Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月22日(2011.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学基材と、
前記光学基材の表面に積層された透光性の機能層と、を含み、
前記機能層の反射率のｋ空間における周期Ｐｋ（ｎｍ−１）が３．６６×１０−５以下である、光学物品。
【請求項２】
請求項１に記載の光学物品において、
さらに、前記周期Ｐｋが３．０３×１０−５以下である、
光学物品。
【請求項３】
請求項２に記載の光学物品において、
さらに、前記周期Ｐｋが２．０８×１０−５以下である、
光学物品。
【請求項４】
請求項３に記載の光学物品において、
さらに、前記周期Ｐｋが１．５９×１０−５以下である、
光学物品。
【請求項５】
請求項４に記載の光学物品において、
さらに、前記周期Ｐｋが１．３９×１０−５以下である、
光学物品。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか1項に記載の光学物品において、
前記周期Ｐｋが２．６３×１０−６以上である、
光学物品。
【請求項７】
請求項６において、前記周期Ｐｋが５．２６×１０−６以上である、
光学物品。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか1項に記載の光学物品と、
前記眼鏡レンズが装着されたフレームと、
を含む、眼鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月22日(2011.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学基材と、
前記光学基材の表面に積層された機能層とを有し、
前記機能層の厚みＴμｍが以下の条件を満たす、光学物品。
６．５ｄｎ＋４．０≦Ｔ≦１００
ただし、厚みＴは５μｍより大きく、ｄｎは前記光学基材と前記機能層との境界における屈折率差であり、以下の条件を満たす。
０．０６≦ｄｎ≦０．４
【請求項２】
請求項１において、
さらに、前記機能層の厚みＴが以下の条件を満たす、光学物品。
１０．４ｄｎ＋４．０≦Ｔ≦１００
【請求項３】
請求項２において、
さらに、前記機能層の厚みＴが以下の条件を満たす、光学物品。
１８．７ｄｎ＋４．２≦Ｔ≦１００
【請求項４】
請求項３において、
さらに、前記機能層の厚みＴが以下の条件を満たす、光学物品。
２８．７ｄｎ＋４．３≦Ｔ≦１００
【請求項５】
請求項４において、
さらに、前記機能層の厚みＴが以下の条件を満たす、光学物品。
３５．２ｄｎ＋４．４≦Ｔ≦１００
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記機能層の厚みＴは５０μｍ以下である、光学物品。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記機能層はハードコート層を含む、光学物品。
【請求項８】
プラスチックレンズ基材と、
前記プラスチックレンズ基材の表面に積層された機能層と、
を含む眼鏡レンズと、
前記眼鏡レンズが装着されたフレームと、を含み、
前記機能層の厚みＴμｍが以下の条件を満たす、眼鏡。
６．５ｄｎ＋４．０≦Ｔ≦１００
ただし、厚みＴは５μｍより大きく、ｄｎは前記光学基材と前記機能層との境界における屈折率差であり、以下の条件を満たす。
０．０６≦ｄｎ≦０．４
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極毎に設けられた薄膜トランジスタと、
前記画素電極と前記薄膜トランジスタとの間の層に配置されており、平面的に見て前記画素電極に重なる第１導電部と、
前記画素電極と前記薄膜トランジスタのドレイン領域との間を電気的に接続する第２導電部とを備え、
前記第１導電部は、開口領域又は切り欠き領域を有し、前記第２導電部は、前記開口領域又は前記切り欠き領域に配置される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２導電部は、前記第１導電部と同じ透明な導電性材料からなる部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２導電部は、前記画素電極に電気的に接続された第１中継部と、前記第１中継部と前記薄膜トランジスタのドレイン領域との間を電気的に接続する第２中継部とを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１中継部は、前記透明な導電性材料で充填された第１コンタクトホールを介して前記画素電極と前記第２中継電極との間を電気的に接続していることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２中継電極は、非透過領域に配置された第２コンタクトホールを介して前記第１中継電極と前記薄膜トランジスタのドレイン領域との間を電気的に接続していることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記画素電極及び前記第１導電部は、容量絶縁膜を介して対向配置されることにより保持容量を形成することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極、前記第１導電部及び前記第１中継部は共に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、複数の画素電極と、前記複数の画素電極毎に設けられた薄膜トランジスタと、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとの間の層に配置されており、平面的に見て前記画素電極に重なる第１導電部と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタのドレイン領域との間を電気的に接続する第２導電部とを備え、前記第１導電部は、開口領域又は切り欠き領域を有し、前記第２導電部は、前記開口領域又は前記切り欠き領域に配置されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチパネルに対する操作に応じて特定の機能の設定値を設定する設定手段と、
振動を発生する振動発生手段と、
前記設定手段で設定された設定値で前記特定の機能を制御した結果の評価値を取得する取得手段と、
前記設定手段で設定された設定値と前記取得手段によって取得した評価値との一方に基づいて前記振動発生手段が発生する振動の振幅を決定し、他方に基づいて前記振動の周期を決定する制御手段と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記タッチパネルに対する操作に応じて前記設定手段が設定可能な前記設定値に関する説明及び前記振動発生手段によりどのような振動が発生するかの説明を表示手段に表示するように制御する表示制御手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
