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　特願２００２−５４８７６８「１工程の急速熱アニールプロセスおよびバックエンド処理を用いてニッケルシリサイドを形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年６月１３日国際公開，ＷＯ０２／４７１４５，平成１６年７月１５日国内公表，特表２００４−５２１４８６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年１２月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年１２月６日，米国，２０００年１２月６日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成１４年１２月３０日付けで手続補正がなされ，平成１９年４月６日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年７月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２１年１２月２１日付けで審尋がなされ，平成２２年３月１６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年７月１２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，平成１４年１２月３０日付けで補正された本件補正前の請求項１を削除し，本件補正前の請求項１を引用する請求項２を本件補正後の請求項１とする補正を含むものであって，本件補正前の請求項１〜３及び本件補正後の請求項１は，以下のとおりである。
（１）本件補正前の請求項１〜３
「【請求項１】　少なくとも１つのシリコン層（４６）上にニッケル金属またはニッケル合金（５２）を堆積するステップと，
　高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）を形成するために，第１の温度で第１の時間期間だけ，前記ニッケル金属またはニッケル合金（５２）の少なくとも一部を前記シリコン層（４６）と反応させるステップと，
　未反応のニッケル金属またはニッケル合金（５４）を除去するステップと，
　高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）の上方に，誘電体層（６０）を堆積するステップと，
　その後，低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（６４，６６）を形成して，前記誘電体層（６０）を処理するために，第２の温度で第２の時間期間だけ，前記高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させるステップとを含む，半導体処理方法。
　【請求項２】　前記第１の温度は，約２５０℃〜約３５０℃の範囲である，請求項１に記載の半導体処理方法。
　【請求項３】　前記第２の温度は，約４００℃〜約６００℃の範囲である，請求項１に記載の半導体処理方法。」
（２）本件補正後の請求項１
「【請求項１】　少なくとも１つのシリコン層（４６）上にニッケル金属またはニッケル合金（５２）を堆積するステップと，
　高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）を形成するために，２５０℃〜３５０℃の第１の温度で第１の時間期間だけ，前記ニッケル金属またはニッケル合金（５２）の少なくとも一部を前記シリコン層（４６）と反応させるステップと，
　未反応のニッケル金属またはニッケル合金（５４）を除去するステップと，
　高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）の上方に，誘電体層（６０）を堆積するステップと，
　その後，低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（６４，６６）を形成して，前記誘電体層（６０）を処理するために，４００℃〜７００℃の第２の温度で第２の時間期間だけ，前記高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させるステップとを含む，半導体処理方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正のうち，本件補正後の請求項１に関する補正事項を整理すると，以下のとおりとなる。
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１を削除し，本件補正前の請求項１を引用する請求項２を本件補正後の請求項１とし，本件補正前の請求項１の「第１の温度で」及び本件補正前の請求項２の「前記第１の温度は，約２５０℃〜約３５０℃の範囲である」を，本件補正後の請求項１の「２５０℃〜３５０℃の第１の温度で」と補正すること。
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１の「第２の温度で」を，本件補正後の請求項１の「４００℃〜７００℃の第２の温度で」と補正すること。
　
３　補正の目的の適否及び新規事項の有無
