【事件の表示】
　特願２００４−３０５１４４「薄膜シリコン積層型太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月１１日出願公開、特開２００６−１２０７４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年１０月２０日の出願であって、平成２０年７月２４日付けで手続補正がなされ、平成２１年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１６日に拒絶査定不服審判が請求され、同年５月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２１年５月１１日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年５月１１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容・目的
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲（平成２０年７月２４日付け手続補正後のもの）の請求項２である、
　
「透明基板上に形成される第１導電層と、
　前記第１導電層上に形成される第１太陽電池層と、
　前記第１太陽電池層上に積層される第２太陽電池層と、
　前記第１太陽電池層と前記第２太陽電池層との間に中間導電層とを具備し、
　前記第１導電層は、太陽光進行方向面に凹凸部が形成され、該凹凸部は、ピッチが０．２〜２．５μｍで、高低差が前記ピッチの１／２〜１／４であり、
　前記第１太陽電池層の厚さが１００〜４００ｎｍであり、
　前記第２太陽電池層の厚さが１〜３μｍであることを特徴とする薄膜シリコン積層型太陽電池。」
　
を、補正後の特許請求の範囲の請求項２として、
　
「透明基板上に形成される第１導電層と、
　前記第１導電層上に形成される第１太陽電池層と、
　前記第１太陽電池層上に積層される第２太陽電池層と、
　前記第１太陽電池層と前記第２太陽電池層との間に中間導電層とを具備し、
　前記第１導電層は、太陽光進行方向面に凹凸部が形成され、該凹凸部は、ピッチが０．２〜２．５μｍで、高低差が前記ピッチの１／２〜１／４であり、
　前記第１太陽電池層の厚さが１００〜４００ｎｍであり、
　前記第２太陽電池層の厚さが１〜３μｍであり、
　安定化効率が１１％以上であることを特徴とする薄膜シリコン積層型太陽電池。」
　
に、補正する内容を含むものである。　
　
　上記補正内容は、本件補正前の請求項２に係る発明を特定するために必要な事項である、薄膜シリコン積層型太陽電池を「安定化効率が１１％以上である」ものに限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項２に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）本願補正発明の薄膜シリコン積層型太陽電池が「安定化効率が１１％以上である」との構成に関連して、本願明細書の発明の詳細な説明（以下、単に「発明の詳細な説明」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付与した。以下同じ。）。
　
　ア　「また、非晶質シリコン太陽電池では、光照射により劣化して発電量が低下する現象があるが、膜質向上、膜中の欠陥低減により光劣化率の低減（安定化効率の向上）が図られている。」（段落【０００７】）
　
　イ　「しかし、太陽電池の積層構成とそれらを構成する各層厚の最適化条件の決定など残された課題も多い。特に、
太陽電池の光劣化率を低減して安定化効率を向上させるためには非晶質シリコン太陽電池の膜厚を薄くする必要がある
　
　ウ　「本発明は、太陽電池の高効率化、および生産性の向上を目的としている。このために、
太陽光が入射する第１透明電極に形成された凹凸部の凹凸のピッチおよび高低差の値を最適化した
これにより、太陽電池内における太陽光の入射経路を長くして安定化効率を向上させた
　ここで、安定化効率を向上させるためには、非晶質シリコン太陽電池の膜厚はなるべく薄い方が良い。また、
安定化効率の向上を目指しつつ、生産性を向上させるためには、結晶質シリコン太陽電池の膜厚は出来る限り薄くする必要がある
　
　エ　「図２に、本実施の形態１に係わるタンデム構造を有した薄膜シリコン積層型太陽電池の積層構造を示す。
