Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が打ち込まれる遊技領域が前面に形成される遊技盤と、所定条件の成立にもとづいて所定の表示結果を導出表示する表示装置と、を備え、遊技者に有利な特定遊技状態に制御するときに前記表示装置に予め定められた特定表示結果を導出表示する遊技機において、
前記遊技盤は、背部を視認可能な透明板状部材によって形成され、
前記遊技盤の後面側に設けられ、前記表示装置によって表示される領域以外であって、遊技者が背部を視認可能な遊技領域を装飾する造形部材を備え、
該造形部材は、前記遊技盤への取り付けを可能にする取付部と、立体的な形体を成す複数種類の造形体と、を備えた基本構成部材から構成されることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記複数種類の造形体は、各々前記基本構成部材とは異なる一以上の部材によって形成され、前記基本構成部材の前面に個々に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記表示装置は、前記基本構成部材に取り付けられることを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が打ち込まれる遊技領域が前面に形成される遊技盤と、前記遊技領域に突設する複数種類の突設部材と、所定条件の成立にもとづいて所定の表示結果を導出表示する表示装置と、を備え、遊技者に有利な特定遊技状態に制御するときに前記表示装置に予め定められた特定表示結果を導出表示する遊技機において、
前記遊技盤は、背部を視認可能な透明板状部材によって形成され、
前記遊技盤の後面側に設けられ、前記表示装置によって表示される領域以外であって、遊技者が背部を視認可能な遊技領域を立体的に装飾する造形部材を備え、
該造形部材は、前記複数種類の突設部材のうち少なくとも一の突設部材に近接して配置されることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記造形部材は、更に、前記透明板状部材に当接しないように配置されることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）混合物を得るために、予め決定した量の実質的に炭素からなり３０ｍｍ未満の長さを有するフィラメントの束を、予め決定した量の有機バインダーと混合する工程と、
ｂ）前記混合物をある形状の型に設置し、同時に前記混合物に、亀裂の伝播を防止するような方法で、前記形状に従って延びる多数の強化用繊維を混和させる工程と、
ｃ）前記強化用繊維を含有する前記混合物を成形して半製品を生成する工程と、
ｄ）前記半製品を、実質的に有機バインダーの炭化または熱分解をもたらすような温度において一次焼成に供する工程と、
ｅ）前記焼成した半製品を、ケイ素の存在下で、実質的にケイ素の融解および前記半製品への浸透をもたらすような温度において二次焼成に供する工程と
を含む成形複合材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜と、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、
前記非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜のソース領域及びドレイン領域側の端部は、前記非晶質半導体膜、前記不純物半導体膜と重なることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記非晶質半導体膜の端部は、前記ソース領域及びドレイン領域の外側に露出していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜に重ねて非晶質半導体膜が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜と、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜上に形成される非晶質半導体膜と、
前記非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜、前記非晶質半導体膜、及び前記不純物半導体膜の側面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、且つ前記不純物半導体膜に接する一対の配線とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜と、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜上に形成される非晶質半導体膜と、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜、及び前記非晶質半導体膜の側面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜のソース領域及びドレイン領域側の端部は、前記絶縁膜と重なることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
導電膜は、金属膜、金属合金膜、金属窒化物膜、金属炭化物膜、金属ホウ化膜、または金属珪化物膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の代わりに、導電性粒子と、前記導電性粒子を覆う５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月7日(2011.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上の第１電極と、
前記第１の電極上の第１ユニットセルと、
前記第１ユニットセル上の中間層と、
前記中間層上の第２ユニットセルと、
前記第２ユニットセル上の第２電極と、を有し、
前記第１ユニットセルは、前記第１電極上の一導電型の第１不純物半導体層と、前記第１不純物半導体層上の単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上で、かつ、前記第１不純物半導体層の前記一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層と、を有し、
前記第２ユニットセルは、ｐ型有機半導体と、ｎ型有機半導体と、を有し、
前記第１ユニットセルと前記第２ユニットセルは、前記中間層を介して直列接続され、
前記中間層は遷移金属酸化物を含んでおり、
