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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月8日(2012.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、基板の載置状態の異常を検知する基板の異常載置状態の検知方法であって、
１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、前記ヒーターへの電気的出力の情報を参照し、前記電気的出力の最大値および最小値もしくは積算値を検出する工程と、
検出された前記最大値および前記最小値もしくは前記積算値をもとに基板の異常載置状態を判定する工程と、
を備えたことを特徴とする基板の異常載置状態の検知方法。
【請求項２】
前記最大値および前記最小値の差分を求め、該差分を所定のしきい値と比較することにより、異常載置状態であるか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の基板の異常載置状態の検知方法。
【請求項３】
前記最大値および前記最小値の差分を求め、該差分を、同じ処理内容の１枚前の基板の処理において同様に検出された前記電気的出力の最大値と最小値との差分を用いて演算処理する工程を含み、該演算の結果を所定のしきい値と比較することにより、異常載置状態であるか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の基板の異常載置状態の検知方法。
【請求項４】
前記積算値を、所定のしきい値と比較することにより、異常載置状態であるか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の基板の異常載置状態の検知方法。
【請求項５】
前記積算値を、同じ処理内容の１枚前の基板の処理において同様に検出された前記電気的出力の積算値を用いて演算処理する工程を含み、該演算の結果を所定のしきい値と比較することによって、異常載置状態であるか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の基板の異常載置状態の検知方法。
【請求項６】
前記積算値をＡ１とし、同じ処理内容の１枚前の基板の処理において同様に検出された前記積算値をＡ０とした場合、Ａ１とＡ０との比を、所定のしきい値と比較することを特徴とする請求項５に記載の基板の異常載置状態の検知方法。
【請求項７】
前記積算値をＡ１とし、同じ処理内容の１枚前の基板の処理において同様に検出された前記積算値をＡ０とした場合、Ａ１とＡ０との差分を、所定のしきい値と比較することを特徴とする請求項５に記載の基板の異常載置状態の検知方法。
【請求項８】
前記ヒーターへの電気的出力は、ヒーターへの供給電力、供給電流または供給電圧のいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板の異常載置状態の検知方法。
【請求項９】
基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う基板処理方法であって、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板の異常載置状態の検知方法によって基板の載置状態を監視しながら処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理する際、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、前記ヒーターへの電気的出力の情報を参照し、前記電気的出力の最大値および最小値もしくは積算値を検出するステップと、
検出された前記最大値および前記最小値もしくは前記積算値をもとに基板の異常載置状態を判定するステップと、
を、コンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１１】
基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台に載置された基板を加熱するヒーターと、
前記ヒーターに電気的に接続されたヒーター電源と、
前記ヒーターへの電気的出力を記憶する記憶手段と、
前記ヒーターへの電気的出力の最大値と最小値との差分もしくは積算値を検出し、前記最大値と最小値との差分、または前記積算値をもとに、前記基板の異常載置状態を判定する判定手段と、
を備えた基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有し、
前記画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を有し、
前記スイッチ部またはバッファ部は、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を有する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、
前記論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタを有するインバータ回路を有し、
前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有し、
前記画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を有し、
前記スイッチ部またはバッファ部は、チャネル形成領域として、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体層を具備する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、
前記論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタを有するＥＤＭＯＳ回路を有し、
前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、デプレッション型の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域として、ドナーとなる不純物元素を有する微結晶半導体層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、エンハンスメント型の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域として、アクセプターとなる不純物元素を有する微結晶半導体層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層に接する第２の半導体層とを有し、
