【事件の表示】
　特願２０００−５９２８７２「有機ヒドリドシロキサン樹脂による誘電フィルム」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月１３日国際公開、ＷＯ００／４１２３１、平成１４年１０月１５日国内公表、特表２００２−５３４８０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯の概要
　本願は、２０００年１月７日（パリ条約による優先権主張：１９９９年１月７日；米国）を国際出願日とする出願であって、平成１５年８月７日付けで拒絶理由が通知され、平成１６年１月２３日付けで手続補正書が提出され、平成１６年２月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１６年５月１４日に審判請求がなされるとともに、平成１６年５月１４日付けで手続補正書が提出され、平成１６年８月１２日付けで前置報告がなされ、平成１７年２月２４日付で上申書が提出されたものである。
　　
II．本願発明
　平成１６年５月１４日付け手続補正書による補正は、補正前の請求項１５を削除して、補正前の請求項１〜２０を補正後の請求項１〜１９に補正するものであるところ、補正後の請求項１については次のとおりである。
「【請求項１】基体上に誘電フィルムを作成する方法であって、
溶媒と、一般式：
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［ＲＳｉＯ１．５］ｍ、
［Ｈ０．４−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｎ［Ｒ０．４−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｍ、
［Ｈ０−１．０ＳｉＯ１．５−２．０］ｎ［ＲＳｉＯ１．５］ｍ、または
［ＨＳｉＯ１．５］ｘ［ＲＳｉＯ１．５］ｙ［ＳｉＯ］ｚ　　
（上記式中、ｎおよびｍの和は８から５０００であり、ｘ、ｙおよびｚの和は８から５０００であり、Ｒは、置換または非置換の直鎖または分岐鎖アルキル基、シクロアルキル基、置換または非置換アリール基およびそれらの混合物から選択される）で表されるポリマーを含む有機ヒドリドシロキサン樹脂との溶液を作成すること；
該溶液を基体上に配分すること；
該基体を回転させて、有機ヒドリドシロキサン樹脂でコーティングした基体を形成させること；
有機ヒドリドシロキサン樹脂でコーティングした基体を焼成して、すべての残留溶媒を除去し、前記ポリマーを流動させ、前記樹脂を前記誘電フィルムに部分的に変換すること；および
有機ヒドリドシロキサン樹脂でコーティングした基体を硬化させて、前記誘電フィルムへの前記変換を完了させること；
を含んで成る方法。」
（以下、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明を「本願発明１」という。）
　　
III．引用例及びその記載事実
（１）引用例１：国際公開第９８／４７９４２号パンフレット（１９９８年１０月２９日発行。以下日本語訳））
(1-1)「１１．生成される生成物が、
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｐ；
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［ＳｉＯ２］ｗ；
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ；
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｎ［Ｒ１０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｍ　［Ｈ０−１．０ＳｉＯ１．５−２．０］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　　
（式中、
ｐは、約８〜５０００の範囲の整数であり；
ｎ及びｗの合計は、約８〜５０００の範囲の整数であり；
ｎ及びｍの合計は、約８〜５０００の範囲の整数であり；
ｍは、有機置換基が約１〜９９の範囲のモルパーセントで存在するように選択され；そして
Ｒ１は、直鎖アルキル、分岐鎖アルキル、シクロアルキル及びアリールからなる群より選択される基である。）
からなる群より選択される式により表される、請求項１の方法。
１２．生成物が、式：
［ＨＳｉＯ１．５］ｘ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｙ［ＳｉＯ２］ｚ　　
（式中、
ｘ、ｙ及びｚの合計は約８〜約５０００の範囲の数であり、かつｙは有機置換基が約１〜約９９モルパーセントで存在するように選択され；そして
