Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月14日(2012.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記中足骨支持板は、後部から前部にかけて次第に肉厚が厚くなるように形成されており、中足骨支持板の前端縁と中底の上面との間には段差が生じ、中足骨支持板の後端縁と中底の上面との間は連続している請求項１に記載されたヒール付きの靴。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記踵支持板と中足骨支持板は中底の上面に、前記当て板は敷き革の下面に、それぞれ貼着されている請求項１に記載されたヒール付きの靴。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波プローブと、
前記超音波プローブを介して被検体に超音波を送信する送信部と、
前記被検体により反射された超音波を前記超音波プローブを介して受信し、エコー信号を発生する受信部と、
前記超音波プローブを介して超音波送受信を繰り返すために、前記送信部と前記受信部とを制御する制御部と、
前記繰り返される超音波送受信のための送受信条件を、ユーザからの指示に従って調整する調整部と、
前記エコー信号を補正するためのゲインを前記調整された送受信条件に従って自動的に、または、ユーザからの指示に従って設定する設定部と、
前記設定部による自動的なゲイン設定の動作の停止中において前記調整部によって前記送受信条件が調整された場合、ユーザからの指示に従って前記設定部により設定されたゲインで前記エコー信号を補正する補正部と、
前記補正されたエコー信号に基づいて超音波画像のデータを生成する生成部と、
を具備する超音波診断装置。
【請求項２】
切替え部をさらに備え、
前記設定部は、前記調整された送受信条件に従って前記エコー信号を補正するための第１のゲインを設定する自動設定部と、ユーザからの指示に従って前記エコー信号を補正するための第２のゲインを設定するマニュアル設定部と、を有し、
前記切替え部は、前記自動設定部の動作の起動と停止とを切替え、
前記補正部は、前記第１のゲイン又は前記第２のゲインで前記エコー信号を補正する補正部であり、前記自動設定部の動作が停止されている期間において前記調整部により前記送受信条件が調整された場合、前記第２のゲインで前記エコー信号を補正する、
請求項１記載の超音波診断装置。
【請求項３】
前記切替え部は、前記マニュアル設定部により前記第２のゲインが設定された場合、前記自動設定部の動作を停止する、請求項２記載の超音波診断装置。
【請求項４】
前記切替え部は、前記マニュアル設定部により前記第２のゲインが設定され、且つ、前記調整部により前記スキャン条件に関する複数の項目のうちの特定の項目が調整された場合、前記自動設定部の動作を停止する、請求項２記載の超音波診断装置。
【請求項５】
前記特定の項目を、ユーザからの指示に従って設定する項目設定部をさらに備える、請求項４記載の超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１局面に係る超音波診断装置は、超音波プローブと、前記超音波プローブを介して被検体に超音波を送信する送信部と、前記被検体により反射された超音波を前記超音波プローブを介して受信し、エコー信号を発生する受信部と、前記超音波プローブを介して超音波送受信を繰り返すために、前記送信部と前記受信部とを制御する制御部と、前記繰り返される超音波送受信のための送受信条件を、ユーザからの指示に従って調整する調整部と、前記エコー信号を補正するためのゲインを前記調整された送受信条件に従って自動的に、または、ユーザからの指示に従って設定する設定部と、前記設定部による自動的なゲイン設定の動作の停止中において前記調整部によって前記送受信条件が調整された場合、ユーザからの指示に従って前記設定部により設定されたゲインで前記エコー信号を補正する補正部と、前記補正されたエコー信号に基づいて超音波画像のデータを生成する生成部と、を具備する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察部位に挿入される挿入部の先端部内に設けられた撮像素子と、
前記挿入部における湾曲部内に設けられ、一端が前記撮像素子と電気的に接続された第１導体と、
前記挿入部内に挿通され前記第１導体の他端に電気的に接続された、前記第１導体よりも大径な第２導体と、
前記挿入部において、前記湾曲部の基端側に可撓性を有する可撓管部が設けられているとともに、前記可撓管部は、連結部材を介して前記湾曲部に連結されており、
前記連結部材内において、前記第１導体に対し前記第２導体が電気的に接続されていることを特徴とする内視鏡。
【請求項２】
前記第２導体は、前記第１導体に対し、回路基板を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
【請求項３】
前記回路基板に、バッファ回路と波形整形回路との少なくとも一方が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の内視鏡。
【請求項４】
前記第１導体及び前記第２導体は、画像処理部から送信された前記固体撮像素子を駆動するための信号を、前記固体撮像素子に伝送するものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の内視鏡。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の内視鏡と、
前記内視鏡が着脱自在な装置本体と、
を具備したことを特徴とする内視鏡装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため本発明による内視鏡は、観察部位に挿入される挿入部の先端部内に設けられた撮像素子と、前記挿入部における湾曲部内に設けられ、一端が前記撮像素子と電気的に接続された第１導体と、前記挿入部内に挿通され前記第１導体の他端に電気的に接続された、前記第１導体よりも大径な第２導体と、前記挿入部において、前記湾曲部の基端側に可撓性を有する可撓管部が設けられているとともに、前記可撓管部は、連結部材を介して前記湾曲部に連結されており、前記連結部材内において、前記第１導体に対し前記第２導体が電気的に接続されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーを含有するケイ酸カルシウム系骨用セメントを製造する方法であって、
（ａ）カルシウム塩をケイ素化合物と混合する工程であって、前記カルシウム塩が、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、酢酸カルシウム、および塩化カルシウムからなる群より選択され、前記ケイ素化合物が、二酸化ケイ素および四酢酸ケイ素からなる群より選択されるものである工程；
（ｂ）工程（ａ）の混合物をゾルゲル法で処理する工程；
（ｃ）工程（ｂ）の混合物を加熱する工程；
（ｄ）工程（ｃ）の混合物に、塑性を増すために、総質量に対して２〜３０質量％の範囲でゼラチンを添加する工程；
