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【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ搭載部を有するデバイス領域、および前記デバイス領域の周囲に位置する外枠部を備えた基材を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記基材の前記外枠部に第１識別番号を付与する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記基材の前記チップ搭載部に半導体チップを搭載する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記外枠部が露出するように前記半導体チップを樹脂で封止し、封止体を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１識別番号を読み取り、サーバに格納されている複数のサーバ内情報のうち、読み取った前記第１識別番号に対応する第１サーバ内情報を第２識別番号として前記封止体に付与する工程。
【請求項２】
前記（ｃ）工程では、まず、第１装置に設けられた第１認識手段を用いて前記第１装置に搬送された前記基材の前記第１識別番号を読み取り、前記サーバに格納されている複数のサーバ内情報のうち、読み取った前記第１識別番号に対応する前記第１サーバ内情報を引き出し、その後、前記基材の前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載してから、前記第１サーバ内情報と本工程における製造条件とを関連付けることで補正した前記第１サーバ内情報を前記サーバに格納し、
前記（ｄ）工程では、まず、第２装置に設けられた第２認識手段を用いて前記第２装置に搬送された前記基材の前記第１識別番号を読み取り、前記サーバに格納されている複数のサーバ内情報のうち、読み取った前記第１識別番号に対応し、かつ、本工程よりも前の工程で補正された前記第１サーバ内情報を引き出し、その後、前記半導体チップを前記樹脂で封止してから、前記第１サーバ内情報と本工程における製造条件とを関連付けることでさらに補正した前記第１サーバ内情報を前記サーバに格納し、
前記（ｅ）工程では、まず、第３装置に設けられた第３認識手段を用いて前記第３装置に搬送された前記基材の前記第１識別番号を読み取り、前記サーバに格納されている複数のサーバ内情報のうち、読み取った前記第１識別番号に対応し、かつ、本工程よりも前の工程で補正された前記第１サーバ内情報を前記第２識別番号として前記封止体に付与することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基材は、リードフレームからなり、
前記（ｂ）工程では、前記基材の前記外枠部に前記第１識別番号を刻印し、
前記（ｅ）工程の後、前記基材の表面にメッキ層を形成することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１、第２識別番号のそれぞれは、二次元バーコードであることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基材は、その表面にソルダレジストが形成された配線基板からなり、
前記（ｂ）工程では、前記基材の前記外枠部にレーザビームを照射することで前記第１識別番号を刻印し、
前記（ｂ）工程の後、前記（ｃ）工程の前に、前記配線基板の表面を清浄化する工程を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１、第２識別番号のそれぞれは、二次元バーコードであることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮断器と、断路機能および接地機能の少なくとも一方を具備する開閉機器とが、絶縁性ガスが封入された本体タンクに収容され、断路機能および接地機能の少なくとも一方を具備する母線開閉機器が、絶縁性ガスが封入されて前記本体タンクの上方又は下方に配置された母線開閉機器タンクに収容され、前記母線開閉機器タンクの外部に母線が配置されたガス絶縁スイッチギヤにおいて、
前記母線開閉機器は、直動する可動軸の軸線を前記母線開閉機器タンクの前後方向に水平に向け、且つ、多相構成される各相を前記母線開閉機器タンクの幅方向に並べて配置された第１の母線開閉機器と、前記第１の母線開閉機器の上方又は下方に前記第１の母線開閉機器と同様に配置された第２の母線開閉機器とで構成され、
前記母線と前記母線開閉機器の端子とを接続する絶縁スペーサが、前記母線開閉機器タンクの外部の３箇所に前記母線開閉機器タンクを貫通して設置可能としたことを特徴とするガス絶縁スイッチギヤ。
【請求項２】
遮断器と、断路機能および接地機能の少なくとも一方を具備する開閉機器とが、絶縁性ガスが封入された本体タンクに収容され、断路機能および接地機能の少なくとも一方を具備する母線開閉機器が、絶縁性ガスが封入されて前記本体タンクの上方又は下方に配置された母線開閉機器タンクに収容され、前記母線開閉機器タンクの外部に母線が配置されたガス絶縁スイッチギヤにおいて、
前記母線開閉機器は、直動する可動軸の軸線を前記母線開閉機器タンクの前後方向に水平に向け、且つ、多相構成される各相を前記母線開閉機器タンクの幅方向に並べて配置された第１の母線開閉機器と、前記第１の母線開閉機器の上方又は下方に前記第１の母線開閉機器と同様に配置された第２の母線開閉機器とで構成され、
前記母線と前記母線開閉機器の端子とを接続する絶縁スペーサが、前記母線開閉機器タンクの背面側に２箇所、及び、上面側又は下面側に１箇所、前記母線開閉機器タンクを貫通して設置可能としたことを特徴とするガス絶縁スイッチギヤ。
【請求項３】
電力取引用の変成器が機器室に収容され、断路機能および接地機能の少なくとも一方を具備する母線開閉機器が、絶縁性ガスが封入されて前記機器室の上方又は下方に配置された母線開閉機器タンクに収容され、前記母線開閉機器タンクの外部に母線が配置されたガス絶縁スイッチギヤにおいて、
前記母線開閉機器は、直動する可動軸の軸線を前記母線開閉機器タンクの前後方向に水平に向け、且つ、多相構成される各相を前記母線開閉機器タンクの幅方向に並べて配置された第１の母線開閉機器と、前記第１の母線開閉機器の上方又は下方に前記第１の母線開閉機器と同様に配置された第２の母線開閉機器とで構成され、
