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　特願２０００−２９８２７７「赤外線センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月１０日出願公開、特開２００２−１０７２２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１２年９月２９日にされた特許出願（平成１２年特許願第２９８２７７号。以下「本件出願」という。）につき、平成１９年８月３日付けで拒絶査定（発送日：同年８月７日）されたところ、拒絶査定不服審判が同年９月５日に請求されたものである。
　　　　　
第２　本件出願に係る発明
　本件出願の請求項１〜７に係る発明は、平成１９年２月５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】基板上に空隙を介して形成され赤外線を吸収する赤外線吸収部及び前記基板上に空隙を介して前記赤外線吸収部に一体に形成され前記赤外線吸収部で吸収された赤外線による温度変化を電気信号に変換する熱電変換部とを備えたセンサ部と、
前記基板上に空隙を介して形成され、前記センサ部を前記基板上に空隙を介して支持してなり、前記熱電変換部から前記電気信号を出力する配線を有する支持構造とをそれぞれ有し、前記基板上に配列されてなる複数の赤外線検出画素と、
前記複数の赤外線検出画素のうち前記電気信号を出力すべき画素を選択する画素選択手段と、
選択された前記赤外線検出画素から前記電気信号を前記配線を介して出力する出力手段とを備えた赤外線センサであって、
前記画素選択手段と前記出力手段の少なくとも一つはＭＯＳ型トランジスタを有する回路から構成され、前記配線は前記ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極と同一の材料で同層に形成されてなることを特徴とする赤外線センサ。」
　
第３　引用刊行物の記載
（３Ａ）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献（特開平７−２９７４５４号公報、以下「引用刊行物Ａ」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。（下線は当審により付加されたものである。）
　　　
（３Ａ−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、赤外線イメージセンサ特に熱型の熱電素子を用いて構成した赤外線イメージセンサと、その製造方法とに関する。」
　
（３Ａ−２）「【０００３】図１４は赤外線イメージセンサを構成するのに用いて好適な、熱型の熱電素子の構成の一例を概略的に示す断面図である。同図に示す熱電素子は、Ｓｉ基板１０の（１００）基板面１０ａ上に順次に設けたメンブレン１２、ｐｎダイオード１４、保護膜１６及び吸収層１８と、ｐｎダイオード１４に対応する領域の基板１０中に設けたキャビティ２０とを有して成る。メンブレン１２及び保護膜１６はそれぞれ、ＳｉＯ２ 膜或はＳｉＮX 膜から成り、吸収層１８は赤外線の吸収により熱を発する材料例えば金ブラック（gold black）から成る。ｐｎダイオード１４はメンブレン１２上に設けたｐ−ｐｏｌｙＳｉ層２２ａ及びｎ−ｐｏｌｙＳｉ層２２ｂから成る能動層２２と、これらｐ層２２ａ及びｎ層２２ｂに設けたｐ側電極２４及びｎ側電極２６とから成る。
【０００４】キャビティ２０の形成に当っては、保護膜１６から基板面１０ａに至る深さのエッチングホール２１を、ｐｎダイオード１４近傍に形成し、このホール２１を介し基板１０をアルカリエッチャントでエッチングして、ｐｎダイオード１４下方の基板１０中に空洞を形成する。キャビティ２０はこのようにして形成した空洞であって、従ってｐｎダイオード１４と基板１０とをキャビティ２０により熱的に絶縁できる。
【０００５】吸収層１８が赤外線を吸収し熱を発すると、この熱によりｐｎダイオード１４の電流−電圧特性が変化するので、この変化に基づいて発熱体からの熱を検知できる。この際、吸収層１８の発熱温度に追従させて、感度良く、ｐｎダイオード１４の特性変化を生じさせるためには、ｐｎダイオード１４をキャビティ２０で熱的に絶縁することが、有用である。」
　
（３Ａ−３）「【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため、第一発明の赤外線イメージセンサは、絶縁性基板と、絶縁性基板上にアレイ状に配列して設けた複数の熱電素子とを備え、絶縁性基板を、断熱性材料から成る基板とし、熱電素子を、赤外線の吸収により熱を発する吸収層と吸収層の温度変化に応じて電流−電圧特性が変化する熱電変換層とを有する熱型の熱電素子として成ることを特徴とする。
・・・
【００１０】
【作用】第一発明によれば、絶縁性基板を断熱性材料から成る基板とする。従って絶縁性基板中にキャビティを形成しなくても、熱型の熱電素子と絶縁性基板との間の熱的絶縁を行なえる。」
　　
