【事件の表示】
　平成１１年特許願第　３６２２６号「試料の表面処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月２９日出願公開、特開平１１−２９７６７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年２月１５日（優先権主張平成１０年２月１３日）の特許出願であって、平成２０年２月２１日付で拒絶理由が通知され、これに対して同年４月２５日付で意見書及び手続補正書を提出したが、同年６月２７日付で拒絶査定がなされ、これを不服として、同年７月３１日付で審判請求をすると共に、同年８月２９日付で手続補正をしたものである。
　その後、当審において、平成２２年３月２５日付けで審査官の前置報告書に基づく審尋がなされ、同年５月２８日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２０年８月２９日付の手続補正についての補正の却下の決定
１　補正の却下の決定の結論
　平成２０年８月２９日付の手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、平成２０年４月２５日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−３（以下、それぞれ「補正前の請求項１、２、３」という）
「【請求項１】真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と、前記試料に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電圧を印加するための高周波電源とを有するプラズマエッチング装置を用いた試料の表面処理方法において、
　前記高周波バイアス電圧の周波数を１００ＫＨｚ〜１０ＭＨｚ、周期的にオンオフさせる繰返し周波数を１００Ｈｚ〜１０ＫＨｚ、オンオフのデューティー比を５％〜５０％とし、前記試料を処理することを特徴とする試料の表面処理方法。
　【請求項２】請求項１において、
　前記高周波バイアス電圧のオン時のＶｐｐ値を５００Ｖ以上としたことを特徴とする試料の表面処理方法。
　【請求項３】請求項１において、
　前記プラズマ発生手段が発生するプラズマの電子密度を１×１０１０個／ｃｍ−３以上としたことを特徴とする試料の表面処理方法。」
　を、以下のように、
　
「【請求項１】真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と、前記試料に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電圧を印加するための高周波電源とを有するプラズマエッチング装置を用いた試料の表面処理方法において、
　
前記試料の表面処理方法は、少なくともメインエッチとオーバーエッチを含む複数の処理ステップを有し、前記メインエッチでは、
前記オーバーエッチでは、前記高周波バイアス電圧を連続に出力し、電力を前記メインエッチに比べて下げて処理
　【請求項２】請求項１において、
　前記高周波バイアス電圧のオン時のＶｐｐ値を５００Ｖ以上としたことを特徴とする試料の表面処理方法。
　【請求項３】請求項１において、
　前記プラズマ発生手段が発生するプラズマの電子密度を１×１０１０個／ｃｍ−３以上としたことを特徴とする試料の表面処理方法。」
　と補正（以下、それぞれ「補正後の請求項１、２、３」という）しようとする事項を含むものである。（なお、下線部は、補正箇所を示す。）
　
（２）補正の目的について
ア　本件補正が、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定される補正の要件を満たすか否かを検討する。
　
イ　本件補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明に該当しないことは明らかであるので、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号の各号には該当しない。
　
