【事件の表示】
　平成９年特許願第６６０９４号「表面処理装置における表面処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年９月２９日出願公開、特開平１０−２６１６２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成９年３月１９日の出願であって、平成１６年１月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１６年２月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
 　平成１６年２月１９日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、発明の名称が補正前の「表面処理装置」から「表面処理装置における表面処理方法」と補正されるとともに、特許請求の範囲の請求項１、２は次のとおりに補正された。
「【請求項１】真空容器とその中にプラズマを生成させる手段および該プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と試料台にバイアスを印加するための電源からなり、絶縁膜上のＳｉを主成分とする材料を加工する表面処理装置における表面処理方法において、
前記真空容器中にハロゲンガスと、少なくとも酸素あるいは窒素を含むガスを５％から５０％混合させて導入するとともに、試料台に印加するバイアスを間欠的にオンとオフに制御することを特徴とする表面処理装置における表面処理方法。
　【請求項２】請求項１に記載の表面処理装置における表面処理方法において、試料に印加するバイアス電源の周波数を２００ＫＨｚから２０ＭＨｚとするとともに、バイアスのオンオフの一周期に示すオン時間の割合を５％から５０％にすることを特徴とする表面処理装置における表面処理方法。」
　
２．補正の妥当性についての判断
　上記補正後の請求項１、２は、補正前の「表面処理装置」から「表面処理装置における表面処理方法」とされたものである。
　しかしながら、発明のカテゴリーを変更する補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の限定的な減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものに該当しておらず、特許法第１７条の２第４項に掲げる事項を目的とするものではない。　　
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１６年２月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１、２に係る発明は、平成１５年１１月１７日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】真空容器とその中にプラズマを生成させる手段および該プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と試料台にバイアスを印加するための電源からなり、絶縁膜上のＳｉを主成分とする材料を加工する表面処理装置において、
前記真空容器中にハロゲンガスと、少なくとも酸素あるいは窒素を含むガスを５％から５０％混合させて導入し、かつ、試料台に印加するバイアスを間欠的にオンとオフに制御したことを特徴とする表面処理装置。」
　
２．引用例、及びその記載事項
　原査定に引用された、本願の出願前に国内で頒布された特開平６−１５１３６０号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例（特開平６−１５１３６０号公報）
（１ａ）「【請求項４】反応室と、該反応室内にエッチング加工されるべき試料を保持する手段と、上記反応室内に反応性ガスを含むガスの放電プラズマを発生させる手段と、上記試料に高周波電力を印加する手段とを有するエッチング装置において、上記の高周波電力印加手段によって上記試料に印加される高周波電力の大きさをエッチング加工中に周期的に変化させる手段がさらに付設されてなることを特徴とするエッチング装置。」
（１ｂ）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、低ガス圧での高密度プラズマを用いて、高選択性、高異方性のエッチング加工を行なうことのできるエッチング方法および該方法を実施するための装置に関する。」
（１ｃ）「【０００７】【発明が解決しようとする課題】上記した従来のエッチング方法および装置においては、エッチングイオンの方向性を改善しかつ低エネルギー化を図るために、低ガス圧で高密度プラズマを発生させると共に、イオンを加速するための高周波バイアス電力の大きさを下げることが行なわれてきた。このような従来技術においては、エッチングをアシストするイオンの散乱を低減させてイオンの方向性を向上させると云う点については配慮されているが、イオンの加速電界の均一性の向上および十分なエッチャントの供給と云う点については十分な配慮がなされているとは云えない。このため、例えば溝や孔パターンのエッチング加工に際して、溝や孔の底部へのエッチャントの供給が不足するという現象が生じ、エッチングイオンはほぼ垂直方向に揃って入射しているにも拘らず、高アスペクト比部分でのエッチング速度が低下してエッチング深さが不足するという問題が生じている。この問題は、加工寸法が微細化するにつれてアスペクト比が大きくなっていくので益々重要な課題となってきている。
・・・・・
