【事件の表示】
　特願２００３−１３７６７９号「微細構造体の洗浄装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２日出願公開、特開２００４−３４２８４５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１５年５月１５日の特許出願であって、平成２１年１月１４日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１月２０日）、これに対し、同年２月１８日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。  
 　 
２．本願発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年８月１日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「フッ化水素を含む高圧流体を微細構造体に接触させることにより該微細構造体を洗浄するための装置であって、
　フッ化水素と接触する部分の少なくとも表面が、２５質量％以上のＣｒを含むＦｅ基合金からなることを特徴とする微細構造体の洗浄装置。」
　
３．刊行物について
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１−２０４４２７号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。
a)「２．特許請求の範囲
１．すくなくとも超臨界ガスと接触する工程を経て製造され、
最小加工寸法が０．５μｍより小さい
b)「〔発明が解決しようとする課題〕
　今後の集積度の増大に伴う微細化（最小加工寸法が０．３μｍ以下）ならびにトレンチ構造化に対して、液体のもつ表面張力により、液体は微細部への侵入が不可能であるため、ウエツト洗浄では対応できないという問題がある。
　シリコンウエハが洗浄、酸化、薄膜形成、不純物拡散等の各工程で幾重にも処理されて、半導体が製造される。シリコン表面は極めて疎水性で、水溶性液体でぬれない。従つて、シリコン面でおおわれた上記寸法のトレンチ内への水溶性液体（フツ酸、超純水等）の侵入は、その表面張力（シリコンとの界面張力）のため不可能である。すなわち、トレンチ形成後のトレンチ内の洗浄は困難である。
　発明者らは、ウエツト洗浄では対応困難な最小加工寸法が０．３μｍ以下の微細部の洗浄に関し、種々検討した。
　気体はどんな微細なところでも浸入可能であるが、洗浄力はほとんどない。一方、液体は上述のように洗浄力をもつが微細なところへの侵入は不可能である。
　発明者らは、下記の事実を見出し、本発明に至つた。
(1)超臨界ガスは最もクリーンな溶剤である。
(2)超臨界ガスは０．３μｍ以下の細孔内へ容易に侵入し、かつ、細孔内に存在するものを溶かし出す。
　本発明の目的は、最小加工寸法が０．３μｍ以下の半導体を提供することにある。」（第1頁右下欄第18行〜第2頁右上欄第7行）
c)「〔実施例〕
　半導体の製造工程は、例えば、Ｓｉウエハ（基板）の場合、基板表面に酸化膜（ＳｉＯ２）を形成、レジスト塗布しマスクを介して露光し、現像・エツチング、レジスト除去して基板にパターン形成、エツチングして、ホウ素、リン等をイオン注入（拡散）する工程を幾度も繰返し、必要な回路を基板に刻み込む。そして、最終的に、Ａｌ等を蒸着して電極を取付け、ダイシング、パツケージして半導体を得る。これらの工程では、基板表面、あるいは、上パターン形成に伴うトレンチ構造の内面に
有機質汚染や無機質汚染
基板と超臨界ガスを接触させて
これら汚染を完全に除去し
この洗浄工程
洗浄槽１
　
超臨界ガスは、ＣＯ
２
ＨＣｌ
ＨＦ
超臨界ガスに少量混合させて、基板と接触させて
d)「〈実施例２〉
　native　ＳｉＯ２の存在する基板を実施例１の条件下で、超臨界炭酸ガス中にＨＣｌ、ＨＦを含有させて接触させ、最終的に超臨界炭酸ガス単独で接触させてから後に、基板表面に超純水を滴下したところ、疎水性を示し、native　ＳｉＯ２が除去できたことを示した。」（第4頁左上欄第10行〜同第16行）
e)「〔発明の効果〕
　本発明によれば、歩留りが良く、欠陥発生が抑止される良質な半導体が得られる。」（第4頁左下欄第2行〜同第4行）
　
　上記a〜eの記載事項および図面の図示内容を総合勘案すると、刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
「ＨＣｌ、ＨＦを少量混合させた超臨界ガスを、
　最小加工寸法が０．５μｍ以下の基板に接触させて、
