【事件の表示】
　平成　６年特許願第　４１３３７号「ヘッドの端子形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　９月２６日出願公開、特開平　７−２４９２０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成６年３月１１日の出願であって、平成１３年１月１５日付け及び平成１５年４月２２日付けで手続補正がなされ、その後同年７月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月２９日付けで手続補正がなされたが、当該同年９月２９日付け手続補正は、当審において平成１７年１２月２２日付けで決定により却下され、同日付けで最後の拒絶理由を通知したところ、平成１８年３月３日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年３月３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月３日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、
　（ａ）　「【請求項１】　基板の表面に下地膜を形成し、当該下地膜の表面に、形成される端子の高さよりも厚いフォトレジスト膜を形成する第１のステップと、
　マスクを用いて前記フォトレジスト膜に露光を行い、露光後に前記フォトレジスト膜の現像を行って、前記フォトレジスト膜に端子パターンを形成する第２のステップと、
　Ｏ２雰囲気中でＲＩＥ処理を前記フォトレジスト膜の表面に施す第３のステップと、
　前記ＲＩＥ処理が施された前記基板を浸漬液に浸漬したまま減圧環境下におき減圧処理を行う第４のステップと、
　前記フォトレジスト膜を形成していない領域にめっきを行い、前記フォトレジスト膜および前記下地膜を除去し、保護膜を形成し、当該保護膜の表面をラップ加工して端子出しを行う第５のステップと、
　を有することを特徴とするヘッドの端子形成方法。」を、　
　（ｂ）　「【請求項１】　基板の表面に下地膜を形成し、当該下地膜の表面に、形成される
下部
　マスクを用いて前記フォトレジスト膜に露光を行い、露光後に前記フォトレジスト膜の現像を行って、前記フォトレジスト膜に
下部
　Ｏ２雰囲気中でＲＩＥ処理を前記フォトレジスト膜の表面に施す第３のステップと、
　前記ＲＩＥ処理が施された前記基板を浸漬液に浸漬したまま減圧環境下におき
めっきの前処理を行うことにより、当該浸漬の際に生じた、前記下部端子パターンの開口の下地膜上へのめっきを妨げる気泡を除去する
　前記フォトレジスト膜を形成していない
前記開口の下地膜上
下部端子の
前記下部端子パターンの開口は、アスペクト比が０．５以上１．８以下であり
前記下部端子は、前記保護膜及び前記下部端子の上に形成された上部端子を介してリード線との接続をとる
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「端子」について、「下部端子」と補正するとともに「前記下部端子パターンの開口は、アスペクト比が０．５以上１．８以下であり、前記下部端子は、前記保護膜及び前記下部端子の上に形成された上部端子を介してリード線との接続をとる」と補正して限定を付加し、同じく「減圧処理を行う第４のステップ」について「めっきの前処理を行うことにより、当該浸漬の際に生じた、前記下部端子パターンの開口の下地膜上へのめっきを妨げる気泡を除去する」との限定を付加し、同じく「第５のステップ」におけるフォトレジスト膜を形成していない「領域」を「開口の下地膜上」と補正して限定を付加するものであるから、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下検討する。
　
２．　引用例
（１）　当審の拒絶の理由に引用した特開平５−１２６２４号公報（以下「引用例１」という。）には、「ボンディングパッドの形成方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「【請求項１】
保護膜に囲まれてリード線を接続する端子を下地上に有したボンディングパッドの形成方法において、下地上にレジスト層を前記端子の形成部分を除き、かつ形成される端子の膜厚よりも厚く形成し、上記下地上のレジスト層を形成していない部分に導電体からなる端子を形成し、前記レジスト層を取り除いた後に保護膜を成膜し、次いでこの保護膜の上面を研摩して前記端子を所定量露出することを特徴とするボンディングパッドの形成方法
