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　特願２００１−１８９８４７「基板研磨装置、基板研磨方法及び半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月　８日出願公開、特開２００３−　　１５６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年６月２２日の出願であって、平成１６年５月１４日付けで手続補正がなされ、平成１７年１月２８日付けで拒絶査定がされ、同年３月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年４月１日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年４月１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「基板と研磨パッドとを密着させ、前記基板と前記研磨パッドとを共に回転させて前記基板の表面を研磨する基板研磨装置であって、
　前記基板上に配置される前記研磨パッドと、
　前記研磨パッドを前記基板に対して水平方向に移動させる移動手段と、
　前記基板を支持する基板支持手段と、
　前記基板支持手段に支持される前記基板の下部に設けられ、前記基板と前記研磨パッドとが接触する位置に応じてガスの噴射量を調節して、前記基板の裏面に向かって当該ガスを噴射するガス供給手段とを備え、
　前記基板と前記研磨パッドとの接触面の面積を前記基板の面積よりも小さくしたことを特徴とする基板研磨装置。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「ガス供給手段」について、「基板と前記研磨パッドとが接触する位置に応じてガスの噴射量を調節」なる事項を付加したものである。
　
　願書に最初に添付した明細書には、「基板と前記研磨パッドとが接触する位置に応じてガスの噴射量を調節」なる文言はないが、ガスの噴射量の調節に関し、以下の記載がある。
ア．段落００１８〜００２０
「前記ガス供給手段は複数のガス供給口を有し、前記ガス供給口のガス噴射量を調節するガス量調節手段を更に備えるものである。
　また、前記複数のガス供給口が前記基板の中心に対して同心円状に配置されるものである。
　また、前記基板の表面における研磨量を検出する研磨量検出手段を更に備え、前記ガス量調節手段は、研磨量の少ない領域に対応する前記ガス供給口のガス噴射量を多くするものである。」
イ．段落００３２〜００３５
「図２に示すように、ウエハ１の下部にはエア（ガス）供給手段７が設けられている。図３はエア供給手段７を上面からみた平面図である。図３に示すように、エア供給手段７には、ウエハ１に向かって上方にエア供給口７ａ〜７ｅが同心円状に設けられている。エア供給手段７はエア供給口７ａ〜７ｅのそれぞれからエアをウエハ１に向かって噴射する。これにより、ウエハ１は上方へ押し上げられ、ウエハ１とプラテン２とが密着される。更に、移動ガイド３側からプラテン２に下向きの力（Down Force）を与えることにより、両者の密着性をより高めることができる。
　このように、エアを用いてウエハ１を押し上げることにより、ウエハ１と研磨布４とを確実に密着させることができ、ウエハ１の研磨を確実に行うことができる。また、ウエハ１をエアによって上方へ押し上げ、エア供給手段７とウエハ１の間に構造物が存在しない構成としたため、研磨時にウエハ１に発生する振動を効果的に吸収することができる。
　更に、図３に示すように、エア供給手段７を５つのエア供給口７ａ〜７ｅのそれぞれに分割するようにしたため、研磨布４に対するウエハ１の圧着力を領域に応じて調節することができる。そして、圧着力に応じてウエハ１の面内で研磨量を可変することができる。例えば、エア供給口７ａに対応した領域においてウエハ１の研磨量を増加させる場合には、エア供給口７ａにおけるエアの噴射量を他のエア供給口７ｂ〜７ｅにおける噴射量よりも多くする。これにより、エア供給口７ａに対応した領域においてウエハ１の研磨量を増大させることができる。
　従って、エア供給口７ａ〜７ｅに対応したウエハ１の領域ごとに研磨量を調整することができ、ＥＤＰライン５による研磨量のプロファイル検出結果に応じて調整を行うことにより、ウエハ１の全領域で研磨量を均一にすることができる。
なお、エア供給口７ａ〜７ｅそれぞれにおけるエアの供給量の調節は、不図示のガス量調節手段によって行う。」
ウ．段落００３９
「また、エア供給手段７によってウエハ１を研磨布４に対して密着させるとともに、エア供給手段７に複数のエア供給口７ａ〜７ｅを設けたため、研磨のプロファイルに応じてエア供給口７ａ〜７ｅから噴射させるエアの量を調節することができ、ウエハ１の面内における研磨を均一化することができる。」
　
　以上より、基板の中心に対して同心円状に配置された同心円状のガス供給口を設け、研磨布に対するウエハの圧着力を領域に応じて調節することは、願書に最初に添付した明細書に記載されている。
　しかしながら、「接触する位置に応じてガスの噴射量を調節」なる記載によれば、上記のほか、
・エア供給領域を円の径方向、周方向ともに区分し、多数の扇型領域とし、プラテン直下の領域と周辺領域とで、噴射量を変えるもの
・エア供給領域を区分することなく、全体で一つとし、プラテンが周辺にある時と、中心部にある時とで、噴射量を変えるもの
等も、含まれることとなる。
