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【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】低減した間隔を有する記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記憶装置であって、
基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）と、
前記ＳＵＬ上の磁気記録層と、
前記磁気記録層の上面の強磁性オーバーコートとを備え、
保護オーバーコート層または潤滑層は、前記強磁性オーバーコートを覆っておらず、
前記強磁性オーバーコートは、約１００−１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する、磁気記憶装置。
【請求項２】
前記強磁性オーバーコートは、前記装置のヘッド媒体間隔（ＨＭＳ）またはヘッド・キーパ間隔（ＨＫＳ）の有効磁気間隔を、０．１オングストロームと１００オングストロームの間に低減し、強磁性オーバーコートを採用しない装置に比べて、前記装置の面積密度を、約１０〜２５％増加する、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記強磁性オーバーコートは、前記強磁性オーバーコートの垂直厚さ方向に濃度が傾斜する炭素を含み、
前記炭素濃度は、前記強磁性オーバーコートの上面に向かう方が前記磁気記録層の表面に向かう方より高い、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記強磁性オーバーコートは、Ｎｉ−Ｆｅ−ＣまたはＮｉ−Ｃｏ−Ｃを含む、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
垂直磁気記録デバイスであって、
基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）と、
前記ＳＵＬ上の磁気記録層と、
前記磁気記録層を覆う強磁性オーバーコートとを備え、
保護オーバーコート層または潤滑層は、前記強磁性オーバーコートを覆っておらず、
前記強磁性オーバーコートは、約１００−１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する、垂直磁気記録デバイス。
【請求項６】
前記強磁性オーバーコートは、前記垂直磁気記録デバイスのヘッド媒体間隔（ＨＭＳ）またはヘッド・キーパ間隔（ＨＫＳ）の有効磁気間隔を、０．１オングストロームと１００オングストロームの間に低減し、強磁性オーバーコートを採用しない垂直磁気記録デバイスに比べて、前記デバイスの面積密度を、約１０〜２５％増加する、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
【請求項７】
前記強磁性オーバーコートは、前記強磁性オーバーコートの垂直厚さ方向に濃度が傾斜する炭素を含み、
前記炭素濃度は、前記強磁性オーバーコートの上面に向かう方が前記磁気記録層の表面に向かう方より高い、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
【請求項８】
前記強磁性オーバーコートは、硬磁性層を含むか、あるいは、前記強磁性オーバーコートは、ヘッド−ディスク接触からの保護を提供する、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
【請求項９】
前記強磁性オーバーコートは、約０．１−１００オングストロームの厚さを有する、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
【請求項１０】
前記強磁性オーバーコートは、約０．５−５０オングストロームの厚さを有する、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
【請求項１１】
前記強磁性オーバーコートは、Ｎｉ−Ｆｅ−ＣまたはＮｉ−Ｃｏ−Ｃを含む、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
【請求項１２】
方法であって、
基板上に軟磁性下地層（ＳＵＬ）を堆積するステップと、
前記ＳＵＬ上に磁気記録層を堆積するステップと、
前記磁気記録層の上面に強磁性オーバーコートを堆積するステップとを備え、
保護オーバーコート層または潤滑層は、前記強磁性オーバーコートを覆っておらず、
前記強磁性オーバーコートを堆積するステップは、約１００−１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する強磁性オーバーコートを堆積するステップを含む、方法。
【請求項１３】
方法であって、
基板上に軟磁性下地層（ＳＵＬ）を堆積するステップと、
前記ＳＵＬ上に垂直磁気記録層を堆積するステップと、
前記垂直磁気記録層を覆う強磁性オーバーコートを堆積するステップとを備え、
保護オーバーコート層または潤滑層は、前記強磁性オーバーコートを覆っておらず、
前記強磁性オーバーコートを堆積するステップは、約１００−１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する強磁性オーバーコートを堆積するステップを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略棒状に形成された芯体の一端が筐体の外側に突出するように収納され、前記芯体を介して加わる外力により静電容量が変化する可変容量コンデンサを有する位置指示器であって、
前記可変容量コンデンサは、対向する２面を有する誘電体と、
前記誘電体の前記対向する２面のうち一方の面に設けられた第１の電極部と、を備え、前記芯体を介して加わる前記外力により前記誘電体の前記２面のうち他方の面に当接するとともに前記外力に応じて当接面積が変化する導電部材と、前記導電部材を前記誘電体の前記他方の面から離れる方向に付勢する弾性部材とからなる第２の電極部を設けたことを特徴とする、
位置指示器。
【請求項２】
前記第２の電極部の前記弾性部材は、導電性を有するとともに前記導電部材と電気的に接続されていることを特徴とする、
請求項１に記載の位置指示器。
【請求項３】
前記第２の電極部の前記弾性部材は、弾性を有する巻回部を備え、前記巻回部の前記弾性により前記導電部材を前記誘電体の前記他方の面から離れる方向へ付勢するようにしたことを特徴とする、
請求項２に記載の位置指示器。
【請求項４】
前記第２の電極部の前記弾性部材は、前記巻回部の一方の端部に形成された第１の端子部と、前記巻回部の他方の端部を前記巻回部の内側方向へ折り曲げて形成した第２の端子部と、を備え、
前記弾性部材は、前記第２の端子部において前記導電部材と電気的に接続されていることを特徴とする、
請求項３に記載の位置指示器。
【請求項５】
前記導電部材が取り付けられる保持部材をさらに備え、
前記弾性部材は、前記第２の端子部が前記導電部材と前記保持部材とにより挟持されて前記保持部材に取り付けられる
請求項４に記載の位置指示器。
【請求項６】
前記保持部材は、前記導電部材を取り付けるための凹部を備え、
前記導電部材は、前記弾性部材の前記巻回部の内側に位置するように前記保持部材の前記凹部に取り付けられることを特徴とする、請求項５に記載の位置指示器。
