【事件の表示】
　特願２００２−７２５２５「集積回路の製造方法および該製造方法により形成された集積回路付基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年９月２６日出願公開，特開２００３−２７３０４１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１４年３月１５日の出願であって，平成１８年６月２日付けで拒絶理由が通知され，同年８月７日に意見書及び手続補正書が提出され，平成１９年３月２２日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年４月２６日に審判の請求がされるとともに，同年５月２５日に手続補正書が提出され，さらに，前置審査により同年６月２７日に拒絶理由が通知され，同年９月３日に意見書及び手続補正書が提出され，さらに，当審において平成２２年２月９日に拒絶理由が通知され，同年４月１９日に意見書のみが提出されたものである。
　なお，当審の拒絶理由の要旨は，本願の特許請求の範囲の請求項１〜６に係る発明は，引用例に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　
２　本願発明の内容
　平成１９年９月３日に提出された手続補正書によれば，本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりである。
　
【請求項１】
「下記の工程（ａ）および（ｂ）からなることを特徴とする集積回路の製造方法。
（ａ）基板に形成された配線溝表面に，Cu，Ａg，から選ばれる少なくとも１種の金属成分から構成される金属薄膜を形成する工程。
（ｂ）ついで，超音波を照射しながら，金属薄膜を形成した配線溝に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布する工程。」
　
３　本願発明の容易想到性について
３−１　引用例の記載内容と引用発明
（１）引用例とその記載内容
　平成２２年２月９日付けの当審拒絶理由で引用した，本願の出願前の２００１年１１月８日に国際公開された刊行物である，国際公開第０１／０８４６１０号パンフレット（以下「引用例」という）には，図１〜３とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。
　　ア　技術分野
・「
本発明は，配線溝の形成された基板に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含む集積回路形成用塗布液を塗布して基板に電気回路を形成する方法において，超音波を照射しながら，配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴とする集積回路の製造方法
に関する
　　イ　発明の開示
・「
本発明に係る集積回路の製造方法では，配線溝が形成された基板に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布して集積回路を形成する方法において，超音波を照射しながら，配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴としている
　このように本発明では，超音波を照射しながら配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布しているので，（１）導電性微粒子形成成分を含んでなる集積回路形成用塗布液を用いると，超音波の照射によって導電性微粒子が生成し，塗布液が高温となり分散媒が蒸発して濃縮しながら塗布でき，しかも超音波の振動エネルギーが導電性粒子に伝達されるため，該導電性粒子が配線項の壁と衝突し，その衝撃により粒子が緻密に配列し，このため配線溝の幅が狭い場合であっても配線溝に選択的に導電性粒子を積層可能となる。また，（２）導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を用いると，塗布液が高温となり分散媒が蒸発して濃縮しながら塗布でき，しかも超音波の振動エネルギーが導電性粒子に伝達されるため，該導電性粒子が配線項（審決注：「項」は「溝」の誤記。）の壁と衝突し，その衝撃により粒子が緻密に配列し，このため配線溝の幅が狭い場合であっても配線溝に選択的に導電性粒子を積層可能となる。さらに，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を用いると，前記（１）と（２）が同時に起きるとともに，回路内に積層した粒子同士が面接触した回路が形成される。その結果
少ない回数の塗布で配線溝との密着性に優れ高度に集積した回路を得ることが可能となる
　前記集積回路形成用塗布液を塗布した後に，さらに塗布面を平坦化することが好ましい。
　
前記導電性微粒子としては，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｔａ，ＳｂおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含んでなる金属微粒子が好ましい
　　ウ　最良の形態
・「以下，本発明について具体的に説明する。
　
