Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのプロセッサを用いて、イメージコレクションの内容を前処理して、前記イメージコレクション内のイメージごとに安定した再現可能キーポイントを識別するステップと、
少なくとも１つのプロセッサを用いて、前記キーポイントの局所グループから指紋情報を計算するステップと、
少なくとも１つのプロセッサを用いて、前記計算の結果の指紋情報をコンパクトな指紋データベースに格納するステップと、
少なくとも１つのプロセッサを用いて、前記コンパクトな指紋データベース内の入力指紋ごとに、候補指紋の組合せの列を生成するステップと、
少なくとも１つのプロセッサを用いて、指紋データベースに入力された指紋ごとの候補指紋の組合せの前記列を、ファンツリーおよびハッシュテーブルの少なくとも一方と、対応する指紋データ構造と、に格納するステップと、
少なくとも１つのプロセッサを用いて、キーポイントを識別することと、クエリイメージから指紋を計算することと、クエリ指紋を既存のファンツリー指紋データと照合することとによってリアルタイムイメージクエリを実行し、前記コレクション内の一致するターゲットイメージまたはターゲットイメージのセットを判定するステップと、
少なくとも１つのプロセッサを用いて、前記判定ステップに基づいて少なくとも１つのターゲットイメージを取り出すステップと、
前記取り出された少なくとも１つのターゲットイメージの表示、印刷、格納、または送信のうちの少なくとも１つを行うステップと、
を含み、
前記指紋情報の前記計算は、イメージ内で見つかる確率が非アンカキーポイントに比べて高いキーポイントであり、アンカキーポイントと呼ばれるイメージ内の最も強いキーポイントのサブグループと、加えて複数の局所的な非アンカキーポイントと、の組合せに基づく、
ことを特徴とする、イメージデータを格納し、インデクシングし、検索し、および／または取り出すイメージ管理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記クエリ指紋の前記既存のファンツリー指紋データとの前記照合は、
クエリ指紋ごとに、オリジナルの指紋のイメージコレクションのサブセットを含む特定のファンツリー葉ノードリストにつながるファンツリーアドレスを計算することと、
その後、前記サブセットリストからの各オリジナル指紋を順に現在のクエリ指紋と比較することと、
前記クエリ指紋が前記取り出された指紋レコードのうちの１つと一致するたびに、そのイメージの一致する指紋の個数のカウントを増分することと、
指紋スコア分析モジュールによって、各イメージの一致する指紋の結果の累算されたカウントを調べることと、
最高スコア分析に基づいて、前記コレクション内の最もよく一致するイメージまたはイメージのセットを判定することと、を含み、
前記クエリ指紋は、ファンツリーのルートノードから、ファンツリーの中間ノードを通って、ファンツリーの葉ノードに至る経路を特定するものである、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記アンカキーポイントは、前記クエリイメージおよびターゲットイメージ内で見つかる確率が前記非アンカキーポイントより高いことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
各アンカポイントは、局所的な影響領域に関連付けられていることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記アンカポイントが、前記ターゲットイメージと前記クエリイメージとの間で前記指紋の列を同期化させることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記指紋は、１つまたはそれ以上のアンカポイントの局所的近傍におけるキーポイントの組合せから形成され、非アンカキーポイントが所定の個数まで欠けていても有効な指紋の一致が得られることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
イメージ回転による並び替えによって見つかる同値類の数を、ｓｍａｌｌｅｓｔ  ｌｅａｓｔ  ｃｏｍｍｏｎ  ｑｕａｎｔｉｚａｔｉｏｎ  ｄｉｇｉｔ（ＳＬＣＤ）法に基づいて減らすことを含む方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
指紋の確定には、非アンカキーポイントは使用せずアンカポイントのサブグループを使用して指紋の原点中心を確定することが含まれ、
ここで、前記指紋の原点中心は、現在のキーポイントに最も近いアンカキーポイントのサブセットから計算され、非アンカキーポイントが余分にある場合または欠けている場合であっても前記原典が安定なままであることを確実にするために、前記原点中心の計算には前記非アンカキーポイントを使用しないことを特徴とする方法。
【請求項９】
クエリ文書のクエリイメージ内のキーポイントおよび潜在的ターゲット文書のコレクションの潜在的ターゲット文書イメージ内のキーポイントを含む、イメージ内のキーポイントを識別するように構成された識別モジュールと、
前記キーポイントから指紋情報を生成するように構成された指紋生成モジュールであって、前記指紋情報が、少なくとも１つのアンカキーポイントおよび所定の個数の非アンカキーポイントを含み、前記少なくとも１つのアンカキーポイントは前記所定の個数の非アンカキーポイントより強いキーポイントであり、イメージ内のより強いキーポイントとは、イメージ内で見つかる確率が非アンカキーポイントに比べて高いキーポイントである、指紋生成モジュールと、
前記クエリイメージの前記指紋情報を、潜在的ターゲット文書の前記コレクション内の前記潜在的ターゲット文書イメージの指紋情報と比較するように構成された比較モジュールと、
前記クエリイメージの前記指紋情報と前記潜在的ターゲット文書イメージの前記指紋情報との間の最良一致を判定するように構成された照合モジュールと、
前記照合モジュールにおける判定に基づいて少なくとも１つのターゲット文書イメージを取り出すように構成された取出しモジュールと、
前記取り出された少なくとも１つのターゲット文書イメージの表示、印刷、格納または送信を行う、電子ディスプレイ、プリンタ、メモリストレージ、またはコンピュータネットワークのうちの少なくとも１つと、
を含むことを特徴とする、イメージデータの格納、インデクシング、検索、および／または取出しを行う、コンピュータ動作可能システム内のイメージ管理システム。
【請求項１０】
エラーを補正するためにノイズガードを用いることを特徴とする、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月13日(2012.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を受光領域にて受光することによって受光データを生成するフォトセンサ素子が設けられている表示パネルと、
前記フォトセンサ素子の受光領域へ入射する光の量を調整する光量調整部と、
前記光量調整部の動作を制御する制御部と
を有し、