前記母線と前記母線開閉機器の端子とを接続する絶縁スペーサが、前記母線開閉機器タンクの背面側に２箇所、及び、上面側又は下面側に１箇所、前記母線開閉機器タンクを貫通して設置可能としたことを特徴とするガス絶縁スイッチギヤ。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のガス絶縁スイッチギヤにおいて、
前記第１の母線開閉機器と前記第２の母線開閉機器との接続、及び、前記各母線開閉機器の端子と前記絶縁スペーサとの接続が、接続導体を取り替えることにより変更でき、前記遮断器又は前記変成器から前記各母線開閉機器を経由して前記母線に至る経路が変更可能なように構成されていることを特徴とするガス絶縁スイッチギヤ。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のガス絶縁スイッチギヤにおいて、
前記母線は固体絶縁母線であることを特徴とするガス絶縁スイッチギヤ。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のガス絶縁スイッチギヤにおいて、
前記各母線開閉機器は３位置断路器であることを特徴とするガス絶縁スイッチギヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明に係るガス絶縁スイッチギヤは、遮断器と、断路機能および接地機能の少なくとも一方を具備する開閉機器とが、絶縁性ガスが封入された本体タンクに収容され、断路機能および接地機能の少なくとも一方を具備する母線開閉機器が、絶縁性ガスが封入されて本体タンクの上方又は下方に配置された母線開閉機器タンクに収容され、母線開閉機器タンクの外部に母線が配置されたガス絶縁スイッチギヤにおいて、母線開閉機器は、直動する可動軸の軸線を母線開閉機器タンクの前後方向に水平に向け、且つ、多相構成される各相を母線開閉機器タンクの幅方向に並べて配置された第１の母線開閉機器と、第１の母線開閉機器の上方又は下方に第１の母線開閉機器と同様に配置された第２の母線開閉機器とで構成され、母線と母線開閉機器の端子とを接続する絶縁スペーサが、母線開閉機器タンクの外部の３箇所に母線開閉機器タンクを貫通して設置可能としたものである。
また、上記と同様の構成において、母線と母線開閉機器の端子とを接続する絶縁スペーサが、母線開閉機器タンクの背面側に２箇所、及び、上面側又は下面側に１箇所、母線開閉機器タンクを貫通して設けられているものである。
また、電力取引用の変成器が収容された機器室の上方又は下方に、上記の母線開閉機器タンク及び母線と同様の母線開閉機器タンク及び母線を配置して構成したものである。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明のガス絶縁スイッチギヤによれば、本体タンクの上方又は下方に配置された母線開閉機器タンクに収容される母線開閉機器を、軸線を母線開閉機器タンクの前後方向に水平に向けて配置した第１の母線開閉機器と、第１の母線開閉機器の上方又は下方に第１の母線開閉機器と同様に配置した第２の母線開閉機器とで構成し、母線と母線開閉機器の端子とを接続する絶縁スペーサを、母線開閉機器タンクの外部の３箇所に母線開閉機器タンクを貫通して設けたので、列盤されるガス絶縁スイッチギヤの盤間の母線経路に自由度が増し、列盤構成の縮小化を図ったガス絶縁スイッチギヤを得ることができる。
また、本体タンクに替えて、電力取引用の変成器が収容された機器室とし、機器室の上方又は下方に配置された母線開閉機器タンクを、上記と同様に構成したので、取引用変成器を有する回路構成の場合の列盤配置において、母線接続が容易になり、列盤構成の縮小化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項６記載の投写型表示装置であって、
前記パラメーター算出部は、前記制約条件である第１の制約条件に加え、
前記画像の上辺の延長線が、前記制約条件がないと仮定した場合に算出した前記水平方向の消失点に対応した補正目標点を通り、前記近似的に算出する当該水平方向の消失点に対応した補正目標点が、前記延長線上に位置すること
を第２の制約条件として、前記水平方向の消失点に対応した補正目標点を算出する
投写型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
［適用例７］
適用例６記載の投写型表示装置であって、前記パラメーター算出部は、前記制約条件である第１の制約条件に加え、前記画像の上辺の延長線が、前記制約条件がないと仮定した場合に算出した前記水平方向の消失点に対応した補正目標点を通り、前記近似的に算出する当該水平方向の消失点に対応した補正目標点が、前記延長線上に位置することを第２の制約条件として、前記水平方向の消失点に対応した補正目標点を算出する投写型表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この投写型表示装置によると、画像の上辺については、制約条件がないと仮定した場合に算出した水平方向の補正目標点を通るので、キーストン補正処理された後の画像の上辺は、上記ｘ軸に略平行な矩形として投写することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線により基地局と通信可能な複数の移動局と、前記基地局を介して前記複数の移動局の情報を収集するとともに、移動局に対する配車指示を行う管理センタと、該管理センタからの配車指示に対して応答する配車応答装置とを備えたタクシー配車システムであって、
前記管理センタは、管理センタ制御部と管理センタ記憶部とを備え、前記管理センタ制御部は、前記管理センタ記憶部に記憶した移動局の情報に基づき作成された配車指示情報を、基地局を介して移動局又は配車応答装置へ送信し、該配車指示情報への応答として基地局を介して移動局又は配車応答装置から配車了解情報を受信するものであり、
前記移動局は、前記管理センタからの配車指示情報を受信した後、該配車指示が自局への配車指示であった場合は、該移動局において配車了解操作が行われると、基地局を介して配車了解情報を管理センタへ送信するものであり、
前記配車応答装置は、前記管理センタからの配車指示情報を受信した後、該配車指示が配車応答装置により応答可能な移動局への配車指示であった場合は、該配車応答装置において配車了解操作が行われると、基地局を介して配車了解情報を管理センタへ送信するものであることを特徴とするタクシー配車システム。
【請求項２】
前記管理センタが、配車応答装置を送信先として指定する送信先指定情報を付加した第１の配車指示情報を送信し、該送信先指定情報で指定された配車応答装置からの配車了解情報を受信すると、移動局に対して第２の配車指示情報を送信することを特徴とする請求項1記載のタクシー配車システム。