　Ｒ１は、直鎖アルキル、分岐鎖アルキル、シクロアルキル及びアリールからなる群より選択される基であり、そしてＲ１は置換されていても置換されていなくてもよい。）
により表される、請求項１の方法。」（第３４頁第１５行〜第３５頁第１１行）
(1-2)「本発明は、集積回路の製造において用いられる基板の調製に関する。特定的には、本発明はヒドリドシロキサン及びオルガノヒドリドシロキサンを含むシロキサン樹脂を調製するための新規かつ改善された方法を提供し」（第１頁第１４〜１６行）
(1-3)「シロキサンベースの樹脂が電子及び半導体分野においてシリコンチップ及び他の類似の構成部品のコートに有用であることは当該技術分において公知である。このようなコーティングは基板の表面を保護し、集積回路上の電気伝導体の間に誘電体層を形成する。このようなコーティングは、保護コーティング、インターレベル誘電体層、トランジスタ様デバイスを製造するためのドープされた誘電体層、キャパシタ及びキャパシタ様デバイスを製造するための、シリコンを含有する色素含有バインダ系、多層デバイス、３−Ｄデバイス、シリコン積載絶縁体（silicon on insulator）デバイス、超伝導体用コーティング、超格子デバイス等として用いることができる。これらの樹脂には、ヒドリドシロキサン、及び有機部分が相当部分を占めるオルガノヒドリドシロキサンが含まれる。」（第１頁第２５行〜第２頁第３行）
(1-4)「このような絶縁体フィルムの誘電率が、電力消費、クロス・トーク、及び信号遅延の少ない集積回路、すなわちＩＣが必要とされる場合、重要な因子であることも公知である。ＩＣの寸法が縮小するに従って、この因子の重要性は高まっている。結果として、誘電率が３．０を下回る絶縁フィルムをもたらし得るシロキサンベースの樹脂材料、及びそのような材料を作製するための方法が非常に望ましい。加えて、そのような低誘電率のフィルムをもたらし、さらに亀裂に対する高い抵抗性を有するシロキサンベースの樹脂、及びそれらの樹脂を作製するための方法があることが望ましい。また、約１．０ミクロン（μｍ）以上の厚みに形成した場合に、そのようなフィルムに加わる応力が低いものであることも望ましい。さらに、そのようなシロキサンベースの樹脂、及び作製方法は、標準処理技術に対して低い誘電率のフィルムをもたらすものであることが望ましい。」（第２頁第１９〜２９行）
(1-5)「生成したポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は約４００ないし約３００，０００原子質量単位（amu）の範囲をとり得る。別の態様においては、生成したポリマーのＭｗは、反応条件に応じて、約１０，０００ないし約８０，０００ａｍｕの範囲をとり得る。より特定の態様においては、生成したポリマーのＭｗは約４，５００ないし約７５，０００ａｍｕの範囲をとり得る。単に例としてであって限定しようとするものではないが、本発明の方法によって生成される、例えば約２０，０００、約４０，０００及び約６０，０００ａｍｕのＭｗを有する材料が良好なコーティング特性を有することが確認されている。」（第４頁第１７〜２４行）
(1-6)「本発明の方法によって生成されるポリマー
 本発明の方法によって有効に生成されるポリマーには、単に例としてであって限定するものではないが、少数の例を挙げると、ヒドリドシロキサン及びオルガノヒドリドシロキサン樹脂、例えば、ヒドリドシルセスキオキサン、ヒドリドメチルシロキサン、ヒドリドエチルシロキサン、ヒドリドプロピルシロキサン、ヒドリドブチルシロキサン、ヒドリドｔｅｒｔ−ブチルシロキサン、ヒドリドフェニルシロキサン、ヒドリドメチルシルセスキオキサン、ヒドリドエチルシルセスキオキサン、ヒドリドプロピルシルセスキオキサン、ヒドリドブチルシルセスキオキサン、ヒドリドｔｅｒｔ−ブチルシルセスキオキサン及びヒドリドフェニルシルセスキオキサンが含まれる。
　したがって、本発明の方法によって生成されるヒドリドシロキサン樹脂は、例えば、以下の６つの一般式のうちの１つを有し得る。
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｐ　 式１
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［ＳｉＯ２］ｗ　式２
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　式３
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｎ［Ｒ１０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｍ　式４
［Ｈ０−１．０ＳｉＯ１．５−２．０］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　式５
ここで、
ｐはその値が約８〜約５０００の範囲の整数であり；
