【事件の表示】
　特願２００１−１９７８４１「半導体装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月１７日出願公開、特開２００３−　１７６８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１３年６月２９日の出願であって、平成１８年９月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月２４日付けで手続補正がなされたものであって、その後、当審において、平成２１年３月３日付けで審尋がなされ、同年４月２４日に回答書が提出されたものである。  
　
２．平成１８年１１月２４日付けの手続補正の却下の決定　 
　［補正の却下の決定の結論］ 
　平成１８年１１月２４日付けの手続補正を却下する。 
　［理由］ 
（１）補正の内容 
  平成１８年１１月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲および発明の詳細な説明を補正するものであり、特許請求の範囲についての補正は、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】
　シリコン単結晶基板上に形成された素子分離絶縁膜、及びゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記素子分離絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との間の前記シリコン単結晶基板の表面に、前記ゲート絶縁膜を挟んで両側に形成されたソース及びドレイン領域とを有する半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成された、Ａ１−ｘＴａｘＯｙ（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０、ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上）の組成を有する層とからなることを特徴とする半導体装置。」
と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項４を削除すること。
　
（補正事項ｃ）補正前の請求項５を、補正後の請求項４の
「【請求項４】
　シリコン単結晶基板上に素子分離絶縁膜を形成する工程と、該素子分離絶縁膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記素子分離絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との間の前記シリコン単結晶基板の表面に前記ゲート絶縁膜を挟んで両側にソース及びドレイン領域を形成する工程と、を順次有し、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成された、Ａ１−ｘＴａｘＯｙ（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０、ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上）の組成を有する層とからなることを特徴とする半導体装置の製造法。」
と補正するとともに、補正前の請求項６を補正後の請求項５に繰り上げること。
　
（２）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（２−１）補正事項ａについて
　補正前の請求項１における「Ａ１−ｘＴａｘＯｙ（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０、
ＡはIII族金属の１種以上
ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上
　そして、「ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００１１】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（２−２）補正事項ｃについて
　補正前の請求項５における「Ａ１−ｘＴａｘＯｙ（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０、
ＡはIII族金属の１種以上
ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上
　そして、「ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００１１】段落の記載に基づく補正である。
　
