【事件の表示】
　特願２００１−３２６９５２「ビデオ出力信号を発生するカメラ、こうしたカメラのための赤外線焦点面アレイ・パッケージ、及び、半導体基板の素子の受動焦点面アレイからビデオ信号を発生する方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月２８日出願公開、特開２００２−１８５８５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　経緯 
 １　手続 
　本願は、平成１３年１０月２４日（特願平６−５０２４３５の分割出願、パリ条約による優先権主張１９９２年６月１９日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１８年３月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。 
 　 
 ２　査定 
　査定の理由は、概略、下記のとおりである。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　記（査定の理由） 
　本願の請求項１から４までに係る発明は、下記刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　　　　記　　　 
ア　B. E. Cole、“High TC superconducting infrared bolometric detector”、SPIE Vol.1394 Progress in High-Temperature Superconducting Transistors and Other Devices、1990、p.126-138
イ　V. LAROCHELLE、“INVESTIGATION OF PULSED BIAS ON COOLED MERCURY-CADMIUM-TELLURIDE PHOTOCONDUCTIVE INFRARED DETECTORS”、Infrared Phys.、1991、Vol.31、No.2、p.183-194
ウ　米国特許第４７５２６９４号明細書
エ　特開平４−１８９０８１号公報
オ　特開平４−２８６４７８号公報
 　 
第２　本願発明 
　本願の請求項１から４までに係る各発明は、本願明細書及び図面（平成１３年１１月２６日付け及び平成１７年１０月５日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面）の記載からみて、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１から４までに記載したとおりの「ビデオ出力信号を発生するカメラ、こうしたカメラのための赤外線焦点面アレイ・パッケージ、及び、半導体基板の素子の受動焦点面アレイからビデオ信号を発生する方法及び装置」であると認められるところ、そのうち、請求項２に係る発明は、請求項１及び請求項２の記載に基づけば、次のとおりである。請求項２に係る発明を、以下、「本願発明」という。
　
 「入射してくる赤外線を検出する赤外線検出装置であって、
　入射してくる赤外線を受ける赤外線感応マイクロボロメータ(30)のアレイを備え、
　前記赤外線感応マイクロボロメータ(30)のアレイは、バイアス電流源(76)からの第１の持続期間の付勢パルスを用いて所定の繰り返し周波数で掃引されて出力信号を生じ、その付勢パルスは、より長い第２の持続期間にわたって続いたとすると各マイクロボロメータ(30)に障害を生じさせてしまう高レベルを有しており、且つ、前記付勢パルスの前記第１の持続期間が、各マイクロボロメータの付勢パルスに由来する温度上昇が次の掃引の開始前までには放散できるよう、短く選択され、
　前記赤外線感応検出器(30)のアレイは、行アドレスを有する複数の行と、列アドレスを有する複数の列に構成されている、ことを特徴とする、赤外線検出装置。」 
 　 
第３　当審の判断 
 １　刊行物の記載 
 １−１　引用例１ 
　原査定において引用された「B. E. Cole、“High TC superconducting infrared bolometric detector”、SPIE Vol.1394 Progress in High-Temperature Superconducting Transistors and Other Devices、1990、p.126-138」（平成２年公開、以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次のとおりの記載がある。（なお、和文については、刊行物等提出書から対応部分を抜粋。） 
　
（１）“High TC superconducting infrared bolometric detector”（第１２６頁第２行）
「高TC超伝導赤外線ボロメータ検出器」（第１頁第１行）
　
（２）“It is now possible to form arrays of small thin-film based bolometric pixels integrated onto Si substrates containing both array addressing and readout electronics. ”（第１２６頁第１４行ないし第１６行）
「今日ではアドレス化のための構成と読み出しのための構成の両方を備えたＳｉ基板上にボロメータのピクセルを集積することによって、小型かつ薄膜型のアレイを形成することが可能である。」（第１頁第１４行ないし第１６行）
　
（３）“In this paper we will describe the basic performance aspects of an IR microbolometer”（第１２６頁第１８行ないし第１９行）
「ここでは、赤外線マイクロボロメータの基本的なパフォーマンス側面」（第１頁第１８行）
　
（４） “A bolometer works on the principle of converting absorbed energy to a temperature rise and then detecting that temperature rise with a thermally sensitive element, most frequently a resistor. The resistance change ΔR caused by unit radiative power incident on a bolometer is given by 
ΔR=βaR/[(1+w2τ2)1/2G]　　　　(1)　”（第１２６頁第２２行ないし第２９行）
「ボロメータは吸収したエネルギーを温度上昇に変換し、その後、その温度上昇を熱感受性素子（多くの場合抵抗器）によって検出するという理論に基づいて働く。ボロメータに入射した単位放射パワーによって生じた抵抗の変化ΔRは、以下の式によって示される。
ΔR=βaR/[(1+w2τ2)1/2G] 　     (1) 」（第１頁下から第３行ないし第２頁第１行）
　
（５） “producing time constants in the range of 5msec.
