【事件の表示】
　特願２００１−３９９７９０「フォトマスクブランク及びフォトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月　９日出願公開、特開２００３−１９５４８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成１３年１２月２８日の出願であって、平成１６年１１月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１７年１月６日に審判請求がなされたものである。
　その特許請求の範囲の請求項１乃至３に係る発明は、平成１６年１０月１８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１乃至３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「透光性基板上に、反射防止機能を有する反射防止層を含む遮光膜が形成されてなるフォトマスクブランクにおいて、
　前記遮光膜は、クロムと酸素又は窒素の少なくとも何れか一方との化合物を含む反射防止層と、クロム窒化物を含む第１の層及びクロム炭化物を含む第２の層の積層構造を有してなる遮光層と、から構成されてなり、
　前記遮光膜の膜厚が、６０ナノメートル〜７７ナノメートルの範囲とされ、かつ、ＫｒＦエキシマレーザを用いた露光光に対し、充分な遮光性を有することを特徴とするフォトマスクブランク。」
　
２．引用例
　これに対して、本願出願前に頒布され、原査定の拒絶理由に引用された国際公開第００／０７０７２号パンフレット（以下、「引用例１」という。）、同じく特開平１−２１４８５９号公報（以下、「引用例２」という。）、及び原査定の備考欄に記載された特開平８−２８６３５９号公報（以下、「引用例３」という。）にはそれぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用例１；
　フォトマスクブランクに関するもので、
ア．１頁１５行〜２０行
「フォトリソグラフィー工程において露光の原版として使用されるフォトマスクブランクとしては、透明基板上にクロム（Ｃｒ）の遮光膜を形成した基本構成、あるいは露光光による遮光膜表面での反射を防止するために、更に酸化窒素クロム（ＣｒＯＮ）膜などの反射防止膜を積層させた複数層構造を有するフォトマスクブランクが知られている。」
　
イ．２頁１１行〜２０行
「フォトマスクブランクを構成する薄膜の成膜速度をそれぞれ遅くすると、概して、透明基板上に堆積する膜の結晶粒が大きくなり、それに伴い、結晶粒同士が引っ張り合うために極度の膜応力が発生することが判明した。膜応力発生のメカニズムについては定かではないが、膜の堆積速度に起因しているとも想定される。そして、特に、クロム系の薄膜により構成されるフォトマスクブランク、例えば、３層構造を有するＣｒＮ／ＣｒＣ／ＣｒＯＮのような構成を有するフォトマスクブランクの場合、最も膜厚の大きいＣｒＣにおいて、この問題が深刻化することが明らかとなった。」
　
ウ．４頁２６行〜５頁４行
「例えば、ＣｒＣの遮光膜上に反射防止膜を形成したフォトマスクブランクのとき、低波長（例えば、３６５ｎｍ）の用途に使用する場合、光学特性の関係上、ＣｒＯＮ膜の膜厚を薄くする必要がある。
エ．１２頁５行〜１９行
「５．発明の実施をするための最良の形態
（実施例１）
　第１図は実施例１に係るフォトマスクブランクの断面図、第２図は実施例１のフォトマスクの断面図である。
　第１図に示す実施例１に係るフォトマスクブランク１では、透明基板２として、両主表面及び端面が精密研磨された５インチ×５インチ×０．０９インチの石英ガラス基板を用いている。そして、前記透明基板２上に、第１遮光膜３としての窒化クロムＣｒＮ〔Ｃｒ：８０原子％、Ｎ：２０原子％（以下、ａｔ％という）、膜厚：１５０オングストローム〕、第２遮光膜４としての炭化クロムＣｒＣ膜（Ｃｒ：９４ａｔ％、Ｃ：６ａｔ％、膜厚：６００オングストローム）、反射防止膜５としての酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）膜（Ｃｒ：３０ａｔ％、Ｏ：４５ａｔ％、Ｎ：２５ａｔ％、膜厚：２５０オングストローム）が形成されている。」
　　　
オ．１３頁２６行〜１４頁６行
（実施例１）に関して
「ついで、図３（ｂ）に示すように、クロムターゲットを用い、アルゴン、メタン及びヘリウムによりなる混合ガス雰囲気（Ａｒ：３０体積％、ＣＨ４：１０体積％、Ｈｅ：６０体積％、圧力０．３パスカル、・・）中で、反応性スパッタリングにより、第２遮光膜４として、膜厚６００オングストロームのＣｒＣ膜を形成した。」
　
カ．２０頁１１行〜１８行
（実施例１）に関して
