【事件の表示】
　特願２００４−１０２３２０「セラミック構造体の検査方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月１３日出願公開、特開２００５−２８３５４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は、平成１６年３月３１日の特許出願（２００４年特許願第１０２３２０号。「以下、「本件出願」という。）につき、平成２０年１２月８日付けで拒絶査定（発送日：同月１６日）がなされたところ、これに対し、平成２１年１月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年２月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２１年２月１２日付けの手続補正についての補正却下の決定
　１　補正却下の決定の結論
　平成２１年２月１２日付けの手続補正を却下する。
　　
　２　補正却下の決定の理由
　（１）平成２１年２月１２日付けの手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、本件出願の明細書の特許請求の範囲の請求項１を以下のとおり補正することを含むものである。
　　　　　　　　
　ア　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（平成２０年８月２９日付け手続補正書によるもの）
「【請求項１】
　セラミック構造体の全周辺に沿って螺旋状に連続的にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体の全周を螺旋状に渡って走査して、断層面のＸ線吸収係数（ＣＴ値）の分布を測定するにあたり、Ｘ線を照射するＸ線管の管電圧が、４００〜８０ｋＶで、且つ前記Ｘ線管の管電流が、２〜４００ｍＡであるセラミック構造体の検査方法。」
　　　　　　　　　　　
　イ　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】
　
セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数（ＣＴ値）からセラミック構造体の密度分布を測定するセラミック構造体の検査方法であって
　セラミック構造体の全周辺に沿って螺旋状に連続的にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体の全周を螺旋状に渡って走査して、断層面のＸ線吸収係数（ＣＴ値）の分布を測定するにあたり、Ｘ線を照射するＸ線管の管電圧が、４００〜８０ｋＶで、且つ前記Ｘ線管の管電流が、２〜４００ｍＡであるセラミック構造体の検査方法。」
（なお、下線部は補正箇所を示す。）　
　　　　　　　
　（２）　本件補正の適否について
　本件補正は、本件補正前の請求項１に係る発明について、「セラミック構造体の検査方法」の構成要件として、「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数（ＣＴ値）からセラミック構造体の密度分布を測定するセラミック構造体の検査方法であって、」という構成を付加することは、「セラミック構造体の検査方法」の構成要件が「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数（ＣＴ値）からセラミック構造体の密度分布を測定する」「セラミック構造体の検査方法」であることを減縮して特定するものである。
　そうすると、本件補正は減縮する補正を含む補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前（以下、単に「平成１８年改正前」という。）の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　 　
　（３）　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（ア）引用刊行物記載の発明
（３Ａ）原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に頒布された特開平２００１−２０１４６５号公報（以下、引用刊行物Ａ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与したものである。以下、同様である。）
　　
（３Ａ−１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】Ｘ線透過法により試料の内部を非破壊で検査するＸ線を用いた非破壊検査方法であって、
試料にＸ線を照射し
試料内部のＸ線吸収係数の違いに基づくデジタル画像データとしてＸ線透過像を求め、求めたＸ線透過像のデジタル画像データを画像処理する
・・・
【請求項６】Ｘ線断層法により試料の内部を非破壊で検査するＸ線を用いた
非破壊検査方法であっ
・・・
【請求項８】
セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射し、各方向から得られた画像データ
画像データからセル断面の密度分布を求めることで、セラミックハニカム構造体におけるセル断面の密度をＸ線断層法により非破壊で求める
Ｘ線を用いた非破壊検査方法
　　　
（３Ａ−２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、素材、部品、部材を、分解あるいは破壊せずに欠陥の有無とその状態、対象物の性質、状態、内部構造等を調べるために使用するＸ線を用いた非破壊検査方法に関し、特にＸ線透過法またはＸ線断層法を用いた非破壊検査方法に関するものである。」
　　　
（３Ａ−３）「【０００４】また、従来、人体等の断層像を撮るためにＸ線断層法が知られている。そのようなＸ線断層法では、人体に異なる方向からＸ線を照射し、各方向から得られた画像データを再構成することによって断層像を視覚化し、人体の断層像を目視で観察して、病巣等を求めていた。しかし、上述した従来のＸ線断層法を利用した非破壊検査方法は、実際に試みられた対象が人体等に限られていた。そして、産業用への応用は余り一般的ではなかった。
【０００５】本発明の目的は上述した課題を解消して、Ｘ線透過法により高い精度で内部欠陥等を検査できる方法、および、Ｘ線断層法をセラミックスや金属に応用することで従来手に入れることのできなかったセラミックスや金属の断層面における内部欠陥等を検査できる方法、を含むＸ線を利用した非破壊検査方法を提供しようとするものである。」
　　　
