【事件の表示】
　特願２０００−　９７８２０「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１０日出願公開、特開２００１−２８１６７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯  
　 
　本願は、平成１２年３月３０日の出願であって、原審において、平成１６年３月１６日付で拒絶理由が通知され、同年５月２４日に手続補正がなされたところ、同年９月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月３日に手続補正がなされ、当審において、平成１９年４月２７日付で審尋がなされ、これに対し、同年７月９日に回答書が提出されたものである。  
　
２．平成１６年１２月３日付けの手続補正についての補正却下の決定  
　
［補正却下の決定の結論］  
　
　平成１６年１２月３日付けの手続補正を却下する。  
　
　［理由］  
　  
（１）補正の内容 
　 
　本件補正は、補正前の請求項７を、次のように補正して新たな請求項２とすることを含むものである。  
「【請求項２】
　少なくとも一方が透明な一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び共通電極並びに能動素子を配置し、前記画素電極及び前記共通電極間に電界を印加することにより前記液晶層の液晶を制御して表示を行う液晶表示装置において、
　前記画素電極と前記共通電極の少なくとも一方、若しくは両方は透明導電膜で構成され、
　前記画素電極と前記共通電極のうち一方の電極は、画素の開口部で他方の電極に実質的に全部の面積で重畳させて構成され、
　前記画素電極と前記共通電極の間には、少なくとも２層以上の絶縁膜を配置し、前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌと前記液晶層の厚みＤがＬ＜２Ｄの関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。」  
　  
　上記補正は、補正前の請求項７の「前記画素電極と前記共通電極」について「少なくとも一方、若しくは両方は透明導電膜で構成され」との限定及び「一方の電極は、画素の開口部で他方の電極に実質的に全部の面積で重畳させて構成され」との限定を付加するものであり、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正後の請求項２に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（２）刊行物記載の発明  
　 
　本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２０２３５６号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
「【請求項５０】
  互いに第１距離をおいて対向配置され、それぞれが内側面と外側面を有する透明な第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に配列され、多数の液晶分子を含む液晶層と、
前記第１基板の内側面上に形成され、四角板状を有する第１電極と、
前記第１基板の内側面上に形成され、多数のストリップを含み、全て第１電極とオーバーラップするように配置され、前記ストリップのそれぞれは一定の幅を有し、これらの間に一定の第２距離を有するように配列され、ストリップ間の部分に第１電極が露呈されるように形成された前記第２電極と、
前記第１電極と第２電極を絶縁させる絶縁膜とを含み、
前記第１電極と前記第２電極はそれぞれ透明伝導体であり、
前記両基板間の第１距離は前記絶縁膜の厚みより大きく、
前記露呈された第１電極の幅と第２電極のストリップの幅は、第１電極及び第２電極のストリップのそれぞれの上部に存在する液晶分子が全て前記互いに隣接した第１電極及び第２電極のストリップ間の電界により実質的に動けるだけの幅であることを特徴とする液晶表示装置。」
　
「【０００２】
【従来の技術】
　アクティブマトリクス型液晶表示装置の装置性能の急速な発展により、アクティブマトリクス型液晶表示装置が、平板テレビシステムまたは携帯型コンピュータ用高情報量のモニターのような応用分野に広く使用されるようになった。しかし、現在用いられるアクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＮ表示モードは、狭い視野角特性と遅い応答特性、特にグレースケール動作での遅い応答特性などのような根本的な問題点を有する。
・・・・（中略）・・・・
【０００４】
　最近には、新しい表示モードとして、液晶分子を駆動させる電極が全て同一の基板上に形成されるＩＰＳ(in-plane switching)モードが提案された。
・・・・（中略）・・・・
【０００５】
　図１は単位画素領域とそれを囲む隣接した画素領域とを含む従来のＩＰＳモードの液晶表示装置の平面図である。
・・・・（中略）・・・・