前記第１の半導体層は、微結晶半導体層により形成され、
前記第２の半導体層は、微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記微結晶半導体領域は、断面形状が錐形であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランナーを介して互いに連通する複数のキャビティを有する金型を用意する工程と、
前記金型にリードフレームを配置し、前記リードフレームに含まれるアイランド、前記アイランドの近傍に一端が配置されたリード、前記アイランドに固着された半導体素子および前記リードと前記半導体素子とを接続する金属細線を各々の前記キャビティに収納する工程と、
前記ランナーを介して前記複数のキャビティに封止樹脂を注入し、前記アイランド、前記リード、前記半導体素子および前記金属細線を前記封止樹脂で封止する工程と、を具備する半導体装置の製造方法に於いて、
前記キャビティから前記ランナーに前記封止樹脂が排出される排出口を、前記ランナーから前記キャビティに前記封止樹脂が注入される注入口よりも平面視で一方側に配置し、
前記排出口を前記注入口よりも上方に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記キャビティには前記ランナーを介して連通した第１キャビティと第２キャビティが含まれ、
平面視で、前記第１キャビティの前記排出口は前記注入口よりも一方側に位置し、
平面視で、前記第２キャビティの前記排出口は前記注入口よりも他方側に位置し、
前記第１キャビティと前記第２キャビティを通過する前記封止樹脂は蛇行しながら注入されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止樹脂が硬化した後、前記金型から前記半導体装置を取り出し、前記ランナーに充填された前記封止樹脂を取り除き、前記半導体装置の側面に切除痕を設けることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記アイランドは、前記注入口に接近する第１側辺と、前記第１側辺に対向して前記排出口に接近する第２側辺と、前記第１側辺とは交差してなる第３側辺と、前記第３側辺に対向する第４側辺とを有し、
前記リードフレームには、前記アイランドの前記第１側辺および前記第２側辺と連続する保持リードが含まれ、
金属細線が接続される前記リードの一端は、前記アイランドの前記第３側辺および前記第４側辺の近傍に配置されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、ランナーを介して互いに連通する複数のキャビティを有する金型を用意する工程と、前記金型にリードフレームを配置し、前記リードフレームに含まれるアイランド、前記アイランドの近傍に一端が配置されたリード、前記アイランドに固着された半導体素子および前記リードと前記半導体素子とを接続する金属細線を各々の前記キャビティに収納する工程と、前記ランナーを介して前記複数のキャビティに封止樹脂を注入し、前記アイランド、前記リード、前記半導体素子および前記金属細線を前記封止樹脂で封止する工程と、を具備する半導体装置の製造方法に於いて、前記キャビティから前記ランナーに前記封止樹脂が排出される排出口を、前記ランナーから前記キャビティに前記封止樹脂が注入される注入口よりも平面視で一方側に配置し、前記排出口を前記注入口よりも上方に配置することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランナーを介して互いに連通する複数のキャビティを有する金型を用意する工程と、
前記金型にリードフレームを配置し、前記リードフレームに含まれるアイランド、前記アイランドの近傍に一端が配置されたリード、前記アイランドに固着された半導体素子および前記リードと前記半導体素子とを接続する金属細線を各々の前記キャビティに収納する工程と、
前記ランナーを介して前記複数のキャビティに封止樹脂を注入し、前記アイランド、前記リード、前記半導体素子および前記金属細線を前記封止樹脂で封止する工程と、を具備する半導体装置の製造方法に於いて、
前記キャビティから前記ランナーに前記封止樹脂が排出される排出口を、前記ランナーから前記キャビティに前記封止樹脂が注入される注入口よりも上方に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記キャビティは平面視で４つの側辺から成る矩形を成し、前記排出口と前記注入口は、対向する前記側辺の側面に設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止樹脂が硬化した後、前記金型から前記封止樹脂で封止された前記半導体装置を取り出し、前記ランナーに充填された前記封止樹脂を取り除き、前記半導体装置の側面に切除痕を設けることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記注入口は、前記キャビティに収納される前記アイランドよりも下方に設けられることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記封止する工程では、前記金型に設けた押圧部を前記アイランドに接触させることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金型は、上金型および下金型から成ることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかに記載された製造方法により製造された半導体装置であり、
前記ランナーに充填された前記封止樹脂を除去することにより半導体装置の側面には切除痕が形成され、一側面に形成された前記切除痕と、前記一側面に対向する他側面に形成された切除痕とが非対称に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体素子が実装されたアイランドを収納して樹脂封止するためのキャビティが複数個設けられるモールド金型であり、
第１キャビティと、
液状の封止樹脂が供給される経路に対して前記第１キャビティよりも下流側に配置された第２キャビティと、
