【事件の表示】
　特願２０００−２６０５１１「インクジェットプリンタヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月　５日出願公開、特開２００２−　６７３１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１２年８月３０日の出願であって、平成２０年８月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月３日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　なお請求人は、当審における平成２１年１２月２４日付け審尋に対して、平成２２年２月４日付けで回答書を提出している。
　
第２　平成２０年９月３日付け手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２０年９月３日付け手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）平成２０年９月３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については、本件補正前の請求項１に、
「印字を行う各々の記録素子に各々対応するインク吐出手段と、当該インク吐出手段を駆動する駆動回路とを半導体デバイス上に構成したインクジェットプリンタヘッドであって、
　前記駆動回路は、各々の前記インク吐出手段に各々対応するドライバトランジスタと、当該ドライバトランジスタのオンオフを制御する制御回路とを有し、
　前記ドライバトランジスタは、隣接する２つの前記ドライバトランジスタ同士を対称位置に配置し、電源に接続される第１領域を共有することを特徴とするインクジェットプリンタヘッド。」とあったものを、
　
「印字を行う各々の記録素子に各々対応するインク吐出手段と、当該インク吐出手段を駆動する駆動回路とを半導体デバイス上に構成したインクジェットプリンタヘッドであって、
　前記駆動回路は、各々の前記インク吐出手段に各々対応するドライバトランジスタと、当該ドライバトランジスタのオンオフを制御する制御回路とを有し、
　前記ドライバトランジスタは、隣接する２つの前記ドライバトランジスタ同士を対称位置に配置し、
前記隣接する２つのドライバトランジスタ同士の、
して１つの領域に纏めている
　
（２）本件補正後の請求項１に係る発明についての上記（１）の補正内容は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「電源に接続される第１領域を共有すること」について、共有する第１領域は、「前記隣接する２つのドライバトランジスタ同士の」、「１つの領域に纏め」られている領域であるとの限定を付加するものである。
　
２　補正の目的
　上記１（２）の補正内容は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された「本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平３−２２４７４１号公報（以下「引用例」という。）」には、次の事項が図とともに記載されている。（丸付き数字は便宜上［丸１］などと記載した。）
（１）「１）
インクを吐出する為の吐出口を有する液吐出部と、
　該液吐出部に供給されたインクを吐出する為に利用される熱エネルギーを発生する為の電気熱変換素子と該電気熱変換素子に電気的に接続された該電気熱変換素子駆動用の機能素子とが同一基板上に複数形成された基体と
を具備する記録ヘッドにおいて
　前記機能素子は、
　前記基板となる低濃度の一方の導電型半導体の中に２箇所離して形成された他方の導電型半導体からなる一対の主電極領域と、
　該主電極領域の中で接地されて使用される一方の主電極領域を内包する様に形成されて前記基板よりも濃度の高い前記一方の導電型半導体からなる制御電極領域と、
　該制御電極領域上に形成された絶縁膜と、
　該絶縁膜を介して制御電圧を加えて前記制御電極領域の界面を前記他方の導電型半導体に変化させることにより、前記主電極領域間に通電される電流を制御する手段と
　を有することを特徴とする記録ヘッド。」（１頁左下欄５行〜同頁右下欄８行）
　
（２）「［産業上の利用分野］
　本発明は、複写機、ファクシミリ、ワードプロセッサ、ホストコンピュータの出力用端末としてのプリンタ、ビデオ出力プリンタ等に用いられる記録装置の記録ヘッドおよびインクジェット記録装置に関し、特に記録のためのエネルギとして利用される熱エネルギを発生する電気熱変換素子と記録用機能素子を同一基板上に形成した記録ヘッドおよび
インクジェット記録装置
　
（３）「［従来の技術］
