【事件の表示】
　平成　９年特許願第　２５６５９号「半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　８月２１日出願公開、特開平１０−２２３９２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年２月７日に特許出願したものであって、平成１６年１２月１日付で拒絶査定がなされ、これに対して平成１７年１月６日付で拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、平成１６年３月３日付手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
「【請求項１】ＧａＡｓ基板（格子定数ａ0）上に第１導電型ＡｌxＧａ１−xＡｓ（０．５≦ｘ≦１）第１クラッド層（格子定数ａ1）、第１導電型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第２クラッド層（格子定数ａ2）、（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性層（格子定数ａ3）、第２導電型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第１クラッド層（格子定数ａ4）および第２導電型ＡｌyＧａ１−yＡｓ第２クラッド層（格子定数ａ5）を有し、該（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性層（格子定数ａ3）を該第１導電型のＡｌxＧａ１−xＡｓ第１クラッド層（格子定数ａ1）に、格子不整合率（ａ1−ａ3）／ａ1が−０.００５≦（ａ1−ａ3）／ａ1≦０.００２となる様に格子整合させてなること、及び、前記ＧａＡｓ基板（格子定数ａ0）、第１導電型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第２クラッド層（格子定数ａ2）及び（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性層（格子定数ａ3）の格子定数の大小関係が、ａ0＜ａ2かつａ0＜ａ3であることを特徴とする半導体発光装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物の記載事項
　原審における拒絶理由に引用した特開昭６１−２８０６９４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（ア）「（実施例）
　以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。
　第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図（ａ），（ｂ）は本実施例のエネルギバンドダイヤグラムおよび屈折率ダイヤグラムであり、波長６０５ｎｍで発振する赤色可視半導体レーザの構造を示す。本実施例は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にエピタキシャル成長法により、厚さ１．０μｍのｎ型Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓ層２、薄い厚さ０．１μｍのｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層３、厚さ０．２μｍのアンドープ（Ａｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層４、薄い厚さ０．１μｍのｐ型（Ａ１０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層５、厚さ１．０μｍのｐ型Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓ層６、厚さ１．０μｍのｐ型ＧａＡｓキャップ層７を順次成長する。・・・。各層のうちレーザ活性層は、アンドープ（Ａｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層４で、ここに注入キャリアおよび発光された光が閉じこめられて、レーザ発振を生ずる。
　エピタキシャル法により各層が形成されたのち、ストライプ状窓１１をもつＳｉＯ２膜８、Ａｕ／Ｚｎ合金によるｐ電極９、Ａｕ／Ｇｅ合金によるｎ電極１０を形成し、アンドープ（Ａｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層４のストライプ状部分に電流注入励起して効率よい発振が可能となるようにする。
　第２図（ａ）の成長層方向の距離に対するエネルギバンドダイヤグラムにおいて、（Ａｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層４よりもエネルギギャップの大きな（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐによるクラッド層３，５から注入された電子２１およびホール２２は、活性層４に閉じこめられる。」（第２頁右下欄第１０行〜第３頁右上欄第２行）
　
　上記記載事項を総合すると、引用例１には、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
「ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓ層２、ｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層３、（Ａｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層４、ｐ型（Ａ１０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層５およびｐ型Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓ層６をこの順に積層した半導体発光素子。」
　
　
　同じく、原審における拒絶理由に引用した特開平２−１９４５６５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（イ）「（課題を解決するための手段）
　本発明の特徴は、活性層に接し、かつII−VI族化合物半導体層からなる第１のクラッド層と、第１のクラッド層に接し、かつII族元素の一部が遷移金属に置換された（II族−遷移金属）−VI族化合物半導体層からなる第２のクラッド層とを有し、第１および第２のクラッド層が活性層とほぼ格子整合する半導体で構成されるていることにある。」（第３頁左上欄第１２〜２０行）
（ウ）「（実施例１）
　第３図は、本発明による層構造を有する発光素子の断面を示したもので、１はｎ−ＧａＰ基板、２はｎ−Ｚｎ０．８２Ｍｎ０．１８Ｓ０．９８Ｓｅ０．０１Ｔe０．０１よりなるｎ側外部クラッド層（第２のクラッド層）で厚さ約２μｍ、３はＺｎＳ０．８４Ｓｅ０．１６よりなるｎ側内部クラッド層（第１のクラッド層）で厚さ約０．２μｍ、４はＺｎＳ０．８５Ｓｅ０．０５Ｔe０．１よりなる活性層で厚さ約０．２μｍ、５はＺｎＳ０．８４Ｓe０．１６よりなるｐ側内部クラッド層（第１のクラッド層）で厚さ約０．２μm、６はｐ−Ｚｎ０．８２Ｍｎ０．１８Ｓ０．９８Ｓｅ０．０１Ｔｅ０．０１よりなるｐ側外部クラッド層（第２のクラッド層）で厚さ約２μｍ、７は絶縁膜、８，９は電極である。
