【事件の表示】
　特願２００３−５３３３３１「ＳＯＩ基板にキャビティ構造を形成する方法およびＳＯＩ基板に形成されたキャビティ構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１０日国際公開、ＷＯ０３／３０２３４、平成１７年　２月１７日国内公表、特表２００５−５０４６４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件出願の発明
　本件出願は、２００２年９月２７日（パリ条約による優先権主張２００１年１０月１日、フィンランド）を国際出願日とする特許出願であって、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に係る発明は、平成２０年２月２１日付けで補正された願書に添付した明細書、特許請求の範囲、及び図面の記載からみて、請求項１ないし請求項６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められる。
　請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、次のとおりである。
　　
「【請求項１】
　第１のシリコン層（１）と構造層としての第２の単結晶シリコン層（３）と絶縁層（２）を含む予め製造されたシリコン・ウエハにキャビティ（６）を形成する方法であって、前記第２の単結晶シリコン層（３）は前記第１のシリコン層（１）と実質的に平行に配置され、前記絶縁層（２）は前記第１のシリコン層（１）と前記第２の単結晶シリコン層（３）との間に配置され、該方法が、
　前記第２の単結晶シリコン層（３）の１つの中に前記第２の単結晶シリコン層（３）の厚みを通して延在する窓（４）を作成する工程と、
　前記作成された窓（４）を介して前記第１のシリコン層（１）まで通過するエッチング液を用いて、前記絶縁層（２）の中に前記キャビティ（６）をエッチングする工程とを含む方法において、
　前記窓（４）の作成工程の後で、前記エッチング工程の前に、薄い多孔性の層（５）を、エッチングされる前記キャビティ（６）へ前記多孔質の層（５）を通ってエッチング液が通過するように前記窓（４）の表面に形成することと、
　前記キャビティ（６）が予めエッチングされた後に、前記多孔性の層の材料をガスに対して不浸透性にするために少なくとも１つの補助層（７）が堆積されたこととを特徴とするシリコン・ウエハにキャビティを形成することを特徴とする方法。」
                                                         
第２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−１３５４８７号公報（以下「引用例１」という。）及び特開２０００−１２４４６９号公報（以下「引用例２」という。）の記載内容は以下のとおりである。
　
１　引用例１
（１）引用例１記載の事項
　引用例１には以下の事項が記載されている。
　
「【請求項９】  ＳＯＩ基板（２０）を形成し、
前記ＳＯＩ基板内にダイアフラム（２７；２７ａ；２７ｂ）を形成し、そして前記ダイアフラム内に圧電素子（１０）を形成する、
というステップを備えることを特徴とする、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の集積圧電センサの製造方法。
【請求項１０】  ＳＯＩ基板を形成する前記ステップは、単結晶半導体材料の第１のウエハ（２１）と、前記第１のウエハ（２１）上の絶縁材料層（２２）と、前記絶縁材料層（２２）の上の単結晶半導体材料の第２のウエハ（２３）とを備える半導体材料の本体（２０）を形成するステップを備え、
ダイアフラム（２７，２７ａ，２７ｂ）を形成する前記ステップは、
前記第２のウエハを貫通して前記絶縁材料層（２２）にまで延びる少なくとも１つのトレンチ（２６）を形成し、そして前記少なくとも１つのトレンチを貫通して化学的エッチングにより前記絶縁材料層（２２）内に開口（３１）を形成する、というステップを備えることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】  前記第２のウエハ（２３）上に誘電体材料層（２５）をデポジットするステップをさらに備え、前記誘電体材料層は前記少なくとも１つのトレンチ（２６）を外部に対して閉じていることを特徴とする請求項１０記載の方法。」
