【事件の表示】
　特願２００１−２５７８８６「製膜装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年３月５日出願公開、特開２００３−６５７２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本件は、平成１３年８月２８日に出願がされ、拒絶査定が平成１６年１月７日付けでされ、同月１３日に発送されたところ、この拒絶査定に対する審判が同年２月１０日に請求されるとともに明細書を補正対象とする手続補正書が同月２５日に提出されたものである（以下、この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）。
　
　
２　本件補正についての補正の却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　本件補正を却下する。
　［理由］
　　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の記載
「【請求項１】基板を搬送する搬送ラインに設置されて、前記基板に施された製膜を計測する透過膜厚計測装置であって、前記基板の面を挟んで対向配置された光源と複数の受光用素子と、前記搬送ライン上を移動する前記基板の位置を認識する基板位置センサと、を備え、前記基板、または前記光源及び前記受光用素子の少なくともどちらか一方は移動可能であるとともに、前記各受光用素子は自らの移動方向または前記基板の移動方向に平行な軸線を含む面に交わる一軸線上に沿って設けられる、ことを特徴とする透過膜厚計測装置。
　【請求項２】前記基板位置センサは、移動する前記基板の計測間隔に合わせて前記搬送ラインに複数並設されていることを特徴とする請求項１記載の透過膜厚計測装置。
　【請求項３】前記搬送ラインの上流側には、前記基板の情報を認識する基板認識センサが設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透過膜厚計測装置
。
　【請求項４】前記受光用素子及び前記各基板位置センサは、これらで認識した情報を入力して該情報を変換し指令及びデータを出力する制御手段に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の透過膜厚計測装置。
　【請求項５】前記光源は、蛍光灯とされていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の透過膜厚計測装置。
　【請求項６】前記光源は、単色光とされていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の透過膜厚計測装置。
　【請求項７】処理室内に接地電極と非接地電極とが設けられ、前記接地電極に基板を支持させて前記処理室内に処理原料ガスを導入すると共に前記非接地電極に高周波電流を給電することにより、前記処理室内にプラズマを発生させて前記基板に製膜を施すプラズマＣＶＤ法を用いた製膜装置において、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の透過膜厚計測装置が、製膜された基板の排出側に備えてなるプラズマＣＶＤ装置であることを特徴とする製膜装置。
　【請求項８】処理室内に接地電極と非接地電極とが設けられ、スパッタリング法またはイオンプレーティング法で基板に透過性のある膜を施すスパッタリング装置またはイオンブレーディング装置とされた製膜装置において、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の透過膜厚計測装置が、製膜された基板の排出側に備えてなるスパッタリング装置またはイオンプレーティング装置であることを特徴とする製膜装置。
　【請求項９】チャンバまたは高温炉によって形成された処理室内に処理原料ガスを導入して熱エネルギにより原料ガスを反応させて基板に透過性のある膜を施す熱ＣＶＤ装置とされた製膜装置において、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の透過膜厚計測装置が、製膜された基板の排出側に備えてなる熱ＣＶＤ装置であることを特徴とする製膜装置。」
を、
「【請求項１】基板に半導体膜を製膜するＣＶＤ装置と、前記ＣＶＤ装置の排出側に製膜された前記基板を搬送する搬送ラインとが設けられた製膜装置において、前記搬送ラインに、前記基板の移動方向に平行な軸線を含む面に交わる一軸線上に沿って設けられた複数の受光用素子及び前記基板の面を挟んで前記受光用素子に対向配置された光源とからなる透過膜厚計測装置と、移動する前記基板の位置を認識する第１基板位置センサ及び第２基板位置センサとが備えられ、前記第１基板位置センサが前記透過膜厚計測装置の上流側に設けられることを特徴とする製膜装置。
　【請求項２】前記第２基板位置センサが前記透過膜厚計測装置の下流側に設けられ、前記第２基板位置センサの下流側に前記基板の計測間隔に合わせて複数の基板位置センサが並設されることを特徴とする請求項１に記載の製膜装置。
