【事件の表示】
　特願２００２−　７５８１２「ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月３１日出願公開、特開２００３−２１８０４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月１９日の出願であって、平成１６年５月２７日付けで、拒絶理由が通知され、平成１６年７月３０日付けで、手続補正がなされ、平成１８年１月１３日付けで、拒絶理由が通知され、平成１８年３月１５日付けで、手続補正がなされ、平成１９年４月１８日付けで、拒絶査定がなされると同時に平成１８年３月１５日付け手続補正が却下され、これに対し、平成１９年６月７日付けで審判請求がなされたものである。
　当審は、平成１９年４月１８日付けでなされた補正却下の決定を不適切なものと判断したので、本願発明を、平成１８年３月１５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるものであるとして、改めて拒絶理由を通知したところ、平成２１年９月４日付けで、意見書、および、手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成１９年４月１８日付けの補正却下について
　平成１８年３月１５日付けで補正された請求項１および８は、拒絶理由が通知されていない当初の請求項２および１０に記載の限定事項を含むものと認められる。該請求項２および１０は、拒絶の理由を通知しておらず、かつ、拒絶理由通知書において、「この拒絶理由通知書中で指摘した請求項以外の請求項に係る発明については、現時点では拒絶の理由を発見しない。拒絶の理由が新たに発見された場合には拒絶の理由が通知される。」旨記載されているにもかかわらず、補正された請求項１および８について、上記拒絶理由通知にて引用された引用例から、補正却下の決定において直ちに独立特許要件を満たさないとするのは、不適切と認められる。
　よって、独立特許要件を満たさないことを理由としてなされた平成１８年３月１５日付け手続補正に対する平成１９年４月１８日付け補正却下を取り消す。
　
　
３．本願発明
　本願発明は、平成２１年９月４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりのものである。
「【請求項１】ＣＶＤ法により、III族窒化物膜を製造する方法であって、第１の窒化物であるＡｌＮからなる基材上に、第２の窒化物からなる互いに孤立した、表面の平均面積が０．０００１μｍ２〜１００μｍ２である複数の島状結晶部を形成し、この島状結晶部を核としてエピタキシャル成長させることにより、第３の窒化物からなるIII族窒化物膜を製造することを特徴とする、窒化物膜の製造方法。」
　
４．引用発明
　当審拒絶理由で引用された特開平９−１９９７５９号公報（以下、「引用文献１という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
Ａ：「【特許請求の範囲】
【請求項１】  異種物質の基板上に３族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を成長させる方法において、
前記基板上に単結晶が成長しない温度でAlx1GaY1In1-X1-Y1N(0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)を形成したバッファ層と、単結晶が成長する温度で　　Alx2GaY2In1-X2-Y2N(0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1,X1=X2,Y1=Y2 を含む) を形成した単結晶層とを交互に３層以上積層させ、その上に単結晶が成長する温度で目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3N(0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3≦1, X1又はX2=X3, Y1又はY2=Y3 を含む) から成る層を形成したことを特徴とする３族窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】  前記バッファ層の厚さは１００〜１０００Åであり、前記単結晶層の厚さは５００〜３０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体の製造方法。
・・・
【請求項４】  前記バッファ層はAlN であり、前記単結晶層はGaN であることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体の製造方法。
【請求項５】  前記基板は、サファイア又はSiC であることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体の製造方法。」
　
Ｂ：「【０００８】
【実施例】サファイア基板上に次のように目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3Nから成る層を形成した。各層は、有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) による気相成長により形成された。・・・
【００１０】次に、・・・図１に示す様に AlNのバッファ層２１が約 500Åの厚さに形成された。次に、・・・膜厚約0.3 μｍのGaN から成る単結晶層３１を形成した。
【００１１】・・・
