【事件の表示】
　特願２００４−３８２１２４「液晶表示素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月１３日出願公開、特開２００５−２８４２５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　　　平成１６年１２月２８日
（パリ条約による優先権主張　　２００４年　３月３０日　大韓民国）
　拒絶理由通知発送　　　　　　平成１９年１１月１３日
　手続補正　　　　　　　　　　平成２０年　３月１２日
　拒絶査定謄本送達　　　　　　平成２０年　５月　７日
　審判請求　　　　　　　　　　平成２０年　８月　５日
　手続補正　　　　　　　　　　平成２０年　８月　５日
　
II．平成２０年８月５日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成２０年８月５日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成２０年８月５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】
　第１基板上に形成されたゲート配線と、
　前記ゲート配線を含む全面に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート配線に交差して画素を定義するデータ配線と、
　前記ゲート配線及び前記データ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスターと、
　前記薄膜トランジスターを含む全面に無機絶縁物質で形成された保護膜と、
　前記保護膜上に形成されて前記薄膜トランジスターのドレイン電極に接続され、前記データ配線と離隔された画素電極と、
　前記ゲート配線に平行しながら、前記ゲート配線と前記画素電極との間に位置して、前記画素電極と離隔された共通配線と、
　前記データ配線と前記画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するために前記データ配線と前記画素電極との間に形成され、電圧が印加される遮光金属と
　を含み、
　前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記共通配線から突出して前記共通配線と一体に形成されることを特徴とする液晶表示素子。」と補正することを含むものであって、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
２．刊行物
　原査定において引用された特開平５−２０３９９４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
Ａ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関するもので、特に薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。」
　
Ｂ　「【００１９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の液晶表示装置においては、寄生容量に起因して、輝度むらやクロストークが発生するという問題があった。
【００２０】また、画素がますます微細化すると、画素電極やブラックマトリックスのパターン精度やアライメントトレランスがますます厳密でシビアーなものになり、その製造がますます困難なものとなるという問題があった。
００２１】本発明は、このような問題を解決するために成されたもので、その目的は、画素電極とこれに近接する走査線や信号線との間の寄生容量を低減して、表示画像の輝度むらやクロストークを解消し良好な画像表示を実現する液晶表示装置を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置は、列設された走査線とこれに交差して列設された信号線と前記走査線および前記信号線に接続された薄膜トランジスタ素子とこれに接続された画素電極とを有するアレイ基板と、これに対向する対向電極を有する対向基板と、前記アレイ基板および前記対向基板の間に挟持された液晶層とを備え、前記画素電極の周縁部の少なくとも一部に重なり、かつ前記走査線および前記信号線のうち少なくとも一方に重なるように配設された静電遮蔽性を有するシールド電極を前記アレイ基板上に具備することを特徴としている。
【００２３】なお、前記のシールド電極は、光遮断性の高い材質から形成し、走査線や信号線と画素電極との間の間隙部分の光透過を遮断する遮光膜、いわゆるブラックマスクとして兼用するようにしてもよい。
【００２４】また、前記のシールド電極は、画素の液晶容量に並列に接続された補助容量や蓄積容量の一方の電極として兼用するようにしてもよい。
【００２５】また、前記のシールド電極は、電気的にフローティング状態としてもよく、あるいは電圧を印加してもよい。
