【事件の表示】
　平成　７年特許願第２９７８５９号「電子装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　５月　２日出願公開、特開平　９−１１５８６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年１０月２０日に出願された特許出願であって、平成１６年７月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年１２月２１日付けで審尋がなされ、平成１８年２月１３日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１６年８月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月１９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を以下のとおりに補正するとともに、発明の詳細な説明の００４４段落ないし００４７段落の記載を補正するものである。
「【請求項１】　（１１１）面方位のシリコン基板の表面の自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去することにより、上記シリコン基板の表面の７×７再配列構造を有する三原子層の欠陥層を露出させる工程と、
　上記エッチング後、上記シリコン基板を大気にさらすことなく、上記シリコン基板上に厚さが１．５ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記第１の遷移金属薄膜上に上記第１の遷移金属薄膜と異なる第２の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記シリコン基板を熱処理することにより、または、上記第２の遷移金属薄膜を形成する際に上記シリコン基板を加熱することにより、上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。
　　　　【請求項２】　上記第１の遷移金属薄膜はＴｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素からなることを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項３】　上記第２の遷移金属薄膜はＣｏ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素からなることを特徴とする請求項１または２記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項４】　上記第２の遷移金属薄膜の形成後、上記シリコン基板を大気にさらすことなく上記熱処理を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項５】　（１００）面方位のシリコン基板の表面の自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去することにより、上記シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層を露出させる工程と、
　上記エッチング後、上記シリコン基板を大気にさらすことなく、上記シリコン基板上に厚さが１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記第１の遷移金属薄膜上に上記第１の遷移金属薄膜と異なる第２の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記シリコン基板を熱処理することにより、または、上記第２の遷移金属薄膜を形成する際に上記シリコン基板を加熱することにより、上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。
　　　　【請求項６】　上記第１の遷移金属薄膜はＴｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素からなることを特徴とする請求項５記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項７】　上記第２の遷移金属薄膜はＣｏ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素からなることを特徴とする請求項５または６記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項８】　上記第２の遷移金属薄膜の形成後、上記シリコン基板を大気にさらすことなく上記熱処理を行うことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項９】　（１１１）面方位のシリコン基板の表面の自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去することにより、上記シリコン基板の表面の７×７再配列構造を有する三原子層の欠陥層を露出させる工程と、
　上記エッチング後、上記シリコン基板を大気にさらすことなく、上記シリコン基板上に厚さが１．５ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成し、この際上記シリコン基板を加熱することにより上記第１の遷移金属薄膜をシリサイド化して第１の遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程と、
　上記第１の遷移金属シリサイド薄膜上に上記第１の遷移金属薄膜と異なる第２の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記シリコン基板を熱処理することにより、または、上記第２の遷移金属薄膜を形成する際に上記シリコン基板を加熱することにより、上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して第２の遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。
　　　　【請求項１０】　上記第１の遷移金属薄膜はＴｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素からなることを特徴とする請求項９記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項１１】　上記第２の遷移金属薄膜はＣｏ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素からなることを特徴とする請求項９または１０記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項１２】　（１００）面方位のシリコン基板の表面の自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去することにより、上記シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層を露出させる工程と、
