Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された絶縁膜に形成された凹部に、高融点金属を含むバリアメタル膜を形成する工程と、
前記バリアメタル膜上に、前記凹部の一部を埋め込むように、銅および銅とは異なる不純物金属を含むシード合金膜を形成する工程と、
前記シード合金膜上に前記凹部を埋め込むように銅を主成分として含むめっき金属膜を形成する工程と、
前記シード合金膜および前記めっき金属膜を、２００℃以上、１０分以下で熱処理する第１の熱処理工程と、
前記第１の熱処理工程の後、前記凹部外部に露出した前記めっき金属膜、前記シード合金膜、および前記バリアメタル膜を除去する工程と、
前記シード合金膜および前記めっき金属膜を熱処理する第２の熱処理工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
細幅配線１１６および広幅配線１１８は、シングルダマシン法またはデュアルダマシン法のいずれに適用してもよい。
なお、本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
基板上に形成された絶縁膜に形成された凹部に、高融点金属を含むバリアメタル膜を形成する工程と、
前記バリアメタル膜上に、前記凹部の一部を埋め込むように、銅および銅とは異なる不純物金属を含むシード合金膜を形成する工程と、
前記シード合金膜上に前記凹部を埋め込むように銅を主成分として含むめっき金属膜を形成する工程と、
前記シード合金膜および前記めっき金属膜を、２００℃以上、１０分以下で熱処理する第１の熱処理工程と、
前記第１の熱処理工程の後、前記凹部外部に露出した前記めっき金属膜、前記シード合金膜、および前記バリアメタル膜を除去する工程と、
前記シード合金膜および前記めっき金属膜を熱処理する第２の熱処理工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記不純物金属が、Ａｌ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｚｒ、またはＴｉである半導体装置の製造方法。
（付記３）
付記１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記不純物金属が、Ａｌである半導体装置の製造方法。
（付記４）
付記１から３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記バリアメタル膜を構成する高融点金属は、Ｔａである半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記１から４いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記バリアメタル膜は、Ｔａ膜、ＴａＮ膜またはこれらの積層膜により構成された半導体装置の製造方法。
（付記６）
付記１から５いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の熱処理工程は、Ｎ２／Ｈ２雰囲気下で行われる半導体装置の製造方法。
（付記７）
付記１から６いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記シード合金膜を形成する工程において、前記シード合金膜は、前記不純物金属を０．５重量％以上含む半導体装置の製造方法。
（付記８）
付記１から７いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の熱処理工程において、前記シード合金膜および前記めっき金属膜を、１分以下で熱処理する半導体装置の製造方法。
（付記９）
基板と、
前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された凹部の底面および側壁に形成され、高融点金属を含むバリアメタル膜と、
前記凹部内において、前記バリアメタル膜上に形成され、銅を主成分として含むとともに銅とは異なる不純物金属を含み、銅のグレインが形成された配線金属膜と、
を含み、
前記配線金属膜は、積層方向において、表面における前記不純物金属の平均濃度が中央部における前記不純物金属の濃度よりも高く、グレインバウンダリにおける前記不純物金属の濃度がグレイン内における前記不純物金属の濃度よりも高く、前記表面において、前記不純物金属の濃度が、幅方向の中央部から側壁にかけて高くなる濃度プロファイルを有する半導体装置。
（付記１０）
付記９に記載の半導体装置において、
前記配線金属膜は、側壁および底面において、前記不純物金属の濃度が他の領域よりも高い半導体装置。
（付記１１）
付記９または１０に記載の半導体装置において、
前記不純物金属は、Ａｌ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｚｒ、またはＴｉである半導体装置。
（付記１２）
付記９から１１いずれかに記載の半導体装置において、
前記不純物金属は、Ａｌである半導体装置。
（付記１３）
付記９から１２いずれかに記載の半導体装置において、
前記バリアメタル膜を構成する高融点金属は、Ｔａである半導体装置。
（付記１４）
付記９から１３いずれかに記載の半導体装置において、
前記バリアメタル膜は、Ｔａ膜、ＴａＮ膜またはこれらの積層膜により構成された半導体装置。
（付記１５）
付記９から１４いずれかに記載の半導体装置において、
前記配線金属膜は、積層方向において、表面における前記不純物金属の平均含有量（ａｔｏｍ％）が中央部における前記不純物金属の平均含有量の１．２倍以上である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含み、かつ主表面を有する半導体基板を準備する工程と、
前記主表面の上にメタル層とシリコン層とを下から順に積層した積層ゲートを形成する工程と、
前記主表面と前記シリコン層表面との各々にシリサイドを形成する工程と、
前記主表面と前記積層ゲート表面との各々の前記シリサイドの上に絶縁層を形成する工程と、
前記半導体基板の主表面と前記積層ゲートの表面との各々の前記シリサイドが前記絶縁層から露出するようにシェアードコンタクトホールを前記絶縁層に形成する工程と、
前記シェアードコンタクトホールに硫酸洗浄、過酸化水素水洗浄およびＡＰＭ洗浄をそれぞれ別工程で行うことにより前記シェアードコンタクトホールに形成された変質層を除去する工程とを含む、半導体装置の洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第４の発明の画像形成装置は、ウェハ上に、モノリシックに集積された駆動回路が複数搭載された半導体装置を有する画像形成装置であって、前記半導体装置は、駆動回路チップと、モニタ素子を搭載するモニタチップとを含み、前記モニタチップ上に、前記駆動回路の付帯回路が搭載されていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