前記第１ユニットセルは、絶縁層を介して前記支持基板と接合していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記遷移金属酸化物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記遷移金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記中間層は有機化合物を含んでいることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層の厚さが０．１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層が単結晶シリコンであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１電極は、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルから選択された金属材料であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１電極は、前記金属材料の窒化物層を有し、前記窒化物層が前記第１不純物半導体層と接していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記絶縁層が、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は窒化シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記支持基板がガラス基板であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
単結晶半導体基板の一の面にイオンビームを注入して、前記一の面から所定の深さに損傷層を形成し、
前記一の面に第１の不純物元素を注入して、一導電型の第１不純物半導体層を形成し、
前記第１不純物半導体層上に第１電極を形成し、
前記第１電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を支持基板と接合させ、
前記単結晶半導体基板を前記損傷層から劈開して、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の劈開面に第２の不純物元素を注入して、前記第１不純物半導体層の一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、
前記第２不純物半導体層上に中間層を形成し、
前記中間層上に、ｐ型有機半導体およびｎ型有機半導体を含むユニットセルを形成し、
前記ユニットセル上に、第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記一の面から０．１μｍ以上、１０μｍ以下の深さに前記損傷層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３において、
前記イオンビームは、Ｈ３＋を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記中間層は、遷移金属酸化物を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記遷移金属酸化物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記遷移金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記中間層は有機化合物を含んでいることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８おいて、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１の面に半導体素子が設けられ、
前記基板の前記第１の面とは反対の第２の面と、前記基板の側面の一部と、に樹脂層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板の断面は凸字形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板の第１の面に半導体素子が設けられ、
前記基板の前記第１の面とは反対の第２の面と、前記基板の側面の一部と、に樹脂層を有し、
前記基板は断面において、台形状であり、前記台形状の側面が階段形状を有し、
前記基板は、前記階段形状の上段の厚さが前記階段形状の下段の厚さより厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記上段は前記下段に向かって湾曲していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記樹脂層が接している前記基板の側面は、裾広がりの曲面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記基板の第１の面及び前記基板の第２の面は四角形であり、前記基板の第２の面の面積の方が前記基板の第１の面の面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記半導体素子は光電変換素子と、前記光電変換素子の出力を増幅する増幅回路が設けられた光電変換装置を有し、
前記光電変換素子はｐ型半導体層と、ｉ型半導体層と、ｎ型半導体層とが積層された構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記基板は透光性であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記樹脂層は透光性であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記基板は透光性であり、前記樹脂層は、緑色の光を通す材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記基板は透光性であり、前記樹脂層は、青色の光を通す材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記基板は透光性であり、前記樹脂層は、赤色の光を通す材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
基板の第１の面に半導体素子を形成する工程と、
前記第１の面とは反対側の第２の面の前記基板の厚さを薄くする工程と、
前記基板の第２の面に、溝を設ける工程と、
前記第２の面に樹脂層を設ける工程と、
前記基板を分断する工程と、を有し、
