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　平成１１年特許願第２７２２４１号「点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の連続引上げ法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月　３日出願公開、特開２００１−　８９２９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成１１年９月２７日の出願であって、平成１９年８月２２日付けで拒絶理由が通知され（発送日は同月２８日）、同年１０月４日付けで意見書・手続補正書が提出され、同年１２月２７日付けで拒絶査定され（発送日は平成２０年１月８日）、その後、平成２０年２月６日に審判請求がなされたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年１０月４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
【請求項１】シリコン単結晶インゴット（２５）の引上げ速度をＶ（ｍｍ／分）とし、シリコン融液（１８）と前記インゴット（２５）の接触面におけるインゴット鉛直方向の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とし、前記インゴット内での格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在する領域を［Ｉ］とし、空孔型点欠陥の凝集体が存在する領域を［Ｖ］とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を［Ｐ］とするとき、Ｖ／Ｇを一定に制御しながら前記パーフェクト領域［Ｐ］からなるシリコン単結晶インゴット（２５）をチョクラルスキー法により引上げる方法において、
　前記シリコン融液（１８）が貯えられた外るつぼ（１２ａ）と内るつぼ（１２ｂ）の間にシリコン原料（２１）をインゴット（２５）の成長量に相応して供給しながら、前記外るつぼ（１２ａ）を回転させかつ前記内るつぼ（１２ｂ）の内側領域から前記インゴット（２５）を引上げ軸方向を中心として回転させ、これにより前記シリコン融液（１８）の融液深さ及び外るつぼ（１２ａ）のヒータ（１３）との相対位置を変えずに、前記インゴット（２５）の前記温度勾配Ｇを一定にしながら前記引上げ速度Ｖのみを一定にして引上げることを特徴とする点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の連続引上げ法。
　
　なお、以下の検討では、本願発明の各特定事項に括弧をして併記された図面において使用されている符号の記載を省略する。
　
２．引用文献
２−１．引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−３３０３１６号公報には次の事項が記載され、視認される。
（２−１−１）「【請求項２】チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコン融点から１３００℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）とするとき、Ｖ／Ｇ値を結晶中心位置と結晶外周から３０ｍｍまでの位置との間では０．２０〜０．２２ｍｍ２／℃・ｍｉｎとし、結晶外周から３０ｍｍまでの位置と結晶外周位置との間では０．２０〜０．２２ｍｍ２／℃・ｍｉｎとするか若しくは結晶外周に向かって漸次増加させることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ製造方法。」（特許請求の範囲の請求項２）
（２−１−２）「本発明は、半導体素子等の製造に用いられるシリコン単結晶ウェーハ、特にチョクラルスキー法（以下ＣＺ法という）により育成されたシリコン単結晶ウェーハ・・・・・・の製造方法に関する。」（【０００１】）
（２−１−３）「半導体素子の製造に用いられるシリコン単結晶ウェーハは主にＣＺ法により製造されている。ＣＺ法とは周知の如く石英坩堝内のシリコン融液に種結晶を漬け、石英坩堝および種結晶を回転させながら種結晶を引き上げることにより、円柱状のシリコン単結晶を育成するものである。」（【０００２】）
（２−１−４）「【課題を解決するための手段】ところで本発明者らは先にＯＳＦリングの発生位置に関し次のような重要な事実を得た。
・・・・・・
