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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ナノ構造体を含むチャンネル層と、
前記チャンネル層の両端に各々接続されるソース及びドレインと、
前記チャンネル層上に備えられる第１トンネル絶縁層と、
前記第１トンネル絶縁層上に備えられ、前記第１ナノ構造体と異なる第２ナノ構造体を含む第１電荷トラップ層と、
前記第１電荷トラップ層上に備えられる第１ブロッキング絶縁層と、
前記第１ブロッキング絶縁層上に備えられた第１コントロールゲートと
を含む半導体素子。
【請求項２】
前記第１ナノ構造体は双極性を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第１ナノ構造体はナノワイヤーであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第２ナノ構造体はナノパーティクルであることを特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記チャンネル層は親水性層上に備えられることを特徴とする請求項１ないし４の何れか一項に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記チャンネル層の周りの前記親水性層上に疎水性層が備えられ、
前記疎水性層上に前記ソース及び前記ドレインが備えられることを特徴とする請求項５記載の半導体素子。
【請求項７】
前記第１トンネル絶縁層は、順次積層された第１及び第２絶縁層を含み、
前記第２絶縁層は親水性分子層または疎水性分子層であることを特徴とする請求項１ないし６の何れか一項に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記チャンネル層と離隔される第２コントロールゲートをさらに含み、
前記第１及び第２コントロールゲートの間に前記チャンネル層が備えられることを特徴とする請求項１ないし７の何れか一項に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記チャンネル層と前記第２コントロールゲートとの間に備えられる第２電荷トラップ層と、
前記チャンネル層と前記第２電荷トラップ層との間に備えられる第２トンネル絶縁層と、
前記第２電荷トラップ層と前記第２コントロールゲートとの間に備えられる第２ブロッキング絶縁層と
をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記第２電荷トラップ層はナノパーティクルを含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子。
【請求項１１】
当該半導体素子はトランジスタまたは不揮発性メモリ素子であることを特徴とする請求項１ないし１０の何れか一項に記載の半導体素子。
【請求項１２】
基板上に第１ナノ構造体を含むチャンネル層を形成する段階と、
前記チャンネル層の両端に各々接続されるソース及びドレインを形成する段階と、
前記チャンネル層上に第１トンネル絶縁層を形成する段階と、
前記第１トンネル絶縁層上に前記第１ナノ構造体と異なる第２ナノ構造体を含む第１電荷トラップ層を形成する段階と、
前記第１電荷トラップ層上に第１ブロッキング絶縁層を形成する段階と、
前記第１ブロッキング絶縁層上に第１コントロールゲートを形成する段階と
を含む半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第１ナノ構造体は双極性を有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記チャンネル層を形成する段階は、
前記基板上に非疎水性層を形成する段階と、
前記非疎水性層上に前記非疎水性層の第１領域を露出させる開口部を有する疎水性層を形成する段階と、
前記開口部により露出された前記第１領域に多数の前記第１ナノ構造体を吸着させる段階と
を含むことを特徴とする請求項１２または１３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１ナノ構造体はナノワイヤーであることを特徴とする請求項１２ないし１４の何れか一項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１トンネル絶縁層を形成する段階は、
前記チャンネル層、前記ソース及び前記ドレインを覆う絶縁層を形成する段階と、
前記ソース及び前記ドレイン間の前記チャンネル層の上側の前記絶縁層上に前記第２ナノ構造体を吸着する吸着層を形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項１２ないし１５の何れか一項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁層を形成する段階と前記吸着層を形成する段階との間に、
前記絶縁層の前記吸着層形成領域以外の領域上に前記第２ナノ構造体を吸着しない非吸着層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第２ナノ構造体はナノパーティクルであることを特徴とする請求項１２ないし１７の何れか一項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記チャンネル層と離隔される第２コントロールゲートを形成する段階をさらに含み、
前記第１及び第２コントロールゲート間に前記チャンネル層が備えられることを特徴とする請求項１２ないし１８の何れか一項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第２コントロールゲートと前記チャンネル層との間に第２電荷トラップ層を形成する段階と、
前記第２電荷トラップ層と前記チャンネル層との間に第２トンネル絶縁層を形成する段階と、
前記第２コントロールゲートと前記第２電荷トラップ層との間に第２ブロッキング絶縁層を形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１ないし１１の何れか一項に記載の半導体素子を動作させる方法において、
前記第１電荷トラップ層に電荷をトラップさせる段階を含む方法。
【請求項２２】
前記電荷は電子または正孔であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
請求項９又は１０に記載の半導体素子を動作させる方法において、
前記第１電荷トラップ層に電荷をトラップさせる段階と、
前記第２電荷トラップ層に電荷をトラップさせる段階と
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月5日(2012.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮符号化対象であるデータの予測値を算出し、この予測値と前記データの実際値との差分である予測誤差を算出する差分符号化手段と、
