【事件の表示】
　平成６年特許願第２４６３８６号「半導体用ヒートシンク」拒絶査定不服審判事件〔平成８年４月３０日出願公開、特開平８−１１１４８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．本願は、平成６年１０月１２日の出願であって、平成１６年３月１２日付で拒絶の査定がなされ、これに対し、同年４月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１７日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１６年５月１７日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成１６年５月１７日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１、２は次のとおり補正された。
 「【請求項１】光通信用レーザーの半導体素子に用いられるヒートシンクにおいて、前記ヒートシンクは、４５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の厚さ方向の熱伝導率を備えるとともに、前記半導体素子との接合面の広がり方向に対して４〜１０×１０−６／℃の範囲の熱膨張係数を示す一方向性炭素−炭素繊維複合材によって構成され、前記一方向性炭素−炭素繊維複合材の炭素繊維は、前記接合面に交差する方向に配向するとともに前記接合面の広がり方向に沿って並び、前記半導体素子は、前記炭素繊維の長さ方向に交差する方向にレーザーを出射するように配置されていることを特徴とする光通信用レーザーの半導体用ヒートシンク。
　【請求項２】光通信用レーザーの半導体素子に用いられるヒートシンクにおいて、前記ヒートシンクは、熱処理ピッチの粉末とフェノール樹脂の混合物をマットリックスの前駆体として用い、一方向に引き揃えるように炭素繊維を引き出して前記マトリックスを含浸させたシートとし、このシートを切断し、積層して加熱して硬化させ、不活性雰囲気中で焼成し、一方向性炭素−炭素繊維複合材を得、半導体素子の一方向性炭素−炭素繊維複合材への接合面に対して、前記一方向性炭素−炭素繊維複合材の炭素繊維を、前記接合面に交差する方向に配向させ、且つ前記接合面の広がり方向に沿って並べるとともに、前記半導体素子が前記炭素繊維の長さ方向に交差する方向にレーザーを出射するように前記一方向性炭素−炭素繊維複合材をヒートシンクとして配置してなり、前記一方向性炭素−炭素繊維複合材は、４５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の厚さ方向の熱伝導率を備えるとともに、前記半導体素子との接合面の広がり方向に対して４〜１０×１０−６／℃の範囲の熱膨張係数を示すことを特徴とする光通信用レーザーの半導体用ヒートシンク。」
　
（１）請求項１について
　上記補正は、補正前の「熱放散を必要とする半導体素子」を「光通信用レーザーの半導体素子」に補正し、熱膨張係数について、「４〜１０×１０（４を含まず）−６／℃の範囲」を「４〜１０×１０−６／℃の範囲」に補正し、更に、「構成されている」を「構成され、前記一方向性炭素−炭素繊維複合材の炭素繊維は、前記接合面に交差する方向に配向するとともに前記接合面の広がり方向に沿って並び、前記半導体素子は、前記炭素繊維の長さ方向に交差する方向にレーザーを出射するように配置されている」に補正したものである。
　これらの補正のうち、熱膨張係数に係る補正は、補正前に「４×１０−６／℃」を含まなかったものを、含むようにするものであって、熱膨張係数の数値範囲を拡張するものであり、また、補正後の「前記半導体素子は、前記炭素繊維の長さ方向に交差する方向にレーザーを出射するように配置されている」の点については、補正前の請求項１には半導体素子の配置については何も記載されておらず、請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものとは云えないから、特許法第１７条の２第３項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものには該当しないし、更に、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものにも該当しない。
　
（２）請求項２について
