【事件の表示】
　特願２００２−　３４１７９「フォトマスク及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２２日出願公開、特開２００３−２３３１６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１４年２月１２日に出願された特願２００２−３４１７９号であって、平成１９年６月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２０日付けで意見書の提出及び手続補正がなされ、同年９月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２６日付けで意見書の提出及び手続補正がなされたところ、同年１２月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年１月２４日に拒絶査定不服の審判が請求され、同年２月２５日付けで手続補正がなされた。
　その後、当審において、平成２１年５月１５日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年７月１７日付けで意見書の提出及び手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年５月１５日付け拒絶理由の概要
　当審で通知した、平成２１年５月１５日付け拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の概要は以下のとおりである。
　
「１）本願は、明細書の特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２）・・・
３）・・・
４）本願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
　
　
　第３　本願発明
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２１年７月１７日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　なお、当該平成２１年７月１７日付け手続補正による補正は、明細書の特許請求の範囲及び段落【００２３】〜【００２４】についてするものであって、その補正内容は本願の願書に最初に添付された明細書または図面に記載した事項の範囲内のものであるから、適法な補正である。
　
「【請求項１】
　透光基板と、前記透光基板上に形成された半透過膜とを有するフォトマスクにおいて、
　第１のパターンが前記透光基板上に形成された第１の領域と、前記第１のパターンのパターンピッチよりもパターンピッチの大きな第２のパターンが前記透光基板上に形成された第２の領域とを有し、
　前記第１の領域及び前記第２の領域において、前記半透過膜は、前記第１の領域に形成された前記第１のパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する位相シフトマスクであり、
　前記第２の領域において、前記第２の領域の前記第２のパターンにより定まる複数の開口部のうち、隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域に対応する位置の前記透光基板上に遮光膜を形成した
　ことを特徴とするフォトマスク。
　　　【請求項２】
　透光基板と、前記透光基板上に形成された半透過膜とを有するフォトマスクにおいて、
　第１のパターンが前記透光基板上に形成された第１の領域と、前記第１のパターンのパターンピッチよりもパターンピッチの大きな第２のパターンが前記透光基板上に形成された第２の領域とを有し、
　前記第１の領域及び前記第２の領域において、前記半透過膜は、前記第１の領域に形成された前記第１のパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する位相シフトマスクであり、
　前記第２の領域において、前記第２の領域の前記第２のパターンにより定まる複数の開口部のうち、隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域に対応する位置の前記透光基板上の前記半透過膜の膜厚を、前記調整された膜厚よりも薄膜化又は厚膜化した
　ことを特徴とするフォトマスク。
　　　【請求項３】
　透光基板と、前記透光基板上に形成された半透過膜とを有するフォトマスクにおいて、
　第１のパターンが前記透光基板上に形成された第１の領域と、前記第１のパターンのパターンピッチよりもパターンピッチの大きな第２のパターンが前記透光基板上に形成された第２の領域とを有し、
　前記半透過膜は、透過率の異なる複数の膜により構成され、
　前記第１の領域及び前記第２の領域において、前記半透過膜は、前記第１の領域に形成された前記第１のパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する位相シフトマスクであり、
　前記第２の領域において、前記第２の領域の前記第２のパターンにより定まる複数の開口部のうち、隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域に対応する位置の前記透光基板上の前記半透過膜の膜厚を、前記半透過膜を構成する前記複数の膜のいずれかの膜を薄膜化又は厚膜化することにより、前記調整された膜厚よりも薄膜化又は厚膜化した
　ことを特徴とするフォトマスク。
　　　【請求項４】
　透光基板と、前記透光基板上に形成された半透過膜とを有するフォトマスクにおいて、
　第１のパターンが前記透光基板上に形成された第１の領域と、前記第１のパターンのパターンピッチよりもパターンピッチの大きな第２のパターンが前記透光基板上に形成された第２の領域とを有し、
　前記第１の領域及び前記第２の領域において、前記半透過膜は、前記第１の領域に形成された前記第１のパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する位相シフトマスクであり、
　前記第２の領域において、前記第２の領域の前記第２のパターンにより定まる複数の開口部のうち、隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域に対応する位置の前記透光基板上の前記半透過膜のパターンサイズを、前記第２のパターンにより定まるパターンサイズよりも大きく又は小さくした