　本実施の形態に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池は、順次積層された、透明絶縁基板１０と、ピッチが０．６μｍで、高低差が０．２μｍである凹凸を有する第１透明電極２０と、ｐ型シリコン層（非晶質シリコン層）３０、ｎ型シリコン層（非晶質シリコン層）５０およびｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）４０からなるｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の非晶質シリコン太陽電池１５０と、ｐ型シリコン層（結晶質シリコン層）６０、ｎ型シリコン層（結晶質シリコン層）８０およびｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）７０からなるｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の結晶質シリコン太陽電池２００と、第２透明電極９０と、裏面電極１００とを備えている。
　本実施の形態においては、第１透明電極２０の太陽光進行方向面に、ピッチが０．６μｍで、高低差が前記ピッチの０．２μｍである凹凸部が形成されている。これにより、当該第１透明電極２０の下層部（太陽光進行方向）に形成される層は全てこの凹凸部形状にあわせた形態で順次積層されていく。
　本実施の形態において、非晶質シリコン太陽電池１５０の膜厚が３００ｎｍ、結晶質シリコン太陽電池２００の膜厚が２μｍであるとき、ＡＭ（Ａｉｒ  Ｍａｓｓ）１．５の太陽光照射条件における安定化効率（１ＳＵＮ；１００ｍＷ／ｃｍ２、５０℃、１０００時間の光照射により光劣化させた後の効率、或いはそれと同等条件であることを確認後の加速光劣化条件により光劣化させた後の効率）は１１．５％であった。
　
第１透明電極２０の表面上に形成された凹凸部は、入射してきた太陽光を散乱させて発電層（非晶質シリコン太陽電池、結晶質シリコン太陽電池）内の光路長を延長する機能を有する
表面凹凸部のピッチおよび高低差は、散乱させたい光の波長と同程度のピッチ、および１／３程度の高低差であるとき（シリコンの屈折率が約３であることによる）に散乱率が最大になることが知られている
　本実施の形態の凹凸部のピッチおよび高低差の値の他に、比較例として凹凸部のピッチおよび高低差が（ａ）ピッチ０．２μｍ、高低差０．１μｍ、（ｂ）ピッチ２．５μｍ、高低差０．８μｍ、（ｃ）ピッチ４μｍ、高低差１μｍ（非晶質シリコン太陽電池１５０の膜厚が３００ｎｍ、結晶質シリコン太陽電池２００の膜厚が２μｍ）それぞれにおける、同等条件下での安定化効率を測定した。この結果によると、それぞれの安定化効率は、（ａ）１０．７％、（ｂ）１０．７％、（ｃ）１０．２％であった。
　本実施の形態において１１．５％の安定化効率が実現されたのは、結晶質シリコン太陽電池２００における発電電流に大きく寄与する波長７００〜９００ｎｍの太陽光を効率的に散乱し、結晶質シリコン太陽電池２００での発電効率が向上した結果である。
　
本実施の形態においては、１０．５％以上の安定化効率を得るために、第１透明電極２０面上に凹凸部を形成する。そして、凹凸部のピッチとして０．２〜２．５μｍ、高低差としてピッチの１／２〜１／４を選択することにより、最大で１１．５％の安定化効率を有する薄膜シリコン積層型太陽電池を実現することができる
　
　オ　「実施の形態３に係わる、薄膜シリコン積層型太陽電池の概略積層構成を図４に示す。本実施の形態の基本的な積層構成は、実施の形態１に係わる薄膜シリコン系積層型太陽電池と同じである。しかし本実施の形態においては、
非晶質シリコン太陽電池１５０と結晶質シリコン太陽電池２００との間に、さらに透明中間層３００が積層されている
　本実施の形態に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池は、順次積層された、透明絶縁基板１０と、
ピッチが０．６μｍで、高低差が０．２μｍである凹凸部を太陽光進行方向面上に有する第１透明電極２０
　本実施の形態においては、透明中間層３００がさらに積層されることにより、この
透明中間層３００で入射太陽光の一部が反射されて、非晶質シリコン太陽電池１５０に再度入射される
　
