Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロコンピュータと、前記マイクロコンピュータから出力される異常監視を許可または禁止する監視制御信号により異常監視が許可されているときに、前記マイクロコンピュータから出力されるパルス信号に基づいて前記マイクロコンピュータの異常を検出する異常監視回路とを備えている電子制御装置であって、
前記マイクロコンピュータは、前記パルス信号の出力制御を行なうとともに、入力されるＣＰＵクロックを停止させることで自身をストップ状態に移行させるための制御信号の出力制御を行なうＣＰＵと、前記制御信号の出力状態に応じて前記監視制御信号の出力状態を切り替える監視制御回路とを備えていることを特徴とする電子制御装置。
【請求項２】
前記制御信号が前記ＣＰＵによりストップ命令が実行されたときに切り替わる信号であり、前記監視制御回路は当該信号の切り替わりに応じて異常監視を禁止するように前記監視制御信号を切り替えることを特徴とする請求項１記載の電子制御装置。
【請求項３】
前記ＣＰＵによるストップ命令の実行時に生成される前記制御信号に基づいてＣＰＵクロックを停止し、前記ＣＰＵをストップモードから動作モードに切り替えるウェイクアップ信号に基づいて前記ＣＰＵクロックを出力するように制御するクロック制御回路を備えることを特徴とする請求項１または２記載の電子制御装置。
【請求項４】
前記制御信号が前記ＣＰＵにより低消費電力駆動命令が実行されたときに切り替わる信号であり、前記監視制御回路は当該信号の切り替わりに応じて異常監視を禁止するように前記監視制御信号を切り替えることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の電子制御装置。
【請求項５】
前記監視制御信号が出力されるポートがポートモードを設定するモード設定レジスタを備えた汎用入出力ポートで構成され、前記マイクロコンピュータのリセット時に前記モード設定レジスタによるポートモードが設定されるまでの間、ハイインピーダンスとなるように設定されていることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の電子制御装置。
【請求項６】
前記モード設定レジスタの値の変更を禁止するプロテクトレジスタを備えている請求項５記載の電子制御装置。
【請求項７】
前記監視制御信号が出力されるポートの信号レベルを入力する入力回路を前記ポートに設けていることを特徴とする請求項５または６記載の電子制御装置。
【請求項８】
前記監視制御信号が禁止状態から許可状態に切り替わるときに、前記監視制御信号を遅延させる遅延回路を、前記監視制御信号の信号線に設けていることを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の電子制御装置。
【請求項９】
マイクロコンピュータから出力される異常監視を許可または禁止する監視制御信号により異常監視が許可されているときに、前記マイクロコンピュータから出力されるパルス信号に基づいて前記マイクロコンピュータの異常を検出する異常監視方法であって、
前記マイクロコンピュータのＣＰＵから出力され、入力されるＣＰＵクロックを停止させることで自身をストップ状態に移行させるための制御信号の出力状態に連動して前記監視制御信号の出力状態を切り替える異常監視方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上述の目的を達成するため、本発明による電子制御装置の特徴構成は、マイクロコンピュータと、前記マイクロコンピュータから出力される異常監視を許可または禁止する監視制御信号により異常監視が許可されているときに、前記マイクロコンピュータから出力されるパルス信号に基づいて前記マイクロコンピュータの異常を検出する異常監視回路とを備えている電子制御装置であって、前記マイクロコンピュータは、前記パルス信号の出力制御を行なうとともに、入力されるＣＰＵクロックを停止させることで自身をストップ状態に移行させるための制御信号の出力制御を行なうＣＰＵと、前記制御信号の出力状態に応じて前記監視制御信号の出力状態を切り替える監視制御回路とを備えている点にある。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、画素電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第１の端子は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、画素電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の配線は、第１の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第２の配線は、第２の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第３の配線は、前記第２のトランジスタが非導通状態となるような第３の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタが導通状態となるような第４の電位、又は前記第２のトランジスタが非導通状態となるような第５の電位を伝えることができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、発光素子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第１の端子は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、発光素子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の配線は、第１の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第２の配線は、第２の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第３の配線は、前記第２のトランジスタが非導通状態となるような第３の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタが導通状態となるような第４の電位、又は前記第２のトランジスタが非導通状態となるような第５の電位を伝えることができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の表示装置を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置、又は請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の表示装置と、ＦＰＣと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の表示モジュールと、バッテリーと、操作スイッチと、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１〜図６はポール等に固定する場合であり、符号１は硬質プラスチックにより逆Ｕ字形に成型した筒体であり、下端開口部にポール２への取り付けを兼ねた底蓋３を嵌着している。この底蓋３もプラスチック製であり、その中央に設けた軸受け４に固定軸５を挿入し、その上端を筒体１の上端下面に螺合させている。上記固定軸５の外周には、プラスチック製のリール６を回転自在に嵌合し、このリール６に、例えばプラスチックでコーティングした布帛のような可撓性材料の仕切り用ベルト７を巻着し、筒体１より外側に突出させた仕切り用ベルト７の先端にはプラスチック製の係合部８を固定している。またリール６の下部と底蓋３との間に形成された空室９内には、仕切り用ベルト７を巻き取る方向に付勢する渦巻ばね１０を配設し、その内端を底蓋３の軸受け４に、外端をリール６に固定している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
