【事件の表示】
　特願２００１−１０８８１「シリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年７月３１日出願公開、特開２００２−２１４０５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成１３年１月１８日の特許出願であって、拒絶査定が平成１６年１０月１９日付けでされ、同年１１月１６日に発送されたところ、この拒絶査定に対する審判が同年１２月１３日に請求されたものである。
　本願の請求項１に係る発明は、平成１６年９月１３日及び平成１４年１１月５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】シリコン基板に形成された、圧力に応じて変位可能なシリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計において、そのシリコンダイアフラムの接ガス面に酸化アルミニウムを保護膜として被覆するとともに、前記保護膜の厚さＸを０．１μｍ乃至０．５μｍにし、前記シリコンダイアフラムの０ｋＰａ乃至１．３３ｋＰａの圧力変化に対する変位量Ｙを、Ｙ≦５０−４５Ｘの範囲内としたことを特徴とするシリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計。」
　
　
２　引用例
　（１）特開２０００−１９０４４号公報
　　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の平成１２年１月２１日に頒布された刊行物である特開２０００−１９０４４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　　ア　「【０００１】【発明の属する技術分野】この発明は、測定ガスの絶対圧力を一対の導電電極間の静電容量を基にして検出するようにした真空圧力センサに関する。」
　
　　イ　「【０００９】【発明の実施の形態】以下、この発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。図１において、25は上ガラス基板であり、この上ガラス基板25の下面にはフッ素酸系水溶液を用いて所定深さの凹み26が形成されている。27は上ガラス基板25の直下に配置されたｎ型シリコンからなる隔壁としてのシリコン基板であり、このシリコン基板27の凹み26に面した上面には水酸化カリウム（KOH）水溶液を用いて異方性エッチングを施すことにより略四角柱状の凹み28が形成されているが、この凹み28はシリコン基板27の下面までは貫通しておらず、この結果、凹み28の底面にはシリコンからなる略四角形のダイヤフラム29が形成される。このようにシリコン基板27にはダイヤフラム29が設けられているが、このダイヤフラム29は薄肉、例えば20μｍ程度であるため、変形が容易である。また、前記シリコン基板27は陽極接合により前記上ガラス基板25に固定されている。ここで、陽極接合とは、互いに重ね合わされた上ガラス基板25、シリコン基板27を高温に加熱しながら高電圧を印加することにより、ガラスの陽イオンとシリコンの陰イオンとを化学結合させる接合方法で、強固な接合と高度の気密性を与えることができる。」
　
　　ウ　「【００１１】また、凹み32から構成される他方の室は測定ガス室39として用いられ、この測定ガス室39には下ガラス基板31に形成された測定ポート40の上端が連通している。そして、前記ケース33が、例えば半導体プロセス用真空装置内に搬入されると、前記測定ガス室39にはこの真空装置内の低〜中真空（百〜数千Pa程度）の測定ガスが測定ポート40を通じて導かれる。ここで、前述のような半導体プロセスには塩素系、フッ素系等の腐食性ガスが多用されるため、このような腐食性ガスが測定ガス室39に導かれると、下ガラス基板31の凹み32の内面が前記腐食ガスによって腐食されるおそれがある。このため、この実施形態においては、測定ガス室39の内面（凹み32の内面全面）を高耐久性保護膜41で被覆している。ここで、保護膜41としては、例えば五酸化タンタル（Ta２O５）、酸化ジルコニウム（ZrO２）、酸化チタン（TiO２）、酸化アルミニウム（Al２O３）等の絶縁性酸化皮膜が用いられ、ゾル・ゲル法またはスパッタリングによりコーティングされている。」
