【事件の表示】
　特願２００６−１５９００６「電力増幅器および通信機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１２日出願公開、特開２００６−２７９９９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９６年９月２５日を国際出願日とする出願である特願平９−５１４１４０号の一部を平成１５年７月２２日に新たな特許出願とした特願２００３−２７７９３３号の一部を平成１８年６月７日（優先権主張平成７年９月２９日、平成８年１月１６日、日本国）にさらに新たな特許出願としたものであって、平成１９年２月５日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年４月９日付けで意見書が提出されたが、同年９月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月３１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年１１月３０日付けで手続補正書及び手続補正書（方式）が提出され、当審において、平成２１年４月３日付けで前置報告書を利用した審尋がなされ、同年６月５日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年１１月３０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１１月３０付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
２−１．補正内容
　平成１９年１１月３０日付けの手続補正（以下、「本件手続補正」という。）の内容は、明細書の段落【００１４】の記載を、
「本発明の電力増幅器は、単極端と２以上の多投端とを有し、第１周波数の信号と該第１の周波数とは異なる第２周波数の信号を切り替えるスイッチと、前記スイッチの多投端の一つに接続された整合回路と、前記スイッチの多投端のうち前記整合回路が接続されたものとは異なる一つに接続された、電界効果トランジスタを備えた第１増幅器と、前記スイッチの単極端に出力側が接続され、前記第１周波数の信号と前記第２周波数の信号とを通す、電界効果トランジスタを備えた第２増幅器と、前記スイッチの多投端が前記整合回路に接続されるのに連動して前記整合回路から出力される前記第１の周波数の信号が所定の出力となるよう前記第２増幅器のゲート電圧またはドレイン電圧を制御するとともに前記第１増幅器が動作しないように前記第１増幅器のゲート電圧またはドレイン電圧を制御し、前記第１のスイッチの多投端が前記第１増幅器に接続されるのに連動して、前記第１増幅器から出力される前記第２の周波数の信号が所定の出力となるよう前記第１増幅器及び前記第２増幅器のゲート電圧またはドレイン電圧を制御する電源制御回路と、前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器および前記第２増幅器の利得を制御する利得制御部と、を備え、そのことにより上記目的が達成される。」
に補正することを含むものである。
　
　上記のように、「本発明の電力増幅器」が「前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器および前記第２増幅器の利得を制御する利得制御部」を備えるものであるとする補正が、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものであるかについて、以下に検討する。
　
２−２．当初明細書等の記載内容
　上記補正は、平成１８年１２月１１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された発明の内容に明細書の段落【００１４】の記載を適合させるものなので、上記請求項１に記載された発明に対応する本願の「実施例２」に関する当初明細書等の記載がどのようなものであったかを以下に摘記すると、次のＡ．のとおりである。
　
Ａ．「【実施例２】
　【０１５４】
  図１４〜１８は、本発明のスイッチ付き電力増幅器の第２の実施例を説明するための図である。このスイッチ付き電力増幅器は４つのスイッチが時間的に同期して切り替わることにより、２種類の周波数、２種類の出力電力の高周波信号を送信する機能を有する。本実施例によれば、一例として下表に示すような周波数ｆ、出力電力Ｐｏｕｔの高周波信号を送信することができる。
　【０１５５】
　　【表４】
　・・・（中略）・・・
　図１４は、本発明のスイッチ付き電力増幅器の第２の実施例の構成図である。
　【０１５６】
　第１の電力増幅器ＰＡ１の入力側には第１の単極２投スイッチＳＷ１と、モード１用の第１の入力整合回路ＰＣ１と、モード２用の第２の入力整合回路ＰＣ２とが接続され、第１の電力増幅器ＰＡ１の出力側には第２の単極２投スイッチＳＷ２と、モード１用の第１の出力整合回路ＰＣ３と、モード２用の第２の電力増幅器ＰＡ２とが接続されている。
　【０１５７】
　第１の電力増幅器ＰＡ１は、第１、第２のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１、ＰＡ１０２と、第１、第２の段間整合回路ＰＣ４、ＰＣ５、第３、第４の単極２投スイッチＳＷ３、ＳＷ４を有する。第２の電力増幅器ＰＡ２は、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ２０１、第３の段間整合回路ＰＡ２０２、第２の出力整合回路ＰＡ２０３を有する。
　【０１５８】
