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　特願２００１−１２１６８９「窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月３１日出願公開、特開２００２−３１９７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯  
　 
　本願は、平成１３年４月１９日の出願であって、平成１７年４月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年６月２７日に手続補正がなされ、前置審査において、同年８月１５日付けで最後の拒絶の理由が通知され、これに対して、同年１０月２４日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．平成１７年１０月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定 
　 
［補正却下の決定の結論］ 
　 
　平成１７年１０月２４日付けの手続補正を却下する。 
　 
　［理由］ 
　 
（１）補正の内容 
　 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　
「【請求項１】
　基体上にＧａＩｎＮからなる活性層を気相法で７００℃以上８５０℃以下の成長温度で結晶成長させ、
　該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）は、活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度としたことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。」から 
　
「【請求項１】
　
サファイア基体上に積層した窒化物半導体素子の製造方法であって、
　該活性層を成長させた後に積層されるすべての窒化物半導体の成長の温度Ｔ（℃）は活性層の発光波長l（ｎｍ）とした場合に、発光波長l（ｎｍ）が
緑に属する
　 
（２）当審の判断 
　
ア．まず、特許請求の範囲の請求項１に係る上記補正が、平成１４年改正前特許法１７条の２第３項の規定に該当するか否かについて検討する。
　
　（ア）特許請求の範囲の請求項１に係る上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「窒化物半導体素子」について「
サファイア基体上に積層した
緑に属する
　
　（イ）窒化物半導体素子について「サファイア基体上に積層した」との限定を付加する上記補正は願書に最初に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであることが明らかである。
　
　（ウ）活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）について、「活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度」であるとしていたところを、「活性層の発光波長l（ｎｍ）とした場合に、発光波長l（ｎｍ）が緑に属する範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり、且つ（１２５０−０．７５l）以下の温度」であると変更する補正は、次の（ａ）〜（ｃ）からみて、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
（ａ）「発光波長l（ｎｍ）が緑に属する範囲」が「３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲」内の一部の範囲であることが当業者に自明であること。
（ｂ）活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）が、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲において、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度であれば、３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲内の一部の範囲においても、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度であることは明らかであること。
（ｃ）活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）が、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲において、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度である事項は、明らかに、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内であること。
　
　イ．次に、特許請求の範囲の請求項１に係る上記補正が、同法１７条の２第４項１号乃至４号に規定された事項を目的とするものであるかについて検討する。 
　
　（エ）補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「窒化物半導体素子」について「サファイア基体上に積層した」との限定を付加する補正は、補正前の請求項１において「基板」が発明を特定するために必要な事項として記載されていることから、同法１７条の２第４項２号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当することが明らかである。
