(57)【要約】      （修正有）【課題】薄型の電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置を提供する。【解決手段】電気コネクタは、相手コネクタが挿入される収容空間を有し、基部と、基部から前向きに延出して収容空間に突出する舌片とを含む絶縁ハウジングと、絶縁ハウジングに装着される複数の導電端子とを含む。基部は、取付面と、取付面に対向する頂面とを含み、舌片は、上壁と、上壁に対向する下壁とを含み、導電端子は、舌片の下壁に配置される接触部と、絶縁ハウジングを突出する半田部とを備え、基部の取付面と舌片の下壁とは同一な平面に配置され、導電端子の半田部が取付面と同一な平面に配置される。メモリ記憶装置は、回路基板と回路基板に実装された電気コネクタを提供する。【選択図】図５
0003170687.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
相手コネクタが挿入された収容空間を有し、基部と、前記基部から前向きに延出して前記収容空間までに突出する舌片とを含む絶縁ハウジングと、
前記絶縁ハウジングに装着される複数の導電端子と
を含む電気コネクタにおいて、
前記基部は、取付面と、前記取付面に反する頂面とを含み、
前記舌片は、上壁と、前記上壁に反する下壁とを含み、
前記導電端子は、前記舌片の下壁に配置される接触部と、前記絶縁ハウジングを突出する半田部とを備え、
前記基部の取付面と前記舌片の下壁とは同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されることを特徴とする電気コネクタ。
【請求項２】
前記基部の頂面と前記舌片の上壁は、同一な平面に配置されることを特徴とする請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項３】
回路基板と、この回路基板に実装された前記請求項１による電気コネクタと、を有するメモリ記憶装置。
【請求項４】
前記電気コネクタの基部の後端には、前記回路基板に収容する受入空間が形成されることを特徴とする請求項３に記載の電気コネクタ。
【請求項５】
前記電気コネクタの絶縁本体は、前記収容空間と受入空間を連接する溝部が形成され、前記電気コネクタは前記溝部に取付られたベース部材を備え、前記絶縁本体の基部には、前記ベース部材を挟んでいる両側壁を有することを特徴とする請求項４に記載の電気コネクタ。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、信号を伝送できる電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に示されるように、従来技術の電気コネクタは、メモリ記憶装置に用いでき、絶縁ハウジングと、前記絶縁ハウジングに装着された複数の導電端子と、を含み、前記絶縁ハウジングは、基部と、基部から前向きに延出する舌片とを含み、前記舌片に導電端子を対応し収容するための収容溝が形成し、収容溝が絶縁ハウジングの基部を貫通するように配置される。基部は平板状の延出部を後向きに延出し、延出部の下面と基部の下面との間に段差部が形成する。電気コネクタがメモリ記憶装置の回路基板に実装する時に、回路基板が前記段差部に収容し、延出部の下面が回路基板の上面に当接している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】中国実用新案公告第CN2704131Y号明細書
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記絶縁ハウジングの延出部と基部との間に段差が形成するので、絶縁ハウジングを成型する時に、平板状の延出部がワープ変形を生じることが易くなり、また、絶縁ハウジングの高さが高いので、メモリ記憶装置の小型化に不利になった。そこで、新型な電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置を開発することが必要である。
【０００５】
