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【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記目的を達成するために、光学系を通して入射した光を、複数の画素それぞれに構成されたマイクロレンズにより集光させて撮像を行う撮像素子であって、前記マイクロレンズの光軸と中心位置が一致した開口部を通して光を受光する撮像画素と、前記マイクロレンズの光軸から第１の方向に偏心した第１の開口部を通して瞳分割された光を受光する第１の焦点検出画素と、マイクロレンズの光軸から前記第１の方向とは異なる第２の方向に偏心した第２の開口部を通して瞳分割された光を受光する第２の焦点検出画素と、を有する撮像素子と、シェーディング補正を行うための補正データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された補正データから、前記撮像画素用のシェーディング補正係数と、前記第１及び第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数とを生成する補正係数生成手段と、前記撮像画素の信号には前記撮像画素用のシェーディング補正係数を用いてシェーディング補正を行い、前記第１及び第２の焦点検出画素の信号には前記第１及び第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数を用いてシェーディング補正を行う補正手段と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学系を通して入射した光を、複数の画素それぞれに構成されたマイクロレンズにより集光させて撮像を行う撮像素子であって、前記マイクロレンズの光軸と中心位置が一致した開口部を通して光を受光する撮像画素と、前記マイクロレンズの光軸から第１の方向に偏心した第１の開口部を通して瞳分割された光を受光する第１の焦点検出画素と、マイクロレンズの光軸から前記第１の方向とは異なる第２の方向に偏心した第２の開口部を通して瞳分割された光を受光する第２の焦点検出画素と、を有する撮像素子と、
シェーディング補正を行うための補正データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された補正データから、前記撮像画素用のシェーディング補正係数と、前記第１及び第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数とを生成する補正係数生成手段と、
前記撮像画素の信号には前記撮像画素用のシェーディング補正係数を用いてシェーディング補正を行い、前記第１及び第２の焦点検出画素の信号には前記第１及び第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数を用いてシェーディング補正を行う補正手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、シェーディング補正を行うための前記補正データとして、前記撮像画素用の補正データと、前記第１及び第２の焦点検出画素用の補正データとを記憶し、
前記補正係数生成手段は、前記撮像画素用のシェーディング補正係数を前記撮像画素用の補正データから算出し、前記第１及び第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数として前記第１及び第２の焦点検出画素用の補正データをそのまま用いることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記記憶手段は、前記第１及び第２の焦点検出画素用の補正データとして、前記第１の焦点検出画素のシェーディング補正を行うための第１の焦点検出画素用補正データを第１の記憶領域に記憶し、前記第２の焦点検出画素のシェーディング補正を行うための第２の焦点検出画素用補正データを前記第１の記憶領域とは異なる第２の記憶領域に記憶し、
前記補正係数生成手段は、前記第１の焦点検出画素用のシェーディング補正係数として前記第１の焦点検出画素用補正データをそのまま用い、前記第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数として前記第２の焦点検出画素用補正データをそのまま用いることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
シェーディング補正を行う画素の種類が、前記撮像画素、前記第１の焦点検出画素、前記第２の焦点検出画素のいずれであるか、及び、前記第１の焦点検出画素または前記第２の焦点検出画素の場合に、前記シェーディング補正を行う画素の前記撮像素子における位置とを判定する判定手段を更に有し、
前記補正係数生成手段は、前記撮像画素用のシェーディング補正係数、前記第１の焦点検出画素用のシェーディング補正係数、前記第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数の内、前記判定手段により判定された前記シェーディング補正を行う画素の種類に対応するいずれかのシェーディング補正係数を前記補正データから算出することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記記憶手段は、シェーディング補正を行うための前記補正データとして、前記撮像画素用の補正データと、前記第１及び第２の焦点検出画素用の補正データとを記憶し、
前記補正係数生成手段は、前記撮像画素用のシェーディング補正係数を前記撮像画素用の補正データから算出し、前記第１及び第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数を前記第１及び第２の焦点検出画素用の補正データから算出することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の焦点検出画素の画素の出力から、合焦位置からのずれ量を算出する算出手段と、
前記ずれ量に応じて前記撮像装置の光学系を前記合焦位置に移動させる移動手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
光学系を通して入射した光を、複数の画素それぞれに構成されたマイクロレンズにより集光させて撮像を行う撮像素子であって、前記マイクロレンズの光軸と中心位置が一致した開口部を通して光を受光する撮像画素と、前記マイクロレンズの光軸から第１の方向に偏心した第１の開口部を通して瞳分割された光を受光する第１の焦点検出画素と、マイクロレンズの光軸から前記第１の方向とは異なる第２の方向に偏心した第２の開口部を通して瞳分割された光を受光する第２の焦点検出画素と、を有する撮像素子から出力される信号の画像処理方法において、