　
　（オ）補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）」について、「活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度」であるとしていたところを、「活性層の発光波長l（ｎｍ）とした場合に、発光波長l（ｎｍ）が緑に属する範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり、且つ（１２５０−０．７５l）以下の温度」であると変更する補正は、活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）について、「活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度である」との限定の対象である活性層の発光波長をλ（ｎｍ）の範囲を、「３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲」から、その一部の範囲である「緑に属する範囲」に狭めるものであり、換言すると「３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲のうち緑に属さない範囲」について上記限定を省くものであるから、この補正事項は同法１７条の２第４項２号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当しない。
　また、この補正事項が、同法１７条の２第４項３号に規定する誤記の訂正を目的とするものでもなく、同法１７条の２第４項４号に規定する明りようでない記載の釈明を目的とするものでもなく、同法１７条の２第４項１号に規定する請求項の削除を目的とするものでもないことは明らかである。
　
　（カ）したがって、上記補正事項を含む本件補正は、同法１７条の２第４項１号乃至４号に規定されたいずれの事項をも目的とするものではない。
　
　ウ．むすび 
　 
　以上のとおりであるから、本件補正は、同法１７条の２第４項の規定に適合しないので、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　  
３．本願発明について 
　
　平成１７年１０月２４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、同年６月２７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりの、次のとおりのものである。
　
「基体上にＧａＩｎＮからなる活性層を気相法で７００℃以上８５０℃以下の成長温度で結晶成長させ、
　該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）は、活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度とした
ことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
４．引用刊行物記載の発明
　
　（１）前置審査における平成１７年８月１５日付けの拒絶の理由で引用された本願出願前の平成１０年５月２９日に日本国内で頒布された刊行物である特開平１０−１４４６１２号公報(以下、「引用例１」という。)には、次の事項が、図面とともに記載されている。
　
　ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体の成長方法に関し、特に、ＧａＩｎＮ層などのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でＩｎを含まない別の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる必要がある半導体装置、例えば半導体発光素子の製造に適用して好適なものである。」
　
　イ．「【００２１】
図１に示す試料Ａを作製するには、まず、図示省略したＭＯＣＶＤ装置の反応管内にｃ面サファイア基板１を入れた後、反応管内にキャリアガスとして例えばＨ２とＮ２との混合ガスを流し、１０５０℃で１０分間熱処理を行うことによりそのｃ面サファイア基板１の表面をサーマルクリーニングする。次に、基板温度を５３０℃に下げた後、Ｇａ原料としてのトリメチルガリウム（ＴＭＧａ、Ｇａ（ＣＨ３）３）およびＮ原料としてのアンモニア（ＮＨ３）を反応管内に供給し、ｃ面サファイア基板１上に厚さ約２５ｎｍのＧａＮバッファ層２を成長させる。次に、反応管内へのＴＭＧａの供給を停止し、ＮＨ３の供給はそのまま続けながら、成長温度を９９０℃まで上昇させた後、反応管内にＴＭＧａおよびｎ型不純物（ドナー不純物）であるＳｉのドーパントとしてのシラン（ＳｉＨ４）を供給し、厚さ２μｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層３を成長させる。
【００２２】次に、反応管内へのＴＭＧａの供給を停止し、成長温度を７８０℃に下げた後、反応管内にＴＭＧａを供給し、ｎ型ＧａＮ層３を薄く成長させる。このｎ型ＧａＮ層３は、成長温度を下げる間に下地のｎ型ＧａＮ層３の表面が汚染されることがあることから、次に成長させるｎ型ＧａＩｎＮ活性層４の成長直前にこの薄いｎ型ＧａＮ層３を成長させ、ｎ型ＧａＩｎＮ活性層４を清浄な表面に成長させるためのものである。次に、成長温度をそのまま７８０℃に保持した状態で、反応管内にＮ原料としてのＮＨ３に加えてＧａ原料としてのトリエチルガリウム（ＴＥＧａ、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３）およびＩｎ原料としてのトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ、Ｉｎ（ＣＨ３）３）を供給し、厚さ約３ｎｍのＳｉドープのｎ型ＧａＩｎＮ活性層４を成長させる。ここで、このｎ型ＧａＩｎＮ活性層４のＩｎ組成比は０．２である。