（３Ａ−４）「【００１３】まず図１を参照して、この実施例の赤外線イメージセンサ２８の全体構成につき概略的に説明する。図１はこの発明の第一実施例の全体構成を概略的に示す平面図である。
【００１４】この実施例の赤外線イメージセンサ２８は、絶縁性基板３０と、この絶縁性基板３０上にアレイ状に配列して設けた複数の熱電素子３２とを備える。絶縁性基板３０を、断熱性材料から成る基板とし、
熱電素子３２を
赤外線の吸収により熱を発する吸収層とこの吸収層の温度変化に応じて電流−電圧特性が変化する熱電変換層
【００１５】さらに赤外線イメージセンサ２８は、絶縁性基板３０上に設けた熱電素子３２を駆動するための駆動用電極を備える。熱電素子３２を駆動するための回路構成は種々のものが考えられるが、ここでは一例として、熱電素子３２を駆動するための駆動用電極をＸ電極３４及びＹ電極３６とし、これら電極３４及び３６を介しＸＹアドレス方式により熱電素子３２を駆動する。さらにこれに加え、赤外線イメージセンサ２８は、絶縁性基板３０上に設けた熱電素子３２を駆動するための周辺回路３８、４０を備える。尚、周辺回路３８、４０は必ずしも設けなくとも良い。
【００１６】そしてｍ個のＸ電極３４を並列させると共に、ｎ個のＹ電極３６を並列配置し（但し、ｍ、ｎは自然数であってｍ・ｎ≠１）、これらＸ電極３４及びＹ電極３６を平面的に見て相交差するように配置する。また熱電素子３２をｍ行ｎ列に配列し、第ｉ行第ｊ列の熱電素子３２を対応する第ｉ行のＸ電極３４に電気接続すると共に対応する第ｊ列のＹ電極３６に電気接続する（但し、ｉ、ｊは自然数であって１≦ｉ≦ｍ、１≦ｊ≦ｎ）。ｍ個のＸ電極３２はそれぞれ周辺回路３８と電気接続すると共に、ｎ個のＹ電極３６はそれぞれ周辺回路４０と電気接続する。
【００１７】次に図２〜図５を参照して、熱電素子３２、周辺回路３８、４０の構成につきより詳細に説明する。図２は第一実施例の要部構成を拡大して概略的に示す平面図である。図３は熱電素子及びその近傍部分の構成を断面図であって、図２のIII −III 線に沿って取った断面に対応する断面を拡大してより詳細に示す。図４及び図５は周辺回路及びその近傍部分の構成を示す断面図であって、図２のIV−IV線及びＶ−Ｖ線に沿って取った断面に対応する断面を拡大してより詳細に示す。図２にあっては図面の理解を助けるために、図３〜図５で示す第一絶縁層８２及び第二絶縁層８４を省略して示すと共に、吸収層４４を点線で示した。
【００１８】この実施例では図３及び図２にも示すように、
熱電素子３２は、絶縁性基板３０の基板面３０ａ上に順次にｐｎダイオード４２及び吸収層４４を設けて成る
このダイオード４２は、ｐｎ接合を形成するｎ−ポリＳｉ半導体層４６ａ及びｐ−ポリＳｉ半導体層４６ｂにより構成した能動層４６
ｎ型半導体層４６ａに設けた端子電極ここではｎ側電極４８及びｐ型半導体層４６ｂに設けた端子電極ここではｐ側電極５０とを有して成る
この能動層４６を熱電素子３２の熱電変換層とする
【００１９】ｎ側電極４８を対応する列のＹ電極３６と電気接続すると共に、ｐ側電極５０を対応する行のＸ電極３４と電気接続する。
【００２０】尚、ｐｎダイオード４２に代えてｐｉｎダイオードを設けても良い。ｐｉｎダイオードは、ｐｉｎ接合を形成するｐ型半導体層、ｉ型半導体層（ノンドープ半導体層）及びｎ型半導体層により構成した能動層と、この能動層のｐ型及びｎ型半導体層にｐ側及びｎ側電極とを有して成る。
【００２１】また図４及び図２にも示すように、周辺回路４０は、各Ｙ電極３６毎に設けたスイッチング素子５２、５４及び制御信号電極５６（図２参照）と、全てのＹ電極３６に共通の出力信号電極５８及び基準信号電極６０とから成る。
【００２２】スイッチング素子５２は薄膜トランジスタであって、ｉ−ポリＳｉ（ノンドープポリＳｉ）半導体層６２ａ及びｎ−ポリＳｉ半導体層６２ｂ、６２ｃにより構成した能動層６２と、主電極６４、６６及びゲート電極６８とゲート絶縁膜７０とを有して成る。ｎ型半導体層６２ｂ、６２ｃをチャネルとなるべき領域を挟んで離間させてｉ型半導体層６２ａに設ける。そして主電極６４及び６６を、ｎ型半導体層６２ｂ及び６２ｃに設けると共に、ゲート電極６８をゲート絶縁膜７０を介してチャネルとなるべき領域上に設ける。
【００２３】　
スイッチング素子５４もまた薄膜トランジスタであって
【００２４】
周辺回路４０に関しては、スイッチング素子５２の主電極６４を対応する列のＹ電極３６と電気接続し、主電極６６を出力信号電極５８と電気接続し、さらにゲート電極６８を対応する制御信号電極５６と電気接続する。そしてスイッチング素子５４の主電極７４を基準信号電極６０と電気接続し、ゲート電極７８を対応する制御信号電極５６と電気接続する
制御信号電極５６にはシフトレジスタからのＹ電極選択信号が入力され
出力信号電極５８からはＹ電極出力信号が次段の回路へ出力され
基準信号電極６０にはＹ電極基準信号が入力され、主電極７６にはバイアス電圧が印加される
【００２５】
周辺回路４０と同様にして
周辺回路３８は、各Ｘ電極３４毎に設けたスイッチング素子５２、５４及び制御信号電極５６と、全てのＸ電極３４に共通の出力信号電極５８及び基準信号電極６０とから成る
【００２６】