読み出し手段が、シェーディング補正を行う画素の種類に応じて、記憶手段に予め記憶された、前記撮像画素用の補正データ、または、前記第１及び第２の焦点検出画素用の補正データを前記記憶手段から読み出す工程と、
補正係数生成手段が、前記シェーディング補正を行う画素の種類に応じて前記記憶手段から読み出した補正データから、前記撮像画素用のシェーディング補正係数または前記第１及び第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数を生成する補正係数生成工程と、
補正手段が、前記撮像画素の信号には前記撮像画素用のシェーディング補正係数を用いてシェーディング補正を行い、前記第１及び第２の焦点検出画素の信号には前記第１及び第２の焦点検出画素用のシェーディング補正係数を用いてシェーディング補正を行う補正工程と、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロレンズと、該マイクロレンズを介して入射する光束を信号電荷に変換する光電変換部とを有する画素が複数配列された焦点検出装置であって、
前記複数の画素の前記光電変換部が変換した信号電荷を読み出すための電極群を有し、
前記複数の画素が、撮像画像を生成するための複数の撮像用画素と、位相差検出方式による焦点検出を行うための像信号を生成するための複数の焦点検出用画素とを含み、
前記電極群が、前記撮像用画素については、前記マイクロレンズを介して前記光電変換部に入射する光束を遮らないように配置され、前記焦点検出用画素については、前記マイクロレンズを介して前記光電変換部に入射する光束のうち、予め定められた瞳分割方向における光束を制限するための開口を形成するように、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に配置されることを特徴とする焦点検出装置。
【請求項２】
前記電極群が、前記光電変換部の周囲に配置された複数の電極から構成され、前記焦点検出用画素の周囲に配置された前記複数の電極の１つ以上の幅が、前記焦点検出用画素の光電変換部の中心に向かって拡張された形状を有することにより、前記開口が形成されることを特徴とする請求項１記載の焦点検出装置。
【請求項３】
前記電極群が多層構造を有するとともに、
前記開口が、前記瞳分割方向に直交する辺と、前記瞳分割方向と平行な辺とを有する形状を有し、
前記開口の、少なくとも前記瞳分割方向に直交する辺を形成する電極が、前記電極群のうち、前記マイクロレンズの焦点位置から最も遠い層以外の層の電極であることを特徴とする請求項２記載の焦点検出装置。
【請求項４】
前記開口の前記瞳分割方向に直交する辺を形成する電極が、前記電極群のうち、前記マイクロレンズの焦点位置から最も遠い層以外の層の電極であり、前記開口の前記瞳分割方向に平行な辺を形成する電極が、前記電極群のうち、前記開口の前記瞳分割方向に直交する辺を形成する電極よりも、前記マイクロレンズの焦点位置から遠い層の電極であることを特徴とする請求項３記載の焦点検出装置。
【請求項５】
前記開口の前記瞳分割方向に直交する辺と、前記瞳分割方向と平行な辺を形成する電極が、いずれも、前記電極群のうち、前記マイクロレンズの焦点位置から最も遠い層以外の１つの層の電極であり、
前記焦点検出用画素の周囲に設けられた電極のうち、前記開口の辺を形成する電極よりも、前記マイクロレンズの焦点位置から遠い層の電極が、前記焦点検出用画素の光電変換部のうち、前記開口の辺を形成する電極で遮光されていない領域を遮光するように形成されることを特徴とする請求項３記載の焦点検出装置。
【請求項６】
前記複数の焦点検出用画素が分散配置されるとともに、第１の瞳分割方向を有する焦点検出用画素対と、当該第１の瞳分割方向と直交する第２の瞳分割方向を有する焦点検出用画素対とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の焦点検出装置。
【請求項７】
前記複数の焦点検出用画素から読み出された信号電荷に基づいて、前記瞳分割方向における位相差を検出するための１対の像信号を生成する生成手段と、
前記生成手段が生成した１対の像信号から、焦点ずれ量を算出する算出手段とをさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の焦点検出装置。
【請求項８】
フォーカスレンズを有する撮影光学系と、
請求項７記載の焦点検出装置と、
前記算出手段が算出したフォーカスずれ量に応じて前記フォーカスレンズを駆動する駆動手段と、
前記焦点検出装置の前記撮像用画素から読み出した信号電荷に基づいて画像を生成する画像処理手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の目的は、マイクロレンズと、マイクロレンズを介して入射する光束を信号電荷に変換する光電変換部とを有する画素が複数配列された焦点検出装置であって、複数の画素の光電変換部が変換した信号電荷を読み出すための電極群を有し、複数の画素が、撮像画像を生成するための複数の撮像用画素と、位相差検出方式による焦点検出を行うための像信号を生成するための複数の焦点検出用画素とを含み、電極群が、撮像用画素については、マイクロレンズを介して光電変換部に入射する光束を遮らないように配置され、焦点検出用画素については、マイクロレンズを介して光電変換部に入射する光束のうち、予め定められた瞳分割方向における光束を制限するための開口を形成するように、光電変換部とマイクロレンズとの間に配置されることを特徴とする焦点検出装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
第２の実施形態の焦点検出用画素では、瞳分割方向とこれに直交する方向の光束を規制するスリット状開口を、共に第１の電極群で形成する。つまり、スリット開口が、マイクロレンズ１６２の焦点位置からの距離が等しい電極で形成される。そのため、図２０（ｂ）における水平方向の断面での瞳強度分布の尖鋭度θHA-H及びθHB-Hと、図２０（ｃ）における垂直方向の断面での瞳強度分布の尖鋭度θHA-V及びθHB-Vは同一となる。一方、瞳強度分布の幅Ｗは、第１の実施形態と同様、瞳分割方向である水平方向で狭く（図２０（ｂ））、垂直方向で広い（図２０（ｃ））。そのため、本実施形態においても、瞳分離の明瞭性と、受光量低下の軽減の両立が実現されている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月19日(2012.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記内視鏡装置は、前記第１の画像信号として、４６０〜４８０ｎｍの波長範囲の反射光に対応する画像信号、前記第２の画像信号として、５９０〜７００ｎｍの波長範囲の反射光に対応する画像信号、前記第３の画像信号として、５４０〜５８０ｎｍの波長範囲を含む反射光に対応する画像信号を取得するものである請求項１または２に記載の内視鏡診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記内視鏡装置は、前記第１の画像信号として、４６０〜４８０ｎｍの波長範囲の反射光に対応する画像信号、前記第２の画像信号として、５９０〜７００ｎｍの波長範囲の反射光に対応する画像信号、前記第３の画像信号として、５４０〜５８０ｎｍの波長範囲を含む反射光に対応する画像信号を取得するものであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書籍、衣類、骨董品、履物、家具、玩具、寝具、貴金属（以下、物品という）の殺菌・消毒・保存を行う物品の殺菌・消毒・保存装置であって、