【０００９】
　・・・・（中略）・・・・・ここで、ゲートバスライン１１，対向電極１２，画素電極１４及びデータバスライン１５は、アルミニウム，チタン，タンタル，クロム及びこれらの組合せから構成された群より選択された少なくとも一つ以上の金属で形成される。
・・・・（中略）・・・・
【００１５】
　しかし、上述したようなＩＰＳ−ＬＣＤは次のような問題点が存在する。まず、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、図１及び図２に示すように、光が透過する面、即ち下部基板１０上にアルミニウムなどのような不透明金属からなる対向電極１２と画素電極１４が配置される。これにより、液晶表示装置の開口面積が減少し、透過率が低下する。またこの結果から適正な輝度を得るためには、強いバックライトを使用する必要があり、このために、消費電力が大きくなるという問題点が生じる。
【００１６】
　このような問題点を解決するため、対向電極１２と画素電極１４を透明物質で形成する方法が提案されている。しかしこの方法は、開口率面では少し増大するが、透過率面ではそんなに優れない。即ち、インプレーン電界(in-planefield)を形成するためには、対向電極１２と画素電極１４間の距離ｌをセルギャップｄに比べ相対的に大きく設定すべきであり、適正な強さの電界を得るためには、電極１２，１４が比較的広い幅、例えば１０乃至２０μｍほどの幅を有するべきである。しかし、このような構造を有するため、電極１２，１４間には、基板とほぼ平行な電界が形成されるが、広い幅を有する電極１２，１４上部の大部分の領域にある液晶には電界の影響が及ばなくて、等電位面が生じるようになる。これにより、電極上部の液晶分子が初期の配列状態を維持するので、透過率は殆ど改善されない。
・・・・（中略）・・・・
【００２４】
　また、本発明による液晶表示装置は、互いに第１距離をおいて対向配置され、それぞれが内側面と外側面を有する透明な第１基板及び第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に配列され、多数の液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板の内側面上に形成され、四角板状を有する第１電極と、前記第１基板の内側面上に形成され、第２方向と平行に分岐された多数のストリップを含み、全て第１電極とオーバーラップするように配置され、前記ストリップのそれぞれは一定の幅を有しこれら間に一定の第３距離を有するように配列され、ストリップ間の部分に第１電極が露呈されるように形成された前記第２電極と、前記第１電極と第２電極を絶縁させる絶縁膜とを含み、前記第１電極と前記第２電極はそれぞれ透明伝導体であり、前記両基板間の第１距離は前記絶縁膜の厚みより大きく、前記露呈された第１電極の幅と第２電極のストリップの幅は、第１電極及び第２電極のストリップのそれぞれの上部に存在する液晶分子が全て前記互いに隣接した第１電極及び第２電極のストリップ間の電界により実質的に動けるだけの幅であることを特徴とする。
・・・・（中略）・・・・
【００２６】
　また本発明による液晶表示装置の製造方法は、透明な第１基板を準備する工程と、前記第１基板上に第１透明伝導体を形成し、所定部分をパターニングして第１電極を形成する工程と、前記第１基板上に第１金属膜を蒸着し、所定部分をパターニングし、ゲートバスラインと共通信号線を形成する工程であって、前記共通信号線は第１電極とコンタクトされるようにする工程と、前記第１電極及び、ゲートバスライン、共通信号線が形成された第１基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の所定部分上にチャネル層を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上部に第２透明伝導体を形成し、前記第２透明伝導体を前記第１電極とオーバーラップするようにパターニングし、第２電極を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上部に第２金属膜を蒸着し、所定部分をパターニングし、データバスライン、ソース及びドレインを形成する工程と、前記第１基板の結果物上部に第１配向膜を形成する工程とを含み、前記第１電極を形成する工程と、前記ゲートバスライン及び共通信号線を形成する工程は互いに換えて行うことができることを特徴とする。
【００２７】
　本発明によれば、対向電極と画素電極を透明な物質で形成し、電極間の距離は多数のフリンジ電界が発生できるようにセルギャップより小さく形成し、駆動電極の幅は、それの両側に発生するフリンジ電界で液晶分子が全て動けるだけ充分に狭く形成することにより、電極上部に存在する液晶分子を全て動かす。したがって、従来のＩＰＳモードの液晶表示装置に比べ透過率が大きく改善される。また、ＩＴＯ層は一般的な不透明金属膜より浅い深さに蒸着されるため、下部基板の構造物の段差を減らすことができる。」
　
「【発明の実施の形態】
