Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
β型の結晶型を有し、下記一般式（１）中のα位に優先的にハロゲンが置換したフタロシアニン顔料であって、α位に優先的にハロゲンが置換したフタロシアニンが、α位のハロゲン置換基数をｍ、β位のハロゲン置換基数をｎとしたときに、４＞＝ｍ＋ｎ＞＝０．０５、１＞＝ｍ／（ｍ＋ｎ）＞＝０．５および０．３＞＝ｎ＞＝０であるフタロシアニンであるフタロシアニン顔料。【化１】
2010189528.tif 000001
（式中、Ｍは２Ｈまたは２価金属であり、ハロゲンはＦ、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのうちいずれかもしくは複数である。）
【請求項２】
２価金属が、Ｍｎ、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＺｎまたはＰｔである請求項１記載のフタロシアニン顔料。
【請求項３】
Ｍが、Ｃｕである請求項１または２記載のフタロシアニン顔料。
【請求項４】
請求項１〜３記載のフタロシアニン顔料を用いることを特徴とした着色組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜の両側に給電体が設けられるとともに、前記給電体にセパレータが積層されるとともに、一方の給電体と一方のセパレータとの間には、水を供給する第１流路が形成され、他方の給電体と他方のセパレータとの間には、前記水が電気分解されて得られる水素を流動させる第２流路が形成される水電解装置であって、
少なくとも前記セパレータには、前記第１流路の入口側に連通し、前記セパレータの積層方向に沿って延在する水供給連通孔と、
セパレータ面方向外方に突出する突出部と、
が形成されるとともに、
前記突出部には、前記第２流路に連通して前記水素を前記積層方向に流動させ且つ該水素中の水分を結露させる気液分離機能を有する水素連通孔が設けられており、
前記水素連通孔の開口断面積は、前記水供給連通孔の開口断面積よりも大きく設定されることを特徴とする水電解装置。
【請求項２】
請求項１記載の水電解装置において、前記水素連通孔には、排水弁を備える水貯留部が連通することを特徴とする水電解装置。
【請求項３】
請求項２記載の水電解装置において、前記水貯留部には、該水貯留部に貯留されている前記水の水位を検出する水位センサが配設されることを特徴とする水電解装置。
【請求項４】
請求項３記載の水電解装置において、前記水位センサは、前記第２流路の最下端位置よりも下方に配設されることを特徴とする水電解装置。
【請求項５】
電解質膜の両側に給電体が設けられるとともに、前記給電体にセパレータが積層されるとともに、一方の給電体と一方のセパレータとの間には、水を供給する第１流路が形成され、他方の給電体と他方のセパレータとの間には、前記水が電気分解されて得られる水素を流動させる第２流路が形成される単位セルが水平方向に複数積層され、積層方向両端部がエンドプレートにより挟持される水電解装置であって、
少なくとも前記セパレータには、前記第１流路の入口側に連通し、前記セパレータの積層方向に沿って延在する水供給連通孔と、
セパレータ面方向外方に且つ水平方向下部側に突出する突出部と、
が形成されるとともに、
前記突出部には、前記第２流路に連通して前記水素を前記セパレータの積層方向に流動させ且つ該水素中の水分を結露させる気液分離機能を有する水素連通孔が設けられており、
前記水素連通孔は、前記一方のセパレータから前記他方のセパレータに向かって下方に傾斜して形成されることを特徴とする水電解装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の水電解装置において、前記第２流路に生成される前記水素の圧力は、前記第１流路に供給される水の圧力に比べて高圧であることを特徴とする水電解装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散剤中に粒子のサイズが１００ｎｍ（ナノメーター）以下の金属微粒子（以下、金属ナノ粒子という）を主成分として含む複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記複合金属ナノ粒子コロイド中の主たる複合金属ナノ粒子が、粒径が１００ｎｍより小さい金属微粒子（以下、粒径が１００ｎｍより小さい微粒子をナノ粒子という）を核ナノ粒子として、前記核ナノ粒子の周辺に、金属の種類と粒径と形状と固相反応の活性度のうちの少なくとも一つが前記核ナノ粒子とは異なる金属ナノ粒子を配置したものの集合（以下、核ナノ粒子の周辺に配置した金属ナノ粒子を取り巻きナノ粒子という）を少なくとも１種類設けて成る複合金属ナノ粒子で、前記核ナノ粒子と取り巻きナノ粒子のうちの少なくとも１種類の金属ナノ粒子は、減圧雰囲気中あるいは真空中で蒸発等により当該金属を移動可能状態にしたものを、減圧雰囲気中あるいは真空中で移動する膜状の界面活性剤の移動体によって捕捉して収集することを繰り返し行って形成されたナノ粒子であることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項２】
請求項１に記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記減圧雰囲気中あるいは真空中で移動する膜状の界面活性剤の移動体は、当該界面活性剤を溶媒に溶解させずに流動状にした膜状界面活性剤であることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項３】
請求項２に記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記減圧雰囲気中あるいは真空中で移動する膜状の界面活性剤がポリオキシアルキレンアミンであることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記核ナノ粒子が、前記減圧雰囲気中あるいは真空中で移動する膜状の界面活性剤の移動体によって捕捉して収集することを繰り返し行う物理的方法によって形成されたナノ粒子及び／または物理的方法以外の方法によって形成されたナノ粒子にマイクロ波を照射して粒径を大きくした核ナノ粒子であることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記核ナノ粒子を形成している主たる金属が銅及び／又はニッケルであることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記取り巻きナノ粒子を形成している主たる金属が銀であることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記取り巻きナノ粒子を形成している主たる金属が複数種類の金属であることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記取り巻きナノ粒子の少なくとも一部が島構造状に配置されていることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記取り巻きナノ粒子が、金属の種類と粒径と形状と固相反応の活性度のうちの少なくとも一つが互いに異なる複数の層から構成されていることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の複合金属ナノ粒子コロイドにおいて、前記核ナノ粒子及び／又は前記取り巻きナノ粒子の少なくとも一部が合金であることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイド。