前記光量調整部は、前記フォトセンサ素子の受光領域に対応して設けられたレンズを含み、当該レンズの焦点位置を、当該フォトセンサ素子の受光領域に対して変化させることによって、前記受光領域へ入射する光の量を調整する
表示装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記フォトセンサ素子によって生成された受光データに基づいて、前記光量調整部の動作を制御する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記レンズは、前記受光領域よりも大きい、
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記光量調整部は、前記レンズが液晶レンズであり、当該液晶レンズを構成する液晶に電圧を印加し、当該液晶の液晶分子の配向方向を変化させ、前記液晶レンズの焦点距離を変化させることによって、前記フォトセンサ素子へ入射する光の量を調整する、
請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記液晶レンズは、フレネルレンズである、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示パネルは、
第１基板と、
前記第１基板から間隔を隔てて対面している第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間にて挟持されており、液晶分子が配向されている液晶層と
を含む液晶パネルであり、
前記フォトセンサ素子は、前記第１基板にて前記第２基板に対面している側の面に設けられており、
前記液晶レンズは、前記第２基板にて前記第１基板に対面している側に対して反対側の面にて、前記受光領域に対応する部分に設けられており、
前記光量調整部は、前記第１基板の側から前記第２基板の側へ向かい、前記フォトセンサ素子の受光領域へ入射する光の量を、前記液晶レンズの焦点距離を変化させることによって調整する、
請求項４または５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２基板において前記第１基板に対面している側に対して反対側の面上に配置された偏光板
を有し、
前記偏光板は、前記液晶レンズの屈折率差分布の方向に、透過軸が沿うように設けられており、
前記フォトセンサ素子は、可視光線を含む入射光を前記受光領域で受光して受光データを生成する、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示パネルは、
第１基板と、
前記第１基板から間隔を隔てて対面している第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間にて挟持されており、液晶分子が配向されている液晶層と
を含む液晶パネルであり、
前記フォトセンサ素子は、前記第１基板にて前記第２基板に対面している側の面に設けられており、
前記液晶レンズは、前記液晶層において前記受光領域に対応する部分の液晶に電圧を印加することによって、当該液晶レンズの焦点距離が変化するように構成されており、
前記光量調整部は、前記第１基板の側から前記第２基板の側へ向かい、前記フォトセンサ素子の受光領域へ入射する光の量を、前記液晶レンズの焦点距離を変化させることによって調整する、
請求項４または５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２基板において前記第１基板に対面している側に対して反対側の面上に配置された偏光板
を有し、
前記偏光板は、前記液晶レンズの屈折率差分布の方向に、透過軸が沿うように設けられており、
前記フォトセンサ素子は、可視光線を含む入射光を前記受光領域で受光して受光データを生成する、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示パネルは、
前記第１基板と前記第２基板との間にて前記受光領域に対応する部分を囲うように設けられた遮光壁
を有する、
請求項８に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのプロセッサで、入力イメージのインテグラルイメージを計算するステップと、
前記少なくとも１つのプロセッサで、複数のスケールで前記入力イメージのスケール空間ピラミッド層表現を構成するステップであって、各スケールで、特定のフィルタのセットが、前記入力イメージの少なくとも一部の近似を作るために前記入力イメージに適用される、ステップと、
前記少なくとも１つのプロセッサで、スケールおよび空間の単一の関数を形成するために前記フィルタの出力を一緒に組み合わせるステップと、
前記少なくとも１つのプロセッサで、前記単一の関数が局所ピーク値を達成するピクセル位置として各スケールでの安定したキーポイント位置を識別するステップと、
前記少なくとも１つのプロセッサで、前記安定したキーポイント位置をメモリストレージに格納するステップと、
を含み、
複数のスケールで前記入力イメージのスケール空間ピラミッド表現を構成するステップは、前記フィルタをスケールアップするステップを含み、次に続くフィルタは、前のフィルタのスケールを大きくしたバージョンであることを特徴とする、局所化されたスケール空間特性を使用してピクチャイメージ内の安定したキーポイントを見つける方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記近似は、ラプラシアン・オブ・ガウシアン（ＬｏＧ）関数であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記フィルタは、同じ形状でサイズの異なるフィルタであることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記あるスケール空間ピラミッド層を構成するステップは、他のスケール空間ピラミッド層を構成するステップから分離されていることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記構成するステップを実施するステップが、複数のスケール空間ピラミッド層を構成するステップであって、少なくとも前記複数のスケール空間ピラミッド層のいくつかを並行して構成するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
少なくとも１つのプロセッサで、入力イメージのインテグラルイメージを計算するステップと、
前記少なくとも１つのプロセッサで、複数のスケールで前記入力イメージのスケール空間ピラミッド層表現を構成するステップであって、各スケールで、特定のフィルタのセットが、前記入力イメージの少なくとも一部の近似を作るために前記入力イメージに適用される、ステップと、
前記少なくとも１つのプロセッサで、スケールおよび空間の単一の関数を形成するために前記フィルタの出力を一緒に組み合わせるステップと、
前記少なくとも１つのプロセッサで、前記単一の関数が局所ピーク値を達成するピクセル位置として各スケールでの安定したキーポイント位置を識別するステップと、
前記少なくとも１つのプロセッサで、前記安定したキーポイント位置をメモリストレージに格納するステップと、
を含み、
