Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層と、前記発光層と接するホール輸送層とを有し、
前記ホール輸送層は、構造式（１００）で表されるカルバゾール誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
【化１】
2010238937.tif 000001
【請求項２】
一対の電極間に、発光層と、前記発光層と接するホール輸送層とを有し、
前記ホール輸送層は、構造式（１００）で表されるカルバゾール誘導体を含み、
前記発光層の発光材料として芳香族アミン化合物が含まれていることを特徴とする発光素子。
【化２】
2010238937.tif 000002
【請求項３】
一対の電極間に、発光層と、前記発光層と接するホール輸送層とを有し、
前記ホール輸送層は、構造式（１００）で表されるカルバゾール誘導体を含み、
前記発光層にホスト材料及びゲスト材料の複数の有機化合物が含まれており、
前記ゲスト材料が芳香族アミン化合物であることを特徴とする発光素子。
【化３】
2010238937.tif 000003
【請求項４】
一対の電極間に、発光層と、前記発光層と接するホール輸送層とを有し、
前記ホール輸送層は、構造式（１００）で表されるカルバゾール誘導体を含み、
前記発光層にホスト材料及びゲスト材料の複数の有機化合物が含まれており、
前記ゲスト材料が芳香族アミン化合物であり、
前記ホスト材料がアントラセン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【化４】
2010238937.tif 000004
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、前記芳香族アミン化合物は、９−アリール−９Ｈ−カルバゾール−３−イル基を有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項３又は４において、前記ホスト材料は、アントラセン骨格とカルバゾリル骨格とを有することを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子を備えた発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置を表示部に備えた電子機器。
【請求項９】
請求項７に記載の発光装置を備えた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に配置される固定接点及びこの固定接点上に配置される可動接点からなるキースイッチと、前記可動接点を被覆して基板上に固定する固定シートとを備え、前記可動接点の上面に突起状の押圧部が形成されているシートスイッチにおいて、
前記押圧部が固定シートを突出成形させた収容部と、この収容部内に満たされた充填材とを備えていることを特徴とするシートスイッチ。
【請求項２】
前記可動接点はドーム状に形成されており、このドームの頂上部に対応する位置に前記押圧部が形成され、該押圧部が固定シートを突出成形させた収容部と、この収容部内に満たされた充填材とを備えている請求項１に記載のシートスイッチ。
【請求項３】
前記押圧部は、前記固定シートを突出成形させた透明又は半透明の収容部と、この収容部内に満たされた充填材とを備えている請求項１又は２に記載のシートスイッチ。
【請求項４】
前記充填材は、前記収容部から突出するように中心部に膨らみを持たせて形成される請求項１乃至３のいずれかに記載のシートスイッチ。
【請求項５】
前記充填材は、前記固定シートより硬質の樹脂材からなる請求項１乃至３のいずれかに記載のシートスイッチ。
【請求項６】
前記充填材は、透明又は半透明である請求項１乃至５のいずれかに記載のシートスイッチ。
【請求項７】
前記充填材は、紫外線硬化型樹脂である請求項１乃至６のいずれかに記載のシートスイッチ。
【請求項８】
前記固定シートは、前記収容部を除き、前記可動接点に密着する部分が白色である請求項１乃至３のいずれかに記載のシートスイッチ。
【請求項９】
前記固定シートは、前記収容部を除き、前記可動接点に密着する部分に粘着層が形成されている請求項１乃至３のいずれかに記載のシートスイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材層上に、導電体層、及び電気絶縁体からなる透明被覆層をこの順に積層して成り、
該導電体層は、中央部分に位置して開穴部を有するパターン領域、及び該パターン領域と電気的に接続すると共に該パターン領域の周縁部の四方に位置する接地領域、とから成る、電磁波遮蔽材であって、
該透明被覆層は、連続帯状シートから成り、複数の穴を少なくともシート幅方向に間隔を空けて配置した開穴群を、シート長手方向に一定間隔で設けた、電気絶縁性の開穴絶縁被覆シートとされ、
シート長手方向に対向する二辺に沿う各接地領域は該開穴絶縁被覆シートの開穴群によって導電体層を露出させた接地用露出部を有し、シート幅方向に対向する二辺に沿う各接地領域は、積層された前記開穴絶縁被覆シートが該二辺に沿う両接地領域の外側間の距離よりも狭幅であることで、導電体層を該二辺に沿って連続して露出させた接地用露出部を有する、
電磁波遮蔽材。
【請求項２】
前記開穴群で導電体層を露出させた接地用露出部に於ける穴に、導電層を該導電体層に接触させる様に埋め込んで該導電層を接地電極とする、請求項１記載の電磁波遮蔽材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】開穴絶縁被覆シートを用いた電磁波遮蔽材
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は各種の用途、中でも特にディスプレイの前面に配置するのに好適な、電磁波遮蔽材に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明の課題は、各種用途、中でも特に、ＰＤＰなど各種ディスプレイの前面に配置して電磁波を遮蔽する用途に好適な電磁波遮蔽材に関して、接地電極として透明被覆層から露出させた接地用露出部を設ける際に、透明被覆層とする絶縁被覆シートの積層後の剥離無しに、接地用露出部を四方に容易に設けられ、またロール・ツー・ロール方式による連続生産に適した、開穴絶縁被覆シートを用いた電磁波遮蔽材を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そこで、本発明の電磁波遮蔽材は、透明基材層上に、導電体層、及び電気絶縁体からなる透明被覆層をこの順に積層して成り、該導電体層は、中央部分に位置して開口部を有するパターン領域、及び該パターン領域と電気的に接続すると共に該パターン領域の周縁部の四方に位置する接地領域、とから成る、電磁波遮蔽材であって、
