【事件の表示】
　平成　７年特許願第２１００７６号「３族窒化物半導体発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　２月　７日出願公開、特開平　９−　３６４２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年７月２５日に出願された特許出願であって、原審において、平成１６年４月９日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年６月１６日に手続補正がなされたところ、同年７月２８日付けで当該補正についての補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．原審における補正の却下の決定について
（１）補正後の本願発明
　平成１６年６月１６日の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１を以下のように補正することを含むものである。
　　
　「【請求項１】発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子の製造方法において、
　前記発光層として、不純物の添加されていない少なくともインジウムと窒素を含む３族窒化物半導体から成る層を形成し、
　その後、８００℃〜１２００℃の範囲で、１秒〜５分間熱処理を施こすものであって、　前記発光層は、２層以上の多重層で構成されている多重量子井戸構造であることを特徴とする３族窒化物半導体発光素子の製造方法。」（以下、「本願補正発明」という。）
　　
　この補正は、発明特定事項である「発光層」について、「前記発光層は、２層以上の多重層で構成されている多重量子井戸構造である」との技術的限定を付すものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）補正後の本願明細書
　平成１６年６月１６日の手続補正による全文補正明細書（以下、「本願補正明細書」という。）において、本願補正発明における「熱処理」に関連する記載事項を摘記すると以下のとおりである。
　
　　ａ．「【特許請求の範囲】
　【請求項１】発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子の製造方法において、
　前記発光層として、不純物の添加されていない少なくともインジウムと窒素を含む３族窒化物半導体から成る層を形成し、
　その後、８００℃〜１２００℃の範囲で、１秒〜５分間熱処理を施こすものであって、　前記発光層は、２層以上の多重層で構成されている多重量子井戸構造であることを特徴とする３族窒化物半導体発光素子の製造方法。
　【請求項２】　前記発光層は、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎから成る半導体層とＩｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ｎ（ｘ１＞ｘ２）から成る半導体層の多重層であることを特徴とする３族窒化物半導体発光素子の製造方法。」
　　
　　ｂ．「【０００２】
　【従来技術】　従来、３族窒化物半導体発光素子として、ＺｎとＳｉとを添加したＩｎ１−ｘＧａｘＮを発光層にしたダブルヘテロ構造のものが知られている。この発光素子は、４２０〜５２０ｎｍの青色の発光が得られている。
　バンド間遷移に基づくスペクトル半値幅の狭い、波長４００ｎｍ以上の可視光の発光を得るには、発光層のＩｎＮのモル分率を高くする必要がある。しかし、通常のＭＯＣＶＤ法による気相成長では、ＩｎＮのモル分率の増加に伴い結晶品質は劣化し発光効率が低下した。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】　又、発光層に不純物を添加し、不純物が関与して形成される発光準位を用いると、ＩｎＮのモル分率が低い発光層の場合でも、４００ｎｍ以上の波長を有した発光が得られため、その波長領域の発光効率が高くできる。しかし、スペクトル半値幅は広くなり、色純度は悪くなった。又、発光波長が駆動電流の大きさにより変化するという問題もある。
　【０００４】
　上記のダブルヘテロｐｎ接合型の発光ダイオードは、発光強度を向上させるために、発光層には発光中心としてＺｎとＳｉがドープされている。しかし、これらの不純物添加により、発光スペクトルは左右非対称になり、発光半値幅は８０ｎｍ以上と広くなる。結果として、色純度が低下する。更に、電流量の増加と共に、発光ピーク値が短波長側へシフトし、視感度が減少する。よって、高い信頼性，高性能，高機能を必要とする医療用や高精細表示用等の表示装置に用いることができない。」
　　
