【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ1と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ2とから得られる｜ｄ1−ｄ2｜／ｄ2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０-3以下であり、結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折に関して結晶基板の主表面からのＸ線侵入深さを変化させて測定されたロッキングカーブにおいて、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける回折強度ピークの半値幅ｗ1と５μｍのＸ線侵入深さにおける回折強度ピークの半値幅ｗ2とから得られる｜ｗ1−ｗ2｜の値で表される結晶基板の表面層の特定結晶格子面の面方位ずれが３５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の｛２０−２１｝面から＜１０−１０＞方向に±４°以内で傾斜している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記のＩＩＩ族窒化物結晶基板について、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の主表面は３ｎｍ以下の表面粗さＲａを有することができる。また、主表面の面方位は、結晶基板の｛２０−２１｝面に対して傾斜角の絶対値が０．１°未満と実質的に平行とすることができる。また、主表面の面方位は、結晶基板の｛２０−２１｝面からの傾斜角の絶対値を０．１°以上４°以下とすることができる。また、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の主表面に存在する酸素の濃度を２原子％以上１６原子％以下とすることができる。また、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の主表面における転位密度を１×１０7ｃｍ-2以下とすることができる。また、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の直径を４０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明のさらに他の実施形態によれば、半導体デバイスの製造方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ1と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ2とから得られる｜ｄ1−ｄ2｜／ｄ2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０-3以下であり、結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折に関して結晶基板の主表面からのＸ線侵入深さを変化させて測定されたロッキングカーブにおいて、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける回折強度ピークの半値幅ｗ1と５μｍのＸ線侵入深さにおける回折強度ピークの半値幅ｗ2とから得られる｜ｗ1−ｗ2｜の値で表される結晶基板の表面層の特定結晶格子面の面方位ずれが３５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、主表面の面方位が結晶基板の｛２０−２１｝面から＜１０−１０＞方向に±４°以内で傾斜している結晶基板を準備する工程と、結晶基板の主表面上に少なくとも１層の半導体層をエピタキシャル成長させることによりエピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板を形成する工程と、を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら前記結晶基板の主表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍの前記Ｘ線侵入深さにおける面間隔ｄ1と５μｍの前記Ｘ線侵入深さにおける面間隔ｄ2とから得られる｜ｄ1−ｄ2｜／ｄ2の値で表される前記結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０-3以下であり、
前記結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折に関して前記結晶基板の前記主表面からのＸ線侵入深さを変化させて測定されたロッキングカーブにおいて、０．３μｍの前記Ｘ線侵入深さにおける回折強度ピークの半値幅ｗ1と５μｍの前記Ｘ線侵入深さにおける回折強度ピークの半値幅ｗ2とから得られる｜ｗ1−ｗ2｜の値で表される前記結晶基板の表面層の前記特定結晶格子面の面方位ずれが３５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、
前記主表面の面方位が、前記結晶基板の｛２０−２１｝面から＜１０−１０＞方向に±４°以内で傾斜しているＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項２】
前記均一歪みが１．７×１０-3以下であり、前記面方位ずれが２６０ａｒｃｓｅｃ以下である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項３】
前記均一歪みが１．４×１０-3以下であり、前記面方位ずれが１９０ａｒｃｓｅｃ以下である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項４】
前記均一歪みが１．２×１０-3以下であり、前記面方位ずれが１２０ａｒｃｓｅｃ以下である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項５】
前記均一歪みが１．０×１０-3以下であり、前記面方位ずれが８０ａｒｃｓｅｃ以下である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項６】
前記均一歪みが０．７×１０-3以下であり、前記面方位ずれが５０ａｒｃｓｅｃ以下である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項７】
前記主表面は３ｎｍ以下の表面粗さＲａを有する請求項１から請求項６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項８】
前記主表面の面方位は、前記結晶基板の｛２０−２１｝面に対して傾斜角の絶対値が０．１°未満と実質的に平行である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項９】
前記主表面の面方位は、前記結晶基板の｛２０−２１｝面からの傾斜角の絶対値が０．１°以上４°以下である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項１０】
前記主表面に存在する酸素の濃度が２原子％以上１６原子％以下である請求項１から請求項９のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項１１】
前記主表面における転位密度が１×１０7ｃｍ-2以下である請求項１から請求項１０のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項１２】
直径が４０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である請求項１から請求項１１のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物結晶基板の前記主表面上にエピタキシャル成長により形成されている少なくとも１層の半導体層を含むエピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載のエピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイス。
【請求項１５】
前記エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板に含まれる前記半導体層は、ピーク波長が４３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の光を発する発光層を含む請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
ＩＩＩ族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら前記結晶基板の主表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍの前記Ｘ線侵入深さにおける面間隔ｄ1と５μｍの前記Ｘ線侵入深さにおける面間隔ｄ2とから得られる｜ｄ1−ｄ2｜／ｄ2の値で表される前記結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０-3以下であり、
前記結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折に関して前記結晶基板の前記主表面からのＸ線侵入深さを変化させて測定されたロッキングカーブにおいて、０．３μｍの前記Ｘ線侵入深さにおける回折強度ピークの半値幅ｗ1と５μｍの前記Ｘ線侵入深さにおける回折強度ピークの半値幅ｗ2とから得られる｜ｗ1−ｗ2｜の値で表される前記結晶基板の表面層の前記特定結晶格子面の面方位ずれが３５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、
前記主表面の面方位が前記結晶基板の｛２０−２１｝面から＜１０−１０＞方向に±４°以内で傾斜している前記結晶基板を準備する工程と、
前記結晶基板の前記主表面上に少なくとも１層の半導体層をエピタキシャル成長させることによりエピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板を形成する工程と、を含む半導体デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板を形成する工程において、前記半導体層は、発光層を含み、前記発光層がピーク波長４３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の光を発するように形成される、請求項１６に記載の半導体デバイスの製造方法。