　上記エッチング後、上記シリコン基板を大気にさらすことなく、上記シリコン基板上に厚さが１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成し、この際上記シリコン基板を加熱することにより上記第１の遷移金属薄膜をシリサイド化して第１の遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程と、
　上記第１の遷移金属シリサイド薄膜上に上記第１の遷移金属薄膜と異なる第２の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記シリコン基板を熱処理することにより、または、上記第２の遷移金属薄膜を形成する際に上記シリコン基板を加熱することにより、上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して第２の遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。
　　　　【請求項１３】　上記第１の遷移金属薄膜はＴｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素からなることを特徴とする請求項１２記載の電子装置の製造方法。
　　　　【請求項１４】　上記第２の遷移金属薄膜はＣｏ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素からなることを特徴とする請求項１２または１３記載の電子装置の製造方法。」　
（２）本件補正の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりである。
　
［補正事項１］
　補正前の請求項２ないし請求項４、請求項７、請求項１０ないし請求項１２、請求項１５、請求項１８、請求項２１、請求項２３、及び請求項２６を削除する。
　
［補正事項２］
　［補正事項２−１］
　補正前の請求項５の請求項番号を２に補正するとともに、補正前の請求項５の「請求項１〜４のいずれか一項記載の」を「請求項１記載の」と補正する。
　［補正事項２−２］
　補正前の請求項６の請求項番号を３に補正するとともに、補正前の請求項６の「請求項１〜５のいずれか一項記載の」を「請求項１または２記載の」と補正する。
　［補正事項２−３］
　補正前の請求項８の請求項番号を４に補正するとともに、補正前の請求項８の「請求項１〜７のいずれか一項記載の」を「請求項１〜３のいずれか一項記載の」と補正する。
　［補正事項２−４］
　補正前の請求項１３の請求項番号を６に補正するとともに、補正前の請求項１３の「請求項９〜１２のいずれか一項記載の」を「請求項５記載の」と補正する。
　［補正事項２−５］
　補正前の請求項１４の請求項番号を７に補正するとともに、補正前の請求項１４の「請求項９〜１３のいずれか一項記載の」を「請求項５または６記載の」と補正する。
　［補正事項２−６］
　補正前の請求項１６の請求項番号を８に補正するとともに、補正前の請求項１６の「請求項９〜１５のいずれか一項記載の」を「請求項５〜７のいずれか一項記載の」と補正する。
　［補正事項２−７］
　補正前の請求項１９の請求項番号を１０に補正するとともに、補正前の請求項１９の「請求項１７または１８記載の」を「請求項９記載の」と補正する。
　［補正事項２−８］
　補正前の請求項２０の請求項番号を１１に補正するとともに、補正前の請求項２０の「請求項１７〜１９のいずれか一項記載の」を「請求項９または１０記載の」と補正する。
　［補正事項２−９］
　補正前の請求項２４の請求項番号を１３に補正するとともに、補正前の請求項２４の「請求項２２または２３記載の」を「請求項１２記載の」と補正する。
　［補正事項２−１０］
　補正前の請求項２５の請求項番号を１４に補正するとともに、補正前の請求項２５の「請求項２２〜２４のいずれか一項記載の」を「請求項１２または１３記載の」と補正する。
　
［補正事項３］
　［補正事項３−１］
　補正前の請求項１の「自然酸化膜をエッチングにより均一に除去する」を「自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去する」と補正する。
　［補正事項３−２］
　補正前の請求項１の「第１の遷移金属薄膜を形成する工程と」を「厚さが１．５ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成する工程と」に補正するとともに、補正前の請求項１の「遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有し、　上記第１の遷移金属薄膜を、上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成するようにした」を「遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する」と補正する。
　
［補正事項４］
　［補正事項４−１］
　補正前の請求項９の請求項番号を５に補正する。
　［補正事項４−２］
　補正前の請求項９の「自然酸化膜をエッチングにより均一に除去する」を「自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去する」と補正する。
　［補正事項４−３］
　補正前の請求項９の「第１の遷移金属薄膜を形成する工程と」を「厚さが１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成する工程と」に補正するとともに、補正前の請求項９の「遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有し、　上記第１の遷移金属薄膜を、上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成するようにした」を「遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する」と補正する。
　
［補正事項５］
　［補正事項５−１］
　補正前の請求項１７の請求項番号を９に補正する。
　［補正事項５−２］
　補正前の請求項１７の「自然酸化膜をエッチングにより均一に除去する」を「自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去する」と補正する。
　［補正事項５−３］
