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　特願２００１−３６９２７８「プラズマ処理装置用耐食性部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年８月９日出願公開、特開２００２−２２２８０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年６月１７日に出願した特願平８−１５５７９８号の一部を平成１３年１２月３日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜４に係る発明は、平成１６年８月２日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】フッ素系腐蝕ガスのプラズマに曝される部位が、周期律表第３ａ族元素の酸化物、窒化物又は炭化物からなり、前記フッ素系腐蝕ガスのプラズマとの反応によって表面に周期律表第３ａ族元素のフッ化物層が形成されることを特徴とするプラズマ処理装置用耐食性部材。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した原出願の出願前に国内において頒布された特開平８−３７１８０号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
（１ａ）「【請求項１】耐付着表面手段を有するエッチング・チェンバと、
上記エッチング・チェンバ内にあり、上記耐付着表面手段に包囲された、デバイスを保持する手段と、上記エッチング・チェンバ内の皮膜形成を阻止するために、上記耐付着表面手段を１００℃ないし６００℃の温度に加熱するための手段と、を具備する、
好ましくない皮膜の付着を防止するプラズマ・エッチング・デバイス。
・・・・
　【請求項７】上記耐付着表面手段が、プラズマ流の中での侵食率の低い材料でコーティングされることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
　【請求項８】上記耐付着表面手段が、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３およびＳｃ２Ｏ３からなるグループから選択した材料でコーティングされることを特徴とする、請求項７に記載の装置。」
（１ｂ）「【００１０】【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エッチング工程の間に、好ましくない皮膜がデバイスの内壁に付着するのを防止する、半導体デバイスをエッチングする方法およびデバイスを提供することにある。
　【００１１】【課題を解決するための手段】本発明のエッチング・デバイスは、耐付着表面を有するエッチング・チェンバと、エッチングすべきデバイスのホルダと、耐付着表面を１００℃ないし６００℃の温度に加熱して、チェンバ壁面への皮膜形成を阻止するヒータとを有する。このエッチング・デバイスはさらに、ホルダを包囲し、しかも基板のエッチングに使用するプラズマを妨害しない耐付着表面を有するものであってもよい。」　
（１ｃ）「【００１２】【実施例】図１に、ダウンストリーム型プラズマ・エッチング・デバイス１を示す。このダウンストリーム型プラズマ・エッチング・デバイス１は、ガス入口３を包囲するプラズマ発生のための電極２を有する。ガス入口３は、ＣＦ４およびＣＨＦ３などのフッ素を含有するガスを供給する。フッ素を含有するガスが電極２を通過すると、ガスはプラズマに変換される。ノズル４は、ガスをエッチング・チェンバ９内に拡散させる。ノズル４と反対側に、エッチング・チェンバ９内には、エッチングされる基板５を保持するホルダ１０がある。出口６も、プラズマを排気するために設けられている。
　【００１３】エッチング・チェンバ９内に、ノズル４とホルダ１０とを包囲する、エッチング・チェンバ９の壁面１５、１６および１７を保護するためのライナ７がある。ライナ７は、加熱することができる耐エッチング性の材料である。ライナ７は、エッチング工程中にライナ７を加熱するために熱源８に接続している。・・・」と記載され、
　図１には、エッチング・チェンバ９の壁面１５、１６および１７として、壁面１５はエッチング・チェンバの側壁面、壁面１６はエッチング・チェンバの上壁面、および壁面１７はエッチング・チェンバの底壁面であることが示されている。
（１ｄ）「【００２６】ライナ７を使用することにより、デバイスの洗浄のための停止時間が短縮し、プラズマ・エッチング・デバイスのエッチングのために使用できる全体時間が増大する。このことは、３００℃に加熱したライナを使用することにより、エッチング・チェンバの壁面１５、１６および１７へのフルオローカーボンを著しく減少させることができるためである。これに伴って、エッチング・チェンバの洗浄のためのデバイスの停止時間を減少させることができる。　　　　　　　　　　
　・・・・・
