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　特願２００２−　７２５９３「太陽電池素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月２６日出願公開、特開２００３−２７３３８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年３月１５日に特許出願したものであって、平成２０年３月１０日付けで手続補正がなされたが、平成２０年５月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１８日に拒絶査定不服審判請求がなされた後、同年７月１６日付けで手続補正がなされた（以下、平成２０年７月１６日付けでなされた手続補正を「本件補正」という。）ものである。
 　 
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　 本件補正を却下する。
 　 
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２０年３月１０日付け手続補正後のもの。）の
「絶縁透光性基板上に積層された表面電極と、前記表面電極上に積層された上部光電変換層と、前記上部光電変換層上に積層された中間透明導電膜と、前記中間透明導電膜上に積層された下部光電変換層と、前記下部光電変換層上に積層された裏面電極とを含む発電領域を複数有する太陽電池素子であって、
　前記表面電極を貫通して前記絶縁透光性基板に至る表面電極分離ラインと、
　前記上部光電変換層と前記中間透明導電膜とを貫通して前記表面電極に至る中間透明導電膜分離ラインと、
　隣接する前記発電領域の一方の前記表面電極と他方の前記裏面電極とを電気的に接続するコンタクトラインと、
　前記裏面電極および前記裏面電極と前記表面電極との間に挟まれる部材を貫通して前記表面電極に至る裏面電極分離ラインを有し、
　前記表面電極分離ラインには、前記上部光電変換層と同一組成の材質からなる部材を備え、
　前記コンタクトラインは、前記中間透明導電膜分離ラインの内側に設けられ、
　前記中間透明導電膜分離ラインには、前記コンタクトラインと前記中間透明導電膜とが直接接触しないように前記下部光電変換層と同一組成の材質からなる部材を備えることを特徴とする太陽電池素子。」
を
「絶縁透光性基板上に積層された表面電極と、前記表面電極上に積層された上部光電変換層と、前記上部光電変換層上に積層された中間透明導電膜と、前記中間透明導電膜上に積層された下部光電変換層と、前記下部光電変換層上に積層された裏面電極とを含む発電領域を複数有する太陽電池素子であって、
　前記表面電極を貫通して前記絶縁透光性基板に至る表面電極分離ラインと、
　前記上部光電変換層と前記中間透明導電膜とを貫通して前記表面電極に至る中間透明導電膜分離ラインと、
　隣接する前記発電領域の一方の前記表面電極と他方の前記裏面電極とを電気的に接続するコンタクトラインと、
　前記裏面電極および前記裏面電極と前記表面電極との間に挟まれる部材を貫通して前記表面電極に至る裏面電極分離ラインを有し、
　前記表面電極分離ラインには、前記上部光電変換層と同一組成の材質からなる部材を備え、
　前記コンタクトラインは、前記中間透明導電膜分離ラインの内側に設けられ、
　前記中間透明導電膜分離ラインには、前記コンタクトラインと前記中間透明導電膜とが直接接触しないように前記下部光電変換層と同一組成の材質からなる部材を備
え、
　前記上部光電変換層はアモルファスシリコン薄膜の積層体であり、前記下部光電変換層は微結晶シリコン薄膜の積層体であ
に補正する内容を含むものである。
 　 
（２）補正の目的
　上記（１）の補正の内容は、補正前の請求項１の「上部光電変換層」及び「下部光電変換層」を、さらに具体的に「上部光電変換層はアモルファスシリコン薄膜の積層体であり、下部光電変換層は微結晶シリコン薄膜の積層体である」と限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
 　 
（３）独立特許要件
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
　ア　刊行物の記載
（ア）原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−１５７４８４号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
 　 
　ａ　「本発明は、大面積で
光電変換特性の優れた多重接合構造（タンデム）太陽電池を直列接続した半導体装置に関する
　
　ｂ　「本発明の半導体装置は、第１図に示すように