 Although the responsivity increases with increasing bias current, with thermally sensitive pixels of low thermal mass, it is important that the bias current does not drive the resistance outside the approximately linear portion of the R versus T curve. The temperature rise of the pixel with a short current pulse as required in array addressing is given by 
 ΔT=Ibias2R0Δt/C　　(4)
where Δt is the pulse duration and R0 is the midpoint resistance.”（第１２７頁下から第3行ないし第１２８頁第４行）
「５msecレンジの時定数をもたらす。
　バイアス電流の増加に伴ってレスポンシビティが向上するが、低熱容量の熱感受性素子においては、バイアス電流が抵抗Rを抵抗Rｖｓ温度T曲線のほぼ直線状となる部分の外側に追いやってしまってはいけないということは重要である。アレイアドレシングのための短い電流パルスによるピクセルの温度上昇は、以下の式で与えれられる。
　ΔT=Ibias2R0Δt/C　　(4)
　ここにおいて、Δｔはパルス持続時間であり、Ｒ０は抵抗の中間点である。」（第３頁第１０行ないし第１７行）
　                          
（６） “For pulse durations of 8μsec, required to serially readout 64 ×64 element arrays at 30Hz, and 1mA bias currents, a pixel with the thermal properties described above will heat up by roughly 0.1℃”　（第１２８頁第４行ないし第６行）
「連続的に６４×６４画素のアレイを３０Hzで読み出すための必要な８μsecのパルス持続時間と、１mAのバイアス電流のために、上述の熱特性を備えたピクセルは略０．１℃だけ温度が上昇する。」（第３頁第１７行ないし第１９行）
　
（７） “Figure 4 shows the schematic of a 2-D array using transistors monolithically integrated into the bolometer substrate for addressing the YBaCuO bolometer resistors. In this method, a voltage is applied to the base the transistor via a row line turning on all the transistors in that row for a short period of time, which is determined by the size of the array and the desired frame rate. The column currents flowing to the substrate are sensed by an amplifier attached to each column line or multiplexed to a group of columns for larger element arrays. Slight changes in the currents based on whether the pixel resistance has changed because of IR radiation are detected.”（第１３２頁下から第５行ないし第１３３頁第２行）
「図４はYBaCuOボロメータ抵抗をアドレッシングするためにボロメータ基板にモノリシックに集積化されたトランジスタを使用する2-Dアレイの概略図を示している。この方法において、短い時間の間その行におけるすべてのトランジスタのベースをオンにするための行ラインを介して、トランジスタのベースに電圧が与えられるが、この時間はアレイのサイズおよび所望のフレームレートによって決定される。基板に流れる列電流は、各列ラインに取り付けられるか、あるいは大規模エレメントアレイの場合であれば列のグループに対して多重化される増幅器によってセンシングされる。赤外線放射に起因するピクセル抵抗の変化の有無に基づく電流のわずかの変化が検出される。」（第９頁第１４行ないし第２２行）
　
 １−２　引用例２ 
