【事件の表示】
　特願２００２−２２６９４３「フォトレジストおよびそのパターン化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月　９日出願公開、特開２００３−１３１３６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯等 
　この出願は、平成１４年８月５日（パリ条約による優先権主張平成１３年８月３日、ドイツ）の出願であって、平成１９年８月１日付けで拒絶理由が通知され、平成１９年１１月６日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２０年１月１９日付けで拒絶査定がされたものであり、これに対し、同年５月７日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同年６月５日付けで明細書に関する手続補正がなされたものである。
　なお、平成２０年６月５日付けの手続補正は、不明りょうな記載を釈明したものと認められるので、適法である。
　その後、当審により前置報告書による審尋が行われたが、これに対する回答書は所定の期間内に提出されていない。
　
　そして、特許請求の範囲の請求項１〜６に係る発明は、平成１９年１１月６日付けおよび平成２０年６月５日付けの手続補正書により補正された明細書（以下、「本願明細書」という。）の記載からみて、「フォトレジストおよびそのパターン形成方法」に関するものであって、その特許請求の範囲の請求項１〜６に係る発明は次のとおりである。（以下、請求項１〜６に係る発明を、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明６」という。）
　
「　　【請求項１】
　半導体ディスクの最上層の全面にネガ型フォトレジスト層を形成し、パターンを潜像するためにネガ型フォトレジスト層を部分的に露光し、現像することにより非露光領域のネガ型フォトレジスト層を除去して、半導体ディスク上にパターン化されたフォトレジスト層を形成する方法であって、
　少なくとも上記ネガ型フォトレジスト層と半導体ディスクの上記最上層との境界面において上記ネガ型フォトレジスト層に含まれる、上記最上層に接着するための、不動態化した材料の露光領域を、露光により、上記最上層に接着することができるように活性化することで、ネガ型フォトレジストと半導体ディスクの最上層との間の接着力を向上させることを特徴とする方法。
　　【請求項２】
　半導体ディスクの最上層の全面にポジ型フォトレジスト層を形成し、パターンを潜像するためにポジ型フォトレジスト層を部分的に露光し、現像することにより露光領域のポジ型フォトレジスト層を除去して、半導体ディスク上にパターン化されたフォトレジスト層を形成する方法であって、
　少なくとも上記ポジ型フォトレジスト層と半導体ディスクの上記最上層との境界面において上記ポジ型フォトレジスト層に含まれる、上記最上層に接着することができるように活性化された材料により、上記ポジ型フォトレジスト層を上記最上層に接着させて、ポジ型フォトレジストと半導体ディスクの最上層との間の接着力を向上させるとともに、
　上記露光により、上記材料のうち露光領域を不動態化することを特徴とする方法。
　　【請求項３】
　上記境界面において半導体ディスクの最上層に接着させるため、露光工程後、上記材料に化学反応を引き起こさせることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
　　【請求項４】
　上記半導体ディスクは、フォトレジスト層における上記活性化された材料と接着する材料を含む層を、最上層として備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
　　【請求項５】
　半導体ディスクとの間の接着力を向上させるため、半導体ディスクとの境界面に、半導体ディスクの最上層と接着することができるように活性化された材料を含み、
　上記材料は、露光により、不動態化から、最上層と接着することができるように活性化した材料であることを特徴とする半導体ディスク上にフォトマスクを転写するためのネガ型フォトレジスト。
　　【請求項６】
　半導体ディスクとの間の接着力を向上させるため、半導体ディスクとの境界面に、半導体ディスクの最上層と接着することができるように活性化された材料を含み、
　上記活性化された材料は、露光により、不動態化した材料であることを特徴とする半導体ディスク上にフォトマスクを転写するためのポジ型フォトレジスト。」
　
２．原査定の拒絶理由および拒絶査定の概要
２．１　拒絶理由
　原審における平成１９年８月１日付け拒絶理由通知書で指摘した拒絶理由のうち理由２の概要は、以下のとおりである。
　
『２．この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
ｃ）・・・＜省略＞・・・