ｎ及びｗの合計はその値が約８〜約５０００の範囲の整数であり；
ｎ及びｍの合計は約８〜約５０００であり、かつｍはその有機置換基が約１〜約９９モルパーセント（モル％）又はそれ以上存在するように選択される。別の態様においては、ｍはその有機置換基が約４〜約４０モルパーセント（モル％）存在するように選択される。
　さらに別の態様においては、ｍはその有機置換基が約４〜約２０モルパーセント（モル％）存在するように選択される。
［ＨＳｉＯ１．５］ｘ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｙ［ＳｉＯ２］ｚ　式６
ここで、
ｘ、ｙ及びｚの合計は約８〜約５０００であり、かつｙはその有機置換基が約１〜約９９モルパーセント（モル％）又はそれ以上存在するように選択される。別の態様においては、ｙはその有機置換基が約４〜約４０モルパーセント（モル％）存在するように選択される。さらに別の態様においては、ｍはその有機置換機が約４〜約２０モルパーセント（モル％）存在するように選択される。
　さらなる態様においては、Ｒ１は直鎖及び分岐鎖アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びそれらの混合物を含む置換及び非置換有機基から選択され、有機置換基又は炭素含有置換基の具体的なモル％は、出発物質の量の比率の関数である。」（第１１頁第１７行〜第１２頁第２４行）
(1-7)「本発明の幾つかの態様において、その生成物は約１〜約２０個の炭素を有する置換及び非置換の直鎖及び分岐鎖アルキル基を有し；その生成物は約４〜１０個の炭素を有する置換及び非置換シクロアルキル基を有し、及びその生成物は約６〜２０個の炭素を有する置換及び非置換アリール基を有する。
　例えば、Ｒ１がアルキル基である場合、Ｒ１には、これらに限定されるものではないが、メチル、クロロメチル及びエチル基、並びに直鎖及び分岐鎖プロピル、２−クロロプロピル、ブチル、ペンチル及びヘキシル基が含まれる。Ｒ１がシクロアルキル基である場合、Ｒ１には、これらに限定されるものではないが、シクロペンチル、シクロヘキシル、クロロシクロヘキシル及びシクロヘプチル基が含まれ；Ｒがアリール基である場合、Ｒには、これらに限定されるものではないが、フェニル、ナフチル、トリル及びベンジル基が含まれる。」（第１２頁第２６行〜第１３頁第８行）
(1-8)「実施例７モンモリロナイトＫＳＦ酸性クレーでＨＳｉＣｌ３を触媒することによるヒドリドシロキサンの調製　２５０ｍｌのヘキサン及び１８．０８ｇのモンモリロナイトＫＳＦ酸性クレーを５００ｍｌモートンフラスコに入れ、５分間攪拌した。このフラスコをＮ２でパージしてＮ２ブランケットを確立し、それを反応の残りの間容器上に維持した。次に、２０ｍｌの変性エタノール及び６．３ｍｌの脱イオンＨ２Ｏをフラスコに添加した。１８ｍｌのＨＳｉＣｌ３を０．８５ｍｌ／分の速度で、蠕動ポンプを用いて、溶液を攪拌しながら反応容器に添加した。添加が完了した後、その反応混合物を４５分間攪拌した。、次いで攪拌機を止め、＃２Whatmanフィルターを通す真空濾過により固体を液相から分離した。次に、その２つの液相を分液ロートに入れ、下層を廃棄した。次いで上層をフラスコに入れ、６１ｇの４オングストローム・モレキュラーシーブを添加した。この混合物を一晩静置した後、＃２Whatmanフィルターを通して真空濾過し、固体を除去した。その溶液をロータリーエバポレーターで蒸発させて乾燥させたところ、３．０６ｇの固形白色樹脂が残った。ＧＰＣにより、Ｍｗは６３４８、Ｍｎは１９２９、Ｍｗ／Ｍｎは３．２９１９と測定された。」（第１８頁第２４行〜第１９頁第８行）
(1-9)「実施例１７　実施例７の生成物のウェハ・コーティング特性
　実施例７からの生成物０．８８５０ｇを０．５９０３ｇのＭｇＳＯ４乾燥ヘプタン、２．２２５７ｇのＭｇＳＯ４乾燥クメン、及び０．４０３８ｇの重鉱油に溶解した。この溶液を３０００ＲＰＭで２０秒間ウェハ上にスパン・オンした後、１５０℃、２００℃、次いで３００℃で各々１分間ベーキングした。次いで、４Ｌ／分のＮ２を用いて、ウェハを４００℃で１時間硬化させた。この材料は５５００オングストロームのフィルムを形成した。」（第２４頁第１６〜２２行）
(1-10)「電子用ウェハをコーティングするための樹脂ポリマーを提供するという目的にとって最良の結果が・・・アンバージェット４２００によってもたらされる。」（第３１頁第９〜１１行）
　そして、上記表１（第３１頁）には、実施例１８〜２６で上記「アンバージェット４２００」が用いられたことが示され、また、引用例１には、これら実施例１８〜２６（第２４頁第２４行〜第３０頁第２１行）で生成された樹脂が、メチルヒドリドシロキサン（実施例１８〜２１）、プロピルヒドリドシロキサン（実施例２２）、ｎ−ブチルヒドリドシロキサン（実施例２３）、シクロヘキシルヒドリドシロキサン（実施例２４）、フェニルヒドリドシロキサン（実施例２５）、及びｔ−ブチルヒドリドシロキサン（実施例２６）であることが記載されている。
