【事件の表示】
　平成　９年特許願第２３９５２６号「インクジェット記録ヘッドの作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月２３日出願公開、特開平１１−　７８０２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年９月４日の出願であって、平成１６年１月１５日付けで拒絶の査定がされたため、これを不服として同年２月２０日付けで本件審判請求がされるとともに、同年３月２２日付けで明細書についての手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　
２．補正目的・本願発明
　本件補正は特許請求の範囲の補正を含むものであって、補正前の請求項１を削除するとともに、補正前の請求項１の削除に伴い、補正前の請求項２を繰り上げて補正後の請求項１としたものであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号に記載された請求項の削除を目的としたものと認める。
　
　したがって、請求項１に係る発明は、平成１６年３月２２日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、本願特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
　
「ノズルからインクを液滴として吐出するためのインク吐出圧力発生素子が設けられており、面方位＜１００＞を有し、酸素濃度が１.３Ｅ１８（atoms／ｃｍ３）以下であるＳｉ基板を提供する工程と、
　前記Ｓｉ基板に異方性エッチングによってインク供給口を形成し、更にオーバーエッチングを行って前記インク供給口から前記インク吐出圧力発生素子までの距離を短くする工程と、
を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの作製方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
３．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１７３７号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の記載が図示とともにある。
　
（ア）「【産業上の利用分野】
　本発明は、一般的にシリコンから３次元構造体を製作するための低温、片面、複数ステップによる配向依存性エッチング工程に関し、さらに詳しくは、インク・ジェット印刷ヘッドの大量生産に本工程を使用することに関する。」（【０００１】）
　
（イ）「【従来の技術】
　半導体構造体を製作する場合、比較的浅い凹部と関連する大きい凹部、すなわち穴を作ることがしばしば望ましく、これは相互に接続する場合もあるし、または接続しなくい場合もある。例えば、インク・ジェット印刷ヘッドは、シリコン・チャンネル板と加熱板で作ることができる。各チャンネル板は、比較的大きいインクのマニホールド／貯槽用凹部すなわち開口部と１組の平行で浅く長いチャンネル凹部を有し、このチャンネル凹部は一端が貯蔵に接続され、他端は開放されている。加熱板と整合されボンディングされた場合、チャンネル板内の凹部はインク貯槽とインク・チャンネルとなり、これはホーキンス（Hawkins ）他に対する米国特許第４，６０１，７７７号により詳細に説明され、この開示は参考としてここに含まれる。
　この種の印刷ヘッドでは、比較的大きい、すなわち深い貯槽と小さいすなわち浅いチャンネルを形成することがしばしば望ましく、前者は厚さ１０ないし３０ミルの＜１−０−０＞ウェーハをしばしば完全にエッチングして形成し、後者は深さが１ないし５ミルである。」（【０００２】〜【０００３】）
　
（ウ）「チャンネル・エッチング用の酸化物マスク層は高温の熱的酸化工程で形成され、これは通常は約１１００℃の温度で実行され、これによって、ウェーハ内に高濃度の酸素凝結欠陥を生じ、また結晶格子の破壊を生じる可能性がある。この種の欠陥は特にチャンネルの寸法制御の低下を招き、使用不能なチャンネル板を生じる可能性がある。」（段落【０００５】）
　
（エ）「【課題を解決する手段】
　本発明の目的は、エッチング工程によってシリコン・ウェーハの表面に微細構造体を形成する工程を改良することである。本発明の他の目的は、エッチングによってシリコン・ウェーハ上に大型の構造体と微細な構造体の両方を作ることである。
