Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基油と増ちょう剤を含むグリース基材に、下記一般式（１）の不飽和脂肪酸のアミン塩の少なくとも1種類以上を含有させた樹脂潤滑用グリース組成物。
〔化１〕                ＲＣＯＯ- Ｒ'ＮＨ3+・・・・・・・・・（１）
（但し、Ｒは、炭素数１５〜２１の不飽和の炭化水素基、Ｒ’は炭素数８〜２２の飽和または不飽和の直鎖状または分岐状の炭化水素基である。）
【請求項２】
上記少なくとも１種類以上含有する不飽和脂肪酸アミン塩の合計含有量が、グリース組成物全量に対して０.１〜１０質量％である請求項１に記載の樹脂潤滑用グリース組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタロセン触媒を用いて製造された熱可塑性樹脂（Ａ１）、不飽和カルボン酸またはその誘導体で変性された変性ポリオレフィン樹脂（Ａ２）および強化繊維（Ａ３）を含有してなる長繊維強化熱可塑性樹脂粒子（Ａ）１０〜９０重量％と、
希釈用ポリオレフィン樹脂粒子（Ｂ）９０〜１０重量％（ただし、長繊維強化熱可塑性樹脂粒子（Ａ）および希釈用ポリオレフィン樹脂粒子（Ｂ）の合計を１００重量％とする）とからなり、
下記要件（１）〜（４）を満たすことを特徴とする長繊維強化粒子ドライブレンド物（Ｃ）。
（１）熱可塑性樹脂（Ａ１）および変性ポリオレフィン樹脂（Ａ２）の合計１００重量％中、不飽和カルボン酸またはその誘導体の変性量が０．０１〜２重量％である。
（２）熱可塑性樹脂（Ａ１）、変性ポリオレフィン樹脂（Ａ２）および強化繊維（Ａ３）の合計１００重量％中、熱可塑性樹脂（Ａ１）および変性ポリオレフィン樹脂（Ａ２）が合計で２０〜７０重量％含まれる。
（３）熱可塑性樹脂（Ａ１）、変性ポリオレフィン樹脂（Ａ２）および強化繊維（Ａ３）の合計１００重量％中、強化繊維（Ａ３）が３０〜８０重量％含まれる。
（４）長繊維強化熱可塑性樹脂粒子（Ａ）２５ｇを２０Ｌ容のチェンバー内に密閉して６５℃で１時間放置したときに長繊維強化熱可塑性樹脂粒子（Ａ）から放散されるアセトアルデヒドの量が３．０μｇ／ｍ3以下である。
【請求項２】
下記要件（５）をさらに満たすことを特徴とする請求項１に記載の長繊維強化粒子ドライブレンド物（Ｃ）。
（５）長繊維強化熱可塑性樹脂粒子（Ａ）中の樹脂成分の融点が１５０℃以上である。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂（Ａ１）および前記変性ポリオレフィン樹脂（Ａ２）の合計１００重量％中、熱可塑性樹脂（Ａ１）が７５〜９９重量％含まれ、変性ポリオレフィン樹脂（Ａ２）が１〜２５重量％含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の長繊維強化粒子ドライブレンド物（Ｃ）。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂（Ａ１）が、下記要件（ａ−１）、（ａ−２）および（ａ−３）を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の長繊維強化粒子ドライブレンド物（Ｃ）。
（ａ−１）メルトインデックス（ＭＩ；樹脂温度２３０℃、荷重２１．１８Ｎ）が１００〜２５０ｇ／１０分の範囲にある。
（ａ−２）クロス分別クロマトグラフィー（ＣＦＣ法）により測定した９０℃のｏ−ジクロロベンゼンに可溶な成分の量が１重量％以下である。
（ａ−３）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が３．５未満である。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂（Ａ１）が、プロピレン単独重合体およびプロピレン−α−オレフィンランダム共重合体の中から選ばれる少なくとも１種の重合体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の長繊維強化粒子ドライブレンド物（Ｃ）。
【請求項６】
前記長繊維強化熱可塑性樹脂粒子（Ａ）および前記希釈用ポリオレフィン樹脂粒子（Ｂ）の合計１００重量％中、強化繊維（Ａ３）が５〜６０重量％含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の長繊維強化粒子ドライブレンド物（Ｃ）。
【請求項７】
前記希釈用ポリオレフィン樹脂粒子（Ｂ）が、下記要件（ｂ−１）、（ｂ−２）および（ｂ−３）を満たすことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の長繊維強化粒子ドライブレンド物（Ｃ）。
（ｂ−１）メルトインデックス（ＭＩ；樹脂温度２３０℃、荷重２１．１８Ｎ）が２０〜７０ｇ／１０分の範囲にある。
（ｂ−２）コーン＆プレートレオメーターで測定した貯蔵弾性率Ｇ'および損失弾性率Ｇ''から計算される角周波数ω＝１（ｒａｄ／秒）のときの緩和時間λが０．３秒以下である。
（ｂ−３）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．５〜６．０の範囲にある。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の長繊維強化粒子ドライブレンド物（Ｃ）を用い、成形して得られる成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】長繊維強化粒子ドライブレンド物およびその成形体
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蠕動ポンプ（１００）を備え、可撓性管（１４０）内の流体をポンプ輸送する方法であって、
該蠕動ポンプ（１００）は、ポンプモータ（５００）および可変な数のローラ（３６０）を収容し得るローラアセンブリ（３５０）を有し、
該方法は、以下の工程を包含する方法：
第１の特定の流体を選択する工程、
該第１の特定の型の流体に基づいて、該ポンプモータ（５００）の第１の速度を選択する工程、
該第１の特定の型の流体に基づいて、該ローラアセンブリ（３５０）のローラ（３６０）の第１の数を選択する工程、および
該第１の速度および該ローラ（３６０）の第１の数で、第１の特定の型の流体をポンプ輸送する工程。
【請求項２】
さらに、第２の特定の流体、ポンプモータ（５００）の第２の速度、およびローラ（３６０）の第２の数を選択する工程、および
