【事件の表示】
　特願２０００−１１９６７０「微細パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月１９日出願公開、特開２００１−　１５４２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１２年４月２０日（優先権主張平成１１年４月３０日）の出願であって、平成１８年６月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年７月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月１７日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年８月１７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月１７日付の手続補正（以下、「本件補正という。」）を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１８年５月２３日付の手続補正による
「基板上にドライエッチングにより除去可能な第１レジスト層と、光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性の耐ドライエッチング性を有する第２レジスト層をこの順に積層してなる記録材料に、照射光を受けて近接場光を発生させる手段により、前記記録材料の第２レジスト層に前記近接場光を所望のパターン状で照射し、その後、該第２レジスト層を現像することにより前記第２レジスト層のパターンを形成し、該パターンをマスクにして、前記第１レジスト層をドライエッチングすることにより、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層のパターンをマスクとして前記記録材料の基板上にパターンを形成することを特徴とする微細パターン形成方法。」を、
「基板上にドライエッチングにより除去可能な第１レジスト層と、光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性の耐ドライエッチング性を有する第２レジスト層をこの順に積層してなる記録材料に、照射光を受けて近接場光を発生させる手段により、前記記録材料の第２レジスト層に前記近接場光を所望のパターン状で照射し、その後、該第２レジスト層を現像することにより前記第２レジスト層のパターンを形成し、該パターンをマスクにして、前記第１レジスト層をドライエッチングすることにより、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層のパターンをマスクとして前記記録材料の基板上にパターンを形成する微細パターン形成方法であって、
　前記第２レジスト層が、水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコン含有ポリマーと、活性光線あるいは放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸により分解し得る基を有し、酸の作用により水性アルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有する高分子あるいは低分子化合物とを含有するパターン形成材料からなることを特徴とする微細パターン形成方法。」（以下、「本件補正発明」という。）
と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載の「微細パターン形成方法」を、「微細パターン形成方法であって、
　前記第２レジスト層が、水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコン含有ポリマーと、活性光線あるいは放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸により分解し得る基を有し、酸の作用により水性アルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有する高分子あるいは低分子化合物とを含有するパターン形成材料からなることを特徴とする微細パターン形成方法。」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）検討１（特許法第２９条の２）
（２）．１　引用例（以下、「先願」という。）
　先願；特願平１０−１３６１４６号（特開平１１−３１７３４５号）
（２）．１．１　先願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、以下の記載がある。
　【特許請求の範囲】の請求項には、
「【請求項１】加工対象の基板に２層以上の材料をコーティングして、最上層の材料は光の波長以下の膜厚の感光性材料であり、近接場露光パターンを有するマスクを前記感光性材料と密着するか又は光の波長以下に近接して配置することによりエバネッセント場を利用した露光を行い、現像により前記マスクの近接場露光パターンの転写パターンを前記感光性材料により形成し、該感光性材料の転写パターンをマスクとして下層の材料の加工を行い、該下層の材料による転写パターンを形成し、更に該下層の材料の転写パターンをマスクとして前記加工対象の基板の加工を行い、前記基板に前記近接場露光パターンの転写パターンを形成することを特徴とする微細パターンの転写加工方法。
…
【請求項４】前記基板の加工又は下層の材料の加工は、高速原子線を用いて行うものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の微細パターンの転写加工方法。」
と記載されている。
　
　【００１８】段落には、
