【事件の表示】
　特願２００２−２１７６３２「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月２６日出願公開、特開２００４−　６３６１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年７月２６日の出願であって、平成１９年８月６日付けで手続補正がなされ、同年８月２９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１０月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年１１月２日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２２年３月１０日付けで審尋がなされ、平成２２年５月１２日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年１１月２日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年１１月２日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成１９年１１月２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１を補正するものであって、その補正前の請求項１及び補正後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　半導体基板上に第１層アルミ配線としてバリアメタル層の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで成膜し、レジストマスクにてＣｌ2系反応ガスを用いて選択エッチングで前記第１層アルミ配線を形成する第１工程と、
　前記第１層アルミ配線上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分にＳＯＧ膜を塗布して段差を埋める第２工程と、
　前記層間絶縁膜と前記ＳＯＧ膜を、ＣＦ4系反応ガスを用いてエッチバックし、前記第１層アルミ配線上部を露出させる第３工程と、
　前記第１層アルミ配線上部が露出した状態で、第２層アルミ配線としてアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで成膜し、前記第２層アルミ配線が前記第１層アルミ配線と重ね合わさる様に前記第２層アルミ配線の線幅を前記第１層アルミ配線の線幅よりも太くレジスト膜を描画する第４工程と、
　Ｃｌ2系反応ガスを用いて選択エッチングで前記第２層アルミ配線を形成すると同時に前記第１層アルミ配線と前記第２層アルミ配線とを接続する第５工程と、
　前記第２層アルミ配線上に第２の層間絶縁膜を成膜し、段差部分に第２のＳＯＧ膜を塗布して段差を埋める第６工程と、
　前記第２の層間絶縁膜と前記第２のＳＯＧ膜を、ＣＦ4系反応ガスを用いてエッチバックし、前記第２層アルミ配線上部を露出させる第７工程と、
　前記第２の層間絶縁膜と前記第２のＳＯＧ膜と露出した前記第２層アルミ配線上部との上に第３の層間絶縁膜を成膜する第８工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】　半導体基板上に第１層アルミ配線としてバリアメタル層の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで略１００００Å成膜し、レジストマスクにてＣｌ2系反応ガスを用いて選択エッチングで前記第１層アルミ配線を形成する第１工程と、
　前記第１層アルミ配線上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分にＳＯＧ膜を塗布して段差を埋める第２工程と、
　前記層間絶縁膜と前記ＳＯＧ膜を、ＣＦ4系反応ガスを用いてエッチバックし、前記第１層アルミ配線上部を露出させる第３工程と、
　前記第１層アルミ配線上部が露出した状態で、第２層アルミ配線としてアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで略１００００Å成膜し、前記第２層アルミ配線が前記第１層アルミ配線の上表面をムラ無く覆って重ね合わさる様に前記第２層アルミ配線の線幅を前記第１層アルミ配線の線幅よりも太くレジスト膜を描画する第４工程と、
　Ｃｌ2系反応ガスを用いて選択エッチングで前記第２層アルミ配線を形成すると同時に前記第１層アルミ配線と前記第２層アルミ配線とを接続する第５工程と、
　前記第２層アルミ配線上に第２の層間絶縁膜を成膜し、段差部分に第２のＳＯＧ膜を塗布して段差を埋める第６工程と、
　前記第２の層間絶縁膜と前記第２のＳＯＧ膜を、ＣＦ4系反応ガスを用いてエッチバックし、前記第２層アルミ配線上部を露出させる第７工程と、
