【事件の表示】
　平成１０年特許願第１８３９７７号「クライオポンプおよびクライオポンプによるキセノンガスの凝縮方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月１８日出願公開，特開２０００−　１８１５８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
  本願は，平成１０年６月３０日の出願であって，平成２０年２月２８日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年４月３日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２０年４月３０日付け手続補正書により補正された明細書及び出願当初の図面の記載からみて，特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認められる。
「２段冷凍機(２２)の１段目のヒートステージ(２５)に取り付けられた第１クライオパネル(２７)と２段目のヒートステージ(２６)に取り付けられた第２クライオパネル(２８)とに，真空チャンバ内のキセノンガスを含むプロセスガスを凍結捕集して，上記真空チャンバを真空排気するクライオポンプ(２１)において，
　上記第１クライオパネル(２７)の温度を検知して検知信号を出力する第１温度センサ(４０)と，                                                                           
　上記第２クライオパネル(２８)の温度を検知して検知信号を出力する第２温度センサ(３９)と，
　上記第１クライオパネル(２７)および上記第２クライオパネル(２８)を収納するケーシング(３３)内の圧力を検出して検出信号を出力する圧力センサ(３７)と，
　上記第１クライオパネル(２７)を加熱するヒータ(３２)と，
　上記第１温度センサ(４０)および第２温度センサ(３９)からの検知信号と，上記圧力センサ(３７)からの検出信号とに基づいて，上記ヒータ(３２)を制御して，上記キセノンガスを，上記第１クライオパネル(２７)および上記第２クライオパネル(２８)のうちの上記第２クライオパネル(２８)のみに選択的に凝縮させるために，上記ケーシング(３３)内の圧力が１０−３Ｔｏｒｒ以下である場合における上記第１クライオパネル(２７)の温度を７３．５Ｋ以上にする一方，上記第２クライオパネル(２８)の温度を２０Ｋ以下にする制御手段(４１)とを備えたことを特徴とするクライオポンプ。」
　　
　補正後の請求項１に係る発明は，補正前の請求項１を削除し，補正前の請求項２に記載された構成の一部の順序を変えて記載を明りょうにし，請求項１に繰り上げたものであるから，本件補正は，請求項の削除並びに明りょうでない記載の釈明を目的としたものであり，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　　　
２．引用例
（１）引用例１
　これに対して，原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−３０５１７３号公報 （以下「引用例１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　・「２．特許請求の範囲
　１　ポンプ面（６，７）が取り付けられかつ加熱装置を備えている第１の冷凍段（４）と，ポンプ面（１０）が取り付けられかつ運転中に２０Ｋまでの温度を受ける第２の冷凍段（５）とを持つ２段冷凍機クライオポンプを所定の気体に適応させる方法において，第１の冷凍段（４）又はこの冷凍段のポンプ面（６，７）の最低温度個所が，それぞれの気体の，最大プロセス圧力に属する蒸気圧力温度より５ないし１０Ｋだけ高い温度を持つように加熱装置が制御されることを特徴とする，２段冷凍機クライオポンプを所定の気体に適応させる方法。」（公報１頁左下欄５〜１７行）
　　
　・「〔産業上の利用分野〕
　本発明は，ポンプ面が取り付けられかつ加熱装置を備えている第１の冷凍段と，ポンプ面が取り付けられかつ運転中に約１０ないし２０Ｋの温度を受ける第２の冷凍段とを持つ２段冷凍機クライオポンプを所定の気体に適応させる方法に関する。さらに本発明は，この方法を実施するために適したクライオポンプに関する。
