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　特願２００２−５７５７０７「短波長像形成用フォトレジスト組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　３日国際公開、ＷＯ０２／７７７１０、平成１７年　４月　７日国内公表、特表２００５−５０９１７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、２００２年３月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年３月２２日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年８月１日付けの拒絶理由の通知に対し、平成２０年２月６日付けで手続補正がなされたが、同年４月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２８日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　その請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」、「本願発明２」という。）は、平成２０年２月６日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載された下記のとおりのものと認められる。
　
（本願発明１）　
「ａ）（ｉ）含フッ素樹脂、（ｉｉ）イミドスルホナート化合物及びヨードニウム化合物のなかから選択される１つ以上のフォト酸発生剤、並びに（ｉｉｉ）脂環式アミンである塩基性添加物を混和することにより、フォトレジスト組成物を提供し；
　ｂ）前記フォトレジスト組成物のコーティング層を基板上に塗布し；並びに
　ｃ）前記フォトレジストコーティング層を２００ｎｍ未満の波長を有するパターン化された活性化放射線に露光し、そして前記露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含むフォトレジストレリーフ像を形成する方法。」
　
（本願発明２）　
「フッ素化樹脂とＮ−スルホニルオキシイミド、ジアゾスルホニル、α，α−メチレンジスルホン、ジスルホンヒドラジン、ニトロベンジル、またはジスルホニルアミンであるフォト酸発生剤化合物を含んでなるフォトレジスト組成物。」
　
３．引用刊行物
（１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された特開２０００−３２１７７４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審にて付与した。）
  
1a.「【請求項１】  
ハロゲン原子
トリフルオロメチル基
を含むレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成するパターン形成工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
　
1b.「【請求項７】  前記
レジスト材料は、化学増幅型レジストである
　
1c.「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体素子又は半導体集積回路のより一層の微細化を実現するためには、露光光としては、ＡｒＦエキシマレーザよりも波長が短い、Ｘｅ2　レーザ光（波長：１７２ｎｍ帯）、Ｆ2　 レーザ光（波長：１５７ｎｍ帯）、Ｋｒ2 レーザ光（波長：１４６ｎｍ帯）、ＡｒＫｒレーザ光（波長：１３４ｎｍ帯）、Ａｒ2 レーザ光（波長：１２６ｎｍ帯）又は軟Ｘ線（波長：１３ｎｍ帯、１１ｎｍ帯又は５ｎｍ帯）等を用いることが必要になる。
【０００６】〜【００１３】（中略）
【００１４】このように、レジストパターン５のパターン形状が不良になるのは、露光光がＦ2 レーザ光である場合に限らず、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光の場合にも、同様であった。
【００１５】前記に鑑み、本発明は、露光光として１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにすることを目的とする。」
　
1d.「【００２７】本発明のパターン形成方法において、
レジスト材料は、化学増幅型レジストである
　
1e.「【００４７】（第２の実施形態）第２の実施形態に係るパターン形成方法は、
レジスト材料のベース樹脂として
水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用いる
【００４８】
  ベース樹脂：
ポリ（ｐ−（２，２−ジフルオロビニル）フェノール−ｃｏ−ｐ−（１−エトキシエトキシ）−２，２−ジフルオロスチレン）
  酸発生剤：
ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．０１ｇ
  溶媒：エチルエトキシプロピオネート　　　　　　　　　　　　　４ｇ
【００４９】〜【００５１】（省略）
【００５２】第２の実施形態によると、ベース樹脂は、ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部がフッ素原子で置換されているため、短波長域の光に対する吸収性が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高くなるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面形状を有するレジストパターンを得ることができた。