「このように、少なくともＣｒＣ膜を形成する際に、雰囲気ガス中にＨｅガスを導入することにより、膜応力を抑えることができると共に、ターゲットからの不純物の悪影響を受けることなく、高歩留まりを確保しつつ、膜質が良好なフォトマスクブランクを得ることができた。また、ＣｒＣ膜の膜厚を約２５０〜１１００オングストローム程度、ＣｒＯＮ膜の膜厚を約２００〜３００オングストローム程度で形成しても、特に膜応力は発生せず、良好なフォトマスクブランク及びこれを使用したフォトマスクを得ることができた。」
　
キ．２７頁２１行〜２８頁５行
「（比較例１〜２）
　上述の実施例１及び２において第２遮光膜を、ＡｒとＣＨ４の混合ガス（Ａｒ：９０体積％、ＣＨ４：１０体積％）とした他は、実施の形態１及び２と同様にしてフォトマスクブランク及び、フォトマスクを作製した。その結果、フォトマスクブランクの平坦度変化量はそれぞれ、−２．５μｍ、−２．８μｍと−２．０μｍの値を超え、フォトマスクのパターン位置精度が悪かった。また、実施例１と同様に、比較例１のフォトマスクブランクについて、昇温脱離ガス分析装置（ＴＤＳ）によるｍ／ｅ＝４（Ｈｅ）の脱離を観察したところ、第７図のとおり、ヘリウムは検出されなかった。」
　
　引用発明の上記記載から以下のことがいえる。
・実施例１のフォトマスクブランクの透明基板２上に積層される、膜厚２５０オングストローム（２５ｎｍ）の酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）反射防止膜、膜厚１５０オングストローム（１５ｎｍ）の窒化クロムＣｒＮ第１遮光膜、及び膜厚６００オングストローム（６０ｎｍ）の炭化クロムＣｒＣ第２遮光膜により構成される積層体は、遮光膜を構成していること、並びに上記第１遮光膜及び上記第２遮光膜からなる積層構造は、遮光層を構成していることは明らかである。
・実施例１のフォトマスクブランクは、透明基板２上に、反射防止膜を含む遮光膜が形成されてなるフォトマスクブランクといえる。
・「実施例１及び２において第２遮光膜を、ＡｒとＣＨ４の混合ガス（Ａｒ：９０体積％、ＣＨ４：１０体積％）とした他は、実施の形態１及び２と同様にしてフォトマスクブランク及び、フォトマスクを作製した。」（記載事項キ．）との記載から、比較例１のフォトマスクブランクは、実施例１と同様に、透明基板２上に、反射防止膜を含む遮光膜が形成されてなるフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜は、膜厚２５０オングストローム（２５ｎｍ）の酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）反射防止膜５と、膜厚１５０オングストローム（１５ｎｍ）の窒化クロムＣｒＮ第１遮光膜３及び膜厚６００オングストローム（６０ｎｍ）の炭化クロムＣｒＣ第２遮光膜４の積層構造を有してなる遮光層と、から構成されているといえる。
・記載事項ウ．から、比較例１のフォトマスクブランクは、波長３６５ｎｍ（ｉ線）の用途に使用するものである。
　
　してみると、上記ア．〜キ．の記載事項によると、引用例１には、「透明基板２上に、反射を防止するための反射防止膜５を含む遮光膜が形成されてなるフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜は、膜厚２５０オングストローム（２５ｎｍ）の酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）反射防止膜５と、膜厚１５０オングストローム（１５ｎｍ）の窒化クロムＣｒＮ第１遮光膜３及び膜厚６００オングストローム（６０ｎｍ）の炭化クロムＣｒＣ第２遮光膜４の積層構造を有してなる遮光層と、から構成されてなり、波長３６５ｎｍ（ｉ線）の用途に使用するフォトマスクブランク。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（２）引用例２；
　露光光としてＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ光を使用する場合のフォトマスクに関して、クロム遮光膜と酸化クロム低反射膜とからなるフォトマスクが、特許請求の範囲に記載されている。
　
（３）引用例３；
　フォトマスクブランク及びフォトマスクに関するもので、
ア．【００１３】欄
「フォトマスクブランクの製造に用いる材料である窒化クロム中の窒素含有量は、材料の製造上の問題もあるが、主に形成された遮光膜に要求される種々の特性の基づいて決定される。例えば、フォトマスクに要求される特性の一つとして遮光膜（厳密には反射防止膜も含めたもの）の光学濃度がある。・・・・・。ここで、フォトマスクの製造段階で確保するパターンの形状や欠陥等の品質上の観点から判断すると、遮光膜はなるべく薄い方が一般には望ましい。そこで、光学濃度がある値以上の品質を確保する一方で、遮光膜の厚さはできるだけ薄いものが得られるように製造することが好ましいといえる。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「透明基板２」、「反射を防止するための」は、本願発明の「透光性基板」、「反射防止機能を有する」に相当する。
