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　特願２００２−５６１２９１「光抽出用の改良を含む発光ダイオード及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　８日国際公開、ＷＯ０２／６１８４７、平成１６年　７月１５日国内公表、特表２００４−５２１４９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、２００２年２月１日（パリ条約による優先権主張２００１年２月１日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項に係る発明は、本願特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「第１の面の表面積が第２の面よりも小さい、該第１及び該第２の対向する面を有する基板と、
　前記第２の面上のダイオード領域と、
　前記ダイオード領域と反対側の前記第１の面上にある第１のオーム層と、
　前記基板と反対側の前記第１のオーム層上にある接着層と、
　前記第１のオーム層の反対側の前記接着層上にある第１の障壁層と、
　前記接着層の反対側の前記第１の障壁層上にある第１の結合層と、
　前記基板の反対側の前記ダイオード領域上にある第２のオーム層と、
　前記ダイオード領域の反対側の前記第２のオーム層上にある反射材層と、
　前記第２のオーム層の反対側の前記反射材層上にある第２の障壁層と、
　前記反射材層の反対側の前記第２の障壁層上にある第２の結合層と
　を含んでなる発光ダイオード。」　
　
２．刊行物
（１）刊行物１
　原査定の拒絶理由に引用された特開平１１−３１７５４６号公報（以下「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
Ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤、オレンジ、アンバー、黄緑や緑等の発光色が得られるＧａＰ系，ＧａＡｓＰ系，ＧａＡｌＡｓ系，ＧａＮ系などの化合物半導体を積層した半導体発光素子を含む半導体発光装置に係り、特に半導体発光素子自身の発光輝度の向上と主光取出し面以外から放出される漏光を効率的に発光方向に反射回収できるようにした半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】結晶基板の上に半導体薄膜層を成長させた半導体発光素子の中で、赤、オレンジ、アンバー、黄緑や緑などの発光色を持つものとして、ＧａＰ系，ＧａＡｓＰ系，ＧａＡｌＡｓ系等が、あるいは緑色や青色などの発光色を持つものとしてＧａＮ系等のIII−V族の化合物半導体が従来から利用されている。
…
【０００６】一方、ＧａＮ系の化合物半導体を利用する半導体発光素子では、結晶基板として絶縁性のサファイアを用いるのが近来では主流である。このような絶縁性の結晶基板を用いる場合では、上述の導電性の半導体基板を用いる場合と異なり、ｎ電極およびｐ電極を基板の半導体層形成面側に形成すると同時に主光取出し面側とする構成が用いられている。
【０００７】しかしながら、最近になり、ＧａＮに代表されるＧａＮ系化合物半導体からなる基板が得られるようになり、これを結晶基板として用いたＧａＮ系化合物半導体からなる半導体発光素子が作製されるようになっている。このため、ＧａＮ等の半導体材料を結晶基板として用いる半導体発光素子の場合においても、ＧａＮ系の化合物半導体は半導体発光素子の発光波長に対して透明であるので、上述のＧａＰ系，ＧａＡｓＰ系，ＧａＡｌＡｓ系等の化合物半導体を利用する半導体発光素子の場合と同様の素子構成とすることが可能となっているのが現状である。」
　
Ｂ　「【００４１】図１は本発明の半導体発光装置の要部を示す拡大図である。図示の例は、図７及び図８に示したＬＥＤランプのリードフレームのリード２１ａのマウント部２１ｂに発光素子を搭載したものとして示す。
