Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質を含む正極および負極活物質を含む負極を有する電極体と、有機溶媒中にリチウム塩を含む非水電解液と、を備えたリチウムイオン二次電池であって、
前記正極活物質は、リチウムを含有する二相共存型化合物を９５質量％以上含み、層状構造のリチウム遷移金属酸化物からなる粒子を０．１〜５質量％の割合で更に含有し、
ここで、前記層状リチウム遷移金属酸化物粒子は、平均粒径が０．１μｍ〜２μｍである、リチウムイオン二次電池。
【請求項２】
前記二相共存型化合物が、以下の一般式（Ｉ）：
ＬｉｘＦｅ１−ｙＭｙＺＯ４      （Ｉ）
（ここで、Ｍは、Ｍｎ，Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｇａからなる群から選択される少なくとも一種であり；Ｚは、ＰまたはＳｉであり；ｘは、０．０５≦ｘ≦１．２を満たし；ｙは、０≦ｙ≦０．５を満たす。）；
で表されるオリビン型化合物である、請求項１に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項３】
２０℃にて０．２Ｃの定電流でＳＯＣ０％から１００％まで充電する電圧傾斜測定試験において、ＳＯＣ５０％〜１００％の領域でＳＯＣ−電圧曲線の微分値ｄＶ／ｄ（ＳＯＣ）が０．１２５以下に維持される、請求項１または２に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項４】
前記層状リチウム遷移金属酸化物粒子は、以下の一般式（ＩＩ）：
ＬｉＮｉ０．３＋ｍＭｎ０．３＋ｎＣｏ０．４−ｍ−ｎＯ２      （ＩＩ）
（ここで、ｍは、０≦ｍ≦０．４を満たし；ｎは、０≦ｎ≦０．４を満たす。）；
で表される組成を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のリチウムイオン二次電池を備える、車両。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン検出ユニットであって、
前記イオン検出ユニット内にイオンを入射させるための第１の開口と、
前記第１の開口から入射されたイオンを電子に変換するコンバージョン電極と、
前記コンバージョン電極にて変換された前記電子を増幅する２次電子増倍管とを備え、
前記コンバージョン電極の前記イオンが照射される面積が、前記第１の開口の面積と同等以下であることを特徴とするイオン検出ユニット。 
【請求項２】
前記第１の開口から前記２次電子増倍管の初段電極までの距離が、前記第１の開口から前記コンバージョン電極までの距離よりも大きくなるように、前記２次電子増倍管および前記コンバージョン電極は配置されていることを特徴とする請求項１に記載のイオン検出ユニット。 
【請求項３】
前記コンバージョン電極と前記２次電子増倍管とは独立して設置されており、前記コンバージョン電極に印加する電圧が前記２次電子増倍管に印加する電圧の２倍以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のイオン検出ユニット。 
【請求項４】
前記第１の開口と前記コンバージョン電極との間に設けられ、前記イオンを集束させるためのレンズ、および前記コンバージョン電極と前記２次電子増倍管との間に設けられ、前記変換された電子を集束させるためのレンズの少なくとも一方をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のイオン検出ユニット。 
【請求項５】
前記コンバージョン電極の延在方向が、前記第１の開口から入射されたイオンの進行方向に対して斜めとなって、前記イオンを横断していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のイオン検出ユニット。 
【請求項６】
前記コンバージョン電極から放出された前記変換された電子を、前記コンバージョン電極と前記２次電子増倍管の初段電極との間の空間で偏向させる偏向手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のイオン検出ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、バンプ形成用の貫通孔を形成する工程と、
前記基板の裏面に第１導体層を積層する積層工程と、
前記積層工程の前または後に、前記貫通孔内に半田塊を埋設し、前記貫通孔の開口から前記半田塊の一部を突出させて前記基板の表面に凸部を形成する埋込工程と、
前記半田塊が、半田からなる半田層と、前記半田層の外側に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂と、を有し、前記樹脂を加熱溶融して前記貫通孔内を埋設しつつ、前記第１導体層と前記半田塊とを電気的に接続する接続工程と、
を含み、前記凸部がバンプとして機能することを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のバンプ形成方法において、
前記埋込工程と、前記接続工程との間に、前記基板の表面に第２導体層を積層し、前記凸部の形状に沿うように前記第２導体層を変形させる工程、を含み、
前記接続工程において、前記半田塊を、前記第１導体層および前記第２導体層と電気的に接続し、
前記接続工程の後、前記第２導体層を選択的に除去しバンプ形状を形成する工程をさらに含むことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載のバンプ形成方法において、
前記埋込工程において、前記半田塊を複数埋設し、前記凸部を形成する半田塊が金属からなることを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項４】
請求項２に記載のバンプ形成方法において、
前記第１導体層が、第１絶縁層を介して前記基板の裏面に積層され、前記第２導体層が、第２絶縁層を介して前記基板の表面に積層されることを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載のバンプ形成方法において、
前記半田層は内部に半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載のバンプ形成方法において、
前記半田塊の形状は、球状または柱状であることを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載のバンプ形成方法において、
前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項８】
基板と、
前記基板を貫通する貫通孔に埋設され、前記基板の表面に突出した半田塊と、
