【事件の表示】
　平成８年特許願第３０１７８１号「アルミニウム信号ラインおよび半導体装置ならびにそれらの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年６月３０日出願公開，特開平９−１７２０１８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成８年１１月１３日（パリ条約による優先権主張１９９５年１１月２１日，韓国）の出願であって，平成１９年９月２５日付けで手続補正がなされ，同年１０月１６日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２０年１月２１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年２月２０日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２１年１０月１５日付けで拒絶の理由を通知したところ，平成２２年１月２０日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明について
　本願の請求項１〜２５に係る発明は，平成２２年１月２０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２５に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１５に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。 
「【請求項１５】
　絶縁基板上に，アルミニウムおよび第１融点を有する０．１重量％乃至２重量％である耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第１金属層を形成する工程と，
　上記第１金属層上に直接，アルミニウムおよび上記第１融点より低い第２融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第２金属層を形成する工程と，
　上記第１金属層および上記第２金属層に選択的エッチングを施して所望のパターンを形成する工程と，
　上記所望のパターンに形成された上記第１金属層および上記第２金属層に陽極酸化処理を施してその表面を覆う陽極酸化膜を形成する工程と，この陽極酸化膜と上記絶縁基板とに蒸着により絶縁膜を形成する工程と，上記陽極酸化膜および上記絶縁膜に上記第２金属層を露出させる開口を形成する工程と，上記開口を通して上記金属層に電気的に接続された導電層を形成する工程とを備え，
　上記耐熱性金属は，モリブデン，タングステン，ニオビウムおよびバナジウムからなる群れから選んだ少なくとも一つであるアルミニウム信号ラインの製造方法。」
　
３　引用例に記載された発明
（１）当審における拒絶の理由に引用された特開平５−１５２５７２号公報（平成５年６月１８日出願公開，以下「引用例」という。）には，次の記載がある。
ア　「【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するために
本発明の金属配線，及びそれを用いた半導体装置及びＴＦＴ液晶表示装置
金属配線が，純アルミニウムからなる導電体層と，融点が１４００℃以上の高融点金属を不純物として添加した不純物添加アルミニウムからなる導電体層との多層構造
高融点金属が
モリブデン，タングステン
ニオブ
バナジウムのいずれか
イ　図１を参照して，「【００１１】（図１）は，本発明の一実施例における多層構造のアルミニウムのゲート電極を用いた，ＴＦＴの基本構成断面図である。（図１）において，１は純アルミニウムゲート電極（膜厚１００ｎｍ），２は不純物添加アルミニウムゲート電極（膜厚５０ｎｍ），４は窒化シリコンゲート絶縁膜（膜厚３００ｎｍ），５は非晶質シリコン半導体層（膜厚１００ｎｍ），６ａ，６ｂはリンを含む非晶質シリコン半導体層（膜厚５０ｎｍ），７ａ，７ｂはそれぞれソース電極，ドレイン電極（膜厚７００ｎｍ），８はガラス基板である。
【００１２】（図１）に示すように
ガラス基板８上に純アルミニウム膜，さらにその上に重なるように高融点金属としてタンタルを２ａｔ％添加した不純物添加アルミニウム膜を
形成
【００１３】そして，
窒化シリコンゲート絶縁膜４
を
化学気層堆積法により順次連続形成
ウ　図４を参照して，「【００１６】一方，本実施例のＴＦＴ特性は従来例の場合と大差ない。すなわち本実施例によればＴＦＴ特性を悪化させることなく，また工程において不良の発生をなくし
