【事件の表示】
　平成１０年特許願第８８２０９号「シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年９月２８日出願公開、特開平１１−２６３６９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯、本願発明
　本願は平成１０年３月１７日に特許出願され、平成１４年１２月２０日にその明細書の手続補正書が提出されたところ、平成１５年５月２０日付けで出願拒絶され、平成１５年６月２５日に本件審判請求がなされたものである。
　本願請求項１〜３に係る発明は、平成１４年１２月２０日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲に記載されるとおりのものであり、その特許請求の範囲の請求項１及び３には、以下のことが記載されている。
【請求項１】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成において、該
単結晶の定径部製造後テール部位の製造に際し、テール先端から異常酸素析出部位置までの距離をａとした時、各条件における酸素析出量調査を行ってａ値を確定し、テール部位の長さｔをａ以上とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の製造方法により製造されたシリコン単結晶。
（以下、必要に応じて、それぞれ、「本願発明１」及び「本願発明３」という）
　
II．前審における拒絶の理由の概要
II−１．理由Ａ
　本願請求項１〜３に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−２９５５９３号公報（以下、適宜、「引用例」という）に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当する。
II−１．理由Ｂ
　本願請求項１〜３に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−２９５５９３号公報（引用例）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
II−１．理由Ｃ
　本願請求項１〜３に係る発明は、本願出願日前の特許出願であって本願出願後に出願公開された特願平８−３５７５１３号（特開平１０−１９４８９０号公報参照）の願書に最初に添付された明細書又は図面（先願明細書）に記載された発明と同一であり、しかも、本願の発明者が上記先願明細書に記載された発明者と同一であるとも、また、本願の出願時にその出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
III．当審の判断
III−１．引用例（特開平８−２９５５９３号公報）の記載
（Ａ−１）「【請求項１】実質的に一定の直径（Ｄ１）を有する直胴部（１）と前記直胴部（１）の直径（Ｄ１）を減少させることにより前記直胴部（１）に連続して形成されたボトム部（２）とを備え、
前記直胴部（１）の外面に対するこの直胴部(1)に連続する直胴部側ボトム部（２ａ）の外面の傾斜角（θ）が１０〜２５度であるシリコン単結晶インゴット。」（特許請求の範囲第１項）
（Ａ−２）「【請求項４】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、
前記シリコン単結晶（２２）のボトム部（２）の形成時に前記ボトム部（２）の直径（Ｄ２）の実測値に基づいて前記シリコン単結晶（２２）の引上げ速度を制御することにより前記ボトム部（２）の直径（Ｄ２）が目標値となるように制御し、
前記ボトム部（２）の直径（Ｄ２）を制御する引上げ速度を、その実測値に基づいてシリコン融液の温度を制御することにより引上げ速度の目標値となるように制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項５】直胴部（１）の外面に対して直胴部側ボトム部（２ａ）の外面が１０〜２５度の傾斜角（θ）を有しかつ連続するようにボトム部（２）の直径（Ｄ２）を制御する請求項４記載のシリコン単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲第４及び５項）
（Ａ−３）「本発明は、シリコン単結晶インゴット及びチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法という）によるその製造方法に関する。更に詳しくはシリコン単結晶インゴットのボトム部の形状及びそのボトム部の直径の減少率を制御する方法に関するものである。」（第２頁左欄第４８行〜右欄第２行）
