【事件の表示】
　特願２００２−５７６０２６「Ｅビーム放射を使用した、改良されたトランジスタゲート」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　３日国際公開、ＷＯ０２／７８０９５、平成１６年１０月２８日国内公表、特表２００４−５３３１１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本願は、２００２年２月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００１年３月２８日、米国、２００１年３月２８日、米国、２００１年３月２８日、米国、２００１年３月２８日、米国、２００１年３月２８日、米国、２００１年３月２８日、米国、２００１年１２月２４日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１５年１１月２６日に国際出願翻訳文提出書により特許請求の範囲および明細書の翻訳文が提出され、平成２０年７月３日付けで通知された拒絶の理由に対して、平成２１年１月１４日付けで手続補正書が提出されたが、同年３月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年７月２９日付けで特許請求の範囲に係る手続補正がなされたものである。
　その後当審において審尋がなされたのに対し、回答書が平成２２年２月３日に提出されている。 
　
　 
第２．平成２１年７月２９日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］  
　平成２１年７月２９日付けの手続補正を却下する。  
　 
［理由］  
１．補正の概要  
　平成２１年７月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１、８および１０を以下のとおりとする補正事項を含むものである。 
　
　「　【請求項１】
　フォトレジスト層にトランジスタのゲートパターンを作るステップを含む、集積回路を形成する方法であって、
　前記トランジスタのゲートパターンを電子ビームで硬化させるステップと、
　前記硬化させたトランジスタのゲートパターンを垂直方向及び水平方向についてトリミングするステップと、
　前記トリミングしたトランジスタのゲートパターンに従って前記フォトレジスト層の下に配置された少なくとも一つの層の一部をエッチングしてトランジスタゲートを作成するステップとを含み、
　前記トランジスタゲートは、幅と長さを有しており、
　前記硬化させるステップによって、前記トランジスタゲートの前記長さ方向に沿った前記幅の変化が少なくなる、方法。」
　
　「　【請求項８】
　７０ｎｍ未満のゲート幅を有するトランジスタを形成する方法であって、
　電子ビーム照射を用いてフォトレジスト層のゲートパターンを硬化させるステップと、
　前記電子ビーム照射で硬化させたフォトレジスト層のゲートパターンを垂直方向及び水平方向についてトリミングするステップと、
　前記トリミングしたゲートパターンに従って前記フォトレジスト層の下に配置された層の一部をエッチングしてトランジスタゲートを作成するステップとを含み、前記トランジスタゲートは７０ｎｍ未満のゲート幅を持ち、
　前記硬化させるステップによって、前記トランジスタゲートの長さ方向に沿った幅の変化が少なくなり、
　前記フォトレジスト層の下に配置された層は、ポリシリコン層、非晶質シリコン層および金属層のうち少なくとも１つを含む、
　方法。
　
　「　【請求項１０】
　前記ゲート幅は、３ｎｍのセグメント上で４から６ｎｍである、請求項８または９記載の方法。  」
　　  
２．補正の適否の判断  
　上記補正事項は、下記（ｉ）〜（iii）の内容を含む。
（ｉ）補正前の請求項８に記載した発明を特定するために必要な事項である「フォトレジスト層の下に配置された層」に関し、「前記フォトレジスト層の下に配置された層は、ポリシリコン層、非晶質シリコン層および金属層のうち少なくとも１つを含む」との要件を加える補正。
（ii）補正前の請求項１０に記載された「ゲート幅の均一性」を、「ゲート幅」とする補正。
（iii）補正前の請求項１、８に記載された「トリミングするステップ」を「垂直方向及び水平方向についてトリミングするステップ」とする補正。
　
２．１　新規事項追加について　
　上記補正事項（ｉ）について、請求人は、願書に最初に添付した明細書【００１７】の、「ポリシリコン層４０は、ポリシリコンアモルファス・シリコン、金属あるいはこれらの材料の積層構造であって、典型的には２００ｎｍ以下の範囲の厚さを有する。」（「ポリシリコン」「アモルファス・シリコン」との間には本来「、」を有するものの誤記であると認める。）との記載が根拠である旨述べている。
