【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板におけるアクティブ領域を規定する素子分離部と、
前記アクティブ領域に配され、信号電荷を蓄積可能な第１導電型の電荷蓄積領域を有した光電変換部と、
前記アクティブ領域に配された電荷電圧変換部と、
前記アクティブ領域における前記光電変換部と前記電荷電圧変換部との間に配され、前記第１導電型の不純物を前記電荷蓄積領域より低い濃度で含む第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の上に配され、前記光電変換部で発生した電荷を前記電荷電圧変換部へ転送するためのチャネルを形成する転送電極と、
前記アクティブ領域に配された、前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の第２の半導体領域と、を備え、
前記第１の半導体領域は、
第１の部分と、
前記第１の部分よりも前記光電変換部の側に位置し、前記チャネルのチャネル幅方向における幅が前記第１の部分より広い第２の部分と、を含み、
前記第２の半導体領域は、
前記第１の部分と前記素子分離部との間に、前記第１の部分に隣り合って配され、前記素子分離部の第１の方向に沿った界面に沿って延びた第３の部分と、
前記第２の部分と前記素子分離部との間に、前記第２の部分に隣り合って配され、前記素子分離部の前記第１の方向と交差する第２の方向に沿った界面に沿って延びた第４の部分と、を含む
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第４の部分の幅が、前記第３の部分の幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２の部分の不純物濃度のピーク濃度がＣ１であり、
前記第１の部分の不純物濃度のピーク濃度がＣ２であり、
前記前記第４の部分の幅が、前記第３の部分の幅のＣ１／Ｃ２倍以上であることを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記素子分離部の界面から前記第４の部分と前記第２の部分との間のＰＮ接合面までの距離が、前記素子分離部の界面から前記第３の部分と前記第１の部分との間のＰＮ接合面までの距離よりも長いことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１の方向が前記チャネルのチャネル長方向であり、前記第２の方向が前記チャネル幅方向であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第３の部分は、前記素子分離部をマスクとして前記第２導電型の不純物が注入されることにより規定された、前記第１の部分と対向するようにチャネル長方向に延びた第１の側面を有し、
前記第４の部分は、レジストパターンをマスクとして前記第２導電型の不純物が注入されることにより規定された、前記第２の部分と対向するようにチャネル幅方向に延びた第２の側面を有する
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第３の部分および前記第４の部分は、前記半導体基板の表面に垂直な方向から傾斜した角度の不純物注入により形成されたことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記半導体基板が、エピ成長によって形成された前記第１導電型の領域を含み、
前記電荷蓄積領域の不純物濃度は、前記エピ成長によって形成された第１導電型の領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記アクティブ領域における前記第１の半導体領域と前記電荷電圧変換部との間に配され、前記第１の半導体領域から前記電荷電圧変換部への電荷のパンチスルーを防止する前記第２導電型の第３の半導体領域をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第３の半導体領域は、前記転送電極をマスクとして前記第２導電型の不純物が注入されることにより形成された
ことを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第２の半導体領域は、
前記アクティブ領域内を前記素子分離部の前記光電変換部に対向する界面に沿って延びた第５の部分をさらに含み、
前記第５の部分における前記光電変換部の中心から遠ざかる方向の幅は、前記第３の部分におけるチャネル幅方向の幅より広い
ことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。
【請求項１３】
半導体基板を有する光電変換装置の製造方法であって、
第１の領域と、前記第１の領域に第１の方向で隣接し前記第１の領域より第２の方向の幅が広い第２の領域とを含むアクティブ領域を規定する素子分離部を前記半導体基板に形成する第１の工程と、
前記アクティブ領域を覆い前記素子分離部を露出する第１のレジストパターンをマスクとして第２導電型の不純物を前記半導体基板に注入することにより、第２の半導体領域を形成する第２の工程と、
前記第１の領域を露出するとともに前記第２の領域における前記第１の領域より前記第２の方向の幅が広い内側の部分を露出し前記第２の領域における外側の部分を覆う第２のレジストパターンをマスクとして前記第２導電型と反対導電型である第１導電型の不純物を注入することにより、前記第１の領域内に配された第３の領域と前記第２の領域内に配された前記第３の領域より前記第２の方向の幅が広い第４の領域とを含む半導体層を形成する第３の工程と、
前記第３の領域と前記第４の領域との境界を覆うように前記半導体層の上に転送電極を形成する第４の工程と、
前記第１の領域を覆い前記第２の領域を露出する第３のレジストパターンと前記転送電極とをマスクとして前記第１導電型の不純物を前記半導体基板へ注入することにより、前記第２の領域に光電変換部における電荷蓄積領域を形成する第５の工程と、
前記第１の領域を露出し前記第２の領域を覆う第４のレジストパターンと前記転送電極とをマスクとして前記第１導電型の不純物を前記半導体基板へ注入することにより、前記第１の領域に電荷電圧変換部を形成する第６の工程と、
を備え、
前記半導体層における前記第５の工程及び前記第６の工程で不純物が注入されなかった領域は、第１の半導体領域になり、
前記第１の半導体領域は、
第１の部分と、
前記第１の部分に対して前記光電変換部の側に隣接し、前記光電変換部で発生した電荷を前記電荷電圧変換部へ転送するために前記転送電極によって形成されるチャネルのチャネル幅方向における幅が前記第１の部分より広い第２の部分と、を含み、
前記第２の半導体領域は、
前記第１の部分と前記素子分離部との間を第１の方向に延びた第３の部分と、
前記第２の部分と前記素子分離部との間を前記第１の方向と交差する第２の方向に延びた第４の部分と、を含む
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１４】
前記転送電極をマスクとして前記第２導電型の不純物を前記半導体基板へ注入することにより、前記電荷蓄積領域の表面側に第２導電型の表面領域を形成する工程を含み、
前記電荷蓄積領域を形成する第５の工程においては、前記マスクが前記素子分離部の上から前記第２の領域の一部の上にまで延在し、
前記表面領域を形成する工程における不純物の注入では、前記素子分離部の少なくとも一部が露出していることを特徴とする請求項１３に記載の光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の１つの側面に係る光電変換装置は、半導体基板におけるアクティブ領域を規定する素子分離部と、前記アクティブ領域に配され、信号電荷を蓄積可能な第１導電型の電荷蓄積領域を有した光電変換部と、前記アクティブ領域に配された電荷電圧変換部と、前記アクティブ領域における前記光電変換部と前記電荷電圧変換部との間に配され、前記第１導電型の不純物を前記電荷蓄積領域より低い濃度で含む第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の上に配され、前記光電変換部で発生した電荷を前記電荷電圧変換部へ転送するためのチャネルを形成する転送電極と、前記アクティブ領域に配された、前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の第２の半導体領域と、を備え、前記第１の半導体領域は、第１の部分と、前記第１の部分よりも前記光電変換部の側に位置し、前記チャネルのチャネル幅方向における幅が前記第１の部分より広い第２の部分と、を含み、前記第２の半導体領域は、前記第１の部分と前記素子分離部との間に、前記第１の部分に隣り合って配され、前記素子分離部の第１の方向に沿った界面に沿って延びた第３の部分と、前記第２の部分と前記素子分離部との間に、前記第２の部分に隣り合って配され、前記素子分離部の前記第１の方向と交差する第２の方向に沿った界面に沿って延びた第４の部分とを含むことを特徴とする。