Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この燃料電池スタックは、第１のセパレータと、第１の前記セパレータの一方の面側に配置される第２のセパレータとの間に設けられる第１のシール部材の積層方向のシール高さは、第１の前記セパレータと、第１の前記セパレータの他方の面側に配置される第３のセパレータとの間に設けられる第２のシール部材の前記積層方向のシール高さと異なる高さに設定されるとともに、前記第１のシール部材の弾性率と、前記第２のシール部材の弾性率とは、同一に設定されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、この燃料電池スタックは、第１のシール部材の重心点からセパレータ面方向に沿って設けられた仮想線と前記第１のシール部材の表面との交点を繋ぐ幅寸法と、第２のシール部材の重心点からセパレータ面方向に沿って設けられた仮想線と前記第２のシール部材の表面との交点を繋ぐ幅寸法とは、異なることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質の両側に電極を配設した電解質・電極構造体とセパレータとが積層されるとともに、前記セパレータには、シール部材が設けられる燃料電池スタックであって、
第１の前記セパレータと、第１の前記セパレータの一方の面側に配置される第２の前記セパレータとの間に設けられる第１のシール部材の積層方向のシール高さは、第１の前記セパレータと、第１の前記セパレータの他方の面側に配置される第３の前記セパレータとの間に設けられる第２のシール部材の前記積層方向のシール高さと異なる高さに設定されるとともに、
前記第１のシール部材の弾性率と、前記第２のシール部材の弾性率とは、同一に設定されることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池スタックにおいて、前記第１のシール部材の重心点からセパレータ面方向に沿って設けられた仮想線と前記第１のシール部材の表面との交点を繋ぐ幅寸法と、前記第２のシール部材の重心点からセパレータ面方向に沿って設けられた仮想線と前記第２のシール部材の表面との交点を繋ぐ幅寸法とは、異なることを特徴とする燃料電池スタック。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像画像を入力する画像取得手段と、
前記入力された複数の撮像画像の各々に対して、各画素の属性に従って複数の領域を抽出する領域抽出手段と、
前記領域抽出手段により抽出された複数の領域の各々の属性に従って、撮像画像間で対応する領域を決定する領域対応付け手段と、
前記対応する領域の画像内の特徴点の座標に基づいて特徴点の３次元位置を推定することにより、前記領域の形状を推定する領域形状推定手段と、
前記対応する領域における各特徴点の３次元位置に基づいて運動を計算することにより、前記対応する領域の剛体運動を推定する領域剛体運動推定手段と、
前記複数の領域のうちの１つの領域と他の領域とを統合した場合に推定される剛体運動の精度が、前記１つの領域と前記他の領域とのそれぞれについて前記領域剛体運動推定手段により推定された剛体運動よりも高いと判定された場合に、前記１つの領域と前記他の領域とを統合する領域変更手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記領域変更手段は、前記複数の領域のうち１つの領域に関して推定された剛体運動の精度が所定のレベルを下回った場合に、前記１つの領域を複数の領域に分離することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記領域変更手段により変更された領域について、前記領域形状推定手段と前記領域剛体運動推定手段と前記領域変更手段を繰り返し機能させる繰り返し制御手段を更に備え、
前記繰り返し制御手段は、繰り返しの前後における前記領域形状推定手段による推定結果の差が所定の推定結果に関する閾値より小さくなった場合に前記繰り返しを停止することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記繰り返し手段は、繰り返しの前後における前記領域変更手段による変更後の領域の個数の差が所定の領域の個数に関する閾値よりも小さくなった場合に前記繰り返しを停止することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
入力手段と、抽出手段と、領域対応付け手段と、形状推定手段と、運動推定手段と、統合手段とを備える画像処理装置の制御方法であって、
前記入力手段が、複数の撮像画像を入力する入力工程と、
前記抽出手段が、前記入力された複数の撮像画像の各々に対して、各画素の属性に従って複数の領域を抽出する抽出工程と、
前記領域対応付け手段が、前記抽出された複数の領域の各々の属性に従って、撮像画像間で対応する領域を決定する領域対応付け工程と、
前記形状推定手段が、前記対応する領域の画像内の特徴点の座標に基づいて特徴点の３次元位置を推定することにより、前記領域の形状を推定する形状推定工程と、
前記運動推定手段が、前記対応する領域における各特徴点の３次元位置に基づいて運動を計算することにより、前記対応する領域の剛体運動を推定する運動推定工程と、
前記統合手段が、前記複数の領域のうちの１つの領域と他の領域とを統合した場合に推定される剛体運動の精度が、前記１つの領域と前記他の領域とのそれぞれについて前記推定された剛体運動よりも高いと判定された場合に、前記１つの領域と前記他の領域とを統合する統合工程と、
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項６】
請求項５に記載の画像処理の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項７】
請求項６のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを重ねて二つ折りしてなる冊子の各ページに対応する複数のページ画像データであって、ページ順に並ぶ複数のページ画像データを含む冊子データを取得する取得手段と、
前記冊子において同一シートの同一面に印刷されるページの組に対応する前記ページ画像データを検出する検出手段と、
前記冊子のページ範囲であって前記ページの組を含むページ範囲内の各ページをシートを重ねて二つ折りしてなる中間分冊子を構成するシートに割付けて印刷させる中間分冊子データであって、前記ページの組を前記中間分冊子における同一シートの同一面に印刷させる中間分冊子データを含む分冊印刷データを前記冊子データに基づいて出力する出力手段と、