本発明に係る集積回路の製造方法は，配線溝の形成された基板に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布して基板に集積回路を形成する方法において，超音波を照射しながら配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴としている
　このような本発明に係る集積回路では，例えば，図１に示される配線溝付基板が使用される。図１は，本発明に係る集積回路の製造方法で使用される配線溝付基板の概略断面図を表すものであり，図中添字１は基板，２は絶縁膜，３は配線溝を示す。
［基板１］
　本発明に用いる基板１としては，シリコン，ガラス等からなる基板を用いることができる。」（第６欄３行〜１５行）
・「［配線溝３］
　
本発明で使用される配線溝付基板では，絶縁膜に配線溝が形成されている
　配線溝の深さ（Ｄｃ）は０．０５〜１０μｍの範囲にあることが好ましく，さらに好ましくは０．１〜５μｍの範囲であることが望ましい。
　また，配線溝の幅（Ｗｃ）は０．０５〜１００μｍの範囲にあることが好ましく，さらに好ましくは０．１〜２０μｍの範囲であることが望ましい。
　配線溝の幅（Ｗｃ）が０．０５μｍ未満の場合は，幅が小さすぎて配線溝に選択的に導電性微粒子を供給することができない場合がある。
　配線溝の幅（Ｗｃ）が１００μｍを越えると，配線溝の幅が広すぎて高密度の回路を形成することができない場合がある。
　
配線溝の幅が上記範囲にあると，導電性微粒子形成成分に超音波が照射して生成した導電性微粒子またはあらかじめ含まれている導電性微粒子が，照射された超音波のエネルギーを吸収して，配線溝の底面や側壁と衝突しながら，あるいは逐次堆積した導電性微粒子と衝突しながら導電性微粒子が緻密に堆積される
このため導電性微粒子の接合面が増加し，回路抵抗の小さい回路を形成することができる
また，配線溝の底面や側壁（場合によっては配線溝に形成された後述するバリアメタル）との密着性に優れた回路を形成することができる
　また，配線溝の深さ（Ｄｃ）が０．０５μｍ未満の場合は，回路の導電性を確保するために回路の幅を広くする必要があり，このため高密度の回路を形成することができない場合がある。
　また配線溝の深さ（Ｄｃ）が１０μｍを越えると，配線層の厚さが厚すぎて高さ方向に高度に集積した集積回路を得ることができない場合がある。
　前記配線溝の幅（Ｗｃ）と配線溝の深さ（Ｄ）の比（Ｗｃ／Ｄ）は０．１〜２０の範囲にあることが好ましい。配線溝の深さ（Ｄｃ）と配線溝の幅（Ｗｃ）が前記範囲にあって，アスペクト比Ｗｃ／Ｄが０．１未満の場合は回路の導電性を確保できないことがあり，このため回路の幅を広げると高密度の回路を形成することができない場合がある。また，アスペクト比Ｗｃ／Ｄが２０を越えると回路の導電性を確保できないことがあり，このため回路の高さを高くすると縦方向に高度に集積した回路を形成することができない場合がある。
　このような配線溝は，基板上に０．１〜１０μｍのラインアンドスペースのフォトレジスト膜（ＰＲ膜）を形成し，次いでスパッタリングにより形成することができる。
［バリアメタル層の形成］
　なお，
本発明の集積回路の製造方法においては，集積回路形成用塗布液を塗布する前に，前記配線溝の内面にバリアメタル層を形成してもよい
　バリアメタル層を形成することによって，回路形成用の導電性微粒子成分，後述する有機系安定剤，イオン等の不純物の絶縁膜への拡散や浸食を防止することができるとともに，これらの絶縁膜への拡散や浸食に伴う絶縁膜の絶縁性の低下を抑制することができる。
［回路の形成］
　
本発明では，前記配線溝が形成された基板上に集積回路形成用塗布液を塗布しながら超音波を照射し，ついで必要に応じて乾燥しさらに加熱処理することによって回路の形成を行う
・「
集積回路形成用塗布液
　
本発明に用いる集積回路形成用塗布液には（審決注：「には」は「は」の誤記。），導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子と，溶媒とからなる
［導電性微粒子形成成分］
　
導電性微粒子形成成分としては，後述する単一成分の金属微粒子あるいは２種以上の金属成分を含む複合金属微粒子などの導電性微粒子を形成する成分であって，該金属のイオンが挙げられる
（中略）
　
これらの導電性微粒子形成成分は超音波照射によって容易に後述する導電性微粒子と同程度の径粒の金属コロイド微粒子を生成する
［導電性微粒子］
　
導電性微粒子としては，導電性を有するものであれば特に制限なく使用することが可能であり，金属微粒子，金属酸化物微粒子，導電性カーボン，導電性高分子微粒子など挙げられる
　本発明では，導電性微粒子として，金属微粒子が好ましく使用される。
　金属微粒子としては，従来公知の金属微粒子を用いることができ，単一成分の金属微粒子であってもよく，２種以上の金属成分を含む複合金属微粒子であってもよい。また前記複合金属微粒子を構成する２種以上の金属は，固溶状態にある合金であっても，固溶状態にない共晶体であってもよく，合金と共晶体が共存していてもよい。このような複合金属微粒子は，金属の酸化やイオン化が抑制されるため，複合金属微粒子の粒子成長等が抑制され，複合金属微粒子の耐腐食性が高く，導電性の低下（抵抗値の上昇）が小さいなど信頼性に優れている。
　このような金属微粒子としてはＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｔａ，ＳｂおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含んでなる金属微粒子が好ましい。
