Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の主面の上に転写材を滴下して、予め定められた基準体積よりも大きい体積を有する前記転写材の液滴を形成する工程と、
前記液滴を揮発させて、前記液滴の体積を前記基準体積よりも減少させる工程と、
前記基準体積よりも体積が減少させられた前記液滴を、転写面に凹部が設けられたテンプレートの前記転写面に接触させて、前記凹部に前記転写材を充填する工程と、
前記液滴の径を測定する工程と、
を備え、
前記充填する工程は、
前記測定する工程において測定された前記液滴の径が前記基準体積に基づいて定められた基準径よりも小さいとき、及び、
前記液滴を形成する工程が実施されてから、前記揮発による前記液滴の体積の減少の時間依存性に関するデータに基づいて予め設定された設定待機時間が経過した後、
の少なくともいずれかのときに実施されることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
被処理基板の主面の上に転写材を滴下して、予め定められた基準体積よりも大きい体積を有する前記転写材の液滴を形成する工程と、
前記液滴を揮発させて、前記液滴の体積を前記基準体積よりも減少させる工程と、
前記基準体積よりも体積が減少させられた前記液滴を、転写面に凹部が設けられたテンプレートの前記転写面に接触させて、前記凹部に前記転写材を充填する工程と、
を備えたことを特徴とするインプリント方法。
【請求項３】
前記液滴の径を測定する工程をさらに備え、
前記充填する工程は、前記測定する工程において測定された前記液滴の径が前記基準体積に基づいて定められた基準径よりも小さいときに、実施されることを特徴とする請求項２記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記充填する工程は、前記液滴を形成する工程が実施されてから、前記揮発による前記液滴の体積の減少の時間依存性に関するデータに基づいて予め設定された設定待機時間が経過した後に実施されることを特徴とする請求項２記載のインプリント方法。
【請求項５】
被処理基板が載置される基板ステージと、
転写面に凹部が設けられたテンプレートを保持するテンプレート保持部と、
前記基板ステージに載置された前記被処理基板の主面の上に転写材を滴下して、予め定められた基準体積よりも大きい体積を有する前記転写材の液滴を形成する滴下部と、
前記被処理基板の前記主面と、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートの前記転写面と、の距離を変化させ、前記液滴と前記転写面とを接触させて、前記転写材を前記テンプレートの前記凹部に充填させる距離制御部と、
前記距離制御部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記滴下部が前記液滴を形成した後に、前記液滴が揮発して前記液滴の体積が前記基準体積よりも減少した後に、前記基準体積よりも体積が減少した前記液滴を前記転写面に接触させることを前記距離制御部に実施させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項６】
前記主面の上の前記液滴の径を測定する測定部をさらに備え、
前記制御部は、前記測定部によって測定された前記液滴の径が、前記基準体積に基づいて定められた基準径よりも小さいときに、前記径が減少した前記液滴を前記転写面に接触させることを前記距離制御部に実施させることを特徴とする請求項５記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記滴下部が前記液滴を形成した後に、前記揮発による前記液滴の体積の減少の時間依存性に関するデータに基づいて予め設定された設定待機時間が経過した後に、前記体積が減少した前記液滴を前記転写面に接触させることを前記距離制御部に実施させることを特徴とする請求項５記載のインプリント装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月7日(2012.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル形成面に形成される流体噴射ノズルから流体を噴射する流体噴射ヘッドと、
上記ノズル形成面を封止可能なキャップを、ノズル形成面封止位置と上記ノズル形成面を封止しないノズル形成面非封止位置とに移動させるキャッピング機構と、
上記キャップに設けられた吸引口から上記キャップ内に負圧を発生させる吸引ポンプと、
上記キャップの内部と上記キャップの外部の大気とを連通させる大気連通チューブと、
上記流体に含まれる溶質を溶解することができる溶解液が貯留され、上記大気連通チューブに接続される溶解液タンクと、
上記大気連通チューブが大気に連通される状態と、上記溶解液タンクに連通される状態と、大気および上記溶解液タンクに対して閉塞される状態とに、上記大気連通チューブの連通状態を切り替える切替手段と、
上記流体噴射ノズルを封止する封止板を、上記流体噴射ノズルの封止を行うノズル封止位置と上記流体噴射ノズルを封止しないノズル非封止位置とに移動させるノズル封止機構と、
上記キャッピング機構、上記ノズル封止機構、上記切替手段、および上記吸引ポンプを駆動制御する制御部と、
を備えることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項２】
請求項１に記載の流体噴射装置であって、
前記流体噴射ヘッドを２つ以上備えると共に、前記各流体噴射ヘッド毎に、前記キャップ、前記大気連通チューブ、および前記封止板を有する、
ことを特徴とする流体噴射装置。
【請求項３】
請求項２に記載の流体噴射装置であって、
前記溶解液タンクは、前記流体噴射ヘッドの少なくとも２つに対して共通に備えられる、
ことを特徴とする流体噴射装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の流体噴射装置であって、
前記吸引ポンプは、前記流体噴射ヘッドの少なくとも２つに対して共通に備えられ、
前記吸引ポンプと前記キャップとの間には、前記吸引ポンプと前記キャップとを連通させるか否かを切り替えることができる吸引切替手段が備えられる、
ことを特徴とする流体噴射装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１に記載の流体噴射装置であって、
前記流体噴射ヘッドには、前記流体の溶質を溶解することができる溶解液を噴射することができる溶解液噴射ノズルが備えられ、
前記制御部は、前記封止板をノズル封止位置に移動する前に、上記溶解液噴射ノズルから上記溶解液を噴射するように前記流体噴射ヘッドを制御する、
