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　特願２００３−　２２０２２「回路基板、電気光学装置、電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月　７日出願公開、特開２００３−３１６２９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１５年１月３０日（優先権主張平成１４年２月１日）の出願であって、平成１７年９月１３日付で、平成１７年８月１０日付手続補正が却下されるとともに同日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１０月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年１１月１５日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年１１月１５日付の手続補正についての補正（以下、「本件補正」という。）の適否について
　本件補正は、実質的に、平成１７年１月１９日付で補正された請求項を３５項から１４項に削除するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号の規定に該当し、本件補正を認める。
　
３．本願発明について　
（１）本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載された次のとおりのものである。
「絶縁性を有する基板と、
　前記基板の上方に配置された能動素子と、
　前記能動素子を駆動する電気信号又は前記能動素子を駆動する駆動電力を供給する配線と、
　第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、
　前記第２の絶縁膜の上方に形成された画素電極と、
　前記第２の絶縁膜の上方に形成された第３の絶縁膜と、を含み、
　前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜の誘電率は前記基板の誘電率よりも低いこと、
　を特徴とする回路基板。」
　
（２）原審の拒絶の理由において引用した引用例
　引用例１；特開２００２−６７７７号公報
（２）．１　引用例１の記載内容
　【００７４】、【００７５】段落には、
「【００７４】次に、本発明のアクティブマトリクス型発光装置について、断面構造の概略を図２に示す。
【００７５】図２において、１１は基板、１２は下地となる絶縁膜（以下、下地膜という）である。基板１１としては透光性基板、代表的にはガラス基板、石英基板、ガラスセラミックス基板、又は結晶化ガラス基板を用いることができる。…」
と記載されている。
　
【００８５】、【００８６】段落には、
「【００８５】…電流制御用ＴＦＴ２０２は、ソース領域２６、ドレイン領域２７、チャネル形成領域２９、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極３０、第１層間絶縁膜２０、ソース配線３１並びにドレイン配線３２を有して形成される。…
【００８６】…電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極３０はスイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン領域１４とドレイン配線（接続配線とも言える）２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線２９は図１（Ｂ）の電源供給線１１０に接続される。」
と記載されている。
　
　【００９３】〜【００９６】段落には、
「【００９３】…ｎチャネル型ＴＦＴ２０４及びｐチャネル型ＴＦＴ２０５はそれぞれ第１層間絶縁膜２０に覆われ、ソース配線４４、４５が形成される。また、ドレイン配線４６によって両者は電気的に接続される。
【００９４】…第２層間絶縁膜４８としては、有機樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いると良い。これらの有機樹脂膜は…比誘電率が低いという利点を有する。…ゲート配線やデータ配線とＥＬ素子の陰極との間に形成される寄生容量を低減する上で、比誘電率の低い材料を厚く設けておくことが望ましい。…
【００９５】また、４９は酸化物導電膜からなる画素電極（ＥＬ素子の陽極）であり、第２層間絶縁膜４８にコンタクトホール（開孔）を開けた後、形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線３２に接続されるように形成される。次に、絶縁膜５０を形成する。絶縁膜５０は、珪素を含む絶縁膜もしくは、有機樹脂膜をパターニングして形成すればよい。絶縁膜は、画素電極と画素電極との間を埋めるように形成され、このあと形成される発光層等の有機ＥＬ材料が、画素電極４９の端部を覆わないようにするために設けられる。
【００９６】絶縁膜５０の上にはＥＬ層５１が設けられる。…」
と記載されている。
　
　【０２０１】段落には、
「【０２０１】ＴＦＴの書き込みにおいてデータ配線やゲート配線に付加される寄生容量は大部分がそれら配線の上に形成されたＥＬ素子の陰極（または保護電極）との間で形成されるが、この点については第２層間絶縁膜として比誘電率の低い有機樹脂膜を１．５〜２．５μmという厚さで形成するので寄生容量は殆ど無視できる。」
と記載されている。　
　
　【図２】及び上記摘記事項から、【図２】には、基板１１の上方に電流制御用ＴＦＴ２０２が配置され、電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極３０はスイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン領域１４とドレイン配線（接続配線とも言える）２２を介して電気的に接続され、また、ソース配線２９は電源供給線１１０（電源供給線１１０は、【図２】では不図示）に接続されることが示されている。
　また、【図２】には、基板１１上に第１層間絶縁膜２０が形成され、第１層間絶縁膜２０の上方に第１パッシベーション膜４７が形成され、第１パッシベーション膜４７の上方に画素電極４９が形成され、第１パッシベーション膜４７の上方に第２層間絶縁膜４８が形成されることが図示されている。
　
（２）．２　引用例１に記載された発明
　ア．上記【００７５】段落の「基板１１としては…ガラス基板、石英基板、ガラスセラミックス基板、又は結晶化ガラス基板を用いることができる。」