本考案は上記問題点を解消するためになされたものであり、絶縁ハウジングの構造を改善できる電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本考案は、相手コネクタが挿入された収容空間を有し、基部と、前記基部から前向きに延出して前記収容空間までに突出する舌片とを含む絶縁ハウジングと、前記絶縁ハウジングに装着される複数の導電端子とを含む電気コネクタにおいて、前記基部は、取付面と、前記取付面に反する頂面とを含み、前記舌片は、上壁と、前記上壁に反する下壁とを含み、前記導電端子は、前記舌片の下壁に配置される接触部と、前記絶縁ハウジングを突出する半田部とを備え、前記基部の取付面と前記舌片の下壁とは同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されることを特徴とする。
【考案の効果】
【０００７】
本考案の電気コネクタは、前記基部の取付面と前記舌片の下壁とは同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されるので、絶縁ハウジングの成型する過程において、舌片の厚さの方向に沿った変形が減少され、同時に、絶縁ハウジングの高さが低減され、メモリ記憶装置の薄型化に有利になる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案に係るメモリ記憶装置の組立斜視図である。
【図２】本考案に係るメモリ記憶装置の部分の分解斜視図である。
【図３】本考案に係るメモリ記憶装置の分解斜視図である。
【図４】図３に示すメモリ記憶装置のほかの角度から見た分解斜視図である。
【図５】本考案に係る電気コネクタのシェルが外した斜視図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
以下、図１〜図５を参照しながら、本考案のメモリ記憶装置２００は回路基板５と、回路基板５に実装され、ＵＳＢ３.０規格に符合する電気コネクタ１００とを含み、前記電気コネクタ１００は、絶縁ハウジング１と、ベース部材２と、導電端子３と、絶縁ハウジング２の外周を覆う金属板からなるシェル４と、を含む。
【００１０】
絶縁ハウジング１は、基部１０と基部１０から前向きに延出する舌片１１とを含み、舌片11は、上壁１１１と下壁１１２とを備え、導電端子３が舌片１１の下壁１１２に配置される。前記シェル４は、舌片１１を包囲するように相手コネクタを収容するための収容空間１２が形成している。前記基部１０は、回路基板５に貼り付けられる取付面１０３と、取付面１０３に対向し反する頂面１０８とを備える。取付面１０３と舌片１１の下壁１１２とは同一な平面に位置する。基部１０の両側には側壁１０２がベース部材２を挟んでするためにそれぞれ延出し設けられ、各側壁１０２に凹部１０４と、凹部１０４から更に延出する係合溝１０５とが形成される。基部１０両側壁１０２の間には、前記収容空間１２に貫通する溝部１０１が形成され、溝部１０１の底面に導電端子２を収容するための二列の端子溝１０６が凹んで形成され、二列の端子溝１０６の間に、隔離溝１０７が形成される。また、基部１０の取付面１０３の後端に位置決め溝１０９が貫通している。前記基部１０の後端の底部に回路基板５を収容するための受入空間１００１が形成し、溝部１０１により前記収容空間１２と受入空間１００１を連通して、前記基部１０に前記回路基板５の孔５２に係合するようにポスト１００２が設け、ポスト１０２が前記受入空間１００１に突出するように配置される。
【００１１】
前記ベース部材２は、前記基部１０の溝部１０１の底部に当接する凸状リブ２１と、前記導電端子２を押圧するように端子溝１０６までに突出する圧着部２６とが形成し、またベース部材２の両側に前記基部１０の凹部１０４に係合する凸部２４と、前記係合溝１０５に係合するための係止部２５とを含む。ベース部材２が前記溝部１０１に収容する時に、凸部２４が凹部１０４に係合し、係止部２５が前記係合溝１０５に係合することによってベース部材２の移動が制限される。
【００１２】
前記複数の導電端子３は、第一端子組３１と第二端子組３２とを含み、第二端子組３２がＵＳＢ２．０規格標準に符合し、前記第一端子組３１と第二端子組３２とはＵＳＢ３．０規格標準に符合している。
【００１３】
前記第一端子組３１は、五本があり、二ペアの差動信号端子３１８と、二ペアの差動信号端子３１８の間に配置される一本の接地端子３１９とを含む。各第一端子３１は、保持部３１１と、保持部３１１の一端から前向きに延出して相手コネクタに接触するための弾性的な接触部３１２と、保持部３１１の他端から後向きに延出し、絶縁ハウジング１の位置決め溝１０９に収容される位置決め部３１４と、位置決め部３１４から後向き延出して、絶縁ハウジング１を突出するテール部とを含み、前記接地端子３１９のテール部は、二本の半田部３１５が切り離される。第一端子組３１の保持部３１１は絶縁ハウジング１の端子溝１０６に保持されることによって、導電端子の左右方向での移動が制限でき、保持部３１１の両側が前記隔離溝１０７に係合するための突部３１６が形成され、また、ベース部材２が保持部３１１と突部３１６に押圧して、これらによって、導電端子３１の前後方向の移動が制限される。
