【事件の表示】
　特願２００４−２０４９５８「インプリント加工用スタンパーおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月　２日出願公開、特開２００６−　３２４２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年７月１２日の出願であって、平成２０年５月１３日付けで通知した拒絶の理由に対して、同年７月１５日付けで手続補正書が提出され、同年８月２６日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、これに対して、同年１０月３１日付けで手続補正書が提出されたが、この手続補正書でした補正は同年１１月２１日付けで却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２１年１月５日付けで審判請求がなされるとともに、同年２月４日付けで手続補正書が提出され、その後、当審における審尋に対して平成２２年７月８日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２１年２月４日付けの手続補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年２月４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正には、特許請求の範囲の請求項１について、次のように補正しようとする事項が含まれている。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　表面に凹部の溝幅および深さ寸法が５００ｎｍ以下の凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体と、
　前記スタンパー本体の表面に形成された、無機カーボンを１０％以上含む膜と
　を具備したことを特徴とするインプリント加工用スタンパー。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　
基板上に磁性膜を成膜し、その上にレジストを塗布した後、インプリント加工用スタンパーを押し付けてレジストに微細構造を転写し、さらにレジストをマスクとして磁性膜をエッチングすることにより、パターン化された磁性膜を有する磁気記録媒体を製造する方法に用いられるインプリント加工用スタンパーであって
　表面に
線幅が１５０ｎｍ以下および深さ寸法が７０ｎｍ以下
　前記スタンパー本体の表面に形成された、膜厚が５〜１０ｎｍである、無機カーボンを１０％以上含む膜と
　を具備したことを特徴とするインプリント加工用スタンパー。」
　
　この補正事項は、補正前の「インプリント加工用スタンパー」の具体的用途に関し、「基板上に磁性膜を成膜し、その上にレジストを塗布した後、インプリント加工用スタンパーを押し付けてレジストに微細構造を転写し、さらにレジストをマスクとして磁性膜をエッチングすることにより、パターン化された磁性膜を有する磁気記録媒体を製造する方法に用いられる」旨の特定が付されるとともに、
　「金属製のスタンパー本体」表面の凹凸パターンに関して、補正前の「凹部の溝幅および深さ寸法が５００ｎｍ以下」を、「線幅が１５０ｎｍ以下および深さ寸法が７０ｎｍ以下」として、寸法を実質的に限定するものである。
　
　また、請求項３〜６（インプリント加工用スタンパーの製造方法）についても、請求項１と同様の補正がなされている。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮に該当するものといえる。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下に検討する。
　
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された、
　特開平３−１９１５４号公報（原査定の引用文献１。以下、「刊行物１」という。）、
　特開２００４−１８５７５１号公報（原査定の引用文献２で、周知技術の例示文献。以下、「刊行物２」という。）、
　特開２００４−１７１６５８号公報（原査定の引用文献３で、周知技術の例示文献。以下、「刊行物３」という。）、
　及び、前置報告で追加された、本願出願前に頒布された、
　特開２００２−２２２５４８号公報（周知技術の例示文献。以下、「刊行物４」という。）、
　特開２００４−１６４６９２号公報（前置報告の引用文献８。以下、「刊行物５」という。）、
　特開平１０−９６８０８号公報（前置報告の引用文献６。以下、「刊行物６」という。）、
　には、図面とともに次の事項が記載されている。
　なお、下線は当審で付した。
　
（１）刊行物１
　（１ａ）「特許請求の範囲
（１）
微細な凹凸を有するＮｉ薄板の上に、ダイヤモンド状カーボン層を形成した
スタンパ
　
　（１ｂ）「（産業上の利用分野）
　本発明は光ディスク用スタンパに関し、
特にゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板作製のためのワークスタンパ
　
　（１ｃ）「（従来の技術）
　ゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板の作製プロセスについて説明スる。
　・・・（中略）・・・この様にして作製したＮｉスタンパ（マザー）を用いて、射出成形あるいは２Ｐ成形により樹脂膜のゾルゲル用ワークスタンパを得ることが出来る。
　次に、ガラス基板上にスピンコート法により金属アルコレート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアルコール溶液（ゾルゲル溶液）を塗布し、ゾルゲル層を形成する。先ほどのワークスタンパををこのゾルゲル面に押し当て、微細なパターンを転写する。重ね合わせたまま一次焼成を行った後、ワークスタンパから離型した微細パターン付きガラス基板を更に二次焼成する。このようなプロセスを経て、光ディスク用ガラス基板を得ることが出来る。」（第１頁左下欄〜右下欄）
　
　（１ｄ）「（作用）
　本発明によれば、
ゾルゲル材料に対して離型性かつ耐磨耗性のあるダイヤモンド状のカーボン膜でＮｉスタンパの表面処理を行うため
そのままゾルゲル用ワークスタンパとして多数回繰り返して使用できる
　
　（１ｅ）「（実施例）
　以下、実施例に基づき詳細に説明する。第１図および第２図は、本発明のスタンパの概略断面図である。本発明のスタンパは、前記した通常の方法で作製されたＮｉスタンパ（マスク）１上にダイヤモンド状カーボン膜２を形成してなる。また第２図に示すように、Ｎｉスタンパ（マスク）１とダイヤモンド状カーボン膜２の間に付着強化層を導入することにより安定したゾルゲル転写を行うことができる。
実施例１
　
通常の方法で作製されたＮｉスタンパ（マスク）１に
ＣＶＤ法により
ダイヤモンド状カーボン膜２を５００Å成膜した
　次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板の作製方法について述べる。
　ガラス基板上にテトラエトキシシラン、ポリエチレングリコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピンコート法により塗布し、ゾルゲル層を２０００〜３０００Å形成した。ついで、先ほどのワークスタンパを減圧下重ね合わせて押圧する。そのままの状態で、１００°Ｃ、１０分間の一次焼成を行った。その後、ガラス基板をワークスタンパより離型し、３５０°Ｃ、１０分間の二次焼成を行い、所望の微細パターンを有するガラス基板を得た。
　本発明による
ダイヤモンド状カーボン膜で被覆されたＮｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行っても、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル材料の付着も認められなかった
　一方、通常の方法で作製されたＮｉスタンパをそのまま用いた場合は、１０回程度の繰り返し使用で表面に傷が付いた。また、ゾルゲル材料の付着も初期の段階から起こり、スタンパの使用を繰り返すにつれて出来上りのゾルゲル基板の欠陥が増加した。」（第２頁右上欄〜右下欄）
　
　（１ｆ）第１図は、次のとおり。
　
　これら記載によれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「微細な凹凸を有するＮｉ薄板の上に、ダイヤモンド状カーボン層膜を５００Å成膜して形成した、ゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板作製のためのスタンパ。」
　
（２）刊行物２
　（２ａ）「【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体及びその製造方法に関し、特に記録層に色素を用いた光記録媒体及びその製造方法に関する。」
　
　（２ｂ）「【０００８】
［光記録媒体］
＜基板＞
基板としては、従来の光記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
・・・（中略）・・・
【０００９】
基板には、トラッキング用の案内溝またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸（プレグルーブ）が形成される。
ＤＶＤ−Ｒの場合は、
プリグルーブのトラックピッチは、３００〜９００ｎｍの範囲とすること好ましく、３５０〜８５０ｎｍとすることがより好ましく、４００〜８００ｎｍとすることがさらに好ましい
また、
プリグルーブの深さ（溝深さ）は、１００〜１６０ｎｍの範囲とすることが好ましく、１２０〜１５０ｎｍとすることがより好ましく、１３０〜１４０ｎｍとすることがさらに好ましい
さらに、プリグルーブの半値幅は、２００〜４００ｎｍの範囲とすることが好ましく、２３０〜３８０ｎｍとすることがより好ましく、２５０〜３５０ｎｍとすることがさらに好ましい。」
