【事件の表示】
　平成　８年特許願第１２２４１４号「基板の熱処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１１月　４日出願公開、特開平　９−２８９１７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年４月１９日の出願であって、平成１６年８月２４日付け及び平成１７年８月３０日付けで手続補正がされ、平成１９年１月１６日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年２月２２日に審判請求がされるとともに、同年３月１４日に手続補正がされたものである。
　
第２　平成１９年３月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の却下について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年３月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、特許請求の範囲については、補正前の請求項１を、補正後の請求項１の、
「　【請求項１】　１つの側面に基板の搬入及び搬出を行なうための開口を有し、前記側面と対向する側面にガス導入口が形設され、基板を枚葉で収容する熱処理炉と、
　基板を水平姿勢に支持して水平方向へ搬送し、前記熱処理炉内へ前記開口を通して基板を搬入し熱処理炉内から開口を通して基板を搬出する基板搬出入手段と、
　前記熱処理炉の前記開口を気密に閉塞する開口閉塞手段と、
　前記熱処理炉内に保持された基板を加熱する加熱手段と、
　前記ガス導入口を通して前記熱処理炉内へガスを導入しそのガスを熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出させるガス導入手段とを備えた基板の熱処理装置において、
　前記基板搬出入手段により前記熱処理炉内へ基板を搬入する際の基板搬入速度が、前記ガス導入手段により熱処理炉内へ導入されたガスが熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出する時のガス流出速度と同等もしくはその流出速度より遅くなるように、基板搬出入手段による基板の搬入速度を制御する制御手段を設けたことを特徴とする基板の熱処理装置。」
とするものである。
　
２．　補正事項の整理
　本件補正のうち、請求項１についての補正事項は以下のとおりである。
（１）補正前の「１つの側面に基板の搬入及び搬出を行なうための開口を有し、基板を枚葉で収容する熱処理炉」を、補正後の「１つの側面に基板の搬入及び搬出を行なうための開口を有し、前記側面と対向する側面にガス導入口が形設され、基板を枚葉で収容する熱処理炉」とすること。
（２）補正前の「前記熱処理炉内へガスを導入するガス導入手段」を、補正後の「前記ガス導入口を通して前記熱処理炉内へガスを導入しそのガスを熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出させるガス導入手段」とすること。
　
３．　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について
　上記「２．　補正事項の整理」の（１）及び（２）に記載した補正事項は、それぞれ、「熱処理炉」及び「ガス導入手段」について技術的に限定を付すものであるから、いずれも、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、上記「２．　補正事項の整理」の（１）及び（２）に記載した補正事項は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものである。
　よって、上記「２．　補正事項の整理」の（１）及び（２）に記載した補正事項からなる補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
４．　独立特許要件の有無の検討
　上記のとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするから、以下において、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
