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【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッド上に載せ、前記研磨パッドを回転させて生じる摩擦により前記研磨パッドを研削して前記研磨パッドのシーズニングを行うシーズニングプレートであって、
前記研磨パッドを研削する複数のコンディショナと、
前記複数のコンディショナを下面に取り付けた円形の可撓性基板と、
前記可撓性基板の上面で前記可撓性基板と同心円を形成するように配置されたリングと、
前記リング上に配置され、前記可撓性基板を変形させる荷重を加える錘と、
を備えることを特徴とするシーズニングプレート。
【請求項２】
請求項１に記載のシーズニングプレートを研磨パッド上に載置可能としたことを特徴とする半導体研磨装置。
【請求項３】
研磨パッドを回転させて生じる摩擦で前記研磨パッドを研削する研磨パッドのシーズニング方法であって、
前記研磨パッドを研削する複数のコンディショナを円形の可撓性基板の下面に取り付け、
前記可撓性基板の上面に、前記可撓性基板と同心円を形成するようにリングを配置し、
前記リングの上から前記可撓性基板を変形させる荷重を加えて前記コンディショナを前記研磨パッドに押し付けることを特徴とする研磨パッドのシーズニング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シーズニングプレート、半導体研磨装置、研磨パッドのシーズニング方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そこで本発明は、上記問題点に着目し、簡易な構成で研磨パッドの平坦性を回復させ、被研磨面の平坦性の制御を研磨パッドの回転速度の調整により容易に達成可能なシーズニングプレート、半導体研磨装置、研磨パッドのシーズニング方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明に係るシーズニングプレートは、研磨パッド上に載せ、前記研磨パッドを回転させて生じる摩擦により前記研磨パッドを研削して前記研磨パッドのシーズニングを行うシーズニングプレートであって、前記研磨パッドを研削する複数のコンディショナと、前記複数のコンディショナを下面に取り付けた円形の可撓性基板と、前記可撓性基板の上面で前記可撓性基板と同心円を形成するように配置されたリングと、前記リング上に配置され、前記可撓性基板を変形させる荷重を加える錘と、を備えることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに本発明に係る半導体研磨装置は前記シーズニングプレートを研磨パッド上に載置可能としたことを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一方、本発明に係る研磨パッドのシーズニング方法は、研磨パッドを回転させて生じる摩擦で前記研磨パッドを研削する研磨パッドのシーズニング方法であって、前記研磨パッドを研削する複数のコンディショナを円形の可撓性基板の下面に取り付け、前記可撓性基板の上面に、前記可撓性基板と同心円を形成するようにリングを配置し、前記リングの上から前記可撓性基板を変形させる荷重を加えて前記コンディショナを前記研磨パッドに押し付けることを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係るシーズニングプレート、半導体研磨装置、及び研磨パッドのシーズニング方法によれば、既存のコンディショナを用いつつ簡易な構成で研磨パッドの内周領域及び外周領域における研削の深さの変化量を低減させ、研磨パッドの研削の深さの変化を全体的になだらかにすることができるため、研磨パッドの回転速度の制御により研磨面の平坦性の確保を容易に行い、研磨パッドの使用ライフ（寿命）を向上させ、コストを抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以下、本発明に係るシーズニングプレート、半導体研磨装置、及び研磨パッドのシーズニング方法を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
コストを掛けずに適切なシーズニングが可能なシーズニングプレート、半導体研磨装置、及び研磨パッドのシーズニング方法として利用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するステージと、
前記基板に投影する所望の投影パターンを外部信号の入力により生成する空間光変調部と、
対物レンズを備え前記投影パターンを前記基板に投影する投影光学系と、
前記対物レンズを介して前記基板に形成された位置合わせマークを検出する観察光学系と、
を有するマスクレス露光装置であって、
前記投影光学系は、投影倍率を変更可能に前記対物レンズが構成されてなるとともに、前記投影倍率を変更する際に、前記位置合わせマークを予め設定した指標又は予め特定した前記投影パターンの中心位置に対して位置合わせする機構を有することを特徴とするマスクレス露光装置。
【請求項２】
請求項１記載のマスクレス露光装置において、
前記ステージ上の前記基板を載置する位置とは異なる位置に、位置検出用の投影パターンを投影するための反射部材または蛍光部材を設けてなることを特徴とするマスクレス露光装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のマスクレス露光装置において、
前記観察光学系は、前記投影パターンを表示するモニタを有し、前記モニタは予め設定された指標を有することを特徴とするマスクレス露光装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載のマスクレス露光装置において、
前記観察光学系は、前記基板に設けられた位置合わせマークの位置を画像処理により検出する位置検出装置を有することを特徴とするマスクレス露光装置。
【請求項５】
外部信号の入力により生成される所望の投影パターンを、対物レンズを備えた投影光学系を介して基板に投影して前記基板を露光するマスクレス露光方法において、
第１の投影倍率を有する第１の対物レンズを設定するとともに、前記第１の対物レンズを含む第１の観察光学系を用いて、前記基板に形成された位置合わせマークを観察し、予め設定した指標又は予め特定した前記投影パターンの中心位置に対して位置合わせを行う第１の工程と、
前記第１の対物レンズを介して、前記基板に前記投影パターンを投影露光する第２の工程と、
前記第１の投影倍率と異なる第２の投影倍率の第２の対物レンズを設定するとともに、前記第２の対物レンズを含む第２の観察光学系を用いて、前記位置合わせマークを観察し、前記指標又は前記投影パターンの中心位置に対して位置合わせを行う第３の工程と、
