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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が２次元的に配列された画素配列を有し、前記画素配列の各画素で光電変換された信号を転送順に従って順次転送する撮像手段と、
前記画素配列における第１の種類の欠陥画素の位置を特定する情報であり、前記第１の種類の欠陥画素の各々について、前記転送順において前記第１の種類の欠陥画素間に信号が転送される画素数を示す相対位置を第１の欠陥情報として記憶する第１の記憶手段と、
前記撮像手段から転送された信号に基づいて、前記第１の種類とは異なる第２の種類の欠陥画素の前記画素配列における座標を示す絶対位置を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記第２の種類の欠陥画素の各々について、該画素の絶対位置を第２の欠陥情報として記憶する第２の記憶手段と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の記憶手段に記憶された前記第１の欠陥情報を絶対位置に変換し、前記第２の記憶手段に記憶された前記第２の欠陥情報と結合することで、前記画素配列における欠陥画素の絶対位置を特定する生成手段をさらに備えたことを特徴とした請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記生成手段は、さらに、特定した前記画素配列における欠陥画素の絶対位置を変換することで、各欠陥画素について、前記転送順において欠陥画素間に信号が転送される画素数を示す相対位置を第３の欠陥情報として生成することを特徴とした請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記生成手段により生成された前記第３の欠陥情報を記憶する第３の記憶手段をさらに備えたことを特徴とした請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像手段から転送された信号のうち、前記第３の欠陥情報により特定される位置の画素に対応する信号を、該画素の周囲の画素に対応する信号を用いて補間する補間手段をさらに備えたことを特徴とする請求項３又は４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の種類の欠陥画素は、工場出荷前に予め判明している欠陥画素であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が２次元的に配列された画素配列について、該画素配列における欠陥画素の位置を特定する位置情報を記憶する記憶装置であって、
第１の種類の欠陥画素の位置情報であって、前記第１の種類の欠陥画素の各々について、前記画素配列の各画素で光電変換された信号の転送順において前記第１の種類の欠陥画素間に転送される画素数を示す相対位置を特定する位置情報を第１の欠陥情報として記憶する第１の記憶手段と、
前記第１の種類の欠陥画素とは検出時期が異なる第２の種類の欠陥画素の位置情報であって、前記第２の種類の欠陥画素の各々について、前記画素配列における絶対位置を特定する位置情報を第２の欠陥情報として記憶する第２の記憶手段と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
前記画素配列から転送された信号に基づいて、前記第２の種類の欠陥画素を検出する検出手段をさらに備えたことを特徴とする請求項７に記載の記憶装置。
【請求項９】
前記第１の欠陥情報と前記第２の欠陥情報とを結合し、前記画素配列に含まれる各欠陥画素について、前記転送順において欠陥画素間に信号が転送される画素を示す相対位置を特定する第３の欠陥情報を生成する生成手段と、
前記画素配列から転送された信号のうち、前記第３の欠陥情報により特定される位置の画素に対応する信号を、該画素の周囲の画素に対応する信号を用いて補間する補間手段と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項７または８に記載の記憶装置。
【請求項１０】
前記第１の種類の欠陥画素は、工場出荷前に予め判明している欠陥画素であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の記憶装置。
【請求項１１】
光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が２次元的に配列された画素配列を有し、前記画素配列の各画素で光電変換された信号を転送順に従って順次転送する撮像手段を備える撮像装置の制御方法であって、
前記撮像装置の制御手段が、前記画素配列における第１の種類の欠陥画素の位置を特定する情報であり、前記第１の種類の欠陥画素の各々について、前記転送順において前記第１の種類の欠陥画素間に信号が転送される画素数を示す相対位置を第１の欠陥情報として記憶する第１の記憶工程と、
前記撮像装置の検出手段が、前記撮像手段から転送された信号について、前記第１の種類とは異なる第２の種類の欠陥画素の前記画素配列における絶対位置を検出する検出工程と、
前記制御手段が、前記検出工程において検出された前記第２の種類の欠陥画素の各々について、該画素の絶対位置を第２の欠陥情報として記憶する第２の記憶工程と、
を備えたことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１２】
光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が２次元的に配列された画素配列について、該画素配列における欠陥画素の位置を特定する位置情報を記憶する記憶装置の制御方法であって、前記記憶装置は第１の種類の欠陥画素の位置情報であって、前記第１の種類の欠陥画素の各々について、前記画素配列の各画素で光電変換された信号の転送順において前記第１の種類の欠陥画素間に転送される画素数を示す相対位置を特定する位置情報を第１の位置情報として記憶する第１の記憶手段を有し、
前記記憶装置の制御手段が、前記第１の種類とは検出時期が異なる第２の種類の欠陥画素の位置情報であって、前記第２の種類の欠陥画素の各々について、前記画素配列における絶対位置を特定する位置情報を第２の位置情報として記憶する第２の記憶工程
