【事件の表示】
　特願２００４−３４４９４５「有機電界発光表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６５３２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　　 
　平成１６年１１月２９日　特許出願（パリ条約による優先権主張　２００　　　　　　　　　　　　　３年１１月２９日、大韓民国） 
　平成１９年　２月１３日　拒絶理由通知 
　平成１９年　５月２１日　意見書、手続補正書 
　平成１９年　６月１１日　拒絶理由通知（最後） 
　平成１９年　９月１９日　意見書、手続補正書 
　平成１９年１０月１６日　平成１９年９月１９日付け手続補正書でした補　　　　　　　　　　　　　正の却下の決定、拒絶査定 
　平成２０年　１月２１日　本件審判請求 
　平成２０年　２月２０日　手続補正書 
　平成２１年　３月１７日　審尋 
　平成２１年　６月２２日　回答書 
　 
　 
２．本願発明　　 
　本願の請求項１に係る発明は、平成２０年２月２０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。（平成２０年２月２０日付けの手続補正は請求項１を補正するものではない。） 
　　 
　「【請求項１】 
　少なくともソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを含む絶縁基板と、 
　前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極の中の一つを露出させるビアホールを備えた第１絶縁膜と、 
　前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記一つの電極に接続される下部電極と、 
　前記下部電極上に形成された有機薄膜層と、 
　前記有機薄膜層上に形成された上部電極とを含み、 
　前記下部電極はエッジ部分で４０°以下のテーパ角を有し、 
　前記有機薄膜層はレーザ熱転写法によって形成された有機発光層を少なくとも含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。」（以下、「本願発明」という。） 
　 
３．引用する刊行物 
　　刊行物１：特開２００１−１１０５７５号公報 
　　刊行物２：特開２００３−１６８５６９号公報 
　 
３−１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開２００１−１１０５７５号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　 
（Ａ）「【０００１】 
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Electro  Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。」
　 
（Ｂ）「【００１１】次に従来のＥＬ表示装置について図６、７を用いて説明する。・・・・・ 
【００１４】図７（ｂ）は図６のＢ−Ｂ線断面図である。基板１０上に半導体膜４３、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極４１、層間絶縁膜１５が順次積層され、層間絶縁膜１５上にドレイン信号線５２、駆動電源５３が配置され、それらを覆って平坦化絶縁膜１７が形成されている。平坦化絶縁膜１７上に陽極６１が配置され、コンタクトＣ３を介して半導体膜４３に接続されている。陽極６１上にはには第１ホール輸送層６２、第２ホール輸送層６３、発光層６４、電子輸送層６５の積層構造である発光素子層６６が配置されている。それらを覆って陰極６７が配置される。 
・・・・・ 
【００１６】 
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように有機ＥＬ素子を形成する際に、陽極６１の上に形成する発光素子層６６は、その厚みが約２００ｎｍと非常に薄いため、陽極６１端部の平坦化絶縁膜１７との段差によってカバレッジが悪くなる。そのため、図８に矢印で示す箇所は、陽極６１の頂点と陰極６７の頂点が向かい合うため、ここに電界集中が生じ、発光層６４が早く劣化するという問題が生じる。また、カバレッジが更に悪くなると、図示したように、発光素子層６６が切れて、上層に設けた陰極６７が陽極６１と短絡し、この画素は表示欠陥となってしまう問題があった。 
【００１７】そこで本発明は、陽極の厚みによる発光層６４の局所的な劣化や、短絡を防止し、よってより歩留まりの高い、また、より寿命の長いＥＬ表示装置を提供することを目的とする。」 
　 
（Ｃ）「【００１８】 
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解決するためになされ、基板上に第１の電極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、第２の電極が順に積層されてなるエレクトロルミネッセンス素子を有するエレクトロルミネッセンス表示装置において、第１の電極の端部は斜面となっているエレクトロルミネッセンス表示装置である。 
