【事件の表示】
　特願２００１−　　　６３３「半導体基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２１日出願公開、特開２００１−２５７１３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１月５日（特許法第４１条に基づく優先権主張平成１２年１月７日）の出願であって、平成１８年９月２９日付けで手続補正がなされ、同年１２月１８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成１９年２月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月８日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年８月７日付けで審尋がなされ、同年１０月１６日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年３月８日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年３月８日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容 
  平成１９年３月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び２を補正後の特許請求の範囲の請求項１及び２に補正するとともに、補正前の発明の詳細な説明を補正後の発明の詳細な説明に補正するものであり、請求項１及び２についての補正は、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】　支持基板の上方に貼り合せによって設けられた半導体層を有する半導体基板において、
　前記支持基板の周辺領域は、
　ボンディングエッジより外側に設けられた微小な勾配により前記半導体層とは貼り合っておらず、かつ、ベベリングによる傾斜面とは異なる平滑な第１の傾斜面と、
　該第１の傾斜面よりもさらに外側であって、かつ、該第１の傾斜面よりも傾斜したベベリングによる第２の傾斜面と、
を有し、
　前記第１の傾斜面に、基板識別用のマークが形成されていることを特徴とする半導体基板。」
と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項２を、補正後の請求項２の
「【請求項２】　前記マークが形成された部分の前記ボンディングエッジは、前記マークが形成されていない部分のボンディングエッジの位置よりも局所的に内方に後退していることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。」
と補正すること。
　
（２）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（２−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、３つの部分からなるものであるから、各々について検討する。
（２−１−１）補正事項ａのうち、補正前の請求項１における「ボンディングエッジより外側に設けられた第１の傾斜面と、」を、補正後の請求項１における「ボンディングエッジより外側に設けられた微小な勾配により前記半導体層とは貼り合っておらず、かつ、ベベリングによる傾斜面とは異なる平滑な第１の傾斜面と、」とする補正については、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「微小な勾配により前記半導体層とは貼り合っておらず、かつ、ベベリングによる傾斜面とは異なる平滑な」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００４９】段落の記載に基づく補正である。
（２−１−２）補正事項ａのうち、補正前の請求項１における「該第１の傾斜面よりも傾斜した第２の傾斜面と、」を、補正後の請求項１における「該第１の傾斜面よりも傾斜したベベリングによる第２の傾斜面と、」とする補正については、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「ベベリングによる」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００４９】段落の記載に基づく補正である。
（２−１−３）補正事項ａのうち、補正前の請求項１における「前記第１の傾斜面に、マークが形成されている」を、補正後の請求項１における「前記第１の傾斜面に、基板識別用のマークが形成されている」とする補正については、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「基板識別用の」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【０００６】段落及び【００４９】段落の記載に基づく補正である。