　
　　エ　「【００１２】測定ガス室39に面している側のシリコン基板27（ダイヤフラム29を含む）の表面（下面）にはボロン拡散処理により導電性層45が設けられ、この導電性層45には下ガラス基板31に密封状態で挿入された導電性ピン46の上端が接続されている。測定ガス室39に面したダイヤフラム29の表面（導電性層45）には薄膜状の一側導電電極47がスパッタリングにより付着され、この一側導電電極47は少なくとも最外層が白金（Pt）あるいは金（Au）から構成、例えば、全体が白金または金から構成されていたり、あるいは、外層側が金、内層側が白金から、さらには、外層側が白金、内層側が金から構成されている。前記一側導電電極47に対向する位置の凹み32の底面（測定ガス室39の内面）には該一側導電電極47と対をなす薄膜状の他側導電電極48がスパッタリングにより付着され、この他側導電電極48も少なくとも最外層が白金あるいは金から構成されている。そして、この他側導電電極48には下ガラス基板31に密封状態で挿入された導電性ピン49の上端が接続されている。ここで、一側、他側導電電極47、48の少なくとも最外層を白金あるいは金から構成したのは、前述のように測定ガス室39に腐食性ガスが導かれたとき、他の導電性材料、例えばアルミニウム（Al）、クロム（Cr）、銀（Ag）、銅（Cu）の場合には、以下の表２に示すように容易に腐食されてしまうが、白金あるいは金であると、耐蝕性が高く、かつ導電性も良好であるため、長期に亘って静電容量を高精度で検出することができるからである。」
　
　（２）特開平１０−１８５７２０号公報
　　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の平成１０年７月１４日に頒布された刊行物である特開平１０−１８５７２０号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　　ア　「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、腐食性を有する流体、すなわち気体又は液体の圧力を測定する半導体圧力センサの製造方法に関するものである。」
　
　　イ　「【００１２】【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態を図１に基づいて以下に説明する。先ず、導電型がＮ型で一面１１及び他面１２を有したシリコン基板１を熱酸化して酸化珪素膜１３を形成し、その酸化珪素膜１３を所定位置にて除去しボロンを拡散して、導電型がＰ＋型で電気伝導度の良好な導電部１４を、シリコン基板１の一面１１側にて中央に対して両側へそれぞれ形成する。次いで、ピエゾ抵抗形成工程において、酸化珪素膜１３を両導電部１４と接続する所定位置にて除去しボロンを拡散することによって、導電型をＰ型とするピエゾ抵抗１５がシリコン基板１の一面１１側へ形成され、圧力による抵抗変化を電気信号に変換する（ａ）。」
　
　　ウ　「【００１３】次いで、ダイアフラム部形成工程において、窒化珪素からなる耐エッチング膜１６が化学的蒸着法、いわゆるＣＶＤ法を用いてシリコン基板１の両面１１，１２に形成され、他面１２側の耐エッチング膜１６を通常のフォトリソグラフィー又はエッチングでもって、ピエゾ抵抗１５の対応位置にて除去し除去部を形成する。耐エッチング膜１６をマスクとしてＫＯＨ溶液でもって、除去部から異方性エッチングして、一面１１側へ行くほど幅を狭くした断面台形状の凹部１７を形成し、凹部１７の底部を受圧面２１とするダイアフラム部２が形成されて、測定対象である流体の圧力を受圧面２１にて受圧して撓む（ａ）。そして、シリコン基板１の他面１２側における耐エッチング膜１６及び酸化珪素膜１３を除去する（ｂ）。」
　
