【事件の表示】
　特願２００３−　　４６７４「Ｘ線装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月２４日出願公開、特開２００４−２６５６０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ　手続の経緯
　本願は平成１５年１月１０日の出願であって、平成２０年５月１２日付け拒絶理由通知によって拒絶理由が通知され、それに対して同年７月１１日付けで意見書の提出ならびに手続補正がなされたものの、同年１０月１６日付けで拒絶査定がなされ、この査定を不服として、同年１１月２１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。
　
II　平成２０年１１月２１日付け手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年１１月２１日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正
　本件補正は、明細書について補正するもので、その特許請求の範囲についてする補正は、補正前（平成２０年７月１１日付け手続補正によって補正。以下、同じ。）の、
「【請求項１】　電子ビームを照射する陰極と、
　この電子ビームが照射されてＸ線を発生するターゲットと、
　このターゲットに照射される電子ビームの照射位置を移動させる磁石部とを具備し、
　この磁石部は、電子ビームを挟んで対向した複数対の電磁石を有し、選択的に対向する電磁石に通電して電子ビームの照射位置を制御する
　ことを特徴とするＸ線装置。
【請求項２】　電子ビームを照射する陰極と、
　この電子ビームが照射されてＸ線を発生するターゲットと、
　このターゲットに照射される電子ビームの照射位置を移動させる磁石部とを具備し、
　この磁石部は、
　電子ビームを挟んで対向した複数対の電磁石と、
　これら電磁石の通電量および電流方向を制御することにより、電磁石で形成される合成磁界を変化させる制御手段とを備えている
　ことを特徴とするＸ線装置。」を、
「【請求項１】　電子ビームを照射する陰極と、
　この電子ビームが照射されてＸ線を発生するターゲットと、
　この
ターゲットと陰極との間に位置する複数の集束電極と、
　
電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置し、
　この磁石部は、電子ビームを挟んで対向した複数対の電磁石を有し、選択的に対向する電磁石に通電して電子ビームの照射位置を制御する
　ことを特徴とするＸ線装置。
【請求項２】　電子ビームを照射する陰極と、
　この電子ビームが照射されてＸ線を発生するターゲットと、
　
このターゲットと陰極との間に位置する複数の集束電極と、
　
電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置し、
　この磁石部は、
　電子ビームを挟んで対向した複数対の電磁石と、
　これら電磁石の通電量および電流方向を制御することにより、電磁石で形成される合成磁界を変化させる制御手段とを備えている
　ことを特徴とするＸ線装置。」（下線は補正箇所を示す。）、と補正するものである。
　
２　本件補正の目的
　本件補正のうち特許請求の範囲についてする補正は、補正前の請求項１，２に記載された「Ｘ線装置」について、そのＸ線装置を特定するために必要な事項とされていない、「ターゲットと陰極との間に位置する複数の集束電極」を発明特定事項として新たに追加するとともに、当該新たに追加された発明特定事項について、「電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置」することを特定するものであるので、当該補正は、補正前の請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定することにより、特許請求の範囲を減縮したものであるとはいえない。
　また、前記「電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置」させることは、焦点形状の歪みやボケを小さくするという、補正前の請求項１，２に記載された「Ｘ線装置」の課題であるターゲットの長寿命化とは異なる課題を解決するために必要な事項であるので、補正前の請求項１，２に記載された発明と、補正後の請求項１，２に記載された発明の解決しようとする課題が同一であるともいえない。
　したがって、前記特許請求の範囲についてする補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下、単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるということはできない。
　そして、前記特許請求の範囲についてする補正が、特許法第１７条の２第４項第１，３，４号に掲げる、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明を目的とするものでないことは明らかである。
　よって、本件補正のうち特許請求の範囲についてする補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものでもないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　独立特許要件
　本件補正のうち特許請求の範囲についてする補正が、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものでもないことは上述のとおりであるが、念のため、本件補正後の請求項１に係る補正が特許法第１７条の２第４項第２号に規定する、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとして、本件補正後の請求項１に係る発明（「以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。 