を含むことを特徴とする文書処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、前記中間分冊子データと、前記冊子のページのうち前記ページ範囲より前の前記ページを１または複数の前部分冊子を構成するシートに割付けて印刷させる前部分冊子データと、前記文書のページのうち前記ページ範囲より後の前記ページを１または複数の後部分冊子を構成するシートに割付けて印刷させる後部分冊子データと、を含む分冊印刷データを出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の文書処理装置。
【請求項３】
前記出力手段は、前記中間分冊子、前記前部分冊子および前記後部分冊子のそれぞれを構成するシートの数が、予め定められた数以下となるよう前記分冊印刷データを出力する、
ことを特徴とする請求項２に記載の文書処理装置。
【請求項４】
前記出力手段は、前記中間分冊子、前記前部分冊子および前記後部分冊子の数の和が、前記冊子を構成するシートを前記予め定められたシート数ごとに分割してなる数以上の最小の奇数となるよう前記分冊印刷データを出力する、
ことを特徴とする請求項３に記載の文書処理装置。
【請求項５】
前記出力手段は、前記中間分冊子、前記前部分冊子および前記後部分冊子のそれぞれに含まれるシートの数は、前記冊子のシート数を前記中間分冊子、前記前部分冊子および前記後部分冊子の数の和で割った商の整数部もしくは前記商の整数部に１足した数となるように前記分冊印刷データを出力する、
ことを特徴とする請求項４に記載の文書処理装置。
【請求項６】
前記出力手段は、前記前部分冊子のうちいずれかに割付けられるページの数と前記後部分冊子のうちいずれかに割付けられるページの数とが等しくなり、かつ前記中間分冊子、前記前部分冊子および後部分冊子のそれぞれを構成するシートに割付けられるページの数が４の倍数となるよう前記分冊印刷データを出力する、
ことを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載の文書処理装置。
【請求項７】
前記検出手段は、シートを重ねて二つ折りしてなる前記冊子のうち谷側からみて最も手前となるシートの谷側の面の２ページに対応する前記ページ画像データを前記ページの組に対応する前記ページ画像データとして検出し、
前記出力手段は、前記検出されたページ画像データに対応する前記ページの組を、前記中間分冊子のうち谷側からみて最も手前となるシートの谷側の面に印刷させる中間分冊子データを含む分冊印刷データを前記冊子データに基づいて出力する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の文書処理装置。
【請求項８】
前記検出手段は、
前記冊子データから前記ページの第１の端に対応する第１の領域に画像が描画された第１のページ画像データを検出する第１検出手段と、
前記冊子データから前記ページの前記第１の端に対向する前記ページの第２の端に対応する第２の領域に画像が描画された第２のページ画像データを検出する第２検出手段と、を含み、
前記第１検出手段および前記第２検出手段による検出結果に基づいて、前記冊子において同一シートの同一面に印刷される前記ページの組に対応する前記ページ画像データを検出する、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の文書処理装置。
【請求項９】
シートを重ねて二つ折りしてなる冊子の各ページに対応する複数のページ画像データであって、ページ順に並ぶ複数のページ画像データを含む冊子データを取得する取得手段と、
前記冊子において同一シートの同一面に印刷されるページの組に対応する前記ページ画像データを検出する検出手段と、
シートを重ねて二つ折りしてなる中間分冊子であって、前記冊子のページ範囲であって前記ページの組を含むページ範囲内の各ページが割付けられるとともに前記ページの組が同一シートの同一面に割付けられる中間分冊子を前記冊子データに基づいて印刷する印刷手段と、
印刷されたシートであって中間分冊子を構成するシートを重ねて二つ折りする後処理手段と、を含み、
前記印刷手段は、前記中間分冊子を構成するシートの数が、後処理手段の最大処理枚数以下となるよう前記中間分冊子を印刷する、
ことを特徴とする印刷システム。
【請求項１０】
シートを重ねて二つ折りしてなる冊子の各ページに対応する複数のページ画像データであって、ページ順に並ぶ複数のページ画像データを含む冊子データを取得するステップと、
前記冊子において同一シートの同一面に印刷されるページの組に対応する前記ページ画像データを検出するステップと、
前記冊子のページ範囲であって前記ページの組を含むページ範囲内の各ページをシートを重ねて二つ折りしてなる中間分冊子を構成するシートに割付けて印刷させる中間分冊子データであって、前記ページの組を前記中間分冊子における同一シートの同一面に印刷させる中間分冊子データを含む分冊印刷データを前記冊子データに基づいて出力するステップと、
を含むことを特徴とする文書処理方法。
【請求項１１】
シートを重ねて二つ折りしてなる冊子の各ページに対応する複数のページ画像データであって、ページ順に並ぶ複数のページ画像データを含む冊子データを取得する取得手段、
前記冊子において同一シートの同一面に印刷されるページの組に対応する前記ページ画像データを検出する検出手段、および
前記冊子のページ範囲であって前記ページの組を含むページ範囲内の各ページをシートを重ねて二つ折りしてなる中間分冊子を構成するシートに割付けて印刷させる中間分冊子データであって、前記ページの組を前記中間分冊子における同一シートの同一面に印刷させる中間分冊子データを含む分冊印刷データを前記冊子データに基づいて出力する出力手段、
としてコンピュータを機能させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明の情報処理装置は、外部装置と通信可能な情報処理装置であって、前記情報処理装置の電源をオン／オフするための電源スイッチと、前記情報処理装置の電源をオフするための命令を前記外部装置から受信する受信手段と、前記電源スイッチがオフの状態になったこと又は前記受信手段が前記命令を受信したことに応じて前記情報処理装置のシャットダウンを実行する実行手段と、前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記電源スイッチがオフの状態になったことであった場合には、前記実行手段がシャットダウンを完了した際における前記電源スイッチの状態に応じて前記情報処理装置を再起動させ、前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記受信手段が前記命令を受信したことであった場合には、前記実行手段がシャットダウンを完了した際における前記電源スイッチの状態に関わらず前記情報処理装置を再起動させない制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置と通信可能な情報処理装置であって、
