【事件の表示】
　特願２００８−　４３２１４「半導体発光素子の素子積層体及びそれを用いた発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月１２日出願公開、特開２００８−１３５７８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年５月２７日に出願した特願２００３−１４９１３８号（優先権主張平成１４年５月２７日）の一部を平成１７年７月１１日に新たな特許出願（特願２００５−２０１９１７号）とし、該特願２００５−２０１９１７号の一部を平成１９年７月７日に新たな特許出願（特願２００７−１７９１３５号）とし、該特願２００７−１７９１３５号の一部を平成２０年２月２５日に新たな特許出願としたものであって、同年４月２９日に手続補正がなされ、同年７月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２９日に手続補正がなされたところ、同年１１月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１８日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、平成２１年１月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年１月１９日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１月１９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２１年１月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１〜１２（平成２０年９月２９日付け手続補正後のもの）として、
　
（１）「【請求項１】
　発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられた素子積層構造に、同一面側を電極形成面として、に第１導電型層、第２導電型層にそれぞれ第１電極、第２電極が設けられた発光素子と、
　前記発光素子を、積層基体に実装した素子積層体において、
　前記発光素子の電極形成面内において、
　前記第１導電型層に前記第１電極が設けられた電極形成部と、前記発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられ、該第２導電型層上に前記第２電極が形成された発光構造部と、を有し、
　発光構造部に、第１発光領域と、該第１発光領域に連結する連結発光領域が設けられ、
　前記第１電極は、前記第１発光領域の発光構造部に分離されて設けられた複数の前記電極形成部を有し、前記第２電極上には第３電極を複数有し、
　該複数の第３電極として、前記連結発光領域により互いに分離された第３電極と、該分離された第３電極がそれぞれ前記第１発光領域の発光構造部上を１列状に延伸して配列された列状第３電極が設けられ、
　前記積層基体が、電極を備えて、前記発光素子の電極形成面側を接合側として、前記第１電極の複数の電極形成部、前記第３電極にそれぞれ対応して、該基体側電極に接合されている素子積層体。
　【請求項２】
　前記発光素子は、前記第１発光領域と、前記第１電極形成部のパッド部が配置されるパッド部形成領域と、を有し、該パッド部形成領域のパッド部間に、前記第１発光領域に連結する前記連結発光領域が設けられている請求項１に記載の素子積層体。
　【請求項３】
　前記発光素子が、前記第１電極パッド部形成領域と、前記連結発光領域と該連結発光領域により分離された第３電極が配置されパッド部形成領域と、該第１，３電極のパッド部形成領域間に挟まれる該第１発光領域と、を有する請求項２に記載の素子積層体。
　【請求項４】
　発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられた素子積層構造に、同一面側を電極形成面として、に第１導電型層、第２導電型層にそれぞれ第１電極、第２電極が設けられた発光素子と、
　前記発光素子を、積層基体に実装した素子積層体において、
　前記発光素子の電極形成面内において、
　前記第１導電型層に前記第１電極が設けられた電極形成部と、前記発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられ、該第２導電型層上に前記第２電極が形成された発光構造部と、を有し、
　発光構造部に、第１発光領域と、該第１発光領域に連結する連結発光領域が設けられ、
　前記第１電極は、前記第１発光領域の発光構造部に分離されて設けられ複数の前記電極形成部を有し、前記第２電極上には第３電極を複数有し、
　該複数の第３電極として、前記連結発光領域を挟んで互いに分離された第３電極と、該分離された第３電極がそれぞれ前記第１発光領域の発光構造部上を１列状に延伸して配列された列状第３電極が設けられると共に、
　前記第１電極のパッド部が配置された第１電極のパッド部形成領域と、前記第３電極が配置された第３電極のパッド部形成領域と、該第１，３電極のパッド部形成領域間に挟まれて、前記第１発光領域と、を備え、
　前記積層基体が、電極を備えて、前記発光素子の電極形成面側を接合側として、前記第１電極の複数の電極形成部、第３電極にそれぞれ対応して、該基体側電極に接合されている素子積層体。
　【請求項５】
　前記発光素子が、前記発光領域と、該発光領域を挟む前記第１電極パッド部形成領域と、前記第３電極のパッド部形成領域をそれぞれ複数有する請求項３又は４に記載の素子積層体。
　【請求項６】
　前記互いに分離された複数の第１電極パッド部が、前記積層基体側の１つの電極に接合されて電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の素子積層体。
　【請求項７】
　前記素子積層体において、前記発光素子の第２電極、若しくは第２電極上の第３電極が、互いに分離されて、該分離された第２導電型層の複数の電極が、積層基体側の１つの電極に接合されて、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項６記載の素子積層体。
　【請求項８】