（２−３）したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）に規定する要件を満たすとともに、同法同条同項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成１８年１１月２４日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記（１）（補正事項ａ）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）原審における拒絶の理由の概要
　原審における拒絶の理由は、平成１８年６月１３日付けの拒絶理由通知書に記載されたとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないというものである。
　
「Ａ．この出願の特許請求の範囲の請求項１の記載は、シリコン単結晶基板上に直接、又は任意の他の膜を介して形成されたゲート絶縁膜を有し、他の構成は任意である半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は、Ａ１−ｘＢｘＯｙ（ｘは０．０１〜０．３の範囲に含まれる任意の値、ｙは１．５〜３．０の範囲に含まれる任意の値、Ａは任意のIII族金属、Ｂは任意のＶ族金属、及び任意のVI族金属の１種以上）の組成を有することを意味するものである。
　しかしながら、この出願の明細書の発明の詳細な説明には、シリコン単結晶基板上に形成された素子分離絶縁膜、及びゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記素子分離絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との間の前記シリコン単結晶基板の表面に、前記ゲート絶縁膜を挟んで両側に形成されたソース及びドレイン領域とを有する半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成された、Ａｌ１−ｘＴａｘＯｙ（ｘ＝０．０１〜０．３、ｙ＝１．５〜３．０）の組成を有する層とからなる半導体装置、及びその製造方法が記載されているだけであり、この出願の明細書の発明の詳細な説明には、この出願の特許請求の範囲の請求項１の記載が意味する前記の事項について記載されているということはできない。
　したがって、この出願の請求項１、及びその従属項に係る発明は、この出願の明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるということはできない。・・・」
　
（３−４）特許法第３６条第６項第１号に規定する要件について
（３−４−１）そこで、本願特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしているか否かについて以下に検討する。
　まず、請求項１の記載に基づいて分析すると、補正後の発明は以下のとおりである。
（構成ａ）「シリコン単結晶基板上に形成された素子分離絶縁膜、及びゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記素子分離絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との間の前記シリコン単結晶基板の表面に、前記ゲート絶縁膜を挟んで両側に形成されたソース及びドレイン領域とを有する半導体装置」に関する発明である。
（構成ｂ）「前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層」を有するものである。
（構成ｃ）「前記ゲート絶縁層は、」「該酸化シリコン層上に形成された、Ａ１−ｘＴａｘＯｙ（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０、ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上）の組成を有する層」を有するものである。
　
（３−４−２）ここにおいて、補正後の発明の「Ａ１−ｘＴａｘＯｙ」について整理すると、以下の４種類の場合が、補正後の発明の技術範囲に含まれるものであることが明らかである。
ア　「Ａｌ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）
イ　「Ｓｃ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）
ウ　「Ｙ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）
エ　「Ｌｎ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）