前記溝を設ける工程にて形成される溝の幅は、前記基板を分断する工程にて、前記基板を分断するときの切削痕の幅より広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記溝を設ける工程と、前記基板を分断する工程と、において、
厚みが異なるダイシングブレードを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４において、
前記基板の厚さを薄くする工程と、前記基板に溝を設ける工程と、前記基板を分断する工程と、において、
前記基板をダイシングテープで固定して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか一項において、
前記基板を分断する工程では、前記基板に形成されたマーカを検出し、前記基板の位置を確認し、前記溝の内側を切削し分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板の一表面側からイオン又はクラスターイオンを照射して前記一表面
側から所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記単結晶シリコン基板の一表面側に第
１不純物シリコン層および第１の電極を形成し、
支持基板の一表面側と、前記単結晶シリコン基板の前記一表面側と、を対向させ、前記
支持基板の一表面側と前記第１電極とを重ね合わせて貼り合わせ、
熱処理を行い、前記脆化層を境として前記単結晶シリコン基板を分離させ、前記支持基
板上に単結晶シリコン層を形成し、
前記単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、
シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成した
プラズマにより前記原料ガスを活性化させ、前記単結晶シリコン層をエピタキシャル成長
させ、
前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長させた表面側に第２不純物シリコン層および第２の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
単結晶シリコン基板の一表面側からイオン又はクラスターイオンを照射して前記一表面
側から所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記単結晶シリコン基板の一表面側に第
１不純物シリコン層、第１電極および絶縁層を形成し、
支持基板の一表面側と、前記単結晶シリコン基板の一表面側と、を対向させ、前記支持
基板の一表面側と前記絶縁層とを重ね合わせて貼り合わせ、
熱処理を行い、前記脆化層を境として前記単結晶シリコン基板を分離させ、前記支持基
板上に単結晶シリコン層を形成し、
前記単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、
シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成した
プラズマにより前記原料ガスを活性化させ、前記単結晶シリコン層をエピタキシャル成長
させ、
前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長させた表面側に第２不純物シリコン層および第２の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
大気圧或いは大気圧近傍とは、０．１気圧乃至１０気圧の範囲とすることを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理としては、レーザ処理、ＲＴＡ処理、フラ
ッシュランプ処理、炉を用いた熱処理、エッチング処理、又はＣＭＰ処理を適用すること
を特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記シラン系ガスとしては、シラン、ジシラン又はトリシランを用いることを特徴とす
る光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記原料ガスに希ガス又は水素を添加することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
照射する前記イオン又はクラスターイオンとしては、Ｈ3+イオンの割合を多くするこ
とを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させた領域は、真性半導体とすることを特
徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第２不純物シリコン層上に一導電型の第３不純物シリコン層、非単結晶シリコン層
、及び前記一導電型とは逆の導電型の第４不純物シリコン層を形成することを特徴とする
光電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に半導体集積回路を有し、
前記半導体集積回路は、
支持基板と、
前記支持基板上に設けられた単結晶半導体層を含む半導体素子層と、
前記支持基板における前記半導体素子層の形成面と反対の面及び側面の一部を覆った樹脂層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に画素部と、
前記画素部と電気的に接続し、かつ前記絶縁表面を有する基板に実装された半導体集積回路とを有し、
前記半導体集積回路は、
支持基板と、
前記支持基板上に設けられた単結晶半導体層を含む半導体素子層と、
前記支持基板における前記半導体素子層の形成面と反対の面及び側面の一部を覆った樹脂層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記支持基板の厚さは、前記絶縁表面を有する基板の厚さより薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記支持基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
支持基板の第１の面上に単結晶半導体層を含む複数の半導体素子層を形成し、
前記支持基板の第１の面と反対の第２の面側から前記支持基板の厚さを薄くし、
前記第２の面上で、かつ、前記複数の半導体素子層の間に溝を形成し、
前記第２の面上に樹脂層を形成し、
前記溝及び前記樹脂層を切断して複数の半導体集積回路を形成し、
前記溝及び前記樹脂層の切断後、前記支持基板の前記第２の面及び側面の一部は、前記樹脂層で覆われていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
