【事件の表示】
　平成　４年特許願第３２９３０１号「陰極スパッタリング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　５年　９月１７日出願公開、特開平　５−２３９６３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成４年１２月９日（優先権主張１９９１年１２月１１日、ドイツ）に特許出願されたものであって、平成１５年２月１２日付けで拒絶査定がなされ、それに対し、同年５月１４日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１５年１月２０日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
【請求項１】陰極スパッタリング装置であって、外ケーシングによって仕切られていて真空室として構成された、ターゲット（８，９）を有するカソード（６，７）を少なくとも１つ備えた、カソードステーション（２）が少なくとも１つ設けられており、カソードステーション内に被覆すべき基板（１１）を保持するための基板ホルダ（１０）が設けられており、かつカソードステーションが少なくとも１つのガス入口（３）と、少なくとも１つの、真空ポンプと接続されるガス出口（５）とを備えている形式のものにおいて、ガス入口（３）と基板ホルダ（１０）とガス出口（５）とが共通の軸線（４）上に配置されているか、または複数のガス入口（３ａ，３ｂ）および（または）ガス出口（５ａ，５ｂ）が基板ホルダ（１０）の軸線（４）に対して対称的に配置されており、ガス入口（３）とガス出口（５）とが、真空室のケーシングの互いに向かい合う反対側の面に配置されていることを特徴とする、陰極スパッタリング装置。
２．引用文献
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された下記文献には次の事項が記載されている。
〔１〕特開昭６３−３０３０６１号公報（以下、「引用文献１」という。）
（ア）「半導体基板を被処理物としてその表面にスパッタエッチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の処理を行なう真空装置において、該基板の被処理表面の中心を通る軸につき回転対称形に、放電プラズマ空間に導入される処理ガスの吹き出し孔と、該放電プラズマ空間を囲む排気補正円筒と、該排気補正円筒と真空容器内壁の間のガス通路と、該真空容器の排気孔と、を設けたことを特徴とする真空装置。」（特許請求の範囲）
（イ）「本発明は、スパッタエッチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等、真空中で処理ガスを用いて半導体基板の表面に膜付け、膜エッチング等の処理を行なう真空装置において、被処理基板表面の処理ガスの流れを均一にした真空容器の構造に関するものである。」（第１頁左下欄１６行〜右下欄１行）
（ウ）「本発明では……、基板に対して処理ガスが均一且つ対称に流れるように、真空容器、排気孔、排気補正円筒、排気ポンプおよび処理ガス吹き出し孔を設けるよう構成されている。」（第２頁左上欄７〜１１行）
（エ）「処理ガスの流れを、基板に対して最大限に均一かつ対称にすることにより基板の膜厚分布、膜質分布を向上させることが可能となる。」（第２頁右上欄２〜４行）
（オ）「基板６は、円筒状の基板ホルダー５に固定され、基板ホルダー５に対向する位置に円筒状の電極７が配置される。基板ホルダー５と電極７の周囲に円筒状の排気補正円筒２が配置される。この基板ホルダー５と電極７および排気補正円筒２は、断面が正方形の形状の真空容器１の中心と同一の中心上に配置されている。また、排気孔３は第２図に示すように排気補正円筒２の外周に４ケ所、基板に対し対称に配置されている。更に排気チャンバー４を処理チャンバー１の下部に同一中心上に配置し、排気チャンバー４の下部に同じく同一中心上にメインポンプ９を配置している。また処理ガス１０は電極７の下部１１より導入し、電極７の内部で基板に対して対称な数ケ所１１１，１１２等に分岐し、処理チャンバー１の内部へ導入される。このような構造になっているので、処理ガスは、矢印１２，１３，１４，１５と流れ、常に基板に対して均一かつ対称に流れる。この均一かつ対称な処理ガスの流れにより、膜付け、膜エッチング後の基板の膜厚分布、膜質分布は、処理ガスの流れに左右されることなく均一なものとなる。」（第２頁右上欄１１行〜左下欄１３行）
（カ）「上記の実施例について述べたところから明かなように、本発明の真空装置は、簡単で安価な構造で処理ガスの流れを基板に対して均一かつ対称にし、スパッタエッチングやスパッタリング、プラズマＣＶＤ等の膜厚分布、膜質分布を向上させることが出来る。」（第２頁左下欄１５〜末行）
３．対比・判断
　上記記載事項ア〜ウ、オを本願発明に則り整理すると、引用文献１には、「基板を被処理物としてその表面にスパッタリングの処理を行なう真空装置において、真空容器である処理チャンバー内に、該基板の被処理表面の中心を通る軸につき回転対称形に、放電プラズマ空間に導入される処理ガスの吹き出し孔と、該放電プラズマ空間を囲む排気補正円筒と、該排気補正円筒と真空容器内壁の間のガス通路と、該真空容器の排気孔とを設け、上記基板を固定する基板ホルダーと電極と排気補正円筒と排気チャンバーを処理チャンバーの中心と同一の中心上に配置し、さらに、排気チャンバーの下部に同じく同一中心上にメインポンプを配置したことを特徴とする真空装置」の発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されているといえる。
