Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に軌道を有する内輪と、内周面に軌道を有する外輪と、これら軌道同士の間に転動自在に介装される複数の転動体と、該複数の転動体を回転自在に保持する保持器とを備え、前記二つの軌道の軌道面および転動体の転動面の少なくとも一つが、オイルまたはグリースによる潤滑被膜で潤滑されて用いられる転がり軸受であって、
前記転動体がステンレス製であり、前記潤滑被膜の厚みが１〜１０ｇ／ｍ2の薄膜潤滑であることを特徴とする転がり軸受。
【請求項２】
前記保持器の材料は、樹脂材料であり、該樹脂材料がポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）または芳香族ポリイミド（ＰＩ）であることを特徴とする請求項１に記載の転がり軸受。
【請求項３】
前記潤滑被膜が、以下の（１）〜（３）の３種類のうちのいずれかであるＤＦＯ潤滑による被膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の転がり軸受。
（１） 官能基を有するフッ素重合体とパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）とを含有する潤滑被膜。
（２） 上記（１）に記載の潤滑被膜に、更にフッ素樹脂を添加してなる潤滑被膜。
（３） アルキル化シクロペンタンまたはポリフェニルエーテルを主成分とする潤滑油とフッ素樹脂とを含有する潤滑剤からなる潤滑被膜。
【請求項４】
前記転がり軸受の軸受内径と軸受幅との関係が、軸受内径をＩＤとし軸受幅をΔｄとするとき、以下の（式１）であらわされる薄肉軸受であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の転がり軸受。
Δｄ／ＩＤ＜０．１８７ （式１）
【請求項５】
前記転がり軸受が、真空環境下で使用される真空用軸受であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の転がり軸受。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の転がり軸受を備えることを特徴とする搬送ロボット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
「第１の状態」、「第２の状態」、又は「第３の状態」から選ばれた一の状態を有するアンチフューズを備え、
前記アンチフューズは、書き込み動作が行われることにより、
前記「第１の状態」であるときは、前記「第２の状態」又は前記「第３の状態」に変化し、
前記「第２の状態」であるときは、前記「第１の状態」又は前記「第３の状態」に変化せず、
前記「第３の状態」であるときは、前記「第１の状態」又は前記「第２の状態」に変化せず、
前記「第２の状態」及び前記「第３の状態」を２値データの”０”及び”１”、又は”１”及び”０”に対応させることを特徴とするメモリ。
【請求項２】
請求項１において、
前記アンチフューズは、前記「第１の状態」であるときは、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間にシリコン層と絶縁層との積層膜である抵抗材料層と、を有することを特徴とするメモリ。
【請求項３】
「第１の状態」、「第２の状態」、又は「第３の状態」から選ばれた一の状態を有するアンチフューズを備え、
前記アンチフューズが前記「第１の状態」である場合は、第１の書き込み方法による書き込み動作が行われることにより前記「第２の状態」に変化し、第２の書き込み方法による書き込み動作が行われることにより前記「第３の状態」に変化し、
前記アンチフューズが前記「第２の状態」又は前記「第３の状態」である場合は、前記第１の書き込み方法又は前記第２の書き込み方法による書き込み動作が行われても状態は変化せず、
前記「第２の状態」及び前記「第３の状態」を２値データの”０”及び”１”、又は”１”及び”０”に対応させることを特徴とするメモリ。
【請求項４】
請求項３において、
前記アンチフューズは、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に抵抗材料層と、を有し、
前記第１の書き込み方法は、前記第１の電極と前記第２の電極の間に、電界が第１の方向になるように電圧を印加する方法であり、
前記第２の書き込み方法は、前記第１の電極と前記第２の電極の間に、電界が前記第１の方向と逆の第２の方向になるように電圧を印加する方法であることを特徴とするメモリ。
【請求項５】
請求項４において、
前記抵抗材料層は、前記アンチフューズが前記「第１の状態」であるときは、シリコン層と絶縁層との積層膜であることを特徴とするメモリ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記アンチフューズの状態は、
前記アンチフューズにブレークダウン電圧以下の電圧を印加した場合において、前記「第１の状態」のときの電気抵抗値をＲ１とし、前記「第２の状態」のときの電気抵抗値をＲ２とし、前記「第３の状態」のときの電気抵抗値をＲ３として、
Ｒ１＞Ｒ２＞Ｒ３の関係を満たすことを特徴とするメモリ。
【請求項７】
アンチフューズを複数含むメモリと、
薄膜トランジスタを複数含む駆動回路と、
アンテナと、
を有し、
前記アンチフューズの一は、
「第１の状態」、「第２の状態」、又は「第３の状態」から選ばれた一の状態を取り、
書き込み動作が行われることにより、
前記「第１の状態」であるときは、前記「第２の状態」又は前記「第３の状態」に変化し、
前記「第２の状態」であるときは、前記「第１の状態」又は前記「第３の状態」に変化せず、
前記「第３の状態」であるときは、前記「第１の状態」又は前記「第２の状態」に変化せず、
前記「第２の状態」及び前記「第３の状態」を２値データの”０”及び”１”、又は”１”及び”０”に対応させることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記アンチフューズは、前記「第１の状態」であるときは、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間にシリコン層と絶縁層との積層膜である抵抗材料層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
アンチフューズを複数含むメモリと、
薄膜トランジスタを複数含む駆動回路と、
アンテナと、
を有し、
前記アンチフューズの一は、
「第１の状態」、「第２の状態」、又は「第３の状態」から選ばれた一の状態を取り、