前記半田塊と電気的に接続し、前記基板の裏面に形成された第１導体層と、
を備え、
半田からなる半田層と、前記半田層の外側に形成された、フラックス活性化合物を含有する樹脂と、を有した前記半田塊の前記樹脂を加熱溶融して、前記貫通孔内を埋設し、前記半田塊の前記基板の表面に突出した凸部がバンプとして機能するように構成されたことを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項８に記載の配線基板において、
前記バンプは、第２導体層で覆われていることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項８に記載の配線基板において、
前記半田塊が複数であって、前記基板の表面に突出した半田塊が金属からなることを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項９に記載の配線基板において、
前記第１導体層は、第１絶縁層を介して前記基板の裏面上に形成され、前記第２導体層は、第２絶縁層を介して前記基板の表面上に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項８乃至１１いずれかに記載の配線基板において、
前記半田層は内部に半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
請求項８乃至１２いずれかに記載の配線基板において、
前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とする配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
放熱板４０は、例えばヒートシンク等を示している。放熱板４０は、例えば無酸素銅にニッケルめっきを施したものやアルミニウム等の熱伝導率の高い材料からなり、半導体素子２０が発する熱を外部に伝熱放散させる役割を担う。なお、放熱板４０の大きさは、平面視で１０ｍｍ角〜４０ｍｍ角程度である。放熱板４０の最厚部分の厚さは、例えば２〜３ｍｍ程度である。放熱板４０の外縁部４１は、接着剤５０等により基板１０上に固着されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電フィラ、結合剤及びシリコーン重合体を含有し、該シリコーン重合体が分子内に４官能性シロキサン単位(SiO4/2)を含有する導電ペースト。
【請求項２】
シロキサン繰り返し単位が２個以上で、末端にフィラ表面の水酸基等と反応する官能基を１個以上有するシリコーン重合体を含有する請求項１に記載の導電ペースト。
【請求項３】
シリコーン重合体が分子内に含有する４官能性シロキサン単位(SiO4/2)シロキサン単位が全体の３０ｍｏｌ％以上である請求項１又は２に記載の導電ペースト。
【請求項４】
シリコーン重合体の分子内に含有するシロキサン単位が、２官能性シロキサン単位(R2Si02/2)及び４官能性シロキサン単位(SiO4/2)からなる請求項３に記載の導電ペースト。（Ｒ基は有機基である。）
【請求項５】
シリコーン重合体とシラン系カップリング剤を併用することを特徴とする請求項１〜４に記載の導電ペースト。
【請求項６】
シリコーン重合体とチタネート系カップリング剤を併用することを特徴とする請求項１〜５に記載の導電ペースト。
【請求項７】
導電フィラが導電ペーストの固形分に対して５０〜９９重量％含有される請求項１〜６に記載の導電ペースト。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の導電ペーストを用いて基板の表面に形成された電気回路。
【請求項９】
基材の表面に形成された電気回路の比抵抗が２５μΩ・ｃｍ以下である請求項８記載の電気回路。
【請求項１０】
請求項１〜８に記載の導電ペーストの製造方法であり、シラン化合物モノマーを触媒の存在下でオリゴマ化したシリコーン重合体溶液をそのまま使用することを特徴とする導電ペーストの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜８に記載の導電ペーストの製造方法であり、導電フィラを予めシリコーン重合体で処理した後、結合剤を配合することを特徴とする導電ペーストの製造方法。
【請求項１２】
基材の表面に請求項１〜８のいずれかに記載の導電ペーストで回路パターンを形成した後、加圧、硬化することを特徴とする電気回路の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコンテンツの利用履歴を取得する利用履歴取得部と、
前記コンテンツの利用履歴を用いて、各コンテンツを利用したユーザーを示す前記コンテンツのユーザー集合を特定するユーザー集合特定部と、
類似性指標を用いて、前記特定したユーザー集合間の類似度を算出する類似度算出部と、
前記算出したユーザー集合間の類似度を用いて、前記コンテンツ同士の関係を示すネットワークを作成するネットワーク作成部と、
を備える、コンテンツ関係可視化装置。
【請求項２】
前記作成したネットワークから、所定の基準を満たす部分ネットワークを抽出する部分ネットワーク抽出部をさらに備える、請求項１に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項３】
前記部分ネットワーク抽出部は、前記作成したネットワークから、ユーザー集合間の類似度が所定の基準を満たすコンテンツからなる部分ネットワークを抽出する、請求項２に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項４】
前記部分ネットワーク抽出部は、前記作成したネットワークから、所定の基準を満たすクラスタに属するコンテンツからなる部分ネットワークを抽出する、請求項２に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項５】
前記部分ネットワーク抽出部は、前記作成したネットワークから、所定の基準を満たす特徴を有するコンテンツからなる部分ネットワークを抽出する、請求項２に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項６】
所定の基準を満たす複数のコンテンツについて、前記複数のコンテンツを１つのコンテンツとして集約し、前記複数のコンテンツの利用履歴を１つの利用履歴として集約するコンテンツ集約部をさらに備える、請求項１に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項７】
前記利用履歴取得部は、コンテンツ集合の選択結果に応じて、前記選択されたコンテンツ集合に対応する属性を有する複数のコンテンツの利用履歴を取得する、請求項１に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項８】
