Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無端ベルトと、前記無端ベルトを懸架する複数のベルト懸架部材と、前記無端ベルトに接触してニップを形成する対向部材と、前記無端ベルトの内部に配置され前記無端ベルトを前記対向部材に押圧して前記ニップを形成するための押圧部材と、前記無端ベルトの内面に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布部材と、前記無端ベルトを前記対向部材に対して接離させる接離手段とを備えるベルト搬送装置において、前記無端ベルトに対する前記潤滑剤塗布部材の接触圧は、前記無端ベルトが前記対向部材に接触している時よりも、離間している時の方が低くなることを特徴とするベルト搬送装置。
【請求項２】
前記潤滑剤塗布部材は回動可能な支持アームに支持され、前記接離手段による前記無端ベルトの接離動作によって、前記支持アームの回動中心と前記支持アームの重心とを結ぶ直線と重力方向の成す角度を変化させることで、前記潤滑剤塗布部材の前記無端ベルトの接触圧が変化するように前記支持アームは回動されることを特徴とする請求項１に記載のベルト搬送装置。
【請求項３】
無端ベルトと、前記無端ベルトを懸架する複数のベルト懸架部材と、前記無端ベルトに接触してニップを形成する対向部材と、前記無端ベルトの内部に配置され前記無端ベルトを前記対向部材に押圧して前記ニップを形成するための押圧部材と、前記無端ベルトの内面に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布部材と、前記無端ベルトを前記対向部材に対して接離させる接離手段とを備え、前記ニップにて、記録材に形成された画像を加熱する画像加熱装置において、前記無端ベルトに対する前記潤滑剤塗布部材の接触圧は、前記無端ベルトが前記対向部材に接触している時よりも、離間している時の方が低くなることを特徴とする画像加熱装置。
【請求項４】
前記潤滑剤塗布部材は回動可能な支持アームに支持され、前記接離手段による前記無端ベルトの接離動作によって、前記支持アームの回動中心と前記支持アームの重心とを結ぶ直線と重力方向の成す角度を変化させることで、前記潤滑剤塗布部材の前記無端ベルトの接触圧が変化するように前記支持アームは回動されることを特徴とする請求項３に記載の画像加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するための本発明に係るベルト搬送装置の代表的な構成は、無端ベルトと、前記無端ベルトを懸架する複数のベルト懸架部材と、前記無端ベルトに接触してニップを形成する対向部材と、前記無端ベルトの内部に配置され前記無端ベルトを前記対向部材に押圧して前記ニップを形成するための押圧部材と、前記無端ベルトの内面に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布部材と、前記無端ベルトを前記対向部材に対して接離させる接離手段とを備えるベルト搬送装置において、前記無端ベルトに対する前記潤滑剤塗布部材の接触圧は、前記無端ベルトが前記対向部材に接触している時よりも、離間している時の方が低くなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するための本発明に係る画像加熱装置の代表的な構成は、無端ベルトと、前記無端ベルトを懸架する複数のベルト懸架部材と、前記無端ベルトに接触してニップを形成する対向部材と、前記無端ベルトの内部に配置され前記無端ベルトを前記対向部材に押圧して前記ニップを形成するための押圧部材と、前記無端ベルトの内面に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布部材と、前記無端ベルトを前記対向部材に対して接離させる接離手段とを備え、前記ニップにて、記録材に形成された画像を加熱する画像加熱装置において、前記無端ベルトに対する前記潤滑剤塗布部材の接触圧は、前記無端ベルトが前記対向部材に接触している時よりも、離間している時の方が低くなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
正屈折力の第１レンズ群と、負屈折力の第２レンズ群と、を有し、第３レンズ群以降の合成の屈折力が正であり、
前記第１レンズ群は、物体側から順に、正レンズ１枚と負レンズ１枚との張り合わせレンズからなる結像光学系であって、
以下の条件式（１−１）、条件式（２−１）、及び条件式（３−１）を満たすことを特徴とする結像光学系。
１．５０＜ｎｄn＜１．７０    …（１−１）
０．５４＜θｇＦn＜０．７２  …（２−１）
０．５１＜θｈｇn＜０．６８  …（３−１）
ここで、
ｎｄnは前記負レンズの屈折率、
θｇＦnは前記負レンズの部分分散比（ｎgn−ｎFn)／（ｎFn−ｎCn）、
θｈｇnは前記負レンズの部分分散比（ｎhn−ｎgn）／（ｎFn−ｎCn）、
ｎｄn、ｎCn、ｎFn、ｎgn、ｎhnは、各々前記負レンズのｄ線、Ｃ線、Ｆ線、ｇ線、ｈ
線に対する屈折率、
である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の結像光学系は、
正屈折力の第１レンズ群と、負屈折力の第２レンズ群と、を有し、第３レンズ群以降の合成の屈折力が正であり、
前記第１レンズ群は、物体側から順に、正レンズ１枚と負レンズ１枚との張り合わせレンズからなる結像光学系であって、
以下の条件式（１−１）、条件式（２−１）、及び条件式（３−１）を満たすことを特徴とする。
１．５０＜ｎｄn＜１．７０    …（１−１）
０．５４＜θｇＦn＜０．７２  …（２−１）
０．５１＜θｈｇn＜０．６８  …（３−１）
ここで、
ｎｄnは前記負レンズの屈折率、
θｇＦnは前記負レンズの部分分散比（ｎgn−ｎFn)／（ｎFn−ｎCn）、
θｈｇnは前記負レンズの部分分散比（ｎhn−ｎgn）／（ｎFn−ｎCn）、
ｎｄn、ｎCn、ｎFn、ｎgn、ｎhnは、各々前記負レンズのｄ線、Ｃ線、Ｆ線、ｇ線、ｈ
線に対する屈折率、
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
まず、実施例の説明に先立ち、本実施形態の結像光学系の作用効果について説明する。
