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【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る位置管理サーバについて、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施の形態による位置管理システムの構成を示す図である。図１において、本実施の形態による位置管理システムは、有線または無線の通信回線１００を介して互いに接続された、位置管理サーバ１と、２以上の端末装置２とを備える。位置管理サーバ１は、２以上の端末装置２の位置を管理する。端末装置２は、例えば、携帯電話や、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などであり、ユーザが持ち運ぶことができるものである。また、これらの端末装置２は、ＧＰＳ対応機能を有している。通信回線１００は、例えば、インターネットやイントラネット、公衆電話回線網等である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
端末位置情報は、端末識別情報で識別される端末装置２の位置を示す情報である。端末位置情報は、例えば、経度と緯度を示す情報である。その端末位置情報は、例えば、ＧＰＳ対応型の端末装置２を用いて取得する。ＧＰＳ対応型の端末装置２を用いれば、位置情報を容易に時系列に蓄積することができる。端末装置２には、各取得時間における経度と緯度を示す情報が蓄積されている。これらの時系列の位置情報の中から、近接情報を得たいと望む、所定の期間または場所などを特定して、時系列の位置情報を端末位置情報とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
近接状態検出部１４は、位置管理情報記録部１３が記憶している位置管理情報を用いて、受信部１１が受け付けた一の端末装置２との近接状態を検出する。ここで、近接状態とは、同時刻に一の端末装置２と他の端末装置２とが一定の範囲内に存在する状態である。近接状態が検出されることによって、一の端末装置２と他の端末装置２とが近くに存在する（いわゆる、すれ違い状態になっている）ことが検出される。また、一定の範囲とは、近接情報を求めるユーザが一定の範囲と認識する範囲である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（ステップＳ１０４）
近接状態検出部１４が近接状態を検出した場合には、送信部１５は、近接状態検出部１４が検出した近接状態に対応する端末装置２に送信して、近接状態の検出を終了する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
距離算出手段２１は、一の端末装置２の端末位置情報と、位置管理情報記録部１３から読み出した他の端末装置２の端末位置情報とを用い、両者の端末位置情報から、両者の端末装置２間の距離を算出する。位置を示す情報から距離を算出する方法はすでに知られているため、その詳細な説明を省略する。一の端末装置２と他の端末装置２との間の距離が１．８メートルであった場合には、比較手段２２は、その算出された距離と、閾値２メートルとを比較し、２個の端末装置２間の距離が閾値以内であると判断する（ステップＳ１０３）。比較手段２２は、閾値以内であった、他の端末装置２の情報を図示しない記録媒体で一時的に記録する。上記位置管理情報記録部１３に記録されている、特定の時刻における位置情報の場合は、この操作で、他の端末装置２の情報とする。また、一の端末装置２が所定の時間内で移動した場合には、この時間内における移動の軌跡上で近接した他の端末装置２の距離をそれぞれ算出する。時系列に蓄積された位置管理情報に基づいて近接状態にある他の端末装置２を検出する場合は、一の端末装置２と他の端末装置２のそれぞれの軌跡を例えば二次元座標に配置し、両者か近接した、あるいは交わった部分について、上記のように距離を算出する。次に、上記他の端末装置２以外の他の端末装置２についても、順に一の端末装置２との間の距離を算出して、比較する。最終的に、閾値以内にある他の端末装置２の情報のリストを作製する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
近接状態検出部１４は、所定の位置と、端末装置２との近接状態を検出する。ここで、近接状態とは、所定の位置と端末装置とが一定の範囲内に存在する状態である。この検出方法は、実施形態１と同様である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
通信端末装置４は、ＧＰＳ衛星との通信を行うＧＰＳ通信手段４１と、ユーザのキー入力を受け付ける入力手段４２と、ユーザに対して文字や画像などを表示する表示手段４３と、前記ＧＰＳ通信から得られた位置データと情報提供要求とユーザのユーザ識別データとを情報提供サーバに送信する送信手段４４と、前記情報提供サーバ５から位置情報に基づく目的地情報を受信する受信手段４５と、受信した目的地情報から所望の目的地を選択し、登録する選択登録手段４６と、前記選択した所望の目的地を記憶する選択情報記憶手段４７と、前記通信端末装置４が選択した目的地に近接したかどうかを判断する近接判定手段４８と、前記通信端末装置４が選択した領域に近接したことをユーザに通知する通知手段４９と、前記ＧＰＳ通信から得られた位置データから現在位置を算出する現在位置算出手段５０と、以上の各手段の実行を制御する実行制御手段５１とを、備える。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
通信端末装置４は、ＧＰＳ通信手段４１を有する。通信端末装置４は、ＧＰＳ通信手段４１から受信した信号に基づいて、位置を測定する。通信端末装置４は、無線回線通信網６を介して情報提供サーバ５と通信を行う。通信端末装置４としては、例えば、携帯電話、ＰＨＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｈａｎｄｙｐｈｏｎｅ  Ｓｙｓｔｅｍ）、無線通信機能を有するＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｅｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ノートＰＣのような移動通信を行う機器が挙げられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
このように本実施の形態では、ＧＰＳ通信ができる通信端末装置４であれば、特定の機器を用いなくても、容易に目的地情報を取得できる。また、通信端末装置４が、選択した目的地に接近した場合と、通信端末装置４の位置情報と指定した条件から特定される領域の外へ出る場合にのみ、無線回線を介して情報提供サーバ５に接続する。このため、通信料を安くできる。さらに、情報提供サーバ５に記憶する領域情報は、既存のデータを組み合わせて作製することができる。このため、本実施例の通信システムは実現が容易であり、誰でもが利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の増幅器（１４）を有する複数のデータ・チャンネル（１２）と、
