【事件の表示】
　平成６年特許願第１８８８４５号「セラミックス配線基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成８年２月２日出願公開、特開平８−３２２０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成６年７月１９日に出願されたものであって、平成１６年１１月３０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年２月７日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１７年２月７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論]
　平成１７年２月７日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりとなった。
　「【請求項１】　窒化アルミニウム基板上にろう材を塗布した後に銅板を接合し、エッチング処理して所望の配線パターンの金属配線板を形成するセラミックス配線基板の製造方法において、窒化アルミニウム基板として抗折強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ２以上で、厚さが０．６３５ｍｍであって、かつ深さ０．０６ｍｍ以上の分割線を設けた基板を用い、基板上に活性金属ろう材ペーストを所望のパターンに塗布した後、銅板を接合し、該分割線によって区画された銅板上に回路パターンをレジストで印刷した後エッチング処理を行って銅回路を形成し、次いで基板を該分割線に沿って分割することを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。」（以下、「本願補正発明」という。）
　
　上記補正は、補正前の請求項１において、「活性金属ろう材ペーストを全面あるいは所望のパターンに塗布した後」を、「活性金属ろう材ペーストを所望のパターンに塗布した後」と補正するものであって、活性金属ろう材ペーストの塗布を所望のパターンのみに限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
　次に、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−１７１８８４号公報、特開平２−２１２３６５号公報、特開平５−２４８１２号公報（以下、順に「引用例１」〜「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１（特開平４−１７１８８４号公報）
（１ａ）「［産業上の利用分野］この発明は回路基板の加工方法に関し、特に窒化アルミニウム焼結体からなる回路基板の加工方法に関するものである。
［従来の技術］近年、半導体装置の高速動作化、高集積化等の大きな変化が見られ、特にＬＳＩなどでは集積度の向上が著しくなっている。このため、半導体素子がその上に搭載される基板材料の放熱性が重要視されるようになってきた。」（１頁右下欄１０〜１９行）
（１ｂ）「実施例１　・・・厚み０．６３５ｍｍの窒化アルミニウム焼結体からなる基板・・・が得られた。・・・幅０．２ｍｍ、深さ０．２ｍｍの凹部からなるスナップライン１０１が十文字状に２本、形成された。このスナップライン１０１を利用して、チョコブレーク加工することにより窒化アルミニウム基板１００を４分割した。」（４頁左上欄３行〜右上欄６行）
（１ｃ）「実施例２　実施例１で得られた窒化アルミニウム基板１００にスパッタリング装置を用いてＮｉＣｒ層とＡｕ層とからなる２層の薄膜配線パターンと、ＮｉＣｒからなる１層の抵抗体としての導電層を形成した。第２図はこのようにして得られた窒化アルミニウム基板を示す平面図である。第２図を参照して、窒化アルミニウム基板１００の上には、所定のパターンに従って・・・配線層１０４が形成されている。また、これらの配線層１０４を互いに接続する抵抗体１０３が・・・形成されている。・・・その後、スナップライン１０１を利用してチョコブレーク加工が施されたが、配線層１０４、抵抗体１０３が形成された窒化アルミニウム基板１００に異常は認められなかった。」（４頁右上欄１０行〜左下欄１８行）
（１ｄ）第２図には、十文字に２本形成されたスナップライン１０１により４つに区画されたそれぞれの区画内に、２つのパターン状の配線層１０４と、２つの配線層１０４を互いに接続する抵抗体１０３が形成された窒化アルミニウム基板１００が図示されている。
　
（２）引用例２（特開平２−２１２３６５号公報）
（２ａ）「（１）・・・窒化アルミニウム焼結体よりなることを特徴とする窒化アルミニウム基板。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２ｂ）「窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の焼結体は・・・半導体実装用基板として注目され・・・」（２頁左上欄末行〜右上欄３行）
（２ｃ）「抗折強度はＪＩＳ規格（ＪＩＳ　Ｒ１６０１）による３点曲げ法により測定した。」（８頁右下欄１０〜１２行）
