【事件の表示】
　平成５年特許願第３１７８２号「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成６年９月９日出願公開、特開平６−２５０６０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（１）手続の経緯・本願発明
　本件出願は、平成５年２月２２日の出願であって、平成１２年６月１６日付け手続補正書により明細書について補正をしたものの、当該補正は平成１４年１０月１０日付け（発送日：同月２２日）で補正の却下の決定により却下され、当該決定が確定した後、平成１５年２月２０日付け（発送日：同年３月４日）で拒絶の理由が通知され、これに対し平成１５年５月６日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものの、平成１６年３月２４日付け（発送日：同月３０日）で拒絶査定がなされ、これに対し同年４月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月３１日付けで手続補正書が提出されたものであって、当審において、平成１８年７月１１日付け（発送日：同月１８日）で拒絶の理由が通知され、これに対し平成１８年９月１９日付けで手続補正がなされたところ、さらに当審において平成１８年１２月２５日付け（発送日：平成１９年１月１６日）で拒絶の理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、これに対し平成１９年３月８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　そして、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年５月６日付け手続補正書、平成１６年５月３１日付け手続補正書、平成１８年９月１９日付け手続補正書及び平成１９年３月８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認められる。
　
　「【請求項１】　信号線に画像信号を供給する信号線駆動回路を有する液晶表示装置において、
　前記信号線駆動回路は、選択パルスで導通し前記画像信号をサンプリングして信号線に供給するＮチャネル薄膜トランジスタであるサンプリング用ＴＦＴを備え、
　前記サンプリング用ＴＦＴはドレインが前記信号線に接続されてなり、横クロストークとして一旦書き込まれたデータがリークするのを抑えるように、次の式を満足することを特徴とする液晶表示装置。
　　Ｖｓｓｘ　＋ΔＶｘ１≦Ｖｉｄ≦Ｖｄｄｘ　−ΔＶｘ２　　　　…（３−１）
Ｖｄｄｘ　：信号線駆動回路の正側電源電圧
Ｖｓｓｘ　：信号線駆動回路の負側電源電圧
Ｖｉｄ：画像信号の電圧
ΔＶｘ１：サンプリング用ＴＦＴのオフ時に信号線における画像信号の電圧がシフトする際の次式で表されるシフト電圧ΔＶｇｄの最大値
　　ΔＶｇｄ＝ΔＶｇ　×Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓ　）　　　　　　…（３−２）
但し、ΔＶｇ　は選択パルスの大きさ（Ｖｄｄｘ　−Ｖｓｓｘ　）、Ｃｇｄはサンプリング用Ｎ型チャネルＴＦＴのゲート・ドレイン間寄生容量、Ｃｓ　はサンプルホールド容量（配線容量も含む）である。
ΔＶｘ２：次式で定義される書込み率ｋ％以上で画像信号を信号線に書き込む際のサンプリング用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧
　　１−ｅｘｐ｛−（Ｔｓ　／ＲｏｎＣｓ　）｝≧ｋ／１００　　　…（３−３）
但し、Ｔｓ　はサンプリング用ＴＦＴの選択期間、Ｒｏｎはサンプリング用ＴＦＴのオン抵抗である。」
　
（２）平成１８年１２月２５日付け当審拒絶理由
