【事件の表示】
　平成１０年特許願第２７３５２６号「半導体レーザ素子の配置方法及びその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月１１日出願公開、特開２０００−１０６４６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年９月２８日に出願された特許出願であって、平成１６年２月１９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において、平成１８年９月１日付で拒絶理由を通知したところ、同年１１月１日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　ノズルによって保持した半導体レーザ素子のへき開面に少なくとも２本のレーザ光を照射し、前記へき開面によって反射された前記レーザ光を受光装置によって受光し、受光した前記２本のレーザ光の間隔と受光点の位置に応じて前記半導体レーザ素子の所定位置に対する回転角度ずれ量及び前記半導体レーザ素子の所定位置に対するレーザ出射方向への位置ずれを示す情報を求め、この情報に基づいて前記半導体レーザ素子を所定位置に配置するための補正を行うように前記ノズルを駆動させて前記半導体レーザ素子を所定位置に配置することを特徴とする半導体レーザ素子の配置方法。」
　　
２．引用例
　原審における拒絶理由に引用された特開平９−５５３９３公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　ａ．「【０００１】　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体レーザ等の素子を光導波路基板等の接合対象物に対して高精度で位置決めしてボンディングする素子のボンディング方法及びその装置に関するものである。」
　ｂ．「【００１９】　【発明の実施の形態】
　図１乃至図６は本発明の一実施形態を示すもので、図１はボンディング装置の斜視図、図２はその一部断面側面図、図３及び図４はディスプレイ表示を示す図、図５は素子及び光導波路基板の拡大斜視図、図６はディスプレイ表示を示す図である。
【００２０】同図において、１は図示しない真空ポンプ等の真空吸引手段を用いた素子吸着用のエアピンセットで、本実施形態ではその先端にリン化インジウムの基材からなる１ｍｍ角以下の素子２を真空吸着で保持している。３はピンセット駆動機構で、エアピンセット１の上部を保持し、エアピンセット１を図２中に示した座標系Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動させるとともに、Ｚ軸を中心に所定角度だけ回転させるようになっている。ピンセット駆動機構３の全体は、素子２の置かれた図示しない載物台と、以下に説明する領域との間を図示しない搬送機構によって往復移動する。
【００２１】４は試料台で、その上面５は図示しない真空ポンプ等を真空吸引手段とした真空チャックをなしている。６はシリコンの基材からなる接合対象物としての光導波路基板で、光路であるコア６ａの端面を含む端面６ｂに連なってテラス面６ｃが形成されている。テラス面６ｃには素子２を搭載する電極６ｄと、その表面薄膜ハンダ６ｅがそれぞれ設けられている。
・・・
【００２５】１２は位置合わせ空間の側方に設けた遠近合焦装置で、ディスプレイ用カメラ付きの顕微鏡１２ａ（一部分を図示）と、ビーム光１３を発するためのレーザ光源（図示せず）と、レーザ光源からのビーム光１３を途中から二つの光路に分岐させる光学系（図示せず）と、レーザ光源から二光路をなす光学系を経て顕微鏡１２ａの先端部の対物レンズ１２ｂを有する鏡筒１２ｃから素子２の後側面２ａの全幅よりも狭い間隔で水平に並んだ二本のビーム光１３を出射させるための光学系と、出射させた二本のビーム光１３が素子２の後側面２ａの水平方向二箇所または光導波路基板６のコアを含む端面６ｂの水平方向二箇所でそれぞれ反射させて鏡筒１２ｃへ戻る水平方向二本の反射光を個別に検出するための検出系（図示せず）と、二光路に分岐させる光学系の末端をなして二本のビーム光１３の水平出射を垂直方向二本のビームで出射させるように切換えるための光学系（図示せず）とを備えており、鏡筒１２ｃはハウジング７の主窓７ａに対向し、且つＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動可能な周知のスライド機構（図示せず）上に設置されている。更に、遠近合焦装置１２は鏡筒１２ｃから出射させた二本のビーム光１３が反射面でそれぞれ合焦（フォーカシング）するように内部鏡筒（図示せず）を自動で移動させる機構を備えており、この移動量を精密にカウントしてサブミクロン単位で表示するようになっている。・・・」