単結晶半導体基板の第１の面にイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の第１の面から一定の深さに脆弱化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の第１の面上、又は支持基板の第１の面上のどちらか一方に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板の第１の面と前記支持基板の第１の面とを、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で熱処理を行うことによって、前記単結晶半導体基板を前記脆弱化層で分離させ、単結晶半導体層を前記支持基板の第１の面上に形成し、
前記支持基板の第１の面上に前記単結晶半導体層を含む複数の半導体素子層を形成し、
前記支持基板の第１の面と反対の第２の面側から前記支持基板の厚さを薄くし、
前記第２の面上で、かつ、前記複数の半導体素子層の間に溝を形成し、
前記第２の面上に樹脂層を形成し、
前記溝及び前記樹脂層を切断して複数の半導体集積回路を形成し、
前記溝及び前記樹脂層の切断後、前記支持基板の前記第２の面及び側面の一部は、前記樹脂層で覆われていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記溝及び前記樹脂層を、前記支持基板の前記第１の面側より切断して複数の半導体集積回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、前記半導体集積回路を、絶縁表面を有する基板に実装することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、前記半導体集積回路を、画素部が設けられた絶縁表面を有する基板に実装することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、前記絶縁表面を有する基板としてガラス基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項５乃至１０のいずれか一項において、前記溝及び前記樹脂層を切断する切断面の幅は、前記溝の幅より狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項５乃至１１のいずれか一項において、前記溝はダイサーを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項５乃至１２のいずれか一項において、前記半導体集積回路をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式により実装することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項５乃至１３のいずれか一項において、前記半導体集積回路をＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式により実装することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項５乃至１３のいずれか一項において、前記支持基板としてガラス基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デジタルコンテンツ受信装置、および、デジタルコンテンツ受信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の一実施の態様は、例えば特許請求の範囲に記載された技術的思想を用いる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信されたデジタルコンテンツを受信するデジタルコンテンツ受信装置において、
前記デジタルコンテンツには、記録の予約のときに利用する第１のコピー制御情報と、記録のときに利用する第２のコピー制御情報とコピー制御モード情報とを付随することができ、
前記第１のコピー制御情報と前記第２のコピー制御情報とは、それぞれ受信した前記デジタルコンテンツのコピーにおいて、少なくとも一世代コピー可の状態を示す情報であり、
前記コピー制御モード情報は、前記第２のコピー制御情報が一世代コピー可であるときに、受信した前記デジタルコンテンツが個数制限コピー可のコンテンツであるか否かを示す情報であり、
送信された前記デジタルコンテンツを受信する受信部と、
受信した前記デジタルコンテンツを内蔵の記録媒体に記録する記録部と、
受信した前記デジタルコンテンツを前記内蔵の記録媒体に記録するための予約を行う予約部と、
前記受信部と前記記録部と前記予約部とを制御する制御部とを備え、
前記制御部における制御状態には、
前記第１のコピー制御情報を用いて、受信した前記デジタルコンテンツを前記内蔵の記録媒体に記録するための予約を行う第１の状態と、
受信した前記デジタルコンテンツに付随した前記第２のコピー制御情報が一世代コピー可で、かつ、前記コピー制御モード情報が受信した前記デジタルコンテンツに付随していないときに、受信した前記デジタルコンテンツを前記内蔵の記録媒体に記録し、記録した前記デジタルコンテンツからの生成可能なデジタルコピー数が所定数以内となるように管理する第２の状態と
を有することを特徴とするデジタルコンテンツ受信装置。
【請求項２】
送信されたデジタルコンテンツを受信するデジタルコンテンツ受信方法において、
前記デジタルコンテンツには、記録の予約のときに利用する第１のコピー制御情報と、記録のときに利用する第２のコピー制御情報とコピー制御モード情報とを付随することができ、
前記第１のコピー制御情報と前記第２のコピー制御情報とは、それぞれ受信した前記デジタルコンテンツのコピーにおいて、少なくとも一世代コピー可の状態を示す情報であり、
前記コピー制御モード情報は、前記第２のコピー制御情報が一世代コピー可であるときに、受信した前記デジタルコンテンツが個数制限コピー可のコンテンツであるか否かを示す情報であり、
送信された前記デジタルコンテンツを受信する受信ステップと、
受信した前記デジタルコンテンツを内蔵の記録媒体に記録する記録ステップと、
受信した前記デジタルコンテンツを前記内蔵の記録媒体に記録するための予約を行う予約ステップとを備え、
前記第１のコピー制御情報を用いて、受信した前記デジタルコンテンツを前記内蔵の記録媒体に記録するための予約を行う第１の状態と、
受信した前記デジタルコンテンツに付随した前記第２のコピー制御情報が一世代コピー可で、かつ、前記コピー制御モード情報が受信した前記デジタルコンテンツに付随していないときに、受信した前記デジタルコンテンツを前記内蔵の記録媒体に記録し、記録した前記デジタルコンテンツからの生成可能なデジタルコピー数が所定数以内となるように管理する第２の状態と