周辺回路３８に関しては、スイッチング素子５２の主電極６４を相対応する行のＸ電極３４と電気接続し、主電極６６を出力信号電極５８と電気接続し、さらにゲート電極６８を相対応する制御信号電極５６と電気接続する。そしてスイッチング素子５４の主電極７４を基準信号電極６０と電気接続し、ゲート電極７８を相対応する制御信号電極５６と電気接続する。図示せずも、制御信号電極５６にはシフトレジスタからのＸ電極選択信号が入力され、出力信号電極５８からはＸ電極出力信号が次段の回路へ出力され、基準信号電極６０にはＸ電極基準信号が入力され、主電極７６にはバイアス電圧が印加される
【００２７】配線構造をこれに限定するものではないが、ここでは次のようにする。図３及び図４にも示すように、絶縁性基板３０をガラス基板とし、この基板面３０ａ上に、ｐｎダイオード４２の能動層４６と薄膜トランジスタ５２、５４の能動層６２、７２とを設ける。これら能動層４６、６２、７２上に、これら能動層を覆うように、第一絶縁層８２を設ける。能動層６２、７２のチャネルとなるべき領域に対応する部分の第一絶縁層８２は、ゲート絶縁膜７０、８０を兼ねる。
【００２８】そして図３にも示すように、
第一絶縁層８２上に、ｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０とＸ電極３４とを設ける
【００２９】これと共に図４にも示すように、
第一絶縁層８２上に、薄膜トランジスタ５２の主電極６４、６６及びゲート電極６８と薄膜トランジスタ５４の主電極７４、７６及びゲート電極７８と出力信号電極５８と基準信号電極６０とを設け
【００３０】さらにこれらＸ電極３４、ｎ側電極４８、ｐ側電極５０、主電極６４、６６、７４、７６、ゲート電極６８、７８、出力信号電極５８及び基準信号電極６０上に、これら電極を覆うように第二絶縁層８４を設ける。
【００３１】そして図３及び図２にも示すように、この第二絶縁層８４上に、熱電素子３２の吸収層４４例えば金ブラック（gold black）を設ける。吸収層４４を、平面的に見てｐｎダイオード４２の能動層４６と重ね合わせるように設ける。
【００３２】これと共に図４及び図５にも示すように第二絶縁層８４上に、Ｙ電極３６及び制御信号電極５６を設ける。第二絶縁層８４は、ｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及び薄膜トランジスタ５２の主電極６４に対応する位置にそれぞれコンタクトホールを有し、これらコンタクトホールを介してこれらｎ側電極４８及び主電極６４をそれぞれ対応する列のＹ電極３６と電気接続する。また第二絶縁層８４は、薄膜トランジスタ５２及び５４のゲート電極６８及び７８に対応する位置にそれぞれコンタクトホールを有し、これらコンタクトホールを介してこれらゲート電極６８及び７８を制御信号電極５６と電気接続する。さらに第二絶縁層８４は、薄膜トランジスタ５２の主電極６６及び薄膜トランジスタ５４の主電極７４に対応する位置にそれぞれコンタクトホールを有し、これらコンタクトホールを介し主電極６６及び７４を出力信号電極５８及び基準信号電極６０と電気接続する。
【００３３】上述のような構成によれば、赤外線イメージセンサ２８に赤外線像を結像させると、熱電素子３２の吸収層４４は赤外線を吸収して発熱する。吸収層４４の発熱温度は、赤外線の強度に応じて変化する。
【００３４】一方、周辺回路３８及び４０を介してＸ電極３４及びＹ電極３６にシフトレジスタからの選択信号を入力すると、この選択信号に応じて選択された画素のｐｎダイオード４２に定電流が流れる。このときｐｎダイオード４２にはバイアス電圧が印加されている。吸収層４４の発熱温度が高くなると、ｐｎダイオード４２の順方向電圧は低くなり従って順方向電流は増加するので、この順方向電圧或は電流の変化に基づいて、画素単位に赤外線を検知できる。」
　　
（３Ａ−５）「【００３７】図６〜図８は第二発明の実施例の説明に供する工程図であって、図２に対応する要部平面図である。この第二発明の実施例は、第一発明の実施例で説明した熱電素子の熱電変換層従ってｐｎダイオード４２の能動層４６を形成する例である。
【００３８】まず絶縁性基板３０をガラス基板として、この基板３０上に半導体層８６を低温成長させる。この実施例では、基板面３０ａ上に、プラズマＣＶＤ法により、ノンドープ（ｉ型）ポリＳｉ半導体層８６を低温成長させる（図６）。成長温度は、ガラス基板が変形しないような低温例えば４５０℃以下の温度とする。文献：ＩＥＥＥ　ＩＥＤＭ９２　ｐｐ．６７３〜６７６によれば、ＳｉＦ4 、ＳｉＨ4 及びＨ2 の混合ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により、ポリＳｉを低温成長（成長温度３００℃）できることが開示されている。尚、プラズマＣＶＤ法のほかレーザ溶融法によっても、半導体層８６を低温成長させることができる。
【００３９】次に半導体層８６を用いて、ｐｎダイオード４２の能動層４６を形成する。
