【事件の表示】
　特願２００５−２８６５「半導体デバイス，その製造方法および製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年７月２０日出願公開，特開２００６−１９０８９７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年１月７日の出願であって，平成１８年４月４日付けの拒絶理由通知に対して，同年６月７日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１０月６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１１月２２日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１８年１１月２２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
（１）本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，その補正内容は，請求項１の記載を補正するものである。
　
（２）補正の前後の請求項１の記載は，次のとおりである。
　
《補正前の請求項１》
　【請求項１】
「基板上に半導体膜が形成された半導体デバイスであって，該半導体膜はレーザ照射することにより結晶成長された横方向成長結晶を有し，かつ，前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置して，前記スリットもしくはパターンを通過した光を照射することによって，横方向成長結晶の端部における表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなるように形成されたことを特徴とする半導体デバイス。」
　
《補正後の請求項１》（下線は補正箇所）　
　【請求項１】
「基板上に半導体膜が形成された半導体デバイスであって，該半導体膜はレーザ照射することにより結晶成長された横方向成長結晶を有し，かつ，前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置して，前記スリットもしくはパターンを通過した光を照射することによって，横方向成長結晶の端部における表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低く
，かつ，前記表面突起高さと前記半導体膜の膜厚との差が５０ｎｍ以下と
　
２　補正目的の適否
（１）以下，請求項１の補正が補正目的に適合するか否かについて検討する。
　
（２）補正前の請求項１の，
「横方向成長結晶の端部における表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなるように形成されたこと」
　との記載を，
　補正後の請求項１の，
「横方向成長結晶の端部における表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低く，かつ，前記表面突起高さと前記半導体膜の膜厚との差が５０ｎｍ以下となるように形成されたこと」
　とする補正は，補正前の記載事項に更に限定を加えるものであり，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とする補正に該当する。
　
（３）したがって，本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項２号に掲げる補正目的に適合する。
　
（４）以上のとおり，本件補正は補正目的に適合するところ，請求項１の補正は，特許請求の範囲を限定的に減縮するものであるから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（同特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）について検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）を再掲すると，次のとおりである。
　
　【請求項１】
「基板上に半導体膜が形成された半導体デバイスであって，該半導体膜はレーザ照射することにより結晶成長された横方向成長結晶を有し，かつ，前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置して，前記スリットもしくはパターンを通過した光を照射することによって，横方向成長結晶の端部における表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低く
，かつ，前記表面突起高さと前記半導体膜の膜厚との差が５０ｎｍ以下と
　
（２）特許法３６条の要件を満たすかどうかについて
　本願補正発明の「前記表面突起高さと前記半導体膜の膜厚との差が５０ｎｍ以下」となるように形成されたとの表現は，本願の発明の詳細な説明の段落【００３３】にも見ることができ，その形式的な意味は理解できる。
　しかし，「半導体膜の膜厚」の数値範囲についての前提がないまま，単に，「前記表面突起高さと前記半導体膜の膜厚との差が５０ｎｍ以下」となるように形成されたとの限定を加えても，技術的に意味をなさない。その理由は，次のとおりである。
　例えば，半導体膜の厚さが５００ｎｍの場合を考えると，表面突起高さが４８０ｎｍの半導体デバイスは「前記表面突起高さと前記半導体膜の膜厚との差が５０ｎｍ以下」となるように形成されたとの条件を満たすから本願補正発明の範囲に入る。他方，同じく，半導体膜の厚さが５００ｎｍの場合に，表面突起高さが３０ｎｍの半導体デバイスは，「前記表面突起高さと前記半導体膜の膜厚との差が５０ｎｍ以上」であるから，本願補正発明の範囲外のものとなる。
　そうすると，半導体膜の厚さが５００ｎｍで，表面突起高さが４８０ｎｍの場合のように，突起が高く，明らかに好ましくないと思われるものが，本願補正発明の範囲内に入るのに対し，表面突起高さが３０ｎｍのように，突起が低く，明らかに良好なものが本願補正発明の範囲外のものとなってしまう。
　したがって，単に，「前記表面突起高さと前記半導体膜の膜厚との差が５０ｎｍ以下」となるように形成されたとの限定を加えただけでは，技術的に意味のある発明とはならず，かえって意味不明の発明になるといわざるを得ない。　
　
（３）以上のとおり，本願補正発明は，特許法３６条６項２号に規定する要件（明確性の要件）を満たさないので，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により，却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明の容易想到性 
１　本願発明
　以上のとおり，本件補正（平成１８年１１月２２日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１８年６月７日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載されたとおりのものであり，以下に再掲する。 