　本発明のさらに他の目的は、インク・ジェット・チャンネル板内に形成したチャンネルの均一性を改良し、高温マスク形成で生じる潜在的欠陥を防止することである。これらおよび他の目的は、片面、２ステップの工程を使用することによって達成され、上述の欠点は克服されるが、ここで、以前このウェーハ上に堆積した第１微細マスク層および第２保護マスク層の各層から、微細構造体（単数または複数）と大型構造体（単数または複数）を内蔵する第１パターンを取り除く。次に粗いマスク層を堆積させ、第１パターンの境界内の第２パターンをそこから取り除く。これらの第１、第２および第３マスク層は、酸素凝結物をウェーハ内に形成する温度範囲より低い温度で形成する。このウェーハは、第２パターンによってエッチングを行い、大型構造体に対する前駆体を形成する。この粗いマスク層、およびオプションとしての保護マスク層を最終エッチングに先立って剥離し、この間に微細構造体をウェーハ内に形成し、大型構造体を完全にエッチングする。」（【０００９】〜【００１０】）
　
（オ）「図３を参照して、チャンネル板を第１マスク層３０を設けた実質的に平坦なウェーハ部１０から形成する。のマスク層３０用の好適な材料は、加熱堆積した窒化シリコンである。この種の層を形成する方法は当業者に周知であり、さらにこれを説明する必要はない。米国特許番号第４，６０１，７７７号に開示された例えば化学気相成長（ＣＶＤ）のような窒化シリコン層を堆積するための他の低温法を使用することもできる。加熱堆積およびＣＶＤは、約８００℃の温度で実施する。この温度は、かなりの量の酸素がこのウェーハ内に溶解して冷却時に再分布と集塊を生じる１０００℃ないし１１００℃の範囲よりも低い。したがって、このステップでは、このウェーハで酸素凝結物の濃度を高める可能性が低い。
　マスク材料３２の第２層すなわち保護層を窒化シリコン層をマスクする層３０上に形成する。層３２用の好適な材料は、化学気相成長技術によって堆積させた低温酸化シリコンである。この種の材料は、技術上周知であり、ＬＯＴＯＸという名前で一般に市販されている。層３２は、低温酸化物の堆積またはプラズマによって強化した化学気相成長のいずれかによって形成される。これらの工程は約４００ないし５００℃の温度範囲で実行され、したがって、この温度範囲はウェーハ内でいずれかのかなりの酸素の再分布が行われる温度よりも低い。」（【００１３】〜【００１４】）
（カ）「開口部１８を形成した後、チャンネル板は第１異方性エッチング・ステップによって処理され、ウェーハの面内に貯槽前駆構造体、すなわち空洞２０を形成する。この種のエッチング工程は、技術上周知であり、米国特許第４，６０１，７７７号に開示されている。したがって、この種の工程をさらに説明する必要はない。第１ウェーハ・エッチング・ステップは、完成した貯槽１４の重要な部分を形成するため、例えば４時間の比較的長時間のエッチングである。
　図７を参照して、第１ウェーハ・エッチング・ステップが終了した後、第３マスク層３８をプラズマ・エッチングまたは湿式エッチングのような適当な方法でリン酸中で除去する。第３マスク層３８を除去する場合、第１と第２マスク層３０、３２がウェーハ上に残る。低温酸化物３２によって、第１マスク層が除去されるのを防止し、この低温酸化物３２は、基本的に、第３マスク層３８とまた窒化シリコンを除去する期間窒化シリコンの第１マスク層３０を保護してきた。
　この工程の段階で、第２マスク層３２を除去することも、またこれを所定の場所に残すこともできる。次に、このウェーハを第２異方性エッチングによって処理するが、これは残されたマスク層３０、３２（または３０単独で）を介する工程であり、これらの層は、思い起こせるように、貯槽部１４とチャンネル１６の完成したパターン内に存在する。第２エッチング工程の終了時、この貯槽１４とチャンネル１６は完全に形成され、ランド２８によってこのチャンネルは貯槽から分離される。この第２エッチング剤にさらすステップは、チャンネル１６を形成するのに十分であれば、比較的短時間のステップにすることができる。したがって、このチャンネル１６は、前述したように、チャンネルの均一性に悪影響を及ぼす比較的長時間のエッチング工程によって処理されることがない。」（【００１８】〜【００１９】）
　