【請求項３】
前記管理センタは、前記移動局の配車状態情報がポーリング無応答状態である場合に、前記配車応答装置を前記配車指示情報の送信先として指定することを特徴とする、請求項１または請求項２記載のタクシー配車システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の輝度の低周波成分を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段によって抽出された低周波成分を用いて、前記画像の輝度を補正する補正手段と、
前記抽出手段によって抽出された低周波成分の頻度分布と前記抽出手段によって抽出された画像の各画素の輝度の低周波成分を用いて、前記補正手段によって補正された画像のダイナミックレンジを拡大する処理を行う処理手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記処理手段は、前記低周波成分の頻度分布の中央値を算出し、前記中央値と前記画像の画素の低周波成分の差分が大きいほど、前記画素のダイナミックレンジを拡大する量を小さくすることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記補正手段は、前記画像の画素の輝度値を、前記抽出手段によって抽出された前記画素の低周波成分の値で除算することにより、前記画像の輝度を補正することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記抽出手段は、前記画像の輝度成分にフィルタ処理を施すことにより、前記画像の低周波成分を抽出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像の輝度の低周波成分を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段によって抽出された低周波成分を用いて、前記画像の輝度を補正する補正手段と、
前記画像の輝度の平均値と前記抽出手段によって抽出された画像の各画素の輝度の低周波成分との差分を用いて、前記補正手段によって補正された画像のダイナミックレンジを拡大する処理を行う処理手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
前記処理手段は、前記差分が大きいほど、前記画素のダイナミックレンジを拡大する量を小さくすることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像の輝度の低周波成分を抽出する抽出工程と、
前記抽出工程によって抽出された低周波成分を用いて、前記画像の輝度を補正する補正工程と、
前記抽出工程によって抽出された低周波成分の頻度分布と前記抽出工程によって抽出された画像の各画素の輝度の低周波成分を用いて、前記補正工程によって補正された画像のダイナミックレンジを拡大する処理を行う処理工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
画像の輝度の低周波成分を抽出する抽出工程と、
前記抽出工程によって抽出された低周波成分を用いて、前記画像の輝度を補正する補正工程と、
前記画像の輝度の平均値と前記抽出工程によって抽出された画像の各画素の輝度の低周波成分との差分を用いて、前記補正工程によって補正された画像のダイナミックレンジを拡大する処理を行う処理工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の画像処理装置は、画像の輝度の低周波成分を抽出する抽出手段と、前記抽出手段によって抽出された低周波成分を用いて、前記画像の輝度を補正する補正手段と、前記抽出手段によって抽出された低周波成分の頻度分布と前記抽出手段によって抽出された画像の各画素の輝度の低周波成分を用いて、前記補正手段によって補正された画像のダイナミックレンジを拡大する処理を行う処理手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光源と、上記複数の光源の光量を検出する１つの検出部と、上記検出部において検出された光量に応じた信号と所定の光量に対応する制御信号とを比較し、上記複数の光源に供給する電流を制御する光量制御手段を備えた半導体レーザ制御装置であって、
上記複数の光源は８個以上の半導体レーザ素子によって構成され、
上記複数の光源の各光源を点灯させて光量制御を行うときに上記検出部への過電圧防止手段として機能する電圧クランプ回路を有することを特徴とする半導体レーザ制御装置。
【請求項２】
上記制御信号は、１Ｖ以上の電圧で与えられることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項３】
上記電圧クランプ回路は、ベース接地回路によって構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項４】
上記ベース接地回路は、バイポーラトランジスタによるものであることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項５】
上記電圧クランプ回路は、ゲート接地回路によって構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項６】
上記ゲート接地回路は、ＣＭＯＳトランジスタによるものであることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項７】
上記電圧クランプ回路は、ダイオードアレイによって構成されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項８】
上記電圧クランプ回路のクランプ電圧を調整するクランプ電圧調整回路をさらに有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体レーザ制御装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体レーザ制御装置を有することを特徴とする光走査装置。
【請求項１０】
