(57)【要約】  本体部と、前記本体部に配置された電極とを備え、前記電極は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部とニッケルを主成分とする第２分散部とを有する第１金属層と、前記第１金属層の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層と、前記第２金属層の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層とを備え、前記電極の断面視において、前記第２分散部の面積に比べて前記第１分散部の面積が大きいことを特徴とする電子部品を提供する。
2016032005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と、前記本体部に配置された電極とを備え、
前記電極は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部とニッケルを主成分とする第２分散部とを有する第１金属層と、
前記第１金属層の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層と、
前記第２金属層の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層とを備え、
前記電極の断面視において、前記第２分散部の面積に比べて前記第１分散部の面積が大きいことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１分散部の少なくとも一部は、前記本体部に当接していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２分散部の少なくとも一部は、前記本体部に当接しており、
前記第２分散部と前記本体部との当接領域の面積に比べて、前記第１分散部と前記本体部との当接領域の面積が大きいことを特徴とする請求項２に記載の電子部品
【請求項４】
前記電極の断面視において、前記第２金属層の面積は、前記第１分散部の面積と前記第２分散部の面積との合計の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
基体部と、前記基体部に配置された電極とを備え、
前記電極は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部とニッケルを主成分とする第２分散部とを有する第１金属層と、
前記第１金属層の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層と、
前記第２金属層の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層とを備え、
前記電極の断面視において、前記第２分散部の面積に比べて前記第１分散部の面積が大きいことを特徴とするインダクタコア部材。
【請求項６】
前記基体部は、巻線部と脚部とを有し、
前記電極は、前記脚部の底面に配置されていることを特徴とする請求項５に記載のインダクタコア部材。
【請求項７】
請求項６に記載のインダクタコア部材と、
前記インダクタコア部材の前記巻線部に巻き回された巻線とを有して構成されたインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
電子部品、インダクタコア部材およびインダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆるスマートフォン等と呼ばれる携帯用電子機器にはコンデンサやチップ抵抗器、インダクタなど多数のチップ状電子部品が搭載されている。このような電子機器の小型化、高機能化が進むにつれ、チップ状電子部品の小型化もより進んでいる。このような電子部品の多くは、電子部品の本体部に配置された電極をプリント配線基板等の被実装体の導体へ、半田リフロー等により接着実装して用いられる。【０００３】
従来のインダクタコア部材の電極は、銀（Ａｇ）を主成分とする第１金属層と、第１金属層の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層と、第２金属層の上に配置された錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層とを備えた構成のものがよく使用される。このような電極付きのインダクタの一例が例えば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２８０２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のインダクタでは、第２金属層としてバレルメッキ工程によってニッケル（Ｎｉ）メッキ層を形成している。このようなバレルメッキ工程を経て形成した電極は、電極の機械強度が比較的低く、また基体部からの電極の剥がれが比較的発生し易いといった課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態の電子部品は、本体部と、前記本体部に配置された電極とを備え、前記電極は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部とニッケルを主成分とする第２分散部とを有する第１金属層と、前記第１金属層の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層と、前記第２金属層の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層とを備え、前記電極の断面視において、前記第２分散部の面積に比べて前記第１分散部の面積が大きい。【０００７】
