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【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理システム及び表示生成器を含む、画像化システム、ここで：
前記画像処理システムは、１つ以上のカメラから受け取った、対応する１つ以上の信号を処理することにより、画像の中心窩表示領域のために中心窩データを生成するように動作し、かつ、前記画像の周縁表示領域のために周縁データを生成するように動作し、前記周縁データの周縁画素密度は、前記中心窩データの中心窩画素密度より低く；並びに
前記表示生成器は、一定の断面を有する光素子を使うことにより、１：１の写像率によって、前記中心窩データから、前記中心窩表示領域を生成し、及び、広がった断面を有する光素子を使うことにより、１：ｍの写像率によって、前記周縁データから、前記周縁表示領域を生成し、ここで、ｍは１より大きい；
ように動作する。
【請求項２】
前記表示生成器は、光ファイバー結合器を含み、前記光ファイバー結合器は、複数の第１の光素子を含み、前記複数の第１の光素子は、１：１の写像率によって光を伝えるように動作し、前記光ファイバー結合器は、複数の第２の光素子を含み、前記複数の第２の光素子は、１：ｍの写像率によって光を伝えるように動作する、請求項１の画像化システム。
【請求項３】
前記周縁表示領域は、前記中心窩表示領域を実質的に囲み、及び／又は、
前記中心窩表示領域は、４つの辺を持ち、前記周縁表示領域は、４つの部分領域を含み、前記部分領域の各々は、前記４つの辺の１つの辺に続く、
請求項１又は２の画像化システム。
【請求項４】
前記表示生成器は、利用者が着用して動作する、頭に装着する表示器に構成され、前記頭に装着する表示器は、前記利用者の目の少なくとも１つに相対的に、実質的に固定した位置に、前記画像を保持するように動作し、
前記中心窩表示領域及び前記周縁表示領域は、前記利用者に相対的に、水平方向の視野として３０度から６０度までの範囲を有し、かつ、垂直方向の視野として２０度から５０度までの範囲を有する、
請求項１乃至３の何れか一項の画像化システム。
【請求項５】
ｍは１より、２倍から６倍までの範囲の倍率で大きく、及び／又は、
前記中心窩表示領域は、前記周縁表示領域の視野の３０％から５０％までの範囲の視野を有する、
請求項１乃至４の何れか一項の画像化システム。
【請求項６】
前記画像処理システムは、前記複数の信号の、第１の部分集合を処理することにより、前記中心窩データを生成し、及び、前記複数の信号の、第２の部分集合を処理することにより、前記周縁データを生成するように動作する、請求項１乃至５の何れか一項の画像化システム。
【請求項７】
前記画像処理システムは、前記１つの信号を処理することにより、前記中心窩データ及び前記周縁データを、生成するように動作する、請求項１乃至６の何れか一項の画像化システム。
【請求項８】
１つ以上のカメラから受け取った、対応する１つ以上の信号を処理する工程、ここで、該工程により、画像の中心窩表示領域のために中心窩データを生成し、かつ、前記画像の周縁表示領域のために周縁データを生成し、前記周縁データの周縁画素密度は、前記中心窩データの中心窩画素密度より低い；
一定の断面を有する光素子を使うことにより、１：１の写像率によって、前記中心窩データから、前記中心窩表示領域を生成する工程；及び
広がった断面を有する光素子を使うことにより、１：ｍの写像率によって、前記周縁データから、前記周縁表示領域を生成する工程、ここで、ｍは１より大きい；
を含む、画像化方法。
【請求項９】
前記中心窩表示領域を生成する前記工程は、１：１の写像率によって光を伝える光ファイバー結合器を使うことによって、前記中心窩表示領域を生成する工程を含み、前記周縁表示領域を生成する前記工程は、１：ｍの写像率によって光を伝える光ファイバー結合器を使うことによって、前記周縁表示領域を生成する工程を含む、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記周縁表示領域を生成する前記工程は、前記中心窩表示領域を実質的に囲む、前記周縁表示領域を生成する工程を含み、及び／又は、
前記中心窩表示領域を生成する前記工程は、４つの辺を有する前記中心窩表示領域を生成する工程を含み、前記周縁表示領域を生成する前記工程は、４つの部分領域を含む前記周縁表示領域を生成する工程を含み、前記部分領域の各々は、前記４つの辺の１つの辺に続く、
請求項８又は９の方法。
【請求項１１】
実質的に固定した位置に、前記画像を保持する前記工程は、頭に装着する表示器を有する前記利用者に相対的に、水平方向の視野として３０度から６０度までの範囲で、かつ、垂直方向の視野として２０度から５０度までの範囲で、前記画像を保持する工程を含む、請求項８乃至１０の何れか一項の方法。
【請求項１２】
１：ｍの写像率によって、前記周縁データから、前記周縁表示領域を生成する前記工程では、ｍは１より、２倍から６倍までの範囲の倍率で大きく、及び／又は、
前記中心窩表示領域を生成する前記工程は、前記周縁表示領域の視野の３０％から５０％までの範囲の視野を有する前記中心窩表示領域を生成する工程を含む、
請求項８乃至１１の何れか一項の方法。
【請求項１３】
前記中心窩データを生成するために、複数のカメラからの複数の信号の第１の部分集合を処理する工程、及び、前記周縁データを生成するために、前記複数の信号の第２の部分集合を処理する工程を更に含む、請求項８乃至１２の何れか一項の方法。
【請求項１４】
前記中心窩データ及び前記周縁データを生成するために、１つのカメラからの１つの信号を処理する工程を更に含む、請求項８乃至１３の何れか一項の方法。
【請求項１５】
前記画像の周縁表示領域のために周縁データを生成するように動作し、前記周縁表示領域は、前記中心窩表示領域を実質的に囲み；
前記表示生成器は、頭に装着する表示器に構成され、前記表示生成器は、光ファイバー結合器を含み、前記光ファイバー結合器は、複数の第１の光素子を含み、前記複数の第１の光素子は、１：ｎの写像率によって光を伝えるように動作し、前記光ファイバー結合器は、複数の第２の光素子を含み、前記複数の第２の光素子は、１：ｍの写像率によって光を伝えるように動作し、中心窩表示領域は複数の第１の光要素を使うことにより生成し、
ｍは１より、２倍から６倍までの範囲の倍率で大きく；
前記表示生成器は、１：１の写像率によって、前記中心窩データから、前記中心窩表示領域を生成し、１：ｍの写像率によって、前記周縁データから、前記周縁表示領域を生成し、ここで、ｍは１より大きい：
請求項１の画像化システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と対向基板の間に液晶材料と、