【００５３】（第２の実施形態の変形例）第２の実施形態の変形例は、第２の実施形態と比べて、レジスト材料が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材料についてのみ説明する。すなわち、
レジスト材料のベース樹脂として、
水素原子の一部をトリフルオロメチル基で置換したもの
【００５４】
  ベース樹脂：
ポリ（ｐ−（α−トリフルオロメチルビニル）フェノール−ｃｏ−ｐ−（１−エトキシエトキシ）−α−トリフルオロメチルスチレン）
  酸発生剤：
ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．０１ｇ
  溶媒：エチルエトキシプロピオネート　　　　　　　　　　　　　４ｇ」
　
1f.「【００７１】（第５の実施形態）第５の実施形態に係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂として、ポリビニルアルコールのポリマー主鎖に結合している水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用いる。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明する。
【００７２】
  ベース樹脂：
ポリ（１，２−ジフルオロ−１−ヒドロキシエチレン−ｃｏ−１ ，２−ジフルオロ−１−ｔ−ブトキシエチレン）
  酸発生剤：
ジフェニルヨードニウムトリフレート  
  溶媒：エチルエトキシプロピオネート　　　　　　　　　　　　　４ｇ
【００７３】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射してパターン露光を行なう。このようにすると、レジスト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいては酸が発生しない。
【００７４】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性であるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジスト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対して可溶性になる。
【００７５】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなるレジストパターン１４が得られる。
【００７６】第５の実施形態によると、ベース樹脂は、ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部がフッ素原子で置換されているため、短波長域の光に対する吸収性が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高くなるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面形状を有するレジストパターンを得ることができた。」
　
1g.「【０１４７】さらに、前記の第１〜第１２の実施形態又はこれらの変形例においては、レジスト材料としては、
必要に応じてアミン類などの塩基性化合物
　
　上記の事項から、刊行物１には、以下の２発明が開示されていると認められる。（以下、順次、「刊行物１発明Ａ」、「刊行物１発明Ｂ」という。）
  　  
Ａ．刊行物１発明Ａ
「ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部をフッ素原子またはトリフルオロメチル基で置換したベース樹脂、ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタンである酸発生剤を含む化学増幅型レジスト材料。」
　
Ｂ．刊行物１発明Ｂ
「フッ素原子で置換したベース樹脂、ジフェニルヨードニウムトリフレートを含む化学増幅型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成するパターン形成工程とを備えているパターン形成方法。」
　
（２）また、原査定の拒絶の理由に引用文献４として引用された、特開２００１−５６５５７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審にて付与した。） 
　
2a.「【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
【化１】
一般式（Ｉ）中；Ｒ1は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜４個のアルキル基を表す。Ｒ2〜Ｒ7は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。但し、Ｒ6、Ｒ7のうち、少なくとも一つは水素原子以外の基である。Ｒ6とＲ7が結合して環を形成してもよい。ｍ、ｎは、各々独立に、０又は１を表す。但し、ｍ、ｎは同時に０を表すことはない。」
　
2b.「【請求項５】  更に（Ｄ）
酸拡散抑制剤
【請求項６】  （Ｄ）の化合物が含窒素塩基性化合物であり、該含窒素塩基性化合物が、
