Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月6日(2012.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、原料融液を収容するルツボと、該ルツボが囲繞される円筒状発熱部を有するヒータと、該ヒータを格納するメインチャンバーと、前記ヒータを支持して電流を供給するヒータ電極と、前記ヒータの円筒状発熱部の下方に配置される断熱板とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶製造装置であって、
前記断熱板が前記ヒータ電極に絶縁性固定部材を介して固定支持され、前記断熱板の上面の前記円筒状発熱部の下端に対応する位置に絶縁性支持部材が配置されたものであることを特徴とする単結晶製造装置。
【請求項２】
前記絶縁性支持部材の上端と前記ヒータの円筒状発熱部の下端との間の距離が０〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の単結晶製造装置。
【請求項３】
前記ヒータの円筒状発熱部の内径が、８５０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の単結晶製造装置。
【請求項４】
前記ヒータ電極が前記ヒータを２か所で支持するものであり、前記断熱板の上面の前記絶縁性支持部材が配置される位置が、前記円筒状発熱部の下端の前記ヒータ電極が前記ヒータを支持する位置の９０度回転した位置に対応する位置であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
Ｃｒ：１．０％以下、Ｍｏ：０．５０％以下およびＢ：０．０１０％以下からなる群から選択された１種または２種以上
Ｃｒ、ＭｏおよびＢは、鋼の焼入性を向上させる作用を有し、上記の金属組織を得るのに有効な元素である。したがって、これらの元素の１種または２種以上を含有させてもよい。しかしながら、過剰に含有させても上記作用による効果が飽和して不経済となる。したがって、Ｃｒ含有量は１．０％以下、Ｍｏ含有量は０．５０％以下、Ｂ含有量は０．０１０％以下とする。Ｃｒ含有量は好ましくは０．５０％以下であり、Ｍｏ含有量は好ましくは０．２０％以下であり、Ｂ含有量は好ましくは０．００３０％以下である。上記作用による効果をより確実に得るには、Ｃｒ：０．２０％以上、Ｍｏ：０．０５％以上およびＢ：０．００１０％以上のいずれかを満足させることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
具体的には、実験用熱間圧延機を用いて、Ａｒ３点以上の温度域で６パスの圧延を行い、厚さ２〜３ｍｍに仕上げた。最終１パスの圧下率は、板厚減少率で２２〜２５％とした。熱間圧延後、水スプレーを使用して種々の冷却条件で６５０〜７２０℃まで冷却し、５〜１０秒間放冷した後、６０℃／ｓの冷却速度で種々の温度まで冷却してこれを巻取温度とし、同温度に保持された電気加熱炉中に装入して３０分間保持した後、２０℃／ｈの冷却速度で室温まで炉冷却して巻取後の徐冷をシミュレートすることにより、熱延鋼板を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記工程（Ａ）〜（Ｃ）を有することを特徴とする、主相が低温変態生成相であり第二相にフェライトを含む金属組織を備える冷延鋼板の製造方法：
（Ａ）質量％で、Ｃ：０．０２０％超０．２０％未満、Ｓｉ：０．１０％超２．０％以下、Ｍｎ：１．５０％以上３．５０％以下、Ｐ：０．１０％以下、Ｓ：０．０１０％以下、ｓｏｌ．Ａｌ：０．１０％以下およびＮ：０．０１０％以下を含有する化学組成を有するスラブに、Ａｒ３点以上の温度域で圧延を完了する熱間圧延を施して熱延鋼板となし、前記熱延鋼板を前記圧延の完了後０．４秒間以内に７２０℃以下の温度域まで冷却し、４００℃以上の温度域で巻取る熱間圧延工程；
（Ｂ）前記熱延鋼板に冷間圧延を施して冷延鋼板とする冷間圧延工程；および
（Ｃ）前記冷延鋼板に（Ａｃ３点−４０℃）以上の温度域で均熱処理を施す焼鈍工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本実施の形態に係る鋼板は、以下に列記する元素を任意元素として含有してもよい。
Ｔｉ：０．０４０％未満、Ｎｂ：０．０３０％未満およびＶ：０．５０％以下からなる群から選択される１種または２種以上
Ｔｉ、ＮｂおよびＶは、炭化物または窒化物として析出し、焼鈍中のオーステナイトの粗大化を抑制し、延性および伸びフランジ性を向上させる作用を有する。したがって、これらの元素の１種または２種以上を含有させてもよい。しかしながら過剰に含有させても上記作用による効果が飽和して不経済となる。そればかりか、再結晶温度が上昇し、冷延鋼板の金属組織が不均一化し、伸びフランジ性も損なわれる。さらには、炭化物または窒化物の析出量が増し、降伏比が上昇し、形状凍結性も劣化する。したがって、Ｔｉ含有量は０．０４０％未満、Ｎｂ含有量は０．０３０％未満、Ｖ含有量は０．５０％以下とする。Ｔｉ含有量は好ましくは０．０２５％未満、さらに好ましくは０．０２０％未満であり、Ｎｂ含有量は好ましくは０．０２０％未満、さらに好ましくは０．０１５％以下であり、Ｖ含有量は好ましくは０．３０％以下である。上記作用による効果をより確実に得るには、Ｔｉ：０．００５％以上、Ｎｂ：０．００５％以上およびＶ：０．０１０％以上のいずれかを満足させることが好ましい。Ｔｉを含有させる場合には、Ｔｉ含有量を０．０１０％以上とすることがさらに好ましく、Ｎｂを含有させる場合には、Ｎｂ含有量を０．０１０％以上とすることがさらに好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
Ｃｒ：１．０％以下、Ｍｏ：０．５０％以下およびＢ：０．０１０％以下からなる群から選択された１種または２種以上
Ｃｒ、ＭｏおよびＢは、鋼の焼入性を向上させる作用を有し、上記の金属組織を得るのに有効な元素である。したがって、これらの元素の１種または２種以上を含有させてもよい。しかしながら、過剰に含有させても上記作用による効果が飽和して不経済となる。したがって、Ｃｒ含有量は１．０％以下、Ｍｏ含有量は０．５０％以下、Ｂ含有量は０．０１０％以下とする。Ｃｒ含有量は好ましくは０．５０％以下であり、Ｍｏ含有量は好ましくは０．２０％以下であり、Ｂ含有量は好ましくは０．００３０％以下である。上記作用による効果をより確実に得るには、Ｃｒ：０．２０％以上、Ｍｏ：０．０５％以上およびＢ：０．００１０％以上のいずれかを満足させることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
具体的には、実験用熱間圧延機を用いて、Ａｒ３点以上の温度域で６パスの圧延を行い、厚さ２〜３ｍｍに仕上げた。最終１パスの圧下率は、板厚減少率で２２〜２５％とした。熱間圧延後、水スプレーを使用して種々の冷却条件で６５０〜７２０℃まで冷却し、５〜１０秒間放冷した後、６０℃／ｓの冷却速度で種々の温度まで冷却してこれを巻取温度とし、同温度に保持された電気加熱炉中に装入して３０分間保持した後、２０℃／ｈの冷却速度で室温まで炉冷却して巻取後の徐冷をシミュレートした。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
（オ）カチオン可染性：