　第１の電力増幅器ＰＡ１と、第２の電力増幅器ＰＡ２をそれぞれ構成する第１、第２のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１、ＰＡ１０２、ＰＡ２０１は、デプレッション型であり、ゲート幅（Ｗｇ）がそれぞれ１ｍｍ、４ｍｍ、３０ｍｍである。Ｗｇが１ｍｍである第１のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１と第１の単極２投スイッチＳＷ１とをＧａＡｓ基板上に一体化（第１のスイッチ付き電力増幅器ＳＷＰＡ１）し、Ｗｇが４ｍｍである第２のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０２と第２の単極２投スイッチＳＷ２とをＧａＡｓ基板上に一体化（第２のスイッチ付き電力増幅器ＳＷＰＡ２）し、それぞれ樹脂モールドパッケージに封止する。Ｗｇが３０ｍｍである第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ２０１は、セラミックパッケージに実装する(セラミックキャリア上に実装され樹脂封止されている)。
　【０１５９】
　第１、第２の単極２投スイッチＳＷ１、ＳＷ２は、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用いた集積回路を用いる。図１５は、スイッチＳＷ１およびＳＷ２の回路図である。ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用いた集積回路は、第１の並列ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ１５１６、第１の直列ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ１５１７、第２の並列ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ１５１８、第２の直列ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ１５１９、第１の抵抗１５２０、第２の抵抗１５２１、第３の抵抗１５２２、第４の抵抗１５２３を有しており、制御電圧ＶＣ１、ＶＣ２を印加することにより、第３の端子１５０３と、第１の端子１５０１、第２の端子１５０２とを切り換える。上記ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのＷｇは１．２ｍｍである。
　【０１６０】
　第３、第４の単極２投スイッチＳＷ３、ＳＷ４はＰＩＮダイオードを用いた回路(樹脂モールドされたＰＩＮダイオードとその周辺回路ＤＣカットのＣ、チョークのＲまたはＬ)、あるいはＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用いた集積回路（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴとその周辺素子を一体化し、樹脂モールドされた回路）を用いる。
　【０１６１】
　図１６は、スイッチ３およびＳＷ４の回路図である。ＰＩＮダイオードを用いた回路は、第１の並列ＰＩＮダイオード１６０４、第１の直列ＰＩＮダイオード１６０５、第２の並列ＰＩＮダイオード１６０６、第２の直列ＰＩＮダイオード１６０７、第１のチョークインダクタ１６０８、第２のチョークインダクタ１６０９、第３のチョークインダクタ１６１０、第１の直流阻止コンデンサ１６１１、第２の直流阻止コンデンサ１６１２、第３の直流阻止コンデンサ１６１３、第１のバイパスコンデンサ１６１４、第２のバイパスコンデンサ１６１５を有しており、制御電圧ＶＣ１、ＶＣ２を印加することにより、第３の端子１６０３と、第１の端子１６０１、第２の端子１６０２とを切り換える。
　【０１６２】
　第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ１０１、ＰＡ１０２、ＰＡ２０１の動作電源電圧はドレイン電圧が約３．５Ｖ、ゲート電圧は負電圧（約−２．０Ｖ〜−約３．０Ｖ）である。第１のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１では利得を重視し、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ１０２、ＰＡ２０１では入出力特性の線形性、デジタル歪特性を重視してＡＢ級（Ｉｄｓｓの約１０％のアイドル電流）で動作させている。第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのＩｄｓｓは、それぞれ約２５０ｍＡ、９００ｍＡ、７．０Ａである。
　【０１６３】
　第１、第２の単極２投スイッチＳＷ１、ＳＷ２は、０．０Ｖ／−４．７Ｖの制御電圧、第３、第４の単極２投スイッチＳＷ３、ＳＷ４は、ＰＩＮダイオードを用いた回路では０Ｖ／１２Ｖの制御電圧、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用いた集積回路では０Ｖ／−４．７Ｖの制御電圧で使用する。
　【０１６４】
　実施例１で説明した整合回路の実現手法に準じて、第１、第２の入力整合回路ＰＣ１、ＰＣ２と、第１、第２、第３の段間整合回路ＰＣ４、ＰＣ５、ＰＡ２０２と、第１、第２の出力整合回路ＰＣ３、ＰＡ２０３とのパラメータを決める。これにより、本実施例のπ／４シフトＤＱＰＳＫ変調方式で必要とされる歪特性が満たされる。各段のレベルダイヤは、入力電力が約０ｄＢｍに対して第１の電力増幅器ＰＡ１の出力電力は約２２．５ｄＢｍ、モード１では第１の出力整合回路ＰＣ３で約０．５ｄＢロスし最終的に２２ｄＢｍ出力、モード２では第２の電力増幅器ＰＡ２により最終的に３１ｄＢｍ出力となる。
