【事件の表示】
　特願２００１−３６５１４１「ウエハ加熱装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月１３日出願公開、特開２００３−１６８６４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯 
　本願は、平成１３年１１月２９日の出願であって、平成１７年９月８日付で拒絶理由通知がなされ、同年１１月１１日付で意見書及び手続補正書が提出され、平成１７年９月８日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、同年１２月６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月６日付で手続補正書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１８年２月６日付手続補正についての補正却下の決定
　　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１８年２月６日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
［２−１］補正の内容 
　平成１８年２月６日付手続補正により、特許請求の範囲の請求項１〜４のうち請求項１は次のとおりに補正された。
「【請求項１】セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面に複数のブロックに分割された発熱抵抗体が直接または絶縁層を介して被着されているとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備し、前記均熱板を保持するケーシングを備えてなるウエハ加熱装置において、前記複数に分割された発熱抵抗体ブロックは、前記発熱抵抗体を形成した面の中心に配置された円形の発熱抵抗体ブロックと、その外側に同心円状に配置された２つの環状の発熱抵抗体ブロックとからなり、最外周の前記環状の発熱抵抗体ブロックが径方向に分割された複数の発熱抵抗体ブロックからなることを特徴とするウエハ加熱装置。」
 　　 
［２−２］補正の目的
　上記補正後の請求項１は、補正前の請求項１における「均熱板の・・・他方の主面または内面」の「または内面」を削除して「均熱板の・・・他方の主面」のみに限定し、また、同「発熱抵抗体を有する・・・ウエハ加熱装置」の形態を「発熱抵抗体が直接または絶縁層を介して被着されている・・・ウエハ加熱装置」に限定するものである。
　したがって、当該補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　
［２−３］独立特許要件 
　次いで、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。 
 　　 
（１）補正後の本願発明 
　上記補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、平成１８年２月６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記［２−１］の【請求項１】に記載したとおりのものと認める。
　　 
（２）引用刊行物の記載事項 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された下記の刊行物（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
引用刊行物：　特開平６−７７１４８号公報
　　　　
（ａ）「【請求項１】平面的にみて略円形の外側輪郭を有する緻密質セラミックス製の盤状基体と、この盤状基体の内部に埋設された抵抗発熱体とを有する半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーターであって、前記盤状基体の半導体ウエハー加熱面から背面へと向かって貫通孔が形成されている半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター；及び平面的にみて略円形の外側輪郭を有する緻密質セラミックス製の盤状基体とこの盤状基体の内部に埋設された抵抗発熱体とを有する補助ヒーターを備えた半導体ウエハー加熱装置であって、前記貫通孔の内側に前記補助ヒーターが設置されている半導体ウエハー加熱装置。
【請求項２】緻密質セラミックス製の盤状基体とこの盤状基体の内部に埋設された抵抗発熱体とを有する外周側ヒーターが、前記半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーターの外側に設置されている、請求項１記載の半導体ウエハー加熱装置。」（【特許請求の範囲】）、
（ｂ）実施例として、「【００１５】・・・例えば計４個の円柱状介在ピン６をケース７内周とセラミックスヒーター１の側周面との間に介在させ、・・・セラミックスヒーター１を断熱固定する。」（段落【００１５】）、
【００２６】・・・盤状基体２の中央部分に円形貫通孔３を設け、円形貫通孔３の内部に補助ヒーター21を設置した。このようにすれば、見かけ上、半導体ウエハーＷの温度は均一となる。」（段落【００２６】）、
