【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面取りが施されていないエッジを有するＧａＮウエハと、
前記ＧａＮウエハの主面上に設けられたＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ（０．０２≦Ｘ１≦０．１、０≦Ｘ２＜１、０＜Ｘ１＋Ｘ２＜１）緩衝層と、
前記ＧａＮウエハの前記主面上に設けられた活性層と
を備え、
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層の厚さは３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層は前記ＧａＮウエハと前記活性層との間に設けられている、ことを特徴とするエピタキシャルウエハ。
【請求項２】
前記ＧａＮウエハの前記主面の前記法線は、前記ＧａＮウエハのｍ軸及びａ軸によって規定される平面に沿う方向を向いている、ことを特徴とする請求項１に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項３】
前記主面はＧａＮの半極性面である、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項４】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層のインジウム組成は０．０２以上であり、前記インジウム組成は０．１以下である、ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項５】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層はＩｎＧａＮである、ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項６】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層のアルミニウム組成は０より大きく、前記アルミニウム組成は０．２以下である、ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項７】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層は前記ＧａＮウエハの前記主面に成長されている、ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項８】
前記ＧａＮウエハと前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層との間に設けられたＧａＮ層を更に備え、
前記ＧａＮ層は前記ＧａＮウエハの前記主面に成長されている、ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項９】
前記ＧａＮウエハの厚みは３５０マイクロメートル未満である、ことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項１０】
前記ＧａＮウエハのエッジ上の２点間の距離の最大値は４５ミリメートル以上である、ことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項１１】
前記ＧａＮウエハのｃ軸の方向に延びる軸と前記ＧａＮウエハの前記主面の法線との成す角度θは、ゼロ度以上であり、９０度以下である、ことを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項１２】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層にはｎ型ドーパントが添加されている、ことを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項１３】
前記ＧａＮウエハは１×１０７ｃｍ−２以下の貫通転位密度を有する窒化ガリウム領域を含む、ことを特徴とする請求項１２に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項１４】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層上に設けられたｐ型窒化ガリウム系半導体層と、
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層上に設けられたｎ型窒化ガリウム系半導体層と
を更に備え、
前記活性層が、前記ｐ型窒化ガリウム系半導体層と前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ、量子井戸構造のための窒化ガリウム系半導体多層膜を含んでおり、
前記窒化ガリウム系半導体多層膜からのフォトルミネッセンススペクトルのピーク波長は４００ｎｍ以上であり、前記ピーク波長は５５０ｎｍ以下である、ことを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載されたエピタキシャルウエハ。
【請求項１５】
エピタキシャルウエハを作製する方法であって、
面取りが施されていないＧａＮウエハを準備する工程と、
前記ＧａＮウエハをウエハ把持ツールを用いて反応炉に配置した後に、前記反応炉において前記ＧａＮウエハの主面上にＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ（０．０２≦Ｘ１≦０．１、０≦Ｘ２＜１、０＜Ｘ１＋Ｘ２＜１）緩衝層を成長する工程と、
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層上に活性層を成長する工程と、
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層及び前記活性層の成長の後に、前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層及び前記活性層を含むエピタキシャルウエハをウエハ把持ツールを用いて前記反応炉から取り出す工程とを備え、
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層の厚さは３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記ＧａＮウエハの前記主面の前記法線は、前記ＧａＮウエハのｍ軸及びａ軸によって規定される平面に沿う方向を向いている、ことを特徴とする請求項１５に記載された方法。
【請求項１７】
前記主面はＧａＮの半極性面である、ことを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載された方法。
【請求項１８】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層はＩｎＧａＮである、ことを特徴とする請求項１５〜請求項１７のいずれか一項に記載された方法。
【請求項１９】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層のアルミニウム組成は、０より大きく、前記アルミニウム組成は０．２以下である、ことを特徴とする請求項１５に記載された方法。
【請求項２０】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層は前記ＧａＮウエハの前記主面上とヘテロ接合を成す、ことを特徴とする請求項１５〜請求項１９のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２１】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層の成長に先立って、前記ＧａＮウエハ上にＧａＮ層を成長する工程を更に備え、
前記ＧａＮ層は前記ＧａＮウエハの前記主面とホモ接合を成し、前記ＧａＮ層はＩｎＡｌＧａＮ層にヘテロ接合を成す、ことを特徴とする請求項１５〜請求項１９のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２２】
前記ＧａＮウエハの厚みは３５０マイクロメートル未満である、ことを特徴とする請求項１５〜請求項２１のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２３】
前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層にはｎ型ドーパントが添加されている、ことを特徴とする請求項１５〜請求項２２のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２４】
前記ＧａＮウエハを前記反応炉から取り出す前に、前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層上にｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長する工程と、
前記ＧａＮウエハを前記反応炉から取り出す前に、前記ＩｎＸ１ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層上にｐ型窒化ガリウム系半導体層を成長する工程とを更に備え、
前記活性層が、前記ｐ型窒化ガリウム系半導体層と前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ、量子井戸構造のための窒化ガリウム系半導体多層膜を含んでおり、
前記窒化ガリウム系半導体多層膜のフォトルミネッセンススペクトルにおけるピーク波長は４００ｎｍ以上であり、前記ピーク波長は５５０ｎｍ以下である、ことを特徴とする請求項１５〜請求項２３のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２５】
前記ＧａＮウエハのエッジ上の２点間の距離の最大値は４５ミリメートル以上である、ことを特徴とする請求項１５〜請求項２４のいずれか一項に記載された方法。