【事件の表示】
　特願２００１−１０１９２８「加速度センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　９日出願公開、特開２００２−２９６２９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年３月３０日の出願であって、平成２０年１月２１日付けで手続補正がなされ、平成２０年３月２７日付け（送達日：平成２０年４月１日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年６月２日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２０年６月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年６月２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の記載を補正前の、
 「　微細加工プロセスにより製造されるマイクロ構造体の加速度の作用に基づく機械的変形を、前記マイクロ構造体に形成した抵抗素子の電気抵抗の変化により検出して、加速度の向き及び大きさを検出すべくなしてある加速度センサにおいて、
　前記マイクロ構造体は、
　枠状のストッパと、
　前記ストッパの略中心部に設けられた重錘体と、
　前記重錘体と前記ストッパとを接続するものであり、交叉する二直線状をなす４本のビームと、
　前記ビームのうちの２本と前記ストッパの内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で前記重錘体に連設された、少なくとも１つの補助重錘体と
　を有し、
　前記ストッパ表面を含む第１主面に対して前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記４本のビームのそれぞれの長さが同じであり、
　前記マイクロ構造体の第１主面中心を軸として９０度回転させたときの前記垂直上方から見た前記ストッパ、前記重錘体、及び前記４本のビームの写像が、元の写像と同じになり、
　前記マイクロ構造体の第１主面の反対側の主面を第２主面としたとき、第１主面と第２主面とは、前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記重錘体、前記補助重錘体、及び前記ストッパにおける平面視が略同じであり、
　さらに、前記重錘体及び前記補助重錘体が同一の厚みを有し、かつ前記ストッパと略同じ厚みであり、各主面がパッケージと相対する際に、前記パッケージに対して前記重錘体及び前記補助重錘体の各主面部分が、僅かに離間して保持されるように形成されており、
　前記抵抗素子は、前記ビーム上に形成してあり、
　前記補助重錘体が揺動した場合に、該補助重錘体が前記ストッパに抑止されるように構成されていることを特徴とする加速度センサ。」
から、補正後の、
「　微細加工プロセスにより製造されるマイクロ構造体の加速度の作用に基づく機械的変形を、前記マイクロ構造体に形成した抵抗素子の電気抵抗の変化により検出して、加速度の向き及び大きさを検出すべくなしてある加速度センサにおいて、
　前記マイクロ構造体は、
　断面視で矩形状をなす枠状のストッパと、
　前記ストッパの略中心部に設けられた重錘体と、
　前記重錘体と前記ストッパとを接続するものであり、交叉する二直線状をなす４本のビームと、
　前記ビームのうちの２本と前記ストッパの内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で前記重錘体に連設されており、側面が略垂直な柱状をなす４つの補助重錘体と
　を有し、
　前記ストッパ表面を含む第１主面に対して前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記４本のビームのそれぞれの長さが同じであり、
　前記マイクロ構造体の第１主面中心を軸として９０度回転させたときの前記垂直上方から見た前記ストッパ、前記重錘体、前記補助重錘体及び前記４本のビームの写像が、元の写像と同じになり、
　前記マイクロ構造体の第１主面の反対側の主面を第２主面としたとき、第１主面と第２主面とは、前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記重錘体、前記補助重錘体、及び前記ストッパにおける平面視が略同じであり、
　さらに、前記重錘体及び前記補助重錘体が同一の厚みを有し、かつ前記ストッパと略同じ厚みであり、各主面がパッケージと相対する際に、前記パッケージに対して前記重錘体及び前記補助重錘体の各主面部分が、僅かに離間して保持されるように形成されており、
　前記抵抗素子は、前記ビーム上に形成してあり、
　前記補助重錘体が揺動した場合に、該補助重錘体が前記ストッパに抑止されるように構成されていることを特徴とする加速度センサ。」
と補正する補正事項を含むものである。
　
　上記補正により、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）について、以下のとおりの限定がなされた。
　（１）「枠状のストッパ」に関して「断面視で矩形状をなす枠状のストッパ」との限定。
　（２）「少なくとも１つの補助重錘体」に関して「側面が略垂直な柱状をなす４つの補助重錘体」との限定。
　（３）「補助重錘体」に関して、マイクロ構造体の第１主面中心を軸として９０度回転させたときの垂直上方から見た補助重錘体の写像が、元の写像と同じになりとの限定。
　
　そして、当該補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
