【事件の表示】
　平成１１年特許願第３３２８２２号「半導体装置およびトリミング方法ならびに記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月　８日出願公開、特開２００１−１５５９０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、平成１１年１１月２４日の出願であって、平成１６年２月１３日付けで拒絶理由が通知され、これに対して平成１６年４月１５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１６年６月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し平成１６年７月２９日に拒絶査定不服の審判請求が行われたものである。　
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１５に係る発明は、平成１６年４月１５日付け手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲請求項１〜１５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１及び請求項１０に記載された事項は次のとおりである。（以下、「請求項１に係る発明」及び「請求項１０に係る発明」を、それぞれ「本願発明１」及び「本願発明１０」という。）　
「【請求項１】　入射赤外線を電気信号に変換する、または、赤外線を発光する薄膜抵抗体が画素に対応して２次元配列された半導体装置において、
　任意の薄膜抵抗体を選択する選択手段を有し、該選択手段にて選択された薄膜抵抗体に対して、該薄膜抵抗体を自己発熱により消失させる程度の過電流を供給可能に構成されていることを特徴とする半導体装置。」　
「【請求項１０】　入射赤外線を電気信号に変換する、または、赤外線を発光する薄膜抵抗体が画素に対応して２次元配列された半導体装置において行われるトリミング方法において、
　所望の薄膜抵抗体に、該薄膜抵抗体を自己発熱により消失させる程度の過電流を流すことを特徴とするトリミング方法。」
　
３．引用刊行物　
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−１０５７９４号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、「ボロメータ型赤外線検知素子」に関する発明が記載されており、図面とともに次の記載がある。　
ア．「【請求項１】　半導体基板上に１次元または２次元に配列され、入射赤外線を電気信号に変換する熱電変換素子と、
　各画素に配置され、ドレインを前記熱電変換素子の一方の端子に接続し、ソースを電源に接続した一導電型ＭＯＳＦＥＴと、
　複数画素に１個の割合で配置され、一導電型ＭＯＳＦＥＴと反対導電型ＭＯＳＦＥＴのドレイン同士、ソース同士を接続した複数のトランスファーゲートとを有し、
　前記熱電変換素子の他方の端子を複数個接続し、前記トランスファーゲートのソースに接続し、前記複数のトランスファーゲートの接続されたドレイン同士を外部へ出力することを特徴とするボロメータ型赤外線検知素子。」（特許請求の範囲）　
イ．「画素部分の断面図を図２に、平面図を図３に示す。半導体基板２０上にスイッチ素子やシフトレジスタとなる走査回路２１を形成し、その上に厚いシリコン酸化膜２２を形成して、その一部に空洞２３を形成する。・・・酸化膜２２の上に図１の共通ソースライン６，垂直信号線７となるアルミニウム２４，２５を形成する。ソースライン６，垂直信号線７はボロメータ１に直列につながるため、１／ｆノイズ、固定パターンを低減するために、特に低抵抗にする必要がある。
　・・・空洞２３の上には図３のようにスリット２６を作り、長い足を持った受光面（ダイヤフラム）を形成し、熱分離特性を向上させている。この受光面は、ボロメータであるチタン２７と、その上のシリコン酸化膜２８と、窒化チタン２９からなっている。このチタン２７，酸化膜２８，窒化チタン２９は、赤外線吸収層を形成しており、チタン２７で反射された赤外線は干渉効果により窒化チタン２９に吸収される。」（段落【００３０】及び【００３１】）
ウ．「各画素の抵抗値の変化は、垂直シフトレジスタ９、水平シフトレジスタ１１にデータを入力して、各画素を順次アクセスすることで読み出す。」（段落【００３５】）　
　そして、図２や図３の記載及びその説明から、ボロメータ２７が薄膜抵抗体であることが明らかである。
　したがって、これらの記載から、引用刊行物１には「入射赤外線を電気信号に変換するボロメータが画素に対応して２次元配列され、任意のボロメータを選択する選択手段を有するボロメータ型赤外線検知素子。」（以下、「引用刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３−２）本願出願前に頒布された刊行物である特公昭５０−９６４２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、「固体撮像装置」に関する発明が記載されており、図面とともに次の記載がある。