バイアス・ノイズ補償器（２２）を含み、前記複数の増幅器（１４）にバイアス電圧を供給するバイアス回路（１６）であって、バイアス電圧を発生すると共に、前記複数の増幅器（１４）における相関低周波ノイズを低減するようにバイアス電圧間の関係を設定するように構成されているバイアス回路（１６）と、
前記バイアス回路（１６）を最適化するチューニング回路と
を有するデータ取得回路（１０）。
【請求項２】
前記バイアス回路（１６）は、最初のバイアス電圧を発生する主バイアス発生器（１８）を有している、請求項１に記載のデータ取得回路（１０）。
【請求項３】
前記複数の増幅器（１４）の各々は、ＣＭＯＳをベースとした低ノイズ増幅器を有している、請求項１に記載のデータ取得回路（１０）。
【請求項４】
前記ＣＭＯＳをベースとした低ノイズ増幅器は、センサからの入力電荷を受け取る一次ＣＭＯＳ装置と、前記バイアス回路（１６）からバイアス電圧を受け取って、一次ＣＭＯＳ装置の両端間の電圧を実質的に一定に維持する複数の二次ＣＭＯＳ装置とを有している、請求項３に記載のデータ取得回路（１０）。
【請求項５】
前記バイアス・ノイズ補償器（２２）は、低ノイズ電流源と複数のＣＭＯＳ装置とを有していて、少なくとも第１の組の複数のＣＭＯＳ装置におけるノイズ電流が少なくとも第２の組の複数のＣＭＯＳ装置のためのバイアス電圧を生じさせるように構成されている、請求項１に記載のデータ取得回路（１０）。
【請求項６】
前記バイアス・ノイズ補償器（２２）は、前記バイアス電圧間の関係を比例関係に設定することによって、前記複数の増幅器（１４）における相関低周波ノイズを低減する、請求項１に記載のデータ取得回路（１０）。
【請求項７】
複数の増幅器（１４）を有する複数のデータ・チャンネル（１２）と、
前記複数の増幅器（１４）に第１のバイアス電圧及び第２のバイアス電圧を供給するバイアス回路（１６）であって、前記第１のバイアス電圧を発生する主バイアス発生器（１８）と、前記主バイアス発生器（１８）に結合されていて、前記複数の増幅器（１４）における相関低周波ノイズを低減するように前記第１のバイアス電圧に比例する前記第２のバイアス電圧を発生するバイアス・ノイズ補償器（２２）とを含んでいるバイアス回路（１６）と、
前記バイアス回路（１６）を最適化するチューニング回路と
を有するデータ取得回路（１０）。
【請求項８】
前記増幅器（１４）はＣＭＯＳをベースとした低ノイズ増幅器を有し、前記ＣＭＯＳをベースとした低ノイズ増幅器は、センサからの入力電荷を受け取る第１のＣＭＯＳ装置と、前記バイアス・ノイズ補償器（２２）から前記第１のバイアス電圧及び前記第２のバイアス電圧をそれぞれ受け取って、前記第１のＣＭＯＳ装置の両端間の電圧を実質的に一定に維持する第２及び第３のＣＭＯＳ装置とを有している、請求項７に記載のデータ取得回路（１０）。
【請求項９】
前記バイアス・ノイズ補償器（２２）は低ノイズ電流源と第１及び第２のＣＭＯＳ装置とを有していて、前記第１のＣＭＯＳ装置のバイアス電圧が前記第２のＣＭＯＳ装置によって生じたノイズ電流を追跡するように構成されている、請求項７に記載のデータ取得回路（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨層を提供し；
上面および底面を有するサブパッド層を提供し；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤を提供し；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤をサブパッド層の上面に平行線パターンで適用し；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤の平行線パターン上に研磨層を配置して、研磨パッド積層物を形成し；
研磨層とサブパッド層とを押しつけるように研磨パッド積層物に力を加え；並びに
未硬化の反応性ホットメルト接着剤を硬化させて、研磨層とサブパッド層との間に反応性ホットメルト接着剤結合を形成する；
ことを含む、複数層化学機械研磨パッドを製造する方法。
【請求項２】
研磨層を提供し；
上面および底面を有するサブパッド層を提供し；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤を提供し；
少なくとも２つの包み込みタブを有するサブパッド層を提供し；
上側と底側とを有する裏当てプレートを提供し；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤を適用する前に、サブパッド層の底面が裏当てプレートの上側に面するように裏当てプレート上にサブパッド層を配置し、少なくとも２つの包み込みタブが裏当てプレートの底側に折り曲げられて、少なくとも２つの包み込みタブを裏当てプレートの底側に固定し；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤をサブパッド層の上面に適用し、その際未硬化の反応性ホットメルト接着剤を平行線パターンで適用し；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤の平行線パターン上に研磨層を配置して研磨パッド積層物を形成し；
研磨層とサブパッド層とを押しつけるように研磨パッド積層物に力を加え；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤を硬化させて、研磨層とサブパッド層との間に反応性ホットメルト接着剤結合を形成し；
並びに
研磨層とサブパッド層との間に反応性ホットメルト接着剤結合を形成した後で、少なくとも２つの包み込みタブをサブパッド層から取り外し、サブパッド層を裏当てプレートから分離させる；
ことを含む、複数層化学機械研磨パッドを製造する方法。
【請求項３】
サブパッド層を裏当てプレートに固定するのを容易にするように設計された少なくとも２つの凹み領域を有する犠牲層を提供し；
犠牲層を裏当てプレートの底側に配置する；
ことをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも２つの包み込みタブをはめ込むように設計された少なくとも２つの凹み領域を有する犠牲層を提供し；
犠牲層を裏当てプレートの底側に配置し；並びに
少なくとも２つの包み込みタブを少なくとも２つの凹み領域にはめ込む；
ことをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも２つの包み込みタブをはめ込むように設計された少なくとも２つの凹み領域を有する犠牲層を提供し；
感圧接着剤を提供し；
感圧接着剤が犠牲層と裏当てプレートの底側との間に配置されるように、裏当てプレートの底側に犠牲層を配置し；並びに
少なくとも２つの包み込みタブを少なくとも２つの凹み領域にはめ込む；
ことをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも２つの包み込みタブの取り外しを容易にするための目打ちを有するサブパッド層を提供することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも２つの包み込みタブと裏当てプレートの底側との間に配置された感圧接着剤を提供し、感圧接着剤が少なくとも２つの包み込みタブを裏当てプレートに固定する；ことをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
サブパッド層の底面に適用された感圧接着剤を提供し；
剥離ライナーを提供し、感圧接着剤が剥離ライナーとサブパッド層の底面との間に配置され、かつ剥離ライナーが感圧接着剤と裏当てプレートの上側との間に配置される；
ことをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
サブパッド層の底面に適用された感圧接着剤を提供し；
剥離ライナーを提供し、感圧接着剤がサブパッド層の底面と剥離ライナーとの間に配置され、かつ剥離ライナーが感圧接着剤と裏当てプレートの上側との間に配置され、剥離ライナーは少なくとも２つの包み込みタブにはなく、少なくとも２つの包み込みタブに適用された感圧接着剤が少なくとも２つの包み込みタブを裏当てプレートの底側に固定する；
ことをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
研磨層を提供し；
上面、底面および少なくとも２つの包み込みタブを有するサブパッド層を提供し；
上面および底面を有する介在層を提供し；
上側および底側を有する裏当てプレートを提供し；
第１の未硬化の反応性ホットメルト接着剤を提供し；
第２の未硬化の反応性ホットメルト接着剤を提供し；
サブパッド層の底面が裏当てプレートの上側に面するように、サブパッド層を裏当てプレート上に配置し；
少なくとも２つの包み込みタブを裏当てプレートの底側に折り曲げて、少なくとも２つの包み込みタブを裏当てプレートの底側に固定し；
第１の未硬化の反応性ホットメルト接着剤を第１の平行線パターンでサブパッド層の上面に適用し；
底面が第１の平行線パターンに面するように介在層を第１の平行線パターン上に配置し；
第２の未硬化の反応性ホットメルト接着剤を第２の平行線パターンで介在層の上面に適用し；
研磨層を第２の平行線パターン上に配置して、研磨パッド積層物を形成し；
研磨層とサブパッド層とを互いに押しつけるように研磨パッド積層物に力を加え；
第１の未硬化の反応性ホットメルト接着剤および第２の未硬化の反応性ホットメルト接着剤を硬化させて、サブパッド層と介在層との間の第１の反応性ホットメルト接着剤結合、および介在層と研磨層との間の第２の反応性ホットメルト接着剤結合を形成し；並びに
少なくとも２つの包み込みタブをサブパッド層から取り外し、サブパッド層を裏当てプレートから分離させる；
ことを含む、複数層化学機械研磨パッドを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、底面、および少なくとも２つの包み込みタブを有するサブパッド層；
上側および底側を有する裏当てプレート；並びに
サブパッド層を裏当てプレートに取り付けるのを容易にするように設計された少なくとも２つの凹み領域を有する犠牲層；を含み、
サブパッド層が裏当てプレートの上側に配置されており、犠牲層が裏当てプレートの底側に配置されており、並びに少なくとも２つの包み込みタブが裏当てプレートの底側まで伸びている；
化学機械研磨パッド製造用組立品。
【請求項２】
サブパッド層の上面に平行線パターンで適用された未硬化の反応性ホットメルト接着剤をさらに含む、請求項１に記載の化学機械研磨パッド製造用組立品。
【請求項３】
少なくとも２つの包み込みタブの取り外しを容易にするために、サブパッド層が目打ちを有する、請求項１に記載の化学機械研磨パッド製造用組立品。
【請求項４】
少なくとも２つの包み込みタブの底面と裏当てプレートの底側との間に配置されている感圧接着剤をさらに含み、当該感圧接着剤が少なくとも２つの包み込みタブを裏当てプレートの底側に固定している、請求項１に記載の化学機械研磨パッド製造用組立品。
【請求項５】
サブパッド層の底面に適用された感圧接着剤および剥離ライナーをさらに含み、当該剥離ライナーは感圧接着剤と裏当てプレートの上側との間に配置されており、剥離ライナーが少なくとも２つの包み込みタブにはなく、サブパッド層の底面に適用された感圧接着剤が少なくとも２つの包み込みタブを裏当てプレートの底側に固定している、請求項１に記載の化学機械研磨パッド製造用組立品。
【請求項６】
犠牲層と裏当てプレートの底側との間に配置されている感圧接着剤の層をさらに含み、当該感圧接着剤が犠牲層を裏当てプレートの底側に固定している、請求項１に記載の組立品。
【請求項７】
少なくとも２つの包み込みタブが犠牲層の少なくとも２つの凹み領域にはまり込んでいる、請求項１に記載の組立品。
【請求項８】
少なくとも２つの包み込みタブが犠牲層の少なくとも２つの凹み領域とかみ合っている、請求項１に記載の組立品。
【請求項９】
上面、底面および目打ちされている少なくとも２つの包み込みタブを有するサブパッド層；
上側および底側を有する裏当てプレート；
裏当てプレートにサブパッド層を取り付けるのを容易にするように設計された少なくとも２つの凹み領域を有する犠牲層；
サブパッド層の上面に平行線パターンで適用された未硬化の反応性ホットメルト接着剤；
サブパッド層の底面に適用された第１感圧接着剤；
剥離ライナー、ここで第１感圧接着剤はサブパッド層の底面と剥離ライナーとの間に配置されており、剥離ライナーは第１感圧接着剤と裏当てプレートの上側との間に配置されており、剥離ライナーは目打ちされている少なくとも２つの包み込みタブにはなく、第１感圧接着剤を裏当てプレートの底側に対して露出させている；並びに、
犠牲層と裏当てプレートの底側との間に配置されており、第１感圧接着剤と組成が同じかまたは異なっている第２感圧接着剤；
を含み、
サブパッド層は裏当てプレートの上側に配置されており；
目打ちされている少なくとも２つの包み込みタブは裏当てプレートの底側まで伸びており；
目打ちされている少なくとも２つの包み込みタブを経て裏当てプレートの底側に対して露出した第１感圧接着剤は、目打ちされている少なくとも２つの包み込みタブを裏当てプレートの底側に固定しており；並びに
第２感圧接着剤は犠牲層を裏当てプレートの底側に固定している；
化学機械研磨パッド製造用組立品。
【請求項１０】
研磨層を提供し；
上面、底面および少なくとも２つの包み込みタブを有するサブパッド層；上側および底側を有する裏当てプレート；裏当てプレートにサブパッド層を取り付けるのを容易にするように設計された少なくとも２つの凹み領域を有する犠牲層；平行線パターンでサブパッド層の上面に適用された未硬化の反応性ホットメルト接着剤；を含み、サブパッド層が裏当てプレートの上側に配置されており、犠牲層が裏当てプレートの底側に配置されており、少なくとも２つの包み込みタブが裏当てプレートの底側まで伸びている、化学機械研磨パッド製造用組立品を提供し；
研磨層とサブパッド層との間に配置される未硬化の反応性ホットメルト接着剤で、研磨層と化学機械研磨パッド製造用組立品とを積層させて、積層物を形成し；
