【事件の表示】
　平成１０年特許願第５１２４５０号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月１２日国際公開、ＷＯ９８／１０５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、１９９６年９月６日を国際出願日とする国際出願であって、平成１７年１１月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．平成１７年１２月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１２月７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「金属基板と、該金属基板上に、絶縁層を介して固定される複数の配線と、パワー半導体素子を含み前記複数の配線に電気的に接続されるパワー回路部と、
外部へ接続される制御端子と、外部へ接続される入出力端子と、
　前記パワー回路部は、前記複数の配線間に電気的に接続される複数の回路部分を有し、
　該複数の回路部分は、少なくとも２つ以上の同一
形状
　前記複数の回路部分
の同一形状の回路部分
とともに
同一形状に
し、前記同一形状の回路部分は、３相インバータ回路の１相分を含む
　と補正された。
　
２．本件請求項１の補正事項について
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「金属基板」について「外部へ接続される制御端子と、外部へ接続される入出力端子と」を備えるとの限定、また「複数の回路部分」について、少なくとも２つ以上の同一「形状」との限定及びそれぞれ複数のパワー半導体素子「とともに」樹脂モールドによって「同一形状に」一体化されるとの限定、更に「同一形状の回路部分」について「同一形状の回路部分は、３相インバータ回路の一相分を含む」との限定を付加するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、即ち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するかについて、以下検討する。
　
３．引用刊行物
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−１９５０５３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、「インバータ装置」と題して、図面とともに次の事項が記載されている。
　（ア）　「【特許請求の範囲】
（１）金属基板と
前記基板上に貼着され且つ前記基板表面を露出させる複数の孔が設けられた絶縁薄層と
前記絶縁薄層上に形成された所望形状の導電路と
前記孔で露出した前記基板上に固着された熱抵抗比の小さいセラミックス片と
前記セラミックス片上に固着され前記導電路と接続されたパワーインバータの主回路となる複数のパワー素子と
前記主回路を駆動させ且つ前記基板上に配置された駆動回路となる複数の小信号回路素子とを具備したことを特徴とするインバータ装置。」（１頁左下欄５ないし１７行）
　（イ）　「第１図および第２図に示す如く、本発明のインバータ装置は、金属基板（１）と、その基板−主面上に貼着された複数の孔（２ａ）を有した絶縁薄層（２）と、絶縁薄層（２）上に形成された所望形状の導電路（３）と、孔（２ａ）によって露出された基板（１）上に固着されたセラミックス片（４）と、セラミックス片（４）上に固着されたパワー素子（５）と、導電路（３）上に固着された複数の小信号素子（６）とから構成されている。」（３頁左上欄１１ないし１９行）
　（ウ）　「本実施例では三相インバータを用いているために孔（２ａ）は６個形成されることになる。」（３頁右上欄１２ないし１４行）
　（エ）　「導電路（３）は第１図から明らかな如く、パワー用の導電路（３ａ）と小信号用の導電路（３ｂ）とが形成される。パワー用の導電路（３ａ）は孔（２ａ）間を延在する様に形成され、その延在され基板（１）の周端辺にはパワー用リード端子が固着されるパワー用パッド（３Ｃ）が形成される。一方、小信号用の導電路（３ｂ）はパワー用の導電路（３ａ）を挾む様に基板（１）の両端部の領域に形成され、パワー用パッド（３Ｃ）の対向辺側に導電路（３ｂ）が延在され小信号用のパッド（３ｄ）が形成される。」（３頁右上欄１９行ないし左下欄９行）
　（オ）　「セラミックス片（４）上に固着したパワー素子（５）とパワー用の導電路（３ａ）とはアルミニウム線によってボンディング接続しインバータの主回路となる様にブリッジ接続を行う。本実施例ではセラミックス片（４）が孔（２ａ）によって独立状態であるために、上述した主回路を構成すべきブリッジ回路を形成するためにセラミックス片（４）とパワー用の導電路（３ａ）とを接続してインバータの主回路を形成することができる。」（３頁右下欄１１ないし１９行）
　（カ）　第１図には、それぞれが２つのパワー素子からなり、かつ、３相インバータ回路の１相分を含んでいる３つの回路部分、即ち、Ｕ相に関係する回路部分、Ｖ相に関係する回路部分及びＷ相に関係する回路部分、及び、金属基板上に備えられた３相出力用のパッドが開示されている。
　
　これら記載事項及び図示内容を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　
