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　特願２００３−２９４３４１「発光ダイオード層と接合されたウェーハとの間の反射性境界面」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　６９８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年３月８日に出願された特願平６−６４５２８号（パリ条約による優先権主張：１９９３年３月１９日、米国）の一部を平成１５年８月１８日に分割して新たな特許出願としたものであって、原審において、平成１７年９月９日付で拒絶理由が通知され、平成１８年３月２０日に手続補正がなされたところ、同年４月２０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２３日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１８年８月２３日付の手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　　平成１８年８月２３日付の手続補正を却下する。
[理由］
（１）本件補正
　平成１８年８月２３日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）のうち、請求項６についての補正は、当該補正前の請求項６が、
「【請求項６】　成長基板上にエピタキシャル成長されたアルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）ＬＥＤ層であって、この成長基板が前記ＬＥＤ層を製造するための格子整合と適応性があり、
前記成長基板が前記ＬＥＤ層の一方の側面から除去されてなるものと
　前記ＬＥＤ層の一方の側面にウェーハ・ボンディングされた
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）を含む
　反射性の材料とからなり、
　前記第２の基板が、前記反射性の材料を間に置いて、前記ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされている、発光ダイオード構造。」
であったものを、
「【請求項６】　成長基板上にエピタキシャル成長されたアルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）ＬＥＤ層と、この成長基板が前記ＬＥＤ層を製造するための格子整合と適応性があり、前記ＬＥＤ層の一方の側面にウェーハ・ボンディングされた第２の基板と、
　反射性の材料とからなり、
　前記第２の基板が、前記反射性の材料を間に置いて、前記ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされている、発光ダイオード構造。」
と補正するものである（下線は当審が引いた。以下同じ。）。
　
（２）判断
　本件補正は、上記のうち下線を付した事項、すなわち、「
前記成長基板が前記ＬＥＤ層の一方の側面から除去されてなるものと
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）を含む
　（ア）そこで、先ず、上記成長基板が除去されずに残置されたものを含む補正が、平成６年改正前特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項に規定する、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書」という。）に記載した事項の範囲内においてする補正であるか否かについて以下に検討する。
　　
　当初明細書には、「第２の基板が、前記反射性の材料を間に置いて、前記ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされている、発光ダイオード構造」に関し、以下の事項が記載されている。
　　ａ．「【００１９】　別の実施例では、ＬＥＤ構造を形成するＬＥＤ層に導電性ミラーをウェーハ接合することができる。次にミラーの方向に放射された光線がＬＥＤ構造に反射して、装置の効率が高められる。この実施例では、ミラーは吸収性の基板でも透光性基板でもよい基板によって支持される。何故ならば、光線は基板自体には到達しないからである。」
　　ｂ．「【００３４】　更に、図１の素子は導電率が低く、装置の電流拡散力が限定される従来形の透光性層の成長基板３０を有しているものでもよい。この場合は、導電率がより高い透光性基板をウェーハ接合することが望ましい。導電率が高まると、装置の性能が向上しよう。置き換えの透光性基板が導電率の低い露出したＬＥＤ層にウェーハ接合される。導電率がより高い置き換えの透光性基板を、導電率が低い透光性層の除去の前又は後にＬＥＤ構造にウェーハ接合することができよう。」
　　ｃ．「【００３９】　さて図８を参照すると、前述のＬＥＤ構造４０はミラー６０にウェーハ接合することができる。ミラー６０はそこで下方に放射された光線、又は先に反射された内部光線を反射する。反射によって装置の光線出力が高められる。ミラー６０は基板６２によって好適に支持される。光線は基板に到達する前に反射されるので、基板の光学特性は関係がない。
　【００４０】　ミラー６０と基板６２はＬＥＤ構造４０にバイアスを加えるために電極を基板に接合できるように、導電性材料から成る必要がある。更にミラーはエピタキシャル成長又は溶着されたブラッグ・リフレクタから成っているものでもよいことに留意されたい。基板６２を形成するためにシリコン、ＧａＡｓ又は同様のある種の材料を使用できる。装置が高温下で、又は高電流下で動作される場合、これらの材料の幾つか、例えばＳｉは熱伝導率が比較的高いので、これらの材料によって装置を更に向上させることができる。」