前記「第１の状態」である場合は、第１の書き込み方法による書き込み動作が行われることにより前記「第２の状態」に変化し、第２の書き込み方法による書き込み動作が行われることにより前記「第３の状態」に変化し、
前記「第２の状態」又は前記「第３の状態」である場合は、前記第１の書き込み方法又は前記第２の書き込み方法による書き込み動作が行われても状態は変化せず、
前記「第２の状態」及び前記「第３の状態」を２値データの”０”及び”１”、又は”１”及び”０”に対応させることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記アンチフューズは、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に抵抗材料層と、を有し、
前記第１の書き込み方法は、前記第１の電極と前記第２の電極の間に、電界が第１の方向になるように電圧を印加する方法であり、
前記第２の書き込み方法は、前記第１の電極と前記第２の電極の間に、電界が前記第１の方向と逆の第２の方向になるように電圧を印加する方法であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記抵抗材料層は、前記アンチフューズが前記「第１の状態」であるときは、シリコン層と絶縁層との積層膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一において、
前記アンチフューズの状態は、
前記アンチフューズにブレークダウン電圧以下の電圧を印加した場合、前記「第１の状態」のときの電気抵抗値をＲ１とし、前記「第２の状態」のときの電気抵抗値をＲ２とし、前記「第３の状態」のときの電気抵抗値をＲ３として、
Ｒ１＞Ｒ２＞Ｒ３の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は、前記半導体発光素子を実装する絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる一対の導体層が形成され、前記導体層は前記端面側に位置する前記導体層から前記絶縁基板中に延長された中間導体層を有すると共に、前記絶縁基板中に延長された導体層の前記絶縁基板から露出した面に半田濡れ性を向上させるための導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記メッキ層が形成された中間導体層は、絶縁基板の前記一方の面と他方の面の間の中間に位置し、且つ、中間導体層が露出した面が光照射方向と平行な面とされ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
さらに、前記絶縁基板の中間導体層が露出した面には、電極部が前記一対の中間導体層の間に形成され、
前記電極部は前記絶縁基板の中で繋がっており、且つ、メッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は、前記半導体発光素子を実装する絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる一対の導体層が形成され、前記絶縁基板は前記他方の面側から一方の面側の途中に至る非貫通溝が形成され、前記非貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項４】
前記導体層が銅箔であり、前記メッキ層の最上層が金メッキ層または銀メッキ層であることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子を搭載した絶縁基板の一方の面の上には、封止樹脂が形成されており、
前記封止樹脂は、前記半導体発光素子、前記導体層の一部および前記非貫通溝の非貫通部を覆っていることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子が、ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は、前記半導体発光素子を実装する絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる一対の導体層が形成され、前記導体層は前記端面側に位置する前記導体層から前記絶縁基板中に延長された中間導体層を有すると共に、前記絶縁基板中に延長された導体層の前記絶縁基板から露出した面に半田濡れ性を向上させるための導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記メッキ層が形成された中間導体層は、絶縁基板の前記一方の面と他方の面の間の中間に位置し、且つ、中間導体層が露出した面が光照射方向と平行な面とされ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、さらに、前記絶縁基板の中間導体層が露出した面には、電極部が前記一対の中間導体層の間に形成され、前記電極部は前記絶縁基板の中で繋がっており、且つ、メッキ層が形成されていることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、半導体発光素子を光源とし、回路基板搭載状態において光照射方向が該回路基板面に対して略平行となるような半導体発光装置であって、前記半導体発光装置は、前記半導体発光素子を実装する絶縁基板の一方の面から前記絶縁基板の端面を通って他方の面に繋がる一対の導体層が形成され、前記絶縁基板は前記他方の面側から一方の面側の途中に至る非貫通溝が形成され、前記非貫通溝の内周面に導電部材からなるメッキ層が設けられ、前記半導体発光装置の前記回路基板搭載時に前記メッキ層と前記回路基板の間で半田接合が行われることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項１または請求項３において、前記導体層が銅箔であり、前記メッキ層の最上層が金メッキ層または銀メッキ層であることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の請求項５に記載された発明は、請求項３において、前記半導体発光素子を搭載した絶縁基板の一方の面の上には、封止樹脂が形成されており、前記封止樹脂は、前記半導体発光素子、前記導体層の一部および前記非貫通溝の非貫通部を覆っていることを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の請求項６に記載された発明は、請求項１〜請求項５のいずれかにおいて、前記半導体発光素子が、ＬＥＤ素子であることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貨幣を収納し、貨幣を出金または入金する貨幣処理本体機と、該貨幣処理本体機と通信可能に接続され、該貨幣処理本体機とは別に貨幣を収納保管する貨幣処理端末機と、を備えた貨幣処理システムであって、
