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　平成１０年特許願第　３７１９０号「半導体素子の実装方法及び半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月３１日出願公開、特開平１１−２３８７５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年２月１９日に特許出願したものであって、平成１８年１０月２０日付けの拒絶理由通知に対して、同年１２月１３日付けで手続補正がされたが、平成１９年８月２７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１１月５日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成１９年１１月５日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１１月５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
（２−１）補正の概略
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については、補正前に、
「【請求項１】半導体素子の電極部が設けられた回路形成面、及びパッケージ基板のボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面の少なくとも一方に、前記電極部及び前記ボンディングパッドを被覆することなく封止材を設け、
　前記電極部と前記ボンディングパッドとを加熱処理をして接合する際に、前記接合と同時に前記加熱処理により前記封止材を流動させ、前記封止材により前記半導体素子と前記パッケージ基板との間を封止することを特徴とする半導体素子の実装方法。
【請求項２】前記封止材による前記半導体素子と前記パッケージ基板との間の封止は、
　前記電極部と前記ボンディングパッドとを接合する際に、前記電極部と前記ボンディングパッドとの接合部を含む限定領域が未封止領域となるように前記半導体素子と前記パッケージ基板との間を封止する第１の封止材と、
　前記電極部と前記ボンディングパッドとを接合した後に、前記未封止領域を封止する第２の封止材と、
　により行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項３】前記第１の封止材は、フィラーを６５ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下含有するエポキシ系樹脂であり、
　前記第２の封止材は、フィラーを７５ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下含有するエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項４】請求項１〜３に記載の方法を用いて製造した半導体装置。
【請求項５】互いに接合された半導体素子とパッケージ基板との間の、前記半導体素子と前記パッケージ基板との接合部を含む限定領域を除く領域に、フィラーを６５ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下含有するエポキシ系樹脂からなる封止材により形成された第１封止部を備えると共に、
　前記限定領域に、フィラーを７５ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下含有するエポキシ系樹脂からなる封止材により形成された第２封止部を備えた半導体装置。」
とあったものを、
「【請求項１】半田バンプを備えた電極部が設けられた回路形成面を有する半導体素子と、ボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面を有するパッケージ基板とを準備する工程と、
　前記パッケージ基板の前記半導体素子実装面に、前記ボンディングパッドを被覆することなく中央が盛り上がったドーム状の封止材を設ける工程と、
　前記電極部と前記ボンディングパッドとを加熱処理をして接合する際に、前記接合と同時に前記加熱処理により前記封止材を流動させ、前記封止材により前記半導体素子と前記パッケージ基板との間を封止する工程と、
　を有すること特徴とする半導体素子の実装方法。
【請求項２】前記封止材による前記半導体素子と前記パッケージ基板との間の封止は、
　前記電極部と前記ボンディングパッドとを接合する際に、前記電極部と前記ボンディングパッドとの接合部を含む限定領域が未封止領域となるように前記半導体素子と前記パッケージ基板との間を封止する第１の封止材と、
　前記電極部と前記ボンディングパッドとを接合した後に、前記未封止領域を封止する第２の封止材と、
　により行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項３】前記第１の封止材は、フィラーを６５ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下含有するエポキシ系樹脂であり、
　前記第２の封止材は、フィラーを７５ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下含有するエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項４】請求項１〜３に記載の方法を用いて製造した半導体装置。」
と補正するものである。
　
