Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a)光ディスクの読み出し面を研磨する研磨ステップと、
b)研磨中及び／又は研磨後の光ディスクを洗浄する洗浄ステップと、
c)洗浄後の光ディスクの読み出し面をコーティング剤でコーティングするコーティングステップと、
を有することを特徴とする光ディスクの修復方法。
【請求項２】
読み出し面に傷を有する光ディスクを請求項１に記載の方法によって修復することにより修復ディスクを製造することを特徴とする修復ディスクの製造方法。
【請求項３】
a)光ディスクの読み出し面を研磨する研磨手段と、
b)研磨中及び／又は研磨後の光ディスクの読み出し面に洗浄液を供給する洗浄手段と、
c)洗浄後の光ディスクの読み出し面にコーティング剤を塗布するコーティング剤塗布手段と、
を有することを特徴とする光ディスク修復装置。
【請求項４】
a)鉛直方向に延伸した複数のディスク支持棒と、
b)該複数のディスク支持棒を上下方向に駆動する第１駆動手段と、
c)前記複数のディスク支持棒が互いに接近又は離間するように各ディスク支持棒を水平方向に駆動する第２駆動手段と、
を有し、前記第２駆動手段によって前記ディスク支持棒を互いに接近させた状態で前記第１駆動手段によって前記複数のディスク支持棒を駆動することにより各ディスク支持棒の下端を水平に載置された光ディスクの中心孔に挿入し、その後、前記第２駆動手段によって各ディスク支持棒を互いに離間させて前記各ディスク支持棒の周面を前記中心孔の内壁と当接させることにより該光ディスクを支持することを特徴とするディスク取り上げ機構。
【請求項５】
前記各ディスク支持棒が、前記光ディスクの支持時に該光ディスクの中心孔内壁と対向する側に、該光ディスクの外周に向かって下方に傾斜する傾斜部を有し、該傾斜部において前記光ディスクの中心孔内壁の下端と当接することによって該光ディスクを下方から支持することを特徴とする請求項４に記載のディスク取り上げ機構。
【請求項６】
更に、前記ディスク支持棒によって光ディスクを支持した際に該光ディスク上面の中心孔周縁部に当接する複数の上側規制部材を備えることを特徴とする請求項５に記載のディスク取り上げ機構。
【請求項７】
前記複数のディスク支持棒の少なくとも一部において前記傾斜部の上方に前記光ディスクの外周方向に突出した突出部を有し、前記ディスク支持棒によって前記光ディスクを支持した際に該突出部の下面で該光ディスク上面の中心孔周縁部に当接することを特徴とする請求項５に記載のディスク取り上げ機構。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
第１エンドプレート１４２には、排出マニホールド１４６が設けられるとともに、前記排出マニホールド１４６の上端部側には、空気抜き用ジョイント部１４８が設けられる。ジョイント部１４４、１４８は、配管部材（冷却媒体連通孔接続部）１５０により連結されるとともに、前記ジョイント部１４４には、空気抜き配管１５２の端部が接続される。配管部材１５０と空気抜き配管１５２とは、ジョイント部１４４を挟んで互いに同一高さに配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子を内部に収容すると共に、該ＬＥＤ素子の正面方向に開口部を有し、正面以外の方向に内部と外部を連通するスリットを有する筐体と、
を備えることを特徴とするＬＥＤ電球。
【請求項２】
前記筐体が複数の放熱フィンを放射状に有し、隣り合う放熱フィンの間に前記スリットが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ電球。
【請求項３】
前記筐体の材料に、熱伝導率の高い金属、又は熱伝導率の高いフィラーを混入したプラスチックが用いられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＬＥＤ電球。
【請求項４】
前記筐体の材料にアルミニウムが用いられていることを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項５】
前記筐体の表面に金属メッキ又は金属蒸着による反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＬＥＤ電球。
【請求項６】
前記スリットと前記ＬＥＤ素子との間に、該ＬＥＤ素子の発する光が透過可能で、該ＬＥＤ素子に汚れが付着することを防止するバリア部が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＬＥＤ電球。
【請求項７】
前記バリア部が着色されていることを特徴とする請求項６に記載のＬＥＤ電球。
【請求項８】
前記スリットが前記筐体の正面においても露出していることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のＬＥＤ電球。
【請求項９】
前記筐体の正面の一部又は全体を覆うカバーが設けられ、該カバーが凹凸を有する透明樹脂から成ることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のＬＥＤ電球。
【請求項１０】
前記カバーの一部が開口され、該カバーの開口に配光制御板を嵌め込むことを特徴とする請求項９に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１１】
ＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子の正面に設けられた、中央に開口部を有する、凹凸を有する透明樹脂板から成るカバー板と、
を備えることを特徴とするＬＥＤ電球。
【請求項１２】
前記開口部に配光制御板を設けたことを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤ電球。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図５は、タッチセンサ用ＩＣ１のレイアウトを示す図である。図５において、タッチセンサ用ＩＣ１は、半導体基板２０を含む。半導体基板２０の表面は、アナログ領域２０ａとディジタル領域２０ｂに２分割されている。図５では、半導体基板２０の四角形の表面のうち、四角形の３辺に沿ったコの字型の領域がアナログ領域２０ａにされ、残りの四角形の領域がディジタル領域２０ｂにされている。アナログ領域２０ａにはＩＣ１のアナログ回路部が配置され、ディジタル領域２０ｂにはＩＣ１のディジタル回路部が配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
＜第２の実施の形態＞
