(57)【要約】【課題】液晶表示素子その他の素子に簡易に適用することができる導電パターン形成方法及びこれに使用する転写用フィルムを提供する。【解決手段】支持フィルム１０の一方の主面上に接着層１２を形成し、接着層１２上に金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電性インクを所定のパターンに塗布して導電予備層１４を形成する。このパターンには、接着層１２の全面にベタ状に塗布することも含む。上記導電予備層１４にパルス光を照射し、導電性を発現または向上させて導電層１６に変換する。必要に応じて導電層１６上に保護層１８を形成して転写用フィルムを得る。支持フィルム１０を剥離し、接着層１２を介して導電層１６を基板２０上に接着する。保護層１８を有する転写フィルムを使用する場合、保護層１８を除去し、導電層１６を露出させ、必要に応じてエッチング処理等によりベタ状に形成した導電層１６を所定のパターンに加工する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルムと、前記支持フィルム上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された所定のパターン形状を有する金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層と、を備える転写用フィルムを準備する工程と、
前記転写用フィルムの支持フィルムを剥離し、前記接着層を介して前記導電層を基板上に接着する接着工程と、
を有することを特徴とする導電パターン形成方法。
【請求項２】
前記転写用フィルムを準備する工程において、接着層上に金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電性インクを所定のパターン状に塗布して導電予備層を形成する工程と、前記導電予備層にパルス光を照射することにより金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層を形成する工程と、を有する請求項１に記載の導電パターン形成方法。
【請求項３】
前記転写用フィルムを準備する工程において、接着層上に金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電性インクをベタ状に塗布して導電予備層を形成する工程と、前記導電予備層にパルス光を照射することにより金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層を形成する工程と、導電層を所定のパターンに加工するパターン加工工程と、を有する請求項１に記載の導電パターン形成方法。
【請求項４】
前記転写用フィルムを準備する工程において、導電層の接着剤層を備える主面とは反対の主面に保護層を形成する工程を含み、前記接着工程後保護層を除去する保護層除去工程を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電パターン形成方法。
【請求項５】
支持フィルムに所定のパターン形状を有する金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層と、導電層上に形成された接着層と、を備える転写用フィルムを準備する工程と、
前記転写用フィルムの接着層を基板上に接着する接着工程と、
前記支持フィルムを除去する工程と、
を有することを特徴とする導電パターン形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電パターン形成方法において、前記基板が液晶表示素子の液晶を封入する透明基板であり、前記接着層は、前記透明基板の液晶を封入する側とは反対側の面に接着されるオンセル型タッチパネルの製造方法。
【請求項７】
支持フィルムと、
接着層と、
所定のパターンを有する金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層と、が順次積層されていることを特徴とする転写用フィルム。
【請求項８】
前記導電層の金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブ同士の交差部分の少なくとも一部が融着している請求項７に記載の転写用フィルム。
【請求項９】
前記導電層の接着剤層を備える主面とは反対の主面に保護層を有する請求項７または８に記載の転写用フィルム。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか一項に記載の転写用フィルムが、液晶表示素子の液晶を封入する透明基板の、液晶を封入する側とは反対側の面に接着されているオンセル型タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電パターン形成方法及びこれを使用したオンセル型タッチパネルの製造方法並びにこれに使用する転写用フィルム及びオンセル型タッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイを構成する液晶表示素子の駆動用電極、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、太陽電池素子、タッチパネル等には、光を透過できる透明電極が必須の構成部材となっている。【０００３】
これらの透明電極に用いられる透明導電膜には、従来、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）が用いられてきた。しかし、ＩＴＯに用いられるインジウムはレアメタルであるため、近年は供給及び価格の安定化が課題となっている。また、ＩＴＯの成膜には、スパッタリング法や蒸着法等が用いられているため、真空製造装置が必要となり、製造時間が長くかかる上コストも高くなる。更に、ＩＴＯは曲げ等の物理的な応力によってクラックが発生し壊れ易いため、フレキシブル性を付与した基板に対して適用することが困難である。そのため、これらの問題点を解消したＩＴＯ代替材料の探索が進められている。【０００４】
そこで、「ＩＴＯ代替材料」の中でも、真空製造装置の使用が不要である塗布成膜可能な材料として、例えば、（i）ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）（たとえば特許文献１参照）等の高分子系導電材料並びに（ii）金属ナノワイヤを含有する導電性材料（たとえば特許文献２および非特許文献１参照）及び（iii）カーボンナノチューブを含有する導電性材料（たとえば特許文献３参照）等のナノ構造の導電性成分を含有する導電性材料が報告されている。【０００５】