前記基板上に設けられ、前記液晶材料と接し、かつ、可動部を有する微小構造体と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記微小構造体は、
下部電極と、
上部電極と、
前記下部電極及び前記上部電極の間に空間部分と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記微小構造体を有する画素を、複数有し、
複数の前記画素のうち隣り合う画素が有する前記微小構造体は、一つの配線に電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
複数の画素を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、
前記微小構造体と、
前記微小構造体の駆動を制御する機能を有する素子と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記微小構造体は、
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極に挟まれた圧着材料と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記微小構造体は、
応力の異なる第１の材料膜及び第２の材料膜と、
前記第１の材料膜と前記第２の材料膜に挟まれ、かつ、熱導電性材料を有するヒータと、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
基板上に、下部電極と、上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極の間に空間部分と、を有する微小構造体を形成し、
前記基板に設けられたシール材に囲まれた領域に液晶材料を滴下することにより、前記液晶材料と前記微小構造体が接するように配置し、
前記基板と対向基板を貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記微小構造体を形成する工程は、
前記基板上に前記下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に前記上部電極を形成する工程と、
前記犠牲層をエッチングにより除去することによって前記空間部分を形成する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのアモルファス樹脂と、少なくとも１つの結晶樹脂と、着色剤、随意のワックス、及びそれらの組合せからなる群から選択される１つ又はそれ以上の随意の成分と、を含むコアと、
以下の化学式（ＩＩ）を有する分岐アモルファス樹脂を含むシェルと、
を含む乳化凝集トナーであって、
【化１】
2009211068.tif 000001
(II)
式中、ｎ及びｐは、約５から約２０００までとすることができ、Ｘはアルキレン基、オレフィン基又はアリーレンであり、Ｙは、以下の化学式ｉ、ｉｉ又はそれらの混合の基又はラジカルであり、
【化２】
2009211068.tif 000002
i
2009211068.tif 000003
ii
Ｚは、以下の化学式ｉｉｉ、ｉｖ又はそれらの混合の基又はラジカルであり、
【化３】
2009211068.tif 000004
iii
2009211068.tif 000005
iv
Ｒ及びＲ１は水素原子又はアルキル基とすることができ、Ｇはアルキレン又はアリーレン基であり、ａは０又は１であり、
前記少なくとも１つの結晶樹脂は、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリオレフィン、エチレン−プロピレンコポリマー、エチレン−ビニルアセテートコポリマー、及びこれらの組合せからなる群から選ばれ、該結晶樹脂は、約５０℃〜約９０℃の融点を有し、該結晶樹脂の分子量分布（Ｍw／Ｍn）は、約２〜約６である、
ことを特徴とする乳化凝集トナー。
【請求項２】
前記分岐アモルファス樹脂は、前記シェル樹脂の約２０重量％から約１００重量％までの量存在し、約１０，０００から約１，０００，０００までの重量平均分子量を有し、約５５℃から約７０℃までのガラス転移温度を有し、及び１３０℃において約５Ｐa・Ｓから約１００００００Ｐa・Ｓまでの溶融粘度を有することを特徴とする、請求項１に記載の乳化凝集トナー。
【請求項３】
前記トナーを含む粒子は、約３μｍから約１２μｍまでのサイズを有することを特徴とする、請求項１に記載の乳化凝集トナー。
【請求項４】
前記トナーを含む粒子は、約３５℃から約７０℃までのガラス転移温度を有することを特徴とする、請求項１に記載の乳化凝集トナー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原文に対する訳文の作成を支援するための翻訳支援システムのサブシステムであり、
表示装置と、
入力装置と、
第１翻訳単位を原文文字セット文字で、前記表示装置によって表示する第１翻訳単位表示手段と、
入力トークン又は訳文文字セット文字の少なくとも１つを、ユーザが選択的に前記入力装置から入力することによって、入力トークン又は訳文文字セット文字との少なくとも１つを具備する混合入力シーケンスを前記ユーザに入力させる混合入力シーケンス入力手段と、
を具備し、
前記第１翻訳単位は、原文文字セット文字で表された前記原文の一部又は全部を具備し、
第２翻訳単位は、前記第１翻訳単位の一部又は全部を具備し、
前記第２翻訳単位の間には、同値関係が定義され、
前記第２翻訳単位に対して、それぞれ前記入力トークンが関連付けられており、
前記入力トークンは、それぞれに関連付けられた前記第２翻訳単位が具備する原文文字セット文字の少なくとも１つを具備し、
前記第２翻訳単位の同値類は、前記第２翻訳単位に関連付けられた前記入力トークンによって前記第１翻訳単位内で特定可能であり、
前記第１翻訳単位表示手段は、前記第１翻訳単位の一部又は全部を具備する第２翻訳単位に関連付けられた前記入力トークンが具備する原文文字セット文字の全てを、表示されている前記第１翻訳単位が具備する前記第２翻訳単位内でハイライト表示し、
前記入力トークンが具備する原文文字セット文字の全ての入力が、前記入力トークンの入力に必要であることを特徴とするサブシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