 　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
　２　独立特許要件について
　（１）補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後第１発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、以下のとおりのものである。
 「　微細加工プロセスにより製造されるマイクロ構造体の加速度の作用に基づく機械的変形を、前記マイクロ構造体に形成した抵抗素子の電気抵抗の変化により検出して、加速度の向き及び大きさを検出すべくなしてある加速度センサにおいて、
　前記マイクロ構造体は、
　断面視で矩形状をなす枠状のストッパと、
　前記ストッパの略中心部に設けられた重錘体と、
　前記重錘体と前記ストッパとを接続するものであり、交叉する二直線状をなす４本のビームと、
　前記ビームのうちの２本と前記ストッパの内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で前記重錘体に連設されており、側面が略垂直な柱状をなす４つの補助重錘体と
　を有し、
　前記ストッパ表面を含む第１主面に対して前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記４本のビームのそれぞれの長さが同じであり、
　前記マイクロ構造体の第１主面中心を軸として９０度回転させたときの前記垂直上方から見た前記ストッパ、前記重錘体、前記補助重錘体及び前記４本のビームの写像が、元の写像と同じになり、
　前記マイクロ構造体の第１主面の反対側の主面を第２主面としたとき、第１主面と第２主面とは、前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記重錘体、前記補助重錘体、及び前記ストッパにおける平面視が略同じであり、
　さらに、前記重錘体及び前記補助重錘体が同一の厚みを有し、かつ前記ストッパと略同じ厚みであり、各主面がパッケージと相対する際に、前記パッケージに対して前記重錘体及び前記補助重錘体の各主面部分が、僅かに離間して保持されるように形成されており、
　前記抵抗素子は、前記ビーム上に形成してあり、
　前記補助重錘体が揺動した場合に、該補助重錘体が前記ストッパに抑止されるように構成されていることを特徴とする加速度センサ。」
　
（２）引用例
 ア−１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２１４７０５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　　
　　（ア）　「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体のピエゾ抵抗を用いた加速度検出装置の製造方法に係わり、特に、製造工程を簡略化することにより、製造コストを低下させた加速度検出装置の製造方法に関する。」（段落【０００１】）
　　（イ）　「図８は、本発明の第５の実施の形態による加速度検出装置を示す平面図である。図９（ａ）は、図８に示す９ａ−９ａ線に沿った断面図であり、図９（ｂ）は、図８に示す９ｂ−９ｂ線に沿った断面図である。図８及び図９については、図３と同一部分には同一符号を付す。」（段落【００７１】）
　　（ウ）　「図８に示すように、
加速度検出装置（加速度センサー）は全体として正方形の平面形状
中央部に第１の質量部９を有し
第１の質量部９の周囲には四方向に延びた十字の型の架橋部３
この支持部５は四角形の枠のような形状
架橋部３は、支持部５の一部と第１の質量部９だけに結合
　　（エ）　「
支持部５と架橋部３との間には平面形状が四角形の第２の質量部３１が４個形成
各第２の質量部３１は四角形状を有する第１の質量部９の四隅に連結
架橋部３と第２の質量部３１とは平面的に分離部３３を隔てて配置
　　（オ）　「加速度センサーとなる半導体チップの表面（架橋部３及び支持部５の表面）にはピエゾ抵抗部１１及び図示せぬ配線部、ボンディング部が形成されている。また、図９（ａ），（ｂ）に示すように、
支持部５の下には第１及び第２の質量部９，３１を覆うようにシリコン又はガラス等の台座１３が取り付け
支持部５の上には架橋部３及び第１及び第２の質量部９，３１を覆うようにシリコン又はガラス等の上蓋１５が取り付け
　　（カ）　「次に、図８に示す
加速度センサー
半導体チップ
　　（キ）　「この後、半導体チップの表面における分離部（貫通部）３３となるべき領域以外の領域（即ち、第１及び第２の質量部９，３１、架橋部３及び支持部５となるべき領域）に図示せぬ酸化膜又は窒化膜等でマスキングする。次に、この酸化膜等をマスクとして
半導体チップの表面（即ち、分離部３３となるべき領域）を化学エッチング又はＲＩＥ等のドライエッチング
凹状の溝
　　（ク）　「即ち、四角形の枠のような形状を有する溝が半導体チップの中央部（第１の質量部９となるべき領域）を囲むように４ヵ所形成され、各溝は半導体チップの中央部に近い部分が切れた四角形の枠形状を有する。この溝の深さは、最終的な裏面側からのエッチング終了面と架橋部３の表面との間の厚さ（即ち、後工程で形成される架橋部の厚さ）と同じ（通常は数μｍ〜数１０μｍ）もしくは若干（数μｍ程度）深くする。」（段落【００７８】）
　　（ケ）　「次に、
半導体チップの裏面を化学エッチング
そのエッチング面は（１１１）面に沿ったものとなるので垂直面とのなす角度は３５．８度になる
　　（コ）　「すなわち、半導体チップの裏面における第１、第２の質量部９，３１及び支持部５に図示せぬマスク膜を形成する。このマスク膜をマスクとして半導体チップの裏面を図９（ａ），（ｂ）に示す架橋部３の裏面の深さまで化学エッチングする。これにより、半導体チップにおいて、上記溝の底部が貫通され貫通部３３が形成される。これと共に、薄膜化された架橋部３が残され、マスキングされた
