【事件の表示】
　特願２００２−　４４９２８「半導体製造装置及びメンテナンス方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２９日出願公開、特開２００３−２４３４８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１４年２月２１日の特許出願であって、同１９年８月２９日付で拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１９年１１月１９日に意見書と共に明細書について手続補正書が提出されたが、同２０年５月２７日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、同２０年６月１８日に本件審判の請求がされると共に明細書について再度手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年６月１８日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年６月１８日付の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
（１）補正前
　
反応チャンバ、ロードロックチャンバ及び前記ロードロックチャンバ内の搬送機構を含む装置を２つ隣接配置してモジュール化した半導体処理装置
　
（２）補正後
　
２つの反応チャンバ、前記２つの反応チャンバとそれぞれ結合する、内部に基板搬送機構を備えた２つのロードロックチャンバを含み、前記２つの反応チャンバどうしが互いに隣接配置し、かつ、前記２つのロードロックチャンバどうしが互いに隣接配置して、モジュール化した半導体処理装置であって、互いに隣接する前記基板搬送機構はそれぞれ１枚の半導体基板を同じタイミングで同時に搬送することができ、かつ、同時に成膜処理を実行することが可能であるところの半導体処理装置
　
２　補正の適否　　　
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、実質上、モジュール化した半導体処理装置について「前記２つの反応チャンバどうしが互いに隣接配置し、かつ、前記２つのロードロックチャンバどうしが互いに隣接配置して」いるという事項を付加し、各ロードロックチャンバ内の搬送機構について「それぞれ１枚の半導体基板を同じタイミングで同時に搬送することができ、かつ、同時に成膜処理を実行することが可能である」という事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかである。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「半導体製造装置」であると認める。
　
（２）刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−５３１３１号公報（以下「刊行物１」という。）及び特開平９−６４１４９号公報（以下「刊行物２」という。）の記載内容はそれぞれ以下のとおりである。
　
ア　刊行物１
（ア）刊行物１記載の事項
　刊行物１には以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、半導体ウェーハ、ＬＣＤ基板等の被処理体の真空処理装置に関する。」
　
「【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の各実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２５】図１及び図２は第１の実施形態を示し、図１は被処理体としての半導体ウェーハをエッチングする真空処理装置の概略的平面図、図２は側面図である。この真空処理装置は、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハＷという）をエッチング処理する真空処理室１と、この真空処理室１との間でウェーハＷの受け渡しを行なう搬送手段としてのスカラ型シングルピックタイプの搬送アーム２を内蔵した真空予備室としてのロード・ロック室３とを備えている。つまり、真空処理室１と搬送アーム２を内蔵したロード・ロック室３とを一つのモジュール４としている。
【００２６】モジュール４は矩形状の共通搬送路としてのトランスファチャンバ５の一側面に着脱可能に取付けられている。さらに、トランスファチャンバ５の他側面には数十枚のウェーハＷを所定間隔を存して載置する複数個の収容手段としてのウェーハカセット６が並設されており、トランスファチャンバ５の一端部にはプリアライメントステージ７が設けられている。すなわち、トランスファチャンバ５の前方には、複数のウエハカセット６を載置できるロードポートとしてのカセット台が設けられている。また、ウエハカセット６は、蓋体を設けて密閉可能になされており、その内部にたとえば２５枚の１２インチウエハＷを多段に支持している。さらに、トランスファチャンバ５の内部には、たとえば大気圧下でＮ２ガスのダウンフローが形成されている。
