【事件の表示】
　平成１０年特許願第６４２４４号「薄型コンデンサの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年９月１７日出願公開，特開平１１−２５１１８５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１０年２月２７日の出願であって，平成１９年９月１４日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１０月２６日に審判請求がされ，同年１１月２２日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年１１月２２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）の却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論]
　本件補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
　本件補正は，明細書全文を補正するものであって，そのうち，特許請求の範囲については，補正前の請求項１〜５を補正後の請求項１，２とするものであり，その内容は，次のとおりである。
（１）補正前の請求項１に，補正前の請求項４及び５の内容を取り込んで限定し，さらに，「多層回路基板の中間層に上記強誘電体によるコンデンサを内蔵させる」点等を限定して，補正後の請求項１とする。
（２）補正前の請求項３に，補正前の請求項４及び５の内容を取り込んで限定し，さらに，「多層回路基板の中間層に上記強誘電体によるコンデンサを内蔵させる」点等を限定して，補正後の請求項２とする。
（３）補正前の請求項２，４，５を削除する。
　　
２　補正目的の適否
（１）上記１のとおり，本件補正は，補正前の請求項１を技術的に限定して補正後の請求項１とし，補正前の請求項３を技術的に限定して補正後の請求項２とし，補正前の請求項２，４，５を削除するものである。そして，技術的に限定した事項は，本願の出願当初の明細書に記載されたものである。
（２）そうすると，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項１号（請求項の削除）又は２号（特許請求の範囲の減縮）に該当するので，同法１７条の２第４項柱書きの規定に適合する。
（３）上述べたように，本件補正後の請求項１及び２は，それぞれ，補正前の請求項１及び３の内容を技術的に限定するものである。
　そこで，次に，本件補正が，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項の規定を満たすか否か（補正後の請求項に係る発明が独立して特許を受けることができるものか）について，補正後の請求項２に係る発明（以下「補正発明」という。）につき検討する。　　
　
３　独立特許要件の成否（補正発明の容易想到性について）
（１）補正発明
　平成１９年１１月２２日に提出された手続補正書によれば，本願の補正発明は，次のとおりである。
　【請求項２】
「チタン薄板の基板表面に真空薄膜形成技術で強誘電体膜を形成し，上記強誘電体膜の表面に所定の上部電極をメッキにより形成し，この上部電極の表面に樹脂のオーバーコートを真空薄膜形成技術により形成し，この後，上記基板と接続する一方の端子部と上記上部電極と接続する他方の端子部を，樹脂ペーストの導電性塗料を塗布して形成するとともに，これら両端子部がその周囲より突出するように形成し，この両端子部を，多層回路基板の間に位置した回路基板の所定の位置の回路パターンに対面させ，上記回路パターンの各電極に当接させ熱圧着して，上記多層回路基板の回路パターンに上記各端子部を接続し，上記多層回路基板の中間層に上記強誘電体によるコンデンサを内蔵させる薄型コンデンサの製造方法。」
　
（２）引用例１の記載内容と引用発明
（２−１）引用例１とその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平５−４７５８６号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜７とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）。
　　ア　産業上の利用分野　
・「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，コンデンサ部品に関し，特に誘電体薄膜を使用したコンデンサ部品に係わる
　　イ　発明が解決しようとする課題