「【００１８】次に、（ｄ）に示すように高速原子線１９を照射してレジストパターン１２ａをマスクとして、厚い下層のレジスト１３のエッチングを行う。これは例えばＳＦ6，ＣＨＦ3等のガスから構成した高速原子線を照射することにより行う。これにより上記高速原子線により上層のレジストパタ−ン１３ａはエッチングされ難く、下層の厚いレジスト１２はエッチングされ易いので、…マスクされていない部分の厚いレジスト１３を選択的にエッチングすることが可能である。高速原子線は電気的に中性の粒子からなり、電荷の反発力が作用せず直進性が高い。又、絶縁物に対してチャージアップするという問題がないため、エッチングが縦方向に進行し横方向に広がることがない。このため薄いレジストパターン１２ａをマスクとして、厚いレジスト１２を高いアスペクト比でエッチングすることが可能である。」
と記載されている。
　　
（２）．１．２　先願明細書に記載された発明
　上記先願明細書の記載から、先願には、
「加工対象の基板に２層以上の材料をコーティングして、最上層の材料は光の波長以下の膜厚の感光性材料であり、近接場露光パターンを有するマスクを前記感光性材料と密着するか又は光の波長以下に近接して配置することによりエバネッセント場を利用した露光を行い、現像により前記マスクの近接場露光パターンの転写パターンを前記感光性材料により形成し、該感光性材料の転写パターンをマスクとして下層の材料の加工を行い、該下層の材料による転写パターンを形成し、更に該下層の材料の転写パターンをマスクとして前記加工対象の基板の加工を行い、前記基板に前記近接場露光パターンの転写パターンを形成することを特徴とする微細パターンの転写加工方法であって、前記基板の加工及び下層の材料の加工は、高速原子線を用いて行うものである微細パターンの転写加工方法。」
の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されている。
　
（２）．２　対比・判断
　本願補正発明と先願発明とを対比する。
　ア．先願発明の「下層」、「最上層」は、本願補正発明の「第１レジスト層」、「第２レジスト層」に相当する。
　イ．先願発明の下層の材料の加工を、「高速原子線を用いて行う」ことは、先願明細書の【００１８】段落を参照すると、本願補正発明の「ドライエッチングする」ことに相当するといえる。
　ウ．先願発明の「最上層の材料」は、「光の波長以下の膜厚の感光性材料」であり、「現像により近接場露光パターンの転写パターンを感光性材料により形成」するから、当該「最上層」は、本願補正発明の「光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性」の「第２レジスト層」に相当する。
　エ．先願発明は、最上層を構成する「感光性材料の転写パターンをマスクとして下層の材料の加工を行い、該下層の材料による転写パターンを形成」するものであって、当該下層の材料の加工は、上記イ．を参照すると、ドライエッチング加工であるから、先願発明の「最上層」は、耐ドライエッチング性を有することが明らかである。
　オ．エバネッセント場を利用し露光を行うことは、近接場光を照射する（露光する）ことに実質的に等しいから、先願発明の「近接場露光パターンを有するマスクを前記感光性材料と密着するか又は光の波長以下に近接して配置することによりエバネッセント場を利用した露光を行い、現像により前記マスクの近接場露光パターンの転写パターンを前記（最上層を構成する）感光性材料により形成」することは、本願補正発明の「照射光を受けて近接場光を発生させる手段により、前記記録材料の第２レジスト層に前記近接場光を所望のパターン状で照射し、その後、該第２レジスト層を現像することにより前記第２レジスト層のパターンを形成」することに相当する。
　カ．上記エ．を参照すると、先願発明は、（最上層を構成する）感光性材料の転写パターンをマスクとして下層の材料の加工を行い、該下層の材料による転写パターンを形成し、当該下層の材料の加工は、上記イ．を参照すると、ドライエッチング加工であるといえる。
　したがって、先願発明は、最上層の転写パターンをマスクとして下層の材料をドライエッチングするから、本願補正発明の「第２レジスト層のパターンを形成し、該パターンをマスクにして、前記第１レジスト層をドライエッチングする」構成を有している。
　キ．先願発明は、「下層の材料の転写パターンをマスクとして前記加工対象の基板の加工を行い、前記基板に前記近接場露光パターンの転写パターンを形成する」ものであるから、本願補正発明の「第２レジスト層のパターンをマスクとして前記記録材料の基板上にパターンを形成する」構成を有している。
　　
　そうすると、両者は、
「基板上にドライエッチングにより除去可能な第１レジスト層と、光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性の耐ドライエッチング性を有する第２レジスト層をこの順に積層してなる記録材料に、照射光を受けて近接場光を発生させる手段により、前記記録材料の第２レジスト層に前記近接場光を所望のパターン状で照射し、その後、該第２レジスト層を現像することにより前記第２レジスト層のパターンを形成し、該パターンをマスクにして、前記第１レジスト層をドライエッチングすることにより、前記第２レジスト層のパターンをマスクとして前記記録材料の基板上にパターンを形成する微細パターン形成方法。」
において一致し、以下の点で、一応相違する。
　
　相違点１；本願補正発明が「第１レジスト層および前記第２レジスト層のパターンをマスクとして前記記録材料の基板上にパターンを形成する」のに対して、先願発明は、最上層（本願補正発明の「第１レジスト層」に相当する。）をマスクとするとの記載がない点。　
　
　相違点２；本願補正発明が「第２レジスト層が、水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコン含有ポリマーと、活性光線あるいは放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸により分解し得る基を有し、酸の作用により水性アルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有する高分子あるいは低分子化合物とを含有するパターン形成材料からなる」と限定されるのに対し、先願発明は、上記限定がない点。