　
４−１．　本願の補正後の発明について
　本願の補正後の請求項１に係る発明は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。（再掲）
「　【請求項１】　１つの側面に基板の搬入及び搬出を行なうための開口を有し、前記側面と対向する側面にガス導入口が形設され、基板を枚葉で収容する熱処理炉と、
　基板を水平姿勢に支持して水平方向へ搬送し、前記熱処理炉内へ前記開口を通して基板を搬入し熱処理炉内から開口を通して基板を搬出する基板搬出入手段と、
　前記熱処理炉の前記開口を気密に閉塞する開口閉塞手段と、
　前記熱処理炉内に保持された基板を加熱する加熱手段と、
　前記ガス導入口を通して前記熱処理炉内へガスを導入しそのガスを熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出させるガス導入手段とを備えた基板の熱処理装置において、
　前記基板搬出入手段により前記熱処理炉内へ基板を搬入する際の基板搬入速度が、前記ガス導入手段により熱処理炉内へ導入されたガスが熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出する時のガス流出速度と同等もしくはその流出速度より遅くなるように、基板搬出入手段による基板の搬入速度を制御する制御手段を設けたことを特徴とする基板の熱処理装置。」
（以下「補正発明」という。）
　
４−２．　刊行物に記載された発明
　（１）　特開平５−１１４５７０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−１１４５７０号公報（以下「引用例１」という。）には、図１とともに以下の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ（以下、単にウエハという）を短時間で高温まで加熱したのち徐冷したり、長時間高温で熱処理することによりその物質の構造や物性を安定化させる等のため、特に、ウエハを光照射加熱する装置に関する。」
「【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。図１は本実施例における光照射加熱装置の断面図である。被処理物であるウエハＷは、サセプタ１に支持されて石英製の偏平な石英チャンバ２の内部に搬入される。サセプタ１は石英チャンバ２の入口に対して接離移動自在の蓋体３に接合されており、ウエハＷの搬入と同時に石英チャンバ２の入口は蓋体３で封止されるようになっている。石英チャンバ２の入口と対向する壁部４には、不活性ガス（例えば、チッ素ガス）や、酸素ガス、その他所要のガスを石英チャンバ２の内部に導入するガスノズル５が取り付けられている。ガスノズル５の先端部分には不活性ガス等のガスを石英チャンバ２内部に分散させる分散環６が設けられている。
【０００９】石英チャンバ２の外部において、ウエハＷの表面に対して平行な面内に複数本の連続放電灯７（以下、ＣＷアークランプという）が配されている。ＣＷアークランプ７の背面側および、石英チャンバ２を挟んだウエハＷの裏面側には反射板８が取り付けられ、ＣＷアークランプ７からの熱放射がまんべくなくウエハＷの表裏両面に向かうように構成されている。石英チャンバ２の下壁面において、収容するウエハＷの真下の辺りには下方へ突出する中空円筒状の導出部９が形成されている。この導出部９は反射板８を貫通して装置外に導出しており、その導出端には放射温度計12が設けられている。放射温度計12の前部には、炉内と炉外の雰囲気を遮断する窓体10が取り付けられている。」
　
　ここで、「石英チャンバ２の下壁面において、収容するウエハＷの真下の辺りには下方へ突出する中空円筒状の導出部９が形成されている。」との記載を図１と併せ見ると、図１における示されたウエハＷは、サセプタ１上に水平に支持されており、ウエハＷの搬入も水平方向になされることは明らかである。
　また、引用例１に記載された光照射加熱装置において、光照射加熱の処理後に、石英チャンバ２からウエハＷを搬出させることは当然であるから、ウエハＷは、サセプタ１に支持され、石英チャンバ２の入口から、該石英チャンバ２の内部に搬入及び搬出されることは明らかである。
