【事件の表示】
　平成１１年特許願第１１２７９０号「磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月　２日出願公開、特開２０００−３０６２１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年４月２０日の出願であって、平成１７年３月１１日付けで手続補正がなされ、その後平成１７年３月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年５月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年５月２０日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年５月２０日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年５月２０日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の、
　（ａ）「【請求項１】　磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果膜に磁化安定化バイアス磁界を印加する、ＣｏＰｔ合金からなる安定化バイアス層と、
　該安定化バイアス層の下地層を構成する強磁性体とを備え、
　該強磁性体はＦｅからなり、１．３〜２．５ｎｍの膜厚を有する、磁気抵抗効果型ヘッド。」を、
　（ｂ）「【請求項１】　磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果膜に磁化安定化バイアス磁界を印加する、
Ｃｒを含まない
　該安定化バイアス層の下地層を構成する強磁性体とを備え、
　
該安定化バイアス層が磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化に対して約１〜７倍程度の残留磁化を有し、且つ、硬磁性となるように
　と補正するものである。
　
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「ＣｏＰｔ合金」について「
Ｃｒを含まない
該安定化バイアス層が磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化に対して約１〜７倍程度の残留磁化を有し、且つ、硬磁性となるように
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−９７４０９号公報（以下「引用例１」という。）には、「磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気記録再生装置」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁界を印加する縦バイアス印加層とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記縦バイアス印加層が、強磁性薄膜からなる下地膜と、前記強磁性薄膜からなる下地膜の上に形成された硬磁性薄膜とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド
【請求項２】前記強磁性薄膜からなる下地膜が、結晶構造が体心立方格子である強磁性薄膜である請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁気抵抗効果膜が、非磁性導電性薄膜を中間層として第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜が積層されており、前記第１の磁性薄膜の磁化方向が隣接して設けられた反強磁性層によって固定されており、外部磁界を印加しない状態で前記第２の磁性薄膜の磁化方向が前記第１の磁性薄膜の磁化方向に対し略垂直であり、前記第１の磁性薄膜の磁化の方向と前記第２の磁性薄膜の磁化の方向の相対的な角度によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果積層膜である
硬磁性薄膜がＣｏとＭ
１
（Ｍ
１
はＣｒ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｐｔ及びＲｅの群から選択される少なくとも１種類以上の元素）を主成分とした合金
【請求項１０】前記結晶構造が体心立方格子である強磁性薄膜が
Ｆｅ
　（イ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】バルクハウゼンノイズを抑制するために磁気抵抗効果型磁気ヘッドに用いられる
硬磁性薄膜には、二つの磁気特性が要求される
保磁力が大きいこと
硬磁性薄膜から磁気抵抗効果膜に入る縦バイアス磁界が変動しないように、十分な大きさの保磁力が必要となる
磁化の膜面内成分が大きいこと
　（ウ）「【００１１】本発明の
