Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多段の圧縮装置を有する圧縮機と、この圧縮機で圧縮された冷媒を凝縮させる凝縮器と、この凝縮器により凝縮した冷媒を膨張させる蒸発器側膨張弁と、この蒸発器側膨張弁により膨張した冷媒を蒸発させ前記圧縮機へ流す蒸発器と、この蒸発器から前記蒸発器側膨張弁へ流れる冷媒の主流から一部を副流として分岐させ前記多段の圧縮装置の間に注入するバイパス配管と、このバイパス配管に設けられ前記冷媒の副流を膨張させる膨張弁と、この膨張弁で膨張された前記冷媒の副流を用いて前記冷媒の主流を冷却する中間冷却器と、前記冷媒の主流と前記膨張弁により膨張した副流の温度差の増加に応じて前記膨張弁の開度を大きくするとともに、前記膨張した副流の過熱度に基づき前記膨張弁の開度を制限する制御手段と、を備えた冷凍装置。
【請求項２】
低段圧縮装置及び高段圧縮装置を有する圧縮機と、この圧縮機で圧縮された冷媒を冷却する熱交換器と、この熱交換器で冷却された冷媒の主流から分岐した冷媒の一部を副流として前記低段圧縮装置と高段圧縮装置との間に注入するバイパス配管と、このバイパス配管に設けられ前記冷媒の副流を膨張させる膨張弁と、この膨張弁で膨張された前記冷媒の副流を用いて前記冷媒の主流を冷却する中間冷却器と、前記冷媒の主流と前記膨張弁により膨張した副流の温度差の増加に応じて前記膨張弁の開度を大きくするとともに、前記膨張した副流の過熱度に基づき前記膨張弁の開度を制限する制御手段と、を備えた熱源機。
【請求項３】
前記制御手段は、前記膨張した副流の過熱度が第１の所定値以下の場合に、前記膨張弁の開度の増大を制限し、前記過熱度が前記第１の所定値を下回る第２の所定値以下の場合に、前記膨張弁の開度を減少させることを特徴とする請求項２記載の熱源機。
【請求項４】
前記制御手段は、前記圧縮機から吐出される冷媒の温度に応じて、前記膨張弁の開度制限の開始条件を変更することを特徴とする請求項２又は３記載の熱源機。
【請求項５】
前記制御手段は、前記圧縮機から吐出される冷媒の温度が所定の温度を超えた場合に、前記膨張弁の開度制限に係わらず、前記膨張弁の開度を増大させることを特徴とする請求項２〜４の何れか１項に記載の熱源機。
【請求項６】
前記バイパス配管と並列に開閉弁を有する他のバイパス配管を設け、前記中間冷却器で冷却された冷媒を負荷側装置を迂回して前記低段圧縮装置と高段圧縮装置との間に注入することを特徴とする請求項５に記載の熱源機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記制御手段は、前記膨張した副流の過熱度が第１の所定値以下の場合に、前記膨張弁の開度の増大を制限し、前記過熱度が前記第１の所定値を下回る第２の所定値以下の場合に、前記膨張弁の開度を減少させることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
凝縮器20の出口側配管には中間冷却器40が接続され、中間冷却器40の出口配管は二本に分岐する。ここで、一方の配管は中間冷却器用膨張弁41を経て中間冷却器40に接続され、中間冷却器40の出口は圧縮機中間室13に接続されている。この配管はバイパス配管14と呼ばれ、凝縮器20で凝縮された冷媒の一部を冷媒の副流として冷媒圧縮機10に流すものである。バイパス配管14を流れる冷媒は、中間冷却器用膨張弁41で膨張され、低温の冷媒となって中間冷却器40に還流する。中間冷却器40は、この低温の還流冷媒（副流）と凝縮器20からの冷媒（主流）との間で熱交換を行うことにより、凝縮器20からの冷媒主流をさらに冷却する機能を有するものである。なお、図１の例では、中間冷却器40の下流側にバイパス配管14を接続しているが、上流側、すなわち凝縮器20と中間冷却器40との間にバイパス配管14を接続し、バイパス配管14を流れる副流と、分岐後の主流とを熱交換するように構成してよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
一方、温度差が目標域より大きい場合には、ステップＳ４に移る。ステップＳ４では、現在の冷凍サイクルの状態が中間冷却器用膨張弁41の開度制御の開始条件に合致しているかを判断する。具体的には制御回路50は、中間冷却器冷却側出口過熱度を温度センサ52及び圧力センサ53の検出値から計算し（当該圧力の飽和温度と検出温度との差）、この過熱度が予め設定された過熱度（開度アップ禁止過熱度、例えば10℃）以上の場合には、冷却量を上げるために中間冷却器用膨張弁41の開度を大きくする制御を行う（ステップＳ５）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、過熱度が開度アップ禁止過熱度より小さい場合には、制御回路50は、冷媒圧縮機10の圧縮機中間室13に流入する冷媒量を抑制し、多量の冷媒が流入することによって冷媒圧縮機10の入力負荷が過大にならないように中間冷却器用膨張弁41を制御する（ステップＳ６、Ｓ２、Ｓ３）。まず、制御回路50は、計測した過熱度が予め定められた過熱度（開度ダウン開始過熱度、例えば5℃）より大きいかを判断する。大きい場合、制御回路50は液アプローチが目標域より大きいにも係わらず中間冷却器用膨張弁41の開度の増大を抑え、現状の開度を維持する（ステップＳ２）。一方、測定した過熱度が開度ダウン開始過熱度より小さい場合には、制御回路50は中間冷却器用膨張弁41の開度を現在の開度より小さくする制御を行う（ステップＳ３）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、開度ダウン開始過熱度は、開度アップ禁止過熱度より低く設定することが望ましい。
また、中間冷却器出口冷媒に液滴が混じり始めると成績係数COPが低下し始めるので、開度アップ禁止過熱度は、5〜10℃以上とすることが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
なお、中間冷却器冷却側出口冷媒が飽和液状態となり、圧縮機吐出温度が急低下するのを防ぐため、温度センサの測定誤差を考慮して、開度ダウン開始過熱度は例えば、5℃以上とすることが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010085051.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010085051.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月15日(2012.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体入口及び流体出口を備える流体通路と、
