【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電圧である第１制御電圧が供給される第１制御ラインと、
一端に第1固定電位が供給される第１キャパシタと、
前記第１制御ラインと前記第1キャパシタの他端との間に接続される光電変換素子とを備え、
前記光電変換素子は、
記第1制御ラインに接続されるカソードと、
前記カソードよりも低い電位が供給されるとともに前記第1キャパシタの他端に接続されるアノードとを含み、
前記第１キャパシタの他端に接続される第１電極と、第２電極と、直流電圧である第２制御電圧が供給される制御電極とを含む第１トランジスタと、
第2固定電位が供給される一端と、前記第１トランジスタの第２電極が接続される他端とを含む第２キャパシタと、
前記第２キャパシタの他端に接続される第１電極と、第3固定電位に接続される第２電極と、第２制御電圧が供給される制御電極とを含む第２トランジスタと、
前記第２キャパシタの他端と接続される制御電極と、参照電位が供給される第１電極と、第２電極とを含む第３トランジスタと、
前記第３トランジスタの第２電極と接続される第１電極と、第３制御電圧が供給される制御電極と、第２電極とを含む第４トランジスタと、
前記第４トランジスタの第２電極と接続される信号出力ラインとをさらに備え、
前記第１制御電圧の電圧値a、前記第２制御電圧の電圧値b、前記第１トランジスタのスレッショルド電圧c、及び前記第3固定電位の電圧値dはd+c≦b≦a+cを満たす光電変換装置。
【請求項２】
前記第1、第3、及び第4トランジスタはPMOSFETであり、
前記第2トランジスタはNMOSFETである請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
直流電圧である第４制御電圧が供給される第２制御ラインと、
ダイオード素子とをさらに備え、
前記ダイオード素子は、
前記光電変換素子のアノードと接続されるアノードと、
前記第2制御ラインに接続されるカソードとを含む請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
直流電圧である第１制御電圧が供給される第１制御ラインと、
一端に第1固定電位が供給される第１キャパシタと、
前記第１制御ラインと前記第1キャパシタの他端との間に接続される光電変換素子とを備え、
前記光電変換素子は、
記第1制御ラインに接続されるアノードと、
前記アノードよりも高い電位が供給されるとともに前記第1キャパシタの他端に接続されるカソードとを含み、
前記第１キャパシタの他端に接続される第１電極と、第２電極と、直流電圧である第２制御電圧が供給される制御電極とを含む第１トランジスタと、
第2固定電位が供給される一端と、前記第１トランジスタの第２電極が接続される他端とを含む第２キャパシタと、
前記第２キャパシタの他端に接続される第１電極と、第3固定電位に接続される第２電極と、第２制御電圧が供給される制御電極とを含む第２トランジスタと、
前記第２キャパシタの他端と接続される制御電極と、電源電圧が供給される第１電極と、第２電極とを含む第３トランジスタと、
前記第３トランジスタの第２電極と接続される第１電極と、第３制御電圧が供給される制御電極と、第２電極とを含む第４トランジスタと、
前記第４トランジスタの第２電極と接続される信号出力ラインとをさらに備え、
前記第１制御電圧の電圧値a、前記第２制御電圧の電圧値b、前記第１トランジスタのスレッショルド電圧c、及び前記第3固定電位の電圧値dはd-c≦b≦a-cを満たす光電変換装置。
【請求項５】
前記第1、第2、第3、及び第4トランジスタはNMOSFETであることを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
直流電圧である第４制御電圧が供給される第２制御ラインと、
ダイオード素子とをさらに備え、
前記ダイオード素子は、
前記光電変換素子のカソードと接続されるカソードと、
前記第2制御ラインに接続されるアノードとを含む請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１制御ラインに供給される第１制御電圧は前記第２制御ラインに供給される第４制御電圧よりも大きく設定される請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１制御ラインに供給される第１制御電圧は前記第２制御ラインに供給される第４制御電圧よりも小さく設定される請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記ダイオード素子のカソードに加えられる電位はそのアノードに加えられる電位よりも低くなるように前記第１制御ライン及び第２制御ラインに供給される直流電圧の大きさが設定される請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記光電変換素子はシリコン系である請求項１又は４に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記光電変換素子は非シリコン系である請求項１又は４に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記光電変換素子は銅、インジウム、ガリウム、セレンからなる非シリコン系である請求項１１に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記ダイオード素子は前記光電変換素子と同一チップ上に形成される請求項３又は６に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記ダイオード素子は、前記第１トランジスタと同じ導電型からなるトランジスタを用いている請求項１３に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記ダイオード素子は、前記第１トランジスタと同じ大きさである請求項１４に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記第１キャパシタ及び第２キャパシタの少なくとも１つは第１トランジスタの拡散容量で作り込まれる請求項１〜１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記光電変換素子は、
一部に開口領域を有するアルミニウム遮光膜と、
Ｎ型酸化亜鉛層及び真性酸化亜鉛層を有するコモン電極層と、
硫化カドミウム層と、
ＣＩＧＳ層と、
金属電極層と、
絶縁層と、
ビア層とを含み、