を備えることを特徴とする記憶装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、記憶装置、及び制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像装置、記憶装置、及び制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の１つの側面に係る撮像装置は、光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が２次元的に配列された画素配列を有し、前記画素配列の各画素で光電変換された信号を転送順に従って順次転送する撮像手段と、前記画素配列における第１の種類の欠陥画素の位置を特定する情報であり、前記第１の種類の欠陥画素の各々について、前記転送順において前記第１の種類の欠陥画素間に信号が転送される画素数を示す相対位置を第１の欠陥情報として記憶する第１の記憶手段と、前記撮像手段から転送された信号について、前記第１の種類とは異なる第２の種類の欠陥画素の前記画素配列における絶対位置を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記第２の種類の欠陥画素の各々について、該画素の絶対位置を第２の欠陥情報として記憶する第２の記憶手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体面側から順に、第１鏡、第１凹面鏡、凸面鏡、第２凹面鏡及び第２鏡が前記物体面から像面に至る光路に配置され、前記物体面と前記第１鏡との間の光路と前記第２鏡と前記像面との間の光路とが平行である投影光学系であって、
前記物体面と前記第１鏡との間の光路に配置され、当該光路に沿う第１方向と直交する第２方向における前記投影光学系の倍率を補正する第１光学系と、
前記第２鏡と前記像面との間の光路に配置され、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向における前記投影光学系の倍率を補正する第２光学系と、
前記物体面と前記第１鏡との間の光路又は前記第２鏡と前記像面との間の光路に配置され、前記第２方向及び前記第３方向において同じ倍率で前記投影光学系の倍率を補正する第３光学系と、
制御部と、を備え、
前記投影光学系の前記第２方向及び前記第３方向における倍率の補正されるべき量をそれぞれＡ及びＢとし、前記第３光学系によって前記投影光学系の前記第２方向及び前記第３方向における倍率の補正量をＣとするとき、
前記制御部は、前記補正量Ｃが前記補正されるべき量Ａと前記補正されるべき量Ｂとの間の量となり、前記第１光学系による前記第２方向における倍率の補正量が（Ａ−Ｃ）となり、前記第２光学系による前記第３方向における倍率の補正量が（Ｂ−Ｃ）となるように、前記第１光学系と前記第２光学系と前記第３光学系とを制御する、
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
前記物体面及び前記像面の双方においてテレセントリック性を有することを特徴とする請求項１に記載の投影光学系。
【請求項３】
前記第１光学系と前記第２光学系とは、前記第１方向に湾曲可能な平行平板と、複数のシリンドリカルレンズを有し当該複数のシリンドリカルレンズの前記第１方向における間隔を変更可能なシリンドリカルレンズ系との少なくともいずれかを含み、
前記第３光学系は、平凸レンズ及び平凹レンズを有し前記平凸レンズと前記平凹レンズとの前記第１方向における間隔を変更可能な光学系と、前記第１方向に沿って駆動可能な平凹レンズ又は平凸レンズと、のいずれかを含む、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の投影光学系。
【請求項４】
前記制御部は、前記補正量Ｃが（Ａ＋Ｂ）／２となり、前記第１光学系による前記第２方向における倍率の補正量が（Ａ−Ｂ）／２となり、前記第２光学系による前記第３方向における倍率の補正量（Ｂ−Ａ）／２となるように、前記第１光学系と前記第２光学系と前記第３光学系とを制御する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の投影光学系を用いて前記物体面に配置されたレチクルのパターンを前記像面に配置された基板に投影し前記基板を露光する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
デバイスを製造する方法であって、
請求項５に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ところが、湾曲した平行平板を投影光学系の光路中に配すると倍率を補正することができるが、非点収差が新たに発生することがわかった。例えば、下側平行平板を走査方向の倍率補正に使用する場合、拡大するためには上面がふくらみ、下面が窪んだ湾曲を走査方向に与え直交する方向には平面のままとなるような変形を与えることになる。このとき、走査方向に直交する方向の屈折力は変化しないが走査方向には負の屈折力が生じる。このため、走査方向の線像（以後Ｖ線）の結像位置は、そのままである走査直交方向の線像（以後Ｈ線）より光学系から遠くに離れた位置つまりは下側に結像するようになる。発明者の計算では、走査方向に１０ｐｐｍ拡大される（像が１．００００１倍になる）とき、ＨＶ線の非点収差は約５μｍ（Ｈ線が下）になる。さらに、特許文献１に記載されているように上側平行平板を走査方向に直交する方向の倍率補正に使用した場合、像面側で拡大するためには上方に向かって窪んだ湾曲を走査方向と直交する方向に与える。このとき、結像系の側から物体面側を見ると、走査方向の屈折力は変化しないが走査方向と直交する方向には正の屈折力が生じ、走査方向と直交する方向には倍率が縮小されＶ線がＨ線より結像系に近い側に結像するようになる。これを順方向に物体面側から像面側への結像に光線を追跡し直すと、横収差である倍率は反転し、走査方向と直交する方向の倍率は拡大となり、縦収差である結像位置は保存されＨ線はＶ線に対し光学系から遠い位置、つまりは下側に結像する。