【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムウェルを炭化シリコン基板の一表面におけるドリフト領域内に注入する工程と、
前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域をマスクして、該ドリフト領域上に、第１の対の開口部を前記アルミニウムウェルの対向する側にそれぞれ一つずつ開口部が存在するように画定する工程と、
最初に、前記第１の対の開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパントを、埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
次いで、前記第１の対の開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを、前記埋め込まれた深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域をマスクして、該ドリフト領域上に、そのそれぞれがそれぞれの浅いｎ型注入領域からは空間的に隔たっておりかつ前記アルミニウムウェルに対向する第２の対の開口部を画定する工程と、
前記第２の対の開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを注入して一対のドレイン領域を画定する工程と、
そのそれぞれの前記埋め込まれた深いｐ型注入領域を、そのそれぞれの前記浅いｎ型注入領域を囲む前記炭化シリコン基板の表面まで、それぞれの埋め込まれた深いｐ型注入領域をそれぞれの浅いｎ型注入領域を通って前記炭化シリコン基板の前記表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールして、それによって前記炭化シリコン基板の前記表面において前記側方拡散したｐ型注入領域内に、一対のチャネル領域を前記アルミニウムウェルの対向する側にそれぞれ一つずつチャネルが存在するように形成する工程と、
前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域上に、そのそれぞれが前記一対のチャネル領域のそれぞれのチャネル領域に接触する、一対のゲート絶縁領域を形成する工程と、
共通のソースコンタクトを前記浅いｎ型注入領域上かつ前記アルミニウムウェル上にそれらにわたって形成し、一対のドレインコンタクトを前記ドレイン領域上に形成し、そして一対のゲートコンタクトを前記一対のゲート絶縁領域上に形成する工程と、を有することを特徴とする横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項２】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程及び前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は、前記ｎ型ドーパントを注入して一対のドレイン領域を形成する工程の後に実行され、前記一対のドレイン領域が前記埋め込まれた深いｐ型注入領域及び前記浅いｎ型注入領域が形成される前に形成されるよう構成されたことを特徴とする請求項１に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項３】
前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程と前記ｎ型ドーパントを注入する工程とは同時に実行され、前記浅いｎ型注入領域と前記一対のドレイン領域とが同時に形成されるよう構成されたことを特徴とする請求項２に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項４】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通してｐ型ドーパントを、埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通してｎ型ドーパントを、前記埋め込まれた深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項５】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通してホウ素を、埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通して窒素を、前記埋め込まれた深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項６】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通してベリリウムを、埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通して窒素を、前記埋め込まれた深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項７】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程はホウ素を注入する工程を含み、前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は窒素を注入する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項８】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程はベリリウムを注入する工程を含み、前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は窒素を注入する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項９】
前記アルミニウムウェルを注入する工程は、前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程の後に実行され、前記アルミニウムウェルが前記浅いｎ型注入領域の間に注入されるよう構成されたことを特徴とする請求項４に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１０】
アルミニウムウェルを炭化シリコン基板の一表面におけるドリフト領域内に注入する工程と、
前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域をマスクして、該ドリフト領域上に、第１の対の開口部を前記アルミニウムウェルの対向する側にそれぞれ一つずつ開口部が存在するように画定する工程と、
最初に、前記第１の対の開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを、浅いｎ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
前記ｎ型ドーパントを電気的に活性化させる工程と、
次いで、前記第１の対の開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパントを、前記浅いｎ型注入領域と比較して埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域をマスクして、該ドリフト領域上に、そのそれぞれがそれぞれの浅いｎ型注入領域からは空間的に隔たっておりかつ前記アルミニウムウェルに対向する第２の対の開口部を画定する工程と、
前記第２の対の開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを注入して一対のドレイン領域を画定する工程と、
それぞれの前記埋め込まれた深いｐ型注入領域を、そのそれぞれの前記浅いｎ型注入領域を囲む前記炭化シリコン基板の表面まで、それぞれの該埋め込まれた深いｐ型注入領域をそれぞれの該浅いｎ型注入領域を通って前記炭化シリコン基板の前記表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールして、それによって前記炭化シリコン基板の前記表面において前記側方拡散したｐ型注入領域内に、一対のチャネル領域を前記アルミニウムウェルの対向する側にそれぞれ一つずつチャネルが存在するように形成する工程と、
前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域上に、そのそれぞれが前記一対のチャネル領域のそれぞれのチャネル領域に接触する、一対のゲート絶縁領域を形成する工程と、
共通のソースコンタクトを前記浅いｎ型注入領域上かつ前記アルミニウムウェル上にそれらにわたって形成し、一対のドレインコンタクトを前記ドレイン領域上に形成し、そして一対のゲートコンタクトを前記一対のゲート絶縁領域上に形成する工程と、を有することを特徴とする横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１１】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通してｎ型ドーパントを、浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通してｐ型ドーパントを、前記浅いｎ型注入領域と比較して埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１２】
