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　特願２０００−２０６３１１「光デバイスおよびその所定の透過特性を修正する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月１６日出願公開、特開２００１−　４２１４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年７月７日（パリ条約による優先権主張　平成１１年７月９日、米国）の出願であって、平成１５年８月２５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年１１月２５日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成１５年１２月２２日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１２月２２日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１２月２２日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、補正前の請求項４である
「【請求項４】シリコン基板上にシリカベースガラスの複数の層を堆積する工程であって、ここで１ないしそれ以上の導波路がクラッド材料によって覆われるコア材料の光伝送路として形成されている工程と、
レーザのビームを、前記導波路の一部と交わる光デバイスの選択された領域に向ける工程であって、
導波路を形成する前記ビームは少なくともシリカベースガラスの
「【請求項４】シリコン基板上にシリカベースガラスの複数の層を堆積する工程であって、ここで１ないしそれ以上の導波路がクラッド材料によって覆われるコア材料の光伝送路として形成されている工程と、
レーザのビームを、前記導波路の一部と交わる光デバイスの選択された領域に向ける工程であって、
前記ビームは前記クラッド材料の
　
　上記補正は、請求項４の上記下線部を補正したものであるが、補正前の「導波路を形成する・・・少なくともシリカベースガラス」との記載については、コア・クラッド材料が導波路を形成する材料としてのシリカベースガラスで構成されていることは、請求項４の「シリコン基板上にシリカベースガラスの複数の層を堆積する工程であって、ここで１ないしそれ以上の導波路がクラッド材料によって覆われるコア材料の光伝送路として形成されている工程」との規定から明らかであり、上記補正はその内の「クラッド材料」に限定したものとみることができるから、上記補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項４に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下検討する。
　
（２）引用例記載の発明
　原審の拒絶理由に引用文献２として引用した特開平３−２６７９０２号公報（以下、「引用例」という。）には、下記の事項が記載されている。
「［産業上の利用分野］
　本発明は、基板上に光導波路を配設した光導波回路の特性調整方法および光導波回路に関するもので、さらに詳細には、光導波回路材料の熱履歴現象を利用してその屈折率を変化させることによって、光方向性結合器の結合率や光導波路の光路長を調節することを特徴とする光導波回路の特性調整方法および光導波回路に関するものである。」（２頁左下欄２〜１０行）、
「−従来例２−
　第２７図および第２８図は、シリコン基板上で２個の方向性結合器を集積して構成した光導波回路の従来例としての偏波ビームスプリッタの構成を説明するための、それぞれ、斜視図およびそのＡＡ’切断線に沿った拡大断面図である。
　第２７図および第２８図において、上記と同様に９はシリコン基板、１および２はシリコン基板上に石英系ガラス材料により形成された石英系単一モード光導波路である。光導波路１，２は、２箇所で互いに近接して方向性結合器５および６を構成し、その結合率はいずれも５０％になるよう設計されている。
　光導波路１，２は、膜厚５０μｍ程度のＳｉＯ２系ガラスクラッド層７，８に埋設された断面寸法７×７μｍ程度のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系またはＳｉＯ２−ＧｅＯ２系ガラスコア部からなり、方向性結合器５，６部分は、２本の光導波路１，２を間隔数μｍ程度に保ち、５００μｍ程度の距離にわたって平行に配置することにより構成されている。・・・
