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【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体によって少なくとも一部が覆われ、かつそれぞれが第１電極を構成する第１および第２金属ベース板と、
下面に第１電極を有すると共に、上面に第２電極パッドと制御電極パッドとを有し、前記下面が前記第１金属ベース板の上面に固定され、電気的に接続された第１半導体チップと、
下面に第１電極を有すると共に、上面に第２電極パッドと制御電極パッドとを有し、前記下面が前記第２金属ベース板の上面に固定され、電気的に接続された第２半導体チップと、
それぞれの一端が前記封止体によって覆われ、他端が前記封止体の一側面から突出する第１および第２リードと、
前記第１半導体チップの前記第２電極パッドと前記第１リードの前記一端とを電気的に接続する第１導電材料と、
前記第２半導体チップの前記第２電極パッドと前記第２リードの前記一端とを電気的に接続する第２導電材料と、
を有し、
前記第１リードの前記一端は、前記第１金属ベース板の上面よりも上方に位置し、
前記第２リードの前記一端は、前記第２金属ベース板の上面よりも上方に位置していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月13日(2012.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端面を有するコンデンサ素子と、
前記コンデンサ素子の両端面に接続された一対のバスバーと、
前記コンデンサ素子を充填樹脂とともに収容するケースとを有するケースモールド型コンデンサにおいて、
前記バスバーは前記コンデンサ素子と接続される反対側に前記充填樹脂から表出する外部接続端子部を有しており、
前記外部接続端子部は外部機器と締結するための締結穴と前記締結穴よりも小さい形状の位置決め用丸穴とを有し、
組み立て工程における前記ケースに対する前記一対のバスバーの位置決めは、前記ケースを組み立て治具に固定し、前記締結穴と前記位置決め用丸穴に前記組み立て治具の位置決めピンを挿通することにより行われることを特徴とするケースモールド型コンデンサ。
【請求項２】
前記ケースは前記外部機器へ取り付けるための取り付け穴を設けた脚部を有しており、前記取り付け穴の近傍に外部機器装着用の突起部を設けた請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項３】
前記コンデンサ素子は複数個である請求項１または２に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項４】
コンデンサ素子の両端面に、一端に外部接続端子部を有する一対のバスバーの他端を接続する工程と、前記コンデンサ素子と前記バスバーをケース内に収容する工程と、このケースに設けられた取り付け穴に注型治具に設けられた第１の位置決めピンを挿通して前記ケースを固定する工程と、前記バスバーの外部接続端子部に設けられた締結穴に前記注型治具に設けられた第２の位置決めピンを挿通するとともに、前記位置決め用丸穴に前記注型治具に設けられた第３の位置決めピンを挿通して固定する工程と、その後前記ケース内に充填樹脂を充填して硬化させる工程と、前記充填樹脂の硬化後に前記第１、第２、第３の位置決めピンを解除して前記ケースを前記注型治具から取り外す工程と、を有するケースモールド型コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記目的を達成するために本発明のケースモールド型コンデンサは、両端面を有するコンデンサ素子と、このコンデンサ素子の両端面に接続された一対のバスバーと、コンデンサ素子を充填樹脂とともに収容するケースとを有するケースモールド型コンデンサにおいて、前記バスバーにはコンデンサ素子と接続された反対側に充填樹脂から表出する外部接続端子部が設けられており、この外部接続端子部に外部機器と締結するための締結穴と、締結穴よりも小さい形状の位置決め用丸穴とを有し、組み立て工程におけるケースに対する一対のバスバーの位置決めは、ケースを組み立て治具に固定し、締結穴と位置決め用丸穴に組み立て治具の位置決めピンを挿通することにより行われることを特徴としたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
次に、ＮＰＲ３３００（日本ポリテック（株）製）を上記、第１のソルダーレジスト層の上にスクリーン印刷し、１００℃で５分乾燥して第２のソルダーレジスト層とした。次いで、１２０℃で９０分間保持して第１のソルダーレジスト層と第２のソルダーレジスト層の両方を熱硬化させた。第２のソルダーレジスト層の形成に用いたスクリーン版は、３２５メッシュ、線径２８μｍのステンレスメッシュであって、インナーリード部４辺全てにおいて、第２のソルダーレジスト層の端部を第１のソルダーレジスト層の端部より金属配線が露出している側へ約６０μｍの位置に形成できるように、開口部を設計したものである（図６のパターン）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の中に形成され、かつ、外部接続端子を有する電極部と、
前記半導体基板の裏面から前記表面に貫通するビアホールと、
前記ビアホールの側壁及び前記半導体基板の前記裏面に形成された第２絶縁膜と、
前記ビアホールの前記側壁上の前記第２絶縁膜と前記半導体基板の前記裏面上の前記第２絶縁膜と前記ビアホールの底面の前記第１絶縁膜とに形成された貫通電極層と、
前記電極部と前記貫通電極層との間に形成され、かつ前記電極部及び前記貫通電極層に接続されたシリサイド層と、を備え、
前記ビアホールの中心軸を含む平面で切断された断面における、前記シリサイド層の幅Ａと前記ビアホールの底部の幅Ｂとの関係が、Ａ≦Ｂであることを特徴とする
半導体装置。
【請求項２】
前記シリサイド層と前記電極部とは、コンタクト電極を介して接続されたことを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ビアホールの前記中心軸を含む前記平面において、前記シリサイド層の前記幅と前記コンタクト電極の幅が等しいことを特徴とする
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ビアホールの前記中心軸を含む前記平面において、前記ビアホールの前記底部の前記幅より前記電極部の幅が大きいことを特徴とする
請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電極部は、
前記電極部の本体部と、
前記電極部の前記本体部と前記第１絶縁膜との間に配置された第１バリア層とを備えることを特徴とする
請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電極部は、
前記電極部の本体部と、
前記電極部の前記本体部と前記第１絶縁膜との間に配置されかつ前記シリサイド層に接触する第１バリア層と、