【００２７】さらに、トランスファチャンバ５にはウェーハカセット６からウェーハＷを搬出入するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構８がトランスファチャンバ２の長手方向に移動可能に設けられている。
【００２８】そして、ウェーハカセット６から搬送アーム機構８によって１枚のウェーハＷを取り出し、プリアライメントステージ７に搬入してプリアライメントした後、ウェーハＷを把持してロード・ロック室３内に搬入し、ロード・ロック室３においては搬入されたウェーハＷを搬送アーム２が受け取ってウェーハＷを真空処理室１に搬入するようになっている。
【００２９】また、真空処理室１内においては、ウェーハＷに対してエッチング処理を行ない、エッチングされたウェーハＷは搬送アーム２によってロード・ロック室３に搬出され、搬送アーム２は処理済みのウェーハＷを搬送アーム機構８に受け渡し、搬送アーム機構８は処理済みのウェーハＷをウェーハカセット６に戻すようになっている。
【００３０】前記モジュール４を着脱可能に取付ける手段としては、例えばロード・ロック室３を構成する筐体９のトランスファチャンバ５側の端部にはフランジ部９ａが一体に設けられており、このフランジ部９ａは複数本のボルト１０によってトランスファチャンバ５の外壁に取付けられており、ボルト１０を緩めることにより容易に着脱できる。
【００３１】また、前記搬送アーム２はロード・ロック室３内の略中央部に設置されており、この搬送アーム２の旋回中心より真空処理室１側には第１のバッファ１１が設けられ、前記旋回中心よりトランスファチャンバ５側には第２のバッファ１２が設けられている。すなわち、第１及び第２のバッファ１１，１２は搬送アーム２の先端部のウェーハＷを支持する支持部２ａの軌道上に配置されており、上昇によってウェーハＷを支持部２ａから受け取り、下降によってウェーハＷを支持部２ａに受け渡すようになっている。
【００３２】さらに、真空処理室１のロード・ロック室３との連結部には真空側ゲートバルブ１３が設けられ、トランスファチャンバ５との連結部には大気側ゲートバルブ１４が設けられている。
【００３３】次に、第１の実施形態の作用について説明する。
【００３４】ウェーハカセット６から搬送アーム機構８によって１枚のウェーハＷを取り出し、プリアライメントステージ７に搬入してプリアライメントした後、ウェーハＷを把持してロード・ロック室３内に搬入する。ロード・ロック室３においては搬入されたウェーハＷを第１のバッファ１１が受け取って待機しており、真空側ゲートバルブ１３が開放すると、搬送アーム２の支持部２ａによって処理前のウェーハＷを第１のバッファ１１から受け取って真空処理室１に搬入する。そして、真空側ゲートバルブ１３を閉塞して真空処理室１内でエッチング処理する。
【００３５】エッチング処理中に、大気側ゲートバルブ１４が開放すると、搬送アーム機構８は第２のバッファ１２上の処理済みのウェーハＷを受け取ってウェーハカセット６に戻し、エッチング処理が終了すると、真空側ゲートバルブ１３が開放し、搬送アーム２が処理済みのウェーハＷを支持部２ａによって支持してロード・ロック室３内に搬出すると、第２のバッファ１２は支持部２ａから処理済みのウェーハＷを受け取る。
【００３６】前記作用を繰り返すことにより、ウェーハＷのエッチング処理が自動的に行なえる。しかも、真空処理室１とロード・ロック室３とが１対１で独立しているため、クロスコンタミ発生の虞はなく、信頼性の向上を図ることができる。また、モジュール４のメンテナンスを必要としたときには、ボルト１０を緩めることにより、モジュール４をトランスファチャンバ５から分離することができ、モジュール４を任意の場所に移動してメンテナンスできる。
【００３７】図３は、第１の実施形態の変形例１を示し、第１の実施形態と同一構成部分は同一番号を付して説明を省略する。変形例１は、トランスファチャンバ５に真空処理室１と搬送アーム２を内蔵したロード・ロック室３とからなる２つのモジュール４ａ，４ｂを着脱可能に並設したものであり、作用は第１の実施形態と同様である。
【００３８】この変形例１によれば、真空処理室１とロード・ロック室３とが１対１で独立しているため、クロスコンタミ発生の虞はなく、信頼性の向上を図ることができる。また、モジュール４ａ（もしくは４ｂ）のメンテナンスを必要としたときには、ボルト１０を緩めることにより、モジュール４ａをトランスファチャンバ５から分離することができ、モジュール４ａを任意の場所に移動してメンテナンスでき、その間に他のモジュールｂは処理可能であり、生産性を向上できるという効果がある。しかも、モジュール４ａ及び４ｂを並設することによって両モジュール間の間隙寸法を小さくして、装置全体（フットプリント）をコンパクトにすることができる。
