【事件の表示】
　平成　８年特許願第５０３４３０号「大開口ＡＭＬＣＤアーキテクチャ」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　１月１１日国際公開、ＷＯ９６／００９２６、平成１０年　３月　３日国内公表、特表平１０−５０２４６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　 
１．手続の経緯  
　  
　本願は、１９９５年６月３０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９４年６月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、原審において、平成１６年１０月２７日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、平成１７年５月２日付けで手続補正がなされたところ、同年１１月１７日付けで拒絶査定がなされた。そして、これに対し、平成１８年２月２７日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、さらに、同年３月２３日付けで手続補正がなされたものである。　　 
　　 
２．平成１８年３月２３日付けの手続補正についての補正却下の決定 
　 
［補正却下の決定の結論］ 
　 
　平成１８年３月２３日付けの手続補正を却下する。 
　 
［理由］　　 
　 
（１）平成１８年２月２７日付けの手続補正の適否について 
　 
　平成１８年３月２３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）が適法であるかどうかの判断の基準となる明細書及び図面は、平成１８年２月２７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面であるので、直前の平成１８年２月２７日付けの手続補正（以下「審判請求時補正」という。）が適法であるかどうかを判断する必要がある。 
　 
　よって、最初に、審判請求時補正の適否について検討する。 
　　 
　審判請求時補正により、特許請求の範囲は、　　 
「【請求項１】　基板と、
　　　前記基板の片面に形成され、複数のアドレス指定線路（３５、３６）とそれら複数のアドレス指定線路と電気的に接続する複数の能動画素回路（３７）とを含むアクティブマトリクスアドレス指定手段と、
　　　前記アクティブマトリクスアドレス指定手段の上に堆積される絶縁誘電体層（３４）と、
　　　ほぼ連続しており、ある範囲の光学波長に対し透明な複数の画素電極（３２）であって、前記絶縁誘電体層（３４）の上に、すなわち、前記複数のアドレス指定線路に対して絶縁誘電体層（３４）の反対側に配置され、各々が複数の能動画素回路（３７）の中の１つに対応している複数の画素電極（３２）と、
　　　前記画素電極（３２）と対応する能動画素回路（３７）との間に配置される電気的結合手段（３３） とを有する
　　アクティブマトリクス基板、
　　　前記アクティブマトリクス基板に近接し、前記複数の画素電極（３２）により複数のアドレス指定線路からほぼ電気的に遮蔽されている
　　電気光学媒体（４４）、及び
　　　前記電気光学媒体（４４）に近接する
　　バックプレーン基板（４２）
を具備し、前記複数のアドレス指定線路が前記複数の画素電極の下に埋め込まれて成る大開口アーキテクチャを有する透過ライトバルブ。」 
　　 
と補正された。　　 
　　 
　上記審判請求時補正は、平成１７年５月２日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項２ないし２５を削除するものであるから、上記審判請求時補正は、特許法１７条の２第３項１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。　　 
　　 
　したがって、審判請求時補正は適法な補正である。 　 
　　 
（２）本件補正について 
　 
　上記のとおり審判請求時補正は適法な補正なので、本件補正が適法であるかどうかの判断の基準となる明細書及び図面は、平成１８年２月２７日付けで手続補正された明細書及び図面である。 
　 
　本件補正により、特許請求の範囲は、 
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　アクティブマトリクス基板と、電気光学媒体（４４）と、この電気光学媒体（４４）に近接するバックプレーン基板（４２）とを具備して成る大開口アーキテクチャを有する透過ライトバルブであって、