前記情報処理装置の電源をオン／オフするための電源スイッチと、
前記情報処理装置の電源をオフするための命令を前記外部装置から受信する受信手段と、
前記電源スイッチがオフの状態になったこと又は前記受信手段が前記命令を受信したことに応じて前記情報処理装置のシャットダウンを実行する実行手段と、
前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記電源スイッチがオフの状態になったことであった場合には、前記実行手段がシャットダウンを完了した際における前記電源スイッチの状態に応じて前記情報処理装置を再起動させ、前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記受信手段が前記命令を受信したことであった場合には、前記実行手段がシャットダウンを完了した際における前記電源スイッチの状態に関わらず前記情報処理装置を再起動させない制御手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記受信手段が前記命令を受信したことであった場合には、前記情報処理装置の電源をオフすることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記情報処理装置の電源をオフにする際に、前記電源スイッチを自動的にオフの状態にすることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記受信手段が前記命令を受信したことであった場合には、前記電源スイッチをオフの状態にすることをユーザに促すための画面を表示部に表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記電源スイッチがオフの状態になったことであった場合において、前記実行手段がシャットダウンを完了した際に前記電源スイッチがオンの状態であった場合には、前記情報処理装置を再起動させることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記電源スイッチがオフの状態になったことであった場合において、前記実行手段がシャットダウンを完了した際に前記電源スイッチがオフの状態であった場合には、前記情報処理装置の電源をオフすることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
シャットダウンは、ファイルのクローズ、アプリケーションプログラムの終了、各種入出力装置との通信の切断、ＯＳの終了のうち何れか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
印刷を行う印刷手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
外部装置と通信可能な情報処理装置であって、
前記情報処理装置の電源をオン／オフするための電源スイッチと、
前記情報処理装置の電源をオフするための命令を前記外部装置から受信する受信手段と、
前記電源スイッチがオフの状態になったこと又は前記受信手段が前記命令を受信したことに応じて前記情報処理装置のシャットダウンを実行する実行手段と、
前記実行手段がシャットダウンを実行した要因が前記受信手段が前記命令を受信したことであった場合には、前記電源スイッチを自動的にオフの状態にする制御手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１０】
外部装置と接続される情報処理装置の電源をオン／オフするための電源スイッチと、前記情報処理装置の電源をオフするための命令を前記外部装置から受信する受信手段とを有する情報処理装置の制御方法であって、
前記電源スイッチがオフの状態になったこと又は前記受信手段が前記命令を受信したことに応じて前記情報処理装置のシャットダウンを実行する実行工程と、
前記実行工程でシャットダウンを実行した要因が前記電源スイッチがオフの状態になったことであった場合には、前記実行工程でシャットダウンを完了した際における前記電源スイッチの状態に応じて前記情報処理装置を再起動させ、前記実行工程でシャットダウンを実行した要因が前記受信手段が前記命令を受信したことであった場合には、前記実行工程がシャットダウンを完了した際における前記電源スイッチの状態に関わらず前記情報処理装置を再起動させない制御工程とを有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の情報処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、湿式媒体中で芯粒子の表面に被覆樹脂微粒子を加えて融着させることによ
り芯粒子表面に樹脂被覆層を形成するトナーの製造方法において、
前記被覆樹脂微粒子の動的光散乱法により測定される累積体積粒度分布におけるＤｖ50ｓが０．１〜０．４μｍであり、かつ累積体積粒度分布の幅指標ＳＤｓ（μｍ）が下記式（１）の範囲にあり：
式（１）    ０．０５  ＜  ＳＤｓ  ＜０．２０
（ただし、累積体積粒度分布は粒度フラクションの小粒径側から累積するものとし、Ｄｖ50ｓは累積体積粒度分布が５０％となる点の粒径（μｍ）であり、ＳＤｓは、累積体積粒度分布が８４％となる点の粒径（μｍ）をＤｖ84ｓとし、同じく１６％となる点の粒径（μｍ）をＤｖ16ｓとしたときに、ＳＤｓ＝（Ｄｖ84ｓ−Ｄｖ16ｓ）／２で表されるものである）
前記芯粒子が、少なくとも結着樹脂と着色剤とを含み、且つ前記芯粒子が、その内部にワックス粒子ｃを包含するものであることを特徴とするトナーの製造方法。
【請求項２】
前記被覆樹脂微粒子の動的光散乱法により測定される累積体積粒度分布における０．１０２２μｍ以下の粒子の割合が２０％以下であることを特徴とする請求項１に記載のトナーの製造方法。
【請求項３】
