【事件の表示】
　特願２０００−　６７５０８「Ｘ線発生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２１日出願公開、特開２００１−２５６９０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年３月１０日の出願であって、平成２０年１月１５日付けで通知した拒絶理由に対し、同年３月２４日付けで手続補正書が提出されたが、同年７月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正書が提出された後、平成２１年５月１日付けで審尋を行い、同年７月１０日付けで審尋に対する回答書が提出されたものである。
　その後、平成２１年１２月８日付けで当審から通知した拒絶理由に対し、平成２２年１月２７日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年１月２７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　ターゲットに電子ビームを照射することによってＸ線を発生するＸ線発生装置において、上記ターゲットは、当該ターゲット表面に照射される電子ビームのスポット径よりも小径であって粒径が３〜５００ｎｍの範囲にある微粒子状のタングステンからなるターゲット材料と、そのターゲット材料の複数個を所定の間隔で１個ずつ固定するフィルム状基材とを含むとともに、そのフィルム状基材を、上記微粒子状のターゲット材料が１個ずつ電子ビームの照射スポット内に位置するように順次巻き取る巻き取り機構と、上記微粒子状のターゲット材料に電子ビームを照射することによって発生しているＸ線の強度を刻々と監視し、Ｘ線強度があらかじめ設定されている強度にまで低下した時点で、新たな微粒子状のターゲット材料を上記電子ビームの照射スポット内に供給するよう、上記巻き取り機構に駆動指令を与える制御手段を備えていることを特徴とするＸ線発生装置。」
　
３．引用刊行物の記載事項
　
３−１．刊行物１
　これに対して、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平４−３２８００号公報（当審からの拒絶理由通知書における引用例１、以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与）。
　
（１−ａ）「〔産業上の利用分野〕
　本発明はコンピューテイツドトモグラフイ装置（以下ＣＴ装置という）に係わり、
特に空間分解能の高いＣＴ装置とそれを実現するＸ線発生装置
　
（１−ｂ）「（ａ）のＸ線発生領域を小さくするためには大別して３つの方法がある。
（中略）
第２の方法は、Ｘ線を発生させるターゲツト部の幅をターゲツト上に形成される電荷粒子ビーム径より小さくして、Ｘ線発生部自体を小さくする前述の第２の手段である。
　
（１−ｃ）「以下、本発明の一実施例を第１図に示すＸ線ＣＴ装置により説明する。
本発明におけるＸ線ＣＴ装置は、電子を発生させ加速する荷電粒子発生装置（電子ビーム発生装置）である加速器１
ターゲツト３上で電子ビーム２４の衝突位置を制御するターゲツト移動機構４、
ターゲツトで発生したＸ線ビーム１０
　
（１−ｄ）「また、
本実施例では、第２図に示すようにＸ線を発生する螺旋上のターゲツト部３２を常に電子ビーム上になるようにターゲツト部３２を移動させるターゲツト移動機構４を設けている。
　
（１−ｅ）「次に、
Ｘ線発生領域を小さくするターゲツトの本発明の他の実施例を説明する。第２図は、その一実施例を示す。ターゲツト３は銅等の熱電動率の高いターゲツト保持材３１とタングステン等の金属から成る螺旋上のターゲツト部３２から成る。ターゲツト部３２の幅は、電子ビーム径よりも小さくすることで、電子ビーム径に関係無くＸ線発生領域を小さくできる。
ターゲツトの構造としては、第２図の他に第４図（ａ）に示すようにリング状あるいは同図（ｂ）に示すように円盤状のターゲツト部３２を熱電動率の高いターゲツト保持材３１で保持する構造も考えられる。第４図においてもリング幅、あるいは直径を電子ビーム径と同等あるいは狭くすれば、第２図に示した物と同様な効果を得ることができる