前記ネットワーク作成部は、コンテンツをノードにより表し、コンテンツ同士の関係をノード間を結ぶリンクにより表すネットワークを作成する、請求項１に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項９】
前記利用履歴取得部は、互いに異なる２以上の各期間における複数のコンテンツの利用履歴を取得し、
前記ネットワーク作成部は、前記２以上の各期間におけるコンテンツ同士の関係を示すネットワークを作成する、請求項１に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項１０】
前記類似度算出部は、ジャッカード係数、シンプソン係数、コサイン類似度のいずれかの類似性指標を用いて、前記特定したユーザー集合間の類似度を算出する、請求項１に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項１１】
前記類似度算出部は、ピアソンの積率相関係数、ユークリッド距離、マハラノビス距離、カーネル関数のいずれかの類似性指標を用いて、前記特定したユーザー集合間の類似度を算出する、請求項１に記載のコンテンツ関係可視化装置。
【請求項１２】
コンテンツ関係可視化装置において作成されたコンテンツ同士の関係を示すネットワークを示す情報が取得された場合に、取得された前記ネットワークを示す情報に基づいて、前記ネットワークを表示させる、表示制御装置。
【請求項１３】
複数のコンテンツの利用履歴を取得するステップと、
前記コンテンツの利用履歴を用いて、各コンテンツを利用したユーザーを示す前記コンテンツのユーザー集合を特定するステップと、
類似性指標を用いて、前記特定したユーザー集合間の類似度を算出するステップと、
前記算出したユーザー集合間の類似度を用いて、前記コンテンツ同士の関係を示すネットワークを作成するステップと、
を含む、コンテンツ関係可視化方法。
【請求項１４】
複数のコンテンツの利用履歴を取得するステップ、
前記コンテンツの利用履歴を用いて、各コンテンツを利用したユーザーを示す前記コンテンツのユーザー集合を特定するステップ、
類似性指標を用いて、前記特定したユーザー集合間の類似度を算出するステップ、
前記算出したユーザー集合間の類似度を用いて、前記コンテンツ同士の関係を示すネットワークを作成するステップ、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コンテンツ関係可視化装置、表示制御装置、コンテンツ関係可視化方法およびプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キーワードを格納するキーワード格納部と、
音声データを取得するマイクと、
前記マイクからの音声データを文字列に変換する音声認識部と、
前記キーワード格納部に格納されているキーワードを前記文字列から検出するキーワード検出部と、
前記キーワード検出部の検出するキーワードの前後の前記文字列から、名詞を検出する名詞検出部と、
前記名詞検出部がキーワードを検出した日時を検出する日時検出部と、
前記名詞検出部の検出する名詞に関連するウェブページの所在を、通信ネットワーク上で検索するウェブページ検索部と、
前記キーワード検出部の検出するキーワード、前記日時検出部の検出する日時、前記名詞検出部の検出する名詞、及び、前記ウェブページ検索部の検索結果を、互いに関連付けて記憶する検出結果記憶部と、
を備える携帯端末装置。
【請求項２】
前記キーワード格納部に格納するキーワードを更新するキーワード更新部をさらに備える請求項１に記載の携帯端末装置。
【請求項３】
充電式電池が充電中であるか否かを判定する電源制御部と、
前記電源制御部が充電中であると判定すると、前記音声認識部の動作を停止させる音声認識制御部と、
をさらに備える請求項１又は２に記載の携帯端末装置。
【請求項４】
前記名詞検出部がキーワードを検出した時における前記マイクの地理的位置を特定する位置特定部をさらに備え、
前記ウェブページ検索部は、前記名詞検出部の検出する名詞及び前記位置特定部の特定する前記地理的位置に関連するウェブページの所在を、通信ネットワーク上で検索し、
前記検出結果記憶部は、前記位置特定部の特定する前記地理的位置をさらに関連付けて記憶する請求項１から３のいずれかに記載の携帯端末装置。
【請求項５】
緯度及び経度で特定される住所を格納する住所格納部をさらに備え、
前記位置特定部は、前記名詞検出部がキーワードを検出した時における前記マイクの緯度及び経度を測定し、前記住所格納部を参照することで緯度及び経度で特定される住所を前記地理的位置として特定する
請求項４に記載の携帯端末装置。
【請求項６】
前記位置特定部は、さらに、カメラが画像を撮影した時における前記地理的位置を特定して前記画像と関連付け、
前記検出結果記憶部は、さらに、前記位置特定部の特定する位置と関連付けられている画像をさらに関連付けて記憶する請求項４又は５に記載の携帯端末装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の携帯端末装置と、
通信ネットワークに接続され、ウェブページを表示可能なファイルを格納するウェブサーバと、
を備える情報記録システム。
【請求項８】
キーワードを格納するキーワード格納部と、
マイクからの音声データを文字列に変換する音声認識部と、
前記キーワード格納部に格納されているキーワードを前記文字列から検出するキーワード検出部と、
前記キーワード検出部の検出するキーワードの前後の前記文字列から名詞を検出する名詞検出部と、
前記名詞検出部がキーワードを検出した日時を検出する日時検出部と、
前記名詞検出部の検出する名詞に関連するウェブページの所在を、通信ネットワーク上で検索するウェブページ検索部と、
前記キーワード検出部の検出するキーワード、前記日時検出部の検出する日時、前記名詞検出部の検出する名詞、及び、前記ウェブページ検索部の検索結果を、互いに関連付けて記憶する検出結果記憶部と、
を備える情報記録回路。
【請求項９】
マイクからの音声データを文字列に変換する音声認識手順と、
キーワードを格納するキーワード格納部に格納されているキーワードを前記文字列から検出するキーワード検出手順と、
前記キーワード検出手順でキーワードを検出した日時を検出するとともに、前記キーワード検出手順で検出したキーワードの前後の前記文字列から名詞を検出し、検出した名詞に関連するウェブページの所在を通信ネットワーク上で検索する情報収集手順と、
前記情報収集手順で収集した情報を、互いに関連付けて記憶する情報記憶手順と、
を順に有する情報記録方法。
【請求項１０】
マイクからの音声データを文字列に変換する音声認識ステップと、
キーワードを格納するメモリに格納されているキーワードを前記文字列から検出するキーワード検出ステップと、
