【事件の表示】
　特願２００３−　４４９７３「液晶パネル用露光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月２４日出願公開、特開２００４−２６４３７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は平成１５年２月２１日の出願であって、平成２０年３月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年５月２６日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年６月１２日付けで拒絶査定がなされたため、これを不服として同年７月１８日に本件審判請求がされるとともに、同年８月１２日付けで明細書について手続補正（以下「本件補正」という。）がなされ、同年７月１８日付けの審判請求書の請求の理由について同年９月８日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　本件補正の目的要件の検討
　本件補正は、平成２０年５月２６日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲についての
　
「【請求項１】　マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方をステージによって移動させながら露光する露光装置において、
　前記ステージを構成する材質として、密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以下のセラミックスを用い、かつ前記ステージをハニカム構造または多孔質構造によるセラミックス部材を中央部が中空になるように構成して軽量化したことを特徴とする液晶パネル用露光装置。
　　【請求項２】　前記密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以下のセラミックスとして、室温での熱膨張係数が−１．５〜１．５×１０-6／℃であり、炭化珪素とガラスを主成分としたセラミックスを用いることを特徴とする請求項１の液晶パネル用露光装置。
　　【請求項３】　前記密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以下のセラミックスとして、室温での熱膨張係数が−１．５〜１．５×１０-6／℃であり、窒化珪素とガラスを主成分としたセラミックスを用いることを特徴とする請求項１の液晶パネル用露光装置。
　　【請求項４】　前記セラミックスが、多孔質構造を有するセラミックスをハニカム構造にすることにより、緻密質セラミックスに比し１／２以下に軽量化されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかの液晶パネル用露光装置。
　　【請求項５】　マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方をステージによって移動させながら露光する露光装置において、
　前記ステージを構成する材質としてセラミックスを用い、該セラミックスは、室温での熱膨張係数が０．５〜３．０×１０-6／℃である炭化珪素あるいは窒化珪素とガラスによる焼結体からなり、前記ステージとして中央部を中空にすると共にハニカム構造または、多孔質構造、あるいはそれらの組合せにより軽量化されたステージを備えることを特徴とする露光装置。
　　【請求項６】　マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方をステージによって移動させながら露光する露光装置において、
　前記ステージを構成する材質として、密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以下のセラミックスを用い、かつ前記ステージをハニカム構造または多孔質構造による複数のセラミックス部材を中央部が中空になるように貼り合わせて構成して軽量化したことを特徴とする露光装置。」
　
の記載を、
　
「【請求項１】　マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方をステージによって移動させながら露光する露光装置において、
　前記ステージを構成する材質として、密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスを用い、かつ前記ステージをハニカム構造または多孔質構造によるセラミックス部材を中央部が中空になるように構成して軽量化し、
　前記密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスとして、室温での熱膨張係数が−１．５〜１．５×１０−６／℃であり、炭化珪素あるいは窒化珪素とガラスを主成分とした複合セラミックスを用いることを特徴とする液晶パネル用露光装置。
　　【請求項２】　前記複合セラミックスが、多孔質構造を有するセラミックスをハニカム構造にすることにより、緻密質セラミックスに比し１／２以下に軽量化されたことを特徴とする請求項１の液晶パネル用露光装置。」
　
と補正するものである。
　すると、本件補正は、本件補正前の請求項１，５，６を削除し、本件補正前の請求項２，３をまとめて本件補正後の請求項１とし、本件補正前の請求項４を本件補正後の請求項２とする補正であるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第１号に掲げる「請求項の削除」を目的とする補正に該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
第３　本件出願の請求項１に係る発明の認定
