【事件の表示】
　特願２００２−２８６５６０「磁気メモリ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月２２日出願公開、特開２００４−１２８０１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年９月３０日の出願であって、平成１８年８月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において平成２１年１０月５日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１２月７日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２１年１２月７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　互いに立体的に交叉するワード線とビット線とを有し、
　これらワード線とビット線との立体的交叉部間に、メモリ素子を構成する磁気抵抗素子が配置されて成り、
　該磁気抵抗素子は、少なくとも１対の強磁性層が中間層を介して対向するように積層されて成り、該積層面に対して交叉する方向の通電によって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、
　前記中間層がトンネルバリア層であり、
　少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ、あるいはＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢの組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、２０≦ｚ≦３０を満たす範囲であるか、あるいはＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、５≦ａ≦４５、３５≦ｂ≦８５、０＜ｃ≦３５、２０≦ｄ≦３０を満たす範囲であり、
　上記情報記録層の平面形状が、短軸長：長軸長によるアスペクト比が、１：１．２から１：３．５の範囲にあるパターン形状とされていることを特徴とする磁気メモリ装置。」
　
３．当審の拒絶理由
　当審において平成２１年１０月５日付けで通知した拒絶の理由１の要点は、本願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内において、頒布された刊行物である特開２００２−２０４００４号公報に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないというものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
（４−１）特開２００２−２０４００４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１〜図５、図８とともに、次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００２】
【従来の技術】
強磁性一重トンネル接合は、薄い絶縁体層を一対の強磁性層で挟持してなる構造を有している。
【０００３】強磁性一重トンネル接合において、トンネル電流が流れる際のトンネル抵抗，すなわちトンネルコンダクタンス，は、一方の強磁性層の磁化方向と他方の強磁性層の磁化方向とがなす角度に依存して変化する。換言すれば、強磁性一重トンネル接合で得られる磁気抵抗効果（magnetoresistance effect）は、強磁性層間で磁化方向がなす角度に応じてトンネルコンダクタンスが変化することに基づいている。例えば、一方の強磁性層の磁化方向が膜面に平行な第１の方向であり且つ他方の強磁性層の磁化方向が第１の方向とは逆向きの第２の方向である場合には、トンネルコンダクタンスは最小となる。また、それら強磁性層の磁化方向がともに第１の方向である場合には、トンネルコンダクタンスは最大となる。
【０００４】このような強磁性一重トンネル接合は、様々なデバイスへの応用が期待されている。例えば、一方の強磁性層を磁化方向が固定された磁化固着層とし且つ他方の強磁性層を外部磁場に応じて磁化方向が変化し得るフリー層とした強磁性一重トンネル接合については、固体磁気メモリ（或いは、磁気ランダムアクセスメモリ：ＭＲＡＭ）のメモリセルとして利用することが提案されており、このＭＲＡＭは、低記憶容量ながら既に試作されている。
【０００５】ＭＲＡＭは、基本的には不揮発性であり、高速の書き込み及び読み出しが可能であり、しかも、書き込み及び読み出しの繰り返しに対する耐疲労特性が高いなどの優れた特徴を有している。しかしながら、以下に説明するように、ＭＲＡＭは、大容量化に伴ってメモリセルのサイズを縮小した場合に、フリー層の磁化方向を反転させるのに必要な磁場，所謂、反転磁場，が大きくなり、より大きな書き込み電流が必要となるという問題を有している。