ことを特徴とする流体噴射装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１に記載の流体噴射装置であって、
前記封止板は、前記封止面に撥水性を有し、前記ノズル非封止位置において、前記封止面が水平面に対して傾斜している、
ことを特徴とする流体噴射装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１に記載の流体噴射装置であって、
前記流体は、白色のインクジェット記録用インク組成物を有することを特徴とする流体噴射装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１に記載の流体噴射装置であって、
前記流体は、着色材と、水と、難水溶性のアルカンジオールと、ポリアルキレングリコールとを少なくとも含んでなる、インクジェット記録用インク組成物を有することを特徴とする流体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の課題を解決するため、本発明の流体噴射装置は、ノズル形成面に形成される流体噴射ノズルから流体を噴射する流体噴射ヘッドと、上記ノズル形成面を封止可能なキャップを、ノズル形成面封止位置と上記ノズル形成面を封止しないノズル形成面非封止位置とに移動させるキャッピング機構と、上記キャップに設けられた吸引口から上記キャップ内に負圧を発生させる吸引ポンプと、上記キャップの内部と上記キャップの外部の大気とを連通させる大気連通チューブと、上記流体に含まれる溶質を溶解することができる溶解液が貯留され、上記大気連通チューブに接続される溶解液タンクと、上記大気連通チューブが大気に連通される状態と、上記溶解液タンクに連通される状態と、大気および上記溶解液タンクに対して閉塞される状態とに、上記大気連通チューブの連通状態を切り替える切替手段と、上記流体噴射ノズルを封止する封止板を、上記流体噴射ノズルの封止を行うノズル封止位置と上記流体噴射ノズルを封止しないノズル非封止位置とに移動させるノズル封止機構と、上記キャッピング機構、上記ノズル封止機構、上記切替手段、および上記吸引ポンプを駆動制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記の目的を達成するために、本発明は、繊維強化樹脂からなるシート体を加熱するシート体の加熱方法であって、
搬送される前記シート体を、加熱されて回転動作する挟持体で挟持することで該シート体に含まれる樹脂の融点未満に加熱する工程と、
前記挟持体から露呈したシート体を、非接触加熱手段によって前記樹脂の融点以上に加熱する工程と、
を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、繊維強化樹脂からなるシート体を加熱するためのシート体用加熱装置であって、
前記シート体を搬送するための搬送機構と、
搬送される前記シート体を回転動作しながら挟持する挟持体と、
前記挟持体を加熱するための加熱手段と、
加熱された前記挟持体に挟持されることで加熱された後、該挟持体から露呈したシート体を再加熱するための非接触加熱手段と、
を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維強化樹脂からなるシート体を加熱するシート体の加熱方法であって、
搬送される前記シート体を、加熱されて回転動作する挟持体で挟持することで該シート体に含まれる樹脂の融点未満に加熱する工程と、
前記挟持体から露呈したシート体を、非接触加熱手段によって前記樹脂の融点以上に加熱する工程と、
を有することを特徴とするシート体の加熱方法。
【請求項２】
請求項１記載の加熱方法において、前記非接触加熱手段として赤外線照射手段又は熱風供給手段の少なくともいずれか一方を用いることを特徴とするシート体の加熱方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の加熱方法において、前記挟持体から露呈したシート体が前記非接触加熱手段に到達するまでに該シート体を保温することを特徴とするシート体の加熱方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の加熱方法において、前記挟持体として、少なくとも１組のローラと、前記１組のローラに掛け渡されて前記シート体に接触するベルトとを具備する無限軌道を用いることを特徴とするシート体の加熱方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の加熱方法において、前記シート体の厚み方向の温度分布が均一となる理論時間値をｔとするとき、前記挟持体が前記シート体に接触する接触時間ｔｒｅａｌが前記理論時間値ｔ以上となるように前記シート体の搬送速度を設定することを特徴とするシート体の加熱方法。
【請求項６】
繊維強化樹脂からなるシート体を加熱するためのシート体用加熱装置であって、
前記シート体を搬送するための搬送機構と、
搬送される前記シート体を回転動作しながら挟持する挟持体と、
前記挟持体を加熱するための加熱手段と、
加熱された前記挟持体に挟持されることで加熱された後、該挟持体から露呈したシート体を再加熱するための非接触加熱手段と、
を有することを特徴とするシート体用加熱装置。
【請求項７】
請求項６記載の加熱装置において、前記非接触加熱手段が赤外線照射手段又は熱風供給手段の少なくともいずれか一方であることを特徴とするシート体用加熱装置。
【請求項８】
請求項６又は７記載の加熱装置において、前記挟持体から露呈したシート体が前記非接触加熱手段に到達するまでに該シート体を保温する保温手段をさらに有することを特徴とするシート体用加熱装置。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の加熱装置において、前記挟持体が、少なくとも１組のローラと、前記１組のローラに掛け渡されて前記シート体に接触するベルトとを具備する無限軌道であることを特徴とするシート体用加熱装置。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項に記載の加熱装置において、前記挟持体中の前記シート体に接触する部位の接触幅寸法をＬ、前記シート体の搬送速度をＶ、前記挟持体に接触した前記シート体の厚み方向の温度分布が均一となる理論時間値をｔとしたとき、Ｌ、Ｖ、ｔの間に下記の式（１）が成立することを特徴とするシート体用加熱装置。
Ｌ≧Ｖ×ｔ  …（１）
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム上にペーストの印刷を行うスクリーン印刷機において、
