【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２６４８３号「画像表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月２６日出願公開、特開平１０−１７０９５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成８年１２月６日の出願であって、平成１４年１２月９日に手続補正がなされ、平成１６年１０月２２日付で拒絶理由が通知され、同年１２月２４日に手続補正がなされたが、平成１７年２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月１５日に手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．平成１７年４月１５日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成１７年４月１５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）補正後の本願発明
　
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
　
「【請求項１】
　平面基板上にマトリクス状に設けられ、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記表示画素におけるＴＦＴ画素スイッチのゲート絶縁膜の誘電率は、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率よりも小さいことを特徴とする画像表示装置。」から、
　
「【請求項１】
　平面基板上にマトリクス状に設けられ、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴの加工ルールは上記表示画素における画素スイッチＴＦＴの加工ルールよりも微細であり、上記表示画素におけるＴＦＴ画素スイッチのゲート絶縁膜の誘電率は、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率よりも小さいことを特徴とする画像表示装置。」へと補正する事項を含むものである。
　
　上記請求項１に係る補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「信号電圧印加手段におけるＴＦＴ」及び「表示画素におけるＴＦＴ画素スイッチ」の各加工ルールの関係について、「上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴの加工ルールは上記表示画素における画素スイッチＴＦＴの加工ルールよりも微細であり」との限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（同法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定する要件を満たすか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　
　ア．引用例１
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−１４２５７１号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
（ア）「【請求項１】  基板の同一面上に、マトリックス状に形成された複数の画素部と、前記複数の画素部の周辺に形成された駆動回路部とを有する液晶表示装置において、前記画素部のスイッチ素子を構成する１個の薄膜トランジスタの単位面積あたりのゲート容量を前記駆動回路部を構成する１個の薄膜トランジスタの単位面積あたりのゲート容量に比べて小さくすることを特徴とする液晶表示装置。」
　
（イ）「【００１２】本発明の液晶表示装置において、薄膜トランジスタのゲート容量を変化させるには種々の構成があり、いずれの構成でもよい。たとえば、ゲート絶縁膜としてゲート酸化膜を用いた場合には、酸化膜の厚さを変化させることにより、ゲート容量を変化させることができる。また、窒化膜などの誘電率の異なる絶縁膜や多層膜を用いてゲート容量を変化させることもできる。」
　
（ウ）「【００２５】図２は等価回路図である。駆動回路部は多結晶シリコン薄膜トランジスタによるＣＭＯＳ回路で、垂直駆動回路はシフトレジスタ１２とゲート線駆動用のバッファ１３とから、水平駆動回路はシフトレジスタ１４、信号線選択用のアナログスイッチ１５および信号電位保持用容量１６とからなっている。画素部は各画素について薄膜トランジスタによるアナログスイッチ１７、液晶セル１８、および蓄積容量１９を有している。」
　
（エ）「【００２８】・・・・（中略）・・・・画素部のスイッチングトランジスタ２のドレイン電極１０ｂは透明導電膜による画素電極１１と接続している。」
　
（オ）図１、図３の記載から、石英基板３は平面基板であることが見てとれる。
　
