【事件の表示】
　特願２０００−３７３９７３「処理装置およびそれに用いられる耐食性部材および耐食性部材の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月２１日出願公開、特開２００１−２２６７７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
理　由
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１２月８日（優先権主張　平成１１年１２月１０日）の出願であって、平成１８年８月１８日及び同年９月１１日に明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年１１月１日付けで拒絶理由が通知され、平成１９年１月２９日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年２月２２日付けで拒絶査定され、同年４月１９日に拒絶不服審判の請求がなされるとともに同年５月２１日に審判請求書に係る手続補正書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２１年６月１８日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、これに対する回答書が同年９月１１日に提出されている。
　
２．平成１９年５月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年５月２１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１９年５月２１日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）は、同年１月２９日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１、１２、１５、２６及び３３である、
「【請求項１】　被処理基板を収容する処理容器と、
　前記処理容器内の被処理基板にプラズマ処理を施す処理機構と
を具備する処理装置であって、
　前記処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された膜厚５０μｍ以上で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜とを具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１２】　被処理基板を収容するチャンバーと、
　チャンバーの上方に設けられたベルジャーと、
　ベルジャー内に誘導電磁界を形成するためのアンテナ手段と、
　前記アンテナ手段に高周波電力を印加する高周波印加手段と、
　処理ガスを供給するガス供給手段と
を具備し、ベルジャー内に形成された誘導電磁界によりプラズマを形成して処理を行う処理装置であって、
　前記ベルジャーは、基材と、その内壁に溶射により形成された膜厚５０μｍ以上で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜とを具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１５】　被処理基板を収容するチャンバーと、
　前記チャンバー内に設けられた上部電極と、
　前記チャンバー内に前記上部電極と対向して設けられ、被処理基板を載置する下部電極と、
　前記上部電極および下部電極の間に高周波電界を形成するための高周波電源と、
　前記チャンバー内に処理ガスを供給するガス供給手段と
　前記チャンバー内を排気する排気手段と
を具備し、前記高周波電界によりプラズマを形成して処理を行う処理装置であって、
　前記チャンバーの内壁およびチャンバー内に配置された部材の少なくとも一部が溶射により形成された膜厚５０μｍ以上で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜でコーティングされていることを特徴とする処理装置。
【請求項２６】　被処理基板をプラズマ処理する処理装置に用いられる耐食性部材であって、基材と、その上に溶射により形成された膜厚５０μｍ以上で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜とを具備することを特徴とする耐食性部材。
【請求項３３】　被処理基板をプラズマ処理する処理装置に用いられる耐食性部材の製造方法であって、
　基材を準備し、その上に膜厚５０μｍ以上で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜を溶射により形成することを特徴とする耐食性部材の製造方法。」
を、
「【請求項１】　被処理基板を収容する処理容器と、
　前記処理容器内の被処理基板にプラズマ処理を施す処理機構と
を具備する処理装置であって、
　前記処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜とを具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１２】　被処理基板を収容するチャンバーと、
　チャンバーの上方に設けられたベルジャーと、
　ベルジャー内に誘導電磁界を形成するためのアンテナ手段と、
　前記アンテナ手段に高周波電力を印加する高周波印加手段と、
　処理ガスを供給するガス供給手段と
を具備し、ベルジャー内に形成された誘導電磁界によりプラズマを形成して処理を行う処理装置であって、
　前記ベルジャーは、基材と、その内壁に溶射により形成された膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜とを具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１５】　被処理基板を収容するチャンバーと、
　前記チャンバー内に設けられた上部電極と、
　前記チャンバー内に前記上部電極と対向して設けられ、被処理基板を載置する下部電極と、
　前記上部電極および下部電極の間に高周波電界を形成するための高周波電源と、
　前記チャンバー内に処理ガスを供給するガス供給手段と
　前記チャンバー内を排気する排気手段と
を具備し、前記高周波電界によりプラズマを形成して処理を行う処理装置であって、
　前記チャンバーの内壁およびチャンバー内に配置された部材の少なくとも一部が溶射により形成された膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜でコーティングされていることを特徴とする処理装置。