これらの中でも（ii）の金属ナノワイヤを含有した導電性材料は、低表面抵抗かつ高光線透過率を示すことが報告されており（たとえば特許文献２および非特許文献１参照）、更に、フレキシブル性も有しているため、「ＩＴＯ代替材料」として好適である。金属ナノワイヤの場合、導電性を発現させ、または導電性を向上させるために高温（２００℃以上）で加熱する方法があるが、耐熱性が乏しい樹脂膜上への導電性膜形成や低温化による安価な導電性膜の形成が困難であるという問題があった（例えば、特許文献４参照）。そこで、光照射により導電性を発現、向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献５参照）。【０００６】
ここで、例えばタッチパネルには、下記非特許文献２に記載されているように、外付け型と内蔵型とがあり、内蔵型にはオンセル型とインセル型とがある。これらの内、内蔵型（特にオンセル型）のタッチパネルは、まず液晶表示素子を形成した後に上記金属ナノワイヤを含有した導電性材料を使用してタッチパネルの透明電極を形成する。【０００７】
一方、上記金属ナノワイヤを含有した導電性材料は、導電性を発現または向上させるために、上述のように光照射または高温（２００℃以上）加熱処理もしくは加圧をする必要があるが、上記液晶表示素子に内蔵された液晶等に光照射または高温（２００℃以上）加熱処理されると、液晶の分解やＴＦＴの特性変化等の影響を受けるおそれがあるため、液晶表示素子及びタッチパネルが形成された基板に直接光照射を行うことは好ましくないという問題がある。また、このような部材表面に加圧処理をすることは難しく、部材に影響を与えることなく導電性を付与することは難しい課題であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４０７７６７５号公報
【特許文献２】特表２００９−５０５３５８号公報
【特許文献３】特開２００３―１００１４７号公報
【特許文献４】特開２００４−２７３２０５号公報
【特許文献５】国際公開第２０１３／１３３４２０号
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Shih-Hsiang Lai, Chun-Yao Ou, Chia-Hao Tsai, Bor-Chuan Chuang, Ming-Ying Ma, and Shuo-Wei Liang; SID Symposium Digest of Technical Papers,  Vol.39, Issue 1, pp. 1200-1202 (2008)
【非特許文献２】鵜飼  育弘「フラットパネルディスプレイ概論（6）FPDを支える部品・材料技術（1）タッチパネル」  THE CHEMICAL TIMES  2011 No.4（通巻222号）2-7
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、オンセル型タッチパネル等の、直接光照射または高温加熱処理もしくは加圧処理することができない基板上への導電パターン形成方法及びこれを使用したオンセル型タッチパネルの製造方法並びにこれに使用する転写用フィルム及びオンセル型タッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一実施形態は、導電パターン形成方法であって、支持フィルムと、前記支持フィルム上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された所定のパターン形状を有する金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層と、を備える転写用フィルムを準備する工程と、前記転写用フィルムの支持フィルムを剥離し、前記接着層を介して導電層を基板上に接着する接着工程と、を有することを特徴とする。【００１２】
また、上記導電パターン形成方法では、上記転写用フィルムを準備する工程において接着層上に金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電性インクを所定のパターン状に塗布して導電予備層を形成する工程と、前記導電予備層にパルス光を照射することにより金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層を形成する工程と、を備えることが好ましい。【００１３】
また、上記導電パターン形成方法では、上記転写用フィルムを準備する工程において接着層上に金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電性インクをベタ状に塗布して導電予備層を形成する工程と、前記導電予備層にパルス光を照射することにより金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層を形成する工程と、導電層を所定のパターンに加工するパターン加工工程と、を備えることとしてもよい。【００１４】
また、転写用フィルムを準備する工程において、導電層の接着剤層を備える主面とは反対の主面に保護層を形成する工程を含み、前記接着工程後保護層を除去する保護層除去工程を有することとしてもよい。【００１５】
また、本発明の他の実施形態は、導電パターン形成方法であって、支持フィルムに所定のパターン形状を有する金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層と、導電層上に形成された接着層と、を備える転写用フィルムを準備する工程と、前記転写用フィルムの接着層を基板上に接着する接着工程と、前記支持フィルムを除去する工程と、を備えることを特徴とする。【００１６】
また、本発明の他の実施形態は、オンセル型タッチパネルの製造方法であって、前記導電パターン形成方法において、前記基板が液晶表示素子の液晶を封入する透明基板であり、前記接着層は、前記透明基板の液晶を封入する側とは反対側の面に接着されることを特徴とする。【００１７】
また、本発明の他の実施形態は、転写用フィルムであって、支持フィルムと、接着層と、所定のパターンを有する金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電層と、が順次積層されていることを特徴とする。【００１８】
上記導電層を構成する金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブ同士の交差部分の少なくとも一部が融着していることが好ましい。【００１９】
また、前記導電層の接着剤層を備える主面とは反対の主面に保護層を有するものとしてもよい。
また、本発明の他の実施形態は、オンセル型タッチパネルであって、上記転写用フィルムが、液晶表示素子の液晶を封入する透明基板の、液晶を封入する側とは反対側の面に接着されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、液晶表示素子その他の素子に簡易に適用することができる導電パターン製造方法及びこれに使用する転写用フィルムを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態にかかる導電パターン製造方法の工程例の断面図である。