【００２６】
【作用】画素電極と走査線との間や、画素電極と信号線との間に形成される寄生容量は、２つの電極の形状、その周囲の物質の誘電率などにより決定される電気力線により大きく左右される。
【００２７】そこで例えば画素電極と信号線の２つの電極の間に定電位に設定されたシールド電極を配設すると、画素電極と信号線との間に連なろうとする電気力線がこのシールド電極の静電遮蔽効果によって遮断され、あるいは減少する。
【００２８】このような静電遮蔽効果は、例えば画素電極と信号線の 2つの電極の間を遮るようにシールド電極が配置される場合だけでなく、 2つの電極それぞれの上方または下方に絶縁層などを介して重なるように配置される場合にも十分効果的に起こる。そしてこのような電気力線の遮断あるいは減少により、例えば画素電極と信号線の２つの電極の間の寄生容量は解消される。
【００２９】本発明の液晶表示装置は、そのような画素電極の周縁部の少なくとも一部に重なり、かつ走査線および信号線のうち少なくとも一方に重なるように配設されたシールド電極により寄生容量を解消して、輝度むらやクロストークの発生を避け高品位な画像表示を実現することができる。
【００３０】また、このシールド電極を光遮断性の高い材質から形成すれば、このシールド電極は上記のように画素電極と走査線や信号線とに重なるように配設されているので、いわゆるブラックマトリックスのような遮光膜として兼用することもできる。
【００３１】また、このシールド電極は上記のように画素電極と一部重なるように配置しているので、この画素電極と一部重なる部分で絶縁膜などを誘電体として用いた補助容量を形成する補助容量用電極として兼用することもできる。」
　
Ｃ　「【００６４】（実施例６）図１１は第６の実施例の液晶表示装置の一画素部分の構成を示す平面図、図１２（ａ）はその層構造を示すＡ−Ａ´断面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ´断面図である。なお、第１の実施例、第５の実施例等と同じ構成部分は、図１、２、９、１０等と同じ番号を付して示している。」
　
Ｄ　「【００８４】続いて裏面露光、マスク露光した後、イメージリバースベークを行い、全面露光することによりパターンを形成する。このような製造方法は、シールド電極８１３と走査線１０３とを重ねない構造の液晶表示装置の製造に適しており、またＩＴＯ膜からなる画素電極１０９を信号線１０５よりも先に形成する場合にも用いることができる。また、補助容量５１７の大部分は最後のマスク露光により形成することができる。
（実施例９）図１６は第９の実施例の液晶表示装置の一画素部分の層構造を示す断面図である。なお、第１の実施例、第６の実施例等と同じ構成部分は、図１、２、１１、１２等と同じ番号を付して示している。
【００８５】第６の実施例の液晶表示装置では、前述のようにパッシベーション層のパターンニングを含めて７工程のパターンニング工程を必要としていた。しかしこのような構成の液晶表示装置では、ａ−Ｓｉ層を島状に残す工程を省略することができることを、本発明者らは研究の結果明らかにした。このような６工程のパターンニング工程の製造方法を、図１６に基づいて説明する。
【００８６】ガラス基板１０１上にＭｏ−Ｔａ合金を２５０ｎｍ堆積し、これをパターンニングして走査線１０３とシールド電極６１３とを同時に形成する。
【００８７】続いてこれらの上にゲート絶縁層１１１となるＳｉＯx を１３０ｎｍずつ２回に分けて堆積する。
【００８８】次いでＩＴＯ膜を堆積しこれをパターンニングして画素電極１０９を形成した後、これを覆うようにゲート絶縁層１１１となるＳｉＯx 、ＳｉＮx をそれぞれ９０ｎｍ、５０ｎｍ堆積する。
【００８９】前記の２００ｎｍのＳｉＯx とこのＳｉＯx 、ＳｉＮx とでゲート絶縁層１１１が形成され、その層中に画素電極１０９が内設される。
【００９０】連続して、このゲート絶縁層１１１の上に活性層１６０１のａ−Ｓｉ、チャネル保護層１６０３としてのＳｉＮx をそれぞれ５０ｎｍ、２００ｎｍ堆積する。
【００９１】そしてチャネル保護層１６０３のＳｉＮx を島状にエッチング形成した後、オーミックコンタクト層１６０５としてのｎ+ ａ−Ｓｉ層を５０ｎｍ堆積する。
【００９２】この後、画素電極１０９および走査線１０３の取りだし部分にスルーホール１６０７を形成する。このときスルーホール１６０７は最上部のｎ+ ａ−Ｓｉ層からゲート絶縁層１１１のＳｉＯx 膜まで連続的にエッチングして穿設する。
【００９３】次いで、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏを堆積し、これをパターンニングして信号線１０５およびドレイン電極１６０９、ソース電極１６１１を形成する。
【００９４】しかる後、信号線１０５等をマスクとして用いてＴＦＴ１０７のソース電極１６１１とドレイン電極１６０９との間のｎ+ ａ−Ｓｉ層をチャネル保護層１６０３とは選択的にエッチング除去し、また画素電極１０９上のａ−Ｓｉ層をエッチング除去して、ＴＦＴアレイを形成する。
