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【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と、
前記透光性基板上に設けられた光吸収層と、
前記光吸収層上に設けられた有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが１０μｍ以下に離れて向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記透光性基板を透過させて、光源よりエネルギー密度が２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の光を０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の時間、前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板上に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
透光性基板と、
前記透光性基板上に選択的に設けられた反射層と、
前記透光性基板上と前記反射層上とに設けられた第１の断熱層と、
前記第１の断熱層上に設けられた光吸収層と、
前記光吸収層上かつ前記反射層と重畳する領域上に選択的に設けられた第２の断熱層と、
前記光吸収層上と前記第２の断熱層上とに設けられた有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを１０μｍ以下に配置し、
前記透光性基板と前記第１の断熱層とを透過させて、光源よりエネルギー密度が２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の光を０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の時間、前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板上に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
透光性基板と、
前記透光性基板上に選択的に設けられた反射層と、
前記透光性基板上と前記反射層上とに設けられた第１の断熱層と、
前記第１の断熱層上かつ前記反射層と重畳しない領域上に選択的に設けられた光吸収層と、
前記反射層上の選択的に設けられた第２の断熱層と、
前記光吸収層上と前記第２の断熱層上とに設けられた有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを１０μｍ以下に配置し、
前記透光性基板と前記第１の断熱層とを透過させて、光源よりエネルギー密度が２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の光を０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の時間、前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板上に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記光吸収層の膜厚は１０ｎｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記光源としてフラッシュランプを用いることを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記光吸収層に光を照射する工程は減圧下で行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記光源から前記光吸収層に向かって照射される前記光のエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、
時間は０．２ミリ秒以上０．５ミリ秒以下の間で前記光を前記光吸収層に照射し、
前記光の照射は、有機化合物材料を含む層形成面と被成膜基板の被成膜面との距離を５μｍ以下に配置して行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて、
前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の第１の電極層上に成膜して発光層を形成し、
前記発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の前記第１の電極層上に成膜して複数の画素の発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱転写用の支持基板と、
昇華温度の差が所定範囲内に設定されたホスト材料と発光性のドーパント材料とで構成され、前記支持基板上に設けられた転写層とを備えた
転写用基板。
【請求項２】
前記転写層は、緑色発光の有機発光層を形成するためのホスト材料と発光性のドーパント材料との複数成分からなり、
前記ホスト材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-H（℃）および前記ドーパント材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-D（℃）が、下記式（1）の条件を満たす
請求項１に記載の転写用基板。
【数１】
2010153051.tif 000001
【請求項３】
前記転写層は、緑色発光の有機発光層を形成するためのホスト材料と発光性のドーパント材料との複数成分からなり、
前記ホスト材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-H（℃）および前記ドーパント材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-D（℃）が、下記式（２）の条件を満たす
請求項１に記載の転写用基板。
【数２】
2010153051.tif 000002
【請求項４】
前記転写層は、緑色発光の有機発光層を形成するためのホスト材料と発光性のドーパント材料との複数成分からなり、
前記ホスト材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-H（℃）および前記ドーパント材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-D（℃）が、下記式（３）の条件を満たす
請求項１に記載の転写用基板。
【数３】
2010153051.tif 000003
【請求項５】
前記転写層は、赤色発光の有機発光層を形成するためのホスト材料と発光性のドーパント材料との複数成分からなり、
前記ホスト材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-H（℃）および前記ドーパント材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-D（℃）が、下記式（４）の条件を満たす