（３Ａ−４）「【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明のＸ線を利用した非破壊検査方法のうちＸ線透過法により非破壊検査をするシステムの一例を示す図である。図１に示す例において、Ｘ線線源１から試料２にＸ線を照射し、透過Ｘ線分布をデジタル撮影用フィルムとしてのイメージングプレート３上に得る。得られた透過Ｘ線分布は、イメージングプレート３によりデータ処理用ＰＣ４を補助的に使用することでデジタル値に変換され、デジタル画像データとして求められる。求められたデジタル画像データは画像処理用ＰＣ５において画像処理され、試料の内部を非破壊で検査する。画像処理により非破壊で求める試料の内部の諸特性としては、後述するように、
セラミックスの密度
が例示できる
【００１０】図１に示すＸ線透過法の例では、撮影媒体としてこれまでのＸ線フィルムに替わり、イメージングプレート（ＩＰ）３を用いる点が特徴となる。イメージングプレート３上に照射された試料２の透過Ｘ線分布は、データ処理用ＰＣ４を利用してＡ／Ｄ変換され、一例として各画素が１０ビット（１０２４階調）を有するデジタル画像データに変換される。さらに、詳細な画像解析を行うため、得られたデジタル画像データを一例としてＴＩＦ形式に変換し、市販の画像解析ソフト（一例として、Image-Pro Plus）を用いて画像処理を実施する。
【００１１】以下、Ｘ線透過法による非破壊検査の具体例として、Ａ．セラミックスの密度分布評価の例と、Ｂ．ハニカム成形用口金のコーティング層の摩耗評価の例を説明する。
【００１２】Ａ．セラミックスの密度分布評価について：
本例の主眼
Ｘ線を用いた非破壊手法を用いることによって、平板セラミック成形体、焼結体の全体の密度分布を得る
【００１３】実施例
（１）評価サンプル：ＳｉＣプレス成形体
成形方法：一軸プレス成形
成形圧力：５００ｋｇｆ／ｃｍ２　（４９ＭＰａ）
成形体形状：２００×２００×ｔ１０ｍｍ
（２）使用設備
・Ｘ線発生装置：最大管電圧３２０ｋＶｐ
・デジタル画像処理装置
・撮影媒体：イメージングプレート（ＩＰ）
・画像解析ソフト：Image-Pro Plus（Windows 版）
・Ｘ線照射条件：
管電圧：５０ｋｖｐ
管電流：０．５ｍＡ
照射時間：２０秒
【００１４】（３）評価方法
(a) 
サンプルの厚み方向にＸ線を照射し、サンプルの透過Ｘ線分布をＩＰ上に得
(b) ＩＰの出力をデータ処理用ＰＣを用いてデジタル画像データに変換する。透過Ｘ線イメージを図２に示す。
(c) 得られたデジタル画像データをもとにビットマップ解析を行い、
透過Ｘ線分布のマトリックスデータ（グレイスケール）を得
(d) 評価サンプルの各部位から５ｍｍ角のサンプルを１０個切り出し、アルキメデス法による嵩比重測定を実施する。
(e) 各サンプルのアルキメデス法による嵩比重測定結果と該当する透過Ｘ線試験で得られたグレイスケールとの関係式を得る。アルキメデス法による嵩比重測定結果とグレイスケールとの対応の一例を以下の表１に示すとともに、図３にグラフとしても示す。
(f) 得られた関係式を用い、
グレイスケールから密度値に変換する
(g) 
透過Ｘ線分布を密度分布に変換する。変換して得られたセラミック平板成形体の密度分布を図４に示す
【００１５】
【表１】
・・・
【００１６】（４）考察
上述した結果から、
セラミック成形体にＸ線を照射し、サンプル透過後の透過Ｘ線デジタルデータ（グレイスケール）の分布から
密度分布への変換が可能であり
　　　　
（３Ａ−５）「【００１７】
Ｂ．ハニカム成形用口金のコーティング層の摩耗評価について：
・・・
【００１８】実施例
（１）評価サンプル：ハニカム成形用口金
（２）使用設備
・Ｘ線発生装置：マイクロフォーカスＸ線（最大管電圧２２５ｋＶ）
・デジタル画像処理装置
・撮影媒体：イメージングプレート（ＩＰ）
・画像解析ソフト：Image-Pro Plus（Windows 版）
・Ｘ線照射条件：
管電圧
１９５ｋｖｐ管電流
０．１ｍＡ
照射時間：６０秒」
　　　　　　　　　　　　　
（３Ａ−６）「【００２３】次に、本発明のＸ線を利用した非破壊検査のうちＸ線断層法を利用した例について説明する。図１２は、
本発明のＸ線を利用した非破壊検査方法のうちＸ線断層法により非破壊検査をするシステムの一例を示す
試料２２を回転させることで、試料２２に異なる方向からＸ線を照射する
検出器２３で得られる各方向からの画像データを画像再構成部２４で再構成することで、断層像を視覚化して
【００２４】以下、Ｘ線断層法による非破壊検査の具体例として、Ｃ．Ｘ線断層法によるセラミックスの欠陥検出の例と、Ｄ．Ｘ線断層法によりセラミックスの気孔分布評価の例を説明する。
【００２５】Ｃ．Ｘ線断層法によるセラミックスの欠陥検出の例について：
本例の主眼
Ｘ線断層法（以下、Ｘ線ＣＴとの記す）を用いた非破壊手法を用いることによって、これまでの非破壊検査技術（透過Ｘ線、超音波探傷、光を用いた観察等）では検出不可能であったセラミック製品中の不良箇所を検出する。例えば、以下の実施例に用いた自動車用ハニカムセラミック中の内部クラック、セルの抜け、セル変形を非破壊的に評価することは非常に困難だった。これをＸ線ＣＴを用い得ることによって、上記欠陥検出を正確に把握することが可能となった。また、
ハニカム成形体中の密度分布評価も可能とな
【００２６】実施例
（１）評価サンプル：自動車用ハニカムセラミック
（セル厚み：１００μｍ、セル密度：４００セル／ｉｎｃｈ２　）
使用材料：コージェライト
サンプル形状：直径１００ｍｍ、長さ１００ｍｍ
（２）使用設備
Ｘ線ＣＴ：マイクロフォーカスＸ線ＣＴシステム
Ｘ線ＣＴの主な評価条件
・検出器：イメージインテンシファイアー（Ｉ．Ｉ．）
・
Ｘ線管電圧：１８０ｋＶｐ（当審注：「１８０ｋｅＶ」は「１８０ｋＶｐ」の誤記。）
Ｘ線管電流：０．１５ｍＡ
・ＳＯＤ（Ｘ線線源とサンプルの距離）：２００ｍｍ
・撮影倍率（ＳＩＤ／ＳＯＤ）：１．５倍
・スライス厚み：０．５ｍｍ
【００２７】
（３）評価結果
(a) 図１２に示すシステム構成で、ハニカムにとって重要である各種欠陥（図１３（ａ）、（ｂ）に示す内部クラック、図１４（ａ）、（ｂ）に示す内部セル抜け、図１５（ａ）、（ｂ）に示す内部セル変形）を有するハニカムを用い、上記条件に従ってＸ線ＣＴによる断層観察を実施した。
(b) 評価の結果、これまでの非破壊検査技術では評価不可能であったいずれの内部欠陥も、Ｘ線ＣＴを用いることで評価可能であった。
(c) また、ハニカム成形体中の断面における密度分布についても評価を実施した。成形体中の密度分布は焼成過程でクラックや変形の発生原因となるため、均一な成形体を得る必要がある。従来、特に長尺サンプルでは、断面内の密度分布評価が正確にできなかったが、Ｘ線ＣＴを用いることで評価可能となった。結果を図１６に示す。なお、