前記フィルタは、第１の領域で構成され、この第１領域におけるすべてのピクセル値は、第１の極性および第２の領域をとり、この第２の領域におけるすべてのピクセル値は、前記第１の極性とは異なる第２の極性をとり、
前記フィルタは、さらに、前記第１の領域と前記第２の領域との間の境界線に沿って位置し、前記第１の領域と前記第２の領域とを分離するガードバンドを備え、このガードバンドにおけるすべてのピクセル値は、ゼロの値をとることを特徴とする、局所化されたスケール空間特性を使用してピクチャイメージ内の安定したキーポイントを見つける方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記フィルタは、前記入力イメージにおける最初の位置から後続の位置へ移動され、後続の位置へ移動した結果、直前の位置に部分的にオーバーラップすることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、各フィルタは、あらゆるスケールで、他のすべてのフィルタから独立しており、スケールまたはフィルタタイプに関係なく、フィルタごとに同一の処理回数で、同時に並行計算が可能であることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
すべてのスケールの出力を連結させて、スケール空間ピラミッド表現を形成するステップであって、前記スケールの出力は、ピラミッド層に対応しているステップをさらに含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質問文書の質問画像内の代表点と、潜在的目標文書のコレクションの潜在的目標文書画像内の代表点とを含む、画像内の代表点を識別するステップと、
前記代表点から指紋情報を生成するステップであって、該指紋情報と付随する画像とが、高次元空間における近傍探索を可能にするファンツリー構造に編成され、前記ファンツリー構造により提供される前記近傍探索が、前記質問画像の同一指紋より所定の許容差だけ少ない指紋を含むニアミス指紋の調査を支援する、指紋情報を生成するステップと、
前記質問画像の前記指紋情報を、前記潜在的目標文書の前記コレクション内の前記潜在的目標文書画像の前記指紋情報と比較するステップと、
前記質問画像と前記潜在的目標文書画像との前記指紋情報の最良の一致を判定するステップと、
前記判定ステップに基づき少なくとも１個の目標文書画像を検索するステップと、
検索された少なくとも１個の前記目標文書画像の表示、印刷、格納、伝送の少なくとも１つを行なうステップと、
を含む、画像データを格納、索引付け、探索および／または検索する画像管理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
実現可能な指紋置換の必要最小限のセットを生成し、該必要最小限のセットを前記ファンツリーに登録するステップを含む。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
画像の原点中心は、画像の局所的な指紋の近傍で最も近い代表点であると判定された代表点の集合のサブセットから算出される。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
前記指紋は、量子化された変換不変な２次元持続的比率の列を用いて算出される。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
前記指紋は、該指紋を表す数字の列に適用される最小共通最小量子化数字法に基づき、代表点の近傍から算出され、
前記最小共通最小量子化数字法は、
指紋列における最小共通最小数字の値を決定するステップと、
前記指紋列を走査して該列内の前記最小共通最小数字の位置を決定するステップと、
前記指紋列の各位置に関し、前記最小共通最小数字の位置までの前記指紋列の開始部分を該指紋列の終端に置換し、前記開始部分および終端部分の内部配列は変更しない、ステップと、
を含む。
【請求項６】
質問文書の質問画像内の代表点と、潜在的目標文書のコレクションの潜在的目標文書画像内の代表点とを含む画像内の代表点を識別するように構成された識別モジュールと、
前記代表点から指紋情報を生成するように構成された指紋生成モジュールであって、該指紋情報の指紋が量子化された変換不変な２次元持続的比率の列である、指紋生成モジュールと、
前記質問画像の前記指紋情報を、前記潜在的目標文書の前記コレクション内の前記潜在的目標文書画像の前記指紋情報と比較するように構成された比較モジュールと、
前記質問画像と前記潜在的目標文書画像との前記指紋情報の最良の一致を判定するように構成された照合モジュールと、
該判定に基づき少なくとも１個の目標文書画像を検索するように構成された検索モジュールと、
検索された少なくとも１個の前記目標文書画像を表示、印刷、格納または伝送するための電子ディスプレイ、プリンタ、記憶装置またはコンピュータネットワークのうち少なくとも１つと、
を備え、ノイズ防護法を用いて誤差を補償する、画像データを格納、索引付け、探索および／または検索するコンピュータで使用可能なシステム内の画像管理システム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムにおいて、
前記指紋は、量子化された変換不変な２次元持続的比率の列を用いて算出される。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、
前記ファンツリー構造により提供される高次元空間での近傍検索は、トレーニング画像、及びコンピュータビジョンにおける特定３次元物体の予想概念を使用することなく、単一の画像を使用するだけでニアミス指紋の調査を支援する。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、
前記画像には、少なくともテキストが含まれ、
前記テキストの検索は、画像の視覚的中心を算出する重心を使用して行われる。
【請求項１０】
請求項６に記載のシステムにおいて、
前記指紋情報及び付随する画像は、ファンツリー構造に編成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ本（ｍは２以上の整数）の信号線と、
ｍ本のワード線と、
ｎ本（ｎは２以上の整数）のビット線と、
ｋ本（ｋはｎ未満の自然数）のソース線と、
マトリクス状に配置された（ｍ×ｎ）個のメモリセルと、
前記ビット線と電気的に接続された第１の駆動回路と、
前記ソース線と電気的に接続された第２の駆動回路と、
前記信号線と電気的に接続された第３の駆動回路と、
前記ワード線と電気的に接続された第４の駆動回路と、を有し、
前記メモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域は、異なる半導体材料を含んで構成され、
前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方と、前記第１のゲート電極と、は電気的に接続され、
前記ソース線の一と、前記第１のソース電極とは、電気的に接続され、
前記ビット線の一と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の他方と、前記第１のドレイン電極と、は電気的に接続され、
