【事件の表示】
　特願２０００−２７９２７１「誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月２７日出願公開、特開２００２−　８７８７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯　　
　本願は、平成１２年９月１４日の出願であって、平成１９年１月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同年３月２６日付けで手続補正書が提出されたものである。その後、平成２１年６月１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、これに対する回答書が平成２１年８月３日に提出されている。
　
ＩＩ．平成１９年３月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年３月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成１９年３月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウム、酸化ディスプロシウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化バナジウム、酸化ケイ素、酸化マンガンおよび酸化モリブデンを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３換算で１００モルとした場合に、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１．０〜３モル、酸化ディスプロシウムをＤｙ２Ｏ３換算で１〜５モル、酸化バリウムおよび酸化カルシウムをそれぞれＢａＯおよびＣａＯ換算で合計０．５〜５モル、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１モル以上０．１モル未満、酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で１〜５モル、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．１〜１モル、酸化モリブデンをＭｏＯ３換算で０．０５〜０．２モル含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。」
と補正された。
　上記補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１モル〜０．１モル」を「酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１モル以上０．１モル未満」に限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか以下検討する。
　　
２．引用文献の記載事項
（１）引用文献１：特開２０００−２６１６０号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１）
（ア）「ＢａＴｉＯ３１００モルに対し、ＢａＯもしくはＢａＣＯ３をＢａ／Ｔｉの比が１．００１〜１．０４になるように添加し、更にＭｇＯを０．５〜５．０モル、Ｄｙ２Ｏ３を０．１〜３．０モル、ＭｎＯ２を０．０１〜０．４モル、ＢａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２化合物を０．６〜５．０モル添加することを特徴とする誘電体磁器組成物。」（【請求項１】）
（イ）「バナジウム原子をＶ２Ｏ５に換算し、ＢａＴｉＯ３１００モルに対し０．０１〜０．２６モル添加する事を特徴とする請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。」（【請求項３】）
（ウ）「本発明の誘電体磁器組成物は、中性あるいは還元性雰囲気中で大量焼成を行っても、絶縁抵抗特性の劣化がない信頼性の高い積層コンデンサを得ることのできる誘電体磁器組成物を提供することを目的とするものである。」（段落【０００４】）
（エ）「【発明の実施の形態】　本発明の請求項１に記載の発明は、・・・を特徴とする誘電体磁器組成物であり、基本成分のＢａ／Ｔｉ比を調整するために加えた過剰のＢａＯあるいはＢａＣＯ３とＭｎＯ２は誘電体組成物の耐還元性を強化し、特にＭｎＯ２の添加は中性あるいは還元性雰囲気中での積層コンデンサの焼成において、誘電体組成物の絶縁抵抗特性の劣化を防ぐと共に、積層コンデンサの静電容量のバラツキを抑制して均質な焼結体が得られるという効果がある。ＭｇＯ、Ｄｙ２Ｏ３の添加は誘電率、静電容量温度特性、誘電正接等の電気特性を満足させるという効果を有し、ＢａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２化合物の添加は比較的焼成温度が低い場合でも誘電体組成の焼結を促進し緻密な焼結体が得られるので、絶縁抵抗を安定させ電気的性能を満足させることができるという作用を有するものである。」（段落【０００６】）