　ことを特徴とするフォトマスク。」
　
　
第４　当審の判断
１　当審拒絶理由の理由１）についての検討
（１）当審拒絶理由の「１．理由１（特許法第３６条第６項第１号）」で指摘した不備は、
「現在の請求項１の記載では、『前記半透過膜は、・・・複数の開口部のうち、・・・前記透光基板側に、透過光を抑制する抑制手段を設けた』となっており、半透過膜は、抑制手段を『複数の開口部』に設けると解されるが、そのようなフォトマスクは、発明の詳細な説明には記載されていない。
　よって、本願の請求項１及び請求項１を引用する請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものでない。」
というものである。
　
（２）本願の請求項１に係る発明について検討すると、請求項１は、「前記第２の領域において、前記第２の領域の前記第２のパターンにより定まる
複数の開口部のうち、
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、遮光膜の位置を特定する記載としては、「次に、セルサイズ、光学条件、使用マスクから、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブピークが発生する位置を算出する（ステップＳ１１）。続いて、各開口部のサブピークの発生位置から、各開口部のサブピークが重なり合って干渉する領域を特定する（ステップＳ１２）。
　図３（１）に示すようなサブピークの干渉領域があると判断されると（ステップＳ１３）、サブピークの発生を抑止するように設計を変更する（ステップＳ１４）。具体的には、図３（２）に示すように、サブピークの干渉領域における半透過膜１２をクロム膜１８に代えるか、図３（３）に示すように、半透過膜１２上にクロム膜１８を形成するか（ステップＳ１５）を検討し、いずれかの補正処理を行う（ステップＳ１６）。・・・」（段落【００３４】〜【００３５】）、「図３（２）に示すように、中央の半透過膜１２の形成された領域にサイドピークが重なり合う場合に、サブピークの干渉領域における半透過膜１２をクロム膜１８に代える場合の製造工程である。」（段落【００３８】）、及び「図３（３）に示すように、中央の半透過膜１２の形成された領域にサイドピークが重なり合う場合に、サブピークの干渉領域における半透過膜１２上にクロム膜１８を形成する場合の製造工程である。」（段落【００４３】）と記載されているのみであって、第２のパターンによれば半透過膜１２を形成すべき位置を、クロム膜１８（請求項１の「遮光膜」に相当。）に代えたり、半透過膜１２の上にクロム膜１８を形成するものしか記載されておらず、「前記第２の領域の前記第２のパターンにより定まる」「開口部」に遮光膜を形成したフォトマスクは、本願の発明の詳細な説明に記載されていないし、当業者にとって自明な事項でもない。
　
（３）請求項２〜４に係る発明について検討すると、請求項２〜４には、「前記第２の領域において、前記第２の領域の前記第２のパターンにより定まる
複数の開口部のうち、
　
（４）また、平成２１年７月１７日付け意見書においても、審判請求人は上記当審拒絶理由の「１．理由１（特許法第３６条第６項第１号）」に対し、
「３．理由１について
　請求項１の記載を補正し、審判官殿が指摘の記載『透過光を抑制する抑制手段』を用いずに、本発明の第１実施形態に対応するものとしましたので、理由１は解消したものと確信いたします。」
と主張するのみであって、抑制手段（遮光膜や半透過膜等）を「複数の開口部」に設けると解される、ことに対する反論はなされていない。
　
（５）したがって、本願の請求項１〜４に係る発明は、本願の発明の詳細な説明に記載されたものとは認められないので、特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たしていない。
　
　
２　当審拒絶理由の理由４）についての検討
（１）当審拒絶理由の理由４で指摘した、当時の請求項３に係る発明（平成２０年２月２５日付け手続補正書を参照。）に対する拒絶理由は、
「４．理由４（特許法第２９条第２項）
・請求項　１−４
・引用例　１−３
・備考
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２０年２月２５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものである。
　
　引用例１（特に、請求項１〜４、【００１３】〜【００３８】、【００４５】、【００５５】〜【００５８】及び図３〜４を参照。）には、透明な基板１と、前記透明な基板１に形成された半透明性材料からなるアテニュエイティッド位相シフタ３（以下、単に「位相シフタ３」という。）とを有するフォトマスクにおいて、露光すべきパターンの疎密に応じて前記位相シフタの光透過率を可変設定する技術が記載されており、かつ、シフタ膜厚をｄとした場合、ピッチａのパターン領域（図４（ｂ））のコンタクトホールを挟む領域での光強度はほぼ０となり、ピッチ２ａのパターン領域（図４（ａ））のコンタクトホールを挟む領域の光強度は０とならず、このピッチ２ａのパターン領域でのシフタ膜厚を３ｄとすることで前記コンタクトホールを挟む領域の光強度を０とすることができることが記載されている。
　
　よって、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と引用例１に記載された発明とは、以下の３点で相違し、その他の点で一致する。
（相違点１）
　本願発明１の半透過膜は「透光基板上に形成され」ているのに対し、引用例１に記載された発明の位相シフタ３は、透明な基板１の「上」に形成されていない点。
（相違点２）
　本願発明１のフォトマスクはパターンピッチの異なる第１の領域と第２の領域とを有しているのに対し、引用例１に記載された発明の位相シフトマスクが、２つの異なるピッチの領域を有しているかどうか明確でない点。
（相違点３）
　抑制手段の位置について、本願発明１では隣接する開口部の「サイドピークが重なり合う領域に対応する」位置に配置しているのに対し、引用例１に記載された発明には、その点の限定がなされていない点。
　
　上記相違点について検討する。
　相違点１については、位相シフトマスクとして、半透過膜を透光基板上に形成したタイプのものは当業者にとって周知のフォトマスクにすぎず（例えば、引用例２の【０００６】〜【００１０】及び図１０、並びに引用例３の請求項１、【０００２】〜【０００４】及び図面を参照。）、引用例１に記載された発明を当該周知の位相シフトマスクに変える程度のことは、当業者が容易になし得たことである。