請求項１に記載の転写用基板。
【数４】
2010153051.tif 000004
【請求項６】
前記転写層は、赤色発光の有機発光層を形成するためのホスト材料と発光性のドーパント材料との複数成分からなり、
前記ホスト材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-H（℃）および前記ドーパント材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-D（℃）が、下記式（５）の条件を満たす
請求項１に記載の転写用基板。
【数５】
2010153051.tif 000005
【請求項７】
前記転写層は、赤色発光の有機発光層を形成するためのホスト材料と発光性のドーパント材料との複数成分からなり、
前記ホスト材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-H（℃）および前記ドーパント材料の大気圧での昇華温度Ｔsub-D（℃）が、下記式（６）の条件を満たす
請求項１に記載の転写用基板。
【数６】
2010153051.tif 000006
【請求項８】
前記支持基板は光熱変換層を備えている
請求項１〜７の何れかに記載の転写用基板。
【請求項９】
昇華温度の差が所定範囲内に設定されたホスト材料と発光性のドーパント材料とで構成された転写層を、熱転写用の支持基板上に設けてなる転写用基板を用意し、
前記転写層を装置基板側に対向させた状態で、当該装置基板に対して前記転写用基板を対向配置し、
前記転写層を加熱することにより前記ホスト材料とドーパント材料とを均一に昇華させ、前記装置基板上に当該ホスト材料とドーパント材料とで構成された前記転写層を熱転写してなる発光層を形成する
表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板は光熱変換層を備えており、
前記熱転写の際には前記光熱変換層にレーザ光を照射する
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
保護層３-3は、発熱層３-2を構成する材料の拡散を防止するための層であり、例えば窒化シリコン（ＳｉＮX）や酸化シリコン（ＳｉＯ2）などが挙げられる。このような保護層３-3は、例えばＣＶＤ(chemical vapor deposition)法を用いて形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
以上のようにして各色の有機電界発光素子３１ｇ，３１ｒ，３１ｂを形成した後には、有機電界発光素子３１ｇ，３１ｒ，３１ｂを封止する。ここでは、上部電極２９を覆う状態で保護膜（図示省略）を成膜する。この保護膜は、有機層２５への水分の到達防止を目的とし、透過水性,吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成されることとする。さらに、ここで作製する表示装置が上面発光型である場合には、この保護膜は各色発光層２１ｇ，２１ｒ，２１ｂで発生した光を透過する材料からなり、例えば８０％程度の透過率が確保されていることとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
＜適用例＞
以上説明した本発明に係る表示装置を表示パネルとして用いた電子機器の実施形態を、図６〜図１０に基づいて説明する。上述した構成の表示パネル（表示装置）は、電子機器の表示部に表示パネルとして用いることができる。例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号や電子機器内で生成した映像信号を、画像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010153051.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体の筐体内または前記本体の筐体に可動自在とされている筐体内に配置された電池を、これらの筐体から取り出し可能とした電子機器であって、
前記本体の筐体外観部に、着脱可能に取り付けられた蓋部材を備え、
前記蓋部材の一部に、前記本体の筐体または該本体の筐体に可動自在とされている筐体を構成している合わせ部材の、該部材間における合わせ部に挿入可能な形状による挿入部が形成され、
前記挿入部を前記合わせ部に挿入して前記合わせ部材を分離し、前記本体の筐体または前記本体の筐体に可動自在とされている筐体内に配置された前記電池の取り出しが可能に構成されていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記電池を配置した前記本体の筐体に可動自在とされている筐体が、表示機能部に対して、前後を構成する２つのカバー部材による画像モニター表示用筐体によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記電池を配置した前記本体の筐体が、前記本体の筐体における一部の面部と、該面部を覆うカバーによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記蓋部材が、前記本体の内部における情報記録部と外部機器との間で通信を行う接続部を覆う蓋部材であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記蓋部材が、前記電子機器の組立て工程で前記本体の内部における情報記録部に前記電子機器の動作制御情報の読み込み、および書き込みを行うことが可能な接続部を覆う蓋部材であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記蓋部材が、ユーザーが記録した前記本体の内部における情報記録部の情報消去を行うことが可能な接続部を覆う蓋部材であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、つぎのように構成した電子機器を提供するものである。
本発明の電子機器は、本体の筐体内または前記本体の筐体に可動自在とされている筐体内に配置された電池を、これらの筐体から取り出し可能とした電子機器であって、
前記本体の筐体外観部に、着脱可能に取り付けられた蓋部材を備え、
前記蓋部材の一部に、前記本体の筐体または該本体の筐体に可動自在とされている筐体を構成している合わせ部材の、該部材間における合わせ部に挿入可能な形状による挿入部が形成され、
前記挿入部を前記合わせ部に挿入して前記合わせ部材を分離し、前記本体の筐体または前記本体の筐体に可動自在とされている筐体内に配置された前記電池の取り出しが可能に構成されていることを特徴とする。
また、本発明の電子機器は、前記電池を配置した前記本体の筐体に可動自在とされている筐体が、表示機能部に対して、前後を構成する２つのカバー部材による画像モニター表示用筐体によって構成されていることを特徴とする。
また、本発明の電子機器は、前記電池を配置した前記本体の筐体が、前記本体の筐体における一部の面部と、該面部を覆うカバーによって構成されていることを特徴とする。
また、本発明の電子機器は、前記蓋部材が、前記本体の内部における情報記録部と外部機器との間で通信を行う接続部を覆う蓋部材であることを特徴とする。
