【事件の表示】
　平成　７年特許願第　９５２３１号「高性能薄膜構造用ヒロック・フリー多層メタル線」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１１月１４日出願公開、特開平　７−３０２７９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成７年４月２０日（パリ条約による優先権主張１９９４年４月２８日、米国）の出願であって、平成１７年５月２４日付拒絶理由通知に対し、同年８月３０日付で意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１７年５月２４日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、平成１９年１月１６日付で拒絶査定がなされ、これを不服として、同年４月２０日に審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正書が提出され、同年９月１１日付で前置報告がなされ、当審において平成２０年５月９日付で拒絶理由通知がなされ、同年１１月１２日付で意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　　
［２］本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成２０年１１月１２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　　
「【請求項１】製造工程によって組み立てられる薄膜構造であって、
　基板と、ベースメタル及びバリアメタルの複数の交互層とを備え、
　前記複数の層は、前記基板上に支持され、前記ベースメタルの各層は、アルミニウムで構成され、ヒロック・フリーでありかつ８００Å（オングストローム）以下の厚みを有し、
　前記バリアメタルの層は、前記ベースメタルのあらゆる二つの層の間に挿入され、前記バリアメタルは、高融点メタル合金を備えている、
　ことを特徴とする薄膜構造。」
　　
［３］引用刊行物とその記載事項 
　これに対して、当審において平成２０年５月９日付で通知した拒絶の理由に引用した、本願優先権主張日前に頒布された下記の刊行物（以下、「引用刊行物１」〜「引用刊行物４」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　　
引用刊行物１：特開昭６３−１５５７４３号公報
　　　　　　　　　　　　（上記の拒絶の理由に引用した刊行物１）
引用刊行物２：特開昭６３−２９５４８号公報（同じく、刊行物３）
引用刊行物３：特開平３−２２２３３３号公報（同じく、刊行物４）
引用刊行物４：特開昭６４−４５１６３号公報（同じく、刊行物５）
　　
（１）引用刊行物１：特開昭６３−１５５７４３号公報
（１ａ）「１．集積回路の配線膜が、アルミニウム層と１〜２０ｎｍ厚の他の金属層とを交互に積層形成した多層膜である・・・半導体装置。
 ・・・・・
 ３．前記他の金属層がＣｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｐｔ，ＡｕおよびＡｇの少なくとも一種からなる・・・特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。」（特許請求の範囲第１項、第３項）、
（１ｂ）「〔概要〕集積回路のアルミニウム配線のエレクトロマイグレーションおよびストレスマイグレーションを防止するために、配線をアルミニウム層と１〜２０ｎｍ厚の他の金属層との交互積層膜にしたものである。」（第１頁左下欄１９行〜右下欄４行）、
（１ｃ）「〔作用〕・・・アルミニウム層を少なくとも５層形成し、これらアルミニウム層の間に他の金属層を少なくとも４層形成することになる。他の金属層はＣｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｐｔ，ＡｕおよびＡｇの少なくとも一種からなり、・・・（１）粒径（グレインサイズ）を非常に小さくおさえて移動による影響を少なくし、そして（２）移動性の低い「他の金属」によってアルミ原子の移動そのものをブロックする」（第２頁右上欄６行〜左下欄１９行）、
（１ｄ）〔実施例〕として、「この場合の配線膜１はアルミニウム層２Ａ〜２Ｅと金属（チタン）層３Ａ〜３Ｄとを積層したものであって、通常、半導体基板（シリコン基板）４上絶縁膜（・・・）５の上に形成されている。」（第２頁右下欄５〜９行）、
（１ｅ）「アルミニウム層から半導体ウェハ上へスパッタリングで形成するとして、厚さ５〜４０ｎｍのアルミニウム層と厚さ１〜６ｎｍの金属（チタン）層とを繰り返し積層することによって合計厚さが１０００±５０ｎｍの配線膜を形成した。」（第３頁右上欄４〜８行）が記載されている。
　　
（２）引用刊行物２：特開昭６３−２９５４８号公報
（２ａ）「１）白金シリサイド層（２）および合金添加物を含むかあるいは含まないアルミニウム層又はアルミニウム・シリコン層（４，６）によって互に分離された複数のチタン層、チタン・タングステン層又は窒化チタン層（３，５，７）で構成されたサンドイッチ層列であることを特徴とする合金添加物を含むか含まないアルミニウム・シリコンを使用する集積回路用の金属化部。」（特許請求の範囲第１項）、
（２ｂ）〔従来の技術〕として、「Ａｌ−Ｓｉ系特にアルミニウムは予想される温度サイクルに際して高いヒルロックが形成され易い。」（第２頁左上欄１４〜１６行）、
（２ｃ）〔発明の効果〕として、「この発明による金属化部の利点としては、・・・ヒルロック形成の減少と導電路欠陥の発生傾向の低減が挙げられる。」（第２頁右下欄１７行〜第３頁左上欄２行）が記載されている。
　　
（３）引用刊行物３：特開平３−２２２３３３号公報