（ｅ）工程（ｄ）の混合物を粉末に粉砕する工程；および
（ｆ）前記粉末を水またはリン酸溶液に添加する工程、
を有してなる方法。
【請求項２】
前記混合物が、１０から０．１に及ぶカルシウムのケイ素に対するモル比を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ゾルゲル法が、
（ｉ）前記工程（ａ）からの混合物を、エタノールおよび硝酸からなる群より選択される希釈溶媒と１〜１２時間に亘り混合し、
（ｉｉ）前記混合物を１〜７日間に亘り２０〜１００℃の温度に配置し、
（ｉｉｉ）前記混合物を−４０〜１５０℃で乾燥させる、
各工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記加熱工程が、
（ｉ）前記工程（ｂ）からの混合物を１〜４０℃／分の速度で７００〜１３００℃に加熱し、
（ｉｉ）前記混合物を７００〜１３００℃の定温範囲に維持し、
（ｉｉｉ）前記混合物を、空冷、水冷または高速冷却技法によって室温まで冷却して、ケイ酸カルシウム粉末を得る、
各工程を含むことを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記粉砕工程が、
（ｉ）前記ゼラチンを含有する前記ケイ酸カルシウム粉末をアルコールと混合し、
（ｉｉ）前記粉末をボールミル粉砕機で０．５〜３日間に亘り粉砕し、
（ｉｉｉ）前記粉末を−４０〜６０℃で乾燥させる、
各工程を含むことを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記粉末の水またはリン酸溶液に対する比が、１ｇ／０．３〜２ｍｌであることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記リン酸溶液が、リン酸イオン（ＰＯ43-）、リン酸水素イオン（ＨＰＯ42-）またはリン酸二水素イオン（Ｈ2ＰＯ4-）から選択される陰イオンを含有することを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記リン酸溶液が、アンモニウム、またはＩＡ族の元素から選択される陽イオンを含有することを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の方法。
【請求項９】
ポリマーを含有するリン酸カルシウム骨用セメントのための組成物であって、
（ａ）酸化カルシウム、水酸化カルシウム、酢酸カルシウム、および塩化カルシウムからなる群より選択されるカルシウム塩、
（ｂ）二酸化ケイ素および四酢酸ケイ素からなる群より選択されるケイ素化合物、
（ｃ）総質量に対して２〜３０質量％の範囲のゼラチン、および
（ｄ）薬理学的に許容される溶液、
を含むことを特徴とする組成物。
【請求項１０】
前記薬理学的に許容される溶液が、水、塩化ナトリウム溶液、塩化カルシウム溶液またはリン酸溶液であることを特徴とする請求項９記載の組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
受信基地局において、大きな受信信号レベルを達成するために、無線デバイスは、１又は複数の指定された送信信号経路の動作を制御する。この指定された送信信号経路の制御は、通常は、電力制御のために基地局から受信されるＴＰＣコマンドに応答して無線デバイスによって実施される利得又は送信電力調節に加えて行われる。例えば、無線デバイスは、基地局からのフィードバックに何ら頼ることなく、指定された送信信号経路を自立的に制御する。無線デバイスはまた、受信したＴＰＣコマンドに基づいて、この指定された送信信号経路を制御しうる。自立的制御及びフィードバックベース制御との両方のために、無線デバイスは、各送信信号経路を選択的にイネーブル及びディセーブルし、各送信信号経路の位相及び／又は利得等を変えること等を行う。何れの場合であれ、指定された送信信号経路の動作変化による基地局におけるより大きな受信信号レベルによって、無線デバイスは、平均して、低い送信電力レベルで送信できるようになる。これは、無線デバイスの消費電力を低減し、通話時間を長くする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して画像信号を生成する撮像手段と、
前記撮像手段によって生成された画像信号から人物の顔領域を検出する顔検出手段と、
撮像装置本体の傾きを検出する傾き検出手段と、
前記顔検出手段による検出結果と前記傾き検出手段による検出結果とに基づいて、前記人物の胴体領域を検出する胴体検出手段と、
前記顔検出手段によって検出された顔領域と前記胴体検出手段によって検出された胴体領域とが高画質になるよう量子化処理における量子化ステップサイズを調節して前記画像信号を符号化する符号化手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記符号化手段は、前記顔検出手段によって検出された顔領域と、前記胴体検出手段によって検出された胴体領域とに対して、量子化ステップサイズを他の領域よりも相対的に小さくすることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記胴体検出手段は、前記傾き検出手段によって検出された傾きのうち、水平面に対する前後の傾きが所定の範囲内である場合は、前記顔検出手段によって検出された顔領域を基点として重力方向の領域を胴体領域と決定し、水平面に対する前後の傾きが所定の範囲を越えた場合は、前記顔領域を基点として、顔の傾き方向と平行な領域を胴体領域と決定することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記胴体検出手段は、前記顔検出手段によって検出された顔領域の大きさに応じて胴体領域の大きさを決定することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
被写体を撮像して画像信号を生成する撮像工程と、
前記撮像工程において生成された画像信号から人物の顔領域を検出する顔検出工程と、
撮像装置本体の傾きを検出する傾き検出工程と、
前記顔検出工程における検出結果と前記傾き検出工程における検出結果とに基づいて、前記人物の胴体領域を検出する胴体検出工程と、
前記顔検出工程において検出された顔領域と前記胴体検出工程において検出された胴体領域とが高画質になるよう量子化処理における量子化ステップサイズを調節して前記画像信号を符号化する符号化工程とを有することを特徴とする撮像方法。
【請求項６】
被写体を撮像して画像信号を生成する撮像工程と、
前記撮像工程において生成された画像信号から人物の顔領域を検出する顔検出工程と、
撮像装置本体の傾きを検出する傾き検出工程と、
前記顔検出工程における検出結果と前記傾き検出工程における検出結果とに基づいて、前記人物の胴体領域を検出する胴体検出工程と、
前記顔検出工程において検出された顔領域と前記胴体検出工程において検出された胴体領域とが高画質になるよう量子化処理における量子化ステップサイズを調節して前記画像信号を符号化する符号化工程とをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項７】
