【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月8日(2012.8.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
公称引き上げ速度信号に対応する公称引き上げ速度で、ルツボ中の融液から結晶を引き上げる工程と、
前記ルツボ中の融液レベルの減少を補償する、ルツボ持ち上げ信号を発生する工程と、
該ルツボ持ち上げ信号に対応するルツボ持ち上げ速度で前記ルツボを持ち上げる行程と、
を含む半導体結晶成長方法であって、
前記結晶の直径の変化を検出する工程と、
検出した前記結晶の直径の変化に基づいて、ルツボ持ち上げ速度修正信号を発生する工程と、
前記ルツボ持ち上げ信号と前記ルツボ持ち上げ速度修正信号とを組み合わせて得られる新たなルツボ持ち上げ速度で前記ルツボを持ち上げることにより、前記結晶の直径の変化を補償する第１の制御を行う工程と、
を具える半導体結晶成長方法。
【請求項２】
前記ルツボ持ち上げ速度修正信号を発生する工程は、
前記融液の位置を、前記結晶と前記融液との間の界面の位置に追従させるためのルツボ持ち上げ速度修正信号を発生することを含む請求項１に記載の半導体結晶成長方法。
【請求項３】
前記第１の制御に引き続き、
前記第１の制御による融液の位置変化に起因する結晶温度勾配（ｇｓ）の変化に基づいて、引き上げ速度の結晶温度勾配に対する比（ｖｐ／ｇｓ）が変化しないように引き上げ速度修正信号を発生し、前記結晶の直径の変化に基づいて、第２のルツボ持ち上げ速度修正信号を発生する工程と、
前記公称引き上げ速度信号と前記引き上げ速度修正信号とを組み合せて得られる新たな引き上げ速度で前記結晶を引き上げ、かつ、前記ルツボ持ち上げ信号と前記第２のルツボ持ち上げ速度修正信号とを組み合せて得られる新たなルツボ持ち上げ速度で前記ルツボを持ち上げることにより、前記結晶の直径の変化を引き続き補償する第２の制御を行なう工程と、
を具える請求項１または２に記載の半導体結晶成長方法。
【請求項４】
融液を入れるためのルツボと、
前記融液から結晶を引き上げる種結晶引き上げモータと、
前記ルツボを持ち上げるルツボ持ち上げモータと、
公称引き上げ速度で前記種結晶引き上げモータにより前記結晶を引き上げるための公称引き上げ速度信号を発生する目標モジュール、および、前記融液から前記結晶を引き上げることによる前記ルツボ中の融液レベルの減少を補償するためのルツボ持ち上げ信号を発生し、該ルツボ持ち上げ信号に対応するルツボ持ち上げ速度で前記ルツボ持ち上げモータにより前記ルツボを持ち上げるためのルツボ融液レベル降下補償モジュールを含む制御システムと、
を具える結晶製造装置であって、
前記結晶の前記直径の変化を検出し、直径信号を発生するための結晶直径測定システムをさらに具え、
前記制御システムは、前記直径信号に基づいて、ルツボ持ち上げ速度修正信号を発生する直径制御モジュール、および、前記ルツボ持ち上げ信号と前記ルツボ持ち上げ速度修正信号とを組み合せて持ち上げモータ制御信号を発生する結合器をさらに具え、
前記制御システムは、前記ルツボ持ち上げモータにより、前記持ち上げモータ制御信号に対応する新たなルツボ持ち上げ速度で前記ルツボを持ち上げることにより、前記結晶の直径の変化を補償する第１の制御を行なう結晶製造装置。
【請求項５】
前記制御システムは、前記第１の制御による融液の位置変化に起因する結晶温度勾配（ｇｓ）の変化に基づいて、引き上げ速度の結晶温度勾配に対する比（ｖｐ／ｇｓ）が変化しないように引き上げ速度修正信号を発生する引き上げ速度修正モジュールをさらに具え、
前記直径制御モジュールは、前記結晶直径測定システムにより検出された前記第１の制御後の前記結晶の直径の変化に基づいて、第２のルツボ持ち上げ速度修正信号を発生し、
前記制御システムは、前記公称引き上げ速度信号と前記引き上げ速度修正信号とを組み合せて得られる新たな引き上げ速度で前記結晶を引き上げ、かつ、前記ルツボ持ち上げ信号と前記第２のルツボ持ち上げ速度修正信号とを組み合せて得られる新たなルツボ持ち上げ速度で前記ルツボを持ち上げることにより、前記結晶の直径の変化を引き続き補償する第２の制御を行なう請求項４に記載の結晶製造装置。
【請求項６】
前記制御システムは、前記第1の制御に起因するルツボ持ち上げ出力の積分から融液位置の変化を算出し、前記結晶温度勾配（ｇｓ）の変化を前記融液位置の変化の関数として出力する請求項５に記載の結晶製造装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2010037192.tif 000001
