Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成させるプラズマＣＶＤ装置を用い、被処理体上にプラズマＣＶＤ法によって異なる大きさのバンドギャップを有する窒化珪素膜の積層体を形成する窒化珪素膜積層体の製造方法であって、
シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／アンモニアガス流量）を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される第１の処理圧力でプラズマＣＶＤを行い、第１のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第１のＣＶＤ工程と、
前記第１のＣＶＤ工程の前または後に、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／アンモニアガス流量）を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択され、前記第１の処理圧力よりも高い第２の処理圧力でプラズマＣＶＤを行い、前記第１のバンドギャップより大きい第２のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第２のＣＶＤ工程と、
を備えたことを特徴とする窒化珪素膜積層体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の処理圧力が０．１Ｐａ以上４Ｐａ以下の範囲内で前記第１のバンドギャップが２．５ｅＶ以上５ｅＶ以下の範囲内であり、前記第２の処理圧力が８．９Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で前記第２のバンドギャップが５ｅＶ超７ｅＶ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の窒化珪素膜積層体の製造方法。
【請求項３】
前記第１のＣＶＤ工程と前記第２のＣＶＤ工程を繰り返し行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化珪素膜積層体の製造方法。
【請求項４】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成させるプラズマＣＶＤ装置を用い、被処理体上にプラズマＣＶＤ法によって窒化珪素膜を形成するに際し、
シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／アンモニアガス流量）を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される第１の処理圧力でプラズマＣＶＤを行い２．５ｅＶ以上５ｅＶ以下の範囲内の第１のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第１のＣＶＤ工程と、
前記第１のＣＶＤ工程の前または後に、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／アンモニアガス流量）を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択され、前記第１の処理圧力よりも高い第２の処理圧力でプラズマＣＶＤを行い、５ｅＶ超７ｅＶ以下の範囲内の第２のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第２のＣＶＤ工程と、が行われるように、コンピュータに前記プラズマＣＶＤ装置を制御させるものであることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項５】
前記第１の処理圧力が０．１Ｐａ以上４Ｐａ以下の範囲内で前記第１のバンドギャップが２．５ｅＶ以上５ｅＶ以下の範囲内であり、前記第２の処理圧力が８．９Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で前記第２のバンドギャップが５ｅＶ超７ｅＶ以下の範囲内であることを特徴とする請求項４に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項６】
前記第１のＣＶＤ工程と前記第２のＣＶＤ工程を繰り返し行うようにコンピュータに前記プラズマＣＶＤ装置を制御させるものであることを特徴とする請求項４又は５に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項７】
プラズマＣＶＤ法により被処理体上に窒化珪素膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、
被処理体を載置台に載置して収容する処理室と、
前記処理室の前記開口部を塞ぐ誘電体部材と、
前記誘電体部材の外側に設けられ、前記処理室内にマイクロ波を導入するための複数の孔を有する平面アンテナと、
前記処理室内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理室内を減圧排気する排気機構と、
前記処理室内で、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／アンモニアガス流量）を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される第１の処理圧力でプラズマＣＶＤを行い２．５ｅＶ以上５ｅＶ以下の範囲内の第１のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第１のＣＶＤ工程と、
前記第１のＣＶＤ工程の前または後に、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／アンモニアガス流量）を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択され、前記第１の処理圧力よりも高い第２の処理圧力でプラズマＣＶＤを行い、５ｅＶ超７ｅＶ以下の範囲内の第２のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第２のＣＶＤ工程と、が行われるように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