撮像手段と、自動焦点調節開始の操作を受け付ける受付手段とを更に有し、
前記制御手段は、前記受付手段で前記自動焦点調節開始の操作を受け付けた後に、前記振動発生手段が発生する振動の振幅と周期を決定し、決定した前記振幅と周期での振動を前記振動発生手段に発生させるように制御することを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記受付手段で前記自動焦点調節開始の操作を受け付けた後に前記設定手段による設定値の調節を可能とするか否かをユーザーからの操作に応じて選択する選択手段を更に有することを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記選択手段で、前記調節が不可と選択された場合は、前記受付手段で前記自動焦点調節開始の操作を受け付けると、前記タッチパネルに対する操作を無効とするように制御することを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記設定手段は、前記受付手段で前記自動焦点調節開始の操作を受け付けてからの前記タッチパネルに対するタッチ位置の初期位置に対するタッチ位置の変移に基づいて前記設定値を設定することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記設定値は自動焦点調節の追従敏感度であり、
前記取得手段は合焦度を取得し、
前記電子機器は撮像装置であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記自動焦点調節は位相差検出方式を利用し、
前記合焦度は、前記位相差検出方式における２つの像の一致度と、過去の焦点検出結果に基づく焦点の予測可能性の組み合わせから得られることを特徴とする請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記取得手段は、加速度センサからの出力に基づいて手ぶれ状態に関する評価値を取得し、
前記設定値は前記加速度センサの検出結果にハイパスフィルタをかけるための閾値であり、
前記電子機器は撮像装置であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
タッチパネルに対する操作に応じて特定の機能の設定値を設定する設定ステップと、
前記設定ステップで設定された設定値で前記特定の機能を制御した結果の評価値を取得する取得ステップと、
前記設定ステップで設定された設定値と前記取得ステップによって取得した評価値との一方に基づいて振動発生手段に発生させる振動の振幅を決定し、他方に基づいて前記振動の周期を決定する制御ステップと、
前記制御ステップで決定した振幅と周期で前記振動発生手段に振動を発生させる振動発生ステップと、
を有することを特徴とする電子機器の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一側面としての電子機器は、タッチパネルに対する操作に応じて特定の機能の設定値を設定する設定手段と、振動を発生する振動発生手段と、前記設定手段で設定された設定値で前記特定の機能を制御した結果の評価値を取得する取得手段と、前記設定手段で設定された設定値と前記取得手段によって取得した評価値との一方に基づいて前記振動発生手段が発生する振動の振幅を決定し、他方に基づいて前記振動の周期を決定する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ＳＷ１（２１５）とＳＷ２（２１６）は、ＭＰＵ２０７の割り込みポートに接続されており、ＯＮ／ＯＦＦの変化を検知することができる。ＴＣＨＰ２１４は、表面にタッチセンサを備えたＴＦＴ液晶に振動発生装置を接続して触覚で感知する振動を伝えることができるようになっているタッチパネルである。タッチパネル２１４は、図２で示すように、ＤＳＰ２１８の上に覆いかぶさっている透明な部材である。ＶＤＲ１（２２１）とＶＤＲ２（２２２）は、それぞれ振動源ＶＢＲ１（２２３）とＶＢＲ２（２２４）を振動させるための第１の振動ドライバと第２の振動ドライバである。ＶＤＲ１（２２１）とＶＤＲ２（２２２）の一方は、タッチパネルが設定した範囲に応じた設定値を振動の周期で表現する値に変換する。ＶＤＲ１（２２１）とＶＤＲ２（２２２）の他方は、ＭＰＵ２０７による合焦度の評価結果を振動の振幅で表現する値に変換する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接近する手指および当該手指の接触による入力を検出する情報入力手段と、
情報入力を行うための情報を表示する表示手段と、
前記手指が前記情報入力手段に対して所定圏内において検出された場合に、当該手指の位置に応じて前記表示手段における表示情報を拡大して表示する表示制御手段とを有し、
前記表示制御手段は、前記表示情報が拡大表示された状態で当該表示情報に対応する手指の接触による入力が行われたら、拡大表示を終了して当該拡大表示される前の初期表示状態に戻すととともに、前記表示情報が拡大表示された状態で当該表示情報に対応する手指の接触による入力が行われずに前記手指が所定圏外になったときにも、拡大表示を終了して当該拡大表示される前の初期表示状態に戻すことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
接近する手指および当該手指の接触による入力を検出する情報入力手段と、
情報入力を行うための情報を表示する表示手段と、
前記手指が前記情報入力手段に対して所定圏内において検出された場合に、当該手指の位置に応じて前記表示手段における表示情報を拡大して表示する表示制御手段とを有し、
前記表示制御手段は、前記手指が所定圏内において所定時間経過して検出された場合は、当該手指の位置に応じて表示情報を拡大して表示し、前記所定時間経過する前に前記手指の接触による入力が検出される場合は、表示情報を拡大表示しないように制御することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
前記情報入力手段は、前記接近する手指までの距離を検出し、
