【事件の表示】
　特願２００２−　４５４１９「高密度光波長分割多重システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２８日出願公開、特開２００３−　５９６９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１月１８日（パリ条約による優先権主張、平成１３年８月１３日、米国）の出願であって、平成１９年６月７日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として、同年８月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２０年１１月４日付けで平成１９年８月１３日付けの手続補正の却下の決定とともにいわゆる最初の拒絶理由を通知したところ、平成２１年１月１５日付けで手続補正がなされたものの、更に、前記平成２１年１月１５日付け手続補正によって必要となった拒絶の理由のみを通知するものとして、同年２月１２日付けでいわゆる最後の拒絶理由が通知され、同年５月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２１年５月１５日付け手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２１年５月１５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
〔理由〕
１　本件補正の目的
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、その補正は、補正前（平成２１年１月１５日付け手続補正によって補正。以下、同じ。）の請求項１ならびに請求項４について、
「【請求項１】
　チャンバと、
　前記チャンバ内に設置された２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットと、
　サイクロトロン共振マグネット、陽極、スクリーン格子、加速格子、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置と、
　前記２つのターゲットの間に配置されたアンテナと、
　前記ターゲットとアンテナ間に形成された電子サイクロトロン共振域と、
　プラズマを形成するための前記電子サイクロトロン共振域の上方に設置された回転可能な基板と、を含むことを特徴とする高密度光波長分割多重堆積システムであって、
　自動調節されたマイクロウェーブが前記アンテナから発せられて、前記アンテナが前記マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有する、高密度光波長分割多重堆積システム。」ならびに、
「【請求項４】
　チャンバを提供するステップと、
　前記チャンバ内にサイクロトロン共振マグネット、陽極、スクリーン格子、加速格子、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置を提供するステップと、
　プラズマに衝撃される２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットを前記チャンバ内に提供するステップと、
　前記２つのターゲットの間に設置されたアンテナを提供し、サイクロトロン共振マグネット域を形成するステップと、
　自動調節されたマイクロウェーブによって高密度プラズマを生成するステップと、
　回転可能な基板を前記サイクロトロン共振域の上方に位置させることで、複数層の薄膜を生成するステップと、を含むことを特徴とする高密度光波長分割多重フィルタの製造方法。」なる記載を、
「【請求項１】
　チャンバと、
　
前記チャンバ上に配置されたサイクロトロン共振マグネットと、
　
前記チャンバに接続された酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置と、
　前記チャンバ内に設置された２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットと、　
　
陽
と
　前記２つのターゲットの間に配置されたアンテナと、
　前記ターゲットとアンテナ間に形成された電子サイクロトロン共振域と、
　プラズマを形成するための前記電子サイクロトロン共振域の上方に設置された回転可能な基板と、を含むことを特徴とする高密度光波長分割多重堆積システムであって、
　自動調節されたマイクロウェーブが前記アンテナから発せられて、前記アンテナが該マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有
し、
　
前記２つのターゲットの一方のターゲットの面と他方のターゲットの面とが対向して配置されている
「【請求項４】
　チャンバを提供するステップと、
　
前記チャンバ上にサイクロトロン共振マグネットを提供するステップと、
　
前記チャンバに接続された酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置を提供するステップと、
　前記チャンバ内
に陽
子を
　プラズマに衝撃される２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットを前記チャンバ内に提供するステップと、
　前記２つのターゲットの間に設置されたアンテナを提供し、サイクロトロン共振マグネット域を形成するステップと、
　自動調節されたマイクロウェーブによって高密度プラズマを生成するステップと、
　回転可能な基板を前記サイクロトロン共振域の上方に位置させることで、複数層の薄膜を生成するステップと、を含
み、
　
前記２つのターゲットの一方のターゲットの面と他方のターゲットの面とが対向して配置されている
さらに補正前の請求項２について、「前記プラズマの密度」と記載されていたものを「プラズマの密度」と補正するものであって、
請求項１ならびに請求項４についてする前記補正は、補正前の「サイクロトロン共振マグネット」、「酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置」の設置位置を明確にするとともに、「ターゲット」の配置を限定する補正であって、さらに請求項２についてする前記補正は、誤記の訂正に該当する補正であるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下、単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２ないし４号に掲げる、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正である。
　そこで、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含む本件補正後の請求項１に係る発明(以下、「本願補正発明」という。)について、そこに記載されている発明特定事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。
　
２　本願補正発明
　本願補正発明は、次のとおりのものである。
「チャンバと、
　前記チャンバ上に配置されたサイクロトロン共振マグネットと、
　前記チャンバに接続された酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置と、
　前記チャンバ内に設置された２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットと、　陽極、スクリーン格子、加速格子と、
　前記２つのターゲットの間に配置されたアンテナと、
　前記ターゲットとアンテナ間に形成された電子サイクロトロン共振域と、
　プラズマを形成するための前記電子サイクロトロン共振域の上方に設置された回転可能な基板と、を含むことを特徴とする高密度光波長分割多重堆積システムであって、
　自動調節されたマイクロウェーブが前記アンテナから発せられて、前記アンテナが該マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有し、
　前記２つのターゲットの一方のターゲットの面と他方のターゲットの面とが対向して配置されている、高密度光波長分割多重堆積システム。」
　
３　特許法第３６条第６項第２号について
　請求項１に記載された「陽極」、「スクリーン格子」、「加速格子」について、請求人は平成２１年５月１５日付け意見書において、段落［００２１］の「前記電源は、陽極５０７、スクリーン格子５０８および加速格子５０９に電流を供給し、安定なイオン源を生成するによって、ＳｉＯ２ターゲット５０４及びＴａ２Ｏ５ターゲット５０５を衝突させる」との記載から、電源５１３は電流つまりは電子を提供し、スクリーン格子５０８及び加速格子５０９は、陽極５０７に入射する電子を制御し、そして、陽極５０７によって、安定なイオンが発射されるものであり、「陽極」、「スクリーン格子」、「加速格子」との構成要素は明確である旨、主張する。
　しかしながら、本願補正発明のようなマイクロ波ならびにサイクロトロン共振マグネットを用いたいわゆる電子サイクロトロン（ＥＣＲ）プラズマ装置において、プラズマ発生のために「スクリーン格子」、「加速格子」、「陽極」を用いることが当業者の技術常識であるとは認められないことからして、請求人の主張のごとく、「電源」、「スクリーン格子」、「加速格子」ならびに「陽極」によって、電子が提供されてイオンが発射されることを到底理解することはできない。
　してみると、チャンバ内においてそれらを設置すべき箇所、それらが有する機能、作用について何ら明らかでなく、如何に設置された如何なる部材であるのかまったく把握できず、本願補正発明は依然として明確でない。
