【事件の表示】
　特願２００２−　２４８６４「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月１５日出願公開、特開２００３−２２８０８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成１４年１月３１日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１６年５月３１日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「【請求項１】　液晶を封入する一対の基板の内の一方側の基板上に画素電極と共通電極とが平面的に対向するように形成され、前記画素電極にデータ線が接続される一方、前記共通電極に共通電極配線が接続されてなる液晶表示装置であって、
　前記データ線及び前記共通電極配線を構成する導電膜の膜厚が、前記画素電極及び前記共通電極を構成する導電膜の膜厚よりも厚く、かつ、下層の第１の導電膜と上層の第２の導電膜との積層膜から構成されていることを特徴とする液晶表示装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した、この出願前に頒布された刊行物１：特開２００１−２５０９５８号公報には、液晶表示装置に用いるアクティブマトリックス基板に関して、下記の事項が記載されている。
「【０２３７】
（実施形態８）
　図４２（ａ）は、実施形態８のアクティブマトリックス基板の１画素領域を示す透視平面図であり、図４２（ｂ）は、その線Ａ−Ａ’で切った断面図、図４２（ｃ）はその線Ｂ−Ｂ’で切った断面図である。また図４３〜図４５はこのアクティブマトリックス基板の製造工程を示す図で、それぞれ第１工程〜第３工程を示す。・・・この実施形態８のアクティブマトリックス基板は、ガラス基板１上に第１の導体層１０からなる複数の走査線１１と複数の共通配線１３とが交互に平行に配列され、複数の信号線３１がゲート絶縁層２を介して前記走査線に直交して配列され、この走査線１１と信号線３１との交点付近のＴＦＴ部Tfに、走査線１１の一部をゲート電極１２とし、このゲート電極１２と、このゲ−ト電極にゲート絶縁層２を介して対向する島状のアモルファスシリコン層２１およびｎ+アモルファスシリコン層２２からなる半導体層２０と、この半導体層上に第２の導体層５０からなりチャネルギャップ２３を隔てて形成された一対のドレイン電極３２およびソース電極３３とからなる逆スタガ型ＴＦＴが形成され、走査線１１と信号線３１とに囲まれた窓部Wdに櫛歯状の画素電極４１と、画素電極に対向して共通配線１３に接続された櫛歯状の共通電極１４とが形成され、ドレイン電極３２は信号線３１に、ソース電極３３は画素電極４１にそれぞれ接続され、画素電極４１と共通電極１４との間にガラス基板１に対して横方向の電界を形成するＩＰＳ型のアクティブマトリックス基板を構成している。
【０２３８】
　実施形態６と同様に、このアクティブマトリックス基板において、共通配線１３と共通電極１４は走査線１１と同層に形成され、・・・
【０２３９】
　走査線１１、ゲート電極１２、共通配線１３を形成する第１の導体層１０はＡｌを主体とし例えばＮｄを含む合金から形成されている。また信号線３１、ドレイン電極３２、ソース電極３３を形成する第２の導体層５０は、いずれもＭｏやＣｒからなる金属層３０上にＩＴＯからなる透明導電層４０を積層して形成されている。また信号線３１の下層には信号線と同一形状の半導体層２０が形成されていて、この半導体層２０および信号線の金属層３０が透明導電層４０で被覆されている。また画素電極４１はＩＴＯからなる透明導電層４０から形成されている。・・・
【０２４１】
　この実施形態８のアクティブマトリックス基板は、順次以下に示す４工程で製造することができる。
（第１工程）　図４３（ａ）〜（ｃ）および図４６（ｂ）に示すように、まずガラス基板１上にスパッタリングにより約２５０ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金を成膜して第１の導体層１０を形成し、フォトリソグラフィ工程を通して、走査線１１と、・・・共通配線１３と、・・・それぞれの画素領域において、走査線１１の一部を共有するゲ−ト電極１２と、共通配線１３から延びる複数の共通電極１４とを残して導体層１０をエッチング除去する。
（第２工程）　図４４（ａ）〜（ｃ）および図４６（ｃ）に示すように、上記基板上にプラズマＣＶＤにより連続して約４００ｎｍのシリコン窒化膜からなるゲート絶縁層２と、約１００ｎｍのアモルファスシリコン層２１とを成膜し、同一真空中で・・・オーミックコンタクト層を形成した後、引き続きスパッタリングにより約２５０ｎｍのＭｏからなる金属層３０を成膜し、フォトリソグラフィ工程を通して、信号線３１と、・・・それぞれの画素領域において信号線３１からＴＦＴ部Tfを通って窓部Wdに延びる突出部３４とを残して金属層３０および半導体層２０を順次エッチング除去する。