前記第１絶縁膜の外面側でかつ前記電極部の前記本体部の外面に配置されて前記外部接続端子として機能するパッド電極部とを備えることを特徴とする
請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記シリサイド層は、前記半導体基板、ポリシリコン膜、又はアモルファスシリコン膜のいずれかに形成されることを特徴とする
請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記シリサイド層は、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサイド、又は、ニッケルシリサイドのいずれかからから成ることを特徴とする
請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記電極部の本体部は、タングステン、アルミニウム、又はその合金、銅のいずれかからから成ることを特徴とする
請求項７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１バリア層は、チタン、チタンナイトライド、チタンタングステン、タンタル、タンタルナイトライド、又は、高融点金属の積層膜から成ることを特徴とする
請求項７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記貫通電極層は、
前記ビアホールの前記側壁上の前記第２絶縁膜と前記半導体基板の前記裏面上の前記第２絶縁膜と前記ビアホールの底面の前記第１絶縁膜とに形成された第２バリア層と、
前記第２バリア層上に形成された再配線層とを備え、
前記第２バリア層は、チタン、チタンナイトライド、チタンタングステン、タンタル、タンタルナイトライド、又は、高融点金属の積層膜から成ることを特徴とする
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記電極部が、単一のコンタクト電極部材又は複数のコンタクト電極部材で構成されていることを特徴とする
請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記パッド電極は、アルミニウム、銅又はその合金と、チタン、チタンナイトライド、タンタル、タンタルナイトライド、高融点金属、又は、その化合物のいずれかからから成ることを特徴とする
請求項６に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換装置の製造方法であって、
光電変換部を有する半導体基板と前記半導体基板の上に配置された絶縁膜とを有し、前記絶縁膜が、第１の深さを有する第１の穴と、前記光電変換部の上に配置され前記第１の深さよりも小さい第２の深さを有する第２の穴とを有する構造を準備する工程と、
前記絶縁膜とは異なる材料で前記第１の穴および前記第２の穴を埋める工程と、
化学的機械的研磨により前記第２の穴がなくなるまで前記絶縁膜を部分的に除去する工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板の表面に垂直な方向から見たときに、前記第２の穴は、前記光電変換部の領域内に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜を部分的に除去する工程は、前記第２の穴より深い位置まで化学的機械的研磨を行うことを含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の穴にビアプラグ又は配線が形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記構造は、複数の前記第１の穴および複数の前記第２の穴を含む複数の穴が均一な配列ピッチで配置された部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記構造は、前記光電変換部のための開口領域を規定する２つの配線を含み、前記第２の穴は、前記２つの配線の間に配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記構造を準備する工程は、前記第１の穴および前記第２の穴をエッチングによって形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光電変換装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の１つの側面は、光電変換装置の製造方法に係り、前記製造方法は、光電変換部を有する半導体基板と前記半導体基板の上に配置された絶縁膜とを有し、前記絶縁膜が、第１の深さを有する第１の穴と、前記光電変換部の上に配置され前記第１の深さよりも小さい第２の深さを有する第２の穴とを有する構造を準備する工程と、前記絶縁膜とは異なる材料で前記第１の穴および前記第２の穴を埋める工程と、化学的機械的研磨により前記第２の穴がなくなるまで前記絶縁膜を部分的に除去する工程と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とを互いに貼り合わせる基板貼り合せ装置であって、
前記第１の基板を保持する第１のホルダと、
前記第２の基板を保持する第２のホルダと、
前記第１のホルダを保持する第１のステージと、
前記第２のホルダを保持して前記第２の基板を前記第１の基板に対向させる第２のステージと、
前記第１のステージおよび前記第２のステージを相対的に移動させて前記第１の基板と前記第２の基板とを相互に位置合わせする駆動部と、
前記第１のホルダに設けられ、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダを相互に結合する結合位置と前記結合位置よりも前記第２のホルダから離れた退避位置との間を移動可能であり、少なくとも前記駆動部による位置合わせ過程で前記退避位置に配置される結合部材と、
前記第１のステージに設けられ、前記結合部材を移動させる移動部と、
を備える基板貼り合せ装置。
【請求項２】
前記移動部は、前記結合部材を前記退避位置に移動させる移動力を前記結合部材に作用させる請求項１に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項３】
前記第１のステージは、前記第１のホルダが搭載される搭載面が下向きになるように、前記第２のステージの上方に配置されており、前記第１のホルダは、前記第１の基板を保持する保持面が下向きになるよう前記搭載面に搭載される請求項１または請求項２に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項４】
前記結合部材は、前記移動部から受ける吸引力により前記結合位置に移動する請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項５】