（オ）「本発明の請求項３に記載の発明は、バナジウム原子をＶ２Ｏ５に換算し、ＢａＴｉＯ３１００モルに対して０．０１〜０．２６モル添加することを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物であり、Ｖ２Ｏ５の添加は、還元雰囲気の焼成で還元されやすい基本成分ＢａＴｉＯ３を構成するＴｉＯ２の還元を抑制して積層コンデンサの絶縁抵抗の低下を防ぎ、静電容量バラツキの小さい積層コンデンサを得ることができるという作用を有するものである。」（段落【０００８】）
（カ）「以上の結果から主成分のＢａＴｉＯ３１００モルに対し、ＢａＣＯ３をＢａ／Ｔｉ比が０．００１〜０．０４になるように過剰添加することにより、還元雰囲気中での大量焼成において誘電体が還元される事なく良好な焼結体が得られる。ＭｇＯを０．５〜５．０モル添加することにより誘電率の温度変化率を小さくすると共に、絶縁抵抗値を向上させる効果があり、Ｄｙ２Ｏ３を０．１〜３．０モル添加することにより静電容量の温度変化率、及び絶縁抵抗値を向上させる効果がある。ＭｎＯ２を０．０１〜０．４モル添加することで主成分のＢａＴｉＯ３中のＴｉＯ２の還元を防止し絶縁抵抗特性を向上させることができる。ＢａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２化合物を０．６〜５．０モル添加することで比較的低温での焼結を可能にし、静電容量、絶縁抵抗のバラツキを小さくする効果があることが明らかとなる。但し各添加物の添加量が前記本発明の範囲を外れると焼成時に誘電体磁器組成物が半導体化してしまったり、電気特性のバラツキが大きくなる、静電容量温度変化率が大きくなるなど好ましくないことが分かる。」（第５頁右欄１８〜３６行、段落【００２３】）
　　
（２）引用文献２：特開平８−１２４７８５号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２）
（ア）「誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　　Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、
　　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
　　ＳｉＯ２：２〜１２モル、
　　ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、
　　Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、
　　ＭｏＯ３：０〜０．３モル、
　　Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３：０モル超
である積層型セラミックチップコンデンサ。」（【請求項１】）
（イ）「積層型セラミックチップコンデンサは通常、内部電極層用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート法や印刷法等により積層し、一体同時焼成して製造される。」（段落【０００３】）
（ウ）「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、容量の温度特性であるＸ７Ｒ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長く、直流バイアス特性が良好であり、絶縁破壊が生じにくい積層型セラミックチップコンデンサを提供することである。」（段落【００１２】）
（エ）「ＢａＯ＋ＣａＯの含有量が前記範囲未満であると、直流電界印加時の容量の経時変化が大きくなり、また、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、容量の温度特性を所望の範囲とすることができない。含有量が前記範囲を超えると、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、比誘電率の急激な低下が起こる。」（第４頁右欄１５〜２０行、段落【００２７】）
（オ）「酸化マンガンは誘電体層を緻密化する作用とＩＲ加速寿命を向上させる作用とをもつが、含有量が多すぎると直流電界印加時の容量の経時変化を小さくすることが困難となる。」（段落【００２８】）
（カ）「酸化バナジウムおよび酸化モリブデンは、直流電界下での容量の経時変化を改善する。また、酸化バナジウムは絶縁破壊電圧を向上させ、酸化モリブデンはＩＲの加速寿命を向上させる。Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３の少なくとも一方が多すぎると、初期ＩＲの極端な低下を招く。」（段落【００２９】）
（キ）「焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしては、例えば、Ｎ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。」（第６頁右欄１５〜１７行、段落【００５７】）
（ク）「各サンプルの誘電体層の組成を各表に示す。組成は、前述したようにＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率で表わしてある。」（段落【００８５】）
（ケ）表２（第９頁）に、サンプルＮ０．２０５として「ＢａＯ（モル）：１．７４、ＣａＯ（モル）：１．２６、ＭｎＯ（モル）：０．３７５、Ｖ２Ｏ３（モル）：０．０５、ＭｏＯ３（モル）：０．１」が記載され、表３（同頁）に、サンプルＮ０．３０４として「ＢａＯ（モル）：１．７４、ＣａＯ（モル）：１．２６、ＭｎＯ（モル）：０．１９、Ｖ２Ｏ３（モル）：０．０５、ＭｏＯ３（モル）：０．１」が記載されている。