　以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。
【００２９】
　本発明はＩＰＳモードの液晶表示装置の透過率及び開口率を改善させるため、図４に示すように、内側面と外側面を有する第１基板、即ち、下部基板３０の内側面上に電界の印加時に液晶分子を再配列させる第１電極３２と第２電極３４が絶縁膜３３を挟んでそれぞれ配置される。第１電極３２と第２電極３４は透明伝導体からなる。第１基板３０と対向する第２基板３６も、即ち、上部基板の内側面と外側面を有し、第１基板３０と第２基板３６は、これらの内側面が向き合うように液晶層３５を挟んで配列される。ここで、第１基板３０と第２基板３６との間隔であるセルギャップをＤに表す。本発明で、第１電極３２と第２電極３４を透明伝導体で形成することは、単位画素面積で開口される面積を大きくし、開口率及び透過率を増大させるためである。
【００３０】
　下記で説明する特定の実施の形態において、第１電極３２と第２電極３４は、第１距離Ｌ１をおいて互いに隔たったりオーバーラップすることもできる。第１電極３２と第２電極３４との第１距離Ｌ１は、第１基板３０と第２基板３６とのセルギャップＤより小さい。第１電極３２の幅Ｐ１と第２電極３４の幅Ｐ２は従来の液晶表示装置での電極幅より狭い幅に形成される。
【００３１】
　上記の三つの条件等は、単独かつ二つ以上の組み合わせにより本発明の実施の形態に適用することができる。例えば、第１電極３２の幅Ｐ１と第２電極３４の幅Ｐ２は互いに同一であったり、或いは異なることもできる。また、第１電極３２と隣接した第１電極３２のとの距離Ｌ２は、第２電極３４の幅Ｐ２と同一であったり或いは異なることもでき、第２電極３４と隣接した第２電極３４のとの距離Ｌ３も第１電極３２の幅Ｐ１と同一であったり或いは異なることもできる。これらの幅及び距離間の関係は、本発明の実施の形態等で詳細に説明する。
【００３２】
　上記した側面等は次のような状況のため部分的に生ずる。第１電極３２と第２電極３４との距離Ｌ１をセルギャップＤより小さくすれば、電界印加の間に、第１電極３２と第２電極３４との間には直線上の電気力線を有するインプレーン電界(in-plane field)よりは放物線状の電界( 以下、放物線という) Ｅが形成される。この時、電極３２，３４のそれぞれは、両電極に電圧の印加時、両電極の間で形成された電界の等電位線が、両電極の上部にもぎっしりと形成され、両電極上部に存在する液晶分子を充分に動かすのに必要な幅を有するべきである。このような点からみれば、両電極の幅をできるだけ狭く形成することが望ましい。しかし、その幅をあまり狭くする場合、形成された電界は両電極上部の液晶を駆動させる充分な強さを有しない。したがって、両電極は所定範囲以上の幅を有するべきである。このような状況を考慮して電極の幅は決められる。
【００３３】
　合わせて、電界が形成される時に液晶分子が傾いて光が漏洩されるように偏光子（図示せず) を上記した構造に更に加えることもできる。これにより、電極の上部を含む全開口領域で液晶分子が動くので、透過率が大きく改善される。ここで、参照符号Ｅは、第１電極３２と第２電極３４との間に電界が形成される時の電気力線を表す。」
　
「【００３４】
　〈第１の実施の形態〉
・・・・（中略）・・・・
【００５２】
　以下、上記した液晶表示装置の製造方法を説明する。
・・・・（中略）・・・・
【００５６】
　図１１を参照すれば、ゲート絶縁膜（図示せず）が下部基板４０の結果物上部に蒸着される。ゲート絶縁膜はシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜及び金属酸化膜などが用いられる。」
　
「【００７５】
　〈第２の実施の形態〉・・・・（中略）・・・・
【００７６】
　対向電極６３は下部基板６０の単位画素領域にそれぞれ形成される。ここで、対向電極６３はゲートバスライン６１と同一平面に形成され、共通信号線６２とコンタクトされる。対向電極６３は透明伝導体、例えばＩＴＯからなり、四角板状、より望ましくは単位画素が縮小された形状に形成される。ここで、対向電極６３は、ゲートバスライン６１ａ，６１ｂ及びデータバスライン４７ａ，４７ｂとそれぞれ所定距離だけ隔たるように配置される。
【００７７】
　第２電極、即ち画素電極６６もやはり下部基板６０の単位画素領域にそれぞれ形成される。この時、画素電極６６は対向電極６３と重なるよう、ゲート絶縁膜６４上部に形成される。画素電極６６は対向電極６３のように透明伝導体、例えばＩＴＯからなり、ゲートバスライン( ｘ軸方向) ６１ａ，６１ｂと平行に配置されるボディー６６ａと、ボディー６６ａから逆ｙ軸方向へ延びストリップ状を有する多数の、例えば七つのストリップ６６ｂとを含む。この時、画素電極６６のボディー６６ａとストリップ６６ｂは全て対向電極６３とオーバーラップするため、第１の実施の形態より蓄積キャパシタンスが更に増大する。
・・・・（中略）・・・・
【００８０】
