【事件の表示】
　平成１０年特許願第３１３９５５号「磁気ヘッド装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２３３２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１０年１０月１９日の出願であって、その請求項１乃至７に係る発明は平成１６年　６月２２日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】　少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを先端部に支持する支持機構と、前記薄膜磁気ヘッド素子の駆動回路と、各々が前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の最大出力電圧より大きな導通動作電圧を有しており、該少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に接続される端子間に一方向について少なくとも２つ並列接続されたＥＳＤ保護用のダイオード素子とを備えたことを特徴とする磁気ヘッド装置。」
　
２．引用例
（１）引用例１
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平７−８５４２２号公報（以下、「引用例１」という。）には、ハードディスクに対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドの静電破壊対策に関して図面とともに次の技術事項が記載されている。
　(a)
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスクに対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドに関し、特に静電破壊対策に関する。」
　(b)
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、上述の技術的な課題に鑑みて提案されたものであって、端子サイドからの飛び込みによる静電破壊を回避し、記録再生特性に優れた信頼性の高い複合型磁気ヘッドを提供することを目的とする。」
　(c)
「【００１５】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施例１
本実施例の複合型磁気ヘッドは、図１に示すように、ハードディスクとの対接面となるＡＢＳ（エア・ベアリング・サーフエス）面１に再生用磁気ギャップｇ１ を臨ませるＭＲヘッドと、このＡＢＳ面１に記録用磁気ギャップｇ２ を臨ませるインダクティブヘッドをＡｌ２ Ｏ３ −ＴｉＣ基板からなるスライダ２の一側面上に積層形成した，いわゆる２ギャップタイプの記録再生ヘッド構成とされている。
【００１６】ＭＲヘッドは、先端部と後端部にそれぞれ定電流源からのセンス電流を通ずるための一対の電極３ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ面１側に設けられる電極３ａを先端電極３ａ、後端側に設けられる電極３ｂを後端電極３ｂと称する。）が積層されたＭＲ素子４を有してなる。
【００１７】ＭＲ素子４は、その長手方向が上記ＡＢＳ面１に対して垂直となるように設けられるとともに、その一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。また、このＭＲ素子４は、例えばＳｉＯ２ 等よりなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜を積層した構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が回避されるようになっている。
【００１８】なお、ＭＲ薄膜は、例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、高感度化を図るため、その膜厚が数百オングストローム程度とされる。
【００１９】先端電極３ａは、その一側縁がＡＢＳ面１に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されている。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間に電流を流して、上記ＭＲ素子４にセンス電流を通電する電極としての機能を有する。また、この先端電極３ａは、再生用磁気ギャップｇ１ のギャップ膜として機能するようになっている。
【００２０】一方、後端電極３ｂは、ＭＲ素子４の後端部に直接積層して設けられ、このＭＲ素子４と電気的に接続するようになされている。
【００２１】そして、かかるＭＲヘッドにおいては、上記ＭＲ素子４を非磁性且つ絶縁性を有する膜５を介してパーマロイ等の磁性体からなる第１の薄膜磁気コア６と第２の薄膜磁気コア７とで挟み込んだ、いわゆるシールド型構成となっている。シールド型構成をとるのは、この種の一体型ヘッドでは短波長再生を要求されたり、再生波形がインダクティブヘッドの微分出力波形と同じものを信号処理上求められるからである。
