【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットでおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項４】
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項５】
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項６】
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項７】
素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】
素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１１】
素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素をからなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１２】
素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは高出力スパッタしてもスパッタ中に割れることがない高強度光記録媒体保護膜形成用ターゲットを作製すべく研究を行った。
その結果、（ａ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、または
酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない。
（ｂ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、または、
酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない。
（ｃ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない、
Ｉｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成していないターゲットに比べて密度及び強度が格段に向上するという研究結果が得られたのである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットでおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（２）モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（３）モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（４）モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（５）モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（６）モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（７）素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（８）  素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（９）  素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（１０）  素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（１１）  素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素をからなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（１２)  素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。