　当審拒絶理由の概要は、本件出願の請求項１及び２に係る発明は、本件出願前に頒布された特開昭６２−１７８９２７号公報（当審拒絶理由で「引用例４」として引用しているので、以下においてもそのように呼称する。また、他の引用例についても同様とする。）に記載された発明及び本件出願前に頒布された特開昭６３−２６１２２８号公報（以下「引用例１」という。）に記載された発明並びに特開昭５８−１７２６９２号公報（以下「引用例２」という。）、『小林駿介　編著、「カラー液晶ディスプレイ」、産業図書株式会社、平成２年１２月１４日、１４５頁〜１４６頁』（以下「引用例３」という。）及び特開昭６３−１３３１９３号公報（以下「引用例５」という。）に示される周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
（３）引用例
　上記引用例１には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
ア　「特許請求の範囲
１．複数個のデータ線と直交する複数個のゲート線を備え、その各交点に絶縁ゲート薄膜トランジスタを形成した基板と、全面透明導電体を形成した基板を有し、両基板の間に液晶をはさみ、前記薄膜トランジスタを用いて各画素の液晶に加えられるデータ信号電圧を制御する液晶表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタをオンさせるゲート電圧が、前記データ信号の電圧の最大値と前記薄膜トランジスタのしきい値電圧の和より大きいことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
２．前記薄膜トランジスタがオンからオフ状態に移行する際の画素部の電圧降下の値を、前記データ信号の最小値から差引いた電圧値よりも、前記薄膜トランジスタをオフさせるゲート電圧の方が小さいことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置の駆動方法。」（第１頁左下欄第４行〜右下欄第１行）
　
イ　「従来技術による絶縁ゲート薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する）を用いた液晶表示装置の一画素分の等価回路を第２図に示す。ＴＦＴの接続するゲート線１、データ線２、画素電極３の電位をそれぞれＶｇ，Ｖｄ，ＶＬＣとする。画素電極と全面透明電極を形成した対向基板との間に液晶を挟むが、この液晶層４が等価的に容量ＣＬＣを形成する。対向基板の電位ＶＣＯＭは一定である。これらの電圧関係を第３図に示す。尚、簡単のためＶＣＯＭ＝０Ｖとした。ゲートに選択電圧ＶＳが印加されると、ＴＦＴはオンとなりドレイン電流が流れ液晶容量ＣＬＣに電荷が注入されやがて電圧ＶＬＣはデータＶＤと等しくなる。次にゲート電圧は非選択電圧ＶＮＳとなりＴＦＴはオフ状態になる。この時、特開昭５９−１１９３２８号に記されるように、第２図に示すＴＦＴのゲート・ソースオーバーラップに起因する寄生容量Ｃｇｓと液晶容量ＣＬＣの容量結合により、画素電圧ＶＬＣは、Δ＝Ｃｇｓ／（ＣＬＣ＋Ｃｇｓ）・Ｖｇｈだけ降下する。ここにＶｇｈ＝ＶＳ−ＶＮＳである。」（第１頁右下欄第８行〜第２頁左上欄第６行）
　
ウ　「上記従来技術は、ＴＦＴによる液晶表示装置の駆動の概略を与えるものであるが、良好な画質を得るという観点から、ゲート電圧、データ信号電圧相互の大小関係については明らかにされていなかった。
　本発明の目的は、これら駆動電圧条件に関する必須条件を与えることにある。」（第２頁左上欄第２０行〜右上欄第６行）
　
エ　「上記目的は、第４図に示すように、ＴＦＴのゲート選択電圧ＶＳとデータ信号の最大値ＶＤＭＡＸとの間にＶＳ−ＶＤＭＡＸ＞ＶＴなる関係をもたせることで達成される。更に、ゲート非選択電圧ＶＮＳとデータ信号の最小値ＶＤＭＩＮの間にＶＮＳ＜ＶＤＭＩＮ−ΔＶなる関係をもたせることにより一層画質が向上し、好ましい。ここにＶＴはＴＦＴのしきい値電圧であり、またΔＶはＴＦＴがＯＮからＯＦＦになる時に寄生容量Ｃｇｓおよび液晶容量ＣＬＣの影響による画素部の電圧降下分である。
〔作用〕
　ＶＳ−ＶＤＭＡＸ＞ＶＴなる関係を満足することによって全ての画像信号に対してＴＦＴが十分にオン状態になるので、信号書込み十分に行なわれる。またあわせてＶＮＳ＜ＶＤＭＩＮ−ΔＶなる関係をもたせればＴＦＴのソース電圧がゲート電圧より低下することを防止することができ、ＴＦＴが誤りオンすることはなく十分な信号保持を実現できる。」（第２頁右上欄第８行〜左下欄第５行）
　