　
　（２ｃ）「【００１７】
＜基板の成形＞
基板の成形は、前述の基板材料を用い、射出成形、圧縮成形、又は射出圧縮成形によって行うことができる。また、
スタンパー
　
　（２ｄ）「【００３６】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
射出成形機（住友重機械工業（株）製）に
スタンパ
スパイラル状のグルーブ（溝深さ：１３０ｎｍ、溝幅：３２０ｎｍ、トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板を成形した
　
（３）刊行物３
　（３ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直磁気記録媒体用基板および垂直磁気記録媒体並びにそれらの製造方法に関し、より詳細には、平坦性、パターニング精度および機械的強度に優れた垂直磁気記録媒体およびそれを可能とする垂直磁気記録媒体用基板並びにそれらの製造方法に関する。」
　
　（３ｂ）「【００５７】
図２は、凹凸パターンを有する表面層３の形成方法を説明するための図で、密着層２の全面にプラスチックコーティングして表面層３を形成し、その後、表面層３の転移温度を越えない転移温度近傍での加熱下で、
予め所望のパターンが設けられたスタンパ４を押し付けることにより凹凸形状を転写する
【００５８】
すなわち、本発明の垂直磁気記録媒体用基板は、支持層１（またはアルミ基板やガラス基板）の表面に、高分子誘導体化合物含有高分子組成物と金属含有誘導体化合物との組成物である有機・無機ハイブリッド組成物の密着層２を設けてプラスチックコーティングして表面層３を形成し、このプラスチックコート基板に対してスタンパ４を用いて表面層３にスタンパ４のパターンを転写したものである。これにより、機械的強度を担保しつつ平坦かつ微細なパターンを備えた垂直磁気記録媒体用基板が得られ、基板の表面層の凹凸を利用して予めサーボ信号情報を記録させた磁気記録媒体やパターンド媒体などが容易に得られることとなるとともに基板の薄型化も可能となる。」
　
　（３ｃ）「【００６５】
（実施例１）
支持層１として、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の非磁性基体のガラスディスクを用い、これを洗浄後に支持層１に本発明の有機・無機ハイブリッド組成物からなる密着層２を設けた。有機・無機ハイブリッド組成物は、以下に示す組成を有する。
・・・（中略）・・・
【００６６】
次いで、高圧水銀灯を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで照射し、更に１０５℃の真空オーブンで３０分間加熱乾燥して硬化させ、膜厚０．０６μｍの密着層２を得た。なお、このときのガラスディスクの平坦性は１μｍであり、支持層１と密着層２の界面の平坦度も１μｍであった。
【００６７】
表面層３として、へキサンに溶解したＰＭＭＡをスピンコート法により密着層２上に５０ｎｍ形成した。ＰＭＭＡの濃度は０．５ｗｔ％とした。その後、真空加圧装置に導入し、
ガラスディスクとスタンパを１３０℃になるまで加熱し、スタンパにより圧力１２ＭＰａで型押しした
スタンパには電子ビームリソグラフィを用いて、φ１００ｎｍ、高さ５０ｎｍの円筒形パターンが形成
　
（４）刊行物４
　（４ａ）「【０００２】
【従来の技術】光記録媒体は、ＣＤ（コンパクトディスク）やＬＤ（レーザディスク）等の再生専用形の光ディスク、ＭＯおよびＭＤ（光ディスク）のようなプリフォーマットとしての離散的情報パターンやトラッキング用の案内溝（グルーブ）が予め形成された書き込み可能な光ディスクなど、各種のものが提案されている。
【０００３】
このような各種光ディスクの製造プロセスは
ピットやグルーブ等の所望の凹凸パターンに応じた表面形状を有する、いわゆるスタンパと呼ばれる金属原盤を作製する工程（原盤製造工程）
そのスタンパの表面形状をディスク基板上に転写する成形工程
【０００４】このうち、原盤製造工程では、表面を研磨したガラス基板を洗浄、乾燥した後、このガラス基板上に感光材料であるフォトレジストを塗布し、そのフォトレジストに対してレーザビーム等の光ビームを照射してピットやグルーブのパターンを露光する方法が一般的に行われている。この露光によってフォトレジストに形成された潜像を現像することにより、ピットやグルーブの立体的なパターンに対応した凹凸パターンがフォトレジストに形成され、さらにそれを電鋳によって金属表面に転写して、スタンパが作製される。このような光ビームによる露光によって凹凸パターンを記録する方法では、サブミクロンオーダーで所定のパターンをフォトレジスト表面に忠実に転写することが要求される。」
　
