【事件の表示】
　平成１１年特許願第３５１４６８号「はんだ付け装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月２６日出願公開、特開２００１−１７０７６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１１年１２月１０日の特許出願であって、同１７年３月１６日付で拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１７年５月１７日に意見書とともに明細書について手続補正書が提出されたが、同１７年１０月２７日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、同１７年１２月１日に本件審判の請求がされ、その後、同１７年１２月２７日に明細書について再度手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１７年１２月２７日付の補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１２月２７日付の補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするとともにそれに関連して発明の詳細な説明の一部について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
「【請求項１】送風機から送られる流体をヒーターによって加熱し、この加熱流体を被加熱物に吹き付けて被加熱物を加熱する加熱炉ユニットを有するはんだ付け装置において、
  上記送風機と上記ヒーターとの間に配置され、上記送風機から送られる流体の圧力を均一にするとともに、上記ヒーターに対して通風可能な複数の孔を有する多孔質体と、
  上記ヒーターと上記被加熱物の間に配置され、複数の穴を有すると共に、これらの複数の穴の寸法（直径）及び配置を所定の寸法・配置とすることにより、上記ヒーターによって加熱された流体を乱流として上記被加熱物に吹き付ける輻射板とを備えたことを特徴とするはんだ付け装置。」
　
（２）補正後
「【請求項１】送風機から送られる流体をヒーターによって加熱し、この加熱流体を被加熱物に吹き付けて被加熱物を加熱する加熱炉ユニットを有するはんだ付け装置において、
  上記送風機と上記ヒーターとの間に配置され、上記送風機から送られる流体の圧力を均一にするとともに、上記ヒーターに対して通風可能な複数の孔を有する多孔質体と、
  上記ヒーターと上記被加熱物の間に配置され、複数の穴を有すると共に、これらの複数の穴の寸法（直径）及び配置を所定の寸法・配置とすることにより、上記ヒーターによって加熱された流体を乱流として上記被加熱物に吹き付ける輻射板とを備
え
　
上記加熱炉ユニットは、さらに
　
上記輻射板若しくは上記ヒーターの少なくとも一方であって、上記被加熱物側に設けられ、上記ヒーターから放射される赤外線のうち、１μm以下及び２０μm以上の赤外線波長を吸収する吸収体を備えた
　
２　補正の適否　　　
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についての補正は、加熱炉ユニットについて「上記輻射板若しくは上記ヒーターの少なくとも一方であって、上記被加熱物側に設けられ、上記ヒーターから放射される赤外線のうち、１μm以下及び２０μm以上の赤外線波長を吸収する吸収体を備えた」という事項を付加するものであり特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかである。そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書（以下「本件補正明細書」という。）及び願書に添付した図面の記載からみて、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「はんだ付け装置」であると認める。
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１８６４４８号公報（以下「引用例１」という。）、特開平６−１１４５４８号公報（以下「引用例２」という。）、及び特開平１１−２９８１３５号公報（以下「引用例３」という。）、並びに当審の平成１８年１２月２５日付審尋で示した《前置報告書の内容》の中で挙げられている本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である実願昭６３−３４０２３号（実開平１−１３９３９８号）のマイクロフィルム（以下「引用例４」という。）には、それぞれ以下のとおりの技術的事項が記載されている。
　
ア　引用例１