前記第１の処理圧力が０．１Ｐａ以上４Ｐａ以下の範囲内で前記第１のバンドギャップが２．５ｅＶ以上５ｅＶ以下の範囲内であり、前記第２の処理圧力が８．９Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で前記第２のバンドギャップが５ｅＶ超７ｅＶ以下の範囲内であることを特徴とする請求項７に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第１のＣＶＤ工程と前記第２のＣＶＤ工程を繰り返し行うように制御するものであることを特徴とする請求項７又は８に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医用イメージング・システムによってボリューム内で取得された解剖学的画像を処理して、これらの取得された解剖学的画像を、これらの取得された解剖学的画像上で識別される解剖学的構造の相異なる部分に対応する複数のサブボリュームに区分化するための方法であって、
その上に肺が現れている、取得された解剖学的画像を識別する段階と、
上側及び下側スライスを決定する段階と、
解剖学的画像を取得した解剖学的構造の軸に従って上側及び下側スライスの限界を定める段階と、
下側スライスより上方及び上側スライスより下方のそれぞれの解剖学的区域に対応する取得された解剖学的画像のそれぞれの部分に別個の処理法を適用する段階と、
を含み、
取得された解剖学的画像を識別する前記段階は、取得された解剖学的画像を処理して、これらの画像から気管内の空気を除去するようにする段階を含み、該処理する段階は、
イ）取得された解剖学的画像上に現れる空気の密接に関連したコンポーネントを決定する段階と、
ロ）空気の前記決定された密接に関連したコンポーネントについて平均３Ｄ偏心率を決定する段階と、
ハ）このように算出された平均３Ｄ偏心率を閾値と比較して、その３Ｄ偏心率が第１の閾値よりも小さく且つそのｚ軸上の長さが第２の閾値よりも大きくなっている密接に関連したコンポーネントのみを保持する段階と、
ニ）このように分離された密接に関連したコンポーネントを前記取得された解剖学的画像から減算する段階と、
を含む、方法。
【請求項２】
肺の下側限界に対応するスライスを決定するために、前記方法は更に、
前記解剖学的構造の底部から頂部までの軸方向スライスを点検する段階と、
肺のボクセルが現れる最初のスライスを決定する段階と、
を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
２つの肺の存在が検出されたときに肺の上側限界に対応するスライスを決定するために、前記方法は更に、
前記解剖学的構造の頂部から底部までの軸方向スライスを点検する段階と、
２つの密接に関連したコンポーネントが現れる最初のスライスを決定する段階と、を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
２つの肺の存在が検出されたときに肺の上側限界に対応するスライスを決定するために、前記方法は更に、
前記解剖学的構造の頂部から底部までの軸方向スライスを点検する段階と、
密接に関連したコンポーネントの合計表面が所与の閾値よりも大きくなる最初のスライスを決定する段階と、を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
密接に関連したコンポーネントの合計表面が前記所与の閾値よりも大きくなるスライスが存在していない場合、前記方法は更に、
密接に接続されたコンポーネントの数が１よりも大きくなる最初のスライスを決定する段階を含んでいる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
更に、肺が検出されたとき、肺の前記下側スライス限界より下方のスライス上のボクセルによって占められる軸方向表面プロフィールを決定する段階と、
前記軸方向表面プロフィールを分析する際に腹部の存在及び下肢の様々な部分の存在を決定する段階と、
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
肺が検出されなかったとき、前記方法は更に、前記画像の取得の対象物である解剖学的構造の長さを閾値と比較する段階を含んでおり、
また、この長さが前記閾値よりも大きい場合、前記方法は更に、スライス上のボクセルによって占められる表面の軸方向プロフィールを決定する段階と、前記軸方向プロフィールを分析する際に腹部及び脚部の様々な部分の存在を決定する段階とを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プロフィールの分析により腹部及び脚部の様々な部分の存在を決定することができないとき、前記方法は更に、
前記スライス上に現れる空気の軸方向プロフィールを決定する段階と、
空気の前記軸方向プロフィールを分析して、前記取得された解剖学的画像上に存在する頭部又は頸部の区域についての情報を該プロフィールから推定する段階と、
を含んでいる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
肺が検出されたとき、前記方法は更に、
肺の上側スライス限界より上方のスライス上に現れる空気の軸方向プロフィールを決定する段階と、
この空気の軸方向プロフィールを分析して、前記取得された解剖学的画像上に存在する頭部又は頸部の区域についての情報を該プロフィールから推定する段階と、を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
更に、肺の前記上側スライス限界より上方の解剖学的構造の長さを所与の閾値と前もって比較する段階と、
解剖学的構造の前記長さが前記所与の閾値よりも大きいときのみ、空気の軸方向プロフィールを決定する段階と、
を含んでいる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
肺が検出されなかったとき、前記方法は更に、
前記画像の取得の対象物である解剖学的構造の長さを閾値と比較する段階と、
この長さが前記閾値よりも小さい場合、スライス上に現れる空気の軸方向プロフィールを決定する段階、及び空気の軸方向プロフィールを分析して、前記画像上に存在する頭部又は頸部の区域についての情報を該プロフィールから推定する段階と、
を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的機械研磨装置において基板を研磨する研磨パッドであって、約０．０３インチ（０．０７６ｃｍ）の深さ、約０．０２インチ（０．０５１ｃｍ）の幅、及び約０．１２インチ（０．３０５ｃｍ）のピッチを有する、複数の実質上円形の同心に配置されたみぞを有する研磨表面を備え、前記複数のみぞは前記研磨表面に対して垂直な複数の側壁を有し、
前記研磨パッドはさらに上部層及び下部層を備え、前記複数のみぞは前記上部層における前記下部層と接触する面とは反対の面に形成され、前記上部層が約０．０６〜０．１２インチ（０．１５２〜０．３０５ｃｍ）の厚さを有し、
