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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の衝撃拡散層上に第１の耐衝撃層と、
前記第１の耐衝撃層上に、半導体集積回路と、
前記半導体集積回路上に、第２の衝撃拡散層と、
前記第２の衝撃拡散層上に、第２の耐衝撃層と、
前記第１の衝撃拡散層の前記半導体集積回路と反対側の面、前記第１の衝撃拡散層と前記第１の耐衝撃層との間の面、前記第２の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面または前記第２の衝撃拡散層と前記第２の耐衝撃層との間の面、のいずれか一方には前記半導体集積回路と重なる導電層と、を有し、
前記導電層は、前記半導体集積回路と電気的に接続せず、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層は前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層より弾性率が低く、かつ破断強度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体集積回路と前記第２の衝撃拡散層との間に接着層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層はゴム弾性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層はアラミド樹脂フィルムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層の厚さは５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の耐衝撃層上に、半導体集積回路と、
前記半導体集積回路上に、衝撃拡散層と、
前記衝撃拡散層上に、第２の耐衝撃層と、
前記第１の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面、前記第２の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面または前記衝撃拡散層と前記第２の耐衝撃層との間の面、のいずれか一方には前記半導体集積回路と重なる導電層と、を有し、
前記導電層は、前記半導体集積回路と電気的に接続せず、
前記衝撃拡散層は前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層より弾性率が低く、かつ破断強度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記半導体集積回路と前記衝撃拡散層との間に接着層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記衝撃拡散層はゴム弾性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記衝撃拡散層はアラミド樹脂フィルムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、
前記衝撃拡散層の厚さは５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１の耐衝撃層上に、半導体集積回路と、
前記半導体集積回路上に、第２の耐衝撃層と、
前記第１の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面または前記第２の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面、のいずれか一方には前記半導体集積回路と重なる導電層と、を有し、
前記導電層は、前記半導体集積回路と電気的に接続しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記半導体集積回路は、前記導電層と反対側の表面にアンテナを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記導電層は金属膜、金属窒化膜、金属酸化膜のいずれか一、またはそれらの積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層は繊維体に有機樹脂が含浸された構造体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記繊維体は織布または不織布であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５において、
前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一項において、
前記有機樹脂は、熱硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７において、
前記熱可塑性樹脂は、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構の下部に配設される加熱機構と、
前記基板保持機構と前記加熱機構との間に接触した状態で介装されて、当該加熱機構で発生した熱を前記基板保持機構へ伝える熱伝導性部材と、を有し、
前記熱伝導性部材は、中央部がくり抜かれた第１シート部を有することを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記熱伝導性部材は、前記第１シート部と前記加熱機構との間にプレート状の第２シート部をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記第１シート部は、リング状又は枠体状であることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記第２シート部は、円盤状又は矩形状であることを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記基板保持機構の外縁部は、弾性を有する複数の係止部材によって前記加熱機構に固定されることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記基板保持機構は、前記基板を静電力により吸着保持することを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の基板保持装置は、基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構の下部に配設される加熱機構と、前記基板保持機構と前記加熱機構との間に接触した状態で介装されて、当該加熱機構で発生した熱を前記基板保持機構へ伝える熱伝導性部材と、を有し、前記熱伝導性部材は、中央部がくり抜かれた第１シート部を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接する半導体層と、