（カ）図２の記載から、薄膜トランジスタによるアナログスイッチ１７（画素部のスイッチ素子）は液晶セル１８を信号線に対してオンまたはオフするものであり、水平駆動回路１４，１５，１６は信号線に信号電圧を印加するものであり、垂直駆動回路１２，１３は画素部のスイッチ素子を選択或いは走査するものであることが見てとれる。
　
（キ）液晶セル１８のオン・オフは、信号線に対し画素電極１１を接続・遮断することにより行われることが当業者に自明であるから、上記（カ）の「液晶セル１８を信号線に対してオンまたはオフする」とは、具体的には「画素電極を信号線に対してオンまたはオフする」ことである。
　
（ク）上記記載からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　
「平面基板の同一面上に、マトリックス状に形成され、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフする画素部のスイッチ素子である薄膜トランジスタとを有する複数の画素部と、上記信号線に信号電圧を印加する多結晶シリコン薄膜トランジスタによる水平駆動回路と、上記画素部のスイッチ素子を選択或いは走査する垂直駆動回路とを有する液晶表示装置において、ゲート絶縁膜として誘電率の異なる絶縁膜を用いてゲート容量を変化させ、前記画素部のスイッチ素子を構成する薄膜トランジスタの単位面積あたりのゲート容量を前記水平駆動回路を構成する薄膜トランジスタの単位面積あたりのゲート容量に比べて小さくした液晶表示装置。」
　
　イ．引用例２
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−２８３７２８号公報（以下、引用例２という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマトリクス表示型ディスプレイ装置の液晶表示パネルにおいて、マトリクス表示部と周辺駆動回路部を同一基板上に形成する製造方法に関するものであり、更に詳しくは、多種のフォトリソグラフィー法を用いて必要なパターンを得る液晶液晶表示パネルの製造方法に関する。
【０００２】特に薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと記す）およびＴＦＴ回路を含む液晶表示パネルに適する。また、マトリクス表示部および端子電極周辺部のパターンの線巾精度や位置精度の仕様と周辺駆動回路部のパターンの線巾精度や位置精度の仕様が大きく異なる場合に用いて好適である。更に、パネル一枚の大きさが大きく、通常この方面の製造に用いられる縮小投影露光装置では大きすぎて装置にかからなかったり多数回の露光が必要であったりする場合に特に適している。・・・・（中略）・・・・
【０００４】・・・・（中略）・・・・同一基板上にマトリクス回路部と周辺駆動回路部の少なくとも一部を形成し、両者の間の電気的接続を別の工程で行なうことがないものを（または減らしたもの）を内蔵法と呼ぶことにする。
【０００５】・・・・（中略）・・・・周辺駆動回路等の微細なパターンで位置精度も要求される場合は、縮少投影露光法を用いることが好ましい。
【０００６】その理由は、ＴＦＴ回路のパターンが微細になるにつれて応答可能周波数域が高くなり、全周辺駆動回路のうち内蔵できる部分の割合（内蔵化率と呼ぶことにする）を増すことができ、コストダウンが図れるからである。内蔵法は実際にはｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）を用いたアクティブマトリクス型液晶ディスプレイ装置において開発されている。・・・・（中略）・・・・
【０００８】しかし、解像力が４μｍ程度なので内蔵法を用いるとしても内蔵化率を高くすることはできなかった。つまり、縮少投影露光法を用いようとすると、縮少投影露光装置一回の露光可能面積が光学的制限のため小さく限られ、一回の露光ではパネル一枚の全面をカバーできず、分割露光しなければならない。分割露光方式の縮少投影装置の露光面積増加の開発も進められているが、レンズの光学的特性の限界があり、現状で最大２０ｍｍ角程度が一回の露光可能面積であり、大幅な進歩は望めないのが現状である。」
　
（イ）「【００１３】マトリクス回路部（画素部分等表示関連部）は、ガラス基板の中央部をかなりの広い面積を占有し、周辺駆動回路部とは周辺の接続部分で重なる。大面積になると回路の線幅、精度の仕様はゆるくなる。例えば画素のサイズは一般的に大きくなるし、アレイ部の面積占有率を一定とすれば線幅は太くなってもよい。
【００１４】例えば対角２０インチのディスプレイであれば、一番寸法の小さなゲート幅も１０〜２０μｍでよい、位置精度、アライメント精度も±１〜２μｍあればよい。また端子電極配線部分も１０μｍ以上の線巾で充分であり、位置精度アライメント精度も±１〜２μｍで充分である。これらの部分の露光には１：１の密着露光法またはプロキシミティー露光法またはミラープロジェクション露光法を用い、全面を一度に露光する。これに使用する露光用マスクは線幅、位置精度ともに電子ビーム露光装置を用いて作った高価なマスクでなくて、レーザ作画機等の光ビーム作画機で作成した安価なものを使用できる。」
　
（ウ）「【００２０】・・・・（中略）・・・・マトリクス表示部のＴＦＴのゲート線巾の設計値は２０μｍである。・・・・（中略）・・・・
