【事件の表示】
　特願２００４−　　６９２６「フィルタ回路素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月２８日出願公開、特開２００５−２０３９６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１月１４日の出願であって、平成１９年２月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２９日に審判請求がなされるとともに、同年４月２７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年４月２７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本願発明と補正後の発明
　上記手続補正（以下、「本件補正」という。）は補正前の平成１８年９月１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された
「　第１表面及びこの第１表面に対向する第２表面並びにこれら第１及び第２表面に連接し、互いに対向する側面を有する誘電体基板と、
　前記第１表面、前記互いに対向する側面、当該側面に隣接する前記第２表面上の側部領域に形成され、グランドに接続される金属導体層と、
　前記第２表面上に屈曲されて形成されてマイクロストリップライン共振器を構成する金属導体パターンであって、信号伝播路に配置されて共振回路を構成する金属導体パターンと、
　前記第２表面上の側部領域において前記金属導体層に電気的機械的に接触され、前記金属導体パターンを前記金属導体層とともに囲繞する導電性の蓋部と、
　を具備し、前記マイクロストリップライン共振器の金属導体パターンが超電導状態にまで冷却されることを特徴とするフィルタ回路素子。」
という発明（以下、「本願発明」という。）を、
　
「　第１表面及びこの第１表面に対向する第２表面並びにこれら第１及び第２表面に連接し、互いに対向する側面を有する誘電体基板と、
　前記第１表面及び前記互いに対向する側面の全体を覆うように形成され、当該側面に隣接する前記第２表面上の側部領域にまで延出されて当該側部領域に帯状に形成され、グランドに接続される金属導体層と、
　前記第２表面上に屈曲されて形成されてマイクロストリップライン共振器を構成する金属導体パターンであって、信号伝播路に配置されて共振回路を構成する金属導体パターンと、
　前記第２表面上の側部領域において前記金属導体層に電気的機械的に接触され、前記金属導体パターンを前記金属導体層とともに囲繞する導電性の蓋部と、
　を具備し、前記マイクロストリップライン共振器の金属導体パターン及び前記金属導体層が超電導状態にまで冷却されることを特徴とするフィルタ回路素子。」
という発明（以下、「補正後の発明」という。）に補正することを含むものである。
　
　
２．補正の適否
（１）新規事項の有無、補正の目的要件
　上記補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された「金属導体層」に関し、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、
「前記第１表面及び前記互いに対向する側面の全体を覆うように形成され」、および「第２表面上の側部領域にまで延出されて当該側部領域に帯状に形成」という構成を追加して限定し、
同じく「超電導状態にまで冷却される」部分に関し、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、
「及び前記金属導体層」という構成を追加して限定することにより特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１７条の２第３項（新規事項）及び第４項第２号（補正の目的）の規定に適合している。
　
（２）独立特許要件
　上記補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、上記補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下に検討する。
　
［補正後の発明］
　上記「１．本願発明と補正後の発明」の項で「補正後の発明」として認定したとおりである。
　
［引用発明及び周知技術］
Ａ．原審の拒絶理由に引用された特開２０００−２７８００５号公報（以下、「引用例」という。）には、「分布定数素子及びその製造方法」として図面とともに以下の事項が記載されている。
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主にマイクロ波、ミリ波帯で使用されるフィルタなどの分布定数素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】無線ＬＡＮ、各種通信端末など、マイクロ渡帯、ミリ波帯をキャリアとした高周波アプリケーションにおいては、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）、バントパスフィルタ（ＢＰＦ）などの素子は、Ｌ、Ｃなどのチップ部品を使った集中定数設計ではなく、マイクロストリップラインなどによる分布定数にて設計されるのが常である。