【００３９】また、本実施形態において、各モジュール４ａ，４ｂは、トランスファチャンバ５の長手方向（搬送アーム機構８の移動方向）に対して直交する方向に延び且つ互いに平行となるように個別配列されており、トランスファチャンバ５から各モジュール４ａ，４ｂに搬入されたウエハＷは、モジュール４ａ，４ｂ内の直線的な搬送経路に沿って搬送されて処理される。したがって、ウエハＷの搬送経路が複雑に交錯することがなく、ウエハＷを円滑に次の処理室まで搬送することがき、その結果、スループットを向上させることができる。無論、一方のモジュール４ａを任意の場所に移動してメンテナンスする時でも、その間に他のモジュール４ｂを用いた処理が可能であるため、この点でも生産性の向上を図ることができる。また、必要とされる処理に応じて、たとえば、一つのカセット６から複数の真空処理室１にウエハＷを連続的に搬送するいわゆるシリアル搬送や，二つ以上のカセット６から複数の真空処理室１にウエハＷを並列的に搬送するいわゆるパラレル搬送，さらには，一つのカセット６から一つの真空処理室１にウエハＷを搬送するＯＲ搬送を行うこともできる。」
　
「【００６２】なお、前述した実施形態では、本発明をエッチング処理を行なうために適用した場合を示したが、これに限定されるものではなく、例えば、ＣＶＤ処理を行なう処理装置にも適用できることはいうまでもない。」
　
　２つのモジュール４ａ，４ｂは、真空処理室１どうし、及び搬送アーム２を内蔵したロード・ロック室３どうしが互いに隣接配置するようにトランスファチャンバ５に並設されていること。（【図３】参照。）
　
（イ）刊行物１記載の発明
　刊行物１記載の事項を、特に、【図３】に示されている第１の実施形態の変形例１を、段落【００６２】に記載されているＣＶＤ処理を行う処理装置に適用した場合について、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明が記載されていると認める。
　
「ＣＶＤ処理を行なう真空処理室１と、この真空処理室１との間でウェーハＷの受け渡しを１枚ずつ行なう搬送アーム２を内蔵したロード・ロック室３とからなる２つのモジュール４ａ，４ｂを、真空処理室１どうし及びロード・ロック室３どうしが互いに隣接配置するようにトランスファチャンバ５に着脱可能に並設した真空処理装置であって、互いに隣接する搬送アーム２は、必要とされる処理に応じて、たとえば、一つのカセット６から複数の真空処理室１にウエハＷを連続的に搬送するいわゆるシリアル搬送や、二つ以上のカセット６から複数の真空処理室１にウエハＷを並列的に搬送するいわゆるパラレル搬送、さらには、一つのカセット６から一つの真空処理室１にウエハＷを搬送するＯＲ搬送を行うこともできる半導体ウェーハ、ＬＣＤ基板等の被処理体の真空処理装置。」
　
イ　刊行物２
（ア）刊行物２には以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ（集積回路）などの半導体製品を製造するのに用いるプラズマＣＶＤ（化学的気相成長）装置、低圧ＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置などの半導体製造装置に関し、特にワークに所定の処理を実行する処理ステージを複数個備えたマルチチャンバ方式のものにおいて製品の製造に寄与する稼働率を向上することができる半導体製造装置に関する。」
　
「【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による半導体製造装置の実施の形態を示す側面から見た概略構成図である。この半導体製造装置は、例えばプラズマＣＶＤ装置、低圧ＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置などであり、図１に示すように、ローダ部１及びアンローダ部２と、搬送系３と、処理ステージ７と、メインコントローラ８とを備えて成る。なお、上記半導体製造装置の全体の配置は、図４に示す従来例と同様に配置されている。
【０００８】上記ローダ部１は、半導体製造のワーク、例えばウェハを収納棚内に積層しておき順次後述の処理ステージ７へ送り出すもので、上記収納棚内に上下に所定ピッチでワークを積層しておくと共に１枚ずつ繰り出すようになっている。また、アンローダ部２は、上記処理ステージ７での所定の処理終了後のワークを受領して積層するもので、順次受領したワークを１枚ずつ収納棚内に上下に所定ピッチで積層するようになっている。搬送系３は、上記ローダ部１及びアンローダ部２と処理ステージ７との間でワークを移送するもので、例えばモータとベルトコンベアなどから成る。なお、ロードロック９は、上記ローダ部１又はアンローダ部２と搬送系３との間でワークを受け渡しするものである。