【図２】パルス光の定義を説明するための図である。
【図３】実施例で作製した銀ナノワイヤのＳＥＭ像を示す図である。
【図４】実施例３における転写用フィルムへの光照射方法を説明するための図である。
【図５】実施形態にかかる導電パターン形成方法によりオンセル型タッチパネル用透明電極として形成された導電層を使用したオンセル型タッチパネルの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための形態（以下、実施形態という）を、図面に従って説明する。
【００２３】
図１（ａ）〜（ｈ）には、本実施形態の一つにかかる導電パターン形成方法の工程例の断面図が示され、同一の構成要素には同一符号が付されている。
【００２４】
図１（ａ）に示される支持フィルム１０の一方の主面上に、図１（ｂ）に示されるように接着層１２を形成する（接着層形成工程）。接着層１２の形成方法としては、例えばダイコーター、グラビアコーター等による塗布や、スクリーン印刷やグラビアオフセット印刷、又は接着層フィルムの貼付等が挙げられるが、これらには限定されない。その後、上記接着層１２上に、金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを含む導電性インクを所定のパターンに塗布し（塗布工程）、導電予備層１４を形成する（図１（ｃ））。この場合、パターンとしては、電極その他のパターンの他、接着層１２の全面にベタ状に塗布することも含む。本明細書において「塗布」とは印刷を含む。また、「ベタ状」とは一定の領域に全面的に塗布することをいう。
【００２５】
次に、上記導電予備層１４（金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブ）にパルス光を照射することにより、金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブを焼成し（金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブ同士の外周交差部分を融着させて）導電予備層１４に導電性を発現させ、または導電予備層１４の導電性を向上させて導電予備層１４を導電層１６に変換する（光照射工程、図１（ｄ））。その後、上記導電層１６上に必要に応じて保護層１８を形成する（保護層形成工程、図１（ｅ））。以上の工程により、支持フィルム１０、接着層１２、導電層１６及び保護層１８がこの順に積層された転写フィルムが形成される。
【００２６】
次に、上記支持フィルム１０を剥離し、接着層１２を介して導電層１６を基板２０上に接着する（接着工程、図１（ｆ））。この基板２０は、例えば液晶表示素子において液晶を挟んだアレイ基板とカラーフィルタ基板であってもよい（図５参照）。また、基板２０への接着は、例えばラミネータ装置やフィルム貼付機などを用いて実施することができる。これにより、導電層１６を基板２０に転写して、基板２０上に導電パターンを設けることができる。転写フィルムとして保護層１８を有するものを使用する場合は、その後、上記導電層１６上の保護層１８を除去し（図１（ｇ））、導電層１６を露出させる（保護層除去工程）。
【００２７】
次に、タッチパネルの透明電極を形成する場合等必要に応じて、フォトリソグラフィ等のエッチング処理により、導電層１６を透明電極等の所定のパターンに加工する（パターン加工工程、図１（ｈ））。金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブの一例として銀ナノワイヤ及び／または金属ナノチューを使用する場合、そのエッチング液としては例えば林純薬工業社製のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＧＮＷ  Ｓｅｒｉｅｓ等を用いることができる。なお、導電層が予めパターン形状に加工された転写フィルムを用いる場合にはパターン加工工程は不要である。また、後述の実施例で例示するマスクパターンを介したパルス光照射により導電部と非導電部を有する導電パターンを形成することもできる。
【００２８】
また、上記光照射工程の後に、導電層１６上に透明導電性高分子層を形成してもよい。さらに、接着層形成工程から保護層形成工程までで製造される上記転写フィルムは、使用時の量産性を考慮し、樹脂などの筒型のコアを軸として、巻物状の形態である場合が多くの場合想定される。また、シート状に裁断してある形態であってもよい。形態については、特に制限されない。
【００２９】
さらに、上記図１（ａ）〜（ｇ）の工程は、順序を変更してもよい。例えば、図１（ａ）に示される支持フィルム１０の一方の主面上に所望のパターンで導電予備層１４を形成し（図１（ｃ）において接着層１２が無い状態）、これにパルス光を照射し、導電予備層１４に導電性を発現させ、または導電予備層１４の導電性を向上させて導電予備層１４を導電層１６に変換し（図１（ｄ）において接着層１２が無い状態）、次に導電層１６上に接着層１２を形成し、この接着層１２を介して支持フィルム１０及び支持フィルム１０上に形成した導電層１６を基板２０に接着する。その後、支持フィルム１０を除去することにより、図１（ｇ）の状態となる。この場合、基板２０に転写された導電層１６の表面（基板２０とは反対の面）の平滑性を向上させることができる。
【００３０】
図５には、上記導電パターン形成方法によりオンセル型タッチパネル用透明電極として形成された導電層１６を使用したオンセル型タッチパネルの例が示される。図５の例では、透明基板としてのガラス基板（カラーフィルタ基板２６とアレイ基板２８）との間に、液晶層３０とＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３２が形成されて液晶表示素子を構成している。なお、液晶相３０は、図示しない封止剤によりカラーフィルタ基板２６とアレイ基板２８との間に封入されている。図５において、オンセル型タッチパネル用透明電極３４としての透明電極（導電層１６）は、本実施形態にかかる導電パターン形成方法により図示しない上記接着層１２を介してカラーフィルタ基板２６に接着され、オンセル型タッチパネルが形成される。この場合、導電層１６は、カラーフィルタ基板２６の液晶層３０を封入している側とは反対側の面に接着される。なお、オンセル型タッチパネルの液晶表示素子に必要な偏光板３６、３８は、アレイ基板２８とオンセル型タッチパネル用透明電極３４との外側にそれぞれ形成される。
【００３１】
上記支持フィルム１０としては、化学的、熱的に安定であり、フィルム、シートまたは板状に成形できるものを用いることができる。また、剥離性を付与するために表面に離型処理をしたものも含まれる。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のポリハロゲン化ビニル類、セルロースアセテート、ニトロセルロース、セロハン等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエステルが挙げられる。これらの中で特に好ましいのは寸法安定性に優れ、光照射時の光線の透過が可能なポリエステルの一種である２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムである。
