【事件の表示】
　特願２００３−３０９８８０「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月２４日出願公開、特開２００５−　７９４３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年９月２日の出願であって，平成１８年２月８日付けで手続補正がされ，同年９月２９日付けで最後の拒絶理由通知が出され，同年１１月２８日付けで手続補正がされ，平成１９年４月２６日付けで，平成１８年１１月２８日付けの手続補正が却下されるとともに，拒絶査定がされた。
　さらに，上記拒絶査定に対して平成１９年５月３１日に審判請求がされるとともに，同年６月２９日付けで手続補正がされ，その後当審において，平成２１年１０月３０日付けで審尋がされたものである。
　
　
第２　平成１９年６月２９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の却下について
　
［補正却下の決定の結論］
　
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正による補正前後の本願の特許請求の範囲の請求項１の記載は，それぞれ，次のとおりである。
　
・　補正前
「　【請求項１】
　半導体チップの上面に形成された第１の電極と，前記第１の電極の上に開口部を有し，前記半導体チップの上面に形成された有機絶縁膜と，前記有機絶縁膜の開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極とを備えた半導体装置であって，
　前記第１の電極の下の配線層で，かつ前記第１の電極と相対する位置に，複数の配線あるいは第２の電極を有し，前記複数の配線あるいは第２の電極の最外側のエッジ間が前記有機絶縁膜の開口部と同等以上のサイズであることを特徴とする半導体装置。　」
　
・　補正後
「　【請求項１】
　半導体チップの上面に形成された第１の電極と，前記第１の電極の上に開口部を有し，前記半導体チップの上面に形成された絶縁性保護膜と，前記第１の電極の上に前記開口部を有し，前記絶縁性保護膜の上面に形成された有機絶縁膜と，前記有機絶縁膜の前記開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極と，前記外部接続用電極上に形成されたバンプとを備えた半導体装置であって，
　前記第１の電極の下の配線層で，かつ前記第１の電極と相対する位置に，複数の配線あるいは複数の第２の電極を有し，前記複数の配線あるいは前記複数の第２の電極の最外側のエッジ間が前記有機絶縁膜の前記開口部と同等以上のサイズであり，前記開口部のエッジの真下に前記配線あるいは前記第２の電極が存在し，前記外部接続用電極は前記有機絶縁膜の前記開口部から前記有機絶縁膜の上面にかけて形成され，前記有機絶縁膜の上面の前記外部接続用電極と前記第１の電極の上面の前記絶縁性保護膜の間に前記有機絶縁膜が存在していることを特徴とする半導体装置。　」
　
２　補正事項の整理
　補正後の本願の請求項１についての補正事項は，以下のとおりである。（下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。）
　
ア　　補正事項１
　補正前の請求項１の「前記第１の電極の上に開口部を有し，前記半導体チップの上面に形成された有機絶縁膜」を，補正後の請求項１の「前記第１の電極の上に開口部を有し，前記半導体チップの上面に形成された
絶縁性保護膜と，前記第１の電極の上に前記開口部を有し，前記絶縁性保護膜の上面に形成された
　
イ　　補正事項２
　補正前の請求項１の「外部接続用電極とを備えた半導体装置であって，」を，補正後の請求項１の「外部接続用電極
と，前記外部接続用電極上に形成されたバンプ
　
ウ　　補正事項３
　補正前の請求項１の「複数の配線あるいは第２の電極」を，補正後の請求項１の「複数の配線あるいは
複数の
　
エ　　補正事項４
　補正前の請求項１の「前記複数の配線あるいは第２の電極」を，補正後の請求項１の「前記複数の配線あるいは
前記複数の
　
オ　　補正事項５
　補正前の請求項１の「前記有機絶縁膜の開口部と同等以上のサイズであること」を，補正後の請求項１の「前記有機絶縁膜の前記開口部と同等以上のサイズであ
り，前記開口部のエッジの真下に前記配線あるいは前記第２の電極が存在し，前記外部接続用電極は前記有機絶縁膜の前記開口部から前記有機絶縁膜の上面にかけて形成され，前記有機絶縁膜の上面の前記外部接続用電極と前記第１の電極の上面の前記絶縁性保護膜の間に前記有機絶縁膜が存在している
　
３　補正目的の適否
（１）　補正事項についての検討
ア　　補正事項１について
　補正事項１は，補正前の請求項１に，「絶縁性保護膜」を発明特定事項として付加するとともに，上記「絶縁性保護膜」と，補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「有機絶縁膜」との位置関係を発明特定事項として付加する補正である。
　しかしながら，上記補正事項１における補正前の請求項１に「絶縁性保護膜」を発明特定事項として付加する補正は，補正前の請求項１に記載された発明特定事項のいずれを限定するものであるともいえない。
　また，補正前の請求項１には，上記「絶縁性保護膜」と上記「有機絶縁膜」との位置関係についても記載されていないため，上記補正事項１における上記両者の位置関係を補正前の請求項１に付加する補正は，補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定するものであるとはいえない。
　そうすると，上記補正事項１は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　また，上記補正事項１は，特許法第１７条の２第４項第１号，第３号又は第４号に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
イ　　補正事項２について
　補正事項２は，補正前の請求項１に，「バンプ」が発明特定事項として付加するとともに，上記「バンプ」と，補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「外部接続用電極」との位置関係も発明特定事項として付加する補正である。
　しかしながら，上記補正事項２における補正前の請求項１に「バンプ」を発明特定事項として付加する補正は，補正前の請求項１に記載された発明特定事項のいずれを限定するものであるともいえない。
　また，補正前の請求項１には，上記「バンプ」と上記「外部接続用電極」との位置関係についても記載されていないため，上記補正事項２における上記両者の位置関係を補正前の請求項１に付加する補正は，補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定するものであるとはいえない。
　そうすると，上記補正事項２は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　また，上記補正事項２は，特許法第１７条の２第４項第１号，第３号又は第４号に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
ウ　　補正事項３及び補正事項４について
　補正事項３及び補正事項４は，いずれも，補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「第２の電極」の構成を明確にすることを目的とした補正であるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
エ　　補正事項５について
（ア）　補正事項５は，その内容からみて，次の補正事項５−１〜５−３の補正事項からなるものである。
　
・　補正事項５−１
　　補正前の請求項１に，「前記開口部のエッジの真下に前記配線あるいは前記第２の電極が存在し，」を付加する補正。
・　補正事項５−２
　補正前の請求項１に，「前記外部接続用電極は前記有機絶縁膜の前記開口部から前記有機絶縁膜の上面にかけて形成され，」を付加する補正。
・　補正事項５−３
　補正前の請求項１に，「前記有機絶縁膜の上面の前記外部接続用電極と前記第１の電極の上面の前記絶縁性保護膜の間に前記有機絶縁膜が存在している」を付加する補正。
　
（イ）　上記補正事項５−１は，いずれも補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「開口部」と「第２の電極」との位置関係を限定する補正である。
　また，上記補正事項５−２は，いずれも補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「外部接続用電極」と「開口部」及び「有機絶縁膜」との位置関係を限定する補正である。
　そうすると，上記補正事項５−１及び補正事項５−２は，いずれも，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　
（ウ）　上記補正事項５−３は，補正前の請求項１には，上記補正事項１で付加された発明特定事項である「絶縁性保護膜」と，いずれも補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「第１の電極」，「有機絶縁膜」及び「外部接続用電極」との位置関係を付加する補正である。