　次に特許法第１７条の２第４項第２号に規定される「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。） 」に合致するか否かを検討する。
　
ウ　請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであ
　　るか否かの検討
　本件補正のうち、請求項１についてする補正は、補正前の請求項１に記載された高周波バイアス電圧をオンオフさせて試料の処理を行う工程を「メインエッチ」工程とし、これに加えてさらに「前記高周波バイアス電圧を連続に出力し、電力を前記メインエッチに比べて下げて処理」する「オーバーエッチ」工程を付加しようとする事項を含むものである。
　しかしながら、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項には、「オーバーエッチ」工程は何ら記載されていないし、メインエッチ工程とオーバーエッチ工程という複数の工程で処理されることすら記載されていない。
　また、当該オーバーエッチ工程は、高周波バイアス電圧をオンオフさせて試料の処理を行う工程とは別の工程であるから、高周波バイアス電圧をオンオフさせて試料の処理を行う工程を概念的により下位にするものとはいえず、さらに、補正前の請求項１に記載された他の発明を特定するために必要な事項を概念的に下位にするものともいえない。
　
　よって、「オーバーエッチ」工程に関する事項を新たに追加することを含む本件補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではない。
　
エ　補正前の請求項に記載された発明と補正後の請求項に記載される発明の
　　解決しようとする課題が同一であるか否かの検討
　補正後の請求項１に記載される発明が解決しようとする課題に関連して、本願明細書には以下の記載がある。
（ア）「ステップ２は、加工の主要部分を占める多結晶シリコン５０３のエッチングで、以後メインエッチと呼ぶ。このステップの形状制御が最重要である・・・サブトレンチのない平坦な底面と垂直な側面が得られる。・・・」（段落【００４８】）
　
（イ）「最後のステップ３では、下地の薄い酸化膜５０２が露出するため、多結晶シリコンのエッチング速度を低下させても選択比が高い条件に切り替える。・・・メインエッチ終了後の、比較的選択比の高いエッチングをオーバエッチと呼ぶ。・・・選択比を上げることで下地の酸化膜を十分残してかつ多結晶シリコン５０３のエッチ残りなく加工することができる。」（段落【００４９】）
　
（ウ）「被エッチング物すなわち被加工物である試料の主要部分の加工にオンオフバイアス制御を適用することで、非常に薄い下地に損傷を与えることなく、所望の加工が可能となる。」（段落【００５０】）
　
（エ）「被エッチング物がさらにさまざまな物質の多層構造でも、ステップの数を増して精度の高い、形状異常のない加工ができる。また、どのステップにオンオフバイアス制御を適用するかは素子構造に対応して適宜決めるが、オンオフバイアス制御によりプロセスマージンが広い条件が可能になる。」（段落【００５１】）
　
　そして、（エ）の記載について、審判請求人は、平成２０年１０月９日付で補正された審判請求の理由において、次のように補足している。
（オ）「ここで、「プロセスマージンが広い条件が可能になる」とは、例えば、試料の表面処理を、最初は高速で処理し、下地酸化膜に近づくにつれて低速の処理にするような処理条件を選択する等、プロセス条件の選択、変更の余地が広いことを意味しています。」（平成２０年１０月９日付手続補正書（方式）第３ページ第２６〜２９行）
　
　上記（ア）〜（オ）の記載から、本願の補正後の請求項１に記載される発明は、サブトレンチのない平坦な底面と垂直な側面を得つつ非常に薄い下地に損傷を与えない加工を可能にすること、及びプロセス条件の選択や変更の余地を広めてプロセスマージンが広い条件を可能にすることを解決しようとする課題として有するものといえる。
　これに対して、補正前の請求項１に記載された発明は、加工寸法が１μｍ以下好ましくは０．５μｍ以下の素子を加工できる試料の表面処理方法を提供すること（段落【０００８】）、試料に印加する高周波電圧を繰返しオンオフ制御し、かつ高周波電圧の周波数とその繰返し周波数の組み合わせを工夫することにより、エッチングの異方性を高めると同時に選択比を高くすること（段落【００１２】）、垂直な側面と平坦なエッチング底面を得ること、広い部分も狭い部分もエッチ深さを同じとすること（段落【００２３】）、サブトレンチを低減すること（段落【００２８】）を解決しようとする課題とするものであるといえる。