（１−ア）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、被はんだ付けワーク、例えば配線基板を加熱して被はんだ付け部に予め供給してあるはんだを溶融させてはんだ付けを行うリフローはんだ付け方法およびリフローはんだ付け装置に関するものである。」
　
（１−イ）段落【００１２】〜【００１５】
「【発明が解決しようとする課題】赤外線等の熱線加熱と熱風加熱とが併用される理由は、配線基板２１の各部（配線基板２１そのものやそこに搭載されている各種の電子部品、そして電子部品そのもののパッケージとリード線やリード端子）の赤外線吸収率や熱容量の相違に原因して該配線基板２１各部の加熱・昇温が不均一にならないようにするためである。
　例えば、ＳＯＰ（Small Outline Package ）ＩＣやＱＦＰ（Quad Flat Package ）ＩＣ等においては、そのパッケージにおける赤外線の吸収率が高く、逆にリード線やリード端子においては赤外線吸収率が極めて低い。また、前記パッケージでは熱容量が大きくリード線やリード端子では熱容量が小さい。
　しかし、配線基板２１に搭載される電子部品のそれぞれについて赤外線吸収率が異なるとともに、該吸収率にも波長依存性があってそれらは相互に一致していないことが多い。そしてこのことはＶＲ（Variable Resister ）やＶＣ（Variable Capasiter）、パワーデバイス、等の異形部品において顕著である。すなわち材質や色調、形、大きさ等々がそれぞれ極端に相違するからである。
　本発明の目的は、配線基板等の被はんだ付けワークにおける赤外線吸収率の波長依存性を考慮し、これに左右されない加熱技術を確立すること、さらに熱風加熱を併用した加熱技術を確立することで、被はんだ付けワークの加熱・昇温を極めて均一に行うことができるようにして高品質のはんだ付けを行えるようにすることにある。具体的には、配線基板において搭載されている電子部品の種類に依らず均一に加熱・昇温できるようにして、高品質の配線基板を製造できるようにすることにある。」
　
（１−ウ）段落【００３６】〜【００４１】
「（１）基本構成
　図１，図２は、本発明の基本的構成を示す図で、図１は本発明の一実施例を示す熱線加熱のみのリフローはんだ付け装置の側断面図、図２は本発明の他の実施例を示す熱線加熱と熱風加熱とを併用したリフローはんだ付け装置の側断面図である。
　すなわち、図１の加熱装置３０は、箱体３１の１つの面に多数の孔３３を形成した多孔板３２を使用し、箱体３１の外側となる多孔板３２の表面には、加熱されると遠赤外線を放射する放射体である遠赤外線放射セラミックス層（例えば、放射中心波長λ2 ＝５μｍ）３４を設けてある。この遠赤外線放射セラミックス層３４は、放射中心波長が異なる複数種類のセラミックス層を多層あるいは縞状に形成し、遠赤外線放射帯域（エネルギーバンド）が広くなるようにしてもよい。
　そして箱体３１の中には近赤外線を放射する放射体である近赤外線放射ヒータ（例えば、ハロゲンランプヒータ（放射中心波長λ1 ＝約１μｍ程度））３５を複数設けてあり、さらに近赤外線放射ヒータ３５から放射される近赤外線を多孔板３２の方へ反射する反射板３６を備えている。なお、箱体３１の内側面を鏡面としてこれを反射板とすることもできる。
　さらに、断熱部材３７は、多孔板３２が有効に加熱されるようにするために、箱体３１と多孔板３２、遠赤外線放射セラミックス層３４との間の断熱を行うために設けたものである。
　このように構成した加熱装置３０を、搬送コンベア２７の搬送路に沿って配設する。すなわち、矢印Ａ方向に搬送される配線基板２１にその多孔板３２を向けて配設する。
　図２は、図１のリフローはんだ付け装置の箱体３１にガス供給口３８を設けたものであり、ガス供給口３８はファンやブロワー等の送風手段や、Ｎ2 ガス等の不活性ガスを供給するＮ2 ガスボンベやＮ2 ガス発生装置等からなるガス供給手段３９を接続する。その他、図１と同一符号は同一部分を示す。」
　
（１−エ）段落【００４２】〜【００４５】
「（２）動作
　このように構成すると、近赤外線によって多孔板３２が加熱され、その加熱によって遠赤外線放射セラミックス層３４から遠赤外線が放射される。また、多孔板３２の多数の孔３３から近赤外線が放射される。そしてこれら遠赤外線と近赤外線が併せて配線基板２１に照射され、加熱される。
　この場合、加熱装置３０から放射される近赤外線は広い波長帯域のエネルギースペクトルを含み、すなわちエネルギーバンドが広いので、配線基板２１に搭載された種々の材質・色調・形状・大きさ等々の電子部品に依らず、それぞれに吸収されやすい波長の赤外線が吸収され、均一に加熱・昇温される。