　すると、本件補正における、特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、補正前の請求項１に「電極部」とあったものを、補正後の「半田バンプを備えた電極部」に限定し、以下、同様に「回路形成面、及び半導体素子実装面の少なくとも一方に封止材を設け」るものであったところを、「半導体素子実装面に封止材を設ける」ものに限定し、「封止材を設け」を「中央が盛り上がったドーム状の封止材を設け」と限定し、さらに、これに併せて、補正前に「半導体素子の電極部が設けられた回路形成面、及びパッケージ基板のボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面の少なくとも一方に、前記電極部及び前記ボンディングパッドを被覆することなく封止材を設け」と記載されていたものを、補正後の「半田バンプを備えた電極部が設けられた回路形成面を有する半導体素子と、ボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面を有するパッケージ基板とを準備する工程」と「前記パッケージ基板の前記半導体素子実装面に、前記ボンディングパッドを被覆することなく中央が盛り上がったドーム状の封止材を設ける工程」からなる形式に、記載ぶりを改めたものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　一方、請求項４の記載自体は、本件補正の前後で補正されていない。しかしながら、請求項４が引用する請求項１は補正されており、この補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められることは、上記のとおりである。してみれば、本件補正は、請求項１に係る発明と同様に、請求項１を引用する請求項４に係る発明を、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的として補正するものであるといえる。
　
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により構成される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを、請求項１、及び、請求項１を引用する請求項４に係る発明（以下、「本願補正発明１」、及び、「本願補正発明４」という。）について以下に検討する。
　
（２−２）新規性について
　本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平１０−２２３３４号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（１ａ）「【請求項１】半導体チップのバンプ電極と回路基板の接続電極とが共晶接合されているとともに、前記半導体チップと前記回路基板とがその間に介在された樹脂によって接着されていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）  
 　 
（１ｂ）「【発明の実施の形態】図１および図２はそれぞれこの発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示したものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、この実施形態における半導体装置の構造についてその製造方法と併せて説明する。
　まず、図１に示すように、熱圧着装置（図示せず）におけるステージ２１の上面にフィルム基板２２を位置決めした状態で載置する。この場合、フィルム基板２２の上面には複数の接続電極２３が設けられている。この接続電極２３は銅などからなる接続電極本体２３ａとこの接続電極本体２３ａの表面に形成されたメッキ層２３ｂとからなっている。メッキ層２３ｂはスズ、半田、金などからなり、その膜厚は１μｍ程度となっている。次に、フィルム基板２２の上面における接続電極２３が形成されていない所定の箇所にポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などの熱可塑性樹脂からなる樹脂２４を印刷方法、ニードルディスペンス方法、転写方法などによって塗布する。次に、フィルム基板２２の上方に半導体チップ２５を、樹脂２４と対向するように位置決めした状態で配置する。この場合、半導体チップ２５の下面には金、半田などからなるバンプ電極２６が高さ１５〜３０μｍ程度に設けられている。
　次に、図２に示すように、フィルム基板２２と半導体チップ２５との間に樹脂２４を介在させた状態で、半導体チップ２５のバンプ電極２６をフィルム基板２２の対応する接続電極２３に位置合わせを行って載置する。次に、半導体チップ２５の上から図示しない熱圧着ヘッドを押し付けて加熱しながら加圧すると、半導体チップ２５のバンプ電極２６とフィルム基板２２の接続電極２３とが、双方の構成金属の合金によって共晶接合される。この場合、加熱温度は４００〜６００℃程度であり、例えばポリイミド樹脂の軟化温度は２３０℃程度であるので、半導体チップ２５とフィルム基板２２との間に介在された樹脂２４は加熱されることにより軟化し、その後冷却されることにより固化し、固化した樹脂２４によって半導体チップ２５とフィルム基板２２とが接着される。
　ここで、好ましい金属材料の組合わせの一例としては、バンプ電極２６を金、メッキ層２３ｂをスズからそれぞれ構成した場合と、バンプ電極２６を金、メッキ層２３ｂを半田からそれぞれ構成した場合と、バンプ電極２６を半田、メッキ層２３ｂを金からそれぞれ構成した場合とがあげられる。これらの場合には、バンプ電極２６とメッキ層２３ｂとの間に金とスズとの共晶合金が形成され、この金とスズとの共晶合金によってバンプ電極２６と接続電極２３とが共晶接合される。」（【０００７】−【００１０】） 
　
（１ｃ）「なお、上記実施形態では、フィルム基板２２の上面における所定の箇所に樹脂２４を塗布したが、これに限らず、図３に示す塗布位置の変形例のように、半導体チップ２５の下面における所定の箇所に樹脂２４を塗布してもよい。」（【００１２】）　
　
（１ｄ）図１は、引用例３に記載された発明の一実施形態における半導体装置の製造に際し、フィルム基板の上面に樹脂を塗布し、半導体チップをフィルム基板上に配置した状態を示す断面図であって、同図から、樹脂２４の形状が、中央が盛り上がったドーム状であることを読み取ることができる。また、図２は、引用例３に記載された発明の一実施形態における半導体装置の断面図であって、同図から、樹脂２４が、半導体チップ２５の下面と、フィルム基板２２との間に存在する間隙の一部を充填している様子を読み取ることができる。
　
　そうすると、引用例３の摘記（１ａ）〜（１ｄ）をまとめると、引用例３には、
