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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の動画サムネイル作成装置は、動画を構成する複数のフレーム画像である第１の複数のフレーム画像から特徴量を算出する画像処理部と、前記特徴量に基づいて前記第１の複数のフレーム画像から複数かつ所定の枚数以内のフレーム画像である第２の複数のフレーム画像を抽出する画像選択部と、前記第２の複数のフレーム画像を縮小し合成して、１枚のサムネイルを生成する画像生成部と、を有することを特徴とする動画サムネイル作成装置である。
本発明の動画サムネイル作成方法は、動画を構成する複数のフレーム画像である第１の複数のフレーム画像から特徴量を算出する画像処理工程と、前記特徴量に基づいて前記第１の複数のフレーム画像から複数かつ所定の枚数以内のフレーム画像である第２の複数のフレーム画像を抽出する画像選択工程と、前記第２の複数のフレーム画像を縮小し合成して、１枚のサムネイルを生成する画像生成工程と、を有することを特徴とする動画サムネイル作成方法である。
本発明の動画サムネイル作成プログラムは、コンピュータを、本発明の動画サムネイル作成装置として機能させるためのプログラムである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画を構成する複数のフレーム画像である第１の複数のフレーム画像から特徴量を算出する画像処理部と、
前記特徴量に基づいて前記第１の複数のフレーム画像から複数かつ所定の枚数以内のフレーム画像である第２の複数のフレーム画像を抽出する画像選択部と、
前記第２の複数のフレーム画像を縮小し合成して、１枚のサムネイルを生成する画像生成部と、
を有することを特徴とする動画サムネイル作成装置。
【請求項２】
請求項１に記載された動画サムネイル作成装置において、
前記画像処理部で算出された特徴量を基に、前記動画のシーンのカット点を検出するカット点検出部を有し、
前記画像選択部は、前記カット点検出部により検出されたカット点に挟まれたシーン毎の先頭フレーム画像を抽出することで前記第２の複数のフレーム画像を抽出する
ことを特徴とする動画サムネイル作成装置。
【請求項３】
請求項１に記載された動画サムネイル作成装置において、
前記画像処理部で算出された特徴量を基に、前記動画のシーンのカット点を検出するカット点検出部を有し、
前記画像選択部は、前記カット点検出部により検出されたカット点に挟まれたシーン毎に前記特徴量に基づいて特徴的なフレーム画像を抽出することで前記第２の複数のフレーム画像を抽出する
ことを特徴とする動画サムネイル作成装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載された動画サムネイル作成装置において、
前記画像生成部は、前記画像選択部で抽出されたフレーム画像の特徴量に応じて、それらのフレーム画像の面積比を変えて合成することを特徴とする動画サムネイル作成装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載された動画サムネイル作成装置において、
前記画像生成部は、前記画像選択部で抽出されたフレーム画像の少なくとも１枚については、その一部分を抜き出した部分画像を合成に用いることを特徴とする動画サムネイル作成装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載された動画サムネイル作成装置において、
前記画像選択部で抽出された複数のフレーム画像の枚数が所定の閾値以上か否か判定する手段と、前記判定する手段により所定の閾値以上と判定された場合、前記抽出されたフレーム画像の特徴量を用いて、前記抽出されたフレーム画像を前記閾値未満の枚数だけ選択する手段とを有することを特徴とする動画サムネイル作成装置。
【請求項７】
動画を構成する複数のフレーム画像である第１の複数のフレーム画像から特徴量を算出する画像処理工程と、
前記特徴量に基づいて前記第１の複数のフレーム画像から複数かつ所定の枚数以内のフレーム画像である第２の複数のフレーム画像を抽出する画像選択工程と、
前記第２の複数のフレーム画像を縮小し合成して、１枚のサムネイルを生成する画像生成工程と、
を有することを特徴とする動画サムネイル作成方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１〜６のいずれか１項に記載された動画サムネイル作成装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極端子を備えた半導体チップであって、
前記複数の電極端子のうち、外部端子を備えるパッケージ基板に対する前記半導体チップのフェースアップ方式およびフェースダウン方式の実装において接続される外部端子が固定されるべき信号が接続される固定端子が前記半導体チップの対称線を中心として前記半導体チップの幅の５０％の範囲内に配置されている、半導体チップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体チップ
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体層と絶縁体層とを交互に積層して構成され、一方の導電体層に形成された外部接続パッドと、該一方の導電体層の上方の他方の導電体層に形成されたビアランドとが、その間の１層以上の中間導電体層に形成されたビアランド、および、隣り合う導電体層間のビアを介して接続されて、信号を伝送するビア接続構造を備えた回路基板であって、
前記他方の導電体層、および、前記中間導電体層のうちの前記一方の導電体層の直上の導電体層を除く導電体層の少なくとも１つに、固定電位が供給される基準プレーンが、前記外部接続パッドの上空域内で前記外部接続パッドに対向するように形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記回路基板は、導電体層と絶縁体層とを交互に積層して構成された回路基板ユニットを複数積層して構成され、隣接する２つの回路基板ユニットの最表面の導電体層に形成されたコアビアランド同士がコアビアを介して接続され、
前記一方の導電体層に形成された外部接続パッドと前記他方の導電体層に形成されたビアランドとは、前記２つの回路基板ユニットのコアビアランドを含むビアランド、および、前記コアビアを含むビアを介して接続され、