ウェハ上に、モノリシックに集積された駆動回路が複数搭載された半導体装置を有する画像形成装置であって、前記半導体装置は、駆動回路チップと、モニタ素子を搭載するモニタチップとを含み、前記モニタチップ上に、前記駆動回路の付帯回路が搭載されていることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
前記撮像手段の出力画像を複数の画像ブロックに分割し、各画像ブロックを可変な量子化スケールを用いて量子化して圧縮符号化する圧縮符号化手段と、
前記圧縮符号化手段により生成される符号データを一時記憶するバッファと、
前記バッファにおける前記符号データの占有量を算出するバッファ占有量算出手段と、
前記撮像手段の出力画像に含まれる顔を検出し、前記顔の位置と面積の情報を出力する顔検出手段と、
前記圧縮符号化手段の前記量子化スケールを制御する量子化制御手段であって、前記顔検出手段からの前記顔の位置の情報に従って前記顔を構成する画像ブロックを判別し、前記顔以外の画像ブロックには基準量子化スケールを適用し、前記顔を構成する画像ブロックには、前記バッファ占有量算出手段により算出されるバッファ占有量、および、前記顔検出手段からの前記顔の面積の情報に従い算出される係数により前記基準量子化スケールを修整した量子化スケールを適用する量子化制御手段
とを具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記量子化制御手段は、前記顔の面積が大きくなるほど、前記基準量子化スケールの修整が少なくなるようにすることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記顔検出手段が複数の顔を検出した場合、前記量子化制御手段は、前記複数の顔の中の特定の顔の面積および前記バッファ占有量から前記係数を決定し、前記特定の顔の位置に対応する画像ブロックに対して、前記係数により前記基準量子化スケールを修整した量子化スケールを適用することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記特定の顔は、前記複数の顔の中でフォーカスが合っている顔であることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記特定の顔は、画面内の予め定められた領域に存在する顔であることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項６】
さらに、前記顔検出手段が検出する複数の顔から任意の顔を前記特定の顔として指定する手段を有することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項７】
撮像手段と、
前記撮像手段の出力画像を複数の画像ブロックに分割し、各画像ブロックを可変な量子化スケールを用いて量子化して圧縮符号化する圧縮符号化手段と、
前記圧縮符号化手段により生成される符号データを一時記憶するバッファと、
前記バッファにおける前記符号データの占有量を算出するバッファ占有量算出手段と、
前記撮像手段の出力画像に含まれる顔を検出し、前記顔の位置と面積の情報を出力する顔検出手段と、
前記バッファ占有量算出手段により算出されるバッファ占有量、および、前記顔検出手段からの出力情報に従って前記圧縮符号化手段の前記量子化スケールを制御する量子化制御手段であって、前記顔の位置に対応する画像ブロックに対して前記顔の面積に応じて値の変化する量子化スケールを適用する量子化制御手段
とを具備することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に係る撮像装置は、撮像手段と、前記撮像手段の出力画像を複数の画像ブロックに分割し、各画像ブロックを可変な量子化スケールを用いて量子化して圧縮符号化する圧縮符号化手段と、前記圧縮符号化手段により生成される符号データを一時記憶するバッファと、前記バッファにおける前記符号データの占有量を算出するバッファ占有量算出手段と、前記撮像手段の出力画像に含まれる顔を検出し、前記顔の位置と面積の情報を出力する顔検出手段と、前記圧縮符号化手段の前記量子化スケールを制御する量子化制御手段であって、前記顔検出手段からの前記顔の位置の情報に従って前記顔を構成する画像ブロックを判別し、前記顔以外の画像ブロックには基準量子化スケールを適用し、前記顔を構成する画像ブロックには、前記バッファ占有量算出手段により算出されるバッファ占有量、および、前記顔検出手段からの前記顔の面積の情報に従い算出される係数により前記基準量子化スケールを修整した量子化スケールを適用する量子化制御手段とを具備することを特徴とする。
本発明に係る撮像装置は、撮像手段と、前記撮像手段の出力画像を複数の画像ブロックに分割し、各画像ブロックを可変な量子化スケールを用いて量子化して圧縮符号化する圧縮符号化手段と、前記圧縮符号化手段により生成される符号データを一時記憶するバッファと、前記バッファにおける前記符号データの占有量を算出するバッファ占有量算出手段と、前記撮像手段の出力画像に含まれる顔を検出し、前記顔の位置と面積の情報を出力する顔検出手段と、前記バッファ占有量算出手段により算出されるバッファ占有量、および、前記顔検出手段からの出力情報に従って前記圧縮符号化手段の前記量子化スケールを制御する量子化制御手段であって、前記顔の位置に対応する画像ブロックに対して前記顔の面積に応じて値の変化する量子化スケールを適用する量子化制御手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
前記撮像手段により撮影された動画を記録媒体に記録する記録手段と、
前記撮像手段が撮影する動画のフレームレートを、複数のフレームレートの何れかに設定する設定手段と、