前記複数のみぞが複数の仕切壁によって分離され、前記複数のみぞの幅と前記複数の仕切壁の幅の比が約０．２０である研磨パッド。
【請求項２】
前記研磨パッドはさらに上部層及び下部層を備え、前記複数のみぞは前記上部層に形成され、前記上部層がポリウレタン又は充填材を混合したポリウレタンから構成されている請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記研磨表面は前記複数のみぞ及び前記複数の仕切壁のみからなる請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記複数の側壁はＵ型の底部で終端している請求項１記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記複数のみぞは矩形の断面を有する請求項１記載の研磨パッド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明の実施形態には以下が含まれる。みぞは同心に配置され、研磨表面全体にわたって均一に配置される。みぞは、０．０３インチといった、０．０２〜０．０５インチの深さ、０．０２インチといった、０．０１５〜０．０４インチの幅及び、０．１２インチといった、０．０９〜０．２４インチのピッチを有する。研磨パッドは上部層と下部層を備え、みぞが上部層に形成される。上部層は約０．０６〜０．１２インチの厚さを有し、みぞの底部と下部層との間の距離は約０．０４インチである。みぞは仕切壁によって分離され、みぞの幅と仕切壁の比は約０．１０〜０．２５である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
２以上の中間洗浄ステーション５５ａ及び５５ｂが、隣り合う研磨ステーション２５ａ、２５ｂ及び２５ｃの間に配置されているであろう。洗浄ステーションは、基板が１つの研磨ステーションから別の研磨ステーションに移動する際に、基板をリンスする。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
各キャリヤヘッド装置７０ａ〜７０ｄにはキャリヤまたはキャリヤヘッド８０が含まれる。各キャリヤヘッド８０は、その固有の軸に沿って独立して回転する。キャリヤ駆動軸７８は、キャリヤヘッド回転モータ７６（カバー６８の４分の１を除去することによって
図示する）をキャリヤヘッド８０に接続している。各ヘッドに対して１つのキャリヤ駆動軸とモータが存在する。さらに、各キャリヤヘッド８０はカルーセル支持板６６に形成された放射状みぞ７２に中で独立して横に振動する。スライダ（図示せず）が放射状みぞの中で各駆動軸７８を支持している。放射状駆動モータ（図示せず）がスライダを動かし、キャリヤヘッドを横に振動させる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の防汚性に優れた織物又は編物は、原綿、原糸、製織（編）、加工の全工程で使用する処理剤の成分等を考慮し、織物又は編物を作成した後、染色加工における前処理（例えば精練処理）の処理時間、処理剤の種類および濃度、処理時間、ならびに浴比等を考慮して、精練効果を１．５〜３倍以上にアップさせ、加工するセルロース繊維の種類や混率に応じて、上記の吸水時間、吸水拡散面積になるまで行うことにより得られる。あるいは、本発明の防汚性に優れた織物又は編物は、原綿または糸の段階で、織物又は編物とした後に、上記の吸水時間および吸水拡散面積が達成されるように、夾雑物を排除する処理を行うことにより得られる。例えば、液流染色機による二段精練漂白処理を行う場合、一段目、二段目とも、ＮａＯＨをその対象織物に対して通常用いられる濃度と同等以上の濃度で、各々９０℃以上で、４０分間以上処理することによって得られる。また、常法の精練漂白処理を３回以上行ってもよい。そのような処理を行うことにより、織編物中に含まれる夾雑物の排除がより徹底されて、セルロース繊維そのものが潜在的に（または本来的に）有している吸水機能が発現して、防汚性が向上するとともに、優れた吸汗速乾性が得られると考えられる。尚、セルロース本来の吸水性・防汚性を維持発現させるためには、前処理で排除した夾雑物を残留させないようにすることが重要である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に、光吸収層と、前記光吸収層上および前記一方の面上に形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、
前記第１の基板の前記材料層が形成された前記一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、
前記第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射することにより、前記光吸収層と重なる位置にある前記材料層を加熱し、前記材料層の一部を前記第２の基板の被成膜面に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記材料層は、前記第１の基板上において、前記光吸収層上に接して形成され、且つ、前記一方の面上に接して形成されていることを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記光吸収層は、複数形成されており、
前記複数の光吸収層において、第１の光吸収層と、第２の光吸収層と、第３の光吸収層とは、それぞれ膜厚が異なることを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記光吸収層は、金属窒化物、金属、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の成膜方法を用い、
前記材料層の一部を、前記第２の基板の被成膜面上に形成されている第１の電極上に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来、このような防水シートと積層による断熱防水工法で発泡シートが硬質シートである場合、熱（太陽光）でそりが発生し、外観不良や、場合によってはシート剥がれなどの問題につながってしまうため、ほとんど軟質シートしか使用されていなかった。しかし、軟質シートは柔軟性を有することから、防水シート上を歩行するような使用形態には適さず、用いにくかったことや、上に積層する防水シートを接着剤などで接合する場合に、十分に転圧できなかったこと、そして断熱性能も不十分であることなど種々の問題を有していた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
