【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給するサイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられた回転テーブルと、
この回転テーブルに基板を載置するために設けられた基板載置領域と、
前記真空容器の周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向と、前記回転中心から前記周壁に向かう方向と、のうちの一方の方向に沿って延びると共に、第１の反応ガスを前記基板に供給するための吐出孔を含み、前記基板載置領域の通過領域に対向して設けられた第１の反応ガスノズルを含む第１の反応ガス供給手段と、
前記真空容器の周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向と、前記回転中心から前記周壁に向かう方向と、のうちの一方の方向に沿って延びると共に、前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第１の反応ガスノズルから離れ、第２の反応ガスを前記基板に供給する吐出孔を含み、前記基板載置領域の通過領域に対向して設けられた第２の反応ガスノズルを含む第２の反応ガス供給手段と、
前記第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と前記第２の反応ガスが供給される第２の処理領域との雰囲気を分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、第１の分離ガスを供給する分離ガス供給部を含む分離領域と、
前記第１の処理領域と前記第２の処理領域との雰囲気を分離するために真空容器の中心部に位置し、前記基板に沿って第２の分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域と、
前記真空容器内の雰囲気を排気するために前記真空容器に設けられた排気口と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記分離ガス供給部は、前記周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向に延び、
前記排気口は、前記第１の反応ガス及び前記第２の反応ガスが前記分離領域へ進入するのを阻止するために、前記第１の処理領域の前記周壁側に設けられた一方の排気口と、前記第２の処理領域の前記周壁側に設けられた他方の排気口と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記中心部領域の前記吐出孔から吐出される前記第２の分離ガスが、前記分離ガス供給部から供給される前記第１の分離ガスと共に、前記第１の処理領域を通して前記一方の排気口から排気され、前記第２の処理領域を通して前記他方の排気口から排気されることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第１の反応ガス供給手段及び前記第２の反応ガス供給手段の各々から前記回転テーブルの回転方向に沿って離間して設けられ、前記回転テーブルに対して第３の反応ガスを供給する第３の反応ガス供給手段を更に備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記第１、前記第２、及び前記第３の反応ガス供給手段の各々から前記回転テーブルの回転方向に沿って離間して設けられ、前記回転テーブルに対して第４の反応ガスを供給する第４の反応ガス供給手段を更に備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記第１の反応ガス供給手段及び前記第２の反応ガス供給手段から夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを基板の表面に供給して第１の薄膜を成膜するステップと、前記第３の反応ガス供給手段及び前記第４の反応ガス供給手段から夫々前記第３の反応ガス及び第４の反応ガスを前記基板の表面に供給して第２の薄膜を成膜するステップと、を交互に実行するように制御信号を出力する制御部を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記第１の反応ガス供給手段及び前記第２の反応ガス供給手段は、夫々前記第３の反応ガス供給手段及び前記第４の反応ガス供給手段を兼用していることを特徴とする請求項５または６に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記中心部領域は、回転テーブルの回転中心部と前記真空容器の内側上面とにより区画され、かつ、前記中心部領域が第２の分離ガスでパージされることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項９】
内部に基板搬送手段が配置された真空搬送室と、この真空搬送室に気密に接続された請求項１ないし８のいずれか一項に記載の成膜装置と、前記真空搬送室に気密に接続され、真空排気され得る予備真空室と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜方法において、
前記真空容器内の回転テーブルに基板を載置し、当該回転テーブルを回転する工程と、
前記真空容器の周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向と、前記回転中心から前記周壁に向かう方向と、のうちの一方の方向に沿って延びると共に、第１の反応ガスを前記基板に供給するための吐出孔を含み、前記基板載置領域の通過領域に対向して設けられた第１の反応ガスノズルを含む第１の反応ガス供給手段から前記回転テーブルへ第１の反応ガスを供給する工程と、
前記真空容器の周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向と、前記回転中心から前記周壁に向かう方向と、のうちの一方の方向に沿って延びると共に、前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第１の反応ガスノズルから離れ、第２の反応ガスを前記基板に供給する吐出孔を含み、前記基板載置領域の通過領域に対向して設けられた第２の反応ガスノズルを含む第２の反応ガス供給手段から前記回転テーブルへ第２の反応ガスを供給する工程と、
前記回転方向において、前記第１の反応ガスノズルから前記第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、前記第２の反応ガスノズルから前記第２の反応ガスが供給される第２の処理領域との間に位置し、前記第１の処理領域と前記第２の処理領域とを分離する分離領域に設けられる分離ガス供給部から前記処理領域側に前記第１の分離ガスを流す工程と、
前記真空容器の中心部に位置する中心部領域に形成された吐出孔から基板に沿って第２の分離ガスを供給する工程と、
前記真空容器内の雰囲気を排気する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
