【事件の表示】
　平成９年特許願第５１４２５５号「ＣＭＰを用いた集積回路内の多層メタライゼーション構造の平坦化の効率的かつ経済的な方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年４月１０日国際公開，ＷＯ９７／１３２７２，平成１２年１月２５日国内公表，特表２０００−５００９２０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成８年８月３０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９５年１０月４日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成１９年４月１６日付け及び平成２０年６月１３日付けで手続補正がなされたところ，同年７月２９日付けで，同年６月１３日付けの手続補正についての却下の決定がなされ，また，同日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年１０月３１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年１１月２５日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２１年４月１７日付けで審尋がなされ，同年７月１７日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年１１月２５日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１１月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，平成２０年６月１３日付けの手続補正が却下されたため，平成１９年４月１６日付けで補正された本件補正前の請求項１を，本件補正後の請求項１とするものであって，本件補正前後の請求項１は，以下のとおりである。
（１）本件補正前の請求項１
「【請求項１】　平坦な誘電体層をドープトオキサイド膜から形成することにより，集積回路構造内の前記誘電体層を平坦化するために用いられる酸化物化学機械研磨の酸化物除去速度を向上させるための方法であって，前記方法は，
　（ａ）　前記集積回路構造上に少なくとも１つの導電膜を堆積するステップと，
　（ｂ）　導電線を形成するため前記導電膜をパターニングしエッチングするステップとを含み，いくつかの導電線は比較的広い空間によって分離され，他の導電線はその間の比較的狭い空間によって分離され，前記方法はさらに，
　（ｃ）　前記狭い空間をその中にスペーサを形成することによって埋込み，かつ前記比較的広い空間の中にスペーサを形成して部分的に埋込まれた比較的広い空間を形成するステップと，
　（ｄ）　前記集積回路構造上の前記狭い空間の中の前記スペーサおよび前記比較的広い空間の中の前記スペーサ上に１つのみのドープトオキサイド膜を堆積し，前記部分的に埋込まれた比較的広い空間を完全に埋込むステップと，
　（ｅ）　前記ドープトオキサイド膜を平坦化するため化学機械研磨を用いて前記ドープトオキサイド膜を研磨するステップとを含み，前記ドープトオキサイド膜は平坦化の速度を増加させる，酸化物除去速度を向上させるための方法。」
（２）本件補正後の請求項１
「【請求項１】　平坦な誘電体層をドープトオキサイド膜から形成することにより，集積回路構造内の前記誘電体層を平坦化するために用いられる酸化物化学機械研磨の酸化物除去速度を向上させるための方法であって，前記方法は，
　（ａ）　前記集積回路構造上に少なくとも１つの導電膜を堆積するステップと，
　（ｂ）　導電線を形成するため前記導電膜をパターニングしエッチングするステップとを含み，いくつかの導電線は比較的広い空間によって分離され，他の導電線はその間の比較的狭い空間によって分離され，前記方法はさらに，
　（ｃ）　前記狭い空間をその中にスペーサを形成することによって埋込み，かつ前記比較的広い空間の中にスペーサを形成して部分的に埋込まれた比較的広い空間を形成するステップとを含み，前記狭い空間の中および前記比較的広い空間の中に前記スペーサを形成した後で，前記導電線の上表面は露出され，前記方法はさらに，
　（ｄ）　前記集積回路構造上の前記狭い空間の中の前記スペーサおよび前記比較的広い空間の中の前記スペーサ上に１つのみのドープトオキサイド膜を堆積し，前記部分的に埋込まれた比較的広い空間を完全に埋込むステップを含み，前記ドープトオキサイド膜は１から５％の範囲のドーパント濃度を有し，前記方法はさらに，
　（ｅ）　前記ドープトオキサイド膜を平坦化するため化学機械研磨を用いて前記ドープトオキサイド膜を研磨するステップとを含み，前記ドーパント濃度を有する前記ドープトオキサイド膜は平坦化の速度を増加させる，酸化物除去速度を向上させるための方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると，以下のとおりとなる。