（Ａ−４）「具体的には、従来のＣＺ法では、図５に示すように、直胴部１の外面に対するボトム部２の外面の傾斜角θを約３０〜４０度の範囲に、ボトム部２の長さＬを直胴部１の直径Ｄ１の約０．９〜１．１倍になるようにボトム部２を形成していた。このようにボトム部を形成したシリコン単結晶を単結晶引上げ装置から取出して次の方法によりボトム部側直胴部１ａの特性を観察すると異常が観察される。・・・。図５はその断面図である。図５に示すように、インゴットの直胴部１とボトム部２との境界Ａから所定長ｘだけ入ったボトム部側直胴部１ａにおけるＢ部分と直胴部周囲Ｃとに酸素析出物３が異常に形成され易かった。この酸素析出物の形成は転位や積層欠陥（ＯＳＦ：oxidation induced stacking fault）などの欠陥発生の原因となった。・・・。このため、酸素析出物が異常に形成された部分は高品質なシリコン単結晶製品にはならず、その製品としての収率を低下させていた。・・・。本発明の目的は、ボトム部側直胴部のトップ部側直胴部及びミドル部側直胴部に対する特性の変化の程度が少なく、高品質単結晶シリコンの製品収率の高いシリコン単結晶インゴットを提供することにある。本発明の別の目的は、直胴部のほぼ全長にわたって品質が均一なシリコン単結晶を製造し得る方法を提供することにある。」（第２頁右欄第３１行〜第３頁左欄第１３行）
（Ａ−５）「請求項１に係る発明は、図１に示すように、実質的に一定の直径を有する直胴部１とこの直胴部１の直径を減少させることにより直胴部１に連続して形成されたボトム部２とを備え、直胴部１の外面に対するこの直胴部１に連続する直胴部側ボトム部２ａの外面の傾斜角θが１０〜２５度であるシリコン単結晶インゴットである。傾斜角θを１０〜２５度にすることにより、直胴部側ボトム部の直径の減少率は僅かとなり、直胴部側ボトム部の熱履歴はボトム部側直胴部１ａのそれとほぼ同じになる。この結果、ボトム部側直胴部の特性は端部側ボトム部の影響を受けにくく、トップ部側直胴部及びミドル部側直胴部の特性に近似するようになる。これにより異常な酸素析出物３は主として直胴部側ボトム部２ａに形成され、ボトム部側直胴部１ａには僅かに形成されるか、或いは全く形成されない。」（第３頁左欄第１８〜３２行）
（Ａ−６）「図２に示すように、単結晶引上げ装置のチャンバ１６内には、シリコン融液を保持する石英るつぼ１１が設けられ、石英るつぼ１１は黒鉛サセプタ１２を介して回転軸１３の上端に固定されている。図示しないが、チャンバ１６の上方からアルゴンガスがチャンバ１６内に供給されるようになっている。　　〈中　略〉　　引上げ用モータ４５の出力軸の回転方向によって、ワイヤケーブル４３が上昇又は下降するようになっている。ワイヤケーブル４３の下端にはシリコン単結晶のシードを保持するシードホルダ２０が取付けられる。」（第４頁左欄第４０行〜右欄第２３行）
（Ａ−７）「＜実施例１＞図２に示す装置を用いて、図３及び図４に示すフローチャートに従って、シリコン単結晶インゴットを製造した。このインゴットは直胴部の直径Ｄ１が８インチ（約２０５ｍｍ）であって、ｐ型で面方位が（１００）であった。インゴットのボトム部を形成するに際して、その直胴部側ボトム部の直径制御をＡＤＣ及びＡＧＣにより行った。この例では直胴部側ボトム部の引上げ速度Ｖ２をボトム部側直胴部の指定長１００ｍｍにおける平均引上げ速度Ｖ１と同じ速度、即ちＶ２／Ｖ１＝１（１００％）にした。また直胴部側ボトム部の外面の直胴部の外面に対する傾斜角θが１５度になるように、直胴部側ボトム部と端部側ボトム部の間に段差部を作ることによりボトム部の長さＬが３６０ｍｍになるようにそれぞれボトム部を形成した。ここでボトム部の長さＬは直胴部の直径Ｄ１の約１．８倍であった。
＜実施例２＞直胴部側ボトム部の引上げ速度Ｖ２をボトム部側直胴部の指定長１００ｍｍにおける平均引上げ速度Ｖ１の９５％（Ｖ２／Ｖ１＝０．９５）にした以外、実施例１と同様にシリコン単結晶インゴットを製造した。」（第５頁左欄第４８行〜右欄第１７行）
（Ａ−８）「〈比較実験〉実施例１〜５及び比較例１〜３の各インゴットについて、インゴット中心でその引上げ方向に平行しスライスしてサンプルを作製した。これらのサンプルを乾燥酸素雰囲気中、１０００℃で４０時間熱処理した。熱処理したサンプルを酸素析出物に選択性のあるエッチング液でスライス面を処理した後、目視により観察した。また実施例１〜５及び比較例１〜３の結果を表１に示す。表１の符号ｘは図１及び図５の符号ｘにそれぞれ対応する。言い換えれば、符号ｘはインゴットの直胴部１とボトム部２との境界Ａから異常に形成された酸素析出物のピーク位置までの距離である。符号ｘがマイナスの場合、図１に示すように酸素析出物はボトム部にのみ存在することを示し、符号ｘがプラスの場合、図５に示すように酸素析出物のピーク位置がボトム部側直胴部に存在していることを示す。」（第５頁右欄第３９行〜第６頁左欄第３行）
