【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体回路が設けられた絶縁樹脂層と、ソルダーレジスト層とを含んでなる配線板であって、前記ソルダーレジスト層は前記導体回路と相対する位置に開口部を有するものであり、前記絶縁樹脂層と前記ソルダーレジスト層とが、絶縁樹脂と無機充填材とを含む絶縁樹脂組成物より構成されたものであり、前記ソルダーレジスト層と前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物は各々２５℃以上のガラス転移温度を有しており、前記ソルダーレジスト層と前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であって、
前記絶縁樹脂層または前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物が、前記絶縁樹脂としてエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂とを含む、配線板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１または２に記載の配線板。
【請求項４】
前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が２００℃以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数α１が３５ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項６】
前記開口部がレーザー加工により形成される請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項７】
前記ソルダーレジスト層を構成する該絶縁樹脂組成物中に含まれるＮａイオンおよび塩素イオンがそれぞれ１０ｐｐｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項８】
前記ソルダーレジスト層を構成する該絶縁樹脂組成物中に、着色剤としてハロゲンを含まない青色顔料とハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料とを含むものである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項９】
前記ハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料の合計量と、前記ハロゲンを含まない青色顔料の量とが、重量比１：１０〜１０：１割合で調合された着色剤である、請求項８に記載の配線板。
【請求項１０】
前記ハロゲンを含まない黄色顔料がベンズイミダゾロンイエローである請求項８または９に記載の配線板。
【請求項１１】
前記ハロゲンを含まない青色顔料が銅フタロシアニンブルーである請求項８〜１０のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項１２】
前記着色剤の含有量が、ソルダーレジストを構成する該絶縁樹脂組成物に対して０．０１〜５重量％である請求項８〜１１のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項１３】
前記絶縁樹脂層または前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物が、イミダゾール化合物をさらに含む請求項１〜１２のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載された配線板に用いられる、ソルダーレジスト用絶縁樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
半導体搭載用の基板などに用いられる多層ビルドアップ配線板は、コア基板の両面に絶縁層と導体層とを交互に積層された構造を有するものであり、これに半導体チップを搭載する場合は、配線板の外層表面にソルダーレジスト層を形成し、該ソルダーレジスト層に開口部を設け、該開口部に外部接続用の半田バンプを設け、半導体チップの電極と接続を行っている。
近年、電子機器の更なる小型化、大容量化に伴い、より一層の多層ビルドアップ配線板の薄型化、配線の微細化が進むことから、ソルダーレジスト層に対する要求が厳しくなってきている。半田パッド用開口部を形成するには、従来の写真法では、散乱光の影響により、微細な開口部を形成することが難しくなっておきており、レーザーによる開口が（例えば、特許文献１参照。）行われている。レーザー開口に伴いエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることが考えられている。しかし鉛フリー化に伴う、実装工程における半田リフロー温度の上昇に伴い、熱時のクラックが発生しやすくなる恐れがあり、特に配線板の薄型化に伴い、絶縁層とソルダーレジスト層の間に大きな線膨張係数を有する場合、両者の線膨張係数の相違に起因して生じる応力により熱衝撃性試験などの試験においてクラックが懸念され、耐湿性を含めた信頼性などの向上が望まれている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、実装工程における半田リフロー温度の上昇に伴う熱時のクラックの発生、配線板の薄型化に伴う絶縁層とソルダーレジスト層との線膨張係数の相違に起因して生じる応力による熱衝撃性試験などの試験において発生するクラックなどの問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、耐湿性を含めた信頼性に優れた配線板を提供し、またその配線板に用いられる、著しく不純物が少なく、熱衝撃性に優れたソルダーレジスト用の絶縁樹脂組成物および導体回路が設けられた絶縁樹脂層と、該ソルダーレジスト層とを含んでなる配線板を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは鋭意検討を行った結果、導体回路が設けられた絶縁層と、ソルダーレジスト層とを含んでなり、前記ソルダーレジスト層は前記導体回路と相対する位置に開口部を有する配線板において、ソルダーレジスト層と絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数差が２５℃以上ガラス転移温度以下において２０ｐｐｍ／Ｋ以下である配線板を見出し、この配線板はレーザー微細回路において耐半田性、熱衝撃試験に優れることから本発明を完成するに至ったものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような目的は、［１］〜［１４］に記載の本発明により達成される。
［１］導体回路が設けられた絶縁樹脂層と、ソルダーレジスト層とを含んでなる配線板であって、前記ソルダーレジスト層は前記導体回路と相対する位置に開口部を有するものであり、前記絶縁樹脂層と前記ソルダーレジスト層とが、絶縁樹脂と無機充填材とを含む絶縁樹脂組成物より構成されたものであり、前記ソルダーレジスト層と前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物は各々２５℃以上のガラス転移温度を有しており、前記ソルダーレジスト層と前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下におけ
る線膨張係数差が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であって、
前記絶縁樹脂層または前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物が、前記絶縁樹脂としてエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂とを含む、配線板。
［２］前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である上記［１］に記載の配線板。
［３］前記絶縁樹脂層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）が５０ｐｐｍ／Ｋ以下である上記［１］または［２］に記載の配線板。
