【事件の表示】
　特願２０００−５６４８９６「マイクロメカニックセンサ及びそれを製作する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月２４日国際公開、ＷＯ００／０９４４０、平成１４年　７月２３日国内公表、特表２００２−５２２２４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１１年８月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年８月１１日、ドイツ国）を国際出願日とする特許出願であって、同１５年３月２８日付で拒絶の理由が通知され、同１５年９月３０日に意見書及び手続補正書が提出され、同１６年３月８日付で最後の拒絶の理由が通知され、同１６年８月１９日に意見書が提出されたが、同１６年１０月２５日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１７年１月２７日に本件審判の請求がされるとともに手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は特許請求の範囲について補正をするものであって、補正前後の特許請求の範囲の記載は以下のとおりである。
(1) 補正前の特許請求の範囲
「　【請求項１】　マイクロメカニックセンサを製作する方法であって、次の段階、すなわち
ａ）　上側面及び下側面を有する、ドーピングされた半導体ウェーハ（４）を準備する段階、
ｂ）　半導体ウェーハの上側面上にエピタキシャル層（１）を設け、該エピタキシャル層の、少なくとも半導体ウェーハに面した面範囲を、半導体ウェーハとエピタキシャル層との間のインターフェース（１１）において電荷担体密度のジャンプが生じるようにドーピングする段階、
ｃ）　複数の通風孔（２）をエッチングによって形成し、これらの通風孔がエピタキシャル層を貫通するようにし、かつ通風孔を犠牲材料で充てんする段階、
ｄ）　少なくとも１つの犠牲層（９）と、少なくとも１つの間隔層（１０）と、１つの薄膜（５）とを設ける段階、
ｅ）　半導体ウェーハ（４）の下側面にエッチングによって背面孔（６）を形成し、その際、エッチング加工が半導体ウェーハ（４）の上側面の方向に進捗し、半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェースにおいて電荷担体密度の変化に基づいて停止するようにする段階、及び
ｆ）　犠牲層（９）をエッチング剤で除去することによって通風孔（２）を露出させ、かつ中空室（３）を形成し、したがって薄膜（５）、薄膜の下側にある対抗電極（７）及び薄膜と対抗電極との間の中空室（３）を形成し、その際通風孔（２）が中空室（３）を背面孔（６）と接続するようにする段階を含むことを特徴とする、マイクロメカニックセンサを製作する方法。
　【請求項２】　段階ｅ）におけるエッチングの際に電気化学的なエッチング法で行うことを特徴とする、請求項１記載の方法。
　【請求項３】　半導体ウェーハ（４）の下側面のエッチングを２つの段階で行い、その際まず湿式化学的に規定された時間にわたって半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェース近くまでエッチングを行い、かつ第２の段階で電気化学的にエッチングを行い、その際第２のエッチング過程を半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間の電荷担体密度の変化によって停止させることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
　【請求項４】　半導体回路（８）をエピタキシャル層（１）の上側面に設け、その際半導体回路を、薄膜の形成後に、あるいは薄膜を形成するのに必要な層を設ける間に、設けるようにする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
　【請求項５】　半導体ウェーハとしての基板（４）と、基板の上側面全体から上方に突出しているエピタキシャルに成長せしめられた層（１）と、主として、多結晶あるいは単結晶のシリコンから成る、上側面に配置された薄膜（５）と、薄膜（５）の下側にある対抗電極（７）と、基板（４）の下側面に設けられた背面孔（６）と、薄膜と対抗電極との間の中空室（３）とを含むマイクロメカニックセンサにおいて、基板（４）がドーピングされた半導体材料から成っており、エピタキシャル層（１）が少なくとも基板に面した面範囲において、基板（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェースにおいて電荷担体密度のジャンプが生じるように、ドーピングされていることを特徴とする、マイクロメカニックセンサ。
　【請求項６】　基板が、１０１８ｃｍ−３よりも大きい電荷担体密度を有するシリコンから成っていることを特徴とする、請求項５記載のマイクロメカニックセンサ。
　【請求項７】　エピタキシャル層の少なくとも基板に面した面範囲が５×１０１４ｃｍ−３よりも小さい電荷担体密度を有していることを特徴とする、請求項５又は６記載のマイクロメカニックセンサ。
