【事件の表示】
　特願２０００−　６５６６５「マルチドメイン液晶表示素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月１３日出願公開、特開２０００−２８４３２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　　　平成１２年　３月　９日
（パリ条約による優先権主張　　１９９９年　３月　９日　大韓民国）
　拒絶理由通知発送　　　　　　平成１９年１１月２７日
　手続補正　　　　　　　　　　平成２０年　２月２７日
　拒絶査定謄本送達　　　　　　平成２０年　６月２４日
　審判請求　　　　　　　　　　平成２０年　８月２６日
　手続補正　　　　　　　　　　平成２０年　８月２６日
　
II．平成２０年８月２６日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成２０年８月２６日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成２０年８月２６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】
　対向する第１基板および第２基板と、
　前記第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定義する複数のゲート配線およびデータ配線と、
　前記ゲート配線と同一層において前記画素領域を囲むように形成されて電界を歪曲させる共通補助電極と、
　前記ゲート配線および前記共通補助電極上において前記第１基板の全面にわたって形成されるゲート絶縁膜と、
　該ゲート絶縁膜上に形成される保護膜と、
　該保護膜上において前記画素領域内に形成され、その内部に電界誘導窓を有する画素電極と、
　前記第２基板上に形成される遮光層と、
　該遮光層上に形成されるカラーフィルタ層と、
　該カラーフィルタ層上において前記第２基板の全面にわたって形成されるオーバーコート層と、
　該オーバーコート層上に形成される共通電極と、
　前記第１基板および前記第２基板の内側において、少なくとも一方の基板上に形成される配向膜と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に形成される液晶層とを有して構成され、
　前記共通電極上に形成されて電界を歪曲させる誘電体構造物と、
　前記第１基板および前記第２基板の外側において、少なくとも一方の基板上に高分子を延伸して形成される位相差フィルムと、
　前記保護膜の下に形成されて、前記画素電極に連結され、前記共通補助電極とオーバラップするストレージ電極とをさらに有し、
　前記誘電体構造物の誘電率が前記液晶層の誘電率より小さく、
　前記配向膜が少なくとも２つの領域に分割され、前記液晶層の液晶分子が各領域上で互いに異なる配向特性を示すことを特徴とするマルチドメイン液晶表示素子。」と補正することを含むものであって、平成１４年法律第２４号による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−７６１２５号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特に、液晶ディレクターの配向を制御することにより、広視野角と高表示品位を達成した液晶表示装置に関する。」
　
「【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。まず、第１の実施例を図面を参照しながら説明する。図１は一表示画素の平面図である。ＴＦＴ基板側にはゲートライン（１１）とドレインライン（１５）が交差して配置され、両ライン（１１，１５）に囲まれた領域には表示電極（１４）が配置されている。また、両ライン（１１，１５）の交差部には、ゲート電極（１１Ｇ）、ゲート絶縁層（１２）、ａ−Ｓｉ（１３）、及び、低抵抗ａ−Ｓｉ層（１３Ｓ，１３Ｄ）を介してソース・ドレイン電極（１５Ｓ，１５Ｄ）が順次積層されてＴＦＴが形成され、ソース電極（１５Ｓ）が表示電極（１４）に接続されている。表示電極（１４）から絶縁して配置された配向制御電極（１６）は、表示電極（１４）の周縁を囲って配置された部分（１６Ｓ）と、表示電極（１４）の中央を横断して配置された部分（１６Ｃ）が一体に形成されている。表示電極（１４）中には、中央を横断して電極が不在の帯状領域を形成し、これに対応する配向制御電極（１６Ｃ）を露出させ、この部分でも配向制御を行う構成としている。即ち、液晶は、表示画素の領域内で、周縁部の配向制御電極（１６Ｓ）によって周囲から配向が制御されるとともに、表示画素を２分する中央の配向制御電極（１６Ｃ）によって分割された各領域の配向が制御される。なお、電極不在帯域によって分割された表示電極（１４）のそれぞれの部分は、１個所または複数個所で接続するが、本実施例では、電極不在帯域のソース電極（１５Ｓ）に近い端部で約１０μｍ幅で接続することにより、表示電極（１４）の配線抵抗を増大させることなく、表示画素全体の十分な配向制御効果を得ている。