〔従来の技術〕
　この種のクライオポンプでは，気体を捕捉するために，主として物理的過程である「吸着」及び「凝縮」が利用される。これらの過程に基づいて，条件付けされていない２段冷凍機クライオポンプは，発生する気体が次の３種類に分類される限り，１０−２ｍｂａｒ以下のすべての圧力範囲において問題なく作用する。
ａ）吸着面上でＴ≦２０Ｋにおいて，吸着可能な気体（Ｈ２，Ｎｅ，Ｈｅ）
ｂ）Ｔ≦２０Ｋにおいて，凝縮可能な第１の気体（Ｎ２，Ｏ２，Ａｒ）
ｃ）Ｔ≦１５０Ｋにおいて，凝縮可能な第２の気体（典型的なもの：Ｈ２Ｏ）
　クライオポンプの運転の際に第２段にとつてＴ２≦２０Ｋが実際上運転規定であり，他方，第１段はポンプの大きさ及び種類，プロセスに応じてかつ外部の負荷に応じて約５０Ｋないし１５０Ｋの広い範囲で調節され得る。この事態には，水蒸気のような気体を圧送する際に直接の影響はないが，しかしＨ２ＯとＯ２及びＮ２との間の蒸気圧力曲線を持つ気体が生ずる際に特に重要であり得る。このような気体の例は，ＣＯ，Ｎ２Ｏ，ＣＨ４などである。これらの気体が，変化する圧力状態（１０−３ないし１０−７ｍｂａｒ）のもとで生ずる場合は，特に危険になる。すなわち，クライオポンプ内へ入り込む気体は途中でクライオポンプ内において，この気体を凝縮させるために丁度十分低温である第１の個所において凝縮する。それぞれの気体の蒸気圧力曲線から，例えば気体の凝縮のために圧力≦１０−７ｍｂａｒにおいては１０−３ｍｂａｒの圧力におけるより低い温度が必要であることが，読み取り得る。従つて，蒸気圧力曲線が先に挙げられた凝縮可能な第１の気体と凝縮可能な第２の気体との間にある気体は，一層高いプロセス圧力において第１段の十分低温の個所において凝縮することができる。続いて，一層低い圧力になるように排出しようとする場合は，これは一部うまくゆかない。なぜならばこのために第１段は十分低温でないからである。第１段において先に凍結した気体は１０−３ないし１０−７ｍｂａｒの圧力でゆつくり第２段へ移動し，すなわちこの圧力は中間圧力のままであり，ポンプはもはや作用しないように見える」(公報２頁右上欄１０行〜３頁左上欄１行）
　　
　・「〔実施例〕
　本発明のそれ以外の特徴及び詳細を，第１図ないし第８図に示されている実施例について説明する。
　各図にそれぞれ示されている，ハウジング２を持つクライオポンプｌは，一部だけ示されている２段冷凍機低温頭部３をそれぞれ含んでおり，この冷凍機低温頭部の冷凍段は４（第１段）及び５（第２段）で示されている。第１段４に，壷状のポンプ面又は遮蔽面６が良好に熱伝導するように取り付けられているので，この面は，遮蔽面６により保持及び冷却されるそらせ板７と共にポンプの内部空間８を包囲している。内部空間８に第２段のポンプ面１０が入つており，これらのポンプ面は良好に熱伝導するように第２の低温頭部段と接続されている。ポンプのそれせ板７を備えた流入口９の前に，第１図にだけ示されている弁１１が設けられている。この弁は固定された円板１２及び回転可能な円板１３を含んでおり，これらの円板はそれぞれほぼ半径方向のスリツト開口を持つている。円板１３を回転させることにより，弁を操作することができる。
　第１図による実施例において，クライオポンプｌのハウジング２は第１の冷凍機段のほぼ段４の高さに接続管片１４を持つており，この接続管片は，１５で示されている監視装置を保持している。この装置の中に加熱装置１６及び１７へ供給するための回路が入つており，これらの加熱装置を２段低温頭部３の冷凍段４及び５が備えている。監視装置１５又は接続管片１４にあるフランジ２１，２２の範囲における監視装置１５と加熱装置１６，１７との間の接続導線１８及び１９のために，気密なブツシング２３が設けられている。
　クライオポンプの中にはさらに温度センサ２４が入つており，この温度センサは冷凍段４に設けられかつこの温度センサの測定導線２６もやはり監視装置１５に通じている。この監視装置１５と，ブロツクとして示されている供給装置２７が接続されている。電気加熱装置による再生の際の過熱防護としての機能の他に，監視装置１５は，冷凍段４及びこの冷凍段により保持されるポンプ面又は遮蔽面６，７の所望の温度の調節を保証するために役立つ。