　
　以下相違点について検討する。
　相違点１について検討する。
　先願発明の「最上層」は、上記エ．に記載したように、耐ドライエッチング性を有し、「最上層」をマスクとして「下層」をドライエッチングする際に「最上層」がドライエッチングによって除去されることはなく、また、「最上層」を除去する工程の記載もないから、先願発明においても、基板上にパターンを形成する際には、「最上層」が残っており、相違点１は、実質的な相違ではない。
　仮に基板上にパターンを形成する際に、「最上層」が残っていないことを想定すると、次のような不都合が起こる。
　すなわち、「最上層」をマスクにして「下層」をドライエッチングする際に、「最上層」がドライエッチングが終了する前に消滅すると、「下層」のドライエッチング不良となる。
　したがって、先願発明は、基板上にパターンを形成する際には、「下層」がエッチングのマスクとして機能することを強調したにすぎず、相違点１は、実質的な相違点ではない。
　
　相違点２について検討する。
　当該技術分野において、「水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコン含有ポリマーと、活性光線あるいは放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸により分解し得る基を有し、酸の作用により水性アルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有する高分子あるいは低分子化合物とを含有するパターン形成材料」は周知手段（例えば、特開平８−２９９８７号公報（【特許請求の範囲】、【発明の効果】）、特開平９−８７３９１号公報（【特許請求の範囲】、【発明の効果】）等参照）であり、相違点２に係る構成は、課題解決のための具体化手段における微差であり、相違点２は実質的な相違ではない。
　
（２）．３　むすび
　したがって、本願補正発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願補正発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
（３）検討２（特許法第２９条第２項）
（３）．１　原査定の理由に引用した引用例
　引用例１；特表平１０−５１３５７２号公報
　引用例２；特開平８−１７９４９３号公報
　引用例３；特開平１０−３２６７４２号公報
　
（３）．１．１　引用例１の記載内容
　【特許請求の範囲】の１．には、
「１． ２００サブｎｍ範囲のパターンをフォトリソグラフィにより形成する方法において、基板上に１ｅＶ以下の光学バンド間隔を有する非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）から成る層又はスパッタリングによる非晶質炭素（ａ−Ｃ）から成る層を≦５００ｎｍの層厚のボトムレジストとして施し、このボトムレジストに電子線に敏感なシリコン含有又はシリル化可能のフォトレジストを層厚≦５０ｎｍのトップレジストとして備え、このトップレジストを走査型トンネル顕微鏡法又は走査型力顕微鏡法により≦８０ｅＶのエネルギーの電子でパターン化し、このパターンを異方性酸素プラズマでのエッチングによりボトムレジストに及びその後のブラズマエッチングにより基板に転写することを特徴とするフォトリソグラフィによるパターン形成方法。」
と記載されている。
　
　第３頁第３行、第４行には、
「フォトリソグラフィによるパターン形成方法 
　本発明は、フォトリソグラフィにより２００ｎｍ以下の範囲のパターンを形成する方法に関する。」
と記載されている。
　
　第４頁第１２行〜第２０行には、
「走査近接場技術では放出された電子は高い運動エネルギーに加速することはできない。…走査近接場探針で電子を照射するには従って約８０ｅＶまでのエネルギーを有する電子だけが問題となる。…このエネルギーは電子が厚さ数１０ｎｍ以上の誘電性レジスト層を貫通するには十分な大きさではない。従ってこれまでは、基板内の照射損傷を排除するという利点より極端に薄いレジスト層しか使用できないという欠点の方が大きかった。」
と記載されている。
　
　第５頁第１０行〜第２７行には、　
「本発明の課題は、高いアスペクト比を有する２００サブｎｍのパターンを低エネルギーの電子により常圧で形成し、同時にしかも厚いレジスト層（＞１００ｎｍ）をパターン化することのできる方法を提供することにある。
　この課題は、基板上に…非晶質炭素（ａ−Ｃ）から成る層をボトムレジストとして施し、その際層厚を≦５００ｎｍとし、このボトムレジストに電子線に敏感なシリコン含有又はシリル化可能のフォトレジスト層を層厚≦５０ｎｍのトップレジストとして備え、このトップレジストを走査型トンネル顕微鏡法又は走査型力顕微鏡法により…電子でパターン化し、このパターンをエッチングにより異方性酸素プラズマでボトムレジストに転写し、次にプラズマエッチングにより基板に転写することにより解決される。
　本発明による方法は一連の主要な措置を含んでいる。即ちトップレジスト（上方層）とボトムレジスト（下方層）を有する二層レジスト系が使用される。その際トップレジストは薄い電子線に敏感なフォトレジスト（層厚≦５０ｎｍ）である。ポジ又はネガレジストであってもよいこのフォトレジストはシリコンを含有しているか又はシリル化可能である。シリル化可能のレジストは、化学的後処理により層厚を高め、酸素プラズマ中でのエッチング耐性を高めることができる利点を提供する。」
と記載されている。
　
　第８頁第８行〜第２４行には、　
「本発明を実施例に基づき以下に詳述する。
例１
　シリコンウェハを…非晶質水素含有炭素で被覆する（層厚４５０ｎｍ）。…この層上にスピンコーティングにより厚さ４５ｎｍの電子線に敏感なレジスト層を施し、…更に上方層を走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ装置）により…“露光する”。…引続き…水性現像溶液で現像し、その際幅１５０ｎｍの溝が走査パターンに相応して生じる（ポジ画像）。」