　　ｃ．「【００１０】
　【発明の作用及び効果】　上記のように、発光層には不純物を添加せず、高温，短時間の熱処理を加えた。結果として、発光ピーク波長５４０ｎｍの場合、半値幅は従来の１００ｎｍと比べ、約６０ｎｍと狭くなり、色純度が向上した。更に、電流量が増加しても、ピーク波長には殆ど変化がなかった。これは、発光層の多層構造が熱により何らかの変成を受けた為と考えられる。即ち、高温短時間熱処理により、発光層は熱変成を受け、結晶性が向上するものと思われる。」
　　
　　ｄ．「【００１１】
　【実施例】第１実施例
・・・・・（中略）・・・・・
　【００１２】
　次に、この構造の発光ダイオード１０の製造方法について説明する。
・・・・・（中略）・・・・・
　【００１３】
　まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面を主面とする厚さ１００〜４００μｍの単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧でＨ２を流速２ｌｉｔｅｒ／分で反応室に流しながら温度１１００℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
　【００１４】
　次に、温度を４００℃まで低下させて、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＡを１．８×１０−５モル／分で供給してＡｌＮのバッファ層２が約５００Åの厚さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、Ｈ２ガスにより０．８６ｐｐｍに希釈されたシランを２００ｍｌ／分で３０分供給して、膜厚約２．２μｍ、電子濃度２×１０１８／ｃｍ３のシリコンドープのＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３を形成した。
　【００１５】
　次に、サファイア基板１の温度を１１００℃に保持し、Ｎ２又はＨ２を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．１２×１０−４モル／分、ＴＭＡを０．４７×１０−４モル／分、及び、Ｈ２ガスにより０．８６ｐｐｍに希釈されたシランを１０×１０−９ｍｏｌ／分で、６０分供給して、膜厚約１μｍ、濃度１×１０１８／ｃｍ３のシリコンドープのＡｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｎ層４を形成した。
　【００１６】
　続いて、温度を８５０℃に保持し、Ｎ２又はＨ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．５３×１０−４モル／分、ＴＭＩを０．０２×１０−４モル／分で、６分間供給して０．０５μｍのＩｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ から成る発光層５を形成した。
　【００１７】
　続いて、温度を１１００℃に保持し、Ｎ２又はＨ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．１２×１０−４モル／分、ＴＭＡを０．４７×１０−４モル／分、及び、ＣＰ２Ｍｇを２×１０−４モル／分で60分間導入し、膜厚約１．０μｍのマグネシウム（Ｍｇ）ドープのＡｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｐ層６１を形成した。ｐ層６１のマグネシウムの濃度は１×１０２０／ｃｍ３である。この状態では、ｐ層６１は、まだ、抵抗率１０８Ωｃｍ以上の絶縁体である。
　【００１８】
　続いて、温度を１１００℃に保持し、Ｎ２又はＨ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．１２×１０−４モル／分、及び、ＣＰ２Ｍｇを４×１０−４モル／分の割合で４分間導入し、膜厚約０．２μｍのマグネシウム（Ｍｇ）ドープのＧａＮから成るコンタクト層６２を形成した。コンタクト層６２のマグネシウムの濃度は２×１０２０／ｃｍ３である。この状態では、コンタクト層６２は、まだ、抵抗率１０８Ωｃｍ以上の絶縁体である。
　【００１９】
　このようにして、図２に示す断面構造のウエハが得られた。次に、このウエハを、４５０℃で４５分間、熱処理した。この熱処理により、コンタクト層６２、ｐ層６１は、それぞれ、ホール濃度７×１０１７／ｃｍ３，５×１０１７／ｃｍ３、抵抗率２Ωｃｍ，０．８Ωｃｍのｐ伝導型半導体となった。このようにして、多層構造のウエハが得られた。
　【００２０】