第１、第２の質量部９，３１及び支持部５は半導体チップの最初の厚さのまま残される
　　（サ）　「次に、上記マスク膜、窒化膜を除去する。そして、
支持部５の上に第１、第２の質量部９，３１及び架橋部３を覆うようにシリコン又はガラス等の上蓋１５を取り付け
支持部５の下に第１及び第２の質量部９，３１を覆うようにシリコン又はガラス等の台座１３を取り付け
　　（シ）　「
このような加速度センサーに加速度や圧力が加えられると、第１及び第２の質量部９，３１に加速度や圧力が加わり、質量部９，３１と支持部５との相対位置が変化する。そして、架橋部３が撓んで変形する。その結果、架橋部３に形成されているピエゾ抵抗部１１も変形する。このため、ピエゾ抵抗部１１の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化を検出することによって加速度等を検出することができる
　　（ス）　「上記第５の実施の形態によれば、加速度センサーにおいてその中央部に位置する第１の質量部９の周囲に４個の第２の質量部３１を連結して設け、第１の質量部９を十字の型からなる架橋部３の頂点の４か所で支えている。つまり、従来の加速度検出装置ではダイアフラム部を形成していた部分に第２の質量部３１を設け、第２の質量部３１を架橋部３及び支持部５から貫通部３３により分離する。これにより、第１及び第２の質量部９，３１が一体となって質量部として動作する。このように従来の加速度検出装置ではダイアフラム部として利用していた領域（加速度センサーの高感度化という点では無駄だった部分）を質量部として利用し、更に質量部９，３１を小さい面積の架橋部３で支えている。このため、同じ力（加速度、圧力）に対する質量部９，３１の変位が増加し、これに伴い架橋部３の変形が増加する。その結果、加速度センサーを高感度なものにすることができる。」（段落【００８４】）
　なお、下線は当審で付与した。
　
ア−２　上記記載事項（ア）ないし（ス）及び図８、９から、以下の事項を読み取ることができる。
　
　　・上記記載事項（カ）〜（サ）及び図８、９から、所定の形状にエッチングされた半導体チップは、支持部５と、第１の質量部９と、架橋部３と、第２の質量部３１とを有していること。
　　・上記記載事項（ウ）、（カ）〜（コ）及び図９（ｂ）から、支持部５は垂直断面が略台形である四角形の枠のような形状であること。
　　・上記記載事項（カ）〜（シ）及び図８、９から、加速度センサーは、前記半導体チップに加速度が加わることによる架橋部３の変形を、架橋部３に形成されているピエゾ抵抗部１１の抵抗値の変化により検出することによって加速度等を検出するものであること。
　　・上記記載事項（ウ）及び図８から、第１の質量部９は支持部５の中央部に設けられていること、及び、架橋部３は、第１の質量部９と支持部５とを結合するものであり、十字の型をなし４本あること。
　　・上記記載事項（エ）、（シ）及び図８、図９（ａ）から、第２の質量部３１は４個あり、そのそれぞれは、架橋部３、３、３、３のうちの２本と支持部５の内周面とにより囲まれた空間内に支持部５との相対位置が変化する状態で第１の質量部９に連結されていること。
　　・上記記載事項（ケ）及び図９から、第２の質量部３１のエッチング面は、垂直面と３５．８度をなす側面であり、また、第２の質量部３１は柱状体をなしていること。
　　・引用刊行物１には、「図８に示すように、加速度検出装置（加速度センサー）は全体として正方形の平面形状を有し」（段落００７２）、「尚、上記第５の実施の形態では、加速度センサーの平面形状を正方形としているが、・・・・・ある方向の加速度を検出する感度を他の方向のそれに比べて積極的に向上させる場合は、加速度センサーの平面形状を長方形とすることとなる。」（段落００８６）と記載されているから、加速度センサーの平面形状を正方形とする場合には、４本の梁を同じ長さにすることを意図していることは明らかである。したがって、加速度検出装置を示す平面図である図８を参照すると、前記半導体チップの表面に対して半導体チップ中心の垂直上方から見たときに、４本の架橋部３、３、３、３はそれぞれ同じ長さであるということを読み取ることができる。
　　・上記記載事項（ウ）、（エ）、（オ）及び図８、９、さらに、上記したように４本の架橋部３、３、３、３はそれぞれ同じ長さであると読み取ることができるから、半導体チップの表面中心を軸として９０度回転させたときの半導体チップ中心の垂直上方から見た支持部５、第１の質量部９、第２の質量部３１、３１、３１、３１及び４本の架橋部３の像が回転前の像と同じになること。
　　・上記記載事項（カ）〜（コ）及び図８、９から、半導体チップの表面と半導体チップの裏面とは、半導体チップ中心の垂直上方から見たときに、第１の質量部９、第２の質量部３１、３１、３１、３１及び支持部５における平面視が異なっていること。
　　・上記記載事項（コ）から、第１の質量部９、第２の質量部３１、支持部５は同じ厚みであること。
　　・上記記載事項（オ）〜（サ）及び図８、９から、半導体チップの表面が上蓋１５と、半導体チップの裏面が台座１３と相対する際に、上蓋１５及び台座１３に対して第１の質量部９及び第２の質量部３１、３１、３１、３１の半導体チップの表面及び裏面部分が隙間を保持して形成されること。
　　
ア−３　したがって、引用刊行物１には次のとおりの発明（以下、「引用例発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　【引用例発明１】
