【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプル（５０３）の表面に沿って、サンプル座標系内に画定された一連の所定の点までビームを移動させるために、ビーム・コントローラ（１０１４）を用いてビーム・コントローラ座標系内の一連のビーム・コントローラ座標までビームを誘導することによって、ビーム・システム中のサンプル上で微視的構造を加工する方法であって、
前記ビーム・コントローラ座標系は、前記サンプルに対する前記ビームの位置ドリフトがあるために前記サンプル座標系から変化し、
前記構造を加工するための前記サンプル上で所望のビーム経路を決定するステップと、
前記ビーム・コントローラ座標系と基準マークの位置との間のオフセットを決定するために、ある時間間隔で前記基準マークを繰り返し測定することにより、前記ビーム・システムのドリフト・モデルを決定するステップと、
前記サンプル表面上の基準マーク（５０６）を撮像し、前記ビーム・コントローラ座標系と前記サンプル座標系との間のオフセットを決定することによって前記ビーム・コントローラ座標系をシステムに装填されたサンプルのサンプル座標系と整列させるステップと、
前記オフセットを用いて前記ビーム・コントローラ座標を補正するステップと、
前記ビームに前記サンプルを加工させるために、指定されたビーム・コントローラ座標まで前記ビームを誘導するステップと、
先に決定した前記ドリフト・モデルを用いて、ビーム座標毎の予測ドリフトを決定し、前記サンプル上を前記ビームが移動するときに各ビーム・コントローラ座標にその予測ドリフトを適用するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記ビームが、集束イオン・ビーム、集束電子ビーム、レーザ・ビーム、または中性粒子ビームである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ドリフト・モデルを決定するステップが、ドリフト率を指数関数的に減衰する時間の関数としてモデル化するステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ドリフト率を指数関数的に減衰する時間の関数としてモデル化するステップが、以下の式にしたがってサンプルに対するビームの位置をモデル化するステップを含む、請求項３に記載の方法。
ｘ（ｔ）＝（ａ−ｃ）＊ｅｘｐ（−ｂ＊ｔ）＋ｃ
ここで、ｘ（ｔ）は時間ｔの関数として表したサンプルに対するビームの位置であり、ａは時間ｔ＝０のときのビームの位置であり、ｂは位置が変化する率に関連し、ｃは位置の漸近値である。
【請求項５】
前記サンプル表面上の基準マークを撮像することによってビーム・コントローラ座標系をサンプル座標系と整列させるステップが、第１のビームを用いて前記基準マークを撮像することによって第２のビームの前記ビーム・コントローラ座標系を前記サンプル座標系と整列させ、前記第１のビームの前記ビーム・コントローラ座標系と前記サンプル座標系との間のオフセットを決定し、そのオフセットを前記第２のビームの前記ビーム・コントローラ座標系に適用するステップを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記サンプル表面上の基準マークを観察することによってビーム・コントローラ座標系を前記システムに装填されたサンプルのサンプル座標系と整列させるステップが、前記イオン・ビームを用いて前記基準マークを観察することによってイオン・ビームを整列させるステップを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記ビームに前記サンプルを加工させるために、指定されたビーム・コントローラ座標まで前記ビームを誘導するステップが、前記ビームに、前記サンプルから材料を除去させるか、前記サンプル上に材料を堆積させるか、または前記サンプルの画像を形成させるために、指定されたビーム・コントローラ座標まで前記ビームを誘導するステップを含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ステージ上のサンプルを荷電粒子ビームで加工する方法であって、
撮像用の荷電粒子ビームをフィデューシャル（５０６）の方に誘導するステップと、
前記フィデューシャルの観察された座標（１０１０）と前記フィデューシャルの予期される座標との差の決定の繰り返しに基づいてビーム・システムのドリフト・モデルを決定するステップと、
前記撮像用の荷電粒子ビームを前記フィデューシャルの方に誘導するステップの後にステージを移動させることなく、加工用ビームを荷電粒子ビーム加工のためのサンプルの方に誘導し、前記座標オフセットによって補正された加工用ビーム座標を用いて、前記加工用ビームを位置決めするステップと、