ｄ）本願の発明の詳細な説明【００２１】−【００２３】には具体的な化合物群が例示されているものの、・・・＜省略＞・・・。
　また、それらの化合物を如何なるフォトレジストにおいてどの程度の配合比で使用すれば良いのか記載も示唆もないから、当業者に期待しうる程度を超える試行錯誤を行う必要があるものと認められる。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。
ｅ）本願の発明の詳細な説明【００２１】−【００２３】に記載の具体的な化合物群は、露光により不溶性から可溶性になる材料に関するものと考えられるところ、露光により可溶性から不溶性になる具体的な材料は発明の詳細な説明に記載も示唆もされていない。
　したがって、本願請求項２，６並びに当該請求項を引用する請求項３，４に係る発明について、本願の発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に十分に記載されているとはいえない。
ｆ）本願の発明の詳細な説明【００２１】−【００２２】には、「熱供給によって可溶性の化合物が生成され」、「熱によって発生可能な化合物」、「熱供給によって、転位、結合の分解または他の種類の化学的可溶化が行われる化合物」、「熱供給によって発生することが可能な化学的保護基によって保護されている官能基を含んだ化合物」、「熱または光の供給によって、活発な化合物を遊離させている」と記載され、これらは熱によって可溶性となる材料であるものと認められる。
　しかしながら、これらの熱によって可溶性となる材料は、例えば、【００２５】に記載の露光後の熱処理によって全面が可溶性となってしまうと考えられるから、ネガ型フォトレジストの場合、露光部分にのみ下地に対する接着性を向上させるという本願発明と整合しない。
　したがって、【００２１】−【００２２】に記載された上記技術的事項と本願請求項１−６に係る発明との技術的関係を理解することができないから、本願の発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。』
　
２．２　拒絶査定の概要
　原審における平成２０年１月２９日付けの拒絶査定の概要は、以下のとおりである。
　
『　この出願については、平成１９年８月１日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって、拒絶をすべきものである。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討したが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせない。
　
備考
・請求項１−６
　出願人は、平成１９年１１月６日付け意見書（４）において、発明の詳細な説明における「不溶性」という文言は、「不動態」に補正し、補正前の「可溶」という文言は、「活性」に補正し、また、「反応性」という文言については、何と反応するのか、つまり、何と相互作用（接着）するのか、を明確にする補正を行ったことによって、本願内容が全体的に明確になり、特許請求の範囲に記載した各材料として、どのような物を用いることができるかなど、発明を実施することができる程度に明確かつ十分となった旨主張している。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、【００２１】−【００２３】には具体的な化合物群が例示されているにとどまり、それらの化合物をどのような配合ないし組成で用いるべきか記載も示唆もされていない。
　したがって、本願発明を実施するためには、当業者に期待しうる程度を超える試行錯誤が必要であると認められるから、本願発明の詳細な説明は、本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとはいえない。
　以上のとおりであるから、出願人の主張を採用することはできない。
（なお、・・・＜省略＞・・・。）』
　
３．当審の判断
　物の発明にあってはその物を作り、かつ使用できるような発明の実施の形態、方法の発明にあってはその方法を使用できるような発明の実施の形態、又は物を生産する方法の発明にあってはその方法により物を作ることができるような発明の実施の形態が、記載されていないか又は記載されていないに等しいために、特許請求の範囲以外の明細書及び図面に現に記載されている事項並びに出願時の技術常識に基づいても当業者が発明を実施することができないと判断される場合、いわゆる「実施可能要件」に違反にするとされ、特許法第３６条第４項に規定される要件を満さない。
　そこで、以下、そのような「発明の実施の形態」が発明の詳細な説明に記載されているか検討する。
　
３．１　本願明細書に記載されている事項　
ａ　従来技術および発明の課題に関する記載事項
「　　【０００１】