【０００６】フリー層の反転磁場は１／Ｗ（Ｗ：セルの幅）に比例している。また、この反転磁場は、フリー層の膜厚ｔ及び飽和磁化Ｍsにも比例することが知られている。すなわち、フリー層の反転磁場はｔ・Ｍs／Ｗに比例している。なお、フリー層の反転磁場が１／Ｗに比例しているのは、フリー層の磁化方向を反転させてＭＲＡＭセルに記憶された情報を書き換えるためには、フリー層内部に生じる反磁場を上回る外部磁場を印加する必要があるが、この反磁場はセルの幅方向に生じる磁極によってもたらされるためである。
【０００７】上記比例関係から明らかなように、メモリセルのサイズを縮小した場合に反転磁場が増大するのを回避するためには、例えば、フリー層の膜厚ｔを減少させればよい。しかしながら、膜厚ｔを薄くした場合、本来、連続膜であるべきフリー層は得られず、下地上に多数の微粒子を分散させた形態となる。そのような多数の微粒子が形成する薄膜は、強磁性体ではなく常磁性体となるため、磁気抵抗比が著しく減少することとなる。
【０００８】また、メモリセルのサイズを縮小した場合に反転磁場が増大するのを回避するために飽和磁化Ｍsを減少させることもできる。しかしながら、飽和磁化Ｍsを減少させるためにフリー層を構成する材料に非磁性材料を添加した場合、往々にして、フェルミ面における伝導電子のスピン分極度も低下して磁気抵抗比の低下を招くこととなる。
【０００９】すなわち、従来技術では、メモリセルのサイズを縮小した場合に、十分に高い磁気抵抗比を維持しつつフリー層の反転磁界の増大を防止することができなかった。なお、ＭＲＡＭに関連して説明した問題は、強磁性一重トンネル接合を利用した磁気ヘッドにおいても同様に存在している。また、強磁性一重トンネル接合に関して上述した問題は、強磁性二重トンネル接合においても同様である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、サイズを縮小化した場合においても十分に高い磁気抵抗比を維持し且つ反転磁界の増大を防止し得る磁気抵抗効果素子，磁気メモリ，磁気ヘッド，及び磁気再生装置を提供することを目的とする。」
　
　　イ　実施例
・「【００１８】図１は、本発明の第１の実施形態に係る磁気抵抗効果素子を概略的に示す断面図である。
図１に示す磁気抵抗効果素子１は、強磁性一重トンネル接合２ａを有している。この強磁性一重トンネル接合２ａは、一対の強磁性層３，４間に絶縁体などからなるトンネル障壁層６を介在させた構造を有している。
【００１９】強磁性層３のトンネル障壁層６と接する面の裏面には、反強磁性層８が配置されている。これにより、強磁性層３の磁化方向は、外部磁場を作用させても変化することはない。一方、強磁性層４の磁化方向は、基本的には、外部磁場に応じて自由に回転し得る。すなわち、図１に示す磁気抵抗効果素子１において、強磁性層３は磁化方向が固定された第１の強磁性層，所謂、磁化固着層，であり、
強磁性層４は外部磁場に応じて磁化方向が変化し得る第２の強磁性層，所謂、フリー層，である。
【００２０】
上述した強磁性一重トンネル接合２ａ及び反強磁性層８は、通常、基板１０の一方の主面上に、各種薄膜を順次成膜することにより形成される。
【００２１】図２は、本発明の第２の実施形態に係る磁気抵抗効果素子を概略的に示す断面図である。図２に示す磁気抵抗効果素子１は、強磁性一重ンネル接合２ａの代わりに強磁性二重トンネル接合２ｂを有しており且つ強磁性二重トンネル接合２ｂと保護層１３との間にさらに反強磁性層９を有していること以外は図１に示す磁気抵抗効果素子１とほぼ同様の構造を有している。
【００２２】図２に示す磁気抵抗効果素子１において、強磁性二重トンネル接合２ｂは、強磁性層３，４間にトンネル障壁層６を介在させ、強磁性層４，５間にトンネル障壁層７を介在させた構造を有している。この強磁性二重トンネル接合２ｂは、強磁性層３，４間及び強磁性層４，５間をトンネル障壁層６，７を介してトンネル電流が流れるように構成されている。
【００２３】また、図２に示す磁気抵抗効果素子１において、強磁性層３に関して説明したのと同様に、強磁性層５も反強磁性層９の存在によって磁化方向が固定された磁化固着層である。図２に示す磁気抵抗効果素子１は、強磁性層４の磁化方向を外部磁場によって反転または回転させて強磁性層３，５の磁化方向と強磁性層４の磁化方向とがなす角度を変化させるとトンネル抵抗或いはトンネル電流が変化するという磁気抵抗効果を利用するものである。
【００２４】さて、上述した第１及び第２の実施形態に係る磁気抵抗効果素子１は、強磁性層４を以下に説明する材料で構成したことを特徴としている。すなわち、図１及び図２に示す磁気抵抗効果素子１において、強磁性層４の組成は、一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹxまたは一般式（ＣｏＦｅＮｉ）100-xＹxで表される。なお、それら一般式において、ＹはＢ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｐ、Ｍｏ、Ａｌ、及びＮｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素である。また、ｘは不等式０＜ｘ＜１００を満足する数値であり、好ましくは、不等式３＜ｘ＜１６を満足する数値である。