　したがって、引用例１には、以下の発明が記載されているものと認められる。
「一側面に、ウエハＷを搬入及び搬出する入口を有するとともに、前記入口と対向する壁部４に所要のガスを内部に導入するガスノズル５が取り付けられた石英製の偏平な石英チャンバ２と、
　ウエハＷを水平に支持し、該ウエハＷを、前記石英チャンバ２の内部に前記入口から水平方向に搬入及び搬出するサセプタ１と、
　前記サセプタ１に接合させられ、前記石英チャンバ２の入口に対して接離移動自在であり、ウエハＷの搬入と同時に前記石英チャンバ２の入口を封止する蓋体３と、
　熱放射によりウエハＷを加熱するＣＷアークランプ７と、
を備えるウエハＷを光照射加熱する装置。」
（以下「引用発明」という。）
　
　（２）　特開平７−１３０６６８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−１３０６６８号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
「【００３１】半導体膜を堆積すべき基板は、表側を下向きとして減圧ＣＶＤ炉内に挿入された。挿入時の反応炉内温度は３９５℃から４００℃程度で有った。基板挿入時に反応炉内には上部より純度が９９・９９９９％以上のヘリウムと水素の混合気体が３０ＳＬＭ導入され、これらの混合気体は反応炉下部に設けられた基板挿入口より排出されて居る。基板挿入口の直径は５４０ｍｍでその断面積は２２９０ｃｍ2で有る。混合気体が４００℃に熱せられていると、基板挿入口からの混合気体の排出速度は２９．６ｃｍ／ｍｉｎとなる。又、本実施例１の如く２３５ｍｍ□の基板を水平に設置する場合、基板面積は５５２ｃｍ2で有るから基板が基板挿入口より反応炉内に入っていく時に基板挿入口と基板の隙間から排出される混合気体の排出速度は３９．０ｃｍ／ｍｉｎで有る。本実施例１では１０ｃｍ／ｍｉｎの上昇速度で基板を反応炉に挿入したが、混合気体の排出速度の方が速い為、基板挿入に伴う空気等の反応室への混入を防ぐ事が出来る。又、混合気体の密度は空気密度よりも小さく、しかも熱せられているので重い空気がこれらの軽い気体を押し退けて下から上へ入る可能性は殆ど無い。本実施例１で反応炉上部より導入した混合気体の濃度はヘリウム９７％に水素３％で有った。水素の爆発下限界は４．０％なので、これ以下の濃度で有れば基板挿入口より室内に排出されても安全で有る。こうした基板挿入方法を用いる事に依り、ロードロック室を用いて１バッチ毎に真空引きを行うといった煩雑な過程を経る事無くして、反応炉内を清浄な非酸化性雰囲気下に保てられるので有る。基板挿入時に空気や水等の不純物気体が反応炉内に流れ込むと、これらは反応炉内壁の半導体層に吸着し、又は半導体元素と反応して反応炉内に残留し、半導体膜堆積の際脱ガスとして現れ、堆積膜の膜品質を低下させる原因となる。従って本発明の基板挿入を用いたＣＶＤ方法では容易に高品質半導体膜が堆積されるので有る。」
「【００６０】半導体膜を堆積すべき基板は、表側を下向きとして減圧ＣＶＤ炉内に挿入された。挿入時の反応炉内温度は３９５℃から４００℃程度で有った。基板挿入時に反応炉内には上部より純度が９９・９９９９％以上のヘリウムと水素の混合気体が３０ＳＬＭ導入され、これらの混合気体は反応炉下部に設けられた基板挿入口より排出されて居る。基板挿入口の直径は５４０ｍｍでその断面積は２２９０ｃｍ2で有る。混合気体が４００℃に熱せられていると、基板挿入口からの混合気体の排出速度は２９．６ｃｍ／ｍｉｎとなる。又、本実施例４の如く２３５ｍｍ□の基板を水平に設置する場合、基板面積は５５２ｃｍ2で有るから基板が基板挿入口より反応炉内に入っていく時に基板挿入口と基板の隙間から排出される混合気体の排出速度は３９．０ｃｍ／ｍｉｎで有る。本実施例４では２０ｃｍ／ｍｉｎの上昇速度で基板を反応炉に挿入したが、混合気体の排出速度の方が速い為、基板挿入に伴う空気等の反応室への混入を防ぐ事が出来る。又、混合気体の密度は空気密度よりもはるかに小さく、しかも熱せられているので重い空気がこれらの軽い気体を押し退けて下から上へ入る可能性は殆ど無い。本実施例４で反応炉上部より導入した混合気体の濃度はヘリウム９７％に水素３％で有った。水素の爆発下限界は４．０％なので、これ以下の濃度で有れば基板挿入口より室内に排出されても安全で有る。こうした基板挿入方法を用いる事に依り、ロードロック室を用いて１バッチ毎に真空引きを行うといった煩雑な過程を経る事無くして、反応炉内を清浄な非酸化性雰囲気下に保てられるので有る。基板挿入時に空気や水等の不純物気体が反応炉内に流れ込むと、これらは反応炉内壁の半導体層に吸着し、又は半導体元素と反応して反応炉内に残留し、半導体膜堆積の際、脱ガスとして現れ、堆積膜の膜品質を低下させる原因となる。従って本発明の基板挿入を用いたＣＶＤ方法では容易に高品質半導体膜が堆積されるので有る。」