前記加工用ビームを用いて前記サンプルを加工しながら、前記フィデューシャルを撮像するために前記加工用ビームを導くことなく、前記加工用ビーム座標を継続的に調節して、前記ドリフト・モデルに基づいて計算された各ビーム座標の予測されたビーム・ドリフトを用いてドリフトを補償するステップとを含む方法。
【請求項９】
前記加工用ビーム座標を調節して、予測されたビーム・ドリフトを用いてドリフトを補償するステップが、前記加工用ビーム座標を調節して、ドリフト率を指数関数的に減衰する時間の関数としてモデル化するステップによって決定される予測されたビーム・ドリフトを用いてドリフトを補償するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ドリフト率を指数関数的に減衰する時間の関数としてモデル化するステップが、２回以上の異なる観察タイミングにおいて取得された前記フィデューシャルの観察された位置の測定値から決定された係数を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記撮像用ビームおよび前記加工用ビームが、同じ集束イオン・ビーム・カラムから発生される、請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記撮像用ビームが電子ビームを含み、前記加工用ビームが集束イオン・ビームを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
加工用ビームを荷電粒子ビーム加工のためのサンプルの方に誘導するステップが、前記サンプルをエッチングするか、前記サンプル上に材料を堆積させるか、または前記サンプルを撮像するために、集束イオン・ビームをサンプルの方に誘導するステップを含む、請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
加工用ビームを荷電粒子ビーム加工のためのサンプルの方に誘導するステップが、フォトリソグラフィ・マスク、マイクロ電気機械アセンブリ、生体サンプル、集積回路、磁気ディスク・ドライブ読取ヘッド、または電気工学デバイスの方に集束イオン・ビームを誘導するステップを含む、請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
ステージがフィデューシャルを撮像するステップとフィーチャを加工するステップとの間で移動しなくてもいいように、加工すべき前記フィーチャの近傍にある前記フィデューシャルを示すサンプル内のフィーチャを加工するシステムであって、
第１のビームのビーム・コントローラ座標系に対するサンプル上の前記フィデューシャルの位置を決定するために前記フィデューシャルを撮像する前記第１のビームと、
前記フィーチャを加工する第２のビームと、
前記ビーム・コントローラ座標系と前記フィデューシャルの位置との間のオフセットを決定するために、ある時間間隔に亘って前記フィデューシャルの測定を繰り返して、ビーム・システムのドリフト・モデルを決定し、かつ、前記ドリフト・モデルから決定される前記オフセットであって、前記第１のビームの前記ビーム・コントローラ座標系と前記フィデューシャルの位置との間の前記オフセットを用いて前記第２のビームのビーム座標を継続的に変更して、予測されたビーム・ドリフトを各ビーム座標において補償するためのビーム・ドリフト情報を格納するコンピュータ・メモリと、
を含み、前記第１および前記第２のビームは１以上のソースから提供されるシステム。
【請求項１６】
ビーム・ドリフト情報を格納する前記コンピュータ・メモリが、前記座標ドリフトを経時的に観察することによって測定された実験的ドリフト情報から決定されたアルゴリズムを格納するコンピュータ・メモリを含む、請求項１５記載のシステム。
【請求項１７】
予測ドリフトを計算するステップが、指数関数を含む式からドリフト量を決定するステップを含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
基板からＴＥＭサンプルを抽出する方法であって、
抽出すべきサンプルの場所の近傍にフィデューシャルをミリングし、前記サンプルを保持するステージが前記フィデューシャルを撮像するステップと前記サンプルを抽出するステップとの間で移動しなくてもいいように、抽出すべき前記サンプルの十分近傍にフィデューシャルがあるようにするステップと、
切断用ビームを誘導して、１以上の粗切断を前記サンプルに施すステップと、
前記フィデューシャルを撮像して、前記ビーム位置座標に適用するために第１のフィデューシャルの位置からオフセットを決定するステップと、
経時的に予測されたビーム・ドリフトを反映してドリフト・モデルを決定するステップと、
切断用ビームを誘導して、１以上の微細切断をサンプルに施すステップとを含み、
