【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飽和変換材料を有するエミッタパッケージであって、
半導体エミッタと、
前記半導体エミッタの機械的な安定のためのサブマウントであって、前記半導体エミッタが取り付けられるサブマウントと、
前記半導体エミッタ及び前記サブマウントが底面に配置される金属カップであって、前記半導体エミッタから放出される光を反射するための反射面を備え、前記エミッタパッケージのエミッション全体に寄与する金属カップと、
飽和状態で動作するように配置された変換材料と、
を備え、
前記変換材料は、前記半導体エミッタの周辺に分布し、
前記飽和状態で動作するために必要な前記半導体エミッタの光束と寸法に依存する前記変換材料の量は、前記半導体エミッタから放出される光の全てを吸収して１つ又は複数の異なる光の波長スペクトルで再放出するのに十分な量であって、再放出光が飽和状態となるのに必要な量まで抑えられた量に制限されていること
を特徴とするエミッタパッケージ。
【請求項２】
前記半導体エミッタは、ＩＩＩ族窒化物ベース材料系からの半導体材料で作製された発光ダイオード（ＬＥＤ）又はレーザダイオードであることを特徴とする請求項１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項３】
前記変換材料は、燐光体、蛍光染料及びフォトルミネセント半導体からなる群のうちの１つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項４】
前記変換材料は、４００〜４５０ｎｍの範囲のピーク励起波長を有することを特徴とする請求項１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項５】
前記半導体エミッタは青色光を放出し、前記変換材料は、Ｓｒ：チオガレート（ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ）又はＧｄ0.46Ｓｒ0.31Ａｌ1.23ＯxＦ1.38：Ｅｕ2+0.06であり、前記変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項６】
前記半導体エミッタは紫外（ＵＶ）光を放出し、前記変換材料は、Ｓｒ：チオガレート（ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ）又はＧｄ0.46Ｓｒ0.31Ａｌ1.23ＯxＦ1.38：Ｅｕ2+0.06であり、前記変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項７】
前記金属カップ中にありかつ前記ＬＥＤと導通路とを覆う保護材料層を備え、前記保護材料層が、放射線に対して耐久力がありかつ透明であり、前記保護材料層上に変換材料層を備え、前記変換材料が前記変換材料層の全体にわたって分布していることを特徴とする請求項１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項８】
前記保護材料層が、前記変換材料層中の前記変換材料と異なる濃度の変換材料を含んでいることを特徴とする請求項７に記載のエミッタパッケージ。
【請求項９】
前記サブマウントが、前記半導体エミッタに供給される電気信号を制御するための電気回路を含むことを特徴とする請求項１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項１０】
前記サブマウントが、前記エミッタパッケージに静電気ショックに対する耐性を付与するための構成要素を含むことを特徴とする請求項１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項１１】
半導体光エミッタパッケージであって、
各々が電流に応答して発光する、１つ又は複数の半導体光エミッタと、
前記半導体光エミッタからの光が通過するように配置され、前記半導体光エミッタからの光を吸収するとともに、１つ又は複数の異なる波長の光を再放出する変換材料と
を備え、
前記変換材料の量は、前記半導体光エミッタの光束と寸法に依存する量であって、再放出された光が飽和するのに必要な量に制限されていること
を特徴とするエミッタパッケージ。
【請求項１２】
前記変換材料は、燐光体、蛍光染料及びフォトルミネセント半導体からなる群のうちの１つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項１１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項１３】
前記半導体光エミッタは青色光を放出し、前記変換材料は、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ2+又はＧｄ0.46Ｓｒ0.31Ａｌ1.23ＯxＦ1.38：Ｅｕ2+0.06であり、前記変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項１１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項１４】