前記第２の対物レンズを介して、前記基板に前記投影パターンを投影露光する第４の工程と、
を有することを特徴とするマスクレス露光方法。
【請求項６】
請求項５記載のマスクレス露光方法において、
蛍光部材に向けて照射された前記投影パターンの蛍光像、或いは反射部材に向けて照射された前記投影パターンの反射像を前記第１の観察光学系及び前記第２の観察光学系にて検出し、前記投影パターンの中心位置を特定することを特徴とするマスクレス露光方法。
【請求項７】
請求項５記載のマスクレス露光方法において、
蛍光部材に向けて照射された前記投影パターンの蛍光像、或いは反射部材に向けて照射された前記投影パターンの反射像を前記第１の観察光学系及び前記第２の観察光学系にて検出し、前記指標を前記蛍光像又は前記反射像に対して位置設定することを特徴とするマスクレス露光方法。
【請求項８】
請求項５又は７記載のマスクレス露光方法において、
前記観察光学系を介して検出された前記基板上の位置合わせマークを前記モニタに表示し、前記モニタに表示された前記指標に対して、前記基板を載置したステージを移動して前記位置合わせマークを位置合わせして前記ステージの位置を補正することを特徴とするマスクレス露光方法。
【請求項９】
請求項５又は６記載のマスクレス露光方法において、
前記観察光学系を介して検出された前記基板上の位置合わせマークの位置を画像処理により検出し、前記投影パターンの中心位置とのずれ量を求め前記ステージの位置を補正することを特徴とするマスクレス露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明のマスクレス露光装置は、基板を支持するステージと、前記基板に投影する所望の投影パターンを外部信号の入力により生成する空間光変調部と、対物レンズを備え前記投影パターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記対物レンズを介して前記基板に形成された位置合わせマークを検出する観察光学系とを有するマスクレス露光装置であって、前記投影光学系は、投影倍率を変更可能に前記対物レンズが構成されてなるとともに、前記投影倍率を変更する際に、前記位置合わせマークを予め設定した指標又は予め特定した前記投影パターンの中心位置に対して位置合わせする機構を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
前記撮像手段により得られた画像データに基づいて、動画データまたは静止画データを生成する生成手段と、
制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記生成手段による前記動画データの生成中に静止画記録の指示が入力されたことに応じて、前記静止画記録の指示の前または後に前記生成手段により生成された動画データを記録媒体に保持するように制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記静止画記録の指示に応じて、静止画データを生成するように前記生成手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記生成手段により生成された静止画データを記録媒体に保持するように制御することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記静止画記録の指示の前に前記生成手段により生成された動画データを、確認用の動画データとして記録媒体に保持することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記記録媒体に保持された動画データを表示装置に表示させる表示手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記静止画記録の指示が入力されるまでの間、前記生成手段により生成された動画データをバッファメモリに記録することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記静止画記録の指示が入力されたことに応じて、前記バッファメモリに記録された動画データを別の記録領域に保持させることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記静止画記録の指示が複数回入力された場合、各静止画記録の指示に対応した動画データを記録媒体に保持すると共に、前記静止画記録の指示の回数が増加するにつれて前記各静止画記録の指示に対応した動画データの長さを短くすることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
被写体を撮影して画像データを出力する撮像手段を具備する撮像装置を制御する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像手段により得られた画像データに基づいて、動画データまたは静止画データを生成する生成工程と、
制御工程とを有し、
前記制御工程は、前記生成工程による前記動画データの生成中に静止画記録の指示が入力されたことに応じて、前記静止画記録の指示の前または後に前記生成工程で生成された動画データを記録媒体に保持するように制御することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
前記制御工程は、前記静止画記録の指示に応じて、静止画データを生成するように前記生成工程を制御することを特徴とする請求項９に記載の撮像装置の制御方法。
【請求項１１】
前記制御工程は、前記生成工程で生成された静止画データを記録媒体に保持するように制御することを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置の制御方法。
【請求項１２】
前記制御工程は、前記静止画記録の指示の前に前記生成工程で生成された動画データを、確認用の動画データとして記録媒体に保持することを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の撮像装置の制御方法。
【請求項１３】
前記記録媒体に保持された動画データを表示装置に表示させる表示工程を更に有することを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の撮像装置の制御方法。
【請求項１４】
前記制御工程は、前記静止画記録の指示が入力されるまでの間、前記生成工程で生成された動画データをバッファメモリに記録することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の撮像装置の制御方法。
