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　特願２００５−　７９４０４「変圧器準位駆動回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月　４日出願公開，特開２００５−３１２２８８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は平成１７年３月１８日（優先権主張平成１６年３月２６日）の出願であって，平成１９年１０月９日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２０年１月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ，同年２月１５日に手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願の発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２０年２月１５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。
「低電圧電力からの入力を受け第一，第二位相信号を出力する制御ユニットと，
　フローティングレベル（準位）ユニット，及び第一，第二ｎ型半導体からなる駆動ユニットを含む中電圧駆動回路とから構成され，
　前記フローティングレベルユニット及び前記第一ｎ型半導体は前記第一位相信号により制御され，前記第二ｎ型半導体は前記第二位相信号により制御され，前記第一，第二位相信号は，前記第一，第二ｎ型半導体が共通の停止（ＯＦＦ）時間を有しながら交互にＯＮ／ＯＦＦするように制御を行なうことを特徴とする変圧器準位駆動回路。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−２７３７１４号公報（以下，「引用例」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　
　　　（ア）「【０００２】
【従来の技術】２つの絶縁ゲートデバイスを直列に接続して構成されたトーテムポール型の負荷駆動回路（以下においてトーテムポール回路という）は，電動機を駆動する電力変換装置やディスプレイの駆動回路に適用されている。絶縁ゲートデバイスの高耐圧化が図られ，トーテムポール回路に高耐圧の絶縁ゲートデバイスを採用することにより，トーテムポール回路が扱う電流・電圧の適用範囲も拡大している。」
　
　　　（イ）「【０００４】図４において，１０は２つのｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１，Ｎ２）を図示のように直列に接続した回路を高電圧の直流電源（ＶＨ）に接続し，Ｎ１，Ｎ２の接続点を出力（Ｖｏｕｔ）とするトーテムポール回路である。出力（Ｖｏｕｔ）には負荷（例えば，容量性の負荷であるプラズマディスプレイパネルの発光素子）が接続される。
【０００５】２１は上アーム側（高圧側）に接続されるＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）を駆動するための駆動回路，３０は低電圧の直流電源（ＶＬ）を電源として前記ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１，Ｎ２）を制御する低電圧の制御信号（Ｓ１，Ｓ２）を生成する制御回路，４１は前記制御回路３０より出力される制御信号を，上アーム側のＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）を駆動するのに必要な電圧レベルに変換するレベルシフト回路である。
【０００６】制御回路３０より出力される制御信号（Ｓ１，Ｓ２）はいずれも回路内の最低電位（Ｖｓｓ）を基準とした信号である。よって，出力（Ｖｏｕｔ）の電位を基準として動作する上アーム側に接続されるＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）を前記制御信号３０の出力で直接駆動することはできない。そのため，制御信号（Ｓ２）を一旦レベルシフト回路４１に入力し，レベルシフト回路によって出力（Ｖｏｕｔ）の電位を基準とする信号に変換した後，当該信号を駆動回路２１に入力してＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）を駆動している。」
　
　　　（ウ）「【０００９】次に，図４の回路の動作について説明する。制御回路３０は，図示しない前段の信号処理回路より入力端子（Ｖｉｎ）に入力される制御信号（Ｓ）に基づいて出力（Ｖｏｕｔ）をＨレベル（ＶＨ）またはＬレベル（Ｖｓｓ）とすべく，ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１，Ｎ２）を交互にオン・オフさせるための，即ち，ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１）をオフまたはオンさせ，ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）をオンまたはオフさせるための低電圧で相補の制御信号（Ｓ１，Ｓ２）を出力する。Ｖｓｓは図示の如く各回路に共通に接続される最低電位である。
【００１０】図４の例では，制御信号（Ｓ２）がＨレベルの時，レベルシフト回路４１を構成するｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（Ｎ３）がオンし，抵抗Ｒ２を介して電流ＩＮ３が流れ，駆動回路２１を構成するｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（Ｐ１）がオンする。ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ１）がオンすることでＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）がオンして出力（Ｖｏｕｔ）の電圧はＶＨとなる。このとき制御信号（Ｓ１）はＬレベルでありＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１）はオフである。
【００１１】図４において，駆動回路２１を構成する抵抗（Ｒ１）は，ＭＯＳＦＥＴ（Ｐ１）により供給される電流によって所望のゲート電圧を得るためのものであり，ツェナーダイオード（ＺＤ）は，ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）のゲート−ソース間電圧の上昇を抑制するためのものである。逆に，制御信号（Ｓ２）がＬレベルとなってＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）がオフし，制御信号（Ｓ１）がＨレベルとなってＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１）がオンし，出力（Ｖｏｕｔ）の電圧はＶｓｓとなる。