これにより、トップセルにおける発電電流が増加する。そして、トップセルの膜厚を薄くしても、透明中間層３００が積層されない場合と同等の発電電流を得ることができる
トップセルである非晶質シリコン太陽電池１５０の膜厚を薄くすることにより当該層における光劣化を抑制でき、電池全体としての安定化効率を向上させることができる
　本実施の形態に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池（
非晶質シリコン太陽電池１５０；２５０ｎｍ、結晶質シリコン太陽電池２００；２μｍ）は、ＺｎＯにより形成された厚さ６０ｎｍの透明中間層３００を備えている。透明中間層３００として用いたＺｎＯには１．５％のＧａがドープされている。また、透明中間層３００は酸素含有雰囲気下でスパッタリングにより積層されたものである
このときの安定化効率として１２．４％が実現される
　本実施の形態における薄膜シリコン積層型太陽電池においては、透明中間層３００が、トップセルである非晶質シリコン太陽電池１５０とボトムセルである結晶質シリコン太陽電池２００との間に積層される。これにより、非晶質シリコン太陽電池１５０における発電電流を増加させることができる。また、非晶質シリコン太陽電池１５０の薄膜化が実現される。そして、実施の形態１および２に比較して、さらに安定化効率の向上が実現される。」（段落【００４５】〜【００５０】）
　
　カ　「実施の形態４に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池においては、
実施の形態３に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池の透明中間層３００の膜厚の値が、安定化効率の向上のために最適化される
　
　キ　「本実施の形態により、
トップセルである非晶質シリコン太陽電池１５０とボトムセルである結晶質シリコン太陽電池２００との発電電流バランスを考慮して、最適な透明中間層３００の膜厚値が決定される。これにより、より高い安定化効率を有する薄膜シリコン積層型太陽電池が実現される
　
　ク　「
実施の形態５に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池の基本的な積層構造は、実施の形態３の薄膜シリコン積層型太陽電池と同じである
　
　ケ　「トップセルである非晶質シリコン太陽電池１５０の膜厚を厚くすると生産効率は低下する。また、
トップセルである非晶質シリコン太陽電池１５０の膜厚を厚くすると光劣化率が増加して安定化効率が低下する。従って、非晶質シリコン太陽電池１５０の膜厚自身にも適正値が存在する
　
　コ（ア）「図６に、測定（◆）およびシミュレーションにより求められた、本実施の形態に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池の非晶質シリコン太陽電池１５０および結晶質シリコン太陽電池２００それぞれの膜厚と、その膜厚構成における安定化効率との関係を示す。太陽電池の評価（測定）は、ＪＩＳ  Ｃ８９３４に基づき、ＡＭ１．５の条件で実施された。非晶質シリコン太陽電池を備える太陽電池は、使用中に光劣化することが知られている。光劣化後の安定化効率は、実施の形態１および２で実施されたのと同様に、１ＳＵＮ、５０℃、１０００時間の光照射後、或いはそれと同等であることを確認済みの加速光劣化条件での光照射後の計測値とした。
　図６に示されるように、
安定化効率が１１％以上の良好な効率
が確保される範囲は、非晶質シリコン太陽電池１５０の膜厚が１００〜４００ｎｍ、結晶質シリコン太陽電池２００の膜厚が１〜３μｍの範囲（図６中におけるハッチ部）である
この範囲においては、最大１３％程度の安定化効率が実現される
　本実施の形態においては、透明中間層３００の形成された薄膜シリコン積層型太陽電池において、非晶質シリコン太陽電池１５０および結晶質シリコン太陽電池２００の膜厚値が最適化される。これにより、実施の形態３と比較して、さらに高安定化効率および高生産性（より薄い膜厚の非晶質シリコン太陽電池１５０および結晶質シリコン太陽電池２００で高安定化効率を得ることができる）の薄膜シリコン積層型太陽電池が実現される。
　また、
より薄い膜厚の非晶質シリコン太陽電池１５０および結晶質シリコン太陽電池２００で高安定化効率を実現することができることにより、各積層における歪み応力が減少する