前記回路基板ユニットのそれぞれにおいて、前記導電体層のうちの前記最表面の反対の面の導電体層に、固定電位が供給される基準プレーンが、前記コアビアランドに対向するように形成されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記回路基板ユニットのそれぞれにおいて、前記コアビアランドを除くビアランドの全てが、前記コアビアランドの中心位置から水平面内でずらして配置されていることを特徴とする請求項２記載の回路基板。
【請求項４】
前記基準プレーンが形成される導電体層、および、該基準プレーンが形成される導電体層と前記一方の導電体層との間の導電体層のビアランドが、その中心が、前記外部接続パッドの中心に対して同一の水平方向に、前記一方の導電体層から垂直方向に離れるほど大きくずれるように配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記基準プレーンが形成された導電体層のビアランドの少なくとも一部が、前記外部接続パッドの上空域外に位置するように配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記基準プレーンは、異なる２層以上の導電体層において、前記外部接続パッドの上空域内に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ここで、前記回路基板は、導電体層と絶縁体層とを交互に積層して構成された回路基板ユニットを複数積層して構成され、隣接する２つの回路基板ユニットの最表面の導電体層に形成されたコアビアランド同士がコアビアを介して接続され、
前記一方の導電体層に形成された外部接続パッドと前記他方の導電体層に形成されたビアランドとは、前記２つの回路基板ユニットのコアビアランドを含むビアランド、および、前記コアビアを含むビアを介して接続され、
前記回路基板ユニットのそれぞれにおいて、前記導電体層のうちの前記最表面の反対の面の導電体層に、固定電位が供給される基準プレーンが、前記コアビアランドに対向するように形成されていることが好ましい。
また、前記回路基板ユニットのそれぞれにおいて、前記コアビアランドを除くビアランドの全てが、前記コアビアランドの中心位置から水平面内でずらして配置されていることが好ましい。
また、前記基準プレーンが形成される導電体層、および、該基準プレーンが形成される導電体層と前記一方の導電体層との間の導電体層のビアランドが、その中心が、前記外部接続パッドの中心に対して同一の水平方向に、前記一方の導電体層から垂直方向に離れるほど大きくずれるように配置されていることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の表面に設けられた第１導電型のウェル領域と、
前記第１導電型のウェル領域に接して設けられた第２導電型のウェル領域と、
前記第１導電型のウェル領域上に設けられた第２導電型の高濃度ソース領域と、
前記高濃度ソース領域と接して設けられた第２導電型の低濃度ソースオフセット領域と、
前記第２導電型のウェル領域上に設けられた第２導電型の高濃度ドレイン領域と、
前記第２導電型のウェル領域上に前記低濃度ソースオフセット領域からチャネル形成領域分だけ離して設けられた第２導電型の第１の低濃度ドレインオフセット領域と、
前記高濃度ドレイン領域と前記第１の低濃度ドレインオフセット領域との間に両者に接して設けられた第２導電型の第２の低濃度ドレインオフセット領域と、
前記低濃度ソースオフセット領域と前記第１の低濃度ドレインオフセット領域との前記半導体基板の表面部分にそれぞれ設けられた第１および第２のＬＯＣＯＳ酸化膜と、
前記第１のＬＯＣＯＳ酸化膜上の一部と前記チャネル形成領域と前記第２のＬＯＣＯＳ酸化膜上の全てと前記第２の低濃度ドレインオフセット領域の上に設けられたゲート酸化膜と、
前記ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、
前記高濃度ソース領域上に設けられたソース電極と、
前記高濃度ドレイン領域上に設けられたドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極以外の部分の表面に設けられた保護酸化膜と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の半導体基板の表面に設けられた第１導電型のウェル領域と、
前記第１導電型のウェル領域に接して設けられた第２導電型のウェル領域と、
前記第１導電型のウェル領域上に設けられた第２導電型の高濃度ソース領域と、
前記高濃度ソース領域と接して設けられた第２導電型の低濃度ソースオフセット領域と、
前記第２導電型のウェル領域上に前記第１導電型のウェルから第１のドレインオフセット領域と更に第２のドレインオフセット領域分を隔てて設けられた第１導電型の高濃度ドレイン領域と、
前記低濃度ソースオフセット領域と前記第１のドレインオフセット領域との前記半導体基板の表面部分にそれぞれ設けられた第１および第２のＬＯＣＯＳ酸化膜と、
前記低濃度ソースオフセット領域と前記第１のドレインオフセット領域との間のチャネル形成領域と、
前記第１のＬＯＣＯＳ酸化膜上の一部と前記チャネル形成領域と前記第２のＬＯＣＯＳ酸化膜上の全てと第２ドレインオフセット領域の上に設けられたゲート酸化膜と、
前記ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、
前記高濃度ソース領域上に設けられたソース電極と、
前記高濃度ドレイン領域上に設けられたドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極以外の部分の表面に設けられた保護酸化膜を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に配置され、入出力端子と接地端子の間に接続されたＥＳＤ保護素子と、
前記半導体基板の表面に配置され、エミッタを前記入出力端子に、ベースを電源端子に、コレクタを前記接地端子に接続したバイポーラトランジスタと、を有し、
前記バイポーラトランジスタのベース接地電流利得率が０．５〜１．０であり、
前記バイポーラトランジスタは、
第１導電型の前記半導体基板上に設けられた第２導電型の第１の低濃度ウェル領域と、
前記第１の低濃度ウェル領域の下に設けられた第１導電型の埋め込み領域と、
前記第１の低濃度ウェル領域の表面に設けられた第１の第１導電型高濃度領域と、
前記第１の低濃度ウェル領域の表面に前記第１の第１導電型高濃度領域と離間し、前記第１の第１導電型高濃度領域を囲んで設けられた第２導電型高濃度領域と、
前記第１の低濃度ウェル領域に接し、前記第１の低濃度ウェル領域を囲んで設けられた第１導電型の第２の低濃度ウェル領域と、
