【事件の表示】
　特願２００１−２６２４８６「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月１４日出願公開、特開２００３−　７７８３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年８月３０日の出願であって、平成１９年４月５日付けの拒絶理由通知に対して、同年６月４日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年１０月１２日に拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１２月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年１２月１７日付けの手続補正について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１２月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成１９年１２月１７日付けの手続補正のうち、特許請求の範囲に対する補正（以下「本件補正」という）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３６を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３６と補正するものであり、補正前後の請求項１は以下のとおりである。
　
１−１　補正前の請求項１
「【請求項１】　絶縁性を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜が活性領域として形成された半導体装置であって、
　該活性領域は、能動領域と高濃度不純物領域とを有し、
　該活性領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を促進する触媒元素を含んでおり、該触媒元素は、該能動領域内における端部近傍では、シリサイド状態として析出することなく、固溶した状態になっており、
　前記能動領域内において、前記触媒元素がシリサイド状態として析出することなく、固溶した状態になっている領域の長さが、該能動領域の端部から２μｍ以上になっていることを特徴とする半導体装置。」
　
１−２　補正後の請求項１
「【請求項１】　絶縁性を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜が活性領域として形成された半導体装置であって、
　該活性領域は、前記ケイ素膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極に重なる能動領域と、５族Ｂから選択された元素が導入された高濃度不純物領域とを有し、
　前記活性領域の前記能動領域および前記高濃度不純物領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を促進する触媒元素を含んでおり、該触媒元素は、該能動領域内における端部近傍では、シリサイド状態として析出することなく、固溶した状態になっており、
　前記能動領域内において、前記触媒元素がシリサイド状態として析出することなく、固溶した状態になっている領域の長さが、該能動領域の端部から２μｍ以上になっていることを特徴とする半導体装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正における補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
・補正事項１−１
　補正前の請求項１の「該活性領域は、能動領域と高濃度不純物領域とを有し」との記載における「能動領域」を、補正後の請求項１の「前記ケイ素膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極に重なる能動領域」と補正すること。
　
・補正事項１−２
　補正前の請求項１の「該活性領域は、能動領域と高濃度不純物領域とを有し」との記載における「高濃度不純物領域」を、補正後の請求項１の「５族Ｂから選択された元素が導入された高濃度不純物領域」と補正すること。
　
・補正事項１−３
　補正前の請求項１の「該活性領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を促進する触媒元素を含んでおり」を、補正後の請求項１の「前記活性領域の前記能動領域および前記高濃度不純物領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を促進する触媒元素を含んでおり」と補正すること。
　
・補正事項２−１
　補正前の請求項１６の「該結晶性のケイ素膜の一部の領域に選択的に５族Ｂから選択された元素を導入し」を、「該結晶性のケイ素膜の一部の領域に選択的に５族Ｂから選択された元素を、該結晶性のケイ素膜上にゲート電極を介して形成されたゲート電極をマスクとして導入し」と補正すること。
　
・補正事項２−２
　補正前の請求項１６の「該結晶性のケイ素膜に含まれる該触媒元素を該５族Ｂ元素が導入された領域に移動させるための第２の加熱処理」を、「該結晶性のケイ素膜に含まれる該触媒元素を該５族Ｂ元素が導入された高濃度不純物領域に移動させるための第２の加熱処理」と補正すること。
