(57)【要約】  酸化物超電導線材（１）は、基板（１０）と、基板（１０）上に形成された酸化物超電導層（３０）とを備える。酸化物超電導層（３０）は、酸化物超電導相および非超電導相を含む。非超電導相は、酸化物超電導相中に分散配置された複数の粒子を構成する。複数の粒子の少なくとも一部の粒子は１つ以上の凹凸を有する。酸化物超電導相は、複数の粒子を囲むように構成されたスピノーダル分解型構造を有する。
2017060968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された酸化物超電導層とを備え、
前記酸化物超電導層は、酸化物超電導相および非超電導相を含み、
前記非超電導相は、前記酸化物超電導相中に分散配置された複数の粒子を構成し、
前記複数の粒子のうちの少なくとも一部の粒子は１つ以上の凹凸を有し、
前記酸化物超電導相は、前記粒子を囲むように構成されたスピノーダル分解型構造を有する、酸化物超電導線材。
【請求項２】
前記スピノーダル分解型構造は、少なくとも前記酸化物超電導線材の延在方向に連続している、請求項１に記載の酸化物超電導線材。
【請求項３】
前記酸化物超電導層における前記酸化物超電導相の体積率は、４８％以上８３％以下である、請求項１または請求項２に記載の酸化物超電導線材。
【請求項４】
前記少なくとも一部の粒子は、断面形状に複数の変曲点を有する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の酸化物超電導線材。
【請求項５】
前記少なくとも一部の粒子は、前記断面形状の面積に対する周長の比率が２０μｍ−１以上５０μｍ−１以下である、請求項４に記載の酸化物超電導線材。
【請求項６】
前記複数の粒子は、粒子１個当たりの断面積が０．００５μｍ２以上１μｍ２以下である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の酸化物超電導線材。
【請求項７】
前記酸化物超電導層は、ＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸ（式中、ＲＥは希土類元素のうちの１種または２種以上を表す。）の組成式で表されるＲＥ１２３系超電導体からなり、
前記非超電導相は、ＲＥ２Ｏ３を含み、
Ｘ線回折測定によるＲＥ２Ｏ３（２２２）面のピーク強度をＩＲＥ２Ｏ３（２２２）とし、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３）面のピーク強度をＩＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３）とすると、ピーク強度比ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）／（ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）＋ＩＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３））が０．０５以上である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の酸化物超電導線材。
【請求項８】
前記酸化物超電導層の単位断面積当たりの前記非超電導相の面積率は４０％以上である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の酸化物超電導線材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、酸化物超電導線材に関するものであり、特に、基板上に形成された酸化物超電導層を備える酸化物超電導線材に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体窒素の温度で超電導性を有する高温超電導体の発見以来、ケーブル、限流器、マグネットなどの電力機器への応用を目指した高温超電導線材の開発が活発に行なわれている。中でも、基板上に酸化物超電導体からなる薄膜層（酸化物超電導層）を形成させた酸化物超電導線材が注目されている。【０００３】
このような酸化物超電導線材の製造方法の１つに、塗布熱分解法（Metal  Organic  Deposition、略称：ＭＯＤ法）がある。ＭＯＤ法は、ＲＥ（希土類元素）、Ｂａ（バリウム）、Ｃｕ（銅）の各有機金属化合物を溶媒に溶解して製造された原料溶液（ＭＯＤ溶液）を基板に塗布して塗布膜を形成した後、例えば、５００℃付近で仮焼熱処理して、有機金属化合物を熱分解させ、熱分解した有機成分を除去することにより酸化物超電導層の前駆体である仮焼膜を作製し、作製した仮焼膜をさらに高温（例えば７５０〜８００℃付近）で本焼熱処理することにより結晶化を行なって、ＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸで表されるＲＥ１２３系の超電導層を形成させて酸化物超電導線材を製造するものである。【０００４】
ＭＯＤ法は、主に真空中で製造される気相法（蒸着法、スパッタ法、パルスレーザ蒸着法等）に比較して製造設備が簡単で済み、また大面積や複雑な形状への対応が容易である等の特徴を有しているため、広く用いられている。【０００５】
しかし、近年、臨界電流密度Ｊｃや臨界電流Ｉｃがより向上した酸化物超電導薄膜線材が強く求められており、その対策として、磁場下においてＲＥ１２３系酸化物超電導体に侵入するナノサイズの量子化磁束の運動を妨げることを目的として、人工的にナノサイズの磁束ピン止め点（以下、「ピン」という）を導入することが行なわれている（例えば、特表２００７−５２６１９９号公報（特許文献１）参照）。【０００６】
上記したＭＯＤ法においても、原料溶液に、ピンの原料となる元素、例えば、Ｚｒの金属錯体（塩）を添加することにより、ピンが導入された酸化物超電導層を形成させることが行なわれている（例えば、特開２００９−１６４０１０号公報（特許文献２）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００７−５２６１９９号公報
【特許文献２】特開２００９−１６４０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のＭＯＤ法においては、酸化物超電導層を厚膜化して、Ｉｃを向上させる技術の開発が求められている。厚膜の酸化物超電導層を作製する方法としては、一般的に、厚膜の仮焼膜を作製した後、本焼熱処理することにより、厚膜の酸化物超電導層を形成することが行なわれている。【０００９】
