【事件の表示】
　平成　８年特許願第１８０１６５号「３族窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月１６日出願公開、特開平１０−　１２９２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　平成　８年　６月１９日
　拒絶理由通知書送付　　平成１６年　８月　３日
　意見書提出　　　　　　平成１６年　９月２８日
　手続補正書提出　　　　平成１６年　９月２８日
　拒絶査定送付　　　　　平成１６年１１月　９日
　審判請求　　　　　　　平成１６年１２月　９日
　手続補正書提出　　　　平成１７年　１月　６日
　
２．平成１７年１月６日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成１７年１月６日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
（１）本件補正・本件補正発明
　平成１７年１月６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１について、
「【請求項１】発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子において、
　前記発光層を３族窒化物半導体の歪超格子から成る単一又は多重の量子井戸構造とし、
　前記発光層にはアクセプタ不純物及びドナー不純物の両方が添加されていること
を特徴とする３族窒化物半導体発光素子。」を
「【請求項１】発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子において、
　前記発光層を３族窒化物半導体の歪超格子から成る単一又は多重の量子井戸構造とし、
　前記発光層にはアクセプタ不純物及びドナー不純物の両方が添加されて
おり、
　
前記発光層はAl
X2
Ga
1-X2
N(0＜x2≦1)から成るバリア層とIn
X1
Ga
1-X1
N(0＜x1≦1)から成る井戸層とを積層させた単一又は多重の量子井戸の、井戸層とバリア層との間の格子不整合が0.4〜4.8％である超格子で構成されており
　
前記アクセプタ不純物は亜鉛であり、前記ドナー不純物はシリコンである
　以下、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
（２）刊行物
（刊行物１）
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前の平成８年４月２日に頒布された特開平８−８８４０４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載が認められる。
「【００３１】…。
（実施例３）図６（ａ）は、本発明の第３の実施例の概略構成を示す断面図である。この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、素子を構成する材料にＩｎＧａＡｌＮ系を用いていることである。
【００３２】図中６１はサファイア基板であり、この基板６１上にＧａＡｌＮ系よりなるバッファ層６２が成長され、このバッファ層６２上にｎ−ＧａＮ層６３，ｎ−ＧａＡｌＮクラッド層６４，歪緩和量子井戸活性層６５及びｐ−ＧａＡｌＮクラッド層６６からなる発光部が成長されている。さらに、この発光部上にはｐ−ＧａＮコンタクト層６７が成長されている。そして、コンタクト層６７上の一部にＮｉ−Ａｕからなるｐ側電極６８が形成され、ｎ側電極６９はｎ−ＧａＮ６３上の他の主面にＴｉ−Ａｕ或いはＴｉ−Ａｌを用いて形成されている。なお、ｐ，ｎ両不純物材料としては、それぞれＭｇ，Ｓｉを用い、結晶成長は有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いた。
【００３３】歪緩和量子井戸活性層６５は、図６（ｂ）に示すように、圧縮歪を持つ量子井戸層６５ａと引張り歪を持つ歪緩和障壁層（歪緩和層）６５ｂとを積層したものである。また、量子井戸層６５ａの材料はアンドープのＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＞０）で、歪緩和障壁層６５ｂの材料はＧａ1-x （ＩｎＡｌ）x Ｎ（ｘ＜１）である。
【００３４】このように設定された歪緩和量子井戸活性層部を図６（ａ）に示した面発光型ＬＥＤに適用した例について以下に示す。ここで用いた歪量子井戸層ＩｎＧａＮの歪量と膜厚は＋２％，５ｎｍで、また歪緩和障壁層の材料はＧａＡｌＮでその歪量と膜厚は−１％，１０ｎｍとし、その対数は４０とした。なお、ここで言う歪はＧａＮ結晶の格子定数ａ0 と他の結晶層の格子定数ａとを用いて｛（ａ−ａ0 ）／ａ0 ｝×１００％の関係を表わせ、引っ張り歪は負の値となる。また、この実施例においても前記実施例と同様に、格子緩和によると考えられる欠陥は見られなかった。