前記貨幣処理端末機は、
使用者情報を取得する使用者情報取得手段と、
前記使用者情報取得手段が取得した使用者情報と、前記貨幣処理本体機において許可者として設定された使用者の使用者情報と、の照合結果を得る使用者識別手段と、
操作情報を取得する操作情報取得手段と、
前記操作情報取得手段が取得した操作情報と、前記貨幣処理本体機において許可操作として設定された操作の操作情報と、の照合結果を得る操作識別手段と、
前記使用者識別手段において得られた照合結果、及び、前記操作識別手段において得られた照合結果に基づいて、前記貨幣処理端末機を使用可能状態と使用不可能状態との間で切り換える制御手段と、
を有していることを特徴とする貨幣処理システム。
【請求項２】
前記操作情報は、入出金操作毎に設定される操作情報である
ことを特徴とする請求項１に記載の貨幣処理システム。
【請求項３】
前記操作情報は、入出金操作毎に設定される操作番号であり、
前記操作情報取得手段は、前記操作番号を入力する入力装置である
ことを特徴とする請求項２に記載の貨幣処理システム。
【請求項４】
前記貨幣処理本体機は、通信機能を利用して、前記操作情報取得手段において得られた操作情報に対応する入出金データを前記貨幣処理端末機に転送する機能を有している
ことを特徴とする請求項２または３に記載の貨幣処理システム。
【請求項５】
前記貨幣処理本体機は、許可者に対して操作情報を提供する機能を有している
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の貨幣処理システム。
【請求項６】
前記貨幣処理本体機は、許可者に対して操作情報を提供するために、操作情報が表示されたレシートを発行するレシート発行装置を有している
ことを特徴とする請求項５に記載の貨幣処理システム。
【請求項７】
前記貨幣処理本体機は、通信機能を利用して前記貨幣処理端末機の在高データを確認及び／または精査するための在高データ遠隔確認部を有している
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の貨幣処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
＜製造例６＞
二段目の陽極酸化における、酸化皮膜形成工程の陽極酸化時間を２０秒とした以外は、製造例１と同様にして、酸化皮膜の厚さ：１８０ｎｍ、細孔の周期ｐ：１００ｎｍ、細孔の径ｒ：９５ｎｍ、細孔全体の深さＤｅｐ：１５１ｎｍとなる、図５（ｅ）に示すような略円錐状の細孔を有するモールドを得た。そして、モールド表面について、製造例１と同様にしてフッ素化処理を行った。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
【表１】
2009294651.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音の中から発話された音声の音声区間を検出する音声区間検出装置であって、
前記音を音の信号に変換して、所定時間間隔のフレームに分割するフレーム分割手段と、
前記フレーム分割手段によって分割された各フレームごとに、前記音の信号に含まれるパワー情報を抽出するパワー情報抽出手段と、
前記フレーム分割手段によって分割された各フレームごとに、前記音の信号に含まれる調波情報を抽出する調波情報抽出手段と、
前記パワー情報抽出手段によって抽出されたパワー情報と、前記調波情報抽出手段によって抽出された調波情報とに基づいて、前記発話された音声の音声区間を検出する音声区間検出手段とを備え、
前記調波情報抽出手段は、
前記フレーム分割手段によって分割された各フレームごとに切出された音の信号より、そのフレーム内で倍音成分を最も多く含む基本波を表す情報を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された倍音成分を最も多く含む基本波を表す情報を第１のしきい値で弁別して、音声であることを示す判定情報を出力する第１の判別手段とを含み  前記検出手段は、
前記フレーム分割手段によって分割された各フレームごとに切出された音の信号より、そのフレームのパワースペクトルを対数に変換し、逆フーリェ変換したケプストラムを得るケプストラム抽出手段と、
前記ケプストラム抽出手段により得られたケプストラムの高次波形から振幅の最大値を検出する最大振幅値検出手段とを含み、
前記第１の判別手段によって前記高次波形の振幅値が前記第１のしきい値を越えていることが判別されたことに応じて、前記高次波形の振幅値を高めるように補正する補正手段を含み
前記補正手段は、
前記振幅の最大値を検出した前記高次波形内の前記振幅の最大値に隣接する振幅値として、前記高次波形の振幅の最大値の近傍の振幅が０以上の部分の振幅値を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段によって抽出された振幅値を前記振幅の最大値に加算する加算手段とを含む音声区間検出装置。
【請求項２】
前記加算手段によって加算された前記高次波形の振幅の最大値を前記第１のしきい値とは異なる第２のしきい値で判別し、前記加算された振幅の最大値が前記第２のしきい値を越えていることに応じて、前記加算された振幅の最大値を調波情報として出力する第２の弁別手段を含む、請求項１に記載の音声区間検出装置。
【請求項３】
音の中から発話された音声の音声区間を検出する音声区間検出方法であって、
前記音を音の信号に変換して、所定時間ごとのフレームに分割するステップと、
前記分割された各フレームごとに、前記音の信号に含まれるパワー情報を抽出するステップと、
前記分割された各フレームごとに、前記音の信号に含まれる調波情報を抽出するステップと、
前記抽出されたパワー情報と、前記抽出された調波情報とに基づいて前記発話された音声の区間を検出するステップとを備え、
前記分割された各フレームごとに切出された音の信号より、そのフレーム内で倍音成分を最も多く含む基本波を表す情報を検出するステップと、
検出された倍音成分を最も多く含む基本波を表す情報を第１のしきい値で弁別して、音声であることを示す判定情報を出力するステップと、
前記分割された各フレームごとに切出された音の信号より、そのフレームのパワースペクトルを対数に変換し、逆フーリェ変換したケプストラムを得るステップと、
得られたケプストラムの高次波形から振幅の最大値を検出する最大振幅値を検出するステップとを含み、
前記高次波形の振幅値が前記第１のしきい値を越えていることが判別されたことに応じて、前記高次波形の振幅値を高めるように補正するステップを含み、
補正するステップは、