該透明被覆層は、連続帯状シートから成り、複数の穴を少なくともシート幅方向に間隔を空けて配置した開穴群を、シート長手方向に一定間隔で設けた、電気絶縁性の開穴絶縁被覆シートとされ、シート長手方向に対向する二辺に沿う各接地領域は該開穴絶縁被覆シートの開穴群によって導電体層を露出させた接地用露出部を有し、シート幅方向に対向する二辺に沿う各接地領域は、積層された前記開穴絶縁被覆シートが該二辺に沿う両接地領域の外側間の距離よりも狭幅であることで、導電体層を該二辺に沿って連続して露出させた接地用露出部を有する、電磁波遮蔽材とした。
また、本発明の電磁波遮蔽材は、上記構成において、更に、前記開穴群で導電体層を露出させた接地用露出部に於ける穴に、導電層を該導電体層に接触させる様に埋め込んで該導電層を接地電極とすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【図１】本発明による、開穴絶縁被覆シート（一区画分）が積層された電磁波遮蔽材を一形態で例示する平面図（Ａ）と断面図（Ｂ）。
【図２】開穴絶縁被覆シートの開穴群の一形態を連続帯状状態で例示する平面図。
【図３】開穴絶縁被覆シートの開穴群の別形態を一区画分（一画面分）で例示する平面図。
【図４】開穴絶縁被覆シートの開穴群の別形態を連続帯状状態で例示する平面図。
【図５】開穴絶縁被覆シートに於ける層構成の一形態を例示する断面図。
【図６】電磁波遮蔽材の接地用露出部を導電層で埋めて接地電極とする一形態を例示する断面図。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
＜概要＞
先ず、図１は、本発明による、開穴絶縁被覆シート１０の一区画分（一画面分）を透明被覆層３１として適用した電磁波遮蔽材３０の一形態を例示する平面図（Ａ）と、そのＡ−Ａ線での断面図（Ｂ）である。平面図はＸＹ平面のもの、断面図はＸＺ平面のものである。また、図１（Ａ）では、電磁波遮蔽材３０の製造時に、透明被覆層３１として適用する開穴絶縁被覆シート１０の連続帯状シート状態における、シート長手方向ＭＤ（流れ方向；Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）と、シート幅方向ＴＤ（横断方向；Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）も示す。流れ方向ＭＤが図面上下方向、幅方向ＴＤが図面左右方向である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明で用いられる開穴絶縁被覆シート１０は、この様に、間隔を空けて配置した複数の穴からなる開穴群１１を、連続帯状シートの状態で流れ方向ＭＤに一定間隔で設けたものである。この開穴絶縁被覆シート１０を電磁波遮蔽材３０の光学フィルタなどとする絶縁性で透明な透明被覆層３１の形成に用い、そして、透明基材層２１上にパターン領域２Ａ及び接地用領域２Ｂを有する導電体層２２が積層された導電体層積層シート２０の連続帯状シートに対して、この様な構成の開穴絶縁被覆シート１０（透明被覆層３１）の連続帯状シートをラミネートすることで、四辺各辺に沿った接地電極を接地用露出部３２及び３２Ａとして設けた電磁波遮蔽材３０を、連続生産に適した方法で、容易に製造できることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体パッケージの製造方法：
（ａ）電極パッドを有する配線が形成された基板を準備する工程；
（ｂ）前記電極パッド上にレジスト膜を設ける工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記配線および前記レジスト膜を覆うように前記基板上に無機絶縁膜を形成した後、前記レジスト膜を除去することによって、前記レジスト膜上の前記無機絶縁膜を除去し、前記無機絶縁膜から前記電極パッドを露出する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記無機絶縁膜上に、前記電極パッドを露出するソルダレジスト層を形成する工程。
【請求項２】
更に以下の工程を含む請求項１記載の半導体パッケージの製造方法：
（ｅ）前記（ａ）工程後、前記（ｂ）工程前に、前記配線に粗化処理を施す工程。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記電極パッド上の一部に前記レジスト膜を設け、
前記（ｃ）工程では、前記電極パッドを露出する第１開口部を前記無機絶縁膜に形成し、
前記（ｄ）工程では、前記電極パッドを露出し、前記第１開口部より小さい開口の第２開口部を前記ソルダレジスト層に形成する。
【請求項４】
請求項１または２記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記電極パッド上の一部に前記レジスト膜を設け、
前記（ｃ）工程では、前記電極パッドを露出する第１開口部を前記無機絶縁膜に形成し、
前記（ｄ）工程では、前記電極パッドを露出し、前記第１開口部より大きい開口の第２開口部を前記ソルダレジスト層に形成する。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記無機絶縁膜として、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜を形成する。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｄ）工程では、樹脂からなる前記ソルダレジスト層を形成する。
【請求項７】
更に以下の工程を含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法：
（ｆ）前記（ｄ）工程後に、前記電極パッドと電気的に接続される外部電極を形成する工程。
【請求項８】
請求項７記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｆ）工程では、前記外部電極として、半田バンプを形成する。
【請求項９】
以下の工程を含む半導体パッケージの製造方法：
（ａ）電極パッドを有する配線が形成された基板を準備する工程；
（ｂ）前記配線を覆うように前記基板上に無機絶縁膜を形成する工程；
（ｃ）前記無機絶縁膜を覆うように前記基板上にソルダレジスト層を形成した後、前記電極パッド上の前記ソルダレジスト層を除去する工程；
（ｄ）前記ソルダレジスト層をマスクに前記電極パッド上の前記無機絶縁膜を除去し、前記電極パッドを露出する工程。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｃ）工程では、樹脂からなる前記ソルダレジスト層を形成する。
【請求項１１】
更に以下の工程を含む請求項９または１０記載の半導体パッケージの製造方法：
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記電極パッドと電気的に接続される外部電極として、半田バンプを形成する工程。
【請求項１２】
以下の工程を含む半導体パッケージの製造方法：
（ａ）電極パッドを有する配線が形成された基板を準備する工程；
（ｂ）前記配線を覆うように前記基板上に無機絶縁膜を形成する工程；
（ｃ）前記無機絶縁膜を覆うように前記基板上にレジスト膜を形成した後、前記電極パッド上の前記レジスト膜を除去する工程；
