【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３４７９００１号「シリコンウエハの製造方法」の特許無効審判事件についてされた平成１７年３月２日付け審決に対し、東京高等裁判所において審決取消の判決（平成１７年（行ケ）第１０４１３号平成１７年７月２２日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４７９００１号の請求項１及び２に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３４７９００１号は平成１１年８月２７日に特許出願され、平成１５年１０月３日にその設定登録がなされたものであり、その後、平成１６年６月４日付けでその特許につき本件無効審判が請求され、平成１６年９月２４日付けで訂正請求書及び審判事件答弁書が提出され、その無効審判につき平成１７年３月２日付けで審決したところ、特許法第１８１条第２項の規定により当該審決が取消され〔平成１７年（行ケ）第１０４１３号、平成１７年７月２２日、知的財産高等裁判所〕、その後、本件無効審判については下記の手続きを経ている。
　　　　　　　　　　　　　　　記
訂正請求書（特許法第１３４条の３第５項）　平成１７年　８月２２日
審判事件答弁書　　　　　　　　　　　　　　平成１７年　８月２２日
弁駁書　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１７年　９月３０日
書面審理通知書　　　　　　　　　　　　　　平成１７年１０月２４日
職権審理結果通知書（訂正拒絶理由）　　　　平成１７年１０月２４日
意見書（請求人）　　　　　　　　　　　　　平成１７年１１月１６日
意見書（被請求人）　　　　　　　　　　　　平成１７年１１月２８日
審判事件答弁書　　　　　　　　　　　　　　平成１７年１１月２８日
上申書（請求人）　　　　　　　　　　　　　平成１７年１２月１９日
補正許否の決定　　　　　　　　　　　　　　平成１８年　１月２３日
審判事件答弁書　　　　　　　　　　　　　　平成１８年　２月２４日
訂正請求書　　　　　　　　　　　　　　　　平成１８年　２月２４日
上申書（請求人）　　　　　　　　　　　　　平成１８年　３月　８日
　
II．訂正請求の訂正の適否について
　平成１８年２月２４日付けで訂正請求がなされた結果、先にした平成１６年９月２４日付け訂正請求及び平成１７年８月２２日にしたとみなされる訂正請求のいずれも、特許法第１３４条の２第４項の規定により、取り下げたとみなされる。
II−１．訂正事項
　上記の平成１８年２月２４日付け訂正請求は、本件明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書に記載されるとおりに訂正することを求めるものであって、次の〈イ〉及び〈ロ〉の訂正事項からなる。
　以下、訂正前の明細書を「特許明細書」といい、訂正請求書に添付された訂正明細書を「訂正明細書」という。
〈イ〉特許明細書の特許請求の範囲請求項１における、
「ＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造され、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある熱処理用シリコンウェハに非酸化性熱処理を施した、半導体デバイス用のシリコンウェハ。」を、
「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とするＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造され、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）にある熱処理用シリコンウェハに非酸化性熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）。」に訂正する。
〈ロ〉特許明細書の特許請求の範囲請求項２における、
「前記非酸化性熱処理は、水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス雰囲気下での熱処理であることを特徴とする請求項１記載のシリコンウェハ。」を、
「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とするＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造され、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある熱処理用シリコンウェハに水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）。」に訂正する。
　
II−２．訂正の判断
　上記訂正〈イ〉は、具体的には、特許明細書の請求項１において、
〈イ−１〉そのＣＺ法若しくはＭＣＺ法につき、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」との事項を付加し、
〈イ−２〉その熱処理用シリコンウェハの窒素濃度につき、「（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）」との事項を付加し、
〈イ−３〉「半導体デバイス用のシリコンウェハ」を「半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」に訂正するものである。
　上記訂正〈ロ〉は、具体的には、特許明細書の請求項２において、
〈ロ−１〉「前記非酸化性熱処理は、水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス雰囲気下での熱処理であることを特徴とする請求項１記載のシリコンウェハ。」を「ＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造され、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある熱処理用シリコンウェハに水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス雰囲気下で非酸化性熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ」に訂正し、
〈ロ−２〉そのように訂正したＣＺ法若しくはＭＣＺ法につき、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」との事項を付加し、
〈ロ−３〉その混合ガスにつき、「（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）」との事項を付加し、
〈ロ−４〉そのように訂正した半導体デバイス用シリコンウェハにつき、「（但し、エピタキシャルウェハを除く）」との事項を付加するものである。
　
II−２−１．訂正の目的の適否
　上記訂正〈ロ−１〉の訂正は、請求項２における記載方法を、請求項１を引用する従属形式から独立形式にするためになされる訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　上記訂正〈イ−１〉及び〈ロ−２〉の訂正はＶ／Ｇ１の数値を限定するものであるが、当該Ｇ１（固液界面近傍の温度勾配）を求めるところの測定条件である温度範囲については特許明細書及び訂正明細書においては定義されるところはなく、当該温度範囲については従来技術からみれば「融点から１３００℃」（後掲される甲第６号証）又は「融点から１３５０℃」（後掲される甲第１０号証）のいずれもが選定でき、一義的に定まらないものである。また、温度範囲が「融点から１３００℃」の場合と「融点から１３５０℃」の場合とにおいて、その温度勾配の数値が必ず一致するとまでいえるものではない。そうであれば、上記の「固液界面近傍の温度勾配」の温度範囲を特定することができないこの場合においては、それを基に導き出される上記の要素「Ｇ１」の数値は変動し特定できないことになる。更に、上記の要素「Ｇ１」の数値が特定できないことにより、上記式「Ｖ／Ｇ１」の数値も、同じく、変動し、特定できないことになる。以上のとおり、上記式Ｖ／Ｇ１の数値が特定できないのであるから、当該ＣＺ法若しくはＭＣＺ法についての「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引き上げ速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」との事項は、その意味するところが変動し、特定できないものであり、十分明確であるということはできない。
〔なお、この点に関し、被請求人は、後掲される乙第５号証を提示するが、そこでの図１は、融点から各温度までの個々の温度範囲におけるＶｃｒｉ／Ｇ（Ｖｃｒｉ：臨界速度ｍｍ／ｍｉｎ、Ｇ：融点から各温度までの温度勾配℃／ｍｍ）のバラツキが示されるものの、温度範囲が「融点から１３００℃」の場合と「融点から１３５０℃」の場合とにおけるＧ又はＶｃｒｉ／Ｇが一致することまでのことを示すものではない。〕 
　このように、上記訂正〈イ−１〉及び〈ロ−２〉の訂正において付加する事項は、不明瞭なものを含むものであるが、特許明細書の請求項１又は２において、ＣＺ法若しくはＭＣＺ法につき、それなりの条件を付加し、その特定事項を限定するものであるので、これらの訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するということができる。
　上記訂正〈イ−２〉で付加する事項は、特許明細書の請求項１において、その熱処理用シリコンウェハの窒素濃度を、「但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く」と限定するものであり、この訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正〈イ−３〉及び〈ロ−４〉において付加する事項は、特許明細書の請求項１又は２において、半導体デバイス用シリコンウェハ（又は、シリコンウェハを半導体デバイス用シリコンウェハと訂正したもの）を、「（但し、エピタキシャルウェハを除く）」と限定するものであり、これらの訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正〈ロ−３〉で付加する事項は、特許明細書の請求項２において、その混合ガスを、「（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）」と限定するものであり、この訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
II−２−２．新規事項の追加の有無
　上記訂正〈ロ−１〉の訂正は、請求項２における記載の表現方法を訂正するだけのものであるから、特許明細書の記載に基づくものであるということができ、新規事項の追加には当たらない。
　上記訂正〈イ−１〉及び〈ロ−２〉の訂正により付加する事項は、特許明細書の記載「結晶は・・・で、欠陥挙動を左右する因子のＶ／Ｇ1およびＶ×Ｇ２をそれぞれ０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃、０．５〜１０℃／ｍｉｎの範囲で育成した（Ｖ:引上速度、Ｇ１:固液界面近傍の温度勾配、Ｇ２：欠陥形成温度帯の温度勾配）。」（段落００２２）に基づくものであり、新規事項の追加には当たらない。
　上記訂正〈イ−２〉、〈イ−３〉、〈ロ−３〉及び〈ロ−４〉で付加する事項は、特許明細書の請求項１及び請求項２の発明が、特許法第２９条の２の規定における他の特許出願の明細書（後掲される甲第２号証）に記載された発明と同一となることを避けるためになされるものであって、特許明細書に記載した事項の範囲内においてなされるものであり、新規事項の追加には当たらない。
　
II−２−３．拡張・変更の存否
　上記訂正〈イ−１〉〜〈イ−３〉及び〈ロ−１〉〜〈ロ−４〉は、特許請求の範囲の記載を減縮するだけのものであり、また、明細書の記載を明りょうにするだけのものであり、いずれの訂正も、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
II−３．訂正請求の結論
　以上のとおり、上記訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書き、同条第５項で準用する特許法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．本件発明
　上記II．で記載したとおり上記訂正請求は認められたものであり、訂正後の本件請求項１及び２に係る発明（以下、必要に応じて、「本件発明１」及び「本件発明２」という）は、訂正明細書の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とするＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造され、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）にある熱処理用シリコンウェハに非酸化性熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）。
【請求項２】Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とするＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造され、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある熱処理用シリコンウェハに水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）。
　
IV．請求人の求めた審決及び主張
　審判請求人は、特許第３４７９００１号の請求項１及び２に係る発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求め、証拠方法として下記の書証をもって以下に示す無効理由により、本件特許は無効にされるべきであると主張する。
（証拠方法）
甲第１号証：特開平１０−９８０４７号公報
甲第２号証：特開平１１−６３６１２号（特開２０００−２１１９９５号
　　　　　　）の願書に最初に添付した明細書及び図面に替わる特開平２
　　　　　　０００−２１１９９５号公報
甲第３号証：特開平１１−１６８１０６号公報
甲第４号証：「ＭＯＳデバイスエピタキシャルウェーハ」、平成１０年６月
　　　　　　３０日、株式会社リアライズ、第１３〜２２頁
甲第５号証：志村史夫著、「半導体シリコン結晶工学」、平成１２年５月２
　　　　　　０日、丸善株式会社、第６７〜６８頁
甲第６号証：特開平１０−１５２３９５号公報
甲第７号証：特開平８−１２４９３号公報
甲第８号証：特開平１０−２０８９８７号公報
甲第９号証：「シリコンの科学」、株式会社リアライズ社、１９９６年６月
　　　　　　２８日、第１９０〜１９３頁
甲第10号証：特開平１１−１３０５９２号公報
参考文献１：再公表特許公報（国際公開番号ＷＯ０１／０１６４０９）
参考文献２：浦岡行治ほか３名著、「ホットキャリア発光を用いた信頼性評
　　　　　　価技術」、National　Technical　Report　Vol.36,No.4,
　　　　　　Aug.1990,p97-104
参考文献３：甲第８号証に同じ
（無効理由）　
（１）無効理由１
　本件発明１及び２は、必要に応じて甲第３〜１０号証の記載を参照すれば、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当する。したがって、これらの特許は特許法第１２３条第１項第２号に該当する。
（２）無効理由２
　本件発明１及び２は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１、３、４及び６〜１０号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって、これらの特許は特許法第１２３条第１項第２号に該当する。
（３）無効理由３
　本件発明１及び２は、必要に応じて甲第１及び３〜１０号証の記載を参照すれば、本件の出願日前の他の出願であってその出願後に出願公開された特願平１１−６３６１２号（特開２０００−２１１９９５号）の願書に最初に添付した明細書及び図面に替わる甲第２号証に記載された発明と同一であり、しかも、本件発明の発明者が上記他の出願の発明者と同一であるとも、また、本件出願の時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件発明１及び２は特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。したがって、これらの特許は特許法第１２３条第１項第２号に該当する。
（４）無効理由４
　本件発明１及び２の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。したがって、これらの特許は特許法第１２３条第１項第４号に該当する。
　
V．被請求人の求めた審決及び反論
　被請求人は、本件審判請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とするとの審決を求め、証拠方法として乙第１〜６号証を提示し、本件発明１及び２の特許は、上記無効理由１〜４によっては無効とすることができないと主張する。