まとめると、上側平行平板で走査方向直交する方向の倍率を拡大にするとＨ線が下になる非点収差が発生し、同様に下側平行平板で走査方向の倍率を拡大にするとＨ線が下になる非点収差が発生する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、物体面側から順に、第１鏡、第１凹面鏡、凸面鏡、第２凹面鏡及び第２鏡が前記物体面から像面に至る光路に配置され、前記物体面と前記第１鏡との間の光路と前記第２鏡と前記像面との間の光路とが平行である投影光学系であって、前記物体面と前記第１鏡との間の光路に配置され、当該光路に沿う第１方向と直交する第２方向における前記投影光学系の倍率を補正する第１光学系と、前記第２鏡と前記像面との間の光路に配置され、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向における前記投影光学系の倍率を補正する第２光学系と、前記物体面と前記第１鏡との間の光路又は前記第２鏡と前記像面との間の光路に配置され、前記第２方向及び前記第３方向において同じ倍率で前記投影光学系の倍率を補正する第３光学系と、制御部と、を備え、前記投影光学系の前記第２方向及び前記第３方向における倍率の補正されるべき量をそれぞれＡ及びＢとし、前記第３光学系によって前記投影光学系の前記第２方向及び前記第３方向における倍率の補正量をＣとするとき、前記制御部は、前記補正量Ｃが前記補正されるべき量Ａと前記補正されるべき量Ｂとの間の量となり、前記第１光学系による前記第２方向における倍率の補正量が（Ａ−Ｃ）となり、前記第２光学系による前記第３方向における倍率の補正量が（Ｂ−Ｃ）となるように、前記第１光学系と前記第２光学系と前記第３光学系とを制御する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月26日(2012.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに重なり合った第１の半導体基板と第２の半導体基板を互いに接合する接合装置であって、
前記第１の半導体基板に接触する第１の接触面を有する第１ステージ部と、
前記第２の半導体基板に接触する第２の接触面を有し、前記第１ステージ部との間で前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を挟む第２ステージ部と、
前記第１ステージ部と前記第２ステージ部との間で前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板を加圧するための加圧力を発生する加圧部と、
前記加圧部からの前記加圧力を前記第１ステージ部に伝達する伝達部材と、
前記伝達部材から出力される押圧力を分散して前記第１の接触面に伝達する分散手段と、
を備える接合装置。
【請求項２】
前記加圧部は、前記第１ステージ部の前記第１の接触面と反対側に配置されており、
前記伝達部材は、前記第１ステージ部と前記加圧部との間に配置されており、
前記分散手段は、前記第１の接触面と前記伝達部材との間に設けられている請求項１に記載の接合装置。
【請求項３】
前記分散手段は、前記第１ステージ部と前記伝達部材との間に配置され、前記第１および第２の半導体基板を加熱するヒータ部を有し、
前記伝達部材は、前記ヒータ部を介して前記第１ステージ部に前記押圧力を伝達する請求項２に記載の接合装置。
【請求項４】
前記伝達部材は、前記ヒータ部を押圧する第１の押圧面を有し、
前記ヒータ部は、前記第１ステージ部を押圧する第２の押圧面を有し、
前記第１の押圧面は前記第２の押圧面より小さい請求項３に記載の接合装置。
【請求項５】
前記分散手段は、前記ヒータ部を支持するフレームを有し、
前記ヒータ部は、前記フレームを介して前記伝達部材から押圧力を受ける請求項３または４に記載の接合装置。
【請求項６】
前記分散手段は、複数の前記ヒータ部を有し、前記伝達部材は、複数の支柱部を有し、前記複数のヒータ部は、それぞれ前記複数の支柱部の少なくとも一つから前記押圧力を受ける請求項３から５のいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項７】
前記複数のヒータ部は、前記加熱時に前記複数のヒータ部が熱膨張によって互いに接触することを防止すべく、互いに離間して配置されている請求項６に記載の接合装置。
【請求項８】
前記複数のヒータ部は、発熱体と、前記発熱体の熱を前記ステージ部に伝達するヒータプレートとをそれぞれ有し、
前記ヒータプレートが互いに離間して配置されている請求項７に記載の接合装置。
【請求項９】
前記複数のヒータ部は、前記ヒータプレートの熱容量が同じである複数のヒータ部を含む請求項８に記載の接合装置。
【請求項１０】
前記複数のヒータ部は、前記ヒータプレートの熱伝達面の面積が同じである複数のヒータ部を含む請求項９に記載の接合装置。
【請求項１１】
前記複数のヒータ部は、前記ヒータプレートの厚さが同じである複数のヒータ部を含む請求項８または９に記載の接合装置。
【請求項１２】
前記ヒータプレートの素材は銅である請求項８から１１のいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項１３】
前記第１の接触面は円形であり、前記ヒータプレートの各々の外形は、前記円形の周方向及び径方向に沿って形成される扇形を含む請求項８から１２のいずれか１項に記載の接合装置。
【請求項１４】
前記ヒータプレートの少なくとも一つを冷却するクーラを更に備える請求項８から１３のいずれか１項に記載の接合装置。
【請求項１５】
前記クーラは、前記ヒータプレートの少なくとも一つに接するパイプと、前記パイプに循環させる冷媒を備える請求項１４に記載の接合装置。
【請求項１６】
前記パイプは、前記ヒータプレートと同じ線膨張率を有する素材からなる請求項１５に記載の接合装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】接合装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が絶縁材で包囲されて互いに絶縁され、表面と裏面との間を貫通して延在する多数の微細な柱状導電体を含むコア基板と、
前記コア基板の前記表面に形成された第１の絶縁層及び前記裏面に形成された第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を貫通して形成され、前記柱状導電体の一端に電気的に接続された、少なくとも２つの第１の接続導電体と、
前記第２の絶縁層を貫通して形成され、前記柱状導電体の他端に電気的に接続された、少なくとも２つの第２の接続導電体と、
前記第１の絶縁層の上に形成され、前記第１の接続導電体同士を電気的に接続する第１の配線と、
前記第２の絶縁層の上に形成され、前記第２の接続導電体同士を電気的に接続する第２の配線と、
を有し、
前記第１の配線と、前記第１の接続導電体と、前記柱状導電体と、前記第２の接続導電体と、前記第２の配線とが接続されて立体的にコイルが形成されたことを特徴とするインダクタ。
【請求項２】
請求項１記載のインダクタであって、
