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　特願２００１−３９５７７４「銅張積層板用圧延銅箔」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月　９日出願公開、特開２００３−１９３２１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月２７日の出願であって、平成１６年１０月８日付けの拒絶理由通知に応答して同年１２月２０日付けで手続補正がなされたが、平成１７年３月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２８日に審判が請求されたものである。
　
２．本願発明
　本願発明は、平成１６年１２月２０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　Cu，Ag，O，Hおよび希ガス類元素以外の元素の合計量が40mass ppm以下であるタフピッチ銅からなり、20μm以下の厚さを有する圧延銅箔の圧延面をX線回折することにより求めた(200)面の回折強度（I）が，微粉末銅を前記圧延銅箔と同一条件下でX線回折することにより求めた(200)面の回折強度（Ｉ０）に対しI／Ｉ０ ＞50であり、均一エッチング減肉性に優れたことを特徴とする再結晶調質圧延銅箔。」（以下、「本願発明１」という。）
　
３．原査定の理由の概要
　原審の拒絶査定の理由の概要は、次のとおりのものである。
　本願の請求項１〜１１に係る発明は、その出願前頒布された下記刊行物１〜６に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
刊行物１：特開２０００−３５５７２０号公報
刊行物２：特開２０００−２１２６６０号公報
刊行物３：特開２００１−１４４３９１号公報
刊行物４：特開平３−２５９９５号公報
刊行物５：特開昭６２−２００７９６号公報
刊行物６：特開２００１−１１５５０号公報
　
４．引用刊行物とその記載事項
　原審の拒絶査定に引用された特開２０００−３５５７２０号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１ａ）表１には、「表１に示す成分の厚さ200 mm，幅600 mmの銅インゴット」（段落【００３０】）を併せ見ると、本発明例Ｎｏ．３として、Ｏ：331 wt ppmを含有し、添加成分であるＰｂ：0.2 wt ppm、Ｓｎ：1.3wt ppm、Ａｇ：330wt ppm、Ｚｎ＜0.1wt ppm、Ｃｄ＜0.1wt ppm、Ｉｎ＜0.1wt ppm、Ｆｅ＜0.1wt ppm、Ｎｉ＜0.1wt ppm、及びＣｏ＜0.1wt ppmを含有し、不純物成分であるＳ：6.7wt ppm、Ａｓ：0.6wt ppm、Ｓｂ：1.3wt ppm、Ｂｉ＜0.1wt ppm、Ｓｅ：0.2wt ppm及びＴｅ：0.2wt ppmを含有し、該不純物成分の合計が9.0wt ppmである銅インゴットが記載されている。
　
（１ｂ）表２には、本発明例Ｎｏ．３の成分を有する銅箔の厚みが35μｍであり、立方体集合組織200面のI／Ｉ０が57.7であることが記載されている。
　
（１ｃ）「以下，本発明の様態を実施例により説明する。表１に示す成分の厚さ200 mm，幅600 mmの銅インゴットを製造し，熱間圧延により10 mmまで圧延した。・・・つぎに，焼鈍と冷間圧延を繰り返し，厚さt０ mmの圧延上がりの板を得た。この板を焼鈍して再結晶させ，酸化スケールを除去した後，所定の厚みt mmまで冷間圧延した。・・・
このように種々の中間焼鈍条件および最終圧延加工度で製造した銅箔試料について以下の特性を評価した。
（１）立方体集合組織
試料を200℃で30分間加熱した後，圧延面のX線回折で求めた(200)面強度の積分値（I）求めた。この値をあらかじめ測定しておいた微粉末銅の(200)面強度の積分値（Ｉ０）で割り，I／Ｉ０の値を計算した。なお，ピーク強度の積分値の測定は，Co管球を用い，2θ＝57〜63°（θは回折角度）の範囲で行った。」（段落【００３０】〜【００３３】）
　
（１ｄ）「・・・厚さが5〜50μmであり，200℃で30分間の焼鈍後の圧延面のX線回折で求めた200面の強度（I）が微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度（Ｉ０ ）に対しI／Ｉ０ ＞20.0であり，120〜150℃の半軟化温度を有し，３０℃において継続して300 N/mm２以上の引っ張り強さを保持し，優れた屈曲性と適度な軟化特性を有することを特徴とする，フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。」（特許請求の範囲の請求項２）