【００３２】
上記接着層１２の機能は導電層１６と基板２０（被転写体）との接着性確保である。また、必要に応じて設けられる透明導電性高分子層の目的は導電層１６の導電性を落とさず表面平滑性を向上させることである。
【００３３】
接着層１２及び透明導電性高分子層の膜厚は、各々０．１〜５０μｍであることが好ましく、０．３〜３０μｍであることがより好ましく、０．５〜１０μｍであることが特に好ましい。膜厚が厚過ぎるとデバイスの薄膜化に対応できない。また、透明導電性高分子層は導電性高分子自体に着色があるため膜厚が厚いと光線透過率が低下する。接着層１２はあまりに薄いと、基板２０（被転写体）との接着性が不十分になり、導電性高分子はあまりに薄いと表面を平滑にする効果を発現しなくなる。
【００３４】
上記接着層１２としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、エポキシ樹脂、アミド樹脂、アミドエポキシ樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、エステル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸の反応で得られるエポキシアクリレート樹脂、酢酸ビニル樹脂、部分けん化酢酸ビニル樹脂、ポバール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂のようなポリアセタール樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。ここで、「アクリル樹脂」とは、（メタ）アクリロイル基を有する重合性単量体に由来するモノマー単位を主に有する重合体のことを意味する。なお、「（メタ）アクリロイル基」とはアクリロイル基およびメタクリロイル基を意味する。同様に「（メタ）アクリル」はアクリルおよびメタクリルを意味する。
【００３５】
上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリロイル基を有する重合性単量体をラジカル重合して製造されるものが使用できる。このアクリル樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。   
【００３６】
上記（メタ）アクリロイル基を有する重合性単量体としては、例えば、ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、等が挙げられる。 
【００３７】
また、上記アクリル樹脂は、上記のような（メタ）アクリロイル基を有する重合性単量体の他に、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等のα−位若しくは芳香族環において置換されている重合可能なスチレン誘導体、アクリロニトリル、ビニル−ｎ−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエーテル類等の１種又は２種以上の重合性単量体が共重合されていてもよい。
【００３８】
これらの樹脂の重量平均分子量は３０００〜１００００００のものが好ましい。
【００３９】
また、上記透明導電性高分子層は導電性高分子を含む材料からなり、導電性高分子としては、ポリチオフェン系、ポリアセチレン系、ポリパラフェニレン系、ポリアニリン系、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリピロール系などの導電性高分子があり、なかでも透明性のある導電性高分子として、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ポリビニルスルホン酸（ＰＶＳ）、あるいは、ｐ−トルエンスルホン酸（ＴＳＯ）をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、いわゆるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ＰＥＤＯＴ／ＰＶＳ、ＰＥＤＯＴ／ＴＳＯなどが挙げられる。
【００４０】
ポリチオフェン系導電性高分子としては、例えば、次の化学式で示すポリチオフェン系高分子からなる主鎖を有する未ドープの高分子に、ヨウ素等のハロゲン、あるいは他の酸化剤をドープして、これにより前記高分子を部分酸化して、カチオン構造を形成させたもの等を用いることができる。
【００４１】
【化１】
2015068654.tif 000003
【００４２】
上記化学式において、基Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ互いに独立に選択することができ、選択肢としては、水素原子；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル（ｎ−ブチル）基、ペンチル（ｎ−ペンチル）基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などの直鎖アルキル基；イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの分枝のあるアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基などの直鎖もしくは分枝のあるアルコキシ基；ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、オレイル基などのアルケニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基などのアルキニル基；メトキシメチル基、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、３−エトキシプロピル基などのアルコキシアルキル基；Ｃ２Ｈ５Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｍＣＨ２ＣＨ２基（ｍは１以上の整数）、ＣＨ３Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｍＣＨ２ＣＨ２基（ｍは１以上の整数）などのポリエーテル基；フルオロメチル基等、前記置換基のフッ素等のハロゲン置換誘導体等を例示できる。
【００４３】
このポリチオフェン系導電性高分子の中でも、３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）が好ましい。特に、ＰＥＤＯＴをポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）でドーピングしたＰＥＤＯＴ−ＰＳＳが、透明性が高く低抵抗であるため好ましい。
