【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒を基体の表面に形成する工程と、
前記触媒を有する前記基体の前記表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を形成するカーボンナノチューブ形成工程とを順に実施することにより、カーボンナノチューブ複合体を製造する方法であって、
前記カーボンナノチューブ形成工程においては、カーボンナノチューブ形成前に、前記基体を常温域から４００〜６００℃範囲内の１次目標温度Ｔ１に１次昇温させ、その後、炭素原料ガスを導入し、６００〜１５００℃範囲内の２次目標温度Ｔ２（Ｔ２≧Ｔ１）に５〜１００℃／分にて昇温させるかまたは温度維持させる制御昇温することにより、前記触媒を有する前記基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させて前記カーボンナノチューブ集合体を成長させるカーボンナノチューブ複合体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記基体を常温域から４００〜６００℃範囲内の１次目標温度Ｔ１に１次昇温させる昇温速度をＶ１とし、６００〜１５００℃範囲内の２次目標温度Ｔ２（Ｔ２≧Ｔ１）に２次昇温させる昇温速度をＶ２とするとき、Ｖ１＞Ｖ２の関係とされているカーボンナノチューブ複合体の製造方法。
【請求項３】
触媒を基体の表面に形成する工程と、前記触媒を有する前記基体の前記表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を形成するカーボンナノチューブ形成工程と、前記基体から前記カーボンカノチューブ集合体を離脱させる離脱工程とを順に実施し、前記カーボンナノチューブ形成工程においては、カーボンナノチューブ形成前に、前記基体を常温域から４００〜６００℃範囲内の１次目標温度Ｔ１に１次昇温させ、その後、炭素原料ガスを導入し、６００〜１５００℃範囲内の２次目標温度Ｔ２（Ｔ２≧Ｔ１）に５〜１００℃／分にて昇温させるかまたは温度維持させる制御昇温することにより、前記触媒を有する前記基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させて前記カーボンナノチューブ集合体を成長させることにより、
同じ方向に沿って配向している配向性を有する多数のカーボンナノチューブを並設させつつ集合させて形成され、前記カーボンナノチューブ集合体を成長させたままの状態における密度が７０ｍｇ／ｃｍ３以上とされて高密度化されているカーボンナノチューブ集合体を具備するカーボンナノチューブ複合体。
【請求項４】
触媒を基体の表面に形成する工程と、前記触媒を有する前記基体の前記表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を形成するカーボンナノチューブ形成工程とを順に実施し、前記カーボンナノチューブ形成工程においては、カーボンナノチューブ形成前に、前記基体を常温域から４００〜６００℃範囲内の１次目標温度Ｔ１に１次昇温させ、その後、炭素原料ガスを導入し、６００〜１５００℃範囲内の２次目標温度Ｔ２（Ｔ２≧Ｔ１）に５〜１００℃／分にて昇温させるかまたは温度維持させる制御昇温することにより、前記触媒を有する前記基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させて前記カーボンナノチューブ集合体を成長させることにより、
前記表面をもつ前記基体と、
前記基体の前記表面に搭載され前記表面に立設する方向に沿って同じ方向に配向している配向性を有する多数のカーボンナノチューブを並設させつつ集合させて形成され、前記カーボンナノチューブ集合体を成長させたままの状態における密度が７０ｍｇ／ｃｍ３以上とされて高密度化されているカーボンナノチューブ集合体とを具備するカーボンナノチューブ複合体。
【請求項５】
請求項３または４において、前記カーボンナノチューブ集合体は、多数の前記カーボンナノチューブの前記配向性を高めつつ並設されたカーボンナノチューブの群で形成されており、前記カーボンナノチューブの直径をＤとすると、隣接する前記カーボンナノチューブ同士は寸法Ｄ以内で隣り合っているカーボンナノチューブ複合体。
【請求項６】
請求項３〜５のうちの一項において、前記カーボンナノチューブが束ねられた状態のカーボンナノチューブ束の直径（前記カーボンナノチューブの延設方向と直交する方向における寸法）をＤｂとし、隣接する前記カーボンナノチューブ束同士の隙間（前記カーボンナノチューブの延設方向と直交する方向における隙間）をｔｂとするとき、ｔｂはＤｂよりも小さく設定されている（Ｄｂ＞ｔｂ）カーボンナノチューブ複合体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）様相１の本発明に係るカーボンナノチューブ複合体の製造方法は、触媒を基体の表面に形成する工程と、触媒を有する基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を形成するカーボンナノチューブ形成工程とを順に実施することにより、カーボンナノチューブ複合体を製造する方法であって、カーボンナノチューブ形成工程においては、カーボンナノチューブ形成前に、基体を常温域から４００〜６００℃範囲内の１次目標温度Ｔ１に１次昇温させ、その後、炭素原料ガスを導入し、６００〜１５００℃範囲内の２次目標温度Ｔ２（Ｔ２≧Ｔ１）に５〜１００℃／分にて昇温させるかまたは温度維持させる制御昇温することにより、触媒を有する基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を成長させる。