オ　「尚、上記実施例はＶＳ−ＶＤＭＡＸ＞ＶＴ及びＶＮＳ＜ＶＤＭＩＮ−ΔＶＴ（当審注、「ＶＮＳ＜ＶＤＭＩＮ−ΔＶ」の誤記と認められる。）いずれをも満たす場合だが、・・・後者の式の条件を加えてより、ＴＦＴの誤りオンによるクロストークを防止する効果も併せて持たせ、一層の画質向上を達成した。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第２行）
　
カ　図面の第５図（ａ）をみると、ＴＦＴのゲート・ソースオーバーラップに起因する寄生容量Ｃｇｓは、ゲート線１と画素電極３との間の寄生容量として記載されているから、前記ＴＦＴのソースには前記画素電極３が接続され、また、前記ＴＦＴのドレインにはデータ信号電圧ＶＤが印加されるデータ線２が接続されていることが読み取れる。
　
キ　図面の第５図（ｂ）をみると、電位Ｖｇがパルス状に変化していることからＴＦＴのゲートには選択時にパルスが供給されること、また、対向基板の電位ＶＣＯＭは一定であることがそれぞれ読み取れる。
　
ク　図面の第３図をみると、画素電圧ＶＬＣは、ゲートに選択電圧ＶＳが印加された期間（ゲート線の電位ＶｇがＶＳである期間）において、データ信号の電圧ＶＤに向かって徐々に変化しており、画素回路が、ＴＦＴのオン状態において無視できない大きさの時定数を有することが読み取れる。
　
　また、上記引用例２には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
ケ　「第９図は代表的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性例であり、横軸がゲート電圧、縦軸はソース・ドレイン電圧を一定にした時のドレイン電流である。又第１０図は一走査線を選択するためのゲート信号であり、画像信号のフィールド間の中心値をＧＮＤ電位と仮定すると、この電位に対し選択時ＶＷ、非選択時ＶＨの電位が印加されるものとすると、ＶＷの値により選択時のＯＮ電流ＩＯＮは変化する。これは第３図中ＲＴＲが変化することと同じである。もしＶＷが小さくなり、ＲＴＲが大きくなるとデータ線の信号が決められた期間ＴＳ内には、十分画素に書き込めなくなり、画素の実効値を下げることになる。この関係を第１１図に示す。横軸が書き込み電圧ＶＷ、縦軸はデータ線の電位がどの程度トランジスタを介して画素に書き込まれたかの比率である。このカーブからＶＷを可変にすることにより、画像信号が一定であっても、画素の実効値を可変にすることができる。」（第３頁左上欄第１１行〜右上欄第８行）
　
コ　「ゲートドライバ１０３の電源電圧ＶＤＤ，ＶＳＳがそのままゲート出力の選択信号の選択レベル、非選択レベルを決定している。・・・ボリューム１０１はＶＳＳ、即ち非選択レベルＶＨを、ボリューム１０２はＶＤＤ、即ち選択レベルＶＷを可変にする。」（第３頁右上欄第２０行〜左下欄第５行）
　
　さらに、上記引用例３には、次の事項が記載されている。
　
サ　「ここでトランジスターに要求される性能について述べる．トランジスターのオン・オフ時の等価抵抗をそれぞれＲｏｎ，Ｒｏｆｆとし，液晶容量と保持容量の全容量をＣとする．選択時間Ｔ１においてトランジスターを介して信号電圧Ｅが書き込まれるとき，液晶に印加される電圧Ｖは，
　　　Ｖ＝Ｅ（１−ｅｘｐ［−Ｔ１／τｏｎ］）
　　　τｏｎ＝ＲｏｎＣ
と表される．ここで信号電圧の９９％以上書き込む条件は，
　　　Ｖ＞０．９９Ｅ
となる．したがって，
　　　４．６τｏｎ＜Ｔ１　　　（７．１）
が求められる．」（第１４５頁下から２行〜第１４６頁第９行）
　
　また、上記引用例４には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