　前記第１電極は、パッド部形成領域に互いに分離された第１電極のパッド部と、各パッド部から、該パッド部形成領域から分離され前記第１発光領域にまで延伸して形成される延伸電極部と、が前記各第１電極形成部に設けられていることを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の素子積層体。
　【請求項９】
　前記列状第３電極が、前記第１電極の延伸電極部間の発光構造部に各々１列設けられて、該１列の列状第３電極は、前記連結発光領域で分離された第３電極から前記第1発光領域に延伸して形成されていることを特徴とする請求項８に記載の素子積層体。
　【請求項１０】
　前記延伸電極部間の発光構造部、若しくは延伸電極部に分離されて併設された発光構造部が、前記第１発光領域内の延伸電極部の端部近傍の発光構造部に連続して、互いに接続されて形成されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の素子積層体。
　【請求項１１】
　請求項１乃至１０記載の素子積層体を用いた発光装置であって、発光装置には、発光素子から光の一部を、それとは異なる波長の光に変換する光変換部材を有することを特徴とする発光装置。
　【請求項１２】
　前記光変換部材が、（Ｒｅ１−ｘＲｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２（０＜ｘ＜１、０≦ｙ≦１、但し、Ｒｅは、Ｙ，Ｇｄ,Ｌａ，Ｌｕ，Ｔｂ，Ｓｍからなる群より選択される少なくとも一種の元素であり、ＲはＣｅ又はＣｅとＰｒである）であらわされる蛍光体を、又はＮを含み、かつＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎから選択された少なくとも一つの元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された窒化物系蛍光体を有する請求項１１に記載の発光装置。」
　
とあったものを、
　
（２）「【請求項１】
　半導体の発光層を挟んで第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が設けられた素子積層構造に、同一面側を電極形成面として、該第１導電型半導体層、第２導電型半導体層にそれぞれ第１電極、第２電極が設けられた半導体発光素子と、
　前記半導体発光素子が実装された積層基体と、を有する素子積層体であって、
　前記電極形成面内において、
　前記半導体発光素子が矩形状又は正方形であって、該発光素子に、直線状で該半導体発光素子の１辺に対向する直線状電極領域と、第１発光領域と、が設けられると共に、
　前記半導体発光素子が、前記第１導電型半導体層に前記第１電極が設けられた電極形成部と、前記発光層を挟んで前記第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が設けられ、該第２導電型半導体層上に前記第２電極が形成された発光構造部と、を有し、
　前記発光構造部は、前記第１発光領域と、該第１発光領域に連結する第１連結発光領域と、にそれぞれ設けられ、
　前記電極形成部は、前記第１発光領域内で、前記発光構造部に分離されて複数設けられ、
　前記第２電極上には、該第２電極に接続する第３電極が複数設けられ、
　前記第３電極は、前記直線状電極領域内で前記第１連結発光領域により互いに分離され該直線状に配列された第３電極と、該直線状電極領域内の第３電極からそれぞれ前記第１発光領域の発光構造部上を、前記半導体発光素子の１辺に直交する辺に対向して、１列状に延伸して配列された列状第３電極と、を有し、
　前記積層基体が、電極を備えて、前記半導体発光素子の電極形成面側を接合側として、前記第１電極、前記第３電極にそれぞれ対応して、該基体側電極に接合されている素子積層体。
　【請求項２】
　前記半導体発光素子に、
前記電極形成面内において、前記第１発光領域と、前記直線状電極領域と、
前記第１電極のパッド部が、直線状に複数配置され、前記直線状電極領域に対向する直線状のパッド部形成領域と、が設けられると共に、
　該パッド部形成領域内で、前記第１電極のパッド部間に、前記第１発光領域に連結する第２連結発光領域が設けられている請求項１に記載の素子積層体。
　【請求項３】
　前記第１発光領域が、前記パッド部形成領域と、前記直線状電極領域との間に挟まれ、
　該第１発光領域内で、
前記列状第３電極が、前記第２連結発光領域から離間され、
前記第１電極が、前記列状第３電極に併設し、前記パッド部から延伸して、前記第１連結発光領域から離間される延伸電極部を有する請求項２に記載の素子積層体。
　【請求項４】
　半導体の発光層を挟んで第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が設けられた素子積層構造に、同一面側を電極形成面として、該第１導電型半導体層、第２導電型半導体層にそれぞれ第１電極、第２電極が設けられた半導体発光素子と、
　前記半導体発光素子が実装された素子積層体であって、
　前記電極形成面内において、
　前記半導体発光素子が矩形状又は正方形であって、該発光素子に、直線状で該半導体発光素子の１辺に対向する直線状電極領域と、該直線状電極領域に対向する直線状のパッド部形成領域と、該直線状電極領域とパッド部形成領域との間に挟まれた第１発光領域と、が設けられると共に、
　前記半導体発光素子が、前記第１導電型半導体層に前記第１電極が設けられた電極形成部と、前記発光層を挟んで前記第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が設けられ、該第２導電型半導体層上に前記第２電極が形成された発光構造部と、を有し、
　前記発光構造部は、前記第１発光領域と、該第１発光領域に連結する第１，２連結発光領域と、にそれぞれ設けられ、
　前記電極形成部は、前記第１発光領域内で、前記発光構造部に分離されて複数設けられ、
　前記第３電極は、前記直線状電極領域内で前記第１連結発光領域を挟んで互いに分離された該直線状に配列された第３電極と、該直線状電極領域内の第３電極からそれぞれ前記第１発光領域の発光構造部上を、前記半導体発光素子の１辺に直交する辺に対向して、１列状に延伸して配列された列状第３電極と、が設けられ、
　前記第１電極が、前記パッド部形成領域内で、前記第２連結発光領域に分離されて直線状に配列されたパッド部を有し、