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１の「（ｃ）　前記狭い空間をその中にスペーサを形成することによって埋込み，かつ前記比較的広い空間の中にスペーサを形成して部分的に埋込まれた比較的広い空間を形成するステップと，」を，本件補正後の請求項１の「（ｃ）　前記狭い空間をその中にスペーサを形成することによって埋込み，かつ前記比較的広い空間の中にスペーサを形成して部分的に埋込まれた比較的広い空間を形成するステップとを含み，前記狭い空間の中および前記比較的広い空間の中に前記スペーサを形成した後で，前記導電線の上表面は露出され，前記方法はさらに，」と補正すること。
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１の「（ｄ）　前記集積回路構造上の前記狭い空間の中の前記スペーサおよび前記比較的広い空間の中の前記スペーサ上に１つのみのドープトオキサイド膜を堆積し，前記部分的に埋込まれた比較的広い空間を完全に埋込むステップと，」を，本件補正後の請求項１の「（ｄ）　前記集積回路構造上の前記狭い空間の中の前記スペーサおよび前記比較的広い空間の中の前記スペーサ上に１つのみのドープトオキサイド膜を堆積し，前記部分的に埋込まれた比較的広い空間を完全に埋込むステップを含み，前記ドープトオキサイド膜は１から５％の範囲のドーパント濃度を有し，前記方法はさらに，」と補正すること。
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項１の「（ｅ）　前記ドープトオキサイド膜を平坦化するため化学機械研磨を用いて前記ドープトオキサイド膜を研磨するステップとを含み，前記ドープトオキサイド膜は平坦化の速度を増加させる，」を，本件補正後の請求項１の「（ｅ）　前記ドープトオキサイド膜を平坦化するため化学機械研磨を用いて前記ドープトオキサイド膜を研磨するステップとを含み，前記ドーパント濃度を有する前記ドープトオキサイド膜は平坦化の速度を増加させる，」と補正すること。
　
３　補正の目的の適否及び新規事項の有無
（１）補正事項１は，本件補正前の請求項１に，「前記狭い空間の中および前記比較的広い空間の中に前記スペーサを形成した後で，前記導電線の上表面は露出され，前記方法はさらに，」という構成を付加して，本件補正前の請求項１の「スペーサを形成する」ステップを限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また，補正事項１は，平成１０年１月２１日付け「特許法第１８４条の４第１項の国際出願日（以下「国際出願日」という。）における同法第１８４条の３第２項の国際特許出願（以下「国際特許出願」という。）の明細書若しくは図面（図面の中の説明に限る。）の同法第１８４条の４第１項の翻訳文，国際出願日における国際特許出願の請求の範囲の同項の翻訳文，又は国際出願日における国際特許出願の図面（図面の中の説明を除く。）」（以下「本願当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであって，本願当初明細書等の範囲内においてなされたものである。
（２）補正事項２は，本件補正前の請求項１に，「前記ドープトオキサイド膜は１から５％の範囲のドーパント濃度を有し，前記方法はさらに，」という構成を付加して，本件補正前の請求項１の「ドープトオキサイド膜」を限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　しかしながら，本願当初明細書等に，ドープトオキサイド膜におけるドーパントの濃度については，次の記載のみがある。
ア　「この発明においては，
ＢＰＴＥＯＳ（ボロン・リン・オルトケイ酸テトラエチル），ＢＳＧ（ボロン・シランベースのガラス），ＰＳＧ（リン・シランベースのガラス）およびＢＰＳＧ（ボロン・リン・シランベースのガラス）などのドープトオキサイドが使用
ドープトオキサイド膜内のＢおよび／またはＰの濃度は，約１％から５％まで変化してよい
ドープトオキサイド膜の研磨速度は，ドープされていない酸化膜の研磨速度の２〜３倍
イ　「　
ドープトガラス膜２２内のドーパント（ボロンおよび／またはリン）の濃度は，約１％から５％の範囲内
ウ　「ドープトオキサイド膜２２の表面上の微細構成を完全に平坦化するための最適な時間は，通常，金属線１２の金属段差の高さの１から１．２５倍に等しい厚みを有するブランケット酸化膜，すなわち，ドープされていない酸化膜を研磨するために要される時間である。
上述のボロンおよび／またはリン濃度を有するドープトガラス膜２２を使用
研磨スループットが２から３倍向上
エ　「４．前記
ドープトオキサイド膜は，濃度が約１％から５％の範囲のボロン，濃度が約１％から５％の範囲のリン，または濃度が約１％から５％の範囲のボロンおよびリンを含む
酸化物除去速度を向上