スロープ部材４として具体的に使用できるものとしては、不織布、ポリエチレンやポリプロピレン等の樹脂シート、ゴムシートといった材料を挙げることができる。このスロープ部材で断熱層２の境界２ａを覆う場合に、スロープを形成する部分の幅は、防水シート３表面の外観を良好するために長さがあったほうが好ましく、５〜２０ｍｍ程度の幅を有することが好ましい。また、前記５〜２０ｍｍ程度の幅のスロープを形成するためにはスロープ部材４の非粘着部分の幅が１０〜４０ｍｍ程度、更に両端の粘着部分は断熱層２にしっかりと固定するためにそれぞれ３〜１０ｍｍ程度必要になるので、全体の幅としては３０〜６０ｍｍの範囲のものが好適に使用される。特に本発明の目的である防水シート３表面に隣り合う断熱層２の段差が目立たないようにするには形成するスロープの幅が重要になってくる。スロープの幅が５ｍｍ未満であると傾斜角度が急になって、段差に近い外観となってしまい、また２０ｍｍを越えると逆に断熱層２に接していない幅が長くなるので、防水シートの未接着部分が多くなってしまうなどの問題につながってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
以上のように、隣り合う断熱層２の境界で段差を生じた部分に、前記スロープ部材を介在して防水シート３を敷設することによって、段差を均して防水シート３表面に段差が現れないようにすることができるので、ポリスチレンフォームからなる断熱性能に優れると共に安価な断熱層２を外観の問題なしに使用することができるようになる。もちろん、同様に硬質タイプのポリウレタンフォームやフェノールフォーム等を断熱層２として用いる場合にも適用できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
その厚みは１．０〜２．５ｍｍの範囲のものを用いることが好ましい。１．０ｍｍ未満であると強度が不足して防水シートが容易に破断することがあり、２．５ｍｍを越えると接合部において段差が大きくなってしまい外観を悪くすることにもなるので好ましくない。また、これらの素材のシートにガラス繊維やポリエステル繊維などからなる補強布を埋設して機械的強度を向上させたり寸法安定性を向上させたりしたものを用いることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下ユニットと、ヒンジ部により前記下ユニットに対して閉じられた第１の状態、前記下ユニットに対して前記ヒンジ部の回動中心を支点として回動した第２の状態及び前記第２の状態で前記ヒンジ部の回動中心よりも回動端側を支点として回動した第３の状態とに状態変更可能に保持されている上ユニットと、を接続するケーブルが内部に挿通されるケーブルガイドであって、
前記下ユニットに回動自在に取り付けられた第１ガイド部材と、
一端が前記上ユニットに回動自在に取り付けられ、他端が前記第１ガイド部材の回動端に連結された第２ガイド部材と、を備え、
前記上ユニットが前記第１の状態及び前記第２の状態にあるとき前記第１ガイド部材及び前記第２ガイド部材が連結部を支点として折り畳まれた状態となり、前記上ユニットが前記第２の状態から前記第３の状態に変更されるとき伸長するように前記連結部を支点として前記第１ガイド部材及び前記第２ガイド部材が互いに回動し、前記上ユニットに取り付けられた前記第２ガイド部材の一端の前記上ユニットに対する回動中心と前記ヒンジ部の回動中心とを一致させたことを特徴とするケーブルガイド。
【請求項２】
前記ヒンジ部は、前記回動中心を支点として回動し、回動端が前記上ユニットに軸支されたアーム部材を備え、
前記上ユニットは、前記アーム部材と一体的に前記回動中心を支点として前記第１の状態から回動して前記第２の状態となり、前記第２の状態から前記アーム部材の回動端を支点として回動して前記第３の状態となることを特徴とする請求項１記載のケーブルガイド。
【請求項３】
原稿画像を読み取る画像読取部を有した下ユニットである装置本体と、前記装置本体にヒンジ部を介して回動自在に保持され、前記装置本体の原稿画像読取位置に原稿を搬送する上ユニットである原稿搬送装置と、前記装置本体と前記原稿搬送装置とを接続するケーブルが内部に挿通される請求項１又は２記載のケーブルガイドとを備えたことを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
原稿画像を読み取る画像読取部を有した装置本体と、
前記装置本体の原稿画像読取位置に原稿を搬送する原稿搬送装置と、
前記原稿搬送装置を、前記装置本体に対して閉じられた第１の状態、回動中心を支点として前記装置本体に対して前記第１の状態から回動した第２の状態、及び、前記回動中心よりも前記原稿搬送装置の回動端側を支点として前記第２の状態から回動した第３の状態に状態変更可能に前記原稿搬送装置を保持するヒンジ部と、
前記装置本体と前記原稿搬送装置とを接続するケーブルと、
前記ケーブルが内部に挿通され、一端が前記原稿搬送装置に回動自在に支持され、他端が前記装置本体に接続されたケーブルガイドと、を備え、
前記第１の状態から前記第２の状態に前記回動中心を中心として前記原稿搬送装置が回動するとき、前記原稿搬送装置に回動自在に支持された前記ケーブルガイドの一端の、前記原稿搬送装置に対する回動中心と、前記原稿搬送装置の前記装置本体に対する前記回動中心とが一致することを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】
前記ケーブルガイドは、前記装置本体に回動自在に取り付けられた第１ガイド部材と、一端が前記原稿搬送装置に回動自在に取り付けられ、他端が前記第１ガイド部材の回動端に連結された第２ガイド部材と、を備え、
前記第１ガイド部材と前記第２ガイド部材とは連結部を支点として回動自在に連結されることを特徴とする画像読取装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか１項に記載の画像読取装置と、前記画像読取装置により読み取られた画像をシートに形成する画像形成部と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は、下ユニットと、ヒンジ部により前記下ユニットに対して閉じられた第１の状態、前記下ユニットに対して前記ヒンジ部の回動中心を支点として回動した第２の状態及び前記第２の状態で前記ヒンジ部の回動中心よりも回動端側を支点として回動した第３の状態とに状態変更可能に保持されている上ユニットと、を接続するケーブルが内部に挿通されるケーブルガイドであって、前記下ユニットに回動自在に取り付けられた第１ガイド部材と、一端が前記上ユニットに回動自在に取り付けられ、他端が前記第１ガイド部材の回動端に連結された第２ガイド部材と、を備え、前記上ユニットが前記第１の状態及び前記第２の状態にあるとき前記第１ガイド部材及び前記第２ガイド部材が連結部を支点として折り畳まれた状態となり、前記上ユニットが前記第２の状態から前記第３の状態に変更されるとき伸長するように前記連結部を支点として前記第１ガイド部材及び前記第２ガイド部材が互いに回動し、前記上ユニットに取り付けられた前記第２ガイド部材の一端の前記上ユニットに対する回動中心と前記ヒンジ部の回動中心とを一致させたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１の伝送ライン、および、前記第１のラインの一つの先端にある少なくとも１つの金属ホールを含む第１の基板上の相互接続手段であって、
