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　平成　８年特許願第３５４３８２号「気相成長装置及び気相成長方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年６月３０日出願公開、特開平１０−１７７９６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯の概要、及び本願発明
　本願は平成８年１２月１９日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明６」という。）は、平成１６年８月１７日付け及び平成１７年８月９日付け手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明１については次のとおりである。
「【請求項１】反応炉内に原料ガスを供給し前記反応炉内に配置したウエハ基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、少なくとも内部に該ウエハ基板を載置する回転体を有し、且つ、頂部に処理ガス導入口、内部上部に複数の孔が穿設された整流板を、側部にウエハ基板搬入出口をそれぞれ有すると共に、該ウエハ基板搬入出口の最下部が該回転体上部面より上方に位置し、該最下部と該回転体上部面との高低差（Ｉ（ｍｍ））が回転体上部の遷移層厚（Ｔ）より大きい（Ｉ＞Ｔ）ことを特徴とする気相成長装置。」
　　
II．引用例の記載事実
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願の日前の特許出願であって、本願出願後に出願公開された特許出願である下記引用例１の願書に最初に添付された明細書又は図面には、以下の記載がある。
（１）引用例１（特願平８−２１１５号（特開平９−１９０９８０号公報参照））
(1-1)「【請求項１】気密な反応容器と、この反応容器の内部に回転可能に設けられた基板保持手段と、この基板保持手段を回転させるための回転駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板を加熱するための基板加熱手段と、基板表面に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記反応容器の内部に基板を搬送するために前記反応容器に設けられた基板搬送口とを備え、前記基板搬送口の下端が前記基板保持手段に保持された基板の表面よりも上方に位置していることを特徴とする基板処理装置。」（特許請求の範囲：請求項１）
(1-2)「本発明は基板処理装置に係わり、特に半導体製造用のシリコンウェハ、液晶表示用のガラス基板等の基板の表面に薄膜を形成するための基板処理装置に関する。」（段落【0001】）
(1-3)「反応容器１の内壁面の温度は、図３に示したように上下方向に対して均一ではないことが判明した。ここで、図３において横軸は、ウェハ保持装置１１に保持されたウェハＷの表面を基準とした上下方向の距離を示しており、図４に示したようにウェハＷの表面よりも上方をプラス、下方をマイナスに取っている。図３から分かるように、反応容器１の内壁面の温度は、ウェハ表面よりも上方に高温ピーク部が存在する。」（段落【0016】）
(1-4)「図３に示した反応容器１の内壁面の温度分布と、図５に示した不完全反応生成物の付着量分布とを比較した結果、不完全反応生成物の付着がほとんどみられないウェハ表面よりも上方の範囲は、反応容器１の内壁の温度が約１５０℃よりも高く、また、内壁温度の低下と共に付着量が増加していることが分かった。これは、不完全反応を生じる温度の臨界点が１５０℃付近に存在するためと考えられる。」（段落【0020】）
(1-5)「ウェハ表面よりも上方には不完全反応生成物の付着がほとんど見られないことの他の要因としては、ウェハＷの高速回転に伴う原料ガスＧの掃き出し効果によって、ウェハＷの表面近傍に到達した原料ガスＧは水平方向に向けて掃き出され、水平方向に掃き出された原料ガスＧは排気口５からの真空排気の流れによって下方に偏向されるためと考えられる。（段落【0020】）
(1-6)「図１は、本実施形態による枚葉処理方式のＣＶＤ装置の要部を示したものであり、図中符号１は反応容器を示し、この反応容器１は円筒状の容器本体２と、この容器本体２の上側開口部を密閉する石英製のトッププレート３と、容器本体２の下側開口部を密閉するベースプレート４とを備えている。ベースプレート４には排気口５が形成されており、この排気口５には排気管６が取り付けられている。この排気管６は、排気ダクト（図示せず）を介して真空排気装置（図示せず）に連結されている。