【請求項１５】
前記制御工程は、前記静止画記録の指示が入力されたことに応じて、前記バッファメモリに記録された動画データを別の記録領域に保持させることを特徴とする請求項１４に記載の撮像装置の制御方法。
【請求項１６】
前記制御工程は、前記静止画記録の指示が複数回入力された場合、各静止画記録の指示に対応した動画データを記録媒体に保持すると共に、前記静止画記録の指示の回数が増加するにつれて前記各静止画記録の指示に対応した動画データの長さを短くすることを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか１項に記載の撮像装置の制御方法。
【請求項１７】
コンピュータを、請求項１、４，６，７のいずれか１項に記載の撮像装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びその制御方法、並びにそのプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、動画及び静止画を撮影して記憶できる撮像装置及びその制御方法、並びにそのプログラムに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の特徴は、動画撮影中に静止画記録の指示を入力すると、その静止画記録の指示の前後の少なくともいずれかの動画データを記録媒体に保持できる撮像装置及びその制御方法、並びにそのプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る撮像装置は以下のような構成を備える。即ち、
撮像手段と、
前記撮像手段により得られた画像データに基づいて、動画データまたは静止画データを生成する生成手段と、
制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記生成手段による前記動画データの生成中に静止画記録の指示が入力されたことに応じて、前記静止画記録の指示の前または後に前記生成手段により生成された動画データを記録媒体に保持するように制御することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る撮像装置の制御方法は以下のような工程を備える。即ち、
被写体を撮影して画像データを出力する撮像手段を具備する撮像装置を制御する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像手段により得られた画像データに基づいて、動画データまたは静止画データを生成する生成工程と、
制御工程とを有し、
前記制御工程は、前記生成工程による前記動画データの生成中に静止画記録の指示が入力されたことに応じて、前記静止画記録の指示の前または後に前記生成工程で生成された動画データを記録媒体に保持するように制御することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、動画撮影中に静止画記録の指示を入力すると、その静止画記録の指示の前後の少なくともいずれかの動画データを記憶媒体に保持できるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス制御システムにおいて第１のフィールド装置の通信プロトコルを変更する方法であり、
第１の通信プロトコルを使用して通信するように構成された第１の取外し可能な通信モジュールを第１のフィールド装置からデカプリングする（連結を切り離す）こと、そして第２の通信プロトコルを使用して通信するように構成された第２の取外し可能な通信モジュールを第１のフィールド装置に連結させることとを含み、
第２の取外し可能な通信モジュールを連結した後に、第１のフィールド装置が第２の通信プロトコルを使用して通信するように構成されることを特徴とし、且つ、第１のフィールド装置が、第１の通信プロトコルを使用して通信する場合に入・出力カード上の第１の通信路に連結され、第１のフィールド装置が、第２の通信プロトコルを使用して通信する場合に入・出力カード上の第１の通信路に連結されることを特徴とする方法。
【請求項２】
第１の通信プロトコルを使用して通信するように構成された第３の取外し可能な通信モジュールを入・出力カードの第１の通信路からデカプリングする（連結を切り離す）ことと、
第２の通信プロトコルを使用して通信するように構成された第４の取外し可能な通信モジュールを入・出力カードに連結させることをさらに含み、
第４の取外し可能な通信モジュールが第１の通信路に連結されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の取外し可能な通信モジュールが、第１のフィールド装置から取り除かれた場合、第２のフィールド装置に連結することができることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第１のフィールド装置が第２のフィールド装置とは異なるものであることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールの少なくとも一つが、第１のフィールド装置を電子的に絶縁するためのアイソレーション回路構成を含んでいることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールの少なくとも一つが、第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールを第１のフィールド装置に機械的に通信可能に連結するための一つ又は複数のコンタクトを含んでいることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールの少なくとも一つが第１のフィールド装置にプラグ接続できることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールの少なくとも一つがベースを介して第１のフィールド装置に連結されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールの少なくとも一つがローカルタグ付け情報を含んでいることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールの少なくとも一つがフィールド装置を構成または評価するための情報を含んでいることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
分散型プロセス制御システムであり、
複数の通信路を有する入・出力カードと、
第１の通信プロトコルを使用して通信するべく取外し可能な状態でそれに連結される第１の通信モジュールを有する第１のフィールド装置とを備え、
