【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の製法により製造された半導体素子を特徴付ける第１の物理パラメータ群と、半導体素子の特性を表すためのデバイスモデルに含まれるモデルパラメータ群であって該第１の製法により製造された半導体素子を表すための第１のモデルパラメータ群と、第２の製法により製造された半導体素子を特徴付ける第２の物理パラメータ群とを入力し、該第２の製法により製造された半導体素子の特性を該デバイスモデルによって表すためのモデルパラメータ群を、該第１の物理パラメータ群及び該第１のモデルパラメータ群並びに該第２の物理パラメータ群に基づいて決定するとともに第２のモデルパラメータ群として出力するモデルパラメータ決定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】モデルパラメータ決定装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
本発明のモデルパラメータ決定装置は、半導体集積回路の設計における回路シミュレーションに適用することができる。
なお、本発明において、下記の形態が可能である。
［形態１］
第１の製法により製造された半導体素子を特徴付ける第１の物理パラメータ群と、半導体素子の特性を表すためのデバイスモデルに含まれるモデルパラメータ群であって該第１の製法により製造された半導体素子を表すための第１のモデルパラメータ群と、第２の製法により製造された半導体素子を特徴付ける第２の物理パラメータ群とを入力し、該第２の製法により製造された半導体素子の特性を該デバイスモデルによって表すためのモデルパラメータ群を、該第１の物理パラメータ群及び該第１のモデルパラメータ群並びに該第２の物理パラメータ群に基づいて決定するとともに第２のモデルパラメータ群として出力するモデルパラメータ決定装置。
［形態２］
前記第２のモデルパラメータ群に含まれるモデルパラメータを、前記第１の物理パラメータ群に含まれる物理パラメータ及び前記第２の物理パラメータ群に含まれる物理パラメータ並びに前記第１のモデルパラメータ群に含まれるモデルパラメータを引数に含む物理モデルに基づく関数によって決定する、形態１に記載のモデルパラメータ決定装置。
［形態３］
前記関数は、前記デバイスモデルを規定する関数に基づいて導出されたものである、形態２に記載のモデルパラメータ決定装置。
［形態４］
前記第２の製法により製造された半導体素子について測定された特性に対して前記第２のモデルパラメータ群をフィッティングするフィッティング部をさらに備えている、形態１ないし３のいずれか一に記載のモデルパラメータ決定装置。
［形態５］
前記関数は、前記第２のモデルパラメータ群に含まれるモデルパラメータであって前記関数によって決定されるモデルパラメータ以外のモデルパラメータを、さらに引数に含む、形態２ないし４のいずれか一に記載のモデルパラメータ決定装置。
［形態６］
逆短チャネル効果の強さを決定するモデルパラメータ、短チャネル効果の強さを決定する特性長又はその特性長を補正するモデルパラメータ、及び、ＤＩＢＬのゲート長依存性を決定する特性長又はその特性長を補正するモデルパラメータのそれぞれを決定する関数は、ゲート長の短い領域における平均不純物濃度の増加分が実効チャネル長の逆数に比例する物理モデルに基づいて表され、
逆短チャネル効果の強さを決定するモデルパラメータは、逆短チャネル効果の強さがチャネル不純物濃度の逆数に比例するように、チャネル不純物濃度に相当するパラメータを引数に含む関数によって決定され、
短チャネル効果の強さを決定する特性長又はその特性長を補正するモデルパラメータ、及び、ＤＩＢＬのゲート長依存性を決定する特性長又はその特性長を補正するモデルパラメータのうちの少なくともいずれかは、特性長が前記平均不純物濃度の−１／４乗に比例するように、逆短チャネル効果の強さを決定するモデルパラメータを引数に含む関数によって決定される、形態５に記載のモデルパラメータ決定装置。
［形態７］
前記短チャネル効果を決定する特性長又はその特性長を補正するモデルパラメータ、及び、前記ＤＩＢＬのゲート長依存性を決定する特性長又はその特性長を補正するモデルパラメータのうちの少なくともいずれかを決定する関数は、基板表面近傍の領域及びさらに深い領域における不純物分布の影響を考慮したモデルに基づいて表されている、形態６に記載のモデルパラメータ決定装置。
［形態８］
ユーザによって指定された関数を前記関数とする関数入力部をさらに備えている、形態２ないし７のいずれか一に記載のモデルパラメータ決定装置。
［形態９］
ＣＰＵが、第１の製法により製造された半導体素子を特徴付ける第１の物理パラメータ群と、半導体素子の特性を表すためのデバイスモデルに含まれるモデルパラメータ群であって該第１の製法により製造された半導体素子を表すための第１のモデルパラメータ群と、第２の製法により製造された半導体素子を特徴付ける第２の物理パラメータ群とを記憶装置から読み出す工程と、
ＣＰＵが、前記第２の製法により製造された半導体素子の特性を前記デバイスモデルによって表すためのモデルパラメータ群を前記第１の物理パラメータ群及び前記第１のモデルパラメータ群並びに前記第２の物理パラメータ群に基づいて決定するとともに第２のモデルパラメータ群として出力するパラメータ決定工程と、を含むモデルパラメータ決定方法。
［形態１０］
前記パラメータ決定工程において、前記第２のモデルパラメータ群に含まれるモデルパラメータを、前記第１の物理パラメータ群に含まれる物理パラメータ及び前記第２の物理パラメータ群に含まれる物理パラメータ並びに前記第１のモデルパラメータ群に含まれるモデルパラメータを引数に含む物理モデルに基づく関数によって決定する、形態９に記載のモデルパラメータ決定方法。
［形態１１］
前記関数は、前記デバイスモデルを定義する関数に基づいて導出されたものである、形態１０に記載のモデルパラメータ決定方法。
［形態１２］
前記第２の製法により製造された半導体素子について測定された特性に対して前記第２のモデルパラメータ群をフィッティングする工程をさらに含む、形態９ないし１１のいずれか一に記載のモデルパラメータ決定方法。
［形態１３］
第１の製法により製造された半導体素子を特徴付ける第１の物理パラメータ群と、半導体素子の特性を表すためのデバイスモデルに含まれるモデルパラメータ群であって該第１の製法により製造された半導体素子を表すための第１のモデルパラメータ群と、第２の製法により製造された半導体素子を特徴付ける第２の物理パラメータ群とを記憶装置から読み出す処理と、
前記第２の製法により製造された半導体素子の特性を前記デバイスモデルによって表すためのモデルパラメータ群を、前記第１の物理パラメータ群及び前記第１のモデルパラメータ群並びに前記第２の物理パラメータ群に基づいて決定するとともに第２のモデルパラメータ群として出力するパラメータ決定処理と、をコンピュータに実行させるプログラム。
［形態１４］
前記パラメータ決定処理において、前記第２のモデルパラメータ群に含まれるモデルパラメータを、前記第１の物理パラメータ群に含まれる物理パラメータ及び前記第２の物理パラメータ群に含まれる物理パラメータ並びに前記第１のモデルパラメータ群に含まれるモデルパラメータを引数に含む物理モデルに基づく関数によって決定する処理をコンピュータに実行させる、形態１３に記載のプログラム。
［形態１５］
前記関数は、前記デバイスモデルを定義する関数に基づいて導出されたものである、形態１４に記載のプログラム。
［形態１６］
前記第２の製法により製造された半導体素子について測定された特性に対して前記第２のモデルパラメータ群をフィッティングする処理をさらにコンピュータに実行させる、形態１３ないし１５のいずれか一に記載のプログラム。