【事件の表示】
　平成　８年特許願第１９１０７２号「回転率センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　２月　７日出願公開、特開平　９−　３３５５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
 　本願は、平成８年７月１９日（パリ条約による優先権主張１９９５年７月２２日、ドイツ国）の出願であって、平成１８年１１月１５日付けで拒絶査定（平成１８年１１月１７日発送）がなされ、これに対し、平成１９年２月１５日に拒絶査不服審判の請求がなされるとともに、同年３月９日付けで手続補正がなされたものである。 
 　 
２　平成１９年３月９日付けの手続補正について 
 　当該手続補正の内容は、特許請求の範囲の請求項１を補正前の、
「【請求項１】　多層基板（１０）から成る回転率センサであって、下方の珪素層（１）上には絶縁作用を有する犠牲層（２）が、該犠牲層（２）の上には上方の珪素層（３）がそれぞれ装着されており、振動ビーム（５）に懸吊された振動子（４）が多層基板（１０）の全体から組織パターン加工されており、振動子（４）を励振して、多層基板（１０）の基板平面（Ｘ；Ｚ）に対し平行な第１の方向に振動を発生させるための手段が設けられており、振動子（４）の上には加速度センサ（２５）が配置されており、
　加速度センサ（２５）が上方の珪素層（３）から組織パターン加工されている形式のものにおいて、
　振動子（４）の変位を制限するストッパ（４１，４２，４３）多層基板（１０）から組織パターン加工されていることを特徴とする、回転率センサ。」から
「【請求項１】　多層基板（１０）から成る回転率センサであって、下方の珪素層（１）上には絶縁作用を有する犠牲層（２）が、該犠牲層（２）の上には上方の珪素層（３）がそれぞれ装着されており、振動ビーム（５）に懸吊された振動子（４）が多層基板（１０）の全体から組織パターン加工されており、振動子（４）を励振して、多層基板（１０）の基板平面（Ｘ；Ｚ）に対し平行な第１の方向に振動を発生させるための手段が設けられており、振動子（４）の上には加速度センサ（２５）が配置されており、
　加速度センサ（２５）が上方の珪素層（３）から組織パターン加工されており、
　振動子（４）の変位を制限するストッパ（４１，４２，４３）が多層基板（１０）から組織パターン加工されていることを特徴とする、回転率センサ。」と
補正することを含む補正である。
　
　上記補正により、補正前の請求項１に記載されていた発明を特定するために必要な事項である「組織パターン加工されている形式のものにおいて、」および「ストッパ（４１，４２，４３）多層基板（１０）」が、それぞれ、「組織パターン加工されており、」および「ストッパ（４１，４２，４３）が多層基板（１０）」と変更された。
　そして、上記補正は、原査定の備考において原審の審査官が指摘した明りようでない記載の釈明を目的とするものであり、かつ、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであるから、適法な補正である。 
  
３　本願発明 
 　本願の請求項１に係る発明は、平成１９年３月９日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものであると認められる（以下、「本願発明」という。）。 
 　「【請求項１】　多層基板（１０）から成る回転率センサであって、下方の珪素層（１）上には絶縁作用を有する犠牲層（２）が、該犠牲層（２）の上には上方の珪素層（３）がそれぞれ装着されており、振動ビーム（５）に懸吊された振動子（４）が多層基板（１０）の全体から組織パターン加工されており、振動子（４）を励振して、多層基板（１０）の基板平面（Ｘ；Ｚ）に対し平行な第１の方向に振動を発生させるための手段が設けられており、振動子（４）の上には加速度センサ（２５）が配置されており、
　加速度センサ（２５）が上方の珪素層（３）から組織パターン加工されており、
　振動子（４）の変位を制限するストッパ（４１，４２，４３）が多層基板（１０）から組織パターン加工されていることを特徴とする、回転率センサ。」
