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　特願２００４−３３１６１９「磁気式位置検出装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月　８日出願公開、特開２００６−１４５２２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１６年１１月１６日の出願であって、平成１９年６月１３日付け（発送日同年６月１５日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年７月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１９年７月９日付けの手続き補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成１９年７月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の
　
「【請求項１】
　異なる磁極を交互に配置した着磁面に対向して配置され、着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる一方及び他方の磁気抵抗回路と、各磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と、出力端子とを備え、一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し、一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあり、一方及び他方の磁気抵抗回路うちの少なくとも一方の磁気抵抗回路を構成する磁気抵抗素子は基準磁気抵抗素子と基準磁気抵抗素子から（λ／ｎ）及び（λ／２ｍ）ずらして配置した補正用磁気抵抗素子を有し、λは着磁面の磁極の並び方向における磁極の巾であり、ｎは０を除く偶数、ｍは１を除く奇数であり、一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とは、出力波形の位相差を９０°ずらしていることを特徴とする磁気式位置検出装置。」
　
を、
　
「【請求項１】
異なる磁極を交互に配置した着磁面に対向して配置され、着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる一方及び他方の磁気抵抗回路と、各磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と、出力端子とを形成したパターン回路において、一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し、一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあり、一方及び他方の磁気抵抗回路うちの少なくとも一方の磁気抵抗回路を構成する磁気抵抗素子は基準磁気抵抗素子と基準磁気抵抗素子から（λ／ｎ）及び（λ／２ｍ）ずらして配置した補正用磁気抵抗素子を有し、λは着磁面の磁極の並び方向における磁極の巾であり、ｎは０を除く偶数、ｍは１を除く奇数であり、一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とは、出力波形の位相差を９０°ずらしていることを特徴とする磁気式位置検出装置。」
　
と補正することを含むものである。
　
　上記補正は、補正前の請求項１における「とを備え、」を「とを形成したパターン回路において、」とし、回路が、パターンに形成されることを限定するものであるから、
　平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項により、なお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前である平成１４年７月２６日に頒布された特開２００２−２０６９５０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　
（１−１）
【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、外部磁界の変化を電気信号に変換する磁気センサーに関する。特に回転検出や位置検出に用いられる磁気センサーであって、小径の磁気ドラムに対応した磁気センサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気センサーは、外部磁界の変化を電気信号に変換するために、磁性体薄膜の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と称する）を用いて磁界強度を測定する。磁気センサーのＭＲ膜の配置は、磁気ドラムの磁界ピッチλに対応した所定の間隔でＭＲ膜を配置されている。図７に従来の磁気センサーの一例を示す。この磁気センサーはＭＲ膜を所定間隔で配置した感磁部１３１を有する基板１３２と、基板の端子部１３４でＭＲ膜に導通するＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）１３３を備える。感磁部１３１は間隔（ギャップ）をおいて磁気ドラム１３０と対向させる。図示は省略したが、基板１３２上には各々のＭＲ膜から端子に引き回される配線やそれらを覆う保護膜等を備える。」
　
（１−２）
「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施形態に係る磁気センサーを説明する。
（実施形態１）図１は４層のＭＲ膜を基板７上に積層した磁気センサー１を説明する断面図と平面図である。」
　
（１−３）
「【００２２】図３の概略図に図１及び図２のＭＲ膜と磁気ドラムの着磁ピッチの関係を示す。ＭＲ膜１１，１２，１３，１４は膜面を磁気ドラム８の表面に対し垂直にして配列されている。着磁ピッチλに対して、ＭＲ膜の膜面の寸法は、ＭＲ膜の長さＬ＝２ｍｍ、ＭＲ膜のパターン幅Ｗ＝１５μｍとした。ＭＲ膜の厚さは０．１μｍとし、ＭＲ膜の膜面寸法に比べて小さくした。なお、絶縁層や保護膜はまとめて絶縁層２７として表示した。配線膜や基板等の構成は図示を省略した。」