を有することを特徴とするデジタルコンテンツ受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々一体カバーを有する複数のバケットを含む段（１００）を備える蒸気タービン（１０）であって、上記複数のバケットが、第１の材料からなる第１のバケット（１５０）の組と、第２の材料からなる第２のバケット（１５２）の組とを含んでいて、第１の材料がステンレス鋼合金を含み、第２の材料がニッケル合金を含む、蒸気タービン（１０）。
【請求項２】
第１のバケット（１５０）と第２のバケット（１５２）が当該段（１００）の周方向に交互に配置されている、請求項１記載の蒸気タービン（１０）。
【請求項３】
第１のバケット（１５０）の組が、第２のバケット（１５２）の組間で当該段（１００）の周りに周方向に等しく分散した２以上のバケットのサブセットとして配置される、請求項１又は請求項２記載の蒸気タービン（１０）。
【請求項４】
２以上のバケットのカバーが異なる幾何形状を有する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の蒸気タービン（１０）。
【請求項５】
異なる幾何形状が、２以上のバケット間でカバー接触を維持するように選択される、請求項４記載の蒸気タービン（１０）。
【請求項６】
蒸気タービン（１０）用の各々一体カバーを有する複数のバケットの段（１００）であって、第１の材料からなる第１のバケット（１５０）の組と、第２の材料からなる第２のバケット（１５２）の組とを含んでいて、第１の材料がステンレス鋼合金を含み、第２の材料がニッケル合金を含む、段（１００）。
【請求項７】
第１のバケット（１５０）と第２のバケット（１５２）が当該段（１００）の周方向に交互に配置されている、請求項６記載の段（１００）。
【請求項８】
第１のバケット（１５０）の組が、第２のバケット（１５２）の組間で該段（１００）の周りに周方向に等しく分散した２以上のバケットのサブセットとして配置される、請求項６又は請求項７記載の段（１００）。
【請求項９】
２以上のバケットのカバーが異なる幾何形状を有する、請求項６乃至請求項８のいずれか１項記載の段（１００）。
【請求項１０】
異なる幾何形状が２以上のバケット間でカバー接触を維持するように選択される、請求項９記載の段（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
翼形部（４２）と、
翼形部（４２）の一端に設けられた根元部（４４）と、
根元部（４４）から突出したダブテール部（４０）であって、２５°のスキュー角度を有する斜め軸方向挿入式ダブテールを含むタブテール部（４０）と、
翼形部（４２）の根元部（４４）とは反対側の端部に設けられた先端部（４６）と、
先端部（４６）の一部として一体に形成されたカバー（４８）と
を備える蒸気タービン回転動翼（２０）であって、
当該動翼（２０）が３０．５ｆｔ2（２．８３ｍ2）以上の出口環状空間面積を含む、蒸気タービン回転動翼（２０）。
【請求項２】
斜め軸方向挿入式ダブテール（４０）が、タービンロータホイール（１８）と係合するように構成された６つの接触面を有する３フック設計を含む、請求項１記載の蒸気タービン回転動翼（２０）。
【請求項３】
斜め軸方向挿入式ダブテール（４０）が、動翼（２０）の軸方向移動を防止する軸方向保持フック（４１）を含む、請求項１記載の蒸気タービン回転動翼（２０）。
【請求項４】
カバー（４８）がＶ字形であり、Ｖ字形カバー（４８）が、翼形部（４２）の正圧面（３０）にオーバハングした第１の部分（５２）と翼形部（４２）の負圧面（３２）にオーバハングした第２の部分（５４）とを有していて、Ｖ字形カバー（４８）の第１の部分（５２）と第２の部分（５４）とが接触していカバー（４８）の頂部（５６）が、翼形部（４２）の前縁（３４）から翼形部（４２）の後縁（３６）まで延在する、請求項１記載の蒸気タービン回転動翼（２０）。
【請求項５】
第１の部分（５２）が傾斜面を含んでおり、第２の部分（５４）が平坦面を含んでおり、第１の部分（５２）の傾斜面が正圧面（３０）に対して下向きに傾斜していて、第２の部分（５４）の平坦面が負圧面（３２）に対して平坦である、請求項４記載の蒸気タービン回転動翼（２０）。
【請求項６】
第１の部分（５２）が、蒸気タービン動翼（２０）の段の隣接カバー（４８）と接触するように構成された接触面（６４）を含んでおり、第２の部分（５４）が蒸気タービン動翼（２０）の段の隣接カバー（４８）と接触しないように構成された非接触面（６２）を含む、請求項４記載の蒸気タービン回転動翼（２０）。
【請求項７】
カバー（４８）が、頂部（５６）上に設けられ高応力の発生を防止する応力緩和部（６６）を含む、請求項４記載の蒸気タービン回転動翼（２０）。
【請求項８】
タービンロータ（１８）の周りに配置された複数の後段蒸気タービン動翼（２０）を備える、蒸気タービン（１０）の低圧タービンセクションであって、複数の後段蒸気タービン動翼（２０）の各々が、
１８．５インチ（４６．９９ｃｍ）以上の長さを有する翼形部（４２）と、
翼形部（４２）の一端に設けられた根元部（４４）と、
根元部（４４）から突出したダブテール部（４０）であって、２５°のスキュー角度を有する斜め軸方向挿入式ダブテールを含むタブテール部（４０）と、
翼形部（４２）の根元部（４４）とは反対側の端部に設けられた先端部（４６）と、
先端部（４６）の一部として一体に形成されたカバー（４８）と
を備えており、複数の後段蒸気タービン動翼（２０）が３０．５ｆｔ2（２．８３ｍ2）以上の出口環状空間面積を含む、低圧タービンセクション。
【請求項９】
複数の後段蒸気タービン動翼（２０）が１５００ｒｐｍ〜３６００ｒｐｍの範囲内の速度で作動する、請求項８記載の低圧タービンセクション。
【請求項１０】
複数の後段蒸気タービン動翼（２０）のカバー（４８）が隣接カバー（４８）との間に公称間隙をもって組立てられる、請求項８記載の低圧タービンセクション。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外壁（１６）を有し、且つ、軸（１８）を中心とする回転のための潤滑される回転要素（１７）を収容するように構成されたチャンバ（１５）に設けられる潤滑剤排出構成であって、
前記排出構成は、前記壁の実質的にアーチ形の領域内に設けられる実質的に細長いチャネル（２５）を有し、前記チャネル（２５）は、入口端部（２６）と出口端部（２７）との間のチャネルの実質的に全長（Ａ−Ｂ）にわたって前記チャンバに対して開放されており、前記入口端部（２６）および前記出口端部（２７）は、前記軸（１８）を中心に角度方向に離間しており、
前記チャネル（２５）は、前記軸（１８）に実質的に平行な方向に測った前記チャネルの幅（ｗ）が前記出口端部（２７）に向かって狭くなるようにテーパーが付けられており、
