【事件の表示】
　平成１０年特許願第５３８３６７号「半導体集積回路装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月１１日国際公開、ＷＯ９８／３９８０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月４日（特許法第４１条に基づく優先権主張　平成９年３月５日）を国際出願日とする特許出願であって、平成１９年６月４日付けで手続補正がなされ、同年７月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１５に係る発明は、平成１９年６月４日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　「１．（ａ）第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素とから水分を合成する工程、
（ｂ）前記合成した水分を、気化状態を維持したまま、酸素を含む第１のガスによって希釈して水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程、
（ｃ）酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入し、前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハを加熱して、前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を熱酸化処理により形成する工程、
を有する半導体集積回路装置の製造方法。」
　
３．先願発明
（１）本願の優先権主張の日前である平成８年１月２９日、同年９月１２日及び同年１２月６日を優先権主張の日とし、本願の優先権主張の日前である平成９年１月２７日に国際出願され、本願の優先権主張の日後である平成９年８月７日に国際公開された特願平９−５２７４８２号特許出願（以下「先願」という。）の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面（以下、国際出願日における国際出願の明細書を「先願明細書」といい、国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面をまとめて「先願明細書等」という。）には、図１、２及び５２とともに、以下の記載がある（なお、当合議体にて下線を付加した。以下同じ。）。
　「 
技術分野
　
本発明は、主として半導体製造施設に於いて利用されるものである。より具体的には、プロセスチャンバーを用いて所謂水分酸化法（若しくはスチーム酸化法）によりシリコンの酸化膜付けを行なう際の水分の供給に利用されるものである
　
背景技術
　
例えば、半導体の製造に於ける水分酸化法によるシリコンの酸化膜付けには、超高純度の水分を必要とする。
　そのため、従来のシリコンの酸化膜付けに於いては、図５２に示すように、石英炉５０の中で水素ガスＨ
２
と酸素ガスＯ
２
を燃焼させ、両ガスの燃焼により発生した水分を半導体製造装置へ送り、Ｓｉウエハの表面に酸化膜を形成するようにした方法が多く用いられている。
　「
図１は第１及び第２の水分発生用反応炉を用いた水分発生装置のシステム概要図であり、図１に於いてＨ
２
は水素ガス、Ｏ
２
は酸素ガス、Ａｒはパージ用のアルゴンガス、ＭＦＣ１〜ＭＦＣ４はマスフローコントローラ、Ｖ
１
〜Ｖ
４
はバルブ、ＴＣ１〜ＴＣ４は温度測定用熱電対、１は反応炉、２ａ〜２ｄはチェッキバルブ、３はヒータ、４はＯ
２
・Ｈ
２
混合部、５はＯ
２
・水混合部、５ａはヒータ、６は半導体製造装置である。
　
前記反応炉１へ供給される水素ガスＨ
２
と酸素ガスＯ
２
は２：１、３：１又は４：３に設定されており、後述する試験例１からも明らかなように、Ｈ
２
リッチの方が反応温度が低くなって水分が発生し易くなる。
　尚、図１では反応ガスを水素リッチの状態にしているが、逆に酸素リッチな状態の反応ガスとしてもよいことは勿論である。
　また、図１では、水素と酸素をガス状で反応炉１へ供給するようにしているが、液化水素と液化酸素を供給することも可能である。
　更に、図１では水素と酸素を混合部４で予混合したうえ反応炉１へ供給しているが、水素ガスと酸素ガスを夫々単独で反応炉１内へ供給し、反応炉１内で混合するようにしてもよい。
　
加えて、図１では混合部４で形成した水素ガスと酸素ガスの混合ガスをそのまま反応炉１へ供給するようにしているが、反応炉１の手前の導入部に予熱部Ｈを設け、混合ガスの予熱を行なうようにしてもよい。
　（第１実施例）
　
前記反応炉１は図２（第１実施例）に示す如く耐熱・耐食性Ｎｉ合金（ハステロィ）製ケーシング１ａ内へ複数本のニッケルパイプ１ｂを収納したものであり、図２では内径３４．６ｍｍφのハステロイ製管１ａの内部へ、内径１／４インチφ、長さ１００ｍｍのニッケルパイプ１ｂを４〜６本収納し、混合ガスを往復流として流すことにより、ニッケルパイプ１ｂの内外面の両方を水素若しくは酸素の反応性を活性化するための触媒として活用するようにしている。
