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【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の要素のそれぞれが階層構造で定義された、Ｗｅｂページを出力させるための構造化文書を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された構造化文書を解析することによって、当該構造化文書における複数の階層のそれぞれに含まれている複数の要素のそれぞれを個別に特定するための情報を作成する作成手段と、
前記取得手段により取得された構造化文書に含まれている複数の要素から、少なくとも１つの要素を出力対象として選択する選択手段と、
前記選択手段により複数の要素が出力対象として選択された場合に、前記作成手段により作成された情報に基づいて当該複数の要素のそれぞれを個別に特定し、特定された当該複数の要素を、前記構造化文書に含まれている他の要素と区別して出力する出力手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、前記選択手段により複数の上位要素のそれぞれが出力対象として選択された場合に、前記出力手段は前記作成手段により作成された情報に基づいて、当該複数の上位要素のそれぞれに対して下位の階層に含まれる複数の下位要素を特定することで、当該複数の上位要素を出力対象として特定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記選択手段は、複数の上位要素のそれぞれの下位の階層に含まれる複数の下位要素を個別に選択可能であり、前記出力手段は、前記情報に基づいて当該複数の下位要素を出力対象として特定することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記選択手段は、第１の階層に含まれる第１の要素と、当該第１の階層に含まれる第２の要素の下位の要素とのそれぞれを個別に選択可能であり、前記出力手段は、前記情報に基づいて当該第１の要素と当該下位の要素とを出力対象として特定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記作成手段により作成された情報に基づき、前記構造化文書に含まれている複数の要素の内容を示し当該複数の要素のそれぞれに対応する複数の表示項目を表示装置に表示させる表示制御手段を有し、
前記選択手段は、前記表示制御手段により表示された前記複数の表示項目のうちのユーザにより指定された表示項目に対応する要素を、出力対象の要素として選択することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記表示制御手段は、前記構造化文書に基づくＷｅｂページとともに前記複数の表示項目を表示させ、前記選択手段により要素が選択された場合に、当該Ｗｅｂページにおける当該選択された要素に対応する領域を示す表示を実行させることを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記表示制御手段は、前記構造化文書に含まれている複数の表示項目が、当該複数の表示項目のそれぞれに対応する要素が含まれる階層を示すように、当該複数の表示項目を表示させることを特徴とする請求項５または６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記出力手段は、前記構造化文書に含まれる複数の要素から前記出力対象の要素を抽出し、当該抽出された出力対象の要素を出力することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
複数の要素のそれぞれが階層構造で定義された、Ｗｅｂページを出力させるための構造化文書を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された構造化文書を解析することによって、当該構造化文書における複数の階層のそれぞれに含まれている複数の要素のそれぞれを個別に特定するための情報を作成する作成工程と、
前記取得工程において取得された構造化文書に含まれている複数の要素から、少なくとも１つの要素を出力対象として選択する選択工程と、
前記選択工程において複数の要素が出力対象として選択された場合に、前記作成工程において作成された情報に基づいて当該複数の要素のそれぞれを個別に特定し、特定された当該複数の要素を、前記構造化文書に含まれている他の要素と区別して出力する出力工程と、
を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の情報処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、構造化文書に含まれている複数の要素のうちの出力対象の要素を出力する情報処理装置、情報処理方法、およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明は、構造化文書に含まれている複数の要素のうちの所望の要素を適切に出力することができる情報処理装置、情報処理方法、およびプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明の情報処理装置は、複数の要素のそれぞれが階層構造で定義された、Ｗｅｂページを出力させるための構造化文書を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された構造化文書を解析することによって、当該構造化文書における複数の階層のそれぞれに含まれている複数の要素のそれぞれを個別に特定するための情報を作成する作成手段と、前記取得手段により取得された構造化文書に含まれている複数の要素から、少なくとも１つの要素を出力対象として選択する選択手段と、前記選択手段により複数の要素が出力対象として選択された場合に、前記作成手段により作成された情報に基づいて当該複数の要素のそれぞれを個別に特定し、特定された当該複数の要素を、前記構造化文書に含まれている他の要素と区別して出力する出力手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで本発明は、構造化文書に含まれている複数の要素のうちの所望の要素を適切に出力することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記第１の絶縁及び前記第２の絶縁体によって挟まれ、その内側の領域に設けられた半導体集積回路と、該半導体集積回路上に設けられたアンテナと、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の表面全体を覆うように設けられた遮蔽体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体によって挟まれ、その内側の領域に設けられた半導体集積回路と、該半導体集積回路上に設けられた第１のアンテナと、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の表面全体を覆うように設けられた遮蔽体と、
