【事件の表示】
　特願２００３−　４６３４２「薄膜トランジスタマトリクス装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月　６日出願公開、特開２００３−３１５８３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成８年１２月１９日（優先権主張平成７年１２月２６日）に出願した特願平８−３４００２７号の一部を平成１５年２月２４日に新たな特許出願としたものであって、平成１６年３月１日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年４月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年５月２４日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年５月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成１６年５月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由]
　
（１）本件補正
　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、出願時の明細書における特許請求の範囲の
　
「【請求項１】　第１の領域と、第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域に挟まれた第３の領域とを有する基板の上に感光性レジスト膜を形成する工程と、第１の露光マスクを使用して前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記第１の領域の上の前記感光性レジスト膜に複数の第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域の上の前記感光性レジスト膜に前記第１のパターンが入る広さの未露光領域と少なくとも１つの前記第１のパターンの潜像とを形成する工程と、第２の露光マスクを使用して前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記第２の領域の上の前記感光性レジスト膜に複数の前記第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域上の前記未露光領域に前記第１のパターンの潜像を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を現像することにより、前記感光性レジスト膜よりなる複数の前記第１のパターンを顕像化する工程と、前記感光性レジスト膜よりなる前記第１のパターンをマスクに使用して、所望の膜よりなる複数の第２のパターンを規則的に配列して形成する工程とを含むパターン形成する工程とを含むパターン形成工程を有し、前記パターン形成工程を少なくとも２つの異なる前記膜に対して適用することにより、少なくとも２つの異なる層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス装置の製造方法。」から
　
「【請求項１】　第１の領域と、第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域に挟まれた第３の領域とを有する基板の上に感光性レジスト膜を形成する工程と、第１の露光マスクを使用して前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記第１の領域の上の前記感光性レジスト膜に複数の第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域の上の前記感光性レジスト膜に前記第１のパターンが入る広さの未露光領域と少なくとも１つの前記第１のパターンの潜像とを形成する工程と、第２の露光マスクを使用して前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記第２の領域の上の前記感光性レジスト膜に複数の前記第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域上の前記未露光領域に前記第１のパターンの潜像を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を現像することにより、前記感光性レジスト膜よりなる複数の前記第１のパターンを顕像化する工程と、  前記感光性レジスト膜よりなる前記第１のパターンをマスクに使用して、所望の膜よりなる複数の第２のパターンを規則的に配列して形成する工程とを含むパターン形成工程を有し、前記パターン形成工程を少なくとも２つの異なる前記膜に対して適用することにより、少なくとも２つの異なる層を形成し、
かつバスライン及び前記バスラインに接続する端子部に前記第３の領域を適用する
　
（２）当審の判断
　
　本件補正が、特許法第１７条の２第４項第１号乃至第４号に規定された事項を目的とするものであるかについて検討する。
　
　本件補正は、補正前の請求項１に「かつバスライン及び前記バスラインに接続する端子部に前記第３の領域を適用する」との発明特定事項を付加したものである。
　ここで、本件補正により付加された発明特定事項における「前記第３の領域」は、補正前の請求項１の「第１の領域と、第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域に挟まれた第３の領域とを有する基板」なる事項の第３の領域であると解されるが、本件補正により付加された発明特定事項における「バスライン及び前記バスラインに接続する端子部」は、補正前の請求項１には記載がないから、「バスライン及び前記バスラインに接続する端子部」を発明特定事項に付加する補正は、補正前の特許請求の範囲に記載された発明の特定事項を限定するものではない。