【００４０】この実施例では、熱電素子の熱電変換層と熱電素子用駆動素子の能動層とをここではｐｎダイオード４２の能動層４６と薄膜トランジスタ５２、５４の能動層６２、７２とを、同一の半導体層８６を用いて形成する。これら能動層４６、６２、７２を、同一の半導体層８６を用いて形成することにより、工程の簡略化を図れる。このため、フォトリソ及びエッチング技術を用いて、これら能動層４６、６２、７２を形成しない領域の半導体層８６をエッチング除去し、これら能動層４６、６２、７２を形成する領域に残存させた半導体層８６から成る半導体パターン８６ａ、８６ｂ及び８６ｃを得る（図７）。半導体パターン８６ａはｐｎダイオード４２の能動層４６を形成するためのもの、半導体パターン８６ｂは薄膜トランジスタ５２の能動層６２を形成するためのもの、及び半導体パターン８６ｃは薄膜トランジスタ５４の能動層７２を形成するためのものである。
【００４１】次いで半導体パターン８６ａ、８６ｂ及び８６ｃにそれぞれ、Ｐ等のｎ型不純物を選択的に導入して、ｎ−ポリＳｉ半導体層４６ａ、６２ｂ、６２ｃ、７２ｂ及び７２ｃを形成する。然る後、半導体パターン８６ａにＢ等のｐ型不純物を選択的に導入して、ｐ−ポリＳｉ半導体層４６ｂを形成する（図８）。不純物の導入をここではイオン注入により行なうが、不純物拡散そのほかの任意好適な方法により不純物導入を行なうようにしても良い。
【００４２】このようにｐｎダイオード４２の能動層４６を構成する半導体層と薄膜トランジスタ５２、５４の能動層６２、７２を構成する半導体層のうち、導電型が同一のものについては同一工程で不純物を導入するのが、工程の簡略化のためには好ましい。」
　
（３Ａ−６）図３には、
第１絶縁層８２上にｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０が設けられ
第１絶縁層８２上に薄膜トランジスタ５２のゲート電極６８、薄膜トランジスタ５４のゲート電極７８を設ける
　　　
　上記摘記事項（３Ａ−１）〜（３Ａ−６）の記載、特に（３Ａ−４）の記載を参照すると、上記引用刊行物Ａには、
「ｐｎ接合を形成するｎ−ポリＳｉ半導体層４６ａ及びｐ−ポリＳｉ半導体層４６ｂにより構成し、吸収層の温度変化に応じて電流−電圧特性が変化する熱電変換層熱電変換層とする能動層４６と、ｎ型半導体層４６ａに設けた端子電極のｎ側電極４８及びｐ型半導体層４６ｂに設けた端子電極のｐ側電極５０とを有するダイオード４２と、赤外線の吸収により熱を発する吸収層４４とを絶縁性基板３０の基板面３０ａ上に順次に設けてなる複数の熱電素子３２と、
　ｎ側電極４８と電気接続される列のＹ電極３６と、ｐ側電極５０と電気的接続される行のＸ電極３４と、
　Ｙ電極３６と電気接続する主電極６４と、出力信号電極５８と電気接続する主電極６６と、制御信号電極５６と電気接続するゲート電極６６を備えた薄膜トランジスタからなるスイッチング素子５２と、基準信号電極６０と電気接続する主電極７４と、バイアス電圧が印加される主電極７６と制御電極電極５６を備えた薄膜トランジスタからなるスイッチング素子５４とからなる周辺回路４０と、制御信号電極５６にＹ電極選択信号を入力するシフトレジスタと
　Ｘ電極３４と電気接続する主電極６４と、出力信号電極５８と電気接続する主電極６６と、シフトレジスタからのＸ電極選択信号が入力される制御信号電極５６と電気接続するゲート電極６６を備えた薄膜トランジスタからなるスイッチング素子５２と、基準信号電極６０と電気接続する主電極７４と、バイアス電圧が印加される主電極７６と制御電極電極５６を備えた薄膜トランジスタからなるスイッチング素子５４とからなる周辺回路３８と、制御信号電極５６にＸ電極選択信号を入力するシフトレジスタとを備え、
　第１絶縁層８２上に、ｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０と薄膜トランジスタ５２のゲート電極６８及び薄膜トランジスタ５４のゲート電極７８とが設けられている赤外線イメージセンサ。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　　　　
第４　対比・判断 
（４−１）本願発明と引用発明とを対比する。 
（i）引用発明の「赤外線の吸収により熱を発する吸収層４４」が本願発明の「赤外線を吸収する赤外線吸収部」に相当する。
　そして、引用発明の「赤外線の吸収により熱を発する吸収層４４」は絶縁性基板３０の基板面３０ａ上に設けられていることから、引用発明の「赤外線の吸収により熱を発する吸収層４４」と本願発明の「赤外線を吸収する赤外線吸収部」とは、「基板上に形成され赤外線を吸収する赤外線吸収部」である点で共通する。
（ii）引用発明の「ｐｎ接合を形成するｎ−ポリＳｉ半導体層４６ａ及びｐ−ポリＳｉ半導体層４６ｂにより構成し、吸収層の温度変化に応じて電流−電圧特性が変化する熱電変換層熱電変換層とする能動層４６」が本願発明の「赤外線吸収部で吸収された赤外線による温度変化を電気信号に変換する熱電変換部」に相当する。
　そして、引用発明の「能動層４６」と吸収層４４とは絶縁性基板３０の基板面３０ａ上に順次に設けられていることから、引用発明の「能動層４６」と本願発明の「熱電変換部」とは、「前記基板上に前記赤外線吸収部に一体に形成され前記赤外線吸収部で吸収された赤外線による温度変化を電気信号に変換する熱電変換部」である点で共通する。