　　金属微粒子としては，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｔａ，ＳｂおよびＷからなる群から選ばれる金属の微粒子が挙げられる。
　また，複合金属微粒子としては，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｔａ，ＳｂおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも２種以上の金属からなる複合金属微粒子が挙げられる。好ましい２種以上の金属の組合せとしては，Ａｕ−Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ−Ｐｄ，Ａｕ−Ｒｈ，Ｐｔ−Ｐｄ，Ｐｔ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｎｉ−Ｐｄ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｕ−Ｃｏ，Ｒｕ−Ａｇ，Ａｕ−Ｃｕ−Ａｇ，Ａｇ−Ｃｕ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｃｕ−Ｐｄ，Ａｇ−Ａｕ−Ｐｄ，Ａｕ−Ｒｈ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｐｄ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｄ，Ｃｕ−Ｃｏ−Ｐｄなどが挙げられる。
　　また，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｓｎ，ＩｎおよびＴａなどの金属からなる金属微粒子を用いる場合は，その一部が酸化状態にあってもよく，また金属微粒子は，その金属の酸化物を含んでいてもよい。さらに，ＰやＢ原子が結合した化合物を含有していてもよい。」（第１０欄３行〜第１２欄１１行）
・「
［塗布液の塗布方法］
　
本発明では，集積回路形成用塗布液の塗布方法は，前記配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布できれば特に制限はないが，容器に装着したノズル等から塗布する際の塗布液に均一に超音波を照射することができ，かつ配線溝に選択的に塗布できることが好ましい
・「
本発明の集積回路の形成方法によれば，配線溝内に選択的に導電性微粒子が緻密に堆積して，配線溝内が導電性微粒子で満たされ，配線溝の上端面と導電性微粒子層の上端面がほぼ一致するように回路を形成することができるので，従来のメッキ法，ＣＶＤ法，ＰＶＤ法や前述したＳＯＭ法のように配線溝の上端面を越えて高く導電層（犠牲層）が形成されることが少ないので平坦化処理は極めて容易であり，処理後の端面は平坦性に優れている
　前記集積回路形成用塗布液を，超音波を照射しながら塗布した後，必要に応じて酸化および／または還元雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気下，約２００〜４００℃の温度で加熱処理（キュアリング）を行う。この加熱処理によって回路中に不純物が存在する場合はこれを除去できるとともに，導電性微粒子同士の接合がより促進され，配線溝との密着性に優れた低抵抗値の回路が得られる。
この配線溝にバリアメタルが設けられていると，特に密着性に優れた回路が得られる
　　エ　請求の範囲
・「１．
配線溝が形成された基板に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布して集積回路を形成する方法において，超音波を照射しながら，配線溝に集積回路形成用塗布液を塗布することを特徴とする集積回路の製造方法
　
（２）引用発明
　上記ア〜エによれば，引用例には，集積回路の製造方法に関し，次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されている。
　
「基板に配線溝を形成する工程と，
　次に，超音波を照射しながら，当該配線溝に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布する工程と，
からなる集積回路の製造方法。」
　
　また，引用例には，配線溝の底面や側壁にバリアメタルを形成することにより，配線との密着性を高めることができる旨も，記載されている。（第８欄１５〜１７行，第２０欄１６〜１８行）　
　
３−２　本願発明と引用発明の一致点と相違点
　引用発明と本願発明を対比すると，本願発明も，基板に配線溝を形成する工程を前提とするから，両者の一致点と相違点は次のとおりである。
　
〈一致点〉
「基板に配線溝を形成する工程と，
　超音波を照射しながら，当該配線溝に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布する工程と，
からなる集積回路の製造方法。」
　
〈相違点〉
　本願発明では，基板に配線溝を形成した後，「形成された配線溝表面に，Cu，Ａg，から選ばれる少なくとも１種の金属成分から構成される金属薄膜を形成する工程」を含むのに対し，引用発明は，このような工程を含まない点。
　
３−３　相違点についての検討
（１）本願発明について
　　ア　本願の明細書には，発明の課題と課題解決手段について，次の記載がある。