一端が前記第１キャビティと連続し、他端が前記第２キャビティと連続するランナーと、を具備し、
前記ランナーと前記第２キャビティとが連続する箇所は、前記ランナーと前記第１キャビティが連続する箇所よりも、前記キャビティの厚み方向に対して端部寄りに配置されることを特徴とするモールド金型。
【請求項９】
前記ランナーは、注入される封止樹脂の進行方向に対して傾斜して配置されることを特徴とする請求項８に記載のモールド金型。
【請求項１０】
前記アイランドの上面に接触する押圧部を更に備えることを特徴とする請求項８または請求項９に記載のモールド金型。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、ランナーを介して互いに連通する複数のキャビティを有する金型を用意する工程と、前記金型にリードフレームを配置し、前記リードフレームに含まれるアイランド、前記アイランドの近傍に一端が配置されたリード、前記アイランドに固着された半導体素子および前記リードと前記半導体素子とを接続する金属細線を各々の前記キャビティに収納する工程と、前記ランナーを介して前記複数のキャビティに封止樹脂を注入し、前記アイランド、前記リード、前記半導体素子および前記金属細線を前記封止樹脂で封止する工程と、を具備する半導体装置の製造方法に於いて、前記キャビティから前記ランナーに前記封止樹脂が排出される排出口を、前記ランナーから前記キャビティに前記封止樹脂が注入される注入口よりも上方に配置することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面にラジカル処理を行うことにより、前記半導体基板に第１の絶縁膜を形成する工程と、
加速されたイオンを前記第１の絶縁膜を介して前記半導体基板に照射することにより、前記半導体基板に脆化領域を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板と、ベース基板とを対向させ、前記第２の絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させる工程と、
前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板の表面にラジカル処理を行うことにより、前記半導体基板に第１の絶縁膜を形成する工程と、
加速されたイオンを前記第１の絶縁膜を介して前記半導体基板に照射することにより、前記半導体基板に脆化領域を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜を除去する工程と、
前記半導体基板上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板と、ベース基板とを対向させ、前記第２の絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させる工程と、
前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第２の絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上、且つ電子温度が３ｅＶ以下であるプラズマを用いて、前記ラジカル処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜の膜厚は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンのいずれか一又は複数を有する膜であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行う工程を有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路と、共振容量部と、を備えたＩＣチップと、
前記ＩＣチップ上に設けられたアンテナと、
絶縁体を介して前記アンテナと少なくとも一部が重なるように設けられた導電性遮蔽体と、
前記アンテナと、前記絶縁体と、前記導電性遮蔽体とを有する第１の容量素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記共振容量部は配線を有し、第２の容量素子は、前記配線と、前記絶縁体と、前記導電性遮蔽体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記絶縁体は、繊維体に有機樹脂を含浸させた構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の導電性遮蔽体と、
前記第１の導電性遮蔽体上に設けられた第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上に設けられた集積回路と、共振容量部と、を備えたＩＣチップと、
前記ＩＣチップ上に設けられたアンテナと、
前記アンテナ上に設けられた第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上に設けられた第２の導電性遮蔽体と、を有し、
前記第１の導電性遮蔽体と、前記アンテナとは、前記第１の絶縁体及び前記ＩＣチップを介して少なくとも一部が重なるように設けられ、
前記第２の導電性遮蔽体と、前記アンテナとは、前記第２の絶縁体を介して少なくとも一部が重なるように設けられ、
第１の容量素子は、前記第１の導電性遮蔽体と、前記第１の絶縁体と、前記アンテナとを有し、
第２の容量素子は、前記第２の導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体と、前記アンテナとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記共振容量部は配線を有し、第３の容量素子は、前記配線と、前記第２の絶縁体と、前記第２の導電性遮蔽体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体はそれぞれ、繊維体に有機樹脂を含浸させた構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有するインバータを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第１のチャネル保護層と、
前記第１のチャネル保護層及び前記第１の酸化物半導体層上の第１のソース電極と、