シ　「絶縁基板上にＴＦＴを用いてドライバーを内蔵したアクティブマトリクスパネルの例としては、“エス・アイ・ディー（ＳＩＤ）８４　ダイジェスト　３１６ページ　１９８４”に示されるようなものがある。第２図はその回路図である。同図に示すドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルは、Ｘドライバー部４０、Ｙドライバー部５１、及び画素エリア部５２とで構成されている。Ｘドライバー部は、４１のシフトレジスタ、４５〜４７のデータ線選択回路、及びデータ線に画像データを保持する容量４８〜５０とからなる。４２〜４４はシフトレジスタ４１の出力であり、４５〜４７のデータ線選択回路のＴＦＴのＯＮ、ＯＦＦを操作する。画素エリアは５３〜５５のデータ線、５６〜５８の走査線、５９〜６７の画素ＴＦＴ、及び６８〜７６の液晶の容量とから成る。５６〜５８の走査線は５１のＹドライバーによって１水平走査期間ｔＨずつ順次選択される。たとえば５６が選択されている間は、５９〜６１のＴＦＴが全てＯＮしており、Ｘドライバー４０によって５３〜５５の走査線に順次書き込まれた画像信号を、６８〜７０の液晶の容量に書き込んでいく。ｔＨ後に５６は非選択状態となり、５９〜６１の画素ＴＦＴがＯＦＦし、５７の走査線が選択され、次のラインの画素ＴＦＴ６２〜６４をＯＮさせ、同様に画像信号を書き込んでいく。ＸＣＬ、ＸＳＰはＸ側シフトレジスタのクロック信号及びスタートパルスであり、ＹＣＬ、ＹＳＰはＹ側ドライバーのクロック信号及びスタートパルスである。ＶＩＤは画像信号入力、ＬＣＣは対向電極である。」（第１頁右下欄第１４行〜第２頁右上欄第３行）
　
ス　「第３図はドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルの画像信号電位および走査線信号電位を示す図である。液晶は交流駆動する必要があるため、１フィールドごとに画像信号をある電位ＶＴを中心として正負反転させ用いる。ＶＭＡ及びＶＭＩはそれぞれ第１フィールド及び第２フィールドでの黒レベルに相当する画像信号電位である。走査線信号は、画素エリアのＴＦＴがｎチャネルの場合には、１水平走査期間ｔＨだけＹドライバーの正電源電位ＶＤＤＹと等しく、残りの期間は負電源電位ＶＳＳＹと等しくなっている。第１フィールドにおける１水平走査期間ｔＨの、第２図のＭ１〜Ｍ５の各部分の動作電位を示した図が第４図である。この図においてはＸ側の正電源ＶＤＤＸ、および負電源ＶＳＳＸを、それぞれＶＤＤＹおよびＶＳＳＹと等しくしてある時刻ｔ１において走査線５６が選択され、Ｍ４がハイレベルとなり５９〜６１のＴＦＴが全てＯＮする。時刻ｔ２においてＭ２がハイレベルとなり、ＴＦＴ４５がＯＮし、Ｍ３とＭ１とが同電位となりデータ線に画像信号が書き込まれる。時刻ｔ３においてＭ２がローレベルとなり、ＴＦＴ４５がＯＦＦする。この時Ｍ２（当審注、「Ｍ３」の誤記と解される。）の電位は、ＴＦＴ４５の電極間容量と、データ線の容量４８との容量分割により、瞬間的に低くなる。この電位変動分ΔＶ−１は、ＴＦＴ４５のゲート・ソース間容量をＣ１、データ線の容量をＣ２とすると、
　ΔＶ−１＝（ＶＤＤＸ−ＶＳＳＸ）・Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）…（１）
で表わされる。データ線の電位Ｍ３は、時刻ｔ２における画像信号よりΔＶ−１だけ低い電位で保持され、その間、画素のＴＦＴ５９を通じて画素電極Ｍ５にデータ線の電荷が注入され、Ｍ５とＭ３の電位が等しくなる。時刻ｔ４においてＭ４がローレベルとなりＴＦＴ５９がＯＦＦする。この時Ｍ５の電位は、ＴＦＴ５９の電極間容量と、液晶の容量６８との容量分割により、瞬間的に低くなる。この電位変動分ΔＶ−２は、ＴＦＴ５９のゲート・ソース間容量をＣ３、液晶の容量をＣ４とすると、
　ΔＶ−２＝（ＶＤＤＹ−ＶＳＳＹ）・Ｃ３／（Ｃ３＋Ｃ４）…（２）
で表わされる。」（第２頁右上欄第７行〜右下欄第６行、なお、この記載中、丸付き数字は括弧付きの数字に置き換えた。）
　
セ　図面の第２図には「４５〜４７　ｎチャネルＴＦＴ」と記載されており、４５〜４７の回路記号をみても、ｎチャネル型のＦＥＴであることが読みとれる。
　また、同図から、上記ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７は、チャネルの一側がデータ線５３〜５５に接続されていることも読みとれるところ、上記摘記事項スの「電位は、ＴＦＴ４５の電極間容量と、データ線の容量４８との容量分割により、瞬間的に低くなる。この電位変動分ΔＶ−１は、ＴＦＴ４５のゲート・ソース間容量をＣ１、データ線の容量をＣ２とすると、・・・で表わされる。」という記載から、上記データ線５３〜５５に接続されている上記チャネルの一側はソースであると解される。
