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【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
所定のビーコンを送出した際に複数の装置に宛てたデータを送信するよう構成された基地局が送出する前記所定のビーコンの送出間隔を判定する判定手段と、
前記判定手段により判定された前記送出間隔に基づいて、前記送出間隔を変更させるための制御を行う制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記基地局の設定に関する表示を表示部にさせることを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記送出間隔が所定値以上の場合、前記基地局に前記送出間隔を短くするよう指示することを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
通信装置であって、
基地局が複数の装置に宛てたデータを送信する際に送出する所定のビーコンの送出間隔を判定する判定手段と、
前記判定手段により判定された前記送出間隔に基づいて、複数の装置に宛てて送出されるデータに対するタイムアウトの時間を変更するための制御を行う制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項５】
前記制御手段は前記通信装置の通信相手に前記タイムアウトの時間を長くするための指示を行うことを特徴とする請求項４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記制御手段は前記タイムアウトの時間を長くするために前記通信装置の設定を変更することを特徴とする請求項４に記載の通信装置。
【請求項７】
通信装置であって、
所定のビーコンを送出した際に複数の装置に宛てたデータを送信するよう構成された基地局が送出する前記所定のビーコンの送出間隔を判定する判定手段と、
前記判定手段により判定された前記送出間隔に基づいて、前記基地局との接続時における制御を行う制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記基地局との接続において間欠受信を行うか否かを決定することを特徴とする請求項７に記載の通信装置。
【請求項９】
前記判定手段は、複数の基地局のそれぞれが送出する前記所定のビーコンの送出間隔を判定し、
前記制御手段は、前記複数の基地局のうち、前記所定のビーコンの送出間隔が短い基地局を選択することを特徴とする請求項７に記載の通信装置。
【請求項１０】
通信装置であって、
所定のビーコンを送出した際に複数の装置に宛てたデータを送信するよう構成された基地局が送出する前記所定のビーコンの送出間隔を判定する判定手段と、
前記判定手段により判定された前記送出間隔に基づいて、前記基地局の設定に関する表示を表示部にさせる表示手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１１】
前記基地局は、前記基地局が構成するネットワークの情報を通知するためのビーコンを送出し、
前記判定手段は、該ビーコンの情報に基づいて、該ビーコンの内の前記所定のビーコンの前記送出間隔を算出することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記送出間隔を前記通信装置に通知するよう他の通信装置に要求する要求手段をさらに有し、
前記判定手段は、前記要求手段による要求に応じて前記他の通信装置が通知した前記送出間隔を受信し、前記送出間隔を判定することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１３】
前記判定手段は、他の通信装置から受信した情報に基づいて、前記所定のビーコンの送出間隔を算出することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１４】
通信装置であって、
基地局が送出するビーコンを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した前記ビーコンの送出間隔に基づいて、間欠受信を行って前記基地局と接続するか否かを決定する制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１５】
通信装置の制御方法であって、
所定のビーコンを送出した際に複数の装置に宛てたデータを送信するよう構成された基地局が送出する前記所定のビーコンの送出間隔を判定する判定工程と、
前記送出間隔に基づいて、前記送出間隔を変更させるための制御を行う制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１６】
通信装置の制御方法であって、
所定のビーコンを送出した際に複数の装置に宛てたデータを送信するよう構成された基地局が送出する前記所定のビーコンの送出間隔を判定する判定工程と、
前記送出間隔に基づいて、複数の装置に宛てて送出されるデータに対するタイムアウトの時間を変更するための制御を行う制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１７】
通信装置の制御方法であって、
所定のビーコンを送出した際に複数の装置に宛てたデータを送信するよう構成された基地局が送出する前記所定のビーコンの送出間隔を判定する判定工程と、
前記送出間隔に基づいて、前記基地局との接続時における制御を行う制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１８】
通信装置の制御方法であって、
所定のビーコンを送出した際に複数の装置に宛てたデータを送信するよう構成された基地局が送出する前記所定のビーコンの送出間隔を判定する判定工程と、
前記送出間隔に基づいて、前記基地局の設定に関する表示を表示部にさせる表示工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１９】
通信装置の制御方法であって、
基地局が送出するビーコンを受信する受信工程と、
前記ビーコンの送出間隔に基づいて、間欠受信を行って前記基地局と接続するか否かを決定する制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項２０】
コンピュータにより実行され、通信装置の制御を行うためのプログラムであって、
請求項１５乃至１９のいずれか１項に記載の制御方法を実現するためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークに接続する接続手段と、
前記接続手段を介してデータ通信を行う際の通信速度を切り替える切替手段と、
前記接続手段を介して行うデータ通信がスパニングツリープロトコルに従ったものであるか判定する判定手段と、
前記判定手段により前記接続手段を介して行うデータ通信がスパニングツリープロトコルに従ったものであると判定された場合に、前記切替手段による通信速度の切替を制限して固定の通信速度とし、スパニングツリープロトコルに従ったものでないと判定された場合に、前記切替手段による通信速度の切替を許可する通信制御手段とを有することを特徴とするデータ通信装置。