　
　相違点２については、引用例１の請求項４、【００１８】及び【００５７】を参照すると、光透過率の異なる複数の位相シフタを設定することが記載されていると認められるから、フォトマスク上に２つの異なるパターンピッチの領域を有する場合に、それに対応した光透過率を有する２つの位相シフタを設定することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　相違点３については、位相シフトマスクの分野において、「隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域」に生じる光強度を不要な光強度とし、この領域に対応するフォトマスク上にこの不要な光強度を抑制する抑制手段を設ける技術も、当業者にとって周知の技術である。（例えば、引用例２の【００１３】〜【００１６】、【００４１】〜【００４３】、【００５７】〜【００５８】及び図１、６、１１、並びに引用例３の請求項１、【００１６】〜【００２０】及び図面を参照。）
　引用例１に記載された発明においても、ピッチ２ａの領域におけるコンタクトホールを挟む領域の光強度を０にするために、この光強度の発生している部分の位相シフタ３の光透過率を変えていることを考慮すると、引用例１に記載された発明に上記周知技術を適用して、抑制手段を「サイドピークが重なり合う領域」に対応する位置に配置することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　よって、引用例１に記載された発明に上記周知技術を適用して本願発明１とすることは当業者が容易になし得たことである。
・・・
　本願の請求項３に係る発明については、本願の第３実施形態を参酌すると、引用例１に記載された発明におけるピッチ２ａの領域の位相シフタ３の厚膜化は、「重なり合うサイドピークの強度を下げる」機能を有していると認められる。
　
・・・
　したがって、本願の請求項１〜４に係る発明は、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
引用例一覧；
 （１）特開平１１−７２９０２号公報
 （２）特開平１１−１５３８５３号公報
 （３）特開平８−３２８２３５号公報」
というものである。
　
　
（２）本願発明
　本願の請求項２に係る発明は、上記「第３　本願発明」に記載したとおりのものであるが、上記「１　当審拒絶理由の理由１）についての検討」で判断したとおり、平成２１年７月１７日付け手続補正の明細書の特許請求の範囲の記載に基づく請求項２に係る発明は、本願の発明の詳細な説明に記載されていないものであるので、以下のとおり認定し、検討する。
「【請求項２】
　透光基板と、前記透光基板上に形成された半透過膜とを有するフォトマスクにおいて、
　第１のパターンが前記透光基板上に形成された第１の領域と、前記第１のパターンのパターンピッチよりもパターンピッチの大きな第２のパターンが前記透光基板上に形成された第２の領域とを有し、
　前記第１の領域及び前記第２の領域において、前記半透過膜は、前記第１の領域に形成された前記第１のパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する位相シフトマスクであり、
　前記第２の領域において、隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域に対応する位置の前記透光基板上の前記半透過膜の膜厚を、前記調整された膜厚よりも薄膜化又は厚膜化した
　ことを特徴とするフォトマスク。」（以下、「本願発明」という。）
　
　
（３）刊行物
ア　引用例１
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−７２９０２号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。（後述の「イ　引用発明の認定」において特に参照した箇所に下線を付した。）
（ａ１）「【請求項１】  
露光光に対して透明な基板の一主面側に露光光に対して半透明な位相シフタを露光すべきパターンとは逆パターンに形成し、透明部を通過する光と位相シフタ部を通過する光との間に（２ｎ−１）π（ｎは整数）の位相差を持たせた位相シフトマスクにおいて、露光すべきパターンの疎密に応じて前記位相シフタの光透過率を可変設定
【請求項２】  請求項１記載の位相シフトマスクにおいて、前記位相シフタの光透過率を可変するために、該シフタの膜厚を変えたことを特徴とする位相シフトマスク。
・・・
【請求項４】  請求項１記載の位相シフトマスクにおいて、
前記透明基板のシフタ配置領域に溝が形成され、該溝内に同一材料からなる位相シフタが埋め込み形成され、該溝の深さは最も薄い部分がｄで、露光すべきパターンの疎密に応じて（２ｎ−１）ｄ（ｎは１以上の整数）の深さに設定
　
（ａ２）「【０００２】
【従来の技術】一般に、アテニュエイティッド位相シフトマスクは、特にコンタクトホールの露光マージンの増加に有効であることが知られている。また、解像パターンの微細化に伴って、特にライン＆スペースパターンの場合には光近接効果の影響が無視できなくなりつつあり、解像パターンの設計時でのリサイズ等の対策が必要になっている。
【０００３】光近接効果とは、パターンの疎密による寸法差やパターン端部における丸まりや後退減少が生じることをいう。従来、コンタクトホールパターンの場合には孤立配置が多くパターンが密集していなかったため、光近接効果の影響が少ないとされていたが、解像パターンの微細化に伴ってコンタクトホールでさえもパターンの配置や疎密の影響が無視できなくなることが予想される。
【０００４】このような光近接効果により、例えばマスク上同一のパターン寸法であっても孤立パターンと繰り返しの密集パターンとではウェハ上では異なった寸法になる。この現象がデバイスの製造工程で生じると、解像パターンの微細化が困難となる。そして、デバイスの性能を劣化させる要因となり、半導体パターンのさらなる高集積化を困難なものとしている。」
　
（ａ３）「【００１３】（作用）位相シフトマスクに入射した照明光は、位相シフタの無い箇所では位相は変化せず、同一の位相で透過する。一方、位相シフタのある箇所では位相シフタの無い箇所に対して（２ｎ−１）πだけ位相が変化する。従って、位相シフタによりシフトした位相はそれぞれ同一位相を保持する。