　前記積層基体が、電極を備えて、前記半導体発光素子の電極形成面側を接合側として、前記第１電極の複数のパッド部、第３電極にそれぞれ対応して、該基体側電極に接合されている素子積層体。
　【請求項５】
　前記発光素子が、前記第１発光領域と、前記第１電極のパッド部形成領域と、前記第３電極の直線状電極領域と、をそれぞれ複数有する請求項３又は４に記載の素子積層体。
　【請求項６】
　前記パッド部形成領域内の複数の第１電極パッド部が、前記積層基体側の１つの電極に接合されて電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の素子積層体。
　【請求項７】
　前記素子積層体において、前記半導体発光素子における、前記発光構造部上の第２電極、若しくは第２電極上の第３電極が、互いに分離され、
　該複数の電極が、前記積層基体側の１つの電極に接合されて、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項６記載の素子積層体。
　【請求項８】
　前記第１電極は、前記パッド部形成領域内のパッド部と、各パッド部から前記第１発光領域にまで延伸し、前記半導体発光素子の１辺に直交する辺に対向して形成される延伸電極部と、を有し、１つの該パッド部と延伸部を備えた前記第１電極形成部が複数設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の素子積層体。
　【請求項９】
　前記列状第３電極が、前記第１電極の延伸電極部間の発光構造部に各々１列設けられ、該延伸電極部が前記第１連結発光領域から離間されて、前記第１連結発光領域に、該延伸電極部間の発光構造部を互いに連結する前記発光構造部が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の素子積層体。
　【請求項１０】
　前記延伸電極部間の発光構造部、若しくは延伸電極部に分離されて併設された発光構造部が、前記第１発光領域内の延伸電極部の端部近傍の発光構造部に連続して、互いに接続されて形成されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の素子積層体。
　【請求項１１】
　請求項１乃至１０記載の素子積層体を用いた発光装置であって、発光装置には、発光素子から光の一部を、それとは異なる波長の光に変換する光変換部材を有することを特徴とする発光装置。
　【請求項１２】
　前記光変換部材が、（Ｒｅ１−ｘＲｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２（０＜ｘ＜１、０≦ｙ≦１、但し、Ｒｅは、Ｙ，Ｇｄ,Ｌａ，Ｌｕ，Ｔｂ，Ｓｍからなる群より選択される少なくとも一種の元素であり、ＲはＣｅ又はＣｅとＰｒである）であらわされる蛍光体を、又はＮを含み、かつＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎから選択された少なくとも一つの元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された窒化物系蛍光体を有する請求項１１に記載の発光装置。」
　
と補正するものである。
　
　本件補正は、補正前の請求項１の「第３電極」につき、それが配置される領域が「直線状で該半導体発光素子の１辺に対向する直線状電極領域」であることを限定するものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）本願明細書及び特許請求の範囲の記載
　ア　平成２１年１月１９日に補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、上記１（２）のとおりである。
　
　イ　本願明細書には、以下の（ア）〜（ウ）の記載がある（なお、以下の（ア）〜（ウ）の記載は、補正されていない。）。
　（ア）「【０００５】
  ・・・本発明は発光面全体に渡って均一な発光が得られる窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
  以上の目的を達成するために、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、基板上に、ｎ型層、活性層及びｐ型層が積層されてなる積層体を備え、その積層体はｎ側の電極をライン状に形成するために上記ｎ型層表面が露出された互いに平行なｎ電極形成領域を有し、そのｎ電極形成領域にそれぞれｎライン電極が形成され、上記ｐ型層のほぼ全面に透光性電極が形成された窒化物半導体発光素子において、上記ｎライン電極は、互いに分離されて等間隔に配置されかつ各ｎライン電極の一端にはそれぞれｎパッド電極が形成され、上記透光性電極上には、上記ｎライン電極と交互に配置されかつ隣接するｎライン電極から等
距離になるようにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれｐパッド電極が形成されたことを特徴とする。
【０００７】
  以上のように構成された本発明に係る窒化物半導体発光素子において、上記ｎライン電極と上記電流拡散導体とは等間隔に形成され、かつ上記ｎライン電極と上記電流拡散導体の一端にそれぞれ個別にパッド電極が形成されているので、発光領域全体にほぼ均一に電流を注入することができ、発光面全体に亙って均一な発光が得られる。・・・
【０００８】
  本発明に係る窒化物半導体発光素子において、上記ｎ電極形成領域のうちの１つは矩形の発光素子の１つの辺である第１の辺に沿って形成し、他のｎ電極形成領域は上記ｐ型層と活性層をライン状に除去して形成したスリットにより構成することができる。
  このようにすると、活性層全体を発光領域として機能させることができ、効率的な発光が可能となる。」
　
　（イ）「【００１２】
