【事件の表示】
　平成１１年特許願第２１７３６８号「張り合わせ基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月１６日出願公開、特開２００１−　４４３９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成１１年７月３０日の出願であって、平成１８年１２月２６日付けで手続補正がなされ、平成１９年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年３月１０日付けで審尋がなされ、同年５月７日に回答書が提出されたものである。 
　 
第２．平成１９年９月１８日付けの手続補正についての却下の決定 
　［補正の却下の決定の結論］ 
　平成１９年９月１８日付けの手続補正を却下する。 
　 
　［理由］ 
１．手続補正の内容 
　平成１９年９月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１の補正を含むものであるところ、請求項１の本件補正前後の記載は、次のとおりである。
　 
（補正前） 
「　　【請求項１】 
　第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを張り合わせた張り合わせ基板において、
　第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハを、そのウェーハ全面に微小欠陥が存在しないピュアシリコンウェーハとした張り合わせ基板。」 
　 
（補正後） （下線部は補正箇所）　
「　　【請求項１】 
　第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハ
とがその鏡面同士を重ね合わせて
　第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハを、そのウェーハ全面に微小欠陥が存在しないピュアシリコンウェーハと
するとともに、　第１のシリコンウェーハは張り合わせた後に薄肉化された活性層用ウェーハとされた
　 
２．補正目的の適否
（１）請求項１についての補正内容は、「張り合わせ基板」における「第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハ」との張り合わせを「その鏡面同士を重ね合わせ」る点で限定し、また、そこで用いられる「第１のシリコンウェーハ」が「張り合わせた後に薄肉化された活性層用ウェーハとされた」ものである点を限定するものであって、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮に該当するといえる。
　なお、補正後の請求項１に記載された「第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハと
が
を
　
（２）そこで、次に、上記補正内容が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定（独立特許要件）を満たすかどうかについて検討する。
　
３．独立特許要件（容易想到性）についての検討
（１）本件補正による補正後の発明 
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。ただし、「第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハと
が
を
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平０９−０２２９９３号公報（以下「引用例１」という。）には、図１及び図３、並びに、００１８段落の表１及び００２２段落の表３とともに、次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）
　
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＳＩＭＯＸ法は、酸化膜薄層厚みが均一となる点で優れるが、結晶欠陥が多く膜質の改良が必要である。これに対し、貼合わせ法は、比較的簡便な操作で得ることができ、特性の優れたＳＯＩウエハが製造できれば、工業的には最も実用化の可能性が高いものである。
発明者らは、上記接着貼合わせ法により得られるＳＯＩウエハについて、従来から提案され製造されるＳＯＩウエハは、上記したように活性層内に僅かとはいえＢＭＤが存在し、要求される性状を未だ充分に満足するものでないことから、均一な厚さでより薄くより平坦な表面シリコン活性層と欠陥が少なく均質で極薄の酸化膜層とを有し優れた特性のＳＯＩウエハを得ることを目的に研究を進めた。
「【００１０】