同一のガラス基板１上に分離して電極２を形成し、オーミック接触を必要とする層間に導電性薄膜中間層１０を配置してなる多重接合構造半導体３〜８の複数個を前記電極２上に形成すると共に、その一部を除去して低抵抗材料（斜線で示す裏面電極９の一部）で直列接続した半導体装置であり、中間層１０の一部をあらかじめパターン化して前記低抵抗材料に接触しないように形成
　
　ｃ　「本発明に用いる
半導体層３〜８は、具体例として非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマン、非晶質シリコンナイトライド、又はこれらの水素化物或いはフッ素化物等の非晶質半導体、微結晶シリコン、多結晶シリコン、カドミウムテルライド、並びにガリウムヒ素等があげられる
　
　ｄ　「なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本発明が関係する集積化後の構造は、第２図に示した例に限られたものでなく、除去されたあとの半導体端面近辺に金属の抵抗部分を形成させた構造のものならばすべてに適用できることは勿論である。また、本発明の半導体装置は、レーザー等により半導体層の一部を除去し金属等におきかえるだけではなく、それ以外の方法で直列接続する場合にも適用可能である。例えば、レーザーで半導体層を結晶化あるいは金属との合金化を行う場合や機械的に半導体層をおしつけたりして半導体層をはさみ金属同士を接触させる場合にも適用することができる。本発明の半導体装置においては、中間層はパターン化されて形成されるが、その方法は、マスク等によりあらかじめパターン化して形成する方法と、
形成後、化学エッチング等によりパターン化する方法があり
　
　ｅ　「以上の説明から明らかなように、本発明によれば、中間層を含む多重接合構造半導体層の一部をレーザースクライビング法により除去する際に、
半導体を直列接続する低抵抗部分に中間層が接触しないように中間層の一部をあらかじめパターン化して形成するので、中間層を介した電流リークの発生に起因して装置の光電変換効率が低下するという問題を解決することができる
　
　ｆ　「９・・・裏面電極」（４頁左下欄下から２行）
　
　ｇ　第１図から、分離して形成された電極２の間には、半導体層３の一部が存在すること、半導体層３ないし５及び半導体層６ないし８が、それぞれｐｉｎ接合を形成し、半導体層３ないし５と半導体層６ないし８との間に導電性薄膜中間層１０が配置されること、該中間層１０と低抵抗材料との非接触部Ａには、半導体層６の一部が存在すること、半導体層３ないし８が除去された部分に裏面電極９の一部である低抵抗材料が貫通して隣接する電極２と接続されること、裏面電極９が分離して形成されていることがみてとれる。
　
（イ）同じく特開２０００−３０８３５４号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
　
「【請求項１】  半導体からなる複数の光電変換層を積層した太陽電池において、それぞれの光電変換層間に介在して各光電変換層を電気的に直列接続する中間層が設けられ、中間層は２つ以上の材料を交互に積層して構成された多層膜であって、特定の波長領域の光を選択的に反射する特性を有していることを特徴とする積層型太陽電池。
【請求項２】  複数の光電変換層がそれぞれＰ−Ｉ−Ｎ構造を有するアモルファスシリコンで形成された上部光電変換層と、単結晶シリコン、多結晶シリコン又は微結晶シリコンで形成された下部光電変換層とで構成され、中間層は上部光電変換層で吸収できる波長領域の光に対する反射率が高く、上部光電変換層で吸収できない波長領域の光に対する反射率が低くなるような反射特性を有することを特徴とする請求項１に記載の積層型太陽電池。」
　 
　イ　引用発明
（ア）上記ア（ア）によれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。
 　 
「同一のガラス基板１上に分離して電極２を形成し、オーミック接触を必要とする層間に導電性薄膜中間層１０を配置してなる多重接合構造半導体３ないし８の複数個を前記電極２上に形成すると共に、その一部を除去して、分離して形成された裏面電極９の一部である低抵抗材料で直列接続し、多重接合構造（タンデム）太陽電池を直列接続した半導体装置であって、半導体層３ないし５及び半導体層６ないし８が、それぞれｐｉｎ接合を形成し、半導体層３ないし５と半導体層６ないし８との間に前記導電性薄膜中間層１０を配置し、該中間層１０は、形成後、化学エッチング等によりその一部をあらかじめパターン化して前記低抵抗材料に接触しないように形成したものであり、該中間層１０と前記低抵抗材料との非接触部Ａには、半導体層６の一部が存在し、前記ガラス基板１上に分離して形成された前記電極２の間には、半導体層３の一