【００２３】次に、成長温度をそのまま７８０℃に保持した状態で、反応管内へのＴＭＩｎの供給を停止するとともに、Ｇａ原料をＴＭＧａに切り換え、厚さ１００ｎｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層５を成長させる。
【００２４】以上により、ＧａＩｎＮ／ＧａＮ単一量子井戸構造の試料Ａが作製される。」
　
　ウ．「【００２７】
図３および図４より、試料Ａおよび試料Ｂとも、波長４００ｎｍ付近に発光が観測される。このうち試料Ａについては、発光強度は熱処理温度が９００℃までは熱処理前とほとんど変わらないが、熱処理温度が９９０℃のときには熱処理前の約１／２０に減少している。また、試料Ｂについては、発光強度は熱処理温度が９００℃までは試料Ａと同様に熱処理前とほとんど変わらないが、熱処理温度が９９０℃のときには熱処理前の約１／２に減少しているに過ぎず、発光強度の減少は少ない。」
　
　エ．「【００３３】
この第１の実施形態によるＧａＮ系発光ダイオードの製造方法においては、図６および図７に示すように、試料Ａおよび試料Ｂの作製の場合と同様にして、例えば１０５０℃でｃ面サファイア基板１１のサーマルクリーニングを行った後、このｃ面サファイア基板１１上に例えば５３０℃の成長温度で例えば厚さ２５ｎｍのＧａＮバッファ層１２を成長させる。次に、成長温度を例えば９９０℃に上昇させた後、このＧａＮバッファ層１２上に例えば厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層１３を成長させる。次に、成長温度を例えば７８０℃に下げた後、薄いｎ型ＧａＮ層１３、例えば厚さ３ｎｍのＧａＩｎＮ活性層１４および例えば厚さ２０ｎｍのｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１５を順次成長させる。ここで、ＧａＩｎＮ活性層１４のＩｎ組成比は例えば０．２、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１５のＡｌ組成比は例えば０．１５である。次に、成長温度を例えば９３０℃まで上昇させた後、例えば厚さ１．５μｍのｐ型ＧａＮ層１６を成長させる。このｐ型ＧａＮ層１６の成長時間は例えば約１時間である。ここで、ｎ型ＧａＮ層１３のｎ型不純物としては例えばＳｉを用い、そのドーパントとしては例えばＳｉＨ４を用いる。また、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１５およびｐ型ＧａＮ層１６のｐ型不純物（アクセプタ不純物）としては例えばＭｇを用い、そのドーパントとしては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を用いる。この後、ｐ型不純物の活性化のために、例えば、Ｎ２雰囲気中において８００℃で１０分間熱処理を行う。
【００３４】次に、図示は省略するが、所定のパターニングを行った後、ｐ型ＧａＮ層１６上にｐ側電極を形成するとともに、ｎ型ＧａＮ層１３にｎ側電極をコンタクトさせ、ＧａＮ系発光ダイオードを製造する。
【００３５】図８は、このようにして製造されたＧａＮ系発光ダイオード（試料Ｃ）の発光スペクトルの測定結果を示す。」
　
　オ．図８の記載から資料Ｃの発光波長が４１０ｎｍであることが見て取れる。
　
　カ．上記ア．〜ウ．の記載からみて、引用例１には「ＭＯＣＶＤ装置の反応管内にｃ面サファイア基板１を入れた後、ｃ面サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２を成長させ、次に、成長温度を９９０℃まで上昇させた後、ｎ型ＧａＮ層３を成長させ、成長温度を７８０℃に下げた後、ｎ型ＧａＮ層３を薄く成長させ、次に、成長温度をそのまま７８０℃に保持した状態で、Ｉｎ組成比は０．２であるＳｉドープのｎ型ＧａＩｎＮ活性層４を成長させ、次に、成長温度をそのまま７８０℃に保持した状態で、ｎ型ＧａＮ層５を成長させ、波長４００ｎｍ付近に発光が観測されるＧａＩｎＮ／ＧａＮ単一量子井戸構造の半導体発光素子の製造方法。」の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明１」という。）。
　
　キ．また、上記イ．エ．及びオ．の記載から「ＭＯＣＶＤ装置の反応管内にｃ面サファイア基板１１を入れた後、ｃ面サファイア基板１１上にＧａＮバッファ層１２を成長させ、次に、ｎ型ＧａＮ層１３を成長させ、次に、成長温度を例えば７８０℃に下げた後、薄いｎ型ＧａＮ層１３、Ｉｎ組成比は例えば０．２のＧａＩｎＮ活性層１４およびｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１５を順次成長させ、次に、成長温度を例えば９３０℃まで上昇させた後、ｐ型ＧａＮ層１６を成長させ、発光波長４１０ｎｍのＧａＮ系発光ダイオードの製造方法。」の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明２」という。）。
　
　（２）同様に、平成１２年１０月２４日に日本国内で頒布された刊行物である特開２０００−２９９５３２号公報(以下、「引用例２」という。)には、次の事項が、図面とともに記載されている。
　
　ク．「【００６１】
また、本発明において、窒化物半導体の成長は、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）等、窒化物半導体を成長させるのに知られている全ての方法を適用できる。・・・・（中略）・・・・
