【事件の表示】
　特願２０００−１２４３１１「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月　２日出願公開、特開２００１−３０８０２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年４月２５日の出願であって、平成１８年６月１６日付けで手続補正がなされ、同年１１月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年１月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
第２．本願発明
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１８年６月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものと認める。
「【請求項１】　半導体基板にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、該ゲート電極をマスクとして用いてイオン注入によりソース／ドレイン領域を形成し、少なくとも前記ゲート電極表面にシリサイド膜を形成する方法であって、
　前記イオン注入を、タングステンのドーズが０〜５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2になるように制御し、かつ以下の条件（１）又は（２）あるいは両条件
（１）イオン注入装置のイオン源のアーク電流値を１０〜２０００ｍＡの範囲とする条件、
（２）イオン注入装置の質量分析スリット幅を０．０１〜１５ｍｍの範囲とする条件で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第３．引用発明
（１）これに対して、本願の出願の日前である平成１２年１月２８日に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された特開２０００−０３１４７８号公報 （以下「引用例」という。）には、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている（なお、下線は当合議体が付加したものである。）。
「　　　【００２２】
　　【実施例】
　図１及び図２は、
半導体装置の製造方法
　本発明の半導体装置は図２(Ｉ)に示されるように、シリコン基板上に素子分離膜１が形成されており、シリコン基板のＰ型ＭＯＳトランジスタ領域にはＮ型ウェル３ｎが形成され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ領域にはＰ型ウェル３ｐが形成されている。」
「　　　【００２５】
　次に、製造方法について説明する。
（Ａ）　シリコン基板のＰ型ＭＯＳトランジスタ領域に、Ｎ型ウェル３ｎを形成し、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ領域に、Ｐ型ウェル３ｐを形成する。シリコン基板表面に素子分離膜１を形成する。
シリコン基板上に、ゲート酸化膜５用のシリコン酸化膜を形成し、さらにその上にノンドープなポリシリコン７を堆積する。ゲート酸化膜５用のシリコン酸化膜及びノンドープのポリシリコン７をゲート電極用にパターニングする。
　　　【００２６】
（Ｂ）　写真製版工程により、Ｎ型ウェル３ｎを含むＰ型ＭＯＳトランジスタ領域全体をマスクするフォトレジスト１７を形成し、例えば注入エネルギーが３０ｋｅＶ、ドーズ量が３×１０15ｃｍ-2の条件にてＡｓ+を注入する。これによりＰ型ウェル３ｐにＮ型高濃度拡散領域９ｎを形成し、Ｐ型ウェル３ｐ上のノンドープのポリシリコン７からＮ型ゲート電極７ｎを形成する。
　　　【００２７】
（Ｃ）　フォトレジスト１７を除去した後、写真製版工程により、Ｐ型ウェル３ｐを含むＮ型ＭＯＳトランジスタ領域全体をマスクするフォトレジスト１９を形成し、例えば
注入エネルギーが２０ｋｅＶ、ドーズ量が３×１０
15
ｃｍ
-2
の条件にてＢＦ
2
+
を注入する。これにより、Ｎ型ウェル３ｎにＰ型高濃度拡散領域９ｐを形成し、Ｎ型ウェル３ｎ上のノンドープのポリシリコン７からＰ型ゲート電極７ｐを形成する
　　　【００２８】
