【事件の表示】
　平成１０年特許願第９３３９９号「流量検出素子及び流量センサ並びに流量検出素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月２９日出願公開、特開平１１−２９５１２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件は、平成１０年４月６日の特許出願であって、拒絶査定が平成１６年６月１４日付けでされ同月２２日に発送されたところ、この拒絶査定に対する審判が同年７月２２日に請求されるとともに手続補正書が同年８月２０日に提出されたものである。
　
　
第２　平成１６年８月２０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年８月２０日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　１　補正の内容
　　平成１６年８月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載
「【請求項１】　平板状の基材と、前記基材の上に配置された絶縁性の支持膜と、前記支持膜の上に配置された感熱抵抗膜からなる感熱抵抗体と、前記感熱抵抗体及び前記支持膜の上に配置された絶縁性の保護膜とを備え、前記基材の裏側に該基材の一部がエッチングにより除去されてなる開口部が形成されている流量検出素子であって、前記基材の裏側表面と表側表面とにそれぞれ、該基材自体を加熱処理することにより形成された熱酸化膜、熱窒化膜又は熱酸窒化膜からなる基材保護膜が形成されていることを特徴とする流量検出素子。」
を、
「【請求項１】　平板状の基材と、前記基材の上に成膜された絶縁性の支持膜と、前記支持膜の上に成膜された感熱抵抗膜からなる感熱抵抗体と、前記感熱抵抗体及び前記支持膜の上に成膜された絶縁性の保護膜とを備え、前記基材の裏側に該基材の一部がエッチングにより除去され、前記感熱抵抗体が配置されている側が閉塞してなる開口部が形成されている流量検出素子であって、前記基材の裏側表面と表側表面とにそれぞれ、該基材自体を加熱処理することにより形成された熱酸化膜、熱窒化膜又は熱酸窒化膜からなる基材保護膜が形成されていることを特徴とする流量検出素子。」
と補正する補正事項を含んでいる。
　　上記補正事項は、本件補正前の「配置」という記載を「成膜」とするとともに、「前記基材の裏側に該基材の一部がエッチングにより除去されてなる開口部」という記載を「前記基材の裏側に該基材の一部がエッチングにより除去され、前記感熱抵抗体が配置されている側が閉塞してなる開口部」とするものであって、前者は、「配置」を「成膜」により行うことに限定したものであり、後者は、「開口部」の構成として「感熱抵抗体が配置されている側が閉塞してなる」点を付加して限定したものであるから、特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　そこで、本件補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるかについて以下に検討する。
　
　２　引用例
　（１）特開平８−６２０１１号公報
　　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の平成８年３月８日に頒布された刊行物である特開平８−６２０１１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　　ア　「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、熱伝播時間計測型フローセンサに関する。...【００３８】【実施例】図１は本発明の第１の実施例の平面図および断面図である。【００３９】Ｎ型シリコン基板１の上面にＳｉＯ2 膜４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜５を設ける。Ｔｉ膜とＰｔ膜の二重層から成る薄膜抵抗膜で参照温度検出素子６、加熱素子７、温度検出素子８を間隔をおいて平行に形成する。各素子６，７，８の接続パッド１７以外の表面にＳｉＯ2 膜９を被覆する。参照温度検出素子６の測温抵抗体６ａ、加熱素子７のマイクロヒータ部７ａ、温度検出素子８の測温抵抗体８ａの下に均熱板としてＰ++型領域３を設ける。シリコン基板１を裏面から選択エッチしてＰ++型領域３とその周辺のＳｉＯ2 膜４を露出させる。これにより測温抵抗体６ａ、マイ４ロヒータ部７ａ（当審注：「マイクロヒータ部７ａ」の誤記）、測温抵抗体８ａは熱絶縁構造となり、感度が向上する。