【事件の表示】
　特願２００６−２７７５９８「半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月２５日出願公開、特開２００７−　１９５５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１５年１月２９日に出願した特願２００３−２０７５５号（以下「原出願」という。）の一部を平成１８年１０月１１日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年６月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２１日に手続補正がなされ、さらに、同年１２月１２日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年２月１９日に手続補正がなされたが、同年５月１５日付けで当該手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日に手続補正がなされたものである。（以下、この平成２１年７月２４日になされた手続補正を「本件補正」という。）
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
　１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１及び２について補正をするものであって、請求項１について、補正前後の記載は、以下のとおりである。
　
（１）補正前　
「曲面から成る出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、
　前記出射面の曲面に連続した曲面を含み、前記キャビティに隣接して配置された出射面ウィングと、
　前記キャビティに接して形成され、リング形状からなる貫通孔を有する絶縁膜と、
　前記キャビティに電流を注入する正極電極及び負極電極とを備え、
　前記正極電極は、前記貫通孔を通して露出した前記キャビティの一部と、前記絶縁膜の全面とに接して形成された金属からなる、半導体レーザ。」
　
（２）補正後　
「曲面から成る出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、
　前記出射面の曲面に連続した曲面を含み、前記キャビティに隣接して配置された出射面ウィングと、
　前記キャビティに接して形成され、リング形状からなる貫通孔を有する絶縁膜と、
　前記キャビティに電流を注入する正極電極及び負極電極とを備え、
　前記正極電極は、前記貫通孔を通して露出した前記キャビティの一部と、
前記貫通孔の内側に位置する
一部と、前記貫通孔の外側に位置する前記絶縁膜の一部と
り、
　
前記出射面ウィングの長さは、前記キャビティの長さの４分の１よりも長く、
　
前記正極電極と前記キャビティの一部との接触面は、前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と前記キャビティとの接触面よりも前記負極電極側に位置する
　
　本件補正は、以下の（i）ないし（iii）の事項を含む。
　
（i）正極電極について、「前記絶縁膜の全面とに接して」形成されたとする記載を、「前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と、前記貫通孔の外側に位置する前記絶縁膜の一部とに接して」形成されたという記載に改める補正。
　
（ii）「前記出射面ウィングの長さは、前記キャビティの長さの４分の１よりも長く」との限定を加える補正。
　
（iii）「前記正極電極と前記キャビティの一部との接触面は、前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と前記キャビティとの接触面よりも前記負極電極側に位置する」との限定を加える補正。
　
　補正事項（i）は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第４号の明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　補正事項（ii）及び（iii）は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２．独立特許要件の検討　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、上記１．（２）に記載した事項により特定されるものである。
　
（２）引用刊行物記載の発明
　これに対して、原出願の出願前である平成１４年９月に頒布された「福嶋丈浩　他，共焦点疑似スタジアム型半導体レーザにおける非対称なビーム伝搬，第６３回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集，26p-A-18, 998頁」（以下「引用例１」という。）、同じく平成６年２月４日に頒布された特開平６−２９６２６号公報（以下「引用例２」という。）、同じく平成７年８月１１日に頒布された特開平７−２１１９８２号公報（以下「周知例１」という。）、同じく平成１４年８月１６日に頒布された特開２００２−２３２００６号公報（以下「周知例２」という。）には、下記の発明又は事項が記載されている。
　なお、引用例１及び引用例２は、原査定の拒絶理由に引用されている。
　
（ａ）引用例１の記載事項
　
ア　「
はじめに
素子構造
結果
　
イ　Fig.1.
