(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率が向上し、金線の使用長さを短縮し、コスト削減、かつ、電流分布均一の効果を達成したハイパワー垂直型発光ダイオードを提供する。【解決手段】エピタキシャルチップ１と、ｐ型電極２と、ｎ型電極３とを備え、前記ｐ型電極が前記エピタキシャルチップに形成され、前記ｐ型電極が前記エピタキシャルチップに電気的に結合され、前記ｐ型電極がネット状線路になり且つ複数のパッドを有する。前記パッドのそれぞれが前記エピタキシャルチップの周縁に位置され、前記ｎ型電極が前記エピタキシャルチップに形成され、前記ｎ型電極が前記エピタキシャルチップに電気的に結合され、封止時に、金線の一端が前記ｐ型電極のパッドに接続され、前記金線（または他の金属ワイヤ）の他端がリードフレームに接続されることによって、前記金線が前記エピタキシャルチップの周縁に位置されることになる。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャルチップと、
前記エピタキシャルチップに形成し、前記エピタキシャルチップに電気的に結合され、前記エピタキシャルチップの周縁に位置された複数のパッドを有するｐ型電極と、
前記エピタキシャルチップに形成し、前記エピタキシャルチップに電気的に結合されたｎ型電極とを含むハイパワー垂直型発光ダイオード。
【請求項２】
前記エピタキシャルチップは、ｐ型エピタキシャル層と発光層とｎ型エピタキシャル層とで上から下への順に成長されていることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー垂直型発光ダイオード。
【請求項３】
前記ｐ型電極が、前記ｐ型エピタキシャル層の表面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のハイパワー垂直型発光ダイオード。
【請求項４】
前記ｐ型エピタキシャル層は、アルミニウムヒ素化ガリウム層であることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー垂直型発光ダイオード。
【請求項５】
前記ｎ型電極が、前記ｎ型エピタキシャル層の底面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のハイパワー垂直型発光ダイオード。
【請求項６】
前記ｎ型エピタキシャル層は、アルミニウムヒ素化ガリウム層であることを特徴とする請求項１に記載のハイパワー垂直型発光ダイオード。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、ハイパワー垂直型発光ダイオードに係り、特に、発光効率及び電流分布均一性を向上可能な発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
台湾では、発光ダイオードが非常に速やかに普及されつつあり、大きい方とすれば街上の表示看板から小さい方の場合に携帯電話の指示ランプまでのあらゆるところで、伝統光源がLEDに徐々に替えられてる。これは、簡単に言えば、省電力や、使用寿命が長く、体積が小さいなどの利点を有するためである。しかしながら、発光ダイオードの完成品及び工程が安定になりつつも、欠点がまだ残っている。
図４及び図５は、従来の発光ダイオードの使用状態を示す図である。図４及び図５に示すように、例えば、ｐ型エピタキシャル層６１と、発光層６２と、ｎ型エピタキシャル層６３と、バッファ層６４と、基板６５と、ｐ型電極６６と、ｎ型電極６７とについて、基板６５上にバッファ層６４とｎ型エピタキシャル層６３と発光層６２とｐ型エピタキシャル層６１とが有機金属ＣＶＤ法により順次に成長され、最後に、ｐ型電極６６とｎ型電極６７とをさらに電気的に結合させ、全工程を完了して、チップが作られている。
そのうち、ｐ型電極６６は、米字状６６１になっていて、ｐ型電極６６のパッド６６２が米字状６６１の中央領域に設けられている。次に、ベース４内に発光ダウオードを固定させ、封止工程を行い、ベース４内に少なくとも２本のリードフレーム４１が設けられ、少なくとも２本のリードフレーム４１がベース４の外に延在され、ｐ型電極６６とリードフレーム４１とに金線５の両端でそれぞれワイヤボンディングされている。金線５とｐ型電極６６とが互いにボンディングする位置が発光ダイオードの中央領域に位置されるので、発光ダイオードが発光するときに、金線５の遮蔽による陰影が生じられ、発光効率が弱化されることになる。
【０００３】
そのため、発光ダイオードが発光するときに、発光効率を向上可能とするためにどうすれば設計できるかが、本考案の解決しようとする課題である。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本考案は、ｐ型電極の特殊設計により、金線とｐ型電極との接続位置をエピタキシャルチップの周縁に位置させることによって、遮光が少なくなり、金線の使用長さも短縮され、発光効率を向上し、コストが低下される効果を達成することができるハイパワー垂直型発光ダイオードを提供することを目的とする。
【０００５】
