【事件の表示】
　特願２０００−３８３１７５「プラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月２８日出願公開、特開２００２−１８４７６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯
　
　本願は、平成１２年１２月１８日の出願であって、平成１７年５月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月２５日に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成１７年７月２５日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１７年７月２５日付け手続補正を却下する。
　
　
［理由］
　
　本件補正により、特許請求の範囲は請求項１に補正され、その請求項１は次のとおりに補正された。
　
「多層膜を有する被処理体の対向面に対し、複数のガス噴出口を備えるガス噴出手段からガスを噴出させ、当該噴出されたガスを、前記被処理体にバイアスを印加してプラズマ化し、当該プラズマにより前記被処理体の最表面膜をマスクとし下層膜をエッチング処理するプラズマエッチング方法において、
　２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、前記被処理体表面の副生成ガス濃度分布を制御し、
　前記被処理体の下層膜エッチング速度分布とは独立に前記被処理体のマスクエッチング速度分布を変化させることを特微とするプラズマエッチング方法。」
　
　
　そこで、補正の適否について検討すると、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３の記載により特定される発明は、「プラズマ処理装置」に係るものであるのに対し、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、「プラズマエッチング方法」に係るものである。
　してみると、本件補正は、補正前の特許請求の範囲に記載された「物」に係る発明を、カテゴリーの異なる「方法」の発明に変更するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。また、同補正は、請求項の削除、誤記の訂正、又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
III．本願発明について
　
　平成１７年７月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１６年１０月１９日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲１〜３に記載されたとおりのものと認められ、そのうち請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項２】
　被処理体に対する対向面に複数のガス噴出口を備えるガス噴出手段を備え、該ガス噴出手段が被処理体の２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを互いに異なる前記ガス噴出口から噴出するガス噴出手段であり、該ガス噴出手段により供給されるガスをプラズマ化し、前記被処理体に処理を施こすプラズマ処理装置において、前記ガス噴出手段が、前記被処理体中心に対向する面と被処理体外周に対向する面で互いに異なる流量比からなる混合ガスを噴出し、かつ前記被処理体外周に対向する面で噴出する混合ガスの少なくとも一つのガスの流量が被処理体中心に対向する面で噴出する流量よりも少ないことを特徴とするプラズマ処理装置。」
　
　なお、請求項２に記載された「披処理体」、「特微」及び「ブラズマ処理装置」は明らかな誤記であり、上記のとおりそれぞれ「被処理体」、「特徴」、及び「プラズマ処理装置」と認定した。
　
　
１．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特表平９−５０１２７２号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ａ）「 図１は半径方向のガス流を有する所謂“容量的に結合させた大面積平行板”タイプのプラズマ反応器を示す。この反応器は反応室１０を具えており、この反応室内には支持電極１１が有孔電極１２に対向して取付けられている。プラズマ処理は支持電極１１の上に取付けた１個以上のデバイス基板４（１４）の表面にて行われる。支持電極１１は接地する。無線周波電圧はＲＦ源５０からインピーダンス整合回路網５２を経て有孔電極１２に印加される。これらの手段５０，５２により電極１１と１２との間に交流電界がかけられて、有孔電極１２を経て送り込まれる反応ガスの混合物２５から電極１１と１２との間の空所内に反応性プラズマ５が発生する。有孔電極１２と、そのガス供給手段２１及び２２とのアセンブリは所謂“シャワーヘッド”を形成し、この名はガスが有孔電極１２を経て斯かる空所内に送り込まれることに由来している。これまでに述べたようなプラズマ反応器は、モノリシック集積回路及び／又は液晶ディスプレイの如き大面積電子デバイスにおける薄膜のプラズマ増速堆積又はプラズマエッチングに用いられるような既知のタイプのものと見なすことができる。」（第７頁第２９行〜第８頁第１３行）