前記キーワード検出ステップでキーワードを検出した日時を検出するとともに、前記キーワード検出ステップで検出したキーワードの前後の前記文字列から名詞を検出し、検出した名詞に関連するウェブページの所在を通信ネットワーク上で検索する情報収集ステップと、
前記情報収集ステップで収集した情報を、互いに関連付けて記憶する情報記憶ステップと、
を順にコンピュータに実行させる情報記録プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ファームウェアのアップデートに関する情報をユーザに通知可能な画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、ファームウェアのアップデート処理の利便性を向上させることを可能とした画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びプログラムを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、記憶手段を備える画像形成装置であって、ファームウェアを構成するモジュールの供給源から更新されたモジュールを取得する第１の取得手段と、前記モジュールに関するモジュール情報を取得する第２の取得手段と、前記第２の取得手段により取得したモジュール情報に基づき、前記第１の取得手段により取得したモジュールのインストール先となる記憶手段を複数の記憶手段の中から特定する特定手段と、前記第１の取得手段により取得したモジュールを前記特定手段により特定した記憶手段にインストールする際のアップデート処理時間を決定する決定手段と、前記決定手段により決定したアップデート処理時間を報知する報知手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶手段を備える画像形成装置であって、
ファームウェアを構成するモジュールの供給源から更新されたモジュールを取得する第１の取得手段と、
前記モジュールに関するモジュール情報を取得する第２の取得手段と、
前記第２の取得手段により取得したモジュール情報に基づき、前記第１の取得手段により取得したモジュールのインストール先となる記憶手段を複数の記憶手段の中から特定する特定手段と、
前記第１の取得手段により取得したモジュールを前記特定手段により特定した記憶手段にインストールする際のアップデート処理時間を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定したアップデート処理時間を報知する報知手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記第１の取得手段により取得したモジュールを前記特定手段により特定した記憶手段にインストールする際のモジュールの圧縮時間、書きこみ時間と、モジュールのファイルサイズに基づくモジュールの展開時間、転送時間と、アップデート処理に伴い発生するリブートの回数に基づくリブート時間とに基づき前記アップデート処理時間を算出することにより前記アップデート処理時間を決定することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記特定手段により特定された記憶手段に基づき、前記リブートの回数を決定することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記モジュール情報には、モジュールのインストール先を示す情報、インストール先に対応したインストール時間を示す情報が含まれることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記報知手段は、アップデート処理中に、前記第１の取得手段により取得したモジュールのインストール先となる記憶手段を報知することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記報知手段は、アップデート処理中に、リブートの発生タイミングを報知することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項７】
記憶手段を備える画像形成装置の制御方法であって、
ファームウェアを構成するモジュールの供給源から更新されたモジュールを取得する第１の取得ステップと、
前記モジュールに関するモジュール情報を取得する第２の取得ステップと、
前記第２の取得ステップで取得したモジュール情報に基づき、前記第１の取得ステップで取得したモジュールのインストール先となる記憶手段を複数の記憶手段の中から特定する特定ステップと、
前記第１の取得ステップで取得したモジュールを前記特定ステップで特定した記憶手段にインストールする際のアップデート処理時間を決定する決定ステップと、
前記決定ステップで決定したアップデート処理時間を報知する報知ステップと、
を有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の画像形成装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータで読み取り可能なプログラムコードを有するプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理速度や記憶容量の異なる複数の記憶媒体を有し、
ユーザが使用するデータを、前記記憶媒体間でより高速な記憶媒体に自動的に転送し、
データアクセスの高速化を行う記憶装置であって、
前記記憶媒体の記憶データに関する情報を記憶するデータ情報記憶部と、
前記記憶媒体の空き容量を記憶する記憶媒体情報記憶部と、
前記データ情報記憶部および前記記憶媒体情報記憶部に記憶している情報に基づいて、前記記憶媒体間でデータ転送を行うデータ制御部と、
を備え、
前記データ情報記憶部は、データごとのアクセス要否フラグを記憶すること、
を特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載した記憶装置であって、
前記データ情報記憶部に記憶している情報の一部、あるいは全てをユーザに提供する機能と、
前記データ情報記憶部に記憶しているアクセス要否フラグを切換える機能と、
を有すること、
を特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１または２いずれか一項に記載した記憶装置であって、
前記記憶媒体間でのデータ転送において、
転送先の記憶媒体の空き容量が足りない場合、あるいは、空き容量が一定の値に達した場合の少なくとも一方の条件を満たした場合、ユーザに対して警告を促す機能を有すること、
を特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１から３いずれか一項に記載した記憶装置であって、
前記記憶媒体間でのデータ転送において、
データの一部をコピーして転送すること、あるいは、データの一部をコピーして転送元に残しておくこと、