　【０００９】本発明の目的は、・・・、アスペクト比依存性のない垂直加工形状を与える高精度・高選択性のエッチング方法、およびその方法を実施するのに好適なエッチング装置を提供することである。」
（１ｄ）「【００１７】［実施例１］本実施例は、有磁場マイクロ波エッチング装置において被加工試料に印加する高周波電圧を周期的に変化させながら、試料表面のエッチング加工を行なう方法についてのものである。
・・・・・・
　【００２０】本実施例においては、上記した従来の装置構成に加えて、さらに高周波電力印加電源９からの高周波電力を試料台５を介して試料に印加する経路内に、試料７への高周波電力の印加条件を異なる二つの条件間で断続的に切り換えるためのチョッパ１５が新たに付設され、・・・・・放電管３内に連続して発生維持されているプラズマのプラズマ発生条件（プラズマ密度とＥＣＲポイント）を異なる二状態間で断続的かつ繰返し変化させながら、このプラズマ発生条件の断続的変化に同期してチョッパ１５によって高周波電力印加電源９から試料台５を介して試料７に印加する高周波電力の印加条件を異なる二条件間で断続的かつ繰返し変化させ得るように構成されている。・・・
・・・・・・
　【００２２】本実施例のエッチング方法においては、まず放電管３内のガス圧力が一定に保たれる（図２の（ａ））ように反応性ガスを一定流量で放電管３内に導入しながら、該放電管３内に一定強度のマイクロ波パワーを投入（図２の（ｂ））して、放電管３内にマイクロ波放電プラズマを発生させる。その後、上記プラズマを連続発生（連続放電）させたままの状態で、試料７に印加する高周波電力のＯＮ、ＯＦＦを繰り返す（図２の（ｃ））。これにより、反応種の吸着と反応生成物の脱離とが交互に繰り返される（図２の（ｄ））。
　【００２３】先ず、試料への高周波電力の印加がＯＦＦの周期時間（Ｔoff）においては、イオンシースの厚みは薄く、生成されるエッチングイオンのエネルギーが低いためエッチングは殆ど進行せずに、エッチャント（反応種）の吸着が優先的に行なわれる期間となっており、この期間（Ｔoff）には、試料表面が少なくとも１層以上のエッチャントで覆われる（図３の（ａ）参照）。次に、試料への高周波電力の印加がＯＮとなる周期時間（Ｔon）においては、イオンシースの厚みが厚くなり、エッチングイオンのエネルギーが高くなって、十分なエッチング反応が進行する（図３の（ｂ）参照）。」
（１ｅ）「【００３６】［実施例２］本実施例は、図１に示した装置構成の有磁場マイクロ波エッチング装置を用いて、酸化膜マスクを介して多結晶シリコンをエッチング加工する方法についてのものであり、被加工試料に印加する高周波電力を周期的に断続変化させた場合のもう一つの効果を説明するためのものである。
　【００３７】図７に、本実施例によるエッチング方法の工程図を示す。図７の（ａ）はエッチング前の試料の形状を示し、シリコン基板７１上に熱酸化膜７２を成長させた後、多結晶シリコン７３とシリコン酸化膜７４を堆積し、該シリコン酸化膜７４に孤立パターンを形成してなるものである。この試料をＣｌ２ガスを２０ sccmの流量で導入し、・・・反応室（放電管）内においてエッチングした。図１の装置構成において、試料に印加する高周波電力を断続的に変化させずに、酸化膜７４に対する多結晶シリコン７３のエッチング選択比を高く取るために印加高周波電力の出力を３Ｗ（一定）に設定して多結晶シリコン層７３を連続エッチングすると、エッチング断面形状が図７の（ｂ）に示すように逆テーパ状になる現象が生じた。これは、プラズマと試料表面との間に形成されるイオンシースの平均厚さｄがパターン段差に比べて薄く、加速電界も低いためパターン部分の電界の歪の影響を受けるために生じたと考えられる。この時の多結晶シリコン７３の酸化膜７４に対するエッチング選択比は約３０であった。同様の装置構成を用いて、パターン部分の電界歪の影響を緩和するために、高周波電源の出力を１０Ｗ（一定）に設定して連続エッチングすると、図７の（ｃ）に示すような垂直断面形状が得られるが、この時のエッチング選択比は約１０に低下した。
　【００３８】これに対し、図１の装置構成で、試料への印加高周波電力を０Ｗと１０Ｗとの間で各０．５秒周期で繰り返し切り換えながらエッチングした場合のエッチング断面形状が図７の（ｄ）である。垂直断面形状で、エッチング選択比は約３０となっており、形状、選択比とも改善されている。本実施例では、エッチャントの供給を飽和させてから高エネルギーのイオンを照射するので、効率的なエッチングが進行し、選択比と加工形状が改善されるものと考えられる。
　【００３９】さらに、本実施例では、アスペクト比依存性の殆どないエッチングが達成されるので、オーバーエッチングの時間が少なくてもよいため、下地酸化膜７２の削れが低減できる。」
　
３．当審の判断
３−１．引用例記載の発明
　上記引用例には、摘記（１ｂ）によれば、低ガス圧での高密度プラズマを用いて、高選択性、高異方性のエッチング加工を行なうことのできるエッチング方法を実施するための装置に関することが記載され、摘記（１ｄ）段落【００２０】によれば、高周波電力印加電源９から試料台５を介して試料７に印加する高周波電力の印加条件を異なる二条件間で断続的かつ繰返し変化させ得るように構成され、同段落【００２２】には、試料７に印加する高周波電力のＯＮ、ＯＦＦを繰り返すことが記載されている。