　　
３．対比・判断
　引用文献１には、記載事項（ア）及び（イ）によれば、「ＢａＴｉＯ３１００モルに対し、ＢａＯもしくはＢａＣＯ３をＢａ／Ｔｉの比が１．００１〜１．０４になるように添加し、更にＭｇＯを０．５〜５．０モル、Ｄｙ２Ｏ３を０．１〜３．０モル、ＭｎＯ２を０．０１〜０．４モル、ＢａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２化合物を０．６〜５．０モル添加するとともに、バナジウム原子をＶ２Ｏ５に換算し、ＢａＴｉＯ３１００モルに対し０．０１〜０．２６モル添加する誘電体磁器組成物」が記載されているといえる。
　この記載中の「ＢａＴｉＯ３１００モルに対し、ＢａＯもしくはＢａＣＯ３をＢａ／Ｔｉの比が１．００１〜１．０４になるように添加」については、記載事項（カ）の「主成分のＢａＴｉＯ３１００モルに対し、ＢａＣＯ３をＢａ／Ｔｉ比が０．００１〜０．０４になるように過剰添加する」ことから、ＢａＯをＢａＴｉＯ３１００モルに対して０．１〜４．０モル添加されていることになる。また、「ＢａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２化合物を０．６〜５．０モル添加」は、ＢａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２化合物の形でＢａＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ２　を各々０．６〜５．０モル添加することを示している。そうすると、ＢａＯについて、ＢａＴｉＯ３１００モルに対し、（０．１〜４．０）＋（０．６〜５．０）である０．７〜９．０モル、また、ＭｇＯについては、（０．５〜５．０）＋（０．６〜５．０）である１．１〜１０モル含有するものといえる。
　そして、「ＢａＴｉＯ３」については、「ＢａＴｉＯ３１００モル」がＢａＴｉＯ３が他の添加成分に比して多量であり主成分であることを示しているといえるから、「誘電体磁器組成物」の主成分であることは明らかである。
　以上のことから、上記記載の事項を補正後発明１の記載振りに則して整理すると、引用文献１には、
「主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウム、酸化ディスプロシウム、酸化バリウム、酸化バナジウム、酸化ケイ素および酸化マンガンを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３換算で１００モルとした場合に、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１．１〜１０モル、酸化ディスプロシウムをＤｙ２Ｏ３換算で０．１〜３．０モル、酸化バリウムをＢａＯ換算で０．７〜９．０モル、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１〜０．２６モル、酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で０．６〜５モル、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．０１〜０．４モル含有する誘電体磁器組成物」の発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本願補正発明と引用文献１発明とを対比すると、両者は、「主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウム、酸化ディスプロシウム、酸化バリウム、酸化バナジウム、酸化ケイ素、酸化マンガンを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３換算で１００モルとした場合に、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１．１〜３モル、酸化ディスプロシウムをＤｙ２Ｏ３換算で１〜３モル、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１モル以上０．１モル未満、酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で１〜５モル、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．１〜０．４モル含有する誘電体磁器組成物」を含む発明である点で重複・一致し、次の点で相違する。
　　
相違点：本願補正発明が「酸化カルシウム、・・・および酸化モリブデンを含有し」、「酸化バリウムおよび酸化カルシウムをそれぞれＢａＯおよびＣａＯ換算で合計０．５〜５モル、酸化モリブデンをＭｏＯ３換算で０．０５〜０．２モル含有」するのに対して、引用文献１発明は「酸化バリウムをＢａＯ換算で０．７〜９．０モル」含有しているが、かかる特定事項を有していない点
　
　そこで、相違点について検討する。
