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【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光レーザであって、
第１の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と対向して配置された第２の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と前記第２の半導体多層膜反射鏡との間に設けられ、少なくとも第１の活性層と第２の活性層とを有する利得領域と、
前記第１の活性層および前記第２の活性層に注入される電流を狭窄する電流狭窄層と、
前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に設けられ、ｐ型またはｎ型にドーピングされている半導体層からなるスペーサ層と、を有し、
前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも小さい体積を備え、
前記電流狭窄層に対して前記第２の活性層よりも近い位置に配置されていることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも少ない井戸数を備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも狭い井戸幅を備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも広いバリア幅を備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記半導体層が、ＡｌＧａＩｎＰからなり、前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも多いＩｎ組成を備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、つぎのように構成した面発光レーザを提供するものである。
本発明の面発光レーザは、
面発光レーザであって、
第１の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と対向して配置された第２の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と前記第２の半導体多層膜反射鏡との間に設けられ、少なくとも第１の活性層と第２の活性層とを有する利得領域と、
前記第１の活性層および前記第２の活性層に注入される電流を狭窄する電流狭窄層と、
前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に設けられ、ｐ型またはｎ型にドーピングされている半導体層からなるスペーサ層と、を有し、
前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも小さい体積を備え、
前記電流狭窄層に対して前記第２の活性層よりも近い位置に配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月25日(2012.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、
内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、
マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、
前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
前記放電管と前記処理容器とを連通させる輸送管と、
前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、
前記第１の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記放電管の温度を制御する第１の制御部と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１の温度検出部は、前記放電管の温度を前記被処理物の生産過程において検出し、
前記第１の制御部は、前記第１の温度検出部からの検出信号に基づいて前記放電管の温度を制御する必要性を判定し、前記放電管の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記放電管の温度の制御を実行することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記ガス供給部は、前記プラズマ処理を行う場合にはプロセスガスを供給し、クリーニング処理を行う場合にはクリーニングガスを供給し、
前記第１の制御部は、前記放電管の温度の制御を前記クリーニング処理中に実行することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
内部にプラズマを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、
前記プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給することでプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度を検出する第２の温度検出部と、
前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第２の制御部と、
を備え、
前記第２の温度検出部は、前記部材の温度を前記被処理物の生産過程において検出し、
前記第２の制御部は、前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材は、前記電磁エネルギーを透過させる透過窓であり、
前記第２の制御部は、前記第２の温度検出部により検出された温度が前記透過窓の内壁面温度または前記透過窓における平均温度となるように補正することを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記ガス供給部は、前記プラズマ処理を行う場合にはプロセスガスを供給し、クリーニング処理を行う場合にはクリーニングガスを供給し、
前記第２の制御部は、前記部材の温度の制御を前記クリーニング処理中に実行することを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
大気圧よりも減圧された雰囲気においてプラズマを発生させ、前記プラズマに向けて供給されたプロセスガスを励起させてプラズマ生成物を生成し、前記プラズマ生成物を用いて被処理物に対するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度に基づいてプラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第１の処理工程と、