オゾンガスと、炭酸ガス又は窒素ガス又は炭酸ガスと窒素ガスの混合ガス（以下、「ガス」という）を供給するガス供給手段と、
内部に物品を収容すると共に、前記ガス供給手段からのガスを内部に封入する空間を形成する物品カバー部材と、を備え、
前記物品カバー部材内にオゾンガスを充填させ、その一定時間後に前記オゾンガスを前記物品カバー部材内から除去してから炭酸ガス又は窒素ガスを前記物品に接触させることにより、物品の殺菌・消毒・保存を行うことを特徴とする物品の殺菌・消毒・保存装置。
【請求項２】
前記物品カバー部材には、その中に充填された前記ガスを抜き取るためのガス除去口が備えられていることを特徴とする請求項１に記載の物品の殺菌・消毒・保存装置。
【請求項３】
前記ガス除去口には、手動ポンプ方式又は電動ポンプ方式のガス抜き装置が接続されることを特徴とする請求項２に記載の物品の殺菌・消毒・保存装置。
【請求項４】
前記物品カバー部材は、耐圧性、非通気性、非透湿性の素材から構成されることを特徴とする請求項１に記載の物品の殺菌・消毒・保存装置。
【請求項５】
前記物品カバー部材の素材は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリアミド系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン又はこれらの多層体若しくは複合体により構成されていることを特徴とする請求項４に記載の物品の殺菌・消毒・保存装置。
【請求項６】
書籍、衣類、骨董品、履物、家具、玩具、寝具、貴金属（以下、物品という）の殺菌・消毒・保存を行う物品の殺菌・消毒・保存方法であって、
物品を収容した物品カバー部材内の空気を抜き取るステップと、
前記物品カバー部材内にオゾンガスを注入するステップと、
前記物品カバー部材内を所定時間の間密封して物品にオゾンガスを接触させるステップと、
前記物品カバー部材内の前記オゾンガスを抜き取るステップと、
炭酸ガス又は窒素ガスを前記物品カバー部材内に注入するステップと、
前記炭酸ガス又は窒素ガスを充填した状態で前記物品カバー部材を密封するステップと、
の各ステップを有することを特徴とする物品の殺菌・消毒・保存方法。
【請求項７】
前記オゾンガスを抜くステップは、前記物品カバー部材に設けられたガス除去口から、手動ポンプ方式又は電動ポンプ方式のガス抜き装置によって前記物品カバー部材内の気圧を大気圧に対して負圧にすることにより行われることを特徴とする請求項６に記載の物品の殺菌・消毒・保存方法。
【請求項８】
書籍、衣類、骨董品、履物、家具、玩具、寝具、貴金属（以下、物品という）の殺菌・消毒・保存を行う物品の殺菌・消毒・保存方法であって、
物品を収容した物品カバー部材内の空気を抜き取るステップと、
前記物品カバー部材内にオゾンガスを注入するステップと、
前記物品カバー部材内を所定時間の間密封して物品に前記オゾンガスを接触させるステップと、
前記オゾンガスを抜き取るステップと、
前記物品カバー部材内に炭酸ガス又は窒素ガスを充填することにより前記オゾンガスを前記物品カバー部材内から排除するステップと、
前記炭酸ガス又は窒素ガスを抜き取って前記物品カバー部材内を真空状態にするステップと、
前記物品カバー部材を密封するステップと、
の各ステップを有することを特徴とする物品の殺菌・消毒・保存方法。
【請求項９】
前記オゾンガスを抜くステップ及び前記物品カバー部材内を真空状態にするステップは、前記物品カバー部材に設けられたガス除去口から、手動ポンプ方式又は電動ポンプ方式のガス抜き装置によって前記物品カバー部材内の気圧を大気圧に対して負圧にすることにより行われることを特徴とする請求項８に記載の物品の殺菌・消毒・保存方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このため、本発明は、書籍、衣類、骨董品、履物、家具、玩具、寝具、貴金属（以下、物品という）の殺菌・消毒・保存を行う物品の殺菌・消毒・保存装置であって、オゾンガスと、炭酸ガス又は窒素ガス又は炭酸ガスと窒素ガスの混合ガス（以下、「ガス」という）を供給するガス供給手段と、内部に物品を収容すると共に、前記ガス供給手段からのガスを内部に封入する空間を形成する物品カバー部材と、を備え、前記物品カバー部材内にオゾンガスを充填させ、その一定時間後に前記オゾンガスを前記物品カバー部材内から除去してから炭酸ガス又は窒素ガスを前記物品に接触させることにより、物品の殺菌・消毒・保存を行うことを特徴とする物品の殺菌・消毒・保存装置を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、また、書籍、衣類、骨董品、履物、家具、玩具、寝具、貴金属（以下、物品という）の殺菌・消毒・保存を行う物品の殺菌・消毒・保存方法であって、物品を収容した物品カバー部材内の空気を抜き取るステップと、前記物品カバー部材内にオゾンガスを注入するステップと、前記物品カバー部材内を所定時間の間密封して物品にオゾンガスを接触させるステップと、前記物品カバー部材内の前記オゾンガスを抜き取るステップと、炭酸ガス又は窒素ガスを前記物品カバー部材内に注入するステップと、前記炭酸ガス又は窒素ガスを充填した状態で前記物品カバー部材を密封するステップと、の各ステップを有することを特徴とする物品の殺菌・消毒・保存方法を提供するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、さらに、書籍、衣類、骨董品、履物、家具、玩具、寝具、貴金属（以下、物品という）の殺菌・消毒・保存を行う物品の殺菌・消毒・保存方法であって、物品を収容した物品カバー部材内の空気を抜き取るステップと、前記物品カバー部材内にオゾンガスを注入するステップと、前記物品カバー部材内を所定時間の間密封して物品に前記オゾンガスを接触させるステップと、前記オゾンガスを抜き取るステップと、前記物品カバー部材内に炭酸ガス又は窒素ガスを充填することにより前記オゾンガスを前記物品カバー部材内から排除するステップと、前記炭酸ガス又は窒素ガスを抜き取って前記物品カバー部材内を真空状態にするステップと、前記物品カバー部材を密封するステップと、の各ステップを有することを特徴とする物品の殺菌・消毒・保存方法を提供するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−２１９１７３