本実施形態の結像光学系は、正屈折力の第１レンズ群と、負屈折力の第２レンズ群とを有し、第３レンズ群以降の合成の屈折力（パワー）が正であり、第１レンズ群は、物体側から順に、正レンズ１枚と負レンズ１枚の張り合わせレンズからなる結合光学系であって、以下の条件式（１−１）、条件式（２−１）、及び条件式（３−１）を満たすことを特徴としている。
１．５０＜ｎｄn＜１．７０  …（１−１）
０．５４＜θｇＦn＜０．７２  …（２−１）
０．５１＜θｈｇn＜０．６８  …（３−１）
ここで、
ｎｄnは負レンズの屈折率、
θｇＦnは負レンズの部分分散比（ｎgn−ｎFn)／（ｎFn−ｎCn）、
θｈｇnは負レンズの部分分散比（ｎhn−ｎgn）／（ｎFn−ｎCn）、
ｎｄn、ｎCn、ｎFn、ｎgn、ｎhnは、各々負レンズのｄ線、Ｃ線、Ｆ線、ｇ線、ｈ線に
対する屈折率、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザインタフェース（UI）を提示する情報処理装置であって、
UI部品の構成が記述された部品コンテンツを読み込む読み込み手段と、
読み込んだ前記部品コンテンツを解析して複数のUI部品を構築する構築手段と、
構築された複数のUI部品のうち最初に選択状態とされる初期フォーカスを持つUI部品を決定する決定手段と、
前記複数のUI部品のイメージを作成するとともに、前記決定手段で決定された前記初期フォーカスを持つUI部品を選択状態であることを表すイメージに加工してユーザに提示する提示手段と、
を備え、
前記部品コンテンツは、自UI部品の子UI部品への参照情報と、自UI部品及び子UI部品のうちのどれが初期フォーカスを持つかを指示する初期フォーカス指定の記述を含み、
前記構築手段は、前記自UI部品を生成し、その後、前記参照情報に基づいて、前記自UI部品に関連付けられた子UI部品を生成することによりUI部品階層を構築し、
前記決定手段は、前記UI部品階層のルートから、対応する初期フォーカス指定によって指示される子UI部品を辿り、対応する参照情報に子UI部品が指定されていないUI部品、対応する初期フォーカス指定に自UI部品が指示されているUI部品、又は、対応する初期フォーカス指定がないUI部品が検索されたとき、当該UI部品を、前記初期フォーカスを持つUI部品に決定する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記部品コンテンツは、自UI部品について、第１の初期フォーカス指定の記述と、前記第１の初期フォーカス指定とは異なる第２の初期フォーカス指定の記述とを含み、
前記決定手段は、前記構築手段が前記第１の初期フォーカス指定によって指示されるUI部品の構築に失敗した場合、前記第２の初期フォーカス指定によって指示されるUI部品を、前記初期フォーカスを持つUI部品に決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
ユーザインタフェース（UI）を提示するための情報処理装置の制御方法であって、
読み込み手段が、UI部品の構成が記述された部品コンテンツを読み込む読み込みステップと、
構築手段が、読み込んだ前記部品コンテンツを解析して複数のUI部品を構築する構築ステップと、
決定手段が、構築された複数のUI部品のうち最初に選択状態とされる初期フォーカスを持つUI部品を決定する決定ステップと、
提示手段が、前記複数のUI部品のイメージを作成するとともに、前記決定ステップで決定された前記初期フォーカスを持つUI部品を選択状態であることを表すイメージに加工してユーザに提示する提示ステップと、
を有し、
前記部品コンテンツは、自UI部品の子UI部品への参照情報と、自UI部品及び子UI部品のうちのどれが初期フォーカスを持つかを指示する初期フォーカス指定の記述を含み、
前記構築ステップは、前記自UI部品を生成し、その後、前記参照情報に基づいて、前記自UI部品に関連付けられた子UI部品を生成することによりUI部品階層を構築し、
前記決定ステップは、前記UI部品階層のルートから、対応する初期フォーカス指定によって指示される子UI部品を辿り、対応する参照情報に子UI部品が指定されていないUI部品、対応する初期フォーカス指定に自UI部品が指示されているUI部品、又は、対応する初期フォーカス指定がないUI部品が検索されたとき、当該UI部品を、前記初期フォーカスを持つUI部品に決定する
ことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項４】
コンピュータに請求項３に記載の制御方法を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月12日(2012.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キーの状態を検出するキー操作検出回路であって、
抵抗−キャパシタ回路を有し、前記キーへ接続され、該キーが押される場合に放電する放電回路と、
前記放電回路へ接続され、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの結合を有する電圧検出回路と
を有し、
前記放電回路が所定の期間放電するとき、前記第１のトランジスタはオンし、前記第２のトランジスタが第２の機能のための第２の信号を出力するよう該第２のトランジスタをオンする電圧を出力し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは両方ともＰＮＰトランジスタであり、前記第２のトランジスタのベースは前記第１のトランジスタのエミッタへ接続される、キー操作検出回路。
【請求項２】
前記所定の期間は、少なくとも前記抵抗及び前記キャパシタによって決定される、請求項１記載のキー操作検出回路。
【請求項３】
前記キーの第１の端部は接地され、前記キーの第２の端部は前記抵抗−キャパシタ回路と接続される、請求項１又は２記載のキー操作検出回路。
【請求項４】
前記キーが放されるときに前記放電回路の前記キャパシタを充電する充電回路を更に有する、請求項３記載のキー操作検出回路。
【請求項５】
前記充電回路は、前記キーが放されるときに前記キャパシタを充電するようオンされるトランジスタを有する、請求項４記載のキー操作検出回路。
【請求項６】