また、本発明の電子機器は、前記蓋部材が、前記電子機器の組立て工程で前記本体の内部における情報記録部に前記電子機器の動作制御情報の読み込み、および書き込みを行うことが可能な接続部を覆う蓋部材であることを特徴とする。
また、本発明の電子機器は、前記蓋部材が、ユーザーが記録した前記本体の内部における情報記録部の情報消去を行うことが可能な接続部を覆う蓋部材であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に互いに隣り合って配置された第１及び第２ゲート電極と、
前記半導体基板と前記第１ゲート電極間に形成された絶縁層と、
前記半導体基板と前記第２ゲート電極間に形成された第１電荷蓄積層と、
を備え、
前記第２ゲート電極は、前記半導体基板から離間するに従って少なくとも部分的に幅広になる、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板から離間するに従って少なくとも部分的に幅狭になる第１中間絶縁層を更に備え、
前記第２ゲート電極は、前記第１中間絶縁層が幅狭になるに応じて幅広になることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部で基板を処理する反応容器と、
上面を露出させた水平な状態で基板を凹部に収納する導電性材料であって板状に形成された支持体と、
少なくとも前記支持体を複数段、水平に保持する支持体保持体と、
前記反応容器内で少なくとも前記支持体保持体に保持された前記支持体を誘導加熱する誘導加熱装置と、を有する基板処理装置。
【請求項２】
内部で基板を処理する反応容器と、
第一基板及び第二基板それぞれの裏面を重ね合わせた状態で水平に支持する第一支持部と該第一支持部が設けられ該第一支持部に支持された前記第二基板と第一間隙を形成する第一プレートとを有する導電性材料で形成された第一支持体と、
該第一支持体の上方に隣接する導電性材料で形成された第二支持体と、
少なくとも前記第一支持体及び前記第二支持体間に第二間隙を形成しつつそれぞれを第一支持体保持部及び第二支持体保持部で水平に複数段保持する支持体保持体であって、
前記第一間隙における前記第一支持体と前記第二基板との第一距離が、前記第二支持体と前記第二間隙における第二支持体と前記第一基板との第二距離と同等であるか若しくは第二距離より大きい距離となるように前記第一支持体保持部と前記第二支持体保持部とが配置されている支持体保持体と、
前記反応容器内で少なくとも前記支持体保持体の前記第一支持体保持部及び前記第二支持体保持部にそれぞれ保持された前記第一支持体及び前記第二支持体を誘導加熱する誘導加熱装置と、を有する基板処理装置。
【請求項３】
内部で基板を処理する反応容器と、
第一基板及び第二基板それぞれの裏面を重ね合わせた状態で水平に支持する第一支持部と
該第一支持部が設けられ該第一支持部に支持された前記第二基板と第一間隙を形成する第一プレートとを有する導電性材料で形成された第一支持体と、
該第一支持体の上方に隣接する導電性材料で形成された第二支持体と、
基板を水平に支持する導電性材料で形成された第二支持体と、
少なくとも前記第一支持体及び前記第二支持体間に第二間隙を形成しつつそれぞれを第一支持体保持部及び第二支持体保持部で水平に複数段保持する支持体保持体と、
前記反応容器内で少なくとも前記支持体保持体の前記第一支持体保持部及び前記第二支持体保持部にそれぞれ保持された前記第一支持体及び前記第二支持体を誘導加熱する誘導加熱装置と、を有する基板処理装置。
【請求項４】
基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
基板を該基板の上面を露出させた水平な状態で凹部に収納した導電性材料であって板状に形成された支持体を該複数段それぞれ水平に保持した支持体保持体を反応容器内に搬入する工程と、
誘導加熱装置にて前記支持体を誘導加熱して前記基板を処理する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第一支持部と該第一支持部が設けられる第一プレートとを有する導電性材料で形成された第一支持体の前記第一支持体に第一基板及び第二基板それぞれの裏面を重ね合わせた状態で前記第二基板と前記第一プレートとの間に第一間隙を形成して水平に支持する工程と、
第二支持部と該第二支持部が設けられる第二プレートとを有する導電性材料で形成された第二支持体の前記第二支持体に第三基板及び第四基板それぞれの裏面を重ね合わせた状態で前記第四基板と前記第二プレートとの間に第二間隙を形成して水平に支持する工程と、
前記第一基板及び第二基板が支持された前記第一支持体と前記第三基板及び前記第四基板が支持された前記第二支持体とを搬送し、前記第一間隙における前記第一支持体と前記第二基板との第一距離が、前記第二支持体と前記第一基板との第二距離と同等であるか若しくは該第二距離より大きい距離で前記第一支持体及び前記第二支持体を支持体保持体で保持する工程と、
前記第一基板及び前記第二基板が支持された前記第一支持体と前記第三基板及び前記第四基板が支持された前記第二支持体とをそれぞれ保持した前記支持体保持体を反応容器内に搬送後、誘導加熱装置にて前記第一支持体及び前記第二支持体を誘導加熱して前記第一基板及び前記第二基板、前記第三基板及び前記第四基板を処理する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面上に形成された、開口部を有する反射層と、
前記一方の面および前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された材料層と、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜と、を少なくとも有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記反射防止膜は、前記基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝Ｐ）の積層膜で構成され、
前記基板の屈折率をｎＧ、前記第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、前記第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、前記第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、
Ｘ層の積層膜である前記反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
Ｘが奇数の時、ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
Ｘが偶数の時、ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２であることを特徴とする成膜用基板。