 　 
　【請求項１】
 「基板上に半導体膜が形成された半導体デバイスであって，該半導体膜はレーザ照射することにより結晶成長された横方向成長結晶を有し，かつ，前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置して，前記スリットもしくはパターンを通過した光を照射することによって，横方向成長結晶の端部における表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなるように形成されたことを特徴とする半導体デバイス。」
　
　ここで， 発明の詳細な説明の段落【００３２】の
「図２（ａ）は本発明の半導体デバイスにおける半導体膜結晶の平面図であり，図２（ｂ）は本発明の半導体デバイスにおける半導体膜の断面図である。また図１０は従来の半導体デバイスにおける半導体膜の断面図である。本発明の半導体デバイスは，たとえば半導体膜厚を５０ｎｍとした場合には，横方向成長結晶１１，１２の端部における表面突起高さＨは３０ｎｍである（図２（ｂ））。」
　との記載から，本願発明の「横方向成長結晶の端部に生じた突起」における「横方向成長結晶の端部」は，本願の図２（ａ）でいう「横方向成長結晶１１と１２とが衝突した部分」を意味するものと理解できる。
 　 
２　引用例の表示
　　引用例１：特開２００４−３１８０９号公報
　　引用例２：特開２００３−３０９０８０号公報
　　引用例３：特開２００１−２５０７７６号公報
　
３　引用例１の記載と引用発明１
３−１　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−３１８０９号公報（以下「引用例１」という。）には，図１，図３〜図５，図７，図８とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体薄膜の形成に用いられるフォトマスクに関し，特に，非晶質材料を多結晶材料に変質させるためにレーザー光を照射させるフォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法に関する。」
・「【０００６】
ｐ−Ｓｉの大粒径化を実現する方法としては，例えば特願２００２−３１９０８号に記載されている方法がある。この方法では，繰り返しパターンをもつ領域を複数設けたマスクを介してレーザ光をａ−Ｓｉ薄膜上に照射し，かつ基板を載せたステージを等速で走査することにより，基板上のａ−Ｓｉ薄膜を高速に結晶化してｐ−Ｓｉ薄膜を得ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，この方法により結晶化したｐ−Ｓｉ薄膜には，マスクのパターンに依存して周期的な粒界が形成される。粒界部には，他の部分に比べて隆起したような突起が形成される。この突起は，パターン開口部の周辺部から中央部へ向かって，すなわち薄膜の低温部から高温部に向かって結晶が成長する際，パターン開口部の中央で結晶粒同士がぶつかり合うことにより生じる。ＴＦＴ素子のチャネル部にこのような粒界が存在するとＴＦＴ素子の性能の一つである移動度が低下する要因となり，また突起によって半導体と絶縁膜の界面に問題を生じて移動度が低下したり，絶縁膜におけるリーク電流増加の原因ともなる。
【０００８】
本発明は，このような点に鑑みてなされたものであり，その目的は，結晶粒の粒径が大きくて高品質の多結晶材料を形成可能なフォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法を提供することにある。」
　
　　イ　実施例
・「【００１２】
図１は本発明に係るフォトマスクの一例を示す外形図である。図１のフォトマスクは，矩形状の第１スリット１が複数（例えば，９つ）ずつ形成された複数の第１マスク部２ａ，２ｂ，２ｃと，矩形状の第２スリット３が複数（例えば，３つ）形成された第２マスク部４とを備えている。
【００１３】
第１スリット１は，半導体薄膜中の多結晶材料の結晶粒のサイズを拡大するためのものであり，第２スリット３は，多結晶材料の表面形態を平坦化するためのものである。
【００１４】
第１スリット１の長手方向サイズは，第２スリット３の長手方向サイズと略等しく，第１スリット１の短手方向サイズは，第２スリット３の短手方向サイズよりも大きい。
【００１５】
第２スリット３の総数は，すべての第１マスク部２ａ，２ｂ，２ｃの第１スリット１の総数に等しい。」
・「【００１７】
図３は図１のマスクを有する結晶化装置の概略構成を示すブロック図である。図３の結晶化装置は，２次元（ＸＹ）方向に移動可能なステージ１１と，ステージ１１に真空吸着されるガラス基板１２と，ステージ１１の移動を制御するステージ移動制御部１３と，エキシマレーザー光を放射するレーザー光源１４と，エキシマレーザー光を屈折させる屈折光学系１５と，図１のマスク１６と，マスク１６の第１及び第２スリット１，３を通過したレーザー光を集光させるレンズ１７と，レンズ１７の焦点調節を行う焦点調節部１８とを備えている。
【００１８】
ステージ１１は，ガラス基板１２を図３のＸ方向に第１マスク部２ａ，２ｂ，２ｃの距離分だけ順に移動させる。ステージ１１がガラス基板１２を移動させるたびに，ガラス基板１２にレーザー光が照射される。例えば，図１のように，３つの第１マスク部２ａ，２ｂ，２ｃが設けられている場合，まず最初に第１マスク部２ａを通過したレーザー光がガラス基板１２に照射される。この場合，ガラス基板１２には，図４（ａ）の斜線部ｈ１で示す領域にレーザー光が照射される。
【００１９】
次に，第１マスク部２の距離だけガラス基板１２が移動された後，第１マスク部２を通過したレーザー光がガラス基板１２に照射される。この場合，ガラス基板１２には，図４（ｂ）の斜線部ｈ２で示す領域にレーザー光が照射される。
【００２０】
次に，第１マスク部２の距離だけガラス基板１２が移動された後，第１マスク部２を通過したレーザー光がガラス基板１２に照射される。この場合，ガラス基板１２には，図４（ｃ）の斜線部ｈ３で示す領域にレーザー光が照射される。
【００２１】
図５はレーザー光の照射範囲をより詳しく示した図である。まず，１ショット目は，図５（ａ）の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射される。次に，２ショット目は図５（ｂ）の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射され，３ショット目は図５（ｃ）の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射され，４ショット目は図５（ｄ）の斜線部で示す範囲にレーザー光が照射される。第２マスク部４があるために，ショット数が多くなるにつれて，狭い幅でレーザー光が照射される範囲が次第に広がる。」
・「【００２３】