　【０１６５】
　上記の各整合回路において、その等価回路は集中定数素子成分の組合せにより表され、第１、第２の入力整合回路ＰＣ１、ＰＣ２と、第３の段間整合回路ＰＡ２０２、第１、第２の出力整合回路ＰＣ３、ＰＡ２０３は、チップ部品のチップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗を用いて実現する。
　【０１６６】
　図１７は、第２の実施例のスイッチ付き電力増幅器の構成図である。上記で説明した本実施例のスイッチ付き電力増幅器１２４の構成要素と、第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ１０１、ＰＡ１０２、ＰＡ２０１へのドレイン電圧／ゲート電圧供給部１２５、１２６、１２７と、第１、第２、第３、第４の単極２投スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４の制御電圧供給部１２８、１２９、１３０、１３１とをプリント基板１３２上に実装している。
　【０１６７】
　Ｖｄｄ１／Ｖｇｇ１、Ｖｄｄ２／Ｖｇｇ２、Ｖｄｄ３／Ｖｇｇ３は第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ１０１、ＰＡ１０２、ＰＡ２０１へ供給されるドレイン電圧／ゲート電圧であり、Ｖｃ１、Ｖｃ２、Ｖｃ３、Ｖｃ４は第１、第２、第３、第４の単極２投スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４へ供給される制御電圧である。
　【０１６８】
　これらドレイン電圧／ゲート電圧供給部１２５、１２６、１２７（電源制御回路）と、第１、第２、第３、第４の単極２投スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４の制御電圧供給部１２８、１２９、１３０、１３１（給電回路）の電源制御は連動するよう構成する。例えば出力選択がＰｏｕｔ１の場合には、ＳＷ１はＰｉｎ１、ＳＷ３、ＳＷ４はＰＣ４、ＳＷ２はＰｏｕｔ１を選択するように給電回路を制御し、使用しないＰＡ２０１は低消費電力化のため動作しないようにドレイン電圧／ゲート電圧供給部１２７を制御する。
　【０１６９】
　上記ドレイン電圧／ゲート電圧供給部は、チョークとしてのチップインダクタとバイパスコンデンサ、あるいは、スイッチ付き電力増幅器を実装するためのプリント基板上のマイクロストリップラインとバイパスコンデンサを用いて構成する。
　【０１７０】
　なお、本実施例のようにモード１、モード２で規定される出力電力が異なる場合や、高周波信号の送受信状況が変化している場合には、出力電力を変えたり、一定に保つ必要がある。このため、送信用の電力増幅器の機能として、一定の出力電力を保持し、安定化させるための利得制御機能は必須であり、アッテネータ、自動利得制御（ＡＧＣ、ＡＬＣ）機能を有する電力増幅器などを組み込み、出力電力モニタをフィードバックして制御する。出力電力のモニタは、コンデンサ結合、あるいは方向性結合器により行う(構成例は実施例１の図５および図６を参照)。」
　
　上記Ａ．の記載において、「本発明の電力増幅器」が「前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器および前記第２増幅器の利得を制御する利得制御部」を備えるものとすることに関連する記載は、上記段落【０１７０】になされているところ、上記段落【０１７０】には、「(構成例は実施例１の図５および図６を参照)。」とあるので、「実施例１」における関連する記載を以下のＢ．に摘記する。
　
Ｂ．「【００９６】
　なお、本実施例のようにモード１とモード２で規定される出力電力が異なる場合や、高周波信号の送受信状況が変化している場合には、出力電力を変えたり、一定に保つ必要がある。このため、送信用の電力増幅器の機能として、一定の出力電力を保持し、安定化させるための利得制御機能は必須であり、アッテネータ、自動利得制御（ＡＧＣ：Auto  Gain  ControlまたはＡＬＣ：Auto  Level  Control）機能を有する電力増幅器などを組み込み、モニタされた出力電力をフィードバックして制御する。出力電力のモニタは、コンデンサ結合、あるいは方向性結合器により行う。
　【００９７】
　図５は、フィードバック制御部を有するスイッチ付き電力増幅器の構成例を示す図である。図５に示すように本実施例の第１の電力増幅器ＰＡ１の入力側に第１のアッテネータ１１７、あるいは本実施例のスイッチ付き電力増幅器１０９の外部入力側に第２のアッテネータ１１８を設け、これらの制御は出力電力をモニタして制御信号を出すフィードバック制御部１１６が行う。
　【００９８】
　アッテネータとしては、チップ抵抗を用いた固定型アッテネータ(π型、Ｔ型アッテネータ)、電子アッテネータでは、アナログ式のＰＩＮダイオード、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴなどを用いたＩＣ、デジタル式の単位アッテネータ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴなどを用いたＩＣ）を直列に接続しそれぞれを電子的に制御するＩＣなどを用いる。「単位アッテネータ」は、１つのＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのドレイン・ソース間のインピーダンスを信号の減衰に用いる素子である。単位アッテネータのゲート電圧を制御すると、減衰量も変化する。単位アッテネータは、例えば約０．５ｄＢ〜約５．０ｄＢの減衰量をもつので、さらに減衰するときは、複数の単位アッテネータを直列に接続すればよい。
