【事件の表示】
　平成１０年特許願第１４９１２１号「半導体装置及びその実装方法並びに電子装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月１０日出願公開、特開平１１−３４０３８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
一．本願は、平成１０年５月２９日の出願であって、平成１５年１２月１６日付で拒絶理由通知がなされ、平成１６年２月２３日付で、意見書、手続補正書が提出され、平成１６年３月１１日付で拒絶の査定がなされ、これに対し、平成１６年４月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１６年５月２１日付で手続補正書が提出され、平成１６年６月２５日付で、前置報告がなされ、平成１７年１０月２８日付で、審尋がなされ、平成１７年１２月２８日付で、回答書が提出されたものである。
　
二．平成１６年５月２１日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年５月２１日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．本願発明の補正内容について
平成１６年２月２３日付の手続補正書に記載の特許請求の範囲は以下のとおりである。（以下、「補正前発明１〜１５」という。）
「【請求項１】
　配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面上に実装された半導体チップを有する半導体装置であって、
　前記半導体チップの回路形成面とは反対側の前記半導体チップの裏面に装着される放熱フィンを支持するための支持体を有し、
　前記支持体は、前記半導体チップの裏面よりも先端部が突出して前記配線基板に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
　配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面上に実装された半導体チップと、
　前記半導体チップの回路形成面とは反対側のその裏面に熱伝導性の接着材により固着された放熱フィンと、
　前記半導体チップの裏面よりも先端部が突出して前記配線基板の実装面に設けられ、前記放熱フィンを支持するための支持体とを有していることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】
　前記支持体は、前記半導体チップの外周囲の外側において、
前記配線基板に固定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面上に実装された半導体チップと、
　前記半導体チップの回路形成面とは反対側の裏面に熱伝導性の接着材により固着された放熱フィンと、
　前記放熱フィンを支持するための支持体とを有し、
　前記支持体は前記放熱フィンに固定又は一体化され、前記放熱フィンの装着面から前記支持体の先端部までの高さは、前記配線基板の実装面から前記半導体チップの裏面までの高さよりも高くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
　前記熱伝導性の接着材は、粘性材から成ることを特徴とする請求項２乃至請求項４のうち何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
　前記支持体は、前記半導体チップの外周囲を囲む枠型形状で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうち何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
　前記支持体は、ストライプ型形状で構成され、このストライプ型形状の支持体は、前記半導体チップの互いに向い合う二つの辺の夫々の外側に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうち何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
　前記支持体は、円柱型形状又は角柱型形状で構成され、この円柱型形状又は角柱型形状の支持体は、前記半導体チップの外周囲を囲むようにして複数点在していることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうち何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
　前記半導体チップは、バンプ電極を介在して前記配線基板の実装面に実装されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のうち何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
　配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面上に実装された半導体チップと、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の裏面よりも先端部が突出し、前記半導体チップの外周囲の外側において前記配線基板に固定された支持体とを有する半導体装置を準備し、
　前記半導体装置を実装基板に実装した後、前記半導体チップの裏面に熱伝導性の接着材
により放熱フィンを固着することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１１】
　配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面上に半導体チップが実装された半導体装置と、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の裏面に熱伝導性の接着材により固着された放熱フィンとを有し、
　前記半導体装置は実装基板の実装面上に実装され、
　放熱フィンは前記配線基板の実装面に固定された支持体に支持され、
　前記支持体は半導体チップの裏面よりも先端部が突出していることを特徴とする電子装置。
【請求項１２】
　配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面に半導体チップが実装された半導体装置と、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の裏面に熱伝導性の接着材により固着された放熱フィンとを有し、
　前記半導体装置は実装基板の実装面に実装され、
　前記放熱フィンは前記半導体チップの裏面と向い合う装着面に支持体を有し、
　前記放熱フィンの装着面から前記支持体の先端部までの高さは、前記配線基板の実装面から前記半導体チップの裏面までの高さよりも高くなっていることを特徴とする電子装置。
