにより「キャップ７」の浮き上がり等が生じては、所期の目的を達成することができなくなることもまた、当業者であれば当然に察知し得たことである。
　したがって、引用発明において、「前記貫通孔１０」を埋めて気密封止するに際して、「低融点ガラスや樹脂等の充填材１１を充填」する構成に替え、紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外線を照射して硬化させる構成を採用するに当たり、紫外線照射用の光源が発生する熱により、「セラミックパッケージ」内部の温度が上昇し、圧力が上昇することにより「キャップ７」の浮き上がり等が生ずる前に硬化するような接着剤を選択すること、すなわち、補正発明のように、「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し」
接着不良が発生する程度の
　
（４−５−３）相違点についての判断のまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正発明は、当業者における周知技術及び技術常識を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下の決定についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、また、仮に、本件補正による補正後の請求項１の「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し前記封止部材内の圧力変化が発生するまでの時間に硬化するものを用いた」が、「前記紫外線硬化型の接着剤として、前記紫外線照射により前記封止部材内の温度が上昇し」
接着不良が発生する程度の
　したがって、本件補正は特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年２月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成１８年５月１９日付けの手続補正も原審において却下されているから、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１７年７月２７日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は請求項１に記載されている事項により特定される、上記２．（１）の「補正前」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された引用例１〜３には、上記２．（４−３）に記載したとおりの事項が記載されており、引用例１には、上記２．（４−３−１−２）に記載したとおりの発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して特許法第１７条の２第４項第２項に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正がなされた発明である補正発明は、上記２．（４−５）に記載したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正前の本願発明についても当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。