これにより、信頼性の高い薄膜シリコン積層型太陽電池が実現される
　
（イ）なお、図６は次のとおりのものである。
　
　サ　「
実施の形態６に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池においては、実施の形態３に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池
　
第２透明電極９０の膜厚が最適化されることにより、ボトムセルである結晶質シリコン太陽電池２００に吸収されなかった長波長領域（波長８００ｎｍ）の太陽光を、第２透明電極９０および裏面電極１００で効率良く反射させる
結晶質シリコン太陽電池２００層中に長波長領域の太陽光を効率良く再入射させる
れにより、ボトムセルである結晶質シリコン太陽電池２００における発電電流が増大し、薄膜シリコン積層型太陽電池全体での安定化効率が向上する
　図７に、本実施の形態に係わる薄膜シリコン積層型太陽電池の第２透明電極９０の膜厚と、それぞれの膜厚における安定化効率との関係を示す。
第２透明電極９０（ＺｎＯ）の波長６００〜１２００ｎｍに対する光学特性として、光吸収率は１％未満であり、この波長領域に対してはほぼ透明である
　図７によると、積層される
第２透明電極９０の膜厚を２０〜１００ｎｍとすることで、１２％以上の安定化効率を維持した薄膜シリコン積層型太陽電池を実現することができる
　本実施の形態により、第２透明電極９０の膜厚が最適化される。これにより、第２透明電極９０および裏面電極１００で反射されて、ボトムセルである結晶質シリコン太陽電池２００に再入射される長波長領域の太陽光の反射率が向上する。そして、結晶質シリコン太陽電池２００における発電電流が増大する。これにより、より高い安定化効率を有する薄膜シリコン積層型太陽電池が実現される。」（段落【００６５】〜【００６９】）
　
（２）上記（１）から、本願補正発明の薄膜シリコン積層型太陽電池が「安定化効率が１１％以上である」との構成に関連して、発明の詳細な説明には、以下の技術事項が記載されているものと認められる。
　ア　太陽電池の光劣化率を低減して安定化効率を向上させるためには非晶質シリコン太陽電池の膜厚を薄くする必要があること。
　イ　太陽光が入射する第１透明電極に形成された凹凸部の凹凸のピッチおよび高低差の値を最適化することにより、太陽電池内における太陽光の入射経路を長くして安定化効率を向上させること。
　ウ　安定化効率の向上を目指しつつ生産性を向上させるためには、結晶質シリコン太陽電池の膜厚は出来る限り薄くする必要があること。
　エ　（本願補正発明とは、中間導電層を用いない点で対応しない実施の形態１において）第１透明電極の表面上に形成された凹凸部は、入射してきた太陽光を散乱させて発電層（非晶質シリコン太陽電池、結晶質シリコン太陽電池）内の光路長を延長する機能を有し、表面凹凸部のピッチおよび高低差は、散乱させたい光の波長と同程度のピッチ、および１／３程度の高低差であるときに散乱率が最大になることが知られており、凹凸部のピッチとして０．２〜２．５μｍ、高低差としてピッチの１／２〜１／４を選択することにより、最大で１１．５％の安定化効率を有する薄膜シリコン積層型太陽電池を実現することができること。
　オ　（本願補正発明に対応する実施の形態３において）非晶質シリコン太陽電池と結晶質シリコン太陽電池との間に、さらに透明中間層が積層されており、ピッチが０．６μｍで、高低差が０．２μｍである凹凸部を太陽光進行方向面上に有する第１透明電極を有すること。
　カ　上記オの条件において、薄膜シリコン積層型太陽電池の透明中間層により、入射太陽光の一部が反射され非晶質シリコン太陽電池に再度入射されトップセルにおける発電電流が増加し、該トップセルの膜厚を薄くしても透明中間層が積層されない場合と同等の発電電流を得ることができるから、前記トップセルである非晶質シリコン太陽電池の膜厚を薄くすることにより当該層における光劣化を抑制でき、電池全体としての安定化効率を向上させることができること。
　キ　上記オの条件において、非晶質シリコン太陽電池を２５０ｎｍ、結晶質シリコン太陽電池を２μｍとし、ＺｎＯにより形成され厚さ６０ｎｍであり１．５％のＧａがドープされ酸素含有雰囲気下でスパッタリングにより積層された透明中間層を備えるとき、安定化効率１２．４％が実現されること。