　
Ｘ線発生領域を更に小さくするターゲツトの本発明の実施例を第５図を用いて説明する。本実施例では、線径あるいは線幅を更に細くするためにターゲツト部３２を
第５図（ｂ）に示すように球又は円盤状とし、
この結果、ターゲツトの幅あるいは径は更に小さくすることができるので、更にＸ線発生領域を小さくすることができる。従つて、このターゲツト幅を、例えば０．１５ｍｍ程度とすれば、検出器の信号処理の劣化等による空間分解能の劣化を考慮しても、０．２ｍｍの高空間分解能を達成することが可能である。
　
（１−ｆ）第２図、第４図、第５図はそれぞれ以下のとおりのものである。
　
　
　
　上記（１−ｅ）の記載事項、及び（１−ｆ）に示された第２図，第４図，第５図を参酌すると、螺旋状のターゲツト部が常に電子ビーム上になるように移動させるターゲツト移動機構を用いる第２図に示されたターゲツト部の変形例として、第４図（ｂ）が示され、さらにそのＸ線発生領域を更に小さくするターゲツトの実施例として第５図が示されているのであるから、円盤状のターゲツト部がターゲツト保持材で保持されている構造の第５図（ｂ）に示される例においては、一の円盤状ターゲツト部が消耗されたときに、次のターゲツト部が電子ビーム上になるように、ターゲツト駆動機構を駆動させる、すなわち、円盤状のターゲツト部が１個ずつ電子ビーム上になるように駆動させるようにし、その円盤の径が０．１５ｍｍ程度であることを読み取ることができる。
　
　上記記載事項及び図面を参照すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ターゲツトに電子ビームを衝突させることによって、Ｘ線を発生するＸ線発生装置において、上記ターゲツトは、当該ターゲツトに衝突する電子ビーム径よりも直径を小さくして、その径が０．１５ｍｍ程度である円盤状のタングステンからなるターゲツト部と、そのターゲツト部の複数個を所定の間隔で１個ずつ固定するターゲツト保持部とを含むとともに、そのターゲツト保持部を、上記円盤状のターゲツト部が１個ずつ電子ビーム上になるように移動させるターゲツト移動機構を備えたＸ線発生装置。」
　
３−２．刊行物２
　同じく本願の出願前に頒布された刊行物である、特表平１０−５０９０６９号公報（当審からの拒絶理由通知書における引用例２、以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与）。
　
（２−ａ）「
第３世代型のＣＴスキャナは、Ｘ線源及びＸ線検知器装置を備えており
　
（２−ｂ）「
図２及び図４を参照すると、本発明の一の側面によれば、各スキャンの間のＸ線源２６の出力を監視するためのモニタ検知器アセンブリ７０が、走査面４２、従って、視界４０（図１に示す）の外側に設けられており、これにより、モニタ検知器アセンブリ７０は、各スキャンの各撮影の間に、何が設けられていて視界４０の中のどこに設けられているかに関係無く、実質的に減衰されないＸ線を最大強度で確実に受ける
（中略）
  上記手法を用いて行われるある仮定が存在する。各強度測定値Ｉ及びＭの積分が行われる時間は、同じであると仮定される。任意の２つの測定時間の間にゲイン、立体角及び強度の変化が全く無い限り、測定値における若干の差は許容される。上述の式を正しく維持するために、長い時間（撮影から撮影まで）にわたってだけではなく、電子的な読み取りシステムの一回のスキャンの一部にわたり、Ｘ線モニタ検知器アセンブリ７０は、検知器アレイの各検知に対して多数回（好ましい実施例においては８回）読み取られる。これは、検知器の一回の読み取りサイクルに当たって、精々Ｘ線モニタの幾つかの読み値に関係されるだけであり、且つ読み取りサイクル当たりに多数のモニタの読み値に関係されない従来技術とは、対照的である。
本発明をＣＴスキャナに組み込むことによって、Ｘ線束のより迅速な変動が許容される。Ｘ線強度の迅速な変動は、Ｘ線管の「寿命の終わり」のサインである。
　