  ・・・本発明に係る発光素子１００は、発光層１２を挟んで第１導電型層１１、第２導電型層１３が設けられた素子積層構造１０１に、同一面側を電極形成面として、に第１導電型層、第２導電型層にそれぞれ第１電極１、第２電極２が設けられ、該電極形成面内において、第１導電型層１１が露出されて電極１が設けられた電極形成領域２３と、発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられ領域であって、該第２導電型層２６が露出されて電極が形成された発光構造部２１と、を有し、前記第１導電型層には複数の第１電極が設けられ、該第１電極は、パッド部形成領域３２内で互いに分離された第１電極のパッド部１ｂと、各パッド部１ｂから、該パッド部形成領域３２から分離され前記発光構造部２１を含む発光領域３１にまで延伸して形成される延伸電極部１ｂとを有することを特徴とする。
【００１３】
  このように、電極形成面内において、第１電極形成部２２と、第２電極２が設けられて発光する発光構造部２１とが設けられ、第１電極１が、パッド部形成領域３２内に互いに分離されたパッド部１ｂのみが形成されて、その領域から延伸電極１ａがそれぞれ形成される領域として、発光構造部２１を有する発光領域３１内に延伸して形成される延伸電極部１ａが設けられる構造とすることで、均一発光を阻害するパッド部１ｂ間の延伸電極が排除されて、発光構造部２１の面積を増やせ、さらに第１電極１間、特に延伸電極部１ａ間の発光構造部２１の発光が均一なものとなる。
【００１４】
  また、本発明に係る発光素子１００は、前記パッド部形成領域（３２）において、各パッド部１ｂ間に、前記発光構造部２３（３１）が設けられていると、従来第１電極形成部であった領域を発光領域、発光構造部とでき、発光構造部２３（３７）を増加させ、且つ、その領域においても均一な発光が実現される。
【００１５】
  さらに、本発明に係る発光素子１００は、前記延伸電極部１ａ間の発光構造部３６（２１）、若しくは延伸電極部１ａに分離されて併設された発光構造部３６が、延伸電極部１ａの発光領域内端部近傍の発光構造部３７，３８に連続して形成されていることを特徴とすることにより、延伸電極部１ａ（２２）で分離された両側の発光領域３６とその端部近傍で、で分離された領域３６を連結させる発光構造部の領域３８も含めて、延伸電極１ａの周囲の発光構造部２１として、均一な発光が実現される。従って、延伸電極１ａの形成部２２により発光構造部２１を分離させずに、一部領域（延伸電極形成領域３３）で分離させ、他の領域３８で連結させること、すなわち、両方の領域（連結発光領域３８と電極形成領域３３）を、発光構造部２１に有することが好ましい。さらに好ましくは、発光領域３１が、延伸電極部１ａに併設される全ての発光領域３６が、パッド部１ｂ，３ｂ間の発光領域３７，３８で連結されて、１つの発光構造部２１に連続して設けられることが好ましい。本発明では、第１電極パッド部形成領域３２と、第３電極パッド部３４とが少なくとも面内で分離されていることが好ましく、第１電極延伸電極部１ａが、パッド部形成領域３２から互いに同じ形成領域３３に設けられることが好ましく、第１，３電極の延伸電極形成領域３３，３５が重なることが好ましい。
【００１６】
  また、前記各第１電極は互いに分離されて、前記延伸電極部１ａがライン状であって、その一方端部に前記バッド部１ｂが設けられていると、パッド部形成領域３２と延伸電極形成領域３３若しくは発光領域３１とを、素子積層構造１０１の電極形成面内、チップ面内において、好適に配置され、発光領域３１（２１）を大きくでき、また、前述、後述のように、パッド形成部３２をチップ（１０１）端部に配置して、延伸電極形成領域３３、発光領域３１をその端部の形成領域３２以外に設けて、発光領域３１を大きくでき好ましい。そのとき、後述するように、延伸電極１ａ、それに併設された発光領域３６を、パッド部形成領域３２に対しほぼ垂直に形成することが好ましい。
【００１７】
  さらに、前記発光領域３１内の発光構造部２１に設けられた第２電極２が、該第２電極上に設けられた第３電極３を有し、前記第１電極１の延伸電極部１ａ間に該第３電極３が設けられて、各第３電極３は互いに分離されて複数形成されていることで、上記第１電極１と同様に、第３電極３のパッド部３ｂ間、若しくはそれを広げるための延伸部を排除して、それにより発光構造部２１を覆う第３電極３の面積を減らし、第１電極１の延伸部１ａを延長させて、さらに発光均一、高出力発光が広い範囲の発光構造部２１で得られる。
【００１８】
  また、本発明に関係する別の発光素子は、発光層１２を挟んで第１導電型層１１、第２導電型層１３が設けられた素子構造１０１に、同一面側を電極形成面として、に第１導電型層１１、第２導電型層１３にそれぞれ第１電極１、第２電極２が設けられ、該電極形成面内において、第１導電型層１１が露出されて電極１が設けられた電極形成領域２２と、
発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられ領域であって、該第２導電型層が露出されて電極が形成された発光構造部と、を有し、
  前記第１導電型層には複数の第１電極が設けられ、該第１電極は、直線状のパッド部形成領域に互いに分離された第１電極のパッド部と、各パッド部から、該パッド部形成領域から分離された前記発光構造部を含む発光領域にまで直線状に延伸して形成される延伸電極部とを有し、該直線状延伸電極部が互いにほぼ併行であることを特徴とする。
【００１９】
  また、本発明に関係する別の発光素子では、前記第１電極の延伸電極部間に、該延伸電極部にほぼ平行に延伸して設けられ、前記第２電極上に設けられた第３電極を有することを特徴とするものであってもよい。
  さらに、本発明に関係する別の発光素子では、前記第３電極が、パッド部と該パッド部を端部として、前記第１電極のパッド部形成領域に延伸して、前記第１電極の延伸電極部にほぼ平行な第３電極の延伸電極部が設けられていることを特徴とするものであってもよい。」
　
　（ウ）「【００２８】
  以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態の窒化物半導体発光素子について説明する。
  実施の形態１．
  図１は、本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子の平面図であり、本発明の特有の電極構造を示している。また、図２は図１のＸ−Ｘ’線についての断面図である。
  本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上にそれぞれ窒化物半導体からなるｎ型層１１、活性層１２及びｐ型層１３がその順に積層されてなり、ｎ側電極は、互いに分離された複数のｎライン電極１により構成され、ｐ側電極は透光性のｐオーミック電極２とそのｐオーミック電極２の上に形成された複数の電流拡散導体３により構成されている。