　したがって、本願補正発明は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件に違反するものである。
　
４　特許法第２９条第２項について
４−１　本願の優先日前に頒布された刊行物ならびに各刊行物の記載事項
　引用文献１．特開平４−２８８６３号公報
　引用文献２．特開平１１−９２９２８号公報
　引用文献３．特開平４−３０４６３０号公報
　引用文献４．特開平９−１２０９００号公報
　引用文献５．特開２００１−２１５３２５号公報
　
４−１−１　引用文献１
　引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（１−ａ）「２．特許請求の範囲」の欄
「１）基板を保持する部材と、
　プラズマを生成するプラズマ生成源と、
　前記基板と前記プラズマ生成源のプラズマ引出し開口とを結ぶ方向から離れた位置に設置され、膜形成元素を供給するターゲットを有するターゲット部と、
　前記プラズマ生成源からの前記プラズマを前記ターゲットへ曲げて輸送する磁場を発生する磁場発生源と
を具えたことを特徴とする膜形成装置。
２）前記ターゲット部は、前記方向と交差する方向に配置された少くとも１個のターゲットを有することを特徴とする請求項１記載の膜形成装置。
３）前記磁場発生源は、前記ターゲット部のターゲット面に対して垂直な方向の成分をもつ磁場を発生することを特徴とする請求項１または２に記載の膜形成装置。
４）前記プラズマ生成源からのプラズマを前記基板を保持する部材に曲げて輸送する磁場を発生する第２の磁場発生源を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の膜形成装置。
５）プラズマ生成源はＥＣＲプラズマ源であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の膜形成装置。
６）基板上に多層膜を形成するにあたり、
　プラズマ生成源からのプラズマを磁場によって曲げて、前記基板と前記プラズマ生成源のプラズマ引出し開口とを結ぶ方向から離れた位置に配置され、膜形成元素を供給するターゲットを有するターゲット部に輸送する工程と、
　前記多層膜を構成する各層の膜物質に応じて前記磁場の発生を制御して、前記プラズマの前記ターゲットの輸送を制御する工程と
を具えたことを特徴とする膜形成方法。
……」
（１−ｂ）第２頁右上欄第１〜９行
「３．発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
　本発明は、複数の異なった物質からなるスパッタターゲットから交互に膜物質を供給し基板に膜形成する装置に関するものである。
［従来の技術］
　レーザー反射鏡の作製やレンズなどへの無反射膜を形成するためには、光学的性質の異なる複数の物質を層状に形成する必要がある。」
（１−ｃ）第３頁左下欄第７行〜第４頁左下欄第２行
「［実施例］
　以下に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
　第１図に本発明の一実施例を示す。第１図において、１は、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ源であり、プラズマ室１Ａと、プラズマ室１Ａの真空を封止するとともにマイクロ波をプラズマ室１Ａに導入するマイクロ波導入窓１Ｂと、ＥＣＲ放電に必要な強度の磁界をプラズマ室１Ａに発生するマグネットコイル１Ｃとから構成されている。２は、ＥＣＲプラズマ源１に電圧を印加できるように、ＥＣＲプラズマ源１を真空チャンバ７に絶縁して接地するためのリング状絶縁体である。３は、基板ホルダ６に固定された基板であり、４Ａ、４Ｂは、それぞれスパッタターゲットである。５Ａ，５Ｂはマグネットコイルである。８Ａ，８Ｂ，８Ｃは、それぞれＥＣＲプラズマ源１で生成され磁力線によって輸送されるプラズマ流を示すもので、マグネットコイル５Ａ，５Ｂの動作の形態に応じて、符号８Ａ，８Ｂ，８Ｃで示すように輸送される。
　本実施例は、ＥＣＲプラズマ源１で生成したプラズマ流をマグネットコイル５Ａおよび／または５Ｂで発生した磁力線によりターゲット４Ａまたは４Ｂへ照射するとともに照射されたターゲットに負の電圧を印加してプラズマ流中のイオンを加速してターゲットに入射させ、ターゲット物質をスパッタして基板３上に膜を形成するものである。
　本実施例の動作を説明する。……
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入窓１Ｂを通してプラズマ室１Ａに導入させると、ＥＣＲ放電によりプラズマが発生する。……
　次に、スパッタターゲットから膜物質を供給するときの動作を説明する。マグネットコイル５Ａによりコイル５Ａとコイル１Ｃの互いに近い方の磁極が異なるように磁場を発生すると、ＥＣＲプラズマ源１のコイル１Ｃが発生する磁力線はターゲット４Ａの方に曲げられるので、ＥＣＲプラズマ源１で発生したプラズマはその磁力線に沿って輸送されて、プラズマ流８Ａのようにターゲット４Ａに到達する。……
……
　次に、ＥＣＲプラズマ源１および／またはターゲット４Ａに電圧を印加することにより、プラズマ流８Ａ中のイオンを加速してターゲット４Ａに照射させ、これらイオンによりターゲット４Ａをスパッタし、得られた膜形成物質を基板３に供給する。
　次に、印加した電圧を切り、コイル５Ａの動作を止め、コイル５Ｂにより磁界をコイル５ＢとＥＣＲプラズマ源１のコイル１Ｃの互いに近い側の磁極が異なるように発生させる等、上記と同様の操作により、プラズマ流を符号８Ｂで示すようにターゲット４Ｂに輸送する。ターゲット４Ｂおよび／またはＥＣＲプラズマ源１に電圧を印加してプラズマ流中のイオンを加速してターゲット４Ｂに照射することにより、ターゲット４Ｂをスパッタして膜物質を基板３に供給する。このような操作を繰り返すことにより、異なる組成、または、物質からなる多層膜を基板３上に積層することができる。」
（１−ｄ）第４頁右下欄第２〜１６行
「　なお、本実施例では、動作を簡単に説明するために、ターゲット４Ａ，４Ｂを２個用いた例を示したが、基板３とＥＣＲプラズマ源１とを結ぶ方向に対し、同心円上に３個以上のターゲットを配置することにより、上記説明と同様の操作で４個あるいはそれ以上の個数のターゲットから任意所望の順序で膜物質を基板３に供給できる。
　また、第１図の実施例では、ターゲット４Ａ，４Ｂの主面が基板３の主面と垂直になるように配置されているが、磁力線によってターゲット４Ａ，４Ｂまでプラズマ流８Ａ，８Ｂを曲げて輸送しているのに対して、第２図のように、ターゲット４Ａ，４Ｂの主面を基板３の主面に対し角度を付けて設置することもできる。ターゲット面を基板３に向けることにより膜形成速度の向上を図ることができる。」
（１−ｅ）第１図
　第１図には、上記（１−ｃ），（１−ｄ）の記載に即して実施例の概略図が図示され、真空チャンバ７にマグネットコイル１Ｃをプラズマ室１Ａの外部に有するＥＣＲプラズマ源１が続され、前記真空チャンバ７内に互いに対向して略同一の高さに設置されたスパッタターゲット４Ａ，４Ｂの主面が基板３の主面と垂直になるように配置されていて、前記ＥＣＲプラズマ源１と前記基板３とが、前記スパッタターゲット４Ａ，４Ｂを介した両側に対向して配されていることが見てとれる。
　
　これらの記載ならびに、図面の図示内容を参酌すると、引用文献１には、
「真空チャンバと、
　前記真空チャンバ内に互いに対向して略同一の高さに設置された、複数の異なった物質からなるスパッタターゲットと、
　真空チャンバに接続され、２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導入されて電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電を行ってＥＣＲプラズマを生成するプラズマ室であって、マグネットコイルをプラズマ室の外部に有するＥＣＲプラズマ源と、
　前記ＥＣＲプラズマ源で生成されたプラズマを輸送し、プラズマ流中のイオンを前記スパッタターゲットのそれぞれに入射させて前記スパッタターゲットをスパッタするための磁場発生源と、
　前記スパッタターゲットを介した両側に、前記ＥＣＲプラズマ源と基板とを、前記スパッタターゲットの主面と前記基板の主面とが垂直になるように対向して設け、
　複数の異なった物質からなる前記スパッタターゲットから交互に膜物質を供給し、基板に光学的性質の異なる複数の物質を層状に膜形成する装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
４−１−２　引用文献２
　引用文献２には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（２−ａ）【特許請求の範囲】の欄
「【請求項１】　ターゲット電極に電圧を印加してターゲット近傍にプラズマを発生させることにより、前記ターゲットのスパッタを行う方法において、
前記ターゲット電極に間欠的に電圧を印加することによって前記ターゲット近傍にプラズマを発生させるとともに、真空処理室内にマイクロ波を導入する導波管に設けられたマイクロ波電極に、前記ターゲット電極への電圧の印加と同じタイミングまたは前記電圧の印加と交互のタイミングでもって電圧を印加することにより、前記真空処理室内に補助的にマイクロ波を導入することを特徴とするスパッタ方法。
……」
（２−ｂ）段落【００１９】
「【００１９】また、真空処理室１内には、２極間ターゲット２，２に対向するように、基板支持台６が配置されており、基板支持台６には、多結晶シリコン薄膜を形成すべきガラス基板７が取り付けられている。」
（２−ｃ）段落【００２１】