被写体を撮像して画像信号を生成する撮像手段と、
前記撮像手段によって生成された画像信号から人物の顔領域を検出する顔検出手段と、
撮像装置本体に対する重力方向を検出する重力センサーと、
前記顔検出手段による検出結果と前記重力センサーによる検出結果とに基づいて、前記人物の胴体領域を検出する胴体検出手段と、
前記顔検出手段によって検出された顔領域と前記胴体検出手段によって検出された胴体領域とが高画質になるよう量子化処理における量子化ステップサイズを調節して前記画像信号を符号化する符号化手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
前記符号化手段は、前記顔検出手段によって検出された顔領域と、前記胴体検出手段によって検出された胴体領域とに対して、量子化ステップサイズを他の領域よりも相対的に小さくすることを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記胴体検出手段は、前記重力センサーによる検出結果に基づいて前記撮像装置本体の傾きを判定し、水平面に対する前後の傾きが所定の範囲内である場合は、前記顔検出手段によって検出された顔領域を基点として重力方向の領域を胴体領域と決定し、水平面に対する前後の傾きが所定の範囲を越えた場合は、前記顔領域を基点として、顔の傾き方向と平行な領域を胴体領域と決定することを特徴とする請求項７または８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記胴体検出手段は、前記顔検出手段によって検出された顔領域の大きさに応じて胴体領域の大きさを決定することを特徴とする請求項７乃至９の何れか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４チャンネル以上の入力色情報を取得する取得手段と、
前記入力色情報を、各チャンネルの分光感度に基づいて分光分布データに変換する、第１の変換手段と、
前記分光分布データから、等色関数に基づく３チャンネルの基本色情報と、前記基本色情報とは分光感度特性が異なる１チャンネル以上の追加色情報とを求める、第２の変換手段と、
前記基本色情報が示す色を出力装置の色域内にマッピングすることにより、該基本色情報を補正する補正手段と、
前記補正前の基本色情報と前記追加色情報とから、前記補正後の基本色情報との演算を行って前記補正後の基本色情報に対応する補正後の追加色情報を求めるためのマトリクスを、決定する第１の決定手段と、
前記補正後の前記基本色情報と、前記マトリクスとの演算を行い、前記補正後の追加色情報を求める第２の決定手段と、
前記補正後の基本色情報と、前記補正後の追加色情報とから、前記出力装置に送る印刷色情報を生成する生成手段とを備えることを特徴とする、画像処理装置。
【請求項２】
前記第１の決定手段は、
前記補正前の基本色情報と、マトリクス候補のそれぞれとの演算を行い、複数の推定色情報を求める推定手段と、
前記追加色情報と前記推定色情報の誤差を最小にするマトリクス候補を、前記マトリクスとして決定する第３の決定手段とを備えることを特徴とする、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記取得手段は、画像情報の画素ごとに前記入力色情報を取得し、
前記第１の決定手段は、各画素における前記補正前の追加色情報と前記補正後の追加色情報の誤差の和を最小にする前記マトリクスを決定することを特徴とする、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記取得手段は、画像情報が表す画像の画素ごとに前記入力色情報を取得し、
前記第１の決定手段は、前記画像情報が表す画像を複数の領域に分割した領域ごとに、各画素における前記補正前の追加色情報と前記補正後の追加色情報の誤差の和を最小にする前記マトリクスを決定し、
前記第２の決定手段は、前記領域ごとに、前記決定されたマトリクスを使用して前記補正後の追加色情報を求めることを特徴とする、請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記補正手段は、
前記基本色情報が示す色の明度、彩度、色相角を求める手段と、
前記出力装置が出力可能な最大明度と最小明度との間に、前記明度のマッピング点を決定する手段と、
前記色相角を、前記色相角において前記出力装置が出力可能な彩度より高い彩度の出力が可能な、所定の色相角範囲の色相角にシフトする手段と、
前記シフト後の色相角について、前記出力装置が出力可能な彩度が最大になる明度を判定する手段と、
前記マッピング点が前記判定した明度以下の場合は、前記明度、前記シフト後の色相角、前記彩度が示す色を、前記色と前記マッピング点を結ぶ線分上、かつ、前記出力装置の色域内にマッピングし、前記マッピング点が前記判定した明度を超過する場合は、前記明度、前記シフト後の色相角、前記彩度が示す色を、前記色と前記判定した明度を結ぶ線分上、かつ、前記出力装置の色域内にマッピングする手段と、
を備えることを特徴とする、請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
４チャンネル以上の入力色情報を取得する取得工程と、
前記入力色情報を、各チャンネルの分光感度に基づいて分光分布データに変換する、第１の変換工程と、
前記分光分布データから、等色関数に基づく３チャンネルの基本色情報と、前記基本色情報とは分光感度特性が異なる１チャンネル以上の追加色情報とを求める、第２の変換工程と、
前記基本色情報が示す色を出力装置の色域内にマッピングすることにより、該基本色情報を補正する補正工程と、
前記補正前の基本色情報と前記追加色情報とから、前記補正後の基本色情報との演算を行って前記補正後の基本色情報に対応する補正後の追加色情報を求めるためのマトリクスを、決定する第１の決定工程と、
前記補正後の前記基本色情報と、前記マトリクスとの演算を行い、前記補正後の追加色情報を求める第２の決定工程と、
前記補正後の基本色情報と、前記補正後の追加色情報とから、前記出力装置に送る印刷色情報を生成する生成工程とを備えることを特徴とする、画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置が有する各手段として機能させるための、コンピュータプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の画像処理装置は以下の構成を備える。すなわち、
４チャンネル以上の入力色情報を取得する取得手段と、
前記入力色情報を、各チャンネルの分光感度に基づいて分光分布データに変換する、第１の変換手段と、
前記分光分布データから、等色関数に基づく３チャンネルの基本色情報と、前記基本色情報とは分光感度特性が異なる１チャンネル以上の追加色情報とを求める、第２の変換手段と、
前記基本色情報が示す色を出力装置の色域内にマッピングすることにより、該基本色情報を補正する補正手段と、
