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【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光線を出射する複数の光源と、
前記複数の光源からの光線を偏向させる光偏向器と、
前記光偏向器で偏向された複数の光線を、互いに直交する主走査方向と副走査方向とに長さを有する被走査面上に結像させる結像光学系と、を備える光走査装置であって、
前記結像光学系は、前記光偏向器に対向して配置されたプラスチック走査レンズを有し、
前記複数の光線は、前記プラスチック走査レンズにおける異なる副走査方向位置に、異なる入射角度にて入射してなり、
前記複数の光線の副走査方向における中心線上に、前記プラスチック走査レンズの副走査方向及び前記中心線方向における外形中心位置があることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
光線を出射する複数の光源と、
前記複数の光源からの光線を偏向させる光偏向器と、
前記光偏向器で偏向された複数の光線を、互いに直交する主走査方向と副走査方向とに長さを有する被走査面上に結像させる結像光学系と、を備える光走査装置であって、
前記結像光学系は、前記光偏向器に対向して配置されたプラスチック走査レンズを有し、
前記複数の光線は、前記プラスチック走査レンズにおける異なる副走査方向位置に、同一の入射角度にて入射してなり、
前記複数の光線の副走査方向における中心線上に、前記プラスチック走査レンズの副走査方向及び前記中心線方向における外形中心位置があることを特徴とする光走査装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光走査装置を搭載したことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために本発明に係る光走査装置及び画像形成装置は、具体的には下記（１）〜（３）に記載の技術的特徴を有する。
（１）：光線を出射する複数の光源と、前記複数の光源からの光線を偏向させる光偏向器と、前記光偏向器で偏向された複数の光線を、互いに直交する主走査方向と副走査方向とに長さを有する被走査面上に結像させる結像光学系と、を備える光走査装置であって、前記結像光学系は、前記光偏向器に対向して配置されたプラスチック走査レンズを有し、前記複数の光線は、前記プラスチック走査レンズにおける異なる副走査方向位置に、異なる入射角度にて入射してなり、前記複数の光線の副走査方向における中心線上に、前記プラスチック走査レンズの副走査方向及び前記中心線方向における外形中心位置があることを特徴とする光走査装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（３）：上記（１）または（２）に記載の光走査装置を搭載したことを特徴とする画像形成装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記（３）に記載の構成によれば、上記（１）または（２）に記載の光走査装置を搭載することで、画質が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図４の例のように制御回路３０がタイマ回路３０３を有している場合には、時刻ｅにおいて、制御信号ＣＴＬ１が“００”に遷移し、出力電圧Ｖｏｕｔが通常電圧に戻る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図４の例のように制御回路３０がタイマ回路３０３を有している場合には、時刻ｈにおいて、制御信号ＣＴＬ１が“００”に遷移し、出力電圧Ｖｏｕｔが通常電圧に戻る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、信号処理装置２０の動作電流が大幅に変わるような動作モードの変更、例えば、クロック信号の周波数が数ＧＨｚも変化するような動作モードの変更を行うと、あらかじめレギュレータ回路１０の出力電圧Ｖｏｕｔを高めに設定していても補えきれないほどの大きなアンダーシュートが発生して出力電圧Ｖｏｕｔが信号処理装置２０の電圧降下の許容範囲を超えてしまうことがある。そこで、電圧降下の許容範囲を超えてしまうような動作モードの変更を記憶しておき、以後そのような動作モードの変更が要求された場合には、制御回路３０Ａは信号処理装置２０の動作モードを段階的に変更する。例えば、図７に示したように、信号処理装置２０を低負荷から高負荷にいきなり変更するのではなく、一旦中負荷に変更しておいて、レギュレータ回路１０の出力電圧Ｖｏｕｔが所定の電圧に回復して安定してから高負荷に変更する。なお、動作モードの段階的変更は、信号処理装置２０に供給されるクロック信号の周波数を数百ＭＨｚずつ段階的に変更してもよいし、信号処理装置２０において動作させる機能コアの個数を段階的に変更してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レギュレータ回路および前記レギュレータ回路の出力電圧で動作する信号処理装置を制御する半導体集積回路であって、
前記信号処理装置に対する動作モードの変更要求を受け、前記レギュレータ回路の出力電圧を変更し、その後、前記変更要求に従って前記信号処理装置の動作モードを変更する制御回路を備え、
前記制御回路は、前記信号処理装置の動作モードを段階的に変更することにより前記信号処理装置において動作する機能コアの個数を段階的に変更する
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
レギュレータ回路および前記レギュレータ回路の出力電圧で動作する信号処理装置を制御する半導体集積回路であって、
前記信号処理装置に対する動作モードの変更要求を受け、前記レギュレータ回路の出力電圧を変更し、その後、前記変更要求に従って前記信号処理装置の動作モードを変更する制御回路を備え、
前記制御回路は、前記信号処理装置の動作モードを段階的に変更することにより前記信号処理装置に供給されるクロック信号の周波数を段階的に変更する
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
レギュレータ回路および前記レギュレータ回路の出力電圧で動作する信号処理装置を制御する半導体集積回路であって、
前記信号処理装置に対する動作モードの変更要求を受け、前記レギュレータ回路の出力電圧を変更し、その後、前記変更要求に従って前記信号処理装置の動作モードを変更する制御回路を備え、
前記制御回路が前記信号処理装置の動作モードを段階的に変更することにより前記信号処理装置における動作電流が段階的に変化する
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一つの半導体集積回路において、
前記制御回路は、前記信号処理装置の動作モードがある中間段階に遷移してから前記レギュレータ回路の出力電圧が安定した後に、前記信号処理装置の動作モードを次段階に遷移させる
