【事件の表示】
　平成　９年特許願第１３５１５５号「フォトマスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月１０日出願公開、特開平１０−　６９０６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成９年５月２６日（パリ条約による優先権主張１９９６年７月１６日、韓国）の出願であって、平成１７年９月１３日付け拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月１５日に拒絶査定不服の審判が請求なされるともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、平成１８年１１月１０日付けの審尋に対して平成１９年１月１０日に回答がなされたものである。
　
II．平成１７年１２月１５日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１２月１５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］独立特許要件違反
１．補正後の本願発明
（１）平成１７年１２月１５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、補正前の
「所定の露光パターンを用いて露光を行う露光工程を含むフォトマスクの製造方法において、前記露光工程は、
　前記所定の露光パターンを用いて、所定の光量である第１ドーズ量で第１の露光を行う第１の露光段階と、
　前記所定の露光パターンのうちパターン忠実度の低い部分を含むように前記所定の露光パターンの一部を含む領域を限定する補正露光パターンを用いて、前記所定の光量より小さい光量である第２ドーズ量で第２の露光を行う第２の露光段階と、
　を含み、前記補正露光パターンは、矩形領域を限定する複数の矩形パターンを含み、前記複数の矩形パターンは、前記所定の露光パターンのうち１つの角部の領域及び前記所定の露光パターンの外側の領域からなるパターンを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」
　が、
「所定の露光パターンを用いて露光を行う露光工程を含むフォトマスクの製造方法において、前記露光工程は、
　前記所定の露光パターンを用いて、所定の光量である第１ドーズ量で第１の露光を行う第１の露光段階と、
　前記所定の露光パターンのうちパターン忠実度の低い部分を含むように前記所定の露光パターンの一部を含む領域を限定する補正露光パターンを用いて、前記所定の光量
の０．７５ないし２．２５％の
　を含み、前記補正露光パターンは、矩形領域を限定する複数の矩形パターンを含み、前記複数の矩形パターンは、前記所定の露光パターンのうち１つの角部の領域及び前記所定の露光パターンの外側の領域からなるパターンを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」
　と補正された。
　
　また、同請求項４は、補正前の
「所定の露光パターンを用いて露光を行う露光工程を含むフォトマスクの製造方法において、前記露光工程は、
　前記所定の露光パターンの端部から拡張された領域を有する変形された露光パターンを用いて、所定の光量である第１ドーズ量で第１の露光を行う第１の露光段階と、
　前記変形された露光パターンのうち忠実度の低い部分を含むように前記拡張された領域を含む領域を限定する補正露光パターンを用いて、前記所定の光量より小さい光量である第２ドーズ量で第２の露光を行う第２の露光段階と、
　を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」
　が、
「所定の露光パターンを用いて露光を行う露光工程を含むフォトマスクの製造方法において、前記露光工程は、
　前記所定の露光パターンの端部から拡張された領域を有する変形された露光パターンを用いて、所定の光量である第１ドーズ量で第１の露光を行う第１の露光段階と、
　前記変形された露光パターンのうち忠実度の低い部分を含むように前記拡張された領域
及びその外側の領域
の０．７５ないし２．２５％の
　を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」
　と、補正された。
　
（２）本件補正は、請求項１については、第２の露光について、「前記所定の光量より小さい光量光量である第２ドーズ量」を「前記所定の光量の０．７５ないし２．２５％の光量である第２ドーズ量」と限定したものである。
　また、請求項４については、請求項１の前記補正事項と同様の限定に加えて、第２の露光に用いる補正露光パターンについて、「前記拡張された領域を含む領域を限定する」を「前記拡張された領域及びその外側の領域を含む領域を限定する」との限定をしたものである。
　