前記差分符号化手段が出力する予測誤差の符号ビットを反転すると当該予測誤差の絶対値が減少する場合に当該予測誤差の符号ビットの反転を行う予測誤差変換手段と、
前記予測誤差変換手段の処理を経た予測誤差に対し、絶対値が小さいものほど符号長が短くなる可変長符号化を行って、予測誤差を示す可変長符号を生成し、圧縮符号化データとして出力する可変長符号化手段と
を具備することを特徴とする可逆圧縮符号化装置。
【請求項２】
前記圧縮符号化対象であるデータは、画像を構成する各画素を示すデータであり、
前記差分符号化手段は、前記画像を構成する各画素の中から対象画素をラスタスキャン順に選択し、対象画素の近傍の画素を示すデータから対象画素を示すデータの予測値を算出し、この予測値と対象画素を示すデータの実際値との差分である予測誤差を算出することを特徴とする請求項１に記載の可逆圧縮符号化装置。
【請求項３】
画像を構成する各画素の第１色成分〜第３色成分を各々示す画素データについて、異種の色成分間の画素データの差分を算出し、複数種類の差分データを出力する減算手段と、
前記減算手段から得られる複数種類の差分データを、符号ビットの内容を同じくする所定範囲内の数値となるようにレベルシフトするレベルシフト手段とを具備し、
前記差分符号化手段は、前記画像を構成する各画素の第１色成分〜第３色成分を各々示す画素データと前記レベルシフト手段の処理を経た複数種類の差分データの少なくとも一部を圧縮符号化対象として予測誤差を算出することを特徴とする請求項２に記載の可逆圧縮符号化装置。
【請求項４】
前記可逆圧縮符号化手段から得られる複数種類の圧縮符号化データのデータ量を比較し、前記複数の圧縮符号化データの中から、元の第１色成分〜第３色成分を示す各画素データを合成可能な３種類の色成分データから得られた３種類の圧縮符号化データの組み合わせであって、他の組み合わせに比べてデータ量の低い３種類の圧縮符号化データの組み合わせを出力対象として選択する比較選択手段を具備することを特徴とする請求項３に記載の可逆圧縮符号化装置。
【請求項５】
請求項１に記載の可逆圧縮符号化装置により出力された圧縮符号化データを受け取り、前記圧縮符号化データを可変長符号化前の予測誤差に戻す可変長復号化手段と、
復号化される実際値の予測値を算出し、前記予測値と、前記予測誤差の構成ビットのうち符号ビットを除く部分とにより、前記実際値を復号化する逆差分符号化手段と
を具備することを特徴とする可逆復号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】可逆圧縮符号化装置および可逆復号化装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、画像データや音声データ等のデータの可逆圧縮符号化装置および可逆復号化装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明は、圧縮符号化対象であるデータの予測値を算出し、この予測値と前記データの実際値との差分である予測誤差を算出する差分符号化手段と、前記差分符号化手段が出力する予測誤差の符号ビットを反転すると当該予測誤差の絶対値が減少する場合に当該予測誤差の符号ビットの反転を行う予測誤差変換手段と、前記予測誤差変換手段の処理を経た予測誤差に対し、絶対値が小さいものほど符号長が短くなる可変長符号化を行って、予測誤差を示す可変長符号を生成し、圧縮符号化データとして出力する可変長符号化手段とを具備することを特徴とする可逆圧縮符号化装置を提供する。
また、この発明は、上記可逆圧縮符号化装置により出力された圧縮符号化データを受け取り、前記圧縮符号化データを可変長符号化前の予測誤差に戻す可変長復号化手段と、復号化される実際値の予測値を算出し、前記予測値と、前記予測誤差の構成ビットのうち符号ビットを除く部分とにより、前記実際値を復号化する逆差分符号化手段とを具備することを特徴とする可逆復号化装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明による可逆圧縮符号化装置によれば、予測誤差変換手段が、差分符号化により得られた予測誤差の符号ビットを反転すると当該予測誤差の絶対値が減少する場合に当該予測誤差の符号ビットの反転を行い、可変長符号化手段は、予測誤差変換手段の処理を経た予測誤差に対し、絶対値が小さいものほど符号長が短くなる可変長符号化を行って、予測誤差を示す可変長符号を生成するので、可変長符号化の対象となる予測誤差の絶対値が総じて小さくなり、全体としての可変長符号の符号長を短くすることができる。
また、この発明による可逆復号化装置によれば、上記可逆圧縮符号化装置により出力された圧縮符号化データから無損失で圧縮符号化前の元のデータを復元することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板（２）に高輝度の複数の発光ダイオード（３）と、これらの発光ダイオード（３）を駆動点灯する電源回路とを一体に実装してＬＥＤ基板ユニット（１）を構成し、
前記プリント基板（２）は長尺物で構成され、該プリント基板（２）の長手方向と直交する一方側に該プリント基板（２）の長手方向の略全長にわたって前記発光ダイオード（３）を所定のピッチ毎に列設し、
前記プリント基板（２）の長手方向と直交する他方側に前記電源回路を、前記列設した発光ダイオード（３）に対して並設し、
前記電源回路は、前記複数の発光ダイオード（３）と同一の面のプリント基板（２）上に実装し、
前記ＬＥＤ基板ユニット（１）の電源回路の入力側はＡＣ１００Ｖの商用電源が直接入力されるようになっており、
前記発光ダイオード（３）を前記電源回路にて定電流駆動していることを特徴とする電源回路一体型ＬＥＤ基板ユニット。
【請求項２】
前記ＬＥＤ基板ユニット（１）のプリント基板（２）の一方の端部にオス型のコネクタ（１２）が配設され、該プリント基板（２）の他方の端部にはメス型のコネクタ（１３）が配設され、隣接する両コネクタ（１２）（１３）にてＬＥＤ基板ユニット（１）同士を連結可能としていることを特徴とする請求項１に記載の電源回路一体型ＬＥＤ基板ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明の請求項１に記載の電源回路一体型ＬＥＤ基板ユニットでは、プリント基板２に高輝度の複数の発光ダイオード３と、これらの発光ダイオード３を駆動点灯する電源回路とを一体に実装してＬＥＤ基板ユニット１を構成し、前記プリント基板２は長尺物で構成され、該プリント基板２の長手方向と直交する一方側に該プリント基板２の長手方向の略全長にわたって前記発光ダイオード３を所定のピッチ毎に列設し、前記プリント基板２の長手方向と直交する他方側に前記電源回路を、前記列設した発光ダイオード３に対して並設し、前記電源回路は、前記複数の発光ダイオード３と同一