　また、「適用する」は、「あてはめて用いる」（広辞苑第四版による。）との意味であるから、「バスライン及び前記バスラインに接続する端子部に前記第３の領域を適用する」とは、基板の第１の領域と該第２の領域に挟まれた第３の領域を、バスライン及び前記バスラインに接続する端子部にあてはめて用いることを意味することになるが、これがどのような技術的意義を有するのか不明であり、その結果、請求項１の記載はかえって不明りょうなものとなるから、「かつバスライン及び前記バスラインに接続する端子部に前記第３の領域を適用する」なる記載を追加する補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもない。　
　さらに、本件補正は、請求項の削除又は誤記の訂正を目的とするものでもない。
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１号乃至第４号に規定されたいずれの事項をも目的とするものではない。　
　
（３）むすび
　
　以上のとおりであるから、本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
 （１）本願発明 
　平成１６年５月２４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は，出願時の明細書における特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　第１の領域と、第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域に挟まれた第３の領域とを有する基板の上に感光性レジスト膜を形成する工程と、第１の露光マスクを使用して前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記第１の領域の上の前記感光性レジスト膜に複数の第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域の上の前記感光性レジスト膜に前記第１のパターンが入る広さの未露光領域と少なくとも１つの前記第１のパターンの潜像とを形成する工程と、第２の露光マスクを使用して前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記第２の領域の上の前記感光性レジスト膜に複数の前記第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域上の前記未露光領域に前記第１のパターンの潜像を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を現像することにより、前記感光性レジスト膜よりなる複数の前記第１のパターンを顕像化する工程と、前記感光性レジスト膜よりなる前記第１のパターンをマスクに使用して、所望の膜よりなる複数の第２のパターンを規則的に配列して形成する工程とを含むパターン形成する工程とを含むパターン形成工程を有し、前記パターン形成工程を少なくとも２つの異なる前記膜に対して適用することにより、少なくとも２つの異なる層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス装置の製造方法。」
　
 （２）刊行物記載の発明
　
ア．引用例１
　原査定の拒絶理由に引用したこの出願の優先日前公知の刊行物である、特開平６−２０２１５３号公報（以下、「引用例１」という。）には、
　
（ア）「【００３９】こうして、ゲート端子部は、透明絶縁基板１０上に形成されたゲート端子下部電極１２ｄと、このゲート端子下部電極１２ｄ上並びに絶縁膜１４及びパッシベーション膜３０上に形成されたゲート端子上部電極３４ｃとから構成され、外部制御回路と接続されるようになっている。次に、図１及び図２に示す逆スタガード型ＴＦＴマトリクス装置の製造方法を、図３乃至図１１の工程断面図を用いて説明する。尚、各図の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図１のＡＡ′線断面、ＢＢ′線断面、ＣＣ′線断面、ＤＤ′線断面に対応したドレイン端子部、ＴＦＴ部、画素部及び蓄積容量部、並びにゲート端子部を示す。
【００４０】ガラス基板等の透明絶縁基板１０上に、スパッタ法を用いて、例えばＡｌ又はＣｒ等からなる金属層を成膜する。そしてこの金属層上に、所定のレジストパターンを形成した後、それをマスクとして金属層をエッチングして、ゲート電極１２ａ、Ｃｓ電極１２ｂ、ゲート電極１２ａに接続するゲートバスライン１２ｃ、及びこのゲートバスライン１２ｃに接続するゲート端子下部電極１２ｄをそれぞれ形成する。
【００４１】尚、この金属層は、次の工程で全面に積層する絶縁膜と十分な選択エッチング性を有するものであれば、ＡｌやＣｒに限らず、他の金属材料を使用してもよい（図３参照）。次いで、全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮ膜又はＳｉＯ２膜とＳｉＮ膜との２層膜等からなる厚さ約４００ｎｍの絶縁膜１４を成膜する。尚、ここで、ゲート電極１２ａ上の絶縁膜１４を特にゲート絶縁膜１４ａと呼ぶ。
【００４２】続いて、この絶縁膜１４上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、厚さ２０ｎｍのノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層１６及びＳｉＯ２膜又はＳｉＮ膜からなる厚さ１５０ｎｍの保護膜１８を順に成膜する（図４参照）。次いで、この保護膜１８を、ＴＦＴチャネル部を除き、弗酸緩衝液等を用いて全てエッチング除去する。即ち、ＴＦＴ部のゲート電極１２ａ上方にのみ保護膜１８を残存させて、チャネル保護膜１８ａを形成する（図５参照）。