（１）補正事項１は，本件補正前の請求項１を削除し，本件補正前の請求項１を引用する請求項２を，本件補正後の請求項１に繰り上げるとともに，記載を明りょうにするものであるから，請求項の削除又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また，補正事項１は，平成１５年６月２６日付け「特許法第１８４条の４第１項の国際出願日（以下「国際出願日」という。）における同法第１８４条の３第２項の国際特許出願（以下「国際特許出願」という。）の明細書若しくは図面（図面の中の説明に限る。）の同法第１８４条の４第１項の翻訳文，国際出願日における国際特許出願の請求の範囲の同項の翻訳文，又は国際出願日における国際特許出願の図面（図面の中の説明を除く。）」（以下「本願当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであって，本願当初明細書等の範囲内においてなされたものである。
（２）補正事項２は，本件補正前の請求項２が引用する請求項１の「第２の温度」に，「４００℃〜７００℃」という構成を付加して，本件補正前の請求項１を引用する請求項２の「第２の温度」を限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　しかしながら，本願当初明細書等に，第２の温度の具体的な温度範囲については，次の記載のみがある。
ア　「【請求項４】
前記
第２の温度は，約４００℃〜約６００℃の範囲
イ　「【００２１】
図２０は，この発明の実施例の一例に従った，第２の温度処理後の，図１９の半導体構造を示す。
第２の温度処理は，３５０℃〜７５０℃の範囲
第２の温度処理は，約３５０℃〜約７００℃の範囲
　これらの記載によれば，本願当初明細書等には，第２の温度の具体的な温度範囲としては，約４００℃〜約６００℃の範囲，３５０℃〜７５０℃の範囲，及び，約３５０℃〜約７００℃の範囲であることが記載されているのであり，４００℃〜７００℃の範囲とすることについては記載されておらず，また，本願当初明細書等の記載から自明な事項とも認められない。したがって，補正事項２は，本願当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものであって，本願当初明細書等の範囲内においてなされたものではない。
（３）以上のとおり，補正事項２が，本願当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではないから，本件補正は，特許法第１８４条の１２第２項において読み替えて準用する同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
４　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，本件補正は，特許法第１８４条の１２第２項において読み替えて準用する同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　しかしながら，審判請求人は，審判請求書において補正の概要につき，「今回提出の手続補正書により，引例との差異を明確にするため，旧請求項２および３に記載された特徴を請求項１に追加し，旧請求項２および３を削除しました。」と説明している。そうすると，本件補正前の請求項３は，「前記第２の温度は，約４００℃〜約６００℃の範囲である，請求項１に記載の半導体処理方法。」であるから，本件補正後の請求項１の「４００℃〜７００℃」は，「４００℃〜６００℃」の誤記と解することもできる。仮に，「４００℃〜６００℃」の誤記と解し，前記の要件を満たすものとみなした場合には，補正事項２は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，さらに検討を進める。
　
４−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された本願当初明細書等の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであって，次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　少なくとも１つのシリコン層（４６）上にニッケル金属またはニッケル合金（５２）を堆積するステップと，
　高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）を形成するために，２５０℃〜３５０℃の第１の温度で第１の時間期間だけ，前記ニッケル金属またはニッケル合金（５２）の少なくとも一部を前記シリコン層（４６）と反応させるステップと，
　未反応のニッケル金属またはニッケル合金（５４）を除去するステップと，
　高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）の上方に，誘電体層（６０）を堆積するステップと，
　その後，低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（６４，６６）を形成して，前記誘電体層（６０）を処理するために，４００℃〜６００℃の第２の温度で第２の時間期間だけ，前記高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させるステップとを含む，半導体処理方法。」
　なお，本件補正後の請求項１の「４００℃〜７００℃の第２の温度」は，「４００℃〜６００℃の第２の温度」の誤記であるとして，補正発明を上記のように認定した。
　
４−２　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１７４２７４号公報（平成１２年６月２３日出願公開，以下「引用例」という。）には，次の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は
半導体装置の製造方法