　（４ｂ）「【００７７】［製造された光ディスクの評価］上記の第１の実施の形態および第２の実施の形態で説明した原盤の製造方法によって実際に上記の実施例のようにして製造されたスタンパについて、ピットの幅および深さ、浅いＵ字型のウォブリンググルーブの開口の幅と底面の幅およびその溝の深さを、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope ：ＡＦＭ）によって測定した。
【００７８】スタンパＡは、第１の実施の形態で説明した方法によって、ウォーブリンググルーブのパターンを第２−１の露光ビーム６１と第２−２の露光ビーム６２との２つのビームを再合成してなる露光ビーム１０で露光したものである。この
スタンパＡについて計測した結果、ピットは、深さが８０ｎｍ、開口幅（上幅）が３２０ｎｍ、底面の幅（下幅）が２１０ｎｍとなっていた
【００７９】スタンパＢは、第２の実施の形態で説明した方法によって、ウォーブリンググルーブを第２−１の露光ビーム６１と第２−２の露光ビーム６２と第２−３の露光ビーム６３との３つのビームを再合成してなる露光ビーム７０で露光したものである。
このスタンパＢについて計測した結果、ピットは、深さが８１ｎｍ、開口幅（上幅）が３２０ｎｍ、底面の幅（下幅）が２００ｎｍとなっていた
　
（５）刊行物５
　（５ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度磁気記録技術に関し、特に高密度垂直磁気記録が可能なパターンドメディアとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画像、映像、音声などのデータのマルチメディア化が進み、１ユーザあたりの検索データの情報量が増大化している。このため、データベースの大容量化、高速化が要求されている。一方、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）の記録容量の増大に伴う
磁気記録媒体の面記録密度の向上により、磁気記録媒体上の各記録ビットサイズは数１０ｎｍ程度の極めて微細なものになってきている
　
　（５ｂ）「【００１１】
図１１（ａ）〜図１１（ｅ）に、従来の一般的なパターンドメディア作製方法を示す。この従来の製造方法によれば、まず、基板１１０上に強磁性体であるＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を含む強磁性薄膜層１２０を形成し（図１１（ａ））、レジストパターン１３０をマスクとして強磁性薄膜層１２０をイオンミリングによりエッチングして（図１１（ｂ））、記録ビットごとに独立するパターンを形成する（図１１（ｃ））。さらに、この表面を非磁性体層１４０で被覆し（図１１（ｄ））、最後に強磁性体パターンが露出するように、表面の研磨を行っている（図１１（ｅ））。
【００１２】
なお、図１１（ｂ）に示すように、強磁性薄膜層１２０はエッチング困難な材料であるため、半導体プロセスで広く利用されているＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等を用いた化学的なエッチングの使用が困難であり、代わりにイオンビームミリング等の物理的エッチングが使用されている。
【００１３】
しかしながら、イオンビームミリングは、電界加速されたイオンによって試料表面をスパッタするため、加工面にスパッタによるダメージが残りやすい。このダメージは、記録再生の際にノイズの要因になる。そこで、磁気特性の向上のために、ダメージのない製造方法の開発が望まれている。また、工程の多さから製造コストが嵩むという課題があり、より簡易な製造方法の開発も望まれている。」
　
　（５ｃ）「【００７２】
（実施例２）
実施例２では、ジブロックポリマーの自己組織化を利用して微細パターンを形成した金型を用いた射出成形法により凹凸を備えた非磁性基板を作製した。それ以外は、実施例１と同様な条件を用いて磁気記録媒体を作製した。
【００７３】
すなわち、ＰＳ−ＰＭＭＡジブロックポリマー（ポリスチレンＰＳ、ポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ）を混合した液剤を円筒シリンダー上にコーティングし、ＰＭＭＡからなる「島」状領域とＰＳからなる「海」状領域とに相分離した海島構造を形成した。これをオゾン中に曝露し、ＰＳを選択的に気化させ、規則的なＰＭＭＡのドットパターンを得た。その後、このＰＭＭＡのドットパターンをマスクにしてイオンミリングを行い、エッチングで凹凸の形成された円筒形シリンダー表面にスパッタによりＮｉを被覆し、導電化処理を行い、さらにＮｉ電鋳を行い、射出成形金型を作製した。
【００７４】
この金型を用いて、ポリカーボネートを射出成形し、図２（ｂ）に示すような
直径約４０ｎｍの凸部がピッチ８０ｎｍで六方格子状に配列されたパターン
凹凸高さは５０ｎｍ
　
　（５ｄ）「【００８５】
（比較例）
比較例は、図４（ａ）〜図４（ｅ）に示す
従来のイオンミリングエッチング法を用いたパターンドメディアの製造方法を用いて作製した磁気記録媒体
【００８６】
具体的には、まず図４（ａ）に示すように、平坦な