請求項９記載の光走査装置を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザ制御装置、光走査装置、及び画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明は、半導体レーザ制御装置であって、複数の光源と、複数の光源の光量を検出する１つの検出部と、検出部において検出された光量に応じた信号と所定の光量に対応する制御信号とを比較し、複数の光源に供給する電流を制御する光量制御手段を備え、複数の光源が８個以上の半導体レーザ素子によって構成され、複数の光源の各光源を点灯させて光量制御を行うときに検出部への過電圧防止手段として機能する電圧クランプ回路を有することを主な特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月25日(2012.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板ホルダに保持された第１の半導体基板と第２基板ホルダに保持された第２の半導体基板とを互いに接合する基板接合装置であって、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを接合前に位置合わせするために、互いに相対移動する第１ステージおよび第２ステージを有する位置合わせ部と、
前記第１の半導体基板が前記第１基板ホルダを介して前記第１ステージ上に配置されるように前記第１の半導体基板および前記第１基板ホルダを前記第１ステージに搬送し、前記第２の半導体基板が前記第２基板ホルダを介して前記第２ステージ上に配置されるように前記第２の半導体基板および前記第２基板ホルダを前記第２ステージに搬送する搬送部と、
前記第１基板ホルダと前記第１の半導体基板との相対的な第１のずれ量、および、前記第２基板ホルダと前記第２の半導体基板との相対的な第２のずれ量をそれぞれ検出する検出部と、
前記第１および第２のずれ量がそれぞれ前記位置合わせ部での位置合わせが可能な範囲内であるか否かを判断する判断部と、
前記第１および第２のずれ量が前記範囲内であると判断された場合に、前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに位置合わせすべく前記第１ステージおよび前記第２ステージを相対移動させる駆動部と、
位置合わせされた前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに接合する接合部と、
を備える基板接合装置。
【請求項２】
前記位置合わせが可能な範囲は、前記第１ステージおよび前記第２ステージの少なくとも一方の回転可能な範囲である請求項１に記載の基板接合装置。
【請求項３】
前記第１の半導体基板を前記第１基板ホルダに載置し、前記第２の半導体基板を前記第２基板ホルダに載置する基板移載部を備え、
前記基板移載部は、
前記第１基板ホルダ上において前記第１基板ホルダから前記第１の半導体基板が離間した状態で前記第１の半導体基板を支持する支持部材を有し、
前記検出部は、前記第１の半導体基板が前記支持部材に支持された状態で前記第１基板ホルダと前記第１の半導体基板との前記第１のずれ量を検出する請求項１または２に記載の基板接合装置。
【請求項４】
前記基板移載部は、前記支持部材に支持された前記第１の半導体基板を前記第１基板ホルダ上に載置する載置部材を有し、
前記載置部材は、前記第１のずれ量が前記範囲内であると前記判断部により判断された場合に、前記第１の半導体基板を前記第１基板ホルダに載置する請求項３に記載の基板接合装置。
【請求項５】
前記支持部材と前記載置部材は同一部材である請求項４に記載の基板接合装置。
【請求項６】
前記検出部は、前記基板ホルダに設けられたホルダ指標に対する前記第１の半導体基板の前記第１のずれ量を検出する請求項１から５のいずれか１項に記載の基板接合装置。
【請求項７】
前記検出部は、前記第１基板ホルダに設けられた前記ホルダ指標を検出する第１検出部と、前記第１の半導体基板に設けられた基板指標を検出する第２検出部とを有する請求項６に記載の基板接合装置。
【請求項８】
前記検出部は、前記ホルダ指標の像と前記基板指標の像を共に被写界深度内に結像させる光学系を備える請求項７に記載の基板接合装置。
【請求項９】
前記第１の半導体基板および前記第１基板ホルダを相対的に移動させる移動機構を備え、
前記検出部により検出された前記第１および第２のずれ量の少なくとも一方が前記範囲外であると前記判断部により判断された場合には、前記第１および第２のずれ量の少なくとも一方を相殺するように前記移動機構により前記第１の半導体基板および前記第１基板ホルダを相対移動する請求項３から８のいずれか１項に記載の基板接合装置。
【請求項１０】
前記基板移載部は、前記基板ホルダを載置するステージを備え、
前記移動機構は、前記第１および第２のずれ量の少なくとも一方を相殺するように前記ステージを移動させ、前記第１の半導体基板を前記基板ホルダに載置した後に、前記ステージを元の位置に戻す請求項９に記載の基板接合装置。
【請求項１１】
前記搬送部は、前記第１の半導体基板および前記第１基板ホルダをそれぞれ個別に前記第１ステージに搬送し、前記第２の半導体基板および前記第２基板ホルダをそれぞれ個別に前記第２ステージに搬送する請求項１から１０のいずれか１項に記載の基板接合装置。
【請求項１２】
第１基板ホルダに保持された第１の半導体基板と第２基板ホルダに保持された第２の半導体基板とを互いに接合する基板接合方法であって、
前記第１の半導体基板が前記第１基板ホルダを介して位置合わせ部の第１ステージ上に配置されるように前記第１の半導体基板および前記第１基板ホルダを前記第１ステージに搬送し、前記第２の半導体基板が前記第２基板ホルダを介して前記位置合わせ部の第２ステージ上に配置されるように前記第２の半導体基板および前記第２基板ホルダを前記第２ステージに搬送する搬送ステップと、
前記第１基板ホルダと前記第１の半導体基板との相対的な第１のずれ量、および、前記第２基板ホルダと前記第２の半導体基板との相対的な第２のずれ量をそれぞれ検出する検出ステップと、
前記第１および第２のずれ量がそれぞれ前記位置合わせ部での位置合わせが可能な範囲内であるか否かを判断する判断ステップと、
前記第１および第２のずれ量が前記範囲内であると判断された場合に、前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに位置合わせすべく前記第１ステージおよび前記第２ステージを相対移動させる駆動ステップと、
位置合わせされた前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに接合する接合ステップと、
を含む基板接合方法。
【請求項１３】
前記第１の半導体基板を前記第１基板ホルダに載置し、前記第２の半導体基板を第２基板ホルダに載置する基板載置ステップを含む請求項１２に記載の基板接合方法。