【請求項７】
前記保持部材の前記凹部には、前記第２の端子部が係合される切り欠きが設けられていることを特徴とする、請求項６に記載の位置指示器。
【請求項８】
前記第１の電極部と前記誘電体と前記第２の電極部と前記保持部材とを収納するための略筒状のホルダを更に設け、
前記ホルダの内壁に前記ホルダの半径方向の内側へ延在して形成された凸部を設けることで、前記凸部により前記ホルダの軸方向における前記誘電体の位置と、前記弾性部材の位置とを規制するようにしたことを特徴とする、
請求項７に記載の位置指示器。
【請求項９】
前記ホルダは、前記誘電体と前記第２の電極部と前記保持部材とが収納される中空部と、壁部と、該壁部に設けられた第１の係合部と、を備え、
前記保持部材は、前記第１の係合部に係合されて前記ホルダに収納されることを特徴とする、
請求項８に記載の位置指示器。
【請求項１０】
前記第１の電極部に当接する接点部と、第２の係合部とを有し、且つ弾性を有する端子部材をさらに設け、
前記端子部材は、前記第２の係合部が前記ホルダに係合することで前記ホルダに取り付けられるとともに、前記接点部が前記第１の電極部に押圧されることを特徴とする、
請求項１に記載の位置指示器。
【請求項１１】
前記第２の電極部の前記第１の端子部は、前記筐体の長手方向に延伸されるとともに前記誘電体側から前記ホルダの外側へ突出するように形成されていることを特徴とする、
請求項８に記載の位置指示器。
【請求項１２】
前記筐体と前記ホルダとを一体成形したことを特徴とする、
請求項１１に記載の位置指示器。
【請求項１３】
略棒状に形成された芯体の一端が筐体の外側に突出するように収納され、前記芯体を介して加わる外力を検出可能な位置指示器に用いられる可変容量コンデンサであって、
対向する２面を有する誘電体と、
前記誘電体の前記対向する２面のうち一方の面に設けられた第１の電極部と、を備え、
前記外力により前記誘電体の前記２面のうち他方の面に当接するとともに前記外力に応じて当接面積が変化する導電部材と、前記導電部材を前記誘電体の前記他方の面から離れる方向に付勢する弾性部材とからなる第２の電極部を設けたことを特徴とする、
可変容量コンデンサ。
【請求項１４】
略棒状に形成された芯体の一端が筐体の外側に突出するように収納され、前記芯体を介して加わる外力により静電容量が変化する可変容量コンデンサを有する位置指示器と、
前記芯体の一端により指示される検出面を有し、前記芯体の前記一端が指示した位置を検出する位置検出装置と、を備え、
前記可変容量コンデンサは、
対向する２面を有する誘電体と、
前記誘電体の前記対向する２面のうち一方の面に設けられた第１の電極部と、を備え、
前記芯体を介して加わる前記外力により前記誘電体の前記２面のうち他方の面に当接するとともに前記外力に応じて当接面積が変化する導電部材と、前記導電部材を前記誘電体の前記他方の面から離れる方向に付勢する弾性部材とからなる第２の電極部を設けたことを特徴とする、
入力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の位置指示器は、略棒状に形成された芯体の一端が筐体の外側に突出するように収納され、芯体を介して加わる外力により静電容量が変化する可変容量コンデンサを有する位置指示器である。この可変容量コンデンサは、対向する２面を有する誘電体と、誘電体の対向する２面のうち一方の面に設けられた第１の電極部と、を備え、芯体を介して加わる外力により誘電体の２面のうち他方の面に当接するとともに、外力に応じて当接面積が変化する導電部材と、導電部材を誘電体の他方の面から離れる方向に付勢する弾性部材とからなる第２の電極部を設けている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の可変容量コンデンサは、上述したとおりのものであり、対向する２面を有する誘電体と、誘電体の対向する２面のうち一方の面に設けられた第１の電極部と、を備える。そして、外力により誘電体の２面のうち他方の面に当接するとともに外力に応じて当接面積が変化する導電部材と、導電部材を誘電体の他方の面から離れる方向に付勢する弾性部材とからなる第２の電極部を設けている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の入力装置は、略棒状に形成された芯体の一端が筐体の外側に突出するように収納され、芯体を介して加わる外力により静電容量が変化する可変容量コンデンサを有する位置指示器と、芯体の一端により指示される検出面を有し、芯体の一端が指示した位置を検出する位置検出装置と、を備える。
そして、ここで用いられる可変容量コンデンサは、対向する２面を有する誘電体と、誘電体の対向する２面のうち一方の面に設けられた第１の電極部と、を備え、芯体を介して加わる外力により誘電体の２面のうち他方の面に当接するとともに、外力に応じて当接面積が変化する導電部材と、この導電部材を誘電体の他方の面から離れる方向に付勢する弾性部材とからなる第２の電極部を設けている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応炉内に処理対象の基板を収容し、前記基板にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、
前記基板に前記エピタキシャル層を形成するためのソースガスを供給して気相成長させる気相成長工程において、所定の時点まで前記ソースガスだけを供給し、前記所定の時点から前記ソースガスと塩化水素を共に供給するエピタキシャルウェーハ製造方法。
【請求項２】
前記塩化水素の供給量は、前記気相成長によるエピタキシャル層の成長を維持可能な範囲である
請求項１に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。
【請求項３】
前記反応炉は、前記基板を収容する、少なくとも一部が石英で構成された収容部を有し、前記石英の部分を介して前記収容部内を加熱し、又は前記石英の部分を介して前記収容部内の温度を測定することにより、前記収容部内の温度の制御を行う
請求項１又は請求項２に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。
【請求項４】
前記気相成長工程の終了近傍において、前記塩化水素の供給量を変化させる
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハ製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ピックアップ駆動装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を対物レンズに導く光学部品が組み込まれ、一方の側に設けられ、円形の断面の主ガイド軸が挿通されるガイド孔を有した主支持アームと、前記主支持アームが設けられた側と対向する側に設けられ、副ガイド軸が挿通される副支持アームとを有する光ピックアップ装置と、
前記主支持アームに挿通された主ガイド軸と、
前記副支持アームに挿通された副ガイド軸と、
ターンテーブルが嵌合された回転軸と、前記回転軸を回転させる軸受と、前記軸受を内側に設けた回転軸支持部材を有するスピンドルモーターと、
前記回転軸支持部材が固定され、前記回転軸支持部材が配置された方の前記主ガイド軸の一端を支持する支持部材とを有するモーター基板とを有し、