　・・・。
　この構造では、基板１およびクラッド層（２，３，５，６）、活性層４の格子定数はほぼ整合しており、・・・」（第３頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第１７行）
（エ）「（実施例４）
　基板がＧａＡｓ、ＧｅまたはＺｎＳｅの場合には、活性層組成をＺｎＳ（１−x−y)ＳexＴey（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０．８≦ｘ＋２．６ｙ≦１）とし、内部クラッド層組成をＺｎＳ（１−ｐ−ｑ）ＳｅｐＴｅｑ（０≦ｐ≦１，０≦ｑ≦１，０．８≦ｐ＋２．６ｑ≦１）、外部クラッド層組成をＺｎ（１−ｗ’）Ｍｎｗ’Ｓ（１−ｐ’−q’）Ｓeｐ’Ｔｅｑ’（ｏ≦ｐ’≦１、０≦ｑ’≦１、０．０５≦ｗ’≦０．５、０．５≦ｐ’＋２．６ｑ’≦０．８）とすることにより、基板とほぼ格子整合し、キャリア閉じ込めが十分で、伝導形制御の容易な層構造を持つ半導体発光素子が実現できる。」（第５頁左上欄第１６行〜同頁右上欄第６行）
　
　
３．対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「ｎ型ＧａＡｓ基板」、「ｎ型」、「ｐ型」、「ｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層３」、「（Ａｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層４」、「ｐ型（Ａ１０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層５」、「ｐ型Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓ層６」及び「半導体発光素子」は、それぞれ、本願発明における「ＧａＡｓ基板」、「第１導電型」、「第２導電型」、「第１導電型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第２クラッド層」、「（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性層」、「第２導電型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第１クラッド層」、「第２導電型ＡｌyＧａ1-yＡｓ第２クラッド層」及び「半導体発光装置」に相当する。
　また、引用発明１における「ｎ型Ａｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓ層２」は、本願発明における「第１導電型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層」において、ｘ＝０．８としたものに相当し、この点で両者は一致する。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「ＧａＡｓ基板上に第１導電型ＡｌxＧａ１−xＡｓ（ｘ＝０．８）第１クラッド層、第１導電型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第２クラッド層、（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性層、第２導電型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第１クラッド層および第２導電型ＡｌyＧａ1-yＡｓ第２クラッド層を有する半導体発光装置。」
の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
相違点
［相違点１］：本願発明は、（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性層（格子定数ａ3）を第１導電型のＡｌxＧａ１−xＡｓ第１クラッド層（格子定数ａ1）に、格子不整合率（ａ1−ａ3）／ａ1が−０.００５≦（ａ1−ａ3）／ａ1≦０.００２となる様に格子整合させるのに対し、引用発明１がそのような格子整合関係であるか明らかではない点。
［相違点２］：本願発明は、ＧａＡｓ基板（格子定数ａ0）、第１導電型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第２クラッド層（格子定数ａ2）及び（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性層（格子定数ａ3）の格子定数の大小関係が、ａ0＜ａ2かつａ0＜ａ3であるのに対し、引用発明１がそのような格子定数関係であるか明らかではない点。
　
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　活性層と、該活性層と第１のクラッド層（本願発明の「第１導電型の第２クラッド層」に相当。）を挟んで積層された第２のクラッド層（本願発明の「第１導電型の第１クラッド層」に相当。）を有する半導体発光素子において、上記活性層と第１のクラッド層及び第２のクラッド層の格子定数をほぼ整合させるようにするものは引用例２において知られている。一方、引用発明１の半導体発光素子における（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系活性層４と、該活性層４とｎ型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系クラッド層３を挟んで積層されたｎ型ＡｌＧａＡｓ系の層２とは、互いにその格子定数をほぼ一致させ得る半導体組成物であることは周知の技術である（必要なら、特開平８−２１３６４９号公報（【００１１】）、特開平５−３０４３３２号公報（【００５６】、【００５７】）参照）。
　したがって、引用発明１の半導体発光素子において、（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系活性層６とｎ型ＡｌＧａＡｓ系の層２の格子定数をほぼ整合したもので構成し、その格子不整合率の値を所定の範囲に規定して上記相違点１を含む本願発明の技術的事項とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
［相違点２］について
　（ＡｌｙＧａ１−ｙ）ｚＩｎ１−ｚＰの層の格子定数を基板であるＧａＡｓの格子定数より大きくする半導体発光素子の発明は周知であり（必要なら、特開平８−２１３６４９号公報（【００１１】）、特開平４−１３０６８９号公報（第３頁左上欄第２〜５行）、特開平４−１６２４８３号公報（第３頁左上欄第９〜１３行）参照）、この周知の技術を引用発明１に適用して上記相違点２を含む本願発明の技術的事項とすることは当業者が容易になし得ることである。
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１、刊行物２に記載の発明及び上記各周知の技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記各周知の技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。