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　特願２００２−２４８５０８「窒化物半導体発光素子、その製造方法、それを搭載した光学装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１８日出願公開、特開２００４−　８７９０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年８月２８日の出願であって、平成１７年８月４日付け、平成２０年９月２日付け及び同年１２月２５日付けで手続補正がなされ、前記平成２０年１２月２５日付け手続補正が平成２１年３月６日付けで却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１６日に拒絶査定不服審判が請求され、同年５月１８日付けで手続補正がなされたものである。　
　
第２　平成２１年５月１８日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年５月１８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容・目的
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲（平成２０年９月２日付け手続補正後のもの）の請求項２である、
　
「　ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、
ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、
ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とが、
この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、
前記障壁層のＩｎＧａＮ層は前記ｐ型窒化物半導体層側の井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層は前記ｎ型窒化物半導体層側の井戸層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
　
を、補正後の特許請求の範囲の請求項２として、
　
「　ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とが、この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
　少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるとともに互いにＩｎ組成比が異なる複数のＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とからなる３層以上の構成であり、
　前記障壁層のＩｎＧａＮ層の一つは前記ｐ型窒化物半導体層側の井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層は前記ｎ型窒化物半導体層側の井戸層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
　
に、補正する内容を含むものである。　
　
　上記補正内容は、本件補正前の請求項２に係る発明を特定するために必要な事項である、障壁層につき、「井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含」むものを「井戸層のＩｎ組成比と異なるとともに互いにＩｎ組成比が異なる複数のＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とからなる３層以上の構成であ」るものに限定し、ｎ型窒化物半導体層側の井戸層に接する障壁層のＩｎＧａＮ層を「一つ」に限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項２に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）刊行物の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−３３０５５２号公報（以下「刊行物１」という。）には、図とともに次の事項が記載されている（下線は、審決で付した。以下同じ）。
　
（ア）「【００１４】
【実施例】［実施例１］図１は本実施例に係るＬＥＤ素子の構造を示す模式的な断面図である。以下、この図を基に実施例１について説明する。
【００１５】１インチ角の
ＳｉドープＧａＮよりなる窒化物半導体基板１を用意する
【００１６】（窒化物半導体基板１）２インチφ、Ｃ面を主面とするサファイアよりなる異種基板１をＭＯＶＰＥ反応容器内にセットし、温度を５００℃にして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ３）を用い、ＧａＮよりなるバッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長させる。バッファ層成長後、温度を１０５０℃にして、同じくＧａＮよりなる下地層を４μｍの膜厚で成長させる。
【００１７】下地層成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、この下地層の表面に、ストライプ幅１０μｍ、ストライプ間隔（窓部）２μｍのＳｉＯ２よりなる保護膜を形成する。保護膜形成後、ウェーハを再度ＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、温度を１０５０℃にして、ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープＧａＮ層を５μｍ成長させ、ＳｉＯ２の表面を覆う。成長後、ウェーハをＭＯＶＰＥ装置からＨＶＰＥ装置に移送しＧａメタルと、アンモニア、ＨＣｌ、シランガスを用い、Ｓｉを１×１０１８／ｃｍ３ドープしたｎ型ＧａＮ層を２００μｍの膜厚で成長させる。成長後、サファイア基板側から研磨して、サファイア基板、バッファ層、下地層、保護膜を除去することにより、総膜厚１７０μｍのＳｉドープＧａＮからなる窒化物半導体基板１を作製する。ＳｉドープＧａＮのＳｉ濃度は５×１０１７〜１×１０１９／ｃｍ３の範囲に調整することが望ましい。