「【００８１】半導体膜を堆積すべき基板は、表側を下向きとして減圧ＣＶＤ炉内に挿入された。挿入時の反応炉内温度は３９５℃から４００℃程度で有った。基板挿入時に反応炉内には上部より純度が９９・９９９９％以上の窒素と水素の混合気体が３０ＳＬＭ導入され、これらの混合気体は反応炉下部に設けられた基板挿入口より排出されて居る。基板挿入口の直径は５４０ｍｍでその断面積は２２９０ｃｍ2で有る。混合気体が４００℃に熱せられていると、基板挿入口からの混合気体の排出速度は２９．６ｃｍ／ｍｉｎとなる。又、本実施例５の如く２３５ｍｍ□の基板を水平に設置する場合、基板面積は５５２ｃｍ2で有るから基板が基板挿入口より反応炉内に入っていく時に基板挿入口と基板の隙間から排出される混合気体の排出速度は３９．０ｃｍ／ｍｉｎで有る。本実施例５では５ｃｍ／ｍｉｎの上昇速度で基板を反応炉に挿入したが、混合気体の排出速度の方が速い為、基板挿入に伴う空気等の反応室への混入を防ぐ事が出来る。又、混合気体の密度は空気密度よりも小さく、しかも熱せられているので重い空気がこれらの軽い気体を押し退けて下から上へ入る可能性は殆ど無い。本実施例５で反応炉上部より導入した混合気体の濃度は窒素９７％に水素３％で有った。水素の爆発下限界は４．０％なので、これ以下の濃度で有れば基板挿入口より室内に排出されても安全で有る。こうした基板挿入方法を用いる事に依り、ロードロック室を用いて１バッチ毎に真空引きを行うといった煩雑な過程を経る事無くして、反応炉内を清浄な非酸化性雰囲気下に保てられるので有る。基板挿入時に空気や水等の不純物気体が反応炉内に流れ込むと、これらは反応炉内壁の半導体層に吸着し、又は半導体元素と反応して反応炉内に残留し、半導体膜堆積の際、脱ガスとして現れ、堆積膜の膜品質を低下させる原因となる。従って本発明の基板挿入を用いたＣＶＤ方法では容易に高品質半導体膜が堆積されるので有る。」
　
　以上の記載から、引用例２には、
「半導体膜を堆積すべき基板を、表側を下向きとして減圧ＣＶＤ炉内に挿入するときに、板挿入時に反応炉内には上部より混合気体が３０ＳＬＭ導入され、これらの混合気体は反応炉を満たすとともに、反応炉下部に設けられた基板挿入口より排出されており、その排出速度は２９．６ｃｍ／ｍｉｎであり、基板が基板挿入口より反応炉内に入っていく時に基板挿入口と基板の隙間から排出される前記混合気体の排出速度は３９．０ｃｍ／ｍｉｎであるところ、１０ｃｍ／ｍｉｎ（あるいは、２０ｃｍ／ｍｉｎまたは５ｃｍ／ｍｉｎ）の上昇速度で基板を反応炉に挿入すると、混合気体の排出速度の方が速い為、基板挿入に伴う空気等の反応室への混入を防ぐ事が出来、また、混合気体の密度は空気密度よりも小さく、しかも熱せられているので重い空気がこれらの軽い気体を押し退けて下から上へ入る可能性は殆ど無いことから、基板挿入時に空気や水等の不純物気体が反応炉内に流れ込むことを防止できる。」
という技術が示されている。
　
４−３．　　対比
　補正発明と引用発明を比較する。
・引用発明の「一側面に、ウエハＷを搬入及び搬出する入口を有するとともに、前記入口と対向する壁部４に所要のガスを内部に導入するガスノズル５が取り付けられた石英製の偏平な石英チャンバ２」と引用発明の「熱放射によりウエハＷを加熱するＣＷアークランプ７」とを併せた構成が光照射加熱をする熱処理炉を構成していると言えるから、該構成と、補正発明の「１つの側面に基板の搬入及び搬出を行なうための開口を有し、前記側面と対向する側面にガス導入口が形設され、基板を枚葉で収容する熱処理炉」と補正発明の「前記熱処理炉内に保持された基板を加熱する加熱手段」とを併せた構成は、「１つの側面に基板の搬入及び搬出を行なうための開口を有し、前記側面と対向する側面にガス導入口が形設され、基板を収容する熱処理炉」と「前記熱処理炉内に保持された基板を加熱する加熱手段」を併せたものである点で共通する。
