【事件の表示】
　平成１１年特許願第３６８２５０号「セラミックス回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月　６日出願公開、特開２００１−１８５６６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　出願　　　　　　　　　　　　：平成１１年１２月２４日
　拒絶理由通知　　　　　　　　：平成１７年　３月１８日付け
　意見書　　　　　　　　　　　：平成１７年　５月３０日付け
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１７年　５月３０日付け
　拒絶理由通知（最後）　　　　：平成１７年　７月　７日付け
　意見書　　　　　　　　　　　：平成１７年　９月１２日付け
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１７年　９月１２日付け
　補正却下（平成１７年９月１２日付け手続補正書）
　　　　　　　　　　　　　　　：平成１７年１０月　３日付け
　拒絶査定　　　　　　　　　　：平成１７年１０月　３日付け
　審判請求　　　　　　　　　　：平成１７年１１月１０日
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１７年１２月１２日付け
　手続補正書（方式、請求理由の補充）
　　　　　　　　　　　　　　　：平成１８年　１月１９日付け
　前置報告　　　　　　　　　　：平成１８年　３月　６日付け
　審尋　　　　　　　　　　　　：平成１８年１２月　４日付け
　回答書　　　　　　　　　　　：平成１９年　２月　５日付け
　
［２］平成１７年１２月１２日付け手続補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　平成１７年１２月１２日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
１．手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲の請求項１を次のとおりとする補正事項を含むものである。
「【請求項１】　セラミックス基板上に金属回路板を接合し、前記金属回路板に半導体ペレットをハンダ付けしてなるセラミックス回路基板において、前記金属回路板の半導体ペレット搭載面のうちハンダ層が塗布されない部位に、ソルダーレジスト層を設け、前記ソルダーレジストの厚さがハンダ層の厚さと同じかそれ以上であり、前記ソルダーレジスト層の厚さは５〜１００μｍとすることにより半導体ペレットの位置ずれを防止したことを特徴とするセラミックス回路基板。」
　
　この補正事項は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「前記ソルダーレジスト層の厚さは５〜１００μｍである」を「前記ソルダーレジスト層の厚さは５〜１００μｍとすることにより半導体ペレットの位置ずれを防止した」と限定するものであるから、この補正事項を含む本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件手続補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１１１７３７号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平８−１４８６４７号公報（以下、「引用例２」という。）の主な記載事項は次のとおりである。
（１）引用例１：特開平１１−１１１７３７号公報
（摘示１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁基板上に形成された導体パターン表面に半導体部材が半田付けされる半導体装置において、半田材に対して非親和性の塗膜を、前記導体パターン表面上に前記半導体部材の周縁を囲むように、かつ、前記半導体部材の半田付け厚さよりも薄く形成したことを特徴とする半導体装置。」
（摘示１ｂ）「【０００８】この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、セラミック基板等の絶縁基板の機械的強度の低下を防止すると共に、銅箔等の導体パターンへ半導体チップ等の半導体部材の半田付けの際の位置決めを容易にする構成の半導体装置を比較的安価に得ることを目的とする。」
（摘示１ｃ）「【００１３】
【発明の実施の形態】
・・・図において、９は導体パターンとしての銅箔、１０は半田材に対して非親和性の塗膜（溶融状態にある半田をはじく性質を有する塗膜）としてのレジスト塗膜にて形成されたレジストパターンであり、銅箔９の表面上に半田付される半導体部材としての半導体チップ３、外部出力端子４等の周縁を囲うように形成される。
【００１４】絶縁基板としてのセラミック基板１上に導体パターンとしての銅箔９が直接接合法、活性金属法等により接合され、銅箔９の表面上に配置される半導体チップ３、外部出力端子４等を囲うようにレジストパターン１０が形成され、レジストパターン１０の形成後の工程でレジストパターン１０にて囲われた位置に半導体チップ３、外部出力端子４を半田付けする。
