【事件の表示】
　特願２００６−　８９９３７「貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ並びに平面研削装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月１６日出願公開、特開２００６−３１３８８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　この出願は，特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１８年３月２９日（優先日，平成１７年４月４日）の特許出願であって，同２０年１１月１１日で手続補正書が提出され，同２１年１月６日付で拒絶の理由が通知され，同２１年３月４日に意見書が提出されたが，同２１年４月１日付で拒絶をすべき旨の査定がされ，これに対し，同２１年６月１５日に本件審判の請求がされ，同日に特許請求の範囲を補正対象書類とする手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。　
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲及び明細書について補正をするものであって，その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ，補正前後の請求項１の記載は以下のとおりである。
(１)　補正前の請求項１
「【請求項１】少なくとも，支持基板となるベースウエーハとシリコン単結晶からなるボンドウエーハとを絶縁膜を介して又は直接貼り合わせて貼り合わせウエーハとした後，前記ボンドウエーハを薄膜化して，前記ベースウエーハの上にシリコン単結晶からなる薄膜を形成する貼り合わせウエーハの製造方法であって，前記ボンドウエーハの薄膜化は，前記ウエーハ全体の厚さを測定するとともに，少なくとも平面研削により，前記ボンドウエーハの厚さを測定しながら行なわれ，前記ボンドウエーハの厚さが目標厚さとなったら，前記ボンドウエーハの平面研削を停止することを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。」
　
(２)　補正後の請求項１
「【請求項１】少なくとも，支持基板となるベースウエーハとシリコン単結晶からなるボンドウエーハとを絶縁膜を介して又は直接貼り合わせて貼り合わせウエーハとした後，前記ボンドウエーハを薄膜化して，前記ベースウエーハの上にシリコン単結晶からなる薄膜を形成する貼り合わせウエーハの製造方法であって，前記ボンドウエーハの薄膜化は，前記ウエーハ全体の厚さを接触式測定ヘッドにより測定するとともに，少なくとも平面研削により，前記ボンドウエーハの厚さを光学式膜厚計を用いて測定しながら行なわれ，前記ボンドウエーハの厚さが目標厚さとなったら，前記ボンドウエーハの平面研削を停止することを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。」
　
２　補正の適否　　　
　請求項１の補正について，その補正の適否を検討すると，補正後の請求項１で追加された「接触式測定ヘッドにより」の事項は，補正前の発明の発明特定事項である，「ウエーハ全体の厚さを測定」することを「接触式測定ヘッド」により行うものであることを限定するものであり，同様に，補正後の請求項１で追加された「光学式膜厚計を用いて」の事項は，補正前の発明の発明特定事項である，「ボンドウエーハの厚さを測定」することを「光学式膜厚計を用いて」行うものであることを限定するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで，以下，補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）　本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて，上記１の(２)の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
(２)　刊行物記載事項
　この出願前に頒布された刊行物である特開平３−２２８３２６号公報（以下「引用発明」という。）には，以下のとおり記載されている。
ア　１頁左下欄５行−１６行