【００２２】一方、液晶を挟んで対向して配置された対向基板側には共通電極が全面的に形成され、共通電極中には、電極不在部分である配向制御窓（２３）が帯状に開口されている。配向制御窓（２３）は、中央の配向制御電極（１６Ｃ）により２分された各表示画素の互いに異なる方向を向いた対角線に沿って形成されている。図２に図１のＡ−Ａ線部の縦断面図を示し、セル構造を説明する。ガラスなどの透明な基板（１０）上に、ゲートライン（１１）及び配向制御電極（１６Ｓ，１６Ｃ）がＣｒなどにより形成され、これを覆ってＳｉＮＸなどのゲート絶縁層（１２）が積層されている。ゲートライン（１１）はゲート電極（１１Ｇ）と一体であり、ゲート絶縁層（１２）はＴＦＴ部と共通である。ゲート絶縁層（１２）上には、ＩＴＯの表示電極（１４）が形成され、不図示であるＴＦＴのソース電極（１５Ｓ）に接続されている。配向制御電極（１６Ｓ）は表示電極（１４）の縁部に部分的に重畳されており、配向制御電極（１６Ｃ）は、配向制御を行えるように帯状に形成された電極不在部に対応して設けられ、液晶層（３０）中の電界（３２）を制御する。なお、配向制御電極（１６Ｓ，１６Ｃ）は、表示電極（１４）の対応するエッジラインから効果的に配向制御が行うために、表示電極（１４）に近接させるように、部分的に重畳する設計としている。
【００２３】液晶層（３０）との接触面にはポリイミドやＳｉＯ２などの配向膜（１７）が成膜され、フォトリソグラフィーにより２〜３μｍピッチの微細な溝が形成されて液晶の初期配向を基板に平行方向に制御している。溝は図１の破線矢印（１８）で示す方向に形成されており、配向制御電極（１６Ｃ）は表示画素内で溝方向（１８）の異なる領域の境界を覆って形成されている。このように表示画素は、配向制御電極（１６Ｃ）と配向制御電極（１６Ｓ）により囲まれた２つの第１領域に分割され、それぞれ第１領域の配向膜（１７）は、溝方向（１８）が互いに９０°程度異なるように形成されている。
【００２４】液晶層（３０）を挟んで対向配置されたもう一方の基板（２０）上には、各画素ごとにＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター層（２１）が形成され、この上にはＩＴＯの共通電極（２２）が全面的に形成されている。共通電極（２２）中には、エッチング除去などにより電極不在部分が開口され、配向制御窓（２３）となっている。配向制御窓（２３）は、各第１領域の対角線に沿って形成され、電圧印加時に各第１領域を配向の異なる２つの第２領域に分割する。液晶層（３０）との接触面には、基板（１０）側と同様、図１において、点線矢印（２５）で示す方向に微細な溝が形成された配向膜（２４）が設けられている。図１に示すように配向膜（２４）の溝方向（２５）は、配向制御電極（１６Ｃ）に対応する線を境界とした表示画素の第１領域について互いに９０°異なっているとともに、それぞれ第１領域において、基板（１０）側の溝方向（１８）と基板（２０）側の溝方向（２５）も９０°異なっている。」　
　
　上記記載によれば、引用例には、
「ＴＦＴ基板側にはゲートライン（１１）とドレインライン（１５）が交差して配置され、両ライン（１１，１５）に囲まれた領域には、表示電極（１４）が配置されており、表示電極（１４）から絶縁して配置された配向制御電極（１６）は、表示電極（１４）の周縁を囲って配置された部分（１６Ｓ）と、表示電極（１４）の中央を横断して配置された部分（１６Ｃ）が一体に形成され、表示電極（１４）中には、中央を横断して電極が不在の帯状領域を形成し、これに対応する配向制御電極（１６Ｃ）を露出させ、
　対向基板側には共通電極が全面的に形成され、共通電極中には、電極不在部分である配向制御窓（２３）が帯状に開口されている液晶表示装置であって、
　基板（１０）上に、ゲートライン（１１）及び配向制御電極（１６Ｓ，１６Ｃ）が形成され、これを覆ってゲート絶縁層（１２）が積層され、ゲート絶縁層（１２）上には、表示電極（１４）が形成され、配向制御電極（１６Ｓ）は表示電極（１４）の縁部に部分的に重畳されており、配向制御電極（１６Ｃ）は、表示電極（１４）の電極不在部に対応して設けられ、液晶層（３０）との接触面には配向膜（１７）が成膜され、フォトリソグラフィーにより微細な溝が形成されて液晶の初期配向を基板に平行方向に制御しており、配向制御電極（１６Ｃ）と配向制御電極（１６Ｓ）により囲まれた２つの第１領域の配向膜（１７）は、溝方向（１８）が互いに９０°程度異なるように形成されており、