【００１９】そして、第１の電極の斜面は１０度以上４５度以下、さらには、２５度以上３５度以下の角度である。 
【００２０】また、第１の電極の厚さは、ホール輸送層、発光層、電子輸送層の膜厚の合計の１／２、さらにはその１／３よりも薄い。」 
　 
（Ｄ）「【００２１】 
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態について以下に以下に説明する。第１の実施形態は、本発明をアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に適用した例である。図１に第１の実施形態のＥＬ表示装置の１表示画素を示す平面図を示し、図２に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示す。 
【００２２】各画素の駆動回路は、図９に示す回路と全く同一であって、図６，７の従来例と異なる点は第１の電極である陽極１の断面形状のみである。 
【００２３】５１は図９のゲート信号線Ｇｎ、５２はドレイン信号線Ｄｍ、５３は駆動電源１５０、５４は補助容量１７０の電極１７２、６１は有機ＥＬ素子１６０の陽極１６１にそれぞれ相当する。行方向にゲート信号線５１が配置され、列方向にドレイン信号線５２と駆動電源５３が配置されている。それらによって区画された領域内に補助容量と発光層が配置される。補助容量は、半導体膜１３と電極５４によって形成されている。半導体膜１３はコンタクトＣ１を介してドレイン信号線５２に接続され、ドレイン１３ｄ、ソース１３ｓの間にゲート電極１１が配置されている。 
【００２４】半導体膜４３はコンタクトＣ２を介して駆動電源５３に接続され、ドレイン４３ｄ、ソース４３ｓの間に半導体膜１３に接続されたゲート電極４１が配置されている。半導体膜４３はコンタクトＣ３を介して有機ＥＬ素子の陽極１に接続されている。 
【００２５】図２に示すように、有機ＥＬ表示装置は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上にＴＦＴ及び有機ＥＬ表示装置を形成する。 
【００２６】本実施の形態においては、第１及び第２のＴＦＴ３０，４０ともに、ゲート電極を能動層の上方に設けたいわゆるトップゲート型のＴＦＴであり、能動層として多結晶シリコンよりなる半導体膜を用いた場合を示す。またゲート電極１１がダブルゲート構造であるＴＦＴの場合を示す。 
【００２７】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１のＴＦＴ３０について説明する。 
【００２８】図２に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、半導体膜４３、ゲート絶縁膜１２を順に形成する。半導体膜４３は、第２のＴＦＴの能動層となっており、ソース４３ｓ、ドレイン４３ｄ、チャネル４３ｃを有する。ゲート絶縁膜１２上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲート電極４１が形成され、これを覆ってＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５が形成される。その上にドレイン信号線５２、駆動電源５３を形成する。 
【００２９】ＴＦＴは、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造である。即ち、チャネル１３ｃ上のゲート電極４１をマスクにしてイオンドーピングし、更にゲート電極４１及びその両側のゲート電極４１から一定の距離までをレジストにてカバーしイオンドーピングしてゲート電極４１の両側に低濃度領域とその外側に高濃度領域のソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。 
【００３０】更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を形成する。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、コンタクトＣ３を介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明な第１の電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極１を平坦化絶縁膜１７上に形成する。 
【００３１】発光素子層６６は、一般的な構造であり、ＩＴＯ等の透明電極から成る陽極１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層６２、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６５、マグネシウム・インジウム合金もしくはマグネシウム・銀合金もしくはフッ化リチウム／アルミニウム積層などから成る陰極６７がこの順番で積層形成された構造である。 