【００２２】ＭＲ素子４の下側に設けられる第１の薄膜磁気コア６は、上記スライダ２との間に絶縁層８を介して上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、このＡＢＳ面１に対し垂直にバック側へ延在するようにして設けられている。
【００２３】一方、これに対向して設けられる他方の第２の薄膜磁気コア７は、先の第１の薄膜磁気コア６と同様に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、このＡＢＳ面１に対し垂直にバック側へ延在して設けられている。そして、そのＡＢＳ面１側において、この第２の薄膜磁気コア７は先端電極３ａと電気的に接続されるようになっている。
【００２４】一方、インダクティブヘッドは、磁気シールドとして機能する第２の薄膜磁気コア７を閉磁路を構成する一方の薄膜磁気コアとし、この薄膜磁気コア７に対向して積層される第３の薄膜磁気コア９とによって上記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャップｇ２ を構成するようになっている。
【００２５】すなわち、第２の薄膜磁気コア７に対向して積層される第３の薄膜磁気コア９は、上記ＡＢＳ面１に臨む前方端部でこの第２の薄膜磁気コア７側に屈曲され、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップｇ２ を構成すると共に、後方端部で上記第２の薄膜磁気コア７と磁気的に接触するようになっている。
【００２６】なお、記録用磁気ギャップｇ２ は、ＡＢＳ面１側における第２の薄膜磁気コア７と第３の薄膜磁気コア９間の間隔が狭くなされた部分に配されるギャップ膜１０の厚みによってそのギャップ長が決定されている。かかるギャップ膜１０は、第２の薄膜磁気コア７上であって、上記ＡＢＳ面１より第２の薄膜磁気コア７と第３の薄膜磁気コア９との磁気的結合部１１に至る範囲に形成されている。
【００２７】そして、上記第３の薄膜磁気コア９と第２の薄膜磁気コア７の接続部分である磁気的結合部１１には、この磁気的結合部１１を取り囲むようにしてスパイラル状の記録コイル１２が設けられている。かかる記録コイル１２は、上記第３の薄膜磁気コア９と第２の薄膜磁気コア７間に設けられる中間層１３によって埋め込まれ（平坦化され）ている。そして、上記第３の薄膜磁気コア９の上には、上記スライダ２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティブヘッドを保護するための保護層１４が形成されている。」
　(d)
「【００３５】実施例２
本実施例の複合型磁気ヘッドは、端子サイドから飛び込んできた静電気によるＭＲ素子４の静電破壊を回避するために、ＭＲ素子４に接続される端子間に２つのダイオードを設けた例である。なお、本実施例では、本発明に係わる発明をよりわかりやすくするために、インダクティブヘッドの図示及びその説明は省略する。また、先の実施例１の複合型磁気ヘッドと同一の部材には同一の符号を付し、その説明は省略するものとする。
【００３６】本実施例では、図５及び図６に示すように、第１の薄膜磁気コア６と第２の薄膜磁気コア７とによって挟み込まれたＭＲ素子４に接続される一対のＭＲ端子１５ａ，１５ｂ間に、アノードとカソードがそれぞれ互い違いに且つ並列となるように一対のダイオード１８，１９が電気的に接続されている。
【００３７】通常、ドライブ実装状態でＭＲ素子４の動作電圧は、０．１〜０．４Ｖ程度であるので、ダイオード１８，１９を流れる電流は、ほぼ零となり、実使用状況下では悪影響を与えることはない。しかし、静電気が放電されるや、その静電気電圧が大きいため、ダイオード１８，１９の抵抗は小さくなり、端子側からの静電気放電をダイオード１８，１９のところで流してしまい、ＭＲ素子４に達しなくしてしまう。したがって、ヘッドの評価の際やドライブ組立の際に、ＭＲ端子１５ａ，１５ｂに静電気が飛び込んだとしても、かかるダイオード１８，１９によって当該ＭＲ素子４の静電破壊が防止される。
【００３８】通常、ＭＲ素子４間に静電気が放電された場合は、ＭＲ素子４の膜厚が数１０ｎｍと非常に薄く、断面積も小さいために、瞬時にしてジュール熱による発熱でＭＲ素子４が溶断を起こす。しかし、本実施例では、ＭＲ端子間にダイオード１８，１９を接続しているので、静電気がゆっくりと流れることになり、ＭＲ素子４の静電破壊が回避される。なお、記録コイル１２は、断面積が大きいので静電気によるジュール熱によって溶断しないため、当該記録コイル１２の端子間にダイオード１８，１９を設ける必要はない。
【００３９】ところで、ダイオード１８，１９は、ヘッド素子の内部に形成するのが理想であるが、プロセスの親和性からは経済的負担の大きなものになってしまう。また、各端子間に同様な処置をするのが望ましいが、ヘッド自体の小型化に対し、問題となる。そのため、ＭＲ素子４の端子１５ａ，１５ｂだけにダイオード１８，１９を２つ並列に接続することが信頼性を挙げ、且つ安価に達成する最良の方法である。」