　補正前の請求項１７の「第１の遷移金属薄膜を形成し」を「厚さが１．５ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成し」に補正するとともに、補正前の請求項１７の「第２の遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有し、　上記第１の遷移金属薄膜を、上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成するようにした」を「第２の遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する」と補正する。
　
［補正事項６］
　［補正事項６−１］
　補正前の請求項２２の請求項番号を１２に補正する。
　［補正事項６−２］
　補正前の請求項２２の「自然酸化膜をエッチングにより均一に除去する」を「自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去する」と補正する。
　［補正事項６−３］
　補正前の請求項２２の「第１の遷移金属薄膜を形成し」を「厚さが１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成し」に補正するとともに、補正前の請求項２２の「第２の遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有し、　上記第１の遷移金属薄膜を、上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成するようにした」を「第２の遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する」と補正する。
　
［補正事項７］
　発明の詳細な説明の００４４段落ないし００４７段落の記載を、それぞれ本件補正後の請求項１、請求項５、請求項９、及び請求項１２の記載に整合するように補正する。
　
（３）補正の目的の適否及び新規事項追加の有無についての検討
　
［補正事項１について］
　補正事項１についての補正は、請求項の削除を目的とするものである。
　
［補正事項２について］
　補正事項２−１ないし補正事項２−１０についての補正は、補正前の請求項の削除に伴って、請求項の請求項番号を変更するとともに、引用形式で記載された請求項の引用される請求項番号を変更する補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
［補正事項３について］
　［補正事項３−１について］
　補正事項３−１についての補正は、補正前の請求項１における「自然酸化膜」を「均一に除去する」ための「エッチング」を「誘導結合プラズマ法によるソフトエッチング」に限定する補正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「本願当初明細書等」という。）には、「誘導結合プラズマ・・・法によるソフトエッチングにより・・・自然酸化膜・・・を均一に除去する。」（００６０段落）と記載されているから、補正事項３−１についての補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　［補正事項３−２について］
　補正事項３−２についての補正は、実質的に、「第１の遷移金属薄膜」の「厚さ」を、補正前の請求項１の「上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さ」から「１．５ｎｍ以上３．５ｎｍ未満」にする補正である。
　一方、本願当初明細書等には、「第１の遷移金属薄膜を、第１の遷移金属薄膜と欠陥層との反応により欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつシリコン基板と第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成する。この第１の遷移金属薄膜の厚さは、具体的には、第３の発明および第５の発明においては１．５ｎｍ以上３．５ｎｍ未満であ・・・る。」（００５１段落）と記載されており、さらに、「第３の発明」及び「第５の発明」における「シリコン基板」の面方位については、「第３の発明による電子装置の製造方法は、（１１１）面方位のシリコン基板」（００４４段落）及び「第５の発明による電子装置の製造方法は、（１１１）面方位のシリコン基板」（００４６段落）と記載されているから、補正事項３−２についての補正は、本件補正前の請求項１の「第１の遷移金属薄膜」の「厚さ」を具体的に数値限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、本願当初明細書の００５１段落、００４４段落、及び００４６段落の上記各記載を参酌すれば、補正事項３−２についての補正が、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであることも明らかである。
　
［補正事項４について］
　［補正事項４−１について］
　補正事項４−１についての補正は、補正前の請求項の削除に伴って、請求項の請求項番号を変更するとともに、引用形式で記載された請求項の引用される請求項番号を変更する補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　［補正事項４−２について］
　補正事項４−２についての補正は、［補正事項３−１について］に記載したとおり（ただし、「補正事項３−１」及び「補正前の請求項１」を、それぞれ「補正事項４−２」及び「補正前の請求項９」に読み替える。）の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、かつ本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　［補正事項４−３について］
　補正事項４−３についての補正は、実質的に、「第１の遷移金属薄膜」の「厚さ」を、補正前の請求項９の「上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さ」から「１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満」にする補正である。