（第３工程）　図４５（ａ）〜（ｃ）および図４６（ｄ）に示すように、上記基板上にスパッタリングにより約５０ｎｍのＩＴＯを成膜して透明導電層４０を形成し、フォトリソグラフィ工程を通して、信号線３１およびその側面を覆う部分と、・・・それぞれの画素領域において信号線３１からゲ−ト電極１２上に形成されるＴＦＴ部Tfに延びるドレイン電極３２と、ゲート絶縁層２を介して共通電極１４に対向して窓部Wdに延びる画素電極４１と、画素電極４１からＴＦＴ部Tfに延びてドレイン電極３２とチャネルギャップ２３を隔てて配置されるソース電極３３とを残して透明導電層４０をエッチング除去し、・・・
　
【０２４３】
　実施形態８のＩＰＳ型アクティブマトリックス基板は、４工程で製造できるので、生産効率と歩留が向上する。・・・またこのアクティブマトリックス基板は、共通電極と画素電極部の段差を小さくできるので、パネル工程での配向制御が容易である。またこのアクティブマトリクス基板は、画素電極が透明導電膜で形成されているので、開口率が向上する。・・・また透明導電層または金属の窒化膜層または金属層による信号線および半導体層の被覆の効果、走査線や信号線の低抵抗化や端子部での接続信頼性向上の効果、絶縁耐圧向上の効果については実施形態６と全く同様である。」
　
　上記によれば、刊行物１には、
「アクティブマトリックス基板上に複数の走査線１１と複数の共通配線１３とが交互に平行に配列され、複数の信号線３１がゲート絶縁層２を介して前記走査線１１に直交して配列され、走査線１１と信号線３１とに囲まれた窓部Wdに櫛歯状の画素電極４１と、該画素電極４１に対向して前記共通配線１３に接続された櫛歯状の共通電極１４とが形成され、画素電極４１は、ソース電極３３、ドレイン電極３２を介して信号線３１に接続されてなるものであって、前記信号線３１、ドレイン電極３２、ソース電極３３を形成する導体層５０は、いずれも約２５０ｎｍのＭｏやＣｒからなる金属層３０上に約５０ｎｍのＩＴＯからなる透明導電層４０を積層して形成され、前記画素電極４１は約５０ｎｍのＩＴＯからなる透明導電層４０から形成されてなる、画素電極と共通電極との間にガラス基板１に対して横方向の電界を形成するＩＰＳ型のアクティブマトリックス基板を用いた液晶表示装置。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物２：特開平９−７３１０１号公報には、横電界方式の液晶表示装置に関し、下記の事項が記載されている。
「【００２１】（実施例１）
《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
　・・・
【００２２】
《マトリクス部（画素部）の平面構成》
　図１は本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図、である。（図の斜線部分は透明導電膜ｇ２を示す。）　図１に示すように、各画素は走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃstg、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは図では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸはソース電極ＳＤ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になっている。
　
【００３７】
《対向電圧信号線ＣＬ》
　対向電圧信号線ＣＬは導電膜ｇ１で構成されている。この対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬおよび対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され、かつ対向電極ＣＴと一体に構成されている。
　
【０１４３】
（実施例６）
　上述した実施例２および３は、そのいずれにおいても対向電極ＣＴとともに対向電極信号線ＣＬが透明導電層ｇ２で構成されたものである。
【０１４４】
　この場合において、本実施例は図２４に示す構成によって該対向電極信号線ＣＬの抵抗値を大幅に低減させるようにしたものである。
【０１４５】
　図２４（ａ）は、図２０の対向電極信号線ＣＬの部分を示す平面図であり、図２４（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【０１４６】
　同図において、対向電極信号線ＣＬは２層構造からなり、その下層として抵抗値が小さいＡｌ層１０が形成され、このＡｌ層１０の上面に該Ａｌ層１０を完全に被覆してＩＴＯ膜１１が形成されている。そして、対向電極ＣＴは前記ＩＴＯ膜１１の一部を延在させた延在部で構成したものとなっている。
【０１４７】
　このようにした場合、対向電極信号線ＣＬの低抵抗化を図れるともに・・・
【０１４８】
　・・・本発明の液晶表示装置およびその製造方法によれば、開口率の向上を図ることができるようになる。」
　