　上記補正は、補正前の「前記ヒートシンクは、４５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の厚さ方向の熱伝導率を備えるとともに、前記半導体素子との接合面の広がり方向に対して４〜１０（４を含まず）×１０−６／℃の範囲の熱膨張係数を示す一方向性炭素−炭素繊維複合材によって構成されていること」を、「前記ヒートシンクは、熱処理ピッチの粉末とフェノール樹脂の混合物をマットリックスの前駆体として用い、一方向に引き揃えるように炭素繊維を引き出して前記マトリックスを含浸させたシートとし、このシートを切断し、積層して加熱して硬化させ、不活性雰囲気中で焼成し、一方向性炭素−炭素繊維複合材を得、半導体素子の一方向性炭素−炭素繊維複合材への接合面に対して、前記一方向性炭素−炭素繊維複合材の炭素繊維を、前記接合面に交差する方向に配向させ、且つ前記接合面の広がり方向に沿って並べるとともに、前記半導体素子が前記炭素繊維の長さ方向に交差する方向にレーザーを出射するように前記一方向性炭素−炭素繊維複合材をヒートシンクとして配置してなり、前記一方向性炭素−炭素繊維複合材は、４５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の厚さ方向の熱伝導率を備えるとともに、前記半導体素子との接合面の広がり方向に対して４〜１０×１０−６／℃の範囲の熱膨張係数を示すこと」に補正したものである。
　この補正のうち、熱膨張係数については、上記（１）に記載したと同じである。
　また、補正後の「半導体素子の一方向性炭素−炭素繊維複合材への接合面に対して、前記一方向性炭素−炭素繊維複合材の炭素繊維を、前記接合面に交差する方向に配向させ、且つ前記接合面の広がり方向に沿って並べる」の点、及び補正後の「前記半導体素子が前記炭素繊維の長さ方向に交差する方向にレーザーを出射するように前記一方向性炭素−炭素繊維複合材をヒートシンクとして配置されてなり、」の点については、補正前の請求項２には、発明を特定するために必要な事項として、炭素繊維の配向と並べ方、及び半導体素子の配置に関しては何も記載されていない。更に、補正後の「熱処理ピッチの粉末とフェノール樹脂の混合物をマットリックスの前駆体として用い、一方向に引き揃えるように炭素繊維を引き出して前記マトリックスを含浸させたシートとし、このシートを切断し、積層して加熱して硬化させ、不活性雰囲気中で焼成し、一方向性炭素−炭素繊維複合材を得」の点については、ヒートシンクの製造方法に関する記載であるが、補正前の請求項２には発明を特定するために必要な事項として、ヒートシンクの製造方法に関して何も記載されていないから、これらの補正は特許法第１７条の２第３項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものには該当しないし、更に、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものにも該当しない。
　
２．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について　
１．本願発明　
　平成１６年５月１７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１、２に係る発明は、平成１６年２月２３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりであると認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】熱放散を必要とする半導体素子に用いられるヒートシンクにおいて、前記ヒートシンクは、４５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の厚さ方向の熱伝導率を備えるとともに、前記半導体素子との接合面の広がり方向に対して、４〜１０（４を含まず）×１０−６／℃の範囲の熱膨張係数を示す一方向性炭素−炭素繊維複合材によって構成されていることを特徴とする半導体用ヒートシンク。」
　
１．引用刊行物及び周知例とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された特開平５−１７５３７８号公報（以下、「刊行物」という。）、及び周知例である特開平５−２２２６２０号公報には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物（特開平５−１７５３７８号公報）の摘記事項