【００１５】レジスト材は半田とは非親和性のエポキシ系材料であり、レジストパターン１０にて囲われる銅箔９の表面の寸法を半導体チップ３の銅箔９との接合面の寸法と略同一とすることにより、半導体チップ３、外部出力端子４等の半導体部材は、半田付け作業時における溶融状態の半田の表面張力を利用して、レジストパターン１０にて囲われた位置にて容易、かつ、精度よく位置決めできる。
【００１６】半導体チップ３の半田付け位置（配置位置）はレジストパターン１０にて囲われてはいるが、レジストパターン１０の厚さは、通常、１０〜２０ミクロン程度に形成され、半田の厚さ（通常、１００〜２００ミクロンに形成される）の１／２０〜１／５程度であり、レジストパターン１０にて囲われる銅箔９の表面の寸法を半導体チップ３の銅箔９との接合面の寸法と略同一としても、半田付け厚さに比較してレジスト厚さが薄いので、半導体チップ３がレジストパターン１０にて破損される恐れはなく、また、半田付け作業時において、半田材に含有されるフラックスを有効に逃がし、閉じこめる恐れは少ない。」
（摘示１ｄ）「【００３０】
【発明の効果】以上のように、第１の発明によれば、半導体部材の周縁を囲むように前記導体パターン表面上に半田材に対して非親和性の塗膜を前記半導体部材の半田付け厚さよりも薄く形成したので、セラミック基板の機械的強度の低下を防止できるだけでなく、前記半導体部材を容易かつ精度よく位置決めできると共に半田材に含有されるフラックス等を効果的に逃がすことができ、高品質のものが比較的安価に得られる効果がある。」
　
（２）引用例２：特開平８−１４８６４７号公報
（摘示２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の回路パターンを有する導電層を備えた回路基板と、
前記回路基板に半田により接合された放熱板と、
前記放熱板に半田により接合された少なくとも１つの半導体素子と、
前記半導体素子間を電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、
前記放熱板の前記半導体素子が固着される主面は、半田付け可能な金属から構成された前記半導体素子が接合される領域と、半田をはじく金属から構成された前記半導体素子が接合されない領域とを有し、前記ボンディングワイヤの一端が前記半導体素子の１つに接続され、他端が前記放熱板主面の前記半導体素子が接合されない領域のボンディングエリアに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】・・・
・・・・・・
【請求項６】  前記放熱板は、半田付け可能な金属からなるベースを有し、前記半導体素子が接合されない領域には、前記半導体素子が接合される領域を囲む半田をはじく絶縁層と前記半田付け可能な金属が露出しているボンディングエリアとが形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。」
（摘示２ｂ）「【００１７】次に、図４を参照して第３の実施例を説明する。図は、インバータなどに用いられる混成集積回路装置の断面図である。複数のチップが搭載される回路基板５は、金属板を絶縁層で被覆した絶縁基板を用いる。ベースになる金属板５１は、例えば、ＡｌやＣｕなどからなり、その表面にエポキシ樹脂などの絶縁層５２が被覆されている。絶縁層５２の表面には所定の回路パターンを有する導電層５３が形成されている。この回路基板５に導電層５３を形成するには、まず絶縁基板の絶縁層５２表面にＣｕ箔を張り付け、このＣｕ箔を所定のパターンにエッチングして形成する。・・・
【００１８】チップが２つ搭載される放熱板４１は、Ｃｕなどの半田付け可能な金属ベースを備え、その表面のチップが接合されない領域の一部にチップが接合される領域の半田層を囲むようにフォトレジストなどの半田をはじく絶縁層６が形成されている。チップが接合される領域にはＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層２５、２６によってチップ１１、１２が接合されている。半田をはじく絶縁層６は、チップ１１及びチップ１２をそれぞれ囲むように配置されていて、その周辺は、ボンディングエリアとして金属ベースが露出している。チップが１つ搭載される放熱板４２はＣｕなどの半田付け可能な金属ベースを備え、その表面のチップが接合されない領域にフォトレジストなどの半田をはじく絶縁層７が形成されている。チップが接合される領域にはＰｂ−Ｓｎ−Ａｇ系半田層２３によってチップ１３が接合されている。半田をはじく絶縁層７は、チップ１３を囲むように放熱板４２の周辺部に配置され、その周辺は、ボンディングエリアとして金属ベースが露出している。放熱板４１は、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶半田層２２によって回路基板５の導電層５３に接合され、同じ様に、放熱板４２は、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶半田層２４によって回路基板５の導電層５３に接合されている。
【００１９】・・・