（３ａ）「（１）半導体基板上に絶縁膜を形成した後に、該絶縁膜上に第１の導電膜と該第１の導電膜と材質の異なる第２の導電膜とを交互に積み重ねて成る多層膜を形成する第１の工程と、・・・所定の領域にのみ前記多層膜を残し、かつ前記多層膜の全側面を露出させる第２の工程と、前記工程で露出した前記多層膜の全側面を・・・エッチングし、前記第１の導電膜の側面を前記第２の導電膜よりも内側に後退させる第３の工程とを含む・・・半導体装置の製造方法。
（２）前記第１の導電膜は、アルミニウム又はアルミニウム合金より成り、前記第２の導電膜は、ＴｉＮ，ＴｉＷ又はＭｏより成る・・・請求項第１項記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲第１項、第２項）、
（３ｂ）「一般の配線では半導体基板に対する配線膜の一様性、再現性を考慮して主としてアルミニウム、アルミニウム合金（Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）が用いられている。あるいは、エレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーション耐性を考慮して、アルミニウム合金とバリアメタル材から成る積層膜（ＴｉＷ／Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ／ＴｉＷ，Ａｌ−Ｓｉ／ＴｉＮ等）が用いられている。このＡｌ又はＡｌ合金は、配線形成後の約４００℃以上の熱処理によってヒロック（Ａｌの結晶化に伴なうＡｌの突起物）が発生する。・・・この点に関して従来技術では、・・・前述のバリア材料（ＴｉＷ，ＴｉＮ等）を配線膜の上層部に設ける方法・・・がある。・・・上記の従来技術・・・の方法は、・・・配線膜の上面に発生するヒロック（縦方向ヒロックという。）に対してはそれを抑制する効果はあるが、・・・本発明は、・・・配線形成後の熱処理温度の自由度を小さくすることなく、横方向ヒロックによる配線間の電気的ショート又はリーク電流を防止した」（第２頁左上欄３行〜右上欄１９行）が記載されている。
　　
（４）引用刊行物４：特開昭６４−４５１６３号公報
（４ａ）「Ａｌ又はＡｌ−Ｓｉの一層からなる配線では、・・・Ａｌがストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションにより断線を生ずるというような信頼性の問題がある。・・・電流密度が大きくなるとＡｌ原子のマイグレーションが生じ、Ａｌ原子の過不足が発生する。不足する所ではボイドが生じ、ボイドが成長して断線を引きおこす。過剰部分ではヒロックが成長して短絡故障に至るようになる。また、このような膜の不均一性が現れるとストレスがかゝり、いわゆるストレスマイグレーションをおこして同様の故障原因となることが一般的に考えられている。」（第２頁左下欄１５行〜右下欄１３行）が記載されている。
　　
［４］当審の判断
（１）引用刊行物１に記載された発明
（ア）引用刊行物１には、摘記（１ａ）の特許請求の範囲第１項、第３項に記載されるとおりに積層形成した多層膜の配線膜の構造を有する半導体装置が記載されており、その配線膜の構造が記載されているといえる。
（イ）摘記（１ｄ）（１ｅ）によれば、上記配線膜の構造は、厚さ５〜４０ｎｍのアルミニウム層と厚さ１〜６ｎｍの他の金属層とを交互に繰り返し積層することによって合計厚さが１０００±５０ｎｍの配線膜とした実施例の態様を包含しているといえる。
　　
　上記（ア）（イ）の事項を考慮し、摘記（１ａ）〜（１ｅ）を整理すると、引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　　
「半導体基板上に形成される、厚さ５〜４０ｎｍのアルミニウム層と、１〜２０ｎｍ厚のＣｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｐｔ，ＡｕおよびＡｇの少なくとも一種からなる他の金属層とを交互に繰り返し積層形成した多層膜であり、移動性の低い該他の金属層によってアルミ原子の移動そのものをブロックすることにより、アルミニウム層のエレクトロマイグレーションおよびストレスマイグレーションを防止し得る配線膜の構造。」
　　
（２）対比・判断
　引用発明１と本願発明１とを対比すると、
（ウ）引用発明１における「１〜２０ｎｍ厚のＣｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｐｔ，ＡｕおよびＡｇの少なくとも一種からなる他の金属層」は、「移動性の低い該他の金属層によってアルミ原子の移動そのものをブロックする」作用を有するので、アルミニウムで構成される層をブロックする「バリアメタルの層」に該当する。
（エ）引用発明１における「厚さ５〜４０ｎｍのアルミニウム層」は、アルミニウムで構成され、８００Å以下の厚みであり、上記「他の金属層」と交互に繰り返し積層されるので、本願発明１における「アルミニウムで構成され、８００Å（オングストローム）以下の厚みを有」する「ベースメタルの各層」に相当する。
（オ）引用発明１における「半導体基板上に形成される、厚さ５〜４０ｎｍのアルミニウム層と、１〜２０ｎｍ厚の・・・他の金属層とを交互に繰り返し積層形成した多層膜であ・・・る配線膜の構造」は、本願発明１における「製造工程によって組み立てられる薄膜構造であって、基板と、ベースメタル及びバリアメタルの複数の交互層とを備え、前記複数の層は、前記基板上に支持され、・・・前記バリアメタルの層は、前記ベースメタルのあらゆる二つの層の間に挿入され・・・る薄膜構造」に相当する。
　そうすると、両発明は、