・引用発明の「ウエハＷを水平に支持し、該ウエハＷを、前記石英チャンバ２の内部に前記入口から水平方向に搬入及び搬出するサセプタ１」は、補正発明の「基板を水平姿勢に支持して水平方向へ搬送し、前記熱処理炉内へ前記開口を通して基板を搬入し熱処理炉内から開口を通して基板を搬出する基板搬出入手段」に相当する。
・引用発明の「前記サセプタ１に接合させられ、前記石英チャンバ２の入口に対して接離移動自在であり、ウエハＷの搬入と同時に前記石英チャンバ２の入口を封止する蓋体３」は、補正発明の「前記熱処理炉の前記開口を気密に閉塞する開口閉塞手段」に対応する。
　
　したがって、補正発明と引用発明とは、
「１つの側面に基板の搬入及び搬出を行なうための開口を有し、前記側面と対向する側面にガス導入口が形設され、基板を収容する熱処理炉と、
　基板を水平姿勢に支持して水平方向へ搬送し、前記熱処理炉内へ前記開口を通して基板を搬入し熱処理炉内から開口を通して基板を搬出する基板搬出入手段と、
　前記熱処理炉の前記開口を気密に閉塞する開口閉塞手段と、
　前記熱処理炉内に保持された基板を加熱する加熱手段と、
を備えた基板の熱処理装置。」
である点で一致する。
　
　一方、両者は、以下の各点で相違する。
・相違点１
　「熱処理炉」について、補正発明においては、「基板を枚葉で収容する」ものであるのに対して、引用発明においては、「基板を収容する」形態が「枚葉」であるのか否かが明らかでない点。
　
・相違点２
　補正発明は、「前記ガス導入口を通して前記熱処理炉内へガスを導入しそのガスを熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出させるガス導入手段」を備えるが、引用発明は、そのようなものを備えていない点。
　
・相違点３
　補正発明は、「前記基板搬出入手段により前記熱処理炉内へ基板を搬入する際の基板搬入速度が、前記ガス導入手段により熱処理炉内へ導入されたガスが熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出する時のガス流出速度と同等もしくはその流出速度より遅くなるように、基板搬出入手段による基板の搬入速度を制御する制御手段」を備えるが、引用発明は、そのようなものを備えていない点。
　
４−４．　当審の判断
　以下、上記各相違点について検討する。
・相違点１について
　熱処理炉を含む熱処理装置を枚葉式とすることは、次の周知例１にも記載されているように、従来周知のものである。
　周知例１：特開平８−３７１５８号公報には、次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】扁平状に形成された熱処理炉内へ、その一側面に形成された開口を通して基板を１枚ずつ搬入し、蓋体によって開口を閉塞した後、熱処理炉内に収容された基板に対し、熱処理炉内に活性又は不活性なガスを導入してアニール、酸窒化、成膜、その他の各種熱処理を施すようにした枚葉式の基板の熱処理装置においては、１枚目の基板から熱処理品質の繰返し再現性が得られるようにするため、１枚目の基板を熱処理炉内へ搬入する前に熱処理炉内を予備加熱して熱処理炉を熱的に安定させるようにしている。・・・（以下略）」
　そして、引用発明に係る光照射加熱する装置を枚葉式として、熱処理炉に基板を枚葉で収容するものとすることは、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点２について
　引用発明に係る光照射加熱する装置には、「入口と対向する壁部４に所要のガスを内部に導入するガスノズル５が取り付」けられているから、このガスノズル５から熱処理炉内である石英チャンバ２にガスを導入する手段を有することは明らかである。また、ウエハを処理する装置において、炉内に導入されたガスを開口の全面を通して流出させることは、前出の引用例２に、「基板挿入時に反応炉内には上部より純度が９９・９９９９％以上のヘリウムと水素の混合気体が３０ＳＬＭ導入され、これらの混合気体は反応炉下部に設けられた基板挿入口より排出されて居る。」と記載されているほか、次の周知例２にも示されているように、従来周知の技術である。
　周知例２：特開昭６０−１８６０２５号公報には、次の記載がある。
「［背景技術の問題点］