前記支持部材は、前記主ガイド軸の水平方向を規制する側面位置規制部と、前記主ガイド軸の上下方向を規制する下面位置規制部を有し、前記モーター基板に一体で設けられたことを特徴とした光ピックアップ駆動装置。
【請求項２】
前記モーター基板には、凹部が設けられ、前記凹部に回転軸支持部材が固定された請求項１に記載の光ピックアップ駆動装置。
【請求項３】
前記モーター基板を固定した固定基板には、前記主ガイド軸の他端を固定する固定部材が設けられ、
前記主ガイド軸の一端を押圧して固定する主ガイド軸固定部材が、前記固定板に固定されている請求項１または請求項２に記載の光ピックアップ駆動装置。
【請求項４】
前記側面位置規制部は二つ設けられ、前記主ガイド軸の両側面と当接する請求項３に記
載の光ピックアップ駆動装置。
【請求項５】
前記支持部材に前記主ガイド軸が挿入される円形孔が設けられ、前記主ガイド軸の一端が前記円形孔に挿入されて固定される請求項３に記載の光ピックアップ駆動装置。
【請求項６】
前記モーター基板および前記支持部材は、プレス加工により形成される請求項１〜請求項５のいずれかに記載の光ピックアップ駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重なり合って接合された二つの半導体基板と、
前記二つの半導体基板の少なくとも一方から他方に向けて突出して設けられた識別部とを含み、
前記識別部の突出量は、接合後において他方の前記半導体基板に当接しない大きさに設定されている積層半導体装置。
【請求項２】
前記二つの半導体基板の接合面の間に配置され、前記二つの半導体基板を電気的に接続する端子部を備え、
前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部の高さは、接合された前記二つの半導体基板の間隔の大きさ以下である請求項１に記載の積層半導体装置。
【請求項３】
前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部の高さは、前記識別部が設けられた前記接合面からの前記端子部の高さ以下である請求項２に記載の積層半導体装置。
【請求項４】
前記端子部は、前記二つの半導体基板の少なくとも一方の接合面に配されたバンプを有し、
前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部の高さは、前記バンプが設けられた前記接合面からの前記バンプの高さ以下である請求項３に記載の積層半導体装置。
【請求項５】
前記端子部は、前記二つの半導体基板の一方の前記半導体基板の前記接合面に配された第１バンプと、他方の前記半導体基板の前記接合面に配された第２バンプとを有し、
前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部の高さは、前記第１バンプが設けられた前記接合面からの前記第１バンプの高さと、前記第２バンプが設けられた前記接合面からの前記第２バンプの高さとの合計以下である請求項３に記載の積層半導体装置。
【請求項６】
前記識別部は、前記二つの半導体基板の双方の前記接合面に設けられ、
前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部のそれぞれの高さの合計は、前記第１バンプ及び前記第２バンプの高さの合計以下である請求項５に記載の積層半導体装置。
【請求項７】
前記識別部は、前記二つの半導体基板の双方の前記接合面に設けられ、
前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部のそれぞれの高さの合計は、接合された前記二つの半導体基板の間隔の大きさ以下である請求項２から６のいずれか一項に記載の積層半導体装置。
【請求項８】
前記識別部は、識別マークと、前記識別マークの周縁から隆起する周縁部とを有し、
前記識別部が設けられた前記接合面からの前記周縁部の高さは、接合された前記二つの半導体基板の間隔の大きさ以下である請求項２から７のいずれか一項に記載の積層半導体装置。
【請求項９】
前記識別部は、レーザを前記半導体基板に照射することにより形成された請求項１から請求項８までの何れか１項に記載の積層半導体装置。
【請求項１０】
前記間隔は、前記二つの半導体基板の間に補強のためのアンダーフィルが充填可能な大きさである請求項２に記載の積層半導体装置。
【請求項１１】
二つの半導体基板の少なくとも一方の接合面に識別部を形成する識別形成工程と、
前記二つの半導体基板の間に、前記二つの半導体基板を電気的に接続する端子部を形成する端子部形成工程と、
前記二つの半導体基板を互いに重ねて接合する接合工程とを有し、
前記接合工程、前記識別形成工程、および、前記端子部形成工程の少なくとも一つの工程において、前記識別部が設けられる前記接合面からの前記識別部の高さを、相対的に、前記端子部によって形成される前記二つの半導体基板の間隔の大きさ以下にする積層半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記端子部形成工程では、前記二つの半導体基板の少なくとも一方の前記接合面にバンプを形成し、
前記接合工程、前記識別形成工程、および、前記端子部形成工程の少なくとも一つの工程において、前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部の高さを、相対的に前記バンプが設けられた前記接合面からの前記バンプの高さ以下にする請求項１１に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記端子部形成工程では、前記二つの半導体基板の一方の前記半導体基板の前記接合面に第１バンプを形成し、他方の前記半導体基板の前記接合面に第２バンプを形成し、
前記接合工程、前記識別形成工程、および、前記端子部形成工程の少なくとも一つの工程において、前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部の高さを、相対的に、前記第１バンプが設けられた前記接合面からの前記第１バンプの高さと、前記第２バンプが設けられた前記接合面からの前記第２バンプの高さとの合計以下にする請求項１１に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記識別形成工程では、前記二つの半導体基板の双方の前記接合面に前記識別部を形成し、
前記接合工程、前記識別形成工程、および、前記端子部形成工程の少なくとも一つの工程において、前記識別部が設けられた前記接合面からの前記識別部のそれぞれの高さの合計を、相対的に、前記第１バンプ及び前記第２バンプの高さの合計以下にする請求項１３に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記識別部は、識別と、前記識別の周縁から隆起する周縁部とを有し、
前記接合工程、前記識別形成工程、および、前記端子部形成工程の少なくとも一つの工程において、前記識別部が設けられた前記接合面からの前記周縁部の高さを、相対的に、接合された前記二つの半導体基板の間隔の大きさ以下にする請求項１１から１４のいずれか一項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記識別形成工程では、レーザを前記半導体基板の前記接合面に照射することにより前記接合面に前記識別部を形成する請求項１１から１５までの何れか１項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接合工程では、前記二つの半導体基板を加圧することにより接合し、加圧力を調整することにより、前記二つの半導体基板の間隔の大きさを調整する請求項１１から１６のいずれか一項に記載の積層半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