　
（２−２）補正事項ｂについて
　補正前の請求項２における「前記マークが形成された前記第１の傾斜面の前記ボンディングエッジは局所的に内方に後退している」を、補正後の請求項２における「前記マークが形成された部分の前記ボンディングエッジは、前記マークが形成されていない部分のボンディングエッジの位置よりも局所的に内方に後退している」とする補正については、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、「前記マークが形成された部分の前記ボンディングエッジは、前記マークが形成されていない部分のボンディングエッジの位置よりも局所的に内方に後退している」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【００５４】段落及び【００５５】段落の記載に基づく補正である。
　
（２−３）したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮及び同法同条同項第４号に掲げられた明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成１９年３月８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）引用刊行物に記載された発明
（３−３−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成９年６月１０日に頒布された刊行物である特開平９−１５３６０３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図６とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線「
　
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体多層構造基板に関し、特に貼り合わせＳＯＩ基板における基板構造およびその製造方法、およびその目合わせ方法に関する。」
「【００２４】［実施例１］図１は本発明の一実施例によるＳＯＩ基板およびその目合わせ方法を説明するための断面構造模式図である。また、図２はこのＳＯＩ基板の平面図である。
第１のシリコン基板１００の一方の主表面上には酸化膜パターン１が部分的に複数個形成されている。そのうち酸化膜パターン１ｂは、接合された第２のシリコン基板２００（図１では、すでに研削、研磨により薄膜化され、ＳＯＩ層２００ａとなっている）の下層に埋め込まれている。この酸化膜パターン１ｂは上部のＳＯＩ層に形成される素子の分離絶縁膜として機能し、その形状は任意である。一方、第１のシリコン基板１００において酸化膜パターン１ｂの形成されている表面のうち、第２のシリコン基板２００の接合されていない部分には目合わせ用酸化膜パターン１ａが形成されている。この目合わせ用酸化膜パターン１ａは、図２に示すようにウェーハ周縁部に配置されている。
「【００３２】第２、第３のオリエンテーションフラット１０ｂ、１０ｃを、第１のシリコン基板１００上に形成された目合わせ用酸化膜パターン１ａに被らないよう位置合わせし、目合わせ用酸化膜パターン１ａを露出させて貼り合わせる（図２参照）。これより、第１のシリコン基板上の酸化膜パターン１ｂは第２のシリコン基板２００との接合界面に埋め込まれる（図４（ｃ））。
【００３３】貼り合わされ、一体化した基板に対して、酸化性雰囲気で１１００℃〜１２００℃、２時間の熱処理を行い、接合を強固なものとする。
【００３４】次に３箇所のオリエンテーションフラット１０および第２のシリコン基板２００の周縁部を研削で除去する（図４（ｄ））。さらに第２のシリコン基板２００の接合されていない側の主表面を研削・研磨によって薄膜化し、約１０μｍのＳＯＩ層２００ａを形成する。ＳＯＩ層厚さは素子動作上必要な厚さを選択する。最後に熱処理工程で形成された酸化膜３を希弗酸でエッチング除去し、貼り合わせＳＯＩ基板を得る（図４（ｅ））。」
「【００３５】［実施例２］図５は、本発明のＳＯＩ基板の第２の実施例を示す平面図である。
目合わせ用酸化膜パターン１ａは、第１のシリコン基板の周縁部に配置され、第２のシリコン基板２００の周縁部を研削加工およびエッチングして除去することにより露出させる。
【００３６】次にこの基板の製造方法について説明する。図６（ａ）は、第１のシリコン基板１００において目合わせ用酸化膜パターン１ａの存在する位置の断面構造模式図である。酸化膜パターン１の形成方法は第１の実施例と同じである。次に
