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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板の上方に第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方に第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜の上方に第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上方に第２の導電膜と、
前記第２の絶縁膜の上方に第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上方に第３の導電膜と、
前記第２の導電膜と前記第３の導電膜とに挟まれた発光層と、
前記第１の基板に対向する第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の絶縁膜は、無機材料を有し、
前記第２の絶縁膜は、有機材料を有し、
前記第３の絶縁膜は、有機材料を有し、
前記第３の絶縁膜は、開口を有し、
前記開口において、前記第２の導電膜と前記発光層とは接する領域を有し、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、除去された領域を有し、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が除去された領域において、前記第１の導電膜と前記第３の導電膜とは接する領域を有し、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が除去された領域は、前記発光層を囲み、
前記第１の基板と、前記第２の基板は、封止する材料によって封止され、
前記封止する材料と前記第１の導電膜とは接する領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記発光装置は、トランジスタを有し、
前記第１の絶縁膜の下方に前記トランジスタを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁膜と前記封止する材料とは接する領域を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する外囲器と、
前記外囲器の内部に配設された電子放出源と、
前記電子放出源から放出された電子の照射により放射線を発生するターゲット部とからなる透過型放射線管であって、
前記ターゲット部を囲み、前記開口部に嵌合して配置され、前記ターゲット部から放出された放射線の一部を遮る遮蔽体を有し、
前記遮蔽体の少なくとも一部が前記外囲器の外部に突出していることを特徴とする放射線発生装置。
【請求項２】
前記透過型放射線管を内部に収納した収納容器と、
前記収納容器と前記透過型放射線管との間に満たされた冷却媒体とを有し、
前記遮蔽体の前記外囲器の外部に突出している部分が、前記冷却媒体に接していることを特徴とする請求項１記載の放射線発生装置。
【請求項３】
前記遮蔽体は、前記ターゲット部に対して前記電子放出源側に配置された第１の遮蔽体と、前記ターゲット部に対して第１の遮蔽体と対向する側に配置された第２の遮蔽体とからなり、
前記第１の遮蔽体は、前記外囲器の内部において前記第１の遮蔽体により形成された第１の通路を有し、
前記第２の遮蔽体は、前記外囲器の外部において前記第２の遮蔽体により形成された第２の通路を有し、
前記電子放出源から放出された電子は、前記第１の通路を通って前記ターゲット部に照射され、
前記ターゲット部から放出された放射線は、前記第２の通路を通って前記外囲器の外部に放射されることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線発生装置。
【請求項４】
前記第２の通路の開口径が、外側に向かって、徐々に大きくなっていることを特徴とする請求項３に記載の放射線発生装置。
【請求項５】
前記第１の通路の開口の中心と前記第２の通路の開口の中心とが同一直線上に配置されるように、前記第１の遮蔽体と前記第２の遮蔽体とが配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の放射線発生装置。
【請求項６】
前記冷却媒体は電気絶縁油であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項７】
前記ターゲット部は、ダイヤモンドの透過基板と、該透過基板の表面に配置されたタングステンのターゲットとからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項８】
前記ターゲット部の電圧を＋（Ｖａ−α）［Ｖ］、前記電子放出源の電圧を−α［Ｖ］、（ただし、Ｖａ＞α＞０）に、それぞれ設定する電圧制御手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の放射線発生装置と、該放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出器と、前記放射線発生装置と前記放射線検出器とを制御する制御部とを備えることを特徴とする放射線撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、開口部を有する外囲器と、
前記外囲器の内部に配設された電子放出源と、
前記電子放出源から放出された電子の照射により放射線を発生するターゲット部とからなる透過型放射線管であって、
前記ターゲット部を囲み、前記開口部に嵌合して配置され、前記ターゲット部から放出された放射線の一部を遮る遮蔽体を有し、
前記遮蔽体の少なくとも一部が前記外囲器の外部に突出していることを特徴とする放射線発生装置を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の主面に配置された活性領域と、前記活性領域内に配置された複数の分離領域と、それぞれの分離領域上に一つずつ配置された抵抗素子と、を備え、前記分離領域は、前記活性領域に完全に囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記分離領域は、前記半導体基板の主面に配置された溝内に埋まった酸化膜からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の分離領域は、その分離領域の長手方向と垂直な方向に、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記抵抗素子は、一定の長さと幅と膜厚で均一に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と、前記半導体基板の主面に配置された複数の分離領域と、それぞれの分離領域上に一つずつ配置された抵抗素子と、前記分離領域を完全に囲むように配置された活性領域と、を備え、前記分離領域は、互いに近接して配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記分離領域は、前記半導体基板の主面に配置された溝内に埋まった酸化膜からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の分離領域は、その分離領域の長手方向と垂直な方向に、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記抵抗素子は、一定の長さと幅と膜厚で均一に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板の表面に形成された所定領域の絶縁膜上に抵抗素子が形成された半導体装置であって、