重なり合って接合された二つの半導体基板と、
二つの半導体基板の少なくとも一方から他方に向けて突出した識別部を設ける段階と、
前記二つの半導体基板を重なり合わせて接合する段階とを含み、
前記識別部の突出量は、他方の前記半導体基板に当接しない大きさに設定されている積層半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層半導体装置、及び、積層半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部電極、誘電体層及び上部電極が順次形成された薄膜キャパシタにおいて、前記下部電極及び前記上部電極のうち少なくとも前記上部電極が、Ｐｔを含まない窒化物の層と該層の上にあるＰｔを含まない金属の層とを含む積層電極である、ことを特徴とする薄膜キャパシタ。
【請求項２】
前記窒化物が、高融点金属を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜キャパシタ。
【請求項３】
前記窒化物の層と積層する前記金属の層が、前記窒化物に含まれる高融点金属と同じ金属を含むことを特徴とする請求項２記載の薄膜キャパシタ。
【請求項４】
前記高融点金属が、Ｔａ又はＴｉであることを特徴とする請求項２又は３記載の薄膜キャパシタ。
【請求項５】
前記窒化物が、Ｓｉを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月3日(2012.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
（参考例２３）
金属元素含有化合物として硝酸アルミニウム１０ｇと、Ｓｉ元素源として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（ＫＢＭ５０３  信越化学社製）を３ｇと、ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）１ｇを水４０ｇとエタノール１０ｇの混合溶媒に加えて溶解させ、負極活物質として平均粒径１μｍのチタン酸リチウム粒子を１０ｇと、アセチレンブラック（デンカブラック粉状、電気化学工業社製）を１ｇ混合させて、エクセルオートホモジナイザー（株式会社日本精機製作所）で８０００ｒｐｍの回転数で３０分間混練することによって負極活物質層形成用塗工液を調製した。次に集電体として厚み１５μｍのアルミニウム箔を準備し、当該集電体の一面側に、上記負極活物質層形成溶液を、アプリケーターで最終的に得られる電極活物質層の厚みが５μｍとなる量で、当該集電体の一面側に上記にて調製した。次に、表面に電極活物質層形成用塗膜が形成された集電体を、大気雰囲気にて２０分かけて４００℃まで昇温させ、その後、直ちに取り出すことで、酸化アルミニウムと酸化ケイ素とが含有される負極活物質層を形成することで、参考例２３の負極板を作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
【表１】
2011228291.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信システムにおける基地局であって、
スケジューリングの対象ユーザ各々について計算されたスケジューリングメトリックに基づいて、無線リソースを対象ユーザに割り当てるスケジューリング部と、
ユーザ毎に利用可能データ量を計算するデータ量計算部と
を有し、前記データ量計算部は、スケジューリングの対象ユーザに無線リソースが割り当てられた場合、割り当てられた無線リソースにより通信されるデータ量を、該対象ユーザの利用可能データ量から減算し、
前記データ量計算部は、無線リソースの割当単位期間を複数個含む制御周期毎に、セル内のユーザ各々の利用可能データ量を、基準データ量以下のデータ量に更新し、
前記スケジューリング部は、各ユーザの利用可能データ量に基づいて、スケジューリングの対象ユーザを選択し、
前記スケジューリングの対象ユーザは、利用可能データ量が残っているユーザと、利用可能データ量が残ってはいないが高優先度の情報の通信を予定しているユーザとを含み、
前記基準データ量以下のデータ量は、前記基準データ量又は前記基準データ量に各自の利用可能データ量を加えたものの内、いずれか少ない方である、移動通信システムにおける基地局。
【請求項２】
前記高優先度の情報に付随するフラグが、所定値に設定されている、請求項１記載の基地局。
【請求項３】
前記高優先度の情報は、音声信号、リアルタイムデータ信号又は制御信号により通信される、請求項２記載の基地局。
【請求項４】
前記基準データ量は、コアネットワークから通知されたユーザ毎の上限レート及び前記制御周期から導出される、請求項１ないし３の何れか１項に記載の基地局。
【請求項５】
スケジューリングの対象ユーザに無線リソースが割り当てられた場合に、前記データ量計算部が、利用可能データ量から減算するデータ量は、トランスポートブロックサイズが示すデータ量である、請求項１ないし４の何れか１項に記載の基地局。
【請求項６】
スケジューリングの対象ユーザに無線リソースが割り当てられた場合に、前記データ量計算部が、利用可能データ量から減算するデータ量は、ＭＡＣ  ＳＤＵが示すデータ量である、請求項１ないし４の何れか１項に記載の基地局。
【請求項７】
前記データ量計算部は、前記制御周期毎に、ユーザが通信するデータの有無を検査し、通信するデータが存在するユーザの利用可能データ量を、基準データ量以下のデータ量に更新する、請求項１ないし６の何れか１項に記載の基地局。
【請求項８】
移動通信システムの基地局における方法であって、
スケジューリングの対象ユーザ各々について計算されたスケジューリングメトリックに基づいて、無線リソースを対象ユーザに割り当てるステップと、
ユーザ毎に利用可能データ量を計算するステップと
を有し、前記利用可能データ量を計算するステップは、スケジューリングの対象ユーザに無線リソースが割り当てられた場合、割り当てられた無線リソースにより通信されるデータ量を、該対象ユーザの利用可能データ量から減算し、
前記利用可能データ量を計算するステップは、無線リソースの割当単位期間を複数個含む制御周期毎に、セル内のユーザ各々の利用可能データ量を、基準データ量以下のデータ量に更新し、
前記無線リソースを対象ユーザに割り当てるステップにおいて、各ユーザの利用可能データ量に基づいて、スケジューリングの対象ユーザを選択し、
前記スケジューリングの対象ユーザは、利用可能データ量が残っているユーザと、利用可能データ量が残ってはいないが高優先度の情報の通信を予定しているユーザとを含み、
前記基準データ量以下のデータ量は、前記基準データ量又は前記基準データ量に各自の利用可能データ量を加えたものの内、いずれか少ない方である、移動通信システムの基地局における方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
