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　特願２００２−１０３２２２「チップサイズパッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月２５日出願公開、特開２００２−３１３９８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年８月３０日に出願した特願平７−２２１７６０号の一部を平成１４年４月５日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜１４に係る発明は、平成１６年９月１６日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】
（ａ）四辺に囲まれた表面を有する半導体チップと、
（ｂ）前記四辺の各々に沿って前記半導体チップの表面に形成された複数の電極と、
（ｃ）前記半導体チップの表面を覆う樹脂と、
（ｄ）前記複数の電極の各々に電気的に接続され、前記複数の電極の形成された位置とは異なる前記半導体チップの表面の中央側で、前記四辺に沿った複数の電極が外部との電気的接続をとるために、前記樹脂上に形成された複数の配線とを有し、
　前記複数の配線は互いに重ならないように配置されていることを特徴とするチップサイズパッケージ。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した特開平５−２１８０４２号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
（１ａ）「【０００８】本発明は、・・・半導体装置の熱膨張係数と熱膨張係数が異なる実装用基板に、フリップチップ接続（実装）した場合でも、その後の熱ストレスにより電極バンプ部での破損，破断現象などが全面的に回避され、かつすぐれた放熱性を呈し、信頼性の高い機能を保持・発揮する半導体装置の提供を目的とする。
　【０００９】【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の主面に形成された半導体素子領域と、前記各半導体素子領域に対応して半導体素子領域の外周囲に配列された第１のボンディングパッドと、前記第１のボンディングパッド面を露出させ少なくとも半導体素子領域面を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜上に第１のボンディングパッドと対応して第１のボンディングパッドよりも内側に形設された第２のボンディングパッドと、前記第２のボンディングパッド面上に設けられたバンプ電極と、前記第１のボンディングパッドに一端が接続し第２のボンディングパッドに他端が接続して絶縁膜領域に配設された配線とを具備して成り、前記第２のボンディングパッドの面積が、第１のボンディングパッドの面積よりも大きく設定されていることを特徴とする。
　【００１０】上記の構成において、絶縁膜上に形設された第２のボンディングパッド数は、第１のボンディングパッド数に対応しており、第１のボンディングパッドが配置された領域よりも内側領域に、任意のピッチや位置に形設・配置されるが、その形設・配置はたとえば縦横複数列など格子状の規則的な配置が望ましい。」
　
（１ｂ）「【００１４】【実施例】・・・
　【００１５】図２は本発明に係る半導体装置９の構成例を平面的に示したもので、９′は半導体基板、９ａは前記半導体基板９′面に形設された半導体素子領域、８は前記半導体基板９′面の半導体素子領域９ａが形設された領域の外側に配置された第１のボンディングパッド、１３は前記半導体素子領域９ａ面上に配線１２を備えた図示されていない絶縁層を介して表面に設けられた第２のボンディングパッド１１面上に積層して配置された電極バンプである。そして、この図からも分かるように、前記第１のボンディングパッド８は第２のボンディングパッド１１にそれぞれ対応しており、前記絶縁層に単層もしくは多層的に絶縁して配置された配線１２によって電気的に接続した構成を成している。
　【００１６】次にこのような構成を成す半導体装置９の製造方法について、その実施態様を断面的に示す図３〜図１１を参照して説明する。
　【００１７】先ず、所要の半導体領域９ａが所定面に形設された半導体基板９′を用意し、前記半導体領域９ａの各半導体素子を接続する所要の配線，半導体領域９ａの外周部への対応する第１ボンディングパッド８形成，パッシベーション膜１４の形成を行う。その後、前記パッシベーション膜１４上に、たとえばポリイミド前駆体・・・をスピンコートし、・・・前記第１ボンディングパッド８面を開口・露出させてから、・・・ポリイミド前駆体・・・膜をイミド化させて第１の絶縁層１０ａを形成する（図３）。