しかしながら、上記の方法では、酸化物超電導体の結晶はｃ軸配向して成長しているものの、厚膜の酸化物超電導層中にピンを適当に分散させることができないため、酸化物超電導層全体に対するピン止めの効果が十分に発揮されていなかった。また、本焼熱処理によって結晶化する際、厚膜の酸化物超電導層の内部に酸素を十分に導入させることが困難となっていた。その結果、Ｊｃの低下を招き、厚膜化してもＩｃが十分に高くならないという課題があった。【００１０】
本発明の一態様の目的は、厚膜化に比例して十分に高いＩｃを得ることができる酸化物超電導線材を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様に係る酸化物超電導線材は、基板と、基板上に形成された酸化物超電導層とを備える。酸化物超電導層は、酸化物超電導相および非超電導相を含む。非超電導相は、酸化物超電導相中に分散配置された複数の粒子を構成する。上記複数の粒子のうちの少なくとも一部の粒子は１つ以上の凹凸を有する。酸化物超電導相は、上記複数の粒子を囲むように構成されたスピノーダル分解型構造を有する。
【発明の効果】
【００１２】
上記によれば、厚膜化に比例して十分に高いＩｃを得ることができる酸化物超電導線材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態に係る酸化物超電導線材の構成を示す断面模式図である。
【図２】本実施形態に係る酸化物超電導線材の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】本実施形態に係る酸化物超電導線材の製造方法の概要を説明する図である。
【図４】本実施形態に係る酸化物超電導線材の製造方法の概要を説明する図である。
【図５】本実施形態に係る酸化物超電導線材の製造方法の概要を説明する図である。
【図６】本実施形態に係る酸化物超電導線材における酸化物超電導層の構成を示す模式図である。
【図７】図６の超電導材料層を矢印ＶＩＩ方向から見た部分拡大図である。
【図８】断面観察で確認され得る酸化物超電導層の二次元構造を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[本発明の実施形態の説明]
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
【００１５】
（１）本発明の一態様に係る酸化物超電導線材１（図１参照）は、基板１０と、基板１０上に形成された酸化物超電導層３０とを備える。酸化物超電導層３０（図６および図７参照）は、酸化物超電導相３２および非超電導相３４を含む。非超電導相３４は、酸化物超電導相３２中に分散配置された複数の粒子により構成される。上記複数の粒子の少なくとも一部の粒子は１つ以上の凹凸を有する。酸化物超電導相３２は、上記複数の粒子を囲むように構成されたスピノーダル分解型構造を有する。なお、本明細書において「スピノーダル分解型構造」とは、スピノーダル分解させることによって形成された構造である。「スピノーダル分解」とは、二成分系または多成分系の固溶体において、核形成を必要とせず、組成の揺らぎにより起こる相分離の現象をいう。ただし、酸化物超電導相３２の構造の形成過程は、スピノーダル分解を含むものに限定しない。
【００１６】
上記酸化物超電導層３０では、非超電導相３４である粒子の表面がピンとして作用する。この粒子は１つ以上の凹凸を有しているため、３次元的にあらゆる角度を持つピンを酸化物超電導相３２中に効率的に分布させることができる。また、粒子を囲む酸化物超電導相３２がスピノーダル分解型構造を有しているため、粒子によって酸化物超電導相３２が断絶されることがない。これにより、酸化物超電導相３２中にピンを適切に分散させることができるため、厚膜の酸化物超電導層においても高いピン止めの機能を得ることができる。したがって、厚膜化に比例して高いＩｃを有する酸化物超電導線材を実現することができる。
【００１７】
なお、酸化物超電導相３２がスピノーダル分解型構造を有する部分は、酸化物超電導層３０のうち、酸化物超電導線材１が延在する方向の少なくとも一部、または酸化物超電導線材１の幅方向の少なくとも一部において存在していれば、高いピン止めの機能を得ることができる。
【００１８】
（２）上記（１）に係る酸化物超電導線材１において好ましくは、スピノーダル分解型構造は、少なくとも酸化物超電導線材の延在方向に連続している。このようにすれば、酸化物超電導相３２では、非超電導相３４によって超電導電流の流れが妨げられることがない。したがって、酸化物超電導層３０は、長尺全体に亘って安定した超電導特性を有する。
【００１９】
（３）上記（１）または（２）に係る酸化物超電導線材１において好ましくは、酸化物超電導層３０における酸化物超電導相３２の体積率は、４８％以上８３％以下である。このような体積率とすることにより、酸化物超電導相３２におけるスピノーダル分解型構造を途切れさせることなく、非超電導相３４をなす粒子がピン止めの機能を十分に発揮することができる。なお、本明細書において、酸化物超電導層３０における酸化物超電導相３２の体積率とは、酸化物超電導層３０の体積に対する酸化物超電導相３２の体積の割合をいう。
【００２０】
（４）上記（１）〜（３）のいずれかに係る酸化物超電導線材において好ましくは、複数の粒子のうちの少なくとも一部の粒子は、断面形状に複数の変曲点を有する。このようにすれば、粒子の表面にピンとして作用する曲面が増えるため、ピン止めの機能を高めることができる。なお、本明細書において、変曲点とは、１個の粒子の断面形状を形成する曲線において曲率が変化する点をいう。
【００２１】
（５）上記（４）に係る酸化物超電導線材１において好ましくは、上記少なくとも一部の粒子は、断面形状の面積に対する周長の比率が２０μｍ−１以上５０μｍ−１以下である。粒子において断面形状の面積に対する周長の比率は、粒子の断面形状の歪さを示す指標の１つであり、当該比率が高くなるほど粒子の断面形状が歪になってくる。当該比率を上記の範囲とすることにより、粒子の表面にピンとして作用する曲面が増えるため、ピン止めの機能を高めることができる。
【００２２】