「【００２１】２極間ターゲット２，２の略中央部には、真空処理室１内にマイクロ波プラズマを導入するための導波管９が設けられており、この導波管９は、マイクロ波を発生するマグネトロン（図示を省略）に連通している。また、導波管９には、電圧が印加されたとき、真空処理室１内に補助的にマイクロ波を導入するマイクロ波電極９ｂが設けられている。また、マイクロ波電極９ｂには、プラズマ放電のためのアンテナ９ａが接続されていて、アンテナ９ａの先端部は、２極間ターゲット２，２の表面より１／４λだけ突起している。」
（２−ｄ）段落【００２５】〜段落【００２７】
「【００２５】以上の動作において、ターゲット電極３への高周波電圧の印加により、２極間ターゲット２，２の表面近傍にはプラズマが発生するが、このとき、陰極から出た電子は、永久磁石８の磁場によってサイクロトロン運動し、プラズマ中の気体分子と高確率で衝突して、多数のイオンを作りだす。
【００２６】その一方で、真空処理室１内に補助的にマイクロ波を導入し、マイクロ波プラズマを発生させている。従って、補助的に導入されたマイクロ波によって、より多数のイオンが生成される。このため、２極間ターゲット２，２の放電インピーダンスが低くなる。
【００２７】従って、高周波電源５が発生する高周波電圧を低い電圧としているにも関わらず、放電インピーダンスが低く、放電し易いため、大量のプラズマが発生する。このため、２極間ターゲット２，２は、効率よくスパッタされる。……」
（２−ｅ）【図１】
【図１】には、スパッタ装置構成例の模式的断面図が図示され、導波管９内に配されたアンテナ９ａの近傍にターゲット２が配されていること、ならびに、ターゲット２上方に基盤７が配されていることが見てとれる。
　
４−１−３　引用文献３
　引用文献３には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（３−ａ）段落【００２６】〜段落【００２７】
「【００２６】図１は、第１実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置の長手方向の垂直断面図、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図であり、図１４と同一の部分は同じ符号で示した。同図において、１は筒体を扁平にし、その長手方向と短手方向の比が１以上である略長方形状のマイクロ波放電室、２は図示しない真空排気手段を備えた処理室、３はイオン引出し電極である。扁平スリット付金属筒体２４は、マイクロ波放電室１の内壁に沿って、壁面から５ｍｍ程度離れて設置されている。スリット１７は終端１８が短絡されている。３８は扁平スリット付金属筒体２４を支持するための絶縁物、１４は接地電位の処理室２と高電位となるイオン源部分とを絶縁するための絶縁物、３９はマイクロ波放電室１の上部へのプラズマ３７の拡散損失を抑制するためのカスプ磁場形成用永久磁石などの磁場発生手段である。マイクロ波放電室１の外周には、永久磁石３４等の磁場発生手段が、Ｎ極とＳ極とが交互に内側を向くように取付けられている。
【００２７】マイクロ波発振器２５で発振された２.４５ＧＨｚのマイクロ波は、順次、アイソレ−タ２６、方向性結合器２７、チュ−ナ２８、絶縁チョ−クフランジ２９、同軸導波管変換器３０、同軸管３１、同軸コネクタ３２、同軸管３３を経て、扁平スリット付金属筒体２４のスリット１７に伝送される。スリット１７は、終端１８が短絡されているため、終端１８が節となって定在波が形成される。また、スリット１７は、マイクロ波の半波長に相当する長さごとに逆方向に折り曲げられているので、長スリット１９の中央は定在波の腹となる。各長スリット１９からは、同位相のマイクロ波が、マイクロ波放電室１内に放射されるため、扁平スリット付金属筒体２４の内側には強い電場が形成される。」
（３−ｂ）【図１】
　【図１】には、第１実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置の長手方向の垂直断面図が図示され、マイクロ波放電室１ならびに処理室２の上部には永久磁石からなる磁場発生手段が設けられ、マイクロ波伝送経路中にアイソレ−タ２６、方向性結合器２７、チュ−ナ２８等が設けられることが示されている。
　
４−１−４　引用文献４
　引用文献４には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（４−ａ）段落【００１０】〜段落【００１４】
「【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について図面に沿って説明する。図１は一部を切欠いて示したプラズマ発生装置の簡略側面図であり、図２は図１上のＡ−Ａ線断面図である。
【００１１】これらの図面において、２１は円筒状の外部導体２１ａとこの外部導体２１ａの内部中央を通る棒状の内部導体２１ｂとからなる同軸線路で、この同軸線路２１の一端側にはインピ−ダンス整合器３０が連結してある。なお、インピ−ダンス整合器３０は同軸線路３１によってマイクロ波発振器に連結している。
……
【００１３】同軸線路２１の内部導体２１ｂは、上記した仕切部材２３の中央部を通してその先端部２１ｃを真空室２２内に突入させてある。この真空室２２内に突入させた上記先端部２１ｃの長さは、マイクロ波の電界がこの先端部２１ｃの先端に集中するようにマイクロ波の波長λに対し、λ／４または（λ／４）＋ｎ・（λ／２）となっている。なお、（ｎ＝０、１、２、３、・・・・・・・・・）である。
……
【００１４】上記したプラズマ発生装置は、マイクロ波発振器からマイクロ波電力が出力され、インピ−ダンス整合器３０によってマイクロ波の整合をとると、内部導体２１ｂの先端部２１ｃの先端でマイクロ波の電圧が最大となり、仕切部材２３の位置では電界の位相がλ／４だけ回転しているので、定在波の立っている状況では電界の強さが低くなり、仕切部材２３の位置ではプラズマの発生が抑制される。」
　
４−１−５　引用文献５
　引用文献５には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（５−ａ）段落【０００１】
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、狭帯域光フィルタおよびその製造方法に関し、特に、狭帯域光フィルタを構成する誘電体多層膜の膜厚に対する要求精度を緩和する多層膜構造を有する狭帯域光フィルタおよびその製造方法に関する。」
（５−ｂ）段落【００２２】
「【００２２】……
……図８を参照してイオンビームスパッタ法により狭帯域光フィルタを製造する工程を説明する。真空ポンプ８により排気減圧されている真空チャンバー９において、イオン源６より放射されたイオンビーム７はターゲットホルダ１０表面に取り付けられるターゲット材料に衝突してこれをスパッタする。打ち出されたスパッタ粒子１１は、ガス導入管１２を介して真空チャンバー９内に導入される酸素ガスと酸化反応して酸化物を形成し、この酸化物の酸化膜を基板１４表面にスパッタ蒸着する。この基板１４は基板回転ホルダ１３に設置され、回転駆動されることにより膜厚分布は均一にされる。……」
（５−ｃ）【図８】
【図８】には、イオンビームスパッタ法による多層膜光フィルタの製造装置を示す図が図示され、基板１４が、ターゲットホルダ１０の上方に設けられた基板回転ホルダ１３に、ターゲットホルダに対向して配されることが図示されている。
　
４−２　本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「真空チャンバ」、「マイクロ波」、「電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電」が、それぞれ、本願補正発明の「チャンバ」、「マイクロウェーブ」、「電子サイクロトロン共振」に相当することは明らかである。そして、引用発明の「真空チャンバ内に互いに対向して略同一の高さに設置された、複数の異なった物質からなるスパッタターゲット」が、本願補正発明の「チャンバ内に設置された２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲット」ならびに「２つのターゲットの一方のターゲットの面と他方のターゲットの面とが対向して配置されている」との事項に相当することも明らかである。
　また、引用発明の「基板に光学的性質の異なる複数の物質を層状に膜形成」された構成は、いわゆる多層干渉反射膜であって、本願補正発明において基板上に２つの互いに異なる種類の材料を「光波長分割多重堆積」したものと同じ構成を意味することは明らかであるので、両者はいずれも「高密度光波長分割多重堆積システム」である点で一致している。
　さらに、引用発明の「真空チャンバに接続され、２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導入されて電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電を行ってＥＣＲプラズマを生成するプラズマ室であって、マグネットコイルをプラズマ室の外部に有するＥＣＲプラズマ源」という構成と、本願補正発明の「チャンバ上に配置されたサイクロトロン共振マグネット」という事項を対比すると、引用発明の「マグネットコイル」は本願補正発明の「サイクロトロン共振マグネット」に相当し、それらいずれもが「チャンバ」に配されている点で一致している。そして、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電を利用することにより「プラズマ」が得られることは周知の事項であるとともに、前記引用発明の構成からして、引用発明が本願補正発明の「マイクロウェーブが」「発せられ」る構成を具備することも明らかである。