前記抵抗素子と近接する位置に活性領域を設け、
前記絶縁膜上の前記抵抗素子の下側の前記絶縁膜が前記活性領域によって所定幅に規定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記絶縁膜は、前記半導体基板の主面に配置された溝内に埋まった酸化膜からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記活性領域によって所定幅に規定されている前記絶縁膜の領域は、その領域の長手方向と垂直な方向に、互いに平行に複数配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記抵抗素子は、一定の長さと幅と膜厚で均一に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、該非晶質酸化物は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、及びＳｎ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物のうちのいずれかであり、且つ該第２の工程後に、オゾン、窒素酸化物、水蒸気の少なくともいずれかを含有する雰囲気中において、該第２の工程における該活性層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程、該活性層を備えている該基板に酸素含有プラズマを照射する工程、の少なくともいずれかの工程を行うと共に、製造された該電界効果型トランジスタは、前記非晶質酸化物の電子キャリア濃度は１０1５／cm３以上、１０18／cm３未満であり、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が２ｃｍ２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法は、
基板を用意する第１の工程、及び
該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、該非晶質酸化物は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、及びＳｎ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物のうちのいずれかであり、且つ
該第２の工程後に、
オゾン、窒素酸化物、水蒸気の少なくともいずれかを含有する雰囲気中において、
該第２の工程における該活性層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程、
該活性層を備えている該基板に酸素含有プラズマを照射する工程、
の少なくともいずれかの工程を行うと共に、製造された該電界効果型トランジスタは、前記非晶質酸化物の電子キャリア濃度は１０1５／cm３以上、１０18／cm３未満であり、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が２ｃｍ２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１層以上の繊維基材層及び２層以上の樹脂層を含み、両面の最外層が樹脂層である積層体の硬化物からなる絶縁性基板であって、
前記絶縁性基板に含まれる前記繊維基材層を一面側から順にＣｘ（ｘは１〜ｎで表される整数であり、ｎは繊維基材層の数である。）とし、
前記絶縁性基板の全体厚み（Ｂ３）を前記繊維基材層の数（ｎ）で均等に分割し、分割した各領域の厚み（Ｂ４）をさらに均等に２分割する位置を繊維基材層の基準位置とし、当該各々の基準位置を一面側から順にＡｘ（ｘは１〜ｎで表される整数であり、ｎは繊維基材層の数である。）としたときに、
前記繊維基材層のうち少なくとも１つが、対応する順位の基準位置よりも一面側又は他面側に偏在し、異なる方向に偏在しているものがないことを特徴とする、絶縁性基板。
【請求項２】
前記繊維基材層のうち少なくとも１つが、対応する順位の基準位置よりも一面側に偏在し、
前記偏在する繊維基材層は、
当該繊維基材層の一面側の樹脂充填領域の厚み（Ｂ５）と、
当該繊維基材層の他面側の樹脂充填領域の厚み（Ｂ６）との比（Ｂ５／Ｂ６）が、０．１＜Ｂ５／Ｂ６＜１．２である、請求項１に記載の絶縁性基板。
【請求項３】
前記繊維基材層の数が１つ又は２つである、請求項２に記載の絶縁性基板。
【請求項４】
前記均等に分割された厚みＢ４の各領域内に、それぞれ１つの繊維基材層が存在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の絶縁性基板。
【請求項５】
前記均等に分割された厚みＢ４の各領域のうち少なくとも１つが、１つの繊維基材層を、対応する順位の基準位置よりも一面側に偏在して有し、
前記偏在する繊維基材層は、
当該繊維基材層の一面側の界面から当該繊維基材層が属する厚みＢ４の領域の当該一面側の境界までの距離（Ｂ７）と、
当該繊維基材層の他面側の界面から当該繊維基材層が属する厚みＢ４の領域の当該他面側の境界までの距離（Ｂ８）との比（Ｂ７／Ｂ８）が、０．１＜Ｂ７／Ｂ８＜０．９である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の絶縁性基板。
【請求項６】
前記絶縁性基板が有する繊維基材層のうち、最も前記一面側に位置する繊維基材層が、対応する順位の基準位置よりも前記一面側に偏在して配置されている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の絶縁性基板。
【請求項７】
前記絶縁性基板が有する繊維基材層のうち、最も前記他面側に位置する繊維基材層が、対応する順位の基準位置よりも前記一面側に偏在して配置されている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の絶縁性基板。
【請求項８】
厚みが０．０３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の絶縁性基板。
【請求項９】
プリプレグ１枚のみ又はプリプレグを２枚以上重ね合わせた積層体の硬化物からなる絶
縁性基板において、