前記第１のチャネル保護層及び前記第１の酸化物半導体層上の第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の前記第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第２のチャネル保護層と、
前記第２のチャネル保護層及び前記第２の酸化物半導体層上の第２のソース電極と、
前記第２のチャネル保護層及び前記第２の酸化物半導体層上の第２のドレイン電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極の一方と、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方とは電気的に接続しており、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極の一方と、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方とは、同一の第１の配線でなっており、
前記第１の配線は、前記第１の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記第２のゲート電極と直接接続し、
前記インバータを有する駆動回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有するインバータを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第１のチャネル保護層と、
前記第１のチャネル保護層及び前記第１の酸化物半導体層上の第１のソース電極と、
前記第１のチャネル保護層及び前記第１の酸化物半導体層上の第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の前記第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第２のチャネル保護層と、
前記第２のチャネル保護層及び前記第２の酸化物半導体層上の第２のソース電極と、
前記第２のチャネル保護層及び前記第２の酸化物半導体層上の第２のドレイン電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含み、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極の一方と、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方とは電気的に接続しており、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極の一方と、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方とは、同一の第１の配線でなっており、
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の他方は、前記第１の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記第２のゲート電極と直接接続し、
前記インバータを有する駆動回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、遷移金属を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記駆動回路により駆動される画素部を有し、
前記画素部は第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタは、第３のゲート電極と、前記第３のゲート電極上の前記第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第３の酸化物半導体層と、前記第３の酸化物半導体層上の第３のチャネル保護層と、前記第３のチャネル保護層及び前記第３の酸化物半導体層上の第３のソース電極と、前記第３のチャネル保護層及び前記第３の酸化物半導体層上の第３のドレイン電極と、を有し、
前記第３の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記ボンド基板に水素イオンの照射を行うことにより、前記ボンド基板中に脆化層を形成し、
前記ボンド基板を、前記絶縁膜を介してベース基板と貼り合わせ、
熱処理によって前記ボンド基板を前記脆化層において分離し、
前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射し、
前記水素イオンの照射における水素イオンドーズ量は、前記熱処理により前記ボンド基板が前記脆化層において分離する最小量となる水素イオンドーズ量の２．２倍以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記水素イオンの照射における水素イオンドーズ量は、前記熱処理により前記ボンド基板が前記脆化層において分離する最小量となる水素イオンドーズ量の２．２倍以上３．０倍以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
ボンド基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記ボンド基板に水素イオンの照射を行うことにより、前記ボンド基板中に脆化層を形成し、
前記ボンド基板を、前記絶縁膜を介してベース基板と貼り合わせ、
熱処理によって前記ボンド基板を前記脆化層において分離し、
前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射し、前記水素イオンの照射における水素イオンドーズ量は、２．２×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記水素イオンの照射における水素イオンドーズ量は、２．２×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上３．０×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記レーザ光を照射する前に、前記半導体膜の表面に形成されている自然酸化膜を、ドライエッチングを用いて除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記レーザ光の照射によって、前記半導体膜を部分溶融させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
