【事件の表示】
　平成１０年特許願第２６８６４６号「磁気抵抗式センサ素子により外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月２１日出願公開、特開平１１−１９４１６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１０年９月２２日（パリ条約による優先権主張１９９７年９月２４日、ドイツ）の出願であって、平成１６年１月３０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年５月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２日付で手続補正がなされたものである。
　
【２】平成１６年６月２日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年６月２日付の手続補正を却下する。
［理由］
［１］新規事項の存否・補正の目的
　イ．本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜９は、次のように補正された。
「【請求項１】　非常に大きい磁気抵抗効果を呈する多層システムを有する少なくとも１つのセンサ素子により外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置であって、多層システムが、少なくとも１つの軟磁性の測定層と、予め定められた磁化方向を有する少なくとも１つの比較的硬いバイアス層と、測定層とバイアス層との間に配置されている少なくとも１つの非磁性の中間層とを含んでいるセンサ装置において、少なくとも１つのセンサ素子（Ｅ、Ｅ′）が少なくとも２つのセンサ素子部分（Ｅj、Ｅ1ないしＥ4、Ｅ1′ないしＥ4′）を含み、それらの多層システム（Ｓ）が共通の基板（２）
上に薄膜で設けられ
形成され
共通の
【請求項２】　センサ素子部分が互いに隔離されて共通の測定信号評価装置と接続されていることを特徴とする請求項１記載のセンサ装置。
【請求項３】　センサ素子の２つのセンサ素子部分の磁化方向（ｍ1ないしｍ4）により
形成される
【請求項４】　磁化方向（ｍ1ないしｍ4）により
形成される
【請求項５】　磁化方向（ｍ1ないしｍ4）により
形成される
【請求項６】　センサ素子部分（Ｅj）が同一の層構成および同一の形状を有することを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載のセンサ装置。
【請求項７】　各センサ素子部分（Ｅj）の測定層（７）および／またはバイアス層が複数の層から成る層パケットから形成されていることを特徴とする請求項１ないし６の１つに記載のセンサ装置。
【請求項８】　センサ素子部分（Ｅj）の各多層システム（Ｓ）に、多層システムの少なくとも１つのバイアス層のなかの磁化を固定的に設定するための設定電流（Ｉe）を導くための少なくとも１つの導体帯（１０ａ）が対応付けられていることを特徴とする請求項１ないし７の１つに記載のセンサ装置。
【請求項９】　複数の電気的に並列に接続されている導体帯（１０ａ）がストリップ導体装置（１０、１０′）を形成することを特徴とする請求項１ないし８の１つに記載のセンサ装置。」。
　
ロ．本件補正により、明細書の段落番号【０００９】は、次のように補正された。
「【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　この課題は、本発明によれば、少なくとも１つのセンサ素子が少なくとも２つのセンサ素子部分を含み、それらの多層システムが共通の基板
上に薄膜で設けられ
形成され
共通の
　
　なお、アンダーラインは補正箇所を示すために付したものである。
　
　上記補正イ．ロ．が、願書に最初に添付された明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　また、上記補正イ．は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である
・「共通の基板（２）の上に構成され」について、「薄膜で設けられ」との限定を付加して「共通の基板（２）上に薄膜で設けられ」と補正するものであり、
・「角度を挟み」をより具体的な表現である「角度で形成され」に補正するものであり、
・「測定信号評価装置」について、「共通の」との限定を付加して「共通の測定信号評価装置」と補正するものであり、
補正前の請求項３〜５に記載した発明を特定するために必要な事項である「挟まれる角度（α）」をより具体的な表現である「形成される角度（α）」と補正するものであって、いずれも補正前の構成を限定的に減縮することを目的とする補正に該当すると言えるものである。
　
［２］独立特許要件