　加えて、引用発明の「前記スパッタターゲットを介した両側に、前記ＥＣＲプラズマ源と基板とを、前記スパッタターゲットの主面と前記基板の主面とが垂直になるように対向して設け」という構成と、本願補正発明の「プラズマを形成するための前記電子サイクロトロン共振域の上方に設置された回転可能な基板」という事項とは、「プラズマを形成するための前記電子サイクロトロン共振域に主面を向けて設置された基板」という配置関係において一致する。
　
　そうすると両者は、
「チャンバと、
　前記チャンバに配置されたサイクロトロン共振マグネットと、
　前記チャンバ内に設置された２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットと、
　電子サイクロトロン共振域と、
　プラズマを形成するための前記電子サイクロトロン共振域に主面を向けて設置された基板と、を含む高密度光波長分割多重堆積システムであって、
　マイクロウェーブが発せられて、
　前記２つのターゲットの一方のターゲットの面と他方のターゲットの面とが対向して配置されている、高密度光波長分割多重堆積システム。」の点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点１〉
　サイクロトロン共振マグネットが、
　本願補正発明では「チャンバ上」に配置されているのに対し、
　引用発明は、真空チャンバに接続されてＥＣＲプラズマ源となる、２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導入されて電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電を行ってＥＣＲプラズマを生成するプラズマ室の外部に配されている点。
〈相違点２〉
　本願補正発明は「チャンバに接続された酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置」を具備するのに対し、
　引用発明は、それらを具備していない点。
〈相違点３〉
　本願補正発明は「チャンバ内に」「陽極、スクリーン格子、加速格子」が設置されているのに対し、引用発明はそれらを具備していない点。
〈相違点４〉
　プラズマの生成手段が、
　本願補正発明は、「前記２つのターゲットの間に配置されたアンテナと、
　前記ターゲットとアンテナ間に形成された電子サイクロトロン共振域と」を具備し、さらに「自動調節されたマイクロウェーブが前記アンテナから発せられて、前記アンテナが前記マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有する」のに対し、
　引用発明は、アンテナを具備していない結果、ターゲットとアンテナ間に電子サイクロトロン共振域が形成されることなく、また、自動調節されたマイクロウェーブが前記アンテナから発せられて、前記アンテナが前記マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有することについて記載がない点。
〈相違点５〉
　基板が、
　本願補正発明は「電子サイクロトロン共振域の上方に設置され」、「回転可能」であるのに対し、引用発明は電子サイクロトロン共振域の上方に設置されておらず、また、回転可能かどうか明らかでない点。
　
４−３　相違点の検討・判断
４−３−１　相違点１について
　ＥＣＲプラズマ装置において、チャンバに接続されたプラズマ室を設けることなく、チャンバ内で電子サイクロトロン共振を生起せしめてプラズマを発生させること、ならびに、チャンバ内で電子サイクロトロン共振を生起せしめるため、共振磁場形成のためのマグネットをチャンバ上に設けることは、例えば特開平５−３４７２６０号公報、特開平６−２２４１５５号公報、特開平７−２９６９９１号公報、特開平９−１０２４００号公報にも見られるように、当業者に周知の事項にすぎない。
　してみると、引用発明において、サイクロトロン共振マグネットを「チャンバ上」に設けるよう構成することは、当業者が格別の困難なくなし得る事項にすぎない。
４−３−２　相違点２について
　チャンバ内でプラズマ処理を行う装置において、プラズマ処理に用いる各種ガスや不活性ガスのチャンバ内圧力を調整するため、各種ガスや不活性ガスの流量制御を行うことは当業者の技術常識であり、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置を設けることは、当業者が当然になし得る事項である。
４−３−３　相違点３について
　既に「３　特許法第３６条第６項第２号について」で述べたように、陽極、スクリーン格子、加速格子は、それらが如何に設置されて如何なる機能や作用を行うものであるのか明らかでないので、それらを設けることは当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
４−３−４　相違点４について
　引用文献２には、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共振によるプラズマを利用してターゲットのスパッタを行うに際し、マイクロ波導入のためにターゲットの表面からマイクロ波の波長の１／４の長さ突出させたアンテナを設けるとともに、永久磁石によって電子にサイクロトロン運動をさせて前記ターゲットの表面近傍に高確率でプラズマを発生させることが記載されている（前記（２−ａ），（２−ｃ）〜（２−ｅ）参照）。
　してみると、引用発明において、「マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有する」「アンテナ」を設けて「マイクロウェーブがアンテナから発せられ」るようにするとともに、ターゲットの表面近傍に高確率でプラズマを発生させてプラズマの利用効率を高めるため、アンテナを「２つのターゲットの間に配置」するとともに、「前記ターゲットとアンテナ間に電子サイクロトロン共振域」が形成されるようにすることは、当業者が容易になし得る事項である。
　そして、マイクロ波をチャンバ内に導入する際、結合器やチューナ等の調整装置を用いてインピーダンス整合を図ること、すなわち、「自動調節されたマイクロウェーブ」を発生させることは、引用文献３（前記（３−ａ）、（３−ｂ）参照）や引用文献４（前記（４−ａ）参照）にも記載されているように、本願の優先日前周知の事項にすぎない。
　したがって、引用発明に引用文献２ないし引用文献４に記載された技術的事項を適用し、上記相違点２の構成を得ることは、当業者が容易になし得る事項である。
４−３−５　相違点５について
　マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共振によるプラズマを利用してターゲットのスパッタを行って薄膜形成を行う際、基板をターゲット上方、すなわち電子サイクロトロン共振域の上方に設けることは引用文献２に記載されている（前記（２−ａ）〜（２−ｅ）参照）。また、多層膜構造の光フィルタを製造する際、基板を基板回転ホルダに設置し、基板を回転させて膜厚分布の均一化を図ることは、引用文献５に記載されている（前記（５−ａ）〜（５−ｃ）参照）ように本願の優先日前公知の事項にすぎない。
　してみると、引用発明において、基板を「電子サイクロトロン共振域の上方に設置」するとともに「回転可能」とすることは当業者が容易になし得る事項である。
　そして、本願補正発明が具備する構成によってもたらされる作用効果は、引用発明及び引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項ならびに当業者に周知の事項から、当業者が予測できる域をでるものでもない。
　
　以上のとおりであるので、本願補正発明は、引用発明及び引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項ならびに当業者に周知の事項から、当業者が容易に発明することができたものである。
　
５　本件補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第３６条第６項第２号ならびに同法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願の特許請求の範囲に記載された発明
　平成２１年５月１５日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２１年１月１５日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　チャンバと、
　前記チャンバ内に設置された２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットと、
　サイクロトロン共振マグネット、陽極、スクリーン格子、加速格子、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置と、
　前記２つのターゲットの間に配置されたアンテナと、
　前記ターゲットとアンテナ間に形成された電子サイクロトロン共振域と、
　プラズマを形成するための前記電子サイクロトロン共振域の上方に設置された回転可能な基板と、を含むことを特徴とする高密度光波長分割多重堆積システムであって、
　自動調節されたマイクロウェーブが前記アンテナから発せられて、前記アンテナが前記マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有する、高密度光波長分割多重堆積システム。
【請求項２】
　前記プラズマの密度を安定させるために前記チャンバの上部に配置されたマグネット部材を備えたことを特徴とする請求項１記載の高密度光波長分割多重堆積システム。
【請求項３】
