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　特願２００１−１０５８８６「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１１日出願公開、特開２００２−２９９５４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１３年４月４日の出願であって、平成１７年２月１日付けで拒絶理由通知がなされ、同年４月４日に意見書、手続補正書が提出され、同年５月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
［２］平成１７年７月２５日付け手続補正についての補正却下の決定
　
〈補正却下の決定の結論〉
　平成１７年７月２５日付け手続補正を却下する。
　
〈理　　由〉
１．手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲を次のとおりとする補正事項を含むものである。
「【請求項１】　半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、
　前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
　前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部にめっき層が形成された複数のインナリードと、
　前記半導体チップ、前記ワイヤ、及び前記複数のインナリードを樹脂封止するモールド部と、
　前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、
　前記モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下の条件で形成され、
　前記めっき層は銀めっき層であり、
　前記金属層は鉛フリー金属層であり、
　前記鉛フリー金属層は前記ワイヤを接続した後に形成された金属層であることを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】　請求項１記載の半導体装置であって、前記鉛フリー金属層は、錫−鉛共晶半田よりも融点が高い半田めっき層であることを特徴とする半導体装置。
　【請求項３】　請求項２記載の半導体装置であって、前記鉛フリー金属層は、Ｓｎ−Ａｇ系金属、Ｓｎ−Ｃｕ系金属、Ｓｎ−Ｂｉ系金属の何れかであることを特徴とする半導体装置。
　【請求項４】　請求項２記載の半導体装置であって、前記鉛フリー金属層の融点は２００℃以上であることを特徴とする半導体装置。
　【請求項５】　請求項１記載の半導体装置であって、前記タブ、前記インナリード、及び前記アウタリードのそれぞれは、鉄−ニッケル合金、又は銅合金を材料として形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項６】　請求項１記載の半導体装置であって、前記鉛フリー金属層は前記モールド部を形成した後に形成された金属層であることを特徴とする半導体装置。
　【請求項７】　請求項１記載の半導体装置であって、前記半導体チップを前記タブに固定するダイボンド材として両面接着テープが設けられていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項８】　請求項１記載の半導体装置であって、前記半導体チップを前記タブに固定するダイボンド材として、接着テープとこれに積層された樹脂ペーストとが設けられていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項９】　請求項１記載の半導体装置であって、前記タブの形状は十字形から成ることを特徴とする半導体装置。
　【請求項１０】　請求項１記載の半導体装置であって、前記モールド部はその平面形状が方形状であることを特徴とする半導体装置。
　【請求項１１】　請求項１記載の半導体装置であって、前記モールド部はその平面形状が四角形であり、コーナー部は面取りされていることを特徴とする半導体装置。」
　
２．補正の適否についての判断
　上記補正事項は、補正前の旧請求項１〜６に対応していない新請求項３〜５、１０、１１を新設して請求項数を６から１１へ増加するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除、同項第２号の特許請求の範囲の減縮、同項第３号の誤記の訂正、同項第４号の明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当するとはいえない。
　したがって、上記補正事項を含む本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　よって、本件手続補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明について、
１．本願発明
　平成１７年７月２５日付け手続補正は上記［２］のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１７年４月４日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は、次のとおりである。