１        筒  体
２        ポール
３        底  蓋
４        軸受け
５        固定軸
６        リール
７        仕切り用ベルト
８        係合部
１０      渦巻ばね
１１      可動体
１５      引き出し溝
１６      ストッパー
１７      突  起
２０      係合部の支持部
２３      壁
２４      取付け部
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ゴム組成物の補強材料として使用されている亜鉛めっきスチールコードは、防錆性に優れることから、多湿環境下で用いられるスチールコードコンベヤベルトの補強材料等として利用されており、このため湿度の高い条件下で長時間使用しても接着力低下やベルト寿命が短くなることなく、亜鉛メッキスチールコードがゴムと接着されていることが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、亜鉛めっきスチールコードとの接着性に優れ、かつ良好な加硫速度を有するコンベアベルト用ゴム組成物及び該ゴム組成物を用いた耐久性及び生産性に優れるコンベアベルトを提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
従って、本発明は、好適な実施態様として下記（１）〜（７）を提供する。
（１）ゴム成分１００質量部中に、天然ゴムを２０〜７０質量部、合成ゴムを８０〜３０質量部含有する上記本発明のコンベアベルト用ゴム組成物及びコンベアベルト。
（２）上記合成ゴムが、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）から選ばれる１種又は２種以上である上記（１）のコンベアベルト用ゴム組成物及びコンベアベルト。
（３）フェノール樹脂を、ゴム成分１００質量部に対して１〜１０質量部含有する上記本発明のコンベアベルト用ゴム組成物及びコンベアベルト。
（４）フェノール樹脂が、ヘキサメチレンテトラミンが内部添加されたものである上記（３）のコンベアベルト用ゴム組成物及びコンベアベルト。
（５）β−ナフトールを、ゴム成分１００質量部に対して１〜１０質量部含有する上記本発明のコンベアベルト用ゴム組成物及びコンベアベルト。
（６）硬化剤として、ヘキサメトキシメチル化メラミン及び／又はヘキサメチレンテトラミンを、ゴム成分１００質量部に対して１〜１０質量部含有する上記本発明のコンベアベルト用ゴム組成物及びコンベアベルト。
（７）カバーゴム層間に、接着ゴム層で被覆された亜鉛めっきスチールコードが芯体として配設されたコンベアベルトにおいて、前記接着ゴム層が上記本発明のゴム組成物で形成されていることを特徴とするコンベアベルト。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明ゴム組成物を構成するゴム成分としては、コンベアベルトにおいてスチールコードの接着ゴム層として公知のゴムを用いることができ、例えば天然ゴムあるいは天然ゴムと合成ゴムとを混合して用いることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のゴム組成物には、上記接着性の更なる向上を目的としてフェノール樹脂を適量配合することができる。この場合、フェノール樹脂としては、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、レゾルシン−ホルムアルデヒド樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられ、特にフェノール−ホルムアルデヒド樹脂が好ましく用いられる。また、フェノール樹脂は、１００％フェノール樹脂の他、天然樹脂変性フェノール樹脂、油変性フェノール樹脂などを用いることもできる。ここで、特に制限されるものではないが、ヘキサメチレンテトラミン（ヘキサミン）、ヘキサメトキシメチル化メラミン（ＨＭＭＭ）などが内部添加されたものが上記接着性をより向上させることから好適に用いられ、特にヘキサメチレンテトラミンが内部添加されたフェノール樹脂が好ましく用いられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（１）接着性試験
ａ．試験片の作製
表１，２に示された各成分を配合し、バンバリーミキサーを用いて混練してゴム組成物を得た。得られた各ゴム組成物のシート（厚さ１５ｍｍ）を作製し、一対のシート間に亜鉛めっきスチールコード（直径７ｍｍ）を挟み込んで１７０℃，４０分の条件で加圧加硫を行い、試験片を作製した。
ｂ．初期接着力
上記試験片から亜鉛めっきスチールコードを引き抜き、引き抜き力を測定した。この場合、引き抜き試験はＤＩＮ２２１３１に準拠して行った。評価は表１の比較例４の引き抜き力を１００として指数化した。数値が高いほど接着力が大きく良好であることを示す。
ｃ．熱老化接着力
上記試験片を加圧プレスにて加圧（２ＭＰａ）した状態で、１４５℃×３００分の条件で加熱した後、初期接着力試験と同様に各試験片から亜鉛めっきスチールコードを引き抜いて引き抜き力を測定し、同様に評価した。
ｄ．耐水接着力
上記試験片を７０℃で湿度９５％の条件下に９０日間放置した後、上記初期接着力試験と同様に各試験片からスチールコードを引き抜いて引き抜き力を測定し、同様に評価した。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒドロキシナフタレン類（Ａ）とホルムアルデヒド（Ｂ）とを、有機溶剤と水を含有する系内で酸触媒下に反応させるノボラック樹脂の製造方法であって、前記ヒドロキシナフタレン類（Ａ）とホルムアルデヒドとの反応割合〔（Ａ）／（Ｂ））〕がモル比で０．５〜１．５の範囲となる条件で、且つ、水の存在量がヒドロキシナフタレン類（Ａ）１００質量部に対し３０〜３００質量部となる条件で前記反応を行うことを特徴とするノボラック樹脂の製造方法。
【請求項２】