（ｄ）前記レジスト膜をマスクに前記電極パッド上の前記無機絶縁膜を除去し、前記電極パッドを露出する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記レジスト膜を除去する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記無機絶縁膜上に、前記電極パッドを露出するソルダレジスト層を形成する工程。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｆ）工程では、樹脂からなる前記ソルダレジスト層を形成する。
【請求項１４】
更に以下の工程を含む請求項１２または１３記載の半導体パッケージの製造方法：
（ｇ）前記（ｆ）工程後に、前記電極パッドと電気的に接続される外部電極として、半田バンプを形成する工程。
【請求項１５】
電極パッドを有する配線が形成された基板と、
前記配線を覆うよう前記基板上に形成され、前記電極パッド上に第１開口部を有する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜を覆うように形成され、前記電極パッド上に第２開口部を有するソルダレジスト層と、
を備えた半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記第１開口部より前記第２開口部が小さい請求項１５記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記第１開口部より前記第２開口部が大きい請求項１５記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記ソルダレジスト層が、樹脂からなる請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記第２開口部内に設けられ、前記電極パッドと電気的に接続される外部電極を備えた請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項２０】
前記外部電極が、半田バンプである請求項１９記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一実施形態における半導体パッケージの製造方法では、まず、（ａ）電極パッドを有する配線が形成された基板を準備する。次いで、（ｂ）前記電極パッド上にレジスト膜を設ける。次いで、（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記配線および前記レジスト膜を覆うように前記基板上に無機絶縁膜を形成した後、前記レジスト膜を除去し、前記無機絶縁膜から前記電極パッドを露出する。次いで、（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記無機絶縁膜上に、前記電極パッドを露出するソルダレジスト層を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2010238702.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを鉛直方向に立てた姿勢で支持して軸線周りに回転させる回転駆動部と、
前記半導体ウェーハの両面に供給する流体の圧力により当該両面を支持する一対の静圧パッドと、
前記半導体ウェーハの回転軸線と平行な軸線周りに回転して当該半導体ウェーハの両面を研削する一対の研削用砥石と、
前記半導体ウェーハの両面に接触する接触位置と接触しない非接触位置との間を移動可能であり、前記接触位置にある場合に前記半導体ウェーハの厚みを監視する厚みセンサと、
を備える両面研削装置を用いた半導体ウェーハの両面研削方法であって、
前記研削用砥石による両面研削工程の開始から所定の段階まで前記厚みセンサを前記非接触位置に保持して前記半導体ウェーハの両面の研削を行う非厚み監視研削工程と、
前記所定の段階から両面研削工程の終了まで前記厚みセンサを前記接触位置に保持して前記半導体ウェーハの両面の研削を行う厚み監視研削工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウェーハの両面研削方法。
【請求項２】
前記所定の段階は、半導体ウェーハの両面からソーマークが実質的に消滅する段階であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの両面研削方法。
【請求項３】
前記所定の段階は、両面研削工程の開始からあらかじめ設定された時間が経過する時期であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの両面研削方法。
【請求項４】
半導体ウェーハを鉛直方向に立てた姿勢で支持して軸線周りに回転させる回転駆動部と、
前記半導体ウェーハの両面に供給する流体の圧力により当該両面を支持する一対の静圧パッドと、
前記半導体ウェーハの回転軸線と平行な軸線周りに回転して当該半導体ウェーハの両面を研削する一対の研削用砥石と、
前記半導体ウェーハの両面に接触する接触位置と接触しない非接触位置との間を移動可能であり、前記接触位置にある場合に前記半導体ウェーハの厚みを監視する厚みセンサと、
前記研削用砥石による両面研削工程の開始から所定の段階まで前記厚みセンサを前記非接触位置に保持し、前記所定の段階から両面研削工程の終了まで前記厚みセンサを前記接触位置に保持する切り換え部と、
を備えることを特徴とする半導体ウェーハの両面研削装置。
【請求項５】
前記所定の段階は、半導体ウェーハの両面からソーマークが実質的に消滅する段階であることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハの両面研削装置。
【請求項６】
前記所定の段階は、両面研削工程の開始からあらかじめ設定された時間が経過する時期であることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハの両面研削装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
次にコンテンツ・データは、インストレーション・モジュール１４０で処理され、データ・コンテンツの後に続く管理及び削除の補助をするためにエントリーが、ログ・ファイル内でなされる。好ましくは、コンテンツ・データは、１又はそれ以上の以下の特徴を含む：
コンテンツ・データの削除、修正又は重ね書きを単純化するための独特の識別子。  
上記コンテンツ・データが順調に作動するためのインストレーション・モジュール１４０の最低のバージョンに一致するバージョン番号。  
インストーラーがコンテンツをメニュー構造内及びページ内の最も適した位置に配置することを可能とするためのコンテンツ・カテゴリー。縮小した又は階層的なカテゴリーは、コンテンツが複数のメニュー及びサブメニューから参照されることを可能とする。  
開始の日時、その前では上記コンテンツは使用者に利用可能ではない。  
満了の日時、その後では上記コンテンツはもはや使用者に利用可能ではない。  