（但し、前記反射防止膜を構成する前記第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、前記第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、前記第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、前記基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【請求項３】
請求項１において、
前記反射防止膜は、積層膜で構成され、かつ、前記基板側からＭ番目の誘電体膜である第Ｍの誘電体膜と、前記基板側から（Ｍ＋１）番目の誘電体膜である第（Ｍ＋１）の誘電体膜との間に、第Ｈの誘電体膜を有し、
前記第Ｍの誘電体膜の屈折率をｎＭ、前記第Ｈの誘電体膜の屈折率をｎＨ、前記第１の誘電体膜から前記第（Ｍ−１）の誘電体膜までの積層膜の屈折率をＹＭ−１、前記第１の誘電体膜から前記第Ｍの誘電体膜までの積層膜の屈折率をＹＭ、前記第１の誘電体膜から前記第（Ｍ＋１）の誘電体膜までの積層膜の屈折率をＹＭ＋１、前記基板に照射される光の波長をλとしたとき、
ＹＭ−１＜ＹＭ  かつ  ＹＭ＞ＹＭ＋１  かつ  ｎＭ＜ｎＨ
または、
ＹＭ−１＞ＹＭ  かつ  ＹＭ＜ＹＭ＋１  かつ  ｎＭ＞ｎＨ  かつ  ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たすことを特徴とする成膜用基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記反射防止膜は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、又は酸化チタンを有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項５】
基板の一方の面上に形成された、開口部を有する反射層と、
前記一方の面および前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された材料層と、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜と、を少なくとも有する成膜用基板を、前記一方の面と被成膜基板の被成膜面とが対向するように配置し、
前記他方の面側から前記成膜用基板に光を照射することにより、前記開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、
前記材料層の一部を前記被成膜面に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記反射防止膜は、前記基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝Ｐ）の積層膜で構成され、
前記基板の屈折率をｎＧ、前記第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、前記第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、前記第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、
Ｘ層の積層膜の光学アドミッタンスＹＸは、
Ｘが奇数の時、ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
Ｘが偶数の時、ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２であることを特徴とする発光装置の作製方法。
（但し、前記反射防止膜を構成する前記第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、前記第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、前記第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【請求項７】
請求項５において、
前記反射防止膜は、積層膜で構成され、かつ、前記基板側からＭ番目の誘電体膜である第Ｍの誘電体膜と、前記基板側から（Ｍ＋１）番目の誘電体膜である第（Ｍ＋１）の誘電体膜との間に、第Ｈの誘電体膜を有し、
前記第Ｍの誘電体膜の屈折率をｎＭ、前記第Ｈの誘電体膜の屈折率をｎＨ、前記第１の誘電体膜から前記第（Ｍ−１）の誘電体膜までの積層膜の屈折率をＹＭ−１、前記第１の誘電体膜から前記第Ｍの誘電体膜までの積層膜の屈折率をＹＭ、前記第１の誘電体膜から前記第（Ｍ＋１）の誘電体膜までの積層膜の屈折率をＹＭ＋１、前記基板に照射される光の波長をλとしたとき、
ＹＭ−１＜ＹＭ  かつ  ＹＭ＞ＹＭ＋１  かつ  ｎＭ＜ｎＨ
または、
ＹＭ−１＞ＹＭ  かつ  ＹＭ＜ＹＭ＋１  かつ  ｎＭ＞ｎＨ  かつ  ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たすことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記反射防止膜は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、又は酸化チタンを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いの主面が対向するように配置されている２つの基板と、
前記２つの基板に挟まれて形成されている内部空間に収容されている振動片と、を備え、
前記２つの前記基板の少なくとも一方には、前記内部空間と当該基板の前記主面に対して裏側に位置している外部とを連通しており、封止材にて塞がれている封止孔を備え、
前記封止孔の内壁部が、前記外部側から前記基板の中間部までの外部側内壁部、前記中間部から前記内部空間側の開口までの間であって、前記外部側内壁部の表面を基準にして１８０°より大きい角度をもって傾いて延在している内部空間側内壁部と、を備え、
前記外部側内壁部に金属膜が形成されていることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記封止孔の中間部における開口部よりも前記内部空間側の開口部の方が大きいことを特徴とするデバイス。
【請求項３】
請求項２において、前記封止孔の中間部における開口形状が平面視で楕円形状であることを特徴とするデバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項において、
前記封止孔を平面視したときの前記外部側内壁部によって形成されている孔の中心点と、前記内部空間側内壁部によって形成されている孔の中心点とがそれぞれ異なる位置であることを特徴とするデバイス。
【請求項５】
互いの主面が対向するように配置されている２つの基板と、
前記２つの基板に挟まれて形成されている内部空間に収容されている振動片と、を備え、
前記２つの前記基板の少なくとも一方には、前記内部空間と当該基板の前記主面に対して裏側に位置している外部とを連通しており、封止材にて塞がれている封止孔を備え、
前記封止孔の内壁部が、前記外部側から前記基板の中間部までの外部側内壁部、前記中間部から前記内部空間側の開口までの間であって、前記外部側内壁部の表面を基準にして１８０°より大きい角度をもって傾いて延在している内部空間側内壁部と、を備え、