前記設定されたフレームレートに基づいて前記設定されたフレームレートの動画を撮影するように前記撮像手段を制御すると共に、前記記録手段による記録の開始及び停止を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記記録手段により記録された動画の再生時間が予め決められた再生時間になるように、前記設定されたフレームレートに基づいて、前記記録手段が前記撮像手段により撮影された前記設定されたフレームレートの動画の記録を開始してから記録を停止するまでの長さを変えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記設定されたフレームレートに基づいて記録時間長を決定し、前記記録手段が前記動画の記録を開始してから、前記記録時間長が経過したことに応じて記録を停止するように、前記記録手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記設定されたフレームレートに基づいて記録フレーム数を決定し、前記記録手段が前記動画の記録を開始してから、前記記録フレーム数の動画を記録したことに応じて記録を停止するように、前記記録手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記記録手段は、前記動画が所定のフレームレートで再生されるように前記動画を記録し、前記制御手段は、前記記録された動画を前記所定のフレームレートで再生したときに前記予め決められた再生時間になるように、前記長さを変えることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記記録手段は、前記所定のフレームレートを示す情報を前記動画と共に記録することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記動画の再生時間を設定する手段を更に有し、
前記制御手段は、前記設定された再生時間と前記設定されたフレームレートとに基づいて、前記長さを変えることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記設定手段は、複数の所定の再生倍速からユーザが選択した動画の再生倍速に対応したフレームレートを設定することを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像手段と、前記撮像手段により撮影された動画を記録媒体に記録する記録手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像手段が撮影する動画のフレームレートを、複数のフレームレートの何れかに設定する設定工程と、
前記設定されたフレームレートに基づいて前記設定されたフレームレートの動画を撮影するように前記撮像手段を制御すると共に、前記記録手段による記録の開始及び停止を制御する制御工程と、を有し、
前記制御工程では、前記記録手段により記録された動画の再生時間が予め決められた再生時間になるように、前記設定されたフレームレートに基づいて、前記記録手段が前記撮像手段により撮影された前記設定されたフレームレートの動画の記録を開始してから記録を停止するまでの長さを変えることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の撮像装置は、撮像手段と、前記撮像手段により撮影された動画を記録媒体に記録する記録手段と、前記撮像手段が撮影する動画のフレームレートを、複数のフレームレートの何れかに設定する設定手段と、前記設定されたフレームレートに基づいて前記設定されたフレームレートの動画を撮影するように前記撮像手段を制御すると共に、前記記録手段による記録の開始及び停止を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記記録手段により記録された動画の再生時間が予め決められた再生時間になるように、前記設定されたフレームレートに基づいて、前記記録手段が前記撮像手段により撮影された前記設定されたフレームレートの動画の記録を開始してから記録を停止するまでの長さを変える。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図２、及び図３，図４，図５に示すように、雲台１０は、大きくは接地台部１５の上に本体部１１が組み合わされたうえで、さらに本体部１１に対してカメラ台座部１２が取り付けられた構造を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図１０，図１１は、被写体探索時の挙動として考え得る１例を示している。
先ず、パン方向の動きについては、図１０に示すようにして、第１探索回転方向ＲＴ１として示すように、時計回り方向については３６０°回転させる。次に、第２探索回転方向ＲＴ２として示すように、反時計回り方向についても３６０°回転させる。この例では、パン方向の動きについては、この第１探索回転方向ＲＴ１による動きと、第２探索回転方向ＲＴ２による動きが組み合わされることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
次に、雲台１０は、矢印Sc2で示す動きをする。つまり、チルト位置+ｆ°は維持した状態で、例えば、第２探索回転方向ＲＴ２としての動きにより、パン位置0°に移動する。つまり、反時計回りで３６０°回転して、同じパン位置360°(0°)に戻る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
水平探索角α=360°とした場合、上記矢印Sc2〜Sc4までの動作については、例えば、デジタルスチルカメラ１が+ｆ°のチルト位置を固定した状態で、先ず、水平中心位置から反時計回り方向（第２探索回転方向ＲＴ２）で１８０°回転し、次に、時計回り方向（第１探索回転方向ＲＴ１）で３６０°回転し、次に、反時計回り方向で１８０°回転して、水平中心位置Ｈに戻る、というものになる。
ここで、この１つの規定のチルト位置で固定した状態でのパン方向の探索動作に付いてみると、矢印Sc3の動きにより、時計回り方向（第１探索回転方向ＲＴ１）で360°の片道分の移動を行っている。また、矢印Sc2と矢印Sc4との動きにより、結果的には、反時計回り方向（第２探索回転方向ＲＴ２）で同様に360°の片道分の移動を行っているといえる。従って、矢印Sc2，Sc3，Sc4によっては、パン方向おける規定の回転角度範囲を一往復しているということがいえる。例えば、片道分の探索としてもよいのであるが、この図１２の例では、往復の探索動作とすることで、より的確に被写体が検出されるようにしている。
そして、この矢印Sc2〜Sc4までの動作により、まずは、撮像方向F1が上向きのチルト位置+f°の状態でのパン方向の探索が完結したことになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
この図１３と、先の図１２とを比較すると、図１３のほうが、一巡の二次元探索パターンにおけるパンニング・チルティングによる移動量は少なくなっている。これにより、図１３のほうが探索パターンを一巡させる時間は短縮することができ、これに応じて、例えばより短時間で被写体を探索することも可能になる。