　そのために冷凍段４の温度はセンサ２４によつて測定される。この測定値は監視装置１５へ供給される。そこにおいてこの測定値は目標値と比較され，この目標値は，圧送されるべき気体に左右される。低温頭部の温度がこの目標値以下である場合は，加熱装置１６は目標温度に達するまで作動し，続いて再び停止する。」（公報３頁左下欄９行〜４頁左上欄２０行）
　　　
　・「第２図に，種々の気体の蒸気圧力曲線が示されている。本発明の教示によれば加熱装置は，第１の冷凍段又はこの冷凍段のポンプ面の最低温度個所が，圧送されるべき気体の最高プロセス圧力に相当する蒸気圧力温度より５ないし１０Ｋだけ高い温度を持つように，制御されるから，図示されている曲線群からその都度調節されるべき目標温度が読み取れる。これらのプロセス気体は通常（例えばスパツタプロセスにおいて）先ず数１０−３ｍｂａｒの圧力で生ずる。この１０−３ｍｂａｒ線は，図示されている蒸気圧力曲線を横切る。従つて，調節されるべき温度は，１０−３ｍｂａｒ線と付属の蒸気圧力曲線との交点から５ないし１０Ｋだけ右側にある値である。例えばＣＨ４を圧送しようとする場合は，第１段又はこの第１段のポンプ面の温度は約５５ないし６０Ｋの値になる。なるべくＮＨ３が圧送されなければならない場合は，約１３０ないし１３５Ｋの温度が選ばれなければならない。このような温度選択において，その都度考慮されるべき気体が第１のポンプ段に溜らずに，第２段のポンプ面から直接圧送されることが保証される。＜１０−３ｍｂａｒへのあとからの排出の際の圧力減少を損なう移動は，もはや起こらない。
　第１図による実施例では，両方のポンプ段が加熱装置１６，１７を備えている。これらのポンプ段は，加熱装置１６による冷凍段４の温度の調節の他に，ポンプ面が室温に加熱されることにより，両段のポンプ面の再生のために役立つ。」（公報４頁右上欄１行〜左下欄９行）  
　　　
　・第１，３，４図等には，ハウジング２内に第１段のポンプ面又は遮蔽面６と第２段のポンプ面１０を収納した態様が示されている。
　　　
　これらの記載事項及び図示内容を総合すると，引用例１には，次の事項からなる発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「２段冷凍機の低温頭部３の第１段４に取り付けられたポンプ面又は遮蔽面６と低温頭部３の第２段５に取り付けられたポンプ面１０とに，プロセス気体を凝縮して真空排気するクライオポンプにおいて，第１段のポンプ面又は遮蔽面６と第２段のポンプ面１０を収納したハウジング２を備え，上記第１段４の温度を測定して測定値を出力する温度センサ２４と，上記ポンプ面又は遮蔽面６を加熱する加熱装置１６と，上記温度センサ２４からの測定値が供給され，上記加熱装置１６を制御して，考慮されるべきプロセス気体を第１段４のポンプ面又は遮蔽面６に溜まらずに第２段５のポンプ面１０から直接圧送されるように，目標温度をプロセス気体の蒸気圧力曲線と１０−３ｍｂａｒ圧力線との交点から定まる温度よりも５から１０Ｋ高い温度に設定し，上記温度センサ２４による測定値と上記目標値から，上記加熱装置１６により上記第１段４又はポンプ面又は遮蔽面６の最低温度箇所の温度を上記目標温度に調節する監視装置１５とを備えたクライオポンプ。」
　　
（２）引用例２
　同じく引用された特公平３−１２６７５号公報(以下「引用例２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　・「（実施例）
　以下，本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１図には本発明の第１実施例の構成が示され，ポンプ容器１内には冷凍機２によつて５０Ｋ〜１００Ｋに冷却される第１段冷凍ステージ３と１０Ｋ〜２０Ｋに冷却される第２段冷凍ステージ４とが配設されている。前記第１段冷凍ステージ３には椀状に形成された第１段クライオパネル５が上向きに固定され，この第１段クライオパネル５の上端部にはルーバ６が設けられている。
　この第１段クライオパネル５は主にポンプ容器１からの輻射熱を防ぐものである。また，第２段冷凍ステージ４には前記第１段クライオパネル５の内側に２個の椀状の第２段クライオパネル７および同８が下向きに固定されている。なお，クライオパネル８には吸着材８ａが覆合形成されている。さらに，ポンプ容器１には荒引き用の吸引ポンプ９が連通されている。