と記載されているから、引用例１に記載された「基板」は、「絶縁性を有する基板」であるといえる。
　イ．上記【００８６】段落の「電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート電極３０はスイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン領域１４とドレイン配線（接続配線とも言える）２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線２９は図１（Ｂ）の電源供給線１１０に接続される」との記載から、引用例１には、「電流制御用ＴＦＴ２０２を駆動する電気信号又は前記能動素子を駆動する駆動電力を供給する配線」が記載されているといえる。
　ウ．上記【００９４】、【０２０１】段落の記載から、第２層間絶縁膜は、比誘電率が低いものである。
　当該「比誘電率」は、「誘電率」と置き換えても実質的な意味に変わりがないものである。なお、本願明細書において、誘電率は無次元で表記されているから、本願発明の「誘電率」は、「比誘電率」を意味するともいえる。
　エ．引用例１の第２図には、基板に回路が形成されているから、引用例１は、回路基板に関する発明が記載されているといえる。
　
　そうすると、引用例１には、
「絶縁性を有する基板１１と、
　前記基板１１の上方に配置された電流制御用ＴＦＴ２０２と、
　前記電流制御用ＴＦＴ２０２を駆動する電気信号又は前記電流制御用ＴＦＴ２０２を駆動する駆動電力を供給する配線と、
　第１層間絶縁膜２０と、
　前記第１層間絶縁膜２０の上方に形成された第１パッシベーション膜４７と、
　前記第１パッシベーション膜４７の上方に形成された画素電極４９と、
　前記第１パッシベーション膜４７の上方に形成された第２層間絶縁膜４８と、を含み、
　前記第２層間絶縁膜４の誘電率は低いこと、
　を特徴とする回路基板。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の「電流制御用ＴＦＴ２０２」、「第１層間絶縁膜２０」及び「第２層間絶縁膜４８」は、それぞれ、本願発明の、「能動素子」、「第１の絶縁膜」及び「第３の絶縁膜」に相当する。
　引用例１には、「第１パッシベーション膜４７」の材質についての記載がないが、半導体装置の技術分野において、パッシベーション膜は、保護膜であり、絶縁性の材質のものが用いられる（この点に関しては、要すれば、特開平９−３１２２８６号公報（【０００２】段落の「配線を絶縁保護するためのパッシベーション膜」との記載）、特開平１１−３０７６９４号公報（【００２５】段落の「パッシベーション膜などにより絶縁保護」との記載）、特開平１１−２７９２２６号公報（【００１９】段落の「パッシベーション膜等の絶縁膜」との記載）等参照）から、引用発明の「第１パッシベーション膜４７」は、絶縁膜であることは明らかであり、さらに、「第１パッシベーション膜４７」は、「第１層間絶縁膜２０」の上方に形成されており、「第１パッシベーション膜４７」の上方に画素電極が形成され、また、「第１パッシベーション膜４７」の上方に「第２層間絶縁膜４８」が形成されているから、引用発明の「第１パッシベーション膜４７」は、本願発明の「第２の絶縁膜」に相当する。
　
　そうすると両者は、
「絶縁性を有する基板と、
　前記基板の上方に配置された能動素子と、
　前記能動素子を駆動する電気信号又は前記能動素子を駆動する駆動電力を供給する配線と、
　第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、
　前記第２の絶縁膜の上方に形成された画素電極と、
　前記第２の絶縁膜の上方に形成された第３の絶縁膜と、を含み、
　前記第３の絶縁膜の誘電率は低い、
　回路基板。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明が、「第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜の誘電率は基板の誘電率よりも低い」のに対し、引用発明は、第３の絶縁膜の誘電率は低いものの、第３の絶縁膜の誘電率は基板の誘電率よりも低いとの記載、及び第１の絶縁膜の誘電率は基板の誘電率よりも低いとの記載がない点。
　
（４）判断
　相違点について検討する。
　引用例１の【００９４】段落の「第２層間絶縁膜４８としては、有機樹脂膜が好ましく、…比誘電率が低いという利点を有する。…ゲート配線やデータ配線とＥＬ素子の陰極との間に形成される寄生容量を低減する」との記載、【０２０１】段落の「層間絶縁膜として比誘電率の低い有機樹脂膜を１．５〜２．５μmという厚さで形成するので寄生容量は殆ど無視できる。」との記載、特開平１０−４１３８５号公報（「【０００３】段落の「近年の半導体素子の微細化にともない、素子間をつなぐ配線の抵抗・寄生容量による回路遅延が大きな問題となっている。特に隣接する配線同士の距離が短くなることにより隣接配線間の容量が大きくなり、そのため配線遅延の増大、クロストーク等が生じ、回路の高速化を妨げたり、また誤動作の原因となっている。この対策として配線間の寄生容量を減らすために低誘電率の絶縁膜を用いる方法が一般的に用いられている。」との記載、及び特開平８−３７３７６号公報（「【０００２】段落の「薄膜多層回路基板においては、高密度実装、微細配線、多層化などが主流となり、小さなスペースで多数の配線（導線）が形成されるようになってきた。また、信号の高速伝播のために、低誘電率の絶縁膜を用いて寄生容量を減らすことが必須となっている。」との記載等参照）から、絶縁膜を低誘電率とすることは周知手段にすぎず、第３の絶縁膜と同様に、第１の絶縁膜の誘電率についても低くすることは当業者が当業者が容易に想到できたことである。
　また、本願明細書には、第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜の誘電率が基板の誘電率よりも低い点の作用効果についての記載がなく、かつこの点については特段の意義がなく単に第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜の誘電率を低くすることの目安程度のことにすぎないので、相違点に係る構成は、当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
　そうすると、本願発明は、引用発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって結論のとおり審決する。