イ　図５を参照して，「【００２６】図５を参照すれば，
シリコン及びポリシリコン表面の自然酸化膜を取り除くためにフッ化水素（ＨＦ）のような薬液を用いて湿式洗浄を行った後，コバルト層を蒸着
ウ　第１実施形態として図８を参照し，「【００３４】図８は１次熱処理段階を示す。上述したように，第１キャッピング層１１４が形成されている基板１００を通常の高速加熱器の反応チャンバーに入れた後，窒素（Ｎ２）雰囲気下で
４００〜６００℃の温度で１０〜１２０秒間基板１００を１次加熱してコバルトとシリコンが接触する領域でシリサイド反応を引き起こす
その結果，ソース／ドレイン領域１１０とポリシリコンゲート１０６の上部にコバルトモノシリサイド領域１１６，１１８が形成
エ　第１実施形態として図１０を参照し，「【００３７】図１０は２次熱処理段階を示す。上述したように，第２キャッピング層１２０が形成されている基板１００を通常の高速加熱器の反応チャンバーに入れた後，窒素（Ｎ２）雰囲気下で
７００〜９００℃の温度で１０〜１２０秒間基板１００を２次加熱
その結果，コバルトモノシリサイドとシリコンが反応してコバルトモノシリサイド領域１１６，１１８が低い比抵抗のコバルトダイシリサイド領域１２２，１２４に変換
オ　第２実施形態として図１２を参照し，「【００４０】図１２は本発明の第２実施形態によるコバルトサリサイド工程を適用したＭＯＳトランジスタの形成方法を説明するための断面図であって，第２キャッピング層を絶縁体で形成した場合を示す。
【００４１】図１２を参照すれば，上述した本発明の
第１実施形態と同様の方法で１次熱処理を行い
未反応のコバルト層及び第１キャッピング層を取り除いた後
絶縁体，望ましくは，酸化物，ＳｉＮ又はＳｉＯＮの群から選ばれたいずれか一つで第２キャッピング層１２１を形成
第１実施形態と同一の条件で２次熱処理
コバルトモノシリサイドとシリコンが反応
コバルトモノシリサイド領域が低い比抵抗のコバルトダイシリサイド領域１２２，１２４に相変移
絶縁体からなる第２キャッピング層１２１は，第１実施形態における導電体からなる第２キャッピング層と同様に２次熱処理時のコバルトの表面拡散を抑制し，シリサイド反応速度を制御する役割を果たす
２次熱処理後に
第２実施形態では第２キャッピング層を絶縁体で形成したので，取り除かない
カ　「【００４２】上述した
本発明の実施例ではコバルトサリサイド工程を説明したが，コバルトの代わりに
ニッケル（Ｎｉ）を使用するサリサイド工程にも本発明を適用することができる
（２）上記（１）アによれば，引用例に記載された発明は，半導体装置の製造方法であるから，半導体処理方法に関するものである。
（３）上記（１）カによれば，引用例には，本発明の実施例ではコバルトサリサイド工程を説明したが，コバルトの代わりにニッケル（Ｎｉ）を使用するサリサイド工程にも本発明を適用することができることが記載されている。
（４）上記（１）イによれば，引用例には，シリコン及びポリシリコン表面の自然酸化膜を取り除くためにフッ化水素（ＨＦ）のような薬液を用いて湿式洗浄を行った後，コバルト層を蒸着することが記載されている。したがって，上記（３）のコバルトの代わりにニッケルを適用できることを参酌すれば，引用例には，シリコン及びポリシリコン表面にニッケル層を蒸着するステップが開示されている。
（５）上記（１）ウ及びオによれば，引用例には，第２実施形態として第１実施形態の１次熱処理を引用し，４００〜６００℃の温度で１０〜１２０秒間基板１００を１次加熱してコバルトとシリコンが接触する領域でシリサイド反応を引き起こし，その結果，ソース／ドレイン領域１１０とポリシリコンゲート１０６の上部にコバルトモノシリサイド領域１１６，１１８が形成されることが記載されている。また，上記（１）オによれば，引用例には，第１実施形態と同一の条件で２次熱処理を行うと，コバルトモノシリサイドとシリコンが反応して，
コバルトモノシリサイド領域が低い比抵抗のコバルトダイシリサイド領域１２２，１２４に相変移
高い比抵抗
（６）上記（１）オによれば，引用例には，未反応のコバルト層及び第１キャッピング層を取り除くことが記載されているから，上記（３）のコバルトの代わりにニッケルを適用できることを参酌すれば，引用例には，未反応のニッケル層を取り除くステップが開示されている。
（７）上記（１）オによれば，引用例には，絶縁体，望ましくは，酸化物，ＳｉＮ又はＳｉＯＮの群から選ばれたいずれか一つで第２キャッピング層１２１を形成することが記載されている。そうすると，図１２における第２キャッピング層１２１と，コバルトダイシリサイド領域１２２，１２４（すなわち，コバルトモノシリサイド領域１１６，１１８）との位置関係を参照し，上記（３）のコバルトの代わりにニッケルを適用できることを参酌すれば，引用例には，高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８の上に，絶縁体，望ましくは，酸化物，ＳｉＮ又はＳｉＯＮの群から選ばれたいずれか一つで第２キャッピング層１２１を形成するステップが開示されている。
（８）上記（１）エ及びオによれば，引用例には，第２実施形態として第１実施形態の２次熱処理を引用し，７００〜９００℃の温度で１０〜１２０秒間基板１００を２次加熱し，その結果，コバルトモノシリサイドとシリコンが反応してコバルトモノシリサイド領域１１６，１１８が低い比抵抗のコバルトダイシリサイド領域１２２，１２４に変換することが記載されている。したがって，上記（３）のコバルトの代わりにニッケルを適用できることを参酌すれば，引用例には，２次加熱し，その結果，高い比抵抗のニッケルシリサイドとシリコンが反応して高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８が低い比抵抗のニッケルシリサイド領域１２２，１２４に変換するステップが開示されている。