　ここで、図２１を参照すれば、上記で説明された第１の実施の形態のように、同一の結果が第２の実施の形態でも得られる。画素電極６６のストリップ６６ｂのカウンタ電極６３に各々信号電圧を印加することにより電気長が発生される。その電気長は、少数の直線電界Ｅ２ｓと、従来より曲率の大きい多数の放物線電界Ｅ２ｆとを含む。ここで、少数の線形電界Ｅ２ｓは、互いに高さの差を有する画素電極６６のストリップ６６ｂと前記ストリップ６６ｂに隣接したカウンタ電極６３の露出された部分等でのみ発生され、多数の放物線電界Ｅ２ｆは、ストリップ６６ｂと、カウンタ電極６３の露出された部分の上部表面等の殆どの領域で発生される。その結果、電界の印加の間に、画素電極６６のストリップ６６ｂ上にあるほぼ全ての液晶分子等と、カウンタ電極６３の露出された部分上にあるほぼ全ての液晶分子等、実質的に液晶層内にあるほぼ全ての液晶分子等が放物線電界の方向にそって配列される。その理由は、その幅Ｐ２２が従来の液晶表示装置に比し十分に狭いためである。これは、画素電極６６のストリップ６６ｂの上部表面とカウンタ電極６３の露出された部分等の中央部にまで放物線電界Ｅ２ｆが影響を与えた結果である。
【００８１】
　図１９と図２０を参照すれば、薄膜トランジスタ７０は、第１の実施の形態と同じ位置に形成され、ゲートバスライン６１ａの上部に形成されるチャンネル層６５と、チャンネル層６５の一側とオーバーラップされデータバスライン６７ａから伸張されたドレイン電極６８と、チャンネル層６５の他側とオーバーラップされ画素電極６６の所定部分とコンタクトされるソース電極６９とを含む。
【００８２】
　第２の実施の形態において、蓄積キャパシタＣｓｔは、上記したように、画素電極６６のボディー６６ａとカウンタ電極６３の第１重畳領域と、画素電極６６のストリップ６６ｂとカウンタ電極６３の第２重畳領域で形成される。従って、総キャパシタは第１実施の形態に比し増加することになる。
【００８３】
　図２１を参照すれば、前記した構造を有する下部基板６０上には、所定距離ｄ２２をおいて上部基板７２が配置される。下部基板６０の内側面と対向する上部基板７２の内側面上にはカラーフィルタ５６が形成される。
・・・・（中略）・・・・
【００８５】
　液晶７７は、第１及び第２配向膜７５，７６間に介在される。この時、液晶７７は、第１の実施の形態と同一にネマティック液晶を利用し、ツイスト可能な特性を持つ。また、前記で言及されたように、最大透過率条件を満たすように、ラビング軸とｘ方向との角を考慮して誘電率異方性Δεを選択する。液晶９７内分子の屈折率異方性Δn とセルギャップｄ１１との積が０．２μm 乃至０．６μmとなるように設定する。
【００８６】
　本発明の第２の実施の形態の製造方法は、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。このような第２の実施の形態にかかる液晶表示装置の動作を図１９，２０及び２１を参照しながら説明する。まず、カウンタ電極６３と画素電極６６間に電界が形成されない場合、第１の実施の形態と同じ原理により入射される光が遮断される。
【００８７】
　一方、カウンタ電極６３及び画素電極６６に所定の電圧が印加されると、カウンタ電極６３と画素電極６６のストリップ６６ｂ間には間隔が存在しないので、電界は少数の直線電界Ｅ２ｓと，従来より曲率が大きい多数の放物線電界Ｅ２ｆが発生される。ここで、放物線電界Ｅ２ｆは第１の実施の形態で説明されたように、電極等６３ｂ，６６ｂの上部に存在する液晶分子等が殆ど動作されるので、入射光は液晶層と検光子等を透過してホワイト状態となる。
【００８８】
　図２２は画素電極６６のストリップ６６ｂの幅Ｐ２２をそれぞれ３μｍ、画素電極６６のストリップ６６ｂ間の距離Ｌ２２を５μｍ、セルギャップｄを３.９μｍ、プリティルト角を２゜、第１配向膜７５のラビング軸と電界(ｘ軸) とがなす角を１２゜、液晶７７の誘電率異方性Δεを−４、液晶７７の屈折率異方性Δｎとセルギャップｄとをかけた値を０. ２９、光波長λを５４６ｎｍ、駆動電圧を６. ３Ｖとしてシミュレーションした結果図面である。図面のように、電極６３と６６ｂとの間及びこれら上部で液晶分子が全て捻れるため、全領域で均等な透過率を示す。画素電極４６ｂに電圧を印加し４０.０３ｍｓ後に飽和し、約４１. ８８％という高い透過率を示す。これにより、従来のような時間帯と比較して非常に高い透過率を示し、応答速度も大きく改善される。」
　
　以上の記載から、引用例１には「互いに第１距離をおいて対向配置され、それぞれが内側面と外側面を有する透明な第１基板及び第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に配列され、多数の液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板の内側面上に形成され、四角板状を有するカウンタ電極６３と、前記第１基板の内側面上に形成され、平行に分岐された多数のストリップ６６ｂを含み、全てカウンタ電極６３とオーバーラップするように配置され、前記ストリップ６６ｂのそれぞれは一定の幅を有し、これらの間に一定の第２距離を有するように配列され、ストリップ６６ｂ間の部分にカウンタ電極６３が露呈されるように形成された画素電極６６と、前記カウンタ電極６３と画素電極６６