【請求項１４】
前記位置合わせが可能な範囲は、前記ステージの回転可能な範囲である請求項１３に記載の基板接合方法。
【請求項１５】
前記基板載置ステップは、
前記第１基板ホルダ上において前記第１基板ホルダから前記第１の半導体基板が離間した状態で前記第１の半導体基板を支持部材により支持する支持ステップと、
前記支持部材に支持された前記第１の半導体基板を前記基板ホルダ上に載置する載置ステップとを含み、
前記検出ステップでは、前記第１の半導体基板が前記支持部材に支持された状態で前記基板ホルダと前記第１の半導体基板との前記第１のずれ量を検出し、
前記載置ステップは、前記第１のずれ量が前記範囲内であると前記判断ステップで判断された場合に、前記第１の半導体基板を前記基板ホルダに載置する請求項１３または１４に記載の基板接合方法。
【請求項１６】
請求項１２から１５のいずれか１項に記載の基板接合方法を含むデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板接合装置、基板接合方法およびデバイスの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板に実装された電子部品のリードまたは端子ピンに、第１の炭化水素系樹脂を含む第１のコーティング剤を塗布して第１の被膜を形成する第１被膜形成工程と、
前記第１の被膜を硬化させる硬化工程と、
第２の炭化水素系樹脂を含み、かつ前記第１のコーティング剤より粘度の高い第２のコーティング剤を、前記第１の被膜の表面に塗布して第２の被膜を形成する第２被膜形成工程と、を含むことを特徴とする保護膜の形成方法。
【請求項２】
前記第１の炭化水素系樹脂と前記第２の炭化水素系樹脂とが同じ炭化水素系樹脂であることを特徴とする請求項１記載の保護膜の形成方法。
【請求項３】
前記第２の被膜は、前記第１の被膜に増粘性の添加剤を加えたものであることを特徴とする請求項２記載の保護膜の形成方法。
【請求項４】
前記添加剤が脂肪酸系添加剤であることを特徴とする請求項３記載の保護膜の形成方法。
【請求項５】
前記第１のコーティング剤および前記第２のコーティング剤が、それぞれ、前記第１の炭化水素系樹脂および前記第２の炭化水素系樹脂を溶解する脂環式アルカンを含むことを特徴とする請求項１記載の保護膜の形成方法。
【請求項６】
前記第１のコーティング剤の粘度が、円錐・平板回転粘度計を用いて室温で測定した値が１００〜３００ｍＰａ・ｓの範囲内にあり、チクソ比が、同じ条件下で測定した値が０．８〜１．２の範囲内にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の保護膜の形成方法。
【請求項７】
前記添加剤の添加量が、前記第１の炭化水素系樹脂１００質量部に対して０．１〜５質量部の範囲内であることを特徴とする請求項３または４に記載の保護膜の形成方法。
【請求項８】
前記第２のコーティング剤の粘度が、円錐・平板回転粘度計を用いて室温で測定した値が３００〜１０００ｍＰａ・ｓの範囲内であって、チクソ比が、同じ条件下で測定した値が１．５〜２．５の範囲内であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の保護膜の形成方法。
【請求項９】
前記第１のコーティング剤と前記第２のコーティング剤とによる被膜の厚さが２５〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の保護膜の形成方法。
【請求項１０】
電子部品が実装された電子回路基板と、
前記電子部品のリードまたは端子ピンを被覆する保護膜と、を有し、
前記保護膜が、第１の炭化水素系樹脂を含む第１のコーティング膜と、前記第１のコーティング膜上に形成され、かつ第２の炭化水素系樹脂を含む第２のコーティング膜とからなり、
前記第２の炭化水素系樹脂が、前記第１の炭化水素系樹脂に添加剤を加えたものであることを特徴とする実装構造体。
【請求項１１】
前記添加剤が脂肪酸系添加剤であることを特徴とする請求項１０に記載の実装構造体。
【請求項１２】
前記第１のコーティング膜および前記第２のコーティング膜が、それぞれ、前記第１の炭化水素系樹脂および前記第２の炭化水素系樹脂を溶解する脂環式アルカンを含むことを特徴とする請求項１０または１１記載の実装構造体。
【請求項１３】
前記添加剤の添加量が、前記第１の炭化水素系樹脂１００質量部に対して０．１〜５質量部の範囲内であることを特徴とする請求項１０に記載の実装構造体。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の実装構造体に対して、前記第２のコーティング膜と前記第１のコーティング膜とを、前記第１の炭化水素系樹脂および前記第２の炭化水素系樹脂を溶解する溶剤を用いて溶解させまたは軟化させて除去し、リペアすることを特徴とする実装構造体のリペア方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】保護膜の形成方法および実装構造体、ならびに実装構造体のリペア方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は保護膜の形成方法、この方法による実装構造体、ならびに実装構造体のリペア方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にシリコン部分を有する基板を準備する工程と、
窒素を含有する金属化合物を成膜原料として用いたＣＶＤにより前記基板の前記シリコン部分の表面に、前記金属化合物を構成する金属からなる金属膜を成膜する工程と、
その後、前記基板に水素ガス雰囲気でアニールを施して前記金属膜と前記シリコン部分との反応により金属シリサイドを形成する工程と
を有し、
前記金属はニッケルであり、
前記金属膜はニッケル膜であり、
前記成膜原料を構成する窒素を含有する金属化合物は、ニッケルアミジネートであることを特徴とする金属シリサイド膜の形成方法。
【請求項２】
前記ニッケル膜の成膜は、基板温度が１２０〜２８０℃の範囲で行われることを特徴とする請求項１に記載の金属シリサイド膜の形成方法。
【請求項３】
前記水素ガス雰囲気でのアニールは、基板温度が４５０〜５５０℃の範囲で行われることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金属シリサイド膜の形成方法。
【請求項４】
前記ニッケル膜の成膜と、前記水素ガス雰囲気でのアニールとを、真空を破らずにｉｎ−ｓｉｔｕで行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の金属シリサイド膜の形成方法。