（キ）「図９は、このウェーハ部分１０を使用してサーマル・インク・ジェット印刷ヘッドを形成した場合の断面図を示す。チャンネル凹部１６をエッチングし、貯槽１４は最終形状に拡大されている。加熱板３４は、米国特許第４，６０１，７７７号に開示するように周知の技術によって、チャンネル板ウェーハ１０上に整合されてボンディングされる。加熱板３４は、ポリイミド層３５を有する。加熱素子部品３６をこのポリイミド層内に形成したバブル・チャンバ３７内に配設する。加熱素子３６は各々のチャンネル１６と関連し、各加熱素子ヒータは米国特許第４，６０１，７７７号に開示するような電極構成によって独立してアドレス可能である。さらに、加熱板３４のポリイミド層３５はインク用のバイパス３８を有し、これによって貯槽からアイランド２８上のチャンネルにインクを流す。各チャンネル１６のの端部にノズルを形成するため、結合されたチャンネル板１０と加熱板３４を、樹脂性のカッテイング刃を使用するダイシングによって線４２に沿って切断することが望ましい。この方法でサブユニットが作られ、このサブユニットは完全に形成された貯槽１４と複数の整合されたチャンネル１６を有し、各チャンネルは一端にノズルを有し、他端でインク貯槽１４と連通している。このサブユニットは、貯槽１４にインクを供給する手段に登録するためのスルーホール２２を有する。」（【００２２】）
（ク）「要約すれば、本発明は、片面の複数ステップによるＯＤＥ工程の技術を使用した３次元シリコン構造体のバッチによる製作に関する。これらのマスクは、片面に形成され、粗いマスクを最後に、許容誤差が最も厳しいマスク、すなわち最も微細なマスクを最初に形成する。粗いエッチングを最初に実行し、微細なエッチングを最後に実行する。保護マスク層を使用し、後続の粗いマスクを除去する場合に最初に設けたマスクが一緒に除去されないように保護する。粗い異方性エッチングが終了した後、この粗いマスクを取り除き、第２異方性エッチングを行うのが好ましい。最初に高速だが制御の困難なエッチングを行い次に低速のより制御が容易なエッチングを行うことによって、深い凹部すなわち大きいスルーホールと浅くて許容誤差が厳しい凹部の両方を有する構造体を製作することができる。これらのマスクはウェーハ内に実質的に酸素が再分布する温度範囲より低温で形成されるので、酸素凝結物が形成される結果として欠陥が作られる可能性を実質的に除去する。２つの連続したマスク・エッチング工程に２層の窒化シリコン層を使用することによって、ＫＯＨエッチング工程で二酸化シリコン・マスク層を使用することに関するマスク層の浸食の問題を防止する。」（【００２３】）
　
　上記（カ）には「貯槽１４にインクを供給する手段に登録するためのスルーホール２２を有する。」と記載されているが、この「登録する」は、前後の記載及び当業者の技術常識を考慮すると、「連通させる」の意味であると解される。
　上記（ア）〜（ク）の記載等を勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「インク・ジェット印刷ヘッドのチャンネル板を製作する方法であって、シリコン・ウェーハを第１異方性エッチング・ステップ及び第２異方性エッチング・ステップにより処理することにより、インクを供給する手段に連通させるためのスルーホールを有する貯槽と加熱素子と関連するチャネルを形成する製作方法。」
　
４．対比
　引用発明の「インク・ジェット印刷ヘッド」、「シリコン・ウェーハ」及び「インクを供給する手段に連通させるためのスルーホールを有する貯槽」は、本願発明の「インクジェット記録ヘッド」、「Ｓｉ基板」及び「インク供給口」にそれぞれ相当する。
　引用発明の「異方性エッチング」は「第１異方性エッチング」と「第２異方性エッチング」に分けられているものの、シリコン・ウェーハに施すエッチングであって、本願発明のＳｉ基板に施される「異方性エッチング」と変わらない。
　引用発明の「チャンネル板」は、インク・ジェット印刷ヘッドの一部をなすものであり、引用発明は、本願発明と「インクジェット記録ヘッドの作製方法」である点で共通している。
　そして、引用発明で、シリコン・ウェーハを異方性エッチングするからには、その前に、シリコン・ウェーハを提供する工程を備えていることは明らかである。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。
　
＜一致点＞「Ｓｉ基板を提供する工程と、前記Ｓｉ基板に異方性エッチングによってインク供給口を形成する工程と、を有するインクジェット記録ヘッドの作製方法。」
　
＜相違点１＞Ｓｉ基板を提供する工程につき、本願発明が、「ノズルからインクを液滴として吐出するためのインク吐出圧力発生素子が設けられて」いるＳｉ基板を提供するのに対して、引用発明では、そうではない点。
　
＜相違点２＞本願発明のＳｉ基板が「面方位＜１００＞」を有するのに対して、引用発明のシリコン・ウェーハはそのように特定されていない点。