前記プラズマ生成物を用いて被処理物に対するプラズマ処理を行う第２の処理工程と、
を備え、
前記部材は、内部にプラズマを発生させる領域を有する放電管であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一態様によれば、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と前記処理容器とを連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、前記第１の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記放電管の温度を制御する第１の制御部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
内部にプラズマを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、前記プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給することでプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度を検出する第２の温度検出部と、前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第２の制御部と、を備え、前記第２の温度検出部は、前記部材の温度を前記被処理物の生産過程において検出し、前記第２の制御部は、前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の他の一態様によれば、大気圧よりも減圧された雰囲気においてプラズマを発生させ、前記プラズマに向けて供給されたプロセスガスを励起させてプラズマ生成物を生成し、前記プラズマ生成物を用いて被処理物に対するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度に基づいてプラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第１の処理工程と、前記プラズマ生成物を用いて被処理物に対するプラズマ処理を行う第２の処理工程と、を備え、前記部材は、内部にプラズマを発生させる領域を有する放電管であることを特徴とするプラズマ処理方法が提供される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に発光点から発光される放射ビームを調整するように構成された照明システムを備えており、
前記照明システムは、汚染物トラップシステムを備え、
前記トラップシステムは、複数の小板を有する第１汚染物トラップと、複数の小板を有する第２汚染物トラップと、を備え、第１および第２汚染物トラップは、前記発光点から発光されるいくらかの光が第１および第２汚染物トラップを通って伝播できるように、位置合わせされており、第１汚染物トラップは、第２汚染物トラップに対して、前記発光点を通って実質的に延在する仮想線を中心に回転でき、第１および第２汚染物トラップの一方の小板は、第１および第２汚染物トラップの他方の小板と数および／角分布の点で異なり、それによって、いずれの回転位置においても、前記一方の汚染物トラップの小板の１つが、前記他方の汚染物トラップを通過した放射を遮断できる、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第１および／または第２汚染物トラップは、中心ゾーンと周辺ゾーンとを備え、
前記小板は、前記中心ゾーン側から、前記中心ゾーンから遠ざかる外側へと、前記周辺ゾーン内部において延在し、前記小板の１つは、前記中心ゾーンに向けられたコンポーネントを有する法線を備える、
請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１および／または第２汚染物トラップの前記小板の各々は、ヒンジ軸にてヒンジ連結されており、各ヒンジ軸は、対応する小板が真っ直ぐな平面状である場合に、ヒンジ軸と重なる仮想線が前記発光点を通って延在するように、配向されている、
請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記小板の各々はスロットを備え、スロットは、対応する小板が真っ直ぐな平面状である場合に、スロットの長手方向と重なる仮想線が前記発光点を通って延在するように、配向されている、
請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記放射ビームの断面にパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成できるパターニングデバイスをさらに備えており、
前記照明システムは、前記パターニングデバイスの上流においての前記放射ビームの非均一性を低減するように構成されている、
請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記第１および第２汚染物トラップは、使用中、前記放射ビームが前記第１および第２汚染物トラップを出る際に前記放射ビーム内に実質的に所定の非均一性が存在するように構成されており、
前記照明システムには、反射素子の第１セットと、反射素子の第２セットとが設けられており、第１セットの各反射素子は、前記第１および第２汚染物トラップの下流においての前記放射ビームの一部を第２セットの反射素子に反射するように構成され、第２セットの各反射素子は、前記放射ビームをさらに前記パターニングデバイスへの光学経路に反射するように構成され、各反射素子が所定の位置および形状を有することによって、使用中、前記放射ビーム内の前記所定の非均一性を低減できる、
請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
リソグラフィ装置の照明システム内で使用する汚染物トラップシステムであって、
前記トラップシステムは、複数の小板を有する第１汚染物トラップと、複数の小板を有する第２汚染物トラップとを備え、
前記第１および第２汚染物トラップは、使用中、前記第１および第２汚染物トラップの外にある所定の点から発光されるいくらかの光が前記第１および第２汚染物トラップを通って伝播できるように、位置合わせされており、前記第１汚染物トラップは、前記第２汚染物トラップに対して、前記所定の点を通って実質的に延在する仮想線を中心に回転でき、前記第１および第２汚染物トラップの一方の小板は、前記第１および第２汚染物トラップの他方の小板と数および／角分布の点で異なる、
