【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３２４１７０８号発明「アクティブマトリクス型表示装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２４１７０８号の請求項１ないし１７に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３２４１７０８号は、平成３年３月２５日に特許出願された特願平３−８４６５３号の分割出願である特願平１１−３７１６４１号の分割出願として平成１２年８月７日に特許出願（特願２０００−２３８６１６号）されたものであって、平成１３年９月２７日付けで特許査定がなされ、平成１３年１０月１９日に特許権の設定登録がなされたものであり、特許査定時の特許請求の範囲は次のとおりである。
　
「【請求項１】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲートに酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部に、酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部の走査線に、酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部のデータ線に酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、ＩＴＯ膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲートに半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部に、半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部の走査線に、半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部のデータ線に半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】請求項６乃至請求項９のいずれか一において、前記半導体膜は、シリコン膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記基準の電圧の配線は、固定電圧の配線であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記基準の電圧の配線は、接地電圧の配線であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記表示部と同一の基体上に駆動回路部を備えたことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記アクティブマトリクス型表示装置は、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記アクティブマトリクス型表示装置は、電気的な信号によって光学特性を制御できる材料を用いた表示装置であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１６】請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のアクティブマトリクス型表示装置を用いたことを特徴とする投写型装置。
【請求項１７】請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のアクティブマトリクス型表示装置を用いたことを特徴とするプロジェクター。」　
　
　また、本件審判請求（無効２００５−８０１９３号）以降の手続の概要は次のとおりである。
　本件審判請求　　　　平成１７年　６月２４日
　答弁書　　　　　　　平成１７年　９月１２日
　口頭審理　　　　　　平成１７年１１月２２日
　無効理由通知送付　　平成１７年１２月２０日
　意見書・訂正請求書　平成１８年　１月１９日
　訂正請求副本送付　　平成１８年　２月　１日
　弁駁書　　　　　　　平成１８年　３月　２日
　
II．訂正請求についての判断
　
１．訂正の内容
　平成１８年１月１９日付けで請求された訂正の内容は、特許請求の範囲を次のとおり訂正するものである。
　
「【請求項１】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
トに
のみ
　
前記電極は、前記表示部に前記酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
トに
のみ
　
前記電極は、前記表示部の走査線に前記酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
トに
のみ
　
前記電極は、前記表示部のデータ線に前記酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、ＩＴＯ膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
トに
のみ
　
前記電極は、前記表示部に前記半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
トに
のみ
　
前記電極は、前記表示部の走査線に前記半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
トに
のみ
　