　しかしながら、この記載は「ポリシリコン層４０」の説明であって、「フォトレジスト層の下に配置された層」が「ポリシリコン層」を形成しない、「非晶質シリコン層」、「金属層」を含むことを意味しない。
　よって、この補正事項（ｉ）に係る補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
　これに対し、請求人は、回答書では、願書に最初に添付した明細書【００１７】の「ポリシリコン層４０」とあるが、ポリシリコンにより構成されているということを示すものではなく、「層４０」という層を表す意味を有するにすぎない旨主張しているが、この主張には首肯できない。
　そもそも、願書に最初に添付した明細書の【００１１】に記載されているように、「７０ｎｍ未満のゲート幅を有するトランジスタの製造方法」としては、「フォトレジスト層の下に配置されたポリシリコン層をエッチングすることを含む」とあり、「フォトレジスト層の下に配置された」層が「ポリシリコン層」であることを前提として記載されたものであるのは明らかである。
　
　次に、上記補正事項（ii）について、「ゲート幅の均一性」を、「ゲート幅」に補正することにより、請求項１０に係る発明を「ゲート幅は、３ｎｍのセグメント上で４から６ｎｍである」との内容を含むものとしたが、この点は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内ではない。
　請求の理由にて、「ゲート幅の均一性」の定義が不明確であるという拒絶査定時の指摘に対し、明確にする補正である旨述べているが、上記のとおり、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内ではないし、何ら明確になったわけでもない。
　
　これに対し、請求人は回答書では、「ゲート幅」は、「均一性」に関するものであり、「ゲート幅」そのものに関するものではないことは明らかである旨述べているが、「ゲート幅の均一性」であったものを、「ゲート幅」に変更したものであるから、「明確にする」との請求の理由に記載された、補正の趣旨に整合しない。
　
　よって、この補正事項（ii）は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
２．２　独立特許要件について　　
　そして、補正事項（iii）に関しては、補正前の請求項１に記載された「トリミングするステップ」を「垂直方向及び水平方向についてトリミングするステップ」に限定したものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 
　そこで、請求項８、１０に関する補正については、上記２．１に記載したとおりであるものの、請求項１に関する補正について、特許請求の範囲の減縮のみを目的とする補正に該当するから、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについても以下に検討しておく。
　　　  
２．２．１　引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された特開平８−４５９０６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。） 
　　  
1a．「【請求項７】
半導体基板上にパターンを形成する工程を備える半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に、フォトリソグラフィー手段によりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンにイオン注入を行う工程と、
酸素ラジカルによるエッチングを主とする反応で前記レジストパターンをエッチングする工程と、
前記イオン注入工程により形成されたレジストパターンの上部変質層を除去する工程を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
　
1b．「【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィー手段を利用して各種パターンを形成する分野においては、パターンの寸法の微細化・集積化がますます進行している。例えば、半導体装置については、その設計ルールの微細化に伴って、各パターンの寸法も小さくなってきている。
【０００３】ところが、微細化の程度はフォトリソグラフィー技術の解像度にかかっており、フォトリソグラフィー法による形成が可能な寸法が、微細加工の限界となっている。
【０００４】最近、露光光源にｉ線や、更に短波長のエキシマレーザー等を用いた露光方法が提案されてきているが、その露光技術を用いても、これ迄の手法では、単独配線で０．２μｍ幅が限界に近くなっている。