（iii）引用発明の「能動層４６と、ｎ型半導体層４６ａに設けた端子電極のｎ側電極４８及びｐ型半導体層４６ｂに設けた端子電極のｐ側電極５０とを有するダイオード４２」と、「吸収層４４」とを「絶縁性基板３０の基板面３０ａ上に順次に設けてなる複数の熱電素子３２」が本願発明の「センサ部」に相当する。
（iv）上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−４）に「【００３４】一方、周辺回路３８及び４０を介してＸ電極３４及びＹ電極３６にシフトレジスタからの選択信号を入力すると、この選択信号に応じて選択された画素のｐｎダイオード４２に定電流が流れる。このときｐｎダイオード４２にはバイアス電圧が印加されている。吸収層４４の発熱温度が高くなると、ｐｎダイオード４２の順方向電圧は低くなり従って順方向電流は増加するので、この順方向電圧或は電流の変化に基づいて、画素単位に赤外線を検知できる。」ことが記載されていることから、ｐｎダイオード４２が含まれる熱電素子３２が画素となることは明らかであり、さらに、引用発明の「複数の熱電素子３２」は、赤外線の吸収により熱を発する吸収層４４と、ｐｎダイオード４２に含まれ、吸収層の温度変化に応じて電流−電圧特性が変化する熱電変換層熱電変換層とする能動層４６により、赤外線を検出し、絶縁性基板３０の基板面３０ａ上に順次に設けられていることから、本願発明の「基板上に配列されてなる複数の赤外線検出画素」に相当する。
　また、ダイオード４２のｎ側電極４８とｐ側電極５０とは、それぞれ列のＹ電極３６と行のＸ電極３４に接続される電極であり、さらに、半導体センサを構成する電極が他の電気電子部品と接続される際に、電極が配線として用いられることは、例えば、特開平５−３４３７２９号公報の３頁３欄３５〜３７欄、特開昭６２−２５５８３０号公報の２頁左下欄１４行〜右下欄３行、特開昭６１−１４９８３０号公報の１頁右下欄４〜７行に記載されているごとく技術常識であることから、引用発明のダイオード４２のｎ側電極４８とｐ側電極５０とは電極であるとともに電気的配線の機能も備えていることになる。したがって、引用発明の「ダイオード４２のｎ側電極４８とｐ側電極５０」が本願発明の「熱電変換部から前記電気信号を出力する配線」に相当する。
　そして、ダイオード４２のｎ側電極４８とｐ側電極５０は、絶縁性基板３０の基板面３０ａ上に順次に設けてなる複数の熱電素子３２の一部を構成することから、絶縁性基板３０がダイオード４２のｎ側電極４８とｐ側電極５０の支持構造となることは明らかである。
　そうすると、引用発明の「複数の熱電素子３２」と本願発明の「複数の赤外線検出画素」とは「前記基板上に形成され、前記センサ部を前記基板上にて支持してなり、前記熱電変換部から前記電気信号を出力する配線を有する支持構造とをそれぞれ有し、前記基板上に配列されてなる複数の赤外線検出画素」である点で共通する。
（v）引用発明では、周辺回路４０の薄膜トランジスタからなるスイッチング素子５２は、Ｙ電極３６と電気接続する主電極６４と、出力信号電極５８と電気接続する主電極６６と、制御信号電極５６と電気接続するゲート電極６６を備えており、シフトレジスタからＹ電極選択信号が制御信号電極５６に入力すると、所定のゲート電極６６がスイッチング素子５２を作動させ、Ｙ電極３６と出力信号電極５８とを電気的に接続し、さらに、周辺回路３８の薄膜トランジスタからなるスイッチング素子５２も同等に、シフトレジスタからＸ電極選択信号が制御信号電極５６に入力すると所定のゲート電極６６がスイッチング素子５２を作動させ、Ｘ極３６と出力信号電極５８とを電気的に接続するものであるから、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−４）に「【００３４】一方、周辺回路３８及び４０を介してＸ電極３４及びＹ電極３６にシフトレジスタからの選択信号を入力すると、この選択信号に応じて選択された画素のｐｎダイオード４２に定電流が流れる。このときｐｎダイオード４２にはバイアス電圧が印加されている。吸収層４４の発熱温度が高くなると、ｐｎダイオード４２の順方向電圧は低くなり従って順方向電流は増加するので、この順方向電圧或は電流の変化に基づいて、画素単位に赤外線を検知できる。」と記載されているように、シフトレジスタからＹ電極選択信号が周辺回路４０の制御信号電極５６に入力され、シフトレジスタからＸ電極選択信号が周辺回路３８の制御信号電極５６にされると、選択された画素のｐｎダイオード４２、すなわち、熱電素子４２に電流が流れることになる。そうすると、スイッチング素子５２を含む周辺回路４０とシフトレジスタ、又はスイッチング素子５２を含む周辺回路３８とシフトレジスタの何れか一方が、Ｙ電極３６又はＸ電極３４を介して熱電素子４２を選択し、他方が選択されたＹ電極３６又はＸ電極３４を接続されている複数の熱電素子４２のうちの１つを選択したとき、スイッチング素子５２がＹ電極３６又はＸ電極３４と出力信号電極５８を電気的に接続させると、熱電素子４２にｎ側電極４８及びｐ側電極５０を介して電流が流れることになるから、引用発明の「スイッチング素子５２を含む周辺回路４０とシフトレジスタ、又はスイッチング素子５２を含む周辺回路３８とシフトレジスタの何れか一方」が本願発明の「前記複数の赤外線検出画素のうち前記電気信号を出力すべき画素を選択する画素選択手段」し、引用発明の「スイッチング素子５２を含む周辺回路４０とシフトレジスタ、又はスイッチング素子５２を含む周辺回路３８とシフトレジスタの何れか一方の他方」が本願発明の「選択された前記赤外線検出画素から前記電気信号を前記配線を介して出力する出力手段」に相当する。