３−３．周知例１
　本願の出願前に頒布された刊行物であって、出願人が明細書中において従来技術として自認する、日経産業新聞，日本経済新聞社，平成１１年１１月２２日，第１面（以下、「周知例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（３−ａ）「タングステンなど高融点金属
超微粒子を形成
真空冶金　次世代表示装置に道
【千葉】特殊金属メーカーの真空冶金（千葉県山武町、武黒洋一郎社長）は、レーザーを使い、タングステンなど融点の高い金属を超微粒子にする技術を開発した。高融点金属の超微粒子化のほか、超微粒子を一定の粒径で規則正しく配置することにも成功した。耐熱性に優れた半導体の製造や次世代表示装置の製造などへの応用が見込め、実用化を目指す。
　同社は波長の長いレーザーの照射により高融点金属でも融解温度付近まで加熱し、粒径三−五十ナノ（ナノは十億分の一）メートルの範囲で効率的に超微粒子を作り出す技術を開発。さらに別のレーザーを用いることで、粒径約五百ナノメートル、高さ約三百ナノメートルのタングステン超微粒子を規則正しく配列することに成功した。
　金属の超微粒子化は通常、ヒーターなどで蒸発するまで加熱する必要があるが、従来技術では融点がセ氏約千八百度のプラチナまでが限界だった。タングステンの融点はほぼ二倍の約三千四百度で、加熱する時間がかかるなど効率が低いうえ、加熱に耐えられる容器が限られるなどの問題があった。
　高融点金属の超微粒子化技術は、通産省新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）による委託研究の一環として開発した。タングステンをはじめモリブデンやタンタルについてもナノメートル単位の超微粒子にするとともに、粒径の大きさも制御できる。
　電子放射特性に優れたタングステンの超微粒子を粒径をそろえて広い面積で規則正しく配列できれば、プラズマ・ディスプレー・パネル（ＰＤＰ）などと並ぶ次世代表示装置のフィールド・エミッション・ディスプレー（ＦＥＤ）用のマイクロ電子銃として応用が見込める。ただ、現段階では超微粒子が規則正しく並ぶ原理が解明されておらず、大面積に配列するための技術の確立が必要。」
　
３−４．周知例２
　同じく本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平６−１８８０９２号公報（今回新たに提示する周知例、以下、「周知例２」という）には、以下の事項が記載されている。
　
（４−ａ）「【００８６】〔実施例  １５〕第三の発明の他の一実施例を説明する。図１６は、本発明のさらに他の実施例に係るＸ線源の説明図である。本実施例は、〔実施例  １４〕とほぼ同一構成である。図中、図１５と同一符号は同等部分であるのでその説明を省略する。１８は電子冷却素子である。
【００８７】本実施例は、〔実施例  １４〕の第１の金属膜３５および第２の金属膜３６のＸ線発生層の代わりに、多数のＸ線発生体８を設けたものである。本実施例は、〔実施例  １４〕と同様に、特性Ｘ線を発生するＸ線発生層の材質を場所によって変えておき、集束電子線を偏向させ照射する場所を変えることにより、特性Ｘ線を発生するＸ線発生層の材質を瞬時に切換えるようになっている。
【００８８】タ−ゲットＴは、無酸素銅板の支持体７にベリリウム箔の電子線吸収層６を接合し、その上に多数のＸ線発生体８を接合したものである。すなわち、〔実施例  ２〕の図２に示したタ−ゲット構造においてＸ線発生体８を複数にしたものである。Ｘ線発生体８には、必要とする波長の特性Ｘ線を放射する材料を選択することができる。
【００８９】Ｘ線発生体８が微小な塊になると、集束電子線１のビ−ム径を必ずしも細く集束しなくても微小なＸ線焦点サイズが得られる。１μｍの焦点サイズを得るためには個々のＸ線発生体８の大きさを１μｍにすることが好ましい。また、集束電子線１のビ−ム径が十分に細くすると、Ｘ線発生体８の厚さを薄くすればＸ線発生体８の面積は大きくても差し支えない。