　そうすると、上述した補正後の請求項１に記載される発明の解決しようとする課題である、サブトレンチのない平坦な底面と垂直な側面としつつ非常に薄い下地に損傷を与えない加工を可能にすること、及びプロセス条件の選択や変更の余地を広めてプロセスマージンが広い条件を可能にすることは、補正前の請求項１に記載された発明の解決しようとする課題に新たな課題を追加するものといえる。
　そして、補正後の請求項１に記載される発明の解決しようとする課題は補正前の請求項１に記載された発明の解決しようとする課題を概念的に下位にしたものでも、同種のものでもなく、技術的に密接に関連しているとはいえない。
　よって、本件補正前の発明と本件補正後の発明が解決しようとする課題は同一ではない。
　
オ　したがって、本件補正は、請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではなく、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の解決しようとする課題が同一でもないから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された補正の要件を満たさない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　平成２０年８月２９日付手続補正は上記のように却下されたので、本願の請求項１−３に係る発明は、平成２０年４月２５日付手続補正によって補正された請求項１−３に記載されたとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という）は、以下のとおりのものである。
　
「真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と、前記試料に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電圧を印加するための高周波電源とを有するプラズマエッチング装置を用いた試料の表面処理方法において、
　前記高周波バイアス電圧の周波数を１００ＫＨｚ〜１０ＭＨｚ、周期的にオンオフさせる繰返し周波数を１００Ｈｚ〜１０ＫＨｚ、オンオフのデューティー比を５％〜５０％とし、前記試料を処理することを特徴とする試料の表面処理方法。」
　
２　刊行物及びその記載事項
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に日本国内において頒布された下記の刊行物には、次の事項が記載されている。
　
刊行物；特開平８−２５０４７９号公報
　
（刊ａ）「【請求項１】処理室内の試料台にウェハを載置し、前記処理室を排気手段によって所望の真空度に排気し、前記処理室にガス導入手段によって材料処理ガスを導入し、プラズマ放電手段によって前記導入されたガスをプラズマ化し、該プラズマによりウェハ上に形成された材料を処理する表面処理方法において、処理過程が、主として反応種が表面に吸着する素過程を含む第１の期間Ａ、次いで吸着反応種と材料の反応を促進するべく加速された粒子が表面に照射される素過程を含む第２の期間Ｂ、次いで反応生成物が表面から脱離し排気される素過程を含む第３の期間Ｃとからなり、かつこのＡ、Ｂ、Ｃの期間からなる処理過程を1[msec]以上1[sec]以下の周期で周期的に行なうことを特徴とする表面処理方法。
・・・
【請求項５】請求項１において、前記排気手段の実効総排気速度を500[liter/sec]以上とし、期間Ａおよび期間Ｂにおいて任意の変調電力でプラズマ放電が行なわれ、期間Ｂにおいて試料台に任意の変調電力でバイアス電力が印加され、期間Ｃにおいてはプラズマ放電とバイアス電力の印加が停止されるという期間Ａ、Ｂ、Ｃからなる処理を1[msec]以上1[sec]以下の周期で周期的に行ない、ウェハ上に形成された材料を処理することを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
