【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子であって、
前記変調器部は、
活性層を含むとともに出射方向に延伸するメサストライプ構造と、
前記メサストライプ構造の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、前記メサストライプ構造の上面の両側それぞれに積層方向に対して斜面となって広がる上面斜面部と、
さらにその外側にそれぞれ広がる上面平坦部とを有する埋め込み層と、
前記メサストライプ構造の上面の両側に広がるとともに出射方向に沿って延伸するスルーホール領域を除いて、前記メサストライプ構造の上面及び前記埋め込み層の上面に形成されるパッシベーション膜と、
前記スルーホール領域を覆って前記出射方向に延伸するとともに、さらに、前記埋め込み層の一方側の上面平坦部の一部の上方に位置するワイヤ接続パッド領域を含んで形成される、電極と、を備え、
前記パッシベーション膜の内縁には、前記メサストライプ構造の上面の両側を出射方向に沿って延伸する延伸部をそれぞれ備え、
前記一方側とは他方側にある前記延伸部のうち、少なくとも一部は、前記他方側の前記埋め込み層の上面斜面部に及んでいる、
ことを特徴とする、半導体光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体光素子であって、
前記他方側にある前記延伸部すべてが、前記他方側の前記埋め込み層の上面斜面部に及んでいる、
ことを特徴とする、半導体光素子。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体光素子であって、
前記電極の外縁のうち、前記他方側にあって出射方向に延伸する部分の少なくとも一部は、前記他方側の前記埋め込み層の上面平坦部より内側にある、
ことを特徴とする、半導体光素子。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体光素子であって、
前記電極の外縁のうち、前記他方側にあって出射方向に延伸する部分すべてが、前記他方側の前記埋め込み層の上面平坦部より内側にある、
ことを特徴とする、半導体光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記パッシベーション膜の前記一方側の前記延伸部には、前記電極の前記ワイヤ接続領域との接合部を備え、
前記パッシベーション膜の前記一方側の前記延伸部のうち、前記接合部となる部分以外のすべてが、前記一方側の前記埋め込み層の上面斜面部に及んでいる、
ことを特徴とする、半導体光素子。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体光素子であって、
電極の外縁のうち、前記一方側にあって出射方向に延伸する部分の一部が、前記一方側の前記埋め込み層の上面平坦部より内側にある、
ことを特徴とする、半導体光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記埋め込み層は、鉄又はルテニウム、若しくは、それらの組み合わせを、不純物として添加した半導体を含む、
ことを特徴とする、半導体光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記変調器部は、電界吸収型変調器、若しくは、マッハツェンダー型変調器である、
ことを特徴とする、半導体光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の半導体光素子を搭載する、半導体光素子モジュール。
【請求項１０】
出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、
活性層を含むとともに出射方向に延伸するメサストライプ構造を形成する工程と、
前記メサストライプ構造の上面の両側それぞれに積層方向に対して斜面となって広がる上面斜面部と、さらにその外側にそれぞれ広がる上面平坦部とを有する埋め込み層を、前記メサストライプ構造の両側にそれぞれ隣接して、形成する工程と、
前記メサストライプ構造の上面及び前記埋め込み層の上面に、前記メサストライプ構造の上面の両側に広がるとともに出射方向に沿って延伸するスルーホール領域を除いて、パッシベーション膜を形成する工程と、
前記スルーホール領域を覆って前記出射方向に延伸するとともに、さらに、一方側の前記埋め込み層の上面平坦部の一部の上方に位置するワイヤ接続パッド領域を含んで、電極を形成する工程とを、含み、
前記パッシベーション膜の内縁には、前記メサストライプ構造の上面の両側を出射方向に沿って延伸する延伸部をそれぞれ備え、
前記パッシベーション膜を形成する工程において、
前記一方側とは他方側にある前記延伸部のうち、少なくとも一部は、前記他方側の前記埋め込み層の上面斜面部に及ぶように、前記パッシベーション膜を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記パッシベーション膜を形成する工程において、
前記他方側にある前記延伸部すべてが、前記他方側の前記埋め込み層の上面斜面部に及ぶように、前記パッシベーション膜を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記電極を形成する工程において、
前記電極の外縁のうち、前記他方側にあって出射方向に延伸する部分の少なくとも一部は、前記他方側の前記埋め込み層の上面平坦部より内側にあるように、前記電極を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記電極を形成する工程において、
前記電極の外縁のうち、前記他方側にあって出射方向に延伸する部分すべてが、前記他方側の前記埋め込み層の上面平坦部より内側にあるように、前記電極を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記パッシベーション膜を形成する工程において、
前記パッシベーション膜の前記一方側の前記延伸部には、前記電極の前記ワイヤ接続領域との接合部を備え、
前記パッシベーション膜の前記一方側の前記延伸部のうち、前記接合部となる部分以外のすべてが、前記一方側の前記埋め込み層の上面斜面部に及ぶように、前記パッシベーション膜を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記電極を形成する工程において、
電極の外縁のうち、前記一方側にあって出射方向に延伸する部分の一部が、前記一方側の前記埋め込み層の上面平坦部より内側にあるように、前記電極を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記埋め込み層を形成する工程において、
前記埋め込み層を、鉄又はルテニウム、若しくは、それらの組み合わせを、不純物として添加した半導体を含んで、形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１６のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、電界吸収型変調器、若しくは、マッハツェンダー型変調器である、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至請求項１７のいずれかに記載の方法によって製造される半導体光素子を搭載する、半導体光素子モジュール。
【請求項１９】
請求項９または請求項１８に記載の半導体光素子モジュールを搭載する、光送信用モジュール若しくは光送受信用モジュール。
【請求項２０】
請求項１９に記載の光送信用モジュール若しくは光送受信用モジュールを搭載する、光伝送装置。