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　特願２００１−１７７１３４「薄膜磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月２０日出願公開、特開２００２−３６７１１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
 　本願は、平成１３年６月１２日の出願であって、拒絶理由通知に対して平成１６年９月２１日付けで手続補正がされたが、その後、平成１６年１１月９日付けで拒絶査定がされ、これに対して平成１６年１２月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年１月１７日付けで手続補正がされたものである。
　
　
第２　平成１７年１月１７日付け手続補正についての補正却下の決定 
　 
 ［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年１月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
 ［理由］ 
１．本件補正 
 　本件補正は、特許請求の範囲について、補正前に、
 （ａ）
「【請求項１】第１の磁性膜と、この第１の磁性膜上にギャップ膜を介して形成された第２の磁性膜とからなる書き込み磁極部を具えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記書き込み磁極部を形成した後に、ミリング処理による切削前に前記書き込み磁極部の幅をモニタリングする工程と、
　前記モニタリングにより得た情報に基づいて前記書き込み磁極部の切削幅を決定し、前記書き込み磁極部に対して前記ミリング処理を行うことにより、前記書き込み磁極部の幅を規定する工程とを具えることを特徴とする、薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】前記モニタリングと前記ミリング処理とを、連続させて複数回実施することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】前記書き込み磁極部の前記幅のモニタリングは、前記書き込み磁極部に対して収束イオンビームを照射して行うことを特徴とする、請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】前記ミリング処理は、前記薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、前記書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなすように往復回転をさせながら行なう第１のミリング処理方法、前記薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、前記書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなす状態で、それぞれ一定時間固定して行なう第２のミリング処理、及び前記薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、前記書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸を中心として、一方向に連続的に回転させながら行なう第３のミリング処理の、少なくとも一つを用いて行なうことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
とあったところを、 
 　 
（ｂ）
「【請求項１】第１の磁性膜と、この第１の磁性膜上にギャップ膜を介して形成された第２の磁性膜とからなる書き込み磁極部を具えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記書き込み磁極部を形成した後に、ミリング処理による切削前に前記書き込み磁極部の幅をモニタリングする工程と、
　前記モニタリングにより得た情報に基づいて前記書き込み磁極部の切削幅を決定し、前記書き込み磁極部に対して前記ミリング処理を行うことにより、前記書き込み磁極部の幅を規定する工程とを具え、
　
前記ミリング処理は、前記薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、前記書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなすように往復回転をさせながら行なう第１のミリング処理方法、前記薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、前記書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなす状態で、それぞれ一定時間固定して行なう第２のミリング処理、及び前記薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、前記書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸を中心として、一方向に連続的に回転させながら行なう第３のミリング処理の、少なくとも一つを用いて行い、
　
ロット間における前記薄膜磁気ヘッドの前記書き込み磁極幅の均一性を向上させるようにした
【請求項２】前記モニタリングと前記ミリング処理とを、連続させて複数回実施することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】前記書き込み磁極部の前記幅のモニタリングは、前記書き込み磁極部に対して収束イオンビームを照射して行うことを特徴とする、請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
と補正しようとするものである。
　