　しかしながら，上記アで検討したとおり，上記補正事項１における補正前の請求項１に「絶縁性保護膜」を発明特定事項として付加する補正は，補正前の請求項１に記載された発明特定事項のいずれを限定するものであるともいえず，また，補正前の請求項１には，上記「絶縁性保護膜」と上記「第１の電極」，上記「有機絶縁膜」及び上記「外部接続用電極」との位置関係についても記載されていないため，上記各発明特定事項の位置関係を補正前の請求項１に付加する上記補正事項５−３は，補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定するものであるとはいえない。
　さらに，平成１９年５月３１日に提出され，同年６月２９日付け手続補正書により補正された審判請求書において，審判請求人は，「また，外部接続用電極が絶縁性保護膜上ではなく，有機絶縁膜の開口部から有機絶縁膜の上面にかけて形成されることにより，外部接続用電極の金属膜の膜応力による絶縁性保護膜にクラックが入ることを防止する効果がある。」と主張しているが，もしそうであれば，上記補正事項５−３で，上記「絶縁性保護膜」と上記「第１の電極」，上記「有機絶縁膜」及び上記「外部接続用電極」との位置関係を補正前の請求項１に付加することにより，新たな効果が奏されることになる。
　そうすると，上記補正事項５−３は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　また，上記補正事項５−３は，特許法第１７条の２第４項第１号，第３号又は第４号に掲げる，請求項の削除，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（エ）　上記（ア）〜（ウ）から，上記補正事項５−３を含む上記補正事項５は，特許法第１７条の２第４項各号に掲げる，いずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　
（２）　まとめ
　以上のとおり，本件補正における上記補正事項１，補正事項２及び補正事項５は，特許法第１７条の２第４項各号に掲げる，いずれの事項を目的とするものにも該当しないから，上記補正事項１，補正事項２及び補正事項５を含む本件補正は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）　検討の前提
　上記３で検討したとおり，本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが，仮に，上記補正事項１，補正事項２及び補正事項５による補正が，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当し，本件補正が特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものとした場合において，補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，以下に検討する。
　
（２）　本願補正発明
　補正後の本願の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，次のとおりである。
　
「　【請求項１】
　半導体チップの上面に形成された第１の電極と，前記第１の電極の上に開口部を有し，前記半導体チップの上面に形成された絶縁性保護膜と，前記第１の電極の上に前記開口部を有し，前記絶縁性保護膜の上面に形成された有機絶縁膜と，前記有機絶縁膜の前記開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極と，前記外部接続用電極上に形成されたバンプとを備えた半導体装置であって，
　前記第１の電極の下の配線層で，かつ前記第１の電極と相対する位置に，複数の配線あるいは複数の第２の電極を有し，前記複数の配線あるいは前記複数の第２の電極の最外側のエッジ間が前記有機絶縁膜の前記開口部と同等以上のサイズであり，前記開口部のエッジの真下に前記配線あるいは前記第２の電極が存在し，前記外部接続用電極は前記有機絶縁膜の前記開口部から前記有機絶縁膜の上面にかけて形成され，前記有機絶縁膜の上面の前記外部接続用電極と前記第１の電極の上面の前記絶縁性保護膜の間に前記有機絶縁膜が存在していることを特徴とする半導体装置。　」
　
（３）　引用例の記載と引用発明
（３−１）　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された特開平０３−０３８０４３号公報（以下「引用例１」という。）には，第１図〜第４図及び第６図とともに次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）
　
ア　　半導体チップと半田バンプとの接続について
「　［実施例１］
　
本実施例１の半導体集積回路装置は，例えばＡｌ４層配線構造を有するＥＣＬ（Emitter Coupled Logic）ゲートアレイである。
　第３図は，
このＥＣＬゲートアレイを形成した半導体チップ１
チップ１の表面のほぼ全域には，外部回路との接続を行う端子を構成する多数の半田バンプ２が形成されている。
　第４図は，一つの電源供給用半田バンプ２とその下方の第４層Ａｌ配線３とを拡大して示している。
最上層配線である第４層Ａｌ配線３
半田バンプ２と第４層Ａｌ配線３とは，コンタクトホール４を通じて電気的に接続されている。コンタクトホール４は，チップ１の表面を保護するパッシベーション膜５をエッチングで開孔して形成したものである。半田バンプ２は，コンタクトホール４の底部に露出した第４層Ａｌ配線３，すなわち電極パッド６上に形成されている。
　
イ　　半田バンプの下方の領域における配線のレイアウトについて
「　第１図は，上記電源供給用半田バンプ２の下方の領域における配線のレイアウトを示している。
半田バンプ２は，図の実線で囲まれた領域Ｂに配置されており，その下方には，前記第４層Ａｌ配線３が図の左右方向に延在している。第４層Ａｌ配線３のさらに下方には，第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｄが所定の間隔を置いて図の上下方向に延在している。
第４層Ａｌ配線３と第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｄとの間には，第１図では図示しない層間絶縁膜２９が設けられている。
　
第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｄと同一の配線層の余領域のうち，半田バンプ２の下方領域には，例えば第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｄと同一の材料で構成され，かつ同一の線幅を有するダミーパターン８が所定の間隔を置いて設けられている。
　上記ダミーパターン８は，第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｄと同一の材料で構成されているが，フローティング状態となっているので，配線としての機能は有していない。また，半田バンプ２の下方領域とその近傍にのみ設けられ，他の領域には設けられていないので，ダミーパターン８を設けたことによる第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｄの寄生容量の増加は，最小限に抑えられている。　」（第４頁右上欄第８行〜左下欄第１７行）
　
ウ　　半田バンプの下方領域におけるチップの断面について
・「　第２図は，上記電源供給用半田バンプ２の下方領域におけるチップ１の断面を示している。　」（第４頁左下欄第１８行〜第１９行）
　
・「　第２層Ａｌ配線２５ａ〜２５ｂの上層には，例えば前記第１の層間絶縁膜２４と同様の構成からなる
第２の層間絶縁膜２７が形成されている。層間絶縁膜２７の上層には，例えばＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金からなる第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｅが設けられている。
　
第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｅと同一の配線層の余領域のうち，半田バンプ２の下方領域とその近傍には，前記した複数本のダミーパターン８が設けられている。ダミーパターン８は，例えば半田バンプ２の下方領域とその近傍に位置する第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ，７ｄの各々と交互に，かつ等しい間隔を置いて配置されている。
　
第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｅおよびダミーパターン８の上層には，前記第１の層間絶縁膜２４や第２の層間絶縁膜２７と同様の構成からなる第３の層間絶縁膜２９が形成されている。
半田バンプ２の下方領域とその近傍の層間絶縁膜２９は，その下層にダミーパターン８を含む配線が高密度，かつ，均一に設けられているため，その表面がほぼ完全に平坦化されている。
　
層間絶縁膜２９の上層には，例えばＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金からなる電源供給用の第４層Ａｌ配線３が設けられている。