前記第１のアンテナと電磁結合し、前記第１の絶縁体又は第２の絶縁体の外側一方に設けられた第２のアンテナとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体集積回路は前記第２のアンテナを介して外部と無線通信を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記遮蔽体は積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記遮蔽体は、金属膜を含むこと特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記金属膜は、膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下のチタン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記遮蔽体は、金属酸化物膜を含むこと特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記金属酸化物膜は、膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の酸化珪素を含むインジウム錫酸化物膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記遮蔽体は、半導体膜又は金属窒化物膜を含むこと特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の少なくとも一方の厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第１の絶縁体又は前記第２の絶縁体は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
基板上に剥離層を介して複数の半導体集積回路を形成し、
前記複数の半導体集積回路それぞれの上にアンテナを形成し、
前記複数の半導体集積回路を間に挟んで前記基板と向かい合うように、第１の絶縁体を貼り合わせ、
前記剥離層において、前記複数の半導体集積回路と前記基板とに分離させることで、前記基板を取り除き、
前記複数の半導体集積回路に第２の絶縁体を貼り合わせ、
前記複数の半導体集積回路をそれぞれ分断するように前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体を切断し、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体を介して半導体集積回路を包むように導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記導電性遮蔽体は、前記第１の絶縁体の表面及び分断面に第１の導電性遮蔽体を形成し、前記第２の絶縁体の表面及び分断面に第２の導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第１の導電性遮蔽体及び第２の導電性遮蔽体は、スパッタリング法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体との間に設けられた半導体集積回路及びアンテナと、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、
前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体とを有し、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体との間に設けられた半導体集積回路及びオンチップアンテナと、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、
前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、
前記オンチップアンテナと電磁結合するブースターアンテナとを有し、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体集積回路は前記ブースターアンテナを介して外部と無線通信を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体又は前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体は積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体及び前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体は、金属膜を有すること特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体及び前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体は、金属酸化膜、金属窒化膜又は半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の少なくとも一方の厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の少なくとも一方は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体の電気的な接続は、前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体を貫通する導電体によって行われることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素およびリチウム合金化物質を含み、
多孔質基材の形態の前記炭素がナノ孔隙を有し、前記ナノ孔隙がある体積を有し、かつ
前記リチウム合金化物質が前記ナノ孔隙の体積の５０％超、１００％未満を占有し、前記ナノ孔隙の体積内に利用可能な自由体積が存在するように前記リチウム合金化物質が前記炭素基材の前記ナノ孔隙の一部中に吸着される、材料。
【請求項２】
前記基材が、１０から９９％の間の前記ナノ孔隙の体積を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
前記リチウム合金化物質が、前記ナノ孔隙の体積の７５％超、１００％未満を占有する、請求項２に記載の材料。
【請求項４】
前記ナノ孔隙の体積が、１ナノメートルから９９９ナノメートルの間の平均直径のナノ細孔およびナノ流路を有する、請求項３に記載の材料。
【請求項５】
前記ナノ細孔および前記ナノ流路が、１ナノメートルから５０ナノメートルの間の平均直径を有する、請求項４に記載の材料。
【請求項６】