Ｐ++型領域３は、電流集中による局部発熱を防止し、加熱線部分の断線を防止するために設ける。また、Ｓｉ3 Ｎ4 膜５をシリコン基板１に直接形成するとＳｉ3 Ｎ4 膜５に亀裂を生じる場合があるので、この亀裂発生を抑えるためにＳｉＯ2 膜４を間に挟む。一般に、Ｓｉに対してＳｉＯ2 膜は圧縮応力を持ち、Ｓｉ3 Ｎ4 膜は引張応力を持つから、ＳｉＯ2 −Ｓｉ3 Ｎ4 の二重膜構造にして膜厚制御を行うことにより亀裂発生を抑えることができる。さらにまた、ＳｉＯ2 膜単独であると、ダイアフラムのコーナー部に亀裂が発生し易い傾向があるが、ＳｉＯ2 −Ｓｉ3 Ｎ4 二重膜構造にしておくとこの亀裂発生も防ぐことができる。これらの理由からＳｉＯ2 −Ｓｉ3 Ｎ4 二重膜構造にするのである。」
　
　　イ　「【００４０】次に、第１の実施例の製造方法について説明する。【００４１】図２は図１の実施例の製造方法を説明するための工程順に示した断面図である。【００４２】図２（ａ）に示すように、結晶方位〔１００〕のＮ型シリコン基板１の下面にＳｉＯ2 膜２を約７５０ｎｍの厚さに設け、上面にＳｉＯ2 膜１１を設ける。ホトリソグラフィ技術によってＳｉＯ2 膜１１に窓をあけ、Ｐ型不純物を高濃度に導入してＰ++型領域３を形成する。」
　
　　ウ　「【００４３】図２（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜１１を除去し、新しくＳｉＯ2 膜４を約５００ｎｍの厚さに設け、その上にＳｉ3 Ｎ4 膜５を約８０ｎｍの厚さに設ける。Ｓｉ3 Ｎ4 膜５の上にホトレジストのマスク１２を設け、参照温度検出素子、加熱素子、温度検出素子を形成する領域に窓をあける。上方からＴｉを被着して厚さ約３０ｎｍのＴｉ膜１３を設け、その上にＰｔを被着して厚さ約２００ｎｍのＰｔ膜１４を設ける。薄膜抵抗膜をＴｉ膜１３とその上に被覆されたＰｔ膜１４の二重膜で構成すると、Ｐｔ膜１４は不活性金属膜であるので流体による汚染を防ぐと共に金属細線接続のボンディング・パッドとなり、好都合である。」
　
　　エ　「【００４４】図２（ｃ）に示すように、マスク１２をその上のＴｉ膜１３、Ｐｔ膜１４と共に除去する。残留した部分が図１の参照温度検出素子６、加熱素子７、温度検出素子８となる。」
　
　　オ　「【００４５】図２（ｄ）に示すように、表面にＳｉＯ2 膜９を形成し、その上にホトレジストのマスク１５を設け、裏面のＳｉＯ2 膜２の上にホトレジストのマスク１６を設ける。マスク１５の接続パッド形成予定領域に窓をあけ、マスク１６のＰ++型領域露出予定領域に窓をあける。」
　
　　カ　「【００４６】図２（ｅ）に示すように、と同時にＳｉＯ2 膜２を選択除去する。そして、ホトレジストのマスク１５，１６を除去する。」
　
　　キ　「【００４７】図２（ｅ）（当審注：図２（ｆ）の誤記）に示すように、ヒドラジンまたはＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）でシリコン基板１を異方性エンチング（当審注：「エッチング」の誤記）してＰ++型領域３とその周辺のＳｉＯ2 膜４を露出させる。これにより図１に示すフローセンサが製造される。」
　
　（２）引用発明
　　上記（１）の摘記事項アより、「Ｎ型シリコン基板１の上面にＳｉＯ2 膜４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜５を設け」、「Ｔｉ膜とＰｔ膜の二重層から成る薄膜抵抗膜」により「参照温度検出素子６、加熱素子７、温度検出素子８」を「間隔をおいて平行に形成」して、「接続パッド１７以外の表面にＳｉＯ2 膜９を被覆」し、「参照温度検出素子６の測温抵抗体６ａ、加熱素子７のマイクロヒータ部７ａ、温度検出素子８の測温抵抗体８ａの下に均熱板としてＰ++型領域３を設け」、「シリコン基板１を裏面から選択エッチしてＰ++型領域３とその周辺のＳｉＯ2 膜４を露出させる」ことにより「測温抵抗体６ａ、マイクロヒータ部７ａ、測温抵抗体８ａ」を「熱絶縁構造」とした「熱伝播時間計測型フローセンサ」において、「ＳｉＯ2 膜４」を「シリコン基板１」と「Ｓｉ3 Ｎ4 膜５」の「間に挟む」「ＳｉＯ2 −Ｓｉ3 Ｎ4 二重膜構造」とした点が読み取れる。