目的は、硬磁性薄膜の保磁力及び角形比の向上を図り
　（エ）「【００２１】下地膜として、結晶構造が体心立方格子である強磁性薄膜，非晶質強磁性薄膜、或いは結晶構造が体心立方格子である反強磁性薄膜を用いることにより、以下の作用を生じることができる。
【００２２】硬磁性薄膜の磁化容易方向である〈００１〉方向が、膜面方向に垂直な方向から膜面方向に傾く、或いは完全に膜面方向に向くことにより、保磁力及び角形比が向上することである。
【００２３】また、硬磁性薄膜が、面心立方構造を有する強磁性薄膜の上に形成される際に、
下地膜を設けることにより硬磁性薄膜内に結晶磁気異方性の小さい面心立方格子を有する結晶粒の成長を抑制することができ、これにより保磁力の低下を抑えること
【００２４】硬磁性薄膜が、図１６のように、異なる結晶構造を有する層の上に形成される場合に、上記の下地膜を設けることによって、
下の層の違いに依らず、均一な磁気特性を有する硬磁性薄膜を得ること
【００２５】更に、
硬磁性薄膜と、ＭＲ素子部を構成する強磁性薄膜との間に、磁気的交換結合を作用させることにより、ＭＲ素子部を構成する強磁性薄膜内の磁化の方向を、硬磁性薄膜から発生しＭＲ素子の感磁部に入る縦バイアス磁界の方向と同じ方向に安定化させることができる
　（オ）「【００２８】硬磁性薄膜の固有保磁力の低下を抑えて、磁気抵抗効果膜或いは軟磁性薄膜の磁化を硬磁性薄膜の磁化の方向と同じ向きに安定化するにはこれらの膜の上に、まず、下地膜として結晶構造が体心立方格子である強磁性薄膜を成膜した後、硬磁性薄膜を成膜する手段が最も有効である。これは下地膜として結晶構造が体心立方格子である薄膜を設けることにより、結晶磁気異方性が小さい面心立方格子を持つ結晶粒の成長を抑制し、結晶磁気異方性が大きい最密六方格子の成長を促すためである。また、
下地膜に強磁性体を用いることにより、磁気抵抗効果膜或いは軟磁性薄膜と硬磁性薄膜との間に交換結合が生じ、磁化の方向が同じ向きに安定化される。このような構成にすることにより、硬磁性薄膜から発生する縦バイアス磁界の効果と、交換結合による磁化の安定化の効果が作用するため、バルクハウゼンノイズの抑制効果が向上する
交換結合による磁化の安定化の効果
　（カ）「【００３０】
縦バイアス磁界の大きさは縦バイアス印加層を構成する強磁性膜から発生する磁束の量に依存するため、強磁性膜の残留磁束密度と膜厚を変えることによって調整するのが一般的である。下地膜を有する硬磁性薄膜では硬磁性薄膜の残留磁束密度と膜厚の積と下地膜の残留磁束密度と膜厚の積を加えたものが実効的に作用する
【００３１】前述の
硬磁性薄膜は特にＣｏ−Ｐｔ合金
【００３２】この硬磁性薄膜は（数１）又は（数２）の組成からなることが好ましい。
【００３３】
　ＣｏａＣｒｂＰｔｃ　・・・（数１）
又は
　（ＣｏａＣｒｂＰｔｃ）１−ｘ（ＭＯｙ）ｘ　・・・（数２）
（但し、ｘ＝０．０１〜０．２０，ｙ：０．４　〜３，ａ：０．５〜０．９，
ｂ：０〜０．２５
　（キ）「【００５３】
【発明の実施の形態】
（実施例１）本発明の下地膜の上の硬磁性薄膜の磁気特性の改善について、下地膜として、結晶構造が体心立方格子であるＦｅ−Ｃｒ系合金薄膜を用いた場合について述べる。（略）薄膜の作製はスパッタリング法により行い、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系硬磁性薄膜の膜厚は下地膜の有無に依らず４０ｎｍであり、Ｆｅ−Ｃｒ系合金薄膜の膜厚は１０ｎｍである。なお、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系硬磁性薄膜の組成は６９ａｔ．％Ｃｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−１７ａｔ．％Ｐｔであり、Ｆｅ−Ｃｒ系合金薄膜の組成は９０ａｔ．％Ｆｅ−１０ａｔ．％Ｃｒである。単層膜では、保磁力が６１０Ｏｅ，
残留磁束密度と膜厚の積（以下、磁化量と呼ぶ）
磁化量は、磁性膜から発生する磁界の大きさを表わし、磁気抵抗効果膜に印加される縦バイアス磁界に相当する。ＭＲヘッドを安定かつ高感度に動作させるためには、縦バイアス印加層の磁化量としては、磁気抵抗効果膜の磁化量の１〜２．５倍の磁化量が適当である
【００５４】
ＭＲヘッドの最適な磁化量の大きさは、磁気抵抗効果膜の膜厚等によって変わるので、その場合には硬磁性薄膜の膜厚をその大きさに併せて変化させればよい
　（ク）「【００５６】（実施例２）下地膜の厚さが５〜２０ｎｍと薄い場合には図４のように、軟磁性薄膜１３／非磁性導電性薄膜１４／磁気抵抗効果膜１５を信号検出領域だけ残るように両脇を切り落し、縦バイアス印加層２４及び電極膜１７を配置すると、縦バイアス印加層２４から発生する磁界により磁気抵抗効果膜１５だけではなく軟磁性薄膜１３にも縦バイアス磁界を印加することができるため、軟磁性薄膜１３に起因するバルクハウゼンノイズを抑制することが可能となる。（略）一般に軟磁性薄膜１３として結晶構造が面心立方格子であるＮｉ−Ｆｅ系薄膜が用いられるため、下地膜を用いない場合には硬磁性薄膜の再生トラック側は面心立方格子上に成膜され、この部分で保磁力の低下が起こりバルクハウゼンノイズが発生する。また、下地膜として非磁性薄膜を用いると、軟磁性薄膜の磁気抵抗効果膜よりも幅が広くなっている部分の磁化の方向が不安定になり、これがバルクハウゼンノイズとなって現われる。