「フィルム基板の上面における接続電極２３が形成されていない所定の箇所に、熱可塑性樹脂からなる樹脂２４を中央が盛り上がったドーム状に塗布する工程と、
　下面に半田から構成されるバンプ電極２６を設けた半導体チップ２５の上から熱圧着ヘッドを押し付けて加熱しながら加圧することで前記バンプ電極２６と接続電極２３とを共晶接合する際に、前記共晶接合と同時に前記加熱により前記樹脂２４を軟化させ、前記樹脂２４をもって、半導体チップ２５の下面と、フィルム基板２２との間に存在する間隙の一部を充填し、その後冷却することにより固化し、固化した樹脂２４によって半導体チップ２５とフィルム基板２２とを接着する工程と、
を有する半導体装置の製造方法」
の発明（以下、「引用例発明３」という。）が記載されているといえる。 
 　 
　そこで、本願補正発明１と引用例発明３とを対比する。 
　
（ａ）「物」の製造において、当該製造に先だって、当該製造において使用する材料、工具等を準備することは自明の手順である。
　そして、引用例発明３は「フィルム基板の上面における接続電極２３が形成されていない所定の箇所に、熱可塑性樹脂からなる樹脂２４を中央が盛り上がったドーム状に塗布する工程」及び「下面に半田から構成されるバンプ電極２６を設けた半導体チップ２５の上から熱圧着ヘッドを押し付けて加熱しながら加圧することで前記バンプ電極２６と接続電極２３とを共晶接合する工程」等の製造工程を有する、半導体装置の製造方法に係る発明である。
　そうすると、引用例発明３は、前記各工程に加えて、前記各工程で使用する「フィルム基板」及び「半導体チップ」を準備する工程をも具備しているといえる。
　
　一方、引用例発明３の「半田から構成されるバンプ電極２６」、「半導体チップ２５」は、それぞれ、本願補正発明１の「半田バンプを備えた電極部」、「半導体素子」に相当し、また、本件出願当時の技術常識を参酌すれば、引用例発明３の「半田から構成されるバンプ電極２６」が設けられた半導体チップ２５の下面には、このバンプ電極に接続する回路が形成されていると認められることから、引用例発明３の「下面に半田から構成されるバンプ電極２６を設けた半導体チップ２５」は、本願補正発明１の「半田バンプを備えた電極部が設けられた回路形成面を有する半導体素子」に相当するといえる。
　
　また、引用例発明３の「接続電極２３」は、本願補正発明１の「ボンディングパッド」に相当し、引用例発明３の「上面に接続電極２３を設けたフィルム基板２２」は、本願補正発明１の「ボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面を有するパッケージ基板」に相当するといえる。
　
　してみれば、引用例発明３は、本願補正発明１の「半田バンプを備えた電極部が設けられた回路形成面を有する半導体素子と、ボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面を有するパッケージ基板とを準備する工程」に相当する工程を備えているものと認められる。
　
（ｂ）本願明細書の【００２４】の「有機樹脂基板１０上のエポキシ系封止樹脂１４ａが半導体素子１６の回路形成面１６ａにより押圧されて半導体素子１６と有機樹脂基板１０との間に広がって半導体素子１６と有機樹脂基板１０との間を封止する。エポキシ系封止樹脂１４ａの量は、前述したように、半導体素子１６と有機樹脂基板１０とをボンディングしたときに半田バンプ２０とボンディングパッド１２との接合部に達しない量に調節されているため、図１（ｃ）に示すように、半田バンプ２０とボンディングパッド１２との接合部が未封止領域とされた状態で第１の封止材であるエポキシ系封止樹脂１４ａによる封止が終了する。」との記載、及び、本願の図１（ｃ）の記載から、本願明細書においては、半導体素子１６と有機樹脂基板１０との間に形成される間隙の、少なくともその一部を、エポキシ系封止樹脂１４ａが充填することを「封止」と規定し、また、この「封止」を行う材料を「封止材」と規定しているものと認められる。そうすると、引用例発明３の「樹脂２４」は、半導体チップ２５の下面と、フィルム基板２２との間に存在する間隙の一部を充填するものであるから、本願補正発明１の「封止材」に相当するといえる。
　また、引用例発明３の「共晶接合」は、本願補正発明１の「接合」の一種であるといえる。
　してみれば、結局、引用例発明３の「接続電極２３が形成されていない所定の箇所に、熱可塑性樹脂からなる樹脂２４を中央が盛り上がったドーム状に塗布する工程」は、本願補正発明１の「前記ボンディングパッドを被覆することなく中央が盛り上がったドーム状の封止材を設ける工程」に相当し、また、引用例発明３の「半導体チップ２５の上から熱圧着ヘッドを押し付けて加熱しながら加圧することで前記バンプ電極２６と接続電極２３とを共晶接合する際に、前記共晶接合と同時に前記加熱により前記樹脂２４を軟化させ、前記樹脂２４をもって、半導体チップ２５の下面と、フィルム基板２２との間に存在する間隙の一部を充填し、その後冷却することにより固化し、固化した樹脂２４によって半導体チップ２５とフィルム基板２２とを接着する工程」は、本願補正発明１の「前記電極部と前記ボンディングパッドとを加熱処理をして接合する際に、前記接合と同時に前記加熱処理により前記封止材を流動させ、前記封止材により前記半導体素子と前記パッケージ基板との間を封止する工程」に相当するといえる。
　
（ｃ）引用例発明３の「半導体装置の製造方法」に係る発明は、具体的には、半導体チップをフィルム基板に接着し、かつ、半導体チップのバンプ電極とフィルム基板の接続電極とを接合する方法に関する発明である。
　一方、半導体チップを基板に接着し、かつ、半導体チップのバンプ電極と基板の接続電極とを接合することは、「半導体素子の実装方法」の一種であるといえる。
　してみれば、引用例発明３の「半導体装置の製造方法」は、本願補正発明１の「半導体素子の実装方法」に相当するといえる。
　
　以上によれば、本願補正発明１と引用例発明３とは、本願補正発明１を構成する要件の全てにおいて一致するから、本願補正発明１は引用例３に記載された発明であると認められる。
　