・「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，回路ボードなどへの実装に際し，ワイヤボンディングを使用することなく前記回路ボードの配線に良好な導通状態でかつ高強度で接合することが可能で，しかも実装に必要な工程数を減らすことが可能なコンデンサ部品を提供しようとするもの
　　ウ　実施例
・「【００３０】
【実施例】以下，本発明に係わるコンデンサ部品の実施例を詳細に説明する。
実施例１図１から図５は，実施例１のコンデンサ部品を得るための製造工程を示す断面図である
【００３１】まず，
図１に示すようにシリコン単結晶からなる基板１１の表面を洗浄し，汚れなどを取り除いた後，前記基板１１上に例えばスパッタリングにより例えばＮｉ合金からなる厚さ約２０００オングストローム（以下Ａと記す）の下部電極１２を成膜する
つづいて，図２に示すように前記下部電極１２上に例えばＲＦマグネトロンスパッタリング法によりチタン酸ストロンチウムからなる厚さ３０００Ａの誘電体薄膜１３を形成する
【００３２】
次いで，前記誘電体薄膜１３上にスパッタリング法により例えば厚さ２０００Ａのアルミニウム−シリコン合金膜を成膜し，前記合金膜をフォトリソグラフィによりパターニングすることによって図３に示すように上部電極１４を形成する
つづいて，前記上部電極１４を含む前記誘電体薄膜１３上に例えばプラズマＣＶＤ法により非晶質の二酸化珪素からなる絶縁層１５を成膜する
上部電極１４上に位置する前記絶縁層１５部分および前記下部電極１２上に位置する前記絶縁層１５および誘電体薄膜１３部分を例えば反応性イオンエッチングにより選択的に除去する。これにより図４に示すように電極端子充填用の矩形状孔１６，１７がそれぞれ開口される
【００３３】
次いで，クロム，ニッケル，金を順次蒸着して三層の金属膜を形成した後，フォトリソグラフィ技術によりパターニングして前記矩形状孔１６，１７内を含む周囲に突出端部１８，１９を有する一対の電極端子２０，２１をそれぞれ形成してコンデンサ部品２２を製造する
かかる工程により，一方の電極端子２０は前記矩形状孔１６を通して前記下部電極１２に電気的に接続され，他方の電極端子２１は前記矩形状孔１７を通して前記上部電極１４に電気的に接続される
【００３４】
上述した方法で製造されたコンデンサ部品２２は，図５に示すように基板１１と，前記基板１１上に形成された下部電極１２と，前記下部電極１２上に形成された誘電体薄膜１３と，前記誘電体薄膜１３上に形成され，前記下部電極１２より面積の小さい上部電極１４と，前記上部電極１４を含む前記誘電体薄膜１３上に形成された絶縁層１５と，前記下部電極１２上の前記誘電体薄膜１３および絶縁層１５の両者に亘って開口された矩形状孔１６と，前記上部電極１４上の絶縁層１５部分に開口された矩形状孔１７と，前記各矩形状孔１６，１７にそれぞれ埋め込まれ，前記下部電極１２に接続された一方の電極端子２０および前記上部電極１４に接続された他方の電極端子２１とから構成され，かつ前記各電極端子２０，２１の突出端部１８，１９はそれぞれ前記絶縁層１５側に配置されている，つまり互いに同一平面上に位置するように配置されている
【００３５】まず，
図６に示すように前記コンデンサ部品２２の電極端子２０，２１の突出端部１８，１９上に鉛及び錫を蒸着し，不活性ガス中で熱処理を施すことにより前記突出端部１８，１９上に半田バンプ３１
1
，３１
2
をそれぞれ形成する
つづいて，図７に示すようにセラミック基材３２および該基材３２表面に形成された複数の配線３３とからなる回路ボード３４を用意し，コンデンサ部品２２を前記半田バンプ３１
1
，３１
2
が下向きになるように配置すると共に前記回路ボード３４の２つの配線３３に前記バンプ３１
1
，３１
2
をそれぞれ当接させた後，不活性ガス中などで熱処理を行うことにより，前記コンデンサ部品２２が前記回路ボード３４の配線３３に接合，実装される
【００３６】以上のようなコンデンサ部品２２の構成および回路ボード３４への実装工程により，従来のようにワイヤボンディングを行うことなく，前記回路ボード３４の配線３３に各電極端子２０，２１を良好に接合できると共に実装に必要な工程数を著しく減少することができる。」
　　エ　発明の効果
・「【００５５】
【発明の効果】以上詳述したように，
本発明に係わるコンデンサ部品は，従来の薄膜コンデンサと比較して，回路ボード上に実装するのに必要な工程数を減らすことができる
本発明によれば一度の熱処理によってコンデンサ部品の同一平面に位置するように配置した一対の電極端子の端部が前記回路ボード上の配線に接合されるため，工程数の減少に大きく寄与することができる