前記第２の低濃度ウェル領域の表面に設けられた第２の第１導電型高濃度領域と、
を有する静電保護用半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に配置され、入出力端子と接地端子の間に接続されたＥＳＤ保護素子と、
前記半導体基板の表面に配置され、エミッタを前記入出力端子に、ベースを電源端子に、コレクタを前記接地端子に接続したバイポーラトランジスタと、を有し、
前記バイポーラトランジスタのベース接地電流利得率が０．５〜１．０である静電気保護用半導体装置。
【請求項３】
前記ＥＳＤ保護素子は、アノードが前記入出力端子に接続され、カソードが前記接地端子に接続された保護ダイオードである請求項１あるいは２に記載の静電気保護用半導体装置。
【請求項４】
前記ＥＳＤ保護素子は、ドレインが前記入出力端子に接続され、ソースとゲートとバックゲートが前記接地端子に接続されたＭＯＳトランジスタである請求項１あるいは２に記載の静電気保護用半導体装置。
【請求項５】
前記ＥＳＤ保護素子は、アノードが前記入出力端子に接続され、カソードが前記接地端子に接続されたたサイリスタである請求項１あるいは２に記載の静電気保護用半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に配置され、入出力端子と接地端子の間に接続されたＥＳＤ保護素子と、
前記ＥＳＤ保護素子を囲む前記半導体基板と同導電型の第１のウェル領域と、
前記第１のウェル領域上で前記ＥＳＤ保護素子を囲むように設けられた前記半導体基板と同導電型の第１の高濃度基板領域と、
前記第１のウェル領域の外側を囲む前記半導体基板と逆導電型の第２のウェル領域と、
前記第１のウェル領域とは分離されて、前記第２のウェル領域内に設けられた基板と同導電型の高濃度アノード領域と、
前記高濃度アノード領域を囲むとともに、前記第１のウェル領域を前記ＥＳＤ保護素子のガードリングとして囲む前記第２のウェル領域内に配置された、ラッチアップ保護ダイオードのカソードともなっている、前記半導体基板と逆導電型の第２の高濃度拡散領域とを備え、
前記高濃度アノード領域は前記入出力端子に接続され、
前記第１の高濃度基板領域は前記接地端子に接続され、
前記第２の高濃度拡散領域は電源端子に接続されている静電気保護用半導体装置。
【請求項２】
前記ＥＳＤ保護素子は、アノードが前記入出力端子に接続され、カソードが前記接地端子に接続された保護ダイオードである請求項１に記載の静電気保護用半導体装置。
【請求項３】
前記ＥＳＤ保護素子は、ドレインが前記入出力端子に接続され、ソースとゲートとバックゲートが前記接地端子に接続されたＭＯＳトランジスタである請求項１に記載の静電気保護用半導体装置。
【請求項４】
前記ＥＳＤ保護素子は、アノードが前記入出力端子に接続され、カソードが前記接地端子に接続されたたサイリスタである請求項１に記載の静電気保護用半導体装置。
【請求項５】
再結合するキャリアを増やすために前記第２のウェル領域の下に前記第２のウェルと同じ導電型の埋め込み層をさらに有する請求項１記載の静電気保護用半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプロジェクターと前記プロジェクターを制御する制御装置とが無線ＬＡＮを介して通信可能に構成されたプロジェクターシステムであって、
前記プロジェクターは、
電源が投入された時間を示す情報を前記制御装置に送信する送信手段を備え、
前記制御装置は、
前記情報を受信する受信手段と、
前記情報に基づいて、前記複数のプロジェクターのうち、電源が投入された時間が最も遅いプロジェクターを特定する特定手段と、
特定された前記プロジェクターの識別情報を表示する表示手段と、
を備えることを特徴とするプロジェクターシステム。
【請求項２】
前記制御装置は、
前記情報に基づいて、電源が投入された時間が遅い順に前記プロジェクターの識別情報を一覧としたリストを生成するリスト生成手段をさらに備え、
前記表示手段は、生成されたリストを表示することを特徴とする請求項１に記載のプロジェクターシステム。
【請求項３】
前記表示手段は、前記プロジェクターの識別情報に対応付けて、当該プロジェクターの電源が投入された時間を表示することを特徴とする請求項１または２に記載のプロジェクターシステム。
【請求項４】
前記送信手段が送信する前記情報は、さらに、前記プロジェクターの設置場所に関する内容を含み、
前記表示手段は、前記プロジェクターの識別情報に対応付けて、前記設置場所を表示することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項５】
前記制御装置は、
前記情報を要求する情報要求を複数の前記プロジェクターに対して送信する情報要求送信手段をさらに備え、
前記プロジェクターの前記送信手段は、前記情報要求を受信したことに応じて、前記情報を前記制御装置に送信することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項６】
前記制御装置は、
接続可能な前記プロジェクターを検索するためのプローブ要求をブロードキャストするプローブ要求送信手段をさらに備え、
前記プロジェクターの前記送信手段は、前記プローブ要求を受信したことに応じて、前記情報を前記制御装置に送信することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項７】
制御装置との間で無線ＬＡＮを介して通信可能に構成されたプロジェクターであって、
電源が投入された時間を示す情報を前記制御装置に送信することを特徴とするプロジェクター。
【請求項８】
複数のプロジェクターと無線ＬＡＮを介して通信可能に構成された制御装置であって、
前記複数のプロジェクターから、電源が投入された時間を示す情報を受信する受信手段と、
前記情報に基づいて、前記複数のプロジェクターのうち、電源が投入された時間が最も遅いプロジェクターを特定する特定手段と、
特定された前記プロジェクターの識別情報を表示する表示手段と、
を含むことを特徴とする制御装置。
【請求項９】
複数のプロジェクターと無線ＬＡＮを介して通信可能に構成された制御装置に、
前記複数のプロジェクターから、電源が投入された時間を示す情報を受信する受信ステップと、
前記情報に基づいて、前記複数のプロジェクターのうち、電源が投入された時間が最も遅いプロジェクターを特定する特定ステップと、
特定された前記プロジェクターの識別情報を表示する表示ステップと、
を実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
