【事件の表示】
　特願２００３−　３２７８６「液晶表示パネル及びそれを用いた電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　４５５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１０月４日に出願された特願平８−２８３０２５号の一部を平成１５年２月１０日に分割して新たな特許出願としたものであって、原審において、平成１５年１０月１日付で拒絶理由が通知され、同年１２月１日に手続補正がなされたところ、平成１６年２月３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月８日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１６年４月８日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１６年４月８日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、
　
一の方向に延在し
　
前記複数の薄膜トランジスタのソース，ドレインとなる第１ポリシリコン層と
　前記一の方向に延在している金属配線層と前記第１ポリシリコン層が重なる領域に設けられ、前記金属配線層と前記第１ポリシリコン層における前記薄膜トランジスタのソースとを接続するコンタクトホールと
　前記基板と前記複数の薄膜トランジスタの間に設けられ、前記複数の金属配線層と交差する複数の遮光層と、
　該遮光層と前記複数の薄膜トランジスタの間を絶縁する絶縁層と、
　前記第１ポリシリコン層が延在する領域で形成される保持容量とを備え、
　前記複数の遮光層は、所定の電位が印加され、前記複数の金属配線層とで画素を囲むように形成されており、
　前記複数の遮光層における隣接する薄膜トランジスタ同士の間に位置する領域は、前記複数の遮光層における薄膜トランジスタ形成領域
及び前記コンタクトホールが形成された領域
と補正された。
　　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ソース線として機能する複数の金属配線層」に「
一の方向に延在し
及び前記コンタクトホールが形成された領域
前記一の方向に延在している金属配線層と前記第１ポリシリコン層が重なる領域に設けられ、前記金属配線層と前記第１ポリシリコン層における前記薄膜トランジスタのソースとを接続するコンタクトホール
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する（なお、下線は当審が引いた。）。
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−２０８８９６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「本発明は、液晶等を用いたアクティブマトリクス表示装置に用いられる薄膜トランジスタアレイの改良に関する。」（１頁右下欄９〜１１行）
　
　ｂ．「本発明は、・・・薄膜トランジスタのゲート電極及びその延長したゲート配線をチャネルが形成される半導体層４を挟んで上方と下方に２本設けた２層配線構造としたものである。さらに両配線材料には、ともに遮光性導体を用い、さらに上記２層配線をトランジスタ以外の部分において電気的に連接したものである。」（２頁右下欄１１〜１９行）
　
　ｃ．「以下に実施例をともなって本発明の作用、効果を詳細に説明する。
　第１図（ａ）は本発明の薄膜トランジスタアレイの１画素の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’断面図、同じく（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図、である。
１ガラス基板、２はＮｉＣｒの蒸着膜からなる下部ゲート電極、３はＣＶＤ法により形成した窒化Ｓｉからなる下部ゲート絶縁膜、４はアモルファスシリコンからなる半導体層、５はｎ型不純物（燐）をドープしたアモルファスシリコンからなる一対の半導体層で、図示のごとくソース及びドレインとして動作すべく上記下部ゲート電極上方において分離開口部を有して対向している。
６は３と同じくＣＶＤ法により形成した窒化Ｓｉからなる上部ゲート絶縁膜、７はＩＴＯ（Ｉｎ．Ｔｉｎ．Ｏｘｉｄ）からなる表示画素の透明電極、８及び９はＡｌ膜からなるソース、ドレイン電極、１０はソース、ドレイン部の電極取り出し用のスルーホール、　１１は下部ゲート電極（２）の延長部分たる下部ゲート配線（２’）と上部ゲート電極（１２）の延長部分たる上部ゲート配線（１２’）とを薄膜トランジスタ以外の部分において電気的に連接するためのスルーホール、１２は上部ゲート電極である。　ここで下部及び上部電極（２，１２）は遮光性導体であれば良く、上述の材料に限定されない。なお実施例では上部電極をソース、ドレイン電極と同じＡｌ膜を用いているが別の材料からなる層を別工程で形成しても良い。」（３頁左上欄２〜同頁右上欄１１行）
　
　ｄ．また、上記ｃ、第１図（ａ）〜（ｃ）、および液晶表示装置分野の技術常識から見て、引用例には、
「ガラス基板１上に一定幅の複数の下部ゲート電極２および下部ゲート配線２’が形成され、その上に下部ゲート絶縁膜３を介して複数の薄膜トランジスタが形成されてなり、ソース配線８’およびこれから分岐したソース電極８がＡｌ膜を用いて一体に形成されてなり、上記下部ゲート電極２および下部ゲート配線２’は、薄膜トランジスタのチャンネル部を遮光するとともに上記ソース配線８’と交差し、両者で表示画素７を囲むように形成されてなる。」