特定の型の流体を、該第２の速度およびローラ（３６０）の第２の数でポンプ輸送する工程、を包含する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の特定の型の流体が、約３０対１の希釈物対濃縮物比を有し、前記第１の速度が約３０〜約７０ｒｐｍを有し、前記第１のローラの数が３から４のローラを有する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の特定の型の流体が、約５対１の希釈物対濃縮物比を有し、前記第１の速度が約４５〜１００ｒｐｍを有し、前記第１のローラの数が２から３のローラを有する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の特定の型の流体が、約２対１の希釈物対濃縮物比を有し、前記第１の速度が約９５ｒｐｍを有し、前記第１のローラの数が２のローラを有する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の特定の型の流体がコーヒーである請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の特定の型の流体がオレンジジュースである請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の特定の型の流体がカプチーノである請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変速機におけるギア及びクラッチの作動の基準となる複数の基準位置を前記変速機の制御装置に学習させる変速機用基準位置の学習方法であって、
前記変速機を車体に組み込んだ後に前記基準位置の学習工程を実行し、
前記基準位置の学習工程では、作業者がシフトレバーを所定の経路で移動させたとき、前記制御装置において、前記基準位置の学習を開始する
ことを特徴とする変速機用基準位置の学習方法。
【請求項２】
請求項１記載の変速機用基準位置の学習方法において、
前記基準位置の学習が終了したら、当該基準位置の再度の学習を禁止する
ことを特徴とする変速機用基準位置の学習方法。
【請求項３】
請求項２記載の変速機用基準位置の学習方法において、
前記基準位置の学習を行うプログラムを、前記基準位置の学習終了後に書き換えることで、前記基準位置の再度の学習を禁止する
ことを特徴とする変速機用基準位置の学習方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の変速機用基準位置の学習方法において、
学習の準備中であるとき、前記シフトレバーの位置を示す表示部の表示を点滅させ、学習の準備が終了したとき、前記表示部の表示を点灯させ、学習中であるとき、前記表示部の表示を点滅させ、学習が終了したとき、前記表示部の表示を点灯させる
ことを特徴とする変速機用基準位置の学習方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の変速機用基準位置の学習方法において、
前記シフトレバーが、ニュートラル位置、バックギア位置、ニュートラル位置の順に移動されたとき、前記基準位置の学習を開始する
ことを特徴とする変速機用基準位置の学習方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の変速機用基準位置の学習方法において、
前記基準位置の学習工程では、少なくとも第１基準位置と第２基準位置を学習し、
前記第１基準位置の学習が終了した後、当該第１基準位置の学習を禁止し、
当該第１基準位置の学習が終了しているにもかかわらず、当該第１基準位置の学習工程への移行条件が満たされた場合、前記第２基準位置の学習を行うべきことを通知する
ことを特徴とする変速機用基準位置の学習方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の変速機用基準位置の学習方法を実行するプログラムを備える車両。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明に係る変速機用基準位置の学習方法は、変速機におけるギア及びクラッチの作動の基準となる複数の基準位置を前記変速機の制御装置に学習させるものであって、前記変速機を車体に組み込んだ後に前記基準位置の学習工程を実行し、前記基準位置の学習工程では、変速指令を手動で入力する変速指令入力器に対して作業者から所定の入力動作が行われたとき、前記制御装置において、前記基準位置の学習を開始することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明によれば、変速指令を手動で入力する変速指令入力器（例えば、シフトレバー）に対して作業者から所定の入力動作が行われたとき、変速機における基準位置の学習を開始する。一般に、変速指令入力器は、運転者が操作し易いように配置される。このため、作業者は、基準位置の学習を簡単な処理で行うことができる。その結果、例えば、工場の制御設備や携帯型のテスタを車両に接続して基準位置の学習をする場合と比べて、着脱の手間が省けるため、作業工数を削減することが可能となると共に、変速機側に接続部を設ける必要がなくなるため、設計の自由度も向上する。
また、基準位置の学習が終了したら、当該基準位置の再度の学習を禁止してもよい。これにより、運転に際して行われる変速指令入力器の操作を前記所定の入力動作として用いても、運転中に基準位置が書き換えられるおそれがなくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
導電性微粒子がカーボンブラックであり、ポリアミック酸の固形分100重量部に対し1〜20重量部の割合で用いられる請求項１記載のチューブ状ポリイミドベルトの製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項記載の方法により製造されたチューブ状ポリイミドベルト。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ここで、像担持体上のトナー像を中間転写体に一次転写し、次いで中間転写体上のトナー像を紙等の記録媒体へ二次転写する方法、いわゆる中間転写方式を採用した画像形成装置に用いられる中間転写ベルトとしては、例えばポリイミド系樹脂にカーボンブラック等の導電剤を分散させたポリイミド系樹脂成形体を用いることが提案されている。
【特許文献１】特開２００１−３５４７８２号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
かかる本発明の目的は、(A)イソプロピリデンビス(4-フェニレンオキシ-4-フタル酸)二無水物および(B)3,3′,4,4′-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物よりなる2種類のテトラカルボン酸二無水物と(C)6-アミノ-2-(p-アミノフェニル)ベンズイミダゾールよりなる１種類のジアミンまたはこれと(D)ビス(4-アミノフェニル)エーテルおよび(E)フェニレンジアミンの少なくとも１種よりなる2種類または3種類のジアミンとの共重合体であるポリアミック酸であって、(C)、(D)、(E)各成分の合計モル数中20〜100モル％を占める(C)成分が用いられたポリアミック酸の有機溶媒溶液中に導電性微粒子を分散させたポリアミック酸分散液を、円筒状または棒状基材外表面上に塗布して、乾燥処理を行った後ポリイミド化反応させ、チューブ状ベルトを形成させてチューブ状ポリイミドベルトを製造する方法によって達成される。形成された金型上のチューブ状ベルトは、脱型して用いられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、ジアミン化合物(C)と共にフェニレンジアミン(E)を用いた場合には、(C)成分が10モル％以上、好ましくは10〜95モル％に対し(E)成分が90モル％以下、好ましくは90〜5モル％の割合で用いられる。