　そこで、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
１．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平２−１８６２８５号公報 （平成２年７月２０日発行、以下、「刊行物」という。）には、図面とともに、以下の記載がある。
ａ．「 本発明は、地磁気を検知し、方位の測定等を行うために使用される磁気方位検出装置に関する。」（公報１頁右上欄３行〜４行）
　上記記載ａ．から、
・地磁気の方位を検出する磁気方位検出装置、が読みとれる。
ｂ．「第１図は本発明の具体的な一実施例に係る磁気方位検出装置のセンサ部の構成と外部磁界の方向を示した説明図」（４頁左下欄下から５行〜下から３行）
ｃ．「先ず、絶縁基板１上に強磁性体薄膜及び抵抗体薄膜を蒸着し、これらの強磁性体薄膜及び抵抗体薄膜をエツチングして、細線状の第１の磁気抵抗素子２及び第１の固定抵抗素子３を形成する。そして、上記第１の磁気抵抗素子２と第１の固定抵抗素子３とが直列に電気的接続されるようにＡＩ等の導体金属を第１の磁気抵抗素子２及び第１の固定抵抗素子３上に蒸着しエツチングして電極４、５、６を形成する。これらの電極４、５、６をそれぞれ電源、グランド、第１の出力端子として、第１の磁気抵抗素子２と第１の固定抵抗素子３とにより第１のハーフブリッジ回路２１を形成する。」（２頁右上欄末行〜左下欄１１行）
ｄ．「次に、上記絶縁基板１上に、上述と同様の製造方法にて、第１の磁気抵抗素子２の長手方向と直角方向を長手方向とした細線状の第２の磁気抵抗素子７及び第２の固定抵抗素子８を形成する。次に、上述と同様に形成された電極９．１０．１１をそれぞれ電源、グランド、第２の出力端子として、第２の磁気抵抗素子７と第２の固定抵抗素子８とにより第２のハーフブリッジ回路３１を形成する。」（２頁左下欄１２行〜末行）
上記記載ｂ．〜ｄ．から、
・磁気抵抗効果を呈する薄膜を有するセンサ部により地磁気の方位を検出する磁気方位検出装置、
・センサ部が第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１を含むこと、
・第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１が絶縁基板１上に薄膜で設けられていること、が読みとれる。
ｅ．「第１図に示したように、＋Ｘ方向を紙面の右方向、＋ｙ方向を紙面の上方向、又、第１のハーフブリッジ回路２１の第１の磁気抵抗素子２の長手方向で＋ｙ方向に外部磁界Ｈが作用した時の角度を０度として、この外部磁界Ｈが時計方向に回転した時の回転角をθとする。その回転角θに対応した第１のハーフブリッジ回路２１の第１の出力端子６の出力電圧をＶｌを求める。・・・次に、電源電極４とグランド電極５との間の電源電圧をＥとすると、第１の出力端子６の出力電圧Ｖｌは、・・・ここで、Ｈｘ＝Ｈ・ｓｉｎθであるので、（１２）式は、Ｖ１＝　（（１／２）＋（ｋ／８Ｒ０）Ｈ・ｓｉｎθ）Ｅ・・・（１４）となる。」（３頁左上欄１５行〜右下欄９行）
ｆ．「同様に、第２のハーフブリッジ回路３１の第２の出力端子１１の出力電圧Ｖ２は、外部磁界Ｈのｙ方向の成分Ｈｙにより抵抗値が変化するので、・・・ここで、Ｈｙ＝Ｈ・ｃｏｓθであるので、（１５）式は、
Ｖ２＝（（１/２）＋（ｋ/８Ｒ０）Ｈ・ｃｏｓθ）Ｅ・・・（１７）となる」（３頁右下欄１０行〜１７行）」
ｇ．「本発明は、・・・互いに磁気抵抗素子の長手方向が直交するように配設された第１のハーフブリッジ回路及び第２のハーフブリッジ回路・・・」（４頁左下欄１行〜６行）
　上記記載ｅ．中、Ｖ１を与える式（１４）には、外部磁界Ｈ（Ｈｘ、Ｈｙ）の内、Ｈｘ成分しか含まれていないこと、また、上記記載ｆ．中、Ｖ２を与える式（１７）には、外部磁界Ｈ（Ｈｘ、Ｈｙ）の内、Ｈｙ成分しか含まれていないことから見て、第１の磁気抵抗素子２はＨｘ成分にのみ、また第２の磁気抵抗素子はＨｙ成分にのみ感磁すること、言い換えれば、第１、第２の磁気抵抗素子は、それぞれの長手方向に直交する方向の磁場成分にのみ感磁することが言える。このことと上記記載ｇ．とから、
・第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１のそれぞれの感磁方向が直角になるように配置した配置構成、が読みとれる。
　このように、特定方向にのみ感度を有する検知素子を、その検知方向が直角になるように配置することにより、検知対象である物理量の大きさのみならずその方向をも検知し得るようにすることは、刊行物の例に限らず、広く計測技術分野全般にわたって周知の配置構成であることから見ても、当業者が上記記載ｅ．〜ｇ．から上記配置構成を読み取ることは自然であると言える。
ｈ．「従って、回転角θに対応した外部磁界ＨのＸ方向の成分Ｈｘを示す出力電圧Ｖ１の値及び回転角θに対応した外部磁界Ｈのｙ方向の成分Ｈｙを示す出力電圧Ｖ２の値とからその外部磁界Ｈの方位角θが、次式に（１３）式及び（１６）式を代入して求められる。
