【事件の表示】
　特願２００３−３６４３９５「液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月１９日出願公開、特開２００５−１２５６３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月２４日に出願したものであって、平成１９年１１月７日付けで手続補正がなされ、平成２０年２月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１０日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月２８日付けで特許請求の範囲及び明細書についての手続補正がなされたものである。
　その後、平成２１年１２月２４日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年３月５日に回答書が提出された。
　
２．平成２０年３月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年３月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲（請求項数４）についての補正を含んでおり、本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドにおいて、
　
前記半導体素子と前記発熱素子との間の層間絶縁膜が、
の堆積
の堆積
のエッチング処理
　前記半導体素子上の部位では、前記化学気相成長法による絶縁膜と前記塗布型の絶縁膜との積層により形成され、
　前記発熱素子を作成する部位では、前記化学気相成長法による絶縁膜の積層により作成された
　ことを特徴とする液体吐出ヘッド。」
から
「液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドにおいて、
　化学気相成長法による絶縁膜
を堆積する処理
を堆積する処理
前記塗布型の絶縁膜をエッチングし、前記発熱素子を作成する部位に前記塗布型の絶縁膜が残存しないようにする処理
　前記半導体素子上の部位では、
前記半導体素子と前記発熱素子との間の層間絶縁膜が、
　前記発熱素子を作成する部位では、
前記半導体素子と前記発熱素子との間の層間絶縁膜が、
　ことを特徴とする液体吐出ヘッド。」
に補正された。（下線は、審決で付した。）
　
　上記請求項１についての補正は以下の補正事項からなる。
ａ．「前記半導体素子と前記発熱素子との間の層間絶縁膜が、」（１箇所）という記載を「前記半導体素子上の部位では、」及び「前記発熱素子を作成する部位では、」という記載の後にそれぞれ移動させる。
ｂ．「絶縁膜の堆積」（２箇所）を「絶縁膜を堆積する処理」（２箇所）に補正する。
ｃ．「化学気相成長法による絶縁膜が露出するまでのエッチング処理」を「化学気相成長法による絶縁膜が露出するまで前記塗布型の絶縁膜をエッチングし、前記発熱素子を作成する部位に前記塗布型の絶縁膜が残存しないようにする処理」に補正する。
　
　上記ａ及びｂにより補正前後の実質的内容は変化していない。
　上記ｃは、「エッチング」による処理で、「発熱素子を作成する部位に塗布型の絶縁膜が残存しない」ことを限定するものである。
　そうすると、上記請求項１についての補正は、全体として平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以後、「改正前の特許法」という。）第１７条の２第４項の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−３０７６８３号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の記載が図示とともにある。
　ア．【０００２】
【従来の技術】近年、プリンタ市場が拡大し、多様な需要が生じ、高耐圧ＭＯＳトランジスタを用いたインクジェット方式のプリンタの開発が進んでいる。この種のプリンタにおいては、
ロジック回路を構成する数ボルト駆動のＭＯＳトランジスタ、インク吐出をさせるドライバを成す高耐圧ＭＯＳトランジスタ（数十Ｖ耐圧）等の能動素子と、
インク吐出をさせるためにジュール熱を発生するヒーターを同一半導体基板に形成した
【０００３】従って、このような
プリンタに用いられる半導体装置
　イ．【００１５】以上のように、
高耐圧ＭＯＳトランジスタが形成された後、
（１）上記
電極３３及び配線膜
全面的にプラズマＴＥＯＳＳｉＯ
2
膜
３４を形成し、層間平滑化のためにＳＯＧ(SpinOn Glass)膜３５をコーティングし、その後、エッチバックすることより段差部のみにＳＯＧ膜３５を残存させて表面を平滑化する。しかる後、更に平坦化のために表面に全面的に、プラズマナイトライド（Ｐ−Ｓｉ
3
Ｎ
4
）膜
３６を形成する。
【００１６】（２）
次に、スパッタリングによりヒーターとなるチタンナイトライド（ＴｉＮ）膜
を全面的に形成し、その後、該チタンナイトライド膜をパターニングすることによりヒーター３７を形成する。
（３）次に、上記アルミニウム層（１Ａｌ）からなる電極３３及び上記ヒーター３７と、後で形成されるアルミニウム層（２Ａｌ）からなる配線膜とを接続するための接続孔を形成すべき部分に開口を有するようにパターニングされたレジスト膜を形成し、該レジスト膜をマスクとして絶縁層３４、３５、３６をＲＩＥによりエッチングすることにより接続孔を形成し、その後、チタンＴｉ等からなるバリアメタルを含むアルミニウム層（２Ａｌ）を全面的に形成し、その後、該アルミニウム層をパターニングすることにより配線膜（膜厚：例えば８００ｎｍ）４１を形成する。図７（３）はその配線膜４１形成後におけるヒーター３７とその近傍（高耐圧ＭＯＳトランジスタの一部）を示す。