前記水の存在量がヒドロキシナフタレン類（Ａ）１００質量部に対し３５〜２５０である請求項１記載のノボラック樹脂の製造方法。
【請求項３】
前記ヒドロキシナフタレン類（Ａ）が２，７−ジヒドロキシナフタレンである請求項１記載のノボラック樹脂の製造方法。
【請求項４】
前記ヒドロキシナフタレン（Ａ）とホルムアルデヒドとの反応割合〔（Ａ）／（Ｂ））〕が０．６〜１．４の範囲である請求項３記載のノボラック樹脂の製造方法。
【請求項５】
前記有機溶剤の存在量がヒドロキシナフタレン類（Ａ）１００質量部に対し５０〜５００である請求項１〜４のいずれか１項記載のノボラック樹脂の製造方法。
【請求項６】
前記有機溶剤がメチルイソブチルケトンである請求項１〜５のいずれか１項記載のノボラック樹脂の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸から得られるヘキサメチレンアジパミド単位（Ｎ６６）７０〜８５質量％と、ヘキサメチレンジアミンとイソフタル酸から得られるヘキサメチレンイソフタルアミド単位（Ｎ６Ｉ）１５〜３０質量％と、からなる、共重合ポリアミド樹脂と、
（Ｂ）含有する窒素原子数に対する炭素原子数の比（Ｃ／Ｎ）が７以上１２以下であり、アミノカルボン酸及び／又はジアミンとジカルボン酸の組み合わせから得られる、脂肪族ポリアミド樹脂と、
（Ｃ）ガラス繊維と、を含み、
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分の質量比（Ａ／Ｂ）が４０／６０〜６０／４０であり、
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計１００質量部に対して、前記（Ｃ）成分２０〜２５０質量部を含む、ポリアミド樹脂組成物。
【請求項２】
ＪＩＳ  Ｋ  ６８１０に準じた９８％硫酸中濃度１％、２５℃で測定された、前記（Ｂ）成分の相対粘度（ηｒ）が、２．０〜２．５である、請求項１に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）成分が、ポリアミド６１０、ポリアミド６１２、ポリアミド１１、ポリアミド１２、これらのうち少なくとも２種類の異なったポリアミド形成成分を含むポリアミド共重合体、又はこれらの混合物である、請求項１又は２に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｂ）成分が、ポリアミド６１２、又はポリアミド１２である、請求項１又は２に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｂ）成分が、ポリアミド６１２である、請求項１又は２に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分とからなる３元共重合体を、更に含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ｂ）成分が、ポリアミド６１２であり、
前記（Ｄ）成分が、Ｎ６６単位、Ｎ６Ｉ単位及びポリアミド６１２単位からなる３元共重合体である、請求項６に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項８】
硫化亜鉛を、更に含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のポリアミド樹脂組成物からなる成型体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸から得られるヘキサメチレンアジパミド単位（Ｎ６６）７０〜８５質量％と、ヘキサメチレンジアミンとイソフタル酸から得られるヘキサメチレンイソフタルアミド単位（Ｎ６Ｉ）及びカプロアミド単位（Ｎ６）の繰返し構造単位１５〜３０質量％と、からなる３元共重合体であり、前記ヘキサメチレンイソフタルアミド単位と前記カプロアミド単位との配合質量比（Ｎ６１／Ｎ６）が１.０以上である、共重合ポリアミド樹脂と、
（Ｂ）含有する窒素原子数に対する炭素原子数の比（Ｃ／Ｎ）が７以上１２以下であり、アミノカルボン酸及び／又はジアミンとジカルボン酸の組み合わせから得られ、かつ、ＪＩＳ  Ｋ  ６８１０に準じた９８％硫酸中濃度１％、２５℃で測定された相対粘度（ηｒ）が２．０〜２．５である、脂肪族ポリアミド樹脂（但し、ポリアミド６１０を除く）と、
（Ｃ）ガラス繊維と、を含み、
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分の質量比（Ａ／Ｂ）が４０／６０〜６０／４０であり、
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計１００質量部に対して、前記（Ｃ）成分２０〜２５０質量部を含む、ポリアミド樹脂組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ）成分が、ポリアミド６１２又はポリアミド１２である、請求項１に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）成分が、ポリアミド６１２である、請求項１に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｄ）前記（Ａ）成分の構造単位と、前記（Ｂ）成分の構造単位と、からなる４元共重合体を、更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｂ）成分が、ポリアミド６１２であり、
前記（Ｄ）成分が、Ｎ６６、Ｎ６Ｉ、Ｎ６及びポリアミド６１２単位からなる４元共重合体である、請求項４に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項６】
硫化亜鉛を、更に含む、請求項１〜５のいずれかに一項に記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに一項に記載のポリアミド樹脂組成物からなる成型体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１分子中に少なくとも２個のＮ−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物（ａ）と、１分子中に少なくとも２個の１級アミノ基を有するアミン化合物（ｂ）を反応させて得られる不飽和マレイミド基を有する樹脂組成物（Ａ）、エポキシ樹脂及びシアネート樹脂から選ばれた少なくとも一種の熱硬化性樹脂（Ｂ）及び下記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で表される変性イミダゾール化合物（Ｃ）を含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
【化１】
2010248473.tif 000001
（式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり、Ａはアルキレン基又は芳香族炭化水素基である。）