　Fig.1.には、上記の約±１９°の方向に放射された２つのビームの異なる放射パターンが示されるとともに、その上部には、図形が記載されているところ、Fig.1.の下部に「FFP observed from a confocal quasi-stadium laser diode.」と記載されていることから、この図形は、「confocal quasi-stadium laser diode」、すなわち、上記記載アの「共焦点型共振器条件の疑似スタジアム型半導体レーザ」を示すものであると考えられる。
　そして、この図形には、２つの曲面ミラーと２つの側面ミラー及びオープン領域並びにリング形の軌跡を順方向に伝搬するビームと逆方向に伝搬するビームの軌跡が示されているものと認められ、上記オープン領域は、２つの曲面ミラーと２つの側面ミラーで構成される疑似スタジアム型の共振器に隣接するとともに、ビームが放射される曲面ミラーに連続する曲面を含むものであると認められる。
　
　以上のことから、引用例１には、
「２つの曲面ミラーと２つの側面ミラーで構成される疑似スタジアム型の共振器にパターン電極が設けられ、曲面ミラーからビームが放射されるGaAs/AlGaAs GRIN-SCH-SQW構造の半導体レーザであって、
　共振器はＲＩＥドライエッチングにより形成され、共振器長と曲面ミラーの曲率半径はそれぞれ６００μｍ、共振器幅は６０μｍに設定され、側面ミラーの両端には１６０μｍのオープン領域が設けられ、このオープン領域は、共振器に隣接するとともに曲面ミラーに連続する曲面を含むものであり、電極コンタクトは、リング形の軌跡に沿って伝搬するビームの形状に合わせてパターン化された半導体レーザ。」（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
（ｂ）引用例２の記載事項
　
ア　段落【０００８】
「【実施例】本発明を適用した半導体リングレーザの実施例について図面に基づいて説明する。図１に示す半導体リングレーザの斜視図において、ｎ型ＧａＡｓ基板１の（１０  ０）面上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、アンドープＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５、及び、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６を、ＭＢＥ法等の結晶成長法によって順次積層してある。ｐ型キャップ層６の上には、ＳｉＯ2 絶縁膜７をＣＶＤ法にて積層し、ＳｉＯ2 絶縁膜７の上には、ｐ側電極８を蒸着にて形成してある。又、ｎ型ＧａＡｓ基板１には、ｎ側電極９を蒸着にて形成してある。」
　
イ　段落【００１０】
「ＳｉＯ2 絶縁膜７は、一様な膜を積層した後、図２に示す平面図の斜線部Ａに相当する部分をエッチング除去してある。従って、この斜線部Ａに相当する部分では、ｐ側電極８とｐ型ＧａＡｓキャップ層６とが直接的に接触し、ｐ側電極から注入された電流は、この部分から半導体リングレーザ内に流れ込むことになる。」
　
ウ　段落【００１１】
「上記の構成の半導体リングレーザに、ｐ側電極８とｎ側電極９との間に順電圧をかけて、ｐ側電極８から電流を注入すると、上記の如く、電流はＳｉＯ2 絶縁膜７を除いてある図２に示す斜線部分Ａに相当する部分から半導体リングレーザ内部に流れ込む。」
　
エ　【図１】
　引用例２の図１に示された半導体リングレーザにおいて、絶縁膜７はリング形状の貫通孔を有しており、ｐ側電極８は、この貫通孔を通してＧａＡｓキャップ層６と、貫通孔の内側に位置する絶縁膜７の一部と、貫通孔の外側の位置する絶縁膜７に接しており、ｎ側電極９は、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に形成されていることが見てとれる。
　
　上記アないしエの記載事項から、引用例２には、「リング形状の貫通孔を有する絶縁膜７を備え、貫通孔を通してＧａＡｓキャップ層６と、貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜７の一部と、貫通孔の外側に位置する前記絶縁膜７の一部に接して形成されたｐ側電極８と、基板の裏面に形成されたｎ側電極９とを備えた半導体リングレーザ。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
（ｃ）周知例１の記載事項
　
ア　段落【０００１】
「この発明は、主に光ファイバ通信等に用いる長波長帯半導体レーザ等の半導体発光装置に関するものである。」
　
イ　段落【０００７】
「ＩｎＧａＡｓ層は表面が酸化され易く、電極形成前の蒸着前処理を確実に行なわなければ十分なコンタクトを得ることができない。そこで一般的な方法として表面を薄くエッチングして酸化層を除去している。」
　
ウ　段落【００１７】
「次にプラズマＣＶＤ法により、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３３の表面に膜厚３０００オングストロームのＳｉ3 Ｎ4 膜３４を形成する。次に、通常のフォトリソグラフィー工程とエッチング工程によりＳｉ3 Ｎ4 膜３４の一部を選択的に除去し、コンタクト窓３５を形成してＰ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３３の表面の一部を露出させる。」