　この応力付与膜２２と薄膜ヒータ移相器１０とを制御することによって、例えばＴＥモードの光にとっては方向性結合器５，６を連結する２本の導波路間の光路長差がｎλとなり、ＴＭモードの光にとってはその光路長差が（ｍ＋１／２）λとなるよう複屈折値および光路長を調節する方法が特開昭６４−７７００２号に提案されている。但しｎ，ｍは任意の整数、λは光の波長である。」（３頁左上欄１７行〜同頁左下欄１５行）、
「［発明が解決しようとする課題］
　しかしながら、上述の従来例１における方向性結合器の結合率の設定は、いわゆるフォトリソグラフィ手法を基本とする光導波回路製造工程において、精密マスクパターンの管理等によりなされてきたが、製造工程を如何に精密に管理しても、上記結合率を希望値に正確に合わせるのは至難の技であった。例えば、５０％の結合率を狙っても、光導波回路を作製した段階では、方向性結合器の結合率は５０±５％程度になっているのが現状であり、これを正確に５０％結合に作りつけるのは困難であった。・・・
　また、上述の従来例２においては、２つの方向性結合器の結合率が正確に５０％になっていれば、複屈折率および光路長を制御することによってＴＥモードとＴＭモードを完全に分離し、別々の出力ポートから出力させることができる。しかし、光導波回路作製精度の限界や光導波路ガラスの屈折率のわずかなゆらぎ等により、光導波回路を作製した段階では方向性結合器の結合率は上述のように５０±５％程度になっているのが現状であり、これを正確に５０％結合に作りつけるのはやはり困難である。よって、クロストークの小さな偏波ビームスプリッタを歩留まり良く得るためには、光導波回路作製後に方向性結合器の結合率を５０％に微調整する必要がある。」（３頁右下欄１１行〜４頁右上欄２行）、
「［実施例］
　以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
−実施例１−
　まず、本発明の第１実施例として、シリコン基板上の石英系単一モード光導波路により構成される方向性結合器とその結合率調整方法について説明する。
　本実施例で用いた方向性結合器は、見かけ上、第２５図および第２６に示した従来例と同様の構造を有しているが、上部クラッド層７に大量のドーパント（Ｂ（ホウ素），Ｐ（リン））を含んでいることを特徴とする。第１図は、このような方向性結合器の作製工程を説明する図である。
　まず、シリコン基板９上に、ＳｉＣｌ４を主成分とし僅かにＢＣｌ３，ＰＣｌ３を含む混合ガスを原料とする火炎加水分解反応でＳｉＯ２を主成分とする下部クラッド用ガラス微粒子層８ａを堆積し、続いて適量のＴｉＣｌ４ガスを追加した混合ガスに切り替えてＳｉＯ２−ＴｉＯ２を主成分とするコア用ガラス微粒子層４０ａを堆積する（第１図（ａ））。続いて、２層のガラス層８ａ，４０ａを堆積させたシリコン基板９を電気炉中で１３５０℃程度の高温に加熱してガラス微粒子層を透明ガラス化し、下部クラッド層８とコア層４０を形成する（第１図（ｂ））。続いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりコア層４０のうち不要な部分を除去して、コア部１および２を形成する（第１図（ｃ））。次に、再び火炎加水分解反応を利用してコア部１および２を埋め込むようにＳｉＣｌ４−ＢＣｌ３−ＰＣｌ５混合ガスを原料とする火炎加水分解反応で大量にドーパント（Ｂ，Ｐ）を含む上部クラッド用ガラス微粒子量７ａを堆積する（第１図（ｄ））。その後、再度、基板を電気炉中で１２５０℃程度に加熱して、上部クラッド用ガラス微粒子層７ａを透明ガラス化して上部クラッド層７とし、室温近傍まで徐冷（１００℃／時程度の冷却速度）して所望の方向性結合器サンプルが製造される（第１図（ｅ））。」（５頁左上欄９行〜同頁左下欄７行）、
「−実施例２−
　第６図および第７図は本発明の第２の実施例として耐熱ヒータ付き光分岐回路を示す斜視図およびそのＡＡ’切断線における拡大断面図である。ここで、９ａは石英ガラス基板、８は石英系ガラス下部クラッド層、７は石英系ガラス上部クラッド層、５１，５２，５３および５４はクラッド層７，８に埋設されてなる石英系光導波路（コア部）である。」（７頁左上欄１７行〜同頁右上欄５行）、
「−実施例３−
　第９図（ａ）および（ｂ）は、実施例２の第６図、第７図に示した導波型４分岐光回路の石英ガラス基板９ａをシリコン基板９に置き換え、しかも方向性結合器両側に放熱防止用溝１６を掘って放熱を小さくし、耐熱ヒータへの供給電力を省電力化した方向性結合器５５ａ領域の拡大平面図およびそのＡＡ’線に沿った断面図を示す。」（８頁左下欄１〜８行）、
