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　平成　９年特許願第２３１５７４号「炭化ケイ素構造体の製造方法および該製造方法による炭化ケイ素構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月２３日出願公開、特開平１１−　７９８４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年８月２７日に特許出願されたものであって、拒絶理由が平成１９年５月１０日付けで起案され（発送日は同年５月１５日）、同年６月２８日付けで意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年８月２１日付けで拒絶査定が起案され（発送日は同年８月２８日）、それに対し、同年９月２７日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、本願の請求項１〜１０に係る発明は、同年６月２８日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「炭化ケイ素粉末と加熱により炭素を生成する有機化合物とが均一に混合された混合物を焼結することにより得られた、密度が２．９ｇ／ｃｍ３以上の炭化ケイ素焼結体を、さらに１７００〜２４００℃で、不活性ガスの雰囲気下で熱処理することを特徴とする炭化ケイ素構造体の製造方法。」
　
２．引用発明の認定
（１）原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された特開平２−１９９０６５号公報（以下、「引用文献１」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「（１）平均粒子径が０．１〜１０μｍの第１の炭化珪素粉末と、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１ｔｏｒｒの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成された平均粒子径が０．１μｍ以下の第２の炭化珪素粉末と、これらの炭化珪素粉末中に含有される二酸化珪素等の酸化物を還元するに必要な炭素とを混合し、還元処理した後、加熱し焼結することによって得られた熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である高熱伝導性炭化珪素焼結体。
・・・
（７）請求項１に記載した高熱伝導性炭化珪素焼結体において、炭素がカーボンブラックまたはコロイド状炭素であるか、あるいは残炭率の高い有機炭化水素の熱分解炭素である高熱伝導性炭化珪素焼結体。
・・・
（１３）請求項１に記載した高熱伝導性炭化珪素焼結体において、焼結体の密度が３．００ｇ／ｃｍ３以上である高熱伝導性炭化珪素焼結体。」（特許請求の範囲）
（イ）「炭素源としては、カーボンブラック、コロイド炭素、あるいは残炭率の高い有機炭化水素化合物の熱分解炭素が用いられる。上記有機炭化水素としては、フェノール樹脂、ポリフェニレン樹脂、フラン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フルフラール樹脂、アミノ系樹脂等が使用可能である。」（第４頁左下欄第９〜１５行）
（ウ）「また、本発明によって得られた炭化珪素焼結体は、グレインサイズが２〜３μｍと小さく均一な微細組織を有し、電気比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下と小さいことから、従来にない良好な放電加工性が得られた。例えば、ワイヤー放電加工や型彫放電加工において、その仕上げ放電面の表面粗さ（Ｒｍａｘ．）が１μｍ以下となり、非常に良好な加工面となった。」（第５頁左下欄第１７行〜同右下欄第４行）
　上記記載事項（ア）には「炭化珪素粉末と、・・・炭素とを混合し、・・・焼結することによって得られた・・・炭化珪素焼結体」であって、該「炭素が・・・残炭率の高い有機炭化水素の熱分解炭素である」こと、「有機炭化水素としては、フェノール樹脂・・・等が使用可能である」及び該「焼結体の密度が３．００ｇ／ｃｍ３以上である」ことが記載され、同（ウ）には、「本発明によって得られた炭化珪素焼結体は、グレインサイズが２〜３μｍと小さく均一な微細組織を有し、電気比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下と小さいことから、従来にない良好な放電加工性が得られた」ことが記載されている。
　これらを本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、「炭化珪素粉末と、残炭率の高いフェノール樹脂等の熱分解炭素である炭素とを混合し、焼結することによって密度が３．００ｇ／ｃｍ３以上で、均一な微細組織を有し、電気比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下と小さいことから、従来にない良好な放電加工性が得られる炭化珪素焼結体の製造方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「炭化珪素粉末」が、本願発明の「炭化ケイ素粉末」に相当し、本願発明の「炭化ケイ素構造体」については、明細書に「本発明は、炭化ケイ素焼結体の加工において、反り、チッピング、割れの起こりにくく、さらに特性値の均一な炭化ケイ素構造体の製造方法に関するものであり、特に半導体治具関連に利用される炭化ケイ素構造体に関する。」（段落【０００１】）とあるように、焼結体に一定の熱処理を施し、加工性等を向上したものを意味するが、依然として、引用発明の「炭化珪素焼結体」に相当することは明らかである。そして、引用発明の「フェノール樹脂等」が本願発明の「加熱により炭素を生成する有機化合物」の具体例として挙げられた「フェノール樹脂」（段落【００３４】）で一致するから、引用発明の「残炭率の高いフェノール樹脂等の熱分解炭素である炭素とを混合し」は、本願発明の「加熱により炭素を生成する有機化合物とが・・・混合された」に相当するということができる。また、引用発明においても「均一な微細組織を有」するために「混合し、焼結する」から、本願発明の「均一に混合された混合物を焼結すること」が記載されているといえる。さらに、引用発明の「密度が３．００ｇ／ｃｍ３以上で」あることは、本願発明の「密度が２．９ｇ／ｃｍ３以上」に含まれることは明らかである。