複数のプロジェクターと前記プロジェクターを制御する制御装置とが無線ＬＡＮを介して通信可能に構成されたプロジェクターシステムの制御方法であって、
前記プロジェクターが、電源が投入された時間を示す情報を前記制御装置に送信する送信ステップと、
前記制御装置が、前記情報を受信する受信ステップと、
前記制御装置が、前記情報に基づいて、前記複数のプロジェクターのうち、電源が投入された時間が最も遅いプロジェクターを特定する特定ステップと、
前記制御装置が、特定された前記プロジェクターの識別情報を表示する表示ステップと、
を備えることを特徴とするプロジェクターシステムの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プロジェクターシステム、プロジェクター、制御装置、プログラム及びプロジェクターシステムの制御方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に全体で環状に設けられた複数の一次インダクタと、
前記複数の一次インダクタにそれぞれ対応して設けられた複数の増幅器対とを備え、
前記複数の増幅器対の各々を構成する第１および第２の増幅器は、対応の一次インダクタの両端にそれぞれ接続され、差動入力信号として与えられた一対の第１および第２の信号をそれぞれ増幅して対応の一次インダクタに出力し、
さらに、前記複数の一次インダクタに隣接して１または複数巻で環状に設けられ、前記複数の一次インダクタと磁気的に結合することによって、前記複数の一次インダクタの各々で合成された前記第１および第２の信号の合成信号をさらに合成して出力する二次インダクタと、
前記基板上で前記複数の一次インダクタの内側に設けられ、前記複数の一次インダクタの各々の中点を互いに電気的に接続する接続配線とを備え、
前記中点は、一次インダクタ上の点で一次インダクタの両端から等しい距離にある点である、電力増幅装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して画像データを生成する撮像手段と、
前記撮像手段により生成された画像データに基づく画像を表示部に表示する表示手段と、
前記撮像手段により生成された画像データから被写体領域を検出する被写体検出手段と、
前記被写体検出手段により検出された被写体領域の情報を保持する保持手段とを備え、
前記表示手段は、前記撮像手段により生成された第１の画像データに基づく画像とともに、前記保持手段に保持されている、前記第１の画像データよりも前に前記撮像手段により生成された第２の画像データの被写体領域の情報とを前記表示部に表示することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示手段は、前記撮像手段により生成された第１の画像データに基づく画像とともに、前記被写体検出手段により前記第１の画像データから検出された被写体領域の情報と、前記第２の画像データの被写体領域の情報とを前記表示部に表示することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記被写体検出手段は、前記被写体領域として人物の顔領域を検出することを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記被写体検出手段は、前記被写体領域のサイズ及び位置を検出することを特徴とする請求項２又は３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記表示手段は、前記第１の画像データの被写体領域の情報と、前記第２の画像データの被写体領域の情報とを互いに異なる表示態様により表示することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の画像データの被写体領域と、前記第２の画像データの被写体領域とを比較する比較手段をさらに備え、
前記表示手段は、前記比較手段による比較の結果、前記被写体領域のサイズ及び位置の差が所定値以下である場合に、被写体領域が一致している旨を通知することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記表示手段は、前記比較手段による比較の結果、前記被写体領域のサイズ及び位置の差が所定値以下である場合に、前記第１の画像データの被写体領域の情報と、前記第２の画像データの被写体領域の情報とを１つの表示態様で表示することにより、被写体領域が一致している旨を通知することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記比較手段による比較の結果、前記被写体領域のサイズが所定値を超えた場合に、前記第１の画像データの被写体領域のサイズが前記第２の画像データの被写体領域のサイズになるように前記撮像手段のズーム倍率を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項６又は７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第２の画像データは、前記第１の画像データよりも前に前記被写体検出手段により最後に被写体領域が検出された画像データであることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記保持手段に保持されている被写体領域の情報の中から、前記第２の画像データの被写体領域の情報として表示するための被写体領域の情報を選択する選択手段をさらに備え、
前記表示手段は、前記第１の画像データに基づく画像とともに、前記第１の画像データの被写体領域の情報と、前記選択手段によって選択された被写体領域の情報とを前記表示部に表示することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第２の画像データは静止画データであることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記第２の画像データは動画データであり、前記選択手段は、前記保持手段に保持されている前記動画データの先頭のフレーム、前記被写体検出手段により被写体領域が検出されたフレーム、及び最後のフレームの被写体領域の情報の中から選択することを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記保持手段は、前記撮像手段により生成された第２の画像データをも保持し、
前記保持手段が前記第２の画像データの被写体領域の情報を保持していない場合、前記被写体検出手段は、前記被写体領域を検出する基準となる閾値を変更して前記保持手段に保持されている第２の画像データから被写体領域を検出することを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