前記表示制御手段は、前記手指までの距離に応じた複数段階の拡大率で前記表示手段における表示情報を拡大して表示することを特徴とする請求項1または2に記載の電子機器。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記表示手段おける表示情報が拡大表示された状態で、前記手指の移動が検出されたら、当該手指の移動に応じて前記拡大表示された表示情報をスクロールさせて表示することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＸ電極と複数のＹ電極と複数のＺ電極を備える静電容量タッチパネルにおいて、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極は、第１の絶縁層を介して交差しており、それぞれ、延在方向にパッド部と細線部とが交互に並ぶようにして形成され、平面的に観た場合に、前記Ｘ電極のパッド部と前記Ｙ電極のパッド部は重畳することなく配置され、
前記Ｚ電極は、平面的に観た場合に、隣接する前記Ｘ電極と前記Ｙ電極の両方に重畳するように、第２の絶縁層を介して形成されており、
前記複数のＺ電極は、互いに電気的にフローティングで、
前記Ｘ電極またはＹ電極の一方の電極に順次パルス信号を印加し、他方の電極から信号の変化を検出することを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記第２の絶縁層は、押圧により厚さが変化することを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記第２の絶縁層は、弾性絶縁材料により形成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記Ｘ電極のパッド部は、該Ｘ電極と隣接するＸ電極の細線部付近まで延在し、
平面的に観た場合に、該Ｘ電極のパッド部における形状は、前記隣接する一方のＸ電極の細線部付近で面積が最小となり、該Ｘ電極の細線部付近で面積が最大となり、
該Ｘ電極の細線部付近から前記隣接する他方のＸ電極の細線部付近へかけて、該パッド部の面積が減少することを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記Ｘ電極のパッド部は、該Ｘ電極と隣接するＸ電極の細線部付近まで延在し、
前記Ｘ電極のパッド部の形状は、平面的に観た場合に、前記隣接する両方のＸ電極の細線部付近で電極幅が最小となり、Ｘ電極の細線部付近で電極幅が最大となり、
前記Ｙ電極のパッド部の形状は、平面的に見た場合に、前記Ｘ電極が延在する方向の幅が、前記Ｙ電極の延在する方向に対して一定であり、
前記Ｘ電極のパッド部と前記Ｙ電極のパッド部は、平面的に見た場合に、前記Ｘ電極が延在する方向に交互に配置されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項６】
隣接する２本の前記Ｘ電極のパッド部において、パッド部の形状は隣接するＸ電極に向かって凸型形状であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項７】
隣接する３本の前記Ｘ電極のパッド部において、該パッド部の形状は隣接する一方のＸ電極に向かって凸型形状で、他方のＸ電極に向かって凹型形状であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記Ｚ電極は、前記Ｘ電極の延在方向に沿った複数のスリットにより分割され、また前記Ｙ電極の延在方向に沿った複数のスリットにより分割されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記Ｚ電極は、前記Ｘ電極の延在方向に沿った複数のスリットにより分割され、前記Ｙ電極が延在する方向に沿った前記Ｚ電極のスリットは、平面的に観た場合に、前記Ｙ電極上に１本ずつ設けられ、また前記Ｘ電極上に１本ずつ設けられることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記Ｚ電極は、前記Ｘ電極の延在方向に沿った複数のスリットにより分割され、前記Ｙ電極が延在する方向に沿った前記Ｚ電極のスリットは、平面的に観た場合に、前記Ｙ電極上に１本ずつ設けられることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
前記Ｚ電極は、前記Ｘ電極の延在方向に沿った複数のスリットにより分割され、前記Ｙ電極が延在する方向に沿った前記Ｚ電極のスリットは、平面的に観た場合に、前記Ｘ電極上に１本ずつ設けられることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項１２】
複数のＸ電極と複数のＹ電極、およびＺ電極を備え、表示領域上におけるタッチ位置座標を静電容量結合方式にて検出する静電容量タッチパネルにおいて、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極は、第１の絶縁層を介して交差されており、それぞれ、その延在方向にパッド部と細線部とが交互に並ぶようにして形成され、平面的に観た場合に、前記Ｘ電極のパッド部と前記Ｙ電極のパッド部は重畳することなく配置され、
前記Ｚ電極は、平面的に観た場合に、前記複数のＸ電極と前記複数のＹ電極の両方に重畳するように、第２の絶縁層を介して形成されており、
前記Ｚ電極は、電気的にフローティングであり、
前記Ｘ電極またはＹ電極の一方の電極に順次パルス信号を印加し、他方の電極から信号の変化を検出することを特徴とするタッチパネル。
【請求項１３】
前記Ｚ電極は、高抵抗であることを特徴とする請求項１２に記載のタッチパネル。
【請求項１４】
前記Ｚ電極は、ベタ電極であることを特徴とする請求項１２に記載のタッチパネル。
【請求項１５】
複数のＸ電極と複数のＹ電極、及び複数または１つのＺ電極を備え、表示領域上におけるタッチ位置座標を静電容量結合方式にて検出する静電容量タッチパネルにおいて、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極は、第１の絶縁層を介して交差されており、それぞれ、その延在方向にパッド部と細線部とが交互に並ぶようにして形成され、平面的に観た場合に、前記Ｘ電極のパッド部と前記Ｙ電極のパッド部は重畳することなく配置され、
前記Ｚ電極は、平面的に観た場合に、前記Ｘ電極と前記Ｙ電極の両方に重畳するように、第２の絶縁層を介して形成されており、
前記複数または１つのＺ電極は、電気的にフローティングであり、
前記第２の絶縁層は、圧力により体積が変化する気体で形成され、
前記Ｘ電極またはＹ電極の一方の電極に順次パルス信号を印加し、他方の電極から信号の変化を検出することを特徴とするタッチパネル。
【請求項１６】
前記第２の絶縁層は、空気であることを特徴とする請求項１５に記載のタッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タッチパネル
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電容量結合方式のタッチパネルを備え、
前記静電容量結合方式のタッチパネルは、複数のＸ電極と、
前記Ｘ電極と交差する複数のＹ電極と、
前記Ｘ電極の両端と前記Ｙ電極の両端から信号を供給する周辺配線とを有し、
