【事件の表示】
　平成　９年特許願第５１００９５号「ターゲットとその製造方法および高屈折率膜の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　３月　６日国際公開、ＷＯ９７／０８３５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯　
　本願は、１９９６年３月２５日（優先権主張１９９５年８月２３日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年１２月２日付けで拒絶理由通知がなされ、平成１８年２月１０日付けで意見書および明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年４月１４日付けで拒絶査定がなされ、それに対し、同年５月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年６月２１日に明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年７月２０日に審判請求書の手続補正書が提出され、平成２０年１１月１１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、平成２１年１月１６日に回答書が提出されたものである。
　
ＩＩ．平成１８年６月２１日付け手続補正書についての補正却下の決定
　　
［補正却下の決定の結論］　
　平成１８年６月２１日付けの手続補正を却下する。　
　
　［理由］
　平成１８年６月２１日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に関し、
平成１８年２月１０日に手続補正された請求項１（以下、「補正前請求項１」という。）である
「１）円筒状の基体と、円筒状の基体上に形成されたターゲット材とからなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット材は、化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であって、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とするスパッタリングターゲット。」
を
「【請求項１】
　円筒状の基体上に、金属または合金からなるアンダーコートが形成され、アンダコート上にターゲット材となるセラミックス層が形成されたＤＣスパッタリング用ターゲットにおいて、前記セラミックス層がセラミックス粉末を還元雰囲気下の高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させるプラズマ溶射により形成され、さらに、前記ターゲット材は、化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であって、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とするＤＣスパッタリング用ターゲット。」
と補正するものである。
　この特許請求の範囲の請求項１に係る補正は、補正事項として
（１）補正前請求項１の特定事項「円筒状の基体と、」を削除すること
（２）「円筒状の基体上に、金属または合金からなるアンダーコートが形成され、アンダーコート上に」ターゲット材が形成されていることを特定すること
（３）「ターゲット材」は「セラミック層」とし、この「セラミックス層がセラミックス粉末を還元雰囲気下の高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させるプラズマ溶射により形成され」ていることを特定すること
を含むものである。
　そこで、これら補正事項について順に検討する。
・補正事項（１）について
　発明特定事項を削除し、特許請求の範囲を拡張しており、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的としたものでもないことは明らかである。
・補正事項（２）について
　補正前請求項１には、円筒状の基体上にターゲット材を形成することは記載されているが、円筒状の基体とターゲット材との間に何かを介在させることについては記載がないし、何かを介在させることが記載されているに等しいともいえないから、この補正事項（２）は発明を特定するために必要な事項を限定するものではない。また、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的としたものでもないことは明らかである。
・補正事項（３）について
　補正前請求項１には、「ターゲット材」は「セラミック層」であることが明言されていないが、「ターゲット材は、化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし」と記載されていることからみて、「ターゲット材」は「セラミック層」であることは明らかであるところ、このセラミック層の形成方法（手段）に関しては、何ら記載されておらず、記載されているに等しいものともいえない。そうすると、「セラミックス層がセラミックス粉末を還元雰囲気下の高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させるプラズマ溶射により形成され」は発明を特定するために必要な事項を限定するものではない。また、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的としたものでもないことは明らかである。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　また、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるか否かについても併せて検討する。
