【事件の表示】
　特願２００１−２０２４９６「窒化物半導体ウェハ及び窒化物半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月１７日出願公開、特開２００３−　１７７９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１３年７月３日の出願であって、平成１７年４月１４日付け及び平成２０年４月３０日付けで手続補正がなされたが同年１２月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２１年１月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年２月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
II．平成２１年２月１６日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成２１年２月１６日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成２１年２月１６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】
　劈開性を備える基板上に、該基板の劈開面と等しい劈開面を備えるとともにIII族元素と窒素とを含む化合物で構成される窒化物半導体層を堆積して構成されるとともに、前記窒化物半導体層において複数のストライプ状光導波路が構成された窒化物半導体ウェハにおいて、
　前記ストライプ状光導波路に対して垂直な方向に劈開するための劈開導入溝を前記ストライプ状光導波路の直上以外の位置に有し、
　前記劈開導入溝は前記窒化物半導体層の表面側から前記基板にまで到達して形成されることを特徴とする窒化物半導体ウェハ。」と補正することを含むものであって、平成１４年法律第２４号による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開平１１−２５１２６５号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置製造用基板に関し、特に、劈開により共振器端面を形成するようにした半導体レーザのような半導体装置およびその製造、ならびにそのような半導体装置を製造するのに用いられるウェハのような半導体装置製造用基板に適用して好適なものである。」
　
「【００３２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００３３】図１は、この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの斜視図である。
【００３４】図１に示すように、この第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおいては、例えばｃ面のサファイア基板１上にレーザ構造を構成する複数の半導体層が積層された半導体層２が設けられている。この半導体層２は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。また、この半導体層２は、ｐｎ接合を含んでいる。この半導体層２に設けられた共振器端面３（図１においては、前方の共振器端面のみが図示されている）は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の劈開面である（１１−２０）面により構成されている。このＧａＮ系半導体レーザにおいて、これらの共振器端面３は、ウェハ状のサファイア基板１上に半導体層２を積層した後、半導体層２の所定部分に劈開補助溝４を形成し、この劈開補助溝４から半導体層２およびサファイア基板１を劈開することにより形成されたものである。
【００３５】以下に、この第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの詳細について、図２を参照して、その製造方法とともに説明する。ここで、図２Ａは、このＧａＮ系半導体レーザの製造の一工程におけるウェハの平面図、図２Ｂは、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図、図２Ｃは、図２ＡのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００３６】図２に示すように、このＧａＮ系半導体レーザの製造方法においては、例えば、ｃ面のサファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法により、レーザ構造を構成する半導体層２として、ＧａＮバッファ層５、ｎ型ＧａＮコンタクト層６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、ＧａＮ／ＧａＩｎＮ多重量子井戸構造の活性層８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０を順次成長させる。ここで、ＧａＮバッファ層５の厚さは例えば２μｍ、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の厚さは例えば２μｍ、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層８の厚さは例えば０．５μｍ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の厚さは例えば０．５μｍ、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０の厚さは例えば０．２μｍである。
【００３７】次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０上に所定のストライプ形状のレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとしてウエットエッチング法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の厚さ方向の途中の深さまでエッチングする。これによって、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０が、一方向に延びる所定のリッジストライプ形状にパターニングされる。