・「さらにＣu微粒子のような金属微粒子の堆積では，金属微粒子の自重によるため金属微粒子が細密充填しないことがあり，粒界抵抗を小さくできないために配線抵抗の充分低い回路が得られないことがあった。このため，本願出願人は，特許公開2001-208297号公報において，超音波を照射しながら，配線溝に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布することにより緻密に導電性微粒子を堆積することが可能であるとともに，配線抵抗が小さく高密度の回路が形成できることを提案している。」（段落【０００５】）
・「しかしながら，配線溝との密着性が不充分なために形成された回路が剥離する問題があった。このため，配線溝と金属微粒子の密着性を高めるためにバインダー成分を用いると導電性を損なうことがあった。また導電性微粒子を配線溝に充填するが，緻密であっても粒子間隙がボイドとして残ることがあり，抵抗値が高く，またボイドが回路の断線の原因になることがあった。」（段落【０００６】）
・「【発明の目的】本発明は，前記従来技術における問題点を解決すべくなされたもので，微細な配線溝および接続孔に効率よく緻密に導電性微粒子を堆積することが可能であるとともに，配線抵抗が小さく高密度の回路が形成可能であり，しかも高集積化が可能であるため経済性にも優れた集積回路の製造方法および該方法により形成された集積回路付基板を提供することを目的としている。」（段落【０００７】）
・「工程（ａ）[金属薄膜の形成]本発明では，前記配線溝表面に金属薄膜を形成する。金属薄膜を構成する成分としては，後述する導電性微粒子と同様に，Ａu，Ａg，Ｐd，Ｐt，Ｒh，Ｒu，Ｃu，Ｆe，Ｎi，Ｃo，Ｓn，Ｔi，Ｉn，Ａl，ＳbおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属成分が用いられる。このとき，金属薄膜成分は導電性微粒子成分，導電性微粒子形成成分と異なっていてもよいが，同一であると金属薄膜との密着性が高く，前記したボイドの少ない回路を形成することができる。」（段落【００２２】）
　　イ　以上の記載から，本願発明は，超音波を照射しながら，配線溝に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布することにより緻密に導電性微粒子を堆積する方法において，形成された配線と配線溝との間の密着性が必ずしも十分ではないという課題意識の下，配線溝表面に金属薄膜を形成する工程を追加することにより，両者の密着性の改善を図ったものと理解できる。
　なお，本願明細書の実施例では，配線溝にバリアメタル層を形成した上で，金属薄膜を形成しているが，配線溝にバリアメタル層を形成するという点では，引用発明も同じである。
　
（２）基板に設けられた凹部（溝）に金属配線を形成する場合において，その密着性を高める技術について
（２−１）周知例１とその記載内容
　　ア　平成２２年２月９日付けの当審拒絶理由で周知例として引用した，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００１−２５４１８５号公報（以下「周知例１」という。）には，次の記載がある。
　　（ア）発明の背景等
・「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は，基板上に導電性金属薄膜を形成する方法およびその方法に用いる導電性金属超微粒子分散物に関し，特にＬＳＩ基板等の半導体基板上に金(Ａｕ)，銀(Ａｇ)，銅(Ｃｕ)等の導電性金属の超微粒子分散物を利用して導電性金属薄膜を形成する方法およびその方法に用いる導電性金属超微粒子分散物に関する
【０００２】【従来の技術】最近の半導体産業におけるＬＳＩの高集積化および高速化により，半導体基板の配線の微細化と多層化が進み，配線ピッチが狭まることによって配線間容量や配線抵抗による信号遅延の問題が生じている。これを避けるために，抵抗率の低い配線材料と誘電率の低い層間絶縁膜を用いる必要に迫られ，配線材として，従来のＡｌ合金等の代わりに抵抗率の低いかつエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性のあるＣｕがすでに実用化され始めている。
Ｃｕ薄膜の形成法には，スパッタ法，ＣＶＤ法，メッキ法等によりＣｕ膜を配線溝，ビアホール，コンタクトホール等に堆積させ，次いでＣＭＰ(Chemical-mechanical polishing)処理するいわゆるダマシン法が開発されている
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，かかる従来技術のＣｕ薄膜の形成法においては，次のような問題があった。Ｃｕ薄膜の堆積法のうち，スパッタ法の場合は，一般に，ステップカバレッジに限界があり，リフロー法と併用するとしても，低誘電率膜との整合性のためにリフロー温度の低温化という制約があり，リフローによって微小溝部への埋め込みを促進することは困難である。また，プロセスコストも高いという問題がある。ＣＶＤ法の場合は，原料コストが高く，成膜速度が遅く，プロセスコストが高いという問題がある。また，メッキ法の場合は，バリヤ層の上にいわゆるシード層としてのＣｕの薄膜を設けることが必要であり，ボイド中へのメッキ液の残留等の問題がある。上記いずれの成膜法もＣｕ薄膜の形成法としては満足すべきものではない。更に，これらいずれの成膜法も高いアスペクト比の場合に，配線溝等への満足すべき埋め込み性能が得られていない。