［４］前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が２００℃以上である上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の配線板。
［５］前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数α１が３５ｐｐｍ／Ｋ以下である上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の配線板。
［６］前記開口部がレーザー加工により形成される上記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の配線板。
［７］前記ソルダーレジスト層を構成する該絶縁樹脂組成物中に含まれるＮａイオンおよび塩素イオンがそれぞれ１０ｐｐｍ以下である上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の配線板。
［８］前記ソルダーレジスト層を構成する該絶縁樹脂組成物中に、着色剤としてハロゲンを含まない青色顔料とハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料とを含むものである、上記［１］〜［７］のいずれか１項に記載の配線板。
［９］前記ハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料の合計量と、前記ハロゲンを含まない青色顔料の量とが、重量比１：１０〜１０：１割合で調合された着色剤である、上記［８］に記載の配線板。
［１０］前記ハロゲンを含まない黄色顔料がベンズイミダゾロンイエローである上記［８］または［９］に記載の配線板。
［１１］前記ハロゲンを含まない青色顔料が銅フタロシアニンブルーである上記［８］〜［１０］のいずれか１項に記載の配線板。
［１２］前記着色剤の含有量が、ソルダーレジストを構成する該絶縁樹脂組成物に対して０．０１〜５重量％である上記［８］〜［１１］のいずれか１項に記載の配線板。
［１３］前記絶縁樹脂層または前記ソルダーレジスト層を構成する前記絶縁樹脂組成物が、イミダゾール化合物をさらに含む［１］〜［１２］のいずれか１項に記載の配線板。
［１４］［１］〜［１３］のいずれか１項に記載された配線板に用いられる、ソルダーレジスト用絶縁樹脂組成物。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の配線板は、絶縁樹脂層とソルダーレジスト層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数差が２５℃以上ガラス転移温度以下において２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるものとすることにより、耐半田性試験、熱衝撃試験などの試験において絶縁樹脂層とソルダーレジスト層界面の応力集中を回避すると共に、ソルダーレジスト層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が２００℃以上であること、不純物として含まれるＮａイオン、塩素イオンが１０ｐｐｍ以下であることから耐湿信頼性などの信頼性に優れた配線板である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次いで、上記で得たビルドアップ層が形成された基板１０の最外層面に、絶縁樹脂組成物から構成されるソルダーレジスト層２を形成して、最外層にソルダーレジスト層が形成された基板１１を得る（図２）。
前記ソルダーレジスト層として、ソルダーレジスト層と絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差は２０ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましく、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、さらには前記ソルダーレジスト層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）は５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、さらに好ましくは４０ｐｐｍ／Ｋ以下である。さらには、前記絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数α１とガラス転移温度以上における線膨張係数α２との差（α２−α１）は５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、さらに好ましくは４０ｐｐｍ／Ｋ以下である。また、ソルダーレジスト層を構成する絶縁樹脂組成物は、該絶縁樹脂組成物中に含まれるＮａイオンおよび塩素イオンがそれぞれ１０ｐｐｍ以下であることが好ましく、さらに８ｐｐｍ以下であることが好ましい。またその硬化物のガラス転移温度が２００℃以上であることがさらに好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（配線板の製造）
両面銅張積層板Ａ（図５，住友ベークライト社製、ＥＬＣ４７８５ＧＳ（２２０℃以下の線膨張係数１３ｐｐｍ／Ｋ）、以下両面板と記す）にドリルにて貫通スルーホールｂを穿設（図６）し、上面と下面を導通させるためのスルーホールめっきｃを施した。（図７）
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
（評価用単層フィルムの作製）
実施例１〜３で得た、絶縁樹脂層用樹脂付ＰＥＴフィルム、ソルダーレジスト層用樹脂付ＰＥＴフィルム１、２、３（以下、これらを合わせて樹脂付ＰＥＴフィルムと称する）のＰＥＴフィルムを剥離して得た、単層絶縁樹脂フィルム（表１では絶縁樹脂）、単層ソルダーレジストフィルム１、２、３（表１ではそれぞれＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３）、および比較例１で用いたドライフィルム型感光性ソルダーレジスト（ＰＦＲ８００−ＡＵＳ４０２）（表１ではＤＦ型）のフィルム単体を熱硬化後、ガラス転移温度、線膨張係数α１・α２、Ｎａイオン、塩素イオン不純物および１ＭＨｚにおける誘電率と誘電正接を以下に示す方法で測定した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
【表１】
2012134567.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
表２中の導通試験とは、実施例および比較例のビルドアップ配線板の外周部に設けられた導通測定用パッドを導通試験機（ＨＩＯＫＩ：Ｘ＝ＹＣ Ｈｉｇｈｔｅｓｔｅｒ１１１ ６）により接合不良または回路の断線発生の有無を検証する試験である。
表２中の剥離観察とは、ビルドアップ配線板の内層界面（例えば図５におけるｂ１とｃ１）を非破壊超音波式観察機（日立建機ファインテック株式会社：ｍｉ-ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ）にて密着しているか否かを判別する試験である。ここで、不良が発見された場合、断面観察によりサンプルを破壊してどの層間の剥離であるかの確認を行った。結果を表３に示す。また、ソルダーレジスト層と絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差は、上記測定した線膨張係数の結果より算出した。２０ｐｐｍ／Ｋ以下を○、２０ｐｐｍ／Ｋ以上を×として示した。
表３において、導通試験の項目で、完全に接続しているものは○、一箇所でも導通がされていない場合は×としている。剥離観察の項目では、剥離が観察されなかったサンプルを○、層間での剥離が観察されたサンプルを×としている。導通不具合、剥離が発生したものはその後の測定を中止した。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
これらの評価結果から明らかなように、ソルダーレジスト層と絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂組成物の硬化物の２５℃以上ガラス転移温度以下における線膨張係数差が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である実施例１〜３は、比較例１に比べて良好な温度サイクル試験、耐湿信頼性試験の結果を示した。