　
ソ　図面の第２図において、シフトレジスタ４１の出力４２に「Ｍ２」が付されているところ、図面の第４図をみると、一点鎖線で示される「Ｍ２の電位」は、ハイレベルをＶＤＤＸ、ローレベルをＶＳＳＸとするパルス状に変化することが読みとれるから、上記シフトレジスタ４１の出力４２は、ハイレベルをＶＤＤＸ、ローレベルをＶＳＳＸとするパルスであるといえる。
　
　上記摘記事項シ〜ソによると、引用例４には、
　
　「データ線５３〜５５に画像信号を書き込むＸドライバー４０を有するドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルにおいて、
　前記Ｘドライバー４０は、シフトレジスタ４１の出力パルスでＯＮし前記画像信号を上記データ線５３〜５５に書き込むｎチャネルＴＦＴ４５〜４７を備え、前記ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７はソースが前記データ線５３〜５５に接続されてなり、
　前記ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７のＯＦＦ時に前記データ線５３〜５５の電位Ｍ３が瞬間的に低くなる際の電位変動分ΔＶ−１が次式で表されるドライバー内蔵アクティブマトリクスパネル。
　ΔＶ−１＝（ＶＤＤＸ−ＶＳＳＸ）・Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）
但し、ＶＤＤＸは前記Ｘドライバー４０の正電源電圧、ＶＳＳＸは前記Ｘドライバー４０の負電源電圧、Ｃ１は前記ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７のゲート・ソース間容量、Ｃ２は前記データ線５３〜５５に画像信号を保持する容量４８〜５０である。」
　
の発明（以下、「引用例４発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　さらに、上記引用例５には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
タ　「第３図は従来のドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルの画像信号電位および走査線信号電位を示す図である。周知のようにＮＴＳＣのビデオ信号はインタレースされた２つのフィールドから成っている。一方液晶は交流駆動する必要があるため、通常は６２のように１フィールドごとに交流反転した画像信号を用いる。６１は走査線信号であり、１水平走査期間ｔＨの間選択された行の画素ＴＦＴをＯＮさせる。画像信号電位の最高値をＶＭＡ、最低値をＶＭＩとし、Ｙドライバーの正電源をＶＤＤＹ、負電源をＶＳＳＹとすると、画素ＴＦＴの選択時のゲート電圧ＶＧは
　ＶＤＤＹ−ＶＭＡ＜ＶＧ＜ＶＤＤＹ−ＶＭＩ　　……（１）
となるが、ドライバーを内蔵できる性能を持つＴＦＴであればこの電圧範囲で十分画像信号を画素電極に書き込むことができる。
　ところが、第２図においてデータ線の容量５３，５４，５５は画素容量５０，５１，５２の数１０倍であるが、アナログスイッチ３５，３６，３７の選択時間は画素ＴＦＴの選択時間ｔＨの数１０〜数１００分の１であるから、アナログスイッチのＯＮ抵抗は画素ＴＦＴのそれの数１０００分の１にする必要がある。Ｘドライバーの正電源をＶＤＤＸ、負電源をＶＳＳＹ（当審注、「ＶＳＳＸ」の誤記と解される。）とすると、アナログスイッチの選択時のゲート電圧ＶＧは（１）と同様に
　ＶＤＤＸ−ＶＭＡ＜ＶＧ＜ＶＤＤＸ−ＶＭＩ　　……（２）
となる」（第２頁左上欄第１８行〜左下欄第６行）
　
（４）対比
　本願発明と引用例４発明とを対比する。
　
ア　引用例４発明の「データ線５３〜５５」及び「画像信号」は、それぞれ、本願発明の「信号線」及び「画像信号」に相当する。
　また、そのような相当関係にあることから、引用例４発明の「データ線５３〜５５に画像信号を書き込むＸドライバー４０」は、本願発明の「信号線に画像信号を供給する信号線駆動回路」に相当する。