　
（１ｅ）「本発明は，従来のタフピッチ銅にPb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiまたはCoを添加し，箔に加工後の軟化温度を適度な範囲にコントロールすることを主旨とするが，この場合，タフピッチ銅中に含有される不純物を所定のレベル以下に規制した方が，より正確に軟化温度をコントロールできる。」（段落【００１９】）
　
（１ｆ）「FPCの屈曲性を高めるためには，銅箔の屈曲性を高める必要がある。銅箔は再結晶状態でFPC中に組み込まれるが，純Cuの再結晶集合組織である立方体集合組織を発達させれば，銅箔の屈曲性は向上する。満足できる屈曲性が得られるときの立方体集合組織の発達度は，X線回折で求めた200面の強度が微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度（Ｉ０）に対し I／Ｉ０＞20.0の関係であることで規定され，より好ましくI／Ｉ０＞40.0の関係で規定される。ここで，200℃で30分間の焼鈍は，X線強度の測定に際し，銅箔を再結晶させるために行うものである。」（段落【００２３】）
　
（１ｇ）「S，As，Sb，Bi，SeおよびTeは，通常のタフピッチ銅中に含れている不純物であり，半軟化温度への影響が比較的大きい。したがって， Pb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiおよびCoの添加で半軟化温度をコントロールする場合，これら不純物の濃度を低レベルに抑えた方が，半軟化温度のコントロールが容易になる。これら元素は主として，タフピッチ銅箔の原料として用いられる電気銅から混入するため，その濃度を調整するためには，用いる電気銅の不純物量を管理する必要がある。
　S，As，Sb，Bi，SeおよびTeは，その各成分の内一種以上の合計で30 wt ppm以下にすることが望ましく，30 wt ppmを超えると，上述した軟化温度上昇指数Tが同じでも半軟化温度に大きなばらつきが生じたり，Tの値によっては半軟化温度が150℃を超えたりする。」（段落【００２５】、【００２６】）
　
（１ｈ）「銅箔の厚さが50μmを超えると，立方体集合組織を発達させても所望の屈曲性は得られない。一方，銅箔の厚さを5μm未満にすると，箔の強度が低くなり過ぎ，破断などにより箔の取り扱いが困難となる。そこで銅箔の厚みを5〜50μmとした。
　次に，本発明に関わる銅箔は，平均粒径が20μm以下になる条件で再結晶焼鈍を行なった後，90.0 %を超える加工度の冷間圧延を行うことによって箔に仕上げられる」（段落【００２８】【００２９】）　
　
５．当審の判断
（１）引用発明
　引用文献１の（１ａ）には、表１の本発明例Ｎｏ．３として、「Ｏ：331 wt ppmを含有し、添加成分であるＰｂ：0.2 wt ppm、Ｓｎ：1.3wt ppm、Ａｇ：330wt ppm、Ｚｎ＜0.1wt ppm、Ｃｄ＜0.1wt ppm、Ｉｎ＜0.1wt ppm、Ｆｅ＜0.1wt ppm、Ｎｉ＜0.1wt ppm、及びＣｏ＜0.1wt ppmを含有し、不純物成分であるＳ：6.7wt ppm、Ａｓ：0.6wt ppm、Ｓｂ：1.3wt ppm、Ｂｉ＜0.1wt ppm、Ｓｅ：0.2wt ppm及びＴｅ：0.2wt ppmを含有し、該不純物成分の合計が9.0wt ppmである銅インゴット」が記載されている。
　また、（１ｅ）の「本発明は，従来のタフピッチ銅にPb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiまたはCoを添加し，・・・タフピッチ銅中に含有される不純物を所定のレベル以下に規制した方が，より正確に軟化温度をコントロールできる。」という記載によれば、本発明は成分を調整したタフピッチ銅からなることが記載されていると認められるから、上記本発明例Ｎｏ．３の銅インゴットはタフピッチ銅からなるものといえる。
　そして、（１ｂ）の「本発明例Ｎｏ．３の成分を有する銅箔の厚みが35μｍで、立方体集合組織200面のI／Ｉ０が57.7である」という記載によれば、上記本発明例Ｎｏ．３の銅インゴットからなる銅箔は、厚みが35μｍで、立方体集合組織200面のI／Ｉ０が57.7であるといえる。
　ここで、（１ｂ）の「立方体集合組織200面のI／Ｉ０」とは、（１ｄ）の「200℃で30分間の焼鈍後の圧延面のX線回折で求めた200面の強度（I）が微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度（Ｉ０）に対しI／Ｉ０＞20.0であり」という記載から、「200℃で30分間の焼鈍後の圧延面のX線回折で求めた200面の強度（I）が微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度（Ｉ０）に対しI／Ｉ０」のことであることは明らかであるし、本発明例Ｎｏ．３の銅箔の「圧延面」をX線回折することから、この銅箔は圧延面を有する圧延銅箔であるといえる。