ＴＦＴを作製
（図４）に不純物添加アルミニウム単層の物と，２層構造の物の，添加量に対する抵抗値の関係図
エ　図２を参照して，「【００１８】（図２）は本発明の一実施例における
多層構造アルミニウムゲート電極を用いたＴＦＴ
４は窒化シリコンゲート絶縁膜
オ　図２を参照して，「【００１９】
（図２）に示すようにガラス基板８上に高融点金属としてチタンを３ｗｔ％添加した不純物添加アルミニウム膜，さらに，その上に重なるように純アルミニウム膜が
形成し，ホトリソグラフィ技術により加工を行い，不純物添加アルミニウムゲート電極２，純アルミニウムゲート電極１
純アルミニウムゲート電極１の上部を陽極酸化し，酸化アルミニウムゲート絶縁膜３を形成
他の製造方法は，前述の実施例と同様
カ　「【００２１】なお，第１，及び第２の実施例においてアルミニウムゲート電極を，純アルミニウム層と高融点金属を不純物として添加した不純物添加アルミニウム層からなる２層以上の多層構造とし，また不純物としてタンタル，チタン以外の高融点金属であるシリコン，
モリブデン，タングステン
ニオブ
バナジウム
不純物の添加濃度は，濃度が高くなるとヒロックの発生はかなり抑えられるが，配線抵抗が高くなるので，必要とする抵抗値によって適度な添加量を選択
（２）上記（１）ア，エ及びオによれば，引用例に記載された発明は，純アルミニウムからなる導電体層と不純物添加アルミニウムからなる導電体層との多層構造を形成する金属配線を用いたＴＦＴの製造方法が開示されているから，「アルミニウム信号ラインの製造方法」に関するものである。
（３）上記（１）ア及びオによれば，引用例には，融点が１４００℃以上の高融点金属を不純物として添加した不純物添加アルミニウムが用いられること，及び，図２の実施例として，ガラス基板８上に高融点金属としてチタンを３ｗｔ％添加した不純物添加アルミニウム膜，その上に重なるように純アルミニウム膜を形成し，ホトリソグラフィ技術により加工を行い，不純物添加アルミニウムゲート電極２，純アルミニウムゲート電極１とすることが記載されている。したがって，引用例には，ガラス基板８上に，融点が１４００℃以上の高融点金属として例えばチタンを３ｗｔ％添加した不純物添加アルミニウム膜を形成する工程と，不純物添加アルミニウム膜の上に重なるように純アルミニウム膜を形成する工程と，不純物添加アルミニウム膜と純アルミニウム膜にホトリソグラフィ技術による加工を行って，不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１を形成する工程が開示されている。
（４）上記（１）オによれば，引用例には，純アルミニウムゲート電極１の上部を陽極酸化し，酸化アルミニウムゲート絶縁膜３を形成することが記載されている。そして，図２における不純物添加アルミニウムゲート電極２及び純アルミニウムゲート電極１と，酸化アルミニウムゲート絶縁膜３との位置関係を参酌すると，引用例では，不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１の表面を被覆するように，酸化アルミニウムゲート絶縁膜３が陽極酸化により形成されていることは，明らかである。したがって，引用例には，不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１の表面を被覆するように，酸化アルミニウムゲート絶縁膜３を陽極酸化により形成する工程が開示されている。
（５）上記イによれば，引用例の図１の実施例では，窒化シリコンゲート絶縁膜４を化学気層（審決注：「気層」は「気相」の誤記である。）堆積法により形成することが記載されており，また，上記オによれば，引用例の図２の実施例では，他の製造方法は前述の実施例（すなわち，図１の実施例）と同様と記載されている。そうすると，図２における酸化アルミニウムゲート絶縁膜３及びガラス基板８と，窒化シリコンゲート絶縁膜４との位置関係を参酌すると，引用例には，酸化アルミニウムゲート絶縁膜３とガラス基板８とに，化学気相堆積法により窒化シリコンゲート絶縁膜４を形成する工程が開示されている。
（６）上記（１）ア及びカによれば，引用例には，融点が１４００℃以上の高融点金属が，モリブデン，タングステン，ニオブ，バナジウムのいずれかであることが記載されている。
（７）よって，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「ガラス基板８上に，融点が１４００℃以上の高融点金属として例えばチタンを３ｗｔ％添加した不純物添加アルミニウム膜を形成する工程と，