図７は図４（ｃ）のＡ−Ａ線断面図である。図示のように，３回に分けてレーザー光を照射すると，レーザー光の照射エリアの中央付近に突起部が形成される。
【００２４】
以下，突起部が形成される理由を説明する。マスク１６を使ってレーザー光を照射すると，マスク１６のスリットのエッジに形成される固液界面から結晶成長が開始され，レーザー光による熱の拡散方向とは反対側であるスリットの中央に向かって結晶粒が成長していく。スリットのエッジからスリットの中央に向かって成長した結晶粒は，スリットの中央付近で互いに衝突することにより結晶成長が停止する。このとき，結晶粒界がスリットの中央付近に発生するとともに，突起部も形成される。
【００２５】
本実施形態では，複数の第１マスク部２でのレーザー光照射が終了した後に，第２マスク部４によるレーザー光照射を行う。第２マスク部４の第２スリット３は，第１スリット１よりもスリットの幅が狭く，かつ投影レンズ１７の分解能よりも幅が狭い。このため，第２スリット３を通過するレーザー光の強度は，第１スリット１を通過するレーザー光の強度よりも弱くなり，半導体薄膜を完全には溶融しない程度の強度である。
【００２６】
第２スリット３は，図７の突起部２０の周辺にレーザー光を照射可能な位置に配置されてレーザー光照射を行う。これにより，突起部２０の周辺のみが溶融されて再結晶化される。この場合の結晶成長は，横方向成長ではないため，図８に示すように，突起部２０の高さが低くなり，半導体薄膜２１の表面が平坦になる。
【００２７】
このように，本実施形態では，第１スリット１が形成された第１マスク部２を用いてポリシリコンの結晶粒を大きくする処理を行った後，この処理で形成された突起部２０の高さを，第２スリット３が形成された第２マスク部４を用いて低くするため，半導体薄膜２１の表面を平坦化することができ，電気的特性の優れたポリシリコンＴＦＴを形成することができる。
【００２８】
上述した実施形態では，マスク１６に形成するスリットの幅を狭くしてレーザー光の強度を弱くしているが，これ以外の手法によりレーザー光の強度を弱くしてもよい。例えば，スリットを形成する代わりに，マスク１６の材料を変更することによりレーザー光の強度を弱くしてもよい。通常のマスク１６は，基板上にクロムが蒸着されており，クロムによりレーザー光が遮光される。逆に，クロムが蒸着されていない部分はレーザー光を透過する。よって，クロムを通常の遮光部よりも薄く蒸着することにより，レーザー光を弱く透過することができる。このため，上述した第２マスク部４については，レーザー光を透過させるべき部分にクロムを薄く蒸着すればよい。」
　
　　ウ　発明の効果
・「【００２９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように，本発明によれば，半導体薄膜中の非晶質材料を多結晶材料に変質させるためのフォトマスクに第１及び第２領域を設けるため，多結晶材料の結晶粒のサイズを大きくしつつ，多結晶材料の表面形態を平坦化することができる。したがって，多結晶材料中に形成されるトランジスタの電気的特性を向上できる。」
　
３−２ 引用発明１
　上記ア〜ウによれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が開示されているといえる。
　
「ガラス基板上に半導体薄膜が形成された半導体であって，前記半導体薄膜は，マスクの第１スリットを使ってレーザー光を照射することにより，前記第１スリットのエッジに形成される固液界面から結晶成長が開始され，前記レーザー光による熱の拡散方向とは反対側である前記第１スリットの中央に向かって結晶粒が成長していき，前記第１スリットのエッジから前記第１スリットの中央に向かって成長した前記結晶粒は，前記第１スリットの中央付近で互いに衝突することにより結晶成長が停止された結晶を有し，かつ，結晶粒界が前記第１スリットの中央付近に発生するとともに，突起部も形成されており，前記突起部に対し，前記第１スリットよりもスリットの幅が狭く，かつ投影レンズの分解能よりも幅が狭い前記マスクの第２スリット３が，前記突起部の周辺にレーザー光を照射可能な位置に配置されて前記第１スリットを通過するレーザー光の強度よりも弱いレーザー光照射をすることによって，前記突起部の周辺のみが溶融されて再結晶化され，前記突起部の高さが低くなり，前記半導体薄膜の表面が平坦になるように形成されたことを特徴とする半導体。」
　
４　引用例２の記載と引用発明２
４−１　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−３０９０８０号公報（以下「引用例２」という。）には，図１，図２，図４〜図７とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，集積回路（ＩＣ）や液晶表示装置（ＬＣＤ）に関係し，特に，レーザーアニール処理によって結晶化される基板表面の平滑化の方法，及び上記レーザーアニール処理に用いられるマスクに関する。」
・「【０００６】近年，上記製造技術において有為な順応性を備えた新しいレーザーアニール処理技術が開発されており，それによって，薄膜の結晶構造を，様々に制御することが可能になりつつある。この技術は，非常に細いレーザー光を用いることによるシリコン結晶粒の横方向成長技術に立脚している。上記レーザー光は，遮光マスクを透過させることによって形成され，レーザーアニール処理が施される上記薄膜に上記マスクの形状を照射する。この方法は，レーザー溶融横方向成長法（以下，「ＬＩＬａＣ法」という。）と呼ばれている。
【０００７】図１は，従来のＬＩＬａＣ法を示す図である。最初，アモルファスシリコン薄膜に数μｍ（例えば３〜５μｍ程度）の所定の幅を有する非常に細いレーザー光が照射される。このように細い光線は，光源光が図２に示す空間部あるいは開口パターンを有するマスクに通されることによって作られる。そして，上記光線は，熱処理されるシリコン薄膜の表面に照射される。
【０００８】図２は，従来用いられていた，通常のレーザーアニール処理用マスクである。図１に戻って，１から４の一連の図は，シリコンの長結晶の成長の様子を示している。ここでは，段階的な繰り返し作業が行われている。細く形成されたレーザー光（２本の平行な太線で示されている。）は，上記薄膜に照射され，次に上記スリットの幅の半分以下距離を平行移動する。このように規則的にレーザー光を前進させることにより，前段階で形成されていたポリシリコン物質の結晶種から結晶粒が横方向へ成長してゆくことになる。これは帯融結晶化法あるいはその他同様の工程で見られる，横延び結晶と同じである。
【０００９】その結果，上記結晶は，レーザー光の前進方向において，引っ張り方向に沿って非常な高品質を獲得することになる。この工程は，マスク上のそれぞれのスリットで同時に進行するため，上記基板上で上記マスクされて照射された領域の迅速な結晶化が可能となる。一度この領域が結晶化されると，上記基板は未処理の新たな位置に移動し，上記工程が繰り返される。」