汚染物トラップシステム。
【請求項８】
前記第１および／または第２汚染物トラップは、中心ゾーンと周辺ゾーンとを有し、前記中心ゾーンと前記周辺ゾーンとを有する前記汚染物トラップの前記小板は、前記中心ゾーン側から、前記中心ゾーンから遠ざかる外側へと、前記周辺ゾーン内部において延在し、前記中心ゾーンと前記周辺ゾーンとを有する前記汚染物トラップの前記小板の１つは、前記中心ゾーンに向けられたコンポーネントを有する法線を備える、
請求項７に記載のトラップシステム。
【請求項９】
前記第１および／または第２汚染物トラップの前記小板の各々は、ヒンジ軸でヒンジ連結されており、各ヒンジ軸は、対応する小板が真っ直ぐな平面状である場合に、ヒンジ軸と重なる仮想線が前記発光点を通って延在するように、配向されている、
請求項７に記載のトラップシステム。
【請求項１０】
前記小板の各々はスロットを備え、スロットは、対応する小板が真っ直ぐな平面状である場合に、スロットの長手方向と重なる仮想線が前記発光点を通って延在するように、配向されている、
請求項９に記載のトラップシステム。
【請求項１１】
使用中、前記放射ビームが前記第１および第２汚染物トラップを出る際に前記放射ビーム内に実質的に所定の非均一性が存在するように、構成されている、
請求項７に記載の汚染物トラップシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接する金属膜を形成し、
前記金属膜をエッチングして、前記酸化物半導体層に露出した領域を形成し、かつ、前記酸化物半導体層上に接するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
酸素元素を含む雰囲気中で、前記露出した部分にプラズマ処理を行い、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に接する酸化物絶縁膜を形成し、
前記エッチングは、前記酸化物半導体層の前記露出した領域の厚さが、前記酸化物半導体層の前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に覆われた領域の厚さよりも小さくなるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記プラズマ処理から前記酸化物絶縁膜の形成まで、加熱処理が行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接する金属膜を形成し、
前記金属膜をエッチングして、前記酸化物半導体層に少なくとも一部が露呈した領域を形成し、かつ、前記酸化物半導体層上に接するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記基板をチャンバー内に導入し、
前記基板が前記チャンバーに配置された状態で、前記チャンバーに酸素元素を含むガスを導入し、
前記基板が前記チャンバーに配置された状態で、前記チャンバー内に前記酸素元素を含む雰囲気でプラズマを発生させ、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に接して酸化物絶縁膜を形成し、
前記エッチングは、前記酸化物半導体層の前記露出した領域の厚さが、前記酸化物半導体層の前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に覆われた領域の厚さよりも小さくなるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記基板が前記チャンバーに導入された後、前記酸化物絶縁膜の形成が完了するまで加熱処理が行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接する金属膜を形成し、
前記金属膜をエッチングして、前記酸化物半導体層に少なくとも一部が露呈した領域を形成し、かつ、前記酸化物半導体層上に接するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記基板をチャンバー内に導入し、
前記基板が前記チャンバーに配置された状態で、前記チャンバーを排気し、
前記基板が前記チャンバーに配置された状態で、前記チャンバーに窒素ガスを導入し、
前記基板が前記チャンバーに配置された状態で、前記基板を加熱し、
前記基板が前記チャンバーに配置された状態で、酸素元素を含む雰囲気で発生させたプラズマを前記チャンバーに導入し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に接して酸化物絶縁膜を形成し、
前記エッチングは、前記酸化物半導体層の前記露出した領域の厚さが、前記酸化物半導体層の前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に覆われた領域の厚さよりも小さくなるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記基板を加熱する工程は、前記酸化物絶縁膜の形成が完了するまで行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記プラズマの導入は、リモートプラズマ装置により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＯを含み、かつ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、及びＣｏから選ばれた金属を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍで示される組成を有し、
前記Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、及びＣｏから選ばれた金属であり、
前記ｍは、０より大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記酸素元素を含む雰囲気は、酸素、亜酸化窒素、二酸化窒素から選ばれた雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記酸化物絶縁膜は、シリコンを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記露出した領域の側面と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の側面の少なくとも１つは、同一平面上にあることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
