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　特願２００１−３４４８６４「光走査ユニット及びそれを備えた画像形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２１日出願公開、特開２００３−１４９５７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１１月９日に特許出願したものであって、平成１６年１０月６日付け、平成１９年１０月２５日付け及び平成２０年１月１１日付けで手続補正がなされたが、同年２月４日付けで平成２０年１月１１日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同年４月１４日付けで手続補正がなされた後、当審において平成２１年８月４日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１４日付けで手続補正がなされたものである。 
　
第２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年１０月１４日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１の記載は、次のとおりである。
 　 
「　複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザから射出された複数のレーザ光毎に設けられ且つ絞り形状が同一である複数の絞りと、前記複数の絞りのそれぞれにおいて光束径が絞られた複数のレーザ光を合成する合成手段と、前記合成手段で合成された前記複数のレーザ光を偏向走査する偏向手段と、前記偏向手段の偏向面で偏向走査された前記複数のレーザ光を被走査面上に結像させる結像レンズ系と、を有する光走査ユニットにおいて、
　前記合成手段を構成する光学素子は、短波長になるに従い透過率が低下する特性を備えており、
　前記複数の半導体レーザから射出された複数のレーザ光の波長のそれぞれは５００ｎｍ以下であり、
　前記複数の半導体レーザから射出された複数のレーザ光のそれぞれの中心軸における強度は等しく、
　前記複数のレーザ光のうち、前記合成手段内を通過する距離が長いレーザ光の放射角を前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光の放射角より狭くすることで、前記合成手段内を通過する距離が長いレーザ光のカップリング効率を前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光のカップリング効率より大きくすることを特徴とする光走査ユニット。」（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
第３　当審において平成２１年８月４日付けで通知した拒絶の理由
　当審において平成２１年８月４日付けで通知した拒絶の理由は、以下のとおりである。
　
「１　本件出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
 　  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記  
 　  
（１）発明の詳細な説明には、【発明が解決しようとする課題】として、光学素子を通過する距離が長いレーザ光の光量を無理に上げて光量差をなくすようにすると、それを発するレーザの温度が上昇し、モードポップと呼ばれる波長シフトを生じること（【０００７】）が挙げられており、光学素子を通過する距離が長いレーザ光の光量を上げて光量差をなくすということは、合成光の光量を下げずに光量差をなくすには、光学素子を通過する距離が長いレーザ光の光量を上げる必要があることをいうものと解される。
　そして、【０００８】、【００４４】の記載によれば、本願発明は、半導体レーザの射出光量を増加させずに、合成されるレーザ光の光量差をなくすことを課題とし、合成手段を透過する各レーザ光の光量差をなくすように、レーザ光の放射角を調整したので、レーザの射出光量を増加させずに光量差をなくすことが可能となったとの効果を奏するとされていることが認められる。
　しかるに、発明の詳細な説明における、本願発明の実施形態と認められる実施形態１の説明に照らすと、本願発明は、光学素子を通過する距離が短いレーザ光の放射角を広げることによって絞りを通過する光量を下げたものと考えられるところである。