「【特許請求の範囲】第１シリコン基板と第２シリコン基板とからなる２枚のシリコン基板を絶縁膜を介して張り合わせ，第１シリコン基板を研削して薄いシリコン層を形成するＳＯＩ基板の製造方法において，一定厚みまで研削した前記第１シリコン基板における任意位置の厚みをレーザ干渉厚み測定器で測定し，且つ，他の任意位置を加圧力を調整しつつ研削器で研削し，該研削と測定を繰り返えしながら前記第１シリコン基板全面を所定厚みをもった薄いシリコン層に形成する工程が含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
イ　１頁右下欄１６−１８行
「［産業上の利用分野］本発明は半導体装置の製造方法のうち，ＳＯＩ基板の形成方法に関する。」
ウ　２頁右下欄１７行−３頁右上欄３行
「［問題点を解決するための手段］　その目的は，第１シリコン基板と第２シリコン基板とからなる２枚のシリコン基板を絶縁膜を介して張り合わせ，第１シリコン基板を研削して薄いシリコン層を形成するＳＯＩ基板の製造方法において，一定厚みまで研削した前記第１シリコン基板における任意位置の厚みをレーザ干渉厚み測定器で測定し，且つ，他の任意位置を加圧力を調整しつつ研削器で研削し，該研削と測定を繰り返えしながら前記第１シリコン基板全面を所定厚みをもった薄いシリコン層に形成する工程が含まれる製造方法によって達成される。
［作用］　即ち，本発明は，張り合わせ法における前期処理工程として，従来と同様に，一定厚み（例えば，２μｍの厚み）まで研削し，次いで，後期処理工程として微細に加圧力を調整しながら第１シリコン基板（薄いシリコン層）を研削し，その研削位置の厚みをレーザ干渉計で測定する。そのような測定と研削をくりかえして，薄いシリコン層（例えば，０．２μｍの厚み）に形成する。このようにして，ＳＯＩ基板をサブミクロンの厚みに薄く形成し，そのＳＯＩ基板を用いると，高速動作など高性能な半導体素子を作成することができる。」
エ　３頁右上欄１０行−同頁右下欄１３行
「第４図（ａ）参照；シリコン基板１１（厚さ数百μｍ）の表面に硼素（Ｂ）を拡散，または，イオン注入して，厚さ２０００Å程度の不純物層１２を形成する。且つ，この不純物層１２の不純物濃度は１０１９／ｃｍ３程度に高濃度にする。
　第４図（ｂ）参照；次いで，不純物層１２の上に気相エピタキシャル成長法によって膜厚２μｍ程度のシリコン層１３（シリコン単結晶層）を形成する。このシリコン基板１１，不純物層１２，シリコン層１３からなる基板を第１シリコン基板１とする。
　・　・　・　・　・　・
　なお，この第４図（ｄ）からは第４図（Ｃ）の図を逆さにした図を示している。
第４図（ｅ）参照；次いで，酸化雰囲気中で高温度に加熱すると不純物の多い不純物層１２が素早く酸化してＳｉＯ２膜になり，このＳｉＯ２膜のみをエツチングして除去すればシリコン層１３が露出し，このようにして，第２シリコン基板２上に絶縁膜（ＳＯＧ膜３）を介してシリコン層１３を設けたＳＯＩ基板が完成する。
　上記が張り合わせ法における前期処理工程であり，以上は従来と同様の処理方法で本発明にかかる特徴ではない。且つ，上記方法の他に，例えば，前記したように，２枚のシリコン基板をＳｉＯ２膜を介して張り合わせて接合し，一方のシリコン基板を研削して薄いシリコン層を形成する，所謂，オーツドックスなＳＯＩ基板の形成方法を用いても良い。」
オ　３頁右下欄１９行−４頁右上欄８行
「第１図はＳＯＩ基板の後期処理工程図で，図中の記号５は第２シリコン基板２とＳＯＧ膜３（絶縁膜）とシリコン層１３とからなるＳＯＩ基板，６はレーザ干渉厚み測定器，７は研削器，８はＸＹステージ，９はレーザ干渉計である。ＳＯＩ基板５はＸＹステージ８上に真空チャッキングされて，上下左右に微細に調整されながら移動でき，その高さ位置はレーザ干渉計９で制御されている。このようなＸＹステージ上のＳＯＩ基板５の上部に厚み測定器６と研削器７とを固定させている。そして，ＸＹステージ８を移動させてＳＯＩ基板５上のシリコン層１３面の測定と研削をくりかえす。そうすれば，シリコン層１３の厚みを０．１μｍ程度まで薄く研削することができる。
第２図はレーザ干渉厚み測定器を説明する図であって，レーザ光源６１からＳＯＩ基板にレーザ光を斜め方向から照射し，ＳＯＩ基板のシリコン層１３の表面および裏面（裏面はＳＯＧ膜３の表面になる）から反射して交叉するレーザ光の干渉縞をＣＣＤ検出器６２で検出する。即ち，レーザ光の斜め方向からの入射角（θ）を変えて，ＣＣＤ検出器６２で検出するレーザ光の干渉縞がちょうど消滅すると，シリコン層１３が所要厚み（例えば０．２μｍ）になるように設定し，シリコン層１３の膜厚の厚い初期にＣＣＤ検出器６２によって複数の干渉縞が検出されるが，研削が進むと干渉縞が次第に減少してちょうど消滅した時点で研削を中止する。そうすれば，シリコン層１３の厚みがちょうど所要厚みになり，このようにしてサブミクロン程度の厚みに正確に研削するものである。」