乙第１号証：特許庁審査基準（第Ｉ部第１章の抜粋）
乙第２号証：「シリコンの科学」、株式会社リアライズ社、１９９６年６月
　　　　　　２８日、第１６８〜１６９頁
乙第３号証：V.V.VORONKOV、「THE　MECHANISM　OF　SWIRL　DEFECT　
　　　　　　FORMATION　IN　SILICON」、Journal　of　Crystal　Grow
　　　　　　th、59，1982、p.625（抄訳添付）
乙第４号証：「SEMI　M60−0305」、2005、p.1−6（抄訳添付）
乙第５号証：「１９９９年（平成１１年）春季　第４６回応用物理学関係連
　　　　　　合講演会講演予稿集　第１分冊」、１９９９年３月２８日、
　　　　　（社）応用物理学会、第４６０頁
乙第６号証：特願２０００−８７６６５における平成１７年８月５日提出
　　　　　　の意見書
　
VI．甲号各証の記載事項について
VI−Ａ．甲第１号証（特開平１０−９８０４７号公報）には、図１〜６が掲載されると共に、以下の事項が記載されている。
（Ａ−１）「【請求項１】低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、
ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０１７／ｃｍ３であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり；
ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして
ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。」（特許請求の範囲第１項）
（Ａ−２）「【請求項２】低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、
ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０１７／ｃｍ３であり、窒素ドーピング濃度が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３であるシリコン単結晶を調製し；
ｂ）前記単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして
ｃ）前記シリコンウエハを、少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。」（特許請求の範囲第２項）
（Ａ−３）「【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆる「ａｓ−ｇｒｏｗｎ」欠陥が低密度であるシリコン半導体ウエハの製造方法に関する。
【従来の技術】シリコンウエハを、単結晶から切断し、さらに加工して電子部品製造用基礎材料を形成することが知られている。単結晶は、通常チョコラルスキー法（ＣＺ法）又はフロートゾーン法（ＦＺ法）を用いて製造されている。」（第１欄第２５〜３３行）
（Ａ−４）「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０１７／ｃｍ３であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供することである。」（第２欄第４６〜５０行）
（Ａ−５）「【発明の実施の形態】本発明者等は、上記製造方法の工程ａ）が、単結晶の欠陥密度を、規定の温度範囲においてもっとゆっくりと冷却させた比較結晶で見られる欠陥密度と比較してかなり増加させる効果を有することを見出した。したがって、この種の欠陥の多い単結晶から製造した半導体ウエハは、電子部品の製造用基礎材料としては不適当であると思われる。しかしながら、欠陥密度の増加は、工程ｃ）による半導体ウエハのアニーリングによる欠陥の減少が著しく効率的であるような欠陥サイズ分布の小さい欠陥（空間範囲が小さい欠陥）へのシフトと関連している。これは、非常に効果的であって、アニーリング後に見られる欠陥密度は、上記比較結晶から製造した同等の処理をした比較ウエハの欠陥密度よりも小さい。この結果は、もし小欠陥がアニーリング中に優先的に除去されるとするならば説明がつく。」（第３欄第２６〜４０行）
（Ａ−６）「低欠陥シリコンウエハを得る目的では、上記のことは、単結晶における欠陥密度の重要性が欠陥サイズ分布における小欠陥の割合が増加するにつれて減少することを意味する。製造方法の工程ａ）により、確実に小欠陥の割合はできるかぎり大きくなり、大欠陥の割合はできるかぎり小さくなる。小欠陥は、製造方法の工程ｃ）中に実質的に除去されるので、アニーリングしたシリコンウエハは低い欠陥密度しか有していない。
　さらに、本発明者等は、窒素による単結晶のドーピングも、欠陥サイズ分布に影響を及ぼすことを見出した。窒素によりドーピングされ、窒素ドーピング濃度が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３である単結晶については、欠陥サイズ分布は、窒素によりドーピングされなかった比較結晶の欠陥サイズ分布に対して同様に小欠陥に有利にシフトする。窒素をドーピングした単結晶から製造したシリコンウエハは、したがって同様に、製造方法の工程ｃ）にしたがって処理した後の欠陥密度は小さい。」（第３欄第４４行〜第４欄第１１行）
（Ａ−７）「製造方法を実施するために、単結晶を、ＣＺ法又はＦＺ法を用いることにより製造する。」（第４欄第２７〜２８行）
（Ａ−８）「欠陥の存在に関する定量的な結論は、いわゆるＧＯＩ試験（ＧＯＩは、「ゲート酸化物インテグリティー」を意味する）によっても可能である。この場合、シリコンウエハの表面に適用した酸化物層の電気破壊電圧を試験する。この方法では、欠陥の特性決定は、ＧＯＩ欠陥密度を特定することにより行う。ＧＯＩの検討結果とＣＯＰ試験の結果が、互いによく相関することがすでに示された」（第５欄第１３〜２０行）
（Ａ−９）「工程ｃ）によるプロセスは、シリコンウエハを、少なくとも１０００℃、好ましくは１１００℃〜１２００℃の温度、少なくとも１時間のアニーリング時間で熱処理（アニーリング）することを含んでなる。シリコンウエハは、個々にアニーリングしても、グループでアニーリングしてもよい。使用される雰囲気は、好ましくは貴ガス、酸素、窒素、酸素／窒素混合物及び水素からなる群から選択されるガスである。水素又はアルゴンが、好ましい。」（第５欄第２６〜３４行）
（Ａ−１０）「実施例１）
直径２００ｍｍの種々の単結晶を、ＣＺ法により製造し、加工して、カテゴリーＣＺ１〜ＣＺ３のシリコンウエハを形成した。全ての単結晶において、酸素濃度は、５×１０１７／ｃｍ３よりも上であった。カテゴリーＣＺ１のシリコンウエハの場合には、成長している単結晶を積極的に冷却し、冷却している結晶の８５０℃〜１１００℃の範囲の温度における保持時間は、８０分未満であった。カテゴリーＣＺ２及びＣＺ３の比較ウエハの場合には、単結晶の引上げ中の強制冷却を省略し、前記温度インターバルの保持時間は８０分間を超えていた。欠陥の特性決定のために、３つのカテゴリーの全てのシリコンウエハを、ＧＯＩ検査及びＣＯＰ試験した。表面検査機器を使用してＣＯＰを評価したところ、０．１２μｍより大きい欠陥を検出できた。次に、３つのカテゴリー全てのシリコンウエハを、温度１２００℃、アニーリング時間２時間でアルゴン雰囲気中でアニーリングし、上記と同様にして、欠陥を検査した。ＧＯＩ検査の結果を図１に示し、ＣＯＰ試験の結果を図２に示す。」（第５欄第３７行〜第６欄第５行）
（Ａ−１１）「　実施例２）
直径２００ｍｍの２つの異なる単結晶を、ＣＺ法により製造し、加工して、シリコンウエハを形成した。２つの単結晶のうちの一つだけを窒素によりドーピングし、その窒素濃度は３×１０１４／ｃｍ３であった。両方の単結晶とも、酸素濃度は、９×１０１７／ｃｍ３であった。シリコンウエハについての欠陥サイズ分布の解析したところ（その結果を、図４に示す）、窒素ドーピングにより欠陥サイズ分布がより小さい欠陥のほうにシフトしたことが分かった。」（第６欄第１８〜２７行）
（Ａ−１２）「実施例３）
　直径１２５ｍｍの３つの単結晶を、ＦＺ法により製造し、加工して、カテゴリーＦＺ１〜ＦＺ３のシリコンウエハを形成した。全てのシリコンウエハを酸素によりドーピングした。この際、酸素濃度は、４．５×１０１７／ｃｍ３であった。窒素ドーピングは、以下のように選択した：
　　カテゴリー　　　　　　　　ドーパント濃度
　　　ＦＺ１　　　　　　　　２．５×１０１４／ｃｍ３　　
　　　ＦＺ２　　　　　　　　１．０×１０１５／ｃｍ３　　
　　　ＦＺ３　　　　　　　　３．０×１０１５／ｃｍ３　　
全てのカテゴリーのシリコンウエハを、まずＣＯＰ試験した。図５に、測定した欠陥サイズ分布を示す。大欠陥の割合は、ドーピングの程度を増加するとともに、大きく減少する。測定が表面検査機器の検出限界までしかできなかったので、小欠陥範囲におけるサイズ分布の表示は不完全である。カテゴリーＦＺ１のシリコンウエハを、酸素／窒素雰囲気中１２００℃で３時間アニーリングした。図６は、熱処理前後のシリコンウエハについて実施したＧＯＩ検査の結果である。図６から、熱処理中の小欠陥の除去によりＧＯＩ欠陥密度がかなりの改善されているのが分かる。」（第６欄第２８〜４９行）
　
VI−Ｂ．甲第２号証（特開平２０００−２１１９９５号公報）には、図１〜４が掲載されると共に、以下の事項が記載されている。
（Ｂ−１）「【請求項１】チョクラルスキー法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得たシリコン単結晶ウエーハであって、該シリコン単結晶ウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０８〜２×１０１０ケ/ｃｍ３であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｂ−２）「【請求項２】前記シリコン単結晶ウエーハの窒素濃度が１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１に記載したシリコン単結晶ウエーハ。」（特許請求の範囲第２項）
（Ｂ−３）「【請求項３】前記シリコン単結晶ウエーハの窒素濃度が１×１０１３〜１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１に記載したシリコン単結晶ウエーハ。」（特許請求の範囲第３項）
（Ｂ−４）「【請求項５】前記シリコン単結晶棒が、結晶成長時の１１５０℃から１０８０℃までの冷却速度を１．０〜４．５℃/ｍｉｎの範囲に制御されて育成された単結晶棒であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載したシリコン単結晶ウエーハ。」（特許請求の範囲第５項）
（Ｂ−５）「【従来の技術】半導体集積回路等のデバイスを作製するためのウエーハとしては、主にチョクラルスキー法（ＣＺ法）によって育成されたシリコン単結晶ウエーハが用いられている。このようなシリコン単結晶ウエーハに結晶欠陥が存在すると、半導体デバイス作製時にパターン不良などを引き起こしてしまう。」（第２欄第１３〜１８行）
（Ｂ−６）「本発明はこのような問題点に鑑みて為されたもので、ＣＺ法によって作製されるシリコン単結晶ウエーハにおいて、無欠陥層深さと内部微小欠陥密度の制御可能範囲を大幅に拡大し、高品質のシリコン単結晶ウエーハを得ることを目的とする。」（第３欄第３３〜３７行）
（Ｂ−７）「ここでゲッタリング熱処理とは、育成されたシリコン単結晶棒をウエーハに加工した後からデバイス工程に入る前までに施される熱処理を総称し、主に不純物酸素の外方拡散による表面近傍の結晶欠陥の消滅を目的とする。」（第４欄第９〜１３行）
（Ｂ−８）「結晶欠陥のサイズを小さくして欠陥の成長を抑制するには、窒素濃度を１×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上にするのが望ましく、シリコン単結晶の単結晶化の妨げにならないようにするためには、５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とするのが好ましいが、この１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲の窒素濃度は、結晶欠陥の成長の抑制に最も効果的な窒素濃度であるため、ウエーハの窒素濃度がこの範囲であれば、結晶欠陥のサイズを十分に小さくすることができ、ゲッタリング熱処理後の無欠陥層深さを深くすることができる。」（第４欄第１９〜２８行）
（Ｂ−９）「（実験１）まず、直径８インチ、Ｐ型（ボロンドープ）、方位＜１００＞の単結晶棒を、引上げ速度１．０ｍｍ/ｍｉｎ、１．８ｍｍ／ｍｉｎ、の２種類で引上げた。その際、窒素濃度が３×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となるように原料中に投入する窒化珪素膜付きウエーハの量を調整した。そして、引上げられたシリコン単結晶棒を加工し、シリコン単結晶鏡面ウエーハを作製した。作製されたシリコン単結晶鏡面ウエーハの抵抗率はいずれも約１０Ω・ｃｍ、酸素濃度は９〜１７ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）の範囲であった。　〈中　略〉
（実験２）窒素濃度が１×１０１３〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である以外は、実験１と同一仕様のシリコン単結晶鏡面ウエーハを作製し、ゲッタリング熱処理として水素ガス１００％雰囲気で６℃／ｍｉｎで昇温し、１２００℃で６０分維持した後、３℃／ｍｉｎで冷却する熱処理を施したものとその熱処理を行なわないものとに分類した。」（第７欄第４１行〜第８欄第２２行）
（Ｂ−１０）「さらに発明者は、無欠陥層深さと内部微小欠陥密度を本発明のウエーハの範囲に制御するためには、結晶成長時の１１５０℃から１０８０℃までの冷却速度を１．０〜４．５℃/minに制御することが好ましいことを発見した。これは、結晶欠陥のサイズは原子空孔の凝集温度帯域の通過時間に大きく影響されるからである。冷却速度を１．０℃/min以上に速くすれば結晶欠陥のサイズを縮小することができ、冷却速度が４．５℃/min以下であれば無転位結晶を成長させることができる。そのため、本発明のウエーハの範囲に制御するためには、冷却速度を１．０〜４．５℃/minの範囲に制御することが好ましい。尚、４．５℃/min以上の冷却速度であっても無転位結晶が作製可能な製造条件を見い出せればよい。」（第９欄第２３〜３６行）
（Ｂ−１１）「（実施例、比較例）
　ＣＺ法により、直径１８インチの石英ルツボに、原料多結晶シリコンをチャージし、直径８インチ、Ｐ型、方位＜１００＞、抵抗率１０Ω・ｃｍの結晶棒を、窒素ドープ量、酸素濃度、冷却速度の条件を変えて１２本引上げた。
　　　　　　〈中略〉
　ここで得られた単結晶棒から、ワイヤソーを用いてウエーハを切り出し、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨加工を施して、窒素のドープ量、酸素濃度及び冷却速度以外の条件はほぼ同一とした１２種類の直径８インチのシリコン単結晶鏡面ウエーハを各々複数枚作製した。
　こうして得られたシリコン単結晶ウエーハにゲッタリング熱処理を施した。この場合のゲッタリング熱処理は、シリコン単結晶ウエーハを水素５０％とアルゴン５０％から成る雰囲気下で、６℃/ｍｉｎの昇温率で１２００℃まで昇温し、１２００℃で６０分維持した後、３℃/ｍｉｎの降温率で冷却することにより行った。
  その後、これらの１２種類のシリコン単結晶ウエーハの無欠陥層深さを評価した。
　　　　　　〈中略〉
　また、無欠陥層深さについては、上記と同様に、表面からの研磨除去量を変えたウエーハについて、酸化膜耐圧品質を評価することによっても行った。酸化膜耐圧品質の評価は、ＴＺＤＢ（Time Zero Dielectric Breakdown）のＣモード収率、詳しくはリンドープポリシリコン電極（酸化膜厚２５ｎｍ、電極面積８ｍｍ２）を作製し、判定電流値１ｍＡ/ｃｍ２で評価した絶縁破壊電界８ＭＶ/ｃｍ以上のものを良品として、ウエーハ面内１００ケの電極を測定した場合の良品率をＣ−ｍｏｄｅ良品率とした。
　また、ＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Breakdown）のγモード収率でも評価した。これは、リンドープポリシリコン電極（酸化膜厚２５ｎｍ、電極面積４ｍｍ２）を作製し、ストレス電流０.０１ｍＡ/ｃｍ２を継続的に流して、電荷量２５Ｃ/ｃｍ２以上で絶縁破壊が発生するものを良品として、ウエーハ面内１００ケの電極を測定した場合の良品率をγ−ｍｏｄｅ良品率とした。そして、ＴＺＤＢ及びＴＤＤＢ両方の評価において良品率が９０％以上の場合を無欠陥層と判定した。
　　　　　　〈中略〉
　こうして得られた測定結果を表１に示した。ここで無欠陥層深さの評価については、ＣＯＰ数による評価はウエーハ面内のＣＯＰ数が１００より少ない深さまでが無欠陥層であると評価し、また酸化膜耐圧による評価は良品率が９０％以上の深さまでが無欠陥層であるとして評価した。」（第１１欄第４行〜第１２欄第３９行）