エ．「映像を構成する各絵素ごとに光電変換素子をマトリクス配置して撮像モザイク面を構成した固体撮像装置において、過電流または過電圧を加えることにより前記光電変換素子の動作が妨げる状態となる回路素子を前記光電変換素子ごとに配置し、撮像出力として取り出すと白きずを発生する欠陥光電変換素子に関連する前記回路素子に前記過電流または過電圧を選択的に加えて当該欠陥光電変換素子の動作を妨げて撮像モザイク面を構成したことを特徴とする固体撮像装置。」（特許請求の範囲）　
オ．「微細構造の光電変換素子Ｐは材料や製作工程上の不完全さが原因となってすべて均一な特性とすることができず、光導電体Ｒの抵抗値あるいは蓄積容量Ｃの容量値が他の光電変換素子より小さいいわば欠陥素子も撮像モザイク面上にいくつか分布するのが現状である。このような欠陥素子では前記時定数が他の正常な素子よりも小さいため、撮像モザイク面に一様光を入射させるときに、欠陥素子では蓄積動作時の放電電流が大きく、従って端子Ｔに現れる出力信号のレベルも一段と大きくなるのでこれがいわゆる白きず・・・となって画質が著しく損われる。更に、時定数が他の正常素子よりも遙かに大きい欠陥素子も存在し、これは画面上黒きず・・・となって現われる。」（第１頁右欄第２３〜３７行）
カ．「本発明の目的は、撮像モザイク面の任意のマトリクス位置に発生する白きずを黒きずあるいは中間調のきずに適切に変換させることにより視覚的に目につく白きずを除去して撮像画質の劣化を視覚的に防止するようにした固体撮像装置を提供しようとすることにある。」（第２頁左欄第１８〜２３行）　
キ．「本発明の好適例では、上記回路素子として一定の刺激（例えば過電流）により開放するフューズ素子を用い、このフューズ素子を光電変換素子と直列に接続し、これら両素子からなる直列回路をＸおよびＹ方向のアドレスラインの交点すなわちマトリクス点のそれぞれに配置し、白きず発生源の欠陥光電変換素子を検知した場合にその素子のフューズ素子に過電流を流して溶断し、かかる欠陥素子を走査して得られる信号電圧を常に零レベルすなわち黒レベルとする。」（第２頁左欄第３４〜４３行）　
ク．「前記フューズ素子Ｆとしては、過電流や過電圧などの刺激により回路接続を開放するものあるいは高インピーダンスで回路接続するものを用い、例えば第４図に示すように素子ＰとＸおよびＹアドレスラインとの間の接続用導体の一部分にヒューズ材料を用いるか、または蒸着アルミニウム導体片の一部分の幅を狭くしてヒューズ素子Ｆとして作用させる。」（第２頁第１４〜２１行）
　したがって、これらの記載から、引用刊行物２には、「各絵素ごとに光電変換素子がマトリクス配置された固体撮像装置において、欠陥素子による視覚的に目につくきずを除去するために、各光電変換素子に設けたフューズ素子を溶断するための過電流を供給可能な構成を設けること」が記載されており、また、「各絵素ごとに光電変換素子がマトリクス配置された固体撮像装置において行われる欠陥素子を除去する方法において、欠陥素子の動作を妨げるために、選択した光電変換素子に直列に接続したフューズ素子に、該フューズ素子を溶断させる程度の過電流を流すことによる欠陥素子を除去する方法。」（以下、「引用刊行物２記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
４．本願発明１について
　本願発明１と上記引用刊行物１記載の発明とを対比する。　
　引用刊行物１記載の発明の「ボロメータ」が薄膜抵抗体であることは明らかであるから、引用刊行物１記載の発明の「入射赤外線を電気信号に変換するボロメータが画素に対応して２次元配列されたボロメータ型赤外線検知素子」は、本願発明１の「入射赤外線を電気信号に変換する薄膜抵抗体が画素に対応して２次元配列された半導体装置」に相当するものである。
　したがって、両者は「入射赤外線を電気信号に変換する薄膜抵抗体が画素に対応して２次元配列された半導体装置において、任意の薄膜抵抗体を選択する選択手段を有する半導体装置。」である点で一致し、次の点で相違すると認められる。　
（相違点１）　
　本願発明１においては、選択手段にて選択された薄膜抵抗体に対して、該薄膜抵抗体を自己発熱により消失させる程度の過電流を供給可能に構成されているのに対して、引用刊行物１には、この構成は記載されていない点。
　
　上記相違点１について検討する。　
　上記（３−２）のとおり、引用刊行物２には、各絵素ごとに光電変換素子がマトリクス配置された固体撮像装置において、欠陥素子による視覚的に目につくきずを除去するために、各光電変換素子に設けたフューズ素子を溶断するための過電流を供給可能な構成を設けることが記載されている。そして、引用刊行物１記載の発明も、引用刊行物２記載の発明と同様に、入射光を電気信号に変換する素子が２次元配列された固体撮像装置であるから、欠陥素子による視覚的に目につくきずを除去するという課題があることは明らかである。してみると、引用刊行物２記載の技術的思想を引用刊行物１記載のボロメータ型赤外線検知素子に適用することは当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、引用刊行物２記載の発明は、光電変換素子にフューズ素子を設けこれを溶断するものであるが、光電変換素子に過電流を流せば素子の一部が消失することは明らかであり、引用刊行物２記載の発明においては、確実に素子を溶断させるためにフューズ素子を設けこれを溶断しているものと解され、また、上記摘記事項ク．に、光電変換素子の一部でもある接続用導体をフューズ素子として用いることも記載されているのであるから、引用刊行物２記載の技術的思想を引用刊行物１記載のボロメータ型赤外線検知素子に適用する際に、光電変換素子である薄膜抵抗体自体を自己発熱により消失させる程度の過電流とすることは当業者が適宜採用する事項である。