ユーザが、コンテンツを削除する権利を有するかどうかを表示するためのタグ。  
ユーザが、コンテンツを他の携帯端末と共有する権利を有するかどうかを表示するためのタグ。  
データ・ペイロード、それは、ユーザ・インターフェース・ツリーへページをインストールする方法、遠隔コンテンツへのリンク、新しくインストールされたページへのリンク、ジャバスクリプト構成要素のようなローカル内の動作を管理するための論理要素、Ｅメールアドレス及び記述子、電話番号及び記述子オーディオ及びビデオのような他のマルチメディア・コンテンツ、動画の図形、可視可能なコンテンツ（テキスト又は画像）等からなることが可能。 
許可されていないコピー、共有又は過度の使用からデータ・ペイロードを保護するために用いることが可能なデジタル権利管理（ＤＲＭ）スキーム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示対象の複数のオブジェクトを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された複数のオブジェクトを表示画面に表示させる表示制御手段と、
前記表示制御手段による表示に基づくユーザの指示に応じて、前記複数のオブジェクトから第１のオブジェクトと第２のオブジェクトとを移動対象として選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された第１のオブジェクトと第２のオブジェクトが前記表示画面において配置されている位置に基づき、当該第１のオブジェクトと当該第２のオブジェクトの移動先を決定する決定手段と、
前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとを前記決定手段により決定された移動先に移動させる移動制御手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記表示画面に配置されている前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとを含む領域を設定し、設定された当該領域内において当該第１のオブジェクトと当該第２のオブ得ジェクトの移動先を決定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとを内接する領域を設定し、前記移動制御手段により移動された当該第１のオブジェクトと当該第２のオブジェクトが当該領域に内接するように、前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトの移動先を決定することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記決定手段は、前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとを内接する矩形領域を設定し、当該矩形領域において当該第１のオブジェクトと当該第２のオブジェクトとが内接している辺に対向する辺に対応する位置を、当該第１のオブジェクトと当該第２のオブジェクトの移動先として決定することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
ユーザによる指示に応じて、前記第１のオブジェクトを前記表示画面上で移動させる第２の移動制御手段を有し、
前記決定手段は、前記第２の移動制御手段による移動に基づき前記第１のオブジェクトの移動先を決定し、前記第２の移動制御手段により移動される前に前記第１のオブジェクトが配置されていた位置に基づき、前記第２のオブジェクトの移動先を決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記選択手段は、前記第２の移動制御手段による前記第１のオブジェクトの移動に基づき前記第２のオブジェクトを選択することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記選択手段は、前記第２の移動制御手段による前記第１のオブジェクトの移動により、前記表示画面上で当該第１のオブジェクトが重なったオブジェクトを、前記第２のオブジェクトとして選択することを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記選択手段により、１つの前記第１のオブジェクトと、複数の前記第２のオブジェクトとが選択された場合、前記決定手段は、当該１つの第１のオブジェクトの位置と、当該複数の前記第２のオブジェクトの位置が入れ替わるように、当該１つの第１のオブジェクトと、当該複数の前記第２のオブジェクトの移動先を決定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
表示対象の複数のオブジェクトを取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された複数のオブジェクトを表示画面に表示させる表示制御工程と、
前記表示制御工程における表示に基づくユーザの指示に応じて、前記複数のオブジェクトから第１のオブジェクトと第２のオブジェクトとを移動対象として選択する選択工程と、
前記選択工程において選択された第１のオブジェクトと第２のオブジェクトが前記表示画面において配置されている位置に基づき、当該第１のオブジェクトと当該第２のオブジェクトの移動先を決定する決定工程と、
前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとを前記決定工程において決定された移動先に移動させる移動制御工程と、
を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、表示画面上でオブジェクトを移動させる画像処理装置、画像処理方法、およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、複数のオブジェクトを表示画面上で適切かつ容易に移動させることができる情報処理装置、情報処理方法、およびプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を鑑みて本発明の画像処理装置は、表示対象の複数のオブジェクトを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された複数のオブジェクトを表示画面に表示させる表示制御手段と、
