【事件の表示】
　特願２００５−　８４３９５「高効率発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月　６日出願公開、特開２００５−２７７４２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　　　平成１７年　３月２３日
（パリ条約による優先権主張　　２００４年　３月２４日　台湾）
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成１９年１０月３０日
　意見書・手続補正書提出　　　平成２０年　１月２３日
　拒絶査定謄本送達　　　　　　平成２０年　２月２６日
　審判請求　　　　　　　　　　平成２０年　５月２６日
　手続補正書提出　　　　　　　平成２０年　５月２６日
　
II．平成２０年５月２６日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成２０年５月２６日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成２０年５月２６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願特許請求の範囲の請求項１を
「基板；
　前記基板上に形成された第１窒化物半導体層；
　前記第１窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層；及び
　前記窒化物発光層上に形成される第２窒化物半導体層であって、当該第２窒化物半導体層は、前記窒化物発光層から離れる当該第２窒化物半導体層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有する第２窒化物半導体層；
　を有し、
　前記六方ピラミッドキャビティは、前記第２窒化物半導体層の前記表面から下方に延び、前記窒化物発光層を貫通
せず、前記六方ピラミッドキャビティ内の隣接するピラミッド表面のそれぞれの間の角度は、実質的に１２０°であり、該ピラミッド表面は、（１０−１１）又は（１１−２２）格子表面を有し、該ピラミッド表面と前記六方ピラミッドキャビティの中心法線との間の角度は、実質的に６０°である、
　ことを特徴とする高効率発光素子。」と補正することを含むものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　　
２．引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２９１３６８号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある。　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体の最上層の表面が非鏡面とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサファイア基板上に一般式ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X＜１、０≦Y＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関する。」
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】窒化ガリウム系化合物半導体と基板、および封止樹脂との多重反射を抑制し、干渉を少なくすることができれば、外部量子効率を向上させて、発光効率を向上させることができる。従って、本発明はこのような事情を鑑み成されたものであり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合物半導体内部の光の多重反射により起こる干渉を抑えることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】我々は窒化ガリウム系化合物半導体内部の多重反射を抑制し、外部量子効率を上げるため数々の実験を行ったところ、内部で反射する光を最上層の窒化ガリウム系化合物半導体の界面で乱反射させることにより、上記問題が解決できることを新たに見いだした。即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体の最上層の表面が非鏡面とされていることを特徴とする。また、その窒化ガリウム系化合物半導体の最上層を非鏡面とする本発明の方法は、窒化ガリウム系化合物半導体をサファイア基板のＣ面（０００１）からのオフ基板の上に成長することにより非鏡面とするか、あるいは前記最上層の窒化ガリウム系化合物半導体をエッチング、または研磨することにより非鏡面とすることを特徴とする。」
「【０００８】これらの図に示すように窒化ガリウム系化合物半導体の最上層を非鏡面、即ち微細な凹凸が形成された状態とするには、第一に成長中より最上層を非鏡面とする方法と、第二に成長後最上層を化学的または物理的方法によって非鏡面とする方法とがある。」
「【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子はその最上層の窒化ガリウム系化合物半導体表面を非鏡面としていることにより、窒化ガリウム系化合物半導体層内の多重反射による光の干渉を抑えることができる。従って、窒化ガリウム系化合物半導体の発光を有効に外部に取り出すことができ、発光素子の外部量子効率が向上する。」
「【符号の説明】
１・・・・・サファイア基板      ２・・・・・ｎ型ＧａＮ層
３・・・・・ｐ型ＧａＮ層」
　そして、引用例１の図には、サファイア基板１上にｎ型ＧａＮ層２及びｐ型ＧａＮ層３が積層された構造の発光素子が示されており、ｐ型ＧａＮ層３の表面が引用例１の請求項１における非鏡面とされている。
　
　以上のことから、引用例１には
「サファイア基板上にｎ型ＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層が積層されてなる発光素子において、ｐ型ＧａＮ層の表面が非鏡面とされている外部量子効率が向上した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２９９７６９号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光情報処理分野などへの応用が期待されている窒化ガリウム（ＧａＮ）系短波長半導体レーザおよびその製造方法に関するものである。」
「【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、窒化物半導体レーザ素子がジャンクションダウン配置で実装された半導体レーザ装置であって、窒化物半導体レーザ素子の基板裏面が凹凸面である。前記構成においては、凹凸面が六角錘状ファセット、六角錘台状ファセットあるいは柱状孔からなる。」
「【００１９】ｎ−ＡｌＧａＮ基板１１５の裏面が凹凸面であることに本実施例のポイントがある。凹凸面は六角錘状ファセット１１６、六角錘台状ファセット１１７あるいは柱状孔１１８からなる。」
「【００２０】…。基板裏面研磨工程まで終了したｎ−ＡｌＧａＮ基板１１５の表面側にはレーザ素子構造が形成されており、裏面研磨により基板厚さが約１００μｍとなっている。基板裏面処理は、例えば１６０℃のオルトリン酸に２分間浸漬して行う。」