【特許文献２】特開２００６−１０５４２
【非特許文献１】ワイヤレス給電２０１０  日経エレクトロニクス  編集
【非特許文献２】佐藤拓他  Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．Ｖｏｌ．３２                  ２７  （２００８）
【非特許文献３】金子裕良他  ＩＥＥＪ  Ｔｒａｎｓ．ＩＡ，Ｖｏｌ．１３０                  ７３４  （２０８）
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月21日(2012.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】マイク１が取得した被写体音声に基づいて生成されたそれらのキャンセルすべき相手のいない逆位相波形は、そのままマイク２の信号に加えられるが、本来の被写体音声より高周波数帯域成分が減衰した波形である上、本来の被写体音声より数百マイクロ秒遅れているだけであるので、それがエコーの様に聴取されるなど被写体音声の聴取に障害となることはほとんど無い。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月30日(2012.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図３に、本発明に係る内視鏡送気システムを備えた内視鏡システムの第２実施形態の全体構成の概略を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図４に示すように、先端部４２の先端面４４には、観察窓４６、照明窓４８、鉗子口５０、送気・送水ノズル５２、流体カーテン（ガスカーテン）を形成するガスを噴出する流体カーテン吹き出し口５４及び定圧送気ガス噴出口５８が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービンエンジンから電力を取出すための電磁機械であって、
外側ロータ要素（７６）及び内側ロータ要素（７２）と、対向するフレーム部分とを含み、
前記外側ロータ要素（７６）及び内側ロータ要素（７２）は、中心軸線（１２）の周りで該外側ロータ要素（７６）及び内側ロータ要素（７２）の間に同心に配置された固定ステータ部分（６６）に隣接して回転可能に支持されており、
前記対向するフレーム部分は、前記ステータ部分（６６）の第１の端部及び第２の端部において連結されて前記ガスタービンエンジン（１０）内に前記ステータ部分（６６）を支持しており、
前記ステータ部分（６６）が、前記内側ロータ（７２）に隣接して該ステータ部分（６６）の半径方向内面上に配置された内側のステータ巻線（６７）セットと、前記外側ロータ（７６）に隣接して該ステータ部分（６６）の半径方向外面上に配置された外側のステータ巻線（６５）セットとを有し、
前記内側ロータ要素（７２）が前記ガスタービンエンジン（１０）の第１のタービンシャフトにより駆動され、
前記外側ロータ要素（７６）が前記ガスタービンエンジン（１０）の第２のタービンシャフトにより駆動され、
前記第１及び第２のタービンシャフトの各々が、前記第１及び２のタービンシャフトの他方に対して独立に回転可能であり、
前記第１及び２のタービンシャフトが、同一方向又は反対方向に同時に回転可能であり、また一致した速度で又は別個の異なる速度で制御可能に作動可能である、
複数の外側永久磁石（７５）が、前記外側ロータ要素（７６）の内面上に配置され、また複数の内側永久磁石（７４）が、前記内側ロータ要素（７２）の外面上に配置されて、前記ステータ部分（６６）の外面と前記外側永久磁石（７５）との間に外側空隙（６２）が形成され、また前記ステータ部分（６６）の内面と前記内側永久磁石（７４）との間に内側空隙（６４）が形成され、
前記内側ステータ巻線（６７）が電気的に相互接続されて第１の多相巻線セットを形成しまた前記外側ステータ巻線（６５）が電気的に相互接続されて第２の多相巻線セットを形成して、電気負荷に電力を供給するようにする、
電磁機械。
【請求項２】
前記ステータ巻線が、歯部分（１０６）の対間に形成されたスロット（８０、８４）内に配置される、請求項１記載の電磁機械。
【請求項３】
前記内側（６７）及び外側（６５）ステータ巻線が、前記スロット（８０、８４）内に並んで配置される、請求項１又は２に記載の電磁機械。
【請求項４】
前記内側（６７）及び外側（６５）ステータ巻線が、前記ステータ歯部分（１０６）の周りにトロイダル状に巻かれる、請求項１乃至３のいずれかに記載の電磁機械。
【請求項５】
前記内側（６７）及び外側（６５）ステータ巻線が、少なくとも１つの層として配置される、請求項１乃至４のいずれかに記載の電磁機械。
【請求項６】
前記内側（６７）及び外側（６５）ステータ巻線が、スロット（８０、８４）に対する１つのワインダとして配置される、請求項１乃至５のいずれかに記載の電磁機械。
【請求項７】
前記内側ステータ巻線（６７）が、相互接続されて１つの多相巻線セットを形成し、前記外側ステータ巻線（６５）が、相互接続されて第２の多相巻線セットを形成する、請求項１乃至６のいずれかに記載の電磁機械。
【請求項８】
複数の変換器（９０）をさらに含み、
前記変換器（９０）の各々が、巻線セットに接続されて、該関連する相巻線を独立して駆動する、
請求項１乃至７のいずれかに記載の電磁機械。
【請求項９】
前記第１のタービンシャフトが、ＨＰタービンに接続し、前記第２のタービンシャフトが、ＬＰタービンに接続する、請求項１乃至８のいずれかに記載の電磁機械。
【請求項１０】
前記対向するフレーム部分が、該機械の両端部における軸方向開口部と、前記内側（７２）及び外側（７６）ロータ要素に連結されたＨＰシャフト（２６）及びＬＰシャフト（３０）を回転可能に支持するための少なくとも２つの軸受とを含む、請求項９記載の電磁機械。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１５０℃以上の耐熱温度を有する繊維状物と、絶縁性の無機微粒子と、バインダとを含む絶縁層を備える電池用セパレータであって、
前記無機微粒子の含有量は、セパレータの構成成分の全体積中、２０体積％以上、７０体積％以下であり、
前記セパレータの厚みが、３μｍ以上３０μｍ以下であり、
２０℃で相対湿度６０％の雰囲気下に２４時間保持したときの、単位体積あたりの含有水分量が、１ｍｇ／ｃｍ3以下であることを特徴とする電池用セパレータ。
【請求項２】
前記無機微粒子は、表面が疎水化処理されている請求項１に記載の電池用セパレータ。
【請求項３】
前記無機微粒子は、シラザン、シランカップリング剤、シリコーンオイル、チタネートカップリング剤、アルミネートカップリング剤、およびジルコネートカップリング剤よりなる群から選択される少なくとも１種の表面改質剤により表面が疎水化処理されている請求項２に記載の電池用セパレータ。