カ　４頁右上欄９行ー同頁左下欄５行
「次に，第３図は研削器を説明する図であり，シリコン層１３（ＳＯＩ基板）に接触する研削面７１には研磨剤，例えばダイヤモンドペーストを付着させてある。そして，研削器全体を数千ｒｐｍの高速で回転させて研削する。その際，研削面７１の背後にピエゾ素子７２を配置しておき，そのピエゾ素子の印加電圧を変化させて研削面の加圧力を微細に調整しながらシリコン層を研削する。そうすれば，サブミクロン程度の薄いシリコン層に正確に研削することが可能になる。なお，研削面の加圧力の調整にはピエゾ素子の他，弾性密閉体に気体を封入し，その気体を出入させて圧力を制御する方法を採っても良い。上記が本発明にかかるＳＯＩ基板の形成方法で，このような方法で形成すれば，結晶品質の良い０．１μｍ程度の極めて薄いシリコン層を有するＳＯＩ基板が作成できる。」
　
　上記摘記事項及び図面の第１図乃至第４図を参酌すると，上記刊行物には，次の事項が記載されていると認める。
「支持基板となる第２シリコン基板とシリコン層からなる第１シリコン基板とを絶縁膜（ＳＯＧ膜）を介して張り合わせて張り合わせＳＯＩ基板とした後，前記第１シリコン基板を薄膜化して，前記第２シリコン基板の上にシリコン単結晶からなる薄膜を形成する張り合わせＳＯＩ基板の製造方法であって，前記第１シリコン基板の薄膜化は，平面研削により，前記第１シリコン基板の厚さをレーザ干渉厚み測定器を用いて測定と研削を繰り返しながら行なわれ，シリコン層の研削が進むと干渉縞が次第に減少してちょうど消滅した時点で研削を中止する張り合わせＳＩＯ基板の製造方法。」（以下「引用発明」という。）。
　
(３)　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると，引用発明の「第２シリコン基板」は，本願補正発明の「ベースウエハ」に相当しており，同様に「第１シリコン基板」は「ボンドウエーハ」に，「張り合わせＳＯＩ基板」は，「貼り合わせウエーハ」に相当する。また，引用発明の「レーザ干渉厚み測定器」はレーザ光を照射しシリコン層の表面及び裏面から反射して交叉するレーザ光の干渉縞を検出して厚みを測定するものであるから，本願補正発明の「光学式膜厚計」に相当する。そして，引用発明の「シリコン層の研削が進むと干渉縞が次第に減少してちょうど消滅した時点で研削を中止する」ことは，本願補正発明の「ボンドウエーハの厚さが目標厚さとなったら，ボンドウエーハの平面研削を停止する」ことに対応している。
　以上のとおりであるので，両者は，次の点で一致している。
「少なくとも，支持基板となるベースウエーハとシリコン単結晶からなるボンドウエーハとを絶縁膜を介して貼り合わせて貼り合わせウエーハとした後，前記ボンドウエーハを薄膜化して，前記ベースウエーハの上にシリコン単結晶からなる薄膜を形成する貼り合わせウエーハの製造方法であって，前記ボンドウエーハの薄膜化は，少なくとも平面研削により，前記ボンドウエーハの厚さを光学式膜厚計を用いて測定して行ない，前記ボンドウエーハの厚さが目標厚さとなったら，前記ボンドウエーハの平面研削を停止することを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。」
　そして，両者は，次の点で相違している。
ア　相違点１
　ボンドウエーハの薄膜化の際に，本願補正発明では，ウエーハ全体の厚さを接触式測定ヘッドにより測定するものであるのに対し，引用発明では，その点の記載がなく不明である点。
イ　相違点２
　ボンドウエーハの薄膜化の際に行う平面研削が，本願補正発明では，前記ボンドウエーハの厚さを光学式膜厚計を用いて測定しながら行なわれるのに対し，引用発明では，第１シリコン基板の厚さをレーザ干渉厚み測定器を用いて測定と研削を繰り返しながら行なうとの記載はあるが，厚さを測定しながら行うものなのかは不明である点。
　
(４)　相違点の検討
　そこで，上記各相違点について，以下検討する。
ア　相違点１について
  ウエーハの全体厚さを測定しながら研削を行うこと，及びウエーハ厚さを測定する手段として接触式測定ヘッドにより行うことは，例示するまでもなく周知の事項であり，引用発明においても，ウエーハ全体の厚さを測定すること、その際測定する手段として接触式測定ヘッドを採用することは，当業者が格別困難なく想到できたことである。
　
イ　相違点２について