　　同摘記事項イ、ウ及びオ〜キより、上記「熱伝播時間計測型フローセンサ」の製造方法として、「Ｎ型シリコン基板１」に「ＳｉＯ2 膜４」を設け、その上に「Ｓｉ3 Ｎ4 膜５」を設け、「上方からＴｉを被着して...Ｔｉ膜１３を設け、その上にＰｔを被着して...Ｐｔ膜１４を設け」ることにより、「薄膜抵抗膜をＴｉ膜１３とその上に被覆されたＰｔ膜１４の二重膜で構成」し、「Ｎ型シリコン基板１の下面にＳｉＯ2 膜２」を設けて、その上に「ホトレジストのマスク１６」を設け、「ＳｉＯ2 膜２を選択除去」してから、「ホトレジストのマスク...１６を除去」した後、「シリコン基板１を異方性エッチングしてＰ++型領域３とその周辺のＳｉＯ2 膜４を露出させる」点が読み取れる。
　　以上より、引用例１には、
「Ｎ型シリコン基板１の上面にＳｉＯ2 膜４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜５を設けて、ＳｉＯ2 膜４をシリコン基板１とＳｉ3 Ｎ4 膜５の間に挟むＳｉＯ2 −Ｓｉ3 Ｎ4 二重膜構造とし、Ｔｉ膜とＰｔ膜の二重層から成る薄膜抵抗膜により間隔をおいて平行に形成された参照温度検出素子６、加熱素子７、温度検出素子８の接続パッド１７以外の表面にＳｉＯ2 膜９を被覆し、参照温度検出素子６の測温抵抗体６ａ、加熱素子７のマイクロヒータ部７ａ、温度検出素子８の測温抵抗体８ａの下に均熱板としてＰ++型領域３を設け、シリコン基板１を裏面から選択エッチしてＰ++型領域３とその周辺のＳｉＯ2 膜４を露出させることにより測温抵抗体６ａ、マイクロヒータ部７ａ、測温抵抗体８ａを熱絶縁構造とした熱伝播時間計測型フローセンサであって、Ｎ型シリコン基板１にＳｉＯ2 膜４を設け、その上にＳｉ3 Ｎ4 膜５を設け、上方からＴｉを被着してＴｉ膜１３を設け、その上にＰｔを被着してＰｔ膜１４を設けることにより、薄膜抵抗膜をＴｉ膜１３とその上に被覆されたＰｔ膜１４の二重膜で構成し、Ｎ型シリコン基板１の下面にＳｉＯ2 膜２を設けて、その上にホトレジストのマスク１６を設け、ＳｉＯ2 膜２を選択除去してから、ホトレジストのマスク１６を除去した後、シリコン基板１を異方性エッチングしてＰ++型領域３とその周辺のＳｉＯ2 膜４を露出させることにより製造した熱伝播時間計測型フローセンサ」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
　３　対比・判断 
　（１） 本願補正発明１と引用発明との対比
　　本願補正発明１（以下、「前者」という。）と引用発明（以下、「後者」という。）とを対比すると、後者の「熱伝播時間計測型フローセンサ」は、前者の「流量検出素子」に相当する。
　　後者の「Ｎ型シリコン基板１」、「Ｓｉ3 Ｎ4 膜５」、「Ｔｉ膜とＰｔ膜の二重層から成る薄膜抵抗膜により間隔をおいて平行に形成された参照温度検出素子６、加熱素子７、温度検出素子８」及び「ＳｉＯ2 膜９」は、それぞれ前者の「平板状の基材」、「基材の上に成膜された絶縁性の支持膜」、「支持膜の上に成膜された感熱抵抗膜からなる感熱抵抗体」及び「前記感熱抵抗体及び前記支持膜の上に成膜された絶縁性の保護膜」に相当する。
　　後者では、「シリコン基板１」の下面を「異方性エッチングしてＰ++型領域３とその周辺のＳｉＯ2 膜４を露出」させており、引用例１の図１（ｂ）及び図２（ｆ）により、薄膜抵抗膜が形成されている側は閉塞していることが読み取れるから、前者と後者は、ともに「基材の裏側に該基材の一部がエッチングにより除去され、前記感熱抵抗体が配置されている側が閉塞してなる開口部が形成されている」点で共通する。
　　後者の「ＳｉＯ2 膜４」は、「シリコン基板１とＳｉ3 Ｎ4 膜５の間」あるものであるから、前者の「基材の表側表面」にある「基材保護膜」に相当し、後者の「ＳｉＯ2 膜２」は、「Ｎ型シリコン基板１の下面」に設けられ、選択除去された後、その一部が残存するものであるから、前者の「基材の裏側表面」にある「基材保護膜」に相当する。
　　してみれば、前者と後者とは、
「平板状の基材と、前記基材の上に成膜された絶縁性の支持膜と、前記支持膜の上に成膜された感熱抵抗膜からなる感熱抵抗体と、前記感熱抵抗体及び前記支持膜の上に成膜された絶縁性の保護膜とを備え、前記基材の裏側に該基材の一部がエッチングにより除去され、前記感熱抵抗体が配置されている側が閉塞してなる開口部が形成されている流量検出素子であって、前記基材の裏側表面と表側表面とにそれぞれ基材保護膜が形成されていることを特徴とする流量検出素子。」
という点で一致し、以下の相違点で相違する。
　
　［相違点］
　　前者では、「基材保護膜」が「基材自体を加熱処理することにより形成された熱酸化膜、熱窒化膜又は熱酸窒化膜からなる」のに対して、後者では、「ＳｉＯ2 膜４」及び「ＳｉＯ2 膜２」がどのように形成されたものであるのか不明である点。
　
　（２）判断 
　　以下、上記相違点について検討する。