密度分布の求め方については
Ａ．セラミックスの密度分布評価で詳細に説明したように
セル部のグレイスケールを、
変換することで、求めることができる
【００２８】Ｄ．Ｘ線断層法によりセラミックスの気孔分布評価の例について：
本例の主眼
Ｘ線ＣＴを用いた非破壊手法を用いることによって、セラミック成形体、焼結体中の気孔分布状況を得る。セラミックは脆性材料であり、大きな気孔が存在するとその気孔を起点として破壊が発生し、強度低下の原因となるため、セラミック焼結体中の気孔を低減させることはセラミック製作時に重要である。従って、セラミック焼結体中の気孔分布状況を内部にわたって正確に評価する必要がある。セラミック成形体に気孔が存在する場合には、後工程の乾燥、脱バインダーおよび焼成工程で破損が発生する場合がある。従って、セラミック成形体の気孔発生状況を正確に把握することは、最終セラミック製品の信頼性を確保する上で重要である。セラミックフィルター等のポーラスセラミック材料の場合には、ある大きさの連続した気孔を得る必要がある。この場合、狙った気孔が正確に形成されているかを正確に判断する必要がある。以上の要望に対し、これまで、気孔評価は実体顕微鏡やＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いた表面観察が一般的であるが、これらの手法では表面観察しかできない。これに対して、Ｘ線ＣＴを用いる方法では、内部の気孔が評価可能となる。
【００２９】実施例
（１）評価サンプル：窒化ケイ素焼結体（２種類：Ａ／気孔多、Ｂ／気孔小）
サンプル形状：４×３×Ｌ４０ｍｍ（ＪＩＳ　Ｒ１６０１曲げ試験片）
（２）使用設備：
・Ｘ線ＣＴ：マイクロフォーカスＸ線ＣＴシステム
・金属顕微鏡法：半導体検査顕微鏡
（３）気孔分布評価条件
(a) Ｘ線ＣＴの主な評価条件
・検出器：ラインセンサー
・
Ｘ線管電圧
１８０ｋＶｐ
Ｘ線管電流
０．１５ｍＡ
・ＳＯＤ（Ｘ線線源とサンプルの距離）：１９ｍｍ
・撮影倍率（ＳＩＤ／ＳＯＤ）：１５．８倍
・スライス厚み：０．５ｍｍ
(b) 金属顕微鏡の主な評価条件
・撮影倍率：総合倍率８０倍（対物レンズ１０倍、接眼レンズ８倍）
【００３０】（４）評価方法
(a) 図１７に示すように、Ｘ線ＣＴでは、試験片の４×３の断面を１０断面（評価面積１２０ｍｍ）求め断層観察を実施した。
(b) 金属顕微鏡では、Ｘ線ＣＴ評価に用いた同一サンプルを鏡面研磨後、Ｘ線ＣＴと同一評価面積（１２０ｍｍ）について観察した。
(c) 両者の撮影画像を画像解析ソフト（Image Pro-Plus）を用いて気孔部を選別し、気孔分布状況の比較を行った。
(d) 気孔径の異なる２種類の窒化ケイ素の評価結果を図１８（ａ）、（ｂ）に示す。両者の結果は非常に良く一致し、Ｘ線ＣＴを用いることによってセラミック表面のみでなく内部評価へも適用可能であることがわかる。また、本発明の技術によって、生産品のセラミック内部の気孔分布状況が観察可能であり、信頼性の向上に有益である。」
　　　　　　　　　　　
（３Ａ−７）図２には透過Ｘ線イメージとして、Ｘ線吸収係数の大きさが大きい場合から小さい場合に変化すると透過Ｘ線のイメージが白い部位から黒い部位に変化することが描かれている。
　　　
　上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−１）〜（３Ａ−７）の記載を参照すると、上記引用刊行物Ａには、
「セラミックハニカム構造体にＸ線を照射し、セラミックハニカム構造体透過後のセラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数の違いから得られた画像データを再構成することによってデジタル画像データからなる断層像を求め、求めた断層像のデジタル画像データから密度分布へ変換してセラミックハニカム構造体の密度分布を得るＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法であって、
　セラミックハニカム構造体を回転させることで、セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射し、検出器で得られる各方向からの画像データを再構成して断層像のデジタル画像データを求める際の、Ｘ線管電圧が１８０ｋＶｐであり、Ｘ線管電流が０．１５ｍＡであるセラミックハニカム構造体の密度分布を得るＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　　　　　　　　　　
（３Ｂ）原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に頒布された特開昭６３−２０３１３７号公報（以下、引用刊行物Ｂ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（３Ｂ−１）「［発明の目的］
（産業上の利用分野）
　本発明は、可変電圧がＸ線管に供給されるＸ線ＣＴ装置に関する。」（１頁左下欄１６〜１９行）
　　　　　　　　
（３Ｂ−２）「（従来の技術）
　Ｘ線ＣＴ装置はＸ線管で発生したＸ線を被写体に曝射し、このＸ線吸収係数を検出器によってデータとして検出してこのデータに基いて画像を再構成するものである。このようにＸ線管からＸ線を発生させるにはＸ線管に対して高圧を印加する必要がある。
　一般に比較的低い管電圧が印加された場合Ｘ線管は波長の長いＸ線（軟Ｘ線）を発生し、この際の収集データに基いた再構成画像は密度分解能に優れたものが得られる。一方、高い管電圧が印加された場合Ｘ線管は波長の短いＸ線（硬Ｘ線）を発生し、この際の収集データに基いた再構成画像は空間分解能に優れたものが得られる。」（１頁左下欄２０行〜右下欄１３行）
　　　　　　　　　　
（３Ｂ−３）「（発明が解決しようとする問題点）
　ところで従来の
Ｘ線ＣＴ装置では、Ｘ線管に印加する電圧は第５図（ａ）のように時間軸に沿って変化しない一定電圧Ｖｃが設定されているので、第５図（ｂ）の収集パルス（サンプリングパルス）Ｐをどの時点で選んでも、Ｘ線管からは一定電圧Ｖｃに基いたエネルギーのＸ線が曝射されるように構成されている
　　　　　　　　　　　
（３Ｂ−４）「（実施例）
