【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
従来のフォトマスクは、概して、クロムのパターン化層を有する光透過性のガラス又は石英を含んでおり、これが、フォトレジスト層に転写すべき画像の不透明領域を形成する。最新のサブ１５０ｎｍフィーチャーを印刷するのに好適なフォトマスクは、各リソグラフィーシステムの照射源が用いる光の干渉特性を利用しており、位相シフトフォトマスクとして業界では一般的に知られている。位相シフトフォトマスクは、交互の光路長を有する領域のパターンを含む。一般的に、近接領域において、光路長の差は、フォトレジストを露光するのに用いる光の波長の約半分である。かかるフォトマスクは、従来のフォトマスクの光学的な制限を超える解像度の画像の転写を促す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
さらに他の実施形態において、位相シフトフォトマスクを製造する方法は、タンタル（Ｔａ）層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層と、クロム（Ｃｒ）含有層と、Ｃｒ含有層上にパターン化フォトレジストエッチングマスクとを有する石英基板を提供する工程と、エッチングマスクを通して、露出したＣｒ含有層の部分をエッチングする工程と、エッチングされたＣｒ含有層を通して、露出したＳｉＯ２層の部分をエッチングする工程と、エッチングストップ層として基板を用いて、エッチングされたＳｉＯ２層を通して、露出したＴａ層の部分をエッチングする工程と、Ｃｒ含有層を除去する工程とを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
ＰＳＭを製造するのに好適なフィルムスタック２２０を基板２０２上に形成するとき、方法１００は、ブロック１０２で始まる（図２Ａ）。特定の一実施形態において、基板２０２は、リソグラフィーシステムに用いるように適合されている。基板２０２は、かかるＰＳＭを用いて、リソグラフィーシステムの照射源により提供される光、例えば、１９３ｎｍ、１５８ｎｍ、又はこれより短い波長で放射される遠紫外線エキシマレーザーの光に対して光学的に透明な石英又はその他材料（例えば、ガラス）から形成してよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図２Ａに示す実施形態において、フィルムスタック２２０は、連続的に堆積したタンタル（Ｔａ）層２０４、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２、又は石英）層２０６、及びクロム（Ｃｒ）層２０８を含む。Ｔａ層の厚さは約５〜約５０ｎｍの範囲である。かかる厚さまで形成すると、Ｔａ層２０４は、リソグラフィーシステムで用いる照射源の光に対する所定値の透明度を提供する。ＳｉＯ２層２０６は、照射源の光に対して実質的に透明であり、約５０〜約３００ｎｍの範囲の所定の厚さまで形成される。製造されているＰＳＭにおいて、ＳｉＯ２層２０６（及び、ある実施形態においては、Ｔａ及びＳｉＯ２又は石英層を併せた影響）は、マスクを通過する時、リソグラフィーシステムに用いる光での所定の位相シフト（例えば、約１８０度の位相シフト）を促す。Ｃｒ層２０８は、約２０〜約２００ｎｍの範囲の厚さを有する犠牲保護層である。一実施形態において、層２０４、２０６及び２０８の厚さは、それぞれ、約２０、１５０及び６０ｎｍである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
一実施形態において、Ｃｌ２は、４０ｓｃｃｍの流量で提供され、Ａｒは、約４０ｓｃｃｍの流量で提供され（すなわち、約１：１のＣｌ２：Ａｒ流量比）、約１３．５６ＭＨｚの周波数で約３００Ｗのプラズマ電源、約２５Ｗのバイアス電力が印加され、且つチャンバ圧は約２ミリトルに維持される。プロセスでは、石英（基板２０２、層２０６）に対するＴａ（層２０４）のエッチング選択性は少なくとも約１０：１であり、フォトレジスト（マスク２１６）に対するＴａのエッチング選択性は約１：１である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