(C)成分に対し(E)成分をこれ以上の割合で用いると、最終的に得られる成形体が脆くなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応は、好ましくはN-メチロ-2-ピロリドン溶媒中で行われるが、この他にジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、m-クレゾール等の極性溶媒中でも行われる。実際には、テトラカルボン酸二無水物混合物の極性溶媒溶液中に約0〜60℃でジアミン(混合物)またはその極性溶媒溶液を滴下し、その後約0〜60℃で約0.5〜5時間程度反応させ、ポリイミド前駆共重合体であるポリアミック酸を形成させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このようにして得られたポリアミック酸溶液には、導電性微粒子が好ましくは分散液として添加される。導電性微粒子としては、金属微粒子、カーボンブラック、または酸化錫、酸化亜鉛、チタン酸カリウム等の酸化金属系微粒子、短繊維、ガラス等の非導電性微粒子の表面を金属または酸化金属でコートしたものなどが用いられ、分散の容易性の点からは、非金属系微粒子であるカーボンブラックが好んで用いられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
カーボンブラックは、粒子径、DBP吸収量、揮発分、比表面積、pHなどの特性項目が種々異なった種類が存在し、それらの違いによるストラクチャーの形成状況や挙動が異なり、結果として導電性のレベル、分散性、樹脂との相溶性などが決まってくる。一般には、ファネスブラック、チャンネルブラック、サーマルブラックと大別されるカーボンブラックの内、ファネスブラックが好んで用いられ、その粒径は約1〜100nm程度であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１×１０-9ｍ乃至１×１０-5ｍの平均直径を有する３次元的に配列された球状の空孔を備え、表面積が３×１０2ｍ2／グラム以上の多孔質炭素材料から成る薬剤徐放剤。
【請求項２】
巨視的に、結晶構造に相当する配置状態にて空孔が配列されている多孔質炭素材料から成る薬剤徐放剤。
【請求項３】
巨視的に、面心立方構造における（１１１）面配向に相当する配置状態にて、その表面に空孔が配列されている多孔質炭素材料から成る薬剤徐放剤。
【請求項４】
多孔質炭素材料の表面には、化学処理が施され、又は、分子修飾されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の薬剤徐放剤。
【請求項５】
多孔質炭素材料１００重量部に対して１重量部乃至２００重量部の薬剤が多孔質炭素材料に吸着あるいは担持されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の薬剤徐放剤。
【請求項６】
薬剤としてイブプロフェンが多孔質炭素材料に吸着あるいは担持されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の薬剤徐放剤。
【請求項７】
１×１０-9ｍ乃至１×１０-5ｍの平均直径を有する３次元的に配列された球状の空孔を備え、表面積が３×１０2ｍ2／グラム以上の多孔質炭素材料から成る、有機物を吸着する吸着剤。
【請求項８】
巨視的に、結晶構造に相当する配置状態にて空孔が配列されている多孔質炭素材料から成る、有機物を吸着する吸着剤。
【請求項９】
巨視的に、面心立方構造における（１１１）面配向に相当する配置状態にて、その表面に空孔が配列されている多孔質炭素材料から成る、有機物を吸着する吸着剤。
【請求項１０】
多孔質炭素材料の表面には、化学処理が施され、又は、分子修飾されている請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の有機物を吸着する吸着剤。
【請求項１１】
有機物は数平均分子量が１×１０2乃至５×１０4の有機物である請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の有機物を吸着する吸着剤。
【請求項１２】
１×１０-9ｍ乃至１×１０-5ｍの平均直径を有する３次元的に配列された球状の空孔を備え、表面積が３×１０2ｍ2／グラム以上の多孔質炭素材料から成る医療用の吸着剤。
【請求項１３】
巨視的に、結晶構造に相当する配置状態にて空孔が配列されている多孔質炭素材料から成る医療用の吸着剤。
【請求項１４】
巨視的に、面心立方構造における（１１１）面配向に相当する配置状態にて、その表面に空孔が配列されている多孔質炭素材料から成る医療用の吸着剤。
【請求項１５】
１×１０-9ｍ乃至１×１０-5ｍの平均直径を有する３次元的に配列された球状の空孔を備え、表面積が３×１０2ｍ2／グラム以上の多孔質炭素材料から成る経口投与用の吸着剤。
【請求項１６】
巨視的に、結晶構造に相当する配置状態にて空孔が配列されている多孔質炭素材料から成る経口投与用の吸着剤。
【請求項１７】
巨視的に、面心立方構造における（１１１）面配向に相当する配置状態にて、その表面に空孔が配列されている多孔質炭素材料成る経口投与用の吸着剤。
【請求項１８】
１×１０-9ｍ乃至１×１０-5ｍの平均直径を有する３次元的に配列された球状の空孔を備え、表面積が３×１０2ｍ2／グラム以上の多孔質炭素材料を含む機能性食品。
【請求項１９】
１×１０-9ｍ乃至１×１０-5ｍの平均直径を有する３次元的に配列された球状の空孔を備え、表面積が３×１０2ｍ2／グラム以上の多孔質炭素材料から成る吸着剤を備えているマスク。
【請求項２０】
１×１０-9ｍ乃至１×１０-5ｍの平均直径を有する３次元的に配列された球状の空孔を備え、表面積が３×１０2ｍ2／グラム以上の多孔質炭素材料から成るシート状部材、並びに、シート状部材を支持する支持部材から構成されている吸着シート。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される基を有するアゾ顔料。
【化１】
2010102318.tif 000001
（一般式（１）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｘは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−または−ＣＨ＝ＣＨ−を示す。）
【請求項２】
前記Ａｒ１が置換もしくは無置換のフェニル基であり、前記Ａｒ２が置換もしくは無置換のフェニル基であり、
該置換フェニル基の置換基が、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ジアルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、ハロメチル基、またはハロメトキシ基であり、
前記Ｘが−ＣＨ２−ＣＨ２−である請求項１に記載のアゾ顔料。
【請求項３】
下記一般式（２）で示される請求項１に記載のアゾ顔料。