前記チャネル（２５）は、実質的に凹状の側壁（２８）を備え、前記凹状の側壁（２８）は、使用時に、オイルの流れ（２１）を減速させるために、前記チャネル（２５）内のオイルの流れ（２１）に対して湾曲した圧縮表面を形成する、潤滑剤排出構成。
【請求項２】
請求項１に記載の潤滑剤排出構成であって、前記入口端部（２６）は、前記チャンバ（１５）内の前記回転要素（１７）の回転方向（１９）に関して前記出口端部（２７）より前にある、潤滑剤排出構成
【請求項３】
請求項２に記載の潤滑剤排出構成であって、前記入口端部（２６）と前記出口端部（２７）とは、５０°から１００°の範囲で角度方向に離間している、潤滑剤排出構成。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の潤滑剤排出構成であって、前記凹状の側壁（２８）は、前記入口端部（２６）のところおよび前記出口端部（２７）のところで曲率がゼロの領域を備えるように構成される、潤滑剤排出構成。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の潤滑剤排出構成であって、前記凹状の側壁（２８）は、コサインプロファイルを備える、潤滑剤排出構成。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の潤滑剤排出構成であって、前記チャネル（２５）は実質的に凸状の側壁（３０）を備える、潤滑剤排出構成。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の潤滑剤排出構成であって、前記凹状の側壁（２８）は前記チャネル（２５）の一方の側部に沿って設けられ、前記凸状の側壁（３０）は前記チャネル（２５）の反対側の側部に沿って設けられる、潤滑剤排出構成。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の潤滑剤排出構成であって、前記チャネル（２５）の前記出口端部（２７）は、前記チャネル（２５）の前記入口端部（２６）に対して側方にずれている、潤滑剤排出構成。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の潤滑剤排出構成であって、前記チャネル（２５）の、前記軸（１８）に関して実質的に半径方向に測定した深さ（ｄ）は、前記入口端部（２６）から前記出口端部（２７）までの前記チャネル（２５）に沿う変位とともに増加する、潤滑剤排出構成。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の潤滑剤排出構成であって、前記チャネル（２５）は、前記チャンバ壁（１６）の隣接領域に対して鋭角（λ）を形成するようにバンクが設けられた底表面（３４）を備える、潤滑剤排出構成。
【請求項１１】
請求項１０に記載の潤滑剤排出構成であって、前記バンク角度（λ）は、前記入口端部（２６）においておよび前記出口端部（２７）においてゼロになる傾向を持つ、潤滑剤排出構成。
【請求項１２】
請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の潤滑剤排出構成であって、前記チャネル（２５）の前記出口端部（２７）は、前記チャンバ壁（１６）に設けられた漏斗凹部（３９）に直接的に流体連通し、前記漏斗凹部（３９）は、排出パイプ（２３）への流体接続のための実質的に半径方向外側に向いた漏斗出口（４０）を備える、潤滑剤排出構成。
【請求項１３】
請求項１２に記載の潤滑剤排出構成であって、前記漏斗凹部はボウルを備え、前記ボウルの最大直径（Ｄｂ）は、前記漏斗出口の直径（Ｄｓ）の約３倍である、潤滑剤排出構成。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紡績用の間隙を備える機械用の装置であって、該装置は、
少なくとも１つの布地繊維スライバーの厚さに関する測定信号を補正し、
前記信号は、検知ロールのペアによって得られ、
２つの前記検知ロールの１つは、固定位置に配置され、
２つの前記検知ロールのもう１つは、力がかけられ、かつ、前記の固定位置に配置された検知ロールから離れるように動くことができるように配置され、
当該装置は、前記検知ロールのペアの非真円度又は偏心度に起因する周期的誤差値をリアルタイムに検知でき、
前記検知ロールのペアは、電気信号発生手段（変位センサ）と回転角トランスミッターに接続され、
前記電気信号発生手段（変位センサ）と前記回転角トランスミッターはそれらの信号を電気的システムの入力へ送信し、前記電気的システムの出力は、前記の補正された測定信号を送信する、装置において、
前記の動くことができるように配置された可動検知ロール（８、１６、４３）によって、前記の固定位置に配置された固定検知ロール（７、１５、４２）に圧力をかけることによって、前記の固定位置に配置された検知ロール（７、１５、４２）の円周面（７’、１５’、４２’）と前記の動くことができるように配置された可動検知ロール（８、１６、４３）の円周面（８’、１６’、４３’）とが接触し、かつ、該接触中に、前記検知ロール（７、８；１５、１６；４２、４３）が回転可能であることを特徴とする、紡績用の間隙を備える機械用の装置。
【請求項２】
前記ペアをなす検知ロールの中心点間の間隙が変化したとき、前記可動検知ロールの経路の偏りを示す、位置に関係付けられた測定信号を形成することができることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記のペアをなす検知ロールの少なくとも１つの回転について、位置に関係付けられた測定信号を形成することができることを特徴とする、請求項１あるいは２のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
少なくとも１つの前記検知ロールの前記円周面の軌跡が変化したとき、前記の経路の偏りを示す、位置に関係付けられた測定信号を形成することができることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
所望値を有する標準ロールを使用して、前記のペアをなす検知ロールの前記非真円度に起因する前記の偏りを決定することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記のペアをなす検知ロールの１つが、回転可能にあるいはピボット回転可能に取付けられていることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記可動検知ロールは、力を発生する手段によって、前記固定検知ロールに対して押されるように配置されていることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記可動検知ロールあるいは前記可動検知ロールの保持部材は、前記電気信号発生手段と連動することを特徴とする、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