【０００３】図８は、マイクロストリップラインによるＢＰＦを、プリント基板、セラミック基板などの誘電体基板上のパターンとして形成した一例を示す図である。図８において、このＢＰＦは、通過波長の１／４程度の長さだけ２つのパターンがオーバラップするようにして誘電体基板８０上にマイクロストリップラインパターン８１が形成されてなる。」
（２頁１〜２欄）
　
ロ．「【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係る分布定数素子の構成を示す透視平面図である。図１において、誘電体基板Ｃ１６上に２つの共振器パターン１１が平行して形成されており、その共振器パターン１１から外側に延出するように給電タップ１２が形成されている。
【００２２】また、誘電体基板Ｃの外縁部には、グランドパターン１３が形成されている。このグランドパターン１３は、裏面のグランドパターンと電気的導通を図るために、ビアホールが形成されており、このビアホール内に導電部２２が形成されている。
【００２３】図２は、図１に示す分布定数素子の断面図であり、図２（Ａ）は、図１におけるIIＡ線に沿う断面図であり、図２（Ｂ）は、図１におけるIIＢ線に沿う断面図である。
【００２４】図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、基体である誘電体基板Ａ１４の裏面には、グランドパターン１７が形成されている。誘電体基板Ａ１４の上には、誘電体基板Ｂ１５が設けられている。この誘電体基板Ｂ１５は、内部に凹部が形成されている。また、誘電体基板Ｂ１５の上には、誘電体基板Ｃ１６が設けられている。したがって、誘電体基板Ａ１４、誘電体基板Ｂ１５の凹部、及び誘電体基板Ｃ１６により第１空間部１８が形成されている。
【００２５】また、誘電体基板Ｃ１６上には、特定パターンが形成されている。ここでは、誘電体基板Ｃ１６上には、共振器パターン１１、給電タップ１２、及びグランドパターン１３が形成されている。また、他の配線パターンや部品実装パターンなどもこの誘電体基板Ｃ１６上に、すなわち同一平面上に形成される。
【００２６】誘電体基板Ｃ１６上には、第２空間層１９を介してシールド層２０が配置される。このシールド層２０は、導電部２２との間ではんだ２１などの接合部材により接合されている。なお、図３（Ａ）は、この分布定数素子を表面側から見た図であり、図３（Ｂ）はこの分布定数素子を裏面側から見た図である。
【００２７】ここで、誘電体基板Ａ１４、Ｂ１５、Ｃ１６としては、セラミックス基板、プリント配線板、フッ素樹脂基板などを挙げることができる。また、パターンの材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、鋼などを挙げることができる。また、これらのパターン材料に適宜メッキなどを施して被覆層を形成しても良い。さらに、シールド層２０の材料としては、金属材料などを挙げることができる。」（３頁４欄〜４頁５欄）
　
ハ．「【００４２】また、本発明において共振器パターン１１の上下に形成される空間部１８，１９は、必ずしも空間である必要はなく、意図的にこれらの空間部に別の誘電物質４０、４１を充填して所望の特性のフィルタ設計をすることもできる。さらに、その場合は共振器パターン１１の上下の誘電物質を必ずしも同じにする必要もなく、意図的に共振器パターンの上下に別の誘電物質を充填して所望の特性のフィルタ設計をしても良い。」
（５頁７欄）
　
　
　上記引用例の記載及び関連する図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、
まず、上記「分布定数素子」は、「フィルタなどの分布定数素子」（上記イ、【０００１】）、「バントパスフィルタ（ＢＰＦ）などの素子は、・・・、マイクロストリップラインなどによる分布定数にて設計される」（上記イ、【０００２】）とあり、図８および図９の等価回路も参照すれば、このような分布定数素子も「回路素子」であるから、いわゆる「フィルタ回路素子」であるということができる。
　
　また、上記ロには、「図１は、本発明の一実施の形態に係る分布定数素子の構成を示す透視平面図である。図１において、誘電体基板Ｃ１６上に・・・」（【００２１】、図１）、「誘電体基板Ａ１４の上には、誘電体基板Ｂ１５が設けられている。この誘電体基板Ｂ１５は、内部に凹部が形成されている。また、誘電体基板Ｂ１５の上には、誘電体基板Ｃ１６が設けられている。したがって、誘電体基板Ａ１４、誘電体基板Ｂ１５の凹部、及び誘電体基板Ｃ１６により第１空間部１８が形成されている。」（【００２４】、図２）とあって、
