【事件の表示】
　特願２００２−３３１２５０「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２９日出願公開、特開２００３−２４３７２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１１月１４日（優先権主張平成１３年１２月１４日）の出願であって、平成２０年８月２７日付けで手続補正がなされたところ、同年１１月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１月５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１月２１日付けで手続補正がなされたものであるが、その後当審において、平成２２年５月２０日付けで、平成２１年１月２１日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶理由が通知され、これに応答して平成２２年６月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年６月４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「第一の光を発光する発光素子と、その第一の光の少なくとも一部を吸収して第二の光を発光する蛍光体が前記発光素子の上にバインダーにより結着されてなるコーティング層と、を備えた発光装置であって、
　前記バインダーは、少なくともＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎあるいはアルカリ土類金属の群から選択される１種以上の元素を含む酸化物から構成されており、
　前記コーティング層は、前記蛍光体の粒子の間であり前記酸化物の微粒子が密集して存在する領域Ｘと、前記蛍光体の粒子とともに前記微粒子が散在する領域Ｙとを有しており、
　前記領域Ｘにおいて前記微粒子と前記微粒子の間の隙間に下層の微粒子が積層され、前記領域Ｙにおいて前記微粒子と前記微粒子の間の隙間から前記蛍光体の粒子が露出しており、
　前記領域Ｘに入射された第一の光が拡散されて前記蛍光体に入射され、前記第二の光が前記領域Ｙから出射されるよう構成されたことを特徴とする発光装置。」（以下「本願発明」という。）
　　
　
３．刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−４０８５８号公報（以下「引用例」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】支持体上に配置されたＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する粒子状蛍光体と、を有する発光ダイオードであって、
前記ＬＥＤチップ上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、前記ＬＥＤチップ上以外の支持体上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、が略等しいことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】前記コーティング部は、粒子状蛍光体と共に少なくともＳｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｂ及びアルカリ土類元素の１種又は２種以上を有する酸化物からなる請求項１記載の発光ダイオード。」
　
（２）「【００１５】
【発明の実施の形態】本発明者は種々の実験の結果、ＬＥＤチップ上に配置された粒子状蛍光体と、それ以外の支持体上に配置された粒子状蛍光体とを略均等に配分させることによって発光観測面における色調むらや発光装置ごとのバラツキを改善できることを見出し本発明を成すに到った。
・・・
【００１９】（コーティング部１１１、１１２）本発明に用いられるコーティング部１１１、１１２とは、モールド部材とは別にマウント・リードのカップ内やパッケージの開口部内などに設けられるものでありＬＥＤチップ１０３の発光を変換する粒子状蛍光体及び粒子状蛍光体を結着する樹脂や硝子などである。本発明のコーティング部１１１、１１２は、ＬＥＤチップ１０３上に設けられたコーティング部１１１の厚みとＬＥＤチップ以外の支持体上に設けられたコーティング部１１２の厚みとが略等しい。ＬＥＤチップ１０３上に設けられたコーティング部１１１と、支持体となるパッケージの開口部表面に設けられたコーティング部１１２との厚みは、気相や液相中に分散させた粒子状蛍光体を静置させ沈降することにより比較的簡単に略等しく形成させることができる。
【００２０】コーティング部では、カップなどによりＬＥＤチップから放出される高エネルギー光などが反射もされるため高密度になる。さらに、粒子状蛍光体によっても反射散乱されコーティング部が高密度の高エネルギー光にさらされる場合がある。そのため、発光強度が強く高エネルギー光が発光可能な窒化物系半導体をＬＥＤチップとして利用した場合は、それらの高エネルギー光に対して耐光性のあるＳｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｂ及びアルカリ土類金属の１種又は２種以上有する酸化物を結着剤として利用することが好ましい。
【００２１】コーティング部の具体的主材料の一つとしては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭＳｉＯ3（なお、Ｍとしては、Ｚｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒなどが挙げられる。）などの透光性無機部材に粒子状蛍光体を含有させたものが好適に用いられる。これらの透光性無機部材により粒子状蛍光体が結着され層状にＬＥＤチップや支持体上に堆積される。なお、コーティング部には、粒子状蛍光体と共に紫外線吸収剤を含有させても良い。」
　
（３）「【００４２】
【実施例】