　【００１８】次に、前記形成した第１の絶縁層１０ａ面上に、・・・配線１２を形成する（図４）。
　【００１９】前記配線１２を形成した上に、前記の第１の絶縁層１０ａを形成する手段に準じて、第２の絶縁層１０ｂを形成する。この第２の絶縁層１０ｂ形成に当たっては、前記配線１２にそれぞれ接続する形で、所要のスルホールを形成する。しかる後、この第２の絶縁層１０ｂ面上に、前記配線１２を形成する手段に準じて、・・・第２の配線パターン１２′を形成する（図５）。
　【００２０】次いで、前記第２の配線パターン１２′形成面上に、前記の第１の絶縁層１０ａを形成する手段に準じて、第３の絶縁層１０ｃを形成する。この第３の絶縁層１０ｃ形成に当たっては、前記半導体領域９ａ面上に位置する領域で、第２の配線パターン１２′の少なくとも一部がそれぞれ露出する形に（第２のボンディングパッド１１を成す）スルホールを形成する（図６）。
　【００２１】前記第２のボンディングパッド１１面を、・・・露出させて第３の絶縁層１０ｃを設けた後、この第３の絶縁層１０ｃ面上に、Ｃｕ／Ｔｉ層１５を蒸着法によって全面的に被着・形成してから（図７）、・・・前記第２のボンディングパッド１１面に対応するＣｕ／Ｔｉ層１５領域を・・・露出させる（図８）。
　【００２２】・・・
　【００２３】その後、・・・電極バンプ１３を形成する（図９）。
　【００２４】上記により第２のボンディングパッド（領域）１１面上に、・・・電極バンプ１３を形成した後、・・・レジスト層１６を除去してから（図１０）、・・・前記Ｔｉ／Ｃｕ　層１５中のＣｕ層をエッチング除去後、・・・Ｔｉ層をエッチング除去することによって、所望の半導体装置９を得ることができる（図１１）。」
　
（１ｃ）「【００３１】【発明の効果】本発明に係る半導体装置においては、第１のボンディングパッドが配置された領域よりも内側で、かつ所要の半導体素子領域が形成されている領域面上の絶縁層上に、露出して第２のボンディングパッドが配置され、これらは前記絶縁層および層間絶縁層を介して、たとえば多層的に配設された配線で接続されている。つまり、実装用基板面にフェースダウンで実装・接続される電極バンプは、半導体素子領域が形成されている領域面上に配置された構成を成している。したがって、実装用基板面に対する接続に関与する領域面（接続に要する実効面積）が低減された形となる。換言すると、半導体装置に加わる実効的な熱膨張も小さくなるので、実装用基板および半導体装置の熱膨張係数の相違に起因する電極バンプに加わるストレスも軽減され、もって熱ストレスに対する信頼性の向上が図られる。」
　
（１ｄ）図２には、四辺に囲まれた表面を有し半導体素子領域９ａを形設する半導体基板９′と、該半導体基板９′の四辺の各々に沿って、半導体基板９′の表面に複数の第１のボンディングパッド８が形成され、半導体基板９′の中央側には、外部との電気的接続をとるための複数の第２のボンディングパッド１１が形成され、さらに、第１のボンディングパッド８と第２のボンディングパッド１１との間には各々のボンディングパッドを電気的に接続する複数の配線１２が形成され、各々の配線の一部は平面的に互いに重なっていることが示されている。
　
３．当審の判断
３−１．刊行物に記載の発明
　上記摘記事項（１ｂ）の段落【００１５】の記載、及び摘記事項（１ｄ）からみて、刊行物記載の半導体装置は、四辺に囲まれた表面を有し半導体素子領域を形設する半導体基板と、該半導体基板の四辺の各々に沿って、半導体基板の表面に複数の第１のボンディングパッドが形成され、半導体基板の中央側には、外部との電気的接続をとるための複数の第２のボンディングパッドが形成され、さらに、第１のボンディングパッドと第２のボンディングパッドとの間には各々のボンディングパッドを電気的に接続する四辺に沿った複数の配線が形成され、各々の配線の一部は平面的に見て互いに重なっていることが理解できる。
　そして、上記のように配線が平面的に見て互いに重なる場合には、各々の配線が接触しないように多層的に絶縁して配置する必要があることは当然である（なお、配線を多層的に配設する場合には層間絶縁膜を介して配設することが、摘記事項（１ｃ）に記載されている。）。
　更に、摘記事項（１ｂ）の段落【００１７】〜段落【００２４】の記載によれば、該配線の構造は、半導体基板上に第１のボンディングパッド、パッシベーション膜を形成し、このパッシベーション膜上にポリイミド前駆体膜をイミド化させた第１の絶縁層が覆い（段落【００１７】）、第１の絶縁層面上に、第１のボンディングパッドから外部との電気的接続をとるための配線を形成し（段落【００１８】）、該配線を形成した上に、第１の絶縁層を形成する手段に準じて形成した第２の絶縁層が覆い、この第２の絶縁層上に、該配線と電気的接続をとるとともに、外部との電気的接続をとるための第２の配線パターンが形成され（段落【００１９】）、第２の配線パターン上を含めて第２の絶縁層上を覆い第１の絶縁層を形成する手段に準じた第３の絶縁層を形成し（段落【００２０】）、該第３の絶縁層に形成したスルホールに電極バンプが形成されていること（段落【００２３】）が理解できる。