【請求項２６】　被処理基板をプラズマ処理する処理装置に用いられる耐食性部材であって、基材と、その上に溶射により形成された膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜とを具備することを特徴とする耐食性部材。
【請求項３３】　被処理基板をプラズマ処理する処理装置に用いられる耐食性部材の製造方法であって、
　基材を準備し、その上に膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜を溶射により形成することを特徴とする耐食性部材の製造方法。」
とする補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１、１２、１５、２６及び３３に記載された発明を特定するために必要な事項である「膜厚５０μｍ以上」を「膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）」に限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項２６に記載された発明（以下、「本願補正発明２６」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて以下に検討する。
　
（２）先願明細書に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前を出願日とする他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１１−２０７１６１号（特開２００１−３１４８４号公報参照）の願書に最初に添付された明細書（以下、「先願明細書」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】　熱膨張率が７×１０−６〜１２×１０−６で誘電損失が５×１０−３以下の支持体と、その上に形成され、希土類酸化物を５０重量％以上含み、ハロゲン系腐蝕ガスあるいはそれらのプラズマに曝される部位を構成する耐食性膜とを有することを特徴とする耐食性複合部材。」（特許請求の範囲　請求項１）
（イ）「本発明は、半導体デバイス製造工程および液晶表示装置製造工程に好適な、ハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性の高い耐食性複合部材に関する。」（段落【０００１】）
（ウ）「また、アルミナセラミックスの大型部品製造では粗大ポアに代表される組織の不均一が問題であり、特に腐蝕性の高い環境下ではこのポアが腐蝕起点になるため、パーティクル発生および腐蝕の促進等の問題が懸念される。」（段落【０００４】）
（エ）「耐食性膜の形成方法は、溶射法やスパッタリング法等の従来から用いられている成膜技術を採用することができ、特に限定されるものではないが、溶射法で成膜する場合には、減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行うことが望ましい。これにより気孔率の少ない膜を形成することができる。」（段落【００１０】）
（オ）「【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。純度９９．９％の酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）と純度９９．９％以上の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を用い、プラズマ溶射装置により１５０ｍｍ□のセラミックス支持体の表面に厚さ１００μｍ程度の耐腐食性膜を成膜し、表１のＮｏ．１〜５の複合部材を得た。支持体としては、Ｎｏ．１，２，３，５では熱膨張率が８×１０−６／℃の酸化アルミニウム（アルミナ）を用い、Ｎｏ．４では熱膨張率が５×１０−６／℃のムライトを用いた。Ｎｏ．５の支持体は原料としてアルカリ金属を多く含む低純度品を用いて誘電損失を大きくした。また、耐食性膜としては、Ｎｏ．１，４ではＹ２Ｏ３のみ、Ｎｏ．２，５ではイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）、Ｎｏ．３ではＹ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３の混合物（Ｙ２Ｏ３３０％）を用いた。」（段落【００１４】）
（カ）「このようにして得られた複合部材を平行平板型ＲＩＥエッチング装置のチャンバー内に装入し、ＣＦ４＋Ｏ２のプラズマによる腐蝕試験を行った。その際、研磨面の一部をポリイミドテープでマスクし、マスクのある部分とない部分の段差を測定することによりエッチング速度を算出した。表１にこれらの結果を示す。」（段落【００１５】）
（キ）「以上説明したように、本発明によれば、熱膨張率が７×１０−６〜１２×１０−６で誘電損失が５×１０−３以下の支持体と、その上に形成され、希土類酸化物を５０重量％以上含む耐食性膜を形成し、この膜がハロゲン系腐蝕ガスあるいはそれらのプラズマに曝される部位を構成するので、ハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性が高く、しかも大型部品に適した耐食性複合部材を得ることができる。」（段落【００２０】）
　
（３）対比、判断
　先願明細書には、記載事項（ア）に「支持体と、その上に形成され、希土類酸化物を５０重量％以上含み、ハロゲン系腐蝕ガスあるいはそれらのプラズマに曝される部位を構成する耐食性膜とを有することを特徴とする耐食性複合部材」が記載されており、記載事項（イ）には、この「耐食性複合部材」が「半導体デバイス製造工程および液晶表示装置製造工程に好適な、ハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性の高い」ものであることが記載されている。そして、記載事項（オ）には、実施例として「プラズマ溶射装置により１５０ｍｍ□のセラミックス支持体の表面に厚さ１００μｍ程度の耐腐食性膜を成膜し」た、耐食性膜がＹ２Ｏ３のみ及びイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成るＮｏ．１、２の複合部材が記載されており、記載事項（エ）には「耐食性膜の形成方法」について「溶射法で成膜する場合には、減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行うことが望ましい」ことが記載されている。
　これらの記載事項を整理すると、先願明細書には、以下の発明（以下、「先願明細書発明」という。）が記載されているものと認められる。