　
＜相違点３＞本願発明のＳｉ基板が「酸素濃度が１.３Ｅ１８（atoms／ｃｍ３）以下」であるのに対し、引用発明のシリコン・ウェーハはそのように特定されていない点。
＜相違点４＞本願発明では「更にオーバーエッチングを行って前記インク供給口から前記インク吐出圧力発生素子までの距離を短くする」のに対し、引用発明では、そのような特定がされていない点。
　
５．判断
ａ．＜相違点１＞について
　引用例に記載のインク・ジェット印刷ヘッドは、上記（キ）及び図９の記載から、シリコン・ウェーハを異方性エッチングしてチャンネル板を形成し、該チャンネル板に加熱素子（本願発明のインク吐出圧力発生素子に相当）を形成した加熱板を結合しており、チャンネル板側にはインク吐出圧力発生素子を設けない構造のものとなっている。
　しかしながら、本願出願時において、Ｓｉからなる基板側にインク吐出圧力発生素子を設ける構造のインクジェット記録ヘッドは、例えば、特開昭６４−４４７５５号公報及び特開平９−１１４７９号公報に記載されているように周知のものにすぎない。また、前記特開平９−１１４７９号公報にも記載されているように、Ｓｉ基板を異方性エッチングしてインク供給口を形成する際に、予め、インク吐出圧力発生素子を設けてから異方性エッチングを行うことも、同様に周知・慣用されている技術にすぎない。
　つまり、相違点１は、インク吐出圧力発生素子の位置について、どのような構造のインクジェット記録ヘッドを作製するかによる違いであり、前記周知の構造のインクジェット記録ヘッドを引用発明の作製方法で作製することを妨げる事情もないのだから、相違点１に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明及び周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に想到し得る程度のことにすぎない。　
　
ｂ．＜相違点２＞について
　本願発明では、Ｓｉ基板が「面方位＜１００＞」を有することのみが記載されており、「面方位＜１００＞」と基板上の異方性エッチングをする面との関係は何ら規定されていない。インクジェット記録ヘッドの構成部材として、「面方位＜１００＞」を有するＳｉ基板を用いることは前記特開平６４−４４７５５号公報及び特開平９−１１４７９号公報にも記載されており、周知・慣用されている事項である。また、仮に、本願発明が、Ｓｉ基板の有する「面方位＜１００＞」の面を異方性エッチングしてインク供給口を形成するものであるとしても、その点も、前記の各公報に記載されており、周知・慣用技術にすぎない。
　いずれにしても、相違点２に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明及び周知・慣用技術に基づいて当業者が適宜になし得る設計事項にすぎない。
ｃ．＜相違点３＞について
　引用例の、上記（ウ）には１１００℃の温度でエッチング用マスクを熱的酸化で形成すると、シリコン・ウェーハ内に高濃度の酸素凝結欠陥を生じることによりエッチングにおけるチャンネル寸法制御の低下を招くことが記載され、上記（エ）には、エッチング用マスク（第３マスク層）を、酸素凝結物がウェーハ内に形成される温度より低い温度で形成することが記載され、上記（オ）には、約８００℃の温度でエッチング用マスクを形成すること、及び、この温度は、かなりの量の酸素がウェーハ内に溶解して冷却時に再配分と集塊を生じる温度範囲よりも低く、酸素凝結物の濃度を高める可能性が低いことが記載され、上記（ク）には、エッチング用マスクはウェーハ内に実質的に酸素が再分布する温度範囲より低温で形成されるので、酸素凝結物が形成される結果として欠陥が作られる可能性を実質的に除去することが記載されている。
　これらの記載は、シリコン・ウェーハのもともとの酸素濃度が所定の値より低いことを、示しているわけではないものの、シリコン・ウェーハ内の酸素濃度が高いと酸素凝結欠陥が生じ、エッチングにおける寸法制御を低下させるので、シリコン・ウェーハ内の酸素濃度を高めないことが、エッチングにおける寸法制御をする上で重要であることは、これら引用例の記載から理解できる。
　また、原査定の理由に引用された特開平８−９７２６３号公報の段落【００１２】に「極低酸素濃度シリコンウェハにはほとんど欠陥が存在しない。」と記載されているように、もともとのシリコン・ウェーハ内の酸素濃度が低いと、ウェーハ内の酸素凝結欠陥が少ないことは、当業者にとって周知の技術事項であるといえる。
