【事件の表示】
　平成１０年特許願第５０４０８１号「半導体ウェーハーをエッチングするための方法及びその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月　８日国際公開、ＷＯ９８／００８５９、平成１２年１０月３１日国内公表、特表２０００−５１４６００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１月２３日（優先権主張：平成８年７月３日、米国）を国際出願日とする特許出願であって、平成１８年９月２０日付けの拒絶理由の通知に対して、同年１２月２６日付けで手続補正書が提出され、これに対して、平成１９年６月１３日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として、同年９月１８日付けで審判請求がされるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。　
　
２．平成１９年９月１８日付けの手続補正について
　平成１９年９月１８日付けの手続補正は、特許請求の範囲についてする補正であって、補正前の請求項１２〜１６を削除し、また、前記請求項の削除に合わせて補正前の請求項１７〜１９の項番を繰り上げるとともに、補正前の請求項１、請求項１１及び請求項１８の「化学的にエッチングして前記生成したベールを除去する」を、「化学的にエッチングすることにより前記生成したベールを除去する」と補正することで、「ベールの除去」が「エッチング」により行われることを、より明りょうとなるようにしたものと認められる。
　したがって、前記手続補正は、請求項の削除と、不明りょうな記載の釈明を目的とする補正であるから、これを認める。
　
　なお、審判請求人は、平成１９年１２月１８日付けの審判請求書の手続補正書において、補正前の請求項１、請求項１１及び請求項１８の「化学的にエッチングして前記生成したベールを除去する」を、「化学的にエッチングすることにより前記生成したベールを除去する」とする補正が、特許請求の範囲の限定的な減縮を目的とするものであるとも解されうる主張をしているが、前記補正により、補正前の請求項１、請求項１１及び請求項１８には含まれていたが、補正後の請求項１、請求項１１及び請求項１８からは削除されることとなる発明の態様を具体的に想定することができず、また、審判の請求の理由においても、前記補正によって、特許請求の範囲がどのように減縮されるかについても説明されていないので、前記補正の目的について、上記のように認定をした。
　
３．本願発明
　平成１９年９月１８日付けの手続補正は上記のとおり補正の要件を満たしているので、本願の請求項１〜１４に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明１４」という。）は、平成１９年９月１８日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】少なくとも実質的に垂直な側壁外形を有するウェーハー造形を得るために、ウェーハーを物理的にエッチングして該ウェーハの造形上にベールを生成する段階と、該物理的にエッチングする段階の後に前記ウェーハを化学的にエッチングすることにより前記生成したベールを除去する段階とを含み、前記ウェーハーを物理的にエッチングする段階が、１０ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭでアルゴンガスを、２ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭで塩素ガスを使用することを特徴とする、ウェーハーをエッチングする方法。
【請求項２】前記ウェーハーを物理的にエッチングする段階が、２ミリトールから１０ミリトールで行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記物理的にエッチングする段階が、キロヘルツ領域で作動する第１電源とメガヘルツ領域で作動する第２電源を備えた電極上に配置されたウェーハーを入れた室内で行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】前記第１電源が５０ワットから２００ワットの範囲の電力を供給し、前記第２電源が５００ワットから１１００ワットの範囲の電力を供給することを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】前記物理的エッチングの段階が８０℃で行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記ウェーハーを化学的にエッチングする段階が、０ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭでアルゴンガスを、そして５ＳＣＣＭから１００ＳＣＣＭの範囲で塩素ガスを使用することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】前