【事件の表示】
　特願２００３−２８１１６５「コンタクトホールの形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　８日出願公開、特開２００４−１１１９２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１５年７月２８日の出願（優先日：平成１４年８月３０日，出願番号：特願２００２−２５４３１７号）であって，平成１９年３月９日付けで手続補正がされ，同年４月４日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年５月７日に審判請求がされるとともに，同年６月６日付けで手続補正がされ，その後当審において，平成２１年１０月３０日付けで審尋がされ，同年１２月１０日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１９年６月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の却下について
　
［補正却下の決定の結論］
　
　本件補正を却下する。
　
［理由］
　
１　本件補正の内容
　本件補正による補正前後の本願の特許請求の範囲の記載は，次のとおりである。
　
・　補正前
「　【請求項１】
　ゲート電極が密に形成されている領域とゲート電極が疎に形成されている領域に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　トランジスタが形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記ゲート電極が密に形成された領域上および前記ゲート電極が疎に形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，前記第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記ゲート電極が密に形成された領域および前記ゲート電極が疎に形成された領域の両方において，前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。
【請求項２】
　前記第２の絶縁膜の平坦化を行う工程をさらに備える，請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項３】
　前記第１の絶縁膜は，ＢＰＳＧ膜であることを特徴とする，請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項４】
　前記第１の絶縁膜を平坦化した後，前記第１の絶縁膜表面に析出物が生成する前に，前記第１の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を堆積することを特徴とする，請求項３に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項５】
　前記第１の絶縁膜を平坦化した後，前記第１の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を堆積するまでの時間が，２４時間以内であることを特徴とする，請求項４に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項６】
　前記第１の絶縁膜を平坦化した後，前記第１の絶縁膜表面の析出物を除去する工程をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項７】
　前記半導体基板に達するように前記コンタクトホールを形成することを特徴とする，請求項１に記載のコンタクトホール形成方法。
【請求項８】
　前記半導体基板上に形成された前記ゲート電極に達するように前記コンタクトホールを形成することを特徴とする，請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項９】
　配線が密に形成されている領域と配線が疎に形成されている領域とを有する半導体装置に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　前記配線が形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記配線が密に形成された領域上および前記配線が疎に形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，当該第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記配線が密に形成された領域および前記配線が疎に形成された領域の両方において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。
【請求項１０】
　異なる幅を有する配線が半導体基板上に複数形成された半導体装置に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　前記配線が形成された前記半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，前記第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。
【請求項１１】
　ゲート電極が密に形成された領域とゲート電極が疎に形成された領域とを有する基板と、
　前記基板上に形成され、前記ゲート電極が密に形成された領域上および前記ゲート電極が疎に形成された領域上の全体にわたってＣＭＰにより平坦化処理が施された面を有する第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜の平坦化された面上に形成され、当該第１の絶縁膜と異なるエッチングレートを有する第２の絶縁膜とを備え、
　前記ゲート電極が密に形成された領域および前記ゲート電極が疎に形成された領域の両方において、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールが形成されている半導体装置。
【請求項１２】