　上記第２で検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる「請求項の削除」を目的とする補正であるから、当審は、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）を審理対象とする。そして、本件発明は、本件補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方をステージによって移動させながら露光する露光装置において、
　前記ステージを構成する材質として、密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスを用い、かつ前記ステージをハニカム構造または多孔質構造によるセラミックス部材を中央部が中空になるように構成して軽量化し、
　前記密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスとして、室温での熱膨張係数が−１．５〜１．５×１０−６／℃であり、炭化珪素あるいは窒化珪素とガラスを主成分とした複合セラミックスを用いることを特徴とする液晶パネル用露光装置。」　
　
第４　当審の判断
１　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶理由に引用され、本件出願前に頒布された刊行物である特開２０００−２８１４５４号公報（以下「引用例１」という。）には、以下のａ〜ｈの記載がある。
　
ａ　「【請求項１】ＬｉＡｌＳｉＯ4 と、Ｓｉ3 Ｎ4 又はＳｉＣと、ＭｇＯの３成分から成ることを特徴とする低熱膨張高剛性セラミックス。
【請求項２】ＬｉＡｌＳｉＯ4 ６０〜９０体積％、Ｓｉ3 Ｎ4 １０〜４０体積％を主成分とし、これらに対しＭｇＯ１〜３体積％を含むことを特徴とする請求項１記載の低熱膨張高剛性セラミックス。
【請求項３】熱膨張率−０．１〜０．９×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１７５ＧＰａ、比重２．４〜２．７であることを特徴とする請求項２記載の低熱膨張高剛性セラミックス
【請求項４】ＬｉＡｌＳｉＯ4 ７０〜９０体積％、ＳｉＣ１０〜３０体積％を主成分とし、これらに対しＭｇＯ１〜３体積％を含むことを特徴とする請求項１記載の低熱膨張高剛性セラミックス。
【請求項５】熱膨張率−０．１〜１．０×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１４５ＧＰａ、比重２．４〜２．５であることを特徴とする請求項４記載の低熱膨張高剛性セラミックス。」
　
ｂ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセスにおける露光装置のステージ部品、チャック、構造部品、ミラー等の部材や天体望遠鏡等の光学部品や精密測定機用治工具等に適した低熱膨張高剛性セラミックスに関する。」
　
ｃ　「【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩなどの製造工程において、シリコンウェハに配線を形成する工程において、ウェハを支持または保持するためのサセプタ、真空チャックや絶縁リングとしてあるいはその他の治具等として、これまでアルミナや窒化珪素や炭化珪素が比較的安価で、化学的にも安定であるため広く用いられている。また、露光装置のＸ−Ｙテーブル等としても従来よりアルミナや窒化珪素などのセラミックスが同様に用いられている。
【０００３】また、最近では、コージェライトの低熱膨張性を利用し、半導体製造用部品として応用することが、特開平１−１９１４２２号や特公平６−９７６７５号で提案されている。特開平１−１９１４２２号によれば、Ｘ線マスクにおけるマスク基板に接着する補強リングとして、ＳｉＯ2 、インバーなどに加え、コージェライトによって形成しメンブレンの応力を制御することが提案されている。また、特公平６−９７６７５号では、ウェハを載置する静電チャック用基板としてアルミナやコージェライト系焼結体を使用することが提案されている。
【０００４】従来、低熱膨張材料として、コージェライトやリチウムアルミノシリケート（以降、ＬＡＳと表記）、リン酸ジルコニウム系材料のリン酸ジルコニルやリン酸ジルコニウムカリウム（以降、ＫＺＰと表記）がよく知られている。」
　
ｄ　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＬＳＩにおける高集積化に伴い、線幅・デザインルールの微細化が急速に進められ、その線幅は０．３５μｍから０．１０μｍまで微細化しつつある。そして、Ｓｉウェハに微細な線幅を形成するための露光装置に対して、高い精度が要求されるようになり、たとえば露光装置のステージ用部材においては１０ｎｍ未満の位置決め精度が要求され、露光の位置合わせ誤差の低減が製品の品質向上や歩留まり向上、高スループットの実現の大きな要素技術として捉えられている。
【０００８】半導体製造装置用部材として、一般に用いられてきたアルミナ、窒化珪素などのセラミックスは、金属に較べて軽量で熱膨張が小さく、剛性も大きい。それぞれの比重はアルミナが３．８、窒化珪素が３．２と軽量である。しかしながら、露光装置の軽量化、また、ステージ等の駆動系部材の軽量化によるモーター負荷低減、振動抑制のためにより軽量材が必要とされてきている。
【０００９】一方、露光装置の使用温度近傍の１０〜４０℃の熱膨張率はアルミナが約５．０×１０-6／℃、窒化珪素が約１．５×１０-6／℃であり、デザインルールの微細化とともに露光時の熱変形を軽減するために、より低熱膨張材が必要とされてきている。
【００１０】これに対して、コージェライト系焼結体は熱膨張率が０〜０．２×１０-6／℃であり、また、結晶化ガラスは熱膨張率が０．０×１０-6／℃であり、アルミナや窒化珪素に比較して熱膨張率が低い。しかしながら、剛性の点では、アルミナが約３５０ＧＰａ、窒化珪素が約３００ＧＰａであるのに対し、多孔質コージェライトが７０〜９０ＧＰａ、また、結晶化ガラスは９０〜９５ＧＰａと低いため、製造装置として用いる場合、変形や固有振動数低下に伴う共振発生による位置決め時間増加が懸念される。