　【００２９】また、ひとつのエッチング・チェンバは、ガスの励起が高エネルギー・レベルで生じる増大した電力レベルで運転することができる。電力レベルを高くするほど、エッチング速度が高くなるが、フルオローカーボン皮膜の付着も増大する。しかし、フルオローカーボン皮膜の付着は、３００℃に加熱したライナを使用することにより著しく減少する。」
（１ｅ）「【００３７】ライナおよび（または）チェンバの壁面を構成するために使用する材料に加えて、ライナ表面および（または）チェンバの壁面保護コーティングを塗布することができる。たとえば、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３またはＹ２Ｏ３を、露出した表面のコーティング材料として使用することができる。これらの材料は、エッチング工程中に発生するプラズマに対して耐エッチング性を有するために選択される。
　【００３８】上記材料および（または）コーティングの選択は、エッチング工程中の前駆物質ガスの励起によりプラズマ中に生成する基による化学的浸食に耐える材料および（または）コーティング、ならびにエッチング・チェンバ内の表面もしくは材料を剥離させる粒子の生成を防止する能力のある材料および（または）コーティングに基づいて行う。」
（１ｆ）「【００４２】図６は、エッチング・チェンバ内に設けた表面を高温に加熱して得られた結果を示す。シリコン基板を圧力１００ミリトル、エッチング工程中のピーク電圧を約−５８０Ｖでエッチングする。比較のため、ＣＨＦ３（１００％）、ＣＨＦ３／Ｈ２（３０％）およびＣＨＦ３／Ｈ２（５０％）の３種類のガスをプラズマ発生のために使用した。図は、これら３種類のガスを使用して、フルオローカーボン皮膜の付着速度を比較したものである。これら３種類のガスで見られるように、加熱した表面でのフルオローカーボン皮膜の付着速度は、室温で約１０ｎｍ／分であるのに対して、３００℃ではほとんど０であった。さらに、１００℃未満では付着速度の減少がわずかにあるものの、１００℃以上３００℃までまたはそれを超えると、付着速度がかなり減少する。」
　
３．当審の判断
３−１．刊行物記載の発明
　上記刊行物の摘記（１ｃ）には、ダウンストリーム型プラズマ・エッチング・デバイスにおいて、ＣＦ４およびＣＨＦ３などのフッ素を含有するガスを供給し、フッ素を含有するガスが電極２を通過すると、ガスはプラズマに変換されること、エッチング・チェンバ９内には、ノズル４とホルダ１０とを包囲する、エッチング・チェンバ９の壁面１５、１６および１７を保護するためのライナ７があることが記載されている。
　又摘記（１ｅ）には、ライナ表面および（または）チェンバの壁面保護コーティングを塗布することができ、たとえば、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３またはＹ２Ｏ３を、露出した表面のコーティング材料として使用することができること、これらの材料は、エッチング工程中に発生するプラズマに対して耐エッチング性を有するために選択されることが記載されている。
　さらに、摘記（１ｅ）には、上記材料および（または）コーティングの選択は、エッチング工程中の前駆物質ガスの励起によりプラズマ中に生成する基による化学的浸食に耐える材料および（または）コーティング、ならびにエッチング・チェンバ内の表面もしくは材料を剥離させる粒子の生成を防止する能力のある材料および（または）コーティングに基づいて行うことが記載されている。　       
　そこで、上記摘記（１ａ）〜（１ｆ）をまとめると、刊行物には、
「耐付着表面手段を有し、ＣＦ４およびＣＨＦ３などのフッ素を含有するガスを供給し、該ガスをプラズマに変換して処理するためのエッチング・チェンバと、上記エッチング・チェンバ内にあり、上記耐付着表面手段に包囲された、デバイスを保持する手段と、上記耐付着表面手段である、ライナ表面および（または）チェンバの壁面を、プラズマ流の中での侵食率の低い材料であるＹ２Ｏ３またはＳｃ２Ｏ３からなる材料で保護コーティングされるプラズマ・エッチング・デバイス。」（以下、「刊行物記載発明」という。）が記載されているといえる。 
　
３−２．対比・判断
　本願発明と刊行物記載発明とを対比する。
　刊行物記載発明の「ＣＦ４およびＣＨＦ３などのフッ素を含有するガス」、「ライナ表面および（または）チェンバの壁面」、「Ｓｃ２Ｏ３またはＹ２Ｏ３」、及び「プラズマ・エッチング・デバイス」は、それぞれ本願発明の「フッ素系腐食ガス」、「プラズマに曝される部位」、「周期律表第３ａ族元素の酸化物」、及び「プラズマ処理装置」に相当しており、又刊行物記載発明において、プラズマ流の中での侵食率の低い材料であるＹ２Ｏ３またはＳｃ２Ｏ３からなる材料で保護コーティングされたライナ表面および（または）チェンバの壁面は、プラズマ・エッチング・デバイス用耐食部材であることは明らかである。
　そうすると、両者は、「フッ素系腐蝕ガスのプラズマに曝される部位が、Ｓｃ２Ｏ３またはＹ２Ｏ３からなるプラズマ処理装置用耐食性部材」の点で一致し、次の点で一応相違している。