　第１図は本発明のＸ線ＣＴ装置の実施例を示すブロック図で、１はＸ線管で印加された電圧に基いて被写体２に対してＸ線を曝射し、このＸ線吸収係数がデータとして検出器３によって検出される。検出器３は例えばシンチレータ検出器から構成され、複数のチャンネルが一体化されている。例えば第３世代のＣＴ装置場合、Ｘ線管１はＸ線を曝射しながら検出器３と一体となって、被写体２の周囲を回転する。４はデータ収集部で検出器３で得られた被写体２に関するＸ線吸収係数のデータを各チャンネルごとに入力し、増幅，積分，サンプルホールド及びＡ／Ｄ変換等の処理を行い、後段の再構成部５に出力する。再構成部５は前記データ収集部４からの被写体２の周囲の全方向からの投影データに基き、コンボリューション、バックプロジェクションを行ってＣＴ両画像再構成して後段の表示部６に表示する。」（２頁右上欄６行〜左下欄３行）
　　　　　
（３Ｃ）原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に頒布された特開昭６１−１４５５０号公報（以下、引用刊行物Ｃ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（３Ｃ−１）「〔発明の技術分野〕
　本発明は被検査物の断層像を撮影する断層撮影装置に係り、特に撮影して得られた画像データから被検査物に有する混在物の混在率を求める混在率測定装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
　断層撮影装置は被検査物の断層像を設定された各スライス位置別に得るものであるが、この断層像撮影により得られた各スライス位置熱の画像データからは、被検査物の計測に関する多種の情報を得ることができる。例えば被検査物の寸法、断面形状および欠陥の有無、また人体などに対してはその組織分布などである。ところで、被検査物に混在物がある場合は、その混在物の形状および混在物の混在率も計測対象となる。例えば流体状のコンクリートを型に流しこんで凝結させる場合、この凝結の際コンクリート内部に気孔が形成されてしまう。この気孔の数があまりにも多くなるとコンクリートの強度が低下してしまい、コンクリートとしての品質を維持できなくなる。したがって、コンクリート内部における気孔率を測定することは、コンクリートの品質管理において重要なことである。このことはコンクリート内部の気孔率に限らず、混在物を有する製品の品質管理において重要である。しかしながら、気孔などの混在率を正確に測定する手段がみあたらず、混在率を測定する装置が望まれている。」（１頁右下欄６行〜２頁左上欄１３行）
　　　　　　　　
（３Ｃ−２）「〔発明の実施例〕
　以下、本発明に係る混在率測定装置の一実施例について第１図ないし第５図を参照して説明する。なお、
本発明の混在率測定装置は、断層撮影装置（以下、ＣＴスキャナと称す）により得られた被検体の画像データすなわちＣＴ値により混在物の混在率を測定するものである
　４は画像再構成部であって、これはデータ収集部１ｄにより得られた放射線吸収データに対してオフセット補正、リファレンス補正が行なわれたものを受け、これら放射線吸収データに対してコンボリューションなど行なって修正した投影データを求め、この投影データを放射線源１ａの放射線放射方向からの逆投影を行なって二次元平面における各画素位置の画像データを求めるものである。ここで、
画像データは例えば水に対する放射線吸収係数を基準としたＣＴ値の情報から成っている。ゆえにＣＴ値は水を「０」、空気を「−１０００」としたときの被検査体Ｓの放射線吸収係数となる
　さて、１０は画素数演算部である。この画素数演算部１０は、ＣＲＴ表示装置１１に表示された被検査体断層像上の所望抽出領域内における混在物の画素数と抽出領域内の全画素数とを求めるものである。具体的には、抽出領域内のＣＴ値頻度分布すなわちヒストグラム処理が行なわれる。そして、放射線の量子ノイズや表示画像のボケなどを考慮して設定された混在物（例えば気孔）が有するとみなしたＣＴ値を閾値として混在物の画素数が求められる。そこで、コンクリート内の気孔を混在物とした場合の閾値は次のようにして設定される。すなわち、画像データの１画素のＣＴ値は、その１画素に相当するコンクリート断層像上の面積の平均の放射線吸収の度合、つまりＣＲＴ表示画面上の濃淡度の度合を示している。ゆえに１画素のＣＴ値は気孔、コンクリートを構成する砂、セメントなどに対する放射線吸収の度合が合成されたものとなっている。したがって、気孔が比較的大きければ「−１０００」に近づいたＣＴ値を示し、気孔が比較的小さければ「０」に近づいたＣＴ値となる。そこで、閾値は、コンクリートの製品として十分にたえうる気孔の大きさを考慮して４００と設定する。なお、画素数を求める手段は、画像データをＣＲ７表示装置１１に表示する際ラスタースキヤンを行なってＣＴ値に応じた輝度変換を行なうが、このとき４００以下のＣＴ値を検出してカウントすることになる。
　１２は気孔率演算部であって、これは画素数演算部１０により求められた気孔とみなす画素数Ｎと抽出領域の全画素数Ｍとの比を演算して断面気孔率Ｒを求めるものである。・・・１３はコンソール、１４は主記憶部、１５はディスクである。」（２頁右上欄９行〜３頁右上欄３行）
　　　　　　　　　
（３Ｄ）原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に頒布された特開平１０−２２５４５３号公報（以下、引用刊行物Ｄ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（３Ｄ−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には計算機式断層写真法（ＣＴ）のイメージングに関し、より具体的には、ＣＴ走査中に取得された投影データを正規化することに関する。」
　　　　　　　　
（３Ｄ−２）「【０００２】
【従来の技術】少なくとも１つの公知の
ＣＴシステム構成では、Ｘ線源はファン（扇形）形状のビームを投射し
【０００３】公知の第３世代ＣＴシステムでは、Ｘ線源及び検出器配列は、Ｘ線ビームが物体と交差する角度が一定に変化するように、イメージング平面内でイメージングされるべき物体の周りをガントリと共に回転する。１つのガントリ角度における検出器配列からの一群のＸ線減衰測定値、即ち、投影データを「ビュー」と呼ぶ。物体の１回の走査は、Ｘ線源及び検出器の１回転の間に様々なガントリ角度で形成された一組のビューで構成されている。軸方向走査の場合には、投影データを処理して、物体から切り取られた２次元スライスに対応する画像を構成する一組の投影データから画像を再構成する１つの方法は、当業界でフィルタ補正逆投影（filtered backprojection）法と呼ばれている。この方法は、１回の走査からの減衰測定値を、「ＣＴ数」又は「ハンスフィールド（Hounsfield）単位」と呼ばれる整数に変換し、これらの整数を用いて、陰極線管表示装置上の対応するピクセルの輝度を制御するものである。
【０００４】
多数のスライスに要求される全走査時間を短縮するために、「螺旋」（ヘリカル）走査を実行することができる。