【００９５】さらにＴＦＴ１０７上にＳｉＮx を２００ｎｍ堆積した後、各電極取り出し部分および画素電極１０９上のＳｉＮx をエッチングにより除去した。その際、同時に画素電極１０９上のＳｉＯx もエッチングにより除去する。」
　
Ｅ　「【０１０１】また、図２２に示すような構成にすれば、ソース電極１６１１と画素電極１０９を接続する側のスルーホールと走査線１０３の取り出し部分とを同一工程で形成し、５回のパターンニング工程でＴＦＴアレイが形成できるので生産性がさらに向上する。このときエッチングはＲＩＥによりパッシベーション層１６１５のＳｉＮx 膜からゲート絶縁層１１１のＳｉＮx 膜まで行ない、続いてＢＨＦでＳｉＯx 膜をエッチングした後、前記と同様なＣＤＥ処理を施すことにより庇状の突出のない形状が得られた。
【０１０２】特に、図２２に示す例は画素電極１０９をパッシベーション層１６１５上に形成したもので、補助容量の誘電体として用いられる絶縁膜の厚さの総和を大きくすることができるので、例えばシールド電極６１３と画素電極１０９との重なりを大きく取らねばならずしかも補助容量の値を抑制したい場合などに特に有効である。」
　
　上記記載のＢによれば、引用刊行物には、
「列設された走査線とこれに交差して列設された信号線と前記走査線および前記信号線に接続された薄膜トランジスタ素子とこれに接続された画素電極とを有するアレイ基板を備え、前記画素電極と前記信号線の２つの電極の間の寄生容量を解消するために、前記画素電極の周縁部の少なくとも一部に重なり、かつ前記信号線に重なるように配設され、静電遮蔽性を有し補助容量用電極として兼用されるシールド電極を前記アレイ基板上に具備する液晶表示装置」が記載されているものと認められる。
　そして、上記記載のＣ及び図１１によれば、上記画素電極が符号１０９として示され、信号線１０５と離隔して形成されていることが見て取れるとともに、上記シールド電極は、符号６１３で示されるように、走査線１０３に平行する部分と信号線１０５に沿う部分とで一体的に形成され、前記信号線１０５に沿う部分は、信号線１０５と画素電極１０９の間隙部分を含み信号線１０５と画素電極１０９に重なって形成されていることが見てとれる。
　また、上記記載のＥ及び図２２によれば、上記Ｄの記載も参酌すると、上記アレイ基板の層構造は、Ｍｏ−Ｔａ合金の走査線１０３及びシールド電極６１３が形成されたガラス基板１０１上にゲート絶縁層１１１が堆積され、このゲート絶縁層１１１上に活性層１６０１、ソース電極１６１１及びドレイン電極１６０９で構成される薄膜トランジスタ素子１０７及びソース電極１６１１と一体の信号線１０５が形成され、その上にＳｉＮx でなるパッシベーション層１６１５が形成され、さらにその上にスルーホールによりドレイン電極に接続される画素電極１０９が形成されたものであり得ることが理解される。
　
　以上のことから、引用刊行物には、
「ガラス基板上に形成された走査線と、
　前記走査線を含む全面に形成されたゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上で前記走査線に交差して列設された信号線と、
　前記走査線および前記信号線に接続された薄膜トランジスタ素子と、
　前記薄膜トランジスタ素子を含む全面に形成されたＳｉＮx でなるパッシベーション層と、
　前記パッシベーション層上に形成されてドレイン電極に接続され、前記信号線と離隔された画素電極と、
　前記信号線と前記画素電極の間の寄生容量を解消するために補助容量用電極と兼用されて形成された電極であって、前記画素電極と前記信号線の間隙部分を含み前記画素電極の周縁部と前記信号線に重なって形成されたＭｏ−Ｔａ合金のシールド電極と、
　を含み、
　前記シールド電極は、前記走査線に平行する部分と前記信号線に沿う部分とが一体的に形成されている液晶表示装置。」の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
３．対比
　本願補正発明と刊行物発明を対比する。
Ａ　刊行物発明の「ガラス基板」、「走査線」、「ゲート絶縁層」、「信号線」、「薄膜トランジスタ素子」、「ＳｉＮx でなるパッシベーション層」、「画素電極」及び「液晶表示装置」が本願補正発明の「第１基板」、「ゲート配線」、「ゲート絶縁膜」、「データ配線」、「薄膜トランジスター」、「無機物質で形成された保護膜」、「画素電極」及び「液晶表示素子」にそれぞれ相当することは明らかである。
　
Ｂ　刊行物発明の「シールド電極」は、「前記信号線と前記画素電極の間の寄生容量を解消するために」形成されたものであるから、本願補正発明の「遮光金属」と同様に、「前記データ配線と前記画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するために」形成されたものであるといえる。