前記ワード線の一と、前記容量素子の電極の他方と、は電気的に接続され、
前記信号線の一と、前記第２のゲート電極と、は電気的に接続され、
前記ソース線の一は、前記メモリセルの一を含むｊ個（ｊは（ｍ＋１）以上（ｍ×ｎ）以下の整数）のメモリセルがそれぞれ有する第１のソース電極の全てに電気的に接続された半導体装置。
【請求項２】
ｍ本（ｍは２以上の整数）の信号線と、
ｍ本のワード線と、
ｎ本（ｎは２以上の整数）のビット線と、
ｋ本（ｋはｎ未満の自然数）のソース線と、
マトリクス状に配置された（ｍ×ｎ）個のメモリセルと、
前記ビット線と電気的に接続された第１の駆動回路と、
前記ソース線と電気的に接続された第２の駆動回路と、
前記信号線と電気的に接続された第３の駆動回路と、
前記ワード線と電気的に接続された第４の駆動回路と、を有し、
前記メモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域は、異なる半導体材料を含んで構成され、
前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方と、前記第１のゲート電極と、は電気的に接続され、
前記ソース線の一と、前記第１のソース電極とは、電気的に接続され、
前記ビット線の一と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の他方と、前記第１のドレイン電極と、は電気的に接続され、
前記ワード線の一と、前記容量素子の電極の他方と、は電気的に接続され、
前記信号線の一と、前記第２のゲート電極と、は電気的に接続され、
前記ソース線の一は、前記メモリセルの一を含む（ｍ×ｎ／ｋ）個のメモリセルがそれぞれ有する第１のソース電極の全てに電気的に接続された半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタは、前記第１のチャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタの前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んで構成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射される光の照度を検出する機能を有する光電変換素子、及び前記光電変換素子に生じる電流を増幅する機能を有する回路を有する光電変換装置と、
前記光電変換装置に印加されるバイアスを、前記光の照度に対応して反転させる機能を有する手段と、を有し、
前記回路は、少なくとも一つのトランジスタを有し、
前記光の照度は、前記光電変換素子に生じる電流により、又は前記光電変換素子に生じる電圧を前記トランジスタのゲート・ソース間に印加することにより検出され、
前記光電変換素子に生じる電流を用いた検出及び前記トランジスタのゲート・ソース間電圧を用いた検出を、前記バイアスの反転に対応して切り替えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
照射される光の照度を検出する機能を有する光電変換素子、及び前記光電変換素子に生じる電流を増幅する機能を有する回路を有する光電変換装置と、
前記光電変換装置に印加されるバイアスを、前記光の照度に対応して反転させる機能を有する手段と、を有し、
前記回路は、少なくとも一つのトランジスタを有し、
前記光の照度が所定の値を超えるときに、前記光電変換素子に生じる電圧を前記トランジスタのゲート・ソース間に印加することにより前記光の照度を検出し、
前記光の照度が前記所定の値よりも低いときに、前記光電変換素子に生じる電流により前記光の照度を検出することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
照射される光の照度を検出する機能を有する光電変換素子、及び前記光電変換素子に生じる電流を増幅する機能を有する回路を有する光電変換装置と、
前記光電変換装置に印加されるバイアスを、前記光電変換装置から得られる電流に応じた電圧の大きさに対応して反転させる機能を有する手段と、を有し、
前記回路は、少なくとも一つのトランジスタを有し、
前記光の照度は、前記光電変換素子に生じる電流、又は前記トランジスタのゲート・ソース間電圧を用いて検出され、
前記光電変換素子に生じる電流を用いた検出及び前記トランジスタのゲート・ソース間電圧を用いた検出を、前記バイアスの反転に対応して切り替えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
照射される光の照度を検出する機能を有する光電変換素子、及び前記光電変換素子に生じる電流を増幅する機能を有する回路を有する光電変換装置と、
前記光電変換装置に印加されるバイアスを、前記光電変換装置から得られる電流に応じた電圧の大きさに対応して反転させる機能を有する手段と、を有し、
前記回路は、少なくとも一つのトランジスタを有し、
前記電流に応じた電圧が所定の値を超えるときに、前記トランジスタのゲート・ソース間電圧を用いて前記光の照度を検出し、
前記電流に応じた電圧が前記所定の値よりも低いときに、前記光電変換素子に生じる電流を用いて前記光の照度を検出することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記トランジスタは、ｐチャネル型トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記トランジスタは、ｎチャネル型トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記光電変換素子は、周囲の明るさを検出する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置と、
バックライトと、を有する表示装置であって、
前記光電変換素子は、前記バックライトの輝度を検出する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子機器は、携帯電話、コンピュータ、カメラ、プロジェクションテレビ、又はナビゲーションシステムとしての機能を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板上にパターン像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、
基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、
前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに保持された前記基板上のアライメントマークを液体を介さずに検出する第１検出系と、
前記基板ステージに設けられ、基材上に形成された基準が光透過性の材料で覆われた基準部材と、
前記基板ステージに設けられた前記基準部材の前記基準を使って前記パターン像の投影位置情報を取得するための第２検出系と、を備え、
前記第２検出系を用いて前記投影位置情報を取得する際に、前記投影光学系の端面と前記基準部材の上面との間が液体で満たされる露光装置。