第４層Ａｌ配線３の下地となる層間絶縁膜２９の表面がほぼ完全に平坦化されているので，第４層Ａｌ配線３もその表面がほぼ完全に平坦化されている。
　
第４層Ａｌ配線３の上層には，例えばバイアススパッタ法で形成したＳｉＯ
２
からなるパッシベーション膜５が設けられており，このパッシベーション膜５でチップ１の表面が保護されている。
　
パッシベーション膜５の一部には，コンタクトホール４が形成されており，その底部には，電極パッド６を構成する第４層Ａｌ配線３の一部が露出している。電極パッド６は，前記した理由から，その表面がほぼ完全に平坦化されている。
　
電極パッド６上には，例えば下層から順次Ｃｒ，ＣｕおよびＡｕの薄膜を蒸着法で積層してなる薄い半田下地層３０が形成されている。半田下地層３０は，段差のない平坦な電極パッド６上に形成されているので，そのカバレージが極めて良好となっており，コンタクトホール４の底部，側壁および上縁部をほぼ均一な膜厚で覆っている。
　
半田下地層３０の上には，例えばＳｎ／Ｐｂ合金からなる半球状の半田バンプ２が接続されている。
　
エ　　作用効果について
「　以上の構成からなる本実施例１によれば，下記のような効果を得ることができる。
（１）．
第３層Ａｌ配線３ａ〜３ｅ（審決注：「第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｅ」の誤記である。）と同一の配線層の余領域のうち，半田バンプ２の下方とその近傍にダミーパターン５（審決注：「ダミーパターン８」の誤記である。）を配設したことにより，この領域の配線（ダミーパターンを含む）密度が高くなり，その上層に形成される層間絶縁膜２９の表面が平坦化されるので，層間絶縁膜２９の上に形成される第４層Ａｌ配線３（電極パッド６）が平坦化される。その結果，電極パッド６上に形成される半田下地層３０のカバレージが良好になり，半田バンプ２の接続信頼性が向上する。
　
オ　　第１図，第２図及び第４図について
（ア）　上記ア〜ウと相俟って，第１図，第２図及び第４図から，
半導体チップ１上に形成された層間絶縁膜２７の上層であって，半田バンプ２の下方領域とその近傍で，第４層Ａｌ配線３が構成する電極パッド６と相対する位置に，複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃが配置されるとともに，上記第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃの各々と交互に，かつ等しい間隔を置いて，複数のダミーパターン８が配置された構成
　
（イ）　上記ア〜ウと相俟って，第１図，第２図及び第４図から，
半導体チップ１上に形成された層間絶縁膜２７の上層の半田バンプ２の下方領域とその近傍で，第４層Ａｌ配線３が構成する電極パッド６と相対する位置に配置された複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ，及び複数のダミーパターン８が，上記第４層Ａｌ配線３の延在方向と直交する方向（第１図及び第４図の上下方向）に延在する構成
　
（ウ）　上記ア〜ウと相俟って，第１図，第２図及び第４図から，
半田下地層３０が，ＳｉＯ
２
からなるパッシベーション膜５のコンタクトホール４から上記ＳｉＯ
２
からなるパッシベーション膜５の上面にかけて形成された構成
上記半田下地層３０上に半田バンプ２が形成され，それによって，上記半田下地層３０上に上記半田バンプ２が接続されている構成
　
（３−２）　上記（３−１）ウから，引用例１には，「半導体チップ１」上に形成された「層間絶縁膜２７」，該「層間絶縁膜２７」の上層に形成された「複数の第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｅ」及び「複数のダミーパターン８」，該「複数の第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｅ」及び該「複数のダミーパターン８」の上層に形成された「層間絶縁膜２９」，並びに該「層間絶縁膜２９」の上層に形成された，最上層配線である「第４層Ａｌ配線３」及び該「第４層Ａｌ配線３」が構成する「電極パッド６」とを備えた構成が記載されており，上記の構成は，換言すると，
「半導体チップ１」上に形成された最上層配線である「第４層Ａｌ配線３」及び該「第４層Ａｌ配線３」が構成する「電極パッド６」
　
（３−３）　上記（３−１）ア及びウから，引用例１には，「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の一部には「コンタクトホール４」が形成されており，当該「コンタクトホール４」の底部に露出した「第４層Ａｌ配線３」が「電極パッド６」であること，及び上記「コンタクトホール４」の底部には，「電極パッド６」を構成する「第４層Ａｌ配線３」の一部が露出していることが記載されており，上記の構成は，換言すると，上記
「第４層Ａｌ配線３」及び上記「電極パッド６」の上層に設けられた，「コンタクトホール４」を有する「ＳｉＯ
２
からなるパッシベーション膜５」
　
（３−４）　以上によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「半導体チップ１上に形成された，最上層配線である第４層Ａｌ配線３及び該第４層Ａｌ配線３が構成する電極パッド６と，上記第４層Ａｌ配線３及び上記電極パッド６の上層に設けられた，コンタクトホール４を有するＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５と，上記コンタクトホール４の底部に露出した上記第４層Ａｌ配線３である上記電極パッド６上に積層された半田下地層３０と，上記半田下地層３０上に形成され，上記第４層Ａｌ配線３と上記コンタクトホール４を通じて電気的に接続される半田バンプ２とを備えた半導体集積回路装置であって，
　上記半田バンプ２の下方領域とその近傍で，上記電極パッド６と相対する位置に，複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃが配置されるとともに，上記複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃの各々と交互に，かつ等しい間隔を置いて，上記複数のダミーパターン８が配置され，上記複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ，及び上記複数のダミーパターン８は，上記第４層Ａｌ配線３の延在方向と直交する方向（引用例１第１図及び第４図における上下方向）に延在し，上記半田下地層３０が，上記ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５の上記コンタクトホール４から上記ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５の上面にかけて形成された半導体集積回路装置。」
　
（４）　対比
（４−１）　次に本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　　引用発明の「半導体チップ１」，「コンタクトホール４」，「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」，「半田下地層３０」，「半田バンプ２」及び「半導体集積回路装置」は，それぞれ，本願補正発明の「半導体チップ」，「開口部」，「絶縁性保護膜」，「外部接続用電極」，「バンプ」及び「半導体装置」に相当する。
　
イ
（イ−１）　上記（３）の（３−４）で認定したとおり，引用発明において，「電極パッド６」の上に「半田下地層３０」（本願補正発明の「外部接続用電極」に相当。）が積層され，該「半田下地層３０」に「半田バンプ２」（本願補正発明の「バンプ」に相当。）が接続されることにより，上記「半田バンプ２」と上記「電極パッド６」を構成する上記「第４層Ａｌ配線３」とが，上記「コンタクトホール４」を通じて電気的に接続されているから，引用発明の上記「電極パッド６」は，本願補正発明の「第１の電極」に相当する。
　
（イ−２）　上記（２）で認定したとおり，本願補正発明の「半導体チップの上面に形成された第１の電極」の下には「複数の配線あるいは複数の第２の電極」が形成されており，本願補正発明の「半導体チップの上面に形成された第１の電極」は，「半導体チップ」の上面に他の構成部材を介在させて「第１の電極」が形成されていることを意味すると解される。
　一方，上記（３）の（３−４）で認定したとおり，引用発明において，「半導体チップ１」（本願補正発明の「半導体チップ」に相当。）上に形成された「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）を構成する「第４層Ａｌ配線３」は最上層配線であるから，「半田バンプ２」（本願補正発明の「バンプ」に相当。）の下方領域とその近傍で，上記「電極パッド６」と相対する位置に配置される，「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び該「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」の各々と交互に，かつ等しい間隔を置いて配置される「複数のダミーパターン８」が，いずれも，上記「電極パッド６」の下の配線層であることは明らかである。
