【事件の表示】
　特願２０００−３５７１２３「高周波回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月　７日出願公開、特開２００２−１６４７０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は，平成１２年１１月２４日の出願であって，平成１７年３月１１日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成１７年４月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであり，その請求項１に係る発明は，平成１７年２月１０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。（以下，「本願発明１」という。）
　「【請求項１】
　第１の信号が伝送される第１のマイクロストリップ線路と，第２の信号が伝送される第２のマイクロストリップ線路と，が基板上に形成される高周波回路であって，
　前記第１のマイクロストリップ線路に組み込まれた所定の電子部品にバイアスを印加するためのバイアスラインが，前記第２のマイクロストリップ線路が基板上に形成される箇所においてはスルーホールを介して基板の裏側に形成されることで，前記第２のマイクロストリップ線路と電気的に接続されない構成であることを特徴とする高周波回路。」
　
２　引用刊行物に記載された発明
　これに対して，原審における，拒絶の理由で引用した，平成４年１１月１０日に頒布された「実願平３−３６２２１号（実開平４−１２３６０１号）のマイクロフィルム」（以下，「引用刊行物１」という。）には，次の事項が記載されている。
　記載事項（１）
「【請求項１】　複数枚の誘電体基板を積層し，一の誘電体基板の表面に高周波デバイス用電源ラインパターン及びマイクロストリップラインパターンを有し，前記電源ラインパターンを前記一の誘電体基板乃至他の誘電体基板を貫通するスルーホール及び他の誘電体基板間に形成した導通パターンを介して相互に接続してなる積層高周波回路基板において，前記導通パターンの一部に，前記高周波デバイスが使用する高周波信号の略４分１波長の長さに設定されたオープンスタブパターンを有することを特徴とする積層高周波回路基板。」（２頁１欄２〜１１行）
　記載事項（２）
　「【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本考案は複数枚の誘電体基板を積層して高周波回路を構成した積層高周波回路基板に関し，特に高周波回路と電源回路とのアイソレーションをとった回路基板に関する。」（３頁２〜６行）
　記載事項（３）
　「【０００６】
　【実施例】
　次に，本考案について図面を参照して説明する。図１は本考案の一実施例の斜視図，図２はその縦断面図である。尚，図３に示した従来例と同一若しくは同等の部品については同一の符号を用いている。即ち，この実施例でも第１乃至第３の誘電体基板１Ａ，１Ｂ，１Ｃを積層し，第１の誘電体基板１Ａの表面に電源ラインパターン２Ａ，２Ｂ，２Ｃとマイクロストリップラインパターン３を形成し，その裏面に地導体４を形成する。又，第１及び第２の誘電体基板１Ａ，１Ｂを貫通するスルーホール５及び第１及び第２の誘電体基板１Ａ，１Ｂの間に形成された導通パターン６により電源ラインパターン２Ａ，２Ｂ，２Ｃ及びマイクロストリップラインパターン３を接続している。更に，第３の誘電体基板６Ｃの裏面にはケースグランド７を形成しており，ここではこのケースグランド７を前記地導体に接続して接地を行っている。
　【０００７】
　又，前記スルーホール５に接続された導通パターン６の一部には，この高周波回路で使用する高周波信号の周波数の４分１波長のオープンスタブパターン８がストリップライン構造として一体に形成されている。
　【０００８】
　この構成において，電源ラインパターン２Ｃより電源ラインパターン２Ａ，２Ｂ及びマイクロストリップラインパターン３に直流電流を供給しているものとする。この際，電源ラインパターン２Ａ，２Ｂには高周波デバイスが接続され，マイクロストリップラインパターン３には高周波信号が流れているものとする。
　【０００９】
　このような状態においては，高周波デバイスが接続された電源ラインパターン２Ａ，２Ｂには，高周波デバイスが発生した高周波信号が漏れ込む。そして，この高周波信号はスルーホール５を通して導通パターン６にも漏れ込んでマイクロストリップラインパターン３に影響を与えようとするが，この構成においては，高周波信号の周波数の４分１波長のオープンスタブパターン８が形成されているため，高周波信号はこのオープンスタブパターン８で遮断され，導通パターン６には漏れ込まず，したがってマイクロストリップラインパターン３が高周波デバイスの発生する高周波の影響を受けることは殆どなく，マイクロストリップラインパターン３と電源ラインパターン２Ａ，２Ｂ，２Ｃのアイソレーションをとることができる。」（４頁２３行〜５頁２６行）