積層物に軸方向の力を適用し；
未硬化の反応性ホットメルト接着剤を硬化させて、サブパッド層と研磨層との間に反応性ホットメルト接着剤結合を形成し；
サブパッド層から少なくとも２つの包み込みタブを分離させ；並びに
サブパッド層に結合した研磨層を有するサブパッド層を裏当てプレートから取り外す；
ことを含む、化学機械研磨パッドを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板及びその作製方法、並びに半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性樹脂を用いて形成された配線と、シート状繊維体に有機樹脂が含浸した構造体と、を有し、
前記配線は、前記導電性樹脂により前記有機樹脂の一部を溶解させることで、前記有機樹脂が溶解した領域を介して前記構造体の第１の面と、前記第１の面とは反対の面である第２の面とに露出するように設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記シート状繊維体は前記有機樹脂が溶解した領域に残存していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記シート状繊維体の糸束に表面処理が施されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
シート状繊維体に有機樹脂が含浸した構造体を有し、
前記構造体の両面に露出し、かつ前記構造体の内部を貫通する配線を有し、
前記構造体内の前記配線が存在する領域に前記シート状繊維体が残存することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
シート状繊維体に、有機樹脂層を含浸させ、
前記有機樹脂層の一部の領域上に、金属粒子を有する導電性樹脂を配置し、前記導電性樹脂が前記有機樹脂層を溶解し、前記金属粒子が前記シート状繊維体の間を移動して貫通配線を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記シート状繊維体は前記有機樹脂層が溶解した領域に残存していることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記シート状繊維体の糸束に表面処理を施すことを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項８】
導電性樹脂を用いて形成された第１の配線と、シート状繊維体に有機樹脂が含浸した構造体と、第２の配線と、薄膜トランジスタを含む素子層と、を有し、
前記第１の配線は、前記導電性樹脂により前記有機樹脂の一部を溶解させることで、前記有機樹脂が溶解した領域を介して前記構造体の第１の面と、前記第１の面とは反対の面である第２の面とに露出するように設けられ、
前記第１の配線は、前記薄膜トランジスタを含む素子層上に露出して設けられた前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記シート状繊維体は前記有機樹脂層が溶解した領域に残存していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記シート状繊維体の糸束に表面処理が施されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
薄膜トランジスタを含む素子層上に配線を形成し、
前記薄膜トランジスタを含む素子層及び前記配線上に、シート状繊維体に有機樹脂層を含浸させた構造体を配置し、
前記有機樹脂層の一部の領域上に、金属粒子を有する導電性樹脂を配置し、前記導電性樹脂が前記有機樹脂層を溶解し、前記金属粒子が前記シート状繊維体の間を移動して、前記配線と接触する貫通配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記シート状繊維体は前記有機樹脂層が溶解した領域に残存していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記シート状繊維体の糸束に表面処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電体を形成し、
前記第１の導電体上に、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさの導電性を有する粒子、樹脂、及び溶媒を含む導電性ペーストを配置し、
前記溶媒を気化して、前記導電性を有する粒子と、前記第１の導電体と前記導電性を有する粒子の間に前記樹脂を含むメモリ層と、を有する第２の導電体を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電体上に、絶縁層または半導体層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項３】
第１の導電体及び第２の導電体を形成し、
前記第１の導電体及び前記第２の導電体の間を埋めるように、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさの導電性を有する粒子、樹脂、及び溶媒を含む導電性ペーストを配置し、
前記溶媒を気化して、前記第１の導電体と前記第２の導電体との間に、前記樹脂を含むメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項４】
第１の導電体を形成し、
前記第１の導電体の一部に接して、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさの導電性を有する粒子、樹脂、及び溶媒を含む導電性ペーストを配置し、
前記溶媒を気化して、前記第１の導電体の一部に重なって、前記導電性を有する粒子と、前記第１の導電体と前記導電性を有する粒子の間に前記樹脂を含むメモリ層と、を有する第２の導電体を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記溶媒の気化が、前記樹脂の耐熱温度以下の温度で行われる記憶素子の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記溶媒の気化が、１０℃以上２８０℃以下の温度で行われる記憶素子の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記導電性を有する粒子が、銀粒子である記憶素子の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記導電性ペーストに含まれる導電性を有する粒子の割合は、８０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下であることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記樹脂は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂のいずれかであることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記導電性ペーストは液滴吐出法または印刷法により配置されていることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１１】