（Ｂ−１２）「表１より、本発明に係る窒素濃度を制御されて育成された単結晶から作製されたウエーハは、従来の酸素濃度及び冷却速度のみを制御されたウエーハに比べて、無欠陥層深さ及び内部微小欠陥密度は著しく向上していることが判る。また、無欠陥層深さをＣＯＰ数による評価及び酸化膜耐圧による評価の内、低い値を示しているものを無欠陥層深さとして、図１にプロットした。図１より、実施例の本発明に係るウエーハは、比較例の従来のウエーハに比べて、無欠陥層深さと内部微小欠陥密度の制御可能範囲がはるかに拡大していることが判る。」（第１３欄第１４〜２４行）
（Ｂ−１３）「本発明のチョクラルスキー法にはいわゆる磁場を印加するＭＣＺ法も含まれる。」（第１３欄第３３〜３４行）
　
VI−Ｃ．甲第３号証（特開平１１−１６８１０６号公報）には、図１０が掲載されると共に、以下の事項が記載されている。
（Ｃ−１）「【従来の技術】半導体基板には、もともと種々の不純物やそれらに起因する微小な結晶欠陥が内包されている。最近、デバイス不良に結びつく微小結晶欠陥として、グロゥンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥や微小酸素析出物が注目されている。Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥は、ＬＳＴＤ（Laser Scattering Tomography Defect）、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、ＦＰＤ（Flow Pattern Defect）とも呼ばれているが、これらは同一の欠陥であり、内壁に酸化物が存在するＶｏｉｄ性欠陥である。
　近年、半導体デバイスの集積度の向上に伴い、半導体基板中に基板購入時から存在する微小結晶欠陥に起因するデバイス不良が大きな問題となっている。デバイスの歩留まりを向上するためには、これら欠陥の低減が非常に重要視されている。このような欠陥を低減する従来の技術として、水素アニールを用いる技術や、表面に無欠陥のエピタキシャル層を成長する技術がある。」（第２頁右欄第２７〜４３行）
（Ｃ−２）「次に、図１に示すように、表面が露出し、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥１２や微小酸素析出物１４を内包するシリコン基板１０をアルゴン雰囲気中で酸素外方拡散熱処理を行う。例えば、アルゴン雰囲気中で、約１０００℃〜１３００℃の範囲内で、約１時間、熱処理を行う。これにより、水素雰囲気中で酸素外方拡散熱処理した場合と同様に、シリコン基板１０の表面近くの欠陥１２、１４が小さくなり、基板表面の欠陥が低減する。」（第３頁右欄第２４〜３１行）
（Ｃ−３）「表１は、外方拡散熱処理前後における表層５μｍ深さまでのＬＳＴＤの挙動をトモグラフを用いて観察した結果をまとめたものである。
　　　　　　〈中略〉
　表１に示すように、アルゴン雰囲気中における外方拡散熱処理により、水素雰囲気中での外方拡散熱処理の場合と同等の表層ＬＳＴＤの低減効果が得られた。一方、酸素雰囲気での熱処理では上述の表層酸素析出物の測定結果と同様に低減効果は得られず、逆に若干増加している。」（第５頁右欄下から第５行〜第６頁左欄第６行）
（Ｃ−４）「図１０は、熱処理前の試料、アルゴン雰囲気中で１２００℃、６０分間の酸素外方拡散熱処理を行った試料、水素雰囲気中で１２００℃、６０分間の酸素外方拡散熱処理を行った試料及び酸素雰囲気中で１２００℃、６０分間の酸素外方拡散熱処理を行った試料のＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Breakdown）特性を比較したものである。
　　　　　　〈中略〉
　図１０の結果から、アルゴン雰囲気中や水素雰囲気中で酸素外方拡散熱処理を行った場合には、酸化膜信頼性を大幅に改善できることがわかった。すなわち、酸化膜本来の寿命に律速されて絶縁破壊する割合は、熱処理前の試料では約３０％であったが、アルゴン雰囲気や水素雰囲気中で熱処理を行った後の試料では約９０％以上にまで改善することができた。この結果は、アルゴン雰囲気や水素雰囲気中で熱処理を行うことにより半導体基板表面の結晶状態を改善できることを示唆している。
　一方、酸素雰囲気中で酸素外方拡散熱処理を行った場合には、酸化膜信頼性の改善は見られなかった。これは、表１の結果からも明らかなように、半導体基板の極表面における酸素析出物の発生に起因しているものと考えられる。」（第６頁左欄下から第４行〜右欄第２２行）
　
VI−Ｄ．甲第４号証（前記「ＭＯＳデバイスエピタキシャルウェーハ」）には、以下の事項が記載されている。
（Ｄ−１）「ＭＯＳデバイス用のＳｉウェーハに対して要求される最も重要なことがらは，次の二つであろう。
　（１）ゲート酸化膜の完全性ならびにデバイス動作領域の無欠陥性。
　（２）高いゲッタリング能力。
　以下では，（１）の特性をＧＯＡＲＩ（Gate　Oxide　and　Active　Region　Integrity）ということばで簡単に言い表すことにする。」（第１３頁第２〜７行）
（Ｄ−２）「鏡面研磨ＣＺウェーハを用いた従来結晶技術の最も基本的かつ重大な問題として，ボイド欠陥などのGrown-in欠陥の存在がある。ボイド欠陥はＧＯＡＲＩを著しく劣化させ，しばしば致命的なデバイス不良に直結する。このボイド欠陥を消去するために高温で酸素外方拡散熱処理を施す方法がある（第３項と第４項で説明される）。」（第１３頁下から第１０行〜下から第６行）
（Ｄ−３）「このような意味で，鏡面研磨ＣＺウェーハを用いた従来結晶技術は，今の世代のデバイスにとってはいわば綱渡りのようなテクノロジーであり，技術的なマージンが小さい。このような傾向は，後（第３項）に説明する２種類の欠陥状態改善ウェーハについてもなお存在する。そこで，我々は上記の二つの要素を“確実”かつ“独立”に確保できるウェーハとしてエピタキシャルウェーハ（以下ではエピウェーハと略称する）を有望視し，評価導入に向けて動き出した。これが１９９５年の初めのことである。
　エピウエーハでは、ＧＯＡＲＩはエピタキシャル層（以下、エピ層と略す）ならではの完全結晶性により確保される。
　　　　　　〈中　略〉
　さらに，適正な条件で成長したエピ層には，もとの基板ウエーハ表面にあったボイド欠陥（ＣＯＰ：Crystal　Originated　Particles）の痕跡も観察されなくなる。よって，エピ層には極めて高いＧＯＡＲＩが保証される。」（第１４頁第８〜２２行）
（Ｄ−４）「ウェーハ表層無欠陥化のもうひとつのアプローチは，適正な条件で製造されたＣＺウェーハに対して適当な熱処理を施して，ウェーハ表層の欠陥を消去することである。このうち，最も成功した例が，酸化膜が付いていない状態で酸素外方拡散アニールを施す方法である。
　　　　　〈中　略〉
　このような原理を利用してつくられたウエーハを無酸化膜アニールウェーハと呼ぶことにする。例えば，１００％に近い水素雰囲気やアルゴン雰囲気において酸素外方拡散を施す場合がこの例である。１００％のＮ２アニールも，確かに酸化膜の成長は起こさないが，熱窒化膜の成長やそれに伴う二次生成物（原子空孔放出）の影響が大きいため，ここでは無酸化膜アニールの範疇からは除外する。」（第１８頁第１６〜２９行、第３項の欄）
（Ｄ−５）「我々は、アルゴン雰囲気アニールによっても，水素雰囲気アニールの場合と同程度にボイド欠陥（ＬＳＩＤ）が消滅し，水素雰囲気アニールと同等のＧＯＡＲＩ（ＴＤＤＢ特性）が得られることを確かめた。これは，アルゴン雰囲気アニールの場合にも酸化膜なしの状態で酸素外方拡散が進行するため，表層酸素濃度は水素雰囲気アニールの場合と同じように低下し，そのために，表層ボイド欠陥の消滅やそれに伴うＧＯＡＲＩの改善がもたらされるという機構によるものである。実際，アルゴン雰囲気の場合の酸素外方拡散プロファイルは水素雰囲気の場合のものと同じであり，酸化膜付きアニール（酸素雰囲気アニール）の場合に較べて表層酸素濃度は大はばに低下していた。」（第２０頁下から第９行〜第２１頁第１行、第４項の欄）
（Ｄ−６）「以前の１６ＭＤＲＡＭを対象とした試験的な最終歩留まり調査では，水素アニールウェーハとエピウェーハの成績の差はほとんどなく（図−７），ただ，検査結果の内訳を詳細に見るとエピウェーハの優位性がわずかにうかがえるという状態であった。」（第２２頁第１０〜１２行）
　
VI−Ｅ．甲第６号証（特開平１０−１５２３９５号公報）には、以下の事項が記載されている。
（Ｅ−１）「【請求項１】ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、結晶引上速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ)、シリコンの融点から１３００℃までの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をＧ１（℃／ｍｍ）、１１５０℃から１０８０℃までの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をＧ２（℃／ｍｍ）とし、八面体状ボイド欠陥の密度をｄ（個／ｃｍ３）としたとき、
　Ｖ／Ｇ１＞０.５８１×Ｖ×Ｇ２−（ｄ−４．３×１０３）／２.６５×１０６で、かつ、Ｖ／Ｇ１ ＞０．２５
となるように結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲）
（Ｅ−２）「本発明は上記着眼点に基づいてなされたもので、as-grownＣＺ−Ｓｉ単結晶中に存在するＬＳＴＤ密度の低減を図り、ゲート酸化膜耐圧特性の優れたウェーハを得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的としている。」（第２欄第３３〜３７行）
（Ｅ−３）「Ｖ／Ｇ１およびＶ×Ｇ２をパラメータとして、本発明による製造方法１０水準と従来法１２水準、計２２水準の製造条件でシリコン単結晶を育成した。このシリコン単結晶は、多結晶シリコンにホウ素をドープし、結晶径１００〜２００mm、結晶方位＜１００＞の単結晶を異なる製造装置および炉内ホットゾーンで引き上げたものである。結晶引上速度ＶおよびＶ／Ｇ１、Ｖ×Ｇ２、ＬＳＴＤ密度の値は表１に示す通りである。」（第４欄第２３〜３０行）
（Ｅ−４）「表１
　　　　　　　　Ｖ×Ｇ２　　　　Ｖ／Ｇ１　　　　ＬＳＴＤ密度ｄ
　　　　　　（℃／ｍｉｎ）（ｍｍ２／℃ｍｉｎ）　（×１０６／ｃｍ３）
本発明の実施例
　　　水準Ａ　　１．４　　　　　０．４９５２　　　　　０．７
　　　　　Ｂ　　１．００２７　　０．３５４９　　　　　０．６
　　　　　Ｃ　　１．０９２７　　０．３９４３　　　　　０．５
　　　　　Ｄ　　０．９５３２　　０．３９４３　　　　　０．３
　　　　　Ｅ　　１．１６６７　　０．４７８６　　　　　０．４
　　　　　Ｆ　　１．０９２７　　０．３４２９　　　　　０．８
　　　　　Ｇ　　１．０５８１　　０．３４２４　　　　　０．８
　　　　　Ｈ　　０．９０２２　　０．３２１１　　　　　０．４
　　　　　Ｉ　　０．７１２１　　０．２８４５　　　　　０．３
　　　　　Ｊ　　１．０２９４　　０．３２１４　　　　　０．６
従来法の実施例
　　　水準Ｋ　　１．６１５４　　０．２７３２　　　　　２．５
　　　　　Ｌ　　２．４８１８　　０．３４４７　　　　　４．０
　　　　　Ｍ　　１．３６２２　　０．２８２９　　　　　２．４
　　　　　Ｎ　　１．４８４８　　０．３５６３　　　　　２．５
　　　　　Ｏ　　１．５０１２　　０．３９８４　　　　　２．０
　　　　　Ｐ　　１．３６１１　　０．３５　　　　　　　２．３
　　　　　Ｑ　　１．７５　　　　０．３１２５　　　　　３．５
　　　　　Ｒ　　２．５　　　　　０．２７６８　　　　　４．２
　　　　　Ｓ　　１．３５７６　　０．３２５７　　　　　２．６
　　　　　Ｔ　　１．２６３９　　０．３１３４　　　　　２．０
　　　　　Ｕ　　１．１８７　　　０．２７１６　　　　　２．２
　　　　　Ｖ　　２．３９４７　　０．６９６４　　　　　２．８」旨（第３頁末行〜第４頁第２８行の表１）
　
VI−Ｆ．甲第７号証（特開平８−１２４９３号公報）には、以下の事項が記載されている。
（Ｆ−１）「【請求項１】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する方法において、結晶成長速度をｆｐ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコンの融点から１３００℃までの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）としたとき、ｆｐ／Ｇで表される係数を０．２５ｍｍ２／℃・ｍｉｎ以上にして、かつ１１５０℃から１０００℃までの温度範囲における冷却速度を２．０℃／ｍｉｎ以下として結晶成長を行わせることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲）
（Ｆ−２）「【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のシリコン単結晶の製造技術の問題点を克服して、ウェーハ面内の酸素析出物の密度の低減を図り、酸化膜耐圧特性等の結晶品質に優れたシリコン単結晶の製造方法を確立することを課題としてなされたものである。」（第３欄第１３〜１７行）
（Ｆ−３）「図３が示すように、シリコン単結晶の引上げ中に結晶成長速度（ｆｐ：ｍｍ／ｍｉｎ）および結晶軸方向の温度勾配（Ｇ: ℃／ｍ）で表される係数（fp/ Ｇ）を０．２２ｍｍ２／℃・ｍｉｎ以下に制御した場合には、ウェーハ加工後に熱酸化処理を行っても、リングＯＳＦの発生が殆ど見られない。一方、係数（ｆｐ／Ｇ）が０．２２〜０．２５ｍｍ２／℃・ｍｉｎの範囲になる場合には、リングＯＳＦはウェーハ面の中心部（中心から半径１５〜６０ｍｍの部分）に発生する。さらに、係数（ｆｐ／Ｇ）が０．２５ｍｍ２／℃・ｍｉｎを超えるようになると、リングＯＳＦはウェーハ面の外周部に発生する。」（第５欄第６〜１６行）
（Ｆ−４）「本発明方法では、ウェーハ面内の酸素析出物の密度を低減させるため、１１５０℃から１０００℃までの温度範囲における冷却速度を２．０℃／ｍｉｎ以下とすることが必須となる。」（第８欄第６〜９行）
（Ｆ−５）「１．単結晶の製造方法
　直径１６の石英坩堝に高純度多結晶シリコン５０ｋｇを入れ、ボロンをドープし、多結晶シリコンを加熱溶解してのち、直径１５０ｍｍで結晶成長方位が＜１００＞の単結晶を長さ１０００ｍｍ引上げる。
　　　　　　〈中　略〉
上記の条件での測定結果を表１に示す。
　　　　　　　　表１
　結晶　　融点〜１３００℃で　１１５０℃〜１００　酸素析出物
　Ｎｏ．　の係数〔ｆｐ／Ｇ〕　０℃での冷却速度    の密度
　　　　（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）　（℃／ｍｉｎ）    （ｃｍ−３）
　１　　　　０．３０　　　　　２．５〜２．２　　１〜２×１０４　
　２　　　　０．２６　　　　　２．０〜１．８　　８〜１０×１０４　
　３　　　　０．２８　　　　　１．５〜１．１　　４〜６×１０４　
　４　　　　０．２６　　　　　１．０〜０．７　　１〜２×１０４」旨（第８欄第１７〜４４行、表１を含む）
　
VI−Ｇ．甲第１０号証（特開平１１−１３０５９２号公報）には、以下の事項が記載されている。
（Ｇ−１）「【請求項１】ＣＺ法を用いてボロンドープによるＰ型シリコン単結晶を製造するに当たり、ボロン濃度をＢ（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）、結晶成長速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、融点から１３５０℃までの軸方向温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とし、酸素析出熱処理後に発生するリング状の熱酸化誘起積層欠陥が結晶中心に消滅する場合のＶ／Ｇを（Ｖ／Ｇ）cri としたとき、
　　　　（Ｖ／Ｇ）cri ＝0.１５＋1.４７×１０−２０×Ｂ
なる算式を用いて結晶引き上げ条件を設定することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の（Ｖ／Ｇ）cri よりも小さなＶ／Ｇの範囲で結晶引き上げ条件を設定し、格子間シリコン優勢領域において単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】請求項１記載の（Ｖ／Ｇ）cri よりも0.０８以上大きなＶ／Ｇの範囲で結晶引き上げ条件を設定し、空孔優勢領域において単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲第１〜３項）
（Ｇ−２）「また、リングＯＳＦが結晶中心に消滅したときのＶ／Ｇとボロン濃度との関係を、抵抗率１３Ω・ｃｍ、１５ｍΩ・ｃｍ、１２ｍΩ・ｃｍのウェーハ別に調査したところ、図３に示す結果が得られた。同図における回帰直線は、リングＯＳＦが単結晶の中心部に消滅するときのＶ／Ｇを（Ｖ／Ｇ）cri とし、成長速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、融点から１３５０℃までの軸方向温度勾配をＧ（℃/ｍｍ）、ボロン濃度をＢ（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とすると、
　　　（Ｖ／Ｇ）cri ＝0.１５＋1.４７×１０−２０×Ｂ・・・（１）
として表される。」（第４欄第９〜１８行）