　半導体基板上の集積回路は、一般的には、平坦化技術を用いて製造される。この平坦化を行う場合、リソグラフィー法を用いることによって半導体ディスクを局部的に加工する。このフォトリソグラフィー法では、まず、感光性が高く、薄いフィルム（いわゆるフォトレジスト層）を、半導体ディスクに塗布する。続いて、半導体基板に形成されるパターン（Struktur）を有する適切なマスクを通して、光線をこのフォトレジスト層に照射する。あるいは、フォトレジスト層にパターンを潜像（Abbildung）するために、レントゲン線を用いることもできる。さらには、所望のパターンを、電子線を使って直接フォトレジストに形成できる。
　　　【０００２】
　フォトレジスト層にパターンを潜像した後、レジストを現像してベークする。そして、このようにフォトレジスト層に生成されたパターンは、特殊なエッチング方法を使って、その下に位置する半導体層に転写される。なお、上記フォトレジスト層自身も、例えばイオン注入時に、半導体層を局部的にマスクするために使用できる。
　　　【０００３】
　また、フォトリソグラフィー法は、ポジ型レジスト技術とネガ型レジスト技術とに区分できる。ポジ型レジスト技術の場合、露光された部分のフォトレジストが、レジストを現像する際に溶解するのに対して、非露光部分はマスクされたままである。また、ネガ型レジスト技術においては、正反対のことがいえる。すなわち、露光された部分は、レジストが現像された後もマスクされたままであり、一方、非露光部分は、現像する際に溶解する。
　　　【０００４】
　集積回路の小型化が進むと、リソグラフィー法を用いて、フォトレジスト層におけるパターン幅をより小さくすることが必要となる。この場合、パターン化されたフォトレジスト層を、その下に位置する半導体層をパターン化するためのエッチングマスクとして使用するときは、層の厚さが最も薄くなるようにあらかじめ設定する必要がある。これは、フォトレジスト層がエッチングに対する耐性を確実に有するためである。この結果、構成部分の幅がより狭くなると、フォトレジストパターンのアスペクト比（すなわち、個々のパターンの線幅と高さの比）は、より不都合になる。すなわち、この比を用いると、後続の処理工程においてレジストが倒れる危険が大きくなるのである。このことが、半導体層にレジストパターンを転写する際の欠陥構造となり、結局は欠陥性のある集積回路となってしまうのである。
　　　【０００５】
　したがって、レジストの倒壊を防ぐために、半導体表面とレジストとの接着力を向上させることが必要である。一般的には、フォトレジストと半導体表面との接着力を確実に向上させるため、レジストを塗布する前に、いわゆるカップリング剤（シリコンディスク（Siliciumscheibe）の場合は通常ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン））を用いて表面を蒸気中にさらす。シリコンディスクをＨＭＤＳを用いて蒸気中にさらすことによって、有機表面が生成される。なお、この表面は、従来と同様に有機フォトレジスト層に対して大きな接触角度（Kontaktwinkel）を作り出し、それによってフォトレジストとの接触面積は大きくなる。あるいはＨＭＤＳを用いる以外には、フォトレジスト層と半導体基板との間に、有機反射防止膜をカップリング剤として使用できる。なお、この反射防止膜は、ＨＭＤＳ層と同様、シリコンディスク上に有機表面を生じさせ、さらに、フォトレジスト層が露光されるときには反射を確実に減少させるものである。しかし、パターン幅が特にμｍ以下である場合には、このようなカップリング剤を用いても、まだフォトレジストが倒壊する虞がある。
　　　【０００６】
　したがって本発明の目的は、フォトリソグラフィー法、および、このようなフォトリソグラフィー法に用いるためのフォトレジストを提供することにある。なお、このフォトリソグラフィー法は、半導体表面へのレジストの接着力を向上させることを保証するものである。」
　
ｂ　発明の態様に関する記載事項
「　　【００１７】
　レジストを塗布する前に、半導体ディスクの表面を、通常、いわゆるカップリング剤（シリコンの場合は好ましくはＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン））を用いて蒸気中にさらす。このカップリング剤を用いると、半導体表面の不動態化（Passivierung）が起こり、接触角度が拡大し、これによってカップリング剤上に析出されたレジストはより安定する。また、カップリング剤として、有機反射防止膜もしばしば用いられる。なお、この反射防止膜は、露光による光が半導体表面において反射され、これによる干渉効果（Interferenzeffekt）に起因して露光条件が変更されることを付加的に妨げるものである。
　　　【００１８】