拡散バリア層１１０は、銅柱１０８からはんだ層１１４に拡散する銅をブロックする。拡散バリア層１１０がなければ、非常に厚い金属間化合物を銅柱１０８からの十分な銅のソースを有するはんだ層１１４の界面に形成することができ、弱い強度と不十分な接合性をもたらす。より良い濡れ性のために拡散バリア層１１０の上部に薄膜（例えば金）が堆積されることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
銅柱１０８は、約３０μｍ〜１５０μｍの厚さ（高さ）を有することができる。拡散バリア層１１０｛例えばニッケル、Ni（P）、またはNi（V）など｝は、電気めっきまたは無電解めっきのどちらかを用いてめっきされることができ、約０.５μｍ〜４μｍの厚さを有することができる。より良い濡れ性のための薄膜（例えば金）が拡散バリア層１１０の上部に堆積された場合、この薄膜は、約０.０１μｍ〜０.１μｍの厚さを有することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
シード層１０６（例えばTiW/Cu、Ti/Cu、またはTi/Cu/Ni/Auなど）が、図２Ｂに堆積される。図２Ｃではフォトレジスト層２０２が堆積され、図２Ｄではその一部が除去される。図２Ｅでは、めっき（例えば電気めっきまたは無電解めっき）によって銅柱層１０８が堆積される。図２Ｆでは、銅柱層１０８の拡散バリアである、拡散バリア層１１０｛例えばニッケル、Ni（P）、またはNi（V）など｝が、電気めっきまたは無電解めっきによって堆積される。選択的に、より良い濡れ性のための薄膜（例えば金）が拡散バリア層１１０の上部にめっきされることもできる。図２Ｇでは、薄膜の銅キャップ層１１２が拡散バリア層１１０の上にめっきされ、制限された銅のソースに提供されて、はんだ（例えばスズ）と拡散バリア層（例えばニッケル）１１０と反応させる。図２Ｈでは、はんだ層１１４（例えばスズ）が、銅キャップ層１１２の上に堆積され、図２Ｉでは、フォトレジストが除去される。図２Ｊでは、シード層１０６がエッチングされる。図２Ｋでは、拡散バリア層１１０とはんだ層１１４との間に良好な接合性を提供する金属間化合物層（例えばNi-Cu-Sn）１１６がリフロープロセスの間に形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を加熱して脱水化、又は脱水素化させ、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、前記導電膜を選択的にエッチングして半導体層、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記半導体層、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記半導体層の一部と接する酸化物絶縁膜を形成してキャリア濃度を低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を不活性雰囲気下で加熱してキャリア濃度を増加させ、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、前記導電膜を選択的にエッチングして半導体層、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記半導体層、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記半導体層の一部と接する酸化物絶縁膜を形成してキャリア濃度を低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において前記不活性雰囲気は窒素、または希ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記不活性雰囲気下での前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜の加熱は、４００℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は請求項３において、
前記不活性雰囲気下での前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜の加熱を、４００℃以上で行った後、室温以上１００℃未満まで徐冷を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を減圧下で加熱してキャリア濃度を増加させ、
前記第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、前記導電膜を選択的にエッチングして半導体層、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記半導体層、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記半導体層の一部と接する酸化物絶縁膜を形成してキャリア濃度を低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一項において、
前記キャリア濃度を増加した酸化物半導体層のキャリア濃度は、１×１０１８／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜に加熱処理を行い、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を、酸素雰囲気下で徐冷することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜に加熱処理を行い、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を、酸素雰囲気下で徐冷し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜をエッチングして、第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体層の一部、前記第２の酸化物半導体層、前記導電膜をエッチングして、半導体層、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記半導体層、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に、前記半導体層の一部と接する酸化物絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜に加熱処理を行い、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を、酸素雰囲気下で徐冷し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜をエッチングして、第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