【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第２のスイッチを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第３のスイッチを介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記保持容量及び前記第４のスイッチを介して第２の配線に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記保持容量及び前記第１のスイッチを介して第３の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置（ただし前記発光素子と並列接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項２】
トランジスタと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第２の保持容量を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第２のスイッチを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第３のスイッチを介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記第４のスイッチを介して第２の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記第１のスイッチを介して第３の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置（ただし前記発光素子と並列接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項３】
トランジスタと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、第５のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第２の保持容量を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は第５のスイッチを介して第４の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第２のスイッチを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第３のスイッチを介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記第４のスイッチを介して第２の配線に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記第１のスイッチを介して第３の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置（ただし前記発光素子と並列接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の配線は前記第１のスイッチを制御する配線と同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の配線は前行もしくは次行の第１のスイッチ乃至第４のスイッチを制御する走査線のいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
トランジスタと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第２の保持容量を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第２のスイッチを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第３のスイッチを介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記第４のスイッチを介して前記第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記第１のスイッチを介して第３の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置（ただし前記発光素子と並列接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項７】
トランジスタと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、整流素子とを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第２の保持容量を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第２のスイッチを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第３のスイッチを介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記整流素子を介して第２の配線に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記第１のスイッチを介して第３の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置（ただし前記発光素子と並列接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項８】
トランジスタと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第２の保持容量を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第２のスイッチを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第３のスイッチを介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１の保持容量及び前記第１のスイッチを介して第３の配線に電気的に接続され、
前記第４のスイッチは前記第１の保持容量と並列に電気的に接続され、なおかつ前記第１のスイッチを介して前記第３の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置（ただし前記発光素子と並列接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記トランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、非晶質半導体膜からなることを特徴する半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、アモルファスシリコンからなることを特徴する半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、結晶性半導体膜からなることを特徴する半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の配線の電位は、前記画素電極の電位に前記トランジスタのしきい値電圧を加算した値より高いことを特徴する半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記トランジスタは、Ｐチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項９、及び請求項１５のいずれか一項において、
前記第１の配線の電位は、前記画素電極の電位から前記トランジスタのしきい値電圧を減算した値より低いことを特徴する半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１のスイッチ乃至第４のスイッチはトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
第１の保持容量と、
ソース電極及びドレイン電極の一方が負荷に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方が第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極が前記第１の保持容量を介して第２の配線と電気的に接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートソース間電圧を保持する第２の保持容量と、
前記第１の保持容量に第１の電圧を、前記第２の保持容量に第２の電圧を保持させる手段と、
前記第２の保持容量の第２の電圧を前記トランジスタのしきい値電圧まで放電させる手段と、
前記第２の配線からビデオ信号に応じた電位を前記第１の保持容量に入力することにより前記トランジスタに設定された電流を前記負荷に供給する手段とを有することを特徴とする半導体装置（ただし前記負荷と並列接続されたトランジスタを有する半導体装置を除く）。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１８または請求項１９において、
前記トランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１８乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、非晶質半導体膜からなることを特徴する半導体装置。
【請求項２２】
請求項１８乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、アモルファスシリコンからなることを特徴する半導体装置。
【請求項２３】
請求項１８乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、結晶性半導体膜からなることを特徴する半導体装置。
【請求項２４】
請求項１８または請求項１９において、
前記トランジスタは、Ｐチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のいずれか一項に記載の半導体装置を有する表示装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載の表示装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。