【事件の表示】
　特願２００２−２８４１８６「反射型液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月３０日出願公開、特開２００３−１５６７６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１月１４日に出願した特願平２０００−６４２３号の一部を平成１４年９月２７日に新たな特許出願としたものであって、原審において、平成１６年９月１０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１０月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２９日に手続補正がなされ、平成１９年４月２４日付で同法第１３４条第４項の審尋を行ったものである。
　
２．平成１６年１０月２９日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１６年１０月２９日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
[理由]
（１）補正の内容  
 　本件補正は、補正前の請求項１２を以下のように補正することを含むものである。
「【請求項１】透明な第一の基板と、この第一の基板上に設けられた透明電極と、第二の基板と、この第二の基板上に設けられたスイッチング素子と、このスイッチング素子上に設けられるとともに表面に凹凸構造が形成され同一材料からなる単層膜である絶縁膜と、この絶縁膜上に前記凹凸構造を反映させた形状で設けられるとともに前記スイッチング素子に接続された反射電極と、前記第一の基板の前記透明電極側と前記第二の基板の前記反射電極側とで挟み込まれた液晶層とを備えた反射型液晶表示装置であって、前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にレジストパターンを形成するフォトリソ工程と、前記絶縁膜の下部に所定の膜厚を残すようにエッチングを行う工程と、前記絶縁膜上に残ったレジスト膜を剥離する工程と、エッチング後の前記絶縁膜を熱処理によりメルトさせることにより前記凹凸構造を滑らかにする工程を備えた、反射型液晶表示装置の製造方法。」
　
 そして、本件補正は、補正前の請求項１２に係る発明の「絶縁膜」に「同一材料からなる単層膜である」との限定を新たに付加するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許をうけることができるものであるか（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、上記補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）について以下に検討する。
　
（２）引用例記載の発明
　本願の遡及出願日（平成１２年１月１４日）前に頒布された特開昭５８−１２５０８４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。  
　
ア．　
「（１）少くとも一方が透明な二枚の基板間に液晶層を挟持して構成される反射型の液晶表示装置において、反射膜として、表面になめらかな凹凸を有する高分子樹脂層の表面に被着された金属膜を用いたことを特徴とする液晶表示装置。」（特許請求の範囲） 
　
イ．　
「（３）反射膜は一方の基板の表示電極を兼ねている特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
（４）少くとも一方が透明な二枚の基板間に液晶層を挟持して構成される反射型の液晶表示装置を製造するに際し、一方の基板上に高分子樹脂層を形成し、その表面に凹凸を作るためのレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記高分子樹脂層の表面をエッチングしてレジストパターンを剥離後、熱処理をしてなめらかな凹凸面を形成し、その上に反射膜となる金属膜を被着するようにしたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法」（特許請求の範囲）
　
ウ．
「第１図は一実施例を示す断面概略図であり、１画素分を示してある。ここで半導体基板１はトランジスタ、抵抗、コンデンサ等の液晶駆動用素子が集積されており、金属配線２により各素子間が相互配線されている。」（第２頁左下欄第３行〜同欄第７行）
　
エ．
「このような表示電極４が形成された半導体基板１と、透明導電膜５が全面に被着された透明基板６との間にゲスト・ホスト型液晶層７を挟持して液晶表示装置が構成されている。