【０００４】また，金属超微粒子分散液を用いた先行技術（特願平１１−２２６４６３号）においては，より高いアスペクト比のトレンチやビアホール等に薄膜を形成するには，金属超微粒子分散液の半導体基板への塗布とそれに続く焼成という過程を数回繰り返す必要性があり，プロセスコストの低減が必要であった。
【０００５】
本発明は，このような従来技術の問題点を解決するためになされたものであり，アスペクト比の大きい細孔，細溝（配線溝，ビアホールやコンタクトホール等）の凹部を有する基板に対しても，該凹部にボイド（空洞）を生じることなく導電性金属を埋め込み，プロセステップ数を少なくして，低プロセスコストで導電性金属薄膜を形成する方法およびその方法に使用する導電性金属超微粒子分散物を提供することを課題としている
　　（イ）発明の実施例
・「【００１８】【実施例】以下，本発明の実施例を説明する。
（実施例１）ヘリウム圧力０．５Ｔｏｒｒの条件下でＣｕを蒸発させ，ガス中蒸発法によりＣｕの超微粒子を生成する際に，生成過程のＣｕ超微粒子にα−テルピネオールの蒸気を接触させて冷却回収し，α−テルピネオール溶媒中に独立した状態で分散している平均粒子径０．００８μｍのＣｕ超微粒子を４０ｗｔ％含有するＣｕ超微粒子独立分散液を作製した。この分散液は粘度が室温で１００ｃＰ，１５０℃で３ｃＰであった。
【００１９】次いで，
上記Ｃｕ超微粒子独立分散液を用いて，Ｓｉ基板上に設けられたビアホールを処理した
このＳｉ基板に形成されている絶縁膜としてのＳｉＯ
２
膜には孔径０．１５μｍ（アスペクト比５），０．２５μｍ（アスペクト比４）のビアホールが開けられており，ビアホールの内表面を含む基板の表面にはスパッタにより，ＴａＮのバリヤ膜が厚さ０．０２μｍで形成されており，またこのバリヤ膜の表面にはスパッタによりＣｕのシード膜が形成されている
【００２０】上記の基板をスピンコータにセットして２０００ｒｐｍで回転させ，その上方から加熱した状態の上記Ｃｕ超微粒子独立分散液を滴下することによって，乾燥後の膜厚が１．０μｍになるよう，スピンコーティングした。５０℃以上に加熱した状態でスピンコーティングすることにより，ビアホール内にはＣｕ超微粒子独立分散液が充填され，基板の表面には平坦な該分散液の液膜が形成された。この状態の基板を初めは真空排気した雰囲気中で，次いで不活性ガス（Ｈｅ）雰囲気中，２００℃の温度で，２分間加熱して有機溶媒を蒸発させ，その後温度を３００℃に上げて，Ｈｅガス０．０５，０．１，０．３，０．５，１．０，５．０，１０．０気圧（ゲージ圧）のそれぞれの雰囲気中で微量の酸素ガスの存在下（酸素分圧：１０-9Ｔｏｒｒ），６０分間焼成した。さらに，温度を４００℃に上げて，酸素を除去した不活性ガス中で３０分間焼成した。０．０５気圧（ゲージ圧）では空洞を埋め切れなかったが，０．１〜１０．０気圧（ゲージ圧）でＣｕ超微粒子が相互に融着して，
ビアホール内がＣｕで空洞なく埋め込まれ，縮みや割れのないＣｕ薄膜が形成された
　　（ウ）発明の効果
・「【００２５】【発明の効果】本発明の導電性金属薄膜形成方法によれば，ＬＳＩ基板のアスペクト比の大きい微細な配線溝，ビアホール，コンタクトホール等の凹部をも，ボイドを生じることなく完全に導電性金属で埋設することができ，導電性の均一な微細パターンを形成することができる。この際，本発明の導電性金属超微粒子を使用すれば良好な前記効果が得られる。」
　　イ　以上の記載によれば，周知例１には，基板上にビアホール等の凹部を形成し，次に凹部にバリア膜を形成し，更にこのバリヤ膜の表面にスパッタによりＣｕのシード膜を形成し，その後，当該凹部に金属（Ｃｕ）微粒子の分散液を湿布し，これを加熱焼成する等して，金属（Ｃｕ）膜を凹部に形成することにより，金属Ｃｕを空洞（ボイド）なく凹部に埋め込むことができることが開示されている。
　　
（２−２）周知例２とその記載内容
　　ア　平成２２年２月９日付けの当審拒絶理由で周知例として引用した，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平４−３０４３１号公報（以下「周知例２」という。）には，第３図，第４図とともに，次の記載がある。
　　（ア）産業上の利用分野
・「〔産業上の利用分野〕
　本発明は，基体上に導電材料によって配線を形成する配線形成方法に関し，特に，基体上に被覆性良好に配線を形成できる配線形成方法に関する。本発明は，例えば，各種電子材料（半導体装置等）に配線を形成する場合に利用することができる。」（１頁右下欄２〜７行）
　　（イ）発明の概要
・「〔発明の概要〕
　本出願の請求項１の発明は，非加熱状態で基体上に導電材料の超微粒子を堆積させることにより均一で良好な超微粒子層を形成し，その後加熱することにより該導電材料から成る導電部を形成して，配線を形成することによって，被覆性の良好な配線を形成するようにしたものである。
　本出願の請求項２の発明は，導電材料の超微粒子を溶媒と混合し，その混合物を基体上に塗布することにより均一で被覆性の良い塗布を達成し，これを乾燥し，加熱することにより該導電材料から成る導電部を形成して，配線を形成することによって，被覆性の良好な配線を形成するようにしたものである。」（１頁右下欄８行〜２頁左上欄３行）
　　（ウ）問題点を解決するための手段
・「