点が記載されていると認められる。
　
　したがって、上記ａ〜ｄの記載事項によれば、引用例には、
「ガラス基板１、遮光性導体からなる複数の下部ゲート電極２および下部ゲート電極２の延長部分たる下部ゲート配線２’、下部ゲート絶縁膜３、アモルファスシリコンからなる半導体層４および薄膜トランジスタのソース、ドレイン部となるアモルファスシリコンからなる一対の半導体層５からなる複数の薄膜トランジスタ、複数の表示画素７、Ａｌ膜からなる複数のソース電極８及びソース配線８’、ドレイン電極９、ソース電極８と薄膜トランジスタのソース部との接続用のスルーホール１０とを有し、ガラス基板１上に一定幅の複数の下部ゲート電極２および下部ゲート配線２’が形成され、その上に下部ゲート絶縁膜３を介して複数の薄膜トランジスタが形成されてなり、ソース配線８’およびこれから分岐したソース電極８がＡｌ膜を用いて一体に形成されてなり、上記下部ゲート電極２および下部ゲート配線２’は、薄膜トランジスタのチャンネル部を遮光するとともに上記ソース配線８’と交差し、両者で表示画素７を囲むように形成されてなるアクティブマトリクス液晶表示装置。」
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例発明」という。）。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを以下に対比する。
　
　ア．引用例発明の「ガラス基板１」、「薄膜トランジスタ」、「ソース配線８’およびこれから分岐したソース電極８」、「下部ゲート電極２および下部ゲート配線２’」、「下部ゲート絶縁膜３」、「表示画素７」、および「アクティブマトリクス液晶表示装置」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「薄膜トランジスタ」、「金属配線層」、「遮光層」、「絶縁層」、「画素」、および「液晶表示パネル」に相当する。
　
　イ．引用例発明の「薄膜トランジスタのソース、ドレイン部となるアモルファスシリコンからなる一対の半導体層５」は、薄膜トランジスタのソース、ドレインとなる半導体層である点で、本願補正発明の「薄膜トランジスタのソース，ドレインとなる第１ポリシリコン層」に一致する。
　
　ウ．引用例発明の「ソース電極８と薄膜トランジスタのソース部との接続用のスルーホール１０」は、ソース配線と薄膜トランジスタのソースとを接続するスルーホールである点で、本願補正発明の「前記金属配線層と前記第１ポリシリコン層における前記薄膜トランジスタのソースとを接続するコンタクトホール」に一致する。
　
　エ．引用例発明の「下部ゲート電極２および下部ゲート配線２’」に電位が印加されていることは明らかであるから、引用例発明は、本願発明の「前記複数の遮光層は、所定の電位が印加され」なる事項を有する。
　
　したがって両者は、
「基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタのソース線として機能する複数の金属配線層と、前記複数の薄膜トランジスタのソース、ドレインとなる半導体層と、前記金属配線層と前記半導体層における前記薄膜トランジスタのソースとを接続するコンタクトホールと、前記基板と前記複数の薄膜トランジスタの間に設けられ、前記複数の金属配線層と交差する複数の遮光層と、該遮光層と前記複数の薄膜トランジスタの間を絶縁する絶縁層とを備え、前記複数の遮光層は、所定の電位が印加され、前記複数の金属配線層とで画素を囲むように形成されている液晶表示パネル。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点１］本願補正発明の薄膜トランジスタのソース、ドレインとなる半導体層は、「ポリシリコン」であるのに対して、引用例発明の半導体層は、「アモルファスシリコン」であって、シリコン半導体の結晶性が異なる点。
　
［相違点２］本願補正発明のコンタクトホールは「一の方向に延在している金属配線層と前記第１ポリシリコン層が重なる領域に設けられ、前記金属配線層と前記第１ポリシリコン層における前記薄膜トランジスタのソースとを接続するコンタクトホール」であるのに対し、引用例発明のコンタクトホールは、「ソース電極８と薄膜トランジスタのソース部との接続用のスルーホール１０」であって、一の方向に延在している金属配線層と前記第１ポリシリコン層が重なる領域に設けられたものではない点。
　　
［相違点３］本願補正発明は「前記第１ポリシリコン層が延在する領域で形成される保持容量」を有するのに対し、引用例発明はこれを持たない点。
　
［相違点４］本願補正発明は「前記複数の遮光層における隣接する薄膜トランジスタ同士の間に位置する領域は、前記複数の遮光層における薄膜トランジスタ形成領域及び前記コンタクトホールが形成された領域と重なる領域に比べて幅が狭く形成されている」構成を有するのに対し、引用例発明は、薄膜トランジスタのチャンネル部を遮光する一定幅の遮光層を有するものの、当該遮光層が薄膜トランジスタ形成領域全体および上記コンタクトホールが形成された領域と重なるものではない点。
　　
（４）判断
［相違点１］について　
　薄膜トランジスタのソース、ドレイン部をポリシリコン層とする点は、本願出願前に広く知られており、適宜採用可能な事項にすぎない。
　必要であれば、特開平６−８２８２９号公報（段落【００１１】、【００１３】、【図２】）、特開平４−４１５号公報（６頁右下欄１〜１３行、第１０図（ａ）〜（ｄ））、特開平３−８０２２５号公報（２頁左上欄１１行〜同頁右上欄６行、第５図（ａ）、（ｂ））等を参照のこと。