と記載されている。
　
（３）．１．２　引用例１に記載された発明
　上記引用例１の記載１から、引用例１には、
「パターンをフォトリソグラフィにより形成する方法において、基板上にボトムレジストとして施し、このボトムレジストにシリコン含有又はシリル化可能のフォトレジストをトップレジストとして備え、このトップレジストを走査型トンネル顕微鏡法又は走査型力顕微鏡法により電子でパターン化し、このパターンを異方性酸素プラズマでのエッチングによりボトムレジストに及びその後のブラズマエッチングにより基板に転写することを特徴とするフォトリソグラフィによるパターン形成方法。」（以下、「引用発明」という。）
の発明が記載されている。
　
（３）．１．３　引用例３の記載内容　
　【０００６】段落には、
「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、光の回折による最小寸法の限界を超えるため、誘電体からの光の滲みだし、即ち、エバネッセント波を使用し、０．１５μｍ以下のパターンを転写、形成を可能にする。」
と記載されている。
　
　【００１４】段落には、
「【００１４】
【実施例】本発明の基本的具体例を図１に示す。転写するマスタマスクはガラス等の透明なマスク基板４と遮光膜として機能するクロム等の導電性材料膜５で構成されている。この導電性材料膜５に転写すべき原画パターンが画かれこれに対応してエバネッセント波が透過すべき位置の遮光膜が除去されているのである。また、転写される試料基板８上に光反応を起こす感光剤（例えば光レジスト）７が塗布してあるものをここでは用いた。」
と記載されている。
　
（３）．１．４　引用例３の記載内容
　【００１２】段落には、
「【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、
　(1-1)レジストを塗布した被露光物体面上に露光光を照射して、その面上にパターンを形成する露光装置において該露光光として近接場光を用いていることを特徴としている。」
と記載されている。
　
（３）．２　対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを比較する。
　ア．引用発明の「ボトムレジスト」及び「トップレジスト」は、それぞれ、本願補正発明の「第１レジスト層」及び「第２レジスト層」に相当する。
　イ．引用発明の「異方性酸素プラズマでのエッチング」及び「ブラズマエッチング」は、いずれも「ドライエッチング」に該当する。
　ウ．引用発明の「ボトムレジスト」は、トップレジストのパターンを異方性酸素プラズマでのエッチングによりボトムレジストに転写するものであるから、引用発明の「ボトムレジスト」は、耐ドライエッチング性を有することが明らかである。
　エ．引用例の第８頁第８行〜第２４行を参照すると、引用発明の「トップレジスト」は、パターン化する際に、現像されることが明らかである。
　オ．引用発明は、「トップレジスト」のパターンが、異方性酸素プラズマでのエッチングにより「ボトムレジスト」に転写されるから、引用発明は、本願補正発明の「第２レジスト層のパターンを」「マスクにして、前記第１レジスト層をドライエッチングする」構成を有している。
　カ．引用発明は、トップレジストをパターン化し、このパターンをボトムレジストに及びその後のブラズマエッチングにより基板に転写するものであるから、引用発明は、本願補正発明の「第１レジスト層および前記第２レジスト層のパターンをマスクとして前記記録材料の基板上にパターンを形成する」構成を有している。
　キ．本願補正発明は、第２レジスト層にパターンを形成するため、「照射光を受けて近接場光を発生させる手段により、前記記録材料の第２レジスト層に前記近接場光を所望のパターン状で照射」するのに対し、引用発明は、トップレジスト（当該「トップレジスト」は、本願補正発明の「第２レジスト層」に相当する。）にパターンを形成するため、「走査型トンネル顕微鏡法又は走査型力顕微鏡法により電子」でパターン化する点で、両者は第２レジスト層にパターンを形成手段が相違するが、しかるに、両者は、第２レジスト層にパターンを形成する手段として、近接場を用いてレジストにパターンを形成する手段を用いるという上位概念で一致する。
　
　そうすると両者は、
「基板上にドライエッチングにより除去可能な第１レジスト層と、耐ドライエッチング性を有する第２レジスト層をこの順に積層してなる記記録材料の第２レジスト層に、近接場を用いて第２レジスト層をパターンを形成し、該パターンをマスクにして、前記第１レジスト層をドライエッチングすることにより、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層のパターンをマスクとして前記記録材料の基板上にパターンを形成する微細パターン形成方法。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
  本願補正発明が、「照射光を受けて近接場光を発生させる手段により、前記記録材料の第２レジスト層に前記近接場光を所望のパターン状で照射」し、第２レジスト層を現像することにより前記第２レジスト層のパターンを形成するのに対し、引用発明は、当該構成の記載がない点。
　
　相違点２
　本願補正発明は、第２レジスト層が「光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性」であるのに対し、引用発明は、当該構成の記載がない点。
　
　相違点３
　本願補正発明が、「第２レジスト層が、水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコン含有ポリマーと、活性光線あるいは放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸により分解し得る基を有し、酸の作用により水性アルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有する高分子あるいは低分子化合物とを含有するパターン形成材料からなる」のに対し、引用発明は、当該構成の記載がない点。
