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　特願２００２−３０９３８７「半導体製造装置用セラミックスヒーター」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２０日出願公開、特開２００４−１４６５６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１４年１０月２４日の出願であって，平成１８年８月３１日付けで拒絶査定がされ，これに対して，同年１０月５日に審判の請求がされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成１７年１１月１５日に提出された手続補正書の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって，中央にパイプ状の支持体を有し，ウエハ載置面の反り形状が非加熱時において０.００１〜０.７ｍｍ／３００ｍｍの凹状であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
　
３　引用例の記載内容と引用発明 
（１）引用例１：特開２００１−３４２０７９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−３４２０７９号公報（以下，「引用例１」という。）には，図１〜図３とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００２】
【従来の技術】エッチング装置や，化学的気相成長装置等を含む半導体製造・検査装置等においては，従来，ステンレス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用いたヒータや静電チャック等が用いられてきた。
【０００３】ところが，このような金属製のヒータは，以下のような問題があった。まず，金属製であるため，ヒータ板の厚みは，１５ｍｍ程度と厚くしなければならない。なぜなら，薄い金属板では，加熱に起因する熱膨張により，反り，歪み等が発生していまい，金属板上に載置したシリコンウエハが破損したり傾いたりしてしまうからである。しかしながら，ヒータ板の厚みを厚くすると，ヒータの重量が重くなり，また，嵩張ってしまうという問題があった。
【０００４】また，抵抗発熱体に印加する電圧や電流量を変えることにより，シリコンウエハ等の被加熱物を加熱する面（以下，加熱面という）の温度を制御するのであるが，金属板が厚いために，電圧や電流量の変化に対してヒータ板の温度が迅速に追従せず，温度制御しにくいという問題もあった。
【０００５】そこで，特開平４−３２４２７６号公報では，基板として，熱伝導率が高く，強度も大きい非酸化物セラミックである窒化アルミニウムを使用し，この窒化アルミニウム基板中に抵抗発熱体とタングステンからなるスルーホールとが形成され，これらに外部端子としてニクロム線がろう付けされたホットプレートが提案されている。
【０００６】このようなホットプレートでは，高温においても機械的な強度の大きいセラミック基板を用いているため，セラミック基板の厚さを薄くして熱容量を小さくすることができ，その結果，電圧や電流量の変化に対してセラミック基板の温度を迅速に追従させることができる。
【０００７】また，このようなホットプレートでは，特開平２０００−１１４３５５号公報や特許第２７８３９８０号公報に記載のように，円筒状のセラミックと円板状のセラミックをセラミック接合層を介して接合させ，半導体製造工程に用いる反応性ガスやハロゲンガス等から外部端子９７等の配線を保護する手段がとられていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが，このような接合は，セラミック接合層を介して行われているため，セラミック焼結体を製造した後，接合時に再度焼成を行う必要があった。このため，板状のセラミック体の表面の粗度が変わってしまったり，電極が焼成時に劣化してしまったりするという問題が生じた。
【０００９】本発明は，上記課題を解決するためになされたものであり，板状のセラミック体と筒状のセラミック体との接合を比較的低温で行うことができるとともに接合強度に優れ，板状のセラミック体や電極の劣化がなく，加熱面の温度の均一性に優れるセラミック接合体を実現することを目的とする。」
　
　　イ　課題を解決するための手段
