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【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップオンガラス液晶ディスプレイのソースドライバであって、ターゲット識別情報を有する制御ビットストリームと画像データとを受信する前記ソースドライバに適用される識別装置であって、
前記ターゲット識別情報を前記ソースドライバのチップ識別情報と比較するコンパレータを備え、
前記チップ識別情報が前記ターゲット識別情報と一致する場合に、前記コンパレータは、前記ソースドライバが前記画像データを駆動電圧に変換すると共に当該駆動電圧を前記液晶ディスプレイのパネルへ送信するように前記ソースドライバをアクティブ化するためのソース制御信号を出力する、識別装置。
【請求項２】
前記チップ識別情報が、ガラス基板上の前記ソースドライバの複数のピンをハイ又はローになるようにそれぞれプルすることにより予め定められる、請求項１に記載の識別装置。
【請求項３】
前記ソース制御信号が、水平ラインのデータの準備を開始するように前記ソースドライバに知らせるソースドライバスタート信号（ＳＴＨ信号）である、請求項１に記載の識別装置。
【請求項４】
前記ソース制御信号のハイにプルされているアサート時間が、予め定められた、請求項１に記載の識別装置。
【請求項５】
チップオンガラス液晶ディスプレイのソースドライバに適用される識別方法であって、
前記ソースドライバからターゲット識別情報を有する制御ビットストリームと画像データとを受信するステップと、
前記ソースドライバのチップ識別情報と前記ターゲット識別情報を比較するステップと、
前記チップ識別情報が前記ターゲット識別情報と一致する場合に、前記ソースドライバが前記画像データを駆動電圧に変換すると共に当該駆動電圧を前記液晶ディスプレイのパネルへ送信するように前記ソースドライバをアクティブ化するためのソース制御信号を発生するステップと、
を含む識別方法。
【請求項６】
前記チップ識別情報が、ガラス基板上の前記ソースドライバの複数のピンをハイ又はローになるようにそれぞれプルすることにより予め定められる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ソース制御信号が、水平ラインのデータの準備を開始するように前記ソースドライバに知らせるソースドライバスタート信号（ＳＴＨ信号）である、請求項５に記載の識別方法。
【請求項８】
前記ソース制御信号のハイにプルされているアサート時間が、予め定められた、請求項５に記載の識別方法。
【請求項９】
ターゲット識別情報を有する制御ビットストリームと画像データとを受信するためのレシーバと、
前記ターゲット識別情報を前記ソースドライバのチップ識別情報と比較するための波形発生器であって、前記チップ識別情報が前記ターゲット識別情報と一致する場合に、前記ソースドライバが前記画像データを駆動電圧に変換すると共に当該駆動電圧を前記液晶ディスプレイのパネルへ送信するように前記ソースドライバをアクティブ化するためのソース制御信号を出力する波形発生器と、
前記ソースドライバの伝送モードを、双方向伝送モードと一方向伝送モードとの間で切り替えるためのバススイッチであって、前記双方向伝送モードにおいては、前記ソースドライバは、受信した前記画像データと前記制御ビットストリームを２以上の近傍のソースドライバに同時に送信し、前記一方向伝送モードにおいては、前記ソースドライバは、受信した前記画像データと前記制御ビットストリームを１つの近傍のソースドライバに送信する、バススイッチと、
を備える、チップオンガラス液晶ディスプレイに適用されるソースドライバ。
【請求項１０】
チップオンガラス液晶ディスプレイのソースドライバに適用される駆動方法であって、
前記ソースドライバは、チップ識別情報を有し、
制御ビットストリームと画像データとを前記ソースドライバによって受信するステップであって、前記制御ビットストリームはターゲット識別情報を有する、ステップと、
前記ソースドライバの前記チップ識別情報を前記ターゲット識別情報と比較するステップと、
前記チップ識別情報が前記ターゲット識別情報と一致する場合に、前記ソースドライバが前記画像データを駆動電圧に変換すると共に当該駆動電圧を前記液晶ディスプレイのパネルへ送信するように前記ソースドライバをアクティブ化するためのソース制御信号を発生するステップと、
前記ソースドライバの伝送モードを、双方向伝送モードと一方向伝送モードとの間で切り替えるステップであって、前記双方向伝送モードにおいては、前記ソースドライバは、受信した前記画像データと前記制御ビットストリームを２以上の近傍のソースドライバに同時に送信し、前記一方向伝送モードにおいては、前記ソースドライバは、受信した前記画像データと前記制御ビットストリームを１つの近傍のソースドライバに送信する、ステップと、
を備える駆動方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
[0012]本発明は、チップオンガラス液晶ディスプレイのソースドライバを識別する識別装置を提供することにより上記の目的を達成する。この識別装置は、チップ識別情報及びターゲット識別情報を受信するコンパレータを含み、チップ識別情報がターゲット識別情報と一致する場合に、ソースドライブをアクティブ化するためトリガー信号を発生する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
[0030]図４は、ＬＣＤのソースドライバ及びゲートドライバの制御信号の略図である。制御信号は、ゲート制御信号Ｇ及びソース制御信号Ｓを含む。ゲート制御信号Ｇは、フレームのスタートを表現するゲートドライバスタート信号ＳＴＶと、ゲートラインをイネーブルにするゲートクロック信号ＣＰＶと、ゲートラインのイネーブル間隔を画成するゲートドライバ出力イネーブル信号ＯＥＶとを含む。ソース制御信号Ｓは、水平ラインのデータの準備を開始するようにソースドライバに知らせるソースドライバスタート信号ＳＴＨと、データを受信するためスタートするデータイネーブル信号ＤＥと、駆動電圧をデータラインへ出力し始めるロード信号ＴＰと、極性反転を制御する極性制御信号ＰＯＬとを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