　ｃ．「【００２７】以上の構成により、図１及び図２に示すようにエアピンセット１で保持した素子２を光導波路基板６に近接させた後、位置合わせのためにまず素子２及び光導波路基板６に対してそれぞれ個別にＸ，Ｙ平面内の傾きを修正する。即ち、遠近合焦装置１２から出射させた二本のビーム光１３を素子２の基準端面、即ち後側面２ａ内の左右二箇所に照射し、鏡筒１２ｃへ戻る二本の反射光を検出してそれぞれオートフォーカシングしたときの距離が互いに等しくなるようにエアピンセット１を回転させるべき回転角Δθを計算し、表示部（図示せず）に表示する。これに基づいてエアピンセット１を表示値だけ所定の方向にＺ軸を中心に回転させることにより、後側面２ａの傾きがゼロになり、素子２の後側面２ａは遠近合焦装置１２からの二本のビーム光１３に対して直角をなす。尚、素子２は光導波路基板６のコア６ａと対向する側面がレーザ出射端なので、ここではこの面を前側面、ビーム光１３が照射する反対側の面を後側面と定義した。」
　ｄ．「【００２８】・・・また、素子２は劈開によって個片化されているので、その後側面２ａと前側面２ｂは完全な平行をなし、前側面２ｂとコアを含む端面６ｂも平行をなす。」
　ｅ．「【００３３】素子２と光導波路基板６との残る位置決めは、前側面２ｂとコア６ａ（端面６ｂ）とのＸ方向の隔間設定である。即ち、後側面２ａと端面６ｄとにそれぞれ照射したビーム光１３の反射光を傾きの修正時と同様に検出し、オートフォーカシングしたときのそれぞれの合焦位置の差を読むことにより相対変位量ΔＸが求まる。この時、予め測定しておいた素子２の長さ、即ち後側面２ａと前側面２ｂ間の寸法値を補正値として演算部（図示せず）に入力しておき、相対変位量ΔＸからこの値を差し引くようにしておくことにより、相対変位量ΔＸの変化に応じて前側面２ｂとコア端面６ｄとの隙間の値が表示部に表示される。また、Ｘ方向の隙間については、Ｙ，Ｚ方向の相対位置ずれに比べて光学的に寸法公差が緩いので、例えばＹ，Ｚ方向の位置ずれが生じないように隙間をゼロ、即ち両者が接するような位置決めも可能である。」
　ｆ．「【００３４】このように、ボンディングに先立つ位置合わせでは、空間に保持した素子２を試料台４に固定した光導波路基板６に近接させた状態で、まずＺ軸回りの平行度調整、次に活性層２ｃの中央とコア６ａの中央とのＹ方向位置決め、続いてＸ方向の隙間の設定を何れもサブミクロンのオーダで行う。・・・この場合、二本のビーム光１３を出射して素子２の後側面２ａ及び光導波路基板６の端面６ｂの平行度出しを行うようにしたので、各照射位置に対して時間的ずれを伴うことなく同時にオートフォーカシングと距離計測とを行うことができ、その結果に基づいて照射した面の姿勢や位置の修正を自動で行うことができる。・・・」
　また、図１及び上記ｄの記載によれば、以下の事項が見て取れる。
　ｇ．「半導体レーザ素子２の前側面２ｂは、同後側面２ａと平行な劈開面であると同時に光導波路基板６のコア６ａ端面に対向するレーザー出射面であり、レーザー出射方向はＸ方向に一致する。」
　　
　上記ａ〜ｇによれば、引用例１には、
「半導体レーザ素子２の位置決め方法であって、前記半導体レーザ素子２を保持するエアピンセット１、及び同エアピンセット１を座標系Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動させるとともに、Ｚ軸を中心に所定角度だけ回転させるピンセット駆動機構３、二本のレーザビーム光１３を出射する光源系、反射光を検出する検出系、ビーム光１３が反射面で合焦するように調整する機構などからなる遠近合焦装置１２を備え、二本のレーザビーム光１３を半導体レーザ素子２の劈開面である後側面２ａに照射したときに、前記後側面２ａでレーザビーム光１３が合焦するように調整する調整量に応じて、前記半導体レーザ素子２の所定位置に対する回転角度ずれ量及び前記半導体レーザ素子の所定位置に対するレーザ出射方向への位置ずれを計測し、その結果に基づいてエアピンセット１を移動させることにより半導体レーザ素子２を所定位置に位置決めする位置決め方法。」