体層の一部、前記第２の酸化物半導体層、前記導電膜をエッチングして、半導体層、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記半導体層、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に、前記半導体層の一部と接する酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上に、前記半導体層と重なる導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜に加熱処理を行い、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜を、酸素雰囲気下で徐冷し、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜をエッチングして、第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体層の一部、前記第２の酸化物半導体層、前記導電膜をエッチングして、半導体層、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記半導体層、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に、前記半導体層の一部と接する酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上に、前記半導体層と重なる第１の導電層を形成し、
前記酸化物絶縁膜及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、前記半導体層と重なる第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記加熱処理は、不活性ガス雰囲気下、又は減圧下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記加熱処理は２００℃以上で行い、前記徐冷は１００℃未満まで行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層、前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜は、大気に触れさせることなく連続的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記加熱処理により、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜の脱水化又は脱水素化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記加熱処理後の前記第１の酸化物半導体膜のキャリア濃度は、１×１０１８／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理チャンバに処理ガスを供給するためのガス噴射器であって、
噴射器本体であって、前記噴射器本体の外側面の上部分における第１、第２のガス吸気口と、中央通路と、前記中央通路を取り囲む環状通路と、前記噴射器本体の軸方向の軸方向端面に配置された少なくとも１つの軸上排気口と、前記噴射器本体の前記外側面の下部分に配置され、複数の方向に処理ガスを噴射する複数の軸外排気口と、を含む噴射器本体を備え、
前記中央通路は前記第１のガス吸気口及び前記少なくとも１つの軸上排気口と流体の伝達を行い、前記環状通路は前記第２のガス吸気口及び前記複数の軸外排気口と流体の伝達を行い、
前記中央通路及び前記環状通路は、前記少なくとも１つの軸上排気口及び前記複数の軸外排気口のそれぞれを通して独立して制御可能な処理ガスの流量を提供するために互いに分離していることを特徴とするガス噴射器。
【請求項２】
前記少なくとも１つの軸上排気口は、前記噴射器本体の前記軸方向端面において軸方向に延びる単一の軸上排気口であり、
前記複数の軸外排気口は、４５°離れて配置され、前記軸方向に対して４５°の角度で処理ガスを噴射することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【請求項３】
前記噴射器本体は、平面の前記軸方向端面と、前記軸方向端面から連続する円錐の前記外側面とを含み、
前記少なくとも１つの軸上排気口は、前記中央通路に接続され、前記複数の軸外排気口は、前記環状通路に接続されることを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【請求項４】
前記噴射器本体は、半導体基板がプラズマ処理を受ける誘導結合プラズマチャンバの上壁を含む誘電体ウィンドウを通って延びる開口部に前記ガス噴射器が取り付けられた場合に、前記ガス噴射器内でのプラズマ点火を最小限に抑える導電性のシールドを支持することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【請求項５】
前記噴射器本体は、クォーツで構成されることを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【請求項６】
前記噴射器本体は、円筒状であり、誘導結合プラズマエッチング反応室の誘電体ウィンドウの開口部に取り外し可能に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【請求項７】
前記少なくとも１つの軸上排気口は、前記中央通路の直径と同じ直径を有する単一の軸上排気口であり、
前記中央通路の１つの端は、ウィンドウによってシールされることを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【請求項８】
前記噴射器本体は、前記少なくとも１つの軸上排気口及び前記複数の軸外排気口がプラズマチャンバのウィンドウの内面の下方に配置されるように、前記ウィンドウの開口部に取り外し可能に取り付けられ、
前記噴射器本体は、前記噴射器本体と前記ウィンドウとの間で真空シールを提供するＯリングと協同することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【請求項９】
前記噴射器本体は、第１、第２の放射状に延びるガス通路を含み、
前記第１の放射状に延びるガス通路は、前記第１のガス吸気口と前記中央通路とを接続し、
前記第２の放射状に延びるガス通路は、前記第２のガス吸気口と前記環状通路とを接続することを特徴とする請求項５に記載のガス噴射器。
【請求項１０】