　一方、本願当初明細書等には、「第１の遷移金属薄膜を、第１の遷移金属薄膜と欠陥層との反応により欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつシリコン基板と第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成する。この第１の遷移金属薄膜の厚さは、具体的には・・・第４の発明および第５の発明においては１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満である。」（００５１段落）と記載されており、さらに、「第４の発明」及び「第６の発明」における「シリコン基板」の面方位については、「第４の発明による電子装置の製造方法は、（１００）面方位のシリコン基板」（００４５段落）及び「第６の発明による電子装置の製造方法は、（１００）面方位のシリコン基板」（００４７段落）と記載されているから、補正事項４−３についての補正は、本件補正前の請求項５の「第１の遷移金属薄膜」の「厚さ」を具体的に数値限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、本願当初明細書の００５１段落、００４５段落、及び００４７段落の上記各記載を参酌すれば、補正事項４−３についての補正が、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであることも明らかである。
　
［補正事項５について］
　［補正事項５−１について］
　補正事項５−１についての補正は、補正前の請求項の削除に伴って、請求項の請求項番号を変更するとともに、引用形式で記載された請求項の引用される請求項番号を変更する補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　［補正事項５−２について］
　補正事項５−２についての補正は、［補正事項３−１について］に記載したとおり（ただし、「補正事項３−１」及び「補正前の請求項１」を、それぞれ「補正事項５−２」及び「補正前の請求項１７」に読み替える。）の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、かつ本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　［補正事項５−３について］
　補正事項５−３についての補正は、［補正事項３−２について］に記載したとおり（ただし、「補正事項３−２」及び「補正前の請求項１」を、それぞれ「補正事項５−３」及び「補正前の請求項１７」に読み替える。）の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、かつ本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
［補正事項６について］
　［補正事項６−１について］
　補正事項６−１についての補正は、補正前の請求項の削除に伴って、請求項の請求項番号を変更するとともに、引用形式で記載された請求項の引用される請求項番号を変更する補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　［補正事項６−２について］
　補正事項６−２についての補正は、［補正事項３−１について］に記載したとおり（ただし、「補正事項３−１」及び「補正前の請求項１」を、それぞれ「補正事項６−２」及び「補正前の請求項２２」に読み替える。）の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、かつ本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　［補正事項６−３について］
　補正事項６−３についての補正は、［補正事項４−３について］に記載したとおり（ただし、「補正事項４−３」及び「補正前の請求項９」を、それぞれ「補正事項６−３」及び「補正前の請求項２２」に読み替える。）の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、かつ本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
［補正事項７について］
　補正事項７についての補正は、発明の詳細な説明の００４４段落ないし００４７段落の記載を、それぞれ、本件補正後の請求項１、請求項５、請求項９、及び請求項１２の記載に整合させるための補正であり、本件補正前の請求項１、請求項９、請求項１７、及び請求項２２を、それぞれ本件補正後の請求項１、請求項５、請求項９、及び請求項１２に補正する補正事項３ないし補正事項６についての補正は、［補正事項３について］ないし［補正事項６について］で検討したとおり、いずれも本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、補正事項７についての補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
　以上のとおり、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものであるから、特許法１７条の２第３項の規定に適合し、かつ、特許請求の範囲についてする補正は、同法同条第４項第１号に掲げる請求項の削除、同法同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び同法同条同項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（４）独立特許要件についての検討
　本件補正は（３）で検討したとおり、特許法１７条の２第３項の規定に適合し、かつ、特許請求の範囲についてする補正は、同法同条第４項第１号に掲げる請求項の削除、同法同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び同法同条同項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるから、本件補正が同法同条第５項において準用する同法第１２６条第４項に規定される独立特許要件を満たすか否かについて、以下検討する。
　
（４−１）特許法第２９条第２項の規定に該当するか否かの検討
　
（４−１−１）本件補正後の請求項５に係る発明（以下、「本件補正後発明」という。）
　本件補正後発明は、（１）に掲げた特許請求の範囲の請求項５に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
（４−１−２）刊行物記載の発明
（ａ）特開平７−１８３２５３号公報（以下、「刊行物１」という。）
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物１には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。
「【請求項２２】シリコン基板上にタングステン金属層を形成する工程と、
上記タングステン金属層の上にコバルト層を形成する工程と、
上記コバルトおよびタングステン層を、約５５０℃を超える温度で、上記シリコン基板上にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成するのに十分な時間アニーリングする工程とを含む、
半導体デバイス中にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成する方法。」（特許請求の範囲の請求項２２）