ただし、図１３の例では、探索パターンを簡易化するために、撮像方向F1の上下方向における向きを変更するのにあたっては、水平中心位置Ｈにて行うのではなく、パン位置±α/2にて行うようにしている。しかし、本実施形態としては、被写体の存在する確率としてみた場合には、水平方向における撮像方向Ｆ１よりも、上下方向における撮像方向Ｆ１のほうを重視することとしている。このために、図１２においても、左右方向の探索については、図１３と同様に、上、中央、下の順で行うようにしている。このようにして、第２例では、探索パターンを一巡させる時間の短縮と、実用上十分とされる探索性能とを両立させようとしている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にイオンを注入するイオン注入装置であって、
イオンを照射する照射手段と、
少なくとも１つの基板を保持する保持手段と、
前記保持手段により保持された基板の温度に関する温度情報を非接触状態で検出する検出手段と、
前記保持手段に保持された基板の熱交換を可能にするため前記保持手段に冷媒を供給する供給手段と、
前記検出手段により検出された温度情報に基づき前記保持手段に保持された基板の表面温度を算出し、算出された基板の表面温度が許容温度範囲内にあるか否かを判定する制御手段と、
を含む、イオン注入装置。
【請求項２】
請求項１に記載のイオン注入装置であって、
前記制御手段は、前記算出された基板の表面温度が前記許容温度範囲外にあると判定したときに前記照射手段によるイオン照射を中断させる、イオン注入装置。
【請求項３】
請求項１に記載のイオン注入装置であって、
前記許容温度範囲がイオン注入工程において許容される温度範囲であり、前記制御手段が許容温度範囲に関する情報をメモリに記憶する、イオン注入装置。
【請求項４】
請求項１に記載のイオン注入装置であって、
前記制御手段が、前記算出された基板の表面温度に基づき前記供給手段を制御する、イオン注入装置。
【請求項５】
請求項４に記載のイオン注入装置であって、
前記制御手段が前記供給手段の冷媒の温度及び冷媒の供給量の少なくとも一方を制御する、イオン注入装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載のイオン注入装置であって、
前記制御手段がダミー用シリコン基板についての温度情報とその表面温度の関係式をメモリに記憶し、前記制御手段が処理用シリコン基板についての温度情報と前記関係式から処理用シリコン基板の表面温度を算出する、イオン注入装置。
【請求項７】
請求項６に記載のイオン注入装置であって、
前記検出手段が赤外線センサーを含み、前記温度情報は、前記赤外線センサーが基板から放射された熱に応じて生成した電圧である、イオン注入装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載のイオン注入装置であって、
前記関係式に含まれるダミー用シリコン基板の表面温度がダミー用シリコン基板の表面に貼り付けられたサーモラベルから観察された値である、イオン注入装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載のイオン注入装置であって、
前記保持手段が複数の基板を保持するバッチ処理用の回転可能なディスクを含み、前記ディスクが前記供給手段から供給された冷媒によって熱交換される、イオン注入装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れかに記載のイオン注入装置であって、
前記保持手段が１つの基板を保持する枚葉処理用の保持部材を含み、当該保持部材が前記供給手段から供給された冷媒によって熱交換される、イオン注入装置。
【請求項１１】
イオン注入装置における基板の温度補償方法であって、
基板の表面温度を観察するためのサーモラベルが貼り付けられたダミー用シリコン基板を保持部材に保持するステップと、
ダミー用シリコン基板へのイオン注入を行ったときにダミー用シリコン基板の温度情報を検出するとともに前記サーモラベルから基板の表面温度を観察するステップと、
前記ダミー用シリコン基板の温度情報と観察された基板の表面温度との関係を記憶するステップと、
実際の処理用シリコン基板へのイオン注入を実施するとき又は実施しているときに処理用シリコン基板の温度情報を検出するステップと、
検出された温度情報と前記記憶された関係に基づき処理用シリコン基板の表面温度を算出するステップと、
算出された表面温度が許容温度範囲内にあるか否かを判定するステップと、
を含む、温度補償方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の温度補償方法であって、
前記算出された表面温度が前記許容温度範囲外のときに処理用シリコン基板へのイオン注入を中断するステップを更に含む、温度補償方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の温度補償方法であって、
前記算出された表面温度が前記許容温度範囲外のときに警告を提示するステップを更に含む、温度補償方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の温度補償方法であって、
前記算出された表面温度に基づき前記保持部材の温度を制御して処理用シリコン基板の表面温度が許容温度範囲内になるように処理用シリコン基板の表面温度を補償するステップを更に含む、温度補償方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の温度補償方法であって、
算出された処理用シリコン基板の表面温度をリアルタイムでディスプレイに表示するステップを更に含む、温度補償方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ光源、前記ＬＥＤ光源を支持する支持体、および前記支持体に取付けて前記ＬＥＤ光源を覆う光透過性のカバー部材を備え、前記カバー部材は光源に対向する面が凹曲面状の反射面になっており、前記カバー部材の前記反射面は、前記ＬＥＤ光源から受けた光を前記支持体と前記カバー部材との間の空間に焦点を有することを特徴とし、さらに、
前記ＬＥＤ光源からの光の一部は前記カバー部材を透過し前記カバー部材の外側に拡散するとともに、前記ＬＥＤ光源からの光の一部は前記カバー部材の反射面において反射し、前記反射光によって前記ＬＥＤ光源の像を前記カバー部材の内側に結像することを特徴とするＬＥＤ電灯装置。
【請求項２】