【００１４】
第二端子組３２は、パワー端子３２７と、接地端子３２９と、接地端子３２７とパワー端子３２９との間に配置される一ペアの差動信号端子３２８とを含む。第２端子組３２は、絶縁ハウジング１にインサート成型にされ、前記収容空間１２に露出する平板状の接触部３２２と、絶縁ハウジング１を突出する半田部３２５とが備える。前記接触部３１２、３２２が舌片１１の下壁１１２に配置され、第一端子組３１の接触部３１２は第２端子組３２の接触部３２２の前方に位置している。導電端子３の半田部３１５、３２５は前記取付面１０３の位置する平面に配置されるように回路基板５に一列で半田付けられ、また、第２端子組３２の接地端子３２９とパワー端子３２７との半田部３２５は最外側に位置し、第２端子組３２の一ペアの差動信号端子３２８の半田部３２５が第一端子組３１の接地端子３１９の一対の半田部３１５の間に配置される。
【００１５】
金属板からなるシェル４は、絶縁ハウジング１の外周を覆って、天板４１と、天板４１から下向きに延出する固持片４３とを備え、回路基板５に前記固持片４３に係合するための保持溝５３が形成される。
【００１６】
電気コネクタ１００の絶縁ハウジング１の基部１０の取付面１０３が下壁１１２が同一な平面に位置するので、導電端子３の半田部３１５、３２５が取付面１０３の位置する平面に配置されるので、絶縁ハウジング１の成型する過程において、舌片１１の厚さの方向に沿った変形が減少され、同時に、絶縁ハウジング１の高さが低減され、メモリ記憶装置２００の薄型化に有利になる。
【００１７】
以上、本考案について最良の実施の形態を参照して詳細に説明したが、実施形態はあくまでも例示的なものであり、これらに限定されない。また、本考案に基づきなしうる細部の修正或は変更など、いずれも本考案の請求範囲に属するものとする。
【符号の説明】
【００１８】
１００  電気コネクタ
２００  メモリ記憶装置
１  絶縁ハウジング
１０  基部
１０３  取付面
１１  舌片
１１２  下壁
１２  収容空間
２  ベース部材
３  導電端子
４  シェル  
５  回路基板
【図１】
0003170687.tif 000003
【図２】
0003170687.tif 000004
【図３】
0003170687.tif 000005
【図４】
0003170687.tif 000006
【図５】
0003170687.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、信号を伝送できる電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に示されるように、従来技術の電気コネクタは、メモリ記憶装置に用いることができ、絶縁ハウジングと、前記絶縁ハウジングに装着された複数の導電端子と、を含み、前記絶縁ハウジングは、基部と、基部から前向きに延出する舌片とを含み、前記舌片に導電端子を対応させて収容するための収容溝が形成され、収容溝が絶縁ハウジングの基部を貫通するように配置される。基部は平板状の延出部を後方に延出し、延出部の下面と基部の下面との間に段差部を形成する。電気コネクタがメモリ記憶装置の回路基板に実装される際に、回路基板が前記段差部に収容され、延出部の下面が回路基板の上面に当接する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】中国実用新案公告第ＣＮ２７０４１３１Ｙ号明細書
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記絶縁ハウジングの延出部と基部との間に段差が形成されるため、絶縁ハウジングを成型する際に、平板状の延出部がひずみ変形を生じ易くなり、また、絶縁ハウジングの高さが大きいため、メモリ記憶装置の小型化に不利となる。このため、新しい電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置を開発することが必要である。
【０００５】