前記外部側内壁部に金属膜が形成されているデバイスの製造方法であって、
前記基板の少なくとも一方に前記外部側内壁部または前記内部空間側内壁部を形成するステップと、
前記外部側内壁部または前記内部空間側内壁部のうち残る一方を形成するステップと、
少なくとも前記外部側内壁部に前記金属膜を形成するステップと、
２つの前記基板の間に前記振動片を収容するステップと、
真空中で前記封止孔に前記封止材を配置し、該封止材を溶融させて前記封止孔を塞ぐことにより孔封止するステップと、を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
少なくとも前記外部側内壁部を形成するステップで、ドライエッチング加工法を用いて前記外部側内壁部を形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記外部側内壁部および前記内部空間側内壁部を形成するステップで、前記基板の主面側から前記基板の中間部に向かって前記外部側内壁部および前記内部空間側内壁部を形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デバイス、およびその製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いの主面が対向するように配置されている２つの基板と、
前記２つの基板に挟まれて形成されている内部空間に収容されている振動片と、を備え、
前記２つの前記基板の少なくとも一方には、前記内部空間と当該基板の前記主面に対して裏側に位置している外部とを連通しており、封止材にて塞がれている封止孔を備え、
前記封止孔の内壁部は、前記外部側に開口した外部側開口部から前記基板の中間部の中間開口部に向かって孔の大きさが断面視してテーパー形状に狭まっている外部側内壁部と、前記内部空間側の開口から前記中間開口部に向かって孔の大きさが断面視してテーパー形状に狭まっている内部空間側内壁部と、を有していることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記外部側開口部が平面視で円形状または正多角形状を呈していることを特徴とするデバイス。
【請求項３】
請求項２において、前記中間開口部が平面視で楕円形状を有することを特徴とするデバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項において、
平面視したときの前記外部側開口部の中心と、前記中間開口部の中心とがそれぞれ異なる位置になるように配置されていることを特徴とするデバイス。
【請求項５】
互いの主面が対向するように配置されている２つの基板と、
前記２つの基板に挟まれて形成されている内部空間に収容されている振動片と、を備え、
前記２つの前記基板の少なくとも一方には、前記内部空間と当該基板の前記主面に対して裏側に位置している外部とを連通しており、封止材にて塞がれている封止孔を備え、
前記封止孔の内壁部は、前記外部側に開口した外部側開口部から前記基板の中間部の中間開口部に向かって孔の大きさが断面視してテーパー形状に狭まっている外部側内壁部と、前記内部空間側の開口から前記中間開口部に向かって孔の大きさが断面視してテーパー形状に狭まっている内部空間側内壁部と、を有しているデバイスの製造方法であって、
前記外部側内壁部を形成するステップと、
前記外部側内壁部を形成するステップの後で、前記外部側内壁部を含む領域に前記金属膜を形成するステップと、
前記金属膜を形成するステップの後で、前記基板を前記内部空間側からエッチング加工することにより前記外部側内壁部と連通する前記内部空間側内壁部を形成するステップと、
前記接合するステップと、
前記封止孔に前記封止材を配置し、該封止材を溶融させて前記封止孔を塞ぐことにより孔封止するステップと、を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
少なくとも前記外部側内壁部をドライエッチング加工法を用いて形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記内部空間側内壁部を形成するステップで、前記内部空間側からドライエッチング加工を施すことにより前記内部空間側内壁部を形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デバイス、およびその製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体と、
前記構造体を介して排気する真空ポンプと、
前記構造体の温度を調節する調節手段と
を有する排気装置であって、
前記構造体は、前記真空ポンプ側の第１の端面と、前記第１の端面とは反対側の第２の端面とが柱状の貫通孔で結ばれ、
前記真空ポンプは、前記貫通孔を介して排気を行う、
ことを特徴とする排気装置。
【請求項２】
前記貫通孔は中空の円筒であり、前記構造体は前記円筒の束を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の排気装置。
【請求項３】
前記構造体は、媒体の流路を有し、
前記調節手段は、温度が調節された媒体を前記流路に流す、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の排気装置。
【請求項４】
真空容器を有し、前記真空容器内で処理を行う処理装置であって、
前記真空容器を排気する請求項１乃至３のいずれかに記載の排気装置を有する、ことを特徴とする処理装置。
【請求項５】
前記第２の端面とは離れて対向する、前記真空容器内に設けられた輻射部材と、
前記輻射部材の温度を調節する第２の調節手段と、
を有することを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記真空容器内に処理部を有し、
前記輻射部材は前記第２の端面と前記処理部との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記真空容器の温度を調節する第３の調節手段、
を有し、
前記真空容器の一部の領域と前記第２の端面とは、離れて対向している、
ことを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項８】
真空容器を有し、前記真空容器内で処理を行う処理装置であって、
前記真空容器に接続された排気容器と、
前記排気容器に接続された請求項１乃至３のいずれに記載の排気装置と、
前記第２の端面とは離れて対向する、前記排気容器内に設けられた輻射部材と、
前記輻射部材の温度を調節する第４の調節手段と、
を有することを特徴とする処理装置。
【請求項９】
前記真空容器内に処理部を有し、
前記輻射部材は前記第２の端面と前記処理部との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
【請求項１０】
真空容器を有し、前記真空容器内で処理を行う処理装置であって、
前記真空容器に接続された排気容器と、
前記排気容器に接続された請求項１乃至３のいずれに記載の排気装置と、
前記排気容器の温度を調節する第５の調節手段、
