【事件の表示】
　特願２００１−３４４９２３「セラミックスヒータおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２３日出願公開、特開２００３−１５１７２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１３年１１月９日の出願であって、平成１７年１２月２６日付け（発送日：平成１８年１月１０日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年２月７日に審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１７に係る発明は、平成１７年９月１４日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
　
「被処理物を保持面に搭載するためのセラミックスヒータであって、
　セラミックス基体と、コンピュータシミュレーションにより回路設計された発熱体回路パターンとを備え、半導体製造装置に使用することを特徴とする、セラミックスヒータ。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物に記載された事項
刊行物１：特開２０００−３４０３４３号公報
刊行物２：特開平２−１６５５９１号公報
　
（１）特開２０００−３４０３４３号公報
　原審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３４０３４３号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
・「【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体製造装置の製造工程におけるプラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＰＶＤなどの成膜装置やプラズマエッチング、光エッチングなどのエッチング装置に用いられるウエハ加熱装置などとして使用される円盤状ヒータに関する。」（段落【０００１】）
・「円盤状をした緻密質セラミック基体の上面をウエハＷ支持面とするとともに、その内部に発熱抵抗体を埋設したウエハ加熱装置用ヒータが提案されている。
ウエハ加熱装置として使用されるヒータは、高い均熱性が要求され、特に円形のウエハを処理する為には、ウエハの温度分布がなるべく同心円に近いことが必要であり、局所的なホットスポット、コールドスポットの解消は設計上の重要課題である。」（段落【０００４】、【０００５】）
・「絶縁基板１０内に発熱抵抗体１１をスクリーン印刷法によって形成することでヒータパターンの形状自由度を増し、」（段落【０００７】）
・「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特願平９−３６００９２号のウエハ加熱装置は、支持面に載置されるウエハの均一加熱性において不十分であることがわかった。ウエハ載置面における温度分布を赤外線放射温度計で測定したところ、パターン内に形成されている折り返し部の近傍で温度分布が不均一になっており、ホットスポットおよびコールドスポットが存在していることが判った。
上記の現象について、発明者は有限要素法によるシミュレーションを利用して検討した結果、ヒータパターンの同心円部と折り返し部の電流密度の不均一が原因であることを突き止めた。」（段落【０００８】、【０００９】）
・「図１、図２の円盤状ヒータ１は、緻密質のセラミック基体２からなり、上面をウエハＷ加熱面３とするとともに、その内部に発熱抵抗体４を埋設してある。・・・給電端子５に電圧を印加して発熱抵抗体４を発熱させることにより加熱面３に載置したウエハＷを均一に加熱するようになっている。」（段落【００１８】）
・「発熱抵抗体の厚さはすべて０．０１ｍｍとした。そして、半径の異なるリング体の数、高抵抗領域と低抵抗領域の線幅の比、高抵抗領域と低抵抗領域の円周方向長さの比、リング体上の高抵抗領域の数を表１に示すようにパターン設計して、種々の円盤状ヒータを試作した。」（段落【００３８】）
　
　上記摘示事項によれば、刊行物１には次の発明が記載されている。
「ウエハＷを支持面に載置するための円盤状ヒータであって、セラミック基体２と、パターン設計された発熱抵抗体パターンとを備え、半導体製造装置に使用する円盤状ヒータ。」
　
（２）特開平２−１６５５９１号公報
　原審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平２−１６５５９１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
・「〔発明の効果〕本発明によると、ヒータ線仕様に基く小量のデータを入力するだけで、スクリーン印刷用パターン作成の特殊技能を必要とせずに、導体幅１ｍｍ以下で、しかもヒータ線ごと及び発熱量の異なる領域ごとに導体幅が異なるヒータ線の印刷用パターンを高精度に短時間に作成することができる。従って、温暖地、寒冷地向けなどのヒータ線仕様の違いに即座に対応することができ、特に多品種小量生産システムにおいて著しい効果が得られる。またコンピュータ援用のパターン設計が可能であるので、製造前の仕様検討、デザイン評価、シミュレーションが容易になり、最適設計が可能となる。」（６頁左下欄第１８行〜右下欄第１１行）
　　　
３．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明を対比すると、引用例１に記載された発明の「ウエハＷ」は本願発明の「被処理物」に相当し、以下同様に、「円盤状ヒータ」は「セラミックスヒータ」に、「支持面に載置」は「保持面に搭載」に、「セラミック基体２」は「セラミックス基体」に、「パターン設計された」は「回路設計された」に、「発熱抵抗体パターン」は「発熱体回路パターン」に各々相当する。
　
　よって、両発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
［一致点］
「被処理物を保持面に搭載するためのセラミックスヒータであって、セラミックス基体と、回路設計された発熱体回路パターンとを備え、半導体製造装置に使用することを特徴とする、セラミックスヒータ。」
　
〔相違点〕
　発熱体回路パターンが、本願発明では、コンピュータシミュレーションにより回路設計されたものであるのに対し、引用例１に記載された発明では、コンピュータシミュレーションにより回路設計されたものとは特定されていない点。
　　
　以下、この相違点について検討する。
　引用例２には、ヒータ線のスクリーン印刷用パターンをコンピューター援用のパターン設計により行うことで、シミュレーションが容易になり、最適設計が可能となる事項が記載されている。
　また、回路設計において、コンピュータシミュレーションを用いることは、従来周知〔例えば、特開平８−３３５２２６号公報（段落【０００１】）、特開平３−９１０８１号公報（第２頁左上欄２〜１２行）、特開平８−２６３５４３号公報（段落【００１５】）、特開昭６３−２６３５７０号公報（第１頁右下欄６〜１５行）を参照。〕である。
　そして、引用例１に記載された発明も、有限要素法によるシミュレーションを利用して、ウエハ載置面における温度分布の不均一の原因がヒータパターンの電流密度の不均一にあることを突き止めたものであり（段落【０００８】、【０００９】参照。）、シミュレーションによりヒータの特性を検証することが示唆されている。
　しかも、引用例２にも記載されているように、シミュレーションは、最適化のために行うものであることは周知の事項であるから、引用例１に記載された発明において、ヒータの特性を検証し最適化するために、コンピュータシミュレーションを利用しようとすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、引用例２に記載の事項及び上記周知事項を適用して、発熱体回路パターンをコンピュータシミュレーションにより回路設計することは当業者が容易になし得たことである。
　　　　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１、２に記載の事項及び周知事項から当業者が予測できる範囲のものであって格別なものではない。
　　
４．むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された事項及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。