【事件の表示】
　平成　８年特許願第２５７７５８号「ＳＯＩ基板の作製方法およびＳＯＩ基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月３１日出願公開、特開平１０−　８４１０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年９月６日の出願であって、平成１８年８月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において平成２１年６月２９日付けで拒絶理由通知がなされ、その指定期間内の同年７月３１日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２１年７月３１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　少なくとも第１のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成し、第２のシリコン単結晶基板と該酸化膜を介して密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、第１のシリコン単結晶基板を薄膜化するＳＯＩ基板の作製方法において、
　前記第１のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する酸化温度は、１１００℃を越える温度とし、
　第１のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する前に、該基板に１１００℃を越え、１２５０℃未満の温度の高温熱処理を不活性ガス雰囲気で行い、前記薄膜化により厚さ１ミクロン以下（１ミクロンを除く）のＳＯＩ層を作製することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。」
　
３．当審の拒絶理由
　当審において平成２１年６月２９日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願発明は、本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平７−１９５９５２号（特開平９−２２９９３号公報参照）（註：当審の拒絶理由通知において提示した当該他の出願の出願番号等は誤りであることは、請求人との応対により確認済みである。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
４．先願明細書に記載された発明
（４−１）先願明細書には、「ＳＯＩウエハ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１２】
　次に、
本発明のＳＯＩウエハの製造工程を説明する。
本発明のＳＯＩウエハ製造法では、活性層用ウエハ１Ａをガスアニール処理してＤＺ層１２を形成する。本発明のガスアニール処理は、通常、水素ガス及び／またはアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス雰囲気下、１１００℃以上で、３０分以上加熱して行うことができる。
　本発明の上記ガスアニールにより形成されるＤＺ層１２は、均質であり、ウエハ全域に渡り表面からの深さが均一であり、且つ、従来のＤＺ層熱処理によるＤＺ層に比して十分に厚く約１〜３０μｍの厚さで形成される。このため、下記するようにガスアニール処理表面に酸化膜を形成し、最終的にＳＯＩウエハとしてＤＺ層と反対側から研削においても、高精度に均一な厚さを保持する均質な無欠陥層の活性層を表出させることができ、前記したＳＯＩウエハとして要求される優れた特性を有する活性層を得ることができる。また、このＤＺ層の表面は原子的レベルで平坦化され、その表面に形成される酸化膜の性状も優れたものとすることができる。
【００１３】
　本発明において、
上記ガスアニール処理され、表層部に無欠陥領域のＤＺ層１２が形成された活性層用ウエハ１Ａの表面に、更に、酸化膜１３を形成する。酸化膜は、従来公知の方法と同様でよく酸素雰囲気中に、温度約８００〜１１００℃で約０．１〜３．０時間保持して熱処理することにより形成することができる。
酸化膜の厚さは、保持時間に応じて変化し、通常０．０５〜１．０μｍである。
上記のように酸化膜１３が形成された活性層用ウエハ１Ａは、次いで、その酸化膜１３形成側と支持体用ウエハ１Ｂの研磨鏡面１１Ｂとを重ね合わせ加熱処理して接着貼合わせ一体化される。
ＳＯＩウエハにおいて要求されるシリコン活性層の厚みは１μｍ前後であり、所定の活性層とするため、形成された一体化ウエハ１Ｃは、更に研削加工される。
　
（４−２）上記記載からみて、先願明細書には、以下の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「活性層用ウエハ１Ａの表面に酸化膜１３を形成し、
酸化膜１３が形成された前記活性層用ウエハ１Ａの前記酸化膜１３形成側と支持体用ウエハ１Ｂの研磨鏡面１１Ｂとを重ね合わせ、
加熱処理して接着貼合わせ一体化した後、
一体化ウエハ１Ｃを研削加工するＳＯＩウエハ製造法において、
前記活性層用ウエハ１Ａの表面に前記酸化膜１３を温度約８００〜１１００℃で熱処理することにより形成し、
前記活性層用ウエハ１Ａをアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス雰囲気下、１１００℃以上で加熱し、
シリコン活性層の厚みを１μｍ前後に研削加工するＳＯＩウエハ製造法。」
　
５．対比・判断
（５−１）先願発明における「活性層用ウエハ１Ａ」、「支持用ウエハ１Ｂ」は、本願発明の「第１のシリコン単結晶基板」、「第２のシリコン単結晶基板」にそれぞれ相当する。
（５−２）先願発明の「一体化ウエハ１Ｃを研削加工」する工程では、「シリコン活性層」となる「活性層用ウエハ１Ａ」を「研削加工」することは明らかであるから、先願発明における「一体化ウエハ１Ｃを研削加工」することは、本願発明における「第１のシリコン単結晶基板を薄膜化する」ことに相当する。
（５−３）先願発明において、「活性層用ウエハ１Ａ」と「支持用ウエハ１Ｂ」を「酸化膜１３」を介して密着させ、これに熱処理を加えていることは明らかであり、接着貼合わせ一体化した「活性層用ウエハ１Ａ」と「支持用ウエハ１Ｂ」は強固に結合されていることも明らかである。
（５−４）先願発明において、「活性層用ウエハ１Ａをアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス雰囲気下、１１００℃以上で加熱」することは、高温熱処理であることは明らかである。
