(57)【要約】  熱電変換材料に、効率良く温度差が付与できる熱電変換素子を提供するものであり、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子と電極とで構成された熱電変換モジュールの第１面に、直接接するように、熱伝導性樹脂層Ａと、該熱伝導性樹脂層Ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層Ｂとが交互に設けられ、該熱電変換モジュールの第１面とは反対側の第２面に、直接接するように、熱伝導性樹脂層ａと、該熱伝導性樹脂層ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層ｂが交互に設けられている熱電変換素子である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子と電極とで構成された熱電変換モジュールの第１面に、直接接するように、熱伝導性樹脂層Ａと、該熱伝導性樹脂層Ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層Ｂとが交互に設けられ、該熱電変換モジュールの第１面とは反対側の第２面に、直接接するように、熱伝導性樹脂層ａと、該熱伝導性樹脂層ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層ｂが交互に設けられていることを特徴とする熱電変換素子。
【請求項２】
前記第１面に設けられた熱伝導性樹脂層Ａ及び熱伝導性樹脂層Ｂに対向する第２面に、それぞれ前記熱伝導性樹脂層ｂ及び熱伝導性樹脂層ａが設けられている請求項１に記載の熱電変換素子。
【請求項３】
前記熱伝導性樹脂層Ａと熱伝導性樹脂層Ｂとが接し、かつ前記熱伝導性樹脂層ｂと熱伝導性樹脂層ａとが接している請求項１又は２に記載の熱電変換素子。
【請求項４】
前記熱伝導性樹脂層Ａと熱伝導性樹脂層Ｂが、前記第１面に、それぞれ前記Ｐ型熱電素子及び／又はＮ型熱電素子とに対応して設けられ、かつ第１面とは反対側の第２面に、前記熱伝導性樹脂層ｂと熱伝導性樹脂層ａが、それぞれ前記Ｐ型熱電素子及び／又はＮ型熱電素子とに対応して設けられ、前記熱伝導性樹脂層Ａ、前記熱伝導性樹脂層Ｂ、前記熱伝導性樹脂層ａ及び前記熱伝導性樹脂層ｂの幅が同じである請求項１に記載の熱電変換素子。
【請求項５】
前記熱伝導性樹脂層Ａ及びａの熱伝導率が０．５（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上であり、かつ前記熱伝導性樹脂層Ｂ及びｂの熱伝導率が０．５（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満である請求項１に記載の熱電変換素子。
【請求項６】
前記熱伝導性樹脂層Ａ、熱伝導性樹脂層Ｂ、熱伝導性樹脂層ａ及び熱伝導性樹脂層ｂの幅が、前記Ｐ型熱電素子と前記Ｎ型熱電素子の幅と同じである請求項１に記載の熱電変換素子。
【請求項７】
前記Ｐ型熱電素子及び前記Ｎ型熱電素子の膜厚が、０．１〜１００μｍである請求項１に記載の熱電変換素子。
【請求項８】
前記熱伝導性樹脂層Ａ、前記熱伝導性樹脂層Ｂ、前記熱伝導性樹脂層ａ及び前記熱伝導性樹脂層ｂの膜厚が、１〜２００μｍである請求項１に記載の熱電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱と電気との相互エネルギー変換を行う熱電変換素子に関し、特に熱電素子に効率良く温度差が付与できる熱電変換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビル、工場、自動車、電気製品類等からの環境中に放出される熱エネルギーを熱電変換素子によって電気エネルギーに変換し、比較的低消費電力である各種センサー、電子製品等を駆動させる電源として利用する、いわゆるエネルギーハーべスティング（環境発電技術）に関する研究開発が広く行われている。熱電変換素子は、環境中に熱エネルギーが放出されている限り電力が得られるため、電池交換や充電設備等の諸電源を気にすることなく、低消費電力機器等が利用できるようになるなどの特徴を有している。現在用いられている熱電変換素子はフレキシブル性に乏しく、平坦でない形状の廃熱源や放熱源への設置が難しいことや、十分なエネルギーを得るための熱電変換素子の大面積化が難しいことなどから、フレキシブル性の高い薄型の熱電変換素子が望まれている。【０００３】