前記表示制御手段による表示に基づくユーザの指示に応じて、前記複数のオブジェクトから第１のオブジェクトと第２のオブジェクトとを移動対象として選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された第１のオブジェクトと第２のオブジェクトが前記表示画面において配置されている位置に基づき、当該第１のオブジェクトと当該第２のオブジェクトの移動先を決定する決定手段と、前記第１のオブジェクトと前記第２のオブジェクトとを前記決定手段により決定された移動先に移動させる移動制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、複数のオブジェクトを表示画面上で適切かつ容易に移動させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の燃料電池システムは、充放電可能な二次電池と、二次電池と負荷との間に設けられた電圧変換器と、燃料ガスと酸化剤ガスとの電気化学反応により発電し、電圧変換器と共通の電路を介して負荷に電力を供給する燃料電池と、燃料電池と共通の電路との電気的な接続を入り切りするＦＣリレーと、二次電池と電圧変換器と燃料電池とを含む電気系統内の漏電を検出する漏電検出器と、漏電の判定を行う制御部と、を備える燃料電池システムであって、制御部は、燃料電池の電圧を始動電圧から開回路電圧よりも低い運転電圧まで上昇させて燃料電池を始動する始動手段と、燃料電池の電圧と電圧変換器から負荷に供給される電圧との電圧差が所定の閾値よりも大きい状態でＦＣリレーを閉とした場合には、漏電検出器の内部回路に含まれるコンデンサが充電されるまでの時間の経過後に漏電判定を行う漏電判定手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充放電可能な二次電池と、
二次電池と負荷との間に設けられた電圧変換器と、
燃料ガスと酸化剤ガスとの電気化学反応により発電し、電圧変換器と共通の電路を介して負荷に電力を供給する燃料電池と、
燃料電池と共通の電路との電気的な接続を入り切りするＦＣリレーと、
二次電池と電圧変換器と燃料電池とを含む電気系統内の漏電を検出する漏電検出器と、
漏電の判定を行う制御部と、を備える燃料電池システムであって、
制御部は、
燃料電池の電圧を始動電圧から開回路電圧よりも低い運転電圧まで上昇させて燃料電池を始動する始動手段と、
燃料電池の電圧と電圧変換器から負荷に供給される電圧との電圧差が所定の閾値よりも大きい状態でＦＣリレーを閉とした場合には、漏電検出器の内部回路に含まれるコンデンサが充電されるまでの時間の経過後に漏電判定を行う漏電判定手段と、
を有することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
請求項１に記載の燃料電池システムであって、
漏電判定手段は、ＦＣリレーを閉とした後、燃料電池の電圧が所定の電圧に到達した後に漏電判定を行うこと、
を特徴とする燃料電池システム。
【請求項３】
請求項２に記載の燃料電池システムであって、
漏電判定手段の所定の電圧は運転電圧であること、
を特徴とする燃料電池システム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の燃料電池システムを搭載する電動車両。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体電解質型燃料電池であって、
複数の固体電解質型燃料電池セルを備えた燃料電池モジュールと、
この燃料電池モジュールに燃料を供給する燃料供給手段と、
上記燃料電池モジュールに酸化剤ガスを供給する酸化剤ガス供給手段と、
上記燃料供給手段から供給する燃料供給量を制御する制御手段と、を有し、
上記制御手段は、上記燃料電池モジュールの劣化を判定する劣化判定手段を備え、
この劣化判定手段は、上記燃料電池モジュールが劣化したと判定すると、上記燃料供給手段により供給する燃料供給量を、予め設定された固定値増加又は減少させるように燃料供給補正を実行し、以後、この燃料供給補正が維持されることを特徴とする固体電解質型燃料電池。
【請求項２】
上記劣化判定手段は、燃料供給補正を実行した後、上記燃料電池モジュールが更に劣化したと判定すると、上記燃料供給手段により供給する燃料を更に増加又は減少させるように、更なる燃料供給補正を実行し、以後、この燃料供給補正が維持される請求項１記載の固体電解質型燃料電池。
【請求項３】
上記劣化判定手段は、更なる燃料供給補正を、所定の補正回数まで実行する請求項２記載の固体電解質型燃料電池。
【請求項４】
燃料供給補正により変更される燃料の増加量又は減少量は、後に実行される燃料供給補正ほど少なくされる請求項２又は３に記載の固体電解質型燃料電池。
【請求項５】
さらに、上記固体電解質型燃料電池セルの温度を検出する温度検出手段を有し、上記劣化判定手段は、上記温度検出手段により検出される温度が所定の補正禁止温度を超えた場合には、更なる燃料供給補正を実行しない請求項２乃至４の何れか１項に記載の固体電解質型燃料電池。
【請求項６】
上記劣化判定手段は、燃料供給補正を実行した後、所定の補正最小間隔が経過するまでは、更なる燃料供給補正を実行しない請求項２乃至５の何れか１項に記載の固体電解質型燃料電池。
【請求項７】
上記劣化判定手段は、所定量の燃料を供給した場合における出力電力が所定電力以下になった場合には、更なる燃料供給補正を実行せずに上記燃料電池モジュールによる発電を停止させる請求項２乃至６の何れか１項に記載の固体電解質型燃料電池。
【請求項８】
上記劣化判定手段は、上記燃料供給手段により供給する燃料供給量を増加させるように燃料供給補正を行うと共に、上記酸化剤ガス供給手段により供給する酸化剤ガスの量を減少させるように酸化剤ガス供給補正を実行する請求項１乃至７の何れか１項に記載の固体電解質型燃料電池。
【請求項９】
上記酸化剤ガス供給補正は、酸化剤ガスを予め設定された固定値減少させる請求項８記載の固体電解質型燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（1）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。
2008106241.tif 000001
〔ここで、Ｒ1は置換基を表し、Ｑ1およびＱ2はベンゾシクロブタン構造を含む基を表し、これらは同一であっても異なっていてもよい。aは、０〜３の整数を示す。Ｒ1が複数個存在する場合それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項２】
前記式（1）で示される繰り返し単位が下記式（1−１）で示される繰り返し単位である請求項１記載の高分子化合物。
2008106241.tif 000002
〔ここで、Ｒ1およびＲ2は置換基を示し、これらは同一であっても異なっていてもよい。
ａおよびｂは、それぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ1およびＲ2がそれぞれ複数個存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項３】
前記式（１−１）で示される繰り返し単位が、下記式(1−2)で示される繰り返し単位である請求項２記載の高分子化合物。
2008106241.tif 000003
〔ここで、Ｒ1、Ｒ2、ａおよびｂは、前記と同じ意味を表す。〕
【請求項４】
前記式（１−2）で示される繰り返し単位が、下記式（１−３）で示される繰り返し単位である請求項３記載の高分子化合物
2008106241.tif 000004
【請求項５】
さらに、下記式（２）で表される繰り返し単位を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