【００９０】集束電子線１は、偏向コイル３３により所望する波長の特性Ｘ線を出す材質のＸ線発生体８に照射され、所望する波長の特性Ｘ線４Ａが得られる。集束電子線１により照射されるＸ線発生体８が変えられることにより、異なる波長の特性Ｘ線４Ａを瞬時に発生させることができる。また、本実施例では、タ−ゲットＴの冷却は、電子冷却素子１８で冷却されるようになっているが他の方法でも差し支えない。
【００９１】〔実施例  １６〕第三の発明のさらに他の一実施例を説明する。図１７，１８は、本発明のさらに他の実施例に係るＸ線源のタ−ゲット説明図である。図中、図１５，１６と同一符号は同等部分であるのでその説明を省略する。新たな符号のみ説明する。３８は薄膜、３９は保護層である。
【００９２】本実施例は、特性Ｘ線を発生する薄膜の材質を場所によって変えておき、集束電子線を偏向させ、照射する位置を変えることでタ−ゲットの材質を瞬時に切換えるものである。上記の各実施例では反射形タ−ゲットについて説明したが、本実施例は透過形タ−ゲットである。
【００９３】図１７において、タ−ゲットＴは薄膜３８にＸ線発生体８が載置されている構造である。薄膜３８は電子の照射によるＸ線の発生が少なくＸ線の吸収が少ない軽元素が望ましく、例えば、ベリリウム箔が最適である。Ｘ線発生体８は必要とする波長の特性Ｘ線を放射する材料を選択すれば良い。Ｘ線発生体８は微小な塊であるので、集束電子線１のビ−ム径を必ずしも細く集束しなくても微小なＸ線焦点サイズが得られる。また、集束電子線１のビ−ム径を十分に細くしＸ線発生体８の厚さを薄くすれば、Ｘ線発生体８の面積は大きくても差し支えない。」
　
３−５．周知例３
　同じく本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平２−２３９５５６号公報（原査定の拒絶理由通知書における引用文献１、以下「周知例３」という）には、以下の事項が記載されている。
　
（５−ａ）「　このＸ線発生装置は、第１図に概念構成図を示すように、ターゲットを、直径０．２μｍ深さ０．２μｍのトレンチＴ内にターゲット材料２０２としてのカーボン（Ｃ）を埋め込んだシリコン基板からなるサブストレート２０３で構成するようにしたことを特徴とするもので、加速電圧１．５ＫｅＶで加速された電子ビームがターゲット材料２０２およびサブストレート２０３を照射し、ターゲット材料２０２の内殻の励起により特性Ｘ線２０５を発生するようにしたものである。２０６は加速された電子ビームの回折・散乱による制動Ｘ線である。
　なお、電子はさらに回折・散乱を綴り返して広がっていき、本来であれば、電子は２０４で示された領域までは、ターゲット物質の内殻を励起できるエネルギーを有しており、特性Ｘ線２０７および制動Ｘ線２０８を発生することができるのであるが、ここでは実際にはサブストレート２０３で構成されており、ターゲットはこの頒域２０４よりも微小に形成されているため、所望の特性Ｘ線２０４は、ターゲット材料２０２の大きさにより、厳密に規定された領域からのみ発生する。
（中略）
　このように、本発明のＸ線発生装置によれば、Ｘ線発生源の大きさがターゲット材料の大きさで決定されるため、極めて微小なＸ線ビームを得ることが可能となる。
（中略）
　また、本発明の他の実施例として、第２図に示すように、シリコン基板３０１表面に膜厚０．１μｍ程度の酸化シリコン膜３０２を形成したものをサブストレートとし、この酸化シリコン膜内に直径０．１μｍ程度の孔Ｈを形成し、この孔内に選択気相成長法によって形成したターゲット材料としてのタングステン膜３０３をターゲットとし、加速電圧７０ＫｅＶで加速された電子ビームがターゲット材料３０３、酸化シリコン膜３０２およびシリコン基板３０１を照射し、ターゲット材料３０３であるタングステンの内殻の励起により特性Ｘ線３０４を発生するようにしたものである。３０５は加速された電子ビームの回折・散乱による制動Ｘ線である。」（第３ページ左上欄第９行〜右下欄第１２行）
　
３−６．周知例４
　原査定の拒絶の理由で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平７−１６７９９８号公報（原査定の拒絶理由通知書における引用文献２、以下、「周知例４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（６−ａ）「【００１０】