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、前記キャパシタの電圧が前記第１のトランジスタの閾値より高いレベルに充電される場合にオフされる、請求項５記載のキー操作検出回路。
【請求項７】
前記第２の信号は、前記第２のトランジスタのエミッタから生成される、請求項１記載のキー操作検出回路。
【請求項８】
前記キーが前記所定の期間より短い期間の間押されるとき、第１の信号が前記キーの第２の端子から送出される、請求項３記載のキー操作検出回路。
【請求項９】
前記第１の信号はキーマトリクス走査回路へその入力として出力される、請求項８記載のキー操作検出回路。
【請求項１０】
前記放電回路、前記電圧検出回路及び前記充電回路を共有するよう並列に前記キーと接続される第２のキーがある、請求項９記載のキー操作検出回路。
【請求項１１】
前記第２のキーは、単一機能キー又は２機能キーである、請求項１０記載のキー操作検出回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域及び第２の領域を含む透光性基板と、
前記第１の領域において、前記透光性基板上に透光性の第１の断熱層と、前記第１の断熱層上に光吸収層と、前記光吸収層上に有機化合物材料を含む層と、
前記第２の領域において、前記透光性基板上に反射層と、前記反射層上に第２の断熱層と、前記第２の断熱層上に前記有機化合物材料を含む層とを有し、
前記第２の断熱層の端部は前記反射層の端部より内側に位置し、
前記第１の断熱層と前記第２の断熱層とは間隔を有する成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の第１の電極層が形成されている被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記透光性基板及び前記第１の断熱層を通過させて光を前記光吸収層に照射し、
前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の前記第１の電極層上に成膜して発光層を形成し、
前記発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１の領域及び第２の領域を含む透光性基板と、
前記第１の領域において、前記透光性基板上に透光性の第１の断熱層と、前記第１の断熱層上に光吸収層と、前記光吸収層上に有機化合物材料を含む層と、
前記第２の領域において、前記透光性基板上に第２の断熱層と、前記第２の断熱層上に反射層と、前記反射層上に前記有機化合物材料を含む層とを有し、
前記第２の断熱層の端部は前記反射層の端部より内側に位置し、
前記第１の断熱層と前記第２の断熱層とは間隔を有する成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の第１の電極層が形成されている被成膜面とが向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記透光性基板及び前記第１の断熱層を通過させて光を前記光吸収層に照射し、
前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の前記第１の電極層上に成膜して発光層を形成し、前記発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の前記第１の電極層上に成膜して複数の画素の発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記光吸収層に光を照射する工程は減圧下で行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記光としてランプ光又はレーザ光を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第１の基板の第１の面上に、光吸収層と、発光性材料を有する材料層とを形成し、
前記第１の基板の前記第１の面と、第２の基板とを対向させ、
前記第２の基板を、真空治具の内部空間に設置し、
前記第１の基板を、前記第１の面は前記真空治具の内部空間に露出するように、且つ前記第１の面の反対側の面である第２の面は前記真空治具の外部空間に露出するように設置し、
前記真空治具の内部空間を減圧状態にし、
前記第２の面から光を照射し、
前記光が照射された領域の前記材料層を、前記第２の基板上に移動することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記真空治具と前記第２の基板との間に、支持材を設けることを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記支持材は、バネと、保護材とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
透光性を有する第１の基板の第１の面上に、光吸収層と、発光性材料を有する材料層とを形成し、
第２の基板に、第１の電極を形成し、
前記第１の基板の前記第１の面と、前記第２の基板の第１の電極を形成した面とを対向させ、
前記第２の基板を、真空治具の内部空間に設置し、
前記第１の基板を、前記第１の面は前記真空治具の内部空間に露出するように、且つ前記第１の面の反対側の面である第２の面は前記真空治具の外部空間に露出するように設置し、
前記真空治具の内部空間を減圧状態にし、
前記第２の面から光を照射し、
前記光が照射された領域の前記材料層を、前記第２の基板の前記第１の電極上に移動し、
前記第２の基板上の前記材料層上に、第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項５】
透光性を有する第１の基板の第１の面上に、光吸収層と、発光性材料を有する材料層と、第２の電極とを形成し、
第２の基板に、第１の電極を形成し、
前記第１の基板の前記第１の面と、前記第２の基板の前記第１の電極を形成した面とを対向させ、
前記第２の基板を、真空治具の内部空間に設置し、
前記第１の基板を、前記第１の面は前記真空治具の内部空間に露出するように、且つ前記第１の面の反対側の面である第２の面は前記真空治具の外部空間に露出するように設置し、
前記真空治具の内部空間を減圧状態にし、
前記第２の面から光を照射し、