・「【００１５】また，結晶帯／結晶領域の際における大粒界の表面粗さは重要である。この表面粗さは，将来の応用にとって素子の外形を小型化するために欠くことのできないステップであるゲート絶縁膜の厚さの低減を妨げることになる。更に，これらすべての過程が管理できるものではない。そのため，上記結晶領域とＴＦＴチャネルとの相対的な大きさによって，あるＴＦＴは，能動領域に粒界を含まないが，他のＴＦＴは，上記能動領域に少なくとも１つの粒界を含むことになる。特性の均一性が絶対的な性能よりも不可欠である点で，この種の不均一化は，ＴＦＴの重要な応用にとって大きな障害となる。
【００１６】従って，ＬＩＬａＣ法がレーザーアニール処理後の基板表面の平滑化工程を含むよう，変更することができれば有利である。また，ＬＩＬａＣ法が予期せぬ工程の発生に左右されずに，ＴＦＴチャネル領域を形成することができれば有利である。本発明は，このような課題に鑑みなされたものである。」
　
　　イ　実施例
・「【００５１】
【発明の実施の形態】以下，図面に基づき本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。
【００５２】図４は，本発明に係る分割された開口パターンを有するレーザーアニール処理用マスクの平面図である。上記マスク４００は，少なくとも１つの領域４０２と，他の１つの領域４０４に分割されている。上記１つの領域４０２は，入射光の略１００％を透過する開口パターンを備えている。上記他の１つの領域４０４は，入射光を分散させる開口パターンを備えている。
【００５３】図５は，図４の分割されたマスクの一例を示す。図に示すように，上記マスク５００は，多数隣接した１００％透過領域，即ち入射光を１００％透過させる開口パターンを備えた領域５０２ａ，５０２ｂ及び５０２ｃを備える。同じく図示されているように，上記マスク５００は，入射光を回折させる開口パターンを備えた領域５０４ａから５０４ｆの多数隣接した領域を備える。
【００５４】上記隣接した１００％透過領域の数は，一般的には２箇所から５箇所（図では３箇所）の間で変えることができる。しかし，本発明において，この数は特に限定されるものではない。同様に，上記隣接した回折領域の数は，一般的には２箇所から５箇所の間で変えられる。このようなマスクは，基礎となる基板についてマスクの方向に拘わらずレーザーアニール処理された基板表面の平滑化に用いられる。
【００５５】より詳細には，入射光を回折する開口パターンを備えた多数隣接する領域からなる第１の集合５０６は，入射光を１００％透過する開口パターンを備えた多数隣接する領域からなる第２の集合５０８と隣接して示される。そして，入射光を回折する開口パターンを備えた多数隣接した領域からなる第３の集合５１０は，上記第２の集合５０８と隣接している。上述の通り，上記第１の集合５０６と第３の集合５１０は，一般的に２箇所から５箇所の隣接する領域を含む。即ち，３つの隣接する領域がそれぞれの集合の中に示される。
【００５６】図６ａと図６ｂは，回折領域のマスクパターンを示している。１つの例によれば，上記入射光を回折する開口パターンを備えたマスクは，図６ａに示されるように，多数の線状開口パターンとして形成される。上記線状開口パターンは，線部６０２の間に幅０．２５μｍから１．５μｍの範囲の間隙６００と，幅０．２５μｍから１．５μｍの線部６０２を有する。
【００５７】他の例として図６ｂに示されるように，入射光を回折する上記開口パターンは，多数の正方形状に空いた開口パターンを備える。上記各正方形の１辺は０．２５μｍから１．５μｍの範囲にある。同様に上記各正方形状開口パターンの間には，０．２５μｍから１．５μｍの範囲の領域６０６を有する。」
・「【００６４】本発明の方法は，通常のＬＩＬａＣ用マスクの端部に平滑化領域を必要とするだけの単純なものである。上記平滑化領域は，上記レーザー光を意図的に回折させるように設計されており，その結果，上記基板表面に到達するレーザー光のエネルギ密度を低減させる。このような形態を有することにより，上記薄膜は，完全に溶融し結晶の横方向成長を引き起こす。その後，一部分のみの表面が再び溶融し，結晶の粒界が合致する位置において成長した突出を平滑化する。」
・「【００６７】図７は，本発明の方法に係る分割されたマスク形状を用いた熱処理表面の平滑化方法を図示したフローチャートである。
【００６８】この方法は，明確に付番された工程の流れとして表示されてはいるが，明確に表示されていない限り，上記付番の通りでなくてもよい。これら各工程のいくつかは，省略されるか，平行して実施されるか，あるいは上記順序の厳密な順番を要せずに実施されうるものと理解しなければならない。
【００６９】上記方法は，工程７００から開始される。工程７０２では，第１の波長を有するレーザー光を照射する。工程７０４では，第１の寸法の開口パターンを備えた第１の遮光領域と，上記第１の寸法よりも小さい寸法の第２の開口パターンを備えた第２の遮光領域と，を備えたマスクを使用する。工程７０６では，基板領域へ第１のエネルギ密度を有するレーザー光が照射される。工程７０８では，上記第１のエネルギ密度のレーザー照射の結果，上記基板領域が溶融される。工程７１０では，溶融した基板領域を結晶化させる。工程７１９では，回折されたレーザー光が基板領域に照射される。工程７１４では，回折されたレーザー光の照射により，基板領域表面が平滑化される。他の観点からすれば，工程７１４は，基板を３００Å以下の表面荒れにするために基板表面を溶融することを含むといえる。工程７０１は，交互にある当初の厚みを有する基板の薄膜を供給し，その後，上記基板の薄膜の当初厚みの約５０％を溶融する工程７１４において，基板表面が平滑化される。
【００７０】ある観点からすれば，工程７１２における基板への回折されたレーザー光の照射は，基板に照射されるエネルギ密度が第１のエネルギ密度よりも小さい第２のエネルギ密度を有する回折されたレーザー光の照射であるといえる。典型的には，上記第２のエネルギ密度は，上記第１のエネルギ密度の４０％から７０％の範囲に入る。更に，好ましくは，第２のエネルギ密度は，第１にエネルギ密度の５０％から６０％の範囲に入る。
【００７１】他の観点からすれば，上記工程７０２における第１の波長を有するレーザー光の照射は，上記第１の波長が上記第１の開口パターンの寸法より短いか，あるいは等しく，且つ上記第２の開口パターンの寸法よりは長い場合もある。
【００７２】工程７０６における基板領域への第１のエネルギ密度を有するレーザー光の照射は，上記第１の遮光領域を透過したレーザー光のほぼ１００％を伝達するものである。そして，工程７１２において，第１のエネルギ密度よりも小さい第２のエネルギ密度を有する回折されたレーザー光の基板領域への照射は，上記第２の遮光領域を透過したレーザー光のエネルギ密度の１００％よりは少ないエネルギ密度を伝達する。
【００７３】他の観点からすれば，工程７０６における基板領域への第１のエネルギ密度を有するレーザー光の照射は，いくつかの副工程を含む。工程７０６ａは，上記基板領域における第１の領域への上記第１のエネルギ密度を供給する。工程７０６ｂは，上記基板領域における上記第１の領域に隣接する第２の領域へ，上記第１のエネルギ密度の供給を繰り返し行う。