　すなわち、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内の補正とは言えない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合しないものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成１６年５月１４日付けで補正された特許請求の範囲に記載されたとおりと認められ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「基板と研磨パッドとを密着させ、前記基板と前記研磨パッドとを共に回転させて前記基板の表面を研磨する基板研磨装置であって、
　前記基板上に配置される前記研磨パッドと、
　前記研磨パッドを前記基板に対して水平方向に移動させる移動手段と、
　前記基板を支持する基板支持手段と、
　前記基板支持手段に支持される前記基板の下部に設けられ、前記基板の裏面に向かってガスを噴射するガス供給手段とを備え、
　前記基板と前記研磨パッドとの接触面の面積を前記基板の面積よりも小さくしたことを特徴とする基板研磨装置。」
　
３．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２５２１１３号公報には、図面とともに、以下の記載がある。
ア．段落００１７
「・・・図１において符号１３は基板保持ターンテーブルを示してている。基板保持ターンテーブル１３上には、膜堆積、フォトリソグラフィー、エッチングの繰り返しにより凸凹パターンを形成した後膜堆積を行った直径１５０ｍｍもしくは２００ｍｍのシリコン基板１１がたとえば真空吸着により接着されている。本実施例においては、基板保持ターンテーブル１３は自転のみを行うよう設計されている。一方シリコン基板１１の上面にはシリコン基板１１より十分小さい、たとえば直径５０ｍｍの研磨ヘッド１２が配置されている。研磨ヘッド１２は自転を行いながらシリコン基板１１の半径方向に移動できる構造になっている。・・・」
イ．段落００１８
「次に、この装置を用いての研磨による平坦化の手順を述べる。基板保持テーブル１３に接着したシリコン基板１１の主面に、研磨ヘッド１２を圧接させるとともに、研磨ヘッド１２を自転させ、シリコン基板１１上をシリコン基板１１の半径方向に移動させることにより、シリコン基板１１の主面を研磨する。このとき、基板保持テーブル１３の自転も同時に行う。・・・」
　
　ここで、研磨ヘッド１２はシリコン基板１１の半径方向に移動するが、基板の研磨装置においては、基板を水平に載置することが、技術常識であるから、研磨ヘッドは基板に対して水平方向に移動するものとなる。
　
　これらを、本願発明に照らして整理すると、同公報には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板と研磨ヘッドとを圧接させ、前記基板と前記研磨ヘッドとを共に回転させて前記基板の主面を研磨する基板研磨装置であって、
　前記基板上に配置される前記研磨ヘッドと、
　前記研磨ヘッドを前記基板に対して水平方向に移動させる移動手段と、
　前記基板が真空吸着により接着される基板保持テーブルと、
前記基板と前記研磨ヘッドとの接触面の面積を前記基板の面積よりも小さくした基板研磨装置。」
　
４．対比
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
　刊行物発明の「研磨ヘッド」、「圧接」、「主面」はそれぞれ本願発明の「研磨パッド」、「密着」、「表面」に相当する。
　また、刊行物発明の「基板が真空吸着により接着される基板保持テーブル」は、基板を支持する基板支持手段の機能を有することは明らかであり、「基板支持手段」ということができる。
　
　したがって、両者は、以下の点で一致する。
「基板と研磨パッドとを密着させ、前記基板と前記研磨パッドとを共に回転させて前記基板の表面を研磨する基板研磨装置であって、
　前記基板上に配置される前記研磨パッドと、
　前記研磨パッドを前記基板に対して水平方向に移動させる移動手段と、
　前記基板を支持する基板支持手段と、
　前記基板と前記研磨パッドとの接触面の面積を前記基板の面積よりも小さくした基板研磨装置。」
　
　そして、以下の点で相違する。
　基板と基板支持手段に関して、本願発明は、基板支持手段に支持される基板の下部に設けられ、前記基板の裏面に向かってガスを噴射するガス供給手段を有しているが、刊行物発明は、基板が真空吸着により基板保持テーブルに接着されている点。
　
５．判断
　相違点について検討する。
　基板を、基板支持手段から研磨手段に向けて、気体圧力を利用して押圧するものは、周知である（例えば、拒絶理由に引用された特開平１１−１２９１５４号公報、特開平１１−１５６６９８号公報、特開２００１−９６９９号公報）。
　刊行物発明も、基板と研磨パッドとを密着させる必要があるから、密着をより確実なものとするために、周知手段である気体圧力を利用した押圧を適用することに困難性は認められない。
　また、かかる相違点により、格別の効果が生じるとも認められない。
　
６．結論
　以上のとおり、本願発明は、刊行物発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
　
７．付記
　仮に、本件補正により付加された事項が、「基板の中心に対して同心円状に配置された同心円状のガス供給口を設け、研磨布に対するウエハの圧着力を領域に応じて調節すること」のみを意味し、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内の補正であったとしても、基板の研磨手段に向けた押圧力を、基板の中心部か外周部かという位置によって、調節することは、上記５．で周知例としてあげた各公報にみられるごとく、周知である。
　また、審判請求理由で主張する「研磨パッドと基板が接触する領域のみを研磨することができ」なる効果は、上記刊行物発明が奏する効果であり、格別のものとは認められない。
　よって、本件補正は、いわゆる独立特許要件を欠くので、本件補正は却下されるべきものであることに変わりはない。