【００３８】次に、このエッチングに用いたレジストパターンを除去し、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０上に、リッジストライプ部１１の延在する方向と平行な方向に延びる所定のストライプ形状のレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとして例えばＲＩＥ法によりｎ型ＧａＮコンタクト層６の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより溝を形成する。これにより、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、活性層８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の下層部が、リッジストライプ部１１の延在する方向と平行な方向に延在する所定のメサ形状にパターニングされる。
【００３９】なお、ここでは、レーザ構造を構成する半導体層２の劈開性を考慮して、ｃ面のサファイア基板１上に成長された半導体層２に形成される共振器端面３が、半導体層２の劈開しやすい劈開面である（１１−２０）面にあたるように、予め、リッジストライプ部１１およびメサ部１２を形成する方位を決めておく。
【００４０】次に、このエッチングに用いたレジストパターンを除去した後、例えばＣＶＤ法により全面にＳｉＯ2 膜のような絶縁層１３を形成する。次に、リソグラフィーおよびエッチングにより、リッジストライプ部１１の上側の部分における絶縁層１３に開口１３ａを形成するとともに、溝の上側の所定部分における絶縁層１３に開口１３ｂを形成する。絶縁層１３に形成されたこれらの開口１３ａおよび１３ｂは、リッジストライプ部１１およびメサ部１２の延在する方向と平行な方向に延在する所定のストライプ形状を有する。
【００４１】次に、絶縁層１３に形成された開口１３ａの部分におけるｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０上に、例えばＮｉ／Ｔｉ／ＡｕまたはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極１４を形成するとともに、絶縁層１３に形成された開口１３ｂの部分におけるｎ型ＧａＮコンタクト層６上に、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ側電極１５を形成する。
【００４２】次に、上述のようにしてウェハ状のサファイア基板１上にレーザ構造を形成した後、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分以外の部分、具体的には、メサ部１２の両側の溝に対応する部分の一部を、例えばイオンミリング法のようなドライエッチング法により、例えばＧａＮバッファ層５の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、この部分に、半導体層２の（１１−２０）面と平行な方向に延在する所定のストライプ状の劈開補助溝４を形成する。すなわち、この第１の実施形態においては、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２のうち、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分以外の部分に、メサ部１２を両側から挟むようにして劈開補助溝４を形成する。図２Ｃ中、この劈開補助溝４を形成するためのエッチングによって除去された部分を、一点鎖線で示す。この場合、この劈開補助溝４は、後に共振器端面３となる部分のうち、光出射領域に対応する部分やｐｎ接合の存在する部分には形成されておらず、ＧａＮ系半導体レーザの特性を何ら損なうものではない。図３は、この劈開補助溝４が形成された状態のウェハを示す斜視図である。
【００４３】ここで、この劈開補助溝４は、後に行われる劈開の際に、半導体層２およびサファイア基板１を、この劈開補助溝４に沿って容易にかつ確実に劈開することができるように、次のように構成されている。
【００４４】すなわち、この劈開補助溝４は、例えばＶ字型の断面形状を有し、後に行われる劈開の際に、その底部に応力集中が起こりやすいようにされている。上述のイオンミリング法では、エッチング異方性がないことや、エッチングマスクとなるレジストパターンとの選択性が小さいことなどの理由により、条件によって、このようなＶ字状の断面形状を有する劈開補助溝４を容易に形成することができる。また、この劈開補助溝４は、半導体層２の（１１−２０）面と平行な方向に延在する直線状の底部を有している。また、この劈開補助溝４の延長方向の先端部は、半導体層２の劈開位置の規定に有利に働くように、例えばＶ字状の平面形状を有している。なお、後に行われる劈開によって形成される共振器端面３の平坦性を良好にする観点から、同一部分の劈開に用いられる劈開補助溝４、特にその底部および延長方向の先端部は、同一直線上に存在することが好ましい。
【００４５】また、この第１の実施形態においては、後述のように、この劈開補助溝４に沿って共振器端面３が形成されることから、リッジストライプ部１１およびメサ部１２の延在する方向と平行な方向、したがって、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの共振器長方向には、複数の劈開補助溝４が、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの共振器長とほぼ同一間隔で、周期的に形成される。
【００４６】次に、上述のように半導体層２の所定部分に劈開補助溝４を形成した後、サファイア基板１を裏面側からラッピングすることにより、このサファイア基板１の厚さを例えば５０〜１５０μｍ程度にする。
【００４７】次に、ウェハ状のサファイア基板１をその上の半導体層２などとともに、劈開補助溝４に沿ってバー状に劈開することにより、半導体層２に両共振器端面３を形成する。この際、この第１の実施形態においては、次のようにしてサファイア基板１および半導体層２の劈開を行う。図４は、この第１の実施形態において、サファイア基板１および半導体層２を劈開補助溝４に沿って劈開するとき劈開方法を説明するための断面図である。図４においては、図２Ｂおよび図２Ｃと直交する方向の断面が示されている。
【００４８】すなわち、図４に示すように、この第１の実施形態においては、サファイア基板１および半導体層２を劈開補助溝４に沿って劈開する際に、例えば円形ローラー（図示せず）などの補助を用いて、劈開補助溝４が存在する側、したがって、半導体層２が積層された側の主面が凸となるような向きにサファイア基板１をたわませ、劈開補助溝４の底部に応力を集中させ、この劈開補助溝４から半導体層２およびサファイア基板１を劈開することにより、バーまたはチップ２１を得るようにしている。