「半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、
　前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、
　前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、
　前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、
　前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、
　前記モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下に形成され、前記鉛フリー金属層は前記ワイヤを接続した後に形成された金属層であることを特徴とする半導体装置。」
　
２．原査定の拒絶理由
　原査定の拒絶理由の概要は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２５に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である引用例１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
３．引用例とその主な記載事項
　原査定の拒絶理由で引用された引用例１、２とその主な記載事項は、次のとおりである。
（１）引用例１：国際公開第０１／０３１８６号パンフレット
（１ａ）「技術分野
　本発明は、半導体製造技術に関し、特に、小型化、薄型化、低コスト化および信頼性向上に適用して有効な技術に関する。」（１頁４〜６行）
（１ｂ）「以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
　（実施の形態１）
　・・・・・・
　本実施の形態１の半導体装置１は、・・・外部接続用の端子としてリード２の一部が半導体装置の下面側周縁に露出する構造を有する面実装型の半導体装置である。その半導体装置１は、銅系や鉄系からなり任意の形状に加工された薄板を備えている。この薄板は、・・・中央部に４本の吊りリード（以下、タブ吊りリード４と称する。）により支持（タブ吊りリード４と一体に形成）されるタブ（チップ支持部）５と、そのタブ５の周縁近傍に、前記タブ５を囲むように複数のリード２とを有する。・・・所定の集積回路およびこれら集積回路の外部端子となるＡｌ等からなる複数のパッド７が形成された半導体チップ８が、集積回路を上にした状態で非導電性ペースト又は非導電性フィルム等の接着剤９により固定されている。
　この半導体チップ８の各パッド７は、ＡｕやＡｌ等からなる導電性のワイヤ１０を介して前記リード２の一主面と電気的に接続されている。前記半導体チップ８、ワイヤ１０、タブ５、タブ吊りリード４、リード２（上面部および側面部）は、保護、耐湿性の向上を目的にエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の封止用樹脂１１により封止されている。ただし、リード２の下面部（他の主面）は、外部接続用の端子として半導体装置の下面側に露出されている。
　以下、封止用樹脂１１で封止されている部分を封止部１２と称する。・・・・・
　また、耐湿性の向上および半導体装置１を実装基板へ実装する際の実装性の向上を目的に半導体装置から露出されるリード２にはＰｂ−Ｓｎ系半田による半田メッキ処理などの外装処理が施されている。
　以下、外装処理により形成された薄膜をメッキ部１３と称する。前記外装処理は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等のＰｂフリー半田によるメッキ処理でも良い。・・・・・・リード２が、封止部１２の側面よりほんのわずかしか突出していないので、半導体装置１の平面寸法の小型化が可能となる。・・・
　次に、上述した本実施の形態１の半導体装置１の製造方法の一例を図１０の断面フロー図および図１１〜図２１を用いて説明する。
　・・・・・・
　始めに、図１０の（ａ）に示すように、マトリクスリードフレーム１４の各タブ５に導電性ペースト、非導電性ペーストまたは非導電性フィルム等の接着剤９により半導体チップ８を固着する。・・・
　次に、図１０の（ｂ）に示すように、半導体チップ８の各パッド７とそれに対応するリード２とをＡｕ等からなる導電性のワイヤ１０で電気的に接続する。・・・
　次に、図１０の（ｃ）に示すように、半導体チップ８、ワイヤ１０、タブ５、タブ吊りリード４（図示せず）およびリード２の上面および側面領域をトランスファーモールド法によりエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の封止用樹脂１１で封止する。・・・この時、前記リード２の下面と封止部１２の下面とは同一平面となり、リード２の下面は封止部１２の下面から露出される。