振幅の最大値を検出した高次波形内の振幅の最大値に隣接する振幅値として、高次波形の振幅の最大値の近傍の振幅が０以上の部分の振幅値を抽出するステップと、
抽出された振幅値を振幅の最大値に加算するステップとを含む音声区間検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータユニットと、前記コンピュータユニットに接続されたプリンタユニットとを備えたシステムにおいて使用されて、コーディングパターンを有するベースを作成するためのコンピュータプログラムであって、
コーディングパターンを画定するためのアルゴリズムを用い、該アルゴリズムが前記プリンタユニットの特性に関する情報にアクセスすることにより、前記プリンタユニットの特性に適するように前記コーディングパターンを構成する記号を記述する図形情報を生成するための命令と、
前記図形情報を、前記プリンタユニットによってベース上にプリントアウトされるように出力するための命令とを備えることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項２】
前記記号がドットから成り、各ラスター位置を基準とする各ドットの変位によるコーディングを用いて前記コーディングパターンが画定される、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項３】
前記アルゴリズムは、前記図形情報中の前記記号同士間の距離を、前記プリンタユニットに固有のパラメータに依存して定めるものである、請求項１または２に記載のコンピュータプログラム。
【請求項４】
前記アルゴリズムは、前記図形情報中の前記記号同士間の距離を、前記プリントアウトの解像度の逆数である最小距離を実質的に整数倍した距離とするものである、請求項３に記載のコンピュータプログラム。
【請求項５】
前記アルゴリズムは、前記ラスターパターンにおけるラスター位置同士間の距離と前記ドットのラスター位置に対する変位との少なくとも一方を、前記プリンタユニットのプリントアウトの解像度の逆数である最小距離に依存して定めるものである、請求項２に記載のコンピュータプログラム。
【請求項６】
前記図形情報に前記コーディングパターン以外の情報である視覚情報が重畳してプリントアウトされる場合に、該視覚情報を前記図形情報により表現されるコーディングパターンに適合させるための命令をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載のコンピュータプログラム。
【請求項７】
前記アルゴリズムは、前記図形情報中の前記記号のサイズを、前記プリンタユニットに固有のパラメータに依存して定めるものである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコンピュータプログラム。
【請求項８】
前記アルゴリズムは、前記図形情報中の前記記号の強度を、前記プリンタユニットに固有のパラメータに依存して定めるものである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のコンピュータプログラムを含む、ディジタルストレージ媒体。
【請求項１０】
コンピュータユニットと、前記コンピュータユニットに接続されたプリンタユニットとを備え、コーディングパターンを有するベースを作成するためのシステムであって、
コーディングパターンを画定するためのアルゴリズムを記憶する手段と、
前記アルゴリズムを用い、該アルゴリズムが前記プリンタユニットの特性に関する情報にアクセスすることにより、前記プリンタユニットの特性に適するように前記コーディングパターンを構成する記号を記述する図形情報を生成する手段と、
前記プリンタユニットによって前記図形情報をベース上にプリントアウトする手段とを備えることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号読出手段が表面部に形成された半導体基板と、該半導体基板の表面上方に積層され第１電極膜と画素毎に区分けされた複数の第２電極膜との間に光電変換膜が形成された光電変換層と、該光電変換層に対して光入射側且つ有効画素領域の外側に形成され前記第１電極膜と電気的に短絡状態で積層された導電性の遮光膜とを備える光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、
前記光電変換層の光入射側の上方に積層され光を透過する材料で形成された光透過層を備え、前記遮光膜は、前記有効画素領域の外側を覆うと共に前記光透過層と同層に形成される光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項３】
請求項２に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記光透過層がカラーフィルタ層である光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記有効画素領域の外側位置で前記第１電極膜に前記遮光膜が直接積層され短絡状態となる光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記遮光膜とは別の遮光膜が前記光電変換層の上層且つ有効画素領域の外側に積層され２層の遮光膜で遮光を行う光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項６】
請求項５に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記別の遮光膜が導電性材料で形成され、該遮光膜も前記第１電極膜に電気的に短絡される光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子を搭載したことを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項７に記載の撮像装置であって、前記第１電極膜に印加する電圧を調整する撮像素子駆動部を備える撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析対象のイオンをパルス的に出射するイオン源と、該イオン源から出射されたイオンを略同一軌道に沿って複数回周回させる周回軌道部と、該周回軌道部で周回したイオンを検出する検出器と、を具備する多重周回飛行時間型の質量分析装置により収集されるデータを処理する質量分析データ処理方法であって、同一試料に対し、前記周回軌道部から前記検出器にイオンを向かわせるべく周回軌道からイオンを排出するタイミングを複数段階に変更することで得られた複数の飛行時間スペクトルに基づいてマススペクトルを作成する質量分析データ処理方法において、