本考案は上記問題点を解消するためになされたものであり、絶縁ハウジングの構造を改善できる電気コネクタ及びこれを用いたメモリ記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本考案は、相手コネクタが挿入される収容空間を有し、基部及び前記基部から前向きに延出して前記収容空間に突出する舌片を含む絶縁ハウジングと、前記絶縁ハウジングに装着される複数の導電端子と、を含む電気コネクタにおいて、前記基部は、取付面と、前記取付面に対向する頂面とを含み、前記舌片は、上壁と、前記上壁に対向する下壁とを含み、前記導電端子は、前記舌片の下壁に配置される接触部と、前記絶縁ハウジングから突出する半田部とを備え、前記基部の取付面と前記舌片の下壁とは同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されることを特徴とする。
【考案の効果】
【０００７】
本考案の電気コネクタは、前記基部の取付面と前記舌片の下壁とが同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されるので、絶縁ハウジングを成型する過程において、舌片の厚さの方向に沿った変形が減少され、同時に、絶縁ハウジングの高さが低減され、メモリ記憶装置の薄型化に有利になる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案に係るメモリ記憶装置の組立斜視図である。
【図２】本考案に係るメモリ記憶装置の分解斜視図である。
【図３】本考案に係るメモリ記憶装置の分解斜視図である。
【図４】図３に示すメモリ記憶装置の別の角度からの分解斜視図である。
【図５】本考案に係る電気コネクタのシェルを外した状態の斜視図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
以下、図１〜図５を参照すると、本考案のメモリ記憶装置２００は回路基板５と、回路基板５に実装され、ＵＳＢ３.０規格に符合する電気コネクタ１００とを含み、前記電気コネクタ１００は、絶縁ハウジング１と、ベース部材２と、導電端子３と、絶縁ハウジング２の外周を覆う金属板からなるシェル４と、を含む。
【００１０】
絶縁ハウジング１は、基部１０と基部１０から前向きに延出する舌片１１とを含み、舌片１１は、上壁１１１と下壁１１２とを備え、導電端子３が舌片１１の下壁１１２に配置される。前記シェル４は、舌片１１を包容し、相手コネクタを収容するための収容空間１２を形成する。前記基部１０は、回路基板５に貼着される取付面１０３と、取付面１０３に対向する頂面１０８とを備える。取付面１０３と舌片１１の下壁１１２とは同一な平面に位置する。基部１０の両側にはベース部材２を挟持するための側壁１０２がそれぞれ延出して設けられ、各側壁１０２には凹部１０４と、凹部１０４から更に延伸する係合溝１０５とが形成される。基部１０の両側壁１０２の間には、溝部１０１が前記収容空間１２に向かって開設され、溝部１０１の底面に導電端子２を収容するための二列の端子溝１０６が凹設され、二列の端子溝１０６の間に、隔離溝１０７が形成される。また、基部１０の取付面１０３の後端に位置決め溝１０９が開設される。前記基部１０の後端の底部に回路基板５を収容するための受入空間１００１が形成され、溝部１０１により前記収容空間１２と受入空間１００１とが連通する。前記基部１０に前記回路基板５の孔５２に係合するようにポスト１００２が設けられ、このポスト１００２は前記受入空間１００１に突出するように配置される。
【００１１】
前記ベース部材２には、前記基部１０の溝部１０１の底部に当接する凸状リブ２１と、前記導電端子２を押圧するように端子溝１０６までに突出する圧着部２６とが形成され、またベース部材２の両側に前記基部１０の凹部１０４に係合する凸部２４と、前記係合溝１０５に係合するための係止部２５とが含まれる。ベース部材２が前記溝部１０１に収容される際に、凸部２４が凹部１０４に係合し、係止部２５が前記係合溝１０５に係合することによってベース部材２の移動が制限される。
【００１２】
前記複数の導電端子３は、第一端子組３１と第二端子組３２とを含み、第二端子組３２がＵＳＢ２．０規格標準に符合し、前記第一端子組３１と第二端子組３２とはＵＳＢ３．０規格標準に符合している。
【００１３】
