【事件の表示】
　特願２００５−　４６５７７「窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月　９日出願公開、特開２００６−　６６８６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１７年２月２３日（優先権主張平成１６年４月２日、平成１６年７月３０日）に特許出願され、平成１９年３月１３日、同年１０月２４日、平成２０年４月２日及び同年７月２９日に手続補正がなされたものであるが、この平成２０年７月２９日付けの手続補正は、平成２０年９月２９日付けの補正の却下の決定により却下された。
　したがって、本願の請求項に係る発明は、平成２０年４月２日付け手続補正書の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記窒化物半導体基板の第１の主面である（０００１）面上には、窒化物半導体層が形成されており、
　前記窒化物半導体基板の第２の主面には、（０００−１）面と、該（０００−１）面以外の傾斜面とが露出しており、
　該（０００−１）面以外の傾斜面は、第２の主面のｎ極性を示す面の表面積に対して０．５％以上、２０％以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」　
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願優先日前の平成１６年３月４日に頒布された特開２００４−７１６５７号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体素子、ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法に関する。」
　
イ　「【００５７】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な一実施形態として、剥離しにくく、かつ低抵抗なオーミック電極をＧａＮ基板のＮ面（（０００−１）面）に形成する形態を以下に示す。
【００５８】
Ｇａ面（（０００１）面）上では、電極金属を蒸着する、あるいはそれに加えて熱処理することによって、剥離しにくく低抵抗なｎ電極を容易に形成することが可能であるのに対し、Ｎ面上ではそうしたｎ電極を形成することが困難である。これは、Ｇａ面とＮ面との化学的性質の違いによると考えられる。すなわちＧａ面とＮ面とでは、最表面での原子やボンドの配置が大きく異なっているために、金属との化学的反応性が異なり、電極を接触させたときのポテンシャルプロファイルも異なる。したがって、Ｎ面を用いる限り、金属と窒化物との反応性を高めることは困難である。
【００５９】
そこで本発明者は、ＧａＮ基板の裏面に、ファセット面を有する突起部を設けることにより、部分的にＮ面以外のファセット面を露出させ、金属と窒化物との反応性を高める本発明に至った。
【００６０】
ＧａＮ基板裏面に突起部を形成する方法としては、硫酸、硝酸、リン酸、フッ酸などをエッチャントとして用いるウェットエッチング、ＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ　ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチングなどの手法およびこれらの組み合わせが例示される。これらの手法により凹凸が形成されたＧａＮ基板裏面に電極金属を蒸着することにより、電極金属と基板中の窒化物との反応が促進される。したがって、接触抵抗が低減し電気特性が改善される。ここで、ＧａＮ基板裏面を研磨することにより凹凸を設ける手法では、研磨によるダメージがある程度導入される。そのため、電気特性はある程度改善されるものの、良好な特性までは得られないことになる。
【００６１】
本発明においては、ＧａＮ基板裏面にウェットエッチングやドライエッチングを施すことにより、ファセット面を有する多角錐型あるいは多角錐台型の突起部をＧａＮ基板裏面に多数形成させる。
【００６２】
具体的には、たとえば２００℃に加熱されたリン酸：硫酸＝１：１（体積比）のエッチャントを使用したウェットエッチングによりファセット面を有する六角錐型のピラミッド状突起部をＧａＮ基板裏面に設けることができる。図４〜７は、このエッチャントを使用したウェットエッチングにおけるＧａＮ基板裏面の様子を経時的に示した光学顕微鏡写真であり、図４はエッチング処理前、図５は３分間のエッチング処理後、図６は５分間のエッチング処理後、図７は８分間のエッチング処理後の写真である。エッチング処理の経過時間とともに、六角錐型のピラミッド状突起部のサイズが大きくなり、ピラミッド状突起部の密度が減少していることがわかる。したがって、エッチング処理の時間を制御することにより、ピラミッド状突起部のサイズおよび密度をコントロールすることが可能である。なお、５分間のエッチング処理後のＧａＮ基板裏面の走査型電子顕微鏡写真を図１０に示した。この写真より、六角錐型のピラミッド状突起部が多数生成していることがわかる。」
　
ウ　「【００７３】
【実施例】
（実施例１）
図１を参照して本実施例を説明する。図１は本発明の窒化物半導体レーザ素子の断面構造図である。
【００７４】
ｎ型ＧａＮ基板１０１としては、ＦＩＥＬＯ法（Ａ．　Ｕｓｕｉ他、Ｊｐｎ．Ｊ．　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　３６（１９９７））により作製した厚さ１００μｍのｎ型ＧａＮ（０００１）基板を用いた。この基板のＮ面をメカニカルに研磨し、摂氏２００度に熱したリン酸と硫酸の混合液（リン酸：硫酸＝１：１（体積比））を用い、ｎ型ＧａＮ基板１０１を５分間浸すことによりｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面をウェットエッチングし、六角錐型の突起部１１３を形成した。図６に、ウェットエッチングしたｎ型ＧａＮ基板１０１のＮ面の光学顕微鏡写真を示す。１０μｍ程度のサイズの六角錘型の突起部が高密度に形成されていることがわかる。