【請求項４】
前記無機微粒子は、熱処理によりその表面が疎水化処理されている請求項２に記載の電池用セパレータ。
【請求項５】
前記無機微粒子として、シリカ、アルミナ、ベーマイト、ゼオライトまたはカオリンを含む請求項１〜４のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項６】
前記絶縁層は、熱溶融性樹脂の微粒子をさらに含む請求項１〜５のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項７】
前記熱溶融性樹脂は、８０〜１４０℃で溶融する樹脂である請求項６に記載の電池用セパレータ。
【請求項８】
前記無機微粒子は、板状の粒子を含む請求項１〜７のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項９】
前記含有水分量が、０．５ｍｇ／ｃｍ3以下である請求項１〜８のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１０】
前記繊維状物が、織布または不織布よりなるシート状物を構成しており、
前記無機微粒子とバインダとが、前記シート状物の空隙に存在する請求項１〜９のいずれかに記載の電池用セパレータ。
【請求項１１】
１５０℃以上の耐熱温度を有する繊維状物と、絶縁性の無機微粒子と、バインダとを含む絶縁層を備える電池用セパレータを製造する方法であって、
熱処理により前記無機微粒子の表面を疎水化処理する工程を含み、
前記無機微粒子の含有量が、セパレータの構成成分の全体積中、２０体積％以上、７０体積％以下であり、
前記セパレータの厚みを３μｍ以上３０μｍ以下とし、
２０℃で相対湿度６０％の雰囲気下に２４時間保持したときの、単位体積あたりの含有水分量を、１ｍｇ／ｃｍ3以下とすることを特徴とする電池用セパレータの製造方法。
【請求項１２】
前記熱処理の温度が、３００〜１０００℃である請求項１１に記載の電池用セパレータの製造方法。
【請求項１３】
１５０℃以上の耐熱温度を有する繊維状物と、絶縁性の無機微粒子と、バインダとを含む絶縁層を備える電池用セパレータを製造する方法であって、
前記無機微粒子と、界面活性剤および前記バインダを含むエマルジョンとを、溶媒に分散させて液状組成物を作製する工程と、
前記界面活性剤を除去する工程とを含み、
前記無機微粒子の含有量が、セパレータの構成成分の全体積中、２０体積％以上、７０体積％以下であり、
前記セパレータの厚みを３μｍ以上３０μｍ以下とし、
２０℃で相対湿度６０％の雰囲気下に２４時間保持したときの、単位体積あたりの含有水分量を、１ｍｇ／ｃｍ3以下とすることを特徴とする電池用セパレータの製造方法。
【請求項１４】
熱処理により前記界面活性剤を除去する請求項１３に記載の電池用セパレータの製造方法。
【請求項１５】
前記熱処理の温度が、７０℃以上２００℃以下である請求項１４に記載の電池用セパレータの製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層は、熱溶融性樹脂の微粒子をさらに含む請求項１１〜１５のいずれかに記載の電池用セパレータの製造方法。
【請求項１７】
前記熱溶融性樹脂は、８０〜１４０℃で溶融する樹脂である請求項１６に記載の電池用セパレータの製造方法。
【請求項１８】
前記無機微粒子として、シリカ、アルミナ、ベーマイト、ゼオライトまたはカオリンを含む請求項１１〜１７のいずれかに記載の電池用セパレータの製造方法。
【請求項１９】
前記含有水分量を、０．５ｍｇ／ｃｍ3以下とする請求項１１〜１８のいずれかに記載
の電池用セパレータの製造方法。
【請求項２０】
負極、正極、有機電解液および請求項１〜１０のいずれかに記載の電池用セパレータを用いたことを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２１】
前記有機電解液の総水分濃度が、５００ｐｐｍ以下である請求項２０に記載のリチウム二次電池。
【請求項２２】
前記有機電解液の総水分濃度が、４００ｐｐｍ以下である請求項２０に記載のリチウム二次電池。
【請求項２３】
負極、正極、有機電解液および電池用セパレータを含むリチウム二次電池であって、
前記セパレータは、１５０℃以上の耐熱温度を有する繊維状物と、絶縁性の無機微粒子と、バインダとを含む絶縁層を備え、
前記セパレータの厚みが、３μｍ以上３０μｍ以下であり、
前記無機微粒子の含有量は、セパレータの構成成分の全体積中、２０体積％以上、７０体積％以下であり、
前記有機電解液の総水分濃度が、５００ｐｐｍ以下であることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２４】
前記有機電解液の総水分濃度が、４００ｐｐｍ以下である請求項２３に記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板に脆化層を形成し、且つ前記単結晶シリコン基板の一表面に一導電型の第１不純物シリコン層、第１電極、および絶縁層が順に積層されるように形成し、
支持基板の一表面と、前記単結晶シリコン基板に形成された前記絶縁層の一表面と、を接触させて接合し、
熱処理を行い、前記脆化層又は前記脆化層近傍を境として、前記支持基板に固定された前記単結晶シリコン基板の一部を分離することで前記支持基板上に第１単結晶シリコン層を形成し、
前記第１単結晶シリコン層の分離面側から、周期的に極大点と極小点とを繰り返す強度分布を有する第１のレーザビームを照射することで、前記第１単結晶シリコン層の前記分離面となった表面に凹凸を形成し、
前記第１単結晶シリコン層の前記凹凸を有する表面上に第２単結晶シリコン層を形成することで、前記第１単結晶シリコン層の前記凹凸を反映させることにより前記第２単結晶シリコン層の表面に凹凸を形成し、
前記第２単結晶シリコン層の前記凹凸を有する表面側に、前記一導電型とは逆の導電型の第２不純物シリコン層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１単結晶シリコン層の前記分離面側から、前記第１のレーザビームを照射することで、前記第１単結晶シリコン層の前記分離面となった表面に凹凸を形成するとともに前記第１単結晶シリコン層の結晶欠陥を修復することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
単結晶シリコン基板に脆化層を形成し、且つ前記単結晶シリコン基板の一表面に一導電型の第１不純物シリコン層、第１電極、および絶縁層が順に積層されるように形成し、
支持基板の一表面と、前記単結晶シリコン基板に形成された前記絶縁層の一表面と、を接触させて接合し、
熱処理を行い、前記脆化層又は前記脆化層近傍を境として、前記支持基板に固定された前記単結晶シリコン基板の一部を分離することで前記支持基板上に第１単結晶シリコン層を形成し、