【００２０】この様に半田をはじく絶縁層６、７は、半田層を囲むように形成されており、半田流れを防止している。したがって、この半田流れによるチップずれがなく、チップは放熱板のボンディング性の低下を防止することができる。また、マウント半田流れによる半田厚さのバラツキに起因するＴＦＴレベルのバラツキが防止される。」
（摘示２ｃ）図４には、半田をはじく絶縁層６の厚みは、チップ１１を接合する半田の厚みと同程度であることが示されている。
　
３．当審の判断
３−１．引用例１に記載された発明
（ア）引用例１の（摘示１ａ）には、「絶縁基板上に形成された導体パターン表面に半導体部材が半田付けされる半導体装置において、半田材に対して非親和性の塗膜を、前記導体パターン表面上に前記半導体部材の周縁を囲むように、かつ、前記半導体部材の半田付け厚さよりも薄く形成したことを特徴とする半導体装置」が記載されているから、引用例１には、絶縁基板上に形成された導体パターン表面に半導体部材が半田付けされる絶縁回路基板も記載されているといえる。
（イ）引用例１の（摘示１ｃ）には、前記絶縁基板は、セラミック基板である旨、絶縁基板上に前記導体パターンとしての銅箔が接合される旨、半田材に対して非親和性の前記塗膜は、レジストパターンである旨、前記半導体部材は、半導体チップ等である旨、半導体チップ等の半導体部材は、レジストパターンで囲われた位置に精度よく位置決めされる旨、レジストパターンの厚さは、１０〜２０ミクロン程度である旨が記載されている。
　
　以上の（ア）、（イ）の事項を考慮し、（摘示１ａ）、（摘示１ｃ）の記載を整理すると、引用例１には、次の「セラミック回路基板」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　　引用例１発明：「セラミック基板上に接合された導体パターンとしての銅箔表面に半導体チップが半田付けされるセラミック回路基板において、半田材に対して非親和性で厚さが１０〜２０ミクロン程度のレジストパターンを、前記銅箔表面上に前記半導体チップの周縁を囲むように、かつ、前記半導体チップの半田付け厚さよりも薄く形成し、半導体チップは、レジストパターンで囲われた位置に精度よく位置決めされる、セラミック回路基板。」
　
３−２．本願補正発明１と引用例１発明との対比
　本願補正発明１と引用例１発明を対比すると、
（カ）引用例１発明における「セラミック基板」、「導体パターンとしての銅箔」、「半導体チップ」、「半田」、「セラミック回路基板」は、それぞれ、本願補正発明１における「セラミックス基板」、「金属回路板」、「半導体ペレット」、「ハンダ」、「セラミックス回路基板」に相当する。（以下、引用例１発明における用語の代わりに、それに相当する本願補正発明１における用語を使用することがある。）
（キ）引用例１発明における「レジストパターン」は、半田材に対して非親和性であることからみて、本願補正発明１における「ソルダーレジスト」に相当するといえる。
（ク）引用例１発明における、レジストパターンが形成される半導体チップの周縁を囲む部位は、本願補正発明１における「ハンダ層が塗布されない部位」に相当するといえる。
（ケ）引用例１発明における「半導体チップは、レジストパターンで囲われた位置に精度よく位置決めされる」旨は、本願補正発明１における、ソルダーレジスト層により「半導体ペレットの位置ずれを防止」する旨と同様の事項であるといえる。
（コ）両者のソルダーレジスト層の厚さは、「１０〜２０μｍ程度」の範囲で重複している。
　
　以上の（カ）〜（コ）の事項を勘案すると、両者は、
「セラミックス基板上に金属回路板を接合し、前記金属回路板に半導体ペレットをハンダ付けしてなるセラミックス回路基板において、前記金属回路板の半導体ペレット搭載面のうちハンダ層が塗布されない部位に、ソルダーレジスト層を設け、前記ソルダーレジスト層の厚さは１０〜２０μｍ程度とすることにより半導体ペレットの位置ずれを防止した、セラミックス回路基板。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
　　　相違点：ソルダーレジストの厚さが、本願補正発明１では、「ハンダ層の厚さと同じかそれ以上」であるのに対し、引用例１発明では、ハンダ層の厚さよりも薄く形成されている点
　
３−３．相違点についての検討
　本願補正発明１は、明細書の次のような記載からみて、ソルダーレジストによりハンダの余分な位置への流動を阻止し、半導体ペレットの移動も阻止しようとするものであり、また、ソルダーレジストの厚さを「ハンダ層の厚さと同じかそれ以上」とするのは、そのようなソルダーレジストの機能の点で好ましいからであると認められる。
　　　「【００１４】・・・半導体接合のためのハンダが金属回路板上に塗布された場合、そのハンダが余分な位置に流動しようとしてもソルダーレジスト部位で阻止される。したがって、ハンダが金属回路板の表面の一定範囲内に常時保持され、それにより半導体ペレットの移動も阻止されるため、同ペレットが位置ずれしたり、ハンダブリッジによる耐圧不良が生じることが抑制され、良好なハンダ接合の実施、ひいては製造効率の向上および高品質化等が図れるようになる。