【００１１】また、ＬＡＳ系焼結体のβ−スポジュメンは、比重２．０〜２．４、熱膨張率は０．３〜２．７×１０-6／℃、磁器が気孔を有するもので−０．３〜−１．０×１０-6／℃と低い値を示すが、ヤング率は６０〜８０ＧＰａと低いものである。リン酸ジルコニルやリン酸ジルコニル−ジルコン化合物は、比重３．５〜３．６、熱膨張率０．０〜２．０×１０-6／℃、ヤング率１５０〜１８０ＧＰａを示す。比重が大きい割にヤング率はアルミナの半分程度であり、固有振動数の低下が懸念される。
【００１２】ＫＺＰもまた、結晶軸方向の熱膨張の異方性による低熱膨張特性を顕す材料である。ＫＺＰは比重３．１〜３．２、熱膨張率−２．５〜−２．８×１０-6／℃、ヤング率１１０〜１３０ＧＰａを示す。ＫＺＰの熱膨張特性は、負の熱膨張特性を示しているが、その絶対値は窒化珪素の熱膨張率１．５×１０-6／℃と比較して大きく、温度変化に対する寸法変化は大きい材料と言える。
【００１３】以上のように、露光装置用部材として軽量・低熱膨張・高剛性特性が要求されてきており、部材特性は比重３．２以下、熱膨張係数が０ｐｐｍに限りなく近く、剛性は鋳物の１３０ＧＰａ以上が求められているが、これらを満足する材料は見当たらなかった。
【００１４】従って、本発明は低熱膨張を有するとともに剛性の高いセラミックスとその製造方法を提供することを目的とするものである。」
　
ｅ　「【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、正の熱膨張特性を有しかつ高剛性特性を有する材料と負の熱膨張特性を有する材料とを複合化することにより、低熱膨張特性と高剛性特性を有する材料を得るようにした。
【００１６】即ち、本発明の低熱膨張高剛性セラミックスは、負の熱膨張特性を有するＬｉＡｌＳｉＯ4 と、正の熱膨張特性を有しかつ高剛性特性を有するＳｉ3 Ｎ4 又はＳｉＣと、ＭｇＯの３成分から成ることを特徴とする。
【００１７】また、本発明の低熱膨張高剛性セラミックスは、ＬｉＡｌＳｉＯ4 ６０〜９０体積％、窒化珪素１０〜４０体積％、ＭｇＯ１〜３体積％の組成からなり、比重２．４〜２．７、熱膨張係数が−０．１〜０．９×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１７５ＧＰａとなることを特徴とする。
【００１８】また本発明の低熱膨張高剛性セラミックスは、ＬｉＡｌＳｉＯ4 ７０〜９０体積％、炭化珪素１０〜３０体積％、ＭｇＯ１〜３体積％の組成からなり、比重２．４〜２．５、熱膨張係数が−０．１〜１．３×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１４５ＧＰａとなることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の低熱膨張高剛性セラミックスは、軽量高剛性特性を有する窒化珪素もしくは炭化珪素と、ＬＡＳとして知られる一般式ＬｉＡｌＳｉＯ4 で表される複合酸化物とを主成分とし、焼結助剤成分としてＭｇＯを１〜３体積％含むものである。」
　
ｆ　「【００３２】次に複合化仕様評価を行った。平均粒径０．９μｍで純度９９．９％以上の窒化珪素粉末、６．４μｍのＬｉＡｌＳｉＯ4 粉末、平均粒径０．７μｍのＭｇＯを窒化珪素粉末とＬｉＡｌＳｉＯ4 粉末の総量に対し２体積％とし、表２の仕様で配合し、ボールミルにより２４時間混合・粉砕した後、造粒・乾燥行った。その原料粉末を所定の形状に成形した後、窒素雰囲気下にて焼成し、複合磁器の外観及び比重・熱膨張率・ヤング率の磁器特性について評価を行った。
【００３３】評価の結果を表２に示す。ＬｉＡｌＳｉＯ4 ：窒化珪素＝６０：４０〜９０：１０で熱膨張率−０．１〜０．９×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１７５ＧＰａとなる欠陥のない磁器が得られた。
【００３４】
【表２】
」
　
ｇ　「【００３９】平均粒径０．７μｍで純度９９．９％以上の炭化珪素粉末、６．４μｍのＬｉＡｌＳｉＯ4 粉末、平均粒径０．７μｍのＭｇＯを窒化珪素粉末とＬｉＡｌＳｉＯ4 粉末の総量に対し２体積％とし、表４の仕様で配合し、ボールミルにより２４時間混合・粉砕した後、造粒・乾燥を行った。その原料粉末を所定の形状に成形した後、窒素雰囲気下にて焼成し、複合磁器の外観及び比重・熱膨張率・ヤング率の磁器特性について評価行った。
【００４０】評価の結果を表４に示す。ＬｉＡｌＳｉＯ4 ：炭化珪素＝７０：３０〜９０：１０で熱膨張率−０．１〜０．９×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１４５ＧＰａとなる欠陥のない磁器が得られた。
【００４１】
【表４】
」
　
ｈ　「【００４２】
【発明の効果】以上、詳述したとおり、本発明によれば、窒化珪素とＬｉＡｌＳｉＯ4 の複合化により、熱膨張率−０．１〜０．９×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１７５ＧＰａ、比重２．４〜２．７となる低熱膨張高剛性セラミックスを得ることができる。また、炭化珪素とＬｉＡｌＳｉＯ4 の複合化により、熱膨張率−０．１〜０．９×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１４５ＧＰａ、比重２．４〜２．５となる低熱膨張高剛性セラミックスを得ることができる。
【００４３】この低熱膨張高剛性セラミックスを高微細な回路を形成するためのウェハの支持または支持台を構成する露光装置用部品、例えば、ステージ部品、真空チャック、ミラーとして用いることにより温度変化に対して寸法安定性に優れ、変形・振動の影響が極めて少なく、半導体素子製造の品質と量産性を高めることができる。」