（Ａ−９）「表１から明らかなように、直胴部側ボトム部の引上げ速度Ｖ２がボトム部側直胴部の指定長１００ｍｍにおける平均引上げ速度Ｖ１と同じであって、傾斜角θが１５度と比較的小さく、Ｌ／Ｄ１が比較的長い実施例１及びこの実施例１と比べてＶ２／Ｖ１の比率を僅かに低くした実施例２では、酸素析出物はボトム部にのみ異常に形成された。」（第６頁左欄第１５〜２１行）
（Ａ−１０）「実施例１と比べて、θを僅かに大きくした実施例３や、或いはＬ／Ｄ1を僅かに小さくした実施例４や、或いはＶ２／Ｖ１の比率を僅かに低くしθを僅かに大きくしかつＬ／Ｄ１を僅かに小さくした実施例５は、それぞれ酸素析出物の一部分がボトム部側直胴部に異常に形成されたが、その大部分は直胴部側ボトム部に異常に形成された。更に実施例１と比べて、Ｖ２／Ｖ１の比率をかなり低くした比較例１や、Ｌ／Ｄ１をかなり小さくした比較例２や、或いはθをかなり大きくしかつＬ／Ｄ１をかなり小さくした比較例３は、それぞれ酸素析出物の大部分がボトム部側直胴部に異常に形成された。」（第６頁左欄第２１〜３２行）
　
III−２．理由Ａについて
III−２−１．本願発明３
　本願発明３は、その請求項３の記載からみて明らかなように、「請求項１に記載の製造方法により製造されたシリコン単結晶」をその一態様として含むものであり、この項では、当該態様に係る発明につき対比、検討することとする。
　引用例には、その前記（Ａ−１）及び（Ａ−３）によれば、チョクラルスキー法により少なくとも直胴部とボトム部とを備えたシリコン単結晶インゴットを製造する技術が記載されており、そして、その前記（Ａ−７）及びその図２の記載によれば、その具体例として、「直胴部の直径Ｄ１が８インチ（約２０５ｍｍ）であるシリコン単結晶インゴットのボトム部を形成するに際し、直胴部側ボトム部の引上げ速度Ｖ２とボトム部側直胴部の指定長１００ｍｍにおける平均引上げ速度Ｖ１との速度比Ｖ２／Ｖ１＝１又は０．９５となして、また、直胴部側ボトム部の外面の直胴部の外面に対する傾斜角θが１５度になるように、直胴部側ボトム部と端部側ボトム部の間に段差部を作ることによりボトム部の長さＬが３６０ｍｍになるようにそれぞれボトム部を形成して、シリコン単結晶員インゴッドを製造した」こと（実施例１及び２）、かつ、更に（Ａ−８）及び（Ａ−９）の記載を併せてみれば、当該具体例における製造に係るシリコン単結晶員インゴッドは、「酸素析出物はボトム部にのみ異常に形成された」ことが記載される。
　そうであれば、引用例には、
「チョクラルスキー法により製造された少なくとも直胴部とボトム部とを備えたシリコン単結晶インゴットであって、直胴部の直径Ｄ１を８インチ（約２０５ｍｍ）となし、直胴部側ボトム部の引上げ速度Ｖ２とボトム部側直胴部の指定長１００ｍｍにおける平均引上げ速度Ｖ１との速度比であるＶ２／Ｖ１＝１又は０．９５となし、直胴部側ボトム部の外面の直胴部の外面に対する傾斜角θを１５度となし、直胴部側ボトム部と端部側ボトム部の間に段差部を作り、ボトム部の長さを３６０ｍｍとなした、酸素析出物がボトム部のみに異常に形成されたシリコン単結晶インゴット」に関する発明（以下、必要に応じて、「引用発明Ａ」という）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明３と引用発明Ａとを対比する。
　引用発明Ａにおける「シリコン単結晶インゴット」、「直胴部」、「ボトム部」は、本願発明３の「シリコン単結晶」、「定径部」、「テール又はテール部位」に、それぞれ、相当する。
　また、この種のチョクラルスキー法においては、通常、当該直胴部（ないしは定径部）を製造した後に当該ボトム部（ないしはテール部位）を製造するものであり、また、当該チョクラルスキー法においては育成によりシリコン単結晶インゴットが製造されるものであるから、引用発明Ａは、本願発明３と同じように、単結晶の定径部製造後テール部位を製造するものであり、また、シリコン単結晶を育成により製造するものである。
　よって、両者は、
「チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成において、該単結晶の定径部製造後テール部位を製造するシリコン単結晶の製造方法により製造された、シリコン単結晶」である点で一致し、以下の点で表現上相違する。