　
・補正事項２−３
　補正前の請求項１６の「該結晶性のケイ素膜の５族Ｂ元素が導入されていない能動領域となる領域」を、「該結晶性のケイ素膜の５族Ｂ元素が導入されず、かつ、前記ゲート電極が形成された領域と重なった能動領域となる領域」と補正すること。
　
・補正事項３−１
　補正前の請求項１７の「該結晶性のケイ素膜の一部の領域に選択的に５族Ｂから選択された元素を導入し」を、「該結晶性のケイ素膜の一部の領域に選択的に５族Ｂから選択された元素を、該結晶性のケイ素膜上にゲート電極を介して形成されたゲート電極をマスクとして導入し」と補正すること。
　
・補正事項３−２
　補正前の請求項１７の「該結晶性のケイ素膜に含まれる該触媒元素を該５族Ｂ元素が導入された領域に移動させるための第２の加熱処理」を、「該結晶性のケイ素膜に含まれる該触媒元素を該５族Ｂ元素が導入された高濃度不純物領域に移動させるための第２の加熱処理」と補正すること。
　
・補正事項３−３
　補正前の請求項１７の「該結晶性のケイ素膜の５族Ｂ元素が導入されていない能動領域となる領域」を、「該結晶性のケイ素膜の５族Ｂ元素が導入されず、かつ、前記ゲート電極が形成された領域と重なった能動領域となる領域」と補正すること。
　
・補正事項４
　補正前の請求項２２の「該基板の基板面を該炉心管方向に向けて配置される」を、「該基板の基板面が該炉心管の管軸方向と直交するように配置される」と補正すること。
　
３　補正目的の適否、及び新規事項の追加の有無について
（１）補正事項１−１について
　補正事項１−１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「能動領域」に対して、「ケイ素膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極に重なる」との技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「能動領域」が「ケイ素膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極に重なる」ことは、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００６８】、【００７２】、【０１４４】〜【０１４５】及び図１に記載されているものと認められるから、補正事項１−１は特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（２）補正事項１−２について
　補正事項１−２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「高濃度不純物領域」に対して、「５族Ｂから選択された元素が導入された」との技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「高濃度不純物領域」が「５族Ｂから選択された元素が導入された」ものであることは、当初明細書等の段落【００６８】、【００７２】に記載されているものと認められるから、補正事項１−２は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３）補正事項１−３について
　補正事項１−３は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「該活性領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を促進する触媒元素を含んでおり」に対して、「前記活性領域の前記能動領域および前記高濃度不純物領域は」との技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、活性領域の能動領域及び高濃度不純物領域が非晶質ケイ素膜の結晶化を促進する触媒元素を含んでいることは、当初明細書等の段落【００７６】、【０１４４】〜【０１４８】及び図１、６に記載されているものと認められるから、補正事項１−３は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）補正事項２−１について
　補正事項２−１は、補正前の請求項１６に係る発明の発明特定事項である「該結晶性のケイ素膜の一部の領域に選択的に５族Ｂから選択された元素を導入し」との工程に対して、「該結晶性のケイ素膜上にゲート電極を介して形成されたゲート電極をマスクとして」（ここで、「ゲート電極を介して」は「ゲート絶縁膜を介して」の誤記であることが明らかであるから、以下ではそのように読み替える。）との技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、前記の工程を「該結晶性のケイ素膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極をマスクとして」行うことは、当初明細書等の段落【０１４１】〜【０１４５】及び図１に記載されているものと認められるから、補正事項２−１は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（５）補正事項２−２について