　前記第２の層間絶縁膜と前記第２のＳＯＧ膜と露出した前記第２層アルミ配線上部との上に第３の層間絶縁膜を成膜する第８工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正における補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の「 第１層アルミ配線としてバリアメタル層の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで成膜し、」を、補正後の請求項１の「第１層アルミ配線としてバリアメタル層の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで略１００００Å成膜し、」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
  補正前の請求項１の「第２層アルミ配線としてアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで成膜し、」を、補正後の請求項１の「第２層アルミ配線としてアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで略１００００Å成膜し、」と補正すること。
　
（補正事項ｃ）
  補正前の請求項１の「前記第２層アルミ配線が前記第１層アルミ配線と重ね合わさる様に前記第２層アルミ配線の線幅を前記第１層アルミ配線の線幅よりも太くレジスト膜を描画する」を、補正後の請求項１の「前記第２層アルミ配線が前記第１層アルミ配線の上表面をムラ無く覆って重ね合わさる様に前記第２層アルミ配線の線幅を前記第１層アルミ配線の線幅よりも太くレジスト膜を描画する」と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第１層アルミ配線」について、「略１００００Å成膜し、」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、「略１００００Å成膜し、」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【０００９】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａは、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第２層アルミ配線」を「略１００００Å成膜し、」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、「略１００００Å成膜し、」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００１４】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｂは、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第２層アルミ配線」について、「第１層アルミ配線の上表面をムラ無く覆って」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、「第１層アルミ配線の上表面をムラ無く覆って」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００１４】段落及び【００１５】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｃは、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成１９年１１月２日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）刊行物に記載された発明
（４−３−１）特開平１０−４１２９９号公報　
（４−３−１−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平１０−４１２９９号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に配線の形成方法に関する。」
「【００３２】
【実施例】
第１の実施例
第１の実施形態の一実施例について図１を参照しながら説明する。
【００３３】
図１（ａ）は、研磨することによって平坦化された下層層間絶縁膜１上に第１の配線２（ここでは、上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造、微細パターンの幅０．５μｍ、厚さ０．５μｍ）をフォトレジスト（以下ＰＲと称する）によるパターニングとエッチング技術により形成し、絶縁膜３（ここでは、酸化膜、厚さ０．８μｍ）を成長した状態である。
【００３４】
次に図１（ｂ）に示すように、第１の配線２の表面が出るまで研磨し、配線段差を完全に平坦化した後、第２の配線４（ここでは、上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造、厚さ０．５μｍ）をスパッタし、ＰＲでパターニングし、エッチングする（ここでは、微細パターンの幅０．５μｍ）。
【００３５】
第２の配線４は、上層配線との導通をとるビアホールに相当する柱状配線部分４ａ（本実施例の場合、幅０．５μｍ。幅は０．５μｍより長くても問題ない。）、及び低抵抗化のため第１の配線２と合わせて膜厚１．０μｍの厚い配線を形成するパターン部分４ｂから成っている。