　ここで、「Ｌｎ」は、「ランタノイド元素」を意味するものであることは、平成１８年１１月２４日付けの手続補正により補正された明細書（以下「本願明細書」という。）の【０００４】段落の記載から明らかである。
　
（３−４−３）一方、本願明細書の発明の詳細な説明には、図１ないし５とともに、以下のように記載されている。
　
「　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、新規な半導体装置とその製造方法に係わり、特にゲート絶縁膜を有するＭＩＳ型トランジスタ素子とその製造方法に関する。」
「　　　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、ゲート絶縁膜にＡｌ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３（Ｌｎ：ランタノイド元素）を用いた場合に、膜中やＳｉ界面での欠陥等に起因する負の固定電荷が発生して、フラットバンド電圧がシフトするといったことが問題となっている。フラットバンド電圧のシフトは、ＭＩＳ型トランジスタの閾値をシフトさせてしまう。
　　　【０００５】
　また、Ａｌ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３を用いたゲート絶縁膜において、吸湿反応によって、膜中に固定電荷が発生し、同様にフラットバンド電圧がシフトすることが問題となっている。さらに、更なる微細化の要求を満足させるには、さらに高誘電率化したゲート絶縁膜が必要となってくる。
　　　【０００６】
　本発明の目的は、ゲート絶縁膜にＡｌ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３を用いた場合の膜中に発生する負の固定電荷を補償して、フラットバンド電圧のシフトを抑えた半導体装置とその製造法を提供することにある。」
「　　　【００１８】
　　【発明の実施の形態】
　（実施例１）
　図１は、本発明に係るＭＩＳトランジスタの製造方法を示す断面図である。図１（a）のＳｉ単結晶基板１０１はｐ−ｔｙｐｅで、（１００）面方位、抵抗率１０〜１５Ω・ｃｍの基板である。図１（ｂの）素子分離領域１０２は１０１Ｓｉ単結晶基板に深さ約０．４μｍの溝を形成した後にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＯ２膜を全面成膜し、次にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）で平坦化させて作製した。
　　　【００１９】
　次に図１（ｃ）のＣＶＤ法によりゲート絶縁膜１０３となるＡｌ−Ｔａ−Ｏ膜を作製した。Ａｌ原料にはＡｌ（ＣＨ３）３を用いた。また、Ｔａ原料にはＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５原料を用いた。各原料は、アルゴンキャリアガスによるバブリング法で基板に供給した。アルゴンキャリアガスは５０ｓｃｃｍで搬送した。原料を分解するためのＯ２ガスも５０ｓｃｃｍで基板に供給した。反応容器の圧力を０．１ｔｏｒｒとし、基板温度を５００℃とした。成膜時間を１〜５分として、膜厚４〜２０ｎｍの複合酸化物層を得た。
　　　【００２０】
　ＩＣＰＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）分析によって、ＡｌとＴａの元素を調べたところ、各々は元素比で、８５％：１５％であった。次に、図１（ｄ）のゲート電極１０４となる多結晶Ｓｉ膜を３００ｎｍ成膜し、更に図１（e）のゲート電極１０４を得た。
　　　【００２１】
　その後、ｎチャンネル領域にはリンを、ｐチャンネル領域にはボロンをそれぞれ注入し、８００℃、１０〜３０ｍｉｎの窒素雰囲気中熱処理して活性化した。図２（ｆ）に示すように、ゲート電極１０４は多結晶Ｓｉ膜を通常のホトリソグラフィー法を用いてパターニングし、セルフアラインにてＲＩＥによりエッチングして形成し、同様に１０３ゲート絶縁膜を加工した。次に１０４ゲート電極をマスクして１０５ソース/ドレイン領域に周期率表の第５族の原子（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）或いは第３族の原子（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）のイオン注入を行い、８００℃、３０ｓｅｃのＡｒ中熱処理を施す事により低抵抗の拡散領域を形成した。次に、図２（ｇ）のＣＶＤ法によりＳｉＯ２保護膜１０６を形成した。さらに図２（ｈ）のソース/ドレイン１０５上にスルーホールを作製した後、ＣＶＤ法によりＷ−プラグ電極１０７を作製した。最後に図２（ｈ）のＡｌ配線１０８をＷ−プラグ１０７上に作製してＭＩＳ型トランジスタ素子を作製した。