（３）したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−１５５３３７号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）特許請求の範囲
　基板上に電子線レジスト膜を塗布してプリベークする工程と、可変矩形電子ビームにより前記電子線レジスト膜を選択的に露光して矩形状パターンの露光領域を設ける工程と、前記露光領域の４隅部のみに可変矩形電子ビームで前記矩形状パターンより小さい矩形状パターンを重ねて露光する工程と、前記電子線レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
（第１頁左欄第６行から第１５行）
　
（イ）〔産業上の利用分野〕
　本発明は、半導体集積回路の写真蝕刻工程に用いられるフォトマスクの製造方法に関し、特に可変整形電子ビームによるレジストパターン形成方法に関する。
（第１頁左欄第１８行から右欄第２行）
　
（ウ）〔従来の技術〕
　近年、半導体集積回路の微細化・高集積化が進み、集積度１Ｍビットを越えるＤＲＡＭが量産される時代となった。これに伴いフォトマスク及びステッパー用レティクル（以下レティクルと略す）に要求される品質もかなり厳しいものとなってきている。
　フォトマスクまたはレティクルの描画に用いられる電子線露光装置は、ビーム形状により大別して２つのタイプに分けられる。１つはＷ（タングステン）やＬａＢ６（ランタンへキサボライド）等の電子銃からの電子ビームを電子光学系によりスポット上に絞った電子ビームを用いるラウンドビーム系の露光装置であり、他方は電子銃からの電子ビームを２枚以上のスリットにより矩形状に整形して用いる整形ビーム型の露光装置である。後者の中でも近年は描画遠度等の観点から可変矩形ビーム型の電子線露光装置が多く用いられるようになってきた。
　この可変矩形ビーム型の電子線露光装置の描画面上の電子ビームの照射量分布は、第３図（ａ）に示すように理想的な状態であれば第３図（ｂ）に示すように、設計値通りの正確な寸法のパターンが形成できるが、実際には、電子光学系の収差等により第４図（ａ）に示すような照射量分布を有しており、従って形成されたパターンも第４図（ｂ）に示すように、４隅の露光量が不足して丸みを帯びた形状に形成される。
（第１頁右欄第３行から第２頁左上欄第１０行）
　
（エ）〔発明が解決しようとする課題〕
　上述した従来のフォトマスクの製造方法では、パターンの隅部が丸みを帯び、これにより設計上所望していたパターン形状とは異なるマスクパターンとなってしまうという問題点があった。特に、半導体製造工程中のコンタクト工程と呼ばれる工程では、実際のマスクパターンが設計データとは異なってコーナーが丸みを帯びることにより、コンタクトパターンの面積が設計よりも小さくなってしまい、出来上りの半導体集積回路の電気特性が設計値からずれてしまうということが生じる。コンタクト工程のみに限らず、設計データを忠実にパターン形状に反映することは、フォトマスクまたはレティクルの製作にあたって、寸法精度向上の観点からも極めて重要な課題である。
（第２頁左上欄第１１行から右上欄第５行）
　
（オ）〔実施例〕
（略）
　まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板上にクロム膜を形成した５インチ型のマスク基板のクロム膜状に東レ製のポジ型レジスト液ＥＢＲ−Ｗを塗布して厚さ約０．５μｍのレジスト膜を形成し、クリーンオーブン中で２００℃、３０分間のプリベークを行う。次に、レジスト膜を可変矩形ビーム型の電子ビーム露光装置の矩形電子ビームにより照射して例えば４μｍ×４μｍのコンタクトパターンを５．５μＣ／ｃｍ２のドーズ量で露光し、露光領域１を形成する。
　次に、第１図（ｂ）に示すように、露光領域１の４隅のみを１μｍ×１μｍのショットサイズを有する電子ビームで照射し、２重露光領域２を形成す。
　次に、第１図（ｃ）に示すように、露光領域１、２を含むレジスト膜を現像してレジストパターン領域３を形成する。
　ここで、２重露光領域２を形成するための電子ビームのドーズ量は条件を種々変えて検討した結果、１μＣ／ｃｍ２のドーズ量のときに出来上りのコンタクトパターンの形状が最良であった。
　もしも、２重露光領域２のドーズ量が不足すると４隅の形状は丸みを帯び、ドーズ量が過大であると第２図に示すように、４隅の形状が膨らみ変形してしまう。
（第２頁右上欄第１６行から右下欄第６行）
　
　これらの記載から、引用例１には、
「矩形状パターンに５．５μＣ／ｃｍ２のドーズ量で露光し露光領域１を形成する工程と、
　露光量の不足する前記露光領域１の４隅のみに１μＣ／ｃｍ２のドーズ量で露光し矩形状の２重露光領域２を形成する工程と、
　を含むフォトマスクの製造方法」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２）また、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−１１４５１２号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ア）［産業上の利用分野］