【００６４】・・・・（中略）・・・・サファイア基板を用意する。このサファイア基板を反応容器内にセットし、温度を５１０℃にして、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、サファイア基板上にＧａＮよりなる低温成長のバッファ層を２００オングストロームの膜厚で成長させる。バッファ層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させ、１０５０℃になったら、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用い、アンドープのＧａＮからなる高温成長のバッファ層を５μｍの膜厚で成長させる。次に、高温成長のバッファ層を積層したウェーハ上にストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装置によりストライプ幅１８μｍ、窓部の幅３μｍのＳｉＯ２よりなる保護膜を０．１μｍの膜厚で形成する。保護膜のストライプ方向はサファイアＡ面に対して垂直な方向である。保護膜形成後、ウェーハを反応容器に移し、１０５０℃にて、原料ガスにＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープのＧａＮよりなる窒化物半導体層を１５μｍの膜厚で成長させＥＬＯＧ基板１とする。得られたＥＬＯＧ基板１上に以下の素子構造を積層成長させる。
【００６５】（アンドープｎ型コンタクト層）［図１には図示されていない］ＥＬＯＧ基板１上に、１０５０℃で原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニアガスを用いアンドープのＡｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなるｎ型コンタクト層を１μｍの膜厚で成長させる。
（ｎ型コンタクト層２）次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアガスを用い、不純物ガスにシランガス（ＳｉＨ４）を用い、Ｓｉを３×１０１８／ｃｍ３ドープしたＡｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなるｎ型コンタクト層２を３μｍの膜厚で成長させる。・・・・（中略）・・・・
【００６６】（クラック防止層３）次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びアンモニアを用い、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＩｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎよりなるクラック防止層３を０．１５μｍの膜厚で成長させる。
【００６７】（ｎ型クラッド層４）次に、温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＡｌ０．１５Ｇａ０．８６Ｎよりなる第１の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮよりなる第３の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ１４０回繰り返して第１の窒化物半導体と第３の窒化物半導体を積層し、総膜厚７０００オングストロームの多層膜（超格子構造）よりなるｎ型クラッド層４を成長させる。・・・・（中略）・・・・
【００６８】（ｎ型ガイド層５）次に、温度を８５０℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＩｎｄＧａ１−ｄＮよりなる第２の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＩを止め、アンドープのＧａＮよりなる第４の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ４０回繰り返して第２の窒化物半導体と第４の窒化物半導体を積層し、総膜厚２０００オングストロームの多層膜層よりなるｎ型ガイド層を成長させる。・・・・（中略）・・・・
【００６９】（活性層６）次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚で成長させる。続いて、シランガスを止め、アンドープのＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を４回繰り返し、最後に障壁層を積層した総膜厚６２０オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層６を成長させる。
【００７０】（ｐ型電子閉じ込め層７）次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０１９／ｃｍ３ドープしたＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなるｐ型電子閉じ込め層７を１００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００７１】（ｐ型ガイド層８）次に、温度を８５０℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＩｎｄＧａ１−ｄＮよりなる第２の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＩを止め、不純物ガスとしてＣｐ２Ｍｇを用い、Ｍｇを５×１０１９／ｃｍ３ドープしたＧａＮよりなる第４の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ４０回繰り返して第２の窒化物半導体と第４の窒化物半導体を積層し、総膜厚２０００オングストロームの多層膜層よりなるｐ型ガイド層を成長させる。・・・・（中略）・・・・
