【事件の表示】
　平成１１年特許願第　１５７０３号「レーザ加工方法及びその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月　５日出願公開、特開２０００−２３７８８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１１年１月２５日（優先権主張平成１０年１２月２５日）の特許出願であって、同１７年７月１２日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１７年９月９日に意見書とともに明細書について手続補正書が提出されたが、同１８年１月２３日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１８年３月２日に本件審判の請求がされ、その後、同１８年３月３１日付けで明細書について再度手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするとともにそれに関連して発明の詳細な説明の一部について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
【請求項１】　所定の速度で移動する被加工物の表面にレーザビームスポットを照射すると共に、該レーザビームスポットの照射によって加熱された部分の後方に上記被加工物の移動方向に向けてマイナス３０℃からマイナス６０℃の急冷剤を吹き付けることにより、急速加熱と急速冷却とを隣り合わせで行うことを特徴とするレーザ加工方法。
　
（２）補正後
【請求項１】　所定の速度で移動する被加工物の表面にレーザビームスポットを照射すると共に、
アシストガスを被加工物表面の上記レーザビームスポットの照射部分に吹き付けると共に、
アシストガスと異なる成分の
　
２　補正の適否　　　
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についての補正は、「アシストガスを被加工物表面の上記レーザビームスポットの照射部分に吹き付ける」という事項を付加すると共に、急冷剤について「アシストガスと異なる成分の」という限定を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかであるので、さらに、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書（以下「補正明細書」という。）及び願書に添付した図面の記載からみて、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「レーザ加工方法」であると認められる。
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１９７８７号公報（以下「引用例１」という。）、及び特開平１０−３２３７７９号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術的事項が記載されている。        
　
ア　引用例１
（ア）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、炭酸ガスレーザ光の伝搬方向に沿ってアシストガスを流しながら非金属材料の表面に炭酸ガスレーザ光を照射しつつ、非金属材料を移動させて非金属材料を加工する非金属材料の加工方法及びその加工装置に関する。」
　
（イ）段落【００１２】〜【００１４】
「【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明は、炭酸ガスレーザ光の伝搬方向に沿ってアシストガスを流しながら非金属材料の表面に炭酸ガスレーザ光を照射しつつ、非金属材料を移動させて非金属材料を加工する非金属材料の加工方法において、非金属材料の表面を水でぬらしながら加工するものである。
　上記構成に加え本発明は、アシストガスを、レーザ光が照射される基板上のスポット面に集中して吹き付けるようにしたものである。
　上記構成に加え本発明は、水を、レーザ光が照射されるスポット面に向かって吹き付けるようにしたものである。」
　
（ウ）段落【００２５】〜【００２７】
「図１は本発明の非金属材料の加工方法の原理図である。
　同図に示すように、非金属材料からなる基板１０の表面に炭酸ガス（ＣＯ２）レーザ光（以下「レーザビーム」という）１１を照射すると共に、レーザビーム１１の伝搬方向（矢印１１−１）に沿ってアシストガス（Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ或いは空気）１２を吹き付けて、基板１０のビームスポットの極微小面積部分（以下「スポット面」という）を蒸発させることによって基板１０を切断（或いは熱応力による亀裂１３を発生させて割断）する際に、基板１０の表面を水でぬらしておく方法である。
　基板１０の切断或いは割断は、基板固定用ＸＹステージ（以下「ステージ」という。）１５をＸ方向及びＹ方向に移動させることによって行う。」
　
（エ）段落【００２９】〜【００３０】
「ガスノズル１８内にはアシストガス１２がレーザビーム１１の伝搬方向に沿って吹き付けられるため、基板１０上のレーザビーム１１が照射されるスポット面付近はアシストガスの吹き付けにより水膜１４が部分的に除去されて基板１０が露出する。このため、基板１０上のスポット面の内側ではレーザビーム１１が直接照射されるので光エネルギー密度が高くなる（光エネルギー分布が狭く急峻になる）。
　これに対して基板１０上のスポット面の外側は水膜１４で覆われており、水に吸収されやすい炭酸ガスレーザ光がされるので、スポット面の外側では光エネルギー密度が小さくなり、光エネルギーによる熱の基板１０への伝達が抑制される。すなわち、基板１０のスポット面だけに光エネルギーが集中する。このため、熱歪みによる基板１０へのマイクロクラックの発生が抑えられ、切断切り代幅が狭くなる。また、割断の場合には熱応力による亀裂の進展を、水でぬらすことにより促進させることができ、レーザ光が照射された軌跡に沿って忠実に割断される。さらに加工中に生じた基板１０の微粉末は水膜１４内を浮遊するので、非金属材料に付着することがなくなる。」
　
（オ）段落【００４４】〜【００４５】
「図３は本発明の非金属材料の加工方法の他の実施例の概念図を示す図である。
　これは、レーザビーム５０が照射されている基板５１の表面に、水５２を矢印５２−１方向に吹き付けつつ切断或いは割断する方法である。基板５１は水の吹き付け方向と略等しい方向（矢印５１−１方向）に移動する。図中５３はガスノズル、５４はアシストガスを示す。」
　
　これらの記載事項を技術常識を勘案しながら本件補正発明に照らして整理すると、引用例１には、以下の発明が記載されていると認められる。                          
「所定の速度で移動する基板の表面にレーザビームスポットを照射すると共に、アシストガスを基板表面の上記レーザビームスポットの照射部分に吹き付けると共に、該レーザビームが照射されるスポット面に向けて、且つ、上記基板の移動方向に向けて水を吹き付けるレーザ加工方法。」