【０００５】見かけ上解像度を向上する手法として、多層レジスト方法が知られている。この方法は、厚い有機膜上に薄い無機膜を形成し、無機膜上にエキシマーリソグラフィー法等で微細パターンを形成し、この微細パターンをマスクに薄い無機膜をエッチングし、その後、薄い無機膜をマスクに酸素を含有するガス系にて、厚い有機膜を異方性エッチングし、見かけ上アスペクト比の高いパターンを形成するものである。
【０００６】・・・（省略）・・・
【０００７】従来の方法を利用した手法の一つとして、従来のフォトリソグラフィー方法によりパターンを形成した後、酸素を含有してなるガス系を用いダウンフロータイプのアッシング装置にてパターン全体を等方向に細らせることが考えられる。これを図３及び図４にその概略を示した。パターン形成すべき基板１上に、従来知られているフォトリソグラフィー方法によって、レジストパターン２を形成する（図３）。その後、荷電粒子が反応に寄与しないようなダウンフロータイプの処理装置を用い、酸素ガスの放電によって酸素ラジカルを供給する。すると、酸素ラジカルの反応によって、レジストパターン２は等方的にエッチングされ、パターンが細り、図４に符号２′で示すようにフォトリソグラフィー法での限界解像度以上の細いマスクパターンを形成することが可能となる。」
　
1c．「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述の多層レジスト法を利用すれば、簡単にアスペクト比は向上し、下地段差に依らず、高精度のパターンが形成可能である。ところが、多層レジスト法では、パターンの幅を決定する上部のパターンは現行のリソグラフィー方法を利用することが前提になっているため、形成可能な最小寸法は上部のパターンを形成するリソグラフィー方法の解像度によって決まってしまい、解像度を上回るような、微細パターンの形成は不可能であった。
【０００９】また、前述の酸素ラジカルによるレジストパターンの等方的なエッチング方法（図３及び図４参照）においては、限界解像度以上の細い配線パターンの形成は可能であるが、縦（図の上下方向）方向の膜厚も減少し、
このパターンをマスクとして下部材料をエッチングする際、マスクとしての機能
【００１０】本発明は、上記した問題点を解決し、現行のリソグラフィー方法を用いながら、限界解像度以上の微細パターンを良好に形成することが可能なパターン形成方法及び該パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」 
　 
1d．「【００２２】
【作用】本発明の作用について、後記詳述する本発明の一実施例を示す図１及び図２の例示を用いて説明すると、次のとおりである。
本発明においては、フォトリソグラフィー手段によるレジストパターン形成後、レジストパターンにイオン注入を行うが、これにより、図１（ａ）に示すように、レジストパターン２の上部に変質層３が形成される。この変質層３は、レジストにイオン注入が行われたことで、レジスト材料中の分子結合が変化し、この部分の酸素ラジカルとの反応性が著しく低下する。即ち、酸素含有プラズマによっては除去され難い、酸素プラズマに対する硬化層となる。
これによって、図２に示すように、当初のレジストパターン２より更に微細かつ縦方向ではレジスト減りの生じていないレジストパターン２ａが得られるのである
　
1e．「【００２７】実施例１
本発明の第１の実施例を図１（ａ）（ｂ）及び図２に基づいて説明する。この実施例は、本発明を、被エッチング基体１である半導体基板上にレジストマスクを形成して、これを用いてパターン形成する場合に適用したものである。
【００２８】本発明は、基板１上にパターンを形成するに際して、基板１上に、フォトリソグラフィー手段によりレジストパターン２を形成する工程と、このレジストパターン２にイオン注入を行う工程を行って、図１（ａ）の構造とし、引き続き、酸素を含有するプラズマ反応で前記レジストパターン２をエッチングする工程によって図１（ｂ）の構造とし、前記イオン注入工程により形成されたレジストパターン２の上部変質層３を除去する工程を備えて、図２に示す微細なレジストパターン２ａを得るものであり、このレジストパターン２ａを用いて所望のパターン形成を行う。
【００２９】本実施例では、酸素を含有するプラズマ反応でレジストパターンをエッチングする工程を、酸素ラジカル反応のみを利用したエッチング手段によるエッチングにより行った。具体的には、ダウンフロータイプのプラズマエッチング装置を用いた。
【００３０】また、本実施例では、レジストパターンの上部変質層３（硬化層）を除去する工程においては、少なくとも酸素を構成原子として含有するガス系を利用した。具体的には、酸素ガスを用いた。
