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　特願２０００−　６７６０６「波長安定化レーザモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２１日出願公開、特開２００１−２５７４１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　　
　本願は、平成１２年３月１０日の出願であって、平成１６年２月１０日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、同年４月１９日付けで手続補正がなされところ、同年８月１６日付けで拒絶査定がなされた。そして、これに対し、平成１６年９月２４日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。　
　
２．本願発明　
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年４月１９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。　
　「【請求項１】　
　半導体レーザと、前記半導体レーザの温度を調節する温度調節手段と、前記半導体レーザの出射光を平行光束に変換する手段と、前記平行光束の一部を受光して電気信号に変換する第１光電変換手段と、前記平行光束のうち、前記一部を除く他の一部を入射しその波長に依存して透過率を連続的に変化させるフィルタと、前記フィルタを透過した光を受光して電気信号に変換する第２光電変換手段とを有し、前記第１光電変換手段および第２光電変換手段からの電気信号を演算して得られた波長安定化のための制御信号を前記半導体レーザおよび／または前記温度調節手段にフィードバックして前記半導体レーザが安定化の目標とする基準波長のレーザ光を安定して出力できるようにしたことを特徴とする波長安定化レーザモジュール。」　
　
３．引用例　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１２９６８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。　
　
ａ．「【０００１】　
【発明の属する技術分野】本発明は光通信，光情報処理，光計測等に使用される波長可変型の半導体レーザ光源装置に関するものである。」　
　
ｂ．「【０００６】本発明はこのような従来の問題点に着目してなされたものであって、ディザや光カップラを用いることなく極めて簡単な構成で小型化でき、正確に任意の波長のレーザ光を発光することができる半導体レーザ光源装置を提供することを目的とする。」　
　
ｃ．「【００１３】　
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態による波長可変型レーザ装置の全体の光学系部分を示す図である。本図に示すようにこの実施の形態では、多電極型の半導体レーザを用いるものとする。多電極型の波長可変型半導体レーザ１は、例えば特開平８−５６０３０号に示されているように、温度及び複数の電極に供給する電流を制御することによって、発光波長を例えば６０ｎｍ以下の範囲内で変化させることができる。半導体レーザ１はチップの両側にレーザ光を出射する。従って図中下方に出射するレーザ光をモニタ用として用いる。ここではレーザ光をレンズ２を介して干渉光フィルタ３に入射させる。干渉光フィルタ３はレーザ光源の発光可能波長のほぼ中心が透過波長となるバンドパス型の光フィルタであり、透過した光を受光する位置に第１の受光素子であるフォトダイオードＰＤ１を配置する。又干渉光フィルタ３によって反射された光を受光できる位置に第２の受光素子であるフォトダイオードＰＤ２を配置する。干渉光フィルタ３とフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２とは波長をモニタし、波長を固定するための波長ロッカ４として用いられている。　
【００１４】一方半導体レーザ１の他方の出射面にはレンズ５を介してアイソレータ６を配置する。アイソレータ６は光の透過方向を規定するものであり、その出射光はレンズ７及びコリメータ８を介して光ファイバ９に接続される。光ファイバ９は発光したレーザ光を所望の位置に導くものである。ここで半導体レーザとレンズ２及び５とは、ペルチェ素子等の温度制御素子を用いて温度制御可能な温度調整モジュール１０内に配置されている。又波長ロッカ４と温度調整モジュール１０及びアイソレータ６，レンズ７とは、全体が気密の光学モジュール１１内に封入されて構成される。この光学モジュール１１の外部にはフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２からの出力に基づいて温度制御をするための電子回路部が設けられている。　