　本発明によって、パターン化されたフォトレジストとその下に位置する下地との接着力の向上を達成し、レジスト現像後の機械的負荷および／または化学的負荷によってレジストの倒壊を確実に防ぐために、フォトレジストには、フォトマスクによって限定された領域に、下地と化学結合する材料が備えられている。ネガ型フォトレジストの場合、この材料は、初めの状態においては不動態状態であるが、露光によって初めて、境界面において下地と接着することができるように活性化される。これにより、ネガ型フォトレジストが残っている部分でさえも、化学結合（例えばネガ型フォトレジストと基板との間を蒸気中にさらすこと）を確実に形成し、それによって接着力を確実に向上させることができる。続いて、従来ネガ型フォトレジストの場合のように、現像工程によって残りの非露光領域を簡易に溶出（abloesen）できる。
　　　【００１９】
　逆に、ポジ型フォトレジストの場合、材料が初めの状態においてすでに活性化しており露光によって初めて不動態状態となる、接着させるための活性化の材料を下地に塗布する。これによって、現像後に残るポジ型フォトレジストの露光部分にのみ、下地に対する上記材料の接着力を確実に向上させることができる。
　　　【００２０】
　この場合、フォトレジストの上記材料が、さらなる活性化工程によって初めて、レジストの熱処理が好ましくは接着力を向上させるように作用し、下地物質と化学的に化合（好ましくは網目状に結合）する、接着力の強い成分を遊離させるように、上記材料が用いられ、当該材料が塗布されることが好ましい。また、この場合、通常フォトレジストの下に配置されている接着仲介物（Haftvermittler）も、上記フォトレジストにおいて活性化された材料と相互作用する反応性成分を含んでいることが有効である。これによって、さらなる接着力の向上が達成される。
　　【００２１】
　この場合、露光および／または熱供給（Waermezufuhr）によって活性化された化合物が生成され、いわゆる前駆体（つまり、不動態化材料）を下地物質と反応することができる化合物に変えることができる。例えば以下の化合物が露光されることによって、光分解されて（fotolytisch）酸が発生する。その化合物とは、オニウム酸（Oniumsaeure）、ハロゲン化合物、スルフォン酸、スルフォンエステル、ジアゾニウム塩、過ハロゲン化メチルトリアジン、ジアリールヨードニウム塩（Diaryliodoniumsalze）、トリアリールスルフォニウム塩、オルトニトロベンゼンエステル、フルオログリシノールスルフォン酸塩、ブロムビスフェノールＡ、ヒドロキサム酸、ジアゾスルフォン酸、等である。化合物は、熱供給によって、転位、結合の分解または他の種類の化学的活性化が行われる化合物か、または、同様に熱供給によって化学結合を生じさせることが可能な、化学的保護基（ベンジル、第３カルボニル、カルボニル、アセタール、エポキシ等）によって保護されている官能基を含んだ化合物のいずれかである。
　　【００２２】
　上記前駆体が活性化した化合物との反応、および／または、熱または光の供給によって、活性化した化合物を遊離させている間、上記前駆体は、活性化された化合物、および／または、熱または光によるエネルギー供給に対して感度が高くなる。なお、上記前駆体自体は反応しない。活性化合物を前駆体と反応させるためには、例えば、化学的保護基の除去、分子の転位、または、各種化学結合の分解が行われる。
　　　【００２３】
　下地と反応することができる化合物は、自ら化学反応するかまたは他の、下地と反応することができる化合物と化合できる官能基を備える、単量体および／または重合体である。下地と反応することができる化合物は、グランドポリマーの官能基化された誘導体、および／または、重合体または単量体であることができる。なお、これらは、通常、半導体フォトレジスト技術に用いられるものである。例えば、通常、半導体フォトレジスト技術に用いられる重合体には、ノボラック、ポリ（メタメタクリル酸塩）、ポリ（イソプロペニルケトン）、ポリ（ｐヒドロキシスチレン）、ポリ（アントリール（Anthryl）メタクリル酸塩）、ポリ（ビニルメチルエーテル−ｃｏ−マレイン酸無水物）、ポリ（スチレン−ｃｏ−マレイン酸無水物）、シリコンを含んだ粉状の（flouriniert）重合体等がある。官能基は、エネルギー供給（好ましくは熱エネルギー）によって、他の官能基と化学結合できる分子ユニットである。例えば、官能基には、カルボニル、アミン、イミン、アミド、イミド、ヒドロキシル、アシル、アミル、アセタール、セミアセタール、エーテル、エステル、および、フェノール基、不飽和基（アリール、アルケン、アルキン、アリン（arin）、シラノール基等がある。結合、閉環（Ringschluss）およびσ結合の形成は、例えば、下地と反応することができる化合物の化学反応のためである。なお、上記の化学反応の結果、フォトレジストが化学的に強化されるという点に、本発明の意義がある。
　　　【００２４】