　
　そして、本願発明１の作用効果も、引用刊行物１記載の発明及び引用刊行物２記載の発明から当業者であれば予測できる範囲のものである。
　
５．本願発明１０について
　本願発明１０と上記引用刊行物２記載の発明とを対比する。
　引用刊行物２記載の発明の「光電変換素子」は、本願発明１０の「薄膜抵抗体」と、入射光を電気信号に変換する素子という点で共通するものであるから、引用刊行物２記載の発明の「各絵素ごとに光電変換素子がマトリクス配置された固体撮像装置」は、本願発明１０の「入射赤外線を電気信号に変換する薄膜抵抗体が画素に対応して２次元配列された半導体装置」と、入射光を電気信号に変換する素子が画素に対応して２次元配列された半導体装置という点で共通するものである。　
　また、引用刊行物２記載の発明の「欠陥素子を除去する方法」は、フューズ素子を溶断することにより欠陥素子の動作を妨げるものであるから、本願発明１０の「トリミング方法」に該当するものである。
　また、引用刊行物２記載の発明において、フューズ素子は各光電変換素子にそれぞれ直列に接続されているものであり、フューズ素子を含めて光電変換素子とも解されるものであるから、引用刊行物２記載の発明の「欠陥素子の動作を妨げるために、選択した光電変換素子に直列に接続したフューズ素子に、該フューズ素子を溶断させる程度の過電流を流すこと」は、本願発明１０の「所望の薄膜抵抗体に、該薄膜抵抗体を自己発熱により消失させる程度の過電流を流すこと」と、所望の入射光を電気信号に変換する素子に、該素子の一部を自己発熱により消失させる程度の過電流を流す点で共通するものである。
　したがって、両者は、「入射光を電気信号に変換する素子が画素に対応して２次元配列された半導体装置において行われるトリミング方法において、所望の入射光を電気信号に変換する素子に、該素子の一部を自己発熱により消失させる程度の過電流を流すことによるトリミング方法。」という点で一致し、次の点で相違すると認められる。
（相違点２）
　本願発明１０では、トリミング方法の対象となる、入射光を電気信号に変換する素子が画素に対応して２次元配列された半導体装置が、「入射赤外線を電気信号に変換する薄膜抵抗体が画素に対応して２次元配列された半導体装置」であり、自己発熱により消失させるものが「薄膜抵抗体」であるのに対して、引用刊行物２記載の発明では、トリミング方法の対象となる半導体装置が「光電変換素子がマトリクス配置された固体撮像装置」であり、自己発熱により消失させるものが「光電変換素子に直列に接続したフューズ素子」である点。
　
　上記相違点２について検討する。
　入射光を電気信号に変換する素子が画素に対応して２次元配列された半導体装置として、入射赤外線を電気信号に変換する薄膜抵抗体が画素に対応して２次元配列された半導体装置は、引用刊行物１にみられるように極めて周知であり、このような装置においても、引用刊行物２記載の半導体装置と同様に、欠陥素子による視覚的に目につくきずを除去するために、欠陥素子をトリミングする必要があることは明らかであるから、トリミング方法の対象となる半導体装置を、入射赤外線を電気信号に変換する薄膜抵抗体を２次元配列された半導体装置とすることは当業者ならば容易に想到し得たものと認められる。
　そして、引用刊行物２記載の発明は、光電変換素子にフューズ素子を設けこれを溶断するものであるが、光電変換素子に過電流を流せば素子の一部が消失することは明らかであり、引用刊行物２記載の発明においては、確実に素子を溶断させるためにフューズ素子を設けこれを溶断しているものと解され、また、上記摘記事項ク．に、光電変換素子の一部でもある接続用導体をフューズ素子として用いることも記載されているのであるから、引用刊行物２記載の発明においてトリミング方法の対象となる半導体装置を、入射赤外線を電気信号に変換する薄膜抵抗体が画素に対して２次元配列された半導体装置とする際に、光電変換素子である薄膜抵抗体自体を自己発熱により消失させる程度の過電流を流すようにすることは当業者が適宜採用する事項である。
　
　そして、本願発明１０の作用効果も、引用刊行物１記載の発明及び引用刊行物２記載の発明から当業者であれば予測できる範囲のものである。
　
６．むすび　
　以上のとおり、本願発明１及び本願発明１０は、引用刊行物１記載の発明及び引用刊行物２記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって、請求項２〜９，１１〜１５に係る発明について審理するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。