　そうすると，引用発明において，「半導体チップ１」上に他の構成部材を介在させて「電極パッド６」が形成されていることは明らかであり，引用発明の「半導体チップ１上に形成された」「電極パッド６」は，本願補正発明の「半導体チップの上面に形成された第１の電極」に相当する。
　
ウ　　上記イで検討したとおり，引用発明において，「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）の上に「半田下地層３０」（本願補正発明の「外部接続用電極」に相当。）が積層され，該「半田下地層３０」に「半田バンプ２」（本願補正発明の「バンプ」に相当。）が接続されることにより，上記「半田バンプ２」と上記「電極パッド６」を構成する「第４層Ａｌ配線３」とが，上記「コンタクトホール４」を通じて電気的に接続されているから，引用発明の「上記コンタクトホール４の底部に露出した上記第４層Ａｌ配線３である上記電極パッド６上に積層された半田下地層３０と，」は，本願補正発明の「前記開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極と，」に相当する。
　また，引用発明の「半田下地層３０上に形成され，上記第４層Ａｌ配線３と上記コンタクトホール４を通じて電気的に接続される半田バンプ２」は，本願補正発明の「前記外部接続用電極上に形成されたバンプ」に相当する。
　
エ　　上記（イ）の（イ−２）で検討したとおり，引用発明の「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び該「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」の各々と交互に，かつ等しい間隔を置いて配置される「複数のダミーパターン８」が，いずれも，「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）の下の配線層であることは明らかである。
　また，引用発明の「上記半田バンプ２の下方領域とその近傍で，上記電極パッド６と相対する位置」は，本願補正発明の「前記第１の電極と相対する位置」に相当するから，上記「第４層Ａｌ配線３」の下の配線層であり，かつ，「上記半田バンプ２の下方領域とその近傍で，上記電極パッド６と相対する位置」に配置される，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」は，本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当する。
　そうすると，引用発明の「上記半田バンプ２の下方領域とその近傍で，上記電極パッド６と相対する位置に，複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃが配置されるとともに，上記複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃの各々と交互に，かつ等しい間隔を置いて，上記複数のダミーパターン８が配置され，」は，本願補正発明の「前記第１の電極の下の配線層で，かつ前記第１の電極と相対する位置に，複数の配線あるいは複数の第２の電極を有し，」に相当する。
　
（４−２）　以上によれば，本願補正発明と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜　一致点　＞
「半導体チップの上面に形成された第１の電極と，前記第１の電極の上に開口部を有し，前記半導体チップの上面に形成された絶縁性保護膜と，前記開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極と，前記外部接続用電極上に形成されたバンプとを備えた半導体装置であって，
　前記第１の電極の下の配線層で，かつ前記第１の電極と相対する位置に，複数の配線あるいは複数の第２の電極を有する半導体装置。」
　
＜　相違点　＞
・　相違点１
　本願補正発明は，「前記第１の電極の上に前記開口部を有し，前記絶縁性保護膜の上面に形成された有機絶縁膜」を備えているのに対し，引用発明は上記の構成を備えていない点。
　
・　相違点２
　本願補正発明は，「外部接続用電極」を「前記有機絶縁膜の前記開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した」ものであるのに対し，引用発明は，本願補正発明の「有機絶縁膜」を備えておらず，引用発明の「半田下地層３０」（本願補正発明の「外部接続用電極」に相当。）は，「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）の「コンタクトホール４」（本願補正発明の「開口部」に相当。）の底部に露出した「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）上に積層されたものである点。
　
・　相違点３
　本願補正発明は，「前記複数の配線あるいは前記複数の第２の電極の最外側のエッジ間が前記有機絶縁膜の前記開口部と同等以上のサイズ」である構成を備えているのに対し，引用発明は，本願補正発明の「有機絶縁膜」を備えておらず，また，引用発明において，「半田バンプ２」（本願補正発明の「バンプ」に相当。）の下方領域とその近傍で，「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）と相対する位置に配置される，「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」（本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当。）及び「複数のダミーパターン８」（本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当。）の最外側のエッジ間のサイズについて，「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）の「コンタクトホール４」（本願補正発明の「開口部」に相当。）と関連づけた特定はされていない点。
　
・　相違点４
　本願補正発明は，「（「絶縁性保護膜」及び「有機絶縁膜」の）前記開口部のエッジの真下に前記配線あるいは前記第２の電極が存在」するものであるのに対し，引用発明は，本願補正発明の「有機絶縁膜」を備えておらず，また，引用発明では，「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」（本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当。）及び「複数のダミーパターン８」（本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当。）の配置について，「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）の「コンタクトホール４」（本願補正発明の「開口部」に相当。）のエッジと関連づけた特定はされていない点。
　
・　相違点５
　本願補正発明は，「前記外部接続用電極は前記有機絶縁膜の前記開口部から前記有機絶縁膜の上面にかけて形成され，前記有機絶縁膜の上面の前記外部接続用電極と前記第１の電極の上面の前記絶縁性保護膜の間に前記有機絶縁膜が存在している」という構成を備えているのに対し，引用発明は，本願補正発明の「有機絶縁膜」を備えておらず，引用発明の「半田下地層３０」（本願補正発明の「外部接続用電極」に相当。）は，「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）の「コンタクトホール４」（本願補正発明の「開口部」に相当。）から上記パッシベーション膜５の上面にかけて形成されたものである点。
　
（５）　相違点についての判断
（５−１）　相違点１について
ア　　本願の出願前に日本国内で頒布された，特開２００２−０５７１５２号公報（以下「周知例１」という。）には，図２とともに次の記載がある。
　
・　「　【０００３】（前略）このうち前者に対しては，相対的に柔らかい
パッシベーション膜を耐熱性高分子樹脂であるポリイミド樹脂膜（以下，ＰＩＱ膜と称す）で構成する
　
・　「　【００２０】図２は，本実施の形態１である半導体チップ上の最終絶縁膜を示す半導体基板の要部断面図である。
（中略）
【００２２】
このような金属層８ａ〜８ｃによって構成された下地金属ＢＬＭは，表面保護膜９に穿孔されたスルーホール１０を通じて，半導体チップ６の最上層配線である引き出し電極１１と電気的に接続されている。
【００２３】
表面保護膜９は，半導体チップ６上に形成された絶縁膜のうちの最終絶縁膜である。表面保護膜９は，下層から順に無機絶縁膜９ａおよびＰＩＱ膜９ｂが積層されて構成されている。
【００２４】
ここで，前記下地金属ＢＬＭが形成されていない表面保護膜９の表面には，フッ化物層１２が形成されている。
（中略）
【００２７】
下層金属ＢＬＭ上には，リフトオフ法，メタルマスク蒸着法または印刷法などによって形成されたＣＣＢバンプ５が接合されている。
　
・　上記摘記と相俟って，図２からは，半導体装置において，