開示される発明の一形態による基地局は、
移動通信システムにおける基地局であって、
スケジューリングの対象ユーザ各々について計算されたスケジューリングメトリックに基づいて、無線リソースを対象ユーザに割り当てるスケジューリング部と、
ユーザ毎に利用可能データ量を計算するデータ量計算部と
を有し、前記データ量計算部は、スケジューリングの対象ユーザに無線リソースが割り当てられた場合、割り当てられた無線リソースにより通信されるデータ量を、該対象ユーザの利用可能データ量から減算し、
前記データ量計算部は、無線リソースの割当単位期間を複数個含む制御周期毎に、セル内のユーザ各々の利用可能データ量を、基準データ量以下のデータ量に更新し、
前記スケジューリング部は、各ユーザの利用可能データ量に基づいて、スケジューリングの対象ユーザを選択し、
前記スケジューリングの対象ユーザは、利用可能データ量が残っているユーザと、利用可能データ量が残ってはいないが高優先度の情報の通信を予定しているユーザとを含み、
前記基準データ量以下のデータ量は、前記基準データ量又は前記基準データ量に各自の利用可能データ量を加えたものの内、いずれか少ない方である、移動通信システムにおける基地局である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
白色顔料（Ｃ）が、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉛、硫化亜鉛およびリトポンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを請求項１〜４いずれか記載の太陽電池裏面保護シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
平均粒子径が５〜１００ｎｍの粒子（Ｄ）が、硫酸バリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、マイカおよびホワイトカーボンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜５いずれか記載の太陽電池裏面保護シート。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉛、硫化亜鉛およびリトボンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
また、平均粒子径が５〜１００ｎｍの粒子（Ｄ）は、硫酸バリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、マイカおよびホワイトカーボンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
耐候性樹脂層（１）を形成するための耐候性樹脂組成物（１’）に用いるアクリル共重合体（Ａ）について説明する。
アクリル共重合体（Ａ）は、耐候性樹脂層（１）に強靭性、成形加工性、耐候性、耐湿熱性、耐薬品性を付与するために用いられ、ガラス転位温度が０〜５０℃、重量分子量が３０，０００〜１５０，０００、水酸基価が２〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇであることを必須とする。なお、ここでのガラス転位温度とは、アクリル共重合体（Ａ）を乾燥させて固形分１００％にした樹脂について、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）によって計測したガラス転位温度のことを示す。
アクリル樹脂は耐候性が高く、樹脂としての強度も高い為、耐候性樹脂層（１）として用いるのに適している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
アクリル共重合体（Ａ）のガラス転移温度は、０〜５０℃であることが好ましい。アクリル共重合体（Ａ）のガラス転移温度が５０℃を越える場合には、得られる耐候性樹脂層の湿熱経時での基材への密着性を確保することができずに、ウキやハガレが生じてしまい、０℃未満の場合には、得られる耐候性樹脂層の耐薬品性、表面硬度が低下する上、表面にタックが生じるためロールにした時のブロッキング性が著しく悪化する。なお、ここでのガラス転位温度とは、アクリル共重合体（Ａ）を乾燥させて固形分１００％にした樹脂について、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）によって計測したガラス転位温度のことを示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
＜アクリル樹脂溶液Ａ４＞
冷却管、撹拌装置、温度計、窒素導入管を備えた４つ口フラスコに、メチルメタクリレート１９部、ｎ−ブチルメタクリレート７７部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート２部、ペンタメチルビピペリジニルメタクリレート２部、トルエン１００部を仕込み、窒素雰囲気下で撹拌しながら８０℃まで昇温し、アゾビスイソブチロニトリルを０．１５部加えて２時間重合反応を行い、次に、アゾビスイソブチロニトリルを０．０７部加えてさらに２時間重合反応を行い、更に０．０７部のアゾビスイソブチロニトリルを加えてさらに２時間重合反応を行い、重量平均分子量が９６、０００、水酸基価が８．１（ｍｇＫＯＨ／ｇ）、酸価が０（ｍｇＫＯＨ／ｇ）、Ｔｇが４５℃、固形分５０％のアクリル樹脂溶液Ａ４を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
黒色顔料（Ｃ）以外の平均粒子径が５〜１００ｎｍの粒子（Ｄ）が、硫酸バリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、マイカおよびホワイトカーボンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜５いずれか記載の太陽電池裏面保護シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
黒色顔料（Ｃ）は、カーボンブラックであることが好ましい。
また、黒色顔料（Ｃ）以外の平均粒子径が５〜１００ｎｍの粒子（Ｄ）は、硫酸バリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、シリカ、アルミナ、クレー、タルク、マイカおよびホワイトカーボンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
耐候性樹脂層（１）を形成するための耐候性樹脂組成物（１’）に用いるアクリル共重合体（Ａ）について説明する。
アクリル共重合体（Ａ）は、耐候性樹脂層（１）に強靭性、成形加工性、耐候性、耐湿熱性、耐薬品性を付与するために用いられ、ガラス転位温度が０〜５０℃、重量分子量が３０，０００〜１５０，０００、水酸基価が２〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることを必須とする。なお、ここでのガラス転位温度とは、アクリル共重合体（Ａ）を乾燥させて固形分１００％にした樹脂について、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）によって計測したガラス転位温度のことを示す。