ファン・ビームによって精密に撮像された螺旋から投影データが取得され、この投影データから各々の所定のスライスにおける画像を再構成することができる。
　　　　　　　
（３Ｅ）原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に頒布された特開平２００４−７３８６５号公報（以下、引用刊行物Ｅ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（３Ｅ−１）「【技術分野】
【０００１】
　本開示は一般的には、可変変調方式に関し、さらに具体的には、可変Ｘ線電力変調方式及び可変Ｘ線電力変調方式を具現化する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　少なくとも一つの公知の
計算機式断層写真法（ＣＴ）イメージング・システム構成では、Ｘ線源がファン（扇形）形状のビームを投射し
　　　　　　　　
（３Ｅ−２）「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　幾つかの走査パラメータ、例えば、Ｘ線管すなわち照射器の電流（「ｍＡ」）、
Ｘ線管供給電圧（「ｋＶ」）
螺旋ピッチ（ヘリカル・スキャンの場合）
　　　　　　　
（３Ｅ−３）「【０００７】
　Ｘ線管電圧については、現状で利用されている殆どのＣＴスキャナは、技師及び／又は医師がＸ線管電圧を調節できるように幾種類の管電圧基準値（例えば
８０ｋＶ対１４０ｋＶ
１２０ｋＶ
１４０ｋＶ
　　　　　　　　
（３Ｅ−４）「【００１４】
　本書に開示するのは、所望の画像雑音を保持するようにＸ線管電流（ｍＡ）を決定すると共に、線量効率を高めるためにＸ線管電圧
（ｋＶｐ）
ｋＶｐ
　　　　　　　　　　　
（３Ｅ−５）「【００２０】
　図３には、イメージング・システム１の照射器電流を変調する方法２００を記述する流れ図が示されており、以下この流れ図について説明する。実施形態の一例では、ブロック２０２に示すように、スカウト画像データが生成される。スカウト画像データは好ましくはＣＴイメージング・システム１を用いて取得されるが、所望の最終目的に適した任意のイメージング・システム、例えば超音波、ポジトロン・エミッション断層写真法（ＰＥＴ）、Ｘ線及びＭＲＩ等のイメージング・システムを用いてスカウト画像データを取得してもよい。さらに、スカウト画像データは好ましくは
１２０ｋＶ及び／又は４０ｍＡ
照射器電圧（ｋＶ）及び
　　　
（３Ｆ）本件出願前に頒布された特開昭５９−２２１６４３号公報（以下、「引用刊行物Ｆ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（３Ｆ−１）[発明の技術分野]
　本発明はＸ線ＣＴを使用したセラミックス製品のセラミックス物品の検査方法に関する。」（１頁右下欄５〜７行）
　　　　　　　　
（３Ｆ−２）「本発明に使用するＸ線ＣＴとしては、
１２０ｋＶ２００〜３５０ｍＡ
　　　　　　　　
（３Ｆ−３）「次にこの円筒状容器を、寝台の上に固定し東京芝浦電気株式会社製Ｘ線ＣＴ、ＴＣＴ８０Ａに第２図のように設定する。なお、図において４はＸ線検出器、５はコリメータである。
　そして
１２０ｋＶ、３００ｍＡ
　　　　
（３Ｇ）本件出願前に頒布された、「河野秀樹，”医療機器用金属材料の動向　ＩＶ．画像診断用装置　（１）Ｘ線ＣＴ”，特殊鋼，１９９３年１１月１日，第４２巻，第１１号，Ｐ．３３−３７」（以下、「引用刊行物Ｇ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（３Ｇ−１）「図１において，Ｘ線管は扇状に広がるＸ線を発生し，その動作条件は
Ｘ線管電圧１００〜１４０ｋＶ，管電流５０〜４００ｍＡである
　　　　　　　
（３Ｇ−２）「Ｘ線ＣＴは一種の非破壊検査装置であり，非接触で人体内部の状態を画像化する．この意味において，Ｘ線ＣＴは産業分野へ応用可能である。」（３６頁右欄下から５〜３行）
　　　　　　　　　　　　　
（３Ｇ−３）「「Ｘ線ＣＴの最近の進歩」の章で述べたように，最近のＸ線ＣＴは非検査体を連続的に移動させながら３次元的な画像を撮影することが可能である。この特徴を生かして将来，金属材料，部品類の検査に使用されていくと期待される。」（３７頁左欄８〜１２行）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　（イ）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　（イ−１）本願補正発明と引用発明とを対比する。
（i）引用発明の「セラミックハニカム構造体」及び「セラミックハニカム構造体の密度分布を得るＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法」は、それぞれその機能・構成からみて本願補正発明の「セラミック構造体」及び「セラミック構造体の密度分布を測定するセラミック構造体の検査方法」に相当する。
　また、引用発明の「セラミックハニカム構造体の密度分布を得るＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法」は、セラミックハニカム構造体にＸ線を照射し、セラミックハニカム構造体透過後のセラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数の違いから得られた画像データを再構成することによってデジタル画像データからなる断層像を求め、求めた断層像のデジタル画像データから密度分布へ変換してセラミックハニカム構造体の密度分布を得ており、この
引用発明の画像データは、Ｘ線を照射したときのセラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数の違いから得られるデータといえるから、引用発明の「セラミックハニカム構造体の密度分布を得るＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法」と本願補正発明の「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数（ＣＴ値）からセラミック構造体の密度分布を測定するセラミック構造体の検査方法」とは、「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数に基づいてセラミック構造体の密度分布を測定するセラミック構造体の検査方法」である点で共通する。
　　　　　　　　