【請求項５】
前記基板のシリコン部分は、シリコン基板またはポリシリコン膜であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の金属シリサイド膜の形成方法。
【請求項６】
コンピュータ上で動作し、シリサイド膜形成装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項５のいずれかの金属シリサイド膜の形成方法が行われるように、コンピュータに前記シリサイド膜の形成装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、表面にシリコン部分を有する基板を準備する工程と、窒素を含有する金属化合物を成膜原料として用いたＣＶＤにより前記基板の前記シリコン部分の表面に、前記金属化合物を構成する金属からなる金属膜を成膜する工程と、その後、前記基板に水素ガス雰囲気でアニールを施して前記金属膜と前記シリコン部分との反応により金属シリサイドを形成する工程と
を有し、前記金属はニッケルであり、前記金属膜はニッケル膜であり、前記成膜原料を構成する窒素を含有する金属化合物は、ニッケルアミジネートであることを特徴とする金属シリサイド膜の形成方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上型と、この上型と組み合わせて用いられる上面開放の下型とを用いて、コンデンサ素子にノルボルネン樹脂を被覆し外装体を形成する樹脂モールド型コンデンサの製造方法であって、
前記ノルボルネン樹脂の硬化温度より低く設けた前記下型のキャビティに液状のノルボルネン樹脂を注入する注入工程と、
前記コンデンサ素子が前記ノルボルネン樹脂に浸漬されるまで前記キャビティ内の前記ノルボルネン樹脂を前記硬化温度より低い状態とする浸漬工程と、
前記下型に型締めされ前記硬化温度以上に設けた前記上型で前記ノルボルネン樹脂を硬化させる成形工程と、
を行う樹脂モールド型コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記下型は底面を摺動自在としたキャビティ容量可変型であり、前記成形工程は、前記上型と前記下型を型締めするとともに、前記下型の底面を前記上型方向に押し上げ、前記ノルボルネン系樹脂を前記キャビティ内において押圧する工程を含む請求項１に記載の樹脂モールド型コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記注入工程において、前記下型の温度は４０℃以上６０℃以下に設定された請求項１に記載の樹脂モールド型コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記成形工程の前に、前記上型は、８０℃以上１２０℃以下に加熱される請求項１に記載の樹脂モールド型コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記成形工程において、前記上型は、８０℃以上１２０℃以下に加熱される請求項１に記載の樹脂モールド型コンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記下型は冷却機構を有し、前記ノルボルネン系樹脂の硬化後に前記下型は前記冷却機構にて冷却される請求項１に記載の樹脂モールド型コンデンサの製造方法。
【請求項７】
コンデンサ素子とこのコンデンサ素子に付設されたリードフレームとの複合体を、前記コンデンサ素子が前記下型の内底面側に位置するように前記下型の開放端部に載置する載置工程を有し、前記載置工程において、前記リードフレームに設けられた貫通孔に前記下型の開放端部に植設されたガイドピンを貫挿させることにより、前記複合体を位置決めする請求項１に記載の樹脂モールド型コンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記下型は底面を摺動自在としたキャビティ容量可変型であり、前記成形工程において、前記下型の底面を前記上型方向に押し上げた際に、気体または余剰な前記ノルボルネン系樹脂が前記上型または前記下型に設けられた孔を介して外部に排出される請求項１に記載の樹脂モールド型コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そして、この目的を達成するために本発明の樹脂モールド型コンデンサの製造方法では、上型と、この上型と組み合わせて用いられる上面開放の下型とを用いて、コンデンサ素子にノルボルネン樹脂を被覆し外装体を形成する樹脂モールド型コンデンサの製造方法であって、前記ノルボルネン樹脂の硬化温度より低く設けた前記下型のキャビティに液状のノルボルネン樹脂を注入する注入工程と、前記コンデンサ素子が前記ノルボルネン樹脂に浸漬されるまでキャビティ内の前記ノルボルネン樹脂を前記硬化温度より低い状態とする浸漬工程と、前記下型と型締めされ前記硬化温度以上に設けた前記上型で前記ノルボルネン樹脂を硬化させる成形工程と、を行うようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
これは、下型のキャビティに液状のノルボルネン系樹脂を注入した後、ノルボルネン系樹脂の硬化温度以上の温度に加熱した上型を下型に型締めし、この上型の温度にてノルボルネン系樹脂を硬化させることによる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流路内に被検体を通しながら励起装置を稼働させ励起エネルギ域内スペクトラムを有する励起光を浴びせることでその被検体を発光させる方法であって、
流路を構成する個々の流路区画における励起光スペクトラムを励起エネルギ域内ノンバイナリスペクトラムとし、且つ
同じ励起エネルギ域内の別々の小範囲で発光するよう或いはその間の遷移が非干渉的になるよう、それら流路区画のうち少なくとも２個の間で励起光のスペクトラムを変えることにより、
流路内移動につれ被検体発光が経時変化するよう流路区画単位で励起光のスペクトラムを変化させつつ被検体を発光させる励起装置使用方法。
【請求項２】
本装置稼働中に複数個の被検体を各々通せるよう流路母材上に形成された流路と、励起エネルギ域内スペクトラムを有する励起光を流路内被検体に浴びせて発光させる励起装置を有する符号化部材と、を備える装置であって、
流路を構成する個々の流路区画における励起光のスペクトラムを励起エネルギ域内ノンバイナリスペクトラムとし、且つ