前記像を結像した光はさらに前記カバー部材に入射して、当該光の一部が前記カバー部材を透過し前記カバー部材の外側に拡散し、前記光の一部は前記カバー部材の反射面において反射することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ電灯装置。
【請求項３】
前記カバー部材の前記反射面は断面が略半球状であり、半球体の半径の約１／２の位置に焦点を有することを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤ電灯装置。
【請求項４】
前記カバー部材の前記反射面は縦断面が略楕円状の面であり、楕円の一方の焦点に光源を配置してあり、楕円の他方の焦点に光源の像を結像することを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤ電灯装置。
【請求項５】
前記支持体は前記カバー部材との対向面を反射面として有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のＬＥＤ電灯装置。
【請求項６】
ＬＥＤ光源、前記ＬＥＤ光源を支持する支持体、および前記支持体に取付けて前記ＬＥＤ光源を覆うカバー部材を備え、
前記支持体は前記ＬＥＤ光源を支持する側の面が凹曲面状の反射面になっており、前記カバー部材は前記ＬＥＤ光源に対向する面が凹曲面状の反射面になっており且つ前記ＬＥＤ光源の直上部分に光透過部を有し、前記支持体の反射面と前記カバー部材の反射面とは面対称の関係にあり、前記ＬＥＤ光源の像を前記カバー部材の光透過部を通じて前記カバー部材の外側に結像することを特徴とするＬＥＤ電灯装置。
【請求項７】
前記支持体の反射面および前記カバー部材の反射面は断面が略楕円状の曲面であることを特徴とする、請求項６に記載のＬＥＤ電灯装置。
【請求項８】
前記カバー部材に入射する光の一部は前記カバー部材を透過し前記カバー部材の外側に拡散するとともに、前記カバー部材に入射する光の一部は前記カバー部材の反射面において反射することを特徴とする、請求項６または７に記載のＬＥＤ電灯装置。
【請求項９】
前記カバー部材の反射面に反射膜を施すことによって反射率をコントロールすることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のＬＥＤ電灯装置。
【請求項１０】
前記支持体の反射面および前記カバー部材の反射面は全反射する鏡面であることを特徴とする、請求項６または７に記載のＬＥＤ電灯装置。

【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
また、第１実施の形態に係るＬＥＤ電灯装置１は、室内用の照明に限らず、街灯として用いるものであっても良いし、第２実施の形態に係るＬＥＤ電灯装置１を室内照明装置として用いるものであっても良い。
さらに、光源はＬＥＤに限らず他の光源でも良く、たとえば有機ＥＬ（Organic  Electro  Luminescence  ）光源を用いたEL照明（EL電灯）でも本発明を適用できる。尚、有機ＥＬ素子は発光層が有機化合物から成る発光ダイオード（ＬＥＤ）を構成しているので、本発明のＬＥＤ照明（電灯）には有機ＥＬ照明（電灯）も含まれると考えることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に形成されたＣｕからなる０．２μｍから５μｍの厚みのバリア層と、
前記バリア層の表面に形成されたＢｉを９０重量％以上含む１０μｍから３０μｍの厚みのはんだ層とを有する半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、Ｂｉを有した半導体素子に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、Ｃｕ層のバリ発生を抑制する半導体素子を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の半導体素子は、一方の面に形成されたＣｕからなる０．２μｍから５μｍの厚みのバリア層と、前記バリア層の表面に形成されたＢｉを９０重量％以上含む１０μｍから３０μｍの厚みのはんだ層とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
先にも述べたように、延性に優れたＣｕ層が半導体素子表面に形成されている場合は、ダイシング工程において、ダイシング時に引っ張られ、伸び変形を生じることによって半導体素子周囲にバリが発生することに対し、本発明の半導体素子は、一方の面に形成されたＣｕからなる０．２μｍから５μｍの厚みのバリア層と、前記バリア層の表面に形成されたＢｉを９０重量％以上含む１０μｍから３０μｍの厚みのはんだ層とを有することにより、層を形成する前の半導体素子とＢｉを９０重量％以上含むはんだ層がバリア層のＣｕと比較して延びにくい性質を持っているために、ダイシング時に、伸びにくく硬い材料に挟まれたＣｕ層の伸びが抑制され、切断時に発生するバリを抑制することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成されているマークの位置を設定されている検出条件に従って検出し、その検出結果に従って該基板を露光する処理を行う複数の露光装置を含む露光システムであって、
前記複数の露光装置におけるいずれか１つの露光装置においてエラーが発生したことに応じて前記いずれか１つの露光装置において特定プロセスのための検出条件が変更されたときに前記複数の露光装置における他の露光装置が前記特定プロセスのための複数の基板からなるロットを処理中である場合に、該ロットにおける処理中の基板のマークの位置の検出処理の終了後であって次の基板のマークの位置の検出処理の開始前に、当該変更の後の検出条件に応じて前記他の露光装置における検出条件を設定する制御部を備えることを特徴とする露光システム。
【請求項２】
前記検出条件は、マークの位置を検出するための信号処理における条件、計測すべきマークの座標、および、マークを照明する照明条件の少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光システム。
【請求項３】
前記複数の露光装置が１つの筐体に収められていることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光システム。
【請求項４】
基板を搬送する搬送機構を更に備え、
前記搬送機構は、前記複数の露光装置において共用される、
ことを特徴とする請求項３に記載の露光システム。
【請求項５】
基板に形成されているマークの位置を設定されている検出条件に従って検出し、その検出結果に従って該基板を露光する処理を行う複数の露光装置を制御する制御装置であって、