　図１は、本発明によるネガ型レジストを備えるリソグラフィー工程を示し、図２は、ポジ型レジスト用の同様のリソグラフィー工程を示している。この場合、図１（ａ）および図２（ａ）に示しているような第１工程において、半導体基板（半導体ディスク）１にカップリング剤層２を形成する。一般的にはこれによって、シリコンディスクを用いた場合に、真空、または、窒素雰囲気下の雰囲気圧において、上記ディスクは、ＨＭＤＳ液の蒸気にさらされることになる。この結果、半導体表面を蒸気中にさらすことになる。続いて、光感度の高いフォトレジスト３を、回転塗布法によって塗布する。このことは、図１（ｂ）のネガ型フォトレジスト３、および、図２（ｂ）のポジ型フォトレジスト５に示されている。続いて、所望のレジストパターンを生成するために、光感度の高いフォトレジストにおいて露光工程を実施する。
　　　【００２５】
　さらに、ネガ型フォトレジストの場合、図１（ｃ）に示しているように、フォトマスク４が用いられる。なお、このフォトマスク４では、レジストパターンを生成するネガ型フォトレジスト層の領域は透明である。また、照射される領域に位置するネガ型フォトレジストが、現像液に対して不溶性になるように照射される。同時に、フォトレジストに含まれる不動態化の接着材料が、活性化される。図１（ｄ）に示した後続の熱処理（Temperaturschritt）によって、フォトレジスト層３の露光領域における活性化された材料との化学反応が起こる。なお、上記の化学反応によって、活性化された材料と下地物質との間、すなわちカップリング剤層２において接着が生じる。この結合領域３２は、下地上のレジスト領域において、レジストの接着力を向上させるようにする。続いて、図１（ｅ）に示しているように、所望のレジストパターン３１を形成するために、ネガ型レジスト層３の非露光領域を現像することによって除去する。
　　　【００２６】
　さらに、図２（ｃ）に示しているように、ポジ型レジスト工程では、ポジ型フォトレジスト層５の領域は、フォトマスク６を用いて露光する。上記露光工程は、本来は現像液に対して不溶性のポジ型レジストを可溶性にするポジ型レジストにおいて、化学反応する。同時に、下地との接着が可能な活性化材料は、露光によって不動態化となる。上記露光工程後、図２（ｄ）に示している化学反応は、好ましくは熱処理によって起こる。なお、この熱処理によって、ポジ型レジストに残存している活性化材料がその下に位置するカップリング剤層と結合し、この領域５２においてポジ型レジストの接着力を向上させる。続いて、図２（ｅ）に示しているように、現像液を用いてポジ型レジストの露光領域を除去した結果、所望のレジストパターン５１が発生する。」
　
３．２　本願発明１の検討
　上記摘記ａによれば、「フォトリソグラフィー法を用いることによって半導体ディスクを局部的に加工する」「フォトリソグラフィー法」において、集積回路の小型化が進むと、パターン幅をより小さくすることが必要となる」が、この結果、「後続の処理工程においてレジストが倒れる危険が大きく」なり、「欠陥構造」となる。この「レジストの倒壊を防ぐため」、「通常はＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）層を用い」たり、それ以外では「有機反射防止膜」を使用できるが、パターン幅が特にμｍ以下である場合には、このようなカップリング剤を用いても、まだフォトレジストが倒壊する恐れがある。
　このような従来技術を踏まえた上で、半導体表面への接着力を向上させることを保証するフォトリソグラフィー法を提供することが、本願発明１の目的、言い換えれば、課題であって、本願発明１は、半導体表面への接着力を向上させることを保証するフォトリソグラフィー法に関するものである。
　
　そして、本願発明１における、従来技術との差違をなす構成は、「少なくとも上記ネガ型フォトレジスト層と半導体ディスクの上記最上層との境界面において上記ネガ型フォトレジスト層に含まれる、上記最上層に接着するための、不動態化した材料の露光領域を、露光により、上記最上層に接着することができるように活性化することで、ネガ型フォトレジストと半導体ディスクの最上層との間の接着力を向上させること」である。
　
　それに対し、発明の詳細な説明には、本願発明１に関し、「ネガ型フォトレジストの場合、この材料は、初めの状態においては不動態状態であるが、露光によって初めて、境界面において下地と接着することができるように活性化される。これにより、ネガ型フォトレジストが残っている部分でさえも、化学結合（例えばネガ型フォトレジストと基板との間を蒸気中にさらすこと）を確実に形成し、それによって接着力を確実に向上させることができる。」（摘記ｂ【００１８】）との作用機能的な記載があり、摘記ｂ【００２１】〜【００２３】には、「露光されることによって、光分解されて（fotolytisch）酸が発生する」化合物として、「オニウム酸（Oniumsaeure）、・・・、ジアゾスルフォン酸」といった、通常フォトレジストに用いられている酸発生剤の化合物の一般的名称または化合物群（すなわち、例えば、「オニウム酸」は具体的化合物ではななく、オニウム構造をとる化合物群を示す。）が示され、「熱供給によって、転位、結合の分解または他の種類の化学的活性化が行われる化合物か、または、同様に熱供給によって化学結合を生じさせることが可能な、化学的保護基（ベンジル、・・・、エポキシ等）によって保護されている官能基を含んだ化合物」が記載され、「下地と反応することができる化合物」の例示も、「通常、半導体フォトレジスト技術に用いられるもの」を示した旨が記載されている。