【００２５】これら一般式に示す材料は、元素Ｙを含有していないこと以外は同様の組成を有する材料に比べて飽和磁化Ｍsが小さく、したがって、磁気抵抗効果素子１のサイズを縮小化した場合（或いは、強磁性層４の幅Ｗを狭めた場合）においても、反転磁界が過剰に大きくなることがない。また、強磁性層４の膜厚ｔを減少させた場合においても、元素Ｙを含有する上記材料によると結晶化が抑制されるため、強磁性層４を連続膜として形成することができる。すなわち、磁気抵抗効果素子１のサイズを縮小化した場合であっても、上記一般式に示す材料を用いることにより、式ｔ・Ｍs／Ｗに比例する強磁性層４の反転磁界を十分に小さな値に維持することが可能となる。
【００２６】
図３は、本発明の第１及び第２の実施形態に係る磁気抵抗効果素子１の強磁性層４の組成とその磁気抵抗変化率との関係の一例を示すグラフである。このグラフは、一般式（Ｃｏ
9
Ｆｅ）
100-x
Ｂ
x
に示す組成を有し且つ厚さが１ｎｍの強磁性層４を用いた磁気抵抗効果素子１について得られたデータに基づいて描かれており、
【００２７】室温下での通常の成膜方法では、Ｂを含有しないＣｏ9Ｆｅ膜を連続膜として成膜可能な膜厚の下限はせいぜい１．５ｎｍ程度である。Ｃｏ9Ｆｅ膜が不連続膜として形成された場合、その不連続膜は数ｎｍ径の微粒子の集合体で構成される。これら微粒子のそれぞれは室温下における強磁性を失い、磁化方向が定まらなくなって、所謂、超常磁性となる。その結果、実用的な磁界強度の範囲内においては、磁気抵抗変化率は顕著に低下する。
【００２８】それに対し、
Ｃｏ
9
ＦｅにＢを添加すると、膜厚０．５ｎｍ程度までは連続膜を形成することができ、例えば、膜厚が１ｎｍである場合には、図３に示すように、ｘを３乃至１６とすることにより１０％以上と十分に高い磁気抵抗変化率を得ることができ、ｘを５程度とすることにより２０％以上もの磁気抵抗変化率を得ることができる。
・「【００３７】次に、第１及び第２の実施形態に係る磁気抵抗効果素子１を用いた磁気メモリについて説明する。
【００３８】図４は、本発明の第１及び第２の実施形態に係る磁気抵抗効果素子１を用いた磁気メモリ（ＭＲＡＭ）を概略的に示す断面図である。また、図５は、図４に示すＭＲＡＭの等価回路図である。
【００３９】図４に示すＭＲＡＭ２１はシリコン基板２２を有している。このシリコン基板上にはゲート電極２４が形成されており、シリコン基板２２の表面領域には、このゲート電極２４を挟むようにしてソース・ドレイン領域２５，２６が形成されている。これにより、ＭＯＳトランジスタ２３が構成されている。なお、ゲート電極２４は、読み出し用のワードライン（ＷＬ１）を構成している。また、ワードライン（ＷＬ１）２４上には、絶縁膜２７を介して書き込み用のワードライン（ＷＬ２）２８が形成されている。
【００４０】ＭＯＳトランジスタ２３のドレイン領域２６にはコンタクトメタル２９の一端が接続されており、コンタクトメタル２９の他端には下地層３０が接続されている。
この下地層３０上のワードライン（ＷＬ２）２８に対応する位置には強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１が形成されており、さらに、ＴＭＲ３１上にはビットライン３２が形成されている。
【００４１】ＭＲＡＭ２１のセルは、以上のようにして構成されている。なお、図４に示すＴＭＲ３１及び下地層３０は、例えば、図１及び図２に示す磁気抵抗効果素子１から、基板１０、保護層１３、配線層１４、及び絶縁層１５などを除いた構造に相当する。
【００４２】上述したＭＯＳトランジスタ２３とＴＭＲ３１とで構成されるメモリセルは、図５に示すように、アレイ状に配列されている。トランジスタ２３のゲート電極である読み出し用のワードライン（ＷＬ１）２４と、書き込み用のワードライン（ＷＬ２）２８とは平行に配置されている。また、
ＴＭＲ３１の上部に接続されたビットライン（ＢＬ）３２は、ワードライン（ＷＬ１）２４及びワードライン（ＷＬ２）２８と直交するように配置されている。
【００４３】このＭＲＡＭ２１は、第１及び第２の実施形態に係る磁気抵抗効果素子１を用いているので、メモリセルのサイズを縮小した場合においても、十分に高い磁気抵抗比を維持しつつフリー層の反転磁界の増大を防止することができる。すなわち、
このＭＲＡＭ２１では、メモリセルのサイズを縮小した場合においても、十分に電流で情報の書き込みが可能である。
・「【００５３】その後、通常のフォトリソグラフィ技術とイオンミリング技術とを用いて、
これら薄膜を幅Ｗが２〜０．２５μｍであり且つ長さＬが幅Ｗの３倍となるようにパターニングすることにより二重トンネル接合部を規定した。
・「【００５７】図８は、本発明の実施例及び比較例に係る磁気抵抗効果素子１の磁気抵抗比を示すグラフである。図中、横軸はトンネル接合部の幅Ｗの逆数１／Ｗ（μｍ-1）を示し、縦軸は強磁性層４の磁化方向を反転させるのに必要な磁場の強さＨc（Ｏｅ）を示している。また、図中、曲線６１は本発明の実施例に係る磁気抵抗効果素子１について得られたデータを示し、曲線６２は比較例に係る磁気抵抗効果素子１について得られたデータを示している。