記ウェーハーを化学的にエッチングする段階が２ミリトールから１０ミリトールで行われることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項８】前記化学的エッチングの段階が、キロヘルツ領域で作動する第１電力源からの０から５０ワットの電力と、メガヘルツ領域で作動する第２電源からの電力とを供給される電極により行われることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項９】前記化学的エッチングの段階の間、前記第２電源が５００ワットから１１００ワットの範囲の電力を供給することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】前記化学的エッチングの段階の間、物理的エッチングの影響を低減するために、キロヘルツ領域で作動する前記第１電源のスイッチが切られることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項１１】少なくとも垂直な側壁外形を有するウェーハー造形を得るために、ウェーハーを物理的にエッチングして該ウェーハの造形上にベールを生成する段階と、該物理的にエッチングする段階の後に前記ウェーハを化学的にエッチングすることにより前記生成したベールを除去する段階とを含み、物理的エッチングの間にはキロヘルツ領域で第１電源そしてメガヘルツ領域で第２電源を供給され、化学的エッチングの全工程の間メガヘルツ領域で電源を供給される電極があることを特徴とする、ウェーハーをエッチングする方法。
【請求項１２】前記物理的にウェーハーをエッチングする段階が、好ましくは２０ＳＣＣＭでアルゴンガスを、そして５ＳＣＣＭから１０ＳＣＣＭで塩素ガスを用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】少なくとも垂直な側壁外形を有するウェーハー造形を得るために、ウェーハーを物理的にエッチングして該ウェーハの造形上にベールを生成する段階と、該物理的にエッチングする段階の後に前記ウェーハを化学的にエッチングすることにより前記生成したベールを除去する段階とを含み、前記化学的にウェーハーをエッチングする段階が、０ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭでアルゴンガスを、そして５ＳＣＣＭから１００ＳＣＣＭで塩素ガスを用いることを特徴とする、ウェーハーをエッチングする方法。
【請求項１４】前記化学的にウェーハーをエッチングする段階が、好ましくは、２０ＳＣＣＭでアルゴンガスを、そして１０ＳＣＣＭから１５ＳＣＣＭの範囲で塩素ガスを用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。」
　
４．引用例
　拒絶の理由で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平３−９３２２４号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平６−１３３５７号公報（以下、「引用例２」という。）、特開平２−３０３１２５号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに以下の技術的事項が記載されている。
　
（４−１）引用例１（特開平３−９３２２４号公報）
（１ａ）「まず、第２図（ａ）に示す如く、ＩｎＰ基板２１上に厚さ約０．５μｍのＳｉＯ２マスク２２を形成する。次いで、前記第１図に示す装置を用い、容器１５内にＣｌ２−Ａｒ（１：５）の混合ガスを導入し、ガス圧力１×１０−３Ｔｏｒｒ、イオン引出し電圧４００Ｖ、マイクロ波出力２００Ｗの条件で、ＩｎＰ基板２１を８分間選択エッチングする。このエッチングはイオンを主体とするエッチングであり、第２図（ｂ）に示す如く、エッチング側壁は垂直であるがエッチング表面２３に荒れが生じる。
　次いで、同様に第１図の装置を用い、前記混合ガスの比をＣｌ２−Ａｒ（８：５）に変え、ガス圧力４×１０−３Ｔｏｒｒ、イオン引出し電圧４００Ｖ、マイクロ波出力２００Ｗの条件でＩｎＰ基板２１を２分間選択エッチングする。このエッチングはラジカルを主体とするエッチングであり、第２図（ｅ）に示す如く、エッチング表面２４は荒れが除去されて平滑化される。」（第３頁左下欄第１３行−第３頁右下欄第１１行）
　
（１ｂ）「ここで、第２図（ｂ）（ｅ）の工程で用いたエッチング条件は、前者は後者に比べてラジカルに対するイオンの割合が多いものである。つまり、前者のエッチングはイオン性の強いエッチングであり、後者のエッチングはラジカル性の強いエッチングである。イオン性の強いエッチングでは、イオンビームの持つ直線性が生かされた垂直性の良い側壁が得られるが、イオンスパッタリングにより底面に荒れを生じ易い。逆にラジカル性の強いエッチングでは、等方的なエッチングに近くなるが、エッチング面の荒れを解消することができる。そこで、この２種類のエッチングを交互に繰返すことにより、両方の特徴、垂直性と平滑性を兼備えたエッチングが可能となる。」（第３頁右下欄第１２行−第４頁左上欄第６行）