イオンドーピング装置を用いて前記水素イオンの照射を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示装置の画面を取り囲む枠部の前面に取り付けた第２の構成要素を介して着脱可能であり、前記画面に埃が付着することを防止する防塵パネルであって、
前記画面を覆って前記枠部まで及ぶ大きさであり、前記画面に対向する部分が透光性を有する防塵プレートと、
埃よりも目が細かくて収縮性を有し、前記防塵プレートの縁に沿って、隙間無く、枠状に、前記防塵プレートの背面に貼り付けられ、前記枠部と当接する枠状防塵フィルタと、
前記枠状防塵フィルタの内周に沿って、前記防塵プレートの背面に付けられ、前記第２の構成要素と互いに着脱可能に構成した第１の構成要素と
を備えることを特徴とする防塵パネル。
【請求項２】
前記第１の構成要素は、前記第２の構成要素とともに構成された面ファスナーの一部であることを特徴とする請求項１に記載の防塵パネル。
【請求項３】
前記枠状防塵フィルタが、合成ゴムからなる発泡体、樹脂からなる発泡体、及び樹脂と合成ゴムとを含む発泡体のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載の防塵パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係わる防塵パネルは、（ａ）画像表示装置の画面を取り囲む枠部の前面に取り付けた第２の構成要素を介して着脱可能であり、前記画面に埃が付着することを防止する防塵パネルであって、（ｂ）前記画面を覆って前記枠部まで及ぶ大きさであり、前記画面に対向する部分が透光性を有する防塵プレートと、（ｃ）埃よりも目が細かくて収縮性を有し、前記防塵プレートの縁に沿って、隙間無く、枠状に、前記防塵プレートの背面に貼り付けられ、前記枠部と当接する枠状防塵フィルタと、（ｄ）前記枠状防塵フィルタの内周に沿って、前記防塵プレートの背面に付けられ、前記第２の構成要素と互いに着脱可能に構成した第１の構成要素とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、第１の構成要素によって、防塵パネルを画面表示装置の画面の前面から容易に着脱することができる。特に、第１の構成要素に面ファスナーを使用することで、構成部品の点数が少なく、簡便な構成で、実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記バーナーの前記噴射口から噴射する火炎が下方に向けて噴射する方向に前記バーナーを配置し、前記火炎誘導筒の前記開口部から離れた下方位置に前記火炎誘導筒から下方に垂れる燃料を受ける受け皿を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のうちのいずれか１項記載のエマルジョン燃料用燃焼装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記火炎誘導筒の内部空間に、火炎を旋回させてその旋回状態で前記開口部から前記燃焼室へ火炎を噴出させるためのガイド部材を備えたことを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか１項記載のエマルジョン燃料用燃焼装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励磁信号の入力により９０°位相が異なる２相の検出信号を被検出体の回転角度に応じて出力するレゾルバと、
前記レゾルバから出力された各検出信号の最大値を保持するピークホールド回路と、
前記レゾルバから出力された各検出信号の最小値を保持するボトムホールド回路と、
前記ピークホールド回路及び前記ボトムホールド回路によって保持された各検出信号の最大値及び最小値をそれぞれＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、
前記Ａ／Ｄ変換部によってＡ／Ｄ変換された各検出信号の最大値及び最小値から被検出体の回転角度を求める角度演算部と、
前記ピークホールド回路及び前記ボトムホールド回路にリセット信号を与えるリセット部と、を備えており、
第１の時点で前記ピークホールド回路が各検出信号の最大値を保持し、その後の第２の時点で前記Ａ／Ｄ変換部が前記最大値をＡ／Ｄ変換し、その後の第３の時点で前記ピークホールド回路が前記リセット信号に基づき前記最大値を基準電位にリセットし、その後の第４の時点で前記ボトムホールド回路が各検出信号の最小値を保持し、その後の第５の時点で前記Ａ／Ｄ変換部が前記最小値をＡ／Ｄ変換し、その後の第６の時点で前記ボトムホールド回路が前記リセット信号に基づき前記最小値を基準電位にリセットするように構成されていることを特徴とする回転角度検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の回転角度検出装置は、励磁信号の入力により９０°位相が異なる２相の検出信号を被検出体の回転角度に応じて出力するレゾルバと、レゾルバから出力された各検出信号の最大値を保持するピークホールド回路と、レゾルバから出力された各検出信号の最小値を保持するボトムホールド回路と、ピークホールド回路及びボトムホールド回路により保持された各検出信号の最大値及び最小値をそれぞれＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、前記Ａ／Ｄ変換部によってＡ／Ｄ変換された各検出信号の最大値及び最小値から被検出体の回転角度を求める角度演算部と、前記ピークホールド回路及び前記ボトムホールド回路にリセット信号を与えるリセット部と、を備えており、第１の時点で前記ピークホールド回路が各検出信号の最大値を保持し、その後の第２の時点で前記Ａ／Ｄ変換部が前記最大値をＡ／Ｄ変換し、その後の第３の時点で前記ピークホールド回路が前記リセット信号に基づき前記最大値を基準電位にリセットし、その後の第４の時点で前記ボトムホールド回路が各検出信号の最小値を保持し、その後の第５の時点で前記Ａ／Ｄ変換部が前記最小値をＡ／Ｄ変換し、その後の第６の時点で前記ボトムホールド回路が前記リセット信号に基づき前記最小値を基準電位にリセットするように構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のビーム径を有する信号光を被測定物体に照射し、前記被測定物体を経由した前記信号光を参照光と干渉させて干渉光を生成し、前記干渉光を検出して前記被測定物体の細胞の形態を描写可能な倍率の細胞画像を形成する第１の形成手段と、