【００３６】
次に図１（ｃ）に示すように、第２の絶縁膜５（ここでは、酸化膜、厚さ０．８μｍ）を成長し、第２の配線４の表面が出るまで研磨し、第２の配線４の段差を完全に平坦化する。続いて、第３の配線６（ここでは、上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造、厚さ０．５μｍ）をスパッタする。次にＰＲでパターニングし、エッチングすると（ここでは、微細パターンの幅０．５μｍ）、図１（ｃ）に示すように、本実施例の完成状態となる。
「【００３９】第２の実施例
第２の実施形態の一実施例について図２を参照しながら説明する。本実施例では、第１の実施例の図１（ｃ）に示す第３の配線６を形成した後、第３の絶縁膜７（ここでは、酸化膜０．８μｍ）を成長し、第３の配線６の表面が出るまで研磨し、平坦化する。
【００４０】次に、第４の配線８（ここでは、上層より、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルとの積層膜、厚さ０．５μｍ、幅１．０μｍ）を形成する。第３の配線６の段差を完全に平坦化しているため、幅０．５μｍ程度の微細配線も可能である。
【００４１】次に、第４の絶縁膜９（ここでは、酸化膜、厚さ０．８μｍ）を成長し、第４の配線８の表面が出るまで研磨し、平坦化する。
【００４２】　次に、第５の配線１０（ここでは、上層からＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルとの積層膜、厚さ０．５μｍ、微細パターンの幅０．５μｍ）を形成すると図２の完成状態となる。」
　
（４−３−１−２）そうすると、刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「研磨することによって平坦化された下層層間絶縁膜１上に、上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造からなり、厚さ０．５μｍの第１の配線２をフォトレジストによるパターニングとエッチング技術により形成し、
　酸化膜からなる絶縁膜３を成長して、第１の配線２の表面が出るまで研磨し、
　上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造からなり、厚さ０．５μｍの第２の配線４をスパッタし、フォトレジストでパターニングし、エッチングし、低抵抗化のため第１の配線２と合わせて膜厚１．０μｍの厚い配線を形成し、
酸化膜からなる第２の絶縁膜５を成長して、第２の配線４の表面が出るまで研磨し、
　平坦化された第２の絶縁膜５及び第２の配線４の表面上に、上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造からなり、厚さ０．５μｍの第３の配線６をスパッタし、レジストでパターニングし、エッチングする、
半導体装置の製造方法」
　
（４−３−２）特開平１−１４０６４４号公報　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平１−１４０６４４号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「〔概　　要〕
　本発明は集積回路装置の平坦化および内部配線の層間接続に関し、
　流動性絶縁物塗布層に起因して接続孔内部に発生する不完全接続の防止を目的とし、
　凹凸のある半導体基板表面を緻密な皮膜で被覆する工程、流動性絶縁物層を前記基板表面に塗布した後、流動性付与のために混合されている液状組成物を除去する工程、前記絶縁物層を全面エッチングして凹部のみに残留せしめる工程、および緻密な皮膜によって前記残留絶縁物層表面を含む前記基板表面を被覆する工程を包含して構成する。
〔産業上の利用分野〕
　本発明は集積回路装置(ＩＣ)の内部配線に関わり、特にＩＣの多層配線構造の形成に関わる。
　ＩＣの高集積化は近年ますます進んでおり、ゲートアレイのように、顧客の要求に応じた機能が上層配線のパターンによって付与される型のＩＣに於いても状況は同じである。
　高集積化のためには素子や配線パターンの微細化が必要であり、それに伴って、基板表面に必然的に発生する起伏のアスペクト比が大になることが、上層配線の形成に好ましくない影響を及ぼすようになっている。即ち、短い水平距離内に大きい高低差が存在するとスパッタリングなどで被着した配線層に、所定の厚さを持たない箇所や、甚だしい場合には不連続の箇所が発生するのである。同時にスルーホールなどの接続孔の口径も小となり、孔内に配線材料を堆積することが困難になるという問題も生じている。
〔従来の技術〕
　基板表面の起伏を低減する処理として、ＳｉＯ２のような絶縁物の微細粉末を有機溶剤中に混じたものを基板表面に塗布することが従来から行われている。これは混合液をスピンコートによって表面が平坦になるように塗布し、加熱して有機溶剤を蒸発させた後、全面をエッチバックして不要部を除去するもので、基板表面の凹部がＳｉＯ２で埋められて平坦になるわけである。絶縁物の微細粉末を有機溶剤中に混じたもの、或いはこれを塗布して乾燥させたものは、このような利用法からスピンオングラス(ＳＯＧ)と呼ばれる。」（第１頁左下欄第１６行〜第２頁右上欄第１行）