　　
（２−２）引用発明
　上記ア〜エによれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「基板１１上に成膜されたＮｉ合金からなる下部電極１２上に，スパッタリング法によりチタン酸ストロンチウムからなる誘電体薄膜１３を形成し，次に，誘電体薄膜１３上にスパッタリング法により上部電極１４を形成し，次に，上部電極１４を含む誘電体薄膜１３上にプラズマＣＶＤ法により非晶質の二酸化珪素からなる絶縁層１５を形成し，次に，金属膜の形成とフォトリソグラフィ技術によるパターニングにより突出端部１８，１９を有する一対の電極端子２０，２１を形成し，この工程により，一方の電極端子２０は下部電極１２に電気的に接続され，他方の電極端子２１は上部電極１４に電気的に接続されて，コンデンサ部品２２が製造され，次に，コンデンサ部品２２の電極端子２０，２１の突出端部に半田バンプ３１１，３１２を形成し，次に，セラミック基材３２とその表面に形成された配線３３からなる回路ボード３４に，コンデンサ部品２２を半田バンプが下向きになるように配置するとともに，回路ボード３４の２つの配線３３にバンプ３１１，３１２を当接させた後，熱処理を行うことによって，コンデンサ部品２２を回路ボード３４の配線３３に接合，実装する方法。」
　
（３）引用例２とその記載内容
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−１４８３７０号公報（以下「引用例２」という。）には，図１とともに，次の記載がある。
・「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は，コンデンサの製造方法に関し，詳しくは，小型で大きな静電容量を得ることが可能なコンデンサの製造方法に関する。
・「【００１３】
【実施例】以下，本発明のコンデンサの製造方法について，その実施例を説明する。
【００１４】（実施例１）
図１は，この実施例により得られるコンデンサの断面図である
同図において，１は板状のチタン金属基体，２はチタン金属基体１の上に形成した複合チタン酸化物，３は複合チタン酸化物２の上に形成した対向電極，４ａおよび４ｂはそれぞれチタン金属基体１および対向電極３に取り付けた取り出しリード線，５は外装樹脂である
【００１５】次に，このコンデンサの製造方法について説明する。
まず，直径３ｍｍ，厚み０．５ｍｍの円板状のチタン金属基体１を準備し
【００１６】
次に
緻密なチタン酸バリウム薄膜からなる複合チタン酸化物２を得
【００１７】次に，表面に複合チタン酸化物２が形成されたチタン金属基体１を大気中で熱処理して，膜中の水分を除去した。なお，処理条件は３８０℃，１２時間，昇降温速度は３００℃／時間である。
【００１８】その後，チタン金属基体１の複合チタン酸化物２が形成された方の面に銀を蒸着して対向電極３を形成した。それから，チタン金属基体１の複合チタン酸化物２が形成されていない方の面を，取り出しリード線４ａを取り付けるために研磨した。そして，チタン金属基体１の研磨した面および対向電極３にそれぞれ取り出しリード線４ａ，４ｂを取り付けてコンデンサ素子を得た。その後，このコンデンサ素子を液体エポキシ樹脂に浸漬後，熱硬化させて外装を行ない，図１に示すコンデンサを完成させた。」
　　イ　以上によれば，引用例２には，コンデンサの製造方法において，板状のチタン金属基体上に，強誘電体薄膜であるチタン酸バリウム薄膜を形成することが記載されている。
（４）補正発明と引用発明の対比
　　ア　引用発明の「基板１１上に成膜されたＮｉ合金からなる下部電極１２」も，補正発明の「チタン薄板の基板」も，コンデンサの下部電極となるものであるから，「金属からなる下部電極」である点で，両者は共通する。
　　イ　「チタン酸ストロンチウムからなる誘電体薄膜１３」は，「強誘電体膜」であり，また，「スパッタリング法」は，「真空薄膜形成技術」のひとつであるから，引用発明の「スパッタリング法によりチタン酸ストロンチウムからなる誘電体薄膜１３を形成し」は，補正発明の「真空薄膜形成技術で強誘電体膜を形成し」に相当する。
　　ウ　引用発明の「誘電体薄膜１３上にスパッタリング法により上部電極１４を形成」することと，補正発明の「上記強誘電体膜の表面に所定の上部電極をメッキにより形成」することは，「上記強誘電体膜の表面に所定の上部電極を形成」する点で，共通する。