【請求項２】
前記基材上に形成された前記基準の上に、前記光透過性の材料のコーティングが施されている請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記基材上に形成された前記基準の上にガラス板が配置されている請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記光透過性の材料は、石英を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記基準部材の上面の少なくとも一部は撥液性である請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記基準部材の上面の少なくとも一部を撥液性にするために撥液化処理が施される請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記撥液化処理は、撥液性材料のコーティングを含む請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記基準は、光透過部を含む請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記光透過部に前記光透過性の材料が埋め込まれている請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記基準は、前記基材上にクロムをパターンニングすることによって形成される請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第２検出系を用いた検出動作の際に、前記基板ホルダには前記基板もしくはダミー基板が配置されている請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記基準部材には、前記第１検出系で検出される基準も形成されている請求項１〜１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項１４】
液体を介して基板上にパターン像を投影することによって、前記基板を露光する露光方法であって、
基板ステージに保持された前記基板上のアライメントマークを液体を介さずに検出して、前記基板上の複数のショット領域の位置情報を取得することと、
前記基板ステージに設けられた基準部材の基準を用いて前記パターン像の投影位置情報を取得することと、
前記ショット領域の位置情報と、前記投影位置情報とに基づいて、前記基板を位置あわせして、前記基板上の複数のショット領域のそれぞれに前記パターン像を投影することと、を含み、
前記基準部材は、基材上に形成された前記基準が光透過性の材料で覆われており、
前記投影位置情報を取得する際に、前記投影光学系の端面と前記基準部材の上面との間が液体で満たされている露光方法。
【請求項１５】
前記基材上に形成された前記基準の上に、前記光透過性の材料のコーティングが施されている請求項１４記載の露光方法。
【請求項１６】
前記基材上に形成された前記基準の上にガラス板が配置されている請求項１４記載の露光方法。
【請求項１７】
前記光透過性の材料は、石英を含む請求項１４〜１６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１８】
前記基準部材の上面の少なくとも一部は撥液性である請求項１４〜１７のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１９】
前記基準部材の上面の少なくとも一部を撥液性にするために撥液化処理が施される請求項１８記載の露光方法。
【請求項２０】
前記撥液化処理は、撥液性材料のコーティングを含む請求項１９記載の露光方法。
【請求項２１】
前記基準は、光透過部を含む請求項１４〜２０のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項２２】
前記光透過部に前記光透過性の材料が埋め込まれている請求項２１記載の露光方法。
【請求項２３】
前記基準は、前記基材上にクロムをパターンニングすることによって形成される請求項１４〜２２のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に接して設けられた絶縁層と、
前記基板及び前記絶縁層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記絶縁層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、前記ソース電極または前記ドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、前記絶縁層を介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極と重なり、
前記酸化物半導体層の端面の上端と、前記絶縁層の端面の下端とは一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層よりも高抵抗である第２の導電層と、を含み、前記第２の導電層において、前記酸化物半導体層と接する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の導電層の膜厚は、５ｎｍ乃至１５ｎｍである請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の導電層は、金属の窒化物である請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた第１の導電層と、前記第１の導電層よりも高抵抗である第２の導電層と、を含むソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート電極と重畳し、かつ第２の導電層に接して設けられた酸化物半導体層と、
前記第１の導電層と、前記酸化物半導体層との間に設けられた絶縁層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の端面よりチャネル長方向に伸長した領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第２の導電層の膜厚は、５ｎｍ乃至１５ｎｍである請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の導電層は、金属の窒化物である請求項５又は請求項６に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に発光層を有する窒化物系発光素子において、
前記発光層から放射された光を反射する反射層と、
前記反射層と前記ｐ型クラッド層との間に、前記ｐ型クラッド層の上面の全体に形成された少なくとも一つの金属酸化物層と、
前記反射層の上に形成された電極パッドとを備えることを特徴とする窒化物系発光素子。
【請求項２】
前記金属酸化物層は亜鉛、インジウムおよびスズよりなる第１群金属から選ばれた少なくとも一つの金属の酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光素子。