本考案は、ｐ型電極がネット状線路になるような特殊設計により、電流分布均一性を向上する効果を達成できるハイパワー垂直型発光ダイオードを提供することを次の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本考案によるハイパワー垂直型発光ダイオードは、エピタキシャルチップと、ｐ型電極と、ｎ型電極とを備え、前記ｐ型電極が前記エピタキシャルチップに形成され、前記ｐ型電極が前記エピタキシャルチップに電気的に結合され、前記ｐ型電極がネット状線路になり且つ複数のパッドを有し、前記パッドのそれぞれが前記エピタキシャルチップの周縁に位置され、前記ｎ型電極が前記エピタキシャルチップに形成され、前記ｎ型電極が前記エピタキシャルチップに電気的に結合され、封止時に、金線（または他の金属ワイヤ）の一端が前記ｐ型電極のパッドに接続され、前記金線の他端がリードフレームに接続されることによって、前記金線が前記エピタキシャルチップの周縁に位置されることになるので、本考案の発光時に、金線による遮蔽がなくなるため、遮光が少なくなり、発光効率が向上されるとともに、金線の使用長さも短縮し、コストが低下され、かつ、前記ｐ型電極のネット状線路の設計により、電流分布均一の効果を達成できる。
【考案の効果】
【０００７】
本考案は、ｐ型電極の特殊設計により、金線とｐ型電極との接続位置をエピタキシャルチップの周縁に位置させることによって、遮光が少なくなるから、金線の使用長さも短縮できて、発光効率を向上できるとともに、コストの削減が図れる。
さらに本考案は、ｐ型電極がネット状線路になるような特殊設計により、電流分布の均一性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案に係るハイパワー垂直型発光ダイオードを示す正面図である。
【図２】本考案に係るハイパワー垂直型発光ダイオードを示す平面図である。
【図３】本考案に係るハイパワー垂直型発光ダイオードの使用状態を示す図である。
【図４】従来の発光ダイオードを示す平面図である。
【図５】従来の発光ダイオードの使用状態を示す図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
図１及び図２は、それぞれ、本考案に係るハイパワー垂直型発光ダイオードを示す正面図及び平面図である。図１及び図２に示すように、ハイパワー垂直型発光ダイオードは、エピタキシャルチップ１と、ｐ型電極２（p electrode）と、ｎ型電極３（n electrode）とを含む。
【００１０】
エピタキシャルチップ１は、ｐ型エピタキシャル層１１と発光層１２とｎ型エピタキシャル層１３とを有し、且つ上から下への順に成長され（これに限られず、ヘテロエピタキシャル層で形成されても良い）、ｐ型電極２がエピタキシャルチップ１に形成される。ｐ型電極２がエピタキシャルチップ１に電気的に結合される。ｐ型電極２がネット状線路２１になり且つ複数のパッド２２を有し、パッド２２のそれぞれがエピタキシャルチップ１の周縁に位置されている。ｎ型電極３がエピタキシャルチップ１に形成され、ｎ型電極３がエピタキシャルチップ１に電気的に結合されている。
【００１１】
ｐ型電極２がｐ型エピタキシャル層１１の表面に設けられる。ｐ型エピタキシャル層１１は、アルミニウムヒ素化ガリウム層（AlGaAs P Epi Layer）である。ｎ型電極３がｎ型エピタキシャル層１３の底面に設けられる。ｎ型エピタキシャル層１３は、アルミニウムヒ素化ガリウム層（AlGaAs N Epi Layer）である。
【００１２】
図２及び図３は、それぞれ、本考案に係るハイパワー垂直型発光ダイオードの使用状態を示す図である。図２及び図３に示すように、本考案のハイパワー垂直型発光ダイオードを作製完了した後に、封止工程を行う。ベース４内にハイパワー垂直型発光ダイオードを固定させる。ベース４内に少なくとも２本のリードフレーム４１が設けられ、少なくとも２本のリードフレーム４１がベース４の外に延在される。さらに、金線（または他の金属ワイヤ）５の一端が本考案のｐ型電極２のパッド２２に接続される。金線５の他端がリードフレーム４１に接続される。最後に、エポキシ樹脂（epoxy）、シリコン（silicone）、セラミックまたは他の等価の材料でハイパワー垂直型発光ダイオードとリードフレーム４１とをモールディングして封止させる。金線５がエピタキシャルチップ１の周縁に位置されることになるので、従来の技術と違って、発光ダイオードの発光時に、金線５の遮光による陰影がなくなるため、遮光が少なくなり、発光効率が向上されるとともに、金線の使用長さも短縮し、コストが低下される効果を達成できる。
【００１３】
以上のように、本考案によるハイパワー垂直型発光ダイオードは、以下の特徴を有する。
ｐ型電極２の特殊設計により、金線５とｐ型電極２との接続位置をエピタキシャルチップ１の周縁に位置させることによって、遮光が少なくなり、金線の使用長さも短縮され、発光効率を向上し、コストが低下される効果を達成できる。また、ｐ型電極２がネット状線路になるような特殊設計により、電流分布均一性を向上する効果を達成できる。
【００１４】
しかし、以上のように単に本考案の好ましい実施例に過ぎず、本考案の実用新案登録請求の範囲を局限するものではなく、いずれの当該分野における通常の知識を有する専門家は、本考案の分野の中で、適当に変更や修飾などを実施できるが、それらの実施が本考案の主張範囲内に納入されるべきことは言うまでもないことである。
【符号の説明】
【００１５】
１・・・・・・エピタキシャルチップ
２・・・・・・ｐ型電極
３・・・・・・ｎ型電極
４・・・・・・ベース
５・・・・・・金線
１１・・・・・ｐ型エピタキシャル層
１２・・・・・発光層
１３・・・・・ｎ型エピタキシャル層
２１・・・・・ネット状線路
２２・・・・・パッド
４１・・・・・リードフレーム
６１・・・・・ｐ型エピタキシャル層
６２・・・・・発光層
６３・・・・・ｎ型エピタキシャル層
６４・・・・・バッファ層
６５・・・・・基板
６６・・・・・ｐ型電極
６７・・・・・ｎ型電極
６６１・・・・米字状
６６２・・・・パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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