ｔａｎ−１θ＝　Ｈｘ／Ｈｙ」（４頁左上欄２行〜８行）。
　刊行物中には明記されていないが、上記記載ｈ．から、刊行物のものが
（１）出力電圧Ｖ１、Ｖ２の値から外部磁界Ｈの磁場成分Ｈｘ、Ｈｙ、そして、外部磁界Ｈの方位角θを演算する何らかの演算手段を有し、
（２）第１、第２のハーフブリッジ回路の出力電圧Ｖ１、Ｖ２の値を上記演算手段に入力するために第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１のそれぞれが上記演算手段に個々に接続されている、
と解するのが自然である。
　以上のことから、
・第１のハーフブリッジ回路２１の出力電圧Ｖ１と第２のハーフブリッジ回路３１の出力電圧Ｖ２から方位角θが演算手段により演算され、第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１の各々が上記演算手段と個々に接続されていること、が読みとれる。
　以上の記載を勘案すると、刊行物には次の発明が記載されているものと認められる。
（刊行物に記載された発明）
　「磁気抵抗効果を呈する薄膜を有するセンサ部により地磁気の方位を検出する磁気方位検出装置であって、上記センサ部が第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１を含み、上記第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１の上記磁気抵抗効果を呈する薄膜が絶縁基板１上に設けられ、それらの感磁方向が直角になるように配置され、それらの出力電圧Ｖ１、Ｖ２から方位角θが演算手段により演算され、上記第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１の各々が上記演算手段と個々に接続されている地磁気の方位を検出する磁気方位検出装置。」（以下「刊行物に記載された発明」という。）。
　
２．対比
　そこで、本願補正発明と刊行物に記載された発明とを対比する。
２−１．刊行物に記載された発明における
「センサ部」、「地磁気の方位を検出する磁気方位検出装置」、「第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１」、「絶縁基板１」、「演算手段」、「それらの出力電圧Ｖ１、Ｖ２から方位角θが演算手段により演算され」、
は、それぞれ、本願補正発明における
「少なくとも１つのセンサ素子（Ｅ、Ｅ′）」、「外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置」、「少なくとも２つのセンサ素子部分（Ｅj、Ｅ1ないしＥ4、Ｅ1′ないしＥ4′）」、「共通の基板（２）」、「共通の測定信号評価装置」、「測定信号（ΔＲ１、ΔＲ２）が共通に評価され」、
に相当する。
　
２−２．本願補正発明における「非常に大きい磁気抵抗効果を呈する多層システム」も刊行物に記載された発明における「磁気抵抗効果を呈する薄膜」も共に「磁気抵抗効果を呈する層構造」である。
　
２−３．本願補正発明における「それらの多層システム（Ｓ）」も刊行物に記載された発明における「第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路３１の上記磁気抵抗効果を呈する薄膜」も共に「それらの層構造」である。
　
２−４．本願補正発明における「それらの磁化方向（ｍ1ないしｍ4）が０°に等しくないまたは１８０°に等しくない角度（α）で形成され」も刊行物に記載された発明における「それらの感磁方向が直角になるように配置され」も共に「それらの向きが０°に等しくないまたは１８０°に等しくない角度で形成され」である。
　
　以上のことを勘案すると、両者は、
（一致点）
「磁気抵抗効果を呈する層構造を有する少なくとも１つのセンサ素子により外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置であって、少なくとも１つのセンサ素子が少なくとも２つのセンサ素子部分を含み、それらの層構造が共通の基板上に薄膜で設けられ、それらの向きが０°に等しくないまたは１８０°に等しくない角度で形成され、それらの測定信号が共通に評価され、センサ素子部分の各々が共通の測定信号評価装置と個々に接続されている磁気抵抗式センサ素子より外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
（相違点）
相違点１：磁気抵抗効果を呈する層構造について、