前記細胞画像の倍率よりも低い倍率の前記被測定物体の低倍画像を形成する第２の形成手段と、
前記低倍画像を解析し、前記低倍画像における前記細胞画像の位置を特定する特定手段と、
を備えることを特徴とする光画像計測装置。
【請求項２】
前記特定手段は、前記低倍画像に描写された前記被測定物体の画像における特徴部位を特定し、該特定された特徴部位に基づいて前記低倍画像における前記細胞画像の位置を特定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光画像計測装置。
【請求項３】
前記低倍画像は、前記被測定物体の周囲の形態を表す画像を含み、
前記特定手段は、前記周囲の形態を表す画像における特徴部位を特定し、該特定された特徴部位に基づいて前記低倍画像における前記細胞画像の位置を特定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光画像計測装置。
【請求項４】
前記第１の形成手段及び前記第２の形成手段は、それぞれ光学系を含み、
前記特定手段は、前記低倍画像とともに、前記二つの光学系の位置関係に基づいて、前記低倍画像における前記細胞画像の位置を特定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光画像計測装置。
【請求項５】
所定のビーム径を有する信号光を被測定物体に照射し、前記被測定物体を経由した前記信号光を参照光と干渉させて干渉光を生成して検出する光学系を含み、前記検出結果に基づいて前記被測定物体の細胞の形態を描写可能な倍率の細胞画像を形成する第１の形成手段と、
前記被測定物体を経由した光を検出する光学系を含み、該検出結果に基づいて前記細胞画像の倍率よりも低い倍率の前記被測定物体の低倍画像を形成する第２の形成手段と、
前記二つの光学系の位置関係に基づいて、前記低倍画像における前記細胞画像の位置を特定する特定手段と、
を備えることを特徴とする光画像計測装置。
【請求項６】
前記二つの光学系は、互いの光軸が所定の角度を成すように配置されており、
前記特定手段は、前記位置関係としての前記所定の角度に基づいて、前記低倍画像における前記細胞画像の位置を特定する、
ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光画像計測装置。
【請求項７】
前記二つの光学系は、互いの光軸が一致するように配置されており、
前記特定手段は、前記細胞画像の中心位置と低倍画像の中心位置とを一致させるように、前記低倍画像における前記細胞画像の位置を特定する、
ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光画像計測装置。
【請求項８】
表示手段と、
前記特定手段により特定された前記細胞画像の位置を表す情報を前記低倍画像とともに表示する制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１又は請求項５に記載の光画像計測装置。
【請求項９】
前記第１の形成手段は、前記被測定物体に対する信号光の照射位置を変更する変更手段を含み、前記被測定物体の複数の異なる部位のそれぞれの細胞画像を形成し、
前記特定手段は、前記複数の細胞画像のそれぞれの前記低倍画像における位置を特定する、
ことを特徴とする請求項１又は請求項５に記載の光画像計測装置。
【請求項１０】
表示手段と、
前記複数の細胞画像のそれぞれを解析し、前記複数の細胞画像のそれぞれに描写された細胞の異常の有無を判断する判断手段と、
前記異常の有無の判断結果と、前記特定手段により特定された前記細胞画像の位置とに基づいて、前記低倍画像における前記異常の有無の分布情報を前記表示手段に表示させる制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項９に記載の光画像計測装置。
【請求項１１】
表示手段と、
操作手段と、
前記複数の細胞画像のそれぞれを前記表示手段に表示させ、更に、前記表示された細胞画像の細胞の異常の有無が前記操作手段を用いて指定された後に、前記異常の有無の指定結果と、前記特定手段により特定された前記細胞画像の位置とに基づいて、前記低倍画像における前記異常の有無の分布情報を前記表示手段に表示させる制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項９に記載の光画像計測装置。
【請求項１２】
表示手段と、
前記特定手段により特定された前記複数の細胞画像のそれぞれの前記低倍画像における位置に基づいて、前記複数の細胞画像を並べて前記表示手段に表示させる制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項９に記載の光画像計測装置。
【請求項１３】
前記被測定物体の過去の低倍画像における過去の細胞画像の位置情報を予め記憶する記憶手段を備え、
前記第１の形成手段は、前記被測定物体に対する信号光の照射位置を変更する変更手段を含み、
前記特定手段は、新たな低倍画像と前記位置情報とに基づいて、前記新たな低倍画像における前記過去の細胞画像の位置を特定し、
前記変更手段は、該特定された位置に対応する前記被測定物体の部位に信号光の照射位置を一致させ、
前記第１の形成手段は、前記被測定物体の当該部位に信号光を照射し、前記被測定物体を経由した該信号光を参照光と干渉させて干渉光を生成し、該干渉光を検出して前記被測定物体の新たな細胞画像を形成する、
ことを特徴とする請求項１又は請求項５に記載の光画像計測装置。
【請求項１４】
前記第２の形成手段は、前記被測定物体を撮影する撮影手段を含む、
ことを特徴とする請求項１又は請求項５に記載の光画像計測装置。
【請求項１５】
前記第２の形成手段は、光源からの光を信号光と参照光とに分割し、前記被測定物体に対する該信号光の照射位置を走査し、各照射位置を経由した該信号光と参照物体を経由した該参照光とを干渉させて干渉光を生成し、該干渉光を検出して前記被測定物体の画像を形成する手段を含む、
ことを特徴とする請求項１又は請求項５に記載の光画像計測装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、請求項１５に記載の発明は、請求項１又は請求項５に記載の光画像計測装置であって、前記第２の形成手段は、光源からの光を信号光と参照光とに分割し、前記被測定物体に対する該信号光の照射位置を走査し、各照射位置を経由した該信号光と参照物体を経由した該参照光とを干渉させて干渉光を生成し、該干渉光を検出して前記被測定物体の画像を形成する手段を含む、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線源と被検体との間に配置され、Ｘ線位相イメージングに用いられるＸ線用線源格子であって、