　また、図２にようにガスを供給する加熱装置３０では、前記赤外線の他に孔３３から加熱されたガスが噴出して配線基板２１に吹き付けられる。このガス、すなわち熱風は、例えばＳＯＰ　ＩＣやＱＦＰ　ＩＣのようにパッケージ容積が大きいにもかかわらずそのリード端子が小さく、かつ熱線の反射性が強い、すなわち赤外線吸収率が極めて小さい場合に有効であり、この熱風が該リード端子を速やかに加熱する。
　そしてその結果、配線基板２１およびそこに搭載された各種の電子部品を均一に加熱・昇温させ、均一にはんだ付けを行うことができるようになる。またこれにより、品質の高い配線基板２１を製造することができるようになる。」
　
（１−オ）図２の記載によれば、遠赤外線放射セラミックス層３４は、多孔板３２の配設基板２１に面する側に設けられていることが看取できる。
　
　上記記載事項を、技術常識を勘案しながら本件補正発明に照らして整理すると、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。
「ファンやブロワー等の送風手段から送られる流体を近赤外線放射ヒータ３５によって加熱し、この加熱流体を被加熱物である配線基板２１に吹き付けて被加熱物を加熱する加熱装置３０を有するリフローはんだ付け装置において、
  上記ヒーター３５と上記被加熱物の間に配置され、上記ヒーター３５によって加熱された流体を上記被加熱物に吹き付ける多孔板３２を備え、
  上記加熱装置３０は、さらに、
  上記多孔板３２の上記被加熱物側に設けられ、上記ヒーター３５から放射される近赤外線によって加熱されて、例えば、放射中心波長が５μmの遠赤外線を放射する放射体である遠赤外線セラミックス層３４を備えたリフローはんだ付け装置。」
　
イ　引用例２
（２−ア）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、リフローはんだ付け装置に関するものである。」
　
（２−イ）段落【００１５】
「図１に示されるように、装置本体11の内部に炉体12が設けられ、この炉体内に仕切板により第１プリヒート室13、第２プリヒート室14、第３プリヒート室15、第１リフロー室16、第２リフロー室17および冷却室18が区画形成されている。」
　
（２−ウ）段落【００１７】〜【００１８】
「炉体12内の各室の下部には、ガス循環用ブロワモータ31により回転されるブロワファン32が上向きに設けられ、炉体12内に吹込まれた窒素ガス等の不活性雰囲気ガスはこのブロワファン32により炉体12内で後述の図２に示されるように循環される。
　炉体12内のプリヒート室およびリフロー室では、コンベヤ23により搬送されるワークの上側（ワークの風上側）に吹出しノズル41が配置され、この吹出しノズル41の内部に雰囲気加熱用のヒータ42が配置され、この吹出しノズル41およびヒータ42の上側（風上側）に、通気性を有する多孔材の表面（孔内表面も含む）に触媒をコーティングして形成された整流板43が配置されている。」
　
（２−エ）段落【００２３】
「炉体12内の雰囲気ガスは、図２に示されるようにブロワファン32によりその外周部から前記案内板45の外側通路46を上昇し、両側の案内板45の間で下降してブロワファン32の中心部に吸込まれる対流となる。したがって、下降流れの雰囲気ガスは先ず整流板43に当り、この整流板43の多孔材中を通過する段階で均一な風速となってヒータ42へ吹付けられ、このヒータ42により加熱されるとともに、吹出しノズル41で増速されてワーク（プリント配線基板）Ｐへ噴出され、その雰囲気ガスが有する熱によりリフローはんだ付けが行われる。その際、本来の対流による加熱に加えてヒータ42からワークＰに対し直接的な輻射加熱もなされる。」
　
　上記記載事項からみて、引用例２には以下の事項が記載されていると認められる。
「リフローはんだ付け装置において、ヒータ42の風上側に配置され、ブロワファン32から送られる窒素ガス等の不活性雰囲気ガスを整流し均一な風速として上記ヒーター42に吹付けるための多孔材からなる整流板43を備えること。」
　
ウ　引用例３
（３−ア）段落【０００１】〜【０００２】
「【発明の属する技術分野】本発明は、不活性ガス雰囲気下で電子部品と回路基板とのはんだ付けを行う、はんだ付け用加熱炉に関するものである。
【従来の技術】図５は、従来のはんだ付け用加熱炉の概略構成を示す図である。図５において、１は上部面ヒータ、２は下部面ヒータ、３は加熱室、４は加熱ファン、５は棒状ヒータ、６は冷却室、７は冷却ファン、８は加熱炉、９は入口側基板搬送部、１０は出口側基板搬送部、１１は不活性ガス供給口、１２は回路基板、１３はチェーンコンベアである。」
　
（３−イ）段落【０００６】〜【０００８】
「電子部品を装着した回路基板１２が入口側基板搬送部９を通って、加熱炉８の中に入ってくると（時点ｔ1 ）、回路基板１２の温度は、常温Ｔａから徐々に上昇していき、予備加熱温度Ｔｂになる（時点ｔ2 〜ｔ3 ）。その後、はんだ付け温度Ｔｃに達して（時点ｔ4 ）、はんだが溶融する。しかし、回路基板１２に装着された電子部品のリード部は、回路基板１２のはんだ付け部より熱容量が大きいため、回路基板１２の温度より低くなり、はんだ付けする時点ｔ4 では、ΔＴの温度差が生じる。