を有し、
前記排気容器の一部の領域と前記第２の端面とは、離れて対向している、
ことを特徴とする処理装置。
【請求項１１】
前記真空容器内に配置された、放射エネルギーを基板に投影する投影系、
を有し、
前記真空容器内で前記投影系により該基板にパターンを転写する、
ことを特徴とする請求項４乃至１０のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の処理装置を用いて基板にパターンを転写する工程と、
前記工程において該パターンが転写された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１３】
真空容器を有し、前記真空容器内で処理を行う処理装置であって、
前記真空容器に接続された排気容器と、
構造体と、
前記構造体を介して前記排気容器から排気を行う真空ポンプであって、前記真空容器から前記排気容器への排気方向としての第１の方向とは異なる第２の方向に向けて配置された真空ポンプと、
前記構造体の温度を調節する調節手段と、
を有し、
前記構造体は、前記真空ポンプから該第１の方向への輻射熱を吸収し且つ該第２の方向に沿って粒子を通過させる、
ことを特徴とする処理装置。
【請求項１４】
前記構造体とは前記第２の方向に離れて対向している、前記排気容器内に設けられた輻射部材と、
前記輻射部材の温度を調節する第２の調節手段と、
を有することを特徴とする請求項１３に記載の処理装置。
【請求項１５】
前記排気容器の温度を調節する第３の調節手段、
を有し、
前記排気容器の一部の領域と前記構造体とは、前記第２の方向に離れて対向している、
ことを特徴とする請求項１３に記載の処理装置。
【請求項１６】
前記真空容器内に配置された、放射エネルギーを基板に投影する投影系、
を有し、
前記真空容器内で前記投影系により該基板にパターンを転写する、
ことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の処理装置を用いて基板にパターンを転写する工程と、
前記工程において該パターンが転写された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層上に、フィラーを含有する第１層、及び前記第１層よりも少ない量のフィラーを含有する第２層を積層して絶縁層を形成する第１工程と、
前記第２層にレーザ光を照射し、前記第２層を貫通する第１配線溝を形成する第２工程と、
前記第１配線溝を含めた前記第２層上に金属層を形成する第３工程と、
前記第１配線溝以外の部分に形成された前記金属層を除去し、前記第１配線溝に前記金属層が充填された第２配線層を形成する第４工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
更に、前記第２工程と前記第３程との間に、前記第２層にレーザ光を照射し、前記第２層を貫通する第２配線溝を形成する第５工程と、
前記第２配線溝内に露出する前記第１層にレーザ光を照射し、前記第１層を貫通し、前記第１配線層を露出するビアホールを形成する第６工程と、を有し、
前記第３工程では、前記第１配線溝、前記第２配線溝及び前記ビアホールを含めた前記第２層上に金属層を形成し、
前記第４工程では、前記第１配線溝、前記第２配線溝及び前記ビアホール以外の部分に形成された前記金属層を除去し、前記第１配線溝、前記第２配線溝及び前記ビアホールに前記金属層が充填された第２配線層を形成する請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１配線溝のピッチは、前記第２配線溝のピッチよりも小さい請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１配線溝を形成する際に用いる前記レーザ光の波長は、前記第２配線溝及び前記ビアホールを形成する際に用いる前記レーザ光の波長よりも短い請求項２又は３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
第１配線層と、
前記第１配線層を被覆する絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、フィラーを含有する第１層、及び前記第１層よりも少ない量のフィラーを含有する第２層が積層された構造であり、
前記第２層には、レーザ光によりに形成された溝内に、断面形状が台形形状である第２配線層が形成されており、
前記第１配線層と前記第２配線層とは、前記第１層を貫通して形成されたビアを介して電気的に接続されており、
前記第１層に含有される前記フィラーの平均粒径は、前記第２層に含有される前記フィラーの平均粒径よりも大きい配線基板。
【請求項６】
前記第１配線層は、複数種類の金属が積層されて形成されている請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
前記第２配線層は、２種類のラインアンドスペースで形成されている請求項５又は６記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この配線基板は、第１配線層と、前記第１配線層を被覆する絶縁層と、を有し、前記絶縁層は、フィラーを含有する第１層、及び前記第１層よりも少ない量のフィラーを含有する第２層が積層された構造であり、前記第２層には、レーザ光によりに形成された溝内に、断面形状が台形形状である第２配線層が形成されており、前記第１配線層と前記第２配線層とは、前記第１層を貫通して形成されたビアを介して電気的に接続されており、前記第１層に含有される前記フィラーの平均粒径は、前記第２層に含有される前記フィラーの平均粒径よりも大きいことを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体基板を準備する工程、
（ｂ）前記半導体基板に、前記第１ＭＩＳＦＥＴのしきい値調整用のイオン注入を行なう工程、
（ｃ）前記半導体基板の主面に前記第１ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜用の第１絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に前記第１ＭＩＳＦＥＴの第１ゲート電極を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記半導体基板にイオン注入を行ない、前記半導体基板に第１導電型の第１半導体領域を形成する工程、
（ｆ）前記（ｄ）工程後、前記半導体基板に第１元素のイオン注入を行なう工程、
（ｇ）前記（ｅ）工程および前記（ｆ）工程後に、前記第１ゲート電極の側壁上に側壁絶縁膜を形成する工程、
（ｈ）前記第１ゲート電極および前記側壁絶縁膜をマスクとして前記半導体基板にイオン注入を行ない、前記半導体基板に前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第２半導体領域を形成する工程、
を有し、
前記第１および第２半導体領域は、前記第１ＭＩＳＦＥＴのソースまたはドレイン用の半導体領域として機能し、
前記（ｆ）工程でイオン注入する前記第１元素は、炭素、窒素またはフッ素のうちの１種以上からなり、
