【事件の表示】
　平成　９年特許願第１８５０２３号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　２月　２日出願公開、特開平１１−　３１７０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年７月１０日の出願であって、その請求項１〜４に係る発明は、平成１６年４月９日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「半導体集積回路のベアチップが単位区画毎に搭載されると共に、該単位区画分割用の分割溝部が形成されているパッケージ用のベース基板に、熱硬化性の封止樹脂をディスペンス法によりベアチップの搭載面全体に亘って塗布する工程と、
　前記封止樹脂を半硬化させる工程と、
　前記ベース基板に形成されている分割溝部に対応する位置の前記封止樹脂表面に、治具を押当てることにより補助分割溝部を形成する工程と、
　前記封止樹脂を硬化させる工程と、
　前記ベース基板を、前記分割溝部に沿って分割する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　　
［２］引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された刊行物である特開平６−６１４１７号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下に摘記した事項が記載されている。
（１ａ）「【請求項１３】  所定の導電パターンを一方の主面に複数有し，かつ前記所定の導電パターンにかからないように少なくとも一方の主面に複数のスクライブラインの形成された大面積の電気絶縁性基板を備え，前記所定の導電パターンのそれぞれに１つ以上の半導体素子を固着した後，前記大面積の電気絶縁性基板の前記導電パターンの形成された部分の全面にわたって表面が平坦になるよう封止樹脂で封止すると共に，前記スクライブラインに対応する前記封止樹脂の箇所に沿って所定の深さの溝を形成し，しかる後に加熱硬化を行い，外力を与えて前記電気絶縁性基板と封止樹脂とを前記スクライブラインに沿って分割して個別の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１４】  請求項１３の記載において，平坦面に前記スクライブラインに対応する箇所に沿って所定の高さの幅の狭い畔部を形成してなる鋳型部材を用い，その所定の高さの幅の狭い畔部によって前記スクライブラインに対応する前記封止樹脂の箇所に沿って所定の深さの溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（１ｂ）「【０００８】　【実施例】・・・スクライブライン１Ｃは，後で大面積成形物を割り易くするためのものであり，機械的に形成されたＶ字状などの溝，又は超音波などの作用により所望ラインに沿って形成された微少クラック群，ライン状に材質を脆弱化させたものなどからなり，溝以外は外見上，見分けがつかない場合が多い。」
（１ｃ）「【０００１３】　このように大面積の電気絶縁性基板１の周辺部を上部鋳型部材６と下部鋳型部材７で挟んだ後，前述のような液状封止樹脂をほぼ１．５ミリの厚さになるまで枠内全面に流し込み，真空装置（図示せず）に入れ，真空脱泡する。・・・そして鋳型部材を水平に保ち，２ｍｍＨg/５分間真空脱泡し、これを１６０℃の雰囲気で２時間程度加熱し硬化させる。次に鋳型部材６，７を外して成形物を得た後，電気絶縁性基板１の裏面のスクライブライン１Ｃに沿って外力を加えることにより個別或いは複数個分に分割した半導体装置を得ることができる。・・・
　【０００１４】　封止樹脂５の厚みがほぼ２ミリ以下のときには半導体素子などに悪影響を及ぼすことなくスクライブライン１Ｃに沿ってマニュアルにより容易に分割できるが，封止樹脂５の厚みがほぼ２ミリを越える場合には図３に示すように，電気絶縁性基板１の裏面のスクライブライン１Ｃに対応する箇所に凹状，線状，Ｖ字カットなどの一定の深さの溝５Ａを設けるのが良い。」
（１ｄ）「【０００１５】　この大面積成形物は封止樹脂を電気絶縁性基板１のほぼ全面に流し込んで形成されたものなので，その上面は滑らかであり，当然に分割された半導体装置の上面も滑らかであるが，溝５Ａから下の分割された側壁面は上面に比べて粗く，容易に分割されたことを示す。溝５Ａを大面積成形物に作る簡単な方法として，図４に示すような押さえ鋳型部材８を用い，硬化する前の封止樹脂５を加圧したり，上部鋳型部材６と下部鋳型部材７に対し予め押さえ鋳型部材８をセットした状態で液状の封止樹脂を流し込む方法がある。この押さえ鋳型部材８は電気絶縁性基板１のスクライブライン１Ｃと同一の間隔で格子状に形成された凸部，つまり畔部８Ａの形成された面をもつ。畔部８Ａに囲まれた部分は畔部８Ａより低くなっており，畔部８Ａの形状，高さは形成したい溝５Ａに相当する。・・・」
　　
［３］対比・判断
１．引用文献１に記載された発明
　引用文献１の上記（１ａ）〜（１ｄ）の記載に関し、次の（ア）〜（エ）の事項を勘案するとともに、「スクライブライン」として「分割溝」を採用した場合について整理すると、引用文献１には、下記の発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。