 　 
４　引用例 
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−１７４５６９号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。 
〈記載事項１〉
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジャイロ等の共振型振動素子に関するものである。」
　
〈記載事項２〉
「【０００２】
【従来の技術】図４には、従来のジャイロ等の共振型振動素子の斜視図が示されている。この共振型振動素子１５は、シリコンのマイクロマシニング技術等を利用して作製した微細素子の共振型振動素子である。同図において、Ｓｉ基板１上には窒化膜（図示せず）とポリシリコン膜５が形成され、この窒化膜およびポリシリコン膜５を、例えば、シリコンのドライエッチング等により加工し、その後、ポリシリコン膜下部の犠牲層（ＰＳＧ膜）をエッチングすることで、Ｓｉ基板１から浮いた状態で４本の梁を介して両端固定の第１の振動体８が形成され、中央部には上下方向（紙面に対して垂直方向）に振動する片持梁の第２の振動体１０が形成されている。
【０００３】この第１の振動体８の両側には、横方向（梁４の長さ方向に対して直交方向）の外側に向かって櫛形電極６Ｂが形成され、この櫛形電極６Ｂと対向する位置に、横方向の内側に向かって櫛形電極６Ａが櫛形電極６Ｂに噛み合う状態で配置されている。これら櫛形電極６Ａ，６Ｂには、図示しない駆動用導体層が接続されている。この駆動用導体層に交流電圧を印加すると、櫛形電極６Ａ，６Ｂ間に静電力が発生し、この静電力により、第１の振動体８および第２の振動体１０は、矢印Ｆの横方向（梁４に対して直交方向）に振動するようになっている。
【０００４】上記構成の共振型振動素子１５の櫛形電極６Ａ，６Ｂを駆動し、第１の振動体８および第２振動体１０を横方向に駆動し、この振動素子１５にＺ軸を回転軸とする角速度が作用すると、図４の紙面に対して垂直方向にコリオリ力が発生し、このコリオリ力が第２の振動体１０に加えられ、第２の振動体１０はコリオリ力の方向に振動する。このときの第２の振動体１０のコリオリ力による振動の振幅の大きさに対応する信号を、容量変化等の方法で測定することで、例えば、角速度の大きさを検知するものである。」
　
〈記載事項３〉
「【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。本実施例の説明において、従来例と同一の名称部分には同一符号を付し、その詳細な重複説明は省略する。図１には、第１の実施例の共振型振動素子が示されている。本実施例の共振型振動素子１５は、従来例と同様に、シリコンのマイクロマシニング技術等を利用して作製した微細な素子のジャイロ等の共振型振動素子１５である。」
　
〈記載事項４〉
「【００１２】第１の実施例の共振型振動素子１５の特徴的なことは、チタン酸、ジルコン酸鉛等からなる圧電体２と弾性材料基板としてのＳｉ基板１との積層構造を形成し、この積層構造の片持梁のＳｉ基板１側に、第１および第２の振動体８，１０を設けたことである。
【００１３】前記第１の振動体８は４本の梁４によって両端固定されており、従来例と同様に、この第１の振動体８の中央部には、上下方向（紙面に垂直方向）に振動する片持梁の第２の振動体１０が設けられている。前記第１の振動体８の両側には、従来例と同様に、第１の振動体８を梁４の長さ方向に対して直交する方向（横方向）に振動させる櫛形電極（図示せず）が設けられている。」
　
〈記載事項５〉
「【００１６】この共振型振動素子１５の図示しない櫛形電極を駆動して、第１の振動体８を横方向（梁４の長さ方向に直交する方向）に振動し、Ｚ軸を回転軸とする角速度が作用すると、図１の紙面に垂直方向にコリオリ力が発生し、このコリオリ力が第２の振動体１０に加えられ、第２の振動体１０はコリオリ力の方向に振動する。この振動の振幅の大きさを測定することで、従来と同様に角速度を検出するものである。」
　
〈記載事項６〉