　トッププレート３の下方には原料ガスＧを均一に分散させるための複数の放出孔７を有する整流板８が設けられている。容器本体２の上端部にはトッププレート３と整流板８との間に形成された空間内に原料ガスＧを導入するためのガス導入口９が形成されており、このガス導入口９にはガス導入管１０が取り付けられている。
　さらに、反応容器１の内部には中空のウェハ保持装置１１が回転可能に設けられており、このウェハ保持装置１１は中空支柱１２と、この中空支柱１２の上端に設けられた中空載置台１３とを備えている。中空載置台１３の上端には、中央部にウェハＷの外形に対応する開口部１４が形成された環状の載置板１５が設けられており、開口部１４の内周縁にはウェハＷを載置するためのウェハ支持片１６が載置板１５の下面から開口部１４の中心に向けて張り出すようにして周設されている。また、ウェハ保持装置１１は、反応容器１の下方に設けられた回転駆動装置１７によって高速で回転できるようになっており、その回転数は毎分１００回転以上であって、例えば毎分２０００回転の高速で回転させることができる。」（段落【0028】〜【0030】）
　また、上記図１（第７頁）では、ウエハ表面と中空載置台上面とが、ほぼ面一であることが読み取れる。
(1-7)「反応容器１の容器本体２には、中空載置台１３の載置板１５に載置されたウェハＷの表面よりも上方に位置するようにしてウェハ搬送口２２が形成されている。具体的には、載置板１５に載置されたウェハＷの表面とウェハ搬送口２２の下端との距離Ｌが約１０ｍｍ程度になるようにウェハ搬送口２２が配置されている。」（段落【0033】）
(1-8)「昇降アーム２１を降下させてウェハＷを載置板１５の開口部１４にはめ込み、ウェハ支持片１６の上にウェハＷを載置する。そして、回転駆動装置１７を作動させ、ウェハＷと一体にウェハ保持装置１１を回転させる。なお、このときの回転は、毎分数百回転以上の高速回転である。このようにウェハＷを高速で回転させてた場合でも、ウェハＷは載置板１５の開口部１４にはめ込まれているので、この開口部１４を形成する周壁面によってウェハＷの飛び出しが防止される。」（段落【0035】）
(1-9)「薄膜が形成される一方で、ウェハＷの表面に供給された原料ガスＧの一部は薄膜形成反応には寄与せずに、ウェハＷの高速回転に伴う掃き出し効果によって水平方向外側に向けて掃き出され、水平方向に掃き出された原料ガスＧは、排気口５からの真空排気の流れによって下方に偏向される。そして、本実施形態においては、ウェハ搬送口２２の下端がウェハ表面よりも上方に形成されているので、第１のゲートバルブ２５の冷却によってウェハ搬送口２２の周辺部の温度が低くなっていても、この低温部分には掃き出された原料ガスＧがほとんど接触しないために、不完全反応による生成物が発生することがない。同様に、ウェハ搬送口２２の周縁に形成された段部にも原料ガスＧがほとんど接触しないので、やはり不完全反応生成物の付着が防止される。」（段落【0038】）
(1-10)「本発明によれば、基板搬送口の下端が基板保持手段に保持された基板の表面よりも上方に位置するようにしたので、原料ガスの不完全反応による生成物が、反応容器の内壁、特に基板搬送口の周辺下部に付着することを防止でき、基板処理装置の生産性を大幅に向上させることができる。」（段落【0041】）
　　
III．対比・判断
(III-1)本願発明１について
　上記(1-1)〜(1-10)によると、引用例１には、反応容器と、この反応容器の内部に回転可能に設けられた基板保持手段と、基板表面に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記反応容器の内部に基板を搬送するために前記反応容器に設けられた基板搬送口とを備え、前記基板搬送口の下端が前記基板保持手段に保持された基板の表面よりも上方に位置した基板処理装置（摘記1-1）が記載され、併せて、半導体製造用のシリコンウェハ等の基板の表面に薄膜を形成するための基板処理装置に関するものであること（摘記1-2）、図１はＣＶＤ装置の要部を示したものであって、反応容器の内部には中空のウェハ保持装置回転可能に設けられ、トッププレートの下方には原料ガスを均一に分散させるための複数の放出孔を有する整流板が設けられ、容器本体の上端部にはトッププレートと整流板との間に形成された空間内に原料ガスを導入するためのガス導入口が形成されていること（摘記1-6）が記載されている。