　前記第２の絶縁膜は，平坦化処理が施されていることを特徴とする，請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
　配線が密に形成された領域と配線が疎に形成された領域とを有する基板と，
　前記基板上に形成され，前記配線が密に形成された領域上および前記配線が疎に形成された領域上の全体にわたってＣＭＰにより平坦化処理が施された面を有する第１の絶縁膜と，
　前記第１の絶縁膜の平坦化された面上に形成され，当該第１の絶縁膜と異なるエッチングレートを有する第２の絶縁膜とを備え，
　前記配線が密に形成された領域および前記配線が疎に形成された領域の両方において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールが形成されている半導体装置。
【請求項１４】
　異なる幅を有する複数の配線が形成された基板と，
　前記基板上に形成され，前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域上の全体にわたってＣＭＰにより平坦化処理が施された面を有する第１の絶縁膜と，
　前記第１の絶縁膜の平坦化された面上に形成され，当該第１の絶縁膜と異なるエッチングレートを有する第２の絶縁膜とを備え，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールが形成されている半導体装置。　」
　
・　補正後
「　【請求項１】
　ゲート電極が密に形成されている領域とゲート電極が疎に形成されている領域に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　トランジスタが形成された半導体基板上に，前記ゲート電極が密に形成された領域上において相対的に厚膜となり，前記ゲート電極が疎に形成された領域上において相対的に薄膜となる第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記ゲート電極が密に形成された領域上および前記ゲート電極が疎に形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，前記第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記ゲート電極が密に形成された領域および前記ゲート電極が疎に形成された領域の両方において，前記第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。
　　【請求項２】
　前記第２の絶縁膜の平坦化を行う工程をさらに備える，請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
　　【請求項３】
　前記第１の絶縁膜は，ＢＰＳＧ膜であることを特徴とする，請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
　　【請求項４】
　前記第１の絶縁膜を平坦化した後，前記第１の絶縁膜表面に析出物が生成する前に，前記第１の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を堆積することを特徴とする，請求項３に記載のコンタクトホールの形成方法。
　　【請求項５】
　前記第１の絶縁膜を平坦化した後，前記第１の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を堆積するまでの時間が，２４時間以内であることを特徴とする，請求項４に記載のコンタクトホールの形成方法。
　　【請求項６】
　前記第１の絶縁膜を平坦化した後，前記第１の絶縁膜表面の析出物を除去する工程をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
　　【請求項７】
　前記半導体基板に達するように前記コンタクトホールを形成することを特徴とする，請求項１に記載のコンタクトホール形成方法。
　　【請求項８】
　前記半導体基板上に形成された前記ゲート電極に達するように前記コンタクトホールを形成することを特徴とする，請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
　　【請求項９】
　配線が密に形成されている領域と配線が疎に形成されている領域とを有する半導体装置に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　前記配線が形成された半導体基板上に，前記配線が密に形成された領域上において相対的に厚膜となり，前記配線が疎に形成された領域上において相対的に薄膜となる第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記配線が密に形成された領域上および前記配線が疎に形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，当該第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記配線が密に形成された領域および前記配線が疎に形成された領域の両方において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。
　　【請求項１０】
　異なる幅を有する配線が半導体基板上に複数形成された半導体装置に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　前記配線が形成された前記半導体基板上に，幅広の配線が形成された領域上において相対的に厚膜となり，幅狭の配線が形成された領域上において相対的に薄膜となる第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，前記第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。　」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による，本願の特許請求の範囲についての補正事項は，以下のとおりである。（下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。）