得られたポリエステル延伸繊維から常法により丸編みのサンプルを作成し、その編物をカチオン可染ＣＡＴＨＩＬＯＮ  ＢＬＵＥ  ＣＤ−ＦＲＬＨ）０．２ｇ／Ｌ、ＣＤ−ＦＢＬＨ０．２ｇ／Ｌ（いずれも保土ヶ谷化学株式会社製カチオン可染性染料）、硫酸ナトリウム３ｇ／Ｌ、酢酸０．３ｇ／Ｌの染色液中にて９８℃で１時間、浴比１：５０で染色し、次式により染着率を求めた。
染着率＝（ＯＤ０−ＯＤ１）／ＯＤ０×１００（％）
ＯＤ０：染色前の染液の５７６ｎｍの吸光度
ＯＤ１：染色後の染液の５７６ｎｍの吸光度
本発明では、染着率９８％以上のものを可染性良好と判断した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
跛行を有するかまたは跛行の危険がある被験体を処置するための組成物であって、
送達ビヒクル
を含み、該送達ビヒクルは、
一酸化窒素ドナーと、
少なくとも約０．２５Ｍであるイオン強度を有する不利な生物物理学的環境と
を含む、組成物。
【請求項２】
前記被験体の脚部に投与されることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記被験体の足部に投与されることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
神経障害を有するかまたは神経障害の危険を有する被験体を処置するための組成物であって、
送達ビヒクル
を含み、該送達ビヒクルは、
一酸化窒素ドナーと、
少なくとも約０．２５Ｍであるイオン強度を有する不利な生物物理学的環境と
を含む、組成物。
【請求項５】
前記送達ビヒクルがクリームである、請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記一酸化窒素ドナーが、Ｌ−アルギニン、塩酸Ｌ−アルギニン、および/またはＬ−アルギニンの誘導体である、請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
前記一酸化窒素ドナー誘導体がＬ−アルギニンメチルエステルである、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記一酸化窒素ドナー誘導体がＬ−アルギニンブチルエステルである、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記一酸化窒素ドナーが約０．０５重量％〜約２５重量％である濃度で存在する、請求項１〜８のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記不利な生物物理学的環境が、少なくとも約１Ｍであるイオン強度を有する、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記不利な生物物理学的環境が、塩化ナトリウム、塩化コリン、塩化マグネシウム、または塩化カルシウムのうちの１種以上を含む、請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
前記不利な生物物理学的環境が尿素を含む、請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
前記不利な生物物理学的環境が糖質を含む、請求項１〜１２のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１４】
前記不利な生物物理学的環境が、少なくとも約１０００であるオクタノール−水分配係数を有する成分を含む、請求項１〜１３のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１５】
前記オクタノール−水分配係数が約１０−３未満である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記不利な生物物理学的環境が、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化コリン、塩化マグネシウム、および塩化カルシウムのうちの１種以上を含む、請求項１〜１５のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１７】
前記不利な生物物理学的環境が、少なくとも約９であるｐＨを有する、請求項１〜１６のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１８】
前記不利な生物物理学的環境が、約５未満であるｐＨを有する、請求項１〜１６のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１９】
前記ｐＨが約３〜約１１である、請求項１〜１６のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２０】
前記一酸化窒素ドナーが、約０．０５重量％〜約２５重量％である濃度を有する、請求項１〜１９のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２１】
前記送達ビヒクルが、水、鉱油、グリセリルステレアート、スクアレン、プロピレングリコールステアレート、麦芽油、ステアリン酸グリセリル、ミリスチン酸イソプロピル、ステアリン酸ステリル、ポリソルベート６０、プロピレングリコール、オレイン酸、酢酸トコフェロール、コラーゲン、ステアリン酸ソルビタン、ビタミンＡ、ビタミンＤ、トリエタノールアミン、メチルパラベン、アロエベラ抽出物、イミダゾリジニル尿素、またはプロピルパラベンのうちの１種以上をさらに含む、請求項１〜２０のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２２】
前記送達ビヒクルがＮＳＡＩＤをさらに含む、請求項１〜２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記ＮＳＡＩＤがイブプロフェンを含む、請求項２２に記載の組成物。
【請求項２４】
前記送達ビヒクルが、ナプロキセン、セレコキシブ、レフェコキシブ、モルヒネ、プロポキシフェン、オキシコドン、またはヒドロコドンのうちの１種以上をさらに含む、請求項１〜２３のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無アルカリガラスと、希土類原子を含む化合物とを、混合し粉砕することを特徴とする蛍光材料の製造方法。
【請求項２】
無アルカリガラス９５〜９９．９９重量％と、希土類原子を含む化合物０．０１〜５重量％とを、混合し粉砕することを特徴とする請求項１に記載の蛍光材料の製造方法。
【請求項３】
無アルカリガラスと、希土類原子を含む化合物とを、メカニカルミリング処理することを特徴とする請求項１に記載の蛍光材料の製造方法。
【請求項４】
無アルカリガラスと、希土類原子を含む化合物と、ボールとを入れた容器を回転させることを特徴とする請求項１に記載の蛍光材料の製造方法。
【請求項５】
前記希土類原子を含む化合物は、希土類原子として、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｅｒから選ばれる１以上の原子を含むことを特徴とする請求項１に記載の蛍光材料の製造方法。
【請求項６】