を絶縁させるシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜が用いられるゲート絶縁膜と薄膜トランジスタ７０とを含み、前記カウンタ電極６３と前記画素電極６６はそれぞれ透明伝導体であり、前記両基板間の第１距離は前記絶縁膜の厚みより大きく、前記露呈されたカウンタ電極６３の幅と画素電極のストリップ６６ｂの幅は、カウンタ電極６３及び画素電極のストリップ６６ｂのそれぞれの上部に存在する液晶分子が全て前記互いに隣接したカウンタ電極６３及び画素電極のストリップ６６ｂ間の電界により実質的に動けるだけの幅であり、カウンタ電極６３と画素電極のストリップ６６ｂ間には間隔が存在しない液晶表示装置」の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明１」という。）。
　
（３）対比 
　
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
　引用発明１の「互いに第１距離をおいて対向配置され、それぞれが内側面と外側面を有する透明な第１基板及び第２基板」、「前記第１基板と第２基板との間に配列され、多数の液晶分子を含む液晶層」、「前記第１基板の内側面上に形成され、四角板状を有するカウンタ電極６３と、前記第１基板の内側面上に形成され、平行に分岐された多数のストリップ６６ｂを含み、前記ストリップ６６ｂのそれぞれは一定の幅を有し、これらの間に一定の第２距離を有するように配列され、ストリップ６６ｂ間の部分にカウンタ電極６３が露呈されるように形成された画素電極６６」、「薄膜トランジスタ７０」、「液晶表示装置」、「前記カウンタ電極６３と前記画素電極６６はそれぞれ透明伝導体であり」、「全てカウンタ電極６３とオーバーラップするように配置され」及び「前記カウンタ電極６３と画素電極６６を絶縁させるシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜が用いられるゲート絶縁膜」は、それぞれ、本願補正発明における「少なくとも一方が透明な一対の基板」、「該一対の基板間に挟持された液晶層」、「前記一対の基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び共通電極」、「能動素子」、「液晶表示装置」、「前記画素電極と前記共通電極の少なくとも一方、若しくは両方は透明導電膜で構成され」、「前記画素電極と前記共通電極のうち一方の電極は、画素の開口部で他方の電極に実質的に全部の面積で重畳させて構成され」及び「前記画素電極と前記共通電極の間には、少なくとも２層以上の絶縁膜を配置し」に相当する。
　
　引用発明１の液晶表示装置は、カウンタ電極６３及び画素電極のストリップ６６ｂのそれぞれの上部に存在する液晶分子が全て前記互いに隣接したカウンタ電極６３及び画素電極のストリップ６６ｂ間の電界により実質的に動けるように構成されているから、本願補正発明の「前記画素電極及び前記共通電極間に電界を印加することにより前記液晶層の液晶を制御して表示を行う」事項を備えていることは明らかである。
　
　引用発明１は、カウンタ電極６３と画素電極のストリップ６６ｂ間には間隔が存在しない、すなわち、本願補正発明でいう「前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌ」がＬ＝０である場合に相当するのであるから、本願補正発明の「前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌと前記液晶層の厚みＤがＬ＜２Ｄの関係を満たす」事項に該当している。
　
　ここで、「前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌ」については、前記画素電極と前記共通電極の間に配置された少なくとも２層以上の絶縁膜の膜厚方向における前記画素電極と前記共通電極の間隔であるとの解釈をしたとしても、引用発明１は「前記両基板間の第１距離は前記絶縁膜の厚みより大きく」の事項を備えているから、前記画素電極と前記共通電極の間に配置された少なくとも２層以上の絶縁膜の膜厚方向における前記画素電極と前記共通電極の間隔は、「前記両基板間の第１距離」、すなわち「前記液晶層の厚みＤ」より小さいものであることは明らかである。したがって、この場合においても、引用発明１は、本願補正発明の「前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌと前記液晶層の厚みＤがＬ＜２Ｄの関係を満たす」事項を備えている。
　
　よって、引用発明１と本願補正発明とは「透明な一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び共通電極並びに能動素子を配置し、前記画素電極及び前記共通電極間に電界を印加することにより前記液晶層の液晶を制御して表示を行う液晶表示装置において、前記画素電極と前記共通電極の両方は透明導電膜で構成され、前記画素電極は、画素の開口部で前記共通電極に実質的に全部の面積で重畳させて構成され、前記画素電極と前記共通電極の間には、２層の絶縁膜を配置し、前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌと前記液晶層の厚みＤがＬ＜２Ｄの関係を満たす液晶表示装置」の点で一致し、両発明に相違点はない。
