【事件の表示】
　特願２００３−　４３４２５「半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月　９日出願公開、特開２００４−２５３６６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
本願は、平成１５年２月２１日の出願であって、平成１９年１月３１日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年３月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月６日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年１０月１４日付けで審尋がなされたものである。
　
２．平成１９年４月６日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年４月６日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容 
  平成１９年４月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１に補正するとともに、明細書の０００９段落について補正を行うものであり、そのうちの補正前後の特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　ウェハ搭載面を有するウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されており、前記シャフトの中心軸と前記ウェハ搭載面の中心軸との距離ａが、前記ウェハ搭載面の直径Ｌの５％以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」
　
（補正後）
「【請求項１】　ウェハ搭載面を有するウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されており、前記シャフトの中心軸と前記ウェハ搭載面の中心軸との距離ａが、前記ウェハ搭載面の直径Ｌに対して０％を超え、５％以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」
　
（２）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（２−１）補正後の請求項１は、補正前の請求項１における「前記ウェハ搭載面の直径Ｌの５％以下」を、「前記ウェハ搭載面の直径Ｌに対して０％を超え、５％以下」と補正したものであるが、そのような補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２−２）そして、「前記ウェハ搭載面の直径Ｌに対して０％を超え、」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００１１】及び【００６１】段落の記載に基づく補正であり、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし３に係る発明は、平成１９年４月６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）引用刊行物に記載された発明
（３−３−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成４年１０月３０日に頒布された刊行物である実願平３−３６１１０号（実開平４−１２１７３７号）のマイクロフィルム（以下「引用刊行物」という。）には、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線「
　
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】
　この考案は、基板処理加熱装置に関する。さらに詳しくは、
この考案は、シリコンウェハ等の半導体基板を均一な面内温度で加熱することのできる基板加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
　近年の半導体産業の興隆に伴い、半導体基板の加熱装置は半導体の製造プロセスにおける様々な工程で使用されている。例えば、半導体基板にイオンを注入した後に行われるアニール工程で半導体基板を加熱する場合や、半導体基板の気相ドライエッチングの際にエッチレートを向上させるために半導体基板を加熱する場合や、また、ＣＶＤ法で半導体基板にＳｉＯ２等の薄膜形成の際に、その堆積速度を向上させるために半導体基板を加熱する場合に使用されている。
【０００３】
　図２は、このような従来の基板加熱装置の説明図であり、加熱時の状態を表している。同図の基板加熱装置は、基板支持搬送手段４、その基板支持搬送手段４を上下に動かすための駆動装置５、ヒーター６が内臓された半導体基板１０を加熱するための加熱保持台７から構成されており、加熱保持台の中心部は貫通口が開けられ、その中に基板支持搬送手段４が上下可動に配設されている。そして、この基板加熱装置は、開閉可能なゲート９が設置された加熱チャンバー８の中に収められている。」
「【０００７】
【考案が解決しようとする課題】
　しかしながら、このような従来の基板加熱装置においては、図２に示すように、半導体基板１０が加熱保持台７に載置されて加熱されるときに、基板支持搬送手段４とも接触しており、しかも基板支持搬送手段４が金属から構成されているので、基板支持搬送手段７（審決注：「基板支持搬送手段４」の誤記。以下同じ。）がヒートシンクとして機能してしまうこととなる。その結果、基板支持搬送手段７と接触している部分の半導体基板１０の温度が、加熱保持台７と接触している部分の半導体基板１０の温度より低くなり、半導体基板の面内温度が不均一となる。このため、こうような従来の基板加熱装置を用いて半導体基板をアニールすると半導体基板内に局部熱応力が生じ、スリップライン等の結晶欠陥生じたり、また、半導体基板を気相ドライエッチング処理するとエッチングレートが半導体基板の面内で不均一となったり、或いは半導体基板上にＣＶＤ法で薄膜を形成すると膜厚が不均一になったりするという問題点があった。
【０００８】
　この考案は以上のような従来技術の課題を解決しようとするものであり、シリコンウェハ等の基板を均一な面内温度で加熱することのできる基板加熱装置を提供することを目的としている。」