　（イ）　「【０００２】【従来の技術】　薄膜磁気ヘッドは半導体製造プロセスに使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドであって、半導体プロセスレベルのパターン精度で製造されるので、記録密度を格段に高くできる特徴をもっている。」
　（ウ）　「【０００５】さらにこの種の
薄膜磁気ヘッドに用いられているボンディングパッド
ボンディングパッドは下部端子４０とその上に形成された上部端子４２から概略構成され、下部端子４０は、基板３０上に積層された
上で、
引出端子２２上に形成され
引出端子２２と下部端子４０の間には下地膜５０が
上部端子４２にリード線４８が接続され、
　（エ）　「【００１３】【作用】本発明のレジスト層の膜厚を厚くした形成方法によれば、
導電体をメッキして端子を形成する際に
端子の膜厚よりも厚いレジスト層を形成し、そのレジスト層に囲まれるパターン部分にのみに端子を形成するものなので、端子を柱状に形成することができ
　（オ）　「【００１５】【実施例】本実施例のボンディングパッドの形成方法を図１ないし図４を用いて説明する。
下地５１上の下部端子４１の形成される位置を除いてレジスト層５５をパターニングする
感光性ドライフィルムレジスト
【００１６】その後、硫酸銅浴中で電解メッキにて銅を析出させて図１に示すように下部端子４１をレジスト層５５の間に形成する。
【００１７】そしてレジスト層５５を溶剤で溶かして除去し、図２のように柱状の下部端子４１を形成する。さらにアルミナなどをスパッタして第２保護膜４６を成膜する。（図３）その後、上面を研摩して図４のように下部端子４１を所定量露出させるとともに上面を平坦化する。
【００１８】本実施例の形成方法によれば、下部端子４１の下部周縁に従来の部位５８のような凹部などがないので、第２保護膜４６をスパッタした場合に下部端子４１の周縁下方に空洞が生じることがなく、第２保護膜４６のステップカバレッジを良好にすることができ、ヘッドの信頼性が高いものである。」
　（カ）　「【００２１】尚、本実施例では
薄膜磁気ヘッドに形成されるボンディングパッドに適用した
　（キ）　本実施例の前提となる従来例のボンディングパッドの断面図である図６には、下地膜５０が下部端子４０の下層となる部分以外は除去されていること、及び上部端子４２は、平坦化された下部端子４０と保護膜４６の上に形成されていることが図示されている。　
　
（２）　同じく当審の拒絶の理由に引用した特開平３−１９５０２６号公報（以下「引用例２」という。）には、「メッキによる電極の形成方法」に関し、次の事項が記載されている。
　（サ）　「【特許請求の範囲】基板上に電極形成部分を除いてメッキレジストを被覆し、前記電極形成部分と対応する箇所のメッキレジストに開口部を形成した上、メッキを施して前記開口部内の前記電極形成部分に電極を形成するメッキによる電極の形成方法において、
　前記
メッキレジストの表面に親水処理を施した後、メッキを施す
　（シ）　「［発明が解決しようとする課題］
　しかし、上述した外部電極の形成方法では、メッキレジストが数μｍ程度の薄い膜厚であると、メッキ層が開口部内からメッキレジストの上方に成長して「きのこ」状に盛り上がるため、外部電極はメッキ層の盛り上がりに伴って面方向に広がる。そのため、外部電極の間隔が微細ピッチになると外部電極同士がシュートし易くなり、外部電極を微細ピッチで形成することができないという問題がある。
　このようなことから、最近ではメッキレジストの厚さを数十μｍ程度に厚く形成する方法が検討されている。しかし、メッキレジストはメッキ液がなじまない疎水性であるから、メッキレジストを厚く形成すると、
メッキを施す際にメッキ液がメッキレジストの開口部内に確実に侵入せず、開口部内に空気溜り等が発生し易くなり
　この発明の目的は、
メッキレジストを厚く形成しても、また電極が微細ピッチ化および微細パターン化しても、開口部内の電極形成部分に確実にメッキを施して電極を形成することのできるメッキによる電極の形成方法
　（ス）　「［実施例］
　以下、第１図〜第５図を参照して、この発明の一実施例を説明する。
　（略）シリコン基板１のＡｌパッド３および絶縁膜４の全表面に蒸着またはスパッタ等により下地金属層５を形成した上、下地金属層５上にメッキレジスト２をスピーンコート等により膜厚２０〜４０μｍ程度に厚く塗布する。この状態で、フォトマスクを介してメッキレジスト２を露光し現像することにより、メッキレジスト２の不要な部分を除去して、Ａｌパッド３と対応する箇所に開口部６を形成する。これにより、メッキレジスト２が所定形状にパターン形成され、開口部６内にＡｌパッド３と対応する下地金属層５が露呈する。この後、メッキレジスト２を乾燥する。