　
　したがって、本願補正発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号の規定に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
（４）むすび  
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。  
　  
３．本願発明について  
　  
（１）本願発明  
　  
　平成１６年１２月３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年５月２４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項６に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。 
　  
　「【請求項６】
　少なくとも一方が透明な一対の基板と、
　該一対の基板間に挟持された液晶層と、
　前記一対の基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び共通電極並びに能動素子を配置し、
　前記画素電極及び前記共通電極間に電界を印加することにより前記液晶層の液晶を制御して表示を行う液晶表示装置において、
　前記一対の基板上の前記液晶層に接触するそれぞれの面上に配向制御膜を形成し、
　前記電極が形成されている基板側の前記配向制御膜と、
　前記画素電極または前記共通電極のうち前記配向制御膜に近い方の電極との間には、少なくとも１層以上の絶縁膜を配置し、該絶縁膜の厚みＴが前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌの１／４以上であり、かつ前記液晶層の厚みＤが、Ｌ＜２Ｄの関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。」 
　  
　（２）引用例  
　  
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−１５９７８６号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
「【０００５】
　本発明の目的は、横電界方式において、残像の少ない高表示品質の液晶表示装置を提供することにある。
・・・・（中略）・・・・
【００２８】
　図１（ａ),（ｂ）は本発明の液晶パネル内での液晶の動作を示す側断面を、図１（ｃ),（ｄ）はその正面図を表す。図１ではアクティブ素子を省略してある。また、本発明ではストライプ状の電極を構成して複数の画素を形成するが、ここでは一画素の部分を示した。電圧無印加時のセル側断面を図１（ａ）に、その時の正面図を図１（ｃ）に示す。透明な一対の基板の内側に線状の信号電極３，画素電極４、及び共通電極５が形成され、その上に絶縁膜７が付設され、さらに配向膜８が塗布及び配向処理されている。基板間には液晶組成物が挟持されている。棒状の液晶分子１２は、電界無印加時にはストライプ状電極の長手方向に対して若干の角度、即ち４５度＜φＬＣ＜１３５度、又は、−４５度＜φＬＣ＜−１３５度をもつように配向されている。上下界面上での液晶分子配向方向はここでは平行、即ちφＬＣ１＝φＬＣ２を例に説明する。また、液晶組成物の誘電異方性は正を想定している。
【００２９】
　次に、電界９を印加すると図１（ｂ),（ｄ）に示したように電界方向に液晶分子がその向きを変える。偏光板２を偏光板透過軸１１に配置することで電界印加によって光透過率を変えることが可能となる。
・・・・（中略）・・・・
【００３５】
　一方、液晶を配向させる機能を有する膜（配向膜）と電気的な絶縁と電極群を保護する機能を有する膜（絶縁膜）の厚みを合わせて０.５μｍ 以上３μｍ以下、望ましくは０.７μｍ以上２.８μｍ以下にすることにより、各画素における配向膜と絶縁膜の抵抗成分を小さくすることができる。
【００３６】実際には、電極群を付設してある基板上の段差を軽減するためにも、絶縁膜の厚さを０.４μｍ 以上２μｍ以下に設定するのが好ましい。
【００３７】
　前述したように、横電界方式においては、液晶層と配向膜及び絶縁膜に相当する電気的等価回路が並列につながっている。したがって、配向膜や絶縁膜に残留した電圧はそのまま液晶層に印加されることになる。残像は配向膜や絶縁膜に残留した電圧が液晶層に印加されることに起因することを考慮すると、各画素における配向膜と絶縁膜に相当する抵抗成分を小さくすれば配向膜や絶縁膜に残留する電圧を低減でき、液晶層に印加される余分な電圧もなくなる。配向膜及び絶縁膜の抵抗成分を小さくするには、配向膜及び絶縁膜の膜厚を厚くし、電界方向に垂直な断面積を大きくすればよい。
【００３８】