・「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は，半導体製造・検査装置に用いられるセラミック接合体であって，板状セラミック体と筒状セラミック体とが，金属層を介して一体化してなることを特徴とするものである。」
　
　　ウ　実施例
・「【００２４】
【発明の実施の形態】以下，実施の形態に則して説明する。なお，本発明は，この記載に限定されない。また，本発明のセラミック接合体を半導体製造・検査装置に応用する場合は，その内部に導電体が設けられた板状セラミック体（以下，セラミック基板という）が，底板を備えた支持容器の上部に固定され，さらに，上記セラミック基板の底部には凹部が形成され，上記凹部に筒状セラミック体が嵌合され，上記筒状セラミック体に，上記導体層からの配線が格納されていることが望ましい。
【００２５】本発明のセラミック接合体を構成するセラミック基板の内部に形成された導体層が抵抗発熱体および導体回路である場合には，本発明の半導体製造・検査装置は，ホットプレートとして機能する。
【００２６】図１は，本発明のセラミック接合体の一例であるホットプレートを模式的に示した平面図であり，図２は，その断面図であり，図３は，図２に示した筒状セラミック体近傍の部分拡大断面図である。
【００２７】このホットプレート１０では，円板形状のセラミック基板１１の中央付近の底面１１ｂに，凹部１６が形成されている。この凹部１６には，図３に示したように，筒状セラミック体１７が嵌合されており，筒状セラミック体１７とセラミック基板１１とは，凹部１６の内部に形成された蒸着膜２８およびろう材２９を介して接合されている。また，筒状セラミック体１７は，支持容器の底板（図示せず）に密着するように形成されているため，筒状セラミック体１７の内部と外側とは完全に隔離されている。
【００２８】セラミック基板１１の内部には，図１に示すように，同心円形状の回路からなる抵抗発熱体１２が形成されており，これら抵抗発熱体１２は，互いに近い二重の同心円同士が１組の回路として，１本の線になるように接続されている。」
・「【００４０】筒状セラミック体１７は，セラミック基板１１をしっかりと支持する働きも有しているので，セラミック基板１１が高温に加熱された際にも，自重により反るのを防止することができ，その結果，シリコンウエハ等の被処理物の破損を防止するとともに，該被処理物を均一な温度になるように加熱することもできる。」
・「【００７３】セラミック基板の形状は，円板形状が好ましく，その直径は，２００ｍｍ以上が好ましく，２５０ｍｍ以上が最適である。円板形状のセラミック基板は，温度の均一性が要求されるが，直径の大きな基板ほど温度が不均一になりやすいからである。
【００７４】セラミック基板の厚さは，５０ｍｍ以下が好ましく，２０ｍｍ以下がより好ましい。また，１〜５ｍｍが最適である。上記厚さが薄すぎると，高温で加熱する際に反りが発生しやすく，一方，厚過ぎると熱容量が大きくなりすぎて昇温降温特性が低下するからである。」
　
　　エ　発明の効果
・「【０１５２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明に係るセラミック接合体を使用した半導体製造・検査装置は，接合強度が大きく，加熱面の温度の均一性等に優れる。」
　
　上記ア〜エによれば，引用例１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
「セラミック基板１１の内部に抵抗発熱体１２を有する半導体製造・検査装置に用いられるセラミック接合体からなるホットプレートであって，前記ホットプレートの前記セラミック基板１１の中央付近の底面に形成された凹部１６に筒状セラミック体１７が嵌合され，前記筒状セラミック体１７と前記セラミック基板１１とは，前記凹部１６の内部で接合されていることを特徴とする半導体製造・検査装置に用いられるセラミック接合体からなるホットプレート。」
　
（２）引用例２：特開２００１−１６８０８７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−１６８０８７号公報（以下，「引用例２」という。）には，図１〜図５とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００３】図４は，従来のプラズマアッシング装置の概略構成を示す説明図である。図４に示すように，プラズマアッシング装置１は，アッシング対象のウェハＷが載置されるステージ２を備えた，石英管からなるチャンバ３を有している。チャンバ３には，ステージ２の上方に位置して高周波（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）印加部４が設けられ，高周波印加部４には，チャンバ３の外表面に高周波電力を印加する高周波電源５が接続されている。」
