【事件の表示】
　平成　５年特許願第３２２６２９号「光学装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　５月　２日出願公開、特開平　７−１１４７４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下、「本願」という。）は、平成５年１２月２１日の出願（優先権主張：平成５年８月２５日）であって、その請求項１乃至１１に係る発明は、平成１５年８月２０日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
   　
「【請求項１１】　発光部及び受光部が共通の基板上にモノリシックに一体化された構造とされ、
　上記発光部は水平共振器を有する半導体レーザと選択エピタキシャル成長により設けられた反射鏡とを有して成り、
　上記受光部は、フォトダイオードより成り、
　上記フォトダイオードの受光面の少なくとも一部が戻り光の回折限界内に渡って配置されて成ることを特徴とする光学装置。」
  　
　ここで、本願発明の構成要件のうち、「選択エピタキシャル成長により」の点は、優先権主張の基礎とされた出願（特願平５−２１０６９１号）の出願当初の明細書又は図面には記載されていないから、本願発明について優先権主張の効果は認められない。
  　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−２２５８８６号公報（以下、「引用例１」という。）には、半導体レーザ装置に関して、図面とともに、以下の技術事項が記載されている（なお、下線は当審で付与した。）。
  　
(i)
「（Ａ．産業上の利用分野）
　
本発明は半導体レーザ装置、特に半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子から出射されたレーザビームを反射しその向きを半導体基板表面に対して略垂直にする反射面とを有する半導体レーザ装置に関する。
  　
(ii)
「（Ｄ．発明が解決しようとする問題点）
　ところで、上記実開昭５８−１６２６６０号公報に記載された半導体レーザ装置によれば、
半導体レーザ素子から出射され反射面にて反射されたレーザビームの光軸の位置と、光検出部の中心位置とがずれており、そのため、例えばフォーカスサーボ等を行う場合、高精度のフォーカスサーボエラー信号が得られないという問題点がある。
   　
(iii)
「（Ｆ．作用）
　
本発明半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ素子から出射され反射面にて反射され光学式記録媒体に照射されたレーザビームの帰還ビームをサーボ用フォトデテクタを構成するフォトダイオード素子にて検知することができる。そして、上記反射面のまわりにサーボ用フォトデテクタを構成するフォトダイオード素子が配置されているので、反射面にて反射されたレーザビームの光軸がそのままサーボ用フォトデテクタの中心となる。
  　
（Ｇ．実施例）〔第１図、第２図〕
　以下に、本発明半導体レーザ装置を添附図面に示した実施例に従って説明する。
　
第１図及び第２図は本発明半導体レーザ装置の実施の一例を示すもので、第１図は平面図、第２図は第１図の２−２線に沿う断面図である。　図面において、１は半導体基板、２は傾斜した反射面で半導体基板１の略中央部に形成されており、この傾斜した反射面は結晶方向の適宜な選択に基づく異方性エツチングにより形成され、半導体基板１表面に対して略４５°の傾斜角度を有している。３は反射面２の下端部とＶ状溝４を介して連なるレーザ素子固着面で、半導体基板１表面と平行に反射面２から遠去かる方向に延びている。５は該レーザ素子固着面３の反射面２側の領域に形成された半田層で、該半田層５上に半導体レーザ素子６がボンディングされている。　７はその半導体レーザ素子６の活性層である。該半導体レーザ素子６はそのレーザビーム出射端面８が反射面２側を向くような向きでボンディングされる。
　
１１はサーボ用４分割フォトデテクタで、４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄからなる。この４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは反射面２のまわりに形成されており、従って、該サーボ用フォトデテクタ１１の中心は半導体レーザ素子６からのレーザビームを反射する反射面２上に位置している。
半導体レーザ素子６から出射され反射面２にて反射され図示しないレーザディスクに照射されたレーザビームは、レーザディスクにて反射されて半導体レーザ装置側に帰還する。そして、この帰還したレーザビームの半導体レーザ装置表面上における断面形状は焦点が合っているか否かによって変化し、焦点が合っているときは真円になり、焦点が合っていないときは楕円になる。そして、焦点が合っていない場合において焦点が近すぎるときと遠すぎるときとで１３ａ、１３ｂに示すように楕円の長径の向きが異なる。そこで、互い対角線上に位置するフォトダイオード素子の検出信号の和を一組求め、その一組の和の間の差を求めることによりフォーカスエラーの内容（前ピンか後ピンか）と、ピントのずれ量を検出することができる。
　