第１のフィールド装置が複数の通信路の一番最初のものに連結されることを特徴とし、
第１のフィールド装置が複数の通信路の第１のものに連結されている間、第２の通信プロトコルを使用して通信するために第１の通信モジュールを置き換えるために、第２の通信モジュールを、第１のフィールド装置に取外し可能な状態で連結することが可能であることを特徴とする、分散型プロセス制御システム。
【請求項１２】
第１の取外し可能な通信モジュールに第１の通信プロトコルを使用してそれと通信するように通信可能に連結された第３の取外し可能な通信モジュールを備え、
第２の通信プロトコルを使用して通信するために第３の通信モジュールを取り替えるべく第４の通信モジュールを第２の通信モジュールに取外し可能な状態で連結することが可能であることを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
第１および第２の通信プロトコルが異なることを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
第１の通信モジュールが、第１のフィールド装置から取り除かれる場合、第２のフィールド装置に連結されることを特徴とする、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
第１のフィールド装置が第２のフィールド装置と異なることを特徴とする、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
第１の通信モジュールまたは第２の通信モジュールの少なくとも一つが電子的に第１のフィールド装置を絶縁するためのアイソレーション回路構成を含んでいることを特徴とする、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
第１の通信モジュールまたは第２の通信モジュールの少なくとも一つが、第１の通信モジュールまたは第２の通信モジュールを機械的に通信可能に連結するための一つ又は複数のコンタクトを含んでいることを特徴とする、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
第１の通信モジュールまたは第２の通信モジュールの少なくとも一つが第１のフィールド装置にプラグ接続できることを特徴とする、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
第１の通信モジュールまたは第２の通信モジュールの少なくとも一つがベースを介して第１のフィールド装置に連結されることを特徴とする、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールの少なくとも一つがローカルタグ付け情報を含んでいることを特徴とする、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２１】
第１の取外し可能な通信モジュールまたは第２の取外し可能な通信モジュールの少なくとも一つがフィールド装置を構成または評価するための情報を含んでいることを特徴とする、請求項２０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のバッファ回路と、第１及び第２のローパスフィルタと、第１及び第２の抵抗素子と、を有し、
前記第１のバッファ回路の出力端子は、前記第１のローパスフィルタの入力端子に電気的に接続され、
前記第１のローパスフィルタの出力端子は、前記第１の抵抗素子の一方の端子、及び前記第２のバッファ回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第１の抵抗素子の他方の端子は、一定の電位を供給する機能を有する配線に電気的に接続され、
前記第２のバッファ回路の出力端子は、前記第２のローパスフィルタの入力端子に電気的に接続され、
前記第２のローパスフィルタの出力端子は、前記第２の抵抗素子の一方の端子、及び前記第３のバッファ回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第２の抵抗素子の他方の端子は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１のローパスフィルタは、前記第１のバッファ回路から出力された信号を遅延させる機能を有し、
前記第２のバッファ回路は、前記第１のローパスフィルタによって遅延された信号の波形を整形する機能を有し、
前記第２のローパスフィルタは、前記第２のバッファ回路から出力された信号を遅延させる機能を有し、
前記第３のバッファ回路は、前記第２のローパスフィルタによって遅延された信号の波形を整形する機能を有し、
前記一定の電位の供給が停止された際に、前記第１のローパスフィルタに保持されている電荷が前記第１の抵抗素子を介して前記配線に放出され、前記第２のローパスフィルタに保持されている電荷が前記第２の抵抗素子を介して前記配線に放出されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１のバッファ回路は、Ｐ型トランジスタと、Ｎ型トランジスタと、を有し、
前記Ｐ型トランジスタのチャネル幅は、前記Ｎ型トランジスタのチャネル幅の２倍よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月17日(2012.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルを有する半導体装置であって、
前記メモリセルは、トランジスタと、メモリ素子と、第１の容量と、第２の容量と、を有し、
前記トランジスタは、第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記メモリ素子は、第１の電極と、前記第１の電極上の第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜上の第２の電極と、を有し、
前記第１の容量は、第３の電極と、前記第３の電極上の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第４の電極と、を有し、
前記第２の容量は、第５の電極と、前記第５の電極上の第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上の第６の電極と、を有し、
前記第２の容量は前記第１の容量上に設けられ、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は、前記第２の電極、前記第３の電極および前記第５の電極と電気的に接続し、
前記第１の電極は、前記第４の電極および前記第６の電極と電気的に接続し、
