【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体チップを実装する第１領域と前記第１領域の周囲の第２領域を含む平面を有する支持体を準備する工程、
（ｂ）前記第２領域に凹み部を形成する工程、
（ｃ）前記凹み部から前記平面の上方へと延在する柱状の導電層を形成する工程、
（ｄ）前記導電層の側面を包むように前記平面上に絶縁樹脂層を半硬化の状態で形成する工程、
（ｅ）前記絶縁樹脂層に前記第１領域を開口する第１開口部を形成する工程、
（ｆ）前記第１開口部に半導体チップを嵌め込み、前記平面と前記半導体チップの裏面とを接して前記第１領域に前記半導体チップを実装する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記絶縁樹脂層を完全に硬化する工程、
（ｈ）前記導電層および前記半導体チップを覆うように第１絶縁層を形成する工程、
（ｉ）前記（ｇ）および（ｈ）工程の後、前記第１絶縁層に前記導電層および前記半導体チップの主面の接続端子をそれぞれ露出する第２開口部および第３開口部を形成する工程、
（ｊ）前記第２および第３開口部の内部および前記第１絶縁層上に、前記導電層および前記接続端子を電気的に接続する配線層を形成する工程、
（ｋ）前記（ｊ）工程の後、前記支持体を前記半導体チップ、前記導電層および前記絶縁樹脂層から分離する工程。
【請求項２】
前記（ｃ）工程が以下の工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法：
（ｃ１）前記凹み部の内部および前記平面上に導電膜を形成する工程、
（ｃ２）前記導電膜上に第２絶縁層を形成した後、前記凹み部の位置であって前記導電膜を露出する穴部を前記第２絶縁層に形成する工程、
（ｃ３）めっき法によって、前記穴部の導電膜上に前記導電層を形成する工程。
【請求項３】
以下の工程を更に含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法：
（ｌ）前記（ｊ）工程の後、前記（ｋ）工程の前に、前記第２開口部の前記配線層を露出し、かつ、前記配線層が形成されている前記第３開口部を埋め込むように前記第１絶縁層上に絶縁性の接着層を形成する工程、
（ｍ）前記（ａ）工程〜前記（ｌ）工程を繰り返して、第１半導体装置および第２半導体装置を形成する工程、
（ｎ）前記第１半導体装置の半導体チップの裏面と前記第２半導体装置の接着層とを接し、かつ、前記第１半導体装置の第２開口部に前記第２半導体装置の導電層の先端部を入れ込むことによって、前記第１半導体装置と前記第２半導体装置をスタックする工程。
【請求項４】
前記凹み部と前記第２開口部とが、同一形状に形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電層が、柱状のビアとして形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２開口部が、他の半導体装置の外部接続端子を入れ込むための開口として形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記凹み部内に設けられた前記導電層の先端部が、前記支持体側の前記絶縁樹脂層の平面から突起する外部接続端子として形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記凹み部内に設けられた前記導電層の先端部が、円柱、円錐、または四角錐の形状に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２開口部が、円柱、円錐、または四角錐の形状に形成されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
一方および他方の面を有し、第１開口部が形成された絶縁樹脂層と、
前記一方および他方の面からそれぞれ一端および他端が露出して前記絶縁樹脂層に設けられた柱状のビアと、
主面および裏面がそれぞれ前記一方および他方の面側となって前記第１開口部に嵌め込まれた半導体チップと、
前記ビアの一端を露出する第２開口部と、前記半導体チップの主面の接続端子を露出する第３開口部とが形成され、前記絶縁樹脂層の一方の面および前記半導体チップの主面を覆う絶縁層と、
前記第２、第３開口部の内部および前記絶縁層上に設けられ、前記ビアと前記接続端子とを電気的に接続する配線層と
を有し、
前記ビアの他端が、外部接続端子として前記他方の面から突起して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記第２開口部が、他の半導体装置の外部接続端子を入れ込むための開口であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ビアの先端部が、円柱、円錐、または四角錐の形状に形成されていることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２開口部が、円柱、円錐、または四角錐の形状に形成されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体チップの裏面が、前記他方の面側から露出していることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の半導体装置を上段と下段とにスタックした構造を有し、
前記下段の半導体装置の前記第２開口部に、前記上段の半導体装置の前記外部接続端子が入れ込まれて、前記上下段の半導体装置が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法および半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施の形態における半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体チップを実装する第１領域と前記第１領域の周囲の第２領域を含む平面を有する支持体を準備する工程、（ｂ）前記第２領域に凹み部を形成する工程、（ｃ）前記凹み部から前記平面の上方へと延在する柱状の導電層を形成する工程、（ｄ）前記導電層の側面を包むように前記平面上に絶縁樹脂層を半硬化の状態で形成する工程、（ｅ）前記絶縁樹脂層に前記第１領域を開口する第１開口部を形成する工程、（ｆ）前記第１開口部に半導体チップを嵌め込み、前記平面と前記半導体チップの裏面とを接して前記第１領域に前記半導体チップを実装する工程、（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記絶縁樹脂層を完全に硬化する工程、（ｈ）前記導電層および前記半導体チップを覆うように第１絶縁層を形成する工程、（ｉ）前記（ｇ）および（ｈ）工程の後、前記第１絶縁層に前記導電層および前記半導体チップの主面の接続端子をそれぞれ露出する第２開口部および第３開口部を形成する工程、（ｊ）前記第２および第３開口部の内部および前記第１絶縁層上に、前記導電層および前記接続端子を電気的に接続する配線層を形成する工程、（ｋ）前記（ｊ）工程の後、前記支持体を前記半導体チップ、前記導電層および前記絶縁樹脂層から分離する工程を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
続いて、支持体１とは反対側からチップ１０にダイシングテープ１７を貼り付けた後、図１２に示すように、支持体１をチップ１０、ビア７および絶縁樹脂層８から分離し、チップ１０間の絶縁樹脂層８及び絶縁層１２を切断し、半導体装置２０を得る。その後、ダイシングテープ１７から半導体装置２０を取り出す。