　その結果、回路基板１２のはんだ付け部の温度は、はんだの融点より高くなっていても、電子部品のリード部の温度は、はんだの融点に達していないため、はんだ付け不良が発生する。その対策としては、加熱温度を上げてやればよいが、そのようにすると、熱容量の小さい回路基板１２のはんだ付け部の温度が上がりすぎ、焼け等の不具合が生じる。また、高密度実装基板では熱容量の異なる電子部品が混在するため、熱容量の大きな部品に合わせて加熱すると、熱容量の小さい電子部品の温度が上がり過ぎて部品劣化の原因となる。したがって、加熱炉８において良好なはんだ付けを行うためには、加熱ファン４で回路基板１２上の風の流れを乱流状態にして、均熱性を向上させて、回路基板１２と電子部品の温度差ΔＴをできるだけ小さくする必要がある。
　そして、回路基板１２の上に乱流状態を生成するためには、加熱ファン４の回転速度を上げて回路基板１２に吹きつける熱風の風速を増大させる必要がある。実験によると、回路基板１２上の風速が０．１〜２．０ｍ／min 程度の場合に比べ、３．０〜４．０ｍ／min 程度に上げた場合に均熱性が向上することが分かった。また、回路基板１２の冷却においても冷却室６の冷却ファン７の風速を増大させた方が熱伝達効率が上がるため、回路基板１２上のはんだ付けを速やかに行うことができる。」
　
　上記記載事項からみて、引用例３には以下の事項が記載されていると認められる。
「はんだ付け用加熱炉において、上部面ヒーターによって加熱された流体を乱流として被加熱物に吹き付けること。」
　
エ　引用例４
（４−ア）明細書第１頁第１０〜１５行
「（産業上の利用分野）
　本考案は、はんだのリフロー・・・（中　略）・・・に使用される赤外線ヒータ、特に、波長領域が４〜２５μｍの遠赤外線を放射する赤外線ヒータに関する。」
　
（４−イ）明細書第３頁第１７〜２０行
「本考案にかかる赤外線ヒータは、第１図に示すように箱状空洞体１、電熱ヒータ２、セラミックス層３およびセラミックス層３を支持する多孔質金属板４から構成されている。」
　
（４−ウ）明細書第４頁第８〜１３行
「該電熱ヒータ２の上にはＮｉ−Ｃｒ合金系を電解液で電鋳した多孔質金属板４（商品名：セルメット）を介してセラミック（Ｔｉ−Ａｌ２Ｏ３）層３が設置されている。このセラミックス層３は、多孔質金属板４の表面上に焼付けたり溶射することにより設置することができる。」
　
（４−エ）明細書第５頁第４〜１２行
「本考案において使用する、加熱により赤外線を放出するセラミックスとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２等があり、これらは電鋳により製造される多孔質金属板の表面上に焼付けたり、溶射することにより層状に形成される。
　この多孔質金属板上に形成された、加熱面を構成するセラミックス層は、ヒータにより加熱されて金属や白色物への吸収の良好な４〜２５μｍの遠赤外線を放射する。」
　
　上記記載事項からみて、引用例４には以下の事項が記載されていると認められる。
「はんだのリフローに使用される赤外線ヒータにおいて、電熱ヒータ２上に多孔質金属板４を介してセラミック層３を設置することにより４〜２５μmの遠赤外線を放射すること。」
　
（３）対比
　本件補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例１記載の発明の「ファンやブロワー等の送風手段」及び「加熱装置３０」は、それぞれ本件補正発明の「送風機」及び「加熱炉ユニット」に相当する。
　また、引用例１記載の発明の「多孔板３２」は、ヒーターと被加熱物の間に配置され、複数の穴を有し、上記ヒーターによって加熱された流体を上記被加熱物に吹き付けるものであり、その被加熱物側には遠赤外線を放射する放射体である遠赤外線セラミックス層を備えているから、本件補正発明と同様、「輻射板」ということができるものである。
　次に、本件補正発明の「吸収体」について検討するために本件補正明細書の段落【００３１】を参照すると、そこには「次に、表面処理部１４２，１５２の機能について説明する。表面処理部１４２は、鋳込みヒーター１４０の表面に形成されたセラミック溶射膜である。また、表面処理部１５２も、同様に、輻射板１５０の面に形成されたセラミック溶射膜である。前述したように、特に、黒色モールドのＳＯＰタイプのＩＣ１４Ａでは、照射する赤外線の波長によって、温度制御の容易性が異なるため、１μｍ以上で、２０μｍ以下の波長の赤外線を、被加熱物１０に照射するようにした方がより正確な温度制御が可能であることが判明している。
表面処理部１４２，１５２は、１〜２０μｍ以外の波長の赤外線を吸収して、１〜２０μｍの範囲の波長の赤外線を被加熱物１０に照射するために用いられている