図３（ａ）〜（ｃ）では、ＨｉＺで示す期間、すなわちドライバ２〜４の出力ノードをＨｉＺ状態にして電圧ＶＯを測定する計測期間において、電圧ＶＯが一定レベルである状態が示されている。しかしながら、この計測期間にノイズが発生すると電圧ＶＯが変動するため、誤った計測結果が得られる場合がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図７は、本発明の第２の実施の形態に係るタッチセンサがタッチ検出を行なう際の動作手順を定めたフローチャートである。図８は、本発明の第２の実施の形態に係るタッチセンサの電圧判定動作を示す波形図である。図８は、外部端子ＴＡ２，ＴＡ３の電圧レベルを示している。図９（ａ）（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る制御回路におけるプライマリカウンタ２１およびセカンダリカウンタ２２のカウント動作を示す図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
図１６（ａ）（ｂ）は、本発明の第４の実施の形態に係るタッチセンサにおける制御回路５による計測動作の一例を示す図である。図１６（ａ）（ｂ）では、制御回路５がＭａｉｎ計測動作を行なうに際し、そのＭａｉｎ計測動作を行なうタイミングを変化させるために、クロック遅延選択回路ＤＬＹが１６個の遅延素子を含む場合を示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
その他の構成および動作は第２の実施の形態に係るタッチセンサと同様であるため、ここでは詳細な説明を繰り返さない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
図２０（ａ）（ｂ）は、本発明の第７の実施の形態に係るタッチセンサにおける制御回路５による計測動作の一例を示す図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
図２４（ａ）（ｂ）は、本発明の第１１の実施の形態に係るタッチセンサにおける制御回路による計測動作の一例を示す図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０１】
＜第１７の実施の形態＞
本実施の形態は、第２の実施の形態〜第６の実施の形態に係るタッチセンサにおける各種タッチ検出方法の少なくとも２つを組み合わせたタッチセンサに関する。以下で説明する内容以外は第２の実施の形態に係るタッチセンサと同様である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２２】
＜第２０の実施の形態＞
本実施の形態は、第２の実施の形態〜第６の実施の形態に係るタッチセンサにおける各種タッチ検出方法の少なくとも２つを組み合わせたタッチセンサに関する。以下で説明する内容以外は第２の実施の形態に係るタッチセンサと同様である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４７】
そして、タッチセンサ用ＩＣ５１は、コンデンサＣｒ１，ＣＸ１１の充電電荷を放電する放電動作と、コンデンサＣｃ１の充電電荷の一部をコンデンサＣｒ１，ＣＸ１１に分配する分配動作とを交互に行ない、タッチセンサ用ＩＣ５１と同様の方法により、タッチ電極ＥＬ１１への人体の接触の有無を判別するか、若しくは判別するためのデータを生成し、判別結果を示す信号若しくは判別するためのデータが生成されたことを示す信号をマイクロコンピュータ９に出力する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４８】
制御回路５は、残りのタッチ電極ＥＬ１２およびＥＬ１３を１つずつ順次選択し、タッチ電極ＥＬ１１と同様にして、各タッチ電極ＥＬへの人体の接触の有無を判別する。制御回路５は、各タッチ電極ＥＬへの人体の接触の有無を示す信号をマイクロコンピュータ９に出力する。なお、タッチ電極ＥＬ１２およびＥＬ１３の周辺回路は、タッチ電極ＥＬ１１の周辺回路における抵抗素子およびコンデンサを共通化したものであり、外部端子ＴＡ１２およびＴＡ１３のレベル判定方法は上記の外部端子ＴＡ１１のレベル判定方法と同様であるため、ここでは詳細な説明を繰り返さない。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５０】
その他の構成および動作は第１の実施の形態に係るタッチセンサと同様であるため、ここでは詳細な説明を繰り返さない。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記充放電回路は、前記充電動作を行なった後に前記放電動作と前記分配動作を交互に行ない、
さらに、前記分配動作が開始されてから次の前記放電動作が開始されるまでの間の計測期間において、前記所定のノードの電圧と前記予め定められたしきい値電圧を互いに異なるタイミングでＮ回（ただし、Ｎは２以上の整数である）比較し、Ｎ回の比較結果に基づいて前記選択されたタッチ電極への人体の接触の有無を示す信号を生成する検出回路を備える、請求項１３または請求項１４に記載のタッチセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ、あるいはＳｉ系材料で構成した半導体素子が金属配線上に搭載された半導体装置であって、
半導体素子は銀系接合材で金属配線上に搭載され、かつ半導体素子は半導体素子表面に形成したＳｉ系酸化物膜を介して銀系接合材と接合していることを特徴とした半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記銀系接合材は、前記Ｓｉ系酸化物膜と直接結合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記Ｓｉ系酸化物膜の厚さは０.１〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記銀系接合材は、酸化銀が還元されて得られたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体素子と前記半導体素子の電気信号を外部に取り出すための配線とを接合した半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子がＳｉ、またはＳｉ系で構成され、平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍの金属酸化物粒子と有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、大気雰囲気下で加熱により前記電極と配線とを接合する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記有機物からなる還元剤は、アルコール類，カルボン酸類，アミン類から選ばれた１種以上の混合物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属酸化物粒子は、酸化銀粒子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱の温度は、５０℃以上４００℃以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記加熱をする工程で、さらに加圧をすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記加圧の圧力は、０.０１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏面に設けられた第１電極と、基板の表面に設けられた半導体層と、半導体層の表面に設けられた第２電極とを有する半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子から出力される光を受光する受光素子とを有する半導体レーザ装置において、