・・・・・・単結晶の引き上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコン融点から１３００℃までの高温域における単結晶の引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）とする・・・・・・。
・・・・・・
　図２から分かるように、Ｖ／Ｇ値が０．２０ｍｍ２／℃・ｍｉｎ未満の場合、径方向全域において転位クラスタが発生する。Ｖ／Ｇ値が０．２０ｍｍ２／℃・ｍｉｎより大きくなるに連れて無欠陥領域、ＯＳＦリング発生領域、赤外散乱欠陥発生領域の順に領域が変化する。
・・・・・・
　ここで注目すべきことは、ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成では単結晶の径方向全域において無欠陥となるＶ／Ｇが存在すること、換言すればＶ／Ｇによっては単結晶の径方向全域において欠陥を無くすのが可能であること、しかし従来の育成では単結晶の引き上げ速度に関係なくＶ／Ｇ曲線が一般に右下がりとなるため径方向全域において無欠陥とするのができないことの２点である。
・・・・・・
　しかしながら、もし仮に、単結晶の径方向においてＶ／Ｇを径方向に一定の直線、あるいは外周部において漸増する右上りの曲線とすることができれば、径方向の全域において欠陥の発生を防止することができる。この仮定に基づき本発明者らは更なる調査解析を行なった。その結果、結晶育成装置のホットゾーンの構造によってはＶ／Ｇを図２に実線で示すような直線乃至は右上りの曲線とすることができ、その結果、単結晶の径方向全域において無欠陥領域が形成され、ここにこれまで不可能であった全面無欠陥ウェーハの製造が可能になることを知見し、本発明を完成させるに至った。
・・・・・・
【作用】本発明のウェーハは、ＯＳＦリングがウェーハ中心部で消滅した低速育成ウェーハであるので、ＯＳＦおよびその内側に発生する赤外散乱欠陥を含まない。そして、外側に発生するはずの転位クラスタも排除されている。よって全面にわたり有害欠陥のない高品質ウェーハとなる。
・・・・・・
・・・・・・結晶が冷却されにくい構造を有するＣＺ炉では、Ｖ／Ｇ値は径方向に一定か、もしくは若干増大し、無制限に増大しない傾向となる。従って、このようなＣＺ炉を使用し、且つ結晶中心部でＶ／Ｇ値を無欠陥領域に存在させておけば、Ｖ／Ｇ値は径方向全域において無欠陥領域から外れることはない。」
（【００１８】〜【００３４】）
（２−１−５）「結晶内の融点に近い高温部における温度勾配は、結晶軸方向で必ずしも一定ではなく、トップ部からテイル部にかけて若干変化する。これは、結晶成長時に一定の直径を維持するためにヒーターパワーが変化することや、結晶長、残融液量等の変化によってＣＺ炉内の熱的な環境が徐々に変化することによって、結晶に流入流出する熱流が変化するためである。従って、従来のＣＺ法においては、引き上げ量の増大に伴う結晶軸方向の温度勾配の変化によってＶ／Ｇ値も変化し、発生する欠陥分布も軸方向にわずかずつ変化する（・・・・・・）。
　そこで、結晶軸方向の温度勾配Ｇの変化に対して、Ｖ／Ｇが一定になるように引き上げ速度Ｖを調整する（・・・・・・）。そうすることにより、軸方向全域においても全面無欠陥とすることが可能となる。」（【００３５】〜【００３６】）
（２−１−６）「横軸を結晶径方向位置とし縦軸をＶ／Ｇとしたときの両者の関係（Ｖ／Ｇ曲線）および欠陥分布を示す図表で、Ｖ／Ｇ曲線の傾きが欠陥の発生に及ぼす影響を示す」とされた図２をみると、上記（２−１−４）で摘示した事項を伺うことができる。
２−２．引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−２０８３６６号公報には次の事項が記載されている。
（２−２−１）「【請求項１】　気密容器と、前記気密容器内で半導体融液を貯留する、互いに連通する外ルツボおよび内ルツボからなる二重ルツボと、前記気密容器の上部から垂下され、その下端開口から前記外ルツボと前記内ルツボとの間の半導体融液中に粒状の原料を連続的に投入可能に配設された原料供給管とを備えた単結晶引上装置において、
　半導体単結晶の定径部成長工程で径変動率が所定の値以下になった時点から半導体単結晶の所定の引上量引上げ後、前記粒状の原料の供給を開始し、この供給量を直線的に設定供給量まで増加させるとともに、これに連動して、前記二重ルツボの上昇速度を直線的に零まで減少させることを特徴とする単結晶引上装置における原料投入方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２−２−２）「本発明は、・・・・・・原料を徐々に投入することにより、半導体融液の液面位置を一定にして、格子欠陥等の発生が低減する、単結晶引上装置における原料投入方法を提供することを目的としている。」（【００１８】）