【００４３】次いで、全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて、厚さ６０ｎｍのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０を成膜した後、更にスパッタ法を用いて、厚さ２００ｎｍの例えばＡｌ又はＣｒ等からなる金属層２２を成膜する（図６参照）。次いで、この金属層２２上に、所定のレジストパターンを形成した後、それをマスクとして金属層２２、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０、及びｉ型ａ−Ｓｉ層１６を順にエッチングする。こうして、ＴＦＴ部のゲート絶縁膜１４ａ上にｉ型ａ−Ｓｉ層１６からなるａ−Ｓｉ活性層１６ａを形成すると共に、チャネル保護膜１８ａの両側のｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０からなるｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層２０ａ、２０ｂを介してそれぞれａ−Ｓｉ活性層１６ａに接続する金属層２２からなるソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂを相対して形成し、ＴＦＴを完成させる。
【００４４】また同時に、蓄積容量部のＣｓ電極１２ｂ上に、絶縁膜１４及びｉ型ａ−Ｓｉ層１６からなる誘電体膜２４を介して、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０及び金属層２２からなる対向電極２６を形成する。更に、ドレイン端子部において、ドレイン電極２２ｂにドレインバスライン（図示せず）を介して接続するｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０及び金属層２２からなるドレイン端子下部電極２８を形成する（図７参照）。
【００４５】次いで、全面に、ＣＶＤ法又はスパッタ法を用いて、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜、又はこれらの複合膜からなる厚さ４００ｎｍのパッシベーション膜３０を成膜し、完成させたＴＦＴを覆う（図８参照）。次いで、レジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いて、ソース電極２２ａ、対向電極２６、ドレイン端子下部電極２８、及びゲート端子下部電極１２ｄ上にそれぞれ開口部をもつレジストパターンを形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜３０又はパッシベーション膜３０及び絶縁膜１４をエッチングし、コンタクトホール３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄをそれぞれ開口する。
【００４６】尚、このときのエッチングは、パッシベーション膜３０又はパッシベーション膜３０及び絶縁膜１４をテーパエッチングするものであることが望ましい。コンタクトホール３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ内に露出したソース電極２２ａ、対向電極２６、ドレイン端子下部電極２８、及びゲート端子下部電極１２ｄと、次の工程で成膜するＩＴＯ等からなる透明導電膜とを電気的に接続する必要があるからである。そしてこのテーパエッチングは、弗酸緩衝液によるウエットエッチの他、ＣＦ4 ガスによるＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等を用いてもよい（図９参照）。
【００４７】次いで、全面に、スパッタ法等を用いて、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ等からなる透明導電膜３４を成膜する（図１０参照）。次いで、この透明導電膜３４を所定の形状にパターニングし、コンタクトホール３２ａ、３２ｂを介してソース電極２２ａ及び対向電極２６に接続する画素電極３４ａを形成する。また同時に、コンタクトホール３２ｃを介してドレイン端子下部電極２８に接続するドレイン端子上部電極３４ｂを形成し、コンタクトホール３２ｄを介してゲート端子下部電極１２ｄに接続するゲート端子上部電極３４ｃを形成する。
【００４８】こうして、ＴＦＴ部のソース電極２２ａに接続する画素電極３４ａからなる画素部、この画素電極３４ａに接続する対向電極２６、Ｃｓ電極１２ｂ、及びこれら両電極間に挟まれた誘電体膜２４からなる蓄積容量部、ＴＦＴ部のドレイン電極２２ｂにドレインバスラインを介して接続するドレイン端子下部電極２８及びドレイン端子上部電極３４ｂからなるドレイン端子部、並びにＴＦＴ部のゲート電極１２ａにゲートバスライン１２ｃを介して接続するゲート端子下部電極１２ｄ及びゲート端子上部電極３４ｄからなるゲート端子部をそれぞれ完成させる（図１１参照）。
【００４９】このように本実施例によれば、ゲート端子部を形成する場合、透明絶縁基板１０上に、Ａｌ又はＣｒ等の金属層からなるゲート端子下部電極１２ｄをゲート電極１２ａ及びゲートバスライン１２ｃと同時に形成し（図３参照）、このゲート端子下部電極１２ｄ上に、ゲート絶縁膜１４ａと共通の層をなす絶縁膜１４を成膜し（図４参照）、この絶縁膜１４上に、ＴＦＴを覆うパッシベーション膜３０を成膜し（図８参照）、これらパッシベーション膜３０及び絶縁膜１４をエッチングしてコンタクトホール３２ｄを開口し（図９参照）、このコンタクトホール３２ｄを介してゲート端子下部電極１２ｄに接続する透明導電膜からなるゲート端子上部電極３４ｃを、画素電極３４ａと同時に形成する（図１０及び図１１参照）。」が図面とともに記載されている。