　　ｄ．さらに、上記ｂ，ｃ、図１，２および図８からは、「吸収性の成長基板３０を除去した後、基板６２がＬＥＤ層にウェーハ接合される。」ことが見て取れる。
　
　これら当初明細書および図面の記載事項には、吸収性の成長基板を残置しておくことについて明示の記載はない。さらに、上記記載事項によれば、「第２の基板が、前記反射性の材料を間に置いて、前記ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされている、発光ダイオード構造」において、反射性の材料を第２の基板とＬＥＤ層の間に置くことの趣旨が、吸収性の成長基板を残置することにより素子の発光が吸収されるのを防ぐことにあるのは明らかであるから、当該素子において吸収性の成長基板を残置しておくことは、想定の範囲外であることが分かる。
　それゆえ、当初明細書には、成長基板を残置しておくことは記載されてなく、また、上記事項が、当初明細書に記載された事項から自明であるともいえないから、当該補正事項が、当初明細書に開示されていない事項をも含むものであることは明らかである。
　　　
　よって、本件補正の請求項６についてした「
前記成長基板が前記ＬＥＤ層の一方の側面から除去されてなるものと
　
　（イ）次いで、第２の基板の材料が何ら限定されないこととなった補正が、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項各号に規定する事項を目的とするものであるかについて検討すると、上記補正が、請求項の削除であるとも、限定的減縮であるとも、誤記の訂正であるとも、または明りょうでない記載の釈明に当たるともいえないから、本件補正の請求項６についてした「
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）を含む
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項および同法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）平成１８年８月２３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年３月２０日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載されたとおりのものであるところ、請求項６に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項６】　成長基板上にエピタキシャル成長されたアルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）ＬＥＤ層であって、この成長基板が前記ＬＥＤ層を製造するための格子整合と適応性があり、前記成長基板が前記ＬＥＤ層の一方の側面から除去されてなるものと、
　前記ＬＥＤ層の一方の側面にウェーハ・ボンディングされたガリウム砒素（ＧａＡｓ）を含む第２の基板と、
　反射性の材料とからなり、
　前記第２の基板が、前記反射性の材料を間に置いて、前記ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされている、発光ダイオード構造。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−２９３７４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　イ．「この発明は面出射型半導体発光素子およびその作製方法に関する。・・・面出射型半導体発光素子では発光した多くの光が成長用基板で吸収されてしまうので、その光出力を向上させるために、・・・成長用基板をエッチング等で取り去る方法が一般的にとられている。」（１頁右下欄１３行〜２頁左上欄１行）
　
　ロ．「この発明による面出射型半導体発光素子は、成長用基板上に結晶成長した発光領域を含みかつ成長用基板が除去された結晶成長層が新たなＳｉ基板に接合されてなることを特徴とする。
　好ましくは、結晶成長層とＳｉ基板との接合面がＳｉとＡｕとの合金で形成されている。
・・・中略・・・
　さらにＳｉ基板を用いているため熱伝導性が向上し発熱の影響が少なくなる。
　Ｓｉ基板の接合のためにＡｕを用いると、　ＡｕとＳｉの共晶部分が光の反射層として働くため光の取出し効率が優れたものとなる。」（３頁左上欄２〜１９行）
　
　ハ．「第１図はこの発明による面出射型半導体発光素子の作製方法の一例を示しており、第２図は作製された面出射型半導体発光素子の構造および動作状態を示している。
　ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層２、Ｇａ０．６Ａｌ０．４Ａｓ活性層３およびｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４を順次成長させる（第１図（Ａ））。この構造はＤＨ構造であるから内部発光効率が高い。
　ｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４上にオーミック電極を形成し、その最上層にはＡｕが露出するようにしておく。
　そして、このオーミック電極上にｐ−Ｓｉ基板５を置き、加熱することにより、Ｓｉ基板５とｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４とを接着させる（第１図（Ｂ））。ＳｉとＡｕは第２図に示すような状態図に従って合金化するからＡｕとＳｉを直接接触させながら熱処理することによりｐ−Ｇａ０．３Ａｌ０．７Ａｓクラッド層４とＳｉ基板５を接着することができる。クラッド層４とＳｉ基板５との接合面はＡｕとＳｉの合金化領域６となる。