本発明において，導電材料の超微粒子とは，例えばＡ１やＡｌ合金，またＣｕや，Ｗ等の高融点金属，あるいは化合物導電材料（金属間化合物や，シリサイドなど）等，微粉末化可能な導電材料の微小粉末であって，例えば，０．００５〜０．０５μｍの平均粒径をもつ微粒子粉末を用いることができる
　　（エ）実施例４
・「実施例−４
　
本実施例は，上記実施例−３の方法と，従来のスパッタ法によるＡｌの堆積とを組み合わせることで，高信頼性の配線を得るようにしたものである
　
即ち，第４図に示した如き従来構造，即ち基体１上の層間膜２に形成された凹部３をスパッタＡｌにより埋め込んだ構造に，更に第３図（ａ）に示すように，超微粒子と溶媒の混合物７を塗布する
　
これを加熱し焼結して，第３図（ｂ）のように，Ａｌ配線４上に上記による導電部（配線）６が形成された良好な配線構造が得られる
　　イ　以上によれば，周知例２には，基体に形成した凹部にスパッタにより金属層を埋め込み，次に金属の微小粉末を溶媒に混合したものを塗布し，これを乾燥，加熱することにより，被覆性の優れた配線構造が得られることが開示されている。実施例では金属Ａｌを用いているが，Ｃｕに適用できることが記載されている。Ｃｕを用いた場合は，密着性の観点から，凹部にスパッタにより埋め込む金属もＣｕとすることが自然に想起できるから，引用例３には，基体に形成した凹部にスパッタによりＣｕを埋め込み，次にＣｕの微小粉末を溶媒に混合したものを湿布し，これを乾燥，加熱することにより，被覆性の優れた配線構造を得る技術が示唆されているといえる。　
　
（２−３）周知例３とその記載内容
　　ア　平成２２年２月９日付けの当審拒絶理由で周知例として引用した，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−２６９６９３号公報（以下「周知例３」という。）には，次の記載がある。
　　（ア）従来技術等
・「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体ウェハー上への銅の成膜方法及びめっき液に関するものであり，特には半導体配線材料として使用される銅を湿式めっきにより半導体ウェハー上へ形成するための前処理方法として，半導体ウェハーもしくはその上に形成されたバアリアメタル上にシード層となる銅を密着性よく析出させる方法及びそのためのめっき液に関係する
【０００２】【従来の技術】半導体ウェハーの加工においては，
配線材料として従来はアルミニウムが用いられてきた。最近は，配線の集積度が高まることから，信号の遅延時間の増加を防ぐために，アルミニウムに代えて，電気伝導度の高い銅が用いられるようになった
銅をウェハー上に成膜する方法として，ＣＶＤ，スパッタといった乾式法の他に，溶液からの湿式めっきが使用されつつある
トレンチ（溝）を形成したウェハー表面に銅を全面に成膜した後，ＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリシング）によりトレンチ内の銅を残して表面の部分を除去するものである
【０００３】
銅を配線材料とする場合には，ウェハー（半導体ウェハー）のＳｉに銅が拡散するのを防止するため，Ｓｉウェハー上にバリアメタル層を多くは成膜する。これらバリアメタル層にはＴａ，Ｔｉ，Ｗ，またはこれらの窒化物またはシリサイドが用いられ，スパッタ，ＣＶＤといった乾式法で形成される
このバリアメタル層上に配線材料としての銅を成膜する必要があるが，湿式法で銅を成膜する場合には，シード層と呼ばれる銅の薄膜層が必要となる
これは，主に，その後のめっきで析出した配線材料としての銅とウェハーとの密着性を向上させることを主たる目的としている
【０００４】銅シード層は乾式法でも形成できるが，これは工程を煩雑にし，プロセスのコストアップにつながる。また，乾式法では，微細なトレンチ内部への付き回りが不十分であるため，トレンチ底面にシード層として十分な量の銅を付着させるためには，全体への付着量を大きくしなければならない。これは，湿式による埋め込み方法のメリットを小さくするものである。従って，
湿式で半導体ウェハー上もしくはその上に形成されたバリアメタル上に銅シード層薄膜を形成する方法が必要とされていた
【０００５】【発明が解決しようとする課題】これまで，半導体ウェハー上もしくはその上に形成されたバリアメタル層上に密着性のよい銅シード層薄膜を湿式で形成する方法は確立されていない。本発明の課題は，半導体ウェハー上もしくはその上に形成されたバリアメタル層上に半導体配線材料として使用される銅を湿式めっきにより形成するための前処理方法として，半導体ウェハー上もしくはその上に形成されたバリアメタル上にシード層となる銅を密着性よく析出させることができ，また乾式法よりも微少トレンチへの付き回りがよく，低コストでの成膜を可能とする技術を開発することである。」
　　（イ）課題解決手段
・「【０００６】【課題を解決するための手段】本発明者は，銅とシリコンもしくはバリアメタルとの置換反応を利用することが最適と考え，銅を銅（Ｉ）または銅（II）の形で含有し，液中の共存成分として，フッ化水素酸，フッ素イオンを使用する湿式法を試み，好結果を得た。本発明は，無電解めっきと電気めっきのいずれでも実現することができる。」
　　イ　周知例３の以上の記載から，ウェーハ（基板）にトレンチ（溝）を形成し，湿式めっき法によりトレンチ内に配線材料となる銅を析出させる方法において，トレンチに形成されたバリアメタル上にシード層となる銅薄膜を付着させることにより，ウェーハと配線材料の密着性を高めることができることが分かる。