前記（ｆ）工程で前記第１元素が導入された領域の少なくとも一部は、前記第１ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域と前記第１半導体領域との間に位置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記第１ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域に不純物が導入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所要の大きさの開口部が形成された金属板を用意し、該金属板を、片面が粘着面とされた支持基材の該粘着面に貼り付ける工程と、
前記支持基材上の、前記金属板の開口部に対応する部分に、半導体素子をフェイスアップの態様で搭載する工程と、
前記支持基材上の前記金属板及び前記半導体素子を被覆するように絶縁層を形成して、半導体素子封止基板を作製する工程と、
仮基板の少なくとも一方の面上に、再配線層を絶縁層を介在させて所要の層数となるまで積層し、最外層の再配線層上に所要個数の導電性バンプを形成して、再配線基板を作製する工程と、
前記半導体素子封止基板と前記再配線基板とを、前記半導体素子の電極端子と前記再配線層上の対応する導電性バンプとが対向するよう位置合わせして積層し、前記電極端子と前記導電性バンプとを接続する工程と、
以上の工程により作製された構造体から、前記支持基材及び前記仮基板を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子実装配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属板の前記支持基材に貼り付けられる側と反対側の面上の所定の箇所に、パッドを形成する工程を含み、
前記半導体素子封止基板を作製する工程において、前記金属板上の前記パッドも被覆するように前記絶縁層を形成するとともに、
前記再配線基板を作製する工程において、前記最外層の再配線層上に前記導電性バンプを形成する際に、当該再配線層上の、前記半導体素子封止基板における前記パッドの位置に対応する部分に更なる導電性バンプを形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子実装配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記パッドは、外部接続用として設けられ、他の電子部品の外部接続端子が接合されるよう形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子実装配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記半導体素子封止基板を作製する工程において、前記支持基材上の前記金属板及び前記半導体素子を被覆するように絶縁層を形成した後、該絶縁層の所定の箇所を開口し、前記半導体素子の電極端子に接続される導体ビアを形成する工程を含み、
前記再配線基板を作製する工程に代えて、仮基板の少なくとも一方の面上に、再配線層を絶縁層を介在させて所要の層数となるまで積層し、最外層の再配線層を露出させた再配線基板を作製する工程を含み、
前記半導体素子封止基板と前記再配線基板とを接続する工程に代えて、前記半導体素子封止基板と前記再配線基板とを、前記半導体素子の電極端子上に設けられた前記導体ビアと前記最外層の再配線層上の対応するパッドとが対向するよう位置合わせして積層し、前記導体ビアと前記パッドとを接続する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子実装配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持基材及び前記仮基板を除去する工程の後に、前記半導体素子が露出している側と反対側の面に露出する再配線層及び絶縁層上に、当該再配線層のパッドの部分を露出させて保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子実装配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記保護膜を形成する工程の後に、前記金属板を選択除去する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子実装配線基板の製造方法。
【請求項７】
電極端子形成面と、その裏面とを有する半導体素子と、
一方の面と他方の面とを有し、前記半導体素子の前記電極端子形成面と側面とを封止すると共に、前記裏面を前記他方の面側に露出する封止基板と、
前記封止基板の前記一方の面上に設けられ、配線層と絶縁層とが積層されて形成される再配線基板とを有し、
前記半導体素子は前記配線層に接続されており、
前記封止基板は、前記半導体素子の側面を封止する封止部分と、前記封止部分の周囲に配置された周囲部分とを有し、前記周囲部分の厚さが前記封止部分の厚さより薄く、かつ、前記周囲部分の前記他方の面が、前記半導体素子の裏面から前記一方の面側に後退していることを特徴とする半導体素子実装配線基板。
【請求項８】
前記周囲部分の前記他方の面上に、前記半導体素子の裏面を露出する開口部を備えた金属板が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子実装配線基板。
【請求項９】
前記周囲部分の前記他方の面に、前記配線層と接続されたパッドが設けられていることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子実装配線基板。
【請求項１０】
前記封止基板の一方の面に前記再配線基板の前記絶縁層が接しており、前記半導体素子の電極端子と前記配線層とが、前記絶縁層及び前記封止基板内に設けられたバンプにより接続されていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の半導体素子実装配線基板。
【請求項１１】
前記封止基板の一方の面に前記再配線基板の前記配線層及び前記絶縁層が接しており、前記半導体素子の電極端子と前記配線層とが、前記封止基板内に設けられたビアにより接続されていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の半導体素子実装配線基板。
【請求項１２】
前記再配線基板の、前記封止基板が配置された面と反対側の面の前記絶縁層内に、パッドが埋設されており、
前記パッドの表面が、前記パッドが埋設された前記絶縁層の表面に露出し、かつ、前記パッドの側面と裏面が前記絶縁層に接しており、
前記パッドが埋設された前記絶縁層の裏面側に、前記パッドの裏面を露出するビアホールが設けられており、
前記パッドが埋設された前記絶縁層の裏面に、前記ビアホールを介して前記パッドの裏面に接続される配線層が設けられていることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の半導体素子実装配線基板。
【請求項１３】