【００１７】（４）その後、例えばＣＶＤ法により表面保護膜（厚さ：例えば３００ｎｍ程度）４２を形成し、パッド膜を形成すべき部分（図面には現れない。）に開口を形成し、焼結して半導体装置が完成する。４３は層間絶縁膜３８の取り出し及び電極配線が形成されたヒーター３７を含むヒーター部分を示す。この
ヒーター部分４３がプリンタの実際のインク吐出部の源となる。
　ウ．【図７】から、高耐圧ＭＯＳトランジスタのある領域では、高耐圧ＭＯＳトランジスタに接続している電極に起因するプラズマナイトライド（Ｐ−Ｓｉ3Ｎ4）膜３６に形成された段差部のみにＳＯＧ膜３５が残存していることが見て取れる。また、ヒーター３７の形成領域で、プラズマＴＥＯＳＳｉＯ2膜３４が、平らであることが看取できる。
　
　上記記載及び図面を含む刊行物全体の記載から、刊行物には、以下の発明が開示されていると認められる。
「ロジック回路を構成する数ボルト駆動のＭＯＳトランジスタ、インク吐出をさせるドライバを成す高耐圧ＭＯＳトランジスタ等の能動素子と、インク吐出をさせるためにジュール熱を発生するヒーターを同一半導体基板に形成したプリンタに用いられる半導体装置において、
　高耐圧ＭＯＳトランジスタが形成された後、電極３３及び配線膜の上に全面的にプラズマＴＥＯＳＳｉＯ2膜３４を形成し、層間平滑化のためにＳＯＧ(SpinOn Glass)膜３５をコーティングし、その後、エッチバックすることより段差部のみにＳＯＧ膜３５を残存させて表面を平滑化し、しかる後、更に平坦化のために表面に全面的に、プラズマナイトライド（Ｐ−Ｓｉ3Ｎ4）膜３６を形成し、次に、スパッタリングによりヒーターとなるチタンナイトライド（ＴｉＮ）膜を全面的に形成し、その後、該チタンナイトライド膜をパターニングすることによりヒーター３７を形成したものであって、
　高耐圧ＭＯＳトランジスタのある領域では、高耐圧ＭＯＳトランジスタに接続している電極に起因するプラズマナイトライド（Ｐ−Ｓｉ3Ｎ4）膜３６に形成された段差部のみにＳＯＧ膜３５が残存しているプリンタに用いられる半導体装置。」（以下、「引用発明」という。）
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「インク」、「『ヒーター』或いは『ヒーター３７』」、「『ロジック回路を構成する数ボルト駆動のＭＯＳトランジスタ』及び『インク吐出をさせるドライバを成す高耐圧ＭＯＳトランジスタ』」、「半導体基板」、「プラズマＴＥＯＳＳｉＯ2膜３４を形成」、「ＳＯＧ(SpinOn Glass)膜３５をコーティング」、「エッチバック」、「高耐圧ＭＯＳトランジスタのある領域」、「ヒータ３７の形成領域」は、それぞれ本願補正発明の「液体」、「発熱素子」、「発熱素子を駆動する半導体素子」、「基板」、「化学気相成長法による絶縁膜を堆積する処理」、「塗布型の絶縁膜を堆積する処理」、「エッチング」、「半導体素子上の部位」、「発熱素子を作成する部位」に相当する。
　引用発明の「半導体装置」は、「ロジック回路を構成する数ボルト駆動のＭＯＳトランジスタ、インク吐出をさせるドライバを成す高耐圧ＭＯＳトランジスタ等の能動素子と、インク吐出をさせるためにジュール熱を発生するヒーターを同一半導体基板に形成したプリンタに用いられる半導体装置」であるから、本願補正発明の「液体吐出ヘッド」と、「液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成した半導体装置」の点で共通する。
　引用発明は「エッチバックすることより段差部のみにＳＯＧ膜３５を残存させて表面を平滑化」しており、段差部以外は下の層が露出することは明らかであるから、発熱素子を作成する部位において化学気相成長法による絶縁膜が露出するまで塗布型の絶縁膜をエッチング処理がなされているものといえる。
　引用発明は、「プラズマＴＥＯＳＳｉＯ2膜３４を形成し、層間平滑化のためにＳＯＧ(SpinOn Glass)膜３５をコーティングし、その後、エッチバックすることより段差部のみにＳＯＧ膜３５を残存させて表面を平滑化し、しかる後、更に平坦化のために表面に全面的に、プラズマナイトライド（Ｐ−Ｓｉ3Ｎ4）膜３６を形成し」、「高耐圧ＭＯＳトランジスタのある領域では、高耐圧ＭＯＳトランジスタに接続している電極に起因するプラズマナイトライド（Ｐ−Ｓｉ3Ｎ4）膜３６に形成された段差部のみにＳＯＧ膜３５が残存している」から、半導体素子上の部位では、半導体素子と発熱素子との間の層間絶縁膜が、化学気相成長法による絶縁膜と塗布型の絶縁膜との積層により形成されているものといえる。
　よって、引用発明と本願補正発明は、
「液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成した半導体装置において、
　化学気相成長法による絶縁膜を堆積する処理と、塗布型の絶縁膜を堆積する処理と、前記発熱素子を作成する部位において前記化学気相成長法による絶縁膜が露出するまで前記塗布型の絶縁膜をエッチングする処理がなされ、
　前記半導体素子上の部位では、前記半導体素子と前記発熱素子との間の層間絶縁膜が、前記化学気相成長法による絶縁膜と前記塗布型の絶縁膜との積層により形成された