前記芯粒子が、湿式媒体中で、少なくとも結着樹脂と着色剤とを凝集させてなる凝集粒子であり、前記凝集粒子に被覆用樹脂微粒子を加えて融着させて前記凝集粒子の表面に樹脂被覆層を形成することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項４】
前記芯粒子が、湿式媒体中で、少なくとも結着樹脂と着色剤とを凝集させて凝集粒子とし、次いで前記凝集粒子を構成する樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）以上の温度に加熱し、融着させてなる融着粒子であり、更にその表面に被覆樹脂微粒子を加えて融着させて前記融着粒子の表面に樹脂被覆層を形成することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項５】
少なくとも、前記被覆樹脂微粒子の樹脂を構成するモノマーが重合性の酸を含むものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項６】
前記被覆樹脂微粒子が、その内部にワックス粒子ｓを包含するものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項７】
前記ワックス粒子ｓのＤＳＣ吸熱ピーク温度が、３０〜１００℃の範囲にあることを特徴とする請求項６に記載のトナーの製造方法。
【請求項８】
前記ワックス粒子ｓが非極性ワックスであることを特徴とする請求項６又は７のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項９】
前記ワックス粒子ｃが極性ワックス粒子であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項１０】
前記ワックス粒子ｃが非極性ワックス粒子であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項１１】
前記芯粒子が結着樹脂を含有する重合体粒子を含み、かつ該重合体粒子がワックス粒子ｃを含み、前記被覆樹脂微粒子がワックス粒子ｓを含むトナーの製造方法において、該ワックス粒子ｃ及びｓのＤＳＣ吸熱ピーク温度が、下記式（２）を満たすことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
式（２）    Ｔｐｃ  ＞  Ｔｐｓ
（ただし、Ｔｐｃは、重合体粒子に包含されるワックス粒子ｃのＤＳＣ吸熱ピーク温度（℃）を表し、Ｔｐｓは、被覆樹脂微粒子に包含されるワックス粒子ｓのＤＳＣ吸熱ピーク温度（℃）を表す）
【請求項１２】
前記芯粒子が結着樹脂を含有する重合体粒子を含み、該重合体粒子と前記被覆樹脂微粒子のＴｇが、下記式（３）を満たすことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
式（３）    Ｔｇｃ  ＜  Ｔｇｓ
（ただし、Ｔｇｃは、重合体粒子のＴｇ（℃）を表し、Ｔｇｓは、被覆樹脂微粒子のＴｇ（℃）を表す）
【請求項１３】
前記ワックス粒子ｓの残留油分が０．１質量％以下であることを特徴とする請求項６乃至８及び１１のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項１４】
前記ワックス粒子ｓの２５℃における針入度が１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６乃至８及び１１いずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項１５】
前記ワックス粒子ｓ並びに前記被覆樹脂微粒子の樹脂を構成するモノマー成分を、それぞれ湿式媒体に分散させて分散体となし、前記ワックス粒子ｓをシードとして、前記被覆樹脂微粒子の樹脂を構成するモノマー成分によりシード重合を行うことを特徴とする請求項６に記載にトナーの製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれかに記載のトナーの製造方法により製造されることを特徴とするトナー。
【請求項１７】
請求項１６に記載のトナーと、キャリアとを含有してなることを特徴とする現像剤。
【請求項１８】
静電潜像担持体上に静電潜像を形成する工程、トナー担持体上のトナー層により前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する工程、及び前記トナー画像を被転写体上に転写する工程を含む画像形成方法において、前記トナー層が、請求項１６に記載のトナーを含有することを特徴とする画像形成方法。
【請求項１９】
静電潜像担持体上に静電潜像を形成する工程、現像剤担持体上の現像剤層により前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する工程、及び前記トナー画像を被転写体上に転写する工程を含む画像形成方法において、前記現像剤層が、請求項１７に記載の現像剤を含有することを特徴とする画像形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ系半導体層が設けられたＳｉＣ基板の第１主面の反対側の第２主面上に、ＣｕあるいはＣｕ合金からなり部分的に開口を有するエッチングマスクを形成する工程と、
フッ素系ガスをエッチングガスとして前記エッチングマスクを利用したドライエッチングを実施し、その底部の厚さ方向に前記ＧａＮ系半導体層が残存したビアホールを形成する第１エッチング工程と、
前記第１エッチング工程の後に前記エッチングマスクを除去する除去工程と、
前記除去工程の後に前記残存したＧａＮ系半導体層に対し、塩素系ガスをエッチングガスとしてドライエッチングを実施する第２エッチング工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１エッチング工程において、前記ＧａＮ系半導体層が露出する前に前記ドライエッチング処理を停止することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２エッチング工程を前記エッチングマスクを除去する前記除去工程と同一のエッチング工程で行うことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ＧａＮ系半導体層と前記エッチングマスクとの間にＮｉあるいはＮｉ合金のメタル層を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ＳｉＣ基板の前記第２主面に所定のパターンを有する前記メタル層をシードメタルとしてメッキ処理を行うことによって、前記エッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＧａＮ系半導体層が設けられたＳｉＣ基板の第１主面の反対側の第２主面上にＣｕあるいはＣｕ合金からなり部分的に開口を有するエッチングマスクを形成する工程と、フッ素系ガスをエッチングガスとしてエッチングマスクを利用したドライエッチングを実施し、その底部の厚さ方向にＧａＮ系半導体層が残存したビアホールを形成する第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後にエッチングマスクを除去する除去工程と、除去工程の後に残存したＧａＮ系半導体層に対し、塩素系ガスをエッチングガスとしてドライエッチングを実施する第２エッチング工程と、を含むことを特徴とするものである。