　
エ　段落【００１８】
「次に蒸着前処理としてＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：２０の混合液で３０秒間表面処理を行いＰ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３３を約０．１μｍエッチングする。」
　
オ　段落【００１９】
「次に、電子ビーム蒸着法により、非アロイ型金属電極としてＴｉ層３６とＰｔ層３７とＡｕ層３８を順次蒸着する。」
　
　上記アないしオの記載事項から、周知例１には、「半導体発光装置において、十分なコンタクトを得るため、電極形成前に、絶縁膜のコンタクト窓に露出したコンタクト層表面をある程度の深さエッチングすること」が記載されていると認められる。
　
（ｄ）周知例２の記載事項
　
ア　段落【００１９】
「次に、図２（ｂ）に示すように、ｎ型窒化物半導体層１２を覆う部分の絶縁膜２０に開口部２０ｂを形成する。開口部２０ｂの形成は、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６などを含むフッ素系のガスを用いたドライエッチングで行うことが好ましい。開口部２０ｂ内に露出させたｎ型窒化物半導体層１２の表面には、絶縁膜２０の形成及びエッチング除去によるダメージが残っているため、そのままｎ電極２２を形成すると、ｎ電極２２とｎ型窒化物半導体層１２の接触抵抗が高くなって順方向駆動電圧が約１．５倍上昇する。」
　
イ　段落【００２０】
「そこで次に、図２（ｃ）に示すように、開口部２０ｂ内に露出したｎ型窒化物半導体層１２をエッチングして除去して凹部１２ａを形成する。ｎ型窒化物半導体層１２のエッチングは、図２（ａ）においてｐ型窒化物半導体層１４及びｎ型窒化物半導体層をエッチングした場合と同様の条件で、即ち、Ｃｌ２及びＳｉＣｌ４を含むガス用いたＲＩＥ法により行うことが好ましい。これらのエッチング方法を用いることにより、絶縁膜２０の形成とエッチングによりダメージを受けたｎ型窒化物半導体層１２を除去して、結晶状態の比較的良好なｎ型窒化物半導体面を露出させることができる。」
　
ウ　段落【００２１】
「ｎ型窒化物半導体層をエッチングする深さについては、エッチングが深いほど、ダメージの除去に有利であり、また、ｎ型窒化物半導体層を流れる電流の起点を深くし、且つｎ電極とｎ型窒化物半導体層の接触面積を増やして、ｎ型窒化物半導体層を流れる電流の均一性を高めることができる。一方、エッチングが深すぎては、その後に形成するｎ電極２２表面に大きな段差ができてワイヤーボンディングが困難となる。したがって、ワイヤーボンディングを行う際には、エッチングする深さが５００〜１００００Åであることが好ましい。尚、ワイヤーボンディングに代えて導電性ペーストによる接続を行う場合には、さらに深いエッチングを行うこともできる。」
　
エ　段落【００２２】
「次に、図２（ｄ）に示すように、絶縁膜２０の開口部２０ｂの上から、開口部２０ｂよりも広い面積でＷ及びＡｌを含む金属等から成るｎ電極２２を形成し、凹部１２ａ内のｎ型窒化物半導体層１２と接続する。」
　
　上記アないしエの記載事項から、周知例２には、「半導体発光素子において、低い接触抵抗を得るために、電極形成前に絶縁膜の開口部に露出した半導体層をある程度の深さエッチングすること」が記載されていると認められる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明１を対比する。
　
ア　引用発明１において、共振器の一部を構成する曲面ミラーからビームが放射されるから、引用発明１の「曲面ミラー」及び「共振器」は、それぞれ、本願補正発明の「曲面からなる出射面」及び「前記出射面からレーザ光を出射するキャビティ」に相当する。
　
イ　引用発明１の「オープン領域」は、「共振器に隣接するとともに曲面ミラーに連続する曲面を含むもの」であるから、本願補正発明の「前記出射面の曲面に連続した曲面を含み、前記キャビティに隣接して配置された出射面ウィング」に相当するといえる。　
　
ウ　引用発明１の「オープン領域」は１６０μｍであり、共振器長６００μｍの４分の１である１５０μｍより長いから、引用発明１は、本願補正発明の「前記出射面ウィングの長さは、前記キャビティの長さの４分の１よりも長く」との事項を備えている。
　
エ　引用発明１の「パターン電極」と本願補正発明の「正極電極」は、「前記キャビティに電流を注入する電極」の点で一致しているといえる。
　
　以上のことから、本願補正発明と引用発明１は、
「曲面から成る出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、
　前記出射面の曲面に連続した曲面を含み、前記キャビティに隣接して配置された出射面ウィングと、
　前記キャビティに電流を注入する電極とを備え、
　前記出射面ウィングの長さはキャビティの長さの4分の１よりも長い、半導体レーザ」の点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