【００４４】
市販品としては、Ｈ．Ｃ．スタルク社製  Ｂａｙｔｒｏｎ（登録商標）Ｐおよびヘレウス社製  Ｃｌｅｖｉｏｓ（登録商標）ＳＶ３や、ナガセケムテックス社製、Ｄｅｎａｔｒｏｎ（登録商標）＃５００２ＬＡ、アグファゲバルト社製  Ｏｒｇａｃｏｎ（登録商標）Ｓ３００やＯｒｇａｃｏｎ３０４０などを挙げることができる。
【００４５】
上記金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブは、５〜４０℃の範囲で流動性を有さない熱硬化性または熱可塑性のバインダー樹脂を含む溶液（分散媒）に分散して導電性インクとし、この導電性インクを用いて、グラビア印刷、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、フレキソ印刷等により、支持フィルム１０の表面に形成された接着層１２上に所定の形状にパターン印刷を行い、導電予備層１４を形成する。なお、パターン印刷には、接着層１２の全面へのベタ塗り（ベタパターン形成）を含む。また、上記５〜４０℃とは、通常印刷が行われる室温を意味する。
【００４６】
また、上述したように、導電予備層１４はパルス光が照射されることにより導電層１６に変換される。この際、金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブの交差する外周部が融着することにより、透明且つ導電性の導電層１６が構成される。
【００４７】
上記５〜４０℃の範囲で流動性を有さない熱硬化性または熱可塑性のバインダー樹脂としては、透明な樹脂で、そのもの自体は室温で流動性が無く溶媒に溶解するものなら特に制限なく使用することが出来るが、耐熱性が高く吸湿性が低いものが更に好ましい。ここで「熱硬化性樹脂」とは未硬化の状態で溶媒に溶解するものを意味する。熱硬化性樹脂は後述の光照射により熱硬化するものであることが好ましい。これらのバインダー樹脂としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリルエステル樹脂、ジアリルフタレート（ＤＡＰ）樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン）、アモルファスポリオレフィン樹脂、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリＮ−ビニルアミド、ポリ−４−メチルペンテン−１等が挙げられる。これらの中でも特に銀との親和性に優れるものとしてポリＮ−ビニルピロリドン、ポリＮ−ビニルカプロラクタム、ポリＮ−ビニルアセトアミド、ポリＮ−ビニルホルムアミド等のポリＮ−ビニルアミド類、エポキシ樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ウレタン樹脂や透明性に優れているシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等の絶縁性樹脂が挙げられるが、必要に応じて公知の導電性樹脂を用いることもできる。
【００４８】
特にポリＮ−ビニルピロリドン、ポリＮ−ビニルカプロラクタム、ポリＮ−ビニルアセトアミド、ポリＮ−ビニルホルムアミド等のポリＮ−ビニルアミド類は、ナノワイヤの合成時にも使用され、また合成後に更に凝集防止も兼ねた保護膜材料として添加することができるので、ナノワイヤの製造段階で過剰に使用することにより製造もしやすい上に電極の品質も向上できるのでより好ましい。
【００４９】
上記金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブとは、径の太さがナノメーターオーダーのサイズである金属であり、金属ナノワイヤはワイヤ状、金属ナノチューブはポーラスあるいはノンポーラスのチューブ状の形状を有する導電性材料である。本明細書において、「ワイヤ状」と「チューブ状」はいずれも線状であるが、前者は中央が中空ではないもの、後者は中央が中空であるものを意図する。性状は、柔軟であってもよく、剛直であってもよい。金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブは、いずれかを用いてもよく、両者を混合したものを用いてもよい。
【００５０】
金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブを構成する金属の種類としては、金、銀、白金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、オスミウム、イリジウムからなる群から選ばれる少なくとも１種およびこれら金属を組み合わせた合金等が挙げられる。低い表面抵抗かつ高い全光線透過率を有する塗膜を得るためには、金、銀および銅のいずれかを少なくとも１種含むことが好ましい。これらの金属は導電性が高いため、所定の表面抵抗を得る際に、面に占める金属の密度を減らすことができるので、高い全光線透過率を実現できる。
【００５１】
これらの金属の中でも、金または銀の少なくとも１種を含むことがより好ましい。最適な態様としては、銀のナノワイヤが挙げられる。
【００５２】
導電層１６を構成する金属ナノワイヤおよび／または金属ナノチューブの径の太さ、長軸の長さおよびアスペクト比は一定の分布を有することが好ましい。この分布は、本実施形態にかかる導電パターン（透明電極）の全光線透過率を高くかつ表面抵抗を低くするように選択される。具体的には、金属ナノワイヤおよび金属ナノチューブの径の太さの平均は、１〜５００ｎｍが好ましく、５〜２００ｎｍがより好ましく、５〜１００ｎｍがさらに好ましく、１０〜８０ｎｍが特に好ましい。また、金属ナノワイヤおよび金属ナノチューブの長軸の長さの平均は、１〜１００μｍが好ましく、１〜５０μｍがより好ましく、２〜５０μｍがさらに好ましく、５〜３０μｍが特に好ましい。金属ナノワイヤおよび金属ナノチューブは、径の太さの平均および長軸の長さの平均が上記範囲を満たすとともに、アスペクト比の平均が５より大きいことが好ましく、１０以上であることがより好ましく、１００以上であることがさらに好ましく、２００以上であることが特に好ましい。ここで、アスペクト比は、金属ナノワイヤおよび金属ナノチューブの径の平均的な太さをｂ、長軸の平均的な長さをａと近似した場合、ａ／ｂで求められる値である。ａ及びｂは、走査型電子顕微鏡を用いて任意に２０本測定しその平均値として求めることができる。
【００５３】