半導体チップの最上層に形成された引き出し電極１１，上記引き出し電極１１の上にスルーホール１０を有し，上記半導体チップの上面に形成された無機絶縁膜９ａ，上記引き出し電極１１の上にスルーホール１０を有し，無機絶縁膜９ａの上面に形成されたＰＩＱ膜（ポリイミド樹脂膜）９ｂ，上記引き出し電極１１と電気的に接続されるように形成された下地金属ＢＬＭ，及び上記下地金属ＢＬＭ上に接合されたＣＣＢバンプ５を備えた構成
上記下地金属ＢＬＭは，上記ＰＩＱ膜９ｂの上記スルーホール１０から上記ＰＩＱ膜９ｂの上面にかけて形成された構成
上記ＰＩＱ膜９ｂの上面の上記下地金属ＢＬＭと上記引き出し電極１１の上面の上記無機絶縁膜９ａの間に上記ＰＩＱ膜９ｂが存在するようにした構成
　
イ　　本願の出願前に日本国内で頒布された，特開平１１−２９７６７４号公報（以下「周知例２」という。）には，図１及び図２とともに次の記載がある。
　
・　「　【０００９】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を参照して説明する。
ＬＳＩのチップは，
その上に最上層のアルミニウムなどからなる金属配線層１０２が形成されている。また，これを覆うように酸化シリコンからなるカバー膜１０３が形成されている。そして，その上に保護膜となるポリイミドから構成されたパシベーション膜１０４が形成された状態となっている。
【００１０】このように製造されたチップにおいて，まず，図１（ｂ）に示すように，
ハンダバンプを形成する金属配線層１０２上の領域に，開口部１０５ａを有するレジストパターン１０５を形成し，このレジストパターン１０５をマスクとしてパシベーション膜１０４を選択的にエッチングする。
この結果，パシベーション膜１０４の金属配線層１０２上の所定領域に開口部１０６が形成される。
（中略）
【００１２】次に，レジストパターン１０５を除去した後，加熱してパシベーション膜１０４を軟化させ，図１（ｃ）に示すように，開口部１０６の断面をなだらかな状態にする。次に，
図１（ｄ）に示すように，開口部１０６が形成されたパシベーション膜１０４をマスクとし，カバー膜１０３を選択的にエッチングし，開口部１０７を形成する。
【００１３】次に，
図１（ｅ）に示すように，開口部１０７底部に露出した金属配線層１０２表面および，開口部１０６，１０７側面を含むパシベーション膜１０４全域に，チタンとタングステンとからなるＴｉＷをスパッタにより堆積し，ＴｉＷ膜１０８を形成する。
（中略）
【００１７】以上のように，前処理をしてからスパッタクリーニングをした後，前述したように，ＴｉＷ膜１０８を形成する。
次いで，そのＴｉＷ膜１０８の形成に引き続き，図２（ｆ）に示すように，スパッタ法によりＣｕを堆積し，ＴｉＷ膜１０８上にＣｕ膜１０９を形成する。なお，メッキ法によりＣｕ膜１０９を形成するようにしてもよい。次に，図２（ｇ）に示すように，開口部１０７上の位置を中心とした所定の領域が覆われるようにレジストパターン１１０を形成し，これをマスクとしてＣｕ膜１０９およびＴｉＷ膜１０８を選択的にエッチング除去する。次に，レジストパターン１１０を除去した後，図２（ｈ）に示すように，Ｃｕ膜１０９上にハンダバンプ１１１を形成することで，フリップチップ接続ができる状態となる。
　
・　上記摘記と相俟って，図２（ｈ）からは，半導体装置において，
ＬＳＩチップの最上層に形成された金属配線層１０２，上記金属配線層１０２の上に開口部１０７を有し，上記ＬＳＩチップの上面に形成された酸化シリコンからなるカバー膜１０３，上記金属配線層１０２の上に開口部１０６を有し，カバー膜１０３の上面に形成された，ポリイミドから構成されたパシベーション膜１０４，上記金属配線層１０２と電気的に接続されるように形成されたＴｉＷ膜１０８及びＣｕ膜１０９，並びに上記Ｃｕ膜１０９上に形成されたハンダバンプ１１１を備えた構成
上記ＴｉＷ膜１０８及び上記Ｃｕ膜１０９は，上記パシベーション膜１０４の上記開口部１０６から上記パシベーション膜１０４の上面にかけて形成された構成
上記パシベーション膜１０４の上面の上記ＴｉＷ膜１０８及び上記Ｃｕ膜１０９と上記金属配線層１０２の上面の上記カバー膜１０３の間に上記パシベーション膜１０４が存在するようにした構成
　
ウ　　上記ア及びイから，半導体装置において，半導体チップの上面に形成された電極と，上記電極の上に開口部を有し，上記半導体チップの上面に形成された絶縁性保護膜と，上記電極の上に上記開口部を有し，上記絶縁性保護膜の上面に形成された有機絶縁膜と，上記有機絶縁膜の上記開口部に上記電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極と，上記外部接続用電極上に形成されたバンプとを備えた構成とすることは，例えば周知例１及び周知例２にみられるように周知技術であるから，引用発明において，「半導体チップ１」（本願補正発明の「半導体チップ」に相当。）の上面に形成された「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）の上に開口部を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）と，上記「電極パッド６」の上に上記開口部を有し，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成とすること（相違点１に係る構成とすること）は，上記周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（５−２）　相違点２について
　上記（５−１）で検討したとおり，半導体装置において，半導体チップの上面に形成された電極と，上記電極の上に開口部を有し，上記半導体チップの上面に形成された絶縁性保護膜と，上記電極の上に上記開口部を有し，上記絶縁性保護膜の上面に形成された有機絶縁膜と，上記有機絶縁膜の上記開口部に上記電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極と，上記外部接続用電極上に形成されたバンプとを備えた構成とすることは，例えば周知例１及び周知例２にみられるように周知技術であるから，引用発明において，「半導体チップ１」（本願補正発明の「半導体チップ」に相当。）の上面に形成された「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）の上に開口部を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）と，上記「電極パッド６」の上に上記開口部を有し，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成としたうえで，上記有機絶縁膜の上記開口部に上記「電極パッド６」と電気的に接続されるように「半田下地層３０」（本願補正発明の「外部接続用電極」に相当。）を形成した構成とすることも，上記周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（５−３）　相違点３について
ア　　上記（５−２）で検討したとおり，引用発明において，「半導体チップ１」（本願補正発明の「半導体チップ」に相当。）の上面に形成された「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）と，上記「電極パッド６」の上に開口部を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）と，上記「電極パッド６」の上に上記開口部を有し，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成としたうえで，上記有機絶縁膜の上記開口部に上記「電極パッド６」を構成する上記「第４層Ａｌ配線３」と電気的に接続されるように「半田下地層３０」（本願補正発明の「外部接続用電極」に相当。）を形成した構成とすることは，例えば周知例１及び周知例２にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
イ　　上記（３）の（３−１）エのとおり，引用発明は，「第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｅと同一の配線層の余領域のうち，半田バンプ２の下方とその近傍にダミーパターン８を配設したことにより，この領域の配線（ダミーパターンを含む）密度が高くなり，その上層に形成される層間絶縁膜２９の表面が平坦化されるので，層間絶縁膜２９の上に形成される第４層Ａｌ配線３（電極パッド６）が平坦化される。」という作用効果を奏するものであるところ，引用発明において，上記作用効果を奏するためには，上記「電極パッド６」と相対する位置に，「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」（本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当。）及び「複数のダミーパターン８」（本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当。）を配置する際に，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」を，上記「電極パッド６」と相対する領域の全体にわたって，高密度かつ均一に配置すればよいことは，引用例１に接した当業者には明らかであり，そのために，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」の数，寸法及び形成位置を適宜選択，調整することは，当業者における設計事項である。