　補正事項２−２は、補正前の請求項１６に係る発明の発明特定事項である「５族Ｂ元素が導入された領域」に対して、「高濃度不純物領域」との技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「第２の加熱処理」により「触媒元素」を移動させる領域が「高濃度不純物領域」であることは、当初明細書等の段落【００７２】、【００７４】〜【００７８】、【０１４６】〜【０１４８】及び図１、６に記載されているものと認められるから、補正事項２−２は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（６）補正事項２−３について
　補正事項２−３は、補正前の請求項１６に係る発明の発明特定事項である「該結晶性のケイ素膜の５族Ｂ元素が導入されていない能動領域となる領域」に対して、「ゲート電極が形成された領域と重なった」との技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「ゲート電極が形成された領域と重なった」領域が「能動領域」であることは、当初明細書等の段落【００６８】、【００７２】、【０１４４】〜【０１４５】及び図１に記載されているものと認められるから、補正事項２−３は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（７）補正事項３−１〜３−３について
　補正事項３−１〜３−３の補正内容は、実質的に補正事項２−１〜２−３の補正内容と同じである。よって、補正事項３−１〜３−３は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、かつ、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（８）補正事項４について
　補正事項４は、補正前の請求項２２に係る発明の発明特定事項である「基板面を該炉心管方向に向けて」に対し、基板面を向ける方向を「該炉心管の管軸方向と直交するように」と更に限定したものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、基板面の方向が「該炉心管の管軸方向と直交するように」することは、当初明細書等の段落【０１１２】〜【０１１８】、【０１５０】及び図８に記載されているものと認められるから、補正事項１−２は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（９）補正目的の適否、及び新規事項の追加の有無についてまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下で更に検討する。
　
４　独立特許要件の検討
４−１　本件補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜３６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１−２に記載したとおりのものである。
　
４−２　引用例に記載された事項と引用発明
　本願の出願日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である、特開２０００−１９６０９５号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜１０とともに、以下の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びその製造方法に関し、特に活性領域に多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する
【０００２】
【従来の技術】活性領域に多結晶シリコンを用いたＴＦＴは、液晶表示装置の各画素のスイッチングのみならず、その周辺駆動回路にも適用することができる。このため、表示部と駆動部とを１枚のガラス基板上に配置することが可能になる。ＴＦＴを周辺駆動回路に適用するには、比較的高いキャリア移動度が要求される。また、表示部のＴＦＴには、画素電極の電圧を保持するために、オフ電流の低減が要求される。」
　
「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によると、
主表面を有する基板と、前記基板の主表面の一部の領域上に形成された多結晶シリコン膜であって、該多結晶シリコン膜に、その面内の第１の方向に沿ってドレイン高濃度領域、ドレイン低濃度領域、チャネル領域、ソース低濃度領域、及びソース高濃度領域がこの順番に画定され、該多結晶シリコン膜中にニッケルが添加され、該ドレイン高濃度領域、ドレイン低濃度領域、ソース低濃度領域、及びソース高濃度領域に、導電性を付与する不純物が添加され、
前記ドレイン低濃度領域及びソース低濃度領域のニッケル濃度が、前記チャネル領域、ドレイン高濃度領域、及びソース高濃度領域のそれよりも低い前記多結晶シリコン膜
多結晶シリコン膜の前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタ
【００１２】ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域内のニッケル濃度が低いため、
多結晶シリコン膜中のニッケルに起因するオフ電流の増加を抑制することができる
　