　
　また、原査定の拒絶理由に引用され、本件出願前に頒布された刊行物である国際公開第０２／３３４８５号（以下「引用例２」という。）には、以下のｉ〜ｎの記載が図面とともにある（なお、引用例２のパテントファミリーである特表２００４−５１２６７７号公報による訳文を記載した。）。
　
ｉ　「発明の分野
[0001]　本発明は極紫外リソグラフィ（ＥＵＶＬ）に関する。さらに詳しくは、本発明は石英ガラスベース軽量材料でつくられたＥＵＶＬ装置に関する。」
　
ｊ　「[0006]　ＥＵＶＬ装置の動作においては、ＥＵＶ光２４がマスク４で反射される。反射光４７が、反射光４７を導き、反射光４７の寸法を縮小するために用いられる、光学系６内部のミラー（図示せず）でさらに反射される。光学系６で達成される寸法縮小により、ウエハ７上に焼き付けられるべき像を（マスク４上の像より）小さくすることができる。一般に、そのような焼付プロセスは、マスク４とウエハ７がともに精密かつ協調的な態様で移動されなければならない、ステップアンドスキャンモードで行われる。そのような移動は、マスク（レチクル）４及びウエハ７をそれぞれ、コンピュータ（図示せず）で制御される、可動ステージ５及び８上におくことにより可能になる。ステージ５または８は一般に、マスク４またはウエハ７を保持するためのホルダ（図示せず）をもつＸ−Ｙ定盤（Ｘ及びＹ方向に移動できる定盤）を備える。ステージの移動は、コンピュータで制御される電動式位置決め装置により達成される。これらのステージにより、装置の初期設定におけるコンポーネントの位置合せも容易になる。
[0007]　投影型リソグラフィ装置では、コンポーネント（例えば、マスク、ミラー及びウエハ）の精密な位置合せが、ウエハ基板上への正確なパターン作成に絶対に必要である。ＥＵＶＬに必要な精度は、光リソグラフィに対する精度より厳格である。これらの要因が、動作波長におけるＥＵＶＬ装置の性能を決定するための、あるいは装置を所望の特性に調整し、適合させるための、高精度ＥＵＶ波面測定干渉計の開発を促した。これらの目的のためには、容易に調整できるコンポーネントが肝要である。それぞれのコンポーネントが調整可能なステージ上にあれば、そのような調整が容易になるであろう。
[0008]　位置合せ作業またはスキャン動作中のいずれであろうとも、ステージの重量が大きいほど、熱をより多く発生するより強力なモーターが必要となるから、ステージの重量が大きいと精度及び性能が阻害される。熱は装置の温度を高め、ＥＵＶＬ装置は温度変化に極めて敏感である。さらに、重量が大きくなるほど装置の操作性が阻害される（すなわち、スキャン動作における高精度制御の達成が困難になる）。したがって、容易操作性、すなわち
向上した位置決め及びスキャン精度を得るためには、上記のコンポーネントを軽量で高剛性の材料でつくること、あるいはコンポーネントの重量を低減するために磁気浮揚を用いることが望ましい。磁気浮揚はＥＵＶＬ装置の開発初期に成功裏に用いられたが、今では軽量材料の使用に関心が移っている。」
　
ｋ　「[0010]　コンポーネント重量の最小化だけでなく、理想的なＥＵＶＬ装置は良好な熱応答も有するべきである。すなわち、装置は温度変化に敏感であるべきではない。したがって、ＥＵＶＬ装置に使用するためには、軽量で低熱膨張のステージを有することが望ましい。」
　
ｌ　「[0019]　本発明の実施形態のいくつかは、ＥＵＶＬ装置に使用するための軽量ステージに関する。ＥＵＶＬ装置におけるマスク及びウエハのステップアンドスキャン動作は、ステージの総重量が最小化されれば、制御がより容易になる。
[0020]　図２は、本発明にしたがう軽量ステージの一実施形態を示す。本実施形態において、ステージは、定盤３１，ホルダ３２及びいくつかの付属部品（例えば、位置決めアクチュエータまたはモーター）３３，３４及び３５を備える。定盤３１は軽量材料でつくられる。軽量材料は、ガラスまたはガラス−セラミックとすることができる。これらの材料は、重量をさらに低減するために、ハニカム構造体のような空洞包含構造体とすることもできる。熱膨張はＥＵＶＬ装置の精密動作に有害であるから、これらの軽量材料は低い熱膨張係数（ＣＴＥ）も有することが好ましい。適切な軽量低ＣＴＥ材料には、（商品名ＨＰＦＳ（登録商標）ガラスでコーニング社（Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃ．）から販売される材料のような）高純度石英ガラス及び（商品名ＵＬＥ（登録商標）ガラスでコーニング社から販売される材料のような）超低膨張ガラスがある。
[0021]　高純度石英ガラス（例えば、コーニング社のＨＰＦＳ（登録商標）ガラス）は、火炎加水分解により製造される合成非晶質二酸化ケイ素ガラスである。非晶質で、無色の無水ケイ酸ガラスは極めて低い熱膨張係数を有する。超低膨張ガラス（例えば、コーニング社のＵＬＥ（登録商標）ガラス）は火炎加水分解により製造される融成チタン−ケイ酸ガラスであり、極めて低いＣＴＥ（例えば、５℃から３５℃の温度範囲にわたって±３０ｐｐｂ／℃）を有する。超低膨張ガラスはガラス−セラミックではなくガラスであり、超低膨張ガラス内には結晶構造がないという点で、他の超低膨張材料とは異なる。これらのガラスのいずれを使用するかは、用途による。理想的なステージでは、応力及び歪みを最小限に抑えるように、ステージとステージが支持する物品（マスクまたはウエハ）との間の膨張による不整合がほとんどまたは全くないことが必須である。
[0022]　本実施形態の定盤３１は、ホルダ３２が取り付けられた上面、底面及び４つの側面を有する。図２には２つの側面３６及び３７が示されている。側面３６及び３７は、光干渉計を用いるステージの位置合せを容易にするために側面３６及び３７を用い得るように、研磨することができる。あるいは、同じ目的のために、研磨されたプレート（図示せず）を側面３６，３７に取り付けることができる。定盤３１の形状は、図２では長方形として示されているが、例えば、多角形、正方形、長円形及び円形を含む、適切ないかなる形状であってもさしつかえない。さらに、定盤３１の上面及び／または底面は、平坦であっても、ある程度の曲率があってもさしつかえない。