前記柱状導電体の各々の直径は２０μｍ以下であり、前記柱状導電体は六方最密充填構造となるように前記コア基板中に配列されていることを特徴とするインダクタ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のインダクタであって
前記第１及び第２の接続導電体の各々は、複数の前記柱状導電体を含む大きさの断面を有することを特徴とするインダクタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のインダクタであって、
前記コア基板は、前記第１及び第２の接続導電体に接続されない電気的に孤立した柱状導電体を含むことを特徴とするインダクタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載のインダクタであって、
前記コア基板は、無機絶縁材料中に前記柱状導電体が近接して配置された構造であることを特徴とするインダクタ。
【請求項６】
請求項５記載のインダクタであって、
前記無機絶縁材料はアルミニウムの陽極酸化物であり、該陽極酸化物に形成された多数の微細な孔に導電材料が充填されて前記柱状導電体が形成されたことを特徴とするインダクタ。
【請求項７】
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載のインダクタであって、
前記コア基板は、樹脂材料中に前記柱状導電体として金属線が近接して配置された構造であることを特徴とするインダクタ。
【請求項８】
互いに絶縁された複数の微細な柱状導電体が厚み方向に延在するコア基板を準備し、
前記コア基板の第１の面に第１の絶縁層を形成し、且つ前記コア基板の前記第１の面の反対側の第２の面に第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を貫通して前記柱状導電体の一端に電気的に接続する少なくとも２つの第１の接続導電体を形成し、且つ前記第２の絶縁層を貫通して前記柱状導電体の他端に電気的に接続する少なくとも２つの第２の接続導電体を形成し、
前記第１の絶縁層上に第１の配線を形成して前記第１の接続導電体同士を接続し、且つ前記第２の絶縁層上に第２の配線を形成して前記第２の接続導電体同士を接続し、
前記第１の配線と、前記第１の接続導電体と、前記柱状導電体と、前記第２の接続導電体と、前記第２の配線とが接続された立体的なコイルを形成する
ことを特徴とするインダクタの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のインダクタの製造方法であって、
絶縁基板にパンチャにより複数の貫通孔を形成し、該貫通孔に導電材料を充填して前記コア基板を形成することを特徴とするインダクタの製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載のインダクタの製造方法であって、
アルミニウム基板を陽極酸化して多孔質の酸化アルミニウム膜を形成し、該酸化アルミニウム膜の貫通孔に導電材料を充填して前記コア基板を形成することを特徴とするインダクタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一実施態様によれば、各々が絶縁材で包囲されて互いに絶縁され、表面と裏面との間を貫通して延在する多数の微細な柱状導電体を含むコア基板と、前記コア基板の前記表面に形成された第１の絶縁層及び前記裏面に形成された第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層を貫通して形成され、前記柱状導電体の一端に電気的に接続された、少なくとも２つの第１の接続導電体と、前記第２の絶縁層を貫通して形成され、前記柱状導電体の他端に電気的に接続された、少なくとも２つの第２の接続導電体と、前記第１の絶縁層の上に形成され、前記第１の接続導電体同士を電気的に接続する第１の配線と、前記第２の絶縁層の上に形成され、前記第２の接続導電体同士を電気的に接続する第２の配線と、を有し、前記第１の配線と、前記第１の接続導電体と、前記柱状導電体と、前記第２の接続導電体と、前記第２の配線とが接続されて立体的にコイルが形成されたことを特徴とするインダクタが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の他の実施態様によれば、互いに絶縁された複数の微細な柱状導電体が厚み方向に延在するコア基板を準備し、前記コア基板の第１の面に第１の絶縁層を形成し、且つ前記コア基板の前記第１の面の反対側の第２の面に第２の絶縁層を形成し、前記第１の絶縁層を貫通して前記柱状導電体の一端に電気的に接続する少なくとも２つの第１の接続導電体を形成し、且つ前記第２の絶縁層を貫通して前記柱状導電体の他端に電気的に接続する少なくとも２つの第２の接続導電体を形成し、前記第１の絶縁層上に第１の配線を形成して前記第１の接続導電体同士を接続し、且つ前記第２の絶縁層上に第２の配線を形成して前記第２の接続導電体同士を接続し、前記第１の配線と、前記第１の接続導電体と、前記柱状導電体と、前記第２の接続導電体と、前記第２の配線とが接続された立体的なコイルを形成することを特徴とするインダクタの製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
［試料２〜４］（ＡｌxＧａ1-xＮ単結晶層２１の組成）
試料１において、電子走行層３１であるＡｌzＧａ1-zＮ層をＧａＮ層（ｚ＝０）、厚さ５００ｎｍとし、また、ＡｌyＧａ1-yＮ単結晶層２２をＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ単結晶層（ｙ＝０.２）とし、ＡｌxＧａ1-xＮ単結晶層２１のｘの数値を変化させ、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ（ｘ＝０．５）（試料２）、Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ｎ（ｘ＝０．６）（試料３）、ＡｌＮ（ｘ＝１）（試料４）とした。それ以外は、試料１と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
［試料５〜８］（ＡｌyＧａ1-yＮ単結晶層２２の組成）
