【事件の表示】
　特願２００２−５６４５７８「膜堆積の間における金属の厚さの自動制御」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月２２日国際公開、ＷＯ０２／６５１０９、平成１６年１０月１４日国内公表、特表２００４−５３１７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・原査定の拒絶の理由
　本願は、２００１年１２月３日の国際出願（パリ条約による優先権主張　２００１年２月１２日、米国）であって、特許請求の範囲、明細書又は図面について、平成１５年１０月７日付け翻訳文提出書により補正がなされ（以下、「補正１」という。）、平成１９年２月２８日付け手続補正書により補正がなされたところ（以下、「補正２」という。）、平成１９年６月１６日付け（送達：同年６月２６日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２５日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、原査定の拒絶の理由は、本願発明は、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−１５３６９２号公報に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許を受けることができない、というものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、補正１及び補正２によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。（以下、「本願発明」という。） 
「【請求項１】
　成膜室でウエハに金属膜を堆積している間に前記金属膜に向けて照射されるＸ線ビームを生成するステップと、
　前記金属膜のＸ線蛍光を検出して、前記金属膜のパラメータを求めるステップと、
　求めたパラメータと設定値とを自動的に比較し、前記求めたパラメータが前記設定値と異なる場合に前記金属膜の堆積を自動的に継続するステップと、
を含む、半導体ウエハに堆積中の金属膜のパラメータを監視する方法。」
　
　そして、本願発明の特徴について検討するに、補正１及び補正２によって補正された明細書の発明の詳細な説明には次の記載がある。
「【背景技術】
・・・通常、スパッタ成膜はマグネトロンとして知られるダイオードプラズマシステムで行われる。・・・
　現在、金属や合金、化合物の高速堆積に用いられる最も重要なタイプのシステムはマグネトロンカソードシステムと呼ばれるものである。・・・
【発明が解決しようとする課題】
　スパッタ成膜は堆積時間で管理される。時間を基準に速度を較正した後、一定の時間で膜を堆積させる。しかしながら、プロセスにはムラがあるため、特定のウエハまたはロットの堆積膜厚を膜堆積の間に制御するのは困難である。一般に、金属膜の厚さについてはいくつかの試作ウエハに堆積させたものを測定している。
　しかしながら、金属膜の厚さ次第で製造後の半導体デバイスの機械特性や電気特性が大きく変わり、厚さのムラはデバイスの性能に大きく影響する。したがって、膜堆積の間に各ウエハの金属膜の厚さを制御することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
　本発明は、半導体デバイスの製造時にウエハに堆積中の金属膜のパラメータを監視する新規な方法を提供するものである。この方法では、成膜室でウエハに金属膜を堆積している間に金属膜に向けて照射されるＸ線ビームを生成し、金属膜のＸ線蛍光を検出して膜に必要なパラメータを求める。」（段落【０００２】〜【０００９】）
　上記記載によれば、従来、ウエハに堆積する膜の厚さの管理は堆積時間で管理していたところ、プロセスにはムラがありその制御が困難であることから、本願発明では、ウエハに膜を堆積しながら、膜に対してＸ線ビームを照射し、膜から放射される蛍光Ｘ線を検出することで膜厚に関連したパラメータを監視するようにして、所望な膜厚となるよう、膜の堆積の制御を行うようにした点に、その技術的特徴があるものと認められる。
　