　　　【００２２】
　図３は、片方のＡｌ配線１０８をアースにして、ゲート電極１０４に−２〜２Ｖ変化させた場合のＣ−Ｖ特性よりＥＯＴ（ＳｉＯ２換算膜厚）を算出した結果を示す線図である。４〜２０ｎｍ膜厚間で最小２乗法から求めた勾配は誘電率を意味し、約１５であった。また物理膜厚がゼロの場合にＥＯＴが約０．４ｎｍであり、ゲート絶縁膜１０３とＳｉ単結晶基板１０１界面に低誘電率なＳｉＯ２層の形成を薄く抑えることができた。また、Ｃ−Ｖ特性において、フラットバンド電圧のシフトは０．０２Ｖであった。
　　　【００２３】
　比較例として、Ａｌ原料にはＡｌ（ＣＨ３）３のみを基板に供給し、Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２）比は同じ条件で、Ａｌ２Ｏ３膜を形成した。基板温度等の条件についても、同じ条件に固定した。成膜時間を１〜５分として、膜厚３〜１５ｎｍを得た。同様のＣ−Ｖ測定からＥＯＴを算出した結果を図３に併記した。Ａｌ２Ｏ３膜の誘電率は約９であった。また、３ｎｍの膜のＣ−Ｖ特性において、フラットバンド電圧は、０．３５Ｖのシフトが認められた。
　　　【００２４】
　このように、Ａｌ２Ｏ３にＴａ２Ｏ５を固溶することによって、比誘電率を９から１５まで向上することが分かった。さらに、Ｔａ２Ｏ５を固溶することによって、フラットバンド電圧のシフトが認められなくなったことから、Ａｌ２Ｏ３膜中に発生する負の固定電荷を補償出来ることも分かった。
　　　【００２５】
　更に、フラットバンド電圧のシフトを抑え、更なる微細化の要求を満足させる高誘電率のゲート絶縁膜が得られること、ゲート長を０．１μｍ以下とするＭＩＳトランジスタが得られることも分かった。
　　　【００２６】
　本実施例では、Ａｌ原料としてＡｌ（ＣＨ３）３、Ｔａ原料としてＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５を用いたが、他の原料を用いても良い。また、原料の供給法としてバブリング法を用いたが、液体原料を直接気化させる方法を用いてよい。
　　　【００２７】
　ゲート電極として多結晶Ｓｉを用いているが、誘電体材料と反応しない金属、例えばＷ，Ｍｏ，ＴｉＮ，ＴｉＳｉ２等を用いてもよい。さらに、多結晶Ｓｉにリンをドープしてもよい。Ａｌ配線を説明したが、低抵抗な金属材料ならよく、例えばＣｕ材料を用いてもよい。
　　　【００２８】
　本実施例より、Ａｌ２Ｏ３にＶ族のＴａ２Ｏ５を固溶させることにより、Ａｌ２Ｏ３膜中に発生する負の固定電荷を補償できること、及び比誘電率を向上することを確認出来た。
　　　【００２９】
　　（実施例２）
　Ｔａの元素比を０〜５０％に変化させたＡｌ−Ｔａ−Ｏ膜を実施例１と同様の方法で作製した。Ｔａの元素比は、ＣＶＤ原料の流量比によって調整した。得られたサンプルにＡｕ上部電極を真空蒸着法で形成し、Ａｕ／Ａｌ−Ｔａ−Ｏ／Ｓｉキャパシタの高周波容量―電圧（Ｃ−Ｖ）測定により、比誘電率を求めた。また、ＴＥＭ分析により、Ｓｉ界面のＳｉＯ２膜厚を測定した。また、得られた膜中の元素比は、ＩＣＰＳ分析により求めた。
　　　【００３０】
　図４は、膜中の元素比に対する比誘電率及びＳｉ界面のＳｉＯ２膜厚の依存性を示す線図である。Ｔａ元素の固溶割合を多くするに従い、比誘電率が向上した。しかし、Ｓｉ界面に形成するＳｉＯ２の膜厚が増加した。特に、Ｔａの固溶量が３０％以上では、ＳｉＯ２の膜厚は急激に増加する傾向を示し、その厚さが１ｎｍ程度までになり、形成したゲート絶縁膜のＳｉ界面上での熱的安定性が悪くなった。
　　　【００３１】
　図５は、Ｔａの固溶量に対するフラットバンド電圧のシフト値（ΔＶＦＢ）を示す線図である。Ｔａの固溶量が増加するに従い、ΔＶＦＢはゼロに漸近した。ゆえに、Ｔａの固溶量によりＡｌ２Ｏ３膜中に発生する負の固定電荷を補償できた。
　　　【００３２】
　以上の実施例により、Ａｌ２Ｏ３に対するＴａの固溶量を元素比で０．３未満にすることで、Ａｌ２Ｏ３の熱的安定性を保ちながら、膜中に発生する負の固定電荷の補償、及び比誘電率の向上が可能であると共に、ゲート長を０．１μｍ以下とするＭＩＳトランジスタが得られることが確認された。
　　　【００３３】
　また、Ａｌ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３（Ｌｎ：希土類元素）を用いたゲート絶縁膜において、吸湿による固定電荷の発生を抑制ことが確認された。
　　　【００３４】
　　【発明の効果】
　以上のように、本発明によれば、シリコン単結晶基板を母材としたＭＩＳ型トランジスタ素子において、ゲート絶縁膜として、特定のＡ１−ｘＴａｘＯｙの組成（ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上）とすることにより、膜中に発生する負の固定電荷を補償でき、高誘電率化が実現できると共に、ゲート長を０．１μｍ以下とするＭＩＳトランジスタを提供することができた。」