予測されたビーム・ドリフトを補償するために、少なくとも１つの前記切断ステップの間に前記ビーム位置が、先に決定された前記ドリフト・モデルにしたがって、継続的に調節される方法。
【請求項１９】
前記フィデューシャルを撮像するステップが、電子ビームを用いて前記フィデューシャルを撮像するステップを含み、切断用ビームを誘導して１以上の粗切断を施すステップが、集束イオン・ビームを誘導して１以上の粗切断を施すステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記フィデューシャルを撮像するステップが、集束イオン・ビームを用いて前記フィデューシャルを撮像するステップを含み、切断用ビームを誘導して１以上の粗切断を施すステップが、前記集束イオン・ビームを誘導して１以上の粗切断を施すステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記撮像用ビームが電子ビームであり、前記切断用ビームがイオン・ビームである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
サンプルに対するビームの位置決めの不安定さに起因して経時的に位置を変え易いビームを用いて、前記サンプル上の微視的構造を加工する方法であって、
前記構造を加工するためのビーム経路を決定するステップと、
前記サンプル上の前記ビーム経路であって、決定された前記ビーム経路に沿って一連のビーム座標まで誘導するステップと、
基準マークを撮像するためにビームを移動させることなく、前記決定されたビーム経路に前記ビームをより密接に接近させるために、オフセットを各ビーム座標に適用することにより、ドリフト予測に従って前記ビームの位置を調節するステップとを含む方法。
【請求項２３】
ドリフト予測に従って前記ビームの位置を調節するステップが、前記ビームが前記サンプルの方に誘導されるときに行われる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ビームを基準マークに向かって誘導してビーム座標オフセットを決定するステップをさらに含む、請求項２２または２３に記載の方法。
【請求項２５】
サンプル内のフィーチャを撮像する方法であって、
前記サンプルを支持するステージがフィデューシャルを撮像するステップとフィーチャを撮像するステップとの間で移動しなくてもいいように、撮像すべき前記フィーチャの場所の近傍にフィデューシャルを突き止めるステップと、
第１の撮像用ビームを用いて前記フィデューシャルを撮像して、前記フィデューシャルの位置を決定して、微細撮像のための整列マーカーとして用いるステップと、
前記フィデューシャルの位置からオフセットを決定して、第２の撮像用ビームを誘導して前記フィーチャの画像を形成するステップと、
フィーチャを撮像しながら、予測ドリフトおよび対応する更新されたオフセット値を計算して第２の撮像用ビームを位置決めし、前記更新されたオフセット値に従って前記第２の撮像用ビーム位置を補正するステップと、
画像作成を継続するとともに画像作成中にドリフトをより正確に予測するために、第２の撮像用ビームを誘導してフィデューシャルの位置からオフセットを決定するために、第１の撮像用ビームで画像作成中に少なくとも１回フィデューシャルを再撮像するステップとを含む方法。
【請求項２６】
前記第１の撮像用ビームおよび前記第２の撮像用ビームが同じビームである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
予測ドリフトを計算するステップが、実験的に決定された曲線からドリフト量を経時的に決定するステップを含む、請求項２５または２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記実験的に決定された曲線が指数関数である、請求項２５または２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記指数関数の係数が、２回以上の異なるタイミングにおいて取得された前記フィデューシャルの位置の測定値から決定される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記指数関数の指数中の一定の係数が実験的に決定される、請求項２８または２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記指数関数的に決定された曲線の前記指数中の一定の係数が、２回以上の異なるタイミングにおいて取得された前記フィデューシャルの位置の測定値から決定される、請求項２８乃至３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
前記システムが前記フィデューシャルを作成する手段を備える請求項１５に記載のシステム。