前記補正前の基本色情報と前記追加色情報とから、前記補正後の基本色情報との演算を行って前記補正後の基本色情報に対応する補正後の追加色情報を求めるためのマトリクスを、決定する第１の決定手段と、
前記補正後の前記基本色情報と、前記マトリクスとの演算を行い、前記補正後の追加色情報を求める第２の決定手段と、
前記補正後の基本色情報と、前記補正後の追加色情報とから、前記出力装置に送る印刷色情報を生成する生成手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
撮影範囲の変更指示を入力する入力手段を備え、
前記制御手段は、前記入力手段による入力に基づいて前記複数の平面画像のうちの撮影範囲の最も狭い画像を撮影する撮像手段のズームポジションを変更するように前記レンズ移動手段を制御し、
前記表示制御手段は、前記ズームポジションの変更に応じて前記表示手段に表示された画像を変更するとともに、前記撮影範囲を示す枠の大きさを変更することを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は８に記載の複眼撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項１０に記載の複眼撮像装置は、請求項１、２、３、４、５、６又は８に記載の複眼撮像装置において、撮影範囲の変更指示を入力する入力手段を備え、前記制御手段は、前記入力手段による入力に基づいて前記複数の平面画像のうちの撮影範囲の最も狭い画像を撮影する撮像手段のズームポジションを変更するように前記レンズ移動手段を制御し、前記表示制御手段は、前記ズームポジションの変更に応じて前記表示手段に表示された画像を変更するとともに、前記撮影範囲を示す枠の大きさを変更することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両アドホックネットワークにおけるノードであって、前記ノードは車両に配置され、前記ノードは、送信機、受信機、及びプロトコルスタックのステップを実行するためのプロセッサを含み、
前記プロトコルスタックは、
アプリケーションレイヤと、
リンクレイヤと、
前記アプリケーションレイヤと前記リンクレイヤとの間に配置される輻輳制御レイヤとを備え、
前記輻輳制御レイヤは、前記アプリケーションレイヤと前記リンクレイヤとの間でショートメッセージを転送するように構成され、
前記ショートメッセージは、前記車両アドホックネットワークのための標準規格に従って定義され、
前記輻輳制御レイヤは、前記ショートメッセージのための、ネットワーク全体のレート割り当てを最適化し、
前記輻輳制御レイヤは、ローカル密度の関数としてショートメッセージの送信確率を求め、前記ローカル密度は、近傍車両の個数、及び前記近傍車両によって使用されるデータレートに依存し、
前記送信確率は、
【数１】
2011045047.tif 000001
であり、
ここで、μは送信電力に依存する定数であり、λは前記ローカル密度である
車両アドホックネットワークにおけるノード。
【請求項２】
前記ショートメッセージは、ブロードキャストされる
請求項１記載のノード。
【請求項３】
前記プロトコルスタックは、
物理レイヤと、
前記輻輳制御レイヤと前記物理レイヤとの間に配置されるショートメッセージレイヤとをさらに備え、
前記ショートメッセージレイヤは、前記ノードが、前記ショートメッセージのための、前記物理レイヤの特性を直接制御することを可能にする
請求項１記載のノード。
【請求項４】
前記特性は、チャネル番号、データレート、送信電力レベル、及びプロバイダサービス識別子を含む
請求項３記載のノード。
【請求項５】
前記ブロードキャストされたショートメッセージの受信機は、前記ショートメッセージに肯定応答しない
請求項２記載のノード。
【請求項６】
前記ショートメッセージは、前記車両のロケーション、速度、加速度、及びブレーキ状態を含む
請求項１記載のノード。
【請求項７】
前記輻輳制御レイヤは、
前記ノードのステータスを記憶する手段と、
ローカルネットワーク情報データベースと、
前記ショートメッセージを記憶するように構成されるバッファとを備え
請求項１記載のノード。
【請求項８】
前記ショートメッセージは、所定の時間間隔の後、前記バッファから削除される
請求項７記載のノード。
【請求項９】
前記ショートメッセージは、更新メッセージである
請求項１記載のノード。
【請求項１０】
前記ショートメッセージは、アラートメッセージである
請求項１記載のノード。
【請求項１１】
複製の入来ショートメッセージは、削除される
請求項１記載のノード。
【請求項１２】
前記ショートメッセージは、出行メッセージレートが最適なレートよりも高いときに、前記バッファに記憶される
請求項７記載のノード。
【請求項１３】
前記バッファ内の前記ショートメッセージは、前記最適なレート及び前記ショートメッセージの優先度に従って前記ショートメッセージレイヤへ転送される
請求項１２記載のノード。
【請求項１４】
前記ローカル密度は、入来ショートメッセージ及び出行ショートメッセージ、並びに前記ノードにおけるショートメッセージのアイドル受信、成功した受信、及び失敗した受信の確率によって求められる
請求項１記載のノード。
【請求項１５】
アイドルなパケット受信、成功したパケット受信、及び失敗したパケット受信の回数は、前記リンクレイヤから前記輻輳制御レイヤへ送信される
請求項１記載のノード。
【請求項１６】
車両アドホックネットワークにおけるノードを用いてショートメッセージを送信する方法であって、前記ノードは車両に配置され、前記ノードは、送信機、受信機、及び方法のステップを実行するためのプロセッサを含み、前記方法は、
近傍車両の個数、及び前記近傍車両によって使用されるデータレートに基づいてローカル密度を求めるステップと、
前記ローカル密度の関数としてショートメッセージの送信確率を
【数２】
2011045047.tif 000002
で求めるステップであって、ここで、μは送信電力に依存する定数であり、λは前記ローカル密度である、求めるステップと、
前記送信確率が所定のしきい値を超えた場合に、前記ショートメッセージを送信するステップと、を備えた
車両アドホックネットワークにおけるノードを用いてショートメッセージを送信する方法。
【請求項１７】
前記ショートメッセージをバッファに記憶するか否かの確率ｐを、
【数３】
2011045047.tif 000003
で求めるステップであって、ここで、ｃｗはＭＡＣレイヤのコンテンションウィンドウサイズであり、ｃ０＊は前記送信確率である、求めるステップをさらに備える
請求項１６記載の車両アドホックネットワークにおけるノードを用いてショートメッセージを送信する方法。
【請求項１８】
入来ショートメッセージ及び出行ショートメッセージ、並びに前記ノードにおけるショートメッセージのアイドル受信、成功した受信、及び失敗した受信の確率に基づいて、前記ローカル密度を求めるステップをさらに備える
