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　特願２００２−　９４６９０「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月３１日出願公開、特開２００２−３１９６４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年９月４日に出願した特願平７−２２６１９９号の一部を平成１４年３月２９日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜７に係る発明は、平成１７年４月２７日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】
（ａ）第１の表面と前記第１の表面と反対側の第２の表面とを有し、前記第１の表面と前記第２の表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、
（ｂ）一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前記第１の表面上に形成された金属配線であって、前記金属配線の前記貫通孔を覆う部分にはランドが形成される前記金属配線と、
（ｃ）前記金属配線の前記貫通孔に対応する領域上に設けられた絶縁シートと、
（ｄ）前記絶縁シートの前記貫通孔に対応する領域上に搭載され、前記金属配線の前記絶縁シートから露出する部分に電気的に接続された複数の電極を有する半導体チップと、
（ｅ）前記樹脂基板の前記第２の表面側に形成され、前記貫通孔内に露出する前記金属配線に接続された半田ボールと、
　を含むことを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の原出願前に国内において頒布された特開昭６１−１７７７５９号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開平６−１１２３５４号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１（特開昭６１−１７７７５９号公報）
（１ａ）「１．パッケージより、アウターリードを垂直に出した半導体装置であって、前記パッケージ本体内の半導体素子の下部にも前記アウターリードを有して成ることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）  
　
（１ｂ）「〔発明の目的〕
　本発明の目的は、大チップ搭載可能としたプラグインパッケージを提供することを目的とする。
　本発明の他の目的はピン数の増加したプラグインパッケージを提供することを目的とする。
　本発明のさらに他の目的は配線の引き回しが容易なプラグインパッケージを提供することを目的とする。
　本発明のさらに他の目的はパッケージサイズの小型化を目的とする。」（２頁左上欄６〜１５行）
　
（１ｃ）「〔実施例〕
　次に、本発明の実施例を図面に基づき説明する。
　第１図に示すように、ベース（基板）１の上に接着材料２により半導体素子（チップ）３を固着する。
　ベースｌは例えばガラスエポキシ基板により構成される。接着材料２には、後述するシリコーン系ゲル（以下Ｓｉ系ゲルという）を使用することが好ましい。
　・・・
　基板１には第１図および第２図に示すようにその垂直方向に多数のアウターリード４が立設されている。
　本発明では、これら図に示すように、アウターリード４は半導体素子３の下部にも立設されている。パッケージ本体５の基板１の裏面から基盤目状に一定のピッチで、金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出しており、第２図に示すように、最内周の金属ピン４の対向するピン間間隔（Ａ）よりも大なる半導体素子３を搭載している。
　ベースｌには、第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ、蒸着などにより設けられており、このメタライズ層６と半導体素子３のパッド（図示せず）とを、コネクタワイヤ７により、第１図に示すように、超音波ボンディングなどの方法によりボンディングし、上記メタライズ層６と、アウタ−リード４とを、ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。
　アウタ−リード４は、ベース１に融点の高い半田により、半田付される。　上記メタライズ層６は、例えばＡｌより構成される。コネクタワイヤ７には、例えばＡｌ細線が使用される。」（２頁右上欄１０行〜右下欄８行）
　
（１ｄ）「第３図は、本発明におけるワイヤボンディングおよびピン間の配線の要部平面図で、第３図に示すように、半導体素子３のボンディングパッド１１とメタライズ層９とをコネクタワイヤ７によりボンディングするが、本発明では配線基板ｌのメタライズ層（配線）９をボンディングリードとして利用すると、ピン間に引きまわすコネクタワイヤの本数が少なくでき、その配線が楽になる。」（３頁右下欄１〜８行）