「支持体と、その上に減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行う条件の下で溶射法により形成された厚さ１００μｍ程度で、Ｙ２Ｏ３のみ又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成りハロゲン系腐蝕ガスあるいはそれらのプラズマに曝される部位を構成する耐食性膜とを有する、半導体デバイス製造工程および液晶表示装置製造工程に好適な、ハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性の高い耐食性複合部材。」
　
　ここで、本願補正発明２６と先願明細書発明とを対比する。先願明細書発明の「支持体」、「溶射法」、「厚さ」、「耐食性膜」は、それぞれ本願補正発明の「基材」、「溶射」、「膜厚」、「膜」に相当することは明らかである。また、先願明細書発明の「Ｙ２Ｏ３のみ又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成」ることは本願補正発明２６の「周期律表第３ａ族元素化合物を含む」ことに含まれる。そして、先願明細書発明の「耐食性複合部材」は、「半導体デバイス製造工程および液晶表示装置製造工程に好適な、ハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性の高い」ものであることからみて、本願補正発明２６と同様「被処理基板をプラズマ処理する処理装置に用いられる」ものであることは明らかであり、しかも「耐食性部材」といえるものである。
　よって、両者は、
「被処理基板をプラズマ処理する処理装置に用いられる耐食性部材であって、基材と、その上に溶射により形成された、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜とを具備する耐食性部材。」
で一致し、次の点で一応相違する。
相違点ａ：本願補正発明２６は、膜が、「膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上」であるのに対し、先願明細書発明は、膜厚が「１００μｍ程度」であり、絶縁破壊耐圧については特定がない点。
相違点ｂ：本願補正発明２６は、膜が「プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい」ものであるのに対し、先願明細書発明にはかかる特定がない点。
　
　そこで、これら相違点について検討する。
・相違点ａについて
　まず、膜厚について検討すると、先願明細書発明は膜厚について「１００μｍ程度」と特定するものである。この「１００μｍ程度」とは、１００μｍのみならず、１００μｍ近傍を含むことは明らかであるから、膜厚が１００μｍの点において本願補正発明２６と先願明細書発明とは異なるとしても、少なくとも、膜厚が１００μｍ近傍でしかも１００μｍより厚い・薄い場合には、本願補正発明２６と先願明細書発明とは膜厚が重複する。
　次に、膜の絶縁破壊耐圧について検討すると、先願明細書発明において「Ｙ２Ｏ３のみ又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成」る膜は「減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行う条件の下で溶射法により形成された」ものである。そして、先願明細書の記載事項（エ）の「溶射法で成膜する場合には、減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行うことが望ましい。これにより気孔率の少ない膜を形成することができる」との記載からみて、「減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行う条件の下で溶射法により形成された」膜は気孔率の少ない緻密な膜であると認められる。そして、同じ組成の膜でもかかる気孔率の少ない緻密な膜は気孔率の高い膜よりも絶縁破壊耐圧が高いことは明らかであるから、先願明細書発明の「減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行う条件の下で溶射法により形成された厚さ１００μｍ程度でＹ２Ｏ３のみ又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成」る膜は、溶射法で形成されたＹ２Ｏ３のみ及びイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成る同様な膜厚の膜の中でも高い絶縁破壊耐圧を示すものであるといえる。また、被処理基板をプラズマ処理する処理装置において、絶縁破壊を起こすことなく処理を行うことは当然要求される事項であるから、被処理基板をプラズマ処理する処理装置に用いられる耐食性部材において、基材に形成されプラズマに曝される膜がそのプラズマ処理装置の構造、処理内容に応じて必要とされる所定の絶縁破壊耐圧を示すものであることは当然の要件である。よって、先願明細書発明の「減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行う条件の下で溶射法により形成された厚さ１００μｍ程度でＹ２Ｏ３のみ又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成」る膜も「ハロゲン系腐蝕ガスあるいはそれらのプラズマに曝される部位を構成する」ものである以上、耐食性、耐プラズマ性に加え、必要な絶縁破壊耐圧を備えたものであることは明らかである。そして、４ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧を示すことは、セラミックの絶縁破壊が０．１〜１０ＭＶｃｍ−１であること（社団法人日本セラミック協会「セラミック工学ハンドブック」　１９８９年５月３０日　技報堂出版　４０６〜４０７頁）からもいえることである。
　してみれば、先願明細書発明の「減圧下で原料および成膜装置の水分パージを十分に行う条件の下で溶射法により形成された厚さ１００μｍ程度でＹ２Ｏ３のみ又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成」る膜が、本願補正発明２６と同様、４ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧を示すものであることは明らかである。
　よって、相違点ａは実質的な相違点であるとは認められない。
　
・相違点ｂについて