　しかしながら、このような構造の瞬間アニール装置においては、ウェーハを導入、排出する際に外気が混入し、ウェーハの酸化が生じるという問題がある。」（２ページ右上欄３〜６行）
「［発明の概要］
　上記目的の達成のため、本発明においては不活性ガスを充満させた処理装室内に被処理ウェーハを導入し，高エネルギー波を短時間照射して加熱することによりウェーハ表面のアニールをおこなう瞬間アニール装置において、前記ウェーハを前記処理室内に導入及び排出する際の前記不活性ガスの前記処理室内への供給量を加熱時の供給量よりも多くするための流量切替装置を備えたことを特徴としており、外気や塵埃の混入がなく、しかも処理効率が高いものである。」（２ページ左下欄２〜１２行）
　そして、引用発明に係る光照射加熱する装置において、この周知の技術を適用し、前述のガスを導入する手段を、熱処理炉内である石英チャンバ２にガスを導入するとともに、該ガスを前記石英チャンバ２の入口の全面を通して流出させるものとすることは、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点３について
　ウエハを処理する装置において、処理炉内にウエハを導入する際の外気の混入による、前記処理炉内のガスの純度の低下を解決する必要があることは、前出の周知例２のほか、次の周知例３にも示されているように、従来より周知の課題である。
　周知例３:特開平２−１３５７２７号公報には、次の記載がある。
「〔発明が解決しようとする課題〕
　従来の熱処理装置は以上のように構成されているので、横形炉の場合はウェハを反応管の中へ送り込む時に多量の外気が流入して、巻き込み酸化のためにウェハの表面に厚い酸化膜が形成されるなどの問題があり、また、縦形炉の場合は、上記外気の流入が少なくなるものの、やはり、ウェハ相互間の隙間の空気などが一緒に入り込み、かなりの厚さの酸化膜が形成され、しかも、ウェハの送り込み時における開口部付近の温度勾配が急峻なため、ウェハが急激な温度変化を受けて結晶欠陥が生じたり、熱歪みによって破損したりすることがあり、これを避けるためにウェハの送り込み速度を下げると生産性が低下するなどの問題点があった。」
（２ページ左下欄１６行〜同ページ右下欄１０行）
　引用発明に係る光照射加熱する装置においても、ウエハＷの搬入に伴い、同様の外気の混入が生ずることは明らかであるから、前記周知の課題の解決を図ることは、当業者が当然に考慮することである。一方、前述のとおり、引用例２には、基板を反応炉に挿入する速度よりも、反応炉からの気体の排出速度の方を速くすることで、基板挿入に伴う空気等の反応室への混入を防ぐことができるという技術、言い換えると、基板を反応炉に挿入する速度を、反応炉からの気体の排出速度よりも遅くすることで、基板挿入に伴う空気等の反応室への混入を防ぐことができるという技術が示されているので、前記周知の課題を解決するために、前記引用例２に示された技術を適用することは、当業者が容易になし得たことである。
　また、熱処理炉への半導体基板の搬入・搬出にあたり、サセプタの移動を制御する装置を用いることは、前出の周知例１に、図４とともに「【００２１】また、熱処理炉10には、その内方に石英管48によって支持された・・・（中略）・・・。また、マイコン54は、温度センサの検出信号に基づいて熱処理炉10内の温度が前記搬入温度になったことを判別し、また、所定の搬出温度になったことを判別する機能、熱処理炉10内の温度が搬入温度になったことが判別された時点でシーケンサ（マイコン）58へ制御信号を送ってシーケンサ58からモータ22へ駆動信号を送り、サセプタ16に保持された基板Ｗ又はダミー基板DM-L、DM-Rを熱処理炉10内へ搬入させ、また、加熱後において熱処理炉10内の温度が所定の搬出温度になったことが判別された時点で、同様にして、サセプタ16に保持された加熱後の基板Ｗ又はダミー基板DM-L、DM-Rを熱処理炉10内から搬出させるようにする機能、シーケンサ58へ制御信号を送ってシーケンサ58から基板移送機構38へ駆動信号を送り、基板移送機構38を作動させて各カセット26、28上のカセットＣ、アライメント機構36、サセプタ16、冷却機構34及び各ダミー基板収納部30、32の各間における基板Ｗ又はダミー基板DM-L、DM-Rの移送を行なわせるようにする機能、並びに、Ｄ／Ａコンバータ60を経てランプ用電源62へ信号を送ってランプ用電源62の電圧、電流を変化させ、光源用ランプ24により熱処理炉10内に収容された基板Ｗ又はダミー基板DM-L、DM-Rを一定の加熱プログラムに従って加熱するように制御する機能を具備している。