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　特願２００４−　３４７０６「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月１３日出願公開、特開２００４−１４０４１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年７月２２日に出願した特願平９−１９５８４９号の一部を平成１６年２月１２日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年２月２１日付けで手続補正がなされ、同年３月１０日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年４月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２０年２月２１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜上に、３００ｎｍの厚さを有する第１の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜に第１の開口部を形成することによって、前記第１の導電膜からなる第１のパターンを形成する工程と、
　前記第１の開口部における前記第１のパターンの側壁に第２の導電膜を形成することによって前記第２の導電膜からなる第２のパターンを形成する工程と、
　前記第１及び前記第２のパターンをマスクとして、前記絶縁膜内に第２の開口部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願日前である平成４年６月１日に頒布された刊行物である特開平４−１５８５１５号公報（以下「引用刊行物」という。）には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において、特に強調する点に付与したものである。以下同様。）
　
「〔概要〕
　ＤＲＡＭ等の高密度集積半導体装置における微細なコンタクトホールを形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、
　例えば、ワード線と低抵抗の配線の間の接続部分に適用することによって、ワード線の間隔を狭くする場合に用いられる、フォトリソグラフィー技術を超えて微細なコンタクトホールを形成する手段を提供することを目的とし、
　半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の上に第１の膜を形成する工程と、該第１の膜に第１の開口を形成する工程と、該第１の開口の側壁に第２の膜を形成して第１の開口より第２の膜の厚さだけ小さい第２の開口を形成する工程と、該第２の開口を通して該絶縁膜を選択的に除去してコンタクトホールを形成する工程と、該第１の膜と第２の膜を除去する工程と、該コンタクトホールの内部を含む該絶縁膜の表面に導電膜を形成する工程とを含むように構成した。」（第２頁左下欄第１０行〜同頁右下欄第８行）
「〔実施例〕
　以下、本発明の半導体装置の製造方法のいくつかの実施例を説明する。
（１）第１実施例
　第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の半導体装置の製造方法の第１実施例の製造工程図である。
　この図において、１は半導体基板、２は多結晶シリコン膜、３はＢＰＳＧ膜、４は多結晶シリコン膜、５はフォトレジスト膜、６は第１の開口、７は多結晶シリコン膜、８はサイドウォール、９は第２の開口、１０はコンタクトホール、１１はフォトレジスト膜、１２はＡｌまたはＡｌ合金膜である。
　この第１の実施例の主な工程を図面にそって説明する。
第１工程（第１図（ａ）参照）
　半導体記憶装置の記憶セルアレイを完成した後
半導体基板１上の多結晶シリコン膜２によって形成されたワード線の上に、ＣＶＤ法によってＢＰＳＧ膜３を０．５μｍ成長し、８５０℃のｗｅｔ雰囲気中で１０分間熱処理し、ＢＰＳＧ膜３をリフローして上面を平坦化する。
　次いで、ＣＶＤ法により、多結晶シリコン膜４を１０００Å成長し、フォトレジスト膜５を塗布し、通常のリソグラフィー技術により、ホールパターンのエッチングレジストを形成する。　
　このエッチングレジストをマスクとして、
多結晶シリコン膜４をＣＣｌ
４
／Ｏ
２
ＲＩＥにより選択的に除去して０．５μｍ径の第１の開口６を形成する。
第２工程（第１図（ｂ）参照）
　次いで、
前工程によって形成した第１の開口６を含む上面にＣＶＤ法により、多結晶シリコン膜７を１５００Å成長する。
第３工程（第１図（ｃ）参照）
　
上記多結晶シリコン膜７を、ＣＣｌ
４
／Ｏ
２
ＲＩＥにより、垂直エッチングし、第１の開口６の側壁に、多結晶シリコン膜４のサイドウォール８を形成する。
　その結果得られる第２の開口９は、サイドウォール８の厚さだけ縮小されて、約０．２μｍ径となる。
第４工程（第１図（ｄ）参照）
　
多結晶シリコン膜４とサイドウォール８をマスクとして、ＣＨＦ
３
／ＨｅＲＩＥ法により、ＢＰＳＧ膜を選択的に除去して、ワード線である多結晶シリコン膜２の表面を露出するコンタクトホール１０を形成する。
第５工程（第１図（ｅ）参照）