―Ａｒ1―        （2）
〔ここで、Ａｒ1はアリーレン基、２価の芳香族アミン基または２価の複素環基を示す。
ただし、アリーレン基には前記式（1）で示される基は含まない。〕
【請求項６】
前記式（２）で表される繰り返し単位が下記式（３）で表される繰り返し単位である請求項５記載の高分子化合物。
2008106241.tif 000005
〔ここで、Ｒ3は置換基を示し、Ｒ4は水素原子または置換基（ただし、ベンゾシクロブタン構造を含む基を除く）を示す。ｃは、０〜３の整数を示す。Ｒ3が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、２個のＲ4は同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項７】
ｃが０であり、Ｒ4がＣ6〜Ｃ20のアルキル基である請求項６記載の高分子化合物。
【請求項８】
ｃが０であり、Ｒ4が置換基を有していてもよいアリール基である請求項６記載の高分子化合物。
【請求項９】
アリール基が、フェニル基であるである請求項８記載の高分子化合物。
【請求項１０】
ポリスチレン換算の数平均分子量が、１０3〜１０8である請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む高分子組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物と、電子受容性化合物または電子供与性化合物を含む高分子組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項１１もしくは１２記載の高分子組成物を含有することを特徴とする液状組成物。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む層を作成し、該層を５０℃以上に加熱する薄膜の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の液状組成物を、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法またはインクジェットプリント法により成膜する工程を含む、薄膜の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物を用いて製造された薄膜。
【請求項１７】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む層と有機化合物を含有する層とを積層する工程と、積層されたものを５０℃以上に加熱する工程とを含む積層体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物を用いて製造されたことを特徴とする積層体。
【請求項１９】
層の数が３以上である請求項１８に記載の積層体。
【請求項２０】
請求項１６記載の薄膜または請求項１８もしくは１９記載の積層体を有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項２１】
請求項１６記載の薄膜または請求項１８もしくは１９記載の積層体を有することを特徴とする太陽電池。
【請求項２２】
陽極及び陰極からなる電極間に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む層を有する高分子発光素子。
【請求項２３】
陽極及び陰極からなる電極間に、請求項１６記載の薄膜または請求項１８もしくは１９記載の積層体を有することを特徴とする高分子発光素子。
【請求項２４】
ガラス基板、プラスチック基板、高分子フィルム基板またはシリコン基板の上に形成された、請求項２２または２３記載の高分子発光素子。
【請求項２５】
陽極及び陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物から得られる層である請求項２２〜２４のいずれか一項に記載の高分子発光素子。
【請求項２６】
陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層が請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物から得られる層である請求項２２〜２４のいずれか一項に記載の高分子発光素子。
【請求項２７】
陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層と電極との間に電荷注入層を有し、該電荷注入層が請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物から得られる請求項２２〜２４のいずれか一項に記載の高分子発光素子。
【請求項２８】
下記式（４）で示される化合物を重合することを特徴とする前記式（１−２）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物の製造方法。
2008106241.tif 000006
（４）
〔ここで、Ｘは重合に関与しうる置換基を表す。２個のＸは同一であっても異なっていてもよい。Ｒ1、Ｒ2、ａおよびｂはそれぞれ独立に、前記と同じ意味を表す。〕
【請求項２９】
上記式（４）において、Ｘが−Ｂ（ＯＨ）2、ホウ酸エステル基、ハロゲン化マグネシウム、スタニル基、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基である請求項２８記載の製造方法
【請求項３０】
前記式（４）で表される化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動機を駆動制御するための電圧指令とキャリア周波数を演算する指令値演算回路と、前記指令値演算回路からの前記電圧指令と前記キャリア周波数のデータを保持する設定値保持回路と、前記設定値保持回路の前記データを取り込むロードタイミング回路と、前記ロードタイミング回路で取り込んだ前記データからＰＷＭ信号を生成するＰＷＭ生成回路とを備えたＰＷＭインバータ装置において、
前記ロードタイミング回路は、前記電圧指令と前記キャリア周波数の設定値が変更されると、変更前のキャリアの山もしくは谷に同期して、前記電圧指令と前記キャリア周波数を同時に変更することを特徴とするＰＷＭインバータ装置。
【請求項２】
前記ロードタイミング回路は、
前記設定値保持回路の前記電圧指令と前記キャリア周波数の前記データが変更されると、ロード信号に基づいて旧前記データを更新する更新レジスタと、
所定のキャリアの山と谷の周期によりキャリア同期信号を生成する山谷カウンタと、
を備えていることを特徴とする請求項１に記載のＰＷＭインバータ装置。
【請求項３】
前記ロード信号は、前記設定値保持回路のライト信号と前記キャリア同期信号により生成され、