前記電極は、前記表示部のデータ線に前記半導体膜を介して電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】請求項６乃至請求項９のいずれか一において、前記半導体膜は、シリコン膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記基準の電圧の配線は、固定電圧の配線であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記基準の電圧の配線は、接地電圧の配線であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記表示部と同一の基体上に駆動回路部を備えたことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記アクティブマトリクス型表示装置は、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記アクティブマトリクス型表示装置は、電気的な信号によって光学特性を制御できる材料を用いた表示装置であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１６】請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のアクティブマトリクス型表示装置を用いたことを特徴とする投写型装置。
【請求項１７】請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のアクティブマトリクス型表示装置を用いたことを特徴とするプロジェクター。」
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項毎に検討する。
（１）訂正事項１
　訂正事項１は、訂正前の特許請求の範囲における請求頂１における「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲートに酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、」なる記載を、訂正後の特許請求の範囲における請求項１において、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
　訂正事項１に係る訂正は、本件明細書の【図１３】における１３０１又は１３０２（不純物が添加された半導体領域）、１３０４（金属電極）、１３０７（抵抗として機能する配線）、１３０３（ゲイト電極）の接続関係、段落【００３８】における「…半導体領域１３０１と１３０２を形成し、…両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を形成し、…良導電体であるアルミニウム等の金属材料によって、両半導体領域にまたがる金属電極１３０４…を形成する。その後、例えば酸化錫・インジウム等の抵抗性材料…等によって抵抗として機能する配線１３０７…を形成して、保護回路が形成される。」との記載等を根拠にしており、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　また、訂正事項１に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項２
　訂正事項２は、訂正前の特許請求の範囲における請求項２における「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部に、酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、」なる記載を、訂正後の特許請求の範囲における請求項２において、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
前記電極は、前記表示部に前記酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　ここで、訂正事項２−１は、訂正前の請求項２における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と該薄膜トランジスタのゲートとの接続関係を限定したものであり、訂正事項２−２は、訂正前の請求項２における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と表示部との接続関係を規定し直したものである。
　訂正事項２に係る訂正は、本件明細書の【図１３】における１３０１又は１３０２（不純物が添加された半導体領域）、１３０４（金属電極）、１３０７（抵抗として機能する配線）、１３０３（ゲイト電極）、１３０６（信号線）の接続関係、【図５】の構成、段落【００３８】における「…半導体領域１３０１と１３０２を形成し、…両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を形成し、…良導電体であるアルミニウム等の金属材料によって、両半導体領域にまたがる金属電極１３０４…を形成する。その後、例えば酸化錫・インジウム等の抵抗性材料…等によって抵抗として機能する配線１３０７…を形成して、保護回路が形成される。」との記載等を根拠にしており、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　また、訂正事項２に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項３
　訂正事項３は、訂正前の特許請求の範囲における請求項３における「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部の走査線に、酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、」なる記載を、訂正後の特許請求の範囲における請求項３において、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
前記電極は、前記表示部の走査線に前記酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　ここで、訂正事項３−１は、訂正前の請求項３における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と該薄膜トランジスタのゲートとの接続関係を限定したものであり、訂正事項３−２は、訂正前の請求項３における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と表示部の走査線との接続関係を規定し直したものである。