　液晶層（３０）を挟んで対向配置されたもう一方の基板（２０）上には、カラーフィルター層（２１）が形成され、この上には共通電極（２２）が全面的に形成され、共通電極（２２）中には、電極不在部分が開口されて配向制御窓（２３）となっている液晶表示装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
Ａ　引用発明の「基板１０」及び「基板（２０）」が本願補正発明の「第１基板」及び「第２基板」に相当するところであり、引用発明は、本願補正発明の「対向する第１基板および第２基板」を有している。
　
Ｂ　引用発明の「ゲートライン（１１）」及び「ドレインライン（１５）」が本願補正発明の「ゲート配線」及び「データ配線」に相当するところであり、引用発明は、本願補正発明の「前記第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定義する複数のゲート配線およびデータ配線」を有している。
　
Ｃ　引用発明の「配向制御電極（１６Ｓ）」は、基板（１０）上にゲートライン（１１）と同層で設けられ、表示電極（１４）から絶縁されてその周縁を囲って配置され、液晶の配向制御を行うものであると認められるから、本願補正発明の「前記ゲート配線と同一層において前記画素領域を囲むように形成されて電界を歪曲させる共通補助電極」に相当するといえる。
　
Ｄ　引用発明の「ゲート絶縁層（１２）」が本願補正発明の「前記ゲート配線および前記共通補助電極上において前記第１基板の全面にわたって形成されるゲート絶縁膜」に相当することは明らかである。
　
Ｅ　引用発明の「表示電極（１４）」が本願補正発明の「画素電極」に相当するところであり、前者には中央を横断して電極が不在の帯状領域が形成されており、この領域と後者の「電界誘導窓」はともに「電界誘導部」であるといえ、引用発明と本願補正発明は、「前記画素領域内に形成され、その内部に電界誘導部を有する画素電極」を有する点で一致する。
　
Ｆ　引用発明の「カラーフィルター層（２１）」、「共通電極（２２）」及び「液晶層（３０）」は、それぞれ本願補正発明の「カラーフィルタ層」、「共通電極」及び「液晶層」に相当する。
　
Ｇ　引用発明の「配向膜（１７）」が本願補正発明の「配向膜」に相当するところであり、また、その液晶の初期配向を制御する微細な溝は、配向制御電極（１６Ｃ）と配向制御電極（１６Ｓ）により囲まれた２つの第１領域において、溝方向（１８）が互いに９０°程度異なるように形成されているから、引用発明は、本願補正発明の「前記第１基板および前記第２基板の内側において、少なくとも一方の基板上に形成される配向膜」を有するとともに、「前記配向膜が少なくとも２つの領域に分割され、前記液晶層の液晶分子が各領域上で互いに異なる配向特性を示す」との事項を具備する。
　
Ｈ　引用発明の「液晶表示装置」が「マルチドメイン表示素子」であることは明らかである。
　
　以上のことから、本願補正発明と引用発明は、
「対向する第１基板および第２基板と、
　前記第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定義する複数のゲート配線およびデータ配線と、
　前記ゲート配線と同一層において前記画素領域を囲むように形成されて電界を歪曲させる共通補助電極と、
　前記ゲート配線および前記共通補助電極上において前記第１基板の全面にわたって形成されるゲート絶縁膜と、
　前記画素領域内に形成され、その内部に電界誘導部を有する画素電極と、
　前記第２基板に形成されるカラーフィルタ層と、
　共通電極と、
　前記第１基板および前記第２基板の内側において、少なくとも一方の基板上に形成される配向膜と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に形成される液晶層とを有して構成され、　
　前記配向膜が少なくとも２つの領域に分割され、前記液晶層の液晶分子が各領域上で互いに異なる配向特性を示すマルチドメイン液晶表示素子。」の点で一致し、次のａ〜ｆの点で相違する。
　
ａ．本願補正発明は、ゲート絶縁膜上に保護膜が形成され、該保護膜上に画素電極が形成されるのに対し、引用発明は、保護膜を有しておらず、このような構造になっていない点。
ｂ．本願補正発明は、画素電極の「電界誘導部」が「電界誘導窓」とされているのに対し、引用発明は、「表示電極（１４）」の帯状領域が、実施例では片側が開放されたスリット状に形成されている点。
ｃ．本願補正発明は、「前記第２基板上に形成される遮光層と、該遮光層上に形成されるカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上において前記第２基板の全面にわたって形成されるオーバーコート層と、該オーバーコート層上に形成される共通電極」を有するとされているのに対し、引用発明は、「遮光層」及び「オーバーコート層」について不明であり、基板（２０）上の層構成がこのようなものであるか不明である点。