（Ｄ）　フォトレジスト１９を除去した後、例えばランプアニール装置により、処理温度が１０００℃、処理時間が１０秒の条件で熱処理を行い、さらに、炉体アニール装置により、処理温度が８００℃、処理時間が３０分の条件で熱処理を加える。これによって、Ｎ型高濃度拡散領域９ｎ、Ｐ型高濃度拡散領域９ｐ及びゲート電極７ｎ，７ｐの活性化及び欠陥回復を行う。
　　　【００２９】
（Ｅ）　写真製版工程により、ゲート電極７ｐ及びＮ型ＭＯＳトランジスタ領域を開口し、Ｐ型高濃度拡散領域９ｐを覆うように、フォトレジスト２１を形成する。次に、そのフォトレジスト２１をマスクとして例えば注入エネルギーが５０ｋｅＶ、ドーズ量が３×１０14ｃｍ-2の条件にてＡｓ+を注入し、シリサイド層形成領域であるゲート電極７ｎ，７ｐ及びＮ型高濃度拡散領域９ｎの表面にアモルファス化領域２３を形成する。アモルファス化領域２３の下層には、アモルファス化のためのイオン注入による点欠陥発生領域２５が形成される。
（Ｆ）フォトレジスト２１を除去した後、例えば
スパッタ装置によりＴｉ膜２７をシリコン基板全体に３０ｎｍの膜厚で堆積する
　　　【００３０】
（Ｇ）
次に、例えばランプアニール装置により、処理温度が７２５℃、処理時間が３０秒の条件で熱処理を加え、ゲート電極７ｎ，７ｐ、Ｎ型高濃度拡散領域９ｎ及びＰ型高濃度拡散領域９ｐのシリサイド化を行う。
（Ｈ）例えばランプアニール装置により、処理温度が８５０℃、処理時間が２０秒の条件で熱処理を加える。これにより、Ｃ４９層２９はＣ５４層に転移し、低抵抗なシリサイド層１３が形成される。」
　
（２）以上を総合すると、引用例には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「以下ａ）〜ｄ）の各工程を備えた半導体装置の製造方法。
　ａ）シリコン基板上に、ゲート酸化膜５用のシリコン酸化膜を形成し、さらにその上にノンドープなポリシリコン７を堆積する。ゲート酸化膜５用のシリコン酸化膜及びノンドープのポリシリコン７をゲート電極用にパターニングする。
　ｂ）注入エネルギーが２０ｋｅＶ、ドーズ量が３×１０15ｃｍ-2の条件にてＢＦ2+を注入する。これにより、Ｎ型ウェル３ｎにＰ型高濃度拡散領域９ｐを形成し、Ｎ型ウェル３ｎ上のノンドープのポリシリコン７からＰ型ゲート電極７ｐを形成する。
　ｃ）スパッタ装置によりＴｉ膜２７をシリコン基板全体に３０ｎｍの膜厚で堆積する。
　ｄ）次に、例えばランプアニール装置により、処理温度が７２５℃、処理時間が３０秒の条件で熱処理を加え、ゲート電極７ｎ，７ｐ、Ｎ型高濃度拡散領域９ｎ及びＰ型高濃度拡散領域９ｐのシリサイド化を行う。」
　
第４．本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「シリコン基板」，「ゲート酸化膜５」，「Ｐ型高濃度拡散領域９」は、本願発明の「半導体基板」，「ゲート絶縁膜」，「ソース／ドレイン領域」にそれぞれ相当する。
　また、そのような用語対応の認定を踏まえるに、
　引用発明のａ）の工程は、本願発明の「半導体基板にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成」する工程に相当し、
　引用発明のｂ）の工程は、本願発明の「該ゲート電極をマスクとして用いてイオン注入によりソース／ドレイン領域を形成」する工程に相当し、
　引用発明のｃ）からｄ）に到る工程は、本願発明の「少なくとも前記ゲート電極表面にシリサイド膜を形成する」工程に相当している。
　
（２）以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　「半導体基板にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、該ゲート電極をマスクとして用いてイオン注入によりソース／ドレイン領域を形成し、少なくとも前記ゲート電極表面にシリサイド膜を形成する半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明の「イオン注入」は、
「タングステンのドーズが０〜５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2になるように制御」
して行うものであるのに対し、引用発明の「イオン注入」は、単位面積当たりのタングステンのドーズをそのような範囲に制御して行う構成を備えていない点。
　
（相違点２）
　本願発明の「イオン注入」は、
「以下の条件（１）又は（２）あるいは両条件