【００３１】更に詳しくは、まず本発明のパターン形成方法を適応して、被エッチング基体１である半導体基板上に、従来知られているフォトリソグラフィー方法によって、レジストパターン２を形成する。その後、Ａｒ+ （アルゴンイオン）をイオン注入装置によって、エネルギー２５ｋｅＶで、１×１０13ケ／ｃｍ2 、全面にイオン注入する。この時レジストパターン２の上部と、基板１のレジストに覆われていない部分にＡｒが導入される。この入射エネルギーよって、レジスト材料が変質し、表面層に約３０ｎｍの範囲で変質層３が形成される（図１（ａ））。
【００３２】その後、荷電粒子が反応に寄与しないようなダウンフロータイプの処理装置を用い、酸素ガスの放電によって酸素ラジカルを供給し、エッチングを行う。レジストへのイオン注入で形成された変質層３は、酸素ラジカルに対する硬化層をなし、酸素ラジカルに対して安定で殆どエッチングされない。一方、変質層３が形成されていないレジストパターン２の側壁部でレジストと酸素ラジカルが反応し、エッチングされる（図１（ｂ））。
【００３３】その後、ＲＩＥ装置等、酸素イオンが反応に寄与する装置にて、レジストパターンを異方性エッチングする。変質層３（硬化層）は酸素イオンでスパッタされるとともに、酸素との反応で除去され、変質（酸素ラジカルに対して硬化）していない部分が露出する。
【００３４】本実施例によれば、レジストパターン２の上部が変質層３で覆われているため、等方向にレジストをエッチングしても、図１（ｂ）に示すようにパターンが細る方向でのみエッチングが進行し、レジストの縦方向のエッチングは進行しない。従って最終的には、パターンの縦方向の減少は無く、リソグラフィーの限界以上の細いパターンが形成可能となる。
【００３５】本実施例によりもたらされる代表的な効果は、下記のとおりである。
（１）フォトリソグラフィー法による限界解像度以上の微細パターン（図２のレジストパターン２ａ参照）が、従来技術の延長で、即ち現行のフォトリソグラフィー技術を用いながら、形成可能になるという効果がある。
（２）また、被エッチング面に予めイオン注入を行うことになり、レジストパターンを用いて下部材料をエッチングする際、エッチング速度が増大し、処理速度が増大する効果がある。」（［審決注］（１）、（２）は原文では丸付き数字１、２である。）
　
1f．「【図１】本発明の実施例１の工程（１）（２）を示す概略断面図である。
」
　
1g．「【図２】本発明の実施例１の工程（３）を示す概略断面図である。
」
  
　
　これらの記載事項によると、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　
　「半導体基板上にパターンを形成する工程を備える半導体装置の製造方法において、
　半導体基板上に、フォトリソグラフィー手段によりレジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンにイオン注入を行いレジストパターンの上部に、レジスト材料中の分子結合が変化し、この部分の酸素ラジカルとの反応性が著しく低下した硬化層である上部変質層を形成する工程と、
　酸素ラジカルによるエッチングを主とする反応で前記レジストパターンを、側壁からエッチングする工程と、
　前記イオン注入工程により形成されたレジストパターンの上部変質層を除去する工程と、
　このパターンをマスクとして下部材料をエッチングする工程を備える、
半導体装置の製造方法。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された国際公開第００／７７５７７号（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　なお、訳文は、特表２００３−５０２６９８号公報による。（下線は当審で付した。） 
　
2a．「What is claimed is: 
1. A process for producing an etch resistant image which comprises:
(a)coating and drying a photosensitive composition onto a substrate, which photosensitive composition comprises
　(i)at least one water insoluble, acid decomposable polymer which
　is substantially transparent to ultraviolet radiation at 
　a wavelength of about 193 nm, 
　wherein said polymer is present in the photosensitive composition
　in an amount sufficient to form a uniform film of the composition 
　components when it is coated on a substrate and dried;