　そして、上記特開平８−９７２６３号公報には段落【０００９】に「酸素濃度が１．０×１０１８atom／cm３　ASTMより低いシリコンウェハ（以下、極低酸素濃度シリコンウェハという。）を用いる。」と記載されているように、本願発明における「酸素濃度が１.３Ｅ１８（atoms／ｃｍ３）以下」である点は、Ｓi基板としては新規なものではなく、従来から用いられていた数値範囲に含まれるものにすぎない。
　なお、本願明細書の発明の詳細な説明には【表１】及び【表２】として、本願発明における酸素濃度の数値範囲の限定についての実験結果が記載されているが、これらは、特定のエッチング液を特定の温度で用い、特定のエッチングレートとして特定の厚さのＳｉ基板に対して特定の時間オーバーエッチングを含む異方性エッチングを行った実験結果が記載されているにすぎない。本願発明ではエッチングの条件が何ら特定されていないので、酸素濃度だけ特定したところで、その数値は技術的意義を有するものとは認められない。
　したがって、相違点２に係る本願発明の発明特定事項は引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得ることであり、その際、数値範囲をどのように規定するかは、各種条件を設定した実験等の結果により当業者が適宜に設定し得る設計事項にすぎない。
　
ｄ．＜相違点４＞について
　特開平８−３１３３３８号公報の段落【０００８】に「中空構造を作るためには、所定のシリコンが全部溶けたところでエッチング工程を終了することが理想であるが、実際にはシリコンが溶けきった時点を検出することは難しく、時間を超過して、オーバーエッチングの状態で処理を終了している。」と記載されているように、実際にエッチングを行う際に、特定の構造を確実に形成するために「オーバーエッチング」となってしまうことは、当業者にとっての技術常識であるといえるし、異方性エッチングはエッチングされる部材の面方位等の違いによるエッチングレートの違いを利用するエッチング方法であり、エッチングレートの低い方向に対してもエッチングがおこる（いわゆるサイドエッチングがおこる）こともまた、当業者にとっての技術常識であるといえる。
　引用発明において、上記（ク）に「粗いエッチングを最初に実行し、微細なエッチングを最後に実行する。・・・最初に高速だが制御の困難なエッチングを行い次に低速のより制御が容易なエッチングを行うことによって、深い凹部すなわち大きいスルーホールと浅くて許容誤差が厳しい凹部の両方を有する構造体を製作することができる。」と記載されているように、シリコン・ウェーハを第１異方性エッチング・ステップと第２異方性エッチング・ステップの２つの異方性エッチングに分けて処理することにより、オーバーエッチングによる誤差を少なくするようにしているが、オーバーエッチングを全くしないでエッチング処理を終了することは、技術常識から考えて無理であるから、引用発明でも、「オーバーエッチング」の状態でエッチング処理を終了し、そのオーバーエッチングに伴い「サイドエッチング」が生じているとみるのが自然である。
　また、本願発明のように、異方性エッチングによりインク供給口を形成する場合において、オーバーエッチングに伴いサイドエッチングが行われると、インク吐出圧力発生素子が設けられたＳｉ基板におけるインク供給口の径は大きくなり、結果として、インク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離が短くなるのは当然のことといえる。この点、引用発明では、チャンネル板（Ｓｉ基板）上に加熱素子（インク吐出圧力発生素子）が設けられておらず、本願発明のＳｉ基板とは異なっているものの（相違点の判断は、上記「ａ．＜相違点１＞について」で説示済）、引用例の上記（キ）及び図９に記載されたようなチャンネル板に対向する加熱板上に加熱素子が設けられている場合であっても、インク供給口（引用例では貯槽）の径が大きくなれば、インク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離が短くなることは明らかであり、インク吐出圧力発生素子の形成位置の違いは影響しない。
　したがって、相違点４に係る本願発明の発明特定事項は、異方性エッチングを行う際の当然の処理方法と、それに伴いＳｉ基板で生じる当然の結果を記載したにすぎず、このようなことは、引用発明及び上記技術常識に基づいて当業者が想到容易なことにすぎない。