「　所定の形状にエッチングされた半導体チップに加速度が加わることによる架橋部３の変形を、架橋部３に形成されているピエゾ抵抗部１１の抵抗値の変化により検出することによって加速度等を検出する加速度センサーにおいて、
　前記半導体チップは、
　垂直断面が略台形である四角形の枠のような形状の支持部５と、
　前記支持部５の中央部に設けられた第１の質量部９と、
　前記第１の質量部９と前記支持部５とを結合するものであり、十字の型をなす４本の架橋部３と、
　前記架橋部３、３、３、３のうちの２本と支持部５の内周面とにより囲まれた空間内に支持部５との相対位置が変化する状態で前記第１の質量部９に連結されており、側面が垂直面と３５．８度の柱状体をなす４個の第２の質量部３１と
　を有し、
　前記半導体チップの表面に対して前記半導体チップ中心の垂直上方から見たときに、４本の架橋部３はそれぞれ同じ長さであり、
　前記半導体チップの表面中心を軸として９０度回転させたときの前記垂直上方から見た前記支持部５、前記第１の質量部９、前記第２の質量部３１、３１、３１、３１及び前記４本の架橋部３の像が回転前の像と同じになり、
　半導体チップの表面と半導体チップの裏面とは、前記半導体チップ中心の垂直上方から見たときに、前記第１の質量部９、前記第２の質量部３１、３１、３１、３１及び前記支持部５における平面視が異なっており、
　さらに、前記第１の質量部９、前記第２の質量部３１、前記支持部５は同じ厚みであり、半導体チップの表面が上蓋１５と、半導体チップの裏面が台座１３と相対する際に、前記上蓋１５及び前記台座１３に対して前記第１の質量部９及前記び第２の質量部３１、３１、３１、３１の半導体チップの表面及び裏面部分が隙間を保持して形成されており、
　前記ピエゾ抵抗部１１は、前記架橋部３に形成してある、
　加速度センサー。」
　
イ−１　原査定の備考に周知技術の根拠文献として引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２２１３６２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
　　　（ア）　「【発明の属する技術分野】この発明は
シリコン加速度センサとその製法
質量部の質量をできるだけ大きくして感度を向上させる技術に関する
　　　（イ）　「【発明が解決しようとする課題】
（１）図５の３（当審注：原文では丸数字）で実施するＰ型層の異方性のウエットエッチングでは、結晶面ごとにエッチングレートに差があるため、板面に対して斜めにエッチングされる。そのことを考慮してマスクに利用する酸化膜９ｂの穴の幅Ｗａ′，Ｗｂ′を大きくしなければならない。板面に直角にエッチングできたと仮定した理想的な場合には前記幅はＷａ，Ｗｂと狭くてよい。従って質量部３の体積、質量共大きくなる。しかし、
従来の技術では斜めにエッチングされるので、その分体積、質量が減少し、質量部の質量と比例関係にある加速度センサの感度が低下する欠点があった
　　　（ウ）　「このように従来のエッチング方法では、エッチングに使用するマスクのパターン１５ａ，１５ｃと枠部２、質量部３の寸法が異なるため、マスクのパターン設計が複雑となり、設計工数が大きくなる問題があった。この発明の目的は、質量部３の側面における斜め方向のエッチングによる質量の減少を防止すると共に、エッチングに使用するマスクのパターン設計を容易にしようとするものである。」（段落【００１３】）
　　　（エ）　「【発明の実施の形態】この発明の実施例を図１、図２に、図３、図５と対応する部分に同じ符号を付けて示し、その製造工程を順に説明する。１（当審注：原文では丸数字）　Ｎ型層１ｎ及びＰ型層１ｐより成るシリコン基板１の両面を酸化させて、後の工程でマスクとして使用する酸化膜９ａ，９ｂを作製する。・・・２（当審注：原文では丸数字）　酸化膜９ｂをパターニングする。
この発明では次の工程で行うＰ型層１ｐは板面と直角にエッチングするので、酸化膜９ｂのエッチングにより除去する部分の幅Ｗａ，Ｗｂを従来のように斜め方向のエッチングを考慮して拡げておく必要はない
　　　（オ）　「上述の製造工程において、従来例と大きく異なる点は、３（当審注：原文では丸数字）において従来は異方性のウエットエッチングによりＰ型層１ｐを斜めにエッチングしていたのに対して、
異方性のドライエッチングを採用して板面と直角にエッチングする
質量部３の斜めのエッチングによる質量の減少を防止
　なお、下線は当審で付与した。
　
イ−２　上記記載事項（ア）ないし（オ）及び図１、２から、以下の事項を読み取ることができる。
・上記記載事項（ア）ないし（ウ）から、シリコン加速度センサは、質量部３の斜めエッチングによる質量の減少を防止し、センサの検出感度を向上させるためのものであること。
・上記記載事項（エ）、（オ）及び図１、２から、異方性のドライエッチングを利用することにより、質量部３の側面がシリコン基板１の板面に直角に形成されること。
　
イ−３
　したがって、引用刊行物２には、
「シリコン加速度センサにおいて、質量部３の斜めエッチングによる質量の減少を防止し、センサの検出感度を向上させるために、異方性のドライエッチングを利用して、質量部３の側面がシリコン基板の板面と直角に形成されたシリコン加速度センサ。」（以下、「引用例発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　補正後第１発明と引用例発明１を比較する。
　
　ア　引用例発明１の「所定の形状にエッチングされた半導体チップ」、「加速度が加わることによる」、「架橋部３の変形」、「ピエゾ抵抗部１１」、「抵抗値」は、補正後第１発明の「微細加工プロセスにより製造されるマイクロ構造体」、「加速度の作用に基づく」、「機械的変形」、「抵抗素子」、「電気抵抗」にそれぞれ相当する。