【００１２】ここで，直列回路を形成するＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１，Ｎ２）が同時にオン状態となると，直流電源がＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１，Ｎ２）によって短絡された状態（アーム短絡）となる。アーム短絡が発生すると，トーテムポール回路の消費電力を増大させるだけでなく，トーテムポール回路を構成するデバイスや負荷の破壊を招くことがある。
【００１３】このため，制御回路３０は，制御信号（Ｓ１）がＨレベルからＬレベルへ変化した所定時間後に制御信号（Ｓ２）がＬレベルからＨレベルに変化し，その逆の場合も同様に，制御信号（Ｓ２）がＨレベルからＬレベルへ変化した所定時間後に制御信号（Ｓ１）がＬレベルからＨレベルに変化するように，制御信号（Ｓ１），（Ｓ２）のオン・オフとの間に時間差（デットタイム）を設けている。」
　
　これらの記載事項及び図示内容を総合すると引用例には第２実施形態として，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「低電圧の直流電源ＶＬを電源として制御信号Ｓ１，Ｓ２を生成する制御回路３０と，
　駆動回路２１と，及びｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１，Ｎ２）からなるトーテムポール回路１０とを有し，
　制御信号Ｓ２に基づく信号を駆動回路２１に入力して高圧側に接続されるＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）を駆動し，ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１）は制御信号Ｓ１がＬレベルのときにオフとなり，Ｈレベルのときにオンとなり，前記制御信号Ｓ１がＨレベルからＬレベルへ変化した所定時間後に制御信号Ｓ２がＬレベルからＨレベルに変化し，制御信号Ｓ２がＨレベルからＬレベルへ変化した所定時間後に制御信号Ｓ１がＬレベルからＨレベルに変化するように，制御信号Ｓ１，Ｓ２のオン・オフとの間にデットタイムを設けて制御する負荷駆動回路。」
　
（２）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　　　（ア）引用発明の「低電圧の直流電源ＶＬを電源として」という態様は，本願発明の「低電圧電力からの入力を受け」という態様に相当する。また，引用発明の「制御信号Ｓ１，制御信号Ｓ２を生成する制御回路３０」は，本願発明の「第一，第二位相信号を出力する制御ユニット」に相当する。
　
　　　（イ）引用発明の「駆動回路２１」と，本願発明の「フローティングレベルユニット」とは，「駆動用電気回路」という概念で共通している。また，引用発明の「ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１）」，「ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）」，「トーテムポール回路１０」はそれぞれ，本願発明の「第二ｎ型半導体」，「第一ｎ型半導体」，「駆動ユニット」に相当する。さらに，引用発明は「駆動回路２１」及び「トーテムポール回路１０」を有しているので，本願発明の「中電圧駆動回路」に相当する構成を有しているといえる。
　
　　　（ウ）引用発明の「制御信号Ｓ２に基づく信号を駆動回路２１に入力して高圧側に接続されるＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）を駆動し，ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（Ｎ１）は制御信号Ｓ１がＬレベルのときにオフとなり，Ｈレベルのときにオンとなり」という態様と，本願発明の「フローティングレベルユニット及び第一ｎ型半導体は第一位相信号により制御され」るという態様とは，「駆動用電気回路及び第一ｎ型半導体は第一位相信号により制御され」るという概念で共通する。
　
　　　（エ）引用発明の「制御信号Ｓ１がＨレベルからＬレベルへ変化した所定時間後に制御信号Ｓ２がＬレベルからＨレベルに変化し，制御信号Ｓ２がＨレベルからＬレベルへ変化した所定時間後に制御信号Ｓ１がＬレベルからＨレベルに変化するように，制御信号Ｓ１，Ｓ２のオン・オフとの間にデットタイムを設けて制御する」態様は，本願発明の「第一，第二位相信号は，第一，第二ｎ型半導体が共通の停止（ＯＦＦ）時間を有しながら交互にＯＮ／ＯＦＦするように制御を行なう」態様に相当する。
　
　　　（オ）引用発明の「負荷駆動回路」と，本願発明の「変圧器準位駆動回路」は，「駆動回路」という概念で共通する。
　
　したがって両者は，
「低電圧電力からの入力を受け第一，第二位相信号を出力する制御ユニットと，
　駆動用電気回路，及び第一，第二ｎ型半導体からなる駆動ユニットを含む中電圧駆動回路とから構成され，
　前記駆動用電気回路及び前記第一ｎ型半導体は前記第一位相信号により制御され，前記第二ｎ型半導体は前記第二位相信号により制御され，前記第一，第二位相信号は，前記第一，第二ｎ型半導体が共通の停止（ＯＦＦ）時間を有しながら交互にＯＮ／ＯＦＦするように制御を行なうことを特徴とする駆動回路。」
の点で一致し，以下の点で相違している。
［相違点１］
　「駆動用電気回路」に関し，本願発明は「フローティングレベルユニット」であるのに対し，引用発明はかかる特定がない点。
［相違点２］
　「駆動回路」に関し，本願発明は「変圧器準位」駆動回路であるのに対し，引用発明はかかる特定がない点。
　
（３）判断
　上記相違点について，以下に検討する。
　
　　　（ア）相違点１について
　例えば特開平９−５１６８１号公報（以下，「周知例」という。）に示されているように，２つのｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを直列に接続した回路において，高圧側のＭＯＳＦＥＴ（該公報の【図５】の「スイッチ１１２」が相当。）をフローティングして使用する必要があることは技術常識である（該公報の段落【００３０】を参照。）。
　そうすると，引用発明の「高圧側に接続されるＭＯＳＦＥＴ（Ｎ２）」を駆動する「駆動回路２１」をフローティングして使用することは，当業者にとって格別なことではない。
　
　　　（イ）相違点２について
　例えば周知例に示されているように，２つのｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを直列に接続した回路によって，変圧器準位（「圧電トランスの電圧Ｖ１」が相当。）を出力する駆動回路は周知技術である（周知例の段落【００２５】，【図５】，【図６】を参照。）。
　そうすると，引用発明のトーテムポール型の負荷駆動回路の適用対象として，上記周知技術を適用することにより，本願発明の相違点２にかかる構成とすることは，当業者にとって容易である。
　
　また，本願発明の全体構成により奏される作用効果も，引用発明，技術常識及び上記周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　したがって，本願発明は，引用発明，技術常識及び上記周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。