前記Ｘ線用線源格子は、Ｘ線を遮蔽する厚さを有するＸ線遮蔽部が一定の間隔で周期的に配列されてなる複数の部分格子を備え、
前記複数の部分格子同士はずらされて積層されており、
前記周期的に配列されたＸ線遮蔽部とＸ線遮蔽部との間隔によるＸ線透過領域である開口幅が、個々の部分格子の開口幅よりも狭いことを特徴とするＸ線用線源格子。
【請求項２】
Ｘ線源と被検体との間に配置され、Ｘ線位相イメージングに用いられるＸ線用線源格子であって、
前記Ｘ線用線源格子は、Ｘ線を遮蔽する厚さを有するＸ線遮蔽部が一定の間隔で周期的に配列されてなる複数の部分格子と前記複数の部分格子のうち少なくとも１つを可動可能とする可動手段とを備え、
前記複数の部分格子同士は積層されており、
前記可動手段は前記積層された複数の部分格子のうち少なくとも一つを可動可能とし、前記周期的に配列されたＸ線遮蔽部とＸ線遮蔽部との間隔によるＸ線透過領域である開口幅を可変とすることを特徴とするＸ線用線源格子。
【請求項３】
前記複数の部分格子は、前記Ｘ線遮蔽部が直線状に形成され、一定の間隔で周期的に配列された第１及び第２のライン状部分格子からなり、
前記複数の部分格子の夫々において、前記第２のライン状部分格子が前記第１のライン状部分格子の周期方向に対してずらされて積層されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＸ線用線源格子。
【請求項４】
前記複数の部分格子は、前記Ｘ線遮蔽部が直線状に形成され、一定の間隔で周期的に配列された第１及び第２のライン状部分格子からなり、
前記複数の部分格子の夫々において、前記第２のライン状部分格子の周期方向が前記第１のライン状部分格子の周期方向に対して直交するように第１及び第２のライン状部分格子が積層され、
前記複数の部分格子は前記第１のライン状の格子の周期方向と前記第２のライン状の格子の周期方向に対して互いにずらされて積層されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＸ線用線源格子。
【請求項５】
前記複数の部分格子は、第１の方向と、該第１の方向と直交する第２の方向に２次元配列されている矩形の開口部を有する第１及び第２の部分格子からなり、
前記第２の部分格子が、前記第１の部分格子に対し前記第１の方向及び前記第２の方向にずらして積層されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＸ線用線源格子。
【請求項６】
前記線源格子は、前記突起部が直線状に形成されて一定の間隔で周期的に配列されたライン状の部分格子を３つ以上の部分格子を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＸ線用線源格子。
【請求項７】
前記可動手段は、
前記周期的に配列されたＸ線遮蔽部とＸ線遮蔽部との間隔によるＸ線透過領域である開口幅が、個々の部分格子の開口幅よりも狭くなる範囲で前記複数の部分格子のうち少なくとも１つを可動可能とすることを特徴とする請求項２に記載のＸ線用線源格子。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のＸ線用線源格子と、
前記Ｘ線用線源格子を透過したＸ線の位相を変調させる位相格子と、
前記位相格子を透過したＸ線を検出する検出器と、を有することを特徴とするＸ線位相コントラスト像の撮像装置。
【請求項９】
前記位相格子を透過したＸ線を吸収する遮蔽領域と、該Ｘ線を透過するＸ線透過領域を含む吸収格子を備え、
前記検出器は前記吸収格子を透過したＸ線を検出することを特徴とする請求項８に記載のＸ線位相コントラスト像の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本願発明に係るＸ線用線源格子は、Ｘ線源と被検体との間に配置され、Ｘ線位相イメージングに用いられるＸ線用線源格子であって、前記Ｘ線用線源格子は、Ｘ線を遮蔽する厚さを有するＸ線遮蔽部が一定の間隔で周期的に配列されてなる複数の部分格子を備え、
前記複数の部分格子同士はずらされて積層されており、前記周期的に配列されたＸ線遮蔽部とＸ線遮蔽部との間隔によるＸ線透過領域である開口幅が、個々の部分格子の開口幅よりも狭いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図１（ｂ）はＸ線が透過する領域を示した図である。領域１５０は、第１の部分格子１２０により遮蔽される領域であり、領域１５３は、第２の部分格子１３０により遮蔽される領域であり、領域１５１は、第１の部分格子１２０と第２の部分格子１３０の両方により遮蔽される領域である。そして、領域１５２はＸ線が透過する領域である。このように、２層のライン状部分格子を周期方向にずらして積層することで、格子全体としてはＸ線の透過領域である開口幅を狭くすることが可能となる。以上により、Ｘ線を遮蔽する領域と一部透過する領域からなるライン状部分格子を多層化することで得られるＸ線用線源格子は、個々の部分格子よりも開口幅を狭小化することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
１１０  Ｘ線
１２０  第１の部分格子
１３０  第２の部分格子
１４０  Ｘ線を遮蔽する厚さ
１５０  第１の部分格子により遮蔽される領域
１５１  第１と第２両方の部分格子により遮蔽される領域
１５２  Ｘ線が透過する領域
１５３ 第２の部分格子により遮蔽される領域
２１０  部分格子
２２０  基板
２３０  基板を加工して作製した部分格子
３００  ２次元部分格子
３１０  ライン状回折格子
３２０  もう一方のライン状回折格子
３３０  ２次元部分格子
３４０  第１の方向
３５０  第２の方向
３６０  開口部
４１０  Ｘ線が透過しない領域
４２０  Ｘ線が透過する領域
５１０  ２次元部分格子
５２０  ２次元部分格子
５３０  Ｘ線透過領域
５４０  ２次元部分格子をずらす方向
６１０  １層目の部分格子
６２０  ２層目の部分格子
６３０  ３層目の部分格子
７１０  Ｘ線源
７２０  Ｘ線撮像装置
７２１  第１の部分格子
７２２  第２の部分格子
７２５  可動手段
７３０  被検体
７４０  位相格子
７５０  吸収格子
７６０  検出器