吸着ステージのフィルム載置面に複数のブロックに分割した吸着機構を設けられ、前記吸着ステージはフィルム送り方向のフィルム載置面の両端部側が半円形状に形成され、
前記吸着ステージのフィルム送り方向の上流側と下流側とにそれぞれ吸着部と上下に移動する上下移動機構を備えた補助ステージを設け、フィルム印刷時に前記上下移動機構を動作させ前記吸着ステージ面より前記補助ステージ面を下方に位置するように構成したことを特徴とするスクリーン印刷機。
【請求項２】
請求項１に記載のスクリーン印刷機において、
前記補助ステージには、フィルムの幅方向端面を前記補助ステージ上に押さえるフィルム上下押さえ機構と、幅方向にフィルムを引き伸ばすためのフィルム伸ばし機構を設けたことを特徴とするスクリーン印刷機。
【請求項３】
請求項２に記載のスクリーン印刷機において、前記上流側補助ステージの上流側及び下流側補助ステージの下流側に上下に移動する上下ローラを設け、フィルムを移動する時は上下ローラを上昇させ、フィルムを吸着ステージ及び補助ステージ面に接触させず移動できるようにしたことを特徴とするスクリーン印刷機。
【請求項４】
請求項１または２に記載のスクリーン印刷機において、
ボールネジとサーボモータによりスキージを上下移動可能とする第１のスキージ上下駆動機構と、エアシリンダにより前記スキージを上下移動可能とする第２のスキージ上下駆動機構とを備え、
前記第１のスキージ上下駆動機構でスキージをマスク面から任意の距離にまで移動させ、前記第２のスキージ上下駆動機構でスキージを任意の力でマスク面に押付ける押付力を作用させるか、又は、前記第２のスキージ上下駆動機構にはブレーキを作用させて第２のスキージ上下駆動機構ではスキージの上下を降下側でロックして前記第１のスキージ上下駆動機構でスキージをマスク面に接触させて、前記第１のスキージ上下駆動機構でスキージをマスク面に所定の押付力を作用させることを可能にしたことを特徴とするスクリーン印刷機。
【請求項５】
請求項４に記載のスクリーン印刷機において、
スクリーンを取付けた版枠を上下移動するための版枠上下移動機構と、前記吸着ステージ上のフィルムを前記スクリーンに位置合わせするために、前記吸着ステージをＸＹθ方向に移動させるＸＹθステージ機構とスクリーンとフィルムの位置合わせマークを撮像する上下２視野カメラと、前記上下２視野カメラを水平方向に移動させるためのカメラ駆動機構を備えたことを特徴とするスクリーン印刷機。
【請求項６】
請求項５に記載のスクリーン印刷機において、
前記フィルムを巻き出すフィルム巻き出し機構と、フィルムを任意の長さで引き出すフィルム送り機構と、印刷後のフィルムを巻き取るフィルム巻取り機構を備えた構成としたことを特徴とするスクリーン印刷機。
【請求項７】
フィルム巻き出し部から巻き出されたフィルムを吸着ステージまで送り出し、フィルム上にマスク上に形成された印刷パターンを印刷した後、乾燥部に送り出し、印刷パターンを乾燥させたのちに巻取り部に巻き取るスクリーン印刷方法において、
吸着ステージ上に送り出されたフィルムを吸着ステージのフィルム搬送方向の両端側に設けた補助ステージで吸引吸着保持し、かつ前記補充ステージに設けたフィルム端部把持部材でフィルム端部を保持してフィルムを幅方向に引き延ばし、前記補助ステージを前記吸着ステージ面より降下させて前記フィルムを吸着ステージ面に密着し、前記吸着ステージ面に設けた吸引吸着手段で吸着保持し、吸着ステージとマスクに設けた位置合わせマークを両方向撮像カメラにより撮像し、吸着ステージを水平方向に移動して位置合わせ後、マスクをフィルム面まで降下して、スキージを２段階で降下させ印刷を行うことを特徴とするスクリーン印刷方法。
【請求項８】
請求項７記載のスクリーン印刷方法において、
前記スキージにより印刷を行なった後、前記スキージをマスク面より離間させスクレーパを降下させて、マスク面上と一定の隙間を保ちながらマスク面上を水平方に移動させてペーストを回収すると同時にマスク開口部内の目詰まりを防止することを特徴とするスクリーン印刷方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期律表１１族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する水添用触媒を用いて、多不飽和脂肪酸基を含有する原料油脂を水素化する、シス型モノ不飽和脂肪酸基の含有率を高めた油脂の製造方法であって、原料油脂中の多不飽和脂肪酸基の低減率が８６％以上である、油脂の製造方法。
【請求項２】
周期律表１１族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素が銅である、請求項１記載の油脂の製造方法。
【請求項３】
多不飽和脂肪酸基を含有する原料油脂中で触媒の還元活性化処理を行った後、原料油脂の水素化を行う、請求項１又は２に記載の油脂の製造方法。
【請求項４】
原料油脂中の全不飽和脂肪酸基に対する生成油脂中のモノ不飽和脂肪酸基の割合が９１％以上である、請求項１〜３の何れか１項に記載の油脂の製造方法。
【請求項５】
生成油脂のモノ不飽和脂肪酸基中のトランス酸基の割合が２０％以下である、請求項１〜４の何れか１項記載の油脂の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、これまでの説明においては、中板４は給紙カセット１の底面１９と平行な状態で昇降する場合について説明したが、中板４としては、例えば図１３及び図１４に示すように、上下方向に回動自在に設けられている場合がある。この場合、側端基準部５が傾いていると、シートの積載量が少なくなるにつれて、シート給送方向に沿って配された２つのシート押圧部材８による押圧力がばらつくようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送されてきたシートを積載するシート積載手段と、
前記シート積載手段に積載された複数枚のシートからなるシート束に対して所定の処理位置にて選択的に処理を施す処理手段と、
前記シート積載手段に積載されたシート束を把持して前記処理位置に移動させるシート束把持手段と、
前記シート束把持手段で把持して前記処理位置に移動されるシート束を、前記シート束把持手段よりもシート束移動方向の上流側にて前記シート積載手段に押さえるシート束押さえ手段と、
を有することを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記シート束押さえ手段は、前記処理位置に移動されるシート束に当接してシート束移動方向に回転可能な回転体を有することを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記回転体が前記処理位置に移動されるシート束に当接して回転する回転速度は、前記シート束把持手段が前記処理位置に移動されるシート束を把持して移動する移動速度よりも遅いことを特徴とする請求項２に記載のシート処理装置。