【化２】
2010248473.tif 000002
（式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は各々独立に、水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基又はフェニル基を示し、Ｂは単結合、アルキレン基、アルキリデン基、エーテル基又はスルフォニル基を示す。）
【請求項２】
さらに、下記一般式（III）で表される酸性置換基を有するアミン化合物（Ｄ）を含有する請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【化３】
2010248473.tif 000003
（式（III）中、Ｒ1は各々独立に、酸性置換基である水酸基、カルボキシル基又はスルホン酸基を、Ｒ2は各々独立に、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を示し、ｘは１〜５の整数、ｙは０〜４の整数で、且つｘとｙの和は５である。）
【請求項３】
さらに、無機充填材（Ｅ）を含有する請求項１又は２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
さらに、モリブデン化合物（Ｆ）を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項５】
さらに、難燃性を付与するリン含有化合物（Ｇ）を含有する請求項１〜４のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項６】
さらに、化学粗化可能な化合物（Ｈ）を含有する請求項１〜５のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項７】
無機充填材（Ｅ）が、溶融球状シリカ及び／又は熱分解温度が３００℃以上の金属水和物である請求項３〜６のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物の半硬化状態のフィルムが支持体表面に形成された支持体付絶縁フィルム。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物を繊維シート状補強基材に塗工し、Ｂステージ化して得られたプリプレグ。
【請求項１０】
回路基板と絶縁樹脂層を有する積層板であって、絶縁樹脂層が、（１）請求項１〜７のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物、（２）請求項８に記載の支持体付絶縁フィルム、（３）請求項９に記載のプリプレグのいずれかを用いて形成された積層板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の積層板を用いて製造された多層プリント配線板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
３．さらに、無機充填材（Ｅ）を含有する上記１又は２の熱硬化性樹脂組成物。
４．さらに、モリブデン化合物（Ｆ）を含有する上記１〜３のいずれかの熱硬化性樹脂組成物。
５．さらに、難燃性を付与するリン含有化合物（Ｇ）を含有する上記１〜４のいずれかの熱硬化性樹脂組成物。
６．さらに、化学粗化可能な化合物（Ｈ）を含有する上記１〜５のいずれかの熱硬化性樹脂組成物。
７．無機充填材（Ｅ）が、溶融球状シリカ及び／又は熱分解温度が３００℃以上の金属水和物である上記３〜６のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物。
８.上記１〜７のいずれかの熱硬化性樹脂組成物の半硬化状態のフィルムが支持体表面に形成された支持体付絶縁フィルム。
９．上記１〜７のいずれかの熱硬化性樹脂組成物を繊維シート状補強基材に塗工し、Ｂステージ化して得られたプリプレグ。
１０．回路基板と絶縁樹脂層を有する積層板であって、絶縁樹脂層が、（１）上記１〜７のいずれかの熱硬化性絶縁樹脂組成物、（２）上記９の支持体付絶縁フィルム、（３）上記９のプリプレグのいずれかを用いて形成された積層板。
１１．上記１０の積層板を用いて製造された多層プリント配線板。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構成成分としてエポキシ樹脂［Ａ］、有機窒素化合物硬化剤［Ｂ］、および熱可塑性樹脂を含む炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物であって、成分［Ａ］が下記式（I）で表されるエポキシ樹脂［Ａ１］と、下記式（II）で表されるエポキシ樹脂のうちｎ＝１の成分［Ａ２］と、下記式（II）で表されるエポキシ樹脂のうちｎ≧２の成分［Ａ３］とを、式（１）、式（２）、式（３）および式（４）（いずれも左辺は質量比）を満たすように含み、かつ、前記熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂であることを特徴とする炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2010248479.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素原子またはメチル基を表す。）
【化２】
2010248479.tif 000002
（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は、水素原子またはメチル基を表す。また、ｎは１以上の整数を表す。）
（［Ａ１］＋［Ａ２］＋［Ａ３］）／［Ａ］≧０．８・・・式（１）
［Ａ１］／（［Ａ１］＋［Ａ２］＋［Ａ３］）≧０．２・・・式（２）
［Ａ２］／（［Ａ１］＋［Ａ２］＋［Ａ３］）＜０．１・・・式（３）
［Ａ３］／（［Ａ１］＋［Ａ２］＋［Ａ３］）≧０．５・・・式（４）
【請求項２】
５０℃における粘度が、５０〜３０００Ｐａ・ｓの範囲内である、請求項１に記載の炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
成分［Ｃ］として、リン系難燃剤を含む、請求項１または２に記載の炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
少なくとも、請求項１〜３のいずれかに記載の炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物と炭素繊維から構成されるプリプレグ。
【請求項５】
請求項４に記載のプリプレグを硬化せしめてなる炭素繊維強化複合材料。
【請求項６】