・・・（後略）。」と記載されているように従来周知の技術である。それゆえ、引用発明に引用例２に示された技術を適用するに伴い、「前記基板搬出入手段により前記熱処理炉内へ基板を搬入する際の基板搬入速度が、前記ガス導入手段により熱処理炉内へ導入されたガスが熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出する時のガス流出速度より遅くなるように、基板搬出入手段による基板の搬入速度を制御する制御手段」、すなわち、相違点３に係る補正発明の「前記基板搬出入手段により前記熱処理炉内へ基板を搬入する際の基板搬入速度が、前記ガス導入手段により熱処理炉内へ導入されたガスが熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出する時のガス流出速度と同等もしくはその流出速度より遅くなるように、基板搬出入手段による基板の搬入速度を制御する制御手段」に包含される構成を備えるようにすることは、当業者が適宜になし得たことである。
　
４−５．小括
　よって、補正発明は、引用例１及び２に記載された発明並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　上記のとおり、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．　本願発明
　平成１９年３月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１７年８月３０日付けの手続補正の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　１つの側面に基板の搬入及び搬出を行なうための開口を有し、基板を枚葉で収容する熱処理炉と、
　基板を水平姿勢に支持して水平方向へ搬送し、前記熱処理炉内へ前記開口を通して基板を搬入し熱処理炉内から開口を通して基板を搬出する基板搬出入手段と、
　前記熱処理炉の前記開口を気密に閉塞する開口閉塞手段と、
　前記熱処理炉内に保持された基板を加熱する加熱手段と、
　前記熱処理炉内へガスを導入するガス導入手段とを備えた基板の熱処理装置において、
　前記基板搬出入手段により前記熱処理炉内へ基板を搬入する際の基板搬入速度が、前記ガス導入手段により熱処理炉内へ導入されたガスが熱処理炉内から前記開口の全面を通して流出する時のガス流出速度と同等もしくはその流出速度より遅くなるように、基板搬出入手段による基板の搬入速度を制御する制御手段を設けたことを特徴とする基板の熱処理装置。」
（以下「本願発明」という。）
　
２．　引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及び２、それらの記載事項、及び、引用例１に記載された発明（引用発明）は、上記の「第２　４−２．　刊行物に記載された発明」において認定したとおりである。
　
３．　対比・判断
　上記「第２　２．補正事項の整理」及び「第２　３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について」において検討したように、補正発明（補正後の請求項１に記載された発明）は、補正前の請求項１について、前記「第２　２．補正事項の整理」に記した（１）及び（２）の補正事項に係る限定を付したものである。言い換えると、本願発明は、補正発明から前記（１）及び（２）の補正事項に係る限定をいずれも除いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである補正発明が、上記第２　４−３．〜第２　４−５．において検討したとおり、引用例１及び２に記載された発明並びに従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．まとめ
　以上検討したとおり、本願発明は、引用発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。