（実施例１）ＬＥＤチップとして主発光ピークが４６０ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体を用いた。ＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜させることにより形成させた。ドーパントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇと、を切り替えることによってＮ型導電性を有する窒化ガリウム系半導体とＰ型導電性を有する窒化ガリウム系半導体を形成しＰＮ接合を形成させる。半導体発光素子として、Ｎ型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層と、Ｐ型導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド層、Ｐ型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層を形成させた。Ｎ型導電性を有するコンタクト層とＰ型導電性を有するクラッド層との間に厚さ約３ｎｍであり、単一量子井戸構造とされるノンドープＩｎＧａＮの活性層を形成させた。（なお、サファイア基板上には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層とさせてある。また、Ｐ型導電性を有する半導体は、成膜後４００℃以上でアニールさせてある。）
エッチングによりサファイア基板上のＰＮ各半導体表面を露出させた後、スパッタリングにより各電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子として３５０μｍ角のＬＥＤチップを形成させた。
【００４３】一方、インサート成形によりポリカーボネート樹脂を用いてチップタイプＬＥＤのパッケージを形成させた。チップタイプＬＥＤのパッケージ内は、ＬＥＤチップが配される開口部を備えている。パッケージ中には、銀メッキした銅板を外部電極として配置させてある。パッケージ内部でＬＥＤチップをエポキシ樹脂などを用いて固定させる。導電性ワイヤーである金線をＬＥＤチップの各電極とパッケージに設けられた各外部電極とにそれぞれワイヤーボンディングさせ電気的に接続させてある。こうしてＬＥＤチップが配置されたパッケージを８２８０個形成させた。各パッケージの開口部を除く表面には、レジスト膜が形成されている。８２８０個のＬＥＤチップが配置されたパッケージを純粋電解質が入った容器中に配置させる。
【００４４】他方、粒子状蛍光体は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムと混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気中１４００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品を得た。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して形成させた。形成された（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体をＳｉＯ2ゾル中に分散させる。
【００４５】次に、酢酸でｐＨを５．０に調整した後、直ちにパッケージが配置された容器中に（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体とＳｉＯ2ゾルを一挙に懸濁注入させる（図２(A)）。静置後（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体が沈降しパッケージ上に沈降する（図２(B)）。容器内の廃液を除しＬＥＤチップ上に粒子状蛍光体が堆積したパッケージを１２０度に加熱した空気で乾燥させる（図２(C)）。この後に、容器から各発光ダイオードを取り出して発光ダイオードの非発光部に付着した粒子状蛍光体をレジストマスクごと除去することによってＬＥＤチップ上とパッケージ底面との膜厚が共に約４０μｍと略等しいコーティング部を形成させることができる。さらに、ＬＥＤチップや粒子状蛍光体を外部応力、水分及び塵埃などから保護する目的でコーティング部が形成されたパッケージ開口部内にモールド部材として透光性エポキシ樹脂を形成させた。透光性エポシキ樹脂を混入後、１５０℃５時間にて硬化させた。こうして図１の如き発光装置である発光ダイオードを形成させた。
【００４６】得られた発光ダイオードに電力を供給させることによって白色系を発光させることができる。発光ダイオードの正面から色温度、演色性をそれぞれ測定した。色温度８０９０Ｋ、Ｒａ（演色性指数）＝８７．５を示した。また、発光光率は１０．８ ｌｍ／ｗであった。さらに、ＣＩＥ色度図上のｘ，ｙ＝（０．３０５，０．３１５）±０．０３で囲まれた範囲内に、約８１１４個の各発光ダイオードが分布しており歩留まりは、約９８％であった。」
　
（４）上記（１）ないし（３）から、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「支持体上に配置されたＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する粒子状蛍光体と、を有する発光ダイオードであって、
　前記ＬＥＤチップ上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、前記ＬＥＤチップ上以外の支持体上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、が略等しく、
　前記コーティング部は、粒子状蛍光体とともに、ＳｉＯ2ゾルからなる結着剤とからなり、
　前記結着剤により粒子状蛍光体が結着され層状にＬＥＤチップや支持体上に堆積される、発光ダイオード。」
　
　
４．対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「ＬＥＤチップ」、「粒子状蛍光体」、「結着剤」、「コーティング部」及び「発光ダイオード」は、それぞれ、本願発明の「（第一の光を発光する）発光素子」、「（その第一の光の少なくとも一部を吸収して第二の光を発光する）蛍光体」、「バインダー」、「（その第一の光の少なくとも一部を吸収して第二の光を発光する蛍光体が前記発光素子の上にバインダーにより結着されてなる）コーティング層」及び「発光装置」に相当する。
　