（２−２−３）「単結晶引上装置としてＣＭＣＺ法を採用したが、二重ルツボ構造であるなら、他の単結晶製造方法を適用しても構わない。例えば、磁場印加を行わない連続チャージ型ＣＺ法（ＣＣＺ法）を採用してもよい。」（【００２８】）
２−３．周知文献１：本願出願前に頒布された刊行物であるＷＯ９８／４５５０８には次の事項が記載されている。
（２−３−１）「Vacancy-type defects are recognized to be the origin of such observable crystal defects as D-defects, Flow Pattern Defects (FPDs), Gate Oxide Integrity (GOI) Defects, Crystal Originated Particle (COP) Defects, crystal originated Light Point Defects (LPDs), as well as certain classes of bulk defects observed by infrared light scattering techniques such as Scanning Infrared Microscopy and Laser Scanning Tomography. Also present in regions of excess vacancies are defects which act as the nuclei for ring oxidation induced stacking faults (OISF). 」（２頁１９〜２９行）
（当審訳： 空孔タイプの欠陥は、Ｄ欠陥、フローパターン（ＦＰＤ）欠陥、ゲートオキシドインテグリティ（ＧＯＩ）欠陥、結晶に起因したパーティクル（ＣＯＰ）欠陥、結晶に起因したライトポイント（ＬＰＤ）欠陥、および、赤外線散乱法、例えば、走査赤外線鏡検法およびレーザー走査断層撮影法によって観察されるある種のバルク欠陥（bulk defects）のような、観察可能な結晶欠陥の原因であることが確認されている。リング状の酸化誘起積層欠陥（ring oxidation induced stacking faults）（ＯＩＳＦ）の核として作用する欠陥も、過剰空孔の領域に存在する。）
　
３．対比・判断
　まず、引用文献１の記載について検討する。
（あ）上記（２−１−４）の「本発明のウェーハは、ＯＳＦリングがウェーハ中心部で消滅した低速育成ウェーハであるので、ＯＳＦおよびその内側に発生する赤外散乱欠陥を含まない。そして、外側に発生するはずの転位クラスタも排除されている。よって全面にわたり有害欠陥のない高品質ウェーハとなる」及び「結晶が冷却されにくい構造を有するＣＺ炉ではＶ／Ｇ値は径方向に一定か、もしくは若干増大し、無制限に増大しない傾向となる。従って、このようなＣＺ炉を使用し、且つ結晶中心部でＶ／Ｇ値を無欠陥領域に存在させておけば、Ｖ／Ｇ値は径方向全域において無欠陥領域から外れることはない。」との記載によれば、上記（２−１−１）に記載の「シリコン単結晶ウェーハ製造方法」において、「Ｖ／Ｇ値を結晶中心位置と結晶外周から３０ｍｍまでの位置との間では０．２０〜０．２２ｍｍ２／℃・ｍｉｎとし、結晶外周から３０ｍｍまでの位置と結晶外周位置との間では０．２０〜０．２２ｍｍ２／℃・ｍｉｎとするか若しくは結晶外周に向かって漸次増加させること」は、「単結晶の径方向全域において無欠陥領域が形成」されることであるといえる。
（い）上記（２−１−５）の「結晶軸方向の温度勾配Ｇの変化に対して、Ｖ／Ｇが一定になるように引き上げ速度Ｖを調整する」によれば、上記（２−１−１）に記載の「シリコン単結晶ウェーハ製造方法」において、「Ｖ／Ｇが一定になるように引き上げ速度Ｖを調整」しているとみることができる。
　
　そこで、上記（あ）及び（い）の検討を踏まえ、上記（２−１−１）の「シリコン単結晶ウェーハ製造方法」を本願発明の記載ぶりに則して整理して記載すると、引用文献１には、
「チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、シリコン融点から１３００℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）とするとき、単結晶の径方向全域において無欠陥領域が形成されるようにＶ／Ｇが一定になるように引き上げ速度Ｖを調整するシリコン単結晶ウェーハ製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