【００１８】（バッファ層２）以上のようにして作製した窒化物半導体基板１をＭＯＶＰＥ装置に移送し、アンモニアとＴＭＧ、不純物ガスとしてシランガスを用い、
ＡＳ−ＧＲＯＷＮ側の窒化物半導体基板面に
Ｓｉを
ドープしたＧａＮよりなるバッファ層２を
成長させる
【００１９】（活性層３）
次に
Ｓｉを
ドープしたｎ型Ｉｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎよりなる障壁層を
成長させる
続いて
アンドープＩｎ
０．４
Ｇａ
０．６
Ｎよりなる井戸層を
成長させる
次に
アンドープ
中間層を
成長させる
次に
Ｓｉを
ドープしたｎ型Ｉｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎよりなる障壁層を
成長させる
【００２０】障壁層成長後、温度を７５０℃に下げ、
続いてアンドープＩｎ
０．４
Ｇａ
０．６
Ｎよりなる井戸層を
成長させる
続いて
アンドープ
中間層を
成長させ
次に
ＳｉドープＩｎ
０．０１
Ｇａ
０．９９
Ｎよりなる障壁層を
成長させる
【００２１】
このようにして障壁＋（井戸＋中間＋障壁）×３とを積層した
多重量子井戸構造（井戸層数３）からなる活性層３を成長させる
【００２２】
活性層３では、ＩｎＧａＮからなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい
障壁層との間に
障壁層とバンドギャップエネルギーが同一か、それよりも大きいＡｌＧａＮ、ＧａＮ（Ａｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎ、０≦Ｘ＜１）からなる中間層を成長させる
【００２３】（ｐ側クラッド層４）
続いて
Ｍｇを
ドープしたｐ型Ａｌ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎよりなるｐ側クラッド層４を
成長させる
【００２４】（ｐ側コンタクト層５）
最後に
Ｍｇを
ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層５を
成長させる
【００２５】成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、
最上層のｐ側コンタクト層５の表面に
ｐ電極６を
形成し
その上に
ボンディング用のｐパッド電極７を形成する
窒化物半導体基板の裏面のほぼ全面には
ｎ電極８を形成する
【００２６】
電極形成後、矩形状のチップに分離してＬＥＤ素子
　
（イ）上記（ア）からみて、刊行物１には、
　「ＳｉドープＧａＮよりなる窒化物半導体基板を用意し、該窒化物半導体基板面のＡＳ−ＧＲＯＷＮ側にＳｉをドープしたＧａＮよりなるバッファ層を成長させ、次にＳｉをドープしたｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる障壁層を成長させ、続いてアンドープＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなる井戸層を成長させ、次にアンドープの中間層を成長させ、次にＳｉをドープしたｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる障壁層を成長させ、続いてアンドープＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなる井戸層を成長させ、続いてアンドープの中間層を成長させ、次にＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層を成長させ、このようにして障壁＋（井戸＋中間＋障壁）×３とを積層した多重量子井戸構造（井戸層数３）からなる活性層を成長させ、次にＭｇをドープしたｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなるｐ側クラッド層を成長させ、最後にＭｇをドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層を成長させ、最上層のｐ側コンタクト層の表面にｐ電極を形成し、その上にボンディング用のｐパッド電極を形成し、窒化物半導体基板の裏面のほぼ全面にはｎ電極を形成し、電極形成後、矩形状のチップに分離したＬＥＤ素子であって、活性層では、ＩｎＧａＮからなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい障壁層との間に、障壁層とバンドギャップエネルギーが同一かそれよりも大きいＡｌＧａＮ、ＧａＮ（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ、０≦Ｘ＜１）からなる中間層を成長させる、ＬＥＤ素子。」
　
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
イ　同じく、特開平１０−８４１３２号公報（以下「刊行物２」という。）には、図とともに次の事項が記載されている
　
（ア）「【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明はこのような課題を解決するためになされたものである。即ち、３族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって、ｎ伝導型の第１の半導体層と、ｐ伝導型の第２の半導体層と、前記第１と第２の半導体層の間に設けられる超格子構造の発光層とを備えてなり、前記発光層が量子井戸層、バリア層及び前記量子井戸層と前記バリア層との間に形成されるバッファ層を含み、前記量子井戸層と前記バッファ層との間の電位障壁が、前記量子井戸層と前記バリア層との電位障壁よりも小さく、前記バッファ層の格子定数が前記量子井戸層の格子定数と前記バリア層の格子定数の間にあることを特徴とする半導体発光素子である。
【０００６】
【発明の作用及び効果】上記構成の
半導体素子
発光層において量子井戸層とバリア層との間に新規なバッファ層が導入された
このバッファ層の格子定数が量子井戸層の格子定数とバリア層の格子定数との間にあるので、量子井戸層、バッファ層及びバリア層において格子定数の変化がなだらかなものとなる