　ク　上記キの条件において、薄膜シリコン積層型太陽電池の透明中間層の膜厚の値が安定化効率の向上のために最適化され、トップセルである非晶質シリコン太陽電池とボトムセルである結晶質シリコン太陽電池との発電電流バランスを考慮して、最適な透明中間層の膜厚値が決定され、より高い安定化効率を有する薄膜シリコン積層型太陽電池が実現されること。
　ケ　上記キの条件において、トップセルである非晶質シリコン太陽電池の膜厚を厚くすると光劣化率が増加して安定化効率が低下するから、非晶質シリコン太陽電池の膜厚自身にも適正値が存在すること。
　コ　上記キの条件において、安定化効率が１１％以上の良好な効率が確保される範囲は、非晶質シリコン太陽電池の膜厚が１００〜４００ｎｍ、結晶質シリコン太陽電池の膜厚が１〜３μｍの範囲（図６中におけるハッチ部）であり、この範囲において最大１３％程度の安定化効率が実現されること。
　サ　上記キの条件において、薄い膜厚の非晶質シリコン太陽電池および結晶質シリコン太陽電池で高安定化効率を実現し、各積層における歪み応力が減少することにより、信頼性の高い薄膜シリコン積層型太陽電池が実現されること。
　シ　上記キの条件において、第２透明電極の膜厚が最適化されることにより、ボトムセルである結晶質シリコン太陽電池に吸収されなかった長波長領域（波長８００ｎｍ）の太陽光を、第２透明電極および裏面電極で効率良く反射させ、結晶質シリコン太陽電池層中に長波長領域の太陽光を効率良く再入射させることにより、ボトムセルである結晶質シリコン太陽電池における発電電流が増大し、薄膜シリコン積層型太陽電池全体での安定化効率が向上すること。
　ス　上記キの条件において、第２透明電極（ＺｎＯ）の波長６００〜１２００ｎｍに対する光学特性として、光吸収率は１％未満であり、この波長領域に対してはほぼ透明であるとき、第２透明電極の膜厚を２０〜１００ｎｍとすることで、１２％以上の安定化効率を維持した薄膜シリコン積層型太陽電池を実現することができること。
　
（３）上記（２）によれば、本願補正発明の薄膜シリコン積層型太陽電池が「安定化効率が１１％以上である」との構成に関連して、発明の詳細な説明には、
　ア　非晶質シリコン太陽電池の膜厚を薄くし、安定化効率を向上させる
　イ　第１導電膜（第１透明電極）に形成された凹凸部の凹凸のピッチおよび高低差の値を最適化し、太陽電池内における太陽光の入射経路を長くして安定化効率を向上させる
　ウ　中間導電層（透明中間層）を、非晶質シリコン太陽電池と結晶質シリコン太陽電池との間に両者の発電電流バランスを考慮して膜厚を決めて設けることにより、高い安定化効率を有する薄膜シリコン積層型太陽電池が実現される
　エ　上記アないしウを満たす例として、以下の例が記載される
（ア）ピッチが０．６μｍで、高低差が０．２μｍである凹凸部を太陽光進行方向面上に有する第１導電層（第１透明電極）を有する
（イ）上記（ア）において、非晶質シリコン太陽電池を２５０ｎｍ、結晶質シリコン太陽電池を２μｍ、ＺｎＯにより形成され厚さ６０ｎｍであり１．５％のＧａがドープされ酸素含有雰囲気下でスパッタリングにより積層された中間導電層（透明中間層）を備えるとき、安定化効率１２．４％が実現される
（ウ）上記（イ）において、安定化効率が１１％以上の良好な効率が確保される範囲は、非晶質シリコン太陽電池の膜厚が１００〜４００ｎｍ、結晶質シリコン太陽電池の膜厚が１〜３μｍの範囲（図６中におけるハッチ部）であり、この範囲において最大１３％程度の安定化効率が実現される
（エ）上記（イ）において、中間導電層（第２透明電極（ＺｎＯ））の波長６００〜１２００ｎｍに対する光学特性として光吸収率は１％未満でありこの波長領域に対してはほぼ透明であるとき、中間導電層（第２透明電極）の膜厚を２０〜１００ｎｍとすることで、１２％以上の安定化効率を維持した薄膜シリコン積層型太陽電池を実現する
との技術事項が開示されている。
　
（４）ア　他方、本願補正発明は、上記１のとおり、第１導電層の太陽光進行方向面に形成される凹凸部のピッチ、高低差、第１及び第２太陽電池層（非晶質あるいは結晶質に特定されないものである。）の厚さの範囲を特定しつつ、安定化効率が１１％以上であることを特定するものであって、このうち安定化効率が１１％以上であるとの特定事項は、薄膜シリコン積層型太陽電池の特性を規定するものと解されるところである。