【００３２】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。 
【００３３】このように構成された表示画素が基板１０上にマトリクス状に配置されることにより、有機ＥＬ表示装置が形成される。」 
　 
（Ｅ）「【００３４】さて、本実施形態の陽極１は、図２に示したように、端部が斜面となっている。この斜面によって、発光素子層６６は陽極１から平坦化絶縁膜１７上になだらかに形成されるので、カバレッジが悪くなって、陽極１と陰極６７とが短絡することが防止される。また、斜面であるので、陽極１の端部には陰極６７を向いた角がないので、電界集中がおこりにくい。従って、発光層６４は全面に均等に発光し、一部分が早く劣化することもない。 
【００３５】図３に示す陽極１の斜面の角度θは、より小さい方が断線や電界集中の防止には好適である。しかし、角度が浅くなると、陽極１の端部は、極めて薄い膜となってしまい、形状の再現性が低下するという問題が生じる。従って、陽極１の斜面の角度は１０゜〜４５゜、望ましくは３０゜程度とする。また、陽極１の上端は、図３（ｂ）に示すように、なだらかな曲線となるようにするとなおよい。
【００３６】次に陽極１を斜面とする方法について説明する。・・・本実施形態では、全面に形成したＩＴＯ膜にポジ型フォトレジストを形成し、Ｃｌ2や、ＨＣｌのような塩素系ガスを用いたドライエッチを行うことによってＩＴＯ端部を斜面とした。・・・・・。本実施形態では、斜面の角度θは約３０゜となった。このように、ＩＴＯ膜とレジストの選択性が低いエッチングガスを用いて等方性エッチングをすることによって、端部を斜面とする陽極１を形成することができる。」 
　 
（Ｆ）「【００３７】次に陽極１の膜厚について述べる。陽極１の膜厚は、発光素子層６６の合計膜厚に比較して薄く形成する。陽極１の膜厚が薄ければ、平坦化絶縁膜１７との間に生じる段差も緩和されるので、発光素子層６６の断線が防止できる。陽極１の厚みによって、表示の色味が変化するため、必ずしも任意の厚さに設定できるわけではないが、可能であれば、陽極１の膜厚は発光素子層６６の合計膜厚の１／２以下、さらには１／３以下とすることが望ましい。ただし、陽極１を薄く形成しすぎると、陽極１の一部が欠ける等、形状の再現性が低下する。本実施形態では、陽極６１は厚さ約８５ｎｍ、発光素子層６６は厚さが計約２００ｎｍ、陰極６７は厚さ約２００ｎｍである。」 
　 
（Ｇ）「【００４４】 
【発明の効果】以上に述べたように、本発明は、第１の電極の端部は斜面となっているので、この上に形成されるエレクトロルミネッセンス素子がなだらかに形成され、第１の電極と第２の電極の短絡が防止され、歩留まりの高いエレクトロルミネッセンス表示装置とすることができる。 
【００４５】また、第１の電極端部における電界集中が防止されるので、局所的にエレクトロルミネッセンス素子が劣化することを防止でき、寿命の長いエレクトロルミネッセンス表示装置とすることができる。 
【００４６】そして、第１の電極の斜面は１０度以上４５度以下、さらには、２５度以上３５度以下の角度であるので、発光素子層を確実に形成でき、かつ第１の電極の形状の再現性を損なうことがない。 
【００４７】また、第１の電極の厚さは、発光素子層の膜厚の１／２、さらにはその１／３よりも薄いので、発光素子層を確実に形成することができる。」 
　 
（刊行物１に記載された発明） 
（イ）記載事項（Ｄ）【００２８】の「図２に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、半導体膜４３、ゲート絶縁膜１２を順に形成する。半導体膜４３は、第２のＴＦＴの能動層となっており、ソース４３ｓ、ドレイン４３ｄ、チャネル４３ｃを有する。」との記載と図２からみて、絶縁性基板１０上に、ソース４３ｓ、ドレイン４３ｄを備える薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されていることが開示されている。
（ロ）記載事項（Ｄ）【００３０】の「平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、コンタクトＣ３を介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明な第１の電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極１を平坦化絶縁膜１７上に形成する。」との記載から、平坦化絶縁膜１７は、絶縁性基板１０上に形成され、絶縁性基板１０上に備える薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース４３ｓに対応した位置に、コンタクトホールが形成されていることが、また、平坦化絶縁膜１７上に形成した陽極１は、コンタクトＣ３を介してソース４３ｓと接続されていることが開示されている。