　【請求項８】　エピタキシャル層（１）の上側面上に半導体回路（８）が設けられていることを特徴とする、請求項５から７までのいずれか１項記載のマイクロメカニックセンサ。
　【請求項９】　対抗電極（７）内に複数の通風孔（２）が存在しており、これらの通風孔は中空室（３）を背面孔（６）と接続していることを特徴とする、請求項５から８までのいずれか１項記載のマイクロメカニックセンサ。
　【請求項１０】　請求項５記載のマイクロメカニックセンサを圧力センサ又はマイクロフォンのために使用することを特徴とする、マイクロメカニックセンサの使用法。」
(2) 補正後の特許請求の範囲
「　【請求項１】　マイクロメカニックセンサを製作する方法であって、次の段階、すなわち
ａ）　上側面及び下側面を有する、ドーピングされた半導体ウェーハ（４）を準備する段階、
ｂ）　半導体ウェーハの上側面上にエピタキシャル層（１）を設け、該エピタキシャル層の、少なくとも半導体ウェーハに面した面範囲を、半導体ウェーハとエピタキシャル層との間のインターフェース（１１）において電荷担体密度のジャンプが生じるようにドーピングする段階、
ｃ）　複数の通風孔（２）をエッチングによって形成し、これらの通風孔がエピタキシャル層を貫通するようにし、かつ通風孔を犠牲材料で充てんする段階、
ｄ）　少なくとも１つの犠牲層（９）と、少なくとも１つの間隔層（１０）と、１つの薄膜（５）とを設ける段階、
ｅ）　半導体ウェーハ（４）の下側面にエッチングによって背面孔（６）を形成し、その際、エッチング加工が半導体ウェーハ（４）の上側面の方向に進捗し、半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェースにおいて電荷担体密度の変化に基づいて停止させ、この場合、半導体ウェーハ（４）の下側面のエッチングを２つの段階で行い、その際まず湿式化学的に規定された時間にわたってＨＦ／ＨＮＯ３を用いて半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェース近くまでエッチングを行い、かつ第２の段階で電気化学的にＨＦ電解液を用いてエッチングを行い、その際第２のエッチング過程を半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間の電荷担体密度の変化によって停止させる段階、及び
ｆ）　通風孔（２）及び中空室（３）を、犠牲層（９）をエッチング剤で除去することによって露出させ、したがって薄膜（５）、薄膜の下側にある対抗電極（７）及び薄膜と対抗電極との間の中空室（３）を形成し、その際通風孔（２）が中空室（３）を背面孔（６）と接続するようにする段階を含むことを特徴とする、マイクロメカニックセンサを製作する方法。
　【請求項２】　半導体回路（８）をエピタキシャル層（１）の上側面に設け、その際半導体回路を、薄膜の形成後に、あるいは薄膜を形成するのに必要な層を設ける間に、設けるようにする、請求項１記載の方法。
　【請求項３】　半導体ウェーハとしての基板（４）と、基板の上側面全体から上方に突出しているエピタキシャルに成長せしめられた層（１）と、主として、多結晶あるいは単結晶のシリコンから成る、上側面に配置された薄膜（５）と、薄膜（５）の下側にある対抗電極（７）と、基板（４）の下側面に設けられた背面孔（６）と、薄膜と対抗電極との間の中空室（３）とを含むマイクロメカニックセンサにおいて、基板（４）がドーピングされた半導体材料から成っており、エピタキシャル層（１）が少なくとも基板に面した面範囲において、基板（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェースにおいて電荷担体密度のジャンプが生じるように、ドーピングされていることを特徴とする、マイクロメカニックセンサ。
　【請求項４】　基板が、１０１８ｃｍ−３よりも大きい電荷担体密度を有するシリコンから成っていることを特徴とする、請求項３記載のマイクロメカニックセンサ。
　【請求項５】　エピタキシャル層の少なくとも基板に面した面範囲が５×１０１４ｃｍ−３よりも小さい電荷担体密度を有していることを特徴とする、請求項３又は４記載のマイクロメカニックセンサ。
　【請求項６】　エピタキシャル層（１）の上側面上に半導体回路（８）が設けられていることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載のマイクロメカニックセンサ。
　【請求項７】　対抗電極（７）内に複数の通風孔（２）が存在しており、これらの通風孔は中空室（３）を背面孔（６）と接続していることを特徴とする、請求項３から６までのいずれか１項記載のマイクロメカニックセンサ。
　【請求項８】　請求項３記載のマイクロメカニックセンサを圧力センサ又はマイクロフォンのために使用することを特徴とする、マイクロメカニックセンサの使用法。」
２　補正の適否　　　