　　　
（２−４）周知例４とその記載内容
　　ア　平成２２年２月９日付けの当審拒絶理由で周知例として引用した，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０００−１３８１９０号公報（以下「周知例４」という。）には，図１（ａ）（ｂ）（ｃ）とともに，次の記載がある。
　　（ア）従来の技術等
・「【０００１】【発明の属する技術分野
】本発明は，半導体デバイスの製造プロセスに関し，特に半導体基板等の被処理体上に金属膜を形成する技術に関する
【０００２】【従来の技術】
近年，半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体デバイスの高集積化，微細化の要請が強まっており，このような要請に応えるべく，成膜プロセスで使用する配線材料をアルミニウム系から，より抵抗の小さな銅系や金系に転換することが考えられている
【０００３】現在，例えば（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｍｖｓ）のような有機金属（常温，常圧下では液状）を気化して処理チャンバに導入し，当該処理チャンバ内で保持された基板上で熱分解反応させながら銅の成膜を行うというＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）法が実用化されている。
【０００４】また，
処理チャンバ内に配置された基板を加熱しながら，その基板上に有機金属をそのまま或いは有機溶剤に混合したもの（有機金属含有液体）を塗布し，熱分解反応させることによって金属膜を形成する方法も従来から知られている
【０００５】【発明が解決しようとする課題】ところで，
銅のような金属膜を形成する場合，金属原子が下層に拡散する可能性があるため，従来においては，金属膜の成膜に先立ち，タンタルや窒化タンタル等のバリアメタル膜を形成している
【０００６】しかしながら，このバリアメタル膜の形成後，基板を大気に暴露すると，自然酸化等の影響により，金属膜抵抗の上昇や金属膜の密着性低下等の問題が生ずる。
【０００７】本発明は，かかる問題を生ずることなく，金属膜の成膜を行うことができる成膜方法及び装置を提供することにある。
【０００８】【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために，本発明は，被処理体上にバリアメタル膜を形成した後，金属膜を形成する成膜方法において，バリアメタル膜の形成から金属膜の形成までの一連の処理を大気から遮断した環境下で行うことを特徴としている。
【０００９】より具体的には，バリアメタル膜の形成をスパッタリング装置等の第１装置で行い，金属膜の形成を別の第２装置で行うこととし，第１装置から第２装置への被処理体の搬送を，大気から遮断された搬送路を通して行う。
【００１０】また，金属膜の形成は，熱分解反応により金属膜材料を析出する（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｍｖｓ）のような有機金属を主成分とした有機金属含有液体を用意し，有機金属の未反応領域の温度において，被処理体上に前記有機金属含有液体を塗布する第１ステップと，この第１ステップの後，被処理体を所定温度に加熱し，被処理体上に塗布された有機金属含有液体中の有機金属を熱分解反応させ金属膜を被処理体上に形成する第２ステップとから成るものが好ましい。このように，塗布と熱分解反応とを別個に行うことで，塗布膜の膜厚や膜質を均一化することができ，また，熱分解反応を面内で均一に行うことができるので，面内膜厚及び膜質に優れた金属膜が得られる。
【００１１】更に，
バリアメタル膜の形成後，バリアメタル膜上に前記金属膜と同一の金属材料の薄膜をシード膜として形成することが好ましい
　　（イ）発明の実施の形態
・「【００２８】次に，上記と同様にスリットバルブ４２，４３の開閉及び搬送ロボット３０の駆動を制御して，基板Ｗを第２の処理チャンバ１６に移送し，所定位置に固定する。
第２の処理チャンバ１６内では銅のスパッタリング処理が行われ，薄い銅膜４がバリアメタル膜３の表面に形成される
この膜４はシード膜と称され，次プロセスで成膜される銅膜５の種ないしはアンカーとしての機能や，塗布される成膜液との相性や湿潤性改善のための機能を果たす
このシード膜４の膜厚は極めて薄くて足るが，バリアメタル膜３の全面を被覆することが重要となる。かかる観点から，スパッタリング法に代えて，ステップカバレッジに優れたＭＯＣＶＤ法を用いて銅シード膜の成膜を行ってもよい
　　イ　以上の記載から，周知例４には，半導体基板上に有機金属を有機溶剤に混合したものを塗布し，金属膜（銅）の成膜を行う方法において，バリアメタル膜の形成後，バリアメタル上に銅薄膜（銅シード膜）を形成することが，塗布される成膜液との相性等の観点から好ましいことが理解できる。
　
（２−５）周知例５とその記載内容
　　ア　平成２２年２月９日付けの当審拒絶理由で周知例として引用した，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０００−２９４５１８号公報（以下「周知例５」という。）には，図１，図２とともに，次の記載がある。
　　（ア）従来の技術等