前記金属ホールは、前記基板の２つの面上で非金属化されたセービングにより囲まれており、前記金属ホールと前記伝送ライン部分に関連する前記第１の基板の接地面との間に形成された前記セービングは、第１のフィルタ素子を形成する、
相互接続手段。
【請求項２】
前記フィルタ素子の回路網は、自己インダクタンス素子および並列の共振素子によって構成され、低域通過型応答を示す、
請求項１に記載の相互接続手段。
【請求項３】
前記共振素子の値は、前記金属ホールと前記第１の基板の前記接地面との間の前記セービングの大きさの関数である、
請求項２に記載の相互接続手段。
【請求項４】
前記誘導素子の値は、前記セービング上の前記伝送ラインの大きさの関数である、
請求項２に記載の相互接続手段。
【請求項５】
前記第１の基板の前記伝送ラインは、ライン素子により前記金属ホールを越えて延びている、
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の相互接続手段。
【請求項６】
第２の基板上にある第２の伝送ラインを延設する突出部が前記金属ホールへ挿入され、前記突出部は、伝送ライン部分、および、接地セービングを含む、
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の相互接続手段。
【請求項７】
前記第２の基板の前記伝送ライン部分は、前記金属ホールに挿入され、かつ、その反対側の接地セービングは、追加のフィルタ素子を形成する、
請求項６に記載の相互接続手段。
【請求項８】
前記追加のフィルタ素子は、自己インダクタンス素子である、
請求項７に記載の相互接続手段。
【請求項９】
前記誘導素子の値は、前記セービング上の前記伝送ラインの長さの関数である、
請求項８に記載の相互接続手段。
【請求項１０】
前記第２の基板の前記突出部の部分は、第２の供給ラインを受け入れる面の反対側の面上で非金属化されている、
請求項６ないし９のいずれか１項に記載の相互接続手段。
【請求項１１】
前記第１および第２の伝送ラインは、マイクロストリップ・ライン、コプラナー・ライン、または、プレート・ラインである、
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の相互接続手段。
【請求項１２】
前記第１および第２の基板は、単一層または多層基板である、
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の相互接続手段。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置と無線信号の送受信を行うためのアンテナと、
前記アンテナに電気的に接続された複数の機能回路と、を有し、
前記複数の機能回路のうち、いずれか一の前記機能回路は、いずれか他の前記機能回路の電源回路より出力される電源電圧を制御するための電源制御回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記複数の機能回路は、前記アンテナと重畳して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記アンテナ及び前記複数の機能回路は、封止層に覆われて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
通信装置と無線信号の送受信を行うためのアンテナと、
前記アンテナに電気的に接続された少なくとも第１及び第２の機能回路と、を有し、
前記第１の機能回路は、前記第２の機能回路の電源回路より出力される電源電圧を制御するための第１の電源制御回路を有し、
前記第２の機能回路は、第２の電源制御回路を有し、
前記第２の電源制御回路は、第１端子が前記電源回路の出力端子に電気的に接続され、第２端子がグラウンド線に電気的に接続されたトランジスタを有し、
前記トランジスタのゲート端子が前記第１の電源制御回路に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
通信装置と無線信号の送受信を行うためのアンテナと、
前記アンテナに電気的に接続された少なくとも第１及び第２の機能回路と、を有し、
前記第１の機能回路は、第１の論理回路、第１の判定回路、第１の電源回路、第１の電源制御回路と、を有し、
前記第２の機能回路は、第２の電源回路と、第２の電源制御回路と、を有し、
前記第１の判定回路は、前記第１の論理回路の出力の正誤に応じた判定信号を出力することができる機能を有し、
前記第１の電源回路は、前記第１の論理回路に第１の電源電圧を供給することができる機能を有し、
前記第１の電源制御回路は、前記第１の判定回路及び前記第１の電源回路の動作に基づいて、前記第２の電源回路より出力される第２の電源電圧を制御することができる機能を有し、
前記第２の電源制御回路は、第１端子が第２の電源回路の出力端子に電気的に接続され、第２端子がグラウンド線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第１の電源制御回路に電気的に接続されているトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第１の判定回路は、不揮発性の記憶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４又は５において、
前記トランジスタの前記ゲート端子は、前記第１の電源制御回路が有するバッファに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、前記第１及び前記第２の機能回路は、前記アンテナと重畳して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４乃至８のいずれか一において、前記アンテナ、前記第１の機能回路、及び第２の機能回路は、封止層に覆われて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