被写体を撮像して画像データを生成する撮像工程と、
前記撮像工程において生成された画像データに基づく画像を表示部に表示する表示工程と、
前記撮像工程において生成された画像データから被写体領域を検出する被写体検出工程と、
前記被写体検出工程において検出された被写体領域の情報を保持手段に保持する保持工程とを備え、
前記表示工程においては、前記撮像工程において生成された第１の画像データに基づく画像とともに、前記保持手段に保持されている、前記第１の画像データよりも前に前記撮像工程において生成された第２の画像データの被写体領域の情報とを前記表示部に表示することを特徴とする撮像方法。
【請求項１５】
被写体を撮像して画像データを生成する撮像工程と、
前記撮像工程において生成された画像データに基づく画像を表示部に表示する表示工程と、
前記撮像工程において生成された画像データから被写体領域を検出する被写体検出工程と、
前記被写体検出工程において検出された被写体領域の情報を保持手段に保持する保持工程とをコンピュータに実行させ、
前記表示工程においては、前記撮像工程において生成された第１の画像データに基づく画像とともに、前記保持手段に保持されている、前記第１の画像データよりも前に前記撮像工程において生成された第２の画像データの被写体領域の情報とを前記表示部に表示することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の撮像装置は、被写体を撮像して画像データを生成する撮像手段と、前記撮像手段により生成された画像データに基づく画像を表示部に表示する表示手段と、前記撮像手段により生成された画像データから被写体領域を検出する被写体検出手段と、前記被写体検出手段により検出された被写体領域の情報を保持する保持手段とを備え、前記表示手段は、前記撮像手段により生成された第１の画像データに基づく画像とともに、前記保持手段に保持されている、前記第１の画像データよりも前に前記撮像手段により生成された第２の画像データの被写体領域の情報とを前記表示部に表示することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ネットワークを流れるパケットを取得するパケットキャプチャシステムを構成する画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、１つの画像形成装置に対するオペレーションにより複数の装置におけるパケットデータ取得を可能とした画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びプログラムを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、ネットワークを介して他の装置と通信が可能な画像形成装置であって、前記ネットワークを介して送受信されるパケットデータを取得する取得手段と、前記取得手段に対するパケットデータの取得指示を受け付ける受付手段と、前記受付手段が前記取得指示を受け付けた場合に、パケットデータの取得を行うように前記取得手段を制御し、また前記画像形成装置の通信相手である前記他の装置に対しても前記ネットワークを介して送受信されるパケットデータを取得するように要求する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、画像形成装置がパケットデータを取得するタイミングで別の装置にもパケットデータ取得を要求することで、１つの画像形成装置に対するオペレーションにより複数の装置におけるパケットデータの取得が可能となる。また、１つの画像形成装置において複数の装置におけるパケットデータの取得が可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して他の装置と通信が可能な画像形成装置であって、
前記ネットワークを介して送受信されるパケットデータを取得する取得手段と、
前記取得手段に対するパケットデータの取得指示を受け付ける受付手段と、
前記受付手段が前記取得指示を受け付けた場合に、パケットデータの取得を行うように前記取得手段を制御し、また前記画像形成装置の通信相手である前記他の装置に対しても前記ネットワークを介して送受信されるパケットデータを取得するように要求する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記ネットワークを介して送受信されるパケットデータのうち、特定のパケットデータを抽出して取得するためのパケットデータ取得条件を設定する設定手段を更に備え、
前記取得手段は、前記パケットデータ取得条件に基づいてパケットデータを取得し、
前記制御手段は、前記パケットデータ取得条件に基づいてパケットデータを取得するように前記他の装置に対して要求することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御手段の要求に応じて前記他の装置で取得されたパケットデータを、前記他の装置から受信する受信手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記取得手段が取得したパケットデータと、前記受信手段が前記他の装置から受信したパケットデータとを関連付けて格納する格納手段を更に備えることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【請求項５】
画像データの送信先を設定する送信先設定手段と、
前記送信先設定手段によって設定された送信先に画像データを送信する送信手段とを更に備え、
前記画像形成装置の通信相手である前記他の装置は、前記送信先設定手段によって画像データの送信先として設定された装置であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
ネットワークを介して他の装置と通信が可能な画像形成装置の制御方法であって、
前記ネットワークを介して送受信されるパケットデータを取得手段によって取得する取得工程と、
前記取得手段に対するパケットデータの取得指示を受け付ける受付工程と、
前記受付工程によって前記取得指示を受け付けた場合に、パケットデータの取得を行うように前記取得手段を制御し、また前記画像形成装置の通信相手である前記他の装置に対しても前記ネットワークを介して送受信されるパケットデータを取得するように要求する制御工程と、
を有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項７】