[0023]　図２に示されるようなホルダ３２は、マスクを（マスクステージ上に）保持するか、またはウエハを（ウエハステージ上に）保持するためのホルダである。ホルダ３２は、真空、機械的、及び静電気的機構を含む、技術上既知の機構のいずれかを用いてマスクまたはウエハを保持することができる。とりわけ、米国特許第５，２２１，４０３号、第５，８３５，３３３号及び第５，８３５，３３４号の各明細書に示されるような、静電気的装置が好ましい。ホルダ３２はマスクまたはウエハの保持に適すればいかなる形状であってもさしつかえない；例えば、ホルダ３２は円形、多角形、正方形（図３Ａの３２を参照されたい）または長方形のディスクとすることができる。
[0024]　ステージを位置決めするかまたは移動させるための付属部品（例えば、モーターまたはアクチュエータ）がステージの底面にあり得る。例えば、図２には３つのそのような付属部品３３，３４及び３５が示されている。付属部品の数は特定のＥＵＶＬ装置に依存することになろう。定盤を移動させるための技術上既知のいかなるアクチュエータ装置も用いることができる。これらには、リニアモータ、回転モータ、または、圧気型装置、圧液型装置、圧電型及びその他のタイプの電磁型装置を含めることができる。これらの付属部品を備える代わりに、ステージ自体は付属部品を全く備えないでいることもできる。例えば、ＥＵＬＶ装置の位置決め装置に連結するための取付け位置または手段（図３Ｃの４３，４４，４５を参照されたい）を備えることもできる。」
　
ｍ　「[0026]　上述したように、本発明の実施形態のための材料は、軽量ガラスまたは軽量ガラス−セラミック材料とすることができる。さらに、より優れた熱統制を与えるためには、これらの材料が低熱膨張係数を有することが好ましい。そのような軽量低熱膨張材料には、（コーニング社のＨＰＦＳ（登録商標）ガラスのような）高純度石英ガラス及び（コーニング社のＵＬＥ（登録商標）ガラスのような）超低膨張ガラスを含めることができる。重量をさらに低減するため、これらの材料は材料内に空孔を含む構造体となるように作成することができ、その一例はハニカム構造体である。一般的なハニカム構造体は、同等の中実材料より５０％から９８％小さい、実効密度を有することができる。
[0027]　図４は、ハニカム材料で作成された、本発明の一実施形態を示す。本実施形態では、ステージの定盤が３つの部品３１ａ，３１ｂ及び３１ｃからなることができる。上面部品３１ａは薄い中実個片であって、ホルダ３２を備える。中間部品３１ｂはステージの本体であって、ハニカム基板からなる。本図では、ハニカム構造体の、上面から底面に向かう、“チャネル”が示されているが、これが唯一の許容される方向ではない。当業者には、本発明の範囲を逸脱することなくその他の方向も許容されることがわかっているであろう。底面部品３１ｃも薄い中実個片であって、ＥＵＶＬ装置の位置決め装置と連結するための取付け位置または手段４３，４４，４５を備える。３つの取付け位置／手段が示されている；しかし、取付け位置／手段をより多くするかまたはより少なくすることができることに注意すべきである。そのような取付けのための位置及び機構の正確な数はＥＵＶＬ装置の位置決め装置により規定されることになろう。上面部品３１ａ及び底面部品３１ｃは、技術上既知の、用いられる材料に適するいずれかの方法を用いて本体３１ｂに組み付けることができる。例えば、これらの部品がコーニング社のＨＰＦＳ（登録商標）ガラスまたはＵＬＥ（登録商標）ガラスのような軽量低ＣＴＥガラスで作成されていれば、上面部品及び底面部品を、低温融着またはフリット融着プロセスを用いて中間部品に融着することができる。例えば、本発明と同じ譲受人に発行された米国特許第６，０４８，８１１号の明細書は上記プロセスに適するフリット融着プロセスを開示している。この特許明細書は参照として本明細書に含まれる。」
　
ｎ　「【請求項１】
リソグラフィ用投影装置において：
投影光ビームを供給するための光放射装置；
マスクを保持するマスクステージであって、高純度石英ガラス及び超低膨張ガラスから選ばれる１つからなる軽量材料でつくられているマスクステージ；
ウエハを保持する基板ステージであって、前記軽量材料でつくられている基板ステージ；及び
前記マスクの照射部分を前記ウエハの標的部分上に結像させるための光学系；
を備えることを特徴とするリソグラフィ用装置。
【請求項２】
前記軽量材料が空孔包含構造体を含むことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用装置。」
　
　また、原査定の拒絶理由に引用され、本件出願前に頒布された刊行物である特開２０００−１８３０１号公報（以下「引用例３」という。）には、以下のｏ〜ｖの記載が図面とともにある。
　
ｏ　「【請求項１】複数のセラミックス部材を、該セラミックス部材よりも内部摩擦の大きい接合材を用いて接合し、全体の内部摩擦５×１０-4以上、固有振動数４００〜４０００Ｈｚであることを特徴とする振動減衰部材。」
　
ｐ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体関連の製造装置などの分野において、振動減衰特性を向上させた振動減衰部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミックスは軽量、高剛性、高強度、高硬度という特徴を有し、また、耐熱性、耐食性に優れているという特性を活かし、構造部材・耐摩耗部材・耐食部材として多くの分野で利用されており、半導体製造装置の分野でも使用されている。