ブロック１１４で、犠牲保護層２０８は、位相シフト層２０８から除去される（図２Ｈ）。一実施形態において、ブロック１１４では、少なくとも１種類の過塩素酸系溶剤（例えば、供給業者の中でも特に、マサチューセッツ、ダンバー（Ｄａｎｖｅｒｓ，Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ）のトランセン社（Ｔｒａｎｓｅｎｅ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．，）より入手可能なシアンテック（Ｃｙａｎｔｅｋ）ＣＲ−７ｓ、ＣＲＥ−４７３、ＴＦＤ／１０２０等）を用いるウェットエッチングプロセスを実施する。このプロセスでは、石英（基板２０２、層２０６）に対するＣｒ（層２０８）のエッチング選択性少なくとも約２０：１、Ｔａ（層２０４）に対するＣｒのエッチング選択性約１０：１が達成される。この代わりに、ブロック１０６を参照して上述したエッチングプロセスを用いて、犠牲保護層２０８を除去してもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
レチクルアダプタ３８２を用いて、基板（レチクルやその他ワークピース等）３２２を基板サポート台座３２４に固定する。レチクルアダプタ３８２は、通常、台座３２４の上表面をカバーする下部３８４と、開口部３８８を有する上部３８６と、端部リング３２６とを含む。開口部３８８は、基板３２２を保持するサイズ及び形状である。アダプタ３８２は、ポリイミド、セラミック又は石英等、エッチング及び高温抵抗性のある材料から形成されている。かかるレチクルアダプタの１つは、２００１年６月２６日発行の本発明の譲受人に譲渡された米国特許第６，２５１，２１７号に開示されている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィーシステムの照射源により生成される種類の光に対して実質的に透明な基板と、
前記基板上に形成され、少なくとも１つの開口部を有するパターン化フィルムスタックとを含む位相シフトフォトマスクであって、
フィルムスタックは、
前記基板に配置され、前記光に対して所定値の透明度を有する第１の層と、
第１の層上に配置された第２の層であって、前記第１及び第２の層を選択して、前記第１及び第２の層を通して形成された前記開口部を通過する光に対して、前記第１及び第２の層を通過する光において１８０度位相シフトとなるようにし、前記第２の層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層である第２の層と、
前記第２の層上に配置され、クロムを含む第３の層を含む位相シフトフォトマスク。
【請求項２】
前記第１の層がタンタル（Ｔａ）層であり、前記基板が石英又はガラスから形成されている請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記フィルムスタックがＭｏＳｉｘＯｙＮｚスタックとして形成されている請求項１記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記第１の層がタンタル（Ｔａ）から形成されており、約５〜約５０ｎｍの厚さを有し、
前記第２の層が約５０〜約３００ｎｍの厚さを有する請求項１記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記フィルムスタック及び基板が、前記基板のみを通過する光に対して、前記フィルムスタックを通過する光の１８０度位相シフトとなる特徴を有している請求項２記載のフォトマスク。
【請求項６】
リソグラフィーシステムの照射源により生成される光に実質的に透明な基板を提供する工程であって、前記基板がフィルムスタックと基板を含み、前記フィルムスタックに形成された開口部を通過する光に対して前記フィルムスタックを通過する光の１８０度位相シフトとなる特徴を有し、前記フィルムスタックが、
犠牲上層と、
前記光に対して所定値の透明度を有し、金属で形成された第１の層と、
前記光に実質的に透明な、誘電体で形成された第２の層を更に含む工程と、
前記犠牲上層上にパターン化エッチングマスクを形成する工程と、
前記犠牲上層の露出部分をエッチングする工程と、
前記第２の層の露出部分をエッチングする工程と、
エッチングストップ層として前記基板を用いて、前記第１の層の露出部分をエッチングする工程であって、前記第１の層の露出部分をエッチングする工程は、クロム及びアルゴンを約１：２０〜約２０：１の範囲内の流量で処理チャンバ内に供給する工程を含み、前記第１の層のエッチングは、少なくとも約１０：１の前記基板に対する前記第１の層の選択性を有する工程と、
前記パターン化エッチングマスクを除去する工程と、
前記犠牲上層を除去する工程を含み、
前記残りのフィルムスタック及び基板が、前記フィルムスタックの開口部を通過する光に対して前記フィルムスタックを通過する光の１８０度位相シフトとなる特徴を有する位相シフトフォトマスクを製造する方法。
【請求項７】
前記基板が石英で形成されており、