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体装置のビアホールにおける残渣物の残留を抑制することができ、かつ、半導体装置のデバイス特性不良、信頼性不良等を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１エッチング工程において、ＧａＮ系半導体層が露出する前にエッチング処理を停止してもよい。この場合、ＧａＮ系半導体層の汚染がより抑制される。第２エッチング工程をエッチングマスクを除去する除去工程と同一のエッチング工程で行ってもよい。この場合、工程が簡略化される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ＧａＮ系半導体層とエッチングマスクとの間にＮｉあるいはＮｉ合金のメタル層を含んでいてもよい。ＳｉＣ基板の第２主面に所定のパターンを有するメタル層をシードメタルとしてメッキ処理を行うことによって、エッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程をさらに含んでいてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理に関する情報を操作する操作画面の表示を制御する制御手段と、
基板処理に関する情報を時刻に関連付けて記憶する記憶手段と
を有する基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶される情報のうちいずれかが選択された場合、選択された情報の時刻に関連付けられる他の情報が表示可能となるよう制御する基板処理装置。
【請求項２】
基板処理に関する情報を操作する操作画面に表示する表示工程を有する基板処理装置の表示方法であって、
前記表示工程では、前記基板処理に関する情報のうちいずれかの情報が選択された場合、選択された情報の時刻に関連付けられる他の情報が表示される基板処理装置の表示方法。
【請求項３】
基板を処理する基板処理工程と、
基板処理に関する情報を操作する操作画面に表示する表示工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理工程では、基板処理に関する情報を時刻と関連付け、
前記表示工程では、前記基板処理に関する情報のうちいずれかの情報が選択された場合、選択された情報の時刻に関連付けられる他の情報が表示される半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスに用いられるｎ型ＧａＮ基板であって、
前記ｎ型ＧａＮ基板の表面に表面層を有し、
前記表面層が、Ｓ換算で３０×１０１０個／ｃｍ２〜２０００×１０１０個／ｃｍ２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物を含み、
ｃ軸に対する前記表面の法線軸の傾斜角度が６３°〜７９°である、ｎ型ＧａＮ基板。
【請求項２】
前記表面層がＳ換算で４０×１０１０個／ｃｍ２〜１５００×１０１０個／ｃｍ２の前記硫化物を含む、請求項１に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項３】
前記表面層がＯ換算で３ａｔ％〜１６ａｔ％の前記酸化物を含む、請求項１又は２に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項４】
前記表面層がＣｌ換算で１２０×１０１０個／ｃｍ２〜１５０００×１０１０個／ｃｍ２の塩化物を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項５】
前記表面層がＳｉ換算で１００×１０１０個／ｃｍ２〜１２０００×１０１０個／ｃｍ２のシリコン化合物を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項６】
前記表面層における炭素化合物の含有量がＣ換算で２２ａｔ％以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項７】
前記表面層における銅化合物の含有量がＣｕ換算で１５０×１０１０個／ｃｍ２以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項８】
前記表面層の表面粗さがＲＭＳ基準で５ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項９】
前記表面層の転位密度が１×１０６個／ｃｍ２以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項１０】
前記表面の面方位が、｛２０−２１｝面、｛２０−２−１｝面、｛２２−４３｝面、｛２２−４−３｝面、｛１１−２１｝面、｛１１−２−１｝面のいずれかである、請求項１〜９のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のｎ型ＧａＮ基板と、前記ｎ型ＧａＮ基板の前記表面層上に形成されたエピタキシャル層とを有し、前記エピタキシャル層がＩＩＩ族窒化物半導体を含む、エピタキシャル基板。
【請求項１２】
前記エピタキシャル層が量子井戸構造を有する活性層を有し、
前記活性層が波長４３０ｎｍ〜５５０ｎｍの光を発生するように設けられている、請求項１１に記載のエピタキシャル基板。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載のエピタキシャル基板を備える、半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタの半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層のチャネル部に不純物を導入する不純物導入工程と、