　(e)
「【００４３】
【発明の効果】（略）
【００４４】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子に接続される一対の端子間に、少なくとも１つ以上のダイオードを設けているので、同様にヘッドの評価の際又はドライブ組立の際にＭＲ端子より静電気が飛び込んだとしても、その静電気電圧が大きいためダイオードの抵抗は小さくなり、端子側からの静電気放電をＭＲ素子へ達することなくダイオードの所で流してしまうことになり、当該ＭＲ素子の静電破壊を回避できる。」
　
　上記記載事項及び図面（特に図５）の記載を総合勘案すると、上記引用例１には、結局、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
　
「ＭＲ素子４を有するスライダ２と、該ＭＲ素子４にセンス電流を通電するための回路と、前記ＭＲ端子１５ａ、１５ｂ間に、アノードとカソードがそれぞれ互い違いにかつ並列となるように電気的に接続された一対のダイオード１８、１９を備え、前記ダイオード１８、１９は、実使用状況下では流れる電流はほぼ零であり、前記端子側からの静電気放電を流すことにより前記ＭＲ素子４の静電破壊を防止する複合型磁気ヘッド。」
　
（２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平１０−２６９５３４号公報（平成１０年１０月９日出願公開。以下、「引用例２」という。）には、スピンバルブ磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッドに関して図面とともに次の技術事項が記載されている。
　(f)
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気ヘッドのウエハプロセスや加工プロセス等の製造工程中や製造したヘッドのＨＤＤへのアセンブリング工程中において、ヘッドの端子サイドへ何らかの理由で電荷が飛び込むと、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向が変化してしまってヘッドの諸特性が変化し記録信号を正確に再生できない場合がある。これは、飛び込んだ電荷により発生する熱及び電流が引き起こす磁界によってピンド方向が変化してしまうためと考えられる。
【０００５】ピンド方向が変化してしまうと、ピンド層及びフリー層の磁化のなす角度が変化することから出力特性等も変わってしまう。従ってスピンバルブＭＲ素子を有する磁気ヘッドにおいては、ピンド方向が正しく制御されていることが非常に重要となる。従来技術においては、通常のＭＲ素子について、静電放電（ＥＳＤ）破壊を防止するための対策は種々提案されているが、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向の変化を防止するための対策についてはその概念すら全く存在していなかった。
【０００６】従って本発明は、従来技術の上述した問題点を解消するものであり、その目的は、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向の変化を防止できる構造を有する磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。」
　(g)
「【００１６】図３は、本発明の一実施形態としてスピンバルブＭＲ素子及びインダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッドの概略構成を示す断面図である。同図において、３０は磁気ヘッドスライダ、３１はそのＡＢＳ面、３２はスピンバルブＭＲ素子、３３はＭＲ素子３２の下部磁気シールド層、３４はＭＲ素子３２の上部磁気シールド層を兼用するインダクティブ素子の第１の薄膜磁気コア層、３５はインダクティブ素子の第２の薄膜磁気コア層、３６はインダクティブ素子のコイル、３７はインダクティブ素子用の１対の端子電極、３８はＭＲ素子３２用の１対の端子電極、３９はＭＲ素子３２の両端及び１対の端子電極３８に接続されている１対のリード導体をそれぞれ示している。以上の構成は、一般的な複合型磁気ヘッドの構成と同じであるが、本実施形態では、ＭＲ素子３２用の１対のリード導体３９間に双方向接続されたショットキーダイオード４０ａ及び４０ｂからなる磁化反転保護回路４０が電気的に接続されている。」
　(h)