（１ａ）「【０００６】一方、半導体装置は、通常半導体素子としてのシリコンチップ、絶縁基板としてのセラミックス及び、セラミックスを支持し、かつ半導体素子からの熱を放熱する金属板等の熱膨張率が大きく異なる部材から構成されている。さらに、これらの部材は、はんだ材やろう材による接合によって組立てられている。したがって、半導体装置においても構成要素同士の熱膨張率差に伴う多くの問題が存在する。例えば、上記で述べたセラミックスは、いずれの場合も半導体装置の機械的強度保全のため及び放熱のために・・・金属支持体に接合材によって固定されている。また、絶縁を必要としない目的の場合は、半導体素子と金属支持体が直接接合されるのが通例である。しかし、これらの半導体装置は、金属支持体とセラミックスや半導体素子との熱膨張率差が大きいため、接合過程の熱応力または使用中の熱疲労によってセラミックスや半導体素子または接合層に破壊が生じることが多い。そして、これによってこの半導体装置の放熱特性が低下し、短期間の使用で半導体装置としての機能が損なわれるという問題があった。特に発熱量の大きい半導体素子を搭載するパワー半導体の場合は、装置全体の温度上昇及び部材間の温度差も大きくなり、この問題はより顕著である。
　【０００７】さらに、半導体装置の高出力化に伴って、半導体装置の放熱特性の向上も要求される。すなわち、本発明の目的は、熱膨張率の異なる部材を接合によって複合した場合の変形及び破壊を防止し、品質における信頼性の高い複合体、並びに放熱特性に優れ品質に対する信頼性の高い半導体装置を提供することにある。」
（１ｂ）「【０００８】【課題を解決するための手段】本発明者は、・・・炭素繊維強化炭素複合体（Ｃａｒｂｏｎ　Ｆｉｂｅｒ　Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｃａｒｂｏｎ，以下「ＣＦＲＣ」と記載する）を複合材と半導体装置の特定部位に配置することにより、かかる課題を解決し得ることを見出した。
　【０００９】すなわち、本発明は、第１に・・・；第２に半導体素子が搭載されたセラミックス基板と、これを支持する金属支持板とを、接合材を介して組立てられる構造の半導体装置において、・・・半導体素子とセラミックス基板との間・・・に、ＣＦＲＣを配置して構成されていることを特徴とする半導体装置、・・・を提供するものである。」
（１ｃ）「【００１６】かかる半導体装置において、ＣＦＲＣの他部材との接合面に対する配置方向は、本来自由に決定できるが、半導体装置の熱放散性を改善するという所期の目的の達成を考慮すれば、上記の接合面に対して、ＣＦＲＣの炭素繊維は直角になるよう配置するのが好ましい。・・・」
（１ｄ）「【００１８】【作用】次に本発明の複合体及び半導体装置におけるＣＦＲＣの作用について説明する。本目的を達成するためのＣＦＲＣは、炭素繊維の織物にフェノール樹脂やピッチなどを含浸して焼成これを何度も繰返してマトリックスを炭素化して作られる。・・・複合化は炭素繊維を・・・積層法によって得られる。また、炭素繊維は１次元、２次元、３次元のいずれの方法によって織られてもよい。
　【００１９】上記の方法によって製造されたＣＦＲＣは、炭素繊維の種類と配向方向を制御することにより、熱膨張率及び熱伝導率並びに弾性率を広い範囲にわたり制御できる。すなわち、ＣＦＲＣは以下に示す特徴を有し、この特徴を最大限に利用することにより、本発明の所期の目的の達成が可能である。
（１）ＣＦＲＣは炭素繊維の配向方向によって熱膨張率を金属とセラミックスや半導体素子との中間の値に制御できる。特に繊維の配向方向に対して直角方向の熱膨張率を１〜１０×１０−６／℃の間で変化できる。このため、セラミックスまたは半導体素子や金属等の熱膨張率の異なる部材と接合した場合の接合面の熱応力を低減できる。炭素繊維は直径１０μｍ以下、・・・の長さの繊維が用いられ、一方向に配向させたものが好ましく、・・・
　【００２０】・・・
（３）ＣＦＲＣの最も大きな特徴の一つは、繊維の配向方向を制御することにより、ＣＦＲＣにクラックが発生した場合でもクラックの進展を抑制できるという点である。特に接合面を繊維の配向方向に対して直角方向になるように配置して接合することにより、熱膨張率の異なる部材の接合面に平行方向に発生したクラックの進展を炭素繊維とマトリックスとの界面でピン止めの効果により阻止できる。・・・
　・・・
　【００２２】・・・該ＣＦＲＣを半導体素子とセラミックス基板との間、・・・に接合面に対して繊維の配向方向が直角方向になるようにＣＦＲＣを配置することにより、半導体素子からの熱を効率的に放散できる。・・・」
（１ｅ）「【００２６】【実施例１】図１は、タングステンと銅との間にＣＦＲＣを配置して接合される複合体の分解断面図である。図１において、１はタングステン、２は銅板、３はＣＦＲＣ、４は金属化層、５ａ及び５ｂはろう材を表している。
　【００２７】・・・炭素繊維の配向方向が接合面に対して直角になるように配置されている。本実施例で使用したＣＦＲＣ３の特性は表１に示した。
　【００２８】【表１】　−略−