　前記プラズマの密度は、５×１０１０ｃｍ−３から９×１０１２ｃｍ−３までの範囲で、前記マイクロウェーブの周波数が２．４５ＧＨｚ、またはそれ以上であることを特徴とする請求項１記載の高密度光波長分割多重堆積システム。
【請求項４】
　チャンバを提供するステップと、
　前記チャンバ内にサイクロトロン共振マグネット、陽極、スクリーン格子、加速格子、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置を提供するステップと、
　プラズマに衝撃される２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットを前記チャンバ内に提供するステップと、
　前記２つのターゲットの間に設置されたアンテナを提供し、サイクロトロン共振マグネット域を形成するステップと、
　自動調節されたマイクロウェーブによって高密度プラズマを生成するステップと、
　回転可能な基板を前記サイクロトロン共振域の上方に位置させることで、複数層の薄膜を生成するステップと、を含むことを特徴とする高密度光波長分割多重フィルタの製造方法。
【請求項５】
　前記アンテナは、前記マイクロウェーブの波長の１／４の長さを有することを特徴とする請求項４記載の高密度光波長分割多重フィルタの製造方法。」
　
２　平成２１年２月１２日付け拒絶理由通知
　上記請求項１ないし５に係る発明に対し、当審において平成２１年２月１２日付けで通知した拒絶理由は以下のとおりである。
　
　　　　　　　　　　　　　＜＜＜　最　後　＞＞＞ 
１．手続の経緯 
　本願は、平成１４年１月１８日（パリ条約による優先権主張、平成１３年８月１３日、米国）の出願であって、平成１９年６月７日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として、同年８月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。 
　その後、当審において、平成２０年１１月４日付けで平成１９年８月１３日付けの手続補正の却下の決定とともにいわゆる最初の拒絶理由を通知したところ、平成２１年１月１５日付けで手続補正がなされた。 
　本拒絶理由通知は、前記平成２１年１月１５日付け手続補正によって必要となった拒絶の理由のみを通知するものであるので、いわゆる最後の拒絶理由通知とする。 
 　 
２．拒絶理由 
２−１．理由１ 
　本願の特許請求の範囲の記載は、下記の点で発明の詳細な説明に記載したものでなく、また、特許を受けようとする発明を明確に記載したものでないので、特許法第３６条第６項第１号ならびに同法同条同項第２号の規定に違反している。 
　 　　　　　　　　　　　　　記 
　請求項１の記載によると、「サイクロトロン共振マグネット」、「陽極」、「スクリーン格子」、「加速格子」、「酸素流量制御装置」、「不活性ガス流量制御装置」も「前記チャンバ内に設置され」ているかのようにも解されるものの、本願の発明の詳細な説明ならびに図面には、「サイクロトロン共振マグネット」、「酸素流量制御装置」、「不活性ガス流量制御装置」がチャンバ内に設置されている態様については何ら記載がない。したがって、請求項１ないし３に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
　同様に、請求項４の記載によると、「サイクロトロン共振マグネット」、「陽極」、「スクリーン格子」、「加速格子」、「酸素流量制御装置」、「不活性ガス流量制御装置」を、「前記チャンバ内に」「提供する」としているものの、本願の発明の詳細な説明ならびに図面には、「サイクロトロン共振マグネット」、「酸素流量制御装置」、「不活性ガス流量制御装置」を「チャンバ内に」「提供する」態様については何ら記載がない。したがって、請求項４、５に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
　また、請求項１に記載された「サイクロトロン共振マグネット」、「酸素流量制御装置」、「不活性ガス流量制御装置」については、当業者の技術常識を参酌すると、一応、それを設置すべき箇所、その具体的構造、機能、作用などについて理解はできるものの、「陽極」、「スクリーン格子」、「加速格子」については、それらを設置すべき箇所、機能、作用について何ら明らかでなく、如何に設置された如何なる部材であるのかまったく把握できない。したがって、請求項１ないし３に係る発明は明確でない。 
　請求項４に記載された「サイクロトロン共振マグネット」、「陽極」、「スクリーン格子」、「加速格子」、「酸素流量制御装置」、「不活性ガス流量制御装置」のうち、「サイクロトロン共振マグネット」、「酸素流量制御装置」、「不活性ガス流量制御装置」を「チャンバ内に」「提供する」態様について、本願の発明の詳細な説明ならびに図面には何ら記載がないことは前述のとおりであるが、「陽極」、「スクリーン格子」、「加速格子」については、それらが「チャンバ内に」「提供」されるとしても、チャンバ内における提供箇所、機能、作用について何ら明らかでなく、如何に提供される如何なる部材であるのかまったく把握できない。したがって、請求項４、５に係る発明は明確でない。 
 　 
２−２．理由２ 
　本願の請求項１ないし５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明５」という。）は、本願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　　　　記 
（１）刊行物ならびに各刊行物の記載事項 
　引用文献１．特開平４−２８８６３号公報 
　引用文献２．特開平１１−９２９２８号公報 
　引用文献３．特開平４−３０４６３０号公報 
　引用文献４．特開平９−１２０９００号公報 
　引用文献５．特開２００１−２１５３２５号公報 
 　 
（１−１）引用文献１ 
　引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
（１−１−ａ）「２．特許請求の範囲」の欄 
「１）基板を保持する部材と、 
　プラズマを生成するプラズマ生成源と、 
　前記基板と前記プラズマ生成源のプラズマ引出し開口とを結ぶ方向から離れた位置に設置され、膜形成元素を供給するターゲットを有するターゲット部と、 
　前記プラズマ生成源からの前記プラズマを前記ターゲットへ曲げて輸送する磁場を発生する磁場発生源と 
を具えたことを特徴とする膜形成装置。 
２）前記ターゲット部は、前記方向と交差する方向に配置された少くとも１個のターゲットを有することを特徴とする請求項１記載の膜形成装置。 
３）前記磁場発生源は、前記ターゲット部のターゲット面に対して垂直な方向の成分をもつ磁場を発生することを特徴とする請求項１または２に記載の膜形成装置。 
４）前記プラズマ生成源からのプラズマを前記基板を保持する部材に曲げて輸送する磁場を発生する第２の磁場発生源を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の膜形成装置。 
５）プラズマ生成源はＥＣＲプラズマ源であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の膜形成装置。 
６）基板上に多層膜を形成するにあたり、 
　プラズマ生成源からのプラズマを磁場によって曲げて、前記基板と前記プラズマ生成源のプラズマ引出し開口とを結ぶ方向から離れた位置に配置され、膜形成元素を供給するターゲットを有するターゲット部に輸送する工程と、 
　前記多層膜を構成する各層の膜物質に応じて前記磁場の発生を制御して、前記プラズマの前記ターゲットの輸送を制御する工程と 
を具えたことを特徴とする膜形成方法。 
……」 
（１−１−ｂ）第２頁右上欄第１〜９行 
「３．発明の詳細な説明 
［産業上の利用分野］ 
　本発明は、複数の異なった物質からなるスパッタターゲットから交互に膜物質を供給し基板に膜形成する装置に関するものである。 
［従来の技術］ 
　レーザー反射鏡の作製やレンズなどへの無反射膜を形成するためには、光学的性質の異なる複数の物質を層状に形成する必要がある。」 
（１−１−ｃ）第３頁左下欄第７行〜第４頁左下欄第２行 
「［実施例］ 
　以下に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 
　第１図に本発明の一実施例を示す。第１図において、１は、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ源であり、プラズマ室１Ａと、プラズマ室１Ａの真空を封止するとともにマイクロ波をプラズマ室１Ａに導入するマイクロ波導入窓１Ｂと、ＥＣＲ放電に必要な強度の磁界をプラズマ室１Ａに発生するマグネットコイル１Ｃとから構成されている。２は、ＥＣＲプラズマ源１に電圧を印加できるように、ＥＣＲプラズマ源１を真空チャンバ７に絶縁して接地するためのリング状絶縁体である。３は、基板ホルダ６に固定された基板であり、４Ａ、４Ｂは、それぞれスパッタターゲットである。５Ａ，５Ｂはマグネットコイルである。８Ａ，８Ｂ，８Ｃは、それぞれＥＣＲプラズマ源１で生成され磁力線によって輸送されるプラズマ流を示すもので、マグネットコイル５Ａ，５Ｂの動作の形態に応じて、符号８Ａ，８Ｂ，８Ｃで示すように輸送される。 
　本実施例は、ＥＣＲプラズマ源１で生成したプラズマ流をマグネットコイル５Ａおよび／または５Ｂで発生した磁力線によりターゲット４Ａまたは４Ｂへ照射するとともに照射されたターゲットに負の電圧を印加してプラズマ流中のイオンを加速してターゲットに入射させ、ターゲット物質をスパッタして基板３上に膜を形成するものである。 
　本実施例の動作を説明する。…… 
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入窓１Ｂを通してプラズマ室１Ａに導入させると、ＥＣＲ放電によりプラズマが発生する。…… 