　してみると、合成光の光量を下げずに光量差をなくすには、光学素子を通過する距離が短いレーザ光の光量を上げることが必要になるものと考えられ、本願発明が、どのような構成、作用によって、「半導体レーザの射出光量を増加させずに、合成されるレーザ光の光量差をなくす」との課題を解決することができるのか理解できない。
 　 
（２）発明の詳細な説明をみても、半導体レーザが射出するレーザ光の放射角を調整するための手段が具体的にどのようなものであるのか不明である。
 　 
（３）以上の点において、発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
 （なお、本願出願時の技術常識を踏まえれば、発明の詳細な説明の記載に基づいて本願発明を実施できる場合には、技術常識の裏付けとなる文献を提示されたい。）
 　 
（理由の２、３は省略）」
　
第４　本願明細書の記載
　平成２１年１０月１４日付けで補正された本願明細書（以下、単に「本願明細書」という。）には、以下の記載がある。
　
「　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　従来、プリンタ等に用いられる光走査ユニットは、例えば、レーザの複数の光源から射出された光を、コリメータレンズにより平行な光にし、アパーチャーにより絞り、光学素子により合成した後、ポリゴンミラー等により進行方向を変えている。
　　　【０００３】
　ポリゴンミラーの反射光は、射出された光を結像レンズ系等によって被走査面に光スポットとして結像されている。
　　　【０００４】
　図１０は特許第２９４２７２１号に記載されているマルチビーム走査装置の概略を示す斜視図である。この公報に記載されるマルチビーム走査装置でも、複数の半導体レーザから射出されたレーザ光が、コリメータレンズで平行光にされた後、光学素子を透過して合成されている。１回の走査で複数の走査線を描けるため、レーザビームプリンタやデジタル複写機などの処理の高速化が進められる装置で広く使用されている。
　　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　従来、上記の光走査ユニット等で用いられる半導体レーザは、波長が７８０ｎｍ程度の赤外線又は波長６７５ｎｍ程度の可視光線を射出していた。近年は形成される画像がより高解像化されることが要求されているため、微小スポット形状が得られる５００ｎｍ以下の短波長の光を射出することが要求されている。
　　　【０００６】
　ところが、光学素子には、短波長になるに従い内部吸収によりレーザ光の透過率を低下させる材料が用いられていることが多い。この場合、光学素子を通過する距離が長くなるほど透過する光の光量が減るので、５００ｎｍ程度以下の短波長の光を用いて合成した場合、合成光における光量のバランスが崩れてしまう。
　　　【０００７】
　これを防止するため、光学素子を通過する距離が長いレーザ光の光量を無理に上げて光量差をなくすようにすると、それを発するレーザの温度が上昇し、モードポップと呼ばれる波長シフトを生じる。そのため、各レーザが発する光に波長差が生じ、走査結像レンズの倍率色収差に起因する主走査方向のジッターが発生していた。また、レーザパワーを無理に上げた状態で使用していると、レーザの寿命が短くなるという問題もあった。
　　　【０００８】
　そこで、本発明は、半導体レーザの射出光量を増加させずに、合成されるレーザ光の光量差をなくすことを課題とする。
　　　【０００９】
　　【課題を解決するための手段】
　以上の課題を解決するために、本発明は、複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザから射出された複数のレーザ光毎に設けられ且つ絞り形状が同一である複数の絞りと、前記複数の絞りのそれぞれにおいて光束径が絞られた複数のレーザ光を合成する合成手段と、前記合成手段で合成された前記複数のレーザ光を偏向走査する偏向手段と、前記偏向手段の偏向面で偏向走査された前記複数のレーザ光を被走査面上に結像させる結像レンズ系と、を有する光走査ユニットにおいて、
　前記合成手段を構成する光学素子は、短波長になるに従い透過率が低下する特性を備えており、
　前記複数の半導体レーザから射出された複数のレーザ光の波長のそれぞれは５００ｎｍ以下であり、
　前記複数の半導体レーザから射出された複数のレーザ光のそれぞれの中心軸における強度は等しく、