第１の導電体と、
第２の導電体と、
前記第１の導電体と前記第２の導電体に接して挟まれた組成物と、を有し、
前記組成物は、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさを有する導電性を有する粒子と、前記第１の導電体と前記導電性を有する粒子の間の樹脂とを有する記憶素子。
【請求項１２】
第１の導電体と、
前記第１の導電体に接して設けられた組成物と、を有し、
前記組成物は、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさを有する導電性を有する粒子と、前記第１の導電体と前記導電性を有する粒子の間の樹脂とを有する記憶素子。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記第１の導電体と前記樹脂の間に絶縁層または半導体層を有する記憶素子。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記絶縁層が、前記第１の導電体の酸化物である記憶素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一面に、最大高さ粗さＲｚが１μｍ以上７μｍ以下の第１の凹凸を設けた第１の樹脂層と、
前記第１の凹凸の上に設けた、第２の樹脂層と、
前記第２の樹脂層の上に設けた、前記第１の凹凸よりＲｚが小さく、更に最大高さＲａが小さいあるいは凹凸のピッチが小さい第２の凹凸と、
前記第２の凹凸の上に設けた導体層と、
を有するプリント配線基板。
【請求項２】
前記導体層の一部以上は、無電解めっき、スパッタ、蒸着のいずれか一つ以上で形成したものである請求項１記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とは、少なくとも、樹脂、フィラー、樹脂もしくはフィラーの構成割合の一つ以上が１重量％以上異なる請求項１記載のプリント配線基板。
【請求項４】
第２樹脂層の厚さが０．５μｍ以上４．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
無電解めっきが、銅、ニッケル、パラジウム、の少なくともいずれか１つもしくは複数の金属からなることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
第１の樹脂層と第２の樹脂層の界面に設けた第１の凹凸のピッチより、第２の樹脂と導体層との界面に設けた第２の凹凸のピッチが小さい請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
最大高さ粗さＲｚが１μｍ以上７μｍ以下の粗化面を有する銅箔の、前記粗化面に第２の樹脂層を設ける第２の樹脂層形成工程と、
コア基板の両面に、プリプレグを介して、前記銅箔の前記第２の樹脂層を、熱プレスにより積層する積層工程と、
前記プリプレグを硬化し第１の樹脂層とする第１の樹脂層形成工程と、
前記銅箔をエッチングにより除去し、第１の凹凸を形成する第１の凹凸形成工程と、
前記第２の樹脂表面に、前記第１の凹凸よりも微細な第２の凹凸を形成する第２の凹凸形成工程と、
前記第２の樹脂層表面に導体層を形成する工程と、を、少なくとも備えたプリント配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の樹脂層の表面に第２の凹凸を形成する工程は、少なくとも、デスミア処理、プラズマ処理、酸処理、アルカリ処理の中の少なくとも１つ以上を含むものである請求項７に記載のプリント配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも一面に、最大高さ粗さＲｚが１μｍ以上７μｍ以下の第１の凹凸を設けた第１の樹脂層と、前記第１の凹凸の上に設けた、第２の樹脂層と、前記第２の樹脂層の上に設けた、前記第１の凹凸よりＲｚが小さく、更に最大高さＲａが小さいあるいは凹凸のピッチが小さい第２の凹凸と、前記第２の凹凸の上に設けた導体層と、を有するプリント配線基板である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月1日(2012.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ部品の２つの端子電極をそれぞれ固定する２つの接続電極を表面上に有するプリント基板であって、
前記２つの接続電極は、前記チップ部品を挟んで対向し、
前記２つの接続電極の上面から見た先端部は、直線であり、
前記２つの接続電極の上面から見た先端部は、平行であり、
前記２つの接続電極と前記２つの端子電極は半田を介してそれぞれ接続し、
前記端子電極の上面形状は長方形であり、
前記接続電極の上面から見た先端部は、前記端子電極の前記長方形の一辺と平行であり、
前記接続電極の上面から見た先端部は、前記端子電極の前記長方形の一辺と重なり、
前記接続電極の上面から見た先端部の長さは、前記端子電極の前記長方形の一辺と等しく、
前記接続電極の上面から見た形状は、前記先端部から根元に向けて幅が広くなる形状であることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記接続電極の上面形状は、六角形であり、
前記六角形は、平行で長さが等しい２辺と、前記先端部と平行な１辺と、長さが等しい２辺を有することを特徴とするプリント基板。
【請求項３】
請求項１において、
前記接続電極の上面形状は、台形であることを特徴とするプリント基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記接続電極の一辺は、複数の角を有することを特徴とするプリント基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記接続電極の一辺は、曲線を有することを特徴とするプリント基板。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子を含む回路と、
１つの端子と、
前記端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の接続部と、
前記複数の接続部を前記端子に電気的に接続し、前記端子と前記複数の接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている接続配線と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の半導体素子を含む回路と、
１つの端子と、
前記端子に電気的に接続されており、過電圧が印加されないように前記回路を保護する保護回路と、
前記端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の接続部と、