　
「【０００４】本発明はその第１の効果を実現するセンサ、即ち、圧電抵抗センサに関する。現在、半導体材料（シリコン）のダイアフラムは、例えば、・・・に詳細に記載されている、バルク・マイクロマシーニング技術を用いて製造されている。」
　
「【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の２つの好ましい、非限定的な実施例を添付の図面を参照して記載する。本発明によるセンサは知られた方法で形成されたＳＯＩ基板から形成される。図４の例においては、ＳＯＩ基板は、任意の導電形（Ｐ又はＮ）の単結晶の実際の基板領域２１の上に例えば、ＳｉＯ２のような絶縁層２２がデポジット又は加熱生長により重ねられており、この絶縁層に、この場合はＮ形の、第２の単結晶シリコンウエハ２３が（例えば、・・・に記載の）知られた方法で結合されている。絶縁層２２の厚さは好ましくは６００nmから１２００nmである。第２のウエハ２３の厚さは、以下に記載のように、センサのフルスケール圧力と、ダイアフラムの寸法と、製造パラメータとに依存しており、およそ５μm と１０μm の間にある。」
　
　第２の単結晶シリコンウエハ２３は単結晶半導体材料の第１のウエハ２１と実質的に平行に配置され、開口３１は第１のウエハ２１まで達していること。（【図４】〜【図６】参照。）
　
（２）引用例１記載の発明
　引用例１記載の事項を技術常識を考慮しながら本件出願の発明に照らして整理すると引用例１には以下の発明が記載されていると認める。
　
「単結晶半導体材料の第１のウエハ２１と第２の単結晶シリコンウエハ２３と絶縁層２２を含む予め製造されたＳＯＩ基板２０に開口３１を形成する方法であって、前記第２の単結晶シリコンウエハ２３は前記単結晶半導体材料の第１のウエハ２１と実質的に平行に配置され、前記絶縁層２２は前記単結晶半導体材料の第１のウエハ２１と前記第２の単結晶シリコンウエハ２３との間に配置され、該方法が、
　前記第２の単結晶シリコンウエハ２３の１つの中に前記第２の単結晶シリコンウエハ２３の厚みを通して延在するトレンチ２６を作成する工程と、
　前記作成されたトレンチ２６を介して、化学的エッチングにより、前記絶縁層２２の中に前記単結晶半導体材料の第１のウエハ２１まで達する前記開口３１をエッチングする工程とを含む方法において、
　前記開口３１が予めエッチングされた後に、トレンチ２６を外部に対して閉じる誘電体材料層２５がデポジットされた、ＳＯＩ基板２０に開口３１を形成する方法。」
　
２　引用例２
　引用例２には以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小密閉容器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術及び発明が解決しようとする課題】近年、シリコンマイクロマシニング技術を適用して、半導体センサなどのマイクロデバイスの微小密閉容器を製造する試みがなされている。・・・・・」。
　
「【００１０】
【課題を解決するための手段】（１）  本発明に係る微小密閉容器の製造方法は、以下の工程（ａ）〜（ｇ）を含む。
【００１１】（ａ）基板上に犠牲層を形成する工程、（ｂ）犠牲層を覆うように、微小密閉容器の空間部を規定する空間部規定部材を形成する工程、（ｃ）犠牲層の一部を露出させる開口部を、空間部規定部材に形成する工程、（ｄ）エッチング液を開口部を介して、犠牲層に接触させることにより、犠牲層を溶かして、空間部を形成する工程、（ｅ）多結晶シリコン膜又は非晶質シリコン膜のうち少なくとも一方を含み、かつ開口部を塞ぐことにより、空間部を密閉する封止部材を、ＳｉＨ４又はＳｉ２Ｈ６の少なくともいずれか一方を含むガスを用いて形成する工程、（ｆ）空間部を加熱することにより、空間部に残留するＨ２Ｏと空間部に残留する上記ガスとを反応させて、Ｈ２ガスを生成する工程、（ｇ）封止部材を加熱することにより、Ｈ２ガスを封止部材を通して外部に放出する工程。」
