【事件の表示】
　平成１０年特許願第２１３８３４号「ラップ加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月１５日出願公開、特開２０００−　４２９０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明 
　本件出願は、平成１０年７月２９日の特許出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１６年９月２２日付けの手続補正書により補正された明細書（以下、「本件補正明細書」という。）及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】半導体シリコン単結晶ウェーハを第１砥粒液を用いてラップ加工した後に、該第１砥粒液の砥粒よりも粒径の小さい砥粒を含有する第２砥粒液を用いて、前記ウェーハをラップ加工する方法であって、前記第１砥粒液は最大粒径２３μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径２０μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径７．１±０．７μｍ、累積高さ９４％点の粒子径４．０μｍ以上の砥粒を含有するとともに前記第２砥粒液は最大径１９μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１７μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径５．５±０．５μｍ、累積高さ９４％点の粒子径３．０μｍ以上の砥粒を含有し、前記第２砥粒液を用いたラップ加工の取代を６〜５０μｍとし、次いで該ラップ加工したウェーハに対して６〜８μｍの取代で研磨を行うことによって当該ウェーハにおけるピットを完全に除去することができるようにしたことを特徴とするウェーハのラップ加工方法。」
　
２．刊行物に記載の発明 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−１６２０６５号公報（以下、「刊行物」という。）には以下の事項が記載されている。　 
　
（１）刊行物 
（１−ア）段落 【０００２】〜【０００３】
「【従来の技術】従来より、圧電セラミック基板等のワークの上下面を研磨するため、ラッピング装置と呼ばれる浮遊砥粒式研磨装置が用いられている。この研磨装置は、上下定盤の間にキャリヤと呼ばれる円板状の遊星ギヤを配置するとともに、ワークを遊星ギヤの保持穴に貫通保持し、遊星ギヤに噛み合う太陽ギヤとリングギヤとを相互に回転させることにより、遊星ギヤを自転または自転・公転させ、上下定盤とワークとの摺動によってワークの上下面を同時に研磨するものである。この場合、上下定盤とワークとの間に研磨材を水またはオイルと混合して液化させたスラリー状砥粒を供給し、研磨材の持つ切刃でワークから必要量の取り代を取り除き、上下定盤の持つ平面度をワークに転写している。‥‥‥
【発明が解決しようとする課題】この種の研磨装置において、ワークを高精度に研磨するには、まず４００メッシュ程度の粒径の大きな砥粒で粗研磨を行い、次に別の研磨装置にワークを移し替え、８００〜２０００メッシュ程度の粒径の小さい砥粒で仕上げ研磨を行っている。‥‥‥」
（１−イ）段落 【０００８】
「‥‥研磨装置Ａおよび供給機構Ｂの動作を説明する。まず、下定盤５上にワークＷを保持した遊星ギヤ４を載置し、その上に上定盤３を載置し、一定圧で加圧する。そして、供給機構Ｂの第１タンク１０の切替スイッチ１０ａをＯＮにし、粒径の大きいスラリー状砥粒を砥粒受け１４を介して上定盤３の供給穴３ａ，３ｂに供給する。ここで、モータ１を起動すると、太陽ギヤ２ａが図３左回り方向に回転し、リングギヤ８ｂは太陽ギヤ２ａと同一方向に低速度で回転するため、遊星ギヤ４が自転・公転する遊星運動を起こし、遊星ギヤ４に保持されたワークＷの上下面は上下定盤３，５と摺動してスラリー状砥粒によって研磨される。‥‥‥‥研磨を開始した後、砥粒はほどなく（例えば５〜１０秒程度）遊星ギヤ４の自転・公転に伴う遠心力により外周側へ押し出されるが、第１タンク１０は一定時間間隔で砥粒を吐出するので、研磨装置Ａの内部に砥粒が途絶えることなく供給される。上記のように粒径の大きな砥粒による粗研磨を終了した後、回転速度を一定に保持したまま、第１タンク１０の切替スイッチ１０ａをＯＦＦにすると共に第２タンク１１の切替スイッチ１１ａをＯＮにする。そして、粒径の小さいスラリー状砥粒を一定時間間隔で砥粒受け１４を介して上定盤３の供給穴３ａ，３ｂに供給する。これにより、ワークＷは仕上げ研磨され、高い面精度に研磨される。‥‥‥」
　
　上記摘記事項（１−ア）〜（１−イ）、及び第１図の記載からみて、刊行物には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「圧電セラミック基板を粒径の大きいスラリー状砥粒を用いてラップ加工した後に、該粒径の大きいスラリー状砥粒の砥粒よりも粒径の小さい砥粒を含有する粒径の小さいスラリー状砥粒を用いて、前記基板をラップ加工する方法であって、前記大きいスラリー状砥粒は４００メッシュ程度の粒径の砥粒を含有するとともに前記小さいスラリー状砥粒は８００〜２０００メッシュ程度の粒径の砥粒を含有するものである、圧電セラミック基板のラップ加工方法。」
　
３．対比及び判断 
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「粒径の大きいスラリー状砥粒」は、本願発明における「第１砥粒液」に相当しており、以下同様に、「粒径の小さいスラリー状砥粒」は、「第２砥粒液」に相当している。
　また、引用発明における「圧電セラミック基板」は、被加工物としての基板である限りにおいて、本願発明における「半導体シリコン単結晶ウェーハ」と共通するものである。
　
  してみれば、本願発明と引用発明とは、
「基板を第１砥粒液を用いてラップ加工した後に、該第１砥粒液の砥粒よりも粒径の小さい砥粒を含有する第２砥粒液を用いて、前記基板をラップ加工する方法。」
　の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］被加工物としての基板が、前者は、半導体シリコン単結晶ウェーハであるのに対し、後者は、圧電セラミック基板である点。