前記第２電極は、前記半導体層の表面に部分的に露出領域を備えるように設けられ、前記受光素子は、受光面が該露出領域と対向するように配置され、
前記露出領域は、導波路直下以外の領域に形成される半導体レーザ装置。
【請求項２】
基板の裏面に設けられた第１電極と、基板の表面に設けられた半導体層と、半導体層の表面に設けられた第２電極とを有する半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子から出力される光を受光する受光素子とを有する半導体レーザ装置において、
前記第１電極は、前記基板の裏面に部分的に露出領域を備えるように設けられ、前記受光素子は、受光面が該露出領域と対向するように配置され、
前記露出領域は、導波路直下以外の領域に形成される半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記露出領域は、前記電極に設けられた切り欠き部によって規定される請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記露出領域は、共振器方向における中央領域に形成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子が載置される支持部材を有し、前記レーザ素子は、前記受光素子及び支持部材に跨って配置される請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記受光素子と支持部材の間には、空隙を有する請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記半導体レーザ素子の出射面側に支持部材が配置され、反射面側に受光素子が配置される請求項５又は６に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記半導体レーザ素子はジャンクションダウン実装されている１及び３乃至７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記露出領域は、前記半導体層の表面に設けられた透光性の絶縁膜を介して受光面と対向する請求項１及び３乃至８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠部と、前記枠部から内側へ延びた複数のリード部とを含む金属パターンを形成する工程と、
前記複数のリード部を内側から保持する第１の樹脂部と、前記複数のリード部を下側から保持するように、前記リード部における除去すべき部分の下面を露出しながら前記リード部における前記除去すべき部分に対する周辺部分の下面を覆う第２の樹脂部とを含む樹脂パターンを形成する工程と、
前記樹脂パターンにより前記リード部における前記周辺部分が保持された状態を維持しながら、前記リード部における前記除去すべき部分を除去することにより、前記複数のリード部を複数の第１のリード部と複数の第２のリード部とへ切断する工程と、
を含むことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記第１の樹脂部と前記第２の樹脂部とは、一体に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記切断する工程で除去された領域に樹脂を埋め込む工程と、
前記埋め込む工程の後に、前記枠部を除去する工程と、
前記枠部を除去する工程の後に、前記樹脂パターンにおける前記第１の樹脂部の上面に半導体チップを搭載する工程と、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記金属パターンを形成する工程では、
前記複数のリード部のそれぞれが、第１の領域と、前記第１の領域の内側に配された第２の領域と、前記第１の領域及び前記第２の領域より上側に高く前記第１の領域及び前記第２の領域の間に配され前記第１の領域及び前記第２の領域に接続された第３の領域とを有するように、前記複数のリード部を形成し、
前記第３の領域は、前記除去すべき部分を含む
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記樹脂パターンは、前記複数のリード部を上側から保持するように、前記リード部における第２の除去すべき部分の上面を露出しながら前記リード部における前記第２の除去すべき部分に対する周辺部分の上面を覆う第３の樹脂部をさらに含み、
前記切断する工程では、さらに、前記樹脂パターンにより前記リード部における前記周辺部分が保持された状態を維持しながら前記リード部における前記第２の除去すべき部分を除去することにより、前記複数のリード部を前記複数の第１のリード部と複数の第３のリード部とへ切断する
ことを特徴とする請求項４に記載のパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記金属パターンを形成する工程では、
前記複数のリード部のそれぞれが、前記第１の領域及び前記第２の領域より上側に高く前記第２の領域の内側に配された第４の領域をさらに有するように、前記複数のリード部を形成し、
前記第４の領域は、前記第２の除去すべき部分を含む
ことを特徴とする請求項５に記載のパッケージの製造方法。
【請求項７】
半導体チップと、パッケージと、を備え、
前記パッケージは、
上面に前記半導体チップが搭載された第１の樹脂部と、
前記第１の樹脂部の外側に隣接して配され、第１のランド部と前記第１のランド部より外側に配された第１の被ボンディング部とをそれぞれ有する複数の第１のリード部と、
前記複数の第１のリード部の外側に配され、第２の被ボンディング部と前記第２の被ボンディング部より外側に配された第２のランド部とをそれぞれ有する複数の第２のリード部と、
複数の前記第１の被ボンディング部と複数の前記第２の被ボンディング部との間を絶縁するとともに複数の前記第１の被ボンディング部と複数の前記第２の被ボンディング部とを下側から覆っている第２の樹脂部と、
複数の前記第１の被ボンディング部と複数の前記第２の被ボンディング部との間に、複数の前記第１の被ボンディング部と複数の前記第２の被ボンディング部とを分離するように配された第３の樹脂部と、を含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記第１の樹脂部と前記第２の樹脂部とは、一体に成形されている