　原査定の拒絶の理由に引用文献５として引用された本出願前に頒布された刊行物である特開平５−２１４５２５号公報（以下、「引用例５」という。）には、以下の記載がある。
（５−１）「【請求項１】円筒状ターゲットホルダーの外表面に、スパッタすべきターゲットとなるセラミックス層を形成するセラミックス回転カソードターゲットの製造方法において、・・・・・・金属または合金からなる層・・・・・・をアンダーコートとして形成し、次いで、セラミックス粉末を高温ガス中で半溶融状態にしつつこのガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させ、前記セラミックス層を形成することを特徴とするセラミックス回転カソードターゲットの製造方法。」（【請求項１】）
（５−２）「【請求項２】セラミックス粉末が、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ・・・・・・のうち少なくとも１種と、・・・・・・Ｏ（酸素）・・・・・・とを主成分とする粉末である請求項１のセラミックス回転カソードターゲットの製造方法。」（【請求項２】）
（５−３）「本発明で用いるセラミックス粉末は例えば次の方法で作製することができる。例えば、・・・・・・ＺｒＯ２（・・・・・・）・・・・・・等の粉末・・・・・・を・・・・・・固相反応を利用した高温雰囲気炉中で焼成することにより・・・・・・粉末が得られる。」（【００１７】）
（５−４）「セラミックス粉末を高温ガス中、好ましくは、Ａｒ，Ｎ２，Ｈｅ等の非酸化雰囲気下での高温ガス中（『非酸化雰囲気下での高温ガス中』とは、非酸化雰囲気でシールドした高温ガス中、のことをいう。以下同じ）で、半溶融状態にしつつこのガスにより上記アンダーコート上に輸送して付着させ、スパッタすべきターゲットとなるセラミックス層を形成する。特に、これは高温ガスプラズマ中、好ましくは、非酸化雰囲気下での高温プラズマ中で行うプラズマ溶射法により形成するのが好ましい。」（【００２７】）
（５−５）「本発明のセラミックス回転カソードターゲットは、マグネトロンスパッタにてＤＣ，ＲＦの両者のスパッタリング装置に用いることが可能」（【００３４】）
　
　ここで、上記記載について検討する。
（あ）上記（５−１）は「セラミックス回転カソードターゲットの製造方法」に係るものであるから、引用例５には「セラミックス回転カソードターゲット」が記載されているとみることができる。
　そうすると、上記（５−１）の記載から、引用例５には、「円筒状ターゲットホルダーの外表面に、スパッタすべきターゲットとなるセラミックス層を形成したセラミックス回転カソードターゲットにおいて、金属または合金からなる層をアンダーコートとして形成し、セラミックス粉末を高温ガス中で半溶融状態にしつつこのガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させた前記セラミックス層を形成したセラミックス回転カソードターゲット」が記載されているとみることができる。
（い）上記（あ）の「セラミックス回転カソードターゲット」の「セラミック層」は「スパッタすべきターゲットとなる」から、「ターゲット材」に他ならない。
（う）上記（５−４）の記載をみると、上記（あ）の「セラミックス回転カソードターゲット」の「セラミックス粉末を高温ガス中で半溶融状態」とは、「Ａｒ，Ｎ２，Ｈｅ等の非酸化雰囲気下での高温プラズマ中で半溶融状態」を含むといえる。また、上記（５−４）の記載から、上記（あ）の「セラミック粉末を・・・・・・半溶融状態にしつつこのガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させ・・・・・・セラミック層を形成」するに当たり、「プラズマ溶射法により形成するのが好ましい」ことは明らかである。
（え）上記（あ）の「セラミックス回転カソードターゲット」は、上記（５−２）に記載のセラミックス粉末を使用するものであり、上記（５−２）に記載のセラミックス粉末は上記（５−３）に従って得ているから、「Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂのうち少なくとも１種と、Ｏ（酸素）とを主成分とする粉末」は、「Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂのうち少なくとも１種」の酸化物であり、化学式ＭＯｘと表記できる金属酸化物といえる（本願明細書においては「ＭｐＯｑ」で表される酸化物はｘ＝ｑ／ｐとしてＭＯｘと表記されているから、このように表記する。）。
（お）上記（あ）の「セラミックス回転カソードターゲット」は、上記（５−５）の記載をみると「ＤＣスパッタリング装置に用いることが可能」であるから、「ＤＣスパッタリング装置用セラミックス回転カソードターゲット」に他ならない。
　
　そこで、上記（５−１）〜（５−５）の記載事項を上記（あ）〜（お）の検討を踏まえて、本願補正発明１の記載ぶりに則して整理して記載すると、引用例５には、