を特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項２に記載した記憶装置であって、
前記データ情報記憶部に記憶しているアクセス要否フラグを切換えることで、
関連データのアクセス要否フラグも同時に切換える機能を有すること、
を特徴とする記憶装置。
【請求項６】
処理速度や記憶容量の異なる複数の記憶媒体において、
ユーザが使用するデータを、より高速な記憶媒体に自動的に転送し、
データアクセスの高速化を行う記憶制御方法であって、
前記記憶媒体の記憶データに関する情報を記憶する第１のステップと、
前記記憶媒体の空き容量を記憶する第２のステップと、
前記第１のステップおよび前記第２のステップで記憶した情報に基づいて、前記記憶媒体間でデータ転送を行う第３のステップと、
を備え、
前記第１のステップは、データごとのアクセス要否フラグを記憶すること、
を特徴とする記憶制御方法。
【請求項７】
請求項６に記載した記憶制御方法であって、
前記第１のステップで記憶する情報の一部、あるいは全てをユーザに提供し、
前記第１のステップで記憶するアクセス要否フラグを切換えさせること、
を特徴とする記憶制御方法。
【請求項８】
請求項６または７いずれか一項に記載した記憶制御方法であって、
前記記憶媒体間でのデータ転送において、
転送先の記憶媒体の空き容量が足りない場合、あるいは、空き容量が一定の値に達した場合の少なくとも一方の条件を満たした場合、ユーザに対して警告を促すこと、
を特徴とする記憶制御方法。
【請求項９】
請求項６から８いずれか一項に記載した記憶制御方法であって、
前記記憶媒体間でのデータ転送において、
データの一部をコピーして転送すること、あるいは、データの一部をコピーして転送元に残しておくこと、
を特徴とする記憶制御方法。
【請求項１０】
請求項７に記載した記憶制御方法であって、
前記第１のステップで記憶するアクセス要否フラグを切換えることで、
関連データのアクセス要否フラグも同時に切換えること、
を特徴とする記憶制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の参照データを順次用いて入力データの処理を行う情報処理装置であって、
前記複数の参照データを保持する二次記憶手段と、
前記二次記憶手段よりも高速にアクセス可能な一次記憶手段と、
前記複数の参照データのうち前記処理に用いられる参照データを前記二次記憶手段から前記一次記憶手段に読み出す読出し手段と、
前記一次記憶手段に読み出された参照データを用いて前記入力データの処理を行う実行手段と、
前記実行手段により用いられる予定の参照データが変更される確率と前記予定の参照データのデータ量との少なくとも何れかに基づいて、前記予定の参照データを先読みするか否かを判定する判定手段と
を備え、
前記読出し手段は、
前記判定手段により先読みすると判定された場合に、前記予定の参照データを先読みし、
前記判定手段により先読しないと判定された場合に、前記予定の参照データを先読みしない
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記判定手段は、前記予定の参照データが変更される確率に関して増加し、かつ前記予定の参照データのデータ量に関して増加する関数の関数値が所定の値よりも小さい場合に先読みすると判定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記関数値は前記予定の参照データが変更される確率と前記予定の参照データのデータ量との積であることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記判定手段は、前記予定の参照データのデータ量が所定のデータ量よりも少ない場合に先読みすると判定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記予定の参照データが変更される確率が所定の値よりも小さい場合に先読みすると判定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記読出し手段は、前記一次記憶手段に保持されている参照データを前記二次記憶手段から読み出さないことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記入力データは、画像データであり、
前記処理は、前記画像データの被写体の認識を行うための照合処理であり、
前記参照データは、前記照合処理に用いる辞書パラメータであり、
前記予定の参照データが変更される確率は、前記辞書パラメータを用いて事前に行われた学習の結果に基づいて規定される
ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
複数の参照データを保持する二次記憶手段と、前記二次記憶手段よりも高速にアクセス可能な一次記憶手段とを備える情報処理装置において、前記複数の参照データを順次用いて入力データの処理を行う情報処理方法であって、
読出し手段が、前記複数の参照データのうち前記処理に用いられる参照データを前記二次記憶手段から前記一次記憶手段に読み出す読出し工程と、
実行手段が、前記一次記憶手段に読み出された参照データを用いて前記入力データの処理を行う実行工程と、
判定手段が、前記実行工程において用いられる予定の参照データが変更される確率と前記予定の参照データのデータ量との少なくとも何れかに基づいて、前記予定の参照データを先読みするか否かを判定する判定工程と
を有し、
前記判定工程において先読みすると判定された場合に、前記予定の参照データを先読みし、
前記判定工程において先読しないと判定された場合に、前記予定の参照データを先読みしない
ことを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
コンピュータを請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る情報処理装置は、複数の参照データを順次用いて入力データの処理を行う情報処理装置であって、前記複数の参照データを保持する二次記憶手段と、前記二次記憶手段よりも高速にアクセス可能な一次記憶手段と、前記複数の参照データのうち前記処理に用いられる参照データを前記二次記憶手段から前記一次記憶手段に読み出す読出し手段と、前記一次記憶手段に読み出された参照データを用いて前記入力データの処理を行う実行手段と、前記実行手段により用いられる予定の参照データが変更される確率と前記予定の参照データのデータ量との少なくとも何れかに基づいて、前記予定の参照データを先読みするか否かを判定する判定手段とを備え、前記読出し手段は、前記判定手段により先読みすると判定された場合に、前記予定の参照データを先読みし、前記判定手段により先読しないと判定された場合に、前記予定の参照データを先読みしないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアント・コンポーネントとサーバ・コンポーネントとを備え、前記クライアント・コンポーネントの有するプログラムが前記サーバ・コンポーネントの有する関数に対して遠隔手続き呼出しを行う情報処理システムであって、