　これらの記載によれば，本願当初明細書等には，ＢＰＴＥＯＳ（ボロン・リン・オルトケイ酸テトラエチル），ＢＳＧ（ボロン・シランベースのガラス），ＰＳＧ（リン・シランベースのガラス）及びＢＰＳＧ（ボロン・リン・シランベースのガラス）などのドープトオキサイドが使用され，これらのドープトオキサイド膜内のＢ及び／又はＰの濃度が約１％から５％の範囲であることが記載されているのであり，ドープトオキサイド膜のドーパントの濃度，すなわちＢ及び／又はＰ以外のドーパントを含むすべてのドーパント濃度を何％とするかについては記載されておらず，また，ドープトオキサイド膜が１から５％の範囲のドーパント濃度を有することは，本願当初明細書等の記載から自明な事項とも認められない。したがって，補正事項２は，本願当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものであって，本願当初明細書等の範囲内においてなされたものではない。
（３）補正事項３は，本件補正前の請求項１に，「前記ドーパント濃度を有する」という構成を付加して，本件補正前の請求項１の「前記ドープトオキサイド膜は平坦化の速度を増加させる」ステップを限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また，補正事項３は，上記（２）と同様の理由により，本願当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものであって，本願当初明細書等の範囲内においてなされたものではない。
（４）以上のとおり，補正事項２及び３が，本願当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではないから，本件補正は，特許法第１８４条の１２第２項において読み替えて準用する同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
４　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，本件補正は，特許法第１８４条の１２第２項において読み替えて準用する同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないが，仮に，当該要件を満たすものとみなした場合には，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，さらに検討を進める。
　
４−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された本願当初明細書等の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであって，上記１（２）に摘示したとおりのものである。
　
４−２　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−９７３０２号公報（平成６年４月８日出願公開，以下「引用例」という。）には，次の記載がある。
ア　「【請求項５】　　相互接続金属被膜間の集積回路スペースを満たすために，中間層誘電体酸化物を堆積させる改良された方法であって，前記スペースは０．５５ミクロンより大きく，高さは１．０ミクロンのオーダーであり，
（ａ）　パターニングされた相互接続金属層の上に酸化物の薄い層を堆積させるステップを含み，前記酸化物層の厚さは前記相互接続金属ストリップの高さのオーダーであり，さらに
（ｂ）　前記酸化物のエッチング速度に近いエッチング速度を有する硬化可能な材料の薄い高粘性の層を塗布するステップを含み，前記高粘性の材料は相互接続金属間のスペースを満たし，さらに
（ｃ）　前記高粘性の材料の薄い層を硬化させるステップと，
（ｄ）　堆積された薄い酸化物と，前記硬化させられた材料との双方を，硬化させられた材料が取除かれるまでバックエッチングするステップと，
（ｅ）　前記エッチングされた集積回路上の前記酸化物の第２のコーティングを堆積させるステップとを含み，前記第２のコーティングは厚い酸化物であり，さらに
（ｆ）　前記第２の
厚い酸化物コーティングを平坦化
（ｇ）　前記集積回路にレジストを塗布するステップと，
（ｈ）　前記第３の層の金属被膜のために前記レジストをパターニングするステップと，
（ｉ）　前記第３の層の金属被膜を堆積するステップと，
（ｊ）　前記第３の層に対してステップ（ａ）から（ｅ）を繰返すステップとを含む，方法。」
イ　「【０００２】
【発明の背景】集積回路の部品間の接続の大多数は，金属相互接続と呼ばれる抵抗の少ない金属ストリップによって作られる。現在，３つのレベルが必要とされる。一般的に，集積回路の能動半導体部分は絶縁誘電体層で被覆され，金属相互接続は，写真製版技術を用いてこれらの絶縁体層の上部に並列のストリップとして置かれる。最近まで，大多数の
集積回路は２つのレベルの相互接続を使用
各相互接続レベルはリソグラフ的にパターニングされ，金属被膜され，誘電体で被覆され，かつ平坦化されなければならない
ウ　図１及び図２を参照して，「【０００７】この特許の図１を参照して，ＣＶＤ酸化物を用いた相互接続スペース充填の工程では，「キーホール」と呼ばれるボイドエリアが，金属ストリップ２および２′の間の領域の酸化物１０の中に生じることが知られている。この