（vi）上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−４）には「【００２２】スイッチング素子５２は薄膜トランジスタであって、ｉ−ポリＳｉ（ノンドープポリＳｉ）半導体層６２ａ及びｎ−ポリＳｉ半導体層６２ｂ、６２ｃにより構成した能動層６２と、主電極６４、６６及びゲート電極６８とゲート絶縁膜７０とを有して成る。ｎ型半導体層６２ｂ、６２ｃをチャネルとなるべき領域を挟んで離間させてｉ型半導体層６２ａに設ける。そして主電極６４及び６６を、ｎ型半導体層６２ｂ及び６２ｃに設けると共に、ゲート電極６８をゲート絶縁膜７０を介してチャネルとなるべき領域上に設ける。」と記載されていることから、引用発明のスイッチング素子５２は、例えば、特開平４−２２１８５４号公報の段落【００３６】〜【００３９】及び図２２に記載されていることから明らかなごとく、ＭＯＳ型トランジスタであり、引用発明の「周辺回路４０、３８」は本願発明の「ＭＯＳ型トランジスタを有する回路」に相当する。
　そして、本願発明では「前記画素選択手段と前記出力手段の少なくとも一つはＭＯＳ型トランジスタを有する回路から構成され」と記載されていることから、本願発明には、画素選択手段と出力手段はＭＯＳ型トランジスタを有する回路から構成されることも含んでおり、この構成の場合には、引用発明と本願発明とは「画素選択手段と出力手段はＭＯＳ型トランジスタを有する回路から構成され」る点で一致する。
　さらに、引用発明では、第１絶縁層８２上に、ｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０と薄膜トランジスタ５２のゲート電極６８及び薄膜トランジスタ５４のゲート電極７８とが設けられているスイッチング素子５２のゲート電極６８とｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０が第１絶縁層８２上に設けられていることから、引用発明の「ｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０と薄膜トランジスタ５２のゲート電極６８」と本願発明の「配線とＭＯＳ型トランジスタのゲート電極」とは「前記配線は前記ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極と同層に形成されてなる」点で共通する。
（vii）引用発明の「赤外線イメージセンサ」が本願発明の「赤外線センサ」に相当する。
　　　　　
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
「基板上に形成され赤外線を吸収する赤外線吸収部及び前記基板上に前記赤外線吸収部に一体に形成され前記赤外線吸収部で吸収された赤外線による温度変化を電気信号に変換する熱電変換部とを備えたセンサ部と、
　前記基板上に形成され、前記センサ部を前記基板上に支持してなり、前記熱電変換部から前記電気信号を出力する配線を有する支持構造とをそれぞれ有し、前記基板上に配列されてなる複数の赤外線検出画素と、
　前記複数の赤外線検出画素のうち前記電気信号を出力すべき画素を選択する画素選択手段と、
　選択された前記赤外線検出画素から前記電気信号を前記配線を介して出力する出力手段とを備えた赤外線センサであって、
　前記画素選択手段と前記出力手段はＭＯＳ型トランジスタを有する回路から構成され、前記配線は前記ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極と同層に形成されてなる赤外線センサ。」である点で一致し、次の相違点（ア）及び相違点（イ）で相違している。
　　
・相違点（ア）
　本願発明では、赤外線吸収部が、基板上に「空隙を介して」形成され、熱電変換部が、前記基板上に「空隙を介して」赤外線吸収部に一体に形成され、配線を有する支持構造が、基板上に「空隙を介して」形成され、センサ部を基板上に「空隙を介して」支持してなるのに対して、引用発明では、熱電素子３２が、絶縁性基板３０上に設けられている点。
　　　
・相違点（イ）
　本願発明では、配線は「ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極と同一の材料で同層に形成されてなる」のに対して、引用発明では、ｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０は、薄膜トランジスタ５２のゲート電極６８とともに第１絶縁層８２上に設けられている点。
　　　　　　　　
（４−２）当審の判断
　上記相違点（ア）及び相違点（イ）について判断する。
・相違点（ア）について