前記Ｘ電極とＹ電極とは、互いに重なり合う交差部と、２つの交差部間に形成された電極部とを有し、
前記周辺配線は、前記タッチパネルの入力領域の周囲に形成され、
前記周辺配線は、透明導電層と、
前記透明導電層上に形成される金属層とで形成され、
前記周辺配線の前記透明導電層の幅をＷ１、前記金属層の幅をＷ２とするとき、Ｗ１はＷ２以下であることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記静電容量結合方式のタッチパネルは、裏面に形成された裏面電極と、
前記周辺配線と接続部で接続されるフレキシブル基板とを有し、
前記静電容量結合方式のタッチパネルの前面で前記接続部に隣接し、かつ周辺配線の外側に裏面接続用端子を形成し、
前記裏面接続用端子と前記裏面電極とを導電部材で接続したことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記裏面電極に接続される導電部材を導電テープで形成したことを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記導電部材と前記裏面接続用端子とは異方性導電膜で接続されることを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記裏面電極を透明導電膜で形成することを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記Ｙ電極の電極部の面積は前記Ｘ電極の電極部の面積よりも小さく、前記Ｘ電極またはＹ電極の電極部に近接してダミー電極が形成されたことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記Ｘ電極の電極部と、前記Ｙ電極の電極部とは、同層に形成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記静電容量結合方式のタッチパネルに重ねて配置された前面パネルを備えることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記前面パネルに凹部を形成して、前記凹部に前記静電容量結合方式のタッチパネルを収納することを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記タッチパネルは、長辺と短辺とを有し、
前記Ｙ電極は、前記長辺に沿って形成され、
前記Ｘ電極は前記短辺に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
静電容量結合方式のタッチパネルを備え、
前記静電容量結合方式のタッチパネルは、複数のＸ電極と、
前記Ｘ電極と交差する複数のＹ電極と、
前記Ｘ電極の両端と前記Ｙ電極の両端から信号を供給する周辺配線とを有し、
前記周辺配線は、前記タッチパネルの入力領域の周囲に形成され、
前記周辺配線は、透明導電層と、
前記透明導電層上に形成される金属層とで形成されるタッチパネルの製造方法であって、
基板の第１主面上の全面に透明導電層を形成する工程１と、
前記透明導電層上に選択的に金属膜を形成する工程２と、
前記金属膜と前記金属膜が形成されていない部分の前記透明導電層上に、前記周辺配線、前記Ｘ電極および前記Ｙ電極のパターン状にホトレジスト膜を形成する工程３と、
前記ホトレジスト膜をマスクにして前記金属膜をエッチングする工程４と、
前記工程４に続いて、前記ホトレジスト膜をマスクにして前記透明導電層をエッチングする工程５とを有することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記透明導電層は、ＩＴＯであり、
前記金属膜は、銀合金膜であることを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記静電容量結合方式のタッチパネルは、裏面に形成された裏面電極を有し、
前記工程５の後に、基板の第１主面と反対側に第２主面上の全面に透明導電層から成る裏面導電膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タッチパネルおよびタッチパネルの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本実施例のタッチパネル４００の金属膜成膜時の概略図を図１０、図１１に示す。
スパッタ法を用いてガラス基板上全面に、第１のＩＴＯ膜を１５ｎｍ成膜する。次に、ＩＴＯ付ガラス基板５に、厚さ０．１ｍｍ程度のステンレス板６０を、表面に接触しないように重ねる。図１１に示すように、このステンレス板６０には、タッチパネル周辺の配線６を形成する部分に対応した開口６１があいており、金属膜成膜時のスパッタマスクとして機能する。スパッタマスクとして機能するステンレス板６０越しに、銀合金を２００ｎｍ成膜する。
これにより、図１０に示すように、銀合金の成膜終了後、前記ガラス基板表面には全面のＩＴＯ膜１４の上に配線形成領域のみに銀合金膜１５を成膜した状態となる。
次に、本実施例のタッチパネル４００の製造方法を図１２から図２０を用いて説明する。
始めに、図１２、図１３を用いて第１の工程を説明する。図１２に示すように、ガラス基板５上に、ＩＴＯ膜を１５ｎｍ成膜する。続いて、スパッタマスクとして機能するステンレス板６０を用い、図１３に示すように、配線形成予定の部分のみに銀合金膜１５を２００ｎｍ成膜する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月22日(2011.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示手段に複数の画像を表示させる表示制御手段と、
前記複数の画像の一部を指定するための情報を入力する入力手段と、
入力された情報との関連度に従って、各々の画像を消去する速度またはタイミングを設定する設定手段と、
設定された速度またはタイミングに従って、表示手段から前記画像を消去する消去手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
更に、前記複数の画像を複数のグループに分類する分類手段を備え、
前記表示制御手段は、複数の画像をグループ毎に表示し、
前記設定手段は、各々の画像に対して、グループ毎に前記情報との関連度を設定し、
前記消去手段は、低い関連度が設定されたグループに分類された画像から順に消去することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
更に、前記消去手段が画像を消去している間に、第２の情報が入力された場合、入力された第２の情報との関連度に従って、各々の画像を消去する速度を再設定する再設定手段を備え、