ボイド状況は図２で表わされるように，ギャップ６の側壁を傾斜させることによって克服され得ることも知られている。これは，酸化物のいわゆる「エッチバック」を使用するＲＩＥエッチングによって達成され，その結果は図２に示されている
金属ストリップ相互接続２および２′の側壁に沿って酸化物フィレット５および５′を作り出す
傾斜を確実に可能な限り大きくするため，酸化物は金属２の頂部に至るようずっと下まで取除かれる
エ　図３（Ａ）を参照して，「【００１５】
【発明の詳しい説明】図３（Ａ）から３（Ｃ）を参照すると，この発明の工程におけるステップが説明されている。
相互接続金属ストリップ２および２′は，集積回路上の相互接続金属断面図におけるレベル２および／またはレベル３を例示
オ　図３（Ａ）を参照して，「【００１６】通常はＣＶＤ　ＰＥＴＥＯＳ酸化物である，コンフォーマルな誘電体の薄い層３０は，金属２および２′の上に塗布される。テトラエチルオルトシリケイトが，ノベルス（Ｎｏｖｅｌｌｕｓ）ＰＥＴＥＯＳシステムによって可能にされるようなプラズマ化学気相蒸着を使って，≒４００℃で堆積される。この層はスペース３３の平らな底がはっきりと規定され，かつスペース内の側壁の酸化物がスペースを乗り越えることのないよう十分に薄く塗布される。次に，低粘性の単一のスピン，すなわちスピン−オン−グラス（ＳＯＧ）がウェーハに塗布され，ＳＯＧが薄い層３１で表面３０を覆う。発明者らは，アライド１１１を使用した。ＳＯＧのプラグ３２は，
狭いスペース３３
カ　図３（Ａ）〜図３（Ｃ）を参照して，「【００１７】従来のＣＦ４／アルゴン化学種を用いるアプライドマテリアルズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）Ｐ５０００酸化物エッチング装置を使用した，磁性励起の反応性イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）のような，プラズマドライエッチングが，好ましい。
エッチング処理は，ＰＥＴＥＯＳの薄い層３０′が残ると，止められる
ＰＥＴＥＯＳのおよそ９０％が取除かれる
狭いスペース
フィレット３４および３５は，先行技術と同様に形成
図３（Ｃ）の２と２′との間のスペースの大体の形は，
ほぼ同じアスペクト比を有している
厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層が，スペースをすべて満たして，
金属の上に堆積
図３（Ｃ）との関連で，この工程が完了した後まだ平坦化の工程の適用が必要
（２）上記（１）イによれば，引用例に記載された発明は，発明の背景として，
集積回路
金属被膜
誘電体で被覆
平坦化されなければならない
（３）上記（１）イ及びエによれば，引用例には，各相互接続レベルはリソグラフ的にパターニングされ，金属被膜されること，及び，相互接続金属ストリップ２及び２′が，集積回路上の相互接続金属断面図におけるレベル２及び／又はレベル３を例示するものであることが記載されているから，集積回路上に相互接続金属ストリップ２及び２′を形成するための金属を被覆し，相互接続金属ストリップ２及び２′を形成するために，金属をパターニングしてエッチングすることが示唆されていることは，明らかである。
（４）上記（１）オによれば，引用例には狭いスペース３３が記載されているから，図３における層３上の相互接続金属ストリップ２及び２′と，狭いスペース３３との位置関係を参酌すれば，引用例には，相互接続金属ストリップ２及び２′の外側に狭いスペース３３よりも広いスペースが開示されていることは，明らかである。したがって，引用例には，相互接続金属ストリップ２及び２′の外側に，狭いスペース３３よりも広いスペースが形成され，相互接続金属ストリップ２及び２′の間には狭いスペース３３が形成されることが記載されている。
（５）上記（１）カによれば，引用例には，エッチング処理は，ＰＥＴＥＯＳの薄い層３０′が残ると止められてＰＥＴＥＯＳのおよそ９０％が取除かれ，フィレット３４及び３５が形成され，図３（Ｃ）の２と２′との間のスペースの大体の形は，ほぼ同じアスペクト比を有していることが記載されている。そうすると，図３（Ｂ）における相互接続金属ストリップ２及び２′と，狭いスペース３３，狭いスペース３３よりも広いスペース，ＰＥＴＥＯＳの薄い層３０′，フィレット３４及び３５との位置関係を参酌すれば，引用例には，狭いスペース３３にフィレット３４を形成することによって埋込み，狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３５を形成し，狭いスペース３３と狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３４及び３５をそれぞれ形成する際に，相互接続金属ストリップ２及び２′の上にＰＥＴＥＯＳの薄い層３０′が残されることが，開示されている。