　また、本願補正発明４は、方法の発明である本願補正発明１の半導体素子の実装方法を用いて製造した半導体装置を含むものとして、物の発明である半導体装置を特定したものである。したがって、本願補正発明１と同様の理由により、本願補正発明４は引用例３に記載された発明であると認められる。
　
　なお、審判請求人は平成２１年６月２２日提出の回答書において、引用例３には、樹脂２４の形状に関する具体的な説明は一切なく、審査官による指摘事項は図面上の判断でしかない旨を主張するので、この点について更に検討する。
　
　引用例３の摘記（１ｂ）の「フィルム基板２２の上面における接続電極２３が形成されていない所定の箇所にポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などの熱可塑性樹脂からなる樹脂２４を印刷方法、ニードルディスペンス方法、転写方法などによって塗布する。」との記載から、樹脂２４は、接続電極間の狭い領域に、流動性を有する液体の状態で、微少量存在するといえる。
　一方、日常生活において、微少量の接着剤を塗布した場合、中央が盛り上がったドーム状の形状を取る場合があることはよく知られていることである。そして、接着剤が、このような形状を取る理由として、液体が、自身の表面自由エネルギーを最小とするように、自由空間においては球形に、また、液体に対してぬれ性が低い表面を有する板状部材に付着している場合においては、半球状、すなわち、中央が盛り上がったドーム状の形状を取ろうとする性質を備えていることにあることは周知の事項である。
　してみれば、引用例３において、接続電極間の狭い領域に、流動性を有する液体の状態で、微少量塗布された樹脂２４が、中央が盛り上がったドーム状の形状を取ることは自然なことであるといえる。したがって、引用例３の図１の、樹脂２４の形状が、中央が盛り上がったドーム状であること示す記載から、引用例３に、中央が盛り上がったドーム状に樹脂２４を塗布した発明が開示されていると認めたことに誤りはなく、それを根拠として、引用例発明３が「フィルム基板の上面における接続電極２３が形成されていない所定の箇所に、熱可塑性樹脂からなる樹脂２４を中央が盛り上がったドーム状に塗布する工程」を有すると認定したことにも誤りはないといえる。したがって、審判請求人の前記主張は採用することができない。
　
　したがって、本願補正発明１、及び、本願補正発明４は、引用例３に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（２−３）進歩性について 　 
　本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平６−８９９１４号公報（以下、「引用例２」という。）、特開平９−１８１１２２号公報（以下、「引用例４」という。）、特開平５−２１８１３７号公報（以下、「引用例５」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
　特開平６−８９９１４号公報（引用例２）
（２ａ）「【請求項１】半導体チップに形成された電極と回路基板に形成された電極をバンプにより接続し、さらに前記半導体チップと前記回路基板により形成される間隙を熱可塑性樹脂によって封止する方法において、ダイシング後の前記半導体チップの中央部に前記熱可塑性樹脂を塗布し仮硬化させ、その後前記半導体チップの電極と前記回路基板の電極を位置合わせし、前記熱可塑性樹脂を加熱溶融させながら前記半導体チップ電極と前記回路基板電極とが接触する方向に加圧して前記熱可塑性樹脂を前記半導体チップと前記回路基板の間の中央部から周辺に拡散させて封止させ、かつ前記半導体チップ電極と前記回路基板電極を前記バンプにより電気的に接続することを特徴とする半導体装置の封止方法。」（【請求項１】）
　
（２ｂ）「【従来の技術】半導体チップを回路基板に接続する方法として、ワイヤを用いずに、半導体チップと回路基板の両方もしくはどちらか一方の電極にハンダもしくは金（Ａｕ）のバンプを形成し、半導体チップをフェイスダウンの形で直接回路基板に実装する方法がある。この方法は一般にフェイスダウンボンディング法という。フェイスダウンボンディング法を用いて半導体チップを回路基板表面にバンプを用いて電気的に接続し、その後半導体チップと回路基板により形成される間隙を樹脂で封止する従来の工程を図３（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図３（ａ）に示すように、半導体チップ１の表面にチップ電極２が設けられ、チップ電極２の上にバンプ３が設けられている。バンプ３はハンダもしくは金（Ａｕ）からできている。次に図３（ｂ）に示すように回路基板４に設けられた基板電極５と半導体チップ１のチップ電極２を位置合わせする回路基板４はホットプレート６に上に載置されている。回路基板４はホットプレート６により加熱され、チップ電極２と基板電極５がバンプ３により電気的に接続される。次に図３（ｃ）に示すように半導体チップ１と回路基板４により形成される間隙に、ノズル７を用いて熱可塑性樹脂を流し込み樹脂封止を行う。しかしながら半導体チップ１と回路基板４により形成される間隙は狭いため、熱可塑性樹脂８が一様に流れ込まなかった場合、半導体チップ１と回路基板４の間に気泡１０が発生することがある。気泡１０は外部環境に高温になった場合、および半導体チップが発熱した場合、半導体チップ１に機械的ストレスを与えることになる。また、チップ電極２や基板電極５の近くに発生した気泡１０内に水が溜まった場合、電極を腐食してしまう。」（【０００２】−【０００３】）
　