（５−５）すると、本願発明と先願発明とは、「少なくとも第１のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成し、第２のシリコン単結晶基板と該酸化膜を介して密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、第１のシリコン単結晶基板を薄膜化するＳＯＩ基板の作製方法において、
　第１のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する前に、該基板に１１００℃を越える温度の高温熱処理を不活性ガス雰囲気で行い、前記薄膜化によりＳＯＩ層を作製することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。」の点で一致し、次の３点で一応相違する。
　
（相違点１）本願発明の「第１のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する酸化温度は、１１００℃を越える温度」であるのに対して、先願発明では、「前記活性層用ウエハ１Ａの表面に前記酸化膜１３を温度約８００〜１１００℃で熱処理することにより形成」している点。
（相違点２）
　本願発明の高温熱処理は、「１２５０℃未満の温度」であるのに対して、先願発明では、「前記活性層用ウエハ１Ａをアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス雰囲気下」で「加熱」する際の温度の上限が特定されていない点。
（相違点３）
　本願発明の「ＳＯＩ層」は、「厚さ１ミクロン以下（１ミクロンを除く）」であるのに対して、先願発明の「シリコン活性層の厚み」は、「１μｍ前後」と特定されている点。
　
（５−６）上記形式上の相違点１ないし３について、以下、検討する。
（相違点１について）
　先願明細書には、「【００１３】　・・・活性層用ウエハ１Ａの表面に、更に、酸化膜１３を形成する。酸化膜は、従来公知の方法と同様でよく酸素雰囲気中に、温度約８００〜１１００℃で約０．１〜３．０時間保持して熱処理することにより形成することができる。・・・」と記載されており、本願発明の「第１のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する酸化温度」を、「１１００℃を超える温度」とは、その境界の温度において一致している。また、酸化膜１３を形成する温度を１１００℃を越える温度することは、当該技術分野において通常行われる温度範囲である。
　さらに、本願明細書には、「【００２５】　次にＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜となる酸化膜３を上記ボンドウェーハ表面に形成する（図１（ｃ））。この際、
ボンドウェーハは既に高温熱処理により、その表面近傍にはＣＯＰが低減した領域２が形成されているので、酸化膜３を形成する熱処理条件は特に限定されない
【００２６】　またさらには、ボンドウェーハの酸化条件をこのように
１１００℃を越える温度とするか、形成する酸化膜厚を２００ｎｍ以下にすることによって、前記酸化前に行う基板の高温熱処理を省略することも可能である。
　これらを図２を用いて以下に説明する。」、
「【００３３】　図２で示されるように１０５０℃という酸化温度ではＣＯＰ密度が酸化膜厚の増加とともに増加するはずであるが、図３の結果を見ると、ボンドウェーハに水素雰囲気で高温熱処理を加えた後は、酸化膜厚に依存せず、低いＣＯＰ密度が維持されており、ＣＯＰが増加しないことがわかる。したがって、ボンドウェーハに高温熱処理を加えることは有効であり、
酸化膜を形成する前に高温熱処理を加えておけば、酸化温度を１１００℃を越える温度とすること、形成する酸化膜厚を２００ｎｍ以下にすることは必ずしも必要ではないことがわかる。
　したがって、相違点１は、課題解決のための具体化手段における微差にすぎず、実質的なものではない。
　
（相違点２について）
　本願明細書には、高温熱処理の温度の上限値について、「【００２２】　この場合、熱処理温度は　・・・　上限温度はシリコン基板の融点（約１４２０℃）未満であればよいが、熱処理炉の耐熱温度との関係上、通常は１２５０℃未満とされる。・・・」と記載されているが、高温熱処理の温度を１２５０℃未満とすることは、当該技術分野において通常行われる温度範囲であり、周知技術、慣用技術の付加にすぎず、しかも新たな効果を奏するものではないから、課題解決のための具体化手段における微差にすぎない。
　よって、相違点２は、実質的なものではない。
　
（相違点３について）
　先願発明の「シリコン活性層の厚みを１μｍ前後に研削加工する」という構成における「１μｍ前後」とは、「１μｍ」を中心として「１μｍ」よりも若干小さい値から若干大きい値までの範囲に含まれる値を意味するものと解されるから、先願発明の「１μｍ前後」は、本願発明の「１ミクロン以下」（１ミクロンを除く）と技術的範囲が重なるものと認められる。加えて、ＳＯＩ層の厚さを１ミクロン以下にすることは、下記周知例１及び周知例２に記載されているように、当該技術分野において通常設定される膜厚であり、周知技術、慣用技術の付加にすぎず、しかも新たな効果を奏するものではないから、課題解決のための具体化手段における微差にすぎない。
　よって、相違点３は、実質的なものではない。
　
（周知例１）
「【００１０】次に図３（ｃ）に示すように、重ね合わせた基板（加圧された基板）１０を電気炉１２内に配置してシリコンを溶かす９００〜１１００℃の温度に加熱し、電気炉アニールによるシリコン基板１と石英基板５の接着を行う。その後、図３（ｄ）に示すように機械的ポリッシングあるいは化学的エッチングにより
Ｓｉ基板を約０．１μｍ以下の厚さに削り薄膜化して
（周知例２）
「【０００４】次に、ＣＶＤSiO2膜３３の露出面を研磨して平坦化し、LOCOS SiO2膜３２の突出による影響を少なくする。そして、その研磨面を支持用ウェハ３４に張り合わせ、ついで、素子形成用ウェハ３１のシリコン面を研削・研磨する。この場合、LOCOS SiO2膜３２の研磨速度は小さいので、これを終点検出として研磨を停止させると、そのシリコン面は平坦になり、しかも
研磨後の素子形成用ウェハ３１の膜厚を0.１μｍ以下にすることが可能になる。
　
　したがって、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上、検討したとおり、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。