（６）上記（１）〜（５）のいずれかに係る酸化物超電導線材１において好ましくは、上記複数の粒子は、粒子１個当たりの断面積が０．００５μｍ２以上１μｍ２以下である。このような断面積とすることにより、酸化物超電導線材１の超電導特性に悪影響を与えることなく、粒子にピンとしての機能を十分に発揮させることができる。
【００２３】
（７）上記（１）〜（６）のいずれかに係る酸化物超電導線材１において好ましくは、酸化物超電導層３０は、ＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸ（式中、ＲＥは希土類元素のうちの１種または２種以上を表す。）の組成式で表されるＲＥ１２３系超電導体からなる。非超電導相３４は、ＲＥ２Ｏ３を含む。Ｘ線回折測定によるＲＥ２Ｏ３（２２２）面のピーク強度をＩＲＥ２Ｏ３（２２２）とし、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３）面のピーク強度をＩＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３）とすると、ピーク強度比ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）／（ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）＋ＩＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３））が０．０５以上である。このようなピーク強度比であれば、ＲＥ２Ｏ３の粒子がピンとして機能するのに十分な大きさを有しているといえる。そのため、高いピン止めの機能を得ることができる。
【００２４】
（８）上記（１）〜（７）のいずれかに係る酸化物超電導線材１において好ましくは、酸化物超電導層３０の単位断面積当たりの非超電導相３４の面積率は４０％以上である。このような面積率とすることにより、十分な量の粒子を得ることができるため、高いピン止めの機能を得ることができる。なお、本明細書において、単位断面積当たりの非超電導相の面積率とは、１μｍ四方の観察領域の面積（１μｍ２）に対する非超電導相の面積の割合をいう。非超電導相の面積とは、上記観察領域内に検出される全粒子の断面積の合計値をいう。
【００２５】
[本発明の実施形態の詳細]
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００２６】
（酸化物超電導線材の構成）
図１は、実施形態に係る酸化物超電導線材の構成を示す断面模式図である。
【００２７】
図１は、本実施形態に係る酸化物超電導線材１の延在する方向に交差する方向に切断した断面を示している。このため、紙面に交差する方向が酸化物超電導線材１の長手方向であり、酸化物超電導層３０の超電導電流は紙面に交差する方向に沿って流れるものとする。また、図１および以降の断面模式図においては、図を見やすくするために矩形状の断面における上下方向（以下、「厚み方向」とも称する）と左右方向（以下、「幅方向」とも称する）との長さの差を小さくしているが、実際は当該断面の厚み方向の長さは幅方向の長さに比べて十分に小さい。
【００２８】
図１を参照して、酸化物超電導線材１は、断面が矩形をなす長尺形状（テープ状）であり、ここでは長尺形状の長手方向に延在する相対的に大きな表面を主面とする。超電導線材１は、基板１０と、中間層２０と、酸化物超電導層３０とを備える。
【００２９】
基板１０は、たとえば金属からなり、断面が矩形をなす長尺形状（テープ状）とすることが好ましい。基板１０は、配向金属基板を用いることがさらに好ましい。なお、配向金属基板とは、基板表面の面内の２軸方向に関して、結晶方位が揃っている基板を意味する。配向金属基板としては、たとえばＮｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、およびＡｕ（金）のうちの２以上の金属からなる合金が好適に用いられる。これらの金属を他の金属または合金と積層することもでき、たとえば高強度材料であるＳＵＳなどの合金を用いることもできる。なお、基板１０の材料は特にこれに限定されず、たとえば金属以外の材料を用いてもよい。
【００３０】
中間層２０は、基板１０の一方の主面上に形成されている。酸化物超電導層３０は、中間層２０の、基板１０と対向する主面と反対側の主面（図１における上側の主面）上に形成されている。
【００３１】
中間層２０を構成する材料は、たとえばＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）、ＣｅＯ２（酸化セリウム）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ｙ２Ｏ３（酸化イットリウム）およびＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム）などが好ましい。これらの材料は、酸化物超電導層３０との反応性が極めて低く、酸化物超電導層３０と接触している境界面においても酸化物超電導層３０の超電導特性を低下させない。特に、基板１０を構成する材料として金属を用いる場合には、表面に結晶配向性を有する基板１０と酸化物超電導層３０との配向性の差を緩和して、酸化物超電導層３０を高温で形成する際に、基板１０から酸化物超電導層３０への金属原子の流出を防止する役割を果たすことができる。なお、中間層２０を構成する材料は特にこれに限定されない。
【００３２】
また、中間層２０は、複数の層により構成されていてもよい。中間層２０が複数の層により構成される場合、中間層２０を構成するそれぞれの層は互いに異なる材質または一部が同じ材質により構成されていてもよい。
【００３３】
酸化物超電導層３０は、酸化物超電導線材１のうち、超電導電流が流れる薄膜である。酸化物超電導層３０は、基板１０側に位置する第１の主面３０ａと、第１の主面３０ａとは反対側に位置する第２の主面３０ｂとを有する。
【００３４】
超電導材料は特に限定されないが、たとえばＲＥ１２３系の酸化物超電導体とすることが好ましい。ＲＥ１２３系の酸化物超電導体とは、ＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸの組成式で表される超電導体を意味する。上記組成式において、ＲＥは、Ｙ（イットリウム）、またはＧｄ（ガドリウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｈｏ（ホルミウム）などの希土類元素のうちの１種または２種以上を表す。Ｘは６〜８、より好ましくは６．８〜７である。Ｉｃを向上させるためには、酸化物超電導層３０の厚みは１〜４μｍであることが好ましい。