　【００９９】
　図６は、フィードバック制御部を有するスイッチ付き電力増幅器の他の構成例を示す図である。図６に示すように出力電力モニタに応じて、本実施例の第１の電力増幅器ＰＡ１、あるいは本実施例のスイッチ付き電力増幅器１０９の外部入力側に設けられる自動利得制御電力増幅器１１９の電源電圧を変更する（例えばドレイン電圧を下げたり、ゲート電圧を絞る）ことにより、利得、出力電力を調整する。」
　
２−３．検討
　上記Ａ．の段落【０１７０】の記載、上記Ｂ．の記載、及び図５，６を参照すると、当初明細書等において、「第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ２０１」を内部構成に含む「第２の電力増幅器ＰＡ２」（「本発明の電力増幅器」における「第１増幅器」に相当するもの）の出力電力をモニタして制御信号を出す「フィードバック制御部１１６」の出力先は、図５のものにおいては、「第１の電力増幅器ＰＡ１」（「本発明の電力増幅器」における「第２増幅器」に相当するもの）の入力側に設けられた「第１のアッテネータ１１７」、あるいは「スイッチ付き電力増幅器１０９」全体構成の外部入力側に設けられた「第２のアッテネータ１１８」となっており、図６のものにおいては、「第１の電力増幅器ＰＡ１」（「本発明の電力増幅器」における「第２増幅器」に相当するもの）、あるいは「スイッチ付き電力増幅器１０９」全体構成の外部入力側に設けられた「自動利得制御電力増幅器１１９」となっている。
　図５のものにおいて、「第１の電力増幅器ＰＡ１」の入力側に設けられた「第１のアッテネータ１１７」までも含めて「本発明の電力増幅器」における「第２増幅器」に相当すると解すれば、フィードバック制御を行って利得制御される対象となる増幅器が「第２増幅器」である例が示されているといえるし、図６のものにおいては、「第１の電力増幅器ＰＡ１」そのものが利得制御される対象となる増幅器となっているので、利得制御される対象となる増幅器がやはり「第２増幅器」である例が示されているといえる。
　しかしながら、図５のものにおける「スイッチ付き電力増幅器１０９」全体構成の外部入力側に設けられた「第２のアッテネータ１１８」、あるいは図６のものにおける「スイッチ付き電力増幅器１０９」全体構成の外部入力側に設けられた「自動利得制御電力増幅器１１９」は、「本発明の電力増幅器」における「第１増幅器」に相当する「第２の電力増幅器ＰＡ２」ではなく、図５，６のものにおいては、フィードバック制御を行って利得制御される対象となる増幅器を「第１増幅器」とする例は示されていない。
　上記Ａ．の段落【０１６２】には、「第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ１０１、ＰＡ１０２、ＰＡ２０１の動作電源電圧はドレイン電圧が約３．５Ｖ、ゲート電圧は負電圧（約−２．０Ｖ〜−約３．０Ｖ）である。第１のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１では利得を重視し、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ１０２、ＰＡ２０１では入出力特性の線形性、デジタル歪特性を重視してＡＢ級（Ｉｄｓｓの約１０％のアイドル電流）で動作させている。第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのＩｄｓｓは、それぞれ約２５０ｍＡ、９００ｍＡ、７．０Ａである。」との記載がなされており、「本発明の電力増幅器」における「第１増幅器」に相当する「第２の電力増幅器ＰＡ２」の内部構成である「第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ２０１」では「入出力特性の線形性、デジタル歪特性を重視してＡＢ級（Ｉｄｓｓの約１０％のアイドル電流）で動作させている。」との記載がなされているが、これは、単に「第２の電力増幅器ＰＡ２」の内部構成である「第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ２０１」の動作級の設定を「ＡＢ級」にするということに止まり、フィードバック制御を行って利得制御される対象となる増幅素子を「第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ２０１」とすることが記載されているわけではない。
　また、上記Ａ．の段落【０１６８】には、「これらドレイン電圧／ゲート電圧供給部１２５、１２６、１２７（電源制御回路）と、第１、第２、第３、第４の単極２投スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４の制御電圧供給部１２８、１２９、１３０、１３１（給電回路）の電源制御は連動するよう構成する。例えば出力選択がＰｏｕｔ１の場合には、ＳＷ１はＰｉｎ１、ＳＷ３、ＳＷ４はＰＣ４、ＳＷ２はＰｏｕｔ１を選択するように給電回路を制御し、使用しないＰＡ２０１は低消費電力化のため動作しないようにドレイン電圧／ゲート電圧供給部１２７を制御する。」との記載がなされており、「本発明の電力増幅器」における「第１増幅器」に相当する「第２の電力増幅器ＰＡ２」の内部構成である「第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ２０１」のドレイン電圧あるいはゲート電圧を制御する旨の記載はなされているが、この記載においても、「ドレイン電圧／ゲート電圧供給部１２５、１２６、１２７（電源制御回路）」と「第１、第２、第３、第４の単極２投スイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４の制御電圧供給部１２８、１２９、１３０、１３１（給電回路）」の電源制御が連動するように動作させることが記載されているに止まり、フィードバック制御を行って利得制御される対象となる増幅素子を「第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ２０１」とすることが記載されているわけではない。