（Ｇ−３）「ボロン濃度（×１０１８／ｃｍ３）が０、約５、約６のときは、それぞれ、Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／℃ｍｉｎ）ｃｒｉが０．１５、約０．２２、約０．２５」旨（第３図）
　
VII．当審の判断
VII−１．無効理由１及び２について
VII−１−１．その1
VII−１−１−１．本件発明１
　甲第１号証には低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法に関する事項が記載され、この具体的な構成につき検討する。
　甲第１号証の前記摘示（Ａ−２）によれば、窒素ドーピング濃度が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３であるシリコン単結晶を加工してシリコンウエハを形成し、該シリコンウエハをアニーリングして低欠陥密度を有するシリコンウエハを製造することが記載されているので、甲第１号証には、「窒素ドープ濃度が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３であるシリコン単結晶を加工してシリコンウエハを形成し、該シリコンウエハをアニーリングしてなる低欠陥密度シリコンウエハ」が記載されているということができる。そして、そのシリコン単結晶は、前記（Ａ−７）によれば、ＣＺ法で製造する場合を含むものである。そしてまた、そのシリコンウエハはシリコン単結晶を加工して得られるものであって、通常その加工時にはその成分組成が変動しないものであるから、当該シリコンウエハの窒素ドープ濃度が単結晶と同じように少なくとも１×１０１４／ｃｍ３であるということができる。この場合、当該濃度は、当分野の常法により、立方センチメートル当たりの原子数で表示されたものであることは明白なことである。
　以上のことから、甲第１号証には、
「ＣＺ法で製造されたシリコン単結晶から形成された、窒素ドープ濃度が少なくとも１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコンウエハを、アニーリングしてなる低欠陥密度シリコンウエハ」に関する発明（以下、必要に応じて、「甲第１号証の発明ａ」という）が記載されているといえる。
　そこで、本件発明１と甲第１号証の発明ａとを対比する。
　甲第１号証の発明ａのシリコンウエハは、ＣＺ法で製造されたシリコン単結晶から形成されたものであるから、ＣＺ法で製造されたシリコンウエハであるということができる。そして、甲第１号証の発明ａのアニーリングは一種の熱処理に当たるので、そのシリコンウエハは熱処理用シリコンウエハであるということができるものであり、また、そのシリコンウエハには熱処理が施されるということができる。
　また、このように単結晶から形成されるシリコンウエハは、通常、半導体デバイスに用いられるものであるので、甲第１号証の発明ａにおける「低密度シリコンウエハ」は「半導体デバイス用シリコンウェハ」に相当するということができる。更に、甲第１号証の発明ａにおける「低密度シリコンウエハ」はエピタキシャルウェハとして用いられるものではない。
　よって、両者は、
「ＣＺ法で製造され、窒素を含有する熱処理用シリコンウエハに熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
【相違点１】該ＣＺ法が、本件発明１では、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」のに対して、甲第１号証の発明ａではそのことが明示されない点
【相違点２】施される熱処理が、本件発明１では、「非酸化性」熱処理であるとするのに対して、甲第１号証の発明ａではそのことが明示されない点
【相違点３】該窒素の含有量につき、本件発明１では、「窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）にある」というのに対して、甲第１号証の発明ａでは上記数値範囲が明示されない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点１について】
《検討１》
　ＣＺ法とは炉中において融液から液を所定の速度で引き上げながら固化、冷却させて単結晶を成長させるものであって、その単結晶においては融液と接する高温部分から炉上部の低温部分に向かって所定の温度勾配が生ずるものであり、このことからみて明らかなとおり、ＣＺ法によりシリコン単結晶を形成する甲第１号証の発明ａにおいては、Ｖ／Ｇ１につき、必ず、何らかの数値を採るものである。
　一方、甲第６号証の前記（Ｅ−１）及び（Ｅ−４）によれば〔そこでのＶ／Ｇ１（ｍｍ２／℃ｍｉｎ）はその単位を含めて本件発明１のＶ／Ｇ１（ｍｍ２／ｍｉｎ℃）に相当する）〕、甲第６号証ではＣＺ法によりシリコン単結晶を実際に製造するときのＶ／Ｇ１が、０．４９５２、０．３５４９、０．３９４３、０．３９４３、０．４７８６、０．３４２９、０．３４２４、０．３２１１、０．２８４５及び０．３２１４であると記載され、そこでの具体例の殆どのものが、Ｖ／Ｇ１につき０．２５〜０．４の範囲に属することが示され、また、甲第７号証の（Ｆ−１）及び（Ｆ−５）によれば〔そこでのｆｐ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）はその単位を含めて本件発明１のＶ／Ｇ１（ｍｍ２／ｍｉｎ℃）に相当する〕、甲第７号証ではＣＺ法によりシリコン単結晶を実際に製造するときのｆｐ／Ｇが、０．２６、０．２８及び０．２６であると記載され、そこでの具体例のものが、ｆｐ／Ｇにつき０．２６〜０．２８の範囲に属することが示される。更には、甲第１０号証の前記（Ｇ−１）及び（Ｇ−４）によれば〔そこでの（Ｖ／Ｇ）ｃｒｉ（ｍｍ２／℃ｍｉｎ）はその単位を含めて本件発明１のＶ／Ｇ１（ｍｍ２／ｍｉｎ℃）に相当する〕、甲第１０号証ではＣＺ法によりシリコン単結晶を製造するときの（Ｖ／Ｇ）ｃｒｉの条件として０．１５、約０．２２、約０．２５とすることが記載され、そこでの条件のものが、（Ｖ／Ｇ）ｃｒｉにつき０．１５〜約０．２５の範囲に属することが示される。
　このように、ＣＺ法によりシリコン単結晶を形成する場合において、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」ことは、本件出願時において通常採用される周知・慣用の事項に外ならないものである。
　そして、甲第１号証の発明ａにおいては、その低欠陥密度シリコンウエハはシリコン単結晶を経て形成されるものであるものの、当該シリコン単結晶を製造する際においてはそのＶ／Ｇ１値の選定につき特段制限を受けるものではない。
　そうであれば、甲第１号証の発明ａのシリコン単結晶につき、それを製造する際のＶ／Ｇ１は、当該周知・慣用のＶ／Ｇ１の数値を含むということができる。
　してみれば、本件発明１が相違点１に係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得ない。
《検討２》
　上記検討１で記載したとおり、ＣＺ法によりシリコン単結晶を形成する甲第１号証の発明ａにおいても、Ｖ／Ｇ１につき、必ず、何らかの数値を採るものである。
　そして、上記検討１で記載したとおり、甲第６、７及び１０号証において、ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する場合にＶ／Ｇ１につき０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃の範囲の数値を用いることは本件出願前の公知の事項となっている。
　そのうえ、甲第６、７及び１０号証に記載の技術は、その前記（Ｅ−２）、（Ｆ−２）及び（Ｇ−１）で示されるように、単結晶中に存在するＬＳＴＤ密度の低減を図り、ウェーハ面内の酸素析出物の密度の低減化を図り、又は、リング状の熱酸化誘起積層欠陥が結晶中心に消滅することを意図するものであり、このように、甲第６、７及び１０号証に記載の技術はウエハ又はウエハの母材たる単結晶中の欠陥密度を低減することを目的とするものである。
　そうであれば、低欠陥密度シリコンウエハとすることを目的とする甲第１号証の発明ａにおいて、その原材料であるシリコン単結晶を製造する際に、Ｖ／Ｇ１として、甲第６、７及び１０号証で公知の数値を適用して、本件発明１のようにすることは当業者にとって何等の困難も伴わない。
　しかも、そのことによって、格別予想し難い効果を奏したものであるということもできない。
【相違点２について】
　甲第１号証の前記摘示（Ａ−９）によれば、甲第１号証の発明ａのアニーリング（熱処理）において使用される雰囲気は、「好ましくは貴ガス、酸素、窒素、酸素／窒素混合物及び水素からなる群から選択されるガスである。水素又はアルゴンが、好ましい。」とされ、このように、好ましい雰囲気として、水素又はアルゴンが重ねて推奨されるものであるので、甲第１号証の発明ａにおけるアニーリング（熱処理）雰囲気には、水素又はアルゴン雰囲気が最も典型的なものとして含まれるということができる。
　また、甲第１号証の発明ａのアニーリングは、甲第１号証の前記（Ａ−２）及び（Ａ−４）〜（Ａ−６）によれば、シリコンウエハの表面近傍の領域における欠陥密度を低減化するために実施するものであるといえるところ、シリコンウエハないしはシリコン基板の表面層近傍の欠陥を低減化するための熱処理ないしはアニール雰囲気として水素又はアルゴン雰囲気を採用すること、且つ、その水素又はアルゴン雰囲気が他の雰囲気である酸素等の雰囲気よりも有効であることは周知・慣用の事項〔必要ならば、甲第３号証の前記（Ｃ−２）〜（Ｃ−４）、甲第４号証の前記（Ｄ−２）、（Ｄ−４）及び（Ｄ−５）等を参照〕となっているものであり、したがって、甲第１号証の発明ａの当該アニーリングの雰囲気には、当該周知・慣用であって有効である水素又はアルゴン雰囲気が含まれるものであるといえる。
　このように、甲第１号証の記載内容及び周知・慣用技術のいずれからみても、甲第１号証の発明ａのアニーリング雰囲気に、水素又はアルゴン雰囲気を採択することが主たる態様として含まれるものである。また、水素又はアルゴンが主たる態様として含まれるのであるから、その混合ガスの雰囲気も水素又はアルゴンの雰囲気と同効のものとして同様に含まれるものである。
　一方、本件発明１の非酸化性熱処理とは、その段落００１７の記載からみて明らかなとおり、水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス雰囲気での熱処理をいうものである。
　してみれば、甲第１号証の発明ａのアニーリングと本件発明１の「非酸化性」熱処理とは相違するとはいえず、本件発明１が相違点２に係る特定事項を具備することは両者の実質上の相違点とはなり得ない。
【相違点３について】
《検討１》
　甲第１号証の発明ａでは、その前記摘示（Ａ−４）によれば、「表面近傍の領域において低欠陥密度を有する低欠陥密度シリコンウエハを得ること」を目的とするものであり、そして、同（Ａ−６）によれば、「窒素濃度が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３である単結晶から製造したシリコンウエハはそこに存在する結晶欠陥のサイズ分布を小欠陥に有利にシフトし、これを工程ｃ（すなわち、アニーリング）にしたがって処理した後の欠陥密度は小さくなる」旨記載されるものであり、このように、甲第１号証の発明ａでは、表面近傍の領域において欠陥密度の低い低欠陥密度シリコンウエハを得る過程で、シリコンウエハに存在する結晶欠陥の欠陥サイズを微細化するために、そのシリコンウエハの窒素濃度（窒素ドーピング濃度）を少なくとも１×１０１４／ｃｍ３とすることが示される。この場合、甲第１号証の発明ａはＣＺ法で製造したシリコンウエハに関するものである。
　そして、甲第１号証の前記摘示（Ａ−１１）及び図４の記載によれば、ＣＺ法により製造したシリコンウエハにおいてその窒素濃度が３×１０１４／ｃｍ３である場合には結晶欠陥につきそのサイズ分布が微細化したことが明示されるものである。
　そうすると、甲第１号証の発明ａの表面近傍の領域において欠陥密度の低い低欠陥密度シリコンウエハを得る過程で必要である窒素濃度につき、少なくとも１×１０１４／ｃｍ３であるというようにその下限を含む数値範囲が示される外に、３×１０１４／ｃｍ３である上方の数値も示されるのであるから、甲第１号証の発明ａにおいては、ＣＺ法によるシリコンウエハの窒素濃度の範囲として、１×１０１４／ｃｍ３〜３×１０１４／ｃｍ３の数値が、実質上、示されているといえる。
　これによれば、甲第１号証の発明ａの窒素濃度の数値範囲は、本件発明１のその数値範囲に含まれ、その結果、両者の窒素濃度は一致するといえる。
　してみれば、本件発明１が相違点３に係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得ない。
《検討２》
　訂正明細書の段落００１６、段落００３９、表１、表２、図１及び図２の記載によれば、本件発明１では、当該特定事項を具備することにより、その表面部及びその３μｍ深部において、酸化膜耐圧試験による良品率が９５％以上と優れ、且つ、定電流ＴＤＤＢ試験で正常値を示す半導体デバイス用のシリコンウェハを得ることができたという効果を奏するものである。
　これに対して、甲第１号証の発明ａはＣＺ法で製造したシリコンウエハに関するものであるが、この発明においては、上記《検討１》で記載したように、表面近傍の領域において欠陥密度の低い低欠陥密度シリコンウエハを得る過程で、シリコンウエハに存在する結晶欠陥の欠陥サイズを微細化するために、そのシリコンウエハの窒素濃度（窒素ドーピング濃度）を少なくとも１×１０１４／ｃｍ３とすることが示される。
　これに加え、その具体例として、前記摘示（Ａ−１１）及び図４の記載によれば、ＣＺ法により製造したシリコンウエハの窒素濃度が３×１０１４／ｃｍ３であれば、結晶欠陥のサイズを微細化するうえで有効であることも明示されるのである。
　してみれば、甲第１号証の発明ａにおいて、表面近傍の領域が低欠陥密度である低欠陥密度シリコンウエハにつき、所望の特性のものを得るために、上記窒素濃度が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３であるとの数値範囲と窒素濃度が３×１０１４／ｃｍ３であるとの数値の具体例に基づいて、シリコンウエハについて試験等を実施することによりその特性を確認しつつ、本件発明１の如く、「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）」という数値範囲を選定することは、当業者が困難なく適宜実施し得ることに過ぎない。
　なお、甲第１号証の発明ａにおいては、その前記摘示（Ａ−４）によれば、その低欠陥密度シリコンウエハは表面近傍の領域につき低欠陥密度化するものであり、この場合、表面近傍というのであるからその低欠陥密度化はそのシリコンウエハの表面だけでなく表面下の部位にまで及ぶものであるところ、本件発明１の上記酸化膜耐圧試験及び定電流ＴＤＤＢ試験に基づく効果は、訂正明細書の段落０００３、０００６、０００９及び００２１の記載によれば、半導体デバイス用のシリコンウェハの表面部及びその３μｍ深部における欠陥密度が低いことをいうに過ぎないものであり、このように、両者の窒素濃度（後に、非酸化性熱処理理を経る）の意味するものは、シリコンウェハの表面部と深部の両部位における欠陥密度の低減化という点で異なるものでなく、これにより、本件発明１の奏する効果が、甲第１号証の発明ａのものに比べて格別予想し難いものであるといえるものではない。
　したがって、上記相違点３に関する特定事項を採択することは、格別の創意工夫を要することなく当業者の容易になし得るものである。
《検討３》
　窒素濃度に関する両者の具体的相違点は、本件発明１は、「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）にある」というのに対して、甲第１号証の発明ａでは、その濃度が少なくとも１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるとされ、その範囲の下限の数値が本件発明１のものと一致するものの、上限の数値までは示されない点にある。
　この場合、本件発明１のこの相違点に係る上限の数値である４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３は、訂正明細書の段落００１６、段落００３９、表１及び表２の記載によれば、その表面部及びその深部における定電流ＴＤＤＢ試験で正常値を示す半導体デバイス用のシリコンウェハを得るために採択されたというものである。
　これに対して、半導体デバイス用のシリコンウエハの分野では、シリコンウエハのボイド欠陥等の結晶欠陥とＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Breakdown）特性とは相互に関連することからシリコンウエハの結晶欠陥を当該ＴＤＤＢで確認することは、周知・慣用の事項〔甲第３号証の前記摘示（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）、甲第４号証の同（Ｄ−５）、等を参照〕となっている。
　そして、甲第１号証の発明ａにおいては、上記《検討１》で記載したように、表面近傍の領域において欠陥密度の低い低欠陥密度シリコンウエハを得る過程でシリコンウエハに存在する結晶欠陥のサイズを微細化するうえで必要な窒素につき、その濃度範囲が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３であることが示され、更に、その具体例として、前記摘示（Ａ−１１）及び（Ａ−１２）によれば、３×１０１４／ｃｍ３（実施例２）、２．５×１０１４／ｃｍ３、１．０×１０１５／ｃｍ３、３．０×１０１５／ｃｍ３（以上、実施例３）である数値も明示されるのである。