【化２】
2010102318.tif 000002
（一般式（２）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｘは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−または−ＣＨ＝ＣＨ−を示す。ｎは、１、２、３または４である。Ａｒ３は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含むｎ価の基を示す。）
【請求項４】
前記Ａｒ１が置換もしくは無置換のフェニル基であり、
該置換フェニル基の置換基が、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ジアルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、ハロメチル基、またはハロメトキシ基であり、
前記Ａｒ２が置換もしくは無置換のフェニル基であり、前記Ｘが−ＣＨ２−ＣＨ２−である請求項３に記載のアゾ顔料。
【請求項５】
下記一般式（３）で示される請求項１に記載のアゾ顔料。
【化３】
2010102318.tif 000003
（一般式（３）中、ｎは、１、２、３または４である。Ａｒ３は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含むｎ価の基を示す。）
【請求項６】
前記Ａｒ３が、下記構造式（４）〜（７）のいずれかで示される基である請求項３〜５のいずれか１項に記載のアゾ顔料。
【化４】
2010102318.tif 000004
【化５】
2010102318.tif 000005
【化６】
2010102318.tif 000006
【化７】
2010102318.tif 000007
【請求項７】
支持体、該支持体上に設けられた中間層および該中間層上に設けられた感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が請求項１〜６のいずれか１項に記載のアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項８】
請求項７に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項７に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
（実施例２〜１１、１３〜１７）
実施例１おいて、中間層に用いた例示化合物（１）をそれぞれ表１に示す例示化合物に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、ΔＶＤ１、ΔＶＬ１、ΔＶＤ２、ΔＶＬ２をそれぞれ測定・算出した。結果を表１に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
【表１】
2010102318.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図１１（ａ）は、図１１にて説明する例における印刷１枚毎のトナー消費量を示したグラフである。１枚目〜１０枚目を印刷する時の１枚毎の消費トナー量は２Ｔ（ｍｇ）であり、１１枚目〜２０枚目を印刷する時の１枚毎の消費トナー量はＴ（ｍｇ）である。図１１（ｂ）は、１枚毎のトナーの補給量を示したグラフで、現像で消費した分だけ補給されている。図１１（ｃ）は、図１１（ａ）、及び１１（ｂ）に示した状況下における、１枚毎の印刷開始時のトナー帯電量を示したグラフである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
γ変換部１１０１で行われるγ-LUTの作成は、複数のパッチ出力及び濃度測定を行うための時間を要する。このため、γ変換部１１０１でのγ−LUT作成処理を、プリント１枚毎等、高い頻度でγ変換部１１０１でのγ−LUT作成処理を行うと、著しく生産性を低下させる。また、γ-LUTの作成の際に、トナーの消費や補給を伴うため、厳密には画像形成装置の階調特性を変化させてしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
Ｔｈ＝Ｎ×Ｔdiv          式（７）
次に補正量算出部１１０６は、現像器１２０６から攪拌スクリュ１４０１の回転時間を受け取り、攪拌時間tｏｎ（ｎ-1）とする（ステップＳ７０４）。ここで、補正量算出部１１０６がステップＳ７０２、Ｓ７０３、Ｓ７０４のそれぞれにおいて取得する情報の詳細について、図８に示す各処理の順序を示す模式図を用いて説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図８の最上段は、プリント命令の発行タイミングを示しており、発行タイミング信号の立ち上がりＰ（ｎ）（ｎ枚目のプリント命令）に対して、画像形成装置が動作する。まず、不図示の制御部からＰ（ｎ）が発行されると、コントローラ１００１において画像信号の処理が開始される。そして、Ｅ（ｎ）のタイミングで、コントローラ１００１から出力されるレーザー駆動信号に基づきレーザダイオード１２０１が露光処理を行う。ビデオカウント部１１０５にてビデオカウント値の算出を開始し、露光処理終了の時点８０１でｎ枚目のプリントのビデオカウント値が確定する。また、露光処理により感光ドラム１２０３上に形成された潜像が現像器１２０６に対向するタイミングに合わせて、不図示の制御部から現像モータ回転信号ＤＥＶ（ｎ）が出力される。現像器１２０６は、現像モータ回転信号ＤＥＶ（ｎ）を受けて、攪拌スクリュ１４０１および現像スリーブ１４０２を駆動させる。攪拌スクリュ１４０１の回転時間（撹拌時間tｏｎ）は、不図示の制御部により実行される攪拌時間決定機能により、感光ドラム１２０３の回転速度とＰ（ｎ）発行時に取得されるｎ枚目の画像のサイズとから決定される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
［実施例３］
実施例２では、γ-LUTを利用して階調補正を行う方法について説明した。本実施例では、レーザ強度の補正により階調特性を補正する例について説明する。実施例３における画像形成装置の構成例を示すブロック図を図１３（ａ）に示す。なお、図１３（ａ）に示した構成は、図５の構成からγ補正部１１０２を削除すると共に図５の構成に強度補正部１３００を加えた以外は、図５の構成と同一である。従って、以下では、強度補正部１３００の動作について説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
強度補正部１３００は、補正量算出部１１０６から入力画像信号の最大値255におけるトナー重量変動量ΔＭを受け取り、以下の式（１５）を計算することで、補正係数ｋｐを算出する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
ｋｐ＝１／（１＋ΔＭ／Ｍnorm）          式（１５）