一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、
を有し、
前記半導体層は、厚さが５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の複数の半導体層と、前記複数の半導体層の間に形成されるＮＨ基を有する層とが積層されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接する半導体層と、
一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、
前記半導体層と前記一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層との間の非晶質半導体により構成されるバッファ層と、
を有し、
前記半導体層は、厚さが５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の複数の半導体層と、前記複数の半導体層の間に形成されるＮＨ基を有する層とが積層されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ＮＨ基は、前記半導体層中の半導体原子同士を架橋することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が、５×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記半導体層は非晶質半導体または微結晶半導体を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層に積層され、非晶質構造を有する第２の半導体層と、
一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、
を有し、
前記第１の半導体層は、厚さが５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の複数の半導体層と、前記複数の半導体層の間に形成されるＮＨ基を有する層とが積層されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項６において、前記ＮＨ基は、前記第１の半導体層中の半導体原子同士を架橋することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項６または７において、前記第１の半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が、５×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第１の半導体層は、非晶質半導体層または微結晶半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層は、ソース領域又はドレイン領域としての機能を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
半導体材料ガス及び水素を導入し高周波電力を印加して、基板上に半導体層を形成する第１の工程と、
窒素を含有するガスを用いて前記半導体層の表面にＮＨ基を結合させる第２の工程と、
前記第１の工程及び前記第２の工程を繰り返すことにより、窒素を含有する半導体層を形成する第３の工程と、
前記窒素を含有する半導体層を用いて薄膜トランジスタを作製する第４の工程と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記第２の工程は、前記窒素を含有するガスをＣＶＤ装置の処理室に導入して行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記第２の工程は、前記窒素を含有するガスをＣＶＤ装置の処理室に導入した後、高周波電力を印加して行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項１１において、前記第２の工程は、希ガスをＣＶＤ装置の処理室に導入し高周波電力を印加した後、前記窒素を含有するガスを前記処理室に導入して行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項１１において、前記第２の工程は、希ガスをＣＶＤ装置の処理室に導入し高周波電力を印加した後、前記窒素を含有するガスを前記処理室に導入し、高周波電力を印加して行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか一項において、前記窒素を含有するガスは、ＮＨ結合を有するガスであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性半導体記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不純物領域を有する第１の半導体層と、
第２の半導体層と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、且つ前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層と重畳するフローティングゲートと、
前記フローティングゲート上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられ、且つ前記第１の半導体層、前記第２の半導体層及び前記フローティングゲートと重畳するコントロールゲートと、
前記第１の半導体層に設けられた前記不純物領域に電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第２の半導体層に電気的に接続された、第２の導電膜及び第３の導電膜と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記不純物領域は、前記コントロールゲートを挟んで前記第１の半導体層の２箇所の領域に離間して設けられており、前記第１の導電膜が前記離間して設けられた前記不純物領域の双方と電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記フローティングゲートの端部は、前記第１の半導体層の上方に配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記コントロールゲートは、前記第２の絶縁膜を介して前記フローティングゲートを覆うように設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、ガラス基板上に設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の半導体層は、書き込み動作及び消去動作に用いることができる機能を有し、
