【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３５６７７３６号発明「プラズマ処理装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３５６７７３６号の請求項１〜５に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
［１］手続の経緯
　平成１０年　５月２５日　本件特許出願（特願平１０−１４２５６２号）
　平成１６年　６月２５日　特許設定登録（特許第３５６７７３６号）
　平成２１年　６月１８日　特許無効審判請求（無効２００９−８００１２　　　　　　　　　　　　　８号）
　平成２１年　９月　９日　答弁書・訂正請求書の提出
　平成２１年１０月　２日　訂正請求書の送付（弁駁指令）
　平成２１年１１月　２日　弁駁書の提出
　平成２１年１２月２１日　口頭審理
　平成２２年　１月１２日　無効理由通知の送付
　平成２２年　２月１５日　意見書・訂正請求書の提出
　平成２２年　３月　８日　訂正請求書の送付（弁駁指令）
　平成２２年　４月　７日　弁駁書の提出
　
［２］請求人の主張の概要
　請求人は、本件の請求項１〜５に係る発明の特許を無効にするとの審決を求め、その理由として、本件の請求項１〜５に係る発明は、本件出願前に頒布された甲第１号証〜甲第４号証に記載の発明と同一、ないしはそれらに基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、本件の請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号あるいは特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１２３条第１項第２号の規定により、無効とされるべきであると主張し、その証拠方法として下記甲各号証を提出している。
　甲第１号証：特開平９−２４９９７６号公報
　甲第２号証：特開平２−２１１６２４号公報
　甲第３号証：実開平３−８４２９号公報
　甲第４号証：特開平３−１３２０２７号公報
　　
　また、平成２１年１１月２日付け弁駁書において新たに下記甲各号証を提出している。
　甲第５号証：特開平８−２６４５１８号公報
　甲第６号証：特開平７−２０１４９４号公報
　甲第７号証：特開平８−３３９９９１号公報
　甲第８号証：特開平１０−１２５４９６号公報
　甲第９号証：特開平１０−７９３７４号公報
　甲第１０号証：特開平１０−９２７９５号公報
　甲第１１号証：特開平５−２０６０７２号公報
　
［３］被請求人の主張の概要
　被請求人は、本件無効審判の請求は成り立たないとの審決を求め、訂正請求をするとともに、下記乙各号証を提出し、答弁書において、訂正後の本件発明１〜５は甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明と同一、ないしはそれらに基いて当業者が容易に発明することができたものではなく、本件発明１〜５の特許は、特許法第２９条第１項第３号あるいは特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではないから、請求人が主張する無効理由は理由がない旨主張している。
　
　乙第１号証：特開平７−１６９７０３号公報
　乙第２号証：特開平１０−１１６８２６号公報
　
［４］無効理由通知について
（１）無効理由通知の概要
　当審において平成２２年１月１２日付けで通知した無効理由の概要は、以下のとおり。
　
　本件の請求項１〜５に係る発明は、平成２１年９月９日付け訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものであるところ、これらは、本件出願前に頒布された刊行物１（特開平５−２０６０７２号公報：甲第１１号証）、刊行物２（特開平８−３３９９９１号公報：甲第７号証）および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第１２３条第１項第２号に該当し、その特許は無効とされるべきものである。
　
（２）被請求人の主張の概要
　被請求人は、上記無効理由通知に対して、平成２２年２月１５日付けで訂正請求書を提出するとともに、同日付けの意見書において、上記無効理由通知において示された、本件請求項１−５に係る発明についての特許の無効理由が解消する旨主張している。
　
（３）請求人の主張の概要
　請求人は、下記周知資料１〜３を提出するとともに、平成２２年４月７日付け弁駁書で、平成２２年２月１５日付け訂正請求書による訂正後の本件請求項１〜５に係る発明は、依然として進歩性を具備せず、その特許は無効とされるべき旨の主張をしている。