　不純物添加アルミニウム膜の上に重なるように純アルミニウム膜を形成する工程と，
　不純物添加アルミニウム膜と純アルミニウム膜にホトリソグラフィ技術による加工を行って，不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１を形成する工程と，
　不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１の表面を被覆するように，酸化アルミニウムゲート絶縁膜３を陽極酸化により形成する工程と，
　酸化アルミニウムゲート絶縁膜３とガラス基板８とに，化学気相堆積法により窒化シリコンゲート絶縁膜４を形成する工程とを備え，
　高融点金属が，モリブデン，タングステン，ニオブ，バナジウムのいずれかであるアルミニウム信号ラインの製造方法。」
　
４　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「ガラス基板８」，「融点が１４００℃以上」，「高融点金属」は，本願発明の「絶縁基板」，「第１融点」，「耐熱性金属」にそれぞれ相当し，引用発明の「不純物添加アルミニウム膜」は，本願発明の「第１金属層」に対応する。したがって，引用発明の「ガラス基板８上に，融点が１４００℃以上の高融点金属として例えばチタンを３ｗｔ％添加した不純物添加アルミニウム膜を形成する工程」は，本願発明の「絶縁基板上に，アルミニウムおよび第１融点を有する０．１重量％乃至２重量％である耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第１金属層を形成する工程」に対応し，本願発明と引用発明とは，本願発明のアルミニウム合金の第１金属層が耐熱性金属を０．１重量％乃至２重量％含むことは別にして，「絶縁基板上に，アルミニウムおよび第１融点を有する耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第１金属層を形成する工程」を有する点で共通する。
（２）引用発明の「純アルミニウム膜」は，本願発明の「第２金属層」に対応するから，引用発明の「不純物添加アルミニウム膜の上に重なるように純アルミニウム膜を形成する工程」は，本願発明の「上記第１金属層上に直接，アルミニウムおよび上記第１融点より低い第２融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第２金属層を形成する工程」に対応し，本願発明と引用発明とは，本願発明の第２金属層がアルミニウムおよび第１融点より低い第２融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金であることは別にして，「上記第１金属層上に直接，アルミニウムを主成分とする第２金属層を形成する工程」を有する点で共通する。
（３）引用発明の「ホトリソグラフィ技術による加工を行って，不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１を形成する」とは，選択的エッチングを施して所望のパターンを形成することを意味することは明らかであるから，引用発明の「不純物添加アルミニウム膜と純アルミニウム膜にホトリソグラフィ技術による加工を行って，不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１を形成する工程」は，本願発明の「上記第１金属層および上記第２金属層に選択的エッチングを施して所望のパターンを形成する工程」に相当する。
（４）引用発明の「酸化アルミニウムゲート絶縁膜３」は，不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１の表面を被覆するように陽極酸化により形成されているから，本願発明の「陽極酸化膜」に相当する。したがって，引用発明の「不純物添加アルミニウムゲート電極２と純アルミニウムゲート電極１の表面を被覆するように，酸化アルミニウムゲート絶縁膜３を陽極酸化により形成する工程」は，本願発明の「上記所望のパターンに形成された上記第１金属層および上記第２金属層に陽極酸化処理を施してその表面を覆う陽極酸化膜を形成する工程」に相当する。
（５）引用発明の「化学気相堆積法」は，ＣＶＤであって，本願発明の「蒸着」の一形態であり，また，引用発明の「窒化シリコンゲート絶縁膜４」は本願発明の「絶縁膜」に相当するから，引用発明の「酸化アルミニウムゲート絶縁膜３とガラス基板８とに，化学気相堆積法により窒化シリコンゲート絶縁膜４を形成する工程」は，本願発明の「この陽極酸化膜と上記絶縁基板とに蒸着により絶縁膜を形成する工程」に相当する。