　表示装置４の表面を良好な白色散乱面とするための工程は次のとおりである。ポリイミド樹脂として例えばトレニースＳＰ―５１０（東レ（株）製）を用い、これを素子が形成された半導体基板上に３０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートする。・・・（中略）・・・次いでこのレジストパターンをマスクとしてポリイミド樹脂層３をエッチングする。・・・（中略）・・・そしてレジストパターン８を剥離後、３５０℃で熱処理を行うと、角がとれてなめらかな凹凸面となる。その後、もう一度写真蝕刻法により所定の部分に開孔し、表示電極４として用いるＡｌまたはＡｌ合金等の金属膜を真空蒸着法により約２０００Å被着する。この金属膜を写真蝕刻法により画素パターンに分離して表示電極４とする。このようにして作られた表示電極４の表面は、ポリイミド樹脂層３の表面に小さな凹凸があるため白色面となり、しかも凹凸がなめらかであるため多重反射がなく非常に明るい反射面となる。」（第２頁左下欄第１３行〜第３頁左上欄第４行）
　
オ．
　第１図によれば、「表示電極４は金属配線２に接続されている」ことが見て取れる。
　
　上記記載事項ア．乃至オ．を総合勘案すると、引用例１には、結局、次の発明が記載されていると認められる（以下、「引用発明」という。）。
「透明基板６と、この透明基板６に設けられた透明導電膜５と、半導体基板１と、この半導体基板上に設けられたトランジスタ等の液晶駆動用素子と、この液晶駆動用素子上に設けられるとともに表面に凹凸が形成された高分子樹脂層３と、この高分子樹脂層上に前記凹凸を反映させた形状で設けられるとともにとトランジスタ等の前記液晶駆動用素子に接続された表示電極を兼ねる反射膜４と、前記透明基板の前記透明導電膜側と前記半導体基板の前記反射膜としての電極側とで挟み込まれた液晶層とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記高分子樹脂層を形成する工程と、前記高分子樹脂層上にレジストパターンを形成する工程と、前記高分子樹脂層の下部に所定の膜厚を残すようにエッチングを行う工程と、前記高分子樹脂層上に残ったレジストパターンを剥離する工程と、エッチング後の前記高分子樹脂層を熱処理により角をとってなめらかな凹凸にする工程とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法。」
　
（３）対比・判断
　本願補正発明１と引用発明とを以下に対比する。  
（ａ）引用発明の「透明基板６」、「透明導電膜５」、「半導体基板１」、「トランジスタ等の液晶駆動用素子」、「高分子樹脂層３」、「前記凹凸を反映させた形状で設けられるとともにとトランジスタ等の前記液晶駆動用素子に接続された表示電極を兼ねる反射膜４」及び「エッチング後の前記高分子樹脂層を熱処理により角をとってなめらかな凹凸にする工程」は、それぞれ、本願補正発明１における「第一の基板」、「透明電極」、「第二の基板」、「スイッチング素子」、「絶縁膜」、「前記凹凸構造を反映させた形状で設けられるとともに前記スイッチング素子に接続された反射電極」及び「エッチング後の前記絶縁膜を熱処理によりメルトさせることにより前記凹凸構造を滑らかにする工程」に相当する。
　
（ｂ）上記記載事項エ．からみて、引用発明の「高分子樹脂層３」が、本願補正発明１における「表面に凹凸構造が形成され同一材料からなる単層膜である絶縁膜」に相当することは明らかである。
　
　以上（ａ）〜（ｂ）からみて、本願補正発明１と引用発明とは次の点で一致し、相違しない。
「第一の基板と、この第一の基板に設けられた透明電極と、第二の基板と、この第二の基板上に設けられたスイッチング素子と、この液晶駆動用素子上に設けられるとともに表面に凹凸構造が形成された同一材料からなる単層膜である絶縁膜と、この絶縁膜上に前記凹凸構造を反映させた形状で設けられるとともに前記スイッチング素子に接続された反射電極と、前記第一の基板の前記透明電極側と前記第二の基板の前記反射電極側とで挟み込まれた液晶層とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記絶縁膜の下部に所定の膜厚を残すようにエッチングを行う工程と、前記絶縁膜上に残ったレジストパターンを剥離する工程と、エッチング後の前記絶縁膜を熱処理によりメルトさせることにより前記凹凸構造を滑らかにする工程とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法。」
　
　よって、本願補正発明１は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
  