【００７４】同様に，工程７１２における上記基板領域への第２のエネルギ密度を有する回折されたレーザー光の照射も，いくつかの副工程を含む。工程７１２ａは，上記第１の領域に上記第２のエネルギ密度を有するレーザー光を照射する。工程７１２ｂは，上記第２の領域へ上記第２のエネルギ密度の供給を繰り返し行う。
【００７５】他の観点からすれば，工程７０４における第２の寸法を有する開口パターンを備えた，第２の遮光領域を有するマスクの使用は，線状開口パターンを備えた第２の遮光領域を使用することになる。典型的に，線状開口パターンを備えた上記第２の遮光領域は，０．２５μｍから１．５μｍの範囲に入る線部と，同じく０．２５μｍから１．５μｍの範囲に入る幅の各線部の間の空間を含む。
【００７６】工程７０４において，第２の寸法の開口パターンを備えた第２の遮光領域を有するマスクの使用は，正方形の開口パターンを備えた第２の遮光領域に含まれる。典型的には，正方形状開口パターンを有する上記第２の遮光領域は，０．２５μｍから１．５μｍの範囲の正方形の辺と，０．２５μｍから１．５μｍの範囲に入る正方形の開口パターンを含む。」
・「図４」の「マスク４００」には，「ＬＩＬａＣ領域４０２」と「表面平坦化領域４０４」が，記載されている。
　
　　ウ　発明の効果
・「【００７８】
【発明の効果】本発明によると，煩雑な工程を付加することなく，基板表面のレーザーアニール処理工程における結晶化物質を平滑化することができる。」
　
４−２ 引用発明２
　上記ア〜ウによれば，引用例２には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が開示されているといえる。
　
「基板上にシリコン薄膜が形成された半導体であって，シリコン薄膜はレーザー溶融横方向成長法（ＬＩＬａＣ法）による結晶を有し，かつ，前記結晶を形成するときに結晶の粒界が合致する位置において成長した突出を有し，前記レーザー溶融横方向成長法（ＬＩＬａＣ法）の際よりも前記基板表面に到達するレーザー光のエネルギ密度を低減させて照射するように，入射光を回折する開口パターンである多数の線状開口パターン，又は，多数の正方形状に空いた開口パターンからなるマスクパターンを用いてレーザー光を照射することによって，前記シリコン薄膜の一部分のみの表面が再び溶融し，前記突出を平滑化することを特徴とする半導体。」
　
５　引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２５０７７６号公報（以下「引用例３」という。）には，図２，図３，図１８，図１９，図４４，図４５とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，半導体装置およびその製造方法と液晶表示装置およびその製造方法に関し，より特定的には，高い信頼性を実現することが可能な半導体装置およびその製造方法と液晶表示装置およびその製造方法に関する。」
・「【００２０】図４４および４５は，従来の問題点を説明するための模式図である。図４４を参照して，レーザアニール後のポリシリコン膜１２８の上部表面の領域１６１を部分的に拡大してみると，図４５に示すように，ポリシリコン膜１２８の表面にはレーザーアニール工程においてシリコンの突起形状部分１３７が形成される場合がある。ポリシリコン膜１２８のほぼ平坦な上部表面からの突起形状部分１３７の突出高さは，ポリシリコン膜１２８の膜厚よりも高くなる場合があった。このような突起形状部分１３７がポリシリコン膜１２８の表面に形成されると，このポリシリコン膜１２８上にゲート絶縁膜として作用する絶縁膜１０７が形成された場合，絶縁膜１０７の膜厚がこの突起形状部分１３７上に位置する領域において局所的に薄くなる。このようにゲート絶縁膜としての絶縁膜１０７の膜厚が局所的に薄くなると，この膜厚が薄い部分において絶縁破壊が起こりやすくなっていた。この結果，薄膜電界効果トランジスタの信頼性が低下していた。そして，このような電界効果トランジスタの信頼性の低下は，薄膜電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置の歩留りの低下および表示画素領域における表示特性の変動の原因となっていた。
【００２１】この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり，この発明の１つの目的は，高い信頼性を有する半導体装置とその製造方法を提供することである。
【００２２】この発明のもう１つの目的は，高い歩留りを達成できかつ表示特性の良好な液晶表示装置とその製造方法を提供することである。」
　
　　イ　実施例
・「【００８３】このレーザアニール処理の後，ポリシリコン膜２８は図１８に示すような状態となっている。図１８は，図３に示したレーザアニール処理後のポリシリコン膜２８の状態を示す部分断面模式図である。
【００８４】図１８を参照して，レーザ２７（図３参照）はポリシリコン膜２８の上部表面側から照射され，かつ，ガラス基板１および下地膜２がポリシリコン膜２８に対する放熱部材のような機能を果たしている。このため，アモルファスシリコン膜２６がレーザ照射されることにより溶融状態になった後，ポリシリコン膜２８となる凝固反応は，ポリシリコン膜２８と下地膜２とが接触する界面領域（ポリシリコン膜２８の下方）からポリシリコン膜２８の上部表面側へと順次進んでいくことになる。つまり，ポリシリコン膜２８の表面層としての上部表面層では，最後に結晶化が起きる。そして，ボロンや砒素などの不純物はこのような最後に結晶化が起きる領域の結晶粒界などに濃縮もしくは偏析する。これは，ポリシリコン膜２８中において，ボロンやヒ素などの不純物は，結晶化したポリシリコンの部分ではなく，溶融状態となっている部分へと順次濃縮されるためである。このようにして，最終的にポリシリコン膜２８の凝固（結晶化）が完了した場合には，図１８に示すように，ポリシリコン膜２８において下地膜２に近い領域に位置し，不純物の濃度が低下している不純物濃度低下層３８とポリシリコン膜２８の表面層に近い領域に位置し，不純物が濃縮もしくは偏析した不純物濃縮層３６という２つの層が形成される。
【００８５】また，図１８に示すように，レーザアニール法の凝固過程において，ポリシリコン膜２８の表面に突起形状部分３７が形成される場合がある。このとき突起形状部分３７のポリシリコン膜２８のほぼ平坦な上部表面からの突出高さは，ポリシリコン膜２８の平坦な部分におけるポリシリコン膜２８の膜厚よりも大きくなっている。
【００８６】そして，図３に示したレーザアニール工程の後，ドライエッチングによってポリシリコン膜２８の表面層を部分的に除去する。この結果，ポリシリコン膜２８の膜厚はＴ２となる。このとき，図１９に示すように，ポリシリコン膜２８の表面層である不純物濃縮層３６がこのドライエッチングによって除去される。この結果，残存するポリシリコン膜２８はそのほとんどが不純物濃度低下層３８から構成される。つまり，ポリシリコン膜２８において，不純物濃度を低減することができる。なお，図１９は，図４に示した工程におけるポリシリコン膜の部分断面模式図である。