　前記複数のレーザ光のうち、前記合成手段内を通過する距離が長いレーザ光の放射角を前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光の放射角より狭くすることで、前記合成手段内を通過する距離が長いレーザ光のカップリング効率を前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光のカップリング効率より大きくすることを特徴とする。
　　　【００１０】
　　【発明の実施の形態】
　以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
　　　【００１１】
　（実施形態１）
［構成の説明］
　図１は本発明の実施形態１の光走査ユニットの概略構成図である。本実施形態の光走査ユニットは、画像データ等に基づく制御信号に基づいてレーザ光を射出する半導体レーザ１ａ及び１ｂと、射出された各レーザ光を平行光にするコリメータレンズ２ａ及び２ｂと、平行光にされた各レーザ光を所望のスポット径に絞って透過させる絞り３ａ及び３ｂと、絞り３ｂを透過したレーザ光の偏光方向を９０°回転する１／２波長板４と、各レーザ光を合成する合成手段としてのプリズム５及び偏光ビームスプリッタ６と、合成されたレーザ光を円偏光にする１／４波長板７と、円偏光にされたレーザ光をポリゴンミラー９上で紙面垂直方向の副走査方向に集光するシリンドリカルレンズ８と、集光された光を偏向するポリゴンミラー９とを備えている。
　　　【００１２】
　各半導体レーザ１ａ及び１ｂは、窒化ガリウム等の材料で製造される半導体レーザで、発振波長は約４０８ｎｍである。半導体レーザ１ａは反射面５ａに対しＳ偏光の光を射出するように配置されており、半導体レーザ１ｂは合成境界面６ａに対しＳ偏光の光を射出するように配置されている。半導体レーザの数は２つに限定される必要はない。例えば、モノリシックなマルチビームレーザを２個に合成したものや、シングルレーザを４個合成したものを使用しても構わない。
　　　【００１３】
　図２及び図３は、図１の半導体レーザ１ａ及び１ｂが射出するレーザ光のビーム拡がり角（ファーフィールドパターンｆｆｐ）と光強度分布との関係について示したグラフである。図２は半導体レーザ１ａが射出するレーザ光について示し、図３は半導体レーザ１ｂが射出するレーザ光について示している。各図において、横軸はレーザ光のビーム拡がり角を示し、縦軸は光強度を示している。ビーム拡がり角はレーザ光の中心軸における強度を１００％としたとき、その強度が５０％になる放射角を意味する。偏光方向と平行な方向のビーム拡がり角をθ‖、偏光方向と垂直な方向のビーム拡がり角をθ⊥とすると、図２ではθ‖が５°程度、θ⊥が２１°程度、図３ではθ‖が１６°程度、θ⊥が３４°程度である。
　　　【００１４】
　この条件で、コリメータレンズ３ａ又は３ｂの焦点距離ｆを２０ｍｍ程度とし、絞り３ａ又は３ｂを紙面と平行な方向の主走査方向（長径）を３．５ｍｍ、紙面と垂直な方向の副走査方向（短径）を２．０ｍｍ程度の楕円状として、この順でレーザ光を透過させた場合のカップリング効率（絞りを通過する光量）を計算すると、半導体レーザ１ａから射出されたレーザ光のカップリング効率は２９．６０％程度となるのに対し、半導体レーザ１ｂから射出されたレーザ光のカップリング効率は７．０３％程度となる。
　　　【００１５】
　なお、被走査面上での光スポットは主走査方向に絞られた長円状にする必要があり、そのため、絞り３ａ及び３ｂは図１の主走査方向に長い楕円状になっている。
　　　【００１６】
　走査レンズは主走査と副走査でパワーが異なることが一般的であり、主走査方向のスポット径を副走査方向より絞るためには、主走査方向の射出Ｆナンバーを副走査より明るく設定する必要がある。そのため、絞りの形状を主副で異なる楕円状にしている。
　　　【００１７】
　１／２波長板４は、絞り３ｂと偏光ビームスプリッタ６との間に配置されている。１／２波長板４は偏光方向を９０°回転させようとしているが、製造誤差及び配置誤差などにより入射光のすべてが偏光方向を９０°回転されることはなく、回転後の光量に損失が出る場合がある。それゆえ、半導体レーザ１ａ側よりも半導体レーザ１ｂ側に配置することにより、全体としての光量のバランスをとるようにしている。
　　　【００１８】