【請求項２】
前記判定手段は、前記接続手段を介して受け取ったパケットの内容に基づき前記接続手段を介して行うデータ通信がスパニングツリープロトコルに従ったものであるか判定することを特徴とする請求項１に記載のデータ通信装置。
【請求項３】
前記データ通信装置を、通常モードまたは前記通常モードより消費電力を低減する省電力モードに設定する設定手段を有し、
前記切替手段は、前記判定手段により前記接続手段を介して行うデータ通信がスパニングツリープロトコルに従ったものでない場合、前記設定手段が前記省電力モードに設定するときに通信速度を低速に切り替えることを特徴とする請求項１または２に記載のデータ通信装置。
【請求項４】
入力された印刷データに基づく画像を印刷する印刷手段を有し、
前記設定手段は、前記接続手段を介して印刷データを受信した場合に、前記通常モードに設定し、所定期間に渡って印刷データを受信しない場合に、前記省電力モードに設定することを特徴とする請求項３に記載のデータ通信装置。
【請求項５】
ユーザからの操作を入力する操作手段を有し、
前記設定手段は、前記操作手段を介して操作が行われた場合に、前記通常モードに設定し、所定期間に渡って前記操作手段を介して操作が行われない場合に、前記省電力モードに設定することを特徴とする請求項３または４に記載のデータ通信装置。
【請求項６】
ネットワークに接続されるデータ通信装置の制御方法であって、
前記ネットワークを介して前記データ通信装置がデータ通信を行う際の通信速度を切り替える切替工程と、
前記ネットワークを介して前記データ通信装置が行うデータ通信がスパニングツリープロトコルに従ったものであるか判定する判定工程と、
前記前記判定工程において前記ネットワークを介して前記データ通信装置が行うデータ通信がスパニングツリープロトコルに従ったものであると判定された場合に、前記切替工程における通信速度の切替を制限して固定の通信速度とし、スパニングツリープロトコルに従ったものでないと判定された場合に、前記切替工程における通信速度の切替を許可する通信制御工程とを有することを特徴とするデータ通信装置の制御方法。
【請求項７】
請求項６に記載の制御方法をコンピュータにより実行することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の問題点を解消するため、本発明のデータ通信装置は、ネットワークに接続する接続手段と、前記接続手段を介してデータ通信を行う際の通信速度を切り替える切替手段と、前記接続手段を介して行うデータ通信がスパニングツリープロトコルに従ったものであるか判定する判定手段と、前記判定手段により前記接続手段を介して行うデータ通信がスパニングツリープロトコルに従ったものであると判定された場合に、前記切替手段による通信速度の切替を制限して固定の通信速度とし、スパニングツリープロトコルに従ったものでないと判定された場合に、前記切替手段による通信速度の切替を許可する通信制御手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電圧及び基準電圧を伝送する複数の伝送路と、
前記伝送路から出力される電圧をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、
を備え、
複数の前記伝送路夫々は、
前記信号電圧及び前記基準電圧の一方を選択的に出力する第１スイッチと、
前記第１スイッチの出力電圧を保持する保持回路と、
前記第１スイッチの出力電圧及び前記保持回路の出力電圧の一方を選択的に出力する第２スイッチと、
を備える、Ａ／Ｄ変換回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ａ／Ｄ変換回路
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光量変化を検出する光量センサ部と、
被写体の撮像信号を出力する撮像部と、
前記撮像信号のゲインを調整するゲイン調整部と、
前記撮像部を駆動し、その駆動タイミングを出力する駆動部と、
前記ゲイン調整部のゲインを制御するゲイン制御部とを備え、
前記ゲイン制御部は、前記光量センサ部の出力と前記駆動タイミングとから、外部閃光の影響ラインを特定し、特定した前記影響ラインに基づいてゲインを制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記ゲイン制御部は、前記光量センサ部で検出された光量を一定期間積算した値の逆数に基づいてゲインを決定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記ゲイン制御部は、予め設定された値と、前記光量センサ部で検出された光量を一定期間積算した値の逆数とを乗算した結果を制御ゲインとして用いることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
光量変化を検出する光量センサ部と、
被写体の撮像信号を出力する撮像部と、
前記撮像信号のゲインを調整するゲイン調整部と、
前記撮像信号のノイズを抑制する信号処理を行うノイズ抑制部と、
前記撮像部を駆動し、その駆動タイミングを出力する駆動部と、
前記ゲイン調整部のゲインおよび前記ノイズ抑制部のノイズ抑制度合いを制御するゲイン＆ノイズ抑制制御部とを備え、
前記ゲイン＆ノイズ抑制制御部は、前記光量センサ部の出力と前記駆動タイミングとから、外部閃光の影響ラインを特定し、特定した前記影響ラインに基づいてゲインおよびノイズ抑制効果を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
前記ゲイン＆ノイズ抑制制御部は、ゲインが大きいほどノイズ抑制を強く実施するような制御信号を出力することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜方法、及び成膜用基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面にレンズアレイが設けられ、対向する他方の面に光吸収層が設けられた支持基板上に、前記光吸収層に接する材料層を形成し、
前記支持基板の前記材料層が形成された面と、被成膜基板の被成膜面とを対向させ、
前記支持基板の前記レンズアレイが設けられた面側から光を前記光吸収層の少なくとも一部に選択的に照射して、
光を照射された領域の前記光吸収層と重なる領域に位置する前記材料層を加熱して、前記被成膜基板の被成膜面に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
一方の面にレンズアレイが設けられ、対向する他方の面に光吸収層が設けられた支持基板上に、前記光吸収層に接する材料層を形成し、
前記支持基板の前記レンズアレイが形成された面と対向するスリットを配置し、
前記支持基板の前記材料層が形成された面と、被成膜基板の被成膜面とを対向させ、
前記支持基板の前記レンズアレイが設けられた面側から、前記スリットを通過した光を前記光吸収層の少なくとも一部に選択的に照射して、
光を照射された領域の前記光吸収層と重なる領域に位置にする前記材料層を加熱して、前記被成膜基板の被成膜面に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記光の光路上であって前記スリットの前方に、集光レンズアレイを配置し、