【請求項４】
前記回転体は、ワンウェイクラッチの作用により、前記シート束把持手段に把持されて移動するシート束に当接して従動回転することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のシート処理装置。
【請求項５】
前記シート束押さえ手段は、前記シート積載手段に積載されたシート束の厚さに応じた位置にてシート束を押さえる規制部材を有することを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項６】
前記シート積載手段は、傾斜したシート積載面を有しており、
前記シート束把持手段は、前記シート積載面に積載されたシートの低い側の端部を受け止めて保持し、その保持した複数枚のシートからなるシート束の端部を把持して前記処理位置に移動させることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項７】
前記処理手段は、前記処理位置に移動されたシート束を挟み込んで搬送して２つ折りするローラ対であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項８】
前記シート束把持手段は、シート束が前記処理位置に移動された後、前記処理手段による処理の前にシート束の把持を解除する位置に移動することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項９】
前記シート束押さえ手段は、シート束が前記処理位置に移動された後、前記処理手段による処理の前にシート束の押さえを解除する位置に移動することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項１０】
シートに画像を形成する画像形成部と、画像が形成された複数枚のシートからなるシート束に対して選択的に処理を施す請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシート処理装置と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、搬送されてきたシートを積載するシート積載手段と、前記シート積載手段に積載された複数枚のシートからなるシート束に対して所定の処理位置にて選択的に処理を施す処理手段と、前記シート積載手段に積載されたシート束を把持して前記処理位置に移動させるシート束把持手段と、前記シート束把持手段で把持して前記処理位置に移動されるシート束を、前記シート束把持手段よりもシート束移動方向の上流側にて前記シート積載手段に押さえるシート束押さえ手段と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ところが、この場合ラベルシートを容易に除去することができるから電池の分解及び変更による危険が発生されやすいし、使用者による分解及び変更事項をサービスセンターが認知しにくいという短所がある。また、二次電池は水気が浸透すれば性能が低下されるだけではなく、寿命が顕著に短縮されるが、使用者による分解及び変更が容易な場合、サービスセンターで水気が浸透されたかどうかを確認しにくい。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）特開２００５−０１０５２５号公報
（特許文献２）大韓民国特許出願公開第２００９−００４９１８４号公報
（特許文献３）米国特許出願公開第２００８／０２８９８６１号公報
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＬＥＤ素子が実装され放熱手段を有するＬＥＤ実装基板と、商用電源を受けて所定の直流電圧を出力する直流電源回路と、前記ＬＥＤ実装基板と直流電源回路を収納するカバーを備えたＬＥＤ点灯装置であって、
前記直流電源回路からの電源供給線を通すための孔が設けられた板状の底板が、前記放熱手段の近傍に位置する前記カバーと連設された連設部により形成され、前記孔に電源供給線を通してＬＥＤ実装基板と直流電源回路を接続してなり、当該連設部が前記放熱手段に直接接する熱伝達手段となっていることを特徴とするＬＥＤ点灯装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記カバーは、ＬＥＤ実装基板を収納する光源部収納カバーと、直流電源回路を収納する電源部収納カバーと、により構成され、光源部収納カバーが熱伝達手段であることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ点灯装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１に係る発明は、ＬＥＤ素子が実装され放熱手段を有するＬＥＤ実装基板と、商用電源を受けて所定の直流電圧を出力する直流電源回路と、前記ＬＥＤ実装基板と直流電源回路を収納するカバーを備えたＬＥＤ点灯装置であって、
前記直流電源回路からの電源供給線を通すための孔が設けられた板状の底板が、前記放熱手段の近傍に位置する前記カバーと連設された連設部により形成され、前記孔に電源供給線を通してＬＥＤ実装基板と直流電源回路を接続してなり、当該連設部が前記放熱手段に直接接する熱伝達手段となっていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２に係る発明は、請求項１において、前記カバーは、ＬＥＤ実装基板を収納する光源部収納カバーと、直流電源回路を収納する電源部収納カバーと、により構成され、光源部収納カバーが熱伝達手段であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１記載の発明にあっては、ＬＥＤ素子が実装され放熱手段を有するＬＥＤ実装基板と、商用電源を受けて所定の直流電圧を出力する直流電源回路と、前記ＬＥＤ実装基板と直流電源回路を収納するカバーを備えたＬＥＤ点灯装置であって、前記直流電源回路からの電源供給線を通すための孔が設けられた板状の底板が、前記放熱手段の近傍に位置する前記カバーと連設された連設部により形成され、前記孔に電源供給線を通してＬＥＤ実装基板と直流電源回路を接続してなり、当該連設部が前記放熱手段に直接接する熱伝達手段としたことにより、ＬＥＤ素子から発生する熱がより効率よく外部に放熱される。この結果、ＬＥＤ素子の温度が下がり、直流電源回路への熱の影響も緩和することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項２記載の発明にあっては、前記カバーは、ＬＥＤ実装基板を収納する光源部収納カバーと、直流電源回路を収納する電源部収納カバーと、により構成され、光源部収納カバーが熱伝達手段であることにより、請求項１に記載の効果を奏するうえに、ＬＥＤ素子からの熱が直流電源回路に伝わりにくくなり、直流電源回路への熱の影響が緩和できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の局所領域に複数の接続端子を有する半導体集積回路素子と、配線と、前記複数の接続端子の一部または全部の接続端子と前記配線とを電気的に接続するための金属バンプとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記局所領域のインピーダンスの入力点と出力点との間のインピーダンス値を測定するインピーダンス値測定工程と、