前記光が照射された領域の前記材料層と、前記第２の電極とを、前記第２の前記基板の第１の電極上に移動することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項６】
透光性を有する第１の基板の第１の面上に、光吸収層と、第１の電極と、発光性材料を有する材料層とを形成し、
前記第１の基板の前記第１の面と、第２の基板とを対向させ、
前記第２の基板を、真空治具の内部空間に設置し、
前記第１の基板を、前記第１の面は前記真空治具の内部空間に露出するように、且つ前記第１の面の反対側の面である第２の面は前記真空治具の外部空間に露出するように設置し、
前記真空治具の内部空間を減圧状態にし、
前記第２の面から光を照射し、
前記光が照射された領域の前記第１の電極と、前記材料層とを、前記第２の基板上に移動し、
前記第２の基板上の前記材料層上に、第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項７】
透光性を有する第１の基板の第１の面上に、光吸収層と、第１の電極と、発光性材料を有する材料層と、第２の電極とを形成し、
前記第１の基板の前記第１の面と、第２の基板を対向させ、
前記第２の基板を、真空治具の内部空間に設置し、
前記第１の基板を、前記第１の面は前記真空治具の内部空間に露出するように、且つ前記第１の面の反対側の面である第２の面は前記真空治具の外部空間に露出するように設置し、
前記真空治具の内部空間を減圧状態にし、
前記第２の面から光を照射し、
前記光が照射された領域の前記第１の電極と、前記材料層と、前記第２の電極とを、前記第２の基板上に移動することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
前記真空治具と前記第２の基板との間に、支持材を設けることを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記支持材は、バネと、保護材とを有することを特徴とする発光素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の処理室内で、凹凸形状を有する被処理体の表面に露出したシリコン部分に処理ガスのプラズマを作用させて酸化処理を施し、シリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、
前記処理室内で被処理体を載置する載置台に被処理体の面積当り０．２Ｗ／ｃｍ2以上２．３Ｗ／ｃｍ2以下の範囲内の出力で高周波電力を印加しながら、前記処理ガス中の酸素の割合が体積比で０．１％以上５０％以下の範囲内であり、処理圧力が１．３Ｐａ以上６６７Ｐａ以下の範囲内の条件で前記プラズマを生成させることにより、前記凹凸形状の側壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］が０．６以下で、かつ、前記底壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚が６ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内であるシリコン酸化膜を、前記凹凸形状の側壁面および前記底壁面に形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記処理ガス中の酸素の割合を体積比で０．５％以上５０％以下とし、かつ前記処理圧力を６．７Ｐａ以上１３３Ｐａ以下とすることによって、前記凹凸形状の側壁面の前記シリコン酸化膜の膜厚と、前記凹部の底壁面の前記シリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］を０．０１以上０．６以下とすることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記処理ガス中の酸素の割合を体積比で０．５％以上２５％以下とし、かつ前記処理圧力を２０Ｐａ以上６０Ｐａ以下とすることによって、前記凹凸形状の側壁面の前記シリコン酸化膜の膜厚と、前記凹部の底壁面の前記シリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］を０．０１以上０．４以下とすることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記処理ガス中に水素を含有させることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、前記処理ガス中の水素と酸素の合計流量に対する水素流量の体積比率が１％以上９０％以下の範囲内であることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記高周波電力の周波数は、１００ｋＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の範囲内であることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、処理温度が室温以上６００℃以下の範囲内であることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記プラズマは、前記処理ガスと、複数のスロットを有する平面アンテナにより前記処理室内に導入されるマイクロ波と、によって形成されるマイクロ波励起プラズマであることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記マイクロ波のパワー密度が、被処理体の面積あたり０．２５５Ｗ／ｃｍ2以上２．５５Ｗ／ｃｍ2以下の範囲内であることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項１０】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、プラズマ処理装置の処理室内で、凹凸形状を有する被処理体の表面に露出したシリコン部分に対し、被処理体を載置する載置台に被処理体の面積当り０．２Ｗ／ｃｍ2以上２．３Ｗ／ｃｍ2以下の範囲内の出力で高周波電力を印加しながら、処理ガス中の酸素の割合が体積比で０．１％以上５０％以下の範囲内であり、かつ処理圧力が１．３Ｐａ以上６６７Ｐａ以下の範囲内である条件で生成させた処理ガスのプラズマを作用させることによって酸化処理を施し、前記凹凸形状の側壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］が０．６以下で、かつ、前記底壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚が６ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内となるように、コンピュータに前記プラズマ処理装置を制御させるものであることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１１】