　
イ　引用例４発明の「ドライバー内蔵アクティブマトリクスパネル」は、「Ｘドライバー４０によって５３〜５５の走査線に順次書き込まれた画像信号を、６８〜７０の液晶の容量に書き込んでいく」（上記摘記事項シを参照。）ものであるから、本願発明の「液晶表示装置」に相当する。
　
ウ　引用例４発明の「シフトレジスタ４１の出力パルス」は、複数の「ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７」を順次「ＯＮ」するパルスであるから、特定の「ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７」を順次選択する「選択パルス」であるということができる。
　また、引用例４発明において、画像信号を「シフトレジスタ４１の出力パルス」のタイミングで「データ線５３〜５５に書き込む」ことは、上記画像信号のサンプリングを行っているともいうことができる。
　してみると、引用例４発明の「シフトレジスタ４１の出力パルスでＯＮし前記画像信号を上記データ線５３〜５５に書き込むｎチャネルＴＦＴ４５〜４７」は、本願発明の「選択パルスで導通し前記画像信号をサンプリングして信号線に供給するＮチャネル薄膜トランジスタであるサンプリング用ＴＦＴ」に相当する。
　
エ　引用例４発明の「ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７」はｎチャネル型のＦＥＴである（上記摘記事項セを参照。）が、ｎチャネル型のＦＥＴの場合、チャネルの高電位側をドレイン、低電位側をソースと呼ぶところ、交流駆動が必要となる液晶表示装置の信号線駆動回路に備えられるＦＥＴについて、チャネルのいずれの側をソース又はドレインと呼ぶかは任意の事項である。
　してみると、引用例４発明の「ソース」は、本願発明の「ドレイン」に相当する。
　また、そのような相当関係にあることから、引用例４発明の「前記ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７はソースが前記データ線５３〜５５に接続されてな」ること及び「Ｃ１はｎチャネルＴＦＴ４５〜４７のゲート・ソース間容量」も、それぞれ、本願発明の「前記サンプリング用ＴＦＴはドレインが前記信号線に接続されてな」ること及び「Ｃｇｄはサンプリング用Ｎ型チャネルＴＦＴのゲート・ドレイン間寄生容量」に相当する。
　
オ　引用例４発明の「ＶＤＤＸは前記Ｘドライバー４０の正電源電圧」及び「ＶＳＳＸは前記Ｘドライバー４０の負電源電圧」は、それぞれ、本願発明の「Ｖｄｄｘ　：信号線駆動回路の正側電源電圧」及び「Ｖｓｓｘ　：信号線駆動回路の負側電源電圧」に相当する。
　ここで、引用例４発明の「シフトレジスタ４１の出力パルス」の大きさは、上記摘記事項ソで挙げたとおり、ハイレベルがＶＤＤＸ、ローレベルがＶＳＳＸであるから（ＶＤＤＸ−ＶＳＳＸ）となる。
　してみると、引用例４発明の「電位変動分ΔＶ−１」の式中の「（ＶＤＤＸ−ＶＳＳＸ）」は、本願発明の「ΔＶｇ」（「ΔＶｇ　は選択パルスの大きさ（Ｖｄｄｘ　−Ｖｓｓｘ　）」）に相当する。
　
カ　引用例４発明の「データ線５３〜５５に画像信号を保持する容量４８〜５０」は、「ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７」によりサンプリングされた画像信号を保持（ホールド）するものであるから、本願発明の「サンプルホールド容量」に相当する。
　なお、引用例４発明の「データ線５３〜５５に画像信号を保持する容量４８〜５０」が「データ線５３〜５５」の配線容量を含むことは自明である。
　
キ　引用例４発明において「前記ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７のＯＦＦ時に前記データ線５３〜５５の電位Ｍ３が瞬間的に低くなる際の電位変動分ΔＶ−１」が「ΔＶ−１＝（ＶＤＤＸ−ＶＳＳＸ）・Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）」であり「Ｃ１は前記ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７のゲート・ソース間容量、Ｃ２は前記データ線５３〜５５の容量４８〜５０である」という「式で表される」ことは、上記相当関係を勘案すると、本願発明において「サンプリング用ＴＦＴのオフ時に信号線における画像信号の電圧がシフトする際の次式で表されるシフト電圧ΔＶｇｄ」が「ΔＶｇｄ＝ΔＶｇ　×Ｃｇｄ／（Ｃｇｄ＋Ｃｓ　）」であり「Ｃｇｄはサンプリング用Ｎ型チャネルＴＦＴのゲート・ドレイン間寄生容量、Ｃｓ　はサンプルホールド容量（配線容量も含む）である」ことに相当する。