「【００２０】図３には、本実施例の共振型振動素子の製造プロセスの一例が示されている。まず、図３の（ａ）に示すように、弾性材料基板としてのＳｉ基板１の上面中央部に、振動体の振幅の大きさを容量変化として検出するための電極として、リンＰやボロンＢをドープした導電層１１を形成し、Ｓｉ基板１の表裏両面に窒化膜７をマスク形成する。図３の（ｂ）では、Ｓｉ基板１の裏面の窒化膜７をパターニングし、図３の（ｃ）では、Ｓｉ基板１の表面にＰＳＧ等の犠牲層９を形成してパターニングする。次いで、犠牲層９および窒化膜７上にリンＰをドープした導電性のポリシリコン膜５を形成し、熱処理を行ってポリシリコン膜５の残留応力を除去する。図３の（ｄ）では、ポリシリコン膜５の表面を酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１３で保護し、裏面よりＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ　Ｍｅｔｈｌ　Ａｍｍｏｎｉｕｍ　Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ ）等のエッチング液でシリコンの異方性エッチングを行い、Ｓｉ基板１の裏側に肉薄部１２を形成する。
【００２１】次いで、図３の（ｅ）では、Ｓｉ基板１の裏面に下部電極としての電極パターン（図示せず）を形成し、この電極パターン表面側にチタン酸、ジルコン酸鉛等のセラミック薄膜の圧電体２を形成する。この圧電体２をイオンミリング等でパターニングした後、その表面に上部電極としての電極パターンを形成し、その表面上を酸化膜等でカバーし、Ｓｉ基板１の肉薄部１２をＲＩＥでエッチング加工し、素子下部の片持梁を形成する。図３の（ｆ）では、ポリシリコン膜５を酸化膜でマスクし、このポリシリコン膜５をＲＩＥエッチングで目標の形状に加工した後、酸化膜、犠牲層９を弗酸（ＨＦ）溶液でエッチングして、Ｓｉ基板１から浮いた状態の振動体１０を得る。」
　
　図３に記載された製造プロセスによって製造された共振形振動素子においても、記載事項２に記載された従来例と同じく、角速度を検知するために、第２の振動体１０の振動方向と直交する方向に、第１の振動体８を振動させる櫛歯状電極が設けられていることは明らかである（記載事項２の【０００４】の記載から）。
　また、図３（ｆ）において、第２の振動体１０の振動方向と直交する方向に、第１振動体８が振動させるためには、積層構造の基板の全体からエッチング加工された第１振動体８の端部とＳｉ基板１との間に上記振動を許容する間隙が形成されていることは明らかである。
　　
　そして、上記記載事項１ないし６及び図３，４から、図３に記載された製造プロセスによって製造された共振形振動素子について、以下のア〜クの点を読み取ることができる。
　
ア　「共振型振動素子１５は、ポリシリコン膜５、窒化膜７、Ｓｉ基板１、圧電体２から形成される積層構造の基板から成っている」点（記載事項４【００１２】、記載事項６、図３）
イ　「Ｓｉ基板１上には窒化膜７が、該窒化膜７の上にはリンＰをドープした導電性のポリシリコン膜５がそれぞれ形成されている」点（記載事項６【００２０】、図３）
ウ　「第１の振動体８は、積層構造の基板の全体からエッチングすることにより形成される」点（記載事項６、図３）
エ　記載事項６の段落【００２１】に「図３の（ｅ）では、・・・その表面に上部電極としての電極パターンを形成し、その表面上を酸化膜等でカバーし、Ｓｉ基板１の肉薄部１２をＲＩＥでエッチング加工し、素子下部の片持梁を形成する。」と記載されている。
　この記載から、Ｓｉ基板１をエッチング加工して形成された片持梁を読み取ることができる。そして、図３の（ｅ），（ｆ）から、上記片持梁によって支持される部材は、第１の振動体８であることは明らかである。
　したがって、記載事項６の段落【００２１】及び図３の（ｅ），（ｆ）から「片持梁により支持された第１の振動体８」を読み取ることができる。
オ　「角速度を検知するために、第２の振動体１０の振動方向と直交する方向に、第１の振動体８を振動させる櫛歯状電極が設けられている」点（記載事項２、図３）
カ　「第１の振動体８の上部に第２の振動体１０が形成されている」点（記載事項４、記載事項６【００２１】、図３）