　
　周知資料１：特開平７−３３５６２６号公報
　周知資料２：特開平６−３３３８４３号公報
　周知資料３：特開平１０−９２５９７号公報
　
［５］平成２２年２月１５日付け訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）について
（１）訂正の内容
・訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】
　処理室内に配置され基板が載置されるステージと、このステージ上方でプラズマが形成される領域を囲む前記処理室の誘電体製の壁と、この壁の外周に巻かれて配置され
誘導結合型の前記
前記処理室内に
高周波
処理室内のアンテナ近傍の
前記プラズマ形成領域を通過するように
前記プラズマ形成領域を通過した後、
エッチングまたはプラズマアッシング
　
・訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２を、
「【請求項２】
　処理室内に配置され基板が載置されるステージと、このステージ上方でプラズマが形成される領域を囲む前記処理室の誘電体製の壁と、この壁の外周に巻かれて配置され
誘導結合型の前記
前記処理室内に
高周波
アンテナ近傍の
して前記プラズマ形成領域を通過させる
前記プラズマ形成領域を通過した
エッチングまたはプラズマアッシング
　
・訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３を、
「【請求項３】
　請求項１または２に記載のプラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
処理室内の前記アンテナ近傍の
前記プラズマ形成領域を通過するように
エッチングまたはプラズマアッシング
　
・訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項４を、
「【請求項４】
　請求項３に記載にプラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
前記処理室内側面
プラズマエッチングまたはプラズマアッシング
と訂正する。
　
・訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項５を、
「【請求項５】
請求項３に記載のプラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
エッチングまたはプラズマアッシング
　
・訂正事項６
　発明の詳細な説明の欄の段落【０００２】の記載を、
「【従来の技術】
　半導体装置の製造工程において、プラズマエッチング装置
、
　
・訂正事項７
　発明の詳細な説明の欄の段落【０００７】の記載を、
「本発明の目的は、処理速度及び処理の均一性を向上させ、スループットの向上、もしくは、ランニングコストの低減を図ることのできる
誘導結合型の
エッチングまたはプラズマアッシング
　
・訂正事項８
　発明の詳細な説明の欄の段落【０００８】の記載を、
「上記目的は、処理室内に配置され基板が載置されるステージと、このステージ上方でプラズマが形成される領域を囲む前記処理室の誘電体製の壁と、この壁の外周に巻かれて配置され
誘導結合型の前記
前記処理室内に
高周波
処理室内のアンテナ近傍の
前記プラズマ形成領域を通過するように
前記プラズマ形成領域を通過した後、
エッチングまたはプラズマアッシング
誘導結合型の前記
高周波
アンテナ近傍の
して前記プラズマ形成領域を通過させる
エッチングまたはプラズマアッシング
　
・訂正事項９
　発明の詳細な説明の欄の段落【０００９】の記載を、
「さらには、前記ガス導入部材は前記
処理室内の前記アンテナ近傍の
前記プラズマ形成領域を通過するように
エッチングまたはプラズマアッシング
前記処理室内側面
エッチングまたはプラズマアッシング
さらにまた、前記ガス導入手段が前記壁の内側に配置された管路であるプラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
　と訂正する。
　
・訂正事項１０
　発明の詳細な説明の欄の段落【００１０】の記載を、
「【発明実施の形態】
図１に本発明の
比較
比較例
　
・訂正事項１１
　発明の詳細な説明の欄の段落【００１２】の記載を、
「本
比較
状
・訂正事項１２
　発明の詳細な説明の欄の段落【００２６】の記載を、
「以上、本発明における一実施例について説明してきたが、これらはいずれも一例にすぎず、請求項の記載事項を何ら制限するものではない。たとえば、実施例に関しては誘電体製の円筒型放電管と蓋部により処理室上部を形成したが、これは、両者が一体型となったような、鍋底型形状や、半
