【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凸形状の反射率の高い領域とからなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、前記積層構造体中に、バンド間吸収を生じる吸収層が設けられていることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記吸収層の吸収係数は、前記波長λに対して５０００ｃｍ−１以上であることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記吸収層が、前記積層構造体において真ん中に積層されている層よりも表面側で、且つ、最表面の層以外の層に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記吸収層が、前記積層構造体の表面側から５ペア以内に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記吸収層は、前記多層膜反射鏡の表面側からみて、前記多層膜反射鏡における高屈折率層から低屈折率層へ移る界面に、該吸収層の一部が含まれるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記上部反射ミラーの光出射部における前記凸形状が、選択エッチングによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
前記吸収層が、少なくともＡｌを含まない半導体層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項８】
請求項１に記載の面発光レーザを複数個配置して構成されている面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする光学機器。
【請求項９】
基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、
前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体に光を照射することによって反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記積層構造体の表面層の厚さを調整する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
【請求項１０】
前記吸収層の吸収係数は、波長λに対して５０００ｃｍ−１以上であることを特徴とする請求項９に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１１】
基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、
前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体の表面に半導体層を形成する工程と、
前記積層構造体の表面に形成された半導体層に光を照射することにより、反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記半導体層の厚さを調整する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
【請求項１２】
前記吸収層の吸収係数は、前記波長λに対して５０００ｃｍ−１以上であることを特徴とする請求項１１に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１３】
前記吸収層を形成するに際し、該吸収層を前記積層構造体において真ん中に積層されている層よりも表面側で、且つ、最表面の層以外の層に形成する工程を有することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１４】
前記吸収層を形成するに際し、該吸収層を前記積層構造体の表面側から５ペア以内に形成する工程を有することを特徴とする請求項１１または請求項１３に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１５】
前記吸収層を形成するに際し、前記多層膜反射鏡の表面側からみて、前記多層膜反射鏡における高屈折率層から低屈折率層へ移る界面に、
前記吸収層の一部が含まれるように形成する工程を有することを特徴とする請求項１１または請求項１３に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１６】
前記上部反射ミラーの光出射部における前記凸形状を形成するに際し、該凸形状を選択エッチングを用いて形成する工程を有することを特徴とする請求項１１または請求項１３に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１７】
請求項１１または請求項１３に記載の面発光レーザの製造方法による面発光レーザを複数個配置することを特徴とする面発光レーザアレイの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、高精度な層厚制御を行うことができ、再現性かつ均一性良くシングルモード動作することが可能となる凸型の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、上記面発光レーザの製造方法による面発光レーザで構成される面発光レーザアレイの製造方法、およひ面発光レーザアレイを備えている光学機器を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、つぎのように構成した面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器を提供するものである。
本発明の面発光レーザは、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凸形状の反射率の高い領域とからなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、前記積層構造体中に、バンド間吸収を生じる吸収層が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の光学機器は、上記した面発光レーザを複数個配置して構成されている面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、
前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体に光を照射することによって反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記積層構造体の表面層の厚さを調整する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが順次積層され、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を形成し、波長λで発振する面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、  前記上部反射ミラーとして、複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡を形成する際に、バンド間吸収を生じる吸収層を、前記積層構造体中に形成する工程と、
前記吸収層を形成する工程の後で、且つ、前記多層膜反射鏡を形成し終える前に、前記積層構造体の表面に半導体層を形成する工程と、
前記積層構造体の表面に形成された半導体層に光を照射することにより、反射スペクトルを測定する工程と、
前記反射スペクトルを測定する工程において得られたブロードなディップ波長を測定する工程と、
前記ディップ波長に基づいて、前記半導体層の厚さを調整する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザアレイの製造方法は、上記したいずれかに記載の面発光レーザの製造方法による面発光レーザを複数個配置することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、高精度な層厚制御を行うことができ、再現性かつ均一性良くシングルモード動作することが可能となる凸型の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザおよびその製造方法を実現することができる。
また、本発明によれば、上記面発光レーザの製造方法による面発光レーザで構成される面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器を実現することができる。