（９）よって，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「シリコン及びポリシリコン表面にニッケル層を蒸着するステップと，
　１次加熱してニッケルとシリコンが接触する領域でシリサイド反応を引き起こし，その結果，ソース／ドレイン領域１１０とポリシリコンゲート１０６の上部に高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８を形成するステップと，
　未反応のニッケル層を取り除くステップと，
　高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８の上に，絶縁体，望ましくは，酸化物，ＳｉＮ又はＳｉＯＮの群から選ばれたいずれか一つで第２キャッピング層１２１を形成するステップと，
　２次加熱し，その結果，高い比抵抗のニッケルシリサイドとシリコンが反応して高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８が低い比抵抗のニッケルシリサイド領域１２２，１２４に変換するステップとを含む，半導体処理方法。」
　
４−３　補正発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「シリコン及びポリシリコン表面」，「ニッケル層」，「蒸着」は，補正発明の「少なくとも１つのシリコン層（４６）」，「ニッケル金属またはニッケル合金（５２）」，「堆積」にそれぞれ相当するから，引用発明の「シリコン及びポリシリコン表面にニッケル層を蒸着するステップ」は，補正発明の「少なくとも１つのシリコン層（４６）上にニッケル金属またはニッケル合金（５２）を堆積するステップ」に相当する。
（２）引用発明の「高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８」，「ニッケルとシリコンが接触する領域」，「１次加熱して」「シリサイド反応を引き起こ」すことは，補正発明の「高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）」，「ニッケル金属またはニッケル合金（５２）の少なくとも一部」，「反応」にそれぞれ相当するから，引用発明の「１次加熱してニッケルとシリコンが接触する領域でシリサイド反応を引き起こし，その結果，ソース／ドレイン領域１１０とポリシリコンゲート１０６の上部に高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８を形成するステップ」は，補正発明の「高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）を形成するために，２５０℃〜３５０℃の第１の温度で第１の時間期間だけ，前記ニッケル金属またはニッケル合金（５２）の少なくとも一部を前記シリコン層（４６）と反応させるステップ」に対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明が，２５０℃〜３５０℃の第１の温度で第１の時間期間だけ反応させることは別にして，「高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）を形成するために，前記ニッケル金属またはニッケル合金（５２）の少なくとも一部を前記シリコン層（４６）と反応させるステップ」である点で共通する。
（３）引用発明の「未反応のニッケル層を取り除くステップ」は，補正発明の「未反応のニッケル金属またはニッケル合金（５４）を除去するステップ」に相当する。
（４）引用発明の「絶縁体，望ましくは，酸化物，ＳｉＮ又はＳｉＯＮの群から選ばれたいずれか一つで」形成された「第２キャッピング層１２１」，「形成」は，補正発明の「誘電体層（６０）」，「堆積」にそれぞれ相当するから，引用発明の「高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８の上に，絶縁体，望ましくは，酸化物，ＳｉＮ又はＳｉＯＮの群から選ばれたいずれか一つで第２キャッピング層１２１を形成するステップ」は，補正発明の「高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）の上方に，誘電体層（６０）を堆積するステップ」に相当する。
（５）引用発明の「低い比抵抗のニッケルシリサイド領域１２２，１２４」，「２次加熱し，その結果，高い比抵抗のニッケルシリサイドとシリコンが反応」することは，補正発明の「低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（６４，６６）」，「高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させる」ことにそれぞれ相当する。そうすると，引用発明の「２次加熱し，その結果，高い比抵抗のニッケルシリサイドとシリコンが反応して高い比抵抗のニッケルシリサイド領域１１６，１１８が低い比抵抗のニッケルシリサイド領域１２２，１２４に変換するステップ」は，補正発明の「その後，低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（６４，６６）を形成して，前記誘電体層（６０）を処理するために，４００℃〜６００℃の第２の温度で第２の時間期間だけ，前記高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させるステップ」に対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明が，誘電体層（６０）を処理するために，４００℃〜６００℃の第２の温度で第２の時間期間だけ，高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させることは別にして，「その後，低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（６４，６６）を形成するために，前記高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させるステップ」である点で共通する。