前記希土類原子を含む化合物は、希土類原子の酸化物、塩化物、水酸化物、窒化物、硫化物から選ばれる１以上の化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の蛍光材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属材料層が形成されたベース基板上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に複数の開口を形成する工程と、
前記開口に導電性金属材料を充填し複数の固定ポストを形成し、前記レジスト層を除去する工程と、
犠牲層の上に新たなレジスト層を形成し、前記レジスト層に設けた開口に導電性金属材料を充填することで導電性金属材料を積層してデバイスを形成する工程と、
前記犠牲層の上に形成されたレジスト層と前記犠牲層を除去する工程を含み、
前記固定ポストは１個のデバイスに対して少なくとも２個以上が割り当てられ、前記固定ポストと前記デバイスが重ならないように配置され、
前記犠牲層が除去されて前記デバイスが前記導電性金属材料層の上へと移動された時に、各デバイスは前記固定ポストによって水平方向の移動が制限されていることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼を検査するための検眼ユニットと、
被検眼に対して検眼ユニットを移動させるための駆動手段と、
任意の方向に傾倒可能に支持される操作桿と、前記操作棹に対する傾倒操作を電気的に検出する操作検出手段と、を含むジョイスティック機構と、
前記操作検出手段から出力される操作信号に基づいて前記駆動手段の駆動を制御する制御手段と、
前記ジョイスティック機構に設けられ、前記操作信号に基づく前記駆動手段の駆動動作を行わないようにするためのスイッチと、
を備えることを特徴とする眼科装置。
【請求項２】
請求項１の眼科装置において、
前記制御手段は、前記操作棹の移動に応じて前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを微動させる微動制御手段を有し、
前記スイッチからのトリガ信号がなければ、前記操作棹の移動に応じて前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを微動させ、前記スイッチからのトリガ信号がある限り、前記操作棹の移動に応じて前記駆動手段を駆動させず前記検眼ユニットを微動させないことを特徴とする眼科装置。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかの眼科装置において、
前記制御手段は、前記操作棹が所定の傾倒位置に達したことをトリガとして前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを粗動させる粗動制御手段を有し、
前記スイッチからのトリガ信号がなければ、前記操作棹が所定の傾倒位置に達したことをトリガとして前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを粗動させ、前記スイッチからのトリガ信号がある限り、前記操作棹が所定の傾倒位置に達したことをトリガとして前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを粗動させないことを特徴とする眼科装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの眼科装置において、
前記ジョイスティック機構は、
前記操作桿を任意の方向に傾倒可能に支持する支持機構と、
前記操作桿の下部に設けられ，前記ジョイスティックの傾倒動作に連動して水平方向に移動する移動部材と、該移動部材の水平方向における移動を検出して前記検出信号を出力する移動検出手段と、前記操作桿が所定の限界位置まで傾倒されたことを検知する検知手段と、を備えることを特徴とする眼科装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）
被検眼を検査するための検眼ユニットと、
被検眼に対して検眼ユニットを移動させるための駆動手段と、
任意の方向に傾倒可能に支持される操作桿と、前記操作棹に対する傾倒操作を電気的に検出する操作検出手段と、を含むジョイスティック機構と、
前記操作検出手段から出力される操作信号に基づいて前記駆動手段の駆動を制御する制御手段と、
前記ジョイスティック機構に設けられ、前記操作信号に基づく前記駆動手段の駆動動作を行わないようにするためのスイッチと、
を備えることを特徴とする。
（２）
（１）の眼科装置において、
前記制御手段は、前記操作棹の移動に応じて前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを微動させる微動制御手段を有し、
前記スイッチからのトリガ信号がなければ、前記操作棹の移動に応じて前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを微動させ、前記スイッチからのトリガ信号がある限り、前記操作棹の移動に応じて前記駆動手段を駆動させず前記検眼ユニットを微動させないことを特徴とする。
（３）
（１）〜（２）のいずれかの眼科装置において、
前記制御手段は、前記操作棹が所定の傾倒位置に達したことをトリガとして前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを粗動させる粗動制御手段を有し、
前記スイッチからのトリガ信号がなければ、前記操作棹が所定の傾倒位置に達したことをトリガとして前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを粗動させ、前記スイッチからのトリガ信号がある限り、前記操作棹が所定の傾倒位置に達したことをトリガとして前記駆動手段を駆動させて前記検眼ユニットを粗動させないことを特徴とする眼科装置。
（４）  （１）〜（３）のいずれかの眼科装置において、
前記ジョイスティック機構は、
前記操作桿を任意の方向に傾倒可能に支持する支持機構と、
前記操作桿の下部に設けられ，前記ジョイスティックの傾倒動作に連動して水平方向に移動する移動部材と、該移動部材の水平方向における移動を検出して前記検出信号を出力する移動検出手段と、前記操作桿が所定の限界位置まで傾倒されたことを検知する検知手段と、を備えることを特徴とする眼科装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表示手段に表示されている画像の画像データを、携帯可能に構成された副装置へ送信する主装置と、前記主装置から受信した前記画像データを画像として副表示手段に表示する前記副装置とを含む画像表示システムであって、
前記副装置は、
前記主装置との相対的な位置関係を検知するセンサ手段と、
前記センサ手段により検知された前記相対的な位置関係を示す位置関係データを前記主装置へ送信する位置関係データ送信手段と
を有し、
前記主装置は、
前記副装置から前記位置関係データを受信する位置関係データ受信手段と、
前記主表示手段に平面画像が表示されているときに、前記平面画像を立体化した立体画像を生成すると共に、前記位置関係データ受信手段により受信した位置関係データに基づいて前記相対的な位置関係が変化したことを検出した場合、変化した前記相対的な位置関係に応じて、前記立体画像の視点を切り替えた画像データを生成する送信画像生成手段と
を有することを特徴とする画像表示システム。
【請求項２】