　引き続き、上記ウエハを赤外線ランプの加熱により、温度１１４０℃で５秒間保持した後、急冷した。尚、室温から温度１１４０℃に達するまでの時間は約３秒で、温度１１４０℃から室温に戻るまでの時間は、約２０秒であった。
　この発光層５の高温短時間熱処理は、温度８００℃〜１２００℃の範囲で、時間１秒〜５分の範囲が適切である。８００℃より低いと処理の効果がなく、１２００℃より高いと３族窒化物が分解する。又、１秒より短いと処理の効果がなく、５分より長いと発光層が変成し効率が低下する。このようにして、図２に示すような多層構造のウエハが得られた。
・・・・・（中略）・・・・・
　【００２４】
　このようにして得られた発光素子の発光スペトルを測定した。図６に示すように、駆動電流２０ｍＡで、発光ピーク波長５３８ｎｍ 、発光強度２００ｍｃｄであった。更に、半値幅は、従来の約１００ｎｍから、約６０ｎｍと狭くなったことが理解される。」
　　
　　ｅ．「【００２６】
　第２実施例
　　図７は、第２実施例に係る発光ダイオード２００の構成断面図で、図８は多層発光層５０部分の詳細図である。多層発光層５０は全体が約０．５μｍで、アンドープの井戸層５２とアンドープのバリア層５１が、交互に約１００Åずつ、形成される多重量子井戸構造（ＭＱＷ）から成る。
　【００２７】
　この構造の発光ダイオード２００を形成する製法を示す。ｎ層４までを第１実施例と同様に形成する。ｎ層４は、ここではシリコン（Ｓｉ）ドープのＡｌｘ４Ｉｎｙ４Ｇａ１−ｘ４−ｙ４Ｎ層である。
　【００２８】
　その後、サファイア基板１の温度を８５０℃に保持し、Ｎ２又はＨ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１×１０−５モル／分、ＴＭＩを１×１０−４モル／分を約７分間導入し、発光層５０の成膜を行う。このとき、まず最初に約１００Åだけ、アンドープのＧａＮのバリア層５１を形成し、続けて、母材は同じ材料で組成比のみ変化させて、同じ厚さ約１００ÅでＩｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎのアンドープの井戸層５２を形成する。続けて同様な厚さで、バリア層５１と井戸層５２を、全体が約０．５μｍとなるまで交互に成膜し、図８に示すように多層構造の発光層５０を形成する。
　【００２９】
　続いて、従来技術で上側のｐ層６１、コンタクト層６２、６３を形成し、最後に、第１実施例と同一条件にて、ｐ型化のための低温熱処理と、発光層５０の活性化のための高温短時間熱処理を加えた。ｐ型化のための低温熱処理により、コンタクト層６３、コンタクト層６２、ｐ層６１は、それぞれ、ホール濃度７×１０１７／ｃｍ３，５×１０１７／ｃｍ３，１×１０１７／ｃｍ３、抵抗率 ０．５Ωｃｍ，０．８Ωｃｍ，４Ωｃｍのｐ伝導型半導体となった。又、高温短時間熱処理により、発光層５０は熱変成を受けて結晶性が向上したものと思われる。
　【００３０】
　以下、第１実施例と同様な手順にて、電極を形成して発光ダイオードを形成した。この発光ダイオードの発光のスペクトルは、ピーク波長５４０ｎｍ、ピーク波長の半値幅６０ｎｍであった。」
　
（３）当審の判断
　ア．はじめに、原審における補正の却下の決定の根拠条文について明確にしておく必要がある。上記決定には、独立特許要件のいかなる条項に違反して平成１６年６月１６日の手続補正を却下するのか明示の記載がないが、「したがって、半値幅の減少と熱処理との関係は明らかにされていないものと認められる。」との上記決定の記載事項、これに対する「５．特許法第３６条について　　上述した通りであり、本願発明は特許法第３６条各項の要件を満たすものです。」（平成１６年９月３０日付け手続補正書（方式）【請求の理由】）との請求人の反論、さらには、上記決定の記載事項と同趣旨の理由で特許法３６条４項、６項違反とされた平成１６年４月９日付け拒絶理由通知の（理由１）の起案内容からみて、補正の却下の決定の独立特許要件違反については、平成１４年改正前特許法３６条４項に規定する委任省令に適合しないことを含むものであることは明らかであり、請求人もその旨を了解して審判請求をしているものと認められる。
　　
　イ．そこで、本願補正明細書の発明の詳細な説明は、本願補正発明における「熱処理」、すなわち、「発光層として、不純物の添加されていない少なくともインジウムと窒素を含む３族窒化物半導体から成る層を形成し、その後、８００℃〜１２００℃の範囲で、１秒〜５分間熱処理を施こす」（上記ａの【請求項１】）こと、に関し、その技術上の意義を当業者が理解するために必要な事項を記載したものであるか、換言するならば、当該熱処理の結果として、「発光ピーク波長５４０ｎｍの場合、半値幅は従来の１００ｎｍと比べ、約６０ｎｍと狭くなり、色純度が向上した」（上記ｃ）との本願補正発明の効果が明確に認識することができるかについて検討するに、上記ａ〜ｅからは以下の事項が把握できる。