　これら３つの誘電体基板Ａ，Ｂ，Ｃ（１４，１５，１６）によって、全体として内部に第１空間部１８を有する一体の「誘電体基板体」が構成されていることを読み取ることができ、その形状は図２の２つの断面図（Ａ），（Ｂ）および従来例の図８の「誘電体基板８０」も参照すれば、全体として略直方体の外観形状であることが理解できるから、
　「第１表面」（図２の誘電体基板Ａ１４の下面）及びこれに対向する「第２表面」（図２の誘電体基板Ｃ１６の上面）、並びにこれら第１及び第２表面に連接し、互いに対向する「側面」（図２の誘電体基板Ｂ１５の前後の面、図１または図３の平面図の長方形の上下の辺に相当）を有すること、
　即ち、「第１表面及びこの第１表面に対向する第２表面並びにこれら第１及び第２表面に連接し、互いに対向する側面を有し、内部に第１空間部１８を有する誘電体基板体」を構成するものであると言うことができる。
　
　また、上記ロには、「【００２４】図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、基体である誘電体基板Ａ１４の裏面には、グランドパターン１７が形成されている。」とあり、「【００２２】また、誘電体基板Ｃの外縁部には、グランドパターン１３が形成されている。このグランドパターン１３は、裏面のグランドパターンと電気的導通を図るために、ビアホールが形成されており、このビアホール内に導電部２２が形成されている。」とあって、「【００２７】・・・。パターンの材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、鋼などを挙げることができる。」として「金属」により構成される旨の記載があるから、
　これらのパターン１７，１３および導電部２２は、電気的にグランド（接地、アース）に接続される「金属導体層」を構成するものであり、少なくとも「誘電体基板Ａ１４の裏面」（第１表面）、「誘電体基板Ｂ１５の前後の面」（側面）のビアホール内及び「誘電体基板Ｃ１６の外縁部」（側面に隣接する第２表面上の側部領域）に「帯状」に形成されていること、
　即ち、「第１表面及び互いに対向する側面のビアホール内に形成され、当該側面に隣接する第２表面上の側部領域にまで延出されて当該側部領域に帯状に形成され、グランドに接続される金属導体層」を構成するものであると言うことができる。
　
　また、上記ロには、「【００２１】・・・図１において、誘電体基板Ｃ１６上に２つの共振器パターン１１が平行して形成されており、その共振器パターン１１から外側に延出するように給電タップ１２が形成されている。」、「【００２５】また、誘電体基板Ｃ１６上には、特定パターンが形成されている。ここでは、誘電体基板Ｃ１６上には、共振器パターン１１、給電タップ１２、及びグランドパターン１３が形成されている。」とあり、
　従来例の図８の「マイクロストリップラインパターン８１」を参酌すれば、この「共振器パターン１１」は「マイクロストリップライン共振器を構成する」ものであって、前記【００２７】のパターンの構成材料に関する記載も参照すれば、「金属」により構成される「金属導体パターン」であって、「給電タップ１２」をも含めた「信号伝播路」に配置された「共振回路」であること、
　即ち、「第２表面上に形成されてマイクロストリップライン共振器を構成する金属導体パターンであって、信号伝播路に配置されて共振回路を構成する金属導体パターン」を構成するものであると言うことができる。
　
　更に、上記ロには、「【００２６】誘電体基板Ｃ１６上には、第２空間層１９を介してシールド層２０が配置される。このシールド層２０は、導電部２２との間ではんだ２１などの接合部材により接合されている。」とあり、「【００２７】・・・、シールド層２０の材料としては、金属材料などを挙げることができる。」ともあって、
　図２の断面図および図３（Ａ）も参照すればその配置関係から、この「シールド層２０」は誘電体基板上の共振回路に対して、「はんだ」により接合された「導電部２２」とともに、これを囲む「蓋」を構成するものであることを見て取ることができ、
　また、電気分野における基本的な技術常識として、「はんだ」による接合は「電気的機械的な接触」を提供するものであり、「金属材料」は「導電性」であるから、
　この「シールド層２０」は、「第２表面上の側部領域において前記金属導体層に電気的機械的に接触され、前記金属導体パターンを前記金属導体層とともに囲繞する導電性の蓋部」を構成するものであると言うことができる。
　
　以上をまとめると、上記引用例には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されている。
　
（引用発明）
「　第１表面及びこの第１表面に対向する第２表面並びにこれら第１及び第２表面に連接し、互いに対向する側面を有し、内部に第１空間部１８を有する誘電体基板体と、
　第１表面及び互いに対向する側面のビアホール内に形成され、当該側面に隣接する第２表面上の側部領域にまで延出されて当該側部領域に帯状に形成され、グランドに接続される金属導体層と、