　そして、引用例発明１の前記半導体チップが架橋部３を有しているから、引用例発明１の「架橋部３に形成」は、補正後第１発明の「マイクロ構造体に形成」に相当する。また、加速度センサーで検出される加速度が、その大きさ及び向き等であることは技術常識であるから、引用例発明１の「加速度等」は補正後第１発明の「加速度の向き及び大きさ」に相当する。
　さらに、引用例発明１の対象である「加速度センサー」は、補正後第１発明の対象である「加速度センサ」に相当する。
　
　したがって、引用例発明１の「所定の形状にエッチングされた半導体チップに加速度が加わることによる架橋部３の変形を、架橋部３に形成されているピエゾ抵抗部１１の抵抗値の変化により検出することによって加速度等を検出する加速度センサーにおいて、」は、補正後第１発明の「微細加工プロセスにより製造されるマイクロ構造体の加速度の作用に基づく機械的変形を、前記マイクロ構造体に形成した抵抗素子の電気抵抗の変化により検出して、加速度の向き及び大きさを検出すべくなしてある加速度センサにおいて、」に相当する。
　
　イ
・引用例発明１の「略台形状である」と補正後第１発明の「矩形状をなす」とは、多角形をなす点で共通する。
・引用例発明１の「垂直断面」、「四角形の枠のような形状」、「支持部５」は、補正後第１発明の「断面視」、「枠状」、「ストッパ」にそれぞれ相当する。
・引用例発明１の「中央部」、「第１の質量部９」は、補正後第１発明の「略中心部」、「重錘体」にそれぞれ相当する。
・引用例発明１の「結合」、「十字の型」、「架橋部３」は、補正後第１発明の「接続」、「交叉する二直線状」、「ビーム」にそれぞれ相当する。
・引用例発明１の「前記架橋部３、３、３、３のうちの２本と支持部５の内周面とに囲まれた空間内に支持部５との相対位置が変化する状態」は、補正後第１発明の「前記ビームのうちの２本と前記ストッパの内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態」に相当する。
・引用例発明１の「連結」、「柱状体」、「第２の質量部３１」、「４個の第２の質量部３１」は、補正後第１発明の「連設」、「柱状」、「補助重錘体」、「４つの補助重錘体」にそれぞれ相当する。
・引用例発明１の「側面が垂直面と３５．８度の柱状体をなす４個の第２の質量部３１」と補正後第１発明の「側面が略垂直な柱状をなす４つの補助重錘体」とは、側面が垂直面と所定の位置関係にある柱状をなす４つの補助重錘体の点で共通する。
　
　したがって、引用例発明１の「前記半導体チップは、垂直断面が略台形状をなす四角形の枠のような形状の支持部５と、前記支持部５の中央部に設けられた第１の質量部９と、前記第１の質量部９と前記支持部５とを結合するものであり、十字の型をなす４本の架橋部３と、前記架橋部３、３、３、３のうちの２本と支持部５の内周面とに囲まれた空間内に支持部５との相対位置が変化する状態で前記第１の質量部９に連結されており、側面が垂直面と３５．８度の柱状体をなす４個の第２の質量部３１とを有し、」と補正後第１発明の「前記マイクロ構造体は、断面視で矩形状をなす枠状のストッパと、前記ストッパの略中心部に設けられた重錘体と、前記重錘体と前記ストッパとを接続するものであり、交叉する二直線状をなす４本のビームと、前記ビームのうちの２本と前記ストッパの内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で前記重錘体に連設されており、側面が略垂直な柱状をなす４つの補助重錘体とを有し、」とは、「前記マイクロ構造体は、枠状のストッパと、前記ストッパの略中心部に設けられた重錘体と、前記重錘体と前記ストッパとを接続するものであり、交叉する二直線状をなす４本のビームと、前記ビームのうちの２本と前記ストッパの内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で前記重錘体に連設されており、側面が垂直面と所定の位置関係にある柱状をなす４つの補助重錘体とを有し、」の点で共通する。
　
ウ　引用例発明１の「（半導体チップの）表面」は補正後第１発明の「第１主面」に相当する。そして、図８、９から、半導体チップの表面は支持部５の表面を含むことは明らかである。
　したがって、引用例発明１の「前記半導体チップの表面に対して前記半導体チップ中心の垂直上方から見たときに、４本の架橋部３はそれぞれ同じ長さであり、」は、補正後第１発明の「前記ストッパ表面を含む第１主面に対して前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記４本のビームのそれぞれの長さが同じであり、」に相当する。
　
エ　引用例発明１の「像」、「回転前の」は、補正後第１発明の「写像」、「元の」に相当する。
　したがって、引用例発明１の「前記半導体チップの表面中心を軸として９０度回転させたときの前記垂直上方から見た前記支持部５、前記第１の質量部９、前記第２の質量部３１、３１、３１、３１及び前記４本の架橋部３の像が回転前の像と同じになり、」は、補正後第１発明の「前記マイクロ構造体の第１主面中心を軸として９０度回転させたときの前記垂直上方から見た前記ストッパ、前記重錘体、前記補助重錘体及び前記４本のビームの写像が、元の写像と同じになり、」に相当する。
　
　オ　引用例発明１の「裏面」は、補正後第１発明の「第２主面」に相当する。
　そして、引用例発明１の「平面視が異なっており」と補正後第１発明の「平面視が略同じであり」とは、平面視の形状の異同が所定の関係にありの点で共通する。