（６）以上のことを踏まえると，補正発明と引用発明とは，
「少なくとも１つのシリコン層（４６）上にニッケル金属またはニッケル合金（５２）を堆積するステップと，
　高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）を形成するために，前記ニッケル金属またはニッケル合金（５２）の少なくとも一部を前記シリコン層（４６）と反応させるステップと，
　未反応のニッケル金属またはニッケル合金（５４）を除去するステップと，
　高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）の上方に，誘電体層（６０）を堆積するステップと，
　その後，低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（６４，６６）を形成するために，前記高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させるステップとを含む，半導体処理方法。」
である点で一致し，以下の相違点１〜相違点３で相違する。
相違点１：補正発明では，２５０℃〜３５０℃の第１の温度で第１の時間期間だけ反応させるのに対し，引用例には，コバルトの場合，４００〜６００℃の温度で１０〜１２０秒間，１次加熱することが記載されているものの（上記４−２（１）ウ），引用発明であるニッケルの場合には，どのような温度で，どのような時間期間だけ１次加熱して，シリサイド反応を引き起こすのか不明な点。
相違点２：補正発明では，４００℃〜６００℃の第２の温度で第２の時間期間だけ反応させるのに対し，引用例には，コバルトの場合，７００〜９００℃の温度で１０〜１２０秒間，２次加熱することが記載されているものの（上記４−２（１）エ），引用発明であるニッケルの場合には，どのような温度で，どのような時間期間だけ２次加熱し，反応させるのか不明な点。
相違点３：補正発明では，誘電体層（６０）を処理するために，高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させるのに対し，引用発明では，そのような構成が明確ではない点。
　
４−４　当審の判断
（１）上記相違点１及び２について検討すると，まず，本願当初明細書等に，第２の温度の具体的な温度範囲については，前示の３（２）ア及びイの記載のみがあり，また，第１の温度の具体的な温度範囲については，次の記載のみがある。
「【請求項３】
前記
第１の温度は，約２５０℃〜約３５０℃の範囲
「【００１８】
図１６は，ニッケル金属またはニッケル合金５２が従来の態様で半導体構造上に堆積された後の，図１５の半導体構造を示す。図１７は，ニッケル金属またはニッケル合金５２を多結晶領域５０および活性領域４６と反応させて，高電気抵抗率のニッケルシリサイド（Ｎｉ３ＳｉまたはＮｉ２Ｓｉ）領域５６を形成する第１の温度処理後の，図１６の半導体構造を示す。
第１の温度処理は，２５０℃〜３５０℃の範囲
　これらの記載によれば，本願当初明細書等に，補正発明の「第１の温度」に関して，約２５０℃〜約３５０℃の範囲及び２５０℃〜３５０℃の範囲であることのみが開示され，また，補正発明の「第２の温度」に関して，約４００℃〜約６００℃の範囲，３５０℃〜７５０℃の範囲及び約３５０℃〜約７００℃の範囲であることのみが開示さているのであって，先行技術の温度に比べ比較的低い温度として，それぞれの温度範囲を特定することについて，特別な技術的意義は明記されていない。
　そして，ニッケルの場合に，２５０℃〜３５０℃程度の第１の温度で第１の時間期間だけ反応させ，４００℃〜６００℃程度の第２の温度で第２の時間期間だけ反応させることは，例えば下記の従来技術１又は２に記載されている。したがって，これらのニッケルの場合における従来技術を引用発明に適用することで，引用例に記載されたコバルトの場合の温度範囲及び時間期間に代えて，２５０℃〜３５０℃の第１の温度で第１の時間期間だけ反応させ，４００℃〜６００℃の第２の温度で第２の時間期間だけ反応させる相違点１及び２の構成とすることは，必要により適宜採用することができる技術的な設計事項であって，当業者が容易になし得ることである。
　
・従来技術１：原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１０１０７５号公報（平成１２年４月７日出願公開）
ア　「【００２３】次に，図２（ｃ）に示すように，
ランプ急速加熱法により
４５０〜５５０℃で略３０秒間，シリサイド化熱処理
コバルトシリサイド（Ｃｏ
ｘ
Ｓｉ
ｙ
：ｘ≧ｙ）膜１０を
形成
イ　「【００２５】次に，図２（ｄ）に示すように，ウエットエッチングにより応力緩和絶縁膜１２，窒化チタン膜９及び
未反応のコバルト膜８を
除去
ランプ急速加熱法により
７００〜８００℃で１０〜３０秒間，相転移熱処理
低抵抗のコバルトダイシリサイド（ＣｏＳｉ
２
