【事件の表示】
　特願２００３−５７０３４３「相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年８月２８日国際公開、ＷＯ０３／７１５３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１４年（2002年）１２月５日（優先権主張　平成14年2月25日）を国際出願日とする出願であって、請求項１に係る発明は、平成１８年９月１１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、組成のずれが±１．０ａｔ％以下であり、かつターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５であり、ターゲットの平均結晶粒径が５０μｍ以下、相対密度が９０％以上、副成分として遷移金属、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫から選択した１種以上を含有し、ガス成分を除く純度が９９．９９５ｗｔ％以上であり、ガス成分である炭素、窒素、酸素、硫黄の総量が７００ｐｐｍ以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット。」
　
２．当審が通知した拒絶理由
　当審は平成２１年５月２６日付けで次の拒絶理由を通知した。
　
　「ターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５」であることは、本願請求項１に係る発明を特定するために必要な事項であるところ、発明の詳細な説明にかかる事項は記載されていない。
　実施例１において、ゲルマニウムは「主成分を除く成分元素」であるが、表２には５箇所から採取したサンプルにおける目標組成からのずれ（ａｔ％）の平均値が記載されているに過ぎず、Ａｉ及びＡに相当する数値は記載されていない。
　したがって、実施例1のターゲットがゲルマニウムについて｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５の条件を満たしていることは記載されていない。実施例２についても同様である。
　よって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
３．当審の判断
　上記拒絶理由について検討する。
　本願明細書には、「ターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５」である点について、次のとおり記載されている。（記載箇所は、本願に関する国際公開パンフレットにおける記載箇所で示す。
下線
　
　ア．「２．３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、ターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜
３．３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、ターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５であることを特徴とする上記１記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜」（4ページ18〜29行）
　イ．「また、さらにターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５とした相変化型メモリー用スパッタリングターゲットである。
　本発明の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットは、副成分として遷移金属、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫から選択した１種以上を含有する。
　これによって、該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜は、ターゲットの組成ずれ及び組成偏析が減少し、結果として目標とする組成の精度が向上し、再現性が良好となり、書き換え特性及び結晶化速度を著しく向上させることが可能となった。」（7ページ1〜13行）
　ウ．「（実施例１）
高純度化した５Ｎレベルの塊状ゲルマニウム、アンチモン及びテルルを、ゲルマニウム２２．２ａｔ％、アンチモン２２．２ａｔ％、テルル５５．６ａｔ％となるように調合し、石英坩堝の中に入れ、真空に引きながら封止し、Ａｒ雰囲気中９００°Ｃで溶解した。
　溶解後のインゴットを、ボールミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、粉砕後の材料をホットプレスし、さらに成形してスパッタリングターゲットとした。
　表１に示すように、不純物はアルカリ金属及びアルカリ土類金属の総計が１０ｐｐｍ以下であり、成分元素以外の不純物金属元素については１５ｐｐｍ以下であり、炭素成分は１０ｐｐｍ以下、窒素成分は２００ｐｐｍ以下、酸素成分は１００ｐｐｍ以下、硫黄成分は１０ｐｐｍ以下であった。ターゲット内より採取したバルクの組織観察をしたところ、平均結晶粒径は３０μｍであった。
　
このターゲットの５箇所から採取したサンプルを組成分析したところ、表２に示すように、ゲルマニウム、アンチモン、テルルの目標成分に対する組成のずれ（５箇所の平均値）は、−０．１ａｔ％，−０．２ａｔ％，＋０．３ａｔ％であり、いずれも本発明の条件を満たしていた
（実施例２）
高純度化した５Ｎレベルの塊状の銀、インジウム、アンチモン、テルルの原料を、銀５ａｔ％、インジウム５ａｔ％、アンチモン６０ａｔ％、テルル３０ａｔ％となるように調合し、石英坩堝に入れ真空に引きながら封止し、Ａｒ雰囲気中１１００°Ｃで溶解した。
溶解後のインゴットをアルミナのボールミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、粉砕後の材料をホットプレスし、さらに成形してスパッタリングターゲットとした。