【００８７】また，ドライエッチングとしてプラズマを用いたエッチングを行なえば，突起形状部分３７に電界が集中することにより，この突起形状部分３７が選択的にエッチングされる。このため，図１９に示すように突起形状部分３７はその大部分がエッチングにより除去される。そして，ポリシリコン膜２８の上部表面３９には，突起形状部分３７が存在していた位置に凸部４０が残存している。ポリシリコン膜２８のほぼ平坦な上部表面３９からの凸部４０の突出高さは，ポリシリコン膜２８の平坦な部分におけるポリシリコン膜２８の膜厚よりも十分小さくなっている。」
　
　　ウ　発明の効果
・「【０１６０】
【発明の効果】このように，本発明によれば，薄膜電界効果トランジスタのチャネル領域となるべき半導体膜から不純物を確実に除去するとともに，チャネル領域の上部表面を平坦化することができるので，高い信頼性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することができる。また，このような高い信頼性を有する半導体装置を用いることによって，高い歩留りで製造することが可能であり，かつ表示特性の良好な液晶表示装置とその製造方法を提供することができる。」
　
６　対比・判断
６−１　引用例１を主たる引用例とする場合
（１）本願発明と引用発明１とを対比する。
　　ア　引用発明１の「ガラス基板」，「半導体薄膜」は，それぞれ，本願発明の「基板」，「半導体膜」に対応し，また，引用発明１の「半導体」は，本願発明の「半導体デバイス」に対応するから，引用発明１の「ガラス基板上に半導体薄膜が形成された半導体」は，本願発明の「基板上に半導体膜が形成された半導体デバイス」に相当する。
　　イ　引用発明１の「レーザー光を照射すること」は，本願発明の「レーザ照射」に対応し，また，引用発明１の「前記第１スリットのエッジに形成される固液界面から結晶成長が開始され，前記レーザー光による熱の拡散方向とは反対側である前記第１スリットの中央に向かって結晶粒が成長していき，前記第１スリットのエッジから前記第１スリットの中央に向かって成長した前記結晶粒は，前記第１スリットの中央付近で互いに衝突することにより結晶成長が停止された結晶を有」することは，本願発明の「結晶成長された横方向成長結晶を有」することに対応するから，引用発明１の「前記半導体薄膜は，マスクの第１スリットを使ってレーザー光を照射することにより，前記第１スリットのエッジに形成される固液界面から結晶成長が開始され，前記レーザー光による熱の拡散方向とは反対側である前記第１スリットの中央に向かって結晶粒が成長していき，前記第１スリットのエッジから前記第１スリットの中央に向かって成長した前記結晶粒は，前記第１スリットの中央付近で互いに衝突することにより結晶成長が停止された結晶を有」することは，本願発明の「該半導体膜はレーザ照射することにより結晶成長された横方向成長結晶を有」することに相当する。
　　ウ　引用発明１の「突起部」は，「マスクの第１スリットを使ってレーザー光を照射することにより，前記第１スリットのエッジに形成される固液界面から結晶成長が開始され，前記レーザー光による熱の拡散方向とは反対側である前記第１スリットの中央に向かって結晶粒が成長していき，前記第１スリットのエッジから前記第１スリットの中央に向かって成長した前記結晶粒は，前記第１スリットの中央付近で互いに衝突することにより結晶成長が停止された」位置に生じ，この位置は，本願発明の「横方向成長結晶の端部」に対応するから，引用発明１の「突起部」は，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起」に相当し，また，引用発明１の「前記第１スリットを通過するレーザー光の強度よりも弱いレーザー光照射をすること」，「前記第１スリットよりもスリットの幅が狭く，かつ投影レンズの分解能よりも幅が狭い前記マスクの第２スリット３」，「前記突起部の高さが低くな」ることは，それぞれ，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得る」こと，「スリットもしくはパターン」，「表面突起高さが」「低くなる」ことに対応するから，引用発明１の「結晶粒界が前記第１スリットの中央付近に発生するとともに，突起部も形成されており，前記突起部に対して，前記第１スリットよりもスリットの幅が狭く，かつ投影レンズの分解能よりも幅が狭い前記マスクの第２スリット３が，前記突起部の周辺にレーザー光を照射可能な位置に配置されて前記第１スリットを通過するレーザー光の強度よりも弱いレーザー光照射をすることによって，前記突起部の周辺のみが溶融されて再結晶化され，前記突起部の高さが低くなり，前記半導体薄膜の表面が平坦になる」ことは，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように」「スリットもしくはパターンを配置して，前記スリットもしくはパターンを通過した光を照射することによって，横方向成長結晶の端部における表面突起高さが」「低くなる」ことに相当する。
　
（２）そうすると，本願発明と引用発明１の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「基板上に半導体膜が形成された半導体デバイスであって，該半導体膜はレーザ照射することにより結晶成長された横方向成長結晶を有し，かつ，前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るようにスリットもしくはパターンを配置して，前記スリットもしくはパターンを通過した光を照射することによって，横方向成長結晶の端部における表面突起高さが低くなるように形成されたことを特徴とする半導体デバイス。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願発明は，「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置して」いるのに対して，引用発明１は，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように」「スリットもしくはパターンを配置」することに対応する，「前記突起部に対し，」「前記第１スリットを通過するレーザー光の強度よりも弱いレーザー光照射をする」「前記第１スリットよりもスリットの幅が狭く，かつ投影レンズの分解能よりも幅が狭い前記マスクの第２スリット３」を有しているものの，本願発明の「回折限界以下のスリットもしくはパターン」を有していない点。
　
《相違点２》