　
　そうすると、刊行物には、「四辺に囲まれた表面を有し半導体素子領域を形設する半導体基板と、該半導体基板の四辺の各々に沿って、半導体基板の表面に形成された複数の第１のボンディングパッドと、半導体基板の表面を覆うポリイミドからなる第１の絶縁層と、複数の第１のボンディングパッドの各々に電気的に接続され、複数の第１のボンディングパッドが形成された位置とは異なる半導体基板の中央側に向けて、前記複数の第１のボンディングパッドが外部との電気的接続をとるために、前記第１の絶縁層上に形成された複数の配線と、前記複数の配線及び第１の絶縁層を覆うポリイミドからなる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に形成された複数の第２の配線パターンと、前記複数の第２の配線パターン及び第２の絶縁層を覆うポリイミドからなる第３の絶縁層とを有し、平面的に見て互いに重なる各々の配線が接触しないように多層的に絶縁して配置される半導体装置。」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「半導体素子領域を形設する半導体基板」、「第１のボンディングパッド」、及び「ポリイミドからなる第１の絶縁層」は、本願発明１の「半導体チップ」、「電極」、及び「樹脂」に相当するから、
　両者は、「（ａ）四辺に囲まれた表面を有する半導体チップと、（ｂ）前記四辺の各々に沿って前記半導体チップの表面に形成された複数の電極と、（ｃ）前記半導体チップの表面を覆う樹脂と、（ｄ）前記複数の電極の各々に電気的に接続され、前記複数の電極の形成された位置とは異なる前記半導体チップの表面の中央側で、前記樹脂上に形成された複数の配線とを有するチップサイズパッケージ。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願発明１は、樹脂上に形成された複数の配線により、四辺に沿った複数の電極が外部との電気的接続をとるようにしているのに対し、刊行物発明は、さらに、複数の配線及び第１の絶縁層を覆うポリイミドからなる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に形成された複数の第２の配線パターンと、前記複数の第２の配線パターン及び第２の絶縁層を覆うポリイミドからなる第３の絶縁層とを有し、複数の配線と複数の第２の配線パターンにより外部との電気的接続をとるようにしている点。
　相違点２：本願発明１の複数の配線は互いに重ならないように配置されているのに対し、刊行物発明は、平面的に見て互いに重なる複数の配線が接触しないように多層的に絶縁して配置されている点。
　
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
（１）相違点１について
　ここで、相違点１は、いいかえると、本願発明１は、樹脂上に形成された複数の配線により、複数の電極が外部との電気的接続をとるようにしているのに対し、刊行物発明は、多層の樹脂絶縁層、配線層を介して、四辺に沿った複数の電極が外部との電気的接続をとるようにしている点、といえる。
　そして、半導体チップの電極と外部との電気的接続を単層の配線層を介して接続することは、刊行物の摘記事項（１ｂ）の段落【００１５】に、配線が、「絶縁層に単層もしくは多層的に絶縁し配置され」て電気的に接続した構成が記載されているだけでなく、従来から周知のことである（特開昭６３−７２１４３号公報の図１、特開平６−３０２６０４号公報の図７０参照。）。
　そうすると、刊行物発明において、ポリイミドからなる第１の絶縁層上の複数の配線で外部との電気的接続をとるようにすることは設計上のことであり、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
（２）相違点２について
　上記相違点１で述べたとおり、ポリイミドからなる第１の絶縁層上の四辺に沿った複数の配線で外部との電気的接続をとるようにすることが、当業者ならば容易に想到し得ることであって、その場合には、複数の配線は互いに重ならないように、すなわち電気的に接触しないように配置しなければならないことは自明の事項である。
　
　そして、本願発明１の奏する効果も刊行物１の記載及び周知の技術から予測できる程度のもので格別顕著なものとも認められない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜１４に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。