前記ナノ細孔および前記ナノ流路が、１ナノメートルから３０ナノメートルの間の平均直径を有する、請求項５に記載の材料。
【請求項７】
前記ナノ細孔および前記ナノ流路が、１ナノメートルから２０ナノメートルの間の平均直径を有する、請求項６に記載の材料。
【請求項８】
前記リチウム合金化物質が、スズ、ケイ素、アルミニウム、ゲルマニウム、およびこれらの合金からなる群から選択される、請求項７に記載の材料。
【請求項９】
請求項８に記載の材料を含む電極。
【請求項１０】
結合用化合物、他の添加剤、およびこれらの組合せをさらに含む、請求項９に記載の電極。
【請求項１１】
請求項１０に記載の陰極、
電解液、および
陽極
を有する電池。
【請求項１２】
炭素およびリチウム合金化物質を含み、
多孔質基材の形態の前記炭素が、孔隙を画定するナノ細孔およびナノ流路を有し、前記孔隙がある体積を有し、前記ナノ細孔および前記ナノ流路が、１ナノメートルから９９９ナノメートルの間の平均直径を有し、また
前記リチウム合金化物質が、前記炭素基材の前記ナノ細孔および前記ナノ流路の一部中に吸着され、かつ前記孔隙の体積内に利用可能な自由体積が存在するように前記孔隙の体積の５０％超、１００％未満を占有する、材料。
【請求項１３】
前記基材が、１０から９９％の間の前記孔隙の体積を有する、請求項１２に記載の材料。
【請求項１４】
前記リチウム合金化物質が、スズ、ケイ素、アルミニウム、ゲルマニウム、およびこれらの合金からなる群から選択される、請求項１３に記載の材料。
【請求項１５】
炭素およびリチウム合金化物質の電極を有する電池であって、
リチウムを含有する陽極と、
電解液と、
陰極であって、ナノ孔隙を画定するナノ細孔およびナノ流路を有する多孔質の炭素基材を有し、前記ナノ孔隙がある体積を有し、前記ナノ細孔および前記ナノ流路が、１ナノメートルから９９９ナノメートルの間の平均直径を有する、陰極と、
前記炭素基材の前記ナノ細孔および前記ナノ流路の一部中に吸着され、かつ前記孔隙の体積内に利用可能な自由体積が存在するように前記孔隙の体積の５０％超、１００％未満を占有するリチウム合金化物質と
を含む電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部体積を有する外側のシェル部と、
該内部体積を占める該外側のシェル部内の少なくとも２つの相と
を有する複合粒子を含み、該少なくとも２つの相がリチウム合金材料から少なくとも部分的に作られる固体相と、液体、気体及びそれらの組み合わせからなる群より選択される非固体相とを有し、
該外側のシェル部の該内部体積が該固体相の体積よりも大きく、前記リチウム合金材料が、スズ、ケイ素、アルミニウム、ゲルマニウム及び銅からなる群より選択される元素を含有する、材料。
【請求項２】
前記外側のシェル部が５００ｎｍ未満の平均外径を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
前記外側のシェル部が２００ｎｍ未満の平均外径を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項４】
前記外側のシェル部が１００ｎｍ未満の平均外径を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項５】
前記外側のシェル部が５０ｎｍ未満の平均外径を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項６】
前記固体相が前記外側のシェル部の前記内部体積の５〜９９％を占める、請求項１に記載の材料。
【請求項７】
前記外側のシェル部が１００ｎｍ未満の平均壁厚を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項８】
前記外側のシェル部が５０ｎｍ未満の平均壁厚を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項９】
前記外側のシェル部が２０ｎｍ未満の平均壁厚を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項１０】
電極を形成するために前記材料と混合されるバインダーをさらに含む、請求項１に記載の材料。
【請求項１１】
前記外側のシェル部が中空の球の形状を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項１２】
前記固体相が予備リチウム化（ｐｒｅ−ｌｉｔｈｉａｔｅｄ）されたリチウム合金材料である、請求項１に記載の材料。
【請求項１３】
内部体積、５００ｎｍ未満の平均外径、及び１００ｎｍ未満の壁厚を有する外側のシェル部と、
Ｌｉ−Ｘ合金（Ｘはリチウムと合金を形成する少なくとも１つの元素であり、スズ、ケイ素、アルミニウム、ゲルマニウム及び銅からなる群より選択される）から少なくとも部分的に作られる、該外側のシェル部内の固体相と
を有する複合粒子を含み、該内部体積が該固体相によってほぼ完全に占められる、材料。
【請求項１４】
前記外側のシェル部の前記平均外径が２００ｎｍ未満である、請求項１３に記載の材料。
【請求項１５】
前記外側のシェル部の前記平均外径が１００ｎｍ未満である、請求項１４に記載の材料。
【請求項１６】
前記外側のシェル部の前記平均外径が５０ｎｍ未満である、請求項１５に記載の材料。
【請求項１７】
前記外側のシェル部の前記壁厚が２０ｎｍ未満である、請求項１３に記載の材料。
【請求項１８】
内部体積、５００ｎｍ未満の平均外径、及び１００ｎｍ未満の壁厚を有する外側のシェル部と、
該内部体積を占める該外側のシェル部内の少なくとも２つの相と
を有する複合粒子を含み、該少なくとも２つの相がリチウム合金材料から少なくとも部分的に作られる固体相と、液体、気体及びそれらの組み合わせからなる群より選択される非固体相とを有し、
該外側のシェル部の該内部体積が該固体相の体積よりも大きく、前記リチウム合金材料が、スズ、ケイ素、アルミニウム、ゲルマニウム及び銅からなる群より選択される元素を含有する、材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月6日(2012.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リーダライタに認識させたい非接触ＩＣタグと認識させたくない非接触ＩＣタグとの区分け方法であって、認識させたい非接触ＩＣタグと、認識させたくない非接触ＩＣタグとを、基布の少なくとも片面に導電性樹脂層を有し、１ＧＨｚにおける透過減衰量が３〜２０ｄＢの範囲内である非接触電波認識用電磁波吸収布帛で区分することを特徴とする非接触ＩＣタグの区分け方法。
【請求項２】
非接触電波認識用電磁波吸収布帛の導電性樹脂層が、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維ミルドファイバーから選ばれる少なくとも１種の導電性成分を含むものである請求項１記載の非接触ＩＣタグの区分け方法。
【請求項３】