第３　引用例記載の発明・事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された特開平７−１５３６９２号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
（ａ）「【請求項１】半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長させる膜成長工程と、前記成長させつつある薄膜にＸ線を入射させるＸ線入射工程と、前記Ｘ線の入射に伴って前記成長中の薄膜から放出される螢光Ｘ線を計測する計測工程と、前記計測工程における計測値に基づいて前記薄膜の成長条件を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする、半導体基板上に薄膜を成長させる方法。」（特許請求の範囲の【請求項１】）
（ｂ）「図１は本発明の一実施例に係る製造装置の概略構成図であり、特にＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造エピタキシャル成長を行わせる場合を例示するものである。図において示すように、真空チャンバー１はコントローラ１７により制御される排気系２により１０-11 ｔｏｒｒ台のレベルまで真空引きが可能とされる。」（段落【００２６】）
（ｃ）「Ｘ線源７からのＸ線はコリメータ８、モノクロメータ９からＢｅ製の窓部１０を介してウェーハ６の表面に導入される。」（段落【００２６】）
（ｄ）「ＳＳＤ１２は、Ｘ線の入射に伴いウェーハ６の表面から放射される蛍光Ｘ線を計測するための固体撮像素子等の半導体検出器であり、ディテクタ１１と共に、コントローラ１３に接続される。」（段落【００２６】）
（ｅ）「メインコントローラ１８は、コントローラ１３、１４、１５、１６、１７を制御し、ウェーハ６上の薄膜の成長を自動制御する。」（段落【００２６】）
（ｆ）「そして、アンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓの薄膜２１を３０オングストローム程度成長させる。この成長と共にＡｌＫαのスペクトル（１．４９ｅＶ）が見えてくる。このスペクトル強度が例えば５ＣＰＳ（ｃｏｕｎｔｓ  ｐｅｒ  ｓｅｃｏｎｄ）になるまで成長を行なう。」（段落【００３４】）
（ｇ）「・・・図３は、ＡｌＧａＡｓ膜厚と蛍光Ｘ線（ＡｌＫα線）の相関関係を示す断面ＴＥＭによる膜厚特性図である。図３からも明らかなように、両者の相関係数は、０．９９８と非常によい一致を見ることがわかった。」（段落【００３４】）
（ｈ）「以上述べたように、各層の成長毎に主要構成元素の蛍光Ｘ線をモニタすることによって、成長膜厚に比例した強度および強度変化が得られる。したがって、この量を目安に成長の停止制御を行なえば、高精度な膜厚制御が可能になる。」（段落【００３７】）
・前記記載（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｆ）から、
（１）「真空チャンバー１でウェーハ６にＡｌＧａＡｓ薄膜２１を成長させつつあるときに前記ＡｌＧａＡｓ薄膜２１に向けてＸ線を入射させる工程。」との技術事項が読みとれる。
・前記記載（ａ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｈ）から、
（２）「ＡｌＧａＡｓ薄膜２１から放射される蛍光Ｘ線をモニタして膜厚に比例したスペクトル強度を求める工程。」との技術事項が読みとれる。
・前記記載（ｆ）において、「５ＣＰＳ」を「所定値」と呼ぶことにすると、前記記載（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｈ）から、
（３）「求めた膜厚に比例したスペクトル強度と所定値とを自動的に比較し、求めた膜厚に比例したスペクトル強度が所定値になるまでＡｌＧａＡｓ薄膜２１の成長を自動的に行わせる工程。」との技術事項が読みとれる。
・前記記載（ａ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｈ）から、
（４）「ウェーハ６に成長中のＡｌＧａＡｓ薄膜２１の膜厚に比例したスペクトル強度をモニタする方法。」との技術事項が読みとれる。
　