　次に、第２図に示すように、メッキレジスト２の表面に親水処理を施す。すなわち、メッキレジスト２の表面は疎水性を示すので、親水処理を施してメッキレジスト２の表面を親水性にする。この
親水処理は、例えば酸素等のガス雰囲気中において、反応性イオンエッチング等のドライエッチングにより行なわれる
　この後、第３図に示すように、
メッキレジスト２の表面を液体８で濡らす
　次に、第４図および第５図に示すように、
シリコン基板１の表面にメッキを施す
　
　（３）　同じく当審の拒絶の理由に引用した特開平２−２３６２９５号公報（以下「引用例３」という。）には、「電気メッキ方法」に関し、次の事項が記載されている。
　（タ）　「（１）内部に被メッキ部材と陽極板とを対向して配置した
メッキ槽を真空に排気し、続いて槽内に供給したメッキ液中に前記被メッキ部材を浸した後、
（２）電気メッキ中においても真空排気を続けることを特徴とする請求項第１項に記載の電気メッキ方法。」（公報１頁左下欄特許請求の範囲） 
　（チ）　「［産業上の利用分野］
　本発明は平板状の被メッキ部材にメッキ膜を形成する電気メッキ方法に関する。」（公報１頁左下欄１４行〜１６行）
　（ツ）　「［従来の技術］
　（略）バンプ電極は典型的にはインジウム等の軟質金属からなり、直径２５ミクロン、高さ１０ミクロン、ピッチ５０ミクロンで例えば６４×６４個配列されたものである。またその形成方法は、開口を設けたレジスト膜をメッキ下地金属膜上に形成し、続いてメッキ下地金属膜を陰極として開口部にのみバンプ電極をメッキ成長させた後，不用のレジスト膜とメッキ下地金属膜を除去するものである。
［発明が解決しようとする課題］
　しかし、こうした従来のバンプ電極用のメッキ膜形成では、第３図に示すように基板１のメッキ下地金属２上に形成されたレジスト膜３が疎水性のため、
その開口部はメッキ液５に充分に濡れにくく、開口部に気泡７が残り、メッキ不良が生じ易い。
素子を微細化するほど開口径が小さくなるため、濡れ性の悪さによるメッキ不良が顕著である
  
　（４）　同じく当審の拒絶の理由に引用した特開平２−１２９３９３号公報（以下「引用例４」という。）には、「半導体装置の製造方法」に関し、次の事項が記載されている。
　（ナ）　「【特許請求の範囲】上向きに配置したウェハ（１１）の上部からメッキ液（１２）を供給し、このメッキ液（１２）に含まれる気泡（１３）や微粒子（１４）をウェハ（１１）の上方の脱泡孔（１８）から除去してメッキすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（公報１頁左下欄） 
　（ニ）　「脱泡が完了したら通電してメッキをはじめる。」（公報３頁左下欄９行〜１０行） 
　
３．　対比判断
（１）　対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２（１）で摘示した記載事項、特に（ア）（ウ）（エ）（オ）（カ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「保護膜に囲まれてリード線を接続する端子を下地上に有したボンディングパッドの形成方法において、下地上にレジスト層を端子の形成部分を除き、かつ形成される端子の膜厚よりも厚く形成し、下地上のレジスト層を形成していない部分に導電体からなる端子を形成し、レジスト層を取り除いた後に保護膜を成膜し、次いでこの保護膜の上面を研摩して端子を所定量露出する、ボンディングパッドの形成方法であって、
　レジスト層は感光性であり、
　ボンディングパッドは、薄膜磁気ヘッドに用いられるボンディングパッドであり、下部端子とその上に形成された上部端子から構成され、下部端子は、基板上に形成された引出端子上に形成され、引出端子と下部端子の間には下地膜が形成され、上部端子にリード線が接続され、
　導電体をメッキして端子を形成する際に、端子の膜厚よりも厚いレジスト層を形成し、そのレジスト層に囲まれるパターン部分にのみに端子を形成するもので、端子が柱状である、
　ボンディングパッドの形成方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「端子」及び「下部端子」は、補正後の発明の「下部端子」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「ボンディングパッドの形成方法」は、「薄膜ヘッドに用いられるボンディングパッド」の「下部端子」に関する形成方法であるから、「ヘッドの端子形成方法」といえる。