　　エ　「【００１４】次いで、保護膜形成工程において、酸化珪素からなる保護膜１８がシリコン基板１を所定温度、すなわち摂氏約９００度で熱処理して、空隙なく密度の高い状態で、かつ０．３ミクロンメートルの膜厚でダイアフラム部２の受圧面２１及び他面１２に形成されて、受圧面２１を保護する（ｃ）。」
　
　　オ　「【００１７】ここで、保護膜１８の膜厚は０．１乃至０．５ミクロンメートルが適正であって、０．１ミクロンメートル未満であると腐食性流体から受圧面２１を保護する保護効果が小さくなり、０．５ミクロンメートルを越えると、シリコン基板１の他面１２側とガラス台座４の一方面４１との接合強度が劣化する。」
　
　（３）引用発明
　　上記「（１）」の摘記事項アより、「測定ガスの絶対圧力を一対の導電電極間の静電容量を基にして検出するようにした真空圧力センサ」が読み取れる。
　　同摘記事項イより、「シリコン基板27」に、「シリコンからなる」「薄肉、例えば20μｍ程度」で「変形が容易」な「ダイヤフラム29」が設けられている点が読み取れる。　
　　同摘記事項ウより、「半導体プロセス用真空装置内」の「低〜中真空（百〜数千Pa程度）の測定ガス」が導かれる「測定ガス室39の内面（凹み32の内面全面）」を「酸化アルミニウム（Al２O３）」の「高耐久性保護膜41で被覆」する点が読み取れる。
　　同摘記事項エより、「測定ガス室39に面したダイヤフラム29の表面（導電性層45）には薄膜状の一側導電電極47がスパッタリングにより付着され、この一側導電電極47は少なくとも最外層が白金（Pt）あるいは金（Au）から構成」され、「測定ガス室39に腐食性ガスが導かれたとき」、「耐蝕性が高く、かつ導電性も良好」であり、「長期に亘って静電容量を高精度で検出」できる点が読み取れる。
　　以上より、引用例１には、「測定ガスの絶対圧力を一対の導電電極間の静電容量を基にして検出するようにした真空圧力センサにおいて、シリコン基板27に、シリコンからなる薄肉、例えば20μｍ程度で変形が容易なダイヤフラム29が設けられ、半導体プロセス用真空装置内の低〜中真空（百〜数千Pa程度）の測定ガスが導かれる測定ガス室39の内面（凹み32の内面全面）を酸化アルミニウム（Al２O３）の高耐久性保護膜41で被覆し、測定ガス室39に面したダイヤフラム29の表面（導電性層45）には薄膜状の一側導電電極47がスパッタリングにより付着され、この一側導電電極47は少なくとも最外層が白金（Pt）あるいは金（Au）から構成され、測定ガス室39に腐食性ガスが導かれたとき、耐蝕性が高く、かつ導電性も良好であり、長期に亘って静電容量を高精度で検出できるようにした真空圧力センサ」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
３　対比・判断 
　（１）本願発明と引用発明との対比
　　本願発明（以下、「前者」という。）と引用発明（以下、「後者」という。）とを対比すると、後者の「シリコン基板27」、「シリコンからなる薄肉、例えば20μｍ程度で変形が容易なダイヤフラム29」、「酸化アルミニウム（Al２O３）の高耐久性保護膜41で被覆」、「測定ガスの絶対圧力を一対の導電電極間の静電容量を基にして検出するようにした真空圧力センサ」は、それぞれ前者の「シリコン基板」、「圧力に応じて変位可能なシリコンダイアフラム」、「酸化アルミニウムを保護膜として被覆」、「静電容量型真空計」に相当する。
　　また、後者の「測定ガス室39の内面」と前者の「シリコンダイアフラムの接ガス面」とは、共に「接ガス面」である点で共通する。
　　してみれば、前者と後者とは、「シリコン基板に形成された、圧力に応じて変位可能なシリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計において、接ガス面に酸化アルミニウムを保護膜として被覆したことを特徴とするシリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計。」という点で一致し、以下の相違点Ａ及びＢで相違する。
　
　［相違点Ａ］