同じ励起エネルギ域内の別々の小範囲で発光するよう或いはその間の遷移が非干渉的になるよう、それら流路区画のうち少なくとも２個の間で励起光のスペクトラムを変えることにより、
流路内移動につれ被検体発光が経時変化するよう流路区画単位で励起光のスペクトラムを変化させつつ各被検体を発光させる装置。
【請求項３】
本装置稼働中に複数個の被検体を各々通せるよう流路母材上に形成された流路と、符号化部材と、を備える装置であって、
その符号化部材が、
励起エネルギ域内スペクトラムを有する励起光を発生させ被検体に浴びせて発光させる励起光源であって励起光のスペクトラムを少なくとも二通りに切り替えうる励起光源と、
励起光照射区画より上流で被検体の流路内通過を検知してトリガ信号を発生させるトリガ検知器と、
励起光照射区画を通過中の被検体に照射される励起光が経時変化するようそのスペクトラムを経時的に切り替えつつ励起光を照射する動作を、トリガ信号に応じ励起光源に行わせる回路と、
を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに類似した特徴を有する画素から構成される領域に入力画像を分割する領域分割部と、
前記領域分割部により得られた各領域の広さ情報を取得する広さ算出部と、
前記広さ算出部により得られた広さ情報を基に各領域の種別を判定する判定部と、
前記領域分割部により得られた分割結果と前記判定部により得られた各領域の判定結果に基づき画素ごとの分類結果を生成する分類結果生成部と
を備えたことを特徴とする領域分類装置において、
前記領域広さ算出部は、各領域に属する画素数をその領域の広さ情報とすることを特徴とする領域分類装置。
【請求項２】
請求項１に記載の領域分類装置において、前記領域分割部は、前記入力画像を構成する画素が互いに類似した特徴を有するか否かを画素値に基づいて決定することを特徴とする領域分類装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の領域分類装置において、前記領域広さ算出部は、各領域に属する画素数をその領域の広さ情報とすることを特徴とする領域分類装置。
【請求項４】
請求項３に記載の領域分類装置において、前記判定部は、予め定めた閾値がひとつである場合に、当該閾値より大きな広さを持つ領域を平坦部、当該閾値以下の広さを持つ領域を複雑部に分類すること、または当該閾値以上の広さを持つ領域を平坦部、当該閾値より小さな広さを持つ領域を複雑部に分類することを特徴とする領域分類装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載の領域分類装置において、前記判定部は、判定対象である注目領域の広さとその周囲の領域との広さの比較を行い、広さの相対的な評価により各領域を複数の種別に分類することを特徴とする領域分類装置。
【請求項６】
請求項５に記載の領域分類装置において、前記判定部は、前記周辺の領域の広さの平均値の予め定めた１より大きい定数倍よりも大きな広さを持つ領域を平坦部、当該周辺の領域の広さの平均値の予め定めた１より小さく０より大きい定数倍よりも小さな広さを持つ領域を複雑部に分類することを特徴とする領域分類装置。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか１項に記載の領域分類装置において、前記判定部は、広さ情報に加えて領域の形状の情報を用いて各領域を複数の種別に分類することを特徴とする領域分類装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の領域分類装置を備え、当該領域分類装置により画像内の領域を幾つかの種別に分類し、当該種別に応じて領域の処理の内容を変更することによって画質を改善することを特徴とする画質改善装置。
【請求項９】
請求項８に記載の画質改善装置を備えた映像表示装置。
【請求項１０】
互いに類似した特徴を有する画素から構成される領域に入力画像を分割する領域分割ステップと、
前記領域分割ステップにより得られた各領域の広さ情報を取得する広さ算出ステップと、
前記広さ算出ステップにより得られた広さ情報を基に各領域の種別を判定する判定ステップと、
前記領域分割ステップにより得られた分割結果と前記判定ステップにより得られた各領
域の判定結果に基づき画素ごとの分類結果を生成する分類結果生成ステップと
を備えた領域分類方法において、
前記領域広さ算出ステップは、各領域に属する画素数をその領域の広さ情報とすることを特徴とする領域分類方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の領域分類方法において、前記領域分割ステップは、前記入力画像を構成する画素が互いに類似した特徴を有するか否かを画素値に基づいて決定することを特徴とする領域分類方法。
【請求項１２】
請求項１０から１１のいずれか１項に記載の領域分類方法により画像内の領域を幾つかの種別に分類し、当該種別に応じて領域の処理の内容を変更することによって画質を改善することを特徴とする画質改善方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の画質改善方法により改善された映像を表示することを特徴とする映像表示方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明は、上述のような課題を解消するためになされたものであり、互いに類似した特徴を有する画素から構成される領域に入力画像を分割する領域分割部と、前記領域分割部により得られた各領域の広さ情報を取得する広さ算出部と、前記広さ算出部により得られた広さ情報を基に各領域の種別を判定する判定部と、前記領域分割部により得られた分割結果と前記判定部により得られた各領域の判定結果に基づき画素ごとの分類結果を生成する分類結果生成部とを備えた領域分類装置において、前記領域広さ算出部は、各領域に属する画素数をその領域の広さ情報とする領域分類装置を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そこで、近年、端末装置における起動時間を短縮するために、ハイバネーション機能を用いて、端末装置を起動させる方法が開発されている。ハイバネーション機能とは、例えば電源オフ時などのある時点においてＲＡＭに展開されているデータを、スナップショットイメージとして不揮発性メモリに記憶しておく。そして、端末装置の起動時に、当該スナップショットイメージをそのままＲＡＭにロードすることで、ＲＡＭの状態を迅速に復元する機能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２は、端末装置１０の概略構成を示したブロック図である。