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年１０月２９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、同年７月１２日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】 透明な第一の基板と、この第一の基板上に設けられた透明電極と、第二の基板と、この第二の基板上に設けられたスイッチング素子と、このスイッチング素子上に設けられるとともに表面に凹凸構造が形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に前記凹凸構造を反映させた形状で設けられるとともに前記スイッチング素子に接続された反射電極と、前記第一の基板の前記透明電極側と前記第二の基板の前記反射電極側とで挟み込まれた液晶層とを備えた反射型液晶表示装置において、
前記絶縁膜は、同一材料からなる単層膜であり、膜厚の異なる領域が不規則に配置され、かつ溶融により滑らかな前記凹凸構造が形成され、
かつ前記絶縁膜が、少なくとも前記反射電極下のコンタクト部を除く領域に形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。」
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−３１１９８２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【００２１】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）本発明の一実施形態に関し、以下に説明を行う。まず、実施形態の反射型液晶表示装置の構成について説明を行う。図１は、本実施形態の反射型液晶表示装置の反射電極側基板の部分平面図である。また、図２は本実施形態の反射型液晶表示装置の一画素部分の断面構造（図１のＡ−Ａ断面）を示す図である。
【００２２】図１、図２において、反射型液晶表示装置は反射電極側基板２００とカラーフィルタ側基板３００、さらにこれら二枚の基板間に挟持された液晶層２５０とからなる。
【００２３】上記反射電極側基板２００は、基板２０１と、基板２０１上に形成されたゲート信号配線２０４およびソース信号配線２１１、これらゲート信号配線２０４とソース信号配線２１１の交差部に形成されたＴＦＴ２３０、少なくともＴＦＴ２３０および信号配線の一部を被覆する絶縁層２４０、絶縁層２４０に形成されたコンタクトホールを介してＴＦＴ２３０のドレイン電極２１３に接続された画素電極４２３、遮光性材料からなり補助容量を形成するための共通電極配線２０５、補助容量電極２１４、および配向膜２１８からなるものである。本実施形態の共通電極配線２０５にはカラーフィルタ側基板に設けられた対向電極と同電位の信号が印加されると共に、補助容量電極２１４と同様、液晶駆動の際の補助容量を形成する電極としても機能する。また、上記画素電極４２３は光反射性を有する材料により形成される反射電極である。そして、上記ＴＦＴ２３０はゲート電極２０３、ゲート絶縁膜２０７、半導体層２０８、ｎ型半導体層２１０、ソース電極２１２およびドレイン電極２１３からなるものである。
【００２４】他方、上記カラーフィルタ側基板３００は基板３０１、カラーフィルタ３０２、対向電極３０３、配向膜３０４から構成されている。
【００２５】また、上記液晶層２５０としては本実施形態では黒色色素を混入したゲストホスト液晶を用いている。
【００２６】この反射型液晶表示装置において、ゲート信号配線２０４および共通電極配線２０５には複数の円形の穴（欠落部２０６）がランダムに配置されており、これよりも上部に形成された絶縁層２４０および画素電極４２３表面には上記欠落部２０６の形状に対応した凹部が存在している。このような、光反射性を有する画素電極４２３表面の凹凸に対して液晶表示装置外部から入射した光は散乱され、ペーパーホワイトを表示することができる。
【００２７】尚、本実施形態では画素電極４２３の下部に絶縁層２４０を介してゲート信号配線２０４および共通電極配線２０５を設ける構成としているが、ゲート信号配線２０４は電圧が印加されている時間が十分短いため、このような構成であっても容量結合による表示への影響は無視することができる。また、本実施形態では画素電極４２３と自段及び前段または次段のゲート信号配線とを重ね合せているがこの限りでなく、所望する表示品位が得られないかパターニング精度によっては前段または次段のゲート信号配線のみに重ね合せるものでもよいし、或いは、何れのゲート信号配線にも重ね合わさない構成でもよい。例えば、間に存在する絶縁層の厚みが十分でないために寄生容量が生じ、これにより表示品位に著しい低下が見られる場合には、少なくとも前段または次段のゲート信号配線と重ね合わさない構成とすることが望ましい。