【００１５】次に干渉光フィルタ３について説明する。干渉光フィルタ３は半導体レーザ１が発光可能な波長の範囲内で入射された光の波長に応じて出力される透過率及び反射率が変化する光フィルタである。このような干渉光フィルタは透過波長をλとすると、λ／４の光学厚さを有する低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に多重に積層して構成することができる。　
【００１６】次にこの半導体レーザ光源装置の波長制御部について説明する。波長制御部は出力比算出手段１２及び波長制御手段１３Ａを有している。出力比算出手段１２は第１，第２の受光素子であるフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２の出力比を算出するものであり、その出力は波長制御手段１３Ａに与えられる。波長制御手段１３Ａは出力比算出手段１２による出力比が所定値となるようにレーザ光源の発光波長を制御するものである。半導体レーザ１の発光波長は複数の電極に供給する駆動電流を変化させたり、周囲温度を変化させることによって調整するものとする。　
【００１７】次に出力比算出手段１２及び波長制御手段１３Ａについて図２を用いて詳細に説明する。第１，第２のフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２からの出力は出力比算出手段１２内のＩ／Ｖ変換器２１，２２に与えられ、電圧信号に変換される。Ｉ／Ｖ変換器２１，２２の出力は加算器２３及び減算器２４に与えられ、夫々の出力は加算及び減算されて割算器２５に与えられる。割算器２５は波長ロッカ４に入射された光を正規化し、これらの出力比に基づいて入力光の波長を検出するものである。ここでＩ／Ｖ変換器２１，２２、加算器２３、減算器２４、割算器２５は、第１，第２の受光素子の出力比によってレーザ光の波長を検出する出力比算出手段１２を構成しており、その出力は誤差検出器２６に与えられる。誤差検出器２６の他方の入力端には基準電圧が与えられている。この基準電圧は＋ＶCC〜−ＶDDの間で基準値設定手段２７、例えば可変抵抗器ＶＲ１によって調整できるように構成する。誤差増幅器２６はこの基準電圧と入力電圧との差を誤差信号として検出し、誤差信号をＰＩＤ制御部２８に与える。ＰＩＤ制御部２８は誤差信号が０となるようにＰＩＤ制御するものであり、その出力は半導体レーザ駆動部２９を介して半導体レーザ１に帰還するように構成されている。半導体レーザ駆動部１９は半導体レーザ１の複数の電極の駆動電流、及び温度制御モジュール１０内の半導体レーザ１の温度を制御することにより、半導体レーザ１の発光波長を、例えば６０ｎｍ以下の範囲内で変化するように制御するものである。ここで誤差検出器２６と誤差検出器２６に基準電圧を与える可変抵抗器ＶＲ１，ＰＩＤ制御部２８，半導体レーザ駆動部２９は、出力比算出手段１２による出力比が所定値となるようにレーザ光源の発光波長を制御する波長制御手段１３Ａを構成している。　
【００１８】図３（ａ）はこのレーザ光源装置の全体構成を示す図である。この実施の形態では光学モジュール１１と前述した出力比算出手段１２，波長制御手段１３Ａの各電子部品１４とを１枚のプリント基板１５上に実装して構成する。このように全ての部品をプリント基板上に実装することにより、レーザ光源装置を極めて小型軽量化することができる。　
【００１９】図３（ｂ）はこの実施の形態によるレーザ光源装置をケース１６に収納した状態を示す斜視図である。この実施の形態では、可変抵抗器ＶＲ１による基準電圧の設定つまみ１７が設けられ、ケース１６の外部より発光波長を調整できるように構成されている。　
【００２０】次にこの実施の形態によるレーザ光源装置の動作について説明する。図４（ａ），（ｂ）は干渉光フィルタ３の透過率，反射率の特性を示すグラフである。半導体レーザ１の発光可能な波長範囲をλ１〜λ２とすると、この間で反射率と透過率とが連続して変化するように干渉光フィルタ３の中心波長λ３を選択する。例えば発光可能な波長の一端の波長、例えばλ１と等しくなるように選択する。干渉光フィルタ３はこの波長λ３の光を透過させ、図４（ｂ）に示すようにその他の光を反射させる特性を有している。このとき半導体レーザ１の発光波長λ（λ１≦λ≦λ２）に対して、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に得られる光出力は夫々図４（ｃ），（ｄ）に示すものとなる。即ちフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２で得られる出力は、夫々図４（ａ）の透過率及び図４（ｂ）の反射率の特性に対応している。　
