【事件の表示】
　平成　６年特許願第３３６４２２号「ポリッシング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　７月　９日出願公開、特開平　８−１７４４１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成６年１２月２２日の出願であって、平成１６年３月１０日付で拒絶の理由が通知され、同１６年５月１１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同１７年１月２１日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１７年２月２４日に本件審判の請求がされ、同１７年３月２８日に手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、平成１６年５月１１日付手続補正書で補正された請求の範囲における請求項１−５を、平成１７年３月２８日付手続補正書において特許請求の範囲の請求項１−５に補正したが、補正前の請求項１の記載、補正後の請求項１の記載は以下のとおりである。
（１）補正前の請求項１
「対向し各々独立して回転するターンテーブルとトップリングを具備し、該ターンテーブルとトップリングの間に板状の被研磨物を介在させ、所定の力で該被研磨物を押圧し、該被研磨物の表面を研磨するポリッシング装置において、
　前記トップリングに前記被研磨物を装着した状態で露出した研磨面に光を投光する投光部と、該被研磨物で反射する光を受光する受光部を設け、該受光部で受光する反射光から該被研磨物の研磨終了点を検出する研磨終了点検出手段を設け、
　前記研磨終了点検出手段は研磨終了点検出開始時間をメモリに記憶し、研磨開始後、該研磨終了点検出開始時間経過時に研磨終了点検出を行うことを特徴とするポリッシング装置。」
（２）補正後の請求項１
「対向し各々独立して回転するターンテーブルとトップリングを具備し、該ターンテーブルとトップリングの間に板状の被研磨物を介在させ、所定の力で該被研磨物を押圧し、該被研磨物の表面を研磨するポリッシング装置において、
　前記トップリングに前記被研磨物を装着した状態で露出した研磨面に光を投光する投光部と、該被研磨物で反射する光を受光する受光部を設け、該受光部で受光する反射光から該被研磨物の研磨終了点を検出する研磨終了点検出手段を設け、
　前記研磨終了点検出手段は
研磨開始から研磨終了の目処となる一定時間経過後の時間を研磨終了点検出開始時間として
　
２　補正の適否
　請求項１における補正は、研磨終了点検出手段としてメモリに記憶される対象を、「研磨開始から研磨終了の目処となる一定時間経過後の時間を研磨終了点検出開始時間」であると特定したものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、前記１の（２）の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
（２）引用例記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−２５５２１８号公報（以下「引用例」という。）には、以下のとおり記載されている。
(ア) 段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の製造方法、特に、半導体ウェーハを物理的に平面化し（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）かつ終点（ｅｎｄｐｏｉｎｔ）を検出するための新規な方法及び装置に関する。」
(イ) 段落【００１９】〜【００２３】
「次に、図２を参照すると、本発明により形成された物理的な平面化及びび終点検出装置が全体として符号２０で示されている。本発明の研磨装置２０は、全体として、アルミナのような研磨性スラリー２４が適用される回転する研磨プラテン２２の形態による研磨手段と、図３に示すように、半導体ウェーハ１０を支持しかつ回転する研磨プラテン２２の外端縁を横断しかつ該外端縁を経て動き得るように取り付けられ、回転する研磨プラテン２２の半導体ウェーハ１０の全体よりも小さい寸法の一部分をオーバーハングさせる回転可能な研磨ヘッド２６と、半導体ウェーハ１０上に形成された酸化物被覆１４等の厚さを検出するためのレーザ干渉測定装置２８の形態による終点検出手段とを備えている。
　図６を参照すると、本発明の研磨装置２０は次の段階を備える方法によりウェーハ１０上の酸化物被覆１４等の厚さを検出し得るようにしてある。即ち、研磨スラリー２４内のウェーハ１０を研磨プラテン２２上にて回転させる段階、即ち、段階３０と、ウェーハ１０の一部分を研磨プラテン２２の外周端縁上にオーバーハングさせる段階、即ち段階３２と、液柱内に収容されたレーザビームを有するレーザ干渉測定装置２８を使用してウェーハ１０の素材金型１６上の酸化被覆１４の厚さを検出する段階、即ち、段階３４とを備えている。