　従来、記録ヘッドの構成は電気熱変換素子アレイを単結晶シリコン基板上に形成し、この電気熱変換素子の駆動回路としてシリコン基板外部にトランジスタアレイ、ダイオードアレイ等の電気熱変換素子駆動用機能素子を配置し、電気熱変換素子とトランジスタアレイ等機能素子との間の接続をフレキシブルケーブルやワイヤーボンディング等によって行う構成としていた。
　上述したヘッド構成に対して考慮される構造の簡易化、あるいは製造工程で生ずる不良の低減化、さらには各素子の特性の均一化および再現性の向上を目的として、特開昭５７−７２８６７号公報において提案されているような電気熱変換素子と機能素子とを同一基板上に設けたインクジェット記録ヘッドが知られている。
　第９図は上述した構成による記録ヘッドの一部分を示す模式的な断面図である。９０１は単結晶シリコンからなる半導体基板である。９０２はＮ型半導体のコレクタ領域、９０３は高不純物濃度のＮ型半導体のオーミックコンタクト領域、９０４はＰ型半導体のベース領域、９０５は高不純物濃度Ｎ型半導体のエミッタ領域であり、これらでバイポーラトランジスタ９２０を形成している。９０６は蓄熱層および絶縁層としての酸化シリコン層、９０７は発熱抵抗体層としての硼化ハフニウム（ＨｆＢ２）層、９０８はアルミニウム（Ａｌ）電極、９０９と保護層としての酸化シリコン層であり、以上で記録ヘッド用の基体９３０を形成している。ここでは９４０が発熱部となる。天板９１０は基体９３０と協働して液路９５０を画成している。」（２頁左上欄１１行〜同頁左下欄２行）
　
（４）「ところで、上述した様な構造の記録ヘッドに対して数多くの改良が加えられ、提案がなされてきたが、近年製品に対して［丸１］高速駆動化、［丸２］省エネルギー化、［丸３］高集積化、［丸４］低コスト化、［丸５］高信頼性、および［丸６］高機能化がより一層求められる様になった。そこで、
チップ面積を小さくし、電気熱変換素子駆動用機能素子を高密度に集積し、低コスト化を図り、且つより高性能で、高速な
構成する為
　
（５）「［実施例］
　以下、図面を参照しながら本発明について詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されることはなく、本発明の目的が達成され得るものであればよい。
　第１図（Ａ）には、本発明の一実施例として、機能素子としてＭＯＳ型トランジスタアレイを利用した基板を示す。
　ここで、
シリコン基板１の上に駆動用ＭＯＳ型トランジスタ５０をアレイ状に配置する
　次に、本実施例における電気熱変換素子駆動用機能素子としてのＭＯＳ型トランジスタアレイの基本構造および動作について説明する。
　第１図（Ｂ）はＭＯＳ型トランジスタアレイの平面構造を示し、第１図（Ｃ）は第１図（Ｂ）のＡ−Ａ’断面線に沿う断面構造を示し、第１図（Ｄ）はＭＯＳ型トランジスタアレイの結線例を示す。第１図（Ｅ）は第１図（ＤＪの等価回路を示す。なお、各部位において第１図（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）に共通するものについては同一の番号をつけている。
　本実施例において、ＭＯＳ型トランジスタアレイは第１図（Ｂ），（Ｃ）に示すように構成される。
　ここで１はホウ素（Ｂ）等の不純物をドープしてＰ−型とされたシリコン基板であり、２はこの基板１の上に、形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）から成る絶縁酸化膜である。３は隣合うＭＯＳ型トランジスタアレイとの間でシリコン基板１の表面近傍がｎ型半導体に反転することを防ぎ、かつシリコン基板１とのオーミックコンタクト（オーミック接触）をとるために、不純物拡散技術等により形成された不純物濃度の高いガードリング領域である。４および５は例えば不純物拡散技術、イオン注入技術等により形成され、ＭＯＳ型トランジスタアレイのドレイン及びソースとなるｎ＋領域である。１９は同様の技術でソース５を内包する形で２重拡散で形成されるＰ型チャネル領域である。
　６は例えばアルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ等の導電材料で形成されるソース電極であり、ｎ＋ソース領域５に接続している。
７はｎ
＋
ドレイン領域４に接続しているドレイン電極
ＭＯＳ型トランジスタアレイはＰ型シリコン基板１，酸化膜２，ガードリング領域３，ｎ
＋
ドレイン領域４，ｎ
＋
ソース領域５，Ｐ型チャネル領域１９，ソース電極６，ドレイン電極７およびゲート電極８から成る
　第１図（Ｅ）の等価回路はＭＯＳ型トランジスタアレイ，電流供給対象となるセグメントおよびスイッチから成る。
　以下、第１図（Ｅ）の等価回路を用いて、