球
さらに、
エッチング装置
　
・訂正事項１３
　発明の詳細な説明の欄の段落【００２７】における記載を、
「本発明によれば、処理速度及び処理の均一性を向上させ、スループットの向上、もしくは、ランニングコストの低減を図ることのできるプラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
　
・訂正事項１４
　図面の簡単な説明の欄における記載を、
「【図１】本発明の
比較
　
・訂正事項１５
　図面の簡単な説明における記載を、
「【図２】図１の
比較
　
・訂正事項１６
　図面の簡単な説明における記載を、
「【図３】図２の
比較
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（ａ）訂正事項１について
（ａ−１）「この壁の外周に巻かれて配置され
誘導結合型の前記
前記処理室内に
高周波
（ａ−２）「前記ガス導入部材からのガスが前記
処理室内のアンテナ近傍の
前記プラズマ形成領域を通過するように
前記プラズマ形成領域を通過した後、
（ａ−３）「プラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
エッチングまたはプラズマアッシング
　そして、これらの訂正は本件特許明細書の【００１２】，【００１７】，【００１９】，【００２６】の記載、及び図【４】，【５】，【６】の記載内容に基づくものであり、実質上、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（ｂ）訂正事項２について
（ｂ−１）「この壁の外周に巻かれて配置され
誘導結合型の前記
前記処理室内に
高周波
（ｂ−２）「この壁の下方側に配置され前記処理室内の前記
アンテナ近傍の
して前記プラズマ形成領域を通過させる
　そして、これらの訂正は、本件特許明細書の【００１２】，【００１７】，【００１９】の記載、及び図【４】，【５】，【６】の記載内容に基づくものであり、実質上、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（ｂ−３）「プラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
　
（ｃ）訂正事項３について
（ｃ−１）ガス導入手段を、「前記ガス導入部材は前記
処理室内の前記アンテナ近傍の
前記プラズマ形成領域を通過するように
　そして、この訂正は、本件特許明細書の【００１２】，【００１９】の記載、及び図【４】，【５】，【６】の記載内容に基づくものであり、実質上、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（ｃ−２）「プラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
　
（ｄ）訂正事項４について
（ｄ−１）「整流板」を、「前記壁の
前記処理室内側面
　そして、この訂正は、図【４】，【６】の記載内容に基づくものであり、実質上、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（ｄ−２）「プラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
　
（ｅ）訂正事項５について
 「プラズマ
エッチングまたはプラズマアッシング
　
（ｆ）訂正事項６−１６について
　発明の詳細な説明の欄の【従来技術】に係る訂正事項６、【発明が解決しようとする課題】に係る訂正事項７、【課題を解決するための手段】に係る訂正事項８、９、【発明実施の形態】に係る訂正事項１０−１２及び【発明の効果】に係る訂正事項１３、図面の簡単な説明に係る訂正事項１４−１６は、いずれも請求項１−５に係る上記訂正事項１−５に対応して、発明の詳細な説明の記載を整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明に相当する。また、訂正事項１１における「リング
状
球
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１３４条の２ただし書き第１項各号の規定に適合し、また、同条第５項で準用する特許法第１２６条第３項、及び第４項の規定に適合するから、当該訂正を認める。
　
［６］無効理由についての判断
（１）本件発明
　上記［５］において述べたとおり、本件訂正請求は認められるから、本件請求項１〜５に係る発明は、上記［５］（１）に記載されるとおりのものと認める。（以下、それぞれ、「本件発明１」…「本件発明５」という。）