（６）引用発明の「高融点金属が，モリブデン，タングステン，ニオブ，バナジウムのいずれかである」ことは，本願発明の「上記耐熱性金属は，モリブデン，タングステン，ニオビウムおよびバナジウムからなる群れから選んだ少なくとも一つである」ことに相当する。
（７）以上のことを踏まえると，本願発明と引用発明とは，
「絶縁基板上に，アルミニウムおよび第１融点を有する耐熱性金属を含むアルミニウム合金の第１金属層を形成する工程と，
　上記第１金属層上に直接，アルミニウムを主成分とする第２金属層を形成する工程と，
　上記第１金属層および上記第２金属層に選択的エッチングを施して所望のパターンを形成する工程と，
　上記所望のパターンに形成された上記第１金属層および上記第２金属層に陽極酸化処理を施してその表面を覆う陽極酸化膜を形成する工程と，この陽極酸化膜と上記絶縁基板とに蒸着により絶縁膜を形成する工程とを備え，
　上記耐熱性金属は，モリブデン，タングステン，ニオビウムおよびバナジウムからなる群れから選んだ少なくとも一つであるアルミニウム信号ラインの製造方法。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
相違点１：アルミニウム合金の第１金属層が，本願発明では，耐熱性金属を「０．１重量％乃至２重量％」含むのに対し，引用発明では，チタンを「３ｗｔ％」添加したものである点。
相違点２：アルミニウムを主成分とする第２金属層が，本願発明では，「アルミニウムおよび上記第１融点より低い第２融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金」であるのに対し，引用発明では，「純アルミニウム膜」である点。
相違点３：本願発明では，「上記陽極酸化膜および上記絶縁膜に上記第２金属層を露出させる開口を形成する工程と，上記開口を通して上記金属層に電気的に接続された導電層を形成する工程」を備えているのに対し，引用発明は，そのような構成を有していない点。
　
５　当審の判断 
（１）相違点１について
　上記３（１）イによれば，引用例には，高融点金属としてタンタルを２ａｔ％添加した不純物添加アルミニウム膜を形成する実施例が記載されているが，タンタルを２ａｔ％添加した不純物添加アルミニウムとは，重量％では，（１８０．９５×０．０２）／（１８０．９５×０．０２＋２６．９８×０．９８）×１００＝１２ｗｔ％である。そして，上記ウ及び図４によれば，不純物添加アルミニウムのタンタル添加量を２％以下にすることも図示されているから，引用例には，高融点金属を，本願発明の「０．１重量％乃至２重量％」の範囲で添加する構成も開示されていると認められる。そうすると，上記３（１）カによれば，引用例では，不純物の添加濃度として，必要とする抵抗値によって適度な添加量を選択することも記載されているから，引用発明において，アルミニウム合金の第１金属層が，アルミニウム及び第１融点を有する０．１重量％乃至２重量％である耐熱性金属を含むという本願発明の構成を採用することは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
（２）相違点２について
　アルミニウムを主成分とする金属層が，アルミニウム金属単体であってもよく，また例えば銅やシリコンを含むアルミニウム合金（すなわち，本願発明の「アルミニウムおよび上記第１融点より低い第２融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金」）も使用できることは，例えば下記の周知例１〜５に記載されているように従来周知の技術であるから，アルミニウム信号ラインの製造方法において，アルミニウムを主成分とする金属層をアルミニウム金属単体とするか，例えば銅やシリコンを含むアルミニウム合金とするかは，必要により当業者が適宜行えばよい技術的な設計事項と認められる。したがって，引用発明において，「純アルミニウム膜」に代えて，例えば銅やシリコンを含むアルミニウム合金を採用し，本願発明の「アルミニウムおよび上記第１融点より低い第２融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金」とすることに，格別の困難性を認めることはできない。
　
周知例１：特開平６−３０１０５４号公報
ア　「【００１０】本発明に係わる
アルミニウムを主成分とする金属層は，アルミニウム金属単体であってもよく，また導電性を損なわない範囲でアルミニウム合金を使用することができる