また、本実施形態のインダクタコア部材は、基体部と、前記基体部に配置された電極とを備え、前記電極は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部とニッケルを主成分とする第２分散部とを有する第１金属層と、前記第１金属層の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層と、前記第２金属層の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層とを備え、前記電極の断面視において、前記第２分散部の面積に比べて前記第１分散部の面積が大きい。【０００８】
本実施形態のインダクタは、前記基体部が巻線部と脚部とを有し、前記電極が前記脚部の底面に配置された前記インダクタコア部材と、前記インダクタコア部材の前記巻線部に巻き回された巻線とを有して構成されている。
【発明の効果】
【０００９】
本実施形態の電子部品、インダクタコア部材およびインダクタは、電極の機械強度が比較的高く、また基体部からの電極の剥がれが発生し難い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、一実施形態のインダクタコア部材を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すインダクタコア部材の断面図である。
【図２】図１に示すインダクタコア部材を備えて構成された、インダクタの一実施形態の側面図である。
【図３】図１（ｂ）におけるＡ部を拡大して示す断面図である。
【図４】従来のインダクタの電極近傍を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して実施形態について説明する。図１（ａ）は本実施形態のインダクタコア部材を示す斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の断面図である。図２は本実施形態の電子部品を示す側面図であり、電子部品の実施態様の１つである、図１に示すインダクタコア部材を備えるインダクタを示す側面図である。図３は図１（ｂ）におけるＡ部を拡大して示す断面図であり、インダクタコア部材の電極近傍の断面を示している。
【００１２】
本実施形態の電子部品は、本体部３０と、本体部３０に配置された電極２０とを備え、電極２０は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部３２とニッケルを主成分とする第２分散部３４とを有する第１金属層２２と、第１金属層２２の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層２４と、第２金属層２４の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層２６とを備え、電極２０の断面視において、第２分散部３４の面積に比べて第１分散部３２の面積が大きい。電子部品の一態様であるインダクタ１０の本体部３０は、インダクタコア部材１の基体部４と巻線５とを備えており、この本体部３０に電極２０が設けられて電子部品としてのインダクタ１０を構成している。
【００１３】
また、本実施形態のインダクタコア部材１は、基体部４と、基体部４に配置された電極２０とを備え、電極２０は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部３２とニッケルを主成分とする第２分散部３４とを有する第１金属層２２と、第１金属層２２の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層２４と、第２金属層２４の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層２６とを備え、電極２０の断面視において、第２分散部３４の面積に比べて第１分散部３２の面積が大きい。
【００１４】