　訂正事項３に係る訂正は、本件明細書の【図１３】における１３０１又は１３０２（不純物が添加された半導体領域）、１３０４（金属電極）、１３０７（抵抗として機能する配線）、１３０３（ゲイト電極）、１３０６（信号線）の接続関係、【図５】の構成、段落【００３８】における「…半導体領域１３０１と１３０２を形成し、…両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を形成し、…良導電体であるアルミニウム等の金属材料によって、両半導体領域にまたがる金属電極１３０４…を形成する。その後、例えば酸化錫・インジウム等の抵抗性材料…等によって抵抗として機能する配線１３０７…を形成して、保護回路が形成される。」との記載等を根拠にしており、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　また、訂正事項３に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項４
　訂正事項４は、訂正前の特許請求の範囲における請求項４における「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部のデータ線に酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、」なる記載を、訂正後の特許請求の範囲における請求項４において、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
前記電極は、前記表示部のデータ線に前記酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、
　ここで、訂正事項４−１は、訂正前の請求項４における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と該薄膜トランジスタのゲートとの接続関係を限定したものであり、訂正事項４−２は、訂正前の請求項４における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と表示部のデータ線との接続関係を規定し直したものである。
　訂正事項４に係る訂正は、本件明細書の【図１３】における１３０１又は１３０２（不純物が添加された半導体領域）、１３０４（金属電極）、１３０７（抵抗として機能する配線）、１３０３（ゲイト電極）、１３０６（信号線）の接続関係、【図５】の構成、段落【００３８】における「…半導体領域１３０１と１３０２を形成し、…両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を形成し、…良導電体であるアルミニウム等の金属材料によって、両半導体領域にまたがる金属電極１３０４…を形成する。その後、例えば酸化錫・インジウム等の抵抗性材料…等によって抵抗として機能する配線１３０７…を形成して、保護回路が形成される。」との記載等を根拠にしており、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　また、訂正事項４に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（５）訂正事項５
　訂正事項５は、訂正前の特許請求の範囲における請求項６における「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲートに半導体膜を介して電気的に接続され、」なる記載を、訂正後の特許請求の範囲における請求項６において、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
　訂正事項５に係る訂正は、本件明細書の【図１３】における１３０１又は１３０２（不純物が添加された半導体領域）、１３０４（金属電極）、１３０７（抵抗として機能する配線）、１３０３（ゲイト電極）の接続関係、段落【００３８】における「…半導体領域１３０１と１３０２を形成し、…両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を形成し、…良導電体であるアルミニウム等の金属材料によって、両半導体領域にまたがる金属電極１３０４…を形成する。その後、例えば酸化錫・インジウム等の抵抗性材料、あるいは高抵抗アモルファスシリコ等によって抵抗として機能する配線１３０７…を形成して、保護回路が形成される。」との記載等を根拠にしており、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　また、訂正事項５に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（６）訂正事項６
　訂正事項６は、訂正前の特許請求の範囲における請求項７における「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部に、半導体膜を介して電気的に接続され、」なる記載を、訂正後の特許請求の範囲における請求項７において、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
前記電極は、前記表示部に前記半導体膜を介して電気的に接続され、
　ここで、訂正事項６−１は、訂正前の請求項７における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と該薄膜トランジスタのゲートとの接続関係を限定したものであり、訂正事項６−２は、訂正前の請求項７における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と表示部との接続関係を規定し直したものである。
　訂正事項６に係る訂正は、本件明細書の【図１３】における１３０１又は１３０２（不純物が添加された半導体領域）、１３０４（金属電極）、１３０７（抵抗として機能する配線）、１３０３（ゲイト電極）、１３０６（信号線）の接続関係、【図５】の構成、段落【００３８】における「…半導体領域１３０１と１３０２を形成し、…両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を形成し、…良導電体であるアルミニウム等の金属材料によって、両半導体領域にまたがる金属電極１３０４…を形成する。その後、例えば酸化錫・インジウム等の抵抗性材料、あるいは高抵抗アモルファスシリコ等によって抵抗として機能する配線１３０７…を形成して、保護回路が形成される。」との記載等を根拠にしており、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　また、訂正事項６に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（７）訂正事項７