　
（１−４）
「【００２７】（実施形態３）図６は本発明の他の実施形態に係る磁気センサーの概略図である。この構成は磁気センサーの出力信号を増大させるために、ＭＲ膜の積層数を多くしたものである。ＭＲ膜の間隔を狭くすることで基板上に形成した総膜厚を抑制することができた。総膜厚は実施形態１と同等になった。
【００２８】図６中の（ａ）は、ＭＲ膜を８層にした磁気センサーの断面図である。基板７上に絶縁層４を介して８層のＭＲ膜を積層し、保護膜５を被覆した。基板７と絶縁層４と保護膜５の側面で媒体対向面６を構成し、磁気ドラム８と対向させた。各々のＭＲ膜は媒体対向面６から離して絶縁層５中に配置した。ＭＲ膜は、０．１λの間隔と０．１５λの間隔を交互に繰り返して、ＭＲ膜５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂを積層した。すなわち、４層のＭＲ膜５１ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａをλ／４間隔で配置し、これら４層のＭＲ膜に対して間隔λ／１０で対になるＭＲ膜５１ｂ，５２ｂ，５３ｂ，５４ｂを配置した。なお、配線膜や電極膜の図示は省略した。
【００２９】次に、図６中の（ｂ）で（ａ）の等価回路を説明する。各々のＭＲ膜から配線膜を引き出して、ＭＲ膜５１ａ、５２ａ、５３ｂ、５４ｂは電源Ｖｃｃに相当する電極膜に配線膜を介して接続した。ＭＲ膜５１ｂ、５２ｂ、５３ａ、５４ａは接地電位ＧＮＤとなる電極膜に配線膜を介して接続した。ＭＲ膜５１ａ及び５３ａは出力電極Ａとなる電極膜に配線膜を介して接続した。ＭＲ膜５１ｂ及び５３ｂは出力電極Ａ′となる電極膜に配線膜を介して接続した。ＭＲ膜５２ａ及び５４ａは出力電極Ｂとなる電極膜に配線膜を介して接続した。ＭＲ膜５２ｂ及び５４ｂは出力電極Ｂ′となる電極膜に配線膜を介して接続してＡＢ相の磁気センサーを得ることができた。」
　
が記載されている。
　
　したがって、これらの記載事項によると、引用例１には、次のとおりの発明
　
「異なる磁極を交互に配置した磁気ドラム８の表面（着磁面に相当。）に対向して配置され、磁気ドラム８の表面（着滋面に相当）の磁界強度に応じた電流を出力する複数のMR膜５１ａ、５２ａ、５３ａ、５４ａ、５１ｂ、５２ｂ、５３ｂ、５４ｂ（磁気抵抗素子に相当。）からなるA相のMR膜５１ａ、５３ａ、５３ｂ、５１ｂ（１方に相当。）及びB相のMR膜５２ａ、５４ａ、５４ｂ、５２ｂ（他方の磁気抵抗回路に相当。）と、各相のMR膜（各磁気抵抗回路に相当。）に設けた電源Vｃｃに相当する電極膜及び接地電位GNDとなる電極膜（電力供給端子に相当。）と、出力電極A、A'、B、B'（出力端子に相当。）とを形成した、磁気ドラム８の表面に対し垂直にして配列された回路（回路に相当。）において、A相のMR膜５１ａ、５３ａ、５３ｂ、５１ｂ（１方に相当。）及びB相のMR膜５２ａ、５４ａ、５４ｂ、５２ｂ（他方の磁気抵抗回路に相当。）はA相のMR膜５１ａと５３ａ、５３ｂと５１ｂそしてB相のMR膜５２ａと５４ａ、５４ｂと５２ｂ（各々磁気抵抗素子に相当。）が直列に接続してあり且つMR膜５１ａ、５３ａ、５３ｂ、５１ｂ、５２ａ、５４ａ、５４ｂ、５２ｂ（各磁気抵抗素子に相当。）の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し、A相のMR膜５１ａ、５３ａ、５３ｂ、５１ｂ（１方の磁気抵抗回路に相当。）のMR膜５１ａ、５１ｂとMR膜５３ａ、５３ｂとの間に（磁気抵抗素子間に相当。）B相のMR膜５２ａ、５４ａ、５４ｂ、５２ｂ（他方の磁気抵抗回路に相当。）のMR膜５２ａ、５２ｂ（磁気抵抗素子に相当。）が配置してあり、A相のMR膜５１ａ、５３ａ、５３ｂ、５１ｂ、（１方に相当。）及びB相のMR膜５２ａ、５４ａ、５４ｂ、５２ｂ （他方の磁気抵抗回路に相当。）うちのA相のMR膜５１ａ、５３ａ、５３ｂ、５１ｂ、（少なくとも一方の磁気抵抗回線に相当。）を構成するMR膜５１ａ、５３ａ、５３ｂ、５１ｂ（磁気抵抗素子に相当。）はMR膜５１ａ（基準磁気抵抗素子に相当。）とMR膜５１ａ （基準抵抗素子に相当。）から（λ／２）（λ／ｎに相当）及び（λ／２・５）（λ／２ｍに相当。）ずらして配置したMR膜５３ａ、５１ｂ（補正用磁気抵抗素子に相当。）を有し、λ（λに相当。）は磁気ドラム８の表面（着滋面に相当。）の着滋ピッチ（磁極の並び方向における磁極の巾に相当。）であり、２（ｎに相当。）は０を除く偶数、５（ｍに相当。）は１を除く奇数であり、A相のMR膜５１ａ、５３ａ、５３ｂ、５１ｂ、（１方の磁気抵抗回路に相当。）とB相のMR膜５２ａ、５４ａ、５４ｂ、５２ｂ、（他方の磁気抵抗回路に相当。）とは、出力波形の位相差をλ／４（９０゜に相当。）ずらしていることを特徴とする位置検出に用いられる磁気センサー（磁気式位置検出装置に相当。）」（以下、これを「引用例１に記載された発明」という。）
　
が記載されていると認める。
　
（２）対比・判断
　本件補正発明１と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１に記載された発明における「磁気ドラム８の表面」、「ＭＲ膜５１ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａ，５１ｂ，５２ｂ，５３ｂ，５４ｂ」、「Ａ相のＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ」、「Ｂ相のＭＲ膜５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ」、「各相のＭＲ膜」、「電源Ｖｃｃに相当する電極膜及び接地電位ＧＮＤとなる電極膜」　「出力電極Ａ，Ａ’，Ｂ，Ｂ’」、「回路」は、それぞれ、
　本件補正発明１における「着磁面」、「磁気抵抗素子」、「１方」、「他の磁気抵抗回路」「各磁気抵抗回路」、「電力供給端子」、「出力端子」、「回路」に相当する。