金属ナノワイヤの製造方法としては、公知の製造方法を用いることができる。例えば、銀ナノワイヤは、ポリオール（Ｐｏｌｙ−ｏｌ）法を用いて、ポリビニルピロリドン存在下で硝酸銀を還元することによって合成することができる（Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，２００２，１４，４７３６参照）。金ナノワイヤも同様に、ポリビニルピロリドン存在下で塩化金酸水和物を還元することによって合成することができる（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２００７，１２９，１７３３参照）。銀ナノワイヤおよび金ナノワイヤの大規模な合成および精製の技術に関しては国際公開公報ＷＯ２００８／０７３１４３号パンフレットと国際公開第２００８／０４６０５８号パンフレットに詳細な記述がある。ポーラス構造を有する金ナノチューブは、銀ナノワイヤを鋳型にして、塩化金酸溶液を還元することにより合成することができる。ここで、鋳型に用いた銀ナノワイヤは塩化金酸との酸化還元反応により溶液中に溶け出し、結果としてポーラス構造を有する金ナノチューブができる。（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２００４，１２６，３８９２−３９０１参照）。
【００５４】
本発明の実施形態に適用される導電パターン形成用導電性インクは、前述の５〜４０℃の範囲（室温）で流動性を有さない熱硬化性または熱可塑性のバインダー樹脂を溶媒に溶解させ、金属ナノワイヤおよび／または金属ナノチューブをその中に分散させることにより調製することができる。ここで使用する溶媒としては、一般にグラビア印刷、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、フレキソ印刷等に使用できる溶媒なら特に制限なく使用することが出来る。グラビア印刷の場合には比較的沸点の低い溶媒が、スクリーン印刷の場合には比較的沸点の高い溶媒が使用される。
【００５５】
グラビア印刷に使用出来る比較的沸点の低い溶媒としては沸点が５０℃以上で２００℃以下、より好ましくは１５０℃以下であり、例えばトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系、酢酸エチル、酢酸Ｎプロピルなどのエステル系、イソプロパノール、ノルマルプロパノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなどのアルコール系溶剤などの有機溶剤が利用できる。
【００５６】
スクリーン印刷に使用出来る比較的沸点の高い溶媒としては沸点が３６０℃以下で１２０℃以上、より好ましくは１５０℃以上であり、具体的にはブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、ターピネオール、イソボルニルシクロヘキサノール（商品名：テルソルブ  ＭＴＰＨ、日本テルペン製）、キシレン、ビスエトキシエタン、エチレングリコール、プロピレングリコール等を挙げることができる。
【００５７】
なお、これらの溶媒は１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５８】
本実施形態にかかる導電性インクにおける金属ナノワイヤおよび／または金属ナノチューブの含有量は、その良好な分散性並びに導電性インクから得られる塗膜の良好なパターン形成性、高い導電性及び良好な光学特性の観点から、導電性インク総質量に対して、金属ナノワイヤおよび／または金属ナノチューブが０．０１〜１０質量％の量であり、より好ましくは０．０５〜２質量％の量である。金属ナノワイヤおよび／または金属ナノチューブが０．０１質量％未満であると、所望の導電性を確保するには、透明導電膜層を非常に厚く印刷する必要があり印刷の難易度が高くなる上に、乾燥時にパターンが維持し難くなる。また、１０質量％を超えると所望の透明度を確保するには、非常に薄く印刷する必要があり、この場合も印刷が難しくなる。
【００５９】
更に、この金属ナノワイヤおよび／または金属ナノチューブに加える室温で流動性を有さない熱硬化性または熱可塑性のバインダー樹脂の配合量としては、使用する樹脂によっても最適配合量は異なるが、一般に金属ナノワイヤおよび／または金属ナノチューブ１００質量部に対して、１００質量部から２５００質量部、より好ましくは１５０質量部〜２０００質量部の量である。バインダー樹脂が１００質量部以下であると表面平滑性が低くなる。また、２５００質量部を超えるとパルス光の照射によっても表面抵抗を下げることが出来なくなる。
【００６０】
本実施形態に適用される導電性インクは、その性質を損なわない範囲で、上記成分（金属ナノワイヤ、金属ナノチューブ、バインダー樹脂）以外の任意成分、例えば基材との濡れ性を改善する湿潤分散剤、表面調整剤、消泡剤、チクソ剤、レベリング剤、腐食防止剤、密着促進剤、界面活性剤、レオロジーコントロール剤等を含んでいてもよい。
【００６１】
湿潤分散剤としてはＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）−１０６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）−１０８（ビックケミー・ジャパン（株）製）、表面調整剤としてはＢＹＫ（登録商標）−３００、ＢＹＫ（登録商標）−３０６（ビックケミー・ジャパン（株）製）、消泡剤としてはＢＹＫ（登録商標）−０５１、ＢＹＫ（登録商標）−０５４（ビックケミー・ジャパン（株）製）、チクソ剤としてはＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）３８０、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）Ｒ１０６、ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標）Ｒ−８１２（日本アエロジル（株）製）、レベリング剤としてはＢＹＫＥＴＯＬ（登録商標）−ＯＫ（ビックケミー・ジャパン（株）製）、腐食防止剤としてはベンゾトリアゾール等、密着促進剤としては２−ヒドロキシメチルセルロース等、界面活性剤としては商品名Ｆ―４７２ＳＦ（ＤＩＣ（株）製）、レオロジーコントロール剤としてはＢＹＫ（登録商標）−４０５、ＢＹＫ（登録商標）−４１０、ＢＹＫ（登録商標）−３１１（ビックケミー・ジャパン（株）製）等が挙げられる。
【００６２】
本実施形態にかかる導電性インクは、上述した成分を、公知の方法で攪拌、混合、加熱、冷却、溶解、分散等を適宜選択して行うことによって製造できる。
【００６３】
本実施形態にかかる導電性インクの好ましい粘度は、印刷方法によって異なるが、グラビア印刷の場合には、２５℃における粘度が５０〜１００００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、より好ましくは３００〜５０００ｍＰａ・ｓである。スクリーン印刷の場合には、２５℃における粘度が１００〜２×１０５ｍＰａ・ｓであることが好ましく、より好ましくは１×１０３〜５×１０４ｍＰａ・ｓである。なお、粘度は回転粘度計を用いて測定した値である。後述の実施例、比較例ではブルックフィールド社  ＨＢＤＶ−ＩＩ＋Ｐｒｏ  （プレート型式  ＣＰ−４０（低粘度の時  ２６〜８７，２００ｍＰａ・ｓ）またはＣＰ−５２（高粘度の時８００〜２，６２０，０００ｍＰａ・ｓ））を使用した。