インダクタコア部材１自体が備えている基体部４は、巻線部３と脚部２とを有し、電極２０は、脚部２の底面２Ａに配置されている。本実施形態のインダクタコア部材１は、例えば長尺方向の全長が０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度であり、この長尺方向に直交する短尺方向の長さが０．４ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。また、底面２Ａの面積は約０．０４８ｍｍ２〜０．１０５ｍｍ２であり、従来と比較してかなり小型である。また、このときの電極２０の第１金属層２２の厚さは例えば１０μｍ〜３０μｍであり、第２金属層２４の厚さは例えば１μｍ〜１０μｍ、第３金属層２６の厚さは例えば２μｍ〜１０μｍとなっている。
【００１５】
また、本実施形態のインダクタ１０は、このようなインダクタコア部材１と、インダクタコア部材１の巻線部３に巻き回された巻線５とを有して構成されている。基体部４の材質はアルミナ、フェライト等のセラミックからなるものが好適であり、巻線部３と脚部２は一体的に形成されている。
【００１６】
本実施形態の電子部品（インダクタ１０）およびインダクタコア部材１では、断面視において、第２分散部３４の面積に比べて第１分散部３２の面積がより大きい。このときの断面とは底面２Ａに直交する平面による断面（図３に示す断面）であり、この断面における第２金属層２４の面積、第１分散部３２の面積、および第２分散部３４の面積とは、底面２Ａに交わる脚部２の内側側面２ａおよび外側側面２ｂをそれぞれ延長した内側仮想平面の断面線２αおよび外側仮想平面の断面線２βで挟まれた領域における面積のことをいう。本実施形態のインダクタコア部材１の断面線２αと断面線２βの間の幅、すなわちインダクタコア部材１の長尺方向の脚部２の長さは、例えば０．１２ｍｍ〜０．２１ｍｍ程度である。
【００１７】
断面における面積の大小関係は、インダクタコア部材１の断面を例えば走査型電子顕微鏡装置で観察することで確認することができる。電子顕微鏡としては、例えば日本電子社製ＪＳＭ−７００１Ｆを用いればよい。このとき、第１金属層２２、第２金属層２４、第３金属層２６、第１分散部３２、および第２分散部３４の主成分は、同じ走査型電子顕微鏡装置に付随する例えば日本電子社製ＪＥＤ−２３００を用いて電子線マイクロアナライザ分析（ＥＰＭＡ分析・ＥＤＳ分析）することで特定することができる。本明細書において主成分とは、５０質量％以上を占める成分のことをいう。
【００１８】
本実施形態の電子部品（インダクタ１０）およびインダクタコア部材１では、断面視において、第２分散部３４の面積に比べて第１分散部３２の面積がより大きい。第１分散部３２の面積とは、断面視において、断面線２αと断面線２βとで挟まれた領域に分散して存在する複数の第１分散部３２の合計の面積をいい、第２分散部３４の面積とは、断面視において、断面線２αと断面線２βとで挟まれた領域に分散して存在する複数の第２分散部３４の合計の面積をいう。
【００１９】
インダクタ１０では、銀を主成分とする第１金属層２２内に、ガラスを主成分とする粒状の第１分散部３２が比較的多く分散している。ガラスのヤング率は約４０（×１０９Ｎ／ｍ２)であり、銀のヤング率（約７６（×１０９Ｎ／ｍ２)）よりも小さく、銀よりもガラス（第１分散部３２）の方が外部応力に対して変形し易い。第１金属層２２内にガラスを主成分とする第１分散部３２を比較的多く含むことで、第１金属層２２に外力が加わった場合もこの外力が変形によって吸収され易い。このため、第１金属層２２は、外力による亀裂等の破壊が生じ難い。
【００２０】
図４は、従来のインダクタの電極近傍を拡大して示す断面図である。図４のインダクタコア部材の電極構造は、従来から一般的に用いられている、銀（Ａｇ）を主成分とするメタライズ層１２２（第１金属層２２に相当）と、メタライズ層１２２の上に配置した、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とするニッケルメッキ層１２４（第２金属層２４に相当）と、ニッケルメッキ層１２４の上に配置された錫（Ｓｎ）を主成分とする錫メッキ層１２６（第３金属層２６に相当）とを備えている。ニッケルメッキ層１２４の形成にはいわゆるバレル工程などの電解メッキ法が利用されるが、電解メッキ法を用いて電極を形成する際、電解メッキの溶液にメタライズ層１２２に含まれるガラス成分が侵食されて、この侵食された部分にニッケルが入っていく。この場合、メタライズ層１２２内には、ガラスを主成分とするガラス分散部１３２に比べてニッケルを主成分とするニッケル分散部１３４が多く含まれてしまう。
【００２１】
ニッケルはヤング率が約２００（×１０９Ｎ／ｍ２)程度であり、銀やガラスに比べて剛性が高いので、このような従来のインダクタコア部材のように、メタライズ層１２２内にニッケル分散部１３４が多く含まれた場合は、ニッケル分散部１３４によって電極１２０が変形し難くなり応力が吸収できず、外力によって電極１２０が破壊され易くなってしまう。また、ニッケルが浸入して脚部１０２の底面１０２Ａまでニッケル分散部１３２が到達した場合、その部分でメタライズ層１２２と底面１０２Ａの接合面積が小さくなり、底面１０２Ａからメタライズ層１２２ひいては電極１２０が剥がれ易くなる。近年のインダクタの小型化にともなって電極１２０の面積や電極１２０のメタライズ層１２２の厚さも小さくなっており、上記のような問題がより顕著になってきている。