ここで、Ｍnormは、最大値255における単位面積あたりの目標トナー重量である。強度補正部１３００は、入力信号に補正係数Ｋｐを乗算し、PWM処理部１１０４に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス配管路に設けられたバルブの開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部と、
前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、
前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
ガス配管路に設けられたバルブの開閉要求状態及び前記バルブの開閉状態を検出し、
前記バルブの開閉要求状態によりシミュレーションされる前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開放して前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示することを特徴とするガス給排状態の表示方法。
【請求項３】
ガス配管路に設けられたバルブの開閉要求状態及び前記バルブの開閉状態を検出する検出工程と、ガス配管路に設けられたバルブの開閉要求状態によりシミュレーションされる前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記開閉要求状態から開状態への移行により前記バルブを開放して前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別可能に表示する工程を少なくとも有する状態表示プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、ガス給排状態の表示方法及び状態表示プログラム
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月17日(2012.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスタトランスファレベルで機能回路が表現された第１の記述のうち、同期の単位回路を示す第２の記述をブロック化し、ブロック化された前記第２の記述を一つの階層として、前記第１の記述を階層化された第３の記述に変換する階層化手段と、
前記第３の記述の論理合成を行うことにより第１のネットリストを生成する第１の論理合成手段と、
前記第１のネットリストをもとに配置配線を行う第１の配置配線手段と、
前記ブロック化された前記第２の記述を非同期の前記単位回路を示す第４の記述に置換する第１の置換手段と、
前記第４の記述の論理合成を行うことにより第２のネットリストを生成する第２の論理合成手段と、
前記第２のネットリストをもとに配置配線を行う第２の配置配線手段と、
前記第２の配置配線手段により配置配線が行われた回路の計算を行う計算手段と、
前記計算手段での計算結果をもとに前記第１の配置配線手段により配置配線が行われた回路を選択的に前記第２の配置配線手段により配置配線が行われた回路に置換する第２の置換手段と、を有する機能回路の設計システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記単位回路は、順序回路を有するカウンター回路である機能回路の設計システム。
【請求項３】
レジスタトランスファレベルで機能回路が表現された第１の記述のうち、同期の単位回路を示す第２の記述を抽出し、ブロック化することにより、ブロック化した第２の記述を一つの階層として、前記第１の記述を階層化した第３の記述に変換し、
前記第３の記述の論理合成を行うことにより第１のネットリストを生成し、
前記第１のネットリストをもとに第１の配置配線処理を行い、
前記ブロック化した前記第２の記述を非同期の前記単位回路を示す第４の記述に置換し、
前記第４の記述の論理合成処理を行うことにより第２のネットリストを生成し、
前記第２のネットリストをもとに第２の配置配線処理を行い、
前記第２の配置配線処理が行われた回路の計算処理を行い、
前記計算処理での計算結果をもとに前記第１の配置配線処理が行われた回路を選択的に前記第２の配置配線処理が行われた回路に置換する機能回路の設計方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の配置配線処理により前記第１の配置配線処理で配置配線が行われた回路のタイミング検証を行う機能回路の設計方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記計算処理により前記第２の配置配線処理で配置配線が行われた回路のタイミング検証を行う機能回路の設計方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路と、
前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナと、
前記半導体集積回路と第１の絶縁体を介して重畳して設けられた導電膜と、
前記半導体集積回路、前記アンテナ、及び前記導電膜を挟持し、上下及び周囲を覆うように設けられた第２の絶縁体とを有し、
前記導電膜は、金属、金属酸化物、半導体、又は金属窒化物でなる島状の導電体が点在した構成を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体集積回路と、
前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナと、
前記半導体集積回路と第１の絶縁体を介して重畳して設けられた導電膜と、
前記半導体集積回路、前記アンテナ、及び前記導電膜を挟持し、上下及び周囲を覆うように設けられた第２の絶縁体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の絶縁体は、繊維体に樹脂を含浸させた構造体を有することを特徴とする半導
体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）を有する複数の端末ベースアセンブリ（１００）を備え、前記複数の端末ベースアセンブリ（１００）の少なくとも一部が、前記少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）内の変動レベルの冗長性を有し、前記複数の端末ベースアセンブリ（１００）が、前記複数の端末ベースアセンブリ（１００）のそれぞれの中の回路（１１６）によって共に接続され、通信信号が、前記複数の端末ベースアセンブリのうちの１つにコントローラとして配置されている前記少なくとも１つのモジュールに応答して、前記複数の端末ベースアセンブリの間で回転するように構成されている、装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）が、インテリジェントモジュール（１０２、１０４）および非インテリジェントモジュール（１０６、１０８、１１４）を含むグループからのものである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）が、プロセッサモジュール（１０２、１０４）を含み、前記プロセッサモジュール（１０２、１０４）が、冗長プロセッサモジュール（１０２、