【発明の実施の形態】…（中略）…
【００１２】次に、本発明のＳＯＩウエハの製造工程を説明する。図１は本発明のＳＯＩウエハの製造フロー説明図である。前記の図３に示した従来法と比較しながら本発明を説明する。
図１において、活性層用ウエハ１Ａ及び支持用ウエハ１Ｂの２枚のシリコンウエハを用い、それぞれ、少なくとも片面、貼合わせる側の表面１１Ａ及び１１Ｂを鏡面状に研磨する
本発明のＳＯＩウエハ製造法では、活性層用ウエハ１Ａをガスアニール処理してＤＺ層１２を形成する。
本発明の上記ガスアニールにより形成されるＤＺ層１２は、均質であり、ウエハ全域に渡り表面からの深さが均一であり、且つ、従来のＤＺ層熱処理によるＤＺ層に比して十分に厚く約１〜３０μｍの厚さで形成される。このため、下記するようにガスアニール処理表面に酸化膜を形成し、最終的にＳＯＩウエハとしてＤＺ層と反対側から研削においても、高精度に均一な厚さを保持する均質な無欠陥層の活性層を表出させることができ、前記したＳＯＩウエハとして要求される優れた特性を有する活性層を得ることができる。また、このＤＺ層の表面は原子的レベルで平坦化され、その表面に形成される酸化膜の性状も優れたものとすることができる
【００１３】本発明において、
上記ガスアニール処理され、表層部に無欠陥領域のＤＺ層１２が形成された活性層用ウエハ１Ａの表面に、更に、酸化膜１３を形成する。
上記の通り、ガスアニール処理されたウエハ表層部は、欠陥がなく均質であり原子的平坦面を有する均一な表面となっているため、その表層部に形成される酸化膜も極めて均質であり、且つ、全体的に均一な厚さで形成され、
上記のように酸化膜１３が形成された活性層用ウエハ１Ａは、次いで、その酸化膜１３形成側と支持体用ウエハ１Ｂの研磨鏡面１１Ｂとを重ね合わせ加熱処理して接着貼合わせ一体化される。それにより活性層用ウエハ１Ａに形成された酸化膜面１３と、支持体用ウエハ１Ｂの鏡面１１Ｂとの間に接着面１４を有し、支持体用ウエハ１Ｂに支持されたＳＯＩウエハの基本構造の一体化ウエハ１Ｃが得られる。ＳＯＩウエハにおいて要求されるシリコン活性層の厚みは１μｍ前後であり、所定の活性層とするため、形成された一体化ウエハ１Ｃは、更に研削加工される。
【００１４】上記のように、本発明のＳＯＩウエハは、接着貼合わせ方式により製造され、活性層用ウエハにガスアニール処理により無欠陥領域のＤＺ層を形成し、更に、そのガスアニール処理した活性層用ウエハの無欠陥ＤＺ層が形成された表層部を酸化して酸化膜を形成する。このため、ＳＯＩウエハの活性層と絶縁体層の酸化膜との間には接着面が存在することなく、接着により発生し易い空洞、積層欠陥、ミスフィット転位等の欠陥が皆無となり、ＳＯＩウエハ特性が著しく向上する。また、
酸化膜と支持体用ウエハとの接着面においても、酸化膜が均質で均一な厚さで形成されるため、接着による欠陥は生じることがないが、生じたとしてもＳＯＩウエハにおける酸化膜絶縁体層と活性層とを支持するものであり、ウエハ特性に与える影響は少ない。
「【００１６】…（中略）…
本発明のＳＯＩウエハは、上記のようにデバイスが形成される表層活性層にＢＭＤその他の欠陥が無く、かつ、絶縁体である酸化膜が、電気的にも、化学的にも、機械的にも極めて耐性が高く、極めて優れた性質を有するものである。また、本発明によるＳＯＩウエハの活性層中のＢＭＤは、大きいものは全く存在しない。粒径の小さいＢＭＤの存在は認められるが、これはガスアニール処理したウエハに存在するもので、ウエハ表面から内部に向かってその密度が高くなっていくことが、実験的にも理論的にも確認されている。従って、本発明のＳＯＩウエハの活性層は、ガスアニール処理したウエハを内部から表面方向に研削して活性層を表出するため粒径の小さいＢＭＤが存在しても、その密度は表面から内部に向かって次第に低下していくことになる。
「【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。但し、本発明は下記実施例により制限されるものでない。
実施例１
方位（１００）、抵抗率２０Ωｃｍ、ｐ型の直径８″φのウエハ３枚を活性層用ウエハとして用い、また、方位（１００）、抵抗率２０Ωｃｍ以上、ｐ型の直径８″φのウエハ３枚を支持体用ウエハとして用い、図１に示した本発明のフローに従ってＳＯＩウエハを３枚制作した。３枚の活性層用ウエハを水素アニール炉に入れ、１１５０℃、１時間、水素ガス雰囲気で熱処理をした。炉出しした３枚のウエハを、次いで酸化炉に入れウエハの表面に２００ｎｍの酸化膜を形成した。次に上記により活性層用ウエハの鏡面研磨面側に形成した酸化膜表面と、用意した支持体用ウエハの鏡面研磨面とを、結晶方位を揃えて重ね合わせ、１１００℃に加熱処理して３組の接着貼合わせウエハを製作した。それぞれの接着貼合わせウエハの活性層用ウエハ側をプラズマイオンエッチング法によって削り取り、酸化膜上に１μｍのシリコン層が残るように加工しＳＯＩウエハ構造体を３枚得た。