　すると、本件補正は、概略、補正前の請求項１に記載された発明を特定する「ミリング処理」について、補正前の請求項４に記載された事項とともに「ロット間における薄膜磁気ヘッドの書き込み磁極幅の均一性を向上させるようにした」との限定を加えるものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、上記（ｂ）に記載した、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについて、以下に検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−３５３６１８号公報（以下、「引用例」という。）には、磁気ヘッド及びその製造方法について、図面と共に以下の技術事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
　
ア．「【０００３】このような１μｍ以下の狭トラック幅の磁気ヘッドを実現しようとすると、通常のリソグラフィ技術では、
磁気ヘッド素子を形成する工程、
【０００４】また、このような高記録密度を実現するには、記録にじみの少ないよく確定された記録トラックを記録媒体上に形成することが必須となり、
記録ヘッドとしてはトラック幅寸法が精度良く形成され
　
イ．「【００１６】
スロートハイト部とは、一般に言われているように、磁気コアのエアベアリング面位置から、上部磁気コアと下部磁気コアを磁気ギャップの厚さ以上に上下に隔離している層間絶縁膜の先端位置まで
【００１７】また、上記第２の目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
再生ヘッドに隣接して記録ヘッドを配置し、再生ヘッドの一方の磁気シールド膜と記録ヘッドの一方の磁気コアとを非磁性膜で分離して磁気的結合を遮断した磁気ヘッドの製造方法であって、記録ヘッドの磁気コアパターンを形成し、集束イオンビームを用いてこの磁気コアのポールハイト部の一部分をエッチングし、スロートハイト部を所望の幅に加工する
　
ウ．「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。図１は、本発明の一実施例の録再分離ヘッドの媒体浮上面の形状を示す図である。
基板１１の上に、下地膜１２、下部磁気シールド膜１３、下部ギャップ膜１４、ＭＲセンサ膜１５、電極膜１６、上部ギャップ膜１７、上部磁気シールド膜１８が形成され、これらの構造及び製造方法は、従来のＭＲヘッドの構造及び製造方法と同じ
上部磁気シールド膜１８を形成後、分離膜１９及び下部磁気コア２０を個別のパターン幅で順次積層して形成
【００２１】分離膜としては、非磁性材料であるＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、ＮｉＣｕ等の金属若しくは合金膜又はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の酸化物膜を用い、膜厚は磁気的に分離させるための必要な厚さである０．２〜１μｍとし、下部磁気コアは、上部磁気シールド膜と同一の大きさにするか又は所望のトラック幅寸法より１〜２μｍ大きく形成しておく。上部磁気シールド膜１８には磁歪定数が零近傍の組成のＮｉＦｅ膜を用い、膜厚は１〜２μｍとする。一方、下部磁気コアには１．５テスラ以上の高飽和磁束密度を有する材料、例えば、４５％Ｎｉ−Ｆｅ、ＣｏＮｉＦｅ、Ｆｅ系合金膜等を用い、膜厚は１〜３μｍとする。
【００２２】次に
ギャップ膜２１、コイル（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、上部磁気コア２２と順次積層形成する。
　
エ．「【００２５】図３は、
集束イオンビームを照射する際のトラック幅方向のビームの位置決めを示した図で、イオンビーム照射領域３０の幅Ｗは上部磁気コアのパターンエッジを包含するように設定し
【００２６】
イオンビームの位置決めに際しては、まず図４及び図５の磁気ヘッドの平面図に示すように、スロートハイト部を中心にしてイオンビームを走査させて２次イオン像を取込み、
所望の寸法Ｔｗが得られるよう位置決め
【００２７】合わせずれ量ΔＴの値は、ウエハの露光領域毎にデータを収集してあるため、集束イオンビーム加工工程では格納サーバからこのデータを受け取って該当領域の合わせずれ量を補正して位置決め制御する。
【００２８】また、
スロートハイト方向は、図５に示すように、イオンビームによる加工領域３１の端部が層間絶縁膜２４の先端位置（Ｙ＝０）に合うように位置決めし、
各素子毎に前記方法で位置合わせする。
　
オ．「【００３１】ここで、
加工時は特定数の素子毎、例えば、１，０００素子毎にイオンビームを走査させて２次イオン像を取込み、加工後のトラック幅寸法を測定して、ずれが生じている場合には、この量を自動補正しながら連続的に加工を行なう
【００３２】この方法によると、
加工後のスロートハイト部はサブミクロンのトラック幅に加工することが可能である。しかもスロートハイト部のみ所望の狭トラック幅に絞られた形状になる
　
カ．図３の集束イオンビームを照射する際のトラック幅方向のビームの位置決めを示す図には、上部磁気コア２２の両側にイオンビーム走査領域３０が図示されている。
　
キ．図５には、スロートハイト部の長手方向にイオンビームによる加工領域３１が図示されている。
　
　上記「ア．」乃至「キ．」に摘記乃至指摘した明細書又は図面の記載からすると、引用例には、トラック幅寸法が精度良く形成される磁気ヘッド素子の製造方法について、
「基板の上に、下地膜、下部磁気シールド膜、下部ギャップ膜、ＭＲセンサ膜、電極膜、上部ギャップ膜、上部磁気シールド膜の再生ヘッドを形成し、
　前記上部磁気シールド膜の形成後、分離膜及び下部磁気コアを個別のパターン幅で順次積層し、次にギャップ膜、コイル、層間絶縁膜、上部磁気コアを順次積層して記録ヘッドを形成し、
　集束イオンビームを用いて、エアベアリング面位置から、前記上部磁気コアと前記下部磁気コアを前記ギャップ膜の厚さ以上に上下に隔離している前記層間絶縁膜の先端位置までのスロートハイト部を所望の幅に加工する磁気ヘッド素子の製造方法であって、
　前記収束イオンビーム位置決めに際しては、