　したがって、引用例発明１の「半導体チップの表面と半導体チップの裏面とは、前記半導体チップ中心の垂直上方から見たときに、前記第１の質量部９、前記第２の質量部３１、３１、３１、３１及び前記支持部５における平面視が異なっており、」と補正後第１発明の「前記マイクロ構造体の第１主面の反対側の主面を第２主面としたとき、第１主面と第２主面とは、前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記重錘体、前記補助重錘体、及び前記ストッパにおける平面視が略同じであり、」とは、「前記マイクロ構造体の第１主面の反対側の主面を第２主面としたとき、第１主面と第２主面とは、前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記重錘体、前記補助重錘体、及び前記ストッパにおける平面視の形状の異同が所定の関係にあり、」の点で共通する。
　
カ　引用例発明１の「前記第１の質量部９、前記第２の質量部３１、前記支持部５は同じ厚みであり、」は、補正後第１発明の「前記重錘体及び前記補助重錘体が同一の厚みを有し、かつ前記ストッパと略同じ厚みであり、」に相当する。
　　
キ　引用例発明１についての上記記載事項（コ）、（サ）から、引用例発明１の上蓋１５及び台座１３は半導体チップを保護するためのものであって、当該上蓋１５及び台座１３は加速度センサのパッケージとして機能していることは明らかである。
　したがって、引用例発明１の「半導体チップの表面が上蓋１５と、半導体チップの裏面が台座１３と相対する際に、前記上蓋１５及び前記台座１３に対して前記第１の質量部９及び前記第２の質量部３１、３１、３１、３１の半導体チップの表面及び裏面部分が隙間を保持して形成されており、」は、補正後第１発明の「各主面がパッケージと相対する際に、前記パッケージに対して前記重錘体及び前記補助重錘体の各主面部分が、僅かに離間して保持されるように形成されており、」に相当する。
　
　よって、補正後第１発明と引用例発明１の両者は、次の一致点及び相違点を有する。
【一致点】
「　微細加工プロセスにより製造されるマイクロ構造体の加速度の作用に基づく機械的変形を、前記マイクロ構造体に形成した抵抗素子の電気抵抗の変化により検出して、加速度の向き及び大きさを検出すべくなしてある加速度センサにおいて、
　前記マイクロ構造体は、
　断面視で多角形状をなす枠状のストッパと、
　前記ストッパの略中心部に設けられた重錘体と、
　前記重錘体と前記ストッパとを接続するものであり、交叉する二直線状をなす４本のビームと、
　前記ビームのうちの２本と前記ストッパの内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で前記重錘体に連設されており、側面が垂直面と所定の位置関係にある柱状をなす４つの補助重錘体と
　を有し、
　前記ストッパ表面を含む第１主面に対して前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記４本のビームのそれぞれの長さが同じであり、
　前記マイクロ構造体の第１主面中心を軸として９０度回転させたときの前記垂直上方から見た前記ストッパ、前記重錘体、前記補助重錘体及び前記４本のビームの写像が、元の写像と同じになり、
　前記マイクロ構造体の第１主面の反対側の主面を第２主面としたとき、第１主面と第２主面とは、前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記重錘体、前記補助重錘体、及び前記ストッパにおける平面視の形状の異同が所定の関係にあり、
　さらに、前記重錘体及び前記補助重錘体が同一の厚みを有し、かつ前記ストッパと略同じ厚みであり、各主面がパッケージと相対する際に、前記パッケージに対して前記重錘体及び前記補助重錘体の各主面部分が、僅かに離間して保持されるように形成されており、
　前記抵抗素子は、前記ビーム上に形成してある、
　ことを特徴とする加速度センサ。」
　
【相違点】
（相違点１）
  枠状のストッパの形状について、補正後第１発明では、「枠状ストッパの断面視が矩形状をなす」のに対して、引用例発明１では、「四角形の枠のような形状の支持部５の垂直断面が略台形をなす」点。
（相違点２）
　補助重錘体の形状について、補正後第１発明では、「（補助重錘体の）側面が略垂直な柱状をなす」のに対して、引用例発明１では、「（第２の質量部３１の）側面が垂直面と３５．８度である柱状体をなす」点。
（相違点３）
　第１主面及び第２主面における重錘体、補助重錘体、及びストッパの平面視について、補正後第１発明では、第１主面と第２主面とは、マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、重錘体、補助重錘体、及びストッパにおける平面視が略同じであるのに対して、引用例発明１では、半導体チップの表面と半導体チップの裏面とは、前記半導体チップ中心の垂直上方から見たときに、第１の質量部９、前記第２の質量部３１、３１、３１、３１及び前記支持部５における平面視が異なっている点。
（相違点４）
　補正後第１発明では、補助重錘体が揺動した場合に、該補助重錘体がストッパに抑止されるように構成されているのに対して、引用例発明１では、その点が明らかでない点。
　　
（４）判断
ア　まず、上記相違点１〜３についてまとめて検討する。
　
　引用刊行物１には、引用例発明１の目的、機能について、従来の第１の質量部に第２の質量部を加設することにより、第１及び第２の質量部が一体となって質量部として動作させ、加速度センサーの感度を高めることが記載されており（段落【００８４】）、引用例発明１の目的は加速度センサーの感度を向上させることである。
　そして、引用例発明１の加速度センサの半導体チップが有する、第１の質量部と第２の質量部は、引用刊行物１の記載事項（ケ）等によれば、アルカリ溶液を用い、シリコン基板を異方性エッチングして形成されるものであり、その側面が該シリコン基板の表面に対して傾斜して形成されている。