【００２８】次に、本実施形態の反射型液晶表示装置の製造方法を図３から５を用いて説明する。ここで、図３、図４および図５はこの反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。尚、以下に説明する製造方法では、図１に示す上面図も同時に参照する。
【００２９】まず、図３（ａ）に示すように、絶縁性の透明な基板２０１上に遮光性膜としてＴａ膜２０２（膜厚：１０００Å〜５０００Å）をスパッタリング法によって形成した。基板２０１として、ここでは３２０ｍｍ×４００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラスを用いたが、この他にＳｉ、プラスチック等を用いても良い。
【００３０】続いて、図３（ｂ）に示すように上記Ｔａ膜２０２をパターニングし、ゲート信号配線（図示せず）、ゲート電極２０３および補助容量形成のための共通電極配線２０５を形成する。尚、このときゲート信号配線２０４および
共通電極配線２０５には複数の円形の穴（欠落部２０６）がランダムに配置されるようにパターニングを行っている。
【００３１】パターニング方法としては、ポジ型フォトレジストをスピンコート法によって塗布した後、ステッパ露光機によって露光し、現像・エッチング・レジスト剥離工程（これら一連の工程を以下フォトリソ工程と称する）を経ることにより行った。
【００３２】上記欠落部２０６としては、直径３〜１０μｍの円形の穴がゲート信号配線２０４および共通電極配線２０５の面積の２〜８０％の割合でランダムに配置されるようパターニングを行った。本実施形態においてはこの割合を３０％とした。尚、ゲート信号配線２０４と後に形成する画素電極４２３との重なりも表示部となるよう（凹凸形成可能）な構成とした。それらの重なり領域が少ない場合には、ゲート信号配線２０４に欠落部２０６を設ける必要はない。
【００３３】また、共通電極配線２０５およびゲート信号配線２０４の線幅は任意に選択できるが、その際にはフォトリソグラフィの精度と配線抵抗によって支配される。本実施形態では、共通電極配線２０５の線幅はおよそ２０μｍ、ゲート信号配線２０４の線幅はおよそ３０μｍとした。
【００３４】また、本実施形態の場合、ゲート信号配線２０４と共通電極配線２０５とを同じ金属材料で形成しているがこの構成に限定される必要はなく、それぞれ別の材料を使用しても構わない。さらに、画素電極４２３の下部に絶縁層２４０を介してゲート信号配線２０４および共通電極配線２０５を形成する構成としたが、ゲート信号配線２０４は電圧が印加されている時間が十分短いため、このような構成であっても容量結合による表示への影響は無視することができる。
【００３５】次に、図３（ｃ）に示すようにプラズマＣＶＤ法により、ゲート絶縁膜２０７として窒化シリコンを膜厚が１０００〜５０００Åとなるよう、続いて半導体層２０８としてシリコンを膜厚が１００〜５００Åとなるように堆積した。本実施形態ではゲート絶縁膜２０７を３０００Å、半導体層２０８を３００Åで形成した。
【００３６】次に、図３（ｄ）に示すように、半導体層のエッチングストッパ２０９となる窒化シリコンをプラズマＣＶＤ法によって膜厚が１０００〜５０００Åとなるよう堆積した後、フォトリソ法によりパターニングした。本実施形態では３０００Åの膜厚で形成した。
【００３７】次に、図３（ｅ）、（ｆ）に示すように、ｎ型半導体層２１０として若干の不純物を付与したｎ型シリコンをプラズマＣＶＤ法によって膜厚が１００〜１０００Åとなるよう堆積した。本実施形態では３００Åの膜厚で堆積し、フォトリソ工程によりパターニングした。パターニングの際、先に形成したエッチングストッパ２０９によって下部の半導体層２０８はエッチングされずに残る。この後、先に形成したゲート絶縁膜２０７の内、基板端部のゲート端子接続部分（図示せず）をフォトリソ工程により除去した。
【００３８】次に、図３（ｇ）に示すように、ソース信号配線２１１とソース電極２１２およびドレイン電極２１３としてＴｉをスパッタリング法によって膜厚が１０００〜５０００Åとなるよう堆積した後、フォトリソ工程によってパターニングを行った。本実施形態では３０００Åの膜厚として形成した。ここで図１に示すような反射型液晶表示装置において、ソース信号配線２１１には常に信号が印加されているため、画素電極４２３の下に絶縁層（図示せず：この場合は後に詳述するレジスト凹凸層）を介してソース信号配線２１１を配置するとクロストーク発生の原因となる場合がある。そこで、画素電極４２３とソース信号配線２１１とが重ならないような構成とすることが望ましい。また、この構成とした場合、ソース信号配線２１１の線幅は開口率に大きな影響を与えるため細くしておく方が望ましいが、その反面、細すぎるとフォトリソ工程の不良による断線や抵抗値の上昇等の不具合を生じることがあるため、この線幅については適宜考慮する必要がある。例えば画素サイズを１００×３００μｍ程度とした場合には、ソース信号配線２１１の線幅を５〜３０μｍの範囲とすることが望ましく、本実施形態では１０μｍとした。