・・・
【請求項２６】請求項１、２、３、４、５、６、７、８のいずれかに記載のバイアスは、高周波バイアスであることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、７に記載の表面処理方法および請求項６、８に記載の表面処理装置。
・・・」（特許請求の範囲）
　
（刊ｂ）「本方法は、図２に示すように期間Ａおよび期間Ｂにおいて任意の変調電力でプラズマ放電を行ない、期間Ｂにおいて試料台に任意の変調電力でバイアスを印加し、期間Ｃにおいてはプラズマ放電とバイアス電力の印加を停止して材料を処理することである。」（【００６７】）
　また、図２には、放電電力とバイアス印加電力の時間変調の仕方を表す図が示され、期間Ａではプラズマ放電電力が印加されると共にバイアス印加電力が印加されず、期間Ｂではプラズマ放電電力及びバイアス印加電力が印加され、期間Ｃではプラズマ放電電力及びバイアス印加電力が印加されないことが読み取れる。
　
（刊ｃ）「・・・期間Ｂにおいて、・・・バイアス電力を印加して加速したイオンを表面に入射させれば、・・・」（【００６９】）
　
（刊ｄ）「実施例１
図７は本発明の表面処理装置をマイクロ波プラズマエッチング装置において実施した例である。」（【００９３】）
　
（刊ｅ）「表面に入射する反応種はCl2分子でこれがすべて解離吸着すると仮定し、期間Ａの時間ａを見積もる。ａは表面入射Cl2ガスフラックスすなわちCl2ガス圧力によって決まると近似し、(4)−(7)式を用いると、低ガス圧の下限と考えられる0.1[mTorr]ではａは約21[msec]であり、また、マイクロ波プラズマエッチング装置におけるガス圧力のほぼ上限と考えられる50[mTorr]ではａは約0.04[msec]である。吸着効率が１以下であればこの見積りよりａは長くなる。
　次に期間Ｂの時間ｂを見積もる。ｂはイオンエネルギー即ちバイアス電力にも依存するが、ほぼイオン電流密度によって決まると仮定すると、(1)−(3)式から、比較的低密度の0.5[mA/cm2]ではｂは約64[msec]であり、大電力で放電を行なった場合のかなり高密度である40[mA/cm2]ではｂは約0.8[msec]である。
　期間Ｃの時間ｃは処理室中の反応生成物の滞在時間に関係する。例えば、低い実効総排気速度100[liter/sec]で比較的大きい容量100[liter]の処理室を排気した場合、(11)式から滞在時間は約285[msec]であり、実効総排気速度1300[liter/sec]で比較的小さい容量50[liter]の処理室を排気した場合、滞在時間は約39[msec]である。」（【００７７】〜【００７９】）
　
（刊ｆ）「・・・バイアス電源16は交流電源で、本実施例では周波数400kHzのものを用いている。しかし、周波数は特に400kHzに限定されたものではなく、例えば13.56MHzや2MHzあるいは他の周波数のものでもよい。・・・」（【００９６】）
　
（刊ｇ）「・・・放電電力とバイアス電力は図２に示したように同期をとって変調を行なった。この変調方法における期間Ａ、Ｂ、Ｃの各時間ａ、ｂ、ｃの設定方法について説明する。・・・」（【０１０１】）
　
（刊ｈ）「・・・その結果、ａを30[msec]、ｂを70[msec]、ｃを400[msec]に設定したときに、エッチング速度が極端に低下することなく。レジストマスクおよび下地酸化膜との選択比は最大となった。この時の周期は500[msec]である。
　・・・その結果、ａを26[msec]、ｂを70[msec]、ｃを254[msec]に設定したときに、エッチング速度が極端に低下することなく。レジストマスクおよび下地酸化膜との選択比は最大となった。この時の周期は350[msec]である。
　・・・その結果、ａを22[msec]、ｂを70[msec]、ｃを158[msec]に設定したときに、エッチング速度が極端に低下することなく。レジストマスクおよび下地酸化膜との選択比は最大となった。この時の周期は250[msec]である。