１０４）および非冗長プロセッサモジュール（１０２）を含むグループからのものである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つのモジュール（１０２、１０８、１１４）が、ネットワークスイッチモジュール（５１２、５１４）を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのモジュール（１０２、１０８、１１４）が、入力モジュール（１０６、１０８）および出力モジュール（１１４）の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記入力モジュール（１０６、１０８）が、ワイヤード接続部（１１０、１１２）および／または無線接続を通して１つまたは複数の入力信号を受信する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記複数の端末ベースアセンブリ（１００）が、前記複数の端末ベースアセンブリ（１００）のそれぞれの中の通信信号（４００）によって共に接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記通信信号（４００）の一部が、前記少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）のうちの１つだけによって駆動され、それによって前記通信信号（４００）のうちの固有の信号が、前記少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）のそれぞれに提供される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記通信信号（４００）の一部を駆動する前記少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）のうちの前記１つが、前記少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）を含む任意の１つまたは複数のプロセッサ（１０２、１０４）モジュールによって使用されるいくつかのポート線に従って前記通信信号（４００）を回転させる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのモジュール（１０２〜１０８、１１４）が、少なくとも１つのプロセッサモジュール（１０２、１０４）を含む場合に、前記少なくとも１つのプロセッサモジュール（１０２〜１０４）が、少なくとも１つの遠隔無線ネットワークスイッチモジュール（５１２、５１４）と無線で通信する、請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される信号によって負荷変調を行う第１の変調回路及び第２の変調回路と、
外部から供給される電力により出力信号を決定する検出回路と、
前記検出回路の出力信号により動作が制御される保護回路と、
前記検出回路の出力信号により前記第１の変調回路又は前記第２の変調回路の一方を選択する変調選択回路と、を有し、
前記保護回路の非動作時に、前記変調選択回路は前記第１の変調回路を選択し、
前記保護回路の動作時に、前記変調選択回路は前記第２の変調回路を選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
入力される信号によって負荷変調を行う第１の変調回路及び第２の変調回路と、
外部から交流電圧が入力されるアンテナ端子と、
前記交流電圧を直流電圧に変換する整流回路と、
前記整流回路から出力される電圧値により出力信号を決定する検出回路と、
前記検出回路の出力信号により前記整流回路の出力電圧を抑制する保護回路と、
前記検出回路の出力信号により前記第１の変調回路又は前記第２の変調回路の一方を選択する変調選択回路と、を有し、
前記直流電圧が前記保護回路の動作開始電圧より低いときに前記変調選択回路は、前記第１の変調回路を選択し、
前記直流電圧が前記保護回路の動作開始電圧より高いときに前記検出回路は、前記保護回路を動作させ、前記変調選択回路は、前記第２の変調回路を選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の変調回路は、前記保護回路が動作することにより小さくなった副搬送波の振幅を大きくするものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第２の変調回路が有する負荷は、前記第１の変調回路が有する負荷より小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体含有層上に誘電体層を形成するステップと、
上記誘電体層内にバイアを形成するステップと、
を含み、上記バイアは、上記バイアの底面が上記半導体含有層の一部分であるように上記半導体含有層まで伸びており、
一方向性平行スパッタリング堆積技術を使用して、上記バイアの側壁上にではなく、上記バイアの底面上のみに核形成層を堆積するステップと、
化学蒸着（ＣＶＤ）技術を使用して、継ぎ目無しプラグ充填を得るために、上記核形成層上に導電性充填材料を上記バイアのトップまで堆積するステップと、
を更に含み、上記導電性充填材料は、上記側壁から内側へではなく、上記底から上方へ成長する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記核形成層は、金属、シリサイド、ホウ化物、及び窒化物からなるグループから選択された少なくとも１つの導電性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記核形成層は、チタンからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記バイアの高さは、上記バイアの幅の少なくとも10倍であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記核形成層上に堆積される導電性充填材料は、チタン、タングステン、及びそれらの合金からなるグループから選択された少なくとも１つの導電性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記ＣＶＤ技術は、化学蒸着（ＣＶＤ）、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、及びプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記バイアを形成するステップは、エッチングによることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の非極性発光セルを有する発光ダイオードの製造方法であって、
上部表面がｃ面に対して一定の交差角をなす非極性または半極性の結晶面を有するＧａＮ基板を用意し、
前記基板上に窒化物半導体層を成長させ、
前記窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルを形成し、前記発光セル間の分離領域の下方から前記基板を部分的に除去してリセス領域を形成し、