（ii）引用発明では、セラミックハニカム構造体を回転させることで、セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射していることから、引用発明の「セラミックハニカム構造体を回転させることで、セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射」することと、本願補正発明の「セラミック構造体の全周辺に沿って螺旋状に連続的にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体の全周を螺旋状に渡って走査」することとは、「セラミック構造体にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体を走査」する点で共通する。
に相当する。
　　　　　　　　　　
（iii）引用発明の、セラミックハニカム構造体を回転させることで、セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射し、検出器で得られる各方向からの画像データは、セラミックハニカム構造体透過後のセラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数の違いから得られた画像データであることから、引用発明の「検出器で得られる各方向からの画像データを再構成して断層像のデジタル画像データ」もセラミックハニカム構造体透過後のセラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数の違いに基づくデータであることは明らかである。
　そうすると、引用発明の「検出器で得られる各方向からの画像データを再構成して断層像のデジタル画像データを求める」ことと、本願補正発明の「Ｘ線吸収係数（ＣＴ値）の分布を測定する」こととは「断層面のＸ線吸収係数に基づくデータの分布を測定する」点で共通する。
　　　　　　　　　　　　　
（iv）引用発明の「セラミックハニカム構造体の密度分布を得る非破壊検査方法」では、透過Ｘ線デジタルデータ（グレイスケール）の分布を得る際の、Ｘ線管電圧が１８０ｋＶｐであり、Ｘ線管電流が０．１５ｍＡであることから、引用発明の「セラミックハニカム構造体の密度分布を得る非破壊検査方法」と本願補正発明の「セラミック構造体の検査方法」とは、「セラミック構造体にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体を走査して、断層面のＸ線吸収係数に基づくデータの分布を測定する」際に「Ｘ線を照射するＸ線管の管電圧の値と管電流の値とがそれぞれ所定の値」である点で共通する。
　　　　　　　　　
（v）引用発明の「セラミックハニカム構造体の密度分布を得る非破壊検査方法」が本願補正発明の「セラミック構造体の検査方法」に相当する。
　　　
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、
「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数に基づいてセラミック構造体の密度分布を測定するセラミック構造体の検査方法であって、
　セラミック構造体にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体を走査して、断層面のＸ線吸収係数に基づくデータの分布を測定するにあたり、Ｘ線を照射するＸ線管の管電圧の値と管電流の値とがそれぞれ所定の値であるセラミック構造体の検査方法。」である点で一致し、次の相違点（あ）〜相違点（う）において相違する。
　　　　　　　
・相違点（あ）
　セラミック構造体の密度分布を測定する際に、本願補正発明では、「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数（ＣＴ値）からセラミック構造体の密度分布を測定する」に対して、引用発明では、セラミックハニカム構造体透過後のセラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数の違いから得られた画像データを再構成することによってデジタル画像データからなる断層像を求め、求めた断層像のデジタル画像データから密度分布へ変換してセラミックハニカム構造体の密度分布を得る点。
　　　　　　　　　　　
・相違点（い）
　セラミック構造体にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体を走査して、断層面のＸ線吸収係数に基づくデータの分布を測定することが、本願補正発明では、「セラミック構造体の全周辺に沿って螺旋状に連続的にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体の全周を螺旋状に渡って走査して、断層面のＸ線吸収係数（ＣＴ値）の分布を測定する」ことであるのに対して、引用発明では、セラミックハニカム構造体を回転させることで、セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射し、検出器で得られる各方向からの画像データを再構成して断層像のデジタル画像データを求めることである点。
　　　　　　　　
・相違点（う）
　Ｘ線を照射するＸ線管の管電圧の値と管電流の値の所定の値が、本願補正発明では、「Ｘ線管の管電圧が、４００〜８０ｋＶで、且つ前記Ｘ線管の管電流が、２〜４００ｍＡである」のに対して、引用発明では、Ｘ線管電圧が１８０ｋＶｐであり、Ｘ線管電流が０．１５ｍＡである点。
　　　　　　　
　（イ−２）当審の判断
　そこで、上記相違点（あ）〜相違点（う）について判断する。
・相違点（あ）について
（あ−１）引用発明のＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法では、セラミックハニカム構造体にＸ線を照射し、セラミックハニカム構造体透過後のセラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数の違いから得られた画像データを再構成することによってデジタル画像データからなる断層像を求め、求めた断層像のデジタル画像データから密度分布へ変換してセラミックハニカム構造体の密度分布を求めていることから、引用発明では、セラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数に基づいてセラミックハニカム構造体の密度分布を求めていることになる。