前記クライアント・コンポーネントは、
前記関数の戻り値情報を保持するための保持手段と、
前記プログラムから前記関数に対する遠隔手続き呼出しの要求を受け付ける呼出手段と、
を備え、
前記サーバ・コンポーネントは、
前記呼出手段から前記関数の戻り値を要求された場合に、前記関数を実行して得られた戻り値を前記呼出手段に返す実行手段と、
前記プログラムからの遠隔手続き呼出しを抑制する場合に、前記関数の戻り値を含む戻り値情報を前記保持手段に保持させる設定手段と、
を備え、
前記呼出手段は、
前記保持手段に前記戻り値情報が保持されていない場合に、前記関数に対して遠隔手続き呼出しを行い、返された戻り値を前記プログラムに返し、
前記保持手段に前記戻り値情報が保持されている場合に、前記関数に対する遠隔手続き呼出しを行わずに、前記戻り値情報に含まれる戻り値を前記プログラムに返す
ことを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
前記サーバ・コンポーネントは、前記関数に対して遠隔手続き呼出しを行うクライアント・コンポーネントを管理する管理手段をさらに備え、
前記設定手段は、前記管理手段により管理されるクライアント・コンポーネントに前記戻り値情報を保持させる
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記設定手段は、前記遠隔手続き呼出しの抑制を解除する場合に、前記保持手段に保持された戻り値情報を削除することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記設定手段は、前記関数の戻り値の利用回数の上限を前記戻り値に関連付けて前記戻り値情報に設定し、
前記呼出手段は、前記戻り値情報に含まれる戻り値の利用回数が前記上限に達した場合に、前記戻り値を削除する
ことを特徴とする請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記設定手段は、前記プログラムからの遠隔手続き呼出しを抑制する場合に、その時点で前記関数を実行して得られた戻り値を前記戻り値情報に含めることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記設定手段は、前記プログラムからの遠隔手続き呼出しを抑制する場合に、前記関数の実行においてエラーが発生した場合の戻り値を前記戻り値情報に含めることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項７】
クライアント・コンポーネントとサーバ・コンポーネントとを備える情報処理システムにおいて、前記クライアント・コンポーネントの有するプログラムが前記サーバ・コンポーネントの有する関数に対して遠隔手続き呼出しを行う情報処理方法であって、
前記クライアント・コンポーネントは、前記関数の戻り値情報を保持するための保持手段を備え、
前記情報処理方法は、
前記サーバ・コンポーネントが、前記プログラムからの遠隔手続き呼出しを抑制する場合に、前記関数の戻り値を含む戻り値情報を前記保持手段に保持させる設定工程と、
前記クライアント・コンポーネントが、前記プログラムから前記関数に対する遠隔手続き呼出しの要求を受け付ける呼出工程と、
前記サーバ・コンポーネントが、前記呼出工程において前記関数の戻り値を要求された場合に、前記関数を実行して得られた戻り値を前記クライアント・コンポーネントに返す実行工程と、
前記保持手段に前記戻り値情報が保持されていない場合に、前記関数に対して遠隔手続き呼出しを行い、返された戻り値を前記プログラムに返し、前記保持手段に前記戻り値情報が保持されている場合に、前記関数に対する遠隔手続き呼出しを行わずに、前記戻り値情報に含まれる戻り値を前記プログラムに返す工程と、を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項８】
コンピュータを請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理システムの各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題に鑑みて、本発明に係る情報処理システムは、クライアント・コンポーネントとサーバ・コンポーネントとを備え、前記クライアント・コンポーネントの有するプログラムが前記サーバ・コンポーネントの有する関数に対して遠隔手続き呼出しを行う情報処理システムであって、前記クライアント・コンポーネントは、前記関数の戻り値情報を保持するための保持手段と、前記プログラムから前記関数に対する遠隔手続き呼出しの要求を受け付ける呼出手段と、を備え、前記サーバ・コンポーネントは、前記呼出手段から前記関数の戻り値を要求された場合に、前記関数を実行して得られた戻り値を前記呼出手段に返す実行手段と、前記プログラムからの遠隔手続き呼出しを抑制する場合に、前記関数の戻り値を含む戻り値情報を前記保持手段に保持させる設定手段と、を備え、前記呼出手段は、前記保持手段に前記戻り値情報が保持されていない場合に、前記関数に対して遠隔手続き呼出しを行い、返された戻り値を前記プログラムに返し、前記保持手段に前記戻り値情報が保持されている場合に、前記関数に対する遠隔手続き呼出しを行わずに、前記戻り値情報に含まれる戻り値を前記プログラムに返すことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理装置と通信する通信手段を備える情報処理装置であって、
前記画像処理装置との前記通信手段を用いた通信が可能になったことを検知する検知手段と、
前記情報処理装置の記憶媒体に記憶された画像データを、データオブジェクトとして前記通信手段を用いて前記画像処理装置へ送信する送信手段と、
前記画像処理装置が持つ、前記送信手段によって一部分が送信され残りの部分が未送信であるデータオブジェクトの、当該未送信の部分を前記送信手段に送信させるレジューム処理を実行する制御手段と、
