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　特願２００３−　　８５５１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月　５日出願公開、特開２００４−２２１４１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１月１６日に出願したものであって、平成１８年１２月１日付けの拒絶理由通知に対して、平成１９年１月２２日に意見書と補正書が提出され、これに対して、同年３月９日付けで最後の拒絶理由が通知され、これに対して、同年５月１４日に意見書と補正書が提出されたが、同年１０月３１日付けで前記５月１４日提出の手続補正を却下すると共に拒絶査定がされ、これに対し、同年１２月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１２月２６日に手続補正がされたものである。
　
２．平成１９年１２月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１２月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
（ａ）本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については、補正前の請求項１に、
「【請求項１】半導体基板上に設けられた複数の接続パッドと、該接続パッドに接続された複数の柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを有する少なくとも１つの半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられた絶縁シートと、前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ且つ接続パッド部を有する少なくとも１層の上層再配線とを備え、前記上層再配線のうち、最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部は前記絶縁シート上に対応して配置されていることを特徴とする半導体装置。」
とあったものを、
「【請求項１】半導体基板、該半導体基板上に設けられた複数の接続パッドと、前記半導体基板上に形成され前記接続パッドを露出する開口部を有する絶縁膜、前記絶縁膜上に設けられ前記開口部を介して前記接続パッドに接続された再配線、および該再配線の接続パッド部上に設けられた複数の柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを有する少なくとも１つの半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられ、前記半導体構成体の前記封止膜の上面と面一な上面を有する絶縁シートと、前記絶縁シート上および前記半導体構成体の前記封止膜上に設けられた絶縁材と、前記絶縁材の開口部を介して前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ且つ接続パッド部を有する少なくとも１層の上層再配線とを備え、前記上層再配線のうち、最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部は前記絶縁シート上に対応して配置されていることを特徴とする半導体装置。」
と補正しようとする事項を含むものである。
　
（ｂ）すると、本件補正における、特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、（あ）補正前の請求項１に係る発明の「絶縁シート」について「前記半導体構成体の前記封止膜の上面と面一な上面を有する」という事項を付加すると共に、（い）補正前の請求項１に係る発明に「前記絶縁シート上および前記半導体構成体の前記封止膜上に設けられた絶縁材」という新たな構成要素を付加する補正事項を含むものである。
　そして、これらの限定を付加した補正後の請求項１に係る発明は、審判請求書の請求の理由での主張、及び、平成１９年１２月２６日付けの手続補正書によって補正された本願明細書の【００８３】の記載によれば、「半導体構成体の封止膜の上面と半導体構成体の側方に設けた樹脂シートの上面とを面一とし、この両部材の上に絶縁材を設けているので、絶縁材の上面が平坦となり、上層配線と外部接続用電極の上面の高さ位置が均一となり、その接合の信頼性を向上することができる。」という効果を奏するものと認められれる。
　
（ｃ）特許法第１７条の２第４項第２号は、「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」と定めているから、同号の事項を目的とする補正とは、「特許請求の範囲」を減縮するだけでなく、「発明を特定するために必要な事項」を限定するものであり、更に、補正前と補正後の対応する請求項に記載された発明の「産業上の利用分野及び解決しようとする課題」が同一であることを要するものと解される。そして前記「発明を特定するために必要な事項」とは、特許法「第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項」とあることから、特許法第第三十六条第五項の「各請求項ごとに特許出願人が特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載しなければならない。」との規定により請求項に記載した事項「すべて」のうちの「個々の事項」を意味するものと解される。