【００２２】
一方、本実施形態のインダクタ部材１の電極２０は、上述のように、銀を主成分とする第１金属層２２内に、ガラスを主成分とする粒状の第１分散部３２が、ニッケルを主成分とする第２分散部３４と比較して多く分散しているので、ニッケルを比較的多く含む従来の電極１２０よりも、外力による亀裂等の破壊が生じ難くなっている。
【００２３】
また本実施形態の電子部品（インダクタコア部材１）では、断面視において、第２金属層２４の面積が、第１分散部３２の面積と第２分散部３４の面積との合計の面積よりも大きくなっている。上述のように従来のインダクタでは、電解メッキの際にニッケルがメタライズ層１２２に多く入っていくので、断面視におけるニッケルメッキ層１２４の面積が比較的小さくなり易く、例えば、第１分散部３２の面積と第２分散部３４の面積との合計の面積よりも小さくなる場合が多かった。本実施形態の電子部品（インダクタ部材１）では、例えば従来の場合と同じ程度のニッケルであっても、断面視における第２金属層２４の面積が比較的大きく、例えば、第１分散部３２の面積と第２分散部３４の面積との合計の面積よりも大きくなっている。このように第２金属層２４として比較的多くのニッケルが付着していることで、第３金属層２６の剥がれ等も抑制されている。また、第２金属層２４の主成分であるニッケルは比較的剛性が高く、第２金属層２４として比較的多くのニッケルが配置されていることで、第１金属層２２と底面２Ａとの接合部分に伝わる外力の大きさが低減されている。
【００２４】
なお、第２金属層２４、第１分散部３２、および第２分散部３４等の各部の面積をより詳細に求めるには、まず、電子部品（インダクタ１０）のインダクタ部材１の断面をダイヤモンド砥粒を用いて研磨した鏡面の画像を、電子顕微鏡の倍率を７００倍として、ＣＣＤカメラにより、面積が、例えば、０．０２８ｍｍ２（横方向の長さが０．１８４ｍｍ、縦方向の長さが０．１５３ｍｍ）となるように撮影する。そして、この画像を画像解析ソフト「Ａ像くん」（登録商標、旭化成エンジニアリング（株）製）により、粒子解析することでそれぞれの面積を求めることができる。粒子解析の設定条件としては、例えば、明度を暗に設定し、２値化の方法を手動とし、画像の明暗を示す指標であるしきい値を、画像内の第１分散部３２および第２分散部３４とこれら各部分を示す表示色とが一致するように設定し、例えば、各点（各ピクセル）が有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の１．２２倍、例えば、２０５にする。小図形除去面積については、第１分散部３２および第２分散部３４の各面積を求める場合には、０μｍとし、第２金属層２４の面積を求める場合には、第１分散部３２および第２分散部３４がノイズとして解析の対象にならないようにするために０．２μｍとする。
【００２５】
なお、第１分散部３２および第２分散部３４を識別するために、２値画像補正の手段である直線分離、消去等を用いてもよい。上述したような粒子解析によって得られる上記画像の範囲で測定して得られる第２金属層２４の面積は、例えば、１５０μｍ２以上２２５μｍ２以下である。また、第２分散部３４の面積は例えば１０μｍ２未満（但し、０μｍ２を除く）、例えば第１分散部３２の面積は、１０μｍ２以上５０μｍ２以下である。
【００２６】
また、ニッケルを主成分とする第２金属層２４は、銀に比べて熱伝導率が小さくかつ熱容量が大きく、このような第２金属層２４を比較的厚く配置することで、半田リフロー時の実装基板側から基体４への熱の伝導をより効果的に抑制することができる。
【００２７】
ここで、ガラスの熱伝導率は約０．５５〜０．７５（ｗ／ｍ・Ｋ）程度であり、銀の熱伝導率（約４３０（ｗ／ｍ・Ｋ）程度）よりも著しく小さい。また、ガラスの比熱は約０．７５（ｋＪ／ｋｇ／Ｋ）程度であり、銀の比熱（約０．２（ｋJ／ｋｇ／Ｋ）程度）よりも大きく、銀よりもガラスの方が熱を蓄え易い。インダクタ１０を回路基板等に実装する際の半田リフロー時は、電極２０の表面側の第３金属層２６から基体４の脚部２に向けて多くの熱が伝わるが、第１金属層２２内にガラスを主成分とする第１分散部３２が比較的多く分散する本実施形態では、銀およびニッケルの双方よりも熱伝導率が小さくかつ熱容量の大きい第１分散部３２において、熱の伝わりが抑えられてこの第１分散部３２に比較的多くの熱量が蓄えられる。半田リフローの終了後は、第１分散部３２に蓄えられた熱は電極２０の表面部分から徐々に放熱されるので、脚部２の温度の過度の上昇が抑制されている。このように本実施形態では、半田リフロー時の熱が脚部２に伝わって、脚部２を含む基体４の温度が上昇することが抑制されている。脚部２など基体部４の温度が高くなると、例えばフェライト材料特性の劣化等に起因してインダクタの透磁率やＱ値の低下が生じることがあるが、本実施形態ではこのような電子部品（インダクタ１０）自身の本来の特性の劣化が抑制されている。
【００２８】
