【事件の表示】
　平成１０年特許願第１８８３６１号「太陽電池セル及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月２１日出願公開、特開２０００−　２２１８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年７月３日に出願された特許出願であって、平成１６年４月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において、平成１８年８月１８日付で拒絶理由を通知したところ、同年１０月２０日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】 基板の受光面側の片面に凹凸が形成された結晶基板を用いた太陽電池セルにおいて、該結晶基板の厚さが４０μｍ以上１１０μｍ以下であり、該凹凸の深さが２５μｍ以上であり、前記基板の受光面側に第１の拡散層、前記受光面の基板裏面側に第１の拡散層と反対のタイプの第２の拡散層を備えることを特徴とする太陽電池セル。」
　　
２．引用例
　当審における拒絶理由に引用された特開平２−１１８０公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　ａ．「【産業上の利用分野】
　本発明は光電変換素子及び光電変換装置に係り、特に薄型化した光電変換素子及びこれに伴なう光電変換効率の向上及び軽量化した光電変換装置に関する。」（３頁左下欄１３〜末行）
　ｂ．「【従来の技術】
　従来の光電変換素子は、Ｓｏｌａｒ　Ｃｅ１ｌｓ，１７（１９８６）ｐ．７５〜８３に示されているように、光電変換素子の表面又は裏面に形成された、該素子の厚みに比べて比較的凹凸の小さいＶ字形溝構造等の表面又は裏面凹凸及び表面又は裏面に形成された電極などの構造物を除いて、はぼ平板状の断面形状をしている。
　光電変換素子の厚みを薄くすることにより変換効率の向上及び素子の軽量化が図れることはよく知られている。
【発明が解決しようとする課題】
　上記従来技術は該光電変換素子の厚みが小さくなった場合の該素子の機械的強度について配慮されておらず、大面積の素子を作ることが困難である。
　本発明の目的は該光電変換素子の厚みを小さくしても機械的強度がそこなわれない構造を提供することにある。
　本発明の他の目的は該光電変換素子の厚みを小さくしても入射光を十分に吸収することができる光電変換素子及び光電変換装置の構造を提供する事にある。
　本発明の他の目的は、光電変換効率の高い光電変換素子を提供することにある。
　本発明の他の目的は、機械的強度が強く、光電変換効率の高い光電変換素子を高精度でしかも再現性よく製造することのできる方法を提供することにある。」（３頁右下欄１行〜４頁左上欄９行）
　ｃ．「【課題を解決するための手段】
　上記目的は、
該光電変換素子の表面及び裏面の両方又は一方に、該光電変換素子の厚みと同程度からその１／３程度の深さの溝を形成する
　さらに、波板状を有する光電変換素子の光入射面の反対側面すなわち該光電変換素子の裏面に、該光電変換素子に対して斜め方向に光を乱反射するための光乱反射構造を有する光電変換素子及び光電変換装置の構造を採用することにより達成される。」（４頁左上欄１０行〜同頁右上欄５行）
　ｄ．「【作用】
　図面を用いて上記手段を説明する。
　第１図に該光電変換素子の形成に用いる半導体基板１の断面を示す。該基板表面に形成された溝構造の凸部は、裏面に形成された溝構造の凹部と上下にほぼ重なるように形成されている。これにより該基板１の厚みａに対して実質的な厚みｂを小さくすることが出来る。これにより第２図に示す構造で基板の厚みａを同じくした場合に比べて実質的な基板の厚みを小さくすることができる。
　
この溝の深さは、該基板１の厚みａの１／３以上とすることか望ましい
　ｅ．「
また、第９，１０図に示すように該溝構造が表面又は裏面の一方にのみ形成されている場合についても上記と同様のことが言える
　ｆ．「上記光電変換素子及び変換装置は、特に高効率を必要とする光電変換素子又は装置や、軽量化が必要な宇宙用への応用に有効である。また、該光電変換素子は薄形であるため、放射線劣化も少なくなる。」（５頁右上欄８〜１２行）
　ｇ．「また、第１９図に示すように、
板状の基板１０を第１半導体で形成し、その表面を例えばｎ
＋
層から成る第２の半導体２０で覆い、その裏面を例えばｐ
＋
層から成る第３の半導体３０で覆う
　ｈ．「実施例１
　第３４図に光電変換素子の一実施例を示す。基板１には表面の面指数（１００）を持ち、比抵抗が０．２Ω・ｃｍで、
厚さが２５０μｍのｐ型Ｓｉ基板を用い
　その後ＫＯＨ液を用いて異方性エツチングを行い、該酸化膜で覆われていない部分に（１１１）表面を持ち、その相対する面のなす角度６が約７０°となる溝構造を形成した。溝のピッチは約２４０μｍとすることにより、該素子の実質的な厚みを約５０μｍとした。」（９頁右上欄３〜２０行）