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009276342.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発光素子と、入力信号に応じて前記発光素子の表示輝度を変える制御部と、前記発光素子の劣化量を検出する劣化検出部と、前記検出された前記劣化量に応じて前記入力信号を補正する補正部と、を有する発光装置であって、
前記補正部は、前記発光素子の前記劣化量と前記発光素子の前記表示輝度に応じて、前記入力信号を補正し、
前記補正部は、同じ劣化量でかつ異なる表示輝度で表示する場合に、前記発光素子に流される初期の電流値に対する補正後の前記発光素子に流される電流値の増加率あるいは前記発光素子に印加される初期の電圧値に対する補正後の前記発光素子に印加される電圧値の増加率が異なるように前記入力信号を補正することを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、発光素子と、入力信号に応じて発光素子の表示輝度を変える制御部と、発光素子の劣化量を検出する劣化検出部と、検出された劣化量に応じて入力信号を補正する補正部と、を有する発光装置であって、補正部は、発光素子の劣化量と発光素子の表示輝度に応じて、前記入力信号を補正し、前記補正部は、同じ劣化量でかつ異なる表示輝度で表示する場合に、前記発光素子に流される初期の電流値に対する補正後の前記発光素子に流される電流値の増加率あるいは前記発光素子に印加される初期の電圧値に対する補正後の前記発光素子に印加される電圧値の増加率が異なるように前記入力信号を補正することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
本発明における（ａ）ＰＰＳ樹脂と（ｂ）カルボキシル基、酸無水物基、アミノ基、水酸基、メルカプト基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有するオレフィン系樹脂の配合割合は、（ａ）と（ｂ）の合計を１００重量％として、（ａ）／（ｂ）＝９９〜６０重量％／１〜４０重量％の範囲であり、（ａ）／（ｂ）＝９９〜８５重量％／１〜１５重量％の範囲が好ましく、（ａ）／（ｂ）＝９３〜８５重量％／７〜１５重量％の範囲がさらに好ましい。なお、（ａ）ＰＰＳ樹脂が９９重量％を越える範囲では低温靱性向上効果に乏しく、（ａ）ＰＰＳ樹脂が６０重量％未満では剛性、耐熱性、耐薬品性、押出性、溶融流動性が著しく阻害されてしまうため好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼器シール（５２）であって、当該燃焼器シール（５２）が、
複数の貫通インピンジメント孔（９２）を有するシール支持体（６０）であって第１の燃焼器部品（２０）に配置することができるシール支持体（６０）と、
前記シール支持体（６０）に配置され、該シール支持体（６０）との間に１以上のシール空洞（９４）を形成し、かつその頂部（５８）を第２の燃焼器部品（１６）に配置することができる波形シール（５２）であって、該波形シール（５２）が外側シール層（５４）と内側シール層（５６）を含んでいて、外側シール層（５４）が内側シール層（５６）の上に配置され、各シール層が、シールリングと該シールリングから一方向（９０）に延びる複数のシールフィンガ（６８，７０）とを含んでいて、隣接するシールフィンガ（６８，７０）同士がそれらの間にギャップ（７４，７８）を有する、波形シール（５２）と、
前記頂部（５８）の上流（１８）で前記波形シール（５２）内に配置された１以上の貫通通路（８４）であって、それを通して前記１以上のシール空洞（９４）内にまた前記複数のインピンジメント孔（９２）を通して冷却流体を流すことができ、それによって前記第１の燃焼器部品（２０）を冷却する１以上の貫通通路（８４）と
を含んでおり、前記内側シール層（５６）のギャップ（７８）が前記外側シール層（５４）のギャップ（７４）から円周方向にオフセットしているが、前記外側シール層（５４）の各ギャップの周辺方向位置が前記内側シール層（５２）の各ギャップの周辺方向位置と重なり合うことによって前記貫通通路（８４）が形成される、燃焼器シール（５２）。
【請求項２】
前記外側シール層（５４）のギャップ（７４）と前記内側シール層（５６）のギャップ（７８）とで、前記貫通通路（８４）を形成する前記周辺方向位置からのギャップ（７４，７８）の延びる方向が異なる、請求項１記載の燃焼器シール（５２）。
【請求項３】
前記外側シール層（５４）内の前記ギャップ（７４）が、前記頂部（５８）の下流（２２）において前記内側シール層（５６）のシールフィンガ（７０）と重なる、請求項１記載の燃焼器シール（５２）。
【請求項４】
前記波形シール（５２）が前記シール支持体（６０）に固定される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の燃焼器シール（５２）。
【請求項５】
前記シール支持体（６０）と前記第１の燃焼器部品（２０）との間に少なくとも１つの流路（９６）を形成することのできる複数の支持体脚部（９２）をさらに含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の燃焼器シール（５２）。
【請求項６】
第１の燃焼器部品（２０）と、
その中に少なくとも部分的に前記第１の燃焼器部品（２０）が挿入可能でありかつ該第１の燃焼器部品（２０）と共に燃焼流体経路を形成した第２の燃焼器部品（１６）と、
前記第１の燃焼器部品（２０）及び第２の燃焼器部品（１６）間に配置された請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の燃焼器シール（５２）と
を備える燃焼器（１２）。
【請求項７】
第１の燃焼器部品（２０）を冷却する方法であって、
前記第１の燃焼器部品（２０）とその中に少なくとも部分的に該第１の燃焼器部品（２０）が挿入可能でありかつ該第１の燃焼器部品（２０）と共に燃焼流体経路を形成した第２の燃焼器部品（１６）との半径方向間に請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の燃焼器シール（５２）を設置するステップと、
前記燃焼器シール（５２）の前記１以上の貫通通路（８４）内及び前記１以上のシール空洞（９４）内に冷却流体を流すステップと、
前記１以上のシール空洞（９４）から、前記複数のインピンジメント孔（９２）を通して冷却流体を流し、それによって該第１の燃焼器部品（２０）を冷却するステップと
を含む方法。