の面のプリント基板２上に実装し、前記ＬＥＤ基板ユニット１の電源回路の入力側はＡＣ１００Ｖの商用電源が直接入力されるようになっており、前記発光ダイオード３を前記電源回路にて定電流駆動していることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項１に記載の電源回路一体型ＬＥＤ基板ユニットによれば、プリント基板２に高輝度の複数の発光ダイオード３と、これらの発光ダイオード３を駆動点灯する電源回路とを一体に実装してＬＥＤ基板ユニット１を構成し、前記プリント基板２は長尺物で構成され、該プリント基板２の長手方向と直交する一方側に該プリント基板２の長手方向の略全長にわたって前記発光ダイオード３を所定のピッチ毎に列設し、前記プリント基板２の長手方向と直交する他方側に前記電源回路を、前記列設した発光ダイオード３に対して並設し、前記電源回路は、前記複数の発光ダイオード３と同一の面のプリント基板２上に実装しているので、発光ダイオード３を駆動点灯するための電源回路の設置場所を不要とすることができる。
また、前記ＬＥＤ基板ユニット１の電源回路の入力側はＡＣ１００Ｖの商用電源が直接入力されるようになっているので、ＡＣ１００Ｖの商用電源を接続するだけで、発光ダイオード３の駆動点灯ができ、設置の際の配線作業を容易にすることができる。また、例えば、什器３０の複数の棚３１にＬＥＤ基板ユニット１を照明ユニットとして設置する場合、ＬＥＤ基板ユニット１個々に独立した配線ができ、設置作業が容易となる。
さらに、前記発光ダイオード３を前記電源回路にて定電流駆動していることで、高輝度の発光ダイオード３は大電流が必要であるものの、必要以上の大電流が発光ダイオード３に流れるのを防止できて、発光ダイオード３が焼損するのを防止でき、発光ダイオード３の長寿命化を図ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010087027.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方のゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上方の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上方の、ソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域上方のソース電極と、
前記ドレイン領域上方のドレイン電極と、を有し、
前記第１の半導体層は非晶質領域を有し、
前記第２の半導体層は結晶領域を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、微結晶半導体と、一導電型を付与する元素を有し、
前記第２の半導体層は、前記ソース領域と接する第１の領域と、前記ドレイン領域と接する第２の領域を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域は分離されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート絶縁層と前記第１の半導体層との間に、微結晶半導体を有する第３の半導体層を有し、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との界面に、ハロゲン元素を有し、
前記第１の半導体層は、粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の結晶粒を有し、
前記第２の半導体層は、逆錐形の結晶粒を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板となる第１の単結晶半導体基板と、第１の基板とを準備する第１の工程と、
前記第１の単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して前記第１の単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して前記第１の単結晶半導体基板と前記第１の基板とを貼り合わせる第２の工程と、
前記脆化領域において前記第１の単結晶半導体基板を分離して、前記第１の基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する第３の工程とを有し、
前記分離された第１の単結晶半導体基板を、第２の単結晶半導体基板に貼り合わせて積層基板を形成し、前記積層基板を前記第１の工程におけるボンド基板として使用するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
ボンド基板となる第１の単結晶半導体基板と、第１の基板とを準備する第１の工程と、
前記第１の単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して前記第１の単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して前記第１の単結晶半導体基板と前記第１の基板とを貼り合わせる第２の工程と、
前記脆化領域において前記第１の単結晶半導体基板を分離して、前記第１の基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する第３の工程と、
前記分離された第１の単結晶半導体基板の状態を検査する第４の工程とを有し、
前記第４の工程における前記第１の単結晶半導体基板の状態の検査結果に基づいて、前記分離された第１の単結晶半導体基板を、再度前記第１の工程におけるボンド基板として使用する、又は前記分離された第１の単結晶半導体基板を前記第２の単結晶半導体基板に貼り合わせて積層基板を形成し、前記積層基板を前記第１の工程におけるボンド基板として使用するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の単結晶半導体基板の状態の検査は、少なくとも前記第１の単結晶半導体基板の厚さを測定するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記分離された第１の単結晶半導体基板と、前記第２の単結晶半導体基板との貼り合わせを、前記分離された第１の単結晶半導体基板の表面と、前記第２の単結晶半導体基板との表面の少なくとも一方に表面処理を行った後、前記分離された第１の単結晶半導体基板の表面と、前記第２の単結晶半導体基板との表面を接合させて積層基板を形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記表面処理は、真空中でアルゴンを照射して前記分離された第１の単結晶半導体基板の表面と前記第２の単結晶半導体基板の表面の少なくとも一方の表面を活性化するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記分離された第１の単結晶半導体基板と、前記第２の単結晶半導体基板との貼り合わせを、前記第１の単結晶半導体基板と前記第２の単結晶半導体基板の少なくとも一方に形成された接合層を介して行うＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の基板として、ガラス基板、単結晶半導体基板又は多結晶半導体基板を用いるＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の単結晶半導体基板の一の面からイオンを導入して、前記第１の単結晶半導体基板の内部に第１の損傷層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体基板の一の面に接する第１の電極を形成する工程と、