熱電変換素子では、例えば、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子を電気的には直列に、熱的には並列に接続して、電力を取り出している。上記のような薄型の熱電変換素子を作製するにあたり、いかに効率良く、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子の厚み方向に温度差を付与できるかどうかが、得られる電力の観点から重要となる。【０００４】
前記温度差を効率的に付与するために、特許文献１では、図６に示すような構造を有する熱電変換素子が開示されている。すなわち、Ｐ型熱電素子４１とＮ型熱電素子４２とを直列に接続し、その両端部に熱起電力取り出し電極４３を配置し、熱電変換モジュール４６を構成し、該熱電変換モジュール４６の両面に２種類の熱伝導率の異なる材料で構成された柔軟性を有するフィルム状基板４４、４５を設けたものである。該フィルム状基板４４、４５は、前記熱電変換モジュール４６との接合面側に熱伝導率の低い材料４７、４８を設け、該熱伝導率の低い材料として絶縁体であるポリイミドなどの樹脂を用い、また、前記フィルム状基板４４、４５は、前記熱電変換モジュール４６の接合面と反対側に、熱伝導率の高い材料４９、５０が基板４４、４５の外面の一部分に位置するように設け、この熱伝導率の高い材料として銅などの金属を用いて構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３９８１７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、熱伝導率の高い材料４９、５０を設ける部位においても、熱電変換モジュールに直接接しているのは熱伝導率の低い材料であるため、熱電変換素子の厚み方向で温度勾配が小さく、効率良く温度差が付与できていなかった。【０００７】
本発明は、上記問題を鑑み、熱電素子の厚み方向に、効率良く温度差が付与できる熱電変換素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、Ｐ型熱電素子、Ｎ型熱電素子及び電極とで構成された熱電変換モジュールの第１面に、直接接するように熱伝導性樹脂層Ａと、熱伝導性樹脂層Ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層Ｂを交互に設け、該第１面とは反対側の第２面に、直接接するように熱伝導性樹脂層ａと、熱伝導性樹脂層ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層ｂを交互に設けることにより、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子の厚み方向に、温度差を効率良く付与できることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（８）を提供するものである。
（１）Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子と電極とで構成された熱電変換モジュールの第１面に、直接接するように、熱伝導性樹脂層Ａと、該熱伝導性樹脂層Ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層Ｂとが交互に設けられ、該熱電変換モジュールの第１面とは反対側の第２面に、直接接するように、熱伝導性樹脂層ａと、該熱伝導性樹脂層ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層ｂが交互に設けられていることを特徴とする熱電変換素子。
（２）前記第１面に設けられた熱伝導性樹脂層Ａ及び熱伝導性樹脂層Ｂに対向する第２面に、それぞれ熱伝導性樹脂層ｂ及び熱伝導性樹脂層ａが設けられている上記（１）に記載の熱電変換素子。
（３）前記熱伝導性樹脂層Ａと熱伝導性樹脂層Ｂとが接し、かつ前記熱伝導性樹脂層ｂと熱伝導性樹脂層ａとが接している上記（１）又は（２）に記載の熱電変換素子。
（４）前記熱伝導性樹脂層Ａと熱伝導性樹脂層Ｂが、前記第１面に、それぞれ前記Ｐ型熱電素子及び／又はＮ型熱電素子とに対応して設けられ、かつ第１面とは反対側の第２面に、前記熱伝導性樹脂層ｂと熱伝導性樹脂層ａが、それぞれ前記Ｐ型熱電素子及び／又はＮ型熱電素子とに対応して設けられ、前記熱伝導性樹脂層Ａ、前記熱伝導性樹脂層Ｂ、前記熱伝導性樹脂層ａ及び前記熱伝導性樹脂層ｂの幅が同じである、上記（１）に記載の熱電変換素子。