　
（２）引用刊行物の記載事項、および引用発明
　これに対して、本件出願前に頒布された特開平５−２０６０７２号公報（甲第１１号証：以下、「引用刊行物１」という。）には、以下のとおりの記載がある。
　
（ａ）「【産業上の利用分野】本発明はＲＦプラズマ処理反応装置に関し、より詳細には高周波（ＲＦ）エネルギー源と関連するＲＦ電磁波をプラズマに誘導結合するための多コイルアンテナを用いるプラズマ反応装置に関する。」（【０００１】）
　
（ｂ）「【実施例】
　１．
概要
　
（ｃ）例示するシステム１０は側壁１２、頂壁１３、低壁１４を有する……真空チャンバーハウジング１１を含む。……頂壁１３は壁１２−１２の間に形成された下部チャンバーウエハ加工部１６Ｂとドーム１７によって形成された上部チャンバープラズマ源部１６Ａの間の中央開口部１５を有する。このドームは好適には石英やその他のアルミナやアルファアルミナ（サファイア）等のいくつかの誘電体材料のような誘電体材料によって形成される反転した単一壁あるいは二重壁のカップとして構成することができる。図１に示す実施例では、ドーム１７は石英等の誘電体の円筒状の壁１７Ｗと……頂壁１７Ｔからなる。」（【００２５】）
　
（ｄ）「２節に示しまた図２に図示するように、プロセスガス、パージガス、希釈剤その他は、プラズマ源（ドーム）の基部、プラズマ源の頂部プレート１７Ｔ、およびウエハの周辺にそれぞれ配置された三つのマニホルド注入源Ｇ１、Ｇ２およびＧ３によっンバー（「によってチャンバー」の誤記）に供給することができる。……主吸気マニホルドＧ１においては、ガスは頂壁
１３の内部に取り付けたあるいは頂壁１３と一体の石英リングガスマニホルド５１を介して、２２に示すように内部真空加工チャンバ−１６に入る。マニホルド２３は好適にはＲＦエネルギーの印加後にエッチングもしくは蒸着プラズマを発生させるためにチャンバー部１６Ｂ，１６Ａに対してわずかに上向きの角度でエッチングガスもしくは蒸着ガスを供給する。ドーム１７の頂部プレ−ト１７Ｔ中の頂部マニホルド装置Ｇ２は反応性ガスあるいはその他のガスをチャンバー１６い（「に」の誤記）取り入れるのに用いることができる。（【００２７】）
　
（ｅ）「ＲＦエネルギーはＲＦ供給および整合ネットワーク３１によって給電される少なくとも１回巻のアンテナ３０……によってドームに供給される。アンテナ３０は好適には複数回巻の円筒状構成を有する。」（【００２７】）
　
（ｆ）「好適には、チャンバープラズマ源部１６Ａからのガスの流れはウエハ５に向かって下向きに流れ、次にウエハから径方向に外向きに引き出される。……
ガスの流れはマニホルドＧ１からの通路２２に沿ってドーム／プラズマ源に向かう……径方向に内向きに流れる。全体的なガスの流れは通路３４に沿って上部チャンバープラズマ源１６Ａからウエハ５に、通路３に沿ってウエハからスクリーン２９を通って排気マニホルド３３、そして通路３７に沿って排気マニホルド３３から排気システム２１に向かう。」（【００２８】）
　
（ｇ）「ＲＦ電力は二つの電極、通常その上面がウエハ５を支持するウエハ支持電極３２Ｃと…第２の電極との間に印加される。すなわち、アンテナ３０はドーム１７とプラズマチャンバー１６Ａの外側のそれらに隣接する位置に配置され、」（【００２９】）
　
（ｈ）「このプラズマはドーム１７中でコイルアンテナ３０内に形成された小さな容積に集中されて発生する。」（【００２９】）
　
（ｉ）「２．
多重ガス注入
　
（ｊ）「上記の通り、エッチャントおよび蒸着ガス、不動態化ガス、希釈ガスその他から選択されたさまざまな種類のガスをＧ１からＧ３までの一つあるいはそれ以上の供給源からチャンバーに供給して特定のエッチング・蒸着処理および材料の必要条件を満足することができる。……
Ｃ２Ｆ６あるいはＣＦ４  といったエッチャントをＧ１あるいはＧ２を介して…プラズマ源領域１６Ａに取り入れ、」（【００３３】）
　
　上記記載事項（ａ）−（ｊ）によれば、引用刊行物１には、
　
「下部チャンバーに配置されウエハ（基板）が載置されるウエハ支持電極と、このウエハ支持電極上方でプラズマが形成されるプラズマ源領域を囲む上部チャンバーの誘電体製の壁と、この壁の外周に巻かれて配置され誘導結合型の前記プラズマを前記上部チャンバー内に形成するための高周波電力が供給されるコイル状のアンテナと、この壁の下方側に配置され前記上部チャンバーにガスを導入するガス注入源Ｇ１とを備え、前記ガス注入源Ｇ１からのガスが前記上部チャンバー内に向けて導入され前記ウエハ支持電極の周囲から排気されるプラズマエッチング等プラズマ処理装置。」の発明（以下、「引用刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比・判断