たとえば，銅（Ｃｕ）１原子％，シリコン（Ｓｉ）０．５原子％を含むアルミニウム合金などを使用できる
【００１１】また，この
アルミニウムを主成分とする金属層に積層する高融点金属としてはタンタル（Ｔａ）
タングステン（Ｗ），ニオブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍｏ）
イ　「【００１８】
【実施例】以下，本発明の液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板の製造工程を図１を参照して詳細に説明する。図１（ｅ）は逆スタッガード型ＴＦＴの断面構造を示す図である。プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯｘ層付きガラス基板１上にスパッタリング法によりアルミニウム（Ａｌ）層２を２００ｎｍ堆積させ走査線の形状にパターニングする（図１（ａ））。アルミニウム層２を形成した基板１上に，モリブデン・タンタル合金（ＭｏＴａ）層１１を１００ｎｍ堆積させる（図１（ｂ））。この基板を４００℃，０．１Ｐａのアニール炉で１時間アニールし，
アルミニウム表面にアルミニウム合金化層３
を形成
　
周知例２：特開平７−１３１８０号公報
ア　「【０００５】ところで，従来の液晶表示装置においては，例えば活性層がアモルファスシリコン（非晶質シリコン）のゲート下置き型（逆スタガ型）ＴＦＴを用いる場合ではゲート電極（あるいはゲート配線）としてタンタル（Ｔａ）やモリブデン／タンタル（Ｍｏ／Ｔａ）合金などが用いられているが，液晶表示装置の多画素化や大画面化，高精細化に伴って，それらの金属材料からなるゲート電極の電気抵抗が無視できなくなりゲート電圧書き込みが十分には行なわれなくなるため，さらに比抵抗が小さいアルミニウム（Ａｌ）やその合金がゲート電極等の電極材料として用いられるようになってきた。また，例えば活性層が多結晶シリコンから形成されたゲート上置き型（コプラナ型）ＴＦＴを用いる場合では，
従来から信号電極（信号配線）などの電極（配線）用材料としてＡｌあるいはＡｌ合金が用いられている
イ　「【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置は，絶縁性基板上に形成されて液晶セルを駆動するＴＦＴを備え，ＴＦＴに接続された電極であって，
アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）合金
ウ「【００２１】本発明に係わる
電極材料としてはアルミニウム（Ａｌ）金属単体，アルミニウム−銅合金，アルミニウム−シリコン合金，アルミニウム−銅−シリコン合金等のアルミニウム合金
タングステン（Ｗ），ニオブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍｏ）等の金属およびこれらを組み合わせた合金
【００２２】また，積層構造とする場合はタンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等とアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）合金等のエッチング選択比の異なる金属材料を好適に用いることができる。
【００２３】
電極表面を酸化する手段としては
陽極酸化する方法等がある
　
周知例３：特開平６−１０４４３７号公報
「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解決するために，
行配線
下層にシリコンまたは銅あるいはその両方を添加したアルミニウム，または純アルミニウム
上層に陽極酸化可能な高融点金属を不純物として添加したアルミニウムからなる２層構造
高融点金属が
モリブデン，タングステン
ニオブ
バナジウム
　
周知例４：特開平３−３５５２４号公報
「本発明に係る半導体装置の電極配線においては，その内部に低抵抗配線材料が配設される。この
配線材料として
純Ａｌ
Ａｌ−Ｃｕ
溶質としてＳｉ等が１ｗｔ％程度含まれていても良い
　次にこうした低抵抗配線材料を，Ｔａ酸化物あるいはこれとＮｂ酸化物あるいはＭｏ酸化物の少なくとも一方とを含んだ複合酸化物で被覆して本発明に係る電極配線とする。このＮｂ酸化物の含有量としては配線の加工性，密着性，耐薬品性，絶縁耐圧を考慮すると６０ｗｔ％以下さらには３３ｗｔ％以下とすることが好ましい。またＭｏ酸化物の場合も６０ｗｔ％以下さらには３０ｗｔ％以下とすることが好ましい。