請求項４に記載のプリプレグを成形する炭素繊維強化複合材料の製造方法であって、前記成形がプレス成形である炭素繊維強化複合材料の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の炭素繊維強化複合材料を用いて製造された電子電気部品筐体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、構成成分としてエポキシ樹脂［Ａ］、有機窒素化合物硬化剤［Ｂ］、および熱可塑性樹脂を含む炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物であって、成分［Ａ］が下記式（I）で表されるエポキシ樹脂［Ａ１］と、下記式（II）で表されるエポキシ樹脂のうちｎ＝１の成分［Ａ２］と、下記式（II）で表されるエポキシ樹脂のうちｎ≧２の成分［Ａ３］とを、式（１）、式（２）、式（３）および式（４）（いずれも左辺は質量比、以下同様。）を満たすように含み、かつ、前記熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂であることを特徴とする炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本発明の炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物は、粘弾性制御や靱性付与のために熱可塑性樹脂を含有するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
このような熱可塑性樹脂の例としては、ポリメタクリル酸メチル、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、芳香族ビニル単量体・シアン化ビニル単量体・ゴム質重合体から選ばれる少なくとも２種類を構成成分とする重合体、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリーレンオキシド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、フェノキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂と良好な相溶性を有し、炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物の流動性制御の効果が大きい点から、ポリビニルホルマールおよびフェノキシ樹脂が好ましく用いられ、この中でも下記式（I）および下記式（II）で表される化合物との相溶性が良く、難燃性が高い点から、本発明では、熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂が用いられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
（４）炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物のゲル化時間
炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物から２ｃｍ３をサンプルとして準備し、樹脂の硬化を追跡するためにキュラストメータＶ型（日合商事(株)製）を用いて、１５０℃の温度でゲル化時間を測定した。測定開始後、トルクが０．００５Ｎ・ｍに達した時間をゲル化時間とした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
実施例１〜１１の結果を表１に、比較例１〜８の結果を表２に示す。表１および表２中の炭素繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物の数字は、質量部を表す。なお、実施例４は本発明の参考実施例である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタノールおよび／またはその反応性誘導体と一酸化炭素とをカルボニル化反応器に供給し、ここで酢酸メチルと水とイリジウムを除く第ＶＩＩＩ族貴金属カルボニル化触媒とハロゲン化ヒドロカルビル助触媒と必要に応じ少なくとも１種の促進剤と酢酸とを含む液体反応組成物を維持し、酢酸まで変換されるメタノールおよび／またはその反応性誘導体と一酸化炭素との比を監視すると共に、それに呼応してメタノールおよび／またはその反応性誘導体の供給速度を酢酸メチル濃度が所定値に維持されるよう調整することにより、液体反応組成物における酢酸メチル濃度を所定値に維持することを特徴とする酢酸の連続製造方法。
【請求項２】
メタノール供給流量を、メタノール・レイショ・コントローラにより次式
Ｒ＝Ｍ／（Ｃ−Ｏ）  （Ｉ）
［式中、Ｍ＝メタノールおよび／または反応性誘導体の供給流量（モル）、
Ｃ＝一酸化炭素供給流（モル）、
Ｏ＝総合オフガス流における一酸化炭素（モル）］
により計算されるＲの数値に呼応して制御する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｒが所定値（Ｘ）に等しいまたはそれ以上である際に一単位までＲの数値を回復すべくＭが必要とする数値を決定するようコンピュータ計算を行い、この数値をメタノール・フロー・コントローラにおける設定点上限値までレイショ・コントローラにより書き込み、これがメタノール供給流量をＲの数値が一単位に等しくなるまで減少させることにより呼応するようメタノール・フロー・コントローラが機能する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
Ｒが所定値（Ｘ）未満となった際、メタノール・レイショ・コントローラがメタノール・フロー・コントローラ値に非制限設定点限界を設定する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
Ｘが１．０５〜１．３５の範囲である請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
Ｘが１．１０〜１．２５の範囲である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
Ｘが１．１０〜１．２０の範囲である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
メタノールが反応器まで急速供給されることを必要とする始動時に際し、コントローラを作動しないようにすると共に、メタノール供給速度を抑制しないよう最高設定点上限値をメタノール・フロー・コントローラに自動的に書き込む請求項３〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
第ＶＩＩＩ族貴金属カルボニル化触媒がロジウムである請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
酢酸メチルを液体反応組成物中に１〜７０重量％の量にて存在させる請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトにおいてグルカゴン様ペプチド１（ＧＬＰ−１）の代謝を変更するのに使用するための医薬組成物であって、ジペプチジルペプチダーゼＩＶ（ＤＰＩＶ）の阻害因子および他の治療剤または薬剤学的に許容されるそれらの塩を含み、該阻害因子が、10ｎＭ以下のＤＰＩＶ阻害に関するＫiを有し、ＧＬＰ−１のＤＰＩＶによるタンパク質分解を阻害するのに十分な量であるがヒトの免疫系を抑制するには十分ではない量で投与されることを特徴とする医薬組成物。