　【００２９】表中、Ｘ・Ｙ・Ｚは、次記図２における炭素繊維の配向方向を示したものである。なお、表１のＣＦＲＣは直径７μｍの炭素繊維をフェルト状に積層して製作された。そして、図２は炭素繊維の配向方向を示したＣＦＲＣの模式図である。この図２において、矢印はＣＦＲＣの炭素繊維の配向方向を示すものである。・・・」
　表１には、熱伝導率が、繊維の配向方向Ｘ、Ｙで３００Ｗ／ｍ・Ｋ、繊維の配向方向Ｚで１００Ｗ／ｍ・Ｋであること、熱膨張率が、繊維の配向方向Ｘ、Ｙで２×１０−６／℃、繊維の配向方向Ｚで８×１０−６／℃であることが記載されている。
（１ｆ）「【００３４】【実施例３】図４は、シリコンチップとセラミックス基板との間にＣＦＲＣを配置した場合の半導体装置の各々の部品を示した接合前の分解断面図である。図４において、３はＣＦＲＣ、１１はシリコンチップ、１２はアルミナセラミックス、１３は金属支持板、１４ａ〜１４ｃは接合材、１５は金属化層を表している。
　【００３５】ＣＦＲＣ３の厚さは２ｍｍで、両側面に予め接合用の金属化層１５が形成されている。この金属化層１５の形成方法は実施例１と同様である。またＣＦＲＣ３は実施例１と同じ特性のものを使用し、炭素繊維の配向方向は、接合面に対して直角方向になるように配置した、・・・
　【００３６】上記構造の半導体装置について、パワーサイクル試験を行なった結果、５００００サイクル以上まで熱抵抗の変化が見られず、従来の構造に比較して、約５倍以上の品質信頼性が確保された。・・・」
（１ｇ）「【００４０】【実施例５】図６は、セラミックス基板と金属支持板との間にＣＦＲＣが配置されている半導体装置の各々の部品を示した接合前の分解断面図である。図６において、３はＣＦＲＣ、１１はシリコンチップ、１２はＡＩＮセラミックス、１３は金属支持板、１４ａ〜１４ｃはろう材、１５は金属化層を表している。
　【００４１】・・・また、ＣＦＲＣ３は表２に示す特性のものを用い、炭素繊維の配向方向が接合面に対して直角方向になるように配置した。
　【００４２】【表２】　−略−
　【００４３】なお、表２においてＸ・Ｙ・Ｚは、前記表１と同様である。また、ＣＦＲＣは直径１０μｍの炭素繊維を一方向に配向し、これをピッチ系の熱可塑性樹脂で含浸して炭素化することにより製作したものである。・・・」
　表２には、熱伝導率が、繊維の配向方向Ｘ、Ｙで４００Ｗ／ｍ・Ｋ、繊維の配向方向Ｚで１５０Ｗ／ｍ・Ｋであること、熱膨張率が、繊維の配向方向Ｘ、Ｙで４×１０−６／℃、繊維の配向方向Ｚで１０×１０−６／℃であることが記載されている。
　
（２）周知例（特開平５−２２２６２０号公報）の摘記事項
（２ａ）「【００１２】すなわち、本発明は、断面が異形でかつリーフレット配向構造を有し、熱伝導率が５００Ｗ／ｍ・Ｋ以上のピッチ系炭素繊維又はフィルムで構成されている熱伝導性材料を提供する。
　・・・
　【００２０】このような炭素繊維およびフィルムは、熱伝導率が５００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは９００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、銅の熱伝導率４００Ｗ／ｍ・Ｋよりも大きい。
　・・・
　【００２３】本発明の熱伝導性材料は、前記炭素繊維及び／又はフィルムと、マトリックスとを含んでいてもよい。マトリックスとしては、例えば、樹脂、炭素質結合剤、金属、セラミックスなどの結合剤が挙げられる。」
（２ｂ）「【００３２】なお、炭素繊維やフィルムの複合化に際して、一方向に熱伝導させる場合には、炭素繊維やフィルムを一方向に配向させ、二方向に熱伝導させる場合には、二方向に配向させて複合化すればよい。・・」
（２ｃ）「【００５１】実施例２
　実施例１において２８００℃での焼成により得られたリーフレット配向構造を有する炭素繊維を基材とし、ピッチを含浸し、・・・焼成した後、さらにピッチを含浸し、上記と同様にして焼成し、炭素／炭素複合材を作製した。得られた複合材の熱伝導率を測定したところ、６６０Ｗ／ｍ・Ｋであった。」
　
２．対比・判断
　上記刊行物の摘記事項（１ｂ）によれば、半導体素子が搭載されたセラミックス基板と、これを支持する金属支持板とを、接合材を介して組立てられる半導体装置において、半導体素子とセラミックス基板との間に、ＣＦＲＣ（Ｃａｒｂｏｎ　Ｆｉｂｅｒ　Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｃａｒｂｏｎ：炭素繊維強化炭素複合体）を配置して構成される半導体装置が記載され、更に、摘記事項（１ｃ）によれば、ＣＦＲＣの他部材との接合面に対する配置方向は、半導体装置の熱放散性を改善するために、接合面に対してＣＦＲＣの炭素繊維が直角になるよう配置するのが好ましいことが記載されている。