　　前者では、酸化アルミニウムを保護膜として被覆する接ガス面が、「シリコンダイアフラムの接ガス面」であり、「保護膜の厚さＸを０．１μｍ乃至０．５μｍ」にしているのに対して、後者では、測定ガス室39の内面を被覆し、厚さが不明である点。
　
　［相違点Ｂ］
　　前者では、「シリコンダイアフラムの０ｋＰａ乃至１．３３ｋＰａの圧力変化に対する変位量Ｙを、Ｙ≦５０−４５Ｘの範囲内」としているのに対して、後者では、単に「低〜中真空（百〜数千Pa程度）」の圧力変化と規定するのみである点。
　
　（２）判断 
　　以下、上記相違点について検討する。
　［相違点Ａ］について
　　前掲の引用例２には、「腐食性を有する流体、すなわち気体又は液体の圧力を測定する半導体圧力センサの製造方法」（上記「２」の「（２）」の摘記事項ア参照）に関し、「ダイアフラム部形成工程」において「凹部１７の底部を受圧面２１とするダイアフラム部２が形成」され（同摘記事項ウ参照）、「保護膜形成工程」において「保護膜１８」が「ダイアフラム部２の受圧面２１」に形成され（同摘記事項エ参照）、「保護膜１８の膜厚は０．１乃至０．５ミクロンメートルが適正」（同摘記事項オ参照）である点が記載されている。
　　そして、保護膜の被覆箇所をどこにするかは、腐食性の測定対象を扱う際に考慮すべき課題であって、圧力センサが静電容量型であるかピエゾ抵抗型であるかという差異に関わらないから、上記引用例２に記載された、「シリコンダイアフラムの接ガス面」に保護膜を被覆し「保護膜の厚さＸを０．１μｍ乃至０．５μｍ」とする公知の技術を引用発明の保護膜41に適用して、本願発明のごとく構成することは当業者ならば格別の困難性はない。
　
　［相違点Ｂ］について
　　引用発明の圧力変化範囲「低〜中真空（百〜数千Pa程度）」は、本願発明の圧力変化範囲「０ｋＰａ乃至１．３３ｋＰａ」をほぼ含んでおり、しかも、測定圧力範囲をどの範囲にするかは真空計の要求仕様に応じて決めるべき事項でもあるから、引用発明の「低〜中真空（百〜数千Pa程度）」を本願発明のごとく「０ｋＰａ乃至１．３３ｋＰａ」とすることは、当業者が適宜為し得る設計的事項にすぎない。
　　また、保護膜の厚さＸを０．１μｍ乃至０．５μｍにすることについても、上記引用例２記載のとおり公知のものである。
　　一方、圧力を精度良く測定するために、定格の測定圧力範囲内でダイアフラムの撓みや保護膜の剥離が発生しないようにすることは、設計に際して当業者が当然考慮すべき事項であり、保護膜の厚さＸについても、定格の測定圧力範囲内でダイアフラムの撓みや保護膜の剥離が発生しない数値範囲内に設計されることは当然のことである。
　　そうすると、本願発明の０ｋＰａ乃至１．３３ｋＰａの圧力変化に対する変位量Ｙを、Ｙ≦５０−４５Ｘとすることは、定格の測定圧力範囲内でダイアフラムの撓みや保護膜の剥離が発生しない範囲を単にＹとＸで表現したものにすぎず、当業者が設計の際当然考慮すべき数値範囲の好適化により設計した真空計と装置として異ならないというべきである。
　　さらに、本願発明の数値範囲Ｙ≦５０−４５Ｘは、本願明細書の図２に示された斜線の範囲と一致せず、例えば、図２では斜線の範囲に含まれない（Ｘ，Ｙ）＝（0.4，30）が本願発明の数値範囲Ｙ≦５０−４５Ｘには含まれてしまうこと、及び図２の斜線の範囲は、当初明細書等の記載によれば、酸化アルミニウムの他、酸化ジルコニウム、酸化チタンについても、ダイアフラムに撓みが発生しない範囲として記載されたものと解されるところ、例えば、図２では斜線の範囲に含まれる（Ｘ，Ｙ）＝（0.1，40）、（0.1，35）が、表１では、酸化ジルコニウム及び酸化チタンについては「×」印、すなわち、たわみ発生として記載されていること、からすれば、本願発明の数値範囲Ｙ≦５０−４５Ｘが、臨界的意義を持つともいうことができない。
　　したがって、相違点Ｂは当業者が適宜為し得る設計的事項にすぎないというべきであり、格別なものではない。
　　そして、本願発明の奏する効果は、引用例１及び２に記載された事項に基づいて当業者が容易に予測し得る範囲内のものにすぎない。
　
　
４　むすび　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。