　以上のとおり、上記Ａ．及びＢ．の記載を見ても、「本発明の電力増幅器」が、「第１増幅器の出力側における出力電力を検知」して行うフィードバック制御による利得制御動作として、「第１増幅器」の利得を制御する動作を行っているとは認められない。
　そして、出願当初の明細書又は図面の他のいずれの箇所を見ても、「本発明の電力増幅器」が、上記のようなフィードバック制御による利得制御動作として、「第１増幅器」の利得を制御する動作を行うことは、記載も示唆もされていない事項であり、また、このことは、出願当初の明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであると認められる。
　
　したがって、「本発明の電力増幅器」が「前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、
前記第１増幅器および
　
２−４．請求人の主張について
　請求人が、平成１９年１０月３１日に提出された審判請求書の「請求の理由」を補正した平成１９年１１月３０日付け手続補正書（方式）、及び平成２１年６月５日付けで提出された回答書において主張している点について、以下に検討する。
　
（平成１９年１１月３０日付け手続補正書（方式）における主張）
　平成１９年１１月３０日付け手続補正書（方式）における請求人の主張は、次のようなものである。
　
「３−１．本願発明は、以下を構成要件とするものであります。
　「［請求項１］
　（構成Ａ）〜（構成Ｆ）：（省略）
　（構成Ｇ）前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器および前記第２増幅器の利得を制御する利得制御部と、
　を備える電力増幅器。
　［請求項２］
　（構成Ｈ）前記利得制御部は、アッテネータを含むことを特徴とする請求項１記載の電力増幅器。」
　
　３−２．本願発明が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことの説明
　（１）本願明細書の段落「０１５４」〜「０１７３」および図１４〜１７には、上記請求項１、２の構成要件が記載されています。
　・（構成Ａ）〜（構成Ｆ）について：（省略）
　・（構成Ｇ）および（構成Ｈ）について
　「一定の出力電力を保持し、安定化させるための利得制御機能は必須であり、アッテネータ、自動利得制御（ＡＧＣ、ＡＬＣ）機能を有する電力増幅器などを組み込み、出力電力モニタをフィードバックして制御する。出力電力のモニタは、コンデンサ結合、あるいは方向性結合器により行う。」（段落「０１７０」）。
　（２）：（省略）
　（３）さらに、第１増幅器および第２増幅器の利得を制御する点についての記載がなされていることについて以下に説明いたします。
　本願明細書の段落「０１６２」には、「第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１、ＰＡ１０２、ＰＡ２０１の動作電源電圧はドレイン電圧が約３．５Ｖ、ゲート電圧は負電圧（約−２．０Ｖ〜−約３．０Ｖ）である。第１のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１では利得を重視し、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０２、ＰＡ２０１では入出力特性の線形性、デジタル歪特性を重視してＡＢ級（Ｉｄｓｓの約１０％のアイドル電流）で動作させている。」と記載されています。
　ここで、ＡＢ級で動作させているとは、ドレイン電圧ＶＤをある値（例えば実施例２においてはＶＤ＝３．５Ｖ）に設定したときドレイン電流ＩｄがＩｄｓｓ／２となるようなゲート電圧ＶＧＡと、ドレイン電流Ｉｄがほぼ０になるようなゲート電圧ＶＧＢ（ＶＧＢの値は通常ピンチオフ電圧ＶＰ）との間の電圧（参考図Ａにおける点Ａと点Ｂとの間の線分で示す領域）でもって増幅器を動作させることをいいます。
　本願発明においては、ＶＤ＝３．５Ｖと固定（制御）されており、ＡＢ級（Ｉｄｓｓの約１０％のアイドル電流）で動作させていることから、ＶＧＢの値は参考図Ｂに示すように０．１Ｉｄｓｓの値を与えるＶＧＡＢとなります。
　すなわち、第１増幅器においてＦＥＴのドレイン電圧とゲート電圧とは、０．１Ｉｄｓｓの値を与えるように制御されていることになります。
　また、第２増幅器は利得を重視するとあるところから、第２増幅器を構成するＦＥＴのドレイン電圧とゲート電圧とは当然制御されることになります。
　このように、第１増幅器および第２増幅器の利得を制御する点は本願の出願当初の明細書および図面に記載されていることになります。
　（４）このように、請求項１、２記載の発明は、本願明細書にて支持されており、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものと思料いたします。」
