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【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータ・ホイール（３４）のホイール・ポスト（４２）内の複数のブレード保持スロット（３８）を軸方向に覆うように構成されたカバープレート（４４）を備え、
前記カバープレート（４４）は、
ロータ・ホイール（３４）にカバープレート（４４）を半径方向に固定するために相補的な溝（５６）に結合するように構成されたタブ（５４）と、
ロータ・ホイール（３４）の対応するアパーチャと位置が合うように構成されたアパーチャ（６２）であって、ロータ・ホイール（３４）にカバープレート（４４）を軸方向に固定するように構成される留め具（６４）を受け取るためのアパーチャ（６２）と、
前記ホイール・ポスト（４２）に対し配置されるように構成されたシール面（８０）と、
前記シール面（８０）上に配置され、前記カバープレート（４４）の周縁部を取り囲み、前記ホイール・ポスト（４２）と整合して前記複数のブレード保持スロット（３８）の少なくとも１つを完全に取り囲むように構成された隆起したシール部分（８２）と、
前記ホイール・ポスト（４２）から延びるブレード（３２）の相補的な溝（７６）内にカバープレート（４４）を軸方向に保持するように構成された突出物（７８）と、
を備えるシステム。
【請求項２】
アパーチャ（６２）は、カバープレート（４４）の周辺フランジ（６０）上に配置され、周辺フランジ（６０）は、ロータ・ホイール（３４）の対応するフランジ（５８）を覆うように構成される請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
タブ（５４）は、ホイール・ポスト（４２）に隣接するように構成されたカバープレート（４４）のシール面（８０）から延びる請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
カバープレート（４４）は、シール面（８０）に対向する表面（７０）上に配置された１つまたは複数のリブ（６６、６８）であって、ロータ・ホイール（３４）の動作中にロータ・ホイール（３４）の方にカバープレート（４４）を向けるように構成された１つまたは複数のリブ（６６、６８）を備える請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
カバープレート（４４）は、非一体型の留め具（６４）を用いてロータ・ホイール（３４）に取り付けられるように構成される請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
ガス・タービン・エンジン（１２）、圧縮機（１８）、ガス・タービン（２２）、燃焼器（２９）、またはそれらの組み合わせを備える請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
ロータ・ホイール（３４）のホイール・ポスト（４２）内の複数のブレード保持スロット（３８）を軸方向に覆うように構成されたカバープレート（４４）を備え、
前記カバープレート（４４）は、
前記ホイール・ポスト（４２）に対し配置されるように構成されたシール面（８０）と、前記シール面（８０）上に配置され、前記カバープレート（４４）の周縁部を取り囲み、ホイール・ポスト（４２）と整合して少なくとも１つのブレード保持スロット（３８）を完全に取り囲むように構成された隆起したシール部分（８２）と、
ホイール・ポスト（４２）と接触するシール面（８０）の面積を減らすようにシール面（８０）内に配置された少なくとも１つの凹部（８４）と、を備えるシステム。
【請求項８】
前記カバープレート（４４）は、前記シール面（８０）内に配置された複数の凹部（８４）を備え、各凹部（８４）が前記複数のブレード保持スロット（３８）の１つに重なるように構成される請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記少なくとも１つの凹部（８４）と支持体バー（８８）によって分離された第２の凹部（８６）を備え、前記少なくとも１つの凹部（８４）と第２の凹部（８６）とはそれぞれ、複数のブレード保持スロット（３８）の別個のブレード保持スロット（３８）と位置が合うように構成され、
前記隆起したシール部分（８２）は、前記少なくとも１つの凹部（８４）と前記第２の凹部（８６）とを取り囲むように構成されており、前記支持体バー（８８）は前記隆起したシール部分（８２）に対して引っ込んでいる請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
隆起したシール部分（８２）は、少なくとも２つのブレード保持スロット（３８）を取り囲むように構成される請求項７乃至９のいずれかに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明のシート給送装置は、シートの搬送路に沿って搬送されるシートを検知するシート検知手段と、前記搬送路に沿って搬送されるシートの重送を検知する重送検知手段とを備えたシート給送装置において、前記シート検知手段及び前記重送検知手段の処理の一部を共通化したことを特徴とする。
本発明のシート給送装置は、シートの搬送路を挟む位置に互いに対向配置された発光部及び受光部を有する光透過型センサと、シートの搬送路を挟む位置に互いに対向配置された発信部及び受信部を有する超音波センサと、前記受光部から出力される受光信号に基づいて、前記搬送路を搬送されるシートを検知し、前記受信部から出力される受信信号に基づいて、前記搬送路を搬送されるシートの重送を検知する制御手段と、該制御手段による制御により前記発光部及び前記発信部に対して同一の駆動信号を出力する駆動手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の画像読取装置は、シート給送装置により搬送路に給送されたシートの画像を読み取る画像読取装置であって、前記シート給送装置として、請求項１〜６のいずれか一項に記載のシート給送装置を用いることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートの搬送路に沿って搬送されるシートを検知するシート検知手段と、前記搬送路に沿って搬送されるシートの重送を検知する重送検知手段とを備えたシート給送装置において、
前記シート検知手段及び前記重送検知手段の処理の一部を共通化したことを特徴とするシート給送装置。
【請求項２】