【００７５】
また図１１は、上記の条件で得られた六角錐型の突起部の走査線型電子顕微鏡による写真である。この写真より、突起部のファセット面とｎ型ＧａＮ基板の面とのなす角度は約６０度であることが分かる。この突起部は、（１０−１１）面およびこれと等価な面が露出しているものと推察される。
【００７６】
また、ｎ型ＧａＮ基板１０１のＮ面における突起部１１３の占める面積の比率は３０％であり、ｎ型ＧａＮ基板１０１のＮ面における突起部１１３の数は１ｃｍ２あたり約１×１０５個であった。
【００７７】
素子構造の作製には、３００ｈＰａの減圧ＭＯＶＰＥ装置を用いた。キャリアガスには、水素と窒素の混合ガスを用い、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎソースとしてそれぞれトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用いた。また、ｎ型ドーパントにはシラン（ＳｉＨ４）、ｐ型ドーパントにはビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を用いた。
【００７８】
ｎ型ＧａＮ基板１０１を成長装置に投入後、ＮＨ３を供給しながら基板を昇温し、成長温度まで到達した時点で成長を開始した。ｎ型ＧａＮ基板１０１のＧａ面上に、Ｓｉドープｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ（Ｓｉ濃度４×１０１７ｃｍ−３、厚さ１．３μｍ）からなるｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０２、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ（Ｓｉ濃度４×１０１７ｃｍ−３、厚さ０．１μｍ）からなるｎ型ＧａＮ光ガイド層１０３、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５ＮからなるＩｎＧａＮ量子井戸層（厚さ３ｎｍ）とＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９ＮからなるＩｎＧａＮ障壁層（Ｓｉ濃度１×１０１８ｃｍ−３、厚さ５ｎｍ）を交互に３周期積層した多重量子井戸構造活性層１０４、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ（Ｍｇ濃度２×１０１９ｃｍ−３、厚さ１０ｎｍ）からなるｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ（Ｍｇ濃度２×１０１９ｃｍ−３、厚さ０．１μｍ）からなるｐ型ＧａＮ光ガイド層１０６、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ（Ｍｇ濃度１×１０１９ｃｍ−３、厚さ０．７５μｍ）からなるｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ（Ｍｇ濃度１×１０２０ｃｍ−３、厚さ１５ｎｍ）からなるｐ型ＧａＮコンタクト層１０８を順に積層した。
【００７９】
以上のようにして積層した窒化物半導体を成長させた基板を成長装置から取り出し、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８の上に所定の形状のマスクを介して、幅２μｍのストライプ状のＳｉＯ２からなる保護膜を形成した。その後、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０６とｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７との界面付近までドライエッチングによりエッチングを行い、幅２μｍのリッジ構造１１１を作製した。その後、リッジの頭部以外にＳｉＯ２膜１１２を形成した。続いて、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８上にＮｉ１０ｎｍ、Ａｕ１０ｎｍをこの順で蒸着した。次に、突起部１１３の設けられたｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面にＴｉ５ｎｍ、Ａｌ２０ｎｍをこの順で蒸着した。上記試料をＲＴＡ装置に投入し、６００℃３０秒間のアロイを行い、オーミックコンタクトを形成した。さらに基板表面側のＮｉＡｕおよび裏面側のＴｉＡｌ上にＡｕを５００ｎｍ真空蒸着し、ｐ電極１０９およびｎ電極１１０とした。
【００８０】
こうして得られた試料をストライプに垂直な方向にへき開し、ＬＤチップとした。典型的な素子長は５００μｍとした。このレーザ素子に電流注入をしたところ、３０ｍＷの動作電圧は４．５Ｖと非常に良好な電気特性が得られた。このように良好な電気特性が得られたのは、ｎ電極１１０とｎ型ＧａＮ基板１０１との接触が十分に確保されていることに因っていると考えられる。」
　
エ　「【００８８】
（実施例４）
本実施例においては、ＧａＮ基板裏面のＮ面を研磨し、摂氏２００度に熱したリン酸と硫酸の混合液（リン酸：硫酸＝１：１（体積比））を用い、ｎ型ＧａＮ基板１０１を８分間浸すことによりウェットエッチングを行った。その他の素子構造および電極については、上記実施例１と同様にして作製した。」