通信装置と無線信号の送受信を行うためのアンテナと、
前記アンテナに電気的に接続された少なくとも第１乃至第４の機能回路と、を有し、
前記第１の機能回路は、第１の論理回路、第１の判定回路、第１の電源回路、第１の電源制御回路と、を有し、
前記第２の機能回路は、第２の判定回路と、第２の電源回路と、第２の電源制御回路と、を有し、
前記第３の機能回路は、第３の判定回路と、第３の電源回路と、第３の電源制御回路と、を有し、
前記第４の機能回路は、第４の電源回路を有し、
前記第１の判定回路は、前記第１の論理回路の出力の正誤に応じた判定信号を出力することができる機能を有し、
前記第１の電源回路は、前記第１の論理回路に第１の電源電圧を供給することができる機能を有し、
前記第１の電源制御回路は、前記第１の判定回路及び前記第１の電源回路の動作に基づいて、前記第２乃至前記第４の電源回路より出力される第２乃至第４の電源電圧を制御することができる機能を有し、
前記第２の電源制御回路は、前記第２の判定回路及び前記第２の電源回路の動作に基づいて、前記第３及び前記第４の電源回路より出力される第３及び第４の電源電圧を制御することができる機能を有し、
前記第３の電源制御回路は、前記第３の判定回路及び前記第３の電源回路の動作に基づいて、前記第４の電源回路より出力される第４の電源電圧を制御することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１乃至前記第３の判定回路は、不揮発性の記憶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
前記第２の電源制御回路は、第１端子が第２の電源回路の出力端子に電気的に接続され、第２端子がグラウンド線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第１の電源制御回路に電気的に接続されているトランジスタを有し、
前記第３の電源制御回路は、第１端子が第３の電源回路の出力端子に電気的に接続され、第２端子がグラウンド線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第２の電源制御回路に電気的に接続されているトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一において、前記第１乃至前記第４の機能回路は、前記アンテナと重畳して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一において、前記アンテナ及び前記第１乃至前記第４の機能回路は、封止層に覆われて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項６又は１１において、前記不揮発性の記憶素子は、一回のみ書き込み可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項３、９、又は１４のいずれか一において、前記封止層は、繊維層および有機樹脂層で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め形成されており、第１の開口部分を有し、熱変形可能な材料を具備する複数のタンポン用アプリケーターを成形するための方法において、
前記方法は、
ａ）単一のステーション鋳型の形成要素の形成表面を、熱変形可能な材料の軟化点より高い温度まで加熱するステップであって、加熱する前記ステップは、加熱流体を、前記形成要素に隣接し、かつ、熱接触する形成要素流体空洞に方向付けるステップを具備する、ステップと、
ｂ）予め形成された第１のタンポン用アプリケーターの前記第１の開口部分を前記形成表面に当てるステップと、
ｃ）前記予め形成された第１のタンポン用アプリケーターの前記第１の開口部分を成形してドーム状の第１の部分を形成するステップと、
ｄ）前記形成表面を、前記熱変形可能な材料の軟化点より低い温度まで冷却するステップであって、冷却する前記ステップは、冷却流体を、前記形成要素に隣接し、かつ、熱接触する形成要素流体空洞に方向付けるステップを具備する、ステップと、
ｅ）前記予め形成された第１のタンポン用アプリケーターの前記ドーム状の第１の部分を前記形成表面から除去するステップと、
ｆ）ステップａ）〜ｅ）を、予め形成された第２のタンポン用アプリケーターについて繰り返すステップと、
を具備し、
各タンポン用アプリケーターの一部を、前記熱変形可能な材料の軟化点より高い温度を有する前記形成表面に当てる時間は、約２０秒未満であり、前記形成表面は、ステップｂ）〜ｅ）により成形される前記予め形成されたタンポン用アプリケーターの前記一部と連続接触している、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記形成表面に当てられた各予め形成されたタンポン用アプリケーターの前記一部は、前記タンポン用アプリケーターの第１端部を具備し、前記タンポン用アプリケーターの前記第１端部は、複数の花弁部を具備する、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、
前記花弁部は、前記予め形成されたタンポン用アプリケーターのドーム状の第１端部へと形成される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
ステップａ）〜ｅ）は、約１５秒以内に完了される、方法。
【請求項５】
熱変形可能な材料を具備するタンポン用アプリケーターを成形するための器具において、
前記器具は、
ａ）鋳型本体であって、
ｉ）高い熱伝導性および低い熱質量、ならびに、形成表面を有する形成要素、
ｉｉ）前記形成要素に隣接し、かつ、熱接触する形成要素流体空洞、
ｉｉｉ）熱を前記形成要素に加えるための手段、ならびに、
ｉｖ）前記形成要素流体空洞を通して冷却流体を提供するための手段、
を有する、鋳型本体と、
ｂ）前記タンポン用アプリケーターの少なくとも一部を前記鋳型に提供するための手段と、
を具備する、器具。
【請求項６】
請求項５に記載の器具おいて、
熱を前記形成要素に加えるための前記手段は、前記形成要素流体空洞に作動可能に接続可能な熱供給流体導管を具備する、器具。
【請求項７】
請求項５に記載の器具において、
冷却流体を前記形成要素流体導管に提供するための前記手段は、前記形成要素流体空洞に作動可能に接続可能な冷却供給流体導管を具備する、器具。
【請求項８】
請求項５に記載の器具において、
前記形成要素は、薄壁の形成表面を具備する、器具。
【請求項９】
請求項５に記載の器具において、