【請求項３】
前記金属酸化物層は前記第１群金属から選ばれた少なくとも一つの金属の酸化物に、ニッケル、コバルト、銅、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、タンタル、レニウム、タングステンおよびランタン系金属よりなる第２群金属から選ばれた少なくとも一つの金属の酸化物が添加されてなることを特徴とする請求項２に記載の窒化物系発光素子。
【請求項４】
前記第１群金属に対する前記第２群金属の添加比は０．１乃至５１アトミックパーセントであることを特徴とする請求項３に記載の窒化物系発光素子。
【請求項５】
前記反射層は銀で形成されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子。
【請求項６】
前記反射層はロジウムで形成されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子。
【請求項７】
前記金属酸化物層は
前記ｐ型クラッド層上に形成された第１金属酸化物層と、
前記第１金属酸化物層と前記反射層との間に形成された第２金属酸化物層とを含み、
前記第１金属酸化物層はニッケル、コバルト、銅、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、タンタル、レニウム、タングステンおよびランタン系金属よりなる第２群金属から選ばれた少なくとも一つの金属の酸化物で形成され、
前記第２金属酸化物層は亜鉛、インジウムおよびスズよりなる第１群金属から選ばれた少なくとも一つの金属の酸化物を含んで形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光素子。
【請求項８】
前記第２金属酸化物層は前記第１群金属から選ばれた少なくとも一つの金属の酸化物に、前記第２群金属から選ばれた少なくとも一つの金属の酸化物がさらに含まれて形成されてなることを特徴とする請求項７に記載の窒化物系発光素子。
【請求項９】
前記金属酸化物層及び反射層の厚さは０．１ｎｍ乃至１０μｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子。
【請求項１０】
前記ｎ型クラッド層の下部に基板が形成されており、
前記基板は光を透過する素材で形成されてなることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子。
【請求項１１】
前記基板はサファイアであることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物系発光素子。
【請求項１２】
ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に発光層を有する窒化物系発光素子の製造方法において、
イ）基板上にｎ型クラッド層、発光層及びｐ型クラッド層が順に積層された発光構造体の前記ｐ型クラッド層上全体に少なくとも一つの金属層を形成する段階と、
ロ）前記金属層上に反射層を形成する段階と、
ハ）前記段階ロを経た積層構造体を熱処理することにより前記金属層を金属酸化物層にする段階とを含むことを特徴とする窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記金属層は
亜鉛、インジウムおよびスズよりなる第１群金属から選ばれた少なくとも一つの金属を含んで形成されることを特徴とする請求項１２に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記金属層は前記第１群金属から選ばれた少なくとも一つの金属に、ニッケル、コバルト、銅、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、タンタル、レニウム、タングステンおよびランタン系金属よりなる第２群金属から選ばれた少なくとも一つの金属をさらに含んで形成することを特徴とする請求項１３に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１群金属に対する前記第２群金属の添加比は０．１乃至５１アトミックパーセントであることを特徴とする請求項１４に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記反射層は銀より形成することを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記反射層はロジウムより形成することを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記金属層形成段階は
前記ｐ型クラッド層上に第１金属層を形成する段階と、
前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階とを含み、
前記第１金属層はニッケル、コバルト、銅、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、タンタル、レニウム、タングステンおよびランタン系金属よりなる第２群金属から選ばれた少なくとも一つの金属で形成され、
前記第２金属層は亜鉛、インジウムおよびスズよりなる第１群金属から選ばれた少なくとも一つの金属より形成することを特徴とする請求項１２〜１７のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記第２金属層は前記第１群金属から選ばれた少なくとも一つの金属に、前記第２群金属から選ばれた少なくとも一つの金属をさらに含んで形成することを特徴とする請求項１８に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記金属層及び反射層の厚さは０．１ｎｍ乃至１０μｍで形成されることを特徴とする請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記ｎ型クラッド層の下部に基板が形成されており、
前記基板は光を透過させることができる素材で形成されたことを特徴とする請求項１２〜２０のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項２２】
前記基板はサファイアであることを特徴とする請求項２１に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記熱処理段階は
２０℃乃至７００℃で行われることを特徴とする請求項１２〜２２のいずれか１項に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【請求項２４】