【００２９】
  詳細に説明すると、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子では、ｎ型層１１、活性層１２及びｐ型層１３からなる積層体において、ｐ型層１３及び活性層１２の一部がライン状に除去されることにより複数のスリットＳｎが形成されて、ｎ型層がライン状に露出され、そのスリットＳｎにより露出されたｎ型層上にそれぞれｎライン電極１が形成される。また、スリットに平行な１つの辺（発光素子の１つの辺：以下第１の辺という。）に沿って、所定の幅にｎ型層が露出され、そこにも１つのｎライン電極１が形成される。
  以下、第１の辺に沿って、所定の幅にｎ型層が露出されたｎライン電極が形成されるｎ型層表面を第１領域といい、この第１領域に形成されたｎライン電極を第１ｎライン電極という。また、本明細書において、第１の辺に対向する辺は、第２の辺という。
【００３０】
  ここで、本実施の形態１において、第１領域と複数のスリットＳｎは互いに平行でかつ第１領域とスリットＳｎとの間隔及び隣接するスリットＳｎ間の間隔は互いに等しくなるように形成される。
  また、実施の形態１において、各ｎライン電極１はライン状オーミック電極１ａとそのライン状オーミック電極１ａの一端に設けられたｎパッド電極１ｂとによって構成される。実施の形態１において、各ライン状オーミック電極の一端に設けられたｎパッド電極１ｂは、第１の辺に直角の１つの辺（第３の辺）に沿って形成される。
  また、実施の形態１において、ライン状オーミック電極１ａは、その一端部がｎパッド電極１ｂを形成するために広く形成され、その上にｎパッド電極１ｂが形成される。
【００３１】
  本実施の形態１において、ｐ側電極は、ｐ型層のほぼ全面に形成された透光性を有するｐオーミック電極２と、そのｐオーミック電極２の上に形成された複数の電流拡散導体３とによって構成される。この電流拡散導体３はライン状オーミック電極１ａと平行に形成された複数の拡散ライン電極３ａとその拡散ライン電極３ａの一端に設けられたｐパッド電極３ｂとによって構成される。実施の形態１において、拡散ライン電極３ａと隣接するｎライン電極１との間隔は、互いに等しくなるように形成され、複数の拡散ライン電極３ａのうちの１つは第２の辺に沿って形成され、他の拡散ライン電極３ａはｎライン電極１の間に形成される。すなわち、実施の形態１では、対向する２つの辺のうちの一方の辺（第１の辺）に沿ってｎライン電極を形成した場合、その一方の辺に対向する他方の辺に沿って電流拡散導体３を形成するように構成している。また、各拡散ライン電極３ａの一端に設けられたｐパッド電極３ｂはいずれも、ｎパッド電極が形成されている第３の辺に対向する第４の辺に沿って形成される。
・・・
【００４６】
  実施の形態２．
  図７は、本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体発光素子の平面図であり、実施の形態１とはｎライン電極１と電流拡散導体３の本数が異なる他は実施の形態１と同様に構成される。・・・
【００４７】
  詳細に説明すると、本実施の形態２の窒化物半導体発光素子では、ｎ型層１１、活性層１２及びｐ型層１３からなる積層体において、ｎ型層がライン状に露出させるスリットＳｎが１本形成され、そこに１つのｎライン電極１が形成される。また、スリットに平行な１つの辺（発光素子の１つの辺：以下第１の辺という。）に沿って、所定の幅にｎ型層が露出され（第１領域）、そこにも１つのｎライン電極（第１ｎライン電極）１が形成される。
【００４８】
  本実施の形態２において、ｐ側電極は、ｐ型層のほぼ全面に形成された透光性を有するｐオーミック電極２上に形成された２本の電流拡散導体３が形成される。この電流拡散導体３のうちの一本は２つのｎライン電極１の間に形成され、他の一本は、第２の辺（第１の辺に対向する辺）に沿って形成される。
  また、実施の形態２において、電極間の間隔及びｎ及びｐパッド電極の配置関係は実施の形態１と同様である。
  すなわち、実施の形態２において、電流拡散電極３と隣接するｎライン電極１との間隔は、互いに等しくなるように形成される。
  また、拡散ライン電極３ａの他端とｎパッド電極１ｂとの距離を、拡散ライン電極３ａとｎライン電極１の間隔にほぼ等しく設定し、ｎライン電極１の他端とｐパッド電極３ｂとの距離を、拡散ライン電極３ａとｎライン電極１の間隔にほぼ等しく設定している。
  以上のように構成された実施の形態２の窒化物半導体発光素子では、実施の形態１と同様、どの部分においても電流拡散導体３とｎライン電極との間の距離を実質的に等しくできるので、発光領域全体にほぼ均一に電流を注入でき、均一な発光が可能となる（図８）。
・・・
【００４９】
  実施の形態３〜７
  以下、本発明の他の実施形態と、その実施形態の各構成について説明する・・・。
【００５０】
（発光素子構造体１００）
  本発明の発光素子は、素子構造体１００として、図９〜１８に示すように、素子構造体は、基板１０上に、第１導電型層１１、発光層（活性層）１２、第２導電型層１３が順に積層された積層構造１０１を有するものであり・・・。
・・・
【００６０】
（発光素子面内構造）
  本発明において、発光素子構造１０１の電極形成面内の構造としては、図１０，１２，１６に示すように、発光層１２とそれを挟む第１，２導電型層１１，１３が形成された発光構造部と、第１導電型層側電極形成部２２とを、面内で一部が重なる構造よりも分離して設けることが好ましく、このとき電極形成部２２は、図１、７のスリットＳｎとして機能する。
【００６１】