【００４９】ここで、サファイア基板１をいずれの方向に反らせても劈開は可能であるが、上述のように、劈開補助溝４が存在する側の主面が凸となるような向きにサファイア基板１を反らせ劈開を行っているのは、このようにした方が、これと反対の向きにサファイア基板１を反らせて劈開を行う場合よりも、半導体層２およびサファイア基板１が、所定の位置で割れやすくなるためである。
【００５０】上述のようにして、サファイア基板１および半導体層２をバー状に劈開し、半導体層２に劈開面からなる共振器端面３を形成した後、必要に応じて共振器端面３に端面コーティングを施し、さらに、この後、このバーをチップ化する。このチップ化は、ダイシングやスクライブによりバーを分離することにより行ってもよく、あるいは、予め、半導体層２の所定部分に、例えば共振器端面３となる半導体層２の（１１−２０）面に垂直な方向に延在する劈開補助溝を形成しておき、バーをこの劈開補助溝に沿って劈開することにより行ってもよい。
【００５１】以上のようにして、目的とするＧａＮ系半導体レーザを完成させる。ここで、図２Ａ中、一点鎖線によって囲まれた部分が、最終的に製造されるＧａＮ系半導体レーザの一つのレーザチップに対応する。
【００５２】上述のように構成されたこの第１の実施形態によれば、サファイア基板１上にレーザ構造を構成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層２を積層した後、共振器端面３を形成すべき部分における半導体層２の所定部分に劈開補助溝４を形成し、この劈開補助溝４から半導体層２およびサファイア基板１を劈開するようにしていることにより、半導体層２における劈開位置を規定しやすく、半導体層２およびサファイア基板１を容易にかつ確実に劈開することができる。このため、劈開性の無いサファイア基板１を用いた場合であっても、この上に積層された半導体層２に、光学的平坦性の優れた劈開面からなる共振器端面３を安定に形成することができ、しかも、共振器長を例えば１ｍｍ以下と小さくする場合であっても、そのような良好な共振器端面３を有するＧａＮ系半導体レーザを、所望の共振器長で実現することができる。」
　
　上記記載によれば、引用例には、
「例えば、ｃ面のサファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層５、ｎ型ＧａＮコンタクト層６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、ＧａＮ／ＧａＩｎＮ多重量子井戸構造の活性層８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０を順次成長させ（【００３６】参照。）、次に、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０を一方向に延びる所定のリッジストライプ形状にパターニングし（【００３７】参照。）、次に、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、活性層８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の下層部をリッジストライプ部１１の延在する方向と平行な方向に延在する所定のメサ形状にパターニングし（【００３８】参照。）、次に、絶縁層１３を形成し（【００４０】参照。）、その開口１３ａ及び１３ｂにそれぞれｐ側電極１４及びｎ側電極１５を形成し（【００４１】参照。）、次に、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分以外の部分、具体的には、メサ部１２の両側の溝に対応する部分の一部を、例えばイオンミリング法のようなドライエッチング法により、例えばＧａＮバッファ層５の厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、この部分に、ストライプ状の劈開補助溝４を形成し（【００４２】参照。）、次に、サファイア基板１を裏面側からラッピングすることにより、このサファイア基板１の厚さを例えば５０〜１５０μｍ程度にし（【００４６】参照。）、次に、ウェハ状のサファイア基板１をその上の半導体層２などとともに、劈開補助溝４に沿ってバー状に劈開することにより、半導体層２に両共振器端面３を形成し（【００４７】参照。）、この後、このバーをチップ化する（【００５０】参照。）ＧａＮ系半導体レーザの製造方法。」が記載されているものと認められる。
　
　ここで、前記【００４７】に記載されるウェハ状のサファイア基板１についてみれば、引用例には、
「サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層５、ｎ型ＧａＮコンタクト層６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、ＧａＮ／ＧａＩｎＮ多重量子井戸構造の活性層８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０が順次成長され、ここで、ｎ型ＧａＮコンタクト層６の上層部、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、活性層８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の下層部がメサ部１２として形成され、その上に、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９の上層部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０がリッジストライプ部１１として形成され、リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分以外の部分に、ＧａＮバッファ層５の厚さ方向の途中までの深さを有するストライプ状の劈開補助溝４が形成されたウェハ。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　本願補正発明の「基板」について検討するに、本願補正発明は「前記劈開導入溝は前記窒化物半導体層の表面側から前記基板にまで到達して形成される」との発明特定事項を有するものである。