　イ　ここで、上記（３）エ（ウ）のように、安定化効率が１１％以上を確保できるとされる、図６のハッチ部に示される範囲のものは、上記凹凸部のピッチ、高低差、各太陽電池層の厚さが本願補正発明に特定される範囲に含まれるものであることが認められるものの、本願補正発明に特定される範囲の一部のものが安定化効率１１％以上であることを示すにとどまり、「安定化効率が１１％以上である」との特性が、薄膜シリコン積層型太陽電池のどのように特定される事項に基づいて得られるものであるかを示すものとはいえない。
　ウ　そうすると、発明の詳細な説明を参酌しても、本願補正発明における「安定化効率が１１％以上である」との特性は、どのような事項により特定される薄膜シリコン積層型太陽電池において得られるものなのか明確でないから、本願補正発明は、明確でない。
　
（５）また、上記（３）エの例では、「安定化効率が１１％以上である」との特性を得ることが理解できるものの、かかる技術事項の記載をもって、当該例に限定されない本願補正発明の範囲まで「安定化効率が１１％以上である」ものとして一般化できないから、本願補正発明が、発明の詳細な説明に実質的に記載されているとはいえない。
　
（６）以上のとおり、本願補正発明が明確であるとはいえないから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。また、本願補正発明は、発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえないから、特許請求の範囲の記載は、同第１号に規定する要件を満たしていない。よって、本願補正発明は、独立して特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上の検討によれば、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年７月２４日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１で、本件補正前の請求項２として記載されたとおりのものである。
　
２　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００３−３４７５７２号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の事項が記載されている。
　
（１）「【請求項１】　透明絶縁基板上に順次堆積された透明電極、複数の光電変換ユニット、および裏面電極を含み、
前記複数の光電変換ユニットの間の少なくとも１つの境界において光を部分的に反射しかつ部分的に透過する中間層が挿入されており、
前記中間層は１０〜９０ｎｍの範囲内の平均厚さを有し、
前記中間層の上面は１０〜５０ｎｍの範囲内にある第一の平均凹凸ピッチを有する第一の表面凹凸形状を含んでいることを特徴とするタンデム型薄膜光電変換装置。
【請求項２】　前記複数の光電変換ユニットは、１以上の非晶質光電変換ユニットと１以上の結晶質光電変換ユニットとを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のタンデム型薄膜光電変換装置。
【請求項３】　前記中間層は、酸化亜鉛、酸化錫、またはインジウム錫酸化物を含む透明導電性酸化物を主要成分として含むことを特徴とする請求項１または２に記載のタンデム型薄膜光電変換装置。
【請求項４】　前記中間層の上面において、前記第一平均凹凸ピッチと異なる第二の平均凹凸ピッチを有する第二の表面凹凸形状が前記第一表面凹凸形状に重畳されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のタンデム型薄膜光電変換装置。
【請求項５】　前記中間層の上面における前記第二平均凹凸ピッチは、前記透明電極の上面に形成された表面凹凸形状に起因していることを特徴とする請求項４に記載のタンデム型薄膜光電変換装置。
【請求項６】　前記第二平均凹凸ピッチは、前記第一平均凹凸ピッチに比べて大きいことを特徴とする請求項４または５に記載のタンデム型薄膜光電変換装置。
【請求項７】　前記透明電極の上面は、２００〜９００ｎｍの範囲内の平均凹凸ピッチを有する表面凹凸形状を含んでいることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のタンデム型薄膜光電変換装置。」
　
（２）「【００４９】（実施例１）実施例１として、図１に示されているような
ハイブリッド型薄膜光電変換装置