化学的に安定化されたジルコニアを含む層(3)の少なくとも１つを、超合金でできている部品(1)を、グリットブラストし、大気圧プラズマスプレーまたは高速酸素燃料熱スプレーによってボンドコートデポジットさせそして続いてジルコニア、イットリア-安定化されたジルコニア遮熱コートを、プラズマスプレーすることによってデポジットさせることで造る、請求項12記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
Caは、燃焼環境から固体状態プロセスを通してイットリア-安定化されたジルコニア(YSZ)TBC層に拡散することが立証されている。本発明において提案した系、例えば硫酸カルシウム (CaSO4) を被覆しているイットリア-安定化されたジルコニアコーティングでは、TBC層の中へのCa拡散は観測されておらず (拡散係数は本質的にゼロ)、そして対応して下層のTBC層は、上述したCMAS攻撃から非常に保護されている。また、Ca含有保護組成物は、燃焼環境から生じて来るCaについて低下された拡散係数を有しそして同じ機能を果たすことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明は、その上に、化学的に安定化されたジルコニアを含む遮熱コーティング層の中にカルシウムが拡散するのを防ぐための、多数の系の使用に関する。 提案する系は、下記の群より選択する: カルシア安定化されたジルコニア、CaSO4、SrZrO3、CaZrO3、Ca-ドープトSrZrO3、Sr-ドープトCaZrO3の、部品の化学的に安定化されたジルコニアを含む遮熱コーティングの外側帯におけるおよび/または化学的に安定化されたジルコニアを含む遮熱コーティングの保護層としての使用に関する。硫酸カルシウムは、本質的にイットリア-安定化されたジルコニアからなる遮熱コーティング層上だけで本質的に硫酸カルシウムからなる保護層として使用するのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
さらに硫黄および加硫促進剤を配合し、スタッドレスタイヤのトレッド部形成材料として用いられる請求項１、２または３記載のタイヤ用ゴム組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような特徴を有する本発明のタイヤ用ゴム組成物は、さらに硫黄および加硫促進剤を混合した上で、スタッドレスタイヤのトレッド部形成材料等として好適に用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ジエン系ゴム組成物中には、さらにジエン系ゴム100重量部当り加硫剤としての硫黄0.5〜3重量部、好ましくは1〜2重量部およびチアゾール系(MBT、MBTS、ZnMBT等)、スルフェンアミド系(CBS、DCBS、BBS等)、グアニジン系(DPG、DOTG、OTBG等)、チウラム系(TMTD、TMTM、TBzTD、TETD、TBTD等)、ジチオカルバミン酸塩系(ZTC、NaBDC等)、キサントゲン酸塩系(ZnBX等)等の加硫促進剤0.5〜4重量部、好ましくは1〜2.5重量部が用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以上の各成分よりなるタイヤ用ゴム組成物中には、さらにゴムの配合剤として一般的に用いられている配合剤、例えばタルク、クレー、グラファイト、珪酸カルシウム等の補強剤または充填剤、ステアリン酸等の加工助剤、酸化亜鉛、軟化剤、可塑剤、老化防止剤などが必要に応じて適宜配合されて用いられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
シリカとしては、一般にBET比表面積が30〜200m2/g、好ましくは50〜150m2/gのものが用いられる。これらは、ハロゲン化けい素または有機けい素化合物の熱分解法やけい砂を加熱還元し、気化したSiOを空気酸化する方法などで製造される乾式法シリカやけい酸ナトリウムの熱分解法などで製造される湿式法シリカなどであり、コストおよび性能の面から、湿式法シリカが好んで用いられる。実際には、ゴム工業用として上市されている市販品をそのまま用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このようにシリカに求められる特性およびジエン系ゴムとの分散性(シリカはゴムポリマーとの親和性に乏しく、またゴム中でシリカ同士がシラノール基を通して水素結合を生成し、シリカのゴム中への分散性を低下させる性質を有する)を高めるために、シランカップリング剤がシリカ重量に対して2〜15重量％、好ましくは5〜10重量％の割合で用いられる。シランカップリング剤としては、シリカ表面のシラノール基と反応するアルコキシシリル基およびポリマーと反応するイオウ連鎖を有するポリスルフィド系シランカップリング剤、例えばビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(2-トリエトキシシリルエチル)テトラスルフィド、ビス(3-トリメトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)ジスルフィド等が好んで用いられる。シランカップリング剤の使用割合がこれよりも少ないと、シリカに求められる特性やジエン系ゴムとの分散性が十分に発揮されず、一方これよりも多い添加割合で用いられると、加工性が悪化するようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレート（２）及び吸収シャフト（１７）を含む衝撃吸収装置であって、前記プレート（２）がブレーキキャビティ（９）と前記吸収シャフト（１７）が挿通する穴（５）とを含み、前記穴（５）と前記ブレーキキャビティ（９）とがブリッジ（１０）によって分離されている衝撃吸収装置において、
前記穴（５）は、前記吸収シャフト（１７）が配置される中央凹部（６）と、前記ブリッジ（１０）を局所的に薄くする２つの上方亀裂発生領域（７）及び下方亀裂発生領域（８）とを含み、前記ブリッジ（１０）は、２つの亀裂発生領域（７、８）のうち一方の高さ位置でより薄くされており、
前記ブリッジ（１０）の寸法は、前記吸収シャフト（１７）により所定値よりも大きい応力がかけられた場合、前記２つの亀裂発生領域のうち薄い方の亀裂発生領域の高さ位置で破断するように設定され、
前記ブレーキキャビティ（９）は、中央キャビティ（１１）と、破断した前記ブリッジ（１０）を支持する格納領域（１２）と、基準軸（１４）に沿って延びると共に前記吸収シャフト（１７）の直径よりも小さい幅（１）を有する変形可能領域（１３）とを含み、前記変形可能領域（１３）は、前記ブリッジ（１０）が破断したときに前記吸収シャフト（１７）を支持することを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項２】