（２ｄ）第２表には、実施例１〜３の窒化アルミニウム焼結体の曲げ強度が４３〜４５ｋｇｆ／ｍｍ２であること、第３表には、実施例４の窒化アルミニウム焼結体の曲げ強度が４５ｋｇｆ／ｍｍ２であることが、それぞれ記載されている。
（２ｅ）「本発明の窒化アルミニウム基板は、焼き上げ状態で厚膜・薄膜導体回路形成或いはメタライズ処理或いは積層加工を行なうのに非常に適しており、窒化アルミニウムのＩＣ、ＬＳＩ用のパッケージや基板又は各種放熱板等の用途としてその工業的有用性は極めて大きい。」（１１頁左下欄７〜１２行）
　
（３）引用例３（特開平５−２４８１２号公報）
（３ａ）「【従来の技術】最近、大規模集積回路（ＬＳＩ）に関する技術の進歩は目覚しく、特に集積度の向上は著しいものである。この集積度の向上と処理速度の増大と、さらにＩＣチップサイズの大型化に伴ってＩＣチップが搭載されるパッケージ当りの発熱量、・・・急激に増大している。このため、半導体装置用パッケージ等に用いられる基板材料に要求される放熱特性が厳しいものになっている。・・・」（【０００２】）
「窒化アルミニウム焼結体がＩＣのパッケージ等に用いられる場合に・・・」（【０００７】）
（３ｂ）「実施例１　・・・窒化アルミニウム焼結体を得た。・・・いずれの・・・窒化アルミニウム焼結体においても、・・・曲げ強度は４０ｋｇ／ｍｍ２ 以上であ・・・った。」（【００１８】〜【００２０】）
（３ｃ）「実施例２　・・・得られた各窒化アルミニウム焼結体について・・・曲げ強度・・・を測定した。いずれの窒化アルミニウム焼結体も・・・曲げ強度が４５ｋｇ／ｍｍ２以上・・・であった。」（【００２０】〜【００２１】）
（３ｄ）「実施例３　・・・得られた各窒化アルミニウム焼結体について、抗折力・・・を測定した。・・・測定結果は表１に示される。」（【００２１】〜【００２２】）
（３ｅ）表１には、実施例３の窒化アルミニウム焼結体の抗折力３点曲げ試験（ｋｇ／ｍｍ２）の値は、６０〜７５であることが記載されている（【００２３】）。
　
３．当審の判断
３−１．引用例１に記載の発明
　引用例１の摘記事項（１ｂ）〜（１ｄ）によれば、厚み０．６３５ｍｍの窒化アルミニウム焼結体からなる基板に、深さ０．２ｍｍのスナップラインを十文字状に２本形成することにより、基板を４つに区画し、各区画内にスパッタリングによって、ＮｉＣｒ層とＡｕ層からなる所望の配線パターンと、該配線パターンを互いに接続するＮｉＣｒからなる抵抗体としての導電層を形成し、その後、基板をスナップラインを利用してチョコブレーク加工することにより４分割して窒化アルミニウム基板を製造することが記載され、摘記事項（１ａ）によれば、このように分割して製造された基板は、回路基板であることが記載されている。そして、基板をスナップラインを利用してチョコブレーク加工すると、基板は、スナップラインに沿って分割されることが理解できるし、所望の配線パターンと、該配線パターンを互いに接続する抵抗体としての導電層とで、回路パターン、あるいは、金属回路を構成するといえる。
　そこで、引用例１の摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）の記載を総合すれば、引用例１には、
　「窒化アルミニウム基板上にスパッタリングにより所望の配線パターンと、該配線パターンを互いに接続する抵抗体としての導電層とからなる回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、窒化アルミニウム基板として厚さが０．６３５ｍｍであって、かつ深さ０．２ｍｍのスナップラインを設けた基板を用い、該スナップラインによって区画された基板上に、スパッタリングにより所望の配線パターンと、該配線パターンを互いに接続する導電層とからなる金属回路を形成し、次いで基板を該スナップラインに沿って分割するセラミックス回路基板の製造方法。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「セラミックス回路基板」、「スナップライン」は、本願補正発明の「セラミックス配線基板」、「分割線」にそれぞれ相当し、その両者の分割線は深さ０．２ｍｍで重複している。又引用例１発明の「所望の配線パターンと、該配線パターンを互いに接続する抵抗体としての導電層とからなる回路パターンを形成し」は、窒化アルミニウム基板上に回路パターンからなる金属配線板を形成することになるから、本願補正発明の「所望の配線パターンの金属配線板を形成する」に相当することになる。そうすると、両者は、
「窒化アルミニウム基板上に所望の配線パターンの金属配線板を形成するセラミックス配線基板の製造方法において、窒化アルミニウム基板として厚さが０．６３５ｍｍであって、かつ深さ０．２ｍｍの分割線を設けた基板を用い、回路を形成し、次いで基板を該分割線に沿って分割するセラミックス配線基板の製造方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
（イ）本願補正発明は、窒化アルミニウム基板が「抗折強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ２以上」であるのに対し、引用例１発明は、この点が記載されていない点。
　