　最後にＧａＡｓ基板１をエッチング等により除去する（第１図（Ｃ））。」（３頁右上欄１行〜同頁左下欄３行）
　
　ニ．さらに、ＧａＡｌＡｓ層などからなる発光領域が成長用基板であるＧａＡｓ基板１上でエピタキシャル成長されること、および上記基板と発光領域とが格子整合に適応性があることは、上記イ〜ハに照らして自明の事項であり、明細書に記載されているに等しい事項である。
　
 　これらイ〜ニの記載によれば、引用例１には、
「成長用基板であるＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル成長されたＧａＡｌＡｓ層などからなる発光領域であって、この成長用基板が上記発光領域を製造するための格子整合と適応性があり、上記成長用基板が上記発光領域の一方の側面から除去されてなるものと、上記発光領域の一方の側面に接合されたＳｉ基板と、反射性のＡｕとＳｉの合金化領域６とからなり、上記Ｓｉ基板が、上記合金化領域６を間に置いて、上記発光領域に接合されている、面出射型半導体発光素子。」
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例１発明」という。）。
　　
（３）対比
　本願発明と引用例１発明とを対比する。
　ａ）引用例１発明の「成長用基板」は、本願発明の「成長基板」に相当し、同様に「反射性のＡｕとＳｉの合金化領域６」、「面出射型半導体発光素子」は、それぞれ「反射性の材料」、「発光ダイオード構造」に相当する。
　ｂ）引用例１発明の「ＧａＡｌＡｓ層などからなる発光領域」は、ＬＥＤ層であるという意味において本願発明の「アルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）ＬＥＤ層」に一致する。
　ｃ）引用例１発明の「接合」は、発光領域とＳｉ基板とを合金化領域６を介して一体化するものであるから、本願発明の「ウェーハ・ボンディング」に相当する。
　ｄ）引用例１発明の「Ｓｉ基板」は、ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされる他の基板（第２の基板）であるという意味において本願発明の「ガリウム砒素（ＧａＡｓ）を含む第２の基板」に一致する。
　
　したがって、両者は、
「成長基板上にエピタキシャル成長されたＬＥＤ層であって、この成長基板が前記ＬＥＤ層を製造するための格子整合と適応性があり、前記成長基板が前記ＬＥＤ層の一方の側面から除去されてなるものと、前記ＬＥＤ層の一方の側面にウェーハ・ボンディングされた第２の基板と、反射性の材料とからなり、前記第２の基板が、前記反射性の材料を間に置いて、前記ＬＥＤ層にウェーハ・ボンディングされている、発光ダイオード構造。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点１］
　本願発明のＬＥＤ層は「アルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）」からなるのに対し、引用例１発明のＬＥＤ層は「ＧａＡｌＡｓ層などからなる」ものであって、両者の組成が異なる点。
　
［相違点２］
　本願発明の第２の基板は「ガリウム砒素（ＧａＡｓ）を含む」基板であるのに対し、引用例１発明の第２の基板は「Ｓｉ基板」である点。
　　
（４）判断
［相違点１］について
　本願明細書の記載に照らせば、アルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）からなるＬＥＤ層をエピタキシャル成長せしめる成長基板はＧａＡｓ基板である（本願明細書の段落【００５８】参照）であるところ、このようなＧａＡｓ基板上にアルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）層をエピタキシャル成長させたＬＥＤ層は本願出願前に周知である。
　例えば、平成１６年１月２０日付拒絶の理由に引用した特開平４−２１２４７９号公報（特に段落【００２３】）、特開平４−３６１５７２号公報（特に段落【０００３】）などを参照されたい。
　
　そして、引用例１発明のＧａＡｌＡｓ層もＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長されたＬＥＤ層である点で本願発明のＬＥＤ層と共通するのであるから、引用例１発明のＧａＡｌＡｓ層に代えて上記周知のＡｌＧａＩｎＰ層からなるＬＥＤ層を採用することに格別困難な理由があるとはいえず、それゆえ、相違点１に係る本願発明の事項は当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点２］について
　引用例１発明が、成長基板にＧａＡｓ基板を用いていることからみて、ＧａＡｓ基板がＳｉ基板よりも熱伝導性が悪く、かつ、コストが高いことを無視しさえすれば、引用例１発明において、Ｓｉ基板に代えて成長基板と同じＧａＡｓ基板を第２の基板として採用することに特段の阻害要因があるとはいえない。
　その場合、ＧａＡｓ基板が吸収性であるとしても、第２の基板とＬＥＤ層の間には反射性の材料が介在されるから、これにより第２の基板としての適性に問題が生じることがないことは当業者に自明であるといえる。
　よって、ＧａＡｓ基板を採用することは、第２の基板として使用可能な材料の中から当業者が適宜選択し得た程度のことにすぎず、それゆえ、相違点２に係る本願発明の事項は当業者が容易になし得たことである。
　
　また、本願発明の効果も、引用例１に記載された発明から予測し得ることである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。