【事件の表示】
　平成１１年特許願第２４８７８５号「流量検出装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月２３日出願公開、特開２００１−　７４５３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年９月２日の出願であって、平成１６年８月４日付けで拒絶査定（発送日平成１６年８月１０日）がなされ、これに対し、同年９月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年１０月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年１０月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の記載を、以下のとおり補正する補正事項を含むものである。
　「【請求項１】　シリコン材料により形成されたシリコン基板と、該シリコン基板の表面側に設けられた絶縁膜と、前記シリコン基板に裏面側からエッチング加工を施すことにより該絶縁膜に達する位置まで穿設された穿設孔と、前記絶縁膜のうち該穿設孔の底部側に位置する部位を用いて前記シリコン基板の表面側に設けられた薄肉のダイヤフラム部と、該ダイヤフラム部に設けられたヒータおよび感温抵抗体とからなる流量検出装置において、前記穿設孔は、前記シリコン基板に裏面側から結晶異方性のエッチング加工を施すことにより前記シリコン基板の表面近傍の途中位置まで形成された異方性エッチング溝部と、該異方性エッチング溝部の底部側と連通し、前記シリコン基板の表面側に向って等方性のエッチング加工を施すことにより前記ヒータおよび感温抵抗体と対応した位置で前記絶縁膜の裏面側に亘って
前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように
　上記補正事項は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「絶縁膜の裏面側に亘って形成された単一の等方性エッチング溝部」に関して、さらに「前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように」との限定を附加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする事項に該当する。
　そこで、上記補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「補正後第１発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
２　独立特許要件について
（１）補正後第１発明
　「【請求項１】　シリコン材料により形成されたシリコン基板と、該シリコン基板の表面側に設けられた絶縁膜と、前記シリコン基板に裏面側からエッチング加工を施すことにより該絶縁膜に達する位置まで穿設された穿設孔と、前記絶縁膜のうち該穿設孔の底部側に位置する部位を用いて前記シリコン基板の表面側に設けられた薄肉のダイヤフラム部と、該ダイヤフラム部に設けられたヒータおよび感温抵抗体とからなる流量検出装置において、前記穿設孔は、前記シリコン基板に裏面側から結晶異方性のエッチング加工を施すことにより前記シリコン基板の表面近傍の途中位置まで形成された異方性エッチング溝部と、該異方性エッチング溝部の底部側と連通し、前記シリコン基板の表面側に向って等方性のエッチング加工を施すことにより前記ヒータおよび感温抵抗体と対応した位置で前記絶縁膜の裏面側に亘って
前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように
　
（２）引用例
　ア　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−５５５２３号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　（ア）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、極めて微小な流体の流速を検出するための流量センサに関するものである。【０００２】【従来の技術】従来、微小な流体の流速を検出する流量センサとしては、例えば、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、極めて熱容量の小さい薄膜構造部を有する流量センサチップからなるものが知られている。これは、基板１表面に絶縁膜２、および導体保護膜３の２層を積層した薄膜構造部４内に、薄膜形成技術および薄膜加工技術によって流量を検出するための、発熱体５と一対の感温抵抗体６、６からなる流量検出回路導体７が形成されたものであり、基板１裏面側の流量検出回路導体７の位置する部分に熱絶縁用の空間部８が形成されており、流量検出回路導体７の上流側と下流側における温度差（この場合、一対の感温抵抗体６、６の抵抗値）が流速に応じて変化することを利用したものである。」
　（イ）「【００１３】【実施例】以下、本発明の流量センサの第１実施例を図１および図２を用いて説明する。・・・【００１５】つぎに、前記構成の流量センサ１２を作成する手順を図２を用いて説明する。・・・【００１８】つぎに、ヒータ１８および感温抵抗体１９、２０の形成された位置に熱絶縁用空間部２１を形成するため、裏面絶縁膜１７のパターニングを行なってヒータ１８および感温抵抗体１９、２０の下方にあたる部分を除去し、シリコン面２５（基板１３の裏面）を露出させる（図３（ｇ））。そして、異方性エッチングにより露出したシリコン面２５から絶縁膜１４の裏面が露出するまで基板１３のエッチングを行ない、熱絶縁用空間部２１を形成する（図３（ｈ））。」