「【００３４】光誘起電流の小さかった領域１０４を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察し、ＥＤＸにより元素分析を行った。その結果、領域１０４は、結晶性のニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）であることがわかった。
低濃度領域１００ａ内にＮｉＳｉが形成されると、その部分が電流リークパスになり、オフ電流が増加するものと考えられる。ＴＦＴがオフ状態のときには、チャネル領域と低濃度領域１００ａとの境界領域に大きな電界が発生する。この大きな電界が発生する領域にＮｉＳｉの結晶粒が形成されると、特に、オフ電流が大きくなると考えられる
【００３５】次に、図７〜図９を参照して、ＮｉＳｉ結晶粒の形成を抑制するための評価実験の結果について説明する。
【００３６】図７（Ａ）に示すように、ガラス基板１１０の表面上に厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2 膜１１１を形成する。ＳｉＯ2 膜１１１の表面上に、厚さ５０ｎｍのアモルファスシリコン膜１１２をプラズマ励起型化学気相成長（ＰＥ−ＣＶＤ）により形成する。シリコン膜１１２の表面上に、濃度１０ｐｐｍの酢酸ニッケル水溶液を、スピンコーティングする。温度５５０℃で４時間の熱処理を行い、シリコン膜１１２を多結晶化する。結晶化されずアモルファスのまま残された部分を結晶化するために、ＸｅＣｌエキシマレーザを照射する。レーザビームのパルス幅は２０ｎｓであり、エネルギ密度は３３０ｍＪ／ｃｍ2 である。
【００３７】多結晶化したシリコン膜１１２の上に、厚さ１００ｎｍのＳｉＯ2 パターン１１３を形成する。ＳｉＯ2 膜の堆積は、ＰＥ−ＣＶＤにより行い、エッチングは、ＣＨＦ3 とＯ2 との混合ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により行う。
【００３８】ＳｉＯ2 パターン１１３をマスクとして、シリコン膜１１２にリン（Ｐ）を注入する。Ｐの注入は、イオンドーピング法を用いて行う。ドーピングガスはＨ2で１０％に希釈されたＰＨ3 、加速電圧は１０ｋＶ、ドーズ量はリンイオン換算で１×１０15ｃｍ-2である。ＳｉＯ2 パターン１１３で覆われていない領域に、リン添加領域１１４が形成される。
【００３９】図７（Ｂ）に示す工程において、窒素雰囲気中で熱処理を行う。
シリコン膜１１２内のＮｉ原子が、Ｐのゲッタリング作用によりリン添加領域１１４内に移動する
【００４０】図７（Ｃ）に示す工程において、５％に希釈した弗酸水溶液で１０分間のエッチングを行う。ＳｉＯ2 パターン１１３が除去されるとともに、露出したシリコン膜１１２の表面のうちＮｉＳｉ結晶粒の形成されている部分にエッチピットが現れる。
【００４１】図８は、エッチピットの分布の様子を示す平面図である。リン添加領域１１４の表面に、多数のエッチピット１２０が現れている。
Ｐの添加されていない領域のうち、当該領域とリン添加領域１１４との境界１１５の近傍領域１１６の表面には、ほとんどエッチピットが現れない
【００４２】
領域１１６内にエッチピットが現れないのは、ＰがＮｉをゲッタリングしたことにより、領域１１６内のＮｉ濃度が低下し、ＮｉＳｉ結晶粒の形成が抑制されたためと考えられる。領域１１６の幅ＬＧを、ゲッタリング長と呼ぶこととする
【００４３】図９は、ゲッタリング長ＬＧと、ゲッタリング時の熱処理温度との関係を示す。横軸は、ゲッタリング熱処理の絶対温度をＴとしたとき、１０００／Ｔを表し、縦軸は、ゲッタリング長ＬＧを単位「μｍ」で表す。図中の記号△及び○は、１枚の基板上の異なる場所で測定したゲッタリング長ＬＧを示す。なお、熱処理時間は、２時間とした。ゲッタリング工程の熱処理の温度を高くすると、ゲッタリング長ＬＧが長くなることがわかる。」
　
「【００４４】次に、図１及び図２を参照して、本発明の第１の実施例によるＴＦＴの製造方法を説明する。
【００４５】
図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１の表面上に、ＣＶＤにより厚さ２００ｎｍのＳｉＯ
2
 膜２を形成する。ＳｉＯ
2
 膜２の表面上に、ＰＥ−ＣＶＤにより厚さ５０ｎｍのアモルファスシリコン膜３を形成する。アモルファスシリコン膜３の表面上に、濃度１０ｐｐｍの酢酸ニッケル水溶液をスピンコートする。温度５５０℃で４時間の熱処理を行い、アモルファスシリコン膜３を多結晶化する
【００４６】
図１（Ｂ）に示すように、シリコン膜３をパターニングして、ポリシリコン薄膜の活性領域３ａを残す
活性領域３ａを覆うように、ＳｉＯ
2
 膜２の上にＳｉＯ
2
 からなる厚さ１２０ｎｍのゲート絶縁膜４を形成する
【００４７】
ゲート絶縁膜４の表面のうち、活性領域３ａの上方の一部の領域上に、ＡｌＳｉ合金からなる厚さ３００ｎｍのゲート電極５を形成する
【００４８】
図２（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜４をパターニングし、ゲート絶縁膜４ａを残す
ゲート絶縁膜４ａは、ゲート電極５の両側に約１μｍ程度張り出している。ゲート絶縁膜４ａの両側には、活性領域３ａが張り出している