（ロ）本願補正発明は、「基板上にろう材を塗布した後に銅板を接合し、エッチング処理して所望の配線パターンの金属配線板を」形成するセラミックス配線基板の製造方法であって、「基板上に活性金属ろう材ペーストを所望のパターンに塗布した後、銅板を接合し、分割線によって区画された銅板上に回路パターンをレジストで印刷した後エッチング処理を行って銅回路を」形成するのに対し、引用例１発明は、基板上にスパッタリングにより所望の配線パターンと、該配線パターンを互いに接続する抵抗体としての導電層とからなる回路パターンを形成するセラミックス配線基板の製造方法であって、分割線によって区画された基板上に、スパッタリングにより、所望の配線パターンと、該配線パターンを互いに接続する導電層とからなる金属回路を形成する点。
　
　次に、上記相違点（イ）、（ロ）について検討する。
相違点（イ）について
　引用例２の摘記事項（２ａ）〜（２ｃ）には、曲げ強度（抗折強度）が４３〜４５ｋｇｆ／ｍｍ２の窒化アルミニウム基板が記載され、摘記事項（２ｂ）、（２ｅ）によれば、窒化アルミニウム基板の用途として半導体実装用基板が例示されている。
　また、引用例３の摘記事項（３ａ）〜（３ｅ）には、曲げ強度（抗折力）が４０ｋｇ／ｍｍ２以上、４５ｋｇ／ｍｍ２以上、６０〜７５ｋｇ／ｍｍ２の窒化アルミニウム基板が記載され、摘記事項（３ａ）によれば、窒化アルミニウム基板の用途として半導体装置用パッケージ等に用いられる基板材料が例示されている。
　そうすると、引用例１発明のセラミックス回路基板も半導体素子がその上に搭載される基板（摘記事項（１ａ））であって、機械的強度、抗折強度をより向上させることも必要なことであるから、引用例１発明の窒化アルミニウム基板として抗折強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ２以上のものを用いることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
相違点（ロ）について
　窒化アルミニウム基板上にろう材を塗布した後に銅板を接合し、エッチング処理して所望の配線パターンの金属配線板を形成するセラミックス配線基板の製造方法において、基板上に活性金属ろう材ペーストを所望のパターンに塗布した後、銅板を接合し、銅板上に回路パターンをレジストで印刷した後エッチング処理を行って銅回路を形成することは、例えば、本願明細書段落【０００５】に記載されている、次の周知例１、２に示されるとおり周知の事項である。
　
　周知例１：特開平３−１０１１５３号公報
（周１ａ）「１．次の（ａ），（ｂ）及び（ｃ）の工程からなることを特徴とする銅回路を有する窒化アルミニウム基板の製法。
（ａ）窒化アルミニウム基板上に、活性金属ろう材ペーストを所望の接合パターンに塗布する工程
（ｂ）上記塗布ペースト上に、接合パターンを覆うに十分な広さの銅板を接合する工程
（ｃ）上記接合体の銅板上に、上記接合パターンを少なくとも備えた回路パターンをエッチングレジストにより形成させた後、エッチング処理して不要部分を除去する工程」（特許請求の範囲）
（周１ｂ）「［産業上の利用分野］本発明は、銅回路を有する窒化アルミニウム基板の製法に関するもので、特にパワー半導体モジュール等に適した熱放散性回路基板の改良製法に関する。」（１頁左欄下から３行〜右欄２行）と記載されている。
　
　周知例２：特開平５−１９８９１７号公報
（周２ａ）「【請求項１】セラミックス基板の表面に、活性金属含有ろう材を含む接合用ペーストを所望とする配線パターン状に塗布する工程と、前記セラミックス基板の前記接合用ペーストの塗布面上に、板状の金属板を積層配置する工程と、・・・前記セラミックス基板と金属板とを前記ろう材により接合する工程と、前記金属板にエッチング処理を施し、所望とする配線パターンの金属配線板を形成する工程とを具備することを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（周２ｂ）「【従来の技術】セラミックス基板は、高電気絶縁性、高熱伝導性、低熱膨張等の特徴を有することから、電子部品特に高出力、高電力型の半導体素子の搭載用基板として実用化されている。」（【０００２】）
（周２ｃ）「セラミックス基板１としては・・・窒化アルミニウム・・・を適用することが可能である。」（【００１５】）
（周２ｄ）「金属板３は・・・例えばＣｕ、Ｃｕ合金・・・が例示される。」（【００１６】）と記載されている。
　
　そうすると、引用例１発明において、窒化アルミニウム基板の回路パターン形成として、基板上にスパッタリングにより回路パターンを形成することに代えて、基板上にろう材を塗布した後に銅板を接合し、エッチング処理して所望の配線パターンの金属配線板を形成しようとすることは当業者ならば適宜なし得ることであって、その際に、上記周知の事項である、基板上に活性金属ろう材ペーストを所望のパターンに塗布した後、銅板を接合し、分割線によって区画された銅板上に回路パターンをレジストで印刷した後エッチング処理を行って銅回路を形成することは、当業者にとって格別困難なことではない。
　してみると、上記相違点（ロ）は、上記周知の事項から当業者ならば容易に想到し得るものである。