１,５−ジアザビシクロ[４.３.０]−５−ノネン、１,８−ジアザビシクロ[５.４.０]−７−ウンデセン、１,４−ジアザビシクロ[２.２.２]オクタン
【請求項７】  
（Ａ）の化合物が、
ヨードニウムのスルホン酸塩化合物
【請求項８】  
（Ａ）の化合物が、Ｎ−ヒドロキシイミドのスルホネート化合物又はジスルホニルジアゾメタン化合物
【請求項９】 
 露光光として、波長１５０ｎｍ〜２２０ｎｍの遠紫外線を用いる
　
2c.「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに使用するポジ型フォトレジスト組成物に関するものである。更に詳しくは、エキシマレ−ザ−光を含む遠紫外線領域、特に２５０ｎｍ以下の波長の光を使用して高精細化したパターンを形成しうるポジ型フォトレジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路はその集積度を益々高めており、超ＬＳＩ等の半導体基板の製造に於いてはハーフミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要とされるようになってきた。その必要性を満たすためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使用波長は益々短波化し、今では、遠紫外線の中でも短波長のエキシマレーザー光（ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦ等）を用いることが検討されるまでになってきている。この波長領域におけるリソグラフィーのパターン形成に用いられるものとして、
化学増幅系レジストがある。
　
2d.「【０１４５】本発明で用いられる
（Ｄ）酸拡散抑制剤
【０１４６】〜【０１４８】（省略）
【０１４９】・・・Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−ヒドロキシエチルモルホリン、Ｎ−ベンジルモルホリン、
シクロヘキシルモルホリノエチルチオウレア（ＣＨＭＥＴＵ）等の３級モルホリン誘導体
１,５−ジアザビシクロ[４.３.０]−５−ノネン、１,８−ジアザビシクロ[５.４.０]−７−ウンデセン、１,４−ジアザビシクロ[２.２.２]オクタン
１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザビシクロ〔２，２，２〕オクタン
ヘキサメチレンテトラミン、ＣＨＭＥＴＵ、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバゲート
　
2e.「【０１５６】上記レジスト液を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）上に（必要により上記反射防止膜を設けられた基板上に）、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現像することにより良好なレジストパターンを得ることができる。ここで露光光としては、好ましくは１５０ｎｍ〜２５０ｎｍの波長の光である。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、
ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ
2
エキシマレーザー（１５７ｎｍ）
　
３．対比・判断
３−Ａ．本願発明２について
　まず、本願発明２と刊行物１発明Ａとを比較すると、次のとおりである。　刊行物１発明Ａの「ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部をフッ素原子またはトリフルオロメチル基で置換したベース樹脂」、「酸発生剤」、「化学増幅型レジスト材料」は、それぞれ、本願発明２の「フッ素化樹脂」、「フォト酸発生剤化合物」、「フォトレジスト組成物」に相当する。
　また、本願発明２の「ジアゾスルホニル」は、本願明細書の【００５５】〜【００５６】記載の「ジアゾスルホンＰＡＧ」であって、式ＶＩＩ（本願明細書【００５６】記載のもの）を包含するものを意味するものであるから、刊行物1発明Ａの「ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン」は、本願発明２の「ジアゾスルホニル」に相当する。
　
　したがって、本願発明２と刊行物１発明Ａとは、 
「フッ素化樹脂とジアゾスルホニルであるフォト酸発生剤化合物を含んでなるフォトレジスト組成物。」
である点で一致し、相違する点はない。
　よって、本願発明２に係る発明を特定するための事項はいずれも刊行物１に記載されているから、本願発明２は刊行物１に記載された発明である。
　　 
３−Ｂ．本願発明１について
　次に、本願発明１と刊行物１発明Ｂとを比較すると、次のとおりである。
　刊行物１発明Ｂの「フッ素原子を含むベース樹脂」、「ジフェニルヨードニウムトリフレート」、「酸発生剤」、「化学増幅型レジスト材料」、「レジスト膜」、「１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後」、「パターン露光された前記レジスト膜を現像」、「レジストパターンを形成するパターン形成工程とを備えているパターン形成方法」は、それぞれ、本願発明１の「含フッ素樹脂」、「ヨードニウム化合物」、「フォト酸発生剤化合物」、「フォトレジスト組成物」、「コーティング層」、「２００ｎｍ未満の波長を有するパターン化された活性化放射線に露光し」、「前記露光されたフォトレジスト層を現像」、「フォトレジストレリーフ像を形成する方法」に相当する。