【請求項１１】
分散剤中に粒子のサイズが１００ｎｍ（ナノメーター）以下の金属微粒子（以下、金属ナノ粒子という）を主成分として含む複合金属ナノ粒子コロイドを製造する複合金属ナノ粒子の製造装置において、前記複合金属ナノ粒子の製造装置は、真空排気系に接続される真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に配置される少なくとも１つの坩堝（ルツボ）と、前記ルツボ内に入れられた金属を加熱して蒸発させる加熱手段と、前記真空チャンバーの外周壁を回転させる駆動手段と、前記真空チャンバーの外周壁の回転を制御する回転制御手段と、界面活性剤を入れることができる前記真空チャンバーの外周壁の一部に設けられた空間（以下、界面活性剤スペースという）と、前記界面活性剤スペースに入れられた界面活性剤の温度を制御する温度制御手段とを有しており、前記界面活性剤スペースに入れられる界面活性剤を溶媒に溶解させずに流動状態にして前記回転する真空チャンバーの外周壁の内壁に沿って膜状の移動体として前記回転する真空チャンバーの外周壁とともに移動させてそこに飛来する金属微粒子を捕捉して収集することを繰り返し行って、１００ｎｍより小さい第一の金属ナノ粒子を核ナノ粒子として、前記第一の金属ナノ粒子の周りに、金属の種類と粒径と形状と固相反応の活性度のうちの少なくとも一つが前記第一の金属ナノ粒子とは異なる金属ナノ粒子を複数個配置したものの集合（取り巻きナノ粒子という）を少なくとも１種類設けて成る複合金属ナノ粒子を製造することを特徴とする複合金属ナノ粒子の製造装置。
【請求項１２】
分散剤中に粒子のサイズが１００ｎｍ（ナノメーター）以下の金属微粒子（以下、金属ナノ粒子という）を主成分として含む複合金属ナノ粒子コロイドの製造方法において、前記複合金属ナノ粒子コロイド中の主たる複合金属ナノ粒子が、粒径が１００ｎｍより小さい金属微粒子（以下、粒径が１００ｎｍより小さい微粒子をナノ粒子という）を核ナノ粒子として、前記核ナノ粒子の周辺に、金属の種類と粒径と形状と固相反応の活性度のうちの少なくとも一つが前記核ナノ粒子とは異なる金属ナノ粒子を配置したものの集合（以下、核ナノ粒子の周辺に配置した金属ナノ粒子を取り巻きナノ粒子という）を少なくとも１種類設けて成る複合金属ナノ粒子であり、前記複合金属ナノ粒子の製造方法が、前記核ナノ粒子と取り巻きナノ粒子のうちの少なくとも１種類の金属ナノ粒子の製造工程に、減圧雰囲気中あるいは真空中で蒸発等により当該金属を移動可能状態にしたものを、減圧雰囲気中あるいは真空中で移動する膜状の界面活性剤の移動体によって捕捉して収集することを繰り返し行ってナノ粒子を形成する工程を有していることを特徴とする複合金属ナノ粒子コロイドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリル酸−２−エチルヘキシル又はアクリル酸オクチル５０〜９５重量％と、炭素数２〜５のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル０．１〜４０重量％と、（メタ）アクリル酸０．１〜５重量％とを含有するモノマー混合物を共重合して得られるアクリル酸エステル系樹脂を含有する粘着剤組成物を含有する粘着剤層が、基材上に積層一体化されていることを特徴とするプリント配線板の製造に用いられるフォトマスクの表面を保護するために用いられる表面保護用粘着シート。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石（５２）の内径周りに配置された複数の傾斜コイル（５０）、ＲＦトランシーバシステム（５８）、およびＭＲ画像を取得するためにＲＦ信号をＲＦコイルアセンブリに送信するように、パルスモジュール（３８）によって制御されるＲＦスイッチ（６２）を有する磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）と、
ｋ空間グリッドの全体に満たない複数のｋ空間位置に対してアンダーサンプリングしたＭＲデータを取得し（１２０）、
ＭＲデータが取得されなかった一部のｋ空間位置に対してパラレルイメージング技法により未取得のＭＲデータを合成し（１２２）、かつ
前記アンダーサンプリングされて取得されたＭＲデータおよび前記合成された未取得のＭＲデータから、再構成された画像を生成するために、圧縮センシング再構成技法を適用する（１２４）ようにプログラムされたコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータと、
を備え、
前記アンダーサンプリングされて取得されたＭＲデータが、ｋ空間内で、クラスタ化された非干渉性パターン（１５０）で取得される、
ＭＲＩ装置。
【請求項２】
前記クラスタ化された非干渉性パターン（１５０）が、デカルトのサンプリングパターンを含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記コンピュータが、完全にサンプリングされたｋ空間の中心部分（１０５）を取得するようにさらにプログラムされることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記コンピュータが、前記圧縮センシング技法の前に、かつ前記圧縮センシング技法とは別個に、前記パラレルイメージング技法を適用するようにさらにプログラムされることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記パラレルイメージング技法が、ＳＭＡＳＨ（Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｐａｔｉａｌ  Ｈａｒｍｏｎｉｃｓ）、ＡＵＴＯ−ＳＭＡＳＨ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｐａｔｉａｌ  Ｈａｒｍｏｎｉｃｓ）、ＧＲＡＰＰＡ（Ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ  Ａｕｔｏｃａｌｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｐａｒｔｉａｌｌｙ  Ｐａｒａｌｌｅｌ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ；オートキャリブレーションパラレル法）、ＰＡＲＳ（Ｐａｒａｌｌｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｉｍａｇｉｎｇ  ｗｉｔｈ  Ａｄａｐｔｉｖｅ  Ｒａｄｉｕｓ  ｉｎ  ｋ−ｓｐａｃｅ）、ＡＲＣ（Ａｕｔｏｃａｌｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｃａｒｔｅｓｉａｎ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）、およびＡＰＰＥＡＲ（Ａｎｔｉ−ａｌｉａｓｉｎｇ  Ｐａｒｔｉａｌｌｙ  Ｐａｒａｌｌｅｌ  Ｅｎｃｏｄｅｄ  Ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ  Ｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）のうちの１つを含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記パラレルイメージング技法および前記圧縮センシング技法が、独立して最適化されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記パラレルイメージング技法が、非逐次パラレルイメージング技法であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記コンピュータが、ＭＲデータの取得と並行して前記パラレルイメージング技法を適用するようにさらにプログラムされることを特徴とする請求項１記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
バッテリと、
前記バッテリに直列に接続された蓄電部と、
前記バッテリを入力源とし前記蓄電部の充放電を行うように接続されたＤＣ／ＤＣコンバータと、
力行運転を行うとともに、回生運転によって発電を行うモータと、
前記モータに接続され、前記モータの前記力行運転時には電力供給を行い、前記回生運転時には回生電力を変換する電力変換器と、
前記電力変換器との接続を前記バッテリと前記蓄電部の直列回路または前記バッテリのみのいずれか一方に切り替えるスイッチと、
前記ＤＣ／ＤＣコンバータ、スイッチ、および電力変換器に接続された制御回路を備え、
前記モータが前記回生運転を行っている時は、前記スイッチを前記バッテリ側にのみ接続し、
前記モータが前記力行運転を行っている時は、前記スイッチを前記直列回路側にのみ接続し、
前記蓄電部の放電分を、前記ＤＣ／ＤＣコンバータにより充電することを特徴とする電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記従来の課題を解決するために、本発明の電源装置は、バッテリと、前記バッテリに直列に接続された蓄電部と、前記バッテリを入力源とし前記蓄電部の充放電を行うように接続されたＤＣ／ＤＣコンバータと、力行運転を行うとともに、回生運転によって発電を行うモータと、前記モータに接続され、前記モータの前記力行運転時には電力供給を行い、前記回生運転時には回生電力を変換する電力変換器と、前記電力変換器との接続を前記バッテリと前記蓄電部の直列回路または前記バッテリのみのいずれか一方に切り替えるスイッチと、前記ＤＣ／ＤＣコンバータ、スイッチ、および電力変換器に接続された制御回路を備え、前記モータが前記回生運転を行っている時は、前記スイッチを前記バッテリ側にのみ接続し、前記モータが前記力行運転を行っている時は、前記スイッチを前記直列回路側にのみ接続し、前記蓄電部の放電分を、前記ＤＣ／ＤＣコンバータにより充電するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変動表示の開始条件が成立したことにもとづいて、各々を識別可能な複数種類の識別情報を変動表示する可変表示装置を備え、前記可変表示装置における識別情報の表示結果があらかじめ定められた特定表示結果となったときに、遊技者にとって有利な有利状態に制御する遊技機であって、
遊技者が操作可能な操作手段と、
前記有利状態に制御するか否かを、前記識別情報の表示結果が導出表示される以前に決定する事前決定手段と、
前記事前決定手段の決定結果にもとづいて、識別情報の変動パターン種別を複数種類のいずれかに決定する変動パターン種別決定手段と、
前記変動パターン種別決定手段により決定された変動パターン種別に含まれる変動パターンの中から識別情報の変動表示の変動パターンを決定する変動パターン決定手段と、
前記有利状態となる可能性を、遊技機に設けられている演出装置における演出態様を前記操作手段に対する操作に応じて変化させることによって予告報知する操作対応予告報知を実行する演出態様制御手段とを備え、
前記演出態様制御手段は、前記操作対応予告報知を開始してから終了するまでの報知期間内の特定期間では、前記操作手段に対する操作が行われても演出態様を変化させない演出態様維持手段を含む
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、変動パターン決定手段が決定した変動パターンにもとづいて、演出態様の種別を複数種類のいずれかに決定する演出態様種別決定手段と、演出態様種別決定手段により決定された演出態様の種別に含まれる演出態様の中から演出装置における演出態様を決定する演出態様決定手段とを備えれば、演出態様の種別として大枠を決定し、その決定にもとづいて演出態様を決定することができ、多種類の演出態様の中から直接的に演出態様を選択する場合に比べて、演出態様の出現率を柔軟に設定することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、演出態様制御手段が、段階予告演出において段階予告演出における発展タイミングになったときに演出装置の演出態様を発展させる制御が実行されない場合に、操作対応予告報知を開始するように構成すれば、段階予告演出において演出態様が発展しない場合であっても、操作対応予告報知による演出が続行されるので、予告演出の遊技の興趣を向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、演出態様制御手段が、段階予告演出実行手段によって制御された発展後の演出態様として操作対応予告報知を実行するように構成すれば、段階予告演出と操作対応予告報知が連動した予告演出が実現され、予告演出の遊技の興趣を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、到達判定手段が、操作段階が操作段階レベル選択手段が選択したレベルに達したと判定したときに、演出装置に表示されている演出態様が所定の演出態様にまで変化していない場合に、遊技機に設けられている演出装置を用いて、操作手段に対する操作を促すための操作指示報知を行う操作指示報知制御手段とを備え、操作指示報知制御手段が、事前決定手段が有利状態に制御することに決定している場合には、事前決定手段が有利状態に制御しないことに決定