（ハ）記載事項（Ｄ）【００３１】の「発光素子層６６は、一般的な構造であり、ＩＴＯ等の透明電極から成る陽極１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層６２、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６４及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６５、マグネシウム・インジウム合金もしくはマグネシウム・銀合金もしくはフッ化リチウム／アルミニウム積層などから成る陰極６７がこの順番で積層形成された構造である。」との記載と図２からみて、陽極１上にＭＴＤＡＴＡから成る第１ホール輸送層６２、ＴＰＤからなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン誘導体を含むＢｅｂｑ2から成る発光層６４、Ｂｅｂｑ2から成る電子輸送層６５、陰極６７がこの順番で形成され、陽極１、第１ホール輸送層６２、第２ホール輸送層６３、発光層６４、電子輸送層６５、陰極６７が発光素子層６６を構成していることが開示されている。
（ニ）記載事項（Ｆ）【００３７】の「次に陽極１の膜厚について述べる。陽極１の膜厚は、発光素子層６６の合計膜厚に比較して薄く形成する。陽極１の膜厚が薄ければ、平坦化絶縁膜１７との間に生じる段差も緩和されるので、発光素子層６６の断線が防止できる。陽極１の厚みによって、表示の色味が変化するため、必ずしも任意の厚さに設定できるわけではないが、可能であれば、陽極１の膜厚は発光素子層６６の合計膜厚の１／２以下、さらには１／３以下とすることが望ましい。ただし、陽極１を薄く形成しすぎると、陽極１の一部が欠ける等、形状の再現性が低下する。本実施形態では、陽極６１は厚さ約８５ｎｍ、発光素子層６６は厚さが計約２００ｎｍ、陰極６７は厚さ約２００ｎｍである。」（当審注：【００３７】は陽極１の膜厚について記載した箇所であるから、「陽極６１」は「陽極１」の誤記と認められる。）との記載から、実施形態として厚さが約８５ｎｍの陽極１が開示されている。
（ホ）記載事項（Ｅ）【００３５】の「・・・陽極１の斜面の角度は１０゜〜４５゜、望ましくは３０゜程度とする。」との記載と図２〜図４からみて、陽極１の端部の角度として、１０゜〜４５゜、望ましくは３０゜程度の角度が開示されており、【００３６】には実施形態として約３０゜の角度が開示されている。
（チ）記載事項（Ｄ）【００３２】の「また有機ＥＬ素子は、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。」との記載、【００３３】の「このように構成された表示画素が基板１０上にマトリクス状に配置されることにより、有機ＥＬ表示装置が形成される。」との記載から、有機ＥＬ表示装置が開示されている。 
　してみると、刊行物１には、以下の発明が開示されている。 
「　ソース４３ｓ、ドレイン４３ｄを備える薄膜トランジスタが形成された絶縁性基板１０と、 
　前記絶縁性基板１０上に形成され、コンタクトホールを備えた平坦化絶縁膜１７と、 
　前記平坦化絶縁膜１７上に形成され、前記コンタクトホールのコンタクトＣ３を介して前記ソース４３ｓに接続される陽極１と、 
　前記陽極１上に形成されたＭＴＤＡＴＡから成る第１ホール輸送層６２、ＴＰＤからなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン誘導体を含むＢｅｂｑ2から成る発光層６４、Ｂｅｂｑ2から成る電子輸送層６５と、 
　前記電子輸送層６５上に形成された陰極６７とを含み、 
　前記陽極１、第１ホール輸送層６２、第２ホール輸送層６３、発光層６４、電子輸送層６５、陰極６７が有機発光する発光素子層６６を構成し、 
　前記陽極１は約８５ｎｍの厚さを有し、その端部が約３０゜の斜面である、 
　有機ＥＬ表示装置。」 （以下、「引用発明」という。）
　 
３−２　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物２（特開２００３−１６８５６９号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
（Ｈ）「【０００１】 
【発明の属する技術分野】本発明はフルカラー有機電界発光表示素子の構造及び製造方法に係り、さらに具体的にレーザー転写法で有機薄膜層をパターニングする時に絶縁膜と透明電極間の境界で発生する有機薄膜層のエッジ不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する発明である。」 
　 
（Ｉ）「【０００２】 
【従来の技術】・・・・・ 
【００１３】一方、レーザー転写法を利用したフルカラーＯＬＥＤの製造方法は、韓国特許登録番号１０−０１９５１７５及び韓国特許出願番号２０００−４９２８７そしてＵＳ５，９９８，０８５に開示されている。レーザー転写法を利用したＯＬＥＤ製造方法は薄膜トランジスタが形成された基板に転写フィルムを密着させた次に光源から出た光で転写フィルムをスキャニングすれば光が転写フィルムの光吸収層に吸収されて熱エネルギーに転換されて、転換された熱エネルギーによって転写フィルムのイメージ形成物質が基板に転写されてＲ、Ｇ、Ｂ有機薄膜層のパターンを形成する。 