　
　してみると、本願発明と引用例４発明とは、
　
　「信号線に画像信号を供給する信号線駆動回路を有する液晶表示装置において、
　前記信号線駆動回路は、選択パルスで導通し前記画像信号をサンプリングして信号線に供給するＮチャネル薄膜トランジスタであるサンプリング用ＴＦＴを備え、前記サンプリング用ＴＦＴはドレインが前記信号線に接続されてなる液晶表示装置。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点　本願発明は、横クロストークとして一旦書き込まれたデータがリークするのを抑えるように、「Ｖｓｓｘ　＋ΔＶｘ１≦Ｖｉｄ≦Ｖｄｄｘ　−ΔＶｘ２」という式を満足するものであるのに対し、引用例４発明ではこれが明確でない点。
　
（５）判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１には、液晶表示装置において画素ＴＦＴを駆動する際に、
　ＶＳ：ゲート選択電圧
　ＶＮＳ：ゲート非選択電圧
　ＶＤＭＡＸ：データ信号電圧ＶＤの最大値
　ＶＤＭＩＮ：データ信号電圧ＶＤの最小値
　ＶＴ：ＴＦＴのしきい値電圧
　ΔＶ：ＴＦＴのオフ時の電圧降下Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋ＣＬＣ）・Ｖｇｈ　
　　但し、Ｃｇｓ：ＴＦＴのゲート・ソース間の寄生容量、ＣＬＣ：液晶容量、Ｖｇｈ＝ＶＳ−ＶＮＳ　
としたときに、駆動の条件として、
　「ＶＳ−ＶＤＭＡＸ＞ＶＴ」及び「ＶＮＳ＜ＶＤＭＩＮ−ΔＶ」
とすることが記載されている。
　そして、上記「ＶＳ−ＶＤＭＡＸ＞ＶＴ」はＶＤ≦ＶＤＭＡＸであることから「ＶＤ＜ＶＳ−ＶＴ」と変形でき、上記「ＶＮＳ＜ＶＤＭＩＮ−ΔＶ」はＶＤＭＩＮ≦ＶＤであることから「ＶＮＳ＋ΔＶ＜ＶＤ」と変形でき、これら変形した式を纏めると、引用例１に記載されたＴＦＴの駆動条件は、
　「ＶＮＳ＋ΔＶ＜ＶＤ＜ＶＳ−ＶＴ」
であるということができる。
　ここで、引用例１には「ＶＳ−ＶＤＭＡＸ＞ＶＴなる関係を満足することによって全ての画像信号に対してＴＦＴが十分にオン状態になるので、信号書込み十分に行なわれる。」と記載されている（上記摘記事項エを参照。）から、上記「ＶＴ：ＴＦＴのしきい値電圧」がＴＦＴに画像信号の書込みを十分行わせるために必要なゲート・ソース間の電圧を意味することは自明であるところ、画素ＴＦＴのオン抵抗（Ｒｏｎ）及び当該画素ＴＦＴに接続される容量（Ｃ）による時定数（τｏｎ＝ＲｏｎＣ）を有する液晶表示装置において、所定の選択期間（書込み期間）において上記容量に上記画素ＴＦＴが信号電圧を所望の書込み率以上で書き込むための条件を設定することが、当業者であれば当然に行う事項である（必要ならば、引用例３についての上記摘記事項サを参照。なお、当該摘記事項中の式「Ｖ＝Ｅ（１−ｅｘｐ［−Ｔ１／τｏｎ］）」の両辺を「Ｅ」で除すれば、書込み率Ｖ／Ｅを示すことは自明である。）し、また、例えば、引用例２（上記摘記事項ケを参照。）に、画素ＴＦＴのゲート選択電圧（ＶＷ）を可変とすることにより書込み率（「データ線の電位がどの程度トランジスタを介して画素に書き込まれたかの比率」）を可変とすることが記載されているように、上記書込み率の可変制御を、画素ＴＦＴのオン抵抗がゲート・ソース間電圧により変化する性質を利用して行うことは周知技術であることから、上記「ＶＴ：ＴＦＴのしきい値電圧」を、所望の書込み率ｋ％以上で画像信号を書き込むためのゲート・ソース間電圧とすることは、当業者が容易に行い得た事項である。