【請求項１３】
　回路システムが形成された回路形成面を有する半導体チップが、配線基板の実装面に前記回路形成面を向かい合わせた状態で前記配線基板に実装され、
　前記半導体チップの回路形成面とは反対側の半導体チップ裏面に装着される放熱フィンとは別体に形成される前記放熱フィンを支持するための支持体が、その先端部が前記半導体チップの裏面よりも突出するように前記配線基板の実装面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
　前記回路システムは、ＣＰＵであることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
　前記回路形成面には、前記回路システムと接続された複数の電極が形成され、これら複数の電極は、バンプ電極を介して前記配線基板の実装面に設けられた複数の電極に夫々接続されていることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の半導体装置。」
　
　平成１６年５月２１日付の手続補正書に記載された特許請求の範囲は以下のとおりである。（以下、「補正後発明１〜１２」という。）　
　「【請求項１】
　配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面上に実装された半導体チップと、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の裏面よりも先端部が突出し、前記半導体チップの外周囲の外側において前記配線基板に固定された支持体とを有する半導体装置を準備する工程、
　前記半導体装置を実装基板に実装する工程、
　前記実装工程後、前記半導体チップの裏面に熱伝導性の接着材により放熱フィンを固着する工程を有することを特徴とする半導体装置の実装方法。
　【請求項２】
　前記半導体装置を実装基板に実装する工程は、前記配線基板の前記半導体チップが実装された実装面とは反対側の面に形成された電極を介して行なわれることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
　【請求項３】
　前記放熱フィンを固着する工程は、粘性材から成る熱伝導性の接着材を用いて行なわれることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
　【請求項４】
　前記請求項１に記載の半導体装置の実装方法に使用される半導体装置であって、
　配線基板の実装面に回路形成面を向かい合わせた状態で前記実装面に実装された半導体チップと、前記半導体チップの外周囲の外側において前記配線基板に固定された支持体とを有し、さらに前記支持体の先端部は、前記半導体チップの裏面よりも突出していることを特徴とする半導体装置。
　【請求項５】
　前記支持体は、前記半導体チップの外周囲を囲む枠型形状で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
　【請求項６】
　前記支持体は、ストライプ型形状で構成され、このストライプ型形状の支持体は、前記半導体チップの互いに向い合う二つの辺の夫々の外側に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
　【請求項７】
　前記支持体は、円柱型形状又は角柱型形状で構成され、この円柱型形状又は角柱型形状の支持体は、前記半導体チップの外周囲を囲むようにして複数点在していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
　【請求項８】
　前記半導体チップは、バンプ電極を介在して前記配線基板の実装面に実装されていることを特徴とする請求項４乃至請求項７のうち何れか一項に記載の半導体装置。
　【請求項９】
　前記半導体チップと前記支持体との間の前記配線基板の実装面に基板実装部品が設けられていることを特徴とする請求項４乃至請求項８のうち何れか一項に記載の半導体装置。
　【請求項１０】
　前記請求項１に記載の半導体装置の実装方法に使用される半導体装置であって、回路システムが形成された回路形成面を有する半導体チップが、配線基板の実装面に前記回路形成面を向かい合わせた状態で実装され、
　先端部が前記半導体チップの裏面よりも突出する支持体が、前記半導体チップの外側に前記半導体チップから離間して前記配線基板の実装面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項１１】
　前記回路システムは、ＣＰＵであることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
　【請求項１２】
　前記回路形成面には、前記回路システムと接続された複数の電極が形成され、これら複数の電極は、バンプ電極を介して前記配線基板の実装面に設けられた複数の電極に夫々接続されていることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の半導体装置。」
　
平成１６年５月２１日付の補正の請求項１〜３について
　上記補正は、補正前発明１０（平成１６年２月２３日付手続補正の請求項１０）に係る「実装方法」の発明を、補正後発明１〜３の３つの「実装方法」の発明に増加したものである。方法のカテゴリーにおいて、請求項の数を増加させるこの補正は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものには該当しないし、さらに、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものにも該当しない。
　
２．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２〜４号の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
三．本願発明について　
１．本願発明　
　平成１６年５月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１５のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１６年２月２３日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面上に実装された半導体チップを有する半導体装置であって、
　前記半導体チップの回路形成面とは反対側の前記半導体チップの裏面に装着される放熱フィンを支持するための支持体を有し、
　前記支持体は、前記半導体チップの裏面よりも先端部が突出して前記配線基板に設けられていることを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶理由で引用された引用文献及び周知文献は、以下のとおりである。