　してみれば、甲第１号証の発明ａにおいて、表面近傍の領域が低欠陥密度である低欠陥密度シリコンウエハにつき、所望の特性のものを得るために、上記窒素濃度が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３であるとの数値範囲と窒素濃度が３×１０１４／ｃｍ３等であるとの数値の具体例に基づいて、シリコンウエハについてＴＤＤＢ試験等を実施することによりその特性を確認して、当該上限を、本件発明１の如く、「４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」として選定することは、当業者が困難なく適宜実施し得ることに過ぎない。
　したがって、上記相違点３に関する特定事項を選定することは、格別の創意工夫を要することなく当業者の容易になし得るものである。
　
　以上のとおりであり、上記相違点の内、相違点２については、実質上の相違点とはなり得ないものであり、そして、相違点１及び３については、同じく実質上の相違点とはなり得ないものであり、また、当業者が困難なく容易になし得るものに他ならないといえる。
　なお、甲第１号証の発明ａにおいて上記相違点１及び３に係る特定事項を組み合わせて具備することにより格別予想し難い効果を奏したということもできない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明である。
　また、本件発明１は、甲第１、３、４、６、７及び１０号証に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
VII−１−１−２．本件発明２
　甲第１号証には、上記VII−１−１−１．で説示したとおり、
「ＣＺ法で製造されたシリコン単結晶から形成された、窒素ドープ濃度が少なくとも１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコンウエハを、アニーリングしてなる低欠陥密度シリコンウエハ」に関する発明（「甲第１号証の発明ａ」という）が記載されているといえる。
　そこで、本件発明２と甲第１号証の発明ａとを対比すると、上記VII−１−１−１．で説示したとおり、両者は、
「ＣＺ法で製造され、窒素を含有する熱処理用シリコンウエハに熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
【相違点４】該ＣＺ法が、本件発明２では、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」のに対して、甲第１号証の発明ａではそのことが明示されない点
【相違点５】該熱処理用シリコンウエハに、本件発明２では、「水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性」熱処理を施すとするのに対して、甲第１号証の発明ａでは熱処理を施すこととしているものの、その雰囲気及び条件が明示されない点
【相違点６】該窒素の含有量につき、本件発明２では、「窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある」というのに対して、甲第１号証の発明ａでは上記数値範囲が具体的に明示されない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点４について】
　上記VII−１−１−１．の相違点１の《検討１》及び《検討２》の箇所で説示したとおり、甲第１号証の発明ａのシリコン単結晶を製造する際のＶ／Ｇ１は、周知・慣用の０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃の数値を含むものであり、したがって、本件発明２が相違点４に係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得えず、また、甲第１号証の発明ａにおいて、Ｖ／Ｇ１につき、甲第６、７及び１０号証で公知の数値を適用して、本件発明２のようにすることは当業者にとって何等の困難も伴わないものである。
【相違点５について】
　上記VII−１−１−１．の相違点２の箇所で説示したとおり、甲第１号証の記載内容〔前記（Ａ−９）〕及び周知・慣用技術〔必要ならば、甲第３号証の前記（Ｃ−２）〜（Ｃ−４）、甲第４号証の前記（Ｄ−２）、（Ｄ−４）及び（Ｄ−５）等を参照〕のいずれからみても、甲第１号証の発明ａのアニーリング雰囲気に、水素、アルゴン、水素及びアルゴンの混合ガス雰囲気を採択することが主たる態様として含まれるものである。この場合、アニーリング雰囲気は非酸化性であるので、そこでの熱処理は非酸化性であるということができる。
　してみれば、甲第１号証の発明ａのアニーリングと本件発明２の「水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性」熱処理とは相違するとはいえず、本件発明２が相違点５に係る特定事項を具備することは両者の実質上の相違点とはなり得ない。
【相違点６について】
　上記VII−１−１−１．の相違点３の《検討１》〜《検討３》の箇所で説示したとおり、甲第１号証の発明ａでは、その窒素濃度の具体的範囲として、１×１０１４／ｃｍ３〜３×１０１４／ｃｍ３の数値が実質上示されているといえるものであり、したがって、本件発明２が相違点６に係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得えず、また、表面近傍の領域の欠陥密度が低い低欠陥密度シリコンウエハにつき、所望の特性を有するものを得るために、甲第１号証の発明ａにおいて、そのシリコンウエハの窒素濃度を本件発明２の如く、「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある」とすることは当業者が困難なく適宜実施し得るものである。
　以上のとおりであり、上記相違点の内、相違点５については、実質上の相違点とはなり得ないものであり、そして、相違点４及び６については、同じく実質上の相違点とはなり得ないものであり、また、当業者が困難なく容易になし得るものに他ならないといえる。
　なお、甲第１号証の発明ａにおいて上記相違点４及び６に係る特定事項を組み合わせて具備することにより格別予想し難い効果を奏したということもできない。
　したがって、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明である。
　また、本件発明２は、甲第１、３、４、６、７及び１０号証に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
VII−１−２．その２
VII−１−２−１．本件発明１
　甲第１号証には、低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法に関する記載があるが、以下、その前記（Ａ−１１）で摘示される実施例２に記載される事項につき検討する。
　甲第１号証の実験例２の箇所には、甲第１号証の前記摘示（Ａ−１１）によれば、「ＣＺ法により窒素濃度は３×１０１４／ｃｍ３である単結晶を製造し、該単結晶を加工して形成してなるシリコンウエハ」が実質上記載されており、かつ、そのシリコンウエハはシリコン単結晶を加工して得られるものであるが、通常その加工時にはその成分組成が変動しないものであるから、当該シリコンウエハの窒素ドープ濃度は単結晶と同じように３×１０１４／ｃｍ３であるということができる。この場合、当該濃度は、当分野の常法により、立方センチメートル当たりの原子数で表示されたものであることは明白なことである。
　以上のことから、甲第１号証には、
「ＣＺ法により製造された窒素濃度が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコンウエハ」に関する発明（以下、必要に応じて、「甲第１号証の発明ｂ」という）が記載されているということができる。
　そこで、本件発明１と甲第１号証の発明ｂとを対比すると、甲第１号証の発明ｂのものはエピタキシャルウェハの用途に用いることを意図しておらず、よって、両者は、
「ＣＺ法で製造され、窒素を含有するシリコンウエハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」である点で一致し、次の点で相違する。
【相違点イ】該ＣＺ法が、本件発明１では、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」のに対して、甲第１号証の発明ｂではそのことが明示されない点
【相違点ロ】窒素を含有するシリコンウェハが、本件発明１では、「熱処理用」シリコンウェハであって、当該シリコンウエハに「非酸化性熱処理を施した」ことにより「半導体デバイス用シリコンウェハ」を得ているのに対して、甲第１号証の発明ｂでは、そのことが示されない点
【相違点ハ】当該窒素の含有量につき、本件発明１では、「窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）にある」とするのに対して、甲第１号証の発明ｂでは、除外されたところの３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であって、上記濃度を有さない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点イについて】
　上記VII−１−１−１．の相違点１の《検討１》及び《検討２》の箇所で説示した理由と同じ理由により、甲第１号証の発明ｂのシリコン単結晶を製造する際のＶ／Ｇ１は、周知・慣用の０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃の数値を含むものであり、したがって、本件発明１が相違点イに係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得えず、また、甲第１号証の発明ｂにおいて、Ｖ／Ｇ１につき、甲第６、７及び１０号証で公知の数値を適用して、本件発明１のようにすることは当業者にとって何等の困難も伴わないものである。
【相違点ロについて】
　甲第１号証には、その前記摘示（Ａ−２）、（Ａ−４）及び（Ａ−６）によれば、窒素濃度が少なくとも１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコンウエハをアニーリングすることにより、該シリコンウエハの表面近傍領域における欠陥密度を低減化すること、かつ、その前記（Ａ−９）によれば、そのアニーリングの条件として水素又はアルゴン雰囲気を推奨することが示される。更に、当該アニーリング雰囲気に水素又はアルゴン雰囲気を採択することは周知・慣用事項〔必要ならば、甲第３号証の前記（Ｃ−２）〜（Ｃ−４）、甲第４号証の前記（Ｄ−２）、（Ｄ−４）及び（Ｄ−５）等を参照〕となっている。
　そして、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハは、その窒素濃度が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であって、上記の少なくとも１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３との条件を満たすものであって、上記のアニーリングの処理に適合することは明白である。
　そうすると、上記教示に従い、表面近傍領域における欠陥密度を低減化することを目的として、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハに対してアニーリングを施すことにより低欠陥密度シリコンウエハとすること、そして、その際、そのアニーリングの条件として、上記の水素又はアルゴン雰囲気を適用することは当業者であれば当然に実施するものである。
　この場合、アニーリングは熱処理の一種であるので、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハは「熱処理用」シリコンウエハといえることになる。そして、水素又はアルゴン雰囲気は非酸化性の雰囲気に含まれるので、そのアニーリング（熱処理）によりシリコンウエハに「非酸化性熱処理」が施されたことになる。更には、この種のウエーハは、通常、半導体デバイスに用いられるものであるので、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハをアニーリングして得られた低密度シリコンウエハは、「半導体デバイス用シリコンウェハ」ということができるものである。
　してみれば、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハにつき、それを熱処理用とすること、そして、それに非酸化性熱処理を施すことにより半導体デバイスとすること、すなわち、当該相違点ロに係る特定事項を採択することは、甲第１号証におけるその他の記載及び周知技術に基づき、当業者が容易に想到できるものである。
【相違点ハについて】
　訂正明細書の段落００１６、段落００３９、表１、表２、図１及び図２の記載によれば、本件発明１では、当該特定事項を具備することにより、その表面部及びその３μｍ深部において、酸化膜耐圧試験による良品率が９５％以上と優れ、且つ、定電流ＴＤＤＢ試験で正常値を示す半導体デバイス用のシリコンウェハを得ることができたとされるものである。
　これに対して、甲第１号証には、その前記摘示（Ａ−４）によれば、「表面近傍の領域において低欠陥密度を有する低欠陥密度シリコンウエハを得ること」が記載されており、そして、同（Ａ−６）によれば、「窒素濃度が少なくとも１×１０１４／ｃｍ３である単結晶から製造したシリコンウエハはそこに存在する結晶欠陥のサイズ分布を小欠陥に有利にシフトし、これを工程ｃ（すなわち、アニーリング）にしたがって処理した後の欠陥密度は小さくなる」旨記載され、このように、甲第１号証には、表面近傍の領域において欠陥密度の低い低欠陥密度シリコンウエハを得る過程で、シリコンウエハに存在する結晶欠陥の欠陥サイズを微細化するために、そのシリコンウエハの窒素濃度（窒素ドーピング濃度）を少なくとも１×１０１４／ｃｍ３とすることが示される。
　してみれば、甲第１号証の発明ｂにおいて、表面近傍の領域において欠陥密度の低い低欠陥密度シリコンウエハにつき、所望の特性のものを得るために、シリコンウエハの窒素濃度として、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の近辺領域であって、上記窒素濃度の少なくとも１×１０１４／ｃｍ３である範囲内において、試験等によりその特性を確認しつつ、本件発明１の如く、「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）」ないしは「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）」という数値範囲を選定することは、当業者が困難なく適宜実施し得るものである。
　そうすると、甲第１号証の発明ｂにおいて、上記相違点ハに関する特定事項を採択することは、甲第１号証におけるその他の記載に基づき当業者が容易に想到できるものである。
　また、甲第１号証の発明ｂにおいて上記相違点イ〜ハに係る特定事項を組み合わせて具備することにより格別予想し難い効果を奏したということもできない。
　したがって、本件発明１は、甲第１、３、４、６、７及び１０号証に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
VII−１−２−２．本件発明２
　上記VII−１−２−１．の箇所で説示したとおり、甲第１号証には、
「ＣＺ法により製造された窒素濃度が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコンウエハ」に関する発明（「甲第１号証の発明ｂ」）が記載されているということができる。
　そこで、本件発明２と甲第１号証の発明ｂとを対比すると、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハの窒素濃度３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３は本件発明２の数値範囲に含まれ、よって、両者は、
「ＣＺ法で製造され、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にあるシリコンウエハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」である点で一致し、次の点で相違する。
【相違点ニ】該ＣＺ法が、本件発明２では、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」のに対して、甲第１号証の発明ｂではそのことが明示されない点
【相違点ホ】当該窒素濃度のシリコンウェハが、本件発明２では、「熱処理用」シリコンウェハであって、当該シリコンウエハに「水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性熱処理を施した」ことにより「半導体デバイス用のシリコンウェハ」を得ているのに対して、甲第１号証の発明ｂでは、そのことが示されない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点ニについて】