　【請求項３】前記受光用素子及び前記各基板位置センサは、これらで認識した情報を入力して該情報を変換し指令及びデータを出力する制御手段に接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の製膜装置。
　【請求項４】前記半導体膜はアモルファスシリコン膜であると共に、前記光源は蛍光灯であることを特徴とする請求項１に記載の製膜装置。
　【請求項５】前記ＣＶＤ装置は、処理室内に接地電極と非接地電極とが設けられ、前記接地電極に基板を支持させて前記処理室内に処理原料ガスを導入すると共に前記非接地電極に高周波電流を給電することにより、前記処理室内にプラズマを発生させて前記基板に半導体膜を施すプラズマＣＶＤ装置であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の製膜装置。
　【請求項６】前記製膜装置は、チャンバまたは高温炉によって形成された処理室内に処理原料ガスを導入して熱エネルギにより原料ガスを反応させて前記基板に半導体膜を施す熱ＣＶＤ装置であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の製膜装置。
　【請求項７】前記搬送ラインの上流側に前記基板の情報を認識する基板認識センサが設けられ、製膜する膜厚又は膜質に対する前記受光用素子の出力の校正線図を前記制御手段で記憶し、前記基板認識センサからの前記基板情報と前記校正線図とに基づいて、前記受光用素子からの出力を自動的に較正することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の製膜装置。」
と補正する補正事項を含むものである。
　　この特許請求の範囲についてする補正は、請求項の削除を目的としたものではなく、誤記の訂正や明りょうでない記載の釈明を目的としたものでもない。
　　また、本件補正後の請求項１の記載と本件補正前の請求項１〜６の記載とを比べてみると、「透過膜厚計測装置」の発明から「製膜装置」の発明へ変更するものであるから、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とした補正ではなく、本件補正後の請求項１の記載と本件補正前の請求項７〜９の記載とを比べてみても、本件補正後の請求項１には「製膜装置」の構成の一部が欠落していることから、やはり特許請求の範囲の限定的減縮を目的とした補正ではない。
　　したがって、本件補正は、特許法１７条の２第４項各号のいずれかの事項を目的とする補正ではなく、同項に違反するものであるから、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３　本願発明
　平成１６年２月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成１５年８月１日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】基板を搬送する搬送ラインに設置されて、前記基板に施された製膜を計測する透過膜厚計測装置であって、前記基板の面を挟んで対向配置された光源と複数の受光用素子と、前記搬送ライン上を移動する前記基板の位置を認識する基板位置センサと、を備え、前記基板、または前記光源及び前記受光用素子の少なくともどちらか一方は移動可能であるとともに、前記各受光用素子は自らの移動方向または前記基板の移動方向に平行な軸線を含む面に交わる一軸線上に沿って設けられる、ことを特徴とする透過膜厚計測装置。」
　
　
４　刊行物
　（１）特開２００１−５９８１６号公報
　　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の平成１３年３月６日に頒布された刊行物である特開２００１−５９８１６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　　ア　「【０００２】【従来の技術】透光性基板、例えばガラス基板上に薄膜太陽電池等を形成する際、受光面側の電極として透明導電薄膜が利用される。この透明導電薄膜は、太陽電池の直列抵抗を抑え、ガラス基板の高い透光性を保ち、さらに膜形成コストを下げる観点から、必要最小限度の膜厚で形成される。そのためガラス基板上の透明導電薄膜の膜厚がばらついて、太陽電池の内部抵抗が増大する、干渉色のバラツキを生じて商品価値が低下するなどの問題を生じやすい。そこで、工程管理上、膜厚またはシート抵抗のチェックが不可欠となる。」
　
　　イ　「【００１２】前記透明導電薄膜は、波長領域１〜３μｍ、さらには１．５〜２μｍの赤外光を顕著に吸収する。そのため前記波長領域の赤外光を透過させることにより、薄膜の膜厚を感度よく評価できる。」
　