この場合、基体において加熱に伴う触媒の凝集を抑制させるのに有利である。この場合、カーボンナノチューブ集合体を成長させた後に圧密化二次加工を実施せずに、カーボンナノチューブ集合体を成長させたまままの状態（カーボンナノチューブ集合体を成長完了させた時点）において、上記したような高密度が得られている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（２）様相２の本発明に係るカーボンナノチューブ複合体は、触媒を基体の表面に形成する工程と、前記触媒を有する前記基体の前記表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を形成するカーボンナノチューブ形成工程と、前記基体から前記カーボンカノチューブ集合体を離脱させる離脱工程とを順に実施し、前記カーボンナノチューブ形成工程においては、カーボンナノチューブ形成前に、前記基体を常温域から４００〜６００℃範囲内の１次目標温度Ｔ１に１次昇温させ、その後、炭素原料ガスを導入し、６００〜１５００℃範囲内の２次目標温度Ｔ２（Ｔ２≧Ｔ１）に５〜１００℃／分にて昇温させるかまたは温度維持させる制御昇温することにより、前記触媒を有する前記基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させて前記カーボンナノチューブ集合体を成長させることにより、同じ方向に沿って配向している配向性を有する多数のカーボンナノチューブを並設させつつ集合させて形成され、前記カーボンナノチューブ集合体を成長させたままの状態における密度が７０ｍｇ／ｃｍ３以上とされて高密度化されているカーボンナノチューブ集合体を具備する。この場合、カーボンナノチューブ集合体を成長させた後に圧密化二次加工を実施せずに、カーボンナノチューブ集合体を成長させたままの状態（as- grownの状態，カーボンナノチューブを成長完了させた時点）において、上記したような高密度が得られている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（３）様相３の本発明に係るカーボンナノチューブ複合体は、触媒を基体の表面に形成する工程と、前記触媒を有する前記基体の前記表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を形成するカーボンナノチューブ形成工程とを順に実施し、前記カーボンナノチューブ形成工程においては、カーボンナノチューブ形成前に、前記基体を常温域から４００〜６００℃範囲内の１次目標温度Ｔ１に１次昇温させ、その後、炭素原料ガスを導入し、６００〜１５００℃範囲内の２次目標温度Ｔ２（Ｔ２≧Ｔ１）に５〜１００℃／分にて昇温させるかまたは温度維持させる制御昇温することにより、前記触媒を有する前記基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させて前記カーボンナノチューブ集合体を成長させることにより、（ｉ）表面をもつ基体と、（ｉｉ）基体の表面に搭載され表面に立設する方向に沿って同じ方向に配向している配向性を有する多数のカーボンナノチューブを並設させつつ集合させて形成され、密度が７０ｍｇ／ｃｍ３以上とされて高密度化されているカーボンナノチューブ集合体とを具備する。この場合、カーボンナノチューブ集合体を成長させた後に圧密化二次加工を実施せずに、カーボンナノチューブ集合体を成長させたままの状態（as- grownの状態，カーボンナノチューブ集合体を成長完了させた時点）において、上記したような高密度が得られている。この場合、カーボンナノチューブ集合体と基体との間には触媒が存在していることが好ましい。更に、触媒と基体との間にはアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成された下地層が存在することが好ましい。この場合、同じ方向に沿って配向している配向性を有する多数のカーボンナノチューブを得るのに有利である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に係るカーボンナノチューブ複合体の製造方法は、触媒を基体の表面に形成する工程と、触媒を有する基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を形成するカーボンナノチューブ形成工程とを順に実施することにより、カーボンナノチューブ複合体を製造する。ここで、カーボンナノチューブ形成工程は、カーボンナノチューブ形成前に、基体を常温域から４００〜６００℃範囲内の１次目標温度Ｔ１に１次昇温させ、その後、炭素原料ガスを導入しつつ、６００〜１５００℃範囲内の２次目標温度Ｔ２に５〜１００℃／分にて昇温または２次目標温度Ｔ２に温度維持させる制御昇温することにより、触媒を有する基体の表面にＣＶＤ処理によりカーボンナノチューブ形成反応を発生させてカーボンナノチューブ集合体を成長させる。１次目標温度Ｔ１は、基体の表面において触媒粒子の凝集が起こりにくく、かつカーボンナノチューブ形成が開始する４００〜６５０℃、４００〜６００℃であることが好ましい。２次目標温度Ｔ２はカーボンナノチューブ成長速度が向上する６００〜１５００℃、６００〜８００℃であることが好ましい。