（か）引用発明の「引き上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）」は、上記（２−１−２）の記載からみて、本願発明の「シリコン単結晶インゴットの引き上げ速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）」であることは明らかである。
（き）引用発明の「シリコン融点から１３００℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ（℃／ｍｍ）」は、本願発明の「シリコン融液（１８）と前記インゴット（２５）の接触面におけるインゴット鉛直方向の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）」に相当する。
（く）引用発明のＶ／Ｇと無欠陥領域についてみておくと、引用文献１の（２−１−４）には「Ｖ／Ｇ値が０．２０ｍｍ２／℃・ｍｉｎ未満の場合、径方向全域において転位クラスタが発生する。Ｖ／Ｇ値が０．２０ｍｍ２／℃・ｍｉｎより大きくなるに連れて無欠陥領域、ＯＳＦリング発生領域、赤外散乱欠陥発生領域の順に領域が変化する」と記載されており、Ｖ／Ｇ値の値によって、「転位クラスタが発生」したり、「無欠陥領域、ＯＳＦリング発生領域、赤外散乱欠陥発生領域」と「領域が変化する」といえる。
　ここで、本願明細書の記載をみてみると、
（ア）「半導体集積回路を製造する工程において、歩留りを低下させる原因として酸化誘起積層欠陥（Oxidation Induced Stacking Fault、以下、ＯＳＦという。）の核となる酸素析出物の微小欠陥や、結晶に起因したパーティクル（Crystal Originated Particle、以下、ＣＯＰという。）や、或いは侵入型転位（Interstitial-type Large Dislocation、以下、ＬＤという。）の存在が挙げられている。・・・・・・更にＬＤは、転位クラスタとも呼ばれたり・・・・・・」（【０００２】）
（イ）「無欠陥のシリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴット内での空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないパーフェクト領域を［Ｐ］とするとき、パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハである。パーフェクト領域［Ｐ］は、格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在する領域［Ｉ］と、シリコン単結晶インゴット内で空孔型点欠陥の凝集体が存在する領域［Ｖ］との間に介在する。・・・・・・リング状に発生するＯＳＦ」（【０００３】）
（ウ）「空孔型点欠陥の凝集体は前述したＣＯＰ・・・・・・を含み、格子間シリコン型点欠陥の凝集体は前述したＬＤと呼ばれる欠陥を含む。」（【００１３】）
（エ）「領域［Ｖ］にはＯＳＦ核を形成する領域・・・・・・が存在する。」（【００１４】）
と記載されている。
＜１＞これら（ア）〜（エ）の記載について検討する。上記（ア）の記載によれば、「ＬＤ」は「転位クラスタ」とも呼ばれ、上記（ウ）の記載によれば、「ＬＤ」は「格子間シリコン型点欠陥の凝集体」に含まれるから、結局、「転位クラスタ」は、「格子間シリコン型点欠陥の凝集体」に含まれるといえ、上記（イ）に記載の「格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在する領域［Ｉ］」にあり、同じく、上記（ウ）の記載によれば、「空孔型点欠陥の凝集体」は「ＣＯＰ」を含むから、上記（イ）の記載から、「ＣＯＰ」は「シリコン単結晶インゴット内で空孔型点欠陥の凝集体が存在する領域［Ｖ］」にあるといえ、また、上記（イ）の記載によれば、「ＯＳＦ」は「リング状」であるといえ、上記（エ）から、リング状の「ＯＳＦ」は上記「領域［Ｖ］」で発生するといえる。