　また、反応炉１への入口ガス圧は１．１〜１．０５ｋｇ／ｃｍ２に選定されており、且つ流量はＯ２＝５００ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈ２＝１０００ｃｃ／ｍｉｎに選定されており、１０００ｃｃ／ｍｉｎの水分が生成される。
　
前記反応炉のケーシング１ａの外壁面にはヒータ３が巻装されており、該ヒータ３によって反応炉１の混合ガス入口側が約２００〜５００℃に、また、出口側が約６００℃以下に保持されている。
　
尚、反応炉１内のニッケル触媒の温度は、後述する各試験例からも明らかなように、入口側温度を２００〜５００℃に、また出口側温度を水蒸気が結露しない範囲で且つ６００℃以下に制御するのが望ましい。
　何故なら、試験例２からも明らかなように、Ｈ２とＯ２の混合ガス７５ｃｃ／ｍｉｎの約６８％（反応管Ｎｉパイプ・内径１／４インチ×２ｍを４５０℃に保った場合）は入口側から２０ｃｍ以内の所で、また混合ガス７５０ｃｃ／ｍｉｎの約２９％（反応管Ｎｉパイプ・内径１／４インチ×２０ｍを４５０℃に保った場合）が入口側から２０ｃｍ以内の所で夫々反応を完了し、この間で多量の反応熱（２Ｈ２＋Ｏ２→２Ｈ２Ｏ＋１３６．６ｋｃａｌ）が放出され、これによってニッケルパイプ１ｂ（触媒材料）が過熱されるからである。
　
尚、第１実施例では触媒材料としてニッケルパイプ１ｂのみを使用しているが、Ｈ
２
とＯ
２
が最初に流入するパイプ１ｂ′を反応性の低い材料で形成し、逆に折り返したＨ
２
とＯ
２
が流入するパイプ１ｂを高反応性の材料で形成することにより、混合ガス上流側に於ける加熱を防止するようにしてもよい。
　また、第１実施例ではＨ２とＯ２が最初に流入するパイプ１ｂ′と折り返したＨ２とＯ２が流入するパイプ１ｂを同数としているが、前者の本数を後者の本数よりも少なくすることにより、混合ガス上流側に於ける加熱を防止するようにしてもよい。
　更に、第１実施例では反応炉１内で生成された水をそのまま半導体製造装置（図示省略）へ供給するようにしているが、反応炉１のガス入口側に予熱部（図示省略）を設けた場合には、反応炉１の出口側から取り出した生成水を前記予熱部の熱を利用して再加熱したあと、半導体製造装置へ供給するようにしてもよい。
　前記触媒材料としては後述する試験例３に示す如くＮｉフィルターやＮｉリボンを用いることも可能であり（第２の水分発生用反応炉）、また、ハステロイや白金、Ｐｄ、ステンレス鋼等の使用も可能である。
　また、触媒の形状としては、粒状の触媒を詰めたカラムやパウダーや繊維の焼結体（フィルターエレメント）、薄板を積層した積層体、ハニカム体、メッシュ体、スポンジ体やフィン体に形成することができ、これ等の一又は二以上をケーシング１ａ内へ適宜に組み込み配設し、水素及び酸素が接触しつつ流れる流通路を形成するようにしてもよい（第２の水分発生用反応炉）。
　更に、触媒の形状としては、表面が前記触媒材料で覆われたパイプ、粒体、焼結体、薄板積層体、ハニカム体、メッシュ体、スポンジ体又はフィン体でもよい（第２の水分発生用反応炉）。
　本発明の第１の水分発生用反応炉１の水分発生の応答性は後述する試験例４に示す如く、Ｈ２とＯ２が全量反応する条件の温度及びガス流量にある程度の余裕を持たせることにより、実用上必要とする水分発生の応答性（約４０〜５０秒程度）を十分に達成することが出来る。
　また、反応管の内表面をＨ２で還元或いはＯ２で酸化しても（アニール温度５００℃）、水分発生の応答性には影響が全く無く、反応管の水分発生の反応性の変化は全く起こらない。
　更に、反応炉１の安全性についてであるが、後述の試験例５に示す如く、Ｈ２とＯ２の混合比が３：１、２：１、４：３の何れの場合に於いても、ガスの着火温度は約６２０℃であり、且つ６１０℃に於いてはガスの着火は全く見られない。
　
尚、本発明では反応炉１内のガス温度を最高値で６００℃以下になるように制御しているため、ガスの着火即ちガスの爆発の恐れは全くなく、特に混合ガスの反応熱を考慮して反応炉１のガス入口側の温度を約２００〜５００℃近傍に制御することにより、反応炉１の各部分の温度が確実に６００℃以下に保持され、前記着火による爆発は完全に防止されることになる。
　前記Ｏ２ガスとＨ２ガスとのガス混合部４は、通常のパイプ内ガス混合方式が採用されており、特別なガス混合機構は全く用いていない。
　尚、混合箱（図示省略）を用いて酸素ガスＯ２内へＨ２ガスを旋回流として放出し、両者を均一に混合する様な構成のガス混合機構をガス混合部４として用いてもよいことは勿論である。
　また、混合部４内若しくはその下流側にガスの予熱部を設けるようにしてもよい。
　
前記Ｏ
２
・水混合部５は反応炉１の出口側近傍に設けられており、ヒータ５ａが設けられている。
　
即ち、反応炉１から噴出する水分に酸素ガスＯ
２
が混合され、Ｈ
２
ＯとＯ
２
との混合ガスは、管壁へのＨ
２
Ｏの結露を防ぐためにヒータ５ａにより約１２０℃以上の温度に加熱されたあと、半導体製造装置６へ供給されて行く。」
　