　また、引用例１に記載された発明における「Ａ相のＭＲ膜５１ａと５３ａ，５３ｂと５１ｂそしてＢ相のＭＲ膜５２ａと５４ａ，５４ｂと５２ｂ」、「ＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ，５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ」、「ＭＲ膜５１ａ，５１ｂとＭＲ膜５３ａ，５３ｂとの間に」、「ＭＲ膜５２ａ，５２ｂ」「Ａ相のＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ」「ＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ」「ＭＲ膜５１ａ」、「λ／２」、「λ／２・５」、「ＭＲ膜５３ａ，５１ｂ」、「λ」、「着磁ピッチ」、「２」、「５」、「λ／４」、「位置検出に用いられる磁気センサー」は、それぞれ、
　本件補正発明１における「各々磁気抵抗素子」、「各磁気抵抗素子」、「磁気抵抗素子間に」、「磁気抵抗素子」、「少なくとも一方の磁気抵抗回路」、「磁気抵抗素子」、「基準磁気抵抗素子」、「λ／ｎ」、「λ／２ｍ」、「λ」、「補正用磁気抵抗素子」、「磁極の並び方向における磁極の巾」、「ｎ」、「ｍ」、「９０°」、「磁気式位置検出装置」に相当する。
　
　したがって、両者は、
【一致点】
「異なる磁極を交互に配置した着磁面に対向して配置され、着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる一方及び他方の磁気抵抗回路と、各磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と、出力端子とを形成した回路において、一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し、一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあり、一方及び他方の磁気抵抗回路うちの少なくとも一方の磁気抵抗回路を構成する磁気抵抗素子は基準磁気抵抗素子と基準磁気抵抗素子から（λ／ｎ）及び（λ／２ｍ）ずらして配置した補正用磁気抵抗素子を有し、λは着磁面の磁極の並び方向における磁極の巾であり、ｎは０を除く偶数、ｍは１を除く奇数であり、一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とは、出力波形の位相差を９０°ずらしていることを特徴とする磁気式位置検出装置。」
で一致し、
　
【相違点１】
「本件補正発明１では、回路が、パターン回路であるのに対して、引用例１に記載された発明では、回路が、磁気ドラム８の表面に対し垂直にして配列された回路である点」
で相違する。
　
　そこで、上記【相違点１】について検討する。
上記（１−１）に記載されているように、回路を図７に示されるようなＭＲ膜を所定間隔で配置したパターン回路とすることは、従来から行われていたこと（周知）であるから、
　引用例１に記載された発明において、その磁気ドラム８の表面に対して垂直にして配置された回路を、図７に示されるようなパターン回路とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本件補正発明１の効果は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が予測可能な範囲のものである。
　
　したがって、本件補正発明１は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
 ３．本願発明について
　平成１９年７月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年５月８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】
　異なる磁極を交互に配置した着磁面に対向して配置され、着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる一方及び他方の磁気抵抗回路と、各磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と、出力端子とを備え、一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し、一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあり、一方及び他方の磁気抵抗回路うちの少なくとも一方の磁気抵抗回路を構成する磁気抵抗素子は基準磁気抵抗素子と基準磁気抵抗素子から（λ／ｎ）及び（λ／２ｍ）ずらして配置した補正用磁気抵抗素子を有し、λは着磁面の磁極の並び方向における磁極の巾であり、ｎは０を除く偶数、ｍは１を除く奇数であり、一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とは、出力波形の位相差を９０°ずらしていることを特徴とする磁気式位置検出装置。」
　
（１）引用例記載の発明
　引用例に記載の発明は、前記「２．（１）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明１は、実質、前記「２．」で検討した本件補正発明１から、「とを形成したパターン回路において、」を削除し、「とを備え、」としたものである。
　そうすると、本願発明１の構成を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明１が、前記「２．（２）」に記載したとおり引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、本件補正発明１についての判断で示したのと同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。