　訂正事項７は、訂正前の特許請求の範囲における請求項８における「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部の走査線に、半導体膜を介して電気的に接続され、」なる記載を、訂正後の特許請求の範囲における請求項８において、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
前記電極は、前記表示部の走査線に前記半導体膜を介して電気的に接続され、
　ここで、訂正事項７−１は、訂正前の請求項３における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と該薄膜トランジスタのゲートとの接続関係を限定したものであり、訂正事項７−２は、訂正前の請求項３における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と表示部の走査線との接続関係を規定し直したものである。
　訂正事項７に係る訂正は、本件明細書の【図１３】における１３０１又は１３０２（不純物が添加された半導体領域）、１３０４（金属電極）、１３０７（抵抗として機能する配線）、１３０３（ゲイト電極）、１３０６（信号線）の接続関係、【図５】の構成、段落【００３８】における「…半導体領域１３０１と１３０２を形成し、…両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を形成し、…良導電体であるアルミニウム等の金属材料によって、両半導体領域にまたがる金属電極１３０４…を形成する。その後、例えば酸化錫・インジウム等の抵抗性材料、あるいは高抵抗アモルファスシリコ等によって抵抗として機能する配線１３０７…を形成して、保護回路が形成される。」との記載等を根拠にしており、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　また、訂正事項７に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（８）訂正事項８
　訂正事項８は、訂正前の特許請求の範囲における請求項９における「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲート及び前記表示部のデータ線に半導体膜を介して電気的に接続され、」なる記載を、訂正後の特許請求の範囲における請求項９において、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極
のみ
前記電極は、前記表示部のデータ線に前記半導体膜を介して電気的に接続され、
　　ここで、訂正事項８−１は、訂正前の請求項９における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と該薄膜トランジスタのゲートとの接続関係を限定したものであり、訂正事項８−２は、訂正前の請求項９における該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と表示部のデータ線との接続関係を規定し直したものである。
　訂正事項８に係る訂正は、本件明細書の【図１３】における１３０１又は１３０２（不純物が添加された半導体領域）、１３０４（金属電極）、１３０７（抵抗として機能する配線）、１３０３（ゲイト電極）、１３０６（信号線）の接続関係、【図５】の構成、段落【００３８】における「…半導体領域１３０１と１３０２を形成し、…両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を形成し、…良導電体であるアルミニウム等の金属材料によって、両半導体領域にまたがる金属電極１３０４…を形成する。その後、例えば酸化錫・インジウム等の抵抗性材料、あるいは高抵抗アモルファスシリコ等によって抵抗として機能する配線１３０７…を形成して、保護回路が形成される。」との記載等を根拠にしており、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　また、訂正事項８に係る訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
３．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書き第１号及び第３号に規定する特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、かつ同条第５項において準用する特許法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものであるので、当該訂正を認める。
　
III．特許無効についての判断
１．請求理由の概要
　本件特許無効審判２００５−８０１９３号事件の請求理由の概要は、本件請求項１〜１７に係る発明は、甲第１号証〜４号証（それぞれ、特開昭６３−１０５５８号公報、特開昭６０−２７１５４号公報、特開平３−４４４６５号公報、特開昭６０−１７０９６９号公報）及び甲第５号証（特開昭６２−２０９５１４号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許法第１２３条第１項第２号の規定によりそれらの特許を無効とすべき旨のものである。
　
２．本件発明
　上記のとおり、本件に係る平成１８年１月１９日付けの訂正は認められ、訂正後の請求項１ないし１７に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」等という。）は、上記II．１に記載したとおりである。
　
３．甲号証に記載された発明
ａ．（甲第１号証）
　甲第１号証（特開昭６３−１０５５８号公報，昭和６３年１月１８日発行）は、本件特許の出願前に頒布された刊行物であり、甲第１号証の図１，図５，図６にはフラットディスプレイの回路構成図が示されている。