　
「【００２８】本発明に係る微小密閉容器の製造方法は、上記工程（ｃ）と工程（ｄ）との間に、以下の工程（ｌ）を含むのが好ましい。
【００２９】（ｌ）開口部を塞ぐように、エッチング液が通過可能な貫通孔が膜厚方向に有する多孔質透過膜を形成する工程。
【００３０】例えば、開口部が大きすぎると、封止部材形成時、封止部材の一部が開口部から、空間部内に入り込む可能性がある。これにより、空間部の体積が減少し、空間部の利用に問題を生じることがある。上記多孔質透過膜で開口部を塞ぐことにより、犠牲層を溶かすためのエッチング液を貫通孔を介して、犠牲層に供給することができるとともに、封止部材の一部が開口部から空間部内に入り込むのを防ぐことができる。
【００３１】本発明に係る微小密閉容器の製造方法の上記工程（ｌ）は、以下の工程（ｍ）を含むのが好ましい。
【００３２】（ｍ）リンを含む化合物と酸素とが共存する気相中において、多結晶シリコン膜をアニールし、多結晶シリコン膜の膜厚方向に貫通孔を形成して、多孔質透過膜にする工程。
【００３３】本発明によれば、リンを含む化合物および酸素の共存下で、多結晶シリコン膜をアニール処理することにより、リンおよび酸素が多結晶シリコン膜にドープされ、多結晶シリコン膜内での結晶粒の成長が活発化する。これにより、多結晶シリコン膜の粒界部には、膜厚方向に連続する欠陥凝集層、粒界偏析したシリコン−リン−酸素化合物の層及び貫通孔が形成されると考えられる。」
　
「【００４０】
【発明の実施の形態】［微小密閉容器の製造方法］本発明に係る微小密閉容器の製造方法の一実施の形態を以下説明する。
【００４１】図１を参照して、シリコン基板１上に、例えば、ＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜３を形成する。次に、シリコン酸化膜３に、例えば、フォトエッチングを用いて、所定のパターンニングを施す。このパターンニングされたシリコン酸化膜３は、犠牲層となる。後の工程で、このシリコン酸化膜３を除去することにより、微小密閉容器の空間部が形成される。
【００４２】図２を参照して、シリコン酸化膜３を覆うように、シリコン基板１上に、例えば、ＣＶＤ法を用いて、空間部規定部材の一例である多結晶シリコン膜５を形成する。
【００４３】図３を参照して、多結晶シリコン膜５に、例えば、フォトエッチングを用いて、シリコン酸化膜３の一部を露出させる開口部７を形成する。開口部７の形状としては、例えば、スリット状やドット状等がある。
【００４４】図４を参照して、開口部７を覆うように、シリコン基板１上に、例えば、ＣＶＤ法を用いて、非晶質シリコン膜９を形成する。
【００４５】図５を参照して、非晶質シリコン膜９を加熱して、結晶化し、多結晶シリコン膜１１にする。
【００４６】図６を参照して、ＰＯＣｌ３蒸気及び酸素の共存下で、多結晶シリコン膜１１をアニールする。これにより、多結晶シリコン膜１１の膜厚方向に多数の貫通孔１３が形成される。貫通孔１３が形成される理由は、課題を解決するための手段（１）の（ｍ）で説明したとおりである。この多結晶シリコン膜１１が多孔質透過膜となる。なお、ＰＯＣｌ３がリンを含む化合物の一例である。
【００４７】アニールの後に、貫通孔１３をウエット洗浄、例えば、アルカリ洗浄し、貫通孔１３の径を大きくする。この実施の形態に適用できるアルカリ洗浄としては、例えば、アンモニア、過酸化水素及び水を用いる洗浄がある。
【００４８】次に、図６に示す構造物をフッ酸に浸す。フッ酸は、貫通孔１３を通り、シリコン酸化膜３に接触し、溶かす。溶けたシリコン酸化膜３を貫通孔１３から外部に出すことにより、図７に示すように、空間部１５を形成する。
【００４９】図８を参照して、例えば、減圧ＣＶＤ又はプラズマＣＶＤを用いて、開口部７を覆うように、多結晶シリコン膜２１をシリコン基板１上に形成する。多結晶シリコン膜２１が封止部材となる。反応ガスは、例えば、ＳｉＨ４ガスを用いる。条件は、例えば以下のとおりである。
【００５０】
温度範囲  ４００〜７００℃
流量範囲  １００〜１０００ｓｃｃｍ
真空度の範囲  ０.０１から１Ｔｏｒｒ