「【請求項２６】上記タングステン金属層の厚さが約０．５ないし２．５ｎｍであることを特徴とする、請求項２３記載の方法。」（特許請求の範囲の請求項２６）
「【００１２】図１を参照すると、好ましい方法では、シリコン基板１０を設け、シリコン基板１０の上に、厚み約０．５ないし２．５ｎｍのタングステン金属層１２をスパッタリングまたは蒸着により付着させる。層１２には、これよりも厚いタングステンを使用してもよいが、厚みが約３ｎｍを超えると、シリサイド皮膜の品質が劣化する。・・・
【００１３】厚みが約５ないし２０ｎｍのコバルト層１４を、タングステン金属層１２の上にスパッタリングまたは蒸着により付着させる。次に、タングステン層１２、コバルト層１４、およびシリコン基板１０を、約５５０℃を超える温度で、約２０秒を超える時間アニーリングして、最終のシリサイド皮膜を形成させる。・・・アニーリングの間、コバルト層１４からコバルト原子がタングステン金属層を通って下方に拡散し、基板中のシリコンと反応して、エピタキシャルＣｏＳｉ２を形成する。
【００１４】コバルト層１４を形成する工程は、タングステン層１２上に好ましくない酸化物が生成しないように、タングステン金属層１２の形成に使用したと同じ真空環境で行うのが好ましい。たとえば、これは、ウェーハをスパッタリング装置から取り出さずに、タングステンとコバルトの両方をスパッタリングすればよい。アニーリングは、ＣｏＳｉ２生成のための反応温度まで急速に加熱できるように、短時間熱アニーリング（ＲＴＡ）により行うのが好ましい。しかし、炉などの他の装置を使用してもよい。
【００１５】次に図２を参照すると、アニーリング後、エピタキシアル・コバルト・シリサイド皮膜１６を、シリコン基板１０の上に付着させ、シリサイド皮膜１６の上にコバルト・シリコン・タングステンの合金の層１８を付着させる。」（００１２段落ないし００１５段落）
　
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「シリコン基板を設ける工程と、
　上記シリコン基板上に厚さが約０．５ないし２．５ｎｍであるタングステン金属層を形成する工程と、
　上記タングステン金属層の上にコバルト層を形成する工程と、
　上記コバルト層及びタングステン金属層を、約５５０℃を超える温度で、上記シリコン基板上にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成するのに十分な時間アニーリングする工程とを含む、
　半導体デバイス中にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成する方法。」
　
（ｂ）特開平７−１６１６６０号公報（以下、「刊行物２」という。）
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物２には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　シリコン基板・・・上に高融点金属を被着して高融点金属を形成し熱処理により前記シリコン基板・・・上に前記高融点金属のシリサイド層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記高融点金属の被着に先立ち、前記シリコン基板・・・上のシリコン酸化膜を前記シリコン基板・・・に損傷を与えることなく除去する工程・・・を・・・行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）「従来の半導体装置の方法では、Ｔｉ膜をシリコン上に形成する前に完全に自然酸化膜を除去していないため、自然酸化膜はシリコン上に不均一に存在しており、Ｔｉ膜とシリコンの反応が不均一におこりＴｉシリサイド層の膜厚が不均一となる。」（０００７段落）
　
（４−１−３）対比・判断
　本件補正後発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「タングステン金属層」は、本件補正後発明の「第１の遷移金属薄膜」に相当し、両者は「厚さ」において「１．０ｎｍ以上２．５ｎｍ以下」の範囲で一致するから、刊行物発明の「厚さが約０．５ないし２．５ｎｍであるタングステン金属層」は、本件補正後発明の「厚さが１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「コバルト層」は、刊行物発明の「タングステン金属層」と異なることは明らかであるから、本件補正後発明の「第２の遷移金属薄膜」に相当する。
（ｃ）本件補正後発明では「第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する」から、「遷移金属シリサイド薄膜」は、少なくとも「第２の遷移金属薄膜」が「シリサイド化」された「遷移金属シリサイド薄膜」を含むことは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「エピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜」は、本件補正後発明の「遷移金属シリサイド薄膜」に相当し、刊行物発明の「上記コバルト層及びタングステン金属層を、約５５０℃を超える温度で、上記シリコン基板上にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成するのに十分な時間アニーリングする工程」は、本件補正後発明の「上記シリコン基板を熱処理することにより、」「上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「半導体デバイス」が本件補正後発明の「電子装置」に相当することは明らかであるから、刊行物発明の「半導体デバイス中にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成する方法」は、本件補正後発明の「電子装置の製造方法」に相当する。
　
　したがって、本件補正後発明と刊行物発明は、
「シリコン基板上に厚さが１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満の第１の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記第１の遷移金属薄膜上に上記第１の遷移金属薄膜と異なる第２の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記シリコン基板を熱処理することにより、上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　本件補正後発明は「（１００）面方位のシリコン基板の表面の自然酸化膜を誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングにより均一に除去することにより、上記シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層を露出させる工程と、　上記エッチング後、シリコン基板を大気にさらすことなく、上記シリコン基板上に」「第１の遷移金属薄膜を形成する工程」を備えているのに対して、刊行物発明は「シリコン基板を設ける工程と、上記シリコン基板上に」「タングステン金属層を形成する工程」を備えている点。