前記シート検知手段及び前記重送検知手段で共通化した処理の一部は、駆動回路での処理、アンプ回路での処理、又はＡ／Ｄ変換回路での処理であることを特徴とする請求項１に記載のシート給送装置。
【請求項３】
シートの搬送路を挟む位置に互いに対向配置された発光部及び受光部を有する光透過型センサと、
シートの搬送路を挟む位置に互いに対向配置された発信部及び受信部を有する超音波センサと、
前記受光部から出力される受光信号に基づいて、前記搬送路を搬送されるシートを検知し、前記受信部から出力される受信信号に基づいて、前記搬送路を搬送されるシートの重送を検知する制御手段と、
該制御手段による制御により前記発光部及び前記発信部に対して同一の駆動信号を出力する駆動手段と、を備えることを特徴とするシート給送装置。
【請求項４】
前記受光部から出力された信号及び前記受信部から出力された信号をそれぞれ増幅する共通の増幅手段を備えることを特徴とする請求項３に記載のシート給送装置。
【請求項５】
前記増幅手段から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して前記制御手段に出力する変換手段を備える、ことを特徴とする請求項４に記載のシート給送装置。
【請求項６】
前記駆動手段は、前記制御手段の制御により、前記発光部及び前記発信部に対して、前記発光部のみを駆動する信号、前記発信部のみを駆動する信号、及び前記発光部及び前記発信部の双方を駆動する信号を選択して出力する、ことを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載のシート給送装置。
【請求項７】
シート給送装置により搬送路に給送されたシートの画像を読み取る画像読取装置であって、
前記シート給送装置として、請求項１〜６のいずれか一項に記載のシート給送装置を用いる、ことを特徴とする画像読取装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記脱着工程は、当該脱着工程の開始から途中までにおいて吸着塔から第３ガスを導出する第１脱着工程と、当該吸着塔から第４ガスを導出する、前記第１脱着工程の後の第２脱着工程とを含み、前記第３ガスを前記貯留槽に導入する、請求項２に記載のアルゴン精製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【図１】本発明に係るアルゴン精製装置の全体概略構成を表す。
【図２】図１に示すアルゴン精製装置の一部たる貯留系の構成を表す。
【図３】図１に示すアルゴン精製装置の一部たる前処理系の構成を表す。
【図４】図１に示すアルゴン精製装置の一部たるＰＳＡ系の構成を表す。
【図５】図４に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ１〜５について、各吸着塔で行われる工程、並びに、図４に示すＰＳＡ装置の各自動弁およびリサイクルラインの自動弁の開閉状態を示す表である。
【図６】図４に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ６〜１０について、各吸着塔で行われる工程、並びに、図４に示すＰＳＡ装置の各自動弁およびリサイクルラインの自動弁の開閉状態を示す表である。
【図７】図４に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ１１〜１５について、各吸着塔で行われる工程、並びに、図４に示すＰＳＡ装置の各自動弁およびリサイクルラインの自動弁の開閉状態を示す表である。
【図８】図４に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ１〜５におけるガス流れ状態を表す。
【図９】図４に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ６〜１０におけるガス流れ状態を表す。
【図１０】図４に示すＰＳＡ装置が実行するＰＳＡ法のステップ１１〜１５におけるガス流れ状態を表す。
【図１１】実施例における原料ガスおよび精製ガスの仕様を示す表である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
本実施例では、ＰＳＡ系３ないしＰＳＡ装置３０において、図８から図１０に示すように吸着工程、第１減圧工程、第２減圧工程、第１脱着工程、第２脱着工程、第１洗浄工程、第２洗浄工程、第１昇圧工程、および第２昇圧工程からなる１サイクルを吸着塔３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃにおいて繰り返した。本実施例において使用したＰＳＡ装置３０の吸着塔３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃのそれぞれは円筒形状（内径８００ｍｍ，内寸高さ３５００ｍｍ）を有する。各吸着塔内には、吸着剤として、所定量のＣＭＳと、所定量のＺＭＳと、所定量のアルミナとを積層して充填した。また、本実施例では、吸着塔３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃのそれぞれにおいて、吸着工程は３３０秒間、第１減圧工程は１２０秒間、第２減圧工程は３０秒間、第１脱着工程は６０秒間、第２脱着工程は１２０秒間、第１洗浄工程は７０秒間、第２洗浄工程は５０秒間、第１昇圧工程は３０秒間、および第２昇圧工程は１８０秒間行った。吸着工程における吸着塔３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの内部の最高圧力は８００ｋＰａ（ゲージ圧）とし、脱着工程（第１脱着工程，第２脱着工程）における吸着塔３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの内部の最低圧力は大気圧とした。また、第１減圧工程の終了時点における吸着塔３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの内部の圧力（第１中間圧力）は４００ｋＰａ（ゲージ圧）とし、第２減圧工程の終了時点における吸着塔３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの内部の圧力（第２中間圧力）は２００ｋＰａ（ゲージ圧）とした。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
近年、人に優しい町作りとして、夜間歩行者、自転車の視認性を考慮した発光式のポストコーン（登録商標）、車止めが設置されるようになった。