　
（１ｃ）「上述の２つの条件によるエッチングのサイクルを３回繰返すと、第２図（ｄ）に示す如く、深さ約４．５μｍの側壁の垂直性が良く底面の平滑性も良いエッチング溝２５が得られた。
　この実施例では、ガスの組成（同時にガス圧力）を変えることによりイオンとラジカルとの割合を変えているが、イオン引出し電圧やマイクロ波強度等を変えることによっても、イオンの量とラジカルの量の割合を変えることは可能である。」（第４頁左上欄第７行−第４頁左上欄第１６行）
　
　以上の引用例１の記載事項（１ａ）及び（１ｃ）を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＩｎＰ基板をエッチングして、深さ約４．５μｍの側壁の垂直性が良く底面の平滑性も良いエッチング溝を得るために、
　イオンを主体とするエッチングをする段階と、
　次いで、ラジカルを主体とするエッチングをする段階と
を含み、
　前記イオンを主体とするエッチングをする段階が、容器内にＣｌ２−Ａｒ（１：５）の混合ガスを導入し、ガス圧力１×１０−３Ｔｏｒｒ、イオン引出し電圧４００Ｖ、マイクロ波出力２００Ｗの条件で、ＩｎＰ基板を８分間選択エッチングすることを特徴とする、ＩｎＰ基板をエッチングする方法。」
　
（４−２）引用例２（特開平６−１３３５７号公報）
（２ａ）「そのため従来は加速されたアルゴンイオンを被エッチング体に衝突させ、被エッチング体をスパッタリングさせることによって物理的かつ異方的にエッチングするイオンミリング装置が用いられてきた。しかしながら、前記イオンミリング装置によるエッチングにおいては、選択比がほとんどない上、エッチングされた被エッチング体が揮発しないため、図４に示すようにその一部はレジストの側壁部に付着する。」（【０００３】−【０００４】）
　
（２ｂ）「第二としてイオンミリングで処理した後、アルゴンとハロゲン系反応性ガスのプラズマで等方性エッチングする方法である。これも前記第一の方法と同じくイオンミリングによって発生した側壁付着物を後から除去するもので、アルゴンとハロゲン系反応性ガスのプラズマを用いることで被エッチング体を揮発させ、レジスト側壁への前記被エッチング体の再付着を防ぐものである。」（【０００９】）
　
（４−３）引用例４（特開平２−３０３１２５号公報）
（４ａ）「この場合、イオンではなく、遊離基（radical）を用いた化学的エッチングを使用する。」（第３頁右下欄第１８−２０行）
 　 
５．対比 
（ア）本願発明１と引用例１発明とを対比する。 
（ａ）引用例１発明の「ＩｎＰ基板」、「深さ約４．５μｍの側壁の垂直性が良く底面の平滑性も良いエッチング溝」は、それぞれ順に、本願発明１の「ウェーハー」、「少なくとも実質的に垂直な側壁外形を有するウェーハー造形」に相当する。
　
（ｂ）引用例１発明の上記摘記（１ｂ）に「第２図（ｂ）（ｅ）の工程で用いたエッチング条件は、前者は後者に比べてラジカルに対するイオンの割合が多いものである。つまり、前者のエッチングはイオン性の強いエッチングであり、・・・イオン性の強いエッチングでは、・・・イオンスパッタリングにより底面に荒れを生じ易い。」と記載されていることから、引用例１発明の「イオンを主体とするエッチング」は、「イオンスパッタリング」を伴うエッチングであるといえる。
　また、該エッチングは、「イオンスパッタリングにより底面に荒れを生じ易い」ものであると記載されていることから、「イオンスパッタリング」が「イオンを主体とするエッチング」の主体となっていることも理解することができる。
　一方、本願明細書の背景技術の欄には、「その技法の一つは、物理的エッチング法に分類されるイオンミリングである。この技術では、イオンミルビームを使って、半導体装置上に必要とされる種々の構成要素並びにトレースを残しながら、不要な半導体装置の層部分を物理的にスパッタリングする。このような技法は必要とされる外形を作り出しはするが、イオンミリング技法の欠点は、処理速度が遅く、必要とされる造形部から直立したベール又はフェンスを形成しがちなことである。」と記載されていることから、本願明細書において、「物理的なエッチング」は、少なくとも、イオンによる「スパッタリング」を含む概念として用いられているものと認められる。
　してみれば、引用例１発明の「イオンを主体とするエッチング」は、本願発明１の「物理的にエッチング」に相当するといえる。
　
（ｃ）引用例４の上記摘記（４ａ）に「遊離基（radical）を用いた化学的エッチング」と記載されているように、「遊離基（radical）を用いたエッチング」が、「化学的エッチング」に分類されるエッチングであることは、当業者にとって周知の事項であるから、引用例１発明の「ラジカルを主体とするエッチング」は、本願発明１の「化学的にエッチング」に相当するといえる。
　
（ｄ）本願発明１と、引用例１発明は、いずれも本願発明１の「ウェーハーを物理的にエッチングする段階」に相当する段階で使用するガスが、「アルゴンガス」と「塩素ガス」である点で一致する。