前記第１単結晶シリコン層の分離面側から第２のレーザビームを照射し、
前記第１単結晶シリコン層の前記分離面となった表面上に第２単結晶シリコン層を形成し、
前記第２単結晶シリコン層の表面側から、周期的に極大点と極小点とを繰り返す強度分布を有する第１のレーザビームを照射することで、前記第２単結晶シリコン層の表面に凹凸を形成し、
前記第２単結晶シリコン層の前記凹凸を有する表面側に、前記一導電型とは逆の導電型の第２不純物シリコン層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１単結晶シリコン層の前記分離面側から前記第２のレーザビームを照射することで、前記第１単結晶シリコン層を溶融させ、前記第１単結晶シリコン層の結晶欠陥を修復することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のレーザビームは、第３のレーザビームを変調することによって形成されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第３のレーザビームを位相シフトマスクまたは周期的なスリットパターンを有するマスクを用いて変調することにより、前記第１のレーザビームは形成されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２単結晶シリコン層は、前記第１単結晶シリコン層をシード層とした固相成長又は気相成長により形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記脆化層は、前記単結晶シリコン基板の一表面側からイオン又はクラスターイオンを照射することで形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のレーザビームを照射することにより形成する前記凹凸の高低差は、５０ｎｍ以上であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第２不純物シリコン層上に一導電型の第３不純物シリコン層、非単結晶シリコン層、及び前記一導電型とは逆の導電型の第４不純物シリコン層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜が形成された単結晶半導体基板に、前記絶縁膜を介してイオンビームを照射し、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
液状ガラスよりも密度の高い液体上に、前記液状ガラスを浮かべて板状にし、
前記板状の液状ガラス上に、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁膜と前記液状ガラスが向き合うように配置し、
前記板状の液状ガラスと前記単結晶半導体基板を徐冷することにより、前記板状の液状ガラスからガラス基板を形成すると同時に、前記ガラス基板と前記単結晶半導体基板を接合させ、
前記損傷領域に沿って、前記単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁膜が形成された単結晶半導体基板に、前記絶縁膜を介してイオンビームを照射し、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
液状ガラスよりも密度の高い液体上に、前記液状ガラスを浮かべて板状にし、
前記板状の液状ガラス上に、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁膜と前記液状ガラスが向き合うように配置し、
前記板状の液状ガラスと前記単結晶半導体基板を徐冷することにより、前記板状の液状ガラスからガラス基板を形成すると同時に、前記ガラス基板と前記単結晶半導体基板を接合させ、
前記損傷領域に沿って、前記単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離し、
前記板状の液状ガラス上に、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁膜と前記液状ガラスが向き合うように配置することによって、前記板状の液状ガラスと前記絶縁膜との間の異物を前記板状の液状ガラスの中に溶かし込むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁膜が形成された単結晶半導体基板に、前記絶縁膜を介してイオンビームを照射し、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
液状ガラスよりも密度の高い液体上に、前記液状ガラスを浮かべて板状にし、
前記板状の液状ガラス上に、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁膜と前記液状ガラスが向き合うように配置し、
前記単結晶半導体基板の、前記絶縁膜が形成されていない面に、基板支持部を接着し、
前記板状の液状ガラスと前記単結晶半導体基板を徐冷することにより、前記板状の液状ガラスからガラス基板を形成すると同時に、前記ガラス基板と前記単結晶半導体基板を接合させ、
前記損傷領域に沿って、前記基板支持部が接着された前記単結晶半導体基板から、単結晶半導体層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁膜が形成された単結晶半導体基板に、前記絶縁膜を介してイオンビームを照射し、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
固体材料上に、固体ガラスを設置し、
前記固体ガラス上に、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁膜と前記固体ガラスが向き合うように配置し、
前記固体ガラスと前記固体材料を加熱して、前記固体ガラスを前記液状ガラスにし、かつ、前記固体材料を液体材料にし、
前記液状ガラスと前記単結晶半導体基板を徐冷することにより、前記液状ガラスからガラス基板を形成すると同時に、前記ガラス基板と前記単結晶半導体基板を接合させ、
前記損傷領域に沿って、前記単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離し、
前記液体材料は、前記液状ガラスよりも密度が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜、酸化ハフニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜のいずれか１つ、あるいは、２つ以上を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記絶縁膜は、前記単結晶半導体基板の表面を、塩素を含む気体中で酸化して形成される酸化膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記イオンビームは、水素イオンを含むビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