　前記アクティブマトリクス基板は、
　　基板と、
　　前記基板の片面に形成され、複数のアドレス指定線路（３５、３６）とそれら複数のアドレス指定線路と電気的に接続する複数の能動画素回路（３７）とを含むアクティブマトリクスアドレス指定手段と、
　　前記アクティブマトリクスアドレス指定手段の上に堆積される絶縁誘電体層（３４）と、
　　ある範囲の光学波長に対し透明な複数の画素電極（３２）であって、画素電極同士の離間距離は、画素電極とアドレス指定線路間の離間距離に比べて小さく、これにより画素電極は、ほぼ連続しており、そして、前記絶縁誘電体層（３４）の上に、すなわち、前記複数のアドレス指定線路に対して絶縁誘電体層（３４）の反対側に配置され、各々が複数の能動画素回路（３７）の中の１つに対応している複数の画素電極（３２）と、
　　前記画素電極（３２）と対応する能動画素回路（３７）との間に配置される電気的結合手段（３３） とを有し、
　電気光学媒体（４４）は、
　　前記アクティブマトリクス基板に近接し、前記複数の画素電極（３２）により複数のアドレス指定線路からほぼ電気的に遮蔽されており、
　前記複数のアドレス指定線路が前記複数の画素電極の下に埋め込まれて成る大開口アーキテクチャを有する透過ライトバルブ。
　　【請求項２】　前記電気光学媒体（４４）は液晶である請求項１記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項３】　液晶はツイステッドネマチック液晶である請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項４】　前記複数のアドレス指定線路は行アドレス指定線路（３６）と列アドレス指定線路（３５）の双方を含む請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項５】　前記絶縁層（３４）は０．５ミクロンから５ミクロンの厚さの範囲にある請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項６】　前記絶縁層（３４）は前記アドレス指定線路の上に堆積された平面化層である請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項７】　前記電気的結合手段（３３）は画素電極毎に１つ又は複数のオーム接続部（バイア）を含む請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項８】　前記電気的結合手段（３３）は画素電極毎に１つ又は複数の非オーム接続部（バイア）を含む請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項９】　前記電気的結合手段（３３）は容量性結合手段から構成されている請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１０】　前記画素電極はほぼ連続している請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１１】　前記アドレス指定線路（３５、３６）の一部は前記画素電極（３２）の間のスペースの下に配置されている請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１２】　前記アドレス指定線路（３５、３６）の一部は前記画素電極の下に配置されている請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１３】　画素電極の周囲付近で光を阻止する光マスキング手段（８２）を更に具備する請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１４】　液晶の境界に追加面構造を更に具備する請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１５】　前記複数の能動画素回路（３７）は移動度の高いシリコン又はポリシリコンを使用して構成されている請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１６】　液晶には、等しい電圧が印加される複数の隣接する画素の付近の回位がない請求項３記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１７】　複数のアドレス指定線路（３５、３６）は冗長アドレス指定線路を含む請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１８】　