【手続補正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大して、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、下記一般式（Ｉ）で表される酸を発生する光酸発生剤と
を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。
【化１０１】
2010164958.tif 000001
式中、
Ｘｆは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のＲ１、Ｒ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌは、二価の連結基を表し、該二価の連結基は、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ―、−ＳＯ―、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアルケニレン基である。複数存在する場合のＬは同一でも異なっていてもよい。
Ａは、環状構造を有する基を表す。
ｘは１〜２０の整数を表し、ｙは０〜１０の整数を表し、ｚは０〜１０の整数を表す。
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）で表される酸が、下記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される酸であることを特徴とする請求項１に記載のネガ型現像用レジスト組成物。
【化１０２】
2010164958.tif 000002
【請求項３】
前記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される酸が、前記一般式（ＩＩ）で表され、かつ、フッ素原子を２個有する酸であることを特徴とする請求項２に記載のネガ型現像用レジスト組成物。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される酸におけるＡが、フッ素原子を含有しないことを特徴とする請求項１又は２に記載のネガ型現像用レジスト組成物。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）において、Ａにおける環状構造が炭素原子を５個以上有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のネガ型現像用レジスト組成物。
【請求項６】
前記Ａとしての環状構造を有する基が環状基であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のネガ型現像用レジスト組成物。
【請求項７】
（ア）請求項１に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
（ア）請求項２に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
（ア）請求項３に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１０】
（ア）請求項４に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１１】
（ア）請求項５に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１２】
（ア）請求項６に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１３】
前記ネガ型現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種類の溶剤を含有する現像液であることを特徴とする請求項７〜１２のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
前記樹脂は、酸の作用により極性が増大して、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大する樹脂であり、
（ウ）前記ポジ型現像液を用いて現像する工程を更に含むことを特徴とする請求項７〜１３のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
前記露光工程（イ）における露光が、液浸露光であることを特徴とする、請求項７〜１４のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
請求項１〜６のいずれかに記載のネガ型現像用レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
【請求項１７】
請求項７〜１５のいずれかに記載のパターン形成方法により形成されたパターン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記目的が達成される。
〔１〕
（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大して、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、下記一般式（Ｉ）で表される酸を発生する光酸発生剤と
を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。
【化１０３】
2010164958.tif 000003
式中、
Ｘｆは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のＲ１、Ｒ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌは、二価の連結基を表し、該二価の連結基は、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ―、−ＳＯ―、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアルケニレン基である。複数存在する場合のＬは同一でも異なっていてもよい。
Ａは、環状構造を有する基を表す。
ｘは１〜２０の整数を表し、ｙは０〜１０の整数を表し、ｚは０〜１０の整数を表す。
〔２〕
前記一般式（Ｉ）で表される酸が、下記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される酸であることを特徴とする上記〔１〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物。
【化１０４】
2010164958.tif 000004
〔３〕
前記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される酸が、前記一般式（ＩＩ）で表され、かつ、フッ素原子を２個有する酸であることを特徴とする上記〔２〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物。
〔４〕
前記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される酸におけるＡが、フッ素原子を含有しないことを特徴とする上記〔１〕又は〔２〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物。
〔５〕
前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）において、Ａにおける環状構造が炭素原子を５個以上有することを特徴とする上記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のネガ型現像用レジスト組成物。
〔６〕
前記Ａとしての環状構造を有する基が環状基であることを特徴とする上記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のネガ型現像用レジスト組成物。
〔７〕
（ア）上記〔１〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔８〕
（ア）上記〔２〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔９〕
（ア）上記〔３〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔１０〕
（ア）上記〔４〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔１１〕
（ア）上記〔５〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔１２〕
（ア）上記〔６〕に記載のネガ型現像用レジスト組成物により膜を形成する工程と、
（イ）露光工程と、
（エ）有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔１３〕
前記ネガ型現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種類の溶剤を含有する現像液であることを特徴とする上記〔７〕〜〔１２〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔１４〕
前記樹脂は、酸の作用により極性が増大して、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大する樹脂であり、
（ウ）前記ポジ型現像液を用いて現像する工程を更に含むことを特徴とする上記〔７〕〜〔１３〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔１５〕
前記露光工程（イ）における露光が、液浸露光であることを特徴とする、上記〔７〕〜〔１４〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
〔１６〕
上記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のネガ型現像用レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
〔１７〕
上記〔７〕〜〔１５〕のいずれかに記載のパターン形成方法により形成されたパターン。
本発明は、上記〔１〕〜〔１７〕に係る発明であるが、以下、他の事項も含めて記載している。