第２のシリコン基板２００を用意し、第１のシリコン基板１００の酸化膜パターン１の形成された面と対向させて貼り合わせる
第１の実施例で説明したようにＳＯＩ層２００ａを形成し、酸化膜３を除去してＳＯＩ基板を得る
【００３７】本実施例によれば、第１の実施例で示したような目合わせパターンを露出させるためのオリエンテーションフラットを形成する必要がなく、従来の単結晶シリコン基板をそのまま用いることができる。また、第２のシリコン基板２００の周縁部が除去されるので、周縁部に残る未接合部分や弱接合部分も同時に除去できる。これにより、基板周縁部の割れや欠けを防止することができるという利点がある。」
　
（３−３−２）したがって、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「第２のシリコン基板２００と第１のシリコン基板１００の酸化膜パターン１の形成された面とを対向させて貼り合わせ、研削、研磨により薄膜化されたＳＯＩ層２００ａを有するＳＯＩ基板であって、
第１のシリコン基板の周縁部に配置され、第２のシリコン基板２００の周縁部を研削加工およびエッチングして除去することにより露出された目合わせ用酸化膜パターン１ａが形成されているＳＯＩ基板。」
　
（３−４）対比
（３−４−１）刊行物発明における「第１のシリコン基板１００」、「ＳＯＩ層２００ａ」及び「第１のシリコン基板の周縁部」は、各々補正後の発明における「支持基板」、「半導体層」及び「支持基板の周辺領域」に相当する。
　
（３−４−２）刊行物発明の「目合わせ用酸化膜パターン１ａ」と補正後の発明の「基板識別用のマーク」は、「マーク（しるし）」という点で共通する。
　
（３−４−３）以上を勘案すると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「支持基板の上方に貼り合せによって設けられた半導体層を有する半導体基板において、
　前記支持基板の周辺領域に、マークが形成されていることを特徴とする半導体基板。」
である点で一致し、以下の２点で相違する。
　
（相違点１）
　補正後の発明では、「前記支持基板の周辺領域は、ボンディングエッジより外側に設けられた微小な勾配により前記半導体層とは貼り合っておらず、かつ、ベベリングによる傾斜面とは異なる平滑な第１の傾斜面と、該第１の傾斜面よりもさらに外側であって、かつ、該第１の傾斜面よりも傾斜したベベリングによる第２の傾斜面と、を有し」ているの対し、刊行物発明では、「第１のシリコン基板の周縁部」の形状について、特定されていない点。
　
（相違点２）
　補正後の発明では、「前記第１の傾斜面に、基板識別用のマークが形成されている」のに対し、刊行物発明では、「第１のシリコン基板の周縁部」に形成されているのが「目合わせ酸化膜パターン１ａ」であり、「第１のシリコン基板の周縁部」のどこに形成されているかが特定されていない点。
　
（３−５）判断
（３−５−１）相違点１について
　ＳＯＩ基板の支持基板（ベースウエハ）であるＳｉウェハの周縁部に面取り（べべリング）が施されること、そして、この周縁部には、微小な勾配によりＳＯＩ層（ボンドウエハ）とは貼り合っておらず、かつ、べべリングによる傾斜面とは異なる平滑な第１の傾斜面（厚さの僅かに薄い部分）と、該第１の傾斜面よりもさらに外側であって、かつ、該第１の傾斜面よりも傾斜したベベリングによる第２の傾斜面（面取り部）が形成されることは、例えば、以下の周知例１に記載されるように従来周知である。
　また、支持基板の周縁部のこのような第１の傾斜面、第２の傾斜面（ウエハ周縁部における、いわゆる「ダレ」）によって、支持基板（ベースウエハ）とＳＯＩ層（ボンドウエハ）の間に未接着部分が生じること、すなわち、支持基板とＳＯＩ層との接着端（ボンディングエッジ）の外側に、第１の傾斜面が形成されていることも、例えば、以下の周知例２に記載されるように従来周知である。
　
（ア）周知例１：特開平１１−８７２０３号公報には、図２、３とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】例えばＳＯＩ構造の半導体装置を製造するための一つの方法として、第１の半導体ウェハの表面上に絶縁膜と平坦化加工膜とを順次に形成し、平坦化加工膜を介して第１の半導体ウェハに第２の半導体ウェハを貼り合わせ、第１の半導体ウェハを裏面側から研削して、絶縁膜のうちで第２の半導体ウェハとは反対側の面に第１の半導体ウェハから形成された半導体薄膜を有する貼り合わせＳＯＩウェハを形成する方法がある。