（５）前記熱伝導性樹脂層Ａ及びａの熱伝導率が０．５（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上であり、かつ前記熱伝導性樹脂層Ｂ及びｂの熱伝導率が０．５（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満である上記（１）に記載の熱電変換素子。
（６）前記熱伝導性樹脂層Ａ、熱伝導性樹脂層Ｂ、熱伝導性樹脂層ａ及び熱伝導性樹脂層ｂの幅が、前記Ｐ型熱電素子と前記Ｎ型熱電素子の幅と同じである上記（１）に記載の熱電変換素子。
（７）前記Ｐ型熱電素子及び前記Ｎ型熱電素子の膜厚が、０．１〜１００μｍである上記（１）に記載の熱電変換素子。
（８）前記熱伝導性樹脂層Ａ、前記熱伝導性樹脂層Ｂ、前記熱伝導性樹脂層ａ及び前記熱伝導性樹脂層ｂの膜厚が、１〜２００μｍである上記（１）に記載の熱電変換素子。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の熱電変換素子によれば、熱電変換モジュール内の熱電素子に効率良く温度差が付与できるため、発電効率の高い発電が可能となる。また、フレキシブル性が高く、平坦でない面を有する廃熱源や放熱源への設置が可能となり、設置場所を制限されることもなく使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の熱電変換素子の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の熱電変換素子を構成要素ごとに分解した斜視図を示し、（ａ）が第１面側に設けられた熱伝導性樹脂層Ａ及び熱伝導性樹脂層Ｂの斜視図であり、（ｂ）が熱電変換モジュールの斜視図であり、（ｃ）が第２面側に設けられた熱伝導性樹脂層ｂ及び熱伝導性樹脂層ａの斜視図である。
【図３】熱電変換素子の内部温度分布のシミュレーション計算に係る熱電変換素子モデルの断面構成の説明図であり、（ａ）が本発明の熱電変換素子モデルの断面構成、（ｂ）が従来型の熱電変換素子モデルの断面構成である。
【図４】本発明の断面構成における、付与される最大温度差ΔＴと熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂとに係るシミュレーション結果である。
【図５】本発明の断面構成における、温度遷移域Δｘと熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂとに係るシミュレーション結果である。
【図６】従来の熱電変換素子の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［熱電変換素子］
本発明の熱電変換素子は、Ｐ型熱電素子、Ｎ型熱電素子及び電極とで構成された熱電変換モジュールの第１面に、直接接するように、熱伝導性樹脂層Ａと、該熱伝導性樹脂層Ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層Ｂが交互に設けられ、該第１面とは反対側の第２面に、直接接するように、熱伝導性樹脂層ａと、該熱伝導性樹脂層ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層ｂが、交互に設けられていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の熱電変換素子の構成等を、図面を使用して説明する。
【００１３】
図１に本発明の熱電変換素子の断面図の一例を示す。図１に示した熱電変換素子Ｅは、厚み方向の温度差を利用して熱を電気に変換する熱電変換素子であり、Ｐ型材料からなる薄膜のＰ型熱電素子１、Ｎ型材料からなる薄膜のＮ型熱電素子２及び電極３を設け熱電変換モジュール６を構成し、該熱電変換モジュール６の第１面７に直接接するように熱伝導性樹脂層Ａ４と該熱伝導性樹脂層Ａ４よりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層Ｂ５が交互に設けられ、さらに前記第１面７とは反対側の第２面８に、直接接するように熱伝導性樹脂層ａ４’と該熱伝導性樹脂層ａ４’よりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層ｂ５’とが交互に設けられている。各熱伝導性樹脂層の配置としては、第１面７の熱伝導性樹脂層Ａ４及び熱伝導性樹脂層Ｂ５に対向する第２面８にそれぞれ熱伝導性樹脂層ｂ５’と熱伝導性樹脂層ａ４’が設けられたものであることが好ましい。