前記主装置が送信する前記画像データは、画像中の各所定ポイントに対応したポイント情報を含み、
前記副装置は、
前記副表示手段に表示している画像中における所定ポイントを選択する選択手段と、
前記選択手段により、前記所定ポイントが選択された場合に、選択された所定ポイントに対応する前記ポイント情報に基づいて、選択された前記所定ポイントに関する付加情報を、通信ネットワークを介して、所定のサーバから取得する付加情報取得手段を有し、
前記付加情報取得手段により受信した前記付加情報を前記副表示手段に表示することを特徴とする請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項３】
前記副装置は、
前記画像データ受信手段により受信した画像データを記憶する受信データ記憶手段を備え、
前記受信データ記憶手段に記憶した画像データを前記副表示手段に表示することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の画像表示システム。
【請求項４】
主表示手段に表示されている画像の画像データを、携帯可能に構成された副装置へ送信する主装置であって、
前記主装置と前記副装置との相対的な位置関係を示す位置関係データを取得する位置関係データ取得手段と、
前記主表示手段に平面画像が表示されているときに、前記平面画像を立体化した立体画像を生成すると共に、前記位置関係データ取得手段により取得した前記位置関係データに基づいて前記相対的な位置関係が変化したことを検出した場合、変化した前記相対的な位置関係に応じて、前記立体画像の視点を切り替えた画像データを生成する送信画像生成手段とを有することを特徴とする主装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像表示システムおよび主装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に脆化層を形成し、
前記半導体基板上に、窒化チタンを有する第１の層を形成し、
前記第１の層上に、アルミニウムを有する電極を形成し、
前記電極上に、窒化チタンを有する第２の層を形成し、
前記第２の層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層と絶縁性を有する基板とを密着させ、
加熱処理により、前記脆化層に沿って前記半導体基板の一部を分離させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁層又は前記絶縁性を有する基板に、原子ビーム又はイオンビームを照射した後、前記絶縁層と前記絶縁性を有する基板とを密着させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記絶縁層又は前記絶縁性を有する基板に、プラズマ処理又はラジカル処理を施した後、前記絶縁層と前記絶縁性を有する基板とを密着させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁性を有する基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の、窒化チタンを有する第１の層と、
前記第１の層上の、アルミニウムを有する電極と、
前記電極上の、窒化チタンを有する第２の層と、
前記第２の層上の半導体層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して該単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、
絶縁層を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に半導体層を形成し、
熱処理を施して、前記半導体層中の欠陥を低減させた後、
前記半導体層にレーザー光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して該単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、
絶縁層を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に半導体層を形成し、
熱処理を施して、前記半導体層中の欠陥を低減させた後、
前記半導体層にレーザー光を照射して、前記半導体層を部分溶融させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体を有し、
前記第１の絶縁体の上方に、複数のトランジスタを有する回路を有し、
前記回路の上方に第２の絶縁体を有し、
前記第１の絶縁体と、前記回路と、前記第２の絶縁体と、を有する積層体の上面、下面、及び側面を覆うように設けられた第１の導電層を有し、
前記第１の導電層の上方に、アンテナとしての機能を有する第２の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の導電層は、前記積層体の側面に設けられた膜厚よりも前記積層体の上面及び下面に設けられた膜厚の方が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第１の導電層は、前記積層体の上面に設けられた膜厚よりも前記積層体の下面に設けられた膜厚の方が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁体は第１の繊維体と第１の有機樹脂とを有し、
前記第２の絶縁体は第２の繊維体と第２の有機樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の繊維体又は前記第１の有機樹脂は金属粒子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の導電層はチタンを有し、
前記第１の導電層の膜厚は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月27日(2012.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層上、第２の半導体層上、第３の半導体層上、及び第４の半導体層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第１の金属層と第２の金属層と第３の金属層とを有し、
前記第１の半導体層は、第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の半導体層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に第３の領域を有し、
前記第２の半導体層は、第４の領域と第５の領域とを有し、
前記第２の半導体層は、前記第４の領域と前記第５の領域との間に第６の領域を有し、
前記第３の半導体層は、第７の領域と第８の領域とを有し、
前記第３の半導体層は、前記第７の領域と前記第８の領域との間に第９の領域を有し、
前記第４の半導体層は、第１０の領域と第１１の領域とを有し、
前記第４の半導体層は、前記第１０の領域と前記第１１の領域との間に第１２の領域を有し、
前記絶縁層は、第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールと第３のコンタクトホールと第４のコンタクトホールと第５のコンタクトホールと第６のコンタクトホールと第７のコンタクトホールと第８のコンタクトホールとを有し、
