【事件の表示】
　特願２０００−３３４４０９「電極被覆用ガラスおよびプラズマディスプレイパネル」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月２２日出願公開、特開２００２−１４５６３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１１月１日にした特許出願であって、平成１５年６月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、その請求項１に係る発明は、平成１５年５月２３日付けで提出された手続補正書及び同年７月１６日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、「本願発明１」という。）。
「下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質的に、
　ＰｂＯ　　　　４４〜６８％、
　Ｂｉ２Ｏ３　　　　０〜１８％、
　Ｂ２Ｏ３　　　　１９〜２３％、
　ＳｉＯ２　　 １．２〜５％、
　Ａｌ２Ｏ３　　　　２〜６％、
　ＺｎＯ　　　　　４〜９％、
　ＣｕＯ　　　０．１〜０．５％、
　Ｉｎ２Ｏ３　　１．１〜２％、
　ＳｎＯ２　　　　 ０〜１％、
　ＣｅＯ２　　　　 ０〜１％、
からなる電極被覆用ガラス。」
２．引用文献等に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１１−２０９１６１号（特開２００１−３９７３４号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「表示パネル用透明基板に配した透明電極線、バス電極線のパターン上に、透明な絶縁性被膜を形成するための低融点ガラスであって、その成分組成がｗｔ％で、ＳｉＯ２　１〜１０、Ａｌ２Ｏ３　０〜４、Ｂ２Ｏ３　８〜２３、ＺｎＯ　３〜１０、ＰｂＯ　６５〜７６、バス電極形成金属の酸化物０〜１の範囲で含み、ガラス軟化点が４００〜４５０℃、常温〜３００℃までの熱膨張係数が７５〜９５×１０−７／℃であることを特徴とする透明絶縁性被膜形成用低融点ガラス。」（【請求項１】）、
（イ）「本発明は、軟化温度が低いいわゆる低融点ガラスであって、各種表示パネル、特にプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）における透明基板に配した酸化インジウム−錫系（ＩＴＯ系）や酸化錫系（ＳｎＯ２系）等の透明電極線パターン、および金属銅または金属銀等のバス電極線パターンを、透明・透視性に富むガラス被膜で被覆するうえで好適な透明絶縁性被膜形成用低融点ガラスに関する。」（第２頁左欄第１９〜２６行、段落【０００１】）、
（ウ）「Ｂ２Ｏ３はＳｉＯ２同様のガラス形成成分であって、熱膨張係数の上昇を抑え、またガラスに適度の流動性を与えるもので、ガラス中に８〜２３ｗｔ％の範囲で含有させる。」（第３頁右欄第３８〜４１行、段落【００２４】）、
（エ）「ＰｂＯはガラスを低融点、すなわち軟化温度を下げ、流動性を与えるうえで必要な成分であり、６５〜７６ｗｔ％の範囲で含有させる。」（第４頁左欄第５〜７行、段落【００２７】）、
（オ）「更に以下のバス電極形成用金属酸化物を含有させることが望ましい。すなわち、低融点ガラスの焼付けに際しては、Ｃｕ、Ａｇ等の高導電性成分よりなるバス電極線の成分（特にＣｕ）の低融点ガラス中への浸出、拡散、それによる電極線の導電性能の低下を来す恐れがある。勿論、先述したように高融点、非反応性金属（例：Ｃｒ）を上下に配し、Ｃｒ／Ｃｕ（Ａｇ）／Ｃｒのごとく積層形成し、電極線を保護する技術は公知であるが、５００℃以上の熱に曝され、流動化したガラスと接触することによる侵食、導電性能の低下を防ぐことはできない。この場合、バス電極線形成用金属酸化物（例えばＣｕＯ、Ａｇ２Ｏ）を予めガラス中に含有させておくことにより、前記成分のガラス中への浸出、拡散、それによる電極線の導電性能の低下を可及的に抑制することができる。含有量は１ｗｔ％以下、好適には０．１〜１ｗｔ％の範囲とするのが望ましく、０．１ｗｔ％未満では前記作用が十分発揮できず、１ｗｔ％を越えるとガラスへの着色が顕著となる。」（第４頁左欄第２１〜３７行、段落【００３０】）、
（カ）「なお、低融点ガラスの焼付けに際して透明電極線の成分（ＩＴＯまたはＳｎＯ２等）の低融点ガラス中への浸出、拡散、それによる電極線の導電性能の低下を抑制するうえで、予め低融点ガラス中に透明電極線成分酸化物（例えばＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２）を含有させておくことは公知であるが、５５０℃以下の焼付けにおいては導電性能の低下は著しいものではなく、あえて含有させるとしても２ｗｔ％以下程度であれば充分である。」（第４頁左欄第４２〜４９行、段落【００３２】）
３．対比・判断