（２ｃ）「【実施例】本発明にかかる半導体装置の封止方法の実施例を図１（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず図１（ａ）に示すように半導体チップの表面にチップ電極２が設けられ、チップ電極２の上にはバンプ３が設けられる。バンプ３はハンダもしくは金（Ａｕ）からできている。図１（ｂ）は図１（ａ）の斜視図である。次に図１（ｃ）に示すように、ノズル７により熱可塑性樹脂８を半導体チップの中央部に塗布し仮硬化を行う。図１（ｄ）は図１（ｃ）の斜視図である。次に図１（ｅ）に示すように、金属製のボンディングツール９で半導体チップ１を吸着する。そして、ホットプレート６上に載置された回路基板４の表面に形成された基板電極５と半導体チップ１のチップ電極２を位置合わせをする。そしてボンディングツールによってチップ電極１と基板電極５が接触する方向に半導体チップ１と回路基板４を加圧する。この時ホットプレート６によってバンプ３と熱可塑性樹脂２８が加熱され溶融する。このプロセスにより図１（ｆ）に示すようにチップ電極１と基板電極５はバンプ３によって電気的に接触する。また、ボンディングツール９により半導体チップ１を回路基板４に加圧するさい、半導体チップ１の中央部に塗布された熱可塑性樹脂８は、半導体チップ１と回路基板４の間を一様に四方に拡散する。この時半導体チップ１と回路基板４の間隙にある空気は熱可塑性樹脂８に押し出され、間隙に気泡を発生させることなく熱可塑性樹脂８で充填される。そして冷却することによりバンプ３を凝固させるとともに熱可塑性樹脂８を本硬化させる。以上の工程によりチップ電極２と基板電極５とをバンプ３で電気的に接続し、さらに半導体チップ１と回路基板４とで形成される間隙を樹脂で封止することができた。」（【００１０】−【００１１】）
　
（２ｄ）「【発明の効果】本発明は、ダイシング後の半導体チップの中央部に熱可塑性樹脂を塗布することによって、半導体チップと回路基板をボンディングツールにより加圧しつつ熱可塑性樹脂を加熱すると、熱可塑性樹脂と回路基板の間を熱可塑性樹脂が四方に拡散する。よって半導体チップと回路基板とで形成される間隙に気泡の発生を防止することができる。したがって気泡が原因となる半導体装置の信頼性低下ということがなくなる。また・・・という問題も解消した。」（【００１２】）
　
（２ｅ）図１は、引用例２に記載された発明の半導体装置の封止方法の１実施例を説明するための工程図であり、図１（ｂ）−（ｄ）からは、熱可塑性樹脂８が、半導体チップの、チップ電極が設けられている面に、前記チップ電極を被覆することなく中央が盛り上がったドーム状に設けられていることを読み取ることができる。
　
　特開平９−１８１１２２号公報（引用例４）
（３ａ）「【請求項１】半導体素子上の電極パッド上にバンプ電極を形成する工程と、第１面にバンプ接続用電極と第２面に外部電極端子とを有した半導体キャリアの前記第１面上に補強樹脂を設ける工程と、半導体キャリア上のバンプ接続用電極と前記半導体素子上のバンプ電極とを当接させ、かつ前記補強樹脂により半導体素子と半導体キャリアとを仮固定し、仮構成体を形成する工程と、前記仮構成体を検査し、良品と不良品とを判別する工程と、前記検査で良品となった仮構成体の半導体キャリア上のバンプ接続用電極と半導体素子上のバンプ電極とを接合する工程と、半導体素子と半導体キャリアとの隙間に封止樹脂を注入し、硬化させ樹脂封止を行なう工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【請求項１】）
　
　特開平５−２１８１３７号公報（引用例５）
（４ａ）「【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法に係わり、特に半導体素子のフェイスダウンボンディングの改良をはかった半導体装置の製造方法に関する。
【従来の技術】近年、半導体集積回路技術の進歩により、端子数が１００を越える半導体素子やパッドピッチが１００μｍ以下の半導体素子が出現してきている。それに伴い半導体素子の実装密度を向上させた半導体装置の製造方法として、図２（ａ）に示すような配線基板２１に光若しくは熱硬化性の樹脂１５をポッティングした後に、半導体素子１１と配線基板２１を位置合わせする工程、あるいは逆に半導体素子１１と配線基板２１を位置合わせした後に、配線基板２１に光若しくは熱硬化性の樹脂１５をポッティングする工程を行い、その後図２（ｂ）に示すように半導体素子１１を配線基板２１に圧接させ、半導体素子１１上のバンプ１２と配線パターン２２の接触を保ちつつ樹脂１５を硬化し、接続をとる方法が提案されている。」（【０００１】−【０００３】）
　
　そうすると、引用例２の摘記（２ａ）−（２ｅ）をまとめると、引用例２には、
「半導体チップの表面にチップ電極２を設け、チップ電極２の上にハンダからできているバンプ３を設ける工程と、
　半導体チップの、チップ電極が設けられている面に、前記チップ電極を被覆することなく中央が盛り上がったドーム状の熱可塑性樹脂８を設ける工程と、
　ホットプレート上に、表面に基板電極５が形成された回路基板４を載置する工程と、
　回路基板４の基板電極５と半導体チップ１のチップ電極２との位置合わせを行い、ボンディングツールによってチップ電極１と基板電極５が接触する方向に半導体チップ１と回路基板４を加圧し、ホットプレート６で加熱することで、バンプ３と熱可塑性樹脂８とを溶融して、チップ電極１と基板電極５をバンプ３によって電気的に接続し、また、半導体チップ１の中央部に塗布された熱可塑性樹脂８を、半導体チップ１と回路基板４の間に一様に四方に拡散させて、半導体チップ１と回路基板４の間隙にある空気を熱可塑性樹脂８により押し出し、間隙に気泡を発生させることなく半導体チップ１と回路基板４の間を熱可塑性樹脂８で封止する工程と、
　を有する半導体装置の封止方法」
の発明（以下、「引用例発明２」という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本願補正発明１と、引用例発明２とを対比する。
（ａ）引用例発明２の「ハンダからできているバンプ３」、「チップ電極２」、「半導体チップ」は、それぞれ本願補正発明１の「半田バンプ」、「電極部」、「半導体素子」に相当する。また、引用例２の摘記（２ｂ）の「【従来の技術】半導体チップを回路基板に接続する方法として、ワイヤを用いずに、半導体チップと回路基板の両方もしくはどちらか一方の電極にハンダもしくは金（Ａｕ）のバンプを形成し、半導体チップをフェイスダウンの形で直接回路基板に実装する方法がある。この方法は一般にフェイスダウンボンディング法という。」との記載を参酌すれば、引用例発明２は、「フェイスダウンボンディング法」による実装方法に関する発明であると解され、一方、前記「フェイスダウンボンディング法」における「フェイス」とは、半導体チップの回路形成面（ｆａｃｅ）を意味すことが、本件出願時において周知の事項であることを前提とすれば、引用例発明２の「半導体チップの、チップ電極２が設けられている面」は、本願補正発明１の「電極部が設けられた回路形成面」に相当する。