【００６４】
このようにして調製した導電性インクを使用して、ダイコーター、グラビアコーターによる塗布や、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷等により接着層１２上に所望の形状のパターン印刷を行う。
【００６５】
導電性インクの塗布量は、用途により求められる導電層１６の厚さを勘案して決定される。導電層１６の厚さは、導電性インクの塗布量および塗布方法の条件を調整することにより調整することができる。好ましい厚みは６０ｎｍ〜３μｍである。
【００６６】
印刷（塗布）した導電性インクは、必要に応じて塗布物を加熱処理して乾燥させる。加熱温度は、分散媒を構成する液状成分によっても異なるが、乾燥温度が高すぎると形成したパターンを保持できないことがある。そのため、乾燥温度は高くとも１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下である。特に最初の乾燥温度は重要であるので、４０〜８０℃程度から乾燥を開始し必要に応じて段階的に１２０℃を超えない範囲で昇温することが特に好ましい。
【００６７】
導電層１６の表面抵抗、全光線透過率およびヘーズ値は、その膜厚を調整、すなわち使用する導電性インクの組成、塗布量および塗布方法等を適宜選択することにより、所望の値とすることができる。
【００６８】
一般に膜厚が厚いほど、表面抵抗および全光線透過率は低くなる。また、導電性インク中の金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブの濃度が高いほど、表面抵抗および全光線透過率は低くなり、ヘーズも高くなる。
【００６９】
上述したように、導電性インクにより形成した、導電予備層１４にはパルス光を照射して導電層１６に変換するが、本明細書中において「パルス光」とは、光照射期間（照射時間）が短時間の光であり、光照射を複数回繰り返す場合は図２に示すように、第一の光照射期間（ｏｎ）と第二の光照射期間（ｏｎ）との間に光が照射されない期間（照射間隔（ｏｆｆ））を有する光照射を意味する。図２ではパルス光の光強度が一定であるように示しているが、１回の光照射期間（ｏｎ）内で光強度が変化してもよい。上記パルス光は、キセノンフラッシュランプ等のフラッシュランプを備える光源から照射される。このような光源を使用して、上記導電予備層１４の金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブにパルス光を照射する。ｎ回繰り返し照射する場合は、図２における１サイクル（ｏｎ＋ｏｆｆ）をｎ回反復する。なお、繰り返し照射する場合には、次パルス光照射を行う際に、支持フィルム１０を室温付近まで冷却できるようにするため支持フィルム１０側から冷却することが好ましい。
【００７０】
また、上記パルス光としては、１ｐｍ〜１ｍの波長範囲の電磁波を使用することができ、好ましくは１０ｎｍ〜１０００μｍの波長範囲の電磁波（遠紫外から遠赤外まで）、さらに好ましくは１００ｎｍ〜２０００ｎｍの波長範囲の電磁波を使用することができる。このような電磁波の例としては、ガンマ線、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線等が挙げられる。なお、熱エネルギーへの変換を考えた場合には、あまりに波長が短い場合には、パターン印刷を行う支持フィルム１０（樹脂基板）、接着層１２等へのダメージが大きく好ましくない。また、波長が長すぎる場合には効率的に吸収して発熱することが出来ないので好ましくない。従って、波長の範囲としては、前述の波長の中でも特に紫外から赤外の範囲が好ましく、より好ましくは１００〜２０００ｎｍの範囲の波長である。
【００７１】
パルス光の１回の照射時間（ｏｎ）は、光強度にもよるが、２０マイクロ秒〜５０ミリ秒の範囲が好ましい。２０マイクロ秒よりも短いと金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブの焼結が進まず、導電層１６の性能向上の効果が低くなる。また、５０ミリ秒よりも長いと光劣化、熱劣化により支持フィルム１０、接着層１２等へ悪影響を及ぼすことがあり、また金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブが吹き飛びやすくなる。より好ましくは４０マイクロ秒〜１０ミリ秒である。上記理由により、本実施形態では連続光ではなくパルス光を用いる。パルス光の照射は単発で実施しても効果はあるが、上記の通り繰り返し実施することもできる。繰返し実施する場合照射間隔（ｏｆｆ）は２０マイクロ秒〜５秒、より好ましくは２ミリ秒〜２秒の範囲とすることが好ましい。２０マイクロ秒よりも短いと、連続光に近くになってしまい、一回の照射後に放冷される間も無く照射されるので、支持フィルム１０、接着層１２等が加熱され温度が高くなって劣化する可能性がある。また、５秒よりも長いとプロセス時間が長くなるので好ましくない。
【００７２】
本実施形態にかかる導電パターンを製造する場合は、上述したように導電予備層１４にキセノン式のパルス式照射ランプ等を用いて、パルス幅（ｏｎ）が２０マイクロ秒〜５０ミリ秒、より好ましくは４０マイクロ秒〜１０ミリ秒であるパルス光を照射して金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブ相互の外周交差部を接合する。ここで、接合とは、ナノワイヤまたはナノチューブの材料（金属）がパルス光を吸収し、内部発熱が起こり交差部分が融着してより強固に接続されることであり、このために表面抵抗が下がるものと思われる。この接合により、交差部分でのナノワイヤ間の接続面積が増え表面抵抗を下げることができる。このように、パルス光を照射して金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブの交点を接合することにより、金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブが網目状となった導電層１６が形成される。このため、導電パターンの導電性を向上できる。なお、金属ナノワイヤ及び／または金属ナノチューブが形成する網目は、間隔を空けずに密集している状態では好ましくない。間隔を空けないと光の透過率が低下するからである。
【００７３】
上記のようにして得られた導電層１６は、表面抵抗率の値が５〜１０００Ω／□であり、かつ全光線透過率が８０％以上であることが好ましく、表面抵抗率の値が１０〜２００Ω／□であり、かつ全光線透過率が９０％以上であることがより好ましい。
【００７４】