　
　イ　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−６２０７８号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　（ア）「【特許請求の範囲】【請求項１】基板上に積層された薄肉部の変位により圧力を検出する圧力センサーにおいて、前記基板の前記薄肉部が積層された面と反対側の面に開口を有する第１の空洞部と、前記第１の空洞部と連通し、かつ前記薄肉部と接すると共に、前記薄肉部と接する領域の面積が前記第１の空洞部との連通部の開口面積よりも大となる形状を有する第２の空洞部とを、前記基板の内部に形成することを特徴とする圧力センサー。・・・【請求項３】単結晶基板の一面に不純物を拡散した部分を形成する工程、前記不純物を拡散した部分に接して薄肉部を形成する工程、前記基板の不純物を拡散した部分の反対側の面より前記基板をエッチングして第１の空洞部を形成する工程、前記第１の空洞部側から前記不純物を拡散した部分をエッチングして、前記第１の空洞部と連通し、かつ前記薄肉部と接すると共に、前記薄肉部と接する領域の面積が前記第１の空洞部との連通部の開口面積よりも大となる形状を有する第２の空洞部を形成する工程を含むことを特徴とする圧力センサーの製造方法。」
　（イ）「【００１９】【実施例】以下実施例に従い詳細に説明する。なお、実施例１は基板の内部に２つの空洞部を設けて１つのダイヤフラムを形成し圧力センサーを構成した例、実施例２は基板の内部に３つの空洞部を設けて２つのダイヤフラムを形成し圧力センサーを構成した例である。【００２０】（実施例１）図１は、本発明の第１の実施例による圧力センサー１の断面図である。また、図２は第１の実施例による圧力センサー１の上面図である。ただし、図２においては引き出し電極１５は除いて示してある。【００２１】さて、図１に示すように本実施例による圧力センサー１は、基板２に設けられた角錐状の第１の空洞部３、同じく基板２の内部に形成され第１の空洞部３と連通し、かつ薄肉部４４と接した第２の空洞部５、圧力を感知するダイヤフラム４（薄肉部４４の第２の空洞部５に接する部分）、基板２を載置する第２の基板１６等を具備している。なお、本実施例における基板２は（１００）面単結晶シリコンである。」
　（ウ）「【００２３】＊ 圧力センサーの製造方法　ここで、図１、２に示す圧力センサーの製造方法について述べる。図３は本実施例の圧力センサー１の製造工程を工程順に説明するための断面図である。・・・【００２４】まず、図３（ａ）に示すように基板２の両面に絶縁膜８ａ及び絶縁膜８ｂを形成する。本実施例では基板２は（１００）面単結晶シリコンであり、絶縁膜８ａ及び８ｂは酸化シリコンであり、熱酸化により形成される。【００２５】次に、図３（ｂ）に示されるように絶縁膜８ａの一部分に開口部９を形成し、絶縁膜８ａをマスクとして不純物の拡散層（以下単に拡散層と称する）１０を形成する。本実施例では拡散層１０は高濃度ボロンドープ層であり、イオン打ち込みにより形成している。ボロン濃度は１０２０個／ｃｍ３である。図３（ｂ）に示されている拡散層１０は開口部９の形状に一致する。そのため、開口部９を楕円形（任意の形状）にすることにより拡散層１０を上方より見て楕円形（任意の形状）にすることができる。【００２６】次に、図３（ｃ）に示されるように絶縁膜８ａを除去し、基板２の絶縁膜８ｂと反対側の面に第２の絶縁膜１１及びゲージ電極膜１２を形成する。本実施例では、第２の絶縁膜１１は酸化シリコン膜とｎ型シリコン膜及び酸化シリコン膜であり、ゲージ電極膜１２は高濃度ボロンドープポリシリコン膜である。ボロン濃度としては１０１９個／ｃｍ３であり、イオン打ち込みにより形成している。【００２７】次に、図３（ｄ）に示されるようにゲージ電極膜１２をパターニングしゲージ電極７を形成し、さらにゲージ電極７上に第３の絶縁膜１３を形成する。本実施例では、第３の絶縁膜１３は窒化シリコン膜である。【００２８】次に、図３（ｅ）に示されるように絶縁膜８ｂの一部分に開口部６を形成し、開口部６より絶縁膜８ｂをマスクとして基板２をエッチングし第１の空洞部３を形成する。本実施例では、エッチングは異方性エッチングでありエッチング液は水酸化カリウム水溶液である。また、エッチングは拡散層１０において停止する。これは拡散層１０が高濃度ボロン層であるためエッチング液である水酸化カリウム溶液に溶解しないためである。【００２９】次に、図３（ｆ）に示されるように拡散層１０をエッチングにより除去し第２の空洞部５を形成する。拡散層１０のエッチングには、ふっ酸＋硝酸＋酢酸（組成比１：３：８）を用いている。このエッチング液は選択的に拡散層１０のみをエッチングする。」
　（エ）「【００３４】また同じく、ダイヤフラム４の形状及び配置は表面からのフォトリソプロセスにより造り込むため、ゲージ電極７の位置とダイヤフラム４の位置を、裏面からのフォトリソプロセスにより作製する場合よりも精度よく合わせることができる。【００３５】さらに、第２の空洞部５は拡散層１０のみのエッチングにより決定され、拡散層１０の周囲をエッチングしないため精度良くダイヤフラム４を形成できる。」
　
（３）対比