　本願補正発明では、「非常に大きい磁気抵抗効果を呈する多層システム」であり、該多層システムが、「少なくとも１つの軟磁性の測定層と、予め定められた磁化方向を有する少なくとも１つの比較的硬いバイアス層と、測定層とバイアス層との間に配置されている少なくとも１つの非磁性の中間層とを含んでいる」のに対し、刊行物に記載された発明では、層構造は磁気抵抗効果を呈する薄膜ではあるが、該薄膜が「非常に大きい磁気抵抗効果を呈する」ものとは言えず、かつ、本願補正発明のような多層膜構造を有しない点。
相違点２：センサ素子部分の向きについて、
　本願補正発明では、「それらの磁化方向」が０°に等しくないまたは１８０°に等しくない角度（α）で形成されているのに対し、刊行物に記載された発明においては、「それらの感磁方向」が０°に等しくないまたは１８０°に等しくない角度で形成されている点。
　
３．当審の判断
３−１．相違点１．について、
　巨大磁気抵抗効果（「非常に大きい磁気抵抗効果」に相当する）を呈する多層構造を有し、外部磁界を測定する磁気抵抗センサであって、該多層構造が軟磁性の測定層、ほぼ一定の磁化を有する硬バイアス層、測定層とバイアス層との間に配置されている非磁性の中間層とを含むものは周知である（例えば、特表平７−５０９８１１号公報参照）。
　そうしてみると、上記周知の磁気抵抗センサ構成を、刊行物に記載された発明における磁気抵抗効果を呈する層構造として置き換えることに格別の創意を要するとは言えない。
　
３−２．相違点２．について、
　巨大磁気抵抗効果を呈する多層構造を有する磁気抵抗センサが、
・測定層の基底状態磁化に対して直交する方向の磁場成分に対してのみ感磁すること、
・バイアス層の磁化が測定層の基底状態磁化に対してほぼ直交する方向に配向されていること、
はいずれも周知である（例えば、特表平７−５０９８１１号公報、４頁左下欄２０行〜右下欄２１行参照）。
　すなわち、巨大磁気抵抗効果を呈する多層構造を有する磁気抵抗センサにおいては、測定層の基底状態磁化方向あるいはバイアス層の磁化方向はセンサの感磁方向と密接に関係し、センサの磁化方向がセンサの感磁方向を決定するものであると言える。
　そこで、周知の磁気抵抗センサ構成を、刊行物に記載された発明における磁気抵抗効果を呈する層構造として置き換える際、それぞれの磁気抵抗効果を呈する層構造の感磁方向が直角になるように配置すべく、それらの磁化方向が直角になるように配置すること、したがって、「それらの磁化方向が０°に等しくないまたは１８０°に等しくない角度で形成」することは、当業者が容易になし得るところと言える。
　なお、複数のセンサ素子部分の磁化方向について、本願補正発明の如く「それらの磁化方向が０°に等しくないまたは１８０°に等しくない角度で形成」する点につき、更に付言する。
　そもそも巨大磁気抵抗効果を呈する多層構造を有する磁気抵抗センサにおいては、既述したようにセンサの磁化方向が感磁方向を決定するのであるから、センサの「磁化方向が０°に等しく」（すなわち同方向に）設定したり、あるいは「１８０°に等し」い角度（すなわち反対方向）に設定すると、感磁方向が一次元方向に揃うことになり、測定磁界の方向を測定するという本願補正発明の目的を達成し得なくなること、したがって、そうなることを避けるべく、本願補正発明の如く角度（α）を選ぶことは、当業者が実施の際、当然に考慮すべき設計的事項に過ぎないと言えるものである。
　以上のことからしても、相違点２の構成は当業者が容易に想到し得たものという外はない。
　そして、本願補正発明の作用効果も、刊行物に記載された発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．審判請求人の主張について
　審判請求人は、平成１６年６月２日付手続補正書中【請求の理由】において、本願補正発明と刊行物に記載された発明とは次の点で相違すると主張している。
・本願補正発明においては、複数の異なった磁化方向が形成されているのに対し、刊行物のものでは単一の主磁化方向のみを必要とする点。
・刊行物には、同一のセンサ素子基板上に異なったセンサ素子部分を薄膜で形成し、しかもこの薄膜に異なった主磁化方向を与えることは開示されていない。刊行物においては、単一の主磁化方向を有する単一の永久磁石１２のみが論じられている点。
　上記主張を整理すると、次のようになる。
（１）本願補正発明では、同一のセンサ素子基板上に異なったセンサ素子部分を薄膜で形成し、しかもこの薄膜に異なった主磁化方向を与えている、言い換えれば、複数の異なった磁化方向が形成されている点で、刊行物に記載された発明とは相違する。
（２）刊行物のものでは、単一の主磁化方向のみを必要とし、単一の主磁化方向を有する単一の永久磁石のみが論じられている点で、本願補正発明とは相違する。
　主張（１）について、
　既述したように、同一のセンサ素子基板上に異なったセンサ素子部分を薄膜で形成する点は、刊行物に記載された発明が備える構成であり、薄膜に異なった主磁化方向を与えることは、刊行物に記載された発明に周知技術を施す際、２つの薄膜の感磁方向を異ならせるために当業者が容易に採用し得る構成である。