【０００３】現在、半導体業界ではＬＳＩの高集積化に伴い微細化が進み、パターン最小線幅は年々減少している。現在の設計線幅０．３５μｍであるが１９９８年には０．２５μｍ、２００１年には０．１８μｍ、２００４年には０．１３μｍへ移行すると予想されている。デバイスの製作に用いる描画方式は現在の光露光方式であるが、将来的には高精度・高品質な処理が可能な電子ビーム描画方式、Ｘ線描画方式に変更されるようになるといわれている。
【０００４】一般的に用いられている紫外線を利用した露光装置は、石英マスク（レチクル）上にあらかじめ形成されたクロム薄膜のパターンをシリコン基板上の感光性樹脂膜（レジスト）に縮小転写（通常１／５）するものである。このレジストパターンが基板あるいは基板上の積層膜をエッチングする際のマスク材となる。
【０００５】また、ウェハーサイズは、現在の２００ｍｍから２０００年もしくは１９９９年に３００ｍｍへのサイズアップが予定されている。サイズアップに伴う描画面積の増大のため、より高精度な対応と高速描画対応の２点が半導体製造装置に望まれる。
【０００６】これまでの２００ｍｍ以下のウェハー対応半導体製造装置では、ソフト面からのバックアップ等で使いこなすことができたがウェハーサイズアップ、線幅の微細化対応により、対応できなくなった。そこでシステム全体の見直しを行うこととなった。
【０００７】半導体製造装置は、およそ照明系・駆動系・支持系の３つの要素からなるといえる。共通して言えることであるが特に駆動系は、熱・振動・磁場の発生源であり、装置の設計は次のような方針で行う。
【０００８】○１各部の温度制御を±０．１℃とする。低熱膨張材料から構成すること
○２非磁性材料から構成すること
○３長寿命であること
○４小型であること
○５構造が簡単なこと
○６材料の加工性がよいこと
○７耐摩耗性に優れること
以上の設計方針を満足し、低熱膨張・高剛性という特性を活かして半導体製造装置の部品の材質としてセラミックスが選定されている（当審注：「○１」〜「○７」は、「丸付き数字１」〜「丸付き数字７」を意味する。）。
【０００９】更に半導体製造装置の部材には、スループット向上のため固有振動数の高い部材が求められる。固有振動数の値が低いと共振が発生しやすくなり、ウェハーの位置決めに要する時間が長くなるため、スループットを上げることが難しくなる。しかも、固有振動数が高いままに減衰特性が優れる複雑形状をした構造体が要求されている。
【００１０】振動の影響は、装置精度がｎｍオーダーの精度を問題としているため、振動の安定に要する時間が描画時間の長さに反映される。従って、高速描画対応は装置の駆動系から発生する振動をすみやかに減衰することが必要な条件となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、セラミックスで半導体製造装置用部材を構成する場合、大型化への対応が困難であるという問題があった。
【００１２】即ち、上述したようにウェハの大型化に伴い、半導体製造装置の大型化が求められているが、セラミックスはその製造工程上、大型品を製造することが難しく、振動減衰特性に優れ、かつ大型のセラミックス部材を得ることは困難であった。」
　
ｑ　「【００１３】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、複数のセラミックス部材を、該セラミックス部材よりも内部摩擦の大きい接合材を用いて接合し、内部摩擦５×１０-4以上、固有振動数４００〜４０００Ｈｚの振動減衰部材を構成したことを特徴とする。
【００１４】即ち、複数のセラミックス部材を接合することによって、大型品を容易に作製するとができ、しかもこの接合材として内部摩擦の大きいものを用いることによって、全体の振動減衰特性を向上させることができ、大型の振動減衰部材とすることができるのである。。」
　
ｒ　「【００１８】図１に示す振動減衰部材１は、セラミックス製の第１部材２、第２部材３を、このセラミックスよりも内部摩擦の大きい接合材５で接合し、内部に中空部４を備えたものである。
【００１９】このように複数のセラミック部材を接合することによって、大型品や複雑形状品を容易に形成することができ、詳細を後述するように、振動減衰特性を向上させることができる。また、上記中空部４を備えることで、軽量化するとともに、配線配管を施すことができる。
【００２０】この振動減衰材１は、例えば半導体製造装置のステージ、スライダー等、外部に電気配線、エア配管を有していたものを中空部４に内装することが可能となり、装置をコンパクトに設計することができる。」
　
ｓ　「【００２１】また、他の実施形態として図２に示すように、中空部４を外部に開口した形状とすることもできる。
【００２２】これは、例えば、半導体製造装置のレチクルステージ、ウェハーステージ等の駆動部品に用いることにより、軽量化することで高速駆動を可能とすることができる。」
　
ｔ　「【００６４】実施例２
上記実施例と同様のアルミナセラミックスを使用して３００×４５０×２０ｍｍのステッパー用ステージ部材を製作した。
【００６５】なお、ステッパーとは、半導体のシリコンウェハー上にパターンを描画行うためにＸ−Ｙ軸（一部Ｚ軸含む）でステップアンドリピート動作を繰り返すためのステージであり、ここで製作したステージは、シリコンウェハーを装着するステージ全体の最上部に位置する部材を指す。
【００６６】ステージは、図２に示す構造として、接合材５として上記と同様のエポキシ樹脂を用い、接合面の全面で接合するようにした。各部材の接合面は、塗布前にアセトンを使用して脱脂処理を行い、両方の部材にスクリーン印刷で接合材５を塗布した。その後、接合面を対向させ、加圧力１ｋｇｆ／ｃｍ2 で圧着し、２０分保持した後、室中で半日保持した。」
　
ｕ　「【００７１】実施例３
上記と同様のアルミナセラミックスを用いて、３００×４５０×２０ｍｍのステッパー用ステージ部材を製作した。構造は図１に示すものとし、内部に温度調節用の配管を施すための高さ３ｍｍの中空部４を備えた。また、図１では厚み方向の１／２の位置に接合面を備えたが、この実施例では、厚み方向の１／４となる部分に接合面を備える構造とした。