前記第１の金属層は、前記第１のコンタクトホールを介して、前記第１の領域と電気的に接続されており、
前記第１の金属層は、前記第２のコンタクトホールを介して、前記第４の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第３のコンタクトホールを介して、前記第２の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第４のコンタクトホールを介して、前記第５の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第５のコンタクトホールを介して、前記第７の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第６のコンタクトホールを介して、前記第１０の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第７のコンタクトホールを介して、前記第８の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第８のコンタクトホールを介して、前記第１１の領域と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の半導体層上、第２の半導体層上、第３の半導体層上、第４の半導体層上、第５の半導体層上、及び第６の半導体層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第１の金属層と第２の金属層と第３の金属層と第４の金属層とを有し、
前記第１の半導体層は、第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の半導体層は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に第３の領域を有し、
前記第２の半導体層は、第４の領域と第５の領域とを有し、
前記第２の半導体層は、前記第４の領域と前記第５の領域との間に第６の領域を有し、
前記第３の半導体層は、第７の領域と第８の領域とを有し、
前記第３の半導体層は、前記第７の領域と前記第８の領域との間に第９の領域を有し、
前記第４の半導体層は、第１０の領域と第１１の領域とを有し、
前記第４の半導体層は、前記第１０の領域と前記第１１の領域との間に第１２の領域を有し、
前記第５の半導体層は、第１３の領域と第１４の領域とを有し、
前記第５の半導体層は、前記第１３の領域と前記第１４の領域との間に第１５の領域を有し、
前記第６の半導体層は、第１６の領域と第１７の領域とを有し、
前記第６の半導体層は、前記第１６の領域と前記第１７の領域との間に第１８の領域を有し、
前記絶縁層は、第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールと第３のコンタクトホールと第４のコンタクトホールと第５のコンタクトホールと第６のコンタクトホールと第７のコンタクトホールと第８のコンタクトホールと第９のコンタクトホールと第１０のコンタクトホールと第１１のコンタクトホールと第１２のコンタクトホールとを有し、
前記第１の金属層は、前記第１のコンタクトホールを介して、前記第１の領域と電気的に接続されており、
前記第１の金属層は、前記第２のコンタクトホールを介して、前記第４の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第３のコンタクトホールを介して、前記第２の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第４のコンタクトホールを介して、前記第５の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第５のコンタクトホールを介して、前記第７の領域と電気的に接続されており、
前記第２の金属層は、前記第６のコンタクトホールを介して、前記第１０の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第７のコンタクトホールを介して、前記第８の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第８のコンタクトホールを介して、前記第１１の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第９のコンタクトホールを介して、前記第１３の領域と電気的に接続されており、
前記第３の金属層は、前記第１０のコンタクトホールを介して、前記第１６の領域と電気的に接続されており、
前記第４の金属層は、前記第１１のコンタクトホールを介して、前記第１４の領域と電気的に接続されており、
前記第４の金属層は、前記第１２のコンタクトホールを介して、前記第１７の領域と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧を検出して判定信号を出力する検出回路を有し、
前記検出回路は、前記電圧の入力部と、基準電圧が入力される配線と、トランジスタと、複数のダイオードが直列接続されたダイオード部と、第１および第２の抵抗と、バッファ回路と、前記判定信号の出力部とを有し、
前記入力部は、前記第１の抵抗の一方の端子と、前記トランジスタのソースとに電気的に接続されており、
前記第１の抵抗の他方の端子は、前記トランジスタのゲートと、前記ダイオード部のアノードとに電気的に接続されており、
前記ダイオード部のカソードは、前記配線と、前記第２の抵抗の一方の端子とに電気的に接続されており、
前記トランジスタのドレイン及び前記第２の抵抗の他方の端子は、バッファ回路を介して前記出力部に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記検出回路の検出範囲は、前記複数のダイオードの数によって制御され、
前記ダイオードの数は可変であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記ダイオード部は、前記複数のダイオードのうち一部のダイオードのアノードと、前記配線とが電気的に接続された接続部を有し、
前記ダイオード部は、前記接続部の切断に応じて、直列接続されるダイオードの数を増やすことができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に、
一導電型である第１不純物半導体層と、
非単結晶半導体層と、
前記第１不純物半導体層と逆導電型である第２不純物半導体層と、が順に積層されて半導体接合を構成するユニットセルを１つ以上含み、
光入射側に配置されたユニットセルにおいて、
前記非単結晶半導体層はＮＨ基を含み、且つ前記非単結晶半導体層は二次イオン質量分析法によって計測されるピーク値の濃度で窒素は５×１０１８／ｃｍ３以上５×１０２０／ｃｍ３以下の濃度範囲であり、酸素および炭素は５×１０１８／ｃｍ３未満の濃度である
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１電極と第２電極との間に、
一導電型である第１不純物半導体層と、
非単結晶半導体層と、
前記第１不純物半導体層と逆導電型である第２不純物半導体層と、が順に積層されて半導体接合を構成するユニットセルを１つ以上含み、