　・・・その結果、ａを70[msec]、ｂを80[msec]、ｃを850[msec]に設定したときに、エッチング速度が極端に低下することなく。レジストマスクおよび下地酸化膜との選択比は最大となった。この時の周期は1[sec]である。・・・」（【０１０４】〜【０１０８】）
　
（刊ｉ）「・・・ガスの滞在時間は約553[msec]である。・・・その結果、ａは0.1[msec]、ｂは0.8[msec]でｃが長いほどレジストマスクおよび下地酸化膜との選択比が大きくなった。しかし、この場合滞在時間がａとｂに比べて極端に長いため、前述した例のように時間ｃを3τにしたりするとエッチング時間に対する排気時間の比率が大きくなりすぎてエッチング速度が極端に低下してしまう。この例の場合ではａ＋ｂで0.9[msec]であるからｃ＝τとしてもａ＋ｂ≪ｃとなってしまう。実際的なエッチング速度を得るためには0.1[msec]から5[msec]の間にｃを設定する必要があった。・・・」（【０１０９】）
　
３　対比・判断
　
（１）刊行物に記載された発明
　上記記載事項（刊ａ）〜（刊ｄ）を整理すると、刊行物には以下の発明が（以下「刊行物発明」という）が記載されている。
　
「処理室内の試料台にウェハを載置し、前記処理室を排気手段によって所望の真空度に排気し、前記処理室にガス導入手段によって材料処理ガスを導入し、プラズマ放電手段によって前記導入されたガスをプラズマ化し、該プラズマによりウェハ上に形成された材料を処理するマイクロ波プラズマエッチング装置を用いた表面処理方法において、処理過程が、主として反応種が表面に吸着する素過程を含む第１の期間Ａ、次いで吸着反応種と材料の反応を促進するべく加速された粒子が表面に照射される素過程を含む第２の期間Ｂ、次いで反応生成物が表面から脱離し排気される素過程を含む第３の期間Ｃとからなり、期間Ａおよび期間Ｂにおいて任意の変調電力でプラズマ放電が行なわれると共にバイアス電力の印加が停止され、期間Ｂにおいて任意の変調電力でプラズマ放電が行なわれると共にバイアス電源により試料台に任意の変調電力で高周波バイアス電力が印加されて加速したイオンが表面に入射され、期間Ｃにおいてはプラズマ放電と高周波バイアス電力の印加が停止される期間Ａ、Ｂ、Ｃからなる処理を1[msec]以上1[sec]以下の周期で周期的に行なう表面処理方法。」
　
（２）対比
　本願発明１と刊行物発明とを対比する。
ア　刊行物発明における「プラズマ放電手段」、「ウエハ」及び「マイクロ波プラズマエッチング装置」は、本願発明１における「プラズマ発生手段」、「試料」及び「プラズマエッチング装置」にそれぞれ相当する。
　
イ　刊行物発明における「処理室」は、所望の真空度に排気され、かつ当該処理室内でガスがプラズマ化するものであるから、本願発明１における「真空容器」に相当する。また、刊行物発明において「高周波バイアス電力」が印加されるときに所定の電圧が印加されることは自明であるから、刊行物発明は「高周波バイアス電圧」を印加するものといえる。そして、刊行物発明における「バイアス電源」は試料に高周波バイアス電力を印加するのであるから、本願発明１における「高周波電源」に相当する。
　
ウ　刊行物発明において「高周波バイアス電力」を印加することは、上述のとおり「高周波バイアス電圧」を印加するものといえ、刊行物発明における高周波バイアス電力は、高周波バイアス電力が所定の周波数とされる限りにおいて、本願発明１における高周波電圧の周波数と一致する。
　
エ　刊行物発明における期間Ａ、Ｂ、Ｃのうち期間Ｂは高周波バイアス電力をオンし、期間Ａ、Ｃは高周波バイアス電力をオフしているから、刊行物発明において期間Ａ、Ｂ、Ｃの動作を周期的に行うことは、本願発明１の高周波バイアス電圧を周期的にオンオフさせる繰返しを行うことに相当し、刊行物発明における期間Ａ、Ｂ、Ｃの周期1[msec]以上1[sec]以下を周波数に換算すると１Ｈｚ〜１ＫＨｚとなる。刊行物発明は高周波バイアス電圧を周期的にオンオフさせる繰返し周波数が所定の値とされる限りにおいて、本願発明１のオンオフさせる繰返し周波数と一致する。
　
オ　刊行物発明における期間Ａ、Ｂ、Ｃの合計時間に対する期間Ｂの時間は、本願発明におけるオンオフのデューティー比に相当し、刊行物発明ではオンオフのデューティー比はデューティー比が所定の値とされる限りにおいて、本願発明１のオンオフのデューティー比と一致する。