キ　「第２の振動体１０がポリシリコン膜５からエッチング加工されている」点（記載事項６、図３）
ク　「積層構造の基板の全体からエッチング加工された第１振動体８の端部とＳｉ基板１との間に上記振動を許容する間隙が形成されている」点（記載事項４【００１３】、記載事項５、図３（ｆ））
　
　したがって、上記記載事項１〜６及び図３，４に基づけば、引用刊行物１には、
「積層構造の基板から成る共振型振動素子であって、Ｓｉ基板１の上には窒化膜７が、該窒化膜７の上にはリンＰをドープした導電性のポリシリコン膜５がそれぞれ形成されており、片持梁により支持された第１の振動体８は、積層構造の基板の全体からエッチングすることにより形成されており、角速度を検知するために、第２の振動体１０の振動方向と直交する方向に、第１の振動体８を振動させる櫛歯状電極が設けられており、第１の振動体８の上部に第２の振動体１０が形成されており、
　第２の振動体１０が上記ポリシリコン膜５からエッチング加工されており、
　積層構造の基板の全体からエッチング加工された第１振動体８の端部とＳｉ基板１との間に上記振動を許容する間隙が形成されている共振型振動素子。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平５−３４０９５５号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、「加速度センサ」に関し、以下の事項が図面とともに記載されている。 
　
〈記載事項７〉
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ピエゾ抵抗等の歪検出素子を用いた加速度センサに関する。」
　
〈記載事項８〉
「【０００７】この図に示される加速度センサでは、重り部１８がＳｉ基板１０の表面と垂直な方向に変位する。薄肉部１６は、重り部１８の変位方向に肉薄となるよう形成されている。なお、この図における２８はＳｉ基板１０を支持する台座である。これらの加速度センサにおいては、重り部１８の変位量が、加速度の大きさのみでなく、薄肉部１６の厚さ、長さ、重り部１８の重さ等によっても左右される。例えば薄肉部１６が薄い場合重り部１８の変位は大きくなり、重り部１８が重い場合にも同様に重り部１８の変位は大きくなる。重り部１８の変位が大きくなると、これにより、薄肉部１６には大きな歪が発生する。変位が過度に大きくなると、薄肉部１６等の破壊が生じる可能性がある。」
　
〈記載事項９〉
「【００１４】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面に基づき説明する。なお、図１６及び図１７に示される従来例と同様の構成には同一の符号を付し説明を省略する。図１には、本発明の第１実施例に係る加速度センサの構成が示されている。この図に示される加速度センサは、図１６に示される従来例と同様、Ｓｉ基板１０の表面と平行な方向における重り部１８が変位する構成である。この実施例が図１６の従来例と大きく相違する点は、重り部１８の変位を抑制するストッパ３０を設けた点にある。
【００１５】すなわち、重り部１８の一端には棒状の突起３２が形成されており、重り部１８が大きく変位するとこの突起３２がストッパ３０に当接する。ストッパ３０は薄肉部１６と同様Ｓｉ基板１０の厚みの１／１０以下の肉薄の部分であり、弾性を有している。ストッパ３０は、重り部１８に大きな加速度が加わった結果当該重り部１８が大きく変位した場合に、突起３２との当接により当該重り部１８の変位を抑制する。
【００１６】また、この実施例においても、ストッパ２０が重り部１８の変位を規制する機能を有している。すなわち、重り部１８に非常に大きな加速度が加わった場合には、ストッパ３０により重り部１８の変位が規制されているにもかかわらず、当該重り部１８がストッパ２０に当接することがある。このストッパ２０は十分な肉厚を有しており、従って、重り部１８の変位は穴１２として形成される空隙の範囲内に規制される。
【００１７】従って、本実施例によれば、重り部１８に加わる加速度が大きくても、これを薄肉部１６の歪として検出することができる。この結果、ダイナミックレンジが広がることとなる。」
　
〈記載事項１０〉