　本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に電子ビーム等の荷電粒子ビームを用いてレジスト膜を選択的に露光する半導体装置の製造方法に関する。
（第２頁左上欄第９行から第１３行）
　
（イ）［課題を解決するための手段］
　第１図を参照して、基本パターン１を繰り返し露光し、所定の領域２内に繰り返し模様の主露光を行ない、該繰り返し模様領域２の中央部２ａを除外し、少なくとも該繰り返し模様領域２のうち外縁領域に強度的に主露光よりも低い、補助露光６を行う。
（第４頁左下欄第１５行から右下欄第１行）
　
（ウ）［作用］
　基本パターンの繰り返しからなる繰り返し模様を荷電粒子ビームで露光する場合、周囲を同一基本パターンの繰り返しで囲まれた繰り返し領域２の中央部２ａにおいては近接効果もほぼ均等に表れ、その補正も容易である。しかし、外縁部２ｂでは一方の側には第１、第２隣接パターンが存在するのに他の側には第２隣接パターン、または第１および第２隣接パターンが存在しないような不均一が生じる。従って、外縁部パターン１ａ、１ｂは他と比較して近接効果が不均一であり、露光量が少なくなる。少なくとも外縁部２ｂ、必要に応じてさらにその外側の周辺部５で補助露光６を行なうことにより、この外縁部２ｂでの主露光３の露光量不均一を補償できる。
（第４頁右下欄第６行から右下欄最終行）
　
（エ）［実施例］
　第１図は基本実施例を示す、基本パターン１が繰り返される繰り返し模様の領域（以後繰り返し領域）２とその外側周辺の周辺部５とが示されている。基本パターン１は１本のラインで例示するか、より複雑な図形であってもよい。例えばＤＲＡＭの配線パターンの数セル分でもよい。これを繰り返し露光することでより広い部分のパターンを構成できるものである。前述の荷電粒子ビームの拡がりが例えば基本パターン１の２個分の幅あるとする。繰り返し領域２の中央部２ａの基本パターンは左右から２本づつの近接基本パターン１の近接効果を受けている。この近接効果を取り込んで設計上のライン幅を形成するように調整する。繰り返し領域２の外縁部２ｂの１番外側の基本パターン１ａは図中右側からは２つの基本パターンからの近接効果をうけるが左側からの基本パターンの近接効果はない。次の基本パターン１ｂは最近接パターンは左右に存在するが、２番目の近接パターンは右側にしかない、従って、外縁部２ｂで２つのパターンが細くなり、その位置を右方向にずらすことになる。ここで補償用の補助露光６が繰り返し領域２の内側の外縁部２ｂに与えられる。この外縁部２ｂの補助露光６により、左側にもパターンがある時の近接効果と同等の効果を与えて、繰り返し領域２内の外縁部２ｂの基本パターン１ａ、１ｂがほぼ設計通りの幅と位置を有するように調整する。
　補助露光６は単独では露光パターンを形成しない強度である。その目的は近接効果の補償のみにある。どの程度の強度の近接効果をどの範囲まで与えるかによって幾つかの形態が考えられる。特に荷電粒子ビームによって補助露光する場合は自由度が多い、なお、前記補助露光は、周辺部５にも同時に与えられても良い。
（第５頁左上欄第１５行から左下欄第９行）
　
  （オ）第２図（Ａ）、（Ｂ）は、主露光の繰り返し領域２と補助露光６の領域との関係の例を示す。繰り返し領域２はパターンを形成可能であった領域であり、その内で実際のパターン７は境界より内側に形成されるので主露光パターン７と補助露光領域６とは離れている。補助露光領域６は、例えば矩形中空パターンである。この場合、繰り返し領域２内のパターン密度などにより補助露光の強度を定めて補助露光を行なう。
　第２図（Ａ）は補助露光６の領域が実際の主露光パターン７の境界に外接している場合である。境界に接することにより、低い強度の補助露光で主露光パターンの外縁に強い近接効果を与えることができる。実際にどんな基本パターンを露光するのかを考慮してより精密に補助露光するのに適している。
　第２図（Ｂ）はさらに主露光パターン７の内側にまで入り込んだ補助露光６を行なう場合で、補助露光６の強度を抑え、荷電粒子ビームの拡がり一杯を考慮してさらに精密に補償を行うのに適している。例えば、主露光パターンの外縁から内側に向けて補助露光の強度を漸減するようにする。
　なお、主露光と補助露光との関係は、第２図（Ａ）、（Ｂ）のものに限らないことは当業者に自明であろう。例えば、これらの組み合わせ、変更、修正等も可能である。
（第５頁左下欄第１０行から右下欄第１５行）
　
　これらの記載から、引用例２には、電子ビームを用いてレジスト膜を選択的に露光して所望のパターンを形成する半導体装置の製造方法において、主露光により形成される基本パターンの外縁部では露光量が落ちるため、それを補償するために、基本パターンの外縁部に主露光より強度の低い補助露光を行うとよい、という技術的思想が開示されている。
　
３．対比