少なくとも１つの前記検知ロールの前記非真円度が発生した場合、前記固定検知ロールに接触したとき、前記可動検知ロールの前記経路の偏りを示す前記測定信号の中の周期的誤差値を生成することができることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
少なくとも１つの前記検知ロールの非真円度に起因する、前記可動検知ロールの前記経路の偏りは、電気信号発生手段によって電気計測信号に変換することができることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記固定検知ロールに接触したとき、前記可動検知ロールの前記経路の偏りを示す前記測定信号に応答する、信号処理手段を備えることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
前記信号処理手段によって、前記電気的測定信号に含まれる前記周期的誤差値を検知することができることを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記のペアをなす検知ロールの少なくとも１つの回転起因の位置に関係付けられた、前記周期的誤差値は、電気的制御安定化装置のメモリに記憶されることができることを特徴とする、請求項１から１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記のペアをなす検知ロールの作動中に、前記のメモリに記憶された周期的誤差値を、現在測定されている繊維素材の密度バラツキの信号を同一の位置に対して補正するための前記電気的制御安定化装置の補正要素として、使用することができることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記のペアをなす検知ロールを互いに接触させるために、ストッパーを離すことができることを特徴とする、請求項１から１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
前記ストッパーを離すために、空気力学的シリンダー、モータまたは磁気スイッチを使用することができることを特徴とする、請求項１から１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
前記ストッパーにバネ負荷がかけられていることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記のペアをなす検知ロールによってかけられている圧力は、前記接触中、最小値まで低減されることを特徴とする、請求項１から１７のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
圧力要素は、非真円度あるいは接触を検知中、第一の力をかけることができ、前記繊維素材に接触している作動中、第一の力よりも大きい第二の力をかけることができることを特徴とする、請求項１から１８のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
前記バネ負荷がかけられているストッパーの力に打ち勝つために、同心度誤差測定中、空気力学的シリンダーの力を増加することができることを特徴とする、請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
前記のペアをなす検知ロールは、溝ロールと突起ロールを備えることを特徴とする、請求項１から２０のいずれかに記載の装置。
【請求項２２】
前記のペアをなす検知ロールは、２つの段差ロールを備えることを特徴とする、請求項１から２０のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
前記非真円度測定後、前記ストッパーは、前記のペアをなす検知ロールの前記円周面の間に通常の間隙を生成できることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項２４】
前記のペアをなす検知ロールのうちの１つ用の保持部材と連携するカウンター面（スキャニング面）からの前記間隙を測定するための非接触の間隙センサが備えられていることを特徴とする、請求項１から２３のいずれかに記載の装置。
【請求項２５】
前記間隙センサは、前記のペアをなす検知ロールのうちのもう１つ用の保持部材と連携することを特徴とする、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記間隙センサと前記カウンター面は、互いに対面するように、前記保持部材側に設けられていることを特徴とする、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記間隙センサは、検知ロール用の前記保持部材に統合されていることを特徴とする、請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
前記カウンター面は、１つの検知ロール用の前記保持部材と連携し、前記間隙センサは、もう１つの検知ロール用の前記保持部材と連携し、前記カウンター面と前記間隙センサは、互いに対面する前記保持部材側に設けられていることを特徴とする、請求項２４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
合金は、面心立方γ−Ｃｏマトリックス相およびＴａによって安定化させた高い容積含有率のγ’相Ｃｏ３（Ａｌ、Ｗ）からなる。γ’分散は、非常に安定でありそして材料を強化し、そしてこのことは、性質（クリープ特性、酸化挙動）、特に高温における性質にプラス効果をもたらす。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【図１】本発明に従う合金Ｃｏ−１微細構造の画像を示す。
【図２】合金Ｃｏ−１および既知の比較合金の降伏強度σ０．２を、室温からおよそ１０００°Ｃまでの範囲の温度の関数として示す。
【図３】合金Ｃｏ−１および既知の比較合金の極限引張強度σＵＴＳを、室温からおよそ１０００°Ｃまでの範囲の温度の関数として示す。
【図４】合金Ｃｏ−１および既知の比較合金の破断点伸びεを、室温からおよそ１０００°Ｃまでの範囲の温度の関数として示す。