　
（３−４−４）以上より、発明の詳細な説明に記載されているのは、
　「『ゲート絶縁膜にＡｌ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３（Ｌｎ：ランタノイド元素）を用いた場合に、膜中やＳｉ界面での欠陥等に起因する負の固定電荷が発生して、フラットバンド電圧』、『ＭＩＳ型トランジスタの閾値』が『シフト』し、『また、』『吸湿反応によって、膜中に固定電荷が発生し、同様にフラットバンド電圧がシフト』する」という課題および「さらに高誘電率化したゲート絶縁膜が必要となってくる」という課題を解決するために、「ゲート絶縁膜にＡｌ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３を用いた場合の膜中に発生する負の固定電荷を補償して、フラットバンド電圧のシフトを抑えた半導体装置とその製造法を提供する」ことを目的とし、「『ゲート絶縁膜」となる『Ａｌ−Ｔａ−Ｏに対するＴａの固溶量を元素比で０．３未満にする』」という構成を有し、「シリコン単結晶基板を母材としたＭＩＳ型トランジスタ素子において、ゲート絶縁膜として、特定のＡ１−ｘＴａｘＯｙの組成（ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上）とすることにより、膜中に発生する負の固定電荷を補償でき、高誘電率化が実現できる」という効果を奏する「ゲート絶縁膜を有するＭＩＳ型トランジスタ素子とその製造方法」に関する発明であり、その実施の形態として発明の詳細な説明に記載されているものも、全て「『ゲート絶縁膜」となる『Ａｌ−Ｔａ−Ｏに対するＴａの固溶量を元素比で０．３未満にする』」構成を有している。
　したがって、上記（３−４−２）において例示した、補正後の発明の技術的範囲に含まれる、「Ａｌ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）からなる「ゲート絶縁膜」が、発明の詳細な説明に記載されたものであることは、明らかであるものの、「Ｓｃ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）、「Ｙ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）及び「Ｌｎ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）からなる「ゲート絶縁膜」は、特に、その構成、実施の形態からみて、発明の詳細な説明の記載と対応しないものであるから、そのような「ゲート絶縁膜」は発明の詳細な説明に記載されておらず、かつ、発明の詳細な説明の記載から自明なものでもないことは明らかである。
　したがって、補正後の発明は、発明の詳細な説明に記載されていない事項を技術的範囲に含むものであるから、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　
（３−４−５）なお、これに関連して、請求人は、平成１８年１１月２４日付け補正された審判請求書の「【本願が特許されるべき理由】」における「Ｄ．　拒絶理由通知に理由３として記載した事項について」において、「・・・本願明細書に記載された具体的な実施例はより多くあることが好ましいものであることは当然ですが、本願請求項に記載の発明についてその技術的思想を裏付けるに足りる十分な記載があれば良いものであると思量致します。　即ち、本願発明のゲート絶縁膜として、Ａ１−ｘＴａｘＯＹの組成（ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上）とする特定の４種の金属酸化物のうちの少なくともその一つを示すことは最低限必要なものであるが、その実施例に記載の発明のみに本願発明が存在するのではなく、その技術的思想の創作が発明にあるものと思量する。・・・本願実施例として段落〔００３３〕に『また、Ａｌ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３（Ｌｎ：希土類元素）を用いたゲート絶縁膜において、吸湿による固定電荷の発生を抑制できることが確認された。』の記載がありますように、Ａｌ２Ｏ３以外のＬｎ２Ｏ３についてもゲート絶縁膜としての実施例が示されていることが明らかです。・・・・特許法第３６条・・・第６項第１号・・・に規定する要件を満たすものであると思量する。」と主張しているので、これについて検討する。