　なお、この点について、審判請求人は平成１６年４月１６日付けの審判請求書についての手続補正書において、「一方、本願発明においては、まずインク吐出圧力発生素子が設けられたＳｉ基板を提供し、そのＳｉ基板に対して異方性エッチングによってインク供給口を形成し、更にオーバーエッチングを行ってインク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短くしています。このような工程は、引用文献Ａには記載も示唆もありません。」（第２頁第４１行〜４４行、審決注：引用文献Ａは、審決の引用例に対応する。）及び「ここで前審の審査官殿は、拒絶査定において、エッチングしてインク供給口を形成したシリコン基板上にインク吐出圧力発生素子を設けることは周知（例えば特開平６４−４４７５５号公報（ＦＩＧ.６）、特開平９−１１４７９号公報（図１０）参照）であり、必要に応じてエッチングしたシリコン基板上にインク吐出圧力発生素子を設けることは格別のものではない、と指摘されました。しかしながら、これら特開平６４−４４７５５号公報、特開平９−１１４７９号公報は技術的にみて、本願発明の方法とは何ら関係の無いものであります。なぜならば、これら公報においては、インク供給口とインク吐出圧力発生素子との間の距離を短くしてインクの吐出周波数を向上させるという本願発明の目的（本願明細書［００１７］［００２６］［０００８］段落等）に関して何ら検討されておらず、そのような目的を達成する為に、面方位＜１００＞を有し酸素濃度１.３Ｅ１８（atoms／ｃｍ3）以下のＳｉ基板の上にまずインク吐出圧力発生素子を設け、その後異方性エッチング及びオーバーエッチングを行うことによってインク供給口の形成と同時にその距離を短くするという本願発明の特徴的なプロセスが、何ら示唆されていないからです。」（第３頁第４行〜１７行）と主張し、当審における審尋に対する平成１８年１１月６日付け回答書では「すなわち、引用文献Ａの［０００３］段落ではチャンネルに対するオーバーエッチングが抱える技術的な問題が説明されているのであり、インク供給口に対して積極的にオーバーエッチングを施すことは想定されていないのです。」（第２頁第２１行〜２２行）及び「また、従来の製造工程において、製造者側が意図することなく、偶然に、オーバーエッチングによりインク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離が短くなったとしても、それは本願発明で言う「オーバーエッチングを行ってインク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短くする工程」の実施とは到底言えません。」（第５頁第１２行〜１６行目）と主張している。これらの主張は、上記相違点４に係る本願発明の発明特定事項における「オーバーエッチング」は、インク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短くすることを目的に行うものであって、エッチング終了時点を知ることが困難なために、インク供給口を確実に形成する必要から行う処理ではなく、結果的にインク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短くすることになることとは異なる主張をしているものと解されるので、以下に検討する。
　上記「オーバーエッチング」に関して、本願明細書には以下の記載がある。
「さらに、Ｓiの異方性エッチングに際しては、エッチング開始面の状態、およびエッチング条件（エッチング液濃度／温度等）により微妙にエッチング開始の時間がばらつくことがあるため、インク供給口を確実に貫通させようとするとオーバーエッチをかける必要がある。」（【０００６】）
「前記条件におけるＳiのエッチングレートは、０.５０μｍ／ｍｉｎであり、６２５μｍ厚の基板をｊｕｓｔで貫通するには、２０.８時間必要であるが、前述の理由により２４時間（１５％オーバーエッチ）エッチングを行った。」（【００２２】）
　これらの記載からは、本願における「オーバーエッチング」とは、特定の条件下でインク供給口を貫通形成するのに最低限必要な時間よりも多くの時間をかけてエッチングすることにより確実にインク供給口を貫通させることであると解される。
　さらに、本願明細書には、以下の記載もある。
「しかしながら、オーバーエッチをかけることによりＳiウエハーの水平方向にサイドエッチが生じ、結果的に貫通口幅が微妙に異なる（インク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離がばらつく）という不具合があった。」（【０００７】）