  電極形成部２２としては、電極形成可能なように、第１導電型層１１の露出部２３に設けられ、該露出部は、図２，１０（ｂ）、１２に示すように、第１導電型層１１、発光層１２、第２導電型層１３を順に積層した積層構造１０１において、第２導電型層１３、発光層１２の面内の一部、若しくはそれに加えて第１導電型層１１の深さ方向の一部を除去して、露出させた露出部２３を電極形成部２２とする他、図１６（ｂ）に示すように、分離溝２３ａを形成して、その溝２３ａを介して発光構造部２１に離間させて、露出部２３から第２導電型層露出部２６に跨って電極１を形成して、電極形成部２２を面内に設ける構造とすることもでき、また図１６（ａ）に示すように、形成した第１導電型層１１ａの面内一部を、除去若しくはマスクして、面内一部に発光構造部２１として、発光層１２、第２導電型層１３、若しくはそれに加えて第１導電型層の一部１１ｃの積層成長させた構造を面内の一部（発光構造部）に形成する構造とすることもできる。このとき、電極１のボンディング位置である電極形成部２２、スリットＳｎは、積層方向において、電極３と同等とすることも、それよりも高い位置とすることもできる。また、このとき、電極形成部２２は、発光構造部２１とは面内で分離されて形成されるので、電極形成部２２の領域は非発光領域となり、発光構造部２１と電極形成部２２とに面内で重なって、下部に設けられた第１導電型層の一部領域１１ｂなどにより、電極１から発光構造部２１にキャリアが面内拡散され供給される。
【００６２】
（面内電極構造）
  本発明において、電極構造の基本的な構成は、電極形成面内において、第１導電型層１１の露出部２３に電極１として、電極パッド部１ｂと、そこから延伸した電極延伸部１ａと、を有し、電極１は、露出部２３の一部領域に電極形成領域２２に設けられ、主に電極延伸部１ａにより発光構造部２１が一部分離されて、第２導電型層１２には、電極２がその露出部２６に設けられ、発光構造部２１内に形成される。
【００６３】
  ここで、図１９は、従来技術と本発明の発光素子とを対比して説明する平面模式図であり、図１９（ａ）の従来技術では、第１電極５が、第１導電型層の電極形成部２２に設けられ、パッド部５ｂと、発光領域３１、及び発光構造部２１を一部分離して延伸する延伸電極部５ａと、各延伸電極部５ａを発光領域３１面内で間隔を広げるための電極部５ｃが互いに連結されて形成されており、他方、第２導電型層の電極２とその上に設けられる電極６は、パッド部６ｂと、そこから発光領域３１内に延伸する電極延伸部６ａと、各延伸電極部６ａ間の間隔を広げる電極部６ｃが互いに連結されて形成されている。各電極５，６の各電極部はほぼ等間隔となるように配置され、発光領域３１（発光構造部２１）内で互いに対向してほぼ並行で交互に配置される延伸電極部５ａ、６ａは、発光領域３１を囲むように延伸する電極部５ｃ、６ｃを介してパッド部５ｂ、６ｂに接続されている。従来の構造として他の例は、図１９（ｂ）に示すように、各パッド部５ｂ、６ｂを、実線の丸及び四角として示されるように、図１９（ａ）における電極部５ａと５ｃとの間、６ａと６ｃとの間の角部、に設けて、各パッド部５ｂ、６ｂ間に電極部５ｃ、６ｃが配置された構造となる。本発明の発光素子では、図１９（ｃ）に示すように、第１電極１のパッド部１ｂ間の電極が点線で示されるように除去され、パッド部１ｂから発光領域３１（発光構造部２１）内に延伸する延伸電極部１ａで構成される。従って、第１導電型層１１の露出部２２に第１電極１のパッド部形成領域３２にそれぞれ分離されたパッド部１ｂを有し、そのパッド部から、パッド部形成領域３２に分離された発光領域３１内にまで延伸する延伸電極部１ａをそれぞれ備えている。また、第２導電型層１３には、電極２と、その上の電極３、各パッド部３ｂ間の電極部を除去して、各パッド部３ｂから発光領域３１に延伸する延伸電極部３ａが設けられ、さらに各延伸電極部１ｂ、３ｂは、互いに対向してほぼ平行に配置され、好ましくは等間隔に配置されている。
【００６４】
  図１９（ｄ）では、さらに好ましい形態を示すものであり、第１電極１のパッド部形成領域３２から分離された発光領域３１には、延伸電極形成領域３３が設けられて、パッド部１ｂから延伸して電極部１ａが形成される領域であり、第３電極の延伸電極形成領域３５に少なくとも一部が重なって形成される。また、第３電極のパッド部形成領域３４が、延伸電極形成領域３３，３５を第１電極パッド部形成領域３２とで挟むように設けられている。このように各パッド部形成領域が発光領域３１、延伸電極形成領域３３，３５、延伸電極部１ａ，３ａを挟むように、好ましくはそれぞれが素子構造部の側面に沿って形成されることで、素子構造全体に広げて、発光領域３１を配置でき、また電極延伸部間の発光領域３６を広くとることができ、発光出力を向上できる。また延伸電極部１ａ，３ａ間の発光領域３６は、図に示すように、パッド部３ｂ間の発光領域３８に連結してそれぞれの領域３６が連続して形成されることで、延伸電極部１ａ端部からの電流拡散で好適に発光させることができ好ましい。さらに、図１９（ｅ）では、図１９（ｄ）において点線部に示すように、各延伸電極部１ａ，３ａをさらに延伸させることで、発光面積を大きくし、出力が向上できる。具体的には、発光構造部２１を第１電極パッド部形成領域３２内にまで設けて、パッド部１ｂ間に設けることであり、第１電極１の延伸部１ａと電極形成領域２３を延伸させて、第３電極パッド部３ｂ形成領域３４まで延伸させて、パッド部３ｂ間に延伸させて設けることである。
【００６５】
  上記実施形態において、ｎ電極１、ｐ電極２はそれぞれ第１電極１、第２電極２に該当し、ｎ型層１１、ｐ型層１３はそれぞれ第１導電型層１１、第２導電型層１２に該当して、適用される。
  （第１電極１）
  本発明の発光素子において、基本的な構成は、第１電極１のパッド部１ｂが離間されて複数形成されるパッド部形成領域３２から、発光領域３１内に延伸させた延伸電極部１ａがそれぞれ設けられた構造となる。第１電極１のパッド部１ｂの形成領域３２は、図１９、９などに示すように直線状に形成されて、直線状に配列されたパッド部１ｂとすることが好ましいが、このほか形成領域３２として、一部屈曲、湾曲したり、連続直線のように
多段的に折れ曲がる形状であったり、素子構造１０１面内で広げるように延伸させたような形状でも良い。また、複数のパッド部形成領域３２が設けられても良いが、好ましくは１つの発光領域３１に対して１つとすること、更に好ましくは発光領域３１（発光構造部２１）、形成領域３２をそれぞれ１つとすることで、発光領域３１とパッド部形成領域３２とを面内で配置しやすく、また、発光領域３２内で延伸電極部１ａにより好適な均一発光が実現され好ましい。
【００６６】
  また、第１電極１は、第１導電型層１１の露出部２３の少なくとも一部に電極形成領域２２として形成され、発光構造部２１と分離されて設けられ、オーミック接触用として第２導電型層１１内に電流注入する。・・・