図２に図１の熱電変換素子を構成要素ごとに分解した斜視図を示し、（ａ）が第１面側に設けられた熱伝導性樹脂層Ａ及び熱伝導性樹脂層Ｂの斜視図であり、（ｂ）が熱電変換モジュールの斜視図であり、（ｃ）が第２面側に設けられた熱伝導性樹脂層ａ及び熱伝導性樹脂層ｂの斜視図である。
【００１４】
上記のような構成をとることにより、熱電変換モジュール６の第１面７と、第２面８とに温度差を付与することで、第１面７側での熱伝導（熱流束）分布と第２面８側での熱伝導（熱流束）分布の違いから、熱電素子に温度差（温度勾配）を効率的に付与することができる。得られた温度勾配を利用して、熱電変換モジュール６で効率良く発電を行うことができる。
【００１５】
本発明に使用される熱電変換モジュール６は、図２（ｂ）に示されるように、Ｐ型熱電素子１とＮ型熱電素子２と電極３とから構成される。Ｐ型熱電素子１とＮ型熱電素子２は直列接続となるように薄膜上に形成され、それぞれの端部で、電極３を介して接合して電気的に接続されている。なお、熱電変換モジュール６におけるＰ型熱電素子１とＮ型熱電素子２は、図１に示すように、「電極３、Ｐ型熱電素子１、電極３、Ｎ型熱電素子２、電極３、・・・・・」のように配置してもよく、「電極３、Ｐ型熱電素子１、Ｎ型熱電素子２、電極３、Ｐ型熱電素子１、Ｎ型熱電素子２、電極３、・・・・・」のように配置してもよく、さらに「電極３、Ｐ型熱電素子１、Ｎ型熱電素子２、Ｐ型熱電素子１、Ｎ型熱電素子２、・・・電極３」のように配置してもよい。また、熱電変換モジュール６は、図１に示すように、熱伝導性樹脂層Ａ４及び熱伝導性樹脂層Ｂ５上に直接形成されていてもよく、その他の層を介して形成されていてもよいが、熱電素子に温度差を効率的に付与できるという点から、熱電変換モジュール６は、熱伝導性樹脂層Ａ４及び熱伝導性樹脂層Ｂ５上に直接形成されていることが好ましい。
前記熱電変換素子には、特に制限されないが、熱電変換モジュールにより電気エネルギーに変換される熱源の温度域において、ゼーベック係数の絶対値が大きく、熱伝導率が低く、電気伝導率が高い、いわゆる熱電性能指数の高い材料を使用することが好ましい。
【００１６】
Ｐ型熱電素子及びＮ型熱電素子を構成する材料としては、熱電変換特性を有すものであれば特に制限はないが、ビスマステルライド、Ｂｉ2Ｔｅ3等のビスマス−テルル系熱電半導体材料、ＧｅＴｅ、ＰｂＴｅ等のテルライド系熱電半導体材料、アンチモン−テルル系熱電半導体材料、ＺｎＳｂ、Ｚｎ3Ｓｂ2、Ｚｎ4Ｓｂ3等の亜鉛−アンチモン系熱電半導体材料、ＳｉＧｅ等のシリコン−ゲルマニウム系熱電半導体材料、Ｂｉ2Ｓｅ3等のビスマスセレナイド系熱電半導体材料、β―ＦｅＳｉ2、ＣｒＳｉ2、ＭｎＳｉ1.73、Ｍｇ2Ｓｉ等のシリサイド系熱電半導体材料、酸化物系熱電半導体材料、ＦｅＶＡｌ、ＦｅＶＡｌＳｉ、ＦｅＶＴｉＡｌ等のホイスラー材料などが用いられる。これらの中でも、ビスマステルライド、Ｂｉ2Ｔｅ3等のビスマス−テルル系熱電半導体材料、β―ＦｅＳｉ2、ＣｒＳｉ2、ＭｎＳｉ1.73、Ｍｇ2Ｓｉ等のシリサイド系熱電半導体材料、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどの材料が好ましい。
Ｐ型熱電素子１及びＮ型熱電素子２の膜厚は、０．１〜１００μｍが好ましく、１〜５０μｍがさらに好ましい。
なお、Ｐ型熱電素子１とＮ型熱電素子２の膜厚は、特に限定されるものではなく、同じ膜厚でも、異なる膜厚でもよい。
【００１７】
また、熱伝導性樹脂層Ａと熱伝導性樹脂層Ｂは熱電変換モジュール６の第１面７上では、互いに接していてもいなくてもよいが、熱電変換モジュール６に効率良く温度差を付与し、機械的強度を維持する観点から、互いに接しているほうが好ましい。
また、熱伝導性樹脂層ａと熱伝導性樹脂層ｂは熱電変換モジュール６の第２面８上では、互いに接していてもいなくてもよいが、熱電変換モジュール６に効率良く温度差を付与し、機械的強度を維持する観点から、互いに接しているほうが好ましい。
【００１８】
前記熱伝導性樹脂層Ａと熱伝導性樹脂層Ｂの幅は、それぞれ前記Ｐ型熱電素子１とＮ型熱電素子２の幅と同じであってもよく異なっていてもよい。また、前記熱伝導性樹脂層ａと熱伝導性樹脂層ｂの幅は、それぞれ前記Ｐ型熱電素子１とＮ型熱電素子２の幅と同じであってもよく異なっていてもよい。熱電変換モジュール６に効率良く温度差を付与できるという点から、前記熱伝導性樹脂層Ａ、熱伝導性樹脂層Ｂ、熱伝導性樹脂層ａ及び熱伝導性樹脂層ｂの幅は、同じであることが好ましく、前記Ｐ型熱電素子１とＮ型熱電素子２の幅と同じであることがさらに好ましい。なお、本発明において、「幅」とは、図３における長手方向（ｘ軸）の長さのことを言う。さらに、前記熱伝導性樹脂層Ａと熱伝導性樹脂層Ｂは、前記熱電変換モジュールの第１面７に、それぞれ前記Ｐ型熱電素子１とＮ型熱電素子２に対応して設けられ、かつ第２面８に、第１面７と第２面８とで熱伝導率が互いに異なるように熱伝導性樹脂層ｂと熱伝導性樹脂層ａを設けることが好ましい。