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
請求項４の半導体集積回路において、
前記レギュレータ回路の出力電圧が安定したことを検出する電圧監視回路を備えている
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一つの半導体集積回路において、
前記制御回路は、
前記信号処理装置の動作モードがある中間段階に遷移してから所定時間を計時するタイマ回路を有し、
前記タイマ回路が前記所定時間を計時し終わったとき、前記信号処理装置の動作モードを次段階に遷移させるものである
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
請求項６の半導体集積回路において、
前記所定時間は１秒以下である
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項８】
請求項１から３のいずれか一つの半導体集積回路において、
前記制御回路は、前記信号処理装置の動作モードがある中間段階に遷移してから前記レギュレータ回路の出力電圧が通常電圧となってから所定時間経過後に、前記信号処理装置の動作モードを次段階に遷移させる
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項９】
請求項８の半導体集積回路において、
前記レギュレータ回路の出力電圧が前記通常電圧となったことを検出する電圧監視回路を備えている
ことを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ送信回路と、
前記データ送信回路から送信されたデータを受信するデータ受信回路と、を備え、
前記データ送信回路は、
前記データを出力するか、出力をハイインピーダンス状態にするか、が切り替わるデータ出力回路と、
前記データ出力回路において、データ送信時には前記データを出力し、データ送信後にさらに別のデータを送信する場合には、先の前記データ送信後から所定の期間、先の前記データ送信時に最後に出力したデータを出力し続けるように、前記データ出力回路に対して制御信号を出力する制御回路と、を備えた半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発振器と、
第２の発振器と、
第３の発振器と、
前記第１の発振器のクロック、前記第２の発振器のクロックを前記第３の発振器のクロックに基づいて順に切り替えて出力するセレクタと、
前記セレクタから出力されたクロックを、前記第３の発振器のクロックに基づいてアップカウント又はダウンカウントし、前記アップカウント又はダウンカウントの結果に基づいて、前記セレクタから出力されたクロックと、前記第３の発振器のクロックとの整合性を判定し、いずれかの前記クロックに発振異常が発生しているか否かを判定する判定回路と、
を備える半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に紙幣を係合させ、かつ移動して該紙幣を運搬する少なくとも２つの相補的表面を含んだ紙幣運搬装置であって、該表面の少なくとも一方は該表面が静止状態のときに物体が該運搬装置に挿入されるのを阻止する阻止手段を含んだ紙幣運搬装置。
【請求項２】
該阻止手段は該相補的表面の少なくとも一方に形成された切欠きを含む請求項１に記載の紙幣運搬装置。
【請求項３】
該運搬装置が使用されていないときに該表面の移動を阻止する手段を備えた請求項１又は２の１に記載の紙幣運搬装置。
【請求項４】
紙幣を運搬する方法であって、
該紙幣の剛性に依存する力を用いて該紙幣を運搬する工程と、
該力が所定の限界値を超えたときに該紙幣の移動を阻止する工程とを含む方法。
【請求項５】
該紙幣の移動を阻止するためにトルク・リミッタが使用される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該紙幣の移動を阻止するためにクラッチが使用される請求項４に記載の方法。
【請求項７】
第１の位置において表面が波状の紙幣経路を定め、かつ第２の位置において該表面が係
合して密閉を提供するように、該第１の位置と該第２の位置との間で移動可能な少なくと
も２つの表面を含み、
該少なくとも２つの表面が該第１の位置にあるときは、該少なくとも２つの表面は、感
激によって分離されて、１つの波形の紙幣経路を画定し、該少なくとも２つの表面が該第
２の位置にあるときは、該少なくとも２つの表面は互いに係合して、密閉を提供する紙幣
運搬装置。
【請求項８】
該表面は紙幣経路の少なくとも一部を形成する請求項７に記載の紙幣運搬装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の制御パラメタに対して設定される値に応じた動作条件で、光ディスク媒体に記録された情報を読み取る光ディスク装置であって、
前記制御パラメタの２つの値のそれぞれについて、前記光ディスク媒体からの情報の読み取り精度を示す評価値を複数個ずつ取得し、当該２つの値のそれぞれについて複数個ずつ取得した評価値の比較結果に応じて前記制御パラメタの値を更新する処理を、前記光ディスク媒体からの情報の読み取り動作中に繰り返し実行することにより、前記制御パラメタの値を補正する補正手段を含む
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光ディスク装置において、
前記補正手段は、前記制御パラメタの２つの値のそれぞれについて取得した複数個ずつの評価値の大小関係に応じて、前記制御パラメタの値を増加させるか、又は減少させるかを決定する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光ディスク装置において、
前記補正手段は、前記評価値として、前記光ディスク媒体からの情報の読み取り動作によって得られる再生信号に基づいて算出された値を取得する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
所定の制御パラメタに対して設定される値に応じた動作条件で、光ディスク媒体に記録された情報を読み取る光ディスク装置の制御方法であって、
前記制御パラメタの２つの値のそれぞれについて、前記光ディスク媒体からの情報の読み取り精度を示す評価値を複数個ずつ取得し、当該２つの値のそれぞれについて複数個ずつ取得した評価値の比較結果に応じて前記制御パラメタの値を更新する処理を、前記光ディスク媒体からの情報の読み取り動作中に繰り返し実行することにより、前記制御パラメタの値を補正する
ことを特徴とする光ディスク装置の制御方法。
【請求項５】
所定の制御パラメタに対して設定される値に応じた動作条件で、光ディスク媒体に記録された情報を読み取る光ディスク装置を制御するプログラムであって、
前記制御パラメタの２つの値のそれぞれについて、前記光ディスク媒体からの情報の読み取り精度を示す評価値を複数個ずつ取得し、当該２つの値のそれぞれについて複数個ずつ取得した評価値の比較結果に応じて前記制御パラメタの値を更新する処理を、前記光ディスク媒体からの情報の読み取り動作中に繰り返し実行することにより、前記制御パラメタの値を補正する補正手段、
としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項６】
請求項５に記載のプログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ディスクが載置されるハブと、
軸受を介して前記ハブを回転自在に支持するベースと、
前記ベースに固定され、円環部とそこから半径方向に伸びる複数の突極とを含むコアと、
前記複数の突極に巻き線されて形成されるコイルと、
前記ハブに固定されるヨークと、
前記ヨークに固定され、前記複数の突極と径方向に対向し、周方向に複数の駆動用着磁が施されたマグネットと、を備え、
前記ハブは、回転軸を中心とする凸状部を有して前記凸状部に前記記録ディスクの中央の孔が嵌合された場合に前記記録ディスクが着座する前記凸状部の着座面が形成され、前記記録ディスクが前記ハブに載置された場合に前記ヨークとその記録ディスクとによって挟まれる円筒状の隔壁を有し、
前記ヨークは前記隔壁の内周面に接着と圧入とを併用して固定され、
前記隔壁の内周面には、前記ヨークが圧入される際に前記ヨークが押し当てられる凸部が形成されることを特徴とするディスク駆動装置。
【請求項２】
前記凸部は、前記ハブの回転軸の周りに２つ形成された円環状の凸部であることを特徴とする請求項１に記載のディスク駆動装置。
【請求項３】
前記ベース側の方の前記円環状の凸部の直径は、他方の前記円環状の凸部の直径よりも大きく、前記ヨークの外周の直径よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載のディスク駆動装置。
【請求項４】
前記着座面には、前記記録ディスクを着座させるための隆起部が形成され、
前記隆起部のうち前記記録ディスクが着座する部分は、滑らかな曲面であり、
前記隆起部は、回転軸の周りに円環状に形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項５】
前記着座面は、その外周の直径が、前記凸状部のうち前記記録ディスクの中央の孔が嵌合される円筒面の直径の１．２倍から１．５倍となるよう形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項６】
前記隔壁の外周面は、回転軸に沿って平坦となるように前記ヨークが圧入されて変形した部分が切削加工された変形部切削加工面を有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項７】
前記コイルは３相駆動され、
前記マグネットは周方向にＰ極（Ｐは自然数）の駆動用着磁が施され、
前記ハブに前記記録ディスクが載置された状態の２次ロッキングモード共振の非回転時の固有周波数をＦ０（Ｈｚ）とし、前記ハブの回転数をＮ（Ｈｚ）とした場合、前記固有周波数Ｆ０が、Ｆ０＞Ｎ・（３・Ｐ＋２）を満たすように前記着座面の外周の直径が定められることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載のディスク駆動装置を生産する方法であって、
前記ヨークが前記隔壁の内周面に圧入された後、前記隔壁の外周面が回転軸に沿って平坦となるように切削加工される工程を含むことを特徴とするディスク駆動装置の生産方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディスク駆動装置およびその生産方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ディスクを回転駆動するディスク駆動装置およびその生産方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のある態様は、ディスク駆動装置に関する。このディスク駆動装置は、記記録ディスクが載置されるハブと、軸受を介して前記ハブを回転自在に支持するベースと、ベースに固定され、円環部とそこから半径方向に伸びる複数の突極とを含むコアと、複数の突極に巻き線されて形成されるコイルと、ハブに固定されるヨークと、ヨークに固定され、複数の突極と径方向に対向し、周方向に複数の駆動用着磁が施されたマグネットと、を備える。ハブは、回転軸を中心とする凸状部を有して凸状部に記録ディスクの中央の孔が嵌合された場合に記録ディスクが着座する凸状部の着座面が形成され、記録ディスクがハブに載置された場合にヨークとその記録ディスクとによって挟まれる円筒状の隔壁を有する。ヨークは隔壁の内周面に接着と圧入とを併用して固定され、隔壁の内周面には、ヨークが圧入される際にヨークが押し当てられる凸部が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉを含むシリサイド層の上面に形成された絶縁層をドライエッチングして、前記Ｎｉを含むシリサイド層を露出させる工程と、
前記Ｎｉを含むシリサイド層を還元水で洗浄する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
また、本発明は以下の態様を含む。
［１］Ｎｉを含むシリサイド層の上面に形成された絶縁層をドライエッチングして、前記Ｎｉを含むシリサイド層を露出させる工程と、
前記Ｎｉを含むシリサイド層を還元水で洗浄する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
［２］前記還元水は、塩基性でかつ還元性を有する水溶液である［１］に記載の半導体装置の製造方法。
［３］前記還元水は、アンモニアを０．０１ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下の範囲で含有する水素水または電解還元水である［１］または［２］に記載の半導体装置の製造方法。
［４］前記還元水は、ｐＨが７より大きく、ＯＲＰ（酸化還元電位）が負である［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［５］前記Ｎｉを含むシリサイド層を露出させる工程後、酸化性ガスを含んだガスによる処理を施すことなく、かつｐＨ≦７である液体にさらすことなく、前記還元水で洗浄する工程と、を含む［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［６］前記絶縁層に凹部を形成する工程と、
前記凹部を還元水で洗浄する工程と、をさらに含む［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［７］前記還元水で洗浄する工程後、ｐＨ≦７である液体にさらすことなく、さらに乾燥処理を施す工程と、を含む［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［８］前記乾燥処理を施す工程後、さらに前記凹部にバリアメタルおよび金属膜を形成する工程と、を含む［７］に記載の半導体装置の製造方法。