　次に、スパッタターゲットから膜物質を供給するときの動作を説明する。マグネットコイル５Ａによりコイル５Ａとコイル１Ｃの互いに近い方の磁極が異なるように磁場を発生すると、ＥＣＲプラズマ源１のコイル１Ｃが発生する磁力線はターゲット４Ａの方に曲げられるので、ＥＣＲプラズマ源１で発生したプラズマはその磁力線に沿って輸送されて、プラズマ流８Ａのようにターゲット４Ａに到達する。…… 
……
　次に、ＥＣＲプラズマ源１および／またはターゲット４Ａに電圧を印加することにより、プラズマ流８Ａ中のイオンを加速してターゲット４Ａに照射させ、これらイオンによりターゲット４Ａをスパッタし、得られた膜形成物質を基板３に供給する。 
　次に、印加した電圧を切り、コイル５Ａの動作を止め、コイル５Ｂにより磁界をコイル５ＢとＥＣＲプラズマ源１のコイル１Ｃの互いに近い側の磁極が異なるように発生させる等、上記と同様の操作により、プラズマ流を符号８Ｂで示すようにターゲット４Ｂに輸送する。ターゲット４Ｂおよび／またはＥＣＲプラズマ源１に電圧を印加してプラズマ流中のイオンを加速してターゲット４Ｂに照射することにより、ターゲット４Ｂをスパッタして膜物質を基板３に供給する。このような操作を繰り返すことにより、異なる組成、または、物質からなる多層膜を基板３上に積層することができる。」 
（１−１−ｄ）第１図、第２図 
　第１図、第２図には、実施例の概略図が図示され、スパッタターゲット４Ａ，４Ｂは、真空チャンバ７内に互いに対向して略同一の高さに設置され、スパッタターゲットを介してＥＣＲプラズマ源と基板とが対向して配置されていることが見てとれる。 
 　 
　これらの記載ならびに、図面の図示内容を参酌すると、引用文献１には、 
「真空チャンバと、 
　前記真空チャンバ内に略同一の高さに設置された、複数の異なった物質からなるスパッタターゲットと、 
　２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導入され、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電を行ってＥＣＲプラズマを生成するマグネットコイルを有するＥＣＲプラズマ源と、 
　前記ＥＣＲプラズマ源で生成されたプラズマを輸送し、プラズマ流中のイオンを前記スパッタターゲットのそれぞれに入射させて前記スパッタターゲットをスパッタするための磁場発生源と、 
　前記スパッタターゲットを介して、前記ＥＣＲプラズマ源と対向する位置に設けられた基板とからなり、 
　複数の異なった物質からなるスパッタターゲットから交互に膜物質を供給し、基板に光学的性質の異なる複数の物質を層状に膜形成する装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
 　 
（１−２）引用文献２ 
　引用文献２には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
（１−２−ａ）【特許請求の範囲】の欄 
「【請求項１】　ターゲット電極に電圧を印加してターゲット近傍にプラズマを発生させることにより、前記ターゲットのスパッタを行う方法において、 
前記ターゲット電極に間欠的に電圧を印加することによって前記ターゲット近傍にプラズマを発生させるとともに、真空処理室内にマイクロ波を導入する導波管に設けられたマイクロ波電極に、前記ターゲット電極への電圧の印加と同じタイミングまたは前記電圧の印加と交互のタイミングでもって電圧を印加することにより、前記真空処理室内に補助的にマイクロ波を導入することを特徴とするスパッタ方法。 
……」 
（１−２−ｂ）段落【００２１】 
「【００２１】２極間ターゲット２，２の略中央部には、真空処理室１内にマイクロ波プラズマを導入するための導波管９が設けられており、この導波管９は、マイクロ波を発生するマグネトロン（図示を省略）に連通している。また、導波管９には、電圧が印加されたとき、真空処理室１内に補助的にマイクロ波を導入するマイクロ波電極９ｂが設けられている。また、マイクロ波電極９ｂには、プラズマ放電のためのアンテナ９ａが接続されていて、アンテナ９ａの先端部は、２極間ターゲット２，２の表面より１／４λだけ突起している。」 
（１−２−ｃ）段落【００２５】〜段落【００２７】 
「【００２５】以上の動作において、ターゲット電極３への高周波電圧の印加により、２極間ターゲット２，２の表面近傍にはプラズマが発生するが、このとき、陰極から出た電子は、永久磁石８の磁場によってサイクロトロン運動し、プラズマ中の気体分子と高確率で衝突して、多数のイオンを作りだす。 
【００２６】その一方で、真空処理室１内に補助的にマイクロ波を導入し、マイクロ波プラズマを発生させている。従って、補助的に導入されたマイクロ波によって、より多数のイオンが生成される。このため、２極間ターゲット２，２の放電インピーダンスが低くなる。 
【００２７】従って、高周波電源５が発生する高周波電圧を低い電圧としているにも関わらず、放電インピーダンスが低く、放電し易いため、大量のプラズマが発生する。このため、２極間ターゲット２，２は、効率よくスパッタされる。……」 
（１−２−ｄ）【図１】 
【図１】には、スパッタ装置構成例の模式的断面図が図示され、導波管９内に配されたアンテナ９ａの近傍にターゲット２が配されていること、ならびに、真空処理室１内に永久磁石８が配されていることが見てとれる。 
 　 
（１−３）引用文献３ 
　引用文献３には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
（１−３−ａ）段落【００２６】〜段落【００２７】 
「【００２６】図１は、第１実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置の長手方向の垂直断面図、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図であり、図１４と同一の部分は同じ符号で示した。同図において、１は筒体を扁平にし、その長手方向と短手方向の比が１以上である略長方形状のマイクロ波放電室、２は図示しない真空排気手段を備えた処理室、３はイオン引出し電極である。扁平スリット付金属筒体２４は、マイクロ波放電室１の内壁に沿って、壁面から５ｍｍ程度離れて設置されている。スリット１７は終端１８が短絡されている。３８は扁平スリット付金属筒体２４を支持するための絶縁物、１４は接地電位の処理室２と高電位となるイオン源部分とを絶縁するための絶縁物、３９はマイクロ波放電室１の上部へのプラズマ３７の拡散損失を抑制するためのカスプ磁場形成用永久磁石などの磁場発生手段である。マイクロ波放電室１の外周には、永久磁石３４等の磁場発生手段が、Ｎ極とＳ極とが交互に内側を向くように取付けられている。 
【００２７】マイクロ波発振器２５で発振された２.４５ＧＨｚのマイクロ波は、順次、アイソレ−タ２６、方向性結合器２７、チュ−ナ２８、絶縁チョ−クフランジ２９、同軸導波管変換器３０、同軸管３１、同軸コネクタ３２、同軸管３３を経て、扁平スリット付金属筒体２４のスリット１７に伝送される。スリット１７は、終端１８が短絡されているため、終端１８が節となって定在波が形成される。また、スリット１７は、マイクロ波の半波長に相当する長さごとに逆方向に折り曲げられているので、長スリット１９の中央は定在波の腹となる。各長スリット１９からは、同位相のマイクロ波が、マイクロ波放電室１内に放射されるため、扁平スリット付金属筒体２４の内側には強い電場が形成される。」 
（１−３−ｂ）【図１】 
　【図１】には、第１実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置の長手方向の垂直断面図が図示され、マイクロ波放電室１ならびに処理室２の上部には永久磁石からなる磁場発生手段が設けられ、マイクロ波伝送経路中にアイソレ−タ２６、方向性結合器２７、チュ−ナ２８等が設けられることが示されている。 
 　 
（１−４）引用文献４ 
　引用文献４には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
（１−４−ａ）段落【００１０】〜段落【００１４】 
「【００１０】 
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について図面に沿って説明する。図１は一部を切欠いて示したプラズマ発生装置の簡略側面図であり、図２は図１上のＡ−Ａ線断面図である。 
【００１１】これらの図面において、２１は円筒状の外部導体２１ａとこの外部導体２１ａの内部中央を通る棒状の内部導体２１ｂとからなる同軸線路で、この同軸線路２１の一端側にはインピ−ダンス整合器３０が連結してある。なお、インピ−ダンス整合器３０は同軸線路３１によってマイクロ波発振器に連結している。 
…… 
【００１３】同軸線路２１の内部導体２１ｂは、上記した仕切部材２３の中央部を通してその先端部２１ｃを真空室２２内に突入させてある。この真空室２２内に突入させた上記先端部２１ｃの長さは、マイクロ波の電界がこの先端部２１ｃの先端に集中するようにマイクロ波の波長λに対し、λ／４または（λ／４）＋ｎ・（λ／２）となっている。なお、（ｎ＝０、１、２、３、・・・・・・・・・）である。 
…… 
【００１４】上記したプラズマ発生装置は、マイクロ波発振器からマイクロ波電力が出力され、インピ−ダンス整合器３０によってマイクロ波の整合をとると、内部導体２１ｂの先端部２１ｃの先端でマイクロ波の電圧が最大となり、仕切部材２３の位置では電界の位相がλ／４だけ回転しているので、定在波の立っている状況では電界の強さが低くなり、仕切部材２３の位置ではプラズマの発生が抑制される。」 
 　 
（１−５）引用文献５ 