【００１９】
熱伝導性樹脂層Ａは、単一の材料からなる樹脂層であっても、複数種類の材料からなる樹脂層であってもよいが、熱伝導性樹脂層Ｂの熱伝導率より高い熱伝導率を得る観点から、樹脂材料中に、高熱伝導性フィラーを分散させたものが好ましく用いられる。
前記熱伝導性樹脂層Ａを構成する樹脂材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等が挙げられる。前記熱伝導性樹脂層Ａを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂；ポリスチレン等のスチレン系樹脂；ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系樹脂；ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６等）、ポリｍ−フェニレンイソフタルアミド、ポリｐ−フェニレンテレフタルアミド等のアミド系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート等のポリエステル系樹脂；ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物等のシクロオレフィン系ポリマー；塩化ビニル；ポリイミド；ポリアミドイミド；ポリフェニレンエーテル；ポリエーテルケトン；ポリエーテルエーテルケトン；ポリカーボネート；ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン等のポリサルフォン系樹脂；ポリフェニレンスルフィド；及びこれらの高分子の二種以上の組合せ；等が挙げられる。
高熱伝導性フィラーとしては、特に制限はないが、アルミナ、シリカ、窒化ホウ素等が挙げられる。この中で、アルミナ、窒化ホウ素が好ましく、経済性の観点から、アルミナが特に好ましい。また、熱電変換素子の性能に悪影響を与えない範囲で、金属や半導体材料などの導電性を有する粒子を分散させてもよい。熱伝導性樹脂層Ａ中の高熱伝導性フィラーの含有量は、所望の熱伝導率に応じて適宜調整され、通常３０〜６０質量％であることが好ましい。
【００２０】
熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率は、熱伝導性樹脂層Ｂに比べ高い樹脂層であればよく、熱伝導率が０．５（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上が好ましく、２．０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上がより好ましく、１０．０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上が特に好ましい。熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率の上限は、特に制限はないが、通常１０００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下が好ましく、５００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下がより好ましい。
【００２１】
熱伝導性樹脂層Ａの電気伝導率は、Ｐ型熱電素子１とＮ型熱電素子２と電極とで構成された熱電変換モジュールとの間で、絶縁性が保持されていれば特に制限されない。
熱伝導性樹脂層Ａの膜厚は、１〜２００μｍが好ましく、３〜１５０μｍがさらに好ましい。この範囲であれば、熱電変換モジュールに効率良く温度差を付与でき、また熱電変換モジュールのフレキシブル性、機械的強度が維持できるため好ましい。
【００２２】
熱伝導性樹脂層Ｂは、単一の材料からなる樹脂層であっても、複数種類の材料からなる樹脂層であってもよいが、前記熱伝導性樹脂層Ａより低い熱伝導率を有する樹脂層でよいため、単一の樹脂材料を用いることができる。
前記熱伝導性樹脂層Ｂを構成する樹脂材料としては、上記熱伝導性樹脂層Ａよりも熱伝導率が低いものであれば特に限定されず、上述の熱伝導性樹脂層Ａを構成する樹脂材料として例示した樹脂の中から、適宜決定する。