ｄ．本願補正発明は、誘電率が前記液晶層の誘電率より小さく、前記共通電極上に形成されて電界を歪曲させる誘電体構造物を有しているのに対し、引用発明は、共通電極中に電極不在部分である配向制御窓（２３）が帯状に開口される構造とされており、このような誘電体構造物を有していない点。
ｅ．本願補正発明は、前記第１基板および前記第２基板の外側において、少なくとも一方の基板上に高分子を延伸して形成される位相差フィルムを有しているのに対し、引用発明がこのような位相差フィルムを有しているか不明である点。
ｆ．本願補正発明は、前記保護膜の下に形成されて、前記画素電極に連結され、前記共通補助電極とオーバラップするストレージ電極を有しているのに対し、引用発明は、保護膜及びこのようなストレージ電極を有していない点。　
　
４．相違点についての検討
　上記相違点について検討する。
　
　相違点ａ及びｆについて検討する。
　引用発明において、配向制御電極（１６Ｓ）は表示電極（１４）の縁部に部分的に重畳されている。
　ここで、引用例にはこの重畳部分が補助容量を形成する旨の明記はないが、例えば、原査定において引用した特開平８−２２０５１１号公報の段落【００１８】や同じく特開平８−１０１３９９号の段落【００１６】に記載されているように、配向制御電極と表示電極の重畳部で補助容量を構成することは周知であるから、引用発明においても、配向制御電極と表示電極の重畳部で補助容量を構成することが想定されるところ、基板上のゲート絶縁膜の下に形成された電極との間に補助容量を構成するに際し、画素電極と基板上の電極の間で補助容量を構成するのではなく、ゲート絶縁膜上に形成された保護膜上に画素電極を形成し、画素電極に連結されたストレージ電極を前記保護膜の下に形成して、このストレージ電極と前記基板上の電極との間で補助容量を形成する構造は周知（必要ならば、例えば、原査定において引用した特開平８−１６０４５１号公報の図５に示される、ゲート絶縁層９、蓄積容量用電極５２、パシベーション層２８、画素電極１５'''の構造、同じく原査定において引用した特開平６−２０２１５３号公報の図２（ｃ）に示される、絶縁膜１４、金属層２２、パッシベーション膜３０、画素電極３４ａの構造、特開平９−１２７５４９号公報の図１（ｂ）に示される、絶縁膜１３、電極、絶縁膜２１、絵素電極５の構造、特開平１０−２１３８０９号公報の図９に示されるゲート絶縁膜２９、保持容量電極１９、保護層３５、画素電極３９の構造、特開平１０−３３９８８５号公報の図２、４に示される、ゲート絶縁膜Ｇｉｎ、保持容量中間金属層ＣｓｔＤＭ、保護膜ＰＡＳ、透明画素電極ＩＴＯの構造を参照されたい。）であるから、引用発明において、本願補正発明の上記相違点ａ及びｆに係る発明特定事項の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　相違点ｂについて検討する。
　電極が不在の帯状領域について、引用例の段落【００２１】には、「電極不在帯域によって分割された表示電極（１４）のそれぞれの部分は、１個所または複数個所で接続する」と記載されているところであり、接続箇所を例えば２箇所として、引用発明の帯状領域を本願補正発明のように「窓」の形状とすることに困難性は認められない。
　
　相違点ｃについて検討する。
　カラーフィルタ層及び共通電極を有する基板において、遮光層を設けることは、原査定で引用した上記特開平８−２２０５１１号公報の図２に示される第２の遮光膜２１にみられるように周知であり、また、遮光層及びオーバコート層を有する構造についても、例えば、特開平７−２２５３８９号公報の図２、６等に示される、ブラックマトリックス遮光層４、カラーフィルター５、オーバーコート層６（【００１９】参照）、共通電極７の構造や特開平８−２２０２３号公報の図２、６等に示される、ブラックマトリックス遮光層４、カラーフィルター５、オーバーコート層６（【００２１】参照）、共通電極７の構造にみられるように周知であるから、引用発明における基板（２０）を上記相違点ｃに係る本願補正発明の構造とすることは当業者が容易に成し得たものと認められる。
　
　相違点ｄについて検討する。
　電界を歪曲させるために共通電極に誘電率が液晶層の誘電率より小さい誘電体構造物を形成することは、例えば、前記特開平７−２２５３８９号公報の図６に示される土手５０、前記特開平８−２２０２３号公報の図６に示される土手５０、また、１９９８年１２月１６日発行の欧州特許出願公開第８８４６２６号明細書のＦｉｇ．４４〜４６に示される突起２０Ａにみられるように周知である。
　そして、上記特開平７−２２５３８９号公報の段落【００５２】には、共通電極の一部を除去する構成に代わる構造として土手を採用することが記載され、また、段落【００５５】には、土手５０の誘電率は、液晶層より小さいものである旨が示唆されている。