【００３５】
なお、図示は省略するが、酸化物超電導線材１は、酸化物超電導層３０の第２の主面３０ｂ上に、酸化物超電導層３０を保護するための保護層が形成されていてもよい。保護層を構成する材料は、たとえば銀（Ａｇ）または銀合金などが好ましい。
【００３６】
酸化物超電導線材１はさらに、基板１０、中間層２０、酸化物超電導層３０（および保護層）からなる積層体の周囲を覆うように、安定化層が配置されていてもよい。安定化層は、良導電性の金属材料の箔またはめっき層などからなり、たとえば銅（Ｃｕ）または銅合金などが好ましい。安定化層は、積層体の外周のほぼ全面を覆うように配置されていてもよいし、少なくとも積層体の上主面を覆うように配置されていてもよい。
【００３７】
（酸化物超電導線材の製造方法）
次に、図２〜図４を参照して、本実施形態に係る酸化物超電導線材の製造方法について説明する。
【００３８】
図２は、本実施形態に係る酸化物超電導線材の製造方法を説明するためのフローチャートである。図２を参照して、まず、基板準備工程が実施される。具体的には、基板１０として、ｃ軸に２軸配向した配向金属基板を準備する。配向金属基板には、ＩＢＡＤ（Ion  Beam  Assisted  Deposition）基材、Ｎｉ−Ｗ合金基材、ＳＵＳ等をベース金属としたクラッドタイプの金属基板等を用いることができる。
【００３９】
次に、中間層形成工程が実施される。具体的には、基板１０（配向金属基板）上に中間層２０が形成される。たとえば基板１０上にＹ２Ｏ３層、ＹＳＺ層およびＣｅＯ２層が順次形成される。これらの層は、たとえばスパッタ法などの気相法により形成することができるが、ＭＯＤ法により形成してもよい。
【００４０】
次に、超電導層形成工程が実施される。本実施の形態では、ＭＯＤ法を用いて、中間層２０上に酸化物超電導層３０を形成する。ＭＯＤ法には、原料溶液にフッ素を含む有機金属塩を用いるＴＦＡ−ＭＯＤ法（Metal  Organic  Deposition  using  TrifluoroAcetates）と、フッ素を含まない有機金属塩を用いるフッ素フリーＭＯＤ法（ＦＦ−ＭＯＤ法）とがある。本実施形態では、ＦＦ−ＭＯＤ法を用いる。
【００４１】
具体的には、超電導層形成工程は、塗膜形成工程、仮焼成工程、本焼成工程および酸素導入工程を主体として構成される。以下、各工程を説明する。
【００４２】
（１）塗膜形成工程
最初に、塗膜形成工程が実施される。この塗膜形成工程では、中間層２０の表面に無フッ素系の原料溶液を塗布した後、乾燥して所定厚みの塗膜を形成する。
【００４３】
無フッ素系の原料溶液とは、無フッ素系のＲＥ、ＢａおよびＣｕの有機金属塩溶液である。有機金属塩溶液として、たとえば金属アセチルアセトナト系の溶液、あるいはナフテン酸系の溶液などを用いることができる。
【００４４】
原料溶液は、ＲＥ、Ｂａ、Ｃｕの各アセチルアセトナト錯体を、ＲＥ、Ｂａ、Ｃｕの組成比（ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕ）がａ：２：ｂとなるように調製して溶媒に溶解することによって作製する。なお、本明細書において、組成比（ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕ）とは、ＲＥ、Ｂａ、Ｃｕの原子濃度比（モル比）をいう。ＭＯＤ法では、原料溶液の組成比を調整することによって、形成される酸化物超電導層３０の組成比を制御することができる。
【００４５】
上記組成比（ａ：２：ｂ）において、高いピン止めの機能を得るためには、ａは１≦ａ≦２を満たす範囲内で選択することが好ましく、１．５≦ａ≦２の範囲内で選択することがより好ましい。また上記組成比において、ｂは３≦ｂ≦３．７を満たす範囲で選択することが好ましく、３．２≦ｂ≦３．７を満たす範囲内で選択することがより好ましい。なお、本実施形態では、原料溶液のＲＥ３＋、Ｂａ２＋、Ｃｕ２＋を合わせた総カチオン濃度は１ｍｏｌ／Ｌとする。
【００４６】
作製した原料溶液を中間層２０の表面に塗布する。原料溶液の塗布方法としてはディップ法、ダイコート法などを選択することができる。塗布した原料溶液を乾燥させることにより、塗膜が形成される。塗膜の厚みは５〜３０μｍであることが好ましい。
【００４７】
たとえば乾燥温度を１００℃以上１５０℃以下とすることで、塗布した原料溶液から水やアルコールを除去するための加熱処理（乾燥処理）を実施する。この乾燥処理では、たとえば原料溶液が塗布された材料を乾燥炉の内部に配置し、加熱するといった処理を行なう。
【００４８】
なお、上記乾燥処理は、上記の原料溶液の塗布処理と連続して実施することができる。たとえば、原料溶液を塗布する処理部にテープ状の基板が通された後、そのまま基板が乾燥炉を通過するように、処理装置を構成してもよい。
【００４９】
（２）仮焼成工程
次に、仮焼成工程が実施される。この仮焼成工程では、前駆体である塗膜から溶媒成分等が除去される。具体的には、大気雰囲気中で４００℃以上６００℃以下の温度域、たとえば５００℃まで塗膜が形成された基板１０を加熱し、そのまま一定時間保持する。保持温度はたとえば約９０分とする。塗布された有機金属塩溶液が熱分解される。またこのとき、ＣＯ２（二酸化炭素）、Ｈ２Ｏ（水）が離脱することにより有機金属塩溶液から溶媒成分等が除去される。これにより、図３に示すように、前駆体である仮焼膜４０ａが形成される。仮焼膜４０ａは非晶質（アモルファス）である。
【００５０】
（３）本焼成工程
次に、本焼成工程が実施される。この本焼成工程では、上記仮焼膜４０ａを結晶化させて、図４に示す本焼膜４０を形成する。
【００５１】
具体的には、Ａｒ（アルゴン）およびＯ２（酸素）の混合雰囲気下、仮焼膜４０ａが形成された基板１０を、８００℃以上８５０℃以下の温度域、たとえば８３０℃まで加熱する。このときの雰囲気については、酸素濃度を１００ｐｐｍ未満とし、二酸化炭素濃度を１０ｐｐｍ以下とすることができる。この熱処理は処理対象中の炭酸塩を分解することを目的としている。
【００５２】