「円筒状ターゲットホルダーの外表面に、金属または合金からなるアンダーコートが形成され、アンダーコート上にターゲット材となるセラミックス層が形成されたＤＣスパッタリング装置用セラミックス回転カソードターゲットにおいて、前記セラミック層がセラミック粉末を非酸化雰囲気下の高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させるプラズマ溶射により形成され、さらに、前記セラミック粉末は、化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であるＤＣスパッタリング装置用セラミックス回転カソードターゲット。」の発明（以下、「引用発明５」という。）が記載されているといえる。
　
　次に、本願補正発明１と引用発明５を対比する。
（か）引用発明５の「円筒状ターゲットホルダーの外表面」、「ＤＣスパッタリング装置用セラミックス回転カソードターゲット」は、それぞれ、本願補正後発明１の「円筒状の基体上」、「ＤＣスパッタリング用ターゲット」に相当することは明らかである。
　そうすると、両者は、共に、
「円筒状の基体上に、金属または合金からなるアンダーコートが形成され、アンダコート上にターゲット材となるセラミックス層が形成されたＤＣスパッタリング用ターゲットにおいて、前記セラミックス層がセラミックス粉末を高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させるプラズマ溶射により形成されたＤＣスパッタリング用ターゲット。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：高温プラズマガス中につき、本願補正発明１では、「還元雰囲気下」であるのに対し、引用発明５では「非酸化雰囲気下」である点
相違点Ｂ：本願補正発明１のターゲット材が「化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であって、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である」のに対し、引用発明５はターゲット材について言及はなく、セラミック粉末が「化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である」点
　これら相違点について検討する。
・相違点Ａについて
　本願補正発明１の「還元雰囲気下」について、本願明細書の記載をみてみると「還元雰囲気下の高温プラズマガス中、好ましくはＡｒ、Ａｒ＋Ｈ２、などの高温プラズマガス中」（明細書の７頁１２〜１３行）と記載されており、「還元雰囲気下」には「Ａｒの雰囲気下」を含むものである。一方、引用例５には、上記（５−４）に「Ａｒ，Ｎ２，Ｈｅ等の非酸化雰囲気下」と記載されているから、引用発明５の「非酸化雰囲気下」は「還元雰囲気下」に他ならず、この相違点Ａは実質的なものではない。
・相違点Ｂについて
　本願補正発明１のターゲット材が「ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物」とするための手段について、本願明細書の記載をみてみると「セラミックス粉末を還元雰囲気下の高温プラズマガス中・・・・・・で、半溶融状態にしつつ、・・・・・・セラミックス層を形成する。これにより、酸化物セラミックス粉末は還元され、ＭＯｘを主成分とするセラミックス層が得られる。」（明細書の７頁１２〜１６行）と記載され、この記載から「酸化物セラミックス粉末を還元雰囲気下の高温プラズマガス中で、半溶融状態にしてセラミック層を形成する際に酸化物セラミックス粉末は還元され、ＭＯｘなる化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物を得る」と解される。一方、上記相違点Ａの検討結果と引用発明５の特定事項をみると、引用発明５においても「ＭＯｘで表される酸化物セラミックス粉末を還元雰囲気下の高温プラズマガス中で、半溶融状態にしてセラミック層を形成」しているといえ、その際酸化物セラミックス粉末は還元され、ＭＯｘなる化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物を得ているものといえる。そうすると、この相違点Ｂは実質的なものではない。
　してみれば、本願補正発明１と引用発明５は同じであり、本願補正発明１は引用例５に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
ＩＩＩ．本願発明
　平成１８年６月２１日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成１８年２月１０日付け手続補正書により補正された明細書の請求項１〜１２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
「１）円筒状の基体と、円筒状の基体上に形成されたターゲット材とからなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット材は、化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であって、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とするスパッタリングターゲット。」　
　　　
ＩＶ．引用文献　
（１）原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された本出願前に頒布された刊行物である特開昭６２−１６１９４５号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