　また、上記特開平８−２２０２３号公報にも、共通電極の一部を除去する構成に代わる構造として土手を採用することが段落【００４５】に記載され、また、段落【００４８】には、土手５０の誘電率は、液晶層より小さいものである旨が示唆されている。
　また、欧州特許出願公開第８８４６２６号明細書の第３０頁第２８〜第３１頁第１９行には、突起２０Ａは、液晶層より誘電率が小さいものである旨が記載されており、また、第３１頁第２０〜２２行には、共通電極にスリットを設ける構造の実施例と絶縁体でなる突起物を共通電極に設ける構造の実施例がある旨記載されているところである。
　してみれば、引用発明において、共通電極中に配向制御窓（２３）を帯状に開口する構成に代えて、共通電極上に誘電体構造物を形成して、上記相違点ｄに係る本願補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　相違点ｅについて検討する。
　液晶表示装置において、基板の外側に高分子を延伸して形成される位相差フィルムを設けることは、例えば、特開平６−３０１０１５号公報の段落【０２５７】にポリビニールアルコールの２軸延伸フィルムの屈折率異方性フィルムが記載されているように、また、特開平１０−１３３２０６号公報の段落【００７５】にアセトセルローズを２方向に延伸した位相差フィルムが記載されているように、また前記欧州特許出願公開第８８４６２６号明細書にも請求項１２１を始め随所に位相差フィルムについての記載がなされているように周知であるから、引用発明において、上記相違点ｅに係る本願補正発明の構成を採用することは当業者が容易に成し得たものと認められる。
　
　また、本願補正発明が奏する効果も、上記引用例に記載された事項及び上記周知の技術に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、上記引用例に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年８月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年２月２７日に補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定義する複数のゲート配線およびデータ配線と、前記画素領域内に形成され、その内部に電界誘導窓を有する画素電極と、前記ゲート配線と同一層に形成され、前記画素領域を囲むように形成された共通補助電極と、前記第１基板全体にわたって形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に第１基板全体にわたって形成された保護膜と、前記第２基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成されたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に形成された共通電極と、前記第１基板および第２基板の内、少なくとも一方の基板上に形成された配向膜と、前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層とを有して構成され、
　前記保護膜の下で前記画素電極に連結され、前記共通補助電極とオーバラップするように形成されているストレージ電極を、さらに含むことを特徴とするマルチドメイン液晶表示素子。」
　
２．判断
　本願発明は、本願補正発明から、「共通補助電極」についての「電界を歪曲させる」との事項、「ゲート絶縁膜」についての「前記ゲート配線および前記共通補助電極上において」との事項、「該カラーフィルタ層上において前記第２基板の全面にわたって形成されるオーバーコート層」との事項、「共通電極」についての「該オーバーコート層上に形成される」との事項、「（誘電率が前記液晶層の誘電率より小さく、）前記共通電極上に形成されて電界を歪曲させる誘電体構造物」との事項、「前記第１基板および前記第２基板の外側において、少なくとも一方の基板上に高分子を延伸して形成される位相差フィルム」との事項及び「配向膜」についての「少なくとも２つの領域に分割され、前記液晶層の液晶分子が各領域上で互いに異なる配向特性を示す」との事項を省いたものであり、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、本願発明について限定をしたものである本願補正発明が、上記II．［II］２．〜４．において検討したとおり、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本願発明が同様の理由により、引用発明及び及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。