　また、引用例発明２の「基板電極５」、「回路基板４」、「熱可塑性樹脂８」は、それぞれ本願補正発明１の「ボンディングパッド」、「パッケージ基板」、「封止材」に相当する。
　したがって、引用例発明２の「半導体チップの表面にチップ電極２を設け、チップ電極２の上にハンダからできているバンプ３を設ける工程」及び「ホットプレート上に、表面に基板電極５が形成された回路基板４を載置する工程」からなる工程は、本願補正発明１の「半田バンプを備えた電極部が設けられた回路形成面を有する半導体素子と、ボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面を有するパッケージ基板とを準備する工程」に相当し、また、引用例発明２の「ボンディングツールによってチップ電極１と基板電極５が接触する方向に半導体チップ１と回路基板４を加圧し、ホットプレート６で加熱することで、バンプ３と熱可塑性樹脂８とを溶融して、チップ電極１と基板電極５をバンプ３によって電気的に接続し、また、半導体チップ１の中央部に塗布された熱可塑性樹脂８を、半導体チップ１と回路基板４の間に一様に四方に拡散させて、半導体チップ１と回路基板４の間隙にある空気を熱可塑性樹脂８により押し出し、間隙に気泡を発生させることなく半導体チップ１と回路基板４の間を熱可塑性樹脂８で封止する工程」は、本願補正発明１の「前記電極部と前記ボンディングパッドとを加熱処理をして接合する際に、前記接合と同時に前記加熱処理により前記封止材を流動させ、前記封止材により前記半導体素子と前記パッケージ基板との間を封止する工程」に相当する。
　
（ｂ）本願補正発明１と、引用例発明２は、いずれも、（イ）封止しようとする対向する２つの面の内の間に封止材を設けること、（ロ）前記封止材を、前記対向する面上に設けられた電極部と、これに接続するボンディングパッドが占める領域を被覆することなく設けること、及び（ハ）封止材を、中央が盛り上がったドーム状に設けることで一致する。
　
（ｃ）引用例発明２の「チップ電極１と基板電極５をバンプ３によって電気的に接続し、半導体チップ１と回路基板４の間を熱可塑性樹脂８で封止する」ことは、半導体チップの回路基板への実装にほかならないから、引用例発明２の「半導体装置の封止方法」は、本願補正発明１の「半導体素子の実装方法」に相当する。
　
　そうすると、本願補正発明１と、引用例発明２とは、以下の点で一致するといえる。
「半田バンプを備えた電極部が設けられた回路形成面を有する半導体素子と、ボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面を有するパッケージ基板とを準備する工程と、
　前記パッケージ基板の前記半導体素子実装面に、前記ボンディングパッドを被覆することなく中央が盛り上がったドーム状の封止材を設けるか、又は、前記パッケージ基板の前記半導体素子実装面と対向する前記半導体素子の対向する面上に前記電極部を被覆することなく中央が盛り上がったドーム状の封止材を設ける工程と、
　前記電極部と前記ボンディングパッドとを加熱処理をして接合する際に、前記接合と同時に前記加熱処理により前記封止材を流動させ、前記封止材により前記半導体素子と前記パッケージ基板との間を封止する工程と、
　を有すること特徴とする半導体素子の実装方法」
　
　一方、本願補正発明１と、引用例発明２とは、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　本願補正発明１では、中央が盛り上がったドーム状の封止材は、パッケージ基板の半導体素子実装面に設けられるのに対して、引用例発明２では、半導体素子の電極部が設けられている面に設けられている点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
＜相違点１について＞
（ａ）引用例４の上記摘記（３ａ）に記載された半導体装置の製造方法における「半導体キャリアの第１面上に設けられた補強樹脂」、及び、引用例５の上記摘記（４ａ）に記載された半導体装置の製造方法における「配線基板にポッティングした熱硬化性の樹脂１５」は、いずれも、本願補正発明１の「封止材」に相当する。してみれば、引用例４、引用例５には、基板に半導体素子をフェイスダウン法で接合する際に、前記接合と同時に、基板の半導体実装面とこれと対向する半導体素子との間に設けられた封止材を流動させ、前記封止材により前記半導体素子と前記基板との間を封止する方法において、封止材を、基板の半導体素子実装面に設けておくことが記載されていると認められる。
（ｂ）引用例３の上記摘記（１ｃ）には「なお、上記実施形態では、フィルム基板２２の上面における所定の箇所に樹脂２４を塗布したが、これに限らず、図３に示す塗布位置の変形例のように、半導体チップ２５の下面における所定の箇所に樹脂２４を塗布してもよい。」と記載されており、樹脂２４の塗布位置として、基板上面と半導体チップ下面のいずれをも選択可能であったことが示されている。
　
　そうすると、上記（ａ）、（ｂ）に照らして、半導体素子と基板との間に介在させる樹脂を設ける場所として、半導体素子の下面と、基板の上面のいずれを選ぶことも本件出願前に周知の事項であったと認められる。してみれば、引用例発明２において、封止材を半導体素子の電極部が設けられている面に設けることに替えて、半導体素子実装面に設けることは、当業者が適宜なし得たことであるといえる。また、このような構成を採用したことによる効果も、当業者が予測する範囲のものと認められる。
　