　そして，上記（３）の（３−４）で認定したとおり，上記「電極パッド６」は，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」に形成された「コンタクトホール４」（本願補正発明の「開口部」に相当。）の底部に露出した「第４層Ａｌ配線３」であるから，上記「電極パッド６」が，上記「コンタクトホール４」と同等のサイズであることは明らかであり，この点を考慮すれば，引用発明において，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」を，上記「電極パッド６」と相対する領域の全体にわたって，高密度かつ均一に配置する際に，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」の最外側のエッジ間が，上記「電極パッド６」上の上記「コンタクトホール４」と同等以上のサイズとなるように配置することは，当業者が通常行い得ることである。
　
ウ　　そうすると，上記ア及びイから，引用発明において，上記「電極パッド６」の上に開口部を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」と，上記「電極パッド６」の上に上記開口部を有し，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えるとともに，上記「電極パッド６」の下の配線層で，かつ上記「電極パッド６」と相対する位置に，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」を有し，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」の最外側のエッジ間が，上記有機絶縁膜の上記開口部と同等以上のサイズとなるようにすること（相違点３に係る構成とすること）は，上記周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（５−４）　相違点４について
ア　　上記（５−３）イで検討したとおり，引用発明において，「半田バンプ２」（本願補正発明の「バンプ」に相当。）の下方領域とその近傍で，「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）と相対する位置に，「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」（本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当。），及び上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」の各々と交互に，かつ等しい間隔を置いて，「複数のダミーパターン８」（本願補正発明の「複数の配線あるいは複数の第２の電極」に相当。）を配置する際に，上記「電極パッド６」が平坦化されるという作用効果を奏するためには，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」を，上記「電極パッド６」と相対する領域の全体にわたって，高密度かつ均一に配置すればよいことは，引用例１に接した当業者には明らかであり，そのために，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」の数，寸法及び形成位置を適宜選択，調整することは，当業者における設計事項である。
　そして，上記（５−３）イで検討したとおり，引用発明において，上記「電極パッド６」は，「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）に形成された「コンタクトホール４」（本願補正発明の「開口部」に相当。）と同等のサイズであることは明らかであり，この点を考慮すれば，引用発明において，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」を，上記「電極パッド６」と相対する領域の全体にわたって，高密度かつ均一に配置する際に，上記「コンタクトホール４」のエッジの真下に，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」，及び上記「複数のダミーパターン８」のうちの最外側に配置された配線が存在する構成とすることは，当業者が通常行い得ることである。
　
イ　　また，引用発明において，上記「電極パッド６」が平坦化されるという作用効果を奏するために，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」を，上記「電極パッド６」と相対する領域の全体にわたって，高密度かつ均一に配置する際に，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」，及び上記「複数のダミーパターン８」のうちの一部の複数の配線を，「コンタクトホール４」（本願補正発明の「開口部」に相当。）の下方領域に配置することは，当業者が通常行い得る事項である。
　そして，上記（３）の（３−４）で認定したとおり，引用発明において，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」，及び上記「複数のダミーパターン８」は，上記「電極パッド６」を構成する「第４層Ａｌ配線３」の延在方向と直交する方向（引用例１第１図及び第４図の上下方向）に延在するから，上記「コンタクトホール４」の下方領域に配置した，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」，及び上記「複数のダミーパターン８」のうちの一部の複数の配線が，その延在する方向（引用例１第１図及び第４図の上下方向）において，上記「コンタクトホール４」のエッジの真下を通過する構成，換言すれば，上記一部の複数の配線が，上記「コンタクトホール４」のエッジの真下に存在する構成とすることも，当業者が通常行い得ることである。
　
ウ　　上記（５−３）アで検討したとおり，引用発明において，上記「電極パッド６」の上に開口部を有し，「半導体チップ１」（本願補正発明の「半導体チップ」に相当。）の上面に形成された上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」と，上記「電極パッド６」の上に上記開口部を有し，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成とすることは，例えば周知例１及び周知例２にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることであり，また，上記ア及びイで検討したとおり，引用発明において，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」，及び上記「複数のダミーパターン８」のうちの一部の複数の配線が，上記「コンタクトホール４」のエッジの真下に存在する構成とすることは，上記「電極パッド６」が平坦化されるという作用効果を奏するために，当業者が通常行い得ることである。
 　そうすると，引用発明において，上記「電極パッド６」の上に開口部を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」と，上記「電極パッド６」の上に上記開口部を有し，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えるとともに，上記「電極パッド６」の下の配線層で，かつ上記「電極パッド６」と相対する位置に，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」を有し，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」のうちの一部の複数の配線が，上記開口部のエッジの真下に存在する構成とすること（相違点４に係る構成とすること）は，上記周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（５−５）　相違点５について