【０００３】図２は、一対のＳｉウェハ同士を貼り合わせるための一般的な方法を示している。この方法では、図２（ａ）に示す様に、絶縁膜としてのＳｉＯ2 膜（図示せず）と平坦化加工膜としての多結晶Ｓｉ膜（図示せず）とが表面上に順次に形成されていてボンドウェハと称されているＳｉウェハ１１と、ベースウェハと称されていてＳｉウェハ１１に貼り合わされるべきＳｉウェハ１２とを用意する。」
「【０００７】そこで、図２（ｂ）に示す様に、押し棒１５でＳｉウェハ１２の中心部に圧力を加えて、Ｓｉウェハ１１、１２の中心部同士を接触させる。すると、この接触部同士が上述の水素結合力で接着し、更に、図２（ｃ）に示す様に、水素結合力による接着がＳｉウェハ１１、１２の周辺部へ進行する自己接着が生じる。この結果、図３（ａ）に示す様に、Ｓｉウェハ１１、１２同士が貼り合わされた貼り合わせＳｉウェハ１６が形成される。
【０００８】ところで、インゴットから切断されて形成されたＳｉウェハ１１、１２には研磨や面取り等が施されるが、この研磨等のために、図３（ｂ）に示す様に、
Ｓｉウェハ１１、１２の周辺部に、０．１５〜０．５ｍｍ程度の幅Ａを有する面取り部以外に、厚さの僅かに薄い部分が１．０〜２．０ｍｍ程度の幅Ｂで形成されてしまう。
　
（イ）周知例２：特開平９−２１３５９３号公報には、図６、８とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００５】このような従来の接着法によるＳＯＩ基板は、例えば、図６（１）〜（９）に示すような順序で形成される。
【０００６】すなわち、まず、図６（１）に示した第１の半導体ウエーハ２と第２の半導体ウエーハ１は、図５に示す工程により加工された一般に製造市販されているシリコンウエーハを使用する。尚、図５に示す工程は、シリコンインゴットをスライスし、面取りを行い、ラッピング、エッチング及び鏡面研磨を施すものである。
【０００７】一般に製造市販されているシリコンウエーハの厚みは規格化されており、例えば６インチで６７５μｍ又は６２５μｍ，８インチで７２５μｍの厚みに仕上げられている。
【０００８】次に、前記シリコンウエーハ用いて、図６（２）に示すように、第２の半導体ウエーハ１の表面に誘導体層となる酸化膜５を形成する。その後第１の半導体ウエーハ２と第２の半導体ウエーハ１の双方の接着表面の清浄化処理を行い、図６（３）に示すように、半導体ウエーハ１，２を室温で密着する。
【０００９】次に、図６（４）に示すように、温度８００℃以上で熱処理することにより接着強度を増す。６は、酸化膜である。
【００１０】次に、図６（５）に示すように、第２の半導体ウエーハ１の未接着部分を幅３ｍｍ程度研削し、図６（６）に示すようにエッチングによって研削部７を除去する。８はエッチング後の研削部である。
【００１１】
半導体ウエーハ１，２には研磨時に、ウエーハ周辺にダレが発生しており、図８に示すように、双方を接着すると未接着部分１ａ，２ａ（幅ｗ１）が生じる。
このため、未接着部１ａの幅ｗ１よりも広い幅ｗ２（ｗ２＞ｗ１）で予め除去しておく必要がある。
【００１３】その後、図６（７）に示すように酸化膜６を除去し、図６（８）に示すように第２の半導体ウエーハ１を裏面より研削し、図６（９）に示すようにＳＯＩ層を所望の厚みになるように研磨を行う。」
　
　よって、刊行物発明において「第２のシリコン基板２００と第１のシリコン基板１００の酸化膜パターン１の形成された面とを対向させて貼り合わせ、研削、研磨により薄膜化されたＳＯＩ層２００ａを有するＳＯＩ基板」を製造するに際して、周知の技術を勘案して、補正後の発明のように、「支持基板の周辺領域は、ボンディングエッジより外側に設けられた微小な勾配により」「半導体層とは貼り合っておらず、かつ、ベベリングによる傾斜面とは異なる平滑な第１の傾斜面と、該第１の傾斜面よりもさらに外側であって、かつ、該第１の傾斜面よりも傾斜したベベリングによる第２の傾斜面と、を有」するようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−５−２）相違点２について
　ＳＯＩ基板、ウエーハの周縁部に基板識別用のマークを形成することは、例えば、以下の周知例３、４に記載されるように従来周知である。
　
（ウ）周知例３：特開平８−３７１３７号公報には、図５とともに、以下の事項が記載されている。
「【００４４】第２実施例
　図５は、本実施例に係わる半導体基板管理方法を用いたウェハーの製造過程を説明するための図である。図５（Ａ）に示すように、シリコン基板２１を用意する。次に、図５（Ａ）に示すシリコン基板２１に、その表面からＯ2 イオンを所定のエネルギーで打ち込み、図５（Ｂ）に示すように、当該エネルギーに応じた深さに絶縁層としてのＳｉＯ2 層２２を形成し、ＳｉＯ2 層の上にシリコン層が残存したＳＩＭＯＸ型のＳＯＩ構造基板とする。