前記インピーダンス値と設計仕様値との差が許容範囲内にあるかどうかを判定するインピーダンス値判定工程と、
前記インピーダンス値判定工程での判定結果に基づいて、前記複数の接続端子のうち、金属バンプを形成すべき接続端子の位置を決定するバンプ位置決定工程と、
前記バンプ位置決定工程において位置が決定された前記接続端子上に、前記金属バンプを形成するバンプ形成工程と、
前記バンプ形成工程の後、前記半導体集積回路素子を覆うように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に前記配線を形成する配線形成工程と、を有し、
前記インピーダンス値判定工程で前記差が許容範囲を超えたと判定された場合に、測定された前記インピーダンス値は所定のインピーダンス値に変換され、
前記バンプ位置決定工程では、前記所定のインピーダンス値が設計仕様値に対して許容範囲内となるように、前記金属バンプを形成すべき前記接続端子の位置を決定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記局所領域のインピーダンスの入力点と出力点は、前記複数の接続端子に含まれる一対の接続端子であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記バンプ位置決定工程では、前記局所領域のインピーダンスの入力点と出力点との間のインピーダンス値が所望の値となるように、前記金属バンプを形成すべき前記接続端子の位置を決定することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記所望の値は、所望の抵抗値を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記所望の値は、所望のキャパシタンス値を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記所望の値は、所望のインダクタンス値を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記バンプ形成工程において、ワイヤボンダ装置を使用することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記配線上に外部接続端子を形成する工程を含む請求項１乃至７の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記配線は、前記金属バンプを形成すべき前記接続端子の位置を決定後、前記金属バンプ上に形成される請求項１乃至８の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記金属バンプを形成すべき前記接続端子の位置を決定後に配線構造が決定される請求項１乃至９の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本半導体装置の製造方法は、所定の局所領域に複数の接続端子を有する半導体集積回路素子と、配線と、前記複数の接続端子の一部または全部の接続端子と前記配線とを電気的に接続するための金属バンプとを有する半導体装置の製造方法であって、前記局所領域のインピーダンスの入力点と出力点との間のインピーダンス値を測定するインピーダンス値測定工程と、前記インピーダンス値と設計仕様値との差が許容範囲内にあるかどうかを判定するインピーダンス値判定工程と、前記インピーダンス値判定工程での判定結果に基づいて、前記複数の接続端子のうち、金属バンプを形成すべき接続端子の位置を決定するバンプ位置決定工程と、前記バンプ位置決定工程において位置が決定された前記接続端子上に、前記金属バンプを形成するバンプ形成工程と、前記バンプ形成工程の後、前記半導体集積回路素子を覆うように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に前記配線を形成する配線形成工程と、を有し、前記インピーダンス値判定工程で前記差が許容範囲を超えたと判定された場合に、測定された前記インピーダンス値は所定のインピーダンス値に変換され、前記バンプ位置決定工程では、前記所定のインピーダンス値が設計仕様値に対して許容範囲内となるように、前記金属バンプを形成すべき前記接続端子の位置を決定することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが埋設された封止樹脂層を有する半導体パッケージの製造方法であって、
支持基板上に、パッド形成面を上向きにして半導体チップを配置する工程と、
前記半導体チップが覆われるように、前記支持基板上に封止樹脂層を形成する工程と、
前記半導体チップのパッドの上面が表出するまで、前記封止樹脂層の上部を研磨する工程と、
前記封止樹脂層の上部を研磨する工程の後に、前記封止樹脂層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記パッドの上面を底面に露出する開口部を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記開口部内に設けたビアにより前記パッドに接続される配線層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記配線層において外部接続用パッドとなる部分を露出するソルダーレジスト膜を形成する工程と、を備えること
を特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記配線層を形成する工程の後に、前記支持基板を除去する工程を備えること