　　例えば、特開平５−４５１９３号公報には、シリコン基板にフォトリソグラフィ技術を適用して流量センサを製造する際に、シリコン酸化膜の生成方法として、「薄膜状のシリコン膜１２を熱酸化し、１μｍのシリコン酸化膜を形成」する点が記載されている（段落【００１４】参照）。
　　したがって、シリコン基材自体を加熱処理することにより熱酸化膜を形成することは周知な技術であり、かかる周知な技術を引用発明に適用して、相違点に係る構成を得ることに当業者ならば格別の困難性はない。
　　なお、念のために付言すれば、シリコン基板上に設けられる膜として、酸化膜の他に窒化膜や酸窒化膜とすることも、例えば、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の平成５年１１月１９日に頒布された刊行物である特開平５−３０７０４５号公報に記載されているとおり格別のものではない。
　　そして、本願補正発明１の奏する効果は、引用例１に記載された事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に予測し得る範囲内のものにすぎない。
　　したがって、本願補正発明１は、引用発明及び上記周知の技術に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび　
　　以上より、本願補正発明１は、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができず、本件補正は、特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
第３　本願発明について
　平成１６年８月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成１４年７月３日付け手続補正書及び平成１６年５月１７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】　平板状の基材と、前記基材の上に配置された絶縁性の支持膜と、前記支持膜の上に配置された感熱抵抗膜からなる感熱抵抗体と、前記感熱抵抗体及び前記支持膜の上に配置された絶縁性の保護膜とを備え、前記基材の裏側に該基材の一部がエッチングにより除去されてなる開口部が形成されている流量検出素子であって、前記基材の裏側表面と表側表面とにそれぞれ、該基材自体を加熱処理することにより形成された熱酸化膜、熱窒化膜又は熱酸窒化膜からなる基材保護膜が形成されていることを特徴とする流量検出素子。」
　
　
第４　引用例
　前掲の引用例１には、図面とともに、上記「第２」の「２」の「（１）」に摘記した事項が記載されており、引用例１には、同「（２）」において認定したとおりの引用発明が記載されているものと認められる。
　
　
第５　対比・判断
　本願発明１は、上記「第２」において検討した本願補正発明１の構成のうち、「基材の上に成膜された絶縁性の支持膜」、「支持膜上に成膜された感熱抵抗膜」及び「支持膜上に成膜された絶縁性の保護膜」を、それぞれ「基材の上に配置された絶縁性の支持膜」、「支持膜上に配置された感熱抵抗膜」及び「支持膜上に配置された絶縁性の保護膜」とし、「開口部」の特徴である「感熱抵抗体が配置されている側が閉塞してなる」点を削除したものに他ならない。
　そして、引用発明においても各膜は「配置」されているものであるから、同「３」において検討したことと同様に、本願発明１と引用発明とは、
「平板状の基材と、前記基材の上に配置された絶縁性の支持膜と、前記支持膜の上に配置された感熱抵抗膜からなる感熱抵抗体と、前記感熱抵抗体及び前記支持膜の上に配置された絶縁性の保護膜とを備え、前記基材の裏側に該基材の一部がエッチングにより除去されてなる開口部が形成されている流量検出素子であって、前記基材の裏側表面と表側表面とにそれぞれ基材保護膜が形成されていることを特徴とする流量検出素子。」という点で一致し、同「（１）」の［相違点］で相違する。
　しかしながら、同「（２）」において述べたことと同様に、前掲の周知な技術を引用発明に適用して、相違点に係る構成を得ることに当業者ならば格別の困難性はなく、本願発明１の奏する効果も、引用例１に記載された事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に予測し得る範囲内のものにすぎない。
　したがって、本願発明１は、引用発明及び上記周知の技術に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項２〜８に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。