（２）ここにおいて、図１における「半導体製造装置６」についてみると、先願明細書の「本発明は、主として半導体製造施設に於いて利用されるものである。より具体的には、プロセスチャンバーを用いて所謂水分酸化法（若しくはスチーム酸化法）によりシリコンの酸化膜付けを行なう際の水分の供給に利用されるものである。」（先願明細書１ページ５行〜７行）及び「そのため、従来のシリコンの酸化膜付けに於いては、図５２に示すように、石英炉５０の中で水素ガスＨ２と酸素ガスＯ２を燃焼させ、両ガスの燃焼により発生した水分を半導体製造装置へ送り、Ｓｉウエハの表面に酸化膜を形成するようにした方法が多く用いられている。」（同１ページ１１行〜１４行）という記載から、「半導体製造装置６」において、プロセスチャンバーを用いてＳｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化法により形成することが想定されていることは明らかである。
　また、「即ち、反応炉１から噴出する水分に酸素ガスＯ２が混合され、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスは、管壁へのＨ２Ｏの結露を防ぐためにヒータ５ａにより約１２０℃以上の温度に加熱されたあと、半導体製造装置６へ供給されて行く。」（同１２ページ４行〜６行）という記載において、「Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスは・・・半導体製造装置６へ供給されて行く。」とは、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスが半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給されることを意味するものであることは当業者にとって自明である。
　
（３）したがって、先願明細書等には、以下の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「触媒材料としてニッケルパイプ１ｂを使用し、入口側温度を２００〜５００℃に、また出口側温度を水蒸気が結露しない範囲でかつ６００℃以下に制御することにより、各部分の温度が確実に６００℃以下に保持された反応炉１へ水素ガスＨ２と酸素ガスＯ２とを供給し、水分を発生する工程、
　前記反応炉１から噴出する水分に酸素ガスＯ２を混合し、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを、管壁へのＨ２Ｏの結露を防ぐためにヒータ５ａにより約１２０℃以上の温度に加熱する工程、
　その後、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給し、前記プロセスチャンバーを用いてＳｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化法により形成する工程、
　を有する半導体の製造におけるシリコンの酸化膜付け方法。」
　
４．本願発明と先願発明との対比
（１）先願発明は、「触媒材料としてニッケルパイプ１ｂを使用し、」「水素ガスＨ２と酸素ガスＯ２とを供給し、水分を発生」しているから、本願発明と同様に、「触媒を用いて酸素と水素とから水分を合成」していることは明らかである。
　また、先願発明における「反応炉１」の「入口側」の「２００〜５００℃」という温度、「反応炉１」の「出口側」の「水蒸気が結露しない範囲でかつ６００℃以下」という温度及び「反応炉１」の「各部分」の「６００℃以下」という温度が、本願発明における「第１の温度」に相当するものと認められる。
　したがって、先願発明の「触媒材料としてニッケルパイプ１ｂを使用し、入口側温度を２００〜５００℃に、また出口側温度を水蒸気が結露しない範囲でかつ６００℃以下に制御することにより、各部分の温度が確実に６００℃以下に保持された反応炉１へ水素ガスＨ２と酸素ガスＯ２とを供給し、水分を発生する工程」は、本願発明の「（ａ）第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素とから水分を合成する工程」に相当する。
　
（２）先願発明の「前記反応炉１から噴出する水分に酸素ガスＯ２を混合」するという工程は、本願発明の「前記合成した水分を、」「酸素を含む第１のガスによって希釈して水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する」という工程に相当する。
　そして、先願発明においては、「Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを、管壁へのＨ２Ｏの結露を防ぐためにヒータ５ａにより約１２０℃以上の温度に加熱」しているのであるから、「前記反応炉１から噴出する水分」が気体状態を維持していることは明らかである。