　しかしながら、このような機能的記載および例示のみでは、光分解されて酸が発生したり、熱により活性化されたり、官能基を化学結合したりした結果、具体的にどのように、下地物質と化学的な反応が起こって、「ネガ型フォトレジストと半導体ディスクの最上層との間の接着力」が向上させられたのか理解することができない。
　そして、係る例示は、従来のフォトレジストに用いられるもの（「通常、半導体フォトレジスト技術に用いられるもの」）を示すに留まり、従来技術との差違をなす構成をどのように達成したのか記載したものではない。
　
　したがって、発明の詳細な説明は、本願発明１を実施するための、「発明の実施の形態」が記載されたものではない。
　　
３．３　本願発明２についての検討　
　本願発明２は、上記本願発明１と同様、半導体表面への接着力を向上させることを保証するフォトリソグラフィー法に関するものであり、その課題も本願発明１と同様である。
　そして、本願発明２における、従来技術との差違をなす構成は、「少なくとも上記ポジ型フォトレジスト層と半導体ディスクの上記最上層との境界面において上記ポジ型フォトレジスト層に含まれる、上記最上層に接着することができるように活性化された材料により、上記ポジ型フォトレジスト層を上記最上層に接着させて、ポジ型フォトレジストと半導体ディスクの最上層との間の接着力を向上させるとともに、上記露光により、上記材料のうち露光領域を不動態化すること」である。
　
　それに対し、発明の詳細な説明には、本願発明２に関し、「ポジ型フォトレジストの場合、材料が初めの状態においてすでに活性化しており露光によって初めて不動態状態となる、接着させるための活性化の材料を下地に塗布する。これによって、現像後に残るポジ型フォトレジストの露光部分にのみ、下地に対する上記材料の接着力を確実に向上させることができる。」（適記ｂ【００１９】）との作用機能的な記載があり、本願発明１について上記したような摘記ｂ【００２１】〜【００２３】の例示がある。
　
　しかしながら、このような機能的記載および例示のみでは、上記本願発明１についてと同様、光分解されて酸が発生したり、熱により活性化されたり、官能基を化学結合したりした結果、具体的にどのように、下地物質と化学的な反応が起こって、「ポジ型フォトレジストと半導体ディスクの最上層との間の接着力を向上させるとともに、上記露光により、上記材料のうち露光領域を不動態化すること」ができたのか理解することができない。
　そして、係る例示は、従来のフォトレジストに用いられるもの（「通常、半導体フォトレジスト技術に用いられるもの」）を示すに留まり、従来技術との差違をなす構成をどのように達成したのか記載したものではない。
　
　したがって、発明の詳細な説明は、本願発明２を実施するための、「発明の実施の形態」が記載されたものではない。
　　
３．４　本願発明３についての検討
　本願発明３は、「上記境界面において半導体ディスクの最上層に接着させるため、露光工程後、上記材料に化学反応を引き起こさせること」とする限定を、本願発明１、２に、さらに加えたものであり、技術分野および課題は本願発明１、２と同じである。
　この限定に関し、発明の詳細な説明には、「上記境界面において半導体ディスクの最上層に接着させるため、露光工程後、上記材料に化学反応を引き起こさせること」に関し、摘示ｂに、「さらなる活性化工程によって初めて、レジストの熱処理が好ましくは接着力を向上させるように作用し、下地物質と化学的に化合（好ましくは網目状に結合）する、接着力の強い成分を遊離させるように、上記材料が用いられ、当該材料が塗布されることが好ましい」（【００２０】）等の記載があり、露光後に熱処理のような活性化工程を行うことが記載されているが、上記本願発明１、２について検討したのと同様、露光後に熱処理のような活性化工程されるためにどのようなフォトレジスト材料を用いたのか具体的に記載されていない。
　よって、上記本願発明１、２について検討したことに加えて、「上記境界面において半導体ディスクの最上層に接着させる」ことについても、どのように達成したのか読み取ることができない。
　そして、後加熱は、例えば、化学増幅型フォトレジストでは普通に行われることであり、その他のレジストでも、後加熱や後露光により、より強固なものとする工程は、よく知られていおり、露光後にさらなる活性化工程を加えること自体には、なんら、新規な点はない。
　このように、上記限定を加えたことにより、具体的にどのように、「フォトレジストと半導体ディスクの最上層との間の接着力を向上」させるのか、「発明の実施の形態」が明らかになったわけではない。
　　
　したがって、発明の詳細な説明は、本願発明３を実施するための、「発明の実施の形態」が記載されたものではない。
　　