光入射側に配置されたユニットセルにおいて、
前記非単結晶半導体層はＮＨ２基を含み、且つ前記非単結晶半導体層は二次イオン質量分析法によって計測されるピーク値の濃度で窒素は５×１０１８／ｃｍ３以上５×１０２０／ｃｍ３以下の濃度範囲であり、酸素および炭素は５×１０１８／ｃｍ３未満の濃度である
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記非単結晶半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測されるピーク値の濃度で、
窒素を１×１０１９／ｃｍ３以上５×１０２０／ｃｍ３以下の濃度範囲で含む
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１不純物半導体層と前記非単結晶半導体層との間に、非晶質半導体層を有する
ことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上のバッファ層と、
前記バッファ層上の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の第３の半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の単結晶領域を有し、
前記バッファ層は、第２の単結晶領域及び第１の非晶質領域を有し、
前記第２の半導体層は、第３の単結晶領域及び第２の非晶質領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層側において前記第３の単結晶領域の占める割合が前記第２の非晶質領域の占める割合よりも大きく、前記第３の半導体層側において前記第２の非晶質領域の占める割合が前記第３の単結晶領域の占める割合よりも大きく、
前記第３の半導体層は、前記第１の半導体層とは逆の導電型を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上のバッファ層と、
前記バッファ層上の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の第３の半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の単結晶領域を有し、
前記バッファ層は、第２の単結晶領域及び第１の非晶質領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第２の単結晶領域から成長し針状の成長端を有する第３の単結晶領域と、前記バッファ層側を端として前記第３の半導体層側に錘形状に成長し、前記第３の単結晶領域を埋設する第２の非晶質領域と、を有し、
前記第３の半導体層は、前記第１の半導体層とは逆の導電型を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１の半導体層は単結晶シリコンであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項３において、前記単結晶シリコンの面方位は｛１００｝であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記バッファ層において前記第１の非晶質領域の占める割合は、１０％未満であることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記半導体基板に脆化領域を形成し、
前記半導体基板上の前記絶縁膜と、ベース基板の表面とを対向させ、前記絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
熱処理を行い、前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層にエッチング処理を行い、
前記エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射し、
前記レーザビームが照射された半導体層にプラズマを照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記半導体基板に脆化領域を形成し、
前記半導体基板上の前記絶縁膜と、ベース基板の表面とを対向させ、前記絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
熱処理を行い、前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層に第１のエッチング処理を行い、
前記第１のエッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射し、
前記レーザビームが照射された半導体層に第２のエッチング処理を行い、
前記第２のエッチング処理が行われた半導体層にプラズマを照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を介して前記半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記半導体基板に脆化領域を形成し、
ベース基板上に第２の絶縁膜を形成し、
前記半導体基板上の前記第１の絶縁膜と、前記ベース基板上の前記第２の絶縁膜とを対向させ、前記第１の絶縁膜の表面と前記第２の絶縁膜の表面とを接合させ、
熱処理を行い、前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層にエッチング処理を行い、
前記エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射し、
前記レーザビームが照射された半導体層にプラズマを照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を介して前記半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記半導体基板に脆化領域を形成し、
ベース基板上に第２の絶縁膜を形成し、
前記半導体基板上の前記第１の絶縁膜と、前記ベース基板上の前記第２の絶縁膜とを対向させ、前記第１の絶縁膜の表面と前記第２の絶縁膜の表面とを接合させ、
熱処理を行い、脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層に第１のエッチングを行い、
前記第１のエッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射し、
前記レーザビームが照射された半導体層に第２のエッチングを行うことにより半導体層を除去し、
前記第２のエッチング処理が行われた半導体層にプラズマ処理を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁膜は、熱酸化処理によって形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項３又は請求項４において、
前記第１の絶縁膜は、熱酸化処理によって形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体基板に照射するイオンとして、前記イオンの総量に対してＨ３＋イオンの割合を８０％以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の表面に、気相エピタキシャル成長法を用いて単結晶半導体層を形成し、