【００５８】図８に示すように、本発明の実施例に係る磁気抵抗効果素子１では、トンネル接合部の幅Ｗを０．２５μｍ程度に小さくしても、強磁性層４の磁化方向を反転させるのに必要な磁場の強さＨcは４０Ｏｅ以下と十分に小さい。しかも、磁場の強さＨcの幅Ｗに対する変化率は小さいので、さらなる微細化にも対応可能であることが分かる。
【００５９】それに対し、比較例に係る磁気抵抗効果素子１では、トンネル接合部の幅Ｗを０．２５μｍ程度とすると、強磁性層４の磁化方向を反転させるのに必要な磁場の強さＨcは１００Ｏｅを超え、実用上、強磁性層４の磁化方向を反転させるのが困難となった。
【００６０】なお、元素ＹとしてＢの代わりにＳｉ、Ｚｒ、Ｐ、Ｍｏ、Ａｌ、及びＮｂを用いたこと以外は上述したのと同様の方法により実施例及び比較例に係る磁気抵抗効果素子１を作製し、それらの比較を行ったところ、元素ＹとしてＢを用いた場合と同様の傾向が見られた。また、強磁性層４の材料として一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹxで表される材料の代わりに一般式（ＣｏＦｅＮｉ）100-xＹxで表される材料を用いて同様の比較を行ったところ、上述したのと同様の傾向が見られた。」
　
　　ウ　発明の効果
・「【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、外部磁場に応じて磁化方向が変化し得る強磁性層に、極めて薄い連続膜を形成可能であり且つ十分に高い磁気抵抗変化率を得ることが可能な所定の材料を使用する。そのため、サイズを縮小化した場合においても、十分に高い磁気抵抗比を維持し且つ反転磁界の増大を防止することができる。すなわち、本発明によると、サイズを縮小化した場合においても十分に高い磁気抵抗比を維持し且つ反転磁界の増大を防止し得る磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置が提供される。」
　
（４−２）引用発明
　上記ア〜ウによれば、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているといえる。
　
「ビットライン（ＢＬ）３２と前記ビットライン（ＢＬ）３２と直交するように配置されたワードライン（ＷＬ２）２８とを有し、
　前記ワードライン（ＷＬ２）２８に対応する位置には強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１が形成されており、さらに、前記強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１上には前記ビットライン３２が形成されており、
　前記強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１は、強磁性一重トンネル接合からなり、前記強磁性一重トンネル接合２は、基板の一方の主面上に、各種薄膜を順次成膜することにより形成され、薄い絶縁体層を一対の強磁性層で挟持してなる構造を有しており、電流で情報の書き込みが可能である磁気抵抗効果素子であって、
　前記薄い絶縁体層がトンネル障壁層であり、
　前記一対の強磁性層のうちのフリー層である強磁性層４の組成は、一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹxまたは一般式（ＣｏＦｅＮｉ）100-xＹxで表され、前記一般式において、ＹはＢ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｐ、Ｍｏ、Ａｌ、及びＮｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であり、ｘは不等式０＜ｘ＜１００を満足する数値であり、好ましくは、不等式３＜ｘ＜１６を満足する数値であり、前記一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹxについては、Ｃｏ9ＦｅにＢを添加した組成を含み、
　前記薄膜を幅Ｗが２〜０．２５μｍであり且つ長さＬが幅Ｗの３倍となるようにパターニングすることによりトンネル接合部を規定したことを特徴とする磁気メモリ（ＭＲＡＭ）。」
　
５．対比
（５−１）本願発明と引用発明との対比
　　ア　引用発明の「ワードライン（ＷＬ２）２８」、「ビットライン（ＢＬ）３２」は、それぞれ、本願発明の「ワード線」、「ビット線」に対応し、また、引用発明の「前記ビットライン（ＢＬ）３２」と「ワードライン（ＷＬ２）２８」は、「直交するように配置され」ていることは、本願発明の「互いに立体的に交叉する」ことに対応するから、引用発明の「ビットライン（ＢＬ）３２と前記ビットライン（ＢＬ）３２と直交するように配置されたワードライン（ＷＬ２）２８とを有」することは、本願発明の「互いに立体的に交叉するワード線とビット線とを有」することに相当する。
　