この要求に対応した道路鋲として、図１３及び図１４に示す様な、本体１００に発光性樹脂層１３０を持つ誘導鋲が開示されている。（特許文献２）
しかし、本体１００が金属材製で有るとともに、発光部１３０は、本体１００中央に硬度が高い樹脂に蓄光材を練り込んでいるため、衝撃、騒音、視認性の問題があった。
又、発光部（蓄光部）１３０は、本体１００の中央部嵌め込まれた構造のため、夜間見え難い等の不具合がある。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【図１】本発明の圧電素子内蔵部品への判別記号の印字方法の実施例の印字対象となる圧電素子内蔵部品（図１（ａ））及び（図１（ｂ））の縦断面図である。
【図２】図１に示した圧電素子内蔵部品の分解図であって、図２（ａ）は、そのカバー部を、また、図２（ｂ）は、その圧電素子部を、さらに図２（ｃ）は、そのベース部を、それぞれ示す。
【図３】図１に示した圧電素子内蔵部品の斜視図であって、図３（ａ）は、そのカバー部へ判別記号を浮き出し文字で印字した状態を、また、図３（ｂ）は、そのカバー部へ判別記号を抜き文字で印字した状態を、さらに図３（ｃ）は、そのベース部へ判別記号を浮き出し文字で印字した状態を、さらにまた図３（ｄ）は、そのベース部へ判別記号を抜き文字で印字した状態を、それぞれ示す。
【図４】本発明の圧電素子内蔵部品への判別記号の印字をウエハ上で複数個まとめて一括して行う状態の平面図である。
【図５】判別記号の水晶振動子への印字をレーザー加工により行う従来例の斜視図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010056930.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そして、前述した圧電振動子の実施例と同様に、図２（ｂ）に示す個所に、外来ノイズをシールドするＡｕを主材料とした金属膜２ａ（図１参照）を蒸着またはスパッタリングにより形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層の片面又は両面に金属箔を有する金属張積層体の金属箔を配線加工して得られて、いずれかを屈曲させて使用する可撓性配線基板の製造方法であって、金属箔の長手方向をＭ軸としたとき、Ｍ軸に対して３〜８７°傾けた方向に所定の線幅を有する直線状の配線を形成することを特徴とする可撓性配線基板の製造方法。
【請求項２】
Ｍ軸に対して５〜８５°傾けた方向に所定の線幅を有する直線状の配線を形成する請求項１に記載の可撓性配線基板の製造方法。
【請求項３】
Ｍ軸が、実質的に金属箔の＜１００＞軸方向である請求項１又は２に記載の可撓性配線基板の製造方法。
【請求項４】
金属箔が圧延銅箔であり、かつ、圧延銅箔の厚み方向のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（I）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（I0）に対してI／I0≧２５であるものを用いる請求項１〜３のいずれかに記載の可撓性配線基板の製造方法。
【請求項５】
Ｍ軸が圧延銅箔の圧延方向と等しく、かつ、圧延銅箔の厚さが５〜３０μｍである請求項４に記載の可撓性配線基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁樹脂層が厚さ５〜５０μｍのポリイミド樹脂層である請求項１〜５のいずれかに記載の可撓性配線基板の製造方法。
【請求項７】
可撓性配線基板が、摺動屈曲又はスライド屈曲から選ばれたいずれかの繰り返し動作を伴うものである請求項１〜６のいずれかに記載の可撓性配線基板の製造方法。
【請求項８】
屈曲させた際の曲率半径ｒが０．５〜２ｍｍの範囲である請求項７に記載の可撓性配線基板の製造方法。
【請求項９】
Ｍ軸に対して１５〜７５°傾けた方向に所定の線幅を有する直線状の配線を形成する請求項１〜８のいずれかに記載の可撓性配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月25日(2012.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャシ内の電子回路カードを固定し、冷却するシステムであって、
（ｉ）発熱電子回路と、（ｉｉ）エッジ及び面を備えるヒートシンクであって、前記発熱電子回路は、該発熱電子回路から熱を伝導除去するため前記面に結合されている、前記ヒートシンクと、を含む電子回路カードと、
空気孔を備える前記シャシであって、前記電子回路カードの配置を操向し、前記電子回路カードから熱を放散させるカードガイドを収容した前記シャシと、
前記ヒートシンクの前記エッジを前記カードガイドに固定する把持装置であって、それによって（ｉ）前記ヒートシンクが前記カードガイドと結合され、それによって前記ヒートシンクから前記カードガイドに熱を放散させ、（ｉｉ）前記ヒートシンクが前記把持装置に結合され、前記把持装置が前記カードガイドに結合され、それによって前記把持装置を介して前記ヒートシンクの前記エッジから前記カードガイドに熱をさらに放散させ、かつ（ｉｉｉ）前記ヒートシンクの前記エッジが前記カードガイドにしっかりと固定され、それによって振動の影響を低減させる把持装置と、を備え、
前記ヒートシンクの前記面に結合された前記発熱電子回路をさらに冷却するため空気が前記空気孔を通って前記ヒートシンクの面にわたって流れる、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムにおいて、
前記シャシが、ファンユニットをさらに収容し、前記ファンユニットが、前記電子回路カード上にわたって前記空気流を押し流し、前記空気孔を介して前記空気流を前記シャシから放出させる、システム。
【請求項３】
シャシ内の電子回路カードを冷却するための方法であって、
第１の電子回路カードは、エッジ及び面を備える第１のヒートシンクと、該第１のヒートシンクの前記面に結合された第１の組の発熱電子回路と、を含み、
前記シャシは、空気孔を備え、第１のカードガイド及び前記第１の電子回路カードを収容し、
前記方法は、
前記第１のヒートシンクの前記エッジ及び前記第１のカードガイドを第１の把持装置に結合させて前記第１のヒートシンクの前記エッジを前記第１のカードガイドにしっかりと固定し、これによって、前記第１の組の発熱電子回路からの熱を前記第１のヒートシンクの前記面、該第１のヒートシンク、該第１のヒートシンクの前記エッジを通して、前記第１のカードガイドへと放散させ、