【００１４】従来には寄生キャパシタンスを考慮して、絶縁膜を５００ｎｍないし１０００ｎｍ或いはそれ以上に厚く形成した。これによってレーザー熱転写法を利用して有機薄膜層をパターニングする場合、図９に示したように、有機薄膜層のエッジで不良が発生することが分かる。 
【００１５】すなわち、絶縁膜のエッジ部分でカラーパターンがきちんと転写されないで取れたり、複数のピクセルにかけてカラーパターンが取れたりまたは正常的にカラーパターンが転写された場合にも転写境界がきれいでないなどの不良が発生するようになる。 
【００１６】このような不良は、有機ＥＬ層の下部に形成された下部膜の特性に影響を受けるが、下部膜が均一に形成されていなかったり、絶縁膜のエッジ部分で発光物質が蒸着されないで穴で残っている部分があったり、または下部膜が他の薄膜層との接着力が悪くて下部膜の形成特性が良くないことなどが影響を及ぼすようになる。特に、下部薄膜層との吸着力が良い発光物質の場合にはレーザー転写時に既に蒸着された下部薄膜層と一緒にカラーパターンが取れるようになる。 
【００１７】一方、透明電極と絶縁層の境界で有機薄膜層の不良を防止するための絶縁層の形成方法と関連した技術が米国特許５，６８４，３６５号に提示された。前記特許に提示されたＡＭタイプの有機電界発光表示素子の断面構造が図１に図示された。 
【００１８】図１を参照すると、絶縁基板１００上にソース／ドレイン領域１２４、１２５を備えたポリシリコンからなったアイランド状の半導体層１２０が形成されて、半導体層１２０を含んだ基板上にゲート絶縁膜１３０が形成されて、ゲート絶縁膜１３０上にゲート１３５が形成される。前記ゲート１３５を含んだゲート絶縁膜１３０上に前記ソース／ドレイン領域１２４、１２５を露出させるコンタクトホール１４４、１４５を備えた層間絶縁膜１４０が形成される。 
【００１９】前記層間絶縁膜１４０上には、前記コンタクトホール１４４を通して前記ソース領域１２４に連結されるソース電極１５４と、前記コンタクトホール１４５を通して前記ドレイン領域１２５に連結される画素電極１７０が形成される。 
【００２０】そして、前記画素電極１７０が露出されるように開口部１８５を備えた保護膜１８０が前記層間絶縁膜１４０に形成されて、開口部１８５に有機薄膜層１９０が形成されて、有機薄膜層１９０を含んだ保護膜１８０上に陰極１９５が形成された構造を有する。 
【００２１】このとき、前記保護膜１８０は、前記画素電極１７０を露出させる開口部１８５のエッジ、すなわち画素電極１７０上部の保護膜１８０が１０ないし３０゜のテーパエッジ(ｔａｐｅｒｅｄ　ｅｄｇｅ)を有するように形成する。このような保護膜１８０のテーパエッジは後続工程で形成される有機薄膜層１９０の接着力(ａｄhｅｓｉｏｎ)を向上させて不良発生を防止するためのものである。」 
　 
（Ｊ）「【００２２】レーザー転写法を利用して有機薄膜層を製造する場合には前記のように、テーパ角を有するように絶縁膜を形成しても絶縁膜の厚さが５００μｍ以上（当審注：明細書の他の記載から見て、５００μｍは５００ｎｍの誤記と認められる。）である場合には有機薄膜層のエッジ不良が相変わらず発生する問題点があった。 
【００２３】 
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、画素電極の開口部のエッジ部部分で発生する有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。 
【００２４】本発明の他の目的は画素電極上の絶縁膜を５００ｎｍ以下の厚さを有するように形成して画素電極の開口部のエッジ部分における有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。 
【００２５】・・・・・。 
【００２６】 
【課題を解決するための手段】このような本発明の目的を達成するために本発明は基板上に形成された下部膜と；前記下部膜が露出されるように基板上に形成された絶縁膜と；前記露出された下部膜上に形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示素子を提供する。」 
　 
（Ｋ）「【００６６】図７Ｃ及び図７Ｄは、レーザー転写法を利用して開口部３８５内の画素電極３７０上に有機薄膜層３９０を形成する工程であって、まずＰＥＤＯＴを３０００ｒｐｍで５０ｎｍの厚さにスピンコーティングして２００℃で５分間熱処理して正孔輸送層３９０ａを形成する。続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルムを製造するが、本発明の実施例ではＲ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルム中１枚の転写フィルム、例えばＲ発光層のための転写フィルム３０に対して説明する。