「製造工程によって組み立てられる薄膜構造であって、基板と、ベースメタル及びバリアメタルの複数の交互層とを備え、前記複数の層は、前記基板上に支持され、前記ベースメタルの各層は、アルミニウムで構成され、８００Å（オングストローム）以下の厚みを有し、前記バリアメタルの層は、前記ベースメタルのあらゆる二つの層の間に挿入されている、薄膜構造。」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
相違点１：本願発明１では、ベースメタルの各層がヒロック・フリーであるのに対し、引用発明１では、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｐｔ，ＡｕおよびＡｇの少なくとも一種からなる移動性の低い他の金属層によってアルミ原子の移動をブロックすることにより、アルミニウム層のマイグレーションを防止し得るものの、同アルミニウム層をヒロック・フリーとしていない点。
　　
相違点２：本願発明１では、バリアメタルが高融点メタル合金を備えているのに対し、引用発明１では、それが明らかでない点。
　　
（３）相違点の検討
　そこで、まず、相違点１について検討する。
　引用刊行物４に、「Ａｌ又はＡｌ−Ｓｉの一層からなる配線では、・・・・Ａｌがストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションにより断線を生ずる・・・電流密度が大きくなるとＡｌ原子のマイグレーションが生じ、Ａｌ原子の過不足が発生する。不足する所ではボイドが生じ、ボイドが成長して断線を引きおこす。過剰部分ではヒロックが成長して短絡故障に至るようになる。また、このような膜の不均一性が現れるとストレスがかゝり、いわゆるストレスマイグレーションをおこして同様の故障原因となる」（摘記（４ａ）参照）と記載されている他、下記周知例１、２にもそれぞれ以下のように記載されるように、アルミニウム層のマイグレーションにより、Ａｌ原子の過不足が発生し、不足する所ではボイドが生じ、断線を引きおこし、過剰部分ではヒロックが成長することは本願優先権主張日前周知の事項であり、アルミニウム層のマイグレーションを防止できれば、それに伴い、アルミニウム層のヒロックも抑制できることは明らかであるから、引用発明１において、アルミニウム層と他の金属層との交互の積層構造により、該アルミニウム層のマイグレーションを防止することに代えて、同様の積層構造により、同アルミニウム層をヒロック・フリーとすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
周知例１：特開昭６２−２４０７３６号公報
（周１ａ）「ヒロックは上記エレクトロマイグレーションにより移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。」（第２頁右上欄１８〜２０行）
　　
周知例２：特開昭６１−１４７５５２号公報
（周２ａ）「エレクトロマイグレーションとは、電子と配線構成原子との相互作用により原子が移動する現象であり、Ａｌ配線においてこの現象が進行するとＡｌ原子により丘状突起（ヒロック）・・・が発生する。」（第１頁右下欄１４〜１８行）
　　
  次に、相違点２について検討する。
　引用刊行物２に、「アルミニウム層又はアルミニウム・シリコン層（４，６）によって互いに分離された複数のチタン層、チタン・タングステン層又は窒化チタン層（３，５，７）で構成されたサンドイッチ層列である・・・集積回路用の金属化部」、「この発明による金属化部の利点としては、・・・ヒルロック形成の減少と導電路欠陥の発生傾向の低減が挙げられる。」（摘記（２ａ）（２ｃ）参照）と記載され、また、引用刊行物３に、「エレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーション耐性を考慮して、アルミニウム合金とバリアメタル材から成る積層膜（ＴｉＷ／Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ／ＴｉＷ，Ａｌ−Ｓｉ／ＴｉＮ等）が用いられている。このＡｌ又はＡｌ合金は、配線形成後の約４００℃以上の熱処理によってヒロック（Ａｌの結晶化に伴なうＡｌの突起物）が発生する。・・・配線膜の上面に発生するヒロック（・・）に対してはそれを抑制する効果はある」（摘記（３ｂ）参照）と記載されているように、チタン・タングステン（ＴｉＷ）は、バリアメタル層としてアルミニウム層に積層して、該アルミニウム層のヒロックやマイグレーションを抑制するための、本願優先権主張日前周知の合金といえる。
　一方、引用発明１において、「他の金属層」は、「Ｃｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｐｔ，ＡｕおよびＡｇの少なくとも一種からなる」と記載されており、同記載の「・・・の少なくとも一種からなる」によれば、それらの二種以上の金属の合金の金属層とすることも、示唆されているといえる。そして、上記チタン・タングステン（ＴｉＷ）は、「Ｃｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｐｔ，ＡｕおよびＡｇの少なくとも一種からなる」ものに当て嵌まり、上述したように周知であり、高融点メタル合金といえるので、当該高融点メタル合金のチタン・タングステン（ＴｉＷ）を、引用発明１における他の金属とすること、すなわち、バリアメタルが高融点メタル合金を備えている構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
　また、本願発明１の上記相違点１、２に係る効果も、引用刊行物１〜４の記載及び上記周知の事項から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　　
　したがって、本願発明１は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。