　また、前記リード２の外端部は、切断工程で切断し易いように封止部１２の側面から突出させておくことが望ましい。その後、図２１に示すように、金型を型開きする。以下、この工程を樹脂封止工程と称する。・・・
　次に、図１０の（ｄ）に示すように、耐湿性の向上および半導体装置を実装基板へ実装する際の実装性の向上を目的に封止部１２から露出されるリード２の外装処理を行う。前記外装処理は、Ｐｂ−Ｓｎ系半田による半田メッキ処理が望ましいが、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等のＰｂフリー半田によるメッキ処理でも良い。・・・以下、この工程を外装処理工程と称する。
　・・・この半導体装置１を実装基板２７に実装するには、半導体装置１の封止部１２の下面のリード２と対応する実装基板２７の配線２８上にクリーム半田等の接合材２９を塗布し、半導体装置１を接合材２９が塗布された実装基板２７の配線２８に仮付けした後、加熱炉（図示せず）でリフローすれば良い。
　実施の形態１の半導体装置１は、図２３に示すように、実装時の高さは１ｍｍ前後と大変薄く、しかも平面寸法はＱＦＰ（Quad Flat Package)に代表される封止部の側面からリードが突出しているパッケージに比べて遥かに小さいことから、高密度実装が実現可能となる。・・・」（８頁１５行〜１４頁２１行）
（１ｃ）「（実施の形態５）
　図４０は本発明の実施の形態５の半導体装置におけるモールド終了時の構造の一例を封止部を透過してその内部を示す部分平面図、図４１は図４０に示す半導体装置のＰ−Ｐ切断線における断面図、図４２は図４０に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図、図４３は図４１のＴ部の構造を示す拡大部分断面図、図４４は図４１のＴ部におけるリード切断方法の一例を示す拡大部分断面図、・・・、図４６は図４０のＱ部のリード構造の変形例を示す平面図である。
　本実施の形態５では、実施の形態４で説明したＱＦＮ５０などにおけるリード２の形状についてその効果と合わせて説明する。
　・・・・
　また、図４０に示すタブ５は、十字形の小タブ構造（タブ５が半導体チップ８より小さい構造）のものである。
　本実施の形態５の半導体装置では、複数のリード２のそれぞれが、封止部１２の裏面１２ａの周縁部に露出する被接続部２ｃと、タブ５側の端部に被接続部２ｃより薄く形成された鍔状の肉薄部２ｂとを備えるとともに、それぞれのリード２にその被接続部２ｃの封止部１２内に配置される露出側と反対側の面（以降、この面をワイヤ接合面２ｄという）に内側溝部（溝部）２ｅおよび外側溝部（溝部）２ｆが設けられている。
　なお、半導体チップ８のパッド７とこれに対応するリード２の被接続部２ｃのワイヤ接合面２ｄとがワイヤ１０によって接続され、さらに、リード２の肉薄部２ｂが封止用樹脂１１によって覆われているとともに、ワイヤ１０が被接続部２ｃに対して外側溝部２ｆと内側溝部２ｅとの間で接合されている。
　・・・・・・、リード２のＱＦＮ高さ方向への引き抜き防止を図ることができる。
　また、リード２のワイヤ接合面２ｄに設けられた内側溝部２ｅは、ワイヤボンディング時のボンディングポイントの目印である。すなわち、リード２のワイヤ接合面２ｄにおいて肉薄部２ｂより外側の領域に内側溝部２ｅを形成しておくことにより、ワイヤ１０が肉薄部２ｂで接合されることを防止できる。
　・・・・・・
　さらに、外側溝部２ｆは、リード２のワイヤ接合面２ｄに、図４３に示すワイヤ接合用の銀メッキなどのメッキ層２ｌを形成する際にメッキ流れを阻止するものでもある。
　すなわち、外側溝部２ｆによる溝形状の方が平坦面より絶対距離を長くすることができるため、前記メッキを形成する際のリークパス長さを長くしてメッキ流れを防ぐことができる。」（２２頁２５行〜２４頁１３行）
（１ｄ）図４０、４１には、実施の形態５の半導体装置に関し、半導体チップを支持するタブは、半導体チップより外形サイズが小さいこと、及び、半導体チップの周囲に複数のリードが延在していることが示されている。
（１ｅ）図４１、４３、４４には、実施の形態５の半導体装置に関し、リードの封止用樹脂（封止部）から露出する領域に「メッキ部１３」が形成されていることが示されている。
　
（２）引用例２：特開２００１−２４１３２号公報
（２ａ）「【００２５】
【実施の形態】本発明は、現在の半導体デバイス生産プロセス及び既存設備ベースに使用できる単片金属リードフレームに関する。図１は、典型的な半導体クワッドフラットパック（ＱＦＰ）デバイスのための単一のリードフレームユニット（全体を１００で示す）を示している。詳述すれば、144リードの薄形ＱＦＰのためのリードフレームが示されており、モールディングの後の完成したデバイスの寸法は、20×20×1.4ｍｍである。・・・」
　
４．当審の判断
４−１．引用例１記載の発明
（１）引用例１の摘示（１ｃ）には、実施の形態５として、ＱＦＮの半導体装置のタブは、半導体チップより小さい構造のものである旨、複数のリードのそれぞれが、封止部の裏面の周縁部に露出する被接続部を備えている旨、半導体チップのパッドとこれに対応するリードのワイヤ接合面とがワイヤによって接続されている旨、リードのワイヤ接続面には、ワイヤ接合用の銀メッキ層が形成されている旨などが記載されている。