請求項１記載の衝撃吸収装置において、
前記プレート（２）はアルミニウムからなることを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の衝撃吸収装置において、
前記ブリッジ（１０）は、前記下方亀裂発生領域（８）の高さ位置よりも、前記上方亀裂発生領域（７）の高さ位置において、より薄くなっていることを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項４】
請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置において、
前記基準軸（１４）は湾曲していることを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項５】
請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置において、
前記変形可能領域（１３）は湾曲しており、かつ背もたれを４０°〜５０°の角度に沿って傾斜させる長さ及び曲率を有することを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置において、
前記変形可能領域（１３）は、前記吸収シャフト（１７）の直径の８０％〜９８％の幅（１）を有することを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項７】
請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置において、
前記変形可能領域（１３）は、前記基準軸（１４）に沿って前記ブリッジ（１０）から離れていくときの逓減性の幅（ｌ）を有することを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項８】
請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置において、
前記中央凹部（６）は、前記吸収シャフト（１７）の直径と等しい直径を有する円盤状をなすことを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項９】
請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置において、
前記中央凹部は、前記基準軸（１４）上に位置する中心（６’）を有し、前記２つの亀裂発生領域（７、８）は、前記中央凹部（６）の周辺に位置する湾曲部の中心（７’、８’）をそれぞれ含み、前記２つの中心（７’、８’）は、前記中央凹部（６）の中心（６’）に対して８０°〜１２０°の角度（α）だけ離れていることを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置において、
各亀裂発生領域（７、８）は、前記中央凹部（６）へ向かって凹みが変化する凹状をなすことを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置は、更に、
固定部に締結する手段（３、３’）を含むことを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の衝撃吸収装置は、更に、
前記衝撃吸収装置が固定される部分に対する前記衝撃吸収装置の傾斜を調節するための手段（３、３’）を含むことを特徴とする衝撃吸収装置。
【請求項１３】
固定構造（１８）と、前記固定構造（１８）に固定された旋回シャフト（１９）と、前記旋回シャフト（１９）と旋回関係にある背もたれ（２０’）とを含む乗り物用シートであって、
請求項１〜１２のうちのいずれか一項に記載の少なくとも１つの衝撃吸収装置を含む乗り物用シート。
【請求項１４】
請求項１３記載の乗り物用シートにおいて、
前記プレート（２）が前記背もたれと一体化され、前記吸収シャフト（１７）が前記固定構造（１８）に接続されていることを特徴とする。
【請求項１５】
請求項１３又は１４記載のシートにおいて、
前記背もたれは、少なくとも接続ロッド（２０）を含み、前記接続ロッドの一端は、前記旋回シャフト（１９）と旋回関係にあり、前記プレートは、前記接続ロッド（２０）に接続されていることを特徴とするシート。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のうちいずれか一項に記載のシートにおいて、
前記シートは、更に、前記固定構造（１８）に対して長手方向に平行移動可能な座席部（２１）と、前記背もたれ（２０’）に対して環状線形関係にある可動背もたれ（２２）とを含み、前記可動背もたれ（２２）は、更に、前記座席部（２１）に対して解除式シャフト（２９）を中心に旋回する関係にあり、前記座席部（２１）と前記可動背もたれ（２２）の間の旋回関係は、前記解除式シャフト（２９）が旋回する前記座席部と一体化した開フレーム（２８）によって提供され、前記開フレーム（２８）は、前記吸収シャフト（１７）が前記穴（５）から出たときに前記開フレームの前記解除式シャフト（２９）を解放するねじりバネ（３２）によって閉じられることを特徴とするシート。
【請求項１７】
請求項１３〜１６のうちいずれか一項に記載のシートにおいて、
前記可動背もたれ（２２）と前記背もたれ（２０’）との間の環状線形接続は、前記背もたれ（２０’）と一体化した楕円形部（３４）内でスライドする前記可動背もたれ（２２）と一体化したローラ（３５）によって提供されることを特徴とする記載のシート。
【請求項１８】
請求項１６又は１７記載のシートは、更に、
前記座席部（２１）及び前記固定構造（１８）に接続され、前記可動背もたれ（２２）の傾斜と前記座席部（２１）の平行移動とを同時に調節可能なジャッキ（２３）を含むことを特徴とするシート。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セル領域および周辺回路領域が設けられた半導体基板と、
前記セル領域および前記周辺回路領域の半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記セル領域および前記周辺回路領域の第１の絶縁膜上に形成された第１の導電膜と、
前記セル領域の第１の導電膜上に形成された第１の導電膜間絶縁膜と、
前記周辺回路領域の第１の導電膜上に形成され、前記第１の導電膜間絶縁膜よりも膜厚が厚い第２の導電膜間絶縁膜と、
前記セル領域の第１の導電膜間絶縁膜および前記周辺回路領域の第２の導電膜間絶縁膜上に形成された第２の導電膜とを備え、
前記第２の導電膜間絶縁膜は、前記第１の導電膜間絶縁膜と前記第１の導電膜間絶縁膜下の第３の導電膜間絶縁膜から構成され、