【００４２】図１において、発光素子１は、ＧａＰ系，ＧａＡｓＰ系，ＧａＮ系の化合物半導体を利用したもので、透明のｎ型半導体基板２に透明または光透過性のｎ型半導体層３とｐ型半導体層４とを積層し、これらによるｐ−ｎ接合域を発光層５としたものである。すなわち、ｎ型半導体基板２はｎ型半導体層３の積層面を第１の主面とするとともに、図示の姿勢において上面を第２の主面としてこの第２の主面の表面にドット形式の１個のｎ電極２ａを形成し、ｐ型半導体層４の表面には複数のｐ電極４ａを同様にドット形式のものとして形成している。そして、図８で示した従来構造のものを上下反転させて、ｎ型半導体基板２が上側であって発光層５がその下側となる姿勢としてマウント部２１ｂの上に搭載するものとし、これにより発光層５を下側に偏らせた配置とすることができる。
【００４３】発光素子１は、マウント部２１ｂに塗布した導電性の接着剤６によって、このマウント部２１ｂに固定するとともにリード２１ａと電気的に導通させる。この接着剤６は先に述べたように、透明のエポキシ樹脂を主剤としこれにフィラーとしてＡｇを混入したものであり、混入したＡｇによってｐ電極４ａをリード２１ａに導通させることができる。また、ｎ電極２ａはワイヤ２３によってリード２１ｃ側にボンディングされ、発光素子１はリード２１ａ，２１ｃとの間で導通接続される。
【００４４】以上の構成において、発光素子１に通電すると発光層５が活性化されて発光し、透明または光透過性のｎ型半導体層３から透明のｎ型半導体基板２を抜けてその上面を主光取出し面として光を放出する。そして、発光層５からの光は、主光取出し面側だけでなく側方へも透明または光透過性のｐ型半導体層４を抜けて下向きにも放出される。」
　
Ｃ　「【００４８】図２は別の構成を示す要部の概略図であり、図１に示したものと同じ部材については共通の符号で指示しその詳細な説明は省略する。
【００４９】発光素子１のｎ電極２ａを上面に形成したｎ型半導体基板２と、ｎ型半導体層３及びｐ型半導体層４の外郭形状は図１のものと全く同じであるが、ｐ型半導体層４の下面には１個のｐ電極４ａを設けていること及び導電性の接着剤は使用しないことの２点で相違している。
【００５０】すなわち、発光素子１をマウント部２１ｂに搭載固定するとともにリード２１ａと導通接続するため、ｐ電極４ａにはマイクロバンプ７を形成している。このマイクロバンプ７はｐ電極４ａにワイヤをボンディングした後に、このボンディング部分だけを残して引きちぎることによって、ｐ電極４ａに一体に形成されたものである。そして、マウント部２１ｂに搭載して固定するアセンブリは、マイクロバンプ７をマウント部２１ｂの上面に超音波振動及び加熱を負荷することによって一体に接合する方法による。
【００５１】このようなマイクロバンプ７を用いた発光装置においても、発光層５から側方に放出される光の回収効率が高いことは、図１の例のものと同様である。
【００５２】これに加えて、ｐ型半導体層４の底面には１個のｐ電極４ａだけを設けていて遮光面積を小さくしているので、発光層５から下に抜ける光の透過面積を広げることができる。したがって、マウント部２１ｂを光反射膜等による反射面としておけば、下に抜けた光を主光取出し面側に反射させることができ、漏光を回収することができる。そして、Ａｇペースト等による導電性の接着剤が介在しないので、この接着剤の中に光が閉じ込められてしまうこともない。
【００５３】このように、マイクロバンプ７を利用した発光素子１の搭載構造であれば、マウント部２１ｂ側への透過光の増大が図れると同時に接着剤による光の減衰もなくなり、図１の構成のものと比較しても発光輝度が格段に向上する。
【００５４】なお、ＧａＮ系の化合物半導体を利用する半導体発光素子を用いる場合においては、ｐ型半導体層４内で電流が広がりにくくｐ電極４ａの直上のみで発光する傾向があるため、ｐ型半導体層４の表面のほぼ全面にｐ電極４ａを設ける構成とすることにより、電流を層全体に均一に広げ発光層５のほぼ全面からの発光が得られる。そして、このｐ電極４ａを光透過可能な構成とする場合には、上述の例と同様に発光層５から下方へ向かう光を、マウント部２１ｂに設けた反射面を用いて主光取出し面側へ反射させることが可能となる。また、ｐ電極４ａを発光層５からの発光に対し反射可能なものとする場合には、発光層５から下方へ向かう光をこのｐ電極４ａにより発光素子の側方または上方へ反射させて主光取出し面側へ向かわせることが可能となる。」