【００３５】このような構成の素子に動作電流２０ｍＡのバイアスを加えたところ、発光波長４５０ｎｍの青色で光度５ｃｄの高輝度発光が得られた。この発光スペクトルの半値幅は〜１０ｍｍと狭く、単色性に優れた発光が得られた。また、歪量子井戸層６５ａにＺｎをドーピングして発光センターを形成し、２０ｍＡのバイアスで動作させたところ、５００ｎｍに発光ピーク波長を持ち、光度７ｃｄの高輝度発光が得られた。」
　
（刊行物２）
　同じく、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前の１９９６年２月８日に頒布された国際公開第９６／００３７７６号（以下、「刊行物２」という。）には、図とともに次の記載が認められる。
「（実施例１）
　図１は本発明の第１の実施例による発光ダイオード３０の断面図を示している。
　発光ダイオード３０は、活性層３８と活性層３８を挟んで設けられたクラッド層３６及びクラッド層４０を有している。活性層３８はＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなる。一方、クラッド層３６はｎ型不純物としてケイ素が添加されたＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなり、クラッド層４０はｐ型不純物としてマグネシウムが添加されたＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなるため、活性層とクラッド層との間でヘテロ接合が形成されたダブルヘテロ構造を発光ダイオード３０は備えている。」（１２頁１６行〜１３頁２行）
「活性層３８は１μｍ程度の厚さを有しており、ｐ型不純物として機能する亜鉛（Ｚｎ）及びｎ型不純物として機能するケイ素（Ｓｉ）の両方が活性層３８全体に渡って実質的に均一に添加されている。」（１３頁１４〜１７行）
「また、亜鉛及びケイ素の添加により形成されるアクセプタ準位及びドナー準位によって、再結合確率が高められるため、発光効率も改善される。さらに、ＩｎＧａＮ層に亜鉛のみが添加されている場合、亜鉛原子はＩｎＧａＮ層中では、空孔等の固有欠陥と対をなして安定化するが、亜鉛及びケイ素の両方をＩｎＧａＮ層に添加することにより、固有欠陥の発生が抑制され、発光効率が改善できる。」（１４頁２０行〜１５頁２行）
　
（刊行物３）
　また、原査定において引用された、本願出願前に頒布された特開平６−２６０６８０号公報（以下、「刊行物３」という。）には、図とともに次の記載が認められる。
「【要約】
【目的】  ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い、発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。
【構成】  ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、ＳｉおよびＺｎがドープされたｎ型ＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１の範囲である。）を発光層として具備する。」
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、ＳｉおよびＺｎがドープされたｎ型ＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１の範囲である。）を発光層として具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
「【００１０】
【作用】図１に、Ｚｎを１×１０18／cm3ドープしたｎ型Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層と、Ｚｎを１×１０19／cm3およびＳｉを５×１０19／cm3ドープしたｎ型Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ層とにＨｅ−Ｃｄレーザーを照射して、室温でフォトルミネッセンス（ＰＬ）を測定し、それらの発光強度を比較して示す。なお、ＺｎのみをドープしたＩｎＧａＮ層のスペクトル強度は実際の強度を１０倍に拡大して示している。この図に示すように、Ｚｎのみをドープしたｎ型ＩｎＧａＮのＰＬスペクトル（ｂ）、ＳｉおよびＺｎをドープしたｎ型ＩｎＧａＮのＰＬスペクトル（ａ）はいずれも４９０ｎｍにその主発光ピークを有する。しかしながら、その発光強度は（ａ）の方が１０倍以上大きい。これは、ＺｎをドープしたＩｎＧａＮに、さらにＳｉをドープすることによりドナー濃度が増え、ドナー・アクセプタのペア発光により発光強度が増大していると推察される。」