絶縁層を介して前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層とベース基板とを貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板と前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層との界面において、これらを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記単結晶半導体基板として単結晶シリコン基板を用い、前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層として単結晶シリコン層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記単結晶シリコン層は、シラン系ガスと水素との混合ガスを原料ガスとして用いて形成され、
前記原料ガスにおいて、前記シラン系ガスの流量比に対する前記水素の流量比を４倍以上１０倍以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
単結晶半導体基板の表面に、気相エピタキシャル成長法を用いて単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体基板及び前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層を加熱処理によって所定の温度に保持した状態で、前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層上に金属を含有する材料を塗布して金属層を形成し、
前記単結晶半導体基板、前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層及び前記金属層を冷却することにより、前記単結晶半導体基板と前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層との界面において、これらを分離して、前記金属層と前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層の積層構造体を形成し、
前記積層構造体から前記金属層を除去することを特徴とする単結晶半導体層の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記単結晶半導体基板として単結晶シリコン基板を用い、前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層として単結晶シリコン層を形成することを特徴とする単結晶半導体層の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記単結晶シリコン層は、シラン系ガスと水素との混合ガスを原料ガスとして用いて形成され、
前記原料ガスにおいて、前記シラン系ガスの流量比に対する前記水素の流量比を４倍以上１０倍以下とすることを特徴とする単結晶半導体層の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、
前記金属を含有する材料として、アルミニウム又は銅を含む材料を用いることを特徴とする単結晶半導体層の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変長符号化されたデータを復号する画像復号方法であって、
復号済みの画像データの統計情報をメモリに格納する第１処理と、
前記メモリに格納された統計情報に基づいて可変長復号表を生成する第２処理と、
前記第２処理で生成した可変長復号表に基づき可変長復号を行う第３処理と、を含み、
前記第２処理は、復号済みの画像データの所定範囲内で算出した統計情報の生起確率と、復号パラメータに基づいて選択された初期生起確率とを加算し、加算して得られた生起確率の高い統計情報の順に短い符号を割り当てて、可変長復号表を生成する処理である、画像復号方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像復号方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月8日(2012.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮像する撮像素子と、
前記撮像素子の感度を所定の選択可能範囲から自動で選択する選択手段と、
前記選択手段で選択された感度の撮像素子により撮像された画像に対して、信号を増幅する補正処理を行う画像処理手段と、を備え、
前記選択手段は、前記画像処理手段が前記補正処理を実行する状態に設定されている場合に、前記補正処理を実行しない状態に設定されている場合と比較して、前記選択可能範囲の上限を低く設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記画像処理手段が前記補正処理を実行する状態に設定されている場合に、実行しない状態に設定されている場合と比較して、前記選択可能範囲を狭く設定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
被写体像を撮像する撮像素子と、
前記撮像素子の感度を所定の選択可能範囲から自動で選択する選択手段と、
前記選択手段で選択された感度の撮像素子により撮像された画像に対して、信号を増幅する補正処理を行う画像処理手段と、を備え、
前記選択手段は、前記画像処理手段が前記補正処理を実行する状態に設定されている場合に、前記補正処理を実行しない状態に設定されている場合と比較して、前記選択可能範囲において優先的に選択される基準の感度を低く設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
シャッタ秒時、電荷蓄積時間、および、絞り値の少なくともいずれかを調整して、前記撮像素子により撮像された画像の露出を調整する露出制御手段を更に有し、
前記露出制御手段は、被写体輝度と前記基準の感度とに基づいて、前記シャッタ秒時、電荷蓄積時間、および、絞り値の少なくともいずれかを調整し、
前記選択手段は、前記撮像素子の感度が前記基準の感度に設定されているときに、前記露出制御手段により前記シャッタ秒時、電荷蓄積時間、および、絞り値の少なくともいずれかを調整しても、前記撮像素子により撮像された画像が適正露出とならない場合に、前記撮像素子の感度を前記基準の感度とは別の感度に変更するものであることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
被写体像を撮像する撮像素子と、
前記撮像素子の感度を第１の選択可能範囲から自動で選択する選択手段と、
前記選択手段で選択された感度の撮像素子により撮像された画像に対して、信号を増幅する補正処理を行う画像処理手段と、