　引用例１：特開平９−３０６９５４号公報（以下、「刊行物１」という。）
　周知文献１：特開平５−６９４８号公報（以下、「刊行物２」という。）
　周知文献２：特開平５−５５４２３号公報（以下、「刊行物３」という。）
　
（１）刊行物１（特開平９−３０６９５４号公報）の摘記事項
ａ．「【００１４】図１に示すように、半導体装置１は、配線基板２の一表面(実装面)上にバンプ電極４を介在して半導体チップ３が実装され、配線基板２の一表面と半導体チップ３の主面との間の間隙領域に樹脂５が充填されたパッケージ構造で構成されている。」
ｂ．「【００１６】前記配線基板２の一表面には電極パッド２Ａが複数個配置され、また、配線基板２の一表面と対向するその裏面には電極パッド２Ｂが複数個配置されている。この電極パッド２Ａ、電極パッド２Ｂの夫々は、配線基板２の配線を介して電気的に接続されている。
　　【００１７】前記半導体チップ３の平面形状は例えば方形状で形成されている。半導体チップ３は、例えば、珪素基板及びその主面（素子形成面）上に形成された配線層を主体とする構造で構成されている。・・・
　　【００１８】前記半導体チップ３には、論理回路システム、記憶回路システム、或はそれらの混合回路システムが塔載されている。これらの回路システムは高性能化の傾向にあり、この回路システムの高性能化に伴って半導体チップ３から発生する発熱量は増加する。
　　【００１９】前記半導体チップ３の主面には外部端子３Ａが複数個配置されている。この複数個の外部端子３Ａの夫々は、これに限定されないが、例えば、珪素基板の主面上に形成された配線層のうち、最上層の配線層に形成された複数個の内部端子の夫々の表面上に形成されている。・・・
　　【００２０】前記複数個の外部端子３Ａの夫々は、配線基板２の一表面に配置された複数個の電極パッド２Ａの夫々にバンプ電極４を介在して固着され、電気的にかつ機械的に接続されている。つまり、半導体チップ３は配線基板２の一表面上にフェイスダウン方式で実装されている。・・・  」
ｃ．「【００２３】前記半導体チップ３の主面と対向するその裏面上には平板部材７が配置され、半導体チップ３の裏面にこの半導体チップ３の裏面と対向する平板部材７の一表面の固着領域がろう材６を介在して固着されている。  」
ｄ．「【００２９】前記平板部材７の一表面の固着領域を除く他の領域は外部に露出されている。また、平板部材７の裏面及び側面は外部に露出されている。つまり、平板部材７は、一表面の固着領域を除いた全てが外部に露出されているので、半導体チップ３の平面サイズに比べて平板部材７の平面サイズを大きくすることにより、平板部材７と外気とが接触する接触面積が大きくなる。
ｅ．「【００３０】前記平板部材７は、半導体チップ３の外形サイズに比べて大きい外形サイズで形成されている。この平板部材７は、半導体チップ３に比べて外気と接触する接触面積が大きい。また、平板部材７は窒化アルミニウム材で形成されている。この窒化アルミニウム材で形成された平板部材７は熱伝達率が高い。また、平板部材７の一表面の固着領域は、半導体チップ３の裏面にろう材６を介在して固着されている。このろう材６を介在する半導体チップ３の裏面と平板部材７の一表面との固着は、半導体チップ３から平板部材７に熱を伝達する熱伝達率が高い。従って、半導体チップ３から発生した熱は半導体チップ３から平板部材７に効率良く伝達され、平板部材７に伝達された熱は効率良く拡散され、平板部材７で拡散された熱は外気と接触する接触面積が大きい平板部材７から外気に効率良く伝達される。」
ｆ．「【００５９】　なお、図８(断面図)に示すように、配線基板２と平板部材７との間に平板部材７を支持するための支持部材１４を設けた構造で半導体装置１を構成してもよい。この場合、平面サイズが小さい半導体チップ３の裏面に、平面サイズが大きい平板部材７を安定した状態で取付けることができる。」
　
　上記摘記事項ｂの段落００１７の記載からみて、半導体チップの主面（素子形成面）上には配線層を主体とする構造を有しているから、半導体チップの主面が回路形成面となること、及び、摘記事項ｅの段落００３０の記載からみて、平板部材が放熱効果を有することは明らかである。
　また、上記摘記事項ｆ及び図８の記載からみて、支持部材は、半導体チップの裏面よりも先端部が突出して配線基板に設けられていることは明らかである。
　したがって、刊行物１には以下の発明が記載されている。
　「配線基板の実装面上に、外部端子が配置された半導体チップの回路形成面となる主面を向かい合わせた状態で実装した半導体装置であって、半導体チップの主面とは反対側の半導体チップの裏面に固着した放熱のための平板部材を支持する支持部材を設け、この支持部材は、半導体チップの裏面よりも先端部が突出して、配線基板に設けられている半導体装置」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
（２）刊行物２（特開平５−６９４８号公報）の摘記事項
ｇ．「【０００９】図１（Ａ）に示すように、本発明による放熱体１０は複数のフィン１１をもった櫛形形状である。・・・」が、図１と共に記載されている。
　
（３）刊行物３（特開平５−５５４２３号公報）の摘記事項
ｈ．「【００２３】・・・この放熱部材２４は、放熱板２４ａ上に多数の突起状放熱フィン２４ｂを一体化したものであり、例えばアルミニウム材等によって一体的に形成されている。・・・」が図５と共に記載されている。
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、両者は、「配線基板の実装面に回路形成面を向い合わせた状態で前記配線基板の実装面上に実装された半導体チップを有する半導体装置であって、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の前記半導体チップの裏面に装着される放熱部材を支持するための支持体を有し、前記支持体は、前記半導体チップの裏面よりも先端部が突出して前記配線基板に設けられている半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：放熱部材として、本願発明１は放熱フィンを用いているのに対し、刊行物１発明は平板部材を用いている点。
　
　上記相違点について検討すると、基板に実装された半導体チップの放熱部材として、放熱部材に放熱フィンを設けることは周知の事項にすぎず（刊行物１、２の摘記事項ｇ、ｈ参照。）、放熱効果を上げるために、平板部材よりもさらに表面積を増加させる放熱フィンを採用する程度のことは当業者であれば容易に想到することができたものである。
　
４．むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜１５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。