　
　してみれば、刊行物発明と本願発明１とでは、
　「真空容器と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマにより表面処理される試料を接地する試料台と、前記試料に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電源を印加するための高周波電源とを有するプラズマエッチング装置を用いた試料の表面処理方法において、
　前記高周波バイアス電圧の周波数を所定の周波数とし、周期的にオンオフさせる繰返し周波数を所定の周波数とし、オンオフのデューティー比として所定の値とし、前記試料を処理する試料の方面処理方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）本願発明１では、高周波バイアス電圧の周波数を１００ＫＨｚ〜１０ＭＨｚとしているのに対し、刊行物発明では、高周波バイアス電圧の好ましい周波数範囲が特定されていない点。
　
（相違点２）本願発明１では、周期的にオンオフさせる繰返し周波数を１００Ｈｚ〜１０ＫＨｚとしているのに対し、刊行物発明では、繰返し周波数を１Ｈｚ〜１ＫＨｚとしている点。
　
（相違点３）本願発明１では、オンオフのデューティー比を５％〜５０％としているのに対し、刊行物発明では、オンオフのデューティー比の好ましい数値が特定されていない点。
　
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　
ア　相違点１について
　刊行物発明では、高周波バイアス電圧の好ましい周波数範囲を特定していないが、刊行物の記載事項（刊ｆ）に、実施例では周波数４００ＫＨｚを用いること、また、４００ＫＨｚ以外にも２ＭＨｚや他の周波数でも良いことが記載されている。刊行物発明に接した当業者が、発生するイオンの種類や、プラズマの密度、要求される加工精度や加工速度等を勘案して適切なイオンエネルギーが得られるよう高周波バイアス電圧の周波数を選択することは適宜行うことであるし、上述のように高周波バイアス電圧の周波数として４００ＫＨｚ又は２ＭＨｚとする例が記載されていることにも鑑み、高周波バイアス電圧の周波数を１００ＫＨｚ〜１０ＭＨｚとすることは当業者が適宜なし得たことである。
　
　なお、本願発明１における高周波バイアス電圧の数値範囲の臨界的意義について、本願明細書の段落【００３０】には、「ｒｆバイアスを１００ＫＨｚ以上にすることにより、中間領域エネルギーのイオンを低減できるので、異方性の高いエッチングが可能になる。」と記載されているが、本願の請求項１の記載では、試料の形状等について何ら特定されておらず、本願発明１は、平らな試料の表面を一様にエッチングするなど異方性の高いエッチングが行われない試料の表面処理も含まれるものであるから、必ずしも異方性が高い加工が可能になるという作用効果を奏するとはいえない。
　また、本願明細書の段落【００１９】には「ｒｆバイアスの周波数が高くなると、イオンの動きがｒｆバイアスの変動に追随できなくなるために、イオンのエネルギーは次第にｒｆバイアス印加時に発生する電圧の直流成分Ｖｄｃの値に収束する。その間に過渡的な状態があり、周波数約１００ＫＨｚから数ＭＨｚの間は、イオンのエネルギーは、図４の１００ＫＨｚの線図に示すように、ｒｆバイアスの振幅Ｖｐｐに相当する高エネルギーのピーク４０１と低エネルギーのピーク４０２を持つ鞍形の分布を持つ。」との記載があり、これは周波数が高くなると次第にイオンのエネルギーはＶｄｃに収束するが、周波数約１００ＫＨｚから数ＭＨｚの間が過渡期であり、この過渡期において高エネルギーのピークと低エネルギーのピークを持つ鞍形の分布となることを説明していると解される。ところが、本願明細書の段落【００４０】では「高周波の周波数が上がって、電圧の変化にイオンの動きがついて行かなくなると、Ｅｍａｘは次第にＶｄｃに近づく。周波数が１５ＭＨｚ以上から数十ＭＨｚの間は過渡期となる」と記載され、ここでは周波数１５ＭＨｚ以上から数十ＭＨｚを過渡期としており、上述の約１００ＫＨｚから数ＭＨｚと一致しておらず、エネルギーが鞍形のピークを持つ周波数範囲がいずれであるのか不明である。さらに、本願明細書の段落【００６８】には「試料に印加するバイアス電源の周波数は１００ＫＨｚから１００ＭＨｚの間がよい。」と記載され、上限値が１０ＭＨｚであるのか１００ＭＨｚであるのかも不明である。