[0051]図８は図７のＩＤ認識器のブロック図である。認識器４５３はコンパレータ４５６を含む。各ソースドライバは固有のチップ識別情報ＩＤｐを有する。このチップ識別情報ＩＤｐは、例えば、ガラス基板上のソースドライバの複数のピンをそれぞれハイにプルするか、又はローにプルすることにより、外部からセットされる。コンパレータ４５６は、チップ識別情報ＩＤｐの、制御パケットから抽出されたターゲット識別情報ＩＤｔとの比較が一致するときに、信号ＳＴＨをトリガーする。信号ＳＴＨのアサート時間ｔｄ２はコンパレータ４５６で予め決められてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図５は、図４の電流生成回路１０に入力される入力信号ＩＮ及び入力信号ＩＮＢの電圧と、電流生成回路１０によって生成される電流ＩＡ１との間のタイミングを示すタイミング図であり、図５（ａ）は入力信号ＩＮ及び入力信号ＩＮＢの電圧を示し、図５（ｂ）は電流ＩＡ１を示す。入力信号ＩＮの電圧が変化すると、前処理回路５０を介して入力信号ＩＮＢの電圧が反転する。このとき、入力信号ＩＮ，ＩＮＢの信号レベルが変化する期間には、入力信号ＩＮ，ＩＮＢの電圧がともに、しきい値電圧Ｖｔｈを超える期間が存在し、当該期間においてｎＭＯＳトランジスタＭＮ１１，ＭＮ１２がオン状態となり、入力信号のいずれか一方がローレベルになるまで電流ＩＡ１が生成される。この電流ＩＡ１に対応する電流ＩＡ２，ＩＡ３が差動増幅回路３０及びソース接地増幅回路４０に印加されて、レベル変換動作が実行される。入力信号ＩＮの電圧が変化しないとき、レベルコンバータ回路１は、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１１，ＭＮ１２を流れるリーク電流のみで動作する。したがって、この電流生成回路１０を利用することで、レベルコンバータ回路１は、低消費電力で信号レベル変換動作を実現することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図８は、図４の電流生成回路１０の第３の変形例である電流生成回路１０ｃの構成を示す回路図である。図８の電流生成回路１０ｃは、図４の電流生成回路１０と比較して、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１１の基板電位が、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１１のドレインの電圧と同一の電圧に設定され、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１２の基板電位が、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１２のソースの電圧と同一の電圧に設定されている点が異なる。これにより、ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１１のしきい値電圧がそれぞれ電流生成回路１０におけるｎＭＯＳトランジスタＭＮ１１のしきい値電圧よりも低下して、電流生成回路１０ｃによって生成される電流ＩＡ１が電流生成回路１０によって生成される電流ＩＡ１よりも増加し、レベルコンバータ回路１が高速に動作するようになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
まず、課題Ａについて説明する。入力信号ＩＮと入力信号ＩＮＢとがともに第１のハイレベルとなる期間が存在しない場合、電流生成回路１０は正しく電流を生成することができない。このとき、入力信号ＩＮと出力信号ＯＵＴとの論理は不一致となる場合がある。これに対して、電流生成回路１０Ａを用いることで論理不一致を解決することができる。すなわち、入力信号ＩＮが第１のハイレベルであり、かつ出力信号ＯＵＴがローレベルである論理不一致が存在する場合には、立ち上がり電流生成回路１２が電流ＩＲを生成する。また、入力信号ＩＮがローレベルであり、かつ出力信号ＯＵＴが第２のハイレベルである論理不一致が存在する場合には、立ち下がり電流生成回路１３が電流ＩＦを生成する。これにより、論理不一致が存在する場合には、電流生成回路１０Ａによって電流が生成され、正しい論理を出力することを保証することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
なお、第１及び第２の実施形態では、差動増幅回路３０及びソース接地増幅回路４０を備えてレベルコンバータ回路１及びレベルコンバータ回路１Ａを構成したが、本発明はこれに限らず、差動増幅回路３０Ｂ及びプッシュプル型ソース接地増幅回路４０Ｂを備えてレベルコンバータ回路１及びレベルコンバータ回路１Ａを構成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ネットワークインタフェースとシリアルインタフェースとを備え、当該ネットワークインタフェースを介して信号を送受信すると共に、当該シリアルインタフェースを介して信号を送受信するシリアルデバイスサーバであって、
当該ネットワークインタフェースを介して送受信する信号のうちコマンドを送受信するためのコマンド用ソケットと、当該ネットワークインタフェースを介して送受信する信号のうちデータを送受信するためのデータ用ソケットとを有するＴＣＰ／ＩＰ部と、
前記シリアルインタフェースで送受信される信号をコマンドおよびデータによって制御するシリアル制御部と、
前記ＴＣＰ／ＩＰ部のコマンド用ソケットから受信したコマンドが即時型コマンドか同期型コマンドかを判別し、判別の結果、即時型コマンドである場合、当該即時型コマンドを前記シリアル制御部に与える一方、同期型コマンドである場合、当該同期型コマンドを所定の記憶領域に保存する解析判別部と、
前記ＴＣＰ／ＩＰ部のデータ用ソケットから受信したデータに含まれる同期情報を同期制御部に与える第１のデータ管理部と、
前記第１のデータ管理部から取得した同期情報に基づいて前記所定の記憶領域に保存されている同期型コマンドを前記シリアル制御部に与える同期制御部と、
前記シリアル制御部から受信したデータの同期情報を同期情報付与部に与える第２のデータ管理部と、
前記シリアル制御部から受信したコマンドに対し第２のデータ管理部から取得した同期情報を付与し、前記ＴＣＰ／ＩＰ部のコマンド用ソケットに与える同期情報付与部と、
を備えるシリアルデバイスサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
その後、図１１に示すように保持部１２０に保持されたウェハＷが受渡位置Ｐ１に移動すると、保持部１２０からウェハ搬送装置７０にウェハＷが受け渡される。そして、搬入出口１１１を介してウェハＷはウェハ処理装置４２から搬出される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極と
を備え、