ポリカーボネート基板２１０上
軟磁性層２２０
強磁性層２３０
【００８７】
次に、図４（ｂ）に示すように、その上に
フォトレジスト２７０
実施例２で用いた射出成型金型と同様の方法で作製したＮｉスタンパ２６０を用いてナノインプリントを行い、フォトレジスト２７０に凹凸を形成
ォトレジスト２７０をマスクにして、Ａｒイオンミリングで、表面をエッチングした
　
（６）刊行物６
　（６ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が金属からなる物体に、表面に１μｍ以下の微細なパタンを含むパタン状の凹凸を有する物体を密着させて加圧することにより、前記金属表面に該パタン状凹凸を形成する
【請求項２】請求項１の微細なパタン状凹凸を有する物体が、ダイヤモンド板、あるいはシリコンカーバイド板であることを特徴とする微細パタン形成法。
【請求項３】請求項１の
微細なパタン状凹凸を有する物体が、少なくともその表面がダイヤモンドあるいはダイヤモンド状カーボン
である
　
　（６ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
回折格子、偏光子等の光学素子等のデバイス作製に適用できる
　
　（６ｃ）「【０００２】
【従来の技術】物体表面にパタン状の凹凸を作る方法は、金型を用いたモールド成形やプレス技術、印刷技術等が汎用的に使われている。しかし、これらの技術の解像度は、金型の製造精度や耐久性等の要因から、数μｍ程度に限界があり、光学素子や半導体素子で要求されている１μｍ以下のいわゆるサブミクロン領域のパタンを形成するには、リソグラフィ技術が用いられている。これは、紫外線・Ｘ線・電子線等の短波長の露光源を被加工面上に塗布したレジストと呼ばれる感光材にパタン状に照射して、レジスト中に潜像を作り、これを現像してパタンとなし、このパタン状レジストをマスクとして、被加工面の加工を行うものである。このようなリソグラフィ工程は、大規模集積回路等の半導体素子の製造に汎用的に使用されているものの、製造工程が複雑で、多大な設備投資が必要である。
更に、０.１μｍ以下のナノメータサイズの凹凸を形成するには、高解像度電子ビーム露光装置が必要になり、更に、これを用いて高密度のナノメータパタンを大面積に描画しようとすると、長時間の露光が必要となる
【０００３】
このような問題点を克服する手段として、最近、ナノメータサイズの凹凸を有する型を被加工面上のレジストに押しつけて、レジスト上にこの凹凸を転写する方法が提案されている
【０００４】上記の技術を図３および図４に基づいて説明する。なお、図３と図４は連続して工程を示しており、図３の（１−４）から図４の（１−５）へと続いている。先ず、型の基板となるシリコン基板１１を熱酸化して、表面に酸化シリコン層１２を形成する（１−１)。この基板に高解像度の電子ビームリソグラフィで最小２５nｍのパタンを形成し、深さ２５０nｍの酸化シリコン１３をエッチングし、レジストを除去して型を完成させる（１−２)。次に、被加工基板として同様にシリコン基板１４を用い、これに５５nｍの膜厚のＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）のレジスト１５をスピンコートし、この上に型（１１＋１３）を密着させる（１−３)。そしてＰＭＭＡのガラス転移温度の１０５℃を上回る２００℃に昇温した後、型に１３.１ＭＰａの圧力をかける（１−４)。その後、室温まで冷却させて、注意深く型をはずすと、ＰＭＭＡ１６に凹凸が形成される（１−５)。その後の加工を行うには、金属の例をとると、凹部に残存するＰＭＭＡを酸素プラズマで除去する（１−６)。ついで、金属１８をこの上に蒸着し（１−７)、溶剤中で残存するＰＭＭＡをその上の金属と共に除去して、金属パターン１９を得る（１−８)。
【０００５】この方法では、高解像度の電子ビームリソグラフィを用いて、型を形成すれば、その後は（１−３）〜（１−８）の工程を繰り返すことにより、電子ビームリソグラフィを行うことなく、ナノメータのサイズの金属パタンが得られる利点があると、報告されている。しかし、この方法では、電子ビームリソグラフィの工程を除いても、まだ、工程が複雑で、昇温・冷却等にかなり時間を要する。また、
最も問題であるのは、加圧や除去の際に、微細な凹凸構造になっている酸化シリコンが破壊されやすく、繰り返しの使用が困難な点である
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技術に鑑み、型を押しつけるプリント技術で、１μｍ以下の金属パタンを簡便に、かつ、再現性良く形成できる技術を提供することを目的としている。」
　
　（６ｄ）「【００１１】図１は本発明の第１の実施の形態の工程を示す断面図である。先ず、型となる物体２１に電子ビームリソグラフィとドライエッチングで微細加工を施し、表面にパタン状の凹凸をつけ、型２２とする（２−１)。次いで、これを表面を平滑にした金属２３の表面に密着し（２−２)、加圧すると、比較的柔らかな金属は変形して、その表面に型と逆の凹凸が形成される（２−３)。その後、型を取り外すことにより金属の凹凸パタン２４が完成する（２−４)。