　図２及び図３を参照すると、研磨手段は、駆動モータ３６のような回転駆動手段に取り付けられた研磨ヘッド２６を備えることが出来る。図３に示すように、駆動モータ３６は研磨ヘッド２６に対して矢印３８で示すような回転動作を付与する。研磨ヘッド２６は、当該技術分野で公知であるように、ウェーハ１０を傷付けずに該ウェーハ１０をその表面が研磨プラテン２２の方向を向くように保持しかつ回転させ得る構造とされる。更に、研磨ヘッド２６はウェーハ１０に対して矢印３９（図２）で示すような制御された下向きの力を付与し得るような構造とされる。
　回転及び上下運動に加えて、研磨ヘッド２６は又図３に矢印４０、４２で示し及び図２に矢印４１で示すように研磨プラテン２２を横断して何れかの方向に横運動し得るように取り付けられている。更に、研磨ヘッド２６は研磨プラテン２２に対して取り付けられ、ウェーハ１０は研磨プラテン２２を横断して動きかつ研磨プラテン２２の外周端縁に対してオーバーハングした位置に保持される。これは図２に明確に示してある。この配置状態により、及び本発明の実施に必須であるように、ウェーハ１０は研磨プラテン２２の端縁を経て動き、物理的な平面化工程中、研磨プラテン２２の外周又は周端縁をオーバーハングさせることが出来る。
　かかるオーバーハングさせる配置により、ウェーハ１０は動いて研磨プラテン２２に接触し及び離反し、より速く動く外側部分とより遅く動く略円形のウェーハ１０の内側部分との間の相対的速度差に起因する不規則な研磨状態を補正することが出来る。更に、この配置により、図２に示したウェーハ１０の表面の一部は以下により詳細に説明するように、終点を検出するためレーザ干渉計測定装置２８に露出される。」
(ウ) 段落【００２６】〜【００２７】
「図２及び図４を参照すると、本発明の終点検出手段が明確に示してある。本発明の実施例において、該終点検出手段はレーザ干渉測定装置２８を備えている。該干渉測定装置２８は測定の目的のため光の波長の干渉を利用するものである。本発明の図示した実施例において、該干渉測定装置２８はウェーハ１０のパターン無し金型１６の領域におけるウェーハ１０の酸化物層１４の厚さを検出し得るように取り付けられている。これとは別に、レーザ干渉測定装置はウェーハ１０の端縁の厚さ、又はウェーハ１０のその他の特徴を検出し得るように配置することも出来る。
　図３に示すように、レーザ干渉測定装置２８はレーザ光ビーム４８、及びレーザ制御装置５４からウェーハ１０の露出面に近接して配置された適当な取り付け手段（図示せず）まで伸長する光戻り導管５０を備えている。本発明の図示した実施例にて明らかであるように、干渉測定装置２８はレーザ光４８のビーム又は放射線をウェーハ１０のパターン無し金型１６上に配置された酸化物１４に向けかつ戻し、その点における酸化物被覆１４の厚さを正確に測定する機能を果たす。これは当業者に公知のレーザ技術により行うことが出来る。」
（エ）ここで、図面の図２を参照すると、研磨プラテン２２と研磨ヘッド２６とは明らかに対向して配置されている。そして、研磨するのであるから、研磨プラテン２２と研磨ヘッド２６とがそれぞれ独立して回転することは明らかである。また、研磨される半導体ウェーハ１０が所定の力で押圧されていることも明らかである。
　また、図２からは、半導体ウェーハ１０を研磨ヘッド２６に装着した状態で半導体ウェーハ１０の一部分をオーバーハングさせて露出させ、レーザ干渉測定装置２８で研磨終了点を検出していることが見て取れる。
　以上、（ア）ないし（ウ）の摘記事項、及び（エ）の認定事項を補正発明にしたがって整理すると、引用例には、次の事項が記載されていると認める。
「対向し各々独立して回転する研磨プラテン２２と研磨ヘッド２６を具備し、該研磨プラテン２２と研磨ヘッド２６の間に半導体ウェーハ１０を介在させ、所定の力で該半導体ウェーハ１０を押圧し、該半導体ウェーハ１０の表面を研磨する研磨装置２０において、
　研磨ヘッド２６に半導体ウェーハ１０を装着した状態で半導体ウェーハ１０の一部分をオーバーハングさせて露出させ、露出した半導体ウェーハ１０の酸化物被覆１４にレーザ光４８のビームを向け、かつ戻し、半導体ウェーハ１０のパターン無し金型１６の領域における半導体ウェーハ１０の酸化物被覆１４の厚さを検出することにより、研磨の終点検出を行うレーザ干渉測定装置２８を設けた研磨装置。」（以下、「引用発明」とする。）
　
（３）対比
　補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「研磨プラテン２２」、「研磨ヘッド２６」、「半導体ウェーハ１０」、「研磨装置２０」、「酸化物被覆１４」、「レーザ光４８」は、それぞれ、補正発明の「ターンテーブル」、「トップリング」、「板状の被研磨物」、「ポリッシング装置」、「研磨面」、「光」に相当する。
　また、引用発明の「レーザ光４８のビームを向け、かつ戻すレーザ干渉測定装置２８」は、レーザ干渉測定装置２８自体がレーザ光４８のビームを投光する投光部と反射したレーザ光４８を受光する受光部とを有することが明らかであるので、補正発明の「光を投光する投光部と、光を受光する受光部」に相当する。