前記第２の半導体層は、読み出し動作に用いることができる機能を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
書き込み動作又は消去動作時に、前記第２の導電膜、前記第３の導電膜及び前記コントロールゲートに同一の電位が印加されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の半導体層は、前記第１の導電膜と重なっており、
前記第２の導電膜は、前記第２の半導体層と重なる領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記第２の半導体層と重なる領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接し、チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層と、
一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、を有し、
前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層は、ＮＨ基を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接し、チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層と、
一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、
前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層と前記一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層との間に、非晶質半導体により構成されるバッファ層と、を有し、
前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層は、ＮＨ基を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ＮＨ基は、前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層に含まれる半導体原子同士を架橋することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記ＮＨ基の窒素原子は、前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層の第１の半導体原子、第２の半導体原子、及び水素原子と結合することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記チャネル形成領域としての機能を有する非晶質半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が、５×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接し、非晶質半導体を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層に積層され、非晶質半導体を含む第２の半導体層と、
一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層は、ＮＨ基を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項６において、前記ＮＨ基は、前記第１の半導体層に含まれる半導体原子同士を架橋することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項６または７において、前記ＮＨ基の窒素原子は、前記第１の半導体層の第１の半導体原子、第２の半導体原子、及び水素原子と結合することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第１の半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が、５×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層は、ソース領域又はドレイン領域としての機能を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱されたガス状のプロセス雰囲気を含むように構成され、その底部が開放端でプロセスチャンバを確定するプロセスチューブを備えた半導体処理装置又はこれに使用するのに適しているペデスタルであって、
該ペデスタルは、前記プロセスチューブの開放端底部によって、可動的に受容されるとともに、複数の実質的に水平方向で垂直方向に積層された熱シールドプレートを具え、そのうちの少なくとも１が、熱を前記ガス状の雰囲気からプロセスチャンバに向けるために、アモルファスSio2粒子から構成される熱反射コーティングが少なくとも部分的に設けられる半導体処理装置又はこれに使用するのに適しているペデスタル。
【請求項２】
塗布される熱反射コーティングが、O.05mmから2mmの間の厚さを有する請求項1に記載のペデスタル。
【請求項３】
前記塗布される熱反射コーティングが、250nmから2650nmの間の電磁波波長に対して、0.95を超える平均反射率を有する請求項1に記載のペデスタル。
【請求項４】
前記熱反射コーティングの表面が、火炎研磨によって密封されている請求項1に記載のペデスタル。
【請求項５】
前記プレートが、不透明又は透明な可溶石英材料の構成物である請求項1に記載のペデスタル。
【請求項６】
少なくとも１つのプレートが、主要な表面のその両方に熱反射コーティングが設けられている請求項５に記載のペデスタル。
【請求項７】
前記プロセスチャンバに面する主要な表面の熱反射コーティングは、プロセスチャンバから離れて面する主要な表面の熱反射コーティングと異なる厚さを有する請求項６に記載のペデスタル。
【請求項８】