部が存在し、半導体層３ないし８が除去された部分に前記裏面電極９の一部である低抵抗材料が貫通して隣接する前記電極２と接続され、半導体層３ないし８は、具体例として非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマン、非晶質シリコンナイトライド、又はこれらの水素化物あるいはフッ素化物等の非晶質半導体、微結晶シリコン、多結晶シリコン、カドミウムテルライド、並びにガリウムヒ素等があげられ、半導体を直列接続する低抵抗部分に中間層が接触しないように中間層の一部をあらかじめパターン化して形成するので、中間層を介した電流リークの発生に起因して装置の光電変換効率が低下するという問題を解決することができる、半導体装置。」（以下「引用発明１」という。）
　
（イ）上記ア（イ）によれば、引用例２には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「半導体からなる複数の光電変換層を積層した太陽電池において、それぞれの光電変換層間に介在して各光電変換層を電気的に直列接続する中間層が設けられ、中間層は２つ以上の材料を交互に積層して構成された多層膜であって、特定の波長領域の光を選択的に反射する特性を有しており、複数の光電変換層がそれぞれＰ−Ｉ−Ｎ構造を有するアモルファスシリコンで形成された上部光電変換層と、単結晶シリコン、多結晶シリコン又は微結晶シリコンで形成された下部光電変換層とで構成され、中間層は上部光電変換層で吸収できる波長領域の光に対する反射率が高く、上部光電変換層で吸収できない波長領域の光に対する反射率が低くなるような反射特性を有する積層型太陽電池。」（以下「引用発明２」という。）
　
　ウ　対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
 　 
（ア）引用発明１の「ガラス基板１」、「電極２」、「半導体層３ないし５」、「導電性薄膜中間層１０」、「半導体層６ないし８」及び「裏面電極９」は、本願補正発明の「絶縁透光性基板」、「表面電極」、「上部光電変換層」、「中間透明導電膜」、「下部光電変換層」及び「裏面電極」に相当する。
　
（イ）引用発明１の「同一のガラス基板１上に分離して電極２を形成し、オーミック接触を必要とする層間に導電性薄膜中間層１０を配置してなる多重接合構造半導体３ないし８の複数個を前記電極２上に形成」したものは、本願補正発明の「発電領域」に相当する。
　そして、引用発明１の「同一のガラス基板１上に分離して電極２を形成し、オーミック接触を必要とする層間に導電性薄膜中間層１０を配置してなる多重接合構造半導体３ないし８の複数個を前記電極２上に形成すると共に、その一部を除去して裏面電極９の一部である低抵抗材料で直列接続し、多重接合構造（タンデム）太陽電池を直列接続した半導体装置」が、本願補正発明の「絶縁透光性基板上に積層された表面電極と、前記表面電極上に積層された上部光電変換層と、前記上部光電変換層上に積層された中間透明導電膜と、前記中間透明導電膜上に積層された下部光電変換層と、前記下部光電変換層上に積層された裏面電極とを含む発電領域を複数有する太陽電池素子」に相当する。
　
（ウ）引用発明１の「前記ガラス基板１上に分離して形成された前記電極２の間」は、本願補正発明の「前記表面電極を貫通して前記絶縁透光性基板に至る表面電極分離ライン」に相当する。
 　 
（エ）引用発明１の「半導体層３ないし８が除去された部分に」「貫通して」「隣接する前記電極２と接続され」る「前記裏面電極９の一部である低抵抗材料」は、本願補正発明の「隣接する前記発電領域の一方の前記表面電極と他方の前記裏面電極とを電気的に接続するコンタクトライン」に相当する。
　
（オ）引用発明１の「該中間層１０と前記低抵抗材料との非接触部Ａ」は、「中間透明導電膜を貫通する中間透明導電膜分離ライン」である点で、本願補正発明の「前記上部光電変換層と前記中間透明導電膜とを貫通して前記表面電極に至る中間透明導電膜分離ライン」と一致する。
　そして、引用発明１は、「該中間層１０の一部をあらかじめパターン化して前記低抵抗材料に接触しないように形成」したものであって、「該中間層１０と前記低抵抗材料との非接触部Ａ」の内側に設けられたものといえるから、引用発明１は、本願補正発明の「前記コンタクトラインは、前記中間透明導電膜分離ラインの内側に設けられ」との構成を有するといえる。
　また、引用発明１は、「該中間層１０と前記低抵抗材料との非接触部Ａには、半導体層６の一部が存在」するものであるから、本願補正発明の「前記中間透明導電膜分離ラインには、前記コンタクトラインと前記中間透明導電膜とが直接接触しないように前記下部光電変換層と同一組成の材質からなる部材を備え」との構成を有するといえる。
　