との事項が記載されていると認めることができる（以下、「引用例１発明」という。）。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを以下に対比する。
　
　ア．引用例１発明の「エアピンセット１」、「半導体レーザ素子２」、「劈開面である後側面２ａ」、「二本のレーザビーム光１３」及び「半導体レーザ素子２の位置決め方法」は、それぞれ本願発明の「ノズル」、「半導体レーザ素子」、「へき開面」、「２本のレーザ光」、及び「半導体レーザ素子の配置方法」に相当する。
　イ．引用例１発明の
「前記半導体レーザ素子２の所定位置に対する回転角度ずれ量及び前記半導体レーザ素子の所定位置に対するレーザ出射方向への位置ずれを計測し、その結果に基づいてエアピンセット１を移動させることにより半導体レーザ素子２を所定位置に位置決めする」
は、本願発明の
「前記半導体レーザ素子の所定位置に対する回転角度ずれ量及び前記半導体レーザ素子の所定位置に対するレーザ出射方向への位置ずれを示す情報を求め、この情報に基づいて前記半導体レーザ素子を所定位置に配置するための補正を行うように前記ノズルを駆動させて前記半導体レーザ素子を所定位置に配置する」
に相当する。
　
　したがって、両者は、
「ノズルによって保持した半導体レーザ素子のへき開面に少なくとも２本のレーザ光を照射し、前記半導体レーザ素子の所定位置に対する回転角度ずれ量及び前記半導体レーザ素子の所定位置に対するレーザ出射方向への位置ずれを示す情報を求め、この情報に基づいて前記半導体レーザ素子を所定位置に配置するための補正を行うように前記ノズルを駆動させて前記半導体レーザ素子を所定位置に配置することを特徴とする半導体レーザ素子の配置方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
　[相違点］
　半導体レーザ素子の所定位置に対する回転角度ずれ及び位置ずれを求める方法について、本願発明は、「前記へき開面によって反射された前記レーザ光を受光装置によって受光し、受光した前記２本のレーザ光の間隔と受光点の位置に応じて前記半導体レーザ素子の所定位置に対する回転角度ずれ量及び前記半導体レーザ素子の所定位置に対するレーザ出射方向への位置ずれを示す情報を求め」る方法であるのに対し、引用例１発明では、半導体レーザ素子のへき開面でレーザ光が合焦するように調整する調整量に応じて前記半導体レーザ素子の所定位置に対する回転角度ずれ量及び前記半導体レーザ素子の所定位置に対するレーザ出射方向への位置ずれを示す情報を求める方法であって、受光装置の受光点の位置を用いるものではない点。
　
４．判断
　被測定面に二本の光ビームを照射し、その被測定面からの反射光をアレイ状の受光素子で検出し、同受光素子上の両反射光の受光位置に基づいて被測定面の角度及び距離を測定する方法は、本件出願以前から周知である。
　必要であれば、当審の拒絶理由で引用した特開昭５１−１４０６５５号公報（２頁左上欄１５行〜３頁左上欄６行、５頁左下欄５行〜６頁左上欄１１行、第１図、第５図）、特開昭５９−５９１１号公報（１頁左下欄２０行〜同頁右下欄１４行、第１図）等を参照されたい。
　そして、上記相違点の本願発明に係る事項が、被測定面を半導体レーザ素子のへき開面とした場合の上記周知技術に相当することは明らかである。
　しかも、半導体レーザ素子のへき開面でレーザ光が合焦するように調整する調整量により回転角度ずれ量及び位置ずれ量を求める引用例１発明の測定方法に替えて上記周知技術を採用することに格別の困難性があるものともいえないから、本願発明は、引用例１発明および上記周知技術に基づき、当業者が容易になし得たことである。
　
　また、本願発明の作用効果も、引用例１および上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。