前記プロセスチャンバに面する主要な表面の熱反射コーティングが、0.95を超える平均反射率に適合する厚さを有するとともに、ドアープレートに面する主要な表面の熱反射コーティングが、０．２０−０．８０の範囲内の平均反射率に適合する厚さを有する請求項７に記載のペデスタル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以上述べたディーゼルエンジンの排気浄化装置を用いた排気浄化方法は、前記尿素噴射ノズルから噴霧された尿素水から生成されたアンモニア（ＮＨ3）が、排気ガス中の硫黄酸化物（ＳＯｘ）と反応して２ＮＨ3＋Ｈ2ＳＯ4→（ＮＨ4）2ＳＯ4が生じ、この（ＮＨ4）2ＳＯ4が前記選択還元型触媒に捕捉されて熱分解によりアンモニア（ＮＨ3）が生成され、このアンモニア（ＮＨ3）がＮＯｘの還元反応に使用されることを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
先ず、尿素噴射ノズル２２から噴霧された尿素水が加水分解、熱分解して生成されたアンモニア（ＮＨ3）と排気ガス中のＳＯ4等とが反応して、２ＮＨ3＋Ｈ2ＳＯ4→（ＮＨ4）2ＳＯ4が生成される。生成された（ＮＨ4）2ＳＯ4は、中和物なので、排気配管５、低圧段タービン１３の腐食の問題は生じない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
その後、この（ＮＨ4）2ＳＯ4が低圧段タービン１３の直下のＳＣＲ２３に捕捉され、所定温度（例えば１２０℃）以上になると熱分解してアンモニア（ＮＨ3）が生成され、このアンモニア（ＮＨ3）がＳＣＲ２３にてＮＯｘの還元反応に使用される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載のディーゼルエンジンの排気浄化装置を用いた排気浄化方法であって、
前記尿素噴射ノズルから噴霧された尿素水から生成されたアンモニア（ＮＨ3）が、排気ガス中の硫黄酸化物（ＳＯｘ）と反応して２ＮＨ3＋Ｈ2ＳＯ4→（ＮＨ4）2ＳＯ4が生じ、
この（ＮＨ4）2ＳＯ4が前記選択還元型触媒に捕捉されて熱分解によりアンモニア（ＮＨ3）が生成され、
このアンモニア（ＮＨ3）がＮＯｘの還元反応に使用される
ことを特徴とするディーゼルエンジンの排気浄化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔の少なくとも片面に電気二重層容量の逆数(１／Ｃ)値が０．３〜０．８ｃｍ２／μＦである有機防錆皮膜が形成されている表面処理銅箔。
【請求項２】
前記銅箔の有機防錆皮膜が形成される面の表面粗さが、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４で規定する１０点平均粗さ（Ｒｚ）で２．０μｍ以下である請求項1に記載の表面処理銅箔。
【請求項３】
前記有機防錆皮膜がトリアゾール化合物、ジカルボン酸類、アミン類とで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項４】
前記有機防錆皮膜がテトラゾール化合物、ジカルボン酸類、アミン類とで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項５】
銅箔の少なくとも片面に電気二重層容量の逆数(１／Ｃ)値が０．３〜０．８ｃｍ２／μＦである有機防錆皮膜を、銅箔表面にトリアゾール化合物、ジカルボン酸類、アミン類を含有する溶液を接触、乾燥させて形成する表面処理銅箔の製造方法。
【請求項６】
銅箔の少なくとも片面に電気二重層容量の逆数(１／Ｃ)値が０．３〜０．８ｃｍ２／μＦである有機防錆皮膜を、銅箔表面にテトラゾール化合物、ジカルボン酸類、アミン類を含有する溶液を接触、乾燥させて形成する表面処理銅箔の製造方法。
【請求項７】
ＪＩＳＢ０６０１−１９９４で規定する１０点平均粗さ（Ｒｚ）が２．０μｍ以下である銅箔の少なくとも片面に電気二重層容量の逆数(１／Ｃ)値が０．３〜０．８ｃｍ２／μＦである有機防錆皮膜を、銅箔表面にトリアゾール化合物、ジカルボン酸類、アミン類を含有する溶液を接触、乾燥させて形成する表面処理銅箔の製造方法。
【請求項８】
ＪＩＳＢ０６０１−１９９４で規定する１０点平均粗さ（Ｒｚ）が２．０μｍ以下である銅箔の少なくとも片面に電気二重層容量の逆数(１／Ｃ)値が０．３〜０．８ｃｍ２／μＦである有機防錆皮膜を、銅箔表面にテトラゾール化合物、ジカルボン酸類、アミン類を含有する溶液を接触、乾燥させて形成する表面処理銅箔の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタクリル酸エステル単量体を含有するアクリル系樹脂の製造方法であって、
メタクリル酸エステル単量体８０〜１００質量％、及びアクリル酸エステル単量体２０〜０質量％を含有する原料混合物から重量平均分子量が５０００〜５００００である重合体（Ｉ）を、前記アクリル系樹脂全体に対して５〜４５質量％製造する工程と、
前記重合体（Ｉ）の存在下で、さらに、メタクリル酸エステル単量体、及びアクリル酸エステル単量体を含む原料混合物を添加して、重量平均分子量が６００００〜３５００００である重合体（ＩＩ）を、前記アクリル系樹脂全体に対して９５〜５５質量％製造する工程と、
を、有し、
前記重合体（Ｉ）の原料混合物を添加してから重合発熱による発熱ピーク温度が観測さ
れた後、前記重合体（ＩＩ）の原料混合物を添加するまでの間に、前記重合体（Ｉ）の重
合温度（ｔ0）よりも高い温度（ｔ1）に昇温し、５〜１８０分間保持する工程を含むアク
リル系樹脂の製造方法。
【請求項２】
前記重合体（Ｉ）の重合温度（ｔ0）＋５（℃）≦前記昇温後の温度（ｔ1）である請求
項１に記載のアクリル系樹脂の製造方法。
【請求項３】
前記昇温後の温度（ｔ1）が８５℃以上である請求項１又は２に記載のアクリル系樹脂の製造方法。
【請求項４】
前記重合体（Ｉ）の原料混合物を添加してから重合発熱による発熱ピーク温度が観測さ
れるまでの時間を（Ｔ１）とし、
前記重合体（ＩＩ）の原料混合物を添加してから重合発熱による発熱ピーク温度が観測
されるまでの時間を（Ｔ２）としたとき、
下記式（１）を満たす請求項１乃至３のいずれか一項に記載のアクリル系樹脂の製造方法。
０．６＜Ｔ２／Ｔ１≦５  ・・・（１）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクリル系樹脂の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、アクリル系樹脂の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
〔１〕
メタクリル酸エステル単量体を含有するアクリル系樹脂の製造方法であって、