　表１に示すように、成分以外の金属元素は１０ｐｐｍ以下であり、炭素成分は１０ｐｐｍ、窒素成分は３００ｐｐｍ、酸素成分は３００ｐｐｍ以下、硫黄成分は１０ｐｐｍ以下であった。ターゲット内より採取したバルクの組織観察をしたところ、平均結晶粒径は３０μｍであった。
　また、
このターゲット内の５箇所から採取したサンプルを組成分析したところ、表３に示すように、銀、インジウム、アンチモン、テルルの目標成分に対する組成のずれ（５箇所の平均値）は、それぞれ−０．１ａｔ％，＋０．１ａｔ％，＋０．３ａｔ％，−０．３ａｔ％であり、いずれも本発明の条件を満たしていた。
　エ．「（比較例１）
　高純度化した５Ｎレベルの塊状
ゲルマニウム、アンチモン及びテルル
　溶解後炉壁にアンチモン、テルル系の蒸着物が確認された。溶解後のインゴットを、アルミナのボールミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、粉砕後の材料をホットプレスし、さらに成形してスパッタリングターゲットとした。
　表１に示すように、成分元素以外の不純物金属元素については約９０ｐｐｍであり、炭素成分は５００ｐｐｍ、窒素成分は３００ｐｐｍ、酸素成分は５００ｐｐｍ、硫黄成分は５０ｐｐｍであった。ターゲット内より採取したバルクの組織観察をしたところ、平均結晶粒径は６０μｍであった。
　このターゲットの５箇所から採取したサンプルを組成分析したところ、表４に示すように、
銀、ゲルマニウム，アンチモン，テルルの目標成分に対する組成のずれ（５箇所の平均値）は、それぞれ＋０．５ａｔ％，＋０．７ａｔ％，−１．２ａｔ％，−２．０ａｔ％であり
　
　ところで、実施例１についてみると、ゲルマニウムは副成分であって「主成分を除く各成分元素」に該当するから、実施例１が本願発明の実施例であるなら、ゲルマニウムについては、ターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）における｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５であることが記載されてしかるべきである。
　しかしながら、実施例１においてゲルマニウムについては、５箇所から採取したサンプルの
平均値の目標成分からのずれが−０．１at％
各サンプルにおける組成値Ａｉ（wt％）及び平均値Ａ（wt％）
　また、実施例２についてみると、銀及びインジウムは副成分であって「主成分を除く各成分元素」に該当するが、実施例１と同様に、５箇所から採取したサンプルの平均値の目標成分からのずれがそれぞれ−０．１at％であったことが記載されているにとどまり、各サンプルにおける元素の組成値Ａｉ（wt％）及び平均値Ａ（wt％）は記載されておらず、実施例２のものが本願発明の条件を満たしているか不明である。
　
　したがって、本願発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　
　この点について、請求人は意見書において
　「４．次に、構成要件である「ターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５である」ですが、これはターゲット内での成分偏析を抑制して極力均一な成膜を行うための要件です。前者の「基本要件」に比べますと、重要度はやや低いと言えます。
　これは、むしろターゲット内の均一性の問題ですから、ターゲットを構成する化学成分（材料）によって直接影響するもの、すなわち揮発性が高く、目標組成からずれてしまうという現象とは直接関係しません。
　重要な構成要件ではありますが、相変化型メモリー用薄膜への影響度は、やや低いと考えるべきものです。また、実施例や比較例だけが、発明の説明にはならないと考えます。
　すなわち明細書全体から把握されるべきものです。この｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５とすることの目的と効果については、明細書に記載していますので、十分な説明がなされていると考えます。
　したがって、実施例及び比較例にこの点の記載がないということが、本願発明を否定するほどの記載不備にはならないと考えます。」と主張している。
　
　しかし、「ターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、Ａ−Ａｉ｜≦０．１５である」とは
ターゲット内での成分偏析を抑制
　そして、本願明細書の発明の詳細な説明において、どのようにすれば、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５との条件を満足するターゲットを製造することができるのか、また、かかる条件を満たすか否かで、ターゲットあるいは該ターゲットを使用して製造された相変化型メモリー用薄膜の特性にいかなる影響が生ずるのか等については、上記のとおり、実施例及び比較例にとどまらず、発明の詳細な説明の記載事項を総合的に判断しても、その数値限定の根拠について記載されているということはできない。
　そうすると、本願発明を特定する事項である「ターゲット内の任意の個所から採取した２個以上の各サンプル（ｉ＝２，３，４・・・）において、主成分を除く各成分元素の組成Ａｉ（ｗｔ％）の平均値をＡ（ｗｔ％）とした場合、｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５である」ことについて、発明の詳細な説明に記載されいないのであるから、本願発明が発明の詳細な説明に記載された発明であるとすることはできない。
　しかも、本願発明における「｜Ａ−Ａｉ｜≦０．１５（wt％）」との要件は、主成分についての組成のずれが±１．０ａｔ％以下という要件に比べて、はるかに厳格なものであり、「重要度はやや低い」、「相変化型メモリー用薄膜への影響度は、やや低い」との主張は、請求項の記載と整合しない。
　
　したがって、上記請求人の主張を採用することはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものではない。
　したがって、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、拒絶すべきである。
　よって、結論のとおり審決する。