［９］前記乾燥処理を施す工程後、前記酸化性ガスを含んだガスによる処理を施すことなく、かつ前記ｐＨ≦７である液体にさらすことなく、前記凹部に前記バリアメタルおよび前記金属膜を形成する工程と、を含む［７］または［８］に記載の半導体装置の製造方法。
［１０］前記絶縁層は、少なくとも、第１の絶縁膜と、その上面に形成された第２の絶縁膜と、を含む［６］乃至［９］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［１１］前記凹部を形成する工程が、レジストをマスクとして前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記第２の絶縁膜をマスクとして前記第１の絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、を含む［１０］に記載の半導体装置の製造方法。
［１２］前記第１の絶縁膜は、シリコン窒化膜である［１０］または［１１］に記載の半導体装置の製造方法。
［１３］前記第２の絶縁膜は、シリコン酸化膜である［１０］乃至［１２］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［１４］前記Ｎｉを含むシリサイド層は、ＮｉＳｉ層、ＮｉＰｔＳｉ層、およびこれらの積層から選択される［１］乃至［１３］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
［１５］前記還元水で洗浄する工程後、前記Ｎｉを含むシリサイド層が前記還元水で覆われてから、前記凹部に前記バリアメタルおよび前記金属膜を形成する工程までの間に、前記Ｎｉを含むシリサイド層は水にさらされることがない［８］乃至［１４］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱部品を搭載するプリント基板において、
前記プリント基板に形成された穴と、
前記穴に挿入される金属片と、を備え、
前記金属片は、前記穴に挿入された後に加圧変形された、
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記金属片は、前記加圧変形によって前記プリント基板の面と同一の高さに加工された、
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記穴の側面に凹凸形状部を設けた、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプリント基板。
【請求項４】
発熱部品を搭載するプリント基板の製造方法において、
前記プリント基板に形成された穴に前記プリント基板の面から突出する金属片を挿入し、前記金属片を加圧変形させることで前記金属片の高さが前記プリント基板の面と同一に加工された、
ことを特徴とするプリント基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱部品を搭載するプリント基板において、
前記プリント基板に形成された穴と、
前記穴に挿入される金属片と、を備え、
前記金属片は、第１の融点の半田を用いて前記穴に固定され、
前記発熱部品は、前記第１の融点より低い第２の融点の半田を用いて前記プリント基板に搭載されている、
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
発熱部品を搭載するプリント基板において、
前記プリント基板に形成された穴と、
前記穴に挿入される金属片と、を備え、
前記金属片は、前記発熱部品の搭載に用いる半田より融点の高い半田を用いて前記穴に固定されている、
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項３】
前記プリント基板において、前記発熱部品が搭載される面の裏面に、前記金属片と隣接する部位を除いてパターンが形成された、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプリント基板。
【請求項４】
発熱部品を搭載するプリント基板の製造方法において、
前記プリント基板に形成された穴に金属片を挿入し、前記穴に第１の融点の半田を用いて前記金属片を固定した後、前記第１の融点より低い第２の融点の半田を用いてリフロー処理を行って前記発熱部品を搭載した、
ことを特徴とするプリント基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理により分離可能状態になる第１の分離層を有する第１の基板の前記第１の分離層上に接合されて配されている機能性領域の少なくとも一部を第２の基板に移設する機能性領域の移設方法であって、
前記第２の基板上の前記機能性領域が移設される領域は、処理により分離可能状態になる第２の分離層を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記機能性領域と前記第２の分離層とが接触する様に貼り合わせて接合する第１の工程と、
前記第１の分離層の所で前記第１の基板と前記機能性領域を分離する第２の工程と、
前記第２の工程の前或いは後に、前記第２の基板の前記第２の分離層を有する面の反対側の面から前記第２の基板と前記第２の分離層とを貫通する分離溝を設ける第３の工程と、
を含むことを特徴とする機能性領域の移設方法。
【請求項２】
前記第３の工程では、前記第１の基板と前記第２の基板とが接合された状態で、前記分離溝を設け、
前記第２の工程では、少なくとも前記分離溝を通って導入されるエッチング液により前記第１の分離層を除去して前記第１の基板と前記機能性領域を分離することを特徴とする請求項１に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項３】
前記機能性領域は、互いに所定の間隔領域を空けて複数の領域が前記第１の基板上に配されており、
前記第２の基板に設ける分離溝は、前記複数の機能性領域の間の間隔領域の少なくとも一部に対応する位置に設けることを特徴とする請求項１または２に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項４】
前記第１の基板の前記第１の分離層上には位置決め領域が設けられ、
前記第２の工程では、前記機能性領域を前記第１の基板から前記第２の基板に移設する際に、前記位置決め領域も前記第２の基板に移設することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項５】
前記第１の基板上には位置決め領域が設けられ、
前記第２の基板には、前記第１の基板上の位置決め領域に対応する位置決め領域が設けられることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項６】
前記機能性領域を移設する際に、前記機能性領域、又は前記機能性領域と前記第１の基板とを接合する接合層、又は前記第１の分離層を位置決め領域として接合位置を決定し、前記機能性領域を移設することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項７】