　そして、本願発明１と引用１発明を対比すると、引用１発明の「処理チャンバー」、「真空容器」、「基板」、「基板ホルダー」、「処理ガスの吹き出し孔」、「メインポンプ」、「排気口」及び「スパッタリングの処理を行う真空装置」が、それぞれ、本願発明１の「外ケーシング」、「真空室」、「基板」、「基板ホルダ」、「ガス入口」、「真空ポンプ」、「ガス出口」及び「スパッタリング装置」に相当し、引用１発明においても「処理ガスの吹き出し孔」及び「排気口」は複数設けられ、これらは「少なくとも１つ設けられている」といえるから、両者は、「スパッタリング装置であって、外ケーシングによって仕切られていて真空室として構成された、被覆すべき基板を保持するための基板ホルダが設けられており、かつ少なくとも１つのガス入口と、少なくとも１つの、真空ポンプと接続されるガス出口とを備えている形式のものにおいて、ガス入口と基板ホルダとガス出口とが共通の軸線上に配置されていることを特徴とする、スパッタリング装置」である点で一致し、次の点で相違する。
（ａ）本願発明１は「陰極スパッタリング装置である」のに対して、引用１発明は「スパッタリング装置である」点
（ｂ）本願発明１は、「ターゲットを有するカソードを少なくとも１つ備えた、カソードステーションが少なくとも１つ設けられており、かつ上記基板ホルダがカソードステーション内に設けられており、かつ上記ガス入口とガス出口がカソードステーションに備えられている」ものであるのに対して、引用１発明は「処理チャンバー」、「基板ホルダー」及び「カソード」に相当する「電極」については記載されるものの「ターゲット」及び「カソードステーション」については記載のない点
（ｃ）本願発明１は「ガス入口とガス出口とが、真空室のケーシングの互いに向かい合う反対側の面に配置されている」ものであるのに対して、引用１発明は該構成を具備していない点
　そこで、上記相違点について検討する。
（ｉ）相違点（ａ）について
　陰極スパッタリング装置が、スパッタリング装置の内で被覆を形成する最も基本的なものとして本願の優先日前から慣用されており、引用１発明のスパッタリング装置において陰極スパッタリング装置と特定することは当業者であれば容易になし得ることである。
（ｉｉ）相違点ｂについて
　本願発明１における「カソードステーション」については、スパッタリング装置において「外ケーシングによって仕切られていて真空室として構成された、ターゲットを有するカソードを少なくとも１つ備え」、「基板ホルダがカソードステーション内に設けられており、かつ上記ガス入口とガス出口がカソードステーションに備えられている」構成を少なくとも１つ具備するものであるから、これらの構成事項を併せて有することは本願の優先日前から周知であり〔もしも必要ならば、例えば特開昭６１−８７８６９号公報（特に、特許請求の範囲第２項、第２頁左下欄９行〜第３頁左上欄第５行、第１図及び第２図）参照。〕、膜付けを行うスパッタリング装置である引用１発明において電極上にターゲットが設けられることは記載されているに等しい事項であり、引用１発明が、上記カソードステーションの構成を具備するものであることは、当業者であれば自明である。
（ｉｉｉ）相違点ｃについて
　引用１発明においても、処理ガスは処理後、一旦、入口と反対の方向に向かって流れるものの、処理チャンバーの入口と反対の面により反転され、排気補正円筒の外周に設けられた排気孔に流れるもので、排気方向を反転せずにそのまま入口と反対方向に排気することは自然に構成しうる事項であると認められ、しかも、スパッタリング装置として「ガス入口とガス出口とが、真空室のケーシングの互いに向かい合う反対側の面に配置されている」構成を具備するものは本願の優先日前から周知である〔もしも必要ならば、例えば特開昭６１−８７８６９号公報（特に、第２頁左下欄９〜１２行、第１図及び第２図）参照。〕から、引用発明１に対して上記構成を具備するものとすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　そして、上記相違点の構成を採用することにより奏される「外ケーシングによって仕切られていて真空室として構成された、ターゲットを有するカソードを少なくとも１つ備えた、カソードステーションが少なくとも１つ設けられており、カソードステーション内に被覆すべき基板を保持するための基板ホルダが設けられており、かつカソードステーションが少なくとも１つのガス入口と、少なくとも１つの、真空ポンプと接続されるガス出口とを備えている形式の陰極スパッタリング装置を基板の被覆の一様性を公知の陰極スパッタリング装置に比べて一層高めることができる」という効果も、上記引用文献１の記載事項ウ及びカの記載からみて、当業者であれば予測し得る範囲内のものである。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用文献１に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。