前記結合部材は、磁性体部材を一体的に有し、前記移動部から印加された磁力に引かれて前記退避位置に移動する請求項４に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項６】
前記結合部材は、弾性部材を介して前記第１のホルダに支持され、
前記弾性部材は、弾性変形していない状態で前記結合部材を前記結合位置に保持する
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項７】
前記弾性部材は磁性体である請求項６に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項８】
前記移動部は、前記結合部材を前記退避位置から前記結合位置に移動させるときに、前記結合部材に作用させる力の大きさを除々に低下させる請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項９】
前記弾性部材は導電性を有し、
前記結合部材は、前記弾性部材を介して電圧を印加される
請求項６または請求項７に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１０】
前記結合部材は、前記結合位置にある場合に、前記第１のホルダが前記第１の基板を保持する面から突出する請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１１】
前記結合部材は、静電力により前記第１のホルダと前記第２のホルダとを互いに結合する請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１２】
前記結合部材が吸着する面は、前記結合部材との間に介在する高抵抗材料層を有する請求項１１に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１３】
前記結合部材は、前記第１のホルダおよび前記第２のホルダの各々が前記基板を吸着する静電電圧よりも高い静電電圧で吸着する請求項１１または請求項１２に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１４】
前記結合部材は、共通の電圧源に並列に接続される請求項１１から請求項１３までのいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１５】
前記結合部材は、静電作用が消滅する消滅温度まで加熱された場合に、前記消滅温度よりも低い温度まで冷却された後に、再び電圧を印加されて静電作用を取り戻す請求項１１から請求項１４までのいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１６】
前記結合部材は、前記基板の外周に隣接する領域において前記第１のホルダおよび前記第２のホルダを吸着する請求項１から請求項１５までのいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１７】
素子が形成された基板を挟んだ一対のホルダどうしを静電作用により吸着する静電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板貼り合せ装置および静電装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に半導体装置が実装されている半導体パッケージであって、
前記半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板を貫通する貫通電極と、
前記半導体基板と前記貫通電極とを隔離する空洞部と、
前記貫通電極と平面視において重複しない位置に設けられた、前記配線基板と前記半導体装置とを電気的に接続する接続端子と、を有する半導体パッケージ。
【請求項２】
配線基板上にインターポーザを介して半導体装置が実装されている半導体パッケージであって、
前記インターポーザは、基板と、
前記基板を貫通する貫通電極と、
前記基板と前記貫通電極とを隔離する空洞部と、
前記貫通電極と平面視において重複しない位置に設けられた、前記配線基板と前記半導体装置とを電気的に接続する接続端子と、を有する半導体パッケージ。
【請求項３】
前記空洞部は、前記半導体装置の一方の面に貫通する部分と、前記半導体装置の他方の面に貫通する部分とを有する請求項１又は２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記空洞部により露出されている前記貫通電極の側面には絶縁膜が形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記空洞部には樹脂が充填されている請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１５３３４０号公報
【特許文献２】特開２００９−０１６７７３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体ウエハの第1の主面上の第1の絶縁膜の上面から下方に向けて、凹部を形成する工程；
（ｂ）前記凹部の内面及び前記第1の絶縁膜の前記上面に、タングステン系バリア・メタル膜を形成する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記凹部の内面および前記第1の絶縁膜の前記上面の前記タングステン系バリア・メタル膜を覆うように、アルミニウム系メタル層を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記半導体ウエハにバイアス電圧を印加しながらイオン化スパッタ成膜により、前記凹部の内面及び前記第1の絶縁膜の前記上面に、前記タングステン系バリア・メタル膜の内の第１層膜を形成する工程；
（ｂ２）前記半導体ウエハにバイアス電圧を実質的に印加しないスパッタ成膜により、前記第１層膜上に、前記タングステン系バリア・メタル膜の内の第２層膜を形成する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤの駆動に用いられる半導体装置であって、
縦方向に電流を流す縦型半導体素子を用いて構成され、
前記縦型半導体素子は、縦型ＭＯＳＦＥＴであり、
本半導体装置のチップ内に、定電流駆動素子機能を持つメイン素子と、調光時遮断スイッチ機能を持つサブ素子と、が前記縦型半導体素子により形成され、
前記メイン素子と前記サブ素子は、ドレイン領域を共有し、
前記メイン素子の第１ソース領域及び第１ゲート電極と、
前記サブ素子の第２ソース領域及び第２ゲート電極と、を有し、
前記第１ソース領域と前記第２ソース領域は、本半導体装置の第１の面にそれぞれ第１の不純物により形成され、前記第１の面に前記第１の不純物とは反対の極性を持つ第２の不純物により形成された分離領域を介して、互いに電気的に絶縁されていること、を特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に半導体装置が実装されている半導体パッケージであって、