（１）そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　本願補正発明は、上記「１．（１）」のとおり、
「所定の露光パターンを用いて露光を行う露光工程を含むフォトマスクの製造方法において、前記露光工程は、
　前記所定の露光パターンを用いて、所定の光量である第１ドーズ量で第１の露光を行う第１の露光段階と、
　前記所定の露光パターンのうちパターン忠実度の低い部分を含むように前記所定の露光パターンの一部を含む領域を限定する補正露光パターンを用いて、前記所定の光量より小さい光量である第２ドーズ量で第２の露光を行う第２の露光段階と、
　を含み、前記補正露光パターンは、矩形領域を限定する複数の矩形パターンを含み、前記複数の矩形パターンは、前記所定の露光パターンのうち１つの角部の領域及び前記所定の露光パターンの外側の領域からなるパターンを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」
　である。
　
（２）そうすると、引用発明の「矩形状パターンに５．５μＣ／ｃｍ２のドーズ量で露光し露光領域１を形成する工程」は、本願補正発明の「第１の露光段階」に対応するものであり、前者の工程中の「矩形状パターン」、「５．５μＣ／ｃｍ２のドーズ量」は、それぞれ、後者の「所定の露光パターン」、「所定の光量である第１ドーズ量」に相当する。
　また、引用発明の「露光量の不足する前記露光領域１の４隅のみに１μＣ／ｃｍ２のドーズ量で露光し２重露光領域２を形成する工程」は、本願補正発明の「第２の露光段階」に対応するものである。
　ここで、引用発明の同工程中の、「２重露光領域２」は、本願補正発明の「補正露光パターン」に相当するものであり、また、この「２重露光領域２」は、露光領域１のうち、露光量が不足し丸みを帯びた４隅に矩形状に形成されるものであるから、本願補正発明の「補正露光パターン」と同様に、「前記所定の露光パターンのうちパターン忠実度の低い部分を含むように前記所定の露光パターンの一部を含む領域を限定」し、同「矩形領域を限定する複数の矩形パターンを含み、前記複数の矩形パターンは、前記所定の露光パターンのうち１つの角部の領域からなるパターンを含む」ものである。
　また、引用発明の同工程中の「１μＣ／ｃｍ２のドーズ量」は、本願補正発明の「第２ドーズ量」に相当するものであり、同「第１ドーズ量」に対応する「５．５μＣ／ｃｍ２のドーズ量」に対する割合を換算すると約１８％となり、「第１ドーズ量」より小さい光量である点では本願補正発明と共通する。
　
　以上から、本願補正発明と引用発明とは、
「所定の露光パターンを用いて露光を行う露光工程を含むフォトマスクの製造方法において、前記露光工程は、
　前記所定の露光パターンを用いて、所定の光量である第１ドーズ量で第１の露光を行う第１の露光段階と、
　前記所定の露光パターンのうちパターン忠実度の低い部分を含むように前記所定の露光パターンの一部を含む領域を限定する補正露光パターンを用いて、前記所定の光量より小さい光量である第２ドーズ量で第２の露光を行う第２の露光段階と、
　を含み、前記補正露光パターンは、矩形領域を限定する複数の矩形パターンを含み、前記複数の矩形パターンは、前記所定の露光パターンのうち１つの角部の領域からなるパターンを含むフォトマスクの製造方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　第１ドーズ量に対する第２ドーズ量の比が、本願補正発明では０．７５ないし２．２５％の光量であるのに対して、引用発明では約１８％である点。
　
［相違点２］
　補正露光パターンを構成する矩形パターンが、本願補正発明では所定の露光パターンの角部の領域及び前記所定の露光パターンの外側の領域からなるのに対して、引用発明では、同角部の領域のみからなり、露光パターンの外側の領域は含まない点。
　
４．判断
［相違点１］について
　本願補正発明において、第１ドーズ量に対する第２ドーズ量の比を、０．７５ないし２．２５％と特定したことの技術上の意義について検討する。
　本願の明細書及び図面には、前記比を設定して行った具体例として示されているのは、０．７５％、１．５％、２．２５％の３例（及び、第２露光を行わない、０％）のみであり（本願明細書【００３２】から【００３７】、【図６】、【図７】）、また、それらの値が選択されている理由は示されておらず明らかでない。
　更に、【図７】に示された結果と共に、「第２の露光工程の際の補正ド−ズ量を増すに従って、フォトマスク上に形成されるダミ−ラインパタ−ンの形状が良好になり、また、コンタクトパタ−ンのエッジも良好に形成される（明細書【００３３】）」と記載されていることなどを勘案すれば、前記比を２．２５％以上に設定した方がよりよい結果が得られるであろうことは当然に推測できる。 
　したがって、第２ドーズ量を第１ドーズ量の０．７５ないし２．２５％の光量とした点には、格別な技術上の意義がないものと言う他なく、この点は、単なる設計的事項であり、格別なものではない。
　
［相違点２］について