（i）甲第１号証の第２頁右上欄第１５行〜同左下欄第９行には、「第１図は本発明によるフラットディスプレイの一実施例を示す回路構成図である。同図において、Ｘは走査線、Ｙは信号線、ＴＦＴはアクティブ素子としての薄膜トランジスタ、ＬＣは例えば液晶表示素子等の表示素子であり、１個の薄膜トランジスタＴＦＴと表示素子ＬＣとで一画素ＰＩＸを構成している。また、これらの画素ＰＩＸが走査線Ｘと信号線Ｙとの間にマトリックス状に接続されて液晶表示装置ＬＣＤのパネルＰＮＬが構成されている。ＬＶＳはＬＣＤ垂直走査回路であり、各薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極に各走査線Ｘを介して走査スイッチング信号を印加する。ＬＨＳはＬＣＤ水平走査回路であり、薄膜トランジスタＴＦＴのソース・ドレイン電極に順次選択的にビデオ信号を印加する。」と記載されている。
　この記載から、甲第１号証は、「表示部を有するアクティブマトリックス型表示装置」を開示している。
　また、甲第１号証は、「アクティブマトリックス型の液晶ディスプレイ」を開示している。
　同第２頁左下欄第９〜１４行には、「ＥはパネルＰＮＬの周辺部に形成されたアースライン、ＴＦＴ１は各信号線ＹとアースラインＥとの間に接続された第１の保護用薄膜トランジスタ、ＴＦＴ２は各走査線ＸとアースラインＥとの間にそれぞれ接続された第２の保護用薄膜トランジスタである。」と記載されている。
　甲第１号証のアクティブマトリックス型の表示装置は、保護回路を備えており、その保護回路は薄膜トランジスタを備えている。甲第１号証は、「表示部及び保護回路を有するアクティブマトリックス型表示装置」を開示している。また、「保護回路は薄膜トランジスタを有している」ことを開示している。　
（ii）甲第１号証の第２頁右下欄第１５行〜同第３頁左上欄第３行には、「このような構成において、第１および第２の保護用薄膜トランジスタＴＦＴ１およびＴＦＴ２は、そのゲート電極およびドレイン電極が共にゲート電極となり、そのソース電極がアースラインＥに接続されているので、走査線Ｘ、信号線Ｙに静電気等の高電圧が印加されると、この薄膜トランジスタＴＦＴ１およびＴＦＴ２はオン状態となってアースラインＥに導通され、アクティブ素子としての薄膜トランジスタＴＦＴは保護される。」と記載されている。
　上記記載及び図１より、保護用薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイン電極は、該トランジスタＴＦＴ１のゲート電極に電気的に接続されていることが判明する。
　また、該保護用薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極は、アース線Ｅに接続されていることが判明する。
　したがって、甲第１号証には、「保護回路の薄膜トランジスタのドレインが該薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続され、該薄膜トランジスタのソースが基準の電圧の配線（具体的にはアース線）に電気的に接続されている」ことが開示されている。なお、図１より明らかなように、該保護用薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイン電極は、信号線Ｙに接続されている。
（iii）また、保護用薄膜トランジスタＴＦＴ２のドレイン電極は、該トランジスタＴＦＴ２のゲート電極に電気的に接続されている。また、該保護用薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極は、アース線Ｅに接続されている。
　したがって、甲第１号証には、「保護回路の薄膜トランジスタのドレインが該薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続され、該薄膜トランジスタのソースが基準の電圧の配線（具体的にはアース線）に電気的に接続されている」ことが開示されている。なお、図１より明らかなように、該保護用薄膜トランジスタＴＦＴ２のドレイン電極は、走査線Ｘに電気的に接続されている。
　
ｂ．（甲第２号証）
　甲第２号証（特開昭６０−２７１５４号公報，昭和６０年２月１２日発行）は本件特許の出願前に頒布された刊行物である。
　甲第２号証の第２頁左上欄第１５行〜第２頁右上欄第３行には、「第２図は、本発明適用の電子機器における静電気保護回路の説明図である。前記同様Ａｎは液晶、Ｂｎは液晶Ａｎを駆動するためのａ−ＳｉＴＦＴである。又、１は共通ソース線、Ｇｎはａ−ＳｉＴＦＴＢｎの各ゲート線、２は共通電極、Ｑｎは直列抵抗、Ｐｎは並列抵抗、Ｒは保護抵抗、Ｘは保護用ａ−ＳｉＴＦＴ、３は共通ソース端子、Ｔｎはゲート端子、４は共通電極端子、５は保護ゲート端子である（ｎは正の整数）。」と記載されている。
　同第２頁右上欄第４〜１４行には、「今、ゲート端子Ｔｎ’（ｎ’はｎまでの任意の正の整数）に正の静電気を帯びた人体の手等が接触した場合、その正の電荷は直列抵抗Ｑｎ’を通り並列抵抗Ｐｎ’、共通電極２、保護抵抗Ｒを通り保護用ａ−ＳｉＴＦＴＸをオンし、共通ソース線１へ達する。又、共通電極端子４および、保護ゲート端子５は末接続である。そして、ソース端子３に負の静電気が接触した場合も同様に、液晶駆動ａ−ＳｉＴＦＴ、Ｂｎ’のソース・ゲート間は同電位に保たれ、絶縁破壊、特性劣化は起こらない。」と記載されている。
　同第２頁左下欄第３〜６行には、「実際、駆動するときは、共通電極端子４、保護ゲート端子５を接地することにより、ａ−ＳｉＴＦＴのソース・ゲート間は高インピーダンスとなる。」と記載されている。
　
ｃ．（甲第３号証）
甲第３号証（特開平３−４４４６５号公報，平成３年２月２６日発行）は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である。
　甲第３号証の第１頁右欄第１４行〜第２頁左上欄第１行には、「ＩＴＯ（Indium−Tin　Oxide）膜やネサ膜と呼ばれているＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜等の酸化物透明導電膜は、通常化学量論的組成からの「ずれ」によりｎ型の導電性を示す半導体特性を利用し、これに必要に応じてドーパントを添加して１０−３〜１０−４Ω・ｃｍの低い抵抗膜としたものである。特にＩＴＯ膜は高い導電性と可視光透過性を有するので、透明導電膜として最も広く用いられている。」と記載されている。