　(ii)at least one photosensitive compound capable of generating an 
　acid upon exposure to sufficient activating energy at a wavelength
　of about 193 nm, said photosensitive compound being present in an
　amount sufficient to substantially uniformly photosensitize the
　photosensitive composition;
(b)imagewise exposing the photosensitive composition to sufficient
activating energy at a wavelength of 193 nm to cause the
photosensitive compound to generate sufficient acid to decompose
the polymer in the imagewise exposed areas of the photosensitive
composition; 
(c)developing the photosensitive composition to thereby remove the
exposed nonimage areas and leaving the unexposed image areas of
the photosensitive composition;
(d)irradiating the image areas of the photosensitive composition to
sufficient electron beam radiation to thereby increase the
resistance of the photosensitive composition in the image areas to
an etchant.」
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
エッチング耐性イメージを形成するための方法であって
  （ａ）
　（ｉ）波長約１９３ｎｍの紫外線放射に対して実質的に透過性であり、基板上にコーティングされ乾燥した際に組成成分の均一な被膜を形成するのに十分な量で感光性組成物内に存在する、少なくとも１つの水不溶性である酸分解性ポリマーと、
　（ｉｉ）波長約１９３ｎｍの十分な活性エネルギーで露光されたとき酸を生成でき、感光性組成物を実質的に均一に感光するのに十分な量で存在する、少なくとも１つの感光性化合物と
  を含む感光性組成物を基板上でコーティングおよび乾燥させること、
（ｂ）波長約１９３ｎｍの十分な活性エネルギーで感光性組成物をイメージ通りに露光し、感光性組成物のイメージ通りに露光された領域内のポリマーを分解するのに十分な酸を感光性化合物に発生させること、
（ｃ）感光性組成物を現像し、それによって露光された非イメージ領域を除去して感光性組成物の未露光イメージ領域を残すこと、
（ｄ）
感光性組成物のイメージ領域を十分な電子線放射で照射し、それによってエッチャントに対するイメージ領域内の感光性組成物の耐性を高めること
  を含む方法。」（上記原文の翻訳）
　
　これらの記載事項によると、刊行物２には、以下の発明（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　
　「エッチング耐性イメージを形成するための方法であって、感光性組成物のイメージ領域を十分な電子線放射で照射し、それによってエッチャントに対するイメージ領域内の感光性組成物の耐性を高めることを含む方法。」
　
２．２．２　対比、判断  
　そこで、本件補正発明と刊行物１発明とを対比する。
　まず、刊行物１発明の「半導体基板上にパターンを形成する工程を備える半導体装置の製造方法において、半導体基板上に、フォトリソグラフィー手段によりレジストパターンを形成する工程」を含むこと、と、本件補正発明の「フォトレジスト層にトランジスタのゲートパターンを作るステップを含む、集積回路を形成する方法」とは、一般に集積回路は半導体装置に包含され、「トランジスタのゲートパターン」は半導体装置の構成といえるから、「フォトレジスト層に半導体装置の構成のパターンを作るステップを含む、半導体装置を形成する方法」である点で共通する。
　刊行物１発明の「前記レジストパターンにイオン注入を行いレジストパターンの上部に、レジスト材料中の分子結合が変化し、この部分の酸素ラジカルとの反応性が著しく低下した硬化層である上部変質層を形成する工程」と、本件補正発明の「前記トランジスタのゲートパターンを電子ビームで硬化させるステップ」とは、「前記半導体装置の構成のパターンを硬化させるステップ」である点で共通する。