　　
IV．対比・判断
(i)引用例１は、ヒドリドシロキサン及びオルガノヒドリドシロキサンを含むシロキサン樹脂を調製する方法（摘記1-2）に係る文献であるところ、生成されるポリマーである「ヒドリドシロキサン樹脂」は、以下の式１〜式６で表わされる樹脂であることが記載されている。
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｐ　式１
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［ＳｉＯ２］ｗ　式２
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　式３
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｎ［Ｒ１０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｍ　式４
［Ｈ０−１．０ＳｉＯ１．５−２．０］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　式５
［ＨＳｉＯ１．５］ｘ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｙ［ＳｉＯ２］ｚ　式６
（ｐは約８〜約５０００の範囲の整数であり、ｎ及びｗの合計は約８〜約５０００の範囲の整数であり、ｎ及びｍの合計は約８〜約５０００、ｘ、ｙ及びｚの合計は約８〜約５０００、Ｒ１は直鎖及び分岐鎖アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びそれらの混合物を含む置換及び非置換有機基から選択される。）（摘記1-6）
　また、上記のとおり、引用例１では、「ヒドリドシロキサン樹脂」は、「ヒドリドシロキサン」及び「オルガノヒドリドシロキサン」を包含した用語として用いられている。
(ii)引用例１には、引用例１に記載された発明が、集積回路の製造において用いられる基板の調製に関するものであって、ヒドリドシロキサン及びオルガノヒドリドシロキサンを含むシロキサン樹脂を調製する方法を提供するものであること（摘記1-2）が記載され、また、シロキサンベースの樹脂が電子及び半導体分野においてシリコンチップ及び他の類似の構成部品のコートに有用であること、このようなコーティングは集積回路上の電気伝導体の間に誘電体層を形成すること、及び、これらシロキサンベースの樹脂には、ヒドリドシロキサン及びオルガノヒドリドシロキサンが含まれること（摘記1-3）が記載されている。また、引用例１には、引用例１の発明で生成したポリマーが、良好なコーティング特性を有するものであること（摘記1-5）、及び、実施例のヒドリドシロキサン樹脂が、ウェハをコーティングする樹脂ポリマーとして最良の結果をもたらすこと（摘記1-10）が記載されている。
　してみれば、引用例１には、上記式１〜式６で表わされるヒドリドシロキサン樹脂が、ウェハ等の電子及び半導体分野の構成部品の、誘電体層形成用コーティングに有用であることが記載されているといえる。
(iii)引用例１の実施例１７には、実施例７の生成物をヘプタン、クメン、及び重鉱油に溶解し、この溶液をウェハ上にスパン・オンした後、ベーキングし、次いで硬化させて、フィルムを形成したこと（摘記1-9）が記載されている。したがって、引用例１には、ウェハ上にフィルムを形成する方法が記載されているといえる。
　上記実施例１７で用いられた実施例７の生成物とは、ＨＳｉＣｌ３を出発物質とするヒドリドシロキサンの固形白色樹脂であり（摘記1-8）、これは、上記式１または式２で表わされるタイプのヒドリドシロキサン樹脂であるといえる。また、同じく引用例１には、これに加えて、電子用ウェハをコーティングするための樹脂ポリマーとして最良の結果が、例えば「アンバージェット４２００」触媒を用いた場合に得られたこと（摘記1-10）が記載されている。そして、表１には、この「アンバージェット４２００」が、実施例１８〜２６で用いられたことが示されているところ、これら実施例１８〜２６の樹脂は、メチルヒドリドシロキサン、プロピルヒドリドシロキサン、ｎ−ブチルヒドリドシロキサン、シクロヘキシルヒドリドシロキサン、フェニルヒドリドシロキサン、またはｔ−ブチルヒドリドシロキサンであって（摘記1-10）、上記の式３〜式６で表わされるヒドリドシロキサン樹脂に該当する。したがって、引用例１には、式１〜式６で表わされるヒドリドシロキサン樹脂が、フィルム形成に適用し得ることが記載されているといえる。
　また、上記「ウェハ」は、集積回路の製造において用いられる基板（摘記1-2）の具体例に該当するといえる。
　　