請求項１６記載の車両アドホックネットワークにおけるノードを用いてショートメッセージを送信する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月20日(2012.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
後部枠と両側枠及び底板を備え、四隅下部にキャスターを備えた運搬用かご台車において、搬送時のブレーキ機構を付加し、ブレーキ機構はブレーキ部と操作部とで構成し、ブレーキ部は一方の側枠の両側下部に取り付けた各キャスターの支軸中心に上下貫通孔を設け、その貫通孔にブレーキ部材を下端に取付けた上下動可能なブレーキ軸をバネにより上方に引上げられるように構成し、操作部は、後部枠外枠フレームの極近に配置したブレーキレバーのハンドル部を後部枠の後部枠中央部横桟の端部にサンドイッチ状に挟みこむように構成し、ブレーキ操作時にはブレーキレバーが垂直前後で後部枠中央下部横桟に設けた支点を介して遥動し、ブレーキレバーの往復運動を回転運動に変換する変換部を介してブレーキレバーがブレーキ作動軸に連結され、ブレーキレバー復帰用の復帰スプリングを備えた構成で、バネにより引上げられたブレーキ軸の上面がブレーキ作動軸の下面に接するように配置して、ブレーキレバーを引くことにより、ブレーキ作動軸が回転してブレーキ軸を下方に押しブレーキ部材を車輪に押し付けるように構成した運搬用かご台車。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】上記課題を解決するために本発明は、後部枠と両側枠及び底板を備え、四隅下部にキャスターを備えた運搬用かご台車において、搬送時のブレーキ機構を付加し、ブレーキ機構はブレーキ部と操作部とで構成し、ブレーキ部は一方の側枠の両側下部に取り付けた各キャスターの支軸中心に上下貫通孔を設け、その貫通孔にブレーキ部材を下端に取付けた上下動可能なブレーキ軸をバネにより上方に引上げられるように構成し、操作部は、後部枠外枠フレームの極近に配置したブレーキレバーのハンドル部を後部枠の後部枠中央部横桟の端部にサンドイッチ状に挟みこむように構成し、ブレーキ操作時にはブレーキレバーが垂直前後で後部枠中央下部横桟に設けた支点を介して遥動し、ブレーキレバーの往復運動を回転運動に変換する変換部を介してブレーキレバーがブレーキ作動軸に連結され、ブレーキレバー復帰用の復帰スプリングを備えた構成で、バネにより引上げられたブレーキ軸の上面がブレーキ作動軸の下面に接するように配置して、ブレーキレバーを引くことにより、ブレーキ作動軸が回転してブレーキ軸を下方に押しブレーキ部材を車輪に押し付けるように構成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】以上の説明から明らかなように、運搬用かご台車の搬送時に特に荷積状態で坂道を移動する場合等に後部枠外枠フレームを持っている片手でブレーキレバーを操作してブレーキ制御をしつつ搬送ができるようにしたことで搬送作業を容易にしかつ安全性も高めることができた。ブレーキ制御構造としてもブレーキレバーを後部枠外枠フレームとともに片手で握ることによりブレーキ作動軸を回転させ、ブレーキ作動軸が回転することでブレーキ部材を車輪に押し付けて制動するという単純な構成でブレーキ機能を付加することが可能となった。またブレーキ作動軸を断面Ｄ字形状にして、断面Ｄ字形状の角部をブレーキ軸の上面に当ててブレーキ作動軸を回転することによりブレーキ軸を上下動させてブレーキを掛けると言う構成部品の少ない構造であって低コストで搬送時のブレーキ制御機能を付加することができた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】操作部は図２に示すように、主にブレーキレバー３１、遥動アーム３３、ブレーキ作動軸３５および復帰スプリング３４からなり、後部枠１１左方と固定側枠１２下方に組み込んでいる。ブレーキレバー３１は後部枠中央下部横桟２２にブレーキレバー支点３２を置き、後部枠中央部横桟２１にガイドされ、後部枠中央部横桟２１より上部に延びたハンドル部３１ａを後部枠外枠フレーム１１ａと一緒に片手で握ることによりブレーキ制御をする。その際ブレーキレバーは垂直に近い状態で遥動運動をし、ブレーキレバー３１の下端は図２Ａ部詳細に示すように上下方向に長孔を設けており、遥動アーム３３の先端とピン３３ａを介して連結している。遥動アーム３３はブレーキ作動軸３５後端部にネジ止めされ、ブレーキレバー３１の操作によるピン３３ａを介しての遥動運動をブレーキ作動軸３５の回転運動に変換している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面上又は表面層中に正電荷物質及び負電荷物質を配置して、該表面を帯電させることにより、汚染物質を該表面から静電的に反発させることを特徴とする、基体表面の汚染防止乃至低減方法。
【請求項２】
基体の表面上又は表面層中に正電荷物質及び負電荷物質を配置して、該表面を帯電させることにより、汚染物質を該表面から静電的に反発させることを特徴とする、基体表面の保護方法。
【請求項３】
前記正電荷物質が
（１）陽イオン；
（２）正電荷を有する導電体又は誘電体；並びに
（３）正電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体
からなる群から選択される１種又は２種以上の、正電荷を有する物質の粒子であることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記負電荷物質が
（４）陰イオン；
（５）負電荷を有する導電体又は誘電体；
（６）負電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体；並びに
（７）光触媒機能を有する物質
からなる群から選択される１種又は２種以上の、負電荷を有する物質の粒子であることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項５】
前記基体表面の帯電圧が−５０Ｖ〜＋５０Ｖの範囲であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記基体が親水性若しくは疎水性又は撥水性若しくは撥油性であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記正電荷物質及び負電荷物質が層を形成することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記基体表面と前記正電荷物質及び負電荷物質の層との間に中間層を形成することを特徴とする、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記正電荷物質及び負電荷物質の層上に被覆層を形成することを特徴とする、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記中間層及び／又は被覆層が親水性若しくは疎水性又は撥水性若しくは撥油性であることを特徴とする、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法により、表面の汚染が防止乃至低減され、又は、表面が保護された前記基体を備えた物品。