図２に示されるように、端末装置１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０３、フラッシュメモリ１０５、ＲＡＭ(Random Access Memory)１０７、ネットワークインタフェース１０９、ディスプレイ１１１、ユーザ入力デバイス１１３、および無線通信部１１４からなる。これらの端末装置１０を構成する各要素は、システムバス１１９を介して相互に接続されている。また、上述のように、ＳＩＭカード１１５は、ＳＩＭカード装着部１１５ａに装着されることにより、ＣＰＵ１０３等とシステムバス１１９を介して接続される。さらに、これらの端末装置１０における各要素には、バッテリ装着部１２０ａに装着されたバッテリ１２０から、電源ラインを介して電力が供給される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ＳＩＭカード１１５は、ＧＳＭやＷ−ＣＤＭＡなどの方式の携帯電話機で使われているＩＣカードであり、ユーザの電話番号や契約している携帯電話事業者の情報などを記憶する外部記憶装置である。ＳＩＭカード１１５をＳＩＭカード装着部１１５ａに装着することにより、端末装置１０をカード内に記録されている電話番号で利用できるようになっている。また、ＳＩＭカード１１５を抜き差しする際には、抜き差しの前に確実にＳＩＭカード１１５の電源を切る必要がある。これは、ＳＩＭカード１１５に電力供給されている状態で抜き差しされることにより、過大電流が流れるなどしてＳＩＭカード１１５自体およびそれに記憶されているデータが破損することなどを防ぐためである。そのため、図１（ｂ）に示すように、本実施形態の端末装置１０は、バッテリ１２０を取り外して、電力の供給を確実に停止させた状態に限り、ＳＩＭカード１１５の着脱を行えるような構造になっている。バッテリ１２０は、例えば、リチウムイオン二次電池等の、充電により繰り返し使用可能な二次電池である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
このように、ユーザによって書き換えられる可能性があるデータについては、スナップショットイメージを取得してから処理が実行される。また、Ｓ１０５では、書き換え可能フォルダ１０５２に記憶されるデータに加え、ＳＩＭカード１１５に記憶されるデータに基づく処理も実行される。ここで、ＳＩＭカード１１５に記憶されるデータは、ユーザによって書き換えられる可能性があるものではない。しかしながら、端末装置１０に対しては、ＳＩＭカード１１５を別のＳＩＭカードへと交換することにより変更可能なものである。そのため、ＳＩＭカード１１５に記憶されるデータも、書き換え可能フォルダ１０５２に記憶されるデータと同様に、スナップショットイメージを取得した後に実行される必要があり、書き換え可能データとして取り扱われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
書き換え可能フォルダ１０５２に記憶される書き換え可能データおよびＳＩＭカード１１５に記憶されるデータの実行が終了すると、端末装置１０はサスペンド状態Ｓ４へと遷移する（Ｓ１０６）。そして、この状態で、電源キー１１３ｃが長押しされるまで待機する（Ｓ１０７）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
続いて、１回目の起動時と同様に、書き換え可能フォルダ１０５２およびＳＩＭカード１１５に記憶される書き換え可能データに基づく処理が実行される（Ｓ１０５）。そして、書き換え可能データの実行が終了すると、端末装置１０はサスペンド状態Ｓ４となり（Ｓ１０６）、電源キー１１３ｃが長押しされるまで待機する（Ｓ１０７）。本実施形態の起動処理においては、バッテリ１２０が装着されてからサスペンド状態Ｓ４に遷移するまでの処理、すなわちＳ１０１〜Ｓ１０５までの処理が、バックグラウンドブート処理（ＢＧＢ処理）となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
その後、サスペンド状態Ｓ４において、電源キー１１３ｃが長押しされると（Ｓ１０７：Ｙｅｓ）、ディスプレイ１１１が起動され、ディスプレイ１１１にスプラッシュイメージが表示される（Ｓ１０８）。続いて、端末装置１０の初期化などが行われ、端末装置１０が、動作状態Ｓ２へと遷移することにより、起動処理は終了する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
さらに、上記実施形態においては、１回目の起動の際に、読み取り専用フォルダ１０５１に記憶される読み取り専用データを実行して、スナップショットイメージを取得する構成とした。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、端末装置１０の工場出荷時に、予め適切なスナップショットイメージを生成して、これをフラッシュメモリ１０５のハイバネーション用フォルダ１０５３に記憶させておくことも可能である。このように構成することにより、端末装置１０をユーザによる１回目の起動から迅速に起動させることが可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010271980.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光ファイバ素線を含む光ファイバに検査光を透過させて得た光ファイバ原画像の画像データを２値化処理する演算部と、２値化データに基づいて作成された光ファイバ画像を表示する表示部とを備え、
前記表示部は、現在撮影された前記光ファイバ原画像又は前記光ファイバ画像と、過去に撮影された前記光ファイバ原画像又は前記光ファイバ画像を同一画面に表示することを特徴とする光ファイバ素線計数装置。 
【請求項２】
現在撮影された光ファイバ画像と過去に撮影された光ファイバ画像を比較し、光ファイバ原画像又は前記光ファイバ画像において、現在撮影された光ファイバ画像の中で過去に撮影された光ファイバ画像と異なる位置にマークを行う演算部を備えることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ素線計数装置。
【請求項３】
前記表示部は、前記光ファイバ画像が撮影された撮影日を前記光ファイバ原画像又は前記光ファイバ画像とともに表示することを特徴とする請求項１記載の光ファイバ素線計数装置。