非接触電波認識用電磁波吸収布帛が導電性樹脂層を３０〜１２０ｇ／ｍ２の範囲内で有している請求項１または２記載の非接触ＩＣタグの区分け方法。
【請求項４】
非接触電波認識用電磁波吸収布帛の基布の織組織が平織またはメッシュ織である請求項１〜３いずれか記載の非非接触ＩＣタグの区分け方法。
【請求項５】
非接触電波認識用電磁波吸収布帛の厚みが５００μｍ〜１ｍｍの範囲内である請求項１〜４いずれか記載の非接触ＩＣタグの区分け方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非接触ＩＣタグの区分け方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、非接触ＩＣタグおよびリーダライタ複合周辺装置を用いて物品管理を行う物流倉庫等において、書込み及び読取りのために認識したい非接触ＩＣタグと既に読取りがすんだ等の理由で認識したくない非接触ＩＣタグとを適切に区分したり、不慮または故意による第三者からの電磁波放射によって非接触ＩＣタグの回路が破壊されたりデータが改ざんされるのを防止するにあたり好適に用いることができる非接触電波認識用電磁波吸収布帛およびこれを用いた非接触タグの区分け方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するための本発明は、次の（１）〜（５）のいずれかの構成を特徴とするものである。
（１）基布の少なくとも片面に導電性樹脂層を有し、１ＧＨｚにおける透過減衰量が３〜２０ｄＢである非接触電波認識用電磁波吸収布帛。
（２）前記導電性樹脂層が、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維ミルドファイバーから選ばれる少なくとも１種の導電性成分を含むものである、前記（１）記載の非接触電波認識用電磁波吸収布帛。
（３）前記導電性樹脂層を３０〜１２０ｇ／ｍ２の範囲内で有している、前記（１）または（２）記載の非接触電波認識用電磁波吸収布帛。
（４）前記基布の織組織が平織またはメッシュ織である、前記（１）〜（３）いずれか記載の非接触電波認識用電波吸収布帛。
（５）厚みが５００μｍ〜１ｍｍの範囲内である、前記（１）〜（４）いずれか記載の非接触電波認識用電磁波吸収布帛。
そして、リーダライタに認識させたい非接触ＩＣタグと、認識させたくない非接触ＩＣタグとを、前記いずれかの非接触電波認識用電波吸収布帛で区分することを特徴とする非接触ＩＣタグの区分け方法である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料から構成された基板を研磨する方法において、
研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、固体を含有しない研磨剤溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＡの少なくとも１つの研磨工程；
研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＢの少なくとも１つの研磨工程；および
基板を研磨材が結合されていない研磨パッドを用いて研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーを、研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入するタイプＣの少なくとも１つの研磨工程を有し、
タイプＡの研磨工程およびタイプＢの研磨工程を同じ研磨板上で実施し、タイプＢの研磨工程をタイプＡの研磨工程の前または後に実施することを特徴とする、半導体材料から構成された基板を研磨する方法。
【請求項２】
タイプＡの研磨工程およびタイプＢの研磨工程を異なる研磨板上で実施する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
研磨剤スラリーは、元素のアルミニウム、セリウムまたはケイ素の１つ以上の酸化物を研磨材として含有する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
研磨材スラリーは、０．２５〜２０質量％の固体量を有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
研磨材スラリーは酸化剤を含有し、基板はゲルマニウムを有するかまたはゲルマニウムを含有する、請求項３又は４記載の方法。
【請求項６】
固体を含有しない研磨剤溶液は酸化剤を含有し、基板はゲルマニウムを有するかまたはゲルマニウムを含有する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
清浄剤を研磨パッド上に開放気泡フォーム体を利用して分布させることにより、研磨パッドを研磨工程中に清浄化する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
基板を、タイプＡまたはタイプＢの研磨工程後、またはこれら双方の研磨工程後にエッチングするかまたは清浄化する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する筒状のシェルと、
前記貫通孔を通じて前記筒状のシェルの内部に少なくとも一部を位置付けたコンタクトであって、前記筒状のシェルの内部に位置付けた前記少なくとも一部のうちのいずれかの部分は、前記筒状のシェルの内部に前記貫通孔を通じて挿入された相手側コネクタの相手側コンタクトと該挿入方向において接触し得るように該挿入方向に沿って配置されている、前記コンタクトと、
前記コンタクトと前記シェルに対して一体的に取り付けられた絶縁体と、を備えることを特徴とする電気コネクタ。
【請求項２】
前記コンタクトは、前記相手側コンタクトと接触し得る部分を除くいずれかの部分において、前記絶縁体に取り付けられている請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項３】
前記コンタクトは、ピッチ方向に沿って複数並列に設けられており、該複数のコンタクトは、少なくとも前記ピッチ方向における側面において前記絶縁体に取り付けられている請求項２に記載の電気コネクタ。
【請求項４】
前記複数のコンタクトと前記絶縁体を利用して形成された前記相手側コネクタと嵌合され得る略平板状の嵌合突出部が更に設けられている請求項３に記載の電気コネクタ。
【請求項５】
前記コンタクトは、該コンタクトの厚み方向における下面において前記相手側コンタクトと接触し得るようになっており、
前記相手側コンタクトと接触し得る部分は、前記コンタクトの上面側において、また、前記相手側コンタクトと接触し得る部分以外のいずれかの部分は、前記コンタクトの上面側及び下面側において、前記絶縁体によって支持されている請求項３又は４に記載の電気コネクタ。
【請求項６】
前記相手側コネクタが挿入される側とは反対側の前記貫通孔の開口が前記絶縁体によって塞がれている請求項１乃至５のいずれかに記載の電気コネクタ。
【請求項７】