単結晶半導体基板上に、ポーラス状の第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層表面に、前記第１の単結晶半導体層よりも密度の高い第２の単結晶半導体層を形成し、
液状ガラスよりも密度の高い液体上に、前記液状ガラスを浮かべて板状にし、
前記板状の液状ガラス上に、前記第１及び第２の単結晶半導体層が形成された単結晶半導体基板を、前記第２の単結晶半導体層と前記液状ガラスが向き合うように配置し、
前記板状の液状ガラスと前記単結晶半導体基板を徐冷することにより、前記板状の液状ガラスからガラス基板を形成すると同時に、前記ガラス基板と前記単結晶半導体基板を接合させ、
前記第１の単結晶半導体層に沿って、前記単結晶半導体基板から前記第２の単結晶半導体層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の単結晶半導体層は、前記単結晶半導体基板を陽極酸化することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記単結晶半導体基板は、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板、ガリウムヒ素を含む化合物半導体基板、インジウムリンを含む化合物半導体基板のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半導体構成素子（４）を備える装置であって、
該半導体構成素子（４）の外側表面（６）は、保護材料（５）によって被覆されている、装置において、
前記外側表面（６）には、保護材料（５）への熱移動表面積を拡大するために、表面構造（９）が設けられている、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記半導体構成素子（４）は、電力半導体構成素子またはパワートランジスタまたはIGBTである、
ことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記表面構造（９）は、ミリメータ構造および／またはマイクロメータ構造および／またはナノメータ構造を含む、
ことを特徴とする請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
種々異なる寸法設定の複数の前記表面構造（９）が重なり合うように配置されている、
ことを特徴とする請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記表面構造（９）は、レーザ処理によって製造されている、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の装置。
【請求項６】
前記表面構造（９）は、少なくとも部分的に、規則的に構成されているか、または統計的に分布した構造エレメントを有する、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の装置。
【請求項７】
前記表面構造（９）の断面は、鋸歯状に形成されている、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の装置。
【請求項８】
前記表面構造（９）は、断面が矩形であり、かつ平行に互いに延在する複数の溝（１２）を有する、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の装置。
【請求項９】
前記半導体構成素子（４）は、基板（２）上に固定されている、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の装置。
【請求項１０】
前記保護材料（５）は、半導体構成素子（４）の側面に突き出ており、基板（２）の上まで延在している、
ことを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１１】
少なくとも１つの半導体構成素子を有する装置（１）の製造方法であって、
前記半導体構成素子（４）の外側表面（６）を、保護材料（５）によって被覆する、製造方法において、
前記半導体構成素子（４）の外側表面（６）に、前記保護材料（５）を被覆する前に、該保護材料（５）への熱移動表面積を拡大するために、表面構造（９）を設ける、
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１２】
前記表面構造（９）を、レーザ処理によって、前記半導体構成素子（４）の外側表面（６）に設ける、
ことを特徴とする請求項１１記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技における演出を行う演出手段と、１遊技における前記演出手段による演出時間が異なるように設けられた複数の演出データを記憶する記憶手段とを備えた遊技機において、
遊技時間及び遊技数を入力する入力手段と、
前記入力手段で遊技時間を入力してからの時間を計測するタイマーと、
前記入力手段で遊技数を入力してからの遊技数を計測するカウンタと、
前記タイマーで計測した計測時間に基づいて、前記入力手段で入力された入力遊技時間の残り遊技時間を算出する残り遊技時間算出手段と、
前記カウンタで計測した計測遊技数に基づいて、前記入力手段で入力された入力遊技数の残り遊技数を算出する残り遊技数算出手段と、
前記残り遊技時間算出手段により算出された残り遊技時間で、前記残り遊技数算出手段により算出された残り遊技数の遊技を実行可能なように、前記残り遊技時間算出手段により算出された残り遊技時間、及び、前記残り遊技数算出手段により算出された残り遊技数に基づいて、前記複数の演出データから１つの演出データを選択し、選択した演出データで演出を行うように前記演出手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の遊技機は、遊技における演出を行う演出手段と、１遊技における前記演出手段による演出時間が異なるように設けられた複数の演出データを記憶する記憶手段とを備えた遊技機において、遊技時間及び遊技数を入力する入力手段と、前記入力手段で遊技時間を入力してからの時間を計測するタイマーと、前記入力手段で遊技数を入力してからの遊技数を計測するカウンタと、前記タイマーで計測した計測時間に基づいて、前記入力手段で入力された入力遊技時間の残り遊技時間を算出する残り遊技時間算出手段と、前記カウンタで計測した計測遊技数に基づいて、前記入力手段で入力された入力遊技数の残り遊技数を算出する残り遊技数算出手段と、前記残り遊技時間算出手段により算出された残り遊技時間で、前記残り遊技数算出手段により算出された残り遊技数の遊技を実行可能なように、前記残り遊技時間算出手段により算出された残り遊技時間、及び、前記残り遊技数算出手段により算出された残り遊技数に基づいて、前記複数の演出データから１つの演出データを選択し、選択した演出データで演出を行うように前記演出手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