している場合に比べて、操作指示報知を行う割合を高くするように構成すれば、遊技者に対して遊技参加を促すことによって、遊技の興趣を向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、演出態様制御手段が、識別情報の変動が開始されてからリーチ状態になる前に操作対応予告報知を実行するように構成すれば、操作対応予告報知によって、リーチ状態になる前の識別情報の変動表示中における遊技の種類を増加させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、演出態様制御手段が、リーチ変動状態中に操作対応予告報知を実行するように構成すれば、操作対応予告報知によって、リーチ状態になった後の識別情報の変動表示中における遊技の種類を増加させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、演出態様制御手段が、再抽選演出が実行されているときに操作対応予告報知を実行するように構成すれば、操作対応予告報知によって、再抽選演出における遊技の種類を増加させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、演出態様制御手段が、有利状態としての大当り遊技状態において操作対応予告報知を実行するように構成すれば、操作対応予告報知によって、大当り遊技中における遊技の種類を増加させることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、演出態様制御手段が、有利状態としての大当り遊技状態の終了後に操作対応予告報知を実行するように構成すれば、操作対応予告報知によって、大当り遊技が終了したときの遊技の種類を増加させることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、演出態様制御手段が、高確率示唆手段が示唆制御を行っているときに操作対応予告報知を実行するように構成すれば、遊技者が高確率状態であることを明確に把握できないときの遊技の種類を増加させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷装置によって描画される赤外マークであって、
少なくとも高赤外吸収ガマットおよび低赤外吸収ガマットから導出されるカラー混合物と、
前記カラー混合物を反射するように構成された下地と、
を備え、
前記高赤外吸収ガマットおよび前記低赤外吸収ガマットは、境界により限定される類似の形状を有し、前記高赤外吸収ガマットおよび前記低赤外吸収ガマットは、各々、元の高赤外吸収ガマットおよび低赤外吸収ガマットの相関から由来し、前記カラー混合物は、前記高赤外吸収ガマットおよび前記低赤外吸収ガマットのうちのより下の方の端から生成された変換に由来し、
前記高赤外吸収ガマットは、前記低赤外吸収ガマットに比べてカーボンブラックトナーの量を多く含む、
赤外マーク。
【請求項２】
赤外マークを画像上に作成するための方法であって、
印刷するための入力画像を受け取り、
高赤外吸収ガマットおよび低赤外吸収ガマットの相関効果をもたらす印刷ストラテジーを採用し、該相関効果は、前記高赤外吸収ガマットおよび前記低赤外吸収ガマットを、同一のガマット境界を有する同一の形状に変換し、
前記印刷ストラテジーを使用して、赤外反射基板上に前記入力画像の印刷物を描画するため前記境界から生成された変換を使用し、赤外透かしを作成するために前記高赤外吸収ガマットおよび前記低赤外吸収ガマットが代替的に使用され、前記高赤外吸収ガマットの印刷物はブラックトナーの量が比較的多く、前記低赤外吸収ガマットの印刷物はブラックトナーの量が比較的少ない、
ことを含む、方法。
【請求項３】
前記印刷ストラテジーは、前記入力画像を、前記高赤外吸収ガマットおよび前記低赤外吸収ガマットの混合物に写像し、
前記高赤外吸収ガマットの領域又は前記低赤外吸収ガマットの領域のうちの少なくとも一つは、他方から除外される、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記印刷ストラテジーは、前記入力画像を、前記高赤外吸収ガマットを前記低赤外吸収ガマットの形状に限定する前記低赤外吸収ガマットの境界に写像する、
請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部音源から入力された音響信号を複数のスピーカへ送信して再生する音響再生装置に前記複数のスピーカが接続された音響再生システムであって、
前記音響再生装置から前記複数のスピーカへ送信されるそれぞれの音響信号に制御信号を重畳させて送信する送信手段と、
前記送信手段によって送信された制御信号に応じて、前記複数のスピーカが予め定められた応答信号を発音する発音手段と、
前記発音手段によって発音された応答信号を収音する収音手段と、
前記収音手段によって収音された応答信号に応じて、前記音響信号を再生する際の音響制御を実行する実行手段と、
を有することを特徴とする音響再生システム。
【請求項２】
前記発音手段は、前記制御信号が初期設定を指示する場合には、前記複数のスピーカに記憶されているスピーカの種別を識別する情報を前記応答信号として発音することを特徴とする請求項１に記載の音響再生システム。
【請求項３】
前記発音手段は、前記制御信号がスピーカの周波数特性を変更する音響制御を指示する場合、前記スピーカの音響特性パラメータを変更した結果を前記応答信号として発音することを特徴とする請求項１に記載の音響再生システム。
【請求項４】
前記発音手段は、前記制御信号がスピーカの状態を検知する指示の場合、前記スピーカの動作状態を前記応答信号として発音することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の音響再生システム。
【請求項５】
前記収音手段は、マイクロフォンによって前記複数のスピーカから発音された応答信号を収音することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の音響再生システム。
【請求項６】
外部音源から入力された音響信号を複数のスピーカへ送信して再生する音響再生装置であって、
前記複数のスピーカへ送信されるそれぞれの音響信号に制御信号を重畳させて送信する送信手段と、
前記送信手段によって送信された制御信号に応じて、前記複数のスピーカで発音された応答信号を収音する収音手段と、
前記収音手段によって収音された応答信号に応じて、前記音響信号を再生する際の音響制御を実行する実行手段と、
を有することを特徴とする音響再生装置。
【請求項７】
外部音源から入力された音響信号を複数のスピーカへ送信して再生する音響再生装置に前記複数のスピーカが接続された音響再生システムの制御方法であって、
前記音響再生装置が、前記複数のスピーカへ送信されるそれぞれの音響信号に制御信号を重畳させて送信する送信工程を実行し、
前記送信工程において送信された制御信号に応じて、前記複数のスピーカが予め定められた応答信号を発音する発音工程を実行し、