アクリル樹脂は耐候性が高く、樹脂としての強度も高い為、耐候性樹脂層（１）として用いるのに適している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
アクリル共重合体（Ａ）のガラス転移温度は、０〜５０℃であることが好ましい。アクリル共重合体（Ａ）のガラス転移温度が５０℃を越える場合には、得られる耐候性樹脂層の湿熱経時での基材への密着性を確保することができずに、ウキやハガレが生じてしまい、０℃未満の場合には、得られる耐候性樹脂層の耐薬品性、表面硬度が低下する上、表面にタックが生じるためロールにした時のブロッキング性が著しく悪化する。なお、ここでのガラス転位温度とは、アクリル共重合体（Ａ）を乾燥させて固形分１００％にした樹脂について、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）によって計測したガラス転位温度のことを示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
アクリル共重合体（Ａ）が水酸基を有する場合、その水酸基価は、固形分換算で好ましくは２〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇ、より好ましくは５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇ、更に好ましくは５〜５０ｍｇＫＯＨ／ｇである。共重合体（Ａ）の水酸基価が１００ｍｇＫＯＨ／ｇを越える場合には共重合体（Ａ）の保存安定性が低下し、２ｍｇＫＯＨ／ｇ未満の場合には、樹脂組成物の顔料分散性、得られる耐候性樹脂層の強靱性、伸張性、耐薬品性が低くなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
＜アクリル樹脂溶液Ａ４＞
冷却管、撹拌装置、温度計、窒素導入管を備えた４つ口フラスコに、メチルメタクリレート１９部、ｎ−ブチルメタクリレート７７部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート２部、ペンタメチルビピペリジニルメタクリレート２部、トルエン１００部を仕込み、窒素雰囲気下で撹拌しながら８０℃まで昇温し、アゾビスイソブチロニトリルを０．１５部加えて２時間重合反応を行い、次に、アゾビスイソブチロニトリルを０．０７部加えてさらに２時間重合反応を行い、更に０．０７部のアゾビスイソブチロニトリルを加えてさらに２時間重合反応を行い、重量平均分子量が９６、０００、水酸基価が８．１（ｍｇＫＯＨ／ｇ）、酸価が０（ｍｇＫＯＨ／ｇ）、Ｔｇが４５℃、固形分５０％のアクリル樹脂溶液Ａ４を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水系電解質二次電池用正極活物質とその製造方法、および、これを用いた非水系電解質二次電池
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化されたビームを与える個別に制御可能な要素のアレイと、
基板の標的部分上に前記パターン化されたビームを投影し、瞳を定めかつレンズ・アレイを含む投影系と、
前記瞳を定める投影レンズ・コントラスト開口プレートと、を備え、
前記個別に制御可能な要素のアレイは、各要素からの前記パターン化されたビームの個々の部分が前記開口プレートを対称的分布で照射するよう構成されており、
前記レンズ・アレイは前記パターン化されたビームの個々の部分を前記基板の前記標的部分の個々の部分に向けるように配置され、
前記個別に制御可能な要素は、前記瞳を通過する前記パターン化されたビームの個々の部分の量が徐々に変えられるように、前記開口プレートに対し前記パターン化されたビームの個々の部分をずらすように選択的に制御可能であり、
前記個別に制御可能な要素は、前記パターン化されたビームが各群の各要素によって前記レンズ・アレイの同じレンズに向けられるように、いくつかの群として配置されており、
各群の個別に制御可能な要素は、個別に制御可能な要素の当該群からのビームが前記瞳に対して実質的に対称状になるように、前記パターン化されたビームの個々の部分を前記開口プレートから種々の方向に等しい大きさずらすように制御されるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記個別に制御可能な要素の前記群の各々は、相互に対して１８０°傾斜した方向に、前記パターン化されたビームの個々の部分を偏向する２つの要素を備えた請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記個別に制御可能な要素の前記群は、相互に対して１２０°の間隔で傾斜した方向に、前記パターン化されたビームの個々の部分を偏向する３つの要素を備えた請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記個別に制御可能な要素の前記群は、相互に対して９０°の間隔で傾斜した方向に、前記パターン化されたビームの個々の部分を偏向する４つの要素を備えた請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記個別に制御可能な要素は、個別に傾斜可能な反射要素であり、
傾けられる前の反射要素は、前記開口プレートを対称的分布で照射するよう前記パターン化されたビームの個々の部分を向け、
傾けられた後の反射要素は、前記パターン化されたビームの個々の部分を前記開口プレートから偏向する請求項１から４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記個別に制御可能な要素のアレイにビームを供給する照明系と、
前記照明系から前記個別に制御可能な要素に向けて前記ビームを反射し、かつ前記個別に制御可能な要素から前記レンズ・アレイに向けて前記パターン化されたビームを送るビーム・スプリッタと、を備えた請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
個別に制御可能な要素のアレイを用いてパターン化されたビームを与える工程と、
投影系のレンズ・アレイを用いて基板の標的部分の上に前記パターン化されたビームを投影する工程と、を備え、前記レンズ・アレイのレンズは前記パターン化されたビームの個々の部分を前記標的部分の個々の部分に向けるように配置され、前記投影系の瞳を定めるように投影レンズ・コントラスト開口部が位置決めされており、
前記個別に制御可能な要素のアレイは、各要素からの前記パターン化されたビームの個々の部分が前記開口部を対称的分布で照射するよう構成されており、
前記個別に制御可能な要素は、前記瞳を通過する前記パターン化されたビームの個々の部分の量が徐々に変えられるように、前記開口部に対し前記パターン化されたビームの個々の部分をずらすように選択的に制御可能であり、
前記個別に制御可能な要素は、前記パターン化されたビームが各群の各要素によって前記レンズ・アレイの同じレンズに向けられるように、いくつかの群として配置されており、
各群の前記個別に制御可能な要素は、個別に制御可能な要素の当該群からのビームが前記瞳に対して実質的に対称状になるように、前記パターン化されたビームの個々の部分を前記開口部から種々の方向に等しい大きさずらすように制御される、デバイス製造方法。
【請求項８】
パターン化されたビームを与える個別に制御可能な要素のアレイと、