空気の流れを前記空気孔を通して前記第１のヒートシンクの前記面にわたり提供し、前記第１のヒートシンクを更に冷却する、各工程を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、第１の有機化合物で構成された第１の膜を有し、
前記第１の膜は、前記陽極および前記陰極に接して設けられ、
前記第１の膜はその一部に、発光物質が添加された発光領域と、正孔トラップ性物質が添加された正孔輸送領域と、電子トラップ性物質が添加された電子輸送領域とを有し、
前記正孔輸送領域は、前記発光領域と前記陽極との間に位置し、
前記電子輸送領域は、前記発光領域と前記陰極との間に位置する発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記正孔トラップ性物質のＨＯＭＯ準位は、前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位よりも０．２ｅＶ以上高いことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記電子トラップ性物質のＬＵＭＯ準位は、前記第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位よりも０．２ｅＶ以上低いことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の膜の前記陽極と接する領域には、電子受容性物質が添加されている発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の膜の前記陰極と接する領域には、電子供与性物質が添加されている発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の膜の前記陽極と接する領域には、電荷発生領域が設けられており、
前記電荷発生領域は、電子供与性物質が添加されたＮ型領域と、電子受容性物質が添加されたＰ型領域とを有し、
前記Ｎ型領域は前記Ｐ型領域と前記陽極との間に位置する発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の膜の前記陰極と接する領域には、電荷発生領域が設けられており、
前記電荷発生領域は、電子供与性物質が添加されたＮ型領域と、電子受容性物質が添加されたＰ型領域とを有し、
前記Ｐ型領域は前記Ｎ型領域と前記陰極との間に位置する発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の膜の前記陽極と接する領域には、第１の電子受容性物質が添加されており、
前記第１の膜の前記陰極と接する領域には、電荷発生領域が設けられており、
前記電荷発生領域は、電子供与性物質が添加されたＮ型領域と、第２の電子受容性物質が添加されたＰ型領域とを有し、
前記Ｐ型領域は前記Ｎ型領域と前記陰極との間に位置する発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５、請求項８のいずれか一項において、
前記第１の膜の前記陽極と接する領域には、電荷発生領域が設けられており、
前記第１の膜の前記陰極と接する領域には、第１の電子供与性物質が添加されており、
前記電荷発生領域は、第２の電子供与性物質が添加されたＮ型領域と、電子受容性物質が添加されたＰ型領域とを有し、
前記Ｎ領域は前記Ｐ型領域と前記陽極との間に位置する発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記発光物質は、燐光性化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記発光物質は、発光色の異なる複数の物質で構成されることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記発光物質は、赤色発光を示す発光物質と、緑色発光を示す発光物質と、青色発光を示す発光物質とで構成されることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記発光物質は、赤色発光を示す発光物質と、黄色発光を示す発光物質と、緑色発光を示す発光物質と、青色発光を示す発光物質とで構成されることを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
白色発光を示す請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御回路とを有する発光装置。
【請求項１６】
表示部を有し、
前記表示部は、請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定されるサンプルを受容するチャンバを有するプローブステーションにおいて使用するためのプローブアセンブリであって、該プローブアセンブリは、
プローブ本体と、
プローブ先端と、
該プローブ本体に接続された弾性部材と
を備え、
該プローブ本体は、長手方向軸を有するプローブアームによって該チャンバ内に支持され、
該プローブ先端は、該弾性部材に接続され、
該プローブ先端は、該チャンバ内のサンプルと、測定される位置において接触するように構成されており、
該プローブアームの該長手方向軸は、該サンプルに対して平行であり、
該弾性部材は、該プローブ先端が、該プローブアームの該長手方向軸に対して実質的に平行な方向における該プローブ本体の動きの間に、該サンプル上の該位置からの動きに耐えるように、該プローブ本体から該プローブ先端を分断し、該プローブ本体の該動きは、該チャンバ内の温度の変化に起因する該プローブアームの収縮または膨張に由来する、プローブアセンブリ。
【請求項２】
前記プローブ先端は、１．５Ｋ〜４７５Ｋの温度の範囲にわたって、前記位置において前記サンプルとの継続的な接触を維持する、請求項１に記載のプローブアセンブリ。
【請求項３】
前記プローブ先端は、１．５Ｋと４７５Ｋとの間の温度の範囲にわたって、前記位置において前記サンプルとの継続的な接触を維持する、請求項１に記載のプローブアセンブリ。
【請求項４】
前記プローブ先端は、温度の範囲の大きさが１０Ｋよりも大きい温度の範囲にわたって、前記位置において前記サンプルとの継続的な接触を維持する、請求項１に記載のプローブアセンブリ。
【請求項５】
前記プローブ本体の前記動きは、外部振動に由来する、請求項１に記載のプローブアセンブリ。
【請求項６】
前記弾性部材は、前記サンプル上の前記位置からの前記プローブ先端の動きを、５μｍ未満に制限する、請求項１に記載のプローブアセンブリ。
【請求項７】