前記音響再生装置が、
前記発音工程において発音された応答信号を収音する収音工程と、
前記収音工程において収音された応答信号に応じて、前記音響信号を再生する際の音響制御を実行する実行工程と、
を実行することを特徴とする音響再生システムの制御方法。
【請求項８】
外部音源から入力された音響信号を複数のスピーカへ送信して再生する音響再生装置の制御方法であって、
送信手段が、前記複数のスピーカへ送信されるそれぞれの音響信号に制御信号を重畳させて送信する送信工程と、
収音手段が、前記送信工程において送信された制御信号に応じて、前記複数のスピーカで発音された応答信号を収音する収音工程と、
実行手段が、前記収音工程において収音された応答信号に応じて、前記音響信号を再生する際の音響制御を実行する実行工程と、
を有することを特徴とする音響再生装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータに、請求項７に記載の音響再生システムの制御方法又は請求項８に記載の音響再生装置の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定められたサイズの画素ブロックに対して入力画像に含まれるエッジのエッジ強度を測定して格納する格納手段と、
前記格納手段に格納されたエッジ強度に基づいて前記入力画像に含まれるノイズを除去すべきノイズ除去対象の画素ブロックを決定する決定手段と、
前記入力画像の隣接するライン間の画素値の差分を算出する算出手段と、
前記格納されたエッジ強度と前記算出された差分とに基づいて、前記ノイズ除去対象の画素ブロックに対するノイズ除去処理を制御する制御手段と、
を有することを特徴とするノイズ除去制御装置。
【請求項２】
前記格納手段は、２フレーム分のメモリバンクで構成され、１フレーム分のエッジ強度を格納した後にバンクを切り替え、次の１フレーム分のエッジ強度を格納すると同時に、直前に格納した１フレーム分のエッジ強度を読み出し可能であることを特徴とする請求項１に記載のノイズ除去制御装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記エッジ強度が予め定められた値よりも大きいエッジの画素ブロックに隣接する平坦部の画素ブロックをノイズを除去すべき画素ブロックに決定することを特徴とする請求項１又は２に記載のノイズ除去制御装置。
【請求項４】
前記ノイズを除去すべき画素ブロックを特定する特定情報を格納する手段を更に有し、
前記決定手段は、前記格納された特定情報と前記ノイズを除去すべき画素ブロックとに基づいて前記入力画像に含まれるノイズを除去すべきノイズ除去対象の画素ブロックを決定することを特徴とする請求項３に記載のノイズ除去制御装置。
【請求項５】
ノイズ除去制御装置にて実行されるノイズ除去制御方法であって、
格納手段が、予め定められたサイズの画素ブロックに対して入力画像に含まれるエッジのエッジ強度を測定して格納する格納工程と、
決定手段が、前記格納工程において格納されたエッジ強度に基づいて前記入力画像に含まれるノイズを除去すべきノイズ除去対象の画素ブロックを決定する決定工程と、
算出手段が、前記入力画像の隣接するライン間の画素値の差分を算出する算出工程と、
制御手段が、前記格納されたエッジ強度と前記算出された差分とに基づいて、前記ノイズ除去対象の画素ブロックに対するノイズ除去処理を制御する制御工程と、
を有することを特徴とするノイズ除去制御方法。
【請求項６】
コンピュータを請求項１乃至４の何れか１項に記載のノイズ除去制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項７】
請求項６に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明は、ノイズ除去制御装置にて実行されるノイズ除去制御方法であって、
格納手段が、予め定められたサイズの画素ブロックに対して入力画像に含まれるエッジのエッジ強度を測定して格納する格納工程と、
決定手段が、前記格納工程において格納されたエッジ強度に基づいて前記入力画像に含まれるノイズを除去すべきノイズ除去対象の画素ブロックを決定する決定工程と、
算出手段が、前記入力画像の隣接するライン間の画素値の差分を算出する算出工程と、
制御手段が、前記格納されたエッジ強度と前記算出された差分とに基づいて、前記ノイズ除去対象の画素ブロックに対するノイズ除去処理を制御する制御工程と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像のそれぞれの撮影時刻を取得し、撮影時刻の順に画像を一覧表示させる機能を有する画像処理装置であって、
各画像の撮影時刻の情報に基づいて、画像間の撮影時刻差を算出する撮影時刻差算出手段と、
前記撮影時刻差算出手段により算出された撮影時刻差と、当該撮影時刻差と比較するためのユーザにより予め設定された閾値とを比較することで、一覧表示する画像を選択する表示画像選択手段と、
前記表示画像選択手段により選択された各画像を、当該選択された各画像の撮影時刻に従って一覧表示させる表示処理手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記撮影時刻差算出手段は、各画像の撮影時刻に基づいて、時間的に隣り合う画像間の撮影時刻差を算出することを特徴とする、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記撮影時刻差算出手段は、撮影時刻差を算出する際に基準となる基準画像と、当該基準画像の撮影後に撮影され、前記基準画像の撮影時刻と最も撮影時刻が近い時刻に撮影された比較対象画像との撮影時刻差を算出し、当該撮影時刻差と前記閾値との比較を行い、撮影時刻差が前記閾値以上であった場合には、当該比較を行った後に、前記比較対象画像が前記基準画像として設定されることを特徴とする、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記撮影時刻差算出手段は、画像を撮像した複数の撮像装置の情報を取得し、撮像装置ごとに当該撮像装置で撮影された各画像の撮影時刻差を算出して、当該撮影時刻差に基づいて前記表示画像選択手段は一覧表示する画像を撮像装置ごとに選択し、前記表示処理手段は、各撮像装置において一覧表示する画像として選択された画像を、全て表示させるように制御を行うことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記表示処理手段は、前記表示画像選択手段による選択処理で一覧表示された複数の画像とともに、一覧表示された画像の撮影時刻を示すタイムスケールの表示、及び／又は、一覧表示されない画像の枚数を示す情報の表示処理を行うことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
複数の画像のそれぞれの撮影時刻を取得し、撮影時刻の順に画像を一覧表示させる機能を有する画像処理装置の制御方法であって、
