【事件の表示】
　平成１１年特許願第１１０８００号「透明導電膜の製造方法および透明導電膜」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月３１日出願公開、特開２０００−３０３１７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第一　手続の経緯 
 　本件審判に係る出願は、平成１１年４月１９日に出願されたものであって、平成１９年６月２６日付けで拒絶査定されたものである。 
　この拒絶査定を不服として、平成１９年８月２日付けで本件審判請求がなされ、平成１９年８月２８日付けで手続補正がなされた。　
　
第二　平成１９年８月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定 
　［補正の却下の決定の結論］ 
平成１９年８月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　［決定の理由］  
１．本件補正の内容
　本件補正は、補正前の請求項１〜４、７〜１２を削除し、補正前の請求項１〜３を全て引用する請求項５、及び該請求項５を引用する補正前の請求項６を新たな請求項１、２とするとともに、該新たな請求項１の発明特定事項である「被処理体」を「長尺フィルム状支持体」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる「請求項の削除」及び第２項に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
　
　そこで以下の本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。　
本願補正発明：　
「反応性ガスの存在下プラズマ放電を行う処理室の気圧を大気圧と同じまたは大気圧近傍とし、該処理室にて長尺フィルム状支持体をプラズマにさらすことにより、該長尺フィルム状支持体上に透明導電膜を形成する透明導電膜の製造方法において、前記反応性ガスを、インジウム、亜鉛、錫またはチタンを含有する有機ガスおよび酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素またはオゾンから選ばれる少なくとも一つの無機ガスを含有する処理ガスとし、且つ、
前記処理室に隣接して予備室を設け、該処理室の気圧を該予備室の気圧より０．０３ｍｍＡｑ以上高くした状態で、前記長尺フィルム状支持体を前記予備室を経由して前記処理室に搬入し、プラズマにさらすことを特徴とする透明導電膜の製造方法。」
　
２．刊行物及び刊行物に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に、引用文献１〜４として引用された刊行物には、以下の事項が記載されている（以下、明瞭化のため適宜下線を引いた。）。
　
（１）引用文献１　特開昭６０−１３８０７３号公報
「この発明は、酸化スズ、酸化インジューム・・・を主成分とする透明導電膜（以下ＣＴＯという）の製造方法に関する。」（１頁右下欄５〜７行）
　
（２）引用文献２　特開昭６２−２６００６５号公報
「本発明は、・・・透明電極・・・に用いられる酸化スズＳｎＯ２薄膜の形成法、特にプラズマＣＶＤ法による酸化スズ薄膜の形成法に関する。」（１頁左下欄下から５行〜右下欄１行）
　
「得られたＳｎＣｌ４含有ガスを原料ガス導入管７を介して反応容器９内に導入する。他方、Ｏ２・・・等の酸化ガスを酸化ガス導入管８を介して反応容器９内に導入する。」（２頁左上欄１４〜１７行）
　
「原料としては、ＳｎＣｌ４、Ｓｎ（ＣＨ３）４、Ｓｎ（Ｃ２Ｈ５）４・・・を用いる」（３頁左上欄４〜６行）、
　
（３）引用文献３　特開昭６２−０８９８７３号公報
「本発明は、電子サイクロトロン共鳴を用いることにより、スズ・・・の酸化物・・・よりなる透明導電膜の形成を・・・行う気相反応（ＣＶＤ）方法に関する。」（１頁右下欄１１〜１５行）
　
「本発明はこれらの問題を解決するため、反応性気体の活性化は電子サイクロトロン共鳴を用いて行う。即ち励起用気体を電子サイクロトロン共鳴を用いて活性化し、また電子を取り出す。この共鳴部は
プラズマ状態となる
　
「非生成物気体としては、酸化物気体の場合は酸素（Ｏ２）、酸化窒素（Ｎ２Ｏ，ＮＯ，ＮＯ２），酸化炭素（ＣＯ，ＣＯ２）・・・が代表的なものである。」（２頁右下欄下から８〜３行）
　
「生成物気体としては・・・スズ・・・の炭化水素化物（Ｓｎ（ＣＨ３）４・・・）を用いてもよい。」（３頁左上欄１〜６行）
　
（４）引用文献４　特開平１０−１３０８５１号公報
　
「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の
シート状基材の連続処理方法
シート導入口
を備えた処理容器内に
シート状基材を連続的に走行させる
処理用ガス
放電プラズマを発生させる
　
「【００１１】本発明では、上記処理容器内を
大気圧近傍の圧力下において、プラズマ処理
　
「【００１２】上記対向電極としては、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等からなるものが挙げられる。上記固体誘電体は、電極の対向面の一方又は双方に、対向面と密着させて配設する。この際に、固体誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があるとそこからアーク放電が生じるため、対向面を完全に覆うように配設する。固体誘電体の形状は、シート状基材状でもフィルム状でもよいが、厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こりアーク放電が発生するため、０．０５〜４ｍｍの厚みにすることが好ましい。」