【００１２】この方法では、従来のレジストに型を押しつけて、このレジストの凹凸を基に金属パタンを形成する方法に比べて、大幅に工程を簡略化できる。この際、問題になるのは、軟化させた高分子に型を転写する場合より、加える圧力を高くする必要があることで、金や、アルミニウムのように比較的柔らかい金属においても、約３０ＭＰａ以上の高い圧力が必要である。これは、高分子の場合の２倍以上で、シリコンや酸化シリコンで凹凸を構成すると、微細な凹凸が破壊されたり、型の基板自体が損傷しやすい。一方、金属で微細な凹凸を有する型を構成すると、破壊には非常に強くなる反面、加圧により型が変形しやすいという問題点があることがわかった。
【００１３】以上の知見を基に本発明者等は、型を、強度・硬度とも優れ、表面平滑性も良く、微細な凹凸の形成が容易な、ダイヤモンド板、あるいは、シリコンカーバイド板で構成すると、上記の問題点を全て克服できることを見出し、本発明の完成に至った。ダイヤモンド基板の場合は、微細凹凸、基板共に、６０ＭＰａの圧力にも損傷や破壊が見られず、シリコンカーバイド板でも、５０ＭＰａの圧力に耐久性があり、金属層を表面に持つ物体に型の微細凹凸をプリントできることが明らかになった。
【００１４】また、
微細なパタン状凹凸を有する物体
ステンレス等の物体の表面に、ダイヤモンド膜、ダイヤモンド状カーボン膜
を堆積・張り付け等の手段で形成し
これを微細加工して、型を構成する
【００１５】型となる物体の平滑な表面に１μｍ以下の微細な凹凸を作るには、ホトリソグラフィ、紫外線二光束干渉法、電子ビームリソグラフィ、Ｘ線リソグラフィ、イオンビームリソグラフィ等を目的やパタン形状に応じて、使い分けることが可能である。本発明では、殆どのパタンに対応できる電子ビームリソグラフィを使用したが、当然のことながら、この手段にのみ限られるものではない。
【００１６】また、ダイヤモンドやダイヤモンド状カーボンの表面に高解像度で凹凸を付与する加工は、酸素プラズマ耐性の優れた、シリコン含有レジストや、酸化シリコン、窒化シリコンや金属をマスクとして、酸素をエッチングガスとして用いる、反応性イオンエッチングで容易に行うことができる。一方、シリコンカーバイド表面の加工は、レジストや金属をマスクとした、フルオロカーボン系のエッチングガスを用いたドライエッチングが使用できる。
【００１７】一方、
金属層を表面にもつ物体としては
鏡面研磨した金属板等の金属そのもの、あるいは、鏡面を有する適当な基板上に、蒸着やスパッタリング、電気メッキ等で金属薄膜を堆積したもの等
加工する金属の種類としては、押しつける圧力を低くできるという観点から、柔らかいアルミニウム、金、銀、鉛、錫、黄銅が適する
　
　（６ｅ）「【００２５】（実施例３）厚さ４００μｍの
シリコンカーバイド基板上に
ダイヤモンドライクカーボン薄膜を厚さ０.５μｍ堆積した
約６０nｍ幅、周期０.１μｍ、高さ２００nｍの格子状パタンを持つシリコンカーバイド基板を作製
【００２６】一方、厚さ３ｍｍのポリカーボネート基板に銀を厚さ１２０nｍ電子ビーム蒸着装置で堆積し、この上に、ステンレス＋シリコンカーバイドの型を密着させ、油圧プレスで４０ＭＰａの圧力を加える。その後、型を除去すると、銀の厚さが凹部では４０nｍ、凸部では２００nｍとなり、１６０nｍの段差が生じた。次いで、アルゴンイオンミリング装置で、４０nｍの厚さの銀をエッチング除去して、幅約５５nｍ、周期１００nｍ、高さ１００nｍの銀の周期パタンを得た。本試料の偏光透過特性を測定したところ、格子パタンに垂直な方向は透過率９５％、格子パタンと平行な方向は透過率３０％となり、偏光子として作用することがわかった。このプリント工程を１００回以上繰り返しても、型に破損や変形はみられなかった。」
　
　（６ｆ）「【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、電子ビームリソグラフィ等の高解像度の装置を用いて
超微細な凹凸を持つ型を作れば、その後は、プリント工程によりサブミクロン〜ナノメータ領域の超微細な金属パタンを簡便に、繰り返し作製できる
　
　これら記載によれば、刊行物６には次の発明（以下、「刊行物６記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「表面が金属からなる物体に、表面に１μｍ以下の微細なパタンを含むパタン状の凹凸を有する物体を密着させて加圧することにより、前記金属表面に該パタン状凹凸を形成する、微細なパタン状凹凸を有する物体であって、
　ステンレスの物体の表面に、ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状カーボン膜を形成し、これを微細加工して構成した、
　微細なパタン状凹凸を有する物体。」
　
３．対比・判断
　そこで、本願補正発明と刊行物６記載の発明とを対比する。
　