各画像の撮影時刻の情報に基づいて、画像間の撮影時刻差を算出する撮影時刻差算出ステップと、
前記撮影時刻差算出ステップで算出した撮影時刻差と、当該撮影時刻差と比較するためのユーザにより予め設定された閾値とを比較することで、一覧表示する画像を選択する表示画像選択ステップと、
前記表示画像選択ステップで選択された各画像を、当該選択された各画像の撮影時刻に従って一覧表示させる表示ステップを有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項７】
前記撮影時刻差算出ステップでは、各画像の撮影時刻に基づいて、時間的に隣り合う画像間の撮影時刻差を算出することを特徴とする、請求項６に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記撮影時刻差算出ステップでは、撮影時刻差を算出する際に基準となる基準画像と、当該基準画像の撮影後に撮影され、前記基準画像の撮影時刻と最も撮影時刻が近い時刻に撮影された比較対象画像との撮影時刻差を算出し、当該撮影時刻差と前記閾値との比較を行い、撮影時刻差が前記閾値以上であった場合には、当該比較を行った後に、前記比較対象画像が前記基準画像として設定されることを特徴とする、請求項６に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
前記撮影時刻差算出ステップでは、画像を撮像した複数の撮像装置の情報を取得し、撮像装置ごとに当該撮像装置で撮影された各画像の撮影時刻差を算出して、前記表示画像選択ステップでは、当該撮影時刻差に基づいて一覧表示する画像を撮像装置ごとに選択し、前記表示ステップでは、各撮像装置において一覧表示する画像として選択された画像を、全て表示させるように制御を行うことを特徴とする、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
前記表示ステップでは、前記表示画像選択ステップによる選択処理で一覧表示された複数の画像とともに、一覧表示された画像の撮影時刻を示すタイムスケールの表示、及び／又は、一覧表示されない画像の枚数を示す情報の表示処理を行うことを特徴とする、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る装置は、複数の画像のそれぞれの撮影時刻を取得し、撮影時刻の順に画像を一覧表示させる機能を有する画像処理装置であって、各画像の撮影時刻の情報に基づいて、画像間の撮影時刻差を算出する撮影時刻差算出手段と、前記撮影時刻差算出手段により算出された撮影時刻差と、当該撮影時刻差と比較するためのユーザにより予め設定された閾値とを比較することで、一覧表示する画像を選択する表示画像選択手段と、前記表示画像選択手段により選択された各画像を、当該選択された各画像の撮影時刻に従って一覧表示させる表示処理手段と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像から変換された符号化対象の画像データを可変な量子化ステップを用いて量子化する量子化手段と、
前記量子化手段により量子化された画像データを符号化する符号化手段と、
前記入力画像の画面内に存在する人物の顔についての重要度を判定する重要度判定手段と、
前記重要度に応じて、前記人物の顔の領域に対応する画像データを前記量子化手段により量子化する際の前記量子化ステップを制御する量子化制御手段
とを有する画像符号化装置であって、
前記重要度判定手段は、
前記入力画像から前記人物の顔を検出し、検出された顔の数の情報と顔のサイズ情報とを取得する顔検出手段を有し、
前記顔検出手段が複数の顔を検出した場合に、検出された複数の顔の各々について、顔のサイズ、および他の顔との相対的なサイズに基づいて前記重要度を判定する
ことを特徴とする画像符号化装置。
【請求項２】
前記重要度判定手段は、前記顔検出手段が複数の顔を検出した場合に、検出された複数の顔のうち最大サイズの顔を基準とし、前記基準となる顔以外の顔の前記重要度を、前記基準となる顔のサイズとの相対的なサイズに基づいて判定することを特徴とする請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項３】
前記重要度判定手段は、前記顔検出手段が複数の顔を検出した場合に、前記基準となる顔のサイズに対して相対的に一定以上小さいサイズの顔を顔検出結果から除外することを特徴とする請求項２に記載の画像符号化装置。
【請求項４】
前記重要度判定手段は、前記顔検出手段が複数の顔を検出した場合に、前記基準となる顔のサイズとの相対的な顔のサイズが小さいほど前記重要度を小さくすることを特徴とする請求項２または３に記載の画像符号化装置。
【請求項５】
前記重要度判定手段は、前記顔検出手段が検出した顔のうち、予め決められたサイズより小さいものを顔検出結果から除外することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像符号化装置。
【請求項６】
前記量子化制御手段は、前記重要度が高い程、量子化ステップを小さくすることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の画像符号化装置。
【請求項７】
入力画像から変換された符号化対象の画像データを可変な量子化ステップを用いて量子化する量子化工程と、
前記量子化工程で量子化された画像データを符号化する符号化工程と、
前記入力画像の画面内に存在する人物の顔についての重要度を判定する重要度判定工程と、
前記重要度に応じて、前記人物の顔の領域に対応する画像データを前記量子化工程で量子化する際の前記量子化ステップを制御する量子化制御工程
とを有する画像符号化方法であって、
前記重要度判定工程は、
前記入力画像から前記人物の顔を検出し、検出された顔の数の情報と顔のサイズ情報とを取得する顔検出工程を有し、
前記顔検出工程で複数の顔を検出した場合に、検出された複数の顔の各々について、顔のサイズ、および他の顔との相対的なサイズに基づいて前記重要度を判定する
ことを特徴とする画像符号化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像符号化装置及び方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像内に存在する人物の顔について顔の重要度を考慮する画像符号化装置及び方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、このような不都合を解消し、相対的な重要度に応じて割当て符号量を決定するようにした画像符号化装置及び方法を提示することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る画像符号化装置は、入力画像から変換された符号化対象の画像データを可変な量子化ステップを用いて量子化する量子化手段と、前記量子化手段により量子化された画像データを符号化する符号化手段と、前記入力画像の画面内に存在する人物の顔についての重要度を判定する重要度判定手段と、前記重要度に応じて、前記人物の顔の領域に対応する画像データを前記量子化手段により量子化する際の前記量子化ステップを制御する量子化制御手段とを有する画像符号化装置であって、前記重要度判定手段は、前記入力画像から前記人物の顔を検出し、検出された顔の数の情報と顔のサイズ情報とを取得する顔検出手段を有し、前記顔検出手段が複数の顔を検出した場合に、検出された複数の顔の各々について、顔のサイズ、および他の顔との相対的なサイズに基づいて前記重要度を判定することを特徴とする。