前記リセス領域を充填する絶縁層を形成し、
前記絶縁層を露出させるように、前記基板を少なくとも部分的に除去する発光ダイオードの製造方法であって、
前記窒化物半導体層は、第１の導電型半導体層、活性層、第２の導電型半導体層を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記基板を少なくとも部分的に除去した後、前記絶縁層間に露出した前記基板または前記窒化物半導体層の表面に粗面を形成することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記発光セルは、
それぞれ、第１の導電型半導体層と、
前記第１の導電型半導体層の一部領域上に配置される第２の導電型半導体層と、
前記第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された活性層と、を有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記基板を除去する前に、前記発光セルを電気的に接続する配線を形成することを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記配線を形成する前に、前記発光セル上に反射層を形成することを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記ＧａＮ基板を除去する前に、
前記配線を覆う層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層上に第２の基板をボンディングすることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項７】
前記配線を形成する前に、前記発光セルの側面を覆う側面絶縁層を形成することを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記リセス領域を充填する絶縁層は、前記発光セルを覆い、前記第１の導電型半導体層の他の領域及び前記第２の導電型半導体層の上部に開口部を有し、
前記基板を除去する前に、
前記絶縁層の開口部を通じて、隣り合う発光セルを電気的に接続するボンディングメタルを形成し、
前記ボンディングメタルに第２の基板をボンディングすることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
前記ボンディングメタルを形成する前に、前記第２の導電型半導体層上に反射層を形成することを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
前記発光セルは、
それぞれ、第１の導電型半導体層と、
前記第１の導電型半導体層上に配置される第２の導電型半導体層と、
前記第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された活性層と、を有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
前記基板を除去する前に、
前記発光セルの第１の導電型半導体層に電気的に接続された電極を形成し、前記電極は、それぞれ、前記リセス領域を充填する絶縁層上に延びたことを特徴とする請求項１０に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
前記電極を形成する際に、
前記第２の導電型半導体層上に反射層を形成し、
前記反射層を覆い、前記絶縁層上に延びる保護金属層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
前記基板を除去する前に、
前記電極を覆う層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層に第２の基板をボンディングすることを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１４】
前記基板を除去した後、
前記リセス領域を充填する前記絶縁層をパターニングして、前記電極を露出させる開口部を形成し、
隣り合う発光セルを接続する配線を形成し、
前記配線は、それぞれ、その一端部が、前記絶縁層に形成された開口部を通じて、前記電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１５】
複数の非極性発光セルを有する発光素子において、
基板と、
前記基板の上部に互いに離隔して形成され、それぞれ第１の導電型上部半導体層、活性層、及び第２の導電型下部半導体層を有する複数の非極性または半極性の発光セルと、
前記発光セルの前記第１の導電型上部半導体層を覆うＧａＮ系物質層と、
前記ＧａＮ系物質層間の空間を充填する絶縁層と、
前記発光セルと前記絶縁層の下方で前記発光セルを電気的に接続する配線と、
前記配線を覆い、前記基板と発光セルとの間に介在された層間絶縁層と、
を備えることを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
前記ＧａＮ系物質層は、ＧａＮ成長基板の残余部分またはバッファ層であることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記ＧａＮ系物質層は、それぞれその表面に粗面を有することを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記層間絶縁層と前記第２の導電型下部半導体層との間に介在された反射層をさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記反射層を覆う保護金属層をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記配線は、それぞれ、一つの前記発光セルの保護金属層と、それに隣り合う前記発光セルの第１の導電型半導体層を接続することを特徴とする請求項１９に記載の発光素子。
【請求項２１】
複数の非極性発光セルを有する発光素子において、
基板と、
前記基板の上部に互いに離隔して配置され、それぞれ第１の導電型上部半導体層、活性層、及び第２の導電型下部半導体層を有する複数の非極性発光セルと、
前記基板と前記発光セルとの間に互いに離隔して配置され、対応する前記第２の導電型下部半導体層にそれぞれ電気的に接続され、それぞれ隣り合う発光セル側に延びた電極と、
前記電極の上部から前記発光セル間の空間を充填され、前記電極を露出させる開口部を有する絶縁層と、
前記発光セルを電気的に接続し、それぞれ一端部は、一つの発光セルの上部半導体層に電気的に接続され、他端部は、前記絶縁層の前記開口部を通じて、隣り合う前記発光セルの前記下部半導体層に電気的に接続された前記電極に電気的に接続された配線と、
を備えることを特徴とする発光素子。
【請求項２２】
前記発光セルの前記第１の導電型上部半導体層を覆うＧａＮ系物質層をさらに備えることを特徴とする請求項２１に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記ＧａＮ系物質層は、ＧａＮ成長基板の残余部分またはバッファ層であることを特徴とする請求項２２に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記ＧａＮ系物質層は、それぞれその表面に粗面を有することを特徴とする請求項２１に記載の発光素子。
