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　特願２００３−３８６８１８「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日出願公開、特開２００５−１５０４５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年１１月１７日の出願であって、その請求項１〜８に係る発明は、平成１７年８月９日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）は次のとおりである。
　
　「表面及び裏面を有するダイパッド部と、
　第１の辺と前記第１の辺に対向する第２の辺とを有し、第１電極部が形成された表面と前記ダイパッド部の前記表面に固定された裏面とを有する矩形の第１半導体チップと、
　第３の辺と前記第３の辺に対向する第４の辺とを有し、第２電極部が形成された表面と前記第１半導体チップの表面に固定された裏面とを有する矩形の第２半導体チップと、
　前記第１及び第２電極部に電気的に接続されたリード端子部と、
　前記ダイパッド部、前記第１及び第２半導体チップを封止する樹脂封止体とを備え、
　前記第２半導体チップの前記第４の辺は、前記第１半導体チップの前記第２の辺から突出し、
　前記ダイパッド部の縁部は、前記第１半導体チップの前記第１の辺及び前記第２の辺から突出していると共に、前記第２半導体チップの前記第４の辺からも突出し、
　前記第１の辺及び前記第４の辺は、平面視において前記ダイパッド部に包含されていることを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内に頒布された下記の刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平２００２−２３１８８２号公報（拒絶理由通知の引用文　　　　　　献２）
　
＜刊行物１の摘記事項＞
ａ．「【００２２】実施の形態１．実施の形態１を、同一半導体チップ２個を封止樹脂で封止厚み寸法を１ｍｍで封止して二方向に外部リードを引き出すＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔ−ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置の略半分の封止厚みで構成する半導体装置で説明する。
　　【００２３】図１は、この実施の形態１である半導体装置の断面図で、・・・図３は、実施の形態１である半導体装置の封止樹脂を省略して示した平面図である。・・・
　　【００２４】図１に示す第１の半導体チップ１３の裏面１３ｂはダイパッド１１の第１面１１ａに接合材１２を介して固定する。第２の半導体チップ１５の裏面１５ｂは第１の半導体チップ１３の能動面１３ａ（主面）に階段状に重ねて接合材１４で固定し積層半導体チップを構成する。第１の半導体チップ１３の上に第２の半導体チップ１５を重ね合わせるときに、図３に示すように、第１の半導体チップ１３の主面１３ａに設けたパッド１０が第２の半導体チップ１５と重ならないようにＬ３だけ階段状にずらせて固定する。図３では、同一寸法で同一機能を有する外周辺の１辺にパッドが配置された半導体チップ２個を同方向に重ねた後半導体チップ１５を半導体チップ１３を基準にして１８０度面内で回転して、かつ、長辺方向にＬ３ずらしている。」（段落００２２〜段落００２４）
　
ｂ．「【００４１】実施例１．厚みが０．５５ｍｍの半導体装置を図５で説明する。インナーリード１７とダイパッド１１とダイパッド吊りリードとタイバーとフレーム枠とセクションバーとその他ＴＳＯＰパッケージに用いられるリードフレームと同様に構成した厚みが０．１２５ｍｍのリードフレームを準備する。
　　【００４２】ダイパッド１１ｃ平面板厚が０．０５０±０．０２ｍｍとなるように０．１２５ｍｍを０．０７５ｍｍ削除して、ダイパッド１１の平面部分１１ｃが吊りリード１１ｄとインナーリード１７より薄く構成している。また、ダイパッド１１ｂ面は、図２に示すようにダイパッド吊りリード１１ｃ部分で折り曲げ加工されていてインナーリード１７ｂ面とＬ７＝０．１ｍｍだけ段差をつけている。（ダイパッド沈めという。）
　　【００４３】半導体チップは能動面の外周近傍の一辺に沿ってパッド１０を配置した厚みが１４５±１０μｍの同一寸法で同一機能のメモリ半導体チップ１３と１５の２個を準備する。ダイパッド面１１ｃに厚みが２５μｍ厚みのテープ状の接合材１２で固定して、下側のメモリ半導体チップ１３の能動面１３ａと上側のメモリ半導体チップ１５（実施例１の場合メモリ半導体チップ１３と同一である。）との裏面１５ｂとを厚みが２５μｍ厚みの接合材１４で固定する。