前記流体通路の長手方向軸線に沿って延びる六角形の内側壁（９０）及び六角形の外側壁（８８）を備える中空側壁（７０）と
を備える音響減衰導管（６８）であって、前記内側壁（９０）及び外側壁（８８）が、音響減衰空洞（７７）を形成し、前記内側壁（９０）が、前記音響減衰空洞（７７）を前記流体通路に対して音響的に結合した開口部（７６）を含み、前記六角形の外側壁（８８）が、前記音響減衰導管を互いにハニカム又はマトリックス構成として積重ねることができるように構成されていて、前記音響減衰導管（６８）が、ガスタービンエンジン（４２）の吸気セクション（４６）又は排気セクション（５４）に結合して、前記ガスタービンエンジンに流入する空気又はガスタービンエンジンから流出する排気を通過させるように構成されている、音響減衰導管（６８）。
【請求項２】
前記開口部（７６）が、前記内側壁（９０）に沿って有孔パターンを形成する、請求項１記載の音響減衰導管（６８）。
【請求項３】
前記中空側壁（７０）と同軸に配置された同軸バッフル（８６）を含み、前記同軸バッフル（８６）が、第２の音響減衰空洞（９４）を形成するエンクロージャ（９２）と、前記第２の音響減衰空洞（９４）を前記流体通路に対して音響的に結合するように構成された第２の開口部（７６）とを含む、請求項１又は請求項２記載の音響減衰導管（６８）。
【請求項４】
前記同軸バッフル（８６）が、前記長手方向軸線に対して円形断面を有する、請求項３記載の音響減衰導管（６８）。
【請求項５】
前記同軸バッフル（８６）が、前記長手方向軸線に対して六角形断面を有する、請求項３記載の音響減衰導管（６８）。
【請求項６】
前記同軸バッフル（８６）が、前記第２の音響減衰空洞（９４）内に配置されまた音を減衰しかつ反射するように構成された１以上の隔壁（９６）を含む、請求項３乃至請求項５のいずれか１項記載の音響減衰導管（６８）。
【請求項７】
前記１以上の隔壁（９６）が、前記同軸バッフル（８６）の長手方向軸線に対して十字形断面を有する、請求項６記載の音響減衰導管（６８）。
【請求項８】
１以上の音響減衰空洞（１００）を形成する中空パネルと前記１以上の音響減衰空洞（１００）を前記流体通路に対して音響的に結合するように構成された１以上の開口部（７６）とを備える１以上のバッフル（９８）を含み、前記１以上のバッフル（９８）が前記流体通路の長手方向軸線に沿って延びていて、前記音響減衰導管（６８）の内側壁（９０）に取付けられる、請求項１記載の音響減衰導管（６８）。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の音響減衰導管（６８）と、
前記音響減衰導管（６８）と結合したガスタービンエンジン（４２）の吸気セクション（４６）又は排気セクション（５４）と
を備えるシステム。
【請求項１０】
互いにハニカム又はマトリックス構成として積重ねられた複数の前記音響減衰導管（６８）を備える、請求項９記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー及びキャリアを有する現像剤が収納される第一室と、前記第一室との連絡路を通じて現像剤が循環する循環経路を形成する第二室と、前記第一室に設けられ、現像剤を前記第二室へ向けて搬送する第一搬送部材と、前記第二室に設けられ、現像剤を前記第一室へ向けて搬送する第二搬送部材と、前記第二室の開口部に設けられ、磁力により表面に現像剤を担持するとともに、像担持体の表面に形成された潜像を現像する現像剤担持体と、前記第一室に現像剤が封止されるように前記連絡路を封止する封止部材と、を有し、前記封止部材が開封されることで現像剤担持体に現像剤が供給可能となる画像形成装置であって、前記封止部材の開封動作を開始した後で、前記封止部材の開封動作が完了する前に、前記第一搬送部材が駆動されるように前記第一搬送部材の駆動を制御するコントローラと、を有することを特徴とする現像装置。
【請求項２】
前記連絡路は、前記第一室から前記第二室へ現像剤を受け渡す第一連絡路と、前記第二室から前記第一室へ現像剤を受け渡す第二連絡路と、を有し、前記第一連絡路の方が前記第二連絡路よりも先に開封されるように前記封止部材が設けられていることを特徴とする請求項１記載の現像装置。
【請求項３】
前記封止部材の開封動作の途中で前記封止部材の開封動作を停止させた状態で、前記第一搬送部材を駆動させた後に、前記封止部材の開封動作を完了させることを特徴とする請求項１または２に記載の現像装置。
【請求項４】
前記駆動機構は、前記封止部材の一端が取り付けられた回転軸と、前記回転軸を回転させる駆動源と、を有し、前記回転軸の径は、前記第一連絡路を封止する封止部が取り付けられている部分の方が、前記第二連絡路を封止する封止部が取り付けられている部分よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、上記課題を解決するために、トナー及びキャリアを有する現像剤が収納される第一室と、前記第一室との連絡路を通じて現像剤が循環する循環経路を形成する第二室と、前記第一室に設けられ、現像剤を前記第二室へ向けて搬送する第一搬送部材と、前記第二室に設けられ、現像剤を前記第一室へ向けて搬送する第二搬送部材と、前記第二室の開口部に設けられ、磁力により表面に現像剤を担持するとともに、像担持体の表面に形成された潜像を現像する現像剤担持体と、前記第一室に現像剤が封止されるように前記連絡路を封止する封止部材と、を有し、前記封止部材が開封されることで現像剤担持体に現像剤が供給可能となる画像形成装置であって、前記封止部材の開封動作を開始した後で、前記封止部材の開封動作が完了する前に、前記第一搬送部材が駆動されるように前記第一搬送部材の駆動を制御するコントローラと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナビゲーション装置であって、
本体部と、
前記本体部の前面に設けられ、前記本体部に可搬型記録媒体を出し入れするための媒体挿入部と、
前記本体部の前記前面に設けられ、前記媒体挿入部を覆うクローズ位置と、該挿入部を露出するオープン位置との間で移動可能な表示部と、
前記表示部がオープン位置へ移動することを制限する制限部と、
前記制限部による制限を解除する解除部と、
前記ナビゲーション装置に対する操作を受け付ける操作部と、
