【事件の表示】
　特願２００３−　８５６４３「微細物評価装置、微細物評価方法および微細物評価プログラム」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月２１日出願公開、特開２００４−２９４２１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年３月２６日の出願であって、平成２０年２月２７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年４月３日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同月２８日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
　
第２　本件補正の補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年４月２８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、平成１９年８月２４日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１を以下のとおり補正するものである。（下線部は補正箇所を示す。）
「　　【請求項１】　光に対して透過性である層中に存在する微細物の状態を評価する微細物評価装置において、
　上記層の表面へ向けて上記光を照射する光源と、
　上記層の上記光が入射した側から出射する反射光を受けて、上記反射光の波長に対する光強度の分布を測定する光学測定部と、
　上記層が複数の膜で構成されているモデルを仮定して、上記複数の膜のそれぞれの屈折率および層厚を示す複数の要素に基づいて、上記モデルからの反射光の波長に対する光強度の分布を計算するモデル計算部と、
　上記光学測定部が測定した上記反射光の上記分布と、上記モデル計算部が計算した上記反射光の上記分布とを照合する照合部と、
　上記モデル計算部が上記モデルの上記反射光の上記分布を計算する前に、上記層の製造条件に基づいて上記要素が取り得る値を予め計算して定める補助計算部と
を備え
、　上記各要素に、互いに異なる第１，第２の初期設定値を設定する
　上記補正は、発明特定事項である要素について、「互いに異なる第１，第２の初期設定値を設定する」との限定を付加するものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用刊行物記載の発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である　辻博司 外５名，“金属負イオン注入による酸化膜中でのナノ粒子の形成と光反射特性による粒子状態の変化”，２１世紀連合シンポジウム論文集，平成１４年１１月２３日，ｖｏｌ．１，ｐ．４６１−４６４（以下、「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
［１ａ］「１．はじめに
　二酸化シリコン薄膜中のナノ粒子は、単電子メモリ開発の観点から注目されている。…光反射特性は測定できるので、この光反射特性をもとにナノ粒子の状態を評価する方法を述べる。」（第４６１頁第１６〜２７行）
［１ｂ］「２．ナノ粒子を含む多層膜からの光反射特性
　酸化膜膜厚の半分の深さが投影飛程である条件で、シリコン基板上の熱酸化薄膜に金属イオンを注入すると、帯電がない場合は、投影飛程深さを中心に注入原子が分布する。このため、注入原子が凝集したナノ粒子は、膜厚中央部に層状に存在する。このような試料から光反射特性は、図１に示すようにシリコン基板上に、ナノ粒子含有層とその前後に二酸化シリコン層の３層膜からの反射光の合成となる。多層膜の反射率は、よく知られているように各層の複素屈折率（又は、複素誘電率）が既知であれば、各層からの反射係数を用いて計算できる。…ここでは、この複合層の複素誘電率（光学定数）には、Maxwell-Garnett(ＭＧ)の有効誘電率を用いた。…つまり、ナノ粒子の大きさは誘電率に考慮される。
　以上から、ナノ粒子の大きさや充填率、複合層の厚さを仮定すると多層構造からの反射特性が計算される。これと測定した反射特性を比較して、ナノ粒子の状態が推定される。」（第４６１頁第２８行〜第４６２頁第２７行）
［１ｃ］「３．金属負イオン注入実験
…　
　注入試料の光反射特性を測定した（島津、MPS2000）。そして、前節で説明した方法により、ナノ粒子のサイズ、分布深さ、充填率を推定した。」（第４６２頁第２８行〜第４６３頁第４行）
［１ｄ］「４−１．注入分布とピーク濃度の計算予測