「【００３０】・・・WSix 膜を成膜する場合には、半導体ウエハー表面で±２℃の均熱性が要求されるが、内径が 101〜171mm の範囲でこの条件をクリアできる」（段落【００３０】）、
「【００３２】・・・板状部材35の平面形状は円形である。板状部材35は緻密質セラミックスからなり、その一方の側にウエハー加熱面38が設けられる。半導体加熱面38の反対の側において、板状部材35の周縁に沿って円形枠35ａが設けられ、円形枠35ａの内側に円形の凹部35ｂが設けられる。凹部35ｂには、三種類のセラミックスヒーター31,33,36が収容され、設置されている。
【００３３】補助ヒーター31においては、緻密質セラミックスからなる円盤状基体32内に抵抗発熱体４が埋設されている。抵抗発熱体４の両端に円柱状端子18が連結され、円柱状端子18の表面が円盤状基体32の背面に露出している。円盤状基体32の加熱面32ｂが板状部材35に当接している。抵抗発熱体４の平面的埋設形状は、例えば図５に示すような渦巻き状とする。
【００３４】セラミックスヒーター33の盤状基体34の外側輪郭は略円形であり、緻密質セラミックスから成っている。盤状基体34の図面において下側に半導体ウエハー加熱面34ｃが設けられ、この反対側に背面34ｄが設けられる。盤状基体34の中央部に、半導体ウエハー加熱面34ｃから背面34ｄへと向って円形貫通孔34b が設けられている。円形貫通孔34ｂの輪郭と、盤状基体34の外側輪郭とは、ほぼ同心である。盤状基体34の内部に抵抗発熱体４が埋設され、抵抗発熱体４の両端が端子18に接続されている。
【００３５】盤状基体34の半導体ウエハー加熱面34ｃが板状部材35に当接している。円形貫通孔34ｂ内に、補助ヒーター31が設置されている。盤状基体34の内側周面と円盤状基体32の外側周面32ａとの間には、若干のクリアランスが設けられている。
【００３６】外周側ヒーター36においては、平面的にみて略円弧状の盤状基体37の内部に抵抗発熱体４が埋設されている。抵抗発熱体４の両端に円柱状端子18が連結され、円柱状端子18の表面が盤状基体37の表面に露出している。盤状基体37の加熱面37ｃが板状部材35に当接している。外周側ヒーター36は計四個収容されている。
【００３７】各ヒーター36の盤状基体37の外側周面37ａ及び内側周面37ｂは共に平面的にみて円弧状であり、これらの円弧の中心は、円盤状基体32の中心とほぼ一致する。内側周面37ｂの曲率半径は、盤状基体34の外側周面34ａの曲率半径よりも僅かに大きく設定されている。内側周面37ｂ及び外側周面37ａの各円弧の開き角度は、90度よりも僅かに小さく設定されている。盤状基体34の外側周面34ａを囲むように、四個の盤状基体37が設置されている。各盤状基体37の内側周面37ｂと外側周面34ａとの間、外側周面37ａと円形枠35ａとの間、隣り合う盤状基体37の間には、いずれも隙間が設けられている。
【００３８】本実施例においても、補助ヒーター31、外周側ヒーター36の発熱量を、成膜プロセスの具体的条件に合わせて変更することで、半導体膜の膜厚を最適化することができる。」（段落【００３２】〜【００３８】）、
「【００４２】本実施例によれば、板状部材３５に半導体ウエハー加熱面３８を設けている。そして、板状部材３５には抵抗発熱体が埋設されておらず、通常の焼結法で作成できるので、半導体ウエハー加熱面３８を大面積化させることが容易である。」（段落【００４２】）、
（ｃ）【発明の効果】として、「【００４７】・・・本発明の半導体ウエハー加熱装置によれば、盤状基体の半導体ウエハー加熱面から背面へと向かって形成された円形貫通孔の内部に、補助ヒーターを設置したことにより、半導体ウエハーの中心部と周縁との温度差を減らし、均熱化することができる。」（段落【００４７】）が記載されている。
　　
（３）対比・判断
　摘記（ａ）によれば、引用刊行物１には、「平面的にみて略円形の外側輪郭を有する緻密質セラミックス製の盤状基体と、この盤状基体の内部に埋設された抵抗発熱体とを有する半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーターであって、前記盤状基体の半導体ウエハー加熱面から背面へと向かって貫通孔が形成されている半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター、及び、前記貫通孔の内側に設置されていて、平面的にみて略円形の外側輪郭を有する緻密質セラミックス製の盤状基体とこの盤状基体の内部に埋設された抵抗発熱体とを有する補助ヒーター、及び、前記半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーターの外側に設置されていて、緻密質セラミックス製の盤状基体とこの盤状基体の内部に埋設された抵抗発熱体とを有する外周側ヒーターを備えた半導体ウエハー加熱装置」が記載されている。
　そして、摘記（ｂ）によれば、上記緻密質セラミックスからなる板状部材の一方の側には半導体ウエハー加熱面が設けられ、その反対側には円形の凹部が設けられ、該凹部には上記「半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター」、「補助ヒーター」、「外周側ヒーター」が収容され、該ヒーターの各加熱面は該凹部の面に当接しており、該ヒーターの各両端には端子が接続され、該「外周側ヒーター」は四個の90度よりも僅かに小さい円弧状のものであり、該ヒーターはケース内周に断熱固定されていることが記載されている。