　
・　補正事項１
　補正前の請求項１の「トランジスタが形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程と，」を，「トランジスタが形成された半導体基板上に
，前記ゲート電極が密に形成された領域上において相対的に厚膜となり，前記ゲート電極が疎に形成された領域上において相対的に薄膜となる
　
・　補正事項２
　補正前の請求項９の「前記配線が形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程と，」を，「前記配線が形成された半導体基板上に
，前記配線が密に形成された領域上において相対的に厚膜となり，前記配線が疎に形成された領域上において相対的に薄膜となる
　
・　補正事項３
　補正前の請求項１０の「前記配線が形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程と，」を，「前記配線が形成された半導体基板上に
，幅広の配線が形成された領域上において相対的に厚膜となり，幅狭の配線が形成された領域上において相対的に薄膜となる
　
・　補正事項４
　補正前の請求項１１〜１４を削除する。
　
３　補正目的の適否
ア　　補正事項１について
　補正事項１は，補正前の請求項１の発明特定事項である「トランジスタが形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程」を，限定的に減縮するものであるから，当該補正事項による補正は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　
イ　　補正事項２について
　補正事項２は，補正前の請求項９の発明特定事項である「前記配線が形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程」を，限定的に減縮するものであるから，当該補正事項による補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　
ウ　　補正事項３について
　補正事項３は，補正前の請求項１０の発明特定事項である「前記配線が形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程」を，限定的に減縮するものであるから，当該補正事項による補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　
エ　　補正事項４について
　補正事項４による補正は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる，請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
オ　　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第４項柱書きの補正目的に適合する。
　
４　独立特許要件についての検討
　上記３において検討したとおり，上記補正事項１〜３による補正は，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるから，補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，以下に検討する。
　
（１）　本願補正発明
　補正後の本願の請求項１０に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，次のとおりである。
　
「　【請求項１０】
　異なる幅を有する配線が半導体基板上に複数形成された半導体装置に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　前記配線が形成された前記半導体基板上に，幅広の配線が形成された領域上において相対的に厚膜となり，幅狭の配線が形成された領域上において相対的に薄膜となる第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，前記第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。　」
　
（２）　引用例１の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された特開平０９−２８９２４７号公報（平成１９年４月４日付け拒絶査定における「引用文献３」。以下「引用例１」という。）には，図１〜図４とともに次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）
　
ア　　発明の属する技術分野及び発明の背景
「　【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，コンタクト形成方法，例えば層間絶縁膜を貫通しているコンタクトホールをタングステン膜により埋め込み，コンタクトを形成する方法に関し，
高密度プラズマＣＶＤ法，例えばＢｉａｓ・ＥＣＲ・ＣＶＤ法により成膜した層間絶縁膜に開口したコンタクトホール
　【０００２】
【従来の技術】
デバイスの高集積化及び多層配線化に伴い，良好な埋め込み特性を備え，かつ層間平坦化が容易な層間絶縁膜が必要になっている。
　
イ　　実施例１
「　【００１０】
【発明の実施の形態】
（前略）
実施例１
　
実施例１は，第１発明方法の実施例であって，図１（ａ）から（ｃ）は，それぞれ実施例１の各工程毎での基板断面を示し，
先ず，図１（ａ）に示すように，微量のＣｕ等の金属を含むＡｌ合金，又はポリサイドからなる配線１２を絶縁膜１１上に形成し，次いで，配線１２上に高密度プラズマＣＶＤ法（以下，ＨＤＰ−プラズマＣＶＤ法），本実施例ではＢｉａｓ・ＥＣＲ・ＣＶＤ法を使用して，層間絶縁膜として膜厚２０００ｎｍのＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３を以下の条件で形成した。
(中略）
【００１１】
次に，図１（ｂ）に示すように，以下の条件でＨＤＰ−ＣＶＤ膜１３を化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により研磨し，平坦化した。