　
（ｅ）「ウェーハーを物理的にエッチングする段階」で、本願発明１は、アルゴンガスを、１０ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭ、塩素ガスを、２ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭの流量で使用するのに対して、引用例１発明は、アルゴンガスと塩素ガスを、５：１の比率で使用するものである。
　ここで、引用例１発明の、前記５：１の比率が、ガスの流量比であることは当業者にとって明らかである。一方、本願発明１において規定される前記流量の範囲は、アルゴンガスと塩素ガスを、５：１の流量比で使用する場合を含むものといえる。
　してみれば、本願発明１と、引用例１発明は、「ウェーハーを物理的にエッチングする段階」で、アルゴンガスと塩素ガスを、５：１の流量比で使用する場合を含むという程度において一致するものといえる。
　
　そうすると、本願発明１と、引用例１発明は、 
「少なくとも実質的に垂直な側壁外形を有するウェーハー造形を得るために、ウェーハーを物理的にエッチングする段階と、
　該物理的にエッチングする段階の後に前記ウェーハを化学的にエッチングする段階とを含み、
　前記ウェーハーを物理的にエッチングする段階が、アルゴンガスと塩素ガスを、５：１の流量比で使用することを特徴とする、ウェーハーをエッチングする方法。」
の点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
　相違点１：本願発明１における、ウェーハーの物理的なエッチングが、「該ウェーハの造形上にベールを生成する」ものであるのに対して、引用例１発明においては、イオンを主体とするエッチングが、「該ウェーハの造形上にベールを生成する」ものであることが明記されていない点。
　
　相違点２：引用例１発明では、アルゴンガスと塩素ガスの流量が、両者の流量比の形でしか示されていないのに対して、本願発明１では、「１０ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭでアルゴンガスを、２ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭで塩素ガス」として、具体的な流量の形で規定されている点。
　
　相違点３：本願発明１では、物理的にエッチングする段階の後に行われるウェーハの化学的なエッチングが「ベールを除去する」ものであるのに対して、引用例１発明には、この点が明記されていない点。
　
６．判断 　 
・相違点１について 
　引用例１発明の「イオンを主体とするエッチング」が、「イオンスパッタリング」を伴うエッチングであり、この「イオンスパッタリング」が「イオンを主体とするエッチング」の主体となっていることは、上記「５．対比（ｂ）」で検討したとおりである。
　
　一方、「スパッタリング」が、「低圧気体中の金属を加熱またはイオン衝撃するとき、蒸発または衝突によって金属面から原子が気体中に飛散して付近の物体面に付着する現象。」（岩波　理化学辞典　第４版　岩波書店）という程度の意味を有する語として用いられていたことは、当業者にとって明らかな事項である。
　また、引用例２の上記摘記（２ａ）、（２ｂ）の記載からも、スパッタリングに際して、被エッチング体の一部が、エッチング箇所の近傍に付着することは、当業者にとって周知の事項であったことと認められる。
　
　してみれば、引用例１発明における、イオンスパッタリングが主体となっている「イオンを主体とするエッチング」が、イオンの衝突によって生じる、被エッチング面から原子が気体中に飛散して付近の物体面に付着するという現象を伴うことは、「スパッタリング」という現象の本質から自ずと明らかであるといえるから、引用例１発明の「イオンを主体とするエッチング」は、イオンスパッタリングによる溝の形成と同時に、該スパッタリングに伴う、被エッチング面からの飛散した原子の付着をも有するものであると解される。
　
　一方、本願明細書の「発明の背景」の欄には、「・・・物理的エッチング法に分類されるイオンミリングである。この技術では、・・・不要な半導体装置の層部分を物理的にスパッタリングする。このような技法は・・・ベール又はフェンスを形成しがちなことである。」との記載があり、また、「好適な実施例の詳細な説明」の欄には、「これらのベール２０（図３）は、スパッタリングがエッチング処理の主体となるイオンミリング処理によって発生する。フォトレジスト２２で保護されていない領域からスパッターリングされた物質は前記ベール２０として堆積する。」と記載されている。してみれば、本願発明１における「ベール」とは、スパッターリングされた物質が堆積したものを呼称しているものといえる。
　
　そうすると、引用例１発明が、スパッタリングによって生じる、被エッチング面から飛散した原子の付着を伴うものと解され、他方で、本願発明１においては、スパッターリングされた物質が堆積したものを「ベール」と呼称するのであるから、結局、引用例１発明の「イオンを主体とするエッチング」は、引用例１には明記はされていないものの、「該ウェーハの造形上にベールを生成する」ものと認められる。