［相違点２］前者は、第１砥粒液が最大粒径２３μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径２０μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径７．１±０．７μｍ、累積高さ９４％点の粒子径４．０μｍ以上の砥粒を含有するとともに第２砥粒液が最大径１９μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１７μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径５．５±０．５μｍ、累積高さ９４％点の粒子径３．０μｍ以上の砥粒を含有するのに対して、後者は、第１砥粒液が４００メッシュ程度の粒径の砥粒を含有するとともに第２砥粒液が８００〜２０００メッシュ程度の粒径の砥粒を含有する点。
［相違点３］前者は第２砥粒液を用いたラップ加工の取代を６〜５０μｍとし、次いで該ラップ加工したウェーハに対して６〜８μｍの取代で研磨を行うことによってピットを完全に除去することができるようにしたのに対して、後者は、第２砥粒液を用いたラップ加工の取代、及び研磨の取代がそのように特定されておらず、ピットを完全に除去することができるようにしているのか特定されていない点。
　
　上記各相違点について検討する。 
［相違点１について］
　半導体ウェーハにおいて、エッチングや鏡面研磨の前処理として、比較的粗い粒子を用いた後に比較的細かい粒子を用いたラッピングを行うことは周知の事項であり（例えば、特開平１０−５５９８８号公報の段落【００１０】、特開平７−１６１６６９号公報の段落【００２６】参照。）、引用発明の被加工物として、圧電セラミック基板を半導体ウェーハの一種である半導体シリコン単結晶ウェーハに変更することは、当業者が容易になし得たことである。
［相違点２について］
　第１砥粒液、及び、第２砥粒液の粒径に関しては、本件補正明細書の段落【０００５】に「したがって、半導体シリコン単結晶ウェーハのラップ加工には、通常、ＦＯ＃１２００（株式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大粒径２３μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径２０μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径７．１±０．７μｍ、累積高さ９４％点の粒子径４．０μｍ以上）が用いられている。」と記載され、同段落【０００７】に「ＦＯ＃１５００（株式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大径１９μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１７μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径５．５±０．５μｍ、累積高さ９４％点の粒子径３．０μｍ以上）及びＦＯ＃２０００（株式会社フジミインコーポレーテッド製エメリー：最大径１５μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１４μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径４．５±０．４μｍ、累積高さ９４％点の粒子径２．０μｍ以上）のラップ砥粒を含有する砥粒液」と記載され、同段落【００１３】に「上記した砥粒の粒子径は、ＪＩＳＲ６００２に則って表示した。」と記載されているように、既に知られた市販製品の砥粒の粒径を示したものである。
　そして、半導体ウェーハのラッピングに用いられる砥粒の粒径として♯１２００以上のものは周知である（必要であれば、特開平３−１５３７号公報、特開平９−９７７７３号公報参照）。
　使用する砥粒の粒径により被研磨物の表面状態が異なることは明らかであるから、市販品の半導体ウェーハラッピング用の砥粒から、必要な表面状態の加工に適した粒径の砥粒を選択することは、当業者が適宜なし得る事項であると認められる。
　してみれば、第１砥粒液に含まれる砥粒として株式会社フジミインコーポレーテッド製エメリーのＦＯ＃１２００を使用し、第２砥粒液に含まれる砥粒として同社のＦＯ＃１５００を使用することにより、相違点２に係る本件発明の特定事項とすることは当業者が容易になし得たことである。 
［相違点３について］
　一般的な研削、研磨工程において、粒径を順次細かいものにすることによって前段階の研削、研磨で形成された表面の微小な凹凸を減少させること、及び、半導体ウェーハの研磨において、ピットの深さを考慮してピット深さ以上の研磨を行うことはいずれも周知の事項であり、（例えば、特開平６−１９０７１５号公報の段落【０００４】、特開平９−１７１９８１号公報の段落【００１４】参照。）、その削り代は、必要な表面状態が得られるに十分なものであれば、それ以上は特に加工効率の面からみれば不要であることは明らかである。したがって、第１砥粒液が最大粒径２３μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径２０μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径７．１±０．７μｍ、累積高さ９４％点の粒子径４．０μｍ以上の砥粒を含有し、第２砥粒液が最大径１９μｍ以下、累積高さ３％点の粒子径１７μｍ以下、累積高さ５０％点の粒子径５．５±０．５μｍ、累積高さ９４％点の粒子径３．０μｍ以上の砥粒を含有することを考慮して、第２砥粒液を用いたラップ加工の取代を６〜５０μｍとし、ラップ加工したウェーハに対する研磨の取代を６〜８μｍとし、もってピットを完全に除去することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明の作用効果は、引用発明、及び、周知の事項から予測可能な範囲内のものであって、格別のものではない。 
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、及び、周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。