（６）上記（１）カによれば，引用例には，厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層が，スペースをすべて満たして，金属の上に堆積されることが記載されている。そうすると，図３（Ｃ）における厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）と，相互接続金属ストリップ２及び２′，狭いスペース３３，狭いスペース３３よりも広いスペース，フィレット３４及び３５との位置関係を参酌すれば，厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）が１つのみであることは明らかであるから，集積回路上の狭いスペース３３に形成したフィレット３４と，狭いスペース３３よりも広いスペースに形成したフィレット３５の上に，１つのみの厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）を形成し，フィレット３５を形成した狭いスペース３３よりも広いスペースを完全に埋込むことが開示されている。
（７）上記（１）ア及びカによれば，引用例には，厚い酸化物コーティングを平坦化すること，及び，図３（Ｃ）との関連で，厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層が，スペースをすべて満たして金属の上に堆積される工程が完了した後，まだ平坦化の工程の適用が必要とされることが記載されているから，厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）を平坦化することが開示されている。
（８）よって，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「集積回路の誘電体層を平坦化するために用いられる方法であって，
　集積回路上に相互接続金属ストリップ２及び２′を形成するための金属を被覆し，
　相互接続金属ストリップ２及び２′を形成するために，金属をパターニングしてエッチングし，相互接続金属ストリップ２及び２′の外側に，狭いスペース３３よりも広いスペースが形成され，相互接続金属ストリップ２及び２′の間には狭いスペース３３が形成され，
　狭いスペース３３にフィレット３４を形成することによって埋込み，狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３５を形成し，狭いスペース３３と狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３４及び３５をそれぞれ形成する際に，相互接続金属ストリップ２及び２′の上にＰＥＴＥＯＳの薄い層３０′が残され，
　集積回路上の狭いスペース３３に形成したフィレット３４と，狭いスペース３３よりも広いスペースに形成したフィレット３５の上に，１つのみの厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）を形成し，フィレット３５を形成した狭いスペース３３よりも広いスペースを完全に埋込み，
　厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）を平坦化する，方法。」
　
４−３　補正発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「集積回路」，相互接続金属ストリップ２及び２′を形成するための「金属」は，補正発明の「集積回路構造」，「導電膜」にそれぞれ相当するから，引用発明の「集積回路上に相互接続金属ストリップ２及び２′を形成するための金属を被覆」することは，補正発明の「前記集積回路構造上に少なくとも１つの導電膜を堆積するステップ」に相当する。
（２）引用発明の「相互接続金属ストリップ２及び２′」，相互接続金属ストリップ２及び２′の外側に形成される「狭いスペース３３よりも広いスペース」，「狭いスペース３３」は，補正発明の「導電線」，「比較的広い空間」，「比較的狭い空間」にそれぞれ相当するから，引用発明の「相互接続金属ストリップ２及び２′を形成するために，金属をパターニングしてエッチングし，相互接続金属ストリップ２及び２′の外側に，狭いスペース３３よりも広いスペースが形成され，相互接続金属ストリップ２及び２′の間には狭いスペース３３が形成され」ることは，補正発明の「導電線を形成するため前記導電膜をパターニングしエッチングするステップとを含み，いくつかの導電線は比較的広い空間によって分離され，他の導電線はその間の比較的狭い空間によって分離され」ることに相当する。