【請求項２】
ヒトにおいてグルコース代謝を変更するのに使用するための医薬組成物であって、ジペプチジルペプチダーゼＩＶ（ＤＰＩＶ）の阻害因子および他の治療剤または薬剤的に許容されるそれらの塩を含み、該阻害因子が、10ｎＭ以下のＤＰＩＶ阻害に関するＫiを有し、グルコース代謝を変更するのに十分な量であるがヒトの免疫系を抑制するには十分ではない量で投与されることを特徴とする医薬組成物。
【請求項３】
ヒトにおいてII型糖尿病を治療するのに使用するための医薬組成物であって、ジペプチジルペプチダーゼＩＶ（ＤＰＩＶ）の阻害因子および他の治療剤またはその薬剤的に許容される塩を含み、該阻害因子が、10ｎＭ以下のＤＰＩＶ阻害に関するＫiを有し、II型糖尿病を治療するのに十分な量であるがヒトの免疫系を抑制するには十分ではない量で投与されることを特徴とする医薬組成物。
【請求項４】
前記阻害因子が、1.0ｎＭ以下のＤＰＩＶ阻害に関するＫiを有することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも一桁小さいＧＬＰ−１代謝の変更に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項１記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも二桁小さいＧＬＰ−１代謝の変更に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項１記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも一桁小さいグルコース代謝の変更に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項２記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも二桁小さいグルコース代謝の変更に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項２記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも一桁小さいII型糖尿病の治療に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項３記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも二桁小さいII型糖尿病の治療に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項３記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記阻害因子が、5000原子質量単位（amu）未満の分子量を有することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記阻害因子が、2000原子質量単位（amu）未満の分子量を有することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記阻害因子が、1000原子質量単位（amu）未満の分子量を有することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記ヒトがグルコース不耐性であることを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１５】
グルコース不耐性が、グルカゴン様ペプチドをコードする遺伝子の欠失または破壊によるものである請求項１４記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記グルカゴン様ペプチドがＧＬＰ−１であることを特徴とする請求項１５記載の医薬組成物。
【請求項１７】
インスリン抵抗性、グルコース不耐性、高血糖症、インスリン過剰症、肥満症、高脂血症、および高リポタンパク血症の１つ以上の症状を軽減することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記他の治療剤が、インスリン、Ｍ１レセプター拮抗薬、プロラクチン阻害剤、β細胞のATP依存性チャンネルに作用する物質、メトホルミンおよびグルコシダーゼ阻害剤からなる群より選択されることを特徴とする請求項１−１７いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記他の治療剤が、四級アミン類、三級アミン類、三環系アミン類、ピレンゼピン、メチルスコポラミン、ベンゾトロピン、ヘキサヒドロシラジフェンジオール塩酸塩、（＋／−）−３−キヌクリジルキサンテン−９−カルボキシレート、ヘミオキサレートおよびアトロピンからなる群より選択されるＭ１レセプター拮抗薬であることを特徴とする請求項１８記載の医薬組成物。
【請求項２０】
前記他の治療剤が、ｄ２ドーパミン作動薬、プロラクチン阻害性麦角アルカロイド類、およびプロラクチン阻害性ドーパミン作動薬からなる群より選択されるプロラクチン阻害剤であることを特徴とする請求項１８記載の医薬組成物。
【請求項２１】
前記他の治療剤が、２−ブロモ−α−エルゴクリプティン、６−メチル−８−β−カルボベンジルオキシアミノメチル−10−α−エルゴリン、８−アシルアミノエルゴリン類、６−メチル−８−α−（Ｎ−アシル）アミノ−９−エルゴリン、６−メチル−８−α−（Ｎ−フェニルアセチル）アミノ−９−エルゴリン、エルゴコルニン、９，10−ジヒドロエルゴコルニン、Ｄ−２−ハロ−６−アルキル−８−置換エルゴリン類、Ｄ−２−ブロモ−６−メチル−８−シノメチルエルゴリン、カルビドパ、ベンセラジド、その他のドパデカルボキシラーゼ阻害剤類、Ｌ−ドパおよびドーパミンからなる群より選択されるプロラクチン阻害性ドーパミン作動薬であることを特徴とする請求項２０記載の医薬組成物。
【請求項２２】
前記他の治療剤が、グリベンクラミド、グリピジド、グリクラジドおよびAG-EE 623 ZWからなる群より選択される、β細胞のＡＴＰ依存性チャンネルに作用する物質であることを特徴とする請求項１８記載の医薬組成物。
【請求項２３】
前記他の治療剤が、グルコシダーゼ阻害薬であることを特徴とする請求項１８記載の医薬組成物。
【請求項２４】
前記グルコシダーゼ阻害薬がアカルボースであることを特徴とする請求項２３記載の医薬組成物。
【請求項２５】
前記他の治療剤がメトホルミンであることを特徴とする請求項１８記載の医薬組成物。
【請求項２６】
薬剤学的に許容されるキャリアをさらに含むことを特徴とする請求項１−２５いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項２７】
経口投与用であることを特徴とする請求項１−２５いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項２８】