　上記VII−１−１−１．の相違点１の《検討１》及び《検討２》の箇所で説示した理由と同じ理由により、甲第１号証の発明ｂのシリコン単結晶を製造する際のＶ／Ｇ１は、周知・慣用の０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃の数値を含むものであり、したがって、本件発明２が相違点ニに係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得えず、また、甲第１号証の発明ｂにおいて、Ｖ／Ｇ１につき、甲第６、７及び１０号証で公知の数値を適用して、本件発明２のようにすることは当業者にとって何等の困難も伴わないものである。
【相違点ホについて】
　上記VII−１−２−１．の相違点ロの箇所で説示したとおり、甲第１号証には、窒素濃度が少なくとも１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコンウエハをアニーリングすることにより、該シリコンウエハの表面近傍領域における欠陥密度を低減化すること、かつ、そのアニーリングの条件として水素又はアルゴン雰囲気が推奨されることが記載され、また、当該アニーリング雰囲気に水素又はアルゴン雰囲気を採択することは周知・慣用事項となっているものである。更に、当該アニーリング雰囲気として、水素又はアルゴンが主たる態様として含まれるのであるから、その混合ガスの雰囲気も水素又はアルゴンの雰囲気と同効のものとして同様に含まれるものである。
　そして、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハは、その窒素濃度が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であって、上記の少なくとも１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３との条件を満たすものであって、上記のアニーリングの処理に適合することは明白である。
　そうすると、上記教示に従い、表面近傍領域における欠陥密度を低減化することを目的として、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハに対してアニーリングを施すことにより低欠陥密度シリコンウエハとすること、そして、その際、そのアニーリングの条件として、上記の水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス雰囲気を適用することは当業者であれば当然に実施し得るものである。
　この場合、アニーリングは熱処理の一種であるので、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハは「熱処理用」シリコンウエハといえることになる。そして、そのアニーリングには水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス雰囲気が用いられ、この雰囲気は非酸化性の雰囲気に含まれるので、そのアニーリング（熱処理）によりシリコンウエハに「水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性熱処理を施した」ことになる。更には、この種のウエーハは、通常、半導体デバイスに用いられるものであるので、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハをアニーリングして得られた低密度シリコンウエハは、「半導体デバイス用シリコンウェハ」ということができるものである。
　してみれば、甲第１号証の発明ｂのシリコンウエハにつき、それを熱処理用とすること、そして、それに水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性熱処理を施すことにより半導体デバイス用シリコンウェハとすること、すなわち、当該相違点ホに係る特定事項を採択することは、甲第１号証における記載及び周知技術に基づき、当業者が容易に想到できるものである。
　また、甲第１号証の発明ｂにおいて上記相違点ニ及びホに係る特定事項を組み合わせて具備することにより格別予想し難い効果を奏したということもできない。
　したがって、本件発明２は、甲第１、３、４、６、７及び１０号証に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
VII−１−３．無効理由１及び２の結論
　本件請求項１及び２に係る発明は、必要に応じて甲第３、４及び６〜１０号証の記載を参照すれば、本件出願前に頒布された刊行物に該当する甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当する。
　本件請求項１及び２に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物に該当する甲第１号証及び甲第３、４、６〜１０号証に記載された発明と周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
VII−２．無効理由３について
VII−２−１．その１
VII−２−１−１．本件発明１
　甲第２号証には、シリコン単結晶ウエーハに関する記載があり、その実施例の記載につき検討する。
　甲第２号証には、その前記摘示（Ｂ−１１）によれば、「ＣＺ法により得られ窒素をドープした単結晶棒から、ウエーハを切り出して、シリコン単結晶ウエーハを作製し、こうして得られたシリコン単結晶ウエーハを水素５０％とアルゴン５０％からなる雰囲気下でゲッタリング熱処理したこと」が記載されている。
　そして、これに加えて、前記（Ｂ−１１）、（Ｂ−１２）と表１の記載によれば、窒素ドープ量が、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の単結晶から作製されたシリコン単結晶ウエーハをゲッタリング処理しての無欠陥層深さを、ＴＺＤＢ（Time　Zero　Dielectric　Breakdown）及びＴＤＤＢ（Time　Dependent　Dielectric　Breakdown）にて評価したことが記載される。この場合、そのシリコン単結晶ウエハは単結晶棒を加工して得られるものであるが、通常その加工時には単結晶の成分組成が変動しないものであるから、当該シリコン単結晶ウエハの窒素ドープ量が単結晶棒と同じであるということができる。
　以上のことから、甲第２号証には、
「ＣＺ法により得られた単結晶棒から作製され、窒素を３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ドープしたシリコン単結晶ウエーハを、水素５０％とアルゴン５０％からなる雰囲気下でゲッタリング熱処理したシリコン単結晶ウエーハ」（以下、必要に応じて、「甲第２号証の発明ａ」という）に関する発明が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第２号証の発明ａとを対比する。
　甲第２号証の発明ａにおけるシリコン単結晶ウエーハは、ＣＺ法により得られた単結晶棒から作製されるのであるから、ＣＺ法で製造されたものであるということができる。また、甲第２号証の発明ａにおけるゲッタリング熱処理は、一種の熱処理であるといえるので、そのゲッタリング熱処理が施されるシリコン単結晶ウエーハは「熱処理用」のものであるといえるものであり、更に、そのゲッタリング熱処理は、水素５０％とアルゴン５０％からなる雰囲気で実施されるのであるから「非酸化性熱処理」であるということができる。そしてまた、甲第２号証の前記摘示（Ｂ−５）及び（Ｂ−７）によれば、甲第２号証に記載されるウエーハは、半導体デバイスに用いられるものであるので、甲第２号証の発明ａにおける「ゲッタリング熱処理したシリコン単結晶ウエーハ」は「半導体デバイス用シリコンウェハ」に相当するということができる。なお、甲第２号証の発明ａにおけるウエーハは、エピタキシャルウェハに用いられるものではないことはいうまでもない。
　よって、両者は、
「ＣＺ法で製造され、窒素を含有する熱処理用シリコンウエハに非酸化性熱処理を施した半導体デバイス用のシリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点Ａ】該ＣＺ法につき、本件発明１では、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」のに対して、甲第２号証の発明ａではそのことが明示されない点
【相違点Ｂ】当該窒素の含有量につき、本件発明１では、「窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）にある」とするのに対して、甲第２号証の発明ａでは、そのことが明示されない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点Ａについて】
　ＣＺ法とは炉中において融液から液を所定の速度で引き上げながら固化、冷却させて単結晶（単結晶棒）を成長させるものであって、その単結晶においては融液と接する高温部分から炉上部の低温部分に向かって所定の温度勾配が生ずるものであり、このことからみて明らかなとおり、ＣＺ法によりシリコン単結晶を形成する甲第２号証の発明ａにおいては、Ｖ／Ｇ１につき、必ず、何らかの数値を採るものである。
　一方、甲第６号証の前記（Ｅ−１）及び（Ｅ−４）によれば〔そこでのＶ／Ｇ１（ｍｍ２／℃ｍｉｎ）はその単位を含めて本件発明１のＶ／Ｇ１（ｍｍ２／ｍｉｎ℃）に相当する）〕、甲第６号証ではＣＺ法によりシリコン単結晶を実際に製造するときのＶ／Ｇ１が、０．４９５２、０．３５４９、０．３９４３、０．３９４３、０．４７８６、０．３４２９、０．３４２４、０．３２１１、０．２８４５及び０．３２１４であると記載され、そこでの具体例の殆どのものが、Ｖ／Ｇ１につき０．２５〜０．４の範囲に属することが示され、また、甲第７号証の（Ｆ−１）及び（Ｆ−５）によれば〔そこでのｆｐ／Ｇ（ｍｍ２／℃・ｍｉｎ）はその単位を含めて本件発明１のＶ／Ｇ１（ｍｍ２／ｍｉｎ℃）に相当する〕、甲第７号証ではＣＺ法によりシリコン単結晶を実際に製造するときのｆｐ／Ｇが、０．２６、０．２８及び０．２６であると記載され、そこでの具体例のものが、ｆｐ／Ｇにつき０．２６〜０．２８の範囲に属することが示される。更には、甲第１０号証の前記（Ｇ−１）及び（Ｇ−４）によれば〔そこでの（Ｖ／Ｇ）ｃｒｉ（ｍｍ２／℃ｍｉｎ）はその単位を含めて本件発明１のＶ／Ｇ１（ｍｍ２／ｍｉｎ℃）に相当する〕、甲第１０号証ではＣＺ法によりシリコン単結晶を製造するときの（Ｖ／Ｇ）ｃｒｉの条件として０．１５、約０．２２、約０．２５とすることが記載され、そこでの条件のものが、（Ｖ／Ｇ）ｃｒｉにつき０．１５〜約０．２５の範囲に属することが示される。
　このように、ＣＺ法によりシリコン単結晶を形成する場合において、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」ことは、本件出願時において通常採用される周知・慣用の事項に外ならないものである。
　そして、甲第２号証の発明ａにおいては、そのシリコン単結晶ウエーハは単結晶棒を経て形成され、その単結晶棒を製造する際においては冷却速度の制御を受けるものであるが、そのＶ／Ｇ１値の選定については基本的に制限を受けるものではない。
　そうであれば、甲第２号証の発明ａの単結晶棒につき、それを製造する際のＶ／Ｇ１は、当該周知・慣用のＶ／Ｇ１の数値を含むということができる。
　してみれば、本件発明１が相違点Ａに係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得ない。
　
【相違点Ｂについて】
　甲第２号証には、その前記摘示（Ｂ−８）によれば、ウエーハの窒素濃度が１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲であれば、結晶欠陥のサイズを十分に小さくすることができ、ゲッタリング熱処理後のウエーハの無欠陥層深さを深くすることができることが記載され、このように、甲第２号証に記載される技術は、ゲッタリング熱処理後のシリコン単結晶ウエーハの無欠陥層深さを深くする観点から、同熱処理前のシリコン単結晶ウエーハの窒素濃度を、少なくとも１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲とすることに着目するものである。
　そして、甲第２号証の前記（Ｂ−１１）、（Ｂ−１２）と表１の記載によれば、当該ゲッタリング処理して得られた窒素ドープ量が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び無しのシリコン単結晶ウエーハの無欠陥層深さを、ＴＺＤＢ（Time　Zero　Dielectric　Breakdown）及びＴＤＤＢ（Time　Dependent　Dielectric　Breakdown）にて評価した場合、窒素ドープ量が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のものが同２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び無しのものに比べウエーハの無欠陥層深さがより深いことが記載され、このように、ゲッタリング熱処理前のシリコン単結晶ウエーハにつき、甲第２号証の発明ａにおける窒素濃度が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のものが、ゲッタリング熱処理後の無欠陥層深さを深くする点で更に優れたものであることが示されるものである。
　以上のことから、ゲッタリング熱処理後のシリコン単結晶ウエーハの無欠陥層深さを深くする観点から、同熱処理前のシリコン単結晶ウエーハの窒素濃度を、少なくとも１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲とすること、そして、同観点から、甲第２号証の発明ａにおける窒素濃度が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のものが、ゲッタリング熱処理後の無欠陥層深さを深くする点で更に優れたものであることが示されるものである。
　そうすると、甲第２号証の発明ａでは、ゲッタリング熱処理前のシリコン単結晶ウエーハの窒素濃度として、ゲッタリング熱処理後の無欠陥層深さを深くする点で有利な、３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲の数値が実質上示されているといえるものである。
　そこで、改めて、甲第２号証の発明ａの該シリコン単結晶ウエーハの窒素濃度と本件発明１のその濃度とを比べると、両者は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）である点で重複し、一致することが明らかである。
　そうすると、この窒素濃度に関する特定事項については、両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
　したがって、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明ａと同一である。
　
VII−２−１−２．本件発明２
　甲第２号証には、上記VII−２−１−１．の箇所で説示したとおり、
「ＣＺ法により得られた単結晶棒から作製され、窒素を３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ドープしたシリコン単結晶ウエーハを、水素５０％とアルゴン５０％からなる雰囲気下でゲッタリング熱処理したシリコン単結晶ウエーハ」（「甲第２号証の発明ａ」）に関する発明が記載されている。
　そこで、本件発明２と甲第２号証の発明ａとを対比する。
　上記VII−２−１−１．の箇所で説示したとおり、甲第２号証の発明ａにおけるシリコン単結晶ウエーハは、ＣＺ法で製造されたものであるということができ、また、甲第２号証の発明ａにおけるシリコン単結晶ウエーハは熱処理用のものであるということができ、また、甲第２号証の発明ａにおけるゲッタリング熱処理は非酸化性熱処理であるということができ、更に、甲第２号証の発明ａにおける熱処理したシリコン単結晶ウエーハは半導体デバイス用シリコンウェハ（エピタキシャルウェハを除く）に相当するということができる。
　よって、両者は、
「ＣＺ法で製造され、窒素を含有する熱処理用シリコンウエハに非酸化性熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウエハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点Ｃ】該ＣＺ法につき、本件発明２では、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」のに対して、甲第２号証の発明ａではそのことが明示されない点
【相違点Ｄ】当該窒素の含有量につき、本件発明２では、「窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある」とするのに対して、甲第２号証の発明ａではそのことが明示されない点