前記複数の接続部を前記端子に電気的に接続し、前記端子と前記複数の接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている接続配線と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の半導体素子を含む回路と、
第１端子および第２端子と、
前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記複数の第１接続部を前記第１端子に電気的に接続し、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている第１接続配線と、
前記複数の第２接続部を前記第２端子に電気的に接続し、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている第２接続配線と、
前記第１端子と前記第２端子とに電気的に接続され、前記第１端子と前記第２端子とを短絡することで、過電圧に対して前記回路を保護する保護回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記保護回路は、前記第１端子と前記第２端子とに電気的に接続されたダイオードを有し、
前記ダイオードは、絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜の上面に平行な方向に隣接するＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域が形成されている半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記回路は、
前記第１端子と前記第２端子とに電気的に接続されたフォトダイオードと、
前記複数の第１接続部および前記複数の第２接続部を有し、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３において、
前記保護回路は、前記第１端子と前記第２端子とに電気的に接続されたダイオードを有し、
前記ダイオードは、絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜の上面に平行な方向に隣接するＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域が形成されている半導体膜を有し、
前記回路は、
前記第１端子と前記第２端子とに電気的に接続されたフォトダイオードと、
前記複数の第１接続部、前記複数の第２接続部および複数のトランジスタを含み、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、
を有し、
前記複数のトランジスタは、それぞれ、前記絶縁膜上に形成され、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成されている半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
１つの端子と、
前記端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路において前記端子に対して第１段目に配置され、半導体膜を備えた複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを前記端子に電気的に接続する接続配線と、
前記接続配線に含まれており、前記複数のトランジスタの半導体膜とそれぞれ接し、前記接続配線が接している前記複数のソース領域または前記複数のトランジスタのドレイン領域と前記端子の間の抵抗が等しくなるように形成されている導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１端子および第２端子と、
複数の半導体素子を構成する１つの半導体膜を含み、前記第１端子および前記第２端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路を前記第１端子に電気的に接続する第１接続配線と、
前記回路を前記第２端子に電気的に接続する第２接続配線と、
前記半導体膜と前記第１接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記半導体膜と前記第２接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記第１接続配線に含まれ、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記半導体膜に接して設けられている第１導電膜と、
前記第２接続配線に含まれ、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記半導体膜に接して設けられている第２導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１端子および第２端子と、
複数の半導体素子を構成する第１半導体膜を含み、前記第１端子および前記第２端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路を前記第１端子に電気的に接続する第１接続配線と、
前記回路を前記第２端子に電気的に接続する第２接続配線と、
前記半導体膜と前記第１接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記半導体膜と前記第２接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記第１接続配線に含まれ、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記第１半導体膜に接して設けられている第１導電膜と、
前記第２接続配線に含まれ、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記第１半導体膜に接して設けられている第２導電膜と、
前記第１導電膜および前記第２導電膜に接する第２半導体膜を有し、前記第１端子と前記第２端子とを短絡することで、過電圧に対して前記回路を保護するダイオードと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記半導体装置の大きさは、平面配置において１０ｍｍ×１０ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ショットキーバリアダイオード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明のショットキーバリアダイオードは、ｎ型窒化ガリウム基板と、ｎ型窒化ガリウム基板上に形成されたｎ型窒化ガリウムからなる層と、ｎ型窒化ガリウムからなる層上に形成されたショットキー電極とを備えている。ｎ型窒化ガリウムからなる層のキャリア濃度は、５×１０15ｃｍ-3以上２×１０16ｃｍ-3以下である。