　主張（２）について、
　刊行物に記載された「バイアス磁界２２」は、磁気抵抗素子の磁界の変動に対する抵抗値を略直線的に変化する範囲に設定するためのものであって、本願補正発明における如く、「非常に大きい磁気抵抗効果を呈する多層システム」における「バイアス」とは、その構成から見ても、その作用効果から見ても、無関係である。
　そうすると、上記主張（２）は、刊行物の記載から本願補正発明に関係のない構成を抽出し、該構成と本願補正発明とを比較してその差異を論ずるものであって、無意味な主張と言うべきものである。
　したがって、審判請求人の主張は採用し得ない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
【３】本願発明
　平成１６年６月２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成１５年７月２８日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１には次のとおりに記載されている。
「【請求項１】　非常に大きい磁気抵抗効果を呈する多層システムを有する少なくとも１つのセンサ素子により外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置であって、多層システムが、少なくとも１つの軟磁性の測定層と、予め定められた磁化方向を有する少なくとも１つの比較的硬いバイアス層と、測定層とバイアス層との間に配置されている少なくとも１つの非磁性の中間層とを含んでいるセンサ装置において、少なくとも１つのセンサ素子（Ｅ、Ｅ′）が少なくとも２つのセンサ素子部分（Ｅj、Ｅ1ないしＥ4、Ｅ1′ないしＥ4′）を含み、それらの多層システム（Ｓ）が共通の基板（２）の上に構成され、それらの磁化方向（ｍ1ないしｍ4）が０°に等しくない、または１８０°に等しくない角度（α）を挟み、それらの測定信号（ΔＲ１、ΔＲ２）が共通に評価され、センサ素子部分の各々が測定信号評価装置と個々に接続されていることを特徴とする磁気抵抗式センサ素子より外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
【４】対比・当審の判断
　そこで、本願発明と刊行物に記載された発明とを対比すると、両者の一致点は次のとおりである。
（一致点）
「磁気抵抗効果を呈する層構造を有する少なくとも１つのセンサ素子により外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置であって、少なくとも１つのセンサ素子が少なくとも２つのセンサ素子部分を含み、それらの層構造が共通の基板の上に構成され、それらの向きが０°に等しくないまたは１８０°に等しくない角度を挟み、それらの測定信号が共通に評価され、センサ素子部分の各々が測定信号評価装置と個々に接続されている磁気抵抗式センサ素子より外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置。」
　また、両者の相違点は次のとおりである。
（相違点）
相違点３：磁気抵抗効果を呈する層構造について、
　本願発明では、「非常に大きい磁気抵抗効果を呈する多層システム」であり、該多層システムが、「少なくとも１つの軟磁性の測定層と、予め定められた磁化方向を有する少なくとも１つの比較的硬いバイアス層と、測定層とバイアス層との間に配置されている少なくとも１つの非磁性の中間層とを含んでいる」のに対し、刊行物に記載された発明では、層構造は磁気抵抗効果を呈する薄膜ではあるが、該薄膜が「非常に大きい磁気抵抗効果を呈する」ものとは言えず、かつ、本願発明のような多層膜構造を有しない点。
相違点４：センサ素子部分の向きについて、
　本願発明では、「それらの磁化方向」が０°に等しくない、または１８０°に等しくない角度（α）を挟んでいるのに対し、刊行物に記載された発明においては、「それらの感磁方向」が０°に等しくない、または１８０°に等しくない角度を挟んでいる点。
　上記相違点３、４に対する判断は、それぞれ、【２】［２］３−１．相違点１．について、３−２．相違点２．について、に記載したとおりである。
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物に記載された発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
【５】むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　上記のとおり、本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるから、本願のその他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。