【相違点Ｅ】該非酸化性熱処理が、本件発明２では、「水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で」実施されるのに対して、甲第２号証の発明ａではその雰囲気が明示されない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点Ｃについて】
　上記VII−２−１−１．の相違点Ａの箇所で説示したとおり、甲第２号証の発明ａでは、その単結晶棒を製造する際のＶ／Ｇ１は、当該周知・慣用のＶ／Ｇ１の数値０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃を含むものである。
　そうであれば、本件発明２が相違点Ｃに係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得ない。
【相違点Ｄについて】
　上記VII−２−１−１．の相違点Ｂの箇所で説示したとおり、甲第２号証の発明ａでは、ゲッタリング処理前のシリコン単結晶ウエーハの窒素濃度として、ゲッタリング熱処理後の無欠陥層深さを深くする点で優位な、３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲の数値が、実質上、示されているといえるものである。
　そして、甲第２号証の発明ａのシリコン単結晶ウエーハの窒素濃度と本件発明２のその濃度とを比べると、両者は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である点で一致し、したがって、この窒素濃度に関する特定事項は、両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
【相違点Ｅについて】
　甲第２号証の発明ａのゲッタリング熱処理（非酸化性熱処理）とは、甲第２号証の前記摘示（Ｂ−７）によれば、「主に不純物酸素の外方拡散によるシリコン単結晶ウエーハ表面近傍の結晶欠陥の消滅を目的とする」ものであって、甲第２号証の発明ａで用いられる水素５０％とアルゴン５０％からなるゲッタリング熱処理雰囲気は、上記意味で用いられるものであり、その成分に限定されなければならないものではない。このことは、例えば、甲第２号証の前記（Ｂ−９）により、ゲッタリング熱処理を水素ガス１００％雰囲気で実施していることからみても妥当なことである。
 　そして、シリコンウエハ又はシリコン基板につき、不純物酸素の外方拡散により表面近傍の結晶欠陥を消滅させる場合、その熱処理雰囲気に、水素及びアルゴン雰囲気を同効のものとして用いることは周知・慣用の事項〔必要ならば、甲第３号証の前記摘示（Ｃ−２）〜（Ｃ−４）、甲第４号証の同（Ｄ−２）、（Ｄ−４）及び（Ｄ−５）、等を参照〕となっている。更に、当該不純物酸素の外方拡散における水素及びアルゴン雰囲気が同効のものとして周知・慣用となっているのであるから、その混合ガスの雰囲気を用いることも水素又はアルゴンの雰囲気と同効のものとして同様に周知・慣用となっているということができる。 
　してみれば、甲第２号証の発明ａにおいては、ゲッタリング熱処理の雰囲気として、水素５０％とアルゴン５０％からなる雰囲気を、同効の雰囲気である水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（水素５０％とアルゴン５０％を除く）雰囲気に置換し得ることは自明なこととして把握できるものである。
　そこで、そのように置換した場合に、改めて、甲第２号証の発明ａのゲッタリング熱処理の雰囲気と本件発明２の非酸化性熱処理の雰囲気とを比べると、両者は、水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（水素５０％とアルゴン５０％を除く）雰囲気である点で一致することが明らかである。
　そうすると、この雰囲気成分に関する特定事項は、両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
　したがって、本件発明２は、甲第２号証に記載された発明ａと同一である。
　
VII−２−２．その２
VII−２−２−１．本件発明１
　甲第２号証には、シリコン単結晶ウエハに関する記載があり、その具体的記載内容を検討する。
　甲第２号証の前記摘示（Ｂ−１）及び（Ｂ−２）によれば、「チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得た窒素濃度が１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコン単結晶ウエーハ」に関する事項が記載され、そして、再度同（Ｂ−１）によれば、そのシリコン単結晶ウエーハに、ゲッタリング熱処理が施されて、無欠陥層深さが２〜１２μｍであるシリコン単結晶ウエーハが得られることが記載される。また、該チョクラルスキー法には、同（Ｂ−１３）によれば、いわゆる磁場を印加するＭＣＺ法も含まれる。
　よって、甲第２号証には、
「ＭＣＺ法を含むチョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得た窒素濃度が１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコン単結晶ウエーハに、ゲッタリング熱処理が施されてなるシリコン単結晶ウエーハ」に関する発明（以下、必要に応じて、「甲第２号証の発明ｂ」という）が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第２号証の発明ｂとを対比する。
　甲第２号証の発明ｂにおけるシリコン単結晶ウエーハは、ＭＣＺ法を含むチョクラルスキー法（ＣＺ法）により育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得られるのであるから、そのシリコン単結晶ウエーハは、ＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造されたものであるといえる。
　そして、甲第２号証の発明ｂにおけるゲッタリング熱処理は、一種の熱処理に当たるので、その熱処理が施されるシリコン単結晶ウエーハは熱処理用のものであるということができるものであり、また、このシリコン単結晶ウエーハには熱処理が施されるということができる。
　更に、甲第２号証の前記摘示（Ｂ−５）及び（Ｂ−７）によれば、甲第２号証に記載されるウエーハは、半導体デバイスに用いられるものであるので、甲第２号証の発明ｂにおける「ゲッタリング熱処理が施されてなるシリコン単結晶ウエーハ」は「半導体デバイス用シリコンウェハ」に相当するということができる。
　なお、甲第２号証の発明ｂのシリコン単結晶ウエーハは、エピタキシャルウェハ以外の用途にも供されることはいうまでもないことである。
　よって、両者は、
「ＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造され、窒素を含む熱処理用シリコンウェハに熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」である点で一致し、次の点で相違する。
【相違点ａ】該ＣＺ法につき、本件発明１では、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」のに対して、甲第２号証の発明ｂではそのことが明示されない点
【相違点ｂ】窒素の含有量につき、本件発明１では、「窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）にある」のに対し、甲第２号証の発明ｂではそのことが明示されない点
【相違点ｃ】施される熱処理が、本件発明１では、「非酸化性」であるのに対して、甲第２号証の発明ｂではそのことが明示されない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点ａについて】
　上記VII−２−１−１．の相違点Ａの箇所で説示したとおり、ＣＺ法によりシリコン単結晶を形成する場合において、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」ことは、本件出願時において通常採用される周知・慣用の事項に外ならないものである。
　そして、甲第２号証の発明ｂにおいては、そのシリコン単結晶ウエーハは単結晶棒を経て形成されるものであるが、その単結晶棒を製造する際のＶ／Ｇ１値の選定については特段制限を受けるものではない。
　そうであれば、甲第２号証の発明ｂの単結晶棒につき、それを製造する際のＶ／Ｇ１は、当該周知・慣用のＶ／Ｇ１の数値０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃を含むということができる。
　してみれば、本件発明１が相違点ａに係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得ない。
【相違点ｂについて】
　本件発明１の熱処理用シリコンウェハの窒素含有量は「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）」であるが、甲第２号証の発明ｃのシリコン単結晶ウエーハにおける窒素濃度は、「１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」であって、両者の窒素濃度は「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（但し、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を除く）」である点で一致するものであり、この点で、両者は同一であるといえる。
　
　但し、被請求人は、本件発明１では、当該特定事項を具備する点で、甲第２号証の発明ｂに対して、いわゆる選択発明を構成する旨、実質上、主張していると認められるので、この主張についても検討する。
（１）訂正明細書の段落００１６、段落００３９、表１、表２、図１及び図２の記載によれば、本件発明１では、当該特定事項を具備することにより、その表面部及びその３μｍ深部において、酸化膜耐圧試験による良品率が９５％以上と優れ、且つ、定電流ＴＤＤＢ試験で正常値を示す半導体デバイス用のシリコンウェハを得ることができたとされるものである。
　しかし、上記の酸化膜耐圧試験及び定電流ＴＤＤＢ試験においては、訂正明細書の段落０００３、０００６、０００９及び００２１の記載によれば、半導体デバイス用のシリコンウェハの表面部及びその３μｍ深部における欠陥密度の多寡をみるに過ぎないものである。そうであれば、本件発明１の窒素濃度に関する当該特定事項は、半導体デバイス用のシリコンウェハの表面部及びその３μｍ深部における欠陥密度を低減させただけのものであるということに帰結するものである。
（２）これに対して、甲第２号証の前記摘示（Ｂ−８）によれば、ウエーハの窒素濃度が１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲であれば、結晶欠陥のサイズを十分に小さくすることができ、ゲッタリング熱処理後の無欠陥層深さを深くすることができることが記載され、このように、甲第２号証の発明ｂは、熱処理後のシリコン単結晶ウエーハにつき、その無欠陥層深さを深くするためにシリコン単結晶ウエーハの窒素濃度として１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲を選定するものである。
　この場合、無欠陥層深さを深くすることは、甲第２号証の「これらの結晶欠陥はデバイスが形成されるウエーハの表層部に存在すると、デバイス特性を劣化させる有害な欠陥となるので、このような結晶欠陥を低減し、十分な深さを有する無欠陥層（ＤＺ）を表層部に有するウエーハを作製することが望ましい。」（第２欄第３２〜３６行）の記載からみて明らかなとおり、その表層部分の結晶欠陥だけでなく十分な深さの部分の結晶欠陥についても低減化させることを意味するものである。
　そうであれば、本件発明１と甲第２号証の発明ｂとの窒素濃度の数値は、共に、シリコンウェハの表面部とその深部における欠陥密度を低下させる観点から設定されたものであり、その数値の設定目的において相違するものではない。
（３）次に、甲第２号証の前記（Ｂ−１１）、（Ｂ−１２）、表１と図１の記載によれば、甲第２号証の発明ｂにおいては、当該ゲッタリング熱処理して得られたシリコン単結晶ウエーハにつき、本件発明１の評価方法と同様ないしは類似するＴＺＤＢ（Time　Zero　Dielectric　Breakdown）及びＴＤＤＢ（Time　Dependent　Dielectric　Breakdown）にて評価したものであるが、特に、その表１によれば、窒素ドープ量が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のシリコン単結晶ウエーハが示され、その中の窒素ドープ量が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のもの無欠陥層深さが、同３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のものに比べ向上していることが示され、このように、甲第２号証の発明ｂにおけるシリコン単結晶ウエーハの窒素濃度が３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３が、ゲッタリング熱処理後の無欠陥層深さを深くする点でより一層良好なもの（ないしは最良のもの）であることが示されるものである（特に、表１を参照）。このことからみれば、甲第２号証の発明ｂにおけるシリコン単結晶ウエーハの窒素濃度３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とその数値を挟む２×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度（ないしは１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）の範囲のものが略同様に、無欠陥層深さを深くする点で一層良好なものであって、その表層部だけでなく十分な深さまで結晶欠陥をより低減化させることができることが無理なく予測できるものである。
　そうすると、訂正明細書の上記の酸化膜耐圧試験及び定電流ＴＤＤＢ試験を表す表１、表２、図１及び図２の記載によれば、仮に、その窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内のものは、他の数値のものに比べてシリコンウェハの表面部及びその３μｍ深部における欠陥密度を低減させたことが示されるとしても、その効果の顕著性は甲第２号証の発明ｂで開示されるものを超えないということができる。
（４）以上のとおり、本件発明１と甲第２号証の発明ｂは、その窒素濃度の数値範囲が元々互いに重複・一致するだけでなく、その数値限定の目的及び効果においても実質上の差異はないものであり、したがって、熱処理用シリコンウェハの窒素含有量に関するこの特定事項を具備する点で本件発明１が甲第２号証の発明ｂに対して選択発明を構成するといえるものでもなく、結局、当該特定事項は、実質上の相違点とはなり得ないものである。
　
【相違点ｃについて】
　甲第２号証の発明ｂのゲッタリング熱処理（非酸化性熱処理）の雰囲気として、水素５０％とアルゴン５０％であるものだけでなく、甲第２号証の前記摘示（Ｂ−９）によれば、水素ガス１００％雰囲気が選定できるものである。
　更に、そのゲッタリング熱処理とは、同（Ｂ−７）によれば、「主に不純物酸素の外方拡散によるシリコン単結晶ウエーハの表面近傍の結晶欠陥の消滅を目的とする」ものであるのであるから、その雰囲気は、上記したものに限られないものである。そして、シリコンウエハ又はシリコン基板につき、不純物酸素の外方拡散による表面近傍の結晶欠陥の消滅する場合、その熱処理雰囲気成分として、水素及びアルゴンは同効のものであって共に雰囲気ガスとして採択されることは周知・慣用の事項〔必要ならば、甲第３号証の前記摘示（Ｃ−２）〜（Ｃ−４）、甲第４号証の同（Ｄ−２）、（Ｄ−４）及び（Ｄ−５）、等を参照〕となっている。そしてまた、当該不純物酸素の外方拡散における水素又はアルゴン雰囲気が周知・慣用となっているのであるから、その混合ガスの雰囲気も水素又はアルゴンの雰囲気と同効のものとして同様に周知・慣用となっているということができる。
　してみれば、甲第２号証の発明ｂにおいては、ゲッタリング熱処理の雰囲気に、水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス雰囲気が、実質上、含まれるものである。この場合、当該雰囲気は非酸化性であることはいうまでもない。
　そこで、改めて、本件発明１の熱処理と甲第２号証の発明ｂのゲッタリング熱処理とを比べると、甲第２号証の発明ｂにおけるものは水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気で非酸化性ということができるものであって、両者は一致する。
　そうすると、相違点ｃに係る熱処理条件に関する特定事項は、両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
　したがって、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明ｃと同一である。
　
VII−２−２−２．本件発明２
　上記VII−２−２−１．の箇所で説示したとおり、甲第２号証には、