　引用例２には、上記「２．（２）」で述べたとおり、電子ビームを用いてレジスト膜を選択的に露光して所望のパターンを形成する半導体装置の製造方法において、主露光により形成される基本パターンの外縁部では露光量が落ちるため、それを補償するために、基本パターンの外縁部に主露光より強度の低い補助露光を行うとよい、という技術的思想が開示されている。
　引用例２は、電子ビーム露光を用いた半導体装置の製造方法に関する発明であり、フォトマスクの製造方法に関する本願補正発明とは電子ビームによる露光の対象が異なるものではあるが、電子ビーム露光を用いた半導体装置の製造方法がフォトマスクの製造方法にも転用が可能であることは、この分野の当業者にとっては周知の技術的知見である。
　そして、引用例１と引用例２とは、設計上のパターン形状が正確に形成されるように露光を行うという目的においても共通するものである。
　してみれば、引用発明に引用例２の上記技術的思想を適用して、補正露光パターンを所定の露光パターンの外側の領域にまで拡げることは、当業者であれば容易に想到できたといえる。
　なお、引用例２に開示された主露光により形成される基本パターンである領域２は、例えば１本のラインにより構成される基本パターン１の繰り返しから形成されるものであり、引用例１のような矩形の露光領域１とは異なるものの、外縁部が、中央部に比べて、主露光の露光量が少なくなり、そのためにそれを補償する必要があるという課題については、主露光領域が、引用例２のように、繰り返しパターンから形成されるものであっても、引用例１のように、単一の矩形領域から形成されるものであっても、共通するものと認めることができる。したがって、この点で、引用発明に引用例２の上記技術的思想を適用することを妨げる理由はない。
　また、引用例２においては、基本パターンの外縁部の、角部のみでなく、全辺に渡って、補助露光を行うことが示されているが、上記のとおり、引用例２からは、露光量が落ちた部位に、それを補償するため、主露光より強度の低い補助露光を行う、という技術的思想が明確に把握できるのであるから、これを引用例１に適用する際には、露光領域１の全周に限られず、特に、露光量が不足する４隅にのみ、補助露光をすることを妨げる理由もない。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び引用例２に記載された事項から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
（５）してみれば、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（６）以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定によって却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．平成１７年１２月１５日付けの手続補正について
　本件補正は、上記［II.］のとおり、却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１７年４月１１日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　
「所定の露光パターンを用いて露光を行う露光工程を含むフォトマスクの製造方法において、前記露光工程は、
　前記所定の露光パターンを用いて、所定の光量である第１ドーズ量で第１の露光を行う第１の露光段階と、
　前記所定の露光パターンのうちパターン忠実度の低い部分を含むように前記所定の露光パターンの一部を含む領域を限定する補正露光パターンを用いて、前記所定の光量より小さい光量である第２ドーズ量で第２の露光を行う第２の露光段階と、
　を含み、前記補正露光パターンは、矩形領域を限定する複数の矩形パターンを含み、前記複数の矩形パターンは、前記所定の露光パターンのうち１つの角部の領域及び前記所定の露光パターンの外側の領域からなるパターンを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。」
（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例１及び引用例２には、前記「II．２．」に記載されたとおりの事項が記載されている。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記「II．３．」で認定した本願補正発明のうち、「前記所定の光量の０．７５ないし２．２５％の光量光量である第２ドーズ量」を、「前記所定の光量より小さい光量光量である第２ドーズ量」に置き換えたものである。
　してみれば、本願発明は、上記「II．」と同様の理由により、引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到できたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。