前記集光レンズアレイ及び前記スリットを順に通過した光を、前記支持基板の前記レンズアレイが設けられた面側から前記光吸収層に照射することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記材料層は、有機化合物を有し、かつ島状またはストライプ状に形成されていることを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記光吸収層は、モリブデン、窒化タンタル、チタン、又はタングステンを有し、かつ島状またはストライプ状に形成されていることを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
一方の面にレンズアレイを有し、
対向する他方の面に光吸収層、及び前記光吸収層と接する材料層を有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項７】
請求項６において、
前記光吸収層上に形成され、開口部を有する断熱層を有し、
前記断熱層は、前記光吸収層に用いた材料よりも熱伝導率が低く、
前記断熱層の前記開口部において、前記材料層と前記光吸収層とが接していることを特徴とする成膜用基板。
【請求項８】
請求項６又は７のいずれか一において、
前記成膜用基板は、被成膜基板との位置合わせのためのマーカを有し、
前記マーカの周辺では、前記光吸収層及び前記材料層は除去されていることを特徴とする成膜用基板。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロバブル、マイクロナノバブル、あるいはナノバブルのいずれかの微小気泡を含む液体を基板に供給して当該基板の洗浄処理を行う基板処理装置であって、
前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、
前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から有機系の汚染物を除去する有機汚染除去装置であって、前記液体中に含まれる前記微小気泡を圧壊することなく、その波長またはエネルギー強度がコントロールされた紫外線を照射する有機汚染除去装置を含む異物除去機構部と、
を備え、
この異物除去機構部を通過した前記液体並びに当該液体に含まれる前記微小気泡を前記基板に供給するチューブとを備え、
このチューブを介して前記基板に供給される、前記微小気泡を含む液体を用いて、前記基板の洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記異物除去機構部は、さらに前記微小気泡を含む液体から金属不純物を除去する金属不純物フィルタ、前記微小気泡を含む液体から溶存ガスを除去する溶存ガス除去機構、そして前記微小気泡を含む液体からパーティクル除去するパーティクル除去部の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記微小気泡液生成部と前記異物除去機構部は、前記異物除去機構部を通過した前記微小気泡を含む液体を前記微小気泡液生成部に戻すための循環用の配管により接続されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
マイクロバブル、マイクロナノバブル、あるいはナノバブルのいずれかの微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から、異物除去機構部にて異物を除去した、前記微小気泡を含む前記液体を基板に供給して当該基板の洗浄処理を行う基板処理方法であって、
前記微小気泡液生成部により、前記微小気泡を含む液体を生成し、
前記異物除去機構部により、前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体に、当該液体中に含まれる前記微小気泡を圧壊することなく、その波長またはエネルギー強度がコントロールされた紫外線を照射して前記液体から有機系の汚染物を除去し、
前記異物除去機構部を通過した前記液体並びに当該液体に含まれる前記微小気泡を前記基板に供給して当該基板の洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の基板処理装置は、マイクロバブル、マイクロナノバブル、あるいはナノバブルのいずれかの微小気泡を含む液体を基板に供給して当該基板の洗浄処理を行う基板処理装置であって、
前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、
前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から有機系の汚染物を除去する有機汚染除去装置であって、前記液体中に含まれる前記微小気泡を圧壊することなく、その波長またはエネルギー強度がコントロールされた紫外線を照射する有機汚染除去装置を含む異物除去機構部と、
を備え、
この異物除去機構部を通過した前記液体並びに当該液体に含まれる前記微小気泡を前記基板に供給するチューブとを備え、
このチューブを介して前記基板に供給される、前記微小気泡を含む液体を用いて、前記基板の洗浄処理を行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の微細気泡生成方法は、マイクロバブル、マイクロナノバブル、あるいはナノバブルのいずれかの微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から、異物除去機構部にて異物を除去した、前記微小気泡を含む前記液体を基板に供給して当該基板の洗浄処理を行う基板処理方法であって、
前記微小気泡液生成部により、前記微小気泡を含む液体を生成し、
前記異物除去機構部により、前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体に、当該液体中に含まれる前記微小気泡を圧壊することなく、その波長またはエネルギー強度がコントロールされた紫外線を照射して前記液体から有機系の汚染物を除去し、
前記異物除去機構部を通過した前記液体並びに当該液体に含まれる前記微小気泡を前記基板に供給して当該基板の洗浄処理を行うことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、異物を確実に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月20日(2012.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極上に設けられ、微結晶半導体で形成された一導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられた第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記一導電型とは逆導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層と、
前記第３の半導体層上に設けられた第２電極と、
を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層との界面側に、前記第１の半導体層との界面から前記第３の半導体層に向かって幅が狭まっていく立体的形状を有する第１の結晶領域と、