　本件補正について検討すると、請求項１の補正は、「半導体ウェーハ（４）の下側面にエッチングによって背面孔（６）を形成し、その際、エッチング加工が半導体ウェーハ（４）の上側面の方向に進捗し、半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェースにおいて電荷担体密度の変化に基づいて停止するようにする段階」について、「半導体ウェーハ（４）の下側面のエッチングを２つの段階で行い、その際まず湿式化学的に規定された時間にわたってＨＦ／ＨＮＯ３を用いて半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェース近くまでエッチングを行い、かつ第２の段階で電気化学的にＨＦ電解液を用いてエッチングを行い、その際第２のエッチング過程を半導体ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間の電荷担体密度の変化によって停止させる」旨の限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項３に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
(1) 補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、上記１の(2) の補正後の特許請求の範囲の請求項３に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
(2) 引用例記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に頒布された刊行物である国際公開第９８／２３９３４号パンフレット（以下「引用例」という。）には、以下のとおり記載されている。なお、当該国際公開パンフレットの記載の翻訳文は、当該国際公開に係る国際出願の指定国である日本における特許出願の公表特許公報である「特表２００１−５０８９４０号公報」の記載に依ることとし、引用例の引用箇所は国際公開パンフレット及び公表特許公報のそれぞれ対応する記載箇所を指摘する。
「本発明によるセンサを添付の図面に基づき更に詳述する。この図面には例としてＭＯＳＦＥＴと共に集積されている本発明によるマイクロメカニカルセンサの断面が示されている。このＭＯＳＦＥＴは例えばＣＭＯＳプロセスの枠内で製造可能である。
　使用されているＳＯＩ基板は有利にはシリコンから成りバルク・シリコン層１として示されている厚い坦持層を含んでいる。その上に絶縁層２（有利には二酸化シリコン）がある。デバイスの製造のためその上にある薄いシリコン層、いわゆるボディー・シリコン層３が設けられている。このボディー・シリコン層３上にはダイヤフラム層５を坦持している間隔層４がある。この間隔層内にはダイヤフラムの振動を可能にする空洞６がある。ダイヤフラム７は、外へ向かって開いており従って外部の空気圧に曝すことのできるダイヤフラム層５の一部分により形成されている。間隔層４はダイヤフラム層５の材料に対し選択的にエッチング可能な材料でできている。ダイヤフラム層５が（結晶）シリコン又はポリシリコンである場合、間隔層は酸化シリコンから形成されると有利である。またこの間隔層は部分熱酸化（ＬＯＣＯＳ）法により製造されたボディー・シリコン層３の表側の酸化物層であってもよい。間隔層４とその上に施されたダイヤフラム層５との間に薄いＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート）層を設けることもできる。
　ボディー・シリコン層３内にはドープ領域８が形成されている。ダイヤフラム層５は導電性にドープされるか又は導電性のもう１つの薄い層、例えば金属蒸着層を備えることができる。容量測定には電気接続部が接点１２、１３としてドープ領域８とダイヤフラム層５上に備えられている。センサの容量は、ダイヤフラム７が振動し、それによりその間隔が対向電極として作用するドープ領域８に対して変化する時に変化する。この容量変化は、電極に電圧が印加される時に接続されている評価回路により測定可能の電気信号（電圧、電流）、例えば容量変化により惹起された電流に変えられる。
　ダイヤフラムの層平面に対し垂直な投影面内のその裏側に空所９が存在する。この空所９はバルク・シリコン層１と絶縁層２内の開口部により形成されている。」（３頁２０行−４頁３４行（特表２００１−５０８９４０号公報４頁２６行−５頁２６行参照））
　上記摘記事項及び図面より、引用例には、次の「マイクロメカニカルセンサ」が記載されていると認める。
　バルク・シリコン層１と絶縁層２と絶縁層２の上側面に設けられたボディー・シリコン層３とから成るＳＯＩ基板と、（結晶）シリコン又はポリシリコンから成る、上側面に配置されたダイヤフラム７と、ダイヤフラム７の下側にある対抗電極として作用するドープ領域８と、バルク・シリコン層１と絶縁層２とから成る層の下側面に設けられた空所９と、ダイヤフラム７とドープ領域８との間の空洞６とを含むマイクロメカニカルセンサ（以下「引用例記載の発明」という。）。
(3) 対比
　補正発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例記載の発明の「（結晶）シリコン又はポリシリコン」は、補正発明の「多結晶あるいは単結晶のシリコン」に相当しており、以下同様に、「ダイヤフラム」は「薄膜」に、「ドープ領域」は「対抗電極」に、「空所」は「背面孔」に、「空洞」は「中空室」に、「マイクロメカニカルセンサ」は「マイクロメカニックセンサ」にそれぞれ相当していることが明らかである。