　そして、摘記事項（１ｄ）段落【００１９】によれば、ＣＦＲＣは、炭素繊維の種類と配向方向を制御することで、熱膨張率及び熱伝導率並びに弾性率を広い範囲にわたり制御でき、特に繊維の配向方向に対して直角方向の熱膨張率を１〜１０×１０−６／℃の間で変化でき、同段落【００２２】によれば、ＣＦＲＣを半導体素子とセラミックス基板との間に接合面に対して繊維の配向方向が直角方向になるようにＣＦＲＣを配置することにより、半導体素子からの熱を効率的に放散できることが記載されている。
　また、摘記事項（１ｇ）には、実施例５として、ＣＦＲＣの厚さ方向の熱伝導率が４００Ｗ／ｍ・Ｋである例（表２、及び図２のＹ方向参照。）が記載され、この実施例５記載のＣＦＲＣも、当然に摘記事項（１ｆ）に記載される実施例３のシリコンチップとセラミックス基板との間にＣＦＲＣを配置した場合での半導体装置のＣＦＲＣにも適用できるものである。
　ここで、摘記事項（１ａ）〜（１ｆ）を総合すると、刊行物には、「熱放散を必要とする半導体素子が搭載されたセラミックス基板を備える半導体装置において、半導体素子とセラミックス基板との間に、接合面に対して繊維の配向方向が直角方向になるようにＣＦＲＣ（Ｃａｒｂｏｎ　Ｆｉｂｅｒ　Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｃａｒｂｏｎ：炭素繊維強化炭素複合体）を配置し、当該ＣＦＲＣがＣＦＲＣの厚さ方向の熱伝導率が４００Ｗ／ｍ・Ｋを備えるとともに、繊維の配向方向に対して直角方向の熱膨張率を１〜１０×１０−６／℃の範囲を示すように構成されている半導体装置。」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比する。刊行物発明の「ＣＦＲＣ」は、半導体素子とセラミックス基板との接合面に対して繊維の配向方向が直角方向になるように配置しとし、摘記事項（１ｄ）段落【００１９】によれば、繊維を一方向に配向させたものが好ましいとしているので、一方向性炭素−炭素繊維複合材であるといえ、また、この配置により半導体素子からの熱を効率的に放散できるのであるから、本願発明の「ヒートシンク」に相当するといえる。更に、刊行物発明の「繊維の配向方向に対して直角方向」は、本願発明の「半導体素子との接合面の広がり方向」に相当するものである。
　そうすると、両者は、「熱放散を必要とする半導体素子に用いられるヒートシンクにおいて、前記ヒートシンクは、厚さ方向の優れた熱伝導率を備えるとともに、前記半導体素子との接合面の広がり方向に対して、４〜１０（４を含まず）×１０−６／℃の範囲の熱膨張係数を示す一方向性炭素−炭素繊維複合材によって構成されている半導体用ヒートシンク」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　相違点：ヒートシンクの厚さ方向の熱伝導率について、本願発明では、４５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上としているのに対し、刊行物発明では、４００Ｗ／ｍ・Ｋであるとしている点。
　
　次に、上記相違点について検討する。
　周知例には、熱伝導性材料として、一方向に熱伝導させる場合には、炭素繊維を一方向に配向させて複合化すればよいこと（摘記事項（２ｂ））が、そして、実施例２では、炭素／炭素複合材を作製し、得られた複合材の熱伝導率は６６０Ｗ／ｍ・Ｋであったこと（摘記事項（２ｃ））が記載されている。このことは、一方向性炭素／炭素複合材の厚さ方向の熱伝導率について、６６０Ｗ／ｍ・Ｋにしたことを意味していると云える。
　また、例えば、特開平５−３０６１６８号公報には、炭素繊維強化炭素複合材料の熱伝導率として、４９３、５５０Ｗ／ｍ・Ｋ（段落【００４８】【表１】）のものが記載されている。
　そして、半導体素子の熱放散を改善させるためには、熱伝導率が高い方が好ましいことは当然のことであるから、刊行物発明の４００Ｗ／ｍ・Ｋの厚さ方向の熱伝導率を、より熱伝導率の高いものとして、上記相違点を構成することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明における効果も上記刊行物及び周知例の記載から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
４．むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物に記載された発明及び周知例の記載に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　　
　よって、結論のとおり審決する。