（３−１）本件発明１
　本件発明１と引用刊行物１発明とを対比すると、引用刊行物１発明における「下部チャンバー」および「上部チャンバー」、「ウエハ支持電極」、「ガス注入源Ｇ１」は、それぞれ、本件発明１における「処理室」、「ステージ」、「ガス導入部材」に相当するから、
　
　両者は、
「処理室内に配置され基板が載置されるステージと、このステージ上方でプラズマが形成される領域を囲む前記処理室の誘電体製の壁と、この壁の外周に巻かれて配置され誘導結合型の前記プラズマを前記処理室内に形成するための高周波電力が供給されるコイル状のアンテナと、この壁の下方側に配置され前記処理室内にガスを導入するガス導入部材とを備え、前記ガス導入部材からのガスが前記処理室内に向けて導入され前記ステージの周囲から排気されるプラズマエッチング処理装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本件発明１では、前記ガス導入部材からのガスが前記処理室内のアンテナ近傍のプラズマの形成領域に向けて前記プラズマ形成領域を通過するように上向きに導入され、前記プラズマ形成領域を通過した後、前記ステージの周囲から排気されるのに対し、引用刊行物１発明では、前記ガス導入部材からのガスが前記処理室内に向けて導入され前記ステージの周囲から排気される点。
　
（相違点２）
　本件発明１は、プラズマエッチングまたはプラズマアッシング処理装置であるのに対し、引用刊行物１発明では、プラズマエッチング等プラズマ処理装置であり、プラズマアッシング処理装置についての特定がなされていない点。
　　
　そこで、上記相違点について検討する。
・（相違点１）について
　本件出願前に頒布された特開平８−３３９９９１号公報（甲第７号証：以下「引用刊行物２」という。）には、以下のとおりの記載がある。
　
（ｋ）「【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に…各種膜の成膜やエッチング等に使用されるマイクロ波と交流バイアスを併用したプラズマ装置に関するものである。」（【０００１】）
　
（ｌ）「【従来の技術】…
図１１は、マイクロ波と高周波バイアスを併用し、かつ磁場を用いてＥＣＲプラズマを発生させる、…従来例の概略を示す。１はマイクロは発生器、２はマイクロ波導入手段、３は石英ベルジャ、４は金属容器、５はガス導入手段、…８はコイル、９は試料、１０は試料を支持する第１の電極、１１はプラズマに電位を加えるために設置された第２の電極、…である。……
……
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の装置では、第２の電極は、絶縁物である石英ベルジャより、マイクロ波入射部に対して遠い方に設置されている。…周囲が石英ベルジャで囲まれた内部において、主にマイクロ波が吸収されプラズマ強度が強くなる様にコイルの強度の調整がなされ、…。この場合、第２の電極の周辺には拡散されて来た弱いプラズマしか存在しない。このため、強いプラズマと第２の電極間の電位差が増大し…」（【０００２】−【０００５】）と記載され、図１１には、石英ベルジャより下方に第２の電極が設置される様子が示されている。
　
（ｍ）「【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例を図１により説明する。マイクロ波発生器１にて発生した２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力は、導波管や同軸線路等のマイクロ波導入手段２、石英ベルジャ３を経由して気密容器内１５に導入される。気密容器は、石英ベルジャ３と金属容器４で構成され、ガス導入手段５、バルブ６および排気手段７が接続されている。気密容器内１５には、試料９、金属容器４とは絶縁された、試料を支持する第１の電極１０、および第２の電極１１が設置されている。マイクロ波の導入、コイル８およびガスにより、試料９より、マイクロ波導入部に近い部分で強いＥＣＲプラズマが発生する。……
……第２の電極１１は、周囲が石英ベルジャ３に囲まれた部分のプラズマが強い部分に設置されているため、強いプラズマと第２の電極１１間の電位差が低くなり、……エッチングが可能となる。」（【０００９】）と記載され、図１には、プラズマの強い部分に第２の電極が設置されるとともに、石英ベルジャより下方に設置されたガス導入手段５から内部にガスが供給される様子が示されている。
　