そして、８３０℃に雰囲気温度がなったところで、当該温度を所定時間保持する。このときの雰囲気については、酸素濃度をたとえば５００〜１５００ｐｐｍにまで増加することができる。所定時間はたとえば、結晶化した酸化物超電導層３０の膜厚１μｍにつき２分間の割合となるように、形成しようとする酸化物超電導層３０の膜厚に基づいて応じて設定することができる。仮焼膜４０ａからエピタキシャルに結晶が成長することにより、ｃ軸配向した酸化物超電導相が形成された本焼膜４０が形成される。
（４）酸素導入工程
次に、酸素導入工程が実施される。この酸素導入工程では、形成された本焼膜４０に酸素を導入するための熱処理を行なう。具体的には、たとえば雰囲気ガスを１気圧、酸素濃度を１００％に切替えて、この酸素濃度を保ちつつ、最高加熱温度を５５０℃として２００℃まで３時間かけて徐冷する。このようにして図１に示す酸化物超電導層３０が形成される。
【００５３】
なお、上記の塗膜形成工程、仮焼成工程、本焼成工程および酸素導入工程を繰り返し実施することによって、図５に示されるように、複数の本焼膜４０を積層（図５では３層）することにより、酸化物超電導層３０を形成することができる。この場合、本焼成工程の際に、積層させた本焼膜４０同士の界面に、ピンとして作用する欠陥層が形成される。積層数は、作製しようとする酸化物超電導線材の仕様等に基づき適宜設定される。
【００５４】
（酸化物超電導線材の基本構造）
次に、本実施形態に係る酸化物超電導線材の基本構造について説明する。
【００５５】
（酸化物超電導層の三次元構造）
図６は、本実施形態に係る酸化物超電導線材１における酸化物超電導層３０の構成を示す模式図である。図７は、図６の超電導材料層３０を矢印ＶＩＩ方向から見た部分拡大図である。
【００５６】
図６および図７を参照して、酸化物超電導層３０は、酸化物超電導相３２と、非超電導相３４とを含んで構成される。非超電導相３４は、ＲＥ２Ｏ３（ＲＥ酸化物）およびＣｕＯ（酸化銅）など、結晶中から析出した析出物（酸化物粒子）を含んでいる。
【００５７】
非超電導相３４は、酸化物超電導相３２中に分散して配置された複数の粒子を構成している。これら複数の粒子には１つ以上の凹凸を有するものが含まれる。粒子の形状については後述する。
【００５８】
図７を参照して、酸化物超電導相３２は、上記粒子を囲むように構成されたスピノーダル分解型構造を有している。具体的には、網目状の層である酸化物超電導相３２ａおよび３２ｂが繋がることよって、実質的に三次元網目状の構造が形成されている。スピノーダル分解型構造は、少なくとも、酸化物超電導線材１の延在方向に連続している。そのため、酸化物超電導相３２では、非超電導相３４によって超電導電流の流れが妨げられることがない。したがって、酸化物超電導層３０は、長尺全体に亘って安定した超電導特性を有する。
【００５９】
非超電導相３４は、酸化物超電導相３２の内部に侵入した磁束線を捕捉して固定（ピン止め）する機能を有する。このため、酸化物超電導相３２中に分散している非超電導相３４は、酸化物超電導相３２に流れる超電導電流の磁場依存性を改善する役割を有する。
【００６０】
本実施形態では、非超電導相３４である析出物が１つ以上の凹凸を有する粒子となっている。そのため、当該粒子はその表面に三次元的にあらゆる角度を持つ曲面を有しており、この曲面がピンとして作用する。当該粒子が酸化物超電導相３２中に分散していることで、様々な角度を持つピンを酸化物超電導相３２内に効率的に分布させることができる。この結果、ピン止めの機能を高めることができる。
【００６１】
従来の酸化物超電導線材において、酸化物超電導層中に形成される析出物は専ら球状または柱状の粒子であった。球状または柱状の粒子であっても、その表面に三次元的に様々な角度を持つ曲面を有しているが、本実施形態のような凹凸のある粒子に比べると、１個の粒子が持つ曲面のバリエーションが乏しいため、ピンとしての機能が劣ると考えられる。そのため、本実施形態と同様、酸化物超電導相中に粒子が分散した構造であっても、ピンが効率良く分布しているとは言い難い。したがって、高いピン止めの機能が得ることが容易ではないと考えられる。
【００６２】
本発明者らは、ＭＯＤ法を用いた超電導層形成工程において、原料溶液の組成および本焼成工程での熱処理条件について検討した結果、スピノーダル分解型構造を有する酸化物超電導相３２中に、１つ以上の凹凸を有する粒子からなる非超電導相３４が分散配置された酸化物超電導層３０を作製できることを確認した。これにより、酸化物超電導相３２を断絶させることなく、ピンとして十分に機能する非超電導相３４が適切に分散された酸化物超電導層３０を得ることができるため、ＪｃやＩｃがより向上した酸化物超電導線材を実現できる。
【００６３】
ここで、図６および図７に示されるスピノーダル分解型構造は、例えば、酸化物超電導線材１についてＸ線マイクロＣＴ装置（X-ray  Micro  Computerized  Tomography）を用いた三次元観察を行なうことによって確認することができる。なお、Ｘ線マイクロＣＴ装置については、近年、μｍオーダーの分解能で分析能力を有するものが開発されている（例えば、安田他４名、「Ｘ線マイクロトモグラフィーを用いた凝固・結晶成長組織の３次元観察」、放射光、第１６巻第２号（２００３）参照）。これによれば、硬Ｘ線領域で高輝度単色光が得られる放射光（ＳＰｒｉｎｇ−８）および高分解能検出器を用いたＳＰ−μＣＴを用いて、金属、セラミックスの結晶成長・凝固組織を三次元で観察することができる。
【００６４】
本実施形態では、酸化物超電導層３０から１．５μｍ角の立方体形状を有する試料を作成し、上記のＸ線マイクロＣＴ装置を用いてこの試料の三次元観察を行なった。そして、得られた三次元データに基づいて、酸化物超電導層３０中に存在する酸化物超電導相３２の体積、および酸化物超電導層３０中に存在する非超電導相３４の体積をそれぞれ算出した。なお、本明細書において、非超電導相３４の体積とは、Ｘ線マイクロＣＴ装置を用いた三次元観察により検出し得る全粒子の合計体積をいう。
【００６５】
三次元観察の結果、ピンとして十分に機能する非超電導相３４が適切に分散されたスピノーダル分解型構造を得るためには、酸化物超電導層３０における酸化物超電導相３２の体積率は、４８％以上８３％以下であることが好ましいことが確認された。なお、本明細書において、酸化物超電導層３０における酸化物超電導相３２の体積率とは、酸化物超電導層３０の体積に対する酸化物超電導相３２の体積の割合をいう。