　注入エネルギーを決定するために、注入飛程や注入分布をモンテカルロ計算プログラムTRIM-DYN[8]で予測した。図２に30keVのエネルギーで銀イオンを非晶質酸化シリコンに注入した場合の深さ分布の計算結果を示す。1×1015と１×1016ions/cm2の注入量では予想される注入飛程は共に25nmと薄膜の中央にあり、ピークでの銀原子濃度は原子数比でそれぞれ約1％と8.5％と注入量にほぼ比例すると計算された。しかし、1×1017ions/cm2注入量では、スパッタリングの影響で、表面から20nmまでは20〜30％の高濃度で一様な分布、そして、深さ30nmの濃度1％まで指数関数的に濃度が減少する分布とが計算された。」（第４６３頁第１２〜２６行）
［１ｅ］「４．２．光反射特性の測定結果
　…ナノ粒子状態として粒子半径、充填率、分布深さなど仮定して、最も良く測定結果とあう反射特性を求めた。一例として、図４に銀負イオンを1×1016ions/cm2注入して、500℃の熱処理をした場合を示す。ここでは、銀ナノ粒子の半径がａ＝1nmで充填率がｆ＝0.05の場合を３つの分布状態を計算した。その結果、各層の厚さが、L3＝21nm,L2＝20nm,L1＝9nmの時が最も良く測定結果と一致した。従って、この試料では、直径 2nm程度の銀ナノ粒子が深さ21〜41nmの深さに形成されていると推定される。1×1017ions/cm2の高注入で500℃アニール後では、同様なフィッティング計算により、直径8nmの銀ナノ粒子が、充填率がｆ＝0.1で深さ10〜20nmに形成されていると予想された。」（第４６３頁第２８行〜第４６４頁第４行）
［１ｆ］図４には、３つの条件で計算した反射特性と測定値の比較として、縦軸を「Reflectance」、横軸を「Wavelenght」とするグラフが記載されている。
　上記［１ａ］〜［１ｅ］の記載によれば、引用例１には、
「注入試料の光反射特性をMPS2000で測定し、注入飛程や注入分布をモンテカルロ計算プログラムで予測し、ナノ粒子の大きさや充填率、複合層の厚さを仮定した３つの分布状態でフィッティング計算により、多層構造からの反射特性を計算し、多層構造からの反射特性の計算結果と測定した反射特性を比較して、ナノ粒子の状態を推定する、二酸化シリコン薄膜中のナノ粒子の状態を評価する方法を実施する装置。」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−４００８７号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
［２ａ］「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体中の元素濃度プロファイルの測定方法、さらに特定すれば半導体の不純物濃度プロファイルの測定方法、および二成分系薄膜半導体の薄膜の濃度プロファイルを成長中に刻々測定し、これに基づいて薄膜成長を制御する方法に関する。」
［２ｂ］「【００２１】図４は、本発明の半導体の不純物濃度プロファイル測定方法のブロック図である。測定した半導体は、Ｂ濃度１×1015／cm3 のｐ型Ｓi の (111)ウェハに、 33keVでAs+ を５×1013／cm2 注入し、Ｎ2 気流中で 950℃, 30秒間赤外線加熱して、As+ を拡散させた。エリプソメトリ測定直前にウェハは１％HFで表面の自然酸化膜を除去した。
【００２２】波長0.８〜２μｍの赤外線エリプソメトリを行い、光学情報としてΔおよびΨを測定した。図４に示すように、プロセスシュミレータを使用し、初期値として、上記の拡散条件の 950℃, 30秒間を入力し、これによって得られた不純物プロファイルをデータベースを参照して、光学情報に変換して、測定光学情報とフィッティングさせた。これらの値が一致しない場合は、シュミレータに入力する条件を初期値より偏らせて、再び上記操作を繰返し、シュミレータの光学情報とエリプソメトリの測定による光学情報が一致したときに、この光学情報ΔとΨを、膜面からの深さと不純物濃度に変換した。本発明による不純物濃度プロファイルは、破壊試験の二次イオン質量スペクトル分析とほぼ近似する値を示した。」
　
３．対比
　本願補正発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明の「二酸化シリコン薄膜中のナノ粒子の状態を評価する方法を実施する装置」は、光反射特性を測定するものであるから、本願補正発明の「光に対して透過性である層中に存在する微細物の状態を評価する微細物評価装置」に相当する。
（イ）引用例１発明の「MPS2000」は注入試料の光反射特性を測定するものであって、［１ｆ］に記載されるように、波長に対する反射光の強度の分布を得るものであるから、本願補正発明の「上記層の上記光が入射した側から出射する反射光を受けて、上記反射光の波長に対する光強度の分布を測定する光学測定部」に相当する。