「金属基板と、
該金属基板上に、絶縁薄層上に形成された複数の導電路と、
パワー素子を含み前記複数の導電路と接続されたＵ相，Ｖ相，Ｗ相に関係する回路部分と、
小信号用のパッドと、パワー用パッドと、３相出力用のパッドと、を備え、
　前記Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相に関係する回路部分は、前記複数の導電路に接続された３つの回路部分を有し、
　前記３つの回路部分は、それぞれ２つのパワー素子からなり、かつ前記複数の導電路と接続されており、
　前記回路部分は、３相インバータ回路の１相分を含むインバータ装置。」
　
（２）　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−２２６４８１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、「パワー半導体モジュールとその製造方法」と題して、図面とともに次の事項が記載されている。
　（ア）　「【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。図１は、本発明によるパワー半導体モジュールの一実施例を示す構成図である。図１の側面図において、絶縁基板部分は、図２に示した従来のパワー半導体モジュールと同様であり、アルミ又は銅等の金属基板５の全面に、厚さが０．１ｍｍ程度の樹脂の絶縁層４を接着或は圧着している。また、絶縁層４の上部に導電性の箔を接着或は圧着している点についても、従来のモジュールに使用されている絶縁基板の構造と同じであり、エッチングなどの方法で上記導電性の箔から配線パターン３を形成している。次に、図１の上面図において、配線パターン３上の所定の箇所に、パワー半導体チップ１−１、１−２を固着した銅の熱拡散板２−１、２−２をそれぞれ半田付けし、パワー半導体チップ１−１、１−２と配線パターン３をボンディングワイヤ１１で接続している。その他、ゲートドライブ用のＩＣ７−１、７−２も絶縁基板上に固着するとともに配線パターン３を用いてパワー半導体チップ１−１、１−２と接続している。以上の構成については従来の技術と同じである。尚、本実施例では、パワー半導体素子１−１、１−２をモールドしていないチップとして搭載しているが、上記方法以外としてチップを表面実装パッケージに搭載し、このパッケージを配線パターン３に半田付けしても良い。本発明によるパワー半導体素子モジュールの特徴は、パワー半導体素子１に流れる電流を上記配線パターン３に比べて厚みの厚い導電体から一体形成したリードフレーム形状の入出力配線１２−１〜１２−３を用いて流すことにある。上記リードフレーム形状の入出力配線１２−１〜１２−３の構成に関しては、図４、図５を用いて後述する。このリードフレーム形状の入出力配線１２−１〜１２−３は、それぞれパワー半導体チップ１直下の配線パターン３と電気的に結合している。即ち、絶縁基板上の入出力配線を配置する箇所に、予めこれらの配線とほぼ同じ幅を有する配線パターン３を導電性の箔からエッチング等の方法で形成し、この配線パターン３上にリードフレーム形状の入出力配線１２−１〜１２−３を半田付けなどの方法で結合させる。端子６−１〜６−３は、パワー半導体素子１に流れる電流の入出力端子であり、また、図１には枝番号を略したが、複数ある端子８はドライバＩＣ７−１、７−２の信号入力端子である。入出力端子６−１〜６−３は導電体のリードフレーム形状の入出力配線１２−１〜１２−３、或はその直下の配線パターン３に電気的に結合する。端子８はドライバＩＣ７−１、７−２に接続された配線パターン３に電気的に結合する。このようにして、絶縁基板上に固着した配線パターン３、導電体のリードフレーム形状の入出力配線１２−１〜１２−３、パワー半導体チップ１−１、１−２、ドライバＩＣ７−１、７−２は、入出力端子６−１〜６−３、信号端子８を除いて側面図に示す樹脂９で外形をモールドし、その内部にはゲル状の絶縁物１０を封入する。」
　（イ）　「また、図１の実施例ではインバータのハーフブリッジをモジュール化した例を示した・・・」（段落【０００８】７ないし８行）
　
４．対比
（１）　本願補正発明と引用発明とを対比すると、次の点が明らかである。
　（ア）　後者の「絶縁薄層上に形成された複数の導電路」は、その作用・機能からみて、前者の「絶縁層を介して固定される複数の配線」に相当する。
　（イ）　後者の「パワー素子」は、その作用・機能からみて、後者の「パワー半導体素子」に相当し、また後者の「複数の導電路と接続された」は前者の「複数の配線に電気的に接続される」に、後者の「Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相に関係する回路部分」は前者の「パワー回路部」に、それぞれ相当している。
　（ウ）　後者の「小信号用のパッド」は、その作用・機能からみて、前者の「外部へ接続される制御端子」に相当する。
　（エ）　後者の「パワー用パッド」及び「３相出力用のパッド」は、その作用・機能からみて、「外部へ接続される入出力端子」に相当する。
　（オ）　後者の「複数の導電路に接続された３つの回路部分」は、その作用・機能からみて、前者の「複数の配線間に電気的に接続される複数の回路部分」に相当する。