得られた３枚の各ＳＯＩウエハの平坦度ＬＴＶ（２０ｍｍ角内の偏位）、ＴＴＶ（ウエハの仮想平面に対する最大偏位）、活性層厚み分布、活性層ＢＭＤ密度、酸化膜層厚み分布を、それぞれウエハ平面度測定装置、ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光法）、ＢＭＤアナライザー、ナノスペック等を用いて測定した。その結果を、各ＳＯＩウエハを１、２及び３と番号を付し表１に示した。
「【００２１】
実施例２
方位（１００）、抵抗率１５Ωｃｍ、ｎ型の直径８″φのウエハ３枚を活性層用ウエハに用い、方位（１００）、抵抗率２０Ωｃｍ以上、ｎ型の直径８″φのウエハを支持体用ウエハに用いて、実施例１と同様に図１の本発明のフローに従い、水素アニール処理において８００℃から１０００℃までの昇温を２０〜１５℃／分で行い、３００ｎｍの酸化膜を形成し、また、酸化膜上に１０μｍのシリコン層が残るようにプラズマイオンエッチング加工した以外は、実施例１と全く同様にしてＳＯＩウエハを３枚製作した。得られた３枚の各ＳＯＩウエハの平坦度、ＴＴＶ、活性層厚み分布、活性層ＢＭＤ密度、酸化膜層厚み分布を、実施例１と同様に測定した。その結果を、各ＳＯＩウエハを４、５及び６と番号を付し表３に示した。
　 
（２−２）ここで、引用例１に記載された「ＳＯＩウエハ」は、「活性層用ウエハ１Ａ及び支持用ウエハ１Ｂの２枚のシリコンウエハを用い、それぞれ、少なくとも片面、貼合わせる側の表面１１Ａ及び１１Ｂを鏡面状に研磨」し、「活性層用ウエハ１Ａをガスアニール処理してＤＺ層１２を形成」し、「上記ガスアニール処理され、表層部に無欠陥領域のＤＺ層１２が形成された活性層用ウエハ１Ａの表面に、更に、酸化膜１３を形成」し、「上記のように酸化膜１３が形成された活性層用ウエハ１Ａは、次いで、その酸化膜１３形成側と支持体用ウエハ１Ｂの研磨鏡面１１Ｂとを重ね合わせ加熱処理して接着貼合わせ一体化され」て製造されるものであり、また、「ガスアニール処理されたウエハ表層部は、欠陥がなく均質であり原子的平坦面を有する均一な表面となっているため、その表層部に形成される酸化膜も極めて均質であり、且つ、全体的に均一な厚さで形成され」との記載、及び、「酸化膜と支持体用ウエハとの接着面においても、酸化膜が均質で均一な厚さで形成されるため、接着による欠陥は生じることがないが、生じたとしてもＳＯＩウエハにおける酸化膜絶縁体層と活性層とを支持するものであり、ウエハ特性に与える影響は少ない。」との記載に照らし、「鏡面状に研磨」された「活性層用ウエハ１Ａ」の「貼合わせる側の表面１１Ａ」を、ガスアニール処理して原子的平坦面を有する均一な表面とし、更にその表層部に形成される「酸化膜」は、「全体的に均一な厚さ」のものとなっているから、そのような「酸化膜」の「貼合わせる側の表面」もまた、「酸化膜１３形成」前の状態と同様に、「鏡面状」になっているものと解するのが自然である。
　また、引用例１における「それにより活性層用ウエハ１Ａに形成された酸化膜面１３と、支持体用ウエハ１Ｂの鏡面１１Ｂとの間に接着面１４を有し、支持体用ウエハ１Ｂに支持されたＳＯＩウエハの基本構造の一体化ウエハ１Ｃが得られる。ＳＯＩウエハにおいて要求されるシリコン活性層の厚みは１μｍ前後であり、所定の活性層とするため、形成された一体化ウエハ１Ｃは、更に研削加工される。」との記載は、「活性層用ウエハ１Ａに形成された酸化膜面１３と、支持体用ウエハ１Ｂの鏡面１１Ｂとの間に接着面１４を有し、支持体用ウエハ１Ｂに支持されたＳＯＩウエハの基本構造の一体化ウエハ１Ｃ」において、「所定の厚さの活性層とするため」に、「活性層用ウェハ１Ａ」を（上記接着面１４とは反対側から）「研削加工」することを示唆している。
　
（２−３）そうすると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　 
「活性層用ウエハ１Ａ及び支持用ウエハ１Ｂの２枚のシリコンウエハを、それぞれ、貼合わせる側の表面１１Ａ及び１１Ｂを鏡面状に研磨し、活性層用ウエハ１Ａをガスアニール処理してＤＺ層１２を形成し、上記ガスアニール処理され、表層部に無欠陥領域のＤＺ層１２が形成された活性層用ウエハ１Ａの表面に、更に、貼合わせる側の表面が鏡面状となる酸化膜１３を形成し、酸化膜１３が形成された活性層用ウエハ１Ａの酸化膜１３形成側と支持体用ウエハ１Ｂの研磨鏡面１１Ｂとを重ね合わせ加熱処理して接着貼合わせ一体化される一体化ウエハ１Ｃとし、一体化ウエハ１Ｃにおける活性層用ウエハ１Ａを、所定の厚さの活性層とするために研削加工し、形成されるＳＯＩウエハ。」
　