　プリズム５及び偏光ビームスプリッタ６は、光学樹脂又は光学ガラスを材料としている。プリズム５の反射面５ａに対向する面と偏光ビームスプリッタ６の合成境界面６ａとで接するように配置されている。プリズム５は反射面５ａを有しており、半導体レーザ１ａから射出された光を偏光方向を変えずに、９０°で偏向ビームスプリッタ６側に反射する。偏光ビームスプリッタ６には合成境界面６ａが形成されている。反射面５ａで反射された光と、半導体レーザ１ｂから射出された光とはここで合成される。合成境界面６ａは、Ｓ偏光を反射し、Ｐ偏光を透過する。一般にこのような偏光ビームスプリッタは、高屈折率の誘電体膜と低屈折率の誘電体膜とを交互に積層したものから構成される。高屈折率の材料としてはＺｎＳなどがあげられ、低屈折率の材料としてはＮａ3ＡｌＦ6などがあげられる。
　　　【００１９】
　図４は、図１のプリズム５又は偏光ビームスプリッタ６を光学樹脂を材料として製造した場合の透過光の波長と透過率（厚みｔ＝３．０ｍｍ）との関係について示す図である。図４において、横軸は入射光の波長を示し、縦軸は透過率を示している。ＡはＺＥＯＮＥＸ４８０（商品名  日本ゼオン製）を材料として製造したもの、Ｂはポリカーボネート（ＰＣ；Ｔｅｉｊｉｎ  Ｐａｎｌｉｔｅ  Ｌ１２５０）を材料として製造したもの、ＣはＰＭＭＡ（Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  Ｒａｙｏｎ  Ａｃｒｙｐｅｔ  ＶＨ）を材料として製造したものについて示している。
　　　【００２０】
　図４に示すように、赤外レーザの射出波長である７８０ｎｍ付近又は可視レーザの射出波長である６７５ｎｍ付近に比べて、窒化ガリウム系の短波長レーザの射出波長である４００ｎｍ付近から、透過率が次第に減少している。光学ガラスを材料として製造した場合においても、同様に短波長になるに従い透過率が低下することが知られている。
　　　【００２１】
　一般に光学素子の透過率は数式１で示すように、その反射係数Ｐ（表面反射成分）及び内部透過率τの積で与えられる。
全透過率Ｔ（λ）＝Ｐ（λ）×τ（λ）  …  （１）
反射係数Ｐ（λ）は光学素子の屈折率ｎ（λ）に依存し、以下の数式で表現できる。
反射係数Ｐ（λ）＝２・ｎ（λ）／（ｎ（λ）2＋１）  …  （２）
また、内部透過率τ（λ）は光学素子の厚さｔに依存し、基準とする厚さの内部透過率をτ1（λ）として、ランバードの法則より次の数式が成立する。
　　　【００２２】
　内部透過率τ2（λ）＝τ1（λ）t2/t1  …  （３）
ＺＥＯＮＥＸ４８０を材料として厚さ約３ｍｍの光学素子を製造した場合、図４より全透過率Ｔ（４０８ｎｍ）は０．９０２程度となる。この材料の波長４０８ｎｍの光に対する屈折率ｎが１．５４０２なので、内部透過率τ1（４０８ｎｍ）は０．９８７程度となる。
　　　【００２３】
　したがって、プリズム５及び偏光ビームスプリッタ６を透過する距離の差ΔＬを１８ｍｍ程度とすると、数式３より内部透過率τ2＝τ1（４０８ｎｍ）18/3は０．９２７程度となり、これらを透過する距離の差により７．３％程度の光量差が生じる。
　　　【００２４】
　また、ポリカーボネート（ＰＣ）を材料として、同様にプリズム５及び偏光ビームスプリッタ６を製造した場合、内部透過率τ1（４０８ｎｍ）は０．９６１程度で、τ2（４０８ｎｍ）は０．７８９程度となって、これらを透過する距離の差により２１．１％程度の光量差が生じる。
　　　【００２５】
　複数のレーザ光を用いて画像を形成する場合、これらのレーザ光において光量差があると各画像に濃淡が生じる。そのため、この光量差をなくす必要があり、本実施形態では、プリズム５及び偏光ビームスプリッタ６を透過する距離が長い方のレーザ光のビーム拡がり角を狭くすることによって、この光量差をなくしている。
　　　【００２６】
　ポリゴンミラー９で反射された光を被走査面上で結像する結像レンズ系は、等角速度で偏向されたレーザ光を所定の間隔で配置された被走査面上に等速度で走査させるｆθ特性を有し、全走査域に亘って微小な光スポットを形成するように像面湾曲が良好に補正されることが必要とされる。なお、ポリゴンミラー９に代えてガルバノミラーを用いてもよい。
　　　【００２７】
　また、ポリゴンミラー９は、ミラー面における加工誤差があったり、回転軸が振動したりするため、多くの結像レンズ系には副走査方向の走査位置のずれである面倒れを補正する倒れ補正手段がある。倒れ補正手段は、副走査断面においてポリゴンミラー９と被走査面とを光学的共役関係にすることで、ポリゴンミラー９における面倒れを補正している。このため、結像レンズ系は、主走査方向と副走査方向とで異なる結像特性を有するアナモフィクレンズ系となっている場合が多い。
　　　【００２８】
　［動作の説明］