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「第１の配線２をフォトレジストによるパターニングとエッチング技術により形成」することは、補正後の発明の「レジストマスクにて」「選択エッチングで」「第１層」「配線を形成する」ことに相当する。
　
（４−４−２）刊行物発明において、「酸化膜からなる絶縁膜３」は「第１の配線２」の上に形成されることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「酸化膜からなる絶縁膜３を成長」することは、補正後の発明の「第１層」「配線上に層間絶縁膜を成膜」することに相当する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「第１の配線２の表面」を「出」させることは、補正後の発明の「第１層」「配線上部を露出させる」ことに相当する。
　
（４−４−４）刊行物発明の「上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造からなり、厚さ０．５μｍの第２の配線４をスパッタし、フォトレジストでパターニングし、エッチングし、低抵抗化のため第１の配線２と合わせて膜厚１．０μｍの厚い配線を形成」することと補正後の発明の「前記第１層アルミ配線上部が露出した状態で、第２層アルミ配線としてアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで略１００００Å成膜し、前記第２層アルミ配線が前記第１層アルミ配線の上表面をムラ無く覆って重ね合わさる様に前記第２層アルミ配線の線幅を前記第１層アルミ配線の線幅よりも太くレジスト膜を描画する第４工程と、
　Ｃｌ2系反応ガスを用いて選択エッチングで前記第２層アルミ配線を形成すると同時に前記第１層アルミ配線と前記第２層アルミ配線とを接続する第５工程」とは、「第１層」「配線上部が露出した状態で、」第２層配線となる配線材料を「スパッタもしくはＣＶＤで」「成膜し、」「レジスト膜を描画」し、「選択エッチングで、」「第２層」「配線を形成すると同時に」、「第１層」「配線と」「第２層」「配線とを接続する」ものである点で一致する。
　
（４−４−５）刊行物発明において、「酸化膜からなる第２の絶縁膜５」は「第２の配線４」の上に形成されることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「酸化膜からなる第２の絶縁膜５を成長」することは、補正後の発明の「第２層」「配線上に第２の層間絶縁膜を成膜」することに相当する。
　
（４−４−６）刊行物発明の「第２の配線４の表面」を「出」させることは、補正後の発明の「第２層」「配線上部を露出させる」ことに相当する。
　
（４−４−７）すると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「レジストマスクにて選択エッチングで第１層配線を形成し、　
第１層配線上部が露出した状態で、第２層配線となる配線材料をスパッタもしくはＣＶＤで成膜し、レジスト膜を描画し、
選択エッチングで第２層配線を形成すると同時に第１層配線と第２層配線とを接続し、
第２層配線上に第２の層間絶縁膜を成膜し、
第２層配線上部を露出させる
半導体装置の製造方法。」である点で一致し、次の９点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「半導体基板上に」「第１層」「配線を形成」しているのに対し、刊行物発明では、「研磨することによって平坦化された下層層間絶縁膜１上に、」「第１の配線２」を「形成」している点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「第１層アルミ配線としてバリアメタル層の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで略１００００Å成膜し」ているのに対し、刊行物発明では、「上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造からなり、厚さ０．５μｍの第１の配線２を」「形成」しており、その形成方法については特定していない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「Ｃｌ2系反応ガスを用い」た「選択エッチングで」「第１層」「配線を形成する」のに対し、刊行物発明では、「第１の配線２を」「エッチング技術により形成し、」とのみ限定し、具体的なエッチングガスについては、特定していない点。
　
（相違点４）補正後の発明では、「第１層」「配線上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分にＳＯＧ膜を塗布して段差を埋め」、「前記層間絶縁膜と前記ＳＯＧ膜を、ＣＦ4系反応ガスを用いてエッチバックし、」「第１層」「配線上部を露出させる」のに対し、刊行物発明では、「酸化膜からなる絶縁膜３を成長して、第１の配線２の表面が出るまで研磨し」ている点。
　