メタクリル酸エステル単量体８０〜１００質量％、及びアクリル酸エステル単量体２０〜０質量％を含有する原料混合物から重量平均分子量が５０００〜５００００である重合体（Ｉ）を、前記アクリル系樹脂全体に対して５〜４５質量％製造する工程と、
前記重合体（Ｉ）の存在下で、さらに、メタクリル酸エステル単量体、及びアクリル酸エステル単量体を含む原料混合物を添加して、重量平均分子量が６００００〜３５００００である重合体（ＩＩ）を、前記アクリル系樹脂全体に対して９５〜５５質量％製造する工程と、
を、有し、
前記重合体（Ｉ）の原料混合物を添加してから重合発熱による発熱ピーク温度が観測さ
れた後、前記重合体（ＩＩ）の原料混合物を添加するまでの間に、前記重合体（Ｉ）の重
合温度（ｔ0）よりも高い温度（ｔ1）に昇温し、５〜１８０分間保持する工程を含むアク
リル系樹脂の製造方法。
〔２〕
重合体（Ｉ）の重合温度（ｔ0）＋５（℃）≦昇温後の温度（ｔ1）である前記〔１〕に記載のアクリル系樹脂の製造方法。
〔３〕
前記昇温後の温度（ｔ1）が８５℃以上である前記〔１〕又は〔２〕に記載のアクリル系樹脂の製造方法。
〔４〕
前記重合体（Ｉ）の原料混合物を添加してから重合発熱による発熱ピーク温度が観測さ
れるまでの時間を（Ｔ１）とし、
前記重合体（ＩＩ）の原料混合物を添加してから重合発熱による発熱ピーク温度が観測
されるまでの時間を（Ｔ２）としたとき、
下記式（１）を満たす前記〔１〕乃至〔３〕のいずれか一に記載のアクリル系樹脂の製造方法。
０．６＜Ｔ２／Ｔ１≦５  ・・・（１）
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仕切り板によって区画された機械室と送風室とを有し、前記機械室の上部に、背面側に放熱板が設けられた電気品箱が設置された室外機において、
前記放熱板の周囲に該放熱板を取り囲んで背面側に延設された第１のダクトを設けると共に、該第１のダクトと前記仕切り板に設けた風路とを連通する第２のダクトを設け、
前記機械室の側面及び背面を覆う機械室パネルの背面側の前記放熱板と対向する位置に外気取入れ口を設けたことを特徴とする空気調和機の室外機。
【請求項２】
前記第２のダクトは、前記放熱板のフィンの間を通過した空気だけが流れるように、前記フィンの空間寸法に合った形状としたことを特徴とする請求項１記載の空気調和機の室外機。
【請求項３】
前記放熱板の周囲に設けた第１のダクトを、シール材を介して前記機械室パネルに設けた外気取入れ口の周囲に固定したことを特徴とする請求項１又は２記載の空気調和機の室外機。
【請求項４】
前記第１のダクトの底面を前記機械室パネル側に向って下方に傾斜させると共に、該傾斜した底面の先端部側に水抜き穴を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の空気調和機の室外機。
【請求項５】
前記第２のダクトの底面を前記仕切り板側に向って下方に傾斜させたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の空気調和機の室外機。
【請求項６】
前記請求項１〜５のいずれかの室外機を備えたことを特徴とする空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月30日(2011.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体を受け入れるための導入部を有するハウジングと、 流体からの圧力に応答して撓むためのダイアフラムと、 ダイアフラムによる移動に応答して変化するキャパシタンスを規定するキャパシターから離間した電極と、 導入部とダイアフラムとの間に配置され、分子がダイアフラムに到達する前に、分子が通過する１つまたは複数の開口部を規定するために形成されるバッフルとからなる静電容量性圧力センサーであって、 前記バッフルは、分子がダイアフラムに到達する前に、分子が導入部からハウジングとバッフルの間の通路に沿って開口部に移動しなければならないように配置され、形成されており、 通路の長さの、ハウジングとバッフルの間の間隙に対する比率が少なくとも１０である静電容量圧力センサー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファンモータに駆動される主板、空気吸込み口を有するシュラウド、及び前記主板とシュラウドとの間に設置された複数の翼からなり、
前記翼を、熱可塑性樹脂又は金属材料からなり前記翼の形状に沿った形状で上下方向と直交する穴が設けられた補強材を発泡樹脂部に上下方向に貫通させてインサートして形成したことを特徴とするターボファン。
【請求項２】
前記補強材の主板側及びシュラウド側が前記発泡樹脂部から露出していることを特徴とする請求項１記載のターボファン。
【請求項３】
前記翼を、前記発泡樹脂部から露出している補強材により前記主板及びシュラウドに接合したことを特徴とする請求項２記載のターボファン。
【請求項４】
前記補強材の後縁側が前記発泡樹脂部から露出して、翼形状に沿うように鋭角状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のターボファン。
【請求項５】
前記発泡樹脂部から露出した補強材に鋸歯状部を設けたことを特徴とする請求項４記載のターボファン。
【請求項６】
前記請求項１〜５のいずれかのターボファンを備えたことを特徴とする空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以上述べたディーゼルエンジンの排気浄化装置を用いた排気浄化方法は、前記尿素噴射ノズルから噴霧された尿素水から生成されたアンモニア（ＮＨ3）が排気ガス中の硫黄酸化物（ＳＯｘ）と反応して２ＮＨ3＋Ｈ2ＳＯ4→（ＮＨ4）2ＳＯ4が生じ、前記ディーゼルパティキュレートフィルタでパティキュレートマターを燃焼させた後に生じる灰分成分であるＣａＣＯ3と前記（ＮＨ4）2ＳＯ4とが反応して（ＮＨ4）2ＳＯ4＋ＣａＣＯ3→（ＮＨ4）2ＣＯ3＋ＣａＳＯ4が生じ、この（ＮＨ4）2ＣＯ3が熱分解して（ＮＨ4）2ＣＯ3→２ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ＋ＣＯ2が生じ、このＮＨ3が前記選択還元型触媒で捕捉されてＮＯｘの還元反応に使用されることを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
先ず、尿素噴射ノズル２２から噴霧された尿素水が加水分解、熱分解して生成されたアンモニア（ＮＨ3）と排気ガス中のＳＯ4等とが反応して、２ＮＨ3＋Ｈ2ＳＯ4→（ＮＨ4）2ＳＯ4が生成される。生成された（ＮＨ4）2ＳＯ4は、中和物なので、排気配管５、低圧段タービン１３の腐食の問題は生じない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