　一方，前記第１段冷凍ステージ３にはヒータ１０が巻回配置されており，また，第１段クライオパネル５の底部および第２段クライオパネル７の側面にはＡｕ−Ｃｒ熱電対からなる温度センサ１１および同１２が熱伝導性の良いアルミテープまたはエポキシ系の接着剤で固着されている。
　そして，これらヒータ１０への電力導入ケーブルおよび温度センサ１１および同１２の信号ケーブルはポンプ容器１に気密に設けた電流導入端子１３に集結され，コンピユータを内蔵する制御器１４によつてヒータ１０への供給電力の制御，すなわち，第１段クライオパネル５の温度調整ができるようになつている。なお，上記ヒータ１０と，温度センサ１１と，制御器１４とは第１段クライオパネル５の温度を調整する温度調整装置を構成する。
　上記のように構成されている本第１実施例において，クライオポンプの運転に際しては，まず，吸引ポンプ９を駆動して真空作業室の予備排気をするとともに，冷凍機２を駆動して第１段クライオパネル５を５０Ｋ〜１００Ｋに冷却し，第２段クライオパネル７および同８を１０Ｋ〜２０Ｋに冷却する。このとき第１段クライオパネル５および第２段クライオパネル７および同８の温度は温度センサ１１および同１２によつて検出され，この検出信号は制御器１４に供給される。
　前記クライオパネル５，同７および同８の冷却後真空作業室内に圧力調整用ガスが導入される場合には，制御器１４は，あらかじめ該制御器１４に記憶されている各種ガスの飽和蒸気圧曲線からポンプ容器１内の圧力に対する圧力調整用ガスの飽和蒸気温度を求め，この温度と前記温度センサ１１から得られる第１段クライオパネル５の温度とを比較し，第１段クライオパネル５の温度が飽和蒸気圧曲線の温度よりもやや高くなるようにヒータ１０へ供給する電力を制御する。
　この温度調整により，真空作業室内の気体の主たる凝縮を第２段クライオパネル７および同８にさせることができるとともに，第１段クライオパネル５に圧力調整用ガスが不当に多量に凝縮してしまうという従来装置に見られた現象は確実に防止できる。」(公報２頁右欄２５行〜３頁左欄４０行）
　　
　これらの記載によれば，引用例２には，「クライオポンプにおいて，第１段冷凍ステージ３に固定された第１段クライオパネル５の温度を検出して検出信号を出力する温度センサ１１と，第２段冷凍ステージ４に固定された第２段クライオパネル７の温度を検出して検出信号を出力する温度センサ１２とを備え，これら各温度センサからの検出信号をヒータ１０を制御する制御器１４に供給すること」，及び「クライオポンプにおいて，真空作業室内の気体の主たる凝縮を第２段クライオパネルにさせるために，第１段クライオパネルの温度が飽和蒸気圧曲線の温度よりもやや高くなるように制御する」ことが開示されているといえる。
　　　　
３．対比 
　本願発明と引用発明とを対比すると，その機能・作用からみて，後者における「低温頭部３の第１段４」は前者における「１段目のヒートステージ（２５）」に相当し，以下同様に「ポンプ面又は遮蔽面６」は「第１クライオパネル（２７）」に，「低温頭部３の第２段５」は「２段目のヒートステージ（２６）」に，「ポンプ面１０」は「第２クライオパネル（２８）」に，それぞれ相当している。
　また，後者の「プロセス気体」と前者の「キセノンガスを含むプロセスガス」とは，「所定のプロセスガス」との概念で共通する。
　加えて，後者の「凝縮」する態様は，前者の「凍結捕集」する態様に相当し，後者の「第１段４の温度」は実質的に「ポンプ面又は遮蔽面６」の温度ということができるから，前者の「第１クライオパネル（２７）の温度」に相当し，以下同様に「測定」する態様は「検知」する態様に，「測定値」は「検知信号」に，「温度センサ２４」は「第１温度センサ（４０）」に，「ハウジング２」は「ケーシング（３３）」に，「加熱装置１６」は「ヒータ（３２）」に，それぞれ相当する。
　さらに，後者の「考慮されるべきプロセス気体」と前者の「キセノンガス」とは，「特定のプロセスガス」との概念で共通する。