（ｎ）「図４は、本発明の第３の実施例であり、ガス導入手段５から出たガスは、ガスバッファ部１３で均一な圧力にした後、金属容器４に明けられた微小穴を通過し、第２の電極１１と石英ベルジャ３の内面で作られた空間を経由して気密容器内１５に導入される。すなわち第２の電極１１の一部がガス導入路の１部を形成し、第２の電極の上部からガスが導入される様に構成している。このようにすることにより強いプラズマの近くに周囲から均一にガスを供給することが出来るので、均一で強いプラズマを生成できる。
…図５は、本発明の第４の実施例であり、第２の電極の内部をガス導入路として用いる例を示す。図４と同様の効果が得られる。なお、図４，図５共に、第２の内部電極１１を金属容器４と接して構成したものである。」（【００１２】−【００１３】）と記載され、図４には、ＥＣＲプラズマ処理装置において、石英ベルジャより下方の金属容器に配置された微小穴（ガス導入部）からのガスが、微小穴に連結する第２の電極と石英ベルジャ内面との空間を通じてプラズマが強く発生する部分に向け供給される様子が、また、図５には、前記第２の電極自体がガス供給管路を形成したものが示されている。
　
　そして、上記記載事項によると、ＥＣＲプラズマエッチング等のＥＣＲプラズマ処理装置において、石英ベルジャより下方の部分には、強いプラズマが存在せず、該下方部分に位置する第２の電極と強いプラズマとの間の電位差が増大する課題があること（上記記載事項（ｋ）、（ｌ））、これに対し、図１のように、第２の電極を石英ベルジャより下方ではなく、強いプラズマの部分に設けることにより、電位差増大の課題を解決できること（上記記載事項（ｍ））、さらに、図４、図５のように、石英ベルジャより下方に位置するガス導入手段から上部に向けて連通するよう第２の電極を設置し、ガス導入手段からのガスが第２の電極の上端部から強いプラズマ部分に向けて供給されるようにすることで、均一で強いプラズマが得られること（上記記載事項（ｎ））が理解できる。
　
　そして、プラズマに向けて処理ガスが流されると、ガスの解離が促進され処理に寄与する活性種が十分に発生して処理効率を高めること自体は周知の事項であるから（例えば、特開平８−２６４５１８号公報（甲第５号証）【００３３】：「また反応性ガスは誘電体窓の側にあるプラズマへ向けて流れるから、反応性ガスがプラズマによく晒されるようになり、反応性ガスの分解、反応が促進され、」）、　
　
　引用刊行物２には、ＥＣＲプラズマエッチング等のＥＣＲプラズマ処理装置において、特に石英ベルジャに取り囲まれた部分、すなわち、プラズマが強く発生する部分に向けてエッチングガス等の処理ガスを供給することにより、処理ガスの解離を促進し、処理に寄与する活性種を十分に発生させて処理効率を高めることが記載されているといえる。
　
　一方、引用刊行物１発明においては、コイルアンテナ内に形成された小さな容積に集中してプラズマが発生するものである（上記記載事項（ｈ）参照）。そして、誘導結合型プラズマ処理装置において、特にアンテナの近傍領域に強いプラズマが形成されることも周知の事項である（例えば、特開平１０−１２５４９６号公報（甲第８号証）の【０００４】には、「電磁誘導結合型プラズマ発生装置は、コイル直下の薄い領域で高密度プラズマを生成する」と記載されている。また、被請求人もアンテナ近傍領域に強いプラズマが形成されることが周知であることを認めている。（平成２１年１２月２１日、第１回口頭審理調書））。
　
　したがって、引用刊行物発明１に係る誘導結合型のプラズマエッチング等プラズマ処理装置においても、コイルアンテナ内の、特にアンテナ近傍の領域に強いプラズマが発生するものと認められ、また、処理効率の向上は、プラズマ処理装置全般における課題であるから、上記引用刊行物２記載のＥＣＲプラズマエッチング等のＥＣＲプラズマ処理装置における、「プラズマが強く発生する部分に向けてエッチングガス等の処理ガスを供給することにより、処理ガスの解離を促進し、処理に寄与する活性種を十分発生させて処理効率を高める」という技術事項を、上記引用刊行物１の誘導結合型のプラズマ処理装置に適用し、アンテナ近傍の高密度プラズマ領域、すなわち、プラズマ形成領域に向けてガスを導入することは当業者が容易に想到しえたことと認める。
　
　そして、その際、ガスがプラズマ形成領域を通過するように導入し、プラズマ形成領域を通過した後に排気させるようにすることも、処理に寄与する活性種を十分に発生させて処理効率を向上させるとの目的からすれば、当然に考慮すべき事項であり、また、引用刊行物１発明に係るプラズマ処理装置では、ガス導入部材（ガス注入源Ｇ１）の上方にアンテナが位置していることから、ガスを上向きに導入することも単なる設計的な事項にすぎない。
　
　なお、被請求人は、平成２２年２月１５日付け意見書（第１４頁第９行−第１６頁第５行）において、主に、以下の点を主張している。