（３）引用発明の「フィレット３４」，「フィレット３５」は，補正発明の「狭い空間」の中の「スペーサ」，「比較的広い空間の中」の「スペーサ」にそれぞれ相当する。そうすると，引用発明の「狭いスペース３３にフィレット３４を形成することによって埋込み，狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３５を形成し，狭いスペース３３と狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３４及び３５をそれぞれ形成する際に，相互接続金属ストリップ２及び２′の上にＰＥＴＥＯＳの薄い層３０′が残され」ることは，補正発明の「前記狭い空間をその中にスペーサを形成することによって埋込み，かつ前記比較的広い空間の中にスペーサを形成して部分的に埋込まれた比較的広い空間を形成するステップとを含み，前記狭い空間の中および前記比較的広い空間の中に前記スペーサを形成した後で，前記導電線の上表面は露出され」ることに対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明が，比較的広い空間の中にスペーサを形成して部分的に埋込まれた比較的広い空間を形成し，狭い空間の中及び比較的広い空間の中にスペーサを形成した後で導電線の上表面が露出されることは別にして，「前記狭い空間をその中にスペーサを形成することによって埋込み，かつ前記比較的広い空間の中にスペーサを形成するステップとを含」む点で共通する。
（４）引用発明の「厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）」は，補正発明の「ドープトオキサイド膜」に対応し，両者は「オキサイド膜」である点で共通する。そうすると，引用発明の「集積回路上の狭いスペース３３に形成したフィレット３４と，狭いスペース３３よりも広いスペースに形成したフィレット３５の上に，１つのみの厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）を形成し，フィレット３５を形成した狭いスペース３３よりも広いスペースを完全に埋込」むことは，補正発明の「前記集積回路構造上の前記狭い空間の中の前記スペーサおよび前記比較的広い空間の中の前記スペーサ上に１つのみのドープトオキサイド膜を堆積し，前記部分的に埋込まれた比較的広い空間を完全に埋込むステップ」に対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明がドープトオキサイド膜を堆積することは別にして，「前記集積回路構造上の前記狭い空間の中の前記スペーサおよび前記比較的広い空間の中の前記スペーサ上に１つのみのオキサイド膜を堆積し，前記比較的広い空間を完全に埋込むステップ」を具備する点で共通する。
（５）引用発明の「厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）を平坦化する」ことは，補正発明の「前記ドープトオキサイド膜を平坦化するため化学機械研磨を用いて前記ドープトオキサイド膜を研磨するステップ」に対応し，補正発明と引用発明とは，補正発明が化学機械研磨を用いることは別にして，「前記オキサイド膜を平坦化するステップ」を具備する点で共通する。
（６）以上のことを踏まえると，補正発明と引用発明とは，
「集積回路構造内の前記誘電体層を平坦化するために用いられる方法であって，前記方法は，
　（ａ）　前記集積回路構造上に少なくとも１つの導電膜を堆積するステップと，
　（ｂ）　導電線を形成するため前記導電膜をパターニングしエッチングするステップとを含み，いくつかの導電線は比較的広い空間によって分離され，他の導電線はその間の比較的狭い空間によって分離され，前記方法はさらに，
　（ｃ）　前記狭い空間をその中にスペーサを形成することによって埋込み，かつ前記比較的広い空間の中にスペーサを形成するステップとを含み，前記方法はさらに，
　（ｄ）　前記集積回路構造上の前記狭い空間の中の前記スペーサおよび前記比較的広い空間の中の前記スペーサ上に１つのみのオキサイド膜を堆積し，前記比較的広い空間を完全に埋込むステップを含み，前記方法はさらに，
　（ｅ）　前記オキサイド膜を平坦化するステップとを含む，方法。」
である点で一致し，以下の相違点１〜相違点４で相違する。
相違点１：補正発明は，比較的広い空間の中にスペーサを形成して部分的に埋込まれた比較的広い空間を形成し，狭い空間の中及び比較的広い空間の中にスペーサを形成した後で，導電線の上表面が露出されるのに対し，引用発明は，狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３５を形成し，狭いスペース３３と狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３４及び３５をそれぞれ形成する際に，相互接続金属ストリップ２及び２′の上にＰＥＴＥＯＳの薄い層３０′が残される点。
相違点２：補正発明では，ドープトオキサイド膜を堆積し，ドープトオキサイド膜は１から５％の範囲のドーパント濃度を有するのに対し，引用発明は，厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）を形成する点。
相違点３：補正発明では，化学機械研磨を用いて研磨するのに対し，引用発明では，どのようにして平坦化するのかを明示しない点。
相違点４：補正発明は，ドーパント濃度を有するドープトオキサイド膜は平坦化の速度を増加させる，酸化物除去速度を向上させるためのものであるのに対し，引用発明は，そのような構成がない点。
　
４−４　当審の判断