　この事項は、平成２０年４月３０日付けの手続補正により導入されたものであるところ、この点に関し、同日付けの意見書には、『請求項１の構成は、元の請求項１、［００５５］、［００５６］、［００５７］の「・・ＧａＮ系基板２５０とＬＤ構造２５１との界面に劈開導入溝２５２が到達可能・・」との記載、図３、図６、図１１の記載に基づいております。』と記載されている。
　ここで、「ＧａＮ系基板２５０」について、本願明細書の段落【００５４】には、「尚、図３において、簡単に説明するため、ＧａＮ系基板２５０が、ｎ−ＧａＮ系基板２００、ｎ−ＧａＮバッファ層２０１及びｎ電極２１０を含んでいるものとして、又、ＬＤ構造２５１が、ｎ−ＧａＮコンタクト層２０２、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層２０３、ｎ−ＧａＮ光ガイド層２０４、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層２０５、ｐ−ＡｌＧａＮ蒸発防止層２０６、ｐ−ＧａＮ光ガイド層２０７、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２０８、ｐ−ＧａＮコンタクト層２０９、ＳｉＯ2誘電体膜２１２及びｐ電極２１３を含んでいるものとする。」と記載されており、「ＧａＮ系基板２５０」は、「ｎ−ＧａＮバッファ層２０１」を含んだものとして記載されている。
　そして、上記補正の根拠は、上記のとおり【００５７】の「・・ＧａＮ系基板２５０とＬＤ構造２５１との界面に劈開導入溝２５２が到達可能・・」との記載にあり、この記載によれば、劈開導入溝２５２は、「ｎ−ＧａＮバッファ層２０１」に到達していればよく、ｎ−ＧａＮ系基板２００に到達していなければならないというものではないから、本願補正発明の「前記劈開導入溝は前記窒化物半導体層の表面側から前記基板にまで到達して形成される」との発明特定事項における「基板」とは、ｎ−ＧａＮバッファ層２０１も含んだものであると認められる。
　したがって、引用発明の「サファイア基板１」及び「ＧａＮバッファ層５」が本願補正発明の「基板」に対応し、引用発明の「ｎ型ＧａＮコンタクト層６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層７、ＧａＮ／ＧａＩｎＮ多重量子井戸構造の活性層８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層９およびｐ型ＧａＮコンタクト層１０」が本願補正発明の「III族元素と窒素とを含む化合物で構成される窒化物半導体層」に相当するところである。
　
　また、引用発明の「リッジストライプ部１１およびメサ部１２」が本願補正発明の「ストライプ状光導波路」に相当するところであり、これらが複数形成されていることは明らかである。
　
　また、引用発明の「劈開補助溝４」が「前記ストライプ状光導波路に対して垂直な方向に劈開するための劈開導入溝」であることは明らかである。
　そして、引用発明の「劈開補助溝４」は、「リッジストライプ部１１およびメサ部１２に対応する部分以外の部分」に形成されているから、本願補正発明と同様に「前記ストライプ状光導波路の直上以外の位置」にあるといえる。
　さらに、引用発明の「劈開補助溝４」は、「ＧａＮバッファ層５の厚さ方向の途中までの深さを有する」ものであるから、本願補正発明と同様に「前記窒化物半導体層の表面側から前記基板にまで到達して形成される」ものであるといえる。
　
　そして、本願補正発明と引用発明はともに「ウェハ」の発明である。
　　
　以上のことから、両者は
「基板上に、III族元素と窒素とを含む化合物で構成される窒化物半導体層を堆積して構成されるとともに、前記窒化物半導体層において複数のストライプ状光導波路が構成されたウェハにおいて、
　前記ストライプ状光導波路に対して垂直な方向に劈開するための劈開導入溝を前記ストライプ状光導波路の直上以外の位置に有し、
　前記劈開導入溝は前記窒化物半導体層の表面側から前記基板にまで到達して形成されるウェハ。」である点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
　本願補正発明は、基板が「劈開性を備える」ものであり、堆積される窒化物半導体層が「該基板の劈開面と等しい劈開面を備える」とされ、また、ウェハが「窒化物半導体ウェハ」とされているのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。　
　　　
４．相違点についての検討
　上記相違点について検討するに、窒化物半導体層が堆積される基板として、本願明細書に本願発明の実施形態として記載されるＧａＮ系基板を用いることは、例えば、原査定において引用された特開平１０−３３５７５０号公報（例えば、図２のＧａＮ基板１参照。）や特開平１１−４０４８号公報（例えば、【００４０】に記載のＧａＮ基板４０参照。）に記載されているように、本願出願当時において周知であるから、引用発明におけるサファイア基板１に代えてＧａＮ基板を用いることにより、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、本願補正発明が奏する効果についても、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　　　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　
　よって、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年４月３０日付け手続補正書の請求項１ないし１８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　劈開性を備える基板上に、該基板の劈開面と等しい劈開面を備えるとともにIII族元素と窒素とを含む化合物で構成される窒化物半導体層を堆積して構成されるとともに、前記窒化物半導体層において複数のストライプ状光導波路が構成された窒化物半導体ウェハにおいて、
　前記ストライプ状光導波路の直上以外の位置に、前記窒化物半導体層の表面側から前記基板にまで到達して形成される劈開導入溝を有することを特徴とする窒化物半導体ウェハ。」
　
２．判断
　本願発明の発明特定事項を全て含みさらに限定をしたものが本願補正発明であると認められるところ、本願補正発明が上記II．［II］２．〜４．において検討したように、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであることを考えれば、本願発明が同様の理由により、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。