【００６７】光吸収層３２が形成されたベースフィルム３１上に発光層形成物質であるＲカラーを各々１．０ｗｔ／Ｖ％の濃度のキシレン(ｘｙｌｅｎｅ)溶液を利用して２０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングして８０ｎｍの厚さを有するＲカラーのための転写層３３を形成して転写フィルム３０を製造する。
【００６８】転写フィルム３０を正孔輸送層３９０ａがコーティングされた基板上に真空で固定した後、赤外線(ＩＲ、ｉｎｆｒａｒｅｄ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ)レーザー３５を利用して所望するパターンで転写してＲ発光層３９０ｂを形成する。これによって、正孔輸送層３９０ａとＲ発光層３９０ｂを備えた有機薄膜層３９０が形成される。
【００６９】前記のような方法でＲ（当審注：「Ｒ」は「Ｇ」の誤記と認められる。）、Ｂカラーのための転写フィルムを製造して転写すればＲ、Ｇ、Ｂフルカラーのための有機薄膜層３９０が形成されて、前記有機薄膜層３９０は前記Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層と正孔輸送層外に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含む場合もある。」
　
４．対比・判断　　 
　本願発明と引用発明とを対比する。 
（ア）引用発明における「ソース４３ｓ、ドレイン４３ｄを備える薄膜トランジスタが形成された絶縁性基板１０」は、本願発明における「少なくともソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを含む絶縁基板」に相当する。 
（イ）引用発明において、「平坦化絶縁膜１７」が備える「コンタクトホール」は、その「コンタクトＣ３」を介して「陽極１」が「ソース４３ｓ」に接続されるから、「コンタクトホール」は「ソース４３ｓ」を露出させる機能を有しており、本願発明の「ビアホール」に相当する。そして、引用発明において「平坦化絶縁膜１７」は、「絶縁性基板１０」上に形成されているから、引用発明における「前記絶縁性基板１０上に形成され、コンタクトホールを備えた平坦化絶縁膜１７」は、本願発明における「前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極の中の一つを露出させるビアホールを備えた第１絶縁膜」に相当する。 
（ウ）引用発明における「陽極１」は、「平坦化絶縁膜１７」上に形成され、「コンタクトＣ３」を介して「ソース４３ｓ」に接続されていることから、引用発明における「前記平坦化絶縁膜１７上に形成され、前記コンタクトホールのコンタクトＣ３を介して前記ソース４３ｓに接続される陽極１」は、本願発明における「前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記一つの電極に接続される下部電極」に相当する。 
（エ）引用発明における「キナクリドン誘導体を含むＢｅｂｑ2から成る発光層６４」は、本願発明の「有機発光層」に相当し、引用発明における「ＭＴＤＡＴＡから成る第１ホール輸送層６２、ＴＰＤからなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン誘導体を含むＢｅｂｑ2から成る発光層６４、Ｂｅｂｑ2から成る電子輸送層６５」は、一体として、本願発明における「有機薄膜層」に相当する。 
（オ）引用発明における「電子輸送層６５上に形成された陰極６７」は、本願発明の「有機薄膜層上に形成された上部電極」に相当する。 
（カ）引用発明における「陽極１」の「端部が約３０゜の斜面である」ことは、本願発明の「下部電極はエッジ部分で４０°以下のテーパ角を有」することに相当する。 
（キ）引用発明における「有機ＥＬ表示装置」は、本願発明の「有機電界発光表示装置」に相当する。
　以上のことから、本願発明と引用発明とは、 
「少なくともソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを含む絶縁基板と、 
　前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極の中の一つを露出させるビアホールを備えた第１絶縁膜と、 
　前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記一つの電極に接続される下部電極と、 
　前記下部電極上に形成された有機薄膜層と、 
　前記有機薄膜層上に形成された上部電極とを含み、 
　前記下部電極はエッジ部分で４０°以下のテーパ角を有し、
　前記有機薄膜層は有機発光層を少なくとも含む 
　有機電界発光表示装置。」 
の点で一致するものの、以下の点で相違し、その余に格別の相違点は認められない。 
　 
（相違点）本願発明では、「有機発光層」が「レーザ熱転写法によって形成された有機発光層」であるのに対し、引用発明では、「発光層６４」の形成方法が不明である点。 
　 
　以下、上記相違点について検討する。 
