【事件の表示】
　特願２００３−４２８０３０「レーザリペア方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月１３日出願公開、特開２００４−１３９１２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１月２６日に出願した特願２０００−１７６８３号の一部を平成１５年１２月２４日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年６月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月１２日に拒絶査定不服の審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年５月２９日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「蒸散用ガスを基板面へ供給し、レーザ光を該基板面上の所定部に照射し、該基板上の欠陥を修正するレーザリペア方法であって、蒸散用ガスは前記基板面の所定位置に斜め上方から前記基板面上で流速が１５ｍ／ｓ以上となるように供給することを特徴とするレーザリペア方法。」
　
３．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成４年６月２５日に頒布された特開平４−１７８２８９号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（イ）〔産業上の利用分野〕
本発明は、ハイブリッドＩＣ等の微細な加工パターンの修正に使用されるレーザトリマー（レーザリペア）におけるダスト除去手段に関するものである。
　（明細書第１頁右欄第２行から第６行）
　
（ロ）〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
　第１図において、液晶素子セルの作成におけるガラス基板上に形成したＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２）をレーザトリミングする場合について、本発明を説明する。
　ステージ７上には、ＩＴＯのパターンを形成したガラス基板１が載置され、ガラス基板１上のＩＴＯのパターン材料２に対して、図示されていないレーザ光源からのレーザビームＢは、集光レンズ３により集光され、パターン材料２の一部２ａを加熱溶融する。
　パターン材料２の一部２ａから加熱溶融された蒸発物がガラス基板１上に飛散し、蒸発物は空気により冷却されて、３００〜５０００Åの微細な粒子となってガラス基板１に付着する。
　本発明において、蒸発物が微細な粒子となってガラス基板１に付着するのを防止するため、パターン材料２の加熱溶融される一部２ａに向かってジェット気流を与えるジェットノズル４が設けられ、ジェットノズル４の噴出孔４ａからは清浄なＮ２を連続して約２〜３ｍ／ｓｅｃの流速で噴出させ、これによって、加熱溶融された飛散する微粒子状のダスト２ｂは、ガラス基板１の外方に吹き飛ばし、ガラス基板１に再付着することはない。
　ジェットノズル４の噴出孔４ａから噴出する気体としては、Ｎ２に限ることなく、清浄な空気でもよく、又、噴出状態は連続的でも、間欠的でもよく、０．５〜２ｋｇ／ｃｍ２程度であれば、良好な除去作用を達成する。
　しかも、ジェットノズル４の動作をレーザ照射の作動と同期し、連続的或いは間欠的に制御するように構成することができる。
　（明細書第２頁左下欄第４行から右下欄第１８行）
　
（ハ）第１図
　第１図から、ジェットノズル４の噴出孔４ａから噴出する気体は、斜め上方からガラス基板１の所定位置に向かって噴出させている点が読み取れる。
　
（２）したがって、引用例１には、
「清浄な気体をガラス基板へ噴出させ、レーザビームを同ガラス基板の所定位置に集光させ、同基板の加工パターンを修正するレーザリペアにおけるダスト除去方法であって、
　前記気体はジェットノズルから約２〜３ｍ／ｓｅｃの流速で斜め上方から前記ガラス基板の所定位置に向かって噴出させるレーザリペアにおけるダスト除去方法」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されている。
　
４．対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する
　引用発明の「清浄な気体」と本願発明の「蒸散用ガス」は共に、レーザリペアの工程で発生する微粒子を除去するために用いられるガスであることから、前記「清浄な気体」は前記「蒸散用ガス」に相当する。
　引用発明の「ガラス基板」、「レーザビーム」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「レーザ光」に相当する。
　引用発明における、清浄な気体の「噴出」、レーザビームの「集光」とは、それぞれ、本願発明における、蒸散用ガスの「供給」、レーザ光の「照射」に相当する。
　引用発明における「加工パターンを修正」とは、欠陥の修正を含むことが自明であることから、本願発明の「欠陥を修正」に相当するものである。
　また、引用発明の「レーザリペアにおけるダスト除去方法」も、レーザリペア工程で発生する微粒子を除去するために基板へガスを噴出させ、レーザビームを基板に集光させ、基板のパターンを修正するのであるから、「レーザリペアにおけるダスト除去方法」が本願発明の「レーザリペア方法」に相当することは明らかである。
　
　（２）してみれば、本願発明と引用発明とは、
「蒸散用ガスを基板面へ供給し、レーザ光を該基板面上の所定部に照射し、該基板上の欠陥を修正するレーザリペア方法であって、蒸散用ガスは前記基板面の所定位置に斜め上方から供給することを特徴とするレーザリペア方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点］
　蒸散用ガスの流速が、本願発明では基板面上で１５ｍ／ｓ以上となるように供給するのに対して、引用発明ではジェットノズルから約２〜３ｍ／ｓｅｃで噴出する点。
　
５．判断
（１）上記［相違点］について
（ア）引用発明のようなレーザリペア方法においては、一般的に、蒸散用ガスの流速が速いほど、微粒子の除去効果は、その粒径の大小にかかわらず、向上できることは当業者には明らかである。
　また、引用発明においては、前記流速を約２〜３ｍ／ｓｅｃで噴出させているが、基板面上での流速を上げるために、前記以上の流速で噴出させることが困難であるような格別の事情があると認められるものでもない。
　してみれば、前記流速をどの程度に設定するかは、どの程度、微粒子を除去する必要があるか等を考慮した上で決められる、設計的な事項にすぎない。
　
（イ）なお、本願発明において流速の下限値を１５ｍ／ｓｅｃに設定したことの技術的な意義については、本願明細書の「…ザップ用ガスの流量が２５０ｓｃｃｍ以上１５００ｓｃｃｍまで範囲では、観測可能な０．０５μｍ以上の微粒子は見られず実用上無視できるレベルに改善され…（【００２５】）」、「…ノズルからの流量を基板上のレーザ照射部での流速に換算すると、ザップ用ガスの流量２５０ｓｃｃｍは１５ｍ／ｓに相当する。したがって、残留欠陥の除去時には、レーザ照射部でのザップ用ガスの流速を１５ｍ／ｓ以上とすれば、微粒子の降り積もりを除去できる…（【００２６】）」との記載を根拠としているものと考えられる。
　しかし、２５０ｓｃｃｍというガス流量の単位は、１分間あたりの流れるガスの容積（ｃｍ３／ｍｉｎ）のことであり、その値は、ガスの流れる速度である流速（ｍ／ｓ）と一義的な関係にあるものでなく、ノズルの開口部の断面積が決められて初めて定まるものである。
　してみれば、本願発明にいう、流速の下限値としての１５ｍ／ｓｅｃには臨界的な意義があるともいえない。
　
（ウ）そして、観測可能な０．０５μｍ以上の微粒子の除去効果（【００２５】から【００２６】）という本願発明の作用効果も、上記（ア）のとおり、当業者が予測できる範囲のものである。
　
（２）してみれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に想到できたものといえる。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に想到できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。