【００６６】
なお、上記の酸化物超電導相３２の体積率が４８％以上８３％以下となる構造とは、酸化物超電導相３２に対する非超電導相３４の体積比（非超電導相３４の体積／酸化物超電導相３２の体積）で表現すると、体積比が０．２以上１．１以下となるような構造である。
【００６７】
酸化物超電導相３２の体積率が４８％以上であることが好ましいのは、酸化物超電導相３２の体積率が４８％よりも低くなると、言い換えれば、酸化物超電導相３２に対する非超電導相３４の体積比が１．１よりも高くなると、非超電導相３４が過剰となり、スピノーダル分解型構造において部分的な途切れが生じることによると考えられる。スピノーダル分解型構造が途切れることで、酸化物超電導線材１の延在方向に不連続となり、超電導電流を流れ難くする可能性があるためである。
【００６８】
一方、酸化物超電導相３２の体積率が８３％以下であることが好ましいのは、酸化物超電導相３２の体積率が８３％よりも高くなると、言い換えれば、酸化物超電導相３２に対する非超電導相３４の体積比が０．２よりも低くなると、非超電導相３４が過少となり、ピン止めの機能を十分に発揮できないことによると考えられる。
【００６９】
（酸化物超電導層の断面構造）
酸化物超電導層３０の断面構造は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning  Electron  Microscope）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission  Electron  Microscope）または、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Scanning  Transmission  Electron  Microscope）によって、上記試料の断面を観察することで確認することができる。
【００７０】
ＳＥＭとしては、たとえば日立ハイテクノロジーズ社製のＳＵ３５００を用いることができる。試料分析領域は、たとえば２μｍ×２μｍである。加速電圧は、たとえば１５ｋＶである。プローブ電流は、たとえば０．５ｐＡである。ＴＥＭとしては、たとえば日立ハイテクノロジーズ社製のＨＴ７７００を用いることができる。試料分析領域は、たとえば２μｍ×２μｍ×０．１μｍである。加速電圧は、たとえば２００ｋＶである。ＳＴＥＭとしては、たとえば日本電子社製のＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆを用いることができる。試料分析領域は、たとえば２μｍ×２μｍである。加速電圧は、たとえば１００ｋＶである。
【００７１】
図８は、断面観察で確認され得る酸化物超電導層３０の二次元構造を示す模式図である。図８に示されるように、酸化物超電導相３２中には、非超電導相３４を構成する大小様々なサイズを有する粒子が分散している。これらの粒子を囲むように、酸化物超電導相３２がスピノーダル分解型構造（図６および図７参照）を形成している。各粒子の断面形状の面積および周長は、電子顕微鏡で得られた像（二次元平面投影像）を実測することによって算出することができる。
【００７２】
本実施形態に係る酸化物超電導線材１において、酸化物超電導相３２中に含まれる粒子１個当たりの断面積は０．００５μｍ２以上１μｍ２以下であることが好ましい。粒子のサイズが小さすぎると、ピンとしての機能を十分に発揮させることができない。一方、粒子のサイズが大きすぎると、酸化物超電導線材１の超電導特性に悪影響を与える虞がある。
【００７３】
また、酸化物超電導層３０の単位断面積当たりの非超電導相３４の面積率は４０％以上であることが好ましい。非超電導相３４の面積率が低すぎると、十分な量の粒子を得ることができず、ピンとしての機能を十分に発揮させることができない。なお、本明細書において、酸化物超電導層３０の単位断面積当たりの非超電導相３４の面積率とは、１μｍ四方の観察領域の面積（１μｍ２）に対する非超電導相３４の面積の割合をいう。非超電導相３４の面積とは、上記観察領域内に検出される全粒子の断面積の合計値をいう。
【００７４】
ここで、酸化物超電導層３０の断面観察では、少なくとも一部の粒子が、断面形状に複数の変曲点を有することが確認された。なお、本明細書において、変曲点とは、１個の粒子の断面形状を形成する曲線において曲率が変化する点をいう。このような断面形状に複数の変曲点をもつ粒子は、１．５μｍ四方の観察領域において、複数の粒子が占める領域の合計面積を算出した場合に、この合計面積のうち５０％以上を占めていることが確認された。
【００７５】
上記の断面形状に複数の変曲点を持つ粒子について、１個の粒子の断面形状の面積をＳ（単位：μｍ２）とし、周長をＬ（単位：μｍ）とすると、Ｌ／Ｓは１個の粒子における断面形状の面積Ｓに対する周長Ｌの比率を表している。このＬ／Ｓとは粒子の断面形状の歪さを示す指標の１つである。たとえば、粒子の断面形状が半径１μｍの真円である場合、すなわち、断面形状に変曲点を持たない場合には、Ｌ／Ｓ＝２μｍ−１となる。一方、断面形状に変曲点が現われると、Ｌ／Ｓの値が大きくなるとともに、粒子の断面形状が歪になってくる。
【００７６】
本実施形態に係る酸化物超電導線材１において、Ｌ／Ｓは２０μｍ−１以上５０μｍ−１以下であることが好ましい。粒子の断面形状が歪になることで、粒子の表面にピンとして作用する曲面が増えるため、ピン止めの機能が高められることによる。
【００７７】
（Ｘ線回折）
本実施形態に係る酸化物超電導線材１に含まれる酸化物超電導層３０は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：X-ray  Diffraction）測定において、ＲＥ２Ｏ３（２２２）面のピーク強度をＩＲＥ２Ｏ３（２２２）とし、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３）面のピーク強度をＩＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３）とすると、ピーク強度比ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）／（ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）＋ＩＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３））が０．０５以上であることが好ましい。