を備え、
前記解除部は、前記操作部が通常操作とは異なる特殊操作を受け付けると、前記制限部による制限を解除する、ナビゲーション装置。
【請求項２】
請求項１に記載のナビゲーション装置であって、
前記表示部は、前記ナビゲーション装置に対する操作を受け付ける無対物としての第１の操作ボタンを表示するタッチパネルを有し、
前記操作部は、前記表示部に設けられている有体物としての第２の操作ボタンである。
【請求項３】
請求項２に記載のナビゲーション装置であって、
前記タッチパネルは、前記表示部を前記オープン位置へ移動させるための移動ボタンを表示可能であり、
前記制限部は、前記移動ボタンの表示を制限することによって、前記表示部が前記オープン位置へ移動することを制限する。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか一項に記載のナビゲーション装置であって、
前記特殊操作は、前記操作部に対する長押し操作であり、
前記解除部は、前記操作部が前記長押し操作を受け付けると、前記制限部による制限を解除する。
【請求項５】
請求項１から請求項３の何れか一項に記載のナビゲーション装置であって、
前記可搬型記録媒体は、地図情報が格納される第１の可搬型記録媒体と、前記地図情報とは異なる更新情報が格納される第２の可搬型記録媒体と、を含み、
前記媒体挿入部は、前記第１の可搬型記録媒体を出し入れするための第１の媒体挿入部と、前記第２の可搬型記録媒体を出し入れするための第２の媒体挿入部と、を含み、
前記本体部の前記前面において、前記第１の媒体挿入部が設けられる位置は、前記第２の媒体挿入部が設けられる位置と異なり、
前記表示部は、前記第１の媒体挿入部と前記第２の媒体挿入部との両方を覆う前記クローズ位置と、前記表示部が前記第１の媒体挿入部と前記第２の媒体挿入部とのうち何れか一方のみを覆うセミオープン位置と、前記第１の媒体挿入部と前記第２の媒体挿入部との両方を露出する前記オープン位置との間で移動可能である。
【請求項６】
請求項１から請求項３の何れか一項に記載のナビゲーション装置であって、
前記可搬型記録媒体に格納されている所定情報を取得する情報取得部と、
前記所定情報が、前記特殊操作を変更するための変更情報を含んでいる場合、該変更情報に基づいて前記特殊操作を変更する変更部と、を更に備える。
【請求項７】
ナビゲーション装置であって、
本体部と、
前記本体部の前面に設けられ、前記本体部に、前記ナビゲーション装置の機能を更新する更新情報が記録された可搬型記録媒体を出し入れするための媒体挿入部と、
前記本体部の前記前面に設けられ、タッチパネルにより前記ナビゲーション装置に対する操作を受け付ける操作ボタンを表示し、前記操作ボタンの操作により前記媒体挿入部を覆うクローズ位置と、該媒体挿入部を露出するオープン位置との間で移動動作が可能な表示部と、
前記ナビゲーション装置に対する操作を受け付ける操作部と、
前記可搬型記録媒体に記録された前記更新情報に基づいて、前記操作ボタンの操作による前記表示部の前記移動動作を制限する制限部と、
前記操作部が所定の操作で操作された場合に、前記制限部による前記移動動作の制限を解除する解除部と、を備える。
【請求項８】
請求項７に記載のナビゲーション装置であって、
前記所定の操作は、前記操作部に対する通常操作とは異なる特殊操作である。
【請求項９】
請求項７に記載のナビゲーション装置であって、
前記所定の操作は、前記操作部に対する長押し操作である。
【請求項１０】
請求項７に記載のナビゲーション装置であって、
前記制限部により制限された操作に関する操作ボタンは、前記表示部に表示されない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
したがって、本発明は、ブレードを有する少なくとも１つのロータディスクと、動作中に遠心力を吸収するためにディスク上に取り付けられた少なくとも１つの金属マトリクス複合材料のリングとを含む航空機ターボジェットのようなタービンエンジンのホイールであって、端部と端部とを接して配置されたセクションによって形成された少なくとも１つの環状フランジを含み、ディスク上へのリングの軸方向の保持を確保するために、各セクションは、ディスクの側面に取り付けられた半径方向内側環状部と、リングと接触する半径方向外側部とを含み、ホイールはまた、ディスク上にフランジセクションを半径方向に保持する手段を含むことを特徴とするホイールを提供する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
リング２０、２２は、矩形断面を有し、ディスクの端部１６、１８の外周面２４、２６上に載置されている。これらのリングは、それぞれ上流フランジ２８及び下流フランジ３０の２つの環状フランジによって軸方向に固定されている。フランジ２８、３０は、ディスクの端部１６、１８の半径方向側面３６、３８上に、端部と端部とを接して取り付けられた一連の環状セクションによって形成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
各フランジ２８、３０を形成するために必要なセクション数は、ディスク１２の寸法等、サイジングパラメータに依存し、いかなる場合においても、上記セクションの端部と端部とを接する組み立てを容易とするのに十分でなければならない。この数は、例えば８個から１２個の範囲である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そこで、従来より、背景光の雑音を除去するための装置として同期検波を用いた撮像装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この同期検波を用いた撮像装置は、点滅光源を用いて被検物に一定周波数のパルス光を投光し、点灯時の撮像装置の出力を正の値とし、消灯時の撮像装置の出力を負の値にして、撮像装置の出力を積分することで、点滅光源からのパルス光に基づく検出信号のみを抽出するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、上記の従来の撮像装置は、照射されるパルス光の周波数を一定にした状態で、同期検波によって背景光の雑音を除去するものである。このような撮像装置を用いた距離計測装置では、距離計測装置が移動することを考慮していなかった。そのため、距離計測装置が移動することで撮像画像が大きく変化するような場合に、背景光の周波数がパルス光の周波数と同じ程度になると、距離計測が正確にできなくなる恐れがあった。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁気結合器から出力信号をサンプリングすることで電磁気信号を受信し、前記出力信号を単位伝達関数を用いて増幅且つ復元し、復元された出力信号をオシロスコープに供給する電子コンポーネントを備え、