　前記第２表面上に形成されてマイクロストリップライン共振器を構成する金属導体パターンであって、信号伝播路に配置されて共振回路を構成する金属導体パターンと、
　前記第２表面上の側部領域において前記金属導体層に電気的機械的に接触され、前記金属導体パターンを前記金属導体層とともに囲繞する導電性の蓋部と、
　を具備するフィルタ回路素子。」
　
　
Ｂ．例えば特開平０８−３１６６８６公報（以下、「周知例１」という。）には図面とともに以下の事項イが記載されており、
特開２０００−１３１３８号公報（以下、「周知例２」という。）には図面とともに以下の事項ロ、ハが記載されており、
特開平１１−３５４８５０号公報（以下、「周知例３」という。）には図面とともに以下の事項ニ、ホが記載されており、
特開平２００１−７７６０４号公報（以下、「周知例４」という。）には図面とともに以下の事項ヘ、トが記載されている。
　
イ．「【００４０】次に、本発明の第三実施例に係る高周波回路装置について説明する。図４は本発明の第三実施例に係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【００４１】本実施例では、多層基板１０の端面にメッキ４０を鍍着し、このメッキ４０によって第一ＧＮＤパターン１１と第二ＧＮＤパターン１２を接続した構成としてある。これによって、多層基板１０端面からの高周波信号の漏洩を防止することができる。
【００４２】また、図５に示すように、多層基板１０の周縁を高周波遮断用ビアホール１０ｂによって包囲する構成としても、上記実施例と同様の効果を得ることができる。」
（周知例１、４頁６欄〜５頁７欄）
　
ロ．「【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示すアレーアンテナ給電装置の斜視図であり
・・・（中略）・・・
、９は多層基板８の最上層と最下層を同電位とするために上記多層基板の側面全周を覆う側面金属層、・・・（中略）・・・」
（周知例２、５頁８欄）
　
ハ．「【００１５】・・・（中略）・・・多層基板８内を伝搬するマイクロ波信号は最上層および最下層に設けた地導体層１３と両方の層間を同電位で接続する側面金属層９により外部から遮断され、干渉を避けるためのシャーシが不要となる。また、モジュール各系統を構成する給電線路１１は隣接して設けた高周波遮断線路１７を高周波遮断スルーホール１６で地導体層１３と導電位とすることにより側面電気壁を構成し、モジュール間の干渉を抑えることが可能となる。
【００１６】・・・（中略）・・・
【００１７】また、ここでは多層基板８の最上層および最下層を側面金属層９により同電位で接続する例について説明したが、多層基板８の最外周全集に複数個のシールド用スルーホールを形成することにより同様の効果を得ることも可能である。」（周知例２、５頁８欄〜６頁９欄）
　
ニ．「【０００２】
【従来の技術】従来、超伝導フィルタ回路においては、図１１に示すように、誘電体材料を用いたフィルタ基板１０１の表面に共振器パターン１０２が形成され、裏面にグランドプレーン１０３が形成されている。共振器パターン１０２およびグランドプレーン１０３は、超伝導材料を用いて形成されている。また、グランドプレーン１０３の表面には金薄膜電極１０４が形成されている。
【０００３】この超伝導フィルタ回路は、グランドプレーン１０３側が導電ペースト１０５によって銅のケース１０６に固定され、上部がアルミの蓋１０７で覆われている。このようにして、フィルタ回路を実装した構造（以下、単にフィルタ１００という）が得られる。」
（周知例３、２頁２欄）
　
ホ．「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１に、本発明の一実施形態に係る超伝導フィルタ回路の実装構造の断面構造を示す。・・・・・・
【００２２】上記した各ユニット構造は、基板２ｄの表面に共振器パターンが形成されていない点を除き、同一構成のものである。以下、フィルタ基板２ａ（２ｂ又は２ｃ）がケース１ａ（１ｂ又は１ｃ）に固定された１つのユニット構造を例として、その具体的な構成について説明する。図２に、フィルタ基板２ａ（２ｂ又は２ｃ）をケース部材１ａ（１ｂ又は１ｃ）に固定した状態の断面構造を示す。
【００２３】誘電体基板として例えばＭｇＯ基板を用いたフィルタ基板２ａ（２ｂ又は２ｃ）の表面には、共振器パターン２１ａが形成され、裏面にはグランドプレーン２１ｂが形成されている。共振器パターン２１ａおよびグランドプレーン２１ｂは、超伝導材料を用いて形成されている。また、グランドプレーン２１ｂの表面でケース部材１ａ（１ｂ又は１ｃ）の上部と当接する部分、すなわちグランドプレーン２１ｂの外周領域にのみ貴金属を用いた電極、具体的には金薄膜電極２１ｃが形成されている。この金薄膜電極２１ｃは、マスク蒸着あるいはマスクスパッタにより形成されている。」
（周知例３、４頁６欄）
　