第２の単結晶半導体基板の一の面からイオンを導入して、前記第２の単結晶半導体基板の内部に第２の損傷層を形成する工程と、
前記第２の単結晶半導体基板の一の面に接する第２の電極を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体基板の前記第１の電極が形成された面と、前記第２の単結晶半導体基板の前記第２の電極が形成された面とを、第１の絶縁層を介して支持基板に接合させる工程と、
前記第１の損傷層及び前記第２の損傷層で分離する処理により、前記支持基板上に第１の単結晶半導体層及び第２の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層のそれぞれにおいて、前記支持基板が設けられている側の面と反対側の面に不純物半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層を覆うように、透光性を有する第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層及び前記第２の単結晶半導体層に前記第２の電極に達する貫通口を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層の前記不純物半導体層に接し、かつ、前記貫通口を介して前記第２の電極に接する第３の電極を形成する工程と、を有し、
前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板は、同じ導電型を有し、
前記不純物半導体層は、前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板と逆の導電型を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第３の電極は、格子状または網目状の領域を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上に積層膜を有し、
前記積層膜上に第２の導電層を有し、
前記積層膜は、前記第１の導電層上にｐ型の第１の半導体層を有し、
前記積層膜は、前記第１の半導体層上に第２の半導体層を有し、
前記積層膜は、前記第２の半導体層上にｎ型の第３の半導体層を有し、
前記積層膜は、前記第３の半導体層上に第３の導電層を有し、
前記積層膜は、前記第３の導電層上に絶縁層を有し、
前記積層膜は、前記絶縁層上にシリコンを含む層を有し、
前記積層膜は、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記積層膜は、前記第１の導電層と重ならない領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタの作製方法であって、
レジストマスクを用いてエッチングを行うことで前記薄膜トランジスタにバックチャネル部を形成し、
硫黄を有する親水基を含む薬液を用いて前記レジストマスクを除去し、
前記バックチャネル部の表層部を窒素ガス又は４フッ化メタンガスによりエッチングすることで、前記バックチャネル部に存在する硫黄の濃度を二次イオン質量分析法による検出下限以下とすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層上にゲート絶縁層、半導体層及び不純物半導体層を形成し、
前記不純物半導体層上に第１のレジストマスクを選択的に形成し、
前記半導体層及び不純物半導体層をエッチングして前記ゲート電極層と少なくとも一部が重なる島状半導体層を形成し、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記ゲート絶縁層及び前記島状半導体層上に導電層を形成し、
前記導電層上に第２のレジストマスクを選択的に形成し、
前記導電層をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第２のレジストマスクを残存させた状態で前記島状半導体層の前記不純物半導体層をエッチングすることで前記半導体層の一部を露出させてバックチャネル部を形成し、
硫黄を有する親水基を含む薬液を用いて前記第２のレジストマスクを除去し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして前記バックチャネル部の表層部を窒素ガス又は４フッ化メタンガスによりエッチングすることで、前記バックチャネル部に存在する硫黄の濃度を二次イオン質量分析法による検出下限以下とすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
ゲート電極層上にゲート絶縁層、半導体層及び不純物半導体層を形成し、
前記不純物半導体層上に第１のレジストマスクを選択的に形成し、
前記半導体層及び不純物半導体層をエッチングして前記ゲート電極層と少なくとも一部が重なる島状半導体層を形成し、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記ゲート絶縁層及び前記島状半導体層上に導電層を形成し、
前記導電層上に第２のレジストマスクを選択的に形成し、
前記導電層をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、
硫黄を有する親水基を含む薬液を用いて前記第２のレジストマスクを除去し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記島状半導体層の前記不純物半導体層をエッチングすることで前記半導体層の一部を露出させてバックチャネル部を形成し、
前記バックチャネル部の表層部を窒素ガス又は４フッ化メタンガスによりエッチングすることで、前記バックチャネル部に存在する硫黄の濃度を二次イオン質量分析法による検出下限以下とすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
ゲート電極層上にゲート絶縁層、半導体層、不純物半導体層及び導電層を形成し、
前記導電層上に凹部を有する第１のレジストマスクを選択的に形成し、