前記半導体領域は、第１導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第１のクラッド層と、第２導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第１のクラッド層、前記第２のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のｍ軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ＡＬＰＨＡで傾斜しており、前記角度ＡＬＰＨＡは、４５度以上８０度以下又は１００度以上１３５度以下の範囲であり、
前記レーザ構造体は、前記六方晶系III族窒化物半導体のｍ軸及び前記法線軸によって規定されるｍ−ｎ面に交差する第１及び第２の端面を含み、
当該III族窒化物半導体レーザ素子におけるＬＥＤモードにおける光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のａ軸の方向に偏光成分Ｉ１と、前記六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸を主面に投影した方向に偏光成分Ｉ２を含み、
前記偏光成分Ｉ１は前記偏光成分Ｉ２よりも大きい、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第１及び第２の端面を含み、
前記レーザ構造体は第１及び第２の面を含み、前記第１の面は前記第２の面の反対側の面であり、
前記第１及び第２の端面は、それぞれ前記第１の面のエッジから前記第２の面のエッジまで延在する、ことを特徴とする請求項１に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸との成す角度は、６３度以上８０度以下又は１００度以上１１７度以下の範囲である、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記支持基体の厚さは４００μｍ以下である、ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記支持基体の厚さは、５０μｍ以上１００μｍ以下である、ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記活性層からのレーザ光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のａ軸の方向に偏光している、ことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記ＬＥＤモードにおける光の偏光度は、（Ｉ１−Ｉ２）／（Ｉ１＋Ｉ２）によって規定される、ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記半極性主面は、｛２０−２１｝面、｛１０−１１｝面、｛２０−２−１｝面、及び｛１０−１−１｝面のいずれかの面から−４度以上＋４度以下の範囲でオフした微傾斜面である、ことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記半極性主面は、｛２０−２１｝面、｛１０−１１｝面、｛２０−２−１｝面、及び｛１０−１−１｝面のいずれかである、ことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記支持基体の積層欠陥密度は１×１０４ｃｍ−１以下である、ことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記支持基体は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記第１及び第２の端面の少なくともいずれか一方に設けられた誘電体多層膜を更に備える、ことを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記活性層は、波長３６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の光を発生するように設けられた発光領域を含む、ことを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記活性層は、波長４３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含む、ことを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１５】
前記第１及び第２の端面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、
前記半導体領域の前記活性層における端面と前記六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体のｍ軸に直交する基準面との成す角度は、前記III族窒化物半導体のｃ軸及びｍ軸によって規定される第１平面において（ＡＬＰＨＡ−５）度以上（ＡＬＰＨＡ＋５）度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１６】
前記角度は、前記第１平面及び前記法線軸に直交する第２平面において−５度以上＋５度以下の範囲になる、ことを特徴とする請求項１５に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】III族窒化物半導体レーザ素子
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定子内側のロータコアの外周面寄りに、ｄ軸に直交する方向に延びるように第１永久磁石が埋込まれるとともに、前記第１永久磁石の両側にｑ軸に沿って延びるように第２永久磁石が埋込まれ、さらに、前記第１永久磁石の両端から前記ｑ軸側に離れて空隙が前記ロータコアに形成された永久磁石埋込型回転子において、
前記空隙は、前記ロータコアの最外周面寄りに位置する外周側端部を有するとともに、前記ロータコアの最内周面寄りに位置する内周側端部を有し、
前記第１永久磁石は、該第１永久磁石の磁極面が、前記空隙の外周側端部より前記ロータコアの内周面側に位置し、かつ前記空隙の内周側端部より前記ロータコアの外周面側に位置するように配置され、
前記空隙は前記第２永久磁石と前記空隙との間を磁束が通過するように形成されている永久磁石埋込型回転子。
【請求項２】
前記固定子は、環状のステータコアの内周に複数配列されたティースを備え、前記ステータコアの径方向に沿って延び、かつ前記ティースの幅方向の中間点を通過する直線を前記ティースの中心軸とし、隣り合うティースの前記中心軸間のピッチをＰとしたとき、前記ｄ軸に沿った前記ロータコアの外周面から前記磁極面までの前記第１永久磁石の埋込深さが、
１／１０Ｐ＜埋込深さ＜２／３Ｐ
を満たすように第１永久磁石が配置される請求項１に記載の永久磁石埋込型回転子。
【請求項３】