　これらの事項を総合すると、引用刊行物１には、「平面的にみて略円形の外側輪郭を有する緻密質セラミックス製の盤状基体と、この盤状基体の内部に埋設され、両端に端子が接続された抵抗発熱体とを有する半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーターであって、上記盤状基体の半導体ウエハー加熱面から背面へと向かって貫通孔が形成されている半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター、及び、上記貫通孔の内側に設置されていて、平面的にみて略円形の外側輪郭を有する緻密質セラミックス製の盤状基体とこの盤状基体の内部に埋設され、両端に端子が接続された抵抗発熱体とを有する補助ヒーター、及び、上記半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーターの外側に設置されていて、各緻密質セラミックス製の盤状基体と、該各盤状基体の内部に埋設され、各両端に端子が接続された抵抗発熱体とを有し、90度よりも僅かに小さい円弧状に分割されている四個の外周側ヒーター、及び、前記ヒーターをその内周に断熱固定するケース、及び、緻密質セラミックスからなる板状部材を備え、該板状部材の一方の側に半導体ウエハー加熱面が設けられ、その反対側の凹部の面に上記ヒーターの各加熱面が当接している半導体ウエハー加熱装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「緻密質セラミックスからなる板状部材」は、補助ヒーター31、外周側ヒーター36の発熱量を、成膜プロセスの具体的条件に合わせて変更することで、半導体膜の膜厚を最適化することができ、半導体ウエハーの中心部と周縁との温度差を減らして均熱化できるのであるから（摘記（ｂ）（ｃ）参照）、本願補正発明における「セラミックスからなる均熱板」に相当し、該「緻密質セラミックスからなる板状部材」の「半導体ウエハー加熱面が設けられ」る側である「一方の側」の面、及び「その反対側の凹部の面」は、夫々本願補正発明における「均熱板の一方の主面」、及び「他方の主面」に相当する。また、引用発明における各ヒーターの「抵抗発熱体」は、「半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター」、「補助ヒーター」、「四個の外周側ヒーター」の各「抵抗発熱体」に分割されているので、本願補正発明における「複数のブロックに分割された発熱抵抗体」に相当し、それらの各「端子」は、本願補正発明における「発熱抵抗体と電気的に接続される給電部」に相当する。また、引用発明における「ヒーターをその内周に断熱固定するケース」は、板状部材の面にヒーターの各加熱面を当接させ、該ヒーターをその内周に断熱固定するのであるから、該ヒーターを該板状部材とともに保持しているケースに他ならず、本願補正発明における「均熱板を保持するケーシング」に相当する。また、引用発明におけるヒーターのうちの「補助ヒーター」は、本願補正発明における「中心に配置された円形の発熱抵抗体ブロック」に相当し、同じく「半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター」と「四個の外周側ヒーター」の両ヒーターは、本願補正発明における「その外側に同心円状に配置された２つの環状の発熱抵抗体ブロック」に相当し、そして、該両ヒーターのうちの「四個の外周側ヒーター」は、本願補正発明における「最外周の前記環状の発熱抵抗体ブロックが径方向に分割された複数の発熱抵抗体ブロック」に相当する。
　そうすると、両発明は、「セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面に複数のブロックに分割された発熱抵抗体が設けられているとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備し、前記均熱板を保持するケーシングを備えてなるウエハ加熱装置において、前記複数に分割された発熱抵抗体ブロックは、前記発熱抵抗体を形成した面の中心に配置された円形の発熱抵抗体ブロックと、その外側に同心円状に配置された２つの環状の発熱抵抗体ブロックとからなり、最外周の前記環状の発熱抵抗体ブロックが径方向に分割された複数の発熱抵抗体ブロックからなるウエハ加熱装置。」の点で一致し、次の点で相違する。 
（イ）本願補正発明では、均熱板の他方の主面に発熱抵抗体が直接または絶縁層を介して被着されて設けられているのに対し、引用発明では、ヒーターの内部に抵抗発熱体が埋設され、該ヒーターの加熱面が板状部材の凹部の面に当接して設けられている点。
　　
　そこで、上記相違点（イ）について検討するに、ウエハ加熱装置の均熱板の主面に発熱抵抗体を直接または絶縁層を介して被着して設けることは、下記周知例に記載されているように本願出願前周知の技術であるといえる。
周知例１：特開２００１−１４８２８０号公報
「【００１７】このホットプレート３は、セラミック焼結体を用いた基板９に、抵抗体１０としての抵抗体パターンを焼付等によって設ける」（段落【００１７】）、
「【００５６】このセラミック材料の基板９の一主面に略線条状の抵抗体１０が形成されている。抵抗体は、金属粒子（例えば、平均粒径５μｍ程度かつ略球状の銀粒子）を含む導電ペーストを前記基板の表面に所定パターンに従って塗布して所定パターンの導体ペースト層を形成したのち、焼き付けて金属粒子を焼結させる形態のものである。」（段落【００５６】）と記載され、