また、本発明のショットキーバリアダイオードは、上記ショットキーバリアダイオードの製造方法により製造されるショットキーバリアダイオードであって、ｎ型窒化ガリウム基板と、ｎ型窒化ガリウム基板上に形成されたｎ型窒化ガリウムからなる層とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化ガリウム基板と、
前記ｎ型窒化ガリウム基板上に形成されたｎ型窒化ガリウムからなる層と、
前記ｎ型窒化ガリウムからなる層上に形成されたショットキー電極とを備え、
前記ｎ型窒化ガリウムからなる層のキャリア濃度は、５×１０15ｃｍ-3以上２×１０16ｃｍ-3以下である、ショットキーバリアダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ２以上の半導体チップを、電子部品上に接着するのに用いられる接着フィルムであって、
エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含み、
７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある、接着フィルム。
【請求項２】
前記７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある、請求項１に記載の接着フィルム。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂が、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有する、請求項１又は２に記載の接着フィルム。
【請求項４】
前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基を有する高分子ポリマー１０〜４０重量部をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備える、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項６】
７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムを介して、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上である半導体チップを電子部品上に積層し、圧着することにより、半導体チップ積層体を得る工程と、
得られた前記半導体チップ積層体を７０〜１２０℃の温度範囲内で加熱して、前記接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得る工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着フィルムとして、エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含む接着フィルムを用いる、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備えるダイシング−ダイボンディングテープの前記接着フィルムに半導体ウェーハを貼り付ける工程と、
前記接着フィルムに貼り付けられた半導体ウェーハを前記接着フィルムごとダイシングし、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上である個々の半導体チップに前記半導体ウェーハを分割する工程と、
ダイシング後に、前記接着フィルム付き前記半導体チップを取り出す工程とをさらに備え、
前記半導体チップ積層体を得る工程において、得られた前記接着フィルム付き前記半導体チップを電子部品上に積層し、圧着する、請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記接着フィルムとして、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムを用いる、請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮像して画像データを生成し、前記画像データを含む画像ファイルを作成する撮像手段と、
著作権に関する著作権情報を前記画像ファイルに付加するか否かを設定する著作権情報設定手段と、
改ざん検出のための情報検証用データを前記画像ファイルに付加するか否かを設定する情報検証用データ設定手段と、
前記著作権情報設定手段による前記画像ファイルへの前記著作権情報の付加設定状態とともに前記情報検証用データ設定手段による前記画像ファイルへの前記情報検証用データの付加設定状態を表示部に表示する表示制御手段とを具備すること
を特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記著作権情報設定手段により前記画像ファイルに前記著作権情報を付加するように設定されたとき、前記情報検証用データ設定手段により前記画像ファイルに前記情報検証用データを付加しないように設定されている場合は、前記情報検証用データ設定手段は、前記画像ファイルに前記情報検証用データを付加する設定とすること
を特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記著作権情報設定手段により前記画像ファイルに前記著作権情報を付加するように設定されたとき、前記情報検証用データ設定手段により前記画像ファイルに前記情報検証用データを付加しないように設定されている場合は、前記表示制御手段は、前記情報検証用データ設定手段による前記画像ファイルへの前記情報検証用データの付加設定状態に関する警告を前記表示部に表示すること
を特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の撮像装置は、被写体像を撮像して画像データを生成し、前記画像データを含む画像ファイルを作成する撮像手段と、著作権に関する著作権情報を前記画像ファイルに付加するか否かを設定する著作権情報設定手段と、改ざん検出のための情報検証用データを前記画像ファイルに付加するか否かを設定する情報検証用データ設定手段と、前記著作権情報設定手段による前記画像ファイルへの前記著作権情報の付加設定状態とともに前記情報検証用データ設定手段による前記画像ファイルへの前記情報検証用データの付加設定状態を表示部に表示する表示制御手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に記載の撮像装置は、請求項１に記載の撮像装置において、前記著作権情報設定手段により前記画像ファイルに前記著作権情報を付加するように設定されたとき、前記情報検証用データ設定手段により前記画像ファイルに前記情報検証用データを付加しないように設定されている場合は、前記情報検証用データ設定手段は、前記画像ファイルに前記情報検証用データを付加する設定とすることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載の撮像装置は、請求項１に記載の撮像装置において、前記著作権情報設定手段により前記画像ファイルに前記著作権情報を付加するように設定されたとき、前記情報検証用データ設定手段により前記画像ファイルに前記情報検証用データを付加しないように設定されている場合は、前記表示制御手段は、前記情報検証用データ設定手段による前記画像ファイルへの前記情報検証用データの付加設定状態に関する警告を前記表示部に表示することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月20日(2011.