【請求項１２】
空気中又は水中の汚染を防止又は低減するための、請求項１１記載の物品の使用。
【請求項１３】
基体の表面防汚・保護剤であって、
正電荷物質及び負電荷物質を含み、
前記基体の表面を帯電させることにより、汚染物質を該基体の表面から静電的に反発させる、表面防汚・保護剤。
【請求項１４】
有機ケイ素物質を含有する請求項１３記載の表面防汚・保護剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化物半導体層を形成する第１の工程と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する第２の工程と、
３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の高周波電力、及び酸素とアルゴンの混合ガスを用いたプラズマ処理を行うことにより、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の側面を酸化する第３の工程と、
前記第３の工程後、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極を覆うゲート絶縁層を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する第５の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記プラズマ処理を行うことにより、前記酸化物半導体層に酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第３の工程前に、前記酸化物半導体層の水素を低減する処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、埋め込み絶縁膜と、半導体層とがこの順で積層された構成を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体層の主表面に、導電部分を有する素子を完成する工程と、
前記素子を平面視において取り囲む溝を前記半導体層の前記主表面から前記埋め込み絶縁膜に達するように形成する工程と、
前記素子上を覆うように、かつ前記溝内に中空を形成するように前記素子上および前記溝内に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に前記素子の前記導電部分に達する孔を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体層の前記主表面に素子分離用絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記溝は、前記素子分離用絶縁膜を貫通して前記埋め込み絶縁膜に達するように形成される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記溝の形成前に、前記素子上を覆うように前記半導体層の前記主表面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜とは異なる材質よりなる第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜上に、前記第３の絶縁膜とは異なる材質よりなる第４の絶縁膜を形成する工程とをさらに備え、
前記溝を形成する工程は、前記第４の絶縁膜をマスクとして前記半導体層を選択的に除去する工程を含み、さらに
前記溝の形成後に前記第４および第３の絶縁膜を除去する工程を備えた、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記溝の形成後であって前記第１の絶縁膜の形成前に、前記溝の側面上に側壁絶縁膜を形成する工程をさらに備えた、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板の主表面に、導電部分を有する素子を完成する工程と、
前記素子上を覆うように前記半導体基板の前記主表面上に、貫通孔を有する第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板を選択的に除去することにより、前記第２の絶縁膜の前記貫通孔の下に溝を形成する工程とを備え、
前記溝は、前記溝の底部の幅が前記第２の絶縁膜の前記貫通孔の幅よりも大きくなるように形成され、さらに
前記溝内に中空を形成するように前記第２の絶縁膜上および前記溝内に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に前記素子の前記導電部分に達する孔を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の主表面に、導電部分を有する素子を完成する工程と、
前記素子上を覆うように前記半導体基板の前記主表面上に、貫通孔を有する第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板を選択的に除去することにより、前記第２の絶縁膜の前記貫通孔の下に溝を形成する工程とを備え、
前記第２の絶縁膜の前記貫通孔の幅を前記溝の開口端の幅よりも大きくする工程と、
前記溝内に中空を形成するように前記第２の絶縁膜上および前記溝内に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に前記素子の前記導電部分に達する孔を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板は、支持基板と、埋め込み絶縁膜と、半導体層とがこの順で積層された構成を有するように準備される、請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板の前記主表面に素子分離用絶縁膜を形成する工程をさらに備え、
前記溝は、前記素子分離用絶縁膜を貫通して前記半導体基板内に延びるように形成される、請求項５〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜上に、前記第２の絶縁膜とは異なる材質よりなる第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜上に、前記第３の絶縁膜とは異なる材質よりなる第４の絶縁膜を形成する工程とをさらに備え、
前記溝を形成する工程は、前記第４の絶縁膜をマスクとして前記半導体層を選択的に除去する工程を含み、さらに
前記溝の形成後に前記第４および第３の絶縁膜を除去する工程を備えた、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
支持基板と、埋め込み絶縁膜と、半導体層とがこの順で積層された構成を有する半導体基板と、
前記半導体層の主表面に形成され、かつ導電部分を有する素子とを備え、
前記素子を平面視において取り囲むように、かつ前記半導体層の前記主表面から前記埋め込み絶縁膜に達するように前記半導体層に溝が形成されており、さらに