【００３９】また、ドレイン電極２１３の形状については開口率とフォトリソグラフィの精度によって支配されるが、Ｔｉで形成したため遮光性を有し、基板裏面からの露光によるパターニングは不可能であるので、ドレイン電極２１３上に凹凸部を形成することができない。つまりドレイン電極２１３上の画素電極４２３の領域は表示に寄与しにくいため、高い開口率を得るためにはできるだけドレイン電極２１３は小さいことが望ましい。反面、ドレイン電極２１３と上層の画素電極４２３の導電性を確保するためには一定以上の面積が必要である。以上の理由により、本実施形態ではドレイン電極の大きさを図７に示すような形状とし、その大きさを１０×１０μｍ程度とした。
【００４０】続いて図３（ｈ）に示すように、補助容量電極２１４として、スパッタリング法によりＩＴＯを膜厚が２００〜１５００Åとなるよう成膜した後、フォトリソ工程によりパターニングを行った。本実施形態では膜厚を５００Åとして形成した。また、遮光膜（本実施形態では共通電極配線２０５）の欠落部２０６の平面位置と略同じ位置に欠落部２１５が設けられるように、所々円形が設置されたフォトマスクを基板上面に設置してパターニングを行った。補助容量電極２１４として不透明な金属膜や半透明なシリコン膜などを使用した場合には特に、遮光膜の欠落部２０６と一致させた欠落部２１５が設けられるよう、所々円形が設置されたフォトマスクを前面に設置してパターニングを行うとよい。尚、補助容量電極が透光性、遮光性、半透明にかかわらずその面積が小さく、表示にあまり影響しない場合や補助容量電極２１４がレジスト４２０の感光波長の光を透過する材質である場合等には遮光膜の欠落部２０６と一致させた円形の欠落部を設けなくても良い。
【００４１】或いは、例えば反射電極表面の凹凸形状の段差が激しいために液晶の配向乱れが生じる等によって所望の反射特性が得られない場合には、補助容量電極２１４に欠落部２１５を設けないか、または欠落部２１５の大きさを変更する等して基板表面の凹凸形状を制御しても構わない。
【００４２】さらに、光を散乱させるための凹凸形状を表面に備えた反射画素電極４２３の形成方法について図４を用いて以下に説明する。まず、図４（ａ）に示すように、レジスト４２０として例えばＯＦＰＲ−８００（商品名：東京応化社製）をスピンコート法により約１．０μｍの膜厚で成膜した。次に、１００℃で３０秒間プリベークした後、
ゲート信号配線２０４や共通電極配線２０５等の遮光領域をマスクとして基板の裏面から露光する。
【００４３】続いて、図４（ｂ）に示すようにステッパ露光機を用いてドレイン電極２１３上にコンタクトホールを形成すべく、フォトマスクを前面に設置して露光した後、図４（ｃ）に示すように現像液としてＮＭＤ−３（商品名：東京応化社製）の２．３８％溶液を行いて現像し、レジスト４２０を微細な凹凸として成形した。
さらに、図４（ｄ）に示すように基板を１２０〜２５０℃で熱処理し、レジスト４２０の残り部分の角がとれた後、２００℃、３０分間の熱処理により硬化させると基板表面にはなめらかな凹凸連続面が形成される。
【００４４】次に、さらに凹凸をなめらかにするために、
図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように２層目のレジスト４２２として、例えば上記レジスト４２０と同様のＯＦＰＲ−８００（商品名：東京応化社製）をスピンコート法により約０．３μｍの膜厚となるよう塗布した。
【００４５】
続いて、図５（ｃ）に示すように、加熱処理を行うことによって２層目のレジスト４２２が熱だれを起こし、更になめらかで平坦部分の少ない凹凸形状が形成される。
【００４６】最後に図５（ｄ）に示すように、反射画素電極４２３としてＡｌをスパッタリング法によって膜厚が５００〜５０００Åとなるよう、本実施形態は２０００Åで形成し、フォトリソ工程によりパターニングを行った。さらに、画素電極４２３を形成した後、この上に配向膜２１８を形成することにより反射電極側基板２００が完成する。
【００４７】この反射電極側基板２００とこれに対向する基板として、基板３０１上にカラーフィルタ３０２、対向電極３０３、配向膜２１８が備えられたカラーフィルタ側基板３００とを、スペーサーを介して貼り合わせた。さらに、二枚の基板の間に液晶層を封入した。本実施形態では黒色色素を混入したゲストホスト液晶に光学活性物質を少量混入したものを使用した。その他、反射板や位相差板を設定させた複屈折モードを利用することもできる。