前記第１永久磁石は、前記ｄ軸に直交する方向に細長に延びる平板形状であり、前記第１永久磁石の長辺方向への長さは、前記ピッチの１〜３倍に設定される請求項２に記載の永久磁石埋込型回転子。
【請求項４】
前記第２永久磁石と前記空隙との間隔は、前記ピッチの０．３〜２倍に設定される請求項２又は請求項３に記載の永久磁石埋込型回転子。
【請求項５】
前記第２永久磁石は、前記ロータコアの内周面側から外周面側に向かって拡がるＶ字状、又はロータコアの外周面側から内周面側に向かって凹む円弧状に配置されている請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の永久磁石埋込型回転子。
【請求項６】
固定子と、
該固定子内側のロータコアの外周面寄りに、ｄ軸に直交する方向に延びるように第１永久磁石が埋込まれるとともに、前記第１永久磁石の両側にｑ軸に沿って延びるように第２永久磁石が埋込まれ、さらに、前記第１永久磁石の両端から前記ｑ軸側に離れて空隙が前記ロータコアに形成された永久磁石埋込型回転子と、からなる回転電機であって、
前記永久磁石埋込型回転子が、請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の永久磁石埋込型回転子である回転電機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、固定子内側のロータコアの外周面寄りに、ｄ軸に直交する方向に延びるように第１永久磁石が埋込まれるとともに、前記第１永久磁石の両側にｑ軸に沿って延びるように第２永久磁石が埋込まれ、さらに、前記第１永久磁石の両端から前記ｑ軸側に離れて空隙が前記ロータコアに形成された永久磁石埋込型回転子に関する。そして、前記空隙は、前記ロータコアの最外周面寄りに位置する外周側端部を有するとともに、前記ロータコアの最内周面寄りに位置する内周側端部を有し、前記第１永久磁石は、該第１永久磁石の磁極面が、前記空隙の外周側端部より前記ロータコアの内周面側に位置し、かつ前記空隙の内周側端部より前記ロータコアの外周面側に位置するように配置され、前記空隙は前記第２永久磁石と前記空隙との間を磁束が通過するように形成されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その内部または表面に第１の電極を有する基板と、その内部または表面に第２の電極を有するダイヤフラムとを、空隙を介して配置し、
前記ダイヤフラムまたは前記第２の電極の表面または内部に、梁をそれぞれ具備した複数の超音波トランスデューサを平面状または曲面状に複数配列した超音波トランスデューサアレイを具備し、前記梁は、前記ダイヤフラムの形状に合わせて形成されていることを特徴とする超音波探触子。
【請求項２】
前記梁は、長方形のダイヤフラムを横切るように複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項３】
長方形のダイヤフラムには、矩形の梁が形成されることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項４】
前記梁は、前記ダイヤフラムの内縁に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項５】
六角形のダイヤフラムには、六角形状の梁が形成されることを特徴とする請求項４に記載の超音波探触子。
【請求項６】
前記各々の超音波トランスデューサに、複数の梁を具備していることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項７】
前記結線で一纏まりに接続された複数の前記超音波トランスデューサを単位として、同じ単位に属する超音波トランスデューサの前記ダイヤフラム及び前記梁は、
同じ平面形状の多角形のダイヤフラムとされ、かつ、同じ梁構造とされることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の超音波探触子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の超音波探触子を備えた超音波撮像装置。
【請求項９】
基板と、該基板上に設けられた複数の超音波トランスデューサとを有する超音波探触子であって、
前記複数の超音波トランスデューサは、下部電極と、上部電極と、該上部電極と共に振動するダイヤフラムと、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられた空隙とを有し、当該ダイヤフラムはその表面又は内部に梁を有し、該梁は前記ダイヤフラムの形状に合わせて形成されていることを特徴とする超音波探触子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】超音波探触子および超音波撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、超音波探触子および超音波撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そこで、本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、簡単な構造で超音波送受信の性能を向上させることができる超音波探触子および超音波撮像装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る超音波探触子は、その内部または表面に第１の電極を有する基板と、その内部または表面に第２の電極を有するダイヤフラムとを、空隙を介して配置し、
前記ダイヤフラムまたは前記第２の電極の表面または内部に、梁をそれぞれ具備した複数の超音波トランスデューサを平面状または曲面状に複数配列した超音波トランスデューサアレイを具備し、前記梁は、前記ダイヤフラムの形状に合わせて形成されている。
その他の手段については、後記する実施の形態で説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、簡単な構造で超音波送受信の性能を向上させることができる超音波探触子および超音波撮像装置を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