　したがって、先願発明の「前記反応炉１から噴出する水分に酸素ガスＯ２を混合し、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを、管壁へのＨ２Ｏの結露を防ぐためにヒータ５ａにより約１２０℃以上の温度に加熱する工程」は、本願発明の「（ｂ）前記合成した水分を、気化状態を維持したまま、酸素を含む第１のガスによって希釈して水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程」に相当する。
　
（３）先願発明の「半導体製造装置６内のプロセスチャンバー」は本願発明の「酸化炉の熱処理チャンバ」に相当するから、先願発明の「Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給」するという工程は、本願発明の「酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入」するという工程に相当する。
　また、先願発明の「Ｓｉウエハの表面」が本願発明の「半導体ウエハの第１の主面」に相当することは明らかであるから、先願発明の「Ｓｉウエハの表面に酸化膜を」「形成する」という工程は、本願発明の「前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を」「形成する」という工程に相当する。
　また、一般に、スチーム酸化が熱酸化処理の範疇に含まれるものであることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平７−１４７３２３号公報に、「【従来の技術】・・・図２（ａ）に示すように、シリコン基板１２上にＳｉＯ２ 酸化膜１４を熱酸化プロセス（スチーム酸化）等により形成する。」（０００２段落）と記載されていることからも分かるように、当業者における技術常識である。
　したがって、先願発明の「その後、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給し、前記プロセスチャンバーを用いてＳｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化法により形成する工程」と、本願発明の「（ｃ）酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入し、前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハを加熱して、前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を熱酸化処理により形成する工程」とは、「（ｃ）酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入し、」「前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を熱酸化処理により形成する工程」である点で一致する。
　
（４）先願発明の「半導体の製造におけるシリコンの酸化膜付け方法」が、半導体装置の製造方法に適用されることを前提とするものであることは当業者にとって自明であるから、先願発明の「半導体の製造におけるシリコンの酸化膜付け方法」と本願発明の「半導体集積回路装置の製造方法」とは、半導体装置の製造方法である点で一致する。
　
（５）以上を総合すると、本願発明と先願発明とは、
　「（ａ）第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素とから水分を合成する工程、
（ｂ）前記合成した水分を、気化状態を維持したまま、酸素を含む第１のガスによって希釈して水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程、
（ｃ）酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入し、前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を熱酸化処理により形成する工程、
を有する半導体装置の製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入し、」「前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を熱酸化処理により形成する工程」において、「前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハを加熱して」いるのに対して、先願発明は、「その後、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給し、前記プロセスチャンバーを用いてＳｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化法により形成する工程」において、そのような加熱を行うことが特定されていない点。
　
（相違点２）
　本願発明は、半導体集積回路装置の製造方法であるのに対して、先願発明は、半導体
集積回路
　
５．相違点についての当審の判断
（１）相違点１について
