【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板、前記半導体基板の回路形成面側に設けられた半導体集積回路、前記半導体集積回路上に設けられた電極パッド、及び前記半導体集積回路上を含む前記回路形成面に前記電極パッドを露出するように設けられた保護膜、を備えた半導体チップと、
前記電極パッド上に形成された内部接続端子と、
前記半導体チップの前記回路形成面の外縁部に、前記保護膜及び前記半導体基板の一部を切り欠くように形成された切り欠き部と、
前記切り欠き部を充填し、前記保護膜上の少なくとも一部に延在するように形成された第１絶縁層と、
前記半導体チップの前記回路形成面上に、前記第１絶縁層を覆うように形成され、上面が粗面化された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成され、前記内部接続端子を介して前記電極パッドと電気的に接続された配線パターンと、を有し、
前記切り欠き部の前記第１絶縁層と接する面が粗面化されており、
前記内部接続端子の周囲は、前記電極パッド及び前記配線パターンと接している部分を除いて、前記第２絶縁層のみにより覆われている半導体装置。
【請求項２】
前記第１絶縁層の上面が粗面化されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記切り欠き部は、半Ｕ字形状である請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線パターン上に形成された外部接続端子を更に有し、
前記第１絶縁層は、前記外部接続端子と平面視で重複する部分にも形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、ポリイミドとポリイミド系化合物の何れか一方又は双方を含んで構成され、
前記第１絶縁層に含有されるポリイミドとポリイミド系化合物の合計の量は、前記第２絶縁層に含有されるポリイミドとポリイミド系化合物の合計の量よりも多い請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
少なくとも前記第２絶縁層は無機フィラーを含んで構成され、
前記第２絶縁層に含有される前記無機フィラーの量は、前記第２絶縁層のα線検出量が０．００１５ｃｏｕｎｔ／ｃｍ２・ｈ以下になるように調整されている請求項１乃至５の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１絶縁層は無機フィラーを含んで構成され、
前記第１絶縁層に含有される前記無機フィラーの量は、前記第１絶縁層のα線検出量が０．００１５ｃｏｕｎｔ／ｃｍ２・ｈ以下になるように調整されており、
前記第１絶縁層に含有される前記無機フィラーの量は、前記第２絶縁層に含有される前記無機フィラーの量よりも少ない請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１絶縁層は無機フィラーを含有していない請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一層は可視光線及び紫外線を遮蔽する材料を含んで構成されている請求項１乃至８の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に含有されるイオン性不純物であるＣｌ−及びＮａ＋の量は、それぞれ１０ｐｐｍ以下である請求項１乃至９の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に含有されるイオン性不純物であるＮＨ４＋の量は、それぞれ５０ｐｐｍ以下である請求項１乃至１０の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２絶縁層上には、前記配線パターンを覆うようにソルダーレジストが形成されており、
前記ソルダーレジストは無機フィラーを含有していない請求項１乃至１１の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記外部接続端子の材料はＰｂを含有していない請求項４記載の半導体装置。
【請求項１４】
半導体基板、前記半導体基板の回路形成面側に設けられた半導体集積回路、前記半導体集積回路上に設けられた電極パッド、及び前記半導体集積回路上を含む前記回路形成面に前記電極パッドを露出するように設けられた保護膜、を備えた複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップの間に配置されたスクライブ領域とを有する半導体基板の前記スクライブ領域に、前記保護膜及び前記半導体基板の一部を除去して、表面が粗面化された溝部を形成する第１工程と、
前記溝部を充填し、前記保護膜上の少なくとも一部に延在するように第１絶縁層を形成する第２工程と、
前記複数の半導体チップの前記電極パッド上に内部接続端子を形成する第３工程と、
前記半導体チップの前記回路形成面上に、前記第１絶縁層及び前記内部接続端子を覆うように第２絶縁層を形成する第４工程と、
前記内部接続端子の一部を前記第２絶縁層の上面に露出させると共に前記第２絶縁層の上面を粗面化する第５工程と、
前記第２絶縁層の上面に、前記内部接続端子と電気的に接続する配線パターンを形成する第６工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１工程において、前記溝部を、前記スクライブ領域を露出するレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を介して前記スクライブ領域をウェットブラスト処理することにより形成する請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２工程において、少なくとも前記電極パッドが形成されている領域を覆うスクリーンマスクを介した印刷法により、前記第１絶縁層を形成する請求項１４又は１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２工程と前記第４工程との間に、前記第１絶縁層の上面を粗面化する工程を有する請求項１４乃至１６の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、ポリイミドとポリイミド系化合物の何れか一方又は双方を含んで構成され、
前記第１絶縁層に含有されるポリイミドとポリイミド系化合物の合計の量は、前記第２絶縁層に含有されるポリイミドとポリイミド系化合物の合計の量よりも多い請求項１４乃至１７の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本半導体装置は、半導体基板、前記半導体基板の回路形成面側に設けられた半導体集積回路、前記半導体集積回路上に設けられた電極パッド、及び前記半導体集積回路上を含む前記回路形成面に前記電極パッドを露出するように設けられた保護膜、を備えた半導体チップと、前記電極パッド上に形成された内部接続端子と、前記半導体チップの前記回路形成面の外縁部に、前記保護膜及び前記半導体基板の一部を切り欠くように形成された切り欠き部と、前記切り欠き部を充填し、前記保護膜上の少なくとも一部に延在するように形成された第１絶縁層と、前記半導体チップの前記回路形成面上に、前記第１絶縁層を覆うように形成され、上面が粗面化された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成され、前記内部接続端子を介して前記電極パッドと電気的に接続された配線パターンと、を有し、前記切り欠き部の前記第１絶縁層と接する面が粗面化されており、前記内部接続端子の周囲は、前記電極パッド及び前記配線パターンと接している部分を除いて、前記第２絶縁層のみにより覆われていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本半導体装置の製造方法は、半導体基板、前記半導体基板の回路形成面側に設けられた半導体集積回路、前記半導体集積回路上に設けられた電極パッド、及び前記半導体集積回路上を含む前記回路形成面に前記電極パッドを露出するように設けられた保護膜、を備えた複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップの間に配置されたスクライブ領域とを有する半導体基板の前記スクライブ領域に、前記保護膜及び前記半導体基板の一部を除去して、表面が粗面化された溝部を形成する第１工程と、前記溝部を充填し、前記保護膜上の少なくとも一部に延在するように第１絶縁層を形成する第２工程と、前記複数の半導体チップの前記電極パッド上に内部接続端子を形成する第３工程と、前記半導体チップの前記回路形成面上に、前記第１絶縁層及び前記内部接続端子を覆うように第２絶縁層を形成する第４工程と、前記内部接続端子の一部を前記第２絶縁層の上面に露出させると共に前記第２絶縁層の表面を粗面化する第５工程と、前記第２絶縁層の上面に、前記内部接続端子と電気的に接続する配線パターンを形成する第６工程と、を有することを要件とする。