本実施形態においても、図１５に示すように、アレイの長軸方向の素子幅をモードによって自由に変えられるように設定することは、本発明の超音波探触子が有する広帯域特性を十分に使いこなすという観点から有益である。なお、図１５においては、複数の超音波トランスデューサをアレイ化方向と垂直な方向にのみ結線して多数の副素子を構成しておき、副素子の束ね方を変更することによってアレイの長軸方向の素子幅を変更するものであるが、図１３（ａ）あるいは図１３（ｂ）に示すように結線された複数のダイヤフラム型の超音波トランスデューサからなる素子１４を１つの副素子とし、副素子の束ね方を束ねスイッチによって変更することによって、アレイの長軸方向の素子幅をモードに応じて変更するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電荷輸送層に電荷を導入するように配置された第一電極に接触している第一無機物質含有第一電荷輸送層、
第二電極、及び
該第一電極と該第二電極との間に配置された複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス。
【請求項２】
前記第二電極と接触している第二電荷輸送層をさらに含み、該第二電極が該第二電荷輸送層に電荷を導入するように配置されている、請求項１４記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記第一無機物質がアモルファス、又は多結晶質である、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記第一無機物質が無機半導体である、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記第二電荷輸送層が第二無機物質を含む、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記第二無機物質がアモルファス、又は多結晶質である、請求項５記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記第二無機物質が無機半導体である、請求項５記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記複数の半導体ナノクリスタルが単層を形成する、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記複数の半導体ナノクリスタルが、半導体ナノクリスタルの実質的な単分散集団である、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記デバイスが透明である、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記無機半導体がドーパントを含む、請求項４記載の発光デバイス。
【請求項１２】
請求項１記載の複数の発光デバイスを含む、ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月9日(2012.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波診断装置であって、
受信データを提供する多数のチャネルと、
前記受信データを用いて多数のスキャンラインの部分データを形成するための多数のサブスキャンラインデータ形成グループ及び前記部分データを合せてスキャンラインデータを形成するデータ合算器を備えるスキャンラインデータ形成部と、
前記スキャンラインデータを用いて超音波映像を形成する映像処理部とを備え、
前記サブスキャンラインデータ形成グループは、
前記受信データを用いて前記多数のスキャンラインのそれぞれの前記部分データを形成し、前記受信データの伝送経路を提供する多数のサブスキャンラインデータ形成部と、
前記多数のサブスキャンラインデータ形成部のうちの少なくとも一部のサブスキャンラインデータ形成部と前記多数のチャネルとの間で前記受信データを伝送する第１のデータラインと、
前記少なくとも一部のサブスキャンラインデータ形成部と、それに隣接する前記サブスキャンラインデータ形成部との間で前記受信データを伝送する第２のデータラインとを備えることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項２】
前記多数のチャネルは、前記サブスキャンラインデータ形成グループに一対一で対応する多数の第１のチャネルグループに分割され、
各前記多数の第１のチャネルグループは、多数の第２のチャネルグループに分割され、
各前記多数のサブスキャンラインデータ形成部は、前記多数のスキャンラインを分割して担当し、前記多数の第２のチャネルグループのチャネルから提供された前記受信データを用いて前記担当するスキャンラインの前記部分データを形成することを特徴とする、請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項３】
各前記多数のサブスキャンラインデータ形成部は、前記サブスキャンラインデータ形成部が前記担当するスキャンラインの数だけ備えられて、前記第２のチャネルグループの全てのチャネルと前記担当するスキャンラインの関係を考慮して、前記部分データを形成する部分データ形成部を備えることを特徴とする、請求項２に記載の超音波診断装置。
【請求項４】
各前記多数のサブスキャンラインデータ形成部は、前記第１のデータラインまたは前記第２のデータラインに一対一で対応し、前記受信データの前記伝送経路を提供する内部データラインをさらに備えることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか1項に記載の超音波診断装置。
【請求項５】
各前記多数の多数のサブスキャンラインデータ形成部は、
前記第１のデータラインに直接連結される少なくとも一つの第１のサブスキャンラインデータ形成部と、
前記第１のデータラインと連結されない少なくとも一つの第２のサブスキャンラインデータ形成部とを備えることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか1項に記載の超音波診断装置。
【請求項６】
前記多数のサブスキャンラインデータ形成部それぞれは、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ−ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）で具現されることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか1項に記載の超音波診断装置。
【請求項７】
前記各チャネルは、変換子及びアナログ−デジタルコンバータを備えることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか1項に記載の超音波診断装置。
【請求項８】
前記第１のデータライン及び前記第２のデータラインのうちの少なくとも一つは、ＬＶＤＳドライバブロックで具現されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の超音波診断装置。
【請求項９】