本発明に係る画像符号化方法は、入力画像から変換された符号化対象の画像データを可変な量子化ステップを用いて量子化する量子化工程と、前記量子化工程で量子化された画像データを符号化する符号化工程と、前記入力画像の画面内に存在する人物の顔についての重要度を判定する重要度判定工程と、前記重要度に応じて、前記人物の顔の領域に対応する画像データを前記量子化工程で量子化する際の前記量子化ステップを制御する量子化制御工程とを有する画像符号化方法であって、前記重要度判定工程は、前記入力画像から前記人物の顔を検出し、検出された顔の数の情報と顔のサイズ情報とを取得する顔検出工程を有し、前記顔検出工程で複数の顔を検出した場合に、検出された複数の顔の各々について、顔のサイズ、および他の顔との相対的なサイズに基づいて前記重要度を判定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御電圧によって発振周波数を可変させる電圧制御発振回路と、
前記電圧制御発振回路の出力又は該出力を分周した信号と基準信号とを位相比較する位相比較器と、
前記位相比較結果に基づき前記電圧制御発振回路への制御電圧を生成するループフィルタと、を備えた周波数シンセサイザであって、
前記電圧制御発振回路が、容量バンクと可変容量素子とを備え、
前記容量バンクが、
複数の重み付けされた容量素子と、
前記複数の容量素子にそれぞれ対応した複数のビット信号に基づきオン・オフされる複数のスイッチと、を備え、
さらに、
前記電圧制御発振回路の前記容量バンクの寄生容量の補正電位を生成する第１の補正電位発生回路と、
前記可変容量素子の補正電位を生成する第２の補正電位発生回路と、
前記第２の補正電位発生回路の出力電位を前記制御ビット信号に基づき重み付け処理する重み付け回路と、
前記第１の補正電位発生回路の出力電圧と前記重み付け回路の出力電圧を合成する合成回路と、
を備えた温度補償ブロックを備え、
前記温度補償ブロックの前記合成回路の出力により、前記電圧制御発振回路の前記可変容量素子が制御される、ことを特徴とする周波数シンセサイザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
なお、これ以外の形式の定電圧源であっても、同様の効果が得られることは勿論である。また定電圧源の代わりに、ＰＴＡＴ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｔｅ  Ｔｏ  Ａｂｓｏｌｕｔｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）等温度依存性の電流を出力する定電流源と、電流−電圧変換回路の組み合わせで構成しても良い。また温度依存性のない定電流源と、温度依存性が設計された電流−電圧変換回路の組み合わせであっても良い。以上説明したように、本発明によれば、周波数微調整用バラクタの容量可変範囲と、温度補償ブロック出力に制御させる補償バラクタの容量可変範囲の和が、温度変動に対する耐性に寄与するため、ＰＬＬのロック外れが生じにくい。
上記した実施形態は以下のように付記される（ただし、以下に限定されない）。
（形態１）
制御電圧によって発振周波数を可変させる電圧制御発振回路と、
前記電圧制御発振回路の出力又は該出力を分周した信号と基準信号とを位相比較する位相比較器と、
前記位相比較結果に基づき前記電圧制御発振回路への制御電圧を生成するループフィルタと、を備えた周波数シンセサイザであって、
前記電圧制御発振回路が、容量バンクと可変容量素子とを備え、
前記容量バンクが、
複数の重み付けされた容量素子と、
前記複数の容量素子にそれぞれ対応した複数のビット信号に基づきオン・オフされる複数のスイッチと、を備え、
さらに、
前記電圧制御発振回路の前記容量バンクの寄生容量の補正電位を生成する第１の補正電位発生回路と、
前記可変容量素子の補正電位を生成する第２の補正電位発生回路と、
前記第２の補正電位発生回路の出力電位を前記制御ビット信号に基づき重み付け処理する重み付け回路と、
前記第１の補正電位発生回路の出力電圧と前記重み付け回路の出力電圧を合成する合成回路と、
を備えた温度補償ブロックを備え、
前記温度補償ブロックの前記合成回路の出力により、前記電圧制御発振回路の前記可変容量素子が制御される、ことを特徴とする周波数シンセサイザ。
（形態２）
前記温度補償ブロックが、
前記制御ビット信号に対応した電圧を生成する回路を備え、
前記重み付け回路が、前記制御ビット信号に対応した電圧によってゲインが可変されるゲイン可変利アンプを含む、ことを特徴とする形態１記載の周波数シンセサイザ。
（形態３）
前記温度補償ブロックにおいて、
前記第１の補正電位発生回路が、
前記容量バンクのレプリカ回路と、
別の固定容量と、
前記レプリカ回路の容量を所定の電流で所定時間充電し、前記別の固定容量を前記電流で同じ時間充電し、両者の容量の端子電圧の電圧差を検出して出力する差動増幅回路と、
を備えた、ことを特徴とする形態１記載の周波数シンセサイザ。
（形態４）
前記温度補償ブロックにおいて、
前記重み付け回路が、
前記制御ビット信号でオン・オフされるスイッチと、前記スイッチに直列に接続される抵抗と、の組を複数並列接続した並列抵抗アレイを備え、
前記合成回路が、
前記第２の補正電位発生回路の出力で抵抗が可変される可変抵抗を備え、
前記並列抵抗アレイに、前記可変抵抗が並列に接続され、前記可変容量素子に接続される、ことを特徴とする形態１記載の周波数シンセサイザ。
（形態５）
前記温度補償ブロックにおいて、
前記重み付け回路が、
抵抗と、前記抵抗に、並列接続され前記制御ビット信号でオン・オフされ、オン時抵抗を短絡させるスイッチと、の組を複数直列接続した抵抗アレイと、
を備え、
前記合成回路が、
前記第２の補正電位発生回路の出力で抵抗が可変される可変抵抗を備え、
前記抵抗アレイに、前記可変抵抗が直列に接続され、前記可変容量素子に接続される、ことを特徴とする形態１記載の周波数シンセサイザ。
（形態６）
前記温度補償ブロックにおいて、
前記重み付け回路が、前記第１の補正電位発生回路の出力電圧を基準電圧として受け、前記制御ビット信号に応じた電圧を出力するデジタルアナログ変換回路を備えている、ことを特徴とする形態１記載の周波数シンセサイザ。
（形態７）
前記電圧制御発振回路が、
前記第２の補正電位発生回路の出力電圧を受ける可変容量素子と、
前記重み付け回路の出力電圧を受ける別の可変容量素子と、