前記熱処理段階は、前記積層構造体が設置された反応器内で、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素および空気よりなる群から選ばれた少なくとも一つを含む気体雰囲気で行われることを特徴とする請求項２３に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回路基板上に配され、挿入された平型導体を回路基板と電気的に接続する電気コネクタであって、金属板の平坦な板面を維持して作られていて平型導体と接触する接触部、回路基板に接続される接続部、平型導体を圧する押圧部、該押圧部を押圧方向に変位させるための力を受ける被圧部が設けられ、上記板面に直角方向に配列された複数の端子と、挿入された平型導体の接続部分を受け入れる受入空間が形成され上記接触部が平型導体と接触する位置に上記端子を保持するハウジングと、上記端子の被圧部へ力を加えるためのカム部が設けられていて平型導体の挿入を可能とする開位置と上記カム部で被圧部を圧する閉位置との間を移動可能な可動部材とを有し、上記端子は平型導体の挿入方向を長手方向として延びる上腕部と下腕部がそれらの長手方向中間位置で連結部により連結されて形成され、上腕部が連結部よりも平型導体の挿入方向先方の前部に被圧部をそして後部に押圧部を有している回路基板用電気コネクタにおいて、可動部材のカム部は端子位置によって異なる少なくとも二種の形状をなしており、閉位置における可動部材を端子配列方向に見たときに、上記二種のカム部は対応端子の被圧部に対する作用点と、該二種のカム部を支持する対応端子もしくはハウジングの支持点がそれぞれ前後方向で異なる複数の位置にあり、前後する作用点同士間範囲と支持点同士間範囲が重複範囲を有していることを特徴とする回路基板用電気コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回路基板上に配され、挿入された平型導体を回路基板と電気的に接続する電気コネクタであって、金属板の平坦な板面を維持して作られていて平型導体と接触する接触部、回路基板に接続される接続部、平型導体を圧する押圧部、該押圧部を押圧方向に変位させるための力を受ける被圧部が設けられ、上記板面に直角方向に配列された複数の端子と、端子と同様に金属板の平坦な板面を維持して作られていて平型導体と係止してロックするロック部、該ロック部を変位させるための力を受ける被圧部が設けられ、上記端子と板面が平行となるように配置されたロック金具と、挿入された平型導体の接続部分を受け入れる受入空間が形成され上記接触部が平型導体と接触する位置に上記端子を保持しそしてロック金具を保持するハウジングと、上記端子及びロック金具の被圧部に力を加えるための加圧部が設けられていて平型導体の挿入を可能とする開位置と平型導体を端子の接触部へ圧すると共にロック部をロック位置へもたらす閉位置との間を移動可能な可動部材とを有し、上記端子そしてロック金具は平型導体の挿入方向を長手方向として延びる上腕部と下腕部がそれらの長手方向中間位置で連結部により連結されて形成され、端子は、上腕部が連結部よりも平型導体の挿入方向先方の前部に被圧部をそして後部に押圧部を有し、ロック金具は上腕部が前部に被圧部そして後部に突起状のロック部を有している回路基板用電気コネクタにおいて、ロック金具の上腕部は、可動部材が開位置にあるときに、連結部からロック部までの範囲が後方に向け上向きに延びていて該ロック部が下方に向け突出しており、上記上腕部は、可動部材が閉位置にあるときに、連結部からロック部までの範囲が上記平型導体の挿抜方向に向く姿勢となることを特徴とする回路基板用電気コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
かかる回路基板用電気コネクタにおいて、本発明では、ロック金具の上腕部は、可動部材が開位置にあるときに、連結部からロック部までの範囲が後方に向け上向きに延びていて該ロック部が下方に向け突出しており、上記上腕部は、可動部材が閉位置にあるときに、連結部からロック部までの範囲が上記平型導体の挿抜方向に向く姿勢となることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月5日(2011.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アスペクト比が１．１〜５の炭素粉末を等方性加圧処理することを特徴とするリチウム二次電池負極用炭素粉末の製造法。
【請求項２】
加圧処理のプレス圧力が５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ２である請求項１記載のリチウム二次電池負極用炭素粉末の製造法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の製造法により得られるリチウム二次電池負極用炭素粉末。
【請求項４】
請求項１若しくは２記載の製造法で作製した炭素粉末又は請求項３記載の炭素粉末を含有してなるリチウム二次電池用負極。
【請求項５】
請求項４記載の負極及びリチウム化合物を含む正極を有してなるリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光灯とは異なる光源であって、長尺板状の基板に複数の発光ダイオードを実装した発光部と、前記発光部を収納した直管形状の管体と、前記管体の両端にそれぞれ設けられて既存の蛍光灯用の照明器具のソケットに装着される保持用口金と、前記照明器具の内部に収納された点灯装置から前記ソケットを介した経路とは異なる経路で前記発光部に点灯電力を給電するための給電部とを備え、
前記発光部は、前記各保持用口金を前記ソケットに装着した際に下方に光を照射するように前記管体に収納されており、
前記各保持用口金に、それぞれ前記ソケットに装着される一対の丸棒状のダミーピンを突設し、前記各保持用口金及び前記各ダミーピンは、前記基板とは互いに電気的に絶縁され、
前記給電部は、前記点灯装置と電気的に接続された接続部に装着されるコネクタから成り、前記各保持用口金を前記ソケットに装着した際に前記発光部による配光を妨げることがないように前記管体の前記照明器具側の位置に設けられていることを特徴とする光源。
【請求項２】
既存の蛍光灯用口金が装着可能なソケットと、前記ソケットを支持するとともに前記光源に点灯電力を給電する点灯装置を収納した器具本体とを備え、前記給電部を介した前記点灯装置から前記光源への給電経路を確立する接続部が設けられたことを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の光源は、蛍光灯とは異なる光源であって、長尺板状の基板に複数の発光ダイオードを実装した発光部と、前記発光部を収納した直管形状の管体と、前記管体の両端にそれぞれ設けられて既存の蛍光灯用の照明器具のソケットに装着される保持用口金と、前記照明器具の内部に収納された点灯装置から前記ソケットを介した経路とは異なる経路で前記発光部に点灯電力を給電するための給電部とを備え、前記発光部は、前記各保持用口金を前記ソケットに装着した際に下方に光を照射するように前記管体に収納されており、前記各保持用口金に、それぞれ前記ソケットに装着される一対の丸棒状のダミーピンを突設し、前記各保持用口金及び前記各ダミーピンは、前記基板とは互いに電気的に絶縁され、前記給電部は、前記点灯装置と電気的に接続された接続部に装着されるコネクタから成り、前記各保持用口金を前記ソケットに装着した際に前記発光部による配光を妨げることがないように前記管体の前記照明器具側の位置に設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の照明装置は、既存の蛍光灯用口金が装着可能なソケットと、前記ソケットを支持するとともに前記光源に点灯電力を給電する点灯装置を収納した器具本体とを備え、前記給電部を介した前記点灯装置から前記光源への給電経路を確立する接続部が設けられたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層プリント基板に電源トランスを搭載した電源装置であって、