【００４９】本実施例では、ゲート電極５とゲート絶縁膜４ａとの位置合わせを、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて行うが、自己整合的に両者の位置合わせを行ってもよい。例えば、特開平８−３３２６０２号公報に開示されているＡｌゲート電極の陽極酸化を利用して、ゲート絶縁膜４ａの張り出し部分を自己整合的に形成することができる。
【００５０】
イオンドーピング法により、活性領域３ａのうちゲート絶縁膜４ａの両側に張り出した部分にリンイオンを注入する。注入条件は、図７（Ａ）のリン添加領域１１４へのリンの注入条件と同一である。この条件では、ゲート絶縁膜４ａに覆われている部分には、リンイオンが注入されない
【００５１】
温度４００℃で２時間の熱処理を行う。図９からわかるように、この条件で、約２μｍのゲッタリング長ＬＧが得られる。このため、ゲート絶縁膜４ａがゲート電極５の両側に張り出している部分の下方の活性領域３ａ内において、ＮｉＳｉ結晶粒の形成を抑制することができる。また、この熱処理により、注入されているＰが活性化し、ゲート絶縁膜４ａの両側に、ソース高濃度領域１０Ｓ及びドレイン高濃度領域１０Ｄが形成される
【００５２】
図２（Ｂ）に示すように、イオンドーピング法により２回目のリンイオンの注入を行う。このときの加速電圧は７０ｋＶ、ドーズ量は２×１０
14
ｃｍ
-2
とする。この条件では、ゲート絶縁膜４ａのうちゲート電極５の両側に張り出した部分の下方までリンイオンが到達する
ゲート絶縁膜４ａのうちゲート電極５の両側に張り出した部分の下方に、ソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄが形成される
【００５３】上記第１の実施例では、図２（Ａ）に示すソース高濃度領域１０Ｓ及びドレイン高濃度領域１０Ｄを形成するためのＰの注入を行った後、図２（Ｂ）に示すソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄを形成するためのＰの注入を行う前に、Ｎｉのゲッタリングを行う。このとき、
ソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄ内のＮｉが、ソース高濃度領域１０Ｓ及びドレイン高濃度領域１０Ｄ内のＰによってゲッタリングされる。このため、ソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄ内におけるＮｉＳｉ結晶粒の形成を抑制することができる
【００５４】
オフ電流の増加を抑制するためには、少なくともソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄ内のＮｉをゲッタリングすることが好ましい。基板内の場所によるゲッタリング長ＬＧのばらつきを考慮すると、ゲッタリング長ＬＧが、ソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄの長さの２倍以上となる条件でゲッタリングを行うことが好ましい
【００５５】第１の実施例の場合には、ソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄの長さを約１μｍとしている。この２倍のゲッタリング長２μｍを得るためには、図９から、ゲッタリング条件を、４００℃、２時間とすればよいことがわかる。」
　
（２）以上を整理すると、引用例には以下の事項が記載されている。
（２−１）段落【００１１】〜【００１２】の記載から、引用例には「多結晶シリコン膜中のニッケルに起因するオフ電流の増加を抑制する」との課題を解決する「薄膜トランジスタ」が開示されている。また、段落【００４４】〜【００５５】には、「第１の実施例」として「ＴＦＴの製造方法」が記載されているから、引用例には当該製造方法で形成された「ＴＦＴ」すなわち薄膜トランジスタが開示されているものと認められる。
　
（２−２）段落【００１１】の「主表面を有する基板と、前記基板の主表面の一部の領域上に形成された多結晶シリコン膜であって」との記載、段落【００４５】の「図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１の表面上に、ＣＶＤにより厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2 膜２を形成する。ＳｉＯ2 膜２の表面上に、ＰＥ−ＣＶＤにより厚さ５０ｎｍのアモルファスシリコン膜３を形成する。アモルファスシリコン膜３の表面上に、濃度１０ｐｐｍの酢酸ニッケル水溶液をスピンコートする。温度５５０℃で４時間の熱処理を行い、アモルファスシリコン膜３を多結晶化する。」との記載、及び段落【００４６】の「シリコン膜３をパターニングして、ポリシリコン薄膜の活性領域３ａを残す。」との記載から、引用例には「ガラス基板上に、アモルファスシリコン膜の表面上に酢酸ニッケル水溶液をスピンコートして熱処理を行い前記アモルファスシリコン膜を多結晶化した多結晶シリコン膜が活性領域として形成された」ことが記載されている。
　
（２−３）段落【００１１】の「該多結晶シリコン膜に、その面内の第１の方向に沿ってドレイン高濃度領域、ドレイン低濃度領域、チャネル領域、ソース低濃度領域、及びソース高濃度領域がこの順番に画定され、該多結晶シリコン膜中にニッケルが添加され、」との記載から、引用例には、「多結晶シリコン膜」が「チャネル領域」と、「ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域」と「ソース高濃度領域及びドレイン高濃度領域」を有し、前記多結晶シリコン膜の各領域に「ニッケルが添加され」ていることが記載されている。