　
　したがって、本願発明１と刊行物１発明Ｂとは、 
「ａ）（ｉ）含フッ素樹脂、（ｉｉ）ヨードニウム化合物から選択される１つ以上のフォト酸発生剤を混和することにより、フォトレジスト組成物を提供し；
　ｂ）前記フォトレジスト組成物のコーティング層を基板上に塗布し；並びに
　ｃ）前記フォトレジストコーティング層を２００ｎｍ未満の波長を有するパターン化された活性化放射線に露光し、そして前記露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含むフォトレジストレリーフ像を形成する方法。」
である点で一致し、次の相違点１で相違する。
　
［相違点１］フォトレジスト組成物の組成として、
　本願発明１が「（ｉｉｉ）脂環式アミンである塩基性添加物」をも混和することを必須としているのに対し、
　刊行物１発明Ｂでは、そのような特定がない点。
　
　以下、この相違点１について検討する。
　刊行物１発明Ｂは、いわゆる「化学増幅型レジスト」と呼ばれ、短波長のレーザー光露光に対応したフォトレジストであり、「レジスト材料としては、必要に応じてアミン類などの塩基性化合物又は界面活性剤などの添加剤が含まれていてもよい」（上記摘記事項1g.）ことが記載されている。
　一方、刊行物２には、このような「化学増幅型レジスト」において、露光後加熱及び現像処理までの経時での感度、解像度の変動を抑制する点で添加する酸拡散抑制剤として、有機塩基性化合物を用いること、特に好ましい例として、「１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザビシクロ〔２，２，２〕オクタン、ヘキサメチレンテトラミン、ＣＨＭＥＴＵ、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバゲート等が記載され、これらは本願発明１の「脂環式アミン」に相当する。
　そして、ヨードニウムのスルホン酸塩化合物である酸発生剤と併用することも記載されている。
　すなわち、刊行物２には、酸発生剤としてヨードニウムを含む化学増幅型レジストにおいて、露光後加熱及び現像処理までの経時での感度、解像度の変動を抑制すべく酸の拡散を抑制するために、「脂環式アミンである塩基性添加物」を用いることが記載されている。
　　 
　よって、刊行物１発明Ｂと刊行物２記載の技術的事項は、酸発生剤としてヨードニウムを含む化学増幅型レジストである点で共通するから、刊行物１発明Ｂにおいて、必要に応じて添加する「アミン類などの塩基性化合物」として、露光後加熱及び現像処理までの経時での感度、解像度の変動を抑制すべく酸の拡散を抑制するために、さらに刊行物２に記載の脂環式アミンである塩基性添加物を用いることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、刊行物１発明Ｂにさらに脂環式アミンである塩基性添加物を混和することによって、刊行物１、２から予測しえない顕著な作用効果を奏するとは認められない。
　
〔請求人の主張について〕
　請求の理由における、「（２）理由２（新規性）及び理由３（進歩性）について」にて、刊行物１に関し、「引用文献１には、本願発明の構成要件である脂環式アミンである塩基性添加物は記載も示唆もされていません。」と請求人は主張しているが、「塩基性添加物」は、本願発明２の構成要件ではない。
　（なお、同様の指摘は原査定でもなされており、原査定を検討した上での主張とは考えがたい。）
　また、本願発明１に関しては、「このように、引用文献１，３及び４には、上述のように本願発明の発明特定事項である脂環式アミンである塩基性添加物又は含フッ素樹脂が記載されておらず、本願発明の構成要件を満たす具体的な組成物は何ら記載されていません。本願発明は、本願明細書の実施例で実証されていますように、本願発明の含フッ素樹脂及び脂環式アミンである塩基性添加物を含む全ての構成要件が満たされてはじめて本願発明の効果を奏するものです（本願明細書段落００９０〜００９３参照）。したがって、これらの引用文献に本願発明の構成要件の一部が記載されていたとしても、本願発明の全ての構成要件を満たす具体的な組み合わせが記載されていないのですから、当業者が引用文献１，３及び４の記載に基づいて、本願発明の構成要件に想到することは困難であると思料します。」と主張している。（但し、原査定において引用文献３は引用されていない。）
　たしかに本願の実施例で脂環式アミンは用いられているものの、本願請求項２，３では、脂環式アミンは必須の構成要件ではなく、本願明細書【００６５】でも、任意成分として記載されている。そして、本願の実施例には、特定のフォトレジスト組成により、レリーフ画像を得た旨が記載されているだけで、本願明細書中に、「脂環式アミン」を併用した場合の顕著な選択的作用効果は示されていない。
　よって、請求人の主張を勘案しても、刊行物１および４に基づいて容易に発明することができたものでないとすることはできない。
　
４．むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である刊行物１および２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願の請求項２に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。