結晶構造が体心立方格子である強磁性薄膜や反強磁性薄膜、あるいは非晶質強磁性薄膜を下地膜として用いると、硬磁性薄膜の保磁力が低下せず、さらに硬磁性薄膜と軟磁性薄膜の間に交換結合が生じるため軟磁性薄膜の磁化が安定し、バルクハウゼンノイズを抑制することができる
【００５７】なお、出力を低下させずにバルクハウゼンノイズを抑制するには縦バイアス磁界の大きさを適切な値に調整することが重要である。膜厚のばらつきによる縦バイアス磁界の変動を考えると、
強磁性を示す下地膜２５２は飽和磁束密度の高いＦｅ薄膜
　（ケ）「【００６３】また、縦バイアス印加層２４としてＦｅ−Ｃｒ１０ｎｍ／Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ４０ｎｍの積層膜を用いているが、これは実施形態の一例であり、
縦バイアス印加層の磁化量が、磁気抵抗効果膜の磁化量の１〜２．５倍程度であれば、この膜厚構成、或いはこれらの材料でなくてもよい。磁化量の調整は、強磁性を示す下地膜２５２と硬磁性薄膜２６が強磁性的に結合していることから、これらそれぞれの膜厚を変えることにより行うことができる
【００６４】図５〜図８は
硬磁性薄膜と磁気抵抗効果膜との間に作用する磁気的交換結合の効果
【００６５】以上の結果から、非磁性の下地膜を用いたＭＲヘッドと、本発明のＭＲヘッドでは、信号検出領域端部の磁化の状態に違いがあることが判明した。この違いは、硬磁性薄膜と、磁気抵抗効果膜及び軟磁性薄膜との間の磁気的交換結合の有無によるものである。本発明のＭＲヘッドでは、硬磁性薄膜と磁気抵抗効果膜の磁化は、磁性下地膜を介して磁気的交換結合しているので、磁気抵抗効果膜及び軟磁性薄膜の端部の磁化は、硬磁性薄膜の磁化の方向と同じ方向を向く。この場合、硬磁性薄膜の磁化はＭＲヘッドのトラック方向に着磁されているので、磁気抵抗効果膜及び軟磁性薄膜の磁化も同様にトラック方向を向く。（略）本発明のように、硬磁性薄膜が端部領域において磁気的交換結合をする場合には、信号検出領域端部に発生し易い、このような
磁化の不安定を防止する
　（コ）「【００６６】（実施例３）図１は本発明の異方性磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構造を示す斜視図であり、図９は感磁部近くの断面図である。（略）なお、ガラス基板上に作製した
Ｆｅ薄膜１０ｎｍとＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系硬磁性薄膜３２ｎｍからなる積層膜の
縦バイアス印加層としてＦｅ／Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ積層膜を用いたが、これは縦バイアス印加層２４の代表的なものであり、特にこの積層膜に限定されるものでない
【００６７】（略）
縦バイアス印加層としてＦｅ薄膜１０ｎｍ／Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系硬磁性薄膜３２ｎｍを用いたヘッドのバルクハウゼンノイズの抑制率は１００％である
【００６８】（略）
【００６９】結晶構造が体心立方格子である強磁性薄膜はＦｅ−Ｎｉ系合金，Ｆｅ−Ｃｏ系合金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、さらにＦｅ及びこれらの合金に添加元素としてＳｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗを１種類以上添加した合金を用いることができる。これらを下地膜として用いる場合、
硬磁性薄膜の結晶成長を促し、さらに粒子間の磁気的な相互作用を小さくして大きな保磁力を得るためには下地膜の厚さは厚い方が良いが、一方磁気抵抗効果膜と硬磁性薄膜の間の交換結合は下地膜が厚い程減少してしまう。従って、下地膜の膜厚は硬磁性薄膜の成長が結晶構造が面心立方格子である磁気抵抗効果膜の影響を受けなくなる膜厚である５〜２０ｎｍ程度が好ましい
　（サ）「【００７２】
硬磁性薄膜はＣｏと、Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を主成分とする合金を用いることができ
　（シ）「【００７４】（略）一方、強磁性下地膜を用いた場合には、感磁部の磁化は、縦バイアス印加層から発生する磁界によって、感磁部以外の磁化は、縦バイアス印加層と磁気抵抗効果膜の磁気的交換結合により、縦バイアス印加層の着磁方向と同じ方向を向く。従って、磁気抵抗効果膜には磁壁が存在しないので、バルクハウゼンノイズのないＭＲヘッドが得られる。」（実施例３の項）