【図５】本発明に従う合金Ｃｏ−１、Ｃｏ−４およびＣｏ−５並びに既知の比較合金Ｍａｒ−Ｍ５０９の応力σを、ラーソン・ミラー・パラメータ（Ｌａｒｓｏｎ  Ｍｉｌｌｅｒ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒ）の関数として示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１は、本発明に従う合金Ｃｏ−１について、このようにして達成される微細構造を表す。γマトリックス中に分散されたγ’相の微細な分布を見ることは、非常に容易である。これらのγ’分散は、ニッケル基超合金に特有であるγ’相と非常に似ている。このコバルト基超合金中のγ’分散が、ニッケル基超合金中のγ’分散に比べて一層安定であることは、予測することができる。これは、小さい拡散係数を有するＣｏ３（Ａｌ、Ｗ）の形態のタングステンが存在することによる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
調べた全温度範囲にわたって、合金Ｃｏ−１の降伏強度  σ０．２  は、３種の市販されている比較合金の降伏強度  σ０．２に比べて大きく、その差は、温度  ＞  ６００°Ｃにおいて特に顕著である。コバルト基超合金Ｃｏ−１の降伏強度は、およそ７００−９００°Ｃの範囲で、本書で調べた最もよく知られた市販されている合金Ｍ３０２の降伏強度のおよそ２倍である。文献から知られているＣｏ−Ａｌ−Ｗ−Ｔａ合金の降伏強度σ０．２は、およそ６５０°Ｃを超える相対的に高い温度範囲で、市販されている比較合金の降伏強度よりも優れているとはいえ、本発明に従う本合金によって相当により良い値を達成することができる。これは、主として、本発明に従う合金中に存在する元素Ｃ、Ｂ、Ｈｆ、Ｓｉおよび、適切な場合、加えてＭｏが、コバルト基超合金のγ／γ’微細構造のすでに記載した利点に加えて、さらなる強化機構（分散強化、粒界強化、固溶体強化）をもたらすからである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ピックアップと信号処理回路とを有する光ディスク装置であって、
前記光ピックアップは、対物レンズを駆動するアクチュエータと、加減算によりトラッキング誤差信号とレンズシフト量信号が生成可能な受光信号出力部とを有し、
前記信号処理回路は、前記受光信号出力部からの信号からトラッキング誤差信号とレンズ誤差信号とを生成するサーボ信号生成回路と、前記レンズ誤差信号を入力とするレンズ誤差信号変動の再現手段と、ディスク回転角検出信号を入力とするトラッキングオフセット補正量信号生成回路とを有し、
前記トラッキングオフセット補正量の学習が、前記レンズ誤差信号変動の再現中に行われることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
光ピックアップと信号処理回路とを有する光ディスク装置であって、
前記光ピックアップは、対物レンズを駆動するアクチュエータと、加減算によりトラッキング誤差信号とレンズシフト量信号が生成可能な受光信号出力部とを有し、
前記信号処理回路は、前記受光信号出力部からの信号からメインプッシュプル信号とサブプッシュプル信号とを生成するサーボ信号生成回路と、前記メインプッシュプル信号とサブプッシュプル信号より差動プッシュプル信号とレンズ誤差信号を生成する信号生成回路と、前記レンズ誤差信号とディスク回転角検出信号を入力とするレンズ誤差信号変動の再現手段と、前記ディスク回転角検出信号を入力とするトラッキングオフセット補正量信号生成回路とを有し、
前記差動プッシュプル信号のレンズ位置に対する非線形性が、前記トラッキングオフセット補正量信号と加減算されることにより補正されることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光ディスク装置であって、
前記トラッキングオフセット補正量信号生成回路は、複数のディスク回転角に対応した複数のトラッキングオフセット補正値を記憶する記憶手段を有し、
再生動作開始前または記録動作開始前に、学習動作により、前記複数のディスク回転角に対応した複数のトラッキングオフセット補正値が前記記憶手段に記憶されることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光ディスク装置であって、
前記学習動作は、フォーカスサーボオン時に、トラッキングサーボオフの状態で行われ、ディスクを回転するスピンドルの回転に同期して、前記複数のディスク回転角を走査し、検出されるトラッキング誤差信号振幅のエンベロープ検出を行って、
トラッキングオフセット補正値を記憶することにより行われることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
請求項３に記載の光ディスク装置であって、
前記学習動作は、フォーカスサーボオン時に、トラッキングサーボオフの状態で行われ、
スピンドル１回転ごとにトラッキング誤差信号振幅のエンベロープ検出を行って、
トラッキングオフセット補正値を記憶することにより行われることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
請求項４に記載の光ディスク装置であって、
前記学習動作は、異なるディスク半径位置において、複数回実施されることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項７】
請求項３に記載の光ディスク装置であって、
前記トラッキングオフセット補正量信号生成回路は、各トラッキングオフセット補正値が記憶された前記複数のディスク回転角における補正値のスプライン補間を行って、トラッキングオフセット補正量信号を生成することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
請求項１又は２に記載の光ディクス装置であって、
前記レンズシフト量信号を、受光信号出力の総和に基づき補正する、レンズシフト量信号補正回路を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】
請求項１に記載の光ディスク装置であって、
前記トラッキング誤差信号と前記レンズシフト量信号が１ビーム方式により生成されることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の光ディスク装置であって、
前記トラッキング誤差信号と前記レンズシフト量信号が、
サブスポット受光面が中抜きされた３ビーム方式により生成されることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１１】
請求項３に記載の光ディスク装置であって、
対応する光ディスク媒体として、３層以上の記録面を持つ多層光ディスク媒体に対応する光ディスク装置であり、前記学習動作を各層において走査実行し補正学習することを特徴とする光ディスク装置。