前記消去手段は、再設定された速度に従って、低い関連度が関連づけられた画像から順に表示手段から消去することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
消去の対象となる画像を表示手段から消去する際にアニメーションを用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
消去の対象となる画像を移動させながら消去することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
関連度に従って、低い関連度が設定された画像ほど速く動かして、消去することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
更に、前記消去手段が画像を消去している間に、画像を消去する処理を中断する中断手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記表示制御手段は、前記情報によって指定された画像を強調して表示させることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記グループの一つを消去する場合、当該グループに含まれる画像を拡大して表示させた後、アニメーションを用いて、表示手段から前記画像を消去する消去手段を備えることを特徴とする請求項２または請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
情報処理装置を制御する制御方法であって、
表示制御手段が、表示手段に複数の画像を表示させる表示制御工程と、
入力手段が、前記複数の画像の一部を指定するための情報を入力する入力工程と、
設定手段が、入力された情報との関連度に従って、各々の画像を消去する速度またはタイミングを設定する設定工程と、
消去手段が、設定された速度またはタイミングに従って、表示手段から前記画像を消去する第１の消去工程とを有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
再設定手段が、前記第１の消去手段が画像を消去している間に、第２の情報が入力された場合、入力された第２の情報との関連度に従って、各々の画像を消去する速度を再設定する再設定工程と、
消去手段が、再設定された速度に従って、低い関連度が関連づけられた画像から順に表示手段から消去する第２の消去工程とを有することを特徴とする請求項１０に記載の制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１乃至９の何れか１項に記載の情報処理装置が有する各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプログラムを記憶した記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置及びその制御方法、プログラム及び記憶媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の印刷ジョブを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記複数の印刷ジョブを順次、印刷装置に送信する送信手段と、
前記送信手段により送信されて前記印刷装置で印刷待機状態にある複数の印刷ジョブに関係する第１の総量を取得する取得手段と、
前記第１の総量が上限値以上である場合であっても、前記送信手段により送信された複数の印刷ジョブに関係する第２の総量が閾値未満である場合には、当該送信を継続するように前記送信手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記第１の総量および前記第２の総量は、印刷ジョブの数と、印刷ジョブに基づいて印刷されるページ数と、印刷ジョブに対応するファイルサイズのうちのいずれかである、ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第２の総量が前記閾値以上であっても、前記送信手段により送信された前記複数の印刷ジョブに基づいて印刷を終了するのに必要な時間が予め定められた時間よりも短い場合には、当該送信を継続するように前記送信手段を制御する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第２の総量が前記閾値以上であっても、前記送信手段により送信された前記複数の印刷ジョブが予め定められた優先度よりも高い優先度を有する場合には、当該送信を継続するように前記送信手段を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、印刷を指示したユーザ数が予め定められた数以上である場合に、前記印刷ジョブの送信を停止するように前記送信手段を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記予め定められた数は、前記印刷装置の排紙トレイの数と、前記印刷装置において使用されていない排紙トレイの数とのうちのいずれかである、ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置と、
ネットワークを介して前記情報処理装置と通信可能な前記印刷装置と、を含むことを特徴とする情報処理システム。
【請求項８】
複数の印刷ジョブを記憶する記憶手段を備えた情報処理装置において実行される情報処理方法であって、
前記情報処理装置の送信手段が、前記記憶手段に記憶された前記複数の印刷ジョブを順次、印刷装置に送信する送信工程と、
前記情報処理装置の取得手段が、前記送信工程において送信されて前記印刷装置で印刷待機状態にある複数の印刷ジョブに関係する第１の総量を取得する取得工程と、
前記情報処理装置の制御手段が、前記第１の総量が上限値以上である場合であっても、前記送信工程において送信された複数の印刷ジョブに関係する第２の総量が閾値未満である場合には、当該送信を継続するように前記送信工程を制御する制御工程と、
を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る情報処理装置は、複数の印刷ジョブを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記複数の印刷ジョブを順次、印刷装置に送信する送信手段と、前記送信手段により送信されて前記印刷装置で印刷待機状態にある複数の印刷ジョブに関係する第１の総量を取得する取得手段と、前記第１の総量が上限値以上である場合であっても、前記送信手段により送信された複数の印刷ジョブに関係する第２の総量が閾値未満である場合には、当該送信を継続するように前記送信手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、印刷制御装置における印刷データの蓄積量に応じて、印刷制御装置から、印刷データの転送を要求する信号または印刷データの転送停止を要求する信号を送信する技術が実現されている（特許文献２）。