　引用例１には、従来の流量センサの熱絶縁用の空間部８について、異方性エッチングによるとの直接的な記載はないものの、引用例１の摘記事項（イ）に、異方性エッチングにより熱絶縁用空間部２１を形成する旨記載されていること、さらには、例えば特開平５−７９８７６号公報の記載「【００１７】そして、上記フローセンサは、例えば以下の手順で容易に製作できる。すなわち、図３に示す如く、前記板厚の基板１としてシリコン基板を用いる。・・・【００２１】つぎに、開口部２を形成しようとするヒータ６等の裏側の位置において絶縁膜９の一部を除去し、シリコン面（基板１の下面）を露出させる。そして、その後、異方性エッチングにより露出しているシリコン面からエッチングを行い、開口部２を形成する（第３工程）。」によれば、いわゆる熱絶縁用の空間部を異方性エッチング加工を施すことにより穿設することは常套手段であることからすれば、前記熱絶縁用の空間部８は異方性エッチング加工によるものであることが読み取れる。したがって、上記摘記事項（ア）及び（イ）からみて、引用例１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　「シリコン材料により形成された基板１と、該基板１の表面側に設けられた絶縁膜２と、前記基板１に裏面側から異方性エッチング加工を施すことにより該絶縁膜２に達する位置まで穿設された空間部８と、前記絶縁膜２のうち該空間部８の底部側に位置する部位を用いて前記基板１の表面側に設けられた薄膜構造部４と、該薄膜構造部４に設けられた発熱抵抗体５および感温抵抗体６、６とからなる流量センサにおいて、前記空間部８は、前記基板１に裏面側から異方性エッチング加工を施すことにより前記発熱体５および感温抵抗体６、６と対応した位置で前記絶縁膜２の裏面側に亘って前記発熱体５および感温抵抗体６、６との全体を取り囲むように形成された単一の異方性エッチング溝部によって構成した流量センサ。」
　
　そこで、補正後第１発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「基板１」、「絶縁膜２」、「空間部８」、「薄膜構造部４」、「発熱抵抗体５」、「感温抵抗体６、６」、「流量センサ」は、それぞれ、補正後第１発明の「シリコン基板」、「絶縁膜」、「穿設孔」、「ダイヤフラム部」、「ヒータ」、「感温抵抗体」、「流量検出装置」に相当する。
　イ　引用発明の空間部８は異方性エッチング加工を施すことにより該絶縁膜２に達する位置まで穿設されたものであるから、引用発明の「異方性エッチング加工を施すことにより該絶縁膜２に達する位置まで穿設された」は、補正後第１発明の「エッチング加工を施すことにより該絶縁膜に達する位置まで穿設された」に相当する。
　ウ　引用発明の空間部８は、異方性エッチング溝部のみによって構成されるが、補正後第１発明の穿設孔は、異方性エッチング溝部と等方性エッチング溝部とによって構成されているから、引用発明の「前記基板１に裏面側から異方性エッチング加工を施すことにより前記発熱体５および感温抵抗体６、６と対応した位置で前記絶縁膜２の裏面側に亘って前記発熱体５および感温抵抗体６、６との全体を取り囲むように形成された単一の異方性エッチング溝部によって構成した」と、補正後第１発明の「前記シリコン基板に裏面側から結晶異方性のエッチング加工を施すことにより前記シリコン基板の表面近傍の途中位置まで形成された異方性エッチング溝部と、該異方性エッチング溝部の底部側と連通し、前記シリコン基板の表面側に向って等方性のエッチング加工を施すことにより前記ヒータおよび感温抵抗体と対応した位置で前記絶縁膜の裏面側に亘って前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように形成された単一の等方性エッチング溝部とによって構成した」とは、共に、「前記シリコン基板に裏面側からエッチング加工を施すことにより前記ヒータおよび感温抵抗体と対応した位置で前記絶縁膜の裏面側に亘って前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように形成された単一のエッチング溝部として構成した」点で共通する。
　以上ア〜ウの考察より、両者は、次の一致点及び相違点を有する。
　【一致点】
　「シリコン材料により形成されたシリコン基板と、該シリコン基板の表面側に設けられた絶縁膜と、前記シリコン基板に裏面側からエッチング加工を施すことにより該絶縁膜に達する位置まで穿設された穿設孔と、前記絶縁膜のうち該穿設孔の底部側に位置する部位を用いて前記シリコン基板の表面側に設けられた薄肉のダイヤフラム部と、該ダイヤフラム部に設けられたヒータおよび感温抵抗体とからなる流量検出装置において、前記穿設孔は、前記シリコン基板に裏面側からエッチング加工を施すことにより前記ヒータおよび感温抵抗体と対応した位置で前記絶縁膜の裏面側に亘って前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように形成された単一のエッチング溝部として構成した流量検出装置。」
　【相違点】
　穿設孔は、前記シリコン基板に裏面側からエッチング加工を施すことにより前記ヒータおよび感温抵抗体と対応した位置で前記絶縁膜の裏面側に亘って前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように形成された単一のエッチング溝部として構成した点に関して、補正後第１発明では、「シリコン基板に裏面側から結晶異方性のエッチング加工を施すことにより前記シリコン基板の表面近傍の途中位置まで形成された異方性エッチング溝部と、該異方性エッチング溝部の底部側と連通し、前記シリコン基板の表面側に向って等方性のエッチング加工を施すことにより形成された等方性エッチング溝部とによって構成した」のに対し、引用発明では、異方性エッチング溝部のみによって構成した点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２の、上記摘記事項（ウ）、（エ）によれば、
