【事件の表示】
　特願２００１−５５７０８７「下側に設けられた接触部を有する半導体構成素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月　９日国際公開、ＷＯ０１／５７９２４、平成１５年　７月２２日国内公表、特表２００３−５２２４１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、２００１年１月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年２月２日、独国）を国際出願日とする出願であって、原審において平成１５年１２月１５日付で拒絶理由通知がなされ、これに対し、平成１６年３月１９日付で意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１６年１１月２４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成１７年３月２９日付で手続補正書が提出されたものである。
 　
II．平成１７年３月２９日付の手続補正についての補正却下の決定 
 　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年３月２９日付の手続補正を却下する。 
 　 
［理由］ 
１．補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜９のうち、請求項１は次のとおりに補正された。
　
「【請求項１】ハウジング（１）を有する半導体構成素子であって、
　上記ハウジング（１）は、第１主要面（２）と第１主要面に対向している第２主要面（３）とを有し、少なくとも１つの半導体チップ（４）を取り囲んでおり、
　半導体チップ（４）は、半導体チップ（４）の第１主要面側（５）に第１メタライジング（７）を備えており、また、
　半導体チップ（４）の第２主要面側（６）は、半導体構成素子の第２主要面（３）に達し、
　第１メタライジング（７）は、伝導体（９）を介して接触部（１０）に接続されており、
　接触部（１０）は、同じくハウジング（１）に取り囲まれており、第２主要面（３）に達している半導体構成素子であり、
　第２主要面側（６）にある少なくとも１つの半導体チップ（４）が、信号を流すための第２メタライジング（８）を備えており、上記第２メタライジング（８）は金によって被膜されており、
　第２メタライジング（８）および接触部（１０）が、第２主要面（３）と面一となっているおり、
　接触部（１０）は、金の球体からなっていることを特徴とする半導体構成素子。」
　
　そこで、上記補正を検討すると、補正後の請求項１は、接触部について、補正前の請求項２において、請求項２を引用する請求項４の「金の球体、半導体小プレート（１２）または金属の導体からなること」のうち、「金の球体からなっていること」で限定するものに該当するから、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
 
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１０−９８１３３号公報（以下、「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。 
 
（１）刊行物（特開平１０−９８１３３号公報）
（１ａ）「【００１５】・・・
　本発明は、上述した事情に鑑みて成されたものであり、本発明は、半導体装置のベース、エミッタ及びコレクタ用の外部接続電極を同一平面上に配置し、半導体チップ面積と実装基板上に実装される半導体装置の実装面積との比率である有効面積率を最大限向上させ、実装面積のデットスペース最小限小さくした半導体装置及びその製造方法を提供する。」
　
（１ｂ）「【００２１】【発明の実施の形態】・・・
　本発明の半導体装置は、図１に示すように、能動素子が形成された半導体チップ６１と、半導体チップ６１の表面電極と電気的接続が行われる外部接続手段６２、６３と、半導体チップ６１と外部接続手段６２、６３とを固定する封止用樹脂８０とから構成される。
【００２２】半導体チップ６１はトランジスタ等の能動素子が形成されており、例えば図３に示すように、Ｎ+型の単結晶シリコン基板１１上にエピタキシャル成長技術によりN-型のエピタキシャル層１２が形成され、その半導体基板１１にトランジスタ等の能動素子が形成される。
　本発明は、特に、半導体チップ６１の表面及び裏面側に外部接続電極を有する、いわゆる、縦型構造のデバイスに適合する。図３は、先に説明した一般的なトランジスタの断面図であり、例えば、N-型のエピタキシャル層１２をコレクタ領域としたトランジスタを形成したもので、・・・
・・・
【００２４】・・・ベースコンタクト孔、及びエミッタコンタクト孔によって露出されたベース領域１３、エミッタ領域１４上には、選択的にアルミニウム等の金属材料で蒸着されたベース電極１６、エミッタ電極１７及びそれら電極の外部接続用パッド（図示しない）が形成される。半導体基板１１の裏面には、金属メッキ処理が行われ、コレクタ電極１８として用いられる。