（相違点５）補正後の発明では、「第２層アルミ配線としてアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで略１００００Å成膜し」ているのに対し、刊行物発明では、「上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造からなり、厚さ０．５μｍの第２の配線４をスパッタし」ている点。
　
（相違点６）補正後の発明では、「第２層アルミ配線が」「第１層アルミ配線の上表面をムラ無く覆って重ね合わさる様に」「第２層アルミ配線の線幅を」「第１層アルミ配線の線幅よりも太くレジスト膜を描画する」のに対して、刊行物発明では、「フォトレジストでパターニング」する際の寸法に関して特定していない点。
　
（相違点７）補正後の発明では、「Ｃｌ2系反応ガスを用いて選択エッチングで」「第２層」「配線を形成する」のに対し、刊行物発明では、「第２の配線４を」「エッチングし」て「形成し、」とのみ限定し、具体的なエッチングガスについては、特定していない点。
　
（相違点８）補正後の発明では、「第２層」「配線上に第２の層間絶縁膜を成膜し、段差部分に第２のＳＯＧ膜を塗布して段差を埋め」、「前記第２の層間絶縁膜と前記第２のＳＯＧ膜を、ＣＦ4系反応ガスを用いてエッチバックし、」「第２層」「配線上部を露出させる」のに対し、刊行物発明では、「酸化膜からなる第２の絶縁膜５を成長して、第２の配線４の表面が出るまで研磨し」ている点。
　
（相違点９）補正後の発明では、「第２の層間絶縁膜と」「第２のＳＯＧ膜と露出した」「第２層」「配線上部との上に第３の層間絶縁膜を成膜する」のに対し、刊行物発明では、「平坦化された第２の絶縁膜５及び第２の配線４の表面上に、上層よりＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ、ＴｉＮ／Ａｌのようなアルミとバリアメタルの積層構造からなり、厚さ０．５μｍの第３の配線６をスパッタし、レジストでパターニングし、エッチングする」点。
　
（４−５）判断
（４−５−１）相違点１について
　一般に半導体装置の多層配線構造において、半導体基板と第１層配線を電気的に接続するか、半導体基板上に絶縁膜を介して第１層配線を形成するかは、半導体基板表面に形成される各種デバイス、半導体基板上に形成される多層配線層から構成される半導体装置全体としての構造に応じて、当業者が適宜選択しうる設計的事項である。そして、刊行物発明の下層層間絶縁膜１は、半導体基板の上に形成されていることは明らかであるから、刊行物発明においても、下層層間絶縁膜１を形成することなく、補正後の発明のように、「半導体基板上に」「第１層」「配線を形成」することは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
  よって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点２及び５について
　半導体装置の多層配線構造において、バリアメタル層の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタあるいはＣＶＤで形成することは、例えば、以下の周知例１、２に記載されるように、従来から周知の技術である。
　
（周知例１）：特開平４−１９６４８６号公報には、第２図とともに、以下の記載がなされている。
「次に、第２の発明による半導体装置の一実施例を第２図を参照して説明する。第２図は上記実施例の半導体装置の製造工程断面図である。この半導体装置は先ず、半導体基板１上に例えばＢＰＳＧ膜３を形成し、半導体基板１上の拡散層２とのコンタクトを取るためのコンタクトホールをＢＰＳＧ膜３に開孔する。その後、Ｔｉ膜５をスパッタ法を用いて堆積する（第２図（ａ）参照）。その後更にその上に例えばＴｉＮ膜（図示せず）をスパッタ法を用いて堆積させるか又はＴｉ膜５の表面の窒化を行った後に、約５００〜８００℃の温度で熱処理を行う。
　すると、Ｔｉ膜５とＳｉの界面、すなわちＴｉ膜５と半導体基板１の界面のみにＴｉとＳｉの化合物（ＴｉＳｉ２）からなる層６が形成され、このＴｉＳｉ２層を残してＴｉ膜５又は、ＴｉＮ膜及びＴｉ膜５を選択的にエッチング除去する（第２図（ｂ）参照）。
その後ＴｉＮ膜７を堆積した後、Ａｌ又はＡｌ合金からなる配線膜８を形成する（第２図（ｃ）参照）。
　このようにして形成された半導体装置のパッド部にワイヤ接続した後、このワイヤの剥離テストを行っても、パッド部の、下地絶縁膜３とバリアメタル７との界面近傍で剥離する割合、すなわち界面はがれ率は、バリアメタル５の熱処理温度に依らずほぼ零であった。これにより、本実施例の半導体装置は密着性不良は生じず、信頼性の高いものとなる。」（第３頁右上欄第１９行〜同頁右下欄第８行）
　
（周知例２）：特開平９−６４０３９号公報には、図１とともに、以下の記載がなされている。
「【０００９】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例につき添付図面を参照して説明する。
【００１０】実施例１
　本実施例は、
Ａｌ系金属層上にＴｉ層とＴｉＮ層からなる反射防止膜をスパッタリングおよび反応性スパッタリングにより形成した例
【００１１】