　
　上記相違点について検討する。
（ｅ）ＭＯＳＦＥＴ等の半導体装置をシリコン基板に形成する際に、シリコン基板の面方位として（１００）面に優位性があることは、例えば、特公昭４２−２１４４６号公報に「｛１００｝面結晶を半導体装置として用いた方が｛１１１｝面の半導体装置に比べて、優れた特性および効果を示すことが解釈できるであろう。」（第３頁左欄第１４行ないし第１６行）と記載されているように、当業者にとって従来周知である。
　また、刊行物２には「従来の半導体装置の方法では・・・完全に自然酸化膜を除去していないため、自然酸化膜はシリコン上に不均一に存在しており・・・シリサイド層の膜厚が不均一となる」（０００７段落）という課題を解決するために「シリコン基板・・・上に高融点金属を被着して高融点金属を形成し熱処理により前記シリコン基板・・・上に前記高融点金属のシリサイド層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記高融点金属の被着に先立ち、前記シリコン基板・・・上のシリコン酸化膜を前記シリコン基板・・・に損傷を与えることなく除去する」（特許請求の範囲の請求項１）と、シリサイド層の形成に先立って、シリコン基板表面のシリコン酸化膜をシリコン基板に損傷を与えることなく均一に除去する技術が記載されており、また、誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングによって、シリコン基板表面のシリコン酸化膜をシリコン基板に損傷を与えることなく除去できることは、例えば、特開平６−２６０４５５号公報に「半導体基板・・・の表面には、極薄い酸化膜・・・が形成される。」（００１６段落）及び「半導体基板・・・の表面を低いエネルギーでエッチングする、いわゆるソフトエッチングを行う。プラズマの発生は、例えばＩＣＰ（Induction Coupled Plasma）法・・・による。」（００２１段落）と記載されているように、当業者にとって従来周知である。
　さらに、例えば、刊行物１に「コバルト層１４を形成する工程は、タングステン層１２上に好ましくない酸化物が生成しないように、タングステン金属層１２の形成に使用したと同じ真空環境で行うのが好ましい。」（００１４段落）と記載されているように、薄膜の形成に際して、下地層の表面に酸化膜が生成しないように、下地層の形成工程と薄膜の形成工程を連続した真空環境で基板を大気にさらすことなく行うことは、当業者にとって従来周知である。
　したがって、刊行物発明において、形成予定の半導体装置に必要な特性等に応じて、シリコン基板の面方位として（１００）面を用いるとともに、均一な膜厚のシリサイド層を形成するために、誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングによって上記シリコン基板表面の自然酸化膜を均一に除去する工程を設け、さらに、上記自然酸化膜を均一に除去する工程の後に上記シリコン基板を大気にさらすことなく、タングステン金属層を形成することは、当業者が容易に想到できたことである。
（ｆ）また、（１００）面のシリコン基板表面の自然酸化膜を除去すると、シリコン基板表面が２×１の再配列構造になることは、例えば、特開昭５９−１６２２００号公報に「（１００）面の鏡面研磨をほどこしたＳｉウエーハ・・・を・・・加熱して表面酸化膜を蒸発除去する。この基板表面・・・２×１の超構造が検出され、清浄表面が実現している」（第３頁右下欄第１９行ないし第４頁左上欄第１３行）と記載されているように、当業者の技術常識である。
　一方、本願当初明細書等には「（１００）面方位のＳｉ基板の表面には、二量体（Dimer） モデルで示されるように、Ｓｉ２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層が存在する。」（００２７段落）と記載されているから、本件補正後発明の「シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層」は、２×１の再配列構造となった（１００）面方位のＳｉ基板表面の再配列構造を形成する表面の二原子層を意味するものと認められ、したがって、上記「二原子層の欠陥層」は、２×１の再配列構造となった（１００）面方位のＳｉ基板表面には必然的に存在するものであると認められる。
　したがって、刊行物発明において、（ｅ）で検討したとおりの理由により、シリコン基板の面方位として（１００）面を用いるとともに、誘導結合プラズマ法によるソフトエッチングによってシリコン基板表面の自然酸化膜を均一に除去する工程を設ければ、必然的に本件補正後発明の「シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層を露出させる」点に相当する発明特定事項を備えるようになることは、当業者にとって明らかである。
　
　以上のとおり、本件補正後発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４−２）特許法第３６条第６項第１号の規定に適合するか否かの検討
　本件補正後の請求項１、請求項５、請求項９、及び、請求項１２においては、「第１の遷移金属薄膜」及び「第２の遷移金属薄膜」の材料については限定されていない。
　しかし、本願当初明細書等の発明の詳細な説明に記載された発明の実施の形態においては、「第１の遷移金属薄膜」及び「第２の遷移金属薄膜」の材料の組み合わせとして、それぞれ（ａ）「Ｔｉ薄膜」及び「Ｃｏ薄膜」、（ｂ）「Ｔｉ薄膜」及び「Ｈｆ薄膜又はＺｒ薄膜」、並びに（ｃ）「Ｈｆ薄膜又はＺｒ薄膜」及び「Ｃｏ薄膜」の場合が記載されているに止まり、これらの組み合わせ以外の場合においても、「第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する」（請求項１及び請求項５）こと、又は「第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して第２の遷移金属シリサイド薄膜を形成する」（請求項９及び請求項１２）ことが可能であることを支持する記載は、本願当初明細書等の発明の詳細な説明には何らされていない。