　そして、刊行物１発明の「酸素ラジカルによるエッチングを主とする反応で前記レジストパターンを、側壁からエッチングする工程」と「前記イオン注入工程により形成されたレジストパターンの上部変質層を除去する工程を備えること」とは、前者が、本件補正発明における「パターン」を「垂直方向」「ついてトリミングするステップ」に、後者が、本件補正発明における「水平方向についてトリミングするステップ」に相当するものであるから、両者を併せたものと、本件補正発明の「前記硬化させたトランジスタのゲートパターンを垂直方向及び水平方向についてトリミングするステップ」とは、「前記硬化させた半導体装置の構成のパターンを垂直方向及び水平方向についてトリミングするステップ」である点で共通する。　　
　さらに、刊行物１発明の「このパターンをマスクとして下部材料をエッチングする工程」と、本件補正発明の「前記トリミングしたトランジスタのゲートパターンに従って前記フォトレジスト層の下に配置された少なくとも一つの層の一部をエッチングしてトランジスタゲートを作成するステップ」とは、「前記トリミングしたパターンに従って前記フォトレジスト層の下に配置された少なくとも一つの層の一部をエッチングして半導体装置の構成を作成するステップ」である点で共通する。
　　　　　　　　　　　　　 
　こうしたことから、本件補正発明と刊行物１発明とは、次の点で一致ないし相違する。
　 　
［一致点］ 
「フォトレジスト層に半導体装置の構成のパターンを作るステップを含む、半導体装置を形成する方法であって、
　前記半導体装置の構成のパターンを硬化させるステップと、
　前記硬化させた半導体装置の構成のパターンを垂直方向及び水平方向についてトリミングするステップと、
　前記トリミングしたパターンに従って前記フォトレジスト層の下に配置された少なくとも一つの層の一部をエッチングして半導体装置の構成を作成するステップ
とを含む、
方法。」
　 
［相違点１］　「フォトレジスト層に半導体装置の構成のパターンを作るステップを含む、半導体装置を形成する方法」に関して、
　本件補正発明は、「フォトレジスト層にトランジスタのゲートパターンを作るステップを含む、集積回路を形成する方法」に特定されており、それに伴い各ステップにおいても、「半導体装置の構成のパターン」は「トランジスタのゲートパターン」「半導体装置の構成」は「トランジスタゲート」のように特定され、かつ、「トランジスタゲートは、幅と長さを有して」いるとの特定があるのに対し、
　刊行物１発明は、そのような特定がない点。
　
［相違点２］　「パターンを硬化させるステップ」に関し、
　本件補正発明は、「電子線ビーム」により硬化させるのに対し、
　刊行物１発明では、「レジストパターンにイオン注入を行いレジストパターンの上部に、レジスト材料中の分子結合が変化し、この部分の酸素ラジカルとの反応性が著しく低下した硬化層である上部変質層を形成する」というように、「イオン注入」により硬化させる点。
　
［相違点３］　
　本件補正発明は、「前記硬化させるステップによって、前記トランジスタゲートの前記長さ方向に沿った前記幅の変化が少なくなる」のに対し、
　刊行物１発明では、そのような特定がない点。
　
（相違点１について）
　トランジスタゲートを含む集積回路も、トランジスタゲートをフォトレジストを利用して形成することが常套手段であって、トランジスタゲートが「幅と長さを有」するのも当然の構成である。
　フォトレジストをさらにトリミングして、より微細加工に対応した方法により、トランジスタゲートを形成することも、原査定に周知例として挙げられた、特開平０２−３０３０２２号公報、特開平０４−１２７５１８号公報、Wei W. Lee et al.、 FABRICATION OF 0.06μm POLY-Si GATE USING DUV LITHOGRAPHY WITH A DESIGNED SixOyNz FILM AS AN ARC AND HARDMASK,　1997 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers,10A-3, pp.131-132に記載されたとおり、周知である。
　　
　よって、刊行物１発明において、「半導体装置」を「トランジスタのゲートパターン」を有する「集積回路」として、「トランジスタゲート」を形成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　　
（相違点２について）
　刊行物１発明では、レジストパターンの硬化を手段をイオン注入により行っているが、その目的は、レジストパターンの垂直方向でのエッチングに対する耐性を上げることにより、エッチングによるトリミングの際、微細で縦方向（垂直方向）ではレジスト減りを抑制する（上記1c、1d）というものであって、本件補正発明の目的と共通するものである。