　相違点：本願発明は、フッ素系腐蝕ガスのプラズマとの反応によって表面に周期律表第３ａ族元素のフッ化物層が形成されるとしているのに対し、刊行物記載発明は、このようなフッ素化物が形成されるのか否か明確でない点。
　
　そこで、上記相違点について以下検討する。
　刊行物記載発明では、Ｓｃ２Ｏ３またはＹ２Ｏ３からなるコーティング材料によりライナ表面、エッチング・チェンバ壁面に保護コーティングを施したものであるが、エッチング・チェンバ壁面にはエッチング・チェンバの側壁面、上壁面、および底壁面（摘記（１ｃ））があるから、エッチング・チェンバ内の全ての壁面に保護コーティングを施すことでもあり、プラズマ・エッチング・デバイス内で、ＣＦ４、ＣＨＦ３などのエッチング・ガスのプラズマでエッチング処理を行うと、当該ライナ表面、エッチング・チェンバの全ての壁面の保護コーティングもＣＦ４、ＣＨＦ３などのエッチング・ガスのプラズマに曝されることになる。
　ここで、通常、プラズマ処理装置内の部品はプラズマ励起されたフッ素によってフッ化物になることは、例えば以下に示すとおり周知の事項である。
　周知例１：特開平４−１９１３７９号公報（２頁右下欄１９行〜３頁左上欄１行）
　周知例２：特開平７−３３５６２６号公報（５欄段落【０００６】）
　
　更に、通常、希土類元素の酸化物がフッ素化ガスにより希土類元素のフッ化物が形成されることも、例えば以下に示すとおり周知の事項である。
　周知例３：特開平４−４６０１４号公報（１頁右下欄１９〜２０行、２頁左下欄１４〜１６行、例示として「フッ化スカンジウム」３頁左下欄１３〜１４行）
　周知例４：特開平４−１３１３０８号公報（「フッ化物（ＳｃＦ３）」２頁右上欄２０行〜左下欄７行）
　周知例５：特開平２−２８９４２２号公報（「フッ化イットリウム（ＹＦ３）」２頁左下欄１８〜末行、２頁右下欄９〜１１行）
　
　以上の周知技術を前提に刊行物記載発明をさらに検討すると、刊行物記載発明では、プラズマ・エッチング・デバイス内で、ＣＦ４、ＣＨＦ３などのエッチング・ガスのプラズマでエッチング処理を行なうと、当該ライナ表面、エッチング・チェンバ壁面の保護コーティングも該エッチング・ガスのプラズマに曝され、その結果、ＣＦ４、ＣＨＦ３などのプラズマ状態のエッチング・ガスに曝されたＳｃ２Ｏ３またはＹ２Ｏ３からなるコーティング材料の表面には、如何なる厚みの層かはともかく、化学反応によりＳｃまたはＹのフッ素化層は形成されるものである。
　そうすると、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　
　請求人は、審判請求書の平成１７年２月１７日付手続補正書において、「引用文献では、図６からも明らかなように、ライナをフッ素系腐蝕性ガスに曝した際のフルオローカーボン皮膜の付着速度が全て正の値を示しており（引用文献、段落００４２、図６参照）、瞬時にフルオローカーボン皮膜が形成されていることが明らかです。」（３頁８〜１１行）、「即ち、同様なフッ素系腐蝕性ガスに曝されても、印加する電圧等の各条件によりプラズマ状態が異なるため、このプラズマ状態の違いにより、部材にはエッチングされる部位とフルオローカーボン皮膜が形成される部位を有します。ここで、引用文献はフルオローカーボン皮膜が形成される部位に限定された部材であるのに対し、本願発明はエッチングにより、フッ素系腐蝕ガスのプラズマとの反応によって表面に部材を構成する原子である周期律表第３ａ族元素のフッ化物層からなる反応層が形成される部位に限定した部材であり、両者は全く異なるものです。」（３頁２０〜２６行）と主張している。
　しかしながら、摘記（１ｆ）のとおり、エッチング・チェンバ内に設けた表面を高温に加熱して得られた結果として、３種類のガスを使用して、フルオローカーボン皮膜の付着速度を比較すると、加熱した表面でのフルオローカーボン皮膜の付着速度は、室温で約１０ｎｍ／分であるのに対して、３００℃ではほとんど０であったことが記載されているから、請求人が主張するように瞬時にフルオローカーボン皮膜が形成されるものとは考えられない。　又印加する電圧等の各条件によりプラズマ状態が異なるため、このプラズマ状態の違いにより、部材にはエッチングされる部位とフルオローカーボン皮膜が形成される部位を有るとしても、本願明細書には、これらの各条件のみならず、どの程度のフッ化物層が形成されているかは何ら記載されておらず、又本願発明は「フッ化物層が形成される」としか限定していないものである。
　そうすると、刊行物記載発明は、加熱した表面でのフルオローカーボン皮膜の付着がほとんど０であるとしているから、フルオローカーボン皮膜の形成はわずかであって、該皮膜が形成されるまでは、堆積反応とエッチング反応は同時に起こっているものと考えられ、フッ素との反応によりフッ化物層は少なくとも形成されるものである。そして、刊行物記載発明では、エッチング・チェンバの全ての壁面に保護コーティングが施されている場合もあるのであるから、両者において、部位としては異なるものでもない。
　よって、上記請求人の主張は、採用することができない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。