　引用例１に記載された発明の「レジスト層」は、感光性であるから、補正後の発明の「フォトレジスト膜」に相当している。引用例１に記載された発明の「レジスト層」は、「端子の形成部分を除き、かつ形成される端子の膜厚よりも厚く形成」されるものであり、「下地５１上の下部端子４１の形成される位置を除いてレジスト層５５をパターニングする。」（上記（オ）段落１５）から、引用例１に記載された発明は、感光性レジスト層をパターニングするための、「マスクを用いてフォトレジスト膜に露光を行い、露光後にフォトレジスト膜の現像を行って、フォトレジスト膜に下部端子パターンを形成するステップ」を実質的に備えている。
　引用例１に記載された発明の「レジスト層を形成していない部分」や「レジスト層に囲まれるパターン部分」は、下部端子の形成部分であるから、「下部端子パターンの開口」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「研摩」は、補正後の発明の「ラップ加工」に相当し、引用例１に記載された発明の「下地膜」は、下部端子の下層である部分以外は除去される（上記（キ）参照）ものであり、引用例１に記載された発明は、「下地上のレジスト層を形成していない部分に導電体からなる端子を形成し、レジスト層を取り除いた後に保護膜を成膜し、次いでこの保護膜の上面を研摩して端子を所定量露出する」工程を有するので、補正後の発明の「フォトレジスト膜を形成していない開口の下地膜上にめっきを行い、前記フォトレジスト膜および前記下地膜を除去し、保護膜を形成し、当該保護膜の表面をラップ加工して下部端子の端子出しを行う」ステップに相当する構成を、実質的に備えている。
　引用例１に記載された発明の「上部端子」は、上面を研摩された保護膜と下部端子の上に形成されるものであり、引用例１に記載された発明は、「上部端子にリード線が接続され」ているから、引用例１に記載された発明の「下部端子」は、「保護膜及び下部端子の上に形成された上部端子を介してリード線との接続をとる」に相当する構成を備えている。
　
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
（一致点）　「基板の表面に下地膜を形成し、当該下地膜の表面に、形成される下部端子の高さよりも厚いフォトレジスト膜を形成する第１のステップと、
　マスクを用いて前記フォトレジスト膜に露光を行い、露光後に前記フォトレジスト膜の現像を行って、前記フォトレジスト膜に下部端子パターンを形成する第２のステップと、
　フォトレジスト膜を形成していない開口の下地膜上にめっきを行い、フォトレジスト膜および下地膜を除去し、保護膜を形成し、当該保護膜の表面をラップ加工して下部端子の端子出しを行うステップとを有し、
　下部端子は、保護膜及び下部端子の上に形成された上部端子を介してリード線との接続をとるヘッドの端子形成方法。」
　
（相違点１）　補正後の発明は、「Ｏ２雰囲気中でＲＩＥ処理をフォトレジスト膜の表面に施す第３のステップと、前記ＲＩＥ処理が施された基板を浸漬液に浸漬したまま減圧環境下におきめっきの前処理を行うことにより、当該浸漬の際に生じた、下部端子パターンの開口の下地膜上へのめっきを妨げる気泡を除去する減圧処理を行う第４のステップと」を有することを特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、第３及び第４のステップについて記載されていない点。
（相違点２）　下部端子パターンの開口について、補正後の発明は、「アスペクト比が０．５以上１．８以下であり」と特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、柱状と記載されているのみである点。
　
（２）　判断
（相違点１について）
　引用例１には、膜厚の厚いレジスト層の柱状の下部端子パターンに、導電体のめっきを行う際のめっき前処理工程について、特に記載されていないものの、薄膜ヘッドの製造は、半導体製造プロセスに使用される薄膜技術を利用して製造されると引用例１（上記（イ））にも記載されているように、微細パターンの電極や端子をめっき形成する方法としてその技術課題を共通にすることは明らかであるところ、微細パターンのめっき形成において、レジスト層の厚いパターンの開口部における気泡によるめっき不良は、周知の課題であることが、引用例２〜４に記載されている。