　引用文献５には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
（１−５−ａ）段落【０００１】 
「【０００１】 
【発明の属する技術分野】この発明は、狭帯域光フィルタおよびその製造方法に関し、特に、狭帯域光フィルタを構成する誘電体多層膜の膜厚に対する要求精度を緩和する多層膜構造を有する狭帯域光フィルタおよびその製造方法に関する。」 
（１−５−ｂ）段落【００２２】 
「【００２２】…… 
……図８を参照してイオンビームスパッタ法により狭帯域光フィルタを製造する工程を説明する。真空ポンプ８により排気減圧されている真空チャンバー９において、イオン源６より放射されたイオンビーム７はターゲットホルダ１０表面に取り付けられるターゲット材料に衝突してこれをスパッタする。打ち出されたスパッタ粒子１１は、ガス導入管１２を介して真空チャンバー９内に導入される酸素ガスと酸化反応して酸化物を形成し、この酸化物の酸化膜を基板１４表面にスパッタ蒸着する。この基板１４は基板回転ホルダ１３に設置され、回転駆動されることにより膜厚分布は均一にされる。……」 
（１−５−ｃ）【図８】 
【図８】には、イオンビームスパッタ法による多層膜光フィルタの製造装置を示す図が図示され、基板１４が、ターゲットホルダ１０の上方に設けられた基板回転ホルダ１３に、ターゲットホルダに対向して配されることが図示されている。 
 　 
（２）本願発明 
　平成２１年１月１５日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲に記載された請求項１ないし５に係る発明は、前記「２−１．理由１」のとおり、発明の詳細な説明に記載されたものでなく、また、不明確であるが、本願発明は、平成２１年１月１５日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲に記載された請求項１ないし５に記載されたとおりのものとし、明確でない構成については、単にその構成が存在することのみを要件とするものと認める。 
（２−１）本願発明１について 
（２−１−１）本願発明１と引用発明との対比 
　本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明の「真空チャンバ」、「複数の異なった物質からなるスパッタターゲット」、「マイクロ波」、「電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電」、「マグネット」が、本願発明１の「チャンバ」、「２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲット」、「マイクロウェーブ」、「電子サイクロトロン共振」、「サイクロトロン共振マグネット」に相当することは明らかである。また、引用発明の「基板に光学的性質の異なる複数の物質を層状に膜形成」された構成は、いわゆる多層干渉反射膜であって、本願発明１において基板上に２つの互いに異なる種類の材料を「光波長分割多重堆積」したものと同じ構成を意味することは明らかであるので、両者はいずれも「高密度光波長分割多重堆積システム」である点で一致している。 
　そして、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電を利用することにより、本願発明１の「プラズマ」が得られることは周知の事項であるとともに、前記引用発明の構成が本願発明１の「マイクロウェーブが」「発せられ」る構成を具備することも明らかである。 
　そして、引用発明の「前記スパッタターゲットを介して、前記ＥＣＲプラズマ源と対向する位置に設けられた基板」が、本願発明１の「プラズマを形成するための電子サイクロトロン共振域の上方に設置された」「基板」と同等の配置関係を意味することも明らかである。 
　 
　そうすると両者は、 
「チャンバと、 
　前記チャンバ内に設置された２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットと、 
　サイクロトロン共振マグネットと、 
　プラズマを形成するための前記電子サイクロトロン共振域の上方に設置された基板と、を含む高密度光波長分割多重堆積システム。」の点で一致し、以下の点で相違する。 
（相違点１） 
　本願発明１は、 
「陽極、スクリーン格子、加速格子、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置」を具備するのに対し、 
　引用発明は、それらを具備していない点。 
（相違点２）プラズマの生成手段について、 
　本願発明１は、 
「前記２つのターゲットの間に配置されたアンテナと、 
　前記ターゲットとアンテナ間に形成された電子サイクロトロン共振域と」を具備し、さらに「自動調節されたマイクロウェーブが前記アンテナから発せられて、前記アンテナが前記マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有する」のに対し、 
　引用発明は、 
アンテナを具備しない結果、ターゲットとアンテナ間に電子サイクロトロン共振域が形成されず、また、自動調節されたマイクロウェーブが前記アンテナから発せられて、前記アンテナが前記マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有することについて記載がない点。 
（相違点３）基板について、 
　本願発明１は「回転可能」であるのに対し、引用発明は回転可能かどうか明らかでない点。 
 　 
（２−１−２）相違点の検討・判断 
（２−１−２−１）相違点１について 
　チャンバ内でプラズマ処理を行う装置において、プラズマ処理に用いる各種ガスや不活性ガスのチャンバ内圧力を調整するため、各種ガスや不活性ガスの流量制御を行うことは当業者の技術常識であり、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置を設けることは、当業者が当然になし得る事項である。 
　また、陽極、スクリーン格子、加速格子は、それらが如何に設置されて如何なる機能や作用を行うものであるのか明らかでない以上、それらを設けることは当業者が適宜なし得る事項にすぎない。 
（２−１−２−２）相違点２について 
　引用文献２には、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共振によるプラズマを利用してターゲットのスパッタを行うに際し、マイクロ波導入のため、ターゲットの表面からマイクロ波の波長の１／４の長さ突出させたアンテナを設けるとともに、永久磁石によって電子にサイクロトロン運動をさせて前記ターゲットの表面近傍に高確率でプラズマを発生させることが記載されている（前記（１−２−ａ）〜（１−２−ｄ）参照）。 
　してみると、引用発明において、「マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有する」「アンテナ」を設けて「マイクロウェーブがアンテナから発せられ」るようにするとともに、そのアンテナが２つのターゲット近傍となるよう、アンテナを「２つのターゲットの間に配置」させること、さらにサイクロトロン共振マグネットを用いて「前記ターゲットとアンテナ間に電子サイクロトロン共振域」を形成するよう構成することは、当業者が容易に想到し得る事項である。 
　そして、マイクロ波をチャンバ内に導入する際、結合器やチューナ等の調整装置を用い、インピーダンス整合を図ること、すなわち、「自動調節されたマイクロウェーブ」を発生させることは、引用文献３（前記（１−３−ａ）、（１−３−ｂ）参照）や引用文献４（前記（１−４−ａ）参照）にも記載されているように、本願の優先権主張の日前に周知の事項にすぎない。 
　したがって、上記相違点２に格別の困難性を見出すことはできない。 
（２−１−２−３）相違点３について 
　多層膜構造の光フィルタを製造する際、基板を基板回転ホルダに設置し、基板を回転させて膜厚分布の均一化を図ることは、引用文献５に記載されている（前記（１−５−ａ）〜（１−５−ｃ）参照）ように、本願の優先権主張の日前に公知の事項にすぎない。 
　してみると、光波長分割多重堆積システムにおいて、基板を回転可能とすることは当業者が容易になし得る事項である。 
　そして、本願発明１が具備する構成によってもたらされる作用効果は、引用発明ならびに引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項から当業者が予測できる域をでるものでもない。 
　以上のとおりであるので、本願発明１は、引用発明ならびに引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項から当業者が容易に発明することができたものである。 
 　 
（２−２）本願発明２について 
　本願発明２は、本願発明１の発明特定事項に加えて「前記プラズマの密度を安定させるために前記チャンバの上部に配置されたマグネット部材を備えた」との特定事項２を付加したものであるので、前記特定事項２について検討する。 
　引用文献３には、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共振によるプラズマを生成して試料を処理する装置において、マイクロ波放電室ならびに処理室の上部に永久磁石からなる磁場発生手段を設け、マイクロ波放電室の上部へのプラズマの拡散損失を抑制することが記載されており（前記（１−３−ａ）、（１−３−ｂ）参照）、チャンバの上部にマグネット部材を設けてプラズマ密度の安定化を図ることは、当業者が容易になし得る事項である。 
　したがって、本願発明２も、引用発明ならびに引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項から当業者が容易に発明することができたものである。 