多数のチャネルグループ、多数のスキャンラインのスキャンラインデータを形成するためのスキャンラインデータ形成部、前記スキャンラインデータ形成部内に備えられて前記多数のスキャンラインのうちの担当する一部のスキャンラインの部分データを形成する多数のサブスキャンラインデータ形成部を備える超音波診断装置のスキャンラインデータ形成方法であって、
前記多数のサブスキャンラインデータ形成部のうちの一部の第１サブスキャンラインデータ形成部が前記多数のチャネルグループのうちの少なくとも一つのチャネルグループから受信データの提供を受ける段階と、
前記受信データを前記全てのサブスキャンラインデータ形成部に伝達する段階と、
前記サブスキャンラインデータ形成部それぞれが対応する前記チャネルグループの前記受信データを用いて、前記担当するスキャンラインそれぞれの前記部分データを形成する段階と、
前記スキャンラインデータ形成部が前記多数のスキャンラインそれぞれの前記部分データを合せて前記多数のスキャンラインそれぞれの前記スキャンラインデータを形成する段階と
を備えることを特徴とする超音波映像のスキャンラインデータ形成方法。
【請求項１０】
前記部分データを形成する段階で、
前記サブスキャンラインデータ形成部が全ての前記多数のチャネルと前記担当するスキャンラインの関係が反映された加重値を考慮して、前記部分データを形成することを特徴とする、請求項９に記載の超音波映像のスキャンラインデータ形成方法。
【請求項１１】
多数のチャネルグループから提供される受信データを用いて多数のスキャンラインのスキャンラインデータを形成する方法であって、
前記チャネルグループのそれぞれから提供される前記受信データを用いて前記多数のスキャンラインそれぞれの部分データを形成する段階と、
全ての前記多数のチャネルグループの前記受信データから形成された前記スキャンライン別の前記部分データを合せて前記スキャンラインの前記スキャンラインデータを形成する段階とを備えることを特徴とするスキャンラインデータ形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アーム（１）、
ベースプレート（３）、
針糸（８）をガイドするためにアーム（１）内に支持された針（６）、
フック（１２）、
前記フック（１２）に対して自由に回転可能となるようにフック（１２）内に取り付けられたボビンケース（２１）、
ケースリフター（３３、３３'）、及び、
制御カーブ（３９、５４）、を備えて構成されるミシンにして、
上記針（６）は上下運動するように駆動可能であり、
上記フック（１２）は、垂直のフック駆動軸（１４、１４'）によって軸（１３）の周りを回転方向（４０）に回転するように駆動可能であり、且つ、フック駆動軸（１４、１４'）に面する下側（５５）を備えて構成され、
上記ケースリフター（３３、３３'）は、リフターレバー（３２、３２'）と、バネ（３６、３６'）によって荷重をかけられているセンサー（３７、５６）とを備えて構成され、
上記制御カーブ（３９、５４）は、フック駆動軸（１４、１４'）の軸（１３）の周りをフック（１２）の回転速さで回転するように駆動可能であって、制御円板（３８、５８）の外周上に形成されており、且つ、当該制御カーブ（３９、５４）に抗してセンサー（３７、５６）が設置可能である、ミシンにおいて、
上記ボビンケース（２１）は、リフターカム（３１）と止めリブ（２２）とを備えて構成され、上記リフターカム（３１）は、上記リフターレバー（３２、３２'）と協働し、上記止めリブ（２２）は、回転方向（４０）へのボビンケース（２１）の回転を防ぐようにベースプレート（３）に対して固定されたカム（２３）と協働すること、
上記制御カーブ（３９、５４）は、回転方向（４０）への止めリブ（２２）の速さが、カム（２３）の直前から距離ｂだけ離れたところで著しく減じられるような形状を有すること、
そのために、上記制御カーブ（３９、５４）は、軸（１３）に対し概ね一定の距離をもつ、最大（４２、４２'）、最小（４３、４３'）、及びその間に、推移帯（４６、４６'）を有し、上記推移帯（４６）は、上記止めリブ（２２）が上記固定されたカム（２３）に対して０．０５ｍｍ≦ｂ≦０．１５ｍｍに該当する距離ｂを依然として有している時に開始すること、を特徴とするミシン。
【請求項２】
距離ｂに対し、ｂ≒０．１ｍｍが当てはまることを特徴とする、請求項１に記載のミシン。
【請求項３】
制御カーブ（３９、５４）が、非回転様式でフック（１２）に結合されることを特徴とする、請求項１に記載のミシン。
【請求項４】
制御カーブ（３９）がフック駆動軸（１４）に取り付けられることを特徴とする、請求項３に記載のミシン。
【請求項５】
制御カーブ（５４）が、フック（１２）の下側（５５）に取り付けられることを特徴とする、請求項３に記載のミシン。
【請求項６】
フック（１２）、
前記フック（１２）に対して自由に回転可能となるようにフック（１２）内に取り付けられたボビンケース（２１）、
ケースリフター（３３、３３'）、及び、
制御カーブ（３９、５４）、を備えて構成されるミシン用フックシステムにして、
上記フック（１２）は、フック駆動軸（１４、１４'）によって軸（１３）の周りを回転方向（４０）に回転するように駆動可能であり、且つ、フック駆動軸（１４、１４'）に面する下側（５５）を備えて構成され、
上記ケースリフター（３３、３３'）は、リフターレバー（３２、３２'）、及び、バネ（３６、３６'）によって荷重をかけられているセンサー（３７、５６）を備えて構成され、
上記制御カーブ（３９、５４）は、フック駆動軸（１４、１４'）の軸（１３）の周りをフック（１２）の回転速さで回転するように駆動可能であって、制御円板（３８、５８）の外周上に形成されており、且つ、当該制御カーブ（３９、５４）に抗してセンサー（３７、５６）が設置可能である、ミシン用フックシステムにおいて、
上記ボビンケース（２１）は、リフターカム（３１）と止めリブ（２２）とを備えて構成され、上記リフターカム（３１）は、リフターレバー（３２、３２'）と協働し、上記止めリブ（２２）は、回転方向（４０）へのボビンケース（２１）の回転を防ぐようにベースプレート（３）に対して固定されたカム（２３）と協働すること、
上記制御カーブ（３９、５４）は、非回転様式でフック（１２）に結合可能であること、
上記制御カーブ（３９、５４）は、回転方向（４０）への止めリブ（２２）の速さが、カム（２３）の直前から距離ｂだけ離れたところで著しく減じられるような形状を有すること、
そのために、上記制御カーブ（３９、５４）は、軸（１３）に対し概ね一定の距離をもつ、最大（４２、４２'）、最小（４３、４３'）、及びその間に、推移帯（４６、４６'）を有し、前記推移帯（４６）は、上記止めリブ（２２）が上記固定されたカム（２３）に対して０．０５ｍｍ≦ｂ≦０．１５ｍｍに該当する距離ｂを依然として有している時に開始すること、を特徴とするフックシステム。