試料４において、ＡｌyＧａ1-yＮ単結晶層２２のｙの数値を変化させ、ＧａＮ（ｙ＝０）（試料５）Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ（ｙ＝０．１）（試料６）、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ（ｙ＝０．５）（試料７）、Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ｎ（ｙ＝０．６）（試料８）とした。それ以外は、試料１と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図２に、試料２８〜３２に係る化合物半導体基板の多層バッファ層および窒化物活性層のＳｉ単結晶基板表面からの膜厚に対する炭素含有濃度プロファイルをグラフにして示す。
また、試料２８〜３２の評価結果をまとめて表５に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性化合物、硬化剤及びポリイミド粒子を含有する硬化性樹脂組成物からなることを特徴とするダイアタッチフィルム。
【請求項２】
ポリイミド粒子は、主骨格に芳香環を有するポリイミド化合物を含有することを特徴とする請求項１記載のダイアタッチフィルム。
【請求項３】
ポリイミド粒子は、主骨格にベンゾオキサゾール構造骨格を有するポリイミド化合物を含有することを特徴とする請求項１又は２記載のダイアタッチフィルム。
【請求項４】
ポリイミド粒子は、表面処理されていることを特徴とする請求項１、２又は３記載のダイアタッチフィルム。
【請求項５】
半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするのに用いられるダイシングダイアタッチフィルムであって、
請求項１、２、３又は４記載のダイアタッチフィルムと、該ダイアタッチフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、
前記非粘着フィルムは、（メタ）アクリル樹脂架橋体を主成分として含有する
ことを特徴とするダイシングダイアタッチフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光に応じて電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部で生成された電荷を前記光電変換部とは別の場所で保持する第１導電型の第１半導体領域を含んで構成される電荷保持部と、
フローティングディフュージョンと、
前記第１半導体領域と前記フローティングディフュージョンとの間のポテンシャルを制御する転送ゲート電極を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備える固体撮像装置であって、
前記第１半導体領域の少なくとも一部の下部に配される第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域よりも深い位置に、前記第１半導体領域の少なくとも一部、前記転送ゲート電極、及び前記フローティングディフュージョンのそれぞれの下部にわたって配される第２導電型の第３半導体領域を有し、
前記第３半導体領域の光電変換部側の端部が、前記第２半導体領域の光電変換部側の端部に比べて、該光電変換部から離れた位置にあり、
前記第２半導体領域の少なくとも一部の下部の前記第３半導体領域が配されていない領域に、前記光電変換部の一部を構成する第１導電型の半導体領域が配されたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記光電変換部は、第１導電型の半導体領域と、該第１導電型の半導体領域の下部に配され、該第１導電型の半導体領域とＰＮ接合を構成する第２導電型の半導体領域とを含んで構成され、
前記第３半導体領域は、それぞれ異なる深さに配された複数の半導体領域により構成され、
該第３半導体領域を構成する複数の半導体領域のうち、最下部に配された半導体領域は前記光電変換部のＰＮ接合が構成されている深さまで延在していることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２半導体領域の第２導電型の不純物濃度は、前記フローティングディフュージョンの下部であって前記第２半導体領域と同じ深さの領域の第２導電型の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素が第１導電型の基板に配され、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間の電荷経路が埋め込みチャネル構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２半導体領域の不純物濃度は、前記第３半導体領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第２半導体領域は前記転送ゲート電極の下に延在して配され、
前記第２半導体領域の前記転送ゲート電極の下に配された部分の不純物濃度は、前記第２半導体領域の前記第１半導体領域の少なくとも一部の下部に配された部分の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第２半導体領域は前記転送ゲート電極の下に延在していないことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第３半導体領域の、第１の画素に含まれる光電変換部側の端部が、前記第２半導体領域の、前記第１の画素に含まれる光電変換部側の端部に比べて、当該第１の画素に含まれる光電変換部から離れた位置にあり、
前記第３半導体領域の、前記第１の画素とは別の第２の画素に含まれる光電変換部側の端部が、前記第２半導体領域の、前記第２の画素に含まれる光電変換部側の端部に比べて、当該第２の画素に含まれる光電変換部から離れた位置にあり、
前記第２半導体領域の少なくとも一部の下部の前記第３半導体領域が配されていない領域に、前記第１の画素に含まれる前記光電変換部の一部を構成する第１導電型の半導体領域および前記第２の画素に含まれる前記光電変換部の一部を構成する第１導電型の半導体領域が配されたことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極および電解質を含むセルであって、前記電解質が、少なくとも１種の極性有機非プロトン性溶媒と、Ｌｉ2Ｂ12ＦxＺ12-x（式中、ｘは少なくとも５であるが、１２以下であり、そしてＺは、Ｈ、Ｃｌ、またはＢｒを表す。）を含む少なくとも１種の塩と、リチウムキレートボレート塩を含む少なくとも１種の添加物とを含んで成り、前記添加物の量が負極上にＳＥＩ層を生成するのに充分であり、前記正極がＬｉ1.1［Ｍｎ1/3Ｎｉ1/3Ｃｏ1/3］0.9Ｏ2を含む、セル。
【請求項２】