　よって、本願発明１における１００ＫＨｚ〜１０ＭＨｚとの数値範囲に、臨界的意義があるということはできない。
　
イ　相違点２について
　刊行物発明では、オンオフの繰返し周波数を１Ｈｚ〜１ＫＨｚとしているが、刊行物の記載事項（刊ｉ）によれば、期間Ａ、Ｂ、Ｃの時間ａ、ｂ、ｃを、ａ＝０．１ｍｓｅｃ、ｂ＝０．８ｍｓｅｃ、ｃ＝０．１〜５ｍｓｅｃとすることが記載されており、期間Ａ、Ｂ、Ｃの合計は１．０〜５．９ｍｓｅｃであって、換算するとオンオフの繰返し周波数は約１６９Ｈｚ〜１ＫＨｚとなる例が、記載事項（刊ｈ）には、オンオフの繰返し周期を２５０ｍｓｅｃ、すなわちオンオフの繰返し周波数が１６９Ｈｚ以下となる例が記載されている。また、記載事項（刊ｅ）や記載事項（刊ｉ）の記載から、期間Ａ、Ｂ、Ｃの時間はガス圧力、バイアス電力、イオン電流密度等の条件や実際的なエッチング速度等を考慮して調整することが示唆されている。
　してみれば、刊行物発明の実施化に際して期間Ａ、Ｂ、Ｃの時間を適宜調整し、オンオフの繰返し周波数を本願発明１の数値範囲の一部に含まれる１００Ｈｚ〜１Ｋｚとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　なお、本願発明１におけるオンオフの繰返し周波数の数値範囲の臨界的意義に関して、本願明細書の段落【００６８】では１００Ｈｚ以下であると「側壁が滑らかでなくなる」と記載されているが、本願の請求項１では、試料の形状等については何ら記載されておらず、本願発明１は、平らな面を一様にエッチングする処理、すなわち側壁を有しない表面の処理も含まれるのであるから、必ずしも側壁が滑らかになるという作用効果を奏するということはできない。また、上限値については、段落【００６８】に、電源作成が技術的に難かしくなるので１０ＫＨｚ以下とすることが記載されているのみで、この上限値は電源作成等の周辺技術の現状に応じて適宜定めたものに過ぎず、試料の表面処理それ自体に特別な作用効果を及ぼすと解することはできないから、この上限値にも格別の臨界的意義を見いだすことはできない。
　
ウ　相違点３について
　刊行物発明において、デューティー比の範囲は特定されていないが、記載事項（刊ｉ）には、期間Ａの時間（ａ）＝０．１ｍｓｅｃ、期間Ｂの時間（ｂ）＝０．８ｍｓｅｃ、期間Ｃの時間（ｃ）＝０．１〜５ｍｓｅｃとすること、すなわち、高周波バイアス電圧がオン（期間Ｂ）の時間と期間Ａ、Ｂ、Ｃの合計時間とを、それぞれ０．８ｍｓｅｃと１．０〜５．９ｍｓｅｃとしたものが記載され、これはデューティー比に換算すると約１３．６％〜８０％となる。この期間Ｃの時間（ｃ）は、記載事項（刊ｉ）に記載されるように、長いほど選択比が大きくなるが、エッチング時間が低下してしまうため、実際的なエッチング速度を得るために前述の範囲としたものであるから、実施化に際して、許容できるエッチング速度や必要とする選択比を勘案することで、期間Ｃの時間（ｃ）を長くして（期間Ｃの時間（ｃ）を長くする結果として、デューティー比は小さくなる）、デューティー比を５％〜５０％とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　また、刊行物の記載事項（刊ｈ）によれば、実施例として、高周波バイアス電圧がオン（期間Ｂ）の時間と期間Ａ、Ｂ、Ｃの合計時間とを、それぞれ７０ｍｓｅｃと５００ｍｓｅｃ（デューティー比１４％）、７０ｍｓｅｃと３５０ｍｓｅｃ、（デューティー比２０％）、７０ｍｓｅｃと２５０ｍｓｅｃ（デューティー比２８％）、８０ｍｓｅｃと１ｓｅｃ（デューティー比８％）とするなど、デューティー比が５％〜５０％の範囲内に含まれる複数の例が記載されている。上記「イ　相違点２について」で検討したように期間Ａ、Ｂ、Ｃの時間を適宜調整することが示唆されており、さらにデューティー比を５％〜５０％の範囲に含まれる複数の例が記載されていることにも鑑みて、デューティー比を５％〜５０％の範囲とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　なお、本願発明１におけるデューティー比の数値範囲の臨界的意義について、本願明細書の段落【００３２】では「オンオフバイアス制御では、デューティー比５０％以下の領域で、連続バイアスと比較して選択比が上昇する。」