を特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層と前記配線層とを複数積層して、最上層の配線層に、前記外部接続用パッドおよび前記ソルダーレジスト膜を形成する工程を備えること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層、前記配線層、および前記ソルダーレジスト膜を合わせた厚さが、前記封止樹脂層の厚さより薄いこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記封止樹脂層は、モールド樹脂を用いて形成されること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記支持基板は金属を用いて形成され、前記支持基板を除去する工程はエッチングによって行われること
を特徴とする請求項２〜５のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記支持基板上に、固定用材料を介して半導体チップが配置され、
前記支持基板を除去する工程の後に、前記固定用材料を除去する工程を備えること
を特徴とする請求項２〜６のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記固定用材料は樹脂を用いて形成され、前記固定用材料を除去する工程は研磨によって行われること
を特徴とする請求項７記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップのパッド形成面と側面周囲を被覆し、且つ、前記パッドの上面を露出する一方の面を有する封止樹脂層と、
前記封止樹脂層の一方の面上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層に設けられ、前記パッドの上面を底面に露出する開口部と、
前記絶縁層上に設けられ、前記開口部内に設けられたビアにより前記パッドに接続された配線層と、
前記配線層上に設けられ、前記配線層において外部接続用パッドとなる部分を露出するソルダーレジスト膜と、を備えること
を特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記封止樹脂層が基板状に形成され、該封止樹脂層上に前記絶縁層と前記配線層とが複数積層され、最上層の配線層に、前記外部接続用パッドおよび前記ソルダーレジスト膜が設けられていること
を特徴とする請求項９記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記絶縁層、前記配線層、および前記ソルダーレジスト膜を合わせた厚さが、前記封止樹脂層の厚さより薄いこと
を特徴とする請求項９または請求項１０記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記封止樹脂層は、モールド樹脂を用いて形成されていること
を特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記パッドの上面と前記封止樹脂層の一方の面とが同一の平坦面に形成されていること
を特徴とする請求項９〜１２のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記半導体チップの背面が、前記封止樹脂層の他方の面側に露出していること
を特徴とする請求項９〜１３のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
開示の半導体パッケージの製造方法は、半導体チップが埋設された封止樹脂層を有する半導体パッケージの製造方法であって、支持基板上に、パッド形成面を上向きにして半導体チップを配置する工程と、前記半導体チップが覆われるように、前記支持基板上に封止樹脂層を形成する工程と、前記半導体チップのパッドの上面が表出するまで、前記封止樹脂層の上部を研磨する工程と、前記封止樹脂層の上部を研磨する工程の後に、前記封止樹脂層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に、前記バッドの上面を底面に露出する開口部を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記開口部内に設けたビアにより前記パッドに接続される配線層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記配線層において外部接続用パッドとなる部分を露出するソルダーレジスト膜を形成する工程と、を備えることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
＜チップ分割率＞
上記のステルスダイシング条件で、シリコンウエハの内部に改質部を形成し、ウエハと８インチウエハ用リングフレームとを実施例又は比較例の粘着シートに貼付後、エキスパンド装置（ディスコ社製、ＤＤＳ２０１０）を用いて、粘着シートをエキスパンドし、ウエハをチップ化した。なお、カットチップサイズが２ｍｍ×２ｍｍのものは、粘着シートをエキスパンド（３００ｍｍ／分で１０ｍｍ引き落とし）してウエハをチップ化し、カットチップサイズが０．５ｍｍ×０．５ｍｍ及び０．１５ｍｍ×０．１５ｍｍのものは、エキスパンド（３００ｍｍ／分で５ｍｍ引き落とし）と同時に粘着シートを基材側から治具を用いてひっかいて、ウエハをチップ化した。カットチップサイズにチップ化されたチップの数（完全に個片化されたチップの数）を目視にて数え、ウエハ上に想定された全チップ数（仮想チップの合計数）に対するチップ分割率を算出した。チップ分割率が９９．５％以上の場合を「非常に良好」、９８％以上を「良好」、９８％未満を「不良」とした。また、粘着シートの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤層を用いる場合は、エネルギー線照射前に粘着シートをエキスパンドした。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この場合、基板の回転速度は、塗布液供給系による塗布液の供給終了時までに、第１の速度および第３の速度よりも低い第５の速度に低下される。その後、基板の回転速度は、第５の速度から第１の速度に上昇される。これにより、基板の回転速度が第５の速度から第１の速度に上昇する期間に、基板上の塗布液を乾燥させることができる。これにより、乾燥の遅い性質の塗布液を使用する場合、より効率的に基板上に塗布液の膜を形成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