熱伝導性樹脂層Ｂの熱伝導率は、０．５（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満が好ましく、０．３（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下がより好ましく、０．１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下がさらに好ましい。
【００２３】
熱伝導性樹脂層Ｂの電気伝導率は、使用するＰ型熱電素子１とＮ型熱電素子２と電極とで構成された熱電変換モジュールの間で、絶縁性が保持されていれば特に制限されない。
熱伝導性樹脂層Ｂの膜厚は、１〜２００μｍが好ましく、３〜１５０μｍがさらに好ましい。この範囲であれば、熱電変換モジュールに効率良く温度差を付与でき、また熱電変換モジュールのフレキシブル性、機械的強度が維持できるため好ましい。
【００２４】
熱伝導性樹脂層ａの樹脂材料、高熱伝導性フィラーとしては、特に限定されないが、前記熱伝導性樹脂層Ａと同一の樹脂材料、高熱伝導性フィラーから選ぶことができる。また、熱伝導率、電気伝導率、及び膜厚等も同一の範囲から選ぶことができる。製造の容易さ、コストの観点から、熱伝導性樹脂層Ａと同一物質を使用することが好ましい。
【００２５】
熱伝導性樹脂層ｂの樹脂材料としては、特に限定されないが、前記熱伝導性樹脂層Ｂと同一の樹脂材料から選ぶことができる。また、熱伝導率、電気伝導率、及び膜厚等も同一の範囲から選ぶことができる。製造の容易さ、コストの観点から、熱伝導性樹脂層Ｂと同一物質を使用することが好ましい。
【００２６】
上記熱伝導性樹脂層Ａ、熱伝導性樹脂層Ｂ、熱伝導性樹脂層ａ及び熱伝導性樹脂層ｂを形成する方法は、特に限定されないが、それぞれの層を構成する樹脂材料をステンシル印刷、ディスペンサー、スクリーン印刷法、ロールコート法等により、形成する方法が挙げられる。
上記熱伝導性樹脂層Ａ及び熱伝導性樹脂層Ｂ、又は熱伝導性樹脂層ａ及び熱伝導性樹脂層ｂは、熱電変換モジュールの第１面及び第２面に形成してもよいし、予め上記熱伝導性樹脂層Ａ及び熱伝導性樹脂層Ｂ上、又は熱伝導性樹脂層ａ及び熱伝導性樹脂層ｂ上に熱電変換モジュールを形成してもよい。
【００２７】
［熱電変換素子内部熱解析］
次に、本発明者らは、熱電変換モジュール内の熱電素子の内部温度分布を調べるために、図３に示す構成の熱電変換素子のモデルに対して、有限要素法プログラム（アンシス・ジャパン株式会社製、品名：ＡＮＳＹＳ−ＣＦＤ）を用い、シミュレーション計算（定常熱伝導解析）を行った。
図４は、本発明の断面構成における、付与される最大温度差ΔＴと熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂとに係るシミュレーション結果である。同様に、図５は、本発明の断面構成における、温度遷移域Δｘと熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂとに係るシミュレーション結果である。
【００２８】
図３は、熱電変換素子の内部温度分布のシミュレーション計算に係る熱電変換素子モデルの断面構成の説明図であり、（ａ）が本発明の熱電変換素子モデルの断面構成、（ｂ）が従来型の熱電変換素子モデルの断面構成である。なお、図３（ａ）及び（ｂ）の熱電変換素子モデルにおいては、熱電変換素子の側面に、断熱部１９、２９が配置され、電極は簡略化のため省略した。
図３（ａ）に示した熱電変換素子モデルは、Ｐ型熱電素子１１とＮ型熱電素子（図示せず）と電極（図示せず）とで構成される熱電変換モジュール１３の第１面１７に直接接するように熱伝導性樹脂層Ａ１４と該熱伝導性樹脂層Ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層Ｂ１５が交互に設けられ、さらに前記第１面１７とは反対側の第２面１８に、直接接するように熱伝導性樹脂層ａ１４’と該熱伝導性樹脂層ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層ｂ１５’とが交互に設けられている。
一方、図３（ｂ）に示した従来型の熱電変換素子モデルは、Ｐ型熱電素子２１で構成される熱電変換モジュール２３の両面に２種類の熱伝導率の異なる材料で構成された柔軟性を有するフィルム状基板２６、２７を設けたものである。該フィルム状基板２６、２７は、前記熱電変換モジュール２３との接合面側に熱伝導率の低い材料として、ポリイミド２５が設けられており、また、前記フィルム状基板２６、２７は、前記熱電変換モジュール２３の接合面と反対側に、熱伝導率の高い材料として、金属（銅）２４が基板２６、２７の外面の一部分に位置するように設けられている。