前記第３の工程において前記分離溝により互いに分離された前記第２の基板のセグメントを、該セグメント上の機能性領域を他の基板に移設し前記第２の分離層を除去して新しい第２の分離層を設けた後に、前記第２の基板として再使用することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項８】
ＬＥＤを駆動する回路と、発光層である機能性領域とが電気的に接合されたＬＥＤアレイであって、請求項１乃至７の何れか１項に記載の機能性領域の移設方法を用いて前記機能性領域が移設されたことを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項９】
請求項８に記載のＬＥＤアレイに対して、ロッドレンズアレイが実装されていることを特徴とするＬＥＤプリンタヘッド。
【請求項１０】
請求項８に記載のＬＥＤアレイを含むＬＥＤプリンタヘッド又は請求項９に記載のＬＥＤプリンタヘッドと、感光体と、帯電器を含み、
前記ＬＥＤプリンタヘッドを光源として前記感光体に静電潜像を書き込む作像ユニットを備えることを特徴とするＬＥＤプリンタ。
【請求項１１】
請求項８に記載のＬＥＤアレイを含むＬＥＤプリンタヘッド又は請求項９に記載のＬＥＤプリンタヘッドと、感光体と、帯電器を含み、
前記ＬＥＤプリンタヘッドを光源として前記感光体に静電潜像を書き込む作像ユニットを複数備えることを特徴とするカラーＬＥＤプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010205943.tif 000001
【図２】
2010205943.tif 000002
【図３】
2010205943.tif 000003
【図４】
2010205943.tif 000004
【図５】
2010205943.tif 000005
【図６】
2010205943.tif 000006
【図７】
2010205943.tif 000007
【図８】
2010205943.tif 000008
【図９】
2010205943.tif 000009
【図１０】
2010205943.tif 000010
【図１１】
2010205943.tif 000011
【図１２】
2010205943.tif 000012
【図１３】
2010205943.tif 000013
【図１４】
2010205943.tif 000014
【図１５】
2010205943.tif 000015
【図１６】
2010205943.tif 000016
【図１７】
2010205943.tif 000017
【図１８】
2010205943.tif 000018
【図１９】
2010205943.tif 000019
【図２０】
2010205943.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光を発する付活剤を少なくとも1種以上含有する(111)面を主面とするY3Al5O12基板と、前記基板上に形成されたAlを含む少なくとも2層以上の窒化物層とを有する発光素子形成用複合基板であり、前記窒化物層は、前記基板上に形成されたAlを含む窒化物層からなる第1の層と、前記第1の層上に形成された転位密度1×1011/cm2以下のAlNからなる第2の層を有することを特徴とする発光素子形成用複合基板。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子形成用複合基板上に発光層を含む半導体層を形成した発光ダイオード素子であり、発光層からの光の少なくとも一部を波長変換した光を前記発光素子形成用複合基板から放射する機能を有する発光ダイオード素子。
【請求項３】
請求項１に記載の発光素子形成用複合基板上に青色を発する発光層を含む半導体層を形成した発光ダイオード素子であり、発光層からの光の少なくとも一部を波長変換した光を、発光層からの光とともに、前記発光素子形成用複合基板から放射する機能を有する白色発光ダイオード素子。
【請求項４】
蛍光を発する付活剤を少なくとも1種以上含有する(111)面を主面とするY3Al5O12基板を、H2ガス、N2ガス、NH3ガスの混合ガス雰囲気のもと1000〜1300℃で熱処理を行う第1の工程と、前記光変換材料基板上に少なくともH2ガス、N2ガス、NH3ガスとAlを含む有機金属化合物ガスを供給し、Alを含む窒化物層からなる第1の層を形成する第2の工程と、前記第1の層上にH2ガス、N2ガス、NH3ガス、Alを含む有機金属化合物ガスの混合ガスを供給し1350〜1480℃でAlNからなる第2の層を形成する第3の工程を有することを特徴とする請求項１記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
【請求項５】
前記付活剤はCeであることを特徴とする請求項４に記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
【請求項６】
前記第3の工程におけるNH3ガス中のNとAlを含む有機金属化合物ガス中のAlのモル比が、前記第2の工程におけるNH3ガス中のNとAlを含む有機金属化合物ガス中のAlのモル比よりも小さいことを特徴とする請求項４又は５に記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
【請求項７】
前記第1の層はAlNからなることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の発光素子形成用複合基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状部材が吸着固定される吸着固定面が形成された誘電体層を具備する静電チャックであって、
前記誘電体層の吸着固定面には、前記板状部材と当接する先端面が平坦面に形成された複数の突出部が形成され、
且つ前記突出部の先端面には、冷却ガスが流れる冷却ガス用流路が開口されていることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記突出部の先端面のみが、研磨によって平坦面に形成されている請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】
前記突出部の先端面の粗度（Ｒａ）が、０．２〜０．３である請求項１又は請求項２記載の静電チャック。
【請求項４】
前記複数の突出部間の谷部が、サンドブラストによって形成されている請求項１〜３のいずれか一項記載の静電チャック。
【請求項５】
前記突出部が、高さ１０〜３０μｍで且つ最大径が１〜２ｍｍである請求項１〜４のいずれか一項記載の静電チャック。
【請求項６】