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップとの間に空間を有する透明カバーをさらに含む
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップは、撮像センサを含む
ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の１つの側面に係るパッケージの製造方法は、枠部と、前記枠部から内側へ延びた複数のリード部とを含む金属パターンを形成する工程と、前記複数のリード部を内側から保持する第１の樹脂部と、前記複数のリード部を下側から保持するように、前記リード部における除去すべき部分の下面を露出しながら前記リード部における前記除去すべき部分に対する周辺部分の下面を覆う第２の樹脂部とを含む樹脂パターンを形成する工程と、前記樹脂パターンにより前記リード部における前記周辺部分が保持された状態を維持しながら、前記リード部における前記除去すべき部分を除去することにより、前記複数のリード部を複数の第１のリード部と複数の第２のリード部とへ切断する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光を取り込み、デジタル入力画像を生成するカメラ入力部と、
前記デジタル入力画像を圧縮符号化処理して、撮影情報を含む再生制御情報を含むストリームデータを生成する映像符号化部と、
前記ストリームデータを蓄積領域に記録する記録部と、
前記ストリームデータを元に動画像データを生成し、出力する出力部と
を有して構成されることを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記出力部が、映像復号化部を有し、
前記映像復号化部が、前記ストリームデータの復号化処理を行い、非圧縮動画像を生成し、
前記動画像データが、前記再生制御情報と前記非圧縮動画像で構成されることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記動画像データが、前記ストリームデータであることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
動画像と再生制御情報を含む動画像データを入力する入力部と、
前記再生制御情報を用いて、前記動画像の画像処理を行なう画像処理部と、
画像処理後の動画像をモニタに表示する再生画像表示部と、
を有して構成されることを特徴とする再生装置。
【請求項５】
前記動画像データが、再生制御情報と非圧縮動画像で構成されることを特徴とする請求項４に記載の再生装置。
【請求項６】
前記動画像データが、再生制御情報を含むストリームデータであり、
更にストリームデータの復号化処理を行う復号化部を有することを特徴とする請求項４に記載の再生装置。
【請求項７】
メモリI/O部を更に有し、
前記記録部が、前記蓄積部から読み出した記録データを読出して前記メモリI/Oに出力し、
前記メモリI/Oが、着脱可能なメモリに記録データを記録することを特徴とする請求項１、２または３に記載の記録装置。
【請求項８】
メモリI/O部を更に有し、
前記メモリI/Oが、着脱可能なメモリに記録された記録データを読み出して前記入力部に供給することを特徴とする
請求項４、５または６に記載の再生装置。
【請求項９】
請求項７に記載の記録装置と、請求項８に記載の再生装置とを有して構成され、
着脱可能なメモリを介して、前記記録装置の蓄積部に格納された記録データを、前記再生装置に入力する
ことを特徴とする動画像記録再生装置。
【請求項１０】
前記再生制御情報が、ストリームデータ中のユーザデータ領域に格納されることを特徴とする、請求項１、２、３に記載の記録装置。
【請求項１１】
前記再生制御情報が、ストリームデータ中のユーザデータ領域に格納されることを特徴とする、請求項４、５、６に記載の再生装置。
【請求項１２】
前記再生制御情報が、ストリームに対応する管理ファイル領域に格納されることを特徴とする、請求項１、２、３に記載の記録装置。
【請求項１３】
前記再生制御情報が、ストリームに対応する管理ファイル領域に格納されることを特徴とする、請求項４、５、６に記載の再生装置。
【請求項１４】
請求項２に記載の動画像データの出力と、請求項３に記載の動画像データの出力切り替えが可能であることを特徴とする記録装置。
【請求項１５】
請求項５に記載の動画像データの入力と、請求項６に記載の動画像データの入力切り替えが可能であることを特徴とする再生装置。
【請求項１６】
前記撮影情報が、動画像に対するズーム倍率情報であり、
前記映像符号化部がズーム処理前のデジタル入力画像に対してストリームデータを生成することを特徴とする請求項１、２または３に記載の記録装置。
【請求項１７】
前記撮影情報が、画像に対するズーム倍率情報であり、
カメラ入力部が光学ズーム機能を有し、
ズーム倍率が光学ズーム最大倍率以内の場合、光学ズームでデジタル入力画像を生成し、
ズーム倍率が光学ズーム最大倍率を超える場合、光学ズーム最大倍率でデジタル入力画像を生成し、
映像符号化部が前記デジタル入力画像に対してストリームデータを生成することを特徴とする請求項１、２または３に記載の記録装置。
【請求項１８】
前記再生制御情報が、入力される動画像に対するズーム倍率情報を含み、
前記画像処理部が、前記ズーム倍率情報に従い、前記動画像に対してズーム処理することを特徴とする請求項４、５または６に記載の再生装置。
【請求項１９】
動画像記録中に、動画像をモニタに表示する記録画像表示部を更に有し、
前記記録画像表示部が、前記ズーム倍率情報に従いデジタル入力画像に対してズーム処理し、ズーム後のデジタル入力画像をモニタに表示することを特徴とする請求項１、２または３に記載の記録装置。
【請求項２０】
前記出力部が、動画像に対するズーム処理を施す機能を更に有し、
前記出力部がズーム倍率に従い動画像に対してズーム処理を施し、ズーム処理後の動画像を出力する機能を更に有することを特徴とする請求項１または２に記載の記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の映像を符号化した第１の符号化データと、前記第１の映像と同一画面上に表示される第２の映像を符号化した第２の符号化データを含むストリームデータを入力し、前記第１の映像及び前記第２の映像を再生処理する映像再生システムであって、
前記第１の符号化データをデコードする第１のデコーダと、
前記第２の符号化データに対応する前記第１の符号化データが有する表示領域情報に基づいて、前記第２の符号化データをデコードする第２のデコーダと、
