【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー基板表面から受取り基板の受取り表面に部材を転送するための方法であって、
転送表面を有するエラストマー転送デバイスを提供するステップと、
ドナー表面を有するドナー基板を提供するステップであって、前記ドナー表面が少なくとも１つの部材を有するステップと、
前記転送表面の少なくとも一部を前記部材の少なくとも一部に接触させるステップと、
前記部材の少なくとも一部が前記ドナー表面から前記転送表面に転送されるように、第１の分離速度で前記転送表面を前記ドナー表面から分離することによって、前記部材をその上に配置する前記転送表面を形成するステップと、
前記転送表面上に配置された前記部材の少なくとも一部を前記受取り基板の前記受取り表面に接触させるステップと、
第２の分離速度で前記転送表面を前記部材から分離するステップであって、前記第１の分離速度が前記第２の分離速度よりも速いステップであり、これによって前記部材を前記受取り表面に転送するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記エラストマー転送デバイスが、１ＭＰａ〜２０ＭＰａの範囲で選択されたヤング率を有する少なくとも１つのエラストマー層を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エラストマー転送デバイスが、１ミクロン〜１００ミクロンの範囲で選択された厚さを有する少なくとも１つのエラストマー層を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
コンフォーマル接触が、前記エラストマー転送デバイスの前記転送表面と前記部材の外部表面間に確立される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
コンフォーマル接触が、前記部材をその上に配置する前記転送表面と前記受取り基板の前記受取り表面間に確立される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の分離速度が前記第２の分離速度よりも１００倍超速い、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の分離速度が１０ｃｍ秒−１以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の分離速度が１ｍｍ秒−１以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記部材が、１００ナノメーター〜１０００ミクロンの範囲で選択された長さと、１００ナノメーター〜１０００ミクロンの範囲で選択された幅と、１ナノメーター〜１０００ミクロンの範囲で選択された厚さとを有しており、前記第１の分離速度が１００ｃｍ秒−１〜０．１ｍｍ秒−１の範囲で選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記部材が、１００ナノメーター〜１０００ミクロンの範囲で選択された長さと、１００ナノメーター〜１０００ミクロンの範囲で選択された幅と、１ナノメーター〜１０００ミクロンの範囲で選択された厚さとを有しており、前記第２の分離速度が０．１ｍｍ秒−１〜１００ｃｍ秒−１の範囲で選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の分離速度が、１Ｊ／ｍｅｔｅｒ２以上の面積ごとに前記部材と前記エラストマー転送デバイスの前記転送表面間の分離エネルギーを生成するように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記部材が少なくとも１つのブリッジ要素を介して前記ドナー表面に接続されており、前記第１の分離速度が、前記ブリッジ要素の破砕をもたらすほど大きいため、前記部材の前記ドナー表面からの解放をもたらすことができる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記部材が前記ドナー表面によって支持されているフリースタンディング構造であり、前記第１の分離速度が、前記構造を前記ドナー表面から解放するほど大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記部材が、印刷可能な半導体要素、電子デバイス、電子デバイスコンポーネント、ダイオード、トランジスタ、光起電デバイス、センサー、発光ダイオード、微小電気機械デバイス、ナノ電気機械デバイス、フォトダイオード、ワイヤ、小型コンテナ、ピル、レーザーおよびＰ−Ｎ接合からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記受取り表面上に接着層を提供するステップをさらに備えており、前記転送表面上に配置された前記部材が前記接着層に接触している、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記転送表面の少なくとも一部を前記部材の少なくとも一部に接触させるステップ、前記第１の分離速度で前記転送表面を前記ドナー表面から分離するステップ、前記転送表面上に配置された前記部材の少なくとも一部を前記受取り基板の前記受取り表面に接触させるステップ、第２の分離速度で前記転送表面を前記部材から分離するステップ、あるいはこれらのステップの組み合わせが、前記転送デバイスに動作可能に接続されているアクチュエータを介して実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
