【事件の表示】
　平成９年特許願第１４５０１５号「基板加熱装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年２月２４日出願公開、特開平１０−５６００８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年６月３日（優先権主張１９９６年６月３日　米国）の出願であって、その請求項１〜２２に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成１５年６月９日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面（以下、「本願明細書及び図面」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】基板の急速熱処理中に基板を加熱する加熱装置であって、窓を有する排気可能チャンバと、前記チャンバの外部に前記窓と隣接して配置され、前記窓に対して垂直に延びる中央長手軸を有する少なくとも２つの放射エネルギ源と、長手中心軸と第１端とを有し、少なくとも１つの前記放射エネルギ源からの放射エネルギを、前記第１端を出て前記基板に向ける少なくとも１つのリフレクタと、前記少なくとも１つの放射エネルギ源からの放射エネルギを前記窓を通して前記基板に反射し、前記基板の限定された領域を放射するテーパ状領域を備えた前記第１端の正反射性リフレクタ面とを備える加熱装置。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平６−２２４１３５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、及び、同じく頒布された刊行物である特開平７−２２３２６号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ下記の事項が記載されている。
［２−１］引用刊行物１
「【請求項１】被処理体を所定位置に位置決め可能な処理室と、その処理室の壁部の少なくとも一部を構成する透過窓と、その透過窓を介して前記被処理体に対してエネルギー線を照射するように構成されたエネルギー線発生源とを備えたエネルギー線加熱装置において、前記エネルギー線発生源が回転テーブルに設けられた複数の加熱手段から成り、それらの複数の加熱手段は複数の組に組み分けされ、前記回転テーブルを回動することにより前記加熱手段の各組がその組ごとに前記被処理体の別個の照射領域に対してエネルギー線を照射するように構成され、前記加熱手段の各組毎にその照射出力を調節することが可能であることを特徴とする、エネルギー線加熱装置。
【請求項２】前記加熱手段が加熱ランプから成り、前記加熱手段の各組に属する加熱ランプの光軸を所定の方向に調整することにより、その組の照射領域が決定されることを特徴とする、請求項１に記載のエネルギー線加熱装置。
【請求項３】前記加熱手段が反射鏡を備え、前記加熱手段の各組に属する加熱手段の反射鏡によるエネルギー線反射方向を所定の方向に調整することにより、その組の照射領域が決定されることを特徴とする、請求項１又は２に記載のエネルギー線加熱装置。」（【特許請求の範囲】【請求項１】〜【請求項３】）、
　【実施例】として、「【００２１】このＣＶＤ装置は、処理室１、例えばアルミニウム製の円筒状真空チャンバと、エネルギー線発生室２とを備えており、適当な載置手段４により、被処理体、例えば半導体ウェハ３を上記処理室１内の所定の位置に載置固定することができるように構成されている。
【００２２】上記処理室１の底部には、エネルギー線透過材料、例えばサファイヤあるいは石英ガラスから成る透過窓５が設けられており、後述するエネルギー線発生源からの熱エネルギーを透過して上記被処理体３を加熱することが可能なように構成されている。
【００２３】さらに上記処理室１の下方外部には、上記透過窓５を介して、上記エネルギー線発生室２が取り付けられており、そのエネルギー線発生室２内には、複数の加熱手段６が上下２層構造の回転テーブル７Ａ及び７Ｂ上の所定の位置に固定されている。その加熱手段６は、加熱ランプ８、例えばプッチンランプ、タングステンランプ、あるいはハロゲンランプなどと、反射鏡９とから構成され、後述するように、それぞれ所定の方向（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）に、上記透過窓５を介して、エネルギー線を照射するように構成されている。・・・・・
【００２５】上記加熱手段６は、図１の装置のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、８つの外側円周配列の加熱ランプ６Ａと、４つの内側円周配列６Ｂ及び６Ｃの２列配列の加熱ランプ群から構成されている。ただし、上記加熱ランプの数及び配列は例示であって、本発明は上記例に限定されない。
【００２６】本発明によれば、それぞれの加熱ランプ８の光軸及び反射鏡９のエネルギー線反射方向は、上記回転テーブル７を回転させることにより、図３及び図４に示すように、図１の装置のＢ−Ｂ断面において、３つの照射軌跡又は照射領域、Ｉ（Ｉ’）、ＩＩ、ＩＩＩを形成するように調整されており、その照射領域ごとに照射出力を調整することが可能である。」（段落【００２１】〜【００２６】）、
　【発明の効果】として、「【００４６】・・・本発明に基づくエネルギー線加熱装置によれば、・・・被処理体である半導体ウェハの均一な加熱を迅速に行うことが可能であり、かつ被処理体の温度を一定に保持することが可能である。」（段落【００４６】）と記載されており、
　そして、上述の記載に対応させて図１〜図４が示されており、同図１、図２には、加熱ランプが、エネルギー線照射方向に細長い形状であり、反射鏡が、該加熱ランプのエネルギー線照射方向の軸の周囲を環状に取り囲み、該軸に沿って延伸し、該エネルギー線照射方向の先端に向けてテーパ状に設けられている点が示され、また、同図３、図４には、加熱ランプのエネルギー線照射及び反射鏡のエネルギー線反射により３つの照射軌跡又は照射領域Ｉ（Ｉ’）、ＩＩ、ＩＩＩが形成されることが示されている。