　
　本願補正発明は、
「前記キャビティに接して形成され、リング形状からなる貫通孔を有する絶縁膜と、
　前記キャビティに電流を注入する正極電極及び負極電極とを備え、
　前記正極電極は、前記貫通孔を通して露出した前記キャビティの一部と、前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と、前記貫通孔の外側に位置する前記絶縁膜の一部とに接して形成された金属からなり」、さらに、
「前記正極電極と前記キャビティの一部との接触面は、前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と前記キャビティとの接触面よりも前記負極電極側に位置する」とされているのに対し、
　引用発明１においては、電極がこのような構造であるか明らかでない点。
　
（４）　判断
　上記相違点について検討する。
　
　引用発明１の「パターン電極」は、「電極コンタクト」が「リング形の軌跡にそって伝搬するビームの形状に合わせてパターン化された」ものであるところ、引用例２には、このような電極について、「リング形状の貫通孔を有する絶縁膜７を備え、貫通孔を通してＧａＡｓキャップ層６と、貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜７の一部と、貫通孔の外側に位置する前記絶縁膜７の一部に接して形成されたｐ側電極８」とする引用発明２が記載され、また、基板１に「ｎ側電極９」を設けることも記載されており、さらに、このような電極材料として金属を用いることは通常行われていることであるから、引用発明１の電極に引用発明２の電極構造を採用し、上記相違点に係る本願補正発明の「前記キャビティに接して形成され、リング形状からなる貫通孔を有する絶縁膜と、前記キャビティに電流を注入する正極電極及び負極電極とを備え、前記正極電極は、前記貫通孔を通して露出した前記キャビティの一部と、前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と、前記貫通孔の外側に位置する前記絶縁膜の一部とに接して形成された金属からなり」との構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。　
　その際、電極と半導体層との良好なコンタクトを得るために、電極形成前に半導体層にある程度の深さのエッチング処理を行うことは、上記周知例１及び２に記載されるように周知の技術事項であるから、絶縁膜の貫通孔を通して露出したキャビティの半導体層にこの周知技術を適用して、上記相違点に係る本願補正発明の「前記正極電極と前記キャビティの一部との接触面は、前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と前記キャビティとの接触面よりも前記負極電極側に位置する」との構成を得ることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　
　また、本願発明の奏する作用及び効果は、引用発明１、２及び周知事項が有する作用及び効果から当業者が予測し得たものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１、２に記載された発明および周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３．補正却下についてのむすび　
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明　
　本件補正は、上記のとおり却下され、平成２１年２月１９日の手続補正も却下されているので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２０年８月２１日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記のII．１．（１）に記載したとおりである。
　
２．判断
　本願発明の正電極に関する「前記絶縁膜の全面とに接して」との発明特定事項は、上記II．１．で指摘したとおり、明りょうでない記載の釈明を目的として、本願補正発明において「前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と、前記貫通孔の外側に位置する前記絶縁膜の一部とに接して」とされたものであるから、この発明特定事項に関して、本願発明と本願補正発明に実質的な内容の相違はない。　
　したがって、本願発明は、本願補正発明から、「前記出射面ウィングの長さは、前記キャビティの長さの４分の１よりも長く」との限定事項及び「前記正極電極と前記キャビティの一部との接触面は、前記貫通孔の内側に位置する前記絶縁膜の一部と前記キャビティとの接触面よりも前記負極電極側に位置する」との限定事項を省いたものと認められる。　
　してみれば、本件補正発明に関する上記II．２．（４）における検討から、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明することができたものと認められる。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。