前記ゲート絶縁膜および前記第１の絶縁膜は、同じ材料を有し、
前記ゲート電極、前記第１の電極および前記第４の電極は、同じ材料を有し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記第２の電極、前記第５の電極は同じ材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
メモリセルを有する半導体装置であって、
前記メモリセルは、トランジスタと、メモリ素子と、第１の容量と、第２の容量と、を有し、
前記トランジスタは、第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記メモリ素子は、第１の電極と、前記第１の電極上の第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜上の第２の電極と、を有し、
前記第１の容量は、第３の電極と、前記第３の電極上の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第４の電極と、を有し、
前記第２の容量は、第５の電極と、前記第５の電極上の第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上の第６の電極と、を有し、
前記第２の容量は前記第１の容量上に設けられ、
第３の容量は、前記第２の容量上に設けられ、
前記第３の容量は、第７の電極、前記第７の電極上の第３の絶縁膜、前記第３の絶縁膜上の第８の絶縁膜を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は、前記第２の電極、前記第３の電極、前記第５の電極および第７の電極と電気的に接続し、
前記第１の電極は、前記第４の電極、前記第６の電極および第８の電極と電気的に接続し、
前記ゲート絶縁膜および前記第１の絶縁膜は、同じ材料を有し、
前記ゲート電極、前記第１の電極および前記第４の電極は、同じ材料を有し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記第２の電極、前記第５の電極は同じ材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の電極および前記第４の電極は、同じ導電膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜は、前記トランジスタ上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
メモリセルを有する半導体装置であって、
前記メモリセルは、トランジスタと、メモリ素子と、第１の容量と、第２の容量と、を有し、
前記トランジスタは、第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記メモリ素子は、第１の電極と、前記第１の電極上の第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜上の第２の電極と、を有し、
前記第１の容量は、第３の電極と、前記第３の電極上の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第４の電極と、を有し、
前記第２の容量は、第５の電極と、前記第５の電極上の第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上の第６の電極と、を有し、
前記第２の容量は前記第１の容量上に設けられ、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は、前記第２の電極、前記第３の電極および前記第６の電極と電気的に接続し、
前記ゲート絶縁膜および前記第１の絶縁膜は、同じ材料を有し、
前記ゲート電極、前記第１の電極、前記第４の電極および前記第５の電極は、同じ材料を有し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記第２の電極および前記第６の電極は、同じ材料を有し、
前記第１の電極、前記第４の電極および前記第５の電極は同じ導電膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記メモリ素子は、前記第１の容量上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第３の電極は、不純物元素を有する前記第３の半導体膜を有し、
前記第１の半導体膜および前記第３の半導体膜は、同じ材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記メモリ素子、前記第１の容量、前記第２の容量は、並列に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁膜、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第２の半導体膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、高電圧が印加されたときに前記第１の電極とシリサイド反応を起こし得る半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
さらにアンテナを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線で信号の送受信を行うことができる機能を有する第１の回路と、前記信号に基づく情報を保持することができる機能を有する第２の回路とを有する半導体装置であって、
前記第２の回路は、トランジスタと、容量と、抵抗とを有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方が前記容量の一方の端子と電気的に接続され、
前記容量の一方の端子が前記抵抗の一方の端子と電気的に接続され、
前記容量の他方の端子は一定の電位が供給され、
前記抵抗の他方の端子は一定の電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記トランジスタのゲートとに、前記容量の他方の端子に供給される電位に等しい電圧が印加されたとき、前記容量から放電される電荷は前記トランジスタよりも、前記抵抗に多く流れることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
無線で信号の送受信を行うことができる機能を有する第１の回路と、前記信号に基づく情報を保持することができる機能を有する第２の回路とを有する半導体装置であって、