　したがって、本願補正発明１は、引用例２に記載された発明と、引用例３−５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　また、本願補正発明４は、方法の発明である本願補正発明１の半導体素子の実装方法を用いて製造した半導体装置を含むものとして、物の発明である半導体装置を特定したものである。したがって、本願補正発明１と同様の理由により、本願補正発明４は、引用例２に記載された発明と、引用例３−５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　審判請求人は、平成２１年６月２２日提出の回答書において「引用文献２のように、熱可塑性樹脂８を半導体チップ１側に塗布した場合、後の工程において半導体チップ１を回路基板４上に搭載（実装）する際に、仮硬化されているとは言え、熱可塑性樹脂８が半導体チップ１から落下してしまう可能性が考えられます。これに対して本願発明では、このような落下の可能性はありません。」というように引用例発明２の不具合を述べ、本願補正発明１の効果を主張するので、この点について更に検討する。
　審判請求人の前記主張は、封止材を塗布した面の向きに起因する封止材への重力の影響について主張しているものと解される。しかしながら、本願補正発明１は、封止材を設ける面を規定するだけであって、封止材を設けた面の向きを何ら規定するものではない。すなわち、平成１９年１１月５日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定される本願補正発明１は、封止材が半導体素子実装面に設けられることを規定するだけであって、前記半導体素子実装面が、重力方向に対してどちらを向いているかは特定しない。その結果、本願補正発明１は、例えば、パッケージ基板の半導体素子実装面を上向きに保持して封止材を塗布し、その後前記半導体素子実装面を下向きに回転させて、その後半導体素子と接合する方法をも特許を請求する範囲に含むものと解される。すなわち、仮に引用例発明２が、審判請求人の主張する、熱可塑性樹脂が半導体チップから落下してしまう可能性を有するのであれば、本願補正発明１も同様に、封止材が半導体素子実装面から落下する可能性を有する場合を含むものといえるから、審判請求人の主張する引用例発明２が有する不具合は、本願補正発明１においても起こりえるものである。してみれば、本願補正発明１において半導体素子実装面の向きが特定の向きに限定されていることを前提とした審判請求人の前記主張は、前提を欠き採用することができない。
　
　したがって、本願補正発明１、及び、本願補正発明４は、引用例２に記載された発明と、引用例３−５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
 （２−４）本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明１、及び、本願補正発明４は、特許法第２９条第１項第３号、あるいは、同条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１９年１１月５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−５に係る発明（以下、「本願発明１」−「本願発明５」という。）は、平成１８年１２月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　
（３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平９−２１３７４５号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（５ａ）「【請求項１】基板の主面に形成されたパッドの内側に熱可塑性樹脂を配置し、バンプに可撓性を有する導電性樹脂を設けた部品のバンプと該基板のパッドとを圧接・加熱して固定し、該バンプの周囲に熱硬化性樹脂を充填して硬化させることにより、該部品と該基板とを固着する部品の表面実装方法。」（【請求項１】）
　
（５ｂ）「【請求項３】該基板上の熱可塑性樹脂の高さは、該バンプの高さと該パッドの高さとの総和より大としてなる請求項１乃至２記載の部品の表面実装方法。」（【請求項３】）
　
（５ｃ）「【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器の回路構成用に使用されるプリント板ユニットの半導体素子等の部品の表面実装方法に関するものである。
【従来の技術】近年、電子機器の小型化・軽量化・高能率化など多くの機能が要求されるに伴い、電子機器に装着されるプリント基板には多数のチップ部品を高密度で実装することが要求されるに至っている。そのため、実装面積や配線長さ製品性能を大きく作用する要因となっているため、裸のＬＳＩチップ（ベアチップ）によるマルチチップモジュールが多く利用されているのが現状である。」（【０００１】−【０００２】）
　
（５ｄ）「【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、図１に示すように基板２のパッド2aの内側に熱可塑性樹脂３を供給し、硬化炉で硬化してアウトガスをとばす。そこに、あらかじめバンプ1aに硬化後も弾性力のある導電性樹脂1bを供給、硬化したベアチップ１をボンディングヘッド５で保持し、バンプ1aを上記基板２の該パッド2aに圧接して、ボンディングヘッド５または基板ステージ６からの加熱により上記熱可塑性樹脂３を軟化させて該パッド2aと該バンプ1aを導通させた状態でベアチップ１と基板２を固定する。」（【０００７】）
　
（５ｅ）「次に、図１（ｂ）に示すようにベアチップ１を実装しようとする基板２の主面（表面）の回路パターンであるパッド2aの内側にベアチップ１を実装後もバンプ１ａがパッド2aまで達しない高さに熱可塑性樹脂３を塗布し、硬化炉で熱可塑性樹脂３を乾燥させてアウトガスをとばしておく。熱可塑性樹脂３としては、例えば、ステイスティック製の「#383」を使用している。本樹脂は、150 ℃で軟化する熱可塑性高分子樹脂である。ここで、導電性樹脂を含むバンプ１ａの高さをｔ1 （40μｍ）とし、パッド2aの高さをｔ2 （40μｍ）、熱可塑性樹脂３の高さをｔ0 （90μｍ）とすると、ｔ0 ＞ｔ1 ＋ｔ2 なる関係としてある。その後、図１（ｃ）に示すように、図１（ａ）で示したベアチップ１をボンディングヘッド５で吸着し、バンプ1aと図１（ｂ）で示した基板２のパッド2aとが互いに対向するように実装する。この際にボンディングヘッド５からの伝熱、又は基板ステージ６からの伝熱により、熱可塑性樹脂３は軟化しベアチップ１と基板２は固定される。バンプ1aに供給した可撓性導電性樹脂1bはパッド2aと弾性変形した状態で常時接しているのでベアチップ１と基板２との導通がとれ、基板材料の選択の自由度がある。」（【００１０】−【００１２】）