　 
（２−３）本願発明３について 
　本願発明３は、本願発明１の発明特定事項に加えて「前記プラズマの密度は、５×１０１０ｃｍ−３から９×１０１２ｃｍ−３までの範囲で、前記マイクロウェーブの周波数が２．４５ＧＨｚ、またはそれ以上である」との特定事項３を付加したものであるので、前記特定事項３について検討する。 
　引用発明に用いられるマイクロ波の周波数は２．４５ＧＨｚであり、マイクロ波の周波数について、本願発明３と引用発明とに相違はない。 
　そして、プラズマの密度は、プラズマ生成に用いるマイクロ波の入力電力、あるいはサイクロトロン共振に用いる磁場強度等に応じて変化するものであり、高密度とすることにより多層膜形成が高速化されることは明らかである上、本願の発明の詳細な説明の記載を参酌しても、特定事項３で規定するプラズマの密度に格別な臨界的意義を見出すことはできない。 
　してみると、プラズマの密度は、装置の使用態様等に応じて適宜設定し得る事項にすぎず、プラズマの密度を規定する点に格別の創作性を見出すことはできない。 
　したがって、本願発明３も、引用発明ならびに引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項から当業者が容易に発明することができたものである。 
　 
（２−４）本願発明４について 
（２−４−１）本願発明４と引用発明との対比 
　本願発明４と引用発明とを対比すると、 
引用発明は装置の発明であるが、「基板に光学的性質の異なる複数の物質を層状に膜形成」することは、いわゆる多層干渉反射膜を形成することであって、引用発明の装置を用いて膜形成することは、本願発明４において「（基板上に）複数層の薄膜を生成」して「光波長分割多重フィルタ」を「製造」することと同じことを意味することは明らかであるので、両者はいずれも「複数層の薄膜」からなる「高密度光波長分割多重フィルタ」の製造に関する発明である点で実質的に一致している。 
　そして、引用発明の「真空チャンバ」、「複数の異なった物質からなるスパッタターゲット」、「マイクロ波」、「電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電」、「マグネット」が、本願発明４の「チャンバ」、「２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲット」、「マイクロウェーブ」、「サイクロトロン共振」、「サイクロトロン共振マグネット」に相当することは明らかである。 
　ここで、引用発明の「プラズマ流中のイオンを前記スパッタターゲットのそれぞれに入射させて前記スパッタターゲットをスパッタする」との事項を換言すれば、「スパッタターゲットがプラズマに衝撃されている」といえるので、上記事項は本願発明４の「プラズマに衝撃される」「ターゲット」と同義である。 
　また、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電を利用することにより、「高密度プラズマ」が得られることは周知の事項であるので、前記引用発明の構成により、本願発明４の「マイクロウェーブによって」「高密度プラズマを生成する」ことができることは明らかであるし、引用発明の「前記スパッタターゲットを介して、前記ＥＣＲプラズマ源と対向する位置に設けられた基板」が、本願発明４の「基板を前記電子サイクロトロン共振域の上方に位置させること」と同等の配置関係を意味することも明らかである。 
 　 
　そうすると両者は、 
「チャンバを提供するステップと、 
　プラズマに衝撃される２つの互いに異なる種類の材料から成るターゲットを前記チャンバ内に提供するステップと、 
　サイクロトロン共振マグネット域を形成するステップと、 
　マイクロウェーブによって高密度プラズマを生成するステップと、 
　基板を前記サイクロトロン共振域の上方に位置させることで、複数層の薄膜を生成するステップと、を含む高密度光波長分割多重フィルタの製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。 
（相違点１） 
　本願発明４は、「チャンバ内にサイクロトロン共振マグネット、陽極、スクリーン格子、加速格子、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置を提供するステップ」を具備するのに対し、 
　引用発明は、そのようなステップを具備していない点。 
（相違点２）プラズマの生成手法について、 
　本願発明４は、 
「前記２つのターゲットの間に設置されたアンテナを提供し、サイクロトロン共振マグネット域を形成する」とともに、さらに「自動調節された」マイクロウェーブによって生成するのに対し、 
　引用発明は、 
２つのターゲットの間に設置されたアンテナを具備せず、また、マイクロウェーブが「自動調節され」ていることについて記載がない点。 
（相違点３）基板について、 
　本願発明４は「回転可能」であるのに対し、引用発明は回転可能かどうか明らかでない点。 
 　 
（２−４−２）相違点の検討・判断 
（２−４−２−１）相違点１について 
　チャンバ内でプラズマ処理を行う装置において、サイクロトロン共振マグネットをチャンバ内の設けることは引用文献２に記載されており（前記（１−２−ｃ）、（１−２−ｄ）参照）、プラズマ処理に用いる各種ガスや不活性ガスのチャンバ内圧力を調整するため、各種ガスや不活性ガスの流量制御を行うことは当業者の技術常識であって、酸素流量制御装置及び不活性ガス流量制御装置を設けることは、当業者が当然になし得る事項である。 
　また、陽極、スクリーン格子、加速格子は、それらが如何に設置されて如何なる機能や作用を行うものであるのか明らかでない以上、それらを設けることは当業者が適宜なし得る事項にすぎない。 
（２−４−２−２）相違点２について 
　引用文献２には、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共振によるプラズマを利用してターゲットのスパッタを行うに際し、マイクロ波導入のため、ターゲットの表面から突出させたアンテナを設けるとともに、永久磁石の磁場によって電子にサイクロトロン運動をさせて、前記ターゲットの表面近傍に高確率でプラズマを発生させることが記載されている（前記（１−２−ａ）〜（１−２−ｄ）参照）。 
　してみると、引用発明において、「アンテナ」を設けて「マイクロウェーブがアンテナから発せられ」るようにするとともに、そのアンテナが２つのターゲット近傍となるよう、アンテナを「２つのターゲットの間に配置」させ、さらにサイクロトロン共振マグネットを設けて「サイクロトロン共振マグネット域を形成する」よう構成することは、当業者が容易に想到し得る事項である。 
　そして、マイクロ波をチャンバ内に導入する際、結合器やチューナ等の調整装置を用い、インピーダンス整合を図ること、すなわち、「自動調節されたマイクロウェーブ」を発生させることは、引用文献３（前記（１−３−ａ）、（１−３−ｂ）参照）や引用文献４（前記（１−４−ａ）参照）にも記載されているように、本願出願前周知の事項にすぎない。 
　したがって、上記相違点２に格別の困難性を見出すことはできない。 
（２−４−２−３）相違点３について 
　多層膜構造の光フィルタを製造する際、基板を基板回転ホルダに設置し、基板を回転させて膜厚分布の均一化を図ることは、引用文献５に記載されている（前記（１−５−ａ）〜（１−５−ｃ）参照）ように、本願の優先権主張の日前に公知の事項にすぎない。 
　してみると、光波長分割多重フィルタを製造するに際し、基板を回転可能とすることは当業者が容易になし得る事項である。 
　そして、本願発明４が具備する構成によってもたらされる作用効果は、引用発明ならびに引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項から当業者が予測できる域をでるものでもない。 
　以上のとおりであるので、本願発明４は、引用発明ならびに引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項から当業者が容易に発明することができたものである。 
　 
（２−５）本願発明５について 
　本願発明５は、本願発明４の発明特定事項に加えて「前記アンテナは、前記マイクロウェーブの波長の１／４の長さを有する」との特定事項５を付加したものであるので、前記特定事項５について検討する。 
　引用文献２には、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共振によるプラズマを利用してターゲットのスパッタを行うに際し、マイクロ波導入のため、ターゲットの表面からマイクロ波の波長の１／４の長さ突出させたアンテナを設け、前記ターゲットの表面近傍にプラズマを発生させることが記載されている（前記（１−２−ａ）〜（１−２−ｄ）参照）。 
　してみると、引用発明において、「マイクロウェーブの波長の長さの１／４の長さを有する」「アンテナ」を設けるようにすることは、当業者が容易に想到し得る事項である。　 
　したがって、本願発明５も、引用発明ならびに引用文献２ないし引用文献５に記載された技術的事項から当業者が容易に発明することができたものである。 
 　 
（３）理由２のまとめ　 
　したがって、本願発明１ないし本願発明５は、本願の優先権主張の日前に国内において頒布された上記引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
３　当審の判断
　上記拒絶理由は妥当なものであると認められるので、本願は上記拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。