【実施例】図１は、本実施例のレーザープラズマＸ線源用標的を示す斜視図である。ポリイミドテープ上に真空薄膜形成法により形成した、タングステン、鉛、又はタンタルからなる厚さ数μｍから数十μｍのテープ状の標的102 は、当初リール106 に巻き取られている。
【００１１】リール106 ,107には、モーターがそれぞれ連結されており（図示せず) 、これらのモーターの回転により、テープ状の標的102 は、リール106 からリール107に巻き取られる。巻き取りの途中で、パルスレーザー光110 が  標的102 上に照射されると、プラズマが発生してＸ線が放出される。レーザー光が照射される標的部分では、押さえ板103 と、部材105 に取り付けられたバネによって押さえ板103 に向かって押しつけられている板104 とによって、標的位置がレーザー光110 の光軸方向に変動しないように挟み込まれている。
【００１２】レーザー光110 は、押さえ板103 に設けられた穴111 を通って標的102 に照射される。リール106,107 は、台101 上に回転可能に設けられている。部材105 及び押さえ板103 は、台101 上に固定されている。台101 は、ステージ108 上に取り付けられており、ステージ108 はモーター109 によりＡ方向に移動できる。テープ状標的102 がリール107 に全て巻き取られると、前回テープ走行時のレーザー照射により、標的102 上に生じた孔を少なくとも避けるように、ステージ108 をＡ方向に移動する。その後、今度は逆に、リール107 からリール106 に標的102 を巻き取りながらレーザー光を照射する。
【００１３】このようにして、標的102 は複数回、往復走行させて使用することができる。図２は、巻き取り可能な基板201 と、その上に形成した薄膜状の標的材料202の概略断面図である。図２では、基板201 上の全面に薄膜状の標的材料202 が形成されているが、図３、図４に示すように、基板上のレーザー光照射部分だけに標的材料を形成してもよい。図３では、基板301 上にドット状の標的材料302 が形成され、また図４では、基板401 上にストライプ状の標的材料402 が形成されている。」
　
３−７．周知例５
　同じく、原査定の拒絶の理由で引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平８−３２１３９６号公報（原査定の拒絶理由通知書における引用文献３、以下、「周知例５」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（７−ａ）「【００２３】
【実施例】図２は本実施例のＸ線発生装置の概略構成図であり、図１は本実施例の標的部材の部分的な構造図（斜視断面）である。減圧された真空容器の内部に配置された標的部材２１１上に、励起エネルギービームであるＹＡＧレーザー２０１を集光レンズ２０２により集光すると、プラズマ２０３が発生する。
【００２４】標的部材は、幅５ｍｍ、厚さ１５μｍのテープ状タンタル１０２上に錫１０１を５μｍ厚にてメッキしたものであり、プラズマ発生時には、標的部材上の同じ位置にレーザー２０１が複数回照射されることがないようにするため、駆動手段（不図示）によりリール２１２を回転させることで、テープ状の標的部材２１１を移動させている（巻き取っている）。」
　
（７−ｂ）「【００３０】図３の標的部材の例では、幅１０〜５００μｍの帯状にて、テープ状タンタル１０２上に錫１０１の層が形成されており、図４の標的部材の例では、直径１０〜５００μｍの円形状にて、テープ状タンタル１０２上に錫１０１の層が形成されている。図３の標的部材を用いたＸ線発生装置では、センサ２２１によりテープ状標的部材の幅方向の位置をモニターすることで、錫１０１の帯状部分が常にレーザー２０１の集光位置にくるように、制御を行う。