前記チャネル部に重なるようにゲート電極を形成するゲート電極形成工程と
を備え、
前記不純物導入工程において、前記不純物は、チャネル幅方向において前記チャネル部の端部に位置する第１領域及びチャネル長方向において前記第１領域よりも幅が狭い前記チャネル部の第２領域にそれぞれ導入される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記不純物導入工程において、前記第２領域では、前記チャネル長方向で見て、前記半導体層のソース部側の第３領域及び前記半導体層のドレイン部側の第４領域に夫々前記不純物が導入され、前記第３領域及び第４領域間に位置する第５領域には、前記不純物が導入されないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記不純物導入工程において、前記第１領域では、前記第３領域、前記第４領域及び前記第５領域の各々と前記チャネル幅方向で隣り合う領域に、前記不純物が夫々導入されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記不純物導入工程において、前記不純物が導入される領域は、前記ゲート電極よりチャネル長方向の幅が狭いことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、トランジスタの半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層のチャネル部に不純物を導入する不純物導入工程と、前記チャネル部に重なるようにゲート電極を形成するゲート電極形成工程とを備え、前記不純物導入工程において、前記不純物は、チャネル幅方向において前記チャネル部の端部に位置する第１領域及びチャネル長方向において前記第１領域よりも幅が狭い前記チャネル部の第２領域にそれぞれ導入される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＧａＮ基板の保存方法、ＧａＮ基板封入保存容器および半導体デバイスの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造に用いられる主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外のＧａＮ基板の保存方法、そのＧａＮ基板を封入することにより保存しているＧａＮ基板封入保存容器および保存されていたそのＧａＮ基板上に少なくとも１層の半導体層を成長させる半導体デバイスの製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決し、特性のよい半導体デバイスの製造が可能な主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外のＧａＮ基板の保存方法、そのＧａＮ基板を封入することにより保存しているＧａＮ基板封入保存容器および保存されていたそのＧａＮ基板上に少なくとも１層の半導体層を成長させる半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、酸素濃度が１５体積％以下および水蒸気濃度が２０ｇ／ｍ3以下の雰囲気中に、平坦な第１の主面を有し、第１の主面上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点における面方位が、任意の点における（０００１）面または（０００−１）面に対して５０°以上９０°以下で傾斜している任意に特定される結晶面の面方位に対して、−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角を有するＧａＮ基板を封入することにより保存しているＧａＮ基板封入保存容器である。また、本発明は、平坦な第１の主面を有し、第１の主面上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点における面方位が、その任意の点における（０００１）面または（０００−１）面に対して５０°以上９０°以下で傾斜している任意に特定される結晶面の面方位に対して、−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角を有するＧａＮ基板を、酸素濃度が１５体積％以下および水蒸気濃度が２０ｇ／ｍ3以下の雰囲気中で保存する工程と、保存されていたそのＧａＮ基板の第１の主面上に少なくとも１層の半導体層を成長させる工程と、を含む半導体デバイスの製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、特性のよい半導体デバイスの製造が可能な主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外のＧａＮ基板の保存方法、そのＧａＮ基板を封入することにより保存しているＧａＮ基板封入保存容器および保存されていたそのＧａＮ基板上に少なくとも１層の半導体層を成長させる半導体デバイスの製造方法を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な第１の主面を有し、前記第１の主面上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点における面方位が、前記任意の点における（０００１）面または（０００−１）面に対して５０°以上９０°以下で傾斜している任意に特定される結晶面の面方位に対して、−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角を有するＧａＮ基板を、酸素濃度が１５体積％以下および水蒸気濃度が２０ｇ／ｍ3以下の雰囲気中で保存するＧａＮ基板の保存方法。
【請求項２】
前記酸素濃度が１０体積％以下および前記水蒸気濃度が１５ｇ／ｍ3以下である請求項１に記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項３】
前記酸素濃度が６体積％以下および前記水蒸気濃度が５ｇ／ｍ3以下である請求項１に記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項４】
前記雰囲気は、不活性ガスと酸素ガスと水蒸気とを含む混合ガスにより形成され、前記酸素濃度が０．０５体積％以上および前記水蒸気濃度が０．１ｇ／ｍ3以上である請求項１から請求項３のいずれかに記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項５】