　上記（５−２）で検討したとおり，引用発明において，「半導体チップ１」（本願補正発明の「半導体チップ」に相当。）の上面に形成された「電極パッド６」（本願補正発明の「第１の電極」に相当。）と，上記「電極パッド６」の上に開口部を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」（本願補正発明の「絶縁性保護膜」に相当。）と，上記「電極パッド６」の上に上記開口部を有し，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成としたうえで，上記有機絶縁膜の上記開口部に上記「電極パッド６」を構成する「第４層Ａｌ配線３」と電気的に接続されるように「半田下地層３０」（本願補正発明の「外部接続用電極」に相当。）を形成した構成とすることは，例えば周知例１及び周知例２にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　そして，上記（３）の（３−４）で認定したとおり，引用発明において，上記「半田下地層３０」は，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上記「コンタクトホール４」から上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面にかけて形成されているから，引用発明に上記周知技術を適用し，上記「電極パッド６」の上に開口部を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」と，上記「電極パッド６」の上に上記開口部を有し，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成とした場合に，上記「半田下地層３０」が，上記有機絶縁膜の上記開口部から上記有機絶縁膜の上面にかけて形成される構成とすることは，当業者が当然に行い得ることであり，当該構成によって，上記有機絶縁膜の上面の上記「半田下地層３０」と上記「電極パッド６」の上面の上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の間に上記有機絶縁膜が存在している構成も自然と備えることは明らかである。
　そうすると，引用発明において，相違点５に係る構成とすることは，上記周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（６）　審判請求人の主張について
　平成１９年５月３１日に提出され，同年６月２９日付け手続補正書により補正された審判請求書で，「本願発明の構成によれば，「有機絶縁膜の前記開口部と同等以上のサイズであり，前記開口部のエッジの真下に前記配線あるいは前記第２の電極が存在し，前記外部接続用電極は前記有機絶縁膜の前記開口部から前記有機絶縁膜の上面にかけて形成され，前記有機絶縁膜の上面の前記外部接続用電極と前記第１の電極の上面の前記絶縁性保護膜の間に前記有機絶縁膜が存在している」ことにより，バンプが形成された外部接続用電極の金属膜の膜応力による最上層配線へのダメージを低減できる。」旨，審判請求人が主張しているので，当該主張について検討する。
　引用例１には，上記（３）の（３−１）エのとおり，「第３層Ａｌ配線７ａ〜７ｅと同一の配線層の余領域のうち，半田バンプ２の下方とその近傍にダミーパターン８を配設したことにより，この領域の配線（ダミーパターンを含む）密度が高くなり，その上層に形成される層間絶縁膜２９の表面が平坦化されるので，層間絶縁膜２９の上に形成される第４層Ａｌ配線３（電極パッド６）が平坦化される」こと，及び上記（３）の（３−１）ウのとおり，引用発明における「例えば下層から順次Ｃｒ，ＣｕおよびＡｕの薄膜を蒸着法で積層してなる」金属膜からなる「半田下地層３０」（本願補正発明の「外部接続用電極」に相当。）について，「半田下地層３０は，段差のない平坦な電極パッド６上に形成されているので，そのカバレージが極めて良好となっており，コンタクトホール４の底部，側壁および上縁部をほぼ均一な膜厚で覆っている」ことが記載されている。
　そして，引用例１に記載された，上記「半田下地層３０」が，表面が平坦化された「電極パッド６」の上に，「コンタクトホール４」（本願補正発明の「開口部」に相当。）の底部をほぼ均一な膜厚で覆って形成されるという構成からみて，上記「半田下地層３０」の金属膜の膜応力が，上記「電極パッド６」全面，及びその直下の上記「層間絶縁膜２９」における上記「電極パッド６」との接触面全体にほぼ均等に加わることは明らかである。
　そうすると，上記「半田下地層３０」の金属膜の膜応力により上記「層間絶縁膜２９」にクラックが入ることが防止されるという作用効果を奏し得ることは，引用例１の記載に接した当業者には明らかであり，その結果，上記「電極パッド６」の下で，上記「層間絶縁膜２９」の下層に設けられた，実配線である「第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」へのダメージを低減できることも，引用例１の記載に接した当業者には明らかである。
　したがって，引用例１の記載に接した当業者には，引用発明が本願補正発明と同様の作用効果を奏し得ることは明らかであるから，審判請求人の上記の主張を採用することはできない。
　
（７）　まとめ
　以上のとおり，相違点１〜５に係る構成は，引用発明において，例えば周知例１及び周知例２にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることであるから，本願補正発明は，引用例１記載の発明（引用発明），及び上記周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
５　むすび
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず，また，仮に当該要件を満たすものであったとしても，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，いずれにしても，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明の容易想到性について
　
１　本願発明について
　平成１９年６月２９日付けの手続補正書による手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１及び２に係る発明は，平成１８年２月８日付けの手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
「　【請求項１】
　半導体チップの上面に形成された第１の電極と，前記第１の電極の上に開口部を有し，前記半導体チップの上面に形成された有機絶縁膜と，前記有機絶縁膜の開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極とを備えた半導体装置であって，
　前記第１の電極の下の配線層で，かつ前記第１の電極と相対する位置に，複数の配線あるいは第２の電極を有し，前記複数の配線あるいは第２の電極の最外側のエッジ間が前記有機絶縁膜の開口部と同等以上のサイズであることを特徴とする半導体装置。　」
　
２　引用例の記載と引用発明
　引用例１の記載は，前記第２の３（３）の（３−１）のとおりであり，引用発明は，前記第２の３（３）の（３−４）で認定したとおりである。
　
３　対比・判断
（１）　対比
ア　　前記第２の（４）の（４−１）アで検討したとおり，引用発明の「半導体チップ１」，「コンタクトホール４」，「半田下地層３０」，及び「半導体集積回路装置」は，それぞれ，本願発明の「半導体チップ」，「開口部」，「外部接続用電極」，及び「半導体装置」に相当する。
　
イ　　前記第２の（４）の（４−１）イで検討したとおり，引用発明の「電極パッド６」は，本願発明の「第１の電極」に相当し，引用発明の「半導体チップ１上に形成された」「電極パッド６」は，本願発明の「半導体チップの上面に形成された第１の電極」に相当する。
　
ウ　　前記第２の（４）の（４−１）ウで検討したとおり，引用発明の「上記コンタクトホール４の底部に露出した上記第４層Ａｌ配線３である上記電極パッド６上に積層された半田下地層３０と，」は，本願発明の「開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極と，」に相当する。
　
エ　　前記第２の（４）の（４−１）エで検討したとおり，引用発明の「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び「複数のダミーパターン８」は，本願発明の「複数の配線あるいは第２の電極」に相当し，引用発明の「上記半田バンプ２の下方領域とその近傍で，上記電極パッド６と相対する位置に，複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃが配置されるとともに，上記複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃの各々と交互に，かつ等しい間隔を置いて，上記複数のダミーパターン８が配置され，」は，本願発明の「前記第１の電極の下の配線層で，かつ前記第１の電極と相対する位置に，複数の配線あるいは第２の電極を有し，」に相当する。
　
オ　　引用発明の「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」と，本願発明の「有機絶縁膜」とは，「絶縁膜」である点で共通する。
　
カ　　以上によれば，本願発明と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜　一致点　＞
「半導体チップの上面に形成された第１の電極と，前記第１の電極の上に開口部を有し，前記半導体チップの上面に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜の開口部に前記第１の電極と電気的に接続されるように形成した外部接続用電極とを備えた半導体装置であって，
　前記第１の電極の下の配線層で，かつ前記第１の電極と相対する位置に，複数の配線あるいは第２の電極を有する半導体装置。　」
　
＜　相違点　＞
・　相違点１