・「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，プラズマによるアッシング処理が行われる際にウェハＷはチャージアップダメージを受けてしまうことから，このチャージアップダメージによるゲート破壊が発生し，その結果，歩留まりの低下を招く。
【０００７】これは，ステージ２が高温環境で使用されることにより熱変形し易く，熱変形により，ウェハＷが載置される載置面が上方に盛り上がって載置面の平坦度が悪くなり（図４参照），載置面とウェハＷとの接触にバラツキが生じるためである。載置面とウェハＷとの接触にバラツキが生じることで，ウェハＷ表面のチャージアップ分布も悪くなり，ウェハＷ表面内の電位差からゲート破壊が生じてしまう。
【０００８】このように，載置面が上方に盛り上がってしまうのは，ステージ２が，上端に載置面を有する下向きカップ状に形成され，下端には開口を密閉する断熱部材がボルト等で固定された構成を有するため，熱による変形が載置面に集中するからである。
【０００９】図５は，図４のプラズマアッシング装置を用いた場合にウェハが受けるチャージアップの分布結果を示し，（ａ）は立体的な説明図，（ｂ）は平面的な説明図，（ｃ）は全範囲における分布状態を表にした説明図である。ここでは，単位面積当たりの電荷量［ｑ／ｃｍ2 ］の分布が示されており，処理条件は，ＲＦ電源パワー：１４００Ｗ，ガス圧力：１４６．６Ｐａ，Ｏ2 流量：３５００ｓｃｃｍ，ステージ温度：２４０℃，ＲＦパワー通電時間：６０ｓｅｃである。
【００１０】図５に示すように，電荷量の分布は，必ず，ウェハＷと載置面が接触していない周辺部の方が高く，ウェハＷと載置面が接触している中央部の方が低くなる（（ａ）参照）ことから，高低差のある周辺部の方は破壊され易いが，中央部はそれ程ダメージを受けない。つまり，接触していない周辺部（（ｂ）参照）は，ウェハＷ上で帯電が起こって接触している中央部（（ｂ）参照）に比べ蓄電し易くなるため，中央部と周辺部の電荷量の差（（ｃ）参照）によってゲート破壊が進んでしまうことになり，高低差の大きい周辺部の方が中央部より破壊され易くなる。」
・「【００１２】この発明の目的は，プラズマ処理対象表面のチャージアップ分布を均一化してゲート破壊を少なくすることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のステージ製造方法を提供することである。」
　
　　イ　実施例
・「【００１７】図１は，この発明の実施の形態に係るプラズマアッシング装置の概略構成を示す説明図である。このプラズマアッシング装置１０は，配線幅が０．２４〜０．４０μｍのロジック系のＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）を処理対象とする枚葉型のプラズマ処理装置である。
【００１８】図１に示すように，プラズマアッシング装置１０は，プラズマアッシング処理対象のウェハＷが載置されるステージ１１を備えた，石英管からなるチャンバ１２を有している。チャンバ１２には，ステージ１１の上方に位置して高周波印加部１３が設けられ，高周波印加部１３には，チャンバ１２の外表面に高周波電力を印加する高周波電源１４が接続されている。」
・「【００２０】図２は，図１に示すステージの拡大断面図である。図２に示すように，ステージ１１は，上端に載置面１１ａを有する下向きカップ状に形成されており，下端開口周縁の外向きフランジ１１ｂに，下端開口を密閉する断熱部材２０及び押さえ部材２１が例えばボルト２２で固定された構成を有している。
【００２１】このステージ１１は，チャンバ１２内を自在に昇降することができ，チャンバ１２内上部には，アッシング時に上昇したステージ１１のほぼ全体が収納される円環状のアッシング室２３が設けられている。アッシング室２３の上部には，排気用通路を形成する排気リング２３ａが備えられる。