）膜１１に相転移
ウ　「【００３０】次に，図４（ｃ）に示すように，
ランプ急速加熱法により
３００〜４００℃で１０〜３０秒間，シリサイド化熱処理
ニッケルシリサイド（Ｎｉ
ｘ
Ｓｉ
ｙ
：ｘ＞ｙ）膜３０を
形成
エ　「【００３２】次に，図４（ｄ）に示すように，ウエットエッチングにより応力緩和絶縁膜３２，窒化チタン膜２９及び
未反応のニッケル膜２８を
除去
ランプ急速加熱法により
４００〜６００℃で１０〜３０秒間，相転移熱処理
低抵抗のニッケルモノシリサイド（ＮｉＳｉ）膜３１に相転移
オ　これらの記載によれば，コバルトの場合には，４５０〜５５０℃で略３０秒間，シリサイド化熱処理を施し，７００〜８００℃で１０〜３０秒間，相転移熱処理を施すこと，及び，ニッケルの場合には，３００〜４００℃で１０〜３０秒間，シリサイド化熱処理を施し，４００〜６００℃で１０〜３０秒間，相転移熱処理を施すことが開示されている。
カ　そうすると，従来技術１のニッケルの場合についてみれば，従来技術１の「３００〜４００℃」は，補正発明の「２５０℃〜３５０℃の第１の温度」と比較して，「３００℃〜３５０℃」の範囲で一致するから，従来技術１の「３００〜４００℃で１０〜３０秒間，シリサイド化熱処理を施」すことは，補正発明の「２５０℃〜３５０℃の第１の温度で第１の時間期間だけ反応させ」ることに相当する。また，従来技術１の「４００〜６００℃で１０〜３０秒間，相転移熱処理を施すこと」は，補正発明の「４００℃〜６００℃の第２の温度で第２の時間期間だけ反応させ」ることに相当する。
キ　ここで，従来技術１のコバルトの場合についてみれば，従来技術１の「４５０〜５５０℃で略３０秒間」は，引用例の「４００〜６００℃の温度で１０〜１２０秒間」の範囲に含まれるから，従来技術１の「４５０〜５５０℃で略３０秒間，シリサイド化熱処理を施」すことは，引用例の「４００〜６００℃の温度で１０〜１２０秒間，１次加熱すること」に相当する。また，従来技術１の「７００〜８００℃で１０〜３０秒間」は，引用例の「７００〜９００℃の温度で１０〜１２０秒間」の範囲に含まれるから，従来技術１の「７００〜８００℃で１０〜３０秒間，相転移熱処理を施すこと」は，引用例の「７００〜９００℃の温度で１０〜１２０秒間，２次加熱すること」に相当する。したがって，従来技術１におけるコバルトの場合の温度及び時間期間が，引用例におけるコバルトの場合のものに相当するから，従来技術１におけるニッケルの場合の温度及び時間期間を，引用発明に適用することに格別の困難性は認められない。
　
・従来技術２：特開平１１−２５１５９１号公報（平成１１年９月１７日出願公開）
ア　「【００５６】図７は，第１のアニール工程後のトランジスタ４６の断面図である。
シリサイド化金属５０がＣｏ
第１のアニール温度は３５０度Ｃから５００度Ｃの範囲内
第１の持続時間は２秒から２０秒の範囲内
シリサイド化金属５０がＮｉ
第１のアニール温度は２００度Ｃから４００度Ｃの範囲内
第１の持続時間は２秒から２０秒の範囲内
イ　「【００５８】図８は，
未反応の金属５０を除去
【００５９】図９は，第２のアニール工程後の，図８のトランジスタ４６の部分断面図である。所定の名目シリサイド層厚さ８０を有する低抵抗シリサイド層７８が，ソース／ドレイン上部表面５６および５８の上にある。典型的に，低抵抗シリサイド層７８は，ＣｏＳｉ２などのジシリサイド化合物である。本発明の幾つかの局面では，シリサイド化金属５０がＮｉの場合などは，低抵抗シリサイド層７８はモノシリサイド（ＮｉＳｉ）である。第２の持続時間，第２のアニール温度においてシリサイド化が完了される。その結果，ソース／ドレイン上部表面５６および５８上のシリサイド７８の摂動が阻止されて，金属性エッジ６０／６２とシリサイド層７８との間隔が最大化される。
シリサイド化金属５０がＣｏ
第２のアニール温度は６００度Ｃから８５０度Ｃまでの範囲内
第２の持続時間は１０秒から６０秒の範囲内
シリサイド化金属５０がＮｉ
第２のアニール温度は約５００度Ｃ
第２の持続時間は１０秒から３０秒の範囲内
ウ　これらの記載によれば，コバルトの場合には，第１のアニール温度が３５０度Ｃから５００度Ｃの範囲内，第１の持続時間が２秒から２０秒の範囲内で第１のアニールを行い，第２のアニール温度が６００度Ｃから８５０度Ｃまでの範囲内で第２の持続時間が１０秒から６０秒の範囲内で第２のアニールを行うこと，及び，ニッケルの場合には，第１のアニール温度が２００度Ｃから４００度Ｃの範囲内，第１の持続時間が２秒から２０秒の範囲内で第１のアニールを行い，第２のアニール温度が約５００度Ｃで，第２の持続時間が１０秒から３０秒の範囲内で第２のアニールを行うことが開示されている。
エ　そうすると，従来技術２のニッケルの場合についてみれば，従来技術２の「第１のアニール温度が２００度Ｃから４００度Ｃの範囲内」は，補正発明の「２５０℃〜３５０℃の第１の温度」の温度範囲を包含するから，従来技術２の「第１のアニール温度が２００度Ｃから４００度Ｃの範囲内，第１の持続時間が２秒から２０秒の範囲内で第１のアニールを行」うことは，補正発明の「２５０℃〜３５０℃の第１の温度で第１の時間期間だけ反応させ」ることに相当する。また，従来技術２の「第２のアニール温度が約５００度Ｃ」は，補正発明の「４００℃〜６００℃の第２の温度」の温度範囲に含まれるから，従来技術２の「第２のアニール温度が約５００度Ｃで，第２の持続時間が１０秒から３０秒の範囲内で第２のアニールを行うこと」は，補正発明の「４００℃〜６００℃の第２の温度で第２の時間期間だけ反応させ」ることに相当する。