　
　請求人は、上記（３）において、本願明細書の段落「０１６２」の記載を根拠として、「第１増幅器および第２増幅器の利得を制御する点は本願の出願当初の明細書および図面に記載されている」旨の主張をしている。
　しかしながら、上記「２−３．検討」の項で指摘したとおり、本願明細書の段落「０１６２」の記載は、単に「第２の電力増幅器ＰＡ２」の内部構成である「第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ２０１」の動作級の設定を「ＡＢ級」にするということに止まり、フィードバック制御を行って利得制御される対象となる増幅素子を「第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ  ＰＡ２０１」とすることが記載されているわけではない。
　よって、本願明細書の段落「０１６２」の記載を根拠として、「本発明の電力増幅器」が、フィードバック制御による利得制御動作として、「第１増幅器」の利得を制御する動作を行うことが記載されているとすることはできない。
　
（平成２１年６月５日付けで提出された回答書における主張）
　平成２１年６月５日付けで提出された回答書における請求人の主張は、次のようなものである。
　
「３．前置報告書に対する意見 
　（１）：（省略）
　（２）本願明細書の例えば図１４および段落０１６２においては、 
　「第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１、ＰＡ１０２、ＰＡ２０１の動作電源電圧はドレイン電圧が約３．５Ｖ、ゲート電圧は負電圧（約−２．０Ｖ〜−約３．０Ｖ）である。第１のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１では利得を重視し、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０２、ＰＡ２０１では入出力特性の線形性、デジタル歪特性を重視してＡＢ級（Ｉｄｓｓの約１０％のアイドル電流）で動作させている。第１、第２、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのＩｄｓｓは、それぞれ約２５０ｍＡ、９００ｍＡ、７．０Ａである。」旨記載されています。ここで、請求項１における第１増幅器が、第３のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ２０１に相当し、請求項１における第２増幅器が、第１のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ　ＰＡ１０１に相当します。また、Ｉｄｓｓは、ゼロ・バイアス時のドレイン−ソース電流です（段落００８１）。 
　段落０１６２の記載によれば、ＰＡ１０１およびＰＡ２０１はともにＡＢ級動作をしております。ＰＡ１０１は利得を重視し、ＰＡ２０１は線形性およびデジタル歪特性を重視しております。つまり、ここでいいたいことは、ＰＡ１０１およびＰＡ２０１はともに利得制御がなされているということです。 
　以下、具体的に説明しますと、 
　（２ａ）まず、動作状態のＰＡ１０１およびＰＡ２０１が所定の利得を有することは以下のとおり明らかであります。 
 　ＰＡ１０１およびＰＡ２０１は、ともにドレイン電圧を約３．５Ｖ、ゲート電圧を負電圧（約−２．０Ｖ〜−約３．０Ｖ）とし、Ｉｄｓｓの約１０％のアイドル電流でもってＡＢ級動作をさせています。この動作状態では、ＰＡ１０１およびＰＡ２０１は、ともにドレイン電圧およびゲート電圧が設定され、かつアイドル電流が設定されておりますので、当然所定の利得を有することになります。　（２ｂ）次に、ＰＡ１０１で利得を重視し、ＰＡ２０１で線形性および歪特性を重視することについて、以下の参考図を用いてご説明いたします。 
　・・・（中略）・・
　本願明細書の段落０１６２によれば、ＰＡ１０１（第２増幅器）のＩｄｓｓが約２５０ｍＡ、ＰＡ２０１（第１増幅器）のＩｄｓｓが約７．０Ａとあり、ＰＡ２０１のほうがＰＡ１０１よりもずっと大きくなっています。ここでＩｄｓｓは、いわゆる増幅器のサイズを表します。Ｉｄｓｓが大きいほど増幅器のサイズが大きくなり、それに伴い浮遊容量が大きくなります。浮遊容量が大きいほど容量による充放電が大きくなり、利得の低下が大きくなります（上記参考図をご参照ください）。 
　この参考図の右側部分では、トランジスタのレイアウトを、トランジスタサイズの小さいトランジスタ（ゲート幅(１)）とトランジスタサイズの大きいトランジスタ（ゲート幅(２)）とについて、フォトマスクの平面概略図を用いて示しており、この参考図の左側部分では、トランジスタの利得の周波数特性を示しています。この参考図からわかるように、トランジスタサイズが大きくなると、配線等によるインダクタンス、容量の寄生成分の増大により、利得の低下を招くこととなります。 
　そのようなもとで前段の増幅器（ＰＡ１０１）と後段の増幅器（ＰＡ２０１）を制御するとなれば、Ｉｄｓｓの小さなもの（上記寄生成分による利得低下の小さい前段の増幅器）では利得を重視し、Ｉｄｓｓの大きなもの（上記寄生成分による利得低下の大きい後段の増幅器）では線形性および歪特性を重視することになります。 
　すなわち、本願発明において、明細書の段落０１６２における『ＰＡ１０１（第２増幅器）で利得を重視し、ＰＡ２０１（第１増幅器）で線形性および歪特性を重視して動作させている』旨の記載の意図することは、そのような重視のもとでＰＡ１０１、ＰＡ２０１の利得を制御するということであります。 