繊維基材層の一面に第１樹脂層、他面に第２樹脂層が設けられ、前記第１樹脂層の厚みが前記第２樹脂層の厚みよりも小さい非対称プリプレグを少なくとも１枚含むことを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の絶縁性基板。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の絶縁性基板の少なくとも一面側に金属箔層が設けられていることを特徴とする、金属張積層板。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の絶縁性基板の少なくとも一面に、１層又は２層以上の導体回路層が設けられていることを特徴とする、プリント配線板。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプリント配線板の導体回路層であって、当該プリント配線板に含まれる絶縁性基板において繊維基材層が偏在する方向の面とは反対側の面に設けられた導体回路層上に、半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記プリント配線板に含まれる絶縁性基板が有する繊維基材層のうち、最も一面側に位置する繊維基材層が対応する順位の基準位置よりも前記一面側に偏在して配置されており、
前記半導体素子が、繊維基材層が偏在する方向の面とは反対側の面に設けられた導体回路層上に搭載されている、請求項１１又は１２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月26日(2012.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
前記トランジスタ上の第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上の平坦化膜と、
前記平坦化膜上の第２の窒化シリコン膜と、
前記第２の窒化シリコン膜上の電極と、を有し、
前記電極は、前記第１の窒化シリコン膜に設けられた第１開口部、前記平坦化膜に設けられた第２開口部、及び前記第２の窒化シリコン膜に設けられた第３開口部を介して、前記トランジスタに電気的に接続され、
前記第２の窒化シリコン膜は、前記平坦化膜の前記第２開口部の側面を覆い、
前記第１の窒化シリコン膜は、前記平坦化膜の前記第２開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、
前記トランジスタ上の第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上の第２の窒化シリコン膜と、
前記第２の窒化シリコン膜上の電極と、を有し、
前記電極は、前記第１の窒化シリコン膜に設けられた第１開口部、前記有機樹脂膜に設けられた第２開口部、及び前記第２の窒化シリコン膜に設けられた第３開口部を介して、前記トランジスタに電気的に接続され、
前記第２の窒化シリコン膜は、前記有機樹脂膜の前記第２開口部の側面を覆い、
前記第１の窒化シリコン膜は、前記有機樹脂膜の前記第２開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタと、
前記トランジスタ上の第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上の無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上の第２の窒化シリコン膜と、
前記第２の窒化シリコン膜上の電極と、を有し、
前記電極は、前記第１の窒化シリコン膜に設けられた第１開口部、前記無機絶縁膜に設けられた第２開口部、及び前記第２の窒化シリコン膜に設けられた第３開口部を介して、前記トランジスタに電気的に接続され、
前記第２の窒化シリコン膜は、前記無機絶縁膜の前記第２開口部の側面を覆い、
前記第１の窒化シリコン膜は、前記無機絶縁膜の前記第２開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記無機絶縁膜は、平坦化された無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
ガラス基板と、前記ガラス基板上の下地膜とを有し、
前記下地膜上に前記トランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記トランジスタは、半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一の半導体装置を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一の半導体装置を表示部として有することを特徴とする携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に設けられた溝を備える第1の基板と、第2の基板とを貼り合わせてなり、前記溝と前記第2の基板の前記第1の基盤側表面とで形成される流体回路を内部に有するマイクロチップであって、
前記流体回路は、
検体から遠心分離によって分離された成分を所定量のみ保持する計量部と、
前記計量部で保持された前記成分と第1の試薬とを混合し、第一次混合液を生成する第1混合部と、
前記第1混合液と第2の試薬とを混合し、第二次混合液を生成する第2混合部と、
からなることを特徴とするマイクロチップ。

【請求項２】
前記第1混合部、前記第2混合部の少なくとも１つは、前記第一次混合液、前記第二次混合液の少なくとも1つにおける残渣を分離する残渣分離部を有する請求項１に記載のマイクロチップ。

【請求項３】
前記残渣分離部は、前記マイクロチップに第1の方向に遠心力を印加することで、前記残渣を分離させ、第2の遠心力を印加することで上澄み液のみを前記残渣分離部から流出させることを特徴とする請求項2に記載のマイクロチップ。

【請求項４】
前記第1の方向と前記第二の方向とが形成する内角θは、30〜60度(但しθは90度未満の内角とする)であることを特徴とする請求項３に記載のマイクロチップ。

【請求項５】
前記残渣分離部で分離された前記上澄み液を一定の量計量する第1混合液計量部を更に有することを特徴とする請求項３に記載のマイクロチップ。

【請求項６】
前記第1の試薬を保持するとともに、第3の遠心力によって前記第1試薬が流出する流出口を有する第1試薬保持部を
有することを特徴とする請求項１から請求項５に記載のマイクロチップ。

【請求項７】
前記第1試薬保持部から流出する第1の試薬を所定量に計量するとともに、第4の遠心力によって前記第1試薬を流出させる流出口を有する第1試薬計量部を有することを特徴とする請求項６に記載のマイクロチップ。

【請求項８】
前記第２の試薬を保持するとともに、第3の遠心力によって前記第２の試薬が流出する流出口を有する第２試薬保持部を
有することを特徴とする請求項７に記載のマイクロチップ。

【請求項９】