　上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−２）には、熱電素子を基板から熱的に絶縁するための従来技術として、Ｓｉ基板１０上に順次設けたメンブレン１２、ｐ層２２ａとｎ層２２ｂの能動層２２とこれらｐ層２２ａ及びｎ層２２ｂに設けたｐ側電極２４及びｎ側電極２６からなるｐｎダイオード１４、保護膜１６及び吸収層１８を、順次Ｓｉ基板１０上に設けて熱電素子を形成し、ｐｎダイオード１４に対応する領域の基板１０中にキャビティ２０を設けた赤外線イメージセンサの構成が記載されており、この熱電素子のｐｎダイオード１４は、メンブレン１２と保護膜１６との間に挟まれてキャビティ２０上で支持されるとともに、ｐｎダイオード１４のｐ側電極２４及びｎ側電極２６はメンブレン１２及び保護膜１６ととも、熱電素子を支持していることは明らかである。そして、ｐｎダイオード１４のｐ側電極２４及びｎ側電極２６は、上記（４−１）の（iv）で検討したように、電極であるとともに電気的配線の機能も備えていることから、熱電素子は、配線、メンブレン１２及び保護膜１６でＳｉ基板１０上に支持され、メンブレン１２及び保護膜１６は配線の支持構造となることは明らかである。
　ところで、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−３）には、「【００１０】【作用】第一発明によれば、絶縁性基板を断熱性材料から成る基板とする。従って絶縁性基板中にキャビティを形成しなくても、熱型の熱電素子と絶縁性基板との間の熱的絶縁を行なえる。」ことが記載されていることから、引用発明において、絶縁性基板３０を用いた理由は、絶縁性基板３０を用いることにより、熱電素子３２と絶縁性基板３０との間に熱的絶縁を行っていることは明らかである。
　そして、熱電素子と基板との間の熱的絶縁を行う構成として、基板にキャビティを設け、配線支持構造により熱電素子を支持することは、上述のごとく、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−２）に記載されているように周知（他に、例えば、特開平１１−５１７６２号公報の段落【００７４】，【００８７】，図１，図２、特開平８−２８５６８０号公報の段落【００４５】，【００４６】，図１、特開平７−１９８４７４号公報の段落【００１２】，図１、等参照）であるから、引用発明において、熱電素子と基板との間の熱的絶縁を行う構成として、絶縁性基板３０を用いる代わりに、周知例のごとく、基板にキャビティを設け、配線支持構造により熱電素子を支持する構成を採用し、本願発明のごとく、赤外線吸収部が、基板上に「空隙を介して」形成され、熱電変換部が、前記基板上に「空隙を介して」赤外線吸収部に一体に形成され、配線を有する支持構造が、基板上に「空隙を介して」形成され、センサ部を基板上に「空隙を介して」支持してなるように構成することは当業者であれば容易になし得るものである。
　　　　　　　　　　
・相違点（イ）について
　上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−５）には、工程の簡略化を図るために、熱電素子のｐｎダイオード４２の能動層４６と熱電素子用駆動素子の薄膜トランジスタ５２、５４の能動層６２、７２とを、同一の半導体層８６を用いて絶縁性基板３０上に同層で形成することが記載されていることから、引用発明には赤外線イメージセンサを製造する際の工程を簡略化しようとする目的・課題が存在することは明らかである。
　また、特開平１１−２７１７９２号公報の８頁１３欄４２〜４７行，９頁１６欄３０〜３２行，図２，図７，図９，図１４には、ＴＦＴのドレイン電極配線とＣＭＯＳインバータの配線電極を同一材料、同層で形成することが、特開平１０−１４２６３１号公報の８頁１３欄４〜８行，図２１，図２２には、絶縁基板上に、ゲート配線とドレイン用パッド電極を同一材料、同層で形成することが、特開平９−３３９５３号公報の３頁４欄１７〜２２行には下側電極とゲート電極を絶縁基板上に同一材料、同層で形成することが、それぞれ記載されており、これらの周知例において電極や配線を同一材料、同層で形成することは、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−５）において、ｐｎダイオード４２の能動層４６と熱電素子用駆動素子の薄膜トランジスタ５２、５４の能動層６２、７２とを、同一の半導体層８６を用いて絶縁性基板３０上に同層で形成することと同様に、製造時の工程の簡略化を図ろうしていることは明らかである。