　
（ｂ）「大面積電子デバイスはモノリシック集積回路のウェハに較べて大きな面積の基板４（１４）を有している。これらの基板４（１４）を１個以上電極１１に取付けることからして、電極１１の面積も大きい。従って、極めて大きい反応室１０が必要とされる。薄膜回路素子を有する大形フラットパネルディスプレイ及び他の大面積電子デバイスにとっては電極の面積を１ｍ２（平方メートル）程度とする傾向にある。特に斯かる薄膜回路の適用に当っては、大面積の支持電極１１の全体にわたるプラズマ処理を十分に均一とする必要がある。このためにはガス混合物２５を有孔電極１２へ供給する供給ラインを数個（例えば第１及び第２）のライン２１及び２２とするのが有利である。従って、図１に示してあるように、第１供給ライン２１は有孔電極１２の中央領域１２ａへガス混合物を送給でき、第２供給ライン２２は有孔電極１２の環状周辺領域１２ｂへガス混合物を送給することができる。反応室１０は、この室内を適当な圧力に保つためにポンプ（図示せず）に接続されるガスの出口２９を有している。これらの出口２９は、支持電極１１（及びその上の１個又は複数の基板４（１４）の上方のガス流２８が中央領域から放射状に外へ向うように支持電極１１に関連して位置付けるようにする。
  先ず、プラズマ処理による堆積膜（又は他のいずれかのもの）の所望な諸特性を達成するように、プラズマ処理過程の主要件（例えば、温度、圧力、反応ガス、ガス混合物の配合、流速等）を最適化することは標準的で、しかも望ましいやり方である。しかし、同一配合のガス組成物を供給ライン２１及び２２を経て送給する場合に、（別個の供給ライン２１及び２２内の流速を異なるように調整しても）或る反応ガスは気相中でのプラズマ反応にて、ガス流２８が大面積電極１１の周辺個所におけるデバイス基板４（１４）に達する前にこの基板の中央表面領域にてかなり使用されることになり、基板全体にわたり不均一な堆積又はエッチングが生じ得ることを本発明者等は確めた。従って、シャワーヘッド１２から放射状に流れるガスはプラズマ空間内で処理反応により変動量にて消費される。このために、反応室１０内のガス分布は個々のガスの利用率の関数並びに有孔電極領域１２ａ及び１２ｂからの流れ配列の関数となる。たいていの場合、本発明を採用しなければ処理がかなり不均一となる。
  窒化珪素の薄膜３２（例えば、図２及び図３に示したようなＭＩＭ用）をＳｉＨ４及びＮ２でプラズマ増速堆積する特定例では、ＳｉＨ４が中央領域における組成物に較べて周辺領域にて２０％〜３０％消費されるような量だけ反応するのに対し、Ｎ２は中央領域の組成物に較べて周辺領域にて０．０５〜０．２％消費されるに過ぎないことを本発明者等は確めた。従って、堆積された窒化珪素膜３２の全領域にわたる配合の不均一性は、ＭＩＭ及び薄膜から形成される他の任意の薄膜回路素子（例えばＴＦＴ）の諸特性を著しく変えることができる。同様な不均一性は他の物質（例えばオキシ窒化珪素及び炭化珪素）を大面積に堆積する場合及び大領域をプラズマエッチングする場合にも生じる。
  本発明により斯様な不均一性をなくすためには、第１及び第２供給ライン２１及び２２をガス混合物のそれぞれ別個の一次及び二次供給部（２３ａ，２４ａ，５５，５６）及び（２３ｂ，２４ｂ，５５，５６）に接続する。各供給部はボンベ５６からの第２反応ガス（例えばＮ２又はＮＨ３）よりも速い割合でプラズマ処理にて消費される第１反応ガス（例えばＳｉＨ４）を収容しているボンベ５５を具えている。図１の例によって示してある装置では、一次供給部（２３ａ，２４ａ，５５，５６）と、二次供給部（２３ｂ，２４ｂ，５５，５６）との双方が共通の第１ボンベ５５及び共通の第２ボンベ５６を共有する。一次供給部では、ボンベ５５及び５６を各質量流量計２３ａ及び２４ａによって供給ライン２２の弁２６ａに接続する。第２供給部では、ボンベ５５及び５６を各質量流量計２３ｂ、及び２４ｂによって供給ライン２１の弁２６に接続する。流量計２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂは、第１反応ガス（例えばＳｉＨ４）が流量計２３ａからよりも流量計２３ｂから多量に流れるように設定し、及び／又は第２反応ガス（例えばＮ２）が流量計２４ａからよりも流量計２４ｂから少なめに流れるように設定する。こうすることにより、第２供給部（２３ｂ，２４ｂ，５５，５６）は電極領域１２ａを経て中央のガス混合物２５ａを供給する一次供給部（２３ａ，２４ａ，５５，５６）よりも第１反応ガスを多量に含む周辺のガス混合物２５ｂを供給する。