「ＭＣＺ法を含むチョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得た窒素濃度が１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるシリコン単結晶ウエーハに、ゲッタリング熱処理が施されてなるシリコン単結晶ウエーハ」に関する発明（「甲第２号証の発明ｂ」）が記載されている。
　そこで、本件発明２と甲第２号証の発明ｂとを対比すると、両者は、上記VII−２−２−１．の箇所で説示したとおり、
「ＣＺ法若しくはＭＣＺ法で製造され、窒素を含む熱処理用シリコンウェハに熱処理を施した、半導体デバイス用シリコンウェハ（但し、エピタキシャルウェハを除く）」である点で一致し、次の点で相違する。
【相違点ｄ】該ＣＺ法につき、本件発明２では、「Ｖ／Ｇ１（Ｖ：引上速度、Ｇ１：固液界面近傍の温度勾配）を０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃とする」のに対して、甲第２号証の発明ｂではそのことが明示されない点
【相違点ｅ】熱処理用シリコンウェハの窒素の含有量につき、本件発明２では、「窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内にある」のに対し、甲第２号証の発明ｂではそのことが明示されない点
【相違点ｆ】施される熱処理が、本件発明２では、「水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性」熱処理であるのに対して、甲第２号証の発明ｂではそのことが明示されない点
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点ｄについて】
　上記VII−２−２−１．の相違点ａの箇所で説示したとおり、甲第２号証の発明ｂにおいては、単結晶棒につき、それを製造する際のＶ／Ｇ１は、周知・慣用のＶ／Ｇ１の数値０．１３〜０．４ｍｍ２／ｍｉｎ℃を含むということができる。
　してみれば、本件発明２が相違点ｄに係る特定事項を具備することは、両者の実質上の相違点とはなり得ない。
【相違点ｅについて】
　本件発明２の熱処理用シリコンウェハの窒素含有量は「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内」であるが、甲第２号証の発明ｂのシリコン単結晶ウエーハにおける窒素濃度は、「１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」であって、両者の当該窒素濃度は「１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」である点で一致するものであり、この点で、両者は同一であるといえる。
　また、上記VII−２−２−１．の相違点ｂの箇所で説示したとおり、本件発明２と甲第２号証の発明ｂは、その窒素濃度の数値範囲が互いに重複・一致するだけでなく、その数値限定の目的及び効果においても実質上の差異はないものであり、したがって、熱処理用シリコンウェハの窒素含有量に関するこの特定事項を具備する点で本件発明２が甲第２号証の発明ｂに対して選択発明を構成するといえるものでもなく、結局、当該特定事項は、実質上の相違点とはなり得ないものである。
【相違点ｆについて】
　上記VII−２−２−１．の相違点ｃの箇所で説示したとおり、甲第２号証の発明ｂにおいては、ゲッタリング熱処理の雰囲気に、水素及びアルゴン雰囲気が、実質上、含まれ、また、その水素とアルゴンが同効のものであるとされるのであるその混合ガスの雰囲気も、実質上、含まれるものである。
　そこで、改めて、本件発明２と甲第２号証の発明ｂとを比べると、両者の熱処理は、「水素、アルゴン、若しくは、水素及びアルゴンの混合ガス（但し、水素５０％及びアルゴン５０％を除く）雰囲気下で非酸化性」熱処理である点で両者は一致するものである。
　そうすると、相違点ｆに係る熱処理に関する特定事項は、両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
　したがって、本件発明２は、甲第２号証に記載された発明と同一である。
　
VII−２−３．理由３の結論　
　本件発明１及び２は、必要に応じて甲第１及び３〜１０号証の記載を参照すれば、本件の出願日前の他の出願であってその出願後に出願公開された特願平１１−６３６１２号（特開２０００−２１１９９５号）の願書に最初に添付した明細書及び図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件発明の発明者が上記他の出願の発明者と同一であるとも、また、本件出願の時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件発明１及び２は特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
VII−３．無効理由４について
　ここでの請求人の主張は、次の（ａ）及び（ｂ）の点で、本件明細書の発明の詳細な説明において当業者がその実施をすることができる程度にその発明が明確かつ十分に記載がされていないというものである。
（ａ）本件特許明細書の発明の詳細な説明では、アルゴン雰囲気につき熱処理を行った品質評価結果が記載されていない。
（ｂ）本件特許明細書の発明の詳細な説明では、ＭＣＺ法につきその方法で製造したウェーハの品質評価結果は記載されていない。
　以下に、検討する。
（ａ）について
　訂正明細書には「ウエハ表層の結晶欠陥を低減するための非酸化性加熱処理（無酸素状態でのアニール処理）の全てが本発明の範囲に含まれる。」（段落００１７）と記載され、この記載からみて明らかなように、本件発明１及び２の熱処理はウエハ表層の結晶欠陥を低減するために実施されるものであるが、このようなウエハ表層の欠陥を低減する熱処理のための雰囲気として、アルゴンと水素とは同効のものであって共に雰囲気ガスとして採択されることは周知・慣用の事項〔必要ならば、甲第３号証の前記摘示（Ｃ−２）〜（Ｃ−４）、甲第４号証の同（Ｄ−２）、（Ｄ−４）及び（Ｄ−５）、等を参照〕となっている。
　そして、訂正明細書の発明の詳細な説明に記載の実験例においては、水素雰囲気を採用した場合には所定の効果を奏するものである。
　してみれば、アルゴン（更には、水素とアルゴンの混合ガス）について品質評価結果が具体的に明細書に記載されていないとしても、上記周知技術により、アルゴン（更には、水素とアルゴンの混合ガス）も、その熱処理に際して水素と同等の効果を奏するこのことが無理なく予測できるものである。
　他に、当該熱処理に際して水素とアルゴンとでは、その挙動が著しく異なるとする理由もない。
　したがって、アルゴン雰囲気熱処理の品質評価結果が、訂正明細書の発明の詳細な説明に具体的に記載されていないとしても、当該分野の技術常識を勘案すれば、その品質評価結果は自ずと明らかになるものであり、請求人の主張するような明細書の不備はない。
（ｂ）について
　ＭＣＺ法は、ＣＺ法につき、その融液に磁場をかけるだけのものであって、結晶育成方法及びその成長機構につきＣＺ法との間に基本的な違いはない。
　そして、訂正明細書の発明の詳細な説明に記載の実験例等の記載によれば、ＣＺ法で製造（単結晶棒状体を経て）された熱処理用シリコンウェハを用いた場合には所定の効果を奏したものである。
　してみれば、ＣＺ法とほとんど変わりのないＭＣＺ法で製造された熱処理用シリコンウェハにおいても、ＣＺ法のものと同等の効果を奏するものであり、このことが無理なく予測できるものである。
　他に、熱処理用シリコンウェハにつき、ＣＺ法由来のものととＭＣＺ法由来のものとの間で著しく異なるとする理由もない。
　したがって、ＭＣＺ法で製造したウェーハの品質評価が、訂正明細書の発明の詳細な説明に具体的に記載されていないとしても、当該分野の技術常識を勘案すれば、その品質評価結果は自ずと明らかになるものであり、請求人の主張するような明細書の不備はない。
　そうすると、上記（ａ）及び（ｂ）の点で本件発明１及び２の特許が、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるということはできない。
　
VII−４．被請求人の主張について
（１）被請求人は、「甲第３号証と甲第４号証には、窒素ドープしたシリコンウェハの熱処理に関する記載がないところ、ウェハ内の窒素濃度や熱処理雰囲気が処理後のウェハに及ぼす影響が本件特許の出願時に必ずしも明らかでないのであるから、極めて容易との主張は失当である。」（平成１６年９月２４日付け審判事件答弁書第１０頁第２４〜２８行、等）と、甲第３及び４号証には窒素ドープしたシリコンウェハの熱処理に関する記載がなく、当該甲第３及び４号証に記載される技術を甲第１号証に記載の発明に適用することは容易でない旨主張する。
　しかし、甲第１号証には、その半導体ウエハにおいて、その前記摘示（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−５）及び（Ａ−６）によれば、そこでの請求項１のように単結晶を早く冷却することにより欠陥のサイズを微少化した場合にあっても、また、そこでの請求項２のように窒素をドープすることにより欠陥のサイズを微少化した場合にあっても、いずれの場合も、アニーリングにより表面近傍の領域における欠陥密度の低減化が実現できることが明示されるものであり、そして、甲第１号証の他の記載をみても、半導体ウエハ中の窒素の有無に応じてアニーリングの雰囲気を異ならせることなど記載されるものではない。そうすると、甲第１号証に記載される発明においては、その半導体ウエハに窒素が存在するか否かにかかわりなく、原則、同一の条件でアニーリングが実施されることが示されているといえる。
　してみれば、甲第３及び４号証に記載のものでは、アニーリング雰囲気が窒素を含有しないシリコンウエハにつき教示するものではないとしても、少なくとも甲第３及び４号証には窒素を含有しない場合のアニーリング雰囲気が記載され、そして、甲第１号証における半導体ウエハのアニーリングは、その半導体ウエハに窒素が存在するか否かにかかわりなく、原則、同一条件で実施されるというものであるから、当業者であれば、低欠陥密度のシリコンウエハを得るために、この甲第３及び４号証で示される技術を甲第１号証に記載の窒素を含有するシリコンウエハに適用することは当然のことである。したがって、被請求人のこの主張は合理的でない。
（２）被請求人は、上記（１）に続いて、「甲第１号証の実施例３では、酸素／窒素雰囲気中でアニーリングを行い、図６のような結果を得ているので、アルゴンあるいは水素雰囲気（非酸化性雰囲気）を選択することが極めて容易であるとの主張は失当である。」（平成１６年９月２４日付け審判事件答弁書第１０頁第２８行〜第１１頁第２行、等）と主張するので、以下に、甲第１号証の実施例３の記載を考慮した場合のアニーリング雰囲気の選択につき検討する。
　甲第１号証の実施例３では、半導体デバイス用のシリコンウェハでは特殊ともいえる（必要ならば、甲第５号証第６８頁第２〜３行の記載、等を参照）フロートゾーン法（ＦＺ法）を経てシリコンウエハを製造していることから、そこで得られたシリコンウエハは、その酸素濃度が低いものとなっている（必要ならば、甲第１号証の第１欄第３８〜４１行、同第２欄第８〜１３行、同第６欄第３２〜３３行）。そして、この実施例３では、このような酸素濃度の低いシリコンウエハにつき試験されたものであるから、あえて酸素を含むアニーリング雰囲気（窒素は非酸化雰囲気といえるものであり、また、酸素の濃度も示されない）で処理したものと解し得るものである。
　そのうえ、甲第１号証の実施例３及び図６では、酸素／窒素雰囲気でアニーリングした場合に欠陥密度の低減化が実現できたことが示されるだけであって、そこでは、窒素を含有するＦＺ法又はＣＺ法によるシリコンウエハに対して水素又はアルゴン雰囲気のアリーリングを施した場合には、意図した欠陥密度の低減化が実現できないことまでが示されるものでない。
　そうであれば、甲第１号証の実施例３の記載は、窒素を含有するＦＺ法によるシリコンウエハにつき、酸素／窒素雰囲気でアニーリングしたことが示されるとしても、このことからそれ以上のことを導き出すことはできない。
　これに対して、ＣＺ法によるシリコンウエハでは、前記摘示（Ａ−１０）によれば、アルゴン雰囲気が適用されるものであり、更に、前記摘示（Ａ−９）によれば、シリコンウエハのアニーリング雰囲気として水素又はアルゴンが重ねて（酸素又は酸素／窒素混合物よりも上位のものとして）推奨されるものであり、そうであれば、甲第１号証に記載の発明においてＣＺ法による窒素含有シリコンウエハにアニーリングを施す場合に、少なくとも水素又はアルゴン雰囲気を用いることは当業者にとって自明のことであるといえる。 
　更に、甲第３及び４号証に記載されるアニーリングないしは熱処理と甲第１号証に記載されるアニーリングとは、共に、シリコンウエハの表面近傍（ないしは表層近傍）領域における欠陥密度を低減化することを意図するものであって、その目的は実質上同一であるから、シリコンウエハをアニーリングする場合、甲第３及び４号証に記載される水素又はアルゴンの熱処理雰囲気を参酌することは当然のことであり、このことを加味すれば、甲第１号証に記載の発明においてＣＺ法による窒素含有シリコンウエハのアニーリングに際し、水素又はアルゴン雰囲気を用いることはより一層自明であるといえる。
（３）被請求人は、「本件発明が、当業者が思いもよらなかった窒素添加の弊害の存在及びこれを防止するための上限数値の存在を新たに発見した」（平成１７年８月２２日付け審判事件答弁書第１６頁第１４〜１５行）及び「本件発明には、それまで意識されていなかった窒素添加には弊害があることを新たに知見し、かかる弊害を防止しうる上限範囲を導き出したという独自の技術的意義がある」（平成１７年８月２２日付け審判事件答弁書第２１頁第１〜３行）と主張するので、以下に検討する。
　被請求人の主張する上限とは、シリコンウェハの窒素濃度１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲の４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
　そして、甲第１号証に記載の発明では、その窒素濃度を少なくとも１×１０１４／ｃｍ３とした上で、その実施例２で３×１０１４／ｃｍ３の数値が有効であると確認されるものであり、また、甲第２号証に記載の発明では、１×１０１２〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とした上で、その実施例で３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の数値と３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の数値が有効であると確認されるものであり、このように、甲第１及び２号証のいずれのものにあっても、少なくとも、３×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を含む前後の領域が、すなわち、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３内の領域が、半導体デバイス用シリコンウェハに有効であることが実質上示されるものである。
　そうであれば、被請求人の主張は、上記有効である領域の範囲外であるところの窒素濃度が４×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を越える領域における効果が劣り、場合によっては、同１×１０１４／ｃｍ３未満領域における効果が劣るということを、唯、確認したに過ぎないということができる。
　また、そもそも、シリコン単結晶ないしはシリコンウェハ（以下、「シリコンウェハ」という）にあっては、窒素は甲第１及び２号証に記載されるとおり有用な成分であるものの、それが、シリコンウェハに固溶限界（５×１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）近く多量に含有されるとなれば、その窒素はシリコンウェハにとっては元来不純物ということができることから、他の観点からシリコンウェハの物性に悪影響を及ぼすに至ることが容易に予測できるものであり、このことは、甲第１号証に記載の発明においては、窒素が１．５１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３及び３．０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のもの（甲第１号証の実施例３）についてはアニーリングをしておらず、また、甲第２号証に記載の発明では、その第４図によれば、窒素濃度が４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を越えたところからエピタキシャル層表面の積層欠陥密度が増大することからも窺い知ることができる。
　したがって、当該シリコンウェハの窒素濃度に関する上限数値又は上限範囲の発見ないしは知見は、被請求人が主張するように顕著といえるものではない。
　
VIII．まとめ
　以上のとおり、訂正後の本件請求項１及び２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号、同法第２９条第２項、及び、同法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきものである。
　また、審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。