　ところで、Ｘ線ＣＴを用いて試料の特性を求める際に、Ｘ線吸収係数としてＣＴ値を用いることは、上記引用刊行物Ｃの摘記事項（３Ｃ−２）に記載されているごとく周知（他に、原査定の理由で引用された、水野光国，他２名，Ｘ線ＣＴ法による超微粒子充填層の内部充填特性の評価，化学工業論文集，日本，１９９１年　３月１０日，第１７巻，第２号，３８７−３９４頁の３８８頁右欄下から４行〜３８９頁右欄７行の記載、特開昭６１−２２６０２２号公報の１頁右下欄１９行〜２頁左上欄３行，３頁右上欄１〜１７行の記載参照）であり、引用発明も上記周知例もともに、Ｘ線吸収係数に基づいて試料の物性を測定するＸ線ＣＴである点で共通するものであるから、引用発明において、セラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数に基づいてセラミックハニカム構造体の密度分布を求める際に、セラミックハニカム構造体内部のＸ線吸収係数としてＣＴ値を用いて、本願補正発明のごとく、「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数（ＣＴ値）からセラミック構造体の密度分布を測定する」ことは当業者が容易になし得るものである。
　　　
・相違点（い）について
（い−１）上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−４）には「【００１２】Ａ．セラミックスの密度分布評価について：・・・Ｘ線を用いた非破壊手法を用いることによって、平板セラミック成形体、焼結体の全体の密度分布を得る。」ことが記載されていることから、引用発明のセラミックハニカム構造体を回転させることで、セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射し、検出器で得られる各方向からの画像データを再構成して断層像のデジタル画像データを求めて、セラミックハニカム構造体の密度分布を得る際においても、セラミックハニカム構造体全体の密度分布を求めているものと推認できる。
　仮に、セラミックハニカム構造体全体の密度分布を求めているものと推認できなくとしても、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−４）にはセラミック成形体、焼結体の全体の密度分布を求めることが記載されており、さらに、引用発明のセラミックハニカム構造体を回転させることで、セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射し、検出器で得られる各方向からの画像データを再構成して断層像のデジタル画像データを求めて、セラミックハニカム構造体の密度分布を得る際には、セラミックハニカム構造体の各部の断層像の密度分布を全体に渡って求める必要があることから、セラミックハニカム構造体全体の密度分布を求めることは当然の設計的事項である。
（い−２）そして、引用発明では、セラミックハニカム構造体を回転させることで、セラミックハニカム構造体に異なる方向からＸ線を照射し、検出器で得られる各方向からの画像データを再構成して断層像のデジタル画像データを求めているが、Ｘ線ＣＴを用いて、被検体に異なる方向からＸ線を照射し検出器の各方向からの画像データを再構成して被検体の断層像を得る際に、被検体の周辺に沿って螺旋状にＸ線を照射し、透過するＸ線を被検体の周囲を螺旋状に渡って走査することは上記引用刊行物Ｄの摘記事項（３Ｄ−２），（３Ｄ−３）、あるいは上記引用刊行物Ｅの（３Ｅ−２），（３Ｅ−３）に記載されているように周知（他に、特開平７−１９４５８６号公報の段落【０００１】の記載、特開平４−５４９４１号公報の１頁右下欄３〜６行の記載、特開２００３−１５３８９２号公報の段落【００２４】の記載参照）であり、さらに、Ｘ線ＣＴを用いて、被検体にＸ線を照射し検出器の各方向からの画像データを再構成して被検体の断層像を得る際に、Ｘ線を連続的に照射することも、上記引用刊行物Ｂの摘記事項（３Ｂ−３）に記載されているように周知（他に、上記周知例の特開平７−１９４５８６号公報の段落【００１９】，【００３２】の記載、特開平４−５４９４１号公報の右下欄３〜６行の記載、特開２００３−１５３８９２号公報の段落【００２０】，【００２３】の記載参照）である。
　ところで、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−３）には、従来の、人体に異なる方向からＸ線を照射し、各方向から得られた画像データを再構成することによって断層像を視覚化するＸ線断層法を利用した非破壊検査方法を、セラミックスや金属に応用することが記載されており、さらに、上記引用刊行物Ｆの摘記事項（３Ｆ−２），（３Ｆ−３）には、全身用Ｘ線ＣＴを利用して、セラミックス部品の検査を行うことが記載され、また、上記引用刊行物Ｇの摘記事項（３Ｇ−２），（３Ｇ−３）には、人体に用いられていたＸ線ＣＴを金属材料，物品の検査に応用することが記載されていることから、被検体に用いられていたＸ線ＣＴの技術が金属材料や物品の検査に利用できることは当業者にとって技術常識であるといえるものである。
　そうすると、セラミックハニカム構造体全体の密度分布を求めることは、上記（い−１）で検討したとおりであり、さらに、Ｘ線ＣＴを用いて、被検体に異なる方向からＸ線を照射し検出器の各方向からの画像データを再構成して被検体の断層像を得る際に、被検体の周辺に沿って螺旋状にＸ線を照射し、透過するＸ線を被検体の周囲を螺旋状に渡って走査すること、及び、Ｘ線ＣＴを用いて、被検体にＸ線を照射し検出器の各方向からの画像データを再構成して被検体の断層像を得る際に、Ｘ線を連続的に照射することはそれぞれ周知な技術事項であるから、これらの周知の事項を、引用発明のセラミックハニカム構造体の密度分布を得るＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法に適用して、本願補正発明のごとく、「セラミック構造体の全周辺に沿って螺旋状に連続的にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体の全周を螺旋状に渡って走査」することは当業者が容易になし得るものである。
　さらに、上記相違点（あ）で検討したように「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数（ＣＴ値）からセラミック構造体の密度分布を測定する構成を採用した際には、「セラミック構造体の全周辺に沿って螺旋状に連続的にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体の全周を螺旋状に渡って走査」することにより「断層面のＸ線吸収係数（ＣＴ値）の分布を測定する」構成が得られることは明らかである。
　　　　　　　　
・相違点（う）について