　半導体装置。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］本願補正発明は、「前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッド」であり、「
液室に保持した
［相違点２］「エッチング」による処理に関し、本願補正発明は、「前記発熱素子を作成する部位に前記塗布型の絶縁膜が残存しないようにする」と特定されており、したがって、「前記発熱素子を作成する部位では、前記半導体素子と前記発熱素子との間の層間絶縁膜が、前記化学気相成長法による絶縁膜の積層により作成され」ているのに対し、引用発明は、発熱素子を作成する部位に塗布型の絶縁膜が残存するのか否か明らかでない点。
［相違点３］本願補正発明は、「化学気相成長法による絶縁膜を堆積する処理と、塗布型の絶縁膜を堆積する処理」と「塗布型の絶縁膜をエッチング」による処理とが「少なくとも複数回繰り返されて」いるのに対し、引用発明は、複数回繰り返されていない点。
　
（４）判断
　上記相違点１について検討する。
　液体吐出ヘッドにおいて、液室に液体を保持し、発熱素子の駆動により所定のノズルより液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドは、例示するまでもなく周知技術であり、引用発明は、能動素子と、インク吐出をさせるためにジュール熱を発生するヒーターを同一半導体基板に形成したプリンタに用いられる半導体装置であるから、引用発明に周知技術を適用し、本願補正発明の上記相違点１のような構成とすることは当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　上記相違点２について検討する。
　刊行物１の【図７】において、ヒーター３７の形成領域で、プラズマＴＥＯＳＳｉＯ2膜３４が、平らであることが示されている。引用発明は「層間平滑化のためにＳＯＧ(SpinOn Glass)膜３５をコーティングし、その後、エッチバックすることより段差部のみにＳＯＧ膜３５を残存させて表面を平滑化」するものであるから、エッチバックの際、平坦なプラズマＴＥＯＳＳｉＯ2膜３４の位置までエッチバックすることは当然のことである。そうすると、ヒーター３７の形成領域プラズマＴＥＯＳＳｉＯ2膜３４上に形成されたＳＯＧ(SpinOn Glass)膜３５は、エッチバックすることより残存しないものとなる。
　また、ＳＯＧ膜がガスや水分を放出することが周知技術（原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−２２２４２６号公報、「ＳＯＧ膜２０から
放出される水分
ガスや水分の放出
Ｏ
２
、Ｈ
２
Ｏ等の残留ガスが発生
　よって、本願補正発明の上記相違点２のような構成とすることは当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　上記相違点３について検討する。
　化学気相成長法による絶縁膜を堆積する処理と、塗布型の絶縁膜を堆積する処理と塗布型の絶縁膜をエッチングする処理とを少なくとも複数回繰り返すことは、周知技術（原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−２２２４２６号公報、第１２図、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−１７７３４７号公報、第１図）であるから、引用発明に該周知技術を適用し、本願補正発明の上記相違点３のような構成とすることは当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　以上のとおりであるから、本願補正発明の相違点１〜３に係る構成は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到することができたものであり、それにより得られる効果も当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２０年３月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年１１月７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドにおいて、
　前記半導体素子と前記発熱素子との間の層間絶縁膜が、
　化学気相成長法による絶縁膜の堆積と、塗布型の絶縁膜の堆積と、前記発熱素子を作成する部位において前記化学気相成長法による絶縁膜が露出するまでのエッチング処理とが少なくとも複数回繰り返されて、
　前記半導体素子上の部位では、前記化学気相成長法による絶縁膜と前記塗布型の絶縁膜との積層により形成され、
　前記発熱素子を作成する部位では、前記化学気相成長法による絶縁膜の積層により作成された
　ことを特徴とする液体吐出ヘッド。」
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「エッチング」による処理についての限定事項である「発熱素子を作成する部位に塗布型の絶縁膜が残存しない」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明を特定する事項を全て含み、さらなる限定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。