　
（イ）引用例１の図１の記載から、ゲート電極１２ａ、Ｃｓ電極１２ｂ、ゲート電極１２ａに接続するゲートバスライン１２ｃ、ソース電極２２ａ、ドレイン電極２２ｂ、対向電極２６、コンタクトホール３２ａ及びコンタクトホール３２ｂはいずれも規則的に配列していることが見てとれる。
　
（ウ）引用例１の金属層２２、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０は、同じレジストパターンをマスクとして順次エッチングされること（段落００４３参照。）から、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に記載のｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層２０ａ、２０ｂも、ソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂと同様に（上記（イ）参照。）、規則的に配列していることが把握できる。
　
（エ）引用例１の図１に具体的に記載されているドレイン端子部及びゲート端子部は各１個であるが、ドレイン端子部はドレインバスライン３６の端部に接続され、ゲート端子部はゲートバスラインの端部に接続されることが自明であるから、図１に具体的に記載されているドレイン端子部の左側にも他のドレイン端子部が規則的に配列され、図１に具体的に記載されているゲート端子部の下側にも他のゲート端子部が規則的に配列されることが把握できる。
　
（オ）これらの記載事項によると、引用例１には、
「次の（ａ）乃至（ｅ）の工程を有するＴＦＴマトリクス装置の製造方法。
（ａ）透明絶縁基板１０上に金属層を成膜し、この金属層上に、所定のレジストパターンを形成した後、それをマスクとして金属層をエッチングして、ゲート電極１２ａ、Ｃｓ電極１２ｂ、ゲート電極１２ａに接続するゲートバスライン１２ｃ、及びこのゲートバスライン１２ｃに接続するゲート端子下部電極１２ｄをそれぞれ規則的に配列して形成する。
（ｂ）次いで、全面に、絶縁膜１４を成膜する。続いて、この絶縁膜１４上に、ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層１６及び保護膜１８を順に成膜する。次いで、この保護膜１８を、ＴＦＴチャネル部を除き、全てエッチング除去する。次いで、全面に、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０を成膜した後、更に金属層２２を成膜する。
（ｃ）次いで、この金属層２２上に、所定のレジストパターンを形成した後、それをマスクとして金属層２２、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０、及びｉ型ａ−Ｓｉ層１６を順にエッチングする。こうして、ＴＦＴ部のゲート絶縁膜１４ａ上にｉ型ａ−Ｓｉ層１６からなるａ−Ｓｉ活性層１６ａを形成すると共に、チャネル保護膜１８ａの両側のｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０からなるｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層２０ａ、２０ｂを介してそれぞれａ−Ｓｉ活性層１６ａに接続する金属層２２からなるソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂを相対して規則的に配列して形成し、ＴＦＴを完成させる。また同時に、蓄積容量部のＣｓ電極１２ｂ上に、絶縁膜１４及びｉ型ａ−Ｓｉ層１６からなる誘電体膜２４を介して、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０及び金属層２２からなる対向電極２６を規則的に配列して形成する。更に、ドレイン端子部において、ドレイン電極２２ｂにドレインバスラインを介して接続するｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０及び金属層２２からなるドレイン端子下部電極２８を規則的に配列して形成する。
（ｄ）次いで、全面に、パッシベーション膜３０を成膜し、完成させたＴＦＴを覆う。
（ｅ）次いで、レジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いて、ソース電極２２ａ、対向電極２６、ドレイン端子下部電極２８、及びゲート端子下部電極１２ｄ上にそれぞれ開口部をもつレジストパターンを形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜３０又はパッシベーション膜３０及び絶縁膜１４をエッチングし、コンタクトホール３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄをそれぞれ規則的に配列して開口する。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
 　 
イ．引用例２
　
（ア）原査定の拒絶理由に引用したこの出願の優先日前公知の刊行物である特開昭６２−１０５１４６号公報（以下、「引用例２」という。）には、