【００１４】例えば、疎のパターンを露光する場合、隣接する露光パターン同士の照明光が干渉して像がぼやけることは少ない。従って、透過率の低い位相シフタを各露光パターン間の領域に対応して配置し、光近接効果の補正を少な目に設定する。このように配置された位相シフタにより透過する照明光は、位相シフタを介さずに透過した照明光に対して位相が変化し、その振幅は正負逆となる。
【００１５】ここで、実際にパターンに照明される光強度は位相シフタを介する光と介さない光とのそれぞれ正負逆となった振幅を加算したものの２乗に比例するものであるため、各露光パターン間の領域での光強度は減少し、エッジの効いた露光パターンを形成することが可能となる。
【００１６】これに対して密集パターンを露光する場合、隣接する露光パターン同士の照明光が接近するため互いに干渉し、パターンが疎の場合に比べて像がぼやける。従って、透過率の高い位相シフタを隣接する露光パターン間の領域に対応して配置し、光近接効果の補正を高めに設定する。このように配置された位相シフタにより透過する照明光は、位相シフタを介さずに透過した照明光に対して位相が変化し、その振幅は正負逆となる。
【００１７】ここで、実際にパターンに照明される光強度は上記疎のパターンを露光する場合と同様に位相シフタを介する光と介さない光とのそれぞれ正負逆となった振幅を加算したものの２乗に比例するものである。しかしながら、上記疎のパターンを露光する場合に比べて透過率の高い位相シフタを隣接する露光パターン間の領域に対応して配置しているため、各露光パターン間の領域での光強度は大きく減少し、エッジの効いた露光パターンを形成することが可能となる。
【００１８】このように、
マスクに設けられる複数の位相シフタの位相を同一に保持しつつ、かつ各位相シフタの光透過率を可変設定して用いることで
　
（ａ４）「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
（第１実施形態）図１は、本発明の第１実施形態に係るクオーツマスク基板堀り込み型３次元構造アテニュエイティッド位相シフトマスクの製造工程を示す断面図である。図１に示すように、まず厚さ６ｄのクオーツ等からなる透明な基板１に第一のレジスト２を塗布し、マスクを用いて露光を行いレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等の異方性エッチング技術を用いてエッチングし、基板１に深さ５ｄの溝部を形成する（図１（ａ））。
【００２０】次に、形成された深さ５ｄの溝部に例えばＣＶＤ法等によりアテニュエイティッド位相シフタ３を堆積する（図１（ｂ））。アテニュエイティッド位相シフタ３としては、例えばＳｉＮ、ＭｏＳｉ、あるいはα―Ｃａｒｂｏｎ等の半透明性材料が用いられる。そして、アテニュエイティッド位相シフタ３が堆積したＳｉＯ２基板上を例えばＣＭＰあるいはエッチバック等により平坦化して基板１を露出する（図１（ｃ））。
【００２１】次に、図１（ａ）と同様の工程により、エッチングして深さ３ｄの溝部を形成し（図１（ｄ））、アテニュエイティッド位相シフタ３を堆積させ（図１（ｅ））、その表面をＣＭＰあるいはエッチバック等により平坦化して基板１を露出する（図１（ｆ））。
【００２２】さらに、図１（ａ）と同様の工程により深さｄの溝部を形成し（図１（ｇ））、アテニュエイティッド位相シフタ３を堆積させ（図１（ｈ））、その表面をＣＭＰあるいはエッチバック等により表面を平坦化して基板１を露出する（図１（ｉ））。
【００２３】上記図１（ａ）〜（ｉ）までの工程により、マスクとなる基板１に位相シフタとなるアテニュエイティッド位相シフタ３が３個形成される。このように形成された
位相シフタはそれぞれ深さが５ｄ，３ｄ，ｄと異なるため、マスク上面から入射した照明光に対してその深さに応じた透過率を与え
【００２４】すなわち、透明なクオーツ等からなる基板１を透過率１００％として考え、例えば深さｄの溝部に埋め込まれたアテニュエイティッド位相シフタ３は、透過率ｋとする。この場合、深さ３ｄの溝部に埋め込まれたアテニュエイティッド位相シフタ３は透過率ｋ３となる。また、深さ５ｄの溝部に埋め込まれたアテニュエイティッド位相シフタ３は透過率ｋ５となる。ここで、照明光の波長をλとすると、ｄ＝λ／２（ｎ−１）（当審注：ｎは屈折率と認める。）であるため透過光は基板１を透過した光に対してθ＋１８０°，θ＋５４０°，θ＋９００°となる。従って、それぞれの透過光は同一の位相を保持する。」
　
（ａ５）「【００２５】次に、このように形成された位相シフトマスクを用いて実際に光露光を行いコンタクトホールパターンを形成する場合を図３及び図４を用いて説明する。図３及び図４において横軸は長さ、縦軸は上からそれぞれ振幅、強度、マスクパターンの平面配置を示す。
【００２６】また、図３は本発明を適用した例としてシフタ膜厚を３ｄとし、位相差をθ±５４０°とした場合を示し、図３（ａ）は面積ａ２ の３個のコンタクトホールがそれぞれ２ａのピッチで配置される場合の露光を示し、図３（ｂ）は面積ａ２の３個のコンタクトホールがａのピッチで配置される場合を示す。
【００２７】また、図４は従来から用いられている位相シフタを適用した例としてシフタ膜厚をｄとし、位相差をθ±１８０°とした場合を示し、図４（ａ）は面積ａ２の３個のコンタクトホールがａのピッチ（当審注：「ａのピッチ」は「２ａのピッチ」の誤記と認める。）で配置される場合の露光を示し、図４（ｂ）は面積ａ２の３個のコンタクトホールがａのピッチで配置される場合を示す。」
　
（ａ６）「【００２８】まず、面積ａ２のコンタクトホールが２ａのピッチで配置される場合について考える。・・・
【００２９】上記位相シフタを持たない場合に対して、各コンタクトホールを挟む領域への入射光が透過するマスクに厚さｄのアテニュエイティッド位相シフタを図４（ａ）に示すように設けると、上記振幅分布の２つの頂点の谷間に頂点を有し、透明部を通過する照明光の振幅分布に対して反転された振幅分布が生じる。
【００３０】ここで、実際に形成されるマスクパターンは振幅の２乗に比例する光強度で定まるものであり、この光強度は透明部を通過した照明光の振幅分布とアテニュエイティッド位相シフタを通過する照明光により現れた振幅分布を加算して２乗したものとなる。図４（ａ）に示す場合、コンタクトホール形成領域の中間点において透明部を通過する照明光による振幅と位相シフタ配置部を通過する照明光による振幅とは等しくないため光強度は０とはならない。また、コンタクトホール形成領域の端部においてもアテニュエイティッド位相シフタによる振幅が大きくなるため、光強度分布が本来形成すべき寸法であるａより小さくなる。従って、このアテニュエイティッド位相シフタは適当でないことが分かる。」