　刊行物６記載の発明の「表面が金属からなる物体に、表面に１μｍ以下の微細なパタンを含むパタン状の凹凸を有する物体を密着させて加圧することにより、前記金属表面に該パタン状凹凸を形成する、微細なパタン状凹凸を有する物体」と、
　本願補正発明の「基板上に磁性膜を成膜し、その上にレジストを塗布した後、インプリント加工用スタンパーを押し付けてレジストに微細構造を転写し、さらにレジストをマスクとして磁性膜をエッチングすることにより、パターン化された磁性膜を有する磁気記録媒体を製造する方法に用いられるインプリント加工用スタンパー」とは、
　実質的に「インプリント加工用スタンパー」の点で共通する。
　
　また、刊行物６記載の発明の「ステンレスの物体」「ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状カーボン膜」は、それぞれ、実質的に、本願補正発明の「金属製のスタンパー本体」「無機カーボンを１０％以上含む膜」に相当する。
　
　そして、刊行物６記載の発明の「ステンレスの物体の表面に、ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状カーボン膜を形成し、これを微細加工して構成した」と、
　本願補正発明の「表面に線幅が１５０ｎｍ以下および深さ寸法が７０ｎｍ以下の凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体と、前記スタンパー本体の表面に形成された、膜厚が５〜１０ｎｍである、無機カーボンを１０％以上含む膜とを具備した」とは、
　「金属製のスタンパー本体と、スタンパー本体の表面に形成された無機カーボンを１０％以上含む膜とからなり、凹凸パターンを有する」の点で共通する。
　
　そうすると、両者の一致点、相違点は次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「金属製のスタンパー本体と、スタンパー本体の表面に形成された無機カーボンを１０％以上含む膜とからなり、凹凸パターンを有する、インプリント加工用スタンパー。」
　
［相違点１］
　本願補正発明は、基板上に磁性膜を成膜し、その上にレジストを塗布した後、インプリント加工用スタンパーを押し付けてレジストに微細構造を転写し、さらにレジストをマスクとして磁性膜をエッチングすることにより、パターン化された磁性膜を有する磁気記録媒体を製造する方法に用いられるインプリント加工用スタンパーであるのに対し、
　刊行物６記載の発明は、表面が金属からなる物体に、表面に１μｍ以下の微細なパタンを含むパタン状の凹凸を有する物体を密着させて加圧することにより、前記金属表面に該パタン状凹凸を形成する、インプリント加工用スタンパーである点。
　
［相違点２]
　本願補正発明は、表面に線幅が１５０ｎｍ以下および深さ寸法が７０ｎｍ以下の凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体と、前記スタンパー本体の表面に形成された、膜厚が５〜１０ｎｍである、無機カーボンを１０％以上含む膜とを具備したのに対し、
　刊行物６記載の発明は、ステンレスの物体の表面に、ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状カーボン膜（無機カーボンを１０％以上含む膜）を形成し、これを微細加工して構成した点。
　
　相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　
刊行物５
　刊行物６記載の発明も、ナノインプリント加工用スタンパーを含むものであるから、刊行物５の記載事項も参考にして、本願補正発明で明記する用途に応用することは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
（相違点２について）
　ダイヤモンド状カーボン膜を表面に有する金属製スタンパの構造として、
刊行物１
　そして、刊行物１における被加工物はゾルゲル材料であるが、刊行物１のスタンパの構造である『微細な凹凸を有するＮｉ薄板の上にダイヤモンド状カーボン層膜を成膜して形成した構造』が、刊行物６記載の発明でも適用可能であることは、当業者であれば困難なく考えつくことである。
　そうすると、刊行物６記載の発明の構造に代えて、刊行物１の構造を採用して、本願補正発明のごとく、表面に凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体と、前記スタンパー本体の表面に形成された無機カーボンを１０％以上含む膜（ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状カーボン膜）とを具備するものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
 