　　（ア）引用文献１には、上記（１ａ）のとおりの「半導体装置の製造方法」が記載されている。
　　（イ）上記（１ｂ）の「・・・スクライブライン１Ｃは，後で大面積成形物を割り易くするためのものであり，機械的に形成されたＶ字状などの溝，・・・，ライン状に材質を脆弱化させたものなどからなり，」との記載からみて、該製造方法における「スクライブライン」は、「分割溝」、「ライン状微小クラック群」などであるといえる。
　　（ウ）上記（１ｃ）の「大面積の電気絶縁性基板１の周辺部を上部鋳型部材６と下部鋳型部材７で挟んだ後，前述のような液状封止樹脂をほぼ１．５ミリの厚さになるまで枠内全面に流し込み，・・・」との記載からみて、前記製造方法における封止樹脂での封止は、「前記電気絶縁性基板の周辺部を上部鋳型部材と下部鋳型部材で挟んだ後、封止樹脂を枠内全面に流し込み」してなされるといえる。
　　（エ）上記（１ｄ）の「溝５Ａを大面積成形物に作る簡単な方法として，図４に示すような押さえ鋳型部材８を用い，硬化する前の封止樹脂５を加圧したり，・・・」との記載からみて、「（封止樹脂に形成された）溝」は、硬化する前の封止樹脂を押さえ鋳型部材で加圧することにより形成されるといえる。
　
　　引用文献１発明：「所定の導電パターンを一方の主面に複数有し，かつ前記所定の導電パターンにかからないように少なくとも一方の主面に複数の分割溝の形成された大面積の電気絶縁性基板を備え，前記所定の導電パターンのそれぞれに１つ以上の半導体素子を固着し、前記電気絶縁性基板の周辺部を上部鋳型部材と下部鋳型部材で挟んだ後、封止樹脂を枠内全面に流し込み，前記大面積の電気絶縁性基板の前記導電パターンの形成された部分の全面にわたって表面が平坦になるよう封止樹脂で封止すると共に，硬化する前の封止樹脂を押さえ鋳型部材で加圧することにより，前記分割溝に対応する前記封止樹脂の箇所に沿って所定の深さの溝を形成し，しかる後に加熱硬化を行い，外力を与えて前記電気絶縁性基板と封止樹脂とを前記分割溝に沿って分割して個別の半導体装置を得る半導体装置の製造方法。」
　
２．本願発明１と引用文献１発明との対比
　本願発明１と引用文献１発明を対比すると、
　　（カ）引用文献１発明における「半導体素子」、「電気絶縁性基板」、「分割溝」、「鋳型部材で加圧する」、「（封止樹脂に形成された）溝」は、それぞれ、本願発明１における「（半導体集積回路の）ベアチップ」、「（パッケージ用の）ベース基板」、「（単位区画分割用の）分割溝部」、「治具を押当てる」、「補助分割溝部」に相当するといえる。
　　（キ）引用文献１発明における「封止樹脂」は、加熱硬化することからみて、「熱硬化性」のものであるといえる。
　　（ク）本願発明における“封止樹脂を塗布すること”と、引用文献１発明における“封止樹脂を流し込み、その表面を平坦とすること”は、どちらも、「封止樹脂層を形成すること」であるといえる。
　　（ケ）本願明細書の「“半硬化状態”とは、封止樹脂４が完全に硬化する以前の状態をいう。」（段落【００２０】）という記載との対比からみて、引用文献１発明は、「硬化する前の封止樹脂を押さえ鋳型部材で加圧する」という工程前に、「封止樹脂を半硬化させる工程」を具備しているといえる。
　
　以上の（カ）〜（ケ）の事項を考慮すると、両者は、
「半導体集積回路のベアチップが単位区画毎に搭載されると共に、該単位区画分割用の分割溝部が形成されているパッケージ用のベース基板に、ベアチップの搭載面全体に亘って熱硬化性の封止樹脂層を形成する工程と、
　前記封止樹脂を半硬化させる工程と、
　前記ベース基板に形成されている分割溝部に対応する位置の前記封止樹脂表面に、治具を押当てることにより補助分割溝部を形成する工程と、
　前記封止樹脂を硬化させる工程と、
　前記ベース基板を、前記分割溝部に沿って分割する工程とからなる半導体装置の製造方法。」の点で一致するが、次の点で相違する。
　
　　相違点：“ベアチップの搭載面全体に亘る熱硬化性の封止樹脂層の形成”を、本願発明１では、「ディスペンス法により」封止樹脂を「塗布」することにより行うのに対し、引用文献１発明では、“封止樹脂を流し込み、その表面を平坦とする”ことにより行い、「ディスペンス法により」封止樹脂を「塗布」することにより行うことが明示されていない点。
　
３．相違点についての判断
　ベース基板上のベアチップに封止樹脂層を形成する際に、そのような封止樹脂層の形成を、「ディスペンス法により」封止樹脂を「塗布」することにより行うことは、特開昭６３−５２４２７号公報、特開昭６３−１７４３２７号公報、特開平２−２７７２４９号公報等の記載にみられるように、本出願前に周知の事項であるから、引用文献１発明において、“ベアチップの搭載面全体に亘る熱硬化性の封止樹脂層の形成”を、「ディスペンス法により」封止樹脂を「塗布」することにより行うことは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　したがって、本願発明１は、引用文献１に記載された発明及び前示の周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。