a)前記複数の飛行時間スペクトル中の任意の１つの飛行時間スペクトル上で着目するピークについて、該ピークの情報に基づいて他の飛行時間スペクトル上で前記ピークに対応したイオン由来のピークが出現する時間位置を推定し、実際に取得された飛行時間スペクトル上で前記推定された時間位置にピークが存在するか否かを調べるという一致性の判定を、複数の前記他の飛行時間スペクトルについてそれぞれ実行することにより、ピークの一致性判定結果を取得し、複数の異なる質量電荷比の仮定に対して同様の処理を行うことでそれぞれ得られた一致性判定結果に基づいて、前記着目するピークに対応したイオンの質量電荷比を決定する質量電荷比推定ステップと、
b)前記質量電荷比推定ステップの実行過程で、前記着目ピークに対する他の飛行時間スペクトル上でのピークの時間位置の一致が偶発的に生じる確率を推定し、複数の前記他の飛行時間スペクトルにおける前記確率の推定値から前記質量電荷比推定ステップによる処理の信頼度を定量値として算定する信頼度算定ステップと、
を有することを特徴とする質量分析データ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の質量分析データ処理方法であって、
前記信頼度算定ステップは、飛行時間スペクトル上の着目ピークに対し、時間軸上で近隣のピーク情報から前記ピークの時間位置の一致が偶発的に生じる確率を推定することを特徴とする質量分析データ処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載の質量分析データ処理方法であって、
前記信頼度算定ステップにより求められた信頼度を判定し、該信頼度が低い場合に、周回軌道からイオンを排出させるタイミングを修正又は追加することにより、さらに異なる飛行時間スペクトルを取得することを特徴とする質量分析データ処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の質量分析データ処理方法であって、
前記質量電荷比推定ステップの処理実行過程で、飛行時間スペクトル上で本来存在する筈であるピークが存在しないことを調べることによりピーク消失を認識することを特徴とする質量分析データ処理方法。
【請求項５】
請求項１に記載の質量分析データ処理方法であって、
前記質量電荷比推定ステップの処理実行過程で、飛行時間スペクトル上で本来存在しない筈のピークが存在することを調べることにより偽ピークの混入を認識することを特徴とする質量分析データ処理方法。
【請求項６】
請求項１に記載の質量分析データ処理方法であって、
前記質量電荷比推定ステップの処理実行過程で、複数の着目ピークに対応する他の飛行時間スペクトル上のピークが同一時間位置に存在することを調べることによりピークの重なりを認識することを特徴とする質量分析データ処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の質量分析データ処理方法であって、
前記質量電荷比推定ステップでは、ピークの重なりが認識されたピークを除外して、異なる複数の質量電荷比の候補に対する一致性判定結果を求め、前記着目するピークの質量電荷比を決定することを特徴とする質量分析データ処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の質量分析データ処理方法であって、
前記質量電荷比推定ステップでは、飛行時間スペクトル上でのピークの重なりが認識されていないピークを用いて、前記マススペクトル上での対応するピークの信号強度を求めることを特徴とする質量分析データ処理方法。
【請求項９】
分析対象のイオンをパルス的に出射するイオン源と、該イオン源から出射されたイオンを略同一軌道に沿って複数回周回させる周回軌道部と、該周回軌道部で周回したイオンを検出する検出器と、同一試料に対し、前記周回軌道部から前記検出器にイオンを向かわせるべく周回軌道からイオンを排出するタイミングを複数段階に変更することで得られた複数の飛行時間スペクトルに基づいてマススペクトルを作成するデータ処理手段と、を具備する多重周回飛行時間型の質量分析装置において、前記データ処理手段は、
a)前記複数の飛行時間スペクトル中の任意の１つの飛行時間スペクトル上で着目するピークについて、該ピークの情報に基づいて他の飛行時間スペクトル上で前記ピークに対応したイオン由来のピークが出現する時間位置を推定し、実際に取得された飛行時間スペクトル上で前記推定された時間位置にピークが存在するか否かを調べるという一致性の判定を、複数の前記他の飛行時間スペクトルについてそれぞれ実行することにより、ピークの一致性判定結果を取得し、複数の異なる質量電荷比の仮定に対して同様の処理を行うことでそれぞれ得られた一致性判定結果に基づいて、前記着目するピークに対応したイオンの質量電荷比を決定する質量電荷比推定手段と、
b)前記質量電荷比推定手段による処理実行過程で、前記着目ピークに対する他の飛行時間スペクトル上でのピークの時間位置の一致が偶発的に生じる確率を推定し、複数の前記他の飛行時間スペクトルにおける前記確率の推定値から前記質量電荷比推定手段による処理の信頼度を定量値として算定する信頼度算定手段と、
を備えることを特徴とする質量分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、前記チャンバー内に設けられ且つ被処理基板を保持する試料台と、ドーパントとなる不純物を含むガスを前記チャンバー内に供給するガス供給手段と、第１の高周波電力を供給して前記ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、第２の高周波電力を供給して前記試料台にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段とを備えたプラズマドーピング装置を用いて、前記被処理基板に前記不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、
前記第１の高周波電力を間欠的に供給し、
前記第１の高周波電力の変調周期は、前記プラズマの両極性拡散時間よりも長く且つ前記チャンバー内における前記ガスのガス滞在時間よりも短いことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマドーピング方法において、
前記第１の高周波電力の変調周期は、１０μ秒以上で且つ１００ｍ秒以下であることを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプラズマドーピング方法において、
前記第１の高周波電力のデューティ比は、０．１以上で且つ０．９以下であることを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマドーピング方法において、