　（ス）「【００７６】（実施例５）図１１は、このような膜構成からなる磁気抵抗効果積層膜を有するＭＲヘッドの一実施形態の感磁部近傍の断面図である。（略）下部ギャップ層１２１の上に、反強磁性層３１としてＮｉＯ反強磁性薄膜１００ｎｍ，磁性薄膜３２としてＮｉ−Ｆｅ系合金薄膜５ｎｍ，非磁性導電性薄膜３３としてＣｕ薄膜３ｎｍ，磁性薄膜３４としてＮｉ−Ｆｅ系合金薄膜１２ｎｍを成膜した後、保護膜３５としてＴａ薄膜を３ｎｍ成膜する。（略）本発明の縦バイアス印加層２４、例えば体心立方構造を有する強磁性を示す下地膜２５２であるＦｅ−１０ａｔ．％Ｃｒ合金薄膜５ｎｍ及び硬磁性薄膜２６であるＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系硬磁性薄膜１４ｎｍを形成し、これに続いて電極膜１７となるＡｕ薄膜を０．２μｍ　成膜する。ここで、ガラス基板上に作製したＦｅ−１０ａｔ．％Ｃｒ合金薄膜５ｎｍ／Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ系硬磁性薄膜１４ｎｍの保磁力は１５００Ｏｅ、角型比は０．８５、残留磁束密度は０．８７Ｔであった。（略）」
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（キ）（ケ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁界を印加する縦バイアス印加層とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記縦バイアス印加層が、強磁性薄膜からなる下地膜と、前記強磁性薄膜からなる下地膜の上に形成された硬磁性薄膜とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、
　前記磁気抵抗効果膜が、非磁性導電性薄膜を中間層として第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜が積層されており、前記第１の磁性薄膜の磁化方向が隣接して設けられた反強磁性層によって固定されており、外部磁界を印加しない状態で前記第２の磁性薄膜の磁化方向が前記第１の磁性薄膜の磁化方向に対し略垂直であり、前記第１の磁性薄膜の磁化の方向と前記第２の磁性薄膜の磁化の方向の相対的な角度によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果積層膜であり、
　前記強磁性薄膜からなる下地膜が、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、或いはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金であり、
　前記硬磁性薄膜がＣｏとＭ１（Ｍ１はＣｒ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＲｅの群から選択される少なくとも１種類以上の元素）を主成分とした合金であり、
　縦バイアス印加層の磁化量が、磁気抵抗効果膜の磁化量の１〜２．５倍程度である、磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」「縦バイアス磁界」は、それぞれ補正後の発明の「磁気抵抗効果型ヘッド」「磁化安定化バイアス磁界」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗効果膜」は、「非磁性導電性薄膜を中間層として第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜が積層されており、前記第１の磁性薄膜の磁化方向が隣接して設けられた反強磁性層によって固定されており、外部磁界を印加しない状態で前記第２の磁性薄膜の磁化方向が前記第１の磁性薄膜の磁化方向に対し略垂直であり、前記第１の磁性薄膜の磁化の方向と前記第２の磁性薄膜の磁化の方向の相対的な角度によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果積層膜」であり、ここで「第１の磁性薄膜」が、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子の構造の固定層であるから、引用例１に記載された発明の「第２の磁性薄膜」は、補正後の発明の「フリー層」に相当している。