【請求項７】
制御カーブ（３９）が、フック駆動軸（１４）に取り付けられることを特徴とする、請求項６に記載のフックシステム。
【請求項８】
制御カーブ（５４）が、フック（１２）の下側（５５）に取り付けられることを特徴とする、請求項６に記載のフックシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月11日(2011.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
撮像は、今日の外傷評価及び介入的処置（インターベンション）において重要な役割を果たしている。撮像は、患者の状態が直ちに生命を脅かす訳ではない場合、及び創傷の範囲がはっきりしない場合の創傷評価に用いられる。病院環境では、超音波及びＸ線撮影が広く利用可能となっており、一般に用いられている。
【特許文献１】米国特許第５１８２７６４号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振器を内蔵する集積回路と、
上記集積回路を覆う形状のシールド部と、を備え、
上記シールド部は、
上記集積回路の配置位置と対向する領域に、上記集積回路からの電磁波を当該シールド部外に排出するための開口部を有する
高周波モジュール。
【請求項２】
上記集積回路は、
上記発振器の表面から電磁波を放射するインダクタを有する
請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
上記インダクタは、同心形状の配線を持つように構成される
請求項２記載の高周波モジュール。
【請求項４】
上記インダクタは、複数の同心形状の配線を持つように構成される
請求項３記載の高周波モジュール。
【請求項５】
上記インダクタは、螺旋状に周回するスパイラル状の配線を持つように構成される
請求項２記載の高周波モジュール。
【請求項６】
上記インダクタは、配線パターンにより構成される
請求項２から５のいずれか一に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
上記開口部は、
上記集積回路の配置位置と対向する領域に、当該集積回路の形状サイズの１／２以上の大きさに形成されている
請求項１から６のいずれか一に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
複数の上記集積回路を備え、
上記開口部は、
少なくとも一つの上記集積回路の配置位置と対向する領域に、当該集積回路の形状サイズの１／２以上の大きさに形成されている
請求項７に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
上記開口部は、
上記複数の集積回路の配置位置と対向する領域にそれぞれ、各集積回路の形状サイズの１／２以上の大きさに形成されている
請求項８記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
上記シールド部は、
上記複数の集積回路の配置位置と対向する領域にわたって、各集積回路の形状サイズの１／２以上の大きさの上記開口部を含む形で、長穴状に開口部が形成されている
請求項８記載の高周波モジュール。
【請求項１１】
上記複数の集積回路は、
衛星波放送信号を処理する衛星チューナ集積回路と、
地上波放送信号を処理する地上波チューナ集積回路と、を含む
請求項８から１０のいずれか一に記載の高周波モジュール。
【請求項１２】
上記シールド部は、
金属製のシールドケースにより形成される
請求項１から１１のいずれか一に記載の高周波モジュール。
【請求項１３】
上記シールド部は、
導電性塗布膜により形成される
請求項１から１１のいずれか一に記載の高周波モジュール。
【請求項１４】
衛星波放送信号または地上波放送信号が入力される入力端子と、
上記衛星波放送信号の周波数変換機能を有する衛星チューナを含む衛星放送受信回路と、
上記地上波放送信号の周波数変換機能を有する地上波チューナを含む地上波放送受信回路と、
上記入力端子から入力される衛星波放送信号を上記衛星放送受信回路に分配し、上記地上波放送信号を上記地上波放送受信回路に分波する分波回路と、を有し、
上記衛星チューナおよび上記地上波チューナは、
発振器を内蔵して衛星チューナ集積回路および地上波チューナ集積回路として形成され、
少なくとも上記衛星チューナ集積回路および上記地上波チューナ集積回路を覆う形状のシールド部を含み、
上記シールド部は、
上記集積回路の配置位置と対向する領域に、上記集積回路からの電磁波を当該シールド部外に排出するための開口部を有する
受信装置。
【請求項１５】
上記集積回路は、
上記発振器の表面から電磁波を放射するインダクタを有する
請求項１４記載の受信装置。
【請求項１６】
上記インダクタは、同心形状の配線を持つように構成される
請求項１５記載の受信装置。
【請求項１７】
上記インダクタは、複数の同心形状の配線を持つように構成される
請求項１６記載の受信装置。
【請求項１８】
上記インダクタは、螺旋状に周回するスパイラル状の配線を持つように構成される
請求項１５記載の受信装置。
【請求項１９】
上記インダクタは、配線パターンにより構成される
請求項１５から１８のいずれか一に記載の受信装置。
【請求項２０】
上記開口部は、
上記集積回路の配置位置と対向する領域に、当該集積回路の形状サイズの１／２以上の大きさに形成されている
請求項１４から１９のいずれか一に記載の受信装置。
【請求項２１】
複数の上記集積回路を備え、
上記開口部は、
少なくとも一つの上記集積回路の配置位置と対向する領域に、当該集積回路の形状サイズの１／２以上の大きさに形成されている
請求項２０に記載の受信装置。
【請求項２２】
上記開口部は、
上記複数の集積回路の配置位置と対向する領域にそれぞれ、各集積回路の形状サイズの１／２以上の大きさに形成されている
請求項２１記載の受信装置。
【請求項２３】
上記シールド部は、
上記複数の集積回路の配置位置と対向する領域にわたって、各集積回路の形状サイズの１／２以上の大きさの上記開口部を含む形で、長穴状に開口部が形成されている
請求項２１記載の受信装置。
【請求項２４】
上記シールド部は、
金属製のシールドケースにより形成される
請求項１４から２３のいずれか一に記載の受信装置。
【請求項２５】
上記シールド部は、
導電性塗布膜により形成される