［特許文献１]特開平０９−０７３３７４号公報
［特許文献２]特開平０９−３０７５９３号公報
［発明の開示］
［発明が解決しようとする課題］
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法、プログラム、並びに、情報処理システム
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シミュレーション方法、システム、プログラム及び記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はシミュレーション方法、システム、プログラム及び記憶媒体に関する。特に、ソフトウェアの動作を検証するために独立プロセスとして動作する複数のシミュレータを中間インタフェースを介して連携動作させ、１つのシステムとして動作させるシミュレーション方法及びそのシステムに関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月8日(2012.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面上に形成された光を発振する活性層を含む積層半導体層のうちの最表面の半導体層であって、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる前記半導体層の表面に、ＩｎＡｓ又はＩｎＧａＡｓからなる接合層を形成する工程と、
前記半導体層の表面を、前記接合層を介して、前記活性層が発振する光を導波する導波路を有する基板のＳｉ面に接合させる工程と、を有し、
前記接合層を形成する工程は、前記半導体層の表面と前記基板のＳｉ面とを接合させた後において、前記活性層が発振する光のエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するような前記接合層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接合層を形成する工程は、ＩｎＡｓ又はＩｎＧａＡｓの複数の量子ドットからなる前記接合層を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接合層を形成する工程は、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる前記接合層を形成することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接合層を形成する工程は、前記活性層が発振する光の波長が１．３μｍ帯である場合に、前記半導体層の表面と前記基板のＳｉ面とを接合させた後において、前記接合層の厚みが５原子層厚以下となるような量のＩｎＡｓを供給することで、前記接合層を形成することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面上に設けられた光を発振する活性層を含む積層半導体層のうちの最表面の層であり、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層の表面に設けられ、前記活性層が発振する光のエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する、ＩｎＡｓ又はＩｎＧａＡｓからなる接合層と、
前記活性層が発振する光を導波する導波路を有し、前記接合層を介して、前記半導体層の表面にＳｉ面が接合した基板と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記接合層はＩｎＡｓ薄膜層であり、前記活性層が発振する光の波長は１．３μｍ帯であり、前記接合層の厚みは５原子層厚以下であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項５または６記載の半導体装置を含むことを特徴とする集積基板。
【請求項８】
請求項５または６記載の半導体装置を含むことを特徴とする光モジュール。
【請求項９】
請求項５または６記載の半導体装置を含むことを特徴とする光通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面上に形成された光を発振する活性層を含む積層半導体層のうちの最表面の半導体層であって、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる前記半導体層の表面に、ＩｎＡｓ又はＩｎＧａＡｓからなる接合層を形成する工程と、前記半導体層の表面を、前記接合層を介して、前記活性層が発振する光を導波する導波路を有する基板のＳｉ面に接合させる工程と、を有し、前記接合層を形成する工程は、前記半導体層の表面と前記基板のＳｉ面とを接合させた後において、前記活性層が発振する光のエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するような前記接合層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と基板とが剥がれることを抑制できる。また、活性層が発振する光が、接合層で吸収されることを抑制できるため、光強度の強い光が、基板に設けられた導波路で導波することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記構成において、前記接合層を形成する工程は、ＩｎＡｓ又はＩｎＧａＡｓの複数の量子ドットからなる前記接合層を形成する構成とすることができる。この構成によれば、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層の表面と基板のＳｉ面とを接合させた後において、接合層が、活性層が発振する光のエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有することを容易に実現できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面上に設けられた光を発振する活性層を含む積層半導体層のうちの最表面の層であり、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と、前記半導体層の表面に設けられ、前記活性層が発振する光のエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する、ＩｎＡｓ又はＩｎＧａＡｓからなる接合層と、前記活性層が発振する光を導波する導波路を有し、前記接合層を介して、前記半導体層の表面にＳｉ面が接合した基板と、を具備することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と基板とが剥がれることを抑制できる。また、活性層が発振する光が、接合層で吸収されることを抑制できるため、光強度の強い光が、基板に設けられた導波路を導波することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、