各層の界面における格子欠陥の発生を抑制することができる
半導体発光素子は格子欠陥の発生を防止し
　
（イ）「【０００８】
量子井戸層１はＩｎ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎからなる
【０００９】
バッファ層２はＩｎ
Ｙ
Ｇａ
１−Ｙ
Ｎからなる
バリア層３がＧａＮからなる
【００１０】また、量子井戸層１におけるＩｎの組成比Ｘに対し、バッファ層２の組成比Ｙは
Ｘ＞Ｙの関係にある
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「ＳｉをドープしたＧａＮよりなるバッファ層」、「『Ｍｇをドープしたｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなるｐ側クラッド層』ないし『Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層』」及び「ＬＥＤ素子」は、それぞれ、本願補正発明の「ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層」、「ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　
イ　引用発明は、「井戸層」よりもバンドギャップエネルギーが大きい「障壁層」との間に、「障壁層」とバンドギャップエネルギーが同一かそれよりも大きい「中間層」を成長させるものであって、「障壁層」のバンドギャップエネルギー及び「中間層」のバンドギャップエネルギーが、「井戸層」のバンドギャップエネルギーよりも大きなものであり、また、引用発明の「活性層」は、障壁＋（井戸＋中間＋障壁）×３とを積層した多重量子井戸構造からなるものであるところ、「中間層」及び「障壁層」は、隣り合う井戸層の間に配置するものといえるから、
（ア）引用発明の「アンドープＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなる井戸層」は、本願補正発明の「井戸層」と、「ＩｎＧａＮ層からなる」点で一致し、
（イ）引用発明の「障壁層」は、上記「アンドープＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなる井戸層」とはＩｎ組成比が異なるＩｎＧａＮ層といえるから、引用発明の「障壁層」は、本願補正発明の「障壁層のＩｎＧａＮ層」と、「井戸層のＩｎ組成比と異なる」点で一致し、
（ウ）引用発明の「中間層」は、ＧａＮであってよいから、引用発明の「中間層」は、本願補正発明の「障壁層のＧａＮ層」と、「ＧａＮ層」である点で一致し、
（エ）引用発明の「障壁層」及び「中間層」は、本願補正発明の「障壁層」と、「少なくとも井戸層に接して挟まれ」る点、及び、「井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とからな」る点で一致する。
　
ウ　引用発明の「ＬＥＤ素子」は、「ＳｉをドープしたＧａＮよりなるバッファ層」、「多重量子井戸構造（井戸層数３）からなる活性層」、「Ｍｇをドープしたｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなるｐ側クラッド層」及び「最後にＭｇをドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層」の順に成長するものであり、前記「活性層」が発光層であることは明らかであるから、上記アに照らせば、引用発明は、本願補正発明の「ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とが、この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子」との事項を備える。
　
エ　引用発明は、アンドープＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなる井戸層（以下「井戸層１」という。）を成長させ、次に中間層を成長させ、次に障壁層を成長させ、続いてアンドープＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなる井戸層（以下「井戸層２」という。）を成長させるものであるから、引用発明の「中間層」は「井戸層１」に接するものであり、引用発明の「障壁層」は「井戸層２」に接するものである。
　しかるところ、上記ウに照らせば、引用発明の「井戸層」につき、先に成長した「井戸層１」が本願補正発明の「ｎ型窒化物半導体層側の井戸層」であり、後に成長した「井戸層２」が本願補正発明の「ｐ型窒化物半導体層側の井戸層」であるから、上記イに照らせば、引用発明は、本願補正発明の「障壁層のＩｎＧａＮ層はｐ型窒化物半導体層側の井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層はｎ型窒化物半導体層側の井戸層に接する」との事項を備える。
　
オ　上記アないしエから、本願補正発明と引用発明とは、
「　ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とが、この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
　少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とからなり、
　前記障壁層のＩｎＧａＮ層は前記ｐ型窒化物半導体層側の井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層は前記ｎ型窒化物半導体層側の井戸層に接する、窒化物半導体発光素子。」の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
　本願補正発明においては、障壁層のうち井戸層とは異なるＩｎ組成比であるＩｎＧａＮ層が「互いにＩｎ組成比が異なる複数」からなるものであって、その「一つ」がｐ型窒化物半導体層側の井戸層に接しており、障壁層が「３層以上の構成」であるのに対し、引用発明の障壁層は、そのようなものではない点（以下「相違点」という。）。
　
（３）判断
　上記相違点について検討する。　