（１−１）一般に、Ｓｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化により形成するに際して、温度を１０００℃前後の高温とすることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平１−２１５０３３号公報の「スチーム酸化膜３１は通常のように９５０〜１１５０℃の高温で成長されるもので、本発明においては例えば０．８〜０．９μｍ程度と厚目にされる。」（３ページ右下欄８行〜１０行）という記載からも明らかなように当業者における技術常識である。したがって、先願発明の「その後、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給し、前記プロセスチャンバーを用いてＳｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化法により形成する工程」という工程も、当然１０００℃前後の高温で行われる、すなわち、「Ｓｉウエハ」を１０００℃前後の高温に加熱して行われるものと解される。
　一方、先願発明においては、「水分を発生する工程」は、６００℃以下で行われているのであるから、先願発明の「その後、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給し、前記プロセスチャンバーを用いてＳｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化法により形成する工程」においても、「水分を発生する工程」における温度よりも高い温度まで「Ｓｉウエハ」を加熱している、すなわち、本願発明と同様に「前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハを加熱して」いるものと認められる。
　したがって、相違点１は実質的なものではない。
　
（１−２）また、仮に、先願発明の「その後、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給し、前記プロセスチャンバーを用いてＳｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化法により形成する工程」において、本願発明と同様に「前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハを加熱して」いるとまではいえず、相違点１が実質的なものであったとしても、一般に、Ｓｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化により形成するに際して、温度を１０００℃前後の高温とすることは、上に述べたように当業者における技術常識なのであるから、先願発明の「その後、Ｈ２ＯとＯ２との混合ガスを半導体製造装置６内のプロセスチャンバーに供給し、前記プロセスチャンバーを用いてＳｉウエハの表面に酸化膜をスチーム酸化法により形成する工程」において、「Ｓｉウエハ」を１０００℃前後の高温に加熱すること、すなわち、本願発明と同様に、「前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハを加熱」することは、当業者であれば当然になし得た事項であり、相違点１は当業者における設計上の微差にすぎないものである。
　
　以上のとおりであるから、相違点１は、実質的なものではなく、また、仮に実質的なものであったとしても、当業者における設計上の微差にすぎないものである。
　
（１−３）なお、審判請求人は審判請求書の「請求の理由」３．（２）において、以下のように主張している。
　「審査官殿は、請求項１に係る発明と引用文献４との比較において、温度の相違点は微差に過ぎず、両発明は実質的に同一であるとされております。しかし、本願の目的である『高品質で極薄ゲート酸化膜を均一な膜厚で再現性良く形成する技術』を得るためには、上記の温度に関しての要件は必要不可欠な構成要素なのです。かかる温度条件に関しては、本願発明者は鋭意研究の結果見出したもので、請求項１に記載の内容の構成を全て満足する条件において、本願の目的を達成することができることを、初めて見出したものであります。
　審査官殿が今回、微差と判断なされている構成そのものが、本発明の本質的な特徴の一つであり、またその構成に基づいて、従来構成では成し得ないような『高品質で極薄ゲート酸化膜を均一な膜厚で再現性良く形成する』という効果を奏するものなのであります。審査官殿の『温度の相違点は微差に過ぎず〜』との判断は、容易には首肯できないものと思料いたします。」
　
　そこで、これについて検討すると、本願の明細書又は図面を参照しても、本願発明において、「酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入し、」「前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を熱酸化処理により形成する工程」におけるウエハの加熱温度である「第２の温度」を「第１の温度」よりも相対的に高くすることにより、格別な効果を奏するとは認められない。