【００４８】以上の工程により本実施形態の反射型液晶表示装置が完成する。この反射型液晶表示装置を点灯表示させたところ、縦ぎ目や反射特性のむらは見られず、全面にわたって均−な表示が得られた。」（なお、下線部は当審において付与した。）
　
ｂ．図５（ｃ），（ｄ）から、光反射性を有する材料により形成された反射電極である画素電極４２３がレジスト４２０からなる膜の凹凸形状を反映させた形状で該レジストからなる膜上に設けられていることが見て取れる。
　
ｃ．上記ａ．（特に、段落【００３０】【００４２】〜【００４３】の下線部、図２及び図５（ｃ），（ｄ）参照）によれば、レジスト４２０からなる膜には、凹凸が形成される領域、換言すれば、膜厚の異なる領域が不規則に配置されており、溶融により滑らかな凹凸形状が形成されていることが読み取れる。
　
ｄ．図２及び図５（ｂ），（ｃ）から、レジストからなる膜が少なくとも反射電極４２３下のコンタクトホールを除く領域に形成されていることが見て取れる。
　
ｅ．上記ａ．の段落【００４３】〜【００４５】（特に、下線部参照）及び図５（ｂ），（ｃ）の記載によれば、図５（ｃ）のＴＦＴ上の設けられた膜は、同一材料（ＯＦＰＲ−８００という商品名のレジスト）を用いて成膜された４２０、４２２の２層のレジストを熱処理することによって単層膜化したものであると見るのが相当である。
　
　上記記載事項ａ〜ｅから、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「カラーフィルタ側基板と、このカラーフィルタ側基板上に設けられた対向電極と、反射電極側基板と、この反射電極側基板上に設けられたＴＦＴと、このＴＦＴ上に設けられるとともになめらかで平坦部分の少ない凹凸形状を有するレジストからなる膜と、この膜上に前記凹凸形状を反映させた形状で設けられるとともに前記ＴＦＴのドレイン電極に接続された反射電極と、前記カラーフィルタ側基板の前記対向電極側と前記反射電極側の前記反射電極側とで挟持された液晶層とを備えた反射型液晶表示装置において、
前記レジストからなる膜は、同一材料からなる単層膜であり、膜厚の異なる領域が不規則に配置され、かつ溶融により滑らかな前記凹凸形状が形成され、
かつ前記レジストからなる膜が、少なくとも前記反射電極下のコンタクトホールを除く領域に形成されている反射型液晶表示装置。」
　
（３）対比・判断
ア．刊行物１発明の「反射電極側基板」、「ＴＦＴ」、「反射電極」、「凹凸形状」、「コンタクトホール」、「ＴＦＴのドレイン電極に接続された反射電極」及び「反射型液晶表示装置」は、それぞれ本願発明の「第二の基板」、「スイッチング素子」、「反射電極」、「凹凸構造」、「コンタクト部」、「スイッチング素子に接続された反射電極」及び「反射型液晶表示装置」に相当する。
　
イ．刊行物１発明の「カラーフィルタ側基板」及び「カラーフィルタ側基板上に設けられた対向電極」は、反射型液晶表示装置の観察側に配置されているのであるから「透明」であることは明らかである。したがって、両者は、それぞれ本願発明の「透明な第一の基板」及び「第一の基板上に設けられた透明電極」に相当する。
　
ウ．刊行物１発明の「レジストからなる膜」が絶縁性の膜であることは明らかであるから、刊行物１発明の「なめらかで平坦部分の少ない凹凸形状を有するレジストからなる膜」と、本願発明の「表面に凹凸構造が形成された絶縁膜」とは「表面に凹凸構造が形成された絶縁膜」である点で一致する。
　
　以上ア〜ウからみて、本願発明と刊行物１発明は次の点で一致し、相違しない。
「透明な第一の基板と、この第一の基板上に設けられた透明電極と、第二の基板と、この第二の基板上に設けられたスイッチング素子と、このスイッチング素子上に設けられるとともに表面に凹凸構造が形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に前記凹凸構造を反映させた形状で設けられるとともに前記スイッチング素子に接続された反射電極と、前記第一の基板の前記透明電極側と前記第二の基板の前記反射電極側とで挟み込まれた液晶層とを備えた反射型液晶表示装置において、
前記絶縁膜は、同一材料からなる単層膜であり、膜厚の異なる領域が不規則に配置され、かつ溶融により滑らかな前記凹凸構造が形成され、
かつ前記絶縁膜が、少なくとも前記反射電極下のコンタクト部を除く領域に形成されている反射型液晶表示装置。」
　
　なお、原査定の拒絶の理由は特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、審判請求書及び平成１６年７月１２日付の意見書において、審判請求人は本願発明と上記刊行物１発明とを対比し、容易性のみならず新規性についても実質的に検討していることは明らかである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。