前記複数の露光装置におけるいずれか１つの露光装置においてエラーが発生したことに応じて前記いずれか１つの露光装置において特定プロセスのための検出条件が変更されたされたときに前記複数の露光装置における他の露光装置が前記特定プロセスのための複数の基板からなるロットを処理中である場合に、該ロットにおける処理中の基板のマークの位置の検出処理の終了後であって次の基板のマークの位置の検出処理の開始前に、当該変更の後の検出条件に応じて前記他の露光装置における検出条件を設定することを特徴とする制御装置。
【請求項６】
デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光システムによって基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の１つの側面は、基板に形成されているマークの位置を設定されている検出条件に従って検出し、その検出結果に従って該基板を露光する処理を行う複数の露光装置を含む露光システムに係り、前記露光システムは、前記複数の露光装置におけるいずれか１つの露光装置においてエラーが発生したことに応じて前記いずれか１つの露光装置において特定プロセスのための検出条件が変更されたときに前記複数の露光装置における他の露光装置が前記特定プロセスのための複数の基板からなるロットを処理中である場合に、該ロットにおける処理中の基板のマークの位置の検出処理の終了後であって次の基板のマークの位置の検出処理の開始前に、当該変更の後の検出条件に応じて前記他の露光装置における検出条件を設定する制御部を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の主面に形成されたトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置であって、
前記半導体基板の主面上に形成された第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域上に形成された第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域を貫いて前記第１半導体領域に達するように形成された第１溝部と、
前記第１溝部の内部に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第２半導体領域上に、前記第１溝部に接して形成された第１導電型の第３半導体領域と、
前記第２半導体領域および前記第３半導体領域に接する主電極を有し、
前記第２半導体領域は、前記主電極とショットキー接合していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室内に試料台が設置され、前記真空処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて前記試料台に載置された被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、
前記試料台に設けられた冷媒流路と前記真空処理室の外に配置された圧縮機、凝縮器、膨張弁とがこの順で連結されて冷媒が循環し、前記試料台を蒸発器として動作させる冷却サイクルが構成されており、
前記圧縮機と前記冷媒流路との間に配置された逆流防止弁と、前記逆流防止弁を制御する制御装置とを備え、
前記冷却サイクルは、前記膨張弁から前記蒸発器を経て前記逆流防止弁に至る前記冷媒流路の第一の流路領域と、前記逆流防止弁から前記圧縮機及び前記凝縮器を経て前記膨張弁に至る第二の流路領域とに区画可能に構成され、
前記試料台のメンテナンスの際に、前記冷却サイクルの冷媒の循環を停止した状態で前記第一の流路領域に存在する冷媒を前記第二の流路領域に貯蔵し、前記メンテナンス終了後、前記貯蔵された冷媒を前記冷却サイクルで再利用可能な状態にすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記試料台のメンテナンスの際に、前記凝縮器の出口と前記試料台の冷媒流路との間を全閉した状態で前記圧縮機によって前記第一の流路領域の冷媒を前記第二の流路領域に回収することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二の流路領域でかつ前記圧縮機と前記逆流防止弁との間に配置され前記冷媒を完全蒸発させるための冷媒蒸発器を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載のプラズマ処理装置において、
前記第一及び第二の流路領域が内外二重のシール構造を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
真空処理室内に試料台が設置され、前記真空処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて前記試料台に載置された被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記試料台に設けられた冷媒流路と前記真空処理室の外に配置された圧縮機、凝縮器、膨張弁とがこの順で連結されて冷媒が循環し、前記試料台を蒸発器として動作させる冷却サイクルが構成されており、
前記圧縮機と前記冷媒流路との間に配置された逆流防止弁と、
前記逆流防止弁と前記圧縮機との間において冷媒供給弁を介して前記冷却サイクルに接続され、前記圧縮機の冷媒流出口側と前記凝縮器との間において冷媒排出弁を介して前記冷却サイクルに接続された冷媒貯蔵タンクと、
前記圧縮機の冷媒流出口側と前記凝縮器との間に接続された流量弁と、
前記逆流防止弁、前記流量弁、前記冷媒供給弁および前記冷媒排出弁を各々制御する制御装置とを備え、
前記冷却サイクルは、前記膨張弁から前記蒸発器を経て前記逆流防止弁に至る前記冷媒の第一の流路領域と、前記逆流防止弁から前記圧縮機及び前記凝縮器を経て前記膨張弁に至る第二の流路領域とに区画可能に構成され、
前記圧縮機、前記凝縮器、前記膨張弁のいずれかをメンテナンスする際に、前記冷却サイクルの冷媒の循環を停止した状態で前記第一の流路領域に存在する冷媒を前記冷媒貯蔵タンクに貯蔵し、前記メンテナンス終了後、前記冷媒貯蔵タンクに貯蔵された前記冷媒を前記冷却サイクルで再利用可能な状態にすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記圧縮機をメンテナンスする際に、前記流量弁を閉め、前記冷媒排出弁を開き、前記圧縮機により、前記冷媒貯蔵タンクに前記冷媒を回収することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記冷媒貯蔵タンクの重量測定手段を有し、冷却サイクル内の冷媒充填量を監視可能なことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