　
ｄ．（甲第４号証）
　甲第４号証（特開昭６０−１７０９６９号公報，昭和６０年９月４日発行）は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である。
　甲第４号証の第２頁左上欄第１１行〜第１５行には、「次に、全面にポリシリコンを被着しリンを拡散することによってＰドープドポリシリコン層（８’）に形成する（第３図）。前記Ｐドープドポリシリコン層（８’）に写真触刻を施して所定形状の抵抗層（８）に形成する（第４図）。」と記載されている。
　
ｅ．（甲第５号証）
　甲第５号証(特開昭６２一２０９５１４号公報、昭和６２年９月１４日発行)は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である。
　甲第５号証の第１頁右下欄から第２頁の左上欄にかけて、従来からアクティブマトリクス型の表示装置のソース線をＩＴＯ(酸化物半導体)で形成することが記載されている。
　
４．当審の判断
（１）本件発明１についての対比・判断
　ａ．本件発明１と引用発明との対比
　甲第１号証に記載された発明（以下、「引用発明」という。）が表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置の発明であることは明らかであり、その「第１の保護用薄膜トランジスタＴＦＴ１」や「第２の保護用薄膜トランジスタＴＦＴ２」が本件発明１の「保護回路」の「薄膜トランジスタ」に、また、引用発明の「アースラインＥ」が本件発明１の「基準の電圧の配線」に相当し、引用発明のＴＦＴ１、２のソース及びドレインの一方は、信号線Ｙや走査線Ｘを経由して電気的にゲートに接続され、また、ＴＦＴ１、２のソース及びドレインの他方はアースラインＥに接続されているから、両者はともに
「表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であって、
　前記保護回路は、薄膜トランジスタを有し、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は、該薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続され、
　該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は、基準の電圧の配線に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。」の発明である点で一致する。
　
　一方、「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方」と「該薄膜トランジスタのゲート」との電気的接続について、本件発明１は、これらが「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極」と「酸化物半導体膜のみを介して」行われているのに対し、引用発明では、その旨の記載がない点で相違する。
　
　ｂ．相違点についての判断
　証拠（甲第３，５号証）等によれば、本件特許発明の出願当時、ＩＴＯ膜等の酸化物半導体膜を導電膜として用いることは周知の技術であったことが認められる。
　そして、本件発明１の目的は、本件明細書段落【０００９】に記載されているように、
「【発明が解決しようとする課題】本発明は薄膜トランジスタを保護するための回路を適切な位置に適切な作製方法によって設け、薄膜トランジスタを保護し、上記表示素子の信頼性、寿命を高めることを目的とする。」
であり、
　本件発明１の作用効果は、同じく段落【００７２】に記載されているように、
「【発明の効果】本発明を用いることによって、液晶、強誘電体、その他、電気光学的な効果を有する材料を用いた表示装置で、表示素子を薄膜トランジスタを用いた方法によって駆動するものにおいて、薄膜トランジスタ等の素子をサージ電圧から保護することができ、よって、上記表示装置の信頼性の向上、耐久性の向上、および長寿命化を達成することができた。」
である。
　これらの目的及び作用効果は引用発明と変わるところはない。　
　また、本件明細書には、
「【００１７】同じ効果を有する保護回路は薄膜トランジスタを利用しても作製することが可能である。その例を図６および図７に示す。図６（Ａ）は、正の過大電圧がかかったときにのみ動作して過大電圧をバイパスする回路である。抵抗Ｒ１およびＲ２を選択することによって、Ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲイト電圧および、ソース・ドレイン間の電圧を適当な値となるように設計する。例えば、Ｒ１／Ｒ２＝１０とすれば、図中のＡ点における電位が（Ｂ点における電位を基準として）＋５０Ｖであるときに、ゲイトの電位を＋５Ｖとすることができる。そして、この薄膜トランジスタのしきい値電圧が＋５Ｖならば、この薄膜トランジスタは動作し、ソース・ドレイン間に電流が流れる。Ａ点における電位が＋５０Ｖ以上であれば、ゲイト電極の電位は＋５Ｖ以上であるので、薄膜トランジスタは動作して、過大な電圧を除去する効果を示す。ここで、薄膜トランジスタとして、Ｐチャネル型トランジスタとすれば、負の過大電圧がかかった場合にのみ動作する。一方、Ａ点における電位が＋５０Ｖ以下であれば、薄膜トランジスタは高い抵抗として機能し、電圧はあまり低下しない。したがって、正常な信号電圧はバイパスされない。
・・・
【００２４】このような方式を採用する場合には、保護回路で使用される薄膜トランジスタの耐圧が保護回路の耐圧を決定する。薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極とソース電極との電圧の許容値が５０Ｖであれば、以上の回路は±５００Ｖまでの電圧に対して耐えることができ、かつ、保護回路として機能する。もちろん、抵抗の値を選択することによってこの値を変えることは容易にできる。」
との記載があり、被請求人は、酸化物半導体の材料を適宜選択して抵抗を調節することにより、保護回路における薄膜トランジスタの耐圧を制御できる旨主張しているが、上記明細書の記載によれば、当該作用効果は、Ｒ１とＲ２の抵抗比を選択することによって生じるものであるところ、本件請求項には、Ｒ１の構成要件は特定されていないから、被請求人の主張は、請求項の記載に基づかないものである。