　　ウ　「【００１３】透過率の測定は、例えば以下のように行われる。透光性基板上に透明導電薄膜を形成した後、図１に示すように、その基板上方に半導体レーザおよび赤外光を平行光にするためのレンズを具備する発光部を光軸が基板に垂直になるように設置し、さらに、基板の反対側に光軸を揃えてゲルマニウムフォトダイオードからなる受光部を設置する。発光部から赤外光を基板の表面に入射し、透過赤外光を受光部で検出する。受光部を具備する装置でダイオードの短絡電流を電圧変換し、出力させる。一基板上における膜厚の分布を評価するときは、基板を前後左右に移動させながら複数の箇所で測定を実施する。」
　
　（２）引用発明
　　上記摘記事項アより、引用例には、「ガラス基板」のような「透光性基板」上の「透明導電薄膜の膜厚」を「チェック」する点が記載されている。
　　同摘記事項イ及びウより、引用例には、「透光性基板上に透明導電薄膜を形成した後」、「その基板上方に」「発光部を光軸が基板に垂直になるように設置し」、「基板の反対側に光軸を揃えて」「受光部を設置」し、「発光部」から光を基板の表面に入射し、透過光を受光部で検出して、「薄膜の膜厚」を「評価」する装置が記載されている。
　　また、同摘記事項ウより、引用例には、「一基板上における膜厚の分布を評価するときは、基板を前後左右に移動させながら複数の箇所で測定を実施する」点が記載されている。　
　　してみれば、引用例には、「透光性基板上に透明導電薄膜を形成した後、当該透明導電薄膜の膜厚をチェックするため、その基板上方に発光部を光軸が基板に垂直になるように設置し、基板の反対側に光軸を揃えて受光部を設置し、発光部から光を基板の表面に入射し、透過光を受光部で検出して、透明導電薄膜の膜厚を評価する装置において、一基板上における膜厚の分布を評価するときは、基板を前後左右に移動させながら複数の箇所で測定を実施する透明導電薄膜の膜厚を評価する装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
５　対比・判断
　（１）本願発明１と引用発明との対比
　　本願発明１（以下、「前者」という。）と引用発明（以下、「後者」という。）とを対比すると、後者の「透光性基板」、「透明導電薄膜」、「透明導電薄膜の膜厚を評価する装置」は、それぞれ前者の「基板」、「基板に施された製膜」、「透過膜厚計測装置」に相当する。
　　また、後者の「発光部」及び「受光部」は、それぞれ「基板上方」及び「基板の反対側」に設置されているから、前者と後者とは、「基板の面を挟んで対向配置された光源と...受光用素子」を備えている点で共通する。
　　さらに、後者では、「一基板上における膜厚の分布を評価するときは、基板を前後左右に移動させながら複数の箇所で測定を実施する」ことから、前者と後者は、「基板、または前記光源及び前記受光用素子の少なくともどちらか一方は移動可能である」点で共通する。
　　してみれば、前者と後者とは、
「基板に施された製膜を計測する透過膜厚計測装置であって、前記基板の面を挟んで対向配置された光源と受光用素子とを備え、前記基板、または前記光源及び前記受光用素子の少なくともどちらか一方は移動可能であることを特徴とする透過膜厚計測装置。」という点で一致し、以下の相違点Ａ及びＢにて相違する。
　
　［相違点Ａ］
　　前者では、計測装置が「基板を搬送する搬送ラインに設置されて」おり、「前記搬送ライン上を移動する前記基板の位置を認識する基板位置センサ」を備えているのに対して、後者では、そのような構成を備えていない点。
　
　［相違点Ｂ］
　　前者では、計測装置が「複数の受光用素子」を備え、「各受光用素子は自らの移動方向または前記基板の移動方向に平行な軸線を含む面に交わる一軸線上に沿って設けられる」のに対して、後者では、そのような構成を備えていない点。
　
　（２）判断
　　上記相違点Ａ及びＢについて検討する。
　［相違点Ａ］について
　　厚み計測装置が被測定板を搬送する搬送ラインに設置されており、搬送ライン上を移動する被測定板の位置を認識する位置センサを備えていることは、例えば、本願の出願前の平成４年９月２９日に頒布された刊行物である特開平４−２７３０１０号公報に記載されているように周知の技術である（段落【００１６】及び【００２７】参照）。
　　したがって、かかる周知の技術を引用発明に適用して、相違点Ａに係る構成を得ることに当業者ならば格別の困難性はない。
　
　［相違点Ｂ］について
　　計測装置が複数の受光用素子を備え、各受光用素子が被測定対象物の移動方向に平行な軸線を含む面に交わる一軸線上に沿って設けられることは、例えば、本願の出願前の平成７年４月１８日に頒布された刊行物である特開平７−１０３７２４号公報に記載されているように周知の技術である（図２、図３及びこれに関する説明を参照）。
　　したがって、かかる周知の技術を引用発明に適用して、相違点Ｂに係る構成を得ることに当業者ならば格別の困難性はない。
　
　　そして、本願発明１の奏する効果は、引用発明及び周知の技術から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎない。
　　よって、本願発明１は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜９に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。