　したがって、「第１の遷移金属薄膜」及び「第２の遷移金属薄膜」として任意の遷移金属を含み得る本件補正後の請求項１、請求項５、請求項９、及び、請求項１２に係る発明は、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであって、発明の詳細な説明に記載されたものとは認められないから、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合しておらず、特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合するとともに、同法同条第４項第１号に掲げる請求項の削除、同法同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び同法同条同項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるが、本件補正後発明は、同法第２９条第２項の規定により、その特許出願の際独立して特許を受けることができるものではなく、さらに、本件補正後の請求項１、請求項５、請求項９、及び、請求項１２に係る発明は、同法第３６条第６項第１号の規定に適合しないから、その特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、適法ではない補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合せず、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年８月１９日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし請求項２６に係る発明は、平成１６年５月１８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項２６に記載されたとおりのものであって、その請求項９に係る発明は、以下のとおりのもの（以下、「本願発明」という。）である。
「【請求項９】　（１００）面方位のシリコン基板の表面の自然酸化膜をエッチングにより均一に除去することにより、上記シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層を露出させる工程と、
　上記エッチング後、上記シリコン基板を大気にさらすことなく、上記シリコン基板上に第１の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記第１の遷移金属薄膜上に上記第１の遷移金属薄膜と異なる第２の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記シリコン基板を熱処理することにより、または、上記第２の遷移金属薄膜を形成する際に上記シリコン基板を加熱することにより、上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有し、
　上記第１の遷移金属薄膜を、上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成するようにした
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。」
　
４．刊行物記載の発明
（１）特開平７−１８３２５３号公報（以下、「刊行物１」という。）
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物１には「２．［理由］（４）（４−１）（４−１−２）（ａ）」に記載されたとおりの事項が記載されている。
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「シリコン基板を設ける工程と、
　上記シリコン基板上に厚さが約０．５ないし２．５ｎｍであるタングステン金属層を形成する工程と、
　上記タングステン金属層の上にコバルト層を形成する工程と、
　上記コバルト層及びタングステン金属層を、約５５０℃を超える温度で、上記シリコン基板上にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成するのに十分な時間アニーリングする工程とを含む、
　半導体デバイス中にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成する方法。」
　
（２）特開平７−１６１６６０号公報（以下、「刊行物２」という。）
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物２には「２．［理由］（４）（４−１）（４−１−２）（ｂ）」に記載されたとおりの事項が記載されている。
　
５．対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（１）刊行物発明の「タングステン金属層」は、本願発明の「第１の遷移金属薄膜」に相当し、刊行物発明の「コバルト層」は、刊行物発明の「タングステン金属層」と異なることは明らかであるから、本願発明の「第２の遷移金属薄膜」に相当する。
（２）本願発明では「第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する」から、「遷移金属シリサイド薄膜」は、少なくとも「第２の遷移金属薄膜」が「シリサイド化」された「遷移金属シリサイド薄膜」を含むことは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「エピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜」は、本願発明の「遷移金属シリサイド薄膜」に相当し、刊行物発明の「上記コバルト層及びタングステン金属層を、約５５０℃を超える温度で、上記シリコン基板上にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成するのに十分な時間アニーリングする工程」は、本願発明の「上記シリコン基板を熱処理することにより、」「上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程」に相当する。
（３）刊行物発明の「半導体デバイス」が本願発明の「電子装置」に相当することは明らかであるから、刊行物発明の「半導体デバイス中にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成する方法」は、本願発明の「電子装置の製造方法」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明は、
「シリコン基板上に第１の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記第１の遷移金属薄膜上に上記第１の遷移金属薄膜と異なる第２の遷移金属薄膜を形成する工程と、
　上記シリコン基板を熱処理することにより、上記第２の遷移金属薄膜をシリサイド化して遷移金属シリサイド薄膜を形成する工程とを有する