＜２＞また、周知文献１の（２−３−１）には、「空孔タイプの欠陥は、・・・・・・赤外線散乱法・・・・・・によって観察されるある種のバルク欠陥（・・・・・・）のような、観察可能な結晶欠陥の原因であることが確認されている。」と記載されているから、「赤外線散乱法で観察される欠陥」は、「空孔タイプの欠陥」とみることができ、また、「リング状の酸化誘起積層欠陥（ring oxidation induced stacking faults）」も「過剰空孔の領域」に存在するから「空孔タイプの欠陥」といえ、このことは、この「リング状の酸化誘起積層欠陥（ring oxidation induced stacking faults）」が本願明細書でいうリング状の「酸化誘起積層欠陥（Oxidation Induced Stacking Fault、以下、ＯＳＦという。）であるから、上記＜１＞で述べた、リング状の「ＯＳＦ」が「領域［Ｖ］」で発生することと整合する。
＜３＞よって、周知文献１の「空孔タイプの欠陥」は、本願明細書でいう「空孔型点欠陥」であることは明らかだから、上記（２−１−４）に記載の「ＯＳＦリング発生領域、赤外散乱欠陥発生領域」は、「空孔タイプの欠陥」すなわち、「空孔型点欠陥」の発生領域であるといえ、本願発明の「シリコン単結晶インゴット内で空孔型点欠陥の凝集体が存在する領域［Ｖ］」であり、同じく上記（２−１−４）に記載の「転位クラスタ」発生領域は、本願発明の「格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在する領域［Ｉ］」に他ならない。また、上記（２−１−４）にも記載されている引用発明の「無欠陥領域」は、本願発明の「格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域［Ｐ］」に相当することは明らかである。
（け）引用発明の「シリコン単結晶ウェーハ製造方法」は、本願発明の「点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の連続引上げ法」と「点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の引上げ法」である点で一致している。
　
　そうすると、両者は、
「シリコン単結晶インゴットの引上げ速度をＶ（ｍｍ／分）とし、シリコン融液と前記インゴットの接触面におけるインゴット鉛直方向の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とし、前記インゴット内での格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在する領域を［Ｉ］とし、空孔型点欠陥の凝集体が存在する領域を［Ｖ］とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を［Ｐ］とするとき、Ｖ／Ｇを一定に制御しながら前記パーフェクト領域［Ｐ］からなるシリコン単結晶インゴットをチョクラルスキー法により引上げる欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の引上げ法。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点Ａ：本願発明が、「（ｉ）シリコン融液が貯えられた外るつぼと内るつぼの間にシリコン原料をインゴットの成長量に相応して供給しながら、（ｉｉ）前記外るつぼを回転させかつ前記内るつぼの内側領域から前記インゴットを引上げ軸方向を中心として回転させ、（ｉｉｉ）これにより前記シリコン融液の融液深さ及び外るつぼのヒータとの相対位置を変えずに、前記インゴットの前記温度勾配Ｇを一定にしながら（ｉｖ）前記引上げ速度Ｖのみを一定にして引上げる」のに対し、引用発明では（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）ついて記載はなく、Ｖ／Ｇが一定になるように引き上げ速度Ｖを調整している点で相違している。
相違点Ｂ：本願発明が「シリコン単結晶の連続引上げ法」であるのに対し、引用発明の「シリコン単結晶ウェーハ製造方法」は、「シリコン単結晶の引上げ法」ではあるものの「シリコン単結晶の連続引上げ法」ではない点。
　
・相違点Ａについて
　まず、引用文献２の記載についてみてみることとする。
　引用文献２の（２−２−１）には、「単結晶引上装置における原料投入方法」において「半導体単結晶の定径部成長工程で径変動率が所定の値以下になった時点から半導体単結晶の所定の引上量引上げ後、前記粒状の原料の供給を開始し、この供給量を直線的に設定供給量まで増加させるとともに、これに連動して、前記二重ルツボの上昇速度を直線的に零まで減少させる」こと（以下、「引用文献２の方法」という。）が記載されているといえ、この原料の供給量について具体的な記載は見当たらないが、上記（２−２−２）に「本発明は、・・・・・・原料を徐々に投入することにより、半導体融液の液面位置を一定に」することが記載されているから、半導体融液の液面位置を一定にするために必要な供給量と解するのが自然である。よって、「引用文献２の方法」においても、シリコン融液の融液深さ及びるつぼのヒータとの相対位置は変らないから、「インゴットの温度勾配Ｇを一定にすることができ」ると解される。そうすると「引用文献２の方法」である上記相違点Ａの特定事項（ｉ）を採用することによって、同（ｉｉｉ）の特定事項は導き出されることが引用文献２には記載されているといえる。なお、この点について請求人は審判請求書において、この判断と同じ見解を示している。