　　エ　引用発明において，「非晶質の二酸化珪素からなる絶縁層１５」が，表面をオーバーコートするためのものであることは明らかであるから，引用発明において「上部電極１４を含む誘電体薄膜１３上にプラズマＣＶＤ法により非晶質の二酸化珪素からなる絶縁層１５を形成」することと，補正発明において「上部電極の表面に樹脂のオーバーコートを真空薄膜形成技術により形成」することは，「上部電極の表面にオーバーコートを形成」する点で，共通する。
　　オ　引用発明において「突出端部１８，１９を有する一対の電極端子２０，２１を形成し，この工程により，一方の電極端子２０は下部電極１２に電気的に接続され，他方の電極端子２１は上部電極１４に電気的に接続されて，コンデンサ部品２２が製造され」ることと，補正発明において「上記基板と接続する一方の端子部と上記上部電極と接続する他方の端子部を，樹脂ペーストの導電性塗料を塗布して形成するとともに，これら両端子部がその周囲より突出するように形成」することは，「下部電極と接続する一方の端子部と上部電極と接続する他方の端子部を，これら両端子部がその周囲より突出するように形成」する点で，共通する。
　　カ　引用発明の「回路ボード３４」，「配線３３」は，それぞれ，補正発明の「回路基板」，「回路パターン」に相当するから，引用発明において「コンデンサ部品２２の電極端子２０，２１の突出端部に半田バンプ３１１，３１２を形成し，次に，セラミック基材３２とその表面に形成された配線３３からなる回路ボード３４に，コンデンサ部品２２を半田バンプが下向きになるように配置するとともに，回路ボード３４の２つの配線３３にバンプ３１１，３１２を当接させた後，熱処理を行うことによって，コンデンサ部品２２を回路ボード３４の配線３３に接合，実装する」ことと，補正発明において「この両端子部を，多層回路基板の間に位置した回路基板の所定の位置の回路パターンに対面させ，上記回路パターンの各電極に当接させ熱圧着して，上記多層回路基板の回路パターンに上記各端子部を接続」することは，「この両端子部を，回路基板の所定の位置の回路パターンに対面させ，上記回路パターンの各電極に当接させて，上記回路基板の回路パターンに上記各端子部を接続」する点で，共通する。
　　キ　引用発明は「コンデンサ部品２２を回路ボード３４の配線３３に接合，実装する方法」であるのに対し，補正発明は「多層回路基板の中間層に上記強誘電体によるコンデンサを内蔵させる薄型コンデンサの製造方法」であるが，両者とも，「回路基板に強誘電体によるコンデンサを実装する方法」である点で，共通する。
　
　そうすると，補正発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
〔一致点〕
「金属からなる下部電極の表面に真空薄膜形成技術で強誘電体膜を形成し，上記強誘電体膜の表面に所定の上部電極を形成し，この上部電極の表面にオーバーコートを形成し，この後，上記下部電極と接続する一方の端子部と上記上部電極と接続する他方の端子部を，これら両端子部がその周囲より突出するように形成し，この両端子部を，回路基板の所定の位置の回路パターンに対面させ，上記回路パターンの各電極に当接させて，上記回路基板の回路パターンに上記各端子部を接続し，上記回路基板に上記強誘電体によるコンデンサを実装する方法。」
〔相違点〕
〔相違点１〕補正発明は，金属からなる下部電極を，「チタン薄板の基板」で構成しているのに対し，引用発明は，「基板１１上に成膜されたＮｉ合金からなる下部電極１２」で構成している点。
〔相違点２〕補正発明は，上部電極を「メッキ」により形成しているのに対し，引用発明では，「スパッタリング法」により形成している点。
〔相違点３〕補正発明は，「オーバーコート」の材料が「樹脂」であり，「真空薄膜形成技術」により形成するのに対し，引用発明では，「二酸化珪素からなる絶縁層１５」であり，「プラズマＣＶＤ法」により形成する点。
〔相違点４〕補正発明は，「端子部」を「樹脂ペーストの導電性塗料を塗布して」形成するとともに，「端子部」と「回路パターン」の接続を「熱圧着」により行っているのに対し，引用発明では「端子部（一対の電極端子２０，２１）」を「金属膜の形成とフォトリソグラフィ技術によるパターニング」により形成するとともに，「端子部（一対の電極端子２０，２１）」と「回路パターン（配線３３）」との接続を「半田バンプ」の形成と「熱処理」により行っている点。
〔相違点５〕補正発明は，「多層回路基板の間に位置した」「多層回路基板の中間層に上記強誘電体によるコンデンサを内蔵させる薄型コンデンサの製造方法。」であるのに対し，引用発明は，「コンデンサ部品２２を回路ボード３４の配線３３に接合，実装する方法。」にとどまり，多層回路基板の中間層に適用することは，記載も示唆もされていない点。
　
（５）相違点についての検討
（５−１）相違点１について