前記第１の反応ガス供給手段及び前記第２の反応ガス供給手段の各々から前記回転テーブルの回転方向に沿って離間して設けられる第３の反応ガス供給手段から前記回転テーブルに対して第３の反応ガスを供給するステップを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記第１、前記第２、及び前記第３の反応ガス供給手段の各々から前記回転テーブルの回転方向に沿って離間して設けられる第４の反応ガス供給手段から前記回転テーブルに対して第４の反応ガスを供給するステップを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記第１の反応ガス供給手段及び前記第２の反応ガス供給手段から夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを基板の表面に供給して第１の薄膜を成膜するステップと、
前記第３の反応ガス供給手段及び前記第４の反応ガス供給手段から、夫々前記第３の反応ガス及び第４の反応ガスを前記基板の表面に供給して第２の薄膜を成膜するステップと、を交互に実行する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の成膜方法。
【請求項１４】
前記第１の反応ガス供給手段及び前記第２の反応ガス供給手段は、夫々前記第３の反応ガス供給手段及び前記第４の反応ガス供給手段を兼用していることを特徴とする請求項１２または１３に記載の成膜方法。
【請求項１５】
真空容器内にて、互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給するサイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置に用いられるプログラムを格納する記憶媒体であって、前記プログラムは、請求項１０ないし１４のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するようにステップ群を備えることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給するサイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられた回転テーブルと、
この回転テーブルに基板を載置するために設けられた基板載置領域と、
前記真空容器の周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向と、前記回転中心から前記周壁に向かう方向と、のうちの一方の方向に沿って延びると共に、第１の反応ガスを前記基板に供給するための吐出孔を含み、前記基板載置領域の通過領域に対向して設けられた第１の反応ガスノズルを含む第１の反応ガス供給手段と、
前記真空容器の周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向と、前記回転中心から前記周壁に向かう方向と、のうちの一方の方向に沿って延びると共に、前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第１の反応ガスノズルから離れ、第２の反応ガスを前記基板に供給する吐出孔を含み、前記基板載置領域の通過領域に対向して設けられた第２の反応ガスノズルを含む第２の反応ガス供給手段と、
前記第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と前記第２の反応ガスが供給される第２の処理領域との雰囲気を分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、第１の分離ガスを供給する分離ガス供給部を含む分離領域と、
前記第１の処理領域と前記第２の処理領域との雰囲気を分離するために真空容器の中心部に位置し、前記基板に沿って第２の分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域と、
前記真空容器内の雰囲気を排気するために前記真空容器に設けられた排気口と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
更に本発明の成膜方法は、互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜方法において、
前記真空容器内の回転テーブルに基板を載置し、当該回転テーブルを回転する工程と、
前記真空容器の周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向と、前記回転中心から前記周壁に向かう方向と、のうちの一方の方向に沿って延びると共に、第１の反応ガスを前記基板に供給するための吐出孔を含み、前記基板載置領域の通過領域に対向して設けられた第１の反応ガスノズルを含む第１の反応ガス供給手段から前記回転テーブルへ第１の反応ガスを供給する工程と、
前記真空容器の周壁から前記回転テーブルの回転中心に向かう方向と、前記回転中心から前記周壁に向かう方向と、のうちの一方の方向に沿って延びると共に、前記回転テーブルの回転方向に沿って前記第１の反応ガスノズルから離れ、第２の反応ガスを前記基板に供給する吐出孔を含み、前記基板載置領域の通過領域に対向して設けられた第２の反応ガスノズルを含む第２の反応ガス供給手段から前記回転テーブルへ第２の反応ガスを供給する工程と、
前記回転方向において、前記第１の反応ガスノズルから前記第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、前記第２の反応ガスノズルから前記第２の反応ガスが供給される第２の処理領域との間に位置し、前記第１の処理領域と前記第２の処理領域とを分離する分離領域に設けられる分離ガス供給部から前記処理領域側に前記第１の分離ガスを流す工程と、
前記真空容器の中心部に位置する中心部領域に形成された吐出孔から基板に沿って第２の分離ガスを供給する工程と、
前記真空容器内の雰囲気を排気する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明によれば、基板の表面に、互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給しかつこの供給サイクルを多数回実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたって、回転テーブルに基板を配置し、第１の反応ガス及び第２の反応ガスを順番に供給して前記供給サイクルを行うようにしているため、高いスループットで成膜処理を行うことができる。そして前記回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設ける共に、真空容器の中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域の両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが排気されるため、互いに異なる反応ガス同士が混じり合うことを防止でき、良好な成膜処理を行うことができる。