前記第３の導電膜間絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第１の導電膜間絶縁膜および前記第２の導電膜間絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、酸窒化膜および金属酸化膜の少なくとも２種類以上を用いた積層構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第１の導電膜間絶縁膜は、前記第１の導電膜に接する第１の酸窒化膜を備え、
前記第２の導電膜間絶縁膜は、前記第１の酸窒化膜よりも窒素に対する酸素の組成比が大きく、前記第１の導電膜に接する第２の酸窒化膜を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記周辺回路領域の第２の導電膜が分離されることで前記第２の導電膜間絶縁膜上に形成された第１および第２のキャパシタ電極と、
前記第２の導電膜間絶縁膜に形成され、前記第１のキャパシタ電極を前記第１の導電膜に接続する開口部とを備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
半導体基板上のセル領域および周辺回路領域に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記セル領域および前記周辺回路領域の第１の絶縁膜上に第１の導電膜を形成する工程と、
前記セル領域および前記周辺回路領域の第１の導電膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記セル領域の前記第２の絶縁膜を選択的に除去する工程と、
前記セル領域の第１の導電膜上および前記周辺回路領域の前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記セル領域および前記周辺回路領域の第３の絶縁膜上に第２の導電膜を形成する工程と、
前記セル領域の前記第２の絶縁膜、前記第１の導電膜、前記第１の絶縁膜および前記半導体基板に第１の素子分離溝を形成するとともに、前記周辺回路領域の前記第２の絶縁膜、前記第１の導電膜、前記第１の絶縁膜および前記半導体基板に第２の素子分離溝を形成する工程と、
前記第１および第２の素子分離溝に素子分離絶縁膜を埋め込む工程とを備えることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
実施形態の半導体記憶装置によれば、半導体基板と、第１の絶縁膜と、第１の導電膜と、第１の導電膜間絶縁膜と、第２の導電膜間絶縁膜と、第２の導電膜とが設けられている。半導体基板は、セル領域および周辺回路領域が設けられている。第１の絶縁膜は、前記セル領域および前記周辺回路領域の半導体基板上に形成されている。第１の導電膜は、前記セル領域および前記周辺回路領域の第１の絶縁膜上に形成されている。第１の導電膜間絶縁膜は、前記セル領域の第１の導電膜上に形成されている。第２の導電膜間絶縁膜は、前記周辺回路領域の第１の導電膜上に形成され、前記第１の導電膜間絶縁膜よりも膜厚が厚い。第２の導電膜は、前記セル領域の第１の導電膜間絶縁膜および前記周辺回路領域の第２の導電膜間絶縁膜上に形成されている。前記第２の導電膜間絶縁膜は、前記第１の導電膜間絶縁膜と前記第１の導電膜間絶縁膜下の第３の導電膜間絶縁膜から構成されている。前記第３の導電膜間絶縁膜は、シリコン酸化膜である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中継装置から通信開始要求を受け付ける通信開始要求受付手段と、
他の装置との通信中に前記通信開始要求を受け付けた場合に、前記中継装置の調停処理で当該中継装置から出力元通信装置に接続拒否を示す通知が出力されない応答通知を、前記中継装置に出力する応答通知出力手段と、
を含むことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
中継装置から出力される通信開始要求を受け付ける通信開始要求受付手段と、
他の装置との通信中に前記中継装置からの前記通信開始要求を受け付けた場合に、呼び出し中であることを示す応答通知を前記中継装置に出力する応答通知出力手段と、
を含むことを特徴とする通信装置。
【請求項３】
前記呼び出し中であることを示す応答通知は、前記中継装置を経由して出力元通信装置に出力される応答通知である、
ことを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記通信開始要求は、出力元通信装置から出力され前記中継装置を経由する通信開始要求である、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記応答通知出力手段が、前記他の装置との間での通信が終了した後に、出力元通信装置との通信を承諾することを示す応答通知を前記中継装置に出力する、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記応答通知出力手段が、他の装置との通信中に出力元通信装置から前記通信開始要求を受け付けた場合における応答通知から予め定められた時間が経過した際に、前記他の装置との間での通信が終了していない場合は、通信中であることを示す応答通知を前記中継装置に出力する、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項７】
第１の通信装置と第２の通信装置とを備え、
前記第１の通信装置は、
中継装置を経由する経路で前記第２の通信装置に通信開始要求を出力する通信開始要求出力手段と、
前記中継装置を経由する経路で前記第２の通信装置から出力される前記通信開始要求に基づく応答通知を受け付ける応答通知受付手段と、を含み、
前記第２の通信装置は、
前記第１の通信装置から出力され前記中継装置を経由する通信開始要求を受け付ける通信開始要求受付手段と、
他の装置との通信中に前記第１の通信装置からの前記通信開始要求を受け付けた場合に、中継装置の調停処理で当該中継装置から前記第１の通信装置に接続拒否を示す通知が出力されない応答通知を、前記中継装置に出力する応答通知出力手段と、を含む、
ことを特徴とする通信システム。
【請求項８】
第１の通信装置と第２の通信装置と中継装置とを備え、
前記第１の通信装置は、
前記中継装置を経由する経路で前記第２の通信装置に通信開始要求を出力する通信開始要求出力手段と、
前記中継装置を経由する経路で前記第２の通信装置から出力される前記通信開始要求に基づく応答通知を受け付ける応答通知受付手段と、を含み、
前記中継装置は、
前記第１の通信装置から前記第２の通信装置に出力される通信開始要求を中継する通信開始要求中継手段と、