空間部１５内には、未反応のＳｉＨ４ガスが残留している。なお、減圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤを用いると、空間部１５の圧力を低くでき、後工程である真空工程が容易となる。
【００５１】そして、図８に示す構造体を加熱する。これにより、空間部１５内に残留するＨ２Ｏ（Ｏ２が残留している場合は、Ｏ２もＳｉＨ４ガスと反応する）とＳｉＨ４ガスとが反応し、ＳｉＯ２とＨ２ガスとが生成される。条件は、例えば以下のとおりである。
【００５２】
加熱温度の範囲  ４００〜１０００℃
加熱時間の範囲  １〜１００分
なお、反応に使用されなかったＳｉＨ４ガスは、Ｈ２ガスと不揮発性であるＳｉとに分解する。
【００５３】図９を参照して、図９に示す構造体を、高真空下で加熱する。これにより、空間部１５内のＨ２ガスが、開口部７に位置する多結晶シリコン膜１１及び２１を通り、外部に放出される。条件は、例えば以下のとおりである。
【００５４】加熱温度の範囲  ４００〜１１００℃、好ましくは５００〜１０００℃
加熱時間の範囲  ６００℃なら１時間程度、１０００℃なら数分（温度によって異なる）
以上により、高真空な空間部１５を備えた微小密閉容器１７が完成する。」
　
　これらの記載事項を本件出願の発明を踏まえて整理すると引用例２には以下の事項が記載されていると認める。
「半導体センサなどのマイクロデバイスの微小密閉容器の製造方法において、
　シリコン基板１上に犠牲層となるシリコン酸化膜３を覆うように形成された多結晶シリコン膜５に、シリコン酸化膜３の一部を露出させる開口部７を形成し、
　開口部７の作成工程の後でシリコン酸化膜３のエッチング工程の前に、開口部７を塞ぐように、エッチング液が通過可能な貫通孔１３を膜厚方向に有する多孔質透過膜を形成し、
　空間部１５がエッチングされた後に、開口部７を塞ぐことにより、空間部１５を密閉する封止部材を堆積すること。」
　
第３　対比
　本件出願の発明と引用例１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例１記載の発明の「単結晶半導体材料の第１のウエハ２１」は、技術常識及び上記第２の１（１）に示したように引用例１の段落【０００４】に「半導体材料（シリコン）」と記載されていることからみて、シリコンで形成されていることが明らかであり、本件出願の発明の「第１のシリコン層（１）」に相当する。
　引用例１記載の発明の「第２の単結晶シリコンウエハ２３」は、本件出願の発明の詳細な説明の段落００１８に「絶縁層２上に体積された構造層３と呼ばれる第２の単結晶シリコン導電層」なる記載からみて、本件出願の発明の「構造層としての第２の単結晶シリコン層」に相当する。
　引用例１記載の発明の「ＳＯＩ基板２０」は、本件出願の発明の「シリコン・ウエハ」に相当し、同様に、「開口３１」は、「キャビティ（６）」に、「トレンチ２６」は、「窓（４）」にそれぞれ相当する。
　引用例１記載の発明の「化学的エッチングにより、前記絶縁層２２の中に前記単結晶半導体材料の第１のウエハ２１まで達する前記開口３１をエッチングする工程」と、本件出願の発明の「第１のシリコン層（１）まで通過するエッチング液を用いて、前記絶縁層（２）の中に前記キャビティ（６）をエッチングする工程」とは、「化学的エッチングにより、絶縁層の中に第１のシリコン層まで達する開口をエッチングする工程」である限りにおいて共通している。
　また、引用例１記載の発明において「前記開口３１が予めエッチングされた後に、トレンチ２６を外部に対して閉じる誘電体材料層２５がデポジットされた」ことは、「キャビティが予めエッチングされた後に、窓を外部に対して閉じる部材が堆積された」という限りで、本件出願の発明において「前記キャビティ（６）が予めエッチングされた後に、前記多孔性の層の材料をガスに対して不浸透性にするために少なくとも１つの補助層（７）が堆積された」ことと共通している。
        
　したがって、本件出願の発明と引用例１記載の発明とは、以下の一致点と相違点とを有しているということができる。
　
［一致点］