【００２４】図１の端子電極配線部とマトリクス状の表示回路部分は、線幅が最小２０μｍで位置精度は±２μｍである。この部分のパターンを１：１大型プロキシミティ露光機を用いてレジストへ全面を一度に露光した。
【００２５】・・・・（中略）・・・・一方、表示データ側の駆動回路部は、１単位ずつを同じく縮小投影露光機（ステッパー）を用いてパターンを順次各ブロック内にあるアライメントマークを基準としてアライメントしながら露光していった。最小線巾は３μｍ、位置精度は各ブロック内で±０．３μｍであった。なお、パターンは一面全部に必要なだけ露光した後、現像は一括して行ない、レジストパターン形成した。」
　
（エ）上記（ア）〜（ウ）の記載からみて、引用例２には、次の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　
「マトリクス表示部のパターンの線巾精度や位置精度の仕様と表示データ側の駆動回路部のパターンの線巾精度や位置精度の仕様が大きく異なるパターンをフォトリソグラフィー法を用いて得る、同一基板上にマトリクス回路部と周辺駆動回路部の少なくとも一部を形成し両者の間の電気的接続を別の工程で行なうことがない、ＴＦＴ回路を含む液晶液晶表示パネルの製造方法において、表示データ側の駆動回路部のＴＦＴ回路のパターンが微細になるにつれて、応答可能周波数域が高くなり、内蔵化率を増すことができ、コストダウンが図れるから、表示データ側の駆動回路部のＴＦＴ回路のレジストパターン形成は、最小線巾は３μｍ、位置精度は各ブロック内で±０．３μｍとして縮少投影露光法を用いるが、縮少投影露光法では、一回の露光でパネル一枚の全面をカバーできず、分割露光しなければならないから、マトリクス状の表示回路部分のＴＦＴ回路のレジストパターン形成は、安価な露光用マスクを使用して最小線幅が最小２０μｍで位置精度は±２μｍの１：１の露光法で全面を一度に露光する、ポリシリコンを用いたアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法。」
　
（３）対比
　
　本願補正発明と引用例１発明とを比較する。
　
　ア．引用例１発明における「平面基板の同一面」、「マトリックス状に形成され」、「画素電極」、「該画素電極を信号線に対してオンまたはオフする画素部のスイッチ素子」、「画素部のスイッチ素子である薄膜トランジスタ」、「複数の画素部」、「信号線に信号電圧を印加する多結晶シリコン薄膜トランジスタによる水平駆動回路」、「上記画素部のスイッチ素子を選択或いは走査する垂直駆動回路」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願補正発明における「平面基板」、「マトリクス状に設けられ」、「画素電極」、「該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチ」、「画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」、「表示画素」、「信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段」、「上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段」及び「画像表示装置」に相当する。
　
　イ．引用例１発明の「水平駆動回路」は多結晶シリコン薄膜トランジスタによる回路であるから、引用例１発明は、本願補正発明の「上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり」との発明特定事項を備えている。
　
　ウ．引用例１発明の「ゲート絶縁膜として誘電率の異なる絶縁膜を用いてゲート容量を変化させ、前記画素部のスイッチ素子を構成する薄膜トランジスタの単位面積あたりのゲート容量を前記水平駆動回路を構成する薄膜トランジスタの単位面積あたりのゲート容量に比べて小さくした」との技術事項は、画素部のスイッチ素子を構成する薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いる絶縁膜を、水平駆動回路を構成する薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いる絶縁膜の誘電率に比べて小さい誘電率の絶縁膜とすることによりなすものであることが当業者に自明であるから、引用例１発明は本願補正発明の「上記表示画素におけるＴＦＴ画素スイッチのゲート絶縁膜の誘電率は、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率よりも小さいこと」との発明特定事項を備えている。
　
　エ．以上ア．〜ウ．によると、両発明は、
「平面基板上にマトリクス状に設けられ、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記表示画素におけるＴＦＴ画素スイッチのゲート絶縁膜の誘電率は、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率よりも小さい画像表示装置。」の点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点］