　さらにはこうした酸化物による被覆と，低抵抗配線材料との間にさらにＴａ単体あるいはこれにＮｂ及びＭｏの少なくとも一方を含んだＴａ合金よりなる中間金属膜層を介在させて電極配線とする。そして，この中間金属膜層にＴａ合金を用いる場合，添加されているＮｂ及びＭｏはそれぞれ３５ｗｔ％以下とすることが好ましい。
　本発明において低抵抗配線材料を被覆する酸化物の層は，例えば，あらかじめ形成した低抵抗配線材料上に酸化物構成金属元素を被覆し，その後
陽極酸化によってこれを酸化
低抵抗配線材料上に中間金属膜層を残してその外側を酸化物の層で被覆した構成の電極配線を得る
　
周知例５：特開平６−１２０５０３号公報
「【請求項１】絶縁性基板上に，ゲート電極と半導体層が絶縁層を介して対向する位置に設けた薄膜トランジスタであって，前記ゲート電極は
アルミニウムからなる第一の金属層
アルミニウムより高い融点を有する金属からなる第二の金属層
【請求項２】
第一の金属層であるアルミニウムはＳｉ，Ｗ，Ｔｉ及びＴａを混合したアルミニウム合金
【請求項３】
第二の金属層が
Ｗ
　
（３）相違点３について
　半導体装置の技術分野において，信号ラインが信号ラインとして機能するためには，信号ラインと信号を供給するためのパッドとのコンタクトを形成することが当然に不可欠であるが，そのために，絶縁膜に開口部を設け，当該開口を通して金属層に電気的に接続された導電層を形成することは通常行われていることであり，また，例えば下記の周知例６に記載されているように，薄膜トランジスタのゲート配線（すなわち，ＴＦＴの金属配線）の製造方法においても従来周知の技術である。（なお，下記の周知例６に記載された「ゲート配線パッド配設用のコンタクトホール３９」と「ゲート配線１５とゲート配線パッド１３を接続するためのコンタクトホール３９」が，本願発明の「上記第２金属層を露出させる開口」に相当し，また，下記の周知例６に記載された「引き出し配線形成用のクロム（Ｃｒ）層４１とアルミニウムチタン（ＡｌＴｉ）層４３」と，「コンタクトホール３９」に充填される「アルミニウムチタン層４３」とが，本願発明の「上記開口を通して上記金属層に電気的に接続された導電層」に相当する。）したがって，引用発明においても，この従来周知の技術を採用し，「酸化アルミニウムゲート絶縁膜３」と「窒化シリコンゲート絶縁膜４」に，「純アルミニウム膜」を露出させる開口を設け，当該開口を通して「純アルミニウム膜」に電気的に接続された導電層を形成するように変更することは，当業者が容易になし得ることである。そして，引用発明において，「純アルミニウム膜」に代えて，例えば銅やシリコンを含むアルミニウム合金を採用し，本願発明の「アルミニウムおよび上記第１融点より低い第２融点を有する非耐熱性金属を含むアルミニウム合金」とすることに，格別の困難性を認めることはできないことは，前示（２）のとおりであるから，引用発明において，本願発明の「上記陽極酸化膜および上記絶縁膜に上記第２金属層を露出させる開口を形成する工程と，上記開口を通して上記金属層に電気的に接続された導電層を形成する工程」からなる構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　
周知例６：特開平７−２７３３４６号公報
図８（Ｃ）〜図９（Ａ）を参照して，「【０００７】
ゲート配線１５上の所定位置のゲート絶縁層３１をエッチング
ゲート配線パッド配設用のコンタクトホール３９を形成
引き出し配線形成用のクロム（Ｃｒ）層４１とアルミニウムチタン（ＡｌＴｉ）層４３を順次形成
パターニングし，ゲート配線パッド１３を形成
図２（Ｃ）〜図３（Ｂ）を参照して，「【００２９】スパッタリング等を用いて基板全面にＩＴＯ（インジウム−チン酸化物）等からなる透明導電膜を形成し，これをパターニングして，図２（Ｃ）に示すように，クロム層４１及びソース領域に接続された画素電極２３を形成する。図３（Ａ）に示すように，
ゲート配線１５とゲート配線パッド１３を接続するためのコンタクトホール３９をゲート絶縁層３１にウエットエッチング又はドライエッチングにより形成
【００３０】基板全面にアルミニウムチタン（ＡｌＴｉ）をスパッタリング等により堆積し，
アルミニウムチタン層４３を形成
コンタクトホール３９もＡｌＴｉにより充填
アルミニウムチタン層４３をパターニングして薄膜トランジスタ２１の
ゲート配線１５に接続され，コンタクトホール３９を充填し，ゲート電極引き出し層上に延在するゲート配線引き出し線５１を形成
　
６　むすび
　以上検討したとおり，本願発明は，従来周知の技術を勘案することにより，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。