出力される情報間の調停処理を実行する調停処理実行手段と、
前記第２の通信装置から前記第１の通信装置に出力される応答通知を中継する応答通知中継手段と、を含み、
前記第２の通信装置は、
前記通信開始要求中継手段により中継される通信開始要求を受け付ける通信開始要求受付手段と、
他の装置との通信中に前記第１の通信装置からの前記通信開始要求を受け付けた場合に、前記調停処理実行手段により実行される調停処理で接続拒否であることを示す通知が前記第１の通信装置に出力されない応答通知を、前記中継装置に出力する応答通知出力手段と、を含む、
ことを特徴とする通信システム。
【請求項９】
第１の通信装置と第２の通信装置とを含み、
前記第１の通信装置は、
前記第２の通信装置に通信開始要求を出力する通信開始要求出力手段と、
前記第２の通信装置から出力される前記通信開始要求に対する応答通知を受け付ける応答通知受付手段と、を含み、
前記第２の通信装置は、
前記第１の通信装置から出力される通信開始要求を受け付ける通信開始要求受付手段と、
他の装置との通信中に前記第１の通信装置からの前記通信開始要求を受け付けた場合に、呼び出し中であることを示す応答通知を中継装置に出力する応答通知出力手段と、
を含むことを特徴とする通信システム。
【請求項１０】
前記呼び出し中であることを示す応答通知は中継装置を介して前記第１の通信装置に出力される応答通知である、
ことを特徴とする請求項９に記載の通信システム。
【請求項１１】
第１の通信装置と第２の通信装置と中継装置とを含み、
前記第１の通信装置は、
前記中継装置を経由する経路で前記第２の通信装置に通信開始要求を出力する通信開始要求出力手段と、
前記中継装置を経由する経路で前記第２の通信装置から出力される前記通信開始要求に対する応答通知を受け付ける応答通知受付手段と、を含み、
前記中継装置は、
前記第１の通信装置から前記第２の通信装置に出力される通信開始要求を中継する通信開始要求中継手段と、
前記第２の通信装置から前記第１の通信装置に出力される応答通知を中継する応答通知中継手段と、を含み、
前記第２の通信装置は、
前記通信開始要求中継手段により中継される通信開始要求を受け付ける通信開始要求受付手段と、
他の装置との通信中に前記第１の通信装置からの前記通信開始要求を受け付けた場合に、呼び出し中であることを示す応答通知を、前記中継装置に出力する応答通知出力手段と、
を含むことを特徴とする通信システム。
【請求項１２】
前記呼び出し中であることを示す応答通知は中継装置を介して前記第１の通信装置に出力される応答通知である、
ことを特徴とする請求項１１に記載の通信システム。
【請求項１３】
中継装置から通信開始要求を受け付ける通信開始要求受付手段、
他の装置との通信中に前記通信開始要求を受け付けた場合に、前記中継装置の調停処理で当該中継装置から出力元通信装置に接続拒否を示す通知が出力されない応答通知を、前記中継装置に出力する応答通知出力手段、
としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１４】
中継装置から出力される通信開始要求を受け付ける通信開始要求受付手段、
他の装置との通信中に前記中継装置からの前記通信開始要求を受け付けた場合に、呼び出し中であることを示す応答通知を前記中継装置に出力する応答通知出力手段、
としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の基体となる半導体基板の表面上に加工により側壁部及び上部の平面部を有する立体凹凸部分を形成した半導体基板を用意し、
該半導体基板の内部においてドナーもしくはアクセプターとなる不純物原子を含む不純物薄膜を、半導体基板の表面上に堆積する工程により、前記立体凹凸部分の側壁部に比べて前記立体凹凸部分の上部の平面部には前記不純物薄膜を厚く堆積させ、
更に、立体凹凸部分の前記堆積させた不純物薄膜の斜め上方から斜め方向のイオン注入と反対側の斜め上方から斜め方向のイオン注入を行なうとともに、
該イオン注入によって、前記不純物原子を前記不純物薄膜内部から前記立体凹凸部分の側壁部及び上部の平面部の内部にリコイルさせる工程を含み、
前記立体凹凸部分の側壁部と上部の平面部との堆積厚さ比率の調節、及び、イオン注入の斜め上方からの斜め方向の注入角度の調節により、前記立体凹凸部分の側壁部と上部の平面部への不純物導入比率を調節するよう構成し、
前記立体凹凸部分の表面部分において、前記不純物薄膜内から前記半導体基板内に、前記不純物薄膜の不純物原子を、表面と実質上直交する方向において、注入イオンによる不純物原子への衝突たたき込みノッキングオン効果により前記立体凹凸部分内部にリコイルさせることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記立体凹凸部分の側壁部と上部の平面部に実質上２対１の比率で不純物が導入されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
一方の斜め上方からのイオン注入及び反対側の斜め上方からのイオン注入による両注入により、前記立体凹凸部分の側壁部と上部の平面部に実質上同じ量の不純物を導入するよう構成したことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記立体凹凸部分の側壁部と上部の平面部の堆積厚さ比率は、前記上部の平面部の堆積厚さが前記立体凹凸部分の側壁部の堆積厚さの少なくとも２倍以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記不純物薄膜の、側壁膜厚、及び上部の平面部膜厚、不純物堆積物質種の設定調整、前記イオン注入の、注入イオン種、注入角度、注入エネルギー、注入ドーズ量の設定調整により、リコイル条件、注入ドーズ量相当のドーズ原子量をコントロールするよう構成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記不純物薄膜の不純物原子をB、P、Asのいずれか１つとすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記不純物薄膜として、ジボランB2H6、あるいはBF3を含むガスによるプラズマ処理によって、Bを含む不純物薄膜を堆積することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記不純物薄膜として、フォスフィンPH3を含むガスによるプラズマ処理によって、Pを含む不純物薄膜を堆積することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