プラズマを用いて被処理体を処理する上部が開口した処理室と、
前記処理室の前記開口部を塞ぐ誘電体部材と、
前記誘電体部材の外側に設けられ、前記処理室内に電磁波を導入するためのアンテナと、
前記処理室内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理室内を減圧排気する排気機構と、
前記処理室内で被処理体を載置する載置台と、
前記載置台に接続された高周波電源と、
前記処理室内で、凹凸形状を有する被処理体表面に露出したシリコン部分に処理ガスのプラズマによる酸化処理を施してシリコン酸化膜を形成するにあたり、
前記載置台に被処理体の面積当り０．２Ｗ／ｃｍ2以上２．３Ｗ／ｃｍ2以下の範囲内の出力で高周波電力を印加するとともに、前記ガス供給機構によって供給される前記処理ガス中の酸素の割合を体積比で０．１％以上５０％以下の範囲内とし、かつ前記排気機構により処理圧力を１．３Ｐａ以上６６７Ｐａ以下の範囲内としながら、前記アンテナによって前記処理室内に電磁波を導入することにより前記プラズマを生成させて、前記凹凸形状の側壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］が０．６以下で、かつ、前記底壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚が６ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内であるシリコン酸化膜が、前記凹凸形状の側壁面および前記底壁面に形成されるように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
あるいはまた、非糖水溶性ポリマーは、両親媒性のポリマー、例えばアクリル酸又はメタクリル酸から形成されるコポリマーである。本明細書で言及する両親媒性ポリマーとは、疎水性セグメント及び親水性セグメントで構成されるブロックコポリマーである。疎水性セグメントは、２〜２５０で変動する炭素数のポリマー鎖であってよい。本明細書の目的上、炭素数は、セグメント内の炭素原子の数を表す。好ましくは、炭素数は、５〜１００、最も好ましくは５〜５０である。親水性セグメントはイオン性である。親水性セグメントのモノマー単位の数は、好ましくは１〜１００である。好ましくは、組成物は、非糖水溶性ポリマーを０．００５〜５重量％含有する。より好ましくは、組成物は、非糖水溶性ポリマーを０．０１〜３重量％含有する。最も好ましくは、組成物は、非糖水溶性ポリマーを０．０２〜２重量％含有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介してイオンを照射して前記単結晶半導体基板の一表面から所定の深さの領域に損傷領域を形成し、
絶縁表面を有する基板の表面と前記絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層の一に、前記島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一表面上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を介してイオンを照射して前記単結晶半導体基板の一表面から所定の深さの領域に損傷領域を形成し、
絶縁表面を有する基板の表面上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面と前記第１の絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層の一に、前記島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介してイオンを照射して前記単結晶半導体基板の一表面から所定の深さの領域に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板をパターニングして、その底部が前記損傷領域より深い凹部を形成し、
絶縁表面を有する基板の表面と前記絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に複数の島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層の一に、前記島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板の一表面上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を介してイオンを照射して前記単結晶半導体基板の一表面から所定の深さの領域に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板をパターニングして、その底部が前記損傷領域より深い凹部を形成し、