　イオンビーム照射領域の幅は前記上部磁気コアのパターンエッジを包含するように設定し、前記スロートハイト部を中心にしてイオンビームを走査させて２次イオン像を取込み、所望の寸法が得られるよう位置決めし、
　前記スロートハイト方向は、イオンビームによる加工領域の端部が前記層間絶縁膜の先端位置に合うように各素子毎に位置決めし、
　加工時は、１，０００素子毎に前記収束イオンビームを走査させて２次イオン像を取込み、トラック幅寸法を測定して、ずれが生じている場合には、この量を自動補正しながら連続的に加工を行ない、
　前記加工後の前記スロートハイト部は挟トラック幅に絞られた形状となる磁気ヘッド素子の製造方法。」の発明（以下「引用例発明」という。）が記載されている。
　
３．対比
　本願補正発明と引用例発明とを比較すると、引用例発明と本願補正発明とで「ギャップ膜」は共通し、引用例発明の「ギャップ膜」下の「下部磁気コア」は、本願補正発明の「ギャップ膜」下の「第１の磁性膜」に相当する。
　引用例発明の「ギャップ膜」上の「上部磁気コア」は、本願補正発明の「ギャップ膜」上の「第２の磁性膜」に相当する。
　引用例発明の「上部磁気コアと下部磁気コアを磁気ギャップの厚さ以上に上下に隔離している層間絶縁膜の先端位置までのスロートハイト部」は、本願補正発明の「第１の磁性膜と、この第１の磁性膜上にギャップ膜を介して形成された第２の磁性膜とからなる書き込み磁極部」に相当する。
　引用例発明の「スロートハイト部の挟トラック幅」は、本願補正発明の「書き込み磁極部の幅」に相当する。
　引用例発明の「磁気ヘッド素子の製造方法」は、下地膜、下部磁気シールド膜、下部ギャップ膜、ＭＲセンサ膜、電極膜、上部ギャップ膜、上部磁気シールド膜の再生ヘッドと、分離膜と、下部磁気コア、ギャップ膜、コイル、層間絶縁膜、上部磁気コアの記録ヘッドとからなる磁気ヘッド素子を薄膜で製造している点において、本願補正発明の「薄膜磁気ヘッドの製造方法」に相当する。
　引用例発明の、「収束イオンビーム加工」は、「スロートハイト部」を挟トラック幅に絞られた形状とするための、幅狭にする処理であることからすると、本願補正発明の「書き込み磁極部」に対して行う「ミリング処理」に相当する。
　引用例発明が、「収束イオンビーム位置決めに際しては」、「イオンビーム照射領域の幅は上部磁気コアのパターンエッジを包含するように設定し、スロートハイト部を中心にしてイオンビームを走査させて２次イオン像を取込み、スロートハイト方向は、イオンビームによる加工領域の端部が層間絶縁膜の先端位置に合うように各素子毎に位置決めし」ている工程は、本願補正発明の「モニタリングする工程」と比較して、加工前のイオンビーム照射領域の位置決めにおいて、上部磁気コアのパターンエッジとスロートハイト方向の層間絶縁膜の先端位置とを監視している点で、「書き込み磁極部を形成した後に、ミリング処理による切削前に書き込み磁極部をモニタリングする」点において一致する。
　引用例発明の「加工時は、１，０００素子毎にイオンビームを走査させて２次イオン像を取込み、トラック幅寸法を測定して、ずれが生じている場合には、この量を自動補正しながら連続的に加工を行ない」は、収束イオンビーム位置決め後のスロートハイト部を加工し、収束イオンビームの照射により、スロートハイト部の形状を挟トラック幅に規定するから、本願補正発明の「モニタリングにより得た情報に基づいて」、「書き込み磁極部に対してミリング処理を行うことにより、書き込み磁極部の幅を規定する工程」に相当する。
　引用例発明の「磁気ヘッド素子の製造方法」は、「加工後のスロートハイト部は所望の挟トラック幅に絞られた形状となる」製造方法であり、１，０００素子毎に自動補正しながらスロートハイト部のトラック幅寸法自動補正して加工されたスロートハイト部の狭トラック幅は、均一性が向上されていることは明らかであるから、本願補正発明の「薄膜磁気ヘッドの書き込み磁極幅の均一性を向上させるようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法」に相当する。
　
　以上のことからすると、両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「第１の磁性膜と、この第１の磁性膜上にギャップ膜を介して形成された第２の磁性膜とからなる書き込み磁極部を具えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記書き込み磁極部を形成した後に、ミリング処理による切削前に前記書き込み磁極部をモニタリングする工程と、
　前記モニタリングにより得た情報に基づいて前記書き込み磁極部に対して前記ミリング処理を行うことにより、前記書き込み磁極部の幅を規定する工程とを具え、
　前記薄膜磁気ヘッドの前記書き込み磁極幅の均一性を向上させるようにした、薄膜磁気ヘッドの製造方法。」　
　
＜相違点＞
（１）本願補正発明では、「モニタリングする工程」において、「書き込み磁極部の幅を」モニタリングするとしているのに対し、引用例発明では、「幅」についての言及がなく、本願補正発明では「書き込み磁極部の幅を規定する工程」において、「書き込み磁極部の切削幅を決定し」と特定するのに対して、引用例発明ではこのようなことが特定されていない点。
（２）ミリング処理について、本願補正発明では「薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなすように往復回転をさせながら行なう第１のミリング処理方法、薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなす状態で、それぞれ一定時間固定して行なう第２のミリング処理、及び薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸を中心として、一方向に連続的に回転させながら行なう第３のミリング処理の、少なくとも一つを用いて行い」と特定しているのに対して、引用例発明ではこのように特定されていない点。