　
（ａ７）「【００３１】これに対して位相シフタの膜厚をｄから３ｄに厚くした場合の振幅及び光強度分布は、位相シフタの光透過率の関係から変動する。すなわち、シフタ膜厚がｄの場合の位相シフタの光透過率をｋとすると、図３（ａ）に示すシフタ膜厚が３ｄの場合は膜厚が３倍となっているためｋ３となる。従って、膜厚がｄの場合に比べて位相シフタ配置部を通過する照明光による反転された振幅分布が小さくなる。
【００３２】これにより、
コンタクトホール形成領域の中間点において透明部を通過する照明光による振幅と位相シフタ配置部を通過する照明光による振幅とが等しくなるため光強度は０となり、エッジの効いたコンタクトホールパターンを形成することができる
　
（ａ８）「【００３３】次に、面積ａ２のコンタクトホールが
ピッチａで配置される場合、すなわち上記図３（ａ）及び図４（ａ）に示したピッチ２ａの場合よりも密にパターンを形成する場合
【００３４】・・・
【００３５】各コンタクトホールを挟む領域に対応するマスク位置に厚さｄのアテニュエイティッド位相シフタを設けた場合、上記遮光部を設けた場合と正負が逆で、その部分の中心に頂点を有する振幅分布が現れる。ここで、図４（ａ）におけるピッチ２ａの場合と比較して、位相シフタを透過しない光による振幅分布がコンタクトホール形成領域を挟む領域において大きいため、
位相シフタを透過する光の振幅と位相シフタを透過しない光の振幅とがつり合い、コンタクトホールを挟む領域での光強度はほぼ０となる
　
（ａ９）「【００３６】これに対して位相シフタの膜厚をｄから３ｄに厚くした場合の振幅及び光強度分布は、光透過率の関係から変動する。すなわち、図３（ｂ）に示すように、図４（ｂ）と同様に振幅は各コンタクトホール形成領域を挟む部分に遮光部を設けた場合の振幅とアテニュエイティッド位相シフタによる正負逆の振幅との和となるが、アテニュエイティッド位相シフタは図４（ｂ）に比較して厚いため光透過率がｋからｋ３へと低くなる。
【００３７】従って、位相シフタによる振幅分布は図４（ｂ）の場合に比較して小さくなり、透明部及び位相シフタ配置部による振幅分布を加算した場合であっても振幅が０とならず、光近接効果を充分に補正することはできない。従って、光強度分布は解像度の低いものとなり、各コンタクトホールを挟む領域にも光が照射されるため、高精度のリソグラフィが困難となる。」
　
（ａ１０）「【００３８】このように、マスクを透過する光を厚さの異なるアテニュエイティッド位相シフタで位相を同一に保持したままその透過率をパターンの疎密に応じて変化させるため、光近接効果による解像度の低い振幅分布を補正して解像度の高い半導体パターンを形成することが可能となる。従って、半導体パターンのさらなる高集積化が可能となる。」
　
（ａ１１）「【００５５】なお、上記第１，２実施形態においては本発明に係る位相シフトマスクを用いてコンタクトホールを形成する場合を示したが、コンタクトホール以外のパターンを形成する場合であっても本位相シフトマスクを適用可能であることは勿論である。
【００５６】また、
アテニュエイティッド位相シフタ３の膜厚をそれぞれｄ，３ｄ，５ｄと変化させる場合を示したが、（２ｎ−１）ｄ（ｎ＝１，２，…）を満足する位相シフタ３の膜厚であれば本発明を適用可能であることは勿論である
【００５７】また
、複数の位相シフタの膜厚をそれぞれ変化させることにより光透過率を制御する場合を示した
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の位相シフトマスク及びその製造方法によれば、マスクに設けられる複数の位相シフタを通過する光の位相を透明部を通過する光に対して（２ｎ−１）πの位相差を持たせ、かつ露光すべきパターンの疎密に応じて位相シフタの光透過率を可変設定することで、光近接効果を高精度に補正可能となり、解像度の高い半導体パターンを形成することが可能となる。」
　
　
イ　引用発明の認定
　引用例１の「透明基板のシフタ配置領域に溝が形成され、該溝内に同一材料からなる位相シフタが埋め込み形成され、該溝の深さは最も薄い部分がｄで、露光すべきパターンの疎密に応じて（２ｎ−１）ｄ（ｎは１以上の整数）の深さに設定」する（上記記載事項（ａ１）を参照）、との記載における、「溝の深さ」を「設定」する、は、溝内に位相シフタが埋め込み形成されていること、及び上記記載事項（ａ４）、（ａ１１）を参照すると、「位相シフタの膜厚を設定する」と言い換えることができ、また、「露光すべきパターンの疎密」は、上記記載事項（ａ８）の「ピッチａで配置される場合、すなわち・・・ピッチ２ａの場合よりも密にパターンを形成する場合」との記載から、「露光すべきパターンピッチの疎密」を意味することは明らかである。
　
　よって、引用例１には、
「露光光に対して透明な基板の一主面側に露光光に対して半透明な位相シフタを露光すべきパターンとは逆パターンに形成し、透明部を通過する光と位相シフタ部を通過する光との間に（２ｎ−１）π（ｎは整数）の位相差を持たせた位相シフトマスクにおいて、
　露光すべきパターンピッチの疎密に応じて前記位相シフタの光透過率を可変設定するために、
　前記透明基板のシフタ配置領域に溝が形成され、該溝内に同一材料からなる位相シフタが埋め込み形成され、該溝の深さ、すなわち位相シフタの膜厚は、最も薄い部分がｄで、露光すべきパターンピッチの疎密に応じて（２ｎ−１）ｄ（ｎは１以上の整数）の厚さに設定し、
　位相シフトマスクに設けられる複数の位相シフタの位相を同一に保持しつつ、かつ各位相シフタの光透過率を可変設定して用いることで、パターン形成領域の間において、透明部を通過する照明光による振幅と位相シフタ配置部を通過する照明光による振幅とを等しくして光強度を０とする位相シフトマスク。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
ウ　引用例２
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１５３８５３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。（後述の「（５）当審の判断」で特に参照した箇所に下線を付した。）
（ｂ１）「【０００７】以下、図１０を用いてハーフトーン型位相シフトマスクの原理について説明する。
【０００８】ハーフトーン型位相シフトマスクは、図９のような従来型マスク１の遮光部として半透明の膜、具体的には、露光波長に対して２〜３０％程度の透過率を有し、且つ開口パターンの透過光に対して１８０度の位相差を持つ半透明の膜を使用する。