　上記によれば、刊行物２には、「対向電極信号線ＣＬと対向電極ＣＴをＩＴＯ膜で一体に構成した横電界方式の液晶表示装置において、前記対向電極配線ＣＬはＩＴＯ膜の下層にＡｌ層を形成して積層構造とし、対向電極信号線ＣＬの低抵抗化を図ったこと」が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　（イ）引用発明１の「画素電極と共通電極との間にガラス基板１に対して横方向の電界を形成するＩＰＳ型のアクティブマトリックス基板を用いた液晶表示装置」は、本願発明の「液晶を封入する一対の基板の内の一方側の基板上に画素電極と共通電極とが平面的に対向するように形成されてなる液晶表示装置」に相当することは明らかである。
　（ロ）引用発明１の「画素電極４１」、「共通電極１４」、「共通配線１３」、「信号線３１」は、それぞれ、本願発明の「画素電極」、「共通電極」、「共通電極配線」、「データ線」に相当する。
　（ハ）引用発明１では、「画素電極４１は、ソース電極３３、ドレイン電極３２を介して信号線３１に接続されてなる」のであるから、本願発明の「画素電極にデータ線が接続される」点が備わっている。
　（ニ）引用発明１は、「信号線３１は約２５０ｎｍのＭｏやＣｒからなる金属層３０上に約５０ｎｍのＩＴＯからなる透明導電層４０を積層して形成され、画素電極４１は約５０ｎｍのＩＴＯからなる透明導電層４０から形成されてなる」のであるから、本願発明の「前記データ線を構成する導電膜の膜厚が、前記画素電極を構成する導電膜の膜厚よりも厚く、かつ、下層の第１の導電膜と上層の第２の導電膜との積層膜から構成されている」点が実質的に備わっている。
　よって、両者は、
「液晶を封入する一対の基板の内の一方側の基板上に画素電極と共通電極とが平面的に対向するように形成され、前記画素電極にデータ線が接続される一方、前記共通電極に共通電極配線が接続されてなる液晶表示装置であって、前記データ線を構成する導電膜の膜厚が、前記画素電極を構成する導電膜の膜厚よりも厚く、かつ、下層の第１の導電膜と上層の第２の導電膜との積層膜から構成されていることを特徴とする液晶表示装置。」
の点で一致し、下記の点で相違する。
　
　相違点；
　本願発明は、共通電極配線を構成する導電膜の膜厚が、共通電極を構成する導電膜の膜厚よりも厚く、かつ、下層の第１の導電膜と上層の第２の導電膜との積層膜から構成されているのに対して、引用発明１は、このような構成を有しない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　上記のとおり、刊行物２には、「対向電極信号線ＣＬと対向電極ＣＴをＩＴＯ膜で一体に構成した横電界方式の液晶表示装置において、前記対向電極配線ＣＬはＩＴＯ膜の下層にＡｌ層を形成して２層構造とし、対向電極信号線ＣＬの低抵抗化を図ったこと」（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　そこで、本願発明の上記相違点と引用発明２とを対比する。
　（ホ）引用発明２の「対向電極信号線ＣＬ」、「対向電極ＣＴ」、「Ａｌ層」及び「ＩＴＯ膜」は、それぞれ、本願発明の「共通電極配線」、「共通電極」、「下層の第１の導電膜」及び「上層の第２の導電膜」に相当する。
　（ヘ）引用発明２において、ＩＴＯ膜の下層にＡｌ層を形成した対向電極信号線ＣＬの導電膜の膜厚が、ＩＴＯ膜のみの対向電極ＣＴの導電膜の膜厚よりも厚いことは明らかであるから、引用発明２には、本願発明の上記相違点の「共通電極配線を構成する導電膜の膜厚が、共通電極を構成する導電膜の膜厚よりも厚く、かつ、下層の第１の導電膜と上層の第２の導電膜との積層膜から構成されている」点が記載されている。
　
　そして、引用例発明１と、引用例発明２とは、画素電極ないしは共通電極をＩＴＯ膜により形成することにより開口率の向上を図る点で同様の課題を有しているから、引用発明１の横方向の電界を形成するＩＰＳ型のアクティブマトリックス基板を用いた液晶表示装置における共通電極配線及び共通電極の構成に代えて、同じ横電界方式の液晶表示装置に係る上記引用発明２の共通電極配線及び共通電極の導電膜の構成を採用しすることには十分な動機があるというべきであり、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　また、本願明細書に記載された「単位画素の主要部を構成する共通電極及び画素電極をともに薄い膜厚の導電層から構成する一方、共通電極及び画素電極に接続される各配線を厚い膜厚の導電膜から構成したので、共通電極及び画素電極の上方位置に形成する配向膜に生ずる段差を軽減することができる。・・・したがって、配線抵抗を増大させることなく、配向膜に形成される段差を軽減して高コントラストを実現することができる。」という本願発明の効果は、刊行物１に示された「このアクティブマトリックス基板は、共通電極と画素電極部の段差を小さくできるので、パネル工程での配向制御が容易である。・・・また・・・走査線や信号線の低抵抗化や端子部での接続信頼性向上の効果、絶縁耐圧向上の効果については実施形態６と全く同様である。」（前掲【０２４３】を参照。）という効果及び上記刊行物２記載のものから予想される効果であり、格別とはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１および刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。