　　【００４４】このとき、下段のメモリ半導体チップ１３を基準にして上段のメモリ半導体チップ１５を１８０度回転させて、かつ、上側の半導体チップ１５が下側のメモリ半導体チップ１３のパッド１０と重なって塞がないようにＬ３＝１．０ｍｍ長辺方向にずらして階段状に固定すると図３に示すパッド１０と２０とが対向する左右外周辺の２辺に配置された積層半導体チップとなる。」（段落００４１〜段落００４４）
　
ｃ．「【００６２】実施の形態２．２個の同一メモリ半導体チップで積層半導体チップを構成する場合に、下段側のメモリ半導体チップに対して上段側のメモリ半導体チップを単に平行に階段状にずらして固定した積層半導体チップで超薄型半導体装置を構成する方法を実施の形態２で説明する。
　　【００６３】図６は、実施の形態２である半導体装置の断面図。図７は、図６の封止樹脂を省略して示した平面図。・・・尚、実施の形態１で説明した同一製造プロセスについては重複する部分の説明を省略する。
　　【００６４】リードフレームは図６に示すように、実施の形態１に用いるリードフレームのインナーリード１７の先端部分にエッチングもしくはプレス加工追加してインナーリード先端面１７ｃに段差を形成する。ダイパッド面１１ａは半導体チップを固定する領域の面１１ｃがエッチング加工で薄く形成されている。実施の形態２に用いるリードフレームの構成で実施の形態１に用いるリードフレームと同一の構成については説明を省略する。
　　【００６５】図６に示す、第１の半導体チップ１３の裏面１３ｂはダイパッド１１の第１面１１ｃに接合材１２を介して固定する。第２の半導体チップ１５（第１の半導体チップと同一寸法同一機能。）の裏面１５ｂは第１の半導体チップ１３の主面１３ａに接着材１４を介して固定して積層半導体チップを構成する。このとき、半導体チップ１３と１５とは図７に示すように同一の辺側にパッドがくるように（図６では左側の１辺に構成。）重ねた状態から、下段の第１の半導体チップ１３に設けたパッド１０を重ねた上段側の第２の半導体チップ１５が覆わないように、上段の半導体チップをＬ３だけ半導体チップを平行にずらせて階段状に固定する。」（段落００６２〜段落００６５）
　
ｄ．「【００７１】実施例１．実施の形態２に係わる積層半導体装置を厚みが０．５５ｍｍの超薄型半導体装置に適用した一例を実施例１で図６および図７で説明する。インナーリード１７とダイパッド１１とダイパッド吊りリードとタイバーとフレーム枠とセクションバーとその他ＴＳＯＰパッケージに用いられるリードフレームと同様に構成した厚みが０．１２５ｍｍのリードフレームを準備する。
　　【００７２】図６に示すダイパッド１１の第１面１１ａには図７に示す半導体チップ１３を接合する領域を０．０７５±０．０２５ｍｍエッチングして掘り込み加工して接合面１１ｃを形成し、ダイパッド１１は対向する２辺の各辺（長辺）を各２本ずつ一対の吊りリード１１ｄでリードフレームの枠部（図示せず。）に保持している。
　　【００７３】ダイパッド１１と吊りリード１１ｄを設けた辺と直交した対向する２辺（短辺）の外周側には絶縁隙間を設けて整列して配置したインナーリード１７と外部リード１９とインナーリードとを連続形成してリードフレームの枠部（図示せず。）に保持している。
　　【００７４】ダイパッド１１の第１の面１１ａとインナーリード１７の第１の面１７ａとは図６に示すＬ７＝０．１ｍｍの段差を設ける。この段差はダイパッド吊りリード１１ｄ部で折り曲げて０．１ｍｍのダイパッド沈めで形成する。
　　・・・
　　【００７６】・・・下段側のメモリ半導体チップ１３の能動面１３ａと積層される上段側のメモリ半導体チップ１５との裏面１５ｂとを厚みが０．０２５ｍｍの接合材１４で固定すると、上段と下段のメモリ半導体チップ１３と１５とのパッド１０と２０とが積層半導体チップの外周１辺に平行にＬ３ずれて階段状に形成される。」（段落００７１〜段落００７６）
　
ｅ．「【０１２０】実施の形態１と実施の形態２と実施の形態３とでダイパッド沈めしたダイパッド寸法が半導体チップ寸法より大きなダイパッドで説明したが、半導体チップよりもダイパッドの寸法が小さな小ダイパッドでも、また、額縁状のダイパッド吊りリード補強を備えた額縁つき小ダイパッドであっても同様の効果を奏する。」（段落０１２０）
　
３．対比・判断