　
Ｄ　「【００５９】図４は更に別の発光素子の構成例を示す要部の断面図であり、図１及び図２の例と同じ部材については共通の符号で指示している。
【００６０】図１及び図２の例は、発光素子１の側面はダイシングによって下側が少しテーパ状となる形状となっているのに対し、図４の例では、ｎ型半導体基板２はその下端側の一部を除いて上側に向けてテーパを形成した四角錐台の外郭を持つ。すなわち、ｎ型半導体基板２はｎ電極２ａを形成する上面の平面積はｎ型半導体層３を積層する下面よりも狭く、その周囲の４側面のいずれもが図示のような台形状の面を持ち、これらの面は全て上端側すなわち主光取出し面側に向けて収斂するテーパを形成している。」
　
　上記Ｂ及びＣの記載を踏まえて、Ｄに記載される発光素子について図４をみれば、刊行物１には、
「上面の平面積が下面よりも狭いｎ型半導体基板２と、
　前記ｎ型半導体基板２の下面に形成されたｎ型半導体層３とｐ型半導体層４及び発光層５からなる領域と、
　前記ｎ型半導体基板２の上面に形成されたｎ電極２ａと、
　前記ｐ型半導体層４の下面に形成されたｐ電極４ａと
　を含んでなる発光素子。」（以下「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）刊行物２
　同じく、原査定の拒絶理由に引用された特開２０００−２５２２３０号公報（以下「刊行物２」という。）には次の記載がある。
　
Ａ　「【０００２】
【従来の技術】近年、青色または紫色の光を発する発光ダイオード、半導体レーザ素子等の半導体発光素子として、ＧａＮ系半導体発光素子の実用化が進んでいる。また、ＧａＮ系半導体を用いたトランジスタも提案されている。このようなＧａＮ系半導体素子においては、ＧａＮ系半導体にオーミック接触する電極が必要となる。
【０００３】図６および図７は従来のＧａＮ系発光ダイオードの製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
　…
【０００７】…。この状態で開口部３４内のｎ型ＧａＮ層２３の上面およびフォトレジストパターン３３上に膜厚２００ÅのＴｉ膜２６ａおよび膜厚５０００ÅのＡｌ膜２７ａを電子ビーム蒸着法により順に形成する。
【０００８】さらに、図７（ｅ）に示すように、フォトレジストパターン３３上のＴｉ膜２６ａおよびＡｌ膜２７ａをフォトレジストパターン３３とともにリフトオフ法により除去する。その後、Ｎ2 ガス雰囲気中において温度６００℃で５分間の熱処理を行う。
【０００９】以上のようにしてｐ側およびｎ側のオーミック電極が形成される。」
　
Ｂ　「【００４９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例におけるＧａＮ系発光ダイオードの模式的断面図である。
　…
【００５１】…。また、ｎ型ＧａＮ層３の露出した上面に、Ｔｉ膜５およびＰｔ膜６からなるｎ電極８が形成されている。ｎ電極８は、ｎ型ＧａＮ層３にオーミック接触している。」
　
Ｃ　「【００６８】図３はパッド電極が積層されたオーミック電極の模式的断面図である。図３に示すように、Ｔｉ膜５およびＰｔ膜６からなるオーミック電極上にＡｕ膜からなるパッド電極９を形成することにより、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。
【００６９】この場合、Ｔｉ膜５およびＰｔ膜６からなるオーミック電極は熱処理による合金化を行うことなく形成されるので、Ｔｉ膜５、Ｐｔ膜６およびパッド電極９を同一の工程で連続的に形成することができる。したがって、ＧａＮ系半導体層上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造のオーミック電極を形成することにより、ワイヤボンディング用のパッド電極を同時に形成することができる。