　このような場合、絶縁膜を信頼性が高い無機物で形成し、配向膜を有機物で形成するとよい。また、絶縁膜を無機膜と形成することが比較的容易な有機膜の２層構造にすることもよい。
・・・・（中略）・・・・
【００５９】
　〔実施例４〕図５は本発明の単位画素における各種電極の構造を示した第３の例である。薄膜トランジスタ１５は画素電極４，信号電極３，走査電極１３及びアモルファスシリコン膜１４から構成される。共通電極５は走査電極１３と同層とし、同一の金属をパターン化した。また、画素電極４と信号電極３も同一金属層でパターン化して構成した。容量素子は、２本の共通電極５の間を結合する領域において画素電極４と共通電極５でゲート絶縁（ゲートＳｉＮ）膜６を挟む構造として形成した。画素電極４は正面断面図（図５，Ａ−Ａ′）において、２本の共通電極５の間に配置されている。画素ピッチは横方向（すなわち信号電極間）は６９μｍ、縦方向(すなわち走査電極間)は２０７μｍである。電極幅はそれぞれ１０μｍである。一方、開口率向上のために１画素単位で独立に形成した画素電極４、及び共通電極５の信号電極３の長手方向に伸びた部分の幅は若干狭くし、それぞれ５μｍ，８μｍとした。できるだけ高い開口率を実現するために絶縁膜を介して共通電極５と信号電極３を若干（１μｍ）重ね、走査電極方向のみ遮光板１６で遮光した。このようにして、共通電極５と画素電極４とのギャップが２０μｍ、開口部の長手方向の長さが１５７μｍとなり、４４.０％ の高開口率が得られた。画素数は３２０本の信号電極と１６０本の走査電極とにより３２０×１６０個とした。パネルには図７のように駆動ＬＳＩが接続され、ＴＦＴ基板上に走査信号回路２０，映像信号回路２１を接続し、電源及びコントローラ２２から走査信号電圧，映像信号電圧，タイミング信号を供給し、アクティブマトリクス駆動した。
【００６０】絶縁膜には有機物であるエポキシ樹脂の１層構造とし、この絶縁膜上に配向膜としてＲＮ−７１８（日産化学製）を塗布した。
・・・・（中略）・・・・
【００８９】
　〔実施例１３〕実施例４と同様な電極構造とし、アクティブマトリクス駆動した。
【００９０】
　本実施例では絶縁膜として窒化シリコン（ＳｉＮ）を使用し、絶縁膜の膜厚を０.４μｍ とした。さらに、配向膜として４，４′−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸二無水物からなるポリイミド系配向膜を用いた。この配向膜の膜厚は、０.１μｍ とした。したがって、絶縁膜と配向膜の膜厚は合わせて０.５μｍ となった。
【００９１】
　両基板間には誘電率異方性Δεが正でその値が４.５ であり、複屈折Δｎが０.０７２(５８９ｎｍ，２０℃）のネマチック液晶組成物を挟んだ。一方、上下界面上の液晶分子長軸方向は互いにほぼ平行で、かつ印加電界方向とのなす角度を９５度（φＬＣ１＝φＬＣ２＝９５°）とした。ギャップｄは球形のポリマビーズを基板間に分散して挾持し、液晶封入状態で４.５μｍ とした。よってΔｎ・ｄは０.３２４μｍ である。２枚の偏光板〔日東電工社製Ｇ１２２０ＤＵ〕でパネルを挾み、一方の偏光板の偏光透過軸を界面上の液晶分子長軸方向にほぼ平行、即ちφＰ１＝９５°とし、他方をそれに直交、即ちφＰ２＝５°とした。これにより、ノーマリクローズ特性を得た。
・・・・（中略）・・・・
【００９９】
　〔実施例１６〕本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例１３と同一である。
【０１００】
　本実施例では絶縁膜を無機物である窒化シリコン（ＳｉＮ）と有機物であるエポキシ樹脂の２層構造とした。窒化シリコン層を０.３μｍ ，エポキシ樹脂層を１.５μｍ とした。さらに、配向膜としてＲＮ−７１８（日産化学製）を使用し、その膜厚を０.２μｍ とした。したがって、絶縁膜と配向膜の膜厚は合わせて２.０μｍとなった。
【０１０１】
　このようにして得られたアクティブマトリクス型液晶表示装置の残像は評価段階１であり、残像が全く発生しなかった。一方、図１０に示すように絶縁膜と配向膜の透明性は９０％以上の透過率を確保していた。」
　
　引用例２の図１の記載によれば、電界９は画素電極４及び共通電極５間に印加されていること、及び、配向膜８は一対の基板のそれぞれの内側に形成されていることが見て取れる。
　
　以上の記載からみて、引用例２には「透明な一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶組成物と、前記一対の基板の内側に金属をパターン化した画素電極４、金属をパターン化した共通電極５、薄膜トランジスタ１５が形成され、その上に絶縁膜７が付設され、さらに前記一対の基板のそれぞれの内側に配向膜８が塗布及び配向処理されており、高開口率を得るため前記共通電極５と前記画素電極４とのギャップが２０μｍであり、液晶封入状態でのギャップｄが４．５μｍであり、前記画素電極４及び前記共通電極５間に電界９を印加することにより前記液晶組成物の液晶分子の向きを変えて表示を行う横電界方式の液晶表示装置において、前記絶縁膜を無機物である窒化シリコンと有機物であるエポキシ樹脂の２層構造とし、窒化シリコン層を０．３μｍ、エポキシ樹脂層を１．５μｍ として、絶縁膜の膜厚を厚くし、電界方向に垂直な断面積を大きくすることにより、絶縁膜に相当する抵抗成分を小さくして、絶縁膜に残留する電圧を低減し、残像を少なくした横電界方式の液晶表示装置」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。 