多層部材を前記受取り表面上に生成するために前記ステップのうちの少なくとも一部を反復するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
印刷可能な半導体要素を受取り基板の受取り表面上に組み立てるための方法であって、
転送表面を有するエラストマー転送デバイスを提供するステップと、
ドナー表面を有するドナー基板を提供するステップであって、前記ドナー表面が少なくとも１つの印刷可能な半導体要素を有するステップであって、前記印刷可能な半導体要素が少なくとも１つのブリッジ要素を介して前記ドナー基板に接続されているステップと、
前記転送表面の少なくとも一部を前記印刷可能な半導体要素の少なくとも一部に接触させるステップと、
前記ブリッジ要素が破砕され、かつ前記印刷可能な半導体要素が前記ドナー表面から前記転送表面に転送されるように、第１の分離速度で前記転送表面を前記ドナー表面から分離することによって、前記印刷可能な半導体要素をその上に配置する前記転送表面を形成するステップと、
前記転送表面上に配置された前記印刷可能な半導体要素の少なくとも一部を前記受取り基板の前記受取り表面に接触させるステップと、
第２の分離速度で前記転送表面を前記部材から分離するステップであって、前記第１の分離速度が前記第２の分離速度よりも速いステップであって、これによって前記印刷可能な半導体要素を前記受取り表面に転送するステップと、を備える方法。
【請求項１９】
複数の印刷可能な半導体要素を提供するステップであって、前記印刷可能な半導体要素の各々が少なくとも１つのブリッジ要素を介して前記ドナー基板に接続されているステップをさらに備えており、
前記転送表面の少なくとも一部を前記印刷可能な半導体要素パターンの少なくとも一部に接触させるステップと、
前記ブリッジ要素の少なくとも一部が破砕され、かつ前記印刷可能な半導体要素パターンの少なくとも一部が前記ドナー表面から前記転送表面に転送されるように第１の分離速度で前記転送表面を前記ドナー表面から分離することによって、前記印刷可能な半導体要素をその上に配置する前記転送表面を形成するステップと、
前記転送表面上に配置された前記印刷可能な半導体要素の少なくとも一部を前記受取り基板の前記受取り表面に接触させるステップと、
第２の分離速度で前記転送表面を前記部材から分離するステップであって、前記第１の分離速度が前記第２の分離速度よりも速いステップであって、これによって前記印刷可能な半導体要素パターンの少なくとも一部を前記受取り表面に転送するステップと、をさらに備える請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
処理するために部材をドナー基板表面から受取り基板の受取り表面に一時的に転送するための方法であって、
転送表面を有するエラストマー転送デバイスを提供するステップと、
ドナー表面を有するドナー基板を提供するステップであって、前記ドナー表面が少なくとも１つの部材を有するステップと、
前記転送表面の少なくとも一部を前記部材の少なくとも一部に接触させるステップと、
前記部材の少なくとも一部が前記ドナー表面から前記転送表面に転送されるように第１の分離速度で前記転送表面を前記ドナー表面から分離することによって、前記部材をその上に配置する前記転送表面を形成するステップと、
前記転送表面上に配置された前記部材の少なくとも一部を前記受取り基板の前記受取り表面に接触させるステップと、
第２の分離速度で前記転送表面を前記部材から分離するステップであって、前記第１の分離速度が前記第２の分離速度よりも速いステップであって、これによって前記部材を前記受取り表面に転送するステップと、
処理部材を生成するために前記受取り表面上の前記部材を処理するステップと、
前記転送表面の少なくとも一部を前記処理部材の少なくとも一部に接触させるステップと、
前記処理部材の少なくとも一部が前記転送表面に転送されるように第３の分離速度で前記転送表面を前記受取り表面から分離するステップと、
を備える方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
[013]本発明において、該エラストマー転送デバイスが基板および／または基板上の部材から分離される速度は、部材を転送、組立ておよび集積するのに有用な接着力を生成するように選択される。一実施形態において、該第１の分離速度は該第２の剥離速度よりも約１００倍超速い。一実施形態において、該第１の分離速度は、ドナー基板の該表面から該転送デバイスの該転送表面への１つ以上の部材の効率的な転送を提供するように約１０ｃｍ／ｓ以上であり、また該第２の分離速度は、該転送デバイスの該転送表面から受取り基板の該受取り表面への１つ以上の部材の効率的な転送を提供するように約１ｍｍ／ｓ以下である。一実施形態において、転送中の部材は、約１００ナノメーター〜約１０００ミクロンの範囲で選択された長さと、約１００ナノメーター〜約１０００ミクロンの範囲で選択された幅と、約１ナノメーター〜約１０００ミクロンの範囲で選択された厚さとを有しており、該第１の分離速度は約１００ｃｍ／ｓ〜０．１ｍｍ／ｓの範囲で選択され、かつ／または該第２の剥離速度は約０．１ｍｍ／ｓ〜１００ｃｍ／ｓの範囲で選択される。一実施形態において、該第１の剥離速度は、４Ｊ／ｍ２以上の面積ごとに該部材と該エラストマー転送デバイスの該転送表面間の分離エネルギーを生成するように選択されている。