（２）引用例１の図４０、４１には、摘示（１ｄ）のとおり、実施の形態５の半導体装置に関し、半導体チップを支持するタブは、半導体チップより外形サイズが小さいこと、及び、半導体チップの周囲に複数のリードが延在していることが示されている。
（３）引用例１の図４１、４３、４４には、摘示（１ｅ）のとおり、実施の形態５の半導体装置に関し、リードの封止用樹脂（封止部）から露出する被接続部に「メッキ部１３」が形成されていることが示されており、該「メッキ部１３」のメッキは、摘示（１ｂ）の次のような記載からみて、樹脂封止工程後に形成されたＰｂ−Ｓｎ系半田メッキ又はＰｂフリー半田メッキといえる。
　　　「実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。」
　　　「この工程を樹脂封止工程と称する。・・・次に、図１０の（ｄ）に示すように、耐湿性の向上および半導体装置１を実装基板へ実装する際の実装性の向上を目的に半導体装置から露出されるリード２にはＰｂ−Ｓｎ系半田による半田メッキ処理などの外装処理が施されている。以下、外装処理により形成された薄膜をメッキ部１３と称する。前記外装処理は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等のＰｂフリー半田によるメッキ処理でも良い。」
　
　以上の（１）〜（３）の事項を考慮し、メッキ部のメッキをＰｂフリー半田メッキとした場合について、引用例１の「実施の形態５」等に関する記載を整理すると、引用例１には、次の半導体装置の発明（以下、「引用例１発明」という）が記載されていると認められる。
　　　引用例１発明：「半導体チップを支持し、前記半導体チップより外形サイズが小さい構造のタブと、前記半導体チップのパッドと接続するワイヤと、前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接続面に銀メッキ層が形成された複数のリードと、前記半導体チップ等を封止用樹脂で封止する封止部とを有し、前記リードの前記封止部から露出する被接続部には、Ｐｂフリー半田メッキのメッキ部が形成され、前記メッキ部のメッキは樹脂封止工程後に形成されたものであるＱＦＮの半導体装置。」
　
４−２．本願発明１と引用例１発明との対比
　本願発明１と引用例１発明を対比すると、
（１）引用例１発明における「パッド」、「ワイヤ接続面」、「銀メッキ層」、「Ｐｂフリー半田」、「被接続部」、「封止用樹脂で封止する封止部」は、それぞれ、本願発明１における「表面電極」、「ワイヤ接合部」、「銀めっき層」、「鉛フリー金属」、「被実装面」、「樹脂封止するモールド部」に相当する。
（２）引用例１発明における、“リードのワイヤ接続用の銀メッキ層を含む周辺領域”、“リードのメッキ部が形成された被接続部の周辺領域”は、それぞれ、本願発明１における「インナーリード」、「アウターリード」に相当する。
（３）引用例１発明におけるメッキ部のメッキは、樹脂封止工程後に形成されたものであるから、前記ワイヤを接続した後に形成されたものといえる。
　
　以上の（１）〜（３）の事項を考慮すると、両者は、
「半導体チップを支持し、前記半導体チップの主面と反対側の面よりその外形サイズが小さなタブと、前記半導体チップの表面電極と接続するワイヤと、前記半導体チップの周囲に延在し、前記ワイヤが接合するワイヤ接合部に銀めっき層が形成された複数のインナリードと、前記半導体チップを樹脂封止するモールド部と、前記インナリードと繋がって前記モールド部から突出し、被実装面に鉛フリー金属層が形成された複数のアウタリードとを有し、前記鉛フリー金属層は前記ワイヤを接続した後に形成された金属層である半導体装置。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　　　相違点：本願発明１では、「モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下に形成され」ているのに対し、引用例１発明では、モールド部の平面サイズや厚さが不明である点
　
４−３．相違点についての判断
　引用例１に記載のものは、摘示（１ａ）等に記載されているように、半導体装置の小型化、薄型化を課題としたものといえるし、また、摘示（１ｂ）には、半導体装置の実装時の高さを１ｍｍ前後とする旨が記載されているし、さらに、ＱＦＰやＱＦＮの半導体装置において、モールド部の平面サイズを２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下とすることは、引用例２の摘示（２ａ）の記載に見られるように、本出願前において既知の事項であるから、引用例１発明において、半導体装置の小型化、薄型化を課題として、モールド部の平面サイズが２８ｍｍ×２８ｍｍ以下で、かつ厚さが１.4ｍｍ以下に形成されたものとすることは、本出願前に既知の事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　したがって、本願発明１は、引用例１に記載された発明及び本出願前に既知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。