「−実施例４−
　第１０図および第１１図はそれぞれ本発明の第４の実施例・・・耐熱ヒータ１５の下部の光導波路１，２の領域は完全にシリコン基板９本体から分離されており、・・・達成されている例である。」（８頁右下欄１〜１２行）、
「−実施例５−
　第１２図は本発明の第５の実施例としての石英ガラス基板上の方向性結合器の構成とその結合率の調整方法を示す斜視図である。ここで、１２は加熱用ＣＯ２レーザビーム、１３はＣＯ２レーザビーム１２によって局部的に熱処理されて熱履歴現象が生じた領域、１４は石英ガラス基板９ａの下部に接着した放熱用銅ブロックを示す。本実施例に用いるサンプルは、前記実施例群で述べた方法で下部クラッド層８を石英ガラス基板９ａ上に形成した後、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２を主成分とするコア層を火炎加水分解反応で堆積させ、続いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりそのコア層のうち不要な部分を除去して、コア部１および２を形成する。次に、再び火炎加水分解反応を利用してコア部１および２を埋め込むようにＳｉＯ２を主成分とする上部クラッド層７を形成する。
　このとき、上部クラッド層７にはＰ２Ｏ５とＢ２Ｏ３とが多量（総量で１５〜２５モル％程度）含まれている。また、方向性結合器５の結合率は５５±５％以内になるよう製作されている。この方向性結合器の結合部に基板表面から加熱用ＣＯ２レーザビーム１２（５Ｗ）を１秒間照射してレーザ光を急激にきると、その結合率は約１％減少した。このとき石英ガラス基板９ａの裏面は銅ブロック１４に接着させて放熱しやすいようにしておく。このときの実験結果例を第１３図に示す。ここで、縦軸に方向性結合器５の結合率変化、横軸に照射したＣＯ２レーザパワーを示す。但し、ＣＯ２レーザビーム１２の照射時間は１秒、ＣＯ２レーザビームのスポット径は約５００μｍ、方向性結合器の結合部における導波部間隔は４μｍであった。また、ＣＯ２レーザパワーが８Ｗ（ワット）以上の時はガラスの変形がみられ、導波部の光損失が増加した。この実験における結合率の減少量は方向性結合器５の結合部における導波路間隔が広いほど大きいし、また熱処理温度（ＣＯ２レーザパワー）、熱処理面積にも依存する。この後、ＣＯ２レーザ光（５Ｗ）を１秒間照射して、引続き５時間程度で徐々に冷却する（ＣＯ２レーザパワーを徐々に下げていく）と方向性結合器の結合率は元の状態に戻る。
　以下に具体的な方向性結合器の結合率の調整方法を説明する。
　第１２図において入力ポート１ａより光を入射しながら出力ポート１ｂ，２ｂからの出力Ｐ１，Ｐ２を常時観察しておく。Ｐ１＜Ｐ２ならばＣＯ２レーザビーム１２で方向性結合器の結合部分５を部分的に加熱して急冷する。この調整によって結合率は減少してＰ１の出力が相対的に大きくなる。さらにＰ１＜Ｐ２ならば熱処理領域を増やすかまたは加熱温度を上げて急冷を繰り返す。この結果、調整が行き過ぎてＰ１＞Ｐ２となればその程度に合わせたＣＯ２レーザパワーで加熱を行い、引続き徐冷をおこなうことによって、最終的にＰ１＝Ｐ２の状態を作ることができる。・・・
　この調整の結果として方向性結合器の結合率を５０±１％以内にすることができた。」（９頁左上欄７行〜同頁右下欄９行）、
「−実施例６−
　・・・１は石英系クラッド層７，８に埋設された石英系光導波路（コア部）であり、第１図と同様の製造工程およびガラス組成でシリコン基板９上に形成されたものである。」（１０頁左上欄下から２行〜同頁右上欄６行）
　
（３）対比・判断
 　本願補正発明と引用発明（主として引用例の実施例５から把握される発明を、「引用発明」という。）とを対比する。 
 （１）引用例（実施例５）の「石英ガラス基板」及び本願補正発明の「シリコン基板」は、「基板」である点で相当する。 
　また、引用例の「石英系単一モード光導波路により構成される方向性結合器」が、「光デバイス」であることは明らかであって、その点で本願補正発明に相当する。
 （２）引用例（実施例５）には、「本実施例に用いるサンプルは、前記実施例群で述べた方法で下部クラッド層８を石英ガラス基板９ａ上に形成した後、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２を主成分とするコア層を火炎加水分解反応で堆積させ、・・・コア層のうち不要な部分を除去して、コア部１および２を形成する。次に、・・・コア部１および２を埋め込むようにＳｉＯ２を主成分とする上部クラッド層７を形成する。」と記載されており、これは引用発明が、本願補正発明の「基板上にシリカベースガラスの複数の層を堆積する工程であって、ここで１ないしそれ以上の導波路がクラッド材料によって覆われるコア材料の光伝送路として形成されている工程」との事項を有することを示すものである。 