　また、刊行物発明の「シールド電極」は、「前記画素電極と前記信号線の間隙部分」に形成されているから、本願補正発明の「遮光金属」と同様に、「前記データ配線と前記画素電極との間に」形成されたものであるといえる。
　また、刊行物発明の「シールド電極」は、「補助容量用電極と兼用」される電極であるから、本願補正発明の「遮光金属」と同様に、「電圧が印加される」ものであるといえる。
　また、刊行物発明の「シールド電極」は、「Ｍｏ−Ｔａ合金」であるから、本願補正発明と同様に「遮光金属」であるといえる。
　以上のことから、刊行物発明の「シールド電極」は、本願補正発明の「遮光金属」と同様、「前記データ配線と前記画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するために前記データ配線と前記画素電極との間に形成され、電圧が印加される遮光金属」であるといえる。
　
Ｃ　刊行物発明の「シールド電極」の「走査線に平行する部分」は、補助容量電極における共通配線部分ということができ、本願補正発明と同様に「共通配線」といえる。
　
Ｄ　刊行物発明の「シールド電極」の「信号線に沿う部分」は、「走査線に平行する部分」から突出しているといえ、また、「走査線に平行する部分」と一体に形成されているから、刊行物発明は、本願補正発明の「前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記共通配線から突出して前記共通配線と一体に形成される」との事項を備えているといえる。
　
　以上のことから、両者は、ともに
「第１基板上に形成されたゲート配線と、
　前記ゲート配線を含む全面に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート配線に交差して画素を定義するデータ配線と、
　前記ゲート配線及び前記データ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスターと、
　前記薄膜トランジスターを含む全面に無機絶縁物質で形成された保護膜と、
　前記保護膜上に形成されて前記薄膜トランジスターのドレイン電極に接続され、前記データ配線と離隔された画素電極と、
　前記ゲート配線に平行する共通配線と、
　前記データ配線と前記画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するために前記データ配線と前記画素電極との間に形成され、電圧が印加される遮光金属と
　を含み、
　前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記共通配線から突出して前記共通配線と一体に形成される液晶表示素子。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点
　共通配線について、本願補正発明は、「前記ゲート配線と前記画素電極との間に位置して、前記画素電極と離隔された」とされているのに対し、刊行物発明の「シールド電極」の「走査線に平行する部分」は、引用刊行物の図１１に見られるように、画素電極の周辺部に重なっている点。
　
４．相違点についての検討
　上記相違点について検討する。
　例えば、実願平５−４６５８４（実開平７−１４４３７号）のＣＤ−ＲＯＭの図２には、補助容量ラインがゲート配線と画素電極の間に位置し、画素電極と離隔する構成が記載されているところであり、刊行物発明において、シールド電極の走査線に平行する部分を画素電極と重なるようにするか、画素電極から離隔するようにするかは単なる設計事項にすぎず、本願補正発明のように、画素電極から離隔する構成を採用することに格別の困難性は認められない。
　そして、本願明細書には、共通配線を本願補正発明のように画素電極と離隔した構成としたことについての作用・効果は記載されておらず、本願補正発明が奏する効果は、上記引用刊行物に記載されている程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、上記引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年８月５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年３月１２日に補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「第１基板上に形成されたゲート配線と、
　前記ゲート配線を含む全面に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート配線に交差して画素を定義するデータ配線と、
　前記ゲート配線に平行しながら、前記ゲート配線と隣接した共通配線と、
　前記ゲート配線及び前記データ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスターと、
　前記薄膜トランジスターを含む全面に無機絶縁物質で形成された保護膜と、