前記設定値保持回路の設定完了後に、前記ロード信号に基づいて、前記電圧指令と前記キャリア周波数を更新することを特徴とする請求項２に記載のＰＷＭインバータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項１に記載の発明は、電動機を駆動制御するための電圧指令とキャリア周波数を演算する指令値演算回路と、前記指令値演算回路からの前記電圧指令と前記キャリア周波数のデータを保持する設定値保持回路と、前記設定値保持回路の前記データを取り込むロードタイミング回路と、前記ロードタイミング回路で取り込んだ前記データからＰＷＭ信号を生成するＰＷＭ生成回路とを備えたＰＷＭインバータ装置において、
前記ロードタイミング回路は、前記電圧指令と前記キャリア周波数の設定値が変更されると、変更前のキャリアの山もしくは谷に同期して、前記電圧指令と前記キャリア周波数を同時に変更するものである。
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載のＰＷＭインバータ装置において、前記ロードタイミング回路は、前記設定値保持回路の前記電圧指令と前記キャリア周波数の前記データが変更されると、ロード信号に基づいて旧前記データを更新する更新レジスタと、所定のキャリアの山と谷の周期によりキャリア同期信号を生成する山谷カウンタと、を備えているものである。
請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載のＰＷＭインバータ装置において、前記ロード信号は、前記設定値保持回路のライト信号と前記キャリア同期信号により生成され、前記設定値保持回路の設定完了後に、前記ロード信号に基づいて、前記電圧指令と前記キャリア周波数を更新するものである
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動源の動力が伝達されるポンプインペラと、タービンランナと、ステータと、該駆動源の動力をトーションダンパを介して変速機の入力軸に伝達させるロックアップクラッチとを有する流体トルクコンバータからなる動力伝達装置であって、
前記トーションダンパは、
前記変速機の入力軸から径方向外方に設けられ、前記ロックアップクラッチから動力が伝達される外側弾性体と、
前記外側弾性体から径方向内方に設けられ、前記変速機の入力軸に動力を伝達する内側弾性体と、
前記ロックアップクラッチ及び前記タービンランナに対して周方向に回動し、前記外側弾性体から伝達される動力を前記内側弾性体に伝達する中間伝達部材とを備え、
前記ロックアップクラッチは、前記外側弾性体と前記内側弾性体との間の径方向位置に配置され、
前記中間伝達部材は、リベットで固定した二枚の板で構成され、前記クラッチと前記内側弾性体との径方向の間に前記リベットを配置することを特徴とする動力伝達装置。
【請求項２】
前記ロックアップクラッチに設けられたクラッチハブと、前記外側弾性体を支持する外周プレートと、該外周プレート及び前記クラッチハブを連結する連結部の径方向内方に突出する突部と、前記タービンランナと連結する出力部材とを備え、前記突部は、前記出力部材の外周縁に当接し、前記出力部材の外周縁で径方向外方に軸支することを特徴とする請求項１記載の動力伝達装置。
【請求項３】
前記中間伝達部材に質量体を設け、該質量体を前記タービンランナから径方向外方に配置することを特徴とする請求項１又は２に記載の動力伝達装置。
【請求項４】
前記中間伝達部材は、前記変速機の入力軸とスプライン結合するハブの外周縁に当接し、前記ハブの外周縁で径方向外方に軸支されることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の動力伝達装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、駆動源の動力が伝達されるポンプインペラと、タービンランナと、ステータと、該駆動源の動力をトーションダンパを介して変速機の入力軸に伝達させるロックアップクラッチとを有する流体トルクコンバータからなる動力伝達装置であって、
前記トーションダンパは、前記変速機の入力軸から径方向外方に設けられ、前記ロックアップクラッチから動力が伝達される外側弾性体と、前記外側弾性体から径方向内方に設けられ、前記変速機の入力軸に動力を伝達する内側弾性体と、前記ロックアップクラッチ及び前記タービンランナに対して周方向に回動し、前記外側弾性体から伝達される動力を前記内側弾性体に伝達する中間伝達部材とを備え、
前記ロックアップクラッチは、前記外側弾性体と前記内側弾性体との間の径方向位置に配置され、
前記中間伝達部材は、リベットで固定した二枚の板で構成され、前記クラッチと前記内側弾性体との径方向の間に前記リベットを配置することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明において、前記中間伝達部材は、リベットで固定した二枚の板で構成され、前記クラッチと前記内側弾性体との径方向の間に前記リベットを配置することにより、リベットとクラッチと内側弾性体は径方向に並ぶため、流体トルクコンバータの回転軸方向のスペースを更に小さくできる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線発生装置からのＸ線を被検査物に照射し、その透過Ｘ線をＸ線検出器で検出して得られる透過Ｘ線データを用いて、被検査物の透視Ｘ線像を構築して表示するＸ線検査装置において、
被検査物へのＸ線の累積照射量を測定もしくは推定して記録するＸ線累積照射量記録手段を備えていることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項２】
上記Ｘ線累積照射量記録手段により記録された被検査物へのＸ線の累積照射量が、あらかじめ設定されている限界量に達したときに、上記Ｘ線発生装置からのＸ線の照射を自動的に停止するＸ線照射制御手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線検査装置。
【請求項３】
上記Ｘ線累積照射量記録手段により記録された被検査物へのＸ線の累積照射量が、上記限界量よりも少ないあらかじめ設定された量に達した時点で警告を発生する警告発生手段を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載のＸ線検査装置。
【請求項４】
上記Ｘ線累積照射量記録手段は、検査時における被検査物の配設位置でのあらかじめ求めておいた線量率を用いて、実際の検査時におけるＸ線条件、被検査物のＸ線発生装置からの距離、および照射時間から、被検査物へのＸ線の累積照射量を演算により推定することを特徴とする請求項１，２または３のいずれか１項に記載のＸ線検査装置。
【請求項５】
上記Ｘ線累積照射量記録手段は、被検査物の近傍に配置されている線量計の出力に基づいて被検査物へのＸ線の累積照射量を記録することを特徴とする請求項１、２または３のいずれか１項に記載のＸ線検査装置。
【請求項６】
上記線量計は、上記Ｘ線発生装置からのＸ線の照射領域で、かつ、上記Ｘ線検出器の視野外に配置され、上記Ｘ線累積照射量記録手段は、あらかじめ記憶しているＸ線発生装置の線量分布により上記線量計の出力を補正して被検査物へのＸ線の累積照射量を記録することを特徴とする請求項５に記載のＸ線検査装置。
【請求項７】