　　イ　引用発明の「強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１」は、「磁気メモリ（ＭＲＡＭ）」用の素子であるから、本願発明の「メモリ素子を構成する磁気抵抗素子」に対応し、また、引用発明の「強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１」が、「前記ワードライン（ＷＬ２）２８に対応する位置に」「形成されており」、「前記強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１上には前記ビットライン３２が形成されて」いることは、本願発明の「ワード線とビット線との立体的交叉部間に、」「磁気抵抗素子が配置されて成」ることに対応するから、引用発明の「前記ワードライン（ＷＬ２）２８に対応する位置には強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１が形成されており、さらに、前記強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１上には前記ビットライン３２が形成されて」いることは、本願発明の「これらワード線とビット線との立体的交叉部間に、メモリ素子を構成する磁気抵抗素子が配置されて成」ることに相当する。
　
　　ウ　引用発明の「一対の強磁性層」、「薄い絶縁体層」、「各種薄膜を順次成膜すること」、「電流で情報の書き込みが可能である」ことは、それぞれ、本願発明の「１対の強磁性層」、「中間層」、「積層されて成」ること、「該積層面に対して交叉する方向の通電によって磁気抵抗変化を得る構成」に対応するから、引用発明の「前記強磁性トンネル接合素子（ＴＭＲ）３１は、強磁性一重トンネル接合からなり、前記強磁性一重トンネル接合２は、基板の一方の主面上に、各種薄膜を順次成膜することにより形成され、薄い絶縁体層を一対の強磁性層で挟持してなる構造を有しており、電流で情報の書き込みが可能である磁気抵抗効果素子」は、本願発明の「該磁気抵抗素子は、少なくとも１対の強磁性層が中間層を介して対向するように積層されて成り、該積層面に対して交叉する方向の通電によって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子」に相当する。
　
　　エ　引用発明の「トンネル障壁層」は、本願発明の「トンネルバリア層」に対応するから、引用発明の「前記薄い絶縁体層がトンネル障壁層であ」ることは、本願発明の「前記中間層がトンネルバリア層であ」ることに相当する。
　
　　オ　引用発明の「前記一対の強磁性層のうちのフリー層である強磁性層４」、「一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹx」で「ＹはＢ」、「一般式（ＣｏＦｅＮｉ）100-xＹx」で「ＹはＢ」、「ｘは不等式０＜ｘ＜１００を満足する数値であ」ることの一部は、それぞれ、本願発明の「情報記録層を構成する上記強磁性層の一方」、「ＣｏＦｅＢ」、「ＣｏＦｅＮｉＢ」、「１０≦ｚ≦３０を満たす範囲」又は「１０≦ｄ≦３０を満たす範囲」に対応するから、引用発明の「前記一対の強磁性層のうちのフリー層である強磁性層４の組成は、一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹxまたは一般式（ＣｏＦｅＮｉ）100-xＹxで表され、前記一般式において、ＹはＢ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｐ、Ｍｏ、Ａｌ、及びＮｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であり、ｘは不等式０＜ｘ＜１００を満足する数値であり、好ましくは、不等式３＜ｘ＜１６を満足する数値であり、前記一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹxについては、Ｃｏ9ＦｅにＢを添加した組成を含」むことは、本願発明の「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ、あるいはＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢの組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、」「１０≦ｚ≦３０を満たす範囲であるか、あるいはＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、」「１０≦ｄ≦３０を満たす範囲であ」ることに相当する。
　なお、本願発明の「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ、あるいはＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢの組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０を満たす範囲であるか、あるいはＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、５≦ａ≦４５、３５≦ｂ≦８５、０＜ｃ≦３５、１０≦ｄ≦３０を満たす範囲」であることは、本願の請求項１の記載が、