　引用発明は，基板１１（シリコン基板）上に成膜したＮｉ合金からなる金属膜を下部電極１２とし，その上に強誘電体膜を形成しているのに対し，補正発明は，チタン薄板それ自体を基板とし，その上に強誘電体膜を形成しているが，コンデンサの製造方法において，下部電極となる金属薄板それ自体（板状のチタン金属基体）を基板として，その上に強誘電体膜を形成することは，引用例２に記載されており，本願の出願前に公知となっていたものである。
　そして，引用発明のように，シリコン基板のような基板に成膜した金属膜を下部電極とするか，引用例２に記載の技術のように，金属薄板それ自体を下部電極とするかは，設計上の選択の問題であり，当業者が目的に応じて選択しうるものである。なお，コンデンサの下部電極の材料として，チタンは周知である（上記のように，引用例２のコンデンサでも採用されている。）。
　
（５−２）相違点２について
　メッキ法とスパッタリング法は，いずれも，電子部品に金属層を形成するための代表的な方法であり，当業者が適宜選択して使用しているものである。引用発明においても，一実施例として，「スパッタリング法」により上部電極を形成しているのであって，「メッキ法」も使用できることは，当業者に明らかである。
　
（５−３）相違点３について
　二酸化珪素からなる絶縁層と，樹脂からなる絶縁層は，電子部品のオーバーコート層として代表的な構成であり，当業者が適宜選択して使用しているものである。「樹脂」の「オーバーコート」層を「真空薄膜形成技術」により形成することも，以下の周知例にも記載されているように，本願の出願前に，当業者に周知であった。
・周知例１（特開平９−２８３３７０号公報）
　図８及び段落【００１６】，【００１８】の記載。
・周知例２（特開平８−２２２３６８号公報）
　図１及び段落【００２１】，【００２８】の記載。
　
（５−４）相違点４について
　樹脂ペーストの導電性塗料を塗布して電極の端子部（突起部）を形成し，この突起部を介して熱圧着により電子部品を回路基板に固着する技術は，以下の周知例にも記載されているように，本願の出願前に，当業者に周知であった。そして，この周知の固着技術が，引用発明のコンデンサ部品の回路基板への実装にも使用できることは，明らかである。
　したがって，引用発明において，「金属膜の形成とフォトリソグラフィ技術によるパターニング」により突起部を形成し「半田バンプ」によりコンデンサ部品を固着する方法に代えて，「樹脂ペーストの導電性塗料を塗布」して突起部を形成し「熱圧着」によりコンデンサ部品を固着する方法を採用することは，当業者が適宜なし得たものといえる。
・周知例３（特開平３−２４６９８８号公報）
　図１とともに，次の記載がある。
「【従来の技術】
　
チップコンデンサ，チップ抵抗器等のチップ素子を基板上に実装して，ハイブリッドＩＣを構成する場合には，従来，はんだ付けによる方法が行われている
　しかし，はんだ付けにより製造されたハイブリッドＩＣは，冷熱サイクル（低温条件と高温条件とに交互に曝すサイクル）下ではんだが劣化するため，温度変動の激しい場所等での使用には適していない。
　このため，
はんだに代えて，導電性樹脂ペーストを用いてチップ素子を基板に実装する方法が開発されている
　
該方法は，基板上の配線パターンの電極部上に導電性ペーストを塗布し，チップ素子の電極部を該ペースト上に位置決めした後，チップ素子と基板とを圧接しつつ加熱して両者を固着し，電気的に接続するものである
・周知例４（特開平６−２２４２０３号公報）
　図１〜４とともに，次の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，と基板等の外部回路とを電気的に接続するために利用されるバンプを有する半導体素子に関するものである。」
「【００１０】
【実施例】実施例１
図１〜図３により本実施例１を説明する。先ず，図１に示されるように半導体チップ３の回路表面に絶縁性の感光性ポリイミド樹脂をスピンコート法により約２０μｍ厚さに塗布し，半導体チップ上のボンディングパッド部２に開口９を設けるように感光，焼き付けを行い絶縁膜１を形成した。
【００１１】次に図２に示されるように，ポリイミド樹脂に金，銀等の貴金属導電粉末を混合分散させた導電性樹脂をスクリーン印刷により前記開口９に充填し，窒素雰囲気中で温度約４００℃で加熱硬化させ，導電層５を形成した。
【００１２】次に図３に示されるように，
上記導電層５直上に導電性樹脂接着剤として金，銀等の導電粉末を混合分散させた導電性樹脂ペーストをスクリーン印刷してバンプ６を形成し，本発明の半導体素子得た
【００１３】図４は本発明の半導体素子を外部回路配線基板８にフェイスダウンボンディング法により接合する方法を説明する図である。即ち，