（カ）引用発明１の「裏面電極９」が分離された部分は、「裏面電極を貫通する裏面電極分離ライン」である点で、本願補正発明の「前記裏面電極および前記裏面電極と表面電極との間に挟まれる部材を貫通して前記表面電極に至る裏面電極分離ライン」と一致する。
　
（キ）引用発明１は、「前記ガラス基板１上に分離して形成された前記電極２の間には、半導体層３の一部が存在」するものであるから、本願補正発明の「前記表面電極分離ラインには、前記上部光電変換層と同一組成の材質からなる部材を備え」との構成を有するといえる。
　
（ク）以上によれば、両者は、 
「絶縁透光性基板上に積層された表面電極と、前記表面電極上に積層された上部光電変換層と、前記上部光電変換層上に積層された中間透明導電膜と、前記中間透明導電膜上に積層された下部光電変換層と、前記下部光電変換層上に積層された裏面電極とを含む発電領域を複数有する太陽電池素子であって、
　前記表面電極を貫通して前記絶縁透光性基板に至る表面電極分離ラインと、
　前記中間透明導電膜を貫通する中間透明導電膜分離ラインと、
　隣接する前記発電領域の一方の前記表面電極と他方の前記裏面電極とを電気的に接続するコンタクトラインと、
　前記裏面電極を貫通する裏面電極分離ラインを有し、
　前記表面電極分離ラインには、前記上部光電変換層と同一組成の材質からなる部材を備え、
　前記コンタクトラインは、前記中間透明導電膜分離ラインの内側に設けられ、
　前記中間透明導電膜分離ラインには、前記コンタクトラインと前記中間透明導電膜とが直接接触しないように前記下部光電変換層と同一組成の材質からなる部材を備える太陽電池素子。」
である点で一致し、下記ａないしｃの点で相違するものと認められる。
　
　ａ　中間透明導電膜分離ラインにつき、本願補正発明では、前記上部光電変換層と前記中間透明導電膜とを貫通して前記表面電極に至るのに対し、引用発明１では、そのようなものでない点（以下「相違点１」という。）。
　
　ｂ　裏面電極分離ラインにつき、本願補正発明では、前記裏面電極および前記裏面電極と表面電極との間に挟まれる部材を貫通して前記表面電極に至るのに対し、引用発明１では、そのようなものでない点（以下「相違点２」という。）。 
 　 
　ｃ　光電変換層につき、本願補正発明では、「上部光電変換層はアモルファスシリコン薄膜の積層体であり、前記下部光電変換層は微結晶シリコン薄膜の積層体である」とされるのに対して、引用発明１では、具体例として非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマン、非晶質シリコンナイトライド、又はこれらの水素化物あるいはフッ素化物等の非晶質半導体、微結晶シリコン、多結晶シリコン、カドミウムチルライド、並びにガリウムヒ素等があげられるが、上部光電変換層及び下部光電変換層が、本願補正発明のように特定されるものではない点（以下「相違点３」という。）。 
 　 
　エ　判断
（ア）相違点１について
　引用発明１は、「中間層１０は、形成後、化学エッチング等によりその一部をあらかじめパターン化」して「該中間層１０と前記低抵抗材料との非接触部Ａ」を形成するものであるところ、どの層までエッチングするかは、当業者が適宜設計的に定め得る程度の事項というべきところ、上部光電変換層である半導体層３ないし５に至るまでエッチングすることに格別の困難を要するものではない。
　そして、本願明細書の記載をみても、本願補正発明において、中間透明導電膜分離ラインを、上部光電変換層と前記中間透明導電膜とを貫通して前記表面電極に至るものとしたことに格別の技術的意義があるものとも認められないから、相違点１について、単なる設計的事項の相違以上のものということはできない。
　
（イ）相違点２について
　太陽電池素子において、裏面電極および前記裏面電極と表面電極との間に挟まれる部材を貫通して前記表面電極に至る裏面電極分離ラインを設けることは、本願出願当時において周知の技術である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用した特開平９−１２９９０６号公報の「上部分離溝１９」、同じく特開平９−１２９９０３号公報の「上部分離溝１９」を参照。なお、本願明細書の【００４０】及び【００４３】にも、上記各公報が挙げられるところである。）から、引用発明１において、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
 　 
（ウ）相違点３について