【０００９】図１０（ａ）はハーフトーン型位相シフトマスク８の平面図であって、このマスク８を構成する遮光部に形成された孤立パターン(メインパターンである開口パターン)９と、この開口パターン以外のハーフトーン領域１０とを有している。同図（ｂ）はハーフトーン型位相シフトマスク８のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００１０】いま、マスキング物質を表面上に塗布したウェハの上側に前記ハーフトーン型位相シフトマスク８を位置させた後、光をハーフトーン型位相シフトマスク８の上から照射する。同図（ｃ）は透過光の振幅分布１１を示す。同図（ｄ）は、前記透過光の振幅分布１１のマスキング物質上での分布を示し、符号１２はメインパターン９を透過した光の振幅分布を、１３はハーフトーン領域１０を透過した光の振幅分布を各々示す。同図（ｅ）は同図（ｄ）の透過光の振幅分布１２，１３が合成された状態を示す。同図（ｆ）は同図（ｅ）の光の振幅分布１４を自乗した光強度分布１５を示し、メインローブ１６と、その両脇に小さな山のようなサイドローブ１７が現れる。この光強度分布１５に従ってマスキング物質上にパターンが形成される。同図（ｆ）の光強度分布１５では、必ず光強度が一旦“０”に落ち込む点１８が存在し、図９の従来型マスク１の場合と比べて、光学像のマスクエッジ部分のコントラストが改善されている。」
　
（ｂ２）「【００１４】図１１において、同図（ａ）は隣接した２つのメインパターン（開口パターン）１９が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク２０の平面図、同図（ｂ）はハーフトーン型位相シフトマスク２０のＣ−Ｃ’の断面図、同図（ｃ）はハーフトーン型位相シフトマスク２０を透過した光のマスキング物質上での振幅分布２１、同図（ｄ）は同図（ｃ）の振幅分布２１の自乗に比例する光強度分布２２を各々示し、２３は隣接したサイドローブ同士とハーフトーン領域１０の透過光とが互いに重なり合って発生する光強度の大きい新たなサイドローブである。同図（ｅ）は前記光強度の大きいサイドローブ２３により、所望のパターン２４と異なる不要なパターン２５が、レジストのようなマスキング物質２６上に解像された平面図を示す。同図（ｆ）は、光強度の大きいサイドローブ２３によって、不要なパターン２５がマスキング物質２６上に解像されなかった適切な場合の平面図を示す。
【００１５】前記図１１に示したように、
隣接した２つのメインパターン１９が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク２０では、本来は同図（ｆ）のような適切なパターンが解像されるべきであるにも拘わらず、ハーフトーン型位相シフトマスク２０のメインパターン１９を透過した光のサイドローブ同士とハーフトーン領域１０の透過光とが互いに重なり合うと、同図（ｄ）に示すように光強度の大きい新たなサイドローブ２３が生じ、この光強度の大きいサイドローブ２３によって、同図（ｅ）に示すように、マスキング物質２６上のメインパターン２４，２４間に不要なパターン２５が解像される欠点が生じる。
【００１６】本発明は、前記従来の欠点を解決するものであり、その目的は、不要なパターンが解像されないフォトマスク、特に、隣接するサイドローブ同士とハーフトーン領域の透過光との重なりに起因して生じる光強度の大きい新たなサイドローブの発生を抑えた位相シフトマスク、及びこれ等のマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。」
　
（ｂ３）図１０（ｂ）及び図１１（ｂ）から、
ハーフトーン型位相シフトマスクは、光を透過させる部材の上に、開口部を有する半透明の膜を形成したものである
　
　
エ　引用例３
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−３２８２３５号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。（後述の「（５）当審の判断」で特に参照した箇所に下線を付した。）
（ｃ１）「【請求項１】  
透明基板上に、半透明膜によってパターンが形成されているフォトマスク
透過光の１次回折光が転写される位置に対応する箇所の少なくとも一部に遮光膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。」
　
（ｃ２）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスク、特にハーフトーンマスクの構造及びその製造方法に関するものである。」
　
（ｃ３）「【０００２】
【従来の技術】従来、縮小投影露光において、ウエハ上のレジストパターンの解像度、焦点深度を向上させる手法として、フォトマスク上の隣接する開口部の一方に透過光の位相を１８０°反転させる透明膜（以下、「シフタ」とする。）を配置すれば良いことが知られている。この技術において、問題点の一つであるシフタデータの作成を不要とする技術として、従来パターンを形成するための遮光部に半透明膜（以下、「ハーフトーン膜」とする。）を用い、開口部の光に対して、ハーフトーン膜からの若干の漏れ光（一般的に６〜１０％）を１８０°位相反転することにより、位相シフト効果を得るフォトマスク（以下、「ハーフトーンマスク」）が特開平４−１３６８５４号公報に開示されている。
【０００３】このハーフトーンマスクは、当初クロム／ＳｉＯ２（ＳＯＧ等）の二層構造であり、クロムの膜厚を薄くすることにより透過率を、また、ＳｉＯ２の膜厚及び屈折率を調整すること（膜厚ｄ＝λ／（２ｎ−２）、ｎ：屈折率、λ：露光光の波長）により、位相差を制御していた。」
　
（ｃ４）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ハーフトーンマスクは遮光部が若干の透過率を有する半透明膜で、このハーフトーンマスクを用いて、例えばウエハ上にパターンを転写する場合、ウエハ上で１次回折光と半透明膜からの漏れ光が同位相で振幅合成される位置においてサイドローブが発生する。このサイドローブ強度は、図９に示すように、ハーフトーン膜の透過率（図中においてＴで示す。）に依存し、透過率が大きくなるとサイドローブ強度も大きくなるという相関関係にある。尚、図９では、波長が３６５ｎｍの光を用い、ＮＡ＝０．４２、コヒーレンスδ＝０．３の条件下で、透過率Ｔを０％、４％、８％、１６％、３６％と上げて行く場合を示している。