　本願発明は，「絶縁膜」が「有機絶縁膜」であるのに対し，引用発明は，「絶縁膜」が「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」であり，有機絶縁膜ではない点。
　
・　相違点２
　本願発明は，「前記複数の配線あるいは第２の電極の最外側のエッジ間が前記有機絶縁膜の開口部と同等以上のサイズ」である構成を備えているのに対し，引用発明の「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」は有機絶縁膜ではなく，また，引用発明において，「半田バンプ２」の下方領域とその近傍で，「電極パッド６」（本願発明の「第１の電極」に相当。）と相対する位置に配置される，「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」（本願発明の「複数の配線あるいは第２の電極」に相当。）及び「複数のダミーパターン８」（本願発明の「複数の配線あるいは第２の電極」に相当。）の最外側のエッジ間のサイズについて，上記「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」の「コンタクトホール４」（本願発明の「開口部」に相当。）と関連づけた特定はされていない点。
　
（２）　判断
（２−１）　相違点１について
ア　　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された特開平０６−３０２６０５号公報（以下「引用例２」という。）には，図１（ａ）〜（ｄ）とともに次の記載がある。
　
・「　【０００９】図１（ａ）〜（ｂ）（審決注：「図１（ａ）〜（ｄ）」の誤記である。）は本発明の一実施例の製造方法を説明するための工程順に示した
半導体チップの断面図
【００１０】まず，図１（ａ）に示すように，半導体基板１の上に設けた層間絶縁膜２の上にアルミニウム膜又はアルミニウム銅合金膜からなる線幅の小さい信号配線等を含む第１層配線３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを形成し，これらの第１層配線３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを含む表面に酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等からなる第１の層間絶縁膜４を形成する。次に，層間絶縁膜４に設けた接続孔を介して第１層配線３ａと接続するアルミニウム膜やアルミニウム銅合金膜等からなる第２層配線５ａや第１層配線３ａ，３ｂ，３ｃの上にまたがって配置された第２層配線５ｂを層間絶縁膜４上に形成する。
【００１１】次に，図１（ｂ）に示すように，第２層配線５ａ，５ｂを含む表面に回転塗布法によりシリカ膜又はポリイミド膜を１〜５μｍの厚さに堆積して第２の層間絶縁膜６を形成し，第２層配線５ａの上に接続孔７を形成する。　
【００１２】次に，図１（ｃ）に示すように，接続孔７を含む表面にアルミニウム膜又はアルミニウム銅合金膜を１〜１０μｍの厚さに堆積してパターニングし，接続孔７を介して第２層配線５ａと接続し，
第２層配線５ｂ上に主要部を配置したパッド８を形成する。
【００１３】
次に，図１（ｄ）に示すように，パッド８を含む表面にポリイミド膜等の保護膜９を形成し，パターニングして直径５０〜５００μｍの開孔部１０を形成する。
　
・　上記摘記と相俟って，図１（ｄ）からは，
半導体チップの上面に形成されたパッド８と，上記パッド８の上に開孔部１０を有し，上記半導体チップの上面に形成されたポリイミド膜等の保護膜９を備えた半導体装置の構成
　
イ　　引用例３
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された特表２００１−５２１２８８号公報（以下「引用例３」という。）には，図１及び図２とともに次の記載がある。
　
・「　【００２４】
  （前略）本願発明を実施するための最良の態様
　図１及び図２は，
全体が参照符号８によって示され，本願発明にしたがって構成されたフリップチップ集積回路用のチップ・スケール・パッケージ
集積回路１０は，半導体ウェハ１４の表面１２に形成されている。
そのような電気素子は，半導体ウェハ１４の表面１２に形成された，１つ又はそれ以上の金属被覆層（図示せず）によって，互いに相互に接続されている。
（中略）
【００２８】
　
リディストリビューショントレース３０とはんだバンプパッド２６が，ウェハパッシベーション層２２上と第１パッシベーション層２４上に形成されるパターン化金属層として，半導体ウェハ１４の表面上方に設けられる。
（中略）
【００３０】
　ＵＢＭ層が上記の方法で設けられ，パターン化された後，
図２に示すように，そのパターン化された金属層上に第２パッシベーション層３２が設けられる。この第２パッシベーション層もまた，上記のベンゾシクロブテンにより形成されることが好ましいが，ポリイミド，ポリオレフィンや，他の有機または無機パッシベーションを用いてもよい。
従来のフォトリソグラフィ技術を用いて，第２パッシベーション層３２中の，各はんだバンプパッド２６の箇所に，パターン化された開口を形成する。
　
・　上記摘記と相俟って，図２からは，
半導体ウェハ１４の上面に形成されたリディストリビューショントレース３０及びはんだバンプパッド２６と，上記リディストリビューショントレース３０及び上記はんだバンプパッド２６の上に開口を有し，上記半導体ウェハ１４の上面に形成された，有機材料からなる第２パッシベーション層３２を備えたチップ・スケール・パッケージ８の構成
　
ウ　　判断
　上記ア及びイから，半導体装置において，半導体チップの上面に形成された電極と，上記電極の上に開口部を有し，上記半導体チップの上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成とすることは，例えば引用例２及び引用例３にみられるように周知技術であるから，引用発明において，絶縁膜である「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」を有機絶縁膜で形成し，「半導体チップ１」（本願発明の「半導体チップ」に相当。）の上面に形成された「電極パッド６」（本願発明の「第１の電極」に相当。）の上に「コンタクトホール４」（本願発明の「開口部」に相当。）を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成とすること（相違点１に係る構成とすること）は，上記周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２−２）　相違点２について
ア　　上記（２−１）で検討したとおり，引用発明において，絶縁膜である「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」を有機絶縁膜で形成し，「半導体チップ１」（本願発明の「半導体チップ」に相当。）の上面に形成された「電極パッド６」（本願発明の「第１の電極」に相当。）の上に開口部を有し，上記「半導体チップ１」の上面に形成された有機絶縁膜とを備えた構成とすること（相違点１に係る構成とすること）は，例えば引用例２及び引用例３にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
イ　　そして，前記第２の（５）の（５−３）イで検討したとおり，引用発明において，上記「電極パッド６」と相対する位置に，「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」（本願発明の「複数の配線あるいは第２の電極」に相当。）及び「複数のダミーパターン８」（本願発明の「複数の配線あるいは第２の電極」に相当。）を配置する際に，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」の最外側のエッジ間が，上記「電極パッド６」上の上記「コンタクトホール４」と同等以上のサイズとなるように配置することは，上記「電極パッド６」が平坦化されるという作用効果を奏するために，当業者が通常行い得ることである。
　
ウ　　そうすると，引用発明において，絶縁膜である「ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜５」を有機絶縁膜で形成し，上記「電極パッド６」の下の配線層で，上記「電極パッド６」と相対する位置に，上記「複数の第３層Ａｌ配線７ｂ，７ｃ」及び上記「複数のダミーパターン８」の最外側のエッジ間が，上記「電極パッド６」上の上記有機絶縁膜の上記開口部と同等以上のサイズとなるように配置すること（相違点２に係る構成とすること）は，上記周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２−３）　まとめ
　以上のとおり，相違点１及び相違点２は，いずれも，引用発明において，例えば引用例２及び引用例３にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
４　むすび
　したがって，本願発明は，引用例１記載の発明（引用発明），並びに例えば引用例２及び引用例３にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　結言
　
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。