熱を前記形成要素に加えるための前記手段は、前記形成要素流体空洞に作動可能に接続可能な熱供給流体導管を具備し、冷却流体を前記形成要素流体導管に提供するための前記手段は、前記形成要素流体空洞に作動可能に接続可能な冷却供給流体導管を具備する、器具。
【請求項１０】
請求項９に記載の器具において、
前記鋳型本体は、少なくとも１つの内部バルブをさらに具備する、器具。
【請求項１１】
請求項１０に記載の器具において、
前記少なくとも１つの内部バルブは、３方向バルブである、器具。
【請求項１２】
請求項１０に記載の器具において、
前記熱供給流体導管に作動可能に接続された加熱流体貯蔵部と、
前記冷却供給流体導管に作動可能に接続された冷却流体貯蔵部と、
をさらに具備する、器具。
【請求項１３】
請求項１２に記載の器具において、
前記鋳型本体から前記加熱流体貯蔵部に加熱流体を戻すように前記加熱流体貯蔵部と関連した、少なくとも１つの戻り導管と、
前記鋳型本体から前記冷却流体貯蔵部に冷却流体を戻すように前記冷却流体貯蔵部と関連した、少なくとも１つの戻り導管と、
をさらに具備する、器具。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イメージング装置、及び解析方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
イメージング装置、及び解析方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、被検体である生体内の深部の光吸収体から発生した超音波を感度よく計測することが可能となるイメージング装置、及び解析方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、つぎのように構成したイメージング装置、及び解析方法を提供するものである。
本発明のイメージング装置は、超音波を検出し、画像化するイメージング装置であって、
被検体の内部に存在する光吸収体から超音波を発生させるために光照射を行う光源と、
前記光吸収体の存在する特定の領域に、フォーカス超音波を送信する超音波送信手段と、
前記光を吸収することにより前記光吸収体から発生する超音波と、前記特定の領域に送信されたフォーカス超音波との相互作用による超音波の合成信号を検出する超音波検出手段と、
超音波検出手段で得られた電気信号を解析する信号処理装置と、を有し、
前記信号処理装置は、前記超音波の合成信号と、前記フォーカス超音波に対応する信号との差分を取得することを特徴とする。
また、本発明の解析方法は、イメージング装置に用いる解析方法であって、
前記被検体に対して光を照射すると共に、前記被検体の内部の特定領域にフォーカスされた第１の超音波を照射する工程と、
前記特定領域における光吸収体が前記光を吸収することにより該光吸収体から発生する第２の超音波と、前記特定領域に照射された第１の超音波との相互作用による第３の超音波を受信する工程と、
前記第３の超音波と前記第１の超音波の差分から前記特定領域の光学特性値を算出する工程と、
を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、被検体である生体内の深部の光吸収体から発生した超音波を感度よく計測することができ、生体情報のイメージング範囲を広げることが可能となるイメージング装置、該イメージング装置を用いた解析方法が実現できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
次に、本発明のイメージング装置における実施の形態について図面を参照して説明する。
［実施形態１］
まず、本発明の実施形態１における生体情報イメージング装置について説明する。
図１に、本実施形態における生体情報イメージング装置の構成例を説明する図を示す。
図１において、１は被検体である生体、２はパルス光、３は光導波路、４は光源、５は画像表示装置、６は信号処理装置、７は光吸収体から発生した超音波（第２の超音波）である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波を検出し、画像化するイメージング装置であって、
被検体の内部に存在する光吸収体から超音波を発生させるために光照射を行う光源と、
前記光吸収体の存在する特定の領域に、フォーカス超音波を送信する超音波送信手段と、
前記光を吸収することにより前記光吸収体から発生する超音波と、前記特定の領域に送信されたフォーカス超音波との相互作用による超音波の合成信号を検出する超音波検出手段と、
超音波検出手段で得られた電気信号を解析する信号処理装置と、を有し、
前記信号処理装置は、前記超音波の合成信号と、前記フォーカス超音波に対応する信号との差分を取得することを特徴とするイメージング装置。
【請求項２】
前記超音波検出手段は、前記光吸収体から発生する超音波に加え、前記フォーカス超音波の反射あるいは透過超音波の検出が可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載のイメージング装置。
【請求項３】
前記超音波検出手段が、超音波送信機能を兼ね備えた構成とされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のイメージング装置。
【請求項４】
前記超音波検出手段が、複数の２次元的に配列した超音波送信または受信エレメントによって構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のイメージング装置。
【請求項５】
前記超音波送信または受信エレメントが、静電容量型トランスデューサであることを特徴とする請求項４に記載のイメージング装置。
【請求項６】
前記超音波検出手段が、前記被検体の表面を含む領域に、複数配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のイメージング装置。
【請求項７】
前記光吸収体が、前記被検体の内部における腫瘍、または血管であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のイメージング装置。
【請求項８】
前記光吸収体が、前記被検体の内部に導入された分子プローブであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のイメージング装置。
【請求項９】
前記光源がパルス光源である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のイメージング装置。
【請求項１０】
前記光源がパルス光源であり、パルス光の波長が４００ｎｍ以上、１６００ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のイメージング装置。