請求項１４から２３のいずれか一に記載の受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基布と多数のパイルを備えてなり、前記各パイルの基部が基布に結合された状態で、前記多数のパイルが基布に配設された払拭部を形成している払拭具であって、前記各パイルは、略円柱形状をなし、０．０５乃至０．８デニールの非吸水性のフィラメントが、パイルの軸線を中心としてほぼ径方向に放射状をなすように密設され且つ軸線方向に密設されてなり、前記パイルの略円柱形状外周面は、前記各フィラメントの先端部により形成され、前記パイルは、略円柱形状をなすパイルの各円形状横断面において、放射状をなす前記非吸水性のフィラメントが内方に向かうほど更に高密度状態となって毛管現象により内方に向かう吸水力が作用するよう構成されていることを特徴とする払拭具。
【請求項２】
上記パイルの先端部が、パイルを構成する放射状に配されたフィラメントの先端部により形成された略凸曲面状をなし、前記パイルは、前記略凸曲面状をなすパイルの先端部において、放射状に略凸曲面状を形成する前記非吸水性のフィラメントが内方に向かうほど更に高密度状態となって毛管現象により内方に向かう吸水力が作用するよう構成されている請求項１記載の払拭具。
【請求項３】
上記パイルが、０．０５乃至０．８デニールの非吸水性のフィラメントを飾り糸とするモール糸によるループ部が、そのモール糸の芯糸を中心として撚り合わさることにより略円柱形状を形成したものである請求項１又は２記載の払拭具。
【請求項４】
上記フィラメントが、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリプロピレン系又はポリエチレン系のフィラメントである請求項１乃至３の何れかに記載の払拭具。
【請求項５】
上記パイルの軸線方向長さは直径の１．５倍乃至１０倍であり、前記軸線方向長さが５乃至８０ｍｍである請求項１乃至４の何れかに記載の払拭具。
【請求項６】
基布と多数のパイルを備えてなり、前記各パイルの基部が基布に結合された状態で、前記多数のパイルが基布に配設された払拭部を形成しており、前記各パイルは、略円柱形状をなし、０．０５乃至０．８デニールの非吸水性のフィラメントが、パイルの軸線を中心としてほぼ径方向に放射状をなすように密設され且つ軸線方向に密設されてなり、前記パイルの略円柱形状外周面は、前記各フィラメントの先端部により形成され、前記パイルは、略円柱形状をなすパイルの各円形状横断面において、放射状をなす前記非吸水性のフィラメントが内方に向かうほど更に高密度状態となって毛管現象により内方に向かう吸水力が作用するよう構成された払拭具により払拭を行なう方法であって、汚れを含有しない又は含有する水系液体を前記パイルの内方に向かって吸収させることを特徴とする払拭方法。
【請求項７】
上記パイルの先端部が、パイルを構成する放射状に配されたフィラメントの先端部により形成された略凸曲面状をなし、前記パイルは、前記略凸曲面状をなすパイルの先端部において、放射状に略凸曲面状を形成する前記非吸水性のフィラメントが内方に向かうほど更に高密度状態となって毛管現象により内方に向かう吸水力が作用するよう構成されており、汚れを含有しない又は含有する水系液体を前記パイルの先端部においてもパイルの内方に向かって吸収させる請求項６記載の払拭方法。
【請求項８】
上記パイルが、０．０５乃至０．８デニールの非吸水性のフィラメントを飾り糸とするモール糸によるループ部が、そのモール糸の芯糸を中心として撚り合わさることにより略円柱形状を形成したものである請求項６又は７記載の払拭方法。
【請求項９】
上記フィラメントが、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリプロピレン系又はポリエチレン系のフィラメントである請求項６乃至８の何れか１項に記載の払拭方法。
【請求項１０】
上記パイルの軸線方向長さは直径の１．５倍乃至１０倍であり、前記軸線方向長さが５乃至８０ｍｍである請求項６乃至９の何れかに記載の払拭方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】払拭具及び払拭方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耳カップ（２，２Ｆ，２Ｇ）とバンド（３，３Ｆ，３Ｇ）とからなる骨格を有するイヤーウォーマー（１）において、
前記耳カップ（２，２Ｆ，２Ｇ）は、前記バンドと係合するための孔（２１，２１Ｇ）を有し、
前記バンド（３，３Ｆ，３Ｇ）は、第１バンド片（４，４Ｆ，４Ｇ）と第２バンド片（５，５Ｆ，５Ｇ）とからなり、それぞれ、耳カップ（２，２Ｆ，２Ｇ）と係合するための孔（４２，５２；４２Ｆ，５２Ｆ；４２Ｇ，５２Ｇ）を有し、
前記耳カップ（２，２Ｆ，２Ｇ）の孔（２１，２１Ｆ，２１Ｇ）と前記バンド片の孔（４２，５２；４２Ｇ，５２Ｇ）とを挿通してつなぐピン（１１，１１Ｆ，１１Ｇ）を有するものにおいて、
前記耳カップ（２，２Ｆ，２Ｇ）の孔（２１，２１Ｆ，２１Ｇ）と前記バンド片の孔（４２，５２；４２Ｆ，５２Ｆ；４２Ｇ，５２Ｇ）の何れか一方の周囲に放射状の畝又は溝（２２）を設け、前記耳カップ（２，２Ｆ，２Ｇ）の孔（２１，２１Ｆ，２１Ｇ）と前記バンド片の孔（４２，５２；４２Ｆ，５２Ｆ；４２Ｇ，５２Ｇ）の他方に前記畝又は溝（２２，２２Ｆ，２４）に係合する少なくとも１本の畝（４５，４５Ｆ，５７）又は溝を設けた
ことを特徴とするイヤーウォーマー。
【請求項２】
前記バンド（３Ｇ，３Ｈ）が、
一端に設けた短孔（４３Ｇ）と、前記短孔（４３Ｇ）よりも耳カップ側に設けられた長孔（４４Ｇ）を有する第１バンド片（４Ｇ，５Ｈ）と、
一端に設けたＴ字型突起（５６，４８）と、前記Ｔ字型突起（５６，４８）よりも耳カップ側に設けられた長孔（５４Ｇ）を有する第２バンド片（５Ｇ，４Ｈ）と、
前記第１バンド片の短孔（４３Ｇ）と前記第２バンド片の長孔（５４Ｇ）を挿通してつなぐ第１ピン（６Ｇ，６Ｈ）とを有し、
前記第２バンド片（５Ｇ，４Ｈ）の前記Ｔ字型突起（５６，４８）が前記第１バンド片の長孔（４４Ｇ）と係合しながらスライド可能である
ことを特徴とする請求項１記載のイヤーウォーマー。
【請求項３】
前記第１バンド片（４Ｇ）の長孔（４４Ｇ）に隣接した位置に幅方向に複数の畝状突起（４７）を設け、この畝状突起（４７）が前記第２バンド片（５Ｇ）の末端の前記Ｔ字型突起（５６）により形成される空間（５８）と係合可能とした請求項２に記載のイヤーウォーマー。
【請求項４】
前記第１，第２バンド片の上下辺に凹凸（４１，５１；４１Ｃ，５１Ｃ；４１Ｄ，５１Ｄ；４１Ｆ，５１Ｆ；４１Ｇ，５１Ｇ）を設けて、バンドの長さ調節をするとき指をかけやすくした請求項１〜３のいずれかに記載のイヤーウォーマー。
【請求項５】
前記凹凸（４１Ｆ，５１Ｆ；４１Ｇ，５１Ｇ）が窪みに指が嵌る大きさの波形である請求項４記載のイヤーウォーマー。
【請求項６】
前記耳カップ（２Ｇ）を形成する骨格が、外側リング及び内側リングからなる二重リングを有し、この二重リングが前記バンドの接合部近傍で一体化している請求項１ないし５の何れかに記載のイヤーウォーマー。