【００２１】従ってフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２のＩ／Ｖ変換出力をＡ，Ｂとすると、これらを加算及び減算し、割算器２５により割算し、（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）を算出する。割算することにより正規化したレベルは図５に示すものとなる。このようにレーザ光源の発光波長に応じて波長モニタ信号が連続的に変化する。波長モニタ信号のレベルと誤差検出器２６の基準電圧との差分値を誤差信号とし、誤差信号が零となるように制御することによって、誤差検出器２６に設定された基準電圧と一致するように半導体レーザ１の波長を制御することができる。例えば基準電圧を０Ｖとすれば、ＰＤ１，ＰＤ２の出力レベルが等しい波長λ４を発光したとき、誤差信号は０となり、半導体レーザ１の発光波長をλ４に制御することができる。又基準電圧を図５のレベルＶ１に設定すれば、短波長側のλ５に波長がロックされることとなる。このように誤差検出器２６の基準電圧を変化させることによって図４，図５に示す波長λ１〜λ２の範囲内で発光波長を調整することができる。　
【００２２】この実施の形態によれば半導体レーザ１を温度調整モジュール１０内に封入すると共に、波長ロッカ４とを含めて光学モジュール１１内に封入し、更に全体をプリント基板上１５に実装しているため、半導体レーザの光を直接干渉フィルタ３に導くことができる。そのため光ファイバや光カップラ等を用いて干渉フィルタに導いた場合に比べて偏光方向の変化を考慮する必要がなく、波長精度を向上させることができる。又小型軽量で可動部がなく、信頼性の高いレーザ光源装置を実現することができる。　
【００２３】尚この実施の形態では明示していないが、加算器２３からの出力によって発光波長の如何にかかわらず半導体レーザ１からの出力レベルを検出できる。従って加算器２３の出力が一定となるように半導体レーザの出力レベルを調整することによって、半導体レーザ１の出力レベルを一定に保持することができる。このような出力レベルのモニタ及び出力レベル制御は半導体レーザで広く行われており、本実施の形態ではフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２を出力モニタ用素子としても用いることができる。」　
　
　そして、上記記載事項ｃ．の「【００１４】・・・この光学モジュール１１の外部にはフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２からの出力に基づいて温度制御をするための電子回路部が設けられている。」という記載、同「【００１７】・・・Ｉ／Ｖ変換器２１，２２、加算器２３、減算器２４、割算器２５は、第１，第２の受光素子の出力比によってレーザ光の波長を検出する出力比算出手段１２を構成しており、その出力は誤差検出器２６に与えられる。・・・・、その出力は半導体レーザ駆動部２９を介して半導体レーザ１に帰還するように構成されている。半導体レーザ駆動部１９は半導体レーザ１の複数の電極の駆動電流、及び温度制御モジュール１０内の半導体レーザ１の温度を制御することにより、半導体レーザ１の発光波長を、例えば６０ｎｍ以下の範囲内で変化するように制御するものである。・・・」という記載、及び図１，図２の記載からみて、引用例１には、「第１，第２の受光素子の出力に基づいた、波長可変型半導体レーザ１の発光波長を一定の波長に制御するための信号を帰還させて、波長可変型半導体レーザ１及び温度調整モジュール１０を制御する」ことが記載されているものと認められる。　
　
　以上の記載事項からみて、引用例１には、以下の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。　
「波長可変型半導体レーザ１と、　
　前記波長可変型半導体レーザ１の温度を制御する温度調整モジュール１０と、　
　前記波長可変型半導体レーザ１の光が空間を介して入射され、所定波長の光を透過させ、他を反射させる干渉光フィルタ３と、　
　前記干渉光フィルタ３を透過する光及び前記干渉光フィルタ３に反射される光を夫々受光する第１，第２の受光素子とを有し、　
　前記第１，第２の受光素子の出力に基づいた、波長可変型半導体レーザ１の発光波長を一定の波長に制御するための信号を帰還させて、前記波長可変型半導体レーザ１及び前記温度調整モジュール１０を制御する波長可変型レーザ光源装置。」　
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５８−５６５３９号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。　
　
ｄ．「 本発明は、半導体レーザを用いたFM変調器に関す。更に説明を加えるならば、該変調回路の負帰還回路にファブリーペローエタロンを挿入して、光搬送波周波数を安定した半導体レーザFM変調器である。」（第１頁左下欄第１９行〜右下欄第３行）　
　
ｅ.「このために負帰還回路の光信号をファブリーペローエタロン（平行に仕上げられた屈折率一様なガラス等の板）を通すことによってその周波数変化を強度変化に変換する。　