　
（１ｅ）「〔効果〕
（１）アウターリードを、従来のごとく、チップの周辺下部に垂設するという制限を取り払い、全面に一定のピッチで基盤目状に配列し、それらアウターリードの上部にチップを搭載するようにしたので、チップは大きなサイズであっても搭載可能である。
　すなわち、アウターリードの配列された内部にチップを搭載するようにしていたので、チップの大きさは、アウターリードの最内周の対向するビン間隔よりも越えることはできず、そのピン間隔により制限され、大チップを搭載することはできない本発明によれば大きなサイズのチップの搭載が可能となる。
（２）上記のようにアウターリードをベース全面にわたり多数垂設しているので、多ピン化が可能である。
　すなわち、チップの周辺下部にアウターリードを垂設するので、その周辺の狭いエリア内にアウターリードを配列することになり、アウターリードの数は然ずと制限されるが、本発明はかかる制限なく、多数のアウターリードをパッケージ本体から垂直に出すことができる。
（３）大チップ化に伴ない、ピン間のコネクタワイヤの本数を低減でき、ピン間の配線が容易となる。その際ベース（配線基板）のメタライズ層をボンディングリードとして使用することにより、一層ピン間配線が容易となる。
（４）チップサイズを大きくしたら、アウターリードの配列に要するエリアもそれに伴ない拡大しなければならなかったが、チップサイズを大きくしても、アウターリードの配列に要するエリアを拡大する必要がなく、したがって、パッケージサイズを小さくすることができ、従来と同一サイズのパッケージでも、収納されるチップは大なるものとすることができる。」（３頁右下欄９行〜４頁右上欄４行）
（１ｆ）第１図は実施例を示す断面図であって、ベース１上に半導体素子３を固着する接着材料２が、メタライズ層６上の半導体素子３よりわずかに大きい領域に設けられ半導体素子３を固着していることが示されている。
　
（２）刊行物２（特開平６−１１２３５４号公報）
（２ａ）「【００１２】【実施例】ここで、図を参照しながら本発明について説明する。図３は、薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリア・・・の改良基板４０を示す上面図である。改良基板４０は・・・上面に、導電金属トレース４６のパターンを有する。・・・トレース４６の終端が複数のはんだパッド４７になる。・・・」（４頁左欄２〜１５行）
　
（２ｂ）「【００１３】図４〜図５は、改良基板上に作られた薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリアの製造工程を示したものである。また図４は、図３の基板４０を線４―４で切った断面図である。・・・改良基板４０は、高分子材基板４２内に複数のスルーホール４４を有しており、この基板内でスルーホール４４は図３に示すはんだパッドの裏の金属に向かって直接に開いている。 図５は、完全に組立られた薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリア４８を示したものである。図５において、半導体ダイ５０が基板４０の上にマウントされている。ダイ５０は複数のワイヤ・ボンド５２によってトレース４６に電気的に結合されている。ワイヤ・ボンディング後、パッケージ・ボディ５４は、トランスファ・モールディング工程またはグローブ・トップ工程によって、基板上にオーバーモールドされて、ダイ５０，ワイヤ・ボンド５２およびトレース４６を完全に被覆する。・・・パッケージ・ボディ５４をオーバーモールドした後、複数のはんだボール５６を基板に付着して、ダイ５０のための外部電気接続を設ける。はんだボール５６は、スルーホール４４内でトレース４６の裏面に直接接続されている。はんだボールを導電トレースの裏側に直接付着する一つの利点は、トレースの経路設定が大幅に単純化されることと、それに加えて経路設定密度を高くできることである。基板の上面から基板の下面へとトレースを経路設定する必要がない。もう一つの利点は、導電路の長さが図１の先行技術に比較して短くなっており、デバイスのインダクタンスおよび静電容量が低下することである。」
　
（２ｃ）図３は、本発明の実施例に基づく薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリアの改良基板を、上面図で示したものであって、はんだパッド４７は、導電金属トレース４６の終端においてランド状に形成されていることが示されている。
　
３．当審の判断
３−１．刊行物１に記載の発明
　上記刊行物１の摘記（１ａ）には、パッケージより、アウターリードを垂直に出した半導体装置であって、パッケージ本体内の半導体素子の下部にもアウターリードを有して成る半導体装置が記載され、
　摘記（１ｃ）には、ベース（基板）はガラスエポキシ基板により構成されることが記載されている。