基板の標的部分上に前記パターン化されたビームを投影し、瞳を定めかつレンズ・アレイを含む投影系とを備え、
前記個別に制御可能な要素のアレイは、各要素からの前記パターン化されたビームの個々の部分が前記レンズ・アレイのレンズの中心軸に対称的な照明点を基板上に形成するよう構成されており、
前記個別に制御可能な要素は、前記瞳を通過する前記パターン化されたビームの個々の部分の量が徐々に変えられるように、前記照明点の強度分布を前記レンズの中心軸からずらすように選択的に制御可能であり、
前記個別に制御可能な要素は、前記パターン化されたビームが各群の各要素によって前記レンズ・アレイの同じレンズに向けられるように、いくつかの群として配置されており、
各群の個別に制御可能な要素は、個別に制御可能な要素の当該群からのビームが前記瞳に対して実質的に対称状になるように、前記照明点の強度分布を前記中心軸から種々の方向に等しい大きさずらすように制御されるリソグラフィ装置。
【請求項９】
個別に制御可能な要素のアレイを用いてパターン化されたビームを与える工程と、
投影系のレンズ・アレイを用いて基板の標的部分の上に前記パターン化されたビームを投影する工程と、を備え、
前記個別に制御可能な要素のアレイは、各要素からの前記パターン化されたビームの個々の部分が前記レンズ・アレイのレンズの中心軸に対称的な照明点を基板上に形成するよう構成されており、
前記個別に制御可能な要素は、瞳を通過する前記パターン化されたビームの個々の部分の量が徐々に変えられるように、前記照明点の強度分布を前記レンズの中心軸からずらすように選択的に制御可能であり、
前記個別に制御可能な要素は、前記パターン化されたビームが各群の各要素によって前記レンズ・アレイの同じレンズに向けられるように、いくつかの群として配置されており、
各群の個別に制御可能な要素は、個別に制御可能な要素の当該群からのビームが前記瞳に対して実質的に対称状になるように、前記照明点の強度分布を前記中心軸から種々の方向に等しい大きさずらすように制御される、デバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板材料の凸部を含む第１面、および第２面を備える圧電基板を形成するステップと、
前記凸部を有する前記第1面の一部分を被覆するように前記第１面に導電性コーティングを堆積するステップと、
除去部位に隣接する堆積されたコーティングはほぼそのままの状態で、前記除去部位の基板材料を露出させるように、導電性コーティングと基板材料とを含む前記被覆された凸部の一部分を除去するステップと、
から構成されることを特徴とするパターン形成された圧電基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、前記コーティング済み凸部の前記部分の除去後に維持される最小肉厚を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板はモノリシック圧電材料基板を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板は複数の層を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記圧電基板はチューブを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記第１面は前記チューブの外面を含み、前記第２面はチューブ内腔を含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記除去するステップは、機械加工するステップまたは材料を除去するステップを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
圧電基板と、内腔と、一つ以上の凸部を含む外面を有するチューブを形成するステップと、
前記チューブの前記外面の少なくとも一部分と外面凸部とを被覆するように、前記外面に導電性コーティングを堆積するステップと、
前記コーティング済み凸部の少なくとも一部分を除去して、前記凸部のコーティングを除去するとともに、前記チューブの前記外面に選択的にパターン形成されたコーティングは残すステップと、
から構成され、
それぞれの前記凸部は肉厚があり、除去するステップにより実質的に前記凸部の肉厚は減少することを特徴とする、パターン形成された圧電アクチュエータチューブの生産方法。
【請求項９】
前記圧電材料は、セラミック材料を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記チューブは、前記コーティング済み凸部の除去の後に維持される最小肉厚を、前記外面と前記内腔の表面との間に含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記最小肉厚は、約５０μｍから約５００μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
コーティング済み凸部の除去において前記凸部の肉厚全体が除去されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記コーティング済み凸部の前記部分の除去するステップのおいて、前記凸部全体より少ない部分が除去されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記パターン形成されたチューブの凸部は、係合部品の対応溝部に収容されるように構成されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
複数のパターン形成されたチューブ区分を生産するように、長手軸に沿って前記パターン形成チューブを切断するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記チューブは、約１ｍｍから約１０ｍｍの長さを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
前記チューブは、約１００μｍから約１ｍｍの外径を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
前記パターン形成されたチューブを圧電アクチュエータアセンブリに組み込むステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１９】
前記圧電アクチュエータアセンブリは走査ビーム装置の一部分を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
請求項８に記載の前記パターン形成されたチューブを含む圧電アクチュエータアセンブリを備えることを特徴とする走査ビーム装置。
【請求項２１】
導電性材料でコーティングされた表面を有する内腔と、
導電性材料が堆積された複数の領域を含む外面と、
から構成され、
前記外面は、各々が非導電性領域を含み、前記外面の隣接したコーティング済み領域の間に配置された複数の凸部をさらに有し、前記前記凸部は、前記チューブと係合部品との結合のため該係合部品の溝部に収容されるように外面に配置される、ことを特徴とするパターン形成された圧電チューブ。
【請求項２２】