【００２９】
図３の（ａ）の本発明の熱電変換素子モデルの断面構成において、熱電変換素子の下面に熱を加えた際の、熱電変換モジュールの内部温度分布について、両端を断熱（断熱部１９）した条件とし、以下の条件下で、シミュレーション計算を行った。
上面温度：３００Ｋ
下面温度：３３０Ｋ
熱伝導性樹脂層Ａ１４、熱伝導性樹脂層ａ１４’の膜厚：１００μｍ
熱伝導性樹脂層Ａ１４、熱伝導性樹脂層ａ１４’の熱伝導率ｋｂ：ｋｂ＝０．５〜４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）
熱伝導性樹脂層Ａ１４、熱伝導性樹脂層ａ１４’の幅：１０００μｍ
熱伝導性樹脂層Ｂ１５、熱伝導性樹脂層ｂ１５’の膜厚：１００μｍ
熱伝導性樹脂層Ｂ１５、熱伝導性樹脂層ｂ１５’の熱伝導率：０．２（Ｗ／ｍ・Ｋ）
熱伝導性樹脂層Ｂ１５、熱伝導性樹脂層ｂ１５’の幅：１０００μｍ
Ｐ型熱電素子１１の膜厚：２μｍ
Ｐ型熱電素子１１の熱伝導率（クロメルを想定）：１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）
Ｐ型熱電素子１１の長手方向（ｘ軸）の長さ：２０００μｍ
具体的には、熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂを変数として、熱電変換素子の長手方向（ｘ軸）における温度差を計算し、最大温度差ΔＴを求めた。なお、熱電変換素子の長手方向（ｘ軸）の範囲は、図中、Ｐ型熱電素子１１の左端をｘ＝０とし、温度変化が顕著に表れる、ｘ＝５００〜１５００μｍである。前述したように、図４に、本発明の断面構成における、付与される最大温度差ΔＴと熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂとに係るシミュレーション結果を示す。
さらに、得られた最大温度差ΔＴの１０％を示す長手方向（ｘ軸）の位置から９０％を示す長手方向（ｘ軸）の位置までの領域長を温度遷移域Δｘとして、下記式（１）により算出した。
【００３０】
【数１】
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【００３１】
前述したように、図５に、本発明の断面構成における、温度遷移域Δｘと熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂとに係るシミュレーション結果を示す。
【００３２】
同様に、図３の（ｂ）の従来型の熱電変換素子モデルの構成において、熱電変換素子の下面に熱を加えた際の、熱電変換モジュールの内部温度分布について、両端を断熱（断熱部２９）した条件とし、以下の条件下でシミュレーションを行った。シミュレーションの結果、図３の（ｂ）の従来型の熱電変換素子モデルの構成においては、熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂが４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）の時に、最大温度差ΔＴが２０℃であった。
さらに、同様に、熱伝導性樹脂層Ａの熱伝導率ｋｂに対する温度遷移域Δｘを算出した。温度遷移域Δｘが１７７μｍというシミュレーション結果が得られた。
上面温度：３００Ｋ
下面温度：３３０Ｋ
熱伝導性樹脂層Ａ２４の膜厚：８０μｍ
熱伝導性樹脂層Ａ２４の熱伝導率ｋｂ：ｋｂ＝４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）
熱伝導性樹脂層Ｂ２５の膜厚：１００μｍ
（ただし、金属（銅）と熱電素子に挟まれた熱伝導性樹脂層Ｂ２５の膜厚：２０μｍ）
熱伝導性樹脂層Ｂ２５の熱伝導率（ポリイミド）：０．２（Ｗ／ｍ・Ｋ）
Ｐ型熱電素子２１の膜厚：２μｍ
Ｐ型熱電素子２１の長手方向（ｘ軸）の長さ：２０００μｍ
Ｐ型熱電素子２１の熱伝導率（クロメルを想定）：１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）
【００３３】