「次に、第３図に示した全画素用パターン８を設ける被転写板は、第４図に示すような、ソーダライムガラスからなる透光性基板９（２７０ｍｍ×２１０ｍｍ）上に、真空蒸着法によりＳｉ０２からなる絶縁膜１０（膜厚：５０００Å）、ＩＴＯからなる透明導電膜１５９（膜厚：７００Å）を順次積層したものとし、次に透明導電膜１５９上にロールコータ法によりポジ型のフォトレジスト１６０（例：ヘキスト社製のＡＺ−１３００２７，膜厚：１２０００Å）を塗布したレジスト付被転写板１６１を用意し、これを第５図に示す定盤１６２上に真空吸着して固定する。
　この定盤１６２には、真空吸着用の貫通孔１６２ａ，１６２ｂ，１６２ｃ，１６２ｄとレジスト付被転写板１６１の４辺中心線上外側に４個のアライメントマーク１６３，１６４，１６５，１６６が設けられている。これらのアライメントマーク１６３〜１６６は、レジスト付被転写板１６１の厚さより０．１ｍｍはど薄く、小片状の透光性基板（例：石英ガラス、５ｍｍ口）を使用し、白抜き十字状のアライメントマークを、第１図に示したアライメントマーク（１５１，１５２）、（１５３，１５４）、（１５５，１５６）、（１５７，１５８）と対応するように形成したものである。そして、これらのアライメントマーク１６３，１６４，１６５，１６６はそれぞれ、第１図に示したアライメントマーク１５１（１５３），１５２（１５６），１５５（１５７），１５４（１５８）に適合した位置関係に設置されるように、マイクロメータ等の調整治具により位置を調整したうえで、定盤１６２上に固定される。
　次に、レジスト付被転写板１６１上の左側上部に第１図（ａ）で示した転写マスク６３を密着固定する。その際、光学顕微鏡を通して、転写マスク６３のアライメントマーク１５１，１５２を定盤１６２上のアライメントマーク１６３，１６４にそれぞれ位置合わせして設置する。そして、この転写マスク６３以外の領域を遮光し、紫外線光を上方から転写マスク６３を介して、レジスト付被転写板１６１のレジスト１６０を露光して、第６図（ａ）に示すような、転写マスク６３の転写パターン７１，７２，７３，７５，７６，７７，７８，７９，８０，８１，８５，８７と予備パターン７４，８２，８３，８４，８６，８８，８９，９０とにそれぞれ対応した画素用パターンを形成するための未露光部分（以下、［画素パターン用未露光部分」という。）７１’，７２’，７３’，７５’，７６’，７７’，７８’，７９’，８０’，８１’，８５’，８７’と予備パターンによって遮光された未露光部分（以下、「予備未露光部分」という。）７４’，８２’，８３’，８４’，８６’，８８’，８９’，９０’を設ける。なお、１６７は露光部分である。
　次に、先の転写マスク６３を取り外して、第１図（ｂ）に示した転写マスク６４をレジスト付被転写板１６１上に設置する。その際にも、前述と同様に転写マスク６４のアライメントマーク１５３，１５４と定盤１６２上のアライメントマーク１６３，１６６とをそれぞれ位置合わせをする。そして、この転写マスク６４以外の領域を遮光して、前述と同様に紫外線光によりレジスト１６０を露光し、第６図（ｂ）に示す、転写マスク６４の転写パターン９３，９４，９５，９８，９９，１００，１０３，１０５，１０９，１１０と予備パターン１０４，１０８にそれぞれ対応した画素パターン用未露光部分９３’，９４’，９５’，９８’，９９’，１００’，１０３’，１０５’，１０９’，１１０’と予備未露光部分１０４’，１０８’とを設ける。また、転写マスク６４の転写パターン９１，１０６が、それぞれ前述した予備未露光部分７４’，８９’上に１μｍの精度で位置し、露光されることから、予備未露光部分７４’，８９’は、それぞれ画素パターン用未露光部分９１’，１０６’となる。さらに、予備パターン１０１，１０７が、それぞれ前述した予備未露光部分８４’，９０’上に前述の精度で位置し、露光されることから、予備未露光部分８４’，９０’は、それぞれ予備未露光部分１０１’，１０７’となる。なお、１６８は露光部分となる。
　次に、先の転写マスク６４を取り外して、第１図（Ｃ）に示した転写マスク６５をレジスト付被転写板１６１上に設置する。その際にも、前述したと同様に転写マスク６５のアライメントマーク１５６，１５５と定盤１６２上のアライメントマーク１６４，１６５とをそれぞれ位置合わせをする。そして、この転写マスク６５以外の領域を遮光し、前述と同様に露光し、第６図（ｃ）に示す、転写マスク６５の転写パターン１２１，１２２，１２３，１２４，１２６，１２７，１２８と予備パターン１２５，１２９，１３０とにそれぞれ対応した画素パターン用未露光部分１２１’，１２２’，１２３’，１２４’，１２６’，１２７’，１２８’と予備未露光部分１２５’，１２９’，１３０’とを設ける。また、転写マスク６５の転写パターン１１２，１１３，１１６，１１８，１２０が、それぞれ前述した予備未露光部分８２’，８３’，８６’，８８’，１０７’上に位置し、露光されることから、予備未露光部分８２’，８３’，８６’，８８’，１０７’は、それぞれ画素パターン用未露光部分１１２’，１１３’，１１６’，１１８’，１２０’となる。さらに、予備パターン１１４が、前述した予備未露光部分１０１’上に位置し、露光されることから、予備未露光部分１０１’は、予備未露光部分１１４’となる。なお、１６９は露光部分である。
　そして、最後に、先の転写マスク６５を取り外して、第１図（ｄ）に示した転写マスク６６をレジスト付被転写板１６１上に設置する。その際にも前述したと同様に転写マスク６６のアライメントマーク１５７，１５８と定盤１６２上のアライメントマーク１６５，１６６とをそれぞれ位置合わせをする。そして、この転写マスク６６以外の領域を遮光し、前述と同様に露光し、第６図（ｄ）に示す、転写マスク６６の転写パターン１４３，１４４，１４５，１４８，１４９，１５０にそれぞれ対応した画素パターン用未露光部分１４３’，１４４’，１４５’，１４８’，１４９’，１５０’を設ける。さらに、転写マスク６６の転写パターン１３１，１３４，１３８，１４２，１４６，１４７が、それぞれ前述した予備未露光部分１１４’，１０４’，１０８’，１２５’，１２９’，１３０’上に１μｍの精度で位置し、露光されることから、予備未露光部分１１４’，１０４’，１０８’，１２５’，１２９’，１３０’は、それぞれ画素パターン用未露光部分１３１’，１３４’，１３８’，１４２’，１４６’，１４７’となる。なお、１７０は露光部分である。
