【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法であって、
二回の露光によるパターニングプロセスによって、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程と、
少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行い、測定された電気的特性が前記所定位置関係に合わない場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が不合格であると確定し、電気的特性が前記所定位置関係に合う場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が合格であると確定する工程と、
を含むことを特徴とする露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項２】
前記二回の露光によるパターニングプロセスを介して、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程は、
基板に導電薄膜及びフォトレジスト層を順次形成する工程と、
前記フォトレジスト層における第１の領域及びその周辺領域に対して第１回目の露光を行い、前記第１の領域の周辺領域において少なくとも第１の測定マークに対応する第１のフォトレジスト露光パターンを形成する工程と、
前記フォトレジスト層における第２の領域及びその周辺領域に対して第２回目の露光を行って、前記第２の領域の周辺領域において、少なくとも一つの第２の測定マークに対応する第２のフォトレジスト露光パターンを形成し、前記第１のフォトレジスト露光パターンと第２のフォトレジスト露光パターンを対を成して配置されるとともに、設計の要求によって所定の間隔を空ける工程と、
前記基板における露光されたフォトレジスト層を現像してフォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスクを利用して前記導電薄膜に対してエッチングを行った後、フォトレジストマスクを剥離することで、前記導電薄膜により形成された導電する第１の測定マーク及び第２の測定マークを形成る工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項３】
少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行う工程は、
導電する第１の測定マーク及び第２の測定マークに電流を印加して測定を行い、前記第１の測定マークと前記第２の測定マークとの間に電流が流す場合、前記第１の領域と前記第２の領域との間のパターンシフト量が不合格であると確定し、前記第１の測定マークと前記第２の測定マークとの間が絶縁される場合、前記第１の領域と前記第２の領域との間のパターンシフト量が合格であると確定する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項４】
複数の第１の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記第１の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項２または３に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項５】
複数の第２の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記第２の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項４に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項６】
複数の第１の測定マークを形成するとともに、前記基板における前記第１の測定マークの一部を電気的に接続させることを特徴とする請求項２または３に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項７】
複数の第２の測定マークを形成するとともに、電気的に接続された前記第１の測定マークの一部に対応する第２の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項６に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項８】
前記第２の測定マークの全体又は一部が前記第１の測定マークに囲まれたことを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項９】
前記二回の露光によるパターニングプロセスを介して、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程は、
基板に第１の導電薄膜及び第１のフォトレジスト層を順次形成する工程と、
前記基板における第１の領域及びその周辺領域の前記フォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板における露光された第１のフォトレジスト層を現像して第１のフォトレジストマスクを形成し、前記第１のフォトレジストマスクにより第１の導電薄膜に対してエッチングを行い、前記第１のフォトレジストマスクを剥離させて、前記第１の領域の周辺領域において、前記第１の導電薄膜により形成された少なくとも一つの導電する第１の測定マークを形成する工程と、
前記基板の他方の層に第２の導電薄膜及び第２のフォトレジスト層を順次形成する工程と、
前記基板における第１の領域及びその周辺領域の第２のフォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板における露光された第２のフォトレジスト層を現像して第２のフォトレジストマスクを形成し、前記第２のフォトレジストマスクにより第２の導電薄膜に対してエッチングを行い、前記第２のフォトレジストマスクを剥離させて、前記第１の領域の周辺領域において、前記第２の導電薄膜により形成されるとともに前記第１の測定マークと対を成して配置された導電する少なくとも一つの第２の測定マークを形成する工程と、
を含み、
前記第２の測定マークと第１の測定マークとの間に絶縁層が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行う工程は、
前記第１の測定マークと前記第２の測定マークとによる容量に対して測定し、当該容量と所定値との差が所定範囲にある場合、二層の第１の領域間におけるパターンシフト量が合格であり、当該容量と所定値との差が所定範囲から外れる場合、二層の第１の領域間におけるパターンシフト量が不合格であることを特徴とする請求項２に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項１１】
複数の第１の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記導電する第１の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項９または１０に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項１２】
複数の第２の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記導電する第２の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項１１に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項１３】
複数の第１の測定マーク及び複数の第２の測定マークを形成するとともに、前記導電する第１の測定マークの一部を電気的に接続させ、電気的に接続された前記導電する第１の測定マークの一部に対応する、導電する前記第２の測定マークの一部を電気的に接続させることを特徴とする請求項９または１０に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。
【請求項１４】
露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マークであって、
露光領域の周辺領域に対を成して配置された導電する第１の測定マーク及び第２の測定マークを備え、
前記第１の測定マーク及び前記第２の測定マークは同一層に位置され、前記第１の測定マークと前記第２の測定マークとの間は、形成する際設計の要求によって所定間隔を空けることを特徴とする露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。
【請求項１５】
前記第１の測定マーク及び前記第２の測定マークのそれぞれは電流を印可する接続端を含むことを特徴とする請求項１４に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。
【請求項１６】
前記第２の測定マークの全体又は一部は前記第１の測定マークに囲まれていることを特徴とする請求項１４または１５に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。
【請求項１７】
露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マークであって、
露光領域の周辺領域に対を成して配置された導電する第１の測定マーク及び第２の測定マークを備え、
前記第１の測定マーク及び前記第２の測定マークは所定の相対的位置関係で異なる層に位置され、前記第１の測定マークと前記第２の測定マークはとの間に絶縁層が形成されていることを特徴とする露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。
【請求項１８】
前記第１の測定マーク及び前記第２の測定マークのそれぞれは電圧を印可する接続端を含むことを特徴とする請求項１７に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。