　又摘記（１ｃ）には、基板１の裏面から基盤目状に一定のピッチで、金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出すること、ベースには、メタライズ層（配線層）６が設けられており、このメタライズ層６と半導体素子３のパッドとを、コネクタワイヤ７により、ボンディングし、上記メタライズ層６と、アクターリード４とを、ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続していることが記載され、摘記（１ｆ）によれば、ベース１上に半導体素子３を固着する接着材料２が、メタライズ層６上の半導体素子３よりわずかに大きい領域に設けられ半導体素子３を固着していることが示されているから、これらによれば、基板の表面上に形成されたメタライズ層が、スルホールを介して金属ピンからなるアクターリードと電気的に接続され、メタライズ層が接着材料から露出する部分で半導体素子のボンディングパッドとが、コネクタワイヤによりボンディングされていることが理解できる。
　同摘記（１ｃ）によれば、アウターリード４は半導体素子３の下部にも立設され、パッケージ本体５の基板１の裏面から基盤目状に一定のピッチで、金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出しているとしているから、アウターリードは、半導体素子の下部にあるスルホールにも立設しており、基板上に半導体素子を固着するための接着材料は、半導体素子の下部にあるスルホールに対応する領域上に設けられていることは当然である。
　
　そうすると、刊行物１の摘記（１ａ）〜（１ｆ）をまとめると、
刊行物１には、「半導体素子の下部にもアウターリードを有して成る半導体装置であって、
　ガラスエポキシ基板に穿設されたスルホールが、該基板の表面と裏面とを貫通し、
　該基板の表面上に形成されたメタライズ層が、スルホールを介して金属ピンからなるアウターリードと電気的に接続され、
　ガラスエポキシ基板上に半導体素子を固着する接着材料が、半導体素子の下部にあるスルホールに対応する領域上に設けられ、
　メタライズ層が接着材料から露出する部分と半導体素子のボンディングパッドとが、コネクタワイヤによりボンディングされ、
　アウターリードがガラスエポキシ基板のスルホールに立設して該基板の裏面側に突出している、半導体装置」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「半導体素子」、「ガラスエポキシ基板」、「スルホール」、「表面」、「裏面」、「メタライズ層」、「ボンディングパッド」は、それぞれ順に本願発明１の「半導体チップ」、「樹脂基板」、「貫通孔」、「第１の表面」、「第２の表面」、「金属配線」、「電極」に相当している。
　また、本願発明１の「絶縁シート」については、本願明細書の第２実施例（段落【００４６】）に、銅配線板上に塗布されたものであることが記載されているから、該「絶縁シート」は塗布したものでもよく、一方、刊行物１発明の「ガラスエポキシ基板上に半導体素子を固着する接着材料」は、摘記（１ｃ）によれば、シリコーン系ゲルを使用することが好ましいとしており、通常塗布して設けるものである。そして、塗布して設けられた該接着材料は、メタライズ層を絶縁するものであるから、刊行物１発明の「接着材料」は、本願発明１の「絶縁シート」に相当するものである。
　
　そうすると、両者は、
「（ａ）第１の表面と前記第１の表面と反対側の第２の表面とを有し、前記第１の表面と前記第２の表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、（ｂ）前記樹脂基板の前記第１の表面上に形成された金属配線と、
（ｃ）前記金属配線の前記貫通孔に対応する領域上に設けられた絶縁シートと、
（ｄ）前記絶縁シートの前記貫通孔に対応する領域上に搭載され、前記金属配線の前記絶縁シートから露出する部分に電気的に接続された複数の電極を有する半導体チップと、を含む半導体装置」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願発明１（ｂ）の金属配線は、一部が貫通孔を覆うように樹脂基板の第１の表面上に形成され、貫通孔を覆う部分にはランドが形成されているのに対し、刊行物１発明のメタライズ層は、ガラスエポキシ基板の表面上に形成されているものの、そのようなものか不明である点。
　
　相違点２：本願発明１（ｅ）では、樹脂基板の第２の表面側に形成され、貫通孔内に露出する金属配線に接続された半田ボールとを含むとしているのに対し、刊行物１発明では、アウターリードがガラスエポキシ基板のスルホールに立設して該基板の裏面側に突出しているとしている点。
　
（１）相違点２について
　まず、相違点２について検討する。
　上記摘記（２ｂ）によれば、基板内でスルーホール４４は図３に示すはんだパッドの裏の金属に向かって直接開いていること、複数のはんだボール５６を基板に付着して、ダイ５０のための外部電気接続を設けること、はんだボール５６は、スルーホール４４内でトレース４６の裏面に直接接続されていることが記載されているから、上記刊行物２の外部電気接続は、高分子基板の第２の表面側に形成され、スルーホール内に露出する導電金属トレースに接続されたはんだボールにより外部電気接続させていることが理解できる。