（１）上記相違点１について検討すると，上記４−２（１）ウによれば，引用例には，ボイド状況は図２で表わされるように，ギャップ６の側壁を傾斜させることによって克服され得ることも知られており，これは，酸化物のいわゆる「エッチバック」を使用するＲＩＥエッチングによって達成され，その結果は図２に示されているように，金属ストリップ相互接続２及び２′の側壁に沿って酸化物フィレット５及び５′を作り出し，傾斜を確実に可能な限り大きくするため，酸化物は金属２の頂部に至るようずっと下まで取除かれることが，発明の背景として記載されている。そうすると，図２（Ａ）における金属ストリップ相互接続２及び２′と，小さいトレンチスペース６，金属ストリップ相互接続２及び２′の外側の小さいトレンチスペース６よりも広いスペース，酸化物フィレット５及び５’との位置関係を参酌すれば，「狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３５を形成して部分的に埋込まれた狭いスペース３３よりも広いスペースを形成し，狭いスペース３３と狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３４及び３５をそれぞれ形成する際に，相互接続金属ストリップ２及び２′の上表面を露出」する構成は，従来周知と認められる。したがって，引用発明において，「狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３５を形成し，狭いスペース３３と狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３４及び３５をそれぞれ形成する際に，相互接続金属ストリップ２及び２′の上にＰＥＴＥＯＳの薄い層３０′が残される」構成に代えて，従来周知の「狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３５を形成して部分的に埋込まれた狭いスペース３３よりも広いスペースを形成し，狭いスペース３３と狭いスペース３３よりも広いスペースにフィレット３４及び３５をそれぞれ形成する際に，相互接続金属ストリップ２及び２′の上表面を露出」する構成，すなわち，補正発明の「前記比較的広い空間の中にスペーサを形成して部分的に埋込まれた比較的広い空間を形成するステップとを含み，前記狭い空間の中および前記比較的広い空間の中に前記スペーサを形成した後で，前記導電線の上表面は露出」する構成とすることは，必要により当業者が適宜選択することのできる技術的な設計事項である。
（２）次に，上記相違点２〜４について検討する。
ア　まず，ドープトオキサイド膜を形成し，化学機械研磨により平坦化を行うことは，例えば原査定の拒絶の理由において引用された，特開平７−１５３７２６号公報（平成７年６月１６日出願公開）の段落【００１２】及び図１，図２，特開平６−１８８２４２号公報（平成６年７月８日出願公開）の段落【００２６】〜段落【００２８】，並びに特開平７−１７３４５６号公報（平成７年７月１１日出願公開）の段落【００３１】〜段落【００３２】に記載されているように従来周知の技術である。
イ　そして，本願当初明細書等に，ドープトオキサイド膜のドーパント濃度については，前示３（２）ア〜エの記載のみがある。そうすると，これらの記載によれば，補正発明において，ドープトオキサイド膜のドーパント濃度を１から５％の範囲とすることは，ドープトオキサイド膜の研磨速度を，ドープされていない酸化膜の研磨速度の
２〜３倍
ウ　ここで，原査定の拒絶の理由において引用された特開平７−２４５３０６号公報（平成７年９月１９日出願公開）には，次の記載がある。
「【００５８】［工程−１２０］次に，第１の膜２１よりも研磨速度が速い第２の膜２２で段差部を被覆する（図１の（Ｃ）参照）。第２の膜２２は，実施例１においてはＢＰＳＧから成り，例えば低圧ＣＶＤ法によって形成することができる。
このＢＰＳＧにおいては，例えば，ホウ素（Ｂ）の重量濃度を４％，リン（Ｐ）の重量濃度を７％
「【００９０】（実施例６）実施例６は，本発明の
第２の態様に係る膜平坦化方法
第１の膜及び第３の膜は酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）
第２の膜は不純物を含有した酸化シリコン（具体的にはＢＰＳＧ）
第３の膜及び第２の膜は化学的機械研磨法（ＣＭＰ法）によって研磨
「【００９４】［工程−６２０］次に，段差部底面（具体的には基体１０の表面）から第２の膜４２の表面までの高さＴ２が（Ｈ＋Ｔ１）の値より小さいか若しくは略等しくなるように，
第１の膜４１よりも研磨速度の早い第２の膜４２で
被覆
第２の膜４２は，実施例６においてはＢＰＳＧ
【００９５】［工程−６３０］その後，
第２の膜４２上に，第２の膜４２よりも研磨速度の遅い厚さ５０ｎｍ第３の膜４３を形成
第３の膜４３はノンドープ・シリケートガラス（ＮＳＧ膜，組成は酸化シリコン，ＳｉＯ
２
）
第３の膜４３は，テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）
用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された酸化シリコン