前記第２の回路は、トランジスタと、容量と、ダイオードとを有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方が前記容量の一方の端子と電気的に接続され、
前記容量の一方の端子が前記ダイオードの一方の端子と電気的に接続され、
前記容量の他方の端子は一定の電位が供給され、
前記ダイオードの他方の端子は一定の電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記トランジスタのゲートとに、前記容量の他方の端子に供給される電位に等しい電圧が印加されたとき、前記容量に保持された電荷は前記トランジスタに流れるよりも、前記ダイオードに流れる電荷の方が多いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記ダイオードは、電気的に直列に接続されている複数のダイオードであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記ダイオードは、ダイオード接続されたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の回路はバッファ回路を有し、
前記バッファ回路は前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記トランジスタのゲートとに、前記容量の他方の端子に供給される電位に等しい電圧が印加されたとき、前記第２の回路の容量の放電時間で決められている一定の時間においては前記情報を保持することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２の回路は電源の供給の有無に関係なく、情報を保持することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１及び第２の機能回路と、
制御回路と、
第１乃至第３の配線と、を有し、
前記第１の機能回路は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第２の機能回路は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第１の機能回路と電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第２の機能回路と電気的に接続され、
前記第１の配線は、絶縁体を介して前記第２の配線の一端と重なる第１の領域と、前記絶縁体を介して前記第３の配線の一端と重なる第２の領域と、有する半導体装置の作製方法において、
前記第１及び前記第２の機能回路の動作を検査し、
前記検査によって前記第１の機能回路の動作が規格に則していないと判定された場合、前記第１の領域と前記第２の配線の一端との間の前記絶縁体をレーザー照射することにより、前記第１の配線と前記第２の配線とを電気的に接続させ、
前記検査によって前記第２の機能回路の動作が規格に則していないと判定された場合、前記第２の領域と前記第３の配線の一端との間の前記絶縁体をレーザー照射することにより、前記第１の配線と前記第２の配線とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の配線と前記第２の配線とを電気的に接続させることにより前記第１の機能回路が動作しない状態となり、前記第１の配線と前記第３の配線とを電気的に接続させることにより前記第２の機能回路が動作しない状態となることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
少なくとも第１及び第２の機能回路と、
制御回路と、
第１乃至第３の配線と、を有し、
前記第１の機能回路は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第２の機能回路は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第１の機能回路と電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第２の機能回路と電気的に接続され、
前記第１の配線は、絶縁体を介して前記第２の配線の一端と重なる第１の領域と、前記絶縁体を介して前記第３の配線の一端と重なる第２の領域と、を有し、
前記絶縁体は、レーザーを用いて除去できる材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
少なくとも第１及び第２の機能回路と、
制御回路と、
第１乃至第３の配線と、を有し、
前記第１の機能回路は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第２の機能回路は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記制御回路と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第１の機能回路と電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第２の機能回路と電気的に接続され、
前記第１の配線は、絶縁体を介して前記第２の配線の一端と重なる第１の領域と、前記絶縁体を介して前記第３の配線の一端と重なる第２の領域と、を有し、
前記絶縁体は、窒化シリコン又はポリイミドを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有するシリコン基板に室温で実質的に吸収されないレーザアニール放射線ビームを用いて該基板のレーザ熱アニールを行なうために、該基板を予熱する方法であって、
室温で前記基板に実質的に吸収され、かつ、前記レーザアニール放射線ビームの波長より短い波長を有する第１及び第２の予熱放射線ビームを該基板の第１の部分に照射して前記基板上に第１の走査像を形成すること、及び、
前記第１の走査像を前記基板の上方で走査して、前記基板の対応部分を予熱すること、を含み、
前記基板の対応部分は、続いて第２の走査像の前方に存在するか又は前記第２の走査像と部分的に重なり、
前記第２の走査像は、前記レーザアニール放射線ビームによって前記基板の予熱された部分に形成され、
前記予熱放射線ビーム及び前記レーザアニール放射線ビームが、前記レーザアニール放射線ビームが前記基板に実質的に吸収され始める前記基板の臨界温度以上に予熱される前記基板の対応部分を有する前記基板の表面に関して走査され、
前記第１及び第２の予熱放射線ビームは、前記基板の対応部分を前記臨界温度以上に予熱し、
前記レーザアニール放射線ビームは、前記第１及び第２の予熱放射線ビームによって前記臨界温度以上に予熱された前記基板の対応部分に関して走査され、