前記電子コンポーネントは、自動利得制御器を含み、
前記電子コンポーネントは、試験パターンを用いるｉｎ−ｓｉｔｕキャリブレーションを含み、それにより、前記単位伝達関数は、トレーニングされ既知のパターンに調整される
装置。
【請求項２】
前記電子コンポーネントは、前記信号を伝送するのに十分な帯域幅を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電子コンポーネントは、前記信号を予め歪ませ、前記信号を、高性能同軸ケーブルを介して前記オシロスコープに伝送するプリディストータを含む、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記電子コンポーネントは、メモリモジュールを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記電子コンポーネントは、前記オシロスコープのデジタル信号処理機能の構成を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記電子コンポーネントは、前記オシロスコープの外部にある離散コンポーネントと、前記オシロスコープのデジタル信号処理機能の構成との組み合わせを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
被試験ライン（ＬＵＴ）からの出力信号を電磁気結合器からサンプリングする手段と、
サンプリングされた前記出力信号を単位伝達関数を用いて増幅且つ復元する手段と、
自動利得制御器を含み、オシロスコープに復元された前記出力信号を伝送する手段と、
前記単位伝達関数をトレーニングし既知のパターンに調整する、試験パターンを用いるｉｎ−ｓｉｔｕキャリブレーションをする手段と、
を備える装置。
【請求項８】
前記増幅且つ復元する手段及び前記伝送する手段を、既知のパターンを用いてキャリブレーションする手段を更に備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ＬＵＴからの前記信号をバリデートする手段を更に備える、請求項７または８に記載の装置。
【請求項１０】
前記復元する手段は、前記出力信号を積分する手段を含む、請求項７から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記伝送する手段は、信号利得を自動的に制御する手段を含む、請求項７から１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記伝送する手段は、復元された前記出力信号を予め歪ませる手段を含む、請求項７から１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
リンク上のデータに基づいた電磁気信号を受信する電磁気結合器と、
前記電磁気結合器からの出力信号をサンプリングして受信し、単位伝達関数を用いて前記出力信号を増幅且つ復元する電子コンポーネントであって、分析デバイスに信号を供給する自動利得制御器を含む、電子コンポーネントと、
前記復元された電磁気信号を受信して、前記復元された電磁気信号に対応するデータ信号がバリデートされることを可能にする前記分析デバイスと、
を備え、
前記電子コンポーネントは、試験パターンを用いるｉｎ−ｓｉｔｕキャリブレーションを含み、それにより、前記単位伝達関数は、トレーニングされ既知のパターンに調整される
システム。
【請求項１４】
前記電子コンポーネントは更に、前記信号を予め歪ませるプリディストータを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記電子コンポーネントは、前記分析デバイスのデジタル信号処理機能の構成を含む、請求項１３または１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記電子コンポーネントは、前記分析デバイスの外部にある離散コンポーネントと、前記分析デバイスのデジタル信号処理機能の構成との組み合わせを含む、請求項１３から１５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１７】
前記分析デバイスは、前記電子コンポーネントにより引き起こされたジッタを除去するフィルタを含む、請求項１３から１６のいずれか１項に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
一実施形態では、ＬＵＴ１０６に沿って伝送される信号の略近似を供給すべく、電子コンポーネント１１０は、ＥＭ結合器１０８からの出力を単位伝達関数を用いて増幅及び積分して、分析デバイス１１２に復元された信号を供給する。一実施形態では、電子コンポーネント１１０は、ベースバンド信号を転送するのに十分な帯域幅を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に空間を介して形成された第２の電極および補助配線と、
前記第２の電極および前記補助配線上に形成された構造層と、
接続配線とを有し、
前記第２の電極および前記補助配線は、同一平面上に形成され、かつ電気的に接続され、
前記補助配線および前記接続配線は、前記構造層に設けられた開口部を介して電気的に接続されることを特徴とするマイクロマシン。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に空間を介して形成された第２の電極および補助配線と、
前記第２の電極および前記補助配線上に、前記空間を覆うように形成された構造層と、
接続配線とを有し、
前記第２の電極および前記補助配線は、同一平面上に形成され、かつ電気的に接続され、
前記補助配線および前記接続配線は、前記構造層に設けられた開口部を介して電気的に接続され、
前記構造層の側面にサイドウォールを有することを特徴とするマイクロマシン。
【請求項３】
請求項２において、
