【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた第1の基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記第１の金型内面に、排気機構が連結されたクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
更に、ここで前記集塵ファンは以下を含む：
（ｘ３）前記第１の吸引口を吸引する第１の集塵ファン；
（ｘ４）前記第２の吸引口を吸引する第２の集塵ファン。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【請求項３】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【請求項４】
前記３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【請求項５】
前記４項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項６】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、更に以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項７】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【請求項８】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【請求項９】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【請求項１０】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【請求項１１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面に、吸引ダクトを介して排気機構が連結されたクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
更に、ここで前記吸引ダクトは以下を含む：
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
更に、ここで前記排気機構は以下を含む：
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトおよび前記第２の吸引ダクトを吸引する集塵ファンまたは、真空ソースまたは減圧ソース。
【請求項１２】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【請求項１３】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【請求項１４】
前記１３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【請求項１５】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項１６】
前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、更に以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項１７】
前記１６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【請求項１８】
前記１７項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【請求項１９】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【請求項２０】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面に、吸引ダクトを介して排気機構が連結されたクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
更に、ここで前記吸引ダクトは以下を含む：
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
更に、ここで前記排気機構は以下を含む：
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトまたは前記第２の吸引ダクトを吸引する集塵ファン、真空ソースまたは減圧ソース；
（ｘ６）前記集塵ファンまたは前記真空ソースまたは減圧ソースが吸引するダクトを切り替える吸引ダクト切替機構。