【００７２】（ｐ型クラッド層９）次に、温度を９００℃にして、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＡｌａＧａ１−ａＮよりなる第１の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてＣｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇを５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮよりなる第２の窒化物半導体を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ１４０回繰り返して第１の窒化物半導体と第３の窒化物半導体を積層し、総膜厚７０００オングストロームの多層膜（超格子構造）よりなるｐ型クラッド層９を成長させる。・・・・（中略）・・・・
【００７３】（ｐ型コンタクト層１０）次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてＣｐ２Ｍｇを用い、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたＧａＮよりなるｐ型コンタクト層１０を１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００７４】反応終了後、反応容器内において、ウエハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層を更に低抵抗化する。アニーリング後、ウエハを反応容器から取り出し、・・・・（中略）・・・・
【００７７】以上のようにして、ｎ電極とｐ電極とを形成したウェーハのサファイア基板を研磨して７０μｍとした後、ストライプ状の電極に垂直な方向で、基板側からバー状に劈開し、劈開面（１１−００面、六角柱状の結晶の側面に相当する面＝Ｍ面）に共振器を作製する。共振器面にＳｉＯ２とＴｉＯ２よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断して図１に示すようなレーザ素子とする。なお共振器長は３００〜５００μｍとすることが望ましい。得られたレーザ素子をヒートシンクに設置し、それぞれの電極をワイヤーボンディングして、室温でレーザ発振を試みた。その結果、室温においてしきい値２．５ｋＡ／ｃｍ２、しきい値電圧５Ｖで、発振波長がほぼ４５５ｎｍの連続発振が確認され、室温で１０００時間以上の寿命を示す。」
　
　ケ．上記ク．の記載からみて、引用例２には「サファイア基板を反応容器内にセットし、得られたＥＬＯＧ基板１上に、Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなるｎ型コンタクト層、Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなるｎ型コンタクト層２、Ｉｎ０．０８Ｇａ０．９２Ｎよりなるクラック防止層３、多層膜（超格子構造）よりなるｎ型クラッド層４、多層膜層よりなるｎ型ガイド層５を積層成長させ、次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、シランガスを止め、アンドープのＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させ、この操作を４回繰り返し、最後に障壁層を積層した総膜厚６２０オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層６を成長させ、次に、同様の温度で、Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなるｐ型電子閉じ込め層７を成長させ、次に、温度を８５０℃にして、多層膜層よりなるｐ型ガイド層８を成長させ、次に、温度を９００℃にして、多層膜（超格子構造）よりなるｐ型クラッド層９を成長させ、次に、同様の温度で、ｐ型コンタクト層１０を成長させ、７００℃でアニーリングを行い、発振波長がほぼ４５５ｎｍの連続発振を確認した、レーザ素子の製造方法」の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明３」という。）。
　
５．対比・判断
　
　（１）引用発明１との対比・判断
　
　ここで、本願発明と引用発明１とを対比する。
　
ア．引用発明１の「ｃ面サファイア基板１」、「ｎ型ＧａＩｎＮ活性層４」、「『ＭＯＣＶＤ装置の反応管内に』入れ『成長』」、「ｎ型ＧａＮ層５」、「『発光が観測される』『波長４００ｎｍ付近』」及び「『ｎ型ＧａＩｎＮ活性層４を成長させ』た『成長温度』」は、それぞれ、本願発明の「基体」、「ＧａＩｎＮからなる活性層」、「『気相法』で『結晶成長』」、「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」、「活性層の発光波長」及び「活性層の成長温度」に相当する。
　
イ．引用発明１の「７８０℃」は本願発明の「７００℃以上８５０℃以下」に該当するから、引用発明１の「ＭＯＣＶＤ装置の反応管内にｃ面サファイア基板１を入れた後、ｃ面サファイア基板１上に、・・・・成長温度をそのまま７８０℃に保持した状態で、Ｉｎ組成比は０．２であるＳｉドープのｎ型ＧａＩｎＮ活性層４を成長させ」た事項は、本願発明の発明特定事項である「基板上にＧａＩｎＮからなる活性層を気相法で７００℃以上８５０℃以下の成長温度で結晶成長させ」に該当する。
　