（１）イオン注入装置のイオン源のアーク電流値を１０〜２０００ｍＡの範囲とする条件、
（２）イオン注入装置の質量分析スリット幅を０．０１〜１５ｍｍの範囲とする条件で行う」
ものであるのに対し、引用発明の「イオン注入」は、イオン源のアーク電流値や質量分析スリット幅をそのような範囲にする構成を備えていない点。
　
（３）相違点についての当審の判断
（３−１）相違点１について
（３−１−１）本願明細書の００２５段落における
「　　　【００２５】
　図３（ａ）によれば、タングステンドーズが５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2より大きくなるにつれて、５０％Ｑｂｄが７Ｃ／ｃｍ2から減少していることがわかる。これは、タングステンドーズが５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2より大きくなると、シリサイド膜形成後のゲート酸化膜の信頼性が劣化することを示している。よって、ゲート酸化膜の信頼性を確保するためには、タングステンのドーズは０〜５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2であることが必要であることがわかった。」
という記載及び図３（ａ）の記載に照らし、本願発明の「タングステンのドーズが０〜５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2」という単位面積当たりの「タングステンのドーズ」量に関する範囲特定は、「シリサイド膜形成後のゲート酸化膜の信頼性が劣化」しない条件のものとして定められたと解される。
　しかしながら、「ゲート酸化膜」の膜厚，「ゲート電極」の膜厚，ソース／ドレイン領域を形成すべくゲート電極をマスクとして用いて注入されるイオン種やそのイオンに与えられる加速エネルギーなど各種注入条件等の要素が何ら特定されていない本願発明は、例えば、「ゲート電極」の膜厚が極端に薄く、かつ「イオン注入」エネルギーが極端に大きい場合（この場合、イオン注入後の「ゲート電極」の単位体積当たりのタングステンの原子量が極端に多くなり、かつ、イオン注入によって「ゲート酸化膜」に大きなダメージが与えられる蓋然性も高くなるものと思われる。）をも、その技術的範囲に含んでいる。そして、そのような場合にまで、本願発明が上記範囲特定において単位面積当たりの原子量をその範囲特定の基準となる物理量単位に選択している点、及び「５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2」という上限値を定めている点は、図３（ａ）に示されるグラフ及び本願明細書の００２５段落の説明に示される特定の測定結果から導かれるものと同様に、「シリサイド膜形成後のゲート酸化膜の信頼性が劣化」しないための条件になるとまで拡張ないし一般化して理解することはできない。すなわち、本願発明の「タングステンのドーズが０〜５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2」は、その技術上の意義を有すると理解できる程度に、本願明細書の発明の詳細な説明に十分な説明はなされていないものであるし、また、出願時の技術常識に照らしても、その技術上の意義を当業者が十分理解できるものともいえないものであって、さらには、「５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2」というその上限値に、臨界的意義も認められない。
　
（３−１−２）他方、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１０−２８３９７６号公報（以下、「周知例１」という。）には、ホウ素等のイオンを生成してシリコンウェーハにイオン注入する際に、タングステンが混入して汚染が生じる問題点に関して、次の記載がある。
「  　　　【０００２】
【従来の技術】
　従来、Ｐ型あるいはＮ型半導体を形成するために、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）のイオンを高真空中で電界により加速してシリコンウェーハに打ち込み、シリコンウェーハに物理的にイオンを注入するイオン注入装置が知られている。
　　　【０００３】