前記画像処理装置が持つデータオブジェクトに関するオブジェクト情報を、前記通信手段を用いて前記画像処理装置から取得する取得手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記検知手段が前記画像処理装置との前記通信手段を用いた通信が可能になったことを検知した後、前記取得手段による前記オブジェクト情報の取得の前に前記レジューム処理を実行する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記レジューム処理は、前記残りの部分が未送信であるデータオブジェクトと当該未送信の部分とを特定するレジューム情報を、前記通信手段を用いて前記画像処理装置から取得する処理を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記送信手段は、送信するデータオブジェクトを特定する識別情報を記憶すると共に当該識別情報を前記画像処理装置へ送信し、
前記レジューム情報は前記識別情報を含み、
前記レジューム処理は、前記レジューム情報に含まれる識別情報が特定するデータオブジェクトを検索する処理を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記レジューム処理のキャンセル指示を受信する受信手段を更に備え、
前記制御手段は、前記受信手段が前記キャンセル指示を受信した場合、前記レジューム処理を実行する代わりに、前記残りの部分が未送信であるデータオブジェクトの削除指示を前記画像処理装置へ送信する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記通信手段は、ＰＴＰ（Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）に従って画像処理装置と通信することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
画像処理装置と通信する通信手段を備える情報処理装置の制御方法であって、
検知手段が、前記画像処理装置との前記通信手段を用いた通信が可能になったことを検知する検知工程と、
送信手段が、前記情報処理装置の記憶媒体に記憶された画像データを、データオブジェクトとして前記通信手段を用いて前記画像処理装置へ送信する送信工程と、
制御手段が、前記画像処理装置が持つ、前記送信工程において前記送信手段によって一部分が送信され残りの部分が未送信であるデータオブジェクトの、当該未送信の部分を前記送信手段に送信させるレジューム処理を実行する制御工程と、
取得手段が、前記画像処理装置が持つデータオブジェクトに関するオブジェクト情報を、前記通信手段を用いて前記画像処理装置から取得する取得工程と、
を備え、
前記制御工程において前記制御手段は、前記検知工程において前記検知手段が前記画像処理装置との前記通信手段を用いた通信が可能になったことを検知した後、前記取得工程における前記取得手段による前記オブジェクト情報の取得の前に前記レジューム処理を実行する
ことを特徴とする制御方法。
【請求項７】
画像処理装置と通信する通信手段を備える情報処理装置のコンピュータを、
前記画像処理装置との前記通信手段を用いた通信が可能になったことを検知する検知手段、
前記情報処理装置の記憶媒体に記憶された画像データを、データオブジェクトとして前記通信手段を用いて前記画像処理装置へ送信する送信手段、
前記画像処理装置が持つ、前記送信手段によって一部分が送信され残りの部分が未送信であるデータオブジェクトの、当該未送信の部分を前記送信手段に送信させるレジューム処理を実行する制御手段、
前記画像処理装置が持つデータオブジェクトに関するオブジェクト情報を、前記通信手段を用いて前記画像処理装置から取得する取得手段、
として機能させるためのプログラムであって、
前記制御手段は、前記検知手段が前記画像処理装置との前記通信手段を用いた通信が可能になったことを検知した後、前記取得手段による前記オブジェクト情報の取得の前に前記レジューム処理を実行する
ことを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数段のパルス出力回路を有し、
前記パルス出力回路は、
第１のノード及び第２のノードの電位に応じて出力信号を出力することができる機能を有する第１の回路と、
前記第１のノードに、前段のパルス出力回路の出力信号に応じた信号を供給することができる機能を有する第２の回路と、
前記第２のノードに間欠的に高電源電位の信号を供給することができる機能を有する第３の回路と、
前記第２のノードがゲートに電気的に接続され、前記第２のノードの電位に応じて、前記第１のノードの電位を制御することができる機能を有する第１のトランジスタと、
前記前段のパルス出力回路の出力信号に応じた信号がゲートに供給され、前記第２のノードの電位を制御することができる機能を有する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース端子と、低電源電位を供給することができる機能を有する配線との間に、前記第１のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位より昇圧することができる機能を有する第４の回路と、
前記第２のトランジスタのソース端子と、低電源電位を供給することができる機能を有する前記配線との間に、前記第２のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位より昇圧することができる機能を有する第５の回路と、
前記第１のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位にすることができる機能を有する第１のスイッチと、
前記第２のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位にすることができる機能を有する第２のスイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体を有し、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチは、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタがエンハンスメント型、またはディプレッション型であるかを判定することができる機能を有する判定回路によって制御されることを特徴とする駆動回路。
【請求項２】
複数段のパルス出力回路を有し、
前記パルス出力回路は、
第１のノード及び第２のノードの電位に応じて出力信号を出力することができる機能を有する第１の回路と、
前記第１のノードに、前段のパルス出力回路の出力信号に応じた信号を供給することができる機能を有する第２の回路と、
前記第２のノードに間欠的に高電源電位の信号を供給することができる機能を有する第３の回路と、
前記第２のノードがゲートに電気的に接続され、前記第２のノードの電位に応じて、前記第１のノードの電位を制御することができる機能を有する第１のトランジスタと、