　また，後者の「温度センサ２４からの測定値が供給され，加熱装置１６を制御」する態様と，前者の「第１温度センサ(４０)および第２温度センサ(３９)からの検知信号と，圧力センサ(３７)からの検出信号とに基づいて，ヒータ(３２)を制御」する態様とは，「所定のセンサからの検出信号に基づいて，ヒータを制御」するとの概念で共通する。
　そして，後者の「第１段４のポンプ面又は遮蔽面６に溜まらずに第２段５のポンプ面１０から直接圧送される」態様は，前者の「第１クライオパネル（２７）および第２クライオパネル（２８）のうちの上記第２クライオパネル（２８）のみに選択的に凝縮させる」態様に相当する。
　また，後者の「目標温度をプロセス気体の蒸気圧力曲線と１０−３ｍｂａｒ圧力線との交点から定まる温度よりも５から１０Ｋ高い温度に設定し，上記温度センサ２４による測定値と上記目標値から，上記加熱装置１６により上記第１段４又はポンプ面又は遮蔽面６の最低温度箇所の温度を上記目標温度に調節する監視装置１５」と，前者の「ケーシング(３３)内の圧力が１０−３Ｔｏｒｒ以下である場合における第１クライオパネル(２７)の温度を７３．５Ｋ以上にする一方，第２クライオパネル(２８)の温度を２０Ｋ以下にする制御手段（４１）」とは，「第１クライオパネルの温度を所定値に制御する制御手段」との概念で共通する。
　　　
　したがって，両者は，
「２段冷凍機の１段目のヒートステージに取り付けられた第１クライオパネルと２段目のヒートステージ取り付けられた第２クライオパネルとに，所定のプロセスガスを凍結捕集して，真空排気するクライオポンプにおいて，
　上記第１クライオパネルの温度を検知して検知信号を出力する第１温度センサと，
　上記第１クライオパネルを加熱するヒータと，
　所定のセンサからの検出信号に基づいて，上記ヒータを制御して，特定のプロセスガスを，上記第１クライオパネルおよび上記第２クライオパネルのうちの上記第２クライオパネルのみに選択的に凝縮させるために，第１クライオパネルの温度を所定値に制御する制御手段とを備えたクライオポンプ。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　　
［相違点１］
　クライオポンプが真空排気する対象に関し，本願発明では「真空チャンバ」であるのに対し，引用発明ではそのような特定はなされていない点。
［相違点２］
　「所定のプロセスガス」に関し，本願発明では「キセノンガスを含むプロセスガス」であるのに対し，引用発明では，そのような特定はなされていない点。
［相違点３］
　「特定のプロセスガス」に関し，本願発明では「キセノンガス」であるのに対し，引用発明では，「考慮されるべきプロセス気体」であり，具体的に特定されていない点。
［相違点４］
　ヒータの制御に用いるセンサに関し，本願発明では「第１温度センサおよび第２温度センサからの検知信号と，圧力センサからの検知信号」とに基づいてヒータを制御するのに対し，引用発明では「第１温度センサからの検知信号」に基づいてヒータを制御する点。
［相違点５］
　制御手段の制御の態様に関し，本願発明では「ケーシング内の圧力が１０−３Ｔｏｒｒ以下である場合における第１クライオパネルの温度を７３．５Ｋ以上にする一方，第２クライオパネルの温度を２０Ｋ以下にする」のに対し，引用発明では「目標温度をプロセス気体の蒸気圧力曲線と１０−３ｍｂａｒ圧力線との交点から定まる温度よりも５から１０Ｋ高い温度に設定し，温度センサ２４による測定値と目標値から，加熱装置１６により第１段４又はポンプ面又は遮蔽面６の最低温度箇所の温度を目標温度に調節する」点。
　　
４．当審の判断
　上記相違点について以下検討する。
　　　
・相違点１について  
　半導体製造装置等における真空チャンバ内の真空引きにクライオポンプを用いることは，本願明細書にも記載されるように従来周知の事項である。また，引用例１には，第２図の特性線図に示されるような各種プロセス気体を扱うことが記載されているから，実質的に真空チャンバの真空引きに用いることが開示されているといえる。
　したがって，相違点１は実質的な相違点ではない。
　　　
・相違点２，３について
　引用例１には，クライオポンプで扱う各種プロセス気体の蒸気圧力線図が第２図として示されているが，この中にキセノンガスも含まれている。そして，引用発明は，これらの各種気体のうち，考慮されるべき気体を任意に選択し得るものといえるし，キセノンガスを選択することについて格別の阻害要因が存在するとも認められないから，「所定のプロセスガス」としてキセノンガスを選択することは，任意に選択すべき設計的事項に過ぎない。