前記構造層は、ＣＶＤ法により形成された膜を用いて形成されることを特徴とするマイクロマシン。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記接続配線の膜厚は、２００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とするマイクロマシン。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第２の電極と電気的に接続される補助配線を形成し、
前記第２の電極と、前記補助配線と、前記犠牲層とを覆うように構造層を形成し、
前記構造層の一部であって、前記補助配線と重なる位置に第１の開口部を形成し、
前記構造層上に前記第１の開口部を介して前記補助配線と電気的に接続される接続配線を形成し、
前記構造層の一部であって、前記犠牲層と重なる位置に第２の開口部を形成し、
前記第２の開口部を介して前記犠牲層をエッチングにより除去することを特徴とするマイクロマシンの作製方法。
【請求項６】
請求項６において、
前記構造層は、ＣＶＤ法により形成されることを特徴とするマイクロマシンの作製方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記接続配線は、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、または白金（Ｐｔ）から選ばれる金属材料が用いて形成されており、
前記犠牲層は、タングステン（Ｗ）が用いて形成されていることを特徴とするマイクロマシンの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体でなる第１の基板上に第１の絶縁膜を介して第１の単結晶半導体膜が形成された第１のＳＯＩ基板と、前記第１の基板と同じ材料で形成された第２の基板とを用意し、
前記第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面と前記第２の基板の表面とを接合し、
加熱処理を行うことにより前記剥離層を境として劈開し、前記第２の基板上に前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜の一部が設けられた第２のＳＯＩ基板を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
絶縁体でなる第１の基板上に第１の絶縁膜を介して第１の単結晶半導体膜が形成された第１のＳＯＩ基板と、前記第１の基板と同じ材料で形成された第２の基板とを用意し、
前記第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面と前記第２の基板の表面とを接合し、
加熱処理を行うことにより前記剥離層を境として劈開し、前記第２の基板上に前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜の一部が設けられた第２のＳＯＩ基板を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
表面に第１の絶縁膜が形成され、且つ所定の深さに第１の剥離層が形成された半導体基板と、絶縁体でなる第１の基板と、前記第１の基板と同じ材料で形成された第２の基板とを用意し、
前記第１の絶縁膜の表面と前記第１の基板の表面とを接合し、
加熱処理を行うことにより前記第１の剥離層を境として劈開し、前記第１の基板上に前記第１の絶縁膜を介して第１の単結晶半導体膜が設けられた第１のＳＯＩ基板を形成し、
前記第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜にイオンを添加して第２の剥離層を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面と前記第２の基板の表面とを接合し、
加熱処理を行うことにより前記第２の剥離層を境として劈開し、前記第２の基板上に前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜の一部が設けられた第２のＳＯＩ基板を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
表面に第１の絶縁膜が形成され、且つ所定の深さに第１の剥離層が形成された半導体基板と、絶縁体でなる第１の基板と、前記第１の基板と同じ材料で形成された第２の基板とを用意し、
前記第１の絶縁膜の表面と前記第１の基板の表面とを接合し、
加熱処理を行うことにより前記第１の剥離層を境として劈開し、前記第１の基板上に前記第１の絶縁膜を介して第１の単結晶半導体膜が設けられた第１のＳＯＩ基板を形成し、
前記第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜にイオンを添加して第２の剥離層を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面と前記第２の基板の表面とを接合し、
加熱処理を行うことにより前記第２の剥離層を境として劈開し、前記第２の基板上に前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜の一部が設けられた第２のＳＯＩ基板を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
第１の工程と第２の工程とを有するＳＯＩ基板の作製方法であって、
前記第１の工程は、
絶縁体でなる第１の基板上に第１の絶縁膜を介して第１の単結晶半導体膜が形成された第１のＳＯＩ基板と、前記第１の基板と同じ材料で形成された第２の基板とを用意し、
前記第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜上に第２の絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第２の工程は、
前記第２の絶縁膜の表面と前記第２の基板の表面とを接合し、
加熱処理を行うことにより前記剥離層を境として劈開し、前記第２の基板上に前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜の一部が設けられた第２のＳＯＩ基板を形成する工程を有し、
前記第２の工程において形成された前記第２のＳＯＩ基板を、前記第１の工程における前記第１のＳＯＩ基板として利用することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
第１の工程と第２の工程とを有するＳＯＩ基板の作製方法であって、
前記第１の工程は、