（２）引用発明の、「結着剤」は、「ＳｉＯ2ゾルからなる」ので、引用発明は、本願発明の「前記バインダーは、少なくともＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎあるいはアルカリ土類金属の群から選択される１種以上の元素を含む酸化物から構成されており」との特定事項を具備する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「第一の光を発光する発光素子と、その第一の光の少なくとも一部を吸収して第二の光を発光する蛍光体が前記発光素子の上にバインダーにより結着されてなるコーティング層と、を備えた発光装置であって、
　前記バインダーは、少なくともＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎあるいはアルカリ土類金属の群から選択される１種以上の元素を含む酸化物から構成されている、発光装置。」の点で一致し、下記の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明は、「前記コーティング層は、前記蛍光体の粒子の間であり前記酸化物の微粒子が密集して存在する領域Ｘと、前記蛍光体の粒子とともに前記微粒子が散在する領域Ｙとを有しており、
　前記領域Ｘにおいて前記微粒子と前記微粒子の間の隙間に下層の微粒子が積層され、前記領域Ｙにおいて前記微粒子と前記微粒子の間の隙間から前記蛍光体の粒子が露出しており、
　前記領域Ｘに入射された第一の光が拡散されて前記蛍光体に入射され、前記第二の光が前記領域Ｙから出射されるよう構成され」ているのに対し、引用発明は、そのようなものであるのかどうか不明である点。
　
　
５．判断
　上記相違点について検討すると、引用発明は、「ＳｉＯ2ゾルからなる結着剤により粒子状蛍光体が結着され層状にＬＥＤチップ上に堆積」されるものであり、当該「粒子状蛍光体」が「ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収して第二の光を発光する」ものであることから、引用発明において、ＳｉＯ2ゾルからなる結着剤の添加量を、粒子状蛍光体間では十分結着できる程度の量で、かつ粒子状蛍光体が発する光が発光ダイオードから出射するのに妨げにならないように、結着された粒子状蛍光体の層をできるだけ覆わない程度の量とすることが望ましいことが当業者において明らかであるから、引用発明において、ＳｉＯ2ゾルからなる結着剤の添加量を、粒子状蛍光体間では十分結着できる程度の量で、かつ粒子状蛍光体が発する光が発光ダイオードから出射するのに妨げにならないよう、結着された粒子状蛍光体の層をできるだけ覆わない程度の量に調節することは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、引用発明において、ＳｉＯ2ゾルからなる結着剤の添加量が、粒子状蛍光体間では十分結着できる程度の量に調節されれば、本願発明の「前記蛍光体の粒子の間であり前記酸化物の微粒子が密集して存在する領域Ｘを有しており、前記領域Ｘにおいて前記微粒子と前記微粒子の間の隙間に下層の微粒子が積層され、前記領域Ｘに入射された第一の光が拡散されて前記蛍光体に入射される」との構成を具備するものとなり、さらに、引用発明において、ＳｉＯ2ゾルからなる結着剤の添加量が、粒子状蛍光体が発する光が発光ダイオードから出射するのに妨げにならないよう、結着された粒子状蛍光体の層をできるだけ覆わない程度の量に調節されれば、本願発明の「前記蛍光体の粒子とともに前記微粒子が散在する領域Ｙを有しており、前記領域Ｙにおいて前記微粒子と前記微粒子の間の隙間から前記蛍光体の粒子が露出しており、前記第二の光が前記領域Ｙから出射される」との構成を具備するものとなる。
　したがって、引用発明において、ＳｉＯ2ゾルからなる結着剤の添加量を調節することで、結果として、引用発明を本願発明の相違点の構成を具備するものにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　よって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、平成２２年２月２２日付けの回答書の「（２）本願発明と引用文献との対比」において、「引用発明は、その実施例を参照すると、蛍光体の粒子を含む無機材料あるいは樹脂を発光素子の上に配置して、発光素子の表面に蛍光体粒子を、その自重によって無機材料あるいは樹脂中を沈降させることにより、コーティング層を形成させたもので、この形成方法によれば、蛍光体粒子と微粒子の比重は大体同じなので、粒径が大きい蛍光体粒子（平均粒径３〜１０μｍ）が、粒径の小さい微粒子（平均粒径数ｎｍ）よりも先に発光素子の表面に沈降し、そのため、コーティング層の断面を見れば、発光素子の上に蛍光体粒子の堆積層と、その蛍光体粒子の上に微粒子の堆積層と、から構成されたコーティング層となってしまい、本願発明の如く、コーティング層の表面を二次元的に見て、蛍光体粒子および微粒子による密集領域と散在領域とを有するコーティング層ではなく、また、コーティング層を三次元的に見て、密集領域Ｘにおいて微粒子と微粒子の間に設けられた隙間に下層の微粒子が積層され、散在領域Ｙにおいて微粒子と微粒子の間に設けられた隙間から蛍光体の粒子が露出されるコーティング層ではなく、さらに、蛍光体の光が、その上にある微粒子の堆積層によりコーティング層の内側に殆ど拡散されてしまうので、蛍光体の光をコーティング層の外側に効率よく取り出すことができないもので、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に想到し得る範囲を超えているものと思われる」旨主張する。
　しかしながら、引用発明のコーティング層が、仮に、請求人が主張するようなものであったとしても、引用発明は、「ＳｉＯ2ゾルからなる結着剤により粒子状蛍光体が結着され層状にＬＥＤチップ上に堆積」されるものであり、当該「粒子状蛍光体」が「ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収して第二の光を発光する」ものである以上、当業者において、コーティング層の形成方法として塗布等の慣用手段を採用して、容易に引用発明を本願発明の相違点の構成を具備するものにすることができることは、上述のとおりであるから、請求人の上記主張は採用できない。
　
　
６．むすび
　本願発明は、引用発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。