　注入するためのイオンは、イオン源においてアーク放電により生成される。このイオン生成に際し、イオン化が行われる部屋（アークチャンバ）は金属で作られており、アーク放電の電位の関係上、金属がアーク放電によりスパッタされた後イオン化され、この
金属イオンがホウ素等の注入目的とするイオンと一緒にシリコンウェーハに混入されてメタル汚染が生じる
　　　【０００４】
　この注入目的以外のメタル系イオンが混入することにより、半導体素子の特性悪化、例えばトランジスタのＶｔｈシフトや可動イオンによるリーク電流の増大等が生じてしまう。このようなメタル汚染を低減するために、アークチャンバの材質やアーク放電の方式を変更する試みがなされているが、アーク放電においては、一般にタングステン（Ｗ）製のフィラメントを用いるため、フィラメントから放出される
タングステン（Ｗ）による汚染
　また、本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である「Reuel B. Liebert, Gordon C. Angel, Masataka Kase，Tungsten Contamination in BF2 Implants， Proceedings of the 11th International Conference on Ion Implantation Technology，１９９６年　６月１６日，pp.135-138」（以下、「周知例２」という。）には、ＢＦ2+の注入に伴いタングステン汚染が認められる問題、及びそのようなイオン注入に関し金属汚染レベルを厳しく制限する技術課題に関し、所定のエネルギーを与えたＢＦ2+等のイオン注入に伴うタングステン汚染のデータを示す「ＴＡＢＬＥ１」と共に、次の記載がある。
「
ＢＦ
2
+
を注入するためのドーズの１０−１１０ｐｐｍの範囲でタングステン汚染が検出
「近年、
イオン注入工程［１］における金属汚染レベルを厳しく制限する
「[1] N. Natsuaki, T. Kamata, K. Kondo, and Y. Kureishi,
ULSI-process demands of contamination control on ion implantation
　なお、周知例２に、金属汚染レベルを厳しく制限すべき「イオン注入工程」が、半導体装置の製造のための「イオン注入工程」であるとの直接的な説明こそなされてはいないものの、当該周知例２で［１］として引用される論文タイトルから、当該「イオン注入工程」がＵＬＳＩプロセス、すなわち半導体装置の製造に用いられる前提であることは、その論文タイトルの記載に接した当業者であれば、当然に理解する範囲の事項である。
　そしてこのように、「ＢＦ2+をイオン注入する際にタングステンが混入して汚染が生じる」ことは、上記周知例１及び周知例２などにも示されるように、本願出願前の半導体装置の製造技術において周知の問題点であり、また、そのような問題点を解決することは、当業者が当然の技術課題として認識しえた事項である。
　
（３−１−３）引用発明は、ゲート電極をマスクとして用いてＢＦ2+のイオン注入によりＰ型高濃度拡散領域を形成するものであり、上記周知例１及び周知例２にみられるような問題点、すなわち、「ＢＦ2+をイオン注入する際にタングステンが混入して汚染が生じる」という周知の問題点の解決が、当該引用発明の技術課題としても存在することは明らかであり、その対策として、ＢＦ2+をイオン注入する際に混入するタングステンイオンのドーズ量を可能な限り小さくすることは、当業者が当然に考えつくことである。
　そうすると、引用発明において、相違点１に係る構成のように、タングステンのドーズが「０〜５×１０9ａｔｏｍ／ｃｍ2」となるように制御することは、引用発明に存在する上記技術課題を解決するために、当業者が通常行う創作能力の発揮にすぎないものである。
　
（３−２）相違点２について
  本願発明の「イオン注入」は、「条件（１）又は（２）あるいは両条件」のいずれを選択しても良いものであり、以下では、条件（２）を満たす場合のみを対象に検討を行うこととする。
　
（３−２−１）本願明細書の００１４段落における
「　　　【００１４】