（ａ）「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ」「を含有し、前記ＦｅＣｏＢ」「の組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０を満たす範囲」であることと、
（ｂ）「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、」「ＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記」「ＦｅＣｏＮｉＢの組成は、」「ＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、５≦ａ≦４５、３５≦ｂ≦８５、０＜ｃ≦３５、１０≦ｄ≦３０を満たす範囲」であることのことの択一的なものとなっているから、上記（ａ）と（ｂ）のいずれか一方が満足されれば足りる。
　
　　カ　引用発明の「幅Ｗ」、「長さＬ」、「長さＬが幅Ｗの３倍となるようにパターニングすること」は、それぞれ、本願発明の「上記情報記録層の平面形状」の「短軸長」、「上記情報記録層の平面形状」の「長軸長」、「短軸長：長軸長によるアスペクト比が、１：３」である「パターン形状とされていること」に対応するから、引用発明の「前記薄膜を幅Ｗが２〜０．２５μｍであり且つ長さＬが幅Ｗの３倍となるようにパターニングすることによりトンネル接合部を規定したこと」は、本願発明の「上記情報記録層の平面形状が、短軸長：長軸長によるアスペクト比が、１：３」で「あるパターン形状とされていること」に相当する。
　
　　キ　引用発明の「磁気メモリ（ＭＲＡＭ）」は、本願発明の「磁気メモリ装置」に相当する。
　
（５−２）そうすると、本願発明と引用発明の一致点と一応の相違点は、次のとおりとなる。
　
（一致点）
「互いに立体的に交叉するワード線とビット線とを有し、
　これらワード線とビット線との立体的交叉部間に、メモリ素子を構成する磁気抵抗素子が配置されて成り、
　該磁気抵抗素子は、少なくとも１対の強磁性層が中間層を介して対向するように積層されて成り、該積層面に対して交叉する方向の通電によって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、
　前記中間層がトンネルバリア層であり、
　少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ、あるいはＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢの組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、１０≦ｚ≦３０を満たす範囲であるか、あるいはＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、１０≦ｄ≦３０を満たす範囲であり、
　上記情報記録層の平面形状が、短軸長：長軸長によるアスペクト比が、１：３であるパターン形状とされていることを特徴とする磁気メモリ装置。」
　
（相違点）
（相違点１）
　本願発明は、「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ、あるいはＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢの組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０を満たす範囲であるか、あるいはＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、５≦ａ≦４５、３５≦ｂ≦８５、０＜ｃ≦３５、１０≦ｄ≦３０を満たす範囲」であるのに対して、引用発明は、本願発明の「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ、あるいはＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢの組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、」「１０≦ｚ≦３０を満たす範囲であるか、あるいはＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、」「１０≦ｄ≦３０を満たす範囲」に対応する、「前記一対の強磁性層のうちのフリー層である強磁性層４の組成は、一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹxまたは一般式（ＣｏＦｅＮｉ）100-xＹxで表され、前記一般式において、ＹはＢ」「であり、ｘは不等式０＜ｘ＜１００を満足する数値であり、好ましくは、不等式３＜ｘ＜１６を満足する数値であり、前記一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹxについては、Ｃｏ9ＦｅにＢを添加した組成を含」むものであるが、引用発明が、本願発明の「ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５」「を満たす範囲」であること、「ＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、５≦ａ≦４５、３５≦ｂ≦８５、０＜ｃ≦３５」「を満たす範囲」のものであるかどうか、ただちには明らかでない点。
