【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記ＭＥＭＳ共振器は、第１電気接点と、第２電気接点と、少なくとも１つの基板アンカーに連結された梁構造とを備え、前記ＭＥＭＳ共振器は、第１共振周波数を有する、方法において、
前記第１電気接点に与える第１加熱電流を、前記第１共振周波数を用いて決定する工程と、
前記第１加熱電流を流す工程であって、前記第１加熱電流を前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記梁構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記梁構造の材料が変化して前記ＭＥＭＳ共振器の第２共振周波数を提供する、前記第１加熱電流を流す工程とを備える、方法。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳ共振器の前記第２共振周波数を測定する工程と、
第２加熱電流を決定する工程と、
前記第２加熱電流を流す工程であって、前記第２加熱電流を前記前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記梁構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記梁構造の材料が変化して前記ＭＥＭＳ共振器の第３共振周波数を提供する、前記第２加熱電流を流す工程とを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記梁構造は高張力区域を備えており、前記高張力区域は、前記第１加熱電流に応じて、前記梁構造の他の部分よりも実質的に高い温度まで加熱される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記ＭＥＭＳ共振器は、第１電気接点と、第２電気接点と、基板アンカーを介して基板に固定された梁構造とを備え、前記ＭＥＭＳ共振器は、第１共振周波数を有する、方法において、
第１加熱電流を流す工程であって、前記第１加熱電流を前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記梁構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記梁構造の材料が蒸発して前記ＭＥＭＳ共振器の第２共振周波数を提供し、前記第１加熱電流は、前記梁構造の少なくとも一部を、約９００℃を超えるまで抵抗加熱する、第１加熱電流を流す工程と、
前記ＭＥＭＳ共振器の前記第２共振周波数を測定する工程とを備えた、方法。
【請求項５】
前記ＭＥＭＳ共振器に第２加熱電流を与える工程を備え、
前記第２加熱電流を与える工程は、前記第２加熱電流を流す工程であって、前記第２加熱電流を前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記梁構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記梁構造の材料が変化して前記ＭＥＭＳ共振器の第３共振周波数を提供する、前記第２加熱電流を流す工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
測定された前記第２共振周波数を用いて前記第２加熱電流を決定する工程を備えた、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記梁構造は、高張力区域を備えており、前記高張力区域は、前記第１加熱電流に応じて、前記梁構造の他の部分よりも実質的に高い温度まで加熱される、請求項４乃至６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
ＭＥＭＳ装置において、
共振周波数を有する梁構造を備えたマイクロ電気機械共振器と、
前記梁構造と並置され、複数の電気接点を有する周波数調整構造であって、前記梁構造は前記周波数調整構造の少なくとも２つの構成要素の間に配置されており、前記周波数調整構造の少なくとも２つの構成要素の材料が、加熱電流により抵抗加熱されることにより、前記周波数調整構造の少なくとも２つの構成要素から蒸発して、前記梁構造に蒸着し、前記梁構造の共振周波数を変更する、周波数調整構造とを備え、
前記前記周波数調整構造が、シリコン材料からなる、ＭＥＭＳ装置。
【請求項９】
前記周波数調整構造が一体化されている固定電極を備えた、請求項８に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１０】
前記周波数調整構造が近接して配置されている固定電極を備えた、請求項８又は９に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１１】
前記梁構造は、第１端部及び第２端部を備えており、前記周波数調整構造は、前記第１端部及び前記第２端部に近接して配置されている、請求項８から１０のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１２】
前記周波数調整構造は、単結晶シリコン又は多結晶シリコンからなる、請求項８から１１のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１３】
前記加熱電流は、前記周波数調整構造を、３００℃を超えるまで抵抗加熱する、請求項８から１２のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１４】
前記加熱抵抗は、前記周波数調整構造を、９００℃を超えるまで抵抗加熱する、請求項８から１２のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１５】
前記梁構造は、第１端部及び第２端部を備えており、前記周波数調整構造の材料は、ほぼ前記第１端部及び前記第２端部の上に蒸着する、請求項８から１４のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１６】
固定電極を備え、
前記周波数調整構造は、（ｉ）前記固定電極と一体化された第１の構造と、（ｉｉ）前記固定電極に近接して配置された第２の構造とを備える、請求項８から１５のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１７】
前記梁構造は、多梁整調フォーク構造を備え、前記多梁整調フォーク構造内の各梁は、
第１基板アンカーによって固定されている第１端部を備える、請求項８から１６のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１８】
ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記ＭＥＭＳ共振器は、梁構造と周波数調整構造とを備え、前記梁構造は前記周波数調整構造の少なくとも２つの構成要素の間に配置されており、前記周波数調整構造は、複数の電気接点を備え、前記ＭＥＭＳ共振器は第１共振周波数を有する、方法において、
前記第１加熱電流を前記複数の接点の間に流して前記周波数調整構造の前記構成要素を抵抗加熱し、これに応じて、前記周波数調整構造の前記構成要素の材料が、前記周波数調整構造の前記構成要素から蒸発して、前記梁構造に蒸着し、前記ＭＥＭＳ共振器の第２共振周波数を提供する、方法。
【請求項１９】
前記ＭＥＭＳ共振器の前記第２共振周波数を測定する工程を備えた、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＭＥＭＳ共振器の前記第１共振周波数を測定する工程と、
測定された前記第１共振周波数を用いて前記第１加熱電流を決定する工程とを備えた、請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２１】
第２加熱電流を決定する工程と、
前記周波数調整構造に第２加熱電流を与える工程とを備え、
前記第２加熱電流を与える工程は、前記第２加熱電流を前記電気接点の間に流して前記周波数調整構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記周波数調整構造の材料が、更に前記梁構造の上に蒸着して、前記ＭＥＭＳ共振器の前記第３共振周波数を提供する工程を含む、請求項１８から２０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２２】
前記周波数調整構造は、前記ＭＥＭＳ共振器の固定電極と一体化されている、請求項１８から２１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２３】
前記梁構造は、第１端部及び第２端部を備えており、前記第１加熱電流に応じて、前記周波数調整構造の材料が、前記第１端部及び前記第２端部に蒸着するようにした、請求項１８から２２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２４】
前記梁構造は、複数の端部を備えており、前記第１加熱電流に応じて、前記周波数調整構造の蒸発した材料の相当部分が、前記複数の端部に蒸着するようにした、請求項１８から２３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２５】
前記周波数調整構造は、多結晶シリコン材料からなる、請求項１８から２４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２６】
前記抵抗加熱は、９００℃から１２００℃の間で前記周波数調整構造を加熱する、請求項８に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２７】
前記抵抗加熱は、９００℃から１２００℃の間で前記周波数調整構造を加熱する、請求項１８に記載の方法。