更に、ＤＰＦ２０でＰＭを燃焼させた後に生じる灰分成分であるＣａＣＯ3と生成された（ＮＨ4）2ＳＯ4とが反応して、（ＮＨ4）2ＳＯ4＋ＣａＣＯ3→（ＮＨ4）2ＣＯ3＋ＣａＳＯ4が生成される。生成された（ＮＨ4）2ＣＯ3は、所定温度（例えば５８℃）以上で次のような熱分解が生じる。（ＮＨ4）2ＣＯ3→２ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ＋ＣＯ2。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載のディーゼルエンジンの排気浄化装置を用いた排気浄化方法であって、
前記尿素噴射ノズルから噴霧された尿素水から生成されたアンモニア（ＮＨ3）が排気ガス中の硫黄酸化物（ＳＯｘ）と反応して２ＮＨ3＋Ｈ2ＳＯ4→（ＮＨ4）2ＳＯ4が生じ、
前記ディーゼルパティキュレートフィルタでパティキュレートマターを燃焼させた後に生じる灰分成分であるＣａＣＯ3と前記（ＮＨ4）2ＳＯ4とが反応して（ＮＨ4）2ＳＯ4＋ＣａＣＯ3→（ＮＨ4）2ＣＯ3＋ＣａＳＯ4が生じ、
この（ＮＨ4）2ＣＯ3が熱分解して（ＮＨ4）2ＣＯ3→２ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ＋ＣＯ2が生じ、
このＮＨ3が前記選択還元型触媒で捕捉されてＮＯｘの還元反応に使用される
ことを特徴とするディーゼルエンジンの排気浄化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記事前決定手段により遊技者にとって有利な特別遊技状態への移行を伴う特別入賞の発生を許容する旨が決定され、該特別入賞が発生しなかったときに、当該特別入賞の発生を許容する旨の決定を次ゲーム以降に持ち越す持越手段と、
前記事前決定手段により前記特別入賞の発生を許容する旨が決定されたときに、該特別入賞の発生を許容する旨が決定される前よりも高い確率で前記事前決定手段が前記再遊技入賞の発生を許容する旨の決定を行なう特別決定時再遊技高確率状態に移行させる特別決定時再遊技高確率状態移行手段とを備え、
前記特別決定時再遊技高確率状態において前記有利度設定手段により新たに設定値が設定された場合に、前記特別決定時再遊技高確率状態を維持し、該特別決定時再遊技高確率状態においては該新たな設定値に応じて定められた確率で前記再遊技入賞の発生を許容する旨の決定を行なうとともに、前記持越手段により持ち越されている前記特別入賞の発生を許容する旨の決定を消去することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のスロットマシン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の画像処理方法は、単数または複数の原稿が載置されている原稿台を読み取り、上記原稿の画像を含む原稿台画像を得る工程と、上記原稿台画像から、単数または複数の対象物領域を決定する第１の決定工程と、上記第１の決定工程で決定された全ての対象物領域を包含する領域を第１の領域として決定する第２の決定工程と、上記対象物領域の各輪郭線または上記第１の領域の輪郭線の、内側と外側との画像の特徴量を比較し、類似であるかどうかを判別する判別工程と、上記判別工程での判別の結果に基づいて、上記原稿の領域を決定する原稿領域決定工程とを有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単数または複数の原稿が載置されている原稿台を読み取り、上記原稿の画像を含む原稿台画像を得る工程と、
上記原稿台画像から、単数または複数の対象物領域を決定する第１の決定工程と、
上記第１の決定工程で決定された全ての対象物領域を包含する領域を第１の領域として決定する第２の決定工程と、
上記対象物領域の各輪郭線または上記第１の領域の輪郭線の、内側と外側との画像の特徴量を比較し、類似であるかどうかを判別する判別工程と、
上記判別工程での判別の結果に基づいて、上記原稿の領域を決定する原稿領域決定工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
請求項１の画像処理方法はさらに、
上記第１の決定工程で決定された対象物領域の集合を、第２の領域として決定する第３の決定工程を有し、
上記判別工程は、
上記原稿台画像から上記第１の領域を除いた領域を第３の領域とし、上記第３の領域の画像の第１の特徴量を抽出する第１抽出工程と、
上記原稿台画像から上記第２の領域と上記第３の領域とを除いた領域を第４の領域とし、上記第４の領域の画像の第２の特徴量を抽出する第２抽出工程と、
を有し、上記第１の特徴量と、上記第２の特徴量とを比較し、類似であるかどうかを判別する工程であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項３】
請求項２において、
上記原稿領域決定工程は、上記判別工程で類似であると判別されると、上記対象物領域のそれぞれの領域が原稿領域であると決定する工程であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項４】
請求項２において、
上記原稿領域決定工程は、上記判別工程で類似でないと判別されると、上記第１の領域が原稿領域であると決定する工程であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
請求項２において、
上記画像の特徴量は、輝度値に対応する画素の数のヒストグラムであることを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
請求項５において、
上記判別工程は、上記ヒストグラムの累積した値が所定の閾値を超える輝度値の差に基づいて、類似であるかどうかを判別する工程であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
請求項２において、
上記原稿台画像から、上記対象物の各々の厚みにより生じる影を検出する影検出工程を有し、
上記影検出工程で影が検出された場合、上記判別工程では、上記影により生じる上記特徴量の差があっても、類似であると判別することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
請求項１はさらに、
上記第１の決定工程で決定された対象物領域の集合を、第２の領域として決定する第３の決定工程を有し、
上記判別工程は、