　また、引用例記載の発明の「ボディー・シリコン層」は、「半導体回路形成用層」であることに限り、補正発明の「エピタキシャルに成長せしめられた層」と一致しており、さらに、引用例記載の発明の「バルク・シリコン層と絶縁層とから成る層」は、「半導体回路形成用層の下側面の層」であることに限り、補正発明の「基板」と一致している。
　以上のとおりであるので、両者は、次の「マイクロメカニックセンサ」で一致している。
「半導体回路形成用層の下側面の層と、該層の上側面の半導体回路形成用層と、主として、多結晶のシリコンから成る、上側面に配置された薄膜と、薄膜の下側にある対抗電極と、半導体回路形成用層の下側面の層の下側面に設けられた背面孔と、薄膜と対抗電極との間の中空室とを含むマイクロメカニックセンサ。」
　そして、下側面に背面孔が設けられている半導体回路形成用層の下側面の層と半導体回路形成用層とに関し、補正発明では、半導体回路形成用層の下側面の層が半導体ウェーハとしての基板であり、半導体回路形成用層が基板の上側面全体から上方に突出しているエピタキシャルに成長せしめられた層であり、そして、基板がドーピングされた半導体材料から成っており、エピタキシャル層が少なくとも基板に面した面範囲において、基板とエピタキシャル層との間のインターフェースにおいて電荷担体密度のジャンプが生じるように、ドーピングされているのに対し、引用例記載の発明では、半導体回路形成用層の下側面の層及び半導体回路形成用層がそのようなものではなくバルク・シリコン層と絶縁層と絶縁層の上側面に設けられたボディ・シリコン層とからなるＳＯＩ基板である点で、両者は相違している。
(4) 相違点の検討
　そこで、上記相違している点について検討すると、引用例記載の発明のＳＯＩ基板を用い、薄膜や対向電極を設けることは、半導体回路製造技術に関するものであるところ、半導体回路製造技術の分野において、半導体ウェーハとしての高濃度にドーピングされた基板に、基板の上側面全体から上方に突出しているエピタキシャルに成長せしめられた低濃度にドーピングされたエピタキシャル層を設けて、このエピタキシャル層を半導体回路形成用層とすることは、例えば、特開平３−２０６６６４号公報、特許第２６５８４７４公報、特開昭６２−２５２１７６号公報、特開平４−１４８８３４号公報等に記載されているように従来周知である。また、高濃度にドーピングされた基板部をエッチングすることにより、当該基板部に孔を設けることも、上記特開昭６２−２５２１７６号公報、特開平４−１４８８３４号公報に記載されているように、従来周知の事項である。そして、高濃度にドーピングされた基板とこの基板に成長せしめられた低濃度にドーピングされたエピタキシャル層との間のインターフェースにおいて電荷担体密度のジャンプが生じていることは自明の事項であり、このようなドーピング濃度の違いを利用してエッチングを停止させることも、例えば特開昭６３−８４０７２号公報、特開昭６１−１１６８７９号公報、特開昭６３−６５６７９号公報に記載されているように従来周知である。
　したがって、引用例記載の発明におけるＳＯＩ基板に代えて半導体ウェーハとしての基板と基板の上側面全体から上方に突出しているエピタキシャルに成長せしめられたエピタキシャル層とを採用することにより、エピタキシャル層を半導体回路形成用層とすることに格別の困難性はない。
　また、補正発明が奏する作用効果は、引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　したがって、補正発明は、引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
(5) むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について 
１　本件発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至１０に係る発明は、平成１５年９月３０日付手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項５に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記第２の１の(1) の補正前の特許請求の範囲の請求項５に示したとおりである。
　そして、上記第２の１の(1)及び(2)のとおり、補正後の請求項３は、本件補正により補正前の請求項５の請求項番号が繰り上がったものであり、本件発明と補正発明とは同じものである。
２　判断
　上記第２の２の(4) で検討したとおり、補正発明は、引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正発明と同じである本件発明も引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件発明は、引用例記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願の請求項１乃至４及び６乃至１０に係る発明について判断するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。