前記絶縁体は前記筒状のシェルの外側の全周を覆っている請求項１乃至６のいずれかに記載の電気コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、図５（ｃ）に示すように、上方から、石英板１０のアライメントマーク領域Ｒａ（図１参照）に対して、ガリウムイオンを注入する。このとき、ガリウムの注入深さを、図５（ａ）に示した石英板１０に対するエッチングの深さよりも浅くする。これにより、凸部１２内にガリウムが導入されてガリウム拡散層１６が形成されると共に、凹部１１の直下域にもガリウムが導入されてガリウム拡散層１７が形成される。ガリウムイオンを注入する際の加速電圧は例えば３０ｋＶとし、ドーズ量は例えば２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２とする。このイオン注入は、例えば、ＳＩＩ−ＮＴ社製収束イオンビーム装置を用いて行うことができるが、これに限らず、イオン照射が可能な装置であれば、例えばイオン顕微鏡又は試料切出し用の加工装置を使用してもよい。また、このとき、デバイス領域Ｒｄにはガリウムイオンを注入しない。これにより、本実施形態に係るインプリントマスク１が製造される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本実施形態に係るインプリントマスクの製造方法においては、図５（ｃ）に示す工程において、ガリウムをイオン注入することにより、石英板１０のアライメントマーク領域Ｒａに導入している。このとき、ガリウムの注入深さを、図５（ａ）に示すエッチングの深さよりも浅くしている。これにより、凸部１２の上面１２ａに注入したガリウムの大部分を、凸部１２内に留まらせることができ、凸部１２内にガリウム拡散層１６を効率的に形成することができる。また、ガリウム拡散層１６は凸部１２の側面において露出するため、アライメントマーク１３がレジスト材料１０２と接触したときに、凸部１２の側面を明瞭に検出することができ、アライメントの精度が向上する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本試験例においては、実用的な条件でレジスト材料を硬化させるために必要な石英板１０の紫外線の透過率を、ガリウムを導入していない石英板の８０％とした。この場合、ガリウムイオンのドーズ量は２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２である。また、図８に示すように、このドーズ量により、石英の可視光に対する屈折率は、ガリウムを導入していない石英の屈折率の１２８％まで増加するため、アライメントに際して十分な屈折率を得ることができる。従って、ガリウムイオンのドーズ量は２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
また、ガリウムイオンのドーズ量は、以下の手順で決定することができる。
図１１（ａ）に示すガリウム注入工程において、ガリウムイオンのドーズ量が少なすぎると、凸部１２の屈折率及び透過率をアライメントに必要な程度に変化させることができなくなる。従って、ガリウムイオンのドーズ量の下限は、凸部１２に要求される屈折率及び透過率から決定される。一方、ガリウムイオンのドーズ量が多すぎると、クロム膜２１がスパッタリングされて薄くなり、図１１（ｃ）に示すエッチング工程において、クロム膜２１をマスクとして使用することができなくなる。従って、ガリウムイオンのドーズ量の上限は、クロム膜２１の初期膜厚及びガリウムイオンの加速電圧によって決定される。このように、ガリウムイオンのドーズ量の最適値は、アライメント時に要求される凸部１２の光学的特性とドライエッチング時に要求される耐性とのバランスを考慮して決定する必要がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図１５（ｂ）に示すように、サンプル５２の最上層においては、シリコン及び酸素が実質的に含有されていない。そして、シリコン及び酸素の濃度は、深さが６ｎｍの位置から深さが１０ｎｍの位置までは深くなるにつれて単調増加し、深さが１０ｎｍの位置から２１ｎｍの位置までは深くなるにつれて単調減少した。一方、クロム濃度は最上層から深さ２１ｎｍの位置まで、深くなるにつれて単調減少した。これにより、クロム膜２１の膜厚は、ガリウムイオンの注入により、約６ｎｍに減少することがわかる。また、ミキシング層２０は、深さが約６ｎｍの位置から、少なくとも深さが約２１ｎｍの位置までは形成されることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月13日(2012.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
本発明の半導体装置は、半導体基板の表面に形成された電子デバイスと、前記電子デバイスと導通されたパッド電極と、前記半導体基板を厚さ方向に貫通する貫通電極と、前記半導体基板の裏面に形成されて前記貫通電極同士を接続する配線層と、前記配線層又は前記貫通電極に接続される導電端子とを備える半導体装置であって、前記半導体基板の裏面において、前記貫通電極及び前記配線層を囲むように形成された絶縁部形成用溝部を備え、前記絶縁部形成用溝部の底部が、前記半導体基板の表面から裏面にかけての厚さ方向の中間部に位置している、ことを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、電子デバイスとパッド電極とが表面側に配置された半導体基板の裏面側から前記半導体基板を厚さ方向に貫通して前記半導体基板の表面の前記パッド電極に導通する貫通電極を形成し、前記貫通電極と導通しかつ前記半導体基板の裏面に配置される配線層を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板の前記厚さ方向に延びる貫通電極用のビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ビアホールにおける絶縁部の形成前に、前記貫通電極及び前記配線層を囲むように絶縁部形成用溝部を形成する溝部形成工程を有し、前記溝部形成工程の後に、前記絶縁部形成用溝部内に導電性層を形成する工程と、前記絶縁部形成用溝部の底部の前記導電性層を除去すると共に絶縁材料を挿入して絶縁部を形成する工程と、を備える、ことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に形成された電子デバイスと、前記電子デバイスと導通されたパッド電極と、前記半導体基板を厚さ方向に貫通する貫通電極と、前記半導体基板の裏面に形成されて前記貫通電極同士を接続する配線層と、前記配線層又は前記貫通電極に接続される導電端子とを備える半導体装置であって、
前記半導体基板の裏面において、前記貫通電極及び前記配線層を囲むように形成された絶縁部形成用溝部を備え、
