【事件の表示】
　特願２００５−５１５７５３「分布帰還型半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザアレイ及び光モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日国際公開、ＷＯ２００５／０５３１２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、２００４年１１月１２日（優先権主張２００３年１１月２８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、その請求項に係る発明は、本願特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年９月１６日付け手続補正書に記載される次のとおりのものである。
　
「（Ａ）レーザ光の利得を発生させる利得発生領域と、該利得発生領域の内部に形成された回折格子と、を備える分布帰還型半導体レーザにおいて、
（Ｂ）前記利得発生領域を挟む前後２つの端面のうち前端面の反射率は１％以下に設定されているとともに、前記２つの端面のうち後端面側から前側を見た反射率は３０％以上に設定され、
（Ｃ）前記回折格子の結合係数をκ、前記利得発生領域の長さをＬとすると、κは１００ｃｍ−１以上に、Ｌは１５０μｍ以下に、それぞれ設定され、
（Ｄ）モード間利得差をΔα、閾値利得をｇthとすると、Δα／ｇthが１以上となるκとＬの組み合わせを用いていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。」　
　
２．刊行物
（１）刊行物１
　原査定の拒絶理由に引用された本願優先日前の２００３年９月２６日に頒布された特開２００３−２７３４５２号公報（以下「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
Ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、分布帰還型半導体レーザ素子に関し、特に、発振波長が１５６５ｎｍ以上のＬバンドを含む長波長帯で、低しきい値電流密度及び高スロープ効率を実現することにより、低い駆動電流で安定して作動する分布帰還型半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】波長分割多重（以下、ＷＤＭと呼ぶ）光伝送システムは、一本の光ファイバーで異なる複数波長の光信号を伝送することにより、光通信容量の大幅な拡大が可能なシステムとして注目されている。ＷＤＭ光伝送システムの光源には、一般に単一波長性に優れた分布帰還型半導体レーザ素子（以下、ＤＦＢレーザ素子と呼ぶ）が用いられている。」
　
Ｂ　「【００３７】以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明を具体的かつ詳細に説明する。
実施形態例
本実施形態例は、本発明に係るＤＦＢレーザ素子の一実施形態例である。図５は、本実施形態例のＤＦＢレーザ素子４０の部分断面を示す斜視図であり、図６は、ＤＦＢレーザ素子４０のＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３附近を示す断面図である。ＤＦＢレーザ素子４０は、障壁層５７のバンドギャップ波長が１．２５μｍであることを除いて、前述した供試ＤＦＢレーザ素子１０と同じ構成を備えている。
【００３８】即ち、ＤＦＢレーザ素子４０は、発振波長を１６００ｎｍに設定した、ＤＦＢレーザ素子であって、膜厚３５０μｍ程度のｎ−ＩｎＰ基板４１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層４２、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３、膜厚約２００μｍのｐ−ＩｎＰスペーサ層４４、回折格子４５、回折格子４５を埋め込んだｐ−ＩｎＰ埋め込み層４６、及びｐ−ＩｎＰ上クラッド層４７の積層構造を有する。
【００３９】ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３は、図６に示すように、量子井戸活性層５４と、量子井戸活性層５４の上下に配設されたＳＣＨ導波路層５５からなる。量子井戸活性層５４は、バンドギャップ波長が１６１０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰからなる、膜厚６ｎｍの井戸層５６と、各井戸層５６の間に介在するバンドギャップ波長が１．２５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる、膜厚１２ｎｍの障壁層５７から構成される。また、井戸層５６に１％の圧縮歪が、障壁層５７に０．１％の引張歪が夫々導入される。ＳＣＨ導波路層５５は、上下とも、バンドギャップ波長が１．１μｍで、膜厚２０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰからなる。」
　
Ｃ　「【００４２】回折格子４５は、膜厚が２０ｎｍ、周期が２４０ｎｍ、デューティ（duty）比が約２５％、回折格子強度がκＬ＝１．５である。回折格子強度は、強すぎると回折格子による光の共振器内への閉込めが強くなって、スロープ効率が低下し、高出力化に向かない。逆に、弱すぎると回折格子による光の帰還が弱くなって、しきい値の上昇、単一モード性の劣化といった問題が起こる。このように、回折格子強度κＬには最適値があり、良好な特性を有するＤＦＢレーザ素子を安定して供給するために、１以上２以下の値が採用される。回折格子４５の厚みは３０ｎｍとしてもよい。」
　
Ｄ　「【００４５】ＤＦＢレーザ素子４０の前端面（出射端面）には反射率０．１％の無反射コーティング膜（図示なし）が、後端面には反射率９０％の高反射コーティング膜（図示なし）が、夫々成膜されている。本実施形態例のＤＦＢレーザ素子４０は、障壁層５７にバンドギャップ波長が１．２５μｍの組成のＩｎＧａＡｓＰを採用しつつ、実験に供したＤＦＢレーザ素子１０と同様にして作製することができる。」　