３．５　本願発明４についての検討
　本願発明４は、「上記半導体ディスクは、フォトレジスト層における上記活性化された材料と接着する材料を含む層を、最上層として備えること」とする限定を、本願発明１、２または３に、さらに加えたものであり、技術分野および課題は本願発明１ないし３と同じである。
　この限定は、本願発明１〜３の「材料」の「活性化」により、「接着力を向上させる」という記載に呼応して、「上記活性化された材料と接着する材料を含む層」を最上層として備えるというものであるが、この材料について、発明の詳細な説明には、上記本願発明１〜３についてで検討したように、具体的にどのようなフォトレジスト材料と反応するのか記載されていない。
　最上層については、例えば、摘記ｂ【００１７】に、「レジストを塗布する前に、半導体ディスクの表面を、通常、いわゆるカップリング剤（シリコンの場合は好ましくはＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン））を用いて蒸気中にさらす。このカップリング剤を用いると、半導体表面の不動態化（Passivierung）が起こり、接触角度が拡大し、これによってカップリング剤上に析出されたレジストはより安定する。また、カップリング剤として、有機反射防止膜もしばしば用いられる。」との記載があるが、これは、本願の従来技術として認識されているものであり、この層に特別技術的特徴はない。
　このように、上記限定を加えたことにより、具体的にどのように、「フォトレジストと半導体ディスクの最上層との間の接着力を向上」させるのか、「発明の実施の形態」が明らかになったわけではない。
　
　したがって、発明の詳細な説明は、本願発明４を実施するための、「発明の実施の形態」が記載されたものではない。
　　
３．６　本願発明５、６についての検討
　本願発明５、６は、それぞれ、本願発明１、２の方法に用いられたフォトレジストを請求の範囲としたものといえる。
　本願発明５、６は、物の発明であるので、その物を作ることができ、かつ、その物を使用できるように、記載されていなければならない。
　しかしながら、本願発明１、２について検討したように、具体的にどのような物であるのか発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　したがって、発明の詳細な説明は、本願発明５、６を実施するための、「発明の実施の形態」が記載されたものではない。
　
３．７　まとめ
　３．２ないし３．６の検討のとおり、本願の発明の詳細な説明は、本願発明１ないし６を実施するための「発明の実施の形態」が記載されていないから、当業者が請求項１ないし６に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでない。
　
３．８　請求人の主張について
　上記「２．２　拒絶査定の概要」にあるように、平成１９年１１月６日付け意見書（４）において、発明の詳細な説明における「不溶性」という文言は、「不動態」に補正し、補正前の「可溶」という文言は、「活性」に補正し、また、「反応性」という文言については、何と反応するのか、つまり、何と相互作用（接着）するのか、を明確にする補正を行ったことによって、本願内容が全体的に明確になり、特許請求の範囲に記載した各材料として、どのような物を用いることができるかなど、発明を実施することができる程度に明確かつ十分となった旨の反論をしているにすぎない。
　また、請求の理由においては、参考文献１、２を提示し、「このように、露光や熱供給によって活性化させた物質を用いてポリマーを形成する技術思想が、本願出願当時に、当業者にとって知られているものであるため、たとえ段落〔００２１〕−〔００２３〕に具体的な化合物群の例示のみが記載されているだけであっても、当業者であれば、本願明細書の記載から、これらの化合物を用いて、期待し得る程度を超える試行錯誤の必要なく、フォトレジストとその下に位置する下地との接着力の向上を達成することができると考えます。
　一例として、当業者であれば次に説明する手法を用いて、共にポリマー系であるレジストと下地材料との間の接着力を強化させることが考えられます。
　
〔例１：　光重合による、レジストと下地材料との間の接着力向上〕
　例えば、０．１〜０．５重量％のケトン／アミン系（必要ならば、更に、０．０２〜０．１重量％のベンジルアセタールとを含有した系）を用いて、これに光を照射することによって光重合を起こして、レジストと下地材料との間の接着力を向上させることができます。
〔例２：　ラジカル重合による、レジストと下地材料との間の接着力向上〕