　
（ア）引用刊行物１には、二つのマニホルドＧ１、Ｇ２からＧ１を選択し、
本来的に拡散させてガスを供給する構成を備えているＧ１から
　
（イ）引用刊行物１発明は、ガス注入源Ｇ１，Ｇ２は、注入ガスをより均等に拡散注入するようにガス供給方向の指向性を有さないように構成されている。そして、引用刊行物２発明は、そもそもガス供給方向に指向性を有さないが、有すると解釈したとしても、引用刊行物発明２を引用刊行物１に組み合わせる阻害要因がある。
　
　そして、これらの主張について検討すると、
（ア）について
　Ｇ１は本来的に拡散させてガスを供給する構成を有するもので、指向性のないものであると被請求人が主張する根拠は、引用刊行物１の「２．
多重ガス注入
多重ガス注入
　また、上記記載事項（ｄ）には、主ガスであるエッチングガス供給源としてＧ１を使用することが記載され、上記記載事項（ｊ）には、マニホルドＧ１あるいはＧ２からエッチャントを供給することが記載されているのであるから、プラズマ形成領域に向けてガスを供給するためのマニホルドとして、Ｇ１、Ｇ２からＧ１を選択すること自体は単なる設計的事項にすぎない。
　そして、上記のとおり、引用刊行物１発明において、Ｇ１からガスをプラズマ形成領域を通過するように上向きに指向させて導入させれば、結果的に装置の上部でガスの流れが下向きに転回し、合流することは明らかであるし、基板周辺下部から排気されていること（上記記載事項（ｆ）、図２）から、該ガスの流れが下方の基板に向かうことも明らかである。
　
（イ）について
　上述の通り、引用刊行物２では、ＥＣＲプラズマ処理装置において、特に、石英ベルジャで囲まれた部分、すなわち、プラズマが強く発生する部分に向けてガスを供給しているのであるから、指向性を有するものといえる。そして、上記（ア）についての検討でも述べたように、引用刊行物１発明において、Ｇ１からのガス供給は指向性を有するものと認められるから、そこに引用刊行物２発明を適用することに何ら阻害要因はない。
　
・（相違点２）について
　誘導結合型プラズマ処理装置が、プラズマアッシング装置あるいはプラズマエッチング装置として相互に転用可能なことは、本件出願前に周知の事項であり（例えば、特開平１０−１２５４９６号公報（甲第８号証）：「本発明は平面型アンテナコイルを有する誘導結合プラズマの発生装置であって、ウエーハ材料当の表面処理におけるエッチング又はアッシング…を、均一性のよい平面状プラズマによって行うための装置に関するものである。」（【０００１】））、引用刊行物１発明に係るプラズマ処理装置をプラズマアッシング装置とすることに格別の困難性は認められない。
 
　そして、本件発明１が、引用刊行物１、２の記載及び周知技術からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
　したがって、本件発明１は、引用刊行物１発明及び引用刊行物２記載の公知事項さらに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−２）本件発明２〜５
　上記［５］（１）に記載のとおり、本件発明２は、本件発明１における「ガス導入部材」が「前記アンテナ近傍のプラズマの形成領域に向けて上向きにガスを導入して前記プラズマ形成領域を通過させる」ものであることを特定するとともに、「プラズマエッチングまたはプラズマアッシング装置」が「前記ステージの周囲から前記ガスが排気される空間」を備えることを特定するものである。
　また、本件発明３は、本件発明１または２における「ガス導入部材」が「前記処理室内の前記アンテナ近傍のプラズマの形成領域に向けて前記プラズマ形成領域を通過するように前記ガスを導入するガス導入手段を前記処理室の内側に備えた」ことを特定し、さらに、本件発明４、５は、本件発明３における「ガス導入手段」が「前記壁の前記処理室内側面に沿って配置された整流板」、「前記壁の内側に配置された管路」であることをそれぞれ特定するものであるところ、これらの事項は、上記のとおり、引用刊行物１、２に示されている（引用刊行物１の記載事項（ｆ）、引用刊行物２の記載事項（ｍ）、（ｎ）参照）。
　よって、本件発明２〜５についても、引用刊行物１発明及び引用刊行物２記載の公知事項さらに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［７］むすび
　以上のとおり、本件請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当するので、無効とすべきものである。
　審判費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。