制御対象となる電気熱変換素子のセグメントに単独に電流供給するための基本動作を説明する。　第１図（Ｅ）においてＭＯＳ型トランジスタの各ドレイン電極を正電位ＶＤＤにバイアスし、シリコン基板１はシリコン基板上のＰ
＋
領域を通して接地状態とする。今、セグメント９に電流を供給する場合を考える。セグメント９に電流供給するためにはスイッチ１０を閉成し、ＭＯＳ型トランジスタ１１のゲート電極８に閾値電圧以上の電位をスイッチ１４を通してバイアスすることにより、チャネルを形成し、ソース電極６に電流が流れて
　このとき注意すべき事項としては、この状態において隣接するＭＯＳ型トランジスタ、例えばＭＯＳ型トランジスタ１２に電流が流れることのない様に配慮することである。もし、ＭＯＳ型トランジスタ１２のゲート電位がフローティング状態であると、ＭＯＳ型トランジスタ１２のドレイン電極７には正電位ＶＤＤがバイアスされているため、ゲート電極８とシリコン基板１とで構成されるキャパシタにノイズによる電位や、配線容量による電位がＭＯＳ型トランジスタ１２の閾値電圧を越えるようになると、チャネルが形成されて電流が供給され、セグメント１３に電流が流れてしまうという誤動作を起こすおそれがある。このような隣接するＭＯＳ型トランジスタの電気的相互干渉を防止するには、本実施例に示すようにＭＯＳ型トランジスタ１２のゲート電位を接地状態にすることである。すなわち、ゲート電位をスイッチ１５を通して零電位（ＶＧ２＝０Ｖ）にクリップすることにより、ゲート直下にチャネルが形成されずに、ターンオン動作することなく、隣接するＭＯＳ型トランジスタの相互干渉を防ぐことができる。
　更に、ソ−ス・ドレイン間の耐圧を向上させる為に、高濃度ソース領域５の周囲をＰ型チャネル領域１９で囲い、高電界のかかるドレインソース（基板）間のＰｎ接合の濃度勾配を小さくしている。また、ソース領域５とＰ型チャネル領域１９は２重拡散であるから、チャネル形成領域は小さくできて、オン抵抗もそれによって減少が可能となる。
　このように、ＭＯＳ型トランジスタのドレイン電極に共通の電位をバイアスし、更に各ゲート電極にそれぞれ共通するゲート電位を与えることにより、隣接するＭＯＳ型トランジスタの相互干渉をすることなく対象とするセグメントに電流を供給できる。
　…略…
　以上説明した記録ヘッドは、以下に詳述する装置に搭載され、
装置側の駆動制御回路により
電気回路を構成するよう電気的に接続されて駆動される
　
（６）第１図（Ｂ）ないし第１図（Ｅ）の記載から、
１つのドレイン電極７が隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１の各ｎ
＋
ドレイン領域４に共通して接続しており、両ｎ
＋
ドレイン領域４は、両ＭＯＳ型トランジスタ１１間のドレイン電極７の部分とともに、隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１が共有する導電領域を構成しており、隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１同士は、それぞれのｎ
＋
ドレイン領域４，ｎ
＋
ソース領域５，Ｐ型チャネル領域１９，ソース電極６，ドレイン電極７及びゲート電極８が、上記１つのドレイン電極７を中心にして線対称に配置されており、前記導電領域は上記１つドレイン電極７により電源ＶＤＤに接続されている
　
（７）上記（１）ないし（６）の記載から、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。
「インクを吐出する為の吐出口を有する液吐出部と、
　該液吐出部に供給されたインクを吐出する為に利用される熱エネルギーを発生する為の電気熱変換素子と該電気熱変換素子に電気的に接続された該電気熱変換素子駆動用の機能素子とが同一シリコン基板上に複数形成された基体とを具備し、チップ面積を小さくし、電気熱変換素子駆動用機能素子を高密度に集積し、低コスト、高性能且つ高速に構成する為の記録ヘッドにおいて、
　前記機能素子は、Ｐ型シリコン基板１，酸化膜２，ｎ＋ドレイン領域４，ｎ＋ソース領域５，Ｐ型チャネル領域１９，ソース電極６，ドレイン電極７およびゲート電極８から成り、シリコン基板１の上にアレイ状に配置された駆動用ＭＯＳ型トランジスタであり、
　前記ドレイン電極７の１つが隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１の各ｎ＋ドレイン領域４に共通して接続されており、その両ｎ＋ドレイン領域４は、前記隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１間のドレイン電極７の部分とともに、隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１が共有する導電領域を構成し、隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１同士は、それぞれのｎ＋ドレイン領域４，ｎ＋ソース領域５，Ｐ型チャネル領域１９，ソース電極６，ドレイン電極７及びゲート電極８が、前記１つのドレイン電極７を中心にして線対称に配置され、前記導電領域は前記１つドレイン電極７により電源ＶＤＤに接続されており、