前記半導体層、前記不純物半導体層及び前記導電層をエッチングすることで島状半導体層と、該半導体層上に導電層と、を形成しつつ、前記第１のレジストマスクの凹部を前記導電層に達せしめることで第２のレジストマスクを形成し、
前記導電層をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記島状半導体層の前記不純物半導体層をエッチングすることで前記半導体層の一部を露出させてバックチャネル部を形成し、
硫黄を有する親水基を含む薬液を用いて前記第２のレジストマスクを除去し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして前記バックチャネル部の表層部を窒素ガス又は４フッ化メタンガスによりエッチングすることで、前記バックチャネル部に存在する硫黄の濃度を二次イオン質量分析法による検出下限以下とすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
ゲート電極層上にゲート絶縁層、半導体層、不純物半導体層及び導電層を形成し、
前記導電層上に凹部を有する第１のレジストマスクを選択的に形成し、
前記半導体層、前記不純物半導体層及び前記導電層をエッチングすることで島状半導体層と、該半導体層上に導電層と、を形成しつつ、前記第１のレジストマスクの凹部を前記導電層に達せしめることで第２のレジストマスクを形成し、
前記導電層をエッチングすることでソース電極及びドレイン電極を形成し、
硫黄を有する親水基を含む薬液を用いて前記第２のレジストマスクを除去し、
前記島状半導体層の前記不純物半導体層をエッチングすることで前記半導体層の一部を露出させてバックチャネル部を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして前記バックチャネル部の表層部を窒素ガス又は４フッ化メタンガスによりエッチングすることで、前記バックチャネル部に存在する硫黄の濃度を二次イオン質量分析法による検出下限以下とすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記硫黄を有する親水基を含む薬液は、アルキルベンゼンスルホン酸系の剥離液であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記バックチャネル部の表層部のエッチングは、薄膜トランジスタが形成される基板の垂直な方向にバイアスをかけずに行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体層は、微結晶半導体層と非晶質半導体層との積層からなり、
前記半導体層における前記不純物半導体層と接する側には前記非晶質半導体層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月8日(2012.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生させる発光チップと、
前面側に配置されて前記発光チップが配置された前面部と、背面側に配置されて断面積が減少するように傾いて形成された背面部と、を含むハウジングと、
外部から提供される底面上に配置されるとき、前記底面と向い合う前記背面部の一方の側に配置されて前記底面と少なくとも一部が接触するように形成され、前記背面部を支持する支持部と、を具備し、
前記支持部は、前記ハウジングの前記背面部から突出して形成され、前記背面部と一体に形成されることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記支持部は、
前記ハウジングの前面部及び前記ハウジングの背面部の境界から前記背面部に向って延長されて形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記前面部の背面から前記支持部の一端までの長さは、前記前面部の背面から前記発光素子の質量中心までの長さより長いことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記ハウジングの背面部の一端が前記底面に接触するように前記背面部に外力が印加されているとき、前記支持部と前記底面とが接触した地点を基準に、前記発光素子の質量中心から作用する前記発光素子自体の重量の作用方向の延長線と前記底面との第１交差点は、前記外力の作用方向の延長線と前記底面との第２交差点より前記質量中心側に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記支持部は、
前記ハウジングの背面部の一端が前記底面に向って移動するように前記背面部に印加されている外力が除去されるとき、前記背面部を初期状態に回復させる大きさを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項６】
第１電極及び第２電極を含む発光チップと、
前記発光チップの前記第１電極と電気的に接続された第１リードフレームと、
前記発光チップの前記第２電極と電気的に接続された第２リードフレームと、
前記第１及び第２リードフレームを基準に第１側に配置され、前記発光チップを収容する前面部と、前記第１及び第２リードフレームを基準に前記第１側の反対側である第２側に配置されて断面積が減少するように傾いて形成された背面部と、を含むハウジングと、
外部から提供される低面上に配置されるとき、前記底面と向い合う前記背面部の一方の側に配置され、前記底面と少なくとも一部が接触するように形成されて前記背面部を支持する支持部と、を具備することを特徴とする発光素子。
【請求項７】
前記支持部は、前記ハウジングの前記背面部から突出して形成され、前記背面部と一体に形成されることを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記支持部は、
前記ハウジングの前面部及び前記ハウジングの背面部の境界から前記背面部に向って延長されて形成されることを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項９】
前記前面部の背面から前記支持部の一端までの長さは、前記前面部の背面から前記発光素子の質量中心までの長さより長いことを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記ハウジングの背面部の一端が前記底面に接触するように前記背面部に外力が印加されているとき、前記支持部と前記底面とが接触した地点を基準に、前記発光素子の質量中心から作用する前記発光素子自体の重量の作用方向の延長線と前記底面との第１交差点は、前記外力の作用方向の延長線と前記底面との第２交差点より前記質量中心側に位置することを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記支持部は、
前記ハウジングの背面部の一端が前記底面に向って移動するように前記背面部に印加されている外力が除去されるとき、前記背面部を初期状態に回復させる大きさを有することを特徴とする請求項６乃至８の何れか一項に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に非晶質半導体膜を形成し、