　そして、本願の原出願当時、次に示すとおり、上記構成即ち樹脂基板の外部接続端子として、樹脂基板（ベースフィルム、キャリアフィルム等）の裏面側（第２の表面側）に、スルホール内に露出する導体（リード等）に接続されたはんだボールを用いることは、表面実装の要求からも周知の手段であったから、刊行物１発明のアウターリードに替えて、上記刊行物２の記載を適用して上記相違点２なる構成とすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
周知例１：特開平５−２５９２２３号公報   
（周１ａ）「【請求項１】  ポリイミド樹脂からなるベースフルムと、前記ベースフィルム上に設けた４２合金又はフェルニコからなるリードと、前記リード直下のベースフィルムに設けたスルーホールと、前記スルーホール内のリードに接続して設けたバンプとを有することを特徴とするフィルムキャリアテープ。」
（周１ｂ）「【００１４】次に、図１（ｃ）に示すように、スルーホール４内のリード３の表面にめっき法により・・半田からなるバンプ５を形成し、リード３の表面に・・・めっき膜６を形成してフィルムキャリアテープを構成する。」
（周１ｃ）「【００１９】次に、図３（ｂ）に示すように、フィルムキャリアテープを選択的に裁断した後プリント配線基板９の配線にバンプ５を接合して実装する。」、図１、図３参照。
　
周知例２：特開平４−２７７６３６号公報
（周２ａ）「【請求項１】半導体チップを樹脂封止すると共に導体パターン部の半導体チップ搭載面側を樹脂内に埋没させて樹脂封止した半導体装置の製造方法において、パッド部および導体パターン部等の所定パターンを有すると共にボンディング部、接続端子形成部等の所要部位にめっき等の表面処理を施したリードフレームを形成し、該リードフレームの半導体チップ搭載面と反対側の面に電気的絶縁性を有するキャリアフィルムを貼着して接合体を形成し、該接合体の前記パッド部に半導体チップを搭載して半導体チップとリードフレームとを接続し、前記接合体の半導体チップ搭載側の片面を樹脂封止し、該樹脂封止体の前記キャリアフィルム側に前記導体パターン部と接続する接続端子を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項２】リードフレームに貼着するキャリアフィルムとして、接続端子を形成する位置にあらかじめ透孔を形成したフィルムを用い、樹脂封止後に前記透孔部に接続端子としてのバンプを形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」
（周２ｂ）「【０００８】・・・。キャリアフィルム２０にはあらかじめ透孔２２が形成されているから、透孔２２部分の内底面に導体パターン部１４が露出する。導体パターン部１４の透孔２２部分にはあらかじめ表面処理が施してあるから、そのままはんだを盛ることによってバンプ状の接続端子４を形成することができる。」
　
（２）次に、上記相違点１について検討する。
　上記刊行物２には、摘記（２ａ）によれば、基板４０・・上面に、導電金属トレース４６のパターンを有し、トレース４６の終端が複数のはんだパッド４７になることが記載され、摘記（２ｃ）によれば、はんだパッドは、導電金属トレースの終端においてランド状に形成されているとしている。又摘記（２ｂ）によれば、基板内でスルーホール４４は図３に示すはんだパッドの裏の金属に向かって直接開いていること、複数のはんだボール５６を基板に付着して、ダイ５０のための外部電気接続を設けること、はんだボール５６は、スルーホール４４内でトレース４６の裏面に直接接続されていることが記載されている。
　そうすると、当該はんだパッド４７は、導電金属トレースの終端においてスルーホールを覆うように基板の表面上においてランド状に形成されていること、スルーホール４４内でトレース４６の裏面に、はんだボール５６が直接接続され外部接続することが理解できる。
　そして、上記（１）で検討したとおり、刊行物１発明において、樹脂基板の第２の表面側に形成され、貫通孔内に露出する金属配線に接続された半田ボールとを含むとすること、即ち刊行物１発明において、外部接続端子を半田ボールによるとすることが当業者にとって容易に想到し得るものであるから、その際には、刊行物１発明の基板の表面上に形成されたメタライズ層に、半田ボール接続されるものである。そうすると、刊行物１発明のメタライズ層に半田ボールが接続される以上、該メタライズ層をスルホールを覆うように基板の第１の表面に形成され、スルホールを覆う部分にはランドが形成されるようにすることも当然に採用し得ることである。       
    　
　そして、本願発明１によって奏する効果、特に集積化、小型化、確実な接続ができることは、刊行物１、２の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜７に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。