　確かに、本願明細書の【００３３】段落には、「また、Ａｌ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３（Ｌｎ：希土類元素）を用いたゲート絶縁膜において、吸湿による固定電荷の発生を抑制ことが確認された。」と記載されており、また、【００１１】段落には、「本発明のゲート絶縁膜を構成するIII族金属として、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎ（Ｌｎ：希土類元素）の１種以上が好ましく、より好ましくは１種であることにある。III族元素酸化物の中でも、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３及びＬｎ２Ｏ３は、Ｓｉ基板上で熱力学的に非常に安定である。よって、低誘電率なＳｉＯ２の成長を抑制でき、Ｓｉと急峻な界面を形成することが可能である。」と記載されている。
　しかしながら、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎが同じIII族金属であるとしても、その物理的性質はそれぞれ異なるものであり、「Ａｌ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）において、「膜中に発生する負の固定電荷を補償でき、高誘電率化が実現できる」という効果があるとしても、「Ｓｃ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）、「Ｙ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）及び「Ｌｎ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）について、実施例に、組成、比誘電率、フラット電圧のシフト値などの具体的な数値データが示されない以上、上記【００３３】段落、【００１１】段落の記載のみをもって、「Ｓｃ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）、「Ｙ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）及び「Ｌｎ１−ｘＴａｘＯｙ」（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０）の場合についても同じような効果を有するものと認めることはできない。
（３−４−６）以上検討したとおり、補正後の発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、本願の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（３−４−７）なお、この点について付言すれば、請求人は、当審においてなされた審尋に対する回答書において、
「Ａ.　本願審判請求人は、本願発明について、本願明細書に記載のＡｌ-Ｔａ-Ｏ膜以外のＡｌの他の元素のＹ及びＬａについて本願明細書の実施例１と同様にそれぞれについて実施しました。従って、本願発明はゲート絶縁膜としてＡｌ以外のＹ及びＬａについても同様にそれらの酸化物を形成できることが明らかであり、Ａｌ以外のＹ及びＬａについても同様に実施できるものですので、審査官殿が提案される請求項に限定されるものでなく、本願発明の請求項１〜５に記載の通りのものであることが明らかです。 
 　尚、Ｌｎ（ランタノイド）には、Ｌａの他にＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ等の１４種の金属があるものですが、これらのＬａ以外の金属−Ｔａ−Ｏ膜の例について現在その実施を行う予定がありませんので、後述する補正案（ａ）及び（ｂ）のように提案するものです。 
 １.　Ａｌ以外の実施例について 
 （１）Ｙ及びＬａの実施例について 
 （実施例３） 
 　実施例１と同様に、ｐ−ｔｙｐｅで、（１００）面方位、抵抗率１０〜１５Ω・ｃｍのＳｉ単結晶基板を用い、図１（ｂ）に示す素子分離領域１０２として深さ約０．４μｍの溝を形成した後に、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を全面成膜し、次にＣＭＰで平坦化させた。 
 　次に、ＣＶＤ法により図１（ｃ）に示すゲート絶縁膜１０３となるＹ−Ｔａ−Ｏ膜を作製した。Ｙ原料にはＹ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３を用いた。また、Ｔａ原料にはＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５原料を用いた。各原料は、５０ｓｃｃｍでアルゴンキャリアガスによるバブリング法で基板に供給し、原料を分解するためのＯ２ガスも５０ｓｃｃｍで基板に供給した。反応容器の圧力を０．１ｔｏｒｒ、基板温度を５００℃、成膜時間を１〜５分として、膜厚４〜２０ｎｍの複合酸化物層を得た。ＩＣＰＳ分析によって、ＹとＴａの元素を調べたところ、各々は元素比で、８５％：１５％であった。 