　上記刊行物１の図６、図７及び図６、図７に関連する説明の記載（摘記事項ｃ、ｄ）からみて、第１の半導体チップの左右の短辺の内、一方が第１の辺、他方が第２の辺に相当し、第２の半導体チップの左右の短辺の内、一方が第３の辺、他方が第４の辺に相当することは明らかである。
　してみると、刊行物１には、表面と裏面とを有するダイパッドと、第１の辺とその辺に対向する第２の辺とを有し、能動面が形成された主面とダイパッドの表面に固定された裏面とを有する第１の半導体チップと、第３の辺とその辺に対向する第４の辺とを有し、能動面が形成された主面と第１の半導体チップの主面に固定された裏面とを有する第２の半導体チップと、第１、２の半導体チップの能動面に電気的に接続された外部リードと、第１、２の半導体チップのそれぞれの能動面の外周近傍一辺に設けた複数のパッドと、ダイパッド、第１、第２の半導体チップを封止する封止樹脂とを備えて、さらに、第２の半導体チップの第４の辺は第１の半導体チップの第２の辺から突出し、ダイパッドの縁部は第１の半導体チップの第１の辺と第２の辺から突出している半導体装置に関する発明が記載されていることになる。
　
　そこで、上記本願発明２と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載の「第１の半導体チップの能動面の外周近傍一辺に設けた複数のパッド」、「第２の半導体チップの能動面の外周近傍一辺に設けた複数のパッド」は、それぞれ本願発明２の「第１電極部」、「第２電極部」に相当し、刊行物１に記載の「外部リード」の端部は本願発明２の「リード端子部」に相当する。
　また、平面図とは、平面視したときの構造を示す図面に外ならない。刊行物１の図６に記載された半導体装置の平面図を示す図７には、第１、２の半導体チップの外周より外側に、ダイパッド面１１ａと第１の半導体チップを固定するダイパッド面１１ｃ（ダイパッド沈め）とを示す二重線で囲まれた区域が記載されている。発明の詳細な説明の記載からみると、第２の半導体チップの第４の辺の外側にダイパッド面１１ｃ（ダイパッド沈め）の縁部が位置することになるから、ダイパッドの縁部は第２の半導体チップの第４の辺から突出した構成が示されている。
　そうすると、両者は、「表面及び裏面を有するダイパッド部と、第１の辺と前記第１の辺に対向する第２の辺とを有し、第１電極部が形成された表面と前記ダイパッド部の前記表面に固定された裏面とを有する矩形の第１半導体チップと、第３の辺と前記第３の辺に対向する第４の辺とを有し、第２電極部が形成された表面と前記第１半導体チップの表面に固定された裏面とを有する矩形の第２半導体チップと、前記第１及び第２電極部に電気的に接続されたリード端子部と、前記ダイパッド部、前記第１及び第２半導体チップを封止する樹脂封止体とを備え、前記第２半導体チップの前記第４の辺は、前記第１半導体チップの前記第２の辺から突出し、前記ダイパッド部の縁部は、前記第１半導体チップの前記第１の辺及び前記第２の辺から突出していると共に、前記第２半導体チップの前記第４の辺からも突出し、
　前記第１の辺及び前記第４の辺は、平面視において前記ダイパッド部に包含されている半導体装置」の点で一致し、相違点はない。
　
　そして、上記の図６に記載されたダイパッドの縁部と第２の半導体チップの第４の辺との位置関係については、ダイパッドの縁部が第２の半導体チップの第４の辺から突出することを排除するものではないこと、さらに、明細書の段落０１２０（摘記事項ｅ）には、実施の形態２について、「ダイパッド沈めしたダイパッド寸法が半導体チップ寸法より大きなダイパッドで説明した」と記載されていること、すなわち、第１の半導体チップの第２の辺はもとより、第２の半導体チップの第４の辺についてもダイパッドの縁部の方が突出しているとしても矛盾しないことを考慮すると、上記の図７に記載されたとおり、ダイパッドの縁部は第２の半導体チップの第４の辺から突出している半導体装置が記載されている。
　しかも、刊行物１の実施の形態１の半導体装置の平面図を示す図３、及び実施の形態１の実施例１の半導体装置の断面図を示す図５には、それぞれダイパッドの縁部が第２の半導体チップの第４の辺から突出している記載が認められる（図３、図５に関連する説明（摘記事項ａ、ｂ）を参照。）ことからも、上記の判断を裏付けることができる。
　
　したがって、本願発明２は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項２に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項１、３〜８に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。