　前記保護膜上に形成されて前記薄膜トランジスターのドレイン電極に接続され、前記データ配線と離隔された画素電極と、
　前記データ配線と前記画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するために前記データ配線と前記画素電極との間に形成され、電圧が印加される遮光金属と
　を含み、
　前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記共通配線から突出して前記共通配線と一体に形成されることを特徴とする液晶表示素子。」
　
２．引用例　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１２２０９３号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
Ａ　「【００２８】（実施形態１）図１は、実施形態１の反射型液晶表示装置のＡ−Ａ断面図であり、図２はその平面図である。ガラスなどからなる絶縁性の基板１上に、アルミ、タンタルなどからなる複数の走査配線２が互いに平行に設けられ、走査配線２からはゲート電極３が分岐している。また、走査配線２と同一の材料からなる遮光膜３１が配置される。走査配線２、ゲート電極３、遮光膜３１を覆って基板１上の全面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜４が形成されている。ゲート電極３の上方のゲート絶縁膜４上には、ａ−Ｓｉなどからなる半導体活性層５が形成されている。半導体活性層５の両端部には、不純物イオンを添加したａ−Ｓｉ、微結晶シリコンなどからなるコンタクト層６が形成されている。一方のコンタクト層６上には、アルミ、タンタルなどからなるソース電極７が形成され、他方のコンタクト層６上にも、ソース電極７と同じ材料からなるドレイン電極８が重畳形成されている。
【００２９】図２に示すように、ソース電極７には、走査配線２に前述のゲート絶縁膜４をはさんで交差する信号配線１０が接続されている。信号配線１０もソース電極７と同じ透明導電材料で形成されている。ゲート電極３、ゲート絶縁膜４、半導体活性層５、コンタクト層６、ソース電極７およびドレイン電極８はＴＦＴ１１を構成し、ＴＦＴ１１はスイッチング素子の機能を有する。
【００３０】走査配線２、信号配線１０、ＴＦＴ１１を覆って、基板１上全面に窒化シリコンなどの無機材料、もしくは有機材料からなる層間絶縁膜１２が形成されている。層間絶縁膜１２上には、アルミなど反射率の高い材料からなる反射画素電極１３が形成されている。ドレイン電極８部分には、コンタクトホール１４が形成され、反射画素電極１３とドレイン電極８が接続されている。さらにその上には配向膜が形成される。このようにして、アクティブマトリクス基板が形成される。
　…
【００３３】次に、実施形態１の反射型液晶表示装置の製造方法について説明する。アクティブマトリクス基板側の基板１上にスパッタリング法により、膜厚１００〜５０００ｎｍのアルミ合金を堆積する。フォトリソグラフィー法とＲＩＥ（反応性イオンエッチング法：Ｒｉａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法を用いて走査配線２およびゲート電極３および遮光膜２０を形成する。続いて、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜４となるＳｉＮｘ膜、半導体活性層５となるａ−Ｓｉ膜、コンタクト層６となるｎ+添加微結晶シリコン膜（以下ｎ+膜）を積層する。膜厚はＳｉＮｘ膜が３００ｎｍ、ａ−Ｓｉ膜が２００ｎｍ、ｎ+膜が５０ｎｍである。フォトリソグラフィー法とＲＩＥ法を用いてａ−Ｓｉ膜とｎ+膜を島状に加工する。」
　
Ｂ　「【００３８】（実施形態２）図３は、実施形態２の平面図である。実施形態１と異なる点は、信号配線１０をＩＴＯなどの透明導電材料で形成し、走査配線２と同層で同一材料からなる実施形態１の遮光膜３１をつなげたことである。」
　
Ｃ　「【００４１】（実施形態３）図４は、実施形態３の平面図である。実施形態２と異なる点は、走査配線２と同層で同一材料からなる実施形態２の遮光膜３１が、走査配線２と電気的に接続されていることである。」
　
Ｄ　「【００４３】（実施形態４）図５は、実施形態４の反射型液晶表示装置のＡ−Ａ断面図であり、図６はその平面図である。実施形態３と異なる点は、走査配線２と同層で同一材料からなる実施形態３の遮光膜３１を、ＴＦＴ１１の近傍領域にも遮光膜３１ａを形成することである。」
　
Ｅ　「【００４９】（実施形態７）図１０は、実施形態７の平面図である。実施形態４と異なる点は、走査配線２と同一材料からなる遮光膜３１を、反射画素電極１３の中程にある共通配線１９に電気的に接続されていることである。共通配線１９は、走査配線２と同一材料で、走査配線と同工程で形成されており、反射画素電極１３の下方に走査配線２と平行となるように形成されている。そして、共通配線１９と、ドレイン電極８が延在した接続電極とが重なることで、補助容量が形成されている。」