　インクジェット記録装置側の駆動制御回路により駆動されて電気回路を構成するよう電気的に接続される第１ないし第３のスイッチ１０、１４、１５に接続されており、
　前記シリコン基板１はシリコン基板上のＰ＋領域を通して接地状態とされ、
　前記第１のスイッチ１０が閉成され、
　前記ゲート電極８に閾値電圧以上の電位が前記第２又は第３のスイッチ１４、１５を通してバイアスされることにより隣接するいずれかのＭＯＳ型トランジスタ１１がチャネルを形成してそのＭＯＳ型トランジスタ１１の前記ソース電極６に電流が流れ、制御対象となる前記電気熱変換素子のセグメント９又は１３に電流が供給されるようになっている記録ヘッド。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「インクを吐出する」、「吐出口を有する液吐出部」、「電気熱変換素子のセグメント９又は１３」、「電気熱変換素子と該電気熱変換素子に電気的に接続された該電気熱変換素子駆動用の機能素子とが同一シリコン基板上に複数形成された基体」、「記録ヘッド」、「電気熱変換素子駆動用の機能素子」、「駆動用ＭＯＳ型トランジスタ」、「『電気回路を構成するよう電気的に接続される第１ないし第３のスイッチ１０、１４、１５』を『駆動』する『駆動制御回路』」、「隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１同士は、それぞれのｎ＋ドレイン領域４，ｎ＋ソース領域５，Ｐ型チャネル領域１９，ソース電極６，ドレイン電極７及びゲート電極８が、前記１つのドレイン電極７を中心にして線対称に配置され」及び「『隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１間のドレイン電極７の部分』及び『隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１の両ｎ＋ドレイン領域４』により『構成』され、『１つドレイン電極７により電源ＶＤＤに接続され』ている『隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１が共有する導電領域』」は、それぞれ、本願補正発明の「印字を行う」、「記録素子」、「インク吐出手段」、「半導体デバイス」、「インクジェットプリンタヘッド」、「駆動回路」、「ドライバトランジスタ」、「ドライバトランジスタのオンオフを制御する制御回路」、「隣接する２つの前記ドライバトランジスタ同士を対称位置に配置し」及び「『隣接する２つのドライバトランジスタ同士』が『共有』する『電源に接続される第１領域』」に相当する。
　
（２）上記（１）に照らせば、本願補正発明と引用発明とは、
「印字を行う各々の記録素子に各々対応するインク吐出手段と、当該インク吐出手段を駆動する駆動回路とを半導体デバイス上に構成したインクジェットプリンタヘッドであって、
　前記駆動回路は、各々の前記インク吐出手段に各々対応するドライバトランジスタを有し、
　前記ドライバトランジスタは、隣接する２つの前記ドライバトランジスタ同士を対称位置に配置し、前記隣接する２つのドライバトランジスタ同士の、電源に接続される第１領域を共有しているインクジェットプリンタヘッド。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明では、前記ドライバトランジスタのオンオフを制御する制御回路をインクジェットプリンタヘッドが有するのに対して、引用発明では、「ドライバトランジスタのオンオフを制御する制御回路（駆動制御回路）」は、インクジェット記録装置側のものであり、制御回路（駆動制御回路）に駆動される第１ないし第３のスイッチ１０、１４、１５に「インクジェットプリンタヘッド（記録ヘッド）」は接続されているが、「インクジェットプリンタヘッドが有する」といえるものかどうか明らかでない点。
　
相違点２：
　前記「第１領域（導電領域）」が、本願補正発明では、「１つの領域に纏め」られているものであるのに対して、引用発明では、「隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１間のドレイン電極７の部分」及び「隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１の両ｎ＋ドレイン領域４」により構成されているものであり、「１つの領域に纏め」られているといえるものかどうか明らかでない点。