前記残り遊技時間算出手段により算出された残り遊技時間で、前記残り遊技数算出手段により算出された残り遊技数の遊技を行うための１遊技当りの遊技時間を算出する残り遊技ペース算出手段を備え、前記制御手段は、前記残り遊技ペース算出手段により算出された残り平均遊技時間に基づいて、演出データを選択するものでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボールガイド機構によって移動可能に支持される可動子をシャフト型リニアモーにより駆動するビルトインスライダであって、
前記シャフト型リニアモータは、マグネットを有するシャフト状の固定子の周囲を囲むように配置された可動子コイルの外側に可動子ヨークを配置し、かつ、前記可動子ヨークの外側を、非磁性体で覆ったことを特徴とするビルトインスライダ。
【請求項２】
前記ビルトインスライダは両側に突部を有し、上方に開口部を有するモジュールフレームの前記開口部内に配置され、前記突部と前記ビルトインスライダとの間で前記ボールガイド機構を構成したことを特徴とする請求項１に記載のビルトインスライダ。
【請求項３】
前記可動子コイル、前記可動子ヨーク及び前記非磁性体の固定にはそれぞれ樹脂接着剤等の非磁性体が用いられていることを特徴とする請求項１記載のビルトインスライダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項１に記載の発明は、ボールガイド機構によって移動可能に支持される可動子をシャフト型リニアモーにより駆動するビルトインスライダであって、前記シャフト型リニアモータは、マグネットを有するシャフト状の固定子の周囲を囲むように配置された可動子コイルの外側に可動子ヨークを配置し、かつ、前記可動子ヨークの外側を、非磁性体で覆ったことを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記ビルトインスライダは両側に突部を有し、上方に開口部を有するモジュールフレームの前記開口部内に配置され、前記突部と前記ビルトインスライダとの間で前記ボールガイド機構を構成したことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記可動子コイル、前記可動子ヨーク及び前記非磁性体の固定にはそれぞれ樹脂接着剤等の非磁性体が用いられていることを特徴とするするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１から請求項３の本発明によれば、次のような効果がある。
（１）従来のボールガイド機構とリニアモータを組合せたステージで、下部に薄型ボールガイド機構を使用し、その上部にシャフト型リニアモータをレイアウトした第１の例としてのステージ（図６参照）の課題であった高さが高くなってしまうデメリットを解消できる。また、駆動位置とガイド拘束位置に寸法差が少ないために、ピッチング方向に誤差が生じず、姿勢精度や位置決め精度が良くなる
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電池セルを含む電池パックを充電する充電制御手段を有し、
前記複数の電池セルに流れる充電電流が遮断されたことが検知された場合、前記充電制御手段は、前記電池パックに供給される充電電圧を所定値下げるように制御し、前記電池パックを充電することを特徴とする充電装置。
【請求項２】
前記充電電流が遮断されたことが検知された場合、前記充電制御手段は、前記充電電圧が所定時間前記電池パックに供給されないようにし、前記所定時間が経過した後、前記充電電圧を前記所定値下げるように制御することを特徴とする請求項１に記載の充電装置。
【請求項３】
前記充電電流が遮断されたことが検知された場合、前記充電制御手段は、前記充電電圧を前記所定値下げるように制御することを繰り返し行うことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記充電電流が遮断されたか否かを検知する検知手段を有し、
前記充電電流が遮断されたことが検知された場合、前記充電制御手段は、前記検知手段の動作を所定時間停止させた後、前記充電電圧を前記所定値下げるように制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の充電装置。
【請求項５】
充電システムであって、
前記充電システムは、電池パック及び充電装置を有し、
前記電池パックは、複数の電池セルと、
各電池セルに供給される電圧に応じて前記複数の電池セルに流れる充電電流を遮断する前記遮断手段とを有し、
前記充電装置は、
前記電池パックを充電する充電制御手段を有し、
前記充電電流が遮断されたことが検知された場合、前記充電制御手段は、前記電池パックに供給される充電電圧を所定値下げるように制御し、前記電池パックを充電することを特徴とする充電システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】充電装置及び充電システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、充電装置及び充電システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、充電のための電圧が最大になるように電池の充電を行うようにすることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る充電装置は、複数の電池セルを含む電池パックを充電する充電制御手段を有し、前記複数の電池セルに流れる充電電流が遮断されたことが検知された場合、前記充電制御手段は、前記電池パックに供給される充電電圧を所定値下げるように制御し、前記電池パックを充電することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明に係る充電システムは、前記充電システムは、電池パック及び充電装置を有し、前記電池パックは、複数の電池セルと、各電池セルに供給される電圧に応じて前記複数の電池セルに流れる充電電流を遮断する前記遮断手段とを有し、前記充電装置は、前記電池パックを充電する充電制御手段を有し、前記充電電流が遮断されたことが検知された場合、前記充電制御手段は、前記電池パックに供給される充電電圧を所定値下げるように制御し、前記電池パックを充電することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、充電のための電圧が最大になるように電池の充電を行うことができる。