　
「【００２６】また、
処理用ガス
酸素元素含有化合物
【００２７】上記酸素元素含有化合物としては、
酸素、オゾン、
一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素
　
「【００２９】さらに、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｓｎ等の
金属アルコラート等の処理用ガス
ＳｎＯ
の金属酸化物薄膜を形成させ、基材表面に電気的、光学的機能を与える
　
「【００３８】・・・上記
処理容器２には、その
側壁に、
シート導入口７
が
設けられている
シート状基材６は、
上記シート導入口７から上記シート排出口８へと搬送される
シート導入口７
は
ポンプによりわずかに連続的に排気可能である構造を有している
　
「【００５２】＜操作＞まず、被処理体であるポリエチレンテレフタレート
フィルム巻重体を巻き出しロールにセットし
　
　図２には、処理容器２の側壁に隣接して、シート導入口７が設けられ、該シート導入口７は、ロールを囲んでおり、下方に↓の印が付された配管を有することが図示されている。
　
３．本願補正発明についての当審の判断
（１）引用発明の認定
　引用文献４には、
シート導入口を備えた処理容器内に
シート状基材を連続的に走行させる
処理用ガス
プラズマを発生させる、シート状基材の連続処理方法
　
　そして、上記連続処理方法について、以下の記載が認められる。
　上記処理容器内は
大気圧近傍の圧力下において、プラズマ処理
　
　
Ｓｎ等の金属アルコラート等の処理用ガス
ＳｎＯ
の金属酸化物薄膜を形成させ、基材表面に電気的、光学的機能を与える
　
　そして、上記金属酸化物薄膜を形成させるシート状基材は、処理容器内を連続的に走行するから（段落００１０）長尺フィルム状の基材であると言える。
　
　さらに、上記シート導入口について、段落００３８の下線部の記載を整理すると、以下のとおりである。
（ア） 処理容器２には、その側壁に、シート導入口７が設けられている。
（イ）シート状基材６は、上記処理容器２外部に設けられたロールによって、上記シート導入口７から上記シート排出口８へと搬送される。
（ウ）シート導入口７は、上記処理容器２内部の充満ガスの漏れを許容しうる程度の非気密状態にシールされており、例えば、ポンプによりわずかに連続的に排気可能である構造を有している。
　
　図２には、シート導入口７として、ロールを四角形状に囲む線が記載されているが、これが、本願発明の「予備室」に相当する構造の「室」であるか直接的な記載はない。
　しかし、
（ａ）上記（ウ）のとおり、
シート導入口７は、非気密状態にシールされており、ポンプによりわずかに連続的に排気可能である構造
（ｂ）
図２に、
↓印が記載され
ポンプにより排気することを表現している
シート導入口７として、ロールを四角形状に囲む線が「室」（以下「シート導入口（室）」という。）であると認められる。
　
　上記シート導入口（室）は、上記処理容器内部の充満ガスの漏れを許容しうる程度の非気密状態にシールされている（段落００３８）、すなわち、処理容器の気圧を、シート導入口（室）の気圧より高くした状態にして（処理容器内部からガスを漏らして）いる。
　
　そして、長尺フィルム状の支持体を、前記シート導入口を経由して前記処理容器に搬入し、プラズマにさらすことが記載されている（段落００３８、００５２、図２）。
　
　以上の記載及び認定事項を、本願補正発明の記載ぶりにそって、整理すると、引用文献４には、
「処理用ガスの存在下で、放電プラズマを発生させる処理容器の気圧を大気圧近傍とし、該処理容器にて長尺フィルム状の支持体をプラズマにさらすことにより、該長尺フィルム状の支持体上に電気的、光学的機能を与えるＳｎＯ２の金属酸化物薄膜を形成する膜の製造方法において、前記処理容器に隣接して、シート導入口（室）を設け、該処理容器の気圧を、シート導入口（室）の気圧より高くした状態で、前記長尺フィルム状の支持体を、前記シート導入口（室）を経由して前記処理容器に搬入し、プラズマにさらす電気的、光学的機能を与えるＳｎＯ２の金属酸化物薄膜の製造方法。」（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２）対比・判断 
　引用発明の「処理用ガス」、「放電プラズマを発生させる処理容器」、「長尺フィルム状の支持体」、「シート導入口（室）」は、
　それぞれ本願補正発明の「反応性ガス」、「プラズマ放電を行う処理室」、「被処理体」、「予備室」に相当する。
　
　 そして、本願補正発明と、引用発明とを対比すると両者は、以下の点で一致し、相違する。 
（一致点）
「反応性ガスの存在下プラズマ放電を行う処理室の気圧を大気圧近傍とし、該処理室にて長尺フィルム状支持体をプラズマにさらすことにより、該長尺フィルム状支持体上に膜を形成する膜の製造方法において、
前記処理室に隣接して予備室を設け、該処理室の気圧を該予備室の気圧より高くした状態で、前記長尺フィルム状支持体を前記予備室を経由して前記処理室に搬入し、プラズマにさらす膜の製造方法。」
　
（相違点１）
　本願補正発明は、「透明導電膜の製造方法」であるのに対して、
　引用発明は、「電気的、光学的機能を与えるＳｎＯ２の金属酸化物薄膜の製造方法」である点。
　
（相違点２）
　本願補正発明は、「反応性ガスを、インジウム、亜鉛、錫またはチタンを含有する有機ガスおよび酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素またはオゾンから選ばれる少なくとも一つの無機ガスを含有する処理ガス」としているのに対して、