【請求項１１】
前記光源がパルス光源であり、照射されるパルス光の時間幅が１００ピコ秒以上５００ナノ秒以下である請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のイメージング装置。
【請求項１２】
イメージング装置に用いる解析方法であって、
前記被検体に対して光を照射すると共に、前記被検体の内部の特定領域にフォーカスされた第１の超音波を照射する工程と、
前記特定領域における光吸収体が前記光を吸収することにより該光吸収体から発生する第２の超音波と、前記特定領域に照射された第１の超音波との相互作用による第３の超音波を受信する工程と、
前記第３の超音波と前記第１の超音波の差分から前記特定領域の光学特性値を算出する工程と、
を有することを特徴とする解析方法。
【請求項１３】
前記光は、パルス光であることを特徴とする請求項１２に記載の解析方法。
【請求項１４】
前記パルス光の時間幅は、１００ピコ秒以上５００ナノ秒以下であることを特徴とする請求項１３に記載の解析方法。
【請求項１５】
前記第１の超音波の周波数を連続的に変化させて照射することを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の解析方法。
【請求項１６】
前記特定領域を前記被検体の内部でスキャンさせてくり返し測定を行い、前記被検体の内部の３次元の光学特性値分布を算出することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の解析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１に示す製造装置１は、図示しない単軸押出機、又は多軸押出機などの既存の押出機を備えて構成されており、押出機の先端にはシート成形用のＴダイ１０が設けられている。そして、樹脂シート２は、３層の積層構造を有している。原料樹脂としては、２種類のポリプロピレン系樹脂を用いる。第一基材層としての内層２ａは、ポリプロピレン系樹脂を用いる。内層２ａの両面に形成される第二基材層としての外層２ｂは、内層２ａよりＭＦＲが大きく、かつ、緩和時間が短いポリプロピレン系樹脂を用いる。具体的には、外層２ｂは、内層２ａよりＭＦＲが１．５倍以上大きいことが好ましい。ＭＦＲが１．５倍未満では、透明性の改善効果が小さいからである。さらに、緩和時間が内層２ａの８０％以下であることが好ましい。緩和時間が８０％より大きいと透明性の改善効果が小さいからである。
これら内層２ａおよび外層２ｂの原料樹脂は、それぞれペレット状のものを用意してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次に、押出機のＴダイ１０より内層２ａおよび外層２ｂを溶融押出し、第一冷却ロール２１上でエンドレスベルト２５と、第二冷却ロール２２との間に挟み込む。この状態で、内層２ａおよび外層２ｂを第一、第二冷却ロール２１，２２で面状圧接するとともに急冷する。
この際、第一冷却ロール２１の表面に被覆されている弾性材２１ａが圧縮されて弾性変形するが、内層２ａおよび外層２ｂは、弾性材２１ａが弾性変形している部分、すなわち、第一冷却ロール２１の中心角度θ１に対応する円弧部分で、第一、第二冷却ロール２１，２２により面状圧接される。
なお、このときの面圧は、０．１〜２０ＭＰａであるのが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
続いて、第二冷却ロール２２と、エンドレスベルト２５との間に挟まれた内層２ａおよび外層２ｂは、第二冷却ロール２２の略下半周に対応する円弧部分において、第二冷却ロール２２と、エンドレスベルト２５とにより面状圧接されるとともに、冷却水吹き付けノズル２６によるエンドレスベルト２５の裏面側への冷却水の吹き付けにより、さらに急冷される。
なお、このときの面圧は、０．０１〜０．５ＭＰａであるのが好ましく、冷却水の温度は、０〜３０℃であるのが好ましい。また、吹き付けられた冷却水は、水槽２７に回収されるとともに、回収された水は排水口２７ａより排出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第三冷却ロール２３上で冷却された内層２ａおよび外層２ｂ、すなわち、内層２ａおよび外層２ｂを急冷してなる樹脂シート２は、剥離ロール２９によりエンドレスベルト２５から剥離され、図示しない巻取りロールにより所定の速度で巻き取られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
〔実施例１〜７〕
上記実施形態において、製造装置及び製造方法の具体的条件を下記の通りとした。また、各実施例並びに各比較例における原料樹脂を表１に層構成を表２に示した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
押出機寸法、運転条件等を以下に示す。
・押出機：第一基材層用φ９０ｍｍ、第二基材層用φ５０ｍｍ
・コートハンガーダイ幅：９００ｍｍ
・冷却ロールおよびロールの表面粗さＲｍａｘ＝０．１μｍ
・エンドレスベルト：材質析出硬化系ステンレススチール、表面粗さＲｍａｘ＝０．１μｍ、幅９００ｍｍ、長さ７７００ｍｍ、厚み０．８ｍｍ
・溶融シートが接触しはじめる部分のベルト及び鏡面ロール温度１６℃
・引取り速度：１０ｍ/ｍｉｎ
・シート幅：７８０ｍｍ
・フィードブロック方式による積層
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
〔比較例１〜９〕
実施例と同様にしてポリプロピレン系樹脂により積層構造を有する樹脂シートを製造したが、詳細は表２に示した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
〔特性の評価〕
上記実施例１〜７および比較例１〜９に係るポリプロピレン系の樹脂シートについて、へイズ（全ヘイズと内部ヘイズ）を測定した。それらの結果を表２に示す。
前記ヘイズは、ヘイズ測定機（ＮＤＨ−３００Ａ、日本電色工業株式会社製）を使用し、シートに光を照射して透過した光線の全量を表す全光線透過率（Ｔｔ）と、シートによって拡散された透過した拡散光線透過率（Ｔｄ）との比によって下記式（３）で求める。前記全光線透過率（Ｔt）は、入射光と同軸のまま透過した平行光線透過率（Ｔｐ）と拡散光線透過率（Ｔｄ）との和である。
ヘイズ（Ｈ）＝Ｔｄ／Ｔｔ×１００  ・・・（３）
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【表２】
2011189540.tif 000001