絶縁表面を有する基板の表面上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面と前記第１の絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に複数の島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層の一に、前記島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記島状半導体層の一には、前記レーザ光の中央の領域が照射されることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記レーザ光の中央の領域とは、そのピーク強度の８０％以上の強度を有する領域であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記レーザ光の照射は、減圧雰囲気において行われることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記レーザ光の照射の際の前記島状半導体層の溶融状態を判定した後、前記島状半導体層が非溶融状態にあると判定した場合には、前記島状半導体層に対して再度レーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記レーザ光の照射による前記島状半導体層の溶融状態の判定は、
前記島状半導体層に前記レーザ光を照射する際に、前記島状半導体層の表面又は裏面に所定の波長の参照光を照射して前記参照光の反射率を測定することにより行われるものであって、
第１の反射率と第２の反射率を基準として、前記反射率が前記第１の反射率未満である場合には、前記島状半導体層が非溶融状態にあると判定し、前記反射率が前記第１の反射率以上前記第２の反射率未満である場合には、前記島状半導体層が部分溶融状態にあると判定し、前記反射率が前記第２の反射率以上である場合には、前記島状半導体層が完全溶融状態にあると判定することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１の反射率は、前記島状半導体層の表面が溶融状態にある場合の反射率であり、前記第２の反射率は、前記島状半導体層の裏面が溶融状態にある場合の反射率であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オルトリン酸を含む、再パルプ化可能な接着剤。
【請求項２】
前記接着剤が感圧接着剤であることを特徴とする、請求項１に記載の接着剤。
【請求項３】
オルトリン酸の割合が、前記感圧接着剤中の純粋なリン酸含有量に基づいて１０重量％までの範囲内であることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の接着剤。
【請求項４】
オルトリン酸の割合が、前記感圧接着剤中の純粋なリン酸含有量に基づいて２〜５重量％の範囲内であることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の接着剤。
【請求項５】
前記接着剤が、３０重量％よりも多いアクリル酸割合を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着剤。
【請求項６】
前記接着剤が、５０重量％よりも多いアクリル酸割合を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着剤。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の接着剤の層を少なくとも１つ含む、再パルプ化可能な性質を有する接着テープ。
【請求項８】
経時的な接着技術的性質の変化、特にタックの低下を低減するための、再パルプ化可能な接着剤中でのオルトリン酸の使用。
【請求項９】
充填剤含有材料、特にカルシウム（ＩＩ）イオンおよび／またはマグネシウム（ＩＩ）イオン含有材料の接着のための、請求項７に記載の接着テープの使用。
【請求項１０】
スプライステープとしての請求項７に記載の接着テープの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影シーン毎に撮影シーン対応の撮影モードが複数種類用意されており、複数の前記撮影モードのうちのいずれかの撮影モードがユーザ入力により選択されたとき該撮影モードに基づいて被写体の撮影が行われるデジタルカメラであって、使用開始から撮影毎の撮影条件を履歴情報として蓄積しておく記憶手段と、前記複数種類の前記撮影モードのうち前記ユーザ入力の選択対象とする撮影モードを前記撮影毎の前記履歴情報に基づいて決定し選択肢として追加する制御手段とを備えるデジタルカメラ。
【請求項２】
請求項１に記載のデジタルカメラであって、前記追加は、前記使用開始からの累積撮影枚数が所定枚数に達したとき行うデジタルカメラ。
【請求項３】
請求項２に記載のデジタルカメラであって、前記所定枚数のうちの或る閾値枚数以上の撮影シーンを撮影したと前記履歴情報の前記撮影条件から判断したとき該撮影シーンに対応する前記撮影モードを前記選択肢として追加するデジタルカメラ。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載のデジタルカメラであって、前記累積撮影枚数が前記所定枚数に達しない場合であっても、前記撮影条件から同様の撮影シーンの撮影が短時間に所要回数以上繰り返し行われていると判断されるときは該撮影シーンに対応する前記撮影モードを前記選択肢として追加するデジタルカメラ。
【請求項５】
請求項２または請求項３に記載のデジタルカメラであって、前記累積撮影枚数が前記所定枚数に達しない場合であっても、前記撮影条件から同様の撮影シーンの撮影が短時間に所要回数以上繰り返し行われていると判断されるときは前記撮影モードとしてマニュアル撮影モードを前記選択肢として追加するデジタルカメラ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のデジタルカメラであって、前記使用開始の時に前記選択できる撮影モードは、如何なる撮影シーンでも平均的に撮影できる撮影モードしか用意されないデジタルカメラ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のデジタルカメラであって、前記追加を行うときは該追加を行う前記撮影モードの説明表示を行うデジタルカメラ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のデジタルカメラであって、追加された前記撮影モードが所定頻度以上で選択されない場合には該撮影モードの選択肢を削除するデジタルカメラ。
【請求項９】
請求項８に記載のデジタルカメラであって、前記選択肢の削除を行うときは削除要否の問い合わせ画面を表示するデジタルカメラ。
【請求項１０】