　図１において、半導体レーザ１ａ及び１ｂは画像データ等に基づく制御信号が入力するとレーザ光を射出する。コリメータレンズ２ａ及び２ｂは、射出されたレーザ光が入射するとそれらを平行にする。絞り３ａ及び３ｂは、平行にされたレーザ光が入射するとそれらを所望の光束径に絞る。１／２波長板４は、絞り３ｂで絞られたレーザ光が入射すると、それらの偏光方向を９０°回転させて、Ｐ偏光とする。
　　　【００２９】
　プリズム５は、絞り３ａで絞られたレーザ光が入射すると反射面５ａで偏光ビームスプリッタ６がある方に９０°で全反射する。合成境界面６ａは、反射面５ａで反射されたレーザ光及び偏光ビームスプリッタ６を透過したレーザ光が到達するとそれらを合成する。
　　　【００３０】
　１／４波長板７は、合成されたレーザ光が入射するとそれを円偏光とする。シリンドリカルレンズ８は、円偏光となったレーザ光が入射すると、それをポリゴンミラー９上で紙面垂直方向である副走査方向に集光する。ポリゴンミラー９は副走査方向に集光されたレーザ光が入射すると、それを図示しない結像レンズ系に反射する。結像レンズ系は、反射されたレーザ光が入射するとこれを被走査面上に、主走査方向に絞られた長円状の光スポットに結像する。」
　
第５　判断
１（１）上記第４のとおり、本願明細書には、従来の技術である、複数の半導体レーザから射出されたレーザ光が、コリメータレンズで平行光にされた後、光学素子を透過して合成されるマルチビーム走査装置においては、光学素子に、短波長になるに従い内部吸収によりレーザ光の透過率を低下させる材料が用いられていることが多く、光学素子を通過する距離が長くなるほど透過する光の光量が減るので、５００ｎｍ程度以下の短波長の光を用いて合成した場合、合成光における光量のバランスが崩れてしまうことを防止するために、光学素子を通過する距離が長いレーザ光の光量を無理に上げて光量差をなくすようにすると、それを発するレーザの温度が上昇し、モードポップと呼ばれる波長シフトを生じたり、レーザの寿命が短くなるという問題があることが、発明が解決しようとする課題として挙げられている（【０００４】〜【０００７】）。
　
（２）ここで、単に、合成光における光量のバランスが崩れてしまうことを防止するためには、光学素子を通過する距離が長いレーザ光の光量を、上記（１）の問題が生じない程度のものとする一方、この光量とバランスがとれる程度に光学素子を通過する距離が短いレーザ光の光量を下げればよく、この場合には、上記（１）の問題が生じないことは明らかであるから、上記（１）の問題は、光学素子を通過する距離が短いレーザ光の光量を変えないことを前提として、この光量とバランスがとれる程度に、光学素子を通過する距離が長いレーザ光の光量を上げると、それを発するレーザの温度が上昇し、これに伴う問題が生じ得ることをいうものと解される。
　
（３）他方、前記第２によれば、本願発明は、複数の半導体レーザから射出された複数のレーザ光毎に同一形状の絞りを設け、前記絞りのそれぞれにおいてレーザ光の光束径を絞るものであって、合成手段内を通過する距離が長いレーザ光の放射角を、前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光の放射角より狭くすることで、前記合成手段内を通過する距離が長いレーザ光のカップリング効率を前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光のカップリング効率より大きくするようにしたものと認められる。
　なお、「カップリング効率」（結合効率）とは、例えば「光ファイバーによって結合し、伝送される放射源から利用できる出力の端数。」（小柳修爾著「オプトロニクス光技術用語辞典第３版」、平成１７年１１月２１日発行、（株）オプトロニクス）を意味するとされるところ、請求項１の記載のみでは、本願発明における「カップリング効率」の意味内容が不明であり、本願明細書の【００１４】には、「カップリング効率（絞りを通過する光量）」とある一方、「半導体レーザ１ａから射出されたレーザ光のカップリング効率は２９．６０％程度となるのに対し、半導体レーザ１ｂから射出されたレーザ光のカップリング効率は７．０３％程度」として百分率で示されており、本願明細書の記載を参酌しても、その意味内容が必ずしも明確といえないが、「カップリング効率」との表現及びカップリング効率が百分率で示されることからすると、ひとまず、「半導体レーザから射出されたレーザ光のうち、絞りを通過する光量の割合」を意図したものと推測される。
　