前記前段のパルス出力回路の出力信号に応じた信号がゲートに供給され、前記第２のノードの電位を制御することができる機能を有する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース端子と、低電源電位を供給することができる機能を有する配線との間に、前記第１のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位より昇圧することができる機能を有する第４の回路と、
前記第２のトランジスタのソース端子と、低電源電位を供給することができる機能を有する前記配線との間に、前記第２のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位より昇圧することができる機能を有する第５の回路と、
前記第１のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位にすることができる機能を有する第１のスイッチと、
前記第２のトランジスタのソース端子の電位を低電源電位にすることができる機能を有する第２のスイッチと、を有し、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチは、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタがエンハンスメント型、またはディプレッション型であるかを判定することができる機能を有する判定回路によって制御されることを特徴とする駆動回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第４の回路は、ゲートとドレイン端子が電気的に接続され、ソース端子が前記配線に電気的に接続された第３のトランジスタを有し、
前記第５の回路は、ゲートとドレイン端子が電気的に接続され、ソース端子が前記配線に電気的に接続された第４のトランジスタを有することを特徴とする駆動回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記第３のトランジスタのＬ／Ｗは、前記第１のトランジスタのＬ／Ｗより大きく、かつ前記第２のトランジスタのＬ／Ｗより大きく、
前記第４のトランジスタのＬ／Ｗは、前記第１のトランジスタのＬ／Ｗより大きく、かつ前記第２のトランジスタのＬ／Ｗより大きいことを特徴とする駆動回路。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体を有することを特徴とする駆動回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記判定回路は、定電流源、トランジスタ、コンパレータ、及びバッファ回路を有することを特徴とする駆動回路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチはそれぞれトランジスタで構成され、該トランジスタのチャネル領域は酸化物半導体を有することを特徴とする駆動回路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の駆動回路を具備する表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置を具備する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。なお、上記実施形態によれば、以下の発明が開示されている。
（付記１）
スクライブラインで区画された複数の素子形成領域が形成され、一面に多層配線層が形成されたウェハ上の前記多層配線層上に形成された第１の保護膜に、前記スクライブラインに沿って当該スクライブラインの幅よりも幅の狭い第１の溝および第２の溝を形成する工程と、
前記第１の溝および前記第２の溝を充填するとともに前記第１の保護膜を覆う第２の保護膜を形成する工程と、
前記第２の保護膜が形成された面から前記第１の溝と前記第２の溝との間の領域を前記スクライブラインに沿ってレーザダイシングして、前記多層配線層の少なくとも所定の深さまで達する切断溝を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記多層配線層は、ＳｉＯ２よりも比誘電率が低い低誘電率膜を含み、
前記切断溝を形成する工程において、レーザダイシングで少なくとも前記多層配線層の前記低誘電率膜を切断するように前記切断溝を形成する半導体装置の製造方法。
（付記３）
付記２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記低誘電率膜がポーラス膜である半導体装置の製造方法。
（付記４）
付記１から３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記切断溝を形成する工程において、レーザダイシングで前記ウェハの少なくとも所定の深さまで前記切断溝を形成する半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記１から４いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の溝および前記第２の溝のアスペクト比（深さ／幅）が０．１以上２．５以下である半導体装置の製造方法。
（付記６）
付記１から５いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の保護膜が、ポリイミド膜である半導体装置の製造方法。
（付記７）
付記１から６いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の溝および第２の溝を形成する工程において、前記第１の溝および前記第２の溝を前記スクライブライン上に形成する半導体装置の製造方法。
（付記８）
付記１から７いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記切断溝を形成する工程の後に、前記ウェハを前記スクライブラインに沿ってダイシングブレードで切断して各前記複数の素子形成領域を含むように個片化する工程をさらに含み、
前記ダイシングブレードの幅は、前記切断溝の外端間の幅よりも狭い半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクライブラインで区画された複数の素子形成領域が形成され、一面に多層配線層が形成されたウェハ上の前記多層配線層上に形成された第１の保護膜に、前記スクライブラインに沿って当該スクライブラインの幅よりも幅の狭い第１の溝および第２の溝を形成する工程と、
前記第１の溝および前記第２の溝を充填するとともに前記第１の保護膜を覆う第２の保護膜を形成する工程と、
前記第２の保護膜が形成された面から前記第１の溝と前記第２の溝との間の領域を前記スクライブラインに沿ってレーザダイシングして、前記多層配線層の少なくとも所定の深さまで達する切断溝を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。