【相違点１】当該テール部位の製造につき、本願発明３では、「該単結晶の定径部製造後テール部位の製造に際し、テール先端から異常酸素析出部位置までの距離をａとした時、各条件における酸素析出量調査を行ってａ値を確定し、テール部位の長さｔをａ以上とする」ところの製造方法を具備するのに対して、引用発明Ａでは、当該特定事項が直接表現されない点で相違する。
　以下、上記相違点１に係る特定事項につき検討する。
（１）引用発明Ａのシリコン単結晶インゴットにおける「酸素析出物はボトム部にのみ異常に形成された」というところの「酸素析出物が異常に形成されたところの部分」は、本願発明３の「異常酸素析出部」に相当することは明白なことである〔更に必要ならば、前記（Ａ−４）、（Ａ−８）、図１及び５の記載を参照〕。
　してみれば、引用発明Ａのシリコン単結晶インゴットにおいて、「酸素析出物はボトム部にのみ異常に形成された」との事項から、「ボトム部にのみ異常酸素析出部が位置する」といえるのであるから、引用発明Ａにおいても、本願発明３でいう「テール先端から異常酸素析出部位置までの距離をａとした時、テール部位の長さｔをａ以上とする」との事項を、実質上、具備するものである。
（２）そして、引用発明Ａでは、その「酸素析出物はボトム部にのみ異常に形成された」というシリコン単結晶インゴットは、上記した引用発明Ａの構成からみて明らかなとおり、直胴部の直径Ｄ１、引上げ速度比であるＶ２／Ｖ１、直胴部側ボトム部の外面の直胴部の外面に対する傾斜角θ、及び、ボトム部の長さにつき特定の数値を用い、かつ、直胴部側ボトム部と端部側ボトム部との間の段差部を設定することにより得られるものである〔この点、更に必要ならば、前記（Ａ−１０）における当該異常に形成された酸素析出物がボトム部以外に存在する実施例３〜５及び比較例１〜３に関する記載を参照〕。このように、引用発明Ａにおける「酸素析出物はボトム部にのみ異常に形成された」というシリコン単結晶インゴットは、シリコン単結晶インゴットの直胴部製造後であってボトム部を形成する際における諸条件を調整することによって得られるものであって、本願発明３でいうところの「単結晶の定径部製造後テール部位の製造に際し」て、その製造条件を調整することにより製造されるものであるということができる。
　そうであれば、上記した引用発明Ａが実質上具備するところの「テール先端から異常酸素析出部位置までの距離をａとした時、テール部位の長さｔをａ以上とする」との事項は、本願発明３でいう「該単結晶の定径部製造後テール部位の製造に際し」実施されるものであり、これにより、引用発明Ａは、本願発明３でいう「該単結晶の定径部製造後テール部位の製造に際し、テール先端から異常酸素析出部位置までの距離をａとした時、テール部位の長さｔをａ以上とする」との事項を、実質上、具備するといえる。
（３）この外、本願発明３では、「各条件における酸素析出量調査を行ってａ値を確定し、」との特定事項を更に具備するものの、それは、専ら、製造方法上の特定事項を規定するに過ぎないものである。
　すなわち、テール部位の製造に際し、当該異常酸素析出部位置までの距離ａと当該テール部位の長さｔに関する上記関係を満たせば、それが、当該酸素析出量調査を行ってａ値を（予め）確定するか否かにに拘わらず、物発明に係るシリコン単結晶については、同じ構造、組成、物性等を具備し、同一の構成となることは明白なことである。
　そうであれば、本願発明３における「各条件における酸素析出量調査を行ってａ値を確定し、」との特定事項は、物発明における専ら製造方法上の特定事項を規定したに過ぎず、本願発明３が当該特定事項を具備することが両者の実質上の相違点とはなり得ない。
（４）以上のとおり、本願発明３と引用発明Ａとは、実質上、同一であるといえる。
（５）したがって、本願発明３は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当する。
　
III−３．理由Ｂについて
III−３−１．本願発明１
　引用例には、シリコン単結晶の製造方法に関し、その前記（Ａ−２）によれば、「シリコン単結晶（２２）のボトム部（２）の形成時に、前記ボトム部（２）の直径（Ｄ２）が目標値となるように制御し、前記ボトム部（２）の直径（Ｄ２）を制御する引上げ速度を引上げ速度の目標値となるように制御する、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶（２２）の製造方法において、シリコン単結晶（２２）の直胴部（１）の外面に対して、直胴部側ボトム部（２ａ）の外面が１０〜２５度の傾斜角（θ）を有しかつ連続するようにボトム部（２）の直径（Ｄ２）を制御する、シリコン単結晶（２２）の製造方法」に関する発明（以下、必要に応じて、「引用発明Ｂ」という）が記載されているということができる。