　また、ＴＦＴのゲートに供給される選択パルスにおける選択電圧及び非選択電圧を、それぞれ、駆動回路の正側電源電圧及び負側電源電圧とすることは、周知技術（必要ならば、引用例２についての上記摘記事項コ、引用例４についての摘記事項ス及び引用例５についての摘記事項タを参照。）に過ぎないから、上記「ＶＳ：ゲート選択電圧」及び「ＶＮＳ：ゲート非選択電圧」を、それぞれ駆動回路の正側電源電圧及び負側電源電圧とすることも、当業者が容易に行い得た事項である。
　ところで、本願発明において、上記の「Ｖｓｓｘ　＋ΔＶｘ１≦Ｖｉｄ≦Ｖｄｄｘ　−ΔＶｘ２」という式を満足することは、信号線駆動回路におけるサンプリング用ＴＦＴについていえば、上記サンプリング用ＴＦＴのソースに供給される「画像信号の電圧Ｖｉｄ」、並びに、上記サンプリング用ＴＦＴのゲートに供給される選択パルスの大きさに関連する「信号線駆動回路の正側電源電圧Ｖｄｄｘ」及び「信号線駆動回路の負側電源電圧Ｖｓｓｘ」を規定することに等しいから、本願発明は、上記サンプリング用ＴＦＴの駆動条件を所定のものとするものであるともいうことができる。
　そして、本願明細書の段落【００５５】にも、サンプリング用ＴＦＴ（アナログスイッチＳＷi ）について「サンプルホールド容量Ｃs に対する書込み不足防止や保持特性の改善の問題は、第１及び第２実施例に説明したように、画素ＴＦＴの場合のアナロジーとして論じることができる。すなわち、図８のビデオラインを図１の信号線Ｘに、図８の選択パルスＱi の信号線を図１の走査線Ｙに、サンプルホールド容量Ｃs （信号線の配線容量も含む）を液晶容量Ｃlc及び保持容量Ｃstg に置き換えれば、アナログスイッチＳＷi は画素ＴＦＴと同等に扱い（当審注、「扱う」の誤記と解される。）ことができる。つまり、走査ドライバ部の電源電圧の最適化するのと同じようにデータドライバ部２０の電源電圧（正電源Ｖddx と負電源Ｖssx ）を最適化することができる。」と記載されているように、サンプリング用ＴＦＴの駆動条件を画素ＴＦＴの駆動条件のアナロジーとして論じることは、当業者が容易に想到し得る事項である。
　また、引用例１には、上記画素ＴＦＴの駆動条件により「ＴＦＴの誤りオンによるクロストークを防止する」ことも記載（上記摘記事項オを参照。）されており、上記「ＴＦＴの誤りオンによるクロストーク」とは、上記「保持特性」が十分でなく画素ＴＦＴが誤りオンすることにより、当該画素ＴＦＴに一旦書き込まれたデータが同じデータ線に接続されている別の画素ＴＦＴにリークする縦クロストークを意味することは明らか（なお、同様の事項が本願明細書の段落【００４６】にも記載されている。）であって、引用例１に記載された発明は、上記の画素ＴＦＴの駆動条件により、縦方向のクロストークとして一旦書き込まれたデータがリークするのを抑えるものであるということができるところ、引用例４発明におけるサンプリング用ＴＦＴ（ｎチャネルＴＦＴ４５〜４７）のそれぞれは、画像信号ＶＩＤが入力される線に共通に接続されるものであって、或るサンプリング用ＴＦＴの上記「保持特性」が十分でなく誤りオンすると、当該サンプリング用ＴＦＴに一旦書き込まれたデータが上記画像信号ＶＩＤが入力される線を介して横方向にリークすることになるから、引用例１に記載されている上記画素ＴＦＴの駆動条件を引用例４発明におけるサンプリング用ＴＦＴの駆動条件に適用すると、横方向のクロストークとして一旦書き込まれたデータがリークするのを抑えることになることは自明である。
　そうすると、引用例４発明に引用例１に記載されたＴＦＴの駆動条件を適用し、上記相違点に係る構成とすることは、当業者が容易に行い得た事項である。
　そして、本願発明の作用効果も、引用例４発明及び引用例１に記載された発明並びに周知技術から当業者が予測できる範囲のものであり、格別のものではない。
　したがって、本願発明は、引用例４発明及び引用例１に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、本件出願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、請求項１に係る発明が特許を受けることができないものである以上、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。