　したがって、上記(1-1)〜(1-10)の記載事項を綜合すれば、引用例１には、
「反応容器内に原料ガスを供給し前記反応容器内に配置したウェハ上に薄膜を気相成長させるＣＶＤ装置において、少なくとも内部に該ウェハを載置する回転可能なウェハ保持装置を有し、且つ、ガス導入口、内部上部に複数の孔が穿設された整流板（複数の放出孔７を有する整流板８）を、側部に基板搬送口をそれぞれ有することを特徴とするＣＶＤ装置。」（以下、「引用例記載発明」という。）が記載されているといえる。
　本願発明１と、引用例記載発明とを対比すると、本願発明１の「反応炉」は、引用例記載発明の「反応容器」に相当し、本願発明１の「ウエハ基板」は、引用例記載発明の「ウェハ」に相当し、本願発明１の「気相成長装置」は、引用例記載発明の「ＣＶＤ装置」に相当し、本願発明１の「回転体」は、引用例記載発明の「回転可能なウェハ保持装置」に相当し、本願発明１の「処理ガス導入口」は、引用例記載発明の「ガス導入口」に相当し、本願発明１の「ウエハ基板搬入出口」は、引用例記載発明の「基板搬送口」に相当するといえる。
　したがって、本願発明１は、引用例記載発明と、
「反応炉内に原料ガスを供給し前記反応炉内に配置したウエハ基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、少なくとも内部に該ウエハ基板を載置する回転体を有し、且つ、処理ガス導入口、内部上部に複数の孔が穿設された整流板を、側部にウエハ基板搬入出口をそれぞれ有することを特徴とする気相成長装置。」
の点で一致し、そして、以下の点で一応相違している。
（イ）本願発明１では、処理ガス導入口は反応炉の「頂部」に有するものであるのに対して、引用例記載発明では、容器本体の上端部に有している点、及び、
（ロ）本願発明１では、ウエハ基板搬入出口の位置について、「該ウエハ基板搬入出口の最下部が該回転体上部面より上方に位置し、該最下部と該回転体上部面との高低差（Ｉ（ｍｍ））が回転体上部の遷移層厚（Ｔ）より大きい（Ｉ＞Ｔ）」と特定されているのに対して、引用例記載発明では、そのような特定がなされていない点。
　　
　そこで、これら相違点について、以下検討する。
相違点（イ）について
　気相成長装置において、処理ガスの導入口を反応容器の頂部に設けることは本願出願前周知の技術的事項である（要すれば、特開平５−１９０４６４号公報（特に、第９頁：図１２、図１３）、特開平７−５０２６０号公報（特に、第５頁：図９）、特開昭６３−３０８９２２号公報（特に、第６頁：第９図）、及び、特開平１−２２２４３３号公報（特に、第３頁：第１図）を参照。）。そして、本願明細書及び図面の記載をみても、これにより新たな効果を奏したと認めることはできない。
　したがって、相違点（イ）は、実質的な相違点ということはできない。
　　
相違点（ロ）について
(ロ-1)その１
　本願明細書には、遷移層とは、整流板を経て供給された原料ガス流が、回転体上において中心から外周辺部方向へのベクトルを有して流れるガス層をいい、遷移層厚は回転体上における上記ベクトルを有するガス流の厚さをいうこと（段落【0011】）が記載されている。
　一方、引用例１には、ウェハの表面に供給された原料ガスの一部は、ウェハの高速回転に伴う掃き出し効果によって水平方向外側に向けて掃き出されること（摘記1-9）が記載されている。そして、この水平方向外側に向けて掃き出されたガス流は、中心から外周辺部方向へのベクトルを有しているといえるので、ウエハ上の当該掃き出されたガス流が存する部分は、本願発明１の遷移層に相当するといえる。
　また、引用例１には、ウェハ搬送口の下端がウェハ表面よりも上方に形成されること、及び、これにより、ウェハ搬送口の周辺部の温度が低くなっていても、この低温部分には掃き出された原料ガスがほとんど接触しないこと（摘記1-9）が記載され、したがって、引用例１には、ウエハ搬送口の下端が、掃き出されたガス、即ち、遷移層のガスとほとんど接触しない上方に形成されることが記載されているといえる。
　したがって、相違点（ロ）は、実質的な相違点ということはできない。
　　
(ロ-2)その２
　本願明細書には、ウエハ搬送口の位置について、（１）式（Ｔ＝３．２２（ν／ω）１／２）に基けば、「原料ガスがシランガス、キャリアガスが水素ガスであり、回転体の回転数が５００〜２０００ｒｐｍ（５２〜２０９ｒａｄ／ｓ）である場合は、遷移層厚Ｔは約５〜５０ｍｍとなる。従って、気相成長装置の反応炉のウエハ基板搬出入口を、回転体上部面から上記のＴ値より大きな高低差で上方側壁に配設する」（段落【0014】）と記載されて、ウエハ基板搬出口最下部の位置は、回転体上部面から、「約５〜５０ｍｍ」超となることが具体的に説明されている。