前記弾性部材は、前記プローブアームに対して実質的に垂直である垂直部材を含む、請求項１に記載のプローブアセンブリ。
【請求項８】
前記垂直部材の長さは、５〜５０ｍｍである、請求項７に記載のプローブアセンブリ。
【請求項９】
前記垂直部材は、垂直バーと、リーフスプリングと、ダブルリーフスプリングとのうちの１つである、請求項７に記載のプローブアセンブリ。
【請求項１０】
前記弾性部材は、前記プローブアームに対して実質的に平行である水平部材をさらに含み、
前記垂直部材と該水平部材とは接続されている、請求項７に記載のプローブアセンブリ。
【請求項１１】
前記垂直部材および前記水平部材は、互いに対して実質的に垂直である、請求項１０に記載のプローブアセンブリ。
【請求項１２】
前記水平部材の長さは、２〜５０ｍｍである、請求項１０に記載のプローブアセンブリ。
【請求項１３】
前記垂直部材の長さは、前記水平部材の長さよりも大きい、請求項１０に記載のプローブアセンブリ。
【請求項１４】
前記水平部材は、水平バーおよび角度付きの水平バーのうちの１つである、請求項１０に記載のプローブアセンブリ。
【請求項１５】
前記プローブ先端は、前記垂直部材および前記水平部材のうちの１つと一体化される、請求項１０に記載のプローブアセンブリ。
【請求項１６】
プローブステーションであって、該プローブステーションは、
測定されるサンプルを受容するチャンバと、
プローブアームと、
プローブアセンブリと
を含み、
該プローブアームは、長手方向軸を有し、かつ、該プローブアセンブリを該チャンバ内に支持し、
該プローブアセンブリは、プローブ本体と、プローブ先端と、弾性部材とを含み、
該弾性部材は、該プローブ本体に接続され、
該プローブ先端は、該弾性部材に接続され、
該プローブ先端は、該チャンバ内のサンプルと、測定される位置において接触するように構成されており、
該プローブアームの該長手方向軸は、該サンプルに対して平行であり、
該弾性部材は、該プローブ先端が、該プローブアームの該長手方向軸に対して実質的に平行な方向における該プローブ本体の動きの間に、該サンプル上の該位置からの動きに耐えるように、該プローブ本体から該プローブ先端を分断し、該プローブ本体の該動きは、該チャンバ内の温度の変化に起因する該プローブアームの収縮または膨張に由来する、プローブステーション。
【請求項１７】
前記プローブ先端は、１．５Ｋ〜４７５Ｋの温度の範囲にわたって、前記位置において前記サンプルとの継続的な接触を維持する、請求項１６に記載のプローブステーション。
【請求項１８】
前記プローブ本体の前記動きは、外部振動に由来する、請求項１６に記載のプローブステーション。
【請求項１９】
前記弾性部材は、前記サンプル上の前記位置からの前記プローブ先端の動きを、５μｍ未満に制限する、請求項１６に記載のプローブステーション。
【請求項２０】
前記弾性部材は、前記プローブアームに対して実質的に垂直である垂直部材を含み、
該垂直部材は、垂直バーと、リーフスプリングと、ダブルリーフスプリングとのうちの１つである、請求項１６に記載のプローブステーション。
【請求項２１】
前記垂直部材の長さは、５〜５０ｍｍである、請求項２０に記載のプローブステーション。
【請求項２２】
前記弾性部材は、前記プローブアームに対して実質的に平行な水平部材をさらに含み、
該水平部材は、水平バーおよび角度付きの水平バーのうちの１つであり、
前記垂直部材と該水平部材とは接続されている、請求項２０に記載のプローブステーション。
【請求項２３】
前記水平部材の長さは、２〜５０ｍｍである、請求項２２に記載のプローブステーション。
【請求項２４】
前記垂直部材の長さは、前記水平部材の長さよりも大きい、請求項２２に記載のプローブステーション。
【請求項２５】
前記プローブ先端は、前記垂直部材および前記水平部材のうちの１つと一体化される、請求項２２に記載のプローブステーション。
【請求項２６】
前記プローブアセンブリは、前記プローブアームに対して取り外し可能に接続される、請求項１６に記載のプローブステーション。
【請求項２７】
前記プローブステーションは、複数のプローブアームと、対応する複数のプローブアセンブリとを含む、請求項１６に記載のプローブステーション。
【請求項２８】
前記プローブステーションは、前記チャンバ内に真空を形成するように動作可能である、請求項１６に記載のプローブステーション。
【請求項２９】
前記チャンバは、該チャンバ内の前記サンプルの外部からの検査を可能にするように構成されているビューポートを含む、請求項１６に記載のプローブステーション。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を構成する単位素子が配置される多数のセルを有するチップを多数の分割領域に区分する段階と、
前記各セルで漏洩電流を引き起こす工程変数相互間の空間相関を決定する段階と、
前記セルから発生する多数の漏洩成分に関する実際漏洩特性関数をコンピュータを利用して算術的に演算して、前記多数の実際漏洩特性関数と物理的に等価である仮想セル漏洩特性関数を生成する段階と、
前記分割領域内のセルに対する前記仮想セル漏洩特性関数を算術的に合算して前記分割領域の全てのセルから発生する漏洩電流に関する特性関数である領域漏洩特性関数を生成する段階と、
全ての分割領域に対する前記領域漏洩特性関数を統計的に合算して全チップから発生する漏洩電流に関する特性関数である全チップ漏洩特性関数を生成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の漏洩電流決定方法。
【請求項２】
前記実際漏洩特性関数及び前記仮想セル漏洩特性関数は、前記工程変数の指数多項式で表現されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の漏洩電流予測方法。
【請求項３】
前記実際漏洩特性関数は、
前記工程変数に対する第１漏洩電流の発生確率を示し、数式１のように表現される第１確率密度関数、及び、前記工程変数に対する第２漏洩電流の発生確率を示し、数式２のように表現される第２確率密度関数を含み、
前記仮想セル漏洩特性関数は、下記の数式３のように、前記第１及び第２確率密度関数の算術的合計である第３確率密度関数で表現できることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の漏洩電流予測方法。
【数１】
2010056554.tif 000001
【数２】
2010056554.tif 000002
【数３】
2010056554.tif 000003