　  
　（３）対比 
　  
　本願発明と引用発明２とを対比する。 
　 
　引用発明２の「透明な一対の基板」、「該一対の基板間に挟持された液晶組成物」、「画素電極４」、「共通電極５」、「薄膜トランジスタ１５」、「前記液晶組成物の液晶分子の向きを変えて表示を行う」、「横電界方式の液晶表示装置」、「前記一対の基板のそれぞれの内側に配向膜８が塗布及び配向処理され」、「絶縁膜７」、「無機物である窒化シリコンと有機物であるエポキシ樹脂の２層構造とし」、「窒化シリコン層を０．３μｍ、エポキシ樹脂層を１．５μｍ として」、「前記共通電極５と前記画素電極４とのギャップ」及び「液晶封入状態でのギャップｄ」は、それぞれ、本願発明における「少なくとも一方が透明な一対の基板」、「該一対の基板間に挟持された液晶層」、「画素電極」、「共通電極」、「能動素子」、「前記液晶層の液晶を制御して表示を行う」、「液晶表示装置」、「前記一対の基板上の前記液晶層に接触するそれぞれの面上に配向制御膜を形成」、「絶縁膜」、「少なくとも１層以上」、「該絶縁膜の厚みＴ」、「前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌ」及び「前記液晶層の厚みＤ」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明２とは、「透明な一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に画素電極及び共通電極並びに能動素子を配置し、前記画素電極及び前記共通電極間に電界を印加することにより前記液晶層の液晶を制御して表示を行う液晶表示装置において、前記一対の基板上の前記液晶層に接触するそれぞれの面上に配向制御膜を形成し、前記電極が形成されている基板側の前記配向制御膜と、前記画素電極または前記共通電極のうち前記配向制御膜に近い方の電極との間には、少なくとも１層以上の絶縁膜を配置した液晶表示装置」の点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点］
　本願発明においては「該絶縁膜の厚みＴが前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌの１／４以上であり、かつ前記液晶層の厚みＤが、Ｌ＜２Ｄの関係を満たす」のに対して、引用発明２においては、「該絶縁膜の厚みＴ」が「窒化シリコン層を０．３μｍ、エポキシ樹脂層を１．５μｍ」の合計で「１．８μｍ」であり、「前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌ」が「２０μｍ」であり、「前記液晶層の厚みＤ」が「４．５μｍ」であるから、本願発明の上記関係を満たしていない点。
　
（４）判断
　
　上記相違点について検討する。
　
　一方の基板に一対の線状の電極を備え、両線状電極間に電界を印加して液晶を制御して表示を行う、横電界方式の液晶表示装置において、一対の線状電極をＩＴＯ等の透明導電体で構成することにより、開口率を低下させることなく、一対の線状電極の間隔を、具体的には、一対の線状電極を同層に作製する場合には３μｍ程度まで、一対の線状電極を異層に作製する場合にはそれ以上に、狭くし、駆動電圧を低減したり同じ駆動電圧なら印加電界を強くすることは、本願出願前に周知である（例．特開平９−１４６１２５号公報（段落００３１、００３２、００３３、００３６、００３７、００４０、図１６、図１７参照。）、特開平１１−２０２３５６号公報（段落００１５、００１６、００２２、００２７〜００３２、図１〜図４参照。））。
　
　引用発明２の画素電極及び基準電極は金属の遮光体で構成されており、画素電極と共通電極の間隔Ｌを２０μｍと長い値になっているが、上記周知技術を採用し、引用発明２の画素電極及び基準電極をＩＴＯ等の透明導電体で
構成するとともに、画素電極と共通電極の間隔Ｌを、一対の線状電極を同層に作製する場合には３μｍ程度まで、一対の線状電極を異層に作製する場合にはそれ以上に短くし、駆動電圧を低減したり印加電界を強くすること、そして、その結果「該絶縁膜の厚みＴ（＝１．８μｍ）が前記画素電極と前記共通電極の間隔Ｌ（≦３μｍ）の１／４以上であり、かつ前記液晶層の厚みＤ（＝４．５μｍ）が、Ｌ＜２Ｄの関係を満たす」ことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例２及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　 
　（５）むすび  
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。