（３）本願補正発明では「ロット間における薄膜磁気ヘッドの書き込み磁極幅の均一性を向上させる」と特定するのに対して、引用例発明では、均一性を向上させるのは、「１，０００素子毎」である点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　相違点（１）について
　引用例発明では、「トラック幅寸法が精度よく形成され」ることを課題とする点で本願補正発明と共通するものであり、「加工時は、１，０００素子毎に前記収束イオンビームを走査させて２次イオン像を取込み、トラック幅寸法を測定して、ずれが生じている場合には、この量を自動補正しながら連続的に加工を行ない」と、トラック幅寸法についてもモニタすることは含まれているのであるから、加工前においても書き込み磁極部
の幅
　なお、引用例発明においても、「イオンビーム照射領域の幅は前記上部磁気コアのパターンエッジを包含するように設定し、前記スロートハイト部を中心にしてイオンビームを走査させて２次イオン像を取込み、所望の寸法が得られるよう位置決め」するものであることからすると、イオンビームによる加工においては、所望の幅が得られるように結果的に切削幅が決まっていることが明らかである。
　
　相違点（２）について
　薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるミリング処理において、薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸を中心として、一方向に連続的に回転させながら行なう処理は周知（特開平３−２３２１０９号公報の薄膜磁気ヘッドの基板ホルダーを回転させてＡｒビームを入射するポールトリム工程（２頁の左下欄３〜９行）。特開２０００−２０９１５号公報の磁気ヘッドの載置された試料台を回転し、上部磁極及び下部磁極をエッチングするイオンミリング処理（【００６４】【００６５】）。特開２００１−８４５１２号公報の薄膜磁気ヘッドの基板を回転させて下層コアとギャップ膜と上層コアをトリミングエッチングする工程（【０００３】〜【００１０】）等参照。）であり、薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなすように往復回転をさせながら行なう処理も周知（特開２００１−８４５１２号公報の基板を揺動させつつ上層コアをマスクとしてギャップ膜及び下層コアをトリミングエッチングする薄膜ヘッドの製造方法（【００２４】〜【００２７】参照。）であり、薄膜磁気ヘッドが形成されるウエハを含む面方向において、前記書き込み磁極部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなす状態で、それぞれ一定時間固定して行なう処理も周知（前記特開平３−２３２１０９号公報の薄膜磁気ヘッドの基板ホルダーを回転させてＡｒビームを入射するポールトリム工程（５頁の右上欄１〜１５行）。特開２００１−４３５１０号公報の下部磁極及び上部磁極のトリミング処理（【００８４】〜【００９９】）等参照。）である。
　してみれば、引用例発明において、スロートハイト部に対して行う処理を、周知のスロートハイト部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなすように往復回転をさせながら行なうミリング処理方法、記録ヘッド素子が形成されるウエハを含む面方向において、スロートハイト部の中心軸と略平行な回転基準軸から両方向に所定角度をなす状態で、それぞれ一定時間固定して行なうミリング処理、及び磁気ヘッド素子が形成されるウエハを含む面方向において、スロートハイト部の中心軸と略平行な回転基準軸を中心として、一方向に連続的に回転させながら行うミリング処理の、少なくとも一つを用いて行うように構成する程度のことに格別の困難も見当たらず、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　相違点（３）について
　薄膜ヘッドの製造方法において、薄膜ヘッドがロット単位で製造されることは周知（特開平８−２６７３４４号公報の薄膜素子単位でロット番号を印される薄膜ヘッドの製造方法。特開平１０−１８８２２３号公報の薄膜ヘッドの生産管理方法等参照。）である。
　してみれば、引用例発明の記録素子の製造方法において、量産ベースをロット単位とし、ロット間におけるスロートハイト部の均一性を向上させることは、周知技術を参酌することにより当業者が必要に応じて適宜になしえる設計事項である。
　
　以上の検討を総合すると、上記各相違点は、格別なものではなく、また各相違点を総合しても、本願補正発明の奏する効果は、当業者が当然に予測できる範囲内のものであるから、本願補正発明は、引用例に記載された発明、並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　５．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。　
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１７年１月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至４に係る発明は、平成１６年９月２１日付け手続補正により補正された明細書の請求項１乃至４に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　１．本件補正（ａ）」に、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、前記「第２　２．引用例」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　１．本件補正」で検討した本願補正発明から「ミリング処理」について、「ロット間における薄膜磁気ヘッドの書き込み磁極幅の均一性を向上させるようにした」ことを省き、補正前の請求項４に記載された構成の限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　４．当審の判断」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。