　原査定において引用された「V.LAROCHELLE、INVESTIGATION OF PULSED BIAS ON COOLED MERCURY CADMIUM-TELLURIDE PHOTOCONDUCTIVE INFRARED DETECTORS、Infrared Phys.、1991、Vol.31、No.2、p.183-194」（平成３年公開、以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次のとおりの記載がある。（なお、和文については、刊行物等提出書から対応部分を抜粋。） 
　
（８）“Previous measurements have shown that the detector sensitivity is dependent upon the bias current circulating through the detector, that is, the detector sensitivity increases with the bias current. The increased bias current however increases the electrical power dissipation in the detector and its temperature. Excessive bias current can damage the electrical contacts on the semiconductor or destroy the detector. This problem was solved in this investigation by utilizing a pulsed bias to limit the average power dissipation.” （第１８３頁 １．INTRODUCTION第５行ないし第１１行） 
「これまでの測定は検出器の感度がその検出器を通って循環するバイアス電流に依存することを示している。つまり、検出器の感度はバイアス電流の増加とともに向上する。しかしながら、増加したバイアス電流は検出器内部での電力消費および温度上昇を引き起こす。過剰なバイアス電流は半導体の電気的接続にダメージを与え、あるいは、検出器を破壊する。この問題は、平均電力消費を制限するためにパルスバイアスを利用するこの研究によって解決された。」（第１頁下から第５行ないし第２頁第１行）
　
（９）　“ In the continuous mode a maximum bias current of 25mA was attained without damaging the detector element. In the pulsed mode, 1-ms wide bias pulses were applied to the detector up to a current of 60mA.”（第１８４頁下から６第行ないし下から第４行）
「この連続モードにおいては、バイアス電流が検出素子にダメージを与えない上限のバイアス電流は２５mAであった。一方、持続時間1-msのバイアスパルスを用いたパルスモードでは、６０mAまで検出素子にバイアス電流をかけることができた。」（第４頁第３行ないし第６行）
　
 　 
 ２　対比 
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比する。
 ア　本願発明の「入射してくる赤外線を検出する赤外線検出装置」について 
　引用例１の上記記載（１）（３）（４）（７）の記載によれば、入射してくる放射パワーは赤外線であり、その赤外線を検出するものであるから、引用例１は「入射してくる赤外線を検出する赤外線検出装置」である。 
 　 　 
 イ　本願発明の「入射してくる赤外線を受ける赤外線感応マイクロボロメータ(30)のアレイ」について 
　引用例１の上記記載（３）によれば、赤外線マイクロボロメータを用いており、引用例１の上記記載（２）によれば、ボロメータは小型かつ薄型のアレイで形成しているから、「入射してくる赤外線を受ける赤外線感応マイクロボロメータ(30)のアレイ」の構成を備えている。 
 　 
 ウ　本願発明の「前記赤外線感応マイクロボロメータ(30)のアレイは、バイアス電流源(76)からの第１の持続期間の付勢パルスを用いて所定の繰り返し周波数で掃引されて出力信号を生じ」について 
 （ウー１）　引用例１の上記記載（６）によれば、バイアス電流のパルスは、８μsecのパルス持続時間と、１mAのバイアス電流で規定されており、「８μsecのパルス持続時間」は、「第１の持続期間」に相当している。
 （ウー２）　引用例１の上記記載（６）によれば、連続的に６４×６４画素のアレイを３０Hzで読み出しているから、３０Hzの周期で繰り返して、各画素を読み出している。
　したがって、「前記赤外線感応マイクロボロメータ(30)のアレイは、バイアス電流源(76)からの第１の持続期間の付勢パルスを用いて所定の繰り返し周波数で掃引されて出力信号を生じ」の構成を備えている。