「【００１９】図２乃至図５には、第１実施例に係る加速度センサを製造する工程の流れが示されている。
【００２０】この実施例に係る加速度センサを製造する場合、まず、（１１０）Ｓｉ基板３４を準備する。さらに、この（１１０）Ｓｉ基板３４上に歪検出素子２２、配線２６及び信号取出し電極２４を形成する（図２）。すなわち、（１１０）Ｓｉ基板３４の所定位置に不純物を拡散することによりピエゾ抵抗を形成し、それに金属配線を付着形成し、ピエゾ抵抗と金属配線からなる歪検出素子２２を形成する。配線２６及び信号取出し電極２４は、金属の被着形成により得られる。
【００２１】さらに、（１１０）Ｓｉ基板３４の表裏に窒化膜３６を形成する（図３）。図３（ａ）に示されるように、歪検出素子２２等が形成された表面側には窒化膜３６を全面に形成し、図３（ｂ）に示されるように、裏面側には所定のパターンで形成する。このパターンは、後に支持部１４、薄肉部１６、重り部１８、ストッパ２０及び３０、並びに突起３２となるものである。
【００２２】次に、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）により（１１０）Ｓｉ基板３４をエッチングする。すると、図４に示されるように、基板３４を貫通する穴が形成され、（１１０）Ｓｉ基板３４は図１に示されるＳｉ基板１０と同形状となる。
【００２３】この後、窒化膜３６をドライエッチング等により除去する（図５）。すると、図５（ｃ）及び（ｄ）に示されるように、図１と同様の構成の加速度センサが得られる。」
　
　これらの記載によれば、引用刊行物２には、加速度センサの破損を防止するために、重り部１８（振動部）が大きく変位するのを抑制するべく、ストッパ２０，３０を加速度センサのＳｉ基板をエッチング加工することにより形成することが記載されている。
　
５　対比 
　本願発明と引用発明とを比較する。
　
（１）引用発明の「積層構造の基板」は、本願発明の「多層基板（１０）」に相当する。
　また、引用発明の「共振型振動素子」は、角速度を検出するもの（記載事項５参照）、即ち、角速度センサであるから、本願発明の「回転率センサ」に相当する。
　したがって、引用発明の「積層構造の基板から成る共振型振動素子」は、本願発明の「多層基板（１０）から成る回転率センサ」に相当する。
　
（２）引用発明の「Ｓｉ基板１」は、本願発明の「下方の珪素層（１）」に相当し、以下同様に、「リンＰをドープした導電性のポリシリコン膜５」は「上方の珪素層（３）」に、「形成され」は「装着され」に相当する。
　また、引用発明の「窒化膜」は、Ｓｉ基板１の表裏両面にマスク形成された膜であるから、Ｓｉの窒化膜であり、絶縁性を有することは明らかであり、かつ、共振型振動素子を得るためにエッチング加工により取り除かれる部分があることは明らかである（記載事項６【００２１】及び図３（ｆ）参照）。　
　したがって、引用発明の「窒化膜」は、本願発明の「絶縁作用を有する犠牲層（２）」に相当する。
　よって、引用発明の「Ｓｉ基板１の上には窒化膜７が、該窒化膜７の上にはリンＰをドープした導電性のポリシリコン膜５がそれぞれ形成されており」は、本願発明の「下方の珪素層（１）上には絶縁作用を有する犠牲層（２）が、該犠牲層（２）の上には上方の珪素層（３）がそれぞれ装着されており」に相当する。
　
（３）引用発明の「片持梁により支持された」は、本願発明の「振動ビーム（５）に懸吊された」に相当し、以下同様に、「第１の振動体」は「振動子（４）」に、「積層構造の基板の全体からエッチングすることにより形成されており」は「多層基板（１０）の全体から組織パターン加工されており」に相当する。
　したがって、引用発明の「片持梁により支持された第１の振動体８は、積層構造の基板の全体からエッチングすることにより形成されており」は、本願発明の「振動ビーム（５）に懸吊された振動子（４）が多層基板（１０）の全体から組織パターン加工されており」に相当する。
　　
（４）引用発明の「第１の振動体８を振動させる」は、本願発明の「振動子（４）を励振して」に相当する。