前記半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板を貫通し前記配線基板と前記半導体装置とを電気的に接続する貫通電極と、
前記貫通電極の周囲に設けられた前記半導体基板の前記配線基板側に開口する環状の凹部と、を有し、
前記環状の凹部により露出されている前記貫通電極の側面には絶縁膜が形成されている半導体パッケージ。
【請求項２】
配線基板上にインターポーザを介して半導体装置が実装されている半導体パッケージであって、
前記インターポーザは、基板と、
前記基板を貫通し前記配線基板と前記半導体装置とを電気的に接続する貫通電極と、
前記貫通電極の周囲に設けられた前記基板の前記配線基板側に開口する環状の凹部と、を有し、
前記環状の凹部により露出されている前記貫通電極の側面には絶縁膜が形成されている半導体パッケージ。
【請求項３】
前記環状の凹部の深さは、前記半導体基板の厚さよりも小さい請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記環状の凹部の深さは、前記基板の厚さよりも小さい請求項２記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記環状の凹部により露出されている部分と前記環状の凹部により露出されていない部分との境界部には、前記貫通電極と他の層との界面が存在しない請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記環状の凹部には樹脂が充填されている請求項１乃至５の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記貫通電極の一方の端部には、前記半導体基板又は前記基板から前記配線基板側に突出する突出部が形成され、
前記突出部には接続端子が形成されている請求項１乃至６の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記突出部はマッシュルーム形状である請求項７記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
配線基板上に半導体装置が実装されている半導体パッケージの製造方法であって、
前記半導体装置を構成する半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の内部に金属を充填し、前記半導体基板を貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記貫通電極の周囲の前記半導体基板を除去し、前記貫通電極の一部を露出する、前記半導体基板の前記配線基板側に開口する環状の凹部を形成する凹部形成工程と、
前記貫通孔形成工程と前記貫通電極形成工程との間に、前記貫通孔の内壁面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
配線基板上にインターポーザを介して半導体装置が実装されている半導体パッケージの製造方法であって、
前記インターポーザを構成する基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の内部に金属を充填し、前記基板を貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記貫通電極の周囲の前記基板を除去し、前記貫通電極の一部を露出する、前記基板の前記配線基板側に開口する環状の凹部を形成する凹部形成工程と、
前記貫通孔形成工程と前記貫通電極形成工程との間に、前記貫通孔の内壁面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１５３３４０号公報
【特許文献２】特開２００９−０１６７７３号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本半導体パッケージは、配線基板上に半導体装置が実装されている半導体パッケージであって、前記半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板を貫通し前記配線基板と前記半導体装置とを電気的に接続する貫通電極と、前記貫通電極の周囲に設けられた前記半導体基板の前記配線基板側に開口する環状の凹部と、を有し、前記環状の凹部により露出されている前記貫通電極の側面には絶縁膜が形成されていることを要件とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
又、本半導体パッケージは、配線基板上にインターポーザを介して半導体装置が実装されている半導体パッケージであって、前記インターポーザは、基板と、前記基板を貫通し前記配線基板と前記半導体装置とを電気的に接続する貫通電極と、前記貫通電極の周囲に設けられた前記基板の前記配線基板側に開口する環状の凹部と、を有し、前記環状の凹部により露出されている前記貫通電極の側面には絶縁膜が形成されていることを要件とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本半導体パッケージの製造方法は、配線基板上に半導体装置が実装されている半導体パッケージの製造方法であって、前記半導体装置を構成する半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔の内部に金属を充填し、前記半導体基板を貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記貫通電極の周囲の前記半導体基板を除去し、前記貫通電極の一部を露出する、前記半導体基板の前記配線基板側に開口する環状の凹部を形成する凹部形成工程と、前記貫通孔形成工程と前記貫通電極形成工程との間に、前記貫通孔の内壁面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を有することを要件とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
又、本半導体パッケージの製造方法は、配線基板上にインターポーザを介して半導体装置が実装されている半導体パッケージの製造方法であって、前記インターポーザを構成する基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔の内部に金属を充填し、前記基板を貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記貫通電極の周囲の前記基板を除去し、前記貫通電極の一部を露出する、前記基板の前記配線基板側に開口する環状の凹部を形成する凹部形成工程と、前記貫通孔形成工程と前記貫通電極形成工程との間に、前記貫通孔の内壁面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配列され、各々が基板領域上に形成されるフローティングゲートと、前記フローティングゲート上に配置されるメモリゲートとを有するメモリトランジスタと、前記フローティングゲートおよびメモリゲートに隣接して配置されるアシストゲートとを有し、前記メモリトランジスタと直列に接続されるアシストゲートトランジスタと、前記基板領域表面に形成される素子分離領域表面に形成される埋込消去ゲートとを有し、該フローティングゲートの蓄積電荷量に応じて不揮発的にデータを記憶する複数のメモリセル、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のメモリセルのメモリゲートに結合される複数のメモリゲート線、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のアシストゲートに結合される複数のアシストゲート線、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々が対応の列の埋込消去ゲートに結合される複数の埋込消去ゲート配線、