前記絶縁部形成用溝部の底部が、前記半導体基板の表面から裏面にかけての厚さ方向の中間部に位置している、半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁部形成用溝部は、前記貫通電極を形成するビアホールの前記半導体基板の裏面での開口の貫通穴径φ１と、前記絶縁部形成用溝部の前記半導体基板の裏面での開口の幅Ｌ２との間に
０＜Ｌ２＜φ１／２
の関係式を満足する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板の表面に形成された電子デバイスと、前記電子デバイスと導通されたパッド電極と、前記半導体基板を厚さ方向に貫通する貫通電極と、前記半導体基板の裏面に形成されて前記貫通電極同士を接続する配線層と、前記配線層又は前記貫通電極に接続される導電端子とを備える半導体装置であって、
前記半導体基板の裏面において、前記貫通電極及び前記配線層を囲むように形成された絶縁部形成用溝部を備え、
前記絶縁部形成用溝部の底部では、前記絶縁部形成用溝部内に配置される絶縁層の絶縁材料と前記半導体基板の構成材料とが直接接触している、
半導体装置。
【請求項４】
電子デバイスとパッド電極とが表面側に配置された半導体基板の裏面側から前記半導体基板を厚さ方向に貫通して前記半導体基板の表面の前記パッド電極に導通する貫通電極を形成し、前記貫通電極と導通しかつ前記半導体基板の裏面に配置される配線層を形成する半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板の前記厚さ方向に延びる貫通電極用のビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記ビアホールにおける絶縁部の形成前に、前記貫通電極及び前記配線層を囲むように絶縁部形成用溝部を形成する溝部形成工程を有し、
前記溝部形成工程の後に、前記絶縁部形成用溝部内に導電性層を形成する工程と、前記絶縁部形成用溝部の底部の前記導電性層を除去すると共に絶縁材料を挿入して絶縁部を形成する工程と、を備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ビアホール形成工程と前記溝部形成工程とを同時に行う、
請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記溝部形成工程において、前記絶縁部形成用溝部は、前記貫通電極用のビアホールの前記半導体基板の裏面での開口の貫通穴径φ１と、前記絶縁部形成用溝部の開口の幅Ｌ２との間に
０＜Ｌ２＜φ１／２
の関係式を満足するように、前記絶縁部形成用溝部が形成されている、
請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、相手ハウジングに嵌合可能なハウジングと、前記ハウジングに嵌着され、嵌合状態にある両ハウジングに挟持されて密着されるシール部材とを備え、前記ハウジングに、引掛片が突出して形成され、前記シール部材の端面が押圧面とされ、前記シール部材が前記ハウジングに装着される過程では、前記押圧面が押圧されて前記シール部材が装着位置まで押し込まれ、前記装着位置では、前記シール部材が前記引掛片を弾性的に乗り越えてこの引掛片に引掛状態で係止されるコネクタであって、前記シール部材が、環状のシール本体と、前記シール本体から径方向外側に突出し、かつ前記シール本体に沿って周方向に延びるフランジ部とを有し、前記シール部材の押圧面が、前記フランジ部の周方向両端部に対をなして形成され、さらに、前記シール部材の押圧面が、前記ハウジングへの装着時に、前記引掛片とその突出方向で重なり合うように前記引掛片を挟んだ両側に配置され、前記フランジ部のうち、前記引掛片に係止された状態のときに前記一対の押圧面の間でかつ前記引掛片と前記シール本体との間に位置する部分が、正面視において視認できるところに特徴を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、前記フランジ部には、前記押圧面と隣接する部位から前記引掛片の突出方向と同方向に突出する突部が形成され、前記突部が前記引掛片に係止されるところに特徴を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、シール部材の押圧面が、ハウジングへの装着時に、引掛片を挟んだ両側に対をなして配置されているから、両押圧面を押圧する際に使用される治具を、例えば、チャンネル形状にすることができ、これによって治具の強度を高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
＜請求項２の発明＞
フランジ部には、押圧面と隣接する部位から引掛片の突出方向と同方向に突出する突部が形成され、突部が引掛片に係止されるから、引掛片に対するシール部材の係止代を、突部の突出量に応じて調整することが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手ハウジングに嵌合可能なハウジングと、
前記ハウジングに嵌着され、嵌合状態にある両ハウジングに挟持されて密着されるシール部材とを備え、
前記ハウジングに、引掛片が突出して形成され、前記シール部材の端面が押圧面とされ、前記シール部材が前記ハウジングに装着される過程では、前記押圧面が押圧されて前記シール部材が装着位置まで押し込まれ、前記装着位置では、前記シール部材が前記引掛片を弾性的に乗り越えてこの引掛片に引掛状態で係止されるコネクタであって、
前記シール部材が、環状のシール本体と、前記シール本体から径方向外側に突出し、かつ前記シール本体に沿って周方向に延びるフランジ部とを有し、
前記シール部材の押圧面が、前記フランジ部の周方向両端部に対をなして形成され、さらに、
前記シール部材の押圧面が、前記ハウジングへの装着時に、前記引掛片とその突出方向で重なり合うように前記引掛片を挟んだ両側に配置され、
前記フランジ部のうち、前記引掛片に係止された状態のときに前記一対の押圧面の間でかつ前記引掛片と前記シール本体との間に位置する部分が、正面視において視認できることを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
前記フランジ部には、前記押圧面と隣接する部位から前記引掛片の突出方向と同方向に突出する突部が形成され、前記突部が前記引掛片に係止される請求項１記載のコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理することにより強誘電体材料となるゾルゲル溶液を準備する第１工程と、
基材上に前記ゾルゲル溶液を塗布することにより、前記強誘電体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、
前記前駆体組成物層を１２０℃〜２５０℃の範囲内にある第１温度で乾燥させる第３工程と、
前記前駆体組成物層を前記第１温度よりも高く、かつ、１５０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前記前駆体組成物層に対して型押し加工を施す第４工程と、