【００７０】これに対して、従来のＴｉ膜およびＡｌ膜からなるオーミック電極上にパッド電極を形成する際には、パッド電極としてオーミック電極上にＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の積層構造を形成する。このように、ＴｉとＡｕとが反応しやすいため、Ｔｉ膜とＡｕ膜との間にＰｔ膜を挿入する必要がある。この場合、Ｔｉ膜およびＡｌ膜からなるオーミック電極を形成する際には熱処理による合金化が必要であるため、Ｔｉ／Ａｌの積層構造からなるオーミック電極を形成する工程と、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造からなるパッド電極を形成する工程とを別々に行う必要がある。」
　
　上記Ａ及びＢの記載を踏まえて、Ｃの段落【００７０】を参照すれば、刊行物２には、ｎ型ＧａＮ層上に形成されるｎ電極の積層構造として、従来のＴｉ膜およびＡｌ膜からなるオーミック電極上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造からなるパッド電極を形成した積層構造、すなわち、オーミック電極／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造が記載されているものと認められる。
　　
（３）刊行物３
　同じく、原査定の拒絶理由に引用された特開２０００−３６６１９号公報（以下「刊行物３」という。）には次の記載がある。
　
Ａ　「【００２０】
【作用および発明の効果】銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）は、波長が３８０ｎｍ〜５５０ｎｍ（青紫、青、緑）の可視光に対する光の反射率Ｒが非常に大きい金属（０．６＜Ｒ＜１．０）であるため、これらの金属、または、これらの金属を少なくとも１種類以上含んだ合金を正電極、又は、正電極第１層に用いることにより、これらの可視光の正電極による反射量を十分大きくくする事ができ、よって、発光素子として十分な発光強度を確保することができるようになる。」
　
Ｂ　「【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
（第１実施例）図１に、  本発明によるフリップチップ型の半導体発光素子１００の模式的断面図を示す。サファイヤ基板１０１の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約２００Åのバッファ層１０２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ+ 層１０３が形成されている。
【００３３】そして、ｎ+ 層１０３の上にＧａＮとＧａ0.8 Ｉｎ0.2 Ｎからなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層１０４が形成されている。発光層１０４の上にはマグネシウム（Ｍｇ）ドープのAl0.15Ga0.85N から成る膜厚約６００Åのｐ型層１０５が形成されている。さらに、層１０５の上にはマグネシウム（Ｍｇ）ドープのGaN から成る膜厚約１５００Åのｐ型層１０６が形成されている。
【００３４】又、層１０６の上には金属蒸着による第１薄膜金属層１１１が、ｎ+ 層１０３上には負電極１４０が形成されている。第１薄膜金属層１１１は、層１０６に接合する膜厚約１０Åのコバルト(Co)またはニッケル（Ｎｉ）より成る金属層で構成されている。正電極１２０は、膜厚約３０００Åの銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの金属を少なくとも１種類以上含んだ合金より成る金属層により構成されている。」
　
Ｃ　「【００４４】また、上記の実施例では、正電極１２０は単層構造をしていたが、正電極１２０は、多層構造を備えていてもよい。層１０６、第１薄膜金属層１１１または第２薄膜金属層１１２の上から、例えば、膜厚約５０００Åの銀（Ａｇ）、膜厚約８００Åのニッケル（Ｎｉ）、膜厚約８０００Åの金（Ａｕ）を順次蒸着により積層することにより、膜厚約１．４μｍの正電極を形成してもよい。このような構成によっても、正電極による反射効率の十分高い高光度の発光素子を得ることができる。」