・基板２はシリコン基板２であること、
・第１の空洞部３は、異方性エッチング加工を施すことによりシリコン基板２に裏面側からシリコン基板２の表面近傍の途中位置まで形成されたものであること、
・第２の空洞部５は、前記第１の空洞部３の底部側と連通し、シリコン基板２の表面側に向かって、拡散層１０（高濃度ボロンドープ層）のみを選択的にエッチング加工を施すことにより形成されたものであること、
・第２の空洞部５は拡散層１０のみのエッチングにより決定され、拡散層１０はシリコン基板２の表面からのフォトリソプロセスにより作り込むため、精度良くダイヤフラム４を形成できること、
が読み取れるから、第１の空洞部３と第２の空洞部５とを併せた空間を空洞部と呼ぶことにすると、引用例２には、半導体ダイヤフラム圧力センサーの構造に関して、『空洞部は、シリコン基板２に裏面側から異方性のエッチング加工を施すことにより前記シリコン基板２の表面近傍の途中位置まで形成された第１の空洞部３と、該第１の空洞部の底部側と連通し、前記シリコン基板２の表面側に向って拡散層１０のみを選択的にエッチング加工を施すことにより形成された第２の空洞部５とによって構成した』技術が記載されているものと認められ、当該「空洞部」、「第１の空洞部３」、「第２の空洞部５」が、それぞれ、補正後第１発明の「穿設孔」、「異方性エッチング溝部」、「等方性エッチング溝部」に相当する。
　そして、引用発明と引用例２に記載された技術とは、共に、半導体センサーにおける、シリコン基板にエッチング加工を施すことにより穿設孔を形成したダイヤフラム部の構造であるという点で同一の技術分野に属するものであるから、引用発明に引用例２記載の技術を適用することに困難性はない。
　したがって、引用発明の空間部８に代えて引用例２記載の第１の空洞部３と第２の空洞部５とによって構成された空洞部を適用して補正後第１発明のごとく構成することは当業者が容易になし得たものである。
　そして、補正後第１発明の奏する効果についても、引用例１及び２に記載された事項から当業者が予測可能な範囲内のものにすぎない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、補正後第１発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１６年１０月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１６年６月１７日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　シリコン材料により形成されたシリコン基板と、該シリコン基板の表面側に設けられた絶縁膜と、前記シリコン基板に裏面側からエッチング加工を施すことにより該絶縁膜に達する位置まで穿設された穿設孔と、前記絶縁膜のうち該穿設孔の底部側に位置する部位を用いて前記シリコン基板の表面側に設けられた薄肉のダイヤフラム部と、該ダイヤフラム部に設けられたヒータおよび感温抵抗体とからなる流量検出装置において、前記穿設孔は、前記シリコン基板に裏面側から結晶異方性のエッチング加工を施すことにより前記シリコン基板の表面近傍の途中位置まで形成された異方性エッチング溝部と、該異方性エッチング溝部の底部側と連通し、前記シリコン基板の表面側に向って等方性のエッチング加工を施すことにより前記ヒータおよび感温抵抗体と対応した位置で前記絶縁膜の裏面側に亘って形成された単一の等方性エッチング溝部とによって構成したことを特徴とする流量検出装置。」
　
第４　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及び２、並びに、その記載事項は、上記「第２」の「２（２）引用例」に記載したとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願第１発明は、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で検討した補正後第１発明の発明特定事項において、「前記絶縁膜の裏面側に亘って前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように形成された単一の等方性エッチング溝部」に関して、「前記ヒータと感温抵抗体との全体を取り囲むように」の特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願第１発明の発明特定事項を全て含みさらに他の特定事項を付加したものに相当する補正後第１発明が、上記「第２」の「２　独立特許要件について」に記載したとおり引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願第１発明も、同様の理由により、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願第１発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。