前記パッドが埋設された前記絶縁層の表面に前記パッドを露出するソルダーレジスト層が設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子実装配線基板。
【請求項１４】
前記再配線基板は、複数の前記配線層と前記絶縁層とが積層されて形成されることを特徴とする請求項７乃至１３のいずれか一項に記載の半導体素子実装配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子実装配線基板及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子実装配線基板及びその製造方法に関し、特に、薄型化及び高性能（高機能）化に対応すべく半導体素子（チップ）を埋め込み実装した半導体素子実装配線基板及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、半導体素子を埋め込み実装した配線基板を製造するにあたり、半導体素子の無駄を無くし、歩留りの向上を図ることができる半導体素子実装配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記反射防止膜の表面で反射される光と、
前記金属で反射され前記反射防止膜の表面から出射する光とが干渉するように前記薄膜層の厚さが設定されていることを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の熱光起電力発電用エミッタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、前記反射防止膜の厚さは吸収波長が1〜3μmとなるように設定すると良く、特に、前記反射防止膜の表面で反射される光と、前記金属で反射され前記反射防止膜の表面から出射する光とが干渉するように前記薄膜層の厚さが設定されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルを含む導電性ペーストを、表面に窒化珪素層を備えた半導体基板上に塗布し、焼成することによって形成された電極を備えた太陽電池素子であって、
前記電極が、銀を主成分とする表面電極層と、テルル系ガラスを主成分とするガラス層と、前記焼成により析出した複数の銀粒子を含む酸化珪素層を備えた構造を有することを特徴とする太陽電池素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
少なくとも、銀を主成分とする導電性粉末と、テルル系ガラスフリットと、有機ビヒクルを含む導電性ペーストを、表面に窒化珪素層を備えた半導体基板上に塗布し、焼成することによって請求項１記載の電極を形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、一般的な太陽電池素子は、シリコン系の半導体基板、拡散層、反射防止膜、裏面電極、表面電極（以下、「受光面電極」と称することもある）を備えている。このうち、特に表面電極の形成に際しては、銀を主成分とする導電性粒子、ガラスフリット、および有機ビヒクル等を混合した導電性ペーストを用い、スクリーン印刷や孔版印刷等によって電極形成を行っている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は以下の構成よりなる。
（１）少なくとも導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルを含む導電性ペーストを、表面に窒化珪素層を備えた半導体基板上に塗布し、焼成することによって形成された電極を備えた太陽電池素子であって、
前記電極が、銀を主成分とする表面電極層と、テルル系ガラスを主成分とするガラス層と、前記焼成により析出した複数の銀粒子を含む酸化珪素層を備えた構造を有することを特徴とする太陽電池素子。
（２）前記銀粒子が前記酸化珪素層と前記窒化珪素層との界面近傍に析出していることを特徴とする前記（１）記載の太陽電池素子
（３）前記銀粒子が粒径１００ｎｍ以下の微小粒子であることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の太陽電池素子。
（４）少なくとも、銀を主成分とする導電性粉末と、テルル系ガラスフリットと、有機ビヒクルを含む導電性ペーストを、表面に窒化珪素層を備えた半導体基板上に塗布し、焼成することによって前記（１）記載の電極を形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
銀を主成分とする導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含む太陽電池電極形成用導電性ペーストであって、
前記ガラスフリットが、酸化テルルを網目形成成分としたテルル系ガラスフリットを含むことを特徴とする太陽電池電極形成用導電性ペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、一般的な太陽電池素子は、シリコン系の半導体基板、拡散層、反射防止膜、裏面電極、表面電極（以下、「受光面電極」と称することもある）を備えている。このうち、特に表面電極の形成に際しては、銀を主成分とする導電性粒子、ガラスフリット、有機ビヒクル等を混合した導電性ペーストを用い、スクリーン印刷や孔版印刷等によって電極形成を行っている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は以下の構成よりなる。
（１）銀を主成分とする導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含む太陽電池電極形成用導電性ペーストであって、
前記ガラスフリットが、酸化テルルを網目形成成分としたテルル系ガラスフリットを含むことを特徴とする太陽電池電極形成用導電性ペースト。
（２）前記テルル系ガラスフリットが、酸化テルルを２５〜９０モル％含むことを特徴とする前記（１）記載の太陽電池電極形成用導電性ペースト。
（３）前記テルル系ガラスフリットが、酸化タングステン、酸化モリブデンの何れか一種以上を含むことを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の太陽電池電極形成用導電性ペースト。
（４）前記テルル系ガラスフリットが、前記酸化タングステン、酸化モリブデンの何れか一種以上を合計で５〜６０モル％含むことを特徴とする前記（３）記載の太陽電池電極形成用導電性ペースト。
（５）前記テルル系ガラスフリットが、酸化亜鉛、酸化ビスマス、酸化アルミニウムの何れか一種以上を含むことを特徴とする前記（３）又は（４）に記載の太陽電池電極形成用導電性ペースト。
（６）前記テルル系ガラスフリットが以下の成分を含むことを特徴とする前記（１）記載の太陽電池電極形成用導電性ペースト。
酸化テルル：２５〜９０モル％
酸化タングステン、酸化モリブデンの何れか一種以上：合計で５〜６０モル％
酸化亜鉛：０〜５０モル％
酸化ビスマス：０〜２５モル％
酸化アルミニウム：０〜２５モル％
（７）前記テルル系ガラスフリットが、前記導電性粉末１００重量部に対して０．１〜１０重量部含まれることを特徴とする前記（１）乃至（６）の何れかに記載の太陽電池電極形成用導電性ペースト。