（２）引用発明の「酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）反射防止膜５」は、本願発明の「クロムと酸素又は窒素の少なくとも何れか一方との化合物を含む反射防止層」の概念に包含されることは、明らかである。
（３）引用発明の「窒化クロムＣｒＮ第１遮光膜３」、「炭化クロムＣｒＣ第２遮光膜４」は、それぞれ、本願発明の「クロム窒化物を含む第１の層」、「クロム炭化物を含む第２の層」に相当する。
（４）引用発明の反射防止層を含む遮光膜の膜厚は、比較例１では合計１００ナノメートルである。
　
　よって、上記（１）〜（４）のことから、両者は、「透光性基板上に、反射防止機能を有する反射防止層を含む遮光膜が形成されてなるフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜は、クロムと酸素又は窒素の少なくとも何れか一方との化合物を含む反射防止層と、クロム窒化物を含む第１の層及びクロム炭化物を含む第２の層の積層構造を有してなる遮光層と、から構成されてなるフォトマスクブランク。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明のフォトマスクブランクは、遮光膜の膜厚が６０ｎｍ〜７７ｎｍの範囲とされ、かつ、ＫｒＦエキシマレーザを用いた露光光に対し充分な遮光性を有するのに対して、引用発明のフォトマスクブランクは、遮光膜の膜厚が例えば１００ｎｍであり、かつ、波長３６５ｎｍ（ｉ線）の用途に使用するものであるが、ＫｒＦエキシマレーザを用いた露光光に対し充分な遮光性を有するかどうか不明である点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　ＫｒＦエキシマレーザを用いた露光光に対し充分な遮光性を有するフォトマスクブランク及びフォトマスクは、周知技術である。（引用例２、特開平６−３０８７１３号公報、特開平７−１１０５７２号公報、及び特開平７−２０９８４９号公報参照。）
　そして、上記周知技術を示すために例示した、特開平６−３０８７１３号公報の図２、特開平７−１１０５７２号公報の図５〜図７、及び上記特開平７−２０９８４９号公報の図４、図８には、それぞれ、フォトマスクブランク或いはフォトマスクにおけるクロム化合物遮光層の分光透過率曲線を示す図が記載され、これらの図によれば、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）のような短波長側程、露光光の透過率が低いことが示されている。
　しかも、引用例３には、「フォトマスクの製造段階で確保するパターンの形状や欠陥等の品質上の観点から判断すると、遮光膜はなるべく薄い方が一般には望ましい。そこで、光学濃度がある値以上の品質を確保する一方で、遮光膜の厚さはできるだけ薄いものが得られるように製造することが好ましいといえる。」と記載されている。
　
　また、本願発明の「遮光膜の膜厚が、６０ナノメートル〜７７ナノメートルの範囲とされ、かつ、ＫｒＦエキシマレーザを用いた露光光に対し、充分な遮光性を有すること」において、遮光膜の厚みの上限値を７７ナノメートルとし、また、下限値を６０ナノメートルと規定した点に臨界的な意義があるとはいえない。
　
　してみると、引用発明のフォトマスクブランクにおいて、波長３６５ｎｍ（ｉ線）の用途に使用する場合には、遮光膜の膜厚を１００ｎｍとしていたのを、ＫｒＦエキシマレーザを用いた露光光に対し充分な遮光性を有するように遮光膜の膜厚を引用発明よりも薄い６０ｎｍ〜７７ｎｍの範囲に設定することに格別の困難性はない。
　したがって、相違点に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明と引用例２、３に記載の発明及び上記周知技術とに基づいて当業者が容易に想起し得るものである。
　
　そして、本願発明の作用・効果も、引用例１乃至３の記載及び上記周知技術から予測される範囲内のもので、格別のものではない。
　　
　したがって、本願発明は、引用例１乃至３に記載された発明及び上記周知技術とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１乃至３に記載された発明及び上記周知技術とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。