まず半導体基板（図示せず）上に形成されたＳｉＯ
2 
からなる層間絶縁膜１上にＴｉ密着層２、ＴｉＮバリア層３およびＡｌ−０．５％ＣｕからなるＡｌ系金属層４を順次形成し、図１（ａ）の状態とする。
「【００１３】続けて図１（ｂ）に示すように、Ａｌ系金属層４上にＴｉ層５、ＴｉＮ層６からなる反射防止膜をこの順に形成する。各層のスパッタリング条件および厚さの一例を〔表２〕に示す。なおＴｉ密着層２からＴｉＮ層６までの各層は、マルチチャンバ方式の連続スパッタリング装置を採用し、被処理基板を大気に曝すことなく連続的に積層することが望ましい。」
「【００１６】実施例２
　本実施例はＡｌ系金属層上にＴｉ層とＴｉＮ層からなる反射防止膜をプラズマＣＶＤにより形成した例であり、これを再び図１（ａ）〜（ｂ）に示す概略断面図を参照して説明する。
【００１７】本実施例は、図１（ａ）に示すＡｌ系金属層４の形成工程迄は前実施例１と同様であるので重複する説明は省略する。次に一例として下記マイクロ波プラズマＣＶＤ条件により、図１（ｂ）示すＴｉ層５およびＴｉＮ層６を形成する。」
「【００１９】このＴｉ系材料層のＣＶＤ条件により、Ａｌ系金属層４との界面にＡｌ−Ｔｉ合金層が形成されることなく、表面モホロジにすぐれた反射防止膜が形成される。したがって、この後の工程でレジスト層を塗布し、パターン露光してレジストマスク（図示せず）をＴｉＮ層６上に形成し、例えば塩素系ガスによるプラズマエッチングを施した場合にも、加工精度の高い配線を形成することが可能である。なお本実施例では
Ｔｉ密着２とＴｉバリア層３およびＡｌ系金属層４の形成はスパッタリングないし反応性スパッタリングによったが、これらの各層もＣＶＤにより形成してもよい。
「【００２４】以上、本発明を３つの実施例により説明したが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【００２５】例えば、Ａｌ系金属層上に形成するＴｉ系材料層として、Ｔｉ層とＴｉＮ層をこの順に形成したが、この逆順に形成してもよい。また
Ｔｉ層あるいはＴｉＮ層を単独で形成する場合
【００２６】
Ａｌ系金属層としてＡｌ−０．５％Ｃｕを例示したが、Ａｌ−ＳｉやＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕあるいは純Ａｌであってもよい。
　また、アルミニウムまたはアルミニウム合金の膜厚をどの程度にするのかは、配線の要求仕様に応じて、当業者が適宜設定し得る設計的事項である。
　したがって、刊行物発明において、上記周知の技術を採用し、補正後の発明のように、「第１層アルミ配線としてバリアメタル層の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタもしくはＣＶＤで略１００００Å成膜」することは、当業者が容易になし得たことである。また、相違点５についても同様である。
　よって、相違点２及び５は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−３）相違点３及び７について
　アルミニウムあるいはアルミニウム合金を、Ｃｌ2系反応ガスを用いた選択エッチングすることにより配線層を形成することは、例えば、以下の周知例３〜５に記載されるように、従来から周知の技術である。
　
（周知例３）：特開昭６４−６６９５５号公報には、以下の記載がなされている。
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は半導体集積回路に関し、特に多層配線を有する半導体集積回路に関する。
〔従来の技術〕
　一般に、半導体集積回路の配線材料としてはアルミニウムが広く用いられている。アルミニウムは導電性が良いことと加工が容易である等の特徴を有するため、今後も配線材料として用いられると考えられる。」（第１頁左下欄第１４行〜同頁右下欄第５行）
「アルミニウムのドライエッチングには通常塩素系のガスが用いられるが、・・・」（第１頁右下欄第１６〜１７行）
　
（周知例４）：特開２００２−１９８３５２号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置を構成する素子は微細化に伴ってＭＯＳ電界効果トランジスタが主流となっている。中でもＭＯＳ電界効果トランジスタの微細化に伴い、多層配線工程の微細化も益々進んでおり、0.13μm以下のデザインルールのデバイスでは、ダマシン法を用いた銅配線形成も採用されつつある。一方、0.15μmでのデザインルールのデバイスでのアルミニウムを主とする多層配線は最終局面に入っており、配線の最小ピッチは0.40μm以下の設定となっている。
【０００３】
一般的に、アルミニウムを主とする多層配線を形成するための一つの技術として、銅含有アルミニウム膜のパターンを形成するためにプラズマドライエッチング装置を用いて微細配線パターンを形成する方法が知られており、その技術は現在まで幅広く使用されている。そして、その使用されるガス系としては、主に塩素、３塩化ホウ素、窒素等である。
　
（周知例５）：特開２００２−５３９８６号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理チャンバ内にプラズマを発生させて、