　次に、転写パターン用未露光部分７１’〜７３’，９１’，７５’，９３’〜９５’，７６’〜８０’，９８’〜１００’，８１’，１１２’，１１３’，１３１’，８５’，１０３’，１３４’，１０５’，１１６’，８７’，１１８’，１０６’，１２０’，１３８’，１０９’，１１０’，１２１’〜１２４’，１４２’〜１４５’，１２６’〜１２８’，１４６’〜１５０’が設けられたレジスト付被転写板１６１を定盤１６２から取り外し、専用現像液にて現像し、第４図に示す透明導電膜１５９を、塩酸と塩化第２鉄との混合液でエツチングし、水酸化ナトリウムによりレジストを剥離し、第３図に示した全画素用パターン８を形成した。」（第５頁左上欄６行〜第６頁左下欄１４行）が図面とともに記載されている。
　
（イ）これらの記載及び図面の記載事項から、
「区域５９のうち他の区域と重複しない領域と、区域６０のうち他の区域と重複しない領域と、区域６１のうち他の区域と重複しない領域と、区域６２のうち他の区域と重複しない領域と、２以上の区域の重複区域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４及びＡ５からなる領域とを有する透光性基板９の上にポジ型のフォトレジスト１６０を塗布したレジスト付被転写板１６１を用意し、転写マスク６３を密着固定してレジスト付被転写板１６１を露光し、これにより、前記区域５９のうち他の区域と重複しない領域の上の前記フォトレジスト１６０に複数の画素用パターンの潜像（７１’〜７３’及び７６’〜７８’）を形成するとともに、前記重複区域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４及びＡ５からなる領域の上の前記フォトレジスト１６０に前記画素用パターンが入る広さの予備未露光部分（７４’、８２’、８３’、８４’、８６’、８８’、８９’、９０’）と少なくとも１つの前記画素用パターンの潜像（７５’、７９’、８０’、８１’、８５’、８７’）とを形成する工程と、転写マスク６４を設置してレジスト付被転写板１６１を露光し、これにより、前記区域６０のうち他の区域と重複しない領域の上の前記フォトレジスト１６０に複数の画素用パターンの潜像（９３’〜９５’及び９８’〜１００’）を形成するとともに、前記重複区域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４及びＡ５からなる領域の上の前記フォトレジスト１６０に前記画素用パターンが入る広さの予備未露光部分（１０１’、１０４’、１０７’、１０８’）と少なくとも１つの前記画素用パターンの潜像（９１’、１０３’、１０５’、１０６’、１０９’、１１０’）とを形成する工程と、転写マスク６５を設置してレジスト付被転写板１６１を露光し、これにより、前記区域６１のうち他の区域と重複しない領域の上の前記フォトレジスト１６０に複数の画素用パターンの潜像（１２１’〜１２３’及び１２６’〜１２８’）を形成するとともに、前記重複区域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４及びＡ５からなる領域の上の前記フォトレジスト１６０に前記画素用パターンが入る広さの予備未露光部分（１１４’、１２５’、１２９’、１３０’）と少なくとも１つの前記画素用パターンの潜像（１１２’、１１３’、１１６’、１１８’、１２０’、１２４’）とを形成する工程と、転写マスク６６を設置してレジスト付被転写板１６１を露光し、これにより、前記区域６２のうち他の区域と重複しない領域の上の前記フォトレジスト１６０に複数の画素用パターンの潜像（１４３’〜１４５’及び１４８’〜１５０’）を形成するとともに、前記重複区域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４及びＡ５からなる領域の上の前記予備未露光部分（１０４’、１０８’、１１４’、１２５’、１２９’、１３０’）に前記画素用パターンの潜像（１３４’、１３８’、１３１’、１４２’、１４６’、１４７’）とを形成する工程とを含むパターン形成する工程」の技術事項が把握できる。
　
ウ．引用例３
　
（ア）原査定の拒絶理由に引用したこの出願の優先日前公知の刊行物である特開平６−３２４４７４号公報（以下、「引用例３」という。）には、
「【請求項３】複数の単位パターンを有する第１及び第２のパターン領域を、該第１及び第２のパターン領域の周辺部どうしが感光基板上で互いに連続するように露光することによつて該感光基板上に大面積のパターンを形成する露光方法において、
前記第１及び第２のパターン領域のうち連続させるべき前記周辺部における前記単位パターンが離散的、且つ重複しない位置に配置されたフオトマスクを用い、
前記周辺部どうしを前記感光基板上で重複させて感光することを特徴とする露光方法。」、
「【００１９】
【作用】第１及び第２のパターン領域のうち連続されるべき周辺部４３における単位パターンが離散的、且つ重複しない位置に配置されたフオトマスクを用い、周辺部４３どうしを感光基板上で重複させて感光することにより、第１及び第２のパターン領域をそれぞれ露光する際における露光量の大きさに差がある場合にも、連続されるべき周辺部４３に形成される各単位パターンの露光量の違いが知覚され難いようにすることができる。
【００２０】
【実施例】以下図面について本発明の一実施例を詳述する。