　
（ｄ）補正事項（あ）について
　補正前の請求項１は、前記（ａ）のとおりであるところ、絶縁シートの「半導体構成体の側方に設けられた」ことは記載されているが、「前記半導体構成体の前記封止膜の上面と面一な上面を有する」ことについては、全く記載されていない。
　そして、「絶縁シート」の「半導体構成体の側方に設けられた」ことは、「絶縁シート」と「半導体構成体」との位置関係を特定することによって発明を特定することが必要であると特許出願人が認めたため、特許法第三十六号第五項の規定により、補正前の請求項１に記載された事項であり、一方、「前記半導体構成体の前記封止膜の上面と面一な上面を有する」は、補正前の請求項１に記載されていなかった「絶縁シート」の「形状」という概念において補正後の請求項１に係る発明を特定しようとする事項であるといえる。
　そうすると、補正前の請求項１の発明を特定するために必要な事項として、絶縁シートの「形状」という概念において発明を特定しようとする事項が含まれていない以上、「絶縁シート」の「形状」を特定しようとする前記補正事項は、発明を特定するために必要な事項を限定するものとは認められない。
　
（ｅ）補正事項（い）について
　同様に、補正前の請求項１に記載されていなかった、「前記絶縁シート上および前記半導体構成体の前記封止膜上に設けられた絶縁材」という構成要素を新たに付加する前記補正事項もまた、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項を限定するものとは認められない。
　したがって、補正事項（あ）、（い）を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とする補正であるとは認められない。
　
（ｆ）更に、特許法第１７条の２第４項第２号の事項を目的とする補正とは、補正前と補正後の対応する請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であることを要するところ、補正前の請求項１に係る発明の解決しようとする課題が「最上層の上層再配線の接続パッド部の数が増加しても、そのサイズおよびピッチを必要な大きさにすることが可能となる。」ことであるのに対して、これに対応する補正後の請求項１に係る発明の解決しようとする課題は、補正前の請求項１に係る発明の解決しようとする課題とは異なる「半導体構成体の封止膜の上面と半導体構成体の側方に設けた樹脂シートの上面とを面一とし、この両部材の上に絶縁材を設けているので、絶縁材の上面が平坦となり、上層配線と外部接続用電極の上面の高さ位置が均一となり、その接合の信頼性を向上することができる。」という課題をも含むものである。
　そうすると、本件補正は「その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。」という要件をも満たしていないといえる。
　してみれば、本件補正はこの点においても特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とする補正であるとは認められない。
　
（ｇ）したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年１２月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年１月２２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、下記のとおりのものであると認める。
「【請求項１】半導体基板上に設けられた複数の接続パッドと、該接続パッドに接続された複数の柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを有する少なくとも１つの半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられた絶縁シートと、前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ且つ接続パッド部を有する少なくとも１層の上層再配線とを備え、前記上層再配線のうち、最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部は前記絶縁シート上に対応して配置されていることを特徴とする半導体装置。」
　
（３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００２−２４６７２２号公報（以下、「引用例１」という。）、及び、特開２００１−２５０８３６号（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
　特開２００２−２４６７２２号公報（引用例１）
（１ａ）「【請求項１】コア基板に形成された通孔又は凹部にＩＣチップを収容してなるプリント配線板において、前記通孔又は凹部とＩＣチップとの間に介在させる充填樹脂の弾性率を２５０Kgf/mm2以下にしたことを特徴とするプリント配線板。」（【特許請求の範囲】）  
 　 
（１ｂ）「【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップなどの電子部品を内蔵するプリント配線板に関するのもである。」（【０００１】） 
 　 