真空処理室内に試料台が設置され、前記真空処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて前記試料台に載置された被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、
前記プラズマ処理装置は、前記試料台に設けられた冷媒流路と前記真空処理室の外に配置された圧縮機、凝縮器、膨張弁とがこの順で連結されて冷媒が循環し、前記試料台を蒸発器として動作させる冷却サイクルが構成されており、
前記圧縮機と前記試料台との間に配置された逆流防止弁と、前記逆流防止弁を制御する制御装置とを備えており、
前記冷却サイクルは、前記膨張弁から前記蒸発器を経て前記逆流防止弁に至る前記冷媒の第一の流路領域と、前記逆流防止弁から前記圧縮機及び前記凝縮器を経て前記膨張弁に至る第二の流路領域とに区画可能に構成され、
前記試料台のメンテナンスの際に、
前記冷却サイクルの冷媒の循環を停止した状態で前記圧縮機を回転させて前記第一の流路領域に存在する冷媒を回収し前記第二の流路領域に貯蔵し、
前記試料台のメンテナンスを行い、
前記メンテナンス終了後、前記第二の流路領域に貯蔵されていた冷媒を前記冷却サイクルで再利用可能な状態にすることを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記冷媒の回収時、前記第二の流路領域でかつ前記圧縮機と前記逆流防止弁との間に配置された冷媒蒸発器により冷媒を完全蒸発させることを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明のプラズマ処理装置は、真空処理室内に試料台が設置され、前記真空処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて前記試料台に載置された被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記試料台に設けられた冷媒流路と前記真空処理室の外に配置された圧縮機、凝縮器、膨張弁とがこの順で連結されて冷媒が循環し、前記試料台を蒸発器として動作させる冷却サイクルが構成されており、前記圧縮機と前記冷媒流路との間に配置された逆流防止弁と、前記逆流防止弁を制御する制御装置とを備え、前記冷却サイクルは、前記膨張弁から前記蒸発器を経て前記逆流防止弁に至る前記冷媒流路の第一の流路領域と、前記逆流防止弁から前記圧縮機及び前記凝縮器を経て前記膨張弁に至る第二の流路領域とに区画可能に構成され、前記試料台のメンテナンスの際に、前記冷却サイクルの冷媒の循環を停止した状態で前記第一の流路領域に存在する冷媒を前記第二の流路領域に貯蔵し、前記メンテナンス終了後、前記貯蔵された冷媒を前記冷却サイクルで再利用可能な状態にすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１抵抗を有する第１導電型半導体基板の主面上に形成されたパワーＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置であって、前記パワーＭＯＳＦＥＴは、
前記第１抵抗を有する第１導電型半導体基板の主面上に形成された前記第１抵抗よりも高い第２抵抗を有する半導体領域と、
前記第２抵抗を有する半導体領域の表面の一部に形成された、前記第１抵抗よりも高い第３抵抗を有する第１導電型半導体領域と、
前記第２抵抗を有する半導体領域の表面の一部に形成された第２導電型半導体領域と、
前記第２導電型半導体領域の表面の一部に形成された、前記第３抵抗よりも低い第４抵抗を有する第１導電型半導体領域と、
前記第２抵抗を有する半導体領域の主面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第２抵抗を有する半導体領域の主面上に、前記ゲート電極とは絶縁膜を介して形成され、前記第４抵抗を有する第１導電型半導体領域と電気的に接続されたソース電極と、
前記第１抵抗を有する第１導電型半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極とを有し、
前記第３抵抗を有する第１導電型半導体領域は、前記第２抵抗を有する半導体領域の主面から前記第１抵抗を有する第１導電型半導体基板に至って設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気手段により排気された真空容器と、真空容器にガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成するための高周波電源と、被処理基板及びこの基板の外周部に配置されたフォーカスリングとをその上方に載せる基板ステージと、前記基板ステージに高周波バイアス電力を印加する高周波バイアス電源と、前記高周波バイアス電源から出力された高周波バイアス電力の一部を前記フォーカスリングに分配して印加する電力分配手段とを備えたプラズマ処理装置において、
前記フォーカスリングの下面に面しフォーカスリングの下方でリング状に配置されその内部に熱伝達ガスが導入される溝と、前記フォーカスリングの下方の前記基板ステージの内部に同心状に配置されその内部に冷媒が供給されて循環する通路とを有し、
前記フォーカスリングのへの高周波バイアス電力の印加時間を記憶する記憶媒体と、
この記憶された印加時間に応じて、前記フォーカスリングへの高周波電力の分配を変えるように前記電力分配手段を制御すると共に、前記熱伝達ガスの圧力と前記冷媒の温度の少なくとも一方を制御する制御手段とを設けたことを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、前記フォーカスリングの下部に静電吸着層と電極層及び絶縁層を一体で形成し、前記静電吸着層とフォーカスリングとの間に前記熱伝達ガス溝を形成したことを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、前記フォーカスリングの下部に電極リングと、その下部に絶縁リングを備え、前記絶縁リングの上面に溶射により静電吸着層を形成し、前記フォーカスリング下面と前記静電吸着層の上面との間、前記電極リング下面と前記絶縁リング上面との間、および前記絶縁リング下面と基板ステージの基材外周部の上面との間に、熱伝達ガスを介在させることを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、熱伝達ガスの圧力を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、前記フォーカスリング下部に流す冷媒の温度を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、熱伝達ガスの圧力とフォーカスリング下部に流す冷媒の温度を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項７】