前記前駆体組成物層を前記第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前記前駆体組成物層から強誘電体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含むことを特徴とする強誘電体材料層の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の強誘電体材料層の製造方法において、
前記第１温度は、１２０℃〜２００℃の範囲内にあり、
前記第２温度は、前記第１温度よりも高く、かつ、１７５℃〜３００℃の範囲内にあることを特徴とする強誘電体材料層の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の強誘電体材料層の製造方法において、
前記第４工程においては、１ＭＰａ〜２０ＭＰａの範囲内にある圧力で型押し加工を施すことを特徴とする強誘電体材料層の製造方法。
【請求項４】
ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するチャネル層と、
前記チャネル層の導通状態を制御するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に形成され強誘電体材料からなるゲート絶縁層とを備える薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁層は、請求項１〜３のいずれかに記載の強誘電体材料層の製造方法を用いて形成されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
ソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を含む酸化物導電体層と、前記チャネル領域の導通状態を制御するゲート電極と、前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に形成され強誘電体材料からなるゲート絶縁層とを備え、前記チャネル領域の層厚が、前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄い薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁層は、請求項１〜３のいずれかに記載の強誘電体材料層の製造方法を用いて形成されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項５に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記チャネル領域の層厚が前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄い前記酸化物導電体層は、型押し成形技術を用いて形成されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記チャネル領域のキャリア濃度及び層厚は、前記薄膜トランジスタがオフ状態のときに、前記チャネル領域全体が空乏化するような値に設定され、かつ
前記チャネル領域のキャリア濃度は、１×１０１５ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３の範囲内にあり、
前記チャネル領域の層厚は、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内にあることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
キャビティ部材と、
前記キャビティ部材の一方側に取り付けられ、圧電体層が形成された振動板と、
前記キャビティ部材の他方側に取り付けられ、ノズル孔が形成されたノズルプレートと、
前記キャビティ部材、前記振動板及び前記ノズルプレートによって画成されるインク室とを備える圧電式インクジェットヘッドであって、
前記圧電体層は、請求項１〜３のいずれかに記載の強誘電体材料層の製造方法を用いて形成されたものであることを特徴とする圧電式インクジェットヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に貼り付けたフィルムの開口部にハンダボールを充填し、加熱してハンダバンプを形成するマイクロバンプ形成装置において、
基板面上にフィルムを貼り付けるフィルム貼付機構と、基板に形成されている電極部上のフィルムに開口部を設ける露光・現像機構と、前記開口部にハンダボールを充填するハンダボール充填機構と、ハンダボールの充填された前記開口部にフラックスを印刷するフラックス印刷機構と、ハンダボールを加熱して半田バンプを形成するリフロー部と、前記基板面から前記フィルムを剥がすためのフィルム剥離機構と、上記各機構に動作を制御する制御手段を備え、
前記ハンダボール充填機構は充填テーブルと印刷する基板を載置する基板載置部とを備え、前記充填テーブル面に対して前記基板載置部の載置面が高く形成されており、前記充填テーブル面と前記基板載置面を覆うマスクを備え、ハンダボール充填ヘッドに設けた分散スキージが前記マスク面上と基板面のフィルム面上を所定の押付力で押付ながら移動することで、ハンダボールをフィルム開口部に充填し、且つ前記ハンダボール充填機構にはハンダボールの充填ヘッドと充填状況を検査するセンサを有し、前記ハンダボール充填機構の制御手段は、前記充填ヘッドがハンダボールをフィルム開口部に充填後、前記センサを動作させてハンダボールの充填状態を検査して、検査結果で再度ハンダボールの充填を行うか否かを判断することを特徴とするマイクロバンプ形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロバンプ形成装置において、
前記マスクの前記充填テーブル面と前記基板載置部面との間に複数の開口部を設けて、前記開口部に正圧を供給する供給管を接続し、前記制御手段は前記フィルム開口部にハンダボールを充填後、前記供給管に正圧を供給して基板周囲に残留するハンダボールをマスク側に移動させることを特徴とするマイクロバンプ形成装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のマイクロバンプ形成装置において、
前記充填テーブルの上部に前記充填テーブル及び基板載置面全体を覆う印刷カバーを設け、前記印刷カバーに前記ハンダボール充填機構、検査用センサ、及びエアースプレーノズルを水平方向に移動する駆動モータとボールネジからなる駆動機構を介して設け、前記カバーの天井部にカバー内を一定の環境状態とするための排気ポンプに連結した排気孔を設けたことを特徴とするマイクロバンプ形成装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロバンプ形成装置おいて、
前記ハンダボールの径が１０μｍ〜７０μｍであることを特徴とするマイクロバンプ形成装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のマイクロバンプ形成装置において、