　そして、本願補正発明の奏する効果も、引用例１〜３の記載事項、及び上記周知の事項から予測することができる程度のものであって、格別顕著であるとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１〜３に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項の規定によって読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１７年２月７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年７月２０日付手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】窒化アルミニウム基板上にろう材を塗布した後に銅板を接合し、エッチング処理して所望の配線パターンの金属配線板を形成するセラミックス配線基板の製造方法において、窒化アルミニウム基板として抗折強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ２以上で、厚さが０．６３５ｍｍであって、かつ深さ０．０６ｍｍ以上の分割線を設けた基板を用い、基板上に活性金属ろう材ペーストを全面あるいは所望のパターンに塗布した後、銅板を接合し、該分割線によって区画された銅板上に回路パターンをレジストで印刷した後エッチング処理を行って銅回路を形成し、次いで基板を該分割線に沿って分割することを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１〜３とその主な記載事項は、前記「II．２．」に記載したとおりである。
　さらに、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−７０２５６号公報（以下、「引用例４」という。）、及び上記周知例１には、次の事項が記載されている。
　
（４）引用例４（特開平５−７０２５６号公報）　　
（４ａ）「実施例１　・・・窒化アルミニウムグリーンシートに予めプレス成形により切欠き溝を形成したものを・・・焼成し窒化アルミニウム基板を形成した。一方・・・銅板にも同様に切欠き溝を形成した。またＡｇ粉末、Ｃｕ粉末およびＴｉ粉末をそれぞれ重量比で３０：６５：５の割合で配合した混合物にエチルセルロースおよび酢酸ブチルを添加し・・・ろう材ペースト（当審注：「活性金属ろう材ペースト」に該当）を調製した。
　次にろう材ペーストを上記窒化アルミニウム基板の接合面に印刷により塗布した後に、この窒化アルミニウムおよび銅板の双方に形成した切欠き溝の開口縁が接合面と反対側の自由面に位置するように両部材を重ね・・・一体に接合し・・・セラミックス接合基板１を得た。
　・・・こうして得られたセラミックス接合基板１を・・・折り曲げる（スクライブする）ことによって、切欠き溝５の底部に曲げ応力が集中して該部が破断し・・・多数の微小なセラミックス接合体７に分離される。」（【００２０】〜【００２３】）
（４ｂ）「例えば、セラミックス基板上に半導体素子を搭載する場合には・・・」（【０００２】）
（４ｃ）「切欠き溝は、セラミックス接合基板に曲げ応力等を作用させた場合に、応力集中作用によってセラミック接合基板が容易に破断し、複数のセラミックス接合体に分離できるようにするために設けられる。
　切欠き溝の断面形状は、応力集中を容易に受け易いＶ形状が好ましく、開口縁の幅は０．０５〜０．５mm、深さ０．１〜５mm程度が望ましい。切欠き溝の配設ピッチは、最終的に使用されるセラミックス接合体の寸法によって適宜決定される。」（【００１１】【００１２】）
（４ｄ）図１には、窒化アルミニウム基板２の全面にろう材（ペースト）４を塗布し銅板３を接合したセラミックス接合基板１が図示されている。
　
　周知例１：特開平３−１０１１５３号公報
（周１ｃ）「比較例２　窒化アルミニウム基板の両面に所望の接合パターンを形成するかわりにスクリーン印刷でベタ印刷し、これに目的パターンの形成が可能となる大きさのベタ銅板を置いたこと以外は実施例１と同様にして銅回路を有する窒化アルミニウム基板を製造した。」（５頁右上欄１〜７行）
　
３．当審の判断
　本願発明は、基板上に活性金属ろう材ペーストを塗布する際に、全面あるいは所望のパターンに塗布することを、その構成としている。
　ここで、基板上に活性金属ろう材ペーストを「所望のパターンに塗布した」場合の本願発明は、本願補正発明に相当するところ、本願補正発明は、前記「II．３．」に記載したとおり、引用例１〜３に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由で、引用例１〜３に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、基板上に活性金属ろう材ペーストを「全面に塗布した」場合の本願発明は、引用例４の摘記事項（４ａ）〜（４ｃ）、及び周知例１の摘記事項（周１ｃ）に、窒化アルミニウム基板の全面に活性金属ろう材ペーストを塗布し銅板を接合することが記載されているから、前記「II．３．」に記載した事項をも勘案すると、引用例１〜４に記載された発明、及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　そして、本願発明の奏する効果も、引用例１〜４の記載、及び上記周知の事項から予測することができる程度のものであって、格別顕著であるとは認められない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。