【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記第１電極と第２電極とを連結するように少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
前記少なくとも一つのヒーター層上にシリコンを含む非晶質物質層を形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコンの形成方法。
【請求項２】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項３】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項１または２に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記絶縁層を前記基板が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項５】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項６】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上にシリコンを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記少なくとも一つの非晶質物質層上にヒーター層を形成するステップと、
前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結される第１電極及び第２電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコンの形成方法。
【請求項７】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項６に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項８】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項６または７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項９】
前記貫通孔は、前記絶縁層を前記基板が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１０】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１１】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記非晶質物質層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコンの形成方法。
【請求項１２】
前記第１電極及び前記第２電極と、少なくとも一つの非晶質物質層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記第１電極と前記第２電極とを連結するように前記少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１３】
前記第１電極及び前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記非晶質物質層の両端にそれぞれ連結される前記第１電極及び前記第２電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１４】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１５】
前記貫通孔は、前記絶縁層を前記基板が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１６】
前記非晶質物質層は６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１７】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に第１電極及び前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させるステップと、
前記加熱されたヒーター層上にポリシリコン層を蒸着させるステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコンの形成方法。
【請求項１８】
前記第１電極及び前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記第１電極及び前記第２電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記第１電極と前記第２電極とを連結するように前記少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１９】
前記第１電極及び前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結される前記第１電極及び前記第２電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２０】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２１】
前記貫通孔は、前記絶縁層を前記基板が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２２】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項１７〜２１のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２３】
前記ポリシリコン層の蒸着は、シランガスをソースとして使用して化学気相蒸着法によって行われることを特徴とする請求項１７〜２２のいずれか１項に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２４】
基板と、
前記基板上に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極上に突設される絶縁層と、
前記突出した絶縁層の上面に形成されるソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するようにブリッジ形態に形成される少なくとも一つのポリシリコン層と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２５】
前記少なくとも一つのポリシリコン層の下部に形成された貫通孔の内壁には酸化膜がさらに形成されることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２６】
前記少なくとも一つのポリシリコン層の下部に形成された貫通孔を満たすように酸化膜がさらに形成されることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２７】
前記ゲート電極は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びＭｏからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２８】
前記ソース電極及びドレイン電極は、Ｃｒ／Ａｌ、非晶質ケイ素／Ａｌ、またはＣｒ／Ｍｏからなることを特徴とする請求項２４〜２７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２９】
基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、
前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するように少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
前記少なくとも一つのヒーター層上にシリコンを含む非晶質物質層を形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３０】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔の内壁に酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３１】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔を満たすように酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３２】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項２９〜３１のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３３】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項２９〜３２のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３４】
前記貫通孔は、前記絶縁層をゲート電極が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項２９〜３３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３５】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項２９〜３４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３６】
基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、
前記絶縁層上にシリコンを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記少なくとも一つの非晶質物質層上にヒーター層を形成するステップと、
前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結されるソース電極及びドレイン電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記ソース電極とドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３７】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔の内壁に酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３６に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３８】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔を満たすように酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３６に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３９】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項３６〜３８のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４０】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項３６〜３９のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４１】
前記貫通孔は、前記絶縁層をゲート電極が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項３６〜４０のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４２】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項３６〜４１のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４３】
基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、
前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記非晶質物質層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４４】
前記非晶質物質層を結晶化して前記ポリシリコン層を形成した後、前記貫通孔の内壁に酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４５】
前記非晶質物質層を結晶化して前記ポリシリコン層を形成した後、前記貫通孔を満たすように酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４６】
前記ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するように前記少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項４３〜４５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４７】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記非晶質物質層の両端にそれぞれ連結される前記ソース電極及び前記ドレイン電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項４３〜４５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４８】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項４３〜４７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４９】
前記貫通孔は、前記絶縁層をゲート電極が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項４３〜４８のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５０】
前記非晶質物質層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項４３〜４９のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５１】
基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、
前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させるステップと、
前記加熱されたヒーター層上にポリシリコン層を蒸着させるステップと、
前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５２】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔の内壁に酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５３】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔を満たすように酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５４】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するように前記少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項５１〜５３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５５】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結される前記ソース電極及び前記ドレイン電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項５１〜５３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５６】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項５１〜５５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５７】
前記貫通孔は、前記絶縁層をゲート電極が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項５１〜５６のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５８】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項５１〜５７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５９】
前記ポリシリコン層の蒸着は、シランガスをソースとして使用して化学気相蒸着法によって行われることを特徴とする請求項５１〜５８のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの形成方法。