前記フラックス印刷機構はハンダボールが充填された基板を載置するための加熱ヒータ付の基板載置部と基板にフラックスを印刷するスキージを備え、前記前記フラックス印刷機構の制御手段は、加熱ヒータを制御して温度を所定の温度に保ちながら所定の押付力で前記スキージを前記基板に押付ながら水平に移動させてフラックスを印刷することを特徴とするマイクロバンプ形成装置。
【請求項６】
請求項１に記載のマイクロバンプ形成装置において、
前記ハンダボール充填機構は、充填テーブルと印刷する基板を載置する基板載置部とを別体で設け、前記充填テーブルにボール受け溝を設けて、フィルム開口にハンダボールを充填した後に前記充填テーブルを遥動して前記充填テーブル上の残留ハンダボールを前記ボール受け溝に集めることを特徴とするマイクロバンプ形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記に記載のマイクロバンプ形成装置おいて、前記ハンダボールの径が１０μｍ〜７０μｍであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
まず、マイクロボール４を充填した基板１をフラックス印刷テーブル３８の基板載置部３９に受取るために昇降ピン４８を基板載置部３９のマスク４０面より上に上昇させる。ロボットハンドにより搬入された基板１は上昇ピン４８上に受渡される。その後、ロボットハンドを退避させ、上昇ピン４８を降下させることで基板１を基板載置部３９のマスク４０上に搭載する。次に、負圧供給孔４９に負圧を供給して基板１を基板載置部３９上のマスク４０面に保持する。フラックス印刷カバー４３を閉じる。この時、フラックス印刷テーブル３８に設けた加熱ヒータ３８ａも動作させて基板１面を一定の温度に保持する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信機器のアンテナスイッチ回路におけるスイッチング素子に用いられる第１チャネル型の高電子移動度トランジスタであって、
前記高電子移動度トランジスタは、
ガリウムヒ素基板の主面上において、素子分離領域に取り囲まれたメサ状の活性領域に形成されたチャネル層と、
前記チャネル層上に形成された電子供給層と、
前記電子供給層とショットキー接続するゲート電極と、
前記電子供給層とオーミック接続する第１ソース電極、第１ドレイン電極、第２ソース電極および第２ドレイン電極と、
前記ゲート電極と電気的に接続されるゲートパッドと、を含み、
前記ゲート電極と、前記第１および第２ソース電極の少なくとも一部、前記第１および第２ドレイン電極の少なくとも一部は、前記活性領域上に配置され、
前記ゲートパッドは、前記活性領域の外の領域に配置され、更に、前記ゲートパッドと前記ゲート電極とを接続する配線を有し、
前記第１ドレイン電極は、平面において、前記第１ソース電極と前記第２ソース電極との間に配置され、
前記第２ソース電極は、前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極との間に配置され、
前記ゲート電極は、平面において、前記第１ソース電極と前記第１ドレイン電極との間に沿う様に、第１方向へ延在する第１部分と、前記第１ドレイン電極に沿って、前記第１方向と交差する第２方向へ延在する第２部分と、前記第１ドレイン電極と前記第２ソース電極との間に沿う様に、前記第１方向へ延在する第３部分とを有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記ゲート電極の前記第１部分、前記第２部分、および前記第３部分はそれぞれ接続されることで、連続的なゲート電極を形成する半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第１方向と前記第２方向とは直交する半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記通信機器は移動体通信機器である半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記電子供給層は第１導電型であり、
前記素子分離領域は、前記ガリウムヒ素基板に第２導電型の不純物を導入することで形成されている半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記第２導電型の不純物は、水素イオンまたはホウ素イオンである半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記第１ソース電極は、前記電子供給層と第１キャップ層を介してオーミック接続され、
前記第１ドレイン電極は、前記電子供給層と第２キャップ層を介してオーミック接続され、
前記第２ソース電極は、前記電子供給層と第３キャップ層を介してオーミック接続される半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記第１ソース電極と前記第２ソース電極とは互いに電気的に接続され、
前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極とは互いに電気的に接続される半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタであって、
活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記活性層に接して前記ゲート電極の両側に設けられたソース電極及びドレイン電極とを具備し、
前記活性層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物のいずれかである非晶質酸化物からなり、
前記非晶質酸化物は、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域におけるＩｎ、Ｚｎ及びＯの少なくとも一つの濃度が、前記第１の領域における同元素の濃度より高く、前記非晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０１２／ｃｍ３以上、１０１８／ｃｍ３未満であり、更に、ゲート電圧無印加のドレイン・ソース端子間の電流が１０マイクロアンペア未満、電界効果移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記第1の領域と第２の領域の境界では、ステップ状あるいは勾配状に前記Ｉｎ、Ｚｎ及びＯの少なくとも一つの濃度が変化していることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
トップゲート構造であることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
ボトムゲート構造であることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。