　　　　【００１５】本発明において、ソルダーレジスト層の厚さは、５〜１００μｍとすることが望ましい。ハンダの厚みは５μｍないし同厚みを若干超える量であり、ソルダーレジスト層の厚さが５μｍ未満ではハンダの流動阻止機能が十分に得られない。ソルダーレジスト層の厚さが５μｍであると、ハンダがソルダーレジスト上に乗り上げる可能性があるが、すぐに硬化して乗り越えるに至らない。ソルダーレジスト層の厚さが１００μｍを超えると余分となり、構成が不必要に大型してコンパクト化の要請に反する結果となる。このような観点からすると、ソルダーレジストの厚さ（高さ）はハンダ層の厚さと同じかそれ以上であることが好ましいと言える。・・・」
　
　これに対し、引用例１発明も、（摘示１ｃ）の記載にみられるように、レジストパターンで囲まれた位置から溶融状態のハンダが流れ出ないように、ソルダーレジスト（レジストパターン）によりハンダの余分な位置への流動を阻止し、半導体ペレットの移動も阻止しようとするものであるから、本願補正発明１と引用例１発明とは、ハンダの余分な位置への流動を阻止し、半導体ペレットの移動も阻止しようとするソルダーレジストの機能の点で共通しているといえる。
　引用例１発明では、ソルダーレジストの厚さをハンダ層の厚さよりも薄く形成しているが、それは、（摘示１ｃ）（摘示１ｄ）の記載にみられるように、フラックスがハンダ中に閉じこめられて品質を低下させないように、ハンダに含有されるフラックスを逃がすこと、ソルダーレジスト（レジストパターン）の厚みを低減してコストを低減すること等の観点からであって、前述の共通する機能に加えて、さらに、改良が加えられたものといえる。
　一方、ハンダ付けされる半導体ペレットの位置ずれを防止するために設けられたソルダーレジストの厚さをハンダ層の厚さと同程度とすることは、（摘示２ａ）〜（摘示２ｃ）のとおり、引用例２に示されているし、また、そのようなハンダ付けされる半導体ペレットの位置ずれを防止するために設けられたハンダ流動阻止のためのレジスト等の厚さをハンダ層の厚さ以上とすることも、特開昭６１−１６８２３２号公報（第１図とその関連記載参照）、実願平３−８２７０７号（実開平５−３６８７６号）のＣＤ−ＲＯＭ、特開平５−６７６３７号公報等の記載にみられるように、本出願前において周知の事項である。
　さらに、半導体ペレット等のハンダ付けにおいて、フラックスを含有するハンダを用いること、及び、フラックスを含有しないハンダを用いることは、いずれも、本出願前において周知の事項である。
　してみれば、引用例１発明において、ハンダの余分な位置への流動阻止、及び、半導体ペレットの移動阻止をより確実にすることを課題として、ソルダーレジストの厚さを「ハンダ層の厚さと同じかそれ以上」とすることは、引用例２の前示の記載や前記の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　そして、本願補正発明１は、上記相違点の特定事項を具備することにより、引用例１、２の記載や前記の周知事項から予測できないような格別に顕著な効果を奏するとも認められない。
　したがって、本願補正発明１は、引用例１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件手続補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
［３］本願発明について
１．本願発明
　平成１７年１２月１２日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１７年５月３０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】　セラミックス基板上に金属回路板を接合し、前記金属回路板に半導体ペレットをハンダ付けしてなるセラミックス回路基板において、前記金属回路板の半導体ペレット搭載面のうちハンダが塗布されない部位に、ソルダーレジスト層を設け、前記ソルダーレジストの厚さがハンダ層の厚さと同じかそれ以上であり、前記ソルダーレジスト層の厚さは５〜１００μｍであることを特徴とするセラミックス回路基板。」
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本出願前に頒布された刊行物である引用例１、２の主な記載事項は、上記［２］２．のとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、上記［２］で検討した本願補正発明１から、その発明を特定するために必要な事項である「前記ソルダーレジスト層の厚さは５〜１００μｍとすることにより半導体ペレットの位置ずれを防止した」から「半導体ペレットの位置ずれを防止した」という限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明１を特定するために必要な事項を全て含み、さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１は、上記［２］３．に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえるから、本願発明１も、同様の理由により、引用例１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。