　さらに、引用発明の「半導体ウェーハ１０のパターン無し金型１６の領域における半導体ウェーハ１０の酸化物被覆１４の厚さをレーザ干渉測定装置２８によって検出することにより、研磨の終点検出を行う」ことは、結局は酸化物被覆１４から反射されたレーザ光４８の戻りから酸化物被覆１４の厚さを検出することとも言えるので、補正発明の「受光部で受光する反射光から被研磨物の研磨終了点を検出する」ことと同じことを意味する。そして、引用発明の「レーザ干渉測定装置２８」は、研磨終了点を検出することから、補正発明の「研磨終了点検出手段」とも言いうる。
　以上のように解されるから、両者は、次の点で一致している。
「対向し各々独立して回転するターンテーブルとトップリングを具備し、該ターンテーブルとトップリングの間に板状の被研磨物を介在させ、所定の力で該被研磨物を押圧し、該被研磨物の表面を研磨するポリッシング装置において、
　前記トップリングに前記被研磨物を装着した状態で露出した研磨面に光を投光する投光部と、該被研磨物で反射する光を受光する受光部を設け、該受光部で受光する反射光から該被研磨物の研磨終了点を検出する研磨終了点検出手段を設けたポリッシング装置。」
　そして、両者は、次の点で相違している。
　研磨終了点検出手段が、補正発明では、「研磨開始から研磨終了の目処となる一定時間経過後の時間を研磨終了点検出開始時間としてメモリに記憶し、研磨開始後、該研磨終了点検出開始時間経過時に研磨終了点検出を行う」ようにしているのに対し、引用発明では、どのようなタイミングで研磨終了点検出を行っているのか特定されていない点。
　
（４）相違点の検討
　前記相違点について、以下検討する。
　研磨加工において、研磨を開始した後、しばらくの間は、目標とする研磨処理が得られないことから、研磨開始から一定時間経過後に被加工物の計測や検査を開始すべきことは、当業者にとって自明の事項である。（例えば、特開平６−３２０４１６号公報には、「従来においては、ある程度までは加工時間で管理し、その後は、短時間ごとに目視により観察して、加工終点を検出していた。」（明細書の段落【０００４】）と記載され、特開平１−３０６１７３号公報には、「一定時間加工した後、加工機からワークを取外し、部品相互のアタリを光明丹等で測定し、アタリが不十分であれば、部品を再度、機械に取付けて一定時間加工し、目標とするアタリが得られるまで、加工、検査の工程を繰返し行っている。」（明細書の第１頁右下欄第１６行−第２頁左上欄第１行」）と記載されている。）
　そして、計測や測定を加工開始から一定時間経過後に開始するようにコンピュータ処理すること自体も、例えば、特開平６−７０９号公報（明細書の段落【０００８】参照。）、特開平６−１５５３９８号公報（明細書の段落【００１４】及び図面の図７参照。）特開平６−１０６４５３号公報（明細書の段落【００２８】、【００２９】及び図面の図６参照。）に記載されているように周知の事項である。
　してみると、引用発明において、加工完了である研磨終了点検出を、つねに行うことなく、加工終了である研磨終了の目処となる一定時間経過後の時間から測定である研磨終了点検出を開始する構成とすることは当業者が容易になし得たものであり、それをコンピュータで実行させる場合、当該研磨終了点検出開始時間をメモリに記憶すべきことは、技術上の常識に過ぎない。
　また、研磨終了点検出手段を、研磨開始から研磨終了の目処となる一定時間経過後の時間を研磨終了点検出開始時間としてメモリに記憶し、研磨開始後、該研磨終了点検出開始時間経過時に研磨終了点検出を行うことによる作用ないし効果も、上記周知の事項から予測し得る範囲のものでしかない。
　したがって、補正発明は、引用例記載の発明に上記自明の事項、周知の事項を採用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１　本件発明
　本件補正は、前記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、平成１６年５月１１日付手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、前記第２の１の（１）で示した補正前の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
２　引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、前記第２の２の（２）に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本件発明は、前記第２の２で述べたとおり、補正発明の特定事項から、前記限定事項が省かれたものである。
　そうすると、前記第２の２の（４）で検討したとおり、本件発明は、同様に引用例記載の発明、及び自明の事項、周知の事項を採用することにより当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであるので、本件発明は、引用例記載の発明に自明の事項、周知の事項を採用することにより当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。