　そこで、本願発明１と引用発明Ｂとを対比する。
　引用発明Ｂにおける「シリコン単結晶（２２）」、「直胴部（１）」及び「ボトム部（２）」は、本願発明１の「シリコン単結晶」、「定径部」及び「テール又はテール部位」に、それぞれ相当する。
　そして、引用発明Ｂにおいては、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶（２２）を製造しているのであるから、そこではシリコン単結晶が育成されていることは明白であり、また、通常、シリコン単結晶（２２）の直胴部（１）製造後にボトム部（２）が製造されるものである。
　よって、両者は、
「チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成において、該単結晶の定径部製造後テール部位を製造する、シリコン単結晶の製造方法」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点ａ】当該テール部位の製造につき、本願発明１では、「該単結晶の定径部製造後テール部位の製造に際し、テール先端から異常酸素析出部位置までの距離をａとした時、各条件における酸素析出量調査を行ってａ値を確定し、テール部位の長さｔをａ以上とする」との特定事項を具備するのに対して、引用発明Ｂでは、当該特定事項を全て具備しない点で相違する。
　以下、上記相違点ａに係る特定事項が容易に想到できるか否かにつき検討する。
　引用発明Ｂは、引用例１の前記（Ａ−４）によれば、「従来のチョクラルスキー法では、シリコン単結晶のボトム部側直胴部に酸素析出物が異常に形成され易いところ、これを解消し、シリコン単結晶の直胴部のほぼ全長にわたって品質が均一なシリコン単結晶を製造する」ことを発明の目的とするものであるところ、同前記（Ａ−５）によれば、「直胴部の外面に対し、直胴部側ボトム部の外面の傾斜角θを１０〜２５度にすることにより、異常な酸素析出物は直胴部側ボトム部に形成され、ボトム部側直胴部には全く形成されない」場合がある旨教示される。
　そうであれば、引用発明Ｂにおいて、そのボトム部（２）の製造に際し、酸素析出物が直胴部（１）に存在せず、シリコン単結晶（２２）の直胴部（１）のほぼ全長にわたって品質が均一なシリコン単結晶（２２）を製造することを意図して、当該傾斜角θを１０〜２５度となして、異常な酸素析出物は直胴部側ボトム部（２ａ）に形成し、直胴部（１）には全く形成されないようにすることは当業者であれば直ちに着想し得るものである。この場合、当該傾斜角の数値θを設定することはそのボトム部（２）断面の形状からみて明らかなとおりボトム部（２）の長さの数値を設定することに外ならない。
　そして、引用発明Ｂにおいて、ボトム部（２）の製造に際して、異常な酸素析出物は直胴部側ボトム部（２ａ）に形成して直胴部（１）には全く形成されないようにシリコン単結晶（２２）を製造する場合においては、そのために、予め、各製造条件における酸素析出量調査を行ってボトム部（２）の先端から異常な酸素析出物が存在する位置までの距離を測定し、その距離に見合うところの当該傾斜角θを設定して、すなわち、ボトム部（２）の長さを当該距離以上となして、異常な酸素析出物は直胴部側ボトム部（２ａ）に形成して直胴部（１）には全く形成されないシリコン単結晶（２２）を製造することは当業者であれば、普通になし得るところに過ぎない。
　この場合、「ボトム部（２）の製造に際して、予め、各製造条件における酸素析出量調査を行ってボトム部（２）の先端から異常な酸素析出物が存在する位置までの距離を測定し、ボトム部（２）の長さを当該距離以上となして、異常な酸素析出物は直胴部側ボトム部（２ａ）に形成して直胴部（１）には全く形成されないシリコン単結晶（２２）を製造する」ことにより、本願発明１でいう「該単結晶の定径部製造後テール部位の製造に際し、テール先端から異常酸素析出部位置までの距離をａとした時、各条件における酸素析出量調査を行ってａ値を確定し、テール部位の長さｔをａ以上とする」との特定事項を自ずと具備するに至るものである。
　また、引用発明Ｂにおいて、当該相違点ａに係る特定事項を具備することにより格別顕著な効果を奏したものであるということはできない。
　したがって、本願発明１は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
IV．むすび
　本願請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本願請求項３に係る発明は特許法第２９条第１項第３号の規定に該当する。
　よって、結論のとおり審決する。