処理雰囲気の温度を、７２５℃以上とした後、
前記ガラス基板を、前記処理雰囲気内にあり、７２５℃以上である支持台上に導入して所定時間保持することにより、前記非晶質半導体膜を結晶化し、
前記ガラス基板を、前記処理雰囲気から取り出すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記所定時間は、１分以上１０分以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記処理雰囲気の温度を、７２５℃以上且つ前記ガラス基板の歪み点未満とし、
前記保持は、前記ガラス基板の歪み点未満の温度で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記処理雰囲気には、少なくとも、水素、ヘリウム、水のいずれかが含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記処理雰囲気の温度は、輻射熱によって保持されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ガラス基板の歪み点は、７３０℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記ガラス基板には、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯが多く含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、
絶縁層を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層にレーザー光を照射して前記単結晶半導体層を部分溶融させた後、第１の熱処理を行い、
前記単結晶半導体層に導電型を付与する不純物元素を添加して前記単結晶半導体層中に不純物領域を形成し、
前記不純物領域が形成された単結晶半導体層に前記第１の熱処理の温度より低い温度で第２の熱処理を行い、
前記第１の熱処理の温度を、６４０℃以上、且つ前記単結晶半導体層を溶融させない温度であって、前記ベース基板の歪み点以下とし、
前記第２の熱処理の温度を５５０℃以上とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記単結晶半導体層上方にゲート電極を形成した後、前記不純物領域を形成し、
前記不純物領域は、ソース領域及びドレイン領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記レーザー光を照射した後であって前記第１の熱処理を行う前に、前記単結晶半導体層に対して薄膜化処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加圧により他の基板に一方の面が接合される基板の他方の面に接する接触面を有する接触部と、
前記接触部の周囲に沿って配され、前記接触部を介して前記基板が加圧されたときに前記基板の周縁部に生じる応力集中を緩和する応力緩和部と、
を有する基板保持部材。
【請求項２】
前記接触部の周囲に配置されたフランジ部を備え、
前記応力緩和部は、前記接触部と前記フランジ部との間に配置され、前記フランジ部から前記接触部への応力の伝播を遮断する請求項１に記載の基板保持部材。
【請求項３】
前記応力緩和部の厚さは、前記接触部の厚さよりも小さい請求項１または２に記載の基板保持部材。
【請求項４】
前記接触面は、保持する前記基板と等しい外形を有する請求項１から３のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項５】
前記応力緩和部は、前記接触部の外周に沿って形成された溝を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項６】
前記フランジ部の厚さは、前記接触部よりも薄く、前記応力緩和部は、前記フランジ部と前記接触部との間に形成された段差を含む請求項２に記載の基板保持部材。
【請求項７】
前記接触部の周囲に配置されたフランジ部を備え、
前記応力緩和部は、前記フランジの側面に前記接触部に向けて形成された溝を有する請求項１に記載の基板保持部材。
【請求項８】
前記接触部の周囲に配置されたフランジ部を備え、
前記応力緩和部は、前記接触面に連続して前記フランジ部に形成され、前記フランジ部の外周に向けて前記フランジ部の厚さが薄くなるように形成された傾斜面を有する請求項１に記載の基板保持部材。
【請求項９】
加圧により他の基板に一方の面が接合される基板の他方の面に接する接触面の外形と同じ外形を有する基板保持部材。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載された前記基板保持部材と、
複数の基板を積層して挟んだ一対の前記基板保持部材に、前記基板保持部材の厚さ方向に応力を加える加圧部と
を備え、前記複数の基板を接合する接合装置。
【請求項１１】
前記加圧部は、前記基板保持部材の前記接触面に対する裏面と等しいかより大きい外形を有して前記裏面に接触する接触面を有する請求項１０に記載の接合装置。
【請求項１２】
前記加圧部は、前記基板の他方の面と等しい外形を有し、前記基板保持部材の前記接触面に対する裏面に接触する加圧面を有する請求項１０に記載の接合装置。
【請求項１３】
一方の面が接合される一対の基板の一方の基板の他方の面に接する加圧面を有し、前記一対の基板を加圧する加圧部と、
前記加圧面の周囲に沿って配され、前記一方の基板が前記加圧部により加圧されたときに、前記一方の基板の周縁部に生じる応力集中を緩和する応力緩和部とを備える接合装置。
【請求項１４】
前記応力緩和部は、前記加圧面の外周に沿って前記加圧部に形成された溝を含む請求項１３に記載の接合装置。
【請求項１５】
前記加圧面は、前記一方の基板の外形と等しい外形を有する請求項１３または１４に記載の接合装置。
【請求項１６】
加圧により他の基板に一方の面が接合される基板の他方の面に接して加圧する加圧面が、当該基板の外形と等しい外形を有する接合装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接する第１半導体層と、
前記第１半導体層に積層される第２半導体層と、
前記第２半導体層の一部に接し、ソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、
を有し、
前記第１半導体層は、微結晶半導体層であり、
前記第２半導体層は、ＮＨ基、またはＮＨ２基を有する非晶質半導体層で形成され、