【００３１】また、図４の標的部材を用いたＸ線発生装置では、センサ２２１によりテープ状標的部材の幅方向の位置をモニターするとともに、センサ２２２によりテープ状標的部材の長さ方向（テープの巻き取り方向）の位置をモニターすることで、錫１０１の円形状の部分が常にレーザー２０１の集光位置にくるように、制御を行う。」
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　
　引用発明の
「ターゲツト」、
（ターゲツトへの電子ビームの）「衝突」、
「電子ビーム径」、
「ターゲツト部」
　
は、それぞれ、本願発明の、
「ターゲット」、
（ターゲットへの電子ビームの）「照射」、
「電子ビームのスポット径」、
「ターゲット材料」
　
に相当する。
　
　また、引用発明の「ターゲツト保持部」と、本願発明の「フィルム状基材」は、いずれもその上にターゲット材料を固定する機能を有する「ターゲット固定部材」の点で共通する。
　さらに、本願発明における「巻き取り機構」によって、「微粒子状のターゲット材料が１個ずつ電子ビームの照射スポット内に位置する」ようになっているのであるから、引用発明の（ターゲツトを）「移動させるターゲツト移動機構」と、本願発明の（ターゲットを）「順次巻き取る巻き取り機構」は、いずれも（ターゲットを）「移動させる移動機構」である点で共通する。
　また、引用発明のターゲツトが「電子ビーム上になる」ことが、本願発明の「電子ビームの照射スポット内に位置する」ことであることは明らかである。
　
　してみると、両者は、
　
「ターゲットに電子ビームを照射することによってＸ線を発生するＸ線発生装置において、上記ターゲットは、当該ターゲット表面に照射される電子ビームのスポット径よりも小径のタングステンからなるターゲット材料と、そのターゲット材料の複数個を所定の間隔で１個ずつ固定するターゲット固定部材とを含むとともに、そのターゲット固定部材を、上記微粒子上のターゲット材料が１個ずつ電子ビームの照射スポット内に位置するように移動させる移動機構を備えたＸ線発生装置。」
　
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
・相違点１
　ターゲット材料の径が、本願発明は３〜５００ｎｍの範囲にあるのに対し、引用発明は０．１５ｍｍである点。
　
・相違点２
　電子ビームのスポット径よりも小径のターゲット材料として、本願発明は微粒子状のターゲット材料を用いているのに対し、引用発明は円盤状のターゲット材料を用いている点。
　
・相違点３
　本願発明では、ターゲット固定部材としてフィルム状基材を用い、移動機構として該フィルム状基材を順次巻き取る巻き取り機構を用いているのに対し、引用発明では、ターゲット固定部材としてターゲツト保持部を用い、移動機構としてターゲツト移動機構を用いている点。
　
・相違点４
　本願発明では、微粒子状のターゲット材料に電子ビームを照射することによって発生しているＸ線の強度を刻々と監視し、Ｘ線強度があらかじめ設定されている強度にまで低下した時点で、新たな微粒子状のターゲット材料を上記電子ビームの照射スポット内に供給するよう、上記巻き取り機構に駆動命令を与える制御手段を備えているのに対し、引用発明では、かかる制御手段を有していない点。
　
５．当審の判断
　上記相違点について検討する。ここで、相違点１及び２は、ターゲット材料の大きさと形状に関する事項であるため、併せて検討することとする。
　
・相違点１及び２について
　まず、本願発明に記載されている「微粒子状」について検討する。
　新村出編著，広辞苑第五版第一刷，株式会社岩波書店，平成１０年１１月１１日，ｐ．１７９２−１７９３，２２８６，２８０３には以下の記載がある。
『つぶ【粒】
(「つぶら（円）」の意か)
１．まるくて小さいもの。〈類聚名義抄〉。「汗の―」「大―の涙」
　
つぶ‐じょう【粒状】‥ジヤウ
丸くて小さい、粒の形をしているさま。
　
び‐りゅうし【微粒子】‥リフ‥
粒状の微小なもの。
　
りゅう‐し【粒子】リフ‥
物質を構成する微細な粒。「素―」「―が粗い」』
　