　以上の技術事項（１）ないし（４）を総合勘案すると、引用例には次の発明が記載されていると認められる。
（引用発明）
「真空チャンバー１でウェーハ６にＡｌＧａＡｓ薄膜２１を成長させつつあるときに前記ＡｌＧａＡｓ薄膜２１に向けてＸ線を入射させる工程と、
　前記ＡｌＧａＡｓ薄膜２１から放射される蛍光Ｘ線をモニタして、前記ＡｌＧａＡｓ薄膜２１の膜厚に比例したスペクトル強度を求める工程と、
　求めた膜厚に比例したスペクトル強度と所定値とを自動的に比較し、前記求めた膜厚に比例したスペクトル強度が前記所定値になるまで前記ＡｌＧａＡｓ薄膜２１の成長を自動的に行わせる工程と、
　を含む、ウェーハ６に成長中のＡｌＧａＡｓ薄膜２１の膜厚に比例したスペクトル強度をモニタする方法。」（以下、「引用発明」という。）
　
第４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における、
「真空チャンバー１」、「ウェーハ６」、「成長させつつあるときに」、「Ｘ線を入射させる」、「工程」、「放射される蛍光Ｘ線をモニタして」、「膜厚に比例したスペクトル強度」、「所定値」、及び「モニタする方法」は、　
　本願発明における、
「成膜室」、「ウエハ」、「堆積している間に」、「照射されるＸ線ビームを生成する」、「ステップ」、「Ｘ線蛍光を検出して」、「パラメータ」、「設定値」、及び「監視する方法」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明における「前記所定値になるまで・・・成長を自動的に行わせる」は、
　本願発明における「前記設定値と異なる場合に・・・堆積を自動的に継続する」に相当する。
　そして、本願発明における「金属膜」も、引用発明における「ＡｌＧａＡｓ薄膜２１」も、共に、「薄膜」である点で共通する。
　
　してみると、両者は、「第２　本願発明」で説示した、本願発明の技術的特徴点を含む以下の点で一致し、その他の点で相違する。
（一致点）
「成膜室でウエハに薄膜を堆積している間に前記薄膜に向けて照射されるＸ線ビームを生成するステップと、
　前記薄膜のＸ線蛍光を検出して、前記薄膜のパラメータを求めるステップと、
　求めたパラメータと設定値とを自動的に比較し、前記求めたパラメータが前記設定値と異なる場合に前記薄膜の堆積を自動的に継続するステップと、
　を含む、半導体ウエハに堆積中の薄膜のパラメータを監視する方法。」
（相違点）
　半導体ウエハ上に堆積中の監視対象である薄膜が、
　本願発明は「金属膜」であるのに対し、引用発明は、「ＡｌＧａＡｓ薄膜２１」である点。
　
第５　当審の判断
　前記相違点について検討する。
　一般に、物質にＸ線を照射し、物質中の元素に固有の蛍光Ｘ線を検出することにより物質の性状を調べる手法を蛍光Ｘ線法という。
　そして、監視対象である本願発明に係る金属膜も、引用発明に係るＡｌＧａＡｓ薄膜２１も、いずれも、Ｘ線照射により蛍光Ｘ線を放出する物質から成る薄膜である。
　しかも、このような蛍光Ｘ線法を用いて、半導体ウェハ上に設けられた金属膜のパラメータ（膜厚）を監視することは周知な技術事項である（例えば、特開平３−９４４４４号公報（特に、４頁右下欄１１行〜５頁右上欄下から４行の記載、及び第３図、第４図には、Ｓｉ基板２２上に堆積されたＡｌ膜の膜厚を蛍光Ｘ線を検出することにより測定している点が示されている。）や、特開平４−２２３２１０号公報（特に、「【従来の技術】一般にレチクルマスクやウェーハ上に形成される金属膜（例えばクロム膜）の膜厚測定として、蛍光Ｘ線を用いた蛍光Ｘ線法が知られている。この蛍光Ｘ線法による膜厚測定は、励起用一次Ｘ線を被測定膜に照射し、これにより発生する蛍光Ｘ線が膜厚に対応して変化することを応用して膜厚を測定する方法である。」（段落【０００５】）の記載を参照のこと。）。
　してみると、引用発明における監視対象である薄膜を、「ＡｌＧａＡｓ薄膜２１」に代えて、同様にＸ線照射により蛍光Ｘ線を放出する「金属膜」とすることは、当業者が容易に想到し得ることといえる。
　
　そして、本願発明において、監視対象を金属膜とした点に、格別顕著な作用効果があるものとも認められない。
　
第６　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。