固体剤形であることを特徴とする請求項２７記載の医薬組成物。
【請求項２９】
前記固体剤形が、タブレット、カプセルまたはピルであることを特徴とする請求項２８記載の医薬組成物。
【請求項３０】
前記固体剤形がタブレットであることを特徴とする請求項２８記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトにおいてグルカゴン様ペプチド１（ＧＬＰ−１）の代謝を変更するのに使用するためのジペプチジルペプチダーゼＩＶ（ＤＰＩＶ）の阻害因子またはその薬剤的に許容される塩であって、該阻害因子が、10ｎＭ以下のＤＰＩＶ阻害に関するＫiを有し、ＧＬＰ−１のＤＰＩＶによるタンパク質分解を阻害するのに十分な量であるがヒトの免疫系を抑制するには十分ではない量で投与されることを特徴とする阻害因子。
【請求項２】
ヒトにおいてグルコース代謝を変更するのに使用するためのジペプチジルペプチダーゼＩＶ（ＤＰＩＶ）の阻害因子またはその薬剤的に許容される塩であって、該阻害因子が、10ｎＭ以下のＤＰＩＶ阻害に関するＫiを有し、グルコース代謝を変更するのに十分な量であるがヒトの免疫系を抑制するには十分ではない量で投与されることを特徴とする阻害因子。
【請求項３】
ヒトにおいてII型糖尿病を治療するのに使用するためのジペプチジルペプチダーゼＩＶ（ＤＰＩＶ）の阻害因子またはその薬剤的に許容される塩であって、該阻害因子が、10ｎＭ以下のＤＰＩＶ阻害に関するＫiを有し、II型糖尿病を治療するのに十分な量であるがヒトの免疫系を抑制するには十分ではない量で投与されることを特徴とする阻害因子。
【請求項４】
前記阻害因子が、1.0ｎＭ以下のＤＰＩＶ阻害に関するＫiを有することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の阻害因子。
【請求項５】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも一桁小さいＧＬＰ−１代謝の変更に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項１記載の阻害因子。
【請求項６】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも二桁小さいＧＬＰ−１代謝の変更に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項１記載の阻害因子。
【請求項７】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも一桁小さいグルコース代謝の変更に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項２記載の阻害因子。
【請求項８】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも二桁小さいグルコース代謝の変更に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項２記載の阻害因子。
【請求項９】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも一桁小さいII型糖尿病の治療に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項３記載の阻害因子。
【請求項１０】
前記阻害因子が、免疫抑制に関するＥＣ５０よりも少なくとも二桁小さいII型糖尿病の治療に関するＥＣ５０を有することを特徴とする請求項３記載の阻害因子。
【請求項１１】
前記阻害因子が、5000原子質量単位（amu）未満の分子量を有することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の阻害因子。
【請求項１２】
前記阻害因子が、2000原子質量単位（amu）未満の分子量を有することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の阻害因子。
【請求項１３】
前記阻害因子が、1000原子質量単位（amu）未満の分子量を有することを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の阻害因子。
【請求項１４】
前記阻害因子が経口投与されることを特徴とする請求項１−３いずれか１項記載の阻害因子。
【請求項１５】
前記阻害因子が、固体剤形で投与されることを特徴とする請求項１４記載の阻害因子。
【請求項１６】
前記固体剤形が、タブレット、カプセルまたはピルであることを特徴とする請求項１５記載の阻害因子。
【請求項１７】
前記固体剤形がタブレットであることを特徴とする請求項１６記載の阻害因子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一種またはそれ以上の膜形成性リン脂質と少なくとも一種の界面活性剤で被覆され、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFA 134a)または1,1,1,2,3,3,3-ヘプタフルオロプロパン(HFA 227)プロペラント中に分散されている平均粒度範囲０．１〜１０ミクロンの薬物微結晶から本質的に構成され、
被覆した薬物微結晶の密度がプロペラントの密度と実質的に同じであり、
薬物微結晶上の被覆の量が薬物の重量を基準に０．１％を超え２００％未満である、１．０〜１．５ｇ／ｍｌの密度を有する乾燥懸濁物エーロゾル製剤。
【請求項２】
プロペラントが製剤の少なくとも７０重量％の割合を占める請求項１に記載のエーロゾル製剤。
【請求項３】
薬物が製剤の５重量％未満の割合を占める請求項１又は２に記載のエーロゾル製剤。
【請求項４】
界面活性剤に対するリン脂質の重量比が０．０４〜２５の範囲である請求項１〜３のいずれかに記載のエーロゾル製剤。
【請求項５】
リン脂質が製剤の２０重量％未満の割合を占める請求項１に記載のエーロゾル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１の色材及び第２の色材を含有するインクであって、
前記第１の色材が、下記一般式（Ｉ）で表される顔料であり、
前記第２の色材が、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１２８及びＣ．Ｉ．ピグメントイエロー２１３から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とするインク。
【化１】
2010248287.tif 000001