（但し、数式１〜３において、Ｐ1，・・・Ｐnは、漏洩電流に影響を及ぼす各工程変数を意味し、ｅは、自然対数の底を意味する。）
【請求項４】
2010056554.tif 000004
【請求項５】
2010056554.tif 000005
【請求項６】
前記第３確率密度関数の近似係数ｃjは、
数式３の左辺及び右辺に任意のログノーマル分布ｅZを付加し、ログノーマル分布の合成のためのウィルキンソン方法の前記第２次モーメントに関する等価条件を適用して数式７を獲得する段階と、
前記数式７を第１次テイラー級数で展開する段階と、
前記数式７に関するテイラー級数を前記任意のログノーマル分布のｅZの確率変数のＺに関する恒等式で整列する段階と、
を通じて獲得することを特徴とする請求項４に記載の半導体素子の漏洩電流予測方法。
【数７】
2010056554.tif 000006
【請求項７】
2010056554.tif 000007
【請求項８】
前記領域漏洩特性関数は、指数多項式を含むログノーマル分布を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の漏洩電流決定方法。
【請求項９】
前記仮想セル漏洩特性関数を合算する段階は、
ログノーマル分布の合成のためのウィルキンソン方法の第２次モーメントに関する等価条件を適用して指数多項式を獲得する段階と、
前記指数多項式を第１次テイラー級数で展開する段階と、
前記テイラー級数を任意のログノーマル分布に関する確率変数に関する恒等式で整列する段階と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の漏洩電流予測方法。
【請求項１０】
前記仮想セル漏洩特性関数と前記セルから発生する他の追加漏洩成分に関する追加実際漏洩特性関数とを算術的に演算し、前記セルに対する追加漏洩成分による影響を分析する変化量分析を遂行する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の漏洩電流予測方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月3日(2012.5.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上の第２の絶縁膜とを大気に触れることなく積層し、
前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングして前記ゲート電極と重なる位置に保護膜を形成し、
前記保護膜をマスクとして前記酸化物半導体層の上層をエッチングし、
前記エッチングされた酸化物半導体層及び前記保護膜上に導電膜を形成し、
前記保護膜をエッチングストッパーとして前記導電膜を選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁膜は、酸素のみの雰囲気、または不活性気体を１０％未満含み、且つ、酸素を９０％以上含む雰囲気でスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体層は、酸素のみの雰囲気、または不活性気体を１０％未満含み、且つ、酸素を９０％以上含む雰囲気でスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、酸素のみの雰囲気、または不活性気体を１０％未満含み、且つ、酸素を９０％以上含む雰囲気でスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記選択的にエッチングされた導電膜の一部は、前記第２の絶縁膜上に重なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、少なくともＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、窒化アルミニウム膜、または酸化イットリウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、窒化アルミニウム膜、または酸化イットリウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体層とは、同一チャンバー内で成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体層と前記第２の絶縁膜とは、同一チャンバー内で成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
絶縁層を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、
脱酸素処理を施した後に還元性雰囲気または不活性雰囲気としたチャンバー内において、前記単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射して前記単結晶半導体層の少なくとも表層部を溶融させることにより、前記単結晶半導体層を再単結晶化させ、
前記単結晶半導体基板として、還元性雰囲気下において１０００℃以上１２５０℃以下で熱処理された単結晶シリコン基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記脱酸素処理として、前記チャンバーにシランガスを用いた処理、または水素ガスを用いた処理を施すことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記チャンバーとして、二重チャンバーを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
フッ素ラジカル処理後に、前記脱酸素処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記レーザー光を照射する前に、前記単結晶半導体層の表面に水素ガス雰囲気下でプラズマ処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記チャンバーは、前記チャンバーの内壁の温度を制御することができるシュラウドで覆われており、前記レーザー光の照射時に、前記シュラウドに冷却した流体を流すことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記脱酸素処理として、モノシランを８ＳＬＭ以上１０ＳＬＭ以下のガス流量で５分以上２０分以下の時間導入し続けることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記不活性雰囲気中の酸素濃度を１００ｐｐｔ未満とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項３において、