前記金属支持基板、前記絶縁層、前記配線層および前記カバー層を有する第一構造部と、前記第一構造部から連続的に形成され、前記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、
前記第一構造部および前記第二構造部の境界領域において、平面視上、前記配線層の端部から前記絶縁層の端部までの幅、および、前記配線層の端部から前記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きいことを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記境界領域において、前記絶縁層の端部の位置と、前記カバー層の端部の位置とが、一致していることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記絶縁層および前記カバー層の少なくとも一方に、平面視上、前記境界領域を含むように、曲線構造部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、
前記金属支持基板、前記絶縁層、前記配線層および前記カバー層を有する第一構造部と、前記第一構造部から連続的に形成され、前記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有し、
前記第一構造部および前記第二構造部の境界領域において、平面視上、前記配線層の端部から前記絶縁層の端部までの間に、補助配線層が形成され、
前記金属支持基板が、素子を実装するタング部と、前記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有し、
前記配線層は、平面視上、前記タング部および前記アウトリガー部の間に形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項５】
前記補助配線層の表面が、前記カバー層で覆われていることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
前記補助配線層の表面に、配線めっき部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
前記補助配線層の端部の位置と、前記絶縁層の端部の位置とが、一致していていることを特徴とする請求項４から請求項６までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項８】
前記境界領域において、平面視上、前記配線層の端部から前記絶縁層の端部までの幅、および、前記配線層の端部から前記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きいことを特徴とする請求項４から請求項７までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
前記金属支持基板が、素子を実装するタング部と、前記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有し、
前記配線層は、平面視上、前記タング部および前記アウトリガー部の間に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１０】
前記金属支持基板が、前記タング部および前記アウトリガー部を連結するクロスバーを有し、
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記クロスバーであることを特徴とする請求項４から請求項９までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１１】
前記金属支持基板が、アウトリガー部の前記タング部側の端面にトレースサポートタブを有し、
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記トレースサポートタブであることを特徴とする請求項４から請求項１０までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１２】
前記金属支持基板が、前記アウトリガー部の根元を支持するベース部を有し、
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記ベース部であることを特徴とする請求項４から請求項１１までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１３】
前記第一構造部の前記金属支持基板が、前記タング部であることを特徴とする請求項４から請求項１２までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項１４】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層と、前記金属支持基板、前記絶縁層、前記配線層および前記カバー層を有する第一構造部と、前記第一構造部から連続的に形成され、前記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記第一構造部および前記第二構造部の境界領域において、平面視上、前記配線層の端部から前記絶縁層の端部までの幅、および、前記配線層の端部から前記カバー層の端部までの幅の少なくとも一方が局所的に大きくなるように、前記絶縁層および前記カバー層の少なくとも一方を形成する工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１５】
前記境界領域において、前記絶縁層の端部の位置と、前記カバー層の端部の位置とが一致するように、前記絶縁層および前記カバー層を形成することを特徴とする請求項１４に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１６】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層と、前記金属支持基板、前記絶縁層、前記配線層および前記カバー層を有する第一構造部と、前記第一構造部から連続的に形成され、前記金属支持基板が存在しない第二構造部とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記第一構造部および前記第二構造部の境界領域において、平面視上、前記配線層の端部から前記絶縁層の端部までの間に、補助配線層を形成する配線層形成工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１７】