【０００９】処理ステージ７は、上記搬送系３で送られてきたワークを受け取り半導体製造のために所定の処理を行うもので、上記ワークに対し成膜、エッチング等の所定の処理を実行する反応室４と、この反応室４内の空気を抜いて真空にするための主ポンプ５と、上記反応室４内へワークと反応させるための反応性ガス及び不活性ガス（例えばＮ２ガス）などを供給するガスユニット６と、後述の高周波電源１５からの電力を入力して反応室４へ供給するために調整する高周波マッチャ１１とを有して成る。なお、この処理ステージ７は、図４に示すように、搬送系３を中心として放射状に複数個（７１〜７４）配置され、マルチチャンバ方式に構成されている。また、上記搬送系３と反応室４との間には、ワークを受け渡しする際にその通路を開閉する仕切弁１０が設けられている。そして、メインコントローラ８は、上記各構成要素の動作を制御するものであり、例えばＣＰＵ（中央処理装置）と操作パネルとから成る。
【００１０】ここで、本発明においては、上記ローダ部１及びアンローダ部２と、ロードロック９と、搬送系３と、仕切弁１０と、メインコントローラ８とで、上記複数個の処理ステージ７に共通なメインモジュール１３を形成している。このメインモジュール１３は、上記の構成要素がまとまって独立に動作するユニットとなるもので、上記メインコントローラ８の制御によりローダ部１からワークを取り出し搬送系を介して各処理ステージ７の反応室４へ送り、この反応室４で処理後のワークを受け取り搬送系３を介してアンローダ部２へ収納積層するように動作する。
【００１１】また、上記処理ステージ７の１個１個はその全体が筐体１４の中に収納されており、この内部に電源装置としての高周波電源１５が設けられると共に、上記メインモジュール１３のメインコントローラ８からの指令を受けて個々の処理ステージ７内の動作を制御するローカルコントローラ１６が設けられて、１個１個独立に動作するチャンバモジュール１７が形成されている。なお、上記ローカルコントローラ１６は、例えばＣＰＵと操作パネルとから成る。このチャンバモジュール１７は、上記の構成要素がまとまって独立に動作するユニットとなるもので、上記ローカルコントローラ１６は、前記メインコントローラ８と１本の制御ケーブル１２で接続されており、チャンバモジュール１７内の各構成要素とは複数の制御ケーブル１８でそれぞれ接続されている。
【００１２】さらに、前記メインモジュール１３に対する個々のチャンバモジュール１７の接続部は切り離し可能な構造とされ、且つ上記チャンバモジュール１７の着脱を案内するためのガイド機構が設けられている。すなわち、図１に示す仕切弁１０の部位で搬送系３と反応室４とが切り離せるようになっており、上記仕切弁１０を閉じた状態でその部位に止められた結合ボルトを緩めることにより、仕切弁１０を反応室４側に付けたまま搬送系３から切り離すことができるようになっている。
【００１３】そして、上記チャンバモジュール１７の筐体１４の底面には回転自在のガイドローラ１９，１９が設けられ、上記筐体１４の下方に直線状に設けられたガイドレール２０に上記ガイドローラ１９，１９を位置合わせして乗せることにより、チャンバモジュール１７を矢印Ａ，Ｂのように移動可能としている。さらに、図２に示すように、搬送系３の一側面には反応室４との接続を案内するためのガイド凹部２１，２１が形成させると共に、これと対向する反応室４の一側面には搬送系３との接続を案内するためのガイドピン２２，２２が突出されている。このガイド凹部２１にガイドピン２２を合致させることで、搬送系３と反応室４との接続の位置合わせをするようになっている。そして、上記ガイドローラ１９と、ガイドレール２０と、ガイド凹部２１と、ガイドピン２２とで、チャンバモジュール１７の着脱を案内するためのガイド機構を構成している。
【００１４】このように構成されたチャンバモジュール１７は、図３に示す従来例と異なり、その内部に高周波電源１５を有すると共に、ローカルコントローラ１６を有することから、１個１個のチャンバモジュール１７ごとに独立に動作することができ、さらにメインモジュール１３に対する接続部の切り離し構造とガイド機構とにより、個々のチャンバモジュール１７を容易に交換することができる。」
　
（イ）これらの事項から刊行物２には以下の事項が記載されていると認める。
　
「半導体製造装置において、処理ステージ７を構成する反応室４等を筺体１４の中に収納して形成されるチャンバモジュール１７と、ロードロック９、搬送系３等で形成されるメインモジュール１３と、チャンバモジュール１７をメインモジュール１３に脱着するためのチャンバモジュール１７の筐体１４の底面に設けられたガイドローラ１９，１９と筐体１４の下方に直線状に設けられたガイドレール２０と、メインモジュール１３とチャンバモジュール１７との接続の位置合わせをするためのメインモジュール１３の搬送系３の一側面に形成されるガイド凹部２１とチャンバモジュール１７の反応室４の対向する一側面に形成されるガイドピン２２とから成り、チャンバモジュール１７がメインモジュール１３に着脱自在にインストールされること。」
　
（３）対比