　さらに付け加えますと、ＰＡ１０１（第２増幅器）では、線形性および歪特性の良好性よりは利得を高く保持することを優先して、ゲート電圧を負電圧（約−２．０Ｖ〜−約３．０Ｖ）の範囲内で利得調整し、ＰＡ２０１（第１増幅器）では、利得の高さよりは線形性および歪特性を良好に保持することを優先して、ゲート電圧を負電圧（約−２．０Ｖ〜−約３．０Ｖ）の範囲内で利得調整していることは、本願明細書の段落０１６２で意図する点であり、このことは、本願の明細書の段落０１７０の記載『一定の出力電力を保持し、安定化させるための利得制御機能は必須であり』からも読み取れるものであると考えます。 
　つまり、段落０１７０の記載は、 
　「ＰＡ２０１（第１増幅器）で利得を犠牲にして線形性および歪特性を高めた場合には、ＰＡ１０１（第２増幅器）では、ＰＡ２０１（第１増幅器）で犠牲にした利得を補い、また、ＰＡ１０１（第２増幅器）で線形性および歪特性を犠牲にして利得を高めた場合には、ＰＡ２０１（第１増幅器）では、ＰＡ１０１（第２増幅器）で犠牲にした線形性および歪特性を補って、一定の出力電圧を保持し安定化させるという両増幅器の利得調整動作は、これらの増幅器での相補的な利得調整により行われること」 
　を示唆するものであります。 
　なお、本願明細書においては、第１増幅器とともに第２増幅器の利得が制御されていることの別の例が図２１および段落０２０２にも記載されていることを付記いたします。 
　このように本願明細書の記載からしまして、第１増幅器とともに第２増幅器の利得が制御されていることは十分読み取れるものと思料いたします。」
　
　請求人は、上記（２）においても、本願明細書の段落０１６２の記載を根拠として、「第１増幅器とともに第２増幅器の利得が制御されていることは十分読み取れる」旨の主張をしている。
　しかしながら、本願明細書の段落０１６２の記載を根拠として、「本発明の電力増幅器」が、フィードバック制御による利得制御動作として、「第１増幅器」の利得を制御する動作を行うことが記載されているとすることはできないことは、上述したとおりである。
　なお、請求人は、「さらに付け加えますと、・・・ＰＡ２０１（第１増幅器）では、利得の高さよりは線形性および歪特性を良好に保持することを優先して、ゲート電圧を負電圧（約−２．０Ｖ〜−約３．０Ｖ）の範囲内で利得調整していることは、本願明細書の段落０１６２で意図する点であり、このことは、本願の明細書の段落０１７０の記載『一定の出力電力を保持し、安定化させるための利得制御機能は必須であり』からも読み取れるものであると考えます。」と述べているが、段落０１７０に記載されているのは、「本実施例のようにモード１、モード２で規定される出力電力が異なる場合や、高周波信号の送受信状況が変化している場合には、出力電力を変えたり、一定に保つ必要がある。このため、送信用の電力増幅器の機能として、一定の出力電力を保持し、安定化させるための利得制御機能は必須であり」ということであり、そのための構成例は「実施例１の図５および図６を参照」とされている。
　そして、図５，６のものにおいては、フィードバック制御を行って利得制御される対象となる増幅器を「第１増幅器」とする例は示されていないことは、上記「２−３．検討」の項で述べたとおりであり、請求人のいうように、段落０１７０の記載が「ＰＡ２０１（第１増幅器）で利得を犠牲にして線形性および歪特性を高めた場合には、ＰＡ１０１（第２増幅器）では、ＰＡ２０１（第１増幅器）で犠牲にした利得を補い、また、ＰＡ１０１（第２増幅器）で線形性および歪特性を犠牲にして利得を高めた場合には、ＰＡ２０１（第１増幅器）では、ＰＡ１０１（第２増幅器）で犠牲にした線形性および歪特性を補って、一定の出力電圧を保持し安定化させるという両増幅器の利得調整動作は、これらの増幅器での相補的な利得調整により行われること」を示唆しているわけではない。
　さらに、請求人は、「なお、本願明細書においては、第１増幅器とともに第２増幅器の利得が制御されていることの別の例が図２１および段落０２０２にも記載されていることを付記いたします。」とも述べているが、図２１および段落０２０２の記載は、図１４および段落０１６２の記載と同様のものであり、その記載を根拠としても、「本発明の電力増幅器」が、フィードバック制御による利得制御動作として、「第１増幅器」の利得を制御する動作を行うことが記載されているとすることはできない。
　
２−５．むすび
　以上のとおり、「本発明の電力増幅器」が「前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、
前記第１増幅器および
　したがって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．補正却下の決定を踏まえた検討
３−１．本願発明
　平成１９年１１月３０日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１８年１２月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「単極端と２以上の多投端とを有し、第１周波数の信号と該第１の周波数とは異なる第２周波数の信号を切り替えるスイッチと、
　前記スイッチの多投端の一つに接続された整合回路と、
　前記スイッチの多投端のうち前記整合回路が接続されたものとは異なる一つに接続された、電界効果トランジスタを備えた第１増幅器と、
　前記スイッチの単極端に出力側が接続され、前記第１周波数の信号と前記第２周波数の信号とを通す、電界効果トランジスタを備えた第２増幅器と、