Ａｌ膜などの金属膜をエッチングする金属膜のエッチング方法
「【００１１】また、好ましくは、
エッチングガスとして、Ｃｌ系ガスとＣＦ系ガスとを含む混合ガス、Ｃｌ系ガスとＮ
2
ガスとを含む混合ガス、Ｃｌ系ガスとＣＨ系ガスとを含む混合ガスのいずれかを使用する。
【００１２】この場合、
Ｃｌ系ガスとして、Ｃｌ
2
ガス
　
　したがって、刊行物発明において、上記周知の技術を採用し、補正後の発明のように、「Ｃｌ2系反応ガスを用い」た「選択エッチングで」「第１層」「配線を形成する」ことは、当業者が容易になし得たことである。また、相違点７についても同様である。
　よって、相違点３及び７は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−４）相違点４及び８について
　一般に集積回路装置の製造過程における平坦化の手法として、ＳＯＧを表面に塗布して凹部を埋めたあとにエッチバックを行うことにより平坦化を行うことは、例えば、刊行物２の従来技術に関する以下の記載からも分かるように、当業者においては周知技術である。
「基板表面の起伏を低減する処理として、ＳｉＯ２のような絶縁物の微細粉末を有機溶剤中に混じたものを基板表面に塗布することが従来から行われている。これは混合液をスピンコートによって表面が平坦になるように塗布し、加熱して有機溶剤を蒸発させた後、全面をエッチバックして不要部を除去するもので、基板表面の凹部がＳｉＯ２で埋められて平坦になるわけである。絶縁物の微細粉末を有機溶剤中に混じたもの、或いはこれを塗布して乾燥させたものは、このような利用法からスピンオングラス(ＳＯＧ)と呼ばれる。」（第２頁左上欄第１０行〜右上欄第１行）
　（ここで、刊行物１において、「フォトレジスト」「によるパターニングとエッチング技術により形成」された「第１の配線２」上に「成長」された「絶縁膜３」の表面には、「第１の配線２」の断面形状を反映して凹凸が生じることは、図１（ａ）から見ても明らかである。）
　したがって、刊行物発明における平坦化プロセスに対して、上記周知技術を適用し、「酸化膜からなる絶縁膜３を成長して、第１の配線２の表面が出るまで研磨」に換えて、スピンオングラス(ＳＯＧ)を塗布して全面をエッチバックする手法を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　また、ＳＯＧをエッチングする際の反応ガスとして、ＣＦ４系反応ガスを用いることは、例えば、以下の周知例６及び７に記載されるように、従来から周知の技術である。
　
（周知例６）：特開２００２−１９８４２２号公報には、図４５及び４６とともに、以下の記載がなされている。
「【０１１９】（第７の実施形態）図４５および図４６は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１２０】まず、第５の実施形態の図３１（ａ）〜図３２（ｇ）までの工程を行う（図４５（ａ））。
【０１２１】次に図４５（ｂ）に示すように、Ｌｏｗ−ｋ膜１７を全面に形成する。Ｌｏｗ−ｋ膜１７の材料は、例えばフレアー、シルク等のＣＦ系である。その他にも、レジスト，Ｃ単体またはＣおよび添加物（Ｓｉは除く）等のＣ系でも同様の効果が得られる。
【０１２２】次に図４５（ｃ）に示すように、Ｌｏｗ−ｋ膜１７上に厚さ１００ｎｍのＳＯＧ膜７、厚さ３００ｎｍのフォトレジストパターン１３を順次形成する。
【０１２３】次にフォトレジストパターン１３をマスクにしてＳＯＧ膜７を異方性エッチングし、ＳＯＧ膜７にフォトレジストパターン１３のパターンを転写し、続いてフォトレジストパターン１３およびＳＯＧ膜７をマスクにしてＬｏｗ−ｋ膜１７をエッチングし、Ｌｏｗ−ｋ膜１７に配線溝を形成する。
【０１２４】Ｌｏｗ−ｋ膜１７は最初のうちはフォトレジストパターン１３をマスクにしてエッチングされるが、途中で消滅してしまうので最終的にはＳＯＧ膜７をマスクにしてエッチングされる。この段階の断面図を図４５（ｄ）に示す。
【０１２５】
ＳＯＧ膜７のエッチング条件は、
エッチングガス＝ＣＦ
4 
　
（周知例７）：特開２００２−１６１４０号公報には、図１〜５とともに、以下の記載がなされている。
「【００３２】エッチストップ層の上にはそこに形成される相互接続構造と同じ（または随意的にそれよりも大きい）厚さのトレンチ誘電体層が存在する。エッチストップ層がトレンチ誘電体層とコンタクト誘電体層との間に配置されているので、下に位置するコンタクト誘電体材料のエッチングに関してトレンチ誘電体材料の選択的なエッチングを選ぶ必要はない。しかしながら、トレンチ誘電体層のエッチング条件はエッチストップ材料に関するトレンチ誘電体材料に対して選択的でなければならない。
【００３３】
トレンチ誘電体材料の例としては、
スピンオンガラス（ＳＯＧ）のような他の誘電体、・・・を含んでいる。
「【００３５】半導体構造の断面部分が図１に示されており、コンタクト誘電体層１、エッチストップ層14、ゲート12とキャップ誘電体層13とを有するゲート構造３、トレンチ誘電体層４を含んでいる。」
「【００４２】図２はトレンチ誘電体層４上にパターン化されたトレンチマスク５を有する半導体構造の断面を示している。パターン化されたトレンチマスク５とトレンチ誘電体層４との間に配置されている選択的なＡＲＣ層は図示されていない。