　本願補正発明は、「上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴの加工ルールは上記表示画素における画素スイッチＴＦＴの加工ルールよりも微細であ」るのに対して、引用例１発明はそうなっていない点。
　
（４）判断
　
　上記［相違点］について検討する。
　
　ア．引用例２発明と本願補正発明とを比較すると、引用例２発明の「表示データ側の駆動回路部のＴＦＴ回路」、「パターンの線巾精度や位置精度の仕様」及び「マトリクス状の表示回路部分のＴＦＴ回路」は、それぞれ、本願補正発明の「信号電圧印加手段におけるＴＦＴ」、「加工ルール」及び「表示画素における画素スイッチＴＦＴ」に相当する。
　
　イ．引用例２発明は、表示データ側の駆動回路部のＴＦＴ回路のレジストパターン形成は、最小線巾は３μｍ、位置精度は各ブロック内で±０．３μｍであり、マトリクス状の表示回路部分のＴＦＴ回路のレジストパターン形成は、最小線幅が最小２０μｍで位置精度は±２μｍであって、表示データ側の駆動回路部のＴＦＴ回路のパターンの線巾精度や位置精度の仕様がマトリクス状の表示回路部分のＴＦＴ回路のパターンの線巾精度や位置精度の仕様よりも微細であるから、これに上記ア．の相当関係を当てはめると、引用例２発明は、本願補正発明の「信号電圧印加手段におけるＴＦＴの加工ルールは表示画素における画素スイッチＴＦＴの加工ルールよりも微細である」との発明特定事項を備えている。よって、上記相違点は引用例２発明により公知である。
　
　ウ．引用例１発明は、引用例２発明と同じく、同一の平面基板上にマトリックス状に形成された画素部のスイッチ素子である薄膜トランジスタと、多結晶シリコン薄膜トランジスタによる水平駆動回路とが形成された液晶表示装置に関するものであるから、水平駆動回路の薄膜トランジスタのパターンを微細化するにしたがって、応答可能周波数域が高くなり、内蔵化率を増し、コストダウンを図ることが可能であり、また、マトリックス状に形成された画素部のスイッチ素子である薄膜トランジスタのレジストパターン形成は、安価な露光用マスクを使用し、１：１の露光法で全面を一度に露光することで、これもコストダウンを図ることができることは、引用例２から明らかである。そして、コストダウンを図ることは当該分野の自明の課題であるから、したがって、引用例２と同じ目的で、引用例１発明に引用例２発明を採用することには十分な動機があるといえる。
　
　エ．よって、上記相違点は引用例１発明及び引用例２発明に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
　オ．また、本願補正発明の効果は、引用例１発明及び引用例２発明に基づいて当業者が予測し得たものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであるから、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　
　平成１７年４月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年１２月２４日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　平面基板上にマトリクス状に設けられ、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記表示画素におけるＴＦＴ画素スイッチのゲート絶縁膜の誘電率は、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率よりも小さいことを特徴とする画像表示装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）引用例
　
　原査定の拒絶理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、前記２．（３）エ．の唯一の［相違点］である「上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴの加工ルールは上記表示画素における画素スイッチＴＦＴの加工ルールよりも微細であり」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願補正発明と引用例１発明とを比較した結果の唯一の相違点である構成を本願補正発明から省いたものに相当する本願発明と引用例１発明とを比較すると、前記２．（３）ア．〜ウ．と同様の結果となり、本願発明と引用例１発明とは、前記２．（３）エ．の一致点と同じ点で一致し、相違点はない。
　
 　なお、原査定の拒絶の理由は、特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、審判請求人は、審判請求書において、本願発明と上記引用例１とを対比し、容易性のみならず、同一性についても検討していることは明らかである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。