　
５　判断
　上記相違点１及び２について検討する。
（１）相違点１について
　ア　ドライバトランジスタのオンオフを制御するシフトレジスタ、ラッチ、論理ゲート等の制御回路を有するインクジェットプリンタヘッドは本願出願前に周知である（以下「周知技術１」という。例．特開平５−１８５５９４号公報（【請求項１】参照。）、特開平５−３３８１７２号公報（【請求項１３】及び【請求項１４】参照。）、特開平６−２３８９０１号公報（５頁左欄２〜１０行参照。）、特開平６−１９８８８５号公報（【請求項１】〜【請求項３】参照。）、特開平７−６８７６１号公報（【請求項１】〜【請求項７】参照。）、特開平８−１０８５３８号公報（【請求項１】及び【請求項２】参照。）、特開平９−３２７９１４号公報（【請求項１】、【請求項４】及び【０００１】参照。）、特開平１０−７１７１４号公報（【請求項１】参照。）、特開平１０−２９１３０９号公報（【請求項１】参照。）、特開２０００−１２７４００号公報（【請求項１】〜【請求項７】参照。）、特開２０００−１９８２０２号公報（【００２４】及び図１参照。））。
　イ　引用発明において、前記「インクジェットプリンタヘッド（記録ヘッド）」を「ドライバトランジスタのオンオフを制御する制御回路（駆動制御回路）」を有するものとして、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が周知技術１に基づいて容易に想到することができたものである。
　
（２）相違点２について
　ア　トランジスタの１つのドレイン領域を隣接する２つのトランジスタの共通領域となして高集積化を図った構造は本願出願前に周知である（以下「周知技術２」という。例．特開昭６２−８８３６９号公報（１頁右下欄１６行〜２頁左上欄６行の記載、２頁左上欄１１行〜同頁右上欄１行の記載及び第４図の記載参照。）、特開平９−２５８９５８号公報（９頁右欄５０行〜１０頁左欄１６行の「セルの二つ…略…集積度の向上が図れる。」の記載参照。））。
　イ　引用発明は「チップ面積を小さくし、電気熱変換素子駆動用機能素子を高密度に集積し、低コスト、高性能且つ高速に構成する為の」ものであるところ、１つのドレイン電極７が共通して接続されている、隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１の各ｎ＋ドレイン領域４を、１つのドレイン領域にし、隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１の共通領域とした構造となして、さらに高集積化を図ることは、当業者が周知技術２に基づいて容易に想到することができた程度のことである。
　してみると、上記「１つのドレイン領域にし、隣接する２つのＭＯＳ型トランジスタ１１の共通領域とした構造」となった「ｎ＋ドレイン領域４」は、「１つの領域に纏め」たものといえるから、本願補正発明の「第１領域」に相当することになり、その結果、本願補正発明１の「前記隣接する２つのドライバトランジスタ同士の、電源に接続される第１領域を共有して１つの領域に纏めている」との構成を備えることになる。
　よって、引用発明において、上記相違点２に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が周知技術２に基づいて容易に想到することができた程度のことである。
　
（３）効果について
　本願補正発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果、周知技術１の奏する効果及び周知技術２の奏する効果から、当業者が予測できた程度のものである。
　
（４）まとめ
　したがって、本願補正発明は、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２に係る発明は、本願の願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２〔理由〕１（１）」で本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２〔理由〕３」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断　
　上記「第２〔理由〕２」で述べたとおり、本願補正発明は、本願発明を特定するために必要な事項について限定を付加したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２〔理由〕５」に記載したとおり、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。