　第１のシリコン層と構造層としての第２の単結晶シリコン層と絶縁層を含む予め製造されたシリコン・ウエハにキャビティを形成する方法であって、前記第２の単結晶シリコン層は前記第１のシリコン層と実質的に平行に配置され、前記絶縁層は前記第１のシリコン層と前記第２の単結晶シリコン層との間に配置され、該方法が、
　前記第２の単結晶シリコン層の１つの中に前記第２の単結晶シリコン層の厚みを通して延在する窓を作成する工程と、
　前記作成された窓を介して化学的エッチングにより、絶縁層の中に前記第１のシリコン層まで達するキャビティをエッチングする工程とを含む方法において、
　前記キャビティが予めエッチングされた後に、窓を外部に対して閉じる部材が堆積されたシリコン・ウエハにキャビティを形成する方法。
　
［相違点］
　本件出願の発明では、「化学的エッチング」が「エッチング液」によるものであり、窓の作成工程の後でエッチング工程の前に、薄い多孔性の層を、エッチングされるキャビティへ前記多孔質の層を通ってエッチング液が通過するように前記窓の表面に形成し、キャビティが予めエッチングされた後に、前記多孔性の層の材料をガスに対して不浸透性にするために少なくとも１つの補助層が堆積されるのに対して、引用例１記載の発明では、そのようになっていない点。
　
第４　相違点についての検討
　「化学的エッチング」として、「エッチング液」を利用することは、例示するまでもなく周知である。
　引用例２には、上記第２の２末尾で認定したとおりの事項が記載されている。
　引用例２記載の事項における「開口部７」及び「空間部１５」は、それぞれ本件出願の発明の「窓（４）」及び「キャビティ」に相当することが明らかである。
　そして、引用例２記載の事項において「開口部７を塞ぐように、エッチング液が通過可能な貫通孔を膜厚方向に有する多孔質透過膜を形成」することは、本件出願の発明において「薄い多孔性の層を、エッチングされるキャビティへ前記多孔質の層を通ってエッチング液が通過するように前記窓の表面に形成」することと同義である。
　また、引用例２記載の事項における「封止部材」に関連して、上記第２の２に示したように引用例２の段落【００５３】及び【００５４】には、構造体を４００〜１１００℃の高温で加熱するとキャビティ内のＨ２ガスが封止部材である多結晶シリコン膜を通り外部に放出される旨記載され、請求人は、この点で本件出願の発明と異なると主張しているが、この記載はあくまでも封止段階での加熱時の記載であり、封止後の通常使用時には、封止部材は、字義通りガスないし液体を封止するものであるとみるのが相当である。
　そうしてみると、引用例２記載の事項において「空間部１５がエッチングされた後に、開口部７を塞ぐことにより、空間部１５を密閉する封止部材を堆積する」ことは、本件出願の発明において「キャビティが予めエッチングされた後に、前記多孔性の層の材料をガスに対して不浸透性にするために少なくとも１つの補助層が堆積される」ことと異なるところがない。
　引用例１記載の発明は、「開口３１が予めエッチングされた後に、トレンチ２６を外部に対して閉じる誘電体材料層がデポジットされ」るものであり、「封止」が示唆されているところ、引用例２記載の事項を引用例１記載の発明に適用して本件出願の発明のように構成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　また、本件出願の発明の採用する構成によってもたらされる効果も、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
　なお、当審の審尋に対する回答書で提示された補正案１，２については、法的根拠はないが、一応、検討するに、エッチング液が通過する多孔性の層としてアニール等の追加の処理が施されていないものを採用することは、引用例２に示唆されており（段落【００２８】〜【００３２】参照。）、また、窓の直径をどの程度とするかは必要に応じて適宜決定すればよい単なる設計的事項にすぎず、いずれの補正案の発明についても格別の特許性はない。
　
第５　むすび
　したがって、本件出願の発明は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。