  周辺のガス混合物２５ｂにおける第１反応ガスの供給量を斯様に増やすことにより、支持電極１１の周辺領域での第１反応ガスの消費量を少なくとも部分的に補償することができる。このようにして、プラズマ処理を支持電極１１の全領域にわたりかなり均一に行うことができる。さらに、均一性を改善するこの方法によれば、処理過程の動作に関する主要件（例えば、温度、圧力、一次ガス混合物２５ａの配合、流速等）を先ず最適化し、その後１個以上の二次供給部（２３ｂ，２４ｂ，５５，５６）とのガス配合の微調整を行なって、特定の装置内でのプラズマ処理操作にて観察される不均一性を補償するようにガス混合物２５ｂを調整することができる。」（第８頁第１４行〜第１０頁第２０行）
　
（ｃ）「さらに、図１には支持電極１１上に取付けた２個のデバイス基板４（１４）を図示してあるが、本発明は極めて大きなデバイス基板４（１４）、例えばプラズマ処理装置の支持電極１１上に僅か１個の斯様の基板しか載せられないような大きさのデバイス基板の全体にわたる均一性を良好とするのに特に有利である。」（第１０頁第２０〜２４行）
　
（ｄ）「支持電極１１上の１個又は複数の全基板領域の上に絶縁膜３２を十分均一に堆積するためには、この堆積を図１に示したような反応器内にて行なう。支持電極１１はデバイス基板４（１４）を上に載せるキャリヤプレート１１ｂと、サセプタプレート１１ａとを具えており、このサセプタプレートを介してデバイス基板４（１４）を加熱する。反応器の種類に応じて、キャリヤプレート１１ｂをトラック上に取付け、このトラックを介してデバイス基板４（１４）を装置の一方の反応室１０から他方の反応室へと動かして、異なるプラズマ処理を行なうようにすることができる。
  適当な不定比窒化珪素薄膜３２を堆積する場合には、デバイス基板４（１４）を低温、例えば約２００〜２５０℃に加熱することができる。一次供給部２３ａ，２４ａ，５５，５６から中央領域１２ａに送給するガス混合物２５ａは１：４０の比率のＳｉＨ４及びＮ２で組成することができる。二次供給部（２３ｂ，２４ｂ，５５，５６）から周辺領域１２ｂに送給するガス混合物２５ｂは、流速、有孔電極１２の周辺部１２ｂと中央部１２ａとの相対面積及び支持電極１１の面積に応じて、もっと小さな比率、例えば１：２５又は１：３０のＳｉＨ４及びＮ２で組成することができる。特定例では、電極１１及び１２の総面積を０．５ｍ２〜１ｍ２の範囲内の大きさとすることができ；（供給ライン２１によって送給される）中央領域１２ａの直径を有孔電極１２の全径の４０％〜６０％とすることができ；ガス混合物２５ａ及び２５ｂを電極１１と１２との間の空所に送り込む開口の幅を１ｍｍ以下とすることができ；電極１１と１２との間の空所の大きさを３ｃｍ〜４ｃｍとすることができ；ＲＦ源５０の周波数を通常の１３．５６ＭＨｚとすることができ；流量計２３ａ及び２３ｂを流れるＳｉＨ４の流速は同じで、例えば１ｃｍ３／分とすることができ；流量計２４ａを流れるＮ２の流速は１分当り３５〜４０ｃｍ３の範囲内の流速とするも、流量計２４ｂを流れるＮ２の流速は１分当り２５〜３０ｃｍ３の範囲内の流速とすることができる。堆積膜３２の配合及び他の諸特性（例えば膜応力）を調整するために、他の反応ガス（例えばＨ２）を双方のガス流２５ａ及び２５ｂに加えることができ；従って、Ｈ２ボンベを各質量流量計を介して弁２６ａ及び２６ｂに接続して、例えば１分当り０〜２０ｃｍ３の範囲内の割合でＨ２ガス流を双方の供給ライン２１及び２２に送給することができる。
  このようにして一次及び二次混合物２５ａ及び２５ｂに異なるガス配合を用いることにより、ＭＩＭデバイスを形成するデバイス基板４（１４）の中央領域と、ＴＦＴを形成する周辺領域との双方における薄膜３２の諸特性を十分均一に、且つ再現性をもって得ることができる。」（第１１頁第２０行〜第１２頁第２４行）
　
（ｅ）そして、図１には、有孔電極は、支持電極に対する対向面に複数の開口を備えていること、及び有孔電極の中央領域と周辺領域のそれぞれに複数の開口があることが示されている。（図１）
　
　
２．対比・判断　
　