前記第2試薬保持部から流出した前記第2の試薬を所定量に計量するとともに第4の遠心力によって前記第2の試薬を流出させる流出口を有する第2試薬計量部を
有することを特徴とする請求項８に記載のマイクロチップ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタ上の第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上に設けられた第１のゲート絶縁層と、
前記第１のチャネル形成領域と重畳して、前記第１のゲート絶縁層上に設けられた第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続する第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、を含み、
前記第２のトランジスタは、
絶縁層中に埋め込まれた第２のソース電極、および第２のドレイン電極と、
前記絶縁層表面、前記第２のソース電極表面、および前記第２のドレイン電極表面、の一部と接する第２のチャネル形成領域と、
前記第２のチャネル形成領域を覆う第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記絶縁層表面の一部であって、前記第２のチャネル形成領域と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下であり、
前記絶縁層表面の一部と前記第２のソース電極表面との高低差、または前記絶縁層表面の一部と前記第２のドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上である半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁層表面の一部と前記第２のソース電極表面との高低差、または前記絶縁層表面の一部と前記第２のドレイン電極表面との高低差は、２０ｎｍ以下である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面にソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように絶縁層を形成し、
前記絶縁層の表面に平坦化処理を施して、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を一部に有する平坦化処理が施された絶縁層を形成し、
前記平坦化処理が施された絶縁層に、前記ソース電極および前記ドレイン電極にまで達する開口を形成することで、前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ドレイン電極表面との高低差を５ｎｍ以上とし、
前記平坦化処理が施された絶縁層の表面、前記ソース電極表面、および前記ドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項４】
二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面にソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように絶縁層を形成し、
前記絶縁層の表面に平坦化処理を施して、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を一部に有する平坦化処理が施された絶縁層を形成すると共に、前記ソース電極および前記ドレイン電極を露出させ、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を薄膜化することで、前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ドレイン電極表面との高低差を５ｎｍ以上とし、
前記平坦化処理が施された絶縁層の表面、前記ソース電極表面、および前記ドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ドレイン電極表面との高低差を２０ｎｍ以下とする、請求項３または４に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、前記チャネル形成領域と重畳する、前記第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、前記チャネル形成領域と電気的に接続する第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有する第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタを覆う、表面の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層の表面に第２のソース電極および第２のドレイン電極を形成し、
前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極を覆うように第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面に平坦化処理を施して、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を一部に有する平坦化処理が施された絶縁層を形成し、
前記平坦化処理が施された絶縁層に、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極にまで達する開口を形成することで、前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のドレイン電極表面との高低差を５ｎｍ以上とし、
前記平坦化処理が施された絶縁層の表面、前記第２のソース電極表面、および前記第２のドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆う第２のゲート絶縁層を形成し、
前記第２のゲート絶縁層上に第２のゲート電極を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項７】
チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、前記チャネル形成領域と重畳する、前記第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、前記チャネル形成領域と電気的に接続する第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有する第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタを覆う、表面の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層の表面に第２のソース電極および第２のドレイン電極を形成し、