ウ．引用発明１の「活性層の発光波長」は４００ｎｍ付近であって、本願発明の「３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲」に含まれており、引用発明１の「活性層の成長温度」は７８０℃であり、かつ、「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」の成長温度も７８０℃であるから、本願発明の式（１２５０−０．７５λ）のλに上記４００（ｎｍ）を代入すると式の値は９５０（℃）となる。したがって、上記「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」の成長温度７８０℃は、明らかに、この値９５０（℃）以下の温度であり、かつ上記「活性層の成長温度」の７８０℃以上である。それゆえ、引用発明１の「成長温度をそのまま７８０℃に保持した状態で、Ｉｎ組成比は０．２であるＳｉドープのｎ型ＧａＩｎＮ活性層４を成長させ、次に、成長温度をそのまま７８０℃に保持した状態で、ｎ型ＧａＮ層５を成長させ、波長４００ｎｍ付近に発光が観測される」事項は、本願発明の発明特定事項である「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）は、活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度としたこと」に該当する。
　
エ．引用発明１の「ＧａＩｎＮ／ＧａＮ単一量子井戸構造の半導体発光素子の製造方法」は、本願発明の「窒化物半導体素子の製造方法」に相当する。
　
オ．したがって、本願発明と引用発明１とは、「基体上にＧａＩｎＮからなる活性層を気相法で７８０℃の成長温度で結晶成長させ、活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲である場合に該当し、かつ、該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）が、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度である窒化物半導体素子の製造方法」の点で一致し、相違する点は無い。
　よって、本願発明は、引用例１に記載された発明である。
　
　（２）引用発明２との対比・判断
　
　ここで、本願発明と引用発明２とを対比する。
　
ア．引用発明２の「ｃ面サファイア基板１１」、「ＧａＩｎＮ活性層１４」、「『ＭＯＣＶＤ装置の反応管内に』入れ『成長』」、「ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１５及びｐ型ＧａＮ層１６」、「発光波長」及び「『ＧａＩｎＮ活性層１４を成長させ』た『成長温度』」は、それぞれ、本願発明の「基体」、「ＧａＩｎＮからなる活性層」、「『気相法』で『結晶成長』」、「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」、「活性層の発光波長」及び「活性層の成長温度」に相当する。
　
イ．引用発明２の「７８０℃」は本願発明の「７００℃以上８５０℃以下」に該当するから、引用発明２の「ＭＯＣＶＤ装置の反応管内にｃ面サファイア基板１１を入れた後、ｃ面サファイア基板１１上に、・・・・成長温度を例えば７８０℃に下げた後、・・・・Ｉｎ組成比は例えば０．２のＧａＩｎＮ活性層１４を成長させ」る事項は、本願発明の発明特定事項である「基板上にＧａＩｎＮからなる活性層を気相法で７００℃以上８５０℃以下の成長温度で結晶成長させ」に該当する。
　
ウ．引用発明２の「活性層の発光波長」である４１０ｎｍは、本願発明の「３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲」に含まれており、引用発明２の「活性層の成長温度」は７８０℃であり、かつ、「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」の成長温度は７８０℃と９３０℃であるから、本願発明の式（１２５０−０．７５λ）のλに上記４１０（ｎｍ）を代入すると式の値は９４２．５（℃）となり、「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」の成長温度７８０℃と９３０℃はどちらも、この値９４２．５（℃）以下の温度であり、かつ上記「活性層の成長温度」である７８０℃以上である。したがって、引用発明２の「成長温度を例えば７８０℃に下げた後、・・・・Ｉｎ組成比は例えば０．２のＧａＩｎＮ活性層１４およびｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１５を順次成長させ、次に、成長温度を例えば９３０℃まで上昇させた後、ｐ型ＧａＮ層１６を成長させ、発光波長４１０ｎｍ」である事項は、本願発明の発明特定事項である「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）は、活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度としたこと」に該当する。
　
エ．引用発明２の「ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法」は、本願発明の「窒化物半導体素子の製造方法」に相当する。
　
オ．したがって、本願発明と引用発明２とは、「基体上にＧａＩｎＮからなる活性層を気相法で７８０℃の成長温度で結晶成長させ、活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲である場合に該当し、かつ、該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）が、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度である窒化物半導体素子の製造方法」の点で一致し、相違する点は無い。