前記素子上を覆うように、かつ前記溝内に中空を形成するように前記素子上および前記溝内に形成された第１の絶縁膜を備え、
前記第１の絶縁膜には前記導電部分に達する孔が形成されている、半導体装置。
【請求項１１】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記主表面に形成され、かつ導電部分を有する素子と、
前記素子を覆うように前記半導体基板の前記主表面上に形成され、かつ前記素子を平面視において取り囲む貫通孔を有する第２の絶縁膜とを備え、
前記素子を平面視において取り囲むように前記貫通孔の下の前記半導体基板に溝が形成されており、さらに
前記第２の絶縁膜上を覆うように、かつ前記溝内に中空を形成するように前記第２の絶縁膜上および前記溝内に形成された第１の絶縁膜を備え、
前記第１の絶縁膜には前記導電部分に達する孔が形成されており、
前記溝の底部の幅は、前記第２の絶縁膜の前記貫通孔の幅よりも大きい、半導体装置。
【請求項１２】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記主表面に形成され、かつ導電部分を有する素子と、
前記素子を覆うように前記半導体基板の前記主表面上に形成され、かつ前記素子を平面視において取り囲む貫通孔を有する第２の絶縁膜とを備え、
前記素子を平面視において取り囲むように前記貫通孔の下の前記半導体基板に溝が形成されており、さらに
前記第２の絶縁膜上を覆うように、かつ前記溝内に中空を形成するように前記第２の絶縁膜上および前記溝内に形成された第１の絶縁膜を備え、
前記第１の絶縁膜には前記導電部分に達する孔が形成されており、
前記第２の絶縁膜の前記貫通孔の幅は、前記溝の開口端の幅よりも大きい、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と前記表面に対向する裏面とを有する平板形状からなり、前記表面及び裏面を接続する外周面に設けられた被係合部を有する蓋と、
被収容物を収容可能な内部空間と、外部空間とを連通して前記蓋よって閉鎖される開口と、前記開口と前記内部空間との間に位置して前記開口を閉鎖した状態にある前記蓋を収容する収容空間と、前記蓋を前記収容空間に収容した状態において前記被係合部に対応する位置に配置されて前記外部空間から前記収容空間に連通する挿通孔と、を有する容器本体部と、
一軸に沿って移動可能なラッチ本体部と、前記ラッチ本体部から前記一軸の延在方向と異なる方向に突出する係合部とを有するラッチ機構と、を有し、
前記係合部は前記挿通孔から前記収容空間内に至り、
前記係合部は前記収容空間内に配置される前記蓋の前記被係合部に係合し、
前記ラッチ本体部が前記一軸に沿って移動することによって前記係合部と前記被係合部との係合及び係合の解除とが為されることを特徴とする密閉容器。
【請求項２】
前記被係合部は前記外周面に設けられた凹部を有することを特徴とする請求項１に記載の密閉容器。
【請求項３】
前記被係合部は前記蓋の前記裏面に開口する開口端と、前記一軸と平行に延在する直線部と、を有する連続した溝からなることを特徴とする請求項１に記載の密閉容器。
【請求項４】
前記係合部は、前記蓋が前記容器本体部から分離された状態において前記収容空間に突出することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の密閉容器。
【請求項５】
前記ラッチ機構は前記係合部と前記ラッチ本体部とを連結する連結部を有し、前記連結部は前記一軸の延在方向とは異なる方向に突出することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の密閉容器。
【請求項６】
前記被係合部は、前記外周面の延在方向に沿って延在する第一の直線部と、前記板形状の裏面側に開口端を有して前記蓋の厚さ方向に延在する第二の直線部、とを含むＬ字形状からなり、
前記係合部は前記Ｌ字形状の第一の直線部を構成する内側壁と係合可能であって、前記ラッチ本体部が前記一軸に沿って移動することによって前記係合部が前記第二の直線部に移動することにより係合状態が解除されることを特徴とする請求項２或いは３の何れかに記載の密閉容器。
【請求項７】
前記内側壁は、前記第一の直線部における前記第二の直線部との連結端部とは異なる端部側に前記係合部が移動することに応じて、前記係合部が前記内側壁に対して加える付勢力を変化させる凹凸及び斜面の少なくとも何れかよりなる形状を有することを特徴とする請求項６に記載の密閉容器。
【請求項８】
前記連結部が前記ラッチ本体部から突出する方向は前記一軸の延在方向に対して垂直な方向であることを特徴とする請求項５に記載の密閉容器。
【請求項９】
前記係合部は、前記内側壁に当接して転動可能な円板状のローラーを有することを特徴とする請求項６或いは８の何れか１項に記載の密閉容器。
【請求項１０】
前記ラッチ機構は、前記係合部を前記被係合部と係合する位置に停止保持する付勢力を前記係合部に付与する付勢手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至９何れか１項に記載の密閉容器。
【請求項１１】
前記ラッチ本体部は前記ラッチ機構を前記一軸に沿って移動可能に支持するスライドレールを更に有し、前記スライドレールは前記容器本体部に配置されることを特徴とする請求項１乃至１０何れか１項に記載の密閉容器。
【請求項１２】
請求項１乃至１１何れかに１項に記載の密閉容器に対して前記蓋を開閉して前記密閉容器内部への前記被収容物の挿脱を可能とする蓋開閉システムであって、
開口部を有する微小空間と、
前記開口部を略閉鎖する位置と開放する位置との間で移動可能なドアと、
前記密閉容器が前記ドアによる前記蓋の開閉が行われる位置に存在した際に前記ラッチ本体部を移動させるように前記ラッチ機構を操作可能であって、前記開口部の周囲に前記密閉容器とは独立して配置されるラッチ機構駆動手段と、を有することを特徴とする蓋開閉システム。
【請求項１３】
前記ラッチ機構駆動手段は、前記ラッチ本体部の移動軸たる前記一軸と同軸に配置されて前記ラッチ機構を前記移動軸に沿って押圧可能なロッド、及び前記ロッドを前記移動軸に沿って伸縮可能に支持するアクチュエータを有することを特徴とする請求項１２に記載の蓋開閉システム。
【請求項１４】
前記密閉容器が載置された状態で前記密閉容器を前記開口部に対して接近或いは離間させる容器載置台を更に有し、
前記ラッチ機構駆動手段は、前記容器載置台の移動により前記容器載置台に対して相対移動可能なカム面と、前記容器載置台に配置された前記カム面に従動可能なカム手段とによって構成されて前記容器載置台の移動に伴う前記カム面の変化に準じて前記ラッチ機構に対して押圧力を付与するカム機構を有することを特徴とする請求項１２に記載の蓋開閉システム。
【請求項１５】