基板１００にエッジリンス液およびバックリンス液の吐出が開始された後、時点ｔ１３で基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍまで上昇する。このとき、基板１００の被処理面の周縁部がエッジリンス液により洗浄されるとともに、基板１００の裏面がバックリンス液により洗浄される。これにより、基板１００の被処理面の周縁部および裏面に付着するレジスト液および塵埃等が除去される。その後、時点ｔ１４でバックリンス液吐出信号Ｓ４がローレベルになり、時点ｔ１５でエッジリンス液吐出信号Ｓ３がローレベルになる。それにより、バックリンス液の吐出およびエッジリンス液の吐出が順に停止される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
時点ｔ２１から時点ｔ２２までの期間、基板１００の回転速度が、例えば１０００ｒｐｍに維持される。これにより、時点ｔ２１から時点ｔ２２までの期間に、基板１００上のレジスト液を十分に乾燥させることができる。そのため、第１の実施の形態と比較して、乾燥の遅い性質のレジスト液を使用する場合に、より効率的に基板１００上にレジスト液の膜を形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
ここで、時点ｔ２３から時点ｔ２４までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
ここで、時点ｔ３１から時点ｔ３２までの期間における基板１００の回転の加速度は１００００ｒｐｍ／ｓ以上である。また、時点ｔ３２でレジストノズル９からのレジスト液の吐出が停止される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
ここで、時点ｔ３２から時点ｔ３３までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
［４］第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置２００および基板処理方法と異なる点を説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
［５］第５の実施の形態
第５の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について、第１の実施の形態に係る基板処理装置２００および基板処理方法と異なる点を説明する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
ここで、時点ｔ６２から時点ｔ６３までの期間における基板１００の回転の減速度は１００００ｒｐｍ／ｓ未満である。この場合、基板１００の周縁部上のレジスト液が受ける遠心力は大きく低下し、基板１００の中央部上のレジスト液が受ける遠心力はほとんど低下しない。これにより、基板１００の周縁部から基板１００外に流出するレジスト液の量が減少し、基板１００の中央部上から周縁部に拡散したレジスト液が基板１００の周縁部上で維持される。その結果、基板１００上のレジスト液の膜厚の均一性を確保することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
また、上記第１〜第５の実施の形態で示された基板１００の回転速度は一例であり、本発明は上記の回転速度に限定されない。使用する溶剤、基板１００の大きさ、塗布液の粘度および塗布液の乾燥のしやすさなど、種々の要素により基板１００の回転速度を適切に設定することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、
第２の配線と、
第３の配線と、
第４の配線と、
第５の配線と、を有し、
前記第１の配線と、前記第２の配線との間には、複数の記憶素子が直列に接続され、
前記複数の記憶素子の一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジスタと、
第３のゲート電極、第３のソース電極、および第３のドレイン電極を有する第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を含んで構成され、
前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方とは、電気的に接続され、
前記第１の配線と、前記第１のソース電極と、前記第３のソース電極とは、電気的に接続され、
前記第２の配線と、前記第１のドレイン電極と、前記第３のドレイン電極とは、電気的に接続され、
前記第３の配線と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、
前記第４の配線と、前記第２のゲート電極とは、電気的に接続され、
前記第５の配線と、前記第３のゲート電極とは電気的に接続された半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置は、
第６の配線と、
第７の配線と、
第４のトランジスタと、
第５のトランジスタと、を有し、
前記第６の配線は、前記第４のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７の配線は、前記第５のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第４のトランジスタを介して、前記第１のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記第５のトランジスタを介して、前記第１のソース電極と電気的に接続された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のトランジスタは、
前記チャネル形成領域を挟むように設けられた、第１の不純物領域及び第２の不純物領域と、
前記チャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上の前記第１のゲート電極と、
前記第１の不純物領域と電気的に接続される前記第１のソース電極と、
前記第２の不純物領域と電気的に接続される前記第１のドレイン電極と、を有する請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のトランジスタは、
前記半導体材料を含む基板上の前記第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層上の前記酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続される前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極と、を有する請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３のトランジスタは、
前記半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域を挟むように設けられた、第３の不純物領域及び第４の不純物領域と、