　摘記事項（ａ）によれば、プラズマ反応器において、支持電極１１が有孔電極１２に対向して取付けられていること、プラズマ処理は支持電極１１の上に取付けた１個以上のデバイス基板の表面にて行われること、有孔電極１２を経て送り込まれる反応ガスの混合物から電極１１と１２との間の空所内に反応性プラズマが発生すること、有孔電極１２と、そのガス供給手段２１及び２２とのアセンブリは所謂“シャワーヘッド”を形成していることが記載され、摘記事項（ｅ）によれば、有孔電極は、支持電極に対する対向面に複数の開口を備えていることが示され、摘記事項（ｃ）によれば、本発明は支持電極１１上に僅か１個の斯様の基板しか載せられないような大きさのデバイス基板の全体にわたる均一性を良好とするのに特に有利であることが記載されている。
　
　また、摘記事項（ｄ）によれば、窒化珪素薄膜３２を堆積する場合には、一次供給部（２３ａ，２４ａ，５５，５６）から中央領域１２ａに送給するガス混合物２５ａは１：４０の比率のＳｉＨ４及びＮ２で組成することができること、二次供給部（２３ｂ，２４ｂ，５５，５６）から周辺領域１２ｂに送給するガス混合物２５ｂは、１：２５又は１：３０のＳｉＨ４及びＮ２で組成することができることが記載され、摘記事項（ｅ）によれば、有孔電極の中央領域と周辺領域のそれぞれに複数の開口があることが示されているから、ＳｉＨ４及びＮ２で組成するガス混合物は、互いに異なる流量比で、中央領域と周辺領域の開口から供給されているといえる。
　
　さらに、摘記事項（ｄ）によれば、流量計２３ａ及び２３ｂを流れるＳｉＨ４の流速は同じで、例えば１ｃｍ３／分とすることができ、流量計２４ａを流れるＮ２の流速は１分当り３５〜４０ｃｍ３の範囲内の流速とするも、流量計２４ｂを流れるＮ２の流速は１分当り２５〜３０ｃｍ３の範囲内の流速とすることができることが記載されているから、有孔電極の中央領域には、流速１ｃｍ３／分のＳｉＨ４及び流速３５〜４０ｃｍ３／分のＮ２が送給され、有孔電極の周辺領域には、流速１ｃｍ３／分のＳｉＨ４及び流速２５〜３０ｃｍ３／分のＮ２が送給されていることになり、ＳｉＨ４及びＮ２で組成するガス混合物は、有孔電極の中央領域と周辺領域で互いに異なる流量比となっており、かつＮ２の流量が中央領域よりも周辺領域で少なくなっているといえる。
　
　上記摘記事項（ａ）〜（ｅ）を総合すると、刊行物には、以下の発明が記載されていることになる。
　
「１個のデバイス基板に対する対向面に複数の開口を備える有孔電極を含むシャワーヘッドを備え、シャワーヘッドがＳｉＨ４及びＮ２で組成するガス混合物を互いに異なる流量比で、有孔電極の中央領域と周辺領域の開口から送り込むシャワーヘッドであり、有孔電極を経て送り込まれるガス混合物からプラズマを発生させ、窒化珪素膜を堆積するプラズマ反応器において、
ＳｉＨ４及びＮ２で組成するガス混合物は、有孔電極の中央領域と周辺領域で互いに異なる流量比となっており、かつＮ２の流量が中央領域よりも周辺領域で少ないプラズマ反応器。」（以下、「刊行物発明」という。）
　
　
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比する。
　
　刊行物発明の「１個のデバイス基板」は、本願発明の「被処理体」に相当し、以下同様に、「ガス混合物」は「混合ガス」に、「中央領域」は「被処理体中心に対向する面」に、「周辺領域」は「被処理体外周に対向する面」に、「プラズマを発生」は「プラズマ化」に、「窒化珪素膜を堆積」は「処理」に、「プラズマ反応器」は「プラズマ処理装置」に、「Ｎ２」は「少なくとも一つのガス」に、それぞれ相当する。
  　
　また、プラズマ反応器は通常減圧状態となっているから、刊行物発明において、開口からガスが噴出しているといえ、刊行物発明の「開口」及び「シャワーヘッド」は、本願発明の「ガス噴出口」及び「ガス噴出手段」にそれぞれ相当している。
　
　そうすると、両者は、「被処理体に対する対向面に複数のガス噴出口を備えるガス噴出手段を備え、該ガス噴出手段が被処理体の２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを互いに異なる前記ガス噴出口から噴出するガス噴出手段であり、該ガス噴出手段により供給されるガスをプラズマ化し、前記被処理体に処理を施こすプラズマ処理装置において、
前記ガス噴出手段が、前記被処理体中心に対向する面と被処理体外周に対向する面で互いに異なる流量比からなる混合ガスを噴出し、かつ前記被処理体外周に対向する面で噴出する混合ガスの少なくとも一つのガスの流量が被処理体中心に対向する面で噴出する流量よりも少ないプラズマ処理装置。」の点で一致し、構成において異なる点がない。　
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明である。
　
　
３．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項２に係る発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。