　引用発明は、「処理用ガス」について不明である点。
　
（相違点３）
　本願補正発明は、「処理室の気圧を該予備室の気圧より０．０３ｍｍＡｑ以上高くした状態」としているのに対して、
　引用発明は、「処理用ガス処理容器の気圧を、シート導入口（室）の気圧より高くした状態」としているものの「０．０３ｍｍＡｑ以上高くした」ことについて不明である点。
　
　以下、相違点について検討する。
相違点１について
　ＳｎＯ２の金属酸化物薄膜が、透明性、導電性を有することは周知であるから（引用文献１〜３参照）、引用発明の「電気的、光学的機能を与えるＳｎＯ２の金属酸化物薄膜」を、透明導電膜として用いることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点２について
（ア）引用文献２、３には、スズの酸化物よりなる透明導電膜を形成するための原料ガスとして、錫を含有する有機ガスであるＳｎ（ＣＨ３）４や、Ｓｎ（Ｃ２Ｈ５）４を用い、酸化物ガスとしては、酸素（Ｏ２）、酸化窒素（Ｎ２Ｏ，ＮＯ，ＮＯ２）、酸化炭素（ＣＯ，ＣＯ２）を用いることが記載されている。
　そうすると、引用発明において、ＳｎＯ２の金属酸化物薄膜を形成するための処理用ガスとして、上記錫を含有する有機ガスおよび酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素から選ばれる少なくとも一つの無機ガスを用いることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（イ）なお、引用文献４には、ＳｎＯ２の金属酸化物薄膜を形成するため、処理用ガスとして、Ｓｎの金属アルコラートを用いることが示唆されている（段落００２９）が、スズアルコキシド（アルコラート）を、酸化ガスにより酸化し、酸化錫を得ることは知られているから（要すれば、特開平５−３３９７３２号公報　段落００２２〜００２６参照）、引用発明において、処理用ガスとして、スズアルコキシドと、酸化ガスとして周知の酸素、オゾン、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素等（引用文献４の段落００２７参照）を用いることは、当業者が適宜なし得たことであるともいえる。  
　
相違点３について
　外部空気の混入を防止するため、処理室の気圧を予備室の気圧より、どの程度高くするかは、適宜定められることであり、０．０３ｍｍＡｑ以上高くすることに臨界的意義もなく、当業者が適宜なし得たことである。
　
（３）小括
　したがって、本願補正発明は、引用文献１〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　 
４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第三　本願発明についての審決
１．本願発明
　平成１９年８月２８日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願発明は、平成１８年１１月３０日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「反応性ガスの存在下プラズマ放電を行う処理室の気圧を大気圧と同じまたは大気圧近傍とし、前記処理室の気圧を前記処理室と隣接する予備室の気圧より高くし、前記処理室に被処理体をさらすことにより、前記被処理体上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．原査定の拒絶理由の概要
　原査定の拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
 　
　この出願の請求項１〜１２、１４に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
引用文献一覧
　１.特開昭６０−１３８０７３号公報
　２.特開昭６２−２６００６５号公報
　３.特開昭６２−０８９８７３号公報
　４.特開平１０−１３０８５１号公報
　
３．刊行物及び刊行物に記載された事項 
　上記「第二」の「２．」に記載したとおりである。
　
４．当審の判断 
（１）引用発明の認定
　引用発明は、上記「第二」の「３．（１）」において認定したとおりのものである。
　
（２）対比・判断　
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、以下の点で一致し、相違する。
（一致点）
「反応性ガスの存在下プラズマ放電を行う処理室の気圧を大気圧近傍とし、前記処理室の気圧を前記処理室と隣接する予備室の気圧より高くし、前記処理室に被処理体をさらすことにより、前記被処理体上に膜を形成する膜の製造方法。」
　
（相違点）
　本願発明は、「透明導電膜の製造方法」であるのに対して、
　引用発明は、「電気的、光学的機能を与えるＳｎＯ２の金属酸化物薄膜の製造方法」である点。
　
　上記相違点について検討すると、上記相違点は、上記「第二」の「３．（２）」の「相違点１」であるから、その「相違点１について」において検討したと同じ理由により、当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって、本願発明は、引用文献１〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に国内において頒布された引用文献１〜４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。