前記第２の高周波電力を間欠的に供給するか、又は前記第２の高周波電力として高レベル及び低レベルの高周波電力を交互に繰り返し供給することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマドーピング方法において、
前記第１の高周波電力の周波数は、前記第２の高周波電力の周波数よりも大きいことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のプラズマドーピング方法において、
前記第１の高周波電力及び前記第２の高周波電力のそれぞれの変調に位相差を設けることを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマドーピング方法において、
前記ガスは、ＢＦ3 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ10Ｈ14、ＡｓＨ3 、ＡｓＦ5 、ＰＨ3 及びＰＦ3 のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のプラズマドーピング方法において、
前記ガスは希釈ガスを含むことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマドーピング方法において、
前記希釈ガスはＨｅであることを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１０】
チャンバーと、前記チャンバー内に設けられ且つ被処理基板を保持する試料台と、ドーパントとなる不純物を含むガスを前記チャンバー内に供給するガス供給手段と、前記ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、高周波電力を供給して前記試料台にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段とを備えたプラズマドーピング装置を用いて、前記被処理基板に前記不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、
前記高周波電力として高レベル及び低レベルの高周波電力を交互に繰り返し供給することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプラズマドーピング方法において、
前記プラズマ発生手段は、高周波電源又はＤＣパルス電源であることを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載のプラズマドーピング方法において、
前記ガスは、ＢＦ3 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ10Ｈ14、ＡｓＨ3 、ＡｓＦ5 、ＰＨ3 及びＰＦ3 のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のプラズマドーピング方法において、
前記ガスは希釈ガスを含むことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプラズマドーピング方法において、
前記希釈ガスはＨｅであることを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１５】
チャンバーと、前記チャンバー内に設けられ且つ被処理基板を保持する試料台と、ドーパントとなる不純物を含むガスを前記チャンバー内に供給するガス供給手段と、第１の高周波電力を供給して前記ガスからなるプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、第２の高周波電力を供給して前記試料台にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段とを備えたプラズマドーピング装置を用いて、前記被処理基板に前記不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、
前記第１の高周波電力として高レベル及び低レベルの高周波電力を交互に繰り返し供給することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプラズマドーピング方法において、
前記第２の高周波電力を間欠的に供給することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載のプラズマドーピング方法において、
前記第２の高周波電力として高レベル及び低レベルの高周波電力を交互に繰り返し供給することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のプラズマドーピング方法において、
前記ガスは、ＢＦ3 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ10Ｈ14、ＡｓＨ3 、ＡｓＦ5 、ＰＨ3 及びＰＦ3 のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項１９】
請求項１５〜１８のいずれか１項に記載のプラズマドーピング方法において、
前記ガスは希釈ガスを含むことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載のプラズマドーピング方法において、
前記希釈ガスはＨｅであることを特徴とするプラズマドーピング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月6日(2012.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１の基板、半導体層及び第１の金属層を有する第１の積層体と、第２の基板及び第２の金属層を有する第２の積層体と、を貼り合わせる半導体発光素子の製造方法であって、
前記第１の積層体の劈開方向と前記第２の積層体の劈開方向とをずらし、前記第１の金属層と前記第２の金属層とを接触させて重ね合わせる工程と、
前記第１の積層体と前記第２の積層体との間に加重を加えた状態で昇温し、前記第１の積層体と前記第２の積層体とを貼り合わせる工程と、
を備え、
前記第１の積層体の劈開方向と、第２の積層体の劈開方向と、の間のずれは、１°以上１０°以下であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様によれば、第１の基板、半導体層及び第１の金属層を有する第１の積層
体と、第２の基板及び第２の金属層を有する第２の積層体と、を貼り合わせる半導体発光