【００９６】［工程−６４０］次に，第３の膜４３及び第２の膜４２を研磨し，段差部である配線１４の頂部に形成された第１の膜４１を露出させる（図７の（Ｄ）参照）。
研磨は化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）
「【００９９】
酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）から成る第１の膜４１及び第３の膜４３の研磨速度は１２ｎｍ／分
ＢＰＳＧから成る第２の膜４２の研磨速度は１００ｎｍ／分
第２の膜４２の研磨速度は第１の膜４１及び第３の膜４３の研磨速度の８倍程度
　これらの記載によれば，ＢＰＳＧとして，例えばホウ素（Ｂ）の重量濃度が４％，リン（Ｐ）の重量濃度が７％のものを用い，化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）に基づいた膜平坦化を行った場合に，ノンドープ・シリケートガラス（ＮＳＧ膜，組成は酸化シリコン，ＳｉＯ２），又はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された酸化シリコンの研磨速度は，１２ｎｍ／分であるのに対し，ＢＰＳＧの研磨速度は，
８倍程度
エ　上記アによれば，ドープトオキサイド膜を形成し，化学機械研磨により平坦化を行うことは，従来周知の技術である。そして，上記ウによれば，化学的機械的研磨法に基づいた膜平坦化を行う際に，ドープトオキサイド膜の研磨速度を，ドープされていない酸化膜の研磨速度の２〜３倍にするために，ドープトオキサイド膜のドーパント濃度を適宜設定することも，従来周知の技術であり，また，上記イによれば，補正発明において，ドープトオキサイド膜のドーパント濃度を１から５％の範囲とすることは，ドープトオキサイド膜の研磨速度を，ドープされていない酸化膜の研磨速度の２〜３倍にするためであるから，ドープトオキサイド膜を化学機械研磨により平坦化を行う際に，ドープトオキサイド膜のドーパント濃度を１から５％の範囲とすることで，平坦化の速度を増加させて，酸化物除去速度を向上させることは，必要により当業者が適宜行えばよい技術的な設計事項と解される。そうすると，引用発明において，厚いＰＥＴＥＯＳ酸化物層（３６）の平坦化に代えて，従来周知であるドープトオキサイド膜の化学機械研磨による平坦化技術を採用し，その際に，ドープトオキサイド膜のドーパント濃度を適宜設定して１から５％の範囲とすることで，平坦化の速度を増加させて，酸化物除去速度を向上させることに，格別の困難性を認めることはできない。したがって，引用発明に従来周知の技術を適用することで，１から５％の範囲のドーパント濃度を有するドープトオキサイド膜を堆積し，化学機械研磨を用いて研磨することで平坦化を行い，平坦化の速度を増加させる，酸化物除去速度を向上させるための方法からなる相違点２〜４の構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。
（３）以上のとおり，補正発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４−５　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであり，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５　本件補正についてのむすび
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１８４条の１２第２項において読み替えて準用する同法第１７条２第３項に規定する要件を満たしておらず，また，仮に，本件補正が該要件を満たすものであったとしても，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，本件補正は，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年１１月２５日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１２に係る発明は，平成１９年４月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に摘示したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，４−２（８）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
 　上記第２，３で検討したように，補正発明は，本件補正前の請求項１を限定したものである。逆に言えば，本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正発明から，このような限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，前記第２，４において検討したとおり，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。