各前記メモリセル列に対応して配置され，各々が対応の列のメモリセルのメモリトランジスタの第１の導通ノードに結合される複数のソース線、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々が対応の列のメモリセルのアシストゲートトランジスタの第２の導通ノードに結合される複数のビット線、および
動作モード指示とアドレス信号とに従って指定されたメモリセルに対して指定された動作を制御する制御回路を備え、前記制御回路は、消去動作が指定されたとき、選択メモリセルに対するソース線、メモリゲート線および埋込消去ゲート配線それぞれに供給される電圧を指定するとともに消去動作を制御する消去制御部と、前記選択メモリセルに対するアシストゲート線およびビット線に対して供給される読出に必要な電圧を指定するとともに読出動作を制御する読出制御部とを含み、前記消去制御部および前記読出制御部は、並行して動作可能であり、
前記消去制御部および読出制御部からの電圧選択信号に従って指定された電圧を発生する電圧発生回路、
前記電圧発生回路からの消去電圧を選択されたメモリセルの埋込消去ゲート配線に伝達する消去回路、および
前記電圧発生回路からの読出電圧を選択されたメモリセルへ供給して前記選択メモリセルの記憶データを読出す読出回路を備え、前記読出回路は前記消去回路の消去電圧印加中に前記記憶データの読出を行うように前記制御回路により動作制御される、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体記憶回路と、前記半導体記憶回路の周辺回路とを有する半導体集積装置であって、
前記周辺回路は、ゲート酸化膜の耐圧が第１の電圧である第１のトランジスタを有し、
前記半導体記憶回路は、
いずれか一方に、メモリセルのゲートトランジスタが接続されるビット線対と、
前記第１のトランジスタと実質的に同じ耐圧のトランジスタで構成され、活性化信号に応じて前記ビット線対を所定の電圧にプリチャージするプリチャージ回路と、を有し、
前記プリチャージ回路の活性化信号に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧が用いられる
半導体集積装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常の読出動作を行なう第１の読出モードと、前記第１の読出モードよりも低消費電力で読出動作を行なう第２の読出モードとを有する不揮発性半導体記憶装置であって、
複数行複数列に配置された複数のメモリセルを含むメモリブロックと、
クロック信号の前縁に応答して、外部アドレス信号に従って前記複数のメモリセルのうちのいずれかのメモリセルを選択する選択回路と、
前記第１の読出モード時は、前記クロック信号の前縁に応答して前記選択回路によって選択されたメモリセルからデータを読み出し、前記第２の読出モード時は、前記クロック信号の後縁に応答して前記選択回路によって選択されたメモリセルからデータを読み出す読出回路とを備える、不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体チップ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＲＡＭを搭載した半導体チップであって、
前記複数のＲＡＭのそれぞれは、
複数の救済方式を設定可能であり、
前記複数の救済方式からＲＡＭ毎に選択して良品チップ面積が最小となるように救済方式を設定する救済回路を有することを特徴とする半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月23日(2012.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超解像再生に用いられる再生パワー調整方法であって、
前記超解像再生の再生状態を反映する指標であるモニタパラメータを観測し、
超解像の再生条件が変動したと判断される場合、
変動後の再生条件に合わせて前記モニタパラメータの目標値を再設定し、
前記モニタパラメータが前記再生条件の変動後の前記再設定された目標値に一致するように前記再生パワーを調整することを特徴とする再生パワー調整方法。
【請求項２】
請求項１に記載の再生パワー調整方法において、
前記モニタパラメータは、前記超解像再生が実行される情報記録媒体に固有なパラメータであることを特徴とする再生パワー調整方法。
【請求項３】
請求項２に記載の再生パワー調整方法において、
OPCパラメータは再生条件に応じて変更されることを特徴とする再生パワー調整方法。
【請求項４】
請求項１に記載の再生パワー調整方法において、
前記再生条件は、再生する位置、再生の線速度、周囲の温度のうち、少なくとも一つ以上によって指標付けられることを特徴とする再生パワー調整方法。
【請求項５】
請求項２に記載の再生パワー調整方法において、
使用する前記モニタパラメータが二つ以上であり、
各々のモニタパラメータ、及び再生パワー、及びOPCパラメータを用いて算出される各々の前記最適再生パワーを用いて、
所定の規則の加重平均によって得られる平均最適再生パワーを算出し、
再生パワーを前記平均最適再生パワーに変更することを特徴とする再生パワー調整方法。
【請求項６】
請求項２に記載の再生パワー調整方法において、
OPCパラメータは前記再生条件と対応付けられたテーブル型の情報として取得され、
前記再生条件に応じたOPCパラメータは、前記テーブル型の情報を参照し、現在の再生条件に対応したOPCパラメータとして決定されることを特徴とする再生パワー調整方法
【請求項７】
所定の情報記録媒体に対して超解像再生を行う機能を備えた情報再生装置において、
前記情報記録媒体から超解像の再生信号を取得する手段と、
当該再生信号から、前記情報記録媒体に記録された情報をデジタルデータとして取得する手段と、
当該取得されたデジタルデータに対して所定の情報処理を行う情報処理手段とを備え、
当該情報処理手段は、
前記超解像再生の再生状態を反映する指標であるモニタパラメータを算出し、