また、本実施形態の電子部品（インダクタ１０）では、第１分散部３２の少なくとも一部は基体部４の底面２Ａに当接している。ガラスを主成分とする第１分散部３２は基体部４と当接して比較的強固に基体部４に接合する。ガラスを主成分とする第１分散部３２と、セラミックスを主成分とする基体部４との接合強度は、銀と基体部４との接合強度に比べて強い。第１分散部３２の少なくとも一部が基体部４に当接していることで、第１分散部３２が分散された第１金属層２２の基体部４に対する接合強度が高いものとなっている。これは、本実施形態のインダクタコア部材１においても同様である。
【００２９】
また、本実施形態の電子部品（インダクタ１０）では、第２分散部３４の一部も基体４の底面２Ａに当接していてもよいが、その場合は、第２分散部３４と基体部４との当接領域の面積に比べて、第１分散部３２と基体部４との当接領域の面積が大きい。ガラスを主成分とする第１分散部３２と、セラミックスを主成分とする基体部４との接合強度は、ニッケルを主成分とする第２分散部３４と基体部４との接合強度に比べて強い。そのため、第２分散部３４と基体部４との当接領域の面積に比べて、第１分散部３２と基体部４との当接領域の面積が大きいことで、第１金属層２２の基体部４に対する接合強度はより高くなる。これは、本実施形態のインダクタコア部材１においても同様である。
【００３０】
なお、当接領域の面積の大小比較は、電子部品（インダクタ１０）のインダクタコア部材１の断面を例えば走査型電子顕微鏡装置で観察して得られた観察像から判断することができる。すなわち、この断面の同一の観察像において、第１分散部３２と基体部４との当接面（の断面線）の長さを各第１分散部３２毎に測定して測定値の合計を算出し、同様に第２分散部３４と基体部４との当接面（の断面線）の長さを各第２分散部３４毎に測定して測定値の合計を算出し、第１分散部３２についての合計値と第２分散部３４についての合計値とを比較し、この長さが長い方が当接領域の面積がより大きいと判断することができる。
【００３１】
電子部品は、上記のようなインダクタ１０に限定されず、例えば、抵抗器やコンデンサやバリスタなど各種電子部品が挙げられ、その種類は特に限定されない。電子部品が、例えばセラミックチップコンデンサの場合であれば、本体部３０は、チタン酸バリウム等を主成分とする複数の誘電体セラミック層と銀等の金属を主成分とする内部電極層とが交互に配置されたものであり、電極２０の第１金属層２２は直方体状の本体部３０の端面において露出した内部電極層と電気的に接続するように配置される。また、電子部品が、チップ抵抗器の場合であれば、本体部３０は、例えばアルミナを主成分とする板状の基板であり、基板の両端部において上面から下面にかけて電極２０が配置され、チップ抵抗器はこの電極２０間に抵抗体が配置されたものである。
【００３２】
ここで、インダクタコア部材１の製造方法の一例について説明しておく。
【００３３】
まず、成形型にアルミナ粉末やフェライト材料粉末等のセラミック粉体を充填して、このセラミック粉体を加圧成形してセラミック成形体を得た後、このセラミック成形体を所定の焼成温度で焼成して、巻線部３と脚部２とを有する基体部４を得る。基体部４は、バレル処理されて、成形時のいわゆるバリ等が除去されていることが好ましい。バレル処理の条件は、少なくとも水および製品となる基体４を混在させて遠心バレル装置に投入してバレル処理するのが好ましい。
【００３４】
次に、基体４の表面に第１金属層２２を形成する。第１金属層２２の材料となる、銀（Ａｇ）とガラス粉末とバインダとが混在した銀ペーストを用意する。銀ペーストは、銀（Ａｇ）を７０〜７５質量％、ガラス粉末を１〜５質量％、バインダを２０〜２９質量％含有している。ガラス粉末の平均粒径は３〜５μｍ程度である。この銀ペーストを、脚部２の底面２Ａに塗布する。この際、銀ペーストは、脚部２の底面２Ａ全体から脚部２の外側側面２ｂの一部にわたって広がるように塗布しておく。銀ペーストが塗布された基体４全体を５００〜７００度程度に昇温して銀ペーストを焼結させて、基体４の表面に銀を主成分とするメタライズ層、すなわち第１金属層２２を形成する。この銀を主成分とするメタライズ層中に、ガラスが比較的多く分散した状態、すなわち第１金属層２２中にガラスを主成分とする第１分散部３２を有する状態となっている。
【００３５】
このメタライズ層の表面に、電解ニッケルメッキを施す。すなわち、第１金属層２２の上にニッケルを主成分とする第２金属層２４を備えることとなる。電解ニッケルメッキは、いわゆるバレルメッキ装置を用いて行えばよい。バレルメッキは回転めっきとも呼ばれており、細かい貫通孔が複数開けられた外壁体で囲まれた樽（バレル）の中に製品を入れてメッキ液に浸漬し、この樽（バレル）を回転させながら被メッキ体を複数回、メッキ用電極に接触させて、メッキ用電極に接触した際に被メッキ体にメッキを形成する。電解ニッケルメッキで用いるメッキ液は、メタライズ層中に分散したガラスを溶解するので、通常の条件で電解ニッケルメッキを行った場合は、メタライズ層中のガラスの多くが溶解して、メタライズ層内にニッケルが比較的多く浸入し易い。この浸入したニッケルが、ニッケルを主成分とする第２分散部となり、第１金属層２２中がニッケルを主成分とする第２分散部を有する状態となる。