前記第３の半導体層との界面側に、前記第３の半導体層との界面から前記第１の半導体層に向かって幅が狭まっていく立体的形状を有する第２の結晶領域と、
を含み、
前記第１の結晶領域は、前記第１の半導体層から前記第２の半導体層が成膜される方向に向けて上狭まりに成長しており、
前記第２の結晶領域は、前記第１の半導体層との界面とは離れた位置から上拡がりに成長しており、
前記第２の半導体層は、結晶質半導体である前記第１の結晶領域および前記第２の結晶領域が非晶質構造の中に存在することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の半導体層には、二次イオン質量分析法によって計測される窒素濃度が２×１０２０／ｃｍ３以上７×１０２０／ｃｍ３以下の領域を起点として、前記第２の結晶領域が前記第３の半導体層に向けて成長していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の半導体層は、前記第２の結晶領域の結晶核近傍において、二次イオン質量分析法によって計測されるピーク濃度が３×１０２０／ｃｍ３乃至１×１０２１／ｃｍ３であり、前記結晶核近傍から前記第３の半導体層との界面方向に向けて窒素濃度が減少していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の結晶領域は、単結晶、または、双晶を含む単結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の半導体層はｎ型半導体であり、前記第２の半導体層はｉ型半導体であり、前記第３の半導体層はｐ型半導体であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
第１電極上に、一導電型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体で第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、
成膜初期段階においては、半導体材料ガスに対して希釈ガスの流量比を１倍以上６倍以下とした反応ガスを反応室内に導入してプラズマを生成し、前記第１の半導体層との界面から成膜方向に向けて成長する第１の結晶領域を含む被膜の成膜を行った後、
微結晶半導体の生成が可能な混合比で前記半導体材料ガスと前記希釈ガスとを前記反応室内に導入してプラズマを生成し、結晶核の生成を妨害する不純物元素を含ませて被膜の成膜を開始した後に前記結晶核の生成を妨害する不純物元素の濃度を減少させていくことで結晶核を生成させて、前記第１の半導体層との界面とは離れた位置から成膜方向に向けて成長する第２の結晶領域を含む被膜の成膜を行い、前記第１の結晶領域と前記第２の結晶領域とを非晶質構造の中に含む第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、前記一導電型とは逆導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層上に第２電極を形成する
ことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
第１の結晶領域を含む被膜の成膜を行った後、前記結晶核の生成を妨害する不純物元素が残留するように、前記結晶核の生成を妨害する不純物元素を含むガスを一時的に前記反応室内に導入し、その後前記結晶核の生成を妨害する不純物元素を含むガス排気する処理を行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記結晶核の生成を妨害する不純物元素として、窒素を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記半導体材料ガスとしては水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンを用い、
前記希釈ガスとしては水素を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体領域上及び第２の半導体領域上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のフローティングゲートと、
前記フローティングゲート上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のコントロールゲートと、を有し、
前記第１の半導体領域は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第３の領域と、を有し、
前記第２の半導体領域は、第４の領域と、前記第４の領域の周辺に位置する第５の領域と、を有し、
前記フローティングゲートは、前記第３の領域と重なる領域を有し、
前記フローティングゲートは、前記第４の領域と重なる領域を有し、
前記コントロールゲートは、前記第３の領域と重なる領域を有し、
前記コントロールゲートは、前記第４の領域と重なる領域を有し、
前記コントロールゲートと、前記第５の領域と、が電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記コントロールゲート上に第３の絶縁膜を有し、
前記第３の絶縁膜上に接続配線を有し、
前記第１乃至第３の絶縁膜に第１の開口を有し、
前記第３の絶縁膜に第２の開口を有し、
前記接続配線は、前記第１の開口を介して前記第５の領域と電気的に接続されており、
前記接続配線は、前記第２の開口を介して前記コントロールゲートと電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第５の領域は、領域Ａと、領域Ｂと、前記領域Ａと前記領域Ｂとの間に位置する領域Ｃと、を有し、
前記第１乃至第３の絶縁膜に第３の開口を有し、
前記第１の開口は、前記領域Ａと重なるように配置され、
前記第２の開口は、前記領域Ｃと重なるように配置され、
前記第３の開口は、前記領域Ｂと重なるように配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記コントロールゲートは、第１の配線に電気的に接続されており、
前記第２の半導体領域は、前記第１の配線と前記第１の半導体領域との間に位置することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の領域は、第２の配線と電気的に接続されており、
前記第２の領域は、第３の配線と電気的に接続されており、
前記第２の半導体領域は、前記第２の配線と前記第３の配線の間に位置することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の半導体領域上及び前記第２の半導体領域上、且つ、前記第１の絶縁膜下に第４の絶縁膜を有し、
前記第４の絶縁膜は、第４の開口を有し、
前記第４の開口は、前記第３の領域と重なる領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の半導体領域上及び前記第２の半導体領域上、且つ、前記第１の絶縁膜下に第４の絶縁膜を有し、