「【００１４】
【実施例】
　以下、この考案を実施例により具体的に説明する。
【００１５】
　図１はこの考案の基板加熱装置に使用する基板支持搬送手段１の一態様の斜視図であるが、この考案の基板加熱装置は、図２の基板支持搬送手段４を図１に示す基板支持搬送手段１に代える以外は図２に示す構成と同じであり、また基板の加熱処理の方法も図２について説明した通りである。
【００１６】
　
図１において、この考案を特徴づける基板支持搬送手段１は、シリコンウェハやＧａＡｓウェハ等の半導体基板と接する側を熱伝導性の高い円板状の部材２で構成し、その部材２を支持する円柱状の部分を熱伝導性の低い部材３で構成する。
「【００１９】
　
部材１（審決注：「部材３」の誤記。）と部材２の一体化は、当業者に公知の方法で一体化することができる。
　
（３−３−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体基板と接する側を有する円板状の部材２とその部材２を支持する円柱状の部材３が一体化された基板支持搬送手段１。」
　
（３−４）対比・判断
（３−４−１）刊行物発明における「半導体基板と接する側を有する円板状の部材２」、「その部材２を支持する円柱状の部材３」及び「基板支持搬送手段１」は、補正後の発明の「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体」、「シャフト」及び「半導体製造装置用ウェハ保持体」にそれぞれ相当する。
　
（３−４−２）引用刊行物には、「部材１と部材２の一体化は、当業者に公知の方法で一体化することができる。・・・」（【００１９】）と記載されていることから、刊行物発明の「円板状の部材２」と「円柱状の部材３」は、接合されていることは明らかである。
　
（３−４−３）すると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合された半導体製造装置用ウェハ保持体。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
（相違点）
　補正後の発明では、「前記シャフトの中心軸と前記ウェハ搭載面の中心軸との距離ａが、前記ウェハ搭載面の直径Ｌに対して０％を超え、５％以下である」のに対して、刊行物発明では、「円板状の部材２」の中心軸と「円柱状の部材３」の中心軸との距離と、円板状の部材２の半導体基板と接する面の直径との関係について、特定されていない点。
　
（３−４−４）上記形式上の相違点について、以下、検討する。
　一般に、シャフト状の部分とその端部に設けられた円盤状の部分とからなり、円盤状の部分に物体を載せたり、円盤状の部分から外部に力を加えたりする装置において、特段の事情がない限り、バランスが良好となるよう、円盤状の部分の中心とシャフト状の部分の中心とをできるだけ合わせるようにすることは、例えば、燭台、シャンパングラス、注射器等に見られるように、古来周知の技術である。
　したがって、刊行物発明において、「円盤状の部材２」と「円柱状の部材３」の中心軸とはほぼ一致している（すなわち、「円盤状の部材２」の中心軸と「円柱状の部材３」の中心軸との距離は、「円盤状の部材２」の直径に対して非常に小さい。）ものと認められる。
　また、刊行物発明において、「円盤状の部材２」と「円柱状の部材３」の中心軸とが完全に一致している（すなわち、「円盤状の部材２」の中心軸と「円柱状の部材３」の中心軸との距離は、「円盤状の部材２」の直径に対して「０％」である。）ことがあり得ないことは当業者にとって自明である。
　したがって、刊行物発明においても、補正後の発明と同様に、「前記シャフトの中心軸と前記ウェハ搭載面の中心軸との距離ａが、前記ウェハ搭載面の直径に対して０％を越え、５％以下である」ものと解されるから、刊行物発明と補正発明との間に相違点は存在しない。
　また、仮に、刊行物発明と補正後の発明との間に相違点が存在しないとまではいえないものであったとしても、補正後の発明は、明細書の【０００７】段落にも記載されているように、「ウェハ保持面の均熱性を高めた半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする」ものであるところ、ウエハ保持面の均熱性（熱の流れ）は、ウエハ保持面に載置されるウエハとウエハ保持体内に埋設される抵抗発熱体との位置関係、ウエハ保持体及びシャフトの材質、シャフトの直径（シャフトが円筒状の場合には、円筒の厚さ）などにより決まるものと認められるが、補正後の請求項１には、そもそも抵抗発熱体が記載されておらず、ウエハ保持体及びシャフトの材質、シャフトの直径も記載されていない。そして、これらが特定されていない以上、「前記シャフトの中心軸と前記ウェハ搭載面の中心軸との距離ａが、前記ウェハ搭載面の直径Ｌに対して０％を超え、５％以下である」ということのみを限定したとしても、本件明細書に記載されたような効果を奏するものではないことは、明らかであるから、補正後の発明において、「前記シャフトの中心軸と前記ウェハ搭載面の中心軸との距離ａが、前記ウェハ搭載面の直径Ｌに対して０％を超え、５％以下である」ことの臨界的意義は認められない。
　したがって、相違点は、課題解決のための具体化手段における微差にすぎない。
　以上のとおりであるから、相違点は存在しないか、仮に存在しないとまではいえないものであったとしても、実質的なものではない。
　
（３−５）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、実質的なものでなく、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明であると認められるので、補正後の発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するが、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１９年４月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項及び上記２．（３−３−２）において認定したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、引用刊行物に記載された発明である以上、本願発明も、当然に引用刊行物に記載された発明であると認められるので、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。