　更に、（１ｆ）の「200℃で30分間の焼鈍は，X線強度の測定に際し，銅箔を再結晶させるために行うものである。」という記載によれば、「200℃で30分間の焼鈍後」の銅箔は再結晶しているといえるから、上記本発明例Ｎｏ．３の銅箔は再結晶させたものであることは明らかである。
　
　上記記載及び認定事項を本願発明１の記載ぶりに則って整理すると、引用文献１には、本発明例Ｎｏ．３として、次のとおりの発明が記載されているといえる。
　
「Ａｇ：330wt ppm及びＯ：331 wt ppm以外の、Ｐｂ：0.2 wt ppm、Ｓｎ：1.3wt ppm、Ｚｎ＜0.1wt ppm、Ｃｄ＜0.1wt ppm、Ｉｎ＜0.1wt ppm、Ｆｅ＜0.1wt ppm、Ｎｉ＜0.1wt ppm及びＣｏ＜0.1wt ppm、Ｓ：6.7wt ppm、Ａｓ：0.6wt ppm、Ｓｂ：1.3wt ppm、Ｂｉ＜0.1wt ppm、Ｓｅ：0.2wt ppm及びＴｅ：0.2wt の合計量が11.1mass ppm未満であるタフピッチ銅からなり、35μｍの厚さを有する圧延銅箔の圧延面のX線回折で求めた200面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度（Ｉ０）に対しI／Ｉ０＝57.7である、再結晶させた圧延銅箔」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）本願発明１と引用発明との対比
　まず、引用発明の「wt ppm」及び「圧延面のX線回折で求めた200面の強度(Ｉ)」は、それぞれ、本願発明１の「mass ppm」及び「圧延面をX線回折することにより求めた(200)面の回折強度（Ｉ）」に相当する。
　また、引用発明のＩ及びＩ０の測定に際して、（１ｃ）の「試料を200℃で30分間加熱した後，圧延面のX線回折で求めた(200)面強度の積分値（I）求めた。この値をあらかじめ測定しておいた微粉末銅の(200)面強度の積分値（Ｉ０）で割り，I／Ｉ０の値を計算した。なお，ピーク強度の積分値の測定は，Co管球を用い，2θ＝57〜63°（θは回折角度）の範囲で行った。」という記載によれば、箔及び微粉末銅ともに、同一条件下でX線回折したことは明らかであるから、引用発明の「微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度（Ｉ０）」は、本願発明の「微粉末銅を前記圧延銅箔と同一条件下でX線回折することにより求めた(200)面の回折強度（Ｉ０ ）」に相当する。
　
　以上を踏まえて、本願発明１と引用発明を対比すると、「タフピッチ銅からなり、圧延銅箔の圧延面をX線回折することにより求めた(200)面の回折強度（Ｉ）が，微粉末銅を前記圧延銅箔と同一条件下でX線回折することにより求めた(200)面の回折強度（Ｉ０ ）に対しI／Ｉ０＝57.7である再結晶調質圧延銅箔。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
相違点：
イ．本願発明１は、「Cu，Ag，O，Hおよび希ガス類元素以外の元素の合計量が40mass ppm以下である」タフピッチ銅からなるのに対して、引用発明は、「Ａｇ：330wt ppm及びＯ：331 wt ppm以外の、Ｐｂ：0.2 wt ppm、Ｓｎ：1.3wt ppm、Ｚｎ＜0.1wt ppm、Ｃｄ＜0.1wt ppm、Ｉｎ＜0.1wt ppm、Ｆｅ＜0.1wt ppm、Ｎｉ＜0.1wt ppm及びＣｏ＜0.1wt ppm、Ｓ：6.7wt ppm、Ａｓ：0.6wt ppm、Ｓｂ：1.3wt ppm、Ｂｉ＜0.1wt ppm、Ｓｅ：0.2wt ppm及びＴｅ：0.2wt の合計量が11.1wt ppm未満である」タフピッチ銅からなる点。
ロ．本願発明１では、圧延銅箔が「20μm以下の厚さを有する」ものであるのに対して、引用発明では35μｍの厚さを有するものである点。
ハ．本願発明１では、圧延銅箔が「均一エッチング減肉性に優れた」ものであるのに対して、引用発明では、それが均一エッチング減肉性に優れたものであるかどうか不明である点。
　
（３）相違点についての判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　
（３−１）相違点イについて