前記第１の主面の平均粗さＲａが２０ｎｍ以下であり、第２の主面の平均粗さＲａが２０μｍ以下である請求項１から請求項４までのいずれかに記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項６】
前記第１の主面の平均粗さＲａが５ｎｍ以下であり、前記第２の主面の平均粗さＲａが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項７】
前記任意に特定される結晶面の面方位が｛２０−２１｝である請求項１から請求項６までのいずれかに記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項８】
前記第１の主面上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点における面方位が、｛２０−２１｝に対して、＜１−２１０＞方向に−１０°以上１０°以下で、＜２０−２１＞方向および＜１−２１０＞方向に対して垂直な方向に−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角を有する請求項７に記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項９】
前記第１の主面上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点における面方位が、｛２０−２１｝に対して、＜１−２１０＞方向に−３°以上３°以下で、＜２０−２１＞方向および＜１−２１０＞方向に対して垂直な方向に−３°以上３°以下のずれ傾斜角を有する請求項７に記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項１０】
前記第１の主面上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点における面方位が、｛２０−２１｝に対して、＜１−２１０＞方向に−０．５°以上０．５°以下で、＜２０−２１＞方向および＜１−２１０＞方向に対して垂直な方向に−０．５°以上０．５°以下のずれ傾斜角を有する請求項７に記載のＧａＮ基板の保存方法。
【請求項１１】
酸素濃度が１５体積％以下および水蒸気濃度が２０ｇ／ｍ3以下の雰囲気中に、
平坦な第１の主面を有し、前記第１の主面上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点における面方位が、前記任意の点における（０００１）面または（０００−１）面に対して５０°以上９０°以下で傾斜している任意に特定される結晶面の面方位に対して、−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角を有するＧａＮ基板を封入することにより保存しているＧａＮ基板封入保存容器。
【請求項１２】
平坦な第１の主面を有し、前記第１の主面上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点における面方位が、前記任意の点における（０００１）面または（０００−１）面に対して５０°以上９０°以下で傾斜している任意に特定される結晶面の面方位に対して、−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角を有するＧａＮ基板を、酸素濃度が１５体積％以下および水蒸気濃度が２０ｇ／ｍ3以下の雰囲気中で保存する工程と、保存されていた前記ＧａＮ基板の前記第１の主面上に少なくとも１層の半導体層を成長させる工程と、を含む半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送波の振幅値が異なる複数の受信シンボルの復調を行う復調器であって、
前記受信シンボルの搬送波の振幅値から定まる同相成分の絶対値と直交成分の絶対値とを加算して受信シンボル振幅値を算出する振幅値算出部と、
前記振幅値算出部が算出した受信シンボル振幅値の変化を検出し、当該検出結果に基づいて受信シンボルを復調する復調部と、を備える復調器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】復調器
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス型表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の薄膜トランジスタを有する画素部と、第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路部と、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、
前記基板上に第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層と、
前記ゲート絶縁層上に、前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層と重なる第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層と接する酸化物絶縁層と、
前記第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層の少なくとも一と接する接続電極層と、
前記酸化物絶縁層上に、前記第１のドレイン電極層と前記接続電極層を介して電気的に接続する画素電極層と、を有し、
前記第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に第２のゲート電極層と、
前記第２のゲート電極層上に前記ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層及び前記酸化物絶縁層上に、第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタの前記第１のゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記第１の酸化物半導体層、前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、前記酸化物絶縁層、及び前記画素電極層が透光性を有し、