前記アルミニウムウェルを注入する工程は、前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程の後に実行され、前記アルミニウムウェルが前記浅いｎ型注入領域の間に注入されるよう構成されたことを特徴とする請求項１１に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１３】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程及び前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は、前記ｎ型ドーパントを注入して一対のドレイン領域を形成する工程の後に実行され、一対のドレイン領域が前記埋め込まれた深いｐ型注入領域及び前記浅いｎ型注入領域が形成される前に形成されるよう構成されたことを特徴とする請求項１２に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１４】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程と前記ｎ型ドーパントを注入する工程とは同時に実行され、前記浅いｎ型注入領域と前記一対のドレイン領域とが同時に形成されるよう構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１５】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通して窒素を、浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通してホウ素を、前記浅いｎ型注入領域と比較して埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１６】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通して窒素を、浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程は、前記炭化シリコン基板の前記表面における前記ドリフト領域内に前記第１の対の開口部を通してベリリウムを、前記浅いｎ型注入領域と比較して埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１７】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は窒素を注入する工程を含み、前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程はホウ素を注入する工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１８】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は窒素を注入する工程を含み、前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程はベリリウムを注入する工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の横型炭化シリコンパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【請求項１９】
炭化シリコン基板の一表面をマスクして該表面に開口部を画定する工程と、
最初に、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパントを、埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
次いで、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを、前記埋め込まれた深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
前記埋め込まれた深いｐ型注入領域を、前記浅いｎ型注入領域を囲む前記炭化シリコン基板の表面まで、該埋め込まれた深いｐ型注入領域を該浅いｎ型注入領域を通って前記炭化シリコン基板の前記表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールする工程と、
を有することを特徴とする炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記炭化シリコン基板の前記表面において、前記側方拡散して埋め込まれた深いｐ型注入領域に電気的に接触するアルミニウムウェルを注入する工程をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２１】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程は、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパントを、埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを、前記埋め込まれた深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項２０に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程は、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にホウ素を、埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内に窒素を、前記埋め込まれた深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項２１に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２３】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程はホウ素を注入する工程を含み、前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は窒素を注入する工程を含むことを特徴とする請求項１９に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２４】
前記最初にｐ型ドーパントを注入する工程はベリリウムを注入する工程を含み、前記次いでｎ型ドーパントを注入する工程は窒素を注入する工程を含むことを特徴とする請求項１９に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２５】
炭化シリコン基板の一表面をマスクして該表面に開口部を画定する工程と、
最初に、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを、浅いｎ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
前記ｎ型ドーパントを電気的に活性化させる工程と、
次いで、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパントを、前記浅いｎ型注入領域と比較して埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
前記埋め込まれた深いｐ型注入領域を、前記浅いｎ型注入領域を囲む前記炭化シリコン基板の表面まで、該埋め込まれた深いｐ型注入領域を該浅いｎ型注入領域を通って前記炭化シリコン基板の前記表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールする工程と、
を有することを特徴とする炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２６】
前記炭化シリコン基板の前記表面において、前記側方拡散して埋め込まれた深いｐ型注入領域に電気的に接触するアルミニウムウェルを注入する工程をさらに有することを特徴とする請求項２５に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２７】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパントを、浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程は、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパントを、前記浅いｎ型注入領域と比較して埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項２６に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２８】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内に窒素を、浅いｎ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含み、
前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程は、前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にホウ素を、前記浅いｎ型注入領域と比較して埋め込まれた深いｐ型注入領域を形成する複数の注入エネルギー及び注入量で注入する工程を含むことを特徴とする請求項２７に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項２９】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は窒素を注入する工程を含み、前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程はホウ素を注入する工程を含むことを特徴とする請求項２６に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。
【請求項３０】
前記最初にｎ型ドーパントを注入する工程は窒素を注入する工程を含み、前記次いでｐ型ドーパントを注入する工程はベリリウムを注入する工程を含むことを特徴とする請求項２６に記載の炭化シリコンパワーデバイスの製造方法。