「【００２１】処理後のｎ−ＡｌＧａＮ基板１１５裏面の光学顕微鏡像を図４および図５に示す。図４には、図３で断面を模式的に示した六角錘状ファセット１１６、六角錘台状ファセット１１７あるいは柱状孔１１８が示されている。基板裏面の全面が径約数十〜数百μｍ程度、深さ約数〜１０μｍ程度の六角錘および六角錘台で覆われていることがわかる。」
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。　
　引用発明の「サファイア基板」、「ｎ型ＧａＮ層」及び「ｐ型ＧａＮ層」がそれぞれ本願補正発明の「基板」、「第１窒化物半導体層」及び「第２窒化物半導体層」に相当する。
　また、本願補正発明は、「第２窒化物半導体層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有」しているから、本願補正発明の「第２窒化物半導体層の表面」は「非鏡面とされている」といえ、引用発明の「ｐ型ＧａＮ層の表面」と本願補正発明の「第２窒化物半導体層の表面」は、ともに「非鏡面」である点で一致する。
　さらに、引用発明の「窒化ガリウム系化合物発光素子」は、「外部量子効率が向上した」ものであるから、本願補正発明と同様に「高効率発光素子」であるといえる。
　
　したがって、両者は、ともに
「基板；
　前記基板上に形成された第１窒化物半導体層；
　第２窒化物半導体層であって、当該第２窒化物半導体層は、前記第１窒化物半導体層から離れる当該第２窒化物半導体層の表面が非鏡面とされた第２窒化物半導体層；
　を有する高効率発光素子。」の発明である点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
ａ．本願補正発明は、「前記第１窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層」を有しているのに対し、引用発明は、この層を有しておらず、「ｎ型ＧａＮ層」上に「ｐ型ＧａＮ層」が形成されている点。
ｂ．本願発明は、前記「非鏡面」とされている表面が「複数の六方ピラミッドキャビティを有する」ものであり、「前記六方ピラミッドキャビティは、前記第２窒化物半導体層の前記表面から下方に延び、前記窒化物発光層を貫通せず、前記六方ピラミッドキャビティ内の隣接するピラミッド表面のそれぞれの間の角度は、実質的に１２０°であり、該ピラミッド表面は、（１０−１１）又は（１１−２２）格子表面を有し、該ピラミッド表面と前記六方ピラミッドキャビティの中心法線との間の角度は、実質的に６０°である」のに対し、引用発明の「ｐ型ＧａＮ層」の表面がこのようなものであるか不明である点。
　
４．相違点についての検討
　相違点ａについて検討する。
　基板上に積層される窒化ガリウム系化合物半導体として、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に窒化物発光層を設ける構造は、本願出願前に周知であるから（この点について必要ならば、例えば、上記引用例２の「活性層１０５」、特開２００３−６０２３６号公報の「ＩｎＧａＮ発光層１４」、特開２０００−２４４０７０号公報の「活性層８」を参照されたい。）、引用発明において、ｎ型ＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層の間に窒化物発光層を設けるようにして、上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　相違点ｂについて検討する。
　引用発明の「ｐ型ＧａＮ層」の非鏡面とされた表面は、引用例の段落【０００８】に記載されているように、微細な凹凸が形成された状態とされたものである。
　一方、引用例２には、ＡｌＧａＮ基板の裏面を凹凸面とすることが記載され、その凹凸面は六角錘状ファセットを有するものであることが記載されている。
　ここで、ＧａＮもＡｌＧａＮもともに窒化ガリウム系化合物半導体であるから、引用発明のｐ型ＧａＮ層の表面を非鏡面、即ち微細な凹凸が形成された状態とするために、その表面を引用例２に記載されるような六角錘状ファセットを有するものとすることは、当業者が容易に想到し得ることであると認められる。
　そして、この引用例２の「六角錘状ファセット」が本願補正発明の「六方ピラミッドキャビティ」に相当するところであり、また、引用発明において、微細な凹凸は、ｐ型ＧａＮ層の表面にのみ設けられており、発光領域であるｎ型ＧａＮ層との界面を貫通するものではないから、引用発明の微細な凹凸が形成された状態のｐ型ＧａＮ層の表面を引用例２に記載された六角錘状ファセットを有するものとする際に、当該六角錘状ファセットが発光領域を貫通しないような深さとすることは当然の事項である。
　また、引用例２の六角錘状ファセットの各面は、引用例２の図４に記載されるように基板表面において六角形を形成するものであるから、その隣接する各面間の角度は、本願補正発明と同様に実質的に１２０°であると認められる。
　また、引用例２の六角錘状ファセットは、表面をエッチングすることで六角錘の形状が得られるものであるから、その各面は格子表面として形成されるものであると認められる。
　したがって、引用例２の六角錘状ファセットも本願補正発明と同様に（１０−１１）又は（１１−２２）格子表面を有するものと考えられ、六角錘状ファセット内の表面と六角錘状ファセットの中心法線との間の角度についても本願補正発明と同様に実質的に６０°であると考えられるところである。
　以上のことから、引用発明におけるｐ型ＧａＮ層の表面を引用例２に記載される六角錘状ファセットを有するものとし、その結果、上記相違点ｂに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　また、本願補正発明が奏する効果についても、当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年５月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年１月２３日に補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし５１に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「基板；
　前記基板上に形成された第１窒化物半導体層；
　前記第１窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層；及び
　前記窒化物発光層上に形成される第２窒化物半導体層であって、当該第２窒化物半導体層は、前記窒化物発光層から離れる当該第２窒化物半導体層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有する第２窒化物半導体層；
　を有し、
　前記六方ピラミッドキャビティは、前記第２窒化物半導体層の前記表面から下方に延び、前記窒化物発光層を貫通しない、
　ことを特徴とする高効率発光素子。」
　
２．判断
　本願発明は、本願補正発明において「前記六方ピラミッドキャビティ内の隣接するピラミッド表面のそれぞれの間の角度は、実質的に１２０°であり、該ピラミッド表面は、（１０−１１）又は（１１−２２）格子表面を有し、該ピラミッド表面と前記六方ピラミッドキャビティの中心法線との間の角度は、実質的に６０°である」との発明特定事項を欠くものである。
　してみれば、上記II．［II］２．〜４．における本願補正発明についての検討から、本願発明が上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。