（２−４）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平０８−３３０３１６号公報（以下「引用例２」という。）には、図５とともに、次の記載がある。
「【請求項２】  
チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をＶ（ｍｍ／min ）とし、シリコン融点から１３００℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）とするとき、Ｖ／Ｇ値を結晶中心位置と結晶外周から３０ｍｍまでの位置との間では0.２０〜0.２２ｍｍ
2 
／℃・min とし、結晶外周から３０ｍｍまでの位置と結晶外周位置との間では0.２０〜0.２２ｍｍ
2 
 ／℃・min とするか若しくは結晶外周に向かって漸次増加させることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ製造方法。
「【００４３】このような結果をふまえて次に、図５に示すように、前記実施例における４００ｍｍ近傍でのＶ／Ｇ曲線を結晶軸方向の全長において再現した。すなわち、結晶中心から４５ｍｍまでの領域でＶ／Ｇが0.２２〜0.２０ｍｍ2 ／℃・min に維持され、４５ｍｍから外側の領域でＶ／Ｇが単調に増加するように結晶軸方向での目標引き上げ速度を設定した。引き上げ速度を除く他の操業条件は前記実施例と同様に設定し、６”Ｂドープ〈１００〉、結晶長１３００ｍｍの単結晶を育成した。前記実施例と同様の方法によってこの結晶内の欠陥の発生分布を調べた。トップ部からテイル部にかけての全長において、ＯＳＦリング、赤外散乱欠陥、転位クラスタの発生は見られなかった。
【００４４】
【発明の効果】以上に説明した通り、
本発明のシリコン単結晶ウェーハは、熱的に極めて安定でデバイス活性領域に残留または成長し、ゲート酸化膜の信頼性や接合リーグ特性を劣化させる有害なGrown-in欠陥（赤外散乱欠陥、ＯＳＦリング、転位クラスタ）を全面にわたって含まない
　 
（２−５）本願の出願前に日本国内において頒布された特開平０７−１６９９２５号公報（以下「周知例」という。）には、「本発明の一実施例による貼り合わせ基板を示す断面図」とされる図１とともに、次の記載がある。
　 
「【請求項１】  
半導体活性層と半導体支持基板とが絶縁膜を介して貼り合わされている貼り合わせ半導体基板
前記半導体支持基板中に予め含有され、前記貼り合わせ半導体基板を熱処理する際に析出し得る不純物の濃度が、所定値以下であることを特徴とする貼り合わせ半導体基板。
【請求項２】  請求項１記載の貼り合わせ半導体基板において、
前記不純物が、酸素不純物であり、
前記不純物の初期濃度が、１．３×１０18ｃｍ-3以下であることを特徴とする貼り合わせ半導体基板。」
「【０００７】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、反りのない貼り合わせ半導体基板に発生する露光パターン歪みの原因を詳細に調査する中で、露光パターン歪みの異なる貼り合わせ半導体基板の結晶回折像をＸ線トポグラフィを用いて測定した。その結果、露光パターンの歪みが大きい貼り合わせ半導体基板ほど、その半導体支持基板中の格子間酸素の析出による結晶欠陥が大量に発生していることが判明した。
【０００８】
そしてこの大量の結晶欠陥が、半導体支持基板表面に部分的な塑性変形を起こし、更にこの塑性変形が、半導体支持基板と半導体活性層との間の絶縁膜によって緩和されるものの、その膜厚が十分に厚くないと、半導体活性層にまで影響を及ぼして、半導体活性層上における露光パターンの歪みを発生させるものと推定される
「【００１７】
【作用】
本発明は、貼り合わせ半導体基板の半導体支持基板として、例えば毎分０．５ｍｍ以下の単結晶引上速度をもって育成した初期酸素濃度１．３×１０
18
ｃｍ
-3
以下の単結晶シリコン基板を用いていることにより、結晶欠陥を発生させる酸素析出が抑制されるため、貼り合わせ半導体基板に熱ストレスが加わっても、半導体支持基板表面に部分的な塑性変形が引き起こされることはなくなる
【００１８】従って、半導体支持基板と半導体活性層との間の絶縁膜の膜厚を十分に薄くしても、半導体支持基板表面の部分的な塑性変形に起因する露光パターンの歪みの発生が抑制される。」 
　 
（３）本願補正発明と引用発明との対比 
（３−１）引用発明の「酸化膜１３が形成された活性層用ウエハ１Ａ」、「支持用ウエハ１Ｂ」、「ＳＯＩウエハ」及び「活性層」は、それぞれ本願補正発明の「第１のシリコンウェーハ」、「第２のシリコンウェーハ」、「貼り合わせ基板」及び「活性層用ウェーハ」に相当する。 