本発明の熱電変換素子モデルでは、図４からわかるように、熱伝導性樹脂層Ａ１４の熱伝導率ｋｂが増加するに伴い、最大温度差ΔＴも増加し、熱伝導性樹脂層Ａ１４の熱伝導率ｋｂが１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）、熱伝導性樹脂層Ｂ１５の伝導率を０．２（Ｗ／ｍ・Ｋ）とした時、上下面温度差３０Ｋで、内面温度差が２８Ｋというシミュレーション結果が得られた。一方、図３の（ｂ）の従来型の熱電変換素子モデル構成では、熱伝導性樹脂層Ａ１４の熱伝導率が４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）の時に、最大温度差ΔＴが２０Ｋというシミュレーション結果が得られた。このことから、本発明の熱電変換素子モデルの構成では、従来型の構成に比べ、熱伝導性樹脂層Ａ１４の熱伝導率ｋｂが１（Ｗ／ｍ・Ｋ）を超えると、最大温度差ΔＴが上回り、熱伝導性樹脂層Ａ１４の熱伝導率ｋｂが５（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上であれば、従来型の構成よりも最大温度差ΔＴが十分に大きく上回るというシミュレーション結果が得られた。
【００３４】
また、図５からわかるように、本発明の熱電変換素子モデルにおいては、熱伝導性樹脂層Ａ１４の熱伝導率ｋｂが増加するに伴い、温度遷移域Δｘが減少するというシミュレーション結果が得られた。また、温度遷移域Δｘに関しては、前述したように、従来型の熱電変換素子モデルでは、熱伝導率ｋｂが４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）の時に、温度遷移域Δｘが１７７μｍというシミュレーション結果が得られた。本発明の熱電変換素子モデルでは、熱伝導性樹脂層Ａ１４の熱伝導率ｋｂが、２（Ｗ／ｍ・Ｋ）を超えると、従来型より温度遷移域Δｘが短くなり、ｋｂが１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）では、従来型より、３５％も短くなるという結果が得られた。このことから、本発明の熱電変換素子モデルは、従来型のモデルよりも温度遷移域Δｘが短く、熱電変換素子の小型化に適した構成であることが推測される。
【００３５】
以上のように本発明の熱電変換素子は、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子と電極とで構成された熱電変換モジュールの一方の面に、熱伝導性樹脂層Ａと、熱伝導性樹脂層Ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層Ｂを直接接するように交互に設け、かつ熱電変換モジュールの他方の面に、熱伝導性樹脂層ａと、熱伝導性樹脂層ａよりも熱伝導率が低い熱伝導性樹脂層ｂを直接接するように交互に設け、さらに対向する熱伝導性樹脂層同士の位置関係、及び熱伝導性樹脂層と、Ｐ型熱電素子、Ｎ型熱電素子及び電極との位置関係等を本発明の範囲にすることで、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子の厚み方向に、温度差を効率良く付与できる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の熱電変換素子は、効率良く温度差が付与できるため、発電効率の高い発電が可能となり、従来型に比べ、熱電変換モジュールの設置数を減じることができ、ダウンサイジング及びコストダウンが可能となる。また、フレキシブル型の熱電変換モジュールとして、平坦でない面を有する廃熱源や放熱源へ設置する等、設置場所を制限されることもなく使用できる。
【符号の説明】
【００３７】
Ｅ：熱電変換素子
１：Ｐ型熱電素子
２：Ｎ型熱電素子
３：電極（銅）
４：熱伝導性樹脂層Ａ
４’：熱伝導性樹脂層ａ
５：熱伝導性樹脂層Ｂ
５’：熱伝導性樹脂層ｂ
６：熱電変換モジュール
７：６の第１面
８：６の第２面
１１：Ｐ型熱電素子
１３：熱電変換モジュール
１４：熱伝導性樹脂層Ａ
１４’：熱伝導性樹脂層ａ
１５：熱伝導性樹脂層Ｂ
１５’：熱伝導性樹脂層ｂ
１７：１３の第１面
１８：１３の第２面
１９：断熱部
２１：Ｐ型熱電素子
２３：熱電変換モジュール
２４：金属（銅）
２５：ポリイミド
２６：フィルム状基板
２７：フィルム状基板
２９：断熱部
４１：Ｐ型熱電素子
４２：Ｎ型熱電素子
４３：電極
４４：フィルム状基板
４５：フィルム状基板
４６：熱電変換モジュール
４７：絶縁体（ポリイミド）
４８：絶縁体（ポリイミド）
４９：金属
５０：金属
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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