  ついで、コンタクトホール１０を含む全面にフォトレジスト膜１１を形成する。
第６工程（第１図（ｆ）参照）
　フォトレジスト膜１１の全面を露光して現像すると、コンタクトホール１０の底部に入射する光量が少ないため、この部分にフォトレジスト１１が残る。
第７工程（第１図（ｇ）参照）
　前記コンタクトホール１０の底面上に残ったフォトレジスト１１（エッチングレジスト）によって多結晶シリコン膜２を保護した状態で、ＣＦ４／Ｏ２プラズマ中でドライエッチングして多結晶シリコン膜４とサイドウォール８を等方的に除去する。
　その後、Ｏ２プラズマ中でフォトレジスト１１を除去する。
第８工程（第１図（ｈ）参照）
　その後、コンタクトホール１０を含む上面にＡｌまたはＡｌ合金膜１２をスパッタリングによって形成し、これをエッチングして所定のパターンを形成する。
　この多結晶シリコン膜のワード線２とＡｌ合金膜１２の配線がコンタクトホール１０を通して接続される。
　この場合、コンタクトホール１０の大きさは通常のフォトリソグラフィー技術による限界を超えて微細化されるから、この接触部分が特に大きくなることはなく、ワード線の間隔を広く開ける必要がなくなる。
　この実施例においては、絶縁膜３としてＢＰＳＧを使用したが、ＰＳＧ膜とＳｉＯ２膜の積層体を使用することもできる。」
（第３頁右下欄第７行〜第４頁右下欄第７行）
　
（３−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体基板１上の多結晶シリコン膜２によって形成されたワード線の上にＢＰＳＧ膜３を成長し、前記ＢＰＳＧ膜３の上面を平坦化し、
多結晶シリコン膜４を１０００Å成長し、
前記多結晶シリコン膜４を選択的に除去して０．５μｍ径の第１の開口６を形成し、
前記第１の開口６を含む上面に、前記多結晶シリコン膜７を１５００Å成長し、
上記多結晶シリコン膜７をＲＩＥにより垂直エッチングし、第１の開口６の側壁に多結晶シリコン膜４のサイドウォール８を形成し、
前記多結晶シリコン膜４と前記サイドウォール８をマスクとして、ＲＩＥ法により、前記ＢＰＳＧ膜を選択的に除去して、コンタクトホール１０を形成することからなる、コンタクトホールを形成する工程。」
　
４．対比
（４−１）刊行物発明の「半導体基板１」及び「ＢＰＳＧ膜３」は、各々本願発明の「半導体基板」及び「絶縁膜」に相当する。
　
（４−２）引用刊行物には、「多結晶シリコン膜４」及び「多結晶シリコン７」に不純物がドーピングされているのかどうか、すなわち、「多結晶シリコン膜４」及び「多結晶シリコン７」が導電性を有するのかどうかについて記載されていない。しかしながら、たとえ不純物を含まない場合であっても、多少なりとも導電性を有しているものと認められる。
　実際、本願明細書には、本願発明である【請求項１】を引用する【請求項４】に、「前記第１及び前記第２の導電膜としてノンドープのポリシリコン膜を用いる」と記載されており、また、本願発明に係る「第１の実施例」として、「【００１４】　＜実施例１＞　・・・図１（ａ）に示すように、・・・ノンドープの第１ポリシリコン膜１３を順に堆積させる。この第１ポリシリコン膜１３は、
ノンドープなので、ドープされたポリシリコンよりも導電性が低い
不純物がドープされたポリシリコンよりも導電性の低いノンドープのポリシリコン膜
ノンドープの第１ポリシリコン膜３３
ノンドープの第２ポリシリコン膜３５
　したがって、刊行物発明の「多結晶シリコン膜４」及び「多結晶シリコン７」は、各々本願発明の「第１の導電膜」及び「第２の導電膜」に相当する。
　
（４−３）刊行物発明の「第１の開口６」は、本願発明の「第１の開口部」に相当する。
　そして、刊行物発明において、「多結晶シリコン膜４を選択的に除去して」「第１の開口６を形成」することにより、「多結晶シリコン４」からなるパターンが形成されることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「前記多結晶シリコン膜４を選択的に除去して０．５μｍ径の第１の開口６を形成」する工程は、本願発明の「前記第１の導電膜に第１の開口部を形成することによって、前記第１の導電膜からなる第１のパターンを形成する工程」に相当する。
　
（４−４）刊行物発明において、「第１の開口６を含む上面に、」「多結晶シリコン膜７を」「成長し、上記多結晶シリコン膜７をＲＩＥにより垂直エッチングし、第１の開口６の側壁に多結晶シリコン膜４のサイドウォール８を形成」することにより、「多結晶シリコン７」からなる「パターン」が形成されることは明らかである。
　したがって、、刊行物発明の「前記第１の開口６を含む上面に、前記多結晶シリコン膜７を１５００Å成長し、上記多結晶シリコン膜７をＲＩＥにより垂直エッチングし、第１の開口６の側壁に多結晶シリコン膜４のサイドウォール８を形成」する工程は、本願発明の「前記第１の開口部における前記第１のパターンの側壁に第２の導電膜を形成することによって前記第２の導電膜からなる第２のパターンを形成する工程」に相当する。
　
（４−５）刊行物発明の「コンタクトホール１０」は、本願発明の「第２の開口部」に相当する。したがって、上記（４−３）及び（４−４）を勘案すると、刊行物発明の「前記多結晶シリコン膜４と前記サイドウォール８をマスクとして、ＲＩＥ法により、前記ＢＰＳＧ膜を選択的に除去して、コンタクトホール１０を形成する」工程は、本願発明の「前記第１及び前記第２のパターンをマスクとして、前記絶縁膜内に第２の開口部を形成する工程」に相当する。