　 
　一方、刊行物２発明の「エッチング耐性イメージを形成するための方法であって、感光性組成物のイメージ領域を十分な電子線放射で照射し、それによってエッチャントに対するイメージ領域内の感光性組成物の耐性を高めることを含む方法」は、同じく、フォトレジストのパターンにより微細加工を行う技術において、感光性組成物のイメージ領域、すなわち、フォトレジスト層に形成されたパターン、を、電子ビームで硬化することにより、エッチングに対する耐性を向上させる方法である。
　　
　よって、刊行物１発明において、イオン注入による硬化に換えて、同様に、エッチングに対する耐性を上げる手段として知られた、刊行物２に記載された電子ビームによる硬化を採用することに格別の困難性は認められない。
　そして、その作用効果も、刊行物１および２により、予測される総和からみて、格別顕著であるとは認められない。
　　　
（相違点３について） 
　「前記硬化させるステップによって、前記トランジスタゲートの前記長さ方向に沿った前記幅の変化が少なくなる」点は、電子ビームによる硬化を適用したことによる、作用効果を記載したものである。
　相違点２で検討した、電子ビームによる硬化を適用したことによって、自ずと得られる作用効果であるから、構成上の差異ではない。
　電子ビームよる硬化には、一般にパターン全体の収縮および側壁のエッチングレートの低下も伴うから、「長さ方向に沿った前記幅の変化が少なくなる」作用効果もある程度予測しうる程度のことである。
　そして、本件補正発明の明細書の内容からみて、「長さ方向に沿った前記幅の変化が少なくなる」点について、格別顕著な作用効果は認められない。
　
　よって、刊行物１発明において、「半導体装置」を「トランジスタのゲートパターン」を有する「集積回路」として、「トランジスタゲート」を形成するように特定した上で、硬化手段を、イオン注入に替えて電子線ビームとなすことにより、本件補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　そして、それらの点を併せて採用したことによる作用効果も、刊行物１および２ならびに周知慣用技術により、予測される総和からみて、格別顕著であるとは認められない。
　
　　
（請求人の進歩性に関する主張について）
　請求人は、回答書において、次のように述べ、刊行物１、２に記載された発明を組み合わせることが困難である旨主張している。
　
「　引用文献１において、変質層を除去することが開示されており、これが請求項１および出願時明細書の段落［００２２］の記載の内容に近い内容を開示することについては特に争いません。 
　しかしながら、引用文献１記載の発明におけるイオン注入に換えて、引用文献２に記載された電子線放射で照射する発明を採用することは、当業者が容易に想到しうることであるとはいえません。なぜなら、電子線放射とイオン注入は、引用文献１の課題を解決するという観点から同等のものということはできず、また、引用文献２の課題は引用文献１の課題と異なるためです。 
　引用文献１では、アッシングにおける酸素ラジカルによるトリミングに備えるためにフォトレジストを露出させています。つまり、アッシングの際に、酸素ラジカルに対するフォトレジストの抵抗が大きくなることは望ましくなく、そのために引用文献１の発明では変質層が除去されるようになっています。しかし、引用文献２では、フォトレジストのエッチングに対する抵抗を高めるために、フォトレジストの安定性を向上させる等、フォトレジストに電子線放射を照射する方法が開示されています。フォトレジストの安定性の向上と酸素ラジカルによるアッシングの向上とは相反するものです。したがって、引用文献２記載の電子線放射の技術を、引用文献１の酸素ラジカルのトリミングによるアッシングを促進するという課題の解決に採用することは、当業者が容易に想到できるとはいえません。審査官殿は、電子線放射が酸素ラジカルによるアッシングに対する抵抗を向上させると述べておられますが、酸素ラジカルによるアッシングに対する抵抗の向上は引用文献１においては求められておらず、そのため、引用文献１では変質層が除去されるようになっています。 
　したがって、引用文献１記載の発明に引用文献２に記載の発明を組合わせることには明らかな阻害要件があるので、引用文献１記載の発明に引用文献２に記載の発明を組合わせることにより、請求項１記載の発明をなすことはできません。 」
　
　ここで、上記記載中の「アッシング」について、刊行物１には上記1b．【０００７】に
「酸素を含有してなるガス系を用いダウンフロータイプのアッシング装置にてパターン全体を等方向に細らせる」との記載はあるが、「アッシング」自体はいわゆる灰化処置に対する言葉であって、刊行物１では、その工程を「エッチング」と表現しているので、「エッチング」と記載すべきであったものと認められる。