【００２１】ここではマトリクス状に配置された画素電極を薄膜トランジスタによつてスイツチング駆動することにより画像を表示する液晶デイスプレイの製造に用いられるパターン像を基板１２上にステツプアンドリピート方式の投影露光装置１０を用いて露光する場合について説明する。この実施例の場合、パターン像は左右２つのパターン像に分けて露光され、２回のシヨツトの終了後に１つのパターン像が形成されるようになされている。
【００２２】このとき基板１２上に第１回目のシヨツトによつて露光される露光領域４１と第２回目のシヨツトによつて露光される露光領域４２は、図１（Ａ）に示すように、接続部４３に当たる部分においてそれぞれ重複するようになされている。この画面の接続部４３を拡大すると図１（Ｂ）のようになる。ここで黒塗り及び白抜きによつて示される正方形のパターンはそれぞれ液晶デイスプレイの各画素を表している。
【００２３】このうち黒塗りの画素は第１回目のシヨツトによつて露光される画素を表し、白抜きの画素は２回目のシヨツトによつて露光される画素を表す。この実施例の場合、露光領域４１、４２を接続する方向の９個の画素の領域が接続部４３に当たる。
【００２４】この接続部４３に位置する複数の画素のそれぞれは、第１回目のシヨツト又は第２回目のシヨツトのいずれか一方のシヨツトによつて１度だけ露光されるようになされており、２重露光されないようになされている。ここで各シヨツトに用いられるレチクルパターン（図示せず）は、接続部４３の部分に配置される画素のうち他方のシヨツトによつてのみ露光される画素部分が露光されないようにクロム等によつてマスクされている。」、
「【００２７】従つて第１回目のシヨツトによつて形成された薄膜トランジスタと第２回目のシヨツトによつて形成された薄膜トランジスタに電気的な差が生じて各画素の動作特性に差が生じたり、２つの画素における輝度に若干のコントラスト差が生じたとしてもその輝度の違いはまざりあつているため知覚されにくくなつている。」、及び、
「【００３７】さらに上述の実施例においては、液晶デイスプレイを構成する各画素を駆動する電解効果トランジスタを露光する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、他のゲートや配線パターンを露光する場合にも広く適用し得る。例えばブラツクマトリクスを形成する場合にも適用し得る。」が図面とともに記載されている。
　
（イ）これらの記載及び図面の記載事項から、
「露光領域４１のうち接続部４３以外の第１の領域と、露光領域４２のうち接続部４３以外の第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域に挟まれた接続部４３の領域とを有する感光基板を用意し、第１のレチクルを使用して第１回目のショットによって露光し、これにより、前記第１の領域の上に複数の画素パターンの潜像を配置形成するとともに、前記接続部４３の領域の上に配置される画素のうち他方のショットによってのみ露光される画素部分が露光されないようにクロム等によってマスクされている領域と少なくとも１つの前記画素パターンの潜像とを形成する工程と、第２のレチクルを使用して第２回目のショットによって露光し、これにより、前記第２の領域の上に複数の前記画素パターンの潜像を配置形成するとともに、前記接続部４３の領域上の前記マスクされていて露光されなかった領域に前記画素パターンの潜像を形成する工程とを含むパターン形成する工程」の技術事項が把握できる。
　
 （３）対比 
　
 　本願発明と引用発明とを対比する。 
　
ア．引用発明における「ＴＦＴマトリクス装置の製造方法。」は、本願発明における「薄膜トランジスタマトリクス装置の製造方法。」に相当する。
　
イ．引用発明における「透明絶縁基板１０」及び「レジスト」は、本願発明における「基板」及び「感光性レジスト」に相当し、かつ、所定のレジストパターンを形成するために、感光性レジスト膜を形成しパターン露光した後現像して顕像化することは当業者にとって自明のことであるから、引用発明における「所定のレジストパターンを形成し」は、本願発明における「感光性レジスト膜を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記感光性レジスト膜にパターンの潜像を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を現像することにより、前記感光性レジスト膜よりなる複数の第１のパターンを顕像化する工程」に相当する。
　
ウ．引用発明における「それをマスクにして」の「それ」は、所定のレジストパターンのことであるから、引用発明における「それをマスクにして」は、本願発明における「前記感光性レジスト膜よりなる前記第１のパターンをマスクに使用して」に相当し、引用発明の工程（ａ）における「金属層」は本願発明の「所望の膜」に相当するから、引用発明の工程（ａ）における、「ゲート電極１２ａ、Ｃｓ電極１２ｂ、ゲート電極１２ａに接続するゲートバスライン１２ｃ、及びこのゲートバスライン１２ｃに接続するゲート端子下部電極１２ｄ」は、本願発明の「所望の膜よりなる第２のパターン」に相当する。
　
エ．また、引用発明の工程（ｃ）における「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層２０ａ、２０ｂ、ソース電極２２ａ、ドレイン電極２２ｂ、対向電極２６、ドレイン端子下部電極２８」も本願発明の「所望の膜よりなる第２のパターン」に相当し、引用発明の工程（ｃ）における「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０及び金属層２２」も本願発明の「所望の膜」に相当する。
　
オ．さらに、引用発明の工程（ｅ）における「コンタクトホール３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ」も本願発明の「所望の膜よりなる第２のパターン」に相当し、引用発明の工程（ｅ）における「パッシベーション膜３０」も本願発明の「所望の膜」に相当する。