　また、上記（２−２）から、引用例の「多結晶シリコン」は「活性領域として形成されたもの」であるから、引用例には、「活性領域」は「チャネル領域」と、「ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域」と「ソース高濃度領域及びドレイン高濃度領域」を有し、前記多結晶シリコン膜の各領域に「ニッケルが添加され」ていることが開示されている。
　
（２−４）段落【００１１】の「前記多結晶シリコン膜の前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極」との記載から、引用例には「多結晶シリコン膜にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極」が記載されている。
　
（２−５）段落【００５１】の「ゲート絶縁膜４ａの両側に、ソース高濃度領域１０Ｓ及びドレイン高濃度領域１０Ｄが形成される。」との記載、段落【００５２】の「ゲート絶縁膜４ａのうちゲート電極５の両側に張り出した部分の下方に、ソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄが形成される。」との記載、及び、段落【００１１】の「該多結晶シリコン膜に、その面内の第１の方向に沿ってドレイン高濃度領域、ドレイン低濃度領域、チャネル領域、ソース低濃度領域、及びソース高濃度領域がこの順番に画定され」との記載から、引用例には「チャネル領域」が「ゲート絶縁膜４ａのうちゲート電極の下方」に形成されることが開示されている。
　
（２−６）段落【００５０】〜【００５１】の「イオンドーピング法により、活性領域３ａのうちゲート絶縁膜４ａの両側に張り出した部分にリンイオンを注入する。（中略）この熱処理により、注入されているＰが活性化し、ゲート絶縁膜４ａの両側に、ソース高濃度領域１０Ｓ及びドレイン高濃度領域１０Ｄが形成される。」との記載から、引用例における「ソース高濃度領域」及び「ドレイン高濃度領域」は、リンが注入された領域であることが記載されている。
　
（２−７）段落【００３４】の「領域１０４は、結晶性のニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）であることがわかった。低濃度領域１００ａ内にＮｉＳｉが形成されると、その部分が電流リークパスになり、オフ電流が増加するものと考えられる」との記載、段落【００４１】〜【００４２】の「Ｐの添加されていない領域のうち、当該領域とリン添加領域１１４との境界１１５の近傍領域１１６の表面には、ほとんどエッチピットが現れない。領域１１６内にエッチピットが現れないのは、ＰがＮｉをゲッタリングしたことにより、領域１１６内のＮｉ濃度が低下し、ＮｉＳｉ結晶粒の形成が抑制されたためと考えられる。領域１１６の幅ＬＧを、ゲッタリング長と呼ぶこととする。」との記載、及び、段落【００５４】の「オフ電流の増加を抑制するためには、少なくともソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄ内のＮｉをゲッタリングすることが好ましい。基板内の場所によるゲッタリング長ＬＧのばらつきを考慮すると、ゲッタリング長ＬＧが、ソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄの長さの２倍以上となる条件でゲッタリングを行うことが好ましい。」との記載から、引用例には、「ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域の２倍以上の長さ」の「ニッケル濃度が低下しニッケルシリサイドの形成が抑制された領域」を形成することが記載されている。
  また、段落【００５３】の「ソース低濃度領域１１Ｓ及びドレイン低濃度領域１１Ｄ内のＮｉが、ソース高濃度領域１０Ｓ及びドレイン高濃度領域１０Ｄ内のＰによってゲッタリングされる。」との記載から、前記「ニッケル濃度が低下しニッケルシリサイドの形成が抑制された領域」は、「ソース高濃度領域及びドレイン高濃度領域」の端部から「チャネル領域」方向に「ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域の２倍以上の長さ」延在していると理解できるから、引用例には、前記「ニッケル濃度が低下しニッケルシリサイドの形成が抑制された領域」が、チャネル領域内において、チャネル領域の端部からソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域の長さ以上の長さになっていることが開示されているといえる。
　
（３）上記（２）によれば、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ガラス基板上に、アモルファスシリコン膜の表面上に酢酸ニッケル水溶液をスピンコートして熱処理を行い前記アモルファスシリコン膜を多結晶化した多結晶シリコン膜が活性領域として形成された薄膜トランジスタであって、