前記複数の突出部を囲んで前記誘電体層の周縁に沿って形成された周壁部は、前記突出部と同一高さの前記周壁部の先端面が研磨によって平坦面に形成されている請求項１〜５のいずれか一項記載の静電チャック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図５に示す静電チャックでは、誘電体層１００の吸着固定面に板状部材１０６を吸着固定したとき、板状部材１０６と誘電体層１００との接触は、突出部１０２，１０２・・の各先端面に形成された平坦面であり、且つ突出部１０２，１０２間の谷部に冷却ガス用流路１０４を経由した冷却ガスとしてのヘリウムが流出する。このため、誘電体層１００の吸着固定面に吸着固定された板状部材１０６に加えられる熱を迅速に放熱できる。
更に、静電チャックの吸着固定面の全面に研磨が施されているため、板状部材１０６を吸着固定したとき、静電チャックの吸着固定面からのパーティクルの飛散を防止できる。
しかし、図５に示す静電チャックでは、誘電体層１００の突出部１０２を含む吸着固定面の全面に研磨を施すため、静電チャックの製造工程を複雑化する。
更に、誘電体層１００の突出部１０２の先端面と側面との境界部が丸くなって、先端面と板状部材１０６との接触面積が設計値よりも低下することが判明した。この研磨による接触面積の低下は予測が困難である。
ところで、突出部１０２，１０２・・の各先端面と板状部材１０６との接触面積は、板状部材１０６の吸着力と板状部材１０６の除熱とのバランスを取る上で重要であり、研磨前後で接触面積が実質的に変化しないことが必要である。
一方、研磨は、板状部材１０６と突出部１０２の先端面との接触の際に、先端面の微小突起がパーティクルとなって散乱することを防止する上で必要である。
そこで、本発明は、誘電体層の吸着固定面に形成した突出部の先端面と側面とに施す研磨の前後で、板状部材が突出部の先端面に接触する接触面積が変化するという従来の静電チャックの課題を解決し、誘電体層の吸着固定面に形成した突出部の先端面に、板状部材が接触する接触面積が研磨の前後で変化することのない静電チャックを提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
板状部材が吸着固定される吸着固定面が形成された誘電体層を具備する静電チャックであって、前記誘電体層の吸着固定面には、前記板状部材と当接する先端面が平坦面に形成された複数の突出部が形成され、且つ前記突出部の先端面には、冷却ガスが流れる冷却ガス用流路が開口されていることを特徴とする静電チャックにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
かかる本発明において、突出部の先端面のみが、研磨によって平坦面に形成されていることが好ましい。また、突出部の先端面の粗度（Ｒａ）を０．２〜０．３とすることが好ましい。また、突出部の高さを１０〜３０μｍとし且つ最大径を１〜２ｍｍとすることが好ましい。また、複数の突出部間の谷部は、サンドブラストによって容易に形成できる。
更に、複数の突出部を囲んで誘電体層の周縁に沿って形成された周壁部は、突出部と同一高さの周壁部の先端面が研磨によって平坦面に形成されている。これによって、この平坦面が板状部材と接触して、誘電体層と板状部材との間に流出した冷却ガスの洩出を防止できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る静電チャックは、突出部の先端面に冷却ガスが流れる冷却ガス用流路が開口されているため、板状部材に加えられた熱は、冷却ガス用流路から流出した冷却ガスにより迅速に除熱でき、板状部材に対して所定の吸着力を維持して加工を施すことができる。
また、誘電体層の吸着固定面に形成した突出部の先端面のみに研磨を施している。このため、研磨によって板状部材と接触する先端面の接触面積が設計値と異なることを防止できる。この様に、突出部間の谷部に研磨を施さなくても、板状部材と接触する突出部の先端面に研磨が施されているため、板状部材と接触したとき、先端面の微細突出がパーティクルとして散乱することを防止できる。
また、突出部の先端面に施す研磨は、突出部の側面に施す研磨に比較して容易であるため、静電チャックの製造工程を簡略化できる。
その結果、本発明に係る静電チャックによれば、その製造コストを低減でき、吸着固定した板状部材に対して正確な加工を施すことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
かかる誘電体層３０の吸着固定面には、その部分断面拡大図である図３に示す様に、突出部３２，３２・・が形成されている。この突出部３２は、円錐台状の横断面形状であって、高さ（ｈ）が１０〜３０μｍで且つ最大径（ｄ）が１〜２ｍｍである。
これらの突出部３２，３２・・の各先端面には、冷却ガスとしてのヘリウムが流れる直径０．５ｍｍの冷却ガス用流路３６が開口し、突出部３２，３２の間の谷部の平坦面にも、冷却ガスとしてのヘリウムが流れる冷却ガス用流路３８が開口している。かかる流路３６，３８は、図２に示す冷却ガス用導入路２０に接続されている。
更に、突出部３２，３２・・を囲むように、誘電体層３０の周縁に沿って形成した周壁部３４の先端面は、突出部３２と同一高さである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光から発生する熱を放熱するヒートシンクと、
前記ヒートシンクよりも光源側に配置され、前記光を受光する受光面の面内方向において複数の部分に分割され、セラミックスから構成されている放熱板と、
前記放熱板を前記ヒートシンクに支持する支持部材と、
を有することを特徴とする放熱ユニット。
【請求項２】
前記放熱板よりも前記光源側に配置されて前記放熱板の前記受光面を支持し、前記光を受光及び透過する平行平板を更に有することを特徴とする請求項１に記載の放熱ユニット。
【請求項３】
前記ヒートシンクは前記放熱板から離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放熱ユニット。
【請求項４】
前記複数の部分は、互いの端部が重なっている隣り合う２つの部分を含むことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の放熱ユニット。
【請求項５】
前記複数の部分は、同心円状に形成された複数の境界線と径方向に延びる複数の境界線によって分割されていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の放熱ユニット。
【請求項６】
光源からの光から発生する熱を放熱するヒートシンクと、
前記ヒートシンクよりも光源側に配置され、前記光を受光する受光面の面内方向において複数の部分に分割されている放熱板と、
前記放熱板を前記ヒートシンクに支持する支持部材と、
を有し、
前記放熱板は、アルミニウムよりも融点が高く熱伝導率が低い材料から構成されることを特徴とする放熱ユニット。
【請求項７】
光源からの光から発生する熱を放熱する、アルミウムから構成されているヒートシンクと、
前記ヒートシンクよりも光源側に配置され、前記光を受光する受光面の面内方向において複数の部分に分割されている放熱板と、
前記放熱板を前記ヒートシンクに支持する支持部材と、
を有し、