前記第４の絶縁膜は、第５の開口を有し、
前記第５の開口は、前記第４の領域と重なる領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の半導体領域上及び前記第２の半導体領域上、且つ、前記第１の絶縁膜下に第４の絶縁膜を有し、
前記第４の絶縁膜は、第４の開口と、第５の開口と、を有し、
前記第４の開口は、前記第３の領域と重なる領域を有し、
前記第５の開口は、前記第４の領域と重なる領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置であって、
データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に電力を供給する供給手段と、
前記情報処理装置が省電力モードに移行されるべき条件が成立したか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した経過時間を計測する計測手段と、
前記判定手段が前記条件が成立したと判定した場合に、前記経過時間と、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給が増加された増加回数とに基づいたタイミングで、前記供給手段から前記記憶手段に供給される電力を減少させるよう前記供給手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記供給手段から前記記憶手段への電力供給が減少される度に、前記経過時間から基準時間を減算する減算手段を有し、
前記制御手段は、前記経過時間が所定時間より長い場合は、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給を第１のタイミングで減少させるよう前記供給手段を制御し、前記経過時間が前記所定時間より短い場合は、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給を前記第１のタイミングより遅い第２のタイミングで減少させるよう前記供給手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第２のタイミングは、前記判定手段が前記条件が成立したと判定してから、前記基準時間から前記経過時間を減算することにより算出される時間が経過した後のタイミングであることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記供給手段から前記記憶手段への電力供給が減少される度に、前記供給手段により前記記憶手段への電力供給が減少されてから前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した時間から前記基準時間を減算した値を貯蓄時間として貯蓄する貯蓄手段を有し、
前記制御手段は、前記供給手段により前記記憶手段への電力供給が減少されてから前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した時間に前記貯蓄時間を加算した時間が所定時間より長い場合は、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給を第１のタイミングで減少させるよう前記供給手段を制御し、前記供給手段により前記記憶手段への電力供給が減少されてから前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した時間に前記貯蓄時間を加算した時間が前記前記所定時間より短い場合は、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給を前記第１のタイミングより遅い第２のタイミングで減少させるよう前記供給手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記第２のタイミングは、前記判定手段が前記条件が成立したと判定してから、前記基準時間から前記供給手段から前記記憶手段への電力供給が減少されてから前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した時間と前記貯蓄時間とを減算することにより算出される時間が経過した後のタイミングであることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記供給手段から前記記憶手段への電力供給が増加された増加回数を記録する記録手段を有し、
前記制御手段は、前記経過時間が前記基準時間に前記増加回数を乗算した時間より長い場合は、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給を第１のタイミングで減少させるよう前記供給手段を制御し、前記経過時間が前記基準時間に前記増加回数を乗算した時間より短い場合は、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給を前記第１のタイミングより遅い第２のタイミングで減少させるよう前記供給手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第２のタイミングは、前記判定手段が前記条件が成立したと判定してから、前記基準時間に前記増加回数を乗算した時間から前記経過時間を減算することにより算出される時間が経過した後のタイミングであることを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記供給手段により前記記憶手段への電力供給が増加されてから前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した時間が所定時間より長い場合は、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給を第１のタイミングで減少させるよう前記供給手段を制御し、前記供給手段により前記記憶手段への電力供給が増加されてから前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した時間が前記所定時間より短い場合は、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給を前記第１のタイミングより遅い第２のタイミングで減少させるよう前記供給手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第２のタイミングは、前記判定手段が前記条件が成立したと判定してから、前記基準時間から前記供給手段により前記記憶手段への電力供給が増加されてから前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した時間を減算することにより算出される時間が経過した後のタイミングであることを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記記憶手段に記憶されたデータに基づきジョブの処理を実行する実行手段を有し、