このような半導体レーザ装置によれば、光学式ヘッドの光源として機能するだけでなくサーボ用フォトデテクタとしても機能する。従って、光学式ヘッドに半導体レーザ装置のほかに別個にサーボ用フォトデテクタを設ける必要がなくなる。　そして、反射面２のまわりにサーボ用フォトデテクタ１１を構成するフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが配置され、反射面２にて反射されたレーザビームの光軸がそのままサーボ用フォトデテクタ１１の中心となるので、サーボを正確に行なうことができる。
  　
　上記摘記事項及び図面の記載を参酌すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認める。
  　
「半導体基板１と、
　半導体基板１の略中央部に、結晶方向の適宜な選択に基づく異方性エツチングにより形成された傾斜した反射面２と、
　反射面２の下端部とＶ状溝４を介して連なり、半導体基板１表面と平行に延びるレーザ素子固着面３に、レーザビーム出射端面８が反射面２側を向くような向きでボンディングされた半導体レーザ素子６と、
　反射面２のまわりに、その中心が半導体レーザ素子６からのレーザビームを反射する反射面２上に位置し、反射面２にて反射されたレーザビームの光軸がそのままフォトデテクタ１１の中心となるように設けられた４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄからなるフォトデテクタ１１と、
からなる半導体レーザ装置。」
  　
３．対比
　本願発明と、引用例１発明とを対比する。
  　
　引用例１発明の「半導体レーザ素子６」、「反射面２」は、本願発明の「半導体レーザ」「反射鏡」に相当し、これらの構成を総合すると、本願発明の「半導体レーザ」と「反射鏡」からなる「発光部」に相当する。
　引用例１発明の「４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄからなるフォトデテクタ１１」は、本願発明の「フォトダイオード」より成る「受光部」に相当する。
　引用例１発明の「半導体レーザ素子６」、「反射面２」、「４つのフォトダイオード素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄからなるフォトデテクタ１１」は、半導体基板１上に一体的に構成されており、本願発明の「発光部及び受光部が共通の基板上」に「一体化された構造」に相当する。
　引用例１発明の「４つのフォトダイオード素子」が、受光するレーザビームの回折限界内に配置されることは明らかであり、本願発明の「フォトダイオードの受光面の少なくとも一部が戻り光の回折限界内に渡って配置されて成る」構成を有するものである。
  引用例１発明の「半導体レーザ装置」が、「光学装置」と言い得ることは明らかである。
　
　そうすると、本願発明と引用例１発明とは、次の点で一致する。
  　
［一致点］
「発光部及び受光部が共通の基板上に一体化された構造とされ、
　上記発光部は半導体レーザと反射鏡とを有して成り、
　上記受光部は、フォトダイオードより成り、
　上記フォトダイオードの受光面の少なくとも一部が戻り光の回折限界内に渡って配置されて成る光学装置。」
  　
　そして、次の各点で相違する。
　
［相違点］
（イ）
　本願発明の発光部は、「水平共振器を有する」半導体レーザであるのに対し、引用例１発明は、特にその旨の記載がなされていない点。
  　
（ロ）
　本願発明の「発光部及び受光部」が、基板上に「モノリシックに一体化された構造」であるのに対し、引用例１発明は、このような構成ではない点。
  　
（ハ）
　本願発明の「反射鏡」は、「選択エピタキシャル成長により設けられ」ているのに対し、引用例１発明の「反射面」は、「結晶方向の適宜な選択に基づく異方性エツチングにより形成され」ている点。
  　
４．当審の判断
　そこで、上記各相違点について検討する。
  　
相違点（イ）についての検討：
　引用例１の第２図を参照すると、引用例１発明の半導体レーザが、基板に対して共振器が水平方向に配置され、水平共振器を有する半導体レーザであることは自明乃至は普通の構造というべきである。
　また、水平共振器を有する半導体レーザは、例えば特開平２−１３０９８３号公報、特開昭５２−１２８０８８号公報等にて周知のものであるから、引用例１発明の半導体レーザを「水平共振器を有する」ものとすることは、当業者が容易に想到しうるものである。
   　
相違点（ロ）（ハ）についての検討：
　発光部及び受光部より成る光学装置を、モノリシックに一体化した構成とすることは、特開平１−３０３６３８号公報、特開昭６２−５８４３２号公報、及び、特開昭５１−１３９７８９号公報に開示されるよう本願出願前周知の技術であり、また、反射鏡を有する水平共振器からなる半導体レーザにおいて、反射鏡を選択的エピタキシャル成長により形成することも、例えば特開平２−１３０９８３号公報、特開昭５２−１２８０８８号公報に開示されるように、本願出願前周知の製造技術である。
  したがって、引用例１発明において、発光部及び受光部をモノリシックに形成すること、及び、反射鏡を選択的エピタキシャルにより形成することは、当業者が周知の技術を所望により選択し、容易に想到しうるものである。
　
　そして、上記各相違点についての判断を総合しても、本願発明の奏する効果は引用例１及び周知技術から当業者が充分に予想可能なものであって、格別のものとは言えない。
  　
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
  　
５．むすび
　以上のとおり、本願請求項１１に係る発明は、引用例１に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。