【００７２】接合材５は上記と同様のエポキシ樹脂を用い、接合材５を塗布する面積は全面積の２５％とした。接合面は、アセトンを使用して脱脂処理を行い、洗浄した後、スクリーン印刷で接合材を塗布した。次に、接合面を対向させ、加圧力１ｋｇｆ／ｃｍ2 で圧着し、２０分保持し、室中で半日保持した。」
　
ｖ　「【００７９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、複数のセラミックス部材を、該セラミックス部材よりも内部摩擦の大きい接合材で接合して振動減衰部材を構成したことによって、複雑形状品や大型形状品であっても、単純形状の部材を接合することで容易に作製することができ、しかも全体の内部摩擦を大きくして振動減衰特性を向上させることができる。」
　
２　引用例１記載の発明の認定
　引用例１の上記記載事項ａ〜ｈから、引用例１には次の発明が記載されていると認めることができる。
　
「Ｘ−Ｙテーブルとして、ＬｉＡｌＳｉＯ4 ７０〜９０体積％、ＳｉＣ１０〜３０体積％を主成分とし、これらに対しＭｇＯ１〜３体積％を含み、熱膨張率−０．１〜１．０×１０-6／℃、ヤング率１３０〜１４５ＧＰａ、比重２．４〜２．５である軽量低熱膨張高剛性セラミックスを用いた半導体製造プロセスにおける露光装置。」（以下「引用発明」という。）
　
３　本件発明と引用発明の一致点及び相違点の認定
（１）引用発明の「Ｘ−Ｙテーブル」は、本件発明の「ステージ」に相当し、引用発明の「Ｘ−Ｙテーブル」を備えた「半導体製造プロセスにおける露光装置」と、本件発明の「マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方をステージによって移動させながら露光する露光装置」とは、「ステージ」を備えた「露光装置」である点で一致する。
　
（２）引用発明の「Ｘ−Ｙテーブルとして、ＬｉＡｌＳｉＯ4 ７０〜９０体積％、ＳｉＣ１０〜３０体積％を主成分とし、これらに対しＭｇＯ１〜３体積％を含み、」「比重２．４〜２．５である軽量低熱膨張高剛性セラミックスを用いた」ことと、本件発明の「前記ステージを構成する材質として、密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスを用い、かつ前記ステージをハニカム構造または多孔質構造によるセラミックス部材を中央部が中空になるように構成して軽量化」することとは、「前記ステージを構成する材質として、密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスを用いて軽量化」する点で一致する。
　
（３）引用例１の上記記載事項ｄの段落【０００９】の記載に照らし、引用発明の「軽量低熱膨張高剛性セラミックス」の「熱膨張率」は、「露光装置」の使用温度近傍での値であると認めることができる。そして、「露光装置」の使用温度は、通常、室温である（例えば、特開２００１−６８５３６号公報（段落【００２５】）、特開平１１−７４３３４号公報（段落【００１３】）を参照。）。
　また、引用発明の「ＬｉＡｌＳｉＯ4」がガラスであることは、本件出願時における技術常識である（一例として、特開２００１−３０７６７１号公報（請求項４、段落【００２１】、【００３５】）を参照。）。
　したがって、引用発明の「比重２．４〜２．５である軽量低熱膨張高剛性セラミックス」として、「ＬｉＡｌＳｉＯ4 ７０〜９０体積％、ＳｉＣ１０〜３０体積％を主成分とし、これらに対しＭｇＯ１〜３体積％を含み、熱膨張率−０．１〜１．０×１０-6／℃」である「セラミックスを用いた」ことは、本件発明の「前記密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスとして、室温での熱膨張係数が−１．５〜１．５×１０−６／℃であり、炭化珪素とガラスを主成分とした複合セラミックスを用いること」に相当する。
　
（４）引用発明の「半導体製造プロセスにおける露光装置」と、本件発明の「液晶パネル用露光装置」とは、「露光装置」である点で一致する。
　
（５）以上から、本件発明と引用発明とは、
　
「ステージを備えた露光装置において、
　前記ステージを構成する材質として、密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスを用いて軽量化し、
　前記密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下のセラミックスとして、室温での熱膨張係数が−１．５〜１．５×１０−６／℃であり、炭化珪素とガラスを主成分とした複合セラミックスを用いる露光装置。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本件発明の「露光装置」は「マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方をステージによって移動させながら露光する」ものであるのに対し、引用発明の「露光装置」は「Ｘ−Ｙテーブル」を有する「露光装置」である点。
　
〈相違点２〉
　「ステージ」を「軽量化」するために、本件発明の「ステージ」は「ハニカム構造または多孔質構造によるセラミックス部材を中央部が中空になるように構成」されているのに対し、引用発明の「軽量低熱膨張高剛性セラミックスを用いた」「Ｘ−Ｙテーブル」にはこのような限定がない点。
　
〈相違点３〉
　本件発明の「露光装置」は「液晶パネル用露光装置」であるのに対し、引用発明の「露光装置」は「半導体製造プロセスにおける露光装置」である点。
　
４　相違点についての判断
（１）相違点１について