【００４５】次に、図５（Ｃ）に示すように、例えば、ウェハーの周縁部において、ＳｉＯ2 層２２に対して表面側に位置するシリコン基板２１ａとＳｉＯ2 層２２とを、例えば、ドライエッチングなどで除去し、ＳｉＯ2 層２２に対して裏面側に位置するシリコン基板２１ｂを表面に露出させる。このとき、ドライエッチングとしては、例えば、ＨＢｒやＨＣｌ系のガスを用いたＲＩＥなどが用いられる。
【００４６】次に、図５（Ｄ）に示すように、露出したシリコン基板２１ｂの表面の所定の印字領域に、レーザーなどを用いて非接触方式で、当該ウェハーのＩＤを印字２３する。」
　
（エ）周知例４：特開平１０−２５６１０５号公報には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００５】
【実施の形態】本発明に従ったウェーハ１は、図１に示すように、周縁が鏡面仕上げされた面取り部２になっている。この面取り部２に、結晶方位判定用マーク３やウェーハ識別用マーク４を刻印している。マーク３，４は、たとえばハードレーザマークやソフトレーザマーク等としてレーザマーキングで設けることができる。ハードレーザマークは面取り後の表面に高レーザ出力で形成された後、鏡面仕上げが施され、最終状態では１０μｍ以上の深さで残る。ソフトレーザマークは鏡面取り後の表面に低レーザ出力で形成され、約３μｍ以下の深さで残る。マーク３，４は、長さ２００〜５００μｍ，細線の太さ１０〜１００μｍ程度に設定される。また、ウェーハ識別用マーク４をバーコードとするとき、ウェーハの履歴を管理するためのＩＤ，品種，工程日付，引当て等の種々の情報が面取り部２に書き込まれる。ウェーハ識別用マーク４は、結晶方位判定用マーク３との混同を避けるため、２〜１０ｍｍ程度結晶方位判定用マーク３から離すことが好ましい。
【０００６】面取り部２は、ウェーハ１からチップを切り出すときに製品チップから除外される箇所であり、マーキングによってウェーハ１の有効面積が少なくなることはない。しかも、レーザマーキングでは、ウェーハ１に熱影響を与える虞れがない極く僅かな入熱量でマーク３，４を刻印できる。・・・」
　
　よって、刊行物発明においても、「目合わせ用酸化膜パターン１ａ」に加えて、補正後の発明のように、「支持基板の周辺領域」に「基板識別用のマーク」を「形成」することは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　ところで、面取り（べべリング）が施されたＳｉウエハの周縁部に、べべリングによる傾斜面とは異なる平滑な第１の傾斜面（厚さの僅かに薄い部分）と、該第１の傾斜面よりもさらに外側であって、かつ、該第１の傾斜面よりも傾斜したベベリングによる第２の傾斜面（面取り部）が形成されることは、上で述べたように周知の技術であるが、面取りを施した後には、面取り処理による基板周縁部の荒れ等を除去するために、Ｓｉウエハの表面をエッチング処理等をするのが通常であり、該第１の傾斜面は、このようなエッチング処理等において形成されるものと考えられる。そして、「支持基板の周辺領域」に「基板識別用のマーク」を「形成」するに際して、当該「支持基板の周辺領域」のどの部分に「基板識別用のマーク」を「形成」するかということは、当業者が適宜選定し得る、単なる設計事項ともいうべきものであるが、読み取り精度を考慮して、なるべく傾斜の少ない部分である「第１の傾斜面」に「基板識別用のマーク」を形成することは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、当業者が、周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１９年３月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１８年９月２９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　支持基板の上方に貼り合せによって設けられた半導体層を有する半導体基板において、前記支持基板の周辺領域は、ボンディングエッジより外側に設けられた第１の傾斜面と、該第１の傾斜面よりもさらに外側であって、かつ、該第１の傾斜面よりも傾斜した第２の傾斜面と、
を有し、
　前記第１の傾斜面に、マークが形成されていることを特徴とする半導体基板。」
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、引用刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項及び上記２．（３−３−２）に記載したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、当然に引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。