を備えた、ことを特徴とする形態１記載の周波数シンセサイザ。
（形態８）
前記温度補償ブロックにおける前記重み付け回路の出力電圧と、前記第２の補正電位発生回路の出力電圧と、前記ループフィルタの出力とを合成する回路を備え、前記合成した電圧が、前記電圧制御発振回路の前記可変容量素子に印加される、ことを特徴とする形態１記載の周波数シンセサイザ。
（形態９）
前記第１の補正電位発生回路として、その出力電圧の温度依存性がある所望の値になるように設計された電圧源を備えた、ことを特徴とする形態１記載の周波数シンセサイザ。
（形態１０）
前記電圧制御発振回路の発振周波数の変化の符号と、前記第１、第２の補正電位発生回路による前記電圧制御発振回路の発振周波数の変化の符号とが互いに逆である、ことを特徴とする、形態１記載の周波数シンセサイザ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された配線溝と、
前記配線溝の底面に形成された接続孔と、
少なくとも前記接続孔の側壁を覆うバリアメタル膜と、
を有し、
前記接続孔は、径が異なる複数の孔から構成されており、
前記複数の孔は、下に向けて径が小さくなるように深さ方向に接続し、
前記複数の孔の接続部に前記下地に対してほぼ平行な面を有する、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
上記の態様によれば、Ｃｕ配線上に形成された配線層間絶縁膜のビアファースト・デュアルダマシン加工方法において、トレンチ溝加工と同時にスルーホールビアを少なくとも２つの異なる直径を持つ多段構造に加工することにより、スルーホールビアのアスペクト比を低減し、Ｃｕ埋設性の向上を実現する。その結果、スルーホールビアの製造歩留まりと信頼性を向上させる。
本発明の他の態様を以下に例示する。
［１］  下地上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された配線溝と、
前記配線溝の底面に形成された接続孔と、
少なくとも前記接続孔の側壁を覆うバリアメタル膜と、
を有し、
前記接続孔は、径が異なる複数の孔から構成されており、
前記複数の孔は、下に向けて径が小さくなるように深さ方向に接続し、
前記複数の孔の接続部に前記下地に対してほぼ平行な面を有する、半導体装置。
［２］  前記複数の孔の接続部に、前記下地に対して０°〜１０°の傾きからなる面を有する、［１］に記載の半導体装置。
［３］  前記接続孔の側壁がテーパー状に形成されている、［１］または［２］に記載の半導体装置。
［４］  前記上部孔の底面の径と前記下部孔の開口径との差をΔｄとしたとき、Δｄ≧５ｎｍである、［１］乃至［３］いずれかに記載の半導体装置。
［５］  前記下地がシリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）とを主成分とするキャップ絶縁膜である、［１］乃至［４］いずれかに記載の半導体装置。
［６］  前記キャップ絶縁膜で上面が覆われた金属配線をさらに有し、
前記接続孔の底面が前記金属配線に入り込んでいる、［１］乃至［５］いずれかに記載の半導体装置。
［７］  前記絶縁膜がＳｉとＣと酸素（Ｏ）とを主成分とする、［１］乃至［６］いずれかに記載の半導体装置。
［８］  前記絶縁膜中の炭素／シリコン比（Ｃ／Ｓｉ）が１より大きいＳｉＯＣＨ膜である、［７］に記載の半導体装置。
［９］  前記絶縁膜が互いに独立した複数の空孔を有し、前記空孔の平均空孔径０．８ｎｍ以下である、［８］に記載の半導体装置。
［１０］  前記絶縁膜が、三量体の環状シロキサン構造を有し、前記環状シロキサン構造を構成しているシリコンに不飽和または飽和炭素鎖が結合している、［８］または［９］に記載の半導体装置。
［１１］  前記接続孔の側壁の傾斜角が６０°〜９０°である、［１］乃至［１０］いずれかに記載の半導体装置。
［１２］  絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を貫通する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔に充填材を充填する工程と、
前記接続孔の開口を覆うマスクを前記絶縁膜上に形成する工程と、
前記マスク及び前記充填材の一部を除去するとともに前記接続孔の側壁の一部を露出させる第一のエッチング工程と、
露出した前記接続孔の側壁から前記絶縁膜を除去して、配線溝及び接続孔を形成する第二のエッチング工程と、
少なくとも前記接続孔の側壁をバリアメタル膜で覆う工程と、
を含み、
前記第二のエッチング工程において、
前記配線溝の底面から径が異なる複数の孔を下に向けて径が小さくなるように深さ方向に接続させて前記接続孔を形成し、前記複数の孔の接続部に前記接続孔の底面に対してほぼ平行な面を形成させる、半導体装置の製造方法。
［１３］  前記第二のエッチング工程において、前記接続部に前記接続孔の底面に対して０°〜１０°の傾きを有する面を形成する、［１２］に記載の半導体装置の製造方法。
［１４］  前記第二のエッチング工程は、前記充填材を除去する工程をさらに含み、
前記第一のエッチング工程において、炭素（Ｃ）と水素（Ｈ）とフッ素（Ｆ）の３元素からなるＣＨＦ系ガスを含む第一のエッチングガスを用いて前記マスク及び前記充填材を除去し、
前記第二のエッチング工程において、
酸素ガスを含む第二のエッチングガスを用いて前記絶縁膜を除去し、
酸素原子（Ｏ）を含む酸化ガスを用いて前記充填材を除去する、［１２］または［１３］に記載の半導体装置の製造方法。
［１５］  前記第一のエッチングガスが、Ａｒ、Ｎ２、ＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２及びＯ２からなる群から選択されるガスを含むことを特徴とする［１４］に記載の半導体装置の製造方法。
［１６］  前記第二のエッチングガスがＡｒ、Ｎ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３及びＣＨ２Ｆ２からなる群から選択されるガスを含むことを特徴とする［１４］または［１５］に記載の半導体装置の製造方法。
［１７］  下部配線を形成する前記工程と前記絶縁膜を形成する前記工程との間に、前記下部配線を覆う、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）とを主成分とするキャップ絶縁膜を形成する工程をさらに含む、［１２］乃至［１６］いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
［１８］  前記絶縁膜を形成する前記工程において、環状有機シリカ構造を有する、上記一般式（１）で示される原料から前記絶縁膜を形成する、［１２］乃至［１７］いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
［１９］  前記環状有機シリカ構造を有する原料が上記式（２）または式（３）に示す構造を有する、［１８］に記載の半導体装置の製造方法。