記不純物薄膜として、アルシンAsH3を含むガスによるプラズマ処理によって、Asを含む不純物薄膜を堆積することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記イオン注入工程において、注入イオンを、前記不純物薄膜の不純物原子であるB,P,Asのいずれかよりも原子量の大きい、重い原子のイオンとすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記イオン注入工程において、注入イオンを、Si、As、Ge、In、Sb若しくはXe、Arのいずれか１つとすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記イオン注入の斜め上方からのビーム入射角度を、前記半導体基板の平面に対して垂直な垂線から実質上20°以下の傾斜角度とすることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記イオン注入を5keV以下の低エネルギー注入とすることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記イオン注入を2E15cm-2以下の低ドーズ注入原子量とすることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体基板表面上であって前記立体凹凸部分以外の表面上の平面の部分に、前記不純物薄膜を厚く堆積することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記プラズマ処理によって堆積する不純物薄膜の前記立体凹凸部分以外の半導体基板平面での堆積レートよりも、前記立体凹凸部分側面での堆積レートを小さくすることにより前記半導体基板平面に前記立体凹凸部分側面よりも厚く不純物薄膜を堆積することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記イオン注入の斜め上方からのビーム入射角度を、前記半導体基板の平面に対して垂直な垂線から実質上20°以下の傾斜角度とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、を有し、
前記第１の層は、バイポーラ性物質である第１の物質と、前記第１の物質に対して電子受容性を示す第２の物質とを含み、
前記第２の層は、バイポーラ性物質である第３の物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物から選択されたいずれか一つの物質とを含み、
前記第３の層は、発光物質を含み、
前記第１の層と前記第２の層と前記第３の層とは順に積層され、
前記第１の層は、前記第１の電極と接し、
前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方の電極を介して発光を外部に取り出すことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の第３の層と、
前記第３の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、前記第２の電極と接し、
前記第３の層は、発光物質を含み、
前記第２の層は、バイポーラ性物質である第３の物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物から選択されたいずれか一つの物質とを含み、
前記第１の層は、バイポーラ性物質である第１の物質と、前記第１の物質に対して電子受容性を示す第２の物質とを含み、
前記第２の電極を介して発光を外部に取り出すことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の第３の層と、
前記第３の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、前記第２の電極と接し、
前記第３の層は、発光物質を含み、
前記第２の層は、バイポーラ性物質である第３の物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物から選択されたいずれか一つの物質とを含み、
前記第１の層は、バイポーラ性物質である第１の物質と、前記第１の物質に対して電子受容性を示す第２の物質とを含み、
前記第１の電極を介して発光を外部に取り出すことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、
前記第３の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極と接し、
前記第１の層は、バイポーラ性物質である第１の物質と、前記第１の物質に対して電子受容性を示す第２の物質とを含み、
前記第２の層は、バイポーラ性物質である第３の物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物から選択されたいずれか一つの物質とを含み、
前記第３の層は、発光物質を含み、
前記第２の電極を介して発光を外部に取り出すことを特徴とする発光素子。
【請求項５】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、
前記第３の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極と接し、
前記第１の層は、バイポーラ性物質である第１の物質と、前記第１の物質に対して電子受容性を示す第２の物質とを含み、
前記第２の層は、バイポーラ性物質である第３の物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物から選択されたいずれか一つの物質とを含み、
前記第３の層は、発光物質を含み、
前記第１の電極を介して発光を外部に取り出すことを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の物質と前記第３の物質とは、トリフェニルアミンを骨格に有するキノキサリン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の物質と前記第３の物質とは同じ種類であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の物質は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンおよび２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンから選択されたいずれか一つの物質であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子を有する照明機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ発生装置であって、