　
オ　そして【００９８】の表１には、実施例４について、突起部ファセット面と基板面のなす角が６０度であり、突起部の高さが２０μｍであり、突起部の占める面積比が１％であり、１ｃｍ２あたりの突起部数が３×１０３であり、動作電圧（３０ｍＷ）が９．２Ｖであると記載されている。
　
　上記記載のイ及びウを踏まえて、上記エ及びオに記載される（実施例４）についてみれば、引用例には、
「ｎ型ＧａＮ基板１０１のＧａ面（（０００１）面）上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０３、多重量子井戸構造活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８が積層され、前記ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７とｐ型ＧａＮコンタクト層１０８はストライプ状のリッジ構造１１１とされている窒化物半導体レーザ素子であって、
　前記ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面のＮ面（（０００−１）面）には、突起部ファセット面と基板面のなす角が６０度であり、高さが２０μｍの六角錐型のピラミッド状突起部１１３が形成されており、ｎ型ＧａＮ基板１０１のＮ面における突起部の占める面積の比率が１％である窒化物半導体レーザ素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比するに、引用発明と本願発明はともに「窒化物半導体レーザ素子」の発明であって、引用発明の「ｎ型ＧａＮ基板１０１」、「Ｇａ面（（０００１）面）」、「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０３」、「多重量子井戸構造活性層１０４」、「ｐ型ＡｌＧａＮ層１０５、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８」及び「ストライプ状のリッジ構造１１１」がそれぞれ、本願発明の「窒化物半導体基板」、「主面」、「第１導電型の窒化物半導体層」、「活性層」、「第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層」及び「ストライプ状のリッジ部」に相当するから、両者はともに
「窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子」である点で一致する。
　
　また、引用発明において、「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０２」等が積層される「ｎ型ＧａＮ基板１０１」の面は「Ｇａ面（（０００１）面）」であるから、引用発明は、本願発明の「前記窒化物半導体基板の第１の主面である（０００１）面上には、窒化物半導体層が形成されており」との事項を備える。
　
　さらに、引用発明の「ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面」が本願発明の「第２の主面」に相当するところであり、引用発明のこの面はＮ面（（０００−１）面）であり、引用発明のこの面には突起部が形成され、この突起部の「ファセット面」が本願発明の「（０００−１）面以外の傾斜面」に相当するから、引用発明は、本願発明の「前記窒化物半導体基板の第２の主面には、（０００−１）面と、該（０００−１）面以外の傾斜面とが露出しており」との事項を備える。
　
　次に、本願発明の「該（０００−１）面以外の傾斜面は、第２の主面のｎ極性を示す面の表面積に対して０．５％以上、２０％以下である」との発明特定事項について検討するに、「傾斜面は、…２０％以下である」との文は主語と述語の関係が明瞭でなく、また、「第２の主面のｎ極性を示す面の表面積」の意味するところも必ずしも明瞭とはいえないが、請求人の審判請求書【請求の理由】３．３）（イ）における主張によれば、「ｎ極性を示す面」とは「（０００−１）面」のことであり、上記発明特定事項は「傾斜面の表面積が（０００−１）面の表面積の０．５％以上、２０％以下である」ことを意味するものと考えられるところである。
　そこで、引用発明について検討するに、引用発明は、請求人が審判請求書で主張するように、基板裏面の総面積に対する突起部の底部の面積の面積比が１％のものと考えられるから、基板裏面の総面積を１００とすれば、突起部の底部の面積は１であり、（０００−１）面の表面積は９９である。
　ここで、引用発明の突起部は、突起部ファセット面と基板面のなす角が６０度の六角錐型のピラミッド状突起部であり、引用発明における傾斜面の表面積は六角錐のファセット面の面積であるところ、このファセット面と基板面のなす角が６０度であるから、引用発明の突起部ファセット面の面積は突起部の底部の面積の２倍であることが理解される。
　してみれば、引用発明において、傾斜面の表面積が２であり、（０００−１）面の表面積が９９であるから、本願発明でいう「（０００−１）面以外の傾斜面」と「ｎ極性を示す面」の表面積の割合は、２÷９９≒２．０２％であり、上記発明特定事項が規定する０．５％以上、２０％以下であることが明らかである。
　したがって、引用発明は、本願発明の上記「該（０００−１）面以外の傾斜面は、第２の主面のｎ極性を示す面の表面積に対して０．５％以上、２０％以下である」との事項を備えるものであるといえる。
　　
　以上のとおりであって、本願発明と引用発明に格別の相違はなく、両者は同一の発明である。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。