　これらの記載から、微粒子状とは、まるくて小さく微小なものを指す用語であることが理解できる。してみると、引用発明に記載されている円盤状のものも、十分微小なものであれば、微粒子状であるものといえる。
　また、電子ビームをターゲット材料に照射した際に発生するＸ線の径は、電子ビームのスポット径よりもターゲット材料が小径である場合は、ターゲット材料の電子ビームによる投影図の径によって決まるものであって、粒子状か円盤状かといった、厚み方向の形状の違いによって異なるものではないものと考えられる。
　以上のことから、引用発明の円盤状のターゲット材料は、それ自体微粒子状であるともいえるし、仮にそうでないとしても、円盤状から微粒子状に変更することは、当業者が適宜変更しうることにすぎない。
　
　次にターゲット材料の大きさについては、タングステンを粒径５００ｎｍで微粒子状とすることは、上記周知例１に記載されている。また、所望の径のＸ線を得るために、粒状のターゲットの大きさを小さくするか、照射する電子線のビーム径を細くするかは、適宜選択すればよいことは、上記周知例２に記載されている。さらに、粒状ではないものの、所望の径のＸ線を得るためにターゲット材料としてタングステンの径を０．１μｍ（＝１００ｎｍ）とすることは、上記周知例３に記載されている。
　これら周知技術を参酌した当業者であれば、０．１５ｍｍの径のターゲット材料を用いて、そのターゲット材料の径によってＸ線の径を決定している引用発明において、さらに小径のＸ線を得ようとしたときに、照射する電子線のビーム径をさらに細くするか、ターゲット材料の径をさらに小さくするかは、上記周知技術を見て適宜選択しうることであり、具体的なターゲット材料を小径化する手段についても、上記周知例１及び３等に記載されているように周知技術であるといえるから、引用発明において、さらに小径のＸ線を得ようとしたときに、ターゲット材料の径をさらに小径化して、３〜５００ｎｍ程度とすることは、上記周知技術を参酌して、当業者が適宜なし得る程度のことにすぎない。
　
・相違点３について
　Ｘ線発生装置において、複数個のターゲットをフィルム状基材上に固定し、ターゲットの位置を移動させる機構として、そのフィルム状基材を巻き取る機構を用いることは、周知である。
　例えば、上記の周知例４には、巻き取り可能なテープ状の基板の上に、ドット状のターゲットを固定し、リールで巻き取る機構が記載されており、同じく周知例５にも、テープ状のタンタルの上に、ターゲットである円形状の錫を固定し、リールを回転させることによって巻き取る機構が記載されている。
　したがって、引用発明において上記周知技術を適用し、ターゲット固定部材としてフィルム状基材を用い、ターゲットを移動させる移動機構として、フィルム状基材を順次巻き取る巻き取り機構を用いるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　なお、付言すると、上記周知例４及び５では、ターゲットに照射しているものがレーザー光であって引用発明の電子ビームとは異なっており、照射の結果発生するＸ線の波長も異なるものではあるが、ターゲットにエネルギー線を照射してＸ線を発生させることによって、いずれターゲットが消耗して交換しなければならないことは、レーザー光、電子ビームのいずれにおいても共通に起こることであるから、レーザー光と電子ビームの違いや、それらの照射によって発生するＸ線の波長の違いが、上記周知技術を引用発明に適用するにあたっての阻害要因となるとはいえない。
　
・相違点４について
　Ｘ線発生装置において、ターゲットに電子ビームを照射してＸ線を発生させていくとターゲットが消耗し、それに伴いＸ線強度が低下するため、ターゲットを交換する必要があることは自明な事項である。特にターゲットを微粒子状とした場合には体積が小さくなるため、消耗するまでの時間が短くなることは、当業者であれば当然考慮することといえる。また逆に、ターゲットがほとんど消耗していないにもかかわらず、別のターゲットに切り換えることは不経済であることも考慮すると、ターゲットの切り換えの時点としては、ターゲットの消耗具合やそれに伴いＸ線強度の低下具合等に所定の限界値を設定し、その限界値となった時点で切り換えることとすることが妥当なものと考えられる。