前記第２の酸化物半導体層の周縁部は前記酸化物絶縁層と接することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の薄膜トランジスタの第２のゲート電極層、第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層は、
前記第１の薄膜トランジスタの前記第１のゲート電極層、前記第１のソース電極層、及び前記第１のドレイン電極層と材料が異なり、
前記第１の薄膜トランジスタの前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２の酸化物半導体層、前記酸化物絶縁層、前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に、前記第２の酸化物半導体層と重なる導電層を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の薄膜トランジスタの第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層は、前記第１の薄膜トランジスタの前記接続電極層と同じ材料であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に第２の絶縁層とを有し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、ボロン元素、またはアルミニウム元素を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に第２の絶縁層とを有し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、リン元素、またはアンチモン元素を１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の絶縁層は前記酸化物半導体層と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第２の絶縁層と前記酸化物半導体層との間には、酸化珪素からなる第３の絶縁層を有し、該第３の絶縁層は、ボロン元素、アルミニウム元素、リン元素、及びアンチモン元素を含まないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁層、及び前記第２の絶縁層は、酸化珪素からなる絶縁層であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層上及び前記第２のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記第１のゲート電極層と重なる第１の酸化物半導体層を形成するとともに、前記第２のゲート電極層と重なる第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を脱水化または脱水素化し、
前記第１の酸化物半導体層上に、金属導電材料を含む第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を形成するとともに、前記第２の酸化物半導体層上に、金属導電材料を含む第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上、前記第２の酸化物半導体層上、前記第１のソース電極層上、前記第２のソース電極層上、前記第１のドレイン電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上に、前記第１の酸化物半導体層の一部及び前記第２の酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層に、前記第２のドレイン電極層に達する開口を形成し、
前記酸化物絶縁層上及び前記開口内に、第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上にＥＬ層を形成し、
前記ＥＬ層上に第２の電極層を形成し、
前記酸化物絶縁層上に導電層を形成し、
前記導電層は、前記第１のゲート電極層及び前記第１の酸化物半導体層と重なり、前記第１の電極層と同工程で形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層上及び前記第２のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記第１のゲート電極層と重なる第１の酸化物半導体層を形成するとともに、前記第２のゲート電極層と重なる第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を脱水化または脱水素化し、
前記第１の酸化物半導体層上に、金属導電材料を含む第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を形成するとともに、前記第２の酸化物半導体層上に、金属導電材料を含む第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上、前記第２の酸化物半導体層上、前記第１のソース電極層上、前記第２のソース電極層上、前記第１のドレイン電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上に、前記第１の酸化物半導体層の一部及び前記第２の酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層に、前記第２のドレイン電極層に達する開口を形成し、
前記酸化物絶縁層上及び前記開口内に、接続電極層を形成し、
前記接続電極層に接する第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上にＥＬ層を形成し、
前記ＥＬ層上に第２の電極層を形成し、
前記酸化物絶縁層上に導電層を形成し、
前記導電層は、前記第１のゲート電極層及び前記第１の酸化物半導体層と重なり、前記接続電極層と同工程で形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の酸化物半導体層と前記第１のソース電極層との間、及び前記第１の酸化物半導体層と前記第１のドレイン電極層との間に酸化物導電層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層と前記第２のソース電極層との間、及び前記第２の酸化物半導体層と前記第１のドレイン電極層との間に酸化物導電層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。