　そうしてみると、本件補正発明の「１μm以下及び２０μm以上の赤外線波長を吸収する吸収体」は、１μmを超え２０μm未満の赤外線波長を放射する放射体として捉えることができる。
　したがって、引用例１記載の発明の「上記多孔板３２の上記被加熱物側に設けられ、上記ヒーター３５から放射される近赤外線によって加熱されて、例えば、放射中心波長が５μmの遠赤外線を放射する放射体である遠赤外線セラミックス層」は、輻射板の被加熱物側に設けられ、ヒーターから放射される赤外線によって特定範囲の波長の赤外線を放射する放射体であるという限りで、本件補正発明の「上記輻射板若しくは上記ヒーターの少なくとも一方であって、上記被加熱物側に設けられ、上記ヒーターから放射される赤外線のうち、１μm以下及び２０μm以上の赤外線波長を吸収する吸収体」と共通している。
　そうすると、本件補正発明と引用例１記載の発明との一致点及び相違点は次のとおりと認められる。
ア　一致点
「送風機から送られる流体をヒーターによって加熱し、この加熱流体を被加熱物に吹き付けて被加熱物を加熱する加熱炉ユニットを有するはんだ付け装置において、
  上記ヒーターと上記被加熱物の間に配置され、複数の穴を有し、上記ヒーターによって加熱された流体を上記被加熱物に吹き付ける輻射板を備え、
  上記加熱炉ユニットは、さらに、
  上記輻射板の上記被加熱物側に設けられ、ヒーターから放射される赤外線によって特定範囲の波長の赤外線を放射する放射体を備えたはんだ付け装置。」である点。
イ　相違点１
　本件補正発明では、送風機とヒーターとの間に配置され、上記送風機から送られる流体の圧力を均一にするとともに、上記ヒーターに対して通風可能な複数の孔を有する多孔質体を備えているのに対して、引用例１記載の発明では、そのような多孔質体を備えていない点。
ウ　相違点２
　本件補正発明では、輻射板に設けられた複数の穴の寸法（直径）及び配置を所定の寸法・配置とすることにより、ヒーターによって加熱された流体を乱流として被加熱物に吹き付けるのに対して、引用例１記載の発明では、そのようになっているのかどうか明らかでない点。
エ　相違点３
　放射体を吸収体として捉えた場合、本件補正発明では、ヒーターから放射される赤外線のうち、１μm以下及び２０μm以上の赤外線波長を吸収する吸収体であるのに対して、引用例１記載の発明では、そのようなものではない点。
　
（４）相違点についての検討
ア　相違点１について
　上記（２）イ末尾で認定したように引用例２には、リフローはんだ付け装置において、ヒータの風上側に配置され、ブロワファンから送られる窒素ガス等の不活性雰囲気ガスを整流し均一な風速として上記ヒーターに吹付けるための多孔材からなる整流板を備えることが記載されている。
　引用例２記載の事項の「ブロワファン」、「窒素ガス等の不活性雰囲気ガス」及び「多孔材からなる整流板」は、それぞれ本件補正発明の「送風機」、「流体」及び「多孔質体」に相当することが明らかである。
　そして、引用例２には明記されてはいないものの、引用例２記載の多孔質体も、送風機から送られる流体を整流し均一な風速とするために送風機から送られる流体の圧力を均一にする機能を備えているということができる。
　そうすると、引用例２記載の事項を引用例１記載の発明に適用して、ヒータの風上側に配置され、送風機から送られる流体の圧力を均一にするとともに、上記ヒーターに対して通風可能な複数の孔を有する多孔質体を備えることに格別の困難性は見当たらない。
　なお、引用例２記載の送風機は、上記（２）イの摘記事項（２−ウ）に示されているように、各室の下部に上向きに設けられているが、当該送風機の位置は、ヒータの風上側であれば適宜の位置に設定できることが明らかであるから、多孔質体が送風機とヒーターとの間に配置されるよう送風機の位置を定めることは上記適用に当たって適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　
イ　相違点２について
　上記（２）ウ末尾で認定したように引用例３には、はんだ付け用加熱炉において、上部面ヒーターによって加熱された流体を乱流として被加熱物に吹き付けることが記載されており、引用例１記載の発明に上記引用例３に記載の事項を適用して、輻射板である所定の寸法（直径）・配置の複数の穴を有する多孔板の上流側の流速を大きくするなどして多孔板から吹き出る流体を乱流とすることは当業者が容易になし得たことである。
　なお、本件補正発明では、乱流とするために「輻射板に設けられた複数の穴の寸法（直径）及び配置を所定の寸法・配置とする」としているが、それだけでは乱流にならないことは流体力学的知見に依るまでもなく明らかである。
　
ウ  相違点３について