  第３図（ａ）はファブリーペローエタロン１１の構成を示すもので、平面平行板に仕上げられたガラス板等で作られ、屈折率ｎ、厚さｄ、のとき、波長λ（ラムダ）の光信号が通過する。ファブリーペローエタロン１１の中の位相遅れδは、δ＝4π／λ・ndとなる。この場合光信号ｆｃの透過は、第３図（ｂ）の如くなる。　
  （ｂ）図はλ（横軸）に対する透過光（縦軸）の強度を示すもので、通過する光の強度はλに対して変化する。λ０に動作点を持つようにファブリーペローエタロン１１の厚さを選べば、波長λ（周波数）の変化に比例して光の強度が変化する。」（第２頁右上欄第４〜１９行）　
　
ｆ．「第４図は本発明の実施例を示す。図において、レーザ４に端子５より第２図に示した如き直流バイアスDCをかけ、この状態で信号Ｓ１と負帰還ループの第２差動増幅器６の出力と共に合成回路７に入力し、その出力をレーザ４に入力する。これにより、信号Ｓ１の変化に対応したFM変調が行われる。　
  ここで、レーザ４の発振出力（光信号ｆｃ）を安定させるために、次の如き負帰還回路を構成する。即ちレーザ４の出力の一部をレンズ８で集光し、第１光路９にファブリーペローエタロン１１を挿入する。これによりFM信号はファブリーペローエタロン１１によって周波数変動に従って光の強度が変化する。この透過光はレンズ１２を介して第１光検波器１３で検波され、その検波信号は第１差動増幅器１４の反転入力端子に入力する。一方第２光路１０の光信号はレンズ１５を介して第２検波器１６にて検波され、その検波信号は第１差動増幅器１４の非反転入力端子に入力される。第１光路９の光信号と第２光路１０の光信号の差に比例した出力が第２差動増幅器６の非反転入力端子に入力され、該増幅器６の他の反転入力端子には入力信号S１′が入力されている。　
  ・・・（中略）・・・。　
  一方、第３図（ｂ）から明らかな如く、温度、電源変動等でレーザ４の発振周波数がΔｆ増加するとファブリーペローエタロン１１により、光の強度が大きくなり、第１光検知器１３からの出力が大きくなる。従って第１差動増幅器１４の出力が低くなる。　
  これにより信号S１′とS２に差が生じ第２差動増幅器６からある周波数の出力が得られる。この出力により加算回路７の出力は周波数が下り、レーザの発振周波数が低くなる。　
  以上の如く負帰還によって安定化されたレーザ４の変調信号出力は他端にて光ケーブル１７に結合され、受信側Ｒに伝送される。」（第２頁右上欄第２０行〜第３頁左上欄第９行）　
　
ｇ．上記記載事項ｆ．の「即ちレーザ４の出力の一部をレンズ８で集光し」との記載を参照すると、第４図の記載からは、光ケーブル１７とは反対側に出力されたレーザ４の出力をレンズ８により、ほぼ平行に集光していることが見て取れる。　
　
４．対比　
　引用例１発明と本願発明とを比較すると、引用例１発明の「波長可変型半導体レーザ１」は本願発明の「半導体レーザ」に相当し、同様に「温度調整モジュール１０」は「温度調節手段」に、「受光素子」は「光電変換手段」に、「波長可変型レーザ光源装置」は「波長安定化レーザモジュール」に、それぞれ相当する。　
　
　そして、引用例１発明においては、「発光波長を一定の波長に制御するための信号」は、第１，第２の受光素子の出力から得られるものであるから、本願発明の「第１光電変換手段および第２光電変換手段からの電気信号を演算して得られた波長安定化のための制御信号」に相当することは明らかであり、引用例１発明においては、上記信号が帰還されて、波長可変型半導体レーザ１及び温度調整モジュール１０が制御されるものであるから、結局、引用例１発明の「前記第１，第２の受光素子の出力に基づいた、波長可変型半導体レーザ１の発光波長を一定の波長に制御するための信号を帰還させて、前記波長可変型半導体レーザ１及び前記温度調整モジュール１０を制御する」は、「前記第１光電変換手段および第２光電変換手段からの電気信号を演算して得られた波長安定化のための制御信号を前記半導体レーザおよび／または前記温度調節手段にフィードバックして前記半導体レーザが安定化の目標とする基準波長のレーザ光を安定して出力できるようにした」に相当する。　
　
　したがって、引用例１発明と本願発明とは、　
　「半導体レーザと、前記半導体レーザの温度を調節する温度調節手段と、前記第１光電変換手段および第２光電変換手段からの電気信号を演算して得られた波長安定化のための制御信号を前記半導体レーザおよび／または前記温度調節手段にフィードバックして前記半導体レーザが安定化の目標とする基準波長のレーザ光を安定して出力できるようにしたことを特徴とする波長安定化レーザモジュール。」である点で一致し、次の点で相違する。　
［相違点］　