　
イ　引用例２
（ア）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓｉ基板の切断方法に関し、特にＣＯ２レーザビームにより非接触で切断するＳｉ基板の切断方法に関する。」
　
（イ）段落【００２４】〜【００２５】
「図１は本発明のＳｉ基板の切断方法を適用した切断装置の概念図を示す図である。
　この切断装置は、発振波長が可変のＣＯ２レーザ１と、ＣＯ２レーザ１から出射したレーザビーム２−１を集光し切断すべきＳｉ基板３まで案内する光学系４と、Ｓｉ基板３を保持する基板ホルダ５と、基板ホルダ５をＸＹＺ方向に移動するＸＹＺステージ６と、Ｓｉ基板３に急冷ガス１９を供給するためのノズル８と、Ｓｉ基板３をＸＹＺステージ６ごと覆うクリーンベンチ９とを備えている。」
　
（ウ）段落【００２８】
「・・・・・・（前　略）・・・・・・・。レーザビーム２−２は矢印１８−１、１８−２方向に供給されるＮ２（或いはＯ２、Ａｒ、空気）によって覆われており、クリーン度が高められている。また、急冷を促進させてマイクロクラックを抑圧させたり、割断切断を容易に行わせるように、Ｓｉ基板３のレーザビーム照射面に急冷用ガス（Ｎ２、Ｏ２、空気等）が矢印１９方向に吹き付けられる。・・・・・・・（後　略）・・・・・・・。」
　
　これらの記載事項からみて、引用例２には、以下の事項が記載されていると認められる。
「レーザ加工において、レーザビームスポットの照射によって加熱された部分を急冷却するためにＮ２、Ｏ２、空気等の急冷用ガスを吹き付けること。」
　
（３）対比
　本件補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、以下のとおりである。
　引用例１記載の発明の「基板」は、本件補正発明の「被加工物」に相当することが明らかである。
  また、補正明細書の段落【０００７】に「そこで上記問題点を解決するレーザ加工方法として、本発明者は先に図１５に示す方法を提案した（特願平７−１６８９１２号、特開平９−１９７８７号公報（当審注：引用例１））。これは、基板５１上に照射されたＣＯ２レーザビーム５０−１の後方部に水５２を矢印５２−１の方向に吹き付けてＣＯ２レーザビーム５０−１で加熱された基板表面を急冷却する方法である。図１５は本発明の前提となった光加工方法の説明図である。」と記載されていることからも窺うことができるように、引用例１記載の発明の「水」は、加熱された基板表面を冷却する冷却媒体として把握できるものである。
　そして、引用例１記載の発明において、レーザビームが照射されるスポット面に向けて、且つ、上記基板の移動方向に向けて水を吹き付けることは、レーザビームスポットの照射部分の近傍に被加工物の移動方向に向けて冷却媒体を吹き付けるという限りで、本件補正発明において、レーザビームスポットの照射によって加熱された部分の後方に被加工物の移動方向に向けて急冷剤を吹き付けることと共通している。
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「所定の速度で移動する被加工物の表面にレーザビームスポットを照射すると共に、アシストガスを被加工物表面の上記レーザビームスポットの照射部分に吹き付けると共に、該レーザビームスポットの照射部分の近傍に上記被加工物の移動方向に向けて冷却媒体を吹き付けるレーザ加工方法。」である点。
［相違点］
　本件補正発明では、冷却媒体が、マイナス３０℃からマイナス６０℃のアシストガスと異なる成分の急冷剤であって、この急冷剤をレーザビームスポットの照射によって加熱された部分の後方に吹き付けることにより、急速加熱と急速冷却とを隣り合わせで行うのに対して、引用例１記載の発明では、冷却媒体が、水であって、この水をレーザビームが照射されるスポット面に向けて吹き付けている点。
　
（４）相違点についての検討
　上記（２）イで認定したように、引用例２には、レーザ加工において、レーザビームスポットの照射によって加熱された部分を急冷却するためにＮ２、Ｏ２、空気等の急冷用ガスを吹き付けることが記載されており、このことを引用例１記載の発明に適用して、その冷却媒体である水に代えて、気化することによりガスとなる急冷剤を吹き付けるように構成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　そして、本件補正発明では、急冷剤を、マイナス３０℃からマイナス６０℃のアシストガスと異なる成分の急冷剤としているが、その温度をどの程度とするか、また、その成分をどのようなものとするかは、被加工物の材質、加熱温度、加工速度等種々の条件に応じて実験を繰り返すなどして適宜選定することのできる事項にすぎず、また、本件補正発明において、急冷剤を上記のものに限定したことによる格別の作用効果も見当たらない。
　さらに、本件補正発明では、急冷剤をレーザビームスポットの照射によって加熱された部分の後方に吹き付けることにより、急速加熱と急速冷却とを隣り合わせで行っているが、急冷剤をレーザビームスポットの照射部分に直接吹き付けるとレーザビームで加熱しようとする部分を冷却することになり、レーザビームによる加工に支障を来すことが明らかである。そうしてみると、急冷剤をレーザビームスポットの照射によって加熱された部分の後方、すなわち、既に加熱された部分に吹き付けるように構成することはごく当然に行われる事項にすぎず、また、斯く構成することにより必然的に急速加熱と急速冷却とが隣り合わせで行われることになる。
　したがって、本件補正発明は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１　本件発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１７年９月９日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１８に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「レーザ加工方法」である。
　
２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、上記第２の２（２）に示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本件発明は、上記第２の２で検討した本件補正発明から「アシストガスを被加工物表面の上記レーザビームスポットの照射部分に吹き付ける」という事項を削除するとともに、急冷剤について「アシストガスと異なる成分の」という限定を削除したものである。
　そうすると、本件発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項ないし限定を付加したものに相当する本件補正発明が、上記第２の２（４）で示したとおり、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。