　
　上記Ａによれば、刊行物１には、「分布帰還型半導体レーザ素子」について記載されているものと認められる。
　そして、上記Ｂによれば、この分布帰還型半導体レーザ素子は、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３及び回折格子４５を備えているものと認められ、さらに、図５を参照すれば、回折格子４５は、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３が形成された領域より狭い領域に形成されていることがみてとれる。
　また、上記Ｃによれば、その回折格子４５の回折格子強度がκＬ＝１．５であると認められる。
　さらに、上記Ｄによれば、この分布帰還型半導体レーザ素子の前端面には反射率０．１％の無反射コーティング膜が、後端面には反射率９０％の高反射コーティング膜が、夫々成膜されているものと認められる。
　
　以上のことから、刊行物１には、
「ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３及びこのＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３が形成された領域より狭い領域に形成された回折格子４５を備えている分布帰還型半導体レーザ素子において、
　前端面には反射率０．１％の無反射コーティング膜が、後端面には反射率９０％の高反射コーティング膜が、夫々成膜され、
　回折格子強度がκＬ＝１．５である分布帰還型半導体レーザ素子。」の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）刊行物２
　同じく、原査定の拒絶理由に引用された「YOSHIO ITAYAMA 他，Low Threshhold Current GaInAsP/InP DFB Laser，IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS，１９８７年　６月，Vol. QE-23, No. 6，p828-834」（以下「刊行物２」という。）の８２８頁には、Fig.1.とともに「Ｉ． INTRODUCTION 」に次の記載がある。
「THE distributed feedback (DFB) laser has become the most promising light source for long haul and wideband optical transmission systems because of its single longitudinal mode (SLM) operation under high-speed direct modulation [1], [2]. Currently, considerable effort has been devoted to the development of a profitable structure which gives high probability of SLM operation [3]-[7].In this paper we investigate the threshold current lowering of DFB lasers without any loss in a single longitudinal mode operation. Fig. 1 shows the theoretical relation between the normalized threshold current density and the laser length for various types of lasers (see the Appendix).The solid curves are for DFB lasers and the dashed line is for a Fabry-Perot laser. The DFB laser has a feasibility of lower threshold current operation than a Fabry-Perot type laser because of the enhanced optical confinement caused by the corrugation grating [X]. Among DFB lasers, the device having anti-reflection and high-reflection (AR/HR) facet seems promising for low threshold current operation. Moreover, it has been pointed out that the probability of SLM operation becomes highest for DFB lasers with an AR/HR facet configuration and a κL (κ= coupling coefficient, L = laser length) of around 1 [9], [l0]. 」
　
　そして、刊行物２のFig.1.を参照すれば、レーザ長Ｌが短くなるにしたがって閾値電流値が小さくなり、特に、（ｄ）で示される片方に無反射コーテイングを施し他方に高反射コーテイングを施した分布帰還型半導体レーザ素子においては、Ｌ＝１００μｍ程度において閾値電流が最小となることがみてとれる。
　
３．対比
　本願補正発明と刊行物１発明を対比する。
　