　本願発明においては、「前記半導体レーザの出射光を平行光束に変換する手段と、前記平行光束の一部を受光して電気信号に変換する第１光電変換手段と、前記平行光束のうち、前記一部を除く他の一部を入射しその波長に依存して透過率を連続的に変化させるフィルタと、前記フィルタを透過した光を受光して電気信号に変換する第２光電変換手段と」を有しているのに対し、引用例１発明は「前記波長可変型半導体レーザ１の光が空間を介して入射され、所定波長の光を透過させ、他を反射させる干渉光フィルタ３と、前記干渉光フィルタ３を透過する光及び前記干渉光フィルタ３に反射される光を夫々受光する第１，第２の受光素子と」を有しているものであって、平行光束を光電変換手段に入射させるものではない点。　
　
５．判断　
　上記相違点について検討する。　
　上記引用例２の記載事項ｄ．〜ｇ．によれば、引用例２には、「レーザ４の発振周波数を安定させることを目的として、レーザ４の出力を平行にするレンズ８と、波長の変化に比例して光の強度が変化するファブリーペローエタロン１１が挿入される第１の光路９の光信号を検波する第１光検波器と、第２光路１０の光信号を検波する第２検波器１６と、第１検波器及び第２の検波器空の出力に基づいた出力を負帰還させて、レーザ４の発振周波数を安定させる」発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　引用例２発明と本願発明を比較すると、引用例２発明の「レーザ４の出力を平行にするレンズ８」は本願発明の「半導体レーザの出射光を平行光束に変換する手段」に相当し、同様に「第２光路１０の光信号を検波する第２検波器１６」は「平行光束の一部を受光して電気信号に変換する第１光電変換手段」に、「波長の変化に比例して光の強度が変化するファブリーペローエタロン１１」は「波長に依存して透過率を連続的に変化させるフィルタ」に、「第１の光路９の光信号を検波する第１光検波器」は「フィルタを透過した光を受光して電気信号に変換する第２光電変換手段」に、それぞれ相当する。　
　また、引用例２発明のレンズ８を通過した光の一部が第１光路を通過し、前記一部を除く他の一部が第２光路を通過することは明らかである。　
　さらに、引用例２発明は「第１検波器及び第２の検波器空の出力に基づいた出力を負帰還させて、レーザ４の発振周波数を安定させる」ものであるから、本願発明と同様に、「前記第１光電変換手段および第２光電変換手段からの電気信号を演算して得られた波長安定化のための制御信号を前記半導体レーザおよび／または前記温度調節手段にフィードバックして前記半導体レーザが安定化の目標とする基準波長のレーザ光を安定して出力できるようにした」ものである。　
　したがって、引用例２は、「前記半導体レーザの出射光を平行光束に変換する手段と、前記平行光束の一部を受光して電気信号に変換する第１光電変換手段と、前記平行光束のうち、前記一部を除く他の一部を入射しその波長に依存して透過率を連続的に変化させるフィルタと、前記フィルタを透過した光を受光して電気信号に変換する第２光電変換手段と」を備え、「前記第１光電変換手段および第２光電変換手段からの電気信号を演算して得られた波長安定化のための制御信号を前記半導体レーザおよび／または前記温度調節手段にフィードバックして前記半導体レーザが安定化の目標とする基準波長のレーザ光を安定して出力できるようにした」ものである点で、本願発明と一致する。　
　そして、引用例１発明及び引用例２発明は、本願発明と同様に、レーザの発信周波数を安定させることを目的とし、レーザからの光からフィルタを使用して波長の変動に対応した制御信号を取得し、その信号をフィードバックすることによりレーザの発信周波数を安定させる技術である点で共通するものであるから、引用例１発明に引用例２発明を適用することは特段困難なことではない。　
　したがって、引用例１発明の「前記波長可変型半導体レーザ１の光が空間を介して入射され、所定波長の光を透過させ、他を反射させる干渉光フィルタ３と、前記干渉光フィルタ３を透過する光及び前記干渉光フィルタ３に反射される光を夫々受光する第１，第２の受光素子と」に代えて、上記引用例２発明を採用して本願発明のような発明特定事項とすることは、当業者であれば容易になし得ることである。　
　また、本願発明の作用効果も、引用例１、２から当業者が予測できる範囲のものである。　
　
　ところで、審判請求人は、審判請求の理由において、引用例２に関し、「引例６（この審決における引用例２のこと、以下同じ。）の特許請求の範囲に「半導体レーザの光出力の一部を２分割して」とあるように、さらに、第４図の光路９、光路１０の記載からも２ビーム構成で有ることは明かです。引例６の構成では２ビームに分けるための特殊レンズを使用する必要があり、コスト高の要因になります。」との主張をしているが、そもそも本願の請求項１には、単に平行光束の一部と前記一部を除く他の一部を光電変換手段に受光又はフィルタに入射させることが記載されているだけであって、「半導体レーザの光出力の一部を２分割して」との構成を排除するものではないので、上記のような審判請求人の主張は、特許請求の範囲の記載に基づくものではなく、採用することができない。　
　
５．むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。