　なお，キセノンガスを用いて真空中で処理するものにおいて，クライオポンプを使用することは，例えば，特開平８−２２９５６号公報（段落【０００７】，【０００９】参照），特開平８−２０４４８３号公報(段落【００２５】参照)に記載されているように周知である。
　したがって，相違点２，３に係る本願発明の構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　　
・相違点４，５について
　本願発明において，「ケーシング内の圧力が１０−３Ｔｏｒｒ以下である場合における第１クライオパネルの温度を７３．５Ｋ以上」（以下「技術事項Ａ」という。）とした点の技術的意義について検討する。
　この点に関して，本願の出願当初の明細書の段落【００２４】には，「ここで，温度７３．５Ｋにおけるキセノンガスの蒸気圧は１０−１Ｐａ（≒１０−３Ｔｏｒｒ）であり，上記真空チャンバのベース圧（１０−４Ｔｏｒｒ）に比較しても十分に低い。（審決注：「低い」は平成１９年１０月１９日付け手続補正書により「高い」に補正された。）したがって，キセノンガスを上記第２クライオパネル２８にのみ選択的に凝縮させる場合には，第１クライオパネル２７の温度は７３．５Ｋより高くする一方，第２クライオパネル２８の温度は７３．５Ｋより低くする必要がある」と記載されている。
　これらの記載からすると，真空チャンバのベース圧，すなわち半導体製造装置等の真空チャンバで通常採用される圧力（ベース圧，１０−４Ｔｏｒｒ）よりも十分に高い圧力（１０−１Ｐａ（≒１０−３Ｔｏｒｒ））を設定し，この圧力に対応する蒸気圧力温度をキセノンガスの蒸気圧力曲線から求めると７３．５Ｋになることから，技術事項Ａを選択したものと解される。換言すれば，真空チャンバ内で想定される最大圧力（最大プロセス圧力）よりも高い所定の圧力に対応する蒸気圧力曲線から求められる温度を下限値として選択したものということができる。
　そして，本願発明は，技術事項Ａを採用することにより，「キセノンガスは第１クライオパネルで凝縮することはなく，第２クライオパネルのみで凝縮できる」（段落【００３８】等）という作用効果を奏するものと認められる。
　一方，引用発明において，「（第１クライオパネルの）目標温度をプロセス気体の蒸気圧力曲線と１０−３ｍｂａｒ圧力線との交点から定まる温度よりも５から１０Ｋ高い温度に設定」（以下「技術事項Ｂ」という。）した点は，例えばスパッタプロセス等における真空チャンバ内圧力が通常「１０−３ｍｂａｒ」程度であり，この圧力を最大プロセス圧力に設定し，この最大プロセス圧力に相当する蒸気圧力温度よりも５ないし１０Ｋだけ高い温度を，第１クライオパネルの目標温度に設定したものということができる。
　そして，引用発明は，技術事項Ｂを採用することにより，「考慮されるべきプロセス気体を，第１段のポンプ面（第１のクライオパネル）に凝縮させることなく，第２段のポンプ面（第２のクライオパネル）に凝縮させる」作用効果を奏するものと解される（引用例１の４頁右上欄１９行〜左下欄２行参照）。
　これら本願発明の技術事項Ａと引用発明の技術事項Ｂとを対比してみると，両者は，対象とするプロセスガスの蒸気圧力特性に基づき，第１クライオパネルに当該プロセスガスが凝縮しないよう，ケーシング内圧力と第１クライオパネルの温度を選択した点で，その基本的な技術思想は軌を一にするものといえる。そして，技術事項Ａの「１０−３Ｔｏｒｒ」と技術事項Ｂの「１０−３ｍｂａｒ」とをその単位を揃えて比較すると，１０−３ｍｂａｒ＝０．７５×１０−３Ｔｏｒｒ≒１０−３Ｔｏｒｒとなり，両者はほぼ同程度の値といえるのであり，このことを踏まえて検討すれば，技術事項Ａは，技術事項Ｂの考え方に，キセノンガスを採用して図２の蒸気圧力曲線から１０−３ｍｂａｒに対応する蒸気圧力温度を読み取ることにより，当業者が格別の困難なく到達し得る事項といえる。（なお，技術事項Ｂで，「蒸気圧力温度よりも５ないし１０Ｋだけ高い温度」としているが，技術事項Ａにおいては「７３．５Ｋ以上」としているから，この点は相違点とならない。）