カラーフィルタアレイを更に具備する請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項１９】　前記画素電極（３２）は行を成して配列されており、且つ行アドレス指定線路の数は画素電極の行の数とは実質的に異なる請求項４記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項２０】　前記複数の画素電極の形状は矩形ではない請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項２１】　各画素の内部に液晶の多重ドメインアライメントを更に含み、ドメイン間の回位は全て前記アドレス指定回路によりマスキングされる請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項２２】　前記複数の画素電極からのハーフトーン応答を実現する手段を更に具備する請求項９記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項２３】　前記画素電極は行を成して配列されており、各行の画素電極は隣接する行の画素電極から側方へオフセットしている請求項４記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項２４】　アクティブマトリクス基板への全ての相互接続部は前記アクティブマトリクス基板の１つの縁部の付近に配置されている請求項２記載の透過ライトバルブ。
　　【請求項２５】　複数のアクティブマトリクス基板を電気的に連係させて、大開口アーキテクチャを有するタイル状透過ライトバルブを形成する請求項２記載の透過ライトバルブ。」 
　 
と補正された。 
　　 
　上記本件補正は、特許法１７条の２第１項５号の規定に基づく補正であり、同法１７条の２第３項各号に規定する事項を目的とするものに限られるところ、請求項の数を補正前の１から２５に増加しようとするものである。しかも、この請求項の増加は、補正によって、並列関係にあった技術事項を夫々独立形式に書き換える必要があるような例外的に請求項の増加が可能である場合にも該当しない。 
　したがって、本件補正は、特許法１７条の２第３項各号に規定する請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第３項の規定に違反してなされたものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　 
３．本願発明について 
　 
（１）本願発明
　
　平成１８年３月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年２月２７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。　 
「【請求項１】　基板と、
　　　前記基板の片面に形成され、複数のアドレス指定線路（３５、３６）とそれら複数のアドレス指定線路と電気的に接続する複数の能動画素回路（３７）とを含むアクティブマトリクスアドレス指定手段と、
　　　前記アクティブマトリクスアドレス指定手段の上に堆積される絶縁誘電体層（３４）と、
　　　ほぼ連続しており、ある範囲の光学波長に対し透明な複数の画素電極（３２）であって、前記絶縁誘電体層（３４）の上に、すなわち、前記複数のアドレス指定線路に対して絶縁誘電体層（３４）の反対側に配置され、各々が複数の能動画素回路（３７）の中の１つに対応している複数の画素電極（３２）と、
　　　前記画素電極（３２）と対応する能動画素回路（３７）との間に配置される電気的結合手段（３３） とを有する
　　アクティブマトリクス基板、
　　　前記アクティブマトリクス基板に近接し、前記複数の画素電極（３２）により複数のアドレス指定線路からほぼ電気的に遮蔽されている
　　電気光学媒体（４４）、及び
　　　前記電気光学媒体（４４）に近接する
　　バックプレーン基板（４２）
を具備し、前記複数のアドレス指定線路が前記複数の画素電極の下に埋め込まれて成る大開口アーキテクチャを有する透過ライトバルブ。」 
　  
（２）刊行物記載の発明  
　  
ア．原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２−２２３７２７号公報（以下、「引用例」という。）には、
「２．特許請求の範囲
　データ線とタイミング線とが格子状に配置され、データ線とタイミング線の交点に１対の画素電極とトランジスタが配置された基板を一方の基板とした液晶パネルにおいて、画素電極はタイミング線及びデータ線の上層に形成され、かつ各画素電極間の分離が平面的に見て少なくともタイミング線上あるいはデータ線上、もしくは両方の上で行われていることを特徴とする液晶パネル。