真空容器内にガスを供給して基板ステージの上面に載置された被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記基板ステージには、前記プラズマ生成用高周波電源とは異なる所定の高周波バイアス電力が高周波バイアス電源より印加され、
前記被処理基板が載置される前記基板ステージの上面の周辺に配置されたフォーカスリングには、前記高周波バイアス電源より出力された前記高周波バイアス電力が電力分配手段によって分配されて印加され、
前記プラズマ処理における前記フォーカスリングに印加される前記高周波バイアス電力の大きさを当該フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間に応じて、前記電力分配手段により調整する一方、
前記基板ステージに印加する前記高周波バイアス電力を前記高周波バイアス電源の出力で調整し、
前記フォーカスリングに印加する前記高周波バイアス電力に応じて、前記フォーカスリングの温度を所定の値となるように調整することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明は、真空排気手段により排気された真空容器と、真空容器にガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成するための高周波電力供給手段と、被処理基板及びこの基板の外周部に配置されたフォーカスリングとをその上方に載せる基板ステージと、前記基板ステージに高周波バイアス電力を印加する高周波バイアス電源と、前記高周波バイアス電源から出力された電力の一部をフォーカスリングに分配して印加する電力分配手段とを備えたプラズマ処理装置において、
前記フォーカスリングの下面に面しフォーカスリングの下方でリング状に配置されその内部に熱伝達ガスが導入される溝と、前記フォーカスリングの下方の前記基板ステージの内部に同心状に配置されその内部に冷媒が供給されて循環する通路とを有し、
前記フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間を記憶する記憶媒体と、
この記憶された印加時間に応じて、前記フォーカスリングへの高周波電力の分配を変えるように前記電力分配手段を制御すると共に、前記熱伝達ガスの圧力と前記冷媒の温度の少なくとも一方を制御する制御手段とを設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明は、
真空容器内にガスを供給して基板ステージの上面に載置された被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記基板ステージには、前記プラズマ生成用高周波電力とは異なる所定の高周波バイアス電力が高周波バイアス電源より印加され、
前記被処理基板が載置される前記基板ステージの上面の周辺に配置されたフォーカスリングには、前記高周波バイアス電源より出力された前記高周波バイアス電力が電力分配手段によって分配されて印加され、
前記プラズマ処理における前記フォーカスリングに印加される前記高周波バイアス電力の大きさを当該フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間に応じて、前記電力分配手段により調整する一方、
前記基板ステージに印加する前記高周波バイアス電力を前記高周波バイアス電源の出力で調整し、
前記フォーカスリングに印加する前記高周波バイアス電力に応じて、前記フォーカスリングの温度を所定の値となるように調整することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に光源が設けられ、裏面側に設けられた放熱板には溝部が前記光源に沿って形成
されていることを特徴とするバックライトユニット用の可撓性基板。
【請求項２】
表面側に光源が設けられ、裏面側に第１の放熱板と第２の放熱板とが離間して設けられ
ていることを特徴とするバックライトユニット用の可撓性基板。
【請求項３】
前記第１の放熱板と前記第２の放熱板との間には、前記第１の放熱板及び前記第２の放
熱板の厚さよりも薄い第３の放熱板が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の
バックライトユニット用の可撓性基板。
【請求項４】
前記第３の放熱板は、前記第１の放熱板から前記第２の放熱板まで連続していることを
特徴とする請求項３に記載のバックライトユニット用可撓性基板。
【請求項５】
前記請求項１乃至４のいずれか一つに記載の可撓性基板の光源側に、導光板が設けられ
ていることを特徴とするバックライトユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に紫外線硬化樹脂が塗布された基板を載置するステージと、
前記基板に搭載する部品が置かれる部品トレイと、
透明な吸着ヘッドにより前記部品トレイから部品を吸着した後、前記ステージ上に載置された基板の所定の位置にて該吸着ヘッドの吸着を開放する部品移送手段と、
前記部品移送手段が前記基板に部品を載置させる位置にあるとき、前記吸着ヘッドを介して前記基板に対して紫外線を照射する紫外線照射手段と
を有し、
前記部品移送手段は、前記吸着ヘッドを介して画像を撮像するカメラを有し、該カメラが撮像した画像を元に前記基板への部品の搭載位置を決定する実装装置。
【請求項２】
請求項１記載の実装装置であって、
前記カメラに前記紫外線照射手段が照射する紫外線が入ることを防止する紫外線カットフィルタと、
前記基板表面に対し、可視光を照射する可視光照射手段と
を有する実装装置。
【請求項３】
請求項１又は２項記載の実装装置であって、
前記吸着ヘッドに、紫外線の照射範囲を制御するマスクが設けられた実装装置。
【請求項４】
実装装置のステージ上に、部品を搭載した紫外線硬化樹脂を塗布した基板を載置し、
透明の吸着ヘッドを介して垂直上方から紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化させる
実装方法。