前記添加物が、前記電解質の全重量を基準として０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の量で前記電解質中に存在する、請求項１に記載のセル。
【請求項３】
前記セルが、熱的に安定である、請求項１に記載のセル。
【請求項４】
前記リチウムキレートボレート塩が、リチウムジフルオロ（オキサラト）ボレートを含む、請求項１に記載のセル。
【請求項５】
前記負極が、グラファイト、アモルファス炭素、硬質炭素、スズ、ケイ素、およびリチウムチタネートの少なくとも１種を含む、請求項１に記載のセル。
【請求項６】
前記負極が、炭素質材料を含む、請求項５に記載のセル。
【請求項７】
前記溶媒が、エチレンカーボネートを含む、請求項１に記載のセル。
【請求項８】
前記溶媒が、エチルメチルカーボネートを含む、請求項１に記載のセル。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
添加物は、効果的なＳＥＩ層を生成する量で電解質中に存在できる。いくつかの態様では、該添加物は、電解質の全重量を基準として、約０．１ｗｔ％〜約５ｗｔ％の量で存在できる。
本発明の電池またはセルは、本発明の任意の負極および正極、ならびに電解質を含む。一態様では、電池の正極および負極は、リチウム等の還元されたまたは酸化された形態のイオンを”ホスティング”することができる材料を含むリチウムを使用する任意のものである。"ホストティング"とは、材料が、例えば、リチウムイオンを可逆的に包接できることを意味する。本発明の電池のための負極は、リチウム金属、（（大阪ガスから入手可能である）ＭＣＭＢを含む天然のまたは人工の）硬質炭素またはグラファイトを含むアモルファス炭素等の炭素質材料、スズ、スズ酸化物、ケイ素、もしくはゲルマニウム化合物または金属酸化物またはこれらの材料（例えば、リチウムチタネート）の誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の要素を含むことができる。本発明の電池での使用のための正極は、とりわけ、コバルト、ニッケル、マンガン、それらの混合物、またはリチウム複合物オキサイド等の遷移金属とのリチウム複合物オキサイドに基づくことができる、それらのリチウムサイトまたは遷移金属サイトの部分をコバルト、ニッケル、マンガン、アルミニウム、ホウ素、マグネシウム、鉄、銅、またはその同類のもの、または鉄ホスフェートおよび鉄ホスホシリケート等の鉄錯体化合物からなる群から選択される少なくとも１種の要素で置換する。正極としての使用のためのリチウム複合物の具体例は、リチウム鉄ホスフェート、ＬｉＦｅＰＯ4,Ｌｉ1.1［Ｍｎ1/3Ｎｉ1/3Ｃｏ1/3］0.9Ｏ2,ＬｉＮｉ1-XＣｏXＯZおよびリチウムマンガンスピネル、ＬｉＭｎ2Ｏ4、ＬｉＮｉ0.8Ｃｏ0.15Ａｌ0.05０2,ＬｉＣｏＯ2,ＬｉＮｉＯ2,ＬｉＮｉ1-X-YＣｏXＭｎYＯ2の少なくとも１種を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ心線の周囲に長手方向へわたって抗張力繊維が沿わされ、その外周が外被によって覆われた一対の光ケーブル同士の接続部の補強構造であって、
前記光ケーブルの前記外被から前記光ファイバ心線が延出され、
前記光ファイバ心線の被覆から露出されたガラスファイバ同士が互いに接続され、
前記光ファイバ心線が配置される部分と、その部分の両端において前記外被が配置されるケーブル保持部との間に段差を有する補強部材が、前記ガラスファイバ同士の接続箇所を含む接続部に沿わされて配設され、
前記補強部材が配設された前記接続部が、それぞれの前記光ケーブルの前記外被に両端がかかるように被せられて収縮された補強チューブによって、前記外被から露出された抗張力繊維とともに覆われて一体化され、
前記外被から露出された前記抗張力繊維が、前記光ファイバ心線の延出方向と逆方向へ折り返され、この折り返し部分が前記補強チューブによって覆われていることを特徴とする接続部の補強構造。
【請求項２】
請求項１に記載の接続部の補強構造であって、
互いに接続された前記ガラスファイバ部分が、前記光ファイバ心線の被覆に両端がかかるように被せられて収縮された内側チューブによって覆われていることを特徴とする接続部の補強構造。
【請求項３】
請求項１または２に記載の接続部の補強構造であって、
前記接続部における前記補強チューブの外周が保護チューブによって覆われていることを特徴とする接続部の補強構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決することのできる本発明の接続部の補強構造は、光ファイバ心線の周囲に長手方向へわたって抗張力繊維が沿わされ、その外周が外被によって覆われた一対の光ケーブル同士の接続部の補強構造であって、
前記光ケーブルの前記外被から前記光ファイバ心線が延出され、
前記光ファイバ心線の被覆から露出されたガラスファイバ同士が互いに接続され、
前記光ファイバ心線が配置される部分と、その部分の両端において前記外被が配置されるケーブル保持部との間に段差を有する補強部材が、前記ガラスファイバ同士の接続箇所を含む接続部に沿わされて配設され、
前記補強部材が配設された前記接続部が、それぞれの前記光ケーブルの前記外被に両端がかかるように被せられて収縮された補強チューブによって、前記外被から露出された抗張力繊維とともに覆われて一体化され、
前記外被から露出された前記抗張力繊維が、前記光ファイバ心線の延出方向と逆方向へ折り返され、この折り返し部分が前記補強チューブによって覆われていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の接続部の補強構造において、互いに接続された前記ガラスファイバ部分が、前記光ファイバ心線の被覆に両端がかかるように被せられて収縮された内側チューブによって覆われていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の接続部の補強構造において、前記接続部における前記補強チューブの外周が保護チューブによって覆われていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、その制御方法及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、定着機の温度制御によって印刷生産性を向上させた画像形成装置、その制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、定着機を急速に冷却することができる画像形成装置、その制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る画像形成装置は、画像データを入力する入力手段と、前記入力手段により入力された画像データに応じた現像剤像を用紙に転写する転写手段と、前記転写手段により転写された現像剤像を前記用紙に定着させる定着手段と、前記定着手段の温度を測定する測定手段と、前記測定手段により測定された温度に基づいて前記定着手段を冷却するために用いる用紙の種類を選択する選択手段と、前記測定手段により測定された温度が所定の温度よりも高い場合に、前記選択手段によって選択された種類の用紙を前記定着手段に通すよう制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された画像データに応じた現像剤像を用紙に転写する転写手段と、