　
（３）．３　判断
　相違点１について検討する。
　基板にレジストを塗布し、当該レジストをパターン化し、さらにエッチング手段を用いて基板に微細パターンを形成する当該技術分野において、レジストパターンの微細化を図るために、レジストに照射する照射手段として、近接場による手段を用いることについて検討すると、近接場として電子を所望のパターン状で照射するものは引用発明において公知手段であり、また、近接場として光を所望のパターン状で照射するものは周知手段（例えば、引用例２（【０００６】、【００１４】なお、引用例２に記載された「エバネッセント波」は、「近接場光」に該当する。）、引用例３（【００１２】）等参照）である。
　レジストにパターンを形成するために、レジストに電子線をパターン状で照射した後、現像しパターンを形成する方法と、レジストに光をパターン状で照射した後、現像しパターンを形成する方法とはいずれも周知手段であるから、上記公知手段において、近接場を用いてレジストに照射する照射手段として、近接場として電子を用いることに代え、上記周知手段である光を用いることに困難性は認められない。
　そうすると、相違点１に係る構成については、周知手段に基づいて当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点２について検討する。
　上記相違点１で検討したとおり、レジストに照射する照射手段として、光を用いることに困難性は認められないから、光を用いたときに必然的に伴う相違点２の構成も、当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点３について検討する。
　当該技術分野において、「水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコン含有ポリマーと、活性光線あるいは放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸により分解し得る基を有し、酸の作用により水性アルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有する高分子あるいは低分子化合物とを含有するパターン形成材料」は周知手段（例えば、特開平８−２９９８７号公報（【特許請求の範囲】、【発明の効果】）、特開平９−８７３９１号公報（【特許請求の範囲】、【発明の効果】）等参照）であり、相違点２に係る構成は、当業者が容易に想到できたことである。
　　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
（３）．４　むすび
　本願補正発明は、特許補題２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）　補正却下のむすび
　上記（２）、（３）で検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年８月１７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１８年５月２３日付で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「基板上にドライエッチングにより除去可能な第１レジスト層と、光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性の耐ドライエッチング性を有する第２レジスト層をこの順に積層してなる記録材料に、照射光を受けて近接場光を発生させる手段により、前記記録材料の第２レジスト層に前記近接場光を所望のパターン状で照射し、その後、該第２レジスト層を現像することにより前記第２レジスト層のパターンを形成し、該パターンをマスクにして、前記第１レジスト層をドライエッチングすることにより、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層のパターンをマスクとして前記記録材料の基板上にパターンを形成することを特徴とする微細パターン形成方法。」
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、前記「２．（３）．１」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断      
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明の、「微細パターン形成方法であって、
　前記第２レジスト層が、水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコン含有ポリマーと、活性光線あるいは放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸により分解し得る基を有し、酸の作用により水性アルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有する高分子あるいは低分子化合物とを含有するパターン形成材料からなることを特徴とする微細パターン形成方法」から、「微細パターン形成方法であって、
　前記第２レジスト層が、水不溶性かつアルカリ可溶性のシリコン含有ポリマーと、活性光線あるいは放射線の照射により酸を発生する化合物と、酸により分解し得る基を有し、酸の作用により水性アルカリ現像液中での溶解度が増大する性質を有する高分子あるいは低分子化合物とを含有するパターン形成材料からなること」との限定を省くものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）．３判断」に記載したとおり、引用発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。