前記二重チャンバーの内側チャンバーを前記還元性雰囲気または前記不活性雰囲気とし、外側チャンバーを前記還元性雰囲気または前記不活性雰囲気とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記レーザー光を照射した後の前記単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を、前記レーザー光を照射する前と同等または前記レーザー光を照射する前より低減することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記レーザー光を照射した後の前記単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上にインジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを含む半導体層を有し、
前記半導体層上にチタンと酸素とを含む第１の層を有し、
前記半導体層上にチタンと酸素とを含む第２の層を有し、
前記第１の層上に第２の導電層を有し、
前記第２の層上に第３の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体層と前記第１の層との間に、チタンとガリウムとインジウムと亜鉛と酸素とを含む第３の層を有し、
前記半導体層と前記第２の層との間に、チタンとガリウムとインジウムと亜鉛と酸素とを含む第４の層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の層及び前記第２の層は、インジウム、ガリウム、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、鉄、錫、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウム、ホウ素、タリウム、ゲルマニウム、鉛のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記第１乃至第４の層は、マグネシウム、アルミニウム、鉄、錫、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウム、ホウ素、タリウム、ゲルマニウム、鉛のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月20日(2012.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストと，周辺機器が接続された周辺機器サーバとがネットワーク接続されており，
前記ホストには，前記周辺機器のデバイスドライバと，前記デバイスドライバが前記周辺機器に発行する入出力要求パケットをネットワークパケットとして送信するためにカプセル化する，および前記周辺機器サーバから送信されるカプセル化されたネットワークパケットより入出力要求パケットに対する応答データを取り出す第１のカプセル操作手段とが備えられ，
前記周辺機器サーバには，前記ホストから送信されるカプセル化されたネットワークパケットより入出力要求パケットを取り出す，および前記周辺機器からのデータを入出力要求パケットに対する応答データとしてホストに送信するためネットワークパケットとしてカプセル化する第２のカプセル操作手段とが備えられており，
前記デバイスドライバと前記周辺機器との間に前記第１のカプセル操作手段および前記第２のカプセル操作手段を使用した仮想的な通信経路を確立することにより前記ホストから前記周辺機器を利用することのできる周辺機器サーバシステムにおける周辺機器サーバにおいて，
１）前記ホストより発行される通信アドレス設定要求を受信する通信アドレス設定要求受信手段と，
２）受信した前記通信アドレス設定要求に対する応答として自身と相互に通信可能なアドレスを前記ホストに応答し割り当てるアドレス割当手段と，
３）アドレスが割り当てられた前記ホストに対し前記周辺機器への前記仮想的な通信経路を確立するよう指示を出す，またはアドレスが割り当てられた前記ホストに対し自ら前記仮想的な通信経路を確立する通信経路確立手段と，
を備えることを特徴とする周辺機器サーバ。
【請求項２】
ホストと，周辺機器が接続された周辺機器サーバとがネットワーク接続されており，
前記ホストには，前記周辺機器のデバイスドライバと，前記デバイスドライバが前記周辺機器に発行する入出力要求パケットをネットワークパケットとして送信するためにカプセル化する，および前記周辺機器サーバから送信されるカプセル化されたネットワークパケットより入出力要求パケットに対する応答データを取り出す第１のカプセル操作手段とが備えられ，
前記周辺機器サーバには，前記ホストから送信されるカプセル化されたネットワークパケットより入出力要求パケットを取り出す，および前記周辺機器からのデータを入出力要求パケットに対する応答データとしてホストに送信するためネットワークパケットとしてカプセル化する第２のカプセル操作手段とが備えられており，
前記デバイスドライバと前記周辺機器との間に前記第１のカプセル操作手段および前記第２のカプセル操作手段を使用した仮想的な通信経路を確立することにより前記ホストから前記周辺機器を利用することのできる周辺機器サーバシステムにおける周辺機器サーバを，
１）前記ホストより発行される通信アドレス設定要求を受信する通信アドレス設定要求受信手段と，
２）受信した前記通信アドレス設定要求に対する応答として自身と相互に通信可能なアドレスを前記ホストに応答し割り当てるアドレス割当手段と，
３）アドレスが割り当てられた前記ホストに対し前記周辺機器への前記仮想的な通信経路を確立するよう指示を出す，またはアドレスが割り当てられた前記ホストに対し自ら前記仮想的な通信経路を確立する通信経路確立手段と，
として機能させるプログラム。
【請求項３】
ホストと，周辺機器が接続された周辺機器サーバとがネットワーク接続されており，
前記ホストには，前記周辺機器のデバイスドライバと，前記デバイスドライバが前記周辺機器に発行する入出力要求パケットをネットワークパケットとして送信するためにカプセル化する，および前記周辺機器サーバから送信されるカプセル化されたネットワークパケットより入出力要求パケットに対する応答データを取り出す第１のカプセル操作手段とが備えられ，