前記ストリームデータに含まれる前記第１の符号化データと前記第２の符号化データを夫々前記第１のデコーダ及び前記第２のデコーダに対して出力する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記ストリームデータの途中である再生点から前記再生処理を実行する場合に、前記第２の符号化データに対応する前記第１の符号化データが前記途中再生点より後のストリームデータに含まれていないときに、前記途中再生点より前のストリームデータに含まれる前記第１の符号化データを前記第１のデコーダに出力する映像再生システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像再生システム
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月5日(2012.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部から延出しており、かつ前記延出している方向に沿って延びている有底の溝を表面側および裏面側に備えている屈曲振動する振動腕と、
を含み、
前記振動腕は、前記基部に連続して延出しており、かつ前記基部から離れるにしたがい幅が減少している第１テーパー部、前記第１テーパー部から前記延出している方向に沿って延びており、かつ前記基部から離れるにしたがい前記第１テーパー部の幅の減少よりも急峻に幅が減少している第２テーパー部、および前記第２テーパー部に連続しており、前記第２テーパー部の先端の幅を保て幅が一定である定幅領域を有し、
平面視における前記溝の輪郭および前記振動腕の輪郭の間の距離は、前記第１テーパー部において前記基部から離間するにともない小さくなり、前記第２テーパー部において一定である、振動片。
【請求項２】
請求項１において、
前記溝は、前記第１テーパー部において、前記幅が一定である、振動片。
【請求項３】
請求項１において、
前記溝は、前記基部側から、前記定幅領域側に向かって、前記幅が単調に減少している、振動片。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項において、
前記溝の前記基部側では、前記溝の内面は、前記振動腕の表面と平行な面および該表面に対して傾斜した面からなり、
前記溝の前記定幅領域側では、前記溝の内面は、前記振動腕の表面に対して傾斜した面からなる、振動片。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項において、前記振動腕の振動モードにおける二次高調波モードのクリスタルインピーダンス値／基本波モードのクリスタルインピーダンス値で表される比が１以上である、振動片。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載された振動片と、
前記振動片を収容するパッケージと、
を含む、振動子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動片および振動子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例１]
本発明にかかる振動片の一態様は、
基部と、
前記基部から延出しており、かつ前記延出している方向にそって延びている有底の溝を表面側および裏面側に備えている振動腕と、
前記振動腕は、前記基部に連続して延出しており、かつ前記基部から離れるにしたがい幅が減少しているテーパー領域、および、前記テーパー領域に連続する定幅領域を有し、
前記テーパー領域の幅は、前記基部から離間するにともない減少し、
前記定幅領域の幅は、前記テーパー領域の先端の幅を有して一定であり、
前記溝は、前記テーパー領域において、前記基部から離間するにともない幅が減少する部分を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１有線通信媒体に接続される第１通信装置と、
第２有線通信媒体に接続され、無線通信機能を有する第２通信装置と、
を備え、
前記第１通信装置は、
少なくとも前記第２通信装置と無線通信が可能な無線通信部と、
前記第１有線通信媒体を利用して有線通信を行う有線通信部と、
前記無線通信部がデータを受信した場合または前記有線通信部がデータを受信した場合に、受信データの宛先が自装置であるか否かを確認する宛先確認部と、
前記受信データの宛先が自装置でない場合、前記受信データの中継送信を前記無線通信部と前記有線通信部とに指示する中継送信指示部と、
を備えることを特徴とする通信システム。
【請求項２】
請求項１に記載の通信システムにおいて、
前記第１有線通信媒体と前記第２有線通信媒体との間では、実質的に受信可能な状態で通信パケットが伝送されないことを特徴とする通信システム。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の通信システムにおいて、
前記中継送信指示部は、前記受信データがブロードキャストパケットであると前記宛先確認部が確認した場合に、前記ブロードキャストパケットの中継送信を前記無線通信部と前記有線通信部とに指示し、
前記ブロードキャストパケットは、
前記ブロードキャストパケットの送信元の送信装置と、前記送信装置が前記ブロードキャストパケットの送信に利用した通信媒体とを特定する情報を含む経路情報、
を含み、
前記第１通信装置は、さらに、
自装置を特定する情報と、自装置が前記ブロードキャストパケットの中継送信に利用する通信媒体の種別を特定する情報とを、前記経路情報に付加する経路情報付加部、
を備えることを特徴とする通信システム。
【請求項４】
請求項３に記載の通信システムにおいて、
前記第１通信装置は、さらに、
前記ブロードキャストパケットの応答データを作成し、前記応答データに前記送信装置までの送信経路を示す情報として前記経路情報を含める応答データ作成部と、
前記経路情報に基づいて前記応答データの送信先を特定し、特定した前記送信先への前記応答データの送信を、前記経路情報に基づいて前記無線通信部および前記有線通信部のいずれかに指示する送信指示部と、
を備えることを特徴とする通信システム。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の通信システムにおいて、
前記第１通信装置は、さらに、
前記受信データの中継送信を許可するか否かを判定する中継送信許可部、
を備え、
前記中継送信指示部は、前記中継送信許可部の判定結果に基づいて、前記無線通信部と前記有線通信部とに前記受信データの中継送信を指示することを特徴とする通信システム。
【請求項６】
請求項５に記載の通信システムにおいて、
前記中継送信許可部は、
前記無線通信部がデータを受信した場合に、前記第２通信装置が放射する電波強度が所定強度より小さいか否かを判定する電波強度判定部、
を含み、
前記中継送信許可部は、前記電波強度が前記所定強度より小さいと判定された場合、受信データの中継送信先として前記第２通信装置を指定することを特徴とする通信システム。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の通信システムにおいて、