サイドローブ強度がレジスト感度に到達すると、不要なパターンが転写される。
【０００６】しかし、現状では、上記不要パターンの転写防止に制約され、不要パターンが発生しない透過率に設定せざるを得ない状況にある。また、
パターンレイアウトによっては、複数のサイドローブが重畳し（図６（ａ）、７（ａ））、孤立パターンと比較し、サイドローブ強度が更に大きくなる（図６（ｃ）、図７（ｃ））。
　
　
（４）対比
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「露光光に対して透明な基板」と、「露光すべきパターンとは逆パターンに形成し」ている「露光光に対して半透明な位相シフタ」は、それぞれ本願発明の「透光基板」と「半透過膜」に相当するので、引用発明の「露光光に対して透明な基板の一主面側に露光光に対して半透明な位相シフタを露光すべきパターンとは逆パターンに形成」している「位相シフトマスク」と、本願発明の「透光基板と、前記透光基板上に形成された半透過膜とを有するフォトマスク」とは、「透光基板と、透光基板の一主面側に形成された半透過膜とを有するフォトマスク」である点で一致する。
　
　引用発明において、「位相シフトマスク」が「透明部を通過する光と位相シフタ部を通過する光との間に（２ｎ−１）π（ｎは整数）の位相差を持」つ場合には、位相シフタの膜厚が、当該「透明部を通過する光」と「位相シフタ部を通過する光」とが互いにπ（１８０°）位相反転されるように、「調整された膜厚を有」していること、且つ、当該「透明部を通過する光」と「位相シフタ部を通過する光」とが互いにπ（１８０°）位相反転されることによって、干渉し合う光が相殺され、位相シフタ部での透過光強度が最も低減されていること、は当業者にとって自明な事項（この点について、本願の段落【０００７】、及び、必要なら上記記載事項（ａ４）の段落【００２４】及び（ｃ３）も参照のこと。）である。また、引用発明の「露光すべきパターン」に形成した「透明部」、及び「逆パターンに形成し」た「半透明な位相シフタ」が、それぞれ本願発明の「複数の開口部」及び「複数の開口部間の遮光領域」に相当することも明らかである。
　よって、引用発明の、「露光光に対して半透明な位相シフタを露光すべきパターンとは逆パターンに形成し、透明部を通過する光と位相シフタ部を通過する光との間に（２ｎ−１）π（ｎは整数）の位相差を持たせた位相シフトマスク」と、本願発明の、「前記第１の領域及び前記第２の領域において、前記半透過膜は、前記第１の領域に形成された前記第１のパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する位相シフトマスク」とは、「露光すべきパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する領域、を備えた位相シフトマスク」である点で、一致する。
　
　また、引用発明における「パターン形成領域の間」は、本願発明における「隣接する開口部」の間、すなわち本願発明の「複数の開口部間の遮光領域」に相当するから、引用発明において、「パターン形成領域の間において、透明部を通過する照明光による振幅と位相シフタ配置部を通過する照明光による振幅とを等しくして光強度を０」としているのは、遮光領域の光強度を０としている、といえる。
　ここで、本願の発明の詳細な説明の段落【００１１】の「孤立パターン領域１１２で、隣接する開口部によるサイドローブ同士が、開口部間の遮光領域で重なりあうことがある。そのため、図２６（３）に示すように、遮光領域において部分的に光強度が強くなってしまい、図２６（４）に示すように、レジスト膜１０４上面が部分的に劣化してしまうという問題があった」との記載、並びに図１、図３及び図２６を参照すると、本願発明の「隣接する開口部のサイドピークが重なり合」いは、遮光領域で生じていることは明らかであり、本願は当該課題を前提に、「サブピークの干渉領域があった場合に、サブピークの干渉領域における半透過膜を厚膜化又は薄膜化してサブピークの強度を下げるようにする」（段落【００６３】）のであるから、本願発明の「隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域に対応する位置の前記透光基板上の前記半透過膜の膜厚を、前記調整された膜厚よりも薄膜化又は厚膜化」しているのは、遮光領域において部分的に強くなっている光強度を下げている、といえる。
　してみれば、引用発明において、「位相シフタの膜厚」を「露光すべきパターンピッチの疎密に応じて（２ｎ−１）ｄ（ｎは１以上の整数）の厚さに設定し、位相シフトマスクに設けられる複数の位相シフタの位相を同一に保持しつつ、かつ各位相シフタの光透過率を可変設定して用いることで、パターン形成領域の間において、透明部を通過する照明光による振幅と位相シフタ配置部を通過する照明光による振幅とを等しくして光強度を０」とする点と、本願発明の「前記第２の領域において、隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域に対応する位置の前記透光基板上の前記半透過膜の膜厚を、前記調整された膜厚よりも薄膜化又は厚膜化した」点とは、「遮光領域における光強度を低減するように、半透過膜の膜厚を薄膜化又は厚膜化した領域を備えた」点で、一致する。
　
　
イ　よって、本願発明と引用発明とは、
「透光基板と、透光基板の一主面側に形成された半透過膜とを有するフォトマスクにおいて、
　露光すべきパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する領域、を備えた位相シフトマスクであり、
　遮光領域における光強度を低減するように、半透過膜の膜厚を薄膜化又は厚膜化した領域を備えたフォトマスク。」
である点で一致する。
　
ウ　そして、以下の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明の半透過膜は「透光基板上に形成され」ているのに対し、引用発明の位相シフタは、透明な基板の「上」に形成されていない点。
［相違点２］
　本願発明は、「第１のパターンが前記透光基板上に形成された第１の領域と、前記第１のパターンのパターンピッチよりもパターンピッチの大きな第２のパターンが前記透光基板上に形成された第２の領域とを有し」ているのに対し、引用発明の位相シフトマスクは、パターンピッチの異なる２つの領域を有しているかどうか明確でない点。
［相違点３］