図２〜図４には、ホットプレート３のセラミック焼結体基板９の主面に抵抗体１０を被着したものが図示されている。
　　
周知例２：特開２００１−２４４０５９号公報
「【００１５】図１は本発明に係るウエハ加熱装置の一例を示す断面図であり、炭化珪素、アルミナまたは窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスの板状体からなる均熱板２の一方の主面をウエハＷを載せる載置面３とするとともに、他方の主面にガラス又は樹脂等からなる絶縁層４を介して発熱抵抗体５を形成し、該発熱抵抗体５に電気的に接続する給電部６を具備してセラミックヒーターを構成したものである。」（段落【００１５】）、
「【００５７】【実施例】実施例１
　熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋの炭化珪素質焼結体に研削加工を施し、板厚４ｍｍ、外径２３０ｍｍの円盤状をした均熱板２を複数製作し、各均熱板２の一方の主面に絶縁層４を被着するため、ガラス粉末に対してバインダーとしてのエチルセルロースと有機溶剤としてのテルピネオールを混練して作製したガラスペーストをスクリーン印刷法にて敷設し、１５０℃に加熱して有機溶剤を乾燥させたあと、５５０℃で３０分間脱脂処理を施し、さらに７００〜９００℃の温度で焼き付けを行うことにより、ガラスからなる厚み２００μｍの絶縁層４を形成した。ついで絶縁層４上に発熱抵抗体５を被着するため、導電材として２０重量％のＡｕ粉末と１０重量％のＰｔ粉末と７０重量％のガラスを所定量のバインダおよび溶剤と混合したペーストを、スクリーン印刷法にて所定のパターン形状に印刷したあと、１５０℃に加熱して有機溶剤を乾燥させ、さらに４５０℃で３０分間脱脂処理を施したあと、５００〜７００℃の温度で焼き付けを行うことにより、厚みが５０μｍの発熱抵抗体５を形成した。」（段落【００５７】）と記載され、
図１には、均熱板２の一方の主面をウエハＷを載せる載置面３とするとともに、他方の主面に絶縁層４を介して発熱抵抗体５を形成したものが図示されている。
　　
　そうすると、引用発明において、内部に抵抗発熱体を埋設したヒーターの加熱面を板状部材の凹部の面に当接するのに代えて、該板状部材の凹部の面に抵抗発熱体を直接または絶縁層を介して被着して設けることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、上記相違点（イ）に係る本願補正発明の特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物の記載、及び上記周知技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。 
　　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないため、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
 　　 
［３］本願発明 
　平成１８年２月６日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜４に係る発明は、平成１７年１１月１１日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】セラミックスからなる均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面または内部に複数のブロックに分割された発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備し、前記均熱板を保持するケーシングを備えてなるウエハ加熱装置において、前記複数に分割された発熱抵抗体ブロックは、前記発熱抵抗体を形成した面の中心に配置された円形の発熱抵抗体ブロックと、その外側に同心円状に配置された２つの環状の発熱抵抗体ブロックとからなり、最外周の前記環状の発熱抵抗体ブロックが径方向に分割された複数の発熱抵抗体ブロックからなることを特徴とするウエハ加熱装置。」
 　　 
［４］引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物には、上記［２−３］（２）に摘記した事項が記載されている。 
 　　 
［５］対比・判断 
　本願発明は、上記［３］で認定したとおり、本願補正発明における発熱体を有する場所を「均熱板の・・・他方の主面」のみならず、「均熱板の・・・内部」にも広げて、「均熱板の・・・他方の主面または内部に・・・発熱体を有する」とし、且つ、均熱板の他方の主面に設けられる発熱抵抗体の形態についての「発熱抵抗体が直接または絶縁層を介して被着されている」との限定を省き、単に「発熱抵抗体を有する」としたものである。
　そうすると、本願発明は、本願補正発明の引用発明との相違点（イ）に係る、均熱板の他方の主面に発熱抵抗体が直接または絶縁層を介して被着されていることを発明特定事項としておらず、引用発明と実質的に相違しない発明の態様を包含しているといえる。
　　
［６］むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。