　（カ）　後者の「３つの回路部分は、それぞれ２つのパワー素子からなり」と前者の「複数の回路部分の同一形状の回路部分はそれぞれ複数のパワー半導体素子とともに樹脂モールドによって同一形状に一体化され」とは、少なくとも「複数の回路部分はそれぞれ複数のパワー半導体素子からなり」の概念で共通する。
　（キ）　後者の「インバータ装置」は、パワー素子、即ち、半導体素子で構成されているものであることから、前者の「半導体装置」に相当するといえる。
　　
　以上によれば、本願補正発明と引用発明との一致点、相違点は以下のとおりとなる。
　
（２）　一致点
「金属基板と、該金属基板上に、絶縁層を介して固定される複数の配線と、パワー半導体素子を含み前記複数の配線に電気的に接続されるパワー回路部と、外部へ接続される制御端子と、外部へ接続される入出力端子と、を備え、
　前記パワー回路部は、前記複数の配線間に電気的に接続される複数の回路部分を有し、
　該複数の回路部分は、それぞれ複数のパワー半導体素子からなり、前記回路部分は、３相インバータ回路の１相分を含む半導体装置。」
　
（３）　相違点
　（ア）　相違点１
　複数の回路部分に関し、本願発明は「少なくとも２つ以上の同一形状の回路部分」を有しているのに対し、引用発明は３つの回路部分を有するものの形状については明確にされていない点。
　（イ）　相違点２
　複数の回路部分に関し、本願発明は複数の半導体素子「とともに樹脂モールドによって同一形状に一体化され、かつ複数の配線と接着される制御端子と入出力端子とを有し」ているのに対し、引用発明のものはそのような構成を有しない点。
　
５．相違点についての判断
（１）　上記相違点１及び２について検討する。
　引用刊行物２には、インバータのハーフブリッジを樹脂で外形をモールドしてモジュール化し、かつ電流の入出力端子及び信号入力端子を有するパワー半導体モジュールが開示されている。
　また例えば、特開昭６２−１２６８６９号公報（４頁左上欄２ないし９行、第９図）、特開平８−１３０２９０号公報（段落【０００３】）にもあるように、３相インバータ回路を構成する場合に、１相分のインバータ回路を一つのパッケージとして、同一形状のパッケージを３つ並列して構成することは、出願前周知の技術である。
　そうすると、引用発明において、上記引用刊行物２に記載された技術及び周知の技術に基づき、インバータ回路の１相分毎に、即ち、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相に関係する３つの回路部分毎に、それぞれ樹脂モールドによって同一形状に一体化させ、かつ基板上の導電路と接着させるよう制御用の端子と入出力用の端子を設けて、上記相違点に係る本願補正発明の構成を想到することは、当業者であれば容易になし得たものというべきである。
　
（２）　そして、本願補正発明の全体構成により奏される効果も、引用刊行物１及び２に記載された発明並びに周知の技術から、当業者であれば予測し得る範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明並びに周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下を免れない。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成１７年１２月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１７年１０月３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「金属基板と、該金属基板上に、絶縁層を介して固定される複数の配線と、パワー半導体素子を含み前記複数の配線に電気的に接続されるパワー回路部と、を備え、
　前記パワー回路部は、前記複数の配線間に電気的に接続される複数の回路部分を有し、
　該複数の回路部分は、少なくとも２つ以上の同一の回路部分を有し、
　前記複数の回路部分はそれぞれ複数のパワー半導体素子が樹脂モールドによって一体化され、かつ前記複数の配線と接着される制御端子と入出力端子とを有する半導体装置。」
  　
２．刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された上記刊行物及びその開示事項は、前記「第２．３」に記載したとおりである。
　
３．対比
　本願発明は、前記「第２」において検討した本願補正発明から、「金属基板」について「外部へ接続される制御端子と、外部へ接続される入出力端子と」を備えるとの限定、また「複数の回路部分」について、少なくとも２つ以上の同一「形状」との限定及びそれぞれ複数のパワー半導体素子「とともに」樹脂モールドによって「同一形状に」一体化されるとの限定、更に「同一形状の回路部分」について「同一形状の回路部分は、３相インバータ回路の一相分を含む」との限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２．４及び５」に記載したとおり、引用刊行物１及び２に記載された発明並びに周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用刊行物１及び２に記載された発明並びに周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。