また、パルス光照射後は、導電層１６の上部に保護層１８として保護フィルムを貼付し導電層１６を保護することもできる。これにより、導電層１６が酸化や硫化による影響を受けたり、傷や異物の付着等を防止できる。保護フィルムとしては、化学的および熱的に安定で、導電層１６との剥離が容易であるものが望ましい。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリビニルアルコール等の薄いシート状のもので表面の平滑性が高いものが好ましい。剥離性を付与するために表面に離型処理をしたものも含まれる。保護フィルムの厚みとしては、あまりに薄いとハンドリングが難しい上に保護効果も十分に発揮できなくなるし、あまりに厚いとコスト的に不利になるので、５〜５００μｍ、より好ましくは１０〜１８８μｍが望ましい。なお、導電層の上部に保護フィルムを貼付した後にパルス光を照射することもできる。
【実施例】
【００７５】
以下、本発明の実施例を具体的に説明する。なお、以下の実施例は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
＜銀ナノワイヤの作製＞【００７６】
ポリＮ−ビニルピロリドンＫ−９０（（株）日本触媒社製）（０．０４９ｇ）、ＡｇＮＯ３（０．０５２ｇ）およびＦｅＣｌ３（０．０４ｍｇ）を、エチレングリコール（１２．５ｍｌに溶解し、１５０℃で１時間加熱反応した。得られた析出物を遠心分離により単離し、析出物を乾燥して目的の銀ナノワイヤを得た。図３（ａ）、（ｂ）に、得られた銀ナノワイヤのＳＥＭ像を示す。使用したＳＥＭは、日立ハイテク株式会社製  ＦＥ−ＳＥＭ  Ｓ−５２００である。【００７７】
図３（ａ）、（ｂ）からわかるように、銀ナノワイヤは線状であり、その線状のワイヤの直径は約７０ｎｍ、長さは１０〜２０μｍ程度であり、線状に成長しているものが全体の約９５％以上を占めた。なお、残りは粒状であった。【００７８】
上記エチレングリコール、ポリＮ−ビニルピロリドンＫ−９０、ＡｇＮＯ３、ＦｅＣｌ３は和光純薬工業株式会社製である。【００７９】
また、銀ナノワイヤの長さおよび直径は、ＳＥＭとＴＥＭで測定した。なお、使用したＴＥＭは日本電子株式会社製ＴＥＭ；ＪＥＯＬ，ＪＥＭ−２１００透過電子顕微鏡である。【００８０】
実施例１．  転写用フィルムの作製
支持フィルムとして、シリコーンコート離型ＰＥＴフィルム（パナック株式会社製、ＳＰ−ＰＥＴ−１００−０１ＢＵ、剥離層付１００μｍのＰＥＴフィルム、剥離層の内容非開示）を用い、この表面に接着層として、ポリマーＡ層を形成した。ポリマーＡ層は、エスレックＫＳ−３（積水化学製ポリアセタール樹脂）を酢酸エチルに溶解（約１０質量％）した溶液を、１０μｍ厚になるようにバーコーターでシリコーンコート離型ＰＥＴフィルム上に塗布した後８０℃で１時間乾燥することにより形成した。続いてポリマーＡ層上に銀ナノワイヤを含む導電性インクを塗布、乾燥することにより導電予備層を形成した。導電性インクは、ポリＮ−ビニルピロリドンＫ−３０を１質量％になるようにイソプロパノールに溶解させた溶液に銀ナノワイヤ含有量が０．１質量％となるように調製したものを使用した。この導電性インクをガラス棒を用いて前記接着層の上に塗布した後８０℃で１時間かけて乾燥することにより導電予備層を形成した。この導電予備層にＮｏｖａＣｅｎｔｒｉｘ社製のキセノン照射装置Ｐｕｌｓｅ  Ｆｏｒｇｅ３３００を使用し、パルス光照射を行うことにより導電予備層を導電層とした。なお、パルス光の照射条件は、光源の駆動電圧６００Ｖ、照射時間６０μｓｅｃで１回照射した。表面抵抗率は８０Ω／□であった。表面抵抗値は、三菱化学株式会社製ＬＯＲＥＳＴＡ−ＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０  ４探針法表面抵抗率、体積抵抗率測定装置を使用して測定した。最後に導電層上に保護フィルム（保護層）としてシリコーンコート離型ＰＥＴフィルムをシリコーンコート面が導電層と対向するように積層し、保護フィルムの上からガラス棒を転がし積層することにより、銀ナノワイヤ転写用フィルムを得た。【００８１】
実施例２．  導電パターン形成方法
実施例１で得られた転写用フィルムを５ｃｍ角に切り出し、支持フィルムをはがした後露出させた接着層がガラス基板に対向するように積層し、その上からガラス棒を端からフィルム上を転がすことによってガラス基板上に接着層を介して導電層（ベタパターン）を転写した。転写後、保護フィルムを剥離し導電層の表面抵抗率値を測定した結果、表面抵抗率は転写前の転写用フィルムの導電膜の表面抵抗率がそのまま維持されていることを確認した。【００８２】
実施例３．
支持フィルムとして、シリコーンコート離型ＰＥＴフィルム（パナック株式会社製、ＳＰ−ＰＥＴ−１００−０１ＢＵ、剥離層付１００μｍのＰＥＴフィルム、剥離層の内容非開示）を用い、この表面に接着層として、ポリマーＡ層を形成した。ポリマーＡ層は、エスレックＫＳ−３（積水化学製ポリアセタール樹脂）を酢酸エチルに溶解（約１０質量％）した溶液を、１０μｍ厚になるようにバーコーターでシリコーンコート離型ＰＥＴフィルム上に塗布した後８０℃で１時間乾燥することにより形成した。続いてポリマーＡ層上に銀ナノワイヤを含む導電性インクを塗布、乾燥することにより導電予備層を形成した。導電性インクは、ポリＮ−ビニルピロリドンＫ−３０を１質量％になるようにイソプロパノールに溶解させた溶液に銀ナノワイヤ含有量が０．１質量％となるように調製したものを使用した。この導電性インクをガラス棒を用いて前記接着層の上に塗布した後８０℃で１時間かけて乾燥することにより導電予備層を形成した。【００８３】
この転写用フィルム２２を１３ｃｍ×６ｃｍに切り出した。このあと、２ｃｍ×８ｃｍ×３ｍｍ厚のステンレス板２４を２枚、図４に示したように重ね、ＮｏｖａＣｅｎｔｒｉｘ社製のキセノン照射装置Ｐｕｌｓｅ  Ｆｏｒｇｅ３３００を使用し、パルス光照射を行った。なお、パルス光の照射条件は、光源の駆動電圧６００Ｖ、照射時間６０μｓｅｃで１回照射した。Ａｇナノワイヤ層の表面抵抗率を実施例２同様に測定したところ、ステンレス板２４でマスクしたところは、導電性が発現しておらず、光照射されたところは、表面抵抗率が８０Ω／□であることを確認した。その後、実施例１と同様に保護フィルムを導電層上に貼付し、支持フィルムをはがした後実施例２同様にガラス基板上に接着層を介して上記転写用フィルム２２を貼付することにより導電パターンをガラス基板に転写した。転写後、保護フィルムを再剥離し導電層の表面抵抗率を測定した結果、絶縁部分であったところはそのまま、表面抵抗率が８０Ω／□であったところはそれが維持されていることを確認した。
【符号の説明】
【００８４】
１０  支持フィルム、１２  接着層、１４  導電予備層、１６  導電層、１８  保護層、２０  基板、２２  転写用フィルム、２４  ステンレス板、２６  カラーフィルタ基板、２８  アレイ基板、３０  液晶相、３２  ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３４  オンセル型タッチパネル用透明電極、３６，３８  偏光板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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