前記第２半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される酸素濃度が、５×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、前記ＮＨ基は前記第２半導体層に含まれる異なる半導体原子を架橋することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１において、前記ＮＨ２基は前記第２半導体層に含まれる異なる半導体原子のダングリングボンドを終端することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１半導体層は、分散された微結晶半導体層または網状の微結晶半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記流体を吐出するステップはＵＶ硬化インクを吐出することを含み、
前記ノズルから吐出された前記被印刷物上の前記ＵＶ硬化インクを照射するステップを更に含む、請求項１２に記載の印刷方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記ガス源は２ｍ／ｓ未満の流量でガスを供給するよう構成されている、請求項１８に記載の印刷装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
前記流体を吐出するステップはＵＶ硬化インクを吐出することを含み、
前記ノズルから吐出された前記被印刷物上の前記ＵＶ硬化インクを照射するステップを更に含む、請求項２７に記載の印刷方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
流体吐出装置であって、
それぞれ、アクチュエータに接続された電極を有する複数の流体吐出部を備え、
前記複数の流体吐出部のうちの１以上の流体吐出部は、機能停止又は少なくとも部分的に機能するようリストアされた、本来ならショートした流体吐出部である、流体吐出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
化合物（１−Ｂ−１）を以下のようにして合成した。
2010241791.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
折り畳まれたシートからなる冊子を対向する保持部材対で挟圧して保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された冊子の折り頂部を圧接する圧接部材とを備え、
前記圧接部材は、前記保持部材対間に進入して冊子の折り頂部を圧接して四角く変形処理するとともに、前記保持部材対は、前記圧接部材により圧接された冊子の折り頂部が前記保持部材対で挟圧して保持された冊子の厚さを超えて変形せぬよう冊子の折り頂部を押さえる押さえ面を有することを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記保持部材対の押さえ面は、互いに平行な面であることを特徴とする請求項１記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記圧接部材は、前記保持手段に保持された冊子の折り頂部に沿って移動するローラであることを特徴とする請求項１又は２記載のシート処理装置。
【請求項４】
冊子の折り頂部を当接させて冊子の位置決めをする位置決め部材を有し、前記保持手段は、前記位置決め部材により位置決めされた冊子を保持し、前記圧接部材はこの冊子の折り頂部を変形処理することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項５】
シートを折り畳む折り手段を備え、前記折り手段により折り畳まれたシートからなる冊子の折り頂部に対して変形処理することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項６】
シートに画像形成を行う画像形成部と、画像形成されたシートを処理する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、折り畳まれたシートからなる冊子を対向する保持部材対で挟圧して保持する保持手段と、前記保持手段に保持された冊子の折り頂部を圧接する圧接部材とを備え、前記圧接部材は、前記保持部材対間に進入して冊子の折り頂部を圧接して四角く変形処理するとともに、前記保持部材対は、前記圧接部材により圧接された冊子の折り頂部が前記保持部材対で挟圧して保持された冊子の厚さを超えて変形せぬよう冊子の折り頂部を押さえる押さえ面を有することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の平均厚みを有し、かつ、０．５μｍ以上３μｍ以下の５０％平均粒子径を有するアルミニウム顔料の表面に、少なくともＳｉを含む被覆膜が形成された耐水化アルミニウム顔料であって、
前記アルミニウム顔料の表面における前記被覆膜の被覆率は、
入射角度３０°におけるＸＰＳ測定から検出されるＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉの組成比から算出されたものであり、その値が２０％以上９０％以下であることを特徴とする、耐水化アルミニウム顔料。
【請求項２】
請求項１において、
前記被覆膜の厚みは、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、耐水化アルミニウム顔料。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の耐水化アルミニウム顔料を含有する、水性インク組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の水性インク組成物を備える、記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数が６〜１２の飽和脂肪酸の単一あるいは混合酸のトリグリセライドを、潤滑剤組成物全量に対し１０〜１００質量％の割合で含有することを特徴とする潤滑剤組成物。
【請求項２】
飽和脂肪酸の炭素数が６〜１０であることを特徴とする請求項１記載の潤滑剤組成物。
【請求項３】
飽和脂肪酸が、炭素数８の飽和脂肪酸と炭素数１０の飽和脂肪酸とを、炭素数８の飽和脂肪酸：炭素数１０の飽和脂肪酸＝７５：２５の比率で混合した混合酸であることを特徴とする請求項１または２記載の潤滑剤組成物。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の潤滑剤組成物により潤滑されることを特徴とする転動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン（Ａ）、エチレン含有量２０〜６５モル％、酢酸ビニル単位のケン化度９６％以上であるエチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（Ｂ）、炭素数８〜２２の高級脂肪酸金属塩（Ｃ）、沸点２０℃以上の共役ポリエン化合物（Ｄ）、および酢酸ビニル単位の少なくとも一部がケン化されたエチレン−酢酸ビニル共重合体（Ｅ）からなり、かつ