絶縁体でなる第１の基板上に第１の絶縁膜を介して第１の単結晶半導体膜が形成された第１のＳＯＩ基板と、前記第１の基板と同じ材料で形成された第２の基板とを用意し、
前記第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体膜上に第２の絶縁膜を形成する工程を有し、
前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、
前記第２の工程は、
前記第２の絶縁膜の表面と前記第２の基板の表面とを接合し、
加熱処理を行うことにより前記剥離層を境として劈開し、前記第２の基板上に前記第２の絶縁膜を介して前記第２の単結晶半導体膜の一部が設けられた第２のＳＯＩ基板を形成する工程を有し、
前記第２の工程において形成された前記第２のＳＯＩ基板を、前記第１の工程における前記第１のＳＯＩ基板として利用することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記剥離層を境として劈開した後、前記第１の基板上に残存した前記第２の単結晶半導体膜の表面と、前記第２の基板上に形成された第２の単結晶半導体膜の表面の一方又は両方に平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記平坦化処理として、レーザー光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の基板及び前記第２の基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第２の単結晶半導体膜は、前記第１の単結晶半導体膜上に半導体膜を形成した後、熱処理を行うことにより前記半導体膜を固層成長させて結晶化することにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記半導体膜として、非晶質半導体膜を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第２の単結晶半導体膜は、前記第１の単結晶半導体膜上にＣＶＤ法を用いて成膜する半導体膜を気相成長させることにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地中の埋設物を地上へ引き上げて撤去するための埋設物撤去装置であって、撤去すべき地中の埋設物の周囲を囲むことが可能な径とその埋設物の埋設深さより大きな長さとを有し下端の開口縁に堀削刃が設けられた円筒状のケーシングと、ケーシングを軸回転させて前記堀削刃により地盤を堀削するケーシング駆動機構と、ケーシング内の堀削刃の上方位置に開閉動作可能に設けられた左右一対の掴み片と、掴み片により掴まれたケーシング内の地中の埋設物をケーシングと一体に地上まで引き上げる引上機構とを含み、前記の各掴み片は、閉状態のとき対向縁が互いに突き合わされて上面開口のうつわ形状となり開状態のときケーシングの内周面に外周面が沿う彎曲形状の側板部と、側板部の両端部にそれぞれ外向きに設けられ各掴み片が開閉動作するようにケーシングに回動自由に支持される枢軸と、各掴み片の一方の枢軸のケーシング外への突出部分にそれぞれ設けられるアームとを有し、各アームの上方位置には、昇降板と、昇降板と各アームとの間を連結する一対のロッドとが、ケーシングの外周面に沿って一体に昇降可能に配備されるとともに、昇降板に昇降駆動機構が接続されており、前記昇降駆動機構は、昇降板を介して両方のロッドを引き上げることにより各アームが枢軸を軸回動させて両方の掴み片を閉動作させ、昇降板を介して両方のロッドを押し下げることにより各アームが枢軸を反対方向へ軸回動させて両方の掴み片を開動作させるようにした埋設物撤去装置。
【請求項２】
前記掴み片は、側板部の下端部に埋設物切断用の切断刃が取り付けられている請求項１に記載された埋設物撤去装置。
【請求項３】
前記昇降板は、ケーシングの外周面に沿う半筒形状のものであり、その上端の中央部と昇降駆動機構とが１本のロッドを介して接続されている請求項１に記載された埋設物撤去装置。
【請求項４】
前記ケーシングは、下部の外周が外カバーにより覆われており、ケーシングと外カバーとの間に、昇降板および一対のロッドが昇降動作する案内通路が形成されている請求項１または３に記載された埋設物撤去装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
知覚力、集中力、学習力および／または記憶力の障害の予防および／または処置用の医薬を製造するための、式
【化１】
2012097115.tif 000001
式中、
Ａは、フェニル、チエニルまたは式
【化２】
2012097115.tif 000002
の基であり
［ここで、フェニルは、ピリジル、フッ素、塩素、メチル、メトキシ、エトキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、ベンジルオキシおよびベンジルの群から相互に独立して選択される２個までの基により置換されていることもある
｛ここで、メチルは、式−ＮＲ３Ｒ４（式中、Ｒ３はメチルであり、Ｒ４は水素または２−メトキシエチルである）の基により置換されていることもあり、そして、
ピリジルは、メトキシにより置換されていることもある｝］、
Ｒ１は、Ｃ３−Ｃ６−シクロアルキル、メチル、エチル、プロピル、２−メトキシエチル、ベンジルまたは式
【化３】
2012097115.tif 000003
の基であり
（ここで、Ｃ３−Ｃ６−シクロアルキルは、ヒドロキシ、メチルまたはトリフルオロメチルにより置換されていることもあり、
メチル、エチル、プロピルは、ピリジル、シクロプロピルまたはヒドロキシにより置換されていることもあり、そして、
ベンジルは、メトキシ、エトキシ、フッ素または塩素により置換されていることもある）、
Ｒ２は水素であるか、
または、
Ｒ１およびＲ２は、それらが結合している窒素原子と一体となって、ピロリジニル、ピペリジニル、ピペラジニルおよびモルホリニルの群から選択される５員ないし６員の複素環を形成し、それは、メチル、エチル、プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ヒドロキシ、シアノ、オキソ、ピリジル、ベンジル、ホルミル、メチルカルボニル、エチルカルボニル、プロピルカルボニルおよび以下の基
【化４】
2012097115.tif 000004
（これらは、２個の酸素原子を介して複素環の炭素原子の１つに連結している）の１つの群から相互に独立して選択される２個までの置換基により置換されていることもある