ア　上記（１）イに照らせば、刊行物２には、半導体発光素子の発光層において、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる量子井戸層とＧａＮからなるバリア層との間にＩｎＹＧａ１−ＹＮ（Ｘ＞Ｙの関係にある）からなるバッファ層が導入され、このバッファ層の格子定数が量子井戸層の格子定数とバリア層の格子定数との間にあるので、量子井戸層、バッファ層及びバリア層において格子定数の変化がなだらかなものとなり、各層の界面における格子欠陥の発生を抑制することができ、格子欠陥の発生を防止する旨の事項が開示されているものと認められる。
　
イ　しかるところ、各層の界面における格子欠陥の発生を抑制することは当業者に自明の課題であり、引用発明において前記課題を満たすために、引用発明の「（ＡｌＧａＮ、ＧａＮ（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ、０≦Ｘ＜１）からなる）中間層」と「障壁層」とが接する面において、該「障壁層」よりもＩｎ組成比が低いＩｎＧａＮ層を形成し、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得たものというべきである。
　
ウ　また、「障壁層」を、「井戸層のＩｎ組成比と異なるとともに互いにＩｎ組成比が異なる複数のＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とからなる３層以上の構成」のものにすることについて、本願明細書には、「図９は、ＩｎＧａＮ層３３ａ、３３ｂ、３３ｃとＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃとの間に１層のＩｎＧａＮ層３４ａ、３４ｂ、３４ｃを挿入した例である。これにより障壁層が３層構造となる。具体的には、異なるＩｎ組成比を有するＩｎＧａＮ層３４ａ、３４ｂ、３４ｃを挿入することにより作製することができる。このように、障壁層を３層以上の構成としても何ら問題はない。」（段落【００６０】）、「なお、図７〜図９の窒化物半導体レーザ素子は、上述したタイプＡとタイプＢとの関係のように層順を反転させてもよい。」（段落【００６１】）と記載されるにとどまり、本願補正発明の「障壁層」を、「井戸層のＩｎ組成比と異なるとともに互いにＩｎ組成比が異なる複数のＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とからなる３層以上の構成」のものにすることについて、格別の技術的意義が認められない。
　
エ　そうであれば、本願補正発明の奏する効果が、引用発明及び刊行物２の記載事項から当業者が予測可能な域を超える程の格別なものとは認められない。
　
オ　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、独立して特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上の検討によれば、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年９月２日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１で、本件補正前の請求項２として記載されたとおりのものである。
　
２　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である刊行物１及びその記載事項は、前記第２［理由］２（１）アに記載したとおりである。
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　上記第２[理由]２（２）に照らせば、「ＳｉをドープしたＧａＮよりなるバッファ層」、「井戸層」、「障壁層」、「中間層」、「『Ｍｇをドープしたｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなるｐ側クラッド層』ないし『Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層』」及び「ＬＥＤ素子」は、それぞれ、本願発明の「ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層」、「井戸層」、「障壁層のＩｎＧａＮ層」、「障壁層のＧａＮ層」、「ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層」及び「窒化物半導体発光素子」に相当し、引用発明は、本願発明の「ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とが、この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子」との事項、「少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み」との事項及び「障壁層のＩｎＧａＮ層はｐ型窒化物半導体層側の井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層はｎ型窒化物半導体層側の井戸層に接する」との事項を備えるから、本願発明と引用発明とは、
「　ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、
ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、
ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とが、
この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、
前記障壁層のＩｎＧａＮ層は前記ｐ型窒化物半導体層側の井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層は前記ｎ型窒化物半導体層側の井戸層に接する、窒化物半導体発光素子。」の点で一致し、相違する点はない。
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明である。
　
４　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。