前記放熱板は、アルミニウムよりも融点が高く熱伝導率が低い材料から構成されることを特徴とする放熱ユニット。
【請求項８】
光源からの光から発生する熱を放熱するヒートシンクと、
前記ヒートシンクよりも光源側に配置され、前記光を受光する受光面の面内方向において複数の部分に分割されている放熱板と、
前記放熱板を前記ヒートシンクに支持する支持部材と、
を有し、
前記放熱板は、セラミック、石、シリコンのいずれかを含むことを特徴とする放熱ユニット。
【請求項９】
請求項１〜８のうちいずれか一項に記載の放熱ユニットを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を使用して基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面としての放熱ユニットは、光源からの光から発生する熱を発散するヒートシンクと、前記ヒートシンクよりも光源側に配置され、前記光を受光する受光面の面内方向において複数の部分に分割され、セラミックスから構成されている放熱板と、前記放熱板を前記ヒートシンクに支持する支持部材と、を有することを特徴とする。
また、本発明の他の側面としての放熱ユニットは、光源からの光から発生する熱を放熱するヒートシンクと、前記ヒートシンクよりも光源側に配置され、前記光を受光する受光面の面内方向において複数の部分に分割されている放熱板と、前記放熱板を前記ヒートシンクに支持する支持部材と、を有し、前記放熱板は、アルミニウムよりも融点が高く熱伝導率が低い材料から構成されることを特徴とする。
また、本発明の他の側面としての放熱ユニットは、光源からの光から発生する熱を放熱する、アルミウムから構成されているヒートシンクと、前記ヒートシンクよりも光源側に配置され、前記光を受光する受光面の面内方向において複数の部分に分割されている放熱板と、前記放熱板を前記ヒートシンクに支持する支持部材と、を有し、前記放熱板は、アルミニウムよりも融点が高く熱伝導率が低い材料から構成されることを特徴とする。
また、本発明の他の側面としての放熱ユニットは、光源からの光から発生する熱を放熱するヒートシンクと、前記ヒートシンクよりも光源側に配置され、前記光を受光する受光面の面内方向において複数の部分に分割されている放熱板と、前記放熱板を前記ヒートシンクに支持する支持部材と、を有し、前記放熱板は、セラミック、石、シリコンのいずれかを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された電極を有する真空容器内にガスを供給して一方の電極となる試料台上の被処理基板載置面に載置された被処理基板をプラズマ処理し、前記被処理基板を搬出した後、あるいは次の被処理基板処理の前に、前記真空容器内をプラズマクリーニングする方法において、
前記プラズマクリーニングは、前記真空容器内に磁場を形成し、該磁場と真空容器内の高周波電界との作用によって生成したプラズマを用いるクリーニングであって、
印加された高周波の周波数における電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件を満足する磁場強度の面であるECR磁場面が、少なくとも前記被処理基板載置面と対向する電極とではさまれる範囲外に存在するように磁場を制御することを特徴とするプラズマクリーニング方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマクリーニング方法において、前記プラズマ処理時の前記ECR磁
場面は、前記プラズマクリーニング時とは異なる位置にあることを特徴とするプラズマク
リーニング方法。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマクリーニング方法において、前記ECR磁場面が電極の中心軸を
横切る位置が前記試料台の前記被処理基板載置面より下側にあることを特徴とするプラズ
マクリーニング方法。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマクリーニング方法において、前記ECR磁場面が電極の中心軸を
横切る位置が前記試料台に対向する電極より上側にあることを特徴とするプラズマクリー
ニング方法。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマクリーニングにおいて、ECR磁場面が、前記被処理基板載置部
の外周に置かれたリング状部品の外径より内側の上方空間にも存在しないように磁場を制
御することを特徴とするプラズマクリーニング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の故障解析を実行するときの解析容易性改善効果の高い部分を観測点位置として特定する観測点特定部と、
前記観測点位置に関する情報に基づいて、前記観測点位置に配置される素子を、故障解析装置による前記故障解析を適切に行うことが可能な解析対象素子に置換する素子置換実行部と
を具備する
回路設計支援装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路設計支援装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来、例えば、圧延機の板厚制御のように制御対象に無視できないほどのむだ時間がある場合（Ｌ／Ｔ比が大きい場合）、それを補償する手段として例えば特許文献１に開示されているむだ時間スミス補償法（以下、スミス補償法という。）が広く用いられてきた。このスミス補償法は、制御対象モデルおよび制御対象むだ時間モデルを用いてむだ時間後の出力を予測し、それを打ち消すことにより制御の安定化を図る手法である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
電動機制御系において制御対象（電動機）にねじり振動等による振動的外乱が現れた場合、制御装置はこの振動と逆位相の制御量を制御対象に印加し振動を抑制するように働こうとするが、制御装置自身の時定数とむだ時間があるため位相がずれ、制御目的に合致しない制御量を入力する期間が出てくることになる。制御装置におけるむだ時間は一般的に小さいものであるが、ゲインが大きく、外乱が大きい場合には制御が不安定となる可能性がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
以上説明したように、実施の形態１に係るむだ時間補償制御装置は、制御装置モデルと制御装置むだ時間モデルを有しているが、これらはあらかじめ予測しやすいものであり、モデル化誤差も微小で、精度よいむだ時間補償が期待できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体に固定される固定部と、第１の操作ボタンと、前記固定部から前記第１の操作ボタンに延出形成されて、前記第１の操作ボタンを押下可能に支持する第１の支持部と、第２の操作ボタンと、前記固定部から前記第２の操作ボタンに延出形成されて、前記第２の操作ボタンを押下可能に支持する第２の支持部とが一体的に形成される操作ボタンユニットを備えた電子機器であって、