上記単数または複数の対象物領域のうちの１つの対象物領域の、輪郭線の内側の部分領域の画像の第３の特徴量を抽出する第３抽出工程と、
上記１つの対象物領域の、輪郭線の外側の部分領域の画像の第４の特徴量を抽出する第４抽出工程と、
を有し、上記第３の特徴量と、上記第４の特徴量とを比較し、類似であるかどうかを判別する工程であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
請求項８において、
上記原稿領域決定工程は、上記判別工程で類似であると判別されると、上記第１の領域が原稿領域であると決定する工程であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
請求項８において、
上記原稿領域決定工程は、上記判別工程で類似でないと判別されると、上記対象物領域のそれぞれの領域が原稿領域であると決定する工程であることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
画像読取装置と接続される情報処理装置で実行するプログラムであって、
単数または複数の原稿が載置されている原稿台を読み取り、上記原稿の画像を含む原稿台画像を得る手順と、
上記原稿台画像から、単数または複数の対象物領域を決定する第１の決定手順と、
上記第１の決定手順で決定された全ての対象物領域を包含する領域を第１の領域として決定する第２の決定手順と、
上記対象物領域の各輪郭線または上記第１の領域の輪郭線の、内側と外側との画像の特徴量を比較し、類似であるかどうかを判別する判別手順と、
上記判別手順での判別の結果に基づいて、上記原稿の領域を決定する原稿領域決定手順と、
を上記情報処理装置に実行させるプログラム。
【請求項１２】
単数または複数の原稿が載置されている原稿台を読み取り、上記原稿の画像を含む原稿台画像を得る手段と、
上記原稿台画像から、単数または複数の対象物領域を決定する第１の決定手段と、
上記第１の決定手段が決定した全ての対象物領域を包含する領域を、第１の領域として決定する第２の決定手段と、
上記対象物領域の各輪郭線または上記第１の領域の輪郭線の、内側の画像の特徴量と外側の画像の特徴量とを比較し、類似であるかどうかを判別する判別手段と、
上記判別手段による判別の結果に基づいて、上記原稿の領域を決定する原稿領域決定手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１３】
請求項１２の画像処理装置はさらに、
上記原稿台と上記原稿とを覆う圧板を有し、
上記原稿台画像から上記第１の領域を除いた領域は、上記圧板を読み取った画像の領域であることを特徴とする画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月9日(2012.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素群と前記第１の画素群から補間された第２の画素群とから構成される画像データと、前記第１の画素群の検証データとを入力する入力手段と、
前記第１の画素群と前記検証データを用いて、前記第１の画素群が改竄されているか否かを検証をする第１の検証手段と、
前記第２の画素群と、前記第１の画素群とが所定の関係にあるか否かを判定することにより、前記第２の画素群が改竄されているか否かを検証する第２の検証手段と、
前記第１の検証手段による結果と第２の検証手段による結果に基づいて、前記画像データの改竄を判定する判定手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記第１の画素群は、撮像素子により撮像された画素群であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
撮像された際に用いられた画素配列情報を用いて前記第１の画素群の位置を特定する特定手段をさらに有し、
前記第１の検証手段は、前記特定手段によって特定された画素群の改竄を検知することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記所定の関係とは、前記第２の画素群にある画素の値が、前記画素と水平方向、及び垂直方向に隣接する第１の画素群の複数の画素の値の間にある、あるいは、前記第２の画素群にある画素の値が、前記画素と水平方向、及び垂直方向に隣接する第１の画素群の複数の画素の値の最小値と最大値との間にある、あるいは、前記第２の画素群にある画素の値と、前記画素と水平方向、及び垂直方向に隣接する第１の画素群の複数の画素の値の中間値の差の絶対値とが所定の閾値以下であるのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記第２の検証手段は、前記第１の検証手段によって第１の画素群が改竄されていないと判定された場合に、前記第２の画素群の改竄を検知することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
情報処理装置の制御方法であって、
前記情報処理装置の入力手段が、第１の画素群と前記第１の画素群から補間された第２の画素群とから構成される画像データと、前記第１の画素群の検証データとを入力する入力工程と、
前記情報処理装置の第１の検証手段が、前記第１の画素群と前記検証データを用いて、前記第１の画素群が改竄されているか否かを検証をする第１の検証工程と、
前記情報処理装置の第２の検証手段が、前記第２の画素群と、前記第１の画素群とが所定の関係にあるか否かを判定することにより、前記第２の画素群が改竄されているか否かを検証する第２の検証工程と、
前記情報処理装置の判定手段が、前記第１の検証工程による結果と第２の検証工程による結果に基づいて、前記画像データの改竄を判定する判定工程とを有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項７】
前記第１の画素群は、撮像素子により撮像された画素群であることを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記情報処理装置の特定手段が、撮像された際に用いられた画素配列情報を用いて前記第１の画素群の位置を特定する特定工程をさらに有し、
前記第１の検証工程は、前記特定工程によって特定された画素群の改竄を検知することを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項９】