　更に、摘記（１ｅ）段落【００３６】には、［実施例２］として、有磁場マイクロ波エッチング装置を用いて、酸化膜マスクを介して多結晶シリコンをエッチング加工する方法、及び被加工試料に印加する高周波電力を周期的に断続変化させた場合のもう一つの効果について記載され、同段落【００３７】には、シリコン基板上に熱酸化膜を成長させた後、多結晶シリコンとシリコン酸化膜７４を堆積し、該シリコン酸化膜７４に孤立パターンを形成するもので、この試料をＣｌ２ガスを導入した反応室（放電管）内においてエッチングしたこと、高周波電源の出力を１０Ｗ（一定）に設定して連続エッチングすると、垂直断面形状が得られるが、この時のエッチング選択比は約１０に低下したことが記載され、同段落【００３８】には、試料への印加高周波電力を０Ｗと１０Ｗとの間で各０．５秒周期で繰り返し切り換えながらエッチングした場合、エッチング断面形状は垂直断面形状で、エッチング選択比は約３０となっており、形状、選択比とも改善されていることが記載されている。
　このことは、試料への高周波電源の出力を１０Ｗ（一定）に設定して連続エッチングすると、エッチング選択比は約１０であるが、０Ｗと１０Ｗとの間で各０．５秒周期で繰り返し切り換えながらエッチングした場合、エッチング断面形状は垂直断面形状で、エッチング選択比は約３０となり、試料への印加高周波電力を周期的にオンとオフすると選択比は向上することが理解できる。
　そこで、摘記（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、引用例には次の発明が記載されていることになる。
　「反応室と、該反応室内にエッチング加工されるべき試料を保持する手段と、上記反応室内に反応性ガスを含むガスの放電プラズマを発生させる手段と、上記試料に高周波電力印加電源から試料台を介して試料に高周波電力を印加する手段とを有し、熱酸化膜上の多結晶シリコンをエッチングするエッチング装置において、前記反応室中にＣｌ２ガスを導入し、上記の高周波電力印加手段によって上記試料に印加される高周波電力の大きさをエッチング加工中に周期的にオンとオフに変化させる手段がさらに付設されてなるエッチング装置。」（以下、「引用例発明」という。）
　　                  
３−２．対比・判断
　そこで、本願発明と引用例発明とを対比する。
　引用発明の「反応室」、「高周波電力印加電源」、「熱酸化膜」、「多結晶シリコン」、「エッチング装置」は、それぞれ順に本願発明の「真空容器」、「バイアスを印加するための電源」、「絶縁膜」、「Ｓｉを主成分とする材料」、「表面処理装置」に相当し、引用例発明の「高周波電力の大きさを・・・周期的にオンとオフに変化させる手段」は、試料台に印可する電力を間欠的にオンとオフに制御しているといえる。
　そうすると、両者は、「真空容器とその中にプラズマを生成させる手段および該プラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と試料台にバイアスを印加するための電源からなり、絶縁膜上のＳｉを主成分とする材料を加工する表面処理装置において、
前記真空容器中にハロゲンガスを導入し、かつ、試料台に印加するバイアスを間欠的にオンとオフに制御した表面処理装置。」で一致しているものの、次の点で相違している。
　
相違点：導入するガスを、本願発明が、ハロゲンガスと、少なくとも酸素あるいは窒素を含むガスを５％から５０％混合させているのに対して、引用例発明では、Ｃｌ２ガスとしている点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用例発明は、アスペクト比依存性のない垂直加工形状を与える高精度・高選択性のエッチングを実施するのに好適なエッチング装置を提供することを目的とし（摘記事項（１ｃ）段落【０００９】）、多結晶シリコンの酸化膜に対するエッチング選択比を高くすること（摘記事項（１ｅ））を達成しようとするものである。
　そして、酸化膜に対してＳｉを主成分とする材料を高選択比でエッチング処理するために、ハロゲンガスと、酸素あるいは窒素を含むガスを５％から５０％混合させたガスを用ることは、次に例示するように従来から周知の技術である。
　周知例１：特開平９−１７７７１号公報（段落【００１０】、【００４６】に酸素ガスを１０％添加すること、【００４７】、【００５０】にハロゲン化ガスとして塩素のみでよいこと等参照）   
　周知例２：特開平４−２９０４３０号公報（請求項１、段落【０００５】、【００１０】に窒素、酸素ガスを一定量添加すること、【００１９】等参照）
　周知例３：特開平２−８９３１０号公報（請求項１、１頁右下欄末行〜２頁左上欄４行、４頁右下欄１〜４行等参照）   
　そうすると、引用例発明における試料に印可するバイアスを間欠的にオンとオフに制御するエッチング装置において、印可するバイアスを間欠的にオンとオフに制御したときの上記した約３０の選択比をさらに向上させようとすることも当然のことであって、使用するＣｌ２ガスを周知であるハロゲンガスと、酸素あるいは窒素を含むガスを５％から５０％混合させたガスを用ることは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明における効果も、引用例の記載および上記周知技術に基いて予測し得る程度のもので格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、引用例発明および上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
IV．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用例発明および上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。