　本願発明は，「表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなる」のに対して，引用発明１は，本願発明の「表面突起高さ」に対応する，「前記突起部の高さ」が，「低くな」るものの，本願発明の「表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなる」ことについての記載がない点。
　
（３）相違点についての検討
（３−１）　相違点１について
　　ア　引用例２の記載は，上記４−１，ア〜ウで摘示したとおりであるが，特に，「図６ａと図６ｂは，回折領域のマスクパターンを示している。１つの例によれば，上記入射光を回折する開口パターンを備えたマスクは，図６ａに示されるように，多数の線状開口パターンとして形成される。上記線状開口パターンは，線部６０２の間に幅０．２５μｍから１．５μｍの範囲の間隙６００と，幅０．２５μｍから１．５μｍの線部６０２を有する。」（段落【００５６】），「他の例として図６ｂに示されるように，入射光を回折する上記開口パターンは，多数の正方形状に空いた開口パターンを備える。上記各正方形の１辺は０．２５μｍから１．５μｍの範囲にある。同様に上記各正方形状開口パターンの間には，０．２５μｍから１．５μｍの範囲の領域６０６を有する。」（段落【００５７】），「ある観点からすれば，工程７１２における基板への回折されたレーザー光の照射は，基板に照射されるエネルギ密度が第１のエネルギ密度よりも小さい第２のエネルギ密度を有する回折されたレーザー光の照射であるといえる。」（段落【００７０】）との記載がある。
　　イ　上記アに記載の「入射光を回折する開口パターン」である「多数の線状開口パターン」は，本願発明の「回折限界以下のスリット」に対応し，また，「入射光を回折する上記開口パターン」である「多数の正方形状に空いた開口パターン」は，本願発明の「回折限界以下の」「パターン」に対応する。
　　ウ　そうすると，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得る」ことに対応する，引用発明１の「前記第１スリットを通過するレーザー光の強度よりも弱いレーザー光照射をする」ようになすために，引用発明１の「前記第１スリットよりもスリットの幅が狭く，かつ投影レンズの分解能よりも幅が狭い前記マスクの第２スリット３」の代わりに，引用例２に記載の，本願発明の「回折限界以下のスリット」に対応する「入射光を回折する開口パターン」である「多数の線状開口パターン」，又は，引用例２に記載の，本願発明の「回折限界以下の」「パターン」に対応する「入射光を回折する上記開口パターン」である「多数の正方形状に空いた開口パターン」を適用して，本願発明のように「前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置」するようになすことは，当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
（３−２）相違点２について
　　ア　本願発明において「表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなる」ようにした点は，単に，「表面突起高さ」の好ましい範囲を提示したという以上の意義を有しない。
　　イ　また，引用例１の「突起部２０の高さが低くなり，半導体薄膜２１の表面が平坦になる。」との記載（段落【００２６】）によれば，「半導体薄膜の表面が平坦になる」のであるから，「突起部の高さ」が，「半導体薄膜」の膜厚以上になることは，考えにくく，引用発明１においても，「前記突起部の高さ」は，「前記半導体薄膜」の膜厚以下になっているものと推測される。
　　ウ　さらに，引用例３には，「レーザアニール法の凝固過程において，ポリシリコン膜２８の表面に突起形状部分３７が形成される場合がある。」（段落【００８５】）こと，「また，ドライエッチングとしてプラズマを用いたエッチングを行なえば，突起形状部分３７に電界が集中することにより，この突起形状部分３７が選択的にエッチングされる。このため，図１９に示すように突起形状部分３７はその大部分がエッチングにより除去される。そして，ポリシリコン膜２８の上部表面３９には，突起形状部分３７が存在していた位置に凸部４０が残存している。ポリシリコン膜２８のほぼ平坦な上部表面３９からの凸部４０の突出高さは，ポリシリコン膜２８の平坦な部分におけるポリシリコン膜２８の膜厚よりも十分小さくなっている。」（段落【００８７】）との記載があり，この記載によれば，「ポリシリコン膜２８の表面に突起形状部分３７」が，「除去される」ことにより，「ポリシリコン膜２８のほぼ平坦な上部表面３９からの」「残存している」「凸部４０の突出高さは，ポリシリコン膜２８の平坦な部分におけるポリシリコン膜２８の膜厚よりも十分小さくなっている。」から，本願発明と同様に，「表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低く」なっているものと理解できる。
　　エ　以上のとおり，いずれにしても，引用発明１において，相違点２に係る構成とすることは，当業者が普通に考慮する設計事項といえる。
　
（３−３）したがって，引用発明１において，相違点１，２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たものである。
　
６−２　引用例２を主たる引用例とする場合
（１）本願発明と引用発明２とを対比する。
　　ア　引用発明２の「基板」，「シリコン薄膜」は，それぞれ，本願発明の「基板」，「半導体膜」に対応し，また，引用発明２の「半導体」は，本願発明の「半導体デバイス」に対応するから，引用発明２の「基板上にシリコン薄膜が形成された半導体」は，本願発明の「基板上に半導体膜が形成された半導体デバイス」に相当する。
　　イ　引用発明２の「レーザー溶融横方向成長法（ＬＩＬａＣ法）による結晶」は，本願発明の「レーザ照射することにより結晶成長された横方向成長結晶」に相当する。
　　ウ　引用発明２の「前記結晶を形成するときに結晶の粒界が合致する位置」は，本願発明の「横方向成長結晶の端部」に対応するから，引用発明２の「前記結晶を形成するときに結晶の粒界が合致する位置において成長した突出」は，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起」に対応し，また，引用発明２の「前記レーザー溶融横方向成長法（ＬＩＬａＣ法）の際よりも前記基板表面に到達するレーザー光のエネルギ密度を低減させて照射する」こと，「入射光を回折する開口パターンである多数の線状開口パターン，又は，多数の正方形状に空いた開口パターンからなるマスクパターン」，「前記突出を平滑化すること」は，それぞれ，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得る」こと，「回折限界以下のスリットもしくはパターン」，「表面突起高さが」「低くなる」ことに対応するから，引用発明２の「前記結晶を形成するときに結晶の粒界が合致する位置において成長した突出を有し，前記レーザー溶融横方向成長法（ＬＩＬａＣ法）の際よりも前記基板表面に到達するレーザー光のエネルギ密度を低減させて照射するように，入射光を回折する開口パターンである多数の線状開口パターン，又は，多数の正方形状に空いた開口パターンからなるマスクパターンを用いてレーザー光を照射することによって，前記シリコン薄膜の一部分のみの表面が再び溶融し，前記突出を平滑化すること」は，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起」を有し，「前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置して，前記スリットもしくはパターンを通過した光を照射することによって，横方向成長結晶の端部における表面突起高さが」「低くなる」ことに相当する。