（中略）
【００１２】
次に，図１（ｃ）に示すように，ホトリソグラフィ法によりパターニングし，反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりＨＤＰ−ＣＶＤ膜１３にコンタクトホール１４を開口した。
（中略）
【００１３】次に，図２に示すように，ＢＬＫ−Ｗ膜の密着層１５としてＴｉ／ＴｉＮまたはＴｉＮをスパッタ法，またはＣＶＤ法により成膜した。続いて，以下の条件でＢＬＫ−Ｗ膜１６をＣＶＤ法によって成膜した。（後略）」
　
ウ　　実施例２
「　【００１６】実施例２
実施例２は，第２発明方法の実施例であって，図４は実施例２で得た基板断面を示す断面図である。
本実施例では，先ず，実施例１と同様にして，絶縁膜１１上に，順次，配線１２及びＨＤＰ−ＣＶＤ膜１３を形成し，次いで，ＨＤＰ−ＣＶＤ膜１３を化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により研磨し，平坦化した。次いで，図４に示すように，水素，アルゴン等の脱ガスを抑制するために，ＬＰ−ＣＶＤ法により以下の条件でＳｉ
３
 Ｎ
４
 膜１８を形成した。
（中略）
【００１７】
次いで，実施例１と同様にして，コンタクトホ−ルを開口し，
　
エ　　図４
・　図４から，
異なる幅を有する配線１２が絶縁膜１１上に複数形成されている構成
　
・　上記ウと相俟って，図４から，異なる幅を有する配線１２が複数形成された絶縁膜１１上に，ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３を形成した後，
上記異なる幅を有する複数の配線１２が形成された領域上の全体にわたって，上記ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３をＣＭＰにより平坦化
　
  以上によれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「　異なる幅を有する配線１２が絶縁膜１１上に複数形成されているデバイスにおけるコンタクト形成方法であって，
　上記配線１２が形成された絶縁膜１１上に，ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３を形成する工程と，
　上記異なる幅を有する複数の配線１２が形成された領域上の全体にわたって，上記ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　上記ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３上に，Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８を形成する工程と，
　上記異なる幅を有する複数の配線１２が形成された領域において，上記ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３および上記Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８にコンタクトホール１４を開口する工程とを備える，コンタクト形成方法。　」
　
（３）　対比
　次に本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　　引用発明の「配線１２」，「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」，「形成する」，「コンタクトホール１４」，「開口する」及び「「コンタクト形成方法」は，それぞれ，本願補正発明の「配線」，「第１の絶縁膜」，「堆積する」，「コンタクトホール」，「形成する」及び「コンタクトホールの形成方法」に相当する。
　引用発明の「絶縁膜１１」と本願補正発明の「半導体基板」とは，ともに「下地部材」である点で共通し，また，引用発明の「デバイス」と本願補正発明の「半導体装置」とは，ともに「装置」である点で共通する。
　さらに，引用発明の「Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８」は，「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」とエッチングレートが異なるから，本願補正発明の「第２の絶縁膜」に相当する。
　
イ　　引用発明の「上記ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３および上記Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８にコンタクトホール１４を開口する」ことにより，「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」及び「Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８」を貫通する「コンタクトホール１４」が形成されることは明らかである。
　そうすると，引用発明の「上記ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３および上記Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８にコンタクトホール１４を開口する」ことは，本願補正発明の「前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する」「コンタクトホールを形成する」ことに相当する。
　
　以上によれば，本願補正発明と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜　一致点　＞
「　異なる幅を有する配線が下地部材上に複数形成されている装置に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　前記配線が形成された前記下地部材上に第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，前記第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。　」