（４）そうすると、本願発明は、合成手段内を通過する距離が長いレーザ光の放射角を、前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光の放射角より狭くすることで、前記合成手段内を通過する距離が長いレーザ光の、半導体レーザから射出されたレーザ光のうち、絞りを通過する光量の割合を前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光の同割合より大きくするようにしたものであって、放射角が狭い、合成手段内を透過する距離が長いレーザ光よりも、放射角が広い、合成手段内を透過する距離が短いレーザ光を絞りによって光量をより多く絞るようにしたものということができる。
　なお、本願発明の「合成手段」とは、上記（１）（２）における「光学素子」に対応するものと認められる。
　
（５）ここで、上記（１）（２）の「レーザ光の光量」とは、光学素子に入射する光量を意味するものと解されるから、本願発明においては、「絞り」を通過する光量に相当し、上記（２）の「光学素子を通過する距離が短いレーザ光の光量を変えない」とは、本願発明においては、「合成手段内を透過する距離が短いレーザ光」が「絞り」を通過する光量を変えないことに相当するものと認められ、本願発明は、このことを前提とするものと解される（なお、上記（２）に照らして、「合成手段内を透過する距離が短いレーザ光」が「絞り」を通過する光量を下げてもよいのであれば、上記（１）の問題自体生じることはなく、本願発明が解決しようとする課題自体存在しないことになるし、光走査ユニットにおいては、仕様に応じた所定の光量で被走査面に微小スポットが形成されるのが通常であることも考慮すれば、「合成手段内を透過する距離が短いレーザ光」が「絞り」を通過する光量を変えないことが前提であるものと解さざるを得ない。）。
　
（６）しかるに、上記（４）のとおり、本願発明は、放射角が広い、合成手段内を透過する距離が短いレーザ光を絞りによって光量をより多く絞るようにしたものであるから、「合成手段内を透過する距離が短いレーザ光」が「絞り」を通過する光量を変えないようにするには、同レーザ光を出射する半導体レーザの射出光量を上げることが必要になるものと考えられる。
　さらに、この場合には、上記（１）（２）と同様に、合成手段内を透過する距離が長いレーザ光を出射する半導体レーザの射出光量も上げることが必要になるものと考えられるところである。
　
（７）してみると、本願発明が、どのような構成、作用によって、「半導体レーザの射出光量を増加させずに、合成されるレーザ光の光量差をなくす」との課題を解決することができるのか理解できないといわざるを得ない。
　
２（１）本願発明は、「合成手段内を通過する距離が長いレーザ光の放射角を前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光の放射角より狭くすることで、前記合成手段内を通過する距離が長いレーザ光のカップリング効率を前記合成手段内を透過する距離が短いレーザ光のカップリング効率より大きくする」ものであるところ、前記第４のとおり、本願明細書には、【００１３】に、図１の半導体レーザ１ａ及び１ｂが射出するレーザ光のビーム拡がり角に関する記載があるにとどまり、合成されるレーザ光の光量差をなくすべく、放射角の異なる半導体レーザをどのようにして得ることができるのか、全く記載されていない。
（２）なお、この点に関し、請求人は、平成２１年１０月１４日付け意見書において、『「００１４」記載のように、個体誤差、等に起因するｆｆｐ（放射角）にバラツキを有する複数の半導体レーザを選別して、本願の補正請求項１の特徴Ａを満たすように複数の半導体レーザを配置している。』旨主張するが、該主張内容は、本願明細書の記載に基づくものではないし、本願明細書の記載事項から当業者がそのように理解できると認めるに足る技術常識等の根拠も認めることができないから、上記主張は採用の限りでない。
　
３　以上によれば、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
　よって、本願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項（平成１４年法律第２４号による改正前のもの。）に規定する要件を満たしていない。
　
第６　むすび 
　以上のとおり、本願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項（平成１４年法律第２４号による改正前のもの。）に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。