前記第一端子組３１は五本あり、二対の差動信号端子３１８と、この二対の差動信号端子３１８の間に配置される一本の接地端子３１９とを含む。各第一端子３１は、保持部３１１と、保持部３１１の一端から前向きに延出して相手コネクタに接触するための弾性的な接触部３１２と、保持部３１１の他端から後向きに延出して絶縁ハウジング１の位置決め溝１０９に収容される位置決め部３１４と、位置決め部３１４から後向きに延出して、絶縁ハウジング１から突出するテール部とを含み、前記接地端子３１９のテール部は、二本の半田部３１５が分岐している。第一端子組３１の保持部３１１は、絶縁ハウジング１の端子溝１０６に保持されることによって、導電端子の左右方向での移動を制限する。また保持部３１１の両側に、前記隔離溝１０７に係合するための突部３１６が形成され、ベース部材２が保持部３１１と突部３１６とを押圧することにより、導電端子３１の前後方向の移動を制限する。
【００１４】
第二端子組３２は、パワー端子３２７と、接地端子３２９と、接地端子３２９とパワー端子３２７との間に配置される一対の差動信号端子３２８とを含む。第２端子組３２は、絶縁ハウジング１に挿入され、前記収容空間１２に露出する平板状の接触部３２２と、絶縁ハウジング１から突出する半田部３２５とを備える。第一端子組３１の接触部３１２並びに第二端子組３２の接触部３２２は舌片１１の下壁１１２に配置され、接触部３１２は接触部３２２の後方に位置する。導電端子３の半田部３１５並びに３２５は、前記取付面１０３の位置する平面に配置されるように回路基板５に一列に半田付けされる。この際、第２端子組３２の接地端子３２９とパワー端子３２７との半田部３２５は最外側に位置し、第２端子組３２の一対の差動信号端子３２８の半田部３２５は、第一端子組３１の接地端子３１９の一対の半田部３１５の間に配置される。
【００１５】
金属板からなるシェル４は、絶縁ハウジング１の外周を掩覆して、天板４１と、天板４１から下向きに延出する固持片４３とを備え、回路基板５には前記固持片４３に係合するための保持溝５３が形成される。
【００１６】
電気コネクタ１００の絶縁ハウジング１の基部１０の取付面１０３と下壁１１２とが同一な平面に位置し、且つ導電端子３の半田部３１５、３２５が取付面１０３の位置する平面に配置されるので、絶縁ハウジング１の組立過程において、舌片１１の厚さの方向に沿った変形が減少し、同時に絶縁ハウジング１の高さが低減され、メモリ記憶装置２００の薄型化に有利になる。
【００１７】
以上、本考案について最良の実施形態を参照して詳細に説明したが、実施形態はあくまでも例示的なものであり、これらに限定されない。また、本考案に基づいてなしうる細部の修正、或いは変更などは、いずれも本考案の請求範囲に属するものとする。
【符号の説明】
【００１８】
１００  電気コネクタ
２００  メモリ記憶装置
１  絶縁ハウジング
１０  基部
１０３  取付面
１１  舌片
１１２  下壁
１２  収容空間
２  ベース部材
３  導電端子
４  シェル  
５  回路基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
相手コネクタが挿入される収容空間を有し、基部と、前記基部から前向きに延出して前記収容空間に突出する舌片とを含む絶縁ハウジングと、
前記絶縁ハウジングに装着される複数の導電端子と、
を含む電気コネクタにおいて、
前記基部は、取付面と、前記取付面に対向する頂面と、を含み、
前記舌片は、上壁と、前記上壁に対向する下壁と、を含み、
前記導電端子は、前記舌片の下壁に配置される接触部と、前記絶縁ハウジングから突出する半田部と、を備え、
前記基部の取付面と前記舌片の下壁とは同一な平面に配置され、前記導電端子の半田部が前記取付面と同一な平面に配置されることを特徴とする電気コネクタ。
【請求項２】
前記基部の頂面と前記舌片の上壁とは、同一な平面に配置されることを特徴とする請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項３】
前記電気コネクタの基部の後端には、前記電気コネクタが装着される回路基板を収容する受入空間が形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気コネクタ。
【請求項４】
前記電気コネクタの絶縁本体は、前記収容空間と前記受入空間とを連接する溝部が形成され、前記電気コネクタは前記溝部に取り付けられるベース部材を備え、前記絶縁本体の基部は前記ベース部材を挟持する両側壁を有することを特徴とする請求項３に記載の電気コネクタ。
【請求項５】
前記回路基板と、前記回路基板に実装された前記請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気コネクタと、を有するメモリ記憶装置。