　また、その際、刊行物６記載の発明は、ナノインプリントにも対応するものといえるから、スタンパー本体の表面に形成する凹凸パターンを、本願補正発明のごとく、線幅が１５０ｎｍ以下および深さ寸法が７０ｎｍ以下の凹凸パターンとすることは、当業者が適宜なし得ることである。
 
　さらに、スタンパー本体の表面に形成する無機カーボンを１０％以上含む膜の膜厚について検討すると、
　刊行物６記載の発明において、刊行物１の技術を適用するとともに、刊行物５の『レジストにインプリント加工用スタンパーを押し付けて微細構造を転写する』ような用途に用いるとした際に、
　当業者であれば、ダイヤモンド状カーボン膜の膜厚についても考慮し、一般に５ｎｍ程度あれば均一な成膜ができることが周知である（必要であれば、特開昭６３−２８２９１４号公報の第３頁左下欄を参照。）から、５ｎｍ程度の膜厚を採用することに困難性はない。
　また、カーボン膜は必要な耐久性を維持できる程度に薄く成膜されることが一般に望ましいものであるから、ナノインプリントのスタンパーにおいて、カーボン膜の膜厚を５〜１０ｎｍの範囲程度に留めることは、当業者が適宜なし得ることである。
　さらに、カーボン膜を厚くするといっても、ナノインプリントとして、数十ｎｍに調整される凹凸パターンとの関係で、カーボン膜の膜厚を、それに見合った薄いものとすることは、普通に発想されることである。
　したがって、スタンパー本体の表面に形成する無機カーボンを１０％以上含む膜の膜厚を５〜１０ｎｍとすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
（まとめ）
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、刊行物１，５，６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
４．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願の請求項１に係る発明
　平成２１年２月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２０年７月１５日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　表面に凹部の溝幅および深さ寸法が５００ｎｍ以下の凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体と、
　前記スタンパー本体の表面に形成された、無機カーボンを１０％以上含む膜と
　を具備したことを特徴とするインプリント加工用スタンパー。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、
　引用文献１：特開平３−１９１５４号公報（上記「第２　２．」の「刊行物１」。）、
　引用文献２：特開２００４−１８５７５１号公報（周知技術の例示文献。同「刊行物２」）、
　引用文献３：特開２００４−１７１６５８号公報（周知技術の例示文献。同「刊行物３」）
　の記載事項は、上記「第２　２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　刊行物１記載の発明の「微細な凹凸を有するＮｉ薄板」と、本願発明１の「表面に凹部の溝幅および深さ寸法が５００ｎｍ以下の凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体」とは、「微細な凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体」で共通する。
　また、刊行物１記載の発明の「ダイヤモンド状カーボン層膜」は、本願発明１の「無機カーボンを１０％以上含む膜」に相当する。
　刊行物１記載の発明の「ゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板作製のためのスタンパ」は、本願発明１の「インプリント加工用スタンパー」に相当する。
　そうすると、両者の一致点、相違点は次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「微細な凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体と、
　前記スタンパー本体の表面に形成された、無機カーボンを１０％以上含む膜とを具備した、インプリント加工用スタンパー。」
　
［相違点］
　微細な凹凸パターンが、
　本願発明１は、凹部の溝幅および深さ寸法が５００ｎｍ以下のものであるのに対し、
　刊行物１記載の発明は、特定されていない点。
　
　相違点について検討すると、
　光ディスクを製造する際に、凹部の溝幅及び深さ寸法が５００ｎｍ以下の凹凸パターンが形成されたスタンパを用いることは周知技術（刊行物２，３を参照）であるから、刊行物１記載の発明において、凹部の溝幅及び深さ寸法が５００ｎｍ以下の凹凸パターンを形成することに、困難性はない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。