　該活性領域は、前記多結晶シリコン膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極の下方に形成されたチャネル領域と、ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域と、リンが注入されたソース高濃度領域及びドレイン高濃度領域とを有し、
　前記活性領域のチャネル領域と、ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域と、ソース高濃度領域及びドレイン高濃度領域は、ニッケルが添加されており、該ニッケルは、該チャネル領域内における端部近傍では、ニッケル濃度が低下しニッケルシリサイドの形成が抑制された状態となっており、
　前記チャネル領域内において、前記ニッケル濃度が低下しニッケルシリサイドの形成が抑制された状態となっている領域の長さが、該チャネル領域の端部から前記ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域の長さ以上の長さになっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
４−３　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と、引用発明とを対比する。
（１）引用発明における「ガラス基板」及び「薄膜トランジスタ」は、補正発明における「絶縁性を有する基板」及び「半導体装置」に相当する。
　
（２）引用発明の「多結晶シリコン膜」は、「アモルファスシリコン膜の表面上に酢酸ニッケル水溶液をスピンコートして熱処理を行い前記アモルファスシリコン膜を多結晶化した」ものであるところ、本願明細書の段落【０００９】には、「具体的には、非晶質ケイ素膜の表面に微量のニッケル等の金属元素を導入した後に加熱処理することによって結晶性のケイ素膜とする。」と記載されていることから、引用発明における「多結晶シリコン膜」は、補正発明における「結晶性を有するケイ素膜」に相当するものといえる。
　
（３）引用発明の「前記多結晶シリコン膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極の下方に形成されたチャネル領域」は、補正発明の「前記ケイ素膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極に重なる能動領域」に相当する。また、引用発明の「ソース高濃度領域及びドレイン高濃度領域」は、補正発明の「高濃度不純物領域」に相当し、引用発明における「リンが注入された」ことは、補正発明における「５族Ｂから選択された元素が導入された」ことに相当する。
　
（４）非晶質シリコンにニッケルを添加し熱処理することで非晶質シリコンを多結晶化する工程において、ニッケルが結晶化を促進する触媒として作用することは、当業者の技術常識であるから、引用発明における「ニッケル」は、補正発明における「非晶質ケイ素の結晶化を促進する触媒元素」に相当する。また、引用発明における「ニッケル濃度が低下しニッケルシリサイドの形成が抑制された状態」は、補正発明における「シリサイド状態として析出することなく、固溶した状態」に相当する。
　
　そうすると、補正発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
＜一致点＞
「絶縁性を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜が活性領域として形成された半導体装置であって、
　該活性領域は、前記ケイ素膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極に重なる能動領域と、５族Ｂから選択された元素が導入された高濃度不純物領域とを有し、
　前記活性領域の前記能動領域および前記高濃度不純物領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を促進する触媒元素を含んでおり、該触媒元素は、該能動領域内における端部近傍では、シリサイド状態として析出することなく、固溶した状態になっている、
ことを特徴とする半導体装置」である点。
　
＜相違点＞
　補正発明では、「前記能動領域内において、前記触媒元素がシリサイド状態として析出することなく、固溶した状態になっている領域の長さが、該能動領域の端部から２μｍ以上になっている」のに対し、
　引用発明では、「前記チャネル領域内において、前記ニッケル濃度が低下しニッケルシリサイドの形成が抑制された状態となっている領域の長さが、該チャネル領域の端部から前記ソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域の長さ以上の長さになっている」が、当該長さが２μｍ以上となることは特定されていない点。
　
４−４　相違点についての判断
　薄膜トランジスタのソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域の長さを２μｍ以上とすることは、例えば、以下の周知例にも記載されているように、必要とされる薄膜トランジスタの特性に応じて当業者が普通に行う事項である。
　
・周知例１：特開平１０−１６３４９９号公報