正方形ガラス基板１上に、ピラミッド状の表面凹凸と８００ｎｍの平均厚さを有する酸化錫層が、透明電極２として
形成された
透明電極２の上面における凹凸の平均高低差ｄは約１００ｎｍであった
この透明電極２の上に、厚さ１５ｎｍのｐ型非晶質シリコンカーバイド層１１１、厚さ０．２５μｍのｉ型非晶質シリコン光電変換層１１２、および厚さ１５ｎｍのｎ型微結晶シリコン層１１３からなる非晶質シリコン光電変換ユニット１１がプラズマＣＶＤ法で形成された
【００５０】
非晶質シリコン光電変換ユニット１１の形成後にプラズマＣＶＤ室から大気中に基板を取り出し
その後にＭＯＣＶＤ室内にて
酸化亜鉛層が中間層３として形成された
【００５１】
中間層３の形成後に基板はＭＯＣＶＤ室から大気中に取り出され、速やかに結晶質シリコン光電変換ユニット１２を形成するためのプラズマＣＶＤ室内にその基板が導入され
そのプラズマＣＶＤ室内では、厚さ１５ｎｍのｐ型微結晶シリコン層１２１、厚さ２．３μｍのｉ型結晶質シリコン光電変換層１２２、および厚さ１５ｎｍのｎ型微結晶シリコン層１２３からなる結晶質シリコン光電変換ユニット１２が形成された
その後、裏面電極１３として
Ａｌドープされた
酸化亜鉛層と
Ａｇ層が
順次形成された
【００５２】図２は本実施例１で形成された中間層３の上面における一辺１．５μｍの正方形領域を観察した原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像を示し、図３はそのＡＦＭ測定から得られた表面凹凸形状を示している。この図３のグラフにおいて、横軸の１目盛は０．１μｍを表わし、縦軸の１目盛は１０ｎｍを表わしている。なお、このＡＭＦ測定には、ｎａｎｏ−ｒシステム（Pacific Nanotechnology社製）のノンコンタクトモードが用いられた。
【００５３】図３の表面凹凸形状中で、典型的な１つの小さな凸部の径に対応するＡＢ間距離（隣接する２つの凹部間で基板に平行に測定されたピッチに相当）は２８．８ｎｍである。このような小さなピッチの凹凸（第一の表面凹凸形状）に加えて、図３において明瞭に見られるように、前面電極２の表面凹凸に由来する３００〜４００ｎｍの大きなピッチの凹凸（第二の表面凹凸形状）も存在している。この第二表面凹凸形状における高低差ｄは６０ｎｍ程度であり、前面電極２の表面凹凸に比べて、非晶質シリコン光電変換ユニット１１が介在していることによって小さくなっている。
【００５４】図４の表面凹凸形状は、実施例１の中間層３と同様のＭＯＣＶＤ条件で平らなガラス板上に形成された酸化亜鉛膜のＡＦＭ測定結果を示している。なお、図４のグラフにおいて、横軸の１目盛は０．１μｍを表わし、縦軸の１目盛は５ｎｍを表わしている。この酸化亜鉛膜において、一辺１．５μｍの正方形のＡＦＭ測定領域内では、算術平均粗さＲａを面内で平均した平均面粗さＳａが１．１ｎｍであった。このことから、中間層３の第一表面凹凸形状における平均高低差は約２．２ｎｍであることが分かる。なお、図４の表面凹凸形状中で、典型的な１つの小さな凸部の径に対応するＣＤ間距離（隣接する２つの凹部間でガラス板に平行に測定されたピッチに相当）は２３．４ｎｍである。
【００５５】図３と図４の比較から、
実施例１における
透明電極２の表面凹凸形状（本実施例では３００〜４００ｎｍピッチの凹凸）
【００５６】以上のようにして得られた実施例１のハイブリッド型薄膜光電変換装置（受光面積１ｃｍ２）において、ソーラシミュレータからのＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光量で照射して２５℃で出力特性を測定したところ、開放端電圧（Ｖｏｃ）が１．３６Ｖ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）が１１．９ｍＡ／ｃｍ２、曲線因子（Ｆ．Ｆ．）が７４．０％、そして変換効率（Ｅｆｆ．）が１２．０％であった。」　
　
（３）上記（２）に照らして図１をみると、透明電極２は、太陽光が進行する方向の面に表面凹凸を形成することがみてとれる。
　
（４）上記（２）及び（３）からみて、引用例には、