本実施形態ではバレルの回転速度や電解メッキにおける電圧値を調整して、メタライズ層中に分散したガラスの溶解が比較的小さい段階で、メタライズ層の表面全体に比較的厚いニッケルメッキ層、すなわち第２金属層２４を形成する。例えば、電解メッキの開始段階では、バレルの回転速度を小さするとともに電圧値を比較的大きくして、メッキ用電極への１回の接触時間を比較的長くするとともに、短時間で比較的多くの膜厚のニッケルメッキ層が形成されるように条件調整しておく。ある程度の時間が経過した後は、バレルの回転速度を大きくするとともに電圧値を比較的小さくして、メッキ用電極への１回の接触時間を比較的短くして接触回数を増やすとともに、１回あたりの形成膜厚を比較的小さくして、統計的なばらつきを小さく抑制し、複数の被メッキ体におけるニッケルメッキ層の膜厚のばらつきや、１つの被メッキ体における膜厚分布を小さくする。例えばこのようにバレルメッキ条件を調整すると、メッキの初期段階でメタライズ層中のガラスの溶解が進む前に、メッキ液の浸入を抑えることができる充分な厚さのニッケルメッキ層を形成しつつ、最終的な膜厚のばらつきを抑制することができる。よって、メタライズ層中にガラスが多く残存したままで、またニッケルの分散は少なく、ニッケルメッキ層の厚さは比較的厚いものとなる。すなわち、銀を主成分とする第１金属層２２中の断面視において、ガラスを主成分とする第１分散部３２の面積がニッケルを主成分とする第２分散部３４の面積より大きいものとなり、また、第２金属層２４の面積が、第１分散部３２の面積と第２分散部３４の面積との合計の面積よりも大きくなる。
【００３６】
このように、電解ニッケルメッキにおいて、メタライズ層中のガラスがニッケルに置き換わるようにして第２分散部３４が形成されていく。そのため、メタライズ層における底面２Ａの近傍領域よりメタライズ層の表面近傍すなわちニッケルメッキ層近傍のガラスの溶解が進行し易い。このようなことから、本実施形態の電子部品およびインダクタ部材１では、第１分散部３２は、第２金属層２４の近傍領域に比べて底面２Ａの近傍領域の方が、断面視における面積が大きい。また、第２分散部３４は、底面２Ａの近傍領域に比べて第２金属層２４の近傍領域の方が、断面視における面積がより大きい。
【００３７】
ニッケル電解メッキの後、同じく電解メッキ法によってニッケルメッキ層の表面に錫メッキを施し、錫を主成分とする錫メッキ層を形成する。すなわち、ニッケルを主成分とする第２金属層２４の上に第３金属層２６を備えることとなる。そして、電極２０は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部３２とニッケルを主成分とする第２分散部３４とを有する第１金属層２２と、第１金属層２２の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層２４と、第２金属層２４の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層２６とを備えるものとなる。このようにして、本実施形態のインダクタコア部材１は、基体部４と、基体部４に配置された電極２０とを備え、電極２０は、銀（Ａｇ）を主成分とし、ガラスを主成分とする第１分散部３２とニッケルを主成分とする第２分散部３４とを有する第１金属層２２と、第１金属層２２の上に配置された、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２金属層２４と、第２金属層２４の上に配置された、錫（Ｓｎ）を主成分とする第３金属層２６とを備え、電極２０の断面視において、第２分散部３４の面積に比べて第１分散部３２の面積が大きいものとなる。
【００３８】
このようにして作製されたインダクタコア部材１の巻線部３に巻線５を巻きつけて固定することで本実施形態のインダクタ１０を作製することができる。巻線５は、例えば、径が２０μｍ〜３０μｍの銅線であり、インダクタコア部材１の巻線部３に６回〜７回巻かれ、インダクタコア部材１の脚部２の電極２０に半田等で固定される。
【００３９】
以上、本発明の実施形態および実施例について説明したが、本発明は上述の実施形態や実施例に限定されるものでない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行なってもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００４０】
１  インダクタコア部材
２  脚部
２Ａ  底面
２ａ  内側側面
２ｂ  外側側面
２α、２β  断面線
３  巻線部
４  基体部
５  巻線
１０  インダクタ
２０  電極
２２  第１金属層
２４  第２金属層
２６  第３金属層
３０  本体部
３２  第１分散部
３４  第２分散部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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