　補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　刊行物１記載の発明の「ＣＶＤ処理を行なう真空処理室１」、「ウェーハＷ」及び「ロード・ロック室３」は、それぞれ補正発明の「反応チャンバ」、「半導体基板」及び「ロードロックチャンバ」に相当することが明らかである。
　刊行物１記載の発明の「搬送アーム２」は、１枚の半導体基板を搬送することができる基板搬送機構であるから、補正発明の「基板搬送機構」に相当する。
　刊行物１記載の発明の「トランスファチャンバ５」は、２つのモジュール４ａ，４ｂが並設されているだけでなく、上記（２）アの（ア）で摘記したようにウェーハカセット台やプリアライメントステージ７が設けられていることからみて「メインフレーム」ということができるものであり、さらに、刊行物１記載の発明の「真空処理装置」は、「半導体ウェーハ、ＬＣＤ基板等の被処理体」を処理するものであるから、「半導体処理装置」ないし「半導体製造装置」ということができる。
　そして、刊行物１記載の発明において、「２つのモジュール４ａ，４ｂを」「トランスファチャンバ５に着脱可能に並設」することは、「メインフレームと、半導体処理装置をメインフレームに着脱自在に固定する手段とから成り、モジュール化した半導体処理装置が前記メインフレームに着脱自在にインストールされる」という限りで、補正発明において、「メインフレームと、前記半導体処理装置を載置する独立したチャンバフレームと、前記チャンバフレームを前記メインフレームにスムーズに脱着するための摺動機構と、前記メインフレーム内で前記チャンバフレームの位置を固定するための位置決め機構とから成り、前記モジュール化した半導体処理装置が前記メインフレームに着脱自在にインストールされる」ことと共通している。
　
　したがって、補正発明と刊行物１記載の発明とは、以下の点で一致しているということができる。
「２つの反応チャンバ、前記２つの反応チャンバとそれぞれ結合する、内部に基板搬送機構を備えた２つのロードロックチャンバを含み、前記２つの反応チャンバどうしが互いに隣接配置し、かつ、前記２つのロードロックチャンバどうしが互いに隣接配置した半導体処理装置であって、互いに隣接する前記基板搬送機構はそれぞれ１枚の半導体基板を搬送することができ、かつ、成膜処理を実行することが可能である半導体処理装置と、メインフレームと、半導体処理装置をメインフレームに着脱自在に固定する手段とから成り、モジュール化した半導体処理装置が前記メインフレームに着脱自在にインストールされる半導体製造装置。」
　
　そして、補正発明と刊行物１記載の発明とは、以下の３点で相違する。
　
ア　相違点１
　補正発明では、２つの反応チャンバと２つのロードロックチャンバとをそれぞれ隣接配置してモジュール化しているのに対して、刊行物１記載の発明では、１つの反応チャンバと１つのロードロックチャンバとをモジュール化し、モジュール化した半導体処理装置を隣接配置している点。
　
イ　相違点２
　互いに隣接する基板搬送機構は、補正発明では、それぞれ１枚の半導体基板を同じタイミングで同時に搬送することができ、かつ、同時に成膜処理を実行することが可能であるのに対して、刊行物１記載の発明では、それぞれ１枚の半導体基板を搬送することができ、かつ、成膜処理を実行することが可能であるものの、同じタイミングで同時に搬送することができ、かつ、同時に成膜処理を実行することが可能であるか明らかでない点。
　
ウ　相違点３          
　補正発明では、半導体処理装置を載置する独立したチャンバフレームと、前記チャンバフレームをメインフレームにスムーズに脱着するための摺動機構と、前記メインフレーム内で前記チャンバフレームの位置を固定するための位置決め機構とを備えているのに対して、刊行物１記載の発明では、そのようになっていない点。
　
（４）相違点の検討
ア　相違点１について
　半導体処理装置において反応チャンバとロードロックチャンバとをモジュール化するに当たって、補正発明のように、２つの反応チャンバと２つのロードロックチャンバとをそれぞれ隣接配置してモジュール化するか、あるいは、刊行物１記載の発明のように、１つの反応チャンバと１つのロードロックチャンバとだけをモジュール化して２つのモジュールを並設するかは、モジュールの製作、取扱いの難易性、生産量等を勘案して適宜選択すればよい設計的事項にすぎない。
　
イ　相違点２について
　刊行物１記載の発明の互いに隣接する基板搬送機構は、上記（２）アの（イ）で認定したように、必要とされる処理に応じて、一つのカセットから複数の反応チャンバに半導体基板を連続的に搬送するいわゆるシリアル搬送や、二つ以上のカセットから複数の反応チャンバに半導体基板を並列的に搬送するいわゆるパラレル搬送、さらには、一つのカセットから一つの反応チャンバに半導体基板を搬送するＯＲ搬送を行うことができるものである。