（一般式（Ｉ）中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に、シアノアセトアミド残基或いはバルビツール酸残基であり、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基で置換されていてもよく、前記アリール基及び前記ヘテロアリール基は、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、若しくはニトロ基で置換されていてもよい。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明にかかるインクは、第１の色材及び第２の色材を含有するインクであって、前記第１の色材が、下記一般式（Ｉ）で表される顔料であり、前記第２の色材が、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１２８及びＣ．Ｉ．ピグメントイエロー２１３から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に触媒を有する基材上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、前記触媒の周囲環境を還元ガス環境とすると共に前記触媒及び前記還元ガスのうち少なくとも一方を加熱するフォーメーション工程を実現するフォーメーションユニットと、前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程を実現する成長ユニットと、ガス混入防止手段とを用い、
前記フォーメーションユニットにおける前記フォーメーション工程と、前記成長ユニットにおける前記成長工程とを、行い、
各ユニットの炉内空間が接続部によって空間的に接続されており、前記ガス混入防止手段を用いて各ユニットの炉内空間内へガスが相互に混入することを防止することを特徴とする、カーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【請求項２】
前記ガス混入防止手段を用いて、前記還元ガス環境中の炭素原子個数濃度を５×１０２２個／ｍ３以下に保つことを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【請求項３】
前記原料ガス環境が高炭素濃度環境であり、前記高炭素濃度環境は全流量に対する原料ガスの割合が２〜２０％の成長雰囲気であることを特徴とする請求項１又は２に記載のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【請求項４】
搬送ユニットを用いて前記フォーメーションユニットから前記成長ユニットまで基板を搬送する工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【請求項５】
基材入口から装置炉内へ外部空気が混入することを、入口パージ部を用いて防止することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【請求項６】
基材出口から装置炉内へ外部空気が混入することを、出口パージ部を用いて防止することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【請求項７】
表面に触媒を有する基材上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、前記触媒の周囲環境を還元ガス環境とすると共に前記触媒及び前記還元ガスのうち少なくとも一方を加熱するフォーメーション工程を実現するフォーメーションユニットと、前記触媒の周囲環境を触媒賦活物質を含む原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程を実現する成長ユニットとを用い、
前記フォーメーション工程と、前記成長工程とを、行うことを特徴とする、カーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【請求項８】
前記触媒賦活物質は、酸素を含む物質であることを特徴とする請求項７に記載のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【請求項９】
前記成長工程を４００℃から１１００℃の範囲で行うことを特徴とする請求項７又は８に記載のカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００３−１７１１０８号公報（公開日：２００３年６月１７日）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２００６−１６２３２号公報（公開日：２００６年１月１９日）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開２００７−９１５５６号公報（公開日：２００７年４月１２日）」
【特許文献４】日本国公開特許公報「特開２００７−９２１５２号公報（公開日：２００７年４月１２日）」
【特許文献５】日本国公表特許公報「特表２００４−５２３４６０号公報（公表日：２００４年８月５日）」
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子径が１００ｎｍ以下の金属酸化物（Ａ）と重合体エマルジョン粒子（Ｂ）を水中に分散させて含む有機・無機複合組成物であって、該金属酸化物（Ａ）が屈折率が１．８以上２．８以下の金属酸化物を少なくとも１種含み、さらに該金属酸化物（Ａ）が少なくとも、酸化ジルコニウム（ａ１）と酸化珪素（ａ２）とを含んでいることを特徴とする上記有機・無機複合組成物。
【請求項２】
前記金属酸化物（Ａ）と前記重合体エマルジョン粒子（Ｂ）が質量比で（Ａ）／（Ｂ）＝１０／９０〜９０／１０、（ａ１）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝＝０．０１〜０．５、及び（ａ２）／｛（Ａ）＋（Ｂ）｝＝０．１〜０．８の範囲である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記重合体エマルジョン粒子（Ｂ）が、水及び乳化剤の存在下に加水分解性珪素化合物（ｂ１）及び、ビニル単量体（ｂ２）を重合して得られたものであり、粒子径が１０〜８００ｎｍである、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記酸化ジルコニウム（ａ１）が水分散体であって、そのｐＨが８〜１１である、請求
項２又は３に記載の組成物。
【請求項５】
前記酸化ジルコニウム（ａ１）が酸化ジルコニウム−酸化イットリウム混合物コロイド（ａ３）である、請求項２〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記金属酸化物（Ａ）が光触媒活性を有する金属酸化物（ａ４）を少なくとも１種含ん
でいる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記金属酸化物（ａ４）が酸化チタン（ａ５）である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物を基材上に形成してなることを特徴とする機能性複合体。
【請求項９】
請求項８に記載の機能性複合体を外装に用いたことを特徴とする建築物。