「【００２４】図５から明らかのように、スピンバルブＭＲ素子に約０．６８ｎＪのエネルギが印加されるとそのピンド方向の反転が始まり、約１．０ｎＪのエネルギ値でピンド方向の反転が終わっている。従って、前述したように、磁化反転保護回路４０の導通動作点を、約１．０ｎＪ以下のエネルギ値、好ましくは約０．６８ｎＪに設定しているのである。その結果、磁化反転保護回路４０を形成した後の磁気ヘッドの製造工程中、製造した磁気ヘッドのＨＤＤへのアセンブリング工程中又はその磁気ヘッドのＨＤＤでの使用中において、ヘッドの端子サイドへ何らかの理由で電荷が飛び込んだ場合にも、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向の変化を確実に防止することができる。なお、磁化反転保護回路４０は、スピンバルブＭＲ素子が通常使用する程度のエネルギでは動作しないので、ＭＲ素子用のリード導体間に常に接続した状態であっても全く問題ない。」
　(j)
「【００３０】スピンバルブＭＲ素子のピンド方向反転が、ＭＲ素子のＥＳＤ破壊が起こるエネルギより小さなエネルギが印加されるのみで発生してしまうことに注目すべきである。表１は、通常のＭＲ素子及びスピンバルブＭＲ素子のＥＳＤが発生するエネルギ量とスピンバルブＭＲ素子のピンド方向反転が発生するエネルギ量とを比較して表わすものであり、印加エネルギＥ（ｎＪ）は、スピンバルブＭＲ素子の実際に測定したピーク電流値ＩｓＰＥＡＫ及びその半値幅τを用いて（１）式から求めている。なお、表１の括弧内の数値はＩｓＰＥＡＫ＝ＶＡＰＰＹ／Ｒ、τ＝（ＲＳＩＭＵ＋ＲＭＲ）・Ｃから計算によって求めた値であり、測定値に比較的近い値となっている。この表からも明らかのように、スピンバルブＭＲ素子のピンド方向反転が起こる印加エネルギ量は、ＥＳＤ破壊が起こるエネルギ量に比して非常に低く（約１／４以下）、従来のＥＳＤ破壊防止技術によってスピンバルブＭＲ素子のピンド方向反転を阻止することは不可能である。」
　(k)
「【００４０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によれば、磁気ヘッドに、スピンバルブＭＲ素子の１対のリード導体間に電気的に接続されかつスピンバルブＭＲ素子のピンド方向反転が生じるエネルギが印加されると導通する磁化反転保護回路を形成しているので、スピンバルブＭＲ素子自体にそのような電荷が飛び込むことが防止できる。従って、飛び込んだ電荷により発生する熱及び電流が引き起こす磁界によってピンド方向が変化するような不都合の発生を未然に防止することができる。」
　
３．対　比
　本願発明と引用例１発明とを対比する。
　(i)引用例１発明の「ＭＲ素子４」は、所定の薄膜を積層した素子であるから（前記摘記事項(c)段落【００１７】、【００１８】参照）、本願発明の「薄膜磁気ヘッド素子」に相当し、引用例１発明の「スライダ２」は、本願発明の「磁気ヘッドスライダ」に相当する。更に、引用例１発明の前記「スライダ２」は、前記摘記事項(d)段落【００３５】に記載のように、前記ＭＲ素子４と共にインダクティブヘッドも設けることが可能であるから、「少なくとも１つ」の薄膜磁気ヘッド素子を有する点についても、本願発明と共通する。
　(ii)引用例１発明の複合型磁気ヘッドは、ハードディスクに搭載されるものであるから、引用例１発明において、前記スライダ２を先端部に支持する支持機構についての明示はないものの、前記支持機構に相当する構成を当然備えているものと認められる。
　(iii)引用例１発明の「ＭＲ素子４にセンス電流を通電するための回路」は、本願発明の「薄膜磁気ヘッド素子の駆動回路」に相当する。
　(iv)引用例１発明の「ダイオード１８、１９」は、本願発明の「ダイオード素子」に相当する。
　そして、引用例１発明の「ダイオード１８、１９」が「実使用状況下では流れる電流はほぼ零であ」る点は、本願発明の「ダイオード素子」は「各々が前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の最大出力電圧より大きな導通動作電圧を有して」いる点に相当し、引用例１発明の「ダイオード１８、１９」が「ＭＲ端子１５ａ、１５ｂ間に、アノードとカソードがそれぞれ互い違いにかつ並列となるように電気的に接続された」点は、本願発明の「ダイオード素子」は「少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に接続される端子間に」「並列接続された」点に相当し、引用例１発明の「ダイオード１８、１９」が「端子側からの静電気放電を流すことにより前記ＭＲ素子４の静電破壊を防止する」ものである点は、静電気放電（ＥＳＤ）が起きてもＭＲ素子４を保護することであるから、本願発明の「ＥＳＤ保護用」である点で共通している。
　(v)引用例１発明の「複合型磁気ヘッド」は前記「回路」及び「支持機構に相当する構成」を含めて、本願発明の「磁気ヘッド装置」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用例１発明とは以下の点で一致する。
　
＜一致点＞
「 少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを先端部に支持する支持機構と、前記薄膜磁気ヘッド素子の駆動回路と、各々が前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の最大出力電圧より大きな導通動作電圧を有しており、該少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に接続される端子間に並列接続されたＥＳＤ保護用のダイオード素子とを備えた磁気ヘッド装置。」