３．発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
  本発明はトランジスタを格子状に形成したいわゆるアクテイブマトリクス基板を用いた液晶パネルの電極構造に関する。
〔従来技術〕
  従来のアクテイブマトリクス基板は、ＳＩＤ８３　ＤＩＧＥＳＴ　Ｐ１５６の様に画素電極１４とデータ線１３とを同時に形成し、第２図に平面図を示したようにデータ線１３と画素電極１４は平面的に隙間を有している。
  また、第３図に示すようにタイミング線１２と画素電極１４を同時に形成していた。第３図はアモルフアスシコントランジスタの一般的な構造であり、ゲート２２上にゲート絶縁膜２３、アモルフアスＳｉ２１の順に形成してある。画素電極１４とトラジスタとはメタル２４で接続されておりメタル２４及びデータ線１３がそれぞれドレイン、ソースを形成している。
  以上のようなアクテイブマトリクス基板と透明導電膜による電極形成した基板とをそれぞれ配向処理したのち所定の間隙を保持して、その隙間に液晶を封入して液晶パネルとなしていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
  しかし前述の従来技術では画素電極とタイミング線やデータ線との間に形成された間隙のため、画素電極の占有率が低下し、このために液晶パネルのコントラスト比が低下したり、透過率が低下したりする。また画素電極とタイミング線やデータ線が小さな間隙を有し、それらの間で電界を生じ、この電界が、液晶を制御している画素電極と対向電極の間の電界に比べ無視出来ない強さになつたり、あるいは部分的に支配的になつたりする。この電界によつて画素電極周辺の液晶はその影響を受け、制御性を失う。これらの影響を受ける領域を遮光する方法が１つの方法として考えられるが、画素電極の占有率がさらに低下してしまう。
  そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的とするところは、画素占有率を高め、データ線やタイミング線から液晶が影響を受けない、高コントラストかつ高透過率の液晶パネルを提供することにある。
〔問題を解決するための手段〕
  本発明の液晶パネルは、液晶パネルを構成するアクテイブマトリクスの画素電極をデータ線及びタイミング線の上層に絶縁膜をはさんで形成されかつ各画素電極間の分離のための画素電極の間隙は平面的に見てタイミング線上あるいはデータ線上もしくはその両方の上に形成されていることを特徴とする。
〔作用〕
  本発明の上記の構成によれば、タイミング線やデータ線との分離のために平面的な間隙を必要とせず、タイミング線やデータ線の配線部とトランジスタの素子領域以外は全て画素有効領域となる。
  さらにまた配線からの電界の影響は、画素電極の分離を配線上で行うことで電界の横へ拡がりをおさえることが出来る。
〔実施例〕
  第１図は本発明の実施例における液晶パネルのアクテイブマトリクス基板の主要平面図と主要断面図を示す。
  絶縁基板上にＳｉ薄膜１を所定の形状にした後、ゲート絶縁膜、ゲート電極配線を行う。ゲート電極をマスクとしてイオン注入によりソース・ドレイン形成を行つた後、層間絶縁膜形成し所定の位置に開口部を形成し、さらにソース線３を形成する。ゲート電極配線２及びソース線３はそれぞれタイミング線２、データ線３であり、タイミング線２及びデータ線３が格子状に形成され、その交点にトランジスタを形成したいわゆるアクテイブマトリクス基板となる。なおソース線及びゲート電極配線は遮光性を有する導電性物質（Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ａｌといつた金属もしくはそれらにＳｉを含む金属さらには不純物により抵抗を下げたＳｉ等）にすればさらに効果がある。このアクテイブマトリクス基板上に層間絶縁膜を形成し所定の位置に開口を形成し、ＩＴＯ（Indium−Tin−Oxide）等の透明導電膜により画素電極４を形成する。このとき各画素電極間の絶縁のためのスペースＳはゲート電極配線（タイミング線２）及びソース線（データ線３）上に形成する。この後必要に応じてDC成分を除去する絶縁膜を形成する。
  以上の基板を液晶パネルのパネル組立てで行われる通常の工程に従つて、配向処理を行い、対向基板として透明導電膜による電極形成した絶縁基板（場合によつてはカラーフイルタを形成した基板）を配向処理して、液晶を封入して液晶パネルとなす。
〔発明の効果〕