　　
［２−２］引用刊行物２　
「【請求項１】整流ガス吹き出し口を介して反応室内に供給されたガスに光入射窓を透過して光源からの光を照射することにより光化学反応を促進し、反応室内に設置された基板上に薄膜を堆積させる光ＣＶＤ装置において、前記光源から光入射窓を介して反応室内に供給される光が前記整流ガス吹き出し口に照射されないように光源付近に遮蔽板を設置したことを特徴とする光ＣＶＤ装置。
【請求項２】前記光源が反応室の一部を構成する光入射窓に対して平行に複数個並設され、各光源の間に前記遮蔽板が設置されると共に前記整流ガス吹き出し口側に近接するにつれて前記遮蔽板の長さが長くなっていることを特徴とする請求項１の光ＣＶＤ装置。」（【特許請求の範囲】）、
　実施例として、「【００１３】また、光入射窓２の上方には、光化学反応の励起源となる低圧水銀ランプ３が複数個配設されており、それぞれの低圧水銀ランプ３の間には遮蔽板４が光入射窓２に対して垂直な方向に並設されている。」（段落【００１３】）と記載されており、
　そして、上述の記載に対応させて図１、図２が示されている。
　　
［３］対比・判断
　［２−１］に摘記した事項を総合すると、引用刊行物１には、「被処理体である半導体ウェハの均一な加熱を迅速に行う加熱装置であって、透過窓を有する真空チャンバの処理室と、該チャンバの下方外部に該透過窓を介してエネルギー線発生室が取り付けられ、該エネルギー線発生室内には、各１個の加熱ランプと反射鏡とからなる加熱手段が複数個配置され、該各加熱ランプは、エネルギー線照射方向に細長い形状であり、該各反射鏡は、各加熱ランプのエネルギー線照射方向の軸の周囲を環状に取り囲み、該軸に沿って延伸し、該エネルギー線照射方向の先端に向けてテーパ状に形成され、該各加熱ランプのエネルギー線照射方向、及び該各反射鏡のエネルギー線反射方向が、夫々上記透過窓を通り上記半導体ウェハの各照射領域に照射されるように調整されている加熱装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「半導体ウェハ」、「真空チャンバ」、「加熱ランプ」、「加熱ランプのエネルギー線照射方向の軸」は、夫々本願発明１における「基板」、「排気可能チャンバ」、「放射エネルギ源」、「中央長手軸」、に該当し、また、引用発明において、「該各反射鏡は、各加熱ランプのエネルギー線照射方向の軸の周囲を環状に取り囲み、該軸に沿って延伸し、該エネルギー線照射方向の先端に向けてテーパ状に形成され、該各加熱ランプのエネルギー線照射方向、及び該各反射鏡のエネルギー線反射方向は、夫々上記透過窓を通り上記半導体ウェハの各照射領域に照射されるように調整されている」のであるから、上記「反射鏡」は、加熱ランプのエネルギー線照射方向の軸と重なる「長手中心軸」と、エネルギー線照射方向の先端のテーパ状の「第１端」とを有し、少なくとも１つの加熱ランプのエネルギー線を、該「第１端」を出て半導体ウェハの基板に向けているものであり、本願発明１の「リフレクタ」に相当する。また、引用発明の上記「反射鏡」は、エネルギー線照射方向の先端に向けてテーパ状に形成され、少なくとも１つの加熱ランプのエネルギー線を、透過窓を通り半導体ウェハの各照射領域に照射するように反射させるのであるから、「少なくとも１つの前記放射エネルギ源からの放射エネルギを窓を通して基板に反射させ、前記基板の限定された領域を放射するテーパ状領域を備えた上記第１端のリフレクタ面」を備えることが明らかであるし、該「リフレクタ面」が引用発明の上記「反射鏡」に「正反射性」を与えていることも明らかである。
　してみると、両者は、「基板の急速熱処理中に基板を加熱する加熱装置であって、窓を有する排気可能チャンバと、前記チャンバの外部に前記窓と隣接して配置され、中央長手軸を有する少なくとも２つの放射エネルギ源と、長手中心軸と第１端とを有し、少なくとも１つの前記放射エネルギ源からの放射エネルギを、前記第１端を出て前記基板に向ける少なくとも１つのリフレクタと、前記少なくとも１つの放射エネルギ源からの放射エネルギを前記窓を通して前記基板に反射し、前記基板の限定された領域を放射するテーパ状領域を備えた前記第１端の正反射性リフレクタ面とを備える加熱装置」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本願発明１では、放射エネルギ源の中央長手軸が窓に対して垂直に延びているのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　
　そこで、上記相違点（イ）について検討するに、引用刊行物２に、遮蔽板を光入射窓に対して垂直な方向に並設し、複数の各ランプの光の多くを光入射窓に対して垂直な方向に照射することが記載されているように、複数の各放射エネルギ源の放射方向の軸をチャンバの窓に対して垂直に配置することは本願出願の優先権主張日前周知の技術であり、また、半導体ウェハの均一加熱のために、複数の各放射エネルギ源の中央長手軸をチャンバの窓に対して垂直に配置することも同じく周知の技術であるから（例えば、特公平６−９３４４０号公報，第７欄６〜９行，２０〜４１行，第３図，第４図；特開平８−５３７６６号公報，段落【００１７】〜【００２２】，図１参照）、複数の各加熱ランプのエネルギー線照射方向を調整して半導体ウェハの均一加熱を行う引用発明において、半導体ウェハの均一加熱のために、複数の各加熱ランプのエネルギー線照射方向の軸である中央長手軸が透過窓に対して垂直に延びるように調整することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、本願発明１の作用・効果について検討してみても、引用刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知の技術から、当業者が普通に予測できる程度のものであって、格別のものは見当らない。
　したがって、本願発明１は、引用刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２〜２２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。