 　次に、図１（ｄ）に示すゲート電極１０４となる多結晶Ｓｉ膜を３００ｎｍ成膜し、更に図１（e）に示すゲート電極１０４を得、その後、ｎチャンネル領域にはリンを、ｐチャンネル領域にはボロンをそれぞれ注入し、８００℃、１０〜３０ｍｉｎの窒素雰囲気中熱処理して活性化した。図２（ｆ）に示すように、ゲート電極１０４は多結晶Ｓｉ膜を通常のホトリソグラフィー法を用いてパターニングし、セルフアラインにてＲＩＥによりエッチングして形成し、同様にゲート絶縁膜１０３を加工した。次に、ゲート電極１０４をマスクして１０５ソース/ドレイン領域に周期率表の第５族の原子（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）或いは第３族の原子（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）のイオン注入を行い、８００℃、３０ｓｅｃのＡｒ中熱処理を施すことにより低抵抗の拡散領域を形成した。 
 　次に、ＣＶＤ法により図２（ｇ）に示すＳｉＯ２保護膜１０６、図２（ｈ）に示すソース/ドレイン１０５上にスルーホール、ＣＶＤ法によりＷ−プラグ電極１０７、最後に図２（ｈ）に示すＡｌ配線１０８をＷ−プラグ１０７上に作製してＭＩＳ型トランジスタ素子を作製した。 
 　実施例１と同様に、Ｃ−Ｖ特性よりＥＯＴ（ＳｉＯ２換算膜厚）を算出した結果、４〜２０ｎｍ膜厚間で最小２乗法から求めた誘電率が約２０及び物理膜厚がゼロの場合にＥＯＴが約０．８ｎｍであり、ゲート絶縁膜１０３とＳｉ単結晶基板１０１界面に低誘電率なＳｉＯ２層の形成を薄く抑えることができた。 
 　このように、Ｙ２Ｏ３にＴａ２Ｏ５を固溶することによって、比誘電率を２０まで向上すること、フラットバンド電圧のシフトが認められなくなったことから、Ｙ２Ｏ３膜中に発生する負の固定電荷を補償出来ることも分かった。更に、フラットバンド電圧のシフトを抑え、更なる微細化の要求を満足させる高誘電率のゲート絶縁膜が得られること、ゲート長を０．１μｍ以下とするＭＩＳトランジスタが得られることも分かった。 
 　本実施例より、Ｙ２Ｏ３にＴａ元素を固溶させることにより、Ｙ２Ｏ３膜中に発生する負の固定電荷を補償できること、比誘電率を向上させることができることを確認出来た。 
 （実施例４） 
 　実施例１と同様に、ｐ−ｔｙｐｅで、（１００）面方位、抵抗率１０〜１５Ω・ｃｍのＳｉ単結晶基板を用い、図１（ｂ）に示す素子分離領域１０２を深さ約０．４μｍの溝を形成した後に、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ２膜を全面成膜し、次にＣＭＰで平坦化させた。
 　次に、ＣＶＤ法により図１（ｃ）に示すゲート絶縁膜１０３となるＬａ−Ｔａ−Ｏ膜を作製した。Ｌａ原料にはＬａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３、Ｔａ原料にはＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５原料を用い、各原料は、５０ｓｃｃｍでアルゴンキャリアガスによるバブリング法で基板に供給し、原料を分解するためのＯ２ガスも５０ｓｃｃｍで基板に供給した。反応容器の圧力を０．１ｔｏｒｒとし、基板温度を５００℃、成膜時間を１〜５分として、膜厚４〜２０ｎｍの複合酸化物層を得た。ＩＣＰＳ分析によって、ＬａとＴａの元素を調べたところ、各々は元素比で、９０％：１０％であった。 
 　次に、図１（ｄ）に示すゲート電極１０４となる多結晶Ｓｉ膜を３００ｎｍ成膜し、更に図１（e）に示すゲート電極１０４、その後、ｎチャンネル領域にはリンを、ｐチャンネル領域にはボロンをそれぞれ注入し、８００℃、１０〜３０ｍｉｎの窒素雰囲気中熱処理して活性化した。図２（ｆ）に示すように、ゲート電極１０４は多結晶Ｓｉ膜を通常のホトリソグラフィー法を用いてパターニングし、セルフアラインにてＲＩＥによりエッチングして形成し、同様にゲート絶縁膜１０３を加工した。次にゲート電極１０４をマスクして１０５ソース/ドレイン領域に周期率表の第５族の原子（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）或いは第３族の原子（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）のイオン注入を行い、８００℃、３０ＳｅｃのＡｒ中熱処理を施す事により低抵抗の拡散領域を形成した。 
 　次に、ＣＶＤ法により図２（ｇ）に示すＳｉＯ２保護膜１０６、図２（ｈ）に示すソース/ドレイン１０５上にスルーホールを作製した後、ＣＶＤ法によりＷ−プラグ電極１０７、最後に図２(h)に示すＡｌ配線１０８をＷ−プラグ１０７上に作製してＭＩＳ型トランジスタ素子を作製した。 