前記転写手段により転写された現像剤像を前記用紙に定着させる定着手段と、
前記定着手段の温度を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された温度に基づいて前記定着手段を冷却するために用いる用紙の種類を選択する選択手段と、
前記測定手段により測定された温度が所定の温度よりも高い場合に、前記選択手段によって選択された種類の用紙を前記定着手段に通すよう制御する制御手段とを有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記測定手段は、画像形成に用いる用紙の種類が変更される際に、前記定着手段の温度を測定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
画像形成に用いる用紙の種類に応じて前記所定の温度を決定する決定手段を更に有することを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記定着手段を昇温させる昇温手段を更に有し、
前記制御手段は、前記測定手段により測定された温度が前記所定の温度より高い第１の温度よりも高い場合に、前記昇温手段をオフにするよう制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。  
【請求項５】
前記定着手段を冷却させる冷却手段を更に有し、
前記制御手段は、前記測定手段により測定された温度が前記所定の温度より高い第２の温度よりも高い場合に、前記冷却手段をオンにするように制御することを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記測定手段は、前記定着手段の複数箇所の温度を測定し、
前記制御手段は、前記複数箇所の温度の差が所定値より小さい場合に、前記用紙に現像剤像を転写せずに、当該用紙を前記定着手段に通すよう制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記複数箇所の温度の差が前記所定値より大きい場合に、前記用紙に前記入力手段により入力された画像データに応じた現像剤像とは異なる現像剤像を転写して、当該用紙を前記定着手段に通すよう制御することを特徴とする請求項６記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記定着手段において温度の高い部分ほどより多くの現像剤を前記用紙に転写するように制御することを特徴とする請求項７記載の画像形成装置。
【請求項９】
画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された画像データに応じた現像剤像を用紙に転写する転写手段と、
前記転写手段により転写された現像剤像を前記用紙に定着させる定着手段とを有する画像形成装置の制御方法であって、
前記定着手段の温度を測定する測定工程と、
前記測定工程により測定された温度に基づいて前記定着手段を冷却するために用いる用紙の種類を選択する選択工程と、
前記測定工程により測定された温度が所定の温度よりも高い場合に、前記選択工程によって選択された種類の用紙を前記定着手段に通すよう制御する制御工程とを有することを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された画像データに応じた現像剤像を用紙に転写する転写手段と、
前記転写手段により転写された現像剤像を前記用紙に定着させる定着手段とを有する画像形成装置に、
前記定着手段の温度を測定する測定工程と、
前記測定工程により測定された温度に基づいて前記定着手段を冷却するために用いる用紙の種類を選択する選択工程と、
前記測定工程により測定された温度が所定の温度よりも高い場合に、前記選択工程によって選択された種類の用紙を前記定着手段に通すよう制御する制御工程とを実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
学習対象言語の原音声に基づいて音声出力手段から出力される再生音声を学習者が聴取し、これに従って発声を行うことにより当該言語の会話の訓練を行う語学学習支援システムであって、
a)学習対象言語の原音声の文を取得してチャンク単位に分割して原音声チャンクを得る文分割手段と、
b)学習者の母語における前記原音声チャンクにそれぞれ対応した意味を有する母語音声チャンクを取得する母語音声チャンク取得手段と、
c)前記原音声チャンク及び前記母語音声チャンクに対しそれぞれ、再生時に繰り返し音がそれぞれ独立に聴取可能な遅延時間を有して所定回数繰り返すようなエコー付加処理を行うエコー付加手段と、
d)それぞれエコー付加処理された学習対象言語の原音声チャンクと母語音声チャンクとが、チャンク単位で時間的に交互に、且つ、所定の時間間隔空けた状態で音声出力されるように、時間経過に伴う出力タイミングを制御した第１音声データを作成するデータ作成手段と、
を備え、前記データ作成手段により作成された第１音声データを音声出力手段から出力させるようにしたことを特徴とする語学学習支援システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
学習対象言語の原音声に基づいて音声出力手段から出力される再生音声を学習者が聴取し、これに従って発声を行うことにより当該言語の会話の訓練を行う語学学習支援方法であって、
a)学習対象言語の原音声の文を取得してチャンク単位に分割して原音声チャンクを得る文分割ステップと、
b)学習者の母語における前記原音声チャンクにそれぞれ対応した意味を有する母語音声チャンクを取得する母語音声チャンク取得ステップと、