　本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−１６３４９９号公報（以下「周知例１」という。）には、以下の記載がある。
「【０００６】この様なオフ電流の問題を解決するために、ＬＤＤ構造の採用が検討されており、高不純物濃度のソース・ドレイン領域とチャネル領域との間に低不純物濃度のＬＤＤ領域を設けることによって、ＴＦＴのオフ状態の時のチャネル−ドレイン領域（ソース領域）間の電界を緩和して、リーク電流を低減しようというものである。」
「【００２５】この様に、多結晶シリコン膜３に形成するＴＦＴのＬＤＤ領域をレジストプロセスを利用して形成しているので、大画面表示の液晶表示装置パネルの場合にも、サイズの大きなＬＤＤ領域、例えば、２μｍ以上の幅のＬＤＤ領域を制御性良く形成することができる。」
「【００４４】なお、この場合、フォトレジスト２９のゲート電極２５の側壁における厚さ、即ち、
ＬＤＤ長さは、必要とするＬＤＤ領域の長さを考慮して、０．５〜５．０μｍ、例えば、２．０μｍになるように設定する
　
・周知例２：特開平１１−１２１７５７号公報
　本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−１６３４９９号公報（以下「周知例２」という。）には、以下の記載がある。
「【００２５】その結果、図３（ｈ）に示すように、マスク下部領域のゲート電極９直下以外の部分に不純物濃度１×１０18／ｃｍ3 、幅０．５μｍ程度のｎ型ＬＤＤ層６、７が、マスク下部領域以外の部分に不純物濃度１×１０20／ｃｍ3 程度のｎ型ソース層４、ｎ型ドレイン層５がそれぞれ形成される。これらの不純物濃度となるのはドーズ量３×１０15／ｃｍ2 の場合である。また
ｎ型ＬＤＤ層６、７の幅は０．５〜１０μｍ程度であれば良い
「【００３３】本実施の形態のＭＯＳＦＥＴが図１のＭＯＳＦＥＴと異なる点は、
ｎ型ＬＤＤ層６、７の幅を３μｍ程度と広くした点である
　
・周知例３：特開平９−２４６５５８号公報
　本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−２４６５５８号公報（以下「周知例３」という。）には、以下の記載がある。
「【００２１】
【発明の実施の形態】前記本発明の薄膜トランジスタによれば、多結晶シリコン薄膜を活性層に有し、チャネル領域とソースおよびドレイン領域との間に低濃度不純物注入量域を有する薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタ表面の全体を被覆するゲート絶縁膜を備え、かつゲート電極の一部を被覆するように形成され前記ゲート絶縁膜とは異なる材料からなる絶縁膜を低濃度不純物注入領域の不純物注入マスクとして備えたことにより、リーク電流を低減し得るＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタを低コストで実現できる。特に、
前記低濃度不純物領域がゲート電極の両側に０．５μｍ以上５μｍ以下の長さに形成されていると、Ｏｆｆ電流を低減する効果が高い
　
　したがって、引用発明において、必要とするトランジスタの特性に応じてソース低濃度領域及びドレイン低濃度領域の長さを２μｍ以上とすることで、引用発明における「チャネル領域内における、前記ニッケル濃度が低下しニッケルシリサイドの形成が抑制された状態となっている領域」（補正発明の「シリサイド状態として析出することなく、固溶した状態になっている領域」に相当。）が、「チャネル領域の端部」（補正発明の「能動領域の端部」に相当。）から２μｍ以上となるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、補正発明は、引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４−５　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５　補正却下の決定のまとめ
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１９年１２月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３６に係る発明は、平成１９年６月４日付けの手続補正により補正された願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３６に記載された事項により特定されるものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２、１−１に摘記したとおりのものである。
　一方、本願の出願日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２０００−１９６０９５号公報（引用例）には、上記第２、４−２（３）で認定したとおりの発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである補正発明が、上記第２、４において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　結言
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。