　一方、「第２　（２）　イ−３」で述べたとおり、引用例発明２は次のとおりである。
「シリコン加速度センサにおいて、質量部３の斜めエッチングによる質量の減少を防止し、センサの検出感度を向上させるために、異方性のドライエッチングを利用して、質量部の側面がシリコン基板の板面と直角に形成されたシリコン加速度センサ。」
　　
　してみると、引用例発明２を参酌すれば、引用例発明１において、第１の質量部、第２の質量部はその側面が傾斜しており、当該質量部の側面が垂直に形成されているものより、その重量が減少し、加速度センサの感度が劣っていることは明らかである。
　また、引用例発明２を説明する引用刊行物２には、加速度センサの質量部３の側面を垂直に形成するために、Ｖ字状の溝を形成する従来の異方性のウェットエッチングに代えて異方性のドライエッチングを採用する旨が記載されている（段落【００２０】）。
　
　したがって、引用例発明１において、加速度センサーの感度を更に向上させるために、第１の質量部及び第２の質量部の側面を、アルカリ溶液を用いた異方性エッチング、すなわち異方性のウエットエッチングに代えて異方性のドライエッチングを利用することにより、半導体チップの表面に対して垂直に形成されたものとすることは、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　つまり、相違点２に係る補正後第１発明の発明特定事項は、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　そして、上記側面を半導体チップの表面に対して垂直に形成するためには、引用例発明２のように異方性のドライエッチングを採用することとなるが、そのエッチングの際、第２の質量部に隣接する半導体チップにおける四角形の枠のような形状の支持部５（以下「支持部５」という。）も、その側面が半導体チップの表面に対して垂直に形成されることは明らかである。
　そうすると、引用例発明１における支持部５の断面視が矩形状をなすことになり、相違点１に係る補正後第１発明の発明特定事項は、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　また、引用例発明１において、第１の質量部、第２の質量部、及び支持部５のそれぞれの側面が半導体チップの表面に対して垂直に形成されると、半導体チップの表面と半導体チップの裏面とは、前記半導体チップ中心の垂直上方から見たときに、第１の質量部９、前記第２の質量部及び前記支持部５における平面視は補正後第１発明と同じく「略同じ」となる。
　したがって、相違点３に係る補正後第１発明の発明特定事項は、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　
イ　次に、相違点４について検討する。
　引用刊行物１には、引用例発明１が検知する加速度の方向が特定の方向である旨の記載はされていないから、引用例発明１が有する第２の質量部３１、３１、３１、３１に加速度が作用した際、第２の質量部は３次元的にあらゆる方向に変位し得ることは明らかである。　
　したがって、引用例発明１を認定する際に参照した引用刊行物１の図面の図８、９を参照すると、例えば、図８の平面図において、第２の質量部３１における正方形の辺の方向や同対角線方向に第２の質量部３１は変位可能であることは明らかである。　
　
　一方、本願の明細書には、相違点４に係る補正後第１発明の効果について以下の記載がある。
「【００２１】
　（略）　補助重錘体１４は枠部１１と接近しており、大きく変位しても枠部１１の内周面で止まるので、耐衝撃性が良好である。（略）」、
「【００２６】
    【発明の効果】
（略）　補助重錘体は変位しても枠部がストッパとして機能するので、耐衝撃性が良好である。」
　　
　してみると、引用例発明１においても、第２の質量部３１に上記辺の方向や同対角線方向に想定された以上の加速度が加わったときには、第２の質量部３１が支持部５に衝突するまで大きく変位することは明らかであるから、、第２の質量部３１が支持部５に抑止されるといえる。
　したがって、相違点４は実質的な相違点ではない。
　
　そして、補正後第１発明の奏する効果は、引用刊行物１及び引用刊行物２の記載から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎず、格別なものとはいえない。
　よって、補正後第１発明は、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　（５）むすび
　以上のとおり、補正後第１発明は、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　第３　本願発明
　平成２０年６月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２０年１月２１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの、以下のもの（以下、「本願第１発明」という。）である。
「【請求項１】　微細加工プロセスにより製造されるマイクロ構造体の加速度の作用に基づく機械的変形を、前記マイクロ構造体に形成した抵抗素子の電気抵抗の変化により検出して、加速度の向き及び大きさを検出すべくなしてある加速度センサにおいて、
　前記マイクロ構造体は、
　枠状のストッパと、
　前記ストッパの略中心部に設けられた重錘体と、
　前記重錘体と前記ストッパとを接続するものであり、交叉する二直線状をなす４本のビームと、