　ところで、引用発明の赤外線イメージセンサは、絶縁性基板３０上に、ｐｎ接合を形成するｎ−ポリＳｉ半導体層４６ａ及びｐ−ポリＳｉ半導体層４６ｂにより構成し、吸収層の温度変化に応じて電流−電圧特性が変化する熱電変換層熱電変換層とする能動層４６と、ｎ型半導体層４６ａに設けた端子電極のｎ側電極４８及びｐ型半導体層４６ｂに設けた端子電極のｐ側電極５０とを有するダイオード４２と、赤外線の吸収により熱を発する吸収層４４とを絶縁性基板３０の基板面３０ａ上に順次に設けてあり、さらに、Ｙ電極３６やＸ電極と電気接続する主電極６４と、出力信号電極５８と電気接続する主電極６６と、制御信号電極５６と電気接続するゲート電極６６を備えた薄膜トランジスタからなるスイッチング素子５２と、基準信号電極６０と電気接続する主電極７４と、バイアス電圧が印加される主電極７６と制御電極電極５６を備えた薄膜トランジスタからなるスイッチング素５４とからなる周辺回路４０、３８が絶縁性基板３０上に設けられていることから、多くの工程を経て形成されているものである。そして、上述したごとく、引用発明には多くの工程を経て製造される赤外線イメージセンサの製造工程を簡略化しようとする目的・課題が存在し、さらに、できるだけ製造時の工程数を少なくして製造工程をより簡略化することは当業者にとって技術常識（例えば、特開平１１−３２４２５１号公報の４頁５欄３〜６行、特開平８−３３３６７７号公報の１０頁１７欄９〜１３行、特表平９−５０７６０９号公報の１２頁１３〜１８行、特開平１−２１４３０２号公報の２頁左下欄１１〜１７行、特開昭６２−２５２１５４号公報の４頁右上欄１９〜２０行の各記載参照）であることから、引用発明において、赤外線イメージセンサを製造する際の工程を、熱電素子のｐｎダイオード４２の能動層４６と熱電素子用駆動素子の薄膜トランジスタ５２、５４の能動層６２、７２とを、同一の半導体層８６を用いて絶縁性基板３０上に同層で形成する工程のみならず、できるだけ多くの製造工程を簡略化しようすることは、当業者が容易に想到しうる事項である。
　そして、上述したように、共に導電性を必要とする電極や配線が同層にある場合、同一材料で形成することは周知であり、さらに、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−５）には、同層にある熱電素子のｐｎダイオード４２の能動層４６と熱電素子用駆動素子の薄膜トランジスタ５２、５４の能動層６２、７２とを、同一の半導体層８６を用いて形成することが記載されていることから、引用発明の熱電素子３２と薄膜トランジスタ５２、５４おいて、第１絶縁層８２上に同層に配置され、電気的導通という同一の機能を有する、スイッチング素子５２、５４のゲート電極６８、７８とｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０とを同一材料で構成することにより、本願発明のごとく、配線は「ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極と同一の材料で同層に形成されてなる」構成を得ることは当業者であれば容易になし得るものである。
  　　　　　　　　　　　　
　なお、請求人は請求の理由において、「原審で述べられたように、引用文献１において『『ｎ側電極４８』、『ｐ側電極５０』及び『ゲート電極６８、７８』は同時に形成されると読取れる』とすると、当然、『Ｘ電極３４』も『ゲート電極６８、７８』等と同時に形成されているものと理解するべきである（例えば引用文献１の図４参照）。一方、引用文献１の図３を見ると、『Ｘ電極３４』は『Ｐ側電極５０』上に形成されており、『Ｘ電極３４』と『Ｐ側電極５０』とが同時に形成されていないことが分かる。なわち、引用文献１において、『ｎ側電極４８』、『ｐ側電極５０』とが同時に形成されているとは考えがたく、『『ｎ側電極４８』、『ｐ側電極５０』及び『ゲート電極６８、７８』は同時に形成されると読取れる』という原審の認定は誤っていると言わざるを得ない。」と主張している
　しかしながら、Ｘ電極３４はｐ側電極５０上に形成され、Ｘ電極３４とｐ側電極５０とは同層にあるとはいえないから、Ｘ電極３４とｐ側電極５０とは同時に形成することができないのであって、上記相違点（い）で検討したように、引用発明（請求人が主張する引用文献１に記載された発明）では、スイッチング素子５２、５４のゲート電極６８、７８とｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０が第１絶縁層８２上に同層に配置され、さらに、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−５）に記載されているように、同層にある同一の機能を有する部品を、同じ材料で形成することは周知であるから、引用発明において、同層に形成され電気的導通という同一の機能を有する、スイッチング素子５２、５４のゲート電極６８、７８とｐｎダイオード４２のｎ側電極４８及びｐ側電極５０とを同一材料で構成することは当業者であれば容易になし得るものである。よって、請求人の主張は採用することができない。
　　　　　　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知の技術事項から予測される範囲内のものであって、格別のものではない。 
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　
第５　むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件出願は、その余の請求項を検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。