【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ系半導体レーザであって、
第１のＧａＮ系半導体からなり、該第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸に直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜した主面を有する基板と、
前記主面上に設けられたＧａＮ系半導体エピタキシャル領域と、
前記ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域上に設けられ、活性層のための半導体エピタキシャル層と
を備え、
前記半導体エピタキシャル層は第２のＧａＮ系半導体からなり、前記第２のＧａＮ系半導体はインジウムを含み、
前記ＧａＮ系半導体レーザは、前記主面と平行な方向に共振器を有し、
前記共振器の向きは、前記ＧａＮ系半導体レーザのＬＥＤモードにおける発光の偏光の向きに合わせ、適切な方向に向けられおり、
前記基準軸の向きは、前記第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸及び［０００−１］軸のいずれかの方向である、ことを特徴とするＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項２】
前記ＬＥＤモードにおける発光の偏光の向きはａ軸方向に平行な方向である、ことを特徴とする請求項１に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項３】
前記共振器の向きは、前記主面に前記ｃ軸を投影した方向に平行な向きである、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項４】
前記共振器は共振器面を有し、前記共振器面は前記共振器の向きと垂直である、ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項５】
前記基板の前記主面は、該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に前記基準軸に直交する面から７０度以上の角度で傾斜している、ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項６】
前記基板の前記主面は、該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に前記基準軸に直交する面から７１度以上７９度以下の角度で傾斜している、ことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項７】
前記第１のＧａＮ系半導体のａ軸方向のオフ角は−３度以上＋３度以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項８】
前記活性層上に設けられた第２導電型ＧａＮ系半導体層を備え、
前記ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域は、第１導電型ＧａＮ系半導体層を含み、
前記活性層は、所定の軸の方向に交互に配置された井戸層及び障壁層を含み、
前記井戸層は前記半導体エピタキシャル層からなると共に、前記障壁層はＧａＮ系半導体からなり、
前記第１導電型ＧａＮ系半導体層、前記活性層及び前記第２導電型ＧａＮ系半導体層は、所定の軸の方向に配列されると共に、前記基準軸の方向は前記所定の軸の方向と異なる、ことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項９】
前記活性層は、３７０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長範囲の光を生成するように設けられている、ことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項１０】
前記活性層は、４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長範囲の光を生成するように設けられている、ことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項１１】
前記基板の前記主面は、該第１のＧａＮ系半導体の（２０−２１）面及び（２０−２−１）面のいずれかから−３度以上＋３度以下の範囲の角度で傾斜した半導体面である、ことを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項１２】
前記基準軸は前記［０００１］軸の方向に向く、ことを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項１３】
前記基準軸は前記［０００−１］軸の方向に向く、ことを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項１４】
前記基板はＧａＮからなる、ことを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項１５】
前記基板の前記主面の表面モフォロジは複数のマイクロステップを有しており、該マイクロステップの主要な構成面は、少なくともｍ面及び（１０−１１）面を含む、ことを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれか一項に記載されたＧａＮ系半導体レーザ。
【請求項１６】
ＧａＮ系半導体レーザを作製する方法であって、
第１のＧａＮ系半導体からなるウエハを熱処理する工程と、
前記ウエハの主面上に、ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域を成長する工程と、
前記ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域の主面上に、活性層のための半導体エピタキシャル層を形成する工程と
を備え、
前記ウエハは、該第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸に直交する面から前記第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜した主面を有しており、
前記半導体エピタキシャル層は第２のＧａＮ系半導体からなり、前記第２のＧａＮ系半導体は構成元素としてインジウムを含み、
前記ＧａＮ系半導体レーザは、前記主面と平行な方向に共振器を有し、
前記共振器の向きは、前記ＧａＮ系半導体レーザのＬＥＤモードにおける発光の偏光の向きに合わせ、適切な方向に向けられおり、
前記基準軸は、前記第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸及び［０００−１］軸のいずれかの方向に向いている、ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記ＬＥＤモードにおける発光の偏光の向きはａ軸方向に平行な方向である、ことを特徴とする請求項１６に記載された方法。
【請求項１８】
前記共振器の向きは、前記主面に前記ｃ軸を投影した方向に平行な向きである、ことを特徴とする請求項１６又は請求項１７に記載された方法。
【請求項１９】
前記共振器は共振器面を有し、前記共振器面は前記共振器の向きと垂直である、ことを特徴とする請求項１６〜請求項１８のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２０】
前記ウエハの前記主面は、前記第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に前記基準軸に直交する面から７０度以上の範囲の角度で傾斜している、ことを特徴とする請求項１６〜請求項１９のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２１】
前記ウエハの前記主面は、該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に前記基準軸に直交する面から７１度以上７９度以下の角度で傾斜している、ことを特徴とする請求項１６〜請求項２０のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２２】
前記活性層は、所定の軸の方向に交互に配置された井戸層及び障壁層を含む量子井戸構造を有しており、
前記半導体エピタキシャル層は前記井戸層であり、
前記障壁層はＧａＮ系半導体からなり、
当該方法は、
前記半導体エピタキシャル層上に前記障壁層を形成する工程と、
前記活性層上に、第２導電型ＧａＮ系半導体層を成長する工程と
を備え、
前記ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域は、第１導電型ＧａＮ系半導体層を含み、
前記第１導電型ＧａＮ系半導体層、前記活性層及び前記第２導電型ＧａＮ系半導体層は、所定の軸の方向に配列されると共に、前記基準軸の方向は前記所定の軸の方向と異なる、ことを特徴とする請求項１６〜請求項２１のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２３】
前記第１のＧａＮ系半導体のａ軸方向のオフ角は−３度以上＋３度以下の範囲にある、ことを特徴とする請求項１６〜請求項２２のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２４】
前記ウエハの前記主面における前記傾斜角は、該第１のＧａＮ系半導体の（２０−２１）面及び（２０−２−１）面のいずれかの結晶面から−３度以上＋３度以下の範囲で分布している、ことを特徴とする請求項１６〜請求項２３のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２５】
前記ウエハはＩｎＳＡｌＴＧａ１−Ｓ−ＴＮ（０≦Ｓ≦１、０≦Ｔ≦１、０≦Ｓ＋Ｔ＜１）からなる、ことを特徴とする請求項１６〜請求項２４のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２６】
前記ウエハはＧａＮからなる、ことを特徴とする請求項１６〜請求項２５のいずれか一項に記載された方法。
【請求項２７】
前記ウエハの前記主面の表面モフォロジは複数のマイクロステップを有しており、該マイクロステップの主要な構成面は、少なくともｍ面及び（１０−１１）面を含む、ことを特徴とする請求項１６〜請求項２６のいずれか一項に記載された方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＧａＮ系半導体レーザ、ＧａＮ系半導体レーザを作製する方法