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図５】
2010037192.tif 000002
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図８】
2010037192.tif 000003
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
半導体電子部品を製造するプロセスの多くは、単結晶シリコンに基づいている。通常、チョクラルスキー法は、単結晶シリコンのインゴットを製造する結晶引き上げ装置によって実行される。チョクラルスキーまたはＣＺ法は、特に設計された炉内に設置されたルツボ中に、溶融高純度シリコンまたは多結晶シリコンを含む。このルツボは、一般的に、石英または他の適切な材料で作られている。ルツボ中のシリコンを溶融させた後、結晶引き上げメカニズムは、種結晶を下ろしてシリコン融液に接触させる。このメカニズムは、その後、シリコン融液から成長する結晶を引き上げるために、種結晶を引き上げる。結晶は、実質的に欠陥がなく、したがって、集積回路のような現代の半導体デバイスを製造するのに適している。シリコンは、ここでの議論において典型的な材料ではあるものの、ガリウムヒ素、リン化インジウムのような他の半導体も、各材料の個々の特性を考慮して、同様に処理されることができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
2010037192.tif 000004
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
制御システムの目標引き上げ速度出力１０２２は、種結晶引き上げモータ１０１２への公称引き上げ速度信号を発生する。ルツボ融液レベル降下補償メカニズム１０２０は、降下するルツボ融液レベルを補償するためのルツボ持ち上げモータ１０１４に適用されるべきルツボ持ち上げ信号を発生する。直径制御システム１０１８は、一定の結晶直径を保持するよう設計されたルツボ持ち上げ速度修正信号を発生する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
図１１は、半導体結晶成長システム１１００における直径制御の第２実施形態を示す。装置１１００は、ルツボ１１０６から引き上げられる結晶１１０４を含む引き上げチャンバ１１０２を具える。融液１１０８は、ルツボ１１０６内に含まれる。システム１１００は、さらに、ヒートリフレクタ１１１０、種結晶引き上げモータ１１１２およびルツボ持ち上げモータ１１１４を具える。システム１１００は、さらに、結晶直径測定装置１１１６および関連する直径制御システム１１１８を具える。ルツボ融液レベル降下補償メカニズム１１２０は、ルツボ持ち上げモータ１１１４を制御する。目標引き上げ速度出力１１２２は、図１の制御システム１０２のような制御システムの一部である。システム１１００は、さらに、勾配変化ΔｇＳを評価するデバイス１１２４を具える。これは、ルツボ持ち上げに対して修正項を供給する直径制御システムの結果である、融液−位置変化の結果である。システム１１００は、ｖ/Ｇ修正要素１１２５も具える。システム１１００は、さらにヒータ１１２６、および、融液温度を供給されたヒートパワーを介して調整することによって、平均勾配調整ΔｇＳがゼロになるよう設計されたヒータフィードバック制御システム１１２８を具える。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
再び、図１０に示されるシステム１０００におけるように、平穏な状態を初めとして(図２参照)、融液温度勾配変動−δは、結晶融液界面に速度ｖ1=δでの変化を生じさせる(図５参照)。この結果として生じる直径の変化は、直径制御システム１１１８によって検出され、これは、ルツボ持ち上げ信号から除かれる出力項λを発生させる。直径を一定に維持する閉ループフィードバック制御であるため、直径制御の出力λは、融液位置を速度λ=ｖL=ｖ1で結晶−融液界面に従わせる値となり(図５参照)、濡れ角および直径を一定に維持するであろう(図６参照)。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
2010037192.tif 000005