　
＜　相違点　＞
・　相違点１
　本願補正発明は，「異なる幅を有する配線が半導体基板上に複数形成された半導体装置」に対して，コンタクトホールを形成する方法であるのに対し，引用発明は，「異なる幅を有する配線１２（本願補正発明の「配線」に相当。）が絶縁膜１１上に複数形成されているデバイス」に対して，コンタクトホールを形成する方法である点。
　
・　相違点２
　本願補正発明は，「第１の絶縁膜」が「幅広の配線が形成された領域上において相対的に厚膜となり，幅狭の配線が形成された領域上において相対的に薄膜となる」ように堆積されるのに対し，引用発明は，「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」（本願補正発明の「第１の絶縁膜」に相当。）が堆積される際の膜厚について，上記の特定はされていない点。
　
・　相違点３
　本願補正発明は，「前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する」のに対し，引用発明は，「コンタクトホール１４」（本願補正発明の「コンタクトホール」に相当。）の深さについて，上記の特定はされていない点。
　
（４）　相違点についての判断
（４−１）　相違点１について
ア　　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された特開平１０−３２６８２９号公報（平成１９年４月４日付け拒絶査定における「引用文献２」。以下「引用例２」という。）には，図１０（ａ）とともに，従来技術の説明として，次の記載がある。
　
・「　【０００２】
【従来の技術】
近年，半導体装置の高集積化，高速化の要求から，半導体装置における多層配線層用の絶縁層材料の見直しが行われている。二酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）は従来から用いられてきた半導体装置の絶縁材料であるが，
（中略）
【０００３】次に，
ＳｉＯ
２
を層間絶縁膜として用いた場合の，多層配線構造の形成方法について簡単に説明する。まず，図１０(a) に示す様に，シリコン基板１０１上でパターンニングされた配線１０３上にＣＶＤ（Chemical Vepor Deposition)により第一のＳｉＯ
２
膜１０４を例えば７０００Åの厚さに成長して配線を埋め込む。
　
・　図１０ａから，
異なる幅を有する配線１０３がシリコン基板１０１上に複数形成された半導体装置の構成
　
イ　　判断
　異なる幅を有する配線を半導体基板上に複数形成して半導体装置を構成することは，例えば引用例２にみられるように当該技術分野では周知技術であり，また，引用発明において，異なる幅を有する「配線１２」（本願補正発明の「配線」に相当。）を半導体基板上に複数形成して半導体装置を構成することを妨げる，格別の阻害要因は存在しない。
　そうすると，引用発明において，異なる幅を有する「配線１２」を半導体基板上に複数形成された半導体装置に対してコンタクトホールを形成すること（相違点１に係る構成とすること）は，引用発明に上記周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（４−２）　相違点２について
ア　　引用例２
　引用例２には，図３（ａ）〜（ｃ）とともに次の記載がある。
　
・「　【００４４】（前略）次に，上記した装置を用いた配線構造の形成方法を示す。なお，以下に示す膜厚は，特に領域を特定しない場合には，パッドのような幅の広い配線上の最も厚い膜厚の部分を示している。
（第１実施形態）本発明における第一の実施形態を図３，図４に示す。
【００４５】まず，図３（ａ） に示すように，平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン基板（半導体基板）６１上にＳｉＯ２よりなる下地絶縁膜６２を５０００Åの厚さに成長する。続いて，下地絶縁膜６２の上に，チタン（Ｔｉ）膜を３００Å，窒化チタン（ＴｉＮ)膜を５００Å，アルミニウム（Ａｌ）膜を６０００Å，ＴｉＮ 膜を５００Å及びＴｉ膜を３００Åの厚さに順に成長する。
このような５層の金属膜をパターニングして一層目の配線６３を形成する。一層目の配線６３の形成領域には，配線幅が狭く且つ配線間隔が狭い高配線密度領域６３ａと，その逆の低配線密度領域６３ｂがある。
【００４６】
次に，図３（ｂ）に示すように，ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用いて一層目の配線６３を覆うための第一のＳｉＯＦ膜６４を１４０００Åの厚さに成長する。ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を使用すると，高配線密度領域６３ａでは薄く，低配線密度領域６３ｂでは厚くなる。
【００４７】そのＥＣＲ−ＣＶＤ装置によれば，横方向の配線同士の間でＡｒイオンによるエッチング効果を伴って膜が成長するために，横方向の配線同士の間を完全に埋め込む。これにより，
第一のＳｉＯＦ膜６４の配線上の膜厚は，高配線密度領域６３ａで６０００Åと薄く，低配線密度領域６３ｂでは１４０００Å程度と厚くなる。
　
・　図３（ｂ）から，
複数の一層目の配線６３を覆う，ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用いて成長された第一のＳｉＯＦ膜６４が，幅広の配線が形成された低密度配線領域６３ｂ上において相対的に厚膜となり，幅狭の配線が形成された高密度配線領域６３ａ上において相対的に薄膜となっている構成
　
イ　　本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された特開平１１−０４０６６９号公報（以下「周知例１」という。）には，図７とともに次の記載がある。
　
・「　【０００５】（前略）さらに，微細な配線間隔を埋込む方法として，
ＥＣＲやＩＣＰ等の高密度プラズマ源を利用した高密度プラズマＣＶＤ法（ＨＤＰ−ＣＶＤ法）により，シリコン酸化膜を成膜する方法がある。
　
・「　【００１５】また，