　そして、このうち、特にパラレル搬送にあっては、次工程での処理開始のタイミングを合わせる等、工程管理上の必要に応じ、基板搬送機構を、それぞれ１枚の半導体基板を同じタイミングで同時に搬送することができ、かつ、同時に成膜処理を実行することが可能とすることに格別の困難性は見当たらない。
　
ウ　相違点３について
　上記（２）イの（イ）で認定したように、刊行物２記載の事項は、以下のとおりである。
「半導体製造装置において、処理ステージ７を構成する反応室４等を筺体１４の中に収納して形成されるチャンバモジュール１７と、ロードロック９、搬送系３等で形成されるメインモジュール１３と、チャンバモジュール１７をメインモジュール１３に脱着するためのチャンバモジュール１７の筐体１４の底面に設けられたガイドローラ１９，１９と筐体１４の下方に直線状に設けられたガイドレール２０と、メインモジュール１３とチャンバモジュール１７との接続の位置合わせをするためのメインモジュール１３の搬送系３の一側面に形成されるガイド凹部２１とチャンバモジュール１７の反応室４の対向する一側面に形成されるガイドピン２２とから成り、チャンバモジュール１７がメインモジュール１３に着脱自在にインストールされること。」
　そして、上記刊行物２記載の事項の「チャンバモジュール１７」、「チャンバモジュール１７の筐体１４」、「メインモジュール１３」、「ガイドローラ１９，１９とガイドレール２０」及び「ガイド凹部２１とガイドピン２２」は、それぞれ補正発明の「モジュール化した半導体処理装置」、「半導体処理装置を載置する独立したチャンバフレーム」、「メインフレーム」、「摺動機構」及び「位置決め機構」に対応する。
　また、刊行物２記載の事項及び刊行物１記載の発明は、いずれも半導体製造装置に関するものであり、刊行物２記載の事項の適用により、刊行物１記載の発明の機能が向上することから、刊行物１記載の発明に刊行物２記載の事項を適用し補正発明のようにすることに格別の困難性は見当たらない。
　
エ　補正発明の効果について
　また、補正発明によってもたらされる効果も、刊行物１記載の発明及び引用例２記載の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
オ　したがって、補正発明は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　なお、審尋に対する平成２１年１０月２６日付回答書に、特許請求の範囲の補正案が示されているが、補正案には法的根拠はない。
　一応、当該補正案で新たに追加された「前記チャンバフレームに設けられた少なくともひとつの凹部と、前記チャンバフレームが当接する前記メインフレームの当接面に設けられたベアリングと、前記ベアリングの左右に設けられた突起部とを含み、前記凹部と前記ベアリング及び前記突起部とが係合することにより、前記メインフレームに対して前記半導体処理装置が三次元的に位置決めされ」る事項について検討する。
　かかる係合構造自体は周知である。
　また、その効果については、本件出願の明細書段落【００１６】を参照しても、半導体処理装置が三次元的に位置決めされる根拠が明らかでない。
　よって、上記補正案を採用したとしても、特許性を見いだすことはできない。
　
第３　本件出願の発明について
１　本件出願の発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１９年１１月１９日付手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「半導体製造装置」である。
　
２　刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、上記第２の２（２）に示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本件出願の発明は、上記第２の２で検討した補正発明から、実質上、モジュール化した半導体処理装置について「前記２つの反応チャンバどうしが互いに隣接配置し、かつ、前記２つのロードロックチャンバどうしが互いに隣接配置して」いるという事項を削除し、各ロードロックチャンバ内の搬送機構について「それぞれ１枚の半導体基板を同じタイミングで同時に搬送することができ、かつ、同時に成膜処理を実行することが可能である」という事項を削除したものである。
　そうすると、本件出願の発明を構成する事項のすべてを含み、さらに他の事項を付加する補正発明が上記第２の２（４）のオで示したとおり、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件出願の発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　したがって、本件出願の発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件出願の請求項２ないし請求項７に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。