　紫外線（ＵＶ）照射によって硬化し、照射前の状態において単量体と光開始剤とを含む材料を用いて、ＵＶ照射によって、単量体の重合（ポリマー鎖形成）のきっかけとなる遊離基（フリーラジカル）を当該光開始剤から生じさせて、ポリマー鎖を形成することがきます。具体的には、光開始剤としてカンフルキニーネを用いる場合は、４４０〜４８０ｎｍ波長の光を照射することによってポリマー鎖形成を開始させることができます。また、光開始剤としてフェニルプロパンジオールを用いる場合は、３００〜４５０ｎｍ波長の光を照射することによってポリマー鎖形成を開始させることができます。このようにして始まったポリマー鎖形成の終盤において、レジストと下地材料との間に、重合されて架橋されたポリマー鎖が形成されることによって、レジストと下地材料との間の接着力を向上させることができます。」と主張する。
　しかし、これら記載は、本願明細書に記載されたことではないから、依然として、発明の詳細な説明には、本願発明１の方法を実施するための、「発明の実施の形態」が記載されているとはいえない。
　
　とはいえ、一応、これらの記載を検討してみても、次の〔Ａ〕〜〔Ｄ〕に示すように不備等がある。
〔Ａ〕　露光や熱供給によって活性化させた物質を用いてポリマーを形成する技術思想が、本願出願当時に、当業者にとって知られているものであることは、当審においても異論はない。
　しかしながら、「露光や熱供給によって活性化させた物質を用いてポリマーを形成する」技術は、フォトレジストの反応機構としても十分知られていたことであるので、周知技術そのものともいえる。（必要であれば、下記〔Ｂ〕、〔Ｃ〕で挙げる文献参照。）
　また、参考文献１、２程度の従来技術をもって、「期待し得る程度を越える試行錯誤の必要なく、フォトレジストとその下に位置する下地との接着力の向上を達成することができる」のであれば、フォトレジストの倒壊と基板密着性に関する技術課題は周知であるから、本願明細書を参照しなくても、本願発明１を容易に達成することができるといえる。
（フォトレジストの倒壊と基板密着性の技術課題については、本願明細書に、従来技術として既に記載されたことであるが、必要であれば、特開平１０−２２１８５４号公報【０００９】、特開平１０−２０７０６９号公報【０００６】、特開平９−３２０９２９号公報【０００２】−【０００３】、特開平７−１２２４８５号公報【０００５】−【０００８】、特開平７−６６１０９号公報【０００５】、特開２００１−１０６７３７号公報【０００４】等を参照。）
〔Ｂ〕　例１は不明である。
　「０．１〜０．５重量％のケトン／アミン系（必要ならば、更に、０．０２〜０．１重量％のベンジルアセタールとを含有した系）」とはなにを意味するのか。
　おそらくケトン系とアミン系の複合した光重合開始剤の系、あるいは、ミヒラーケトンに代表されるアミン部分を有する、ケトンの極めてよく知られたラジカル光重合開始剤のことだと思われるが、どちらにしても、特定されていないし、光重合開始剤として、フォトレジストの分野で両者とも周知のである（必要であれば、特開昭６３−１４５３０３号公報の特許請求の範囲１、特開昭６１−２２８００２号公報の特許請求の範囲１等参照）。
　そして、重量％の限定も通常用いる範囲内であるし、その他の重合成分等規定されていないので意味がない。
〔Ｃ〕　例２は不明である。
　「ＵＶ照射によって硬化し、・・・ポリマー鎖を形成すること」すでに、自ら参考文献１に示したように周知である。
　具体的には、光開始剤として、「カンフルキニーネ」、「フェニルプロパンジオール」を記載しているが、誤記あるいは翻訳誤りの可能性が高い。
　すなわち、「カンフルキニーネ」はカンファー構造を有するキニーネが最も妥当であるが、具体的な化合物が不明である。「カンファーキノン」であれば、従来周知の重合開始剤である。（必要であれば、例えば、特開昭６４−３５４３８号公報の請求項７、特開昭６３−１５２６０５号公報の特許請求の範囲１、特開平５−２７４３２号公報の請求項１参照。）また、「フェニルプロパンジオール」もジオール置換位置が不明であって、特定されない。また、想定される構造は、光開始剤として、一般的ではなく、なにか他の基が脱落しているのではないか、思われる。（例えば、１−フェニル−１，２−プロパンジオール−２−ｏ−ベンゾイルオキシムなどの周知の光開始剤。）
〔Ｄ〕　以上、請求人の主張を勘案すると、通常の光重合系性ポリマーの技術を挙げており、特に材料を限定していることでもないから、通常の光重合系のフォトレジストであれば、一般的に本願発明１の作用を奏するとの主張であるという解釈もできる。
　しかし、そうであれば、本願発明１は従来技術との差違が不明なものである。
　
　よって、請求人の主張を勘案しても依然としてどのように本願発明１ないし６を実施するのか不明であるから、発明の詳細な説明には、本願発明１ないし４を実施するための「発明の実施の形態」が記載されていないとの判断は変わらない。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の発明の詳細な説明には、当業者が請求項１ないし６に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、この出願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　よって、結論のとおり、審決する。