前記判定手段は、前記実行手段がジョブの処理を終了し引き続き処理すべきジョブが存在しない状態になった場合、前記条件が成立したと判定することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記基準時間は、前記情報処理装置に保証された前記情報処理装置が故障することなく動作する時間を前記記憶手段に保証された前記記憶手段が故障することなく動作するために前記記憶手段に対して電力供給を増加させられる回数又は減少させられる回数で割ることにより算出される時間であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に電力を供給する供給手段とを有する情報処理装置を制御するための制御方法であって、
前記情報処理装置が省電力モードに移行されるべき条件が成立したか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程で前記条件が成立したと判定するまでに経過した経過時間を計測する計測工程と、
前記判定工程で前記条件が成立したと判定した場合に、前記経過時間と、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給が増加された増加回数とに基づいたタイミングで、前記供給手段から前記記憶手段に供給される電力を減少させるよう前記供給手段を制御する制御工程とを有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る情報処理装置は、データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に電力を供給する供給手段と、前記情報処理装置が省電力モードに移行されるべき条件が成立したか否かを判定する判定手段と、前記判定手段が前記条件が成立したと判定するまでに経過した経過時間を計測する計測手段と、前記判定手段が前記条件が成立したと判定した場合に、前記経過時間と、前記供給手段から前記記憶手段への電力供給が増加された増加回数とに基づいたタイミングで、前記供給手段から前記記憶手段に供給される電力を減少させるよう前記供給手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有する光導波路素子であって、光導波路の導波路端面から入射した光信号に対する反射構造を備え、前記光信号が前記反射構造で反射され前記導波路端面から出力されることにより、位相変調領域での光信号の光路長が増大されることを特徴とする光導波路素子。
【請求項２】
前記光導波路は、量子井戸構造を形成する半導体材料からなり、前記量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有することを特徴とする請求項１に記載の光導波路素子。
【請求項３】
前記光導波路は、ＩｎＧａＡｓとＡｌＡｓＳｂからなる量子井戸構造を形成する半導体材料からなることを特徴とする請求項２記載の光導波路素子。
【請求項４】
前記光導波路の前記反射構造は、ブラッグ反射鏡、金属膜反射鏡、ファセットミラーの少なくとも一つを用いた構造であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光導波路素子。
【請求項５】
前記導波路端面に反射防止層を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光導波路素子。
【請求項６】
マイケルソン干渉計と光信号の入出力を可能とすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光導波路素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光導波路素子を備えることを特徴とする光集積回路。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光導波路素子と、シリコン細線導波路によるマイケルソン干渉計とを結合したことを特徴とする光ゲートスイッチ。
【請求項９】
位相変調効果を有する光導波路素子の製造方法であって、
光導波路の一方の導波路端面から入射した光信号に対する反射構造を、前記光導波路の他方の導波路端面側に形成することを特徴とする請求項１記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項１０】
位相変調効果を有する光導波路素子の製造方法であって、
光導波路の導波路端面から入射した光信号に対する反射構造を、前記光導波路に空気層の周期構造をエッチングして形成することを特徴とする請求項９記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項１１】
位相変調効果を有する光導波路素子の製造方法であって、
光導波路の導波路端面から入射した光信号に対する反射構造を、前記光導波路にエッチングにより形成した空気層の周期構造に低屈折率材料を埋め込むことにより形成することを特徴とする請求項９記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項１２】
位相変調効果を有する光導波路素子の製造方法であって、
光導波路の一方の導波路端面から入射した光信号に対する反射構造を、前記光導波路の他方の導波路端面に屈折率の異なる材料を交互に成膜して形成することを特徴とする請求項９記載の光導波路素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に遮光層と表面反射防止層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、
前記遮光層は、タンタル窒化層として窒素を７ａｔ％以上５１ａｔ％以下の範囲で含有し、
前記遮光膜は、表面粗さが０．４９ｎｍＲｍｓ以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
【請求項２】
前記遮光膜は、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対する光透過率が０．２％以下であることを特徴とする請求項１記載のフォトマスクブランク。
【請求項３】
前記遮光膜は、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対する裏面反射率が４０％未満であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項４】
前記遮光層は、前記透明基板上から５〜１５ｎｍの範囲内での窒素含有量が前記遮光層の他の部分での窒素含有量より高いことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項５】
前記遮光層は、屈折率ｎが１．６５より大きく２．４４より小さく、消衰係数ｋが１．７０より大きく２．５０より小さく、前記表面反射防止層は、屈折率ｎが２．２３以上２．４２以下、消衰係数ｋが０．６３以上１．０９以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項６】
前記表面反射防止層は、タンタルと酸素を含有する材料からなり、前記遮光層の上面に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項７】
前記表面反射防止層は、酸素を５０％以上含有することを特徴とする請求項６記載のフォトマスクブランク。
【請求項８】