　以上、(i)〜(iii)によれば、引用例１には、
「集積回路の製造において用いられる基板上に誘電体フィルムを形成する方法において、
ヘプタン、クメン及び重鉱油と、一般式：
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｐ　式１
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［ＳｉＯ２］ｗ　式２
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　式３
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｎ［Ｒ１０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｍ　式４
［Ｈ０−１．０ＳｉＯ１．５−２．０］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　式５
［ＨＳｉＯ１．５］ｘ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｙ［ＳｉＯ２］ｚ　式６
（ｐは約８〜約５０００の範囲の整数であり、ｎ及びｗの合計は約８〜約５０００の範囲の整数であり、ｎ及びｍの合計は約８〜約５０００、ｘ、ｙ及びｚの合計は約８〜約５０００、Ｒ１は直鎖及び分岐鎖アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びそれらの混合物を含む置換及び非置換有機基から選択される。）で表わされるヒドリドシロキサン樹脂との溶液を作成し、フィルムを形成する方法であって、上記フィルムの形成は、上記ヒドリドシロキサン樹脂の溶液をウェハ上にスパン・オンした後、ベーキングし、次いで硬化させて、フィルムを形成する方法。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているといえる。
　　
　そこで、本願発明１と引用発明とを対比すると、(a)本願発明１の「基板」は引用発明の「集積回路の製造において用いられる基板」に相当し、(b)本願発明１の「誘電フィルム」は引用発明の「誘電体フィルム」に相当し、(c)本願発明１の「溶媒」は引用発明の「ヘプタン、クメン及び重鉱油」に相当する。
　また、本願発明１の「有機ヒドリドシロキサン樹脂」である、
「一般式：
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［ＲＳｉＯ１．５］ｍ、
［Ｈ０．４−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｎ［Ｒ０．４−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｍ、
［Ｈ０−１．０ＳｉＯ１．５−２．０］ｎ［ＲＳｉＯ１．５］ｍ、または
［ＨＳｉＯ１．５］ｘ［ＲＳｉＯ１．５］ｙ［ＳｉＯ］ｚ　　
（上記式中、ｎおよびｍの和は８から５０００であり、ｘ、ｙおよびｚの和は８から５０００であり、Ｒは、置換または非置換の直鎖または分岐鎖アルキル基、シクロアルキル基、置換または非置換アリール基およびそれらの混合物から選択される）で表されるポリマーを含む有機ヒドリドシロキサン樹脂」は、引用発明の「ヒドリドシロキサン樹脂」、即ち、
「一般式：
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｐ　式１
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［ＳｉＯ２］ｗ　式２
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　式３
［Ｈ０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｎ［Ｒ１０．５−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｍ　式４
［Ｈ０−１．０ＳｉＯ１．５−２．０］ｎ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｍ　式５
［ＨＳｉＯ１．５］ｘ［Ｒ１ＳｉＯ１．５］ｙ［ＳｉＯ２］ｚ　式６　　
（ｐは約８〜約５０００の範囲の整数であり、ｎ及びｗの合計は約８〜約５０００の範囲の整数であり、ｎ及びｍの合計は約８〜約５０００、ｘ、ｙ及びｚの合計は約８〜約５０００、Ｒ１は直鎖及び分岐鎖アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びそれらの混合物を含む置換及び非置換有機基から選択される。）で表わされるヒドリドシロキサン樹脂」と、式３〜式６で表わされる樹脂の点で重複、一致している。