　そして，上記相違点２，３についての検討で述べたように，引用発明において，「考慮すべきプロセス気体」としてキセノンガスを採用することは，任意選択事項であるから，技術事項Ｂにキセノンガスを適用することも適宜選択し得る事項に過ぎない。
　そうすると，引用発明において，技術事項Ａを採用することは，当業者が容易に想到し得たことである。
　　
　また，引用発明は，どのような制御手段を用いているかは明記されていないが，第２クライオパネルの温度を２０Ｋ以下としていることは，請求項１等の記載から明らかであり，これを，第１段ポンプのポンプ面又は遮蔽面（第１クライオパネル）を制御する監視装置で制御するよう構成することは，当業者が適宜採用し得る設計事項に過ぎない。
　　
　さらに，引用例２には，クライオポンプにおいて，第１段冷凍ステージ３に固定された第１段クライオパネル５（本願発明における「第１クライオパネル」に相当）の温度を検出して検出信号を出力する温度センサ１１（同じく「第１温度センサ」に相当）と第２段冷凍ステージ４に固定された第２段クライオパネル７（同じく「第２クライオパネル」に相当）の温度を検出して検出信号を出力する温度センサ１２（同じく「第２温度センサ」に相当）とを備え，これら各温度センサからの検出信号をヒータ１０（同じく「ヒータ」に相当）を制御する制御器１４（同じく「制御手段」に相当）に供給すること，及び「クライオポンプにおいて，真空作業室内の気体の主たる凝縮を第２段クライオパネルにさせるために，第１段クライオパネルの温度が飽和蒸気圧曲線の温度よりもやや高くなるように制御する」ことが開示されている。
　また，クライオポンプに圧力センサを設けて制御に用いることは，周知技術である（必要であれば，国際公開ＷＯ９８／０６９４３号（特表２０００−５１６３１７号公報参照，「圧力測定器２１，２２」等）），特開昭６１−１８２４７６号公報（「圧力センサー５０」等）等を参照。）。
　そして，引用例１には，第２段のポンプ面の温度を２０Ｋ以下とすることが記載されており，第２温度センサを用いることが示唆されているといえる。　　
　　
　これらのことを総合して判断すれば，引用発明において，技術事項Ａを採用するとともに，引用例２に開示された事項及び周知技術を採用して，相違点４，５に係る本願発明の構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　　　　
　そして，本願発明の作用効果も，引用発明，引用例２に開示された事項及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものである。
　　
　したがって，本願発明は，引用発明，引用例２に開示された事項及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
　なお，請求人は，平成２１年８月２１日付けの審尋に対する回答書で，本願発明においてケーシング内の圧力を１０−３Ｔｏｒｒ以下とすることの技術的意義について，「平均蒸気圧力が１０−１Ｐａ（≒１０−３Ｔｏｒｒ）以上では，Ｘｅガスの場合，温度変化に対する蒸気圧力の変化の度合が他のガスよりも小さく，それに起因して，平衡蒸気圧力が１０−１Ｐａ（≒１０−３Ｔｏｒｒ）以下では，Ｘｅガスと，Ｘｅガスよりも蒸気圧力温度が高く且つＸｅガスに最も近い蒸気圧力温度を呈するＨＣｌガスとの温度差が大きくなっています。したがって，ケーシング３３内の圧力を１０−３Ｔｏｒｒ以下にすることにより，第１クライオパネル２７の温度に多少のずれが生じても第１クライオパネル２７にＸｅガス，窒素ガス，酸素ガス，アルゴンガスの何れかが凝縮することがなく，「Ｘｅガス，窒素ガス，酸素ガス，アルゴンガス」と「その他のガス」とを容易に且つ正確に分離することが可能になります。」と主張する。
　しかし，そのようなことは，出願当初の明細書には何も記載がなく，明細書の段落【００２４】等の記載からすれば，上記「相違点４，５について」で検討したとおり，上記圧力は半導体製造装置等の真空チャンバで通常採用される圧力に基づいて選択されたものと解されるから，請求人の上記主張は採用できない。
　　　
５．むすび
　以上のとおりであるから，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって，結論のとおり審決する。