　また、光反射特性を測定するには光を照射する光源が必須であるから、引用例１発明は、本願補正発明の「上記層の表面へ向けて上記光を照射する光源」を備えているといえる。
（ウ）引用例１発明の「ナノ粒子の大きさや充填率、複合層の厚さを仮定した３つの分布状態でフィッティング計算により、多層構造からの反射特性を計算」する手段と本願補正発明の「上記層が複数の膜で構成されているモデルを仮定して、上記複数の膜のそれぞれの屈折率および層厚を示す複数の要素に基づいて、上記モデルからの反射光の波長に対する光強度の分布を計算するモデル計算部」とは、「上記層が複数の膜で構成されているモデルを仮定して、上記複数の膜のそれぞれの層厚を示す複数の要素に基づいて、上記モデルからの反射光の波長に対する光強度の分布を計算するモデル計算部」である点で共通する。
（エ）引用例１発明の「多層構造からの反射特性の計算結果と測定した反射特性を比較」する手段は、本願補正発明の「上記光学測定部が測定した上記反射光の上記分布と、上記モデル計算部が計算した上記反射光の上記分布とを照合する照合部」に相当する。
（オ）引用例１発明の「注入飛程や注入分布をモンテカルロ計算プログラムで予測」する手段は、層の製造条件に基づいて、取り得る膜厚を予め計算して定める機能を有するといえるから、引用例１発明の「注入飛程や注入分布をモンテカルロ計算プログラムで予測」する手段と本願補正発明の「上記モデル計算部が上記モデルの上記反射光の上記分布を計算する前に、上記層の製造条件に基づいて上記要素が取り得る値を予め計算して定める補助計算部」とは、「上記モデル計算部が上記モデルの上記反射光の上記分布を計算する前に、上記層の製造条件に基づいて上記要素が取り得る値を予め計算する補助計算部」である点で共通する。
（カ）引用例１発明の「３つの分布状態でフィッティング計算により、多層構造からの反射特性を計算」することと本願補正発明の「上記各要素に、互いに異なる第１，第２の初期設定値を設定すること」とは、「上記各要素に、互いに異なる複数の設定値を設定する」点で共通する。
　したがって、両者は、
「光に対して透過性である層中に存在する微細物の状態を評価する微細物評価装置において、上記層の表面へ向けて上記光を照射する光源と、上記層の上記光が入射した側から出射する反射光を受けて、上記反射光の波長に対する光強度の分布を測定する光学測定部と、上記層が複数の膜で構成されているモデルを仮定して、上記複数の膜のそれぞれの層厚を示す複数の要素に基づいて、上記モデルからの反射光の波長に対する光強度の分布を計算するモデル計算部と、上記光学測定部が測定した上記反射光の上記分布と、上記モデル計算部が計算した上記反射光の上記分布とを照合する照合部と、上記モデル計算部が上記モデルの上記反射光の上記分布を計算する前に、上記層の製造条件に基づいて上記要素が取り得る値を予め計算する補助計算部とを備え、上記各要素に、互いに異なる複数の設定値を設定する微細物評価装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］複数の要素が、本願補正発明では「屈折率」を含むのに対し、引用例１発明では「屈折率」を含んでおらず、「ナノ粒子の大きさや充填率」を含む点。
［相違点２］補助計算部が、本願補正発明では、計算された「要素が取り得る値」を要素として「定める」のに対し、引用例１発明では、計算された注入飛程や注入分布を反射特性の計算に用いる要素として定めていない点。
［相違点３］互いに異なる複数の設定値が、本願補正発明では、「第１，第２の初期」の設定値であるのに対し、引用例１発明では、３つの設定値であって、フィッティング計算を行うとされるものの、仮定した分布状態を初期の設定値とし変化させるものであるのか特定されていない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
（１）［相違点１］について
　引用例１の［１ｂ］の記載によると、「多層膜の反射率は、よく知られているように各層の複素屈折率（又は、複素誘電率）が既知であれば、各層からの反射係数を用いて計算できる」ものであり、「ナノ粒子の大きさは誘電率に考慮される」ものである。
　そうすると、引用例１発明において多層膜の反射率の分布を計算するにあたり、誘電率に考慮されるナノ粒子の大きさを要素として用いる代わりに、屈折率（誘電率）を要素として用いることは、当業者が容易に想到しうることである。
　
（２）［相違点２］について