　
　上記Ａ及びＢの記載を踏まえてＣの記載をみれば、刊行物３には、ＧａＮ系半導体発光素子のｐ型層上に形成する正電極として、膜厚約１０Åのコバルト(Co)またはニッケル（Ｎｉ）より成る金属、膜厚約５０００Åの銀（Ａｇ）、膜厚約８００Åのニッケル（Ｎｉ）、膜厚約８０００Åの金（Ａｕ）を順次積層したものが記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と刊行物１発明を対比する。
　
　刊行物１発明の「ｎ型半導体基板２」は、「上面の平面積が下面よりも狭い」ものであり、その「上面」及び「下面」が本願発明の基板の「第１の面」及び「第２の面」にそれぞれ相当するところであるから、本願発明の「第１の面の表面積が第２の面よりも小さい、該第１及び該第２の対向する面を有する基板」に相当する。
　
　刊行物１発明の「前記ｎ型半導体基板２の下面に形成されたｎ型半導体層３とｐ型半導体層４及び発光層５からなる領域」は、本願発明の「前記第２の面上のダイオード領域」に相当する。
　
　本願発明の「前記ダイオード領域と反対側の前記第１の面上にある第１のオーム層と、前記基板と反対側の前記第１のオーム層上にある接着層と、前記第１のオーム層の反対側の前記接着層上にある第１の障壁層と、前記接着層の反対側の前記第１の障壁層上にある第１の結合層と」で構成される多層膜と、刊行物１発明の「前記ｎ型半導体基板２の上面に形成されたｎ電極２ａ」は、ともに「前記ダイオード領域と反対側の前記第１の面上にある第１の電極」であるといえる。
　
　本願発明の「前記基板の反対側の前記ダイオード領域上にある第２のオーム層と、前記ダイオード領域の反対側の前記第２のオーム層上にある反射材層と、前記第２のオーム層の反対側の前記反射材層上にある第２の障壁層と、前記反射材層の反対側の前記第２の障壁層上にある第２の結合層と」で構成される多層膜と、刊行物１発明の「前記ｐ型半導体層４の下面に形成されたｐ電極４ａ」は、ともに「前記基板の反対側の前記ダイオード領域上にある第２の電極」であるといえる。
　
　また、刊行物１発明の「発光素子」は、「発光ダイオード」であるといえる。
　
　以上のことから、両者はともに、
「第１の面の表面積が第２の面よりも小さい、該第１及び該第２の対向する面を有する基板と、
　前記第２の面上のダイオード領域と、
　前記ダイオード領域と反対側の前記第１の面上にある第１の電極と、
　前記基板の反対側の前記ダイオード領域上にある第２の電極と
　を含んでなる発光ダイオード。」の点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
　ａ．本願発明は、前記「第１の電極」が「第１のオーム層と、前記基板と反対側の前記第１のオーム層上にある接着層と、前記第１のオーム層の反対側の前記接着層上にある第１の障壁層と、前記接着層の反対側の前記第１の障壁層上にある第１の結合層と」で構成されるものであるのに対し、刊行物１発明の「ｎ電極２ａ」がこのようなものであるか不明な点。
　ｂ．本願発明は、前記「第２の電極」が「る第２のオーム層と、前記ダイオード領域の反対側の前記第２のオーム層上にある反射材層と、前記第２のオーム層の反対側の前記反射材層上にある第２の障壁層と、前記反射材層の反対側の前記第２の障壁層上にある第２の結合層と」で構成されるものであるのに対し、刊行物１の「ｐ電極４ａ」がこのようなものであるか不明な点。
　
４．相違点についての検討
（１）相違点ａについて
　刊行物１発明は、刊行物１の段落【０００７】の記載からも明らかなように、その「ｎ型半導体基板２」としてＧａＮ基板が用いられるものである。
　してみれば、刊行物１発明の「ｎ電極２ａ」は、ｎ型ＧａＮ上に形成されるものであるところ、ｎ型ＧａＮ上に形成する電極として上記刊行物２に記載されているようなオーミック電極／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造のものが知られているから、刊行物１発明における「ｎ電極２ａ」として、オーミック電極／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造のものを採用することは、当業者が容易に成し得たものと認められる。