　引用例１に記載された発明において、「磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁界を印加する縦バイアス印加層」が、「強磁性薄膜からなる下地膜と、前記強磁性薄膜からなる下地膜の上に形成された硬磁性薄膜とを有する」ところ、引用例１に記載された発明において、「強磁性薄膜からなる下地膜」は、従来下地膜が設けられていなかった硬磁性薄膜の下地膜として形成されているものであるから、引用例１に記載された発明における「硬磁性薄膜」は、補正後の発明の「安定化バイアス層」に相当し、引用例１に記載された発明における「強磁性薄膜からなる下地膜」は、補正後の発明の「安定化バイアス層の下地層を構成する強磁性体」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」は、「縦バイアス印加層の磁化量が、磁気抵抗効果膜の磁化量の１〜２．５倍程度である」ものであり、ここで「磁気抵抗効果膜の磁化量」とはスピンバルブ型磁気抵抗効果素子において実質的に「フリー層の磁化量」であり、補正後の発明の「磁気抵抗効果型ヘッド」は、「該安定化バイアス層が磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化に対して約１〜７倍程度の残留磁化を有し」ているので、引用例１に記載された発明と補正後の発明とは、「約１〜２．５倍程度」の数値範囲で重複するものであることが明らかである。
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）　「磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果膜に磁化安定化バイアス磁界を印加する、安定化バイアス層と、
　安定化バイアス層の下地層を構成する強磁性体とを備え、
　安定化バイアス層が磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化に対して約１〜２．５倍程度の残留磁化を有し、且つ、硬磁性となるように、強磁性体はＦｅからなり、所定の膜厚を有する、磁気抵抗効果型ヘッド。」
　（相違点１）　補正後の発明は、「安定化バイアス層」の材料について、「Ｃｒを含まないＣｏＰｔ合金からなる」と特定し、下地層を構成するＦｅからなる強磁性体の膜厚について、「１．３〜２．５ｎｍ」と特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、「安定化バイアス層」の材料について「ＣｏとＭ１（Ｍ１はＣｒ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＲｅの群から選択される少なくとも１種類以上の元素）を主成分とした合金」とし、強磁性体の膜厚は特定していない点。
　
（２）相違点１についての判断
（安定化バイアス層の材料について）
　引用例１に記載された発明において用いられる合金は、「ＣｏとＭ１（Ｍ１はＣｒ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＲｅの群から選択される少なくとも１種類以上の元素）を主成分とした合金」であり、特にＣｏＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金等が好ましいと例示され（上記（カ）の段落３１参照）、Ｃｒを明らかに含まない組成ＣｏａＣｒｂＰｔｃ・・・（数１）（但し、（略）ｂ：０（略））（上記（カ）の段落３３参照）が例示されている。引用例１の実施例には、ＣｏＣｒＰｔとＣｏＰｔＣｒの例が示されているのみであるが、実施例の合金に限定されるものではないことは明らかである。引用例１には、特に下地層としてＦｅを用いた例として、Ｆｅ／ＣｏＰｔＣｒが示されているが、ここで硬磁性の合金としてＣｏＰｔＣｒに限定されるものでなく（上記（コ）の段落６６、上記（サ）の段落７２参照）、代表的に例示されているＣｏＰｔ合金（Ｃｒを含まない）を用いることも実質的に示されているといえる。
（強磁性体の膜厚について）
　引用例１には、縦バイアス印加層の膜厚に関して、縦バイアス印加層の磁化量（残留磁束密度と膜厚の積（以下、磁化量と呼ぶ）（上記（キ）の段落５３参照）が、磁気抵抗効果膜の磁化量の１〜２．５倍程度であれば、例示された膜厚構成、あるいは例示された材料でなくてもよく、磁化量の調整は、強磁性を示す下地膜と硬磁性薄膜が強磁性的に結合していることから、これらそれぞれの膜厚を変えることにより行うことができる旨、記載されている（上記（ケ）の段落６３参照）。また、「縦バイアス磁界の大きさは縦バイアス印加層を構成する強磁性膜から発生する磁束の量に依存するため、強磁性膜の残留磁束密度と膜厚を変えることによって調整するのが一般的である。下地膜を有する硬磁性薄膜では硬磁性薄膜の残留磁束密度と膜厚の積と下地膜の残留磁束密度と膜厚の積を加えたものが実効的に作用することになる。」（上記（カ）の段落３０参照）、また「ＭＲヘッドの最適な磁化量の大きさは、磁気抵抗効果膜の膜厚等によって変わるので、その場合には硬磁性薄膜の膜厚をその大きさに併せて変化させればよい。」（上記（キ）の段落５４参照）と記載されている。
　すなわち、引用例１には、安定化バイアス層の膜厚と、その下地層を構成する強磁性体の膜厚とは、磁気抵抗効果膜のフリー層の膜厚と、各層（安定化バイアス層、下地層、フリー層）の残留磁束密度に応じて、最適な膜厚を適宜選定すべきものであることが示されていることから、下地層の膜厚についてみれば、安定化バイアス層の膜厚と、フリー層の膜厚と、各層（安定化バイアス層、下地層、フリー層）の残留磁束密度に応じて、最適な膜厚を選定すべきものであることが明らかである。