前記画像処理手段が前記補正処理を実行する状態に設定されている場合に、前記選択手段によって選択された感度が前記第１の選択可能範囲よりも上限が小さく設定された第２の選択可能範囲の上限を超えていた場合に、警告を行う警告手段と、を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記補正処理とは、前記撮像された画像の一部もしくは全体の明るさを補正するように前記信号を増幅する処理であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記補正処理とは、撮像光学系の周辺光量に関する情報により前記撮像素子から出力される画像データに対して周辺光量を補正するように前記信号を増幅する処理であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像素子から出力される画像データに対して人物の顔領域を検出するための顔検出手段を更に備え、
前記画像処理手段は、前記顔領域の画像データについて、前記顔領域もしくは全体の明るさを適正なレベルに補正するように前記信号を増幅する補正処理を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
撮像装置の選択手段が、被写体像を撮像する撮像素子の感度を所定の選択可能範囲から自動で選択する選択工程と、
撮像装置の画像処理手段が、前記選択工程において選択された感度の撮像素子により撮像された画像に対して、信号を増幅する補正処理を行う画像処理工程と、を備え、
前記選択工程では、前記画像処理工程で前記補正処理を実行する状態に設定されている場合に、前記補正処理を実行しない状態に設定されている場合と比較して、前記選択可能範囲の上限を低く設定することを特徴とする撮像方法。
【請求項１０】
撮像装置の選択手段が、被写体像を撮像する撮像素子の感度を所定の選択可能範囲から自動で選択する選択工程と、
撮像装置の画像処理手段が、前記選択工程において選択された感度の撮像素子により撮像された画像に対して、信号を増幅する補正処理を行う画像処理工程と、を備え、
前記選択工程では、前記画像処理工程で前記補正処理を実行する状態に設定されている場合に、前記補正処理を実行しない状態に設定されている場合と比較して、前記選択可能範囲において優先的に選択される基準の感度を低く設定することを特徴とする撮像方法。
【請求項１１】
撮像装置の選択手段が、被写体像を撮像する撮像素子の感度を第１の選択可能範囲から自動で選択する選択工程と、
撮像装置の画像処理手段が、前記選択工程において選択された感度の撮像素子により撮像された画像に対して、信号を増幅する補正処理を行う画像処理工程と、
前記画像処理工程で前記補正処理を実行する状態に設定されている場合に、前記選択工程において選択された感度が前記第１の選択可能範囲よりも上限が小さく設定された第２の選択可能範囲の上限を超えていた場合に、撮像装置の警告手段が警告を行う警告工程と、を備えることを特徴とする撮像方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の撮像方法を撮像装置のコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置および撮像方法、プログラム
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月20日(2012.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを構成成分として含みさらに水素を含む酸化物半導体層を有する半導体装置の作製方法であって、
水素又はＨ２Ｏを含む雰囲気中において、スパッタリング法により、前記酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に対して２００℃以上６００℃以下の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記雰囲気は、アルゴン及び酸素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを構成成分として含みさらに水素を含む酸化物半導体層を有する半導体装置の作製方法であって、
スパッタリング法により、前記酸化物半導体層を形成した後に、前記酸化物半導体層に対して水素を含む雰囲気中において熱処理を行い、
前記酸化物半導体層に対して２００℃以上６００℃以下の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記スパッタリング法は、ターゲットに直流電力を印加し、成膜チャンバー内にプラズマを生成して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層の水素の濃度は、１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０２０／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを構成成分として含みさらに水素を含むことを特徴とする酸化物半導体。
【請求項７】
請求項６において、
Ｚｎの濃度がＩｎ及びＧａの各濃度よりも低いことを特徴とする酸化物半導体。
【請求項８】
請求項６又は７において、
アモルファス構造を有することを特徴とする酸化物半導体。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
水素の濃度は、１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０２０／ｃｍ３以下であることを特徴とする酸化物半導体。
【請求項１０】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを構成成分として含みさらに水素を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１０において、
Ｚｎの濃度がＩｎ及びＧａの各濃度よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
前記酸化物半導体層がアモルファス構造を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層に接して水素を含む酸化物絶縁層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記酸化物絶縁層が前記酸化物半導体層の上層側及び下層側に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１３又は１４において、
前記酸化物半導体層の外側に窒化物絶縁層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層の水素の濃度は、１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０２０／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
請求項１０乃至１６のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタが少なくとも一の画素に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１０乃至１６のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタが、少なくとも一の画素と該画素に設けられた薄膜トランジスタに送る信号を制御する駆動回路とに設けられていることを特徴とする表示装置。