　引用例２には、前記イ（イ）のとおりの引用発明２が記載されるところ、引用発明２は、半導体からなる複数の光電変換層を積層し、それぞれの光電変換層間に介在して各光電変換層を電気的に直列接続する中間層が設けられた太陽電池である点において、引用発明１と共通するものである。そして、引用発明２は「Ｐ−Ｉ−Ｎ構造を有するアモルファスシリコンで形成された上部光電変換層と、多結晶シリコンで形成された下部光電変換層」との構成を有するものと認められるところ、引用発明１における光電変換層は、具体例として非晶質シリコン、微結晶シリコンがあげられるものであるから、引用発明１において、引用発明２の上記構成を採用し、相違点３に係る本願補正発明の構成の構成とすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。 
　
（エ）まとめ
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明１及び引用発明２並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（オ）請求人の主張について
　なお、請求人は、審判請求の理由において、「さらに、補正後の本願請求項１に係る発明におきましては、上述致しましたように、上部光電変換層と中間透明導電膜とを貫通して表面電極に至る中間透明導電膜分離ラインを設け（Ａ７）、中間透明導電膜分離ラインの内側にコンタクトラインを設け（Ａ１１）、中間透明導電膜分離ラインに下部光電変換層と同一組成の材質（微結晶シリコン）からなる部材を備える（Ａ１２，Ａ１３）ことによって、コンタクトラインと中間透明導電膜とが直接接触しませんので、短絡状態を防ぐことができ、また、下部光電変換層と同一組成の材質（微結晶シリコン）からなる部材が表面電極に接触し、絶縁透光性基板には接触しない構成になりますので、太陽電池素子の製造工程における信頼性および歩留まりを向上することができるといった、引用文献１〜１４の記載からは到底予期することができない優れた効果若しくは異質の効果が得られます（本願明細書の段落［０２１２］〜［０２１６］等）。」（平成２０年７月１６日付け手続補正書６頁第５段落）と主張する。
　しかし、引用発明１は、「半導体を直列接続する低抵抗部分に中間層が接触しないように中間層の一部をあらかじめパターン化して形成するので、中間層を介した電流リークの発生に起因して装置の光電変換効率が低下するという問題を解決することができる」というもの、すなわち、コンタクトラインと中間透明導電膜とが直接接触せず、短絡状態を防ぐことができるものであるから、かかる効果を奏する点において、本願補正発明と差異はない。
　また、引用発明１における表面電極（電極２）の間には、上部光電変換層である半導体層３が存在するのみであり、下部光電変換層（半導体層６ないし８）が絶縁透光性基板には接触しない構成である点において、本願補正発明と差異はなく、引用発明１自体、下部光電変換層が如何なる材質のものであろうと、下部光電変換層が絶縁性基板に接触することにより生じる不都合を考慮する必要がないものである。したがって、相違点２のように、本願補正発明が、下部光電変換層を微結晶シリコン薄膜の積層体とするものであるとしても、このことにより当業者が予測し得ない効果を奏するものとはいえない。
　よって、請求人の上記主張をもって、本願補正発明が格別顕著な効果を奏するものということはできない。
 　 
　オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明１及び引用発明２並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　 
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年３月１０日付で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
 　 
２　刊行物の記載及び引用発明
　前記第２、２（３）ア（ア）及び同イ（ア）のとおりである。
　
３　対比
　前記第２、２（３）ウで検討したところに照らして、本願発明と引用発明１とは、前記第２、２（３）ウ（ク）ａ及びｂの相違点１及び２と同様の点で相違し、その余の点において一致するものと認められる。
　
４　判断
　前記第２、２（３）エ（ア）のとおり、相違点１について、単なる設計的事項の相違以上のものということはできず、同（イ）のとおり、引用発明１において、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得る程度のことであるところ、本願発明と引用発明１とは、相違点１及び２と同様の点で相違するにとどまるものであるから、前記第２、２（３）エ（ア）及び（イ）での検討と同様の理由により、本願発明は、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
 　 
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。