「正方形ガラス基板上に、太陽光が進行する方向の面に形成するピラミッド状の表面凹凸と８００ｎｍの平均厚さを有する酸化錫層が透明電極として形成され、該透明電極の上面における凹凸の平均高低差ｄが約１００ｎｍであり、該透明電極の表面凹凸が３００〜４００ｎｍピッチの凹凸であり、この透明電極の上に、厚さ１５ｎｍのｐ型非晶質シリコンカーバイド層、厚さ０．２５μｍのｉ型非晶質シリコン光電変換層および厚さ１５ｎｍのｎ型微結晶シリコン層からなる非晶質シリコン光電変換ユニットがプラズマＣＶＤ法で形成され、前記非晶質シリコン光電変換ユニットの形成後にプラズマＣＶＤ室から大気中に基板を取り出し、その後にＭＯＣＶＤ室内にて酸化亜鉛層が中間層として形成され、前記中間層の形成後に基板がＭＯＣＶＤ室から大気中に取り出され、速やかに結晶質シリコン光電変換ユニットを形成するためのプラズマＣＶＤ室内にその基板が導入され、そのプラズマＣＶＤ室内では、厚さ１５ｎｍのｐ型微結晶シリコン層、厚さ２．３μｍのｉ型結晶質シリコン光電変換層および厚さ１５ｎｍのｎ型微結晶シリコン層からなる結晶質シリコン光電変換ユニットが形成され、その後、裏面電極として、Ａｌドープされた酸化亜鉛層とＡｇ層が順次形成される、ハイブリッド型薄膜光電変換装置。」
　
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「正方形ガラス基板」、「透明電極」、「非晶質シリコン光電変換ユニット」、「結晶質シリコン光電変換ユニット」及び「ハイブリッド型薄膜光電変換装置」は、それぞれ、本願発明の「透明基板」、「第１導電層」、「第１太陽電池層」、「第２太陽電池層」及び「薄膜シリコン積層型太陽電池」に相当する。
　
（２）引用発明は、太陽光が進行する方向の面に形成するピラミッド状の表面凹凸を有する酸化錫層が透明電極として形成されるから、上記（１）に照らせば、引用発明は、本願発明の「第１導電層は、太陽光進行方向面に凹凸部が形成され」との事項を備えるとともに、引用発明の「透明電極」は、その上面における凹凸の平均高低差ｄが約１００ｎｍであり、表面凹凸が３００〜４００ｎｍピッチの凹凸であるから、引用発明の「透明電極」は、本願発明の「第１導電層」と、「凹凸部」の「ピッチが０．２〜２．５μｍで、高低差が前記ピッチの１／２〜１／４」である点で一致するものといえる。
　
（３）引用発明の「非晶質シリコン光電変換ユニット」は、透明電極の上に形成するものであって、厚さ１５ｎｍのｐ型非晶質シリコンカーバイド層、厚さ０．２５μｍのｉ型非晶質シリコン光電変換層および厚さ１５ｎｍのｎ型微結晶シリコン層からなり、これら３層の厚さの合計は２８０ｎｍであるから、上記（１）に照らせば、引用発明は、本願発明の「第１導電層上に形成される第１太陽電池層」、「第１太陽電池層の厚さが１００〜４００ｎｍであり」との事項を備える。
　
（４）引用発明は、酸化亜鉛層が中間層として形成されるところ、ハイブリッド型薄膜光電変換装置に用いられる酸化亜鉛層が導電性であることは当業者に自明であるから、引用発明の「中間層」は、本願発明の「中間導電層」に相当するとともに、引用発明は、非晶質シリコン光電変換ユニットの形成後に中間層が形成され、前記中間層の形成後に結晶質シリコン光電変換ユニットを形成するから、上記（１）に照らせば、引用発明は、本願発明の「第１太陽電池層上に積層される第２太陽電池層」、「第１太陽電池層と第２太陽電池層との間に中間導電層とを具備し」との事項を備える。
　
（５）引用発明の「結晶質シリコン光電変換ユニット」は、厚さ１５ｎｍのｐ型微結晶シリコン層、厚さ２．３μｍのｉ型結晶質シリコン光電変換層および厚さ１５ｎｍのｎ型微結晶シリコン層からなり、これら３層の厚さの合計は２．３３μｍであるから、上記（１）に照らせば、引用発明は、本願発明の「第２太陽電池層の厚さが１〜３μｍである」との事項を備える。
　
（６）上記（１）ないし（５）から、本願発明と引用発明とは、
「透明基板上に形成される第１導電層と、
　前記第１導電層上に形成される第１太陽電池層と、
　前記第１太陽電池層上に積層される第２太陽電池層と、
　前記第１太陽電池層と前記第２太陽電池層との間に中間導電層とを具備し、
　前記第１導電層は、太陽光進行方向面に凹凸部が形成され、該凹凸部は、ピッチが０．２〜２．５μｍで、高低差が前記ピッチの１／２〜１／４であり、
　前記第１太陽電池層の厚さが１００〜４００ｎｍであり、
　前記第２太陽電池層の厚さが１〜３μｍである、薄膜シリコン積層型太陽電池。」の点で一致し、相違する点はない。
　
（７）したがって、本願発明は、引用例に記載された発明である。
　
４　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。