【００２２】このステージ１１は，例えば，アルミニウム（Ａｌ）からなり，装置使用温度ではない常温では，載置面１１ａが擂り鉢状に凹んだ形状（図１点線参照）を有している。即ち，ステージ１１が，プラズマアッシング装置１０の使用温度帯である約２４０±１０℃の高温度において熱膨張し，載置面１１ａが上方に盛り上がるように反って変形した場合，載置面１１ａの平坦度が，最大で１００μｍ以下，望ましくは５０μｍ以下になるように，高温度での変形時に平坦度を確保することができる常温で凹んだ形状に，予め形成されている。
【００２３】ここで示す，最大で１００μｍ以下，望ましくは５０μｍ以下となる平坦度は，装置使用温度である約２４０±１０℃で，ステージ１１が変形した後の載置面１１ａ最頂部とステージ１１が変形する前の載置面１１ａ表面部の高低差を言い，８インチサイズのウェハＷ（口径が最大２２０ｍｍ）に対応する外径約２２０ｍｍのステージ１１の場合である。同様に，６インチサイズのウェハＷの場合，載置面１１ａの平坦度は約３０μｍ以下になることが望ましく，１２インチサイズのウェハＷの場合，載置面１１ａの平坦度は約１００μｍ以下になることが望ましい。
【００２４】更に，プラズマアッシング装置１０の使用温度帯についても，約２４０±１０℃の高温度に限らず，約１４０±１０℃の高温度を含む，約１３０℃〜約２５０℃の範囲の高温度に対応することができる。この際，装置使用温度に対応して，載置面１１ａの平坦度が，最大で１００μｍ以下，望ましくは５０μｍ以下となるように，高温度での変形時に平坦面を確保することができる常温で凹んだ形状に，予め凹む度合いを調整して形成すればよい。」
・「【００２７】ステージ１１の載置面１１ａ裏側には，ヒータ２７が配置され，このヒータ２７により，載置面１１ａを介して載置面１１ａ上のウェハＷ（図１参照）が加熱される。」
・「【００３１】このアッシング処理に用いたプラズマアッシング装置１０は，枚葉式に対応したステージ形状を有しており，プラズマアッシング装置１０の使用温度帯（約１３０℃〜約２５０℃）におけるステージ１１の載置面１１ａの平坦度が，最大で１００μｍ以下，望ましくは５０μｍ以下とされているため，載置面１１ａと載置されたウェハＷとの面内接触バラツキが抑えられる。
【００３２】図３は，図１のプラズマアッシング装置を用いた場合にウェハが受けるチャージアップの分布結果を示し，（ａ）は立体的な説明図，（ｂ）は平面的な説明図，（ｃ）は全範囲における分布状態を表にした説明図である。ここでは，単位面積当たりの電荷量［ｑ／ｃｍ2 ］の分布が示されており，処理条件は，ＲＦ電源パワー：１４００Ｗ，ガス圧力：１４６．６Ｐａ，Ｏ2 流量：３５００ｓｃｃｍ，ステージ温度：２４０℃，ＲＦパワー通電時間：６０ｓｅｃである。
【００３３】図３に示すように，電荷量の分布は，必ず，ウェハＷと載置面が接触していない周辺部の方が高く，ウェハＷと載置面が接触している中央部の方が低くなる（（ａ）参照）ことから，高低差のある周辺部の方は破壊され易いが，中央部はそれ程ダメージを受けない。つまり，接触していない周辺部（（ｂ）参照）は，ウェハＷ上で帯電が起こって接触している中央部（（ｂ）参照）に比べ蓄電し易くなる。
【００３４】即ち，ウェハが受けるチャージアップは，図３においても図５と同様な傾向を示すが，この発明に係る図１のプラズマアッシング装置を用いた場合（図３参照）は，従来のプラズマアッシング装置を用いた場合（図５参照）に比べ，電荷量がほぼ全域で減少し全体的に少なくなっていると同時に，高低差も少なくなっていることが認められる（１．１１〜４．３４の範囲から１．０２〜３．３７の範囲に変化している。図３及び図５の（ｃ）参照）。この結果，プラズマによるウェハＷへのチャージアップ分布が均一になってゲート破壊が少なくなる。」
・「【００３７】また，プラズマアッシング装置１０のステージ１１は，常温で載置面１１ａが擂り鉢状に凹んだ形状を有するように，例えばアルミニウム（Ａｌ）を加工して製造される。つまり，プラズマアッシング装置１０の使用温度帯である約１３０℃〜約２５０℃の高温度におけるステージ１１の変形を想定し，装置使用温度においても載置面１１ａの平坦度を確保することができるように，擂り鉢状に凹んだ形状に予め削り取る常温での加工を行う。
【００３８】ステージ１１を，予め擂り鉢状に凹んだ形状となるように常温で加工して製造することにより，ステージ１１が，プラズマアッシング装置１０の使用温度帯である約１３０℃〜約２５０℃の高温度において熱膨張し，載置面１１ａが上方に盛り上がるように反って変形した場合でも，載置面１１ａの平坦度を，最大で１００μｍ以下，望ましくは５０μｍ以下に確保することができる。