　これを勘案して、請求人は、水平方向において、フォトレジストのエッチングに対する抵抗を上げることは刊行物１発明において求められていない、ということを主張していると認められる。
　
　この主張について検討する。
　確かに、パターンを細らせる目的において、刊行物１発明は、水平方向のエッチングレートを、低下させる思想はない。
　しかしながら、上記1c．に示されるように、刊行物１発明は、エッチングによってパターンを細らせる（トリミング）の際、縦方向も減少してしまう問題を解決する思想のもとに行われた発明である。この思想の下において、縦方向がエッチングされにくくするためのイオン注入の技術に換えて、横方向に対し縦方向がよりエッチングされにくいとなる技術であれば、それを採用することに、なんら「明らかな阻害要因」は認められない。
　刊行物２には、格別横方向に対し縦方向がよりエッチングされにくいものである点は明記されていないとはいえ、電子線照射は全面的に行われており、垂直方向上方から照射され、通常、上部がより硬化されるのは明らかである。
　また、電子ビームによる後処理で硬化させることは、よく知られたことであり、例えば、特開平２−２５２２３３号公報の特許請求の範囲、特開２０００−２２１６９９号公報【０００３】【００１１】に記載されている周知の事項である。
　その硬化の程度は電子線の線量等により調整すべきことである。
　そして、刊行物１発明の、エッチングによってパターンを細らせる（トリミング）の際、縦方向も減少してしまう問題を解決する思想の下において、縦方向がエッチングされにくくするためのイオン注入の技術に換えて、電子ビームによる後処理で硬化させることにより、水平方向に比べて垂直方向が低いエッチングレートでエッチングされることによる、格別顕著な作用効果は認められない。
　　
２．２．３　独立特許要件のまとめ
　したがって、本件補正発明は、刊行物１および２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
３．補正の適否の判断のむすび 
　以上、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　または、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　
第３．本願発明について  
１．本願発明  
　平成２１年７月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１０に係る発明は、平成２１年１月１４日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明は次のとおりのものと認める。  
　 
「　フォトレジスト層にトランジスタのゲートパターンを作るステップを含む、集積回路を形成する方法であって、
　前記トランジスタのゲートパターンを電子ビームで硬化させるステップと、
　前記硬化させたトランジスタのゲートパターンをトリミングするステップと、
　前記トリミングしたトランジスタのゲートパターンに従って前記フォトレジスト層の下に配置された少なくとも一つの層の一部をエッチングしてトランジスタゲートを作成するステップとを含み、
　前記トランジスタゲートは、幅と長さを有しており、
　前記硬化させるステップによって、前記トランジスタゲートの前記長さ方向に沿った前記幅の変化が少なくなる、方法。」
　 
２．引用例  
　原査定の拒絶の理由に引用文献１、２として引用された引用された特開平８−４５９０６号公報（「刊行物１」）、および国際公開第０１／７７５７７号（「刊行物２」）には、上記「第２．　２．２．１」に示したとおりの事項が記載されている。
　
３．対比、判断 
　本願の請求項１に係る発明は、上記「第２．　１．」欄に示した本件補正発明における、「トリミングするステップ」を「垂直方向及び水平方向についてトリミングするステップ」とする限定を含まないものである。  
　 
　そうすると、本願の請求項１に係る発明の特定事項を全て含み、さらに限定を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２．　２．２」欄〜「第２．　２．２．３」に記載したとおり、刊行物１および２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願の請求項１に係る発明も、同様の理由により、刊行物１および２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
４．むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、刊行物１および２に記載された発明および周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。