　　
　　１）本願補正明細書の「熱処理」は、８５０℃でアンドープのＧａＮのバリア層およびＩｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎのアンドープの井戸層を交互に成膜して多重量子井戸構造の発光層を形成した後、その上に１１００℃で少なくとも６０分以上を要してｐ層、コンタクト層を形成し、さらに、ｐ型化のための低温熱処理（４５０℃、４５分）を経たウエハに対し、１１４０℃で５秒間実施したものである。
　　
　　２）本願補正発明と同じく発光層が多重量子井戸構造であり、「熱処理」を施した第２実施例の発光ダイオードの発光スペクトルは、ピーク波長が５４０ｎｍで、ピーク波長の半値幅は６０ｎｍであった。これに対し、同波長における従来例の半値幅は１００ｎｍであった。また、発光強度については、発光層が本願補正発明とは異なる単層のもの（第１実施例）について２００ｍｃｄであったとの記載があるものの、上記第２実施例のもの、および従来例のものについては開示がない。
　　
　　３）「熱処理」を施した結果、半値幅が従来の１００ｎｍに対して６０ｎｍと狭くなった理由としては、「発光層の多重量子井戸構造が熱により何らかの変成を受けた為と考えられる。即ち、高温短時間熱処理により、発光層は熱変成を受け、結晶性が向上するものと思われる。」（上記ｃ）と推測している。
　　
　　４）発光中心としてＺｎとＳｉの不純物がドープされた発光層を有する従来の発光ダイオードでは発光半値幅は８０ｎｍ以上と広くなる旨（上記ｂ）、および「発光層には不純物を添加せず、高温，短時間の熱処理を加えた。結果として、発光ピーク波長５４０ｎｍの場合、半値幅は従来の１００ｎｍと比べ、約６０ｎｍと狭くなり、色純度が向上した。」（上記ｃ）との記載からみて、半値幅が１００ｎｍである従来例とは、不純物を添加した発光層を有する発光ダイオードであると解される。
　このことは、「まず、一定強度以上の光度を有する長波長の３族窒化物半導体発光素子を得るためには、『不純物無添加では』達成できず、どうしても不純物を添加した発光層が必要であった、これが従来技術です。」（平成１６年９月３０日付け手続補正書（方式）【請求の理由】）との請求人の主張からも明らかである。
　他方、「熱処理」を施していないアンドープの（ＧａＮのバリア層およびＩｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎのアンドープの井戸層からなる多重量子井戸構造の）発光層を有する発光ダイオードについては、発光スペクトルのピーク波長、その半値幅および発光強度の開示はない。
　　　
　ウ．上記１）〜４）を踏まえ、さらに考察を加えるに、従来例のものが不純物を添加した発光層であるのに対し、本願補正発明は、発光層が（ｉ）アンドープである点、さらにはこれに（ｉｉ）熱処理を施した点で相違する。そうすると、本願補正発明の熱処理による効果が、実は、上記（ｉ）のみによるのか、あるいは本願補正発明のように（ｉ）＋（ｉｉ）によるのかが、明らかでない。ちなみに不純物を添加した発光層に比べて、バンド間遷移に基づくアンドープ発光層の方が、半値幅が狭く色純度の高い発光が得られることは当業者に周知である。また、上記ｂの段落【０００２】には、「バンド間遷移に基づくスペクトル半値幅の狭い、波長４００ｎｍ以上の可視光の発光を得るには、発光層のＩｎＮのモル分率を高くする必要がある。しかし、通常のＭＯＣＶＤ法による気相成長では、ＩｎＮのモル分率の増加に伴い結晶品質は劣化し発光効率が低下した。」と記載され、これによれば上記（ｉ）によって色純度の高いものは得られるが、（ｉ）のみでは発光効率が低いとの理解が得られる。
　これについて請求人は、
「まず、一定強度以上の光度を有する長波長の３族窒化物半導体発光素子を得るためには、『不純物無添加では』達成できず、どうしても不純物を添加した発光層が必要であった、これが従来技術です。不純物を発光層に添加するため、半値幅が広いものとなっておりました。
　一方本願発明によると、『８００℃〜１２００℃の範囲で、１秒〜５分間熱処理を施こす』ことにより、不純物の発光層（「アンドープの発光層」の誤記：審決注）を用いても、熱変成を受け、結晶性が向上するため一定強度以上の光度を有する長波長の３族窒化物半導体発光素子を得ることができます。この際、半値幅は狭い発光が得られます。」
との反論を展開し、熱処理による効果が、アンドープの発光層で発光強度の高い発光素子を得ることにあり、結果として色純度の高いものが得られるかのように主張する。
　しかしながら、発光強度については上記４）で指摘したように本願補正発明の有意な効果は何ら提示されていないのである。したがって、仮に請求人の主張のとおりであったとしても、本願補正発明の熱処理の技術上の意義ないしは有意な効果が本願補正明細書の記載から十分把握できるとはいえない。