【００７８】
ＲＥ２Ｏ３（２２２）面のピーク強度ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）は、ＲＥ２Ｏ３の粒子サイズに影響を受ける。ＲＥ２Ｏ３の粒子サイズが小さい場合にはピーク強度ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）が低くなり、結果的にピーク強度比は小さくなる。逆に、ＲＥ２Ｏ３の粒子サイズが大きい場合にはピーク強度ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）が高くなり、結果的にピーク強度比は大きくなる。ピーク強度比が０．０５以上であれば、ＲＥ２Ｏ３の粒子は、ピンとして機能するのに十分な大きさを有していると考えられる。
【００７９】
ＸＲＤ測定において、Ｘ線発生装置としては、たとえばＢｒｕｋｅｒ社製のＤ８を用いることができる。Ｘ線源としてはＣｕのＫα線を用いる。出力を４０ｋＶ、４０ｍＡとしてＸ線を発生させる。スキャン方式はθ−２θ連続方式であり、スキャン範囲２θを１５°〜４８°とする。測定時間を６０ｓｅｃに設定する。
【００８０】
ピーク強度は、得られたＸ線回折プロファイルから明瞭な回折ピーク成分を除いたバックグラウンド成分を差し引いた後、各物質に帰属するピーク成分に対してカーブフィッティングを行なうことにより算出することができる。このとき得られたカーブの最大値をピーク強度とする。
【００８１】
たとえば、ＲＥがＧｄである場合、Ｇｄ２Ｏ３に帰属するピーク成分（２θ＝２８．６°）に対するカーブフィッティングにより、ピーク強度ＩＧｄ２Ｏ３（２２２）を算出する。また、ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏｘに帰属するピーク成分（２θ＝２２．８°）に対するカーブフィッティングにより、ピーク強度ＩＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３）を算出する。そして、算出されたピーク強度に基づいて、ピーク強度比ＩＧｄ２Ｏ３（２２２）／（ＩＧＤ２Ｏ３（２２２）＋ＩＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ（００３））を算出する。
【００８２】
（酸化物超電導層の組成比）
本実施形態に係る酸化物超電導線材１は、酸化物超電導層３０におけるＲＥおよびＢａの組成比（ＲＥ：Ｂａ）をａ：２とすると、ａは１以上２以下であることが好ましい。なお、本明細書において、ＲＥおよびＢａの組成比とは、ＲＥおよびＢａの原子濃度比(モル比）をいう。
【００８３】
ＲＥおよびＢａの組成比（ＲＥ：Ｂａ）は、たとえば、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Energy  Dispersive  X-ray  Spectroscopy）を用いた元素マッピングにより算出することができる。
【００８４】
具体的には、断面観察用試料を、たとえば集束イオンビーム装置（ＦＩＢ：Focused  Ion  Beam  system）を用いて作製する。ＳＥＭ（装置名：ＳＵ３５００、日立ハイテクノロジーズ社製）にＥＤＸ装置（装置名：Ｘ−ＭａｘＮ、オクスフォード社製）を取り付けたものを用いて、当該試料の断面におけるＲＥおよびＢａの分布状態を測定する。測定条件は、加速電圧を１０〜１５ｋＶとし、測定エリアを２μｍ×２μｍとする。酸化物超電導層３０の厚み方向におけるＲＥ原子濃度の分布、および厚み方向に垂直な方向におけるＲＥ原子濃度の分布に基づいて、酸化物超電導層３０における平均ＲＥ原子濃度を算出する。同様にして、酸化物超電導層３０の厚み方向におけるＢａ原子濃度の分布、および厚み方向に垂直な方向におけるＢａ原子濃度の分布に基づいて、酸化物超電導層３０における平均Ｂａ原子濃度を算出する。そして、平均ＲＥ原子濃度および平均Ｂａ濃度の比を、ＲＥおよびＢａの組成比（ＲＥ：Ｂａ）として算出する。
【００８５】
ここで、一般的なＲＥ１２３系酸化物超電導体では、ＲＥおよびＢａの組成比（ＲＥ：Ｂａ）が１：２である。本実施形態では、この一般的なＲＥ１２３系酸化物超電導体に比べて、ＲＥ原子濃度を高くすることができる。ＲＥ原子濃度を高くすることで、析出物であるＲＥ２Ｏ３を、上述した１つ以上の凹凸を有する粒子の形状とすることができる。
【００８６】
さらに酸化物超電導層３０を厚膜化する場合には、ａは１．５以上２以下であることがより好ましい。Ｉｃを向上させるために酸化物超電導層３０を厚膜化する方法として、一般的には、厚膜の仮焼膜を作製した後、本焼成処理を施すことにより、厚膜の酸化物超電導層を形成させることが行なわれている。しかしながら、形成された厚膜の本焼膜の内部まで酸素を十分に導入させることができないため、結果的にＪｃの低下を招き、厚膜化に比例したＩｃの伸びを得ることができなかった。
【００８７】
本実施形態では、一般的なＲＥ１２３系酸化物超電導体に比べてＲＥ原子濃度を高くしたことで、より多くの析出物（ＲＥ２Ｏ３）を酸化物超電導層３０中に導入することができる。
【００８８】
酸化物超電導層３０の内部において、析出物（酸化物粒子）と酸化物超電導相３２との界面は酸素拡散の経路となる。したがって、酸化物超電導層３０に導入される析出物を増やすことによって、酸化物超電導相３２に拡散される酸素も増加させることができる。これにより、厚膜の酸化物超電導層３０の内部まで酸素を効率的に導入することが可能となる。この結果、厚膜化に比例して、十分に高いＩｃを有する酸化物超電導層３０を形成することができる。
【００８９】
また本実施形態に係る酸化物超電導線材１は、酸化物超電導層３０におけるＢａおよびＣｕの組成比（Ｂａ：Ｃｕ）を２：ｂとすると、ｂは３以上３．７以下であることが好ましい。なお、本明細書において、ＢａおよびＣｕの組成比とは、ＢａおよびＣｕの原子濃度比（モル比）をいう。酸化物超電導層３０中におけるＢａおよびＣｕの組成比（Ｂａ：Ｃｕ）は、上述したＲＥおよびＢａの組成比と同様の方法を用いて算出することができる。
【００９０】