前記電源トランスは、多層プリント基板に配置された１次側コイルパターンおよび複数の２次側コイルパターンと、１次側コイルパターンおよび複数の２次側コイルパターンと電磁結合する環状のコア部材とで構成され、
前記コア部材は、前記多層プリント基板に設けられた第１および第２貫通穴に取り付けられ、
前記１次側コイルパターンは、第１貫通穴の周りに第１方向に巻回された第１サブコイルと、第２貫通穴の周りに、第１方向とは反対の第２方向に巻回された第２サブコイルとを有し、
各２次側コイルパターンは、第１貫通穴または第２貫通穴の周りに巻回されており、
第１サブコイルおよび第２サブコイルは、並列接続されていることを特徴とする電源装置。
【請求項２】
第１サブコイルの巻数と第２サブコイルの巻数が同じであることを特徴とする請求項１記載の電源装置。
【請求項３】
複数のパワー半導体素子と、
各パワー半導体素子を駆動するための複数の素子駆動回路と、
各素子駆動回路に電力を供給するための請求項１または２記載の電源装置とを備えることを特徴とするパワーモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、多層プリント基板に電源トランスを搭載した電源装置であって、
前記電源トランスは、多層プリント基板に配置された１次側コイルパターンおよび複数の２次側コイルパターンと、１次側コイルパターンおよび複数の２次側コイルパターンと電磁結合する環状のコア部材とで構成され、
前記コア部材は、前記多層プリント基板に設けられた第１および第２貫通穴に取り付けられ、
前記１次側コイルパターンは、第１貫通穴の周りに第１方向に巻回された第１サブコイルと、第２貫通穴の周りに、第１方向とは反対の第２方向に巻回された第２サブコイルとを有し、
各２次側コイルパターンは、第１貫通穴または第２貫通穴の周りに巻回されており、
第１サブコイルおよび第２サブコイルは、並列接続されていることを特徴とする
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の実施形態に係る照明装置は、面状の放射面を有する照明装置であって、面状の放射面に対向して配置された複数の光源と、拡散、屈折、反射の少なくとも１つの光学特性を有し、前記光源に対向する光学部材と、凹凸を有し、前記光学部材を支持する光透過性を有したシート状の支持部材と、を備えている。前記シート状の支持部材は、前記光学部材と一体に形成され、前記光学部材は場所により異なる光学特性を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面状の放射面を有する照明装置であって、
面状の放射面に対向して配置された複数の光源と、
拡散、屈折、反射の少なくとも１つの光学特性を有し、前記光源に対向する光学部材と、
凹凸を有し、前記光学部材を支持する光透過性を有したシート状の支持部材と、
を備え、
前記シート状の支持部材は、前記光学部材と一体に形成され、前記光学部材は場所により異なる光学特性を有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記シート状の支持部材は、全面に亘って均一な厚さを有し、前記光学部材の全面と対向して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記光源を支持した光源基材を備え、前記シート状の支持部材は、前記光源基材上に積層されていることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項４】
面状の放射面を形成する拡散板を備え、前記シート状の支持部材は、前記拡散板に積層されていることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項５】
それぞれ凹凸を有し、前記光学部材を支持する光透過性を有した２つのシート状の支持部材を備え、これらの支持部材は互いに積層して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項６】
前記支持部材は、積層隣接する部材に接触するための上側および下側の接触領域と、この上側および下側の接触領域を連結し前記複数の光源の中間に対向する側面領域と、を有していることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項７】
前記支持部材の側面領域は、その法線が前記近接する光源に近寄る方向に傾斜していることを特徴とする請求項６記載の照明装置。
【請求項８】
前記支持部材の凸凹は、前記複数の光源の配列と同じかその倍数で繰り返し形成されていることを特徴とする請求項６記載の照明装置。
【請求項９】
前記支持部材の凸凹は、前記複数の光源の配列より細かい間隔で繰り返し形成されていることを特徴とする請求項６記載の照明装置。
【請求項１０】
前記支持部材は、全ての断面に前記側面領域を含んでいることを特徴とする請求項６記載の照明装置。
【請求項１１】
前記支持部材は、所定の直線あるいは閉曲線で形成される断面において、その他の断面よりも極端に曲げモーメントが小さく形成され、この所定の直線あるいは閉曲面で前記支持部材が曲げられていることを特徴とする請求項６記載の照明装置。
【請求項１２】
前記支持部材は、前記複数の光源に対向するそれぞれの領域に形成された凸部を有していることを特徴とする請求項６記載の照明装置。
【請求項１３】
前記支持部材の凸凹は、同一方向に平行に延びていることを特徴とする請求項６記載の照明装置。
【請求項１４】
前記側面領域の傾斜角度が２０〜７０度であることを特徴とする請求項１３記載の照明装置。
【請求項１５】
前記支持部材は光散乱性を有していることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項１６】
前記支持部材は、凸凹面で外装される体積に対して、実質的な体積が５０％以下であることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項１７】
前記面状の放射面が曲面であることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項１８】
液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの裏面に設けられた偏光フィルタと、
前記液晶表示パネルに対向して配置され、前記液晶表示パネルに光を照射する請求項１３に記載の面状照明装置と、を備え、前記支持部材の凸凹により強まる偏光が前記偏光フィルタを通過する向きであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルに対向して配置され、前記液晶表示パネルに光を照射する請求項１ないし１７のいずれか１項に記載の照明装置と、
を備えた液晶表示装置。