ヘ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、帯域通過濾波器と当該濾波器の通過帯域幅の調整方法に関し、特に高温超伝導体膜を用いた、複数のマイクロストリップ線路共振器からなる狭帯域通過濾波器とその通過帯域幅を調整する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】低損失な高温超伝導体膜をストリップ導体及び接地導体として用いることにより、極めてＱ値の高いマイクロストリップ線路共振器を作製できる。このような共振器を複数個用いることにより、さらに、比帯域が数パーセントと極めて狭帯域の帯域通過濾波器を作製できる。」
（周知例４、２頁１欄）
　
ト．「【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態を説明する狭帯域通過濾波器の構成を示す分解斜示図であり、図２は、本発明の筐体域通過路波器の断面図である。図１に示すように、誘電体基板２上には、高温超伝導体膜の接地導体３とストリップ導体４からなるマイクロストリップ共振器が複数個形成されており、この誘電体基板２を、常伝導体金属筐体１内に、その接地導体面３が金属筐体１の内壁に接地されるように設置する。
【００１８】次に、誘電体基板５の底面に形成した高温超伝導体膜６をその周辺にて金属筐体１と導通し高周波的に接地されるように設置し、筐体上蓋とする。従って、図２に示すように、筐体１の内壁の内、側壁部分と比較して広い面積を占める接地導体部分と対向する筐体上面の内壁が高温超伝導体膜６により覆われることになる。これにより、筐体内壁において常伝導体が占める領域は側壁のみとなり、ストリップ導体４の上面に位置する筐体内壁が常伝導体であることによる濾波器の狭帯域通過特性の劣化が低減できる。」（周知例４、３頁３欄〜４欄）
　
（周知技術）
　上記周知例１、２の記載及び添付図面によれば、
「多層基板１０の端面にメッキ４０を鍍着し、・・・これによって、多層基板１０端面からの高周波信号の漏洩を防止することができる。・・・、多層基板１０の周縁を高周波遮断用ビアホール１０ｂによって包囲する構成としても、上記実施例と同様の効果を得ることができる。」（周知例１，イ）、
「９は・・・基板の側面全周を覆う側面金属層」（周知例２，ロ）、
「基板８の最外周全集に複数個のシールド用スルーホールを形成することにより同様の効果を得ることも可能」（周知例２，ハ）、
などとあり、
高周波信号パターンを有する基板を遮断ないしシールドするにあたって、これらの基板周縁を包囲する「高周波遮断用ビアホール」ないし、基板の最外周全周に設けられた「シールド用スルーホール」は、基板端面の「メッキ層」ないし「側面金属層」と同等の機能を奏することが記載されていると認められるので、
「基板周縁を包囲するビアホールに替えて、基板側面を覆う導体層を設けること」は周知の技術であるということができる。
（以下「周知技術１」という。）
　
　また、上記周知例３，４の記載及び添付図面によれば、
「従来、超伝導フィルタ回路においては、・・・。共振器パターン１０２およびグランドプレーン１０３は、超伝導材料を用いて形成されている。」（周知例３，ニ）、
「共振器パターン２１ａおよびグランドプレーン２１ｂは、超伝導材料を用いて形成されている。」（周知例３，ホ）、
「低損失な高温超伝導体膜をストリップ導体及び接地導体として用いることにより、極めてＱ値の高いマイクロストリップ線路共振器を作製できる。」（周知例４，ヘ）、
などとあり、
　これらの「超伝導フィルタ回路」、「マイクロストリップ線路共振器」は、「マイクロストリップライン共振器」を含む、ないし構成するものであって、「高温超伝導」であっても少なくとも液体窒素温度程度にまで「冷却」する必要があることは技術常識であり、「超電導状態」にまで冷却された「導体パターン」、「導体層」を有するものと認められるから、
　「マイクロストリップライン共振器の導体パターン及び導体層を超電導状態にまで冷却して、超伝導フィルタ回路を構成すること」は周知の技術であるということができる。
（以下「周知技術２」という。）
　
　
　［対比・判断］
　補正後の発明と引用発明を対比すると、両者は以下の点で一致し、また相違している。
　
（一致点）
「　第１表面及びこの第１表面に対向する第２表面並びにこれら第１及び第２表面に連接し、互いに対向する側面を有する誘電体基板と、
　第１表面及び互いに対向する側面に形成され、当該側面に隣接する第２表面上の側部領域にまで延出されて当該側部領域に帯状に形成され、グランドに接続される金属導体層と、
　前記第２表面上に形成されてマイクロストリップライン共振器を構成する金属導体パターンであって、信号伝播路に配置されて共振回路を構成する金属導体パターンと、
　前記第２表面上の側部領域において前記金属導体層に電気的機械的に接触され、前記金属導体パターンを前記金属導体層とともに囲繞する導電性の蓋部と、
　を具備するフィルタ回路素子。」
　