前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極を覆うように第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面に平坦化処理を施して、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を一部に有する平坦化処理が施された絶縁層を形成すると共に、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極を露出させ、
前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極を薄膜化することで、前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のドレイン電極表面との高低差を５ｎｍ以上とし、
前記平坦化処理が施された絶縁層の表面、前記第２のソース電極表面、および前記第２のドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆う第２のゲート絶縁層を形成し、
前記第２のゲート絶縁層上に第２のゲート電極を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のドレイン電極表面との高低差を２０ｎｍ以下とする、請求項６または７に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサと、
読み出し制御トランジスタを有する読み出し制御回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴体と、
第１カラー帯域の波長範囲内で第１メインピークを発光する第１発光ダイオードと、
前記第１カラー帯域の波長範囲内で第２メインピークを発光する第２発光ダイオードと、
前記胴体の上に、前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードのうちの少なくとも１つと電気的に連結された複数のリード電極と
を備え、
前記第１発光ダイオードの前記第１メインピークと前記第２発光ダイオードの前記第２メインピークとは、前記第１カラー帯域の波長範囲を基準にして少なくとも７５％の波長差を有する、発光素子。
【請求項２】
前記第１発光ダイオードの前記第１メインピークと前記第２発光ダイオードの前記第２メインピークとは、前記第１カラー帯域の波長範囲内で少なくとも１５ｎｍの波長差を有する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１発光ダイオードの前記第１メインピークは、前記第１カラー帯域の中心波長から短波長方向に７．５ｎｍ以上離隔され、
前記第２発光ダイオードの前記第２メインピークは、前記第１カラー帯域の中心波長から長波長方向に７．５ｎｍ以上離隔されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記胴体の上部にキャビティを含み、
前記キャビティには、前記第１発光ダイオード、前記第２発光ダイオード、及び前記複数のリード電極が配置されている、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードをカバーする樹脂物をさらに有する、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項６】
前記樹脂物には、緑色蛍光体、黄色蛍光体、及び赤色蛍光体のうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記発光素子は、前記第１発光ダイオードと前記第２発光ダイオードとの間に配置された第３発光ダイオードをさらに備え、
前記第３発光ダイオードから放出された第３メインピークは、前記第１メインピーク及び前記第２メインピークの合計を平均した値との差が２．５ｎｍ以内である、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードは青色光を発光する、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上に配列された複数の発光素子と
を備え、
前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つは、
胴体と、
第１カラー帯域の波長範囲内で第１メインピークを発光する第１発光ダイオードと、
前記第１カラー帯域の波長範囲内で第２メインピークを発光する第２発光ダイオードと、
前記胴体上に、前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードのうちの少なくとも１つと電気的に連結された複数のリード電極と
を備える第１発光素子であり、
前記第１発光ダイオードの前記第１メインピークと前記第２発光ダイオードの前記第２メインピークとは、前記第１カラー帯域の波長範囲を基準として少なくとも７５％の波長差を有する、ライトユニット。
【請求項１０】
前記第１発光ダイオードの前記第１メインピークと前記第２発光ダイオードの前記第２メインピークとの差が１５ｎｍ以上である、請求項９に記載のライトユニット。
【請求項１１】
前記第１発光ダイオードの前記第１メインピークは４４０〜４４２.５ｎｍの範囲であり、前記第２発光ダイオードの前記第２メインピークは４５７.５〜４６０ｎｍの範囲である、請求項９に記載のライトユニット。
【請求項１２】
前記複数の発光素子のうちの他の発光素子は、前記第１カラー帯域の波長範囲内で７５％未満の差を有する第３発光ダイオード及び第４発光ダイオードを備える第２発光素子である、請求項９に記載のライトユニット。
【請求項１３】
前記第１発光素子と前記第２発光素子との間のピーク波長差は２.５ｎｍ以内である、請求項１２に記載のライトユニット。
【請求項１４】
前記複数の発光素子の間のピーク波長差は２.５ｎｍ以内である、請求項９に記載のライトユニット。
【請求項１５】
前記複数の発光素子の一側に、導光板及び光学シートのうちの少なくとも１つをさらに備える、請求項９に記載のライトユニット。
【請求項１６】
前記発光素子の胴体はキャビティを含み、
前記キャビティには、前記第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び複数のリード電極が配置され、前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードをカバーする樹脂物を有する、請求項９に記載のライトユニット。
【請求項１７】
前記発光素子の光出射側に配置されたレンズをさらに備える、請求項１６に記載のライトユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月19日(2012.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局装置が移動局装置に複数のコンポーネントキャリアを割り当てて、前記コンポーネントキャリアを介して前記基地局装置と前記移動局装置が通信を行なう無線通信システムであって、