超解像の再生条件が変動したと判断される場合、
変動後の再生条件に合わせて前記モニタパラメータの目標値を再設定し、
前記モニタパラメータが前記再生条件の変動後の前記再設定された目標値に一致するように前記再生パワーを算出することを特徴とする情報再生装置。
【請求項８】
請求項７に記載の情報再生装置において、
前記モニタパラメータは、前記超解像再生が実行される情報記録媒体に固有なパラメータであり、
前記情報処理手段は、OPCパラメータを再生条件に応じて変更することを特徴とする情報再生装置。
【請求項９】
請求項７に記載の情報再生装置において、
前記情報記録媒体の再生位置、再生線速度、温度の少なくとも一つを取得する手段を備えることを特徴とする情報再生装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の情報再生装置において、
二つ以上の前記モニタパラメータを取得する手段と、
各々の前記モニタパラメータ、及び前記再生パワー、及び前記OPCパラメータを用いて各々の前記最適再生パワーを算出する手段と、
所定の規則の加重平均によって得られる平均最適再生パワーを算出する手段と、
再生パワーを前記平均最適再生パワーに変更する手段を備える、
ことを特徴とする情報再生装置。
【請求項１１】
請求項８に記載の情報再生装置において、
前記OPCパラメータを前記光情報記録媒体から取得する手段と、
取得した前記OPCパラメータを用いて前記最適再生パワーを算出する手段とを備えることを特徴とする情報再生装置。
【請求項１２】
請求項８に記載の情報再生装置において、
前記OPCパラメータを前記情報再生装置の記憶部から取得する手段と、
取得した前記OPCパラメータを用いて前記最適再生パワーを算出する手段とを備えることを特徴とする情報再生装置。
【請求項１３】
請求項８に記載の情報再生装置において、
前記OPCパラメータを、前記再生条件と対応付けられたテーブル状の情報として光情報再生装置の記憶部に保持する手段と、
前記テーブル状の情報を参照して、前記再生条件に対応した前記OPCパラメータを決定する手段とを備えることを特徴とする情報再生装置。
【請求項１４】
請求項８に記載の情報再生装置において、
前記再生条件に対応し前記OPCパラメータを用いて、前記最適再生パワーを適切に算出できない場合、前記OPCパラメータを変更する手段を備えることを特徴とする情報再生装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の情報再生装置において、
前記テーブル状の情報の第一の前記再生条件に対応した前記OPCパラメータを使用して、前記第一の再生条件に含まれる第二の前記再生条件の前記最適再生パワーを適切に算出できない場合、前記第二の再生条件におけるOPCパラメータを変更する手段を備えた、
ことを特徴とする情報再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】再生パワー調整方法および光情報再生装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は再生パワー調整方法および光情報再生装置に関し、特に、光学分解能よりも小さいサイズのピットをレーザ照射による熱を利用して再生する超解像技術における再生パワー調整方法、ならびに再生パワーを調整する手段を有する光情報再生装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面に複数の凹部を有する第１の基板上に、光吸収層、有機物を有する層を形成し、
前記第１の基板の第１の面に、第２の基板を対向させ、
前記第１の面と反対側の第２の面から光を照射することにより、前記有機物を有する層の少なくとも一部を前記第２の基板上に転写することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
第１の面に複数の凹部と、前記複数の凹部の間の平面部分と、を有する第１の基板上に、光吸収層、有機物を有する層を形成し、
前記第１の面と反対側の第２の面のうち、前記平面部分と重なる領域に反射層を形成し、
前記第１の基板の第１の面に、第２の基板を対向させ、
前記第２の面から光を照射することにより、前記有機物を有する層の少なくとも一部を前記第２の基板上に転写することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の面に複数の凹部を有する第１の基板は、凹シリンドリカルアレイ面を持つ透光性基板であることを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
第１の面に複数の凹部を有する第１の基板上に、光吸収層、有機物を有する層を形成し、
第２の基板の第１の面に、陽極または陰極の一方である第１の電極、前記第１の電極の端部を覆う領域を有する絶縁層を形成し、
前記第１の基板の第１の面に、前記第２の基板の第１の面を対向させ、
前記第１の基板の第１の面と反対側の第２の面から光を照射することにより、前記有機物を有する層の少なくとも一部を前記第１の電極及び前記絶縁層上に転写して、発光層を有する層を形成し、
前記発光層を有する層上に、陽極または陰極の他方である第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
第１の面に複数の凹部と、前記複数の凹部の間の平面部分と、を有する第１の基板上に、光吸収層、有機物を有する層を形成し、
前記第１の基板の第１の面と反対側の第２の面のうち、前記平面部分と重なる領域に反射層を形成し、
第２の基板の第１の面に、陽極または陰極の一方である第１の電極、前記第１の電極の端部を覆う領域を有する絶縁層を形成し、
前記第１の基板の第１の面に、前記第２の基板の第１の面を対向させ、
前記第１の基板の第２の面から光を照射することにより、前記有機物を有する層の少なくとも一部を前記第１の電極及び前記絶縁層上に転写して、発光層を有する層を形成し、
前記発光層を有する層上に、陽極または陰極の他方である第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記第１の面に複数の凹部を有する第１の基板は、凹シリンドリカルアレイ面を持つ透光性基板であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合構造と、
構造領域の落雷検出カバー範囲を与えるための複数の小さい軽量のポーリング可能な通信装置を具備し、各装置は少なくとも落雷電流に近い位置にあるならば動作不能にされ、
前記通信装置は落雷電流による損傷の位置が特定されることを可能にする反復パターンで配置されている、航空機。
【請求項２】
前記構造はエンジン室、レードーム、翼の先端、水平の安定化装置の先端、垂直の安定化装置の先端のうちの１つである請求項１記載の航空機。
【請求項３】
動作可能な通信装置はポーリングされるとき識別情報のみを提供する請求項１記載の航空機。
【請求項４】