　引用例２に記載された発明は、［２ａ］の記載によれば半導体の不純物濃度プロファイルの測定に関するものであり、［２ｂ］には、プロセスシュミレータを使用し、初期値として、拡散条件を入力し、これによって得られた不純物プロファイルをデータベースを参照して、光学情報に変換して、測定光学情報とフィッティングさせたことが記載されている。このように、半導体の不純物の分布をフィッティングを利用して測定する際に、フィッティングに用いる値としてプロセスシュミレータを使用して得られた結果を用いることは従来知られていることである。
　したがって、二酸化シリコン薄膜中のナノ粒子の状態を評価する引用例１発明において、モンテカルロ計算プログラムで予測した注入飛程や注入分布を、引用例２に記載されるように、フィッティング計算による計算の要素として定めて用いることは、当業者が容易に想到しうることである。
　
（３）［相違点３］について
　複数ある設定値の数をどの程度とするかは当業者が適宜設定しうることである。
　また、引用例２に記載された発明は、［２ａ］の記載によれば半導体の不純物濃度プロファイルの測定に関するものであり、［２ｂ］には、シュミレータに入力する条件を初期値より偏らせて、再び上記操作を繰返し、シュミレータの光学情報とエリプソメトリの測定による光学情報が一致したときに、この光学情報ΔとΨを、膜面からの深さと不純物濃度に変換することが記載されている。このように、半導体の不純物の分布をフィッティングを利用して測定する際に、入力する条件を初期値とし、変化させることは従来より知られていることである。そして、シュミレーションを行う際に予め複数の初期値を設定して各々計算し、それらの複数の解を比較して最も良い解を選択することは、例えば、特開昭６４−３３６２７号公報の第３頁左上欄第１４〜２０行や、特開平５−１０８６４９号公報の請求項１、特開２００３−６７９００号公報の請求項１２に記載されているように、様々な分野において周知である。
　したがって、引用例１発明において、３つの設定値を２つとし、それぞれの設定値を初期値として変化させてフィッティング計算を行うようにすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、本願補正発明の効果は、引用例１，２の記載および上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものであって、格別なものであるとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１，２に記載された発明および上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．まとめ
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１．本願発明の認定
　以上のとおり、本件補正は却下されることとなったので、本願の請求項１〜１３に係る発明は、平成１９年８月２４日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
「　　【請求項１】　光に対して透過性である層中に存在する微細物の状態を評価する微細物評価装置において、
　上記層の表面へ向けて上記光を照射する光源と、
　上記層の上記光が入射した側から出射する反射光を受けて、上記反射光の波長に対する光強度の分布を測定する光学測定部と、
　上記層が複数の膜で構成されているモデルを仮定して、上記複数の膜のそれぞれの屈折率および層厚を示す複数の要素に基づいて、上記モデルからの反射光の波長に対する光強度の分布を計算するモデル計算部と、
　上記光学測定部が測定した上記反射光の上記分布と、上記モデル計算部が計算した上記反射光の上記分布とを照合する照合部と、
　上記モデル計算部が上記モデルの上記反射光の上記分布を計算する前に、上記層の製造条件に基づいて上記要素が取り得る値を予め計算して定める補助計算部と
を備えたことを特徴とする微細物評価装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例およびその記載事項は、前記「第２　２．引用刊行物記載の発明」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明における「互いに異なる第１，第２の初期設定値を設定する」という限定を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　４．判断」に記載したとおり、引用例１，２および上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１，２および上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。