　ここで、本願発明の「第１のオーム層上にある接着層」、「第１の障壁層」及び「第１の結合層」に関し、本願請求項５、６及び７にはそれぞれ、「チタン」、「プラチナ」及び「金」が記載されており、上記刊行物２の積層構造の「オーミック電極」、「Ｔｉ」、「Ｐｔ」及び「Ａｕ」がそれぞれ本願発明の「第１のオーム層」、「第１のオーム層上にある接着層」、「第１の障壁層」及び「第１の結合層」に相当するところである。
　したがって、刊行物１発明の「ｎ電極２ａ」として刊行物２に記載されるものを採用し、上記相違点ａに係る本願発明の構成とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
（２）相違点ｂについて
　刊行物１発明は、上記のとおり、基板としてＧａＮ基板が用いられるものであるところ、刊行物１には、ＧａＮ系の化合物半導体を利用する半導体発光素子の「ｐ電極４ａ」に関し、段落【００５４】に「なお、ＧａＮ系の化合物半導体を利用する半導体発光素子を用いる場合においては、ｐ型半導体層４内で電流が広がりにくくｐ電極４ａの直上のみで発光する傾向があるため、ｐ型半導体層４の表面のほぼ全面にｐ電極４ａを設ける構成とすることにより、電流を層全体に均一に広げ発光層５のほぼ全面からの発光が得られる。そして、このｐ電極４ａを光透過可能な構成とする場合には、上述の例と同様に発光層５から下方へ向かう光を、マウント部２１ｂに設けた反射面を用いて主光取出し面側へ反射させることが可能となる。また、ｐ電極４ａを発光層５からの発光に対し反射可能なものとする場合には、発光層５から下方へ向かう光をこのｐ電極４ａにより発光素子の側方または上方へ反射させて主光取出し面側へ向かわせることが可能となる。」と記載されている。
　このように、刊行物１には、ＧａＮ系の化合物半導体を利用する半導体発光素子のｐ型半導体層の表面に設けられるｐ電極を反射可能なものとすることが記載されている。
　一方、刊行物３には、ＧａＮ系半導体発光素子のｐ型層上に形成する反射効率の高い正電極として、膜厚約１０Åのコバルト(Co)またはニッケル（Ｎｉ）より成る金属、膜厚約５０００Åの銀（Ａｇ）、膜厚約８００Åのニッケル（Ｎｉ）、膜厚約８０００Åの金（Ａｕ）を順次積層したものが記載されているから、刊行物１発明における「ｐ型半導体層４」の表面に形成される「ｐ電極４ａ」として、刊行物３に記載される上記の積層構造のものを採用することは、当業者が容易に成し得たものと認められる。
　ここで、刊行物３の「膜厚約１０Åのコバルト(Co)またはニッケル（Ｎｉ）より成る金属」及び「膜厚約５０００Åの銀（Ａｇ）」がそれぞれ本願発明の「第２のオーム層」及び「反射層」に相当することは明らかである。
　また、本願発明の「第２の障壁層」及び「第２の結合層」について、本願請求項１０及び１１には、それぞれ、「ニッケル」及び「金」が記載されているところであり、刊行物３に記載された上記「膜厚約８００Åのニッケル（Ｎｉ）」及び「膜厚約８０００Åの金（Ａｕ）」がそれぞれ本願発明の「第２の障壁層」及び「第２の結合層」に相当することも明らかである。
　したがって、刊行物１発明の「ｐ電極４ａ」として刊行物３に記載されるものを採用し、上記相違点ｂに係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであって、本願発明は、刊行物１発明の「ｎ電極２ａ」として刊行物２に記載のものを採用するとともに、その「ｐ電極４ａ」として刊行物３に記載のものを採用したものに過ぎず、その奏する効果についても、上記刊行物１ないし３に記載された事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　　　
５．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。