【手続補正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極によって転送される電荷を保持する浮遊拡散部と、前記浮遊拡散部と接続されたゲート電極を有する増幅用トランジスタと、を有する複数の画素セルと、素子分離領域とが第１の半導体領域の上部に配された固体撮像装置において、
前記光電変換素子は、受光面からこの順に配された、前記電荷を蓄積する第２導電型の第３の半導体領域と、第３の半導体領域よりも不純物濃度の低い第２導電型の第４の半導体領域と、第１導電型の第２の半導体領域と、によって構成され、
前記第２の半導体領域は、前記光電変換素子を構成する部分と、前記素子分離領域および前記浮遊拡散部の下部に配された部分とを有し、
前記第１の半導体領域は、前記第２の半導体領域との界面を有し、
前記第１の半導体領域と第２の半導体領域との界面は、前記第２の半導体領域の前記光電変換素子に対応する部分においては第１の深さにあり、前記第２の半導体領域の前記素子分離領域および前記浮遊拡散部の下部に配された部分においては前記第１の深さよりも浅い第２の深さにあることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の半導体領域は第２導電型であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記素子分離領域の下部に配された前記第２の半導体領域の上部に、
第２導電型の第５の半導体領域からなるポテンシャルバリアが配されていることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記ポテンシャルバリアは、異なる深さで配された複数の半導体領域によって構成されていることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記固体撮像装置は、更に、カラーフィルタ層を有し、
前記カラーフィルタ層は各光電変換素子に対応して配されたカラーフィルタを有し、
前記第２の半導体領域の前記光電変換素子に対応する部分における前記第１の半導体領域と第２の半導体領域との界面の深さは、各カラーフィルタを透過する波長が長くなることに対応して深くなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記カラーフィルタ層は、赤、青、および緑のカラーフィルタを有し、
前記第２の半導体領域の前記光電変換素子に対応する部分における前記第１の半導体領域と第２の半導体領域との界面の深さは、青のカラーフィルタに対応した光電変換素子、緑のカラーフィルタに対応した光電変換素子、および赤のカラーフィルタに対応した光電変換素子の順に深くなることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号を処理する信号処理回路と、を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項８】
光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極によって前記電荷が転送される浮遊拡散部と、前記浮遊拡散部と接続されたゲート電極を有する増幅用のトランジスタと、を有する複数の画素セルと、素子分離領域と、前記画素セルと前記素子分離領域との下部に配された第１の半導体領域を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記素子分離領域を形成した後に、前記素子分離領域の上部に第１の厚さのフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第１の厚さのフォトレジストパターンを通して前記第１の半導体領域に第１導電型の不純物の注入を行い、前記第１の半導体領域との界面が前記素子分離領域に対応する部分においては第１の深さにあるとともに前記光電変換素子に対応する部分においては前記第１の深さよりも深い第２の深さにある第１導電型の第２の半導体領域を形成する工程と、を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記光電変換素子が形成されるべき領域の上部に、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さのフォトレジストパターンを形成する工程を有し、
前記第２の半導体領域を形成する工程において、前記第１の厚さのフォトレジストパターンと共に前記第２の厚さのフォトレジストパターンを通して第１導電型の不純物の注入を行うことを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記固体撮像装置は、複数の色に対応したカラーフィルタを有するカラーフィルタ層を有し、前記光電変換素子が形成されるべき領域は複数設けられており、
前記複数の光電変換素子が形成されるべき領域のうち、いくつかの前記光電変換素子が形成されるべき領域の上部に、前記第１の厚さのフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第１の厚さのフォトレジストパターンが配された光電変換素子が形成されるべき領域の上部に第１の色のカラーフィルタを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の前記光電変換素子が形成されるべき領域のうち、前記第１の厚さのフォトレジストパターンが配されない前記光電変換素子が形成されるべき領域の上部に前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さのフォトレジストパターンを形成する工程を有し、
前記第２の厚さのフォトレジストパターンが配された光電変換素子が形成されるべき領域の上部に前記第１の色の波長よりも長い波長の第２の色のカラーフィルタを形成する工程と、
前記第１導電型の半導体領域を形成する工程において、前記第１の厚さのフォトレジストパターンと共に前記第２の厚さのフォトレジストパターンを通して第１導電型の不純物の注入を行うことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記固体撮像装置は、複数の色に対応したカラーフィルタを有するカラーフィルタ層を有し、前記光電変換素子が形成されるべき領域は複数設けられており、
前記複数の光電変換素子が形成されるべき領域のうち、いくつかの前記光電変換素子が形成されるべき領域の上部に、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さのフォトレジストパターンを形成する工程を有し、
前記第２の厚さのフォトレジストパターンが配された光電変換素子が形成されるべき領域の上部に第１の色のカラーフィルタを形成する工程と、
前記第２の厚さのフォトレジストパターンが配されない光電変換素子が形成されるべき領域の上部に前記第１の色の波長よりも長い波長の第２の色のカラーフィルタを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の前記光電変換素子が形成されるべき領域のうち、前記第２の厚さのフォトレジストパターンが配されない前記光電変換素子が形成されるべき領域の上部に、前記第２の厚さよりも薄い第３の厚さのフォトレジストパターンを形成する工程を有し、
前記第３の厚さのフォトレジストパターンが配された光電変換素子が形成されるべき領域の上部に前記第２の色の波長よりも長い波長の第３の色のカラーフィルタを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記浮遊拡散部と前記増幅用のトランジスタとが形成されるべき領域の上部に、前記第１の厚さのフォトレジストパターンが形成されることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極によって前記電荷が転送される浮遊拡散部と、前記浮遊拡散部と接続されたゲート電極を有する増幅用のトランジスタと、を有する複数の画素セルと、素子分離領域と、前記画素セルと前記素子分離領域との下部に配された第１の半導体領域を有する固体撮像装置の製造方法において、前記素子分離領域を形成した後に、前記素子分離領域の上部に第１の厚さのフォトレジストパターンを形成する工程と、前記第１の厚さのフォトレジストパターンを通して前記第１の半導体領域に第１導電型の不純物の注入を行い、前記第１の半導体領域との界面が前記素子分離領域に対応する部分においては第１の深さにあるとともに前記光電変換素子に対応する部分においては前記第１の深さよりも深い第２の深さにある第１導電型の半導体領域を形成する工程と、を有することを特徴とする。