　
　図１０においては、共通配線１９が遮光膜３１を横切るものであるかのように図示されているが、上記Ｅに記載されるように「共通配線１９は、走査配線２と同一材料で、走査配線と同工程で形成され」、また、上記Ａ〜Ｄに記載されるように、「遮光膜３１」は、「走査配線２と同層で同一材料」であり、上記Ａの段落【００３３】の記載によれば、走査配線と遮光膜は同工程で形成されるから、引用例において、共通配線１９と遮光膜３１は、同工程で一体に形成されるものであると認められる。
　したがって、上記Ａ〜Ｄの記載を参照して上記Ｅの記載及び図１０をみれば、引用例には、
「基板１上にアルミ、タンタルなどからなる走査配線２、ゲート電極３、共通配線１９及び遮光膜３１が設けられ、その上にゲート絶縁膜４が設けられ、その上に、半導体活性層５、ソース電極７及びドレイン電極が形成されてＴＦＴ１１が構成され、ソース電極７に接続される信号配線１０が形成され、これらの上に、窒化シリコンなどの無機材料からなる層間絶縁膜１２が形成され、その上にコンタクトホール１４を通じてドレイン電極８に接続される反射画素電極１３が形成され、
　前記共通配線１９は、前記走査配線２に平行に形成されて補助容量を形成し、
　前記遮光膜３１は、前記信号配線１０と前記反射画素電極１３の間隙部分を含み信号配線１０に沿って前記共通配線１９から突出して前記共通配線１９と一体に形成されている反射型液晶表示装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「基板１」、「走査配線２」、「ゲート絶縁膜４」、「信号配線１０」、「共通配線１９」、「ＴＦＴ１１」、「層間絶縁膜１２」、「反射画素電極１３」、「遮光膜３１」及び「反射型液晶表示装置」がそれぞれ本願発明の「第１基板」、「ゲート配線」、「ゲート絶縁膜」、「データ配線」、「共通配線」、「薄膜トランジスター」、「保護膜」、「画素電極」、「遮光金属」及び「液晶表示素子」に相当するところであり、両者はともに、
「第１基板上に形成されたゲート配線と、
　前記ゲート配線を含む全面に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート配線に交差して画素を定義するデータ配線と、
　前記ゲート配線に平行した共通配線と、
　前記ゲート配線及び前記データ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスターと、
　前記薄膜トランジスターを含む全面に無機絶縁物質で形成された保護膜と、
　前記保護膜上に形成されて前記薄膜トランジスターのドレイン電極に接続され、前記データ配線と離隔された画素電極と、
　前記データ配線と前記画素電極との間に形成され、電圧が印加される遮光金属と
　を含み、
　前記遮光金属は、前記データ配線に沿って前記共通配線から突出して前記共通配線と一体に形成される液晶表示素子。」の点で一致する一方、次の点で相違する。
　
ａ．前記共通配線について、本願発明は、「前記ゲート配線と隣接した」とされているのに対し、引用発明は、引用例の図１０に見られるように、画素の中央部に設けられている点。
ｂ．前記遮光金属について、本願発明は、「前記データ配線と前記画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するため」とされているのに対し、引用例の記載からは、引用発明の遮光膜３１がこのようなものであるか不明な点。
　
４．相違点についての検討
　相違点ａについて検討する。
　補助容量のための共通配線をゲート配線に隣接して設ける構造は、例えば、原査定において引用した上記引用刊行物（特開平５−２０３９９４号公報）の図９、１１、１３及び１５に見られるように、また、同じく原査定において引用した特開平１０−８２９９６号公報の図１及び３に見られるように周知であるから、引用発明における共通配線を走査配線に隣接するものとすることは、当業者が容易に採用し得たものと認められる。
　
　相違点ｂについて検討する
　引用発明の遮光膜３１は、信号配線１０と反射画素電極１３の間隙部分に形成されている金属膜であるから、本願明細書の記載によれば、本願発明と同様に、信号配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止する作用を有することは明らかであり、また、上記引用刊行物には、上記II．［II］２．及び３．Ｂにおいて指摘したように、信号配線と画素電極との間の寄生キャパシタンスを防止するためにシールド電極を設けることも記載されているところであるから、この点ｂは、実質的な相違点とはいえない。　
　　
　また、本願発明が奏する効果についても、上記引用例及び上記周知技術に係る刊行物に記載された事項に基づき、当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。