　先願明細書の記載事項（ウ）の「アルミナセラミックスの大型部品製造では粗大ポアに代表される組織の不均一が問題であり、特に腐蝕性の高い環境下ではこのポアが腐蝕起点になるため、パーティクル発生および腐蝕の促進等の問題が懸念される」との発明が解決しようとする課題の記載、及び、記載事項（キ）の「希土類酸化物を５０重量％以上含む耐食性膜を形成し、この膜がハロゲン系腐蝕ガスあるいはそれらのプラズマに曝される部位を構成するので、ハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性が高く」との記載からみて、希土類酸化物を５０重量％以上含む耐食性膜はアルミナセラミックスよりハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性の高いものであるといえる。また、記載事項（カ）の「このようにして得られた複合部材を平行平板型ＲＩＥエッチング装置のチャンバー内に装入し、ＣＦ４＋Ｏ２のプラズマによる腐蝕試験を行った。その際、研磨面の一部をポリイミドテープでマスクし、マスクのある部分とない部分の段差を測定することによりエッチング速度を算出した」との記載からみて、このハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性は、プラズマを照射した際のマスクのある部分とない部分の段差、即ちＣＦ４＋Ｏ２のプラズマによる削れ量により評価していることは明らかである。してみると、先願明細書発明の「Ｙ２Ｏ３のみ又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）から成」る膜は、「希土類酸化物を５０重量％以上含む耐食性膜」に含まれるものであるから、「アルミナセラミックス」よりハロゲン系腐蝕ガスまたはハロゲンガスプラズマに対する耐性の高い、即ちプラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量より小さいものであることは明らかである。
　よって、相違点ｂは実質的な相違点であるとは認められない。
　してみると、本願補正発明２６と先願明細書発明との間に実質的な相違点は見いだせない。
　
　したがって、本願補正発明２６は、先願明細書発明と実質的に同一であり、しかも、本願補正発明２６の発明者が上記先願明細書発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明２６は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記補正事項を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１９年５月２１日付けの手続補正は前記２．のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３８に係る発明は、平成１９年１月２９日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３８に記載されたとおりのものであると認められるところ、そのうち、請求項２６に係る発明（以下、「本願発明２６」という。）は以下のとおりのものである。
【請求項２６】　被処理基板をプラズマ処理する処理装置に用いられる耐食性部材であって、基材と、その上に溶射により形成された膜厚５０μｍ以上で絶縁破壊耐圧が４ｋＶ以上の、プラズマによる削れ量がＡｌ２Ｏ３部材の削れ量よりも小さい、周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜とを具備することを特徴とする耐食性部材。
　
（２）先願明細書に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された先願明細書及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明２６は、前記２．で検討した本願補正発明２６に関し、「膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）」を「膜厚５０μｍ以上」としたものである。
　してみると、本願発明２６の発明特定事項のうち「膜厚５０μｍ以上」を「膜厚５０μｍ以上（１００μｍは除く）」に限定したものに相当する本願補正発明２６が、前記２．（３）に記載したとおり、先願明細書発明と実質的に同一であるから、本願補正発明２６と同様の理由により、本願発明２６も先願明細書発明と実質的に同一である。
　
４．補正案について
　なお、請求人は、回答書において２つの補正案を提示し、請求項１をこれらの補正案のいずれかとするための補正の機会を求めている。これら２つの補正案は、いずれも、「膜」について「表面が研磨された」との特定を付加するものである。請求人は回答書において、これらの補正案は当初明細書の段落【００４５】の記載を根拠とするものであると述べるとともに、「膜」が「表面が研磨された」ものであることにより、膜表面の突起が除去されるため、耐食性が向上し、パーティクルやごみを低減できるという作用、効果が奏される旨、主張している。
　そこで、本願の当初明細書段落【００４５】の記載を検討すると、膜の耐食性を確認した実験に用いるサンプルとして、アルミニウム基材にＹ２Ｏ３等の溶射膜を形成し、表面を研磨したものを用いたこと、及び、表面粗さ計を用いて図２の（ｂ）に示される深さにより耐プラズマ性を評価したプラズマによる削れ量で評価したことが記載されている。しかし、この記載は、耐プラズマ性を表面粗さ計で測定することにより評価するに際し、Ｙ２Ｏ３等の溶射膜の表面を研磨することにより平滑にしたサンプルを用いたというだけのものであり、当該段落【００４５】に、請求項１に記載された発明の「膜」が「表面が研磨された」ものであることが記載されているとは到底認められない。
　そうすると、請求項１に記載された発明の「膜」が「表面が研磨された」ものであること、さらには、請求人が回答書で主張する作用・効果について、本願の願書に最初に添付された明細書・図面の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものではないとはいえない。
　よって、回答書において提示された２つの補正案は、いずれも、当初明細書及び図面に記載された事項の範囲内のものではなく、請求項１をこれらの補正案のいずれかとする補正は容認されるものではないから、請求人の求める補正の機会を与えることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明２６は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明２６の発明者が上記先願明細書等に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。