 　
（１）本件補正発明 
　本件補正発明は、平成２０年１１月２１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「電子ビームを照射する陰極と、
　この電子ビームが照射されてＸ線を発生するターゲットと、
　このターゲットと陰極との間に位置する複数の集束電極と、　
　電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置し、ターゲットに照射される電子ビームの照射位置を移動させる磁石部とを具備し、
　この磁石部は、電子ビームを挟んで対向した複数対の電磁石を有し、選択的に対向する電磁石に通電して電子ビームの照射位置を制御する
　ことを特徴とするＸ線装置。」
　なお、上記のうち、「電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置し」については、その記載内容が発明の詳細な説明や図面の記載と一致しないので、以下では、本願の発明の詳細な説明（特に段落【００２７】）ならびに図面の記載を参酌して、「磁石部の電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置し」を意味するものとして検討する。
　
（２）引用文献 
（２−１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平６−１８８０９２号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
（１ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線発生用タ−ゲットとＸ線源とＸ線撮像装置に係り、特に、高解像度Ｘ線透視に好適なＸ線発生用タ−ゲットと微小焦点Ｘ線源とＸ線撮像装置に関するものである。」
（１ｂ）「【０００４】まず、図２０を参照して従来の技術を説明する。　図２０は従来の透過形のタ−ゲットの断面図である。図２０において、１は集束電子線、２は薄膜タ−ゲット、３は領域、４はＸ線である。Ｘ線は、カソ−ドから放射された熱電子の集束電子線１を直流の高電圧によって加速し、薄膜タ−ゲット２に照射すると、領域３でＸ線４が発生する。この薄膜タ−ゲット２を透過したＸ線４が使用される。Ｘ線発生領域３の大きさは、集束電子線１の加速電圧とビ−ム径およびタ−ゲット２の材質と膜厚とによって定まる。」
（１ｃ）「【００８０】〔実施例　１４〕第三の発明の一実施例を説明する。　図１５は、本発明のさらに他の実施例に係るＸ線源の説明図である。Ｘ線には、連続Ｘ線と特性Ｘ線がある。一搬には、連続Ｘ線は、集束電子線がＸ線発生用タ−ゲットに衝突し前記タ−ゲット物質中の原子核の電場によってク−ロン力をうけ、電子の進路が曲げられ減速されるとき放射される。したがって、連続Ｘ線の波長は電子の加速電圧に関係する。特性Ｘ線は、原子核とそれをとりまく各殻の電子に、高速の電子が衝突すると核に近い内殻の電子が叩きだされ、そのあとに外殻の電子が遷移するとき放射される。したがって、特性Ｘ線の波長は前記タ−ゲットの材質に関係する。
【００８１】このため、特性Ｘ線を利用する場合は前記タ−ゲットを交換することが多い。このタ−ゲットの交換が容易にできると便利である。図１５を参照して、Ｘ線を発生させる薄膜の材質を場所によって変るようにし、集束電子線を偏向させ照射されるＸ線発生層の場所を変えることによりＸ線発生層の材質を瞬時に切換えられるＸ線源を説明する。
【００８２】図１５において、Ｔはタ−ゲット、１は集束電子線、４Ａは特性Ｘ線、６は電子線吸収層、７は支持体、１５は冷却用パイプ、１６は冷却用冷媒、３３は偏向コイル、３５は第１の金属膜、３６は第２の金属膜である。タ−ゲットＴは、無酸素銅板の支持体７にベリリウム箔の電子線吸収層６を接合し、さらに、その上に第１の金属膜３５および第２の金属膜３６を接合したものである。
【００８３】第１の金属膜３５および第２の金属膜３６はＸ線発生層であり、それぞれ、必要とする波長の特性Ｘ線を持つ材料が選択されている。その膜厚は所望のＸ線焦点サイズによるが１μｍ前後であり、スパッタリングやＣＶＤにより形成することができる。タ−ゲットＴの冷却は冷却パイプ１５に冷媒１６を流すことによって行なわれる。
【００８４】本実施例の動作を説明する。集束電子線１をタ−ゲットＴの照射し、Ｘ線発生層より特性Ｘ線４Ａを発生させる。この照射に際し、偏向コイル３３で集束電子線１を偏向し、照射する位置を第１の金属膜３５あるいは第２の金属膜３６にすることにより、タ−ゲットのＸ線発生層の材質を変えることができる。集束電子線１は瞬時に偏向可能であるので、異なる波長の特性Ｘ線に瞬時に切り換えられる。
【００８５】本実施例においては金属膜の個数は２個であるが、多数の種類のタ−ゲットを必要とするならばその個数だけ異なった金属膜を設ければ良い。また、タ−ゲットの冷却方法も冷媒１６を流すのではなく、〔実施例　６〕，〔実施例　７〕に示すファンによる冷却方法を用いても差し支えない。
【００８６】〔実施例　１５〕第三の発明の他の一実施例を説明する。図１６は、本発明のさらに他の実施例に係るＸ線源の説明図である。本実施例は、〔実施例　１４〕とほぼ同一構成である。図中、図１５と同一符号は同等部分であるのでその説明を省略する。１８は電子冷却素子である。
【００８７】本実施例は、〔実施例　１４〕の第１の金属膜３５および第２の金属膜３６のＸ線発生層の代わりに、多数のＸ線発生体８を設けたものである。本実施例は、〔実施例　１４〕と同様に、特性Ｘ線を発生するＸ線発生層の材質を場所によって変えておき、集束電子線を偏向させ照射する場所を変えることにより、特性Ｘ線を発生するＸ線発生