前記所定の関係とは、前記第２の画素群にある画素の値が、前記画素と水平方向、及び垂直方向に隣接する第１の画素群の複数の画素の値の間にある、あるいは、前記第２の画素群にある画素の値が、前記画素と水平方向、及び垂直方向に隣接する第１の画素群の複数の画素の値の最小値と最大値との間にある、あるいは、前記第２の画素群にある画素の値と、前記画素と水平方向、及び垂直方向に隣接する第１の画素群の複数の画素の値の中間値の差の絶対値とが所定の閾値以下であるのいずれかであることを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
前記第２の検証工程は、前記第１の検証工程によって第１の画素群が改竄されていないと判定された場合に、前記第２の画素群の改竄を検知することを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータに読み込ませ実行させることで、前記コンピュータを、請求項１及至４のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータプログラムを格納することを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置及びその制御方法、検証装置及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の情報処理装置は、画像データを入力する画像入力手段と、前記画像データから、複数の画素からなる第１のブロックと、複数の画素からなり、かつ、前記第１のブロックと異なる第２のブロックとを選択する選択手段と、前記第２のブロックの画素値の平均値が、前記第１のブロックの画素値から算出される所定の範囲に含まれるかを判定する第１の判定手段と、前記第１の判定手段で、前記第２のブロックの画素値の平均値が、前記第１のブロックの画素値から算出される所定の範囲に含まれると判定された場合、前記第１のブロックの画素値の平均値と前記第２のブロックの画素値の平均値との相対的大小関係を算出する算出手段と、前記算出された相対的大小関係を用いて、前記画像データの検証データを生成する検証データ生成手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力する画像入力手段と、
前記画像データから、複数の画素からなる第１のブロックと、複数の画素からなり、かつ、前記第１のブロックと異なる第２のブロックとを選択する選択手段と、
前記第２のブロックの画素値の平均値が、前記第１のブロックの画素値から算出される所定の範囲に含まれるかを判定する第１の判定手段と、
前記第１の判定手段で、前記第２のブロックの画素値の平均値が、前記第１のブロックの画素値から算出される所定の範囲に含まれると判定された場合、前記第１のブロックの画素値の平均値と前記第２のブロックの画素値の平均値との相対的大小関係を算出する算出手段と、
前記算出された相対的大小関係を用いて、前記画像データの検証データを生成する検証データ生成手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
さらに、前記第１のブロックの画素値の分散が、所定の値以上かを判定する第２の判定手段を有し、
前記第２の判定手段において、前記第１のブロックの画素値の分散が、所定の値以上であると判定された場合に、前記第１の判定手段を動作させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２の情報処理装置で生成された検証データを用いて、前記画像データを検証する検証装置であって、
前記画像データと、前記検証データとを入力する入力手段と、
前記入力された画像データにおける前記第１のブロックの画素値の平均値と前記第２のブロックの画素値の平均値との相対的大小関係を算出する算出手段と、
前記相対的大小関係を用いて検証データを生成する検証データ生成手段と、
前記入力された検証データと前記生成された検証データを用いて、前記画像データが改竄されているかを検証する検証手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
情報処理装置の制御方法であって、
画像入力手段が、画像データを入力する画像入力工程と、
選択手段が、前記画像データから、複数の画素からなる第１のブロックと、複数の画素からなり、かつ、前記第１のブロックと異なる第２のブロックとを選択する選択工程と、
第１の判定手段が、前記第２のブロックの画素値の平均値が、前記第１のブロックの画素値から算出される所定の範囲に含まれるかを判定する第１の判定工程と、
算出手段が、前記第１の判定工程で、前記第２のブロックの画素値の平均値が、前記第１のブロックの画素値から算出される所定の範囲に含まれると判定された場合、前記第１のブロックの画素値の平均値と前記第２のブロックの画素値の平均値との相対的大小関係を算出する算出工程と、
生成手段が、前記算出された相対的大小関係を用いて、前記画像データの検証データを生成する検証データ生成工程とを有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項５】
第２の判定手段が、前記第１のブロックの画素値の分散が、所定の値以上かを判定する第２の判定工程を有し、
前記第２の判定工程において、前記第１のブロックの画素値の分散が、所定の値以上であると判定された場合に、前記第１の判定工程を実行することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２の情報処理装置で生成された検証データを用いて、前記画像データを検証する検証装置の制御方法であって、
入力手段が、前記画像データと、前記検証データとを入力する入力工程と、
算出手段が、前記入力された画像データにおける前記第１のブロックの画素値の平均値と前記第２のブロックの画素値の平均値との相対的大小関係を算出する算出工程と、
生成手段が、前記相対的大小関係を用いて検証データを生成する検証データ生成工程と、
検証手段が、前記入力された検証データと前記生成された検証データを用いて、前記画像データが改竄されているかを検証する検証工程とを有することを特徴とする検証装置。
【請求項７】
コンピュータに、請求項１又は請求項２に記載の情報処理装置が有する各手段を実行させるコンピュータプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納することを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
コンピュータに、請求項３に記載の検証装置が有する各手段を実行させるコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のコンピュータプログラムを格納することを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。