【００６７】
  第１電極１の延伸部１ａは、上述したように発光構造部２１、発光領域３１内に、パッド部形成領域３２から延伸して形成され、発光構造部２１に電流拡散、注入する機能を有する。延伸電極１ａは、パッド部１ｂとの関係において、パッド部１ｂ間の長さよりも長く延伸させて形成することで、延伸電極部１ａ形成領域３３を大きくでき、尚かつ発光領域３１の発光を均一なものとして、形成できるため、好ましい。
・・・
【００７３】
  第３電極３は、上述したように、第１電極と同様に、パッド部３ｂ、延伸電極部３ａとして形成することができ、その時、第１電極１、特に延伸電極部１ａとの間、若しくはそれを挟むように形成し、好ましくは両電極１，３がほぼ平行に、さらに好ましくは等間隔で形成されることで、好適な発光領域３７が形成されて発光領域３２、発光構造部２１において均一な発光が得られる。
【００７４】
  さらにまた、図１１（ｂ）、図１７（ａ）に示すように、パッド部３ｂを複数設ける形態でも良く、好ましくは、延伸電極部３ａとして機能するように、配列方向３ｘでもって配列されることが好ましい。このとき、図に示すような１列状に配置されるほか、ジグザグ状、２列など、第１電極１の延伸電極部１ａ間で、延伸電極部３ａに近似されるような配列であれば良い。分離された第３電極３として形成される場合には、素子１００側で、さらにそれらを電気的に接続する配線を備えても良いが、好適には、図１１（ｂ）とその断面図１２（ｄ）に示すように、積層基体１０４側の電極１１４で互いに電極を接続することで、構造を簡略化でき、発光素子１００の機能を高めることができ好ましい。
【００７５】
  ここで、図１７は第２，３電極の実施形態を説明するものであり、上述したとおり、パッド部３ｂを列状３ｘに配列して延伸電極部３ａとしてもよく（図１７ａ）、・・・。
・・・
【００８０】
  実施形態５．
  実施形態５では、図１１の発光素子１００の電極形成面で積層基体１０４に接合した素
子積層体１０３を基板１０側からの平面図と、図１１における各断面図を示す図１２，１３に示すように、発光素子１００を素子積層体として、素子側で分離された第１電極１（パッド部１ｂ）を、基体１０４側電極１１２で互いに接続し、分離された第３電極３（パッド部３ｂ）も同様に基体１０４側で互いに電気的に接続されて、実装、接合されている。基体１０４側電極１１２は、発光素子１００側電極１，３（２）に対応して、互いに絶縁膜１１１などで絶縁分離されて設けられ、外部接続用の電極１１３が設けられている。
基体１０４に素子部１１５を設けても良く、ここでは、図１３（ａ）（図１１のＸ−Ｘ’断面図）の等価回路（ｂ）に示すように、電流保護素子（素子構造部１１５）として、ｐ型層（第１導電型層）１１５ａ、ｎ型層（第２導電型層）１１５ｂを設けている。ここでは、素子部１１５を基体１０４に１つだけ設けているが、２つ以上設けて外部（素子１００、実装基体２０１）の電極、基体１０４側配線などで接続される形態などでも良く、また、保護素子は、基体１０４上、発光装置２００内（載置部２２２）に実装して、発光素子にワイヤー接続、配線接続されても良い。
  発光素子１００側電極１，３（２）と、基体１０４の電極１１２とは接合層１１４を介して接合しているが、素子１００側電極の一部と、若しくは基体１０４側電極１１２の一部と、を接合層の一部としても良く、パッド部１ｂ、３ｂに代えて接合層を形成しても良い。」
　
（２）記載不備
　本件補正後の請求項１には、「・・・該発光素子に、直線状で該半導体発光素子の１辺に対向する直線状電極領域と、第１発光領域と、が設けられると共に、・・・前記発光構造部は、前記第１発光領域と、該第１発光領域に連結する第１連結発光領域と、にそれぞれ設けられ、前記電極形成部は、前記第１発光領域内で、前記発光構造部に分離されて複数設けられ・・・」と記載され、また、同請求項２には、「前記半導体発光素子に、前記電極形成面内において、前記第１発光領域と、前記直線状電極領域と、・・・前記直線状電極領域に対向する直線状のパッド部形成領域と、が設けられると共に、該パッド部形成領域内で、前記第１電極のパッド部間に、前記第１発光領域に連結する第２連結発光領域が設けられ・・・」と記載されているところ、本件補正後の請求項１、２の上記記載によれば、
　ア　「第１発光領域」とは、発光構造部が設けられ、第１連結発光領域と連結する領域であることは理解できるものの、それが、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明であり、
　また、それに伴い、
　イ　「第１連結発光領域」とは、直線状電極領域内で第３電極を互いに分離し、「第１発光領域」と連結するものであることは理解できるものの、それが、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明であり、
　ウ　「第２連結発光領域」とは、パッド部形成領域内で、第１電極のパッド部間に設けられ、「第１発光領域」と連結するものであることは理解できるものの、それが、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明である。
　この点に関連して、本願明細書の記載（上記（１）参照。）によれば、
　（ｉ）発光領域３１は、発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられた領域である発光構造部２１を有するものであり、その内に延伸電極部１ａが延伸して形成されること（上記（１）イ（【００１２】、【００１３】）参照。）、
　（ｉｉ）第１電極１のパッド部形成領域３２及び第３電極のパッド部形成領域３４が、発光領域３１、延伸電極形成領域３３，３５、延伸電極部１ａ，３ａを挟むように形成されること（上記（１）ウ（【００６４】）参照。）、
　（ｉｉｉ）延伸電極部１ａ，３ａ間の発光領域３６は、パッド部３ｂ間の発光領域３８に連結してそれぞれの領域３６が連続して形成されること（上記（１）イ（【００１５】）、ウ（【００６４】）参照。）
を把握することができるものの、本願明細書には本件補正後の請求項１、２の「第１発光領域」を明示する記載は認められず、前記発光領域３１ないし発光領域３６が「第１発光領域」と関連する領域であることが推測されるにとどまる。