　また、引用発明における「ＳＯＩウエハ」の形成過程において、「貼合わせる側の表面が鏡面状となる」「酸化膜１３が形成された活性層用ウエハ１Ａの酸化膜１３形成側と支持体用ウエハ１Ｂの研磨鏡面１１Ｂとを重ね合わせ加熱処理して接着貼合わせ一体化される」ことは、本願補正発明と同様、「貼り合わせ基板」を実現するために、「第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとがその鏡面同士を重ね合わせて張り合わせた」ことに相当する。
　さらに、引用発明の「活性層用ウエハ１Ａ」に対する「研削加工」は、薄肉化のために行われることが明らかであり、引用発明における「一体化ウエハ１Ｃにおける活性層用ウエハ１Ａを、所定の厚さの活性層とするために研削加工し、形成されたＳＯＩウエハ。」は、本願補正発明の「第１のシリコンウェーハは張り合わせた後に薄肉化された活性層用ウェーハとされた貼り合わせ基板」に相当する。
　 
（３−２）以上によれば、本願補正発明と引用発明とは、 
「第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとがその鏡面同士を重ね合わせて張り合わせた張り合わせ基板において、
　第１のシリコンウェーハは張り合わせた後に薄肉化された活性層用ウェーハとされた張り合わせ基板。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
（相違点１） 
　本願補正発明の「第１のシリコンウェーハ」は、「そのウェーハ全面に微小欠陥が存在しないピュアシリコンウェーハ」であるのに対し、引用発明では、「酸化膜１３が形成された活性層用ウエハ１Ａ」として、そのようなものは採用されていない点。
　 
（相違点２） 
　本願補正発明の「第２のシリコンウェーハ」は、「そのウェーハ全面に微小欠陥が存在しないピュアシリコンウェーハ」であるのに対し、引用発明では、「支持用ウエハ１Ｂ」として、そのようなものは採用されていない点。
　 
（４）相違点についての当審の判断 
（４−１）相違点１について 
　引用例１に記載された「ＳＯＩウエハ」の「活性層」が、無欠陥なものとなっていることは、００１６段落における「本発明のＳＯＩウエハは、上記のようにデバイスが形成される表層活性層にＢＭＤその他の欠陥が無く、かつ、絶縁体である酸化膜が、電気的にも、化学的にも、機械的にも極めて耐性が高く、極めて優れた性質を有するものである。また、本発明によるＳＯＩウエハの活性層中のＢＭＤは、大きいものは全く存在しない。粒径の小さいＢＭＤの存在は認められるが、これはガスアニール処理したウエハに存在するもので、ウエハ表面から内部に向かってその密度が高くなっていくことが、実験的にも理論的にも確認されている。従って、本発明のＳＯＩウエハの活性層は、ガスアニール処理したウエハを内部から表面方向に研削して活性層を表出するため粒径の小さいＢＭＤが存在しても、その密度は表面から内部に向かって次第に低下していくことになる。」との記載、並びに、実施例１及び実施例２それぞれに対応した００１８段落の表１及び００２２段落の表３に記載の「活性層ＢＭＤ 密度（ 　×Ｅ３）」（「ＢＭＤアナライザー」により測定）の「０」というすべての測定結果の数値に照らしても、明らかである。
　そして、そのような「活性層」を実現するに当たっては、引用発明において「一体化ウエハ１Ｃにおける活性層用ウエハ１Ａを、所定の厚さの活性層とするために研削加工」する際、「ガスアニール処理」によって形成された「無欠陥領域のＤＺ層１２」に至るまで研削加工を施すことが必要であることは、当業者にとって明らかである。
　また、０００４段落における「発明が解決しようとする課題」の「発明者らは、上記接着貼合わせ法により得られるＳＯＩウエハについて、従来から提案され製造されるＳＯＩウエハは、上記したように活性層内に僅かとはいえＢＭＤが存在し、要求される性状を未だ充分に満足するものでないことから、均一な厚さでより薄くより平坦な表面シリコン活性層と欠陥が少なく均質で極薄の酸化膜層とを有し優れた特性のＳＯＩウエハを得ることを目的に研究を進めた。」との記載に照らしても、そのような研削加工が施された結果として露出される「活性層用ウエハ１Ａ」の「無欠陥領域のＤＺ層１２」は、できるだけ層内に「ＢＭＤ」が存在しないものが望まれること、いいかえれば、本願補正発明の「ピュアシリコンウェーハ」のように、できるだけ「微小欠陥が存在しない」ものが望まれることも、当業者にとって明らかである。　
　他方、引用例２には、「熱的に極めて安定でデバイス活性領域に残留または成長し、ゲート酸化膜の信頼性や接合リーグ特性を劣化させる有害なGrown-in欠陥（赤外散乱欠陥、ＯＳＦリング、転位クラスタ）を全面にわたって含まない」「シリコン単結晶ウェーハ」（本願補正発明の「ピュアシリコンウェーハ」に相当）が、上記３．（２−４）で摘記をした請求項２に記載される製造方法とともに開示されている。