前記中継送信許可部は、
前記有線通信部がデータを受信した場合に、受信データの受信品質が所定レベルより劣化しているか否かを判定する受信品質判定部、
を含み、
前記中継送信許可部は、前記受信品質が前記所定レベルより劣化していると判定された場合、前記有線通信部に前記受信データの中継送信を許可することを特徴とする通信システム。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の通信システムにおいて、
前記無線通信部は、
前記第２有線通信媒体が設置される方向に指向性を有するアンテナ、
を含むことを特徴とする通信システム。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の通信システムにおいて、
前記第１有線通信媒体及び前記第２有線通信媒体は、電力線であり、
前記有線通信部は、電力線搬送通信を行うことを特徴とする通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５記載の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の通信システムにおいて、前記第１通信装置は、さらに、前記受信データの中継送信を許可するか否かを判定する中継送信許可部、を備え、前記中継送信指示部は、前記中継送信許可部の判定結果に基づいて、前記無線通信部と前記有線通信部とに前記受信データの中継送信を指示することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月19日(2012.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
人感センサー部１０４は、本端末１００の近くに人がいることを検出するためのセンサーである。人感センサー部１０４は人がいることを検知すると、前記待機状態判定部１０１に検知したことを通知する。なお、詳述しないが、人感センサー部１０４は、赤外線検知技術を応用した種々の公知技術が適用可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
呼制御部１０６は、自電話端末の発着信の呼制御および音声データの送受信等、電話呼制御全般を行い、本端末１００への着信信号を監視し、接続ＩＦ（インターフェース）部１０７から着信信号を受取ると前記待機状態判定部１０１へ着信信号を検出したことを通知する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のキャビネットのねじ穴と第２のキャビネットのねじ穴をねじで結合させることで１つの筐体として構成する電子機器であって、
第１のキャビネットは、ねじ穴が開いた板金が締結され、
板金は、ねじ穴以外の部分をコの字型のリブで囲まれ、直に破断面に触れないように板金の破断面が覆われていることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面及び前記主表面と反対側の裏面とを有する発熱部品と、
前記主表面上に配置され、前記発熱部品を駆動するための実装部品が搭載された回路基板と、
前記裏面上に配置され、前記発熱部品が発生する熱を放熱するためのヒートシンクとを備えた電子機器において、
前記主表面上から前記ヒートシンクまで延在する熱伝導体を有し、前記回路基板と前記発熱部品との間に配置された補助ベースを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記ヒートシンクには前記熱伝導体を通過せしめる貫通孔が前記発熱部品の一方の側に設けられ、前記熱伝導体は前記ヒートシンク側に突出することを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
前記熱伝導体は第１熱伝導体群及び第２熱伝導体群より成り、前記第１熱伝導体群は前記貫通孔を通過し、  
前記ヒートシンクの前記一方の側とは反対側の他方の側には前記第熱２伝導体群を通過せしめる第２の貫通孔が設けられたことを特徴とする請求項２記載の電子機器。
【請求項４】
前記補助ベースは前記回路基板を固定する固定手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記熱伝導体は、前記発熱部品が発生する熱及び前記実装部品が発生する熱を前記ヒートシンクに伝えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記ヒートシンクには、第1の方向に冷媒が流れていることを特徴とする請求項１乃至
５のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記熱伝導体は前記第１の方向と平行な方向に扁平する扁平部を備えたことを特徴とする請求項６記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源となる半導体チップを搭載するための光源搭載面を有する金属基板であって、
Ａｕ以外の金属からなる放熱金属板と、該放熱金属板上の一部に積層された絶縁樹脂製の白色フィルムと、該放熱金属板上の他の一部に積層された光源搭載面形成層と、を有し、
前記光源搭載面形成層は前記放熱金属板と直接接する金属層であり、
前記光源搭載面は前記光源搭載面形成層の最表層をなすＡｕ層の表面である、
ことを特徴とする金属基板。
【請求項２】
前記白色フィルムが貫通孔を有しており、前記光源搭載面形成層が該貫通孔の位置に形成されている
ことを特徴とする、請求項１記載の金属基板。
【請求項３】
前記白色フィルムが複数の貫通孔を有しており、前記光源搭載面形成層が該複数の貫通孔のそれぞれの位置に形成されている
ことを特徴とする、請求項１または２記載の金属基板。
【請求項４】
前記光源搭載面形成層が前記最表層をなすＡｕ層の直下にＮｉ層を含む
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属基板。
【請求項５】
光源となる半導体チップと、該半導体チップを搭載するための光源搭載面を有する金属基板とを備え、該半導体チップが該光源搭載面上に搭載された光源装置であって、
該金属基板が、Ａｕ以外の金属からなる放熱金属板と、該放熱金属板上の一部に積層された絶縁樹脂製の白色フィルムと、該放熱金属板上の他の一部に積層された光源搭載面形成層と、を有し、
前記光源搭載面形成層は前記放熱金属板と直接接する金属層であり、
前記光源搭載面は前記光源搭載面形成層の最表層をなすＡｕ層の表面である、
ことを特徴とする、光源装置。
【請求項６】
前記半導体チップが垂直電極型のＬＥＤチップ、又は、導電性基板を有する水平電極型のＬＥＤチップであり、該ＬＥＤチップが前記光源搭載面上に固定されたサブマウント上に固定されている、
ことを特徴とする、請求項５記載の光源装置。
【請求項７】
前記サブマウントが、セラミック板と、その各主面にそれぞれ形成されたメタライズ層とを備えることを特徴とする、請求項６に記載の光源装置。