　　
　エ．「熱処理」についてさらに考察を進めると、本願補正明細書の記載によれば、「熱処理」は、Ａ．「温度８００℃〜１２００℃の範囲で、時間１秒〜５分の範囲が適切である。８００℃より低いと処理の効果がなく、１２００℃より高いと３族窒化物が分解する。又、１秒より短いと処理の効果がなく、
５分より長いと発光層が変成し効率が低下する
発光層の多層構造が熱により何らかの変成を受けた為と考えられる。即ち、高温短時間熱処理により、発光層は熱変成を受け、結晶性が向上するものと思われる
　ところで、本願補正発明の発光ダイオードの発光層は、その製造過程において発光層の成膜後、本願熱処理を施す以前に１１００℃６０分以上の熱履歴を受けている（上記１））から、上記Ａにあるように「
５分より長いと発光層が変成し効率が低下する
　　
　オ．以上のとおり、本願補正明細書の記載によれば、不純物をドープした従来例の発光層に比べ、発光スペクトルの色純度が高くなった理由が本願補正発明の「熱処理」によるのか明らかでなく、また、「熱処理」により発光層が熱変性を受け、結晶性が向上したのかも明らかでなく、さらに、発光強度についての有意な効果の提示もないから、本願補正発明における「熱処理」の技術上の意義が明確に把握できない。
　したがって、本願補正明細書の発明の詳細な説明は、発明が解決しようとする課題およびその解決手段その他の当業者が発明の技術上の意義を理解するための必要な事項を記載したものとはいえないので、平成１６年６月１６日の手続補正後の本願は、平成１４年改正前特許法３６条４項に規定する要件（委任省令）を満たしていないから、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、平成１６年６月１６日の手続補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法５３条１項の規定により却下すべきものとした原審における補正却下の決定は妥当なものである。
　　
５．本願について
（１）本願発明および明細書
　平成１６年６月１６日の手続補正についての補正却下の決定は妥当なものであるので、本願の請求項に係る発明および明細書は、平成１６年１月１４日の手続補正により補正された以下の特許請求の範囲の請求項１，２を含む明細書（以下、「本願明細書」という。）に記載されたとおりのものと認められる。
　　
「【請求項１】発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子の製造方法において、
　前記発光層として、不純物の添加されていない少なくともインジウムと窒素を含む３族窒化物半導体から成る層を形成し、
　その後、８００℃〜１２００℃の範囲で、１秒〜５分間熱処理を施こすことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子の製造方法。
　【請求項２】前記発光層は、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎから成る半導体層とＩｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ｎ（ｘ１＞ｘ２）から成る半導体層の２層以上の多重層で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物半導体発光素子の製造方法。」（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　　
　また、本願発明に記載された「熱処理」、すなわち、「発光層として、不純物の添加されていない少なくともインジウムと窒素を含む３族窒化物半導体から成る層を形成し、その後、８００℃〜１２００℃の範囲で、１秒〜５分間熱処理を施こす」こと、に関する本願明細書の記載事項は本願補正明細書における上記ｂ〜ｅと実質的に同様である。
　
（２）判断
　そうすると、上記２．（３）に記載したのと同様の理由で、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願発明における「熱処理」の技術上の意義を当業者が理解するための必要な事項が記載されていないといえるから、本願は、平成１４年改正前特許法３６条４項に規定する要件（委任省令）を満たしていない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願は、平成１４年改正前特許法３６条４項の規定を満たさないから、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。