　刊行物１発明の「ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３」がレーザ光の利得を発生することは当業者に明らかであるから、刊行物１発明の「ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３が形成されている領域」が本願発明の「レーザ光の利得を発生させる利得発生領域」に相当するところであり、また、刊行物１発明の「回折格子４５」は、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４３が形成されている領域より狭い領域に形成されているから、本願発明と同様に「利得発生領域の内部に形成された回折格子」であるといえ、刊行物１発明の「分布帰還型半導体レーザ素子」は、本願発明の「分布帰還型半導体レーザ」と同様に「（Ａ）レーザ光の利得を発生させる利得発生領域と、該利得発生領域の内部に形成された回折格子と、を備える分布帰還型半導体レーザ」であるといえる。
　次に、刊行物１発明の「前端面」及び「後端面」がそれぞれ本願発明の「前端面」及び「後端面」に相当するところであり、刊行物１発明において、「前端面には反射率０．１％の無反射コーティング膜が、後端面には反射率９０％の高反射コーティング膜が、夫々成膜され」ているから、刊行物１発明は、本願発明と同様に「（Ｂ）前記利得発生領域を挟む前後２つの端面のうち前端面の反射率は１％以下に設定されているとともに、前記２つの端面のうち後端面側から前側を見た反射率は３０％以上に設定され」ているものであるといえる。
　
　したがって、両者はともに、
「（Ａ）レーザ光の利得を発生させる利得発生領域と、該利得発生領域の内部に形成された回折格子と、を備える分布帰還型半導体レーザにおいて、
（Ｂ）前記利得発生領域を挟む前後２つの端面のうち前端面の反射率は１％以下に設定されているとともに、前記２つの端面のうち後端面側から前側を見た反射率は３０％以上に設定されている分布帰還型半導体レーザ。」である点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
　本願発明は、
「（Ｃ）前記回折格子の結合係数をκ、前記利得発生領域の長さをＬとすると、κは１００ｃｍ−１以上に、Ｌは１５０μｍ以下に、それぞれ設定され、
（Ｄ）モード間利得差をΔα、閾値利得をｇthとすると、Δα／ｇthが１以上となるκとＬの組み合わせを用いている」のに対し、
　刊行物１発明は、κＬ＝１．５とされているものの、上記（Ｃ）及び（Ｄ）の要件を備えているか不明である点。　
　
４．相違点についての検討
　刊行物１発明においてκＬ＝１．５とされている。
　ここで、刊行物１発明におけるκ及びＬが本願発明のκ及びＬと同様にそれぞれ「回折格子の結合係数」及び「利得発生領域の長さ」を意味するものであることは当業者に明らかである。
　
　まず、本願発明の要件（Ｃ）について検討するに、刊行物１発明においては、そのκ及びＬについての具体的な値が不明であるが、上記刊行物２において、レーザ長Ｌが短くなるにしたがって閾値電流値が小さくなり、特に、片方に無反射コーテイングを施し他方に高反射コーテイングを施した分布帰還型半導体レーザ素子においては、Ｌ＝１００μｍ程度において閾値電流が最小となっていることが示されていることに鑑みれば、片方に無反射コーテイングを施し他方に高反射コーテイングを施した分布帰還型半導体レーザ素子である刊行物１発明において、そのレーザ長Ｌを１００μｍ程度とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、このとき、κ＝１５０ｃｍ−１ となり、κ及びＬが上記要件（Ｃ）を満たすことは明らかである。
　
　次に、本願発明の要件（Ｄ）について検討する。
　本願発明の要件(Ｄ)のΔα／ｇthについては、本願明細書の段落【００６２】に「Δα／ｇthという指標は、原理的に内部損失αｉというパラメータを含んでおり、αi依存性についても考えなければならない。」と記載されているように、内部損失αｉに依存するものであるところ、刊行物１に内部損失αｉについての記載はない。
　しかしながら、この内部損失αｉは、同じく本願明細書の段落【００６２】に「αiは、レーザを作製する場合に活性層の層厚やドーピング濃度によって、下限として数ｃｍ−１、上限として２５ｃｍ−１程度の値をとる。」と記載されていることからすると、通常数ｃｍ−１〜２５ｃｍ−１の範囲のものであると考えられるところであり、刊行物１発明の分布帰還型半導体レーザ素子において、内部損失αｉが数ｃｍ−１〜２５ｃｍ−１の範囲内である活性層を採用することに格別の困難性は認められない。
　そして、本願図面の図４には、内部損失αｉが２５ｃｍ−１の場合について、Δα／ｇthのκ及びＬに対する依存性が示されており、ここで、κ＝１５０ｃｍ−１、Ｌ＝１００μｍについてみると、Δα／ｇthは、１．３程度であることがみてとれる。
　また、本願図面の図５には、内部損失αｉが５ｃｍ−１の場合について、Δα／ｇthのκ及びＬに対する依存性が示されており、ここで、κ＝１５０ｃｍ−１、Ｌ＝１００μｍについてみると、Δα／ｇthは、２．２程度であることがみてとれる。
　このことからみて、内部損失αｉが２５ｃｍ−１より小さく、κ＝１５０ｃｍ−１、Ｌ＝１００μｍの分布帰還型半導体レーザ素子のΔα／ｇthは、１．３より大きいものと認められるから、刊行物１発明において、Ｌ＝１００μｍとし、内部損失αｉを２５ｃｍ−１より小さくしたものは、上記要件（Ｄ）を満たしているものと認められる。
　
　また、本願発明が奏する効果についても、刊行物１発明においてＬ＝１００μｍとし、内部損失αｉを２５ｃｍ−１より小さくしたものが当然に奏するものであって、格別のものとはいえない。　
　
　したがって、本願発明は、刊行物１発明において、刊行物２の記載事項を参照してＬ＝１００μｍ程度とするとともに、内部損失αｉとして２５ｃｍ−１より小さいものを採用することにより当業者が容易に発明できたものと認められる。
　　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。