　引用文献２には、記載事項（ア）に「主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と、酸化マンガンと、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンから選択される少なくとも１種とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２に、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５に、酸化モリブデンをＭｏＯ３　にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　　Ｙ２Ｏ３：０モル超５モル以下、
　　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
　　ＳｉＯ２：２〜１２モル、
　　ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、
　　Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、
　　ＭｏＯ３：０〜０．３モル、
　　Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３：０モル超
　である誘電体層」が記載されている。
  この記載中の「ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル」及び「ＭｎＯ：０モル超０．５モル以下、Ｖ２Ｏ５：０〜０．３モル、ＭｏＯ３：０〜０．３モル、Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３：０モル超」における「ＢａＯ＋ＣａＯ」については、記載事項（エ）に「ＢａＯ＋ＣａＯの含有量が前記範囲未満であると、直流電界印加時の容量の経時変化が大きくなり、また、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、容量の温度特性を所望の範囲とすることができない。含有量が前記範囲を超えると、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、比誘電率の急激な低下が起こる」と記載されている。かかる記載によれば、ＢａＯとＣａＯは、直流電界印加時の容量の経時変化、ＩＲ加速寿命、容量の温度特性、比誘電率を好ましいものとするために添加されるものといえ、同等な成分として認識されていることが分かる。また、同様に「ＭｏＯ３：０〜０．３モル、Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３：０モル超」については、記載事項（カ）に「酸化バナジウムおよび酸化モリブデンは、直流電界下での容量の経時変化を改善する。また、酸化バナジウムは絶縁破壊電圧を向上させ、酸化モリブデンはＩＲの加速寿命を向上させる。Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３の少なくとも一方が多すぎると、初期ＩＲの極端な低下を招く」と記載されている。かかる記載によれば、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３がいずれも直流電界下での容量の経時変化、初期ＩＲを好ましいものとするために添加されるものであり、同等な成分として認識されていることが分かる。
　また、引用文献１発明と引用文献２に記載の誘電体層は、ともに「ＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体」に関し、引用文献１の記載事項（ウ）に「本発明の誘電体磁器組成物は、中性あるいは還元性雰囲気中で大量焼成を行っても、絶縁抵抗特性の劣化がない信頼性の高い積層コンデンサを得ることのできる誘電体磁器組成物を提供することを目的とするものである」と記載され、引用文献２の記載事項（ウ）に「本発明の目的は、容量の温度特性であるＸ７Ｒ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長く、直流バイアス特性が良好であり、絶縁破壊が生じにくい積層型セラミックチップコンデンサを提供することである」と記載されていることからみれば、絶縁抵抗特性の劣化がない信頼性の高い積層コンデンサを得る目的の類似性が窺えるものである。
　そして、引用文献１発明の「酸化バリウム」、「酸化バナジウム」に関し、引用文献１の記載事項（エ）に「ＢａＯあるいはＢａＣＯ３とＭｎＯ２は誘電体組成物の耐還元性を強化し、特にＭｎＯ２の添加は中性あるいは還元性雰囲気中での積層コンデンサの焼成において、絶縁抵抗特性の劣化を防ぐと共に、積層コンデンサの静電容量のバラツキを抑制して均質な焼結体が得られるという効果がある。・・・ＢａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２化合物の添加は・・・絶縁抵抗を安定させ電気的性能を満足させることができるという作用を有する」こと、記載事項（オ）に「Ｖ２Ｏ５の添加は、・・・ＴｉＯ２の還元を抑制して積層コンデンサの絶縁抵抗の低下を防ぎ、静電容量バラツキの小さい積層コンデンサを得ることができるという作用を有する」こと、記載事項（カ）に「ＢａＣＯ３を・・・添加することにより、還元雰囲気中での大量焼成において誘電体が還元される事なく良好な焼結体が得られる。・・・ＢａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２化合物を・・・添加することで・・・静電容量、絶縁抵抗のバラツキを小さくする効果がある・・・但し各添加物の添加量が前記本発明の範囲を外れると焼成時に誘電体磁器組成物が半導体化してしまったり、電気特性のバラツキが大きくなる、静電容量温度変化率が大きくなるなど好ましくない」ことが記載されている。