上記Ｘ線累積照射量記録手段は、被検査物上の特定部位へのＸ線の累積照射量を記録することを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６のいずれか１項に記載のＸ線検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、かかる脚部２１の横断面輪郭形状は、この脚部２１の外側においては仮想の円の円弧に略倣い、かつ、この脚部２１の内側においては仮想の四角形の辺に略倣うようにしてある。すなわち、前記各弾性脚片２１４はそれぞれ、その外面を前記仮想の円の円弧に倣わせた湾曲面２１４ｂとしていると共に、その内面を前記仮想の四角形の辺に倣わせた平面２１４ｃとしている。（図７、図８、図１０）これにより、この例にあっては、脚部２１の横断面輪郭形状を内外いずれも仮想の円の円弧に倣うように構成させた場合に比し軸体１の押し込みにより脚部２１は弾性変形により拡開し易くなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
従って、レギュレータバルブ３２ｃで調圧された油圧は、第３の油圧給排ポートｍ１あるいは第４の油圧給排ポートｍ２を介して第３の油室２６ｃあるいは第４の油室２６ｄに供給される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図２の下部に示す如く、ピストンロッド２２には、矢印で示す軸方向（図で左右方向）への推し力と戻し力が作用する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
副ピストン２４などは左右対称に構成されることから、油圧給排ポートｓ１，ｓ２を介して第１、第２の油室２６ａ，２６ｂに同一の流体圧、より具体的にはｍｎ（ｍ１，ｍ２）への供給圧に対して小さいパイロット圧ＰＬを供給すると、ピストンロッド２２は中立位置Ｎに位置すると共に、油圧給排ポートｍ１またはｍ２を介して第３の油室２６ｃまたは第４の油室２６ｄに油圧を供給するとき、中立位置Ｎから（図３において）前進する前進位置Ｄまたは後進する後進位置Ｒに移動するように構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011179644.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011179644.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011179644.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シアネート樹脂と、充填材とを含む樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるプリプレグであって、
前記シアネート樹脂の含有量が前記樹脂組成物全体の５〜５０重量％であり、
前記充填材の含有量が前記樹脂組成物全体の５０〜８０重量％であり、
前記繊維基材を構成する主な繊維がガラス繊維であり、
前記ガラス繊維を構成するガラスがＴガラス又はＳガラスであり、
前記プリプレグの面上で互いに直行するＸ、Ｙ方向を設定したとき、前記プリプレグを硬化してなる硬化物の３０〜１５０℃での、前記Ｘ方向の熱膨張係数［Ａｘ］が８ｐｐｍ／℃以下であり、かつ前記Ｙ方向の熱膨張係数［Ａｙ］が８ｐｐｍ／℃以下であり、
前記充填材の平均粒径が０．０１μｍ以上５．０μｍ以下である、
プリプレグ。
【請求項２】
前記充填材が球状溶融シリカを含む、請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
前記充填材の含有量が前記樹脂組成物全体の６０重量％以上７０重量％以下である、請求項１または２に記載のプリプレグ。
【請求項４】
前記Ｘ方向の熱膨張係数［Ａｘ］が３ｐｐｍ／℃以上であり、かつ前記Ｙ方向の熱膨張係数［Ａｙ］が３ｐｐｍ／℃以上である、請求項１から３のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項５】
前記繊維基材は、縦糸と横糸とを平織りしたものである、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項６】
前記Ｘ方向は前記繊維基材を構成する繊維の縦糸方向であり、前記Ｙ方向は前記繊維基材を構成する繊維の横糸方向である請求項１ないし５のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項７】
前記Ｘ方向の熱膨張係数［Ａｘ］と、前記Ｙ方向の熱膨張係数［Ａｙ］との差の絶対値が５ｐｐｍ／℃以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のプリプレグの硬化物を有する回路基板。
【請求項９】
請求項８に記載の回路基板に半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１）
シアネート樹脂と、充填材とを含む樹脂組成物を繊維基材に含浸させてなるプリプレグであって、
前記シアネート樹脂の含有量が前記樹脂組成物全体の５〜５０重量％であり、
前記充填材の含有量が前記樹脂組成物全体の５０〜８０重量％であり、
前記繊維基材を構成する主な繊維がガラス繊維であり、
前記ガラス繊維を構成するガラスがＴガラス又はＳガラスであり、
前記プリプレグの面上で互いに直行するＸ、Ｙ方向を設定したとき、前記プリプレグを硬化してなる硬化物の３０〜１５０℃での、前記Ｘ方向の熱膨張係数［Ａｘ］が８ｐｐｍ／℃以下であり、かつ前記Ｙ方向の熱膨張係数［Ａｙ］が８ｐｐｍ／℃以下であり、
前記充填材の平均粒径が０．０１μｍ以上５．０μｍ以下である、
プリプレグ。
（２）
前記充填材が球状溶融シリカを含む、上記（１）に記載のプリプレグ。
（３）
前記充填材の含有量が前記樹脂組成物全体の６０重量％以上７０重量％以下である、（１）または（２）に記載のプリプレグ。
（４）
前記Ｘ方向の熱膨張係数［Ａｘ］が３ｐｐｍ／℃以上であり、かつ前記Ｙ方向の熱膨張係数［Ａｙ］が３ｐｐｍ／℃以上である、（１）から（３）のいずれか１項に記載のプリプレグ。
（５）
前記繊維基材は、縦糸と横糸とを平織りしたものである、上記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載のプリプレグ。
（６）
前記Ｘ方向は前記繊維基材を構成する繊維の縦糸方向であり、前記Ｙ方向は前記繊維基材を構成する繊維の横糸方向である上記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載のプリプレグ。
（７）
前記Ｘ方向の熱膨張係数［Ａｘ］と、前記Ｙ方向の熱膨張係数［Ａｙ］との差の絶対値が５ｐｐｍ／℃以下である上記（１）ないし（６）のいずれか１項に記載のプリプレグ。
（８）
上記（１）ないし（７）のいずれか１項に記載のプリプレグの硬化物を有する回路基板。
（９）
上記（８）に記載の回路基板に半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。