 　実施例１と同様に、Ｃ−Ｖ特性よりＥＯＴ（ＳｉＯ２換算膜厚）を算出した結果、４〜２０ｎｍ膜厚間で最小２乗法から求めた誘電率が約２２、物理膜厚がゼロの場合にＥＯＴが約０．５ｎｍであり、ゲート絶縁膜１０３とＳｉ単結晶基板１０１界面に低誘電率なＳｉＯ２層の形成を薄く抑えることができ、Ｃ−Ｖ特性において、フラットバンド電圧のシフトは０．０２Ｖであった。 
 　このように、Ｌａ２Ｏ３にＴａ２Ｏ５を固溶することによって、比誘電率を２２まで向上すること、フラットバンド電圧のシフトが認められなくなったことからＬａ２Ｏ３膜中に発生する負の固定電荷を補償出来ること、更に、フラットバンド電圧のシフトを抑え、更なる微細化の要求を満足させる高誘電率のゲート絶縁膜が得られること、ゲート長を０．１μｍ以下とするＭＩＳトランジスタが得られることも分かった。 
 　本実施例より、Ｌａ２Ｏ３にＴａ元素を固溶させることにより、Ｌａ２Ｏ３膜中に発生する負の固定電荷を補償でき、比誘電率を向上することを確認出来た。 
 （２）上述の実施例以外に実施例５として、Ｓｃ−Ｔａ−Ｏ膜の例について現在その実施の準備を行っているものですが、その膜形成のための原料の調達に時間が掛かり、その実施が出来ない状態にあるものです。しかし、その原料の調達ができればすぐに実施できるものです。 
 （３）Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬａの２種又は３種とＴａとの組み合わせの実施例について 
 　Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬａの２種又は３種とＴａとの組み合わせとして、実施例としての記載がないものですが、実施例１、３及び４に記載のＡｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ及びＴａのそれらの原料を用いることによって当業者において容易に実施できるものであると思量致します。」と主張している。
　
　しかしながら、回答書に記載されたような「Ｙ−Ｔａ−Ｏ膜」及び「Ｌａ−Ｔａ−Ｏ膜」に関する実施例は、本願出願の前にすでになされていたものかどうかが明らかでなく、仮に出願の前になされていたものであるとしても、本願明細書に具体的な記載がなされていない以上、「Ｙ−Ｔａ−Ｏ膜」及び「Ｌａ−Ｔａ−Ｏ膜」からなる「ゲート絶縁膜」は発明の詳細な説明に記載されているとはいえない。
　なお、「Ｓｃ−Ｔａ−Ｏ膜」からなる「ゲート絶縁膜」については、上記回答書において「その実施が出来ない状態にあるものです。」と記載されていることから、発明の詳細な説明に記載されているとはいえないことは明らかである。
　
（３−４−８）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、本願の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、本願の請求項１の記載が、特許法第３６条第６項第１号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１８年１１月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１８年８月１５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　シリコン単結晶基板上に形成された素子分離絶縁膜、及びゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記素子分離絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との間の前記シリコン単結晶基板の表面に、前記ゲート絶縁膜を挟んで両側に形成されたソース及びドレイン領域とを有する半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成された、Ａ１−ｘＴａｘＯｙ（ｘ＝０．０１〜０．３未満、ｙ＝１．５〜３．０、ＡはIII族金属の１種以上）の組成を有する層とからなることを特徴とする半導体装置。」
　
４．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、「ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ及びＬｎの１種以上」と限定する補正後の発明が、発明の詳細な説明に記載されたものではない以上、「ＡはIII族金属の１種以上」と発明の技術範囲をより広く限定する本願発明も、当然に発明の詳細な説明に記載されたものではないと認められ、本願の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。