【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）：
【化１】
2010181453.tif 000001
（式中、Ａｒはベンゼン環を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を表し、Ｑは２つの炭素原子間の二価の有機基を表し、Ｒ１は炭素原子数１乃至１３のアルコキシ基、炭素原子数２乃至１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素原子数２乃至１３のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１乃至１３のアルキルチオ基、炭素原子数１乃至１３のアルキルスルホニルオキシ基及び炭素原子数１乃至１３のアルコキシスルホニル基からなる群から選ばれる置換基を有する炭素原子数１乃至１３のアルキル基、無置換の炭素原子数１乃至１３のアルキル基、又は炭素原子数３乃至１３のシクロアルキル基を表す。）
で表される繰り返しの単位構造を有するポリマー及び溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項２】
前記式（１）において、Ｑは下記式（２）：
【化２】
2010181453.tif 000002
（式中Ｑ１は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基又はアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０又は１の数を表す。）
で表される、請求項１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項３】
前記式（２）におけるＱ１は、炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基であり、該二価の有機基は少なくとも１つのシクロヘキサン環を有する、請求項２に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項４】
前記式（２）におけるＱ１はフェニレン基である、請求項２に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項５】
前記式（１）において、Ｑは下記式（３）：
【化３】
2010181453.tif 000003
（式中、Ｒ２は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの基で置換されていてもよい。）
で表される、請求項１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項６】
前記ポリマーはトリメリット酸無水物、下記式（４）で表される少なくとも１種の化合物及び下記式（５）で表される化合物：
【化４】
2010181453.tif 000004
（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を表し、Ｑは前記二価の有機基を表し、Ｒ１は炭素原子数１乃至１３のアルコキシ基、炭素原子数２乃至１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素原子数２乃至１３のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１乃至１３のアルキルチオ基、炭素原子数１乃至１３のアルキルスルホニルオキシ基及び炭素原子数１乃至１３のアルコキシスルホニル基からなる群から選ばれる置換基を有する炭素原子数１乃至１３のアルキル基、無置換の炭素原子数１乃至１３のアルキル基、又は炭素原子数３乃至１３のシクロアルキル基を表す。）
の反応生成物である、請求項１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、及び露光後に前記レジスト膜を現像する工程、を含む半導体装置の製造に用いるレジストパターンの形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、前述の３つの要件すべてを十分に満たすものである。すなわち本発明の第１態様は、下記式（１）：
【化１】
2010181453.tif 000005
〔式中、Ａｒはベンゼン環を表し、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基又はエチル基を表し、Ｑは２つの炭素原子間の二価の有機基を表し、Ｒ１は炭素原子数１乃至１３のアルコキシ基、炭素原子数２乃至１３のアルキルカルボニルオキシ基、炭素原子数２乃至１３のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１乃至１３のアルキルチオ基、炭素原子数１乃至１３のアルキルスルホニルオキシ基及び炭素原子数１乃至１３のアルコキシスルホニル基からなる群から選ばれる置換基を有する炭素原子数１乃至１３のアルキル基、無置換の炭素原子数１乃至１３のアルキル基、又は炭素原子数３乃至１３のシクロアルキル基を表す。〕
で表される繰り返しの単位構造を有するポリマー及び溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの、繰り返しの単位構造を表す前記式（１）において、Ｑは、例えば下記式（２）：
【化２】
2010181453.tif 000006
（式中Ｑ１は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基又はアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に０又は１の数を表す。）
で表される基である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記式（２）におけるＱ１は、例えば炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基であり、該二価の有機基は少なくとも１つのシクロヘキサン環（シクロへキシレン基）を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記式（２）におけるＱ１は、前記炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基にかえて、フェニレン基でもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明において、アルキル基としては、直鎖状に限らず分岐状でもよく、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、例えばシクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。アルキレン基としては、例えばメチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−オクチレン基、２−メチルプロピレン基、１，４−ジメチルブチレン基が挙げられる。脂環式炭化水素環としては、例えばシクロブタン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環が挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基が挙げられる。アルキルチオ基としては、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、イソプロピルチオ基が挙げられる。アルケニル基としては、例えばビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基（アリル基）、１−メチル−２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基が挙げられる。上記アルキレン基、アルコキシ基及びアルキルチオ基は、直鎖状に限定されず、分岐構造又は環状構造でもよい。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。