c)前記原音声チャンク及び前記母語音声チャンクに対しそれぞれ、再生時に繰り返し音がそれぞれ独立に聴取可能な遅延時間を有して所定回数繰り返すようなエコーを付加するエコー付加ステップと、
d)それぞれエコー付加された学習対象言語の原音声チャンクと母語音声チャンクとが、チャンク単位で時間的に交互に、且つ、所定の時間間隔空けた状態で音声出力されるように、時間経過に伴う出力タイミングを制御した第１音声データを作成するデータ作成ステップと、
を有し、前記データ作成ステップにより作成された第１音声データを音声出力手段から出力させるようにしたことを特徴とする語学学習支援方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するためになされた第１発明は、学習対象言語の原音声に基づいて音声出力手段から出力される再生音声を学習者が聴取し、これに従って発声を行うことにより当該言語の会話の訓練を行う語学学習支援システムであって、
a)学習対象言語の原音声の文を取得してチャンク単位に分割して原音声チャンクを得る文分割手段と、
b)学習者の母語における前記原音声チャンクにそれぞれ対応した意味を有する母語音声チャンクを取得する母語音声チャンク取得手段と、
c)前記原音声チャンク及び前記母語音声チャンクに対しそれぞれ、再生時に繰り返し音がそれぞれ独立に聴取可能な遅延時間を有して所定回数繰り返すようなエコー付加処理を行うエコー付加手段と、
d)それぞれエコー付加処理された学習対象言語の原音声チャンクと母語音声チャンクとが、チャンク単位で時間的に交互に、且つ、所定の時間間隔空けた状態で音声出力されるように、時間経過に伴う出力タイミングを制御した第１音声データを作成するデータ作成手段と、
を備え、前記データ作成手段により作成された第１音声データを音声出力手段から出力させるようにしたことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また上記課題を解決するためになされた第２発明は、学習対象言語の原音声に基づいて音声出力手段から出力される再生音声を学習者が聴取し、これに従って発声を行うことにより当該言語の会話の訓練を行う語学学習支援方法であって、
a)学習対象言語の原音声の文を取得してチャンク単位に分割して原音声チャンクを得る文分割ステップと、
b)学習者の母語における前記原音声チャンクにそれぞれ対応した意味を有する母語音声チャンクを取得する母語音声チャンク取得ステップと、
c)前記原音声チャンク及び前記母語音声チャンクに対しそれぞれ、再生時に繰り返し音がそれぞれ独立に聴取可能な遅延時間を有して所定回数繰り返すようなエコーを付加するエコー付加ステップと、
d)それぞれエコー付加された学習対象言語の原音声チャンクと母語音声チャンクとが、チャンク単位で時間的に交互に、且つ、所定の時間間隔空けた状態で音声出力されるように、時間経過に伴う出力タイミングを制御した第１音声データを作成するデータ作成ステップと、
を有し、前記データ作成ステップにより作成された第１音声データを音声出力手段から出力させるようにしたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像表示装置に内蔵された外部機器の制御装置であって、少なくとも１つ以上の制御信号出力回路と少なくとも１つ以上の制御信号入力回路を備え、前記映像表示装置が予め設定した動作状態になったときに前記制御信号出力回路より外部機器に対して制御信号を出力すると共に、外部機器から入力される制御信号を前記制御信号入力回路で検出して前記映像表示装置の動作を制御する映像表示装置の外部機器制御装置において、
前記制御信号出力回路が外部機器に対して制御信号を発生する動作の実行および禁止と、前記制御信号入力回路が外部機器より入力される制御信号によって前記装置の動作を制御する動作の実行および禁止を独立に制御することができることを特徴とする映像表示装置の外部機器制御装置。
【請求項２】
前記制御信号出力回路が外部機器に対して制御信号を発生する動作の実行および禁止と、前記制御信号入力回路が外部機器より入力される制御信号によって前記装置の動作を制御する動作の実行および禁止の設定を映像表示装置のメニューで設定することを特徴とする請求項１記載の映像表示装置の外部機器制御装置。
【請求項３】
映像表示装置に内蔵された外部機器の制御装置であって、少なくとも１つ以上の制御信号出力回路と少なくとも１つ以上の制御信号状態監視回路を備え、前記映像表示装置が予め設定した動作状態になったときに前記制御信号出力回路が外部機器に対して制御信号を出力する時に同時に前記制御状態監視回路で制御信号の状態を監視しておき、制御信号が異常な状態になったときに制御信号の出力を中止するように構成したことを特徴とする映像表示装置の外部機器制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記した従来の課題を解決するために、本発明の映像表示装置の外部機器制御装置は、制御信号出力回路と制御信号入力回路を備え、前記映像表示装置が予め設定した動作状態になったときに前記制御信号出力回路より外部機器に対して制御信号を出力すると共に、外部機器から入力される制御信号を前記制御信号入力回路で検出して前記映像表示装置の動作を制御するものにおいて、前記制御信号出力回路が外部機器に対して制御信号を発生する動作の実行および禁止と、前記制御信号入力回路が外部機器より入力される制御信号によって前記装置の動作を制御する動作の実行および禁止を独立に制御することができることを特徴とするものであり、外部機器より映像表示装置であるプロジェクター装置を制御することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月7日(2012.11.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は一般に音響的（acoustically、以下、聴覚的という。）に感知された信号の処理に関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
人間の頭脳内の処理により生じる方法で音声信号の精度を高める手法も存在する。それらは一般に計算機による聴覚情景解析（ＣＡＳＡ）と称される。人間は異なる同時の音声を区別して１つの音源に集中することができることが分かっている。それを支える仕組みは様々な時間周波数領域を１つの音源に結び付け或いはグループ分け（group、以下、グループピングという）するように働くことのできる手がかりに基づいて信号を分離できることである。そのような手がかりは例えば、基本周波数、空間内の位置、或いは共通オン及びオフのセットである。