前記第１及び第２の予熱放射線ビームはそれぞれ、前記基板の表面の同じ部分に照射され、ｐ偏光されており、前記レーザアニール放射線ビームの波長よりも短い波長を有し、かつ、前記基板に対して、前記基板表面の構造による熱吸収のばらつきを最小化する角度で入射し、
前記基板は、１×１０１６原子／ｃｍ３以下のドーパント濃度を有し、
前記レーザアニール放射線ビームは、ＣＯ２レーザ放射線ビームである、方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記レーザアニール放射線ビームは、ブルースター角とその近傍で前記基板に入射し、
前記第１および第２の予熱放射線ビームは、中央角度を含む角度範囲を超えて前記基板に入射し、
各角度範囲に対する前記中央角度は、ブルースター角と異なる、方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１及び第２の予熱放射線ビームがそれぞれ、
ｉ）０．１５〜０．５の前記基板における開口数と、
ｉｉ）約５２°の入射角と、
を有するように形成することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第ｎ（ｎ≧２）の単結晶半導体基板表面にイオンを照射して、前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板の表面から所定の深さに脆化層を形成し、
前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板と、第１乃至第ｎのベース基板とを、前記単結晶半導体基板または前記ベース基板の少なくとも一方に設けられた絶縁層を介して、それぞれ貼り合わせ、
熱処理によって、前記脆化層を境として前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板を分離することにより、前記第１乃至第ｎのベース基板上に第１乃至第ｎの単結晶半導体層をそれぞれ固定し、
前記第１の単結晶半導体層の複数の領域に対して、互いに異なる複数のエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、
マイクロ波光導電減衰法によって、前記レーザ光を照射した第１の単結晶半導体層の反射マイクロ波の検出信号のピーク値を検出し、
前記ピーク値が極大となる前記レーザ光のエネルギー密度を、Ｅ１ｍａｘとするとき、エネルギー密度Ｅが以下の式（１）を満たすレーザ光を前記第２乃至第ｎの単結晶半導体層へ照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【数１】
2010109361.tif 000001
（但し、式（１）において、σは以下の式（２）を満たす。）
【数２】
2010109361.tif 000002
（但し、式（２）において、σｔはｎ層の単結晶半導体層のそれぞれにおいて反射マイクロ波の強度が極大となるエネルギー密度の標準偏差を示し、σｅは、照射されるレーザ光のエネルギー密度の半導体基板毎の標準偏差を示す。）
【請求項２】
第１乃至第ｎ（ｎ≧２）の単結晶半導体基板表面にイオンを照射して、前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板の表面から所定の深さに脆化層を形成し、
前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板と、第１乃至第ｎのベース基板とを、前記単結晶半導体基板または前記ベース基板の少なくとも一方に設けられた絶縁層を介して、それぞれ貼り合わせ、
熱処理によって、前記脆化層を境として前記第１乃至第ｎの単結晶半導体基板を分離することにより、前記第１乃至第ｎのベース基板上に第１乃至第ｎの単結晶半導体層をそれぞれ固定し、
ｎ層の単結晶半導体層の膜厚の中央値を有する前記第１の単結晶半導体層の複数の領域に対して、互いに異なる複数のエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、
マイクロ波光導電減衰法によって、前記レーザ光を照射した第１の単結晶半導体層の反射マイクロ波の検出信号のピーク値を検出し、
前記ピーク値が極大となる前記レーザ光のエネルギー密度を、Ｅ１ｍａｘとするとき、エネルギー密度Ｅが以下の式（３）を満たすレーザ光を前記第２乃至第ｎの単結晶半導体層へ照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【数３】
2010109361.tif 000003
（但し、式（３）において、σは以下の式（４）を満たす。）
【数４】
2010109361.tif 000004
（但し、式（４）において、σｄはｎ層の単結晶半導体層の膜厚の標準偏差を示し、σｅは、照射されるレーザ光のエネルギー密度の標準偏差を示す。）
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２乃至第ｎの単結晶半導体層を部分溶融状態とするエネルギー密度で、前記レーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンを、投影光学系を介して基板上に露光する露光装置において、
前記投影光学系を保持する基準定盤と、
前記基準定盤を弾性支持する弾性支持手段と、
前記弾性支持手段を保持するベース構造体と、
前記ベース構造体と前記基準定盤との相対位置を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて前記ベース構造体の姿勢を調整する調整手段と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記調整手段は、前記検出手段の計測結果に基づいて、前記ベース構造体の姿勢を制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記ベース構造体と前記基準定盤との相対的な変位量を計測する計測手段を備え、
前記調整手段は、前記検出手段及び前記計測手段の計測結果に基づいて、前記ベース構造体の姿勢を制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記ベース構造体と前記基準定盤との相対的な変位量を計測する計測手段を備え、
前記計測手段の計測結果に基づいて、前記ベース構造体に対する前記基準定盤の相対位置が一定になるように前記弾性支持手段をフィードバック制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記計測手段は、３箇所に配置され、