　ここで、引用例２には、ＣＴ装置において用いられるＸ線源において、Ｘ線源から発生するＸ線の強度を監視して、Ｘ線源の寿命を検出することが記載されている。
　引用発明と引用例２に記載の事項は、いずれもＣＴ装置において用いられるＸ線源という点で共通するから、引用発明において、ターゲットの寿命を検出するのに、引用例２に記載のようにそこから発生するＸ線の強度を監視するようにし、その切り換え時点として用いる限界値として、あらかじめ所定のＸ線強度を設定し、かかるＸ線強度まで低下した時点でターゲットを切り換えるために、移動機構に駆動指令を与えるようにして、本願発明のような構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　また、本願発明の効果も、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された事項及び周知技術から予測される範囲のもので格別のものではない。
　
　なお、審判請求人は平成２２年１月２７日付けの意見書において種々の主張をしているので、それらの主張のうち、上記の相違点の検討において検討したもの以外の主張について、以下に検討する。
　
・主張点１
　本願発明においては微粒子の材料がタングステンであることも重要である。タングステンは融点も高く原子番号も大きいのでＸ線を発生させるためのターゲット材料として広く用いられてきたが、これを極めて小さな粒子状にするとともにフィルムの上に１つづつ並べることは困難であった。しかし何らかの方法でタングステンの微粒子がフィルム上に得られるとしたら、これをＸ線発生に利用することが可能となる。
　本願明細書の段落［００１３］に記載されているように、従来からＸ線管のターゲット材料として利用されているタングステンが粒径３〜５００ｎｍの微粒子の形として製造できることが平成１１年１１月２２日に新聞発表された。本願発明の発明者は、この新聞記事を見て、これをＸ線源のターゲットとして用いれば微小な発生領域のＸ線源が実現できるという着想を得て本願発明を発想するに至った。この発想は十分に特許されるに値すると思料する。
　
・主張点２
　相違点３については、引用例２にＸ線強度を監視してＸ線源の寿命を検出することが記載されているが、これはＸ線源すなわち管球全体としての寿命をモニタしようとするものであって、本願のようにターゲットの消耗度合いを見ようとすることとは異なる。引用例２に記載された通常のＸ線管はターゲットを頻繁に交換する構造ではないので、Ｘ線強度が下がってきたということはＸ線管が故障したということであって、次に行う作業としては、ターゲット部分を交換するか、あるいは、Ｘ線管全体をまるごと交換するかという作になる。それに対して本願発明では、ターゲットは微小な粒子であるので、それほど長い時間がかからずに蒸発してしまうことは想定のうちであって、フィルムを送ってターゲット粒子を交換することは日常の操作のうちである。
　
　上記審判請求人の主張について検討する。
　
・主張点１について
　審判請求人も意見書中で認めているように、タングステンを微粒子化することは、上記周知例１に記載されているように、本願出願前に周知又は公知となっている事項である。その他の周知例を含めて、上記相違点１及び２について検討したとおり、引用発明及び周知技術から当業者が容易になし得ることであり、上記審判請求人の主張は採用しない。
　
・主張点２について
　本願発明には、ターゲットの交換頻度について何ら規定されていないのであるから、主張点２については、本願発明に基づかない主張である。引用例２にＸ線強度を監視してＸ線源の寿命を検出することが記載されている以上、上記相違点４について検討したとおり、引用発明及び引用例２に記載された事項から、当業者が容易になし得ることであり、上記審判請求人の主張は採用しない。
　
６．むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。