 　 
 エ　本願発明の「その付勢パルスは、より長い第２の持続期間にわたって続いたとすると各マイクロボロメータ(30)に障害を生じさせてしまう高レベルを有しており」について 
　引用例１の上記記載（５）の式（４）、及び上記記載（６）によれば、パルス持続時間Δｔが長くなれば、それに伴って、温度上昇ΔTも上昇するものと認められるが、パルス持続時間Δｔが「より長い第２の持続期間」にわたって続いた場合に、マイクロボロメータに障害を生じさせることになるか否か明らかではない。相違が認められる。
　もっとも、本願発明には、以下のとおり、技術的に不明確な記載がある。
 （エー１）　本願発明の「より長い第２の持続期間」に、その上限が示されていないため、「第１の持続期間」と比べて、どの程度、長い時間なのか不明確である。
　例えば、(1)第１の持続時間（明細書の段落【００２４】によると約５〜６μsec）よりわずかに長い時間、(2)フレーム周期の３０Hzである１／３０sec、(3)数分〜数時間程度、(4)数日などの中の、いずれの時間まで含むのか明確でない。
 （エー２）　本願発明の「各マイクロボロメータ(30)に障害を生じさせてしまう」における「障害」が、どのような程度の「障害」を指すのか不明確である。
　本願の明細書の段落【００２７】【００３１】では、「損傷」「破壊」という用語を用いており、マイクロボロメータにおける回復不可能な物理的な損傷、破壊等を指していると認められるが、本願の請求項４では、「受光ユニットが不安定となるレベル」という用語を用いており、これによれば、「障害」とは、回路の不安定な動作、不安定な出力信号の発生、種々のノイズ信号の発生等のように、「損傷」「破壊」と比べて、軽微な、または回復可能な障害も含まれるといえる。
　なお、一般に、回路素子に障害が発生するか否かは、バイアスパルスのレベル、パルス持続時間のみで規定されるものではなく、回路素子の材質、品質、耐久性、使用環境、累積使用時間、回路構成／配置、種々の障害対策のための構成等によって左右され、入力信号のパルスレベル、パルス持続時間が、ある値を超えた途端、その回路素子に、必ず障害が発生しうるというものではないから、発明の範囲の規定の仕方として不明確といえる。
　
　オ　本願発明の「前記付勢パルスの前記第１の持続期間が、各マイクロボロメータの付勢パルスに由来する温度上昇が次の掃引の開始前までには放散できるよう、短く選択されている」について 
　引用例１の上記記載（６）によれば、付勢パルスによりマイクロボロメータは略０．１℃だけ温度が上昇するが、「前記付勢パルスの前記第１の持続期間が、各マイクロボロメータの付勢パルスに由来する温度上昇が次の掃引の開始前までには放散できるよう、短く選択されている」に相当する事項は明記されていない。相違が認められる。
　
　カ　本願発明（請求項２）の「前記赤外線感応検出器(30)のアレイは、行アドレスを有する複数の行と、列アドレスを有する複数の列に構成されている」について 
　引用例１の上記記載（７）によれば、引用例１のアレイは、複数の行ライン、複数の列ラインを有しており、その行ライン、列ラインのオンオフを、アドレスを用いて制御していることは、明らかである。
　したがって、「前記赤外線感応検出器(30)のアレイは、行アドレスを有する複数の行と、列アドレスを有する複数の列に構成されている」の存在が認められる。
　
 ２−２　一致点、相違点 
 　上記アないしカの対比結果によれば、両者は、 
 「入射してくる赤外線を検出する赤外線検出装置であって、
　入射してくる赤外線を受ける赤外線感応マイクロボロメータ(30)のアレイを備え、
　前記赤外線感応マイクロボロメータ(30)のアレイは、バイアス電流源(76)からの第１の持続期間の付勢パルスを用いて所定の繰り返し周波数で掃引されて出力信号を生じ、
　前記赤外線感応検出器(30)のアレイは、行アドレスを有する複数の行と、列アドレスを有する複数の列に構成されている、赤外線検出装置。」 
　
 である点で一致し、以下の２点で相違している。 
 　
 ［相違点１］　付勢パルスが、本願発明では、「より長い第２の持続期間にわたって続いたとすると各マイクロボロメータ(30)に障害を生じさせてしまう高レベルを有して」いるのに対し、引用発明では、時間経過とともに、マイクロボロメータの温度が上昇することは記載されているものの、それによってマイクロボロメータに障害を発生させることになるのか否か明らかでない点。
 ［相違点２］　本願発明は、「前記付勢パルスの前記第１の持続期間が、各マイクロボロメータの付勢パルスに由来する温度上昇が次の掃引の開始前までには放散できるよう、短く選択されている」のに対し、引用発明では、その点について記載がない点。 
　
３　判断 
　上記各相違点について検討する。 
 ３−１　 ［相違点１］について 
 ａ　引用例２の記載技術 
 引用例２の上記記載（９）には、 