　そうすると、引用発明において、上記したような研削加工が施された結果として露出されるべき「活性層用ウエハ１Ａ」の「無欠陥領域のＤＺ層１２」（引用例１の００１６段落に記載されるとおり、「粒径の小さいＢＭＤが存在する」余地はある。）の「微小欠陥」の発生をより確実に抑制するために、そのガスアニール処理がなされる前の「活性層用ウエハ１Ａ」として、引用例２に記載された「熱的に極めて安定でデバイス活性領域に残留または成長し、ゲート酸化膜の信頼性や接合リーグ特性を劣化させる有害なGrown-in欠陥（赤外散乱欠陥、ＯＳＦリング、転位クラスタ）を全面にわたって含まない」「シリコン単結晶ウェーハ」を採用すること、すなわち、上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４−２）相違点２について 
　引用発明の「ＳＯＩウエハ」において、「支持用ウエハ１Ｂ」も酸素濃度を低くする方が好ましいことは、例えば、周知例に「半導体活性層と半導体支持基板とが絶縁膜を介して貼り合わされている貼り合わせ半導体基板」を製造するにあたり、「半導体支持基板」として「初期酸素濃度１．３×１０18ｃｍ-3以下の単結晶シリコン基板」を用いることで、「結晶欠陥を発生させる酸素析出を抑制」し、「半導体活性層にまで影響を及ぼし」、かつ、「半導体活性層上上における露光パターンの歪みを発生させる」「半導体支持基板表面に部分的な塑性変形が引き起こされることはなくなる」と記載されているように、本願出願時の周知技術である。
　このような周知技術を勘案すると、引用発明の「支持用ウエハ１Ｂ」として、引用例２に記載された「熱的に極めて安定でデバイス活性領域に残留または成長し、ゲート酸化膜の信頼性や接合リーグ特性を劣化させる有害なGrown-in欠陥（赤外散乱欠陥、ＯＳＦリング、転位クラスタ）を全面にわたって含まない」「シリコン単結晶ウェーハ」を採用すること、すなわち、上記相違点２に係る構成とすることは、当業者が必要に応じてなし得たものといえる。
　
（４−３）判断についてのまとめ 
　以上のとおり、上記相違点１及び２に係る構成は、当業者が容易に想到し得たものであるから、本願補正発明は、上記周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　したがって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
 
　なお、上記回答書における請求人の各主張（引用発明に引用例２に記載の技術を採用する場合の経済コスト等）についても検討したが、経済的コストよりも品質の向上を優先させる場合等も当然あり得るのであり、容易想到との上記判断を左右するものではなく、採用できない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ 
　本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。 
　 
４．補正の却下の決定のむすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　 
第３．本願発明について 
　平成１９年９月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１８年１２月２６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものである。 
　そして、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「補正前」の箇所に記載したとおりのものである。　 
　 
　一方、原査定の拒絶の理由に引用され、かつ、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例１（特開平０９−０２２９９３号公報）及び引用例２（特開平０８−３３０３１６号公報）には、上記第２．３．（２）で認定したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。 
　そして、本願発明に対して技術的限定を付加した発明である本願補正発明は、上記第２．３．において検討したとおり、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も、同様に当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。 
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
第４．むすび 
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、上記結論のとおり審決する。