バンプ６を外部回路電極部７に合わせて配置し，圧着，加熱硬化させて，半導体素子１０と外部回路配線基板８とを接合した
　
（５−５）相違点５について　　
　引用発明は，「コンデンサ部品２２を回路ボード３４の配線３３に接合，実装する方法。」にとどまり，多層回路基板の中間層に適用することは言及されていない。しかし，引用発明は，引用例１の段落【００１１】【発明が解決しようとする課題】にあるとおり，「本発明の目的は，回路ボードなどへの実装に際し，ワイヤボンディングを使用することなく前記回路ボードの配線に良好な導通状態でかつ高強度で接合することが可能で，しかも実装に必要な工程数を減らすことが可能なコンデンサ部品を提供しようとするもの」である。
　そして，回路基板を多層構造としたものにおいて，中間の回路基板にコンデンサ等のチップ素子を実装させるようにすることは，以下の周知例にも記載されているように，本願の出願前に，当業者に周知であった。以下の周知例においては，中間層に実装されるコンデンサが，本願の補正発明と同じタイプのものかどうか明らかでないけれども，少なくとも，コンデンサを含めた種々のチップ素子が中間層に実装されている。
　そうすると，引用発明に係る「コンデンサ部品２２」（「誘電体薄膜１３に「チタン酸ストロンチウム」を用いており，「強誘電体によるコンデンサ」である。）を「多層回路基板の間に位置した」「多層回路基板の中間層」に「内蔵させる」ようにすることは，当業者が直ちに考えつくことである。
・周知例５（特開平２−１２１３９２号公報）
　第１図，第２図とともに，次の記載がある。
「〔産業上の利用分野〕
　
本発明は，コンデンサー，抵抗体及び電気配線用導体層を有するコンデンサー内蔵複合回路基板に関し，とりわけ絶縁基体及び誘電体を同時に焼成して成るコンデンサー内蔵複合回路基板及びその製造方法に関する
「〔発明の目的〕
　
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので，その目的はアルミナ系絶縁基体とチタン酸バリウム系および／またはチタン酸ランタン系誘電体層を同時に焼成し，機械的強度とともにコンデンサーとして要求される電気的特性，とりわけ広範囲のコンデンサー容量を得ることが可能なコンデンサー内蔵複合回路基板及びその製造方法を提供する
「
第１図は本発明のコンデンサー内蔵複合回路基板の一実施例を示す断面図であり，第２図は第１図のコンデンサー部の構成を説明するための一部拡大断面図である
　
図において，１はアルミナ系絶縁基体，２はコンデンサー部，３は電気配線用導体で，前記コンデンサー部２は保護層４と上下面に各々上部電極５及び下部電極６を有する誘電体層７から成る
・周知例６（特開平２−１６４０９６号公報）
　第２図とともに，次の記載がある。
「産業上の利用分野
　本発明は広範な電子機器に用いられる
多層電子回路基板とその製造方法に関する
「第２図は本発明の第二の実施例を示すものであり，第２図の各部の名称は第１図と同じであるが，
１５は電子回路を構成する回路素子として用いたチップ抵抗器やチップコンデンサー等の平面接続型のチップ部品，１６はチップ部品１５をプリント配線基板の回路導体層８と電気的にさせるための導電性接着剤である
　この実施例は，絶縁基板８としてガラスエポキシ基板を使用し，その表面または表裏面層に例えば銅箔をエッチングして必要な回路導体層９を形成したプリント配線板を作り，
このプリント配線板の所定の位置にチップ抵抗器や積層型のセラミックチップコンデンサー，チップ型のフィルムコンデンサー，さらにはチップインダクターなどの平面接続型のチップ部品１５を搭載してその外部電極端子をプリント配線基板の回路導体層９と銀や銅等のポリマー系の導電接着剤１６を用いて接着固定させることにより電気的に接続した
・周知例７（特開昭６４−７６９６号公報）
　第２図とともに，次の記載がある。
「（産業上の利用分野）
　
本発明はチップ部品を内蔵する高密度実装混成集積回路に関する
（従来の技術）
　エポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂など有機高分子材料を使用していくつかの
回路パターンを多層化し，その下層側にチップ抵抗あるいはチップコンデンサ等の受動素子を内蔵し，その表面部分にＩＣあるいはトランジスタなどの機能部品を搭載した高密度実装混成集積回路がある
「
第２図は従来技術の説明図で，セラミック基板１に例えばポリイミド樹脂導電性厚膜材料による第１層回路導体パターン層２，さらにポリイミド樹脂絶縁性厚膜材料による第１層絶縁層３を交互に積み重ね，第２層回路導体パターン層２’を形成した後導電性のチップ接合層４を介してチップ部品５を接合し，第２層絶縁層３’を構成する