　しかも、前記発光領域３１ないし発光領域３６が、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのかについて明示する記載は認められないから、本願明細書の記載を参酌しても、上記「第１発光領域」が、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明である。
　よって、本件補正後の請求項１、２の記載は、「第１発光領域」、「第１連結発光領域」及び「第２連結発光領域」が、それぞれ、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明であり、それぞれがどのような形状の領域で、素子全体においてこれらの領域がどのような状態に存在するのか特定できないから、本件補正後の請求項１及び２に係る発明は不明確である。
　
　したがって、本願は、その特許請求の範囲の記載が不明確であり、発明を特定するための事項の記載が明確であるとはいえないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）小活
　以上（２）のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願について
　平成２１年１月１９日付けの手続補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年９月２９日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項によって特定されるものである。
　
１　原査定の拒絶の理由
（１）平成２０年７月２２日付け拒絶理由通知書
　平成２０年７月２２日付けで通知した拒絶の理由は、次に抜粋して示すとおりのものである。
　
「１．・・・
　
　２．この出願は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特
許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・・・
・請求項２に係る発明では、電極形成部、発光構造部、連結発光領域、発光領域及びパッド部形成領域の互いの関係が不明確である。つまり、それぞれがどのような形状で、素子全体としてどのような状態になっているのか特定できない。
　よって、請求項２及び請求項２を引用する請求項に係る発明は不明確である。（審決注：以下、この拒絶の理由を「理由ａ」という。）。
・・・」
　
（２）平成２０年１１月１２日付け拒絶査定
　平成２０年１１月１２日付け拒絶査定は、本願は上記（１）の拒絶理由通知書に記載した理由によって拒絶をすべきものであるというものであって、その備考欄には、次のとおり記載されている。
「備考
　＜理由２＞
・・・
・請求項２に係る発明では、電極形成部、発光構造部、連結発光領域、発光領域及びパッド部形成領域の互いの関係が不明確である。つまり、それぞれがどのような形状で、素子全体としてどのような状態になっているのか特定できない。
　よって、請求項２及び請求項２を引用する請求項に係る発明は不明確である。
・・・」
　
２　本願明細書及び特許請求の範囲の記載
（１）平成２０年９月２９日に補正された特許請求の範囲の請求項１及び２の記載は、上記第２の１（１）に示したとおりである。
　
（２）本願明細書には、上記第２の２（１）イで摘記したとおりの記載がある。
　
３　理由ａについての当審の判断
　本願の請求項１には、「・・・発光構造部に、第１発光領域と、該第１発光領域に連結する連結発光領域が設けられ、前記第１電極は、前記第１発光領域の発光構造部に分離されて設けられた複数の前記電極形成部を有し、・・・前記連結発光領域により互いに分離された第３電極と、該分離された第３電極がそれぞれ前記第１発光領域の発光構造部上を１列状に延伸して配列された列状第３電極が設けられ・・・」と記載され、また、同請求項２には、「前記発光素子は、前記第１発光領域と、前記第１電極形成部のパッド部が配置されるパッド部形成領域と、を有し、該パッド部形成領域のパッド部間に、前記第１発光領域に連結する前記連結発光領域が設けられ・・・」と記載されているところ、本願の請求項１、２の上記記載によれば、
　ア　「第１発光領域」とは、発光構造部に設けられ、連結発光領域と連結する領域であることは理解できるものの、それが、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明であり、
　また、それに伴い、
　イ　「連結発光領域」とは、第３電極を互いに分離し、「第１発光領域」と連結するものであることは理解できるものの、それが、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明である。
　この点に関連して、本願明細書の記載（上記第２の２（１）参照。）によれば、上記第２の２（２）の（ｉ）〜（ｉｉｉ）の事項を把握することができるものの、本願明細書には本願の請求項１、２の「第１発光領域」を明示する記載は認められず、前記発光領域３１ないし発光領域３６が「第１発光領域」と関連する領域であることが推測されるにとどまる。
　しかも、前記発光領域３１ないし発光領域３６が、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのかについて明示する記載は認められないから、本願明細書の記載を参酌しても、上記「第１発光領域」が、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明である。
　よって、本願の請求項１及び２の記載は、「第１発光領域」及び「連結発光領域」が、それぞれ、半導体発光素子の形状との関係において、具体的にどのように定まる領域であるのか不明であり、それぞれがどのような形状の領域で、素子全体においてこれらの領域がどのような状態に存在するのか特定できないから、本願の請求項１及び２に係る発明は不明確である。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願は、その特許請求の範囲の記載が不明確であり、発明を特定するための事項の記載が明確であるとはいえないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　よって、結論のとおり審決する。