　
　そうすると、引用例１の摘記（５ａ）−（５ｅ）をまとめると、引用例１には、
「ベアチップ１を実装しようとする基板２の主面（表面）の回路パターンであるパッド２ａの内側にベアチップ１を実装後もバンプ１ａがパッド２ａまで達しない高さに熱可塑性樹脂３を塗布し、
　ベアチップ１をボンディングヘッド５で保持し、バンプ１ａを上記基板２の該パッド２ａに圧接して、ボンディングヘッド５または基板ステージ６からの加熱により上記熱可塑性樹脂３を軟化させて該パッド２ａと該バンプ１ａを導通させた状態でベアチップ１と基板２を固定する方法」
の発明（以下、「引用例発明１」という。）が記載されているといえる。
　
（３−２）対比・判断
　本願発明１と、引用例発明１とを比較する。
（ａ）引用例発明１の「ベアチップ１」、「基板」、「パッド２ａ」、「主面（表面）」、「熱可塑性樹脂３」は、それぞれ順に、本願発明１の「半導体素子」、「パッケージ基板」、「ボンディングパッド」、「半導体素子実装面」、「封止材」に相当する。してみれば、引用例発明１の「パッド２ａの内側に・・・熱可塑性樹脂３を塗布し」は、本願発明１の「ボンディングパッドが設けられた半導体素子実装面に、前記ボンディングパッドを被覆することなく封止材を設け」に相当するといえる。
　
（ｂ）引用例発明１の熱可塑性樹脂３は、ベアチップ１のバンプ１ａと基板のパッド２ａとを圧接・加熱して固定する際の加熱により軟化し、塗布時には「ベアチップ１を実装後もバンプ１ａがパッド２ａまで達しない高さ」を有するものが、前記圧接・加熱後には、少なくとも「ベアチップ１のバンプ１ａがパッド２ａに達する高さ」にまで、高さを減少させるものである。してみれば、引用例１発明の前記圧接・加熱は、熱可塑性樹脂３を軟化させ、高さを減少させるように熱可塑性樹脂３の形状を変化させるのであるから、熱可塑性樹脂３は前記圧接・加熱によって「流動」させられるものであるといえる。
　また、前記熱可塑性樹脂３は、ベアチップ１を基板２に固定するのであるから、ベアチップ１の下面と、基板２との間に存在する間隙の一部を充填するものである。一方、本願明細書の【００２４】の「有機樹脂基板１０上のエポキシ系封止樹脂１４ａが半導体素子１６の回路形成面１６ａにより押圧されて半導体素子１６と有機樹脂基板１０との間に広がって半導体素子１６と有機樹脂基板１０との間を封止する。エポキシ系封止樹脂１４ａの量は、前述したように、半導体素子１６と有機樹脂基板１０とをボンディングしたときに半田バンプ２０とボンディングパッド１２との接合部に達しない量に調節されているため、図１（ｃ）に示すように、半田バンプ２０とボンディングパッド１２との接合部が未封止領域とされた状態で第１の封止材であるエポキシ系封止樹脂１４ａによる封止が終了する。」との記載、及び、本願の図１（ｃ）の記載からは、半導体素子１６と有機樹脂基板１０との間に形成される間隙の、少なくともその一部を、エポキシ系封止樹脂１４ａが充填することを「封止」と規定し、また、この「封止」を行う材料を「封止材」と規定しているものと認められる。してみれば、引用例発明１の前記熱可塑性樹脂３は、ベアチップ１と基板２との間を「封止」するものであるといえる。
　そして、引用例発明１の「ベアチップ１をボンディングヘッド５で保持し、バンプ１ａを上記基板２の該パッド２ａに圧接して、ボンディングヘッド５または基板ステージ６からの加熱により上記熱可塑性樹脂３を軟化させて該パッド２ａと該バンプ１ａを導通させた状態でベアチップ１と基板２を固定する」は、「ボンディングヘッド５または基板ステージ６からの加熱」により、「パッド２ａとバンプ１ａとの導通」と、「ベアチップ１と基板２を固定」とを同時に行うことを示しているといえる。
　してみれば、引用例発明１の「ベアチップ１をボンディングヘッド５で保持し、バンプ１ａを上記基板２の該パッド２ａに圧接して、ボンディングヘッド５または基板ステージ６からの加熱により上記熱可塑性樹脂３を軟化させて該パッド２ａと該バンプ１ａを導通させた状態でベアチップ１と基板２を固定する方法」は、本願発明１の「前記電極部と前記ボンディングパッドとを加熱処理をして接合する際に、前記接合と同時に前記加熱処理により前記封止材を流動させ、前記封止材により前記半導体素子と前記パッケージ基板との間を封止すること」に相当するといえる。
　
（ｃ）引用例発明１の「パッド２ａとバンプ１ａを導通させた状態でベアチップ１と基板２を固定する方法」は、本願発明１の「半導体素子の実装方法」に相当する。
　
　以上によれば、本願発明１と引用例発明１とは、本願発明１を構成する要件の全てにおいて一致する。よって、本願発明１は、引用例１に記載された発明である。
　
　なお、審判請求人は、平成１８年１２月１３日付けの意見書において「引用文献１には、基板とベアチップとを容易に離脱することを目的とし、この目的を達成するために、基板とベアチップとをボンディングヘッドからの伝熱により熱可塑性樹脂を軟化させ固定することが記載されております。しかしながら、エポキシ系樹脂を流動させることにより基板とベアチップとを固定する記載はございません。」と主張するが、本願発明１は、「エポキシ系樹脂」を発明を特定する事項として含まないから、封止材が「エポキシ系樹脂」であることを前提とした審判請求人の前記主張は前提を欠き採用できない。
　また、同意見書において更に「また、バンプとパッドとの接続部を流動性の優れた熱硬化性樹脂で充填するということが段落番号〔００１３〕に記載されていることから、熱可塑性樹脂が軟化する挙動を示す場合、流動する挙動を示す場合と比較して一般的に樹脂の粘性が高いことが言えるため、熱可塑性樹脂中に存在するボイドの発生を抑制し難く、ボイド内に水分が溜まることに起因するリフロー耐性の低下や耐湿性の低下を防ぐことが困難であることが言えます。」とも主張するが、本願発明１は、封止材の粘性を何ら規定しない発明であるから、封止材の粘性が低いことを前提とした審判請求人の前記主張も採用することができない。
　
（３−３）むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。