請求項６記載の画像形成装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータで読み取り可能なプログラムコードを有するプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録画像を再生する画像再生装置であって、
現在表示されている現表示画像から次に表示する次表示画像に切り替えるための画像送り手段と、
前記画像送り手段の操作に従い、前記現表示画像から所定の画像送り数だけ前あるいは先の並び順の画像を前記次表示画像の候補である次表示候補画像とする次表示候補画像決定手段と、
前記現表示画像と前記次表示候補画像の記録日時情報を取得する記録日時情報取得手段と、
前記現表示画像と前記次表示候補画像の記録日時情報を比較する比較手段と、
前記比較手段の結果に従い、前記現表示画像と前記次表示候補画像の間で、年、月、日、時のいずれかの時間単位を越えて記録されていると判断した場合は、前記現表示画像と前記次表示候補画像の間にある画像のうち、前記現表示画像の記録日時に対し前記時間単位を越えて直ぐの記録日時情報を有する画像を前記次表示画像とし、越えていない場合は、前記次表示候補画像を前記次表示画像とする次表示画像決定手段
とを具備することを特徴とする画像再生装置。
【請求項２】
更に、前記画像送り数を設定する画像送り数設定手段を備え、
前記次表示候補画像決定手段は、前記画像送り数設定手段による指示に従い、前記次表示候補画像を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像再生装置。
【請求項３】
更に、前記時間単位を設定する時間単位設定手段を備え、
前記比較手段は、前記時間単位設定手段により設定された時間単位に基づき、前記現表示画像の記録日時に対し、前記次表示候補画像の記録日時が前記時間単位を越えたか否かを判断する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像再生装置。
【請求項４】
更に、前記時間単位を越えたことを通知する通知手段を備えることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の画像再生装置。
【請求項５】
記録画像を再生する画像再生装置であって、
現在表示されている現表示画像から次に表示する次表示画像に切り替えるための画像送り手段と、
前記画像送り手段の操作に従い、前記現表示画像から所定の画像送り数だけ前あるいは先の並び順の画像を前記次表示画像の候補である次表示候補画像とする次表示候補画像決定手段と、
前記現表示画像と前記次表示候補画像の記録日時情報を取得する記録日時情報取得手段と、
前記現表示画像と前記次表示候補画像の記録日時情報を比較する比較手段と、
前記比較手段の結果に従い、前記現表示画像と前記次表示候補画像の間で、年、月、日、時のいずれかの時間単位を越えて記録されていると判断した場合は、前記現表示画像と前記次表示候補画像の間にある画像のうち、前記現表示画像の記録日時に対し前記時間単位を越えて直ぐの記録日時情報を有する画像を前記次表示画像とする次表示画像決定手段
とを具備することを特徴とする画像再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る画像再生装置は、記録画像を再生する画像再生装置であって、現在表示されている現表示画像から次に表示する次表示画像に切り替えるための画像送り手段と、前記画像送り手段の操作に従い、前記現表示画像から所定の画像送り数だけ前あるいは先の並び順の画像を前記次表示画像の候補である次表示候補画像とする次表示候補画像決定手段と、前記現表示画像と前記次表示候補画像の記録日時情報を取得する記録日時情報取得手段と、前記現表示画像と前記次表示候補画像の記録日時情報を比較する比較手段と、前記比較手段の結果に従い、前記現表示画像と前記次表示候補画像の間で、年、月、日、時のいずれかの時間単位を越えて記録されていると判断した場合は、前記現表示画像と前記次表示候補画像の間にある画像のうち、前記現表示画像の記録日時に対し前記時間単位を越えて直ぐの記録日時情報を有する画像を前記次表示画像とし、越えていない場合は、前記次表示候補画像を前記次表示画像とする次表示画像決定手段とを具備することを特徴とする。
本発明に係る画像再生装置は、記録画像を再生する画像再生装置であって、現在表示されている現表示画像から次に表示する次表示画像に切り替えるための画像送り手段と、前記画像送り手段の操作に従い、前記現表示画像から所定の画像送り数だけ前あるいは先の並び順の画像を前記次表示画像の候補である次表示候補画像とする次表示候補画像決定手段と、前記現表示画像と前記次表示候補画像の記録日時情報を取得する記録日時情報取得手段と、前記現表示画像と前記次表示候補画像の記録日時情報を比較する比較手段と、前記比較手段の結果に従い、前記現表示画像と前記次表示候補画像の間で、年、月、日、時のいずれかの時間単位を越えて記録されていると判断した場合は、前記現表示画像と前記次表示候補画像の間にある画像のうち、前記現表示画像の記録日時に対し前記時間単位を越えて直ぐの記録日時情報を有する画像を前記次表示画像とする次表示画像決定手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極、発電層、第２の電極を順に積層し、光電変換素子を複数直列に接続した太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記基板上に前記第１の電極を形成する第１の工程と、
前記第１の電極の一部を第１の幅で除去した後、当該除去された領域にブラスト加工を施して前記基板の表面に凹凸を形成する第２の工程と、
前記基板上に前記発電層及び前記第２の電極を順に積層する工程を含む第３の工程と、
前記第１の電極が除去された領域に重なる領域において、前記第１の幅より狭い第２の幅で前記発電層及び前記第２の電極を除去する第４の工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記第２の工程では、前記ブラスト加工により前記第１の電極の一部の除去を行うことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
基板上に第１の電極、発電層、第２の電極を順に積層した光電変換素子を複数直列に接続した太陽電池モジュールであって、
前記光電変換素子の直列接続方向に沿って前記第１の電極を除去した複数の溝に挟まれ前記第１の電極が残された島を含み、前記島の少なくとも一部に前記発電層及び前記第２の電極が積層されている第１のスリットと、