（１ｃ）「それぞれに多層プリント配線板だけで機能を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置としてのパッケージ基板としての機能させるために外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタンスも低減できる。」（【００１１】） 
 　 
（１ｄ）「本願発明に用いられるＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。」（【００１２】） 
 　 
（１ｅ）「【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、当該多層プリント配線板１０の断面を示す図７を参照して説明する。図７に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている。ＩＣチップ２０には、パッシベーション膜２４が被覆され、該パッシベーション膜２４の開口内に入出力端子を構成するダイパッド２２が配設されている。パッド２２の上には、主として銅からなるトランジション層３８が形成されている。」（【００１７】−【００１９】） 
　
（１ｆ）「引き続き、図７を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説明する。（１）先ず、図１（Ａ）に示す多数個取り用ＩＣチップを、ダイシングにより図１（Ｂ）に示すように個片に切断すると共に、角部２０ａを研磨により半円状に面取りする。（２）一方、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料として用意する（図２（Ａ）参照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でＩＣチップ収容用の凹部３２を形成する（図２（Ｂ）参照）。ここでは、ザグリ加工により凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成できる。・・・（４）そして、ＩＣチップ２０の上面を押す、もしくは叩いて凹部３２内に完全に収容させる（図２（Ｄ）参照）。これにより、コア基板３０を平滑にすることができる。」（【００３０】−【００３５】）
　
（１ｇ）「（８）上記工程を経た基板に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図４（Ｂ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。」（【００４１】） 
　
（１ｈ）「（１４）次いで、上記（８）〜（１３）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図６（Ａ）参照）。」（【００４８】）
　
（１ｉ）「次に、第１実施形態の第４改変例に係る多層プリント配線板について、図１１を参照して説明する。上述した第１実施形態では、多層プリント配線板内にＩＣチップを収容した。これに対して、第４改変例では、多層プリント配線板内にＩＣチップ２０を収容すると共に、表面にＩＣチップ１２０を載置してある。内蔵のＩＣチップ２０としては、発熱量の比較的小さいキャシュメモリが用いられ、表面のＩＣチップ１２０としては、演算用のＣＰＵが載置されている。」（【００７７】）
　
（１ｊ）図１１は、第１実施形態の第４改変例に係る多層プリント配線板の断面図であって、同図からは、該多層プリント配線板は最上層に導体回路１５８を備え、該導体回路は半田バンプ７６Ｕが形成された領域を５カ所備えること、及び該領域のうち、紙面左側から２番目と４番目の領域はＩＣチップ２０上の両端のダイパッド２２と電気的に接続すると共に、両領域がコア基板３０上に対応する領域に配置されていることを読み取ることができる。
　
　特開２００１−２５０８３６号公報（引用例３）
（２ａ）「【請求項１】　基板上に該基板よりもサイズの小さいＣＳＰが１段または複数段設けられ、前記ＣＳＰの周囲における前記基板上に樹脂封止層が設けられ、前記ＣＳＰ下に中継配線が設けられ、前記ＣＳＰのうち最上段のＣＳＰ上に再配線が設けられ、前記樹脂封止層中に前記中継配線と前記再配線とを接続する層間配線ポストが設けられていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
　
（２ｂ）「【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施形態における半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は下部ＣＳＰ１を備えている。下部ＣＳＰ１は、図２に示すように、平面方形状のシリコン基板２の上面外周部に複数の接続パッド３が設けられ、接続パッド３の中央部を除くシリコン基板２の上面に絶縁膜４が設けられ、絶縁膜４に設けられた開口部５を介して露出された接続パッド３の上面から絶縁膜４の上面の所定の箇所にかけて配線６が設けられ、配線６の先端パット部上に電極ポスト（バンプ電極）７が設けられ、電極ポスト７の周囲において配線６を含む絶縁膜４の上面に樹脂封止層８が設けられた構造となっている。この場合、配線６はベタ状ではないが、図１においては、図示の都合上、ベタ状としている。なお、この第１実施形態において後述するＣＳＰ１３、２３も、基本的には、上記と同様な構造となっている。下部ＣＳＰ１の上面には第１の中継配線１１が設けられている。