前記第１の支持部は前記固定部の第１の位置から延出形成されるとともに、前記第２の支持部は前記固定部の前記第１の位置とは異なる第２の位置から延出形成されることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第１の操作ボタンおよび前記第２の操作ボタンは同一の押下方向に押下可能に支持されるものであって、前記固定部の前記第１の位置と前記第２の位置とは前記押下方向に異なる位置であることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１の支持部と前記第２の支持部は前記固定部の近傍において、前記押下方向から見たときに重なるように、前記固定部から延出形成されることを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歯科材料の調製のための組成物であって、該組成物は、
式（Ｉ）
【化１】
2009132720.tif 000001
のアルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミドを含有し、
式（Ｉ）において、
Ｘは、各場合において独立して、ＯまたはＮＲ６を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、互いに独立して水素または
【化２】
2009132720.tif 000002
を表し、ここでＲ１、Ｒ２およびＲ３は、同時に水素にはならず、
Ｙは、各場合において独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１５アルキレン基を表し、該アルキレン基には、１個以上のＯまたはＳが介在し得、
Ｒ４は、各場合において独立して、水素またはＣ１〜Ｃ１０アルキル基を表し、
Ｒ５は、各場合において独立して、水素またはＣ１〜Ｃ８アルキル基を表し、
Ｒ６は、各場合において独立して、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基を表し、そして
ｐは、２〜１０である、
組成物。
【請求項２】
Ｙは、各場合において独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基であり、該アルキレン基には、１個以上のＯまたはＳが介在し得、
Ｒ４は、各場合において独立して、水素またはＣ１〜Ｃ８アルキル基を表し、
Ｒ５は、各場合において独立して、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基を表し、
Ｒ６は、各場合において独立して、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキル基を表し、そして
ｐは、２〜６である、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
接着剤またはセメントの調製のための、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
歯科材料として使用される重合性組成物であって、少なくとも１種の請求項１または２に記載のアルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミドを含有する、重合性組成物。
【請求項５】
アルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミドに加えて、少なくとも１種のさらなるラジカル重合性モノマーを含有する、請求項４に記載の重合性組成物。
【請求項６】
ラジカル重合の開始剤を含有する、請求項４または５に記載の重合性組成物。
【請求項７】
２個以上の重合性基を有する少なくとも１種のモノマー、および／または１個以上の酸性基を有する少なくとも１種のモノマーを含有する、請求項５または６に記載の重合性組成物。
【請求項８】
光重合の開始剤を含有する、請求項６または７に記載の重合性組成物。
【請求項９】
充填材を含有する、請求項４〜８のいずれか１項に記載の重合性組成物。
【請求項１０】
前記充填材が、１ｎｍ〜１０μｍの平均粒径を有する粒子性充填材であることを特徴とする、請求項９に記載の重合性組成物。
【請求項１１】
ａ）０．５重量％〜５０重量％の式（Ｉ）によるアルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミド、
ｂ）０．０１重量％〜１５重量％のラジカル重合の開始剤、
ｃ）０重量％〜８０重量％のさらなる重合性モノマー、
ｄ）０重量％〜９５重量％の溶媒、
ｅ）０重量％〜７５重量％の充填材、
を含有する、請求項４〜１０のいずれか１項に記載の重合性組成物。
【請求項１２】
ａ）５重量％〜４０重量％の式（Ｉ）によるアルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミド、
ｂ）０．１重量％〜５重量％のラジカル重合の開始剤、
ｃ）０重量％〜６０重量％のさらなる重合性モノマー、
ｄ）０重量％〜８０重量％の溶媒、
ｅ）０重量％〜６０重量％の充填材、
を含有する、請求項１１に記載の重合性組成物。
【請求項１３】
ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯ（ＯＨ）またはこれらの混合酸化物に基づく単分散ナノ粒子性充填材を含有する、請求項１２に記載の重合性組成物。
【請求項１４】
前記充填材が、５ｎｍ〜２００ｎｍの平均粒径を有することを特徴とする、請求項１２または１３に記載の重合性組成物。
【請求項１５】
ａ）５重量％〜４０重量％の式（Ｉ）によるアルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミド、
ｂ）０．１重量％〜５重量％のラジカル重合の開始剤、
ｃ）０重量％〜６０重量％のさらなる重合性モノマー、
ｄ）１重量％〜７５重量％の充填材、
を含有する、請求項１１に記載の重合性組成物。
【請求項１６】
石英、セラミック、ガラスセラミックまたはガラス粉末に基づく極微小充填材を含有する、請求項１５に記載の重合性組成物。
【請求項１７】
前記充填材が、０．０１μｍ〜５μｍの平均粒径を有することを特徴とする、請求項１５または１６に記載の重合性組成物。
【請求項１８】
成分（ｃ）が、前記組成物の全体の質量に対して１重量％〜５０重量％の１個以上の酸性基を有するモノマーを含有することを特徴とする、請求項１１〜１７のいずれか１項に記載の重合性組成物。
【請求項１９】
成分（ｃ）が、前記組成物の全体の質量に対して１重量％〜４５重量％の２個以上の重合性基を有するモノマーを含有することを特徴とする、請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の重合性組成物。
【請求項２０】
接着剤またはセメントとして使用される、請求項４〜１９のいずれか１項に記載の重合性組成物。