　よって、本願発明は、引用例１に記載された発明である。
　
　（３）引用発明３との対比・判断
　
　ここで、本願発明と引用発明３とを対比する。
　
ア．引用発明３の「サファイア基板」、「Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる井戸層からなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層６」、「成長」、「ｐ型電子閉じ込め層７、ｐ型ガイド層８、ｐ型クラッド層９及びｐ型コンタクト層１０」、「発光波長」及び「『多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層６を成長させ』た『温度』」は、それぞれ、本願発明の「基体」、「ＧａＩｎＮからなる活性層」、「結晶成長」、「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」、「活性層の発光波長」及び「活性層の成長温度」に相当する。
　
イ．引用発明３は、サファイア基板を反応容器内にセットし、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、続いて、シランガスを止め、この操作を４回繰り返し、Ｉｎ０．．１Ｇａ０．９９Ｎよりなる障壁層Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる井戸層からなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層６を成長させていることなどから、この結晶成長法は気相法であって本願発明の「気相法」に相当するものと認められる。また、ここで、引用発明３の「８００℃」は本願発明の「７００℃以上８５０℃以下」に該当するから、引用発明３の「サファイア基板を反応容器内にセットし、得られたＥＬＯＧ基板１上に、・・・・温度を８００℃にして、・・・・多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層６を成長させ」た事項は、本願発明の発明特定事項である「基板上にＧａＩｎＮからなる活性層を気相法で７００℃以上８５０℃以下の成長温度で結晶成長させ」に該当する。
　
ウ．引用発明３の「活性層の発光波長」である４５５ｎｍは本願発明の「３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲」に含まれており、引用発明３において、「活性層の成長温度」は８００℃であり、かつ、「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」の成長温度は８００℃と８５０℃と９００℃であるから、本願発明の式（１２５０−０．７５λ）のλに上記４５５（ｎｍ）を代入すると式の値は９０８．７５（℃）となるが、上記「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層」の成長温度８００℃と８５０℃と９００℃はいずれも、この値９０８．７５（℃）以下の温度であり、かつ上記「活性層の成長温度」の８００℃以上である。したがって、引用発明３の「温度を８００℃にして、・・・・多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層６を成長させ、次に、同様の温度で、Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなるｐ型電子閉じ込め層７を成長させ、次に、温度を８５０℃にして、多層膜層よりなるｐ型ガイド層８を成長させ、次に、温度を９００℃にして、多層膜（超格子構造）よりなるｐ型クラッド層９を成長させ、次に、同様の温度で、ｐ型コンタクト層１０を成長させ、７００℃でアニーリングを行い、発振波長がほぼ４５５ｎｍの連続発振を確認した」事項は、本願発明の発明特定事項である「該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）は、活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に、発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲においては、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度としたこと」に該当する。
　
エ．引用発明３のレーザ素子は窒化物半導体素子といえるから、引用発明３の「レーザ素子の製造方法」は、本願発明の「窒化物半導体素子の製造方法」に相当する。
　
オ．したがって、本願発明と引用発明３とは、「基体上にＧａＩｎＮからなる活性層を気相法で８００℃の成長温度で結晶成長させ、活性層の発光波長をλ（ｎｍ）とした場合に発光波長λ（ｎｍ）が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲である場合に該当し、かつ、該活性層を成長させた後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度Ｔ（℃）が、前記活性層の成長温度以上であり且つ（１２５０−０．７５λ）以下の温度である窒化物半導体素子の製造方法」の点で一致し、相違する点は無い。
　よって、本願発明は、引用例２に記載された発明である。
　
 ６．むすび 
　
 　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから特許
法２９条１項３号の規定に該当し、また、引用例２に記載された発明であるから特許法２９条１項３号の規定に該当し、いずれにしても、特許を受けることができない。 
 　よって、結論のとおり審決する。