前記第１のスリットが形成された領域内において前記第１の電極、前記発電層及び前記第２の電極が除去され、前記基板に達する第２のスリットと、
が形成されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の太陽電池モジュールであって、
前記第２の電極を含む前記基板上に積層された保護層をさらに備え、
前記第２のスリットの幅は、前記溝の幅よりも広く形成されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項５】
基板上に第１の電極、発電層、第２の電極を順に積層し、光電変換素子を複数直列に接続した太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記基板上に前記第１の電極を形成する第１の工程と、
前記光電変換素子が直列接続される方向に沿って前記第１の電極を除去して複数の溝を形成することによって、前記溝に挟まれ前記第１の電極の島が残された第１のスリットを形成する第２の工程と、
前記島の少なくとも一部を含む前記第１の電極上に前記発電層及び前記第２の電極を積層する第３の工程と、
前記第１のスリットが形成された領域内において前記第１の電極、前記発電層及び前記第２の電極を除去して前記基板に達する第２のスリットを形成する第４の工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数のウエハが収納された第１のカセットと複数のダイシングフレーム付きウエハが収納された第２のカセットの双方を載置し得るロードポートと、上記第１のカセット内のウエハと上記第２のカセット内のダイシングフレーム付きウエハの双方を搬送し得る搬送機構と、を備え、上記各ウエハの電気的特性検査を行う検査装置に用いられるローダであって、上記ロードポートは、上記第１、第２のカセットの双方を載置し得る移動体と、上記第１のカセットが載置された時に上記移動体を初期位置から上記搬送機構の上記ウエハの受け渡し位置へ移動させる駆動機構と、を有することを特徴とするローダ機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の請求項１に記載のローダは、複数のウエハが収納された第１のカセットと複数のダイシングフレーム付きウエハが収納された第２のカセットの双方を載置し得るロードポートと、上記第１のカセット内のウエハと上記第２のカセット内のダイシングフレーム付きウエハの双方を搬送し得る搬送機構と、を備え、上記各ウエハの電気的特性検査を行う検査装置に用いられるローダであって、上記ロードポートは、上記第１、第２のカセットの双方を載置し得る移動体と、上記第１のカセットが載置された時に上記移動体を初期位置から上記搬送機構の上記ウエハの受け渡し位置へ移動させる駆動機構と、を有することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011066368.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011066368.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、前記半導体素子を支持するダイパッドと、前記半導体素子と前記ダイパッドを接着する接着剤と、前記半導体素子とボンディングワイヤにより電気的に接続された複数の信号用リードと、前記半導体素子、前記ダイパッド、前記接着剤、前記ボンディングワイヤ、及び前記信号用リードの一部を封止樹脂で封止する封止体とを備え、
前記ダイパッドは、前記封止体の底面から露出している露出部を底面に有し、前記ダイパッドの上面である載置面に対しほぼ平行に設けられた薄肉部を側面に有し、
前記信号用リードは、屈曲部を有し、前記屈曲部において一端部がアップセットされたインナーリードとなっており、前記信号用リードの他端部は、前記封止体の底面に一部表面を露出した露出部を有する外部接続用端子となっており、
前記インナーリードは、前記載置面と前記インナーリードの裏面とが同等の高さとなるように屈曲部においてアップセットされており、その幅方向においては、一方に膨らんだ突出形状を有し、他方に前記インナーリードの先端に向かって幅が細くなるように斜めに設けられた傾斜垂直面を有する樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記突出形状の配置方向は、前記封止体の外側に向かう方向であり、前記傾斜垂直面の配置方向は、前記封止体の内側に向かう方向であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記屈曲部は、前記インナーリードの上面に連続して設けられた垂直形状部を有し、前記垂直形状部は前記外部接続用端子の底面に対して垂直であることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記垂直形状部の面は、前記封止体の向き合う面の下辺に対し平行であり、前記傾斜垂直面は、前記ダイパッドの最寄りの辺と対向して平行であることを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
前記インナーリードは、前記傾斜垂直面のある側に、前記屈曲部と前記外部接続用端子にかけて切り欠き部を有していることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
前記インナーリードの上面の高さは、前記ダイパッドに載置された前記半導体素子の上面より高いことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】
前記インナーリードの上面の平坦部の長さは、前記インナーリードの裏面の平坦部の長さより長いことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】
前記外部接続用端子の裏面の平坦部の長さは、前記外部接続用端子の上面の平坦部の長さより長いことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
前記ダイパッド及び前記信号用リードの厚さは５０μｍ以上８０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】
前記薄肉部の辺と、前記傾斜垂直面との距離は、前記ダイパッドの厚みより小さいことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】