　
（２）そうすると，本願発明と引用発明２の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「基板上に半導体膜が形成された半導体デバイスであって，該半導体膜はレーザ照射することにより結晶成長された横方向成長結晶を有し，かつ，前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起を有し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置して，前記スリットもしくはパターンを通過した光を照射することによって，横方向成長結晶の端部における表面突起高さが低くなるように形成されたことを特徴とする半導体デバイス。」
　
《相違点》
《相違点３》
　本願発明は，「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，前記横方向成長結晶を形成するための前記レーザのエネルギよりも低いエネルギを有するレーザを照射し得るように回折限界以下のスリットもしくはパターンを配置して」いるのに対して，引用発明２は，本願発明の「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起」に対応する，「前記結晶を形成するときに結晶の粒界が合致する位置において成長した突出」を有するものの，引用発明２の，本願発明の「回折限界以下のスリットもしくはパターン」に対応する，「入射光を回折する開口パターンである多数の線状開口パターン，又は，多数の正方形状に空いた開口パターンからなるマスクパターン」が，本願発明のように，「前記横方向成長結晶を形成するためのレーザ照射により横方向成長結晶の端部に生じた突起に対し，」「配置」してあるものではない点。
　
《相違点４》
　本願発明は，「表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなる」のに対して，引用発明２は，本願発明の「表面突起高さ」に対応する，「前記突出」を「平滑化する」ものの，本願発明の「表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなる」ことについての記載がない点。
　
（３）相違点についての検討
（３−１）相違点３について
　　ア　引用例１の「第２スリット３は，図７の突起部２０の周辺にレーザー光を照射可能な位置に配置されてレーザー光照射を行う。これにより，突起部２０の周辺のみが溶融されて再結晶化される。この場合の結晶成長は，横方向成長ではないため，図８に示すように，突起部２０の高さが低くなり，半導体薄膜２１の表面が平坦になる。」（段落【００２６】）との記載と，図７，図８を参照すると，「第２スリット３は，図７の突起部２０の周辺にレーザー光を照射可能な位置に配置されてレーザー光照射を行」い，「これにより，突起部２０の周辺のみが溶融されて再結晶化される。」から，引用例１のものにおいても，「突起部２０」に対し，「第２スリット３」が「配置され」ている。これは，本願発明の「突起に対し，」「スリットもしくはパターンを配置して」いることに対応する。
　　イ　そして，突起部の高さを低くするためには突起部の付近にレーザー光を照射して再結晶化すればよいことは，当業者が容易に理解することであるから，引用発明２において，「突出を有し，」「入射光を回折する開口パターンである多数の線状開口パターン，又は，多数の正方形状に空いた開口パターンからなるマスクパターンを用いてレーザー光を照射する」場合に，引用例１に記載されたように，「突起部２０」に対し「第２スリット３」が「配置され」る構成を採用し，本願発明のように，「突起に対し，」「スリットもしくはパターンを配置」する構成とすることは，当業者が容易に考えつくことである。
　
（３−２）相違点４について
　　ア　本願発明において「表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低くなる」ようにした点は，単に，「表面突起高さ」の好ましい範囲を提示したという以上の意義を有しない。
　　イ　また，引用例２の「突出を平滑化する」との記載（段落【００６４】）によれば，「突出」を平滑化する」のであるから，「突出」が，「シリコン薄膜」の膜厚以上になることは，考えにくく，「突出」は，「シリコン薄膜」の膜厚以下となっているものと推測される。
　　ウ　さらに，引用例３には，「レーザアニール法の凝固過程において，ポリシリコン膜２８の表面に突起形状部分３７が形成される場合がある。」（段落【００８５】）こと，「また，ドライエッチングとしてプラズマを用いたエッチングを行なえば，突起形状部分３７に電界が集中することにより，この突起形状部分３７が選択的にエッチングされる。このため，図１９に示すように突起形状部分３７はその大部分がエッチングにより除去される。そして，ポリシリコン膜２８の上部表面３９には，突起形状部分３７が存在していた位置に凸部４０が残存している。ポリシリコン膜２８のほぼ平坦な上部表面３９からの凸部４０の突出高さは，ポリシリコン膜２８の平坦な部分におけるポリシリコン膜２８の膜厚よりも十分小さくなっている。」（段落【００８７】）との記載があり，この記載によれば，「ポリシリコン膜２８の表面に突起形状部分３７」が，「除去される」ことにより，「ポリシリコン膜２８のほぼ平坦な上部表面３９からの」「残存している」「凸部４０の突出高さは，ポリシリコン膜２８の平坦な部分におけるポリシリコン膜２８の膜厚よりも十分小さくなっている。」から，本願発明と同様に，「表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低く」なっているものと理解できる。
　　エ　以上のとおり，いずれにしても，引用発明２において，相違点４に係る構成とすることは，当業者が普通に考慮する設計事項といえる。
　
（３−３）したがって，引用発明２において，相違点３，４に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
第４　結言 
　以上のとおり，本願発明は，引用例１〜３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
 　 
 　よって，結論のとおり審決する。