　
（４−６）刊行物発明の「コンタクトホールを形成する工程」は、本願発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　
（４−７）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜上に、第１の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜に第１の開口部を形成することによって、前記第１の導電膜からなる第１のパターンを形成する工程と、
　前記第１の開口部における前記第１のパターンの側壁に第２の導電膜を形成することによって前記第２の導電膜からなる第２のパターンを形成する工程と、
　前記第１及び前記第２のパターンをマスクとして、前記絶縁膜内に第２の開口部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、「半導体基板上に絶縁膜を形成」しているのに対して、刊行物発明では、「半導体基板１上の多結晶シリコン膜２によって形成されたワード線の上にＢＰＳＧ膜３を成長し」ている点。
　
（相違点２）本願発明では、「３００ｎｍの厚さを有する第１の導電膜を形成」しているのに対して、刊行物発明では、「多結晶シリコン膜４を１０００Å成長し」ている点。
　
５．判断
（５−１）相違点１について
　引用刊行物には、「〔概要〕　
ＤＲＡＭ等の高密度集積半導体装置
例えば、ワード線と低抵抗の配線の間の接続部分に適用することによって、
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と
　したがって、刊行物発明において、「半導体基板１上」「にＢＰＳＧ膜３を成長」することにより、本願発明のように、「半導体基板上に絶縁膜を形成する」ことは、当業者が容易になし得たものである。
　よって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点２について
　一般に、絶縁膜にコンタクトホールを形成する際のエッチングマスクの厚さをどの程度にするかということは、エッチングガスの種類、温度、圧力、エネルギー強度等のエッチング条件及びエッチングマスクの材質等に応じて、当業者が設定し得る、設計的事項であると認められるから、刊行物発明において、条件に応じて、「多結晶シリコン膜４」の厚さを「１０００Å」、すなわち「１００ｎｍ」から増減させることは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、本願の明細書及び図面を精査しても、エッチングガスの種類、温度、圧力、エネルギー強度等のエッチング条件及びエッチングマスクの材質等の諸条件がなんら定められていない本願発明において、エッチングマスクとなる「第１の導電膜」の「厚さ」を「３００ｎｍ」とすることの臨界的意義は見い出せない。
　したがって、刊行物発明において、「多結晶シリコン膜４を」３００ｎｍ「成長」することにより、本願発明のように、「３００ｎｍの厚さを有する第１の導電膜を形成」することは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことと認められる。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　なお、請求人は、平成２０年４月１４日付け審判請求書において、
「（３）本願発明が特許されるべき理由 
 （３−１）請求項１に係る本願発明と引用文献１に記載された発明との対比 
 　請求項１に係る本願発明の特徴は、「３００ｎｍの厚さの第１の導電膜を用いて、絶縁膜内に第２の開口部を形成する」という構成にあります。ここで、例えば本願の実施例２に記載されていますように、５００ｎｍ〜１５００ｎｍの厚さを有する絶縁膜内に口径が１００ｎｍのコンタクトホール（アスペクト比が５〜１５であるコンタクトホール）、つまり、微細で、かつ、アスペクト比の大きなコンタクトホールを絶縁膜内に形成することを考えますと、請求項１に係る本願発明では、３００ｎｍの厚さの第１の導電膜によって、第１及び第２のパターンで構成されるマスクがエッチングされることによって薄くなり過ぎてしまうことを抑制できるだけでなく、そのマスクの第２の導電膜にエッチングイオンが衝突してしまう確率を低減しながら、絶縁膜内に高アスペクト比のコンタクトホールを確実に形成することも可能となります。このように、本願発明は、数多くの選択肢が存在する第１の第１の導電膜の厚さの値の中から、敢えて３００ｎｍという値を選択することによって上述のような効果を奏するものです。・・・」と主張している。
　しかしながら、本願発明では、「コンタクトホール」の「口径」、「アスペクト比」については、何ら特定されておらず、また、上述のように、エッチング条件及びエッチングマスクの材質を特定していない本願発明において、「数多くの選択肢が存在する第１の第１の導電膜の厚さの値の中から、敢えて３００ｎｍという値を選択することによ」る「効果」を認めることはできず、請求人の上記主張は、首肯できない。
　
（５−３）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。