　ウエハ薄膜化のために研削を行う際，ウエーハの厚さを測定しながら行なうことは，ウエーハ製造の分野において周知の事項（例えば，平成２１年１月６日付け拒絶理由通知で示した，特開平８−１０７０９３号公報（段落【００３６】参照），特開２００１−２２３１９２号公報（段落【００５８】参照），特開平１１−３４５７９１号公報（段落【００２５】参照））であり，引用発明においても，第１シリコン基板の厚さをレーザ干渉厚み測定器を用いて測定しながら，平面研削を行うことは，当業者が容易に想到することができたことである。
　
ウ　本願補正発明の作用効果について
　本願補正発明が奏する作用効果は，引用発明，及び上記従来周知の事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　したがって，本願補正発明は，引用発明，及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
第３　本願発明について 
１　本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，この出願の請求項１乃至１２に係る発明は，願書に添付された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１乃至１２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ，請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２の１の(１)の補正前の請求項１に示した次のとおりのものである。
「少なくとも，支持基板となるベースウエーハとシリコン単結晶からなるボンドウエーハとを絶縁膜を介して又は直接貼り合わせて貼り合わせウエーハとした後，前記ボンドウエーハを薄膜化して，前記ベースウエーハの上にシリコン単結晶からなる薄膜を形成する貼り合わせウエーハの製造方法であって，前記ボンドウエーハの薄膜化は，前記ウエーハ全体の厚さを測定するとともに，少なくとも平面研削により，前記ボンドウエーハの厚さを測定しながら行なわれ，前記ボンドウエーハの厚さが目標厚さとなったら，前記ボンドウエーハの平面研削を停止することを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。」
　
２　引用例記載事項
　これに対して，原査定の拒絶の理由に引用された引用例は，上記第２の２の(２)で述べた引用例（特開平３−２２８３２６号公報）であり，その記載事項は，上記第２の２の(２)に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は，上記第２の２で検討した本願補正発明から，「接触式測定ヘッドにより」及び「光学式膜厚計を用いて」の発明特定事項が削除されているものであるので，上記第２の２の本願補正発明と同様に，本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると，両者は，次の点で一致している。
　「少なくとも，支持基板となるベースウエーハとシリコン単結晶からなるボンドウエーハとを絶縁膜を介して貼り合わせて貼り合わせウエーハとした後，前記ボンドウエーハを薄膜化して，前記ベースウエーハの上にシリコン単結晶からなる薄膜を形成する貼り合わせウエーハの製造方法であって，前記ボンドウエーハの薄膜化は，少なくとも平面研削により，前記ボンドウエーハの厚さを測定して行ない，前記ボンドウエーハの厚さが目標厚さとなったら，前記ボンドウエーハの平面研削を停止する貼り合わせウエーハの製造方法。」
　そして，両者は，次の点で相違する。
ア　相違点１
　ボンドウエーハの薄膜化の際に，本願発明では，ウエーハ全体の厚さを測定するものであるのに対し，引用発明では，その点の記載がなく不明である点。
イ　相違点２
　ボンドウエーハの薄膜化の際に行う平面研削が，本願発明では，前記ボンドウエーハの厚さを測定しながら行なわれるのに対し，引用発明では，第１シリコン基板の厚さを測定器を用いて測定と研削を繰り返しながら行なうとの記載はあるが，厚さを測定しながら行うものなのかは不明である点。
　
　上記相違点１及び２については，上記第２の２の(４)の相違点の検討で検討したとおり格別のものではない。
　したがって，本願発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，この出願の請求項２乃至１２に係る発明について判断するまでもなく，この出願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。