　すなわち、例えば、本願明細書の２９ページ１０行〜２１行の「上記酸化膜形成装置１００を使ったゲート酸化膜形成のシーケンスの一例を図１５を参照しながら説明する。　まず、酸化膜形成室１０７のチャンバ１２０を開放し、その内部にパージガス（窒素）を導入しながら半導体ウエハ１Ａをサセプタ１２３の上にロードする。半導体ウエハ１Ａをチャンバ１２０に搬入してからサセプタ１２３の上にロードするまでの時間は５５秒である。その後、チャンバ１２０を閉鎖し、引き続きパージガスを３０秒間導入してチャンバ１２０内のガス交換を十分に行う。サセプタ１２３は、半導体ウエハ１Ａが速やかに加熱されるよう、あらかじめヒータ１２１ａ、１２１ｂで加熱しておく。半導体ウエハ１Ａの加熱温度は、８００から９００℃の範囲内、例えば８５０℃とする。ウエハ温度が８００℃以下ではゲート酸化膜の品質が低下する。他方、９００℃以上ではウエハの表面荒れが発生し易くなる。」という記載からも明らかなように、本願発明において良好な品質の酸化膜を作成することができるのは、酸化工程における半導体ウエハの加熱温度を「８００から９００℃の範囲内、例えば８５０℃」としたことによるものであって、酸化工程における半導体ウエハの加熱温度を水分を合成する工程の温度より相対的に高くしたこと、すなわち「前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハを加熱」したことによるものとは認められず、さらに、本願の明細書又は図面における他の部分を精査しても、本願発明において、「酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入し、」「前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を熱酸化処理により形成する工程」におけるウエハの加熱温度である「第２の温度」を「第１の温度」よりも相対的に高くすることによる効果に関する記載は見いだせない。
　
　したがって、「酸化炉の熱処理チャンバに前記水分を含んだ酸化性雰囲気を導入し、」「前記半導体ウエハの第１の主面上に酸化シリコン膜を熱酸化処理により形成する工程」において、「前記第１の温度より高い第２の温度まで半導体ウエハを加熱」することにより、審判請求人が主張するように、「従来構成では成し得ないような『高品質で極薄ゲート酸化膜を均一な膜厚で再現性良く形成する』という効果を奏する」とは認められず、審判請求人の主張は採用できない。
　
（２）相違点２について
（２−１）先願明細書等には、先願発明が半導体集積回路装置の製造方法に適用されることは明記されていないが、先願発明の従来技術として先願明細書に記載されている「石英炉５０の中で水素ガスＨ２と酸素ガスＯ２を燃焼させ、両ガスの燃焼により発生した水分を半導体製造装置へ送り、Ｓｉウエハの表面に酸化膜を形成するようにした方法」（先願明細書１ページ１１行〜１４行）が、半導体集積回路装置の製造方法に適用されるものであることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平５−２５９１０１号公報の「【発明が解決しようとする課題】縦型拡散装置に於いてシリコンウェーハの表面に酸化被膜を形成する方法として、パイロジェニック酸化が行われている。
該パイロジェニック酸化は水素ガスと酸素ガスを流し、縦型炉の手前で燃焼させ、高純度の水蒸気を炉内に供給し、該高純度の水蒸気でシリコンウェーハ表面を酸化させるものであり、高清浄な酸化雰囲気を容易に得られる為、超高集積回路の製造方法として普及している。
　したがって、相違点２は実質的なものではない。
　
（２−２）また、仮に、先願発明が、半導体集積回路装置の製造方法に適用されることを想定したものとまではいえず、相違点２が実質的なものであったとしても、先願発明の従来技術として先願明細書に記載されている方法が半導体集積回路装置の製造方法に適用されるものであることは、上に述べたとおり当業者における技術常識なのであるから、先願発明である「半導体の製造におけるシリコンの酸化膜付け方法」を、本願発明のように「半導体集積回路の製造方法」に適用することは、当業者であれば当然になし得た事項であり、相違点２は当業者における設計上の微差にすぎないものである。
　
（３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、本願発明と先願発明との相違点は、いずれも実質的なものではないか、仮に実質的なものであったとしても、当業者における設計上の微差にすぎないものであるから、本願発明と先願発明とは実質的に同一である。
　そして、本願の発明者が先願発明に係る発明者と同一ではなく、また、本願の出願の時点において、その出願人が先願の出願人と同一でもないから、本願発明は特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび　 
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。 
　よって、上記結論のとおり審決する。