前記パターン化エッチングマスクがフォトレジストを含み、
前記犠牲上層がクロム（Ｃｒ）で形成され、約２０〜約２００ｎｍの厚さを有し、
前記第１の層がタンタル（Ｔａ）で形成され、約５〜約５０ｎｍの範囲の所定の厚さを有し、
前記第２の層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成され、約５０〜約３００ｎｍの範囲の所定の厚さを有する請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記犠牲上層の前記露出部分をエッチングする工程が、
少なくとも１種類の塩素含有ガス又は少なくとも１種類のフッ素含有ガスを含むプラズマを提供する工程を更に含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記第２の層の前記露出部分をエッチングする工程が、
四フッ化炭素（ＣＦ４）及びトリフルオロメタン（ＣＨＦ３）を、約１：５０〜約１０：１の範囲の流量比ＣＦ４：ＣＨＦ３で流す工程と、
約１００〜約１５００Ｗのプラズマ電源を印加する工程と、
約１０〜約２００Ｗのバイアス電力を印加する工程と、
前記処理チャンバのガス圧を約０．５〜約２０ミリトルに維持する工程とを更に含む請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の層の前記露出部分をエッチングする工程が、
約７５〜約１５００Ｗのプラズマ電源を印加する工程と、
約５〜約１００Ｗのバイアス電力を印加する工程と、
前記処理チャンバのガス圧を約１〜約２０ミリトルに維持する工程とを含む請求項７記載の方法。
【請求項１１】
パターン化エッチングマスクを、アッシングプロセス又はウェットエッチングプロセスを用いて除去する工程を更に含む請求項７記載の方法。
【請求項１２】
前記犠牲上層を、少なくとも１種類の過塩素酸系溶剤、又は少なくとも１種類の塩素含有ガス又は少なくとも１種類のフッ素含有ガスを含むプラズマを用いて除去する工程を更に含む請求項７記載の方法。
【請求項１３】
タンタル（Ｔａ）層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層と、クロム（Ｃｒ）含有層と、前記Ｃｒ含有層上にパターン化フォトレジストエッチングマスクとを有する石英基板を提供する工程と、
前記エッチングマスクを通して露出した前記Ｃｒ含有層の部分をエッチングする工程と、
前記エッチングされたＣｒ含有層を通して露出した前記ＳｉＯ２層の部分をエッチングする工程と、
前記エッチングされたＳｉＯ２層を通して露出した前記Ｔａ層の部分を、前記基板をエッチングストップ層として用いてエッチングする工程であって、前記Ｔａ層の露出部分をエッチングする工程は、クロム及びアルゴンを約１：２０〜約２０：１の範囲内の流量で処理チャンバ内に提供する工程を含み、Ｔａのエッチングは、少なくとも約１０：１の前記石英基板に対する前記Ｔａ層の選択性を有する工程と、
前記パターン化エッチングマスクを除去する工程と、
前記Ｃｒ含有層を除去する工程とを含む位相シフトフォトマスクを製造する方法。
【請求項１４】
前記Ｃｒ含有層が約２０〜約２００ｎｍの厚さを有し、前記ＳｉＯ２層が約５０〜約３０ｎｍの厚さを有しており、前記Ｔａ層が約５〜約５０ｎｍの厚さを有している請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記ＳｉＯ２層の前記露出部分をエッチングする工程が、
四フッ化炭素（ＣＦ４）及びトリフルオロメタン（ＣＨＦ３）を、約１：５０〜約１０：１の範囲の流量比ＣＦ４：ＣＨＦ３で処理チャンバ内に提供する工程と、
約１００〜約１５００Ｗのプラズマ電源を印加する工程と、
約１０〜約２００Ｗのバイアス電力を印加する工程と、
前記処理チャンバのガス圧を約０．５〜約２０ミリトルに維持する工程とを更に含む請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記Ｔａ層の前記露出部分をエッチングする工程が、
約７５〜約１５００Ｗのプラズマ電源を印加する工程と、
約５〜約１００Ｗのバイアス電力を印加する工程と、
前記処理チャンバのガス圧を約１〜約２０ミリトルに維持する工程とを更に含む請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
前記Ｃｒ含有層を除去する工程が、少なくとも１種類の過塩素酸系溶剤、又は少なくとも１種類の塩素含有ガス又は少なくとも１種類のフッ素含有ガスを含むプラズマに前記Ｃｒ含有層を曝露する少なくとも１つの工程を更に含む請求項１３記載の方法。