　これらの記載によれば、引用文献１発明のＢａＯ、Ｖ２Ｏ５の特定量の添加は絶縁抵抗や積層コンデンサの静電容量を好ましいものとするものといえる。
　以上のことを踏まえ、更に、引用文献２の記載事項（ケ）の「サンプルＮo．２０５」として「ＢａＯ（モル）：１．７４、ＣａＯ（モル）：１．２６、ＭｎＯ（モル）：０．３７５、Ｖ２Ｏ３（モル）：０．０５、ＭｏＯ３（モル）：０．１」が記載され、「サンプルＮo．３０４」として「ＢａＯ（モル）：１．７４、ＣａＯ（モル）：１．２６、ＭｎＯ（モル）：０．１９、Ｖ２Ｏ３（モル）：０．０５、ＭｏＯ３（モル）：０．１」が具体的実施例が記載されている事を勘案すれば、引用文献１発明の「ＢａＯ」の添加については、耐還元性、絶縁抵抗特性、静電容量温度特性等を満足させつつ、「ＢａＯ」と共に同等成分のＣａＯを添加成分として加えることに格別困難性はなく、「ＢａＯ＋ＣａＯ」の量を酸化バリウムをＢａＯおよびＣａＯ換算で合計０．７〜５未満モルに限定することも、当業者が設計的な範疇で適宜選定し得ることといえる。また、「ＭｏＯ３」の添加についても「Ｖ２Ｏ５」と共に同等成分である「ＭｏＯ３」を添加成分として加え、引用文献２に記載のＩＲ加速寿命の向上を重視して必須成分の最適添加量として「ＭｏＯ３（モル）：０．１」を含む適宜範囲に限定することは、当業者であれば容易に行い得ることといえる。
　
　そして、補正後発明１が前記相違点に係る事項を採用することにより奏するとする明細書記載の効果も、以下の理由で、格別であるとすることができない。
　すなわち、本願の明細書には、酸化カルシウムの添加に関して「酸化バリウム及び酸化カルシウムの含有量が合計で０．５モル未満であると、直流電界印加時の容量の経時変化が大きくなる。また、絶縁抵抗加速寿命が不十分となり、さらに、容量の温度特性を所望の範囲とすることができなくなる。一方、酸化バリウム及び酸化カルシウムの含有量が合計で５モルを超えると、絶縁抵抗加速寿命が不十分となり、また、比誘電率の急激な低下が起こる。」（【００１９】）と記載され、酸化モリブデンの添加に関して「酸化モリブデンは直流電界下での容量の経時変化を改善するとともに、絶縁抵抗の加速寿命を向上させる。酸化モリブデンの含有量が０．０５モル未満ではそのような作用を得ることが困難となり易く、０．２モルを超えると初期絶縁抵抗の極端な低下き易い。」（【００２３】）と記載され、補正後発明１が、直流電界印加時の容量の経時変化、絶縁抵抗加速寿命、容量の温度特性、比誘電率や初期絶縁抵抗の低下という点で優れるとしているが、これらの効果は、酸化カルシウムについては、引用文献２の記載事項（エ）の「ＢａＯ＋ＣａＯの含有量が前記範囲未満であると、直流電界印加時の容量の経時変化が大きくなり、また、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、容量の温度特性を所望の範囲とすることができない。含有量が前記範囲を超えると、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、比誘電率の急激な低下が起こる。」と同じ作用効果であり、酸化モリブデンについては、記載事項（カ）の「酸化バナジウムおよび酸化モリブデンは、直流電界下での容量の経時変化を改善する。また、酸化バナジウムは絶縁破壊電圧を向上させ、酸化モリブデンはＩＲの加速寿命を向上させる。Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３の少なくとも一方が多すぎると、初期ＩＲの極端な低下を招く。」と同じ作用効果であるといえることから、引用文献２の記載から予想し得る効果であり、格別顕著なものとはいえない。
　なお、請求人は、審判請求書（平成１９年６月４日付け手続補正書の「（４）」の「（ロ）本願発明の効果の立証」）において、実験成績証明書において、酸化ディスプロシウムや酸化マグネシウムの含有量が低いものは、静電容量及び誘電率が小さく、誘電損失が大きい旨主張しているが、補正後発明１と引用例１発明とは、酸化ディスプロシウムや酸化マグネシウムの含有量に相違はなく、また、酸化カルシウム及び酸化モリブデンを含有しない誘電体磁器組成物（試料２）では、試料１に比して静電容量の温度変化が大きい旨主張しているが、上記したように「ＣａＯ」と「ＢａＯ」、「ＭｏＯ３」と「Ｖ２Ｏ５」が同等成分と考えられるところ、「ＣａＯ＋ＢａＯ」並びに「ＭｏＯ３＋Ｖ２Ｏ５」の含有量に試料１及び試料２に違いがあることから、この静電容量の温度変化に格別の顕著性を見出すことはできない。したがって、これらの請求人の主張を格別のものとすることはできない。
　
　してみると、前記相違点に係る補正後発明１の事項は、当業者であれば引用文献１及び引用文献２の記載に基づいて格別困難なく想到し得るものといえる。
　よって、補正後発明１は、本願の出願日前に頒布された引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
ＩＩＩ．本願発明
　平成１９年３月２６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された発明は、平成１８年３月３１日付けで手続補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりの事項により特定されるものである。