（相違点１）「誘電体基板」が、補正後の発明では特にその内部構成に限定のない一体の基板であるのに対し、引用発明では複数の誘電体基板の組み合わせにより構成され「内部に第１空間部１８を有する誘電体基板体」である点。
　
（相違点２）「金属導体層」の一部が、補正後の発明では「側面の全体を覆うように形成され」ているのに対し、引用発明は「側面のビアホール内に形成され」ている点。
　
（相違点３）「共振回路を構成する金属導体パターン」が、補正後の発明では「第２表面上に屈曲されて形成されて」いるのに対し、引用発明はその様な構成を備えていない点。
　
（相違点４）「マイクロストリップライン共振器の金属導体パターン及び前記金属導体層」が、補正後の発明では「超電導状態にまで冷却され」ているのに対し、引用発明はその様な構成を備えていない点。
　
　
　そこで、まず、上記相違点１について検討するに、前記引用例の摘記事項ハ（【００４２】）によれば、「共振器パターン１１の上下に形成される空間部１８，１９は、必ずしも空間である必要はなく、意図的にこれらの空間部に別の誘電物質４０、４１を充填して所望の特性のフィルタ設計をすることもできる。」とあり、更に「その場合は共振器パターン１１の上下の誘電物質を必ずしも同じにする必要もなく・・・」ともあるから、引用発明にあるような複数の誘電体基板により構成された「誘電体基板体」を、内部に同一の誘電物質を充填した一体の誘電体基板により構成することは、当業者であれば引用例の記載から容易になし得ることである。
　
　ついで、上記相違点２について検討するに、周知例１、２によれば、「基板周縁を包囲するビアホールに替えて、基板側面を覆う導体層を設けること」は周知の技術である（周知技術１）から、これを引用発明に適用して「側面の全体を覆う」ようにする程度のことも、電磁波のシールド、遮蔽というその目的を勘案すれば、当業者であれば適宜なし得ることである。
　
　また、上記相違点３について検討するに、周知例３、図４の「共振器パターン２１ａ」や、周知例４、図３の「ストリップ導体１０からなるヘアピン型の共振器」（【００２５】）をみれば、基板表面上で「マイクロストリップライン共振回路を構成する導体パターン」を「屈曲」させて形成することは、通常行われる周知慣用の技術であると認められるから、これを引用発明に適用する程度のことも当業者であれば適宜なし得ることである。
　
　また、上記相違点４について検討するに、周知例３、４によれば、
「マイクロストリップライン共振器の導体パターン及び導体層を超電導状態にまで冷却して、超伝導フィルタ回路を構成すること」は周知の技術（周知技術２）であるから、これを引用発明に適用する程度のことも当業者であれば適宜なし得ることである。
　なお、補正後の発明では超電導状態にまで冷却される「導体パターン及び導体層」が、「金属導体パターン及び金属導体層」とあるが、超伝導状態を示す「金属」が存在することは、超伝導現象発見の当初から周知の事実であるので、超電導状態に冷却される導体を「金属」導体で構成することも当業者であれば適宜なし得ることと認めざるを得ない。
　
　そして、補正後の発明が奏する効果も、前記引用発明及び周知技術から当業者であれば容易に予測出来る範囲内のものである。
　
　よって、補正後の発明は引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　
３．結語
　以上のとおり、本件補正は、補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項の規定により準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合していない。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年４月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願発明は上記「第２．補正却下の決定」の項中の「１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりである。
　
２．引用発明及び周知技術
　引用発明及び周知技術は、上記「第２．補正却下の決定」の項中の「（２）独立特許要件」の項中の［引用発明及び周知技術］で認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は上記補正後の発明から本件補正に係る限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成に補正に係る限定を付加した補正後の発明が、上記「第２．補正却下の決定」の項中の「（２）独立特許要件」の項で検討したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであるから、本願発明も同様の理由により、容易に発明できたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。