透明基板上に少なくとも遮光層と表面反射防止層を含む遮光膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
タンタルスパッタリングターゲットを使用し、アルゴンと窒素の混合ガスを導入して前記透明基板上にタンタル窒化層からなる前記遮光層を形成する工程と、
タンタルスパッタリングターゲットを使用し、アルゴンと酸素の混合ガスを導入して前記遮光層上にタンタル酸化層からなる前記表面反射防止層を形成する工程を有し、
前記遮光層は、窒素を７ａｔ％以上５１ａｔ％以下に含有し、
前記遮光膜は、表面粗さが０．４９ｎｍＲｍｓ以下であることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項９】
前記遮光膜は、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対する光透過率が０．２％以下であることを特徴とする請求項８記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
前記遮光膜は、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対する裏面反射率が４０％未満であることを特徴とする請求項８または９のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項１１】
前記遮光層は、屈折率ｎが１．６５より大きく２．４４より小さく、消衰係数ｋが１．７０より大きく２．５０より小さく、前記表面反射防止層は、屈折率ｎが２．２３以上２．４２以下、消衰係数ｋが０．６３以上１．０９以下であることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項１２】
前記遮光層を形成する工程は、前記混合ガスにキセノンをさらに含むことを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項１３】
前記表面反射防止層は、酸素を５０％以上含有することを特徴とする請求項８から１２のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
請求項１から請求項７のいずれかに記載のフォトマスクブランクの遮光膜に転写パターンが形成されてなることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１５】
請求項７記載のフォトマスクブランクに転写パターンを形成してなるフォトマスクの製造方法であって、
前記遮光膜上に形成された転写パターンを有するレジスト膜をエッチングマスクとして前記表面反射防止層を酸素を含まないフッ素系ガスでドライエッチングする工程と、
該工程後、前記レジスト膜及び前記表面反射防止層の少なくとも１つをエッチングマスクとして前記遮光層を酸素を含まない塩素系ガスでドライエッチングする工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１６】
請求項８から請求項１３のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法で製造されたフォトマスクブランクの遮光膜に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１７】
請求項１３記載のフォトマスクブランクの製造方法で製造されたフォトマスクブランクに転写パターンを形成してなるフォトマスクの製造方法であって、
前記遮光膜上に形成された転写パターンを有するレジスト膜をエッチングマスクとして前記表面反射防止層を酸素を含まないフッ素系ガスでドライエッチングする工程と、
該工程後、前記レジスト膜及び前記表面反射防止層の少なくとも１つをエッチングマスクとして前記遮光層を酸素を含まない塩素系ガスでドライエッチングする工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この画像形成装置において、例えば、上記一次転写ローラは、該一次転写ローラの回転軸と上記感光体ドラムの回転軸とを連結部材により連結され、上記一次転写ローラの回転軸は、上記連結部材に連結されるとともに、ベルトユニット内に配置されたカム連動部材に連結され、該カム連動部材は、回動カムのカム面に摺動自在に接触して上記回動カムにより進退駆動されることにより、上記一次転写ローラの回転軸を上記感光体ドラムの回転軸中心を支点とする回転運動の円弧の軌跡に沿って移動させるように構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、この画像形成装置において、例えば、上記一次転写ローラは、ベルトユニット内に配置されたカム連動部材に保持され、該カム連動部材は、回動カムのカム面に摺動自在に接触して上記回動カムにより進退駆動されるとともに、進退駆動される方向に直角な方向の側面を回動部材の一端の支持軸により支持され、上記回動部材は、少なくとも２本配設されるとともに、他端の被支持軸を上記ベルトユニットのフレームに位置固定されて回転可能に支持され、上記支持軸の支持点と上記被支持軸の被支持点との間の距離は、上記一次転写ローラの回転軸が上記感光体ドラムの回転軸中心を支点とする回転運動の円弧の軌跡に沿って移動するときの上記軌跡が描く円弧と上記感光体ドラムの回転中心との距離と同一であるように構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
転写ベルトユニット４２は、本体装置のほぼ中央で図の左右方向に扁平なループ状になって延在する無端状の上述した転写ベルト４７と、この転写ベルト４７を掛け渡されて転写ベルト４７を図の矢印ｈで示す反時計回り方向に循環移動させる駆動ローラ６２と従動ローラ６３を備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体ドラムに対し中間転写ベルトを挟んで反対側に配置され、前記感光体ドラム上のトナー像を前記中間転写ベルトに一次転写する一次転写ローラを備えた画像形成装置であって、
前記一次転写ローラは、
前記トナー像を前記中間転写ベルトに一次転写するために非転写位置から転写位置に移動するに際し、前記感光体ドラムの回転軸中心を支点とする回転運動の軌跡に沿って移動することにより、前記感光体ドラムと前記中間転写ベルトとの接触位置よりもベルト移動方向の下流側に所定距離シフトする位置に転写位置を設定される、
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記一次転写ローラは、該一次転写ローラの回転軸と前記感光体ドラムの回転軸とを連結部材により連結され、
前記一次転写ローラの回転軸は、前記連結部材に連結されるとともに、ベルトユニット内に配置されたカム連動部材に連結され、
該カム連動部材は、回動カムのカム面に摺動自在に接触して前記回動カムにより進退駆動され、
前記連結部材は、前記カム連動部材が進退移動することに従って前記一次転写ローラの回転軸を前記感光体ドラムの回転軸中心を支点とする回転運動の円弧の軌跡に沿って移動させる、
ことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記一次転写ローラは、ベルトユニット内に配置されたカム連動部材に保持され、