前記半導体光エミッタは紫外（ＵＶ）光を放出し、前記変換材料は、Ｓｒ：チオガレート（ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ）又はＧｄ0.46Ｓｒ0.31Ａｌ1.23ＯxＦ1.38：Ｅｕ2+0.06であり、前記変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項１１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項１５】
各々がバイアスに応答して発光する１つ又は複数の半導体エミッタと、
該半導体エミッタがその底面に配置される金属カップと、
前記半導体エミッタに結合し、前記半導体エミッタにバイアスを印加するための複数の導体と、
前記半導体エミッタからの光が通過するように配置され、前記半導体エミッタからの光を吸収するとともに、１つ又は複数の異なる波長の光を再放出するような変換材料を含む変換材料層とを備え、
前記変換材料の量は、前記変換材料層の厚みの調整、又は、前記変換材料の濃度の調整、又は、前記変換材料層の厚み及び前記変換材料の濃度の両方の調整により、前記変換材料によって遮断される再放出光の遮断量を最小限とする量に調整されていること
を特徴とするエミッタパッケージ。
【請求項１６】
前記半導体エミッタは、ＩＩＩ族窒化物ベース材料系からの半導体材料で作製された発光ダイオード（ＬＥＤ）又はレーザダイオードであることを特徴とする請求項１５に記載のエミッタパッケージ。
【請求項１７】
前記変換材料は、燐光体、蛍光染料及びフォトルミネセント半導体からなる群からの１つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項１５に記載のエミッタパッケージ。
【請求項１８】
前記変換材料は、４００〜４５０ｎｍの範囲のピーク励起波長を有することを特徴とする請求項１５に記載のエミッタパッケージ。
【請求項１９】
前記半導体エミッタは青色光を放出し、前記変換材料は、Ｓｒ：チオガレート（ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ）又はＧｄ0.46Ｓｒ0.31Ａｌ1.23ＯxＦ1.38：Ｅｕ2+0.06であり、該変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項１５に記載のエミッタパッケージ。
【請求項２０】
前記半導体エミッタは紫外（ＵＶ）光を放出し、前記変換材料は、Ｓｒ：チオガレート（ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ）又はＧｄ0.46Ｓｒ0.31Ａｌ1.23ＯxＦ1.38：Ｅｕ2+0.06であり、該変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項１５に記載のエミッタパッケージ。
【請求項２１】
前記金属カップ中にありかつ前記ＬＥＤと前記導体を覆う保護材料層を備え、該保護材料層が、放射線に対して耐久力がありかつ透明であり、前記保護材料層上に変換材料層を備え、前記変換材料が前記変換材料層の全体にわたって分布していることを特徴とする請求項１５に記載のエミッタパッケージ。
【請求項２２】
前記保護材料層が、前記変換材料層中の前記変換材料と異なる濃度の変換材料を含んでいることを特徴とする請求項２１に記載のエミッタパッケージ。
【請求項２３】
前記半導体エミッタからの光を分散させるための散乱粒子を含んでいることを特徴とする請求項１５に記載のエミッタパッケージ。
【請求項２４】
半導体エミッタと、
該半導体エミッタからの光が通過するように配置され、前記半導体エミッタからの光を吸収するとともに、１つ又は複数の異なる波長の光を再放出するような変換材料を含む変換材料層とを備え、
前記変換材料の量は、前記変換材料層の厚みの調整、又は、前記変換材料の濃度の調整、又は、前記変換材料層の厚み及び前記変換材料の濃度の両方の調整により、前記変換材料によって遮断される再放出光の遮断量を最小限とする量に調整されていること
を特徴とするエミッタパッケージ。
【請求項２５】
前記変換材料は、燐光体、蛍光染料及びフォトルミネセント半導体からなる群のうちの１つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項２４に記載のエミッタパッケージ。
【請求項２６】
前記半導体エミッタは青色光を放出し、前記変換材料は、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ2+又はＧｄ0.46Ｓｒ0.31Ａｌ1.23ＯxＦ1.38：Ｅｕ2+0.06であり、該変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項２４に記載のエミッタパッケージ。
【請求項２７】
前記半導体エミッタは紫外（ＵＶ）光を放出し、前記変換材料は、Ｓｒ：チオガレート（ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ）又はＧｄ0.46Ｓｒ0.31Ａｌ1.23ＯxＦ1.38：Ｅｕ2+0.06であり、該変換材料から緑色光を放出することを特徴とする請求項２４に記載のエミッタパッケージ。