前記基地局装置は、
コンポーネントキャリアごとにコンポーネントキャリア設定情報を設定し、
ランダムアクセスに関する情報を含む第１のコンポーネントキャリア設定情報、およびランダムアクセスに関する情報を含まない第２のコンポーネントキャリア設定情報を前記移動局装置に通知し、
前記移動局装置は、
前記第１および第２のコンポーネントキャリア設定情報を受信し、
前記基地局装置から割り当てられた複数のコンポーネントキャリアの中で、前記第１のコンポーネントキャリア設定情報に対応するコンポーネントキャリアでのみランダムアクセスプリアンブルを送信することを特徴する無線通信システム。
【請求項２】
基地局装置から複数のコンポーネントキャリアを割り当てられて、前記コンポーネントキャリアを介して前記基地局装置と通信を行なう移動局装置であって、
前記基地局装置からランダムアクセスに関する情報を含む第１のコンポーネントキャリア設定情報、およびランダムアクセスに関する情報を含まない第２のコンポーネントキャリア設定情報を受信し、
前記基地局装置から割り当てられた複数のコンポーネントキャリアの中で、前記第１のコンポーネントキャリア設定情報に対応するコンポーネントキャリアでのみランダムアクセスプリアンブルを送信すること特徴とする移動局装置。
【請求項３】
移動局装置に複数のコンポーネントキャリアを割り当てて、前記コンポーネントキャリアを介して前記移動局装置と通信する基地局装置であって、
コンポーネントキャリアごとにコンポーネントキャリア設定情報を設定し、
ランダムアクセスに関する情報を含む第１のコンポーネントキャリア設定情報、およびランダムアクセスに関する情報を含まない第２のコンポーネントキャリア設定情報を前記移動局装置に通知することを特徴とする基地局装置。
【請求項４】
基地局装置が移動局装置に複数のコンポーネントキャリアを割り当てて、前記コンポーネントキャリアを介して前記基地局装置と前記移動局装置が通信を行なう無線通信システムに適用されるランダムアクセス方法であって、
前記基地局装置は、
コンポーネントキャリアごとにコンポーネントキャリア設定情報を設定するステップと、
ランダムアクセスに関する情報を含む第１のコンポーネントキャリア設定情報、およびランダムアクセスに関する情報を含まない第２のコンポーネントキャリア設定情報を前記移動局装置に通知するステップとを有し、
前記移動局装置は、
前記第１および第２のコンポーネントキャリア設定情報を受信するステップと、
前記基地局装置から割り当てられた複数のコンポーネントキャリアの中で、前記第１のコンポーネントキャリア設定情報に対応するコンポーネントキャリアでのみランダムアクセスプリアンブルを送信するステップとを有することを特徴とするランダムアクセス方法。
【請求項５】
基地局装置から複数のコンポーネントキャリアを割り当てられて、前記コンポーネントキャリアを介して前記基地局装置と通信を行なう移動局装置に適用されるランダムアクセス方法であって、
前記基地局装置からランダムアクセスに関する情報を含む第１のコンポーネントキャリア設定情報、およびランダムアクセスに関する情報を含まない第２のコンポーネントキャリア設定情報を受信するステップと、
前記基地局装置から割り当てられた複数のコンポーネントキャリアの中で、前記第１のコンポーネントキャリア設定情報に対応するコンポーネントキャリアでのみランダムアクセスプリアンブルを送信するステップとを有すること特徴とするランダムアクセス方法。
【請求項６】
移動局装置に複数のコンポーネントキャリアを割り当てて、前記コンポーネントキャリアを介して前記移動局装置と通信する基地局装置に適用されるランダムアクセス方法であって、
コンポーネントキャリアごとにコンポーネントキャリア設定情報を設定するステップと、
ランダムアクセスに関する情報を含む第１のコンポーネントキャリア設定情報、およびランダムアクセスに関する情報を含まない第２のコンポーネントキャリア設定情報を前記移動局装置に通知するステップとを有することを特徴とするランダムアクセス方法。
【請求項７】
移動局装置に実装されることにより、前記移動局装置に複数の機能を発揮させる集積回路であって、
基地局装置から複数のコンポーネントキャリアを割り当てられて、前記コンポーネントキャリアを介して前記基地局装置と通信を行なう機能と、
前記基地局装置からランダムアクセスに関する情報を含む第１のコンポーネントキャリア設定情報、およびランダムアクセスに関する情報を含まない第２のコンポーネントキャリア設定情報を受信する機能と、
前記基地局装置から割り当てられた複数のコンポーネントキャリアの中で、前記第１のコンポーネントキャリア設定情報に対応するコンポーネントキャリアでのみランダムアクセスプリアンブルを送信する機能と、の一連の機能を、前記移動局装置に発揮させることを特徴とする集積回路。
【請求項８】
基地局装置に実装されることにより、前記基地局装置に複数の機能を発揮させる集積回路であって、
移動局装置に複数のコンポーネントキャリアを割り当てて、前記コンポーネントキャリアを介して前記移動局装置と通信を行なう機能と、
コンポーネントキャリアごとにコンポーネントキャリア設定情報を設定する機能と、
ランダムアクセスに関する情報を含む第１のコンポーネントキャリア設定情報、およびランダムアクセスに関する情報を含まない第２のコンポーネントキャリア設定情報を前記移動局装置に通知する機能と、の一連の機能を、前記基地局装置に発揮させることを特徴とする集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ本体の底面から突出するように設けられ且つ車両パネルに形成された取付孔を前記車両パネルの表面側から貫通した雄ネジに対して、前記車両パネルの裏面側から螺着されるアンテナの取付具であって、
前記雄ネジに螺合するナット部と、
当該ナット部をそのネジ孔の軸を中心として回転のみ自在に保持するとともに、当該ナットの外縁よりも外側における当該ネジ孔を取り囲む複数の位置に、前記ナット部の上面よりも上方へ突出した先鋭な先端形状を有する突起片を夫々有するベース部と
を備える特徴とするアンテナの取付具。
【請求項２】
前記ベース部は、前記ナット部のネジ孔に連通する貫通孔を備えた板である
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナの取付具。
【請求項３】
前記各突起片は、前記板の縁に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナの取付具。
【請求項４】
前記板における前記貫通孔が形成され且つ前記ナット部を回転のみ自在に保持する部分が、前記ナット側に凹んだ円筒状に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナの取付具。
【請求項５】
前記板における前記ナット側に凹んだ円筒状部分の縁に、前記突起片と同じ方向に突出した先鋭な先端形状を有する突起片を更に有する
ことを特徴とする請求項４記載のアンテナの取付具。