前記ポリオレフィン（Ａ）と前記エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（Ｂ）の質量比が６０：４０〜９９．９：０．１であり、かつ、
前記高級脂肪酸金属塩（Ｃ）を前記ポリオレフィン（Ａ）と前記エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（Ｂ）の合計量１００質量部に対して０．０００１〜１０質量部の範囲で、前記共役ポリエン化合物（Ｄ）を前記ポリオレフィン（Ａ）と前記エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（Ｂ）の合計量１００質量部に対して０．０００００１〜１質量部の範囲で、前記エチレン−酢酸ビニル共重合体（Ｅ）を前記ポリオレフィン（Ａ）と前記エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（Ｂ）の合計量１００質量部に対して０．３質量部以上含有し、かつ
前記酢酸ビニル単位の少なくとも一部がケン化されたエチレン−酢酸ビニル共重合体（Ｅ）が、エチレン含有量５０〜９８モル％、酢酸ビニル単位のケン化度０．５〜１９モル％のエチレン−酢酸ビニル共重合体部分ケン化物である
樹脂組成物。
【請求項２】
ポリオレフィン（Ａ）、炭素数８〜２２の高級脂肪酸金属塩（Ｃ）および酢酸ビニル単位の少なくとも一部がケン化されたエチレン−酢酸ビニル共重合体（Ｅ）を予め溶融混練してマスターバッチを得、かかるマスターバッチとポリオレフィン（Ａ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（Ｂ）および沸点２０℃以上の共役ポリエン化合物（Ｄ）とを溶融混練して得られる、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
さらに、ハイドロタルサイト（Ｆ）を、ポリオレフィン（Ａ）とエチレン含有量２０〜６５モル％、酢酸ビニル単位のケン化度９６％以上であるエチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物（Ｂ）の合計量１００質量部に対して０．０００１〜１０質量部の範囲で含有する、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物からなる層と、エチレン含有量２０〜６５モル％、酢酸ビニル単位のケン化度９６％以上であるエチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物からなる層の少なくとも２層を含む多層構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撥液性の表面を有する対象物の前記表面に界面活性剤を含有する液体を付与して液滴を形成する液滴形成工程及び前記液滴が形成されている前記表面にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を有することを特徴とする親液性パターン形成方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理工程におけるプラズマ処理によって前記表面の前記液滴が付与された領域の外側の領域を親液化する請求項１に記載の親液性パターン形成方法。
【請求項３】
前記プラズマ処理工程の後に前記表面の前記液体を除去する液体除去工程を有する請求項１または２に記載の親液性パターン形成方法。
【請求項４】
前記液体除去工程が、水洗である請求項３の親液性パターン形成方法。
【請求項５】
前記液滴形成工程の後、前記プラズマ処理工程に先立って、前記液滴の体積を減少させる工程をさらに有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の親液性パターン形成方法。
【請求項６】
前記プラズマ処理工程の後に、前記表面を撥液化処理する工程をさらに有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の親液性パターン形成方法。
【請求項７】
前記撥液化処理が、弗素原子を含むガスを用いたプラズマ処理である請求項６に記載の親液性パターン形成方法。
【請求項８】
前記対象物の前記表面がシリコーンゴムである請求項１ないし７のいずれか１項に記載の親液性パターン形成方法。
【請求項９】
前記液滴形成工程において、前記界面活性剤を含有する液体をインクジェット方式の記録ヘッドから吐出して前記液滴を形成する請求項１ないし８のいずれか１項に記載の親液性パターン形成方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の親液性パターン形成方法を用いて形成された親液性パターンを表面に有する中間転写体。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の親液性パターン形成方法を用いて形成された親液性パターンを表面に有する塗布ローラー。
【請求項１２】
反応液を中間転写体に付与する工程と、前記反応液が付与された前記中間転写体に、前記反応液と反応するインクをインクジェット方式の記録ヘッドから吐出して中間画像を記録する工程と、前記中間画像を記録媒体に転写する工程を有する画像記録方法において、
前記中間転写体が請求項１０に記載の中間転写体であることを特徴とする画像記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】親液性パターン形成方法、該方法によって得られた中間転写体、前記方法によって得られた塗布ローラー、並びに前記中間転写体を用いた画像記録方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そのために、本発明親液性パターン形成方法は、撥液性の表面を有する対象物の前記表面に界面活性剤を含有する液体を付与して液滴を形成する液滴形成工程及び前記液滴が形成されている前記表面にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、この方法によって得られた中間転写体に存する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、本発明は、前記方法によって得られた塗布ローラーに存する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
加えて、本発明の画像記録方法は、反応液を中間転写体に付与する工程と、前記反応液が付与された前記中間転写体に、前記反応液と反応するインクをインクジェット方式の記録ヘッドから吐出して中間画像を記録する工程と、前記中間画像を記録媒体に転写する工程を有する画像記録方法において、前記中間転写体が、前記方法によって得られた中間転写体であることを特徴とする。