　前記ビームのうちの２本と前記ストッパの内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で前記重錘体に連設された、少なくとも１つの補助重錘体と
　を有し、
　前記ストッパ表面を含む第１主面に対して前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記４本のビームのそれぞれの長さが同じであり、
　前記マイクロ構造体の第１主面中心を軸として９０度回転させたときの前記垂直上方から見た前記ストッパ、前記重錘体、及び前記４本のビームの写像が、元の写像と同じになり、
　前記マイクロ構造体の第１主面の反対側の主面を第２主面としたとき、第１主面と第２主面とは、前記マイクロ構造体中心の垂直上方から見たときに、前記重錘体、前記補助重錘体、及び前記ストッパにおける平面視が略同じであり、
　さらに、前記重錘体及び前記補助重錘体が同一の厚みを有し、かつ前記ストッパと略同じ厚みであり、各主面がパッケージと相対する際に、前記パッケージに対して前記重錘体及び前記補助重錘体の各主面部分が、僅かに離間して保持されるように形成されており、
　前記抵抗素子は、前記ビーム上に形成してあり、
　前記補助重錘体が揺動した場合に、該補助重錘体が前記ストッパに抑止されるように構成されていることを特徴とする加速度センサ。」
　
　第４　引用例
　（１）　引用刊行物１、及び、その記載事項は、前記「第２　２（２）ア−１〜ア−３」に記載したとおりである。
　
　（２）　引用刊行物２、及び、その記載事項は、前記「第２　２（２）イ−１〜イ−３」に記載したとおりである。
　
　第５　当審の判断
　本願第１発明は、補正後第１発明から、「枠状のストッパ」に関して「断面視で矩形状をなす枠状のストッパ」との限定事項を省き、「少なくとも１つの補助重錘体」に関して「側面が略垂直な柱状をなす４つの補助重錘体」との限定事項を上位概念の事項にし、また、「補助重錘体」に関して、マイクロ構造体の第１主面中心を軸として９０度回転させたときの垂直上方から見た補助重錘体の写像が、元の写像と同じになりとの限定を省いたものである。
　してみると、本願第１発明の発明特定事項を全て含む補正後第１発明が、「第２　２（４）」で述べたとおり、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同様の理由により、本願第１発明も、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　請求人の主張に対して
　審判請求人は、審判請求書の手続補正者（方式）の【本願発明が特許されるべき理由】１．請求項１について「（５）組み合わせに対する阻害要因」の項において、引用文献１の段落【００７７】〜【００８１】、【００３５】、【００１０】を引用し、「引用文献２等に開示のドライエッチングを適用した場合、引用文献１（引用刊行物１）〔図８〕及び〔図９〕に示す４本の架橋部３の厚さが不均一となり、膜厚制御性の悪化ひいては加速度検出の感度低下を招来し、引用文献１の発明の目的を没却することになる。
　このように、当業者にとって引用文献１（引用刊行物１）に対し、引用文献２または周知技術文献１（引用刊行物２）乃至３を適用することは、大きな技術的阻害要因となるものである。」と主張している。
　
　そこで、引用刊行物１の特に【００３５】に記載された事項が、引用例発明１に対して、引用例発明２を適用する際の阻害要因といえるかについて検討する。
　まず、引用刊行物２に記載された引用例発明２は、「第２　２（２）イ−３」の項で上述したように、異方性のドライエッチングを利用して質量部３の側面がシリコン基板の板面と直角に形成されたシリコン加速度センサである。
　そして、引用刊行物１には、「【００３５】次に、図２（ｂ）に示すように、半導体チップ２０の裏面を化学エッチングすることにより、支持部５と架橋部３との間に分離部７を形成する。この化学エッチングは、ＫＯＨなどのアルカリ溶液を用いて異方性のエッチングを行ったものである。このため、そのエッチング面は（１１１）面に沿ったものとなるので垂直面とのなす角度は３５．８度になる。また、ウエットエッチングはドライエッチングに比べて膜厚制御性に優れている。」なる事項が記載されている。
　この記載によれば、引用例発明１の加速度センサーを半導体チップから製造する際のドライエッチングは、膜厚制御性がウエットエッチングに比して劣ることは否めない。
　しかしながら、引用刊行物２には、引用例発明２を製造するに当たり、シリコン基板をＮ型シリコン層とＰ型シリコン層とからなるものとし、Ｐ型層の異方性のドライエッチングをＮ型層に達する少し前で止め、残したＰ型層を電解エッチングにより除去してＮ型層との境界面でエッチングをストップする製造方法が記載されており（【０００６】、【００１７】〜【００１８】、上記製造方法を採用することで引用刊行物１で指摘される膜厚制御性の問題点が解決されている。
　そうすると、引用例１発明において請求人の主張する膜厚制御性の問題点を考慮したとしても、この問題点は、例えば引用刊行物２の記載の方法により同様に解決可能であるから、引用例発明１に対して引用例発明２を適用することに阻害要因があるとはいえない。
　なお、本願第１発明、補正後第１発明は、いずれも、補助重錘体等の側面を略垂直に形成するに際し、膜厚制御性を良好とするための発明特定事項を有するものではない。　
　
　よって、審判請求人の主張は採用することができない。
　
第７　むすび
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用例発明１及び引用例発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
 　よって、結論のとおり審決する。