【００３９】また，上記構造を有するプラズマアッシング装置１０は，ウェハＷのレジストのプラズマ剥離に用いられるが，アッシング装置に限ることなく，プラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に用いられるプラズマＣＶＤ装置等，上記構造を有するプラズマ処理装置とすることもできる。
【００４０】なお，ステージ１１の材質は，アルミニウム（Ａｌ）に限るものではなく，同様の加工が可能であって，装置使用温度でのステージ１１変形時に載置面１１ａの平坦度を確保することができるものであればよい。また，ステージ１１は，肉厚がより厚い方が温度の影響を受け難く変形し難い。
【００４１】このように，この発明によれば，ステージ１１が，プラズマアッシング装置１０の使用温度帯である約１３０℃〜約２５０℃の高温度において熱膨張し，載置面１１ａが上方に盛り上がるように反って変形した場合でも，載置面１１ａの平坦度を，最大で１００μｍ以下，望ましくは５０μｍ以下に確保することができる。このため，載置面１１ａと載置面１１ａ上のウェハＷとの接触にバラツキを生じ難くし，ウェハＷ表面のチャージアップ分布を均一化して，ウェハＷにおけるゲート破壊を少なくすることができる。」
　
　　ウ　発明の効果
・「【００４２】
【発明の効果】以上説明したように，この発明によれば，プラズマ処理装置に備えられたステージのプラズマ処理対象が載置される載置面は，プラズマ処理時の装置使用温度でステージが変形した後とステージが変形する前の高低差が１００μｍ以下の平坦度を有するので，載置面と載置面上のプラズマ処理対象との接触にバラツキを生じ難くし，プラズマ処理対象表面のチャージアップ分布を均一化して，プラズマ処理対象におけるゲート破壊を少なくすることができる。」
　
４　対比
（１）次に，本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「セラミック基板１１」，「抵抗発熱体１２」，「セラミック接合体からなるホットプレート」は，それぞれ，本願発明の「セラミックス基板」，「抵抗発熱体」，「セラミックスヒーター」に相当し，引用発明の「半導体製造・検査装置に用いられる」ことは，「半導体製造」「装置に用いられる」ことを含有することが，明らかであるので，本願発明の「半導体製造装置用」に相当し，また，本願発明の「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する」ことは，「セラミックス基板の表面」「に抵抗発熱体を有する」ことと「セラミックス基板の」「内部に抵抗発熱体を有する」ことの択一的な記載であるから，「セラミックス基板の表面」「に抵抗発熱体を有する」ことと「セラミックス基板の」「内部に抵抗発熱体を有する」ことのいずれか一つを選択すれば足りるので，引用発明の「セラミック基板１１の内部に抵抗発熱体１２を有する半導体製造・検査装置に用いられるセラミック接合体からなるホットプレート」は，本願発明の「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーター」に相当する。
　　イ　引用発明の「筒状セラミック体１７」は，本願発明の「パイプ状の支持体」に相当し，また，引用発明の「筒状セラミック体１７」は，「前記ホットプレートの前記セラミック基板１１の中央付近の底面に形成された凹部１６に」「嵌合され」ており，引用発明の「前記筒状セラミック体１７と前記セラミック基板１１とは，前記凹部１６の内部で接合されている」ので，引用発明の「前記ホットプレートの前記セラミック基板１１の中央付近の底面に形成された凹部１６に筒状セラミック体１７が嵌合され，前記筒状セラミック体１７と前記セラミック基板１１とは，前記凹部１６の内部で接合されていること」は，本願発明の「中央にパイプ状の支持体を有」することに相当する。
　
（２）そうすると，本願発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって，中央にパイプ状の支持体を有することを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
　
《相違点》
　本願発明は，「ウエハ載置面の反り形状が非加熱時において０.００１〜０.７ｍｍ／３００ｍｍの凹状である」のに対して，引用発明は，そのような構成を備えていない点。
　
５　相違点についての判断