　
　上記記載事項（１）によれば，「電源ラインパターン」は「高周波デバイス」用のものであって，同摘記事項（３）の段落【０００９】の記載を参酌すると，この「電源ラインパターン」は「高周波デバイス」にバイアスを印可しているものということができ，
「誘電体基板（１Ａ）」及び「誘電体基板（１Ｂ）」を併せて誘電体基板ということができ，
「導通パターン」は前記誘電体基板裏面に形成されることで，「マイクロストリップラインパターン」と電気的に接続されていないことも明らかである。
　したがって，引用刊行物１には，「高周波信号が伝送されるマイクロストリップラインパターンが誘電体基板上に形成される高周波回路であって，
　高周波デバイスにバイアスを印加するための電源ラインパターン及び導通パターンが，前記マイクロストリップラインパターンが誘電体基板上に形成される箇所においてはスルーホールを介して誘電体基板の裏側に形成されることで，前記マイクロストリップラインパターンと電気的に接続されない構成である高周波回路。」の発明が記載されている。
　
３　対比  
　本願発明１と引用刊行物１に記載された発明を対比すると，
　引用刊行物１に記載された発明の「高周波信号」は本願発明１の「第２の信号」に，引用刊行物１に記載された発明の「マイクロストリップラインパターン」は本願発明１の「第２のマイクロストリップ線路」に，引用刊行物１に記載された発明の「誘電体基板」は本願発明１の「基板」に，引用刊行物１に記載された発明の「高周波デバイス」は本願発明１の「所定の電子部品」に，引用刊行物１に記載された発明の「電源ラインパターン」及び「導通パターン」は本願発明１の「バイアスライン」に，それぞれ相当するので，両者は，「第２の信号が伝送される第２のマイクロストリップ線路が基板上に形成される高周波回路であって，
　所定の電子部品にバイアスを印加するためのバイアスラインが，前記第２のマイクロストリップ線路が基板上に形成される箇所においてはスルーホールを介して基板の裏側に形成されることで，前記第２のマイクロストリップ線路と電気的に接続されない構成である高周波回路。」である点で一致し，次の点で相違する。
　本願発明１では，第２のマイクロストリップ線路の他に，「第１の信号が伝送される第１のマイクロストリップ線路」を設けており，これに，所定の電子部品が「組み込まれている」のに対し，引用刊行物１に記載された発明は第１のストリップ線路に相当するものがなく，また，所定の電子部品が「組み込まれている」ものでもない点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用刊行物１に記載された発明中の「所定の電子部品」（高周波デバイス）が，高周波の電子部品として動作していることは自明であり，また，このことは，記載事項（３）の段落【０００９】の「高周波デバイスが発生した高周波信号が漏れ込む。・・・」との記載にも示唆されている。また，高周波の電子部品として動作している以上，そこに高周波信号の入出力のための線路が必要なことも明らかである。してみると，引用刊行物１に，たとえ，「第１の信号が伝送される第１のマイクロストリップ線路」が明示的に記載されていなくても，「所定の電子部品」への高周波信号の入出力の線路として，マイクロストリップ線路の形式の線路を選択して，「第１の信号が伝送される第１のマイクロストリップ線路」を設け，これに，所定の電子部品を組み込む程度のことは，第２の信号が伝送される第２のマイクロストリップ線路（高周波信号が伝送されるマイクロストリップラインパターン）が既に（誘電体）基板上に形成されていること，及び，マイクロ波増幅器等において，複数のマイクロストリップ線路を形成し，これに電子部品を組み込むことが，たとえば特開平１１−３４６１６７号公報，特開平１０−２３３６３８号公報に記載されているように，周知技術であることからして，当然採用されうる技術的事項ということができる。
　したがって，上記相違点は，当業者が容易に想到し得る程度のものである。
　
　そして，本願発明１の作用効果も，引用刊行物１に記載の事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５　むすび
　したがって，本願発明１は，引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるので，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。