（ここで、メチル、エチルおよびプロピルは、ヒドロキシまたはピリジルにより置換されていることもある）、
の化合物またはその塩の使用
（ただし、該化合物は、
【化５】
2012097115.tif 000005
ではない）。
【請求項２】
障害がアルツハイマー病の結果である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
知覚力、集中力、学習力および／または記憶力の改善用の医薬を製造するための、請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項４】
ＰＤＥ９を選択的に阻害するための、請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項５】
ＰＤＥ９を選択的に阻害するための医薬を製造するための、請求項１に記載の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＸＶＩＩＩ
【化１】
2012097105.tif 000001
の化合物、またはその薬学的に許容される塩、水和物、溶媒和物、もしくはそれらの混合物
（式中、
（ａ） ｍはそれぞれ独立に、０または１であり、
（ｂ） ｎは、３から７までの範囲の整数であり、
（ｃ）Ｘは、ｚが０または１である（ＣＨ２）ｚであり、
（ｄ） Ｒ１およびＲ２はそれぞれメチル基であるか、または、Ｒ１およびＲ２と、それらが両方とも結合している炭素とが合わさって（Ｃ３〜Ｃ７）シクロアルキル基を形成し、
（ｅ） Ｒ１１およびＲ１２と、それらが両方とも結合している炭素とが合わさって（Ｃ３〜Ｃ７）シクロアルキル基を形成し、
（ｆ） Ｙ１およびＹ２は独立に、ＯＨ、ＣＯＯＨ、または、ＣＯＯＲ３、
であり、ただし、
Ｒ３が、（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、（Ｃ２〜Ｃ６）アルケニル、（Ｃ２〜Ｃ６）アルキニル、フェニル、またはベンジルであり、かつ、置換されていないか、１つまたは複数のハロ、ＯＨ、（Ｃ１〜Ｃ６）アルコキシ、またはフェニルの各基で置換されている）。
【請求項２】
ｍが０である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項３】
ｍが１である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項４】
ｎが４である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項５】
ｎが５である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項６】
ｚが０である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項７】
ｚが１である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項８】
ｎが４または５である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項９】
下記構造からなる群より選択される請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【化２】
2012097105.tif 000002
2012097105.tif 000003
2012097105.tif 000004
2012097105.tif 000005
2012097105.tif 000006
2012097105.tif 000007
2012097105.tif 000008
2012097105.tif 000009
【請求項１０】
前記化合物が、
【化３】
2012097105.tif 000010
である請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１１】
前記化合物が、
【化４】
2012097105.tif 000011
である請求項１に記載の化合物。
【請求項１２】
前記化合物が、
【化５】
2012097105.tif 000012
である請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１３】
前記化合物が、
【化６】
2012097105.tif 000013
である請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１４】
前記化合物が、
【化７】
2012097105.tif 000014
である請求項１に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１５】
請求項１−１４のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩、水和物、溶媒和物、もしくはそれらの混合物と、薬学的に許容されるビヒクル、賦形剤、または希釈剤とを含む医薬組成物。
【請求項１６】
患者における老化、アルツハイマー病、癌、心血管疾患、糖尿病性腎症、糖尿病性網膜症、糖代謝障害、異脂肪血症、異リポタンパク血症、高血圧、インポテンス、炎症、インシュリン抵抗性、胆汁からの脂質除去、メタボリック症候群障害、肥満、胆汁からのオキシステロール除去、膵炎、パンクレアティタス、パーキンソン病、ペルオキシソーム増殖活性化受容体関連障害、胆汁からのリン脂質除去、腎疾患、敗血症、Ｘ症候群、もしくは血栓障害を治療または予防するための、Ｃ反応性タンパク質を調節するための、肝臓の脂肪酸合成もしくはステロール合成を阻害するための、または胆汁産生の亢進するための医薬組成物であって、請求項１−１４のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩、水和物、溶媒和物、もしくはそれらの混合物と、薬学的に許容されるビヒクル、賦形剤または希釈剤とを、治療上または予防上有効な量で含む医薬組成物。
【請求項１７】
ＨＤＬレベルを増大させることによって治療または予防できる疾患または障害を治療または予防するための医薬組成物であって、請求項１−１４のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩、水和物、溶媒和物、もしくはそれらの混合物と、薬学的に許容されるビヒクル、賦形剤、または希釈剤とを、治療上または予防上有効な量で含む医薬組成物。