（う−１）上記引用刊行物Ｂの摘記事項（３Ｂ−２），（３Ｂ−３）に記載されているように、Ｘ線ＣＴにおいて、密度分解能に優れた再構成画像を得るには比較的低い管電圧を用いた方が良いことは当業者にとってよく知られた技術事項であることから、引用発明の画像データを再構成することによってデジタル画像データからなる断層像を求めてセラミックハニカム構造体の密度分布を得るＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法において、Ｘ線管の管電圧を比較的低くして密度分解能に優れた再構成画像を得ることは当業者が容易になし得るものである。
　そして、引用発明において、Ｘ線管の管電圧として１８０ｋＶｐを用いているが、上記引用刊行物Ｅの摘記事項（３Ｅ−２），（３Ｅ−３），（３Ｅ−５）では、Ｘ線管の管電圧としてｋＶを用い、また摘記事項（３Ｅ−４）では、Ｘ線管の管電圧としてｋＶｐを用いていることから、引用発明の管電圧の１８０ｋＶｐは１８０ｋＶと同様な意味するものと推認される。また、上記引用刊行物Ｅの摘記事項（３Ｅ−３）には、Ｘ線管の管電圧として、８０ｋＶ、１２０ｋＶ、１４０ｋＶを用いることが記載され、上記引用刊行物Ｇの摘記事項（３Ｇ−１）には、管電圧として、１００〜１４０ｋＶを用いることが記載されており、これらの管電圧はいずれも、本願補正発明の４００〜８０ｋＶに含まれるものであり、さらに、密度分解能に優れた再構成画像を得るための管電圧をどの程度にするかは当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎないものであり、Ｘ線管の管電圧を４００〜８０ｋＶにすることに格別の臨界的意義も認められないことから、本願補正発明において、Ｘ線管の管電圧を４００〜８０ｋＶに設定したことは、密度分解能に優れた再構成画像を得る際に当業者が適宜採用し得る設計的事項にすぎないものである。
（う−２）また、引用発明では、Ｘ線管の管電圧が１８０ｋＶｐのときに、Ｘ線管の管電流として０．１５ｍＡを用いているが、上記引用刊行物Ｅの摘記事項（３Ｅ−５）には、Ｘ線ＣＴの撮影条件として、Ｘ線管の管電圧が１２０ｋＶのとき、Ｘ線管の管電流が４０ｍＡで行われることが記載され、上記引用刊行物Ｆの摘記事項（３Ｆ−２）には、Ｘ線ＣＴの撮影条件として、Ｘ線管の管電圧が１２０ｋＶのとき、Ｘ線管の管電流が２００〜３５０ｍＡで行われることが記載され、上記引用刊行物Ｇの摘記事項（３Ｇ−１）には、Ｘ線ＣＴの撮影条件として、Ｘ線管の管電圧が１００〜１４０ｋＶのとき、Ｘ線管の管電流が５０〜４００ｍＡで行われることが記載されていることから、引用発明のセラミックハニカム構造体の密度分布を得るＸ線ＣＴを用いた非破壊検査方法において、Ｘ線ＣＴのＸ線管の管電圧及び管電流として、上記引用刊行物Ｅ〜Ｇに記載されたＸ線管の管電圧及び管電流の値を用いることは当業者が容易になし得るものである。
　そして、これらの上記刊行物Ｅ〜Ｇに記載されている、Ｘ線管の管電圧の値とＸ線管の管電流の値は、本願補正発明の、Ｘ線管の管電圧が、４００〜８０ｋＶで、且つＸ線管の管電流が、２〜４００ｍＡである範囲に含まれており、さらに、本件出願の明細書の詳細な説明の欄の記載を参酌しても、Ｘ線管の管電圧が、４００〜８０ｋＶのときにＸ線管の管電流の値として、２〜４００ｍＡに選択したことによる目的・効果も記載されていないし、Ｘ線管の管電流の値を２〜４００ｍＡの範囲を選択したことによる臨界的意義も認められないことから、本願補正発明のごとく、Ｘ線を照射するＸ線管の管電圧の値と管電流の値の所定の値が、「Ｘ線管の管電圧が、４００〜８０ｋＶで、且つ前記Ｘ線管の管電流が、２〜４００ｍＡである」したことは、当業者が必要に応じて適宜選択しうる設計的事項にすぎないものである。
　　　
そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知の技術事項から予測される範囲内のものであって、格別のものではない。
　　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
  　　　　　　　　　　　　
　（４）　補正却下の決定についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下しなければならないものである。　
　　　　　　　　　　　　　　
第３　本願発明について
　１．本願発明
　平成２１年２月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されることとなったので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２０年８月２９日付け手続き補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　２　（１）」の「ア　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１」に記載したように、以下のとおりのものである。
　　　　　　　　　
「【請求項１】
　セラミック構造体の全周辺に沿って螺旋状に連続的にＸ線を照射しつつ、透過するＸ線を前記セラミック構造体の全周を螺旋状に渡って走査して、断層面のＸ線吸収係数（ＣＴ値）の分布を測定するにあたり、Ｘ線を照射するＸ線管の管電圧が、４００〜８０ｋＶで、且つ前記Ｘ線管の管電流が、２〜４００ｍＡであるセラミック構造体の検査方法。」
　　　　　　
　２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物の記載事項は上記「第２　２　（３）」の（ア）に記載したとおりである。
　　　　　　　　　
　３．本願発明と引用発明との対比・判断
　上記「第２　２　（３）」の（イ）で検討した本願補正発明は、上記本願発明の「セラミック構造体の検査方法」の構成要件に、「セラミック構造体にＸ線を照射して得られたＸ線吸収係数（ＣＴ値）からセラミック構造体の密度分布を測定するセラミック構造体の検査方法であって、」という構成を付加することにより、「セラミック構造体の検査方法」の構成要件を減縮して特定するものであり、言い換えれば本願発明の構成要件にさらなる構成要件を付加したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　２　（３）」の（イ）において検討したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４．むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件出願は、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。