一般的なＲＥ１２３系酸化物超電導体では、ＢａおよびＣｕの組成比（Ｂａ：Ｃｕ）が２：３である。本実施形態では、この一般的なＲＥ１２３系酸化物超電導体に比べて、Ｃｕ原子濃度を高くすることができる。Ｃｕ原子濃度を高くすることで、析出物であるＣｕＯを、上述した１つ以上の凹凸を有する粒子の形状とすることができる。なお、ピンとしての機能を十分に発揮させるためには、ｂは３．２以上３．７以下であることがより好ましい。
【００９１】
またＣｕ原子濃度を高くすることによって、上述したＲＥ原子濃度を高くする場合と同様に、酸化物超電導層３０中に導入される析出物を増やすことができる。このため、厚膜の酸化物超電導層の内部まで酸素を効率的に導入することが可能となる。よって、厚膜化に比例して、十分に高いＩｃを有する酸化物超電導層を形成することができる。
【００９２】
ここで、酸化物超電導層３０におけるＣｕ原子濃度については、第２の主面３０ｂ側のＣｕ原子濃度が第１の主面３０ａ側のＣｕ原子濃度よりも高いことが好ましい。
【００９３】
上記のとおり、Ｃｕ原子濃度を高くすることで、酸化物超電導層３０中に酸素を効率的に導入することができるが、その一方で、形成される析出物（ＣｕＯ）が多くなりすぎると、酸化物超電導層３０における酸化物超電導相３２の体積率が減少するため、却って超電導特性が低下する可能性がある。
【００９４】
本実施形態では、第２の主面３０ｂ側のＣｕ原子濃度を第１の主面３０ａ側のＣｕ原子濃度よりも高くすることによって、第２の主面３０ｂ側、すなわち、酸化物超電導層３０の表面側に形成される析出物（ＣｕＯ）を、酸化物超電導層３０の内部に形成される析出物よりも増加させる。これにより、表面側から酸素を効率的に導入しつつ、酸化物超電導層３０の内部では酸化物超電導相３２の体積率の減少を抑えることができる。したがって、超電導特性を低下させることなく、酸素を効率的に導入することが可能となる。
【００９５】
なお、上述したＲＥおよびＢａの組成比（ＲＥ：Ｂａ）およびＢａおよびＣｕの組成比（Ｂａ：Ｃｕ）はいずれも、塗膜形成工程において原料溶液を作製する際に、ＲＥ、Ｂａ、Ｃｕの組成比を調整することによって実現することができる。
【００９６】
また、上述した第２の主面３０ｂ側のＣｕ原子濃度を第１の主面３０ａ側のＣｕ原子濃度よりも高くするという構成は、たとえば、図５に示したように、複数の本焼膜４０を積層することによって酸化物超電導層３０を形成する構成において、最上層の本焼膜４０を形成するための原料溶液におけるＣｕ原子濃度を、下層の本焼膜４０を形成するための原料溶液におけるＣｕ原子濃度よりも高くすることで実現することができる。
【００９７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００９８】
１  酸化物超電導線材、１０  基板、２０  中間層、３０  酸化物超電導層、３２，３２ａ，３２ｂ  酸化物超電導相、３４  非超電導相、４０  本焼膜  ４０ａ  仮焼膜。
【図１】
2017060968.tif 000003
【図２】
2017060968.tif 000004
【図３】
2017060968.tif 000005
【図４】
2017060968.tif 000006
【図５】
2017060968.tif 000007
【図６】
2017060968.tif 000008
【図７】
2017060968.tif 000009
【図８】
2017060968.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月21日(2017.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された酸化物超電導層とを備え、
前記酸化物超電導層は、酸化物超電導相および非超電導相を含み、
前記非超電導相は、前記酸化物超電導相中に分散配置された複数の粒子を構成し、
前記複数の粒子のうちの少なくとも一部の粒子は１つ以上の凹凸を有し、
前記酸化物超電導相は、前記粒子を囲むように構成されたスピノーダル分解型構造を有し、
前記スピノーダル分解型構造は、少なくとも前記酸化物超電導線材の延在方向に連続している、酸化物超電導線材。
【請求項２】
前記酸化物超電導層における前記酸化物超電導相の体積率は、４８％以上８３％以下である、請求項１に記載の酸化物超電導線材。
【請求項３】
前記少なくとも一部の粒子は、断面形状に複数の変曲点を有する、請求項１または請求項２に記載の酸化物超電導線材。
【請求項４】
前記少なくとも一部の粒子は、前記断面形状の面積に対する周長の比率が２０μｍ−１以上５０μｍ−１以下である、請求項３に記載の酸化物超電導線材。
【請求項５】
前記複数の粒子は、粒子１個当たりの断面積が０．００５μｍ２以上１μｍ２以下である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の酸化物超電導線材。
【請求項６】
前記酸化物超電導層は、ＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸ（式中、ＲＥは希土類元素のうちの１種または２種以上を表す。）の組成式で表されるＲＥ１２３系超電導体からなり、
前記非超電導相は、ＲＥ２Ｏ３を含み、
Ｘ線回折測定によるＲＥ２Ｏ３（２２２）面のピーク強度をＩＲＥ２Ｏ３（２２２）とし、ＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸ（００３）面のピーク強度をＩＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸ（００３）とすると、ピーク強度比ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）／（ＩＲＥ２Ｏ３（２２２）＋ＩＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸ（００３））が０．０５以上である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の酸化物超電導線材。
【請求項７】
前記酸化物超電導層の単位断面積当たりの前記非超電導相の面積率は４０％以上である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の酸化物超電導線材。
【国際調査報告】
2017060968.tif 000011
2017060968.tif 000012
2017060968.tif 000013