　したがって、上記相違点１に係る本願補正発明の事項は引用例発明および上記周知技術に基づき当業者が容易になしえたことである。
     
［相違点２］について
　一の方向に延在しているソース線に重畳してポリシリコンからなる薄膜トランジスタのソース領域を設け、当該重畳部に両者を接続するコンタクトホールを開口した点は、本願出願前から周知の技術事項にすぎない。
　必要であれば、特開平４−４１５号公報（５頁左上欄１５行〜同頁右上欄９行、第１図、第２図）、特開平３−８０２２５号公報（２頁左上欄１１行〜同頁右上欄１２行、第５図（ａ）、（ｂ））、特開昭６３−７０８３２号公報（２頁左下欄２〜１４行、第１図（ａ）、（ｂ））等を参照のこと。
　上記周知技術は、ソース線に薄膜トランジスタの一部を重ねることにより、画素の開口率を向上せしめる技術であると解されるところ、上記引用例には開口率を向上する旨の明示の課題は記載されていないが、上記課題は、液晶表示装置の設計開発に携わる当業者であれば、当然に考慮すべき周知の課題である。
　したがって、上記周知技術を引用例発明に採用するについて十分な動機があるというべきであり、上記相違点２に係る本願補正発明の事項は引用例発明および上記周知技術に基づき当業者が容易になしえたことである。
　
［相違点３］について
　薄膜トランジスタのポリシリコン層が延在する領域に保持容量を形成することは、本願出願前から周知の技術事項である。
　必要であれば、特開平４−４１５号公報（３頁左下欄５行〜４頁左上欄１６行、６頁左上欄３〜１３行、第１図、第７図）、特開平３−８０２２５号公報（２頁左上欄１１行〜同頁右下欄５行、第６図（ａ）、（ｂ））、特開昭６３−７０８３２号公報（２頁右上欄２行〜同頁右下欄１５行、第１図（ａ）〜（ｃ））等を参照のこと。
　そして、液晶の容量に対し保持容量を付加することは、必要に応じて適宜なし得る設計的事項というに相当するから、上記相違点３に係る本願補正発明の事項は引用例発明および上記周知技術に基づき当業者が容易になしえたことである。
　
［相違点４］について
　液晶表示パネルのソース線接続部を含む薄膜トランジスタ形成領域を遮光する導電性の遮光層であって、上記薄膜トランジスタ下部に絶縁層を介して形成されるとともに、ゲートバスラインに重畳して延在している遮光層は、本願出願前から周知である。
　例えば、特開平６−８２８２９号公報（段落【００１１】、【００１３】、【００１７】、【図１】、【図２】）、特開平７−２７０８２３号公報（段落【００２５】、【図４】）等を参照のこと。
　そして、上記周知例にも記載されているように薄膜トランジスタ形成領域を遮光することは、薄膜トランジスタの技術分野においては周知の技術課題にすぎないのであるから、これを引用例発明の下部ゲート電極２および下部ゲート配線２’に適用して、これらにより薄膜トランジスタ形成領域を遮光することに格別の困難性があるとはいえない。
　この場合、上記相違点２についての検討ですでに述べたような一の方向に延在しているソース線に重畳してポリシリコンからなる薄膜トランジスタのソース領域を設け、当該重畳部に両者を接続するコンタクトホールを開口した構成の従来周知の薄膜トランジスタに、上記周知例を適用すれば、遮光すべき薄膜トランジスタ形成領域には上記コンタクトホールの領域も含まれることは自明であって、さらに当該領域においては、遮光対象となる上記薄膜トランジスタ形成領域およびコンタクトホール領域の幅は他の部分より広がっているといえるから、結果として、上記相違点４の「前記複数の遮光層における隣接する薄膜トランジスタ同士の間に位置する領域は、前記複数の遮光層における薄膜トランジスタ形成領域及び前記コンタクトホールが形成された領域と重なる領域に比べて幅が狭く形成されている」なる構成が得られることもまた明らかである。
　したがって、上記相違点４に係る本願補正発明の事項は引用例発明および上記相違点２で検討した周知技術、ならびに上記周知例に基づき当業者が容易になしえたことである。
　
　よって、本願補正発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年４月８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１２月１日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】　基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、
　前記複数の薄膜トランジスタのソース線として機能する複数の金属配線層と、
　前記基板と前記複数の薄膜トランジスタの間に設けられ、前記複数の金属配線層と交差する複数の遮光層と、
　該遮光層と前記複数の薄膜トランジスタの間を絶縁する絶縁層と、
　前記複数の薄膜トランジスタのソース、ドレインとなる第１ポリシリコン層が延在する領域で形成される保持容量とを備え、
　前記複数の遮光層は、所定の電位が印加され、前記複数の金属配線層とで画素を囲むように形成されており、
　前記複数の遮光層における隣接する薄膜トランジスタ同士の間に位置する領域は、前記複数の遮光層における薄膜トランジスタ形成領域と重なる領域に比べて幅が狭く形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「一の方向に延在し」および「前記一の方向に延在している金属配線層と前記第１ポリシリコン層が重なる領域に設けられ、前記金属配線層と前記第１ポリシリコン層における前記薄膜トランジスタのソースとを接続するコンタクトホールと」との構成を実質的に削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。