　アーク電流値及び／又は質量分析スリット幅等の調整は、ソース／ドレイン領域を形成するために用いる不純物イオン種、ドーズ、加速エネルギーによって適宜調整することができるが、例えば、アーク電流値は２０００ｍＡ程度以下の範囲、質量分析スリット幅は１５ｍｍ程度以下の範囲が挙げられる。特に、ソース／ドレイン領域を形成するためにＢＦ2+を用いる場合には、これらの範囲が有効である。なお、イオン注入装置のイオン源のアーク電流値が１０ｍＡより小さくなると、イオン注入を行うためのイオンビームが生成されないため、シリコン基板に所望のイオンを注入するができなくなる。したがって、イオン注入装置のイオン源のアーク電流値は、１０ｍＡ程度以上であることが好ましい。また、質量分析スリット幅が０．０１ｍｍよりも狭くなると、所望のイオンを注入するためのイオンビームが質量分析スリットを通過することができず、シリコン基板へ所望のイオンを注入することができなくなる。したがって、イオン注入装置の質量分析スリット幅は０．０１ｍｍ程度以上であることが好ましい。」
という記載に照らし、本願発明の「イオン注入装置の質量分析スリット幅を０．０１〜１５ｍｍの範囲とする」特定は、「特に、ソース／ドレイン領域を形成するためにＢＦ2+を用いる場合」に有効なものとの意図で定められたものと解される。
　しかしながら、ソース／ドレイン領域を形成すべくゲート電極をマスクとして用いて注入されるイオン種やそのイオンに与えられる加速エネルギーなど各種注入条件等の要素が何ら特定されていない本願発明は、出願人が調整により効果を確認したと推定されるＢＦ2+を用いた注入条件の場合のみに限定される内容ではなく、それ以外の場合をも発明の技術的範囲に含む。そして、後者のような場合にまで、本願発明のような「イオン注入装置の質量分析スリット幅を０．０１〜１５ｍｍの範囲とする」特定に技術上の意義が認められる程度にまでは、本願明細書の発明の詳細な説明に十分な説明がなされてなく、また、出願時の技術常識に照らしても、その技術上の意義を当業者が十分理解できるものともいえないから、これら質量分析スリット幅の上限値及び下限値に臨界的意義があるものとも認められない。
　
（３−２−２）その一方、本願出願前の半導体装置の製造技術において、所望のイオン種をイオン注入する際、イオン注入装置の質量分析スリット幅の調整によりタングステンのような汚染物質のイオン注入量を許容汚染物質量のうちの最小量のものとすることは、周知技術である。
　例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平０９−２４５７１８号公報（以下、「周知例３」という。）には、図２とともに
「【０００６】
　しかし，
イオン源には多くの種類の不純物が混入しており，所望のイオン種と分離困難なものが存在する。これらの不純物は，所望のイオンビーム２と重なる不純物イオンビーム３を形成し，所望のイオンと同時に汚染物質としてイオン注入される。
Ｗ又はその化合物のイオンビームは，図２を参照して，ＢＦ
2 
+
 イオンビームと中心は外れるものの、広く重なる。
【０００７】
　
図２のように，多くの場合，所望のイオンビームと不純物イオンビームとの質量スペクトルが異なるため，マススリット１の開口１ａの広さ，即ち開口幅が狭い程，汚染物質量は減少する。
許容汚染物質量のうちの最小量に開口幅を設定する
と記載されているとおり、周知例３には、「汚染物質」として「Ｗ」、すなわちタングステンが開示されており、また本願発明の「イオン注入装置の質量分析スリット」に相当する「マススリット」についても、その「開口幅が狭いほど，汚染物質量は減少する」ものであって、「許容汚染物質量のうちの最小値に開口幅を設定する」ことが開示されている。
　
（３−２−３）上記（３−１−３）で認定したとおり、「ＢＦ2+をイオン注入する際にタングステンが混入して汚染が生じる」という周知の問題点を解決することが、当該引用発明の技術課題としても存在することは明らかである。そして、当該技術課題を解決するため、引用発明に対し、イオン注入装置の質量分析スリット幅の調整により汚染物質のイオン注入量を許容汚染物質量のうちの最小量のものとする上記（３−２−２）で認定した周知技術を適用することは、当業者が容易に想到し得たことであり、その際に、相違点２に係る構成のように、「イオン注入装置の質量分析スリット幅を０．０１〜１５ｍｍの範囲とする」ことは、当業者が通常行う創作能力の発揮にすぎないものである。
　
（３−３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、本願発明は、当業者における周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。