　“ In the continuous mode a maximum bias current of 25mA was attained without damaging the detector element. In the pulsed mode, 1-ms wide bias pulses were applied to the detector up to a current of 60mA.”　「この連続モードにおいては、バイアス電流が検出素子にダメージを与えない上限のバイアス電流は２５mAであった。一方、持続時間1-msのバイアスパルスを用いたパルスモードでは、６０mAまで検出素子にバイアス電流をかけることができた。」と記載されている。 
　これから、
（ａ１）　連続モード、すなわち、連続してバイアス電流をかけ続ける場合には、低レベルのバイアス電流（２５mA）より多少とも高いバイアス電流であれば、検出素子にダメージを与えること。
（ａ２）　パルスモード、すなわち、バイアス電流を1-msのように短い時間しかかけなければ、検出素子にダメージを与えることなく、より高レベルのバイアス電流（６０mA）を与えることができること。
　の技術（以下、「技術事項Ａ」という）が導ける。
　そして、（ａ１）（ａ２）、上記記載（８）から、パルスモードで用いたバイアス電流（６０mA）を、長時間の連続モードでかけ続ければ、当然、検出素子にダメージを与えることになることは明らかである。（以下、「技術事項Ｂ」という）。
    　 
　ｂ　容易想到性 
　引用例１の上記記載（６）によれば、引用例１のバイアス電流は、１mAである。一方、本願発明の明細書の【００２４】によれば、本願発明の実施例におけるバイアス電流は、約２００〜３００μA（約０．２〜０．３mA）であるから、引用例１のバイアス電流は、本願発明と同等に高レベルといえる。もっとも、バイアス電流が高いレベルにあるか、低いレベルにあるかは、回路構成、素子の物性等の種々の相対的な条件によって異なるものであり、単純に電流値のみで、条件の異なる本願発明と引用例１とを比較できるものではないが、参考のため比較結果を記しておく。
　ところで、上記 （エー１）のとおり、本願発明の「より長い第２の持続期間」が、どの程度の時間まで含むのか明らかではない。しかし、引用例１は、上記記載（５）の式（４）から、パルス持続時間Δｔが長くなれば、それに伴って、温度上昇ΔTも上昇するものであるから、その温度上昇の温度上限については記載されていないものの、１mAのバイアス電流を、長い時間（例えば、数分、数時間、数日）にわたって流し続ければ、マイクロボロメータに何らかの影響が発生することは、当然、技術的に予測できる。
　そして、上記（エー２）のとおり、本願発明の「障害」の程度が、マイクロボロメータに、何らかの影響が発生するくらいの軽微なものまで含まれるとすると、相違点１において、本願発明と引用例１とは、付勢パルスを「より長い第２の持続期間」にわたって流し続けた場合の結果として、格別な相違があることにはならない。
　また、仮に、引用例１において、付勢パルスを「より長い第２の持続期間」にわたって流し続けた場合の結果として、マイクロボロメータに全く障害が発生しないとしても、引用例２の上記技術事項Ａ、技術事項Ｂを考慮すれば、赤外線検出器の感度（レスポンシビティ）を向上させるために、引用例１の付勢パルスを、短い持続期間、高レベルに設定し、その場合の高レベルとして、「より長い第２の持続期間にわたって続いたとすると各マイクロボロメータに障害を生じさせてしまうような高レベル」に設定することは、当業者であれば格別困難なことではない。
　なお、引用例２の光導電赤外線検出器は、吸収したエネルギーを温度上昇に変換するものでないものの、パルスバイアス電流を用いて赤外線検出するという点で、引用例１と技術的に共通するから、温度上昇に変換するものではないことは、両技術を組み合わせることを困難とする阻害要因とはならない。
　また、相違点１に係る構成による効果も予測される範囲を超えるものではない。
　
　ｃ　請求人の主張
　請求人は、審判請求書の請求の理由の「（ｃ）　本願発明と各引用文献との対比」において、「即ち、引用文献１にはマイクロボロメータの抵抗がＲ（抵抗）対Ｔ（温度）のほぼ線形部分から外れて変化することがないようにバイアス電流を制限することが重要であることが記載されている。従って、審査官独自の結論「ボロメータの感度を高くするために極力高いレベルのバイアス電流を用いることは当業者であれば容易に想到し得る範囲のことに過ぎない」は、引用文献１とは相反するものである。このため、引用文献１では高レベルの付勢パルスを用いていないので、本願発明のようにマイクロボロメータの感度を増大させることができない。また、引用文献１ではバイアス電流を制限することを教示しているので、当業者は引用文献１から本願発明のように、第１の持続期間より長い第２の持続期間にわたって続いたとすると各マイクロボロメータ（３０）に障害を生じさせてしまう高レベルを有する付勢パルスを用いようとは思わない。すなわち、そのような高レベルを有する付勢パルスを用いることは自明ではない。」と主張するので、これについて検討する。 