　最小加工寸法が０．５μｍ以下の基板の有機質汚染や無機質汚染を完全に除去する洗浄工程に用いる洗浄槽１。」
　
４．対比
　本願発明と刊行物に記載された発明とを対比する。
　刊行物に記載された発明の「ＨＦ」は、その構成および機能からみて、本願発明の「フッ化水素」に相当し、以下同様に、
　「少量混合させ」ることは「含む」ことに、
　「超臨界ガス」は「高圧流体」に、
　「最小加工寸法が０．５μｍ以下の基板」は「微細構造体」に、
　「最小加工寸法が０．５μｍ以下の基板の有機質汚染や無機質汚染を完全に除去する洗浄工程に用いる洗浄槽１」は「微細構造体を洗浄するための装置」に、
それぞれ相当する。
　
　したがって、上記両者の一致点および相違点は、次のとおりである。
［一致点］  
「フッ化水素を含む高圧流体を微細構造体に接触させることにより該微細構造体を洗浄するための装置。」
　
［相違点］
　本願発明が、フッ化水素と接触する部分の少なくとも表面が、２５質量％以上のＣｒを含むＦｅ基合金からなる微細構造体の洗浄装置であるのに対して、刊行物に記載された発明では、当該発明特定事項を含まない点。
　
５．当審の判断  
　上記相違点について検討する。
　超臨界ガスによる基板の洗浄方法の技術分野において、洗浄槽の内面が高圧流体である超臨界ガスに添加されるＨＦ、ＨＣｌ等の酸で腐食することは本願出願前に周知の技術的課題である（特開平４−１７３３３号公報や、国際公開第２００３−３０２１９号パンフレット（２００３）を参照。以下「周知の技術的課題」という。）。
　また、特開平７−１９７１８１号公報には、クロムを３２〜３７重量％含む鉄基合金である高クロムのオーステナイト合金がフッ化水素やフッ化水素を含む酸に対して高い耐食性を示すこと（【請求項1】、段落【0001】、【0023】、【0024】、【0033】のd、【0057】、【0060】の【表1】の本発明に従う材料２’、【0134】）が記載され、特開平６−３４６１９７号公報には、Ｃｒ含有量を１６〜３５重量％含有するフェライト系ステンレス鋼がフッ酸やフッ酸を含む酸に浸漬することで、不動態皮膜が形成され耐食性を高めること（【請求項1】、段落【0003】、【0004】、【0008】、【0012】）が記載されているように、クロムを２５質量％以上含む鉄基合金である高クロムステンレス鋼が、フッ化水素やフッ化水素を含む酸の存在下で耐食性を示すことは、本願出願前に周知の技術事項（以下「周知の技術事項１」という。）である。
　さらに、クロムを２５質量％以上含む鉄基合金である高Ｃｒステンレス鋼が水の超臨界状態である高圧流体下でも酸化皮膜を形成することにより、酸に対して耐食性を有することは、本願出願前に周知の技術事項（例えば、特開２００２−６９５９１号公報の段落【0003】、【0015】、【0020】、【0033】〜【0035】、【0038】や特開２００２−６９５９０号公報の段落【0003】、【0015】、【0021】、【0033】〜【0036】、【0039】参照。以下「周知の技術事項２」という。）であり、超臨界水を用いて半導体基板の洗浄を行うことも、本願出願前に周知の技術事項（特開平１１−２７４１３２号公報の段落【0016】や、特開２００１−１１０７１１号公報の段落【0007】や、特開平１１−３４７５０２号公報の段落【0026】や、特開２０００−１０３０１号公報の段落【0015】〜【0019】参照。以下「周知の技術事項３」という。）である。
　そして、刊行物に記載された発明の洗浄槽１は、ＨＣｌ、ＨＦを少量混合させた超臨界ガスを扱うものであることから、洗浄槽１の内面が高圧流体である超臨界ガスに添加されるＨＦ、ＨＣｌ等の酸で腐食されるという上記周知の課題を具備するものである。
　したがって、刊行物に記載された発明に、当該周知の課題や上記周知の技術事項２、３に示された技術常識を考慮して、フッ化水素やフッ化水素を含む酸の存在下で耐食性を示す上記周知の技術事項１を適用することは当業者が容易になし得たものである。
　また、本願発明において、Ｆｅ基合金に含まれるＣｒの含有量の下限値を２５質量％としたことに臨界的意義を確認することはできない。
　さらに、本願発明の奏する効果についてみても、刊行物に記載された発明および周知の技術事項から当業者が予測できた効果の範囲内のものである。
　ゆえに、本願発明は、刊行物に記載された発明および周知の技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明および周知の技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶すべきものである。　　  
　
　よって、結論のとおり審決する。