【請求項１】主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウム、酸化ディスプロシウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化バナジウム、酸化ケイ素、酸化マンガンおよび酸化モリブデンを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３換算で１００モルとした場合に、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１．０〜３モル、酸化ディスプロシウムをＤｙ２Ｏ３換算で１〜５モル、酸化バリウムおよび酸化カルシウムをそれぞれＢａＯおよびＣａＯ換算で合計０．５〜５モル、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１モル〜０．１モル、酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で１〜５モル、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．１〜１モル、酸化モリブデンをＭｏＯ３換算で０．０５〜０．２モル含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
　　
ＩＶ．原査定の拒絶理由
　原査定の拒絶理由は、「この出願については、平成１８年１月３０日付けの拒絶理由通知書に示した理由１、２によって、拒絶すべきものである。」であり、平成１８年１月３０日付けの拒絶理由通知書に示した理由１は、「この出願の請求項に係る発明は、引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に特許を受けることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。引用文献１：特開２０００−０２６１６０号公報、引用文献２：特開平０８−１２４７８５号公報」というものである。
　
Ｖ．引用文献の記載及び引用文献１発明
　引用文献１及び引用文献２の記載事項は、上記「ＩＩ．２」に記載のとおりである。また、引用文献１発明は、上記「ＩＩ．３」に記載されるとおり「主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウム、酸化ディスプロシウム、酸化バリウム、酸化バナジウム、酸化ケイ素および酸化マンガンを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３換算で１００モルとした場合に、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１．１〜１０モル、酸化ディスプロシウムをＤｙ２Ｏ３換算で０．１〜３．０モル、酸化バリウムをＢａＯ換算で０．６０１〜５．０４モル、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１〜０．２６モル、酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で０．６〜５モル、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．０１〜０．４モル含有する誘電体磁器組成物」の発明である。
　
ＶＩ．対比判断
　本願発明１は、上記「ＩＩ．」で検討した補正後発明１が「酸化バナジウム」について「Ｖ２Ｏ５換算で０．０１モル以上０．１モル未満」であるのに対し、「Ｖ２Ｏ５換算で０．０１モル〜０．１モル」である点で異なり、他の特定事項は同じである。この異なる点については、本願発明１の「Ｖ２Ｏ５換算で０．０１モル〜０．１モル」は、補正後発明の「Ｖ２Ｏ５換算で０．０１モル以上０．１モル未満」を包含するものである。
　してみると、補正後発明１を包含する本願発明１は、補正後発明１と同様上記「ＩＩ．３」に記載した理由により、引用文献１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
ＶＩＩ．平成２１年８月３日付け回答書における補正案について
　前記回答書における補正案は、請求項１における酸化ディスプロシウムの含有量を「Ｄｙ２Ｏ３換算で１〜５モル」から「Ｄｙ２Ｏ３換算で２〜３モル」に補正するものである。
　しかし、酸化ディスプロシウムの含有量を「０．１〜３モル」とすることは、引用文献１に記載されているところであり、「０．１〜３モル」からその大部分を占める「２〜３モル」を選択することは当業者が誘電体磁器組成物の全体の特性に照らして適宜なし得ることである上に、明細書の記載や前記回答書と同日付けの手続補足書で提示された実験証明書の記載をみても、上限値及び下限値である「２モル」及び「３モル」に係る具体的な効果の記載はなく、それらの数値が臨界的意義を有するとすることはできない。
　したがって、補正案をみても、上記結論を覆すとまではいえない。
　　
ＶＩＩＩ．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、本願の出願日前に頒布された引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　そして、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。