【請求項２５】
前記電極は、それぞれ反射層及び前記反射層を覆う保護金属層を有することを特徴とする請求項２１に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿から位相の異なる複数枚の画像データを１回の走査により読み取る原稿読取手段と、
前記位相の異なる複数枚の画像データを用いて前記画像データよりも解像度の高い超解像画像データを生成する超解像度処理手段と、
前記超解像画像データに対し複数の画像処理を行う画像処理手段と、
を備えた画像処理装置であって、
前記複数の画像処理は、それぞれ特定の解像度と関連付けられており、
前記超解像度処理手段は、いずれかの画像処理と関連付けられた前記特定の解像度を得るために必要な画像データが得られた時点で超解像度処理を開始することを特徴とする画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ格納装置であって、
前記データ格納装置と他のデータ格納装置とで共有されるファイルを格納する格納手段と、
前記格納手段への電力が供給されている待機状態から、前記格納手段への電力供給を遮断する省電力状態に移行させる場合であって、ネットワークに接続されている他のデータ格納装置が省電力状態である場合、待機状態での消費電力が前記データ格納装置より低いデータ格納装置を、前記他のデータ格納装置から前記ファイルを共有する装置として選択し、選択したデータ格納装置を待機状態に移行させるとともに前記データ格納装置を省電力状態に移行させる制御手段と、
を有することを特徴とするデータ格納装置。
【請求項２】
前記制御手段が前記選択したデータ格納装置を前記待機状態に移行させたことに応じて、前記格納手段に格納されているファイルの属性を示すファイル情報を前記選択したデータ格納装置に送信する送信手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載のデータ格納装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記省電力状態である他のデータ格納装置の前記消費電力が前記データ格納装置より高い場合、前記データ格納装置の省電力状態への移行を制限することを特徴とする請求項１に記載のデータ格納装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記データ格納装置を前記省電力状態に移行させる場合であって、前記他のデータ格納装置のうち待機状態のデータ格納装置が存在する場合には、該待機状態のデータ格納装置に前記ファイル情報を送信することを特徴とする請求項２に記載のデータ格納装置。
【請求項５】
前記他のデータ格納装置から前記待機状態での消費電力を示す電力情報を収集する収集手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のデータ格納装置。
【請求項６】
前記ファイル情報は、ファイルの実体を含まない前記ファイルの一部の情報であることを特徴とする請求項２に記載のデータ格納装置。
【請求項７】
前記ファイル情報は、ファイル名及びファイルの格納先を示す情報を含むことを特徴とする請求項６に記載のデータ格納装置。
【請求項８】
前記他のデータ格納装置から送信される前記ファイル情報を受信して前記格納手段に格納させる受信手段と、
ネットワークに接続される外部装置による前記格納手段に格納されるデータへのアクセス要求を受け付ける受付手段と、
を有し、
前記手段に格納された前記ファイル情報に基づいて前記ファイル情報の実体を示すファイルへのアクセスを受け付けることを特徴とする請求項２に記載のデータ格納装置。
【請求項９】
前記受付手段は、
前記格納手段に格納された前記ファイル情報の実体を示すファイルへのアクセスを受け付けた場合、該ファイル情報の実体を示すファイルを格納する他のデータ格納装置を起動させるか否かを問い合わせる問合手段と、
前記問合手段による問い合わせの結果が、前記他のデータ格納装置を起動させる旨の応答であった場合、前記他のデータ格納装置を起動させる他装置起動手段と、
を有することを特徴とする請求項８に記載のデータ格納装置。
【請求項１０】
共有されるファイルを格納する複数のデータ格納装置と通信するシステムであって、
前記複数のデータ格納装置の１つである第１データ格納装置を、少なくともファイルを格納する格納部への電力が供給されている待機状態から、前記格納部への電力供給を遮断する省電力状態に移行させる場合であって、前記複数のデータ格納装置のうち他のデータ格納装置が前記省電力状態である場合、前記待機状態での消費電力が前記第１データ格納装置より低いデータ格納装置を前記他のデータ格納装置から前記ファイルを共有する装置として選択し、選択したデータ格納装置を前記待機状態に移行させるとともに前記第１データ格納装置を前記省電力状態に移行させる制御手段、
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１１】
共有されるファイルを格納する複数のデータ格納装置と通信するシステムの制御方法であって、
前記複数のデータ格納装置の１つである第１データ格納装置を、少なくともファイルを格納する格納部への電力が供給されている待機状態から、前記格納部への電力供給を遮断する省電力状態に移行させる場合であって、前記複数のデータ格納装置のうち他のデータ格納装置が前記省電力状態である場合、前記待機状態での消費電力が前記第１データ格納装置より低いデータ格納装置を前記他のデータ格納装置から前記ファイルを共有する装置として選択し、選択したデータ格納装置を前記待機状態に移行させるとともに前記第１データ格納装置を前記省電力状態に移行させるステップ、
を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ格納装置、システム、及び制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、データ格納装置であって、前記データ格納装置と他のデータ格納装置とで共有されるファイルを格納する格納手段と、前記格納手段への電力が供給されている待機状態から、前記格納手段への電力供給を遮断する省電力状態に移行させる場合であって、ネットワークに接続されている他のデータ格納装置が省電力状態である場合、待機状態での消費電力が前記データ格納装置より低いデータ格納装置を、前記ファイルを共有する装置として前記他のデータ格納装置から選択し、選択したデータ格納装置を待機状態に移行させるとともに前記データ格納装置を省電力状態に移行させる制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
一方、「いいえ」ボタン８０３が指示された場合、装置Ｂ（１０２）の制御部１４０４のＣＰＵは、図９（ｂ）のＳ６０８の通知の送信元に、ＮＧの回答（スリープから起動させない旨の回答）を通知する。