前記金属電極層は前記ビア層を介して、前記第２制御ラインに接続され、前記コモン電極層は前記第１制御ラインに接続される請求項１６に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記第1キャパシタは前記光電変換素子又は前記第1トランジスタの寄生容量であり、前記第2キャパシタは前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、及び前記第3トランジスタの寄生容量である請求項1又は4に記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の請求項1の光電変換装置は、直流電圧である第１制御電圧が供給される第１制御ラインと、一端に第1固定電位が供給される第１キャパシタと、前記第１制御ラインと前記第1キャパシタの他端との間に接続される光電変換素子と、前記光電変換素子は、記第1制御ラインに接続されるカソードと、前記カソードよりも低い電位が供給されるとともに前記第1キャパシタの他端に接続されるアノードとを含み、前記第１キャパシタの他端に接続される第１電極と、第２電極と、直流電圧である第２制御電圧が供給される制御電極とを含む第１トランジスタと、第2固定電位が供給される一端と、前記第１トランジスタの第２電極が接続される他端とを含む第２キャパシタと、前記第２キャパシタの他端に接続される第１電極と、第3固定電位に接続される第２電極と、第２制御電圧が供給される制御電極とを含む第２トランジスタと、前記第２キャパシタの他端と接続される制御電極と、参照電位が供給される第１電極と、第２電極とを含む第３トランジスタと、前記第３トランジスタの第２電極と接続される第１電極と、第３制御電圧が供給される制御電極と、第２電極とを含む第４トランジスタと、前記第４トランジスタの第２電極と接続される信号出力ラインとをさらに備え、前記第１制御電圧の電圧値a、前記第２制御電圧の電圧値b、前記第１トランジスタのスレッショルド電圧c、及び前記第3固定電位の電圧値dはd+c≦b≦a+cを満たすことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の請求項2の光電変換装置は、前記第1、第3、及び第4トランジスタはPMOSFETであり、前記第2トランジスタはNMOSFETであることを特徴とする。本発明の請求項３の光電変換装置は、直流電圧である第４制御電圧が供給される第２制御ラインと、ダイオード素子とをさらに備え、前記ダイオード素子は、前記光電変換素子のアノードと接続されるアノードと、前記第2制御ラインに接続されるカソードとを含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項４の光電変換装置は、直流電圧である第１制御電圧が供給される第１制御ラインと、一端に第1固定電位が供給される第１キャパシタと、前記第１制御ラインと前記第1キャパシタの他端との間に接続される光電変換素子と、前記光電変換素子は、記第1制御ラインに接続されるアノードと、前記アノードよりも高い電位が供給されるとともに前記第1キャパシタの他端に接続されるカソードとを含み、前記第１キャパシタの他端に接続される第１電極と、第２電極と、直流電圧である第２制御電圧が供給される制御電極とを含む第１トランジスタと、第2固定電位が供給される一端と、前記第１トランジスタの第２電極が接続される他端とを含む第２キャパシタと、前記第２キャパシタの他端に接続される第１電極と、第3固定電位に接続される第２電極と、第２制御電圧が供給される制御電極とを含む第２トランジスタと、前記第２キャパシタの他端と接続される制御電極と、電源電圧が供給される第１電極と、第２電極とを含む第３トランジスタと、前記第３トランジスタの第２電極と接続される第１電極と、第３制御電圧が供給される制御電極と、第２電極とを含む第４トランジスタと、前記第４トランジスタの第２電極と接続される信号出力ラインとをさらに備え、前記第１制御電圧の電圧値a、前記第２制御電圧の電圧値b、前記第１トランジスタのスレッショルド電圧c、及び前記第3固定電位の電圧値dはd-c≦b≦a-cを満たすことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項５の光電変換装置は、前記第1、第2、第3、及び第4トランジスタはNMOSFETであることを特徴とする。本発明の請求項６の光電変換装置は、直流電圧である第４制御電圧が供給される第２制御ラインと、ダイオード素子とをさらに備え、前記ダイオード素子は、前記光電変換素子のカソードと接続されるカソードと、前記第2制御ラインに接続されるアノードとを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項７の光電変換装置は、前記第１制御ラインに供給される第１制御電圧は前記第２制御ラインに供給される第４制御電圧よりも大きく設定されることを特徴とする。本発明の請求項８の光電変換装置は、前記第１制御ラインに供給される第１制御電圧は前記第２制御ラインに供給される第４制御電圧よりも小さく設定されることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項９の光電変換装置は、前記ダイオード素子のカソードに加えられる電位はそのアノードに加えられる電位よりも低くなるように前記第１制御ライン及び第２制御ラインに供給される直流電圧の大きさが設定されることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の請求項１０の光電変換装置は、前記光電変換素子はシリコン系であることを特徴とする。本発明の請求項１１の光電変換装置は、前記光電変換素子は非シリコン系であることを特徴とする。本発明の請求項１２の光電変換装置は、前記光電変換素子は銅、インジウム、ガリウム、セレンからなる非シリコン系であることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の請求項１３の光電変換装置は、前記ダイオード素子は前記光電変換素子と同一チップ上に形成されることを特徴とする。本発明の請求項１４の光電変換装置は、前記ダイオード素子は、前記第１トランジスタと同じ導電型からなるトランジスタを用いていることを特徴とする。本発明の請求項１５の光電変換装置は、前記ダイオード素子は、前記第１トランジスタと同じ大きさであることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の請求項１６の光電変換装置は、前記第１キャパシタ及び第２キャパシタの少なくとも１つは第１トランジスタの拡散容量で作り込まれることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の請求項１７の光電変換装置は、前記光電変換素子は、一部に開口領域を有するアルミニウム遮光膜と、Ｎ型酸化亜鉛層及び真性酸化亜鉛層を有するコモン電極層と、硫化カドミウム層と、ＣＩＧＳ層と、金属電極層と、絶縁層と、ビア層とを含み、前記金属電極層は前記ビア層を介して、前記第２制御ラインに接続され、前記コモン電極層は前記第１制御ラインに接続されることを特徴とする。本発明の請求項１８の光電変換装置は、前記第1キャパシタは前記光電変換素子又は前記第1トランジスタの寄生容量であり、前記第2キャパシタは前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、及び前記第3トランジスタの寄生容量であることを特徴とする。