 （３）引用例には、「この方向性結合器の結合部に基板表面から加熱用ＣＯ２レーザビーム１２（５Ｗ）を１秒間照射してレーザ光を急激にきると、その結合率は約１％減少した。・・・また、ＣＯ２レーザパワーが８Ｗ（ワット）以上の時はガラスの変形がみられ、導波部の光損失が増加した。・・・この後、ＣＯ２レーザ光（５Ｗ）を１秒間照射して、引続き５時間程度で徐々に冷却する（ＣＯ２レーザパワーを徐々に下げていく）と方向性結合器の結合率は元の状態に戻る。」と記載されており、これは、引用発明が、本願補正発明の「レーザのビームを、前記導波路の一部と交わる光デバイスの選択された領域に向ける工程であって、前記ビームは前記クラッド材料の局所的な軟化を引き起こすために少なくとも十分なパワー密度を持ち、前記導波路の所定の光透過特性が修正される工程」との事項を有することを示すものである。 
 　したがって、引用発明は、
「基板上にシリカベースガラスの複数の層を堆積する工程であって、ここで１ないしそれ以上の導波路がクラッド材料によって覆われるコア材料の光伝送路として形成されている工程と、レーザのビームを、前記導波路の一部と交わる光デバイスの選択された領域に向ける工程であって、前記ビームは前記クラッド材料の局所的な軟化を引き起こすために少なくとも十分なパワー密度を持ち、前記導波路の所定の光透過特性が修正される工程とを含む方法によって製造された、光デバイス」と認めることができ、両者は、上記の点で一致し、次の点で一応相違する。
　
相違点：
　本願補正発明は、基板が、「シリコン基板」であるのに対し、引用例（実施例５）では、「石英ガラス基板」である点。
　
　上記相違点について検討すると、引用例の実施例１，３，４，６はシリコン基板を用いており、また実施例２，５は石英ガラス基板を用いるなど、引用例において両基板の選択は適宜行い得るものであることが明らかである。
　よって、引用発明において、基板としてシリコン基板を用いることは、他の実施例の記載等から任意に選択し得る程度の事項と認めることができるから、両者は実質的に同一である。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
 　 
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年１２月２２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年８月４日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項４に記載された次の事項にあるものと認める。
「【請求項４】シリコン基板上にシリカベースガラスの複数の層を堆積する工程であって、ここで１ないしそれ以上の導波路がクラッド材料によって覆われるコア材料の光伝送路として形成されている工程と、
レーザのビームを、前記導波路の一部と交わる光デバイスの選択された領域に向ける工程であって、
導波路を形成する前記ビームは少なくともシリカベースガラスの
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用した特開平３−２６７９０２号公報（引用例）には、上記２．（２）引用例記載の発明に記載した事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　上記本願補正発明と比べると、本願発明は、上記２．（１）補正の内容に記載したように実質的に本願補正発明を拡張したものである。
　そして、本願発明は、上記２．（３）対比・判断における、本願補正発明に対すると同様の理由により、引用発明と同一である。
　
　なお、原査定の理由は、特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、引用例は、原審の拒絶理由通知において特許法第２９条第１項第３号に該当するとして引用されていたものであるばかりでなく、審判請求人は、審判請求書等において、本願発明と引用例とを対比し、同一性についても検討していることは明らかである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。