　したがって、前記相違点１は、実質的な相違点であるとは認められない。
　
・相違点２について
　エッチングすべき対象の大きさ（被エッチング面の面積）の大小等によって、単位時間あたりに消費されるエッチングガスの量、あるいは、該エッチングの進行によって生じる、被エッチング面の表面から分離・除去される材料をチャンバー外に排出するのに要するガスの量が異なることは、当業者にとって自明な事項といえる。
　してみれば、単位時間あたりに供給するエッチングガスの量を、エッチングすべき対象の大きさ等の種々の条件によって最適化することは、当業者が適宜決定すべき設計事項にすぎないものといえる。
　また、本願発明１において規定されている５０ＳＣＣＭ程度の流量は、下記の周知文献にも記載されているように、ウェーハーのエッチングにおいて、通常用いられている程度の流量であるといえる。
　
・周知文献：特開平７−１３０７０２号公報
（周１）「次に、Pd膜２３の表面にフォトレジスト２４を１μｍの厚さに塗布し、これを図示しないフォトマスクと低圧水銀ランプを使用して露光し、ついで、これを現像してレジストパターンを形成する。この後に、図２(b),(c) に示すように、フォトレジスト２４をマスクに使用し、フォトレジスト２４に覆われない領域のPd膜２３をスパッタエッチングする。そのエッチング条件として、エッチング雰囲気のガス圧を７mTorr、電極間の投入電力を３００Ｗに設定し、また、Arガスと塩素（Cl２)ガスをそれぞれ５０SCCM、５０SCCMずつエッチング雰囲気に導入する。これにより、Pd膜２３の１５０Å／min のエッチング速度が得られるこのエッチングは、イオン化したArがPd膜２３に衝突し、Pdの原子、分子を飛び出させてなされる。このとき、雰囲気中に飛び出したPdとCl２が結合してPdCl２が生成され、これがフォトレジスト２４の側壁とPd膜２３の上に堆積することになる。これにより、その側壁には塀状のPdCl２層２５が形成される。」（【００１８】）
　
　してみれば、引用例１発明を用いてウェーハーをエッチングをするにあたり、具体的なエッチング条件を設定するために、アルゴンガスと塩素ガスの流量比を５：１に保持したまま、通常用いられている程度の流量の近傍でその流量を最適化して、本願発明１で規定する範囲に含まれる流量を選定することは、当業者が適宜なし得たことであるといえる。
　そして、本願明細書には、「１０ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭでアルゴンガスを、２ＳＣＣＭから５０ＳＣＣＭで塩素ガス」で供給することは記載されているものの、各ガスの流量のそれぞれの上限・下限を当該数値に特定したことの技術的意義、及び、その効果の顕著性について、特段の記載を認めることはできないから、引用例１発明において、各ガスの流量を本願発明１で規定する範囲に含まれる流量としたことによる、本願発明１の格別の効果を認めることはできない。
　
・相違点３について
　引用例１の上記摘記（１ａ）、（１ｂ）の記載から、引用例１発明の「イオンを主体とするエッチングをする段階」に次いで行われる「ラジカルを主体とするエッチング」は、等方的なエッチングに近いものであり、エッチング面の荒れを解消して、平滑化するものといえるから、引用例１発明の「ラジカルを主体とするエッチング」は、ウェーハーを構成する材料に対して所定の等方的なエッチング能力を具備するものといえる。
　
　一方、引用例１発明の「イオンを主体とするエッチング」が、「ベール」を生成するものである点は、上記「相違点１について」の項で検討したとおりであり、また、前記「ベール」は、ウェーハーへのイオンの衝突によって、ウェーハー表面からウェーハーを構成する原子が飛散して付近に付着したものによって構成されているものと認められる。
　
　そうすると、引用例１発明の「ラジカルを主体とするエッチング」が、ウェーハーを構成する材料に対して所定の等方的なエッチング能力を具備するのであるから、「ベール」が、ウェーハーへのイオンの衝突によって、ウェーハー表面からウェーハーを構成する原子が飛散して付近に付着したものによって構成されることに照らして、引用例１発明の「ラジカルを主体とするエッチング」が「ベール」を等方的にエッチングして除去する作用を果たすことは容易に理解できることである。
　したがって、前記相違点３は、実質的な相違点であるとはいえない。
　
　すなわち、引用例１発明において、相違点１及び相違点３は実質的な相違点とは認められず、また、相違点２について本願発明１の構成を採用することは、引用例１に記載された発明及び従来周知の事項から容易に想到し得たことである。
　
７．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１に記載された発明及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。