とし本願明細書の段落【００３４】によれば、この理由として「バイアスオフ期間に反応生成物が酸化膜状に堆積して酸化膜のエッチング速度を低下させることによると考えられる。」と記載されている。この段落【００３４】に記載された理由は、表面処理する試料に酸化膜が存在することを前提としているが、本願の請求項１には、表面処理される試料の材質等について何ら記載されておらず、本願発明１では酸化膜が存在しない試料の表面処理も含まれるのであるから、必ずしも段落【００３４】で説明されるような作用効果を奏するとはいえない。仮に試料に酸化膜が存在するとしても、上記段落【００３４】に記載された理由からは、バイアスオフ期間がありさえすれば選択比が向上すると解釈できるものであって、５０％以下の領域で選択比が上昇するとする段落【００３２】の説明とは整合しておらず、５０％という数値自体に格別の臨界的意義があるということはできない。また、５％という下限値について、本願明細書段落【００３２】では、「あまり小さいとｐｏｌｙ　ｓｉエッチング速度が小さくなる」としているが、デューティー比を所定値以下とすると、高周波バイアス電圧を印加することによる作用（エッチングの促進）が効果的に生じないことは当業者の予測の範囲内のものに過ぎない。
　
（４）結論
　したがって、本願発明１は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規程により、特許を受けることができない。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規程により特許を受けることができないものであるから、本願の請求項２−３に係る発明については検討するまでもなく、本願を拒絶すべきものである。
　
　
　なお、審判請求人は、平成２２年５月２８日付の回答書において、補正前の請求項３を新たに請求項１とすること、すなわち補正前の請求項１に「プラズマ発生手段が発生するプラズマの電子密度を１×１０１０個／ｃｍ３以上とし」との限定を加えて新たな請求項１とする用意がある旨を述べ、さらに、原査定の拒絶の理由に提示された上記刊行物には、プラズマ密度をこの値以上に高くする記載はなく、さらに上記刊行物の発明から類推できる最適なプラズマ密度はむしろ低い方が有利となるものであるから、本願発明をなし得ることは困難である旨を主張している（平成２２年５月２８日付の回答書第５ページ第１０〜１４行）。
　しかしながら、上記刊行物には「ドライエッチング装置は、低圧力高密度プラズマ化の方向に進んでおり、以下のような新しい方法の装置がある。先ず、マグネトロンによって生成したマイクロ波(周波数は主として2.45[GHz])を処理室に導入してガスをプラズマ化するマイクロ波プラズマ(ＥＣＲ；Electron Cyclotron Resonance プラズマとも呼ばれている)エッチング装置がある。」（段落【０００６】；なお、Electron Cyclotron Resonanceの日本語訳は電子サイクロトロン共鳴である）、「電子サイクロトロン共鳴によって励起効率を高める」（段落【００９６】）との記載があり、刊行物に記載された発明は、むしろ高密度プラズマを指向することが伺える。
　また、電子サイクロトロン共鳴を用いた際のプラズマの電子密度として、１×１０１０個／ｃｍ３以上とすることは、周知の技術（例えば、特開昭６２−１１５８２１号公報；発明の背景及び図３参照）であるから、刊行物発明において、プラズマの電子密度を１×１０１０個／ｃｍ３以上とすることは当業者が適宜なし得たことに過ぎない。
　よって、仮に審判請求人が回答書で提案するように補正前の請求項３を新たな請求項１とし、補正前の請求項１に「プラズマ発生手段が発生するプラズマの電子密度を１×１０１０個／ｃｍ３以上とし」との限定を加えたとしても、刊行物に記載された発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたのであって、特許法第２９条第２項の規程により特許を受けることができないものである。