少なくとも幾つかの通信装置は落雷の方向又は勾配が決定されるように異なる電流及び電圧しきい値を有している請求項１記載の航空機。
【請求項５】
前記通信装置は無線装置である請求項１記載の航空機。
【請求項６】
前記通信装置はＲＦＩＤタグである請求項１記載の航空機。
【請求項７】
航空機の１領域をカバーする複数の通信装置に質問し、
動作不能の装置を識別し、
動作不能の装置から検査ゾーンを識別する
ステップを含む、航空機上の落雷パスの検出方法。
【請求項８】
さらに、落雷電流により生じた損傷について検査ゾーン上で非破壊的検査を実行するステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
検査ゾーンは落雷発生位置、雷離脱位置、落雷電流が通るパスに沿った位置のうちの少なくとも１つを含んでいる、請求項７記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ここで説明した検出は落雷検出に限定されない。雷は電磁効果（ＥＭＥ）である。より一般的には、ここで説明した検出はＥＭＥの検出に適用されることができる。本体の１領域に配置されている複数の無線通信装置はその領域のＥＭＥの効果を検出するために使用されることができる。
また、本発明は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
複合構造と、
構造領域の落雷検出カバー範囲を与えるための複数の小さい軽量のポーリング可能な通信装置を具備し、各装置は少なくとも落雷電流に近い位置にあるならば動作不能にされる航空機。
（態様２）
前記構造はエンジン室、レードーム、翼の先端、水平の安定化装置の先端、垂直の安定化装置の先端のうちの１つである態様１記載の航空機。
（態様３）
前記通信装置は落雷電流による損傷の位置が特定されることを可能にする反復パターンで配置されている態様１記載の航空機。
（態様４）
動作可能な通信装置はポーリングされるとき識別情報のみを提供する態様１記載の航空機。
（態様５）
少なくとも幾つかの通信装置は落雷の方向又は勾配が決定されるように異なる電流及び電圧しきい値を有している態様１記載の航空機。
（態様６）
前記通信装置は無線装置である態様１記載の航空機。
（態様７）
前記通信装置はＲＦＩＤタグである態様１記載の航空機。
（態様８）
前記通信装置の少なくとも幾つかの装置は複合構造の表面に取付けられている態様１記載の航空機。
（態様９）
前記通信装置の少なくとも幾つかの装置は複合構造中に埋設されている態様１記載の航空機。
（態様１０）
前記通信装置の少なくとも幾つかの装置は複合構造上のアップリケにより支持されている態様１記載の航空機。
（態様１１）
航空機の１領域をカバーする複数の通信装置に質問し、
動作不能の装置を識別し、
動作不能の装置から検査ゾーンを識別する処理を含んでいる航空機上の落雷パスの検出方法。
（態様１２）
さらに、落雷電流により生じた損傷について検査ゾーン上で非破壊的検査を行う態様１１記載の方法。
（態様１３）
検査ゾーンは落雷発生位置、雷離脱位置、落雷電流が取るパスに沿った位置のうちの少なくとも１つを含んでいる態様１１記載の方法。
（態様１４）
検査ゾーンは飛行中に識別される態様１３記載の方法。
（態様１５）
検査ゾーンは地上で識別される態様１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転子組立体（２９）を含む型のコントロール・モーメント・ジャイロスコープ（２０）内で使用する信号トルクモジュール組立体（ＳＴＭＡ（２２））であって、
トルクモジュール組立体匡体（６８）、前記トルクモジュール組立体匡体に結合されたトルクモータ（８０）および前記トルクモジュール組立体匡体に結合され、前記トルクモータを前記回転子組立体に機械的に結合する歯車列（７２）を含むトルクモジュール組立体（ＴＭＡ（６０））と、
前記トルクモジュール組立体匡体に結合された信号モジュール組立体（６２）と、
前記信号モジュール組立体と前記回転子組立体とを電気的に接続し、前記歯車列を貫通して延在する細長い接続具（１０２）と、
前記歯車列（７２）の中央部分を貫通して形成される長手方向チャネル（１０６）であって、前記細長い接続具（１０２）が前記長手方向チャネルを貫通して延在する、長手方向チャネル（１０６）と
を備える信号トルクモジュール組立体。
【請求項２】
前記歯車列（７２）が、
前記長手方向チャネルの周りに円周に離隔された第１の組の遊星歯車（１１８）と、
前記第１の組の遊星歯車を支持する第１の電荷担体（１２０）と、
前記長手方向チャネル（１０６）の周りに円周に離隔された第２の組の遊星歯車（１２６）と、
前記第２の組の遊星歯車（１２６）を支持する第２の電荷担体（１２８）と、
前記第１電荷担体によって支持され、前記第２の組の遊星歯車に係合する太陽歯車（１２４）と
を備え、
前記長手方向チャネル（１０６）が前記第１の電荷担体および前記第２の電荷担体を貫通して延在する、請求項１に記載の信号トルクモジュール組立体（２２）。
【請求項３】
前記信号モジュール組立体（６２）が実質的に前記回転子組立体（２９）の反対側の前記トルクモジュール組立体匡体（６８）に取り付けられる、請求項１に記載の信号トルクモジュール組立体（２２）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動モータ駆動の走行ローラ（３）、装置筺体、集塵コンテナ、及び装置カバー（６）を備えた自立走行可能な床用集塵装置（１）であって、前記床用集塵装置（１）が障害物検出ユニットを有し、前記障害物検出ユニットが光源（１０、１０’）と、反射光用の受光レンズ（１２）状の光学素子及び光検出素子（１１）を有する受光ユニット（Ｅ）とを有する三角計測システム（Ｔ）である床用集塵装置において、
光ビームが、前記受光ユニット（Ｅ）内で前記受光レンズ（１２）によって集光（コリメート）された後に、障害物（１３、１３’）までの実際の距離の大きさに応じて、前記光検出素子（１１）上に入射する光ビームの変位が大きくなるように制御されることを特徴とする、床用集塵装置。
【請求項２】
前記入射する光ビームの前記光検出素子（１１）上への大きな変位が前記受光レンズ（１２）に付加して設けられた補正レンズ（１４）を介して達成されることを特徴とする、請求項１に記載の床用集塵装置。
【請求項３】
前記受光レンズ（１２）と前記補正レンズ（１４）に付加して、少なくとも１つの他のレンズが設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の床用集塵装置。
【請求項４】
前記他のレンズが、前記受光レンズ（１２）の構成において、反射光を集光又はコリメートする集光レンズとして形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の床用集塵装置。
【請求項５】
前記三角計測システム（Ｔ）が垂直回転軸（ｚ）の周りに回転可能に設けられていることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の床用集塵装置。