前記複数の軸外排気口は、前記環状通路の内壁から前記噴射器本体の前記外側面に放射状に延びていることを特徴とする請求項５に記載のガス噴射器。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの軸上排気口は、前記噴射器本体の前記軸方向端面において軸方向に延びる単一の軸上排気口であり、
前記複数の軸外排気口は、前記軸方向に対して１０〜６０°の角度に向けて処理ガスを噴射することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【請求項１２】
前記中央通路は、一定の直径を有し、
前記中央通路は、前記噴射器本体の前記軸方向端面の反対側の上端面から前記軸方向端面に延びていることを特徴とする請求項１に記載のガス噴射器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ユニット装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、電子機器に取り付けられるユニット装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明が解決しようとする課題は、ユニット装置の静電気対策を確実に且つ十分に図ることができると共に、ユニット装置内のユニット基板の耐衝撃性をも確保することができるようにすることである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、機器本体にコネクタによって電気的に接続されて取り付けられるユニット装置であって、前記ユニット装置は、ユニットケースと、このユニットケース内に配置されるユニット基板と、このユニット基板を前記ユニットケース内に浮かした状態で弾力的に保持するばね部材とを備え、前記ばね部材は、その中間部分が前記ユニット基板の電極に接触した状態で前記ユニット基板を保持すると共に、一方の端部が前記ユニットケースの外部に突出して前記機器本体の接点部に接触することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明によれば、ユニット装置の静電気対策を確実に且つ十分に図ることができると共に、ユニット装置内のユニット基板の耐衝撃性をも確保することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器本体にコネクタによって電気的に接続されて取り付けられるユニット装置であって、
前記ユニット装置は、ユニットケースと、このユニットケース内に配置されるユニット基板と、このユニット基板を前記ユニットケース内に浮かした状態で弾力的に保持するばね部材とを備え、
前記ばね部材は、その中間部分が前記ユニット基板の電極に接触した状態で前記ユニット基板を保持すると共に、一方の端部が前記ユニットケースの外部に突出して前記機器本体の接点部に接触することを特徴とするユニット装置。
【請求項２】
前記機器本体内には、電極を備えた回路基板が設けられており、前記接点部は、前記機器本体にその外部に露出した状態で設けられ、且つ接続部材によって前記回路基板の前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のユニット装置。
【請求項３】
前記ばね部材は、前記ユニット基板を保持する箇所を境にして外径が異なる大きさに形成されたコイルばねであり、前記ユニット基板には、前記ばね部材の小径部が挿入するばね取付部が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のユニット装置。
【請求項４】
前記ユニットケースの内面におけるほぼ全域には、シールド用の金属層が設けられており、この金属層には、前記ばね部材の他方の端部が弾接していることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のユニット装置。
【請求項５】
前記接点部は、前記機器本体の複数個所にそれぞれ設けられており、前記ばね部材は、前記ユニット基板の複数個所にそれぞれ配置されて、前記ユニットケースの外部に突出した前記一方の端部がそれぞれ前記複数の接点部に接触することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のユニット装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機誘電体を含む絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体と、を備えたコア基板と、
前記コア基板の一方の面に形成された帯状の第１グランド配線と、前記コア基板の他方の面に前記帯状の第１グランド配線と対向配置されるとともに前記複数の線状導体の一部を介して前記帯状の第１グランド配線と電気的に接続された帯状の第２グランド配線と、を備えたグランド配線群と、
前記コア基板の一方の面に配置された帯状の第１電源配線と、前記コア基板の他方の面に前記帯状の第１電源配線と対向配置されるとともに前記複数の線状導体の一部を介して前記帯状の第１電源配線と電気的に接続された帯状の第２電源配線と、を備えた電源配線群と、を有し、
前記グランド配線群と前記電源配線群とは、前記絶縁性基材を介して交互に配置されており、
前記線状導体は、隣接する前記線状導体間の距離が、前記線状導体の径よりも小さくなるように配置されている配線基板。
【請求項２】
前記グランド配線群と前記電源配線群との間には、電気的に接続されていない孤立した線状導体が配置されている請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１グランド配線と前記第１電源配線との対向する部分はそれぞれ凹凸を有し、前記第１電源配線の凹部は前記第１グランド配線の凸部と対応し、前記第１電源配線の凸部は前記第１グランド配線の凹部と対応して配置され、
前記第２グランド配線と前記第２電源配線との対向する部分はそれぞれ凹凸を有し、前記第２電源配線の凹部は前記第２グランド配線の凸部と対応し、前記第２電源配線の凸部は前記第２グランド配線の凹部と対応して配置されている請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記コア基板の一方の面に形成された、水玉模様状に点在する第１導電層と、
前記コア基板の他方の面に形成された、前記第１導電層と対向配置された前記第１導電層よりも面積の大きい開口部を有する第２導電層と、を更に有し、
前記第１導電層は、前記電源配線群又は前記グランド配線群の一方と電気的に接続され、前記第２導電層は、前記電源配線群又は前記グランド配線群の他方と電気的に接続されている請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記グランド配線群と前記電源配線群とを複数個有する請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記線状導体は、信号配線と接続されている線状導体と、前記信号配線と接続されている線状導体の周囲に位置する線状導体と、を有し、