　刊行物２には、有機電界発光表示装置における有機薄膜層３９０のＲ発光層３９０ｂ（Ｇ発光層、Ｂ発光層も同様である。）を形成する方法として、赤外線レーザ３５を利用して転写する方法で形成することが記載されている（特に、上記記載事項（Ｋ）、および図７Ｃ〜図７Ｄ参照）。ここで、刊行物２に記載の「有機薄膜層３９０」、「Ｒ発光層３９０ｂ」は、それぞれ本願発明の「有機薄膜層」、「有機発光層」に相当し、また、刊行物２の上記記載事項（Ｉ）の【００１３】〜【００１４】の記載に照らすと、「赤外線レーザ３５を利用して転写する方法」は、「レーザ熱転写法」に相当する。そして、刊行物１，２は、何れも有機ＥＬ素子の技術分野に属するものであるから、刊行物１に開示された引用発明における「発光層６４」の形成方法として刊行物２に記載された形成方法を採用し、上記相違点に係る構成と為すことに格別の困難性は認められない。 
　また、刊行物２には、レーザ熱転写法を利用して有機薄膜層を形成する場合、有機薄膜層１９０の下方に位置する厚さ５００ｎｍ以下の保護膜１８０が１０ないし３０°のテーパエッジを有することにより、有機薄膜層１９０の接着力を向上させて不良発生を防止できることが【００２１】（上記記載事項（Ｉ）参照）に開示されている。してみると、引用発明においては、エッジ部分で４０°以下のテーパ角を有する厚さ約８５ｎｍの陽極１上に発光層６４を形成するのであるから、刊行物２に記載のレーザ熱転写法を用いて形成した際には、接着力が向上して不良発生を防止できること、すなわち、エッジオープン不良を防ぐという本願発明の作用・効果を奏するであろうことは、当業者が容易に予測しうることである。 
　 
　審判請求人は、請求の理由の中で、「段落［００２１］に続く段落［００２２］には『レーザー転写法を利用して有機薄膜層を製造する場合には前記のように、テーパ角を有するように絶縁膜を形成しても絶縁膜の厚さが５００μｍ以上である場合には有機薄膜層のエッジ不良が相変わらず発生する問題点があった』と記載されている。従って、引用文献２に開示する発明は、“テーパ角”の調整ではエッジ不良が相変わらず発生するから、“テーパ角”の調整ではなく、“絶縁膜の段差”を調節することによりエッジ不良を改善しようとするものである。つまり、引用文献２の発明は、“テーパ角”を調整することによりエッジ不良を改良することを諦めた発明である。従って、“テーパ角”の調整を利用してエッジ不良を解消する発明について、引用文献１と引用文献２とを組み合わせには、明らかな“阻害要因”が存在する。」と主張する。 
　そこで、該主張について検討する。刊行物２に記載のものは、その図２〜図６、図７Ｄ，図８Ｄからも見て取れるように、各実施例の何れもが”テーパ角”を有していることから、“テーパ角”有しつつ、”段差”を調整したものと解するのが妥当である。そして、引用発明においては、有機薄膜層の下方に位置する陽極１の厚さが約８５ｎｍであって５００μｍよりも薄いことから、引用発明における有機薄膜層をレーザ熱転写法を用いて形成することに阻害要因はなく、エッジオープン不良を防ぐという作用・効果を奏するであろうことも、刊行物２の記載から当業者が容易に予測しうることである。したがって、組合せに阻害要因がある旨の審判請求人の主張は採用できない。 
　 
　また、審判請求人は、刊行物１において、陽極（本願発明の「下部電極」）の端部を３０°程度の斜面とする構成が開示されているとしても、刊行物１はあくまでも“電界集中を防ぐ”ためのテーパ形状を開示しているに過ぎず、当業者にとってエッジ不良を回避するための構成が開示されているとは言えない旨を主張し、更に、陽極の厚さは薄いので、刊行物１を知っている当業者であっても　“エッジ不良を回避するための構成”として容易に気付くことはない旨を主張する。しかしながら、刊行物１には、「【００１６】・・・このように有機ＥＬ素子を形成する際に、陽極６１の上に形成する発光素子層６６は、その厚みが約２００ｎｍと非常に薄いため、陽極６１端部の平坦化絶縁膜１７との段差によってカバレッジが悪くなる。・・・カバレッジが更に悪くなると、図示したように、発光素子層６６が切れて、上層に設けた陰極６７が陽極６１と短絡し、この画素は表示欠陥となってしまう問題があった。」（上記記載事項（Ｂ）参照）との記載があり、陽極６１の段差に起因して発光素子層６６が切れるエッジ不良の問題を示唆している。更に、「【００４４】・・・第１の電極の端部は斜面となっているので、この上に形成されるエレクトロルミネッセンス素子がなだらかに形成され、第１の電極と第２の電極の短絡が防止され・・・」（上記記載事項（Ｇ）参照）との記載から見て、陽極６１の端部を斜面にすることで、上記問題を解決しているものである。したがって、審判請求人の上記主張は何れも採用できない。
　 
　したがって、本願発明は、刊行物１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認める。 
　 
　 
５．むすび　　 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　　 
　よって、結論のとおり審決する。