　
カ．そして、上記ウ〜オにおいて「所望の膜よりなる第２パターン」に相当するとした引用発明の「ゲート電極１２ａ、Ｃｓ電極１２ｂ、ゲート電極１２ａに接続するゲートバスライン１２ｃ、及びこのゲートバスライン１２ｃに接続するゲート端子下部電極１２ｄ、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層２０ａ、２０ｂ、ソース電極２２ａ、ドレイン電極２２ｂ、対向電極２６、ドレイン端子下部電極２８及びコンタクトホール３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ」は、いずれも規則的に配列して形成されているから、引用発明における（ａ）、（ｃ）及び（ｅ）の３つの工程は、いずれも本願発明の所望の膜に適用される「基板の上に感光性レジスト膜を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記感光性レジスト膜にパターンの潜像を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を現像することにより、前記感光性レジスト膜よりなる複数の第１のパターンを顕像化する工程と、前記感光性レジスト膜よりなる前記第１のパターンをマスクに使用して、所望の膜よりなる複数の第２のパターンを規則的に配列して形成する工程とを含むパターン形成する工程とを含むパターン形成工程」に該当する。そして、引用発明における工程（ａ）の「金属層」、工程（ｃ）の「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０及び金属層２２」及び工程（ｅ）の「パッシベーション膜３０」は異なる膜であるから、引用発明は、本願補正発明の「前記パターン形成工程を少なくとも２つの異なる前記膜に対して適用することにより、少なくとも２つの異なる層を形成する」ものである。
　
キ．したがって、本願発明と引用発明とは、
「基板の上に感光性レジスト膜を形成する工程と、
前記感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記感光性レジスト膜にパターンの潜像を形成する工程と、
前記感光性レジスト膜を現像することにより、前記感光性レジスト膜よりなる複数の第１のパターンを顕像化する工程と、前記感光性レジスト膜よりなる前記第１のパターンをマスクに使用して、所望の膜よりなる複数の第２のパターンを規則的に配列して形成する工程とを含むパターン形成する工程と
を含むパターン形成工程を有し、
前記パターン形成工程を少なくとも２つの異なる前記膜に対して適用することにより、少なくとも２つの異なる層を形成する薄膜トランジスタマトリクス装置の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
 相違点：
　本願発明においては、基板が、「第１の領域と、第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域に挟まれた第３の領域とを有し」ており、感光性レジスト膜を露光し、これにより、前記感光性レジスト膜にパターンの潜像を形成する工程が、「第１の露光マスクを使用して露光し、これにより、前記第１の領域の上に複数の第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域の上に前記第１のパターンが入る広さの未露光領域と少なくとも１つの前記第１のパターンの潜像とを形成する工程と、第２の露光マスクを使用して露光し、これにより、前記第２の領域の上に複数の前記第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域上の前記未露光領域に前記第１のパターンの潜像を形成する工程」とからなっているのに対して、引用発明では、（ａ）、（ｃ）及び（ｅ）の各工程における所定のレジストパターンを、どのようなマスクをいくつ用いて、基板のどの領域に適用して、形成するのかについて具体的に開示されていない点。
　
（４）判断
　
 　上記相違点について検討すると、第１の領域と、第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域に挟まれた第３の領域とに基板の領域を区分し、第１の露光マスクを使用して露光し、これにより、前記第１の領域の上に複数の第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域の上に前記第１のパターンが入る広さの未露光領域と少なくとも１つの前記第１のパターンの潜像とを形成する工程と、第２の露光マスクを使用して露光し、これにより、前記第２の領域の上に複数の前記第１のパターンの潜像を配置形成するとともに、前記第３の領域上の前記未露光領域に前記第１のパターンの潜像を形成する工程を有するパターンの形成方法が本願の優先日前に周知であるから（例えば、上記３．（２）イ．（ア）、（イ）で述べた引用例２の記載事項及び上記３．（２）ウ．（ア）、（イ）で述べた引用例３の記載事項参照。）、引用発明の（ａ）、（ｃ）、（ｅ）のそれぞれの工程における「レジストパターンの形成」に、上記周知技術を採用することは当業者が容易になし得ることである。 
　しかも、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術の奏する効果から当業者が予測し得る程度のものにすぎない。 
 　 
 （５）むすび 
 　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。