　また、引用発明の「第２の振動体１０の振動方向と直交する方向」は、図３からみて、第２の振動体１０が形成されるポリシリコン膜５を含む積層構造の基板平面に対し平行な方向といえるから、本願発明の「多層基板（１０）の基板平面（Ｘ；Ｚ）に対し平行な第１の方向」に相当する。
　また、引用発明の「櫛歯状電極」は、本願発明の「振動を発生させるための手段」に相当する。
　したがって、引用発明の「角速度を検知するために、第２の振動体１０の振動方向と直交する方向に、第１の振動体８を振動させる櫛歯状電極が設けられており」は、本願発明の「振動子（４）を励振して、多層基板（１０）の基板平面（Ｘ；Ｚ）に対し平行な第１の方向に振動を発生させるための手段が設けられており」に相当する。
　
（５）引用発明の「第１の振動体８の上部に第２の振動体１０が形成されており」と本願発明の「振動子の上には加速度センサが配置されており」との関係について検討する。
　引用発明の実施例が記載された図３（ｆ）に図示された、「第１の振動体８」と「第２の振動体１０」との位置関係は、本願発明の実施例が記載された本願の図面の【図３】に図示された「振動子（４）」と加速度センサ（２５）を形成する固着部（２３）、運動可能な電極（２１）、不動な電極（２０）との位置関係と同一である。
　そして、引用発明の「第２の振動体１０」は、コリオリ力を検出するもの（記載事項５参照）であるから、本願発明の「加速度センサ」の機能を有する。
　したがって、引用発明の「第１の振動体８の上部に第２の振動体１０が形成されており」は、本願発明の「振動子の上には加速度センサが配置されており」に相当する。
　また、引用発明の「第２の振動体１０が上記ポリシリコン膜５からエッチング加工されており」は、本願発明の「加速度センサが上方の珪素層から組織パターン加工されている」に相当する
　
　よって、本願発明と引用発明の両者は、 
「多層基板から成る回転率センサであって、下方の珪素層上には絶縁作用を有する犠牲層が、該犠牲層の上には上方の珪素層がそれぞれ装着されており、振動ビームに懸吊された振動子が多層基板の全体から組織パターン加工されており、振動子を励振して、多層基板の基板平面（Ｘ；Ｚ）に対し平行な第１の方向に振動を発生させるための手段が設けられており、振動子の上には加速度センサが配置されており、
　加速度センサが上方の珪素層から組織パターン加工されている回転率センサ。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明は、「振動子（４）の変位を制限するストッパ（４１，４２，４３）が多層基板（１０）から組織パターン加工されている」のに対して、引用発明は、「積層構造の基板の全体からエッチング加工された第１振動体８の端部とＳｉ基板１との間に上記振動を許容する間隙が形成されている」点。
　
６　当審の判断 
　引用発明において、積層構造の基板の全体からエッチング加工された第１振動体８の端部とＳｉ基板１との間に上記振動を許容する間隙が形成されている。
　そこで、第１振動体８の振動の幅が上記間隙の幅よりも大きい場合には、上記間隙を形成する基板内部の縁に上記第１の振動体８が衝突し、該第１の振動体８の振動方向へ動きが、上記縁によって規制されることは明らかである。
　なお、引用発明の「積層構造の基板の全体からエッチング加工され」ている点は、本願発明の「多層基板（１０）から組織パターン加工されている」に相当する。
　また、「４（２）」の項で述べたように、引用刊行物２には、加速度センサの破損を防止するために、重り部１８（振動部）が大きく変位するのを抑制するべく、ストッパ２０，３０を加速度センサのＳｉ基板をエッチング加工することにより形成することが記載されている。
　
　そして、引用発明において、第１の振動体８の振動の幅をさらに規制するために、引用発明に上記引用刊行物２に記載される発明を適用しようとすることは困難なことではない。
　したがって、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　また、本願発明の奏する効果は、引用刊行物１，２の記載から当業者が予測し得る範囲内のものである。 
　よって、本願発明は、引用発明及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。