　また、段落【００２５】の記載からは、Ｒ１とＲ２とがソース・ドレイン間の抵抗を無視できるほど大きくなければ上記作用を奏することができないとも解されるが、このように抵抗を大きくすれば保護回路として機能しないことは明らかであり、本件明細書の記載からは、Ｒ１、Ｒ２及びソース・ドレイン間の抵抗の関係を如何に設定すれば、上記作用効果を奏することができるかも不明といわざるを得ない。
　さらに、被請求人は、画素電極と保護回路領域における酸化物半導体を同一プロセスによって形成できるという作用効果を奏する旨主張するが、請求項には酸化物半導体とのみ規定されており、画素電極と同一材料で形成するとは規定されていないから、これも請求項の記載に基づかないものである。
　以上のことから、引用発明における薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と薄膜トランジスタのゲートとの接続につき、電極と酸化物半導体膜のみを介した接続にすることは、そのこと自体では格別の効果を生ずるものではなく、設計事項として適宜行う程度のものであるから、本件発明１は当業者が引用発明に上記周知技術を組み合わせて容易に発明することができたものと認められる。
　　
（２）本件発明２〜４についての判断
　本件発明２は、本件発明１において、さらに「前記電極は、前記表示部に前記酸化物半導体膜を介して電気的に接続され、」との構成を有するものであるが、これについても、引用発明における薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と表示部との接続につき、酸化物半導体膜を介した接続にすることには、そのこと自体では格別の効果を生じるものではなく、設計事項として適宜行う程度のものであるから、引用発明に前記周知技術を組み合わせて容易に発明できたものと認められる。
　同様に、本件発明３及び４についても、引用発明における薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と信号線や走査線との接続につき、酸化物半導体膜を介した接続にすることには、そのこと自体では格別の効果を生じるものではなく、設計事項として適宜行う程度のものであるから、引用発明に前記周知技術を組み合わせて容易に発明できたものと認められる。
　
（３）本件発明５についての判断
　本件発明５は、本件発明１の酸化物半導体膜をＩＴＯ膜と限定したものであるが、引用発明における薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と薄膜トランジスタのゲートとの接続につき、ＩＴＯ膜を介した接続にすることには、そのこと自体では格別の効果を生じるものではなく、設計事項として適宜行う程度のものであるから、引用発明に甲第３，５号証に記載されるようなＩＴＯ膜を組み合わせて容易に発明できたものと認められる。
　
（５）本件発明６についての判断
　本件発明６は、本件発明１の「酸化物半導体」を「半導体」としたものであるが、酸化物半導体は概念上半導体に含まれるものであるから、本件発明１と同様の理由により当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
（６）本件発明７〜９についての判断
　酸化物半導体膜も半導体膜であるから、本件発明７ないし９はそれぞれ、本件発明２ないし４におけると同様の理由により、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
（７）本件発明１０についての判断
　本件発明１０は、薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と薄膜トランジスタのゲートとの電機的接続をシリコン膜を介して行ったものであるが、引用発明における薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と薄膜トランジスタのゲートとの接続につき、シリコン膜を介した接続にすることには、そのこと自体では格別の効果を生じるものではなく、設計事項として適宜行う程度のものであるから、引用発明に甲第４号証に記載されるような周知技術を組み合わせて容易に発明できたものと認められる。
　
（８）本件発明１１及び１２についての判断
　本件発明１１及び１２は、基準の電圧の配線をそれぞれ固定電圧の配線及び接地電圧の配線としたものであるが、引用発明においても基準の電圧の配線は、接地電圧の配線となっており、これは固定電圧の配線でもあるから、本件発明１１及び１２は、本件発明１と同様の理由により、引用発明に基づき当業者が容易に発明できたものである。
　
（９）本件発明１３について
　引用発明において、駆動回路部が表示部と同一の基体上に備えられている旨の記載はないが、駆動回路部を表示部と同一の基体上に設けることは、周知の技術事項であるから、本件発明１３についても引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
（１０）本件発明１４及び１５について
　引用発明もアクテイブマトリックス型の液晶ディスプレイであり、電気的な信号によって光学特性を制御できる材料を用いた表示装置であるから、本件発明１４及び１５は、本件発明１と同様の理由により、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
（１１）本件発明１６及び１７について
　液晶アクテイブマトリックス型表示装置を投写型装置やプロジェクターに用いることは周知であるから、本件発明１６及び１７も引用発明に基づき当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１ないし１７に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に周知技術を適用することにより当業者が容易に発明できたものとものと認められ、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許法第１２３条第１項第２号に該当する。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。