オ　ここで，従来技術２のコバルトの場合についてみれば，従来技術２の「第１のアニール温度が３５０度Ｃから５００度Ｃの範囲内，第１の持続時間が２秒から２０秒の範囲内」は，引用例の「４００〜６００℃の温度で１０〜１２０秒間」と比較して，「４００〜５００℃の温度で１０〜２０秒間」の範囲で一致するから，従来技術２の「第１のアニール温度が３５０度Ｃから５００度Ｃの範囲内，第１の持続時間が２秒から２０秒の範囲内で第１のアニールを行」うことは，引用例の「４００〜６００℃の温度で１０〜１２０秒間，１次加熱すること」に相当する。また，従来技術２の「第２のアニール温度が６００度Ｃから８５０度Ｃまでの範囲内で第２の持続時間が１０秒から６０秒の範囲内」は，引用例の「７００〜９００℃の温度で１０〜１２０秒間」と比較して，「７００〜８５０℃の温度で１０〜６０秒間」の範囲で一致するから，従来技術２の「第２のアニール温度が６００度Ｃから８５０度Ｃまでの範囲内で第２の持続時間が１０秒から６０秒の範囲内で第２のアニールを行うこと」は，引用例の「７００〜９００℃の温度で１０〜１２０秒間，２次加熱すること」に相当する。したがって，従来技術２におけるコバルトの場合の温度及び時間期間が，引用例におけるコバルトの場合のものに相当するから，従来技術２におけるニッケルの場合の温度及び時間期間を，引用発明に適用することに格別の困難性は認められない。
　
（２）次に，上記相違点３について検討する。
ア　まず，本願当初明細書等に，誘電体層については，次の記載のみがある。
「【請求項２】
前記高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させる前に，前記高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域（５６，５８）の上方に，
誘電体層
「【００１１】
これらのおよび他の必要性は，１工程の温度処理プロセスとバックエンド処理とをもたらして，半導体構造にセルフアライメントされたニッケルシリサイド領域を形成する，この発明の実施例によって満たされる。この発明は，シリコン材料上にニッケル金属またはニッケル合金の層を堆積することを含む。ニッケル金属または合金の少なくとも一部は，第１の温度で，第１の時間期間だけ，シリコン層の少なくとも一部と反応して，高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド層を形成する。未反応のニッケル金属またはニッケル合金が，半導体構造から除去されて，高電気抵抗率の少なくとも１つのシリサイド層が半導体構造に集積化された状態とする。次に，高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド層の上方に，
誘電体層
誘電体層
【００１２】
この発明は，シリサイドを比較的低い温度で形成する利点を有する。この特徴は，半導体構造の，他の既存の半導体構成要素にかかる応力を減じる。この特徴は，また，より複雑で有用な半導体構造の半導体処理を可能にする。この発明の別の利点とは，ニッケル金属層が，制御された態様で，シリコンベースの材料層と反応することである。これは，重要かつ有用な属性である。なぜなら，ライン幅依存性が障害とならず，かつ，同じ半導体構造上に形成されたシリサイド領域間のブリッジを防ぐように，十分なニッケルシリサイドが反応するからである。さらに，この発明は，
高電気抵抗率のニッケルシリサイド層の処理と誘電体層の処理とを組合せて，第２の時間期間だけ第２の温度にかける１回の工程にする
「【００１６】
【発明を実施するための態様】
この発明は，半導体構造上にニッケルシリサイドを形成するための，１工程の温度処理およびバックエンド処理に関する。この発明のプロセスは，シリコン層上にニッケル金属またはニッケル合金を堆積することを含む。ニッケル金属またはニッケル合金とシリコン層とは，第１の温度で第１の時間期間だけ反応して，高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域を形成する。次に，未反応のニッケル金属またはニッケル合金をストリップ除去するが，高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域は，半導体構造に集積化されたままである。次に，電気抵抗率のより高いニッケルシリサイド領域の上方に，
誘電体層
高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域と誘電体層とに，第２の時間期間だけ第２の温度をかけて，低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域を形成
ニッケルシリサイドを変質させる際に一般に用いられる１工程の急速熱アニールプロセスの代わりに，１工程の温度処理およびバックエンド処理プロセスを用いることにより，この発明は，半導体デバイスのシリサイド領域間のブリッジを緩和して，所与の半導体デバイスを処理するのに必要とされる工程数を減じる
誘電体層
「【００２０】
図１９は，図１８の半導体構造の上方に堆積された
誘電体層
誘電体層６０は，半導体構造のさらなる構成要素
半導体構造におけるシリサイドの形成とは無関係
誘電体層６０は，温度処理を介する処理の前の，分離層として働く
【００２１】
図２０は，この発明の実施例の一例に従った，第２の温度処理後の，図１９の半導体構造を示す。第２の温度処理は，３５０℃〜７５０℃の範囲の温度で行なわれる。さらに，第２の熱処理は，温度処理の目標温度に至る急速な上昇または急速な下降によって特徴付けられる急速熱アニールであり得る。図１８の実施例の，高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域が反応して（「変成して」），低電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（ＮｉＳｉ）５２，５４を形成する。さらに，