素子の製造方法であって、前記第１の積層体の劈開方向と前記第２の積層体の劈開方向と
をずらし、前記第１の金属層と前記第２の金属層とを接触させて重ね合わせる工程と、前
記第１の基板と前記第２の基板との間に加重を加えた状態で昇温し、前記第１の積層体と
前記第２の積層体とを貼り合わせる工程と、を備え、前記第１の積層体の劈開方向と、第２の積層体の劈開方向と、の間のずれは、１°以上１０°以下であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル孔に連通した導入路が内部に形成されたヘッド部が備えられ、容器本体の口部に取り付けた状態で前記ヘッド部を押し下げることにより、容器本体内の液体を、前記導入路を通して前記ノズル孔から吐出する吐出器であって、
前記導入路は、上下方向に交差する方向に沿って延在し、その一端側に形成された開口部が前記ノズル孔とされ、
前記ヘッド部内には、上下方向に延在しかつ前記導入路に連通する連通孔が形成され、この連通孔内には、上下方向に摺動する内筒部材が設けられ、これらのヘッド部と内筒部材との間に、前記ヘッド部を内筒部材に対して上方に付勢する第１弾性部材が設けられ、
前記内筒部材の上端開口縁には、この上端開口縁において前記導入路内の他端側に位置する部分から、この内筒部材の上端開口部を開口させた状態で跨いで、前記導入路内の一端側に至る蓋板が延設され、
この蓋板は、前記ヘッド部を押し下げる前の待機状態で前記導入路における連通孔の開口部を閉塞し、かつ前記ヘッド部を内筒部材に対して押し下げたとき、およびこの押し下げを解除したときに、前記導入路内を上下方向に移動させられる構成とされたことを特徴とする吐出器。
【請求項２】
請求項１に記載の吐出器であって、
前記内筒部材の上端開口縁と前記蓋板との間の上下方向における隙間が、前記導入路の他端側から一端側に向かうに従い漸次大きくなっていることを特徴とする吐出器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の吐出器であって、
前記ヘッド部に連係した液用ピストンと、内部をこの液用ピストンが上下方向に摺動する液用シリンダと、が備えられ、
容器本体の口部に取り付けた状態で前記ヘッド部を押し下げて液用シリンダ内の液体を圧縮することにより、この液体を、前記導入路に移送して前記ノズル孔から吐出する構成とされたことを特徴とする吐出器。
【請求項４】
請求項３に記載の吐出器であって、
前記液用シリンダ内に、このシリンダの下端開口部に着座および離反可能な弁体が設けられるとともに、この弁体と前記液用ピストンとの間に、液用ピストンを上方に付勢する第２弾性部材が設けられ、この第２弾性部材は、前記第１弾性部材よりも上方付勢力が大きいことを特徴とする吐出器。
【請求項５】
請求項３または４に記載の吐出器であって、
前記ヘッド部に連係した空気用ピストンが内部を上下方向に摺動する空気用シリンダと、
前記液用シリンダからの液体と空気用シリンダからの空気とが合流する気液混合室と、
前記導入路と気液混合室との間に設置された発泡部材と、を備え、
容器本体の口部に取り付けた状態で前記ヘッド部を押し下げて液用シリンダ内の液体および空気用シリンダ内の空気を圧縮することにより、これらの液体および空気を、気液混合室に移送して合流させ発泡部材を通して発泡させた後に、前記導入路を通過させて前記ノズル孔から吐出する構成とされたことを特徴とする吐出器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固形インクスティックを成形するシステムであって、
融解した相変化インク材料を収納する空洞を規定する側壁を備える容器を有する、少なくとも１つの柔軟な成形型であって、前記空洞は、インクスティックの外形の少なくとも一部を規定し、該柔軟な成形型は、柔軟で耐熱性を有する材料で形成されることにより、前記側壁が、少なくとも部分的に固体化したインクスティックを前記空洞から容易に取り出すことを可能にする、柔軟な成形型と、
融解された相変化インク材料を前記柔軟な成形型の少なくとも１つの空洞に導入する融解相変化インク分配器と、
柔軟で耐熱性を有する材料で部分的に構成され、オーバーフロー流路及び受領領域を有する蓋であって、該蓋は、融解された相変化インク材料で充填された前記空洞を囲むように構成され、前記オーバーフロー流路は、前記融解された相変化インク材料の一部が該オーバーフロー流路を通って流れ、前記受領領域で固体化可能なように膨張し、前記受領領域は、該蓋の上面に対して凹み、該蓋上に位置することにより、この受領領域の固体化した融解された相変化インク材料が、前記受領領域の固体化した融解された相変化インク材料と前記空洞の固体化した相変化インクとの間で蓋の一部を捉え、該蓋を前記空洞の固体化した相変化インク材料に結合させる、蓋と、
前記蓋を掴み、前記空洞から部分的に固体化した相変化インクを引き抜くように構成されたインクスティック引き出し器と、を備えるシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記少なくとも１つの柔軟な成形型は、少なくとも部分的にシリコーンを含む化合物から成る、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記オーバーフロー流路は、さらに、少なくとも１つのスリットを含み、この少なくとも１つのスリットは、前記融解された相変化インク材料を前記空洞に注入するために前記蓋を通じてノズルを挿入可能であり、前記ノズルの引き抜き時に閉じるように柔軟に構成され、さらに、前記空洞を融解された相変化インク材料で過剰充填することにより発生した前記空洞の圧力を受けて膨張するように構成される、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記蓋は、少なくとも部分的に柔軟で耐熱性を有する材料から成る、少なくとも１つの噴射開口を含む、システム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムにおいて、前記柔軟で耐熱性を有する材料は、少なくとも部分的にシリコーンを含む化合物から成る、システム。
【請求項６】
固体インクスティックを成形するシステムであって、
融解された相変化インク材料で充填させてインクスティックを成形するように構成された空洞を規定する側壁を有する容器と、
前記容器の空洞を融解された相変化インク材料で充填する融解相変化インク分配器と、