　そこで、上記相違点Ａの（ｉ）〜（ｉｖ）の特定事項について順に検討する。
　まず、上記（ｉｉ）の特定事項についてみてみると、引用文献１の上記（２−１−３）に「ＣＺ法とは周知の如く石英坩堝内のシリコン融液に種結晶を漬け、石英坩堝および種結晶を回転させながら種結晶を引き上げる」と記載されているから、この（ｉｉ）の特定事項は、明記はないものの引用発明においても当然に有しているといえる。
　次に、上記（ｉ）及び（ｉｉｉ）の特定事項についてみてみると、引用文献１にはこの特定事項（ｉ）は明記されていない。しかし、単結晶の長尺化は自明の技術課題であるから引用発明において、シリコン融液にシリコン原料を供給することは、引用文献１には明言はされていないものの引用発明は当然に行っているものとみることができるし、仮にそうでないとしても当業者ならば適宜行うことである（要すれば、特開平８−２６８８０号公報、特開平９−１８８５９２号公報、特開平９−２２７２７３号公報を参照）。そして、引用文献２の（２−２−３）の記載には、「引用文献２の方法」は、連続チャージ型ＣＺ法（ＣＣＺ法）、すなわち、シリコン融液にシリコン原料を供給しながらシリコン単結晶を引き上げるチョクラルスキー法（ＣＺ法）に適用できるとの教示がなされているから、当業者であれば、引用発明において、「引用文献２の方法」である上記（ｉ）及び（ｉｉｉ）の特定事項を採用することは適宜なし得ることである。
　最後に、上記（ｉｖ）の特定事項についてみてみると、引用文献１の上記（２−１−５）には、「結晶内の融点に近い高温部における温度勾配は、結晶軸方向で必ずしも一定ではなく、トップ部からテイル部にかけて若干変化する。これは、・・・・・・残融液量等の変化によってＣＺ炉内の熱的な環境が徐々に変化することによって、結晶に流入流出する熱流が変化するためである。従って、従来のＣＺ法においては、引き上げ量の増大に伴う結晶軸方向の温度勾配の変化によってＶ／Ｇ値も変化し、発生する欠陥分布も軸方向にわずかずつ変化する（図３参照）。
　そこで、結晶軸方向の温度勾配Ｇの変化に対して、Ｖ／Ｇが一定になるように引き上げ速度Ｖを調整する」と記載されており、引用発明では、「結晶軸方向の温度勾配の変化」すなわち、「Ｇ」の変化によって、「Ｖ／Ｇ値も変化し」、「そこで、結晶軸方向の温度勾配Ｇの変化に対して、Ｖ／Ｇが一定になるように引き上げ速度Ｖを調整」しているといえ、残融液量等の変化によってＧが変化するとみるとができる。そして、上記（ｉｉｉ）の特定事項を採用すれば、残融液量の変化がなくなり、Ｇの変化が小さくなることは明らかであるから、Ｖ／Ｇが一定になるように引き上げるに当たり、Ｖを一定にする、すなわち、上記（ｉ）及び（ｉｉｉ）の特定事項を採用すると同時に（ｉｖ）の特定事項を採用することは適宜なし得る事項である。
　
・相違点Ｂについて
　本願発明の「シリコン単結晶の連続引上げ法」における「連続」とはどのようなことであるのか本願明細書の記載をみると、「本発明は、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法という。）によりシリコン原料を連続的に供給しながら点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶インゴットを引上げる方法に関する」（【０００１】）との記載がなされており、「連続」とは「シリコン原料を連続的に供給」することといえるから、相違点Ｂに係る本願発明の特定事項は上記相違点Ａの（ｉ）の特定事項と同であるといえ、上記相違点Ａの検討のところで述べたことと同じ理由により、かかる事項を引用発明は当然有しているし、仮にそうでないとしても当業者であれば、適宜行い得ることである。
　
　そして、上記相違点Ａ及びＢに係る本願発明の特定事項をとることによって奏する作用・効果は格別のものとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１〜２に記載された発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。