　半透過膜の膜厚について、本願発明では「前記第１の領域及び前記第２の領域において、前記半透過膜は、前記第１の領域に形成された前記第１のパターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚を有する位相シフトマスクであり、前記第２の領域において、隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域に対応する位置の前記透光基板上の前記半透過膜の膜厚を、前記調整された膜厚よりも薄膜化又は厚膜化し」ているのに対し、引用発明は、パターンピッチの異なる２つの領域を有しているかどうか明確でないため、このような発明特定事項を有しているかも不明である点。
　
　
（５）判断
　上記各相違点について検討する。
ア　相違点１について
　位相シフトマスクの分野において、半透過膜を透光基板上に形成したフォトマスクは、当業者にとって周知のフォトマスクである。（上記記載事項（ｂ３）、（ｃ１）〜（ｃ２）を参照。）
　引用発明では、透明基板のシフタ配置領域に形成した「溝の深さ」で、位相シフタ（本願発明の「半透過膜」に相当。）の膜厚を設定しているが、位相シフタの膜厚の設定が、位相シフタを透光基板上に形成したフォトマスクにおいても可能であることは明らかである。
　よって、上記周知技術を引用発明に適用して、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
イ　相違点２について
　引用例１には、「このような光近接効果により、例えばマスク上同一のパターン寸法であっても孤立パターンと繰り返しの密集パターンとではウェハ上では異なった寸法になる。この現象がデバイスの製造工程で生じると、解像パターンの微細化が困難となる。そして、デバイスの性能を劣化させる要因となり、半導体パターンのさらなる高集積化を困難なものとしている。」（上記記載事項（ａ２）の段落【０００４】を参照）ことが課題として記載されており、引用発明は当該課題を解決するために、位相シフタの膜厚を「最も薄い部分がｄ」で、「露光すべきパターンピッチの疎密に応じて（２ｎ−１）ｄ（ｎは１以上の整数）の厚さに設定」し、「位相シフトマスクに設けられる
複数の
各
　よって、引用発明から、上記相違点２に係る本願の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
ウ　相違点３について
　引用例１には、「疎のパターンを露光する場合、隣接する露光パターン同士の照明光が干渉して像がぼやけることは少ない。従って、透過率の低い位相シフタを各露光パターン間の領域に対応して配置し、光近接効果の補正を少な目に設定」し、「これに対して密集パターンを露光する場合、隣接する露光パターン同士の照明光が接近するため互いに干渉し、パターンが疎の場合に比べて像がぼやける。従って、透過率の高い位相シフタを隣接する露光パターン間の領域に対応して配置し、光近接効果の補正を高めに設定する」こと（上記記載事項（ａ３）の段落【００１４】及び【００１６】を参照）、及び位相シフトの光透過率は位相シフタの膜厚で設定すること（上記記載事項（ａ１）、（ａ１１）を参照）、が記載されているから、ピッチが疎であるパターン領域では、膜厚の厚い位相シフタ（光透過率の低い位相シフタ）を配置し、ピッチが密であるパターン領域では、膜厚の薄い位相シフタ（光透過率の高い位相シフタ）を配置すること、が記載されているといえる。
　してみれば、引用発明の、位相シフタの膜厚が「最も薄い部分」が配置された領域は、ピッチが最も密であるパターン領域であるといえる。
　よって、引用発明では「位相シフタの膜厚は、最も薄い部分がｄで、露光すべきパターンピッチの疎密に応じて（２ｎ−１）ｄ（ｎは１以上の整数）の厚さに設定」しているのであるから、位相シフタの膜厚を、ピッチが最も密であるパターン領域の膜厚をｄとし、ピッチが疎であるパターン領域の位相シフタの膜厚は、前記ｄを用いた数式「（２ｎ−１）ｄ（ｎは１以上の整数）」で求められる厚さに設定しているといえる。
　
　したがって、引用発明を、露光すべきパターンとして、パターンピッチが疎である領域と密である領域との２つの領域が設計されている位相シフトマスクとした際（上記「イ　相違点２について」を参照）、位相シフトマスク全体の位相シフタの膜厚を、ピッチが最も密であるパターン領域で「透明部を通過する光と位相シフタ部を通過する光との間に（２ｎ−１）π（ｎは整数）の位相差を持たせ」るような膜厚（本願発明の「パターンにより定まる複数の開口部間の遮光領域で透過光強度が最も低減されるように調整された膜厚」に相当。）とし、ピッチが疎であるパターン領域において、遮光領域における光強度を低減するように、位相シフタの膜厚を薄膜化又は厚膜化することは、当業者が容易になし得たことである。
　ここで、位相シフトマスクの分野において、「隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域」に生じる光強度が、遮光領域に生じる不要な光強度であることは、当業者にとって周知技術である（上記記載事項（ｂ１）〜（ｂ２）、（ｃ４）及び引用例２の図１１を参照）から、当該周知技術に鑑みれば、引用発明において、上記した、遮光領域における光強度を低減するように、位相シフタの膜厚を薄膜化又は厚膜化する際、「隣接する開口部のサイドピークが重なり合う領域」を考慮に入れて位相シフタの膜厚を薄膜化又は厚膜化することは、当業者が容易に想起し得ることである。
　
　したがって、引用発明に周知技術を適用して上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
エ　本願発明の作用効果
　本願発明が奏する作用効果も、引用発明及び周知技術から、当業者が想定できる範囲のものにすぎない。
　
オ　まとめ
　よって、本願の請求項２に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術から、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１〜４に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができず、さらに、本願の請求項２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定によっても、特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。