【請求項８】
前記半導体チップが放出する１次光を吸収して、該１次光の波長と異なる波長を有する２次光を放出する蛍光体を備え、該蛍光体が、前記半導体チップ及び前記光源搭載面から離れた位置に、空隙を挟んで配置されている
ことを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一項に記載の光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような問題点に対処するため、従来は、製造直後のマスク表面に、セルロース系あるいはフッ素系ポリマーなどのペリクル膜と呼称される薄い透明膜（フィルム）を貼り付け、出荷ケースと呼称される輸送用のケースに収納した上で、該マスクのユーザ先まで輸送している。
このペリクル膜はマスクにつけたままで半導体回路のネガフィルムに当たる機能を果たすマスクから塵埃を守る保護カバーの役割を果たす。また、ユーザ先における半導体回路の形成に際して、ＡｒＦまたはＫｒＦのレーザ光はペリクル膜を透過し、ペリクル膜表面に付着した塵埃があっても焦点のずれが発生しない。そこで、ペリクル膜を除去することなくウエハーに回路パターンを焼き付けることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係るマスクケースは、半導体回路等の形成に使用されるマスクの輸送用及び保管用として使用するマスクケースであって、内ケース上部と内ケース下部とから成り、前記内ケース上部と前記内ケース下部との間に前記マスクを挟み込んで収納することができる内ケースと；出荷ケース上部と出荷ケース下部とから成り、前記内ケースを収納することができる出荷ケースと；前記内ケース上部と前記出荷ケース上部との間に挿入される上緩衝材と；前記内ケース下部と前記出荷ケース下部との間に挿入される下緩衝材と；を備えたことを特徴とするマスクケースを提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガスを供給する反応ガス供給装置と、
前記反応ガスにより発電する燃料電池と、
前記燃料電池の発電出力により駆動される負荷と、
前記反応ガス供給装置から前記燃料電池へ前記反応ガスの供給を開始するとき、前記燃料電池の目標発電出力を決定する目標発電出力決定部と、
前記燃料電池の前記発電出力を調整する発電出力調整部と、
を備える燃料電池システムにおいて、
前記反応ガス供給装置が前記反応ガスの供給を停止していて、前記発電出力調整部が前記燃料電池から前記負荷への前記発電出力をゼロに調整している状態から、前記反応ガス供給装置が前記反応ガスの供給を開始し、前記発電出力調整部が前記燃料電池の前記発電出力を、前記目標発電出力決定部で決定された前記目標発電出力に一致させる過程を有し、
前記過程で、
前記燃料電池から流れ出す発電電流の波形が、
前記発電出力をゼロに調整していて前記発電電流がゼロになっている状態から前記目標発電出力に対応する目標電流を超えて上昇した後、前記目標電流に向かって下降しているとともに、
前記燃料電池の発電電圧の波形が、
前記燃料電池の劣化促進領域に入る前まで上昇し、前記劣化促進領域内では前記劣化促進領域に入る前までの前記上昇より緩やかに上昇している
ことを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池システムにおいて、
前記反応ガス供給装置は、前記燃料電池の前記目標発電出力に応じて前記反応ガスを供給する
ことを特徴とする燃料電池システム。
【請求項３】
請求項１又は２記載の燃料電池システムにおいて、
前記劣化促進領域内では前記劣化促進領域に入る前までの前記上昇する速度より遅い速度で上昇する際、前記発電電圧の電圧上昇率が徐々に低下している
ことを特徴とする燃料電池システム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の燃料電池システムにおいて、
前記目標発電出力決定部で決定された前記目標発電出力に一致させる過程中に、前記負荷が要求する負荷要求電力が増大したとき、
前記目標発電出力決定部は、前記負荷要求電力の増大に追従させて前記目標発電出力を増大させる
ことを特徴とする燃料電池システム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池システムにおいて、
前記燃料電池に並列に蓄電装置を備え、
前記発電出力調整部は、前記蓄電装置側に配置されたコンバータであり、
前記コンバータは、前記燃料電池の電流・電圧特性を利用して前記発電電圧を調整することで前記発電電流の前記波形を調整する
ことを特徴とする燃料電池システム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の燃料電池システムにおいて、
前記反応ガス供給装置の前記反応ガスの供給開始と、
前記燃料電池から流れ出す発電電流の波形が、前記発電出力をゼロに調整していて前記発電電流がゼロになっている状態からの上昇開始と、が同時である
ことを特徴とする燃料電池システム。
【請求項７】
反応ガスにより発電する燃料電池と、
前記燃料電池の発電出力により駆動される負荷と、
アイドル停止状態から復帰するとき、前記燃料電池の目標発電出力を決定する目標発電出力決定部と、
前記燃料電池の前記発電出力を調整する発電出力調整部と、
を備える燃料電池システムにおいて、
前記燃料電池システムが前記アイドル停止状態から復帰する際、前記発電出力調整部が前記燃料電池の前記発電出力を、前記目標発電出力決定部で決定された前記目標発電出力に一致させる過程を有し、
前記過程で、
前記燃料電池から流れ出す発電電流の波形が、前記目標発電出力に対応する目標電流を超えて上昇した後、前記目標電流に向かって下降しているとともに、
前記燃料電池の発電電圧の波形が、前記燃料電池の劣化促進領域に入る前まで上昇し、前記劣化促進領域内では前記劣化促進領域に入る前までの前記上昇より緩やかに上昇している
ことを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（６）上記の特徴（１）〜（５）のいずれかを有する発明において、前記反応ガス供給装置の前記反応ガスの供給開始と、前記燃料電池から流れ出す発電電流の波形が、前記発電出力をゼロに調整していて前記発電電流がゼロになっている状態からの上昇開始と、が同時であるので、反応ガスの供給開始時において発電電位が急激に高電位になることが抑制され燃料電池の劣化を防止することができる。