【００２５】本発明の特徴とするところは、半導体チップ６１の表面側に設けられた外部接続用電極パッド（ベース電極、エミッタ電極）を外部接続手段６２、６３を介して封止用樹脂より導出することなく半導体チップ６１裏面の外部接続用電極（コレクタ電極）と同一面側に配置し、封止用樹脂サイズを最小限、コンパクトにして有効面積率を向上させるところにある。
【００２６】外部接続手段６２、６３は、半導体チップ６１表面に設けられたベース、エミッタ用の複数の外部接続用電極パッド数と対応するように半導体チップ６１の近傍に配置される（図２参照）。外部接続手段６２、６３と半導体チップ６１のベース、エミッタ用の電極パッドとは、金又はアルミニウム等の金属細線からなるワイヤにより電気的接続が成される。
【００２７】外部接続手段６２、６３は銅、インバー、テルル等の金属片又はシリコン材料から成るシリコンチップ等の導電材料から構成されるものであれば特に限定されるものではない。本実施形態では、作業性及びコスト面を考慮し、シリコンチップが用いられている。ワイヤで電気的に接続がなされた半導体チップと外部接続用シリコンチップ６２、６３とはエポキシ樹脂等の熱硬化性の封止用樹脂で固定される。この時、コレクタ電極となる半導体チップ６１の裏面と、エミッタ電極、ベース電極となる各外部接続用シリコンチップ６２、６３の裏面とは同一平面上に配置される。」
　
（１ｃ）「【００３８】本実施形態では、半導体チップ６１にトランジスタを形成したが、縦型或いは比較的発熱量の少ない横型のデバイスであればこれに限らず、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＨＢＴ等のデバイスを形成した半導体チップ６１であっても、本発明に応用ができることは説明するまでもない。」
　
（１ｄ）図１、図２には、封止用樹脂８０の表面と裏面によって、半導体チップ６１と外部接続手段６２、６３とが取り囲まれていることと、封止用樹脂８０の裏面と半導体チップ６１の裏面と外部接続手段６２、６３とが同一平面上に配置されて半導体装置の裏面を成しており、半導体チップ６１の裏面側と、外部接続手段６２，６３とが封止用樹脂８０の裏面（半導体装置の裏面）に達していることが示されている。
　
３．対比・判断
　上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物には、
「封止用樹脂８０を有する半導体装置であって、
　封止用樹脂８０は、表面と裏面とを有し、少なくとも１つの半導体チップ６１を取り囲んでおり、
　半導体チップ６１は、半導体チップ６１の表面側に外部接続用電極パッド（ベース電極、エミッタ電極）を備えており、また、
　半導体チップ６１の裏面側は、半導体装置の裏面に達し、
外部接続用電極パッド（ベース電極、エミッタ電極）は、ワイヤを介して外部接続手段６２、６３と接続されており、
　外部接続手段６２、６３が、封止用樹脂８０に取り囲まれて裏面に達している半導体装置であり、
　半導体チップ６１の裏面側に外部接続用電極（コレクタ電極）を備えており、
　外部接続用電極（コレクタ電極）と外部接続手段６２、６３が、裏面で同一平面上に配置されており、
　外部接続手段６２、６３が銅、インバー、テルル等の金属片又はシリコンチップ等の導電材料からなっている半導体装置」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願補正発明１と刊行物発明とを対比する。 
　刊行物発明の「封止用樹脂８０」、「半導体装置」、「外部接続用電極パッド（ベース電極、エミッタ電極）」、「ワイヤ」、「外部接続手段６２、６３」、及び「外部接続用電極（コレクタ電極）」は、本願補正発明１の「ハウジング」、「半導体構成素子」、「第１メタライジング」、「伝導体」、「接触部」、及び「信号を流すための第２メタライジング」にそれぞれ相当する。
　また、刊行物発明の封止用樹脂８０の「表面」は、本願補正発明１の「第１主要面」に相当し、刊行物発明の封止用樹脂８０の「裏面」、半導体チップの「裏面」、及び半導体装置の「裏面」は、上記摘記事項（１ｄ）によると同一平面上に配置されており、かつ、封止用樹脂８０の「表面」と互いに対向する関係にあるから、本願補正発明１の「第２主要面」に相当することになる。
　そして、「同一平面上に配置される」ことは「面一となっている」ことに外ならないから、両者は、
「ハウジングを有する半導体構成素子であって、上記ハウジングは、第１主要面と第１主要面に対向している第２主要面とを有し、少なくとも１つの半導体チップを取り囲んでおり、
　半導体チップは、半導体チップの第１主要面側に第１メタライジングを備えており、また、
　半導体チップの第２主要面側は、半導体構成素子の第２主要面に達し、
　第１メタライジングは、伝導体を介して接触部に接続されており、
　接触部は、同じくハウジングに取り囲まれており、第２主要面に達している半導体構成素子であり、第２主要面側にある少なくとも１つの半導体チップが、信号を流すための第２メタライジングを備えており、