ＨＤＰ−ＣＶＤ法で形成したＳｉ酸化膜は，配線幅の違う配線上では，その上の成膜膜厚が違う
　
・「　【００１７】また，第１の配線の高さ程度にＨＤＰ−ＣＶＤ法でシリコン酸化膜を形成し，配線間を埋込んだ後，通常のＰＥ−ＣＶＤ法で研磨層としてのシリコン酸化膜を形成する場合においても，ＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する膜厚が第１の配線膜厚以上に形成しなければならないため，成膜時間が長いこと，及び
ＨＤＰ−ＣＶＤ法で形成したシレコン酸化膜（審決注：「シリコン酸化膜」の誤記である。）は第１の配線の幅により膜厚が異なり，図７に示すようにＳＯＧ膜２１で平坦化する場合，配線幅によりその上のシリコン酸化膜の膜厚が異なる
　
・　図７から，
複数の第１の配線３を覆う，ＥＣＲやＩＣＰ等の高密度プラズマ源を利用した高密度プラズマＣＶＤ法（ＨＤＰ−ＣＶＤ法）で形成されたＨＤＰ−ＣＶＤ  ＳｉＯ
２
膜２０が，幅広の第１の配線３が形成された領域上において相対的に厚膜となり，幅狭の第１の配線３が形成された領域上において相対的に薄膜となっている構成
　
ウ　　本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された特開２０００−２２３５７３号公報（以下「周知例２」という。）には，図２とともに次の記載がある。
　
・「　【０００７】
ＨＤＰ−ＣＶＤが，フルオロケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ），低誘電率（低Ｋ）誘電体に対して用いられる。
ＦＳＧ層は，フッ化ケイ素酸化物（ＦxＳｉＯy）であり，フッ素濃度に依存する約３．２−３．６の誘電率を持つことが知られている。
　
・「　【００１８】断面図２−４を参照しながら，本発明に従うレベル間誘電体層を含む集積回路素子２８がここで説明される。
（中略）
【００１９】集積回路２８は
複数の導電性の線３２を基板３０の上に含んでいる。
（中略）
【００２１】
低ＫのＦＳＧ層３６はＨＤＰ−ＣＶＤによって所望の高さに形成され，
（中略）
【００２２】
図２に示されたようにＨＤＰ−ＣＶＤのＦＳＧは導電性の線３２のうえに形成されたピーク４２を有する適合酸化物層である。ピーク４２の高さは，導電性の線３２のそれぞれの幅及び／あるいは間隔に対応する。最も幅の広い導電性の線４２（審決注：「３２」の誤記である。）（例えば所定の寸法を越える）はそこに堆積されたＦＳＧ層の十分な高さを有するかもしれない。
　
・　図２から，
複数の導電性の線３２を覆う，高密度プラズマＣＶＤ法（ＨＤＰ−ＣＶＤ法）により形成されたＦＳＧ層（フッ化ケイ素酸化物（Ｆ
ｘ
ＳｉＯ
ｙ
））３６が，幅広の導電性の線３２が形成された領域上において相対的に厚膜となり，幅狭の導電性の線３２が形成された領域上において相対的に薄膜となっている構成
　
エ　　判断
（ア）　上記ア〜ウのとおり，半導体装置の製造において，異なる幅を有する複数の配線を覆う，ＥＣＲやＩＣＰ等の高密度プラズマ源を利用した高密度プラズマＣＶＤ法（ＨＤＰ−ＣＶＤ法）により堆積された絶縁膜が，幅広の配線が形成された領域上において相対的に厚膜となり，幅狭の配線が形成された領域上において相対的に薄膜となることは，例えば引用例２，周知例１及び周知例２にみられるように，本願の優先権主張の日前において，当業者には周知の技術的事項であるから，引用発明において，異なる幅を有する複数の「配線１２」（本願補正発明の「配線」に相当。）を覆う，「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」（本願補正発明の「第１の絶縁膜」に相当。）が，幅広の配線が形成された領域上において相対的に厚膜となり，幅狭の配線が形成された領域上において相対的に薄膜となるように堆積されること（相違点２に係る構成のようになること）は，明らかである。
　そうすると，相違点２は，実質的な相違点であるとはいえない。
　また，仮に，そうでないとしても，相違点２に係る構成は，引用発明において，上記周知の技術的事項に基いて，当業者が容易に予測し得ることである。
　
（イ）　審判請求人は，審判請求書において，引用発明の「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」について，「このＨＤＰ−ＣＶＤ法で形成された層間絶縁膜は、引用文献３（審決注：特開平０９−２８９２４７号公報，「引用例１」と同じ文献。）の段落［０００２］に記載されているように、ロ―カル・グロ―バル平坦性に優れた層間絶縁膜である。」旨，主張しているので，当該主張についても検討する。
　引用例１の段落【０００２】には，
「　【０００２】
【従来の技術】デバイスの高集積化及び多層配線化に伴い，良好な埋め込み特性を備え，かつ層間平坦化が容易な層間絶縁膜が必要になっている。　このような良好な特性を備えた層間絶縁膜を成膜する方法として，
化学的機械研磨法（ＣＭＰ）と組み合わせて，ロ−カル・グロ−バル平坦性に優れた層間絶縁膜を少ない工程数で実現できる，高密度プラズマＣＶＤ法，特にＢｉａｓ・ＥＣＲ・ＣＶＤ法が注目されている。
と記載されているとおり，ＨＤＰ−ＣＶＤ法と化学的機械研磨法（ＣＭＰ）とを組み合わせて形成された層間絶縁膜が，ロ―カル・グロ―バル平坦性に優れた層間絶縁膜であることが記載されているだけであり，審判請求人が主張する，ＨＤＰ−ＣＶＤ法で形成された層間絶縁膜が，ロ―カル・グロ―バル平坦性に優れた層間絶縁膜であることは記載されているとはいえない。
　そうすると，審判請求人の上記の主張を採用することはできない。
　
（４−３）　相違点３について