  以上述べたように、本発明によれば、液晶パネルの性能を大幅に向上できる。第１図および第２図を比較して見れば、従来の構成では第２図のように画素電極の隙間１６から光がもれるためコントラストは大巾に低下する。第２図の場合１９．７％のもれ光がある。これを防ぐため対向基板に隙間１６に相当する部分に遮光すると透過率は４１．５％になる。この構造の場合、ゲート線やソース線の影響で画素電極の周辺の液晶が制御出来なくなりコントラストの低下等画質の劣化の原因となる、また対向基板とアクテイブマトリクス基板との位置合せを考慮すると第２図の破線領域まで遮光を必要とする。このため液晶パネルの透過率は２８．７％と大巾に低下する。一方本発明の構造によれば第１図の例の場合６１．７％の透過率を有ししかもアクテイブマトリクス基板のデータ線及びゲート線を遮光膜として利用していることから、合せずれもなくもれ光はない。またさらにデータ線やタイミング線の電界の影響も画素電極を第４図のように絶縁膜４３をはさんでデータ線３（タイミング線の場合も同様）上に画素電極４を１部重なるようにすることで液晶４１へのデータ線の影響をおさえるとともに画素電極スペースＳからの電界による液晶の乱れはデータ線により遮光され画質への影響を防いでいる。 第４図中の破線はソース線３による電界が画素電極４と対向電極４２による電界への影響を示す例である。
  以上のように本発明により液晶パネルの透過率を大巾に改善出来るとともにもれ光を防ぐことが出来コントラスト比をはじめ液晶パネルの性能を大巾に改善出来る。」
が図面とともに記載されている。
　
イ．これらの記載から、引用例には、
「一方の基板と、前記一方の基板に形成され、複数のデータ線とタイミング線とそれら複数のデータ線とタイミング線の交点に配置された複数のトランジスタとを含むアクティブマトリクスと、前記アクティブマトリクスの上に形成される層間絶縁膜と、ＩＴＯ（Indium−Tin−Oxide）等の透明導電膜よりなる複数の画素電極であって、データ線及びタイミング線の上層に絶縁膜をはさんで形成されかつ各画素電極間の分離のための画素電極の間隙は平面的に見てタイミング線上あるいはデータ線上もしくはその両方の上に形成され、データ線とタイミング線の交点にトランジスタと１対となって配置された複数の画素電極とを有するアクテイブマトリクス基板、該アクテイブマトリクス基板の画素電極周辺に存在し、画素電極の分離を配線上で行うことで配線からの電界の影響がおさえられている液晶、及び、透明導電膜による電極が形成され、前記アクテイブマトリクス基板との隙間に前記液晶を封入した他方の基板を具備し、
　前記アクテイブマトリクス基板上に層間絶縁膜を形成し、所定の位置に開口を形成し、ＩＴＯ等の透明導電膜よりなる画素電極を、各画素電極間の絶縁のためのスペースＳがゲート電極配線（タイミング線）及びソース線（データ線）上になるように形成し、タイミング線やデータ線との分離のために平面的な間隙を必要とせず、タイミング線やデータ線の配線部とトランジスタの素子領域以外は全て画素有効領域となる液晶パネル。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　  
（３）対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「一方の基板」、「複数のデータ線とタイミング線」、「トランジスタ」、「アクティブマトリクス」、「層間絶縁膜」、「ＩＴＯ（Indium−Tin−Oxide）等の透明導電膜よりなる複数の画素電極」、「トランジスタと１対となって配置された」、「アクテイブマトリクス基板」、「該アクテイブマトリクス基板の画素電極周辺に存在」、「画素電極の分離を配線上で行うことで配線からの電界の影響がおさえられている」、「液晶」、「透明導電膜による電極が形成され、前記アクテイブマトリクス基板との隙間に前記液晶を封入した他方の基板」、「前記アクテイブマトリクス基板上に層間絶縁膜を形成し所定の位置に開口を形成し、ＩＴＯ等の透明導電膜よりなる画素電極を、各画素電極間の絶縁のためのスペースＳがゲート電極配線（タイミング線）及びソース線（データ線）上になるように形成」及び「タイミング線やデータ線との分離のために平面的な間隙を必要とせず、タイミング線やデータ線の配線部とトランジスタの素子領域以外は全て画素有効領域となる液晶パネル」が、それぞれ、本願発明の「基板」、「複数のアドレス指定線路」、「能動画素回路」、「アクティブマトリクスアドレス指定手段」、「絶縁誘電体層」、「ある範囲の光学波長に対し透明な複数の画素電極」、「複数の能動画素回路の中の１つに対応している」、「アクティブマトリクス基板」、「前記アクティブマトリクス基板に近接」、「前記複数の画素電極により複数のアドレス指定線路からほぼ電気的に遮蔽されている」、「電気光学媒体」、「前記電気光学媒体に近接するバックプレーン基板」、「前記複数のアドレス指定線路が前記複数の画素電極の下に埋め込まれて成る」及び「大開口アーキテクチャを有する透過ライトバルブ」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、「基板と、前記基板の片面に形成され、複数のアドレス指定線路と複数の能動画素回路とを含むアクティブマトリクスアドレス指定手段と、前記アクティブマトリクスアドレス指定手段の上に堆積される絶縁誘電体層と、ある範囲の光学波長に対し透明な複数の画素電極であって、前記絶縁誘電体層の上に配置され、各々が複数の能動画素回路の中の１つに対応している複数の画素電極とを有するアクティブマトリクス基板、前記アクティブマトリクス基板に近接し、前記複数の画素電極により複数のアドレス指定線路からほぼ電気的に遮蔽されている電気光学媒体、及び前記電気光学媒体に近接するバックプレーン基板を具備し、前記複数のアドレス指定線路が前記複数の画素電極の下に埋め込まれて成る大開口アーキテクチャを有する透過ライトバルブ」である点で一致し、次の点で一応相違する。 
 　 
 相違点：
　
ア．前記能動画素回路が、本願発明においては「複数のアドレス指定線路と電気的に接続する」ものであるのに対して、引用発明においてはそのようには明記されていない点。
　
イ．アクティブマトリクス基板が、本願発明においては「前記画素電極と対応する能動画素回路との間に配置される電気的結合手段」を有するのに対して、引用発明においてはそのようには明記されていない点。
　
ウ．前記画素電極が、本願発明においては「ほぼ連続して」いるのに対して、引用発明においてはそのようには明記されていない点。
　
（４）判断
 　上記一応の相違点について検討する。
　 
ア．液晶パネルのアクティブマトリックス基板が有するトランジスタが、アドレス指定線路と電気的に接続するものであることは当業者に自明の事項であるから、引用発明が上記相違点ア．を有していることは明らかである。
　
イ．ＴＦＴを形成した基板上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜に開口したコンタクトホールを介して該層間絶縁膜上に形成した画素電極とトランジスタとが電気的に結合されているアクティブマトリックス基板は本願の優先日前に周知（例．特開平１−１５６７２５号公報（２頁下左欄４〜１２行、第１図及び第４図参照。）、特開平４−１６３５２８号公報（２頁下左欄７〜１７行、第５図及び第６図参照。）、特開平６−１７５１５８号公報（段落０００３、図３及び図４参照。）、特開平５−３０７１９４号公報（段落００２７〜００３０、及び図５参照。））である。
　引用発明の「前記アクテイブマトリクス基板上に層間絶縁膜を形成し所定の位置に開口を形成し、ＩＴＯ等の透明導電膜により画素電極を、各画素電極間の絶縁のためのスペースＳがゲート電極配線（タイミング線）及びソース線（データ線）上になるように形成」する事項において、層間絶縁膜を形成した後であって画素電極を形成する前に所定の位置に形成した「開口」は、上記周知のアクティブマトリックス基板におけるコンタクトホールに相当することは当業者に自明であるから、引用発明のアクティブマトリクス基板が、本願発明における「前記画素電極と対応する能動画素回路との間に配置される電気的結合手段」を有していることは当業者に自明の事項である。よって、引用発明が上記相違点イ．を有していることは当業者にとって自明である。
　
ウ．引用発明の画素電極は、タイミング線やデータ線との分離のために平面的な間隙を必要とせず、各画素電極間の分離のための画素電極の間隙は平面的に見てタイミング線上あるいはデータ線上もしくはその両方の上に形成できるほど近接しているものであるから、引用発明の各画素電極はほぼ連続しているものと認められる。よって、引用発明は上記相違点ウ．を実質的に有している。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、同一の発明である。
　
　なお、原査定の拒絶の理由は、特許法２９条１項３号に該当するというものではないが、審判請求人は、審判請求書において、本願発明と上記刊行物とを対比し、容易性のみならず、同一性についても検討していることは明らかである。 
　 
（５）むすび  
　
　したがって、本願発明は、上記引用例に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、特許を受けることができない。  
　よって、結論のとおり審決する。