これら導体層，絶縁層を交互に繰返し積み重ね最上層絶縁層３”を介して最上層回路導体パターン層２”にＩＣあるいはトランジスタなどの機能部品を取付ける。
　
（６）審判請求人の主張について
　審判請求人は，請求の理由において，「各引用例には，多層基板の中間層に形成可能なコンデンサの製造方法を開示するものではなく，さらにそのような薄いコンデンサの電極部の接続方法を示唆するものもない。また各周知技術も，電子装置の部品の端子部の接続を熱圧着により行うものを開示するもので，多層基板の中間層にコンデンサを形成して，その端子の接続方法まで開示したものはなく，示唆もしていない。」と主張する。
　しかし，上記（５−５）で検討したように，回路基板を多層構造としたものにおいて，中間の回路基板にコンデンサ等のチップ素子を実装させるようにすることは，本願の出願前において当業者に周知の技術であって，引用発明に係る「コンデンサ部品２２」を「多層回路基板の中間層」に「内蔵させる」ようにすることは，当業者が直ちに考えつくことであり，このほか，本願の補正発明で採用している相違点１〜４に係る構成は，上記（５−１）〜（５−４）で検討したように，それぞれ，補正発明が属する技術の分野において公知の下部電極構造，周知の薄膜形成技術，周知のオーバーコート形成技術，周知の部品固着技術であり，当業者が適宜選択して採用し得るものである。
　補正発明が採用する手段が，「強誘電体によるコンデンサ」を「多層回路基板の中間層」に「内蔵させる」のに適したものであるとしても，このような周知の目的のために既存の公知ないし周知の代替手段の中から好適なものを選択すること自体は，組合せが技術的に困難であるとか，これにより予想できない効果が得られるなどの事情がない限り，当業者に普通に期待できる工夫の範囲内のものと判断される。
　そして，本願の補正発明については，組合せの技術的困難も見当たらず，発明の効果（本願明細書の段落【００５０】の記載）も，引用発明及び上記の周知技術から予想できるものである。
　　
（７）容易想到性についての結論
　したがって，本願の補正発明は，周知技術に照らして，引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　補正却下の結び
　以上のとおり，本願の補正発明は，本願出願前の周知技術に照らして，引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明の容易想到性
１　上記のとおり，本件補正（平成１９年１１月２２日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願発明（補正される前の発明）は，平成１９年６月２２日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項３に記載された，次のとおりのものである。
　
【請求項３】
「チタン薄板の基板表面に真空薄膜形成技術で強誘電体膜を形成し，上記強誘電体膜の表面に所定の上部電極を形成し，この上部電極の表面に樹脂のオーバーコートを真空薄膜形成技術により形成し，この後，上記基板と接続する一方の端子部と上記上部電極と接続する他方の端子部を，樹脂ペーストの導電性塗料を塗布して形成するとともに，これら両端子部がその周囲より突出するように形成し，この両端子部を熱圧着して回路基板の回路パターンに接続する薄型コンデンサの製造方法。」
　
２　引用例１の記載内容，引用発明及び引用例２の記載内容
　引用例１の記載内容，引用発明及び引用例２の記載内容は，前記第２，３（２−１），（２−２），（３）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　前記第２，２（１）で検討したとおり，本願の補正発明（本件補正後の請求項２に係る発明）は，本願発明（本件補正前の請求項３に係る発明）を技術的に限定したものである。逆に言えば，本願発明は，本願の補正発明から当該技術的限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要素をすべて含み，これをより技術的に限定したものである補正発明が，前記第２，３で検討したとおり，周知技術に照らして，引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
第４　結言
　以上のとおり，本願発明は，周知技術に照らして，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。