　したがって、両者は「炭化ケイ素粉末と加熱により炭素を生成する有機化合物とが均一に混合された混合物を焼結することにより得られた、密度が２．９ｇ／ｃｍ３以上の炭化ケイ素構造体の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
相違点：本願発明は、「炭化ケイ素焼結体を、さらに１７００〜２４００℃で、不活性ガスの雰囲気下で熱処理すること」を特定事項とするのに対して、引用発明は、「均一な微細組織を有し、電気比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下と小さいことから、従来にない良好な放電加工性が得られる」ものの、焼結後の熱処理を特定事項とするものでない点。
　
４．当審の判断
　上記の相違点について検討する。
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された特開昭６１−１０６４７３号公報（以下、「引用文献２」という。）には、「炭化ケイ素セラミックス焼結体を加工した後、１×１０−３ｔｏｒｒ以下の真空下で１０００℃以上の温度域まで昇温し、ついでアルゴン雰囲気下、１４００℃以上、焼結温度以下で熱処理することを特徴とするセラミックスの製造法。」（特許請求の範囲（２））、「この発明はセラミックス焼結体の均質化とくに強度のバラツキの少ない、いわゆるワイブル係数の高いセラミックスを得る方法に関する。」（第１頁右欄第１〜３行）、「焼結されたセラミックスを加工し、ついで窒素、アルゴンガス等の非酸化性雰囲気で熱処理し、均質化させることを特徴とする高均質セラミックスの製造法である。」（第２頁左下欄第２〜５行）が記載され、実施例４（第４頁右下欄）として、ＳｉＣ焼結体について１４００〜２０００℃で熱処理し高いワイブル係数を得たことが第４表に示されている。即ち、引用文献２には、炭化ケイ素焼結体に、窒素、アルゴンガス等の非酸化性雰囲気下１４００〜２０００℃で熱処理し、均質化させる発明が記載されており、引用発明の均一組織を有するという課題を共通にしているというべきである。
　さらに、例えば、特開昭６２−７８１７６号公報（以下、「周知例１」という。）には、「１．炭化珪素焼結体を所定形状に加工した後に、非酸化性雰囲気下で１２００℃以上の温度で炭化珪素焼結体加工品を加熱し、加工によって低下した機械的強度を向上させることを特徴とする炭化珪素焼結体加工品の強度回復方法。
２．前記非酸化性雰囲気は、アルゴン、ヘリウム、ネオンのような不活性ガス、水素、窒素、一酸化炭素、一酸化珪素、無水フッ化水素酸の中から選ばれる何れか少なくとも１種よりなるガス雰囲気、或いは真空下のいずれである特許請求の範囲第１項記載の強度回復方法。
３．前記１２００℃以上の温度は、１６００〜２１００℃の範囲の温度である特許請求の範囲第１項記載の強度回復方法。」（特許請求の範囲）に関し「加工時に結晶内に蓄積された応力エネルギーを１２００℃以上特に好ましくは１６００〜２１００℃の温度で一定時間加熱してアニリーング処理することにより、加工時に生じた欠陥部、例えば開口部が２〜８μｍ以下の微細なキズ又はマイクロクラックの溝部がＳｉＣ粒生成のような再焼成による拡散効果によって強度低下の原因となる溝部が小さくなり又は消滅するものと考えられる。」（第３頁右上欄第１４行〜同左下欄第２行）と記載され、「〔実施例１〕
密度が３．０４ｇ／ｃｍ３で曲げ強度が７９ｋｇ／ｍｍ２のβ型炭化珪素を９４重量％以上を含有する焼結体」（第３頁左下欄第１８〜２０行）と記載されるように、密度が３．０４ｇ／ｃｍ３のβ型炭化珪素に１６００〜２１００℃の温度でアニーリング処理することにより拡散効果によって強度回復を行うことは、周知技術にすぎないということができる。（その他、特開昭６２−７８１７８号公報（以下、「周知例２」という。）及び特開昭６３−２８５７号公報（以下、「周知例３」という。）にも同様な加熱処理が記載されている。）
　そうすると、これら周知例１〜３に記載された周知技術を踏まえれば、引用発明に均質化を目的として引用文献２に記載された発明の「非酸化性雰囲気下１４００〜２０００℃で熱処理し、均質化させる」を特定事項として付加して本願発明とすることは、当業者であれば容易に想到し得る程度の周知技術の付加というべきである
　そして、これによって得られる本願発明の効果も引用発明において達成された「均一な微細組織を有し、電気比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下と小さいことから、従来にない良好な放電加工性が得られる」こと、及び前記周知技術におけるアニーリング処理による拡散効果を考慮すれば、格別顕著であるとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願の出願前に頒布された刊行物である引用文献１及び引用文献２に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願は、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。