【請求項６】
前記板における前記ナット側に凹んだ円筒状部分の周囲に長孔が形成されている
ことを特徴とする請求項４記載のアンテナの取付具。
【請求項７】
前記ベースにおける前記ナット部を保持している部分と前記突起片との間に孔が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナの取付具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のアンテナの取付具は、アンテナ本体の底面から突出するように設けられ且つ車両パネルに形成された取付孔を前記車両パネルの表面側から貫通した雄ネジに対して、前記車両パネルの裏面側から螺着されるアンテナの取付具であって、前記雄ネジに螺合するナット部と、当該ナット部をそのネジ孔の軸を中心として回転のみ自在に保持するとともに、当該ナットの外縁よりも外側における当該ネジ孔を取り囲む複数の位置に、前記ナット部の上面よりも上方へ突出した先鋭な先端形状を有する突起片を夫々有するベース部とを備えることを最も主要な特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前後にレーザ光を透過させるウィンドウを有するレーザチャンバと、前記レーザチャンバに接続された前記ウィンドウおよびレーザ光路を覆う容器と、前記レーザチャンバと前記容器を収納する筺体とを備え、前記容器内のガスを前記筺体内に排出する紫外線ガスレーザ装置において、
前記容器に接続され当該容器内のパージガスを前記筐体内に配置された放出端より前記筐体内に放出するパージ用回路と、
前記レーザチャンバに接続され当該レーザチャンバ内のレーザガスを前記筐体内に配置された排出口より前記筐体内に排出するレーザガス排気用回路と、
前記レーザチャンバ内部のガス圧を検知するガス圧センサと、
前記ガス圧センサで検知される前記レーザチャンバ内部のガス圧が低下したことに応じて、前記パージ用回路の前記放出端よりガスが前記筐体内に放出されることを遮断する遮断機構とを備え、
前記容器および前記レーザチャンバから排出されるガスのうち所定のガス成分を捕獲するフィルタを前記パージ用回路および前記レーザガス排気用回路に設けたことを特徴とする紫外線ガスレーザ装置。
【請求項２】
前記パージ用回路と前記レーザガス排気用回路が前記フィルタを共有することを特徴とする請求項１記載の紫外線ガスレーザ装置。
【請求項３】
前記パージ用回路に前記フィルタを設けるとともに、前記レーザガス排気用回路に、前記パージ用回路に設けられたフィルタとは別に、前記所定のガス成分を捕獲するフィルタが設けられることを特徴とする請求項１記載の紫外線ガスレーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011211234.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011211234.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザガスを封入するレーザチャンバと、
該レーザチャンバ内に配置されレーザ光の発振を可能とする放電を得るための一対の主放電電極と、
前記一対の主放電電極間にレーザガス流を作り出す貫流ファンと、
該貫流ファンに対して回転動力を与えるモータと、
からなる放電励起エキシマレーザ装置において、
該モータの回転数とトルクの積により定義される出力は、該モータの出力限界内であり、かつ、該レーザチャンバ内のレーザガス圧力に応じて該貫流ファンの回転数を変化させることを特徴とする放電励起エキシマレーザ装置。
【請求項２】
レーザガス圧力が高いほど、貫流ファンの回転数を低下させることを特徴とする請求項１に記載の放電励起エキシマレーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記問題点を解決するために、請求項１に係る発明は、レーザガスを封入するレーザチャンバと、該レーザチャンバ内に配置されレーザ光の発振を可能とする放電を得るための一対の主放電電極と、前記一対の主放電電極間にレーザガス流を作り出す貫流ファンと、該貫流ファンに対して回転動力を与えるモータと、からなる放電励起エキシマレーザ装置において、該モータの回転数とトルクの積により定義される出力は、該モータの出力限界内であり、かつ、該レーザチャンバ内のレーザガス圧力に応じて該貫流ファンの回転数を変化させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の放電励起エキシマレーザ装置において、レーザガス圧力が高いほど、貫流ファンの回転数を低下させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
以上のような設定を行うために、本発明の放電励起エキシマレーザ装置では、レーザチャンバ１０１内のガス圧力センサ１２１によってレーザガス圧を検出する。そして、ガス圧力センサ１２１から出力されるレーザガス圧力検出信号はコントローラー１３０に入力される。コントローラー１３０は、入力されたレーザガス圧力検出信号によって、レーザチャンバ１０１内のガス圧力を判別し、これに応じて、モータ１１２を所定の回転数で回転させるための駆動用交流電圧をインバータ１３１に発生させる速度指令信号を発信する。すなわち、図４（Ｂ）の例においては、（ガス圧力Ｐ0）と（ガス圧力Ｐ1）との間のガス圧力が検出されると、コントローラー１３０かからは、モータ１１２を回転数Ｒa［ｒｐｍ］から、回転数Ｒ3［ｒｐｍ］とするような速度指令信号がインバータ１３１に入力される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、図４（Ｃ）の例においては、（ガス圧力Ｐ0）から（ガス圧力Ｐ3）までの変化が検出されるに応じて、コントローラー１３０からは、モータ１１２を回転数Ｒa［ｒｐｍ］から、回転数Ｒ3［ｒｐｍ］まで漸減するような速度指令信号がインバータ１３１に入力される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、及び発光層を含み、前記発光層が前記陽極と陰極の間に配置されており、且つ前記発光層が芳香族リガンドを有するリン光性有機金属イリジウム錯体を含む有機発光デバイスであって、この有機発光デバイスに電圧をかけたときに、前記リン光性有機金属イリジウム錯体が、赤、青、又は緑の発光をうみだす、有機発光デバイス。
【請求項２】
前記有機発光デバイスに電圧をかけたときに、前記リン光性有機金属イリジウム錯体が赤色発光をうみだす、請求項１に記載の有機発光デバイス。
【請求項３】
前記有機発光デバイスに電圧をかけたときに、前記リン光性有機金属イリジウム錯体が青色発光をうみだす、請求項１に記載の有機発光デバイス。
【請求項４】
前記有機発光デバイスに電圧をかけたときに、前記リン光性有機金属イリジウム錯体が緑色発光をうみだす、請求項１に記載の有機発光デバイス。
【請求項５】