この場合も、第１の中継配線１１はベタ状ではないが、図１においては、図示の都合上、ベタ状としている。そして、第１の中継配線１１は下部ＣＳＰ１の電極ポスト７に接続されている。また、第１の中継配線１１は下部ＣＳＰ１の上面周辺部まで延出され、この延出端部によって延出端パット部１１ａが形成されている。第１の中継配線１１の延出端パット部１１ａの内側において第１の中継配線１１を含む下部ＣＳＰ１の上面には接着剤１２を介して平面方形状の第１のＣＳＰ１３が設けられている。この場合、第１のＣＳＰ１３のサイズは下部ＣＳＰ１のサイズよりも小さくなっている。第１のＣＳＰ１３は、簡単に説明すると、シリコン基板１４の上面に設けられた絶縁膜１５の上面に配線１６が設けられ、配線１６の先端パット部上に電極ポスト１７が設けられ、電極ポスト１７の周囲に樹脂封止層１８が設けられた構造となっている。」（【０００７】−【０００９】）
　
（２ｃ）「また、上記各実施形態では、下部ＣＳＰ１上に第１および第２のＣＳＰ１３、２３を順次積層した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図２５に示すこの発明の第５実施形態のように、ガラス基板、セラミック基板、金属基板、シリコン基板等からなる大型回路基板７１上に第１および第２のＣＳＰ１３、２３を順次積層するようにしてもよい。ここで、大型回路基板７１とは、上述したウエハレベルＣＳＰに対応するもので、ダイシングストリート４１に沿ってダイシングすると、複数の個片の回路基板７１Ａを得ることができるものである。」（【００５２】）
　
（２ｄ）「上記各実施形態では、下部ＣＳＰまたは回路基板上にＣＳＰを積層した場合について説明したが、これに限らず、ベアチップを積層するようにしてもよい。」（【００６１】）
 　 
（３−２）当審の判断 
（３−２−１）引用例１に記載の発明 
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｂ）、（１ｄ）−（１ｊ）をまとめると、引用例１には、
「（ａ）パッシベーション膜２４が被覆され、該パッシベーション膜２４の開口内に入出力端子を構成するダイパッド２２が配設されているＩＣチップと、
（ｂ）ガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどからなる絶縁樹脂基板の、片面に、ザグリ加工でＩＣチップ収容用の凹部３２を形成したか、開口を設けた前記絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるようにしたコア基板と、
（ｃ）コア基板の前記凹部３２内に、ＩＣチップ２０の上面を押す、もしくは叩いて完全に収容して平滑にしたものに、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートして設けた層間樹脂絶縁層５０とを備えた多層プリント配線板であって、
（ｄ）前記多層プリント配線板は最上層に導体回路１５８を備え、該導体回路は半田バンプ７６Ｕが形成された領域を備え、少なくとも一部の前記領域はＩＣチップ２０のダイパッド２２に電気的に接続されると共に、コア基板３０上に対応する領域に配置されている多層プリント配線板」
の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３−２−２）対比 
　本願発明と引用例１発明とを対比する。
（ａ）引用例１発明の「入出力端子を構成するダイパッド２２」は、本願発明の「半導体基板上に設けられた複数の接続パッド」に相当する。また、ＩＣチップが半導体基板によって構成されていることは技術常識である。そうすると、引用例１発明のＩＣチップと本願発明の半導体構成体は「半導体基板上に設けられた複数の接続パッドを有する半導体構成体」の範囲で一致する。
　
（ｂ）引用例１発明の「片面に、ザグリ加工でＩＣチップ収容用の凹部３２を形成したか、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるようにした」コア基板は、本願発明の「半導体構成体の側方に設けられた絶縁シート」に相当する。
　
（ｃ）引用例１発明の「最上層に導体回路１５８」、「半田バンプ７６Ｕが形成された領域」、「コア基板３０上に対応する領域に配置されている」は、それぞれ順に、本願発明の「最上層の上層再配線」、「接続パッド部」、「第１の絶縁シート上に対応して配置」に相当する。
　
（ｄ）引用例１発明の「多層プリント配線板」と、本願発明の「半導体装置」は、「構造物」の範囲で一致する。
　
　そうすると、本願発明と引用例１発明は、 
「半導体基板上に設けられた複数の接続パッドを有する少なくとも１つの半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられた絶縁シートと、前記半導体構成体の接続パッドに接続されて設けられ且つ接続パッド部を有する少なくとも１層の上層再配線とを備え、前記上層再配線のうち、最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部は前記絶縁シート上に対応して配置されていることを特徴とする構造物。」
の点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
　相違点１：本願発明が「半導体装置」に係る発明であるのに対して、引用例１発明が「多層プリント配線板」に係る発明である点。
　