第２の温度処理はまた，図１９の誘電体層６０を図２０の層６２に処理するために働く
シリサイド領域５６，５８および誘電体層６０の処理が，バックエンド処理
バックエンド処理とは，後の処理のステップにおいて達成される処理のステップを示す
【００２２】
代替的実施例において，第２の温度処理は，
誘電体層
【００２３】
この発明は，低い熱収支に対処することができ，かつ，制御可能な反応で小さな寸法のシリサイド領域を形成することのできる，セルフアライメントされたシリサイドプロセスを提供する。
この発明は，高電気抵抗率のニッケルシリサイドを形成する１工程の温度処理と，誘電体層を処理して，高電気抵抗率のニッケルシリサイドから低電気抵抗率のニッケルシリサイドを形成するためのバックエンド処理とを介してこのことを達成
誘電体層
誘電体層
誘電体層および高電気抵抗率のシリサイド領域の処理を，同じ温度処理工程に組合せることができる
「【図１９】
誘電体層
イ　これらの記載によれば，本願当初明細書等には，
・
高電気抵抗率のニッケルシリサイド層の処理と誘電体層の処理とを組合せて
１回の工程
・高電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域と誘電体層とに，第２の時間期間だけ第２の温度をかけて，低電気抵抗率の少なくとも１つのニッケルシリサイド領域を形成し，ニッケルシリサイドを変質させる際に一般に用いられる１工程の急速熱アニールプロセスの代わりに，
１工程の温度処理およびバックエンド処理プロセス
工程数を減じる
・誘電体層６０は，半導体構造のさらなる構成要素であり，
半導体構造におけるシリサイドの形成とは無関係
・第２の温度処理はまた，
図１９の誘電体層６０を図２０の層６２に処理
後の処理のステップにおいて達成される処理のステップを示すバックエンド処理
・この発明は，高電気抵抗率のニッケルシリサイドを形成する１工程の温度処理と，誘電体層を処理して，高電気抵抗率のニッケルシリサイドから低電気抵抗率のニッケルシリサイドを形成するためのバックエンド処理とを介してこのことを達成すること，
・
誘電体層および高電気抵抗率のシリサイド領域の処理を，同じ温度処理工程に組合せる
が開示されている。
　そうすると，補正発明の「前記誘電体層（６０）を処理するために，・・・前記高電気抵抗率のニッケルシリサイド領域（５６，５８）を反応させる」とは，シリサイドの形成とは無関係である誘電体層６０に対し，図２０の層６２を形成するためのバックエンド処理である熱処理を，高電気抵抗率のシリサイド領域の処理と同じ温度処理工程に組合せて，工程数を減じることを意味するものと解される。
ウ　これに対し，上記４−２（１）オによれば，引用例には，絶縁体からなる第２キャッピング層１２１が，第１実施形態における導電体からなる第２キャッピング層と同様に２次熱処理時のコバルトの表面拡散を抑制し，シリサイド反応速度を制御する役割を果たすが，第２実施形態では第２キャッピング層を
絶縁体で形成したので，２次熱処理後に取り除かない
　
（３）以上のとおり，補正発明は，従来技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４−５　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであり，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５　本件補正についてのむすび
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１８４条の１２第２項において読み替えて準用する同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず，また，仮に，本件補正が該要件を満たすものであったとしても，本件補正が，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，本件補正は，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年７月１２日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜７に係る発明は，平成１４年１２月３０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであり，その内の請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に摘示したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，４−２（９）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
 　上記第２，３で検討したように，補正発明は，本件補正前の請求項１を引用する請求項２を限定したものである。逆に言えば，本件補正前の請求項２に係る発明（本願発明）は，補正発明から，このような限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，前記第２，４において検討したとおり，従来技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，従来技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。