オーバーフロー流路及び受領領域を有する柔軟な蓋であって、該蓋は、少なくとも部分的に柔軟で耐熱性を有する材料から成り、融解された相変化インク材料で充填された前記容器と合致して前記融解された相変化インク材料を覆うように構成され、前記オーバーフロー流路は、前記融解された相変化インク材料の一部が前記空洞からこのオーバーフロー流路を通って前記受領領域に流れ出し、前記受領領域で固体化可能なように膨張し、前記受領領域の相変化インク材料の一部は、前記受領領域及び空洞の融解された相変化インク材料の固体化を受けて、前記空洞の相変化インク材料と前記受領領域の相変化インク材料の一部との間で該蓋の一部を捉える、蓋と、
前記蓋を掴み、前記空洞から部分的に固体化した相変化インクを引き抜くように構成されたインクスティック引き出し器と、を備えるシステム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムにおいて、前記柔軟な蓋は、少なくとも部分的にシリコーンを含む化合物から成る、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固形インクスティックを成形するシステム
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炉心プレート（１４）と、複数の貫通部を備えて制御棒駆動装置（２８）が該貫通部を貫通して複数の制御棒のそれぞれを支持するのを可能にするほぼ半球形状の底部ヘッド（２４）とを有する原子炉容器（１０）において、前記容器（１０）の底部ヘッド（２４）における割れ形成を補修又は軽減する方法であって、
前記炉心プレート（１４）の孔を通過させて第１のケーソン（４８）の複数の個別セグメント（５０）を前記半球形状の底部ヘッドに固定されかつ前記貫通部を囲むチューブ（３６）の周りの位置まで通す段階と、
前記チューブ（３６）の周りに前記複数の個別セグメント（５０）を組み立てる段階と、
前記複数の個別セグメントを互いにかつ前記ほぼ半球形状の底部ヘッドに対して密封する段階と、
前記炉心プレート内の孔のうちの１つを通って第２のケーソン（６０）を通して、前記第２ケーソンの下端縁を前記第１のケーソン（４８）の上端縁と係合させる段階と、
前記第１及び第２のケーソンから水を除去して、溶接のための無水環境を形成する段階と、
前記第２のケーソン（６０）を通過させてかつ前記第１のケーソン（４８）内に溶接ヘッド（６４）を下降させて、前記チューブ（３６）の周りに又は前記ほぼ半球形状の底部ヘッド（２４）に沿って溶接部位で溶接する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のケーソン（４８）の直径が、前記炉心プレート内の孔のうちの１つの直径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ほぼ半球形状の底部ヘッド（２４）に適合するように互いにその構成が固有でありかつ異なる前記第１のケーソン（４８）の少なくとも１対のセグメントを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ほぼ半球形形状の底部ヘッド（２４）が、その最下点を通る垂直方向に延びる軸線を有し、
その上端縁が前記垂直方向に延びる軸線に垂直な水平面内に位置するように互いに異なる高さを有する前記第１のケーソン（４８）の前記複数のセグメント（５０）のうちの少なくとも１対のセグメントを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のセグメント（５０）の下端縁が、前記ほぼ半球形形状の底部ヘッド（２４）に沿った傾斜に適合するようにテーパしていることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記炉心プレートの孔を通過させて締め具（５３）を通す段階と、
前記溶接部位に隣接させて前記締め具（５３）を前記ほぼ半球形形状の底部ヘッド（２４）に固定する段階と、
前記複数のセグメントを互いにかつ前記ほぼ半球形形状の底部ヘッドに対して密封するのに先だって、前記締め具と前記複数のセグメントのうちの少なくとも１つとを係合させて、前記ほぼ半球形形状の底部ヘッドの内面に隣接させて該複数のセグメントのうちの少なくとも１つを保持する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記締め具（５３）を少なくとも２つの個別部品（５４、５６）として形成する段階と、
前記炉心プレート内の孔のうちの１つ以上の孔を通過させて前記少なくとも２つの個別部品を別々に通す段階と、
前記炉心プレートの下方でかつ前記原子炉容器の水中環境内で前記少なくとも２つの個別部品を互いに組み立て、組み立てた締め具を形成する段階と、
前記組み立てた締め具及び前記少なくとも１つのセグメントを係合させて前記ほぼ半球形形状の底部ヘッドの内面に隣接させて該少なくとも１つのセグメントを保持する段階と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記底部ヘッド（２４）が、前記チューブの周りの位置で該ほぼ半球形形状の底部ヘッドから上向きに突出した複数の制御棒駆動装置ハウジング（３４）を含み、
前記炉心プレート内の孔のうちの１つ以上の孔を通過させて複数の個別締め具部品（５４、５６）を別々に通して複数の締め具（５３）に組み立てる段階と、
前記チューブ（３６）の周りで前記制御棒駆動装置ハウジング（３４）に対して前記複数の締め具を固定する段階と、
前記複数の締め具及び前記複数のセグメントを互いに係合させて前記チューブの周りで前記ほぼ半球形形状の底部ヘッドに隣接させて該複数のセグメントを保持する段階と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
炉心プレート（１４）とほぼ半球形状の底部ヘッド（２４）とを有する原子炉容器（１０）において、前記容器の底部ヘッドにおける割れ形成を補修又は軽減する方法であって、
前記炉心プレート（１４）の孔を通過させて第１のケーソン（４８）のセグメント（５０）を前記底部ヘッドに隣接する位置まで通す段階と、
前記セグメントを組み立てて囲いを形成する段階と、
前記セグメントを互いにかつ前記底部ヘッドに対して密封する段階と、
前記炉心プレートの孔を通過させて第２のケーソン（６０）を通しかつ該第２のケーソンの下端部を前記第１のケーソンの上端部に対して密封する段階と、
前記第１及び第２のケーソンから水を除去して、溶接のための無水環境を形成する段階と、
前記第２のケーソン（６０）を通過させてかつ前記第１のケーソン（４８）内に溶接ヘッド（６４）を下降させて溶接部を施工する段階と、
を含む方法。
【請求項１０】
弓形のセグメント（５０）を準備する段階と、
前記弓形のセグメントを組み立てて、前記炉心プレートの孔の直径よりも大きな直径を有する前記第１のケーソン（４８）を形成する段階を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。