【請求項６】
前記三角計測システム（Ｔ）が、該三角計測システム（Ｔ）の固定された前記装置筐体に対して垂直回転軸（ｚ）の周りで回転可能な回転プレート（２０）上に設けられていることを特徴とする、請求項５に記載の床用集塵装置。
【請求項７】
前記回転プレート（２０）上の前記三角計測システム（Ｔ）へのエネルギー供給のために、スリップリングとリング接触子からなる構成部が設けられていることを特徴とする、請求項６に記載の床用集塵装置。
【請求項８】
前記光検出素子（１１）の検出信号の転送が、前記スリップリングとリング接触子とからなる構成部を介した前記回転プレート（２０）への給電時に、前記スリップリングとリング接触子とからなる構成部を経由してデジタル信号で行われることを特徴とする、請求項７に記載の床用集塵装置。
【請求項９】
前記三角計測システム（Ｔ）の固定された装置筐体に対する、該三角計測システム（Ｔ）の回転角度を検出するためにセンサーが設けられていることを特徴とする、請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載の床用集塵装置。
【請求項１０】
２つ以上の前記光源（１０、１０’）が設けられていることを特徴とする、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の床用集塵装置。
【請求項１１】
２つ以上の前記光検出素子（１１）が設けられていることを特徴とする、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の床用集塵装置。
【請求項１２】
複数の前記光源（１０、１０’）を備える構成において、前記光源（１０、１０’）が相互に異なる波長の光を出射するように構成され、前記光検出素子（１１）が予め決められた波長の光を検出するように配置されていることを特徴とする、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の床用集塵装置。
【請求項１３】
前記光検出素子（１１）上に入射するビームスポット（Ｐ）が２次元的に広げられていることを特徴とする、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の床用集塵装置。
【請求項１４】
前記光検出素子（１１）が、近傍領域（Ｎ）に対応付けられた素子領域で遠方領域に対応付けられた素子領域（Ｆ）よりも焦点がぼかされていることを特徴とする、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の床用集塵装置。
【請求項１５】
前記三角計測システム（Ｔ）が可動に懸架されると共に、傾きセンサーが設けられていることを特徴とする、請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の床用集塵装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理量トランスデューサと発振ループを形成し、前記物理量トランスデューサに駆動振動を励振する発振駆動回路と、
前記物理量トランスデューサから出力されるアナログの検出信号を検波回路によって検波した後、検波された信号を、Ａ／Ｄ変換器によってデジタル信号に変換して出力する検出回路と、を含み、
前記発振駆動回路は、前記駆動振動の振幅を検出する駆動振幅検出回路を有し、
前記検出回路に含まれる前記Ａ／Ｄ変換器の基準電圧の電圧レベルは、前記駆動振幅検出回路の検出出力信号に基づいて制御されることを特徴とする物理量測定装置。
【請求項２】
請求項１記載の物理量測定装置であって、
前記Ａ／Ｄ変換器の基準電圧の電圧レベルは、前記Ａ／Ｄ変換器の変換幅が、前記駆動振動の振幅に比例するように制御されることを特徴とする物理量測定装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の物理量測定装置であって、
前記発振駆動回路は、前記駆動振動の振幅を一定にするためのＡＧＣ回路を有し、前記駆動振幅検出回路は、前記ＡＧＣ回路を構成する回路の一つであることを特徴とする物理量測定装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の物理量測定装置であって、
前記駆動振幅検出回路の検出出力信号および前記検出出力信号の電圧レベルを反転した信号の少なくとも一方が、前記Ａ／Ｄ変換器の前記基準電圧として使用されることを特徴とする物理量測定装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の物理量測定装置であって、
前記駆動振幅検出回路の検出出力信号の電圧レベルを調整することによって得られる信号を第１の信号とし、前記第１の信号の電圧レベルを反転した信号を第２の信号とした場合、前記第１の信号および前記第２の信号の少なくとも一方が、前記Ａ／Ｄ変換器の前記基準電圧として使用されることを特徴とする物理量測定装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の物理量測定装置であって、
前記検出回路は、前記駆動振幅検出回路の検出出力信号に重畳されるオフセット電圧を補償するためのオフセット調整回路を有することを特徴とする物理量測定装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の物理量測定装置であって、
前記駆動振幅検出回路は、
前記発振ループの発振信号を整流する整流回路と、
前記整流回路の出力信号を平滑する平滑回路と、
を有することを特徴とする物理量測定装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の物理量測定装置であって、
前記駆動振幅検出回路は、
前記発振ループの発振信号を整流する整流回路と、整流した信号を積分する積分回路とが一体化された整流・積分回路により構成されることを特徴とする物理量測定装置。
【請求項９】
請求項１または請求項２記載の物理量測定装置であって、
前記発振駆動回路は、前記駆動振動の振幅の上限および下限の少なくとも一方を規制するための振幅制限回路を有することを特徴とする物理量測定装置。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれかに記載の物理量測定装置であって、
前記物理量測定装置はジャイロセンサであり、
前記物理量トランスデューサは、前記発振駆動回路によって駆動振動が励振されると共に、角速度に応じた振幅の検出信号を生成する振動型ジャイロスコープ素子であることを特徴とする物理量測定装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の物理量測定装置と、
可動機構と、
を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子機器であって、
前記物理量測定装置の動作期間と前記可動機構の動作期間が重なりを有することを特徴とする電子機器。