前記チューブと結合された前記係合部品をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載のパターン形成された圧電チューブ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板上に塩素原子を含有する第１の酸化膜を形成し、
前記第１の酸化膜を介して前記単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、
バイアス電圧を印加して、前記単結晶半導体基板上の前記第１の酸化膜に対して酸素ガスを用いたプラズマ処理を行って、第２の酸化膜とし、                前記単結晶半導体基板と絶縁体でなるベース基板とを対向させ、前記第２の酸化膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
前記第２の酸化膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第２の酸化膜を介して単結晶半導体膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化膜は、塩化水素又はトランス−１，２−ジクロロエチレンを含有させた酸化性雰囲気で前記単結晶半導体基板に熱酸化処理を行うことにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板上に塩素原子を含有する第１の酸化膜を形成し、
絶縁体からなるベース基板上に塩素原子を含有する第３の酸化膜を形成し、
前記第１の酸化膜を介して前記単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、
バイアス電圧を印加して、前記単結晶半導体基板上の前記第１の酸化膜に対して酸素ガスを用いたプラズマ処理を行って、第２の酸化膜とし、
前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを対向させ、前記第２の酸化膜の表面と前記第３の酸化膜の表面とを接合させ、
前記第２の酸化膜の表面と前記第３の酸化膜の表面とを接合させた後に熱処理を行い、前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第３の酸化膜及び前記第２の酸化膜を介して単結晶半導体膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の酸化膜は、塩化水素又はトランス−１，２−ジクロロエチレンを含有させた酸化性雰囲気で前記単結晶半導体基板に熱酸化処理を行うことにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記第３の酸化膜は、
前記ベース基板上に半導体膜を形成し、
塩化水素又はトランス−１，２−ジクロロエチレンを含有させた酸化性雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、前記ベース基板上に形成された前記半導体膜を酸化することにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の酸化膜の表面と前記第３の酸化膜の表面とを接合させる前に、バイアス電圧を印加して、前記ベース基板上の前記第３の酸化膜に対してプラズマ処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の酸化膜は、前記第２の酸化膜と前記単結晶半導体膜の界面側における前記塩素の濃度が高く、前記第２の酸化膜と前記ベース基板の界面側における前記塩素の濃度が低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記熱処理は、ベース基板の歪点以下の温度で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、モノシランガス及び亜酸化窒素を材料ガスとして絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に前記亜酸化窒素を用いたプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、半導体層を形成し、
モノシランガス及び亜酸化窒素を材料ガスとして前記半導体層を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に前記亜酸化窒素を用いたプラズマ処理を行い、
前記絶縁膜を介して前記半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記絶縁膜上に電極を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層及び前記電極を一対の電極とし、前記絶縁膜を誘電体とする容量素子が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記絶縁表面を有する基板上に成膜された非晶質半導体膜に対してレーザ光を照射して、前記半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、半導体基板から分離させた半導体層を、前記絶縁表面を有する基板上に固定させた後、選択的にエッチングして、前記半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、前記一導電型を付与する不純物元素はボロンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至４のいずれか一において、前記一導電型を付与する不純物元素はリンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に、第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
モノシランガス及び亜酸化窒素を材料ガスとして前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に前記亜酸化窒素を用いたプラズマ処理を行い、
前記絶縁膜を介して前記第１の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の半導体層と重なる絶縁膜上に電極と、前記第２の半導体層と重なる絶縁膜上にゲート電極とを形成し、
前記電極及びゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に前記第２の半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記絶縁表面を有する基板上に成膜された非晶質半導体膜に対してレーザ光を照射して、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７において、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の形成は、半導体基板から分離させた半導体層を、前記絶縁表面を有する基板上に固定させた後、選択的にエッチングして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、前記第１の半導体層と、前記絶縁膜と、前記電極は、少なくとも一部が重なり、容量素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。