前記リン光性有機金属イリジウム錯体がリン光性シクロメタル化イリジウム錯体である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
【請求項６】
前記リン光性シクロメタル化イリジウム錯体が、少なくとも１つの金属−窒素結合によって閉じられた環を含む、請求項５に記載の有機発光デバイス。
【請求項７】
前記発光層がさらにホスト材料を含み、前記リン光性有機金属イリジウム錯体が前記ホスト材料中にドーパントとして存在する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光デバイス。
【請求項８】
前記発光層がさらにホスト材料を含み、前記リン光性有機金属イリジウム錯体が前記ホスト材料中にドーパントとして存在する、請求項５に記載の有機発光デバイス。
【請求項９】
前記発光層がさらにホスト材料を含み、前記リン光性有機金属イリジウム錯体が前記ホスト材料中にドーパントとして存在する、請求項６に記載の有機発光デバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機発光デバイスを含む装置であって、ディスプレイ、ビヒクル、コンピューター、テレビ、プリンター、壁、劇場、スタジアムスクリーン、ビルボード、および看板からなる群から選択される装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板を準備する工程と、
前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、アノード電極、及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、
前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のａ軸の方向に前記基板生産物の第１の面を部分的にスクライブすることによって、複数のスクライブ溝を前記第１の面に設ける工程と、
前記基板生産物の第２の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
前記レーザバーの端面を加工した後に、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のａ軸に交差する方向に延びており前記複数のスクライブ溝のそれぞれを通る切断面に沿って前記加工後のレーザバーを切断して、この加工後のレーザバーから複数の前記ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の分離を行う工程と
を備え、
前記第１の面は前記第２の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第１の面と前記基板との間に位置し、
前記レーザバーは、前記第１の面から前記第２の面にまで延在し前記分離により形成された第１及び第２の端面を有し、
前記第１及び第２の端面は当該ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、
前記アノード電極及びカソード電極は、前記レーザ構造体上に形成され、
前記半導体領域は、第１導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第１のクラッド層と、第２導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第１のクラッド層、前記第２のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記基板の前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｃ軸は、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｍ軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ＡＬＰＨＡで傾斜しており、
前記第１及び第２の端面は、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｍ軸及び前記法線軸によって規定されるｍ−ｎ面に交差しており、
前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、
前記スクライブにより複数のスクライブ溝が前記第１の面に形成され、
前記スクライブ溝の側壁面に含まれており前記スクライブ溝の一の端部において前記第１の面に接続する第１の部分は、前記第１の面に対し４５度以上８５度以下の範囲内にある第１の傾斜角度の勾配で傾斜し、当該側壁面に含まれており当該スクライブ溝の他の端部において前記第１の面に接続する第２の部分は、前記第１の面に対し１０度以上３０度以下の範囲内にある第２の傾斜角度の勾配で傾斜しており、
前記スクライブ溝の前記一の端部から前記他の端部に向かう方向は、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体のｃ軸を前記半極性主面に投影した方向と交差する方向であり、
前記別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程では、前記スクライブ溝の前記一の端部から前記他の端部に向かう方向に、前記レーザバーの分離が進行され、
前記スクライブ溝の底壁面から、前記底壁面上において前記第１の面に沿って前記第１の面から延びる仮想面までの距離を、前記第１の面から前記第２の面までの距離で割った商は、０．０５以上０．４以下の範囲内にあり、
隣り合う並列する二つの前記切断面の間にある前記スクライブ溝の前記一の端部又は前記他の端部から、当該二つの切断面の間の中心面までの距離は、３０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、
前記角度ＡＬＰＨＡは、４５度以上８０度以下又は１００度以上１３５度以下の範囲内にある、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記基板生産物を形成する前記工程において、前記基板は、前記基板の厚さが４００μｍ以下になるようにスライス又は研削といった加工が施され、
前記第２の面は前記加工により形成された加工面、又は前記加工面の上に形成された電極を含む面である、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項３】
前記基板生産物を形成する前記工程において、前記基板は、前記基板の厚さが５０μｍ以上１００μｍ以下になるように研磨され、
前記第２の面は前記研磨により形成された研磨面、又は前記研磨面の上に形成された電極を含む面である、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載された方法。
【請求項４】
前記基板は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載された方法。