【請求項１８】
ＨＤＬレベルを低下させることによって治療または予防できる疾患または障害を治療または予防するための医薬組成物であって、請求項１−１４のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩、水和物、溶媒和物、もしくはそれらの混合物と、薬学的に許容されるビヒクル、賦形剤、または希釈剤とを、治療上または予防上有効な量で含む医薬組成物。
【請求項１９】
ＨＤＬレベルを増大させることによって治療または予防することが可能な非ヒト動物の疾患または障害を治療または予防する方法であって、そのような治療または予防を必要とする非ヒト動物に、請求項１−１４のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩、水和物、溶媒和物、もしくはそれらの混合物と、薬学的に許容されるビヒクル、賦形剤、または希釈剤とを、治療上有効な量投与することを含む方法。
【請求項２０】
ＬＤＬレベルを低下させることによって治療または予防することが可能な非ヒト動物の疾患または障害を治療または予防する方法であって、そのような治療または予防を必要とする非ヒト動物に、請求項１−１４のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩、水和物、溶媒和物、もしくはそれらの混合物と、薬学的に許容されるビヒクル、賦形剤、または希釈剤とを、治療上有効な量投与することを含む方法。
【請求項２１】
請求項１−１４のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩、水和物、溶媒和物、もしくはそれらの混合物と、薬学的に許容されるビヒクル、賦形剤、または希釈剤とを含む医薬組成物であって、スタチンと併用投与される医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年の地球規模の環境問題から、自動車業界においては軽量化と低燃費化が強く望まれている。これを受けて、自動車部品のうちオイルシールのような回転系の部品に関しては、自動車の燃費向上のために低トルク化が求められている。かかる背景より、車輪用転がり軸受も低トルク化が望まれてはいるものの、車輪用転がり軸受は屋外で使用され、極端なケースでは泥水に曝されるような劣悪な環境で使用されるため、その弾性部材(オイルシール)には耐泥水性が求められ、耐泥水性はトルク性能と相反する関係のため、低トルク化が非常に難しいのが現状である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
カーボンブラックとしては、SRF、HAF等のカーボンブラックが、NBR 100重量部当り5〜50重量部、好ましくは15〜40重量部の割合で用いられる。カーボンブラックがこれより少ない割合で用いられると、材料強度が不足するようになり、一方これより多い割合で用いられると、材料硬度が高すぎるようになり好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月7日(2012.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行装置を備えた走行体と、この走行体の上部に設けられた旋回体と、前記旋回体に回動可能に取り付けられた第１ブームと、前記第１ブームに回動可能に取り付けられた第２ブームと、前記第２ブームに回動可能に取り付けられたアームと、前記第１ブームを駆動する第１ブームシリンダ、前記第２ブームを駆動する第２ブームシリンダ、前記アームを駆動するアームシリンダを含む油圧駆動回路とを備えた作業機械に設けられ、
前記第１ブームの動作速度を指令する第１ブーム操作手段と、前記第２ブームの動作速度を指令する第２ブーム操作手段と、前記アームの動作速度を指令するアーム操作手段とを備えた作業機械の操作制御装置において、
前記第１ブーム操作手段からの操作信号である速度指令値に第１ブーム比例ゲインを乗じた第１の値と、前記アーム操作手段からの操作信号である速度指令値にアーム比例ゲインを乗じた第２の値と、前記第１の値と前記第２の値とを演算して第１の速度指令値を算出し、前記第２ブーム操作手段からの操作信号である第２の速度指令値と前記第１の速度指令値とを加算して前記第２ブームの速度指令値を算出し、この算出した速度指令値を前記第２ブームシリンダに出力する第２ブーム指令手段を備えた
ことを特徴とする作業機械の操作制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の作業機械の操作制御装置において、
前記第２ブーム指令手段は、前記第１の速度指令値を算出する演算手段として、前記第１の値と前記第２の値とを加算する加算手段を備える
ことを特徴とする作業機械の操作制御装置。
【請求項３】
請求項１に記載の作業機械の操作制御装置において、
前記第２ブーム指令手段は、前記第１の速度指令値を算出する演算手段として、
前記第１の値を２乗した値と前記第２の値を２乗した値とを加算し、その加算値を開平する２乗和開平手段を備える
ことを特徴とする作業機械の操作制御装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の作業機械の操作制御装置において、
前記第２ブーム指令手段の有効・無効を切り替える切換手段をさらに備え、
前記切換手段を無効とした場合には前記第２の速度指令値に基づいて前記第２ブームシリンダを駆動する
ことを特徴とする作業機械の操作制御装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の作業機械の操作制御装置において、
前記第１ブーム操作手段及び前記アーム操作手段が上下前後に揺動可能な操作レバーであって、
前記操作レバーは、上下方向への揺動で前記第１ブームの動作速度を指令し、前後方向への揺動で前記アームの動作速度を指令する
ことを特徴とする作業機械の操作制御装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の作業機械の操作制御装置において、
前記第２ブーム操作手段は操作ペダル装置である
ことを特徴とする作業機械の操作制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012097544.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012097544.tif 000002