　引用例１の上記記載（５）には、“Although the responsivity increases with increasing bias current, with thermally sensitive pixels of low thermal mass, it is important that the bias current does not drive the resistance outside the approximately linear portion of the R versus T curve. ” 「バイアス電流の増加に伴ってレスポンシビティが向上するが、低熱容量の熱感受性素子においては、バイアス電流が抵抗Rを抵抗Rｖｓ温度T曲線のほぼ直線状となる部分の外側に追いやってしまってはいけないということは重要である。」とある。
　それによると、引用例１は、抵抗値が正確に測定できる、抵抗Ｒと温度Ｔの特性が線形の範囲内において、なるべく、バイアス電流を増加（高レベルに）して、レスポンシビティを向上させるという技術思想を開示しているといえる。
　そして、引用例１の高レベルのバイアス電流として、引用例２のような高レベルのバイアス電流を用いることは当業者にとって容易であることは、上記「ｂ　容易想到性」で示したとおりであるから、請求人の主張は採用できない。
 　 
 ３−２　 ［相違点２］について 
　引用例１のバイアス電流は、パルス持続時間が８μsecである。一方、本願発明の明細書の【００２４】によれば、本願発明の実施例におけるパルス持続時間は、約５〜６μsecであるから、引用例１のパルス持続時間の８μsecは、約５〜６μsecと比べて、格別長い持続時間とはいえない。引用例１の上記記載（５）にも、a short current pulse（短い電流パルス）という文言がある。
　ところで、マイクロボロメータの付勢パルスに由来する温度上昇が次の掃引の開始前までに放散できなければ、付勢パルスを加える毎に、温度が累積して上昇していくことになり、正常に動作しないことは明らかであるから、引用例１が正常に動作するとすれば、引用例１のパルス持続時間の８μsecは、各マイクロボロメータの付勢パルスに由来する温度上昇が次の掃引の開始前までには放散できるような時間であるといえる。
　さらに、付勢パルスによって上昇した温度が、その後、時間と共に指数的に低下すると仮定すると、
　ｙ＝Ａ×ｅｘｐ（−ｔ／τ）　
（Ａは初期温度、ｔは経過時間、τは時定数、ｙはｔ秒後の温度）の式で表現でき、引用例１の上記記載（５）（６）の条件を当てはめると、Ａは初期（上昇）温度＝０．１°Ｃ、ｔは経過時間（フレームレート３０Hz）＝１／３０秒、τは時定数＝５msecとなり、ｔ秒後の温度ｙは、
　ｙ＝０．１×ｅｘｐ（−（１／３０）／０．００５）＝０．０００１２７
で求められ、上昇温度分０．１℃が、次の掃引の開始前に約０．０００１２７℃にまで低下していることになるから実質的に元の温度に戻っており、温度上昇が放散されたといえる。
　よって、引用例１には「前記付勢パルスの前記第１の持続期間が、各マイクロボロメータの付勢パルスに由来する温度上昇が次の掃引の開始前までには放散できるよう、短く選択されている」という直接の記載はないものの、実質的に技術的に格別な相違がないから、相違点２に係る構成は、当業者が容易に想到できたものといえる。
　また、相違点２に係る構成による効果も予測される範囲を超えるものではない。 
　なお、マイクロボロメータが、どの程度の時間で、上昇した熱を放散できるかは、バイアスパルスのレベル、パルス持続時間のみで規定されるものではなく、ボロメータ素子の材質／形状／温度特性、温度制御装置、回路構成／配置等によって左右されるため、パルス持続時間が、ある値より短ければ、必ず「付勢パルスに由来する温度上昇が 次の掃引の開始前までに放散できる」というものではないので、本願発明の構成は、明確であるとはいえないものの、これによって、上記の容易想到性の判断における結論を左右するものではない。
　 　 
　以上判断したとおり、本願発明における上記相違点１、相違点２に係る構成はいずれも当業者が容易に想到し得たものであり、また、各相違点を総合しても本願発明は当業者が想到することが困難なものとはいえない。 
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１、２から当業者が予測できる範囲のものである。 
　
 第４　むすび 
　以上のとおり、請求項２に係る発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、残る請求項（請求項１、請求項３及び請求項４）について特に検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。