前記ダイパッドは、前記ダイパッドの各辺の頂点部から少なくとも一対の吊ピン形状が設けられて前記ダイパッドと同じ厚みをもって前記封止体の辺まで延在していることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１２】
前記インナーリードは、前記ダイパッドの各辺の略中央部にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１３】
前記インナーリードは、前記少なくとも一対の吊ピン形状を互いに挟むように配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１４】
前記薄肉部は、前記ダイパッドの側面部の２辺に繋がる１対の薄肉部であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１５】
前記封止体の各辺の大きさは０．５ｍｍから１．０ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１６】
ダイパッドと複数の信号用リードを形成し、前記複数の信号用リードのインナーリードとなる部分には突出形状と傾斜垂直面を形成する工程と、
前記インナーリード部と前記信号用リードの外部接続用端子部との間に屈曲部を形成する工程と、
前記ダイパッドの側面部に薄肉部を設ける工程とを含むリードフレームを用意する工程と、
前記ダイパッド上に接着剤を介して半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記インナーリードとを互いにボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、
封止樹脂を用いて前記半導体素子と前記ダイパッドと前記接着剤と前記ボンディングワイヤと前記信号用リードとを封止する工程と、
前記リードフレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する工程と、
を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
ダイパッドとインナーリードを有する信号用リードとを、前記インナーリードは、前記信号用リード幅方向に対して一方が突出形状を有し、他方が前記信号用リード幅方向内側に傾斜垂直面を有するように形成する工程と、
前記ダイパッドの側面部に前記ダイパッドの載置面にほぼ平行に薄肉部を設ける工程と、
前記インナーリード部と前記信号用リードの外部接続用端子部との間に、前記載置面と前記インナーリードの裏面とをほぼ同等の高さとする屈曲部を形成する工程と、
前記載置面上に接着剤を介して半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記インナーリードとを互いにワイヤボンドで電気的に接続する工程と、
前記ダイパッドの底面の少なくとも一部および外部接続用端子として前記信号用リードの他端部の一部が底面から露出するように封止樹脂で封止する工程と、
からなる樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハを保持可能な透孔が設けられたキャリアと、定盤とを備え、該キャリアの該透孔に保持された該ウェーハを該定盤に対して相対移動させて、該ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置において、
前記透孔内に残留するウェーハ破片の有無を検知する、画像処理手段もしくは非接触検出手段の少なくとも一方を備えること
を特徴とするウェーハ研磨装置。
【請求項２】
ウェーハを保持可能な透孔が設けられたキャリアと、定盤とを備え、該キャリアの該透孔に保持された該ウェーハを該定盤に対して相対移動させて、該ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置において、
前記透孔内に残留するウェーハ破片の有無を検知する、画像処理手段および非接触検出手段の両方を備え、
前記画像処理手段は、前記透孔の周縁部の一定領域におけるウェーハ破片有無を検知するＣＣＤカメラを有し、
前記非接触検出手段は、前記透孔の周縁部の前記一定領域以外の領域におけるウェーハ破片有無を検知する光電センサを有すること
を特徴とするウェーハ研磨装置。
【請求項３】
ウェーハを保持可能な透孔が設けられたキャリアと、定盤とを備え、該キャリアの該透孔に保持された該ウェーハを該定盤に対して相対移動させて、該ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置において、
前記透孔内に残留するウェーハ破片の有無を検知する、画像処理手段および接触検出手段の両方を備え、
前記画像処理手段は、前記透孔の周縁部の一定領域におけるウェーハ破片有無を検知するＣＣＤカメラを有し、
前記接触検出手段は、前記透孔の周縁部の前記一定領域以外の領域におけるウェーハ破片有無を検知する接触型センサを有すること
を特徴とするウェーハ研磨装置。
【請求項４】
前記画像処理手段は、前記ウェーハを前記キャリアの前記透孔に保持させる際の位置合せ手段と兼用されること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のウェーハ研磨装置。
【請求項５】
画像処理手段を用いて位置合せを行いながら、ウェーハ研磨装置のキャリアの透孔にウェーハを保持させる工程と、
前記ウェーハをウェーハ研磨装置の定盤を用いて研磨する工程と、
研磨された前記ウェーハを、搬送手段を用いて前記透孔から取り外し、収容手段に収容する工程と、
前記ウェーハが取り外された前記透孔内に残留するウェーハ破片の有無を検知する工程と、を備えること
を特徴とするウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記ウェーハが取り外された前記透孔内に残留するウェーハ破片の有無を検知する工程は、
前記画像処理手段を用いて、前記透孔の周縁部の一定領域におけるウェーハ破片有無を検知する工程と、
非接触検出手段を用いて、前記透孔の周縁部の前記一定領域以外の領域におけるウェーハ破片有無を検知する工程と、を備えること
を特徴とする請求項５記載のウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記非接触検出手段として光電センサが用いられること
を特徴とする請求項６記載のウェーハの製造方法。
【請求項８】
前記ウェーハが取り外された前記透孔内に残留するウェーハ破片の有無を検知する工程は、
前記ウェーハが前記透孔から取り外されてから、前記収容手段に収容されるまでの間に実施されること
を特徴とする請求項５〜７のいずれか一項記載のウェーハの製造方法。