該カム連動部材は、回動カムのカム面に摺動自在に接触して前記回動カムにより進退駆動されるとともに、進退駆動される方向に直角な方向の側面を回動部材の一端の支持軸により支持され、
前記回動部材は、少なくとも２本配設されるとともに、他端の被支持軸を前記ベルトユニットのフレームに位置固定されて回転可能に支持され、前記支持軸の支持点と前記被支持軸の被支持点との間の距離は、前記一次転写ローラの回転軸が前記感光体ドラムの回転軸中心を支点とする回転運動の円弧の軌跡に沿って移動するときの前記円弧と前記感光体ドラムの回転軸中心との距離と同一である、
ことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５３９４０９２号明細書
【特許文献２】米国特許第５８９２３６４号明細書
【特許文献３】国際公開第２００９／１１９０５０号パンフレット
【特許文献４】特開２０１０−６０３５４号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１中に下向き矢印で示すように、プラズマガス導入口３にはプラズマガスとしてヘリウム（He）が所定流量で供給される一方、上向き矢印で示すように、希釈ガス導入口１４には希釈ガスとしてプラズマガスと同一のヘリウムが同流量で供給される。また、図２(a)中に上向き破線矢印で示すように、キャピラリ管１６には検出対象の成分を含む試料ガスが供給される。例えば、本検出器をガスクロマトグラフの検出器として用いる場合には、カラムで成分分離された試料ガスをキャピラリ管１６に導入すればよい。なお、プラズマガスや希釈ガスとしては、電離され易いガスであればヘリウムのほか、アルゴン、窒素、ネオン、キセノンなどのうちの１種又はそれらを２種以上混合したガスなどでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１において、自動分析装置１００は、血液や尿などの生体サンプル（以下、試料と称する）を収容する複数のサンプル容器１が収納されたサンプル容器ラック２と、サンプル容器ラック２を搬送するラック搬送ライン３と、試薬容器保管部であって試料の分析に用いる種々の試薬が収容された複数の試薬容器４が収納・保温され試薬ディスクカバー７により覆われた試薬容器ディスク５と、試料と試薬を混合するための複数の反応容器８が収納されたインキュベータディスク９と、回転駆動や上下駆動によりサンプル容器１からインキュベータディスク９の反応容器８に試料を分注するサンプル分注ノズル１０と、試薬ディスクカバー７に設けられた試薬ディスクカバー開口部７ａを介して、回転駆動や上下駆動により試薬容器４からインキュベータディスク９の反応容器８に試薬を分注する試薬分注ノズル１１と、反応容器８に収容された反応液を攪拌する反応容器攪拌機構１４と、発光誘導試薬が収容された発光誘導試薬容器２２と、洗浄試薬が収容された洗浄試薬容器２３と、回転駆動及び上下駆動により、インキュベータディスク９の反応容器８で混合された反応液、発光誘導試薬容器２２、或いは、洗浄試薬容器２３に収容された試薬を吸引するノズル１７と、ノズル１７で吸引された反応液や試薬を用いて測定処理（電気信号測定など）を行う電気信号検出器１８と、分析処理前に行う試薬準備処理や各部の分注動作、電気信号検出器１８による測定処理などを含む自動分析装置１００全体の動作を制御する制御部１９とを概略備えている。試薬容器ディスク５には、発光標識を含む試薬を収容する試薬容器や磁性粒子を含む試薬を収容する試薬容器などが収納されている。なお、本実施の形態では測定処理の一例として電気信号測定を示して説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２に示すように、試薬容器ディスク５には、複数の試薬容器４が搭載されており、その周辺には、試薬容器４からインキュベータディスク９の反応容器８に試薬を分注する試薬分注ノズル１１と、試薬容器ディスク５に搭載された試薬容器４に収容された試薬を攪拌する試薬攪拌機構２０と、試薬容器ディスク５の所定位置に試薬容器４を搭載したり、試薬容器ディスク５から試薬容器４を回収したりする試薬容器ローダ２１とが設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
制御部１９は、自動分析装置１００全体の動作を制御するものであり、予め設定したプログラムや、入力部１９ｂなどにより入力されるオペレータからの指令に基づいて分析処理を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図３は、優先項目登録画面３０を示す図である。優先項目とは、その分析項目に対応する試薬の搭載・登録を自動分析装置１００がオペレーション状態のとき、すなわち、他の分析項目を含む分析処理の実施中に行った場合に、その試薬を使える状態にするための試薬準備処理を、他の分析項目に係る動作よりも優先して行うようにするものである。図３において、優先項目登録画面３０は、優先項目として設定可能な分析項目を表示する設定可能項目表示部３１と、優先項目として設定するために選択した分析項目を表示する優先項目表示部３２と、設定可能項目表示部３１において図示しないカーソルなどの手段で指定した分析項目を優先項目の登録対象として優先項目表示部３２に表示させる登録ボタン３３と、優先項目表示部３２において図示しないカーソルなどの手段で指定した分析項目を優先項目の登録対象から解除する解除ボタン３４と、優先項目登録画面３０に表示中の設定を取り消して無効にする取消ボタン３６と、優先項目登録画面３０における設定内容を有効として、制御部１９の記憶部（図示せず）に新たに登録する更新ボタン３７とを備えている。また、優先項目登録画面３０には、自動分析装置１００において、複数の分析ユニット９０を用いた構成とした場合に、優先項目登録画面３０に表示中の設定が対象とする分析ユニット９０を指定するためのユニット指定画面４０（図４参照）を表示するユニット指定ボタン３５が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
１  サンプル容器
２  サンプル容器ラック
３  ラック搬送ライン
４  試薬容器
４ａ〜４ｃ  容器
４ｄ  バーコード
５  試薬容器ディスク
７  試薬ディスクカバー
７ａ  試薬ディスクカバー開口部
８  反応容器
９  インキュベータディスク
１０  サンプル分注ノズル
１０ａ  サンプル分注チップ
１１  試薬分注ノズル
１２，１３  反応容器・サンプル分注チップ収納部
１４  反応容器攪拌機構
１５  廃棄孔
１６  搬送機構
１６ａ  チップ装着位置
１７  ノズル
１８  電気信号検出器
１９  制御部
１９ａ  表示部
１９ｂ  入力部
２０  試薬攪拌機構
２１  試薬容器ローダ
２２  発光誘導試薬容器
２３  洗浄試薬容器
３０  優先項目登録画面
３１  設定可能項目表示部
３２  優先項目表示部
３３  登録ボタン
３４  解除ボタン
３５  ユニット指定ボタン
３６，４１，５１  取消ボタン
３７，４２，５２  更新ボタン
４０  ユニット指定画面
５０  同一キャリブ使用条件設定画面
６０  試薬登録実行画面
６１  チェックボックス
６２  いいえボタン
６３  はいボタン
９０  分析ユニット
１００  自動分析装置