前記微小空間を規定する筐体を更に備え、前記ラッチ機構駆動手段は前記筐体の外側において前記密閉容器とは独立して配置されることを特徴とする請求項１２乃至１４何れか１項に記載の蓋開閉システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月1日(2011.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に実装され第１の電子チップに電気的に接続された第１の光学コネクタハウジング内にパッケージングされたレーザであって、前記第１の光学コネクタハウジングはプラスチックでありメカニカルトランスファブル（ＭＴ）コネクタとして形成されたレーザと、
前記第１の基板とのフリップチップ接続を形成する前記第１の光学コネクタハウジング上の複数のはんだバンプと、
第２の基板に実装され第２の電子チップに電気的に接続された第２の光学コネクタハウジング内にパッケージングされたフォトダイオードと、
前記第２の基板とのフリップチップ接続を形成する前記第２の光学コネクタハウジング上の複数のはんだバンプと、
前記レーザを前記フォトダイオードに光学的に接続すべく、前記第１の光学コネクタハウジングおよび前記第２の光学コネクタハウジングと結合するコンプリメンタリ光学コネクタを両端に有する光学ファイバコードとを含むシステム。
【請求項２】
前記レーザに電気的に接続されたトランスミッタ回路と、
前記フォトダイオードに電気的に接続されたレシーバ回路とを更に含む請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１の電子チップは、周辺機器モジュール内に設けられる請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第２の電子チップは、周辺機器モジュール内に設けられる請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記周辺機器モジュールはメモリを含む請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
第１の表面実装コネクタ内にレーザを内蔵する工程と、
第１の電子チップに電気的に接続された第１の基板に前記第１の表面実装コネクタをフリップチップ接続する工程と、
第２の表面実装コネクタ内にフォトダイオード（ＰＤ）を内蔵する工程と、
第２の電子チップに電気的に接続された第２の基板に前記第２の表面実装コネクタをフリップチップ接続する工程と、
前記第１の表面実装コネクタ及び前記第２の表面実装コネクタにプラグで接続される光学コードを介して前記第１の電子チップを前記第２の電子チップに光学的に接続する工程とを含む方法。
【請求項７】
前記第１の電子チップ及び前記第２の電子チップは、中央処理ユニット（ＣＰＵ）パッケージ内に設けられる請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の電子チップは、電子パッケージ内に設けられ、前記第２の電子チップは、周辺機器デバイス内に設けられる請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の電子チップは、電子パッケージ内に設けられ、前記第２の電子チップは、周辺機器デバイス内に設けられる請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の基板と前記第２の基板は同一の基板である請求項６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
光学通信システムの急増に伴い、小型のファイバ光学コネクタの使用がより広まっている。光学コネクタは通常、プラスチックで作製され、光学ファイバ又は導波路アレイをそれぞれの終端で結合するのに有効な部品である。光学コネクタは通常、差込可能、つまり繰り返しの接続及び取り外しに耐え得る機構である。現在市場で手に入る光学コネクタには多くの種類がある。
［特許文献１］国際公開第９５／３４８３６号
［特許文献２］米国特許出願公開第２００２／００２１８７１号明細書
［特許文献３］米国特許第５４４８６６１号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の受光面側に位置する太陽電池表面封止シート（Ｉ）、太陽電池の受光面側に位置する封止材層（ＩＩ）、太陽電池セル（ＩＩＩ）、太陽電池の非受光面側に位置する封止剤層（ＩＶ）、及び前記非受光面側封止剤層（ＩＶ）に接してなる太陽電池裏面保護シート（Ｖ）を具備してなる太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池裏面保護シート（Ｖ）が、波長変換機能と反射機能とを有し、
前記波長変換機能が、吸収極大が３５０〜５００ｎｍにあり、発光極大が４００〜７００ｎｍにあり、ストークスシフトが５０ｎｍ以上であり、
前記反射機能が、４００〜７００ｎｍの光の反射率が６０％以上である、
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
太陽電池裏面保護シート（Ｖ）が、
波長変換機能と反射機能とを有する接着剤層（１−１）と、前記機能のいずれをも有しないフィルム（２−１）とを具備するか、または、
波長変換機能を有し、反射機能を有しない接着剤層（１−２）と、反射機能を有し、波長変換機能を有しないフィルム（２−２）とを具備するか、または、
波長変換機能を有し、反射機能を有しない接着剤層（１−２）と、前記機能のいずれをも有しないフィルム（２−１）と、反射機能を有し、波長変換機能を有しない他の層（６）とを具備し、
前記接着剤層（１−１）又は（１−２）が、非受光面側封止剤層（ＩＶ）に接することを特徴とする請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
接着剤層（１−１）又は（１−２）が、吸収極大が３５０〜５００ｎｍにあり、発光極大が４００〜７００ｎｍにあり、ストークスシフトが５０ｎｍ以上である波長変換材料（Ａ）を含有することを特徴とする請求項２記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム金属又はナトリウム金属のシート、ポリマー電解質シート、及び、カソードシートから成っていて大きな表面積を有する積層マザー電池から、リチウム金属又はナトリウム金属からなるアノードを有するゲル化した又はゲル化していない薄層ポリマー電解質電池を製造する方法であって、前記カソードは、リチウム又はナトリウムを溶解する性質を有しており、そして、切り取り作業の間または後に前記カソードに接触している総てのリチウム又はナトリウムが化学的に溶解するように、前記マザー電池が鋭利な機械的な切り取り作業を受けることを特徴とする方法。
【請求項２】
切り取り作業の前に前記積層マザー電池を前記電解質シートのガラス転移温度よりも低い温度に冷却して、切り取り作業の間のイオン伝導率を減少させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
切り取り作業の間または後に、切り取られた縁部に存在するリチウム又はナトリウムがリチウム又はナトリウムを酸化させることができる反応液体と化学反応して、リチウム又はナトリウムの電気絶縁の化合物を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。