請求項３または請求項４に記載のデジタルカメラであって、顔検出機能で撮影画像中に顔が検出されるときは人物モードを前記選択肢として追加し、顔が未検出で焦点距離が無限遠のときは風景モードを前記選択肢として追加するデジタルカメラ。
【請求項１１】
撮影のための機能が複数種類用意されており、前記機能のうちの何れかの機能がユーザ入力により指示されたとき該機能に基づいて被写体の撮影が行われるデジタルカメラであって、使用開始から前記指示に基づくカメラ操作の履歴情報を蓄積しておく記憶手段と、該履歴情報から使用頻度が所定値より高い前記カメラ操作を識別し該カメラ操作に対応した前記機能を設定する制御手段とを備えるデジタルカメラ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のデジタルカメラであって、ズームの使用頻度が所定値より高い場合にはデジタルズーム設定を自動的にオンにし、望遠側の使用頻度が所定値より高い場合には手振れ補正機能をオンに設定するデジタルカメラ。
【請求項１３】
請求項１１に記載のデジタルカメラであって、撮影直後の画像確認及び画像消去の使用回数が所定数より多い場合にはプレビュー画面や拡大プレビュー画面の表示設定と取消／ＯＫ機能を設定し、撮影後の画像確認，画像消去の使用回数が所定数より少なく撮影間隔が所定時間間隔より短い場合には撮影結果の画像表示を行わずに次の撮影スタンバイに移行するデジタルカメラ。
【請求項１４】
撮影のための機能が複数種類用意されており、前記機能のうちの何れかの機能がユーザ入力により指示されたとき該機能に基づいて被写体の撮影が行われるデジタルカメラであって、使用開始から前記指示に基づく履歴情報を蓄積しておく記憶手段と、該履歴情報から使用頻度が所定値より高い前記機能を識別し該機能に基づいて被写体の撮影を行う制御手段とを備えるデジタルカメラ。
【請求項１５】
撮影シーン毎に撮影シーン対応の撮影モードが複数種類用意されており、複数の前記撮影モードのうちのいずれかの撮影モードがユーザ入力により選択されたとき該撮影モードに基づいて被写体の撮影が行われるデジタルカメラの制御方法であって、使用開始から撮影毎の撮影条件を履歴情報として蓄積しておき、前記複数種類の前記撮影モードのうち前記ユーザ入力の選択対象とする撮影モードを前記撮影毎の前記履歴情報に基づいて決定し選択肢として追加するデジタルカメラの制御方法。
【請求項１６】
撮影のための機能が複数種類用意されており、前記機能のうちの何れかの機能がユーザ入力により指示されたとき該機能に基づいて被写体の撮影が行われるデジタルカメラの制御方法であって、使用開始から前記指示に基づくカメラ操作の履歴情報を蓄積しておき、該履歴情報から使用頻度が所定値より高い前記カメラ操作を識別し該カメラ操作に対応した前記機能を設定するデジタルカメラの制御方法。
【請求項１７】
撮影のための機能が複数種類用意されており、前記機能のうちの何れかの機能がユーザ入力により指示されたとき該機能に基づいて被写体の撮影が行われるデジタルカメラの制御方法であって、使用開始から前記指示に基づく履歴情報を蓄積しておき、該履歴情報から使用頻度が所定値より高い前記機能を識別し該機能に基づいて被写体の撮影を行うデジタルカメラの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮された画像ストリームを入力信号とし、前記入力信号を復号する画像復号装置であって、
前記入力信号を所定のデータ単位毎に復号する、複数の復号手段と、
前記入力信号の復号処理を、処理順序の依存関係を有する複数の処理ステップに分割し、前記復号手段で処理すべきデータ単位を前記復号手段に処理ステップ毎に割り当てる、タスク制御手段とを備え、
前記タスク制御手段は、前記復号手段の処理状況を検出し、その検出した処理状況と、処理ステップ間の依存関係と、前記画像ストリームに含まれるフレーム間の依存関係とに応じて、処理されるデータ単位及び処理ステップを前記復号手段に割り当て、
前記タスク制御手段は、ひとつの前記復号手段によって復号されたデータ単位の依存関係と表示順序とを考慮して、処理すべきデータ単位が前記復号されたデータ単位に依存した処理ステップにある場合には、処理中の前記復号手段を中断させて、前記処理すべきデータ単位を前記復号手段に割り当てる、
ことを特徴とする画像復号装置。
【請求項２】
前記フレーム間の依存関係とは、他のフレームを参照するか否か、また、他のフレームから参照され得るか否かの関係である、請求項１記載の画像復号装置。
【請求項３】
前記タスク制御手段は、フレーム間の依存関係及び処理ステップ間の依存関係を考慮し、優先的に処理すべきデータ単位の順序を規定した優先度情報を備え、前記優先度情報を参照して、処理されるデータ単位及び処理ステップを前記復号手段に割り当てる、ことを特徴とする請求項１記載の画像復号装置。
【請求項４】
前記複数の処理ステップは、入力されたバイトストリームから差分画像を作成するのに必要な係数データと、予測画像を作成するのに必要な予測モードおよび動きベクトルの少なくともいずれか一方を含む予測データを復号するエントロピー復号ステップと、
係数データに対して逆量子化および逆直交変換を施すことによって差分画像を作成する差分画像作成ステップと、
予測データと参照に必要な復号画像とから予測画像を作成し、予測画像と差分画像とを合わせて復号画像を作成する復号画像作成ステップとを含む、請求項１記載の画像復号装置。
【請求項５】
前記所定のデータ単位はフレームまたはスライスであることを特徴とする請求項１記載の画像復号装置。
【請求項６】
圧縮された画像ストリームを入力信号として入力するステップと、
前記入力した入力信号の復号処理を、処理順序の依存関係を有する複数の処理ステップに分割するステップと、
複数の復号手段において、前記入力信号を所定のデータ単位毎に前記処理ステップ単位で復号処理を実行させるステップと、
前記復号手段の処理状況を検出し、検出した処理状況、処理ステップ間の依存関係と、前記画像ストリームに含まれるフレーム間の依存関係とに応じて、前記復号手段において処理される、データ単位及び処理ステップを決定するステップと
ひとつの前記復号手段によって復号されたデータ単位の依存関係と表示順序とを考慮して、処理すべきデータ単位が前記復号されたデータ単位に依存した処理ステップにある場合には、処理中の前記復号手段を中断させて、前記処理すべきデータ単位を前記復号手段に割り当てるステップと、