「さらに本発明者らは、前記Ｓi基板中の酸素濃度が１.３Ｅ１８（atoms／ｃｍ３）以下である場合には、オーバーエッチングによるサイドエッチが極めて少ないことを見出した。
　すなわち、図４に示すようにインク供給口が貫通した後にオーバーエッチをかけると「→方向」に生じるサイドエッチＸ3が前記基板を用いた場合には極めて小さくすることができる。」（【００１４】〜【００１５】）
「表２から明らかなように、酸素濃度が１.４Ｅ１８以下の基板を用いた場合、形成されたインク供給口幅のバラツキが極めて小さくできることが理解される。さらに、前記基板No.１とNo.６について、特定ｔｉｐに着目しｊｕｓｔで貫通してからのサイドエッチ量を測定したところ、基板No.１は、２〜３μｍ／Ｈｒ、基板No.６については１９μｍ／Ｈｒであった。すなわち、サイドエッチ量の差が供給口幅バラツキの支配的な要因であることがわかる。」（【００２６】）
　以上の記載からは、Ｓｉ基板中の酸素濃度を所定値以下にすることによってオーバーエッチングに伴うサイドエッチングの量を小さくしようとしていることが理解され、オーバーエッチングに伴うサイドエッチングを積極的に行ってインク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短くすることが記載されているとは解し得ない。
　また、本願明細書には「インク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短くする」ことに関連する記載として段落【００１７】に「ここで、最終的に形成されるインク供給口幅はＸ1＋２Ｘ3でありＸ3の値を小さくすることができれば、結果的にインク供給口からインク吐出圧力発生素子３までの距離を短く設定することができ、インクの吐出周波数を向上させることができる。」との記載があるが、これは、上記した他の段落の記載をも考慮すると、異方性エッチングを行う際に、オーバーエッチングによるサイドエッチＸ３が少なくて済めば、エッチングのバラツキの影響を見込んで、インク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を長く設計する必要がないため、インクジェット記録ヘッドの設計寸法として、インク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短く設定することができることを意味しているものと解される。
　この段落【００１７】について、審判請求人は上記回答書で「（５）　審査官殿は、「本件の段落番号［００１７］の記載内容は不明ではある。」と指摘されました。
 　そこで本件請求人は、その記載内容がより分かり易くなるよう、本願明細書［００１７］段落の記載を一部補足し、以下に記述します（アンダーライン部が補足部分）。 
 「［００１７］　ここで、最終的に形成されるインク供給口幅はＸ1＋２Ｘ3でありＸ3の
バラツキ
揃えて
 　本願発明の目的・効果は、インク供給口の幅のバラツキを小さくし、かつインク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短くしてインクの吐出周波数を向上させることにあります（本願明細書［００２６］段落）。したがって、［００１７］段落の説明においてもＸ3のバラツキの値を小さくする趣旨の意味であることは、当業者にとって当然理解可能と考えます。」（第４頁第６行〜１９行）と記載しており、この記載における段落【００１７】の記載の補足及び説明は、上記した解釈に合致し、逆に、「オーバーエッチング」をインク供給口からインク吐出圧力発生素子までの距離を短くすることを目的に行うという先に記載した主張とは矛盾するものである。
　本願明細書及び図面のその他の記載を参酌しても、審判請求人の先に記載した主張を裏付けるような記載は認められない。したがって、審判請求人が相違点４に係る本願発明の発明特定事項についてする上記先に記載した主張は、本願明細書及び図面に記載された事項に基づかないものであり、その主張を採用することはできない。
　
ｅ．本願発明の進歩性について
　相違点１乃至４に係る本願発明の発明特定事項は、それぞれ引用発明及び周知慣用技術に基づいて当業者が想到容易な事項であり、それらの効果も当業者が容易に予測し得る程度のものであって、各相違点が有機的に格別の効果を奏するものとは認められない。
　
６．むすび
　以上のように、本願発明は、引用発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。