（１−１）「（２）ＺｒＯ２、・・・・・・Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、・・・・・・又はこれらの化合物を主体としたセラミックス系物質の粉末を水プラズマ溶射で溶解し、バッキングプレート（・・・・・・）上に肉盛し実質的に理論密度に等しい成形体とすることを特徴とするセラミックス系スパッタリングターゲットの製造法」（特許請求の範囲第２項）
（１−２）「実施例２
水プラズマ溶射にてＺｒ０２２．０ｋｇをバッキングプレート（サイズ１５３ｍｍ×４０６ｍｍ×１０ｍｍ　ｔ）に・・・・・・バッキングプレートと一体もののジルコニアターゲットを作成した。・・・・・・次にこのターゲットを平面研削盤にてＺｒＯ２部の上部及びサイドの各面を加工仕上し」（３頁右上欄１２〜左下欄６行）
　
　引用例１の記載を検討する。
（さ）上記（１−１）は「セラミックス系スパッタリングターゲットの製造法」に係るものであるから、引用例１には「セラミックス系スパッタリングターゲット」が記載されているとみることができる。
　そうすると、上記（１−１）の記載から、引用例１には、「ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２又はこれらの化合物を主体としたセラミックス系物質の粉末を水プラズマ溶射で溶解し、バッキングプレート上に肉盛し実質的に理論密度に等しい成形体とするセラミックス系スパッタリングターゲット」が記載されているとみることができる。
（し）「バッキングプレート」はその名称、及び、上記（１−２）にそのサイズが「１５３ｍｍ×４０６ｍｍ×１０ｍｍ　ｔ」と記載されていることからみて、「板状」であることは明らかである。
　上記（１−１）〜（１−２）の記載事項を（さ）〜（し）の検討を踏まえて、本願発明１の記載ぶりに則して整理して記載すると、引用例１には、
「板状のバッキングプレートと、板状のバッキングプレートに形成された成形体からなるセラミックス系スパッタリングターゲットにおいて、成形体はＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２又はこれらの化合物を主体としたセラミックス系物質の粉末を水プラズマ溶射で溶解し、バッキングプレート上に肉盛し実質的に理論密度に等しいものであるセラミック系スパッタリングターゲット」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　
Ｖ．対比・判断
　ここで、本願発明１と引用発明１とを対比する。
（た）引用発明１の「バッキングプレート」、「成形体」、「セラミックス系スパッタリングターゲット」は、それぞれ、本願発明１の「基体」、「ターゲット材」、「スパッタリングターゲット」に相当することは明らかである。
（ち）上記（１−２）の記載をみると、引用発明１の「成形体」は「バッキングプレート上に肉盛し」た後においてもＺｒＯ２という金属酸化物であるから、この「成形体」は化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を「主体」、すなわち、「主成分」としたものであって、ＭはＴｉ、Ｔａ、Ｚｒからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であるとみることができる（上記（え）で述べたように、本願明細書においては「ＭｐＯｑ」で表される酸化物はｘ＝ｑ／ｐとしてＭＯｘと表記されているから、このように表記する。）。
　そうすると、両者は、共に、
「基体と、基体上に形成されたターゲット材とからなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット材は、化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭはＴｉ、Ｔａ、Ｚｒからなる群から選ればれる少なくとも１種の金属であるスパッタリングターゲット」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ｃ：基体の形状につき、本願発明１では「円筒状」であるのに対して、引用発明１では「板状」である点
相違点Ｄ：ＭＯｘにつき、本願発明１では化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であるのに対し、引用発明１ではかかる事項について言及がない点
　そこで、これら相違点について検討する。
・相違点Ｃについて
　引用例１に明言はないものの、スパッタリングターゲットを用いたスパッタによる成膜において、生産性の向上である高速成膜とすることは、スパッタ成膜において自明の課題である。
　ところで、引用例５（特開平５−２１４５２５号公報）には、「円筒状ターゲットの内側に磁場発生手段を設置し、ターゲットの内側から冷却しつつ、ターゲットを回転させながらスパッタを行うものであるため、・・・・・・高速成膜が可能とされている」（【００１１】）との記載があり、高速成膜を行う際には円筒状のスパッタリングターゲットを用いることが記載されている。そうすると、引用例５のこの記載に接した当業者は、引用発明１のスパッタリングターゲットの形状を円筒形にするとの着想を得るものといえ、相違点Ｃに係る本願発明１の構成事項をなすことは困難なくなしえたことである。
・相違点Ｄについて