を含む、ことを特徴とする画像復号方法。
【請求項７】
圧縮された画像ストリームを入力信号とし、前記入力信号を復号する画像復号装置の制御プログラムであって、
圧縮された画像ストリームを入力信号として入力する手順と、
前記入力した入力信号の復号処理を、処理順序の依存関係を有する複数の処理ステップに分割する手順と、
複数の復号手段において、前記入力信号を所定のデータ単位毎に前記処理ステップ単位で復号処理を実行させる手順と、
前記復号手段の処理状況を検出し、検出した処理状況、処理ステップ間の依存関係と、前記画像ストリームに含まれるフレーム間の依存関係とに応じて、前記復号手段において処理される、データ単位及び処理ステップを決定する手順とを画像復号装置の制御手段に実行させる手順と、
ひとつの前記復号手段によって復号されたデータ単位の依存関係と表示順序とを考慮して、処理すべきデータ単位が前記復号されたデータ単位に依存した処理ステップにある場合には、処理中の前記復号手段を中断させて、前記処理すべきデータ単位を前記復号手段に割り当てる手順とを画像復号装置の制御手段に実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
なお、基準レベル発生器１４が発生する基準レベル信号Vx0は、たとえばＣＣＤ撮像素子１の各画素１０１で発生しうる最大信号電荷の1/2あるいは電圧変換部１０４が変換しうる最大信号電荷の1/2が電圧変換部１０４に加えられたときに出力端子１０９に発生する出力信号の大きさに設定すればよい。このとき比較器１３に加えられるVout0がVx0より小さいならば、少なくとも検出直前に電圧変換部１０４に転送された画素からの信号電荷は最大信号電荷の1/2より小さいことをあらわす。画像にはある程度周辺との相関があって、隣り合う画素間での急激な変化が少ないことを期待すると、次に得られる隣の画素からの信号電荷も最大信号電荷の1/2より小さい可能性が高い。このとき、電圧変換部１０４の信号電荷を掃き出さなくとも、次に転送される隣の画素の信号電荷を加算したときに電圧変換部１０４が飽和する可能性は低い。そこで、パルス制御器１２はパルス発生器５からのリセットパルスを出力しないよう動作する。一方、比較器１３に加えられるVout0がVx0より大きいならば、少なくとも検出直前までに電圧変換部１０４に転送された画素からの信号電荷は最大信号電荷の1/2より大きいことをあらわす。このとき、次に得られる隣の画素からの信号電荷が最大信号電荷の1/2より大きい可能性があるので、電圧変換部１０４の信号電荷を掃き出さないと、次に転送される隣の画素の信号電荷を加算して電圧変換部１０４が飽和する可能性が高い。そこで、パルス制御器１２はパルス発生器５からのリセットパルスを出力するよう動作する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ここで、たとえば水平転送パルスPh1が図２（ａ）に示すものであり、パルス発生器５からのリセットパルスPrst0が（ｂ）で示すものであるとする。また、パルス制御器１２から端子１０８に加えられる実効リセットパルスPjrs0は（ｃ）であり、まずT00からT01の期間にオンとなるリセットパルスがそのまま出力されるものとする。このとき出力端子１０９から得られる出力信号Vout0は、図２（ｄ）に示すようにT01でリセットノイズ２０１ａがあらわれ、水平転送パルスPh1がローレベルになるT03に画素信号２０２ａが重畳するものとなる。ここで図２（ｅ）に示す比較器１３の出力信号Vcon0は、画素信号２０２ａが重畳した段階で基準レベル発生器１４の出力信号Vx0より小さい場合を示した。このときパルス制御器１２の動作によってリセットパルスのT05からT06の期間にオンとなる部分は端子１０８には印加されない。この結果電圧変換部１０４には、次に水平転送パルスPh1がローレベルになるT07に、さらに画素信号２０２ｂが重畳する。ここで図２（ｅ）に示す比較器１３の出力信号Vcon0は、画素信号２０２ｂが重畳した段階でもまだ基準レベル発生器１４の出力より小さい場合を示した。このときパルス制御器１２の動作によってリセットパルスのT08からT09の期間にオンとなる部分もまた印加されない。この結果電圧変換部１０４には、次に水平転送パルスPh1がローレベルになるT010に、さらに画素信号２０２ｃが重畳する。ここで比較器１３の出力信号Vcon0が図２（ｅ）に示すように基準レベル発生器１４の出力よりVout0が大きくなった場合、パルス制御器１２の動作によってリセットパルスのT011からT012の期間にオンとなる部分が端子１０８に印加される。この結果、出力端子１０９から得られる出力信号Vout0は、（ｄ）に示すようにT011で０にリセットされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
二次元状に配列された複数の画素と、上記複数の画素で発生した信号電荷を転送する転送手段と、上記転送手段から上記信号電荷を受け取って検出する検出手段と、上記検出手段の信号電荷を排出するリセット手段を備えた固体撮像素子を用いる固体撮像装置の低雑音信号生成方法において、
上記検出手段から第１の信号を得，
上記第１の信号と所定の基準信号の大きさの関係を示す比較信号を生成し、
上記比較信号が上記第１の信号より上記基準信号が小さいことをあらわす第１の状態信号であるときに上記リセット手段によって上記検出手段の信号電荷を排出した後，
上記検出手段から第２の信号を得，
上記複数の画素のうちの第１の画素で発生した信号電荷を上記転送手段から上記検出手段に転送し，
上記検出手段から第３の信号を得，
上記比較信号が上記第１の状態信号であるときは上記第３の信号と上記第２の信号の差信号から上記第１の画素に対応する信号を生成し，上記比較信号が上記第１の状態信号でないときは上記第３の信号と上記第１の信号の差信号から上記第１の画素に対応する信号を生成することを特徴とした固体撮像装置の低雑音信号生成方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
上記基準信号の大きさは、上記第１の信号の生成時までに連続して上記リセット手段によって上記検出手段の信号電荷を排出させない期間の長さに対応して生成することを特徴とした請求項１記載の固体撮像装置の低雑音信号生成方法。