　引用発明では、タフピッチ銅に含まれる、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ及びＴｅの合計量が11.1 wt ppm未満である。そして、そのうちのＳ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、ＳｅおよびＴｅの元素の合計量は9wt ppmであり、（１ｇ）の「Ｓ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、ＳｅおよびＴｅは，通常のタフピッチ銅中に含れている不純物であり」という記載によれば、これらＳ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、ＳｅおよびＴｅは、タフピッチ銅に含まれる代表的な不純物であるといえるから、引用発明のタフピッチ銅は、代表的な不純物元素を含めたＰｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ及びＴｅの合計量が11.1 wt ppm未満であるといえる。
　また、通常のタフピッチ銅は、JIS H 3100に規定されるように、Ｃｕ、Ｏ以外の元素を含有することは意図されていない。
　更に、本願明細書の表４にある銅箔のうち、Ｓ、Ｆｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｄ及びＳｎ以外の不純物元素の合計量は7.5mass ppm以下であるし、本願明細書には、不純物元素を低減させるために特別な工程を設けた旨の記載も見当たらない。また、本願明細書には、「不純物の合計とは、Ｃｕ，Ａｇ，Ｏ，Ｈおよび希ガス以外の元素のうち、0.1ppm以上の濃度で検出された元素の濃度を加算した値であり、この値にはＳ，Ｆｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｃｄ，Ｓｎ以外の元素の濃度も含まれている。このような元素として耐火物が含有するＡｌ，Ｓｉや脱酸剤として添加されるＰ等があった。」（段落【００４８】）と記載されているが、特開２０００−２１２６６０号公報、特開昭６２−２８２７９７号公報に記載されているように、タフピッチ銅中のＰ及びＳｉ量は、Ｐ：6.5mass ppm以下、Ｓｉ：1.1mass ppm以下であるとするのが相当であるといえる。
　そうすると、引用発明で用いられるタフピッチ銅に、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ及びＴｅ以外の不純物元素が含有されていたとしても、Ｃｕ、Ａｇ、Ｏ、Ｈ及び希ガス元素の以外の合計量は40ppm以下の範囲に留まることは、当業者にとって自然な理解であるといえるから、相違点イは実質的な差異ではない。
　
（３−２）相違点ロについて
　引用文献１の（１ｈ）の「銅箔の厚さが50μmを超えると，立方体集合組織を発達させても所望の屈曲性は得られない。一方，銅箔の厚さを5μm未満にすると，箔の強度が低くなり過ぎ，破断などにより箔の取り扱いが困難となる。そこで銅箔の厚みを5〜50μmとした。」という記載によれば、銅箔の厚さは5〜50μｍの範囲で選択可能であるといえるから、引用発明において、銅箔の厚さを、本願発明の「20μｍ以下」に包含される5〜20μｍの範囲の値にすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そうすると、相違点ロは、引用発明から当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
　
（３−３）相違点ハについて
　上記５（２）及び５（３−１）で述べたように、本願発明１と引用発明とは、圧延銅箔の化学成分、I／Ｉ０値及び厚さのうち、化学成分とI／Ｉ０値の点で一致し、厚さの点で相違するものであるが、圧延銅箔の厚さが、均一エッチング減肉性に本質的な影響を及ぼすものでないことは当業者にとって明らかである。
　また、本願明細書の「満足できる減肉エッチング性を得るためには，I／Ｉ０＞20では不十分であり， I／Ｉ０＞50のレベルまで立方体集合組織を発達させる必要がある。・・・この条件を満足すれば，深さ方向のエッチング速度が各結晶粒で等しくなる」（段落【００１９】）という記載によれば、I／Ｉ０＞50の条件を満足することによって深さ方向のエッチング速度が各結晶粒で等しくなり、均一エッチング減肉性に優れることが記載されていると認められるから、本願発明と化学成分とI／Ｉ０値の点で実質的に一致する引用発明においても同様であるといえる。
　そうすると、引用発明の圧延銅箔も、均一エッチング減肉性に優れたものであるといえるから、相違点ハは実質的な差異ではない。
　
（４）小括
　したがって、上記相違点ロは当業者が容易に想到し得たことといえるし、上記相違点イ及びハは、実質的な差異ではないから、本願発明１は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。