前記配線層形成工程において、前記配線層および前記補助配線層を同時に形成することを特徴とする請求項１６に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１８】
素子を実装するタング部と、前記タング部の外側に位置するアウトリガー部とを有する前記金属支持基板を形成し、
平面視上、前記タング部および前記アウトリガー部の間に、前記配線層を形成することを特徴とする請求項１４から請求項１７までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月26日(2012.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
市場において取引される商品に関する市場情報を表示する方法であって、
ある商品の価格レベルをある範囲で統合し、統合価格レベルを生成するステップと、
統合価格レベルに対応する複数の価格レベルの範囲に含まれる複数の数量インジケータを統合したものを表す統合数量インジケータを生成するステップと、
統合価格レベルに関連した統合数量インジケータを電子取引システムのユーザインターフェスの価格軸であって、商品の複数の統合価格レベルを含み、各統合価格レベルが複数の価格レベルの範囲に対応した位置に示される価格軸上に表示するステップと、
注文入力領域における複数の位置であって、それぞれの位置が価格軸上の一つの統合価格レベルに対応し、それぞれの位置に対し、ユーザ入力装置による単一アクションコマンド受け付けると、商品の取引注文に関する複数のパラメータが設定され、取引注文を電子取引所に送信される、注文入力領域における複数の位置を表示するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
更に、
複数の統合価格レベルにおける各統合価格レベルは、複数の価格レベルのある範囲に対応するよう、複数の統合価格レベルを生成するステップと、
複数の統合価格レベルの各統合価格レベルに対し、複数の価格レベルに対応する範囲の位置であって、上記価格軸上の位置に統合価格レベルを表示するステップと、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記統合価格レベルで示される価格レベルの範囲は、調整可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記統合数量インジケータは、複数のビッド数量値を表す統合ビッド数量インジケータである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記統合数量インジケータは、複数のアスク数量値を表す統合アスク数量インジケータである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のビッド数量値は、複数のビッド数量値に対応する範囲内の最低価格に統合される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のアスク数量値は、複数のアスク数量値に対応する範囲内の最高価格に統合される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記価格軸は静的である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記統合価格レベルで表される価格レベルの範囲は、基準開始点からオフセットされている、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記統合数量インジケータは、価格レベルの範囲に含まれる複数の数量値の合計を表す、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
コンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
ある商品の価格レベルをある範囲で統合し、統合価格レベルを生成する手順と、
統合価格レベルに対応する複数の価格レベルの範囲に含まれる複数の数量インジケータを統合したものを表す統合数量インジケータを生成する手順と、
統合価格レベルに関連した統合数量インジケータを電子取引システムのユーザインターフェスの価格軸であって、商品の複数の統合価格レベルを含み、各統合価格レベルが複数の価格レベルの範囲に対応した位置に示される価格軸上に表示する手順と、
注文入力領域における複数の位置であって、それぞれの位置が価格軸上の一つの統合価格レベルに対応し、それぞれの位置に対し、ユーザ入力装置による単一アクションコマンド受け付けると、商品の取引注文に関する複数のパラメータが設定され、取引注文を電子取引所に送信される、注文入力領域における複数の位置を表示する手順と、
をコンピュータのプロセッサに実行させる、記録媒体。
【請求項１２】
更に、
複数の統合価格レベルにおける各統合価格レベルは、複数の価格レベルのある範囲に対応するよう、複数の統合価格レベルを生成する手順と、
複数の統合価格レベルの各統合価格レベルに対し、複数の価格レベルに対応する範囲の位置であって、上記価格軸上の位置に統合価格レベルを表示する手順と、
を含む請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項１３】
前記統合価格レベルで示される価格レベルの範囲は、調整可能である、請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項１４】
前記統合数量インジケータは、複数のビッド数量値を表す統合ビッド数量インジケータである、請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項１５】
前記統合数量インジケータは、複数のアスク数量値を表す統合アスク数量インジケータである、請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項１６】
前記複数のビッド数量値は、複数のビッド数量値に対応する範囲内の最低価格に統合される、請求項１４に記載の記録媒体。
【請求項１７】
前記複数のアスク数量値は、複数のアスク数量値に対応する範囲内の最高価格に統合される、請求項１５に記載の記録媒体。
【請求項１８】
前記価格軸は静的である、請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項１９】
前記統合価格レベルで表される価格レベルの範囲は、基準開始点からオフセットされている、請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項２０】
前記統合数量インジケータは、価格レベルの範囲に含まれる複数の数量値の合計を表す、請求項１１に記載の記録媒体。