【００４３】露出されたトレンチ誘電体材料層４のエッチングは下に位置するエッチストップ層14を実質的にエッチングせずに露出されたトレンチ誘電体材料４を実質上除去する条件下で行われるべきである。特定の条件は当業者により選択されることができる。
下に位置するエッチストップ層14の実質的なエッチングをしないトレンチ誘電体材料４の実効的なエッチングは、ＣＨＦ
3 
および／またはＣＦ
4
 、好ましくはＣＨＦ
3
 とＣＦ
4 
との混合物を有するエッチング剤により、
「【００４８】トレンチ誘電体材料が相互接続構造６の形成を可能にするパターンでエッチングされた後、トレンチフォトレジストマスク５は当業者に知られている一般的な方法により除去され（図３）、コンタクト開口マスク７がそこに形成される（それぞれ側面図と上面図である図４および図５参照）。・・・」
　
　したがって、刊行物発明における「酸化膜からなる絶縁膜３を成長して、第１の配線２の表面が出るまで研磨」することに換えて、刊行物２に記載された周知技術及び周知例６、７に記載された周知技術を適用して、補正後の発明のように、「第１層」「配線上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分にＳＯＧ膜を塗布して段差を埋め」、「前記層間絶縁膜と前記ＳＯＧ膜を、ＣＦ4系反応ガスを用いてエッチバックし、」「第１層」「配線上部を露出させる」ことは、当業者が容易になし得たことである。また、相違点８についても同様である。
　よって、相違点４及び８は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−５）相違点６について
　刊行物１には、「【００３３】図１（ａ）は、研磨することによって平坦化された下層層間絶縁膜１上に
第１の配線２
微細パターンの幅０．５μｍ
第２の配線４
微細パターンの幅０．５μｍ
低抵抗化のため第１の配線２と合わせて膜厚１．０μｍの厚い配線を形成するパターン部分４ｂ
　ここで、一般に、同じ寸法・形状を有する下層パターンと上層パターンからなる積層パターンを、異なるエッチングマスクを用いてエッチングして形成する場合、上層パターンのマスクは、マスク合わせにおけるずれを考慮して、下層パターンよりも若干大きめに形成することは、当業者において常套的に行われる周知の技術である。
　したがって、刊行物発明において、「第２の配線４を」「フォトレジストでパターニング」する際に、このような周知の技術を適用して、補正後の発明のように、「第２層アルミ配線が」「第１層アルミ配線の上表面をムラ無く覆って重ね合わさる様に」「第２層アルミ配線の線幅を」「第１層アルミ配線の線幅よりも太くレジスト膜を描画する」ことは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点６は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−６）相違点９について
　刊行物発明において、「平坦化された第２の絶縁膜５及び第２の配線４の表面上に、」配線層を形成するか、層間絶縁膜を形成するかは、半導体基板上に形成しようとする多層配線層の構造に応じて、当業者が適宜選択しうる設計的事項である。してみれば、刊行物発明において、「平坦化された第２の絶縁膜５及び第２の配線４の表面上に、」層間絶縁層膜を形成すること、すなわち、補正後発明のように、「第２の層間絶縁膜と」「第２のＳＯＧ膜と露出した」「第２層」「配線上部との上に第３の層間絶縁膜を成膜する」ことは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点９は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についての纏め
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、当業者が、刊行物２及び周知例１ないし７に記載された周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、上記周知技術を勘案することにより、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１９年１１月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１９年８月６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（４−３−１−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び上記２．（４−３−１−２）において認定したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が、周知技術を勘案することにより、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、当然に周知技術を勘案することにより、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。