プラズマの点火・再点火が可能に構成されるガスチャンバと、
所定の高周波信号および高電圧を生成するプラズマ点火装置と、
前記ガスチャンバと前記プラズマ点火装置との間を接続し、前記高周波信号及び前記高電圧を伝送する同軸ケーブルと、
を備え、
前記ガスチャンバは、
前記同軸ケーブルが接続される第１のコネクタと、
前記高周波信号および前記高電圧が印加される負荷電極と、
前記負荷電極との間で前記プラズマを発生させるための接地電極と、
前記コネクタと前記負荷電極の間に設けられ、前記高周波信号と前記負荷電極とのインピーダンスを補正するインピーダンス補正コイルと、
ガス供給口から供給される不活性ガスを充填させるための充填室と、
第１の端部と第２の端部とを有し、前記負荷電極が外部に配置され、前記接地電極が内部に配置されるセラミックチューブであって、前記第１の端部から前記不活性ガスを導入し、内部でプラズマを発生させ、発生した前記プラズマを前記第２の端部から洗浄対象に照射するセラミックチューブと、
を備え、
前記プラズマ点火装置は、
前記ガスチャンバの前記負荷電極に前記高周波信号を供給する高周波電源装置と、
前記高電圧を発生する高電圧発生装置と、
前記高電圧を前記高周波信号に加算する重畳コイルと、
前記高周波信号の進行波および反射波を検出する進行波・反射波検出装置と、
前記高周波電源装置側と前記負荷電極側とのインピーダンスを整合させる整合装置と、
前記同軸ケーブルが接続される第２のコネクタと、
前記反射波の前記進行波に対する比率が所定のしきい値より大きい場合に前記高電圧を前記高周波信号に重畳し、前記反射波の前記進行波に対する比率が前記所定のしきい値以下の場合に前記高電圧の重畳を停止するよう構成される制御装置と、
を備え、
前記同軸ケーブルは、
前記第１のコネクタまたは前記第２のコネクタの少なくとも一方を介して接地される被覆を備える、
プラズマ発生装置。
【請求項２】
前記接地電極は、前記セラミックチューブの軸芯に沿って延在しており、その先端部が前記負荷電極の覆う範囲を超えて前記セラミックチューブの先端付近まで延在するように配設され、その周囲に発生するプラズマの高温に耐えられるような高融点を有する金属により構成され、前記ガスチャンバを経て接地されており、
前記負荷電極は、断面管形状を有し、前記セラミックチューブの外部から囲むようにして前記接地電極の一部と対向して構成され、耐酸化性を付与された金属で形成されている、
請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項３】
前記セラミックチューブを複数本備えており、
前記接地電極は、前記セラミックチューブの軸芯に沿って延在しており、その先端部が前記負荷電極の覆う範囲を超えて前記セラミックチューブの先端付近まで延在するように配設され、その周囲に発生するプラズマの高温に耐えられるような高融点を有する金属により構成され、前記ガスチャンバを経て外部で接地されており、
前記負荷電極は、断面管形状を有し、前記セラミックチューブの外部から囲むようにして前記接地電極の一部と対向して構成され、耐酸化性を付与された金属で形成されている、
請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項４】
プラズマの点火・再点火が可能に構成されるガスチャンバであって、
所定の高周波信号および高電圧を受ける第１のコネクタと、
前記高周波信号および前記高電圧が印加される負荷電極と、
前記負荷電極との間で前記プラズマを発生させるための接地電極と、
前記第１のコネクタと前記負荷電極の間に設けられ、前記高周波信号と前記負荷電極とのインピーダンスを補正するインピーダンス補正コイルと、
ガス供給口から供給される不活性ガスを充填させるための充填室と、
第１の端部と第２の端部とを有し、前記負荷電極が外部に配置され、前記接地電極が内部に配置されるセラミックチューブであって、前記第１の端部から前記不活性ガスを導入し、内部でプラズマを発生させ、発生した前記プラズマを前記第２の端部から洗浄対象に照射するセラミックチューブと、
を備えることを特徴とするガスチャンバ。
【請求項５】
前記接地電極は、前記セラミックチューブの軸芯に沿って延在しており、その先端部が前記負荷電極の覆う範囲を超えて前記セラミックチューブの先端付近まで延在するように配設され、その周囲に発生するプラズマの高温に耐えられるような高融点を有する金属により構成され、前記ガスチャンバを経て接地されており、
前記負荷電極は、断面管形状を有し、前記セラミックチューブの外部から囲むようにして前記接地電極の一部と対向して構成され、耐酸化性を付与された金属で形成されている、
請求項４に記載のガスチャンバ。
【請求項６】
前記セラミックチューブを複数本備えており、
前記接地電極は、前記セラミックチューブの軸芯に沿って延在しており、その先端部が前記負荷電極の覆う範囲を超えて前記セラミックチューブの先端付近まで延在するように配設され、その周囲に発生するプラズマの高温に耐えられるような高融点を有する金属により構成され、前記ガスチャンバを経て外部で接地されており、
前記負荷電極は、断面管形状を有し、前記セラミックチューブの外部から囲むようにして前記接地電極の一部と対向して構成され、耐酸化性を付与された金属で形成され、
前記セラミックチューブの一部および前記負荷電極を取り囲んでおり、前記負荷電極から発生する電磁波をシールドする導電体をさらに備える、
請求項４に記載のガスチャンバ。
【請求項７】
所定の高周波信号および高電圧を生成するプラズマ点火装置であって、
前記高周波信号を供給する高周波電源装置と、
前記高電圧を発生する高電圧発生装置と、
前記高電圧を前記高周波信号に加算する重畳コイルと、
前記高周波信号の進行波および反射波を検出する進行波・反射波検出装置と、
前記高周波電源装置側と負荷側とのインピーダンスを整合させる整合装置と、
前記高周波信号および前記高電圧を送る第２のコネクタと、
前記反射波の前記進行波に対する比率が所定のしきい値より大きい場合に前記高電圧を前記高周波信号に重畳し、前記反射波の前記進行波に対する比率が前記所定のしきい値以下の場合に前記高電圧の重畳を停止するよう構成される制御装置と、
を備え、
前記高周波電源装置は、０．１Ｗから３０．０Ｗの範囲の高周波信号を供給可能に構成され、
前記高電圧発生装置は、０．８ｋＶから２．０ｋＶの範囲の高電圧を発生可能に構成されている、
ことを特徴とするプラズマ点火装置。