・「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体装置の製造方法に関し，特に，開口部及び／又は溝部といった凹部を導電材料で埋め込み，接続孔及び／又は溝配線を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関する
・「【０００６】凹部を銅（Ｃｕ）を用いて精度良く埋め込む方法として，電解めっき法が近年注目されている。電解めっき法によって形成した銅膜は，膜中の不純物濃度が低く，抵抗も低いため，銅を導電材料あるいは配線用材料として用いることは半導体装置の高速化に有利である。
しかしながら，銅の凹部への埋め込み性は，電解めっき法によって銅層を形成する際に必要とされる下地層（シード層）のステップカバレッジ（段差被覆性）に大きく依存する
【０００７】
従来，シード層として，スパッタ法によって形成された厚さ１００ｎｍ程度の銅層が用いられている
【０００８】【発明が解決しようとする課題】しかしながら，スパッタ法によって形成されるシード層のステップカバレッジは余り良くなく，凹部内に均一にシード層を形成することが困難である場合が多い。その結果，シード層上に電解めっき法によって銅層を形成する際の銅層の成長速度が不均一となり，凹部を銅層で確実に埋め込めないといった問題や，凹部内で銅層にボイドが発生するといった問題が生じ易い。
【０００９】従って，本
発明の目的は，開口部（孔部）及び／又は溝部といった凹部を電解めっき法に基づき導電材料で確実に埋め込み，高い信頼性を有する接続孔及び／又は溝配線を形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供することにある
　　（イ）課題解決手段
・「【００１０】【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するための本発明の半導体装置の製造方法は，（Ａ）基体上に形成された層間絶縁層に，基体の一部が底部に露出した凹部を設ける工程と，（Ｂ）
凹部内を含む層間絶縁層上に，無電解めっき法によって第１の導電層を形成する工程
・「【００１３】第１の導電層及び第２の導電層は，同一の材料から構成されていてもよいし，電解めっき法によって第２の導電層を支障なく形成することができる限り，第１の導電層及び第２の導電層は，異なる材料から構成されていてもよい。
第１の導電層を構成する材料として，Ｃｕ
Ａｇ
から成る群から選択された材料を挙げることができる
  （ウ）発明の実施の形態
・「【００４１】［工程−２２０］
次に，表１に示した条件にて，溝部２４内を含む第２の層間絶縁層２３上に，厚さが例えば５０ｎｍのＴｉＮから成る第２の拡散防止層２５を形成する
その後，凹部である溝部２４内を含む第２の層間絶縁層２３上に，より具体的には第２の拡散防止層２５上に，無電解めっき法によって第１の導電層２６を形成する
第１の導電層２６は，シード層として機能し，厚さ５０ｎｍの銅（Ｃｕ）から成る
【００４２】［工程−２３０］次に，第１の導電層２６上に，表４に例示した条件の電解めっき法によって第２の導電層２７を形成して，以て，凹部である溝部２４を第２の導電層２７で埋め込む（図４の（Ａ）参照）。銅（Ｃｕ）から成る第２の導電層２７の厚さは，溝部２４内が完全に埋め込まれるような厚さとすればよい。」
　　イ　以上によれば，周知例５には，基板に設けられた凹部に，電界めっき法により銅層を形成する方法において，凹部に形成した拡散防止層（バリア層）上に銅からなるシード層を形成することが記載されている。
　
（２−６）小括
　周知例１〜５の上記の記載内容によれば，基板に形成された溝（凹部，トレンチ）に，金属微粒子を混合したものを塗布して（周知例１，２），あるいは金属析出成分を含有する液を用いて（周知例３〜５），金属配線を形成する方法において，溝の表面に銅（Ｃｕ）から構成される金属薄膜を形成する工程を含ませることにより，金属配線の信頼性を高めることができることは，本願の出願前に当業者に周知であったものといえる。
　　
（３）審判請求人が主張するように，本願発明は，「金属薄膜を形成した配線溝に，導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布する工程」を「
超音波を照射しながら
　しかしながら，前記３−１（２）で認定したように，引用例には，
「基板に配線溝を形成する工程と，
　次に，
超音波を照射しながら
からなる集積回路の製造方法。」（引用発明）
が開示されているのである。
　そして，超音波の照射により，基板に形成される金属配線の信頼性が改善されるとしても，更に信頼性を高めるべく，引用発明に，周知例１〜５に開示された技術を適用することは，当業者に普通に期待できることであり，この点に技術的な困難は見当たらない。
　また，審判請求人が主張する本願発明の効果も，超音波の照射による効果と，溝の表面に銅（Ｃｕ）から構成される金属薄膜を形成したことによる効果を合わせた効果以上のものとはいえない。
　そうすると，上記相違点に係る構成とすることは，当業者が容易に想到しえたものというほかない。
　
３−４　したがって，本願発明は，引用発明及び周知例１〜５に記載の周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　結言
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができず，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。