　上記相違点Ｃの検討のところで述べたように高速成膜とすることは、スパッタ成膜において自明の課題であるところ、原査定の拒絶理由に引用文献２として引用した特開平７−１６６３４０号公報（以下、「引用例２」という。）の【０００３】〜【０００４】など、同じく引用文献３として引用した特開平６−３３０２９７号公報（以下、「引用例３」という。）の【０００６】及び【００１１】〜【００１４】などには、共に、ターゲット材の酸化物を構成する酸化物のその構成元素の酸素を減少させた酸素欠損の酸化物を用いることにより、高速成膜が可能であることが記載されているから、高速成膜のために酸素欠陥の酸化物を用いること、すなわち、化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物とすることは、当業者ならば適宜なし得ることである。
　そして、上記相違点Ｃ及びＤに係る本願発明１の特定事項によってもたらされる作用・効果は当業者であれば当然に予想できる程度のものである。
　よって、本願発明１は引用例１〜３、５に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
ＶＩ．付記
　平成１８年２月１０日付け手続補正書により補正された明細書の請求項８に記載された発明（以下、「本願発明８」という。）についても併せてみておくことにする。
　本願発明８は、次のとおりのものである。
　
「８）円筒状の基体上に、金属または合金からなるアンダーコートが形成され、アンダコート上に前記ターゲット材となるセラミックス層が形成されたスパッタリングターゲットの製造方法において、前記ターゲット材となるセラミックス層として、セラミックス粉末を還元雰囲気下の高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させるプラズマ溶射により形成し、前記ターゲット材として、化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であって、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であるターゲット材を用いることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。」
　
　引用例５には、上記（５−１）〜（５−５）に示した事項が記載されている。
　そこで、上記（５−１）〜（５−５）の記載事項を上記（い）〜（お）の検討を踏まえて、本願発明８の記載ぶりに則して整理して記載すると、引用例５には、
「円筒状ターゲットホルダーの外表面に、金属または合金からなるアンダーコートが形成され、アンダーコート上にターゲット材となるセラミックス層が形成されたＤＣスパッタリング装置用セラミックス回転カソードターゲットの製造方法において、前記ターゲット材となるセラミック層としてセラミック粉末を非酸化雰囲気下の高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させるプラズマ溶射により形成し、前記セラミック粉末は、化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であるＤＣスパッタリング装置用セラミックス回転カソードターゲットの製造方法。」の発明（以下、「引用発明５’」という。）が記載されているといえる。
　
　次に本願発明８と引用発明５’を対比する。
（な）引用発明５’の「円筒状ターゲットホルダーの外表面」、「ＤＣスパッタリング装置用セラミックス回転カソードターゲット」は、それぞれ、本願発明８の「円筒状の基体上」、「スパッタリング用ターゲット」に相当することは明らかである。
　そうすると、両者は、共に、
「円筒状の基体上に、金属または合金からなるアンダーコートが形成され、アンダコート上にターゲット材となるセラミックス層が形成されたＤＣスパッタリング用ターゲットの製造方法において、前記ターゲット材となるセラミックス層としてセラミックス粉末を高温プラズマガス中で半溶融状態にしつつ、このガスにより前記アンダーコート上に輸送して付着させるプラズマ溶射により形成されたスパッタリング用ターゲットの製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ｅ：高温プラズマガス中につき、本願発明８では、「還元雰囲気下」であるのに対し、引用発明５’では「非酸化雰囲気下」である点
相違点Ｆ：本願発明８のターゲット材が「化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であって、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である」のに対し、引用発明５’はターゲット材について言及はなく、セラミック粉末が「化学式ＭＯｘで表される金属酸化物を主成分とし、ＭはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である」点
　これら相違点について検討すると、相違点Ｅ、Ｆは、それぞれ、相違点Ａ、Ｂと実質的に同じであるから、相違点Ｅ、Ｆの検討結果は、それぞれ、相違点Ａ、Ｂの検討結果と同じである。
　よって、本願発明８と引用発明５’は同じであり、本願発明８は引用例５に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
　
ＶＩＩ．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、本願出願前に頒布された引用例１〜３および５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。