前記周囲に位置する線状導体は、グランド配線と接続されている請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
前記信号配線と接続されている線状導体と前記周囲に位置する線状導体との間には、電気的に接続されていない孤立した線状導体が配置されている請求項６記載の配線基板。
【請求項８】
前記線状導体の径は、３０ｎｍ〜２０００ｎｍである請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板と、
前記配線基板上に実装された半導体素子と、を有し、
前記帯状の第１グランド配線は、前記半導体素子のグランドに対応する複数の電極端子の垂直直下に配置され、
前記帯状の第１電源配線は、前記半導体素子の電源に対応する複数の電極端子の垂直直下に配置されている半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子の信号に対応する電極端子の垂直直下に位置する前記コア基板の一方の面に、前記電極端子と電気的に接続されたパッドが設けられ、
前記パッドの一部は、前記コア基板の一方の面において引き回されることなく前記複数の線状導体を介して前記コア基板の他方の面に接続され、前記コア基板の他方の面において引き回される請求項９記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本配線基板は、無機誘電体を含む絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体と、を備えたコア基板と、前記コア基板の一方の面に形成された帯状の第１グランド配線と、前記コア基板の他方の面に前記帯状の第１グランド配線と対向配置されるとともに前記複数の線状導体の一部を介して前記帯状の第１グランド配線と電気的に接続された帯状の第２グランド配線と、を備えたグランド配線群と、前記コア基板の一方の面に配置された帯状の第１電源配線と、前記コア基板の他方の面に前記帯状の第１電源配線と対向配置されるとともに前記複数の線状導体の一部を介して前記帯状の第１電源配線と電気的に接続された帯状の第２電源配線と、を備えた電源配線群と、を有し、前記グランド配線群と前記電源配線群とは、前記絶縁性基材を介して交互に配置されており、前記線状導体は、隣接する前記線状導体間の距離が、前記線状導体の径よりも小さくなるように配置されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月13日(2012.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板ホルダを反転する反転装置であって、
前記基板ホルダを載置する載置部と、
前記載置部を反転させる反転部と、
前記基板ホルダの外周から離れて前記基板ホルダを開放するための開放位置と、前記基板ホルダの外周部の一部を覆って前記基板ホルダの脱落を防止する防止位置と、を取り得る脱落防止部材と
を備える反転装置。
【請求項２】
前記反転部は、前記載置部および前記脱落防止部材を一体的に反転させる請求項１に記載の反転装置。
【請求項３】
前記脱落防止部材は、前記基板の外周部の一部を覆って前記基板の脱落を防止する請求項１または２に記載の反転装置。
【請求項４】
前記脱落防止部材は、複数設けられる請求項１から３のいずれか１項に記載の反転装置。
【請求項５】
前記脱落防止部材は、前記基板ホルダの外周部の複数個所を覆う請求項１から４のいずれか１項に記載の反転装置。
【請求項６】
前記防止位置において、前記基板ホルダの有無および前記基板の有無の少なくとも一方を検出する検出部をさらに備える請求項１から５のいずれか１項に記載の反転装置。
【請求項７】
前記反転部は、前記脱落防止部材が前記防止位置におかれた状態で前記載置部を反転する請求項１から６のいずれか一項に記載の反転装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の反転装置を備える基板貼り合わせ装置。
【請求項９】
前記基板ホルダの受渡面を形成する複数のリフトピンをさらに備え、
前記反転装置は、反転前の前記基板ホルダを前記受渡面で受け取る請求項７に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１０】
前記基板ホルダの受渡面を形成する複数のリフトピンをさらに備え、
前記反転装置は、反転後の前記基板ホルダを前記受渡面で受け渡す請求項８または９に記載の基板貼り合わせ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反転装置および基板貼り合わせ装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の送信アンテナを備える基地局装置と無線通信を行う移動局装置であって、
自装置の最大送信電力と前記基地局装置において所望の受信電力を達成するために必要な送信電力との差分値であるＰＨ（Power Headroom）を算出するＰＨ算出部と、
算出した前記ＰＨを送信する送信部と、を備え、
前記複数の送信アンテナを用いて無線通信を行う場合、
前記ＰＨ算出部は、使用する前記送信アンテナの数及び無線通信を行う際のストリーム数とは無関係に、前記送信アンテナを１本用いて無線通信する際の最大送信電力を、前記自装置の最大送信電力として前記ＰＨを算出することを特徴とする移動局装置。
【請求項２】
前記基地局装置から受信した情報に基づいて、前記送信アンテナの数または前記ストリームの数を切り替えることを特徴とする請求項１記載の移動局装置。
【請求項３】
前記送信部は、ＳＣ−ＦＤＭＡ方式又はＣｌｕｓｔｅｒｅｄ  ＤＦＴ−ｓ−ＯＦＤＭ方式を用いて送信することを特徴とする請求項１または請求項２記載の移動局装置。
【請求項４】
前記ＰＨ算出部は、前記送信部による伝送機会毎に、１つの前記ＰＨを算出することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の移動局装置。
【請求項５】
複数の送信アンテナを用いてデータを送信する送信方法であって、
自装置の最大送信電力と基地局装置において所望の受信電力を達成するために必要な送信電力との差分値であるＰＨ（Power Headroom）を算出するＰＨ算出過程と、
算出した前記ＰＨを送信する送信過程と、を少なくとも含み、
前記複数の送信アンテナを用いて無線通信を行う場合、前記ＰＨ算出過程では、使用する前記送信アンテナの数及び無線通信を行う際のストリーム数とは無関係に、前記送信アンテナを１本用いて無線通信する際の最大送信電力を、前記自装置の最大送信電力として前記ＰＨを算出することを特徴とする送信方法。