前記弾性支持手段は、３箇所に配置される、ことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記ベース構造体は、４つの脚部と、該４つの脚部を連結するフレームと、を備えることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記検出手段が検出する前記ベース構造体と前記基準定盤との相対位置に予め閾値を設定し、
前記調整手段は、前記相対位置が前記閾値を超えた場合に制御を開始することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記ベース構造体と前記基準定盤との相対位置が、前記閾値を超えた場合に警告を発する警告手段を備えることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記検出手段は、静電容量式非接触微小変位計であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記検出手段は、前記ベース構造体の脚部の鉛直線上に設置することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記調整手段は、自動で上下動作可能な駆動装置であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記調整手段は、４箇所に設置され、
前記弾性支持手段は、３箇所に設置される、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、原版のパターンを投影光学系を介して基板上に露光する露光装置において、投影光学系を保持する基準定盤と、基準定盤を弾性支持する弾性支持手段と、弾性支持手段を保持するベース構造体と、ベース構造体と基準定盤との相対位置を検出する検出手段と、検出手段の検出結果に基づいてベース構造体の姿勢を調整する調整手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有し、
前記画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、
前記スイッチ部またはバッファ部は、第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、
前記論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるインバータ回路を有し、
前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性であり、
前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上の第１の微結晶半導体層と、
前記第１の微結晶半導体層上の錐形状の突起を複数有する第２の微結晶半導体層と、
前記第２の微結晶半導体層上の一対の非晶質半導体層と、
前記一対の非晶質半導体層上の一対の不純物半導体層とを有し、
前記第２の逆スタガ型薄膜トランジスタは、
前記第２の微結晶半導体層及び前記一対の非晶質半導体層上の第２のゲート絶縁層と、
前記ゲート電極に重畳し、且つ前記第２のゲート絶縁層に接するバックゲート電極と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有し、
前記画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、
前記スイッチ部またはバッファ部は、第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、
前記論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるＥＤＭＯＳ回路を有し、
前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性であり、
前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上の第１の微結晶半導体層と、
前記第１の微結晶半導体層上の錐形状の突起を複数有する第２の微結晶半導体層と、
前記第２の微結晶半導体層上の一対の非晶質半導体層と、
前記一対の非晶質半導体層上の一対の不純物半導体層とを有し、
前記第２の逆スタガ型薄膜トランジスタが有する前記第１の微結晶半導体層は、ドナーとなる不純物元素を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、
前記第２の微結晶半導体層及び前記一対の非晶質半導体層上の第２のゲート絶縁層と、
前記ゲート電極に重畳し、且つ前記第２のゲート絶縁層に接するバックゲート電極と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、デプレッション型の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、エンハンスメント型の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタが有する錐形状の突起を複数有する第２の微結晶半導体層は、一方の面が前記第１の微結晶半導体層に接し、他方の面が絶縁層に接することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、
絶縁層を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を設ける工程と、を有し、
前記単結晶半導体基板への前記イオンの照射は、前記単結晶半導体基板を冷却しながら行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記単結晶半導体基板への前記イオンの照射は、前記単結晶半導体基板を揺動させながら行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記単結晶半導体基板への前記イオンの照射を複数回に分けて行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記単結晶半導体基板に複数回に分けて前記イオンを照射する際に、第ｎ回目（ｎは１以上の自然数）の照射後であって第ｎ＋１回目の照射前に、前記単結晶半導体基板の温度を下げることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記イオンとして、水素元素からなるイオンを用い、前記イオンの総数に対してＨ３＋の割合を７０％以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記イオンを照射する際の前記単結晶半導体基板の温度を、２００℃以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。