　　
　上記ａ〜ｈによれば、引用例１には、
「ｐ型Ｓｉ基板表面に、基板の厚みの１／３以上の深さの溝を形成するとともに、その表面をｎ＋層から成る第２の半導体で覆い、その裏面を例えばｐ＋層から成る第３の半導体で覆う構造の光電変換素子。」
との事項が記載されていると認めることができる（以下、「引用例１発明」という。）。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを以下に対比する。
　
　引用例１発明の「ｐ型Ｓｉ基板表面に、基板の厚みの１／３以上の深さの溝を形成」、「第２の半導体」、「第３の半導体」および「光電変換素子」は、それぞれ本願発明の「基板の受光面側の片面に凹凸が形成された結晶基板」、「第１の拡散層」、「第２の拡散層」および「太陽電池セル」に相当するから、
両者は、
「 基板の受光面側の片面に凹凸が形成された結晶基板を用いた太陽電池セルにおいて、前記基板の受光面側に第１の拡散層、前記受光面の基板裏面側に第１の拡散層と反対のタイプの第２の拡散層を備える太陽電池セル。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
　[相違点１］
　本願発明は、「結晶基板の厚さが４０μｍ以上１１０μｍ以下」であるのに対し、引用例１発明では、特に結晶基板の厚さを規定していない点。
　
　[相違点２]
　本願発明は、「凹凸の深さが２５μｍ以上」であるのに対し、引用例１発明は、「基板の厚みの１／３以上の深さ」であるが、特に深さの具体的数値を明示しているわけではない点。
　　
４．判断
　[相違点１］について
　引用例１の実施例１には、「厚さが２５０μｍのｐ型Ｓｉ基板を用い」（上記ｈ）と記載されているが、引用例１には、これ以外に基板厚さの具体的数値に関する記述は見当たらず、むしろ、「本発明は光電変換素子及び光電変換装置に係り、
特に薄型化した
厚みを薄くする
厚みを小さくして
　そこで、太陽電池セルの基板厚さについて検討すると、当審の拒絶理由に引用した特開平５−２３５３８５号公報には、「セルの厚さを６０μｍ以上でかつ１５０μｍ以下とした」（【請求項１】）との、また、原審の拒絶査定に引用した特開平９−２０５２２１号公報には、「Ｐ型シリコン基板４１の厚さが５０〜２００μｍである・・・」（段落【０００６】、なお、上記記載は、表面が平坦な基板に関するが、上記公報の趣旨からみて表面に凹凸構造を有する基板にも適用可能であることは明らかである。）との教示があり、さらに本願発明の明細書には、従来の技術に関して「厚さｄ１が５０〜２００μｍとなるまで削り、基板１とする（図１０（ａ））。この厚さは、後の工程の複雑さや要求される太陽電池セルの特性によって決定される。」（段落【０００６】）と記載されていることなどからみて、本願発明の「結晶基板の厚さが４０μｍ以上１１０μｍ以下」なる事項が格別のものとはいえず、上記周知の基板厚さの範囲から適宜選択可能な事項であるということができる。
　それゆえ、相違点１は、引用例１発明および上記周知技術に基づき、当業者が容易になし得たことである。
　
　[相違点２］について
　引用例１発明の凹凸の深さは基板厚さの１／３以上なのであるから、少なくとも厚さが７５μｍ以上の基板に対し引用例１発明を適用すれば、凹凸の深さは２５μｍ以上となり、結果的に本願発明の相違点２に係る事項を充足することになる。
　また、相違点１についての上記判断で述べたように、引用例１発明を基板厚さ５０〜２００μｍのものに適用することが容易であるところ、そのうち基板厚さが７５〜１１０μｍの範囲のものについては、同時に本願発明の相違点２に係る事項を充足することが明らかであるから、結局、相違点２は、相違点１と同様、引用例１発明および上記周知技術に基づき当業者が容易になし得たことであるといえる。
　
　そして、引用例１に記載された発明は、「光電変換素子の厚みを薄くすることにより変換効率の向上及び素子の軽量化が図れることはよく知られている。」（上記ｂ）という知見のもとに、「光電変換素子の厚みを小さくしても機械的強度がそこなわれない構造」（上記ｂ）、および「光電変換素子の厚みを小さくしても入射光を十分に吸収することができる光電変換素子及び光電変換装置の構造」（上記ｂ）を提供すると同時に「光電変換素子は薄形であるため、放射線劣化も少なくなる。」（上記ｆ）との効果を奏するものであるから、本願発明の作用効果も、引用例１および上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものであるといえる。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。