前記チャネル形成領域上の第３のゲート絶縁層と、
前記第３のゲート絶縁層上の前記第３のゲート電極と、
前記第３の不純物領域と電気的に接続される前記第３のソース電極と、
前記第４の不純物領域と電気的に接続される前記第３のドレイン電極と、を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体材料を含む基板は、単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板である、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体材料はシリコンである、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体材料を含んでいる、請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶を含んでいる、請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記酸化物半導体層の水素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２のトランジスタのオフ電流が１×１０−１３Ａ以下である、請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面の一面と他面に規則的に点在する複数の凹状パターン痕が形成された導光板と、
前記導光板の側面から光を入射させて前記凹状パターン痕により拡散光を発生させる光源ユニットとを有し、
前記導光板は、前記光源ユニットから光が入射されていない時には透光部材として機能し、且つ前記光源ユニットから光が入射されている時には前記凹状パターン痕による所定の模様を有した面光源から成る光遮蔽部材として機能すること
を特徴とする仕切り板装置。
【請求項２】
前記導光板は、前記一面と前記他面にそれぞれ形成された前記凹状パターン痕の間隔が異なり、前記一面に形成された間隔が広い前記凹状パターン痕の間隔を、前記他面に形成された間隔が狭い前記凹状パターン痕の間隔で割算した値が、整数ではないことにより、前記所定の模様を構成する複数の前記凹状パターン痕が形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の仕切り板装置。
【請求項３】
前記導光板には、前記一面と前記他面に形成された前記凹状パターン痕の大きさが各面対比にて同一又は異なる形体、前記凹状パターン痕の間隔が各面対比にて同一又は異なる形体、若しくはそれらの形体の組み合わせにより、前記所定の模様を構成すること
を特徴とする請求項１に記載の仕切り板装置。
【請求項４】
前記導光板は、前記一面と前記他面にそれぞれ形成された複数の前記凹状パターン痕の位置が上下方向又は左右方向にて、いずれか一方若しくは両方が一致していないことにより、前記所定の模様を構成する複数の前記凹状パターン痕が形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の仕切り板装置。
【請求項５】
前記導光板は、前記主面に硝子コーティング剤が塗布され、又は前記主面に透明樹脂が被覆されていること
を特徴とする請求項１に記載の仕切り板装置。
【請求項６】
前記光源ユニットは、白色、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、藍色、又は紫色のいずれか１色もしくはそれらの組み合わせから成るＬＥＤ、蛍光管、冷陰極管、又はネオン管からなること
を特徴とする請求項１に記載の仕切り板装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前述の課題を解決すべく、本発明の仕切り板装置は、主面の一面と他面に規則的に点在する複数の凹状パターン痕が形成された導光板と、前記導光板の側面から光を入射させて前記凹状パターン痕により拡散光を発生させる光源ユニットとを有し、前記導光板は、前記光源ユニットから光が入射されていない時には透光部材として機能し、且つ前記光源ユニットから光が入射されている時には前記凹状パターン痕による所定の模様を有した面光源から成る光遮蔽部材として機能することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの対向表面側に、誘電体材料からなる誘電体層を設けて対向して配置した一対の電極の間に、放電発光ガスが充填されて封止された放電空間が形成され、対向する該誘電体材料の間に電圧差が生じることで、不可視光線および/又は可視光線を発生する平面放電ランプ装置において、
該放電空間全体に繊維集合体が存在していることを特徴とする、平面放電ランプ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明に係る別の平面放電ランプ装置は、「対向する前記誘電体材料同士の間の距離が、前記繊維集合体により一定に保たれている」のが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係る更に別の平面放電ランプ装置は、「前記繊維集合体が、蛍光物質を含んでいる」のがより好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に係る別の平面放電ランプ装置は、対向する前記誘電体材料同士の間の距離が、前記繊維集合体により一定に保たれている。
そのため、
（1）対向する誘電体材料同士の間の距離が一定に保たれているために、均一に放電を発生でき、
（2）放電空間の距離が短い（誘電体材料同士の離間間隔が狭い）状態であっても、誘電体材料同士の間に繊維集合体を介在させることで、放電空間の間隔を全体において容易に一定とすることができ、
（3）平面放電ランプ装置を自由に変形が可能な、フレキシブルな光源とした場合にも、誘電体材料同士の間に繊維集合体が介在しているため、変形により誘電体材料および電極に湾曲が生じたとしても、局所的な放電ならびにショート（放電が生じない状態となること）の発生を防ぐことができるために、均一に発光することができる、平面放電ランプ装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明に係る更に別の平面放電ランプ装置は、更に、繊維集合体が蛍光物質を含んでいる。
放電空間の全体に存在している表面積の大きい繊維集合体に、蛍光物質が含まれていることで、放電空間全体に多量の蛍光物質が均一に存在している状態となる。そのため、放電空間の全体（繊維集合体の空隙）で発生した不可視光線は蛍光物質と効率良く反応できるため、可視光線の発光効率が向上した、平面放電ランプ装置である。