　前記スイッチの多投端が前記整合回路に接続されるのに連動して前記整合回路から出力される前記第１の周波数の信号が所定の出力となるよう前記第２増幅器のゲート電圧またはドレイン電圧を制御するとともに前記第１増幅器が動作しないように前記第１増幅器のゲート電圧またはドレイン電圧を制御し、前記第１のスイッチの多投端が前記第１増幅器に接続されるのに連動して、前記第１増幅器から出力される前記第２の周波数の信号が所定の出力となるよう前記第１増幅器及び前記第２増幅器のゲート電圧またはドレイン電圧を制御する電源制御回路と、
　前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器および前記第２増幅器の利得を制御する利得制御部と、
　を備える電力増幅器。」
　
３−２．平成１９年２月５日付けの拒絶理由通知
　平成１９年２月５日付けで審査官が通知した最後の拒絶理由の概要は、次のようなものである。
　
「　平成１８年１２月１１日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　補正後の請求項１に記載の「前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器
および
　
　意見書（審決注：平成１８年１２月１１日付けで提出された意見書）では、上記補正は当初明細書の【００９７】段落及び【００９９】段落の記載を根拠とするものと主張しているが、上記補正事項は、当該段落には記載されていない。
　当該段落の記載では、「第１の電力増幅器ＰＡ１（請求項１の第２増幅器に対応するもの）」又は「スイッチ付増幅器の外部に設ける可変利得手段（アッテネータ又は自動利得制御電力増幅器）」の
いずれか
および
　特に、当該段落では、「第１の電力増幅器ＰＡ１（請求項１の第２増幅器に対応するもの）」又は「スイッチ付増幅器の
外部に設ける可変利得手段
いずれか
　
　また、意見書では、上記段落の記載以外にも、なお書きで【００９４】段落における制御動作と関係して、「前記第１増幅器
および
および
　
３−３．平成１９年４月９日付けで提出された意見書における請求人の主張
　上記拒絶理由通知に対し、請求人は、平成１９年４月９日付け意見書において、次のような主張をしている。
　
「２．本願発明について
　本願発明は、以下を構成要件とするものであります。
　「［請求項１］
　（構成Ａ）〜（構成Ｆ）：（省略）
　（構成Ｇ）前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器および前記第２増幅器の利得を制御する利得制御部と、
　を備える電力増幅器。
　［請求項２］
　（構成Ｈ）前記利得制御部は、アッテネータを含むことを特徴とする請求項１記載の電力増幅器。」
　
　３．本願発明が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことの説明
　（１）本願明細書の段落１５４〜１７３および図１４〜１７には、上記請求項１、２の構成要件が記載されています。
　・（構成Ａ）〜（構成Ｆ）について：（省略）
　・（構成Ｇ）および（構成Ｈ）について
　「一定の出力電力を保持し、安定化させるための利得制御機能は必須であり、アッテネータ、自動利得制御（ＡＧＣ、ＡＬＣ）機能を有する電力増幅器などを組み込み、出力電力モニタをフィードバックして制御する。出力電力のモニタは、コンデンサ結合、あるいは方向性結合器により行う。」（段落１７０）。
　（２）：（省略）
　（３）このように、請求項１、２記載の発明は、本願明細書にて支持されており、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものと思料いたします。」
　
３−４．平成１９年９月２６日付けの拒絶査定
　上記意見書の主張を踏まえた上での審査官の平成１９年９月２６日付けの拒絶査定は、次のようなものである。
　
「　この出願については、平成１９年２月５日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
　
備考
　拒絶理由通知書における「請求項１に記載の『前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器
および
「　・（構成Ｇ）および（構成Ｈ）について
　『一定の出力電力を保持し、安定化させるための利得制御機能は必須であり、アッテネータ、自動利得制御（ＡＧＣ、ＡＬＣ）機能を有する電力増幅器などを組み込み、出力電力モニタをフィードバックして制御する。出力電力のモニタは、コンデンサ結合、あるいは方向性結合器により行う。』（段落１７０）。
　　　　　（略）
（３）このように、請求項１、２記載の発明は、本願明細書にて支持されており、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものと思料いたします。」
　
　しかし、上記主張を検討しても、出願当初の明細書または図面において、第１増幅器
および
　したがって、出願人の主張は採用することができない。」
　
３−５．当審の判断
　平成１９年２月５日付けで審査官が通知した最後の拒絶理由において指摘した補正事項は、補正後の請求項１に記載の「前記第１増幅器の出力側における出力電力を検知し、前記第１増幅器
および
　してみると、上記補正事項は、上記２．で検討したとおり、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるとは認められない。
　
３−６．むすび
　したがって、平成１８年１２月１１日付けでした手続補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。