【００１２】この単結晶層３３をKOH によりエッチングして、エッチピット法により表面の転位密度を電子走査顕微鏡で撮像して測定した。その結果は、８×１０5 cm2 であった。従来のように、サファイア基板１上に１層のAlN から成るバッファ層２２を形成し、その上に目的とするGaN から成る単結晶層を形成した場合のエッチピット密度が４×１０7 /cm2であるので、本実施例の製造方法により、エッチピット密度は1/50に低下した。
【００１３】・・・AlN のバッファ層上に形成されるGaN の成長初期は、六角形の島状結晶である。・・・」　
　
　当審拒絶理由で引用された特開平１０−２８７４９６号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
Ｃ：「【００１９】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の形態３における窒化ガリウム結晶の製造方法を示す図である。まず、サファイア基板５を1000℃に加熱しアンモニアと反応させることにより、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、サファイア基板５の表面に窒化アルミニウム６を形成する。その後の図３（ｃ）ないし図３（ｅ）においては、実施の形態１における図１（ｂ）ないし図１（ｄ）に示した工程と同様に成長核２、第一の窒化ガリウム３および第二の窒化ガリウム４を順次形成する。窒化アルミニウム６は、サファイア基板５よりも二塩化ガリウムが結合しやすい性質を有しているため、成長核を直接サファイア基板５上に形成する場合に比べ、成長核２をより高密度に形成することができ、平坦性に優れた第一の窒化ガリウム３および第二の窒化ガリウム４を形成することができる。」
Ｄ：　また、図３には、窒化アルミニウム６上の結晶核２から結晶層３を成長させる工程が記載されている。
　
　
５．対比・判断
　摘記Ａ、Ｂより、引用文献１には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「有機金属化合物気相成長法( M0VPE ) による気相成長により、サファイア基板上にAlNのバッファ層を形成し、AlN のバッファ層上に、GaN の成長初期は六角形の島状結晶を形成し、GaN から成る単結晶層３１を形成する３族窒化物半導体の製造方法。」
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「有機金属化合物気相成長法(M0VPE)」、「島状結晶」、「GaN から成る単結晶層」が、本願発明の「ＣＶＤ法」、「島状結晶部」、「第３の窒化物からなるIII族窒化物膜」に相当する。
　本願実施例において、「第１の窒化物であるＡｌＮからなる基材」としてサファイア基板上に形成したAlNの層を用いているので、引用発明のサファイア基板上に形成したAlNのバッファ層が、本願発明の「第１の窒化物であるＡｌＮからなる基材」に相当する。
　引用発明では、GaN の成長初期に六角形の島状結晶を形成しており、島状結晶は複数個あると認められるので、本願発明の第２の窒化物からなる互いに孤立した、複数の島状結晶部に相当する。
　また、引用発明はGaN から成る単結晶層を形成しており、単結晶層はエピタキシャル成長によって形成されるので、GaN の成長初期の島状結晶を核としてエピタキシャル成長をさせていると認められる。
　
　よって、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
一致点　
　「ＣＶＤ法により、III族窒化物膜を製造する方法であって、第１の窒化物であるＡｌＮからなる基材上に、第２の窒化物からなる互いに孤立した、複数の島状結晶部を形成し、この島状結晶部を核としてエピタキシャル成長させることにより、第３の窒化物からなるIII族窒化物膜を製造することを特徴とする、窒化物膜の製造方法。」
　
　また、次の点で相違する。
相違点　
　本願発明と引用発明とは、本願発明の島状結晶部が「表面の平均面積が０．０００１μｍ２〜１００μｍ２」と限定されているのに対し、引用発明では平均面積について記載がない点で相違する。
　
　上記相違点について検討する。
　引用文献１には、島状結晶の平均面積について記載はないが、成長初期の島状結晶が成長していく過程で、その平均面積が０．０００１μｍ２〜１００μｍ２となる時期が存在すると認められるので、この点は実質的な相違ではない。
　また、引用文献１では、エッチピット法により表面の転位密度を測定し、摘記Ｂにおいて、「８×１０5 cm2 」あるいは、従来、「サファイア基板１上に１層のAlN から成るバッファ層２２を形成し、その上に目的とするGaN から成る単結晶層を形成した場合のエッチピット密度が４×１０7 /cm2である」ことが記載されており、転位の減少について本願発明と同じ効果を生じるものと認められる。さらに、上記表面面積とすることによる臨界的な意義も認められず、この面積による格別な効果を実証するデーターの記載もないので、この構成とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
　引用文献２においても、窒化アルミニウム６上に成長核２、第一の窒化ガリウム３および第二の窒化ガリウム４を順次形成しており、上記引用発明と同様の理由により、実質的に相違がない、もしくは、当業者が容易になし得るものである。
　
６．結論　
　以上のとおりであるから、本件特許発明は、引用文献１、２に記載された発明、もしくは、引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易になしえたものであるから、特許法第２９条第１項第３号または特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。また、その他の請求項については検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。