前記周辺機器サーバには，前記ホストから送信されるカプセル化されたネットワークパケットより入出力要求パケットを取り出す，および前記周辺機器からのデータを入出力要求パケットに対する応答データとしてホストに送信するためネットワークパケットとしてカプセル化する第２のカプセル操作手段とが備えられており，
前記デバイスドライバと前記周辺機器との間に前記第１のカプセル操作手段および前記第２のカプセル操作手段を使用した仮想的な通信経路を確立することにより前記ホストから前記周辺機器を利用することのできる周辺機器サーバシステムにおいて，
１）前記周辺機器サーバは，
ａ）前記ホストより発行される通信アドレス設定要求を受信する通信アドレス設定要求受信手段と，
ｂ）受信した前記通信アドレス設定要求に対する応答として自身と相互に通信可能なアドレスを前記ホストに応答し割り当てるアドレス割当手段と，
ｃ）アドレスが割り当てられた前記ホストに対し前記周辺機器への前記仮想的な通信経路を確立するよう指示を出す通信経路確立指示手段と，
を備え，
２）前記ホストは，
ｄ）前記通信経路確立指示手段による指示を受信する手段と，
ｅ）受信した前記指示に基づいて，自身と前記周辺機器との間の前記仮想的な通信経路を確立する手段と，
を備えることを特徴とする周辺機器サーバシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に第二の特徴として、デジタルデータ(a)をWebページ上で表示する際の画像保護手段とデータ表示方法であるが、Frashによる動的な保護手段を用いる。具体的には、(a1)の個別作品がＷＥＢページに表示されると同時に、数秒のタイムラグの後、擦り硝子のような半透明のフィルムが画像をシャットアウトする様にプログラムを作成する。これは同じ様な効果を生じる物であれば良い。例えば画像が完全に見えなくなってしまう方法でもかまわない。このタイムリミットの時間は設定することも可能であるが殆どは画像が表示されると同時に１〜３秒後に自動的にシャットアウトする事を想定している。
このシャットアウト機能というのは、何かと言うと、イメージで例えるならば、人間の目の上にある瞼に当たるものだとしてください。美しい視界を手に入れる為には、瞼が無ければいけないものとします。現在、コンピュータの視界は常に、瞼が開きっぱなしの状態にあるものとします。目玉をカバーするものが、この機能であります。そして、最初は、瞼が閉まっている状態であり、瞼を開く信号を入力すると、瞼が瞬きするように開きます。視界（画像）購入前は、この瞬きの数が制限されており、例えば、３回なり、５回なり、８回なり、瞬きの数が、お試し機能だとします。「図４」がその画面を表した図である。画像は、以下「００２１」でも述べるが通常、サムネイルで表示されている。個別作品画面を“拡大して表示”するＷＥＢページを表示すると保護フィルムが出現するように仕掛けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
形式言語で記述されるソフトウェア仕様を証明するソフトウェア証明支援装置であって、
プロセッサ、及び記憶部を備え、
前記記憶部は、前記プロセッサを動作させるためのプログラムであって、前記ソフトウェア仕様を証明するための証明部と、前記ソフトウェア仕様から前記ソフトウェア仕様の性質を推論するための、前記証明部の証明規則とは異なる推論規則部を備えるプログラムを格納し、
前記プロセッサは、
前記推論規則部によって、前記ソフトウェア仕様から前記ソフトウェア仕様の性質を推論し、
推論した前記ソフトウェア仕様の性質を、前記ソフトウェア仕様の前提条件として前記ソフトウェア仕様に追加し、
前記証明方法によって、前記ソフトウェア仕様を証明することを特徴とするソフトウェア証明支援装置。
【請求項２】
前記プロセッサは、
前記ソフトウェア仕様を実行して実行結果を取得し、
前記実行結果に矛盾しない性質を、前記ソフトウェア仕様の性質として抽出して、
前記ソフトウェア仕様から前記ソフトウェア仕様の性質を推論することを特徴とする請求項１に記載のソフトウェア証明支援装置。
【請求項３】
前記記憶部は、前記プログラムとして、前記ソフトウェア仕様の証明を成功させるための前記ソフトウェア仕様の修正方法を抽出する修正候補抽出手続き部を有するプログラムを格納し、
前記プロセッサは、
前記ソフトウェア仕様から前記ソフトウェア仕様の性質を含む不変条件候補を抽出し、
前記修正候補抽出手続き部によって、前記ソフトウェア仕様から、前記ソフトウェア仕様の証明を成功させるための前記ソフトウェア仕様の修正方法候補であって、ソフトウェア仕様の性質を含む修正方法候補を抽出し、
前記不変条件候補と前記修正方法候補を比較し、
前記比較の結果、それぞれに含まれる性質が一致した場合、前記性質を追加することで、前記ソフトウェア仕様から前記ソフトウェア仕様の性質を推論することを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載のソフトウェア証明支援装置。
【請求項４】
形式言語で記述されるソフトウェア仕様を証明するソフトウェア証明支援装置におけるソフトウェア証明支援方法であって、
前記ソフトウェア証明支援装置は、プロセッサ、及び記憶部を備え、
前記記憶部は、前記プロセッサを動作させるためのプログラムであって、前記ソフトウェア仕様を証明するための証明部と、前記ソフトウェア仕様から前記ソフトウェア仕様の性質を推論するための、前記証明部の証明規則とは異なる推論規則部を有するプログラムを格納し、
前記プロセッサは、
前記推論規則部によって、前記ソフトウェア仕様から前記ソフトウェア仕様の性質を推論し、
推論した前記ソフトウェア仕様の性質を、前記ソフトウェア仕様の前提条件として前記ソフトウェア仕様に追加し、
前記証明方法によって、前記ソフトウェア仕様を証明することを特徴とするソフトウェア証明支援方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載のソフトウェア証明支援装置において、
前記ソフトウェア仕様の証明は、前記推論規則部として、ある２つの変数x、yについて、x、yは同じ値で初期化され、かつ各イベントにおいてx、yの値を変更しないか、変更する場合はx、yに同じ値を代入するならば、不変条件x＝yが成立するとの推論規則を用いて実行することを特徴とするソフトウェア証明支援装置。
【請求項６】
請求項４に記載のソフトウェア証明支援方法において、
前記ソフトウェア仕様の証明は、前記推論規則部として、ある２つの変数x、yについて、x、yは同じ値で初期化され、かつ各イベントにおいてx、yの値を変更しないか、変更する場合はx、yに同じ値を代入するならば、不変条件x＝yが成立するとの推論規則を用いて実行することを特徴とするソフトウェア証明支援方法。