　してみれば、引用例１に記載された発明に基いて、Ｆｅ下地層とＣｒを含まないＣｏＰｔ合金の安定バイアス層からなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、下地層の最適な膜厚を選定することは、当業者が適宜なしうる設計事項であり、その数値「１．３〜２．５ｎｍ」は、適宜なし得る程度の数値にすぎない。
   「１．３〜２．５ｎｍ」の数値について以下詳細に検討する。
　引用例１には、強磁性体の下地層の膜厚の具体的な値について、５〜２０ｎｍが好ましい範囲と記載され（上記（コ）の段落６９参照）、Ｆｅ薄膜１０ｎｍ／ＣｏＰｔＣｒ系硬磁性薄膜３２ｎｍが（上記（コ）の段落６７参照）が例示されている。膜厚の下限について、引用例１には、「一方磁気抵抗効果膜と硬磁性薄膜の間の交換結合は下地膜が厚い程減少してしまう。従って、下地膜の膜厚は硬磁性薄膜の成長が結晶構造が面心立方格子である磁気抵抗効果膜の影響を受けなくなる膜厚である５〜２０ｎｍ程度が好ましい。」（上記（コ）の段落６９参照）と記載されていることから、交換結合の作用効果からは、膜厚が薄いことが望ましいといえ、５ｎｍの下限以下であってもよいことは明らかである。よって、５ｎｍ以下の膜厚を選定することも適宜なし得ることである。
　一方、補正後の発明において、「１．３〜２．５ｎｍ」の数値を選定する根拠として、明細書の第１実施例（図５）に、例えばＴａ（５）／ＮｉＦｅ（２）／ＣｏＦｅＢ（１．５）／Ｃｕ（３）／ＣｏＦｅＢ（２）／ＰｄＰｔＭｎ（２０）／Ｔａ（６）（但し括弧内の数値は膜厚をｎｍで示したもの）である磁気抵抗効果素子に、Ｆｅからなる強磁性下地層と１０ｎｍのＣｏＰｔからなる硬磁性層を形成した場合に、ＣｏＰｔ硬磁性層の磁気特性（磁界Ｈｃ）が向上することが、示されている。補正後の発明の数値限定の根拠は、硬磁性特性の向上の作用効果であるが、安定化バイアス層の下地層の膜厚を選定するには、硬磁性特性のみでなく、残留磁化もしくは磁化量が重要な要因であるのに、そのことの検討がＦｅ下地層については明細書においてなされておらず、硬磁性特性のみから、「１．３〜２．５ｎｍ」の数値範囲が、下地層の膜厚として最適な値であるとは技術的にいえず、格別臨界的意義があるものではない。
　また、補正後の発明は、下地層の膜厚の数値範囲を特定するのみで、硬磁性の層やフリー層等の他の層の膜厚や残留磁化を特定するものでない。してみれば、Ｆｅ下地層の膜厚の数値範囲を単に「１．３〜２．５ｎｍ」に選択することにより、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの安定化バイアス層が、ヘッドノイズの低減やうねりの防止という効果を奏するものでもない。
　よって、下地層の膜厚「１．３〜２．５ｎｍ」は、当業者が適宜選択し得る程度の値にすぎない。
　
　なお、請求人は、ＣｏＰｔ合金について、特にＣｒを含まないと明記し、その効果について、磁束密度の高い特質があり、膜厚を減少させることができ、書き込みヘッドにうねりを生じたりすることもないと、主張している。
　しかしながら、Ｃｒを含まないＣｏＰｔ合金を用いることが引用例１にも記載されていることは、先に示したとおりであって、請求人の主張は採用できない。なお、請求人の主張は、周知のＣｏＰｔ合金の磁気特性といえ、例えば、特開平１０−３１２５１２号公報（段落５９）、特開平１０−３１２５１４号公報（段落１９）等にも記載されている。
　また、書き込みヘッドにうねりを生じないよう、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上面を平坦にすることは周知の技術課題であり、下地層・硬磁性層・電極層の膜厚の和が影響するので全体として薄いことが望まれていることは当然のことであり、請求人の主張は採用できない。
　
　そして、上記相違点１を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点１は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１７年５月２０日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至２に係る発明は、平成１７年３月１１日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２の３」で検討した補正後の発明から、「ＣｏＰｔ合金」についての限定事項である「
Ｃｒを含まない
該安定化バイアス層が磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化に対して約１〜７倍程度の残留磁化を有し、且つ、硬磁性となるように
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。