　　ア　引用例１の【００７４】段落には，「セラミック基板の厚さは，５０ｍｍ以下が好ましく，２０ｍｍ以下がより好ましい。また，１〜５ｍｍが最適である。上記厚さが薄すぎると，高温で加熱する際に反りが発生しやすく，一方，厚過ぎると熱容量が大きくなりすぎて昇温降温特性が低下するからである。」と，記載されている。
　　イ　上記アの記載によると，セラミック基板の厚さが薄すぎると，高温で加熱する際に反りが発生しやすいという課題が知られていたということであり，引用例１に係る引用発明において，セラミック基板１１は，セラミック基板１１と接合された筒状セラミック体１７を有しているから，セラミック基板１１を加熱すると，筒状セラミック体１７を介して熱が逃げるので，シリコンウエハを載置する面に比べて筒状セラミック体１７側の熱膨張が小さくなり，シリコンウエハを載置する面が，凸状に反ることは，当業者が容易に推測できる。
　　ウ　また，引用例２には，「ステージ２が高温環境で使用されることにより熱変形し易く，熱変形により，ウェハＷが載置される載置面が上方に盛り上がって載置面の平坦度が悪くなり（図４参照），載置面とウェハＷとの接触にバラツキが生じるためである。」（【０００７】段落）という課題があったことが，記載されており，ここで，「熱変形により，ウェハＷが載置される載置面が上方に盛り上が」ることは，上記イに記載の，シリコンウエハを載置する面が，凸状に反ることに対応する。
　　エ　そして，上記ウに記載の課題を解決するために，引用例２には，「このステージ１１は，例えば，アルミニウム（Ａｌ）からなり，装置使用温度ではない常温では，載置面１１ａが擂り鉢状に凹んだ形状（図１点線参照）を有している。即ち，ステージ１１が，プラズマアッシング装置１０の使用温度帯である約２４０±１０℃の高温度において熱膨張し，載置面１１ａが上方に盛り上がるように反って変形した場合，載置面１１ａの平坦度が，最大で１００μｍ以下，望ましくは５０μｍ以下になるように，高温度での変形時に平坦度を確保することができる常温で凹んだ形状に，予め形成されている。」（【００２２】段落）と，記載されている。
　ここで，引用例２に記載の「このステージ１１は，」「装置使用温度ではない常温では，載置面１１ａが擂り鉢状に凹んだ形状」「を有して」おり，「高温度での変形時に平坦度を確保することができる常温で凹んだ形状に，予め形成されている」ことにおける，「常温」，「凹んだ形状」は，それぞれ，本願発明の「非加熱時」，「凹状」に相当するので，引用例２に記載の「このステージ１１は，」「装置使用温度ではない常温では，載置面１１ａが擂り鉢状に凹んだ形状」「を有して」おり，「高温度での変形時に平坦度を確保することができる常温で凹んだ形状に，予め形成されている」ことは，本願発明の「ウエハ載置面の反り形状が非加熱時において」「凹状であること」に相当する。
　　オ　そうすると，上記イのように，引用例１に記載されている，「セラミック基板の」「厚さが薄すぎると，高温で加熱する際に反りが発生しやすい」という課題に対処するために，上記エのように，引用例２に記載の「このステージ１１は，」「装置使用温度ではない常温では，載置面１１ａが擂り鉢状に凹んだ形状」「を有して」おり，「高温度での変形時に平坦度を確保することができる常温で凹んだ形状に，予め形成されている」という技術思想を適用して，引用発明において，本願発明のように，「ウエハ載置面の反り形状が非加熱時において」「凹状である」ように構成することは，当業者が，適宜なし得たことである。
　　カ　また，本願発明の「ウエハ載置面の反り形状が非加熱時において０.００１〜０.７ｍｍ／３００ｍｍの凹状であること」における，「０.００１〜０.７ｍｍ／３００ｍｍ」の数値限定については，この数値範囲は，本来，使用する「セラミックス基板」の材料や加熱温度などによって様々な値となることが予想されるところ，本願発明はこれらの前提となる条件についての規定がないから，単に，ある条件の下で目安となる数値を示したという以上の技術的意義を認めることができない。
　　キ　したがって，引用発明において，本願発明のように，「ウエハ載置面の反り形状が非加熱時において０.００１〜０.７ｍｍ／３００ｍｍの凹状である」ように構成することは，当業者が容易に想到できたものである。
　
６　結言 
　以上のとおり，本願発明は，引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
　
　よって，結論のとおり審決する。