　第２メタライジングおよび接触部が、第２主要面と面一となっている半導体構成素子」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願補正発明１では、第２メタライジングが金によって被膜されているのに対し、刊行物発明では、そのような構成のない点。
　
　相違点２：本願補正発明１では、接触部が金の球体からなっているのに対し、刊行物発明では、接触部が、銅、インバー、テルル等の金属片又はシリコンチップ等の導電材料からなっている点。
　
　そこで、上記相違点１、２について次に検討する。
　
相違点１について
　従来から、ダイボンディング時の接合性等のために、半導体チップの裏面となる半導体基板裏面に形成された第２メタライジングを金によって被膜することは、例えば次の特許公報に記載されているように周知であるから、刊行物１発明において、第２メタライジングが金によって被覆された構成とすることは、当業者にとって格別な困難性を有するものではない。
　
周知例１：特開平９−２５１９６５号公報
（段落【００１１】、【００１２】、図２参照。周知例１の「裏面電極２１」が本願補正発明１の「第２メタライジング」に相当する。）
　
周知例２：特開平３−２２４２７２号公報
（第５頁左上欄第１６〜１９行、第１図参照。周知例２の「ドレイン電極１１０」が本願補正発明１の「第２メタライジング」に相当する。）
　
相違点２について
　半導体チップの裏面側の接続端子である接触部として、ボール状の金ワイヤで形成した金の球体を用いることは、例えば次の特許公報に記載されているように周知である。
　
周知例３：特開平９−１９９６３７号公報
（段落【００１４】、【００１５】、図６、図７、図８参照。周知例３の「ボール状先端２７」が本願補正発明１の「接触部」に相当する。）
　
周知例４：特開平１１−８７６０２号公報
（段落【００２０】〜【００２８】、図２参照。周知例４の「一端部１３Ａ」が本願補正発明１の「接触部」に相当する。）
　
　そして、刊行物には、「外部接続手段６２、６３は銅、インバー、テルル等の金属片又はシリコン材料から成るシリコンチップ等の導電材料から構成されるものであれば特に限定されるものではない。」（上記摘記事項（１ｂ）段落【００２７】参照）とあり、刊行物発明の接触部は導電性を有するものであれば適用可能といえるから、接触部として、上記周知技術の金の球体を採用することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明１による効果も刊行物の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
III．本願発明について 
１．本願発明１ 
　平成１７年３月２９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１６年３月１９日付手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１については次のとおりのものである。
　
「【請求項１】ハウジング（１）を有する半導体構成素子であって、
　上記ハウジング（１）は、第１主要面（２）と第１主要面に対向している第２主要面（３）とを有し、少なくとも１つの半導体チップ（４）を取り囲んでおり、
　半導体チップ（４）は、半導体チップ（４）の第１主要面側（５）に第１メタライジング（７）を備えており、また、
　半導体チップ（４）の第２主要面側（６）は、半導体構成素子の第２主要面（３）に達し、
　第１メタライジング（７）は、伝導体（９）を介して接触部（１０）に接続されており、
　接触部（１０）は、同じくハウジング（１）に取り囲まれており、第２主要面（３）に達している半導体構成素子であって、
　第２主要面側（６）にある少なくとも１つの半導体チップ（４）が、信号を流すための第２メタライジング（８）を備えており、上記第２メタライジング（８）は金によって被膜されていることを特徴とする半導体構成素子。」
　
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物、及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。 
　
３．対比・判断
　本願発明１は、前記「II．平成１７年３月２９日付の手続補正についての補正却下の決定」で検討した本願補正発明１から「第２メタライジング（８）および接触部（１０）が、第２主要面（３）と面一となっており、接触部（１０）は、金の球体からなっている」ことの構成を省いたものである。 
　そうすると、本願発明１の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、刊行物、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物に記載された発明、及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。