　
　一方、以下の点で相違する。
　
 （相違点）
　本願発明では、端子間に一方向について少なくとも２つ並列接続されたダイオード素子を備えているのに対し、引用例１発明では、端子 １５ａ、１５ｂ間に、一対のダイオードを備えている点。
　
４．判　断
　上記相違点について検討する。
　引用例２には引用例１発明と同様の構成を有する磁気ヘッドが記載（上記摘記事項（g）段落【００１６】及び図３参照）されると共に、当該構成により「飛び込んだ電荷により発生する熱及び電流が引き起こす磁界によってピンド方向が変化するような不都合の発生を未然に防止することができる」効果を奏する旨記載（上記摘記事項(k)段落【００４０】参照）されている。更に、引用例２には「スピンバルブＭＲ素子のピンド方向反転が、ＭＲ素子のＥＳＤ破壊が起こるエネルギより小さなエネルギが印加されるのみで発生してしまうことに注目すべきである。」（上記摘記事項(j)段落【００３０】並びに段落【００３１】の表１を参照）と記載され、この記載によればスピンバルブＭＲ素子を用いた場合には、ＥＳＤ破壊よりも小さな電流又は電圧によりピン反転する。してみれば、ＭＲ素子としてスピンバルブＭＲ素子を用いた場合には、ＥＳＤ（静電放電）によるピン反転防止のため、端子間に接続されたダイオードに、より多くの電流を流してスピンバルブＭＲ素子に流れる電流をピン反転する電流以下に小さくする必要があることが、明らかである。
　一方、一般の静電気（異常電位）保護回路において、一方向について並列接続された少なくとも２つのダイオードを用いて、過多の静電気を２つ（以上）の経路に分流させる構成は、当該技術分野において本願出願前に周知の技術（必要ならば、特開平１０−１６３４２３号公報（段落【０００９】−【００１３】、図３）、特開平１−２６５５５３号公報（第４図等）、特開平２−２４４７５７号公報（第２図、第５図等）参照）であり、この場合、並列接続されたダイオードの合成抵抗が、ダイオード１つの抵抗よりも小さくなることは、当業者にとって自明である。
　してみれば、引用例１発明の複合型磁気ヘッドにおいても、ＭＲ素子としてスピンバルブＭＲ素子を用いた場合に、引用例２に記載のようにＥＳＤによるピン反転を考慮して、端子間に接続されたダイオードに、より多くの電流を流す構成を採用することは、当業者が容易に想到し得るものである。この場合、端子間に接続されたダイオードに、より多くの電流を流す構成について、前記周知の構成である、端子間に一方向について並列接続された少なくとも２つのダイオードを用いる構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なしうる事項にすぎないものである。
　
　なお、審判請求人は、請求の理由の中で、
「ＥＳＤ保護用ダイオードは、一般に、ＥＳＤ耐量（逆電圧）が例えば６〜１０ｋＶ以上と高電圧であり、このように高電圧構造とすると端子間容量が５〜１０ｐＦ程度とかなり大きくなってしまう。このようなＥＳＤ保護用ダイオードによれば、充分な耐ＥＳＤ性能得ることができるが、高容量であるため、磁気ヘッド装置に用いた場合、微弱な読出し信号の波形を鈍らせてしまい、読出し感度を大きく下げてしまう。低容量のＥＳＤ保護用ダイオードを用いれば、読出し信号の波形鈍化は防止できるが充分な耐ＥＳＤ性能が得られない。そこで、本願発明者等は、ＥＳＤ耐量の低いＥＳＤ保護用ダイオードであってもこれを複数個並列に接続することによる分流効果によって、必要充分な耐ＥＳＤ性能を得ると共に、低容量化による読出し信号の波形鈍化を防止しているのである。
　即ち、本願発明の、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に接続される端子間に一方向について少なくとも２つ並列接続されたＥＳＤ保護用のダイオード素子を備えるという特別の構成によって初めて、薄膜磁気ヘッド素子の再生信号品質を劣化させることなく、必要充分な耐ＥＳＤ特性を確保することができるという予期し得ない格段の効果が得られるのである。」
と主張しているが、例えば、「ＥＳＤ保護用」に特化したダイオードや、ダイオードの具体的な容量または耐量（逆電圧）の特性と、読み出し信号の波形鈍化との関係等について、本願明細書には特段の記載がない。してみれば、請求人の前記主張は本願明細書に基づくものではないから、採用することができないというほかない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願の請求項１に係る発明は、引用例１及び２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願はその余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。