　相違点２：本願発明の半導体構成体が「接続パッドに接続された複数の柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを有する」のに対して、引用例１発明のＩＣチップは、このような部材を具備するとは記載されていない点。
　
（３−２−３）判断 　 
（あ）相違点１について 
　引用例１の上記摘記（１ｃ）には、「それぞれに多層プリント配線板だけで機能を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置としてのパッケージ基板としての機能させるために外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタンスも低減できる。」と記載されている。
　してみれば、多層プリント配線板だけで機能を果たす「多層プリント配線板」に係る引用例１発明に、引用例１の上記摘記（１ｃ）における示唆を適用して、「多層プリント配線板」を、半導体装置としてのパッケージ基板として機能させるために、外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のためのＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を前記「多層プリント配線板」に配設して、引用例１発明の「多層プリント配線板」を「半導体装置」となすことは、当業者が容易に想到し得たことであると認められる。また、そのような構成としたことによる効果も当業者が予測する範囲のものである。
　
（い）相違点２について
　引用例３の上記摘記（２ａ）−（２ｃ）をまとめると、引用例３には、
「基板上に該基板よりもサイズの小さいＣＳＰが設けられ、前記ＣＳＰの周囲における前記基板上に樹脂封止層が設けられ、前記ＣＳＰ上に再配線が設けられた半導体装置であって、
　前記ＣＳＰは、平面方形状のシリコン基板の上面外周部に複数の接続パッドが設けられ、接続パッドの中央部を除くシリコン基板の上面に絶縁膜が設けられ、絶縁膜に設けられた開口部を介して露出された接続パッドの上面から絶縁膜の上面の所定の箇所にかけて配線が設けられ、配線の先端パット部上に電極ポストが設けられ、電極ポストの周囲において配線を含む絶縁膜の上面に樹脂封止層が設けられた構造を有する半導体装置。」
の発明（以下、「引用例３発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　そして、本願発明と、引用例３発明とを対比すると、
（ａ）引用例３発明の「平面方形状のシリコン基板」、「電極ポスト」、「電極ポストの周囲において配線を含む絶縁膜の上面に設けられた樹脂封止層」、「ＣＳＰ」、「再配線」は、それぞれ本願発明の「半導体基板」、「接続パッドに接続された複数の柱状の外部接続用電極」、「外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜」、「半導体構成体」、「上層再配線」に相当する。
（ｂ）引用例３発明の「ＣＳＰの周囲における基板上に設けられた樹脂封止層」と、本願発明の「半導体構成体の側方に設けられた絶縁シート」は、「半導体構成体の側方に設けられた絶縁材」の範囲で一致する。
　
　そうすると、引用例３には、
「半導体基板上に設けられた複数の接続パッドと、該接続パッドに接続された複数の柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを有する少なくとも１つの半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられた絶縁材と、前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けらた上層再配線とを備えた半導体装置。」に係る発明が開示されているといえる。
　
　一方、引用例３の上記摘記（２ｄ）には、「上記各実施形態では、下部ＣＳＰまたは回路基板上にＣＳＰを積層した場合について説明したが、これに限らず、ベアチップを積層するようにしてもよい。」と記載されており、引用例３において「ＣＳＰ」と「ベアチップ」とが、互いに置き換え可能な部材として認識されていたことが理解できる。
　
　してみれば、引用例１と引用例３に接した当業者であれば、引用例１と引用例３に「半導体基板上に設けられた複数の接続パッドを有する半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられた絶縁材と、前記半導体構成体の接続パッドに接続されて設けらた上層再配線とを備えた構造物」という点において同一の技術分野に属する発明が記載されており、また、引用例１の「ＩＣチップ」が引用例３の「ベアチップ」に相当することから、引用例３の前記「ＣＳＰ」と「ベアチップ」が互いに置き換え可能な部材であるとの示唆に基づいて、引用例１発明の「ＩＣチップ」、すなわち「ベアチップ」を、「ＣＳＰ」、すなわち「半導体基板上に設けられた複数の接続パッドと、該接続パッドに接続された複数の柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを有する少なくとも１つの半導体構成体」に置き換えることは、当業者が容易になし得たことであると認められる。また、このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測する程度のものに過ぎない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。