　ことを特徴とする電子装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明は「（１００）面方位のシリコン基板の表面の自然酸化膜をエッチングにより均一に除去することにより、上記シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層を露出させる工程と、　上記エッチング後、シリコン基板を大気にさらすことなく、上記シリコン基板上に第１の遷移金属薄膜を形成する工程」を備えているのに対して、刊行物発明は「シリコン基板を設ける工程と、上記シリコン基板上に」「タングステン金属層を形成する工程」を備えている点。
［相違点２］
　本願発明は「シリコン基板上に第１の遷移金属薄膜を形成する工程」において「上記第１の遷移金属薄膜を、上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成するようにした」のに対して、刊行物発明は「シリコン基板上に厚さが約０．５ないし２．５ｎｍであるタングステン金属層を形成する工程」を備えている点。
　
　上記相違点について検討する。
［相違点１について］
（４）ＭＯＳＦＥＴ等の半導体装置をシリコン基板に形成する際に、シリコン基板の面方位として（１００）面に優位性があることは、例えば、特公昭４２−２１４４６号公報に「｛１００｝面結晶を半導体装置として用いた方が｛１１１｝面の半導体装置に比べて、優れた特性および効果を示すことが解釈できるであろう。」（第３頁左欄第１４行ないし第１６行）と記載されているように、当業者にとって従来周知である。
　また、刊行物２には「従来の半導体装置の方法では・・・完全に自然酸化膜を除去していないため、自然酸化膜はシリコン上に不均一に存在しており・・・シリサイド層の膜厚が不均一となる」（０００７段落）という課題を解決するために「シリコン基板・・・上に高融点金属を被着して高融点金属を形成し熱処理により前記シリコン基板・・・上に前記高融点金属のシリサイド層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記高融点金属の被着に先立ち、前記シリコン基板・・・上のシリコン酸化膜を前記シリコン基板・・・に損傷を与えることなく除去する」（特許請求の範囲の請求項１）と、シリサイド層の形成に先立って、シリコン基板表面のシリコン酸化膜をシリコン基板に損傷を与えることなく均一に除去する技術が記載されている。
　さらに、例えば、刊行物１に「コバルト層１４を形成する工程は、タングステン層１２上に好ましくない酸化物が生成しないように、タングステン金属層１２の形成に使用したと同じ真空環境で行うのが好ましい。」（００１４段落）と記載されているように、薄膜の形成に際して、下地層の表面に酸化膜が生成しないように、下地層の形成工程と薄膜の形成工程を連続した真空環境で基板を大気にさらすことなく行うことは、当業者にとって従来周知である。
　したがって、刊行物発明において、形成予定の半導体装置に必要な特性等に応じて、シリコン基板の面方位として（１００）面を用いるとともに、均一な膜厚のシリサイド層を形成するために、エッチングによって上記シリコン基板表面の自然酸化膜を均一に除去する工程を設け、さらに、上記自然酸化膜を均一に除去する工程の後に上記シリコン基板を大気にさらすことなく、タングステン金属層を形成することは、当業者が容易に想到できたことである。
（５）また、（１００）面のシリコン基板表面の自然酸化膜を除去すると、シリコン基板表面が２×１の再配列構造になることは、例えば、特開昭５９−１６２２００号公報に「（１００）面の鏡面研磨をほどこしたＳｉウエーハ・・・を・・・加熱して表面酸化膜を蒸発除去する。この基板表面・・・２×１の超構造が検出され、清浄表面が実現している」（第３頁右下欄第１９行ないし第４頁左上欄第１３行）と記載されているように、当業者の技術常識である。
　一方、本願当初明細書等には「（１００）面方位のＳｉ基板の表面には、二量体（Dimer） モデルで示されるように、Ｓｉ２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層が存在する。」（００２７段落）と記載されているから、本件補正後発明の「シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層」は、２×１の再配列構造となった（１００）面方位のＳｉ基板表面の再配列構造を形成する表面の二原子層を意味するものと認められ、したがって、上記「二原子層の欠陥層」は、２×１の再配列構造となった（１００）面方位のＳｉ基板表面には必然的に存在するものであると認められる。
　したがって、刊行物発明において、（４）で検討したとおりの理由により、シリコン基板の面方位として（１００）面を用いるとともに、エッチングによってシリコン基板表面の自然酸化膜を均一に除去する工程を設ければ、必然的に本願発明の「シリコン基板の表面の２×１再配列構造を有する二原子層の欠陥層を露出させる」点に相当する発明特定事項を備えるようになることは、当業者にとって明らかである。
［相違点２について］
　本願当初明細書等には、「第１の遷移金属薄膜を、第１の遷移金属薄膜と欠陥層との反応により欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつシリコン基板と第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さに形成する。この第１の遷移金属薄膜の厚さは、具体的には・・・第４の発明および第５の発明においては１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満である。」（００５１段落）と記載されており、さらに、「第４の発明」及び「第６の発明」における「シリコン基板」の面方位については、「第４の発明による電子装置の製造方法は、（１００）面方位のシリコン基板」（００４５段落）及び「第６の発明による電子装置の製造方法は、（１００）面方位のシリコン基板」（００４７段落）と記載されているから、本願発明の「上記第１の遷移金属薄膜と上記欠陥層との反応により上記欠陥層をほぼ完全に除去することができ、かつ上記シリコン基板と上記第２の遷移金属薄膜との反応が阻害されない程度の厚さ」は、「具体的には」「１．０ｎｍ以上３．５ｎｍ未満である」と認められる。
　一方、刊行物発明の「タングステン金属層」は、本願発明の「第１の遷移金属薄膜」に相当し、上記「タングステン金属層」は「厚さが約０．５ないし２．５ｎｍである」から、刊行物発明の「タングステン金属層」と本願発明の「第１の遷移金属薄膜」は、「厚さ」が「１．０ｎｍ以上２．５ｎｍ以下」の範囲で一致し、相違点２は実質的なものとはいえない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明並びに従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。