また、この発明に係る燃料電池システムは、反応ガスにより発電する燃料電池と、前記燃料電池の発電出力により駆動される負荷と、アイドル停止状態から復帰するとき、前記燃料電池の目標発電出力を決定する目標発電出力決定部と、前記燃料電池の前記発電出力を調整する発電出力調整部と、を備える燃料電池システムにおいて、前記燃料電池システムが前記アイドル停止状態から復帰する際、前記発電出力調整部が前記燃料電池の前記発電出力を、前記目標発電出力決定部で決定された前記目標発電出力に一致させる過程を有し、前記過程で、前記燃料電池から流れ出す発電電流の波形が、前記目標発電出力に対応する目標電流を超えて上昇した後、前記目標電流に向かって下降しているとともに、前記燃料電池の発電電圧の波形が、前記燃料電池の劣化促進領域に入る前まで上昇し、前記劣化促進領域内では前記劣化促進領域に入る前までの前記上昇より緩やかに上昇していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力が第１ノードに接続され、テスト期間の開始後に昇圧動作を開始するチャージポンプ回路と、
前記テスト期間中に負荷電流を前記第１ノードに供給し、前記テスト期間の終了後に前記第１ノードへの前記負荷電流の供給を停止する負荷電流印加回路と、
ここで、前記第１ノードの電圧は書き込み電圧であり、
メモリセルを有し、前記テスト期間中に前記メモリセルへの前記書き込み電圧の印加を停止し、前記テスト期間の終了後に前記書き込み電圧を前記メモリセルに印加する記憶回路と、
前記書き込み電圧と所定の電圧との比較を行い、前記書き込み電圧が前記所定の電圧に達しているか否かを判定する高電圧検出部と
を備え、
前記テスト期間終了時に前記書き込み電圧が前記所定の電圧に達していない場合、前記高電圧検出部は、ディスエーブル信号を活性化し、
前記ディスエーブル信号が活性化された場合、前記チャージポンプ回路は前記昇圧動作を停止し、それ以外の場合、前記チャージポンプ回路は前記昇圧動作を継続する
半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２０６８３３号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る実施形態に従ったフラッシュメモリは、各々がｎビット（ｎは２以上の整数）のデータを記憶する複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルのゲートに接続された複数のワード線と、前記メモリセルに接続された複数のビット線と、前記ビット線を介して前記メモリセルに記憶されたデータを検出するセンスアンプと、或るワード線に接続されたｍ個（ｍは２以上の整数）の前記メモリセルのそれぞれに格納されたｎビットデータを保存するｍ×ｎビットのデータラッチと、前記データラッチと外部との間で２ビット以上のデータを同時に転送可能な多値レベルインタフェースとを備え、
前記多値レベルインタフェースは、データ書込み時に、２ｋ値（ｋは２以上の整数、かつｋ≦ｎ）のいずれかのレベルを示す電位データを受け取り、該電位データをｋビットデータに変換し、該ｋビットデータを前記データラッチへ転送することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々がｎビット（ｎは２以上の整数）のデータを記憶する複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルのゲートに接続された複数のワード線と、
前記メモリセルに接続された複数のビット線と、
前記ビット線を介して前記メモリセルに記憶されたデータを検出するセンスアンプと、  或るワード線に接続されたｍ個（ｍは２以上の整数）の前記メモリセルのそれぞれに格納されたｎビットデータを保存するｍ×ｎビットのデータラッチと、
前記データラッチと外部との間で２ビット以上のデータを同時に転送可能な多値レベルインタフェースとを備え、
前記多値レベルインタフェースは、データ書込み時に、２ｋ値（ｋは２以上の整数、かつｋ≦ｎ）のいずれかのレベルを示す電位データを受け取り、該電位データをｋビットデータに変換し、該ｋビットデータを前記データラッチへ転送することを特徴とするフラッシュメモリ。
【請求項２】
各々がｎビット（ｎは２以上の整数）のデータを記憶する複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルのゲートに接続された複数のワード線と、
前記メモリセルに接続された複数のビット線と、
前記ビット線を介して前記メモリセルに記憶されたデータを検出するセンスアンプと、  或るワード線に接続されたｍ個（ｍは２以上の整数）の前記メモリセルのそれぞれに格納されたｎビットデータを保存するｍ×ｎビットのデータラッチと、
前記データラッチと外部との間で２ビット以上のデータを同時に転送可能な多値レベルインタフェースとを備え、
前記多値レベルインタフェースは、データ読出し時に、前記データラッチから前記ｋビットデータ（ｋは２以上の整数、かつｋ≦ｎ）を受け取り、２ｋ値のいずれかのレベルを示す電位データに変換し、該電位データを出力することを特徴とするフラッシュメモリ。
【請求項３】
前記多値レベルインタフェースは、
前記データラッチからのｋビットデータ（ｋは２以上の整数、かつｋ≦ｎ）から２ｋ値の多値レベルに変換し、あるいは、２ｋ値の多値レベルからｋビットデータに変換する入出力バッファと、
前記データラッチと前記入出力バッファとの間でデータを一時的に保持する入出力制御回路とを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフラッシュメモリ。
【請求項４】
前記多値レベルインタフェースは、データ読出し時に、前記データラッチから前記ｋビットデータ（ｋは２以上の整数、かつｋ≦ｎ）を受け取り、２ｋ値のいずれかのレベルを示す電位データに変換し、該電位データを出力することを特徴とする請求項１または請求項３のいずれか一項に記載のフラッシュメモリ。
【請求項５】
各々がｎビット（ｎは２以上の整数）のデータを記憶する複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルのゲートに接続された複数のワード線と、前記メモリセルに接続された複数のビット線と、ｍ×ｎビットのデータラッチと、前記データラッチへデータを転送し、または前記データラッチからのデータを受け取る多値レベルインタフェースとを備えたフラッシュメモリの駆動方法であって、
データ書込み時に、
２ｋ値（ｋは２以上の整数、且つｋ≦ｎ）のいずれかのレベルを示す電位データを受け取り、
前記多値レベルインタフェースは、前記電位データをｋビットデータに変換し、該ｋビットデータを前記データラッチへ転送し、
前記データラッチは、ｍ個の前記ｎビットデータを格納し、前記ビット線を介して前記ｎビットデータをｍ個の前記メモリセルへ送り、
ｍ個の前記メモリセルは、それぞれ前記ｎビットデータを格納することを具備する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のタップ係数に応じてデジタルＲＦ信号を等化する等化器と、
前記複数のタップ係数のそれぞれを時分割に修正するタップ係数コントローラと、
を具備する
適応等化器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】適応等化器