　
（３）対比・判断
　本件補正発明と上記刊行物１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）を比較するに、引用発明は、発光素子を構成する材料にＩｎＧａＡｌＮ系を用いるものであるから、本件補正発明と同様「３族窒化物半導体発光素子」の発明であって、引用発明の「歪緩和量子井戸活性層６５」が本件補正発明の「発光層」に対応するところであり、引用発明の「歪緩和量子井戸活性層６５」は、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＞０）の圧縮歪を持つ量子井戸層６５ａとＧａ1-x （ＩｎＡｌ）x Ｎ（ｘ＜１）の引張り歪を持つ歪緩和障壁層６５ｂとを積層したものであるから、本件補正発明と同様に「３族窒化物半導体の歪超格子から成る単一又は多重の量子井戸構造とし」たものである。
　また、引用発明の「歪量子井戸層ＩｎＧａＮ」及び「歪緩和障壁層ＧａＡｌＮ」がそれぞれ、本件補正発明の「InX1Ga1-X1N(0＜x1≦1)からなる井戸層」及び「AlX2Ga1-X2N(0＜x2≦1)から成るバリア層」に相当し、引用発明の「歪量子井戸層ＩｎＧａＮ」の歪量は＋２％、「歪緩和障壁層ＧａＡｌＮ」の歪量は−１％であるから、それらの間の格子不整合は約３％であり、本件補正発明の「井戸層とバリア層との間の格子不整合が0.4〜4.8％」との要件を満たしている。
　したがって、両者はともに
「発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子において、
　前記発光層を３族窒化物半導体の歪超格子から成る単一又は多重の量子井戸構造とし、
　前記発光層はAlX2Ga1-X2N(0＜x2≦1)から成るバリア層とInX1Ga1-X1N(0＜x1≦1)から成る井戸層とを積層させた単一又は多重の量子井戸の、井戸層とバリア層との間の格子不整合が0.4〜4.8％である超格子で構成されている３族窒化物半導体発光素子。」の発明である点で一致するものの次の点で相違する。
　
　本件補正発明では、前記発光層にはアクセプタ不純物及びドナー不純物の両方が添加されており、前記アクセプタ不純物は亜鉛であり、前記ドナー不純物はシリコンであるとされているのに対し、引用発明では、アンドープ（段落【００３３】）又はＺｎドープ（段落【００３５】）とされている点。
　
　この点について検討するに、例えば、上記刊行物２及び３に記載されるように、３族窒化物半導体を用いた発光素子の活性層に亜鉛とシリコンの両方をドープして、発光効率を改善することが周知であるから、引用発明においても、亜鉛とシリコンの両方を活性層にドープするようにすることは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、本件補正発明において発光層にシリコンと亜鉛の両方をドープすることの技術的意義は、本願明細書の段落【００２６】に「又、井戸層５２にシリコンと亜鉛をドープしたがノンドープであっても良い。」と記載される程度のものであり、本件補正発明が奏するとする効果についても、引用発明及び上記周知技術に基づき当業者が予測しうる範囲の事項であって、格別のものとはいえない。
　
（４）むすび
　したがって、本件補正発明は、上記刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年１月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年９月２８日付けで補正された明細書の請求項１ないし８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記２．［II］（１）において、補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
　そして、本願発明は、本件補正発明において、「前記発光層はAlX2Ga1-X2N(0＜x2≦1)から成るバリア層とInX1Ga1-X1N(0＜x1≦1)から成る井戸層とを積層させた単一又は多重の量子井戸の、井戸層とバリア層との間の格子不整合が0.4〜4.8％である超格子で構成されており」との事項及び「前記アクセプタ不純物は亜鉛であり、前記ドナー不純物はシリコンである」との事項を欠くものであるから、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは、上記補正却下の決定の理由から明らかである。
　
（２）むすび
　したがって、本願発明は、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。