　上記（２）エ末尾で認定したように引用例４には、はんだのリフローに使用される赤外線ヒータにおいて、電熱ヒータ上に多孔質金属板を介してセラミック層を設置することにより４〜２５μmの遠赤外線を放射することが記載されており、引用例１記載の発明に引用例４記載の事項を適用して、放射される赤外線の波長を４〜２５μmとすることに格別の困難性はない。
　本件補正発明では、ヒーターから放射される赤外線のうち、１μm以下及び２０μm以上の赤外線波長を吸収、すなわち、１μmを超え２０μm未満の赤外線波長を放射しているのに対して、上記適用によって構成されるものは、２０μm〜２５μmの波長の赤外線を放射している点でなお相違している。
　本件補正発明が、放射される赤外線のうち２０μm以上の赤外線波長を吸収することについて、本件補正明細書の段落【００２１】には、「２０μm以上の波長の赤外線は、黒色モールドに吸収され難いため、温度が上昇し難く、所定温度になるようにする温度制御が困難である。」と記載されているが、はんだ付け装置において被加熱物に放射する赤外線波長をどの程度の範囲とするかは、被加熱物の種類に応じて当業者が適宜決定すべき事項にすぎない。そして、本件補正発明においては、被加熱物について何等特定されておらず、何等特定されていない被加熱物に対する赤外線波長について、２０μmと２５μmとで両者の間に格別の臨界的な差異があるとは認められないことからみて、放射する赤外線波長の上限値を２０μmに限定した点に格別の技術的意義は見出せない。
　さらに、本件補正明細書の段落【００３３】には、「なお、他のセラミック溶射膜としては、例えば、クロミア（Ｃｒ２Ｏ３）を主成分とするセラミック溶射膜（赤外線の放射波長：１２±１（μｍ），放射率：０．９７）を用いることもできる。さらには、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミック溶射膜（赤外線の放射波長：９±１（μｍ），放射率：０．９３）や、チタニア（ＴｉＯ２）を主成分とするセラミック溶射膜（赤外線の放射波長：７±５（μｍ），放射率：０．８５）・・・（中　略）・・・を用いることもできる。」と記載されているところ、引用例４には上記（２）エに摘記したように「本考案において使用する、加熱により赤外線を放出するセラミックスとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３・・・（中　略）・・・があり」と記載されており、引用例４の赤外線ヒータのセラミックス層をＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２又はＣｒ２Ｏ３とした場合には本件補正発明と同程度の波長の赤外線を放射するものとみるのが相当である。
　そうしてみると、本件補正発明において吸収体を、ヒーターから放射される赤外線のうち、１μm以下及び２０μm以上の赤外線波長を吸収する吸収体とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　また、本件補正発明によってもたらされる効果も、引用例１記載の発明及び引用例２ないし引用例４記載の事項から当業者であれば予測できる範囲内のものであって格別顕著なものとはいえない。
　
　したがって、本件補正発明は、引用例１記載の発明及び引用例２ないし引用例４記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１　本件発明
　平成１７年１２月２７日付の補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１７年５月１７日付手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「はんだ付け装置」である。
　
２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例１乃至３及びその記載内容は、上記第２の２（２）アないしウに示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本件発明は、上記第２の２で検討した本件補正発明から、加熱炉ユニットについて「上記輻射板若しくは上記ヒーターの少なくとも一方であって、上記被加熱物側に設けられ、上記ヒーターから放射される赤外線のうち、１μm以下及び２０μm以上の赤外線波長を吸収する吸収体を備えた」という事項を削除したものである。
　そうすると、本件発明と引用例１記載の発明との相違点は、上記第２の２（３）イの相違点１と同ウの相違点２と同一となるが、これらの相違点については、上記第２の２（４）ア及びイで検討したとおりである。
　
４　むすび
　以上のとおりであり、本件発明は、引用例１記載の発明及び引用例２ないし引用例３記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。