（相違点２）
　本願発明は、「上記情報記録層の平面形状が、短軸長：長軸長によるアスペクト比が、１：１．２から１：３．５の範囲にあるパターン形状とされている」のに対して、引用発明は、「前記薄膜を幅Ｗが２〜０．２５μｍであり且つ長さＬが幅Ｗの３倍となるようにパターニングすることによりトンネル接合部を規定した」ものであり、本願発明の「上記情報記録層の平面形状が、短軸長：長軸長によるアスペクト比が、１：３であるパターン形状とされている」こととは、一致しているものの、引用発明は、本願発明の「短軸長：長軸長によるアスペクト比が、１：３」以外の点については、記載されていない点。
　
６．相違点についての検討
（６−１）相違点１について
　　ア　本願発明の「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ、あるいはＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢの組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０を満たす範囲であるか、あるいはＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、５≦ａ≦４５、３５≦ｂ≦８５、０＜ｃ≦３５、１０≦ｄ≦３０を満たす範囲」であることは、上記（２−２）、オのなお書きで述べたように、
（ａ）「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ」「を含有し、前記ＦｅＣｏＢ」「の組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０を満たす範囲」であることと、
（ｂ）「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、」「ＣｏＦｅＮｉＢを含有し、前記」「ＦｅＣｏＮｉＢの組成は、」「ＦｅａＣｏｂＮｉｃＢｄ（組成式中、ａ〜ｄは原子％を表す）において、５≦ａ≦４５、３５≦ｂ≦８５、０＜ｃ≦３５、１０≦ｄ≦３０を満たす範囲」であることのいずれか一方が満足されればよいから、上記（ａ）の場合について、検討することにする。
　
　　イ　引用発明は、「一般式（ＣｏＦｅ）100-xＹx」で「ＹはＢ」のときに、「ｘは不等式０＜ｘ＜１００を満足する数値であり」、また、「Ｃｏ9ＦｅにＢを添加した組成を含」むものであるから、引用発明において、例えば、ｘ＝２０として計算すると、「（Ｃｏ9Ｆｅ）８０Ｂ２０」＝「（Ｃｏ７２Ｆｅ８Ｂ２０」、ｘ＝３０として計算すると、「（Ｃｏ9Ｆｅ）７０Ｂ３０」＝「（Ｃｏ６３Ｆｅ７Ｂ１５」となり、本願発明の「少なくとも情報記録層を構成する上記強磁性層の一方が、ＣｏＦｅＢ」「を含有し、前記ＦｅＣｏＢ」「の組成は、ＦｅｘＣｏｙＢｚ（組成式中、ｘ、ｙ、ｚは、原子％を表す）において、５≦ｘ≦４５、３５≦ｙ≦８５、１０≦ｚ≦３０を満たす範囲」の数値範囲と重なっている。
　なお、審判請求人は、「Ｂの含有量（ｚ、ｄ）を２０原子％以上としたことにより、２７０℃でアニールしても、アモルファス状態を維持できる。」旨、主張しているが、このような効果については、本願明細書に記載がないし、Ｂの含有量のみで状態が決まるとも思われない。
　
　　ウ　したがって、本願発明の構成として、択一的なものの中から、上記ア、（ａ）を選択した場合には、本願発明と引用発明とは、数値範囲が重なっているから、両者は、実質的に同一である。
　
（６−２）相違点２について
　　ア　引用発明の「前記薄膜を幅Ｗが２〜０．２５μｍであり且つ長さＬが幅Ｗの３倍となるようにパターニングすることによりトンネル接合部を規定した」ことは、本願発明の「上記情報記録層の平面形状が、短軸長：長軸長によるアスペクト比が、１：３であるパターン形状とされている」ことに相当し、本願発明と引用発明とは、短軸長：長軸長によるアスペクト比の数値が、重なっているから、実質的に同一である。（磁気抵抗効果素子の平面形状について、本願発明では、アスペクト比のみで規定されており、平面パターン形状などは特定されていない。）
　
　　イ　また、引用刊行物の作用・効果である、例えば、段落【００６１】に記載の「サイズを縮小化した場合においても、十分に高い磁気抵抗比を維持し且つ反転磁界の増大を防止することができる」ことは、本願の発明の詳細な説明の段落【０１０１】に作用・効果として記載の、「保持力すなわち反転磁界の増加を抑制」できることに相当する。
　
（６−３）したがって、本願発明と刊行物発明との間には実質的な相違はなく、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法２９条第１項第３号に該当する。
　
７．むすび
　以上、検討したとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。