　また、本願発明１で、基体を回転させてコーティングする点は、引用発明でウェハ上にスパン・オンする点に相当し、また、その前に、溶液を基体上に配分することは周知事項である。また、本願発明１の「焼成」は引用発明の「ベーキング」に相当し、また、硬化することによりフィルムへの変換が完了することは自明である。
　してみれば、本願発明１は、引用発明と、
「基体上に誘電フィルムを作成する方法であって、
溶媒と、一般式：
［ＨＳｉＯ１．５］ｎ［ＲＳｉＯ１．５］ｍ　式３’
［Ｈ０．４−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｎ［Ｒ０．４−１．０ＳｉＯ１．５−１．８］ｍ　式４’
［Ｈ０−１．０ＳｉＯ１．５−２．０］ｎ［ＲＳｉＯ１．５］ｍ　式５’
または
［ＨＳｉＯ１．５］ｘ［ＲＳｉＯ１．５］ｙ［ＳｉＯ］ｚ　式６’
（上記式中、ｎおよびｍの和は８から５０００であり、ｘ、ｙおよびｚの和は８から５０００であり、Ｒは、置換または非置換の直鎖または分岐鎖アルキル基、シクロアルキル基、置換または非置換アリール基およびそれらの混合物から選択される。なお、「式３’」〜「式６’」は当審で付与。）で表されるポリマーを含むヒドリドシロキサン樹脂との溶液を作成すること；
該溶液を基体上に配分すること；
該基体を回転させて、ヒドリドシロキサン樹脂でコーティングした基体を形成させること；
を含んで成る方法。」の点、及び、
「ヒドリドシロキサン樹脂でコーティングした基体を焼成すること；および
ヒドリドシロキサン樹脂でコーティングした基体を硬化させて、前記誘電フィルムへの前記変換を完了させる」点で一致し、そして、
　　
（イ）本願発明１では、上記の焼成にともなって、「すべての残留溶媒を除去し、前記ポリマーを流動させ、前記樹脂を前記誘電フィルムに部分的に変換する」と特定されているのに対して、引用発明ではそのような特定がなされていない点、及び、
（ロ）本願発明１では、上記式３’〜式６’のヒドリドシロキサン樹脂を用いているのに対して、引用発明は、これら式３’〜式６’の樹脂に対応する式３〜式６のヒドリドシロキサン樹脂に加えて式１及び式２のヒドリドシロキサン樹脂をも包含し、そして、上記の焼成及び硬化によるフィルムへの変換完了を、具体的には、式１乃至式２のヒドリドシロキサン樹脂を用いたケース（実施例１７）で行っている点、
の各点で一応相違している。
　　
　そこで、これら相違点について、以下検討する。
相違点（イ）について
　引用発明１では、焼成し、その後硬化させるものであることからすると、焼成時には硬化は完了していないといえる。してみれば、焼成時に残留溶媒が除去されること、また、未硬化状態のためポリマーが流動し、焼成時の熱により部分的にはフィルムへの変換が生じることは、当業者が容易に想到できることである。
　したがって、相違点（イ）は当業者が容易に想到できたことである。
　　
相違点（ロ）について
　引用例１の実施例１７には、実施例７の生成物である式１または式２のヒドリドシロキサン樹脂（摘記1-8）を、ウェハ上にスパン・オンし、コーティングしてフィルムを形成したこと（摘記1-9）が記載されている。
　一方、同引用例１には、先に記載したとおり、電子用ウェハをコーティングするための樹脂ポリマーとして最良の結果が、「アンバージェット４２００」触媒を用いた実施例１８〜２６で得られたことが記載されており（摘記1-10）、そして、これら実施例１８〜２６の樹脂は、式３〜式６で表わされるヒドリドシロキサン樹脂（即ち、本願発明１の各一般式で表わされる「有機ヒドリドシロキサン樹脂」）に該当する。
　してみれば、引用例１の記載からみて、式１及び式２のヒドリドシロキサン樹脂のみならず、式３〜式６のヒドリドシロキサン樹脂をフィルム形成用に用い得ることは明らかである。
　また、引用例１には、式１乃至式２のヒドリドシロキサン樹脂の場合と、式３〜式６のヒドリドシロキサン樹脂の場合とで、フィルム形成方法を異なるものとすべき記載は見当たらない。すると、式３〜式６のヒドリドシロキサン樹脂でフィルム形成をする場合に、同じくヒドリドシロキサン樹脂である式１乃至式２のヒドリドシロキサン樹脂でフィルム形成した実施例１７の方法に準じた変換完了方法を適用してみるとするのが自然であり、また、これを適用する点に格別の発明力が要求されるともいえない。
　したがって、相違点（ロ）は、実質的な相違点を構成しないものであり、また、当業者が容易になし得たことである。
　　
　また、本願明細書及び図面の記載をみても、これら相違点（イ）及び（ロ）に基く本願発明１の効果は、当業者が予期し得なかったほど格別のものということはできない。
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
　したがって、本願発明１は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。