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図５は、本発明にかかる発振器の背面に設ける面実装端子のパターン例を説明する図であり、図５（ａ）はセラミック基板の背面図、（ｂ）は同じくセラミック基板の断面図である。図５において、符号２３はセラミック基板１に形成されて図１で説明したＩＣチップ５のバンプ６を接続する接続パッドを有する回路パターンである。なお、この回路パターンに設ける上記の接続パッドや関連する回路パターンの表記は省略し、回路パターンを形成する導体として一括図示した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デジタルスピーカー駆動装置と集中制御装置とを搭載した自動車
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれがｓ個のデジタル信号端子を有する複数のデジタルスピーカーを駆動するデジタルスピーカー駆動装置と集中制御装置とを搭載した自動車において、
前記デジタルスピーカー駆動装置は、
デジタル入力信号を変調しｎビットのデジタル信号を出力するΔΣ変調器と、
前記ΔΣ変調器に接続され、ｎビットのデジタル信号をミスマッチシェーピングしたｍビットのデジタル信号を出力する後置フィルターと、
前記ｍビットのデジタル信号を遅延制御して遅延されたｍビットのデジタル信号を出力するデジタル遅延制御回路と、
それぞれ前記遅延されたｍビットのデジタル信号の一部が入力されデジタル信号を出力するｓ個の駆動回路と、
を有し、
前記集中制御装置は、
前記デジタルスピーカー駆動装置の前記デジタル遅延制御回路の遅延時間を制御することを特徴とする、自動車。
【請求項２】
前記集中制御装置は、前記デジタルスピーカー駆動装置の前記複数のデジタルスピーカーの指向性を制御することを特徴とする請求項１に記載の自動車。
【請求項３】
前記指向性は、運転者以外の同乗者に向けられていることを特徴とする請求項２に記載の自動車。
【請求項４】
情報をモニターするセンサをさらに有し、
前記集中制御装置は、前記センサによる情報の検出に応じて車内の音響特性を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の自動車。
【請求項５】
前記センサは、マイクロフォンであり、
前記マイクロフォンで検出された音とは逆位相の音声が前記デジタルスピーカーにより生成されることを特徴とする請求項４に記載の自動車。
【請求項６】
前記デジタルスピーカー駆動装置と集中制御装置とは、車内ＬＡＮにより接続されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の自動車。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力端子を有するデジタルスピーカーと，
デジタル入力信号及び電源に接続され前記デジタルスピーカーを駆動するデジタルスピーカー駆動装置とから構成され，
前記デジタルスピーカー駆動装置は，前記デジタルスピーカーのコイル群の近傍に配置されていることを特徴とするデジタルスピーカー装置。
【請求項２】
前記デジタルスピーカー駆動装置は，前記デジタルスピーカーのコイル群の直後に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のデジタルスピーカー装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のデジタルスピーカー装置において，
前記デジタルスピーカーは，ｓ個のデジタル信号入力端子を有し，
前記デジタルスピーカー駆動装置は，
デジタル入力信号を変調しｎビットのデジタル信号を出力するΔΣ変調器と，
前記ΔΣ変調器に接続され，ｎビットのデジタル信号をミスマッチシェーピングしたｍビットのデジタル信号を出力する後置フィルターと，
それぞれ前記ｍビットのデジタル信号の一部が入力されデジタル信号を出力するｓ個の駆動回路と，
前記ΔΣ変調器，前記後置フィルター及び前記ｓ個の駆動素子に電源を供給する電源回路と，
から構成され，前記ｓ個の駆動回路は前記ｓ個のデジタル信号端子に対応していることを特徴とするデジタルスピーカー装置。
【請求項４】
請求項３記載のデジタルスピーカー装置において，前記電源回路は，前記ｓ個の駆動素子に可変電圧を供給することにより，前記ｓ個の駆動回路のデジタル信号の出力の振幅を調整することを特徴とするデジタルスピーカー装置。
【請求項５】
請求項３記載のデジタルスピーカー装置において，さらに，前記デジタル入力信号に所定の演算処理を施して前記ΔΣ変調器に入力させることにより，前記デジタルスピーカーの音量を調整するデジタル減衰器を有することを特徴とするデジタルスピーカー装置。
【請求項６】
請求項３記載のデジタルスピーカー装置において，前記ΔΣ変調器，前記後置フィルター及び前記ｓ個の駆動回路は単一の半導体上に形成されるか，もしくは，単一のパッケージに同封されることを特徴とするデジタルスピーカー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス状の金属原子を励起する励起光を出射する光源と、
両端が開口している筒状の部材、前記一方の開口を封鎖している第１の部材、及び前記他方の開口を封鎖している第２の部材を有し、前記筒状の部材、前記第１の部材、及び前記第２の部材で閉鎖されている内部空間に前記ガス状の金属原子が封入されたガスセルと、
前記第１の部材の外側に備えられている第１の加熱手段と、
前記第２の部材の外側に備えられている第２の加熱手段と、
前記第１の加熱手段及び前記第２の加熱手段を制御する温度制御回路を有している基板と、
前記第１の加熱手段と前記基板とを接続する第１の配線と、
前記第２の加熱手段と前記基板とを接続する第２の配線と、
前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段を接続している第３の配線と、を備えていること特徴とする原子発振器。
【請求項２】
前記第３の配線が前記筒状の部材の外面に備えられていることを特徴とする請求項１に記載の原子発振器。
【請求項３】
前記第３の配線が前記筒状の部材の外面を加熱するものであることを特徴とする請求項２に記載の原子発振器。
【請求項４】
前記第１の加熱手段、及び前記第２の加熱手段は透明発熱体である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の原子発振器。
【請求項５】
前記ガス状の金属原子に発生する電磁誘起透明化現象を利用した請求項１乃至４のいずれか一項に記載の原子発振器。