　一方、引用例１には、「図３に示した反応容器１の内壁面の温度分布と、図５に示した不完全反応生成物の付着量分布とを比較した結果、不完全反応生成物の付着がほとんどみられないウェハ表面よりも上方の範囲は、反応容器１の内壁の温度が約１５０℃よりも高く、また、内壁温度の低下と共に付着量が増加していることが分かった。これは、不完全反応を生じる温度の臨界点が１５０℃付近に存在するためと考えられる。」（摘記1-4）と記載されて、不完全反応を生じる温度の臨界点が１５０℃付近であることが説明され、そして、図３には、「ゲート有り部」において、「ウエーハからの距離」が、約１０〜５０ｍｍの範囲で、「反応容器内壁温度」が約１５０℃超であることが読み取れる。そして、引用例１においては、これらの認識に基づき、基板搬送口の下端が前記基板保持手段に保持された基板の表面よりも上方に位置する（摘記1-1）とし、具体的には、載置板に載置されたウェハの表面とウェハ搬送口の下端との距離が約１０ｍｍ程度になるようにウェハ搬送口が配置されることが記載され（摘記1-7）、また、上記図３に基く説明からみて、引用例１には、当該ウエハ搬送口の下端とウエハ表面との距離として、反応容器内壁温度が約１５０℃超となる距離、すなわち約１０〜５０ｍｍとすることが開示されているといえる。
　そして、引用例１の上記ウエハ搬送口の下端とウエハ表面との距離（上記“約１０ｍｍ”、及び“約１０〜５０ｍｍ”）は、本願発明１における、上記ウエハ基板搬出口最下部の位置と回転体上部面からの上記具体的距離（「約５〜５０ｍｍ」超）と重複している。
　したがって、相違点（ロ）は、実質的な相違点ということはできない。
　　
　なお、引用例１では、ウエハ搬送口の下端との距離の起点は、基板（ウエハ）表面としており、回転体上部面を起点とした本願発明１と一応相違する。これについて検討すると、引用例１には、中空載置台１３の上端には、中央部にウェハＷの外形に対応する開口部１４が形成された環状の載置板１５が設けられており、開口部１４の内周縁にはウェハＷを載置するためのウェハ支持片１６が載置板１５の下面から開口部１４の中心に向けて張り出すようにして周設されていること（摘記1-6）、及び、ウェハＷを載置板１５の開口部１４にはめ込み、ウェハ支持片１６の上にウェハＷを載置し、ウェハＷを高速で回転させてた場合でも、ウェハＷは載置板１５の開口部１４にはめ込まれているので、この開口部１４を形成する周壁面によってウェハＷの飛び出しが防止されること（摘記1-8）が記載されて、ウエハが載置板の開口部にはめ込まれることが説明され、そして、図１では、ウエハ表面と載置台上面とが、ほぼ面一であることが読み取れる。したがって、両者の距離の起点に、実質的な差異があるとすることはできない。また、仮に、基板（ウエハ）の厚さが載置板表面より突出する結果、面一といえない場合についてみると、基板の表面を起点とした引用例１の場合は、載置板表面を起点とする場合よりも、ウエハ搬送口の下端は、基板の厚さが載置板表面よりも突出した分だけ更に高位置となるので、結果において相違はない。
　　
　以上（ロ-1）及び（ロ-2）のとおりであるから、相違点（ロ）については、表現上の差異はあるものの、装置の発明として実質的な相違点を構成するものとはいえない。
　　
　なお、請求人は回答書で補正案を提示し、その請求項１で、遷移層厚を３．２２（ν／ω）１／２による算出値とすることを特定事項として追加しているが、上記（ロ-1）及び（ロ-2）のとおりであるから、装置の発明としては、これにより原査定の結論を変更することはできない。
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明１の発明者が上記引用例１に係る出願の発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時にその出願人が引用例１に係る出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明１は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願発明２〜６について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。