　上記先願明細書には、記載事項（ア）に「表示パネル用透明基板に配した透明電極線、バス電極線のパターン上に、透明な絶縁性被膜を形成するための低融点ガラスであって、その成分組成がｗｔ％で、ＳｉＯ２　１〜１０、Ａｌ２Ｏ３　０〜４、Ｂ２Ｏ３　８〜２３、ＺｎＯ　３〜１０、ＰｂＯ　６５〜７６の範囲で含むことを特徴とする透明絶縁性被膜形成用低融点ガラス」が記載されており、また、記載事項（オ）に「ＣｕＯを予めガラス中に含有させておくこと」と「含有量は１ｗｔ％以下である」ことが記載され、記載事項（カ）に「予め低融点ガラス中に透明電極線成分酸化物（例えばＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２）を含有させておくこと」と「２ｗｔ％以下程度」含有させることが記載されている。さらに、上記記載事項（ア）に記載中の「透明絶縁性被膜形成用低融点ガラス」に関して、記載事項（イ）に「プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）における透明基板に配した酸化インジウム−錫系（ＩＴＯ系）や酸化錫系（ＳｎＯ２系）等の透明電極線パターン、および金属銅または金属銀等のバス電極線パターンを、透明・透視性に富むガラス被膜で被覆するうえで好適な」ものであることが記載されている。
　そして、これらの記載を本願発明１の記載振りに整理すると、上記先願明細書には、「表示パネル用透明基板に配した透明電極線、バス電極線のパターン上に、透明な絶縁性被膜を形成するための低融点ガラスであって、その成分組成がｗｔ％で、ＳｉＯ２ １〜１０、Ａｌ２Ｏ３ ０〜４、Ｂ２Ｏ３ ８〜２３、ＺｎＯ ３〜１０、ＰｂＯ ６５〜７６、ＣｕＯ １以下、Ｉｎ２Ｏ３　２以下程度、ＳｎＯ２　２以下程度の範囲で含む、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）における透明基板に配した酸化インジウム−錫系（ＩＴＯ系）や酸化錫系（ＳｎＯ２系）等の透明電極線パターン、および金属銅または金属銀等のバス電極線パターンを、透明・透視性に富むガラス被膜で被覆するうえで好適な透明絶縁性被膜形成用低融点ガラス」の発明（以下、「先願明細書発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明１と先願明細書発明を対比する。
　先願明細書発明の「ｗｔ％」及び「プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）における透明基板に配した酸化インジウム−錫系（ＩＴＯ系）や酸化錫系（ＳｎＯ２系）等の透明電極線パターン、および金属銅または金属銀等のバス電極線パターンを、透明・透視性に富むガラス被膜で被覆するうえで好適な透明絶縁性被膜形成用低融点ガラス」が、それぞれ、本願発明１の「質量百分率」及び「電極被覆用ガラス」に相当することは明らかであり、先願明細書発明は、本願発明１とＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２において含有量が重複するから、両者は、「下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質的に、
　ＰｂＯ　　　　４４〜６８％、
　Ｂ２Ｏ３　　　　１９〜２３％、
　ＳｉＯ２　　 １．２〜５％、
　Ａｌ２Ｏ３　　　　２〜６％、
　ＺｎＯ　　　　　４〜９％、
　ＣｕＯ　　　０．１〜０．５％、
　Ｉｎ２Ｏ３　　１．１〜２％、
　ＳｎＯ２　　　　 ０〜１％、
からなる電極被覆用ガラス」である点で一致し、次の点で一応相違する。　
（ａ）本願発明１ではＢｉ２Ｏ３及びＣｅＯ２の含有量を特定しているのに対して、先願明細書発明はＢｉ２Ｏ３及びＣｅＯ２の含有量について特定されていない点。
　そこで、上記相違点（ａ）について検討する。
　本願発明１では、Ｂｉ２Ｏ３及びＣｅＯ２の含有量の下限の数値がいずれも０％を含んでおり、任意に上限まで含有しうる成分と認められる。
　そうすると、先願明細書発明は、本願発明１とＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２において含有量が重複し、Ｂｉ２Ｏ３とＣｅＯ２の含有量が０重量％である電極被覆用ガラスであるから、本願発明１と先願明細書発明には実質的に差違があるとは認められない。
　してみると、本願発明１は先願明細書発明と同一である。
　なお、本件請求人は審判請求書で「本願発明１と先願４（上記先願）に記載の発明とは、ＰｂＯを４４〜６８％、Ｂ２Ｏ３を１９〜２３％、Ｉｎ２Ｏ３を１．１〜２％それぞれ含有する電極被覆用ガラスが記載されていない点で相違している」（第７頁第１２〜１７行）旨の主張をしているが、先願明細書の表１に記載された実施例のみとの対比に基づく主張は当を得たものでなく、採用することができない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は上記先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められない。
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。