　引用発明は，異なる幅を有する複数の「配線１２」（本願補正発明の「配線」に相当。）が形成された領域上の全体にわたって，「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」（本願補正発明の「第１の絶縁膜」に相当。）をＣＭＰにより平坦化する工程の後，上記「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」上に，「Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８」（本願補正発明の「第２の絶縁膜」に相当。）を形成する工程を行うものであり，上記「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」及び上記「Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８」が，それぞれ，異なる幅を有する複数の「配線１２」が形成された領域上の全体にわたって，均一な厚さに形成されることは明らかであるから，それによって，上記「ＨＤＰ−ＣＶＤ膜（シリコン酸化膜）１３」及び上記「Ｓｉ３ Ｎ４ 膜１８」を貫通する「コンタクトホール１４」（本願補正発明の「コンタクトホール」に相当。）が，異なる幅を有する複数の配線が形成された領域上の全体にわたって，同一深さとなることは，明らかである。
　そうすると，相違点３は，実質的な相違点であるとはいえない。
　また，仮に，そうでないとしても，相違点３に係る構成は，引用発明に基づいて，当業者が容易に予測し得ることである。
　
（４−４）　まとめ
　以上のとおり，相違点１は，引用発明に，例えば引用例２にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることであり，相違点２は，実質的な相違点であるとはいえず，仮に，そうでないとしても，引用発明において，例えば引用例２，周知例１及び周知例２にみられるような周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に予測し得ることであり，また，相違点３は，実質的な相違点であるとはいえず，仮に，そうでないとしても，引用発明に基づいて，当業者が容易に予測し得ることであるから，本願補正発明は，引用例１に記載された発明（引用発明），例えば引用例２にみられるような周知技術，並びに例えば，引用例２，周知例１及び周知例２にみられるような周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
４　むすび
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるが，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明の容易想到性について
　
１　本願発明について
　平成１９年６月６日付けの手続補正書による手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１０に係る発明は，平成１９年３月９日付けの手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１０の記載は，次のとおりである。（以下，本願の請求項１０に係る発明を「本願発明」という。）
  　
「　【請求項１０】
　異なる幅を有する配線が半導体基板上に複数形成された半導体装置に対して，コンタクトホールを形成する方法であって，
　前記配線が形成された前記半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域上の全体にわたって，前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に，前記第１の絶縁膜とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜を堆積する工程と，
　前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する工程とを備える，コンタクトホールの形成方法。　」
　
２　引用発明
　引用発明は，前記第２の４（２）で認定したとおりである。
　
３　本願発明の容易想到性について
（１）　対比
　前記第２の１及び２から明らかなように，本願発明は，本願補正発明から，平成１９年６月６日付け手続補正の補正事項３で付加した発明特定事項（本願補正発明と引用発明との相違点２に相当する。）を取り除いたものであるので，本願発明と引用発明とは，下記の点で相違し，その余の点で一致する。
　
＜　相違点　＞
・　相違点１
　本願発明は，「異なる幅を有する配線が半導体基板上に複数形成された半導体装置」に対して，コンタクトホールを形成する方法であるのに対し，引用発明は，「異なる幅を有する配線１２（本願発明の「配線」に相当。）が絶縁膜１１上に複数形成されているデバイス」に対して，コンタクトホールを形成する方法である点。
　
・　相違点２
　本願発明は，「前記異なる幅を有する複数の配線が形成された領域において，前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通する同一深さのコンタクトホールを形成する」のに対し，引用発明は，「コンタクトホール１４」（本願発明の「コンタクトホール」に相当。）の深さについて，上記の特定はされていない点。
　 
（２）　相違点についての判断
（２−１）　相違点１について
　前記第２の４（４）の（４−１）で検討したとおり，相違点１に係る構成は，引用発明に例えば引用例２にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２−２）  相違点２について
　前記第２の４（４）の（４−３）で検討したとおり，相違点２は，実質的な相違点であるとはいえない。
　また，仮に，そうでないとしても，相違点２に係る構成は，引用発明に基づいて，当業者が容易に予測し得ることである。
　
（２−３）　まとめ
　以上のとおり，相違点１は，引用発明に，例えば引用例２にみられるような周知技術を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることであり，また，相違点２は，実質的な相違点であるとはいえず，仮に，そうでないとしても，引用発明に基づいて，当業者が容易に予測し得ることであるから，本願発明は，引用例１に記載された発明（引用発明）及び例えば引用例２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　結言
　
　以上検討したとおり，本願の請求項１０に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。