　また、引用例２には、開口部に空気溜りが発生しないように、開口部を有するレジスト膜の親水処理として、Ｏ２雰囲気中でＲＩＥ処理をフォトレジスト膜の表面に施す工程が、記載されている。
　また、引用例３、４には、微細パターン開口部の気泡によるめっき欠陥を防止するために、めっきの前処理として、浸漬液に浸漬したまま減圧環境下で気泡を除去する工程が、記載されている。めっきの前処理としての気泡除去は周知技術といえ、例えば、特開平３−１０５９９３号公報（真空脱泡処理工程の記載参照）にも記載されている。
　してみれば、引用例１に記載された発明におけるめっきを実施するにあたり公知のめっき形成の前工程として、上記引用例２〜４に記載された、レジスト膜を親水処理する工程及び基板の微細パターン内の気泡除去工程を採用することは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（相違点２について）
　引用例１に記載された発明において、下部端子パターンの開口の寸法について、レジスト層の厚み７０〜８０μｍが例示されているのみで、開口径の明記がないものの、上記下部端子が柱状であると表現されていることから、下部端子パターンの開口も柱状と表現される程度のアスペクト比を有しているものである。そして、相違点２の、補正後の発明で特定されるアスペクト比は、薄膜ヘッドの下部端子パターンとして適宜採用しうる程度の数値範囲のものにすぎない。
　請求人は、特定された上記アスペクト比の数値範囲で、上記レジスト膜のＲＩＥ処理及び浸漬中の減圧処理が、格別の効果を奏していると主張している。しかしながら、引用例１に記載された発明が、柱状の開口にめっきを行うものであり、引用例２〜４に記載されためっき技術も、いずれも、端子や電極の形成に関し、レジスト層が厚い微細パターン、すなわち、本願のいういわゆるアスペクト比が大きい開口へのめっき技術であるから、アスペクト比が大きいものにおいて気泡除去の効果があることは、上記２〜４及び周知の事項から予測しうることである。
　また、請求人は、引用例２〜４に記載された気泡を除去するための技術を複数採用することは、両者を共に記載した文献がないことや本願の図３の効果の記載を根拠に、当業者が普通行わないことであると、主張している。しかしながら、同様の効果を奏する複数の技術を採用することは、当業者にとって普通のことであり、図３は、基板の微細パターン内の減圧雰囲気中の気泡除去工程の効果を示しているが、当該効果は、引用例３〜４に記載された発明及び周知の事項から当業者が予測できる範囲のものにすぎない。
　
　よって、上記相違点１、２を総合的に勘案しても、補正後の発明の効果は、引用例１〜４に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内のものである。
　
４．　むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、引用例１〜４に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第４項において読み替えて準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１８年３月３日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年４月２２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　当審の拒絶の理由に引用された引用例１〜４の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明から、「端子」についての限定事項である「下部端子」及び「前記下部端子パターンの開口は、アスペクト比が０．５以上１．８以下であり、前記下部端子は、前記保護膜及び前記下部端子の上に形成された上部端子を介してリード線との接続をとる」という構成を省き、「減圧処理を行う第４のステップ」について限定事項である「めっきの前処理を行うことにより、当該浸漬の際に生じた、前記下部端子パターンの開口の下地膜上へのめっきを妨げる気泡を除去する」という構成を省き、「第５のステップ」における「領域」についての限定事項である「開口の下地膜上」という構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。