　露光装置の技術分野では、Ｘ−Ｙテーブルを備えた露光装置が、マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方を前記Ｘ−Ｙテーブルによって移動させながら露光する露光装置であることは、本件出願時における技術常識である（例えば、特開平１１−３１７４４０号公報、特開平１０−２２２０３号公報を参照。）。かかる上記技術常識に照らすと、引用発明の「Ｘ−Ｙテーブル」を備えた「露光装置」は、マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方を前記Ｘ−Ｙテーブルによって移動させながら露光する露光装置であると認めることができる。
　また、仮に、引用発明の「Ｘ−Ｙテーブル」を備えた「露光装置」が、マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方を前記Ｘ−Ｙテーブルによって移動させながら露光する露光装置であると認めることができないとしても、上記技術常識に基づいて、引用発明の「Ｘ−Ｙテーブル」を備えた「露光装置」を、マスク上のパターンを基板上に転写露光するために、前記マスク、前記基板の少なくとも一方を前記Ｘ−Ｙテーブルによって移動させながら露光する露光装置とすることは、当業者にとって容易に想到し得る。
　したがって、上記相違点１は実質的に相違点ではない、または、仮に、上記相違点１が実質的に相違点であるとしても、上記相違点１に係る本件発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
（２）相違点２について
ア　引用例２の上記記載事項ｉ〜ｎから、引用例２には、露光装置のマスクステージや基板ステージを軽量化するために、これらステージとして軽量低熱膨張材料をハニカム構造としたものを採用するという発明が記載されていると認めることができる。
　そして、引用例１の上記記載事項ｄの段落【０００８】、【００１３】の記載、上記記載事項ｆの【表２】のテストＮｏ．２〜４の比重の値、上記記載事項ｇの【表４】のテストＮｏ．１〜４の比重の値に照らすと、引用例１に記載された「露光装置」では、Ｘ−Ｙテーブル等露光装置のステージを軽量化することが目的の一つとなっていることは明らかである。
　したがって、引用発明の「半導体製造プロセスにおける露光装置」の「軽量低熱膨張高剛性セラミックスを用いた」「Ｘ−Ｙテーブル」の軽量化のために、引用例２に記載された発明を適用して、引用発明の「軽量低熱膨張高剛性セラミックスを用いた」「Ｘ−Ｙテーブル」をハニカム構造とすることは、当業者にとって容易に想到し得る。
　
イ　引用例３の上記記載事項ｏ〜ｖから、引用例３には、露光装置のレチクルステージやウェハーステージを軽量化するために、これらステージに中空部を設けるという発明が記載されていると認めることができる。
　そして、引用例１の上記記載事項ｄの段落【０００８】、【００１３】の記載、上記記載事項ｆの【表２】のテストＮｏ．２〜４の比重の値、上記記載事項ｇの【表４】のテストＮｏ．１〜４の比重の値に照らすと、引用例１に記載された「露光装置」では、Ｘ−Ｙテーブル等露光装置のステージを軽量化することが目的の一つとなっていることは明らかである。
　したがって、引用発明の「半導体製造プロセスにおける露光装置」の「軽量低熱膨張高剛性セラミックスを用いた」「Ｘ−Ｙテーブル」の軽量化のために、引用例３に記載された発明を適用して、引用発明の「軽量低熱膨張高剛性セラミックスを用いた」「Ｘ−Ｙテーブル」に中空部を設けることは、当業者にとって容易に想到し得る。その際、前記中空部を引用発明の「軽量低熱膨張高剛性セラミックスを用いた」「Ｘ−Ｙテーブル」の中央部に設けることは、当業者が適宜なし得る設計的事項である。
　
ウ　なお、請求人は、平成２０年９月８日付けの手続補正により補正された同年７月１８日付けの審判請求書の請求の理由において、引用例１は「軽量化ではなく緻密質のセラミックスを得ることを目的としています。」と主張しているが、上記ア，イで述べたとおり、引用例１の上記記載事項ｄの段落【０００８】、【００１３】の記載、上記記載事項ｆの【表２】のテストＮｏ．２〜４の比重の値、上記記載事項ｇの【表４】のテストＮｏ．１〜４の比重の値に照らすと、引用例１に記載された「露光装置」では、Ｘ−Ｙテーブル等露光装置のステージを軽量化することが目的の一つとなっていることは明らかであるから、請求人の上記主張は採用できない。
　
エ　以上のとおりであるから、引用発明に上記相違点２に係る本件発明の発明特定事項を採用することは当業者にとって想到容易である。　
　
（３）相違点３について
　半導体用露光装置の技術を液晶パネル用露光装置に転用することは通常行われているから（例えば、特開２００２−２１７０８２号公報（段落【０００１】、【００９４】、【００９６】等）、特開平１１−３１７４４０号公報（段落【０００１】、【００５１】等）を参照。）、引用発明の「半導体製造プロセスにおける露光装置」を、液晶パネルを製造するための露光装置として用いることは、当業者にとって容易に想到し得る。
　したがって、引用発明に上記相違点３に係る本件発明の発明特定事項を採用することは当業者にとって想到容易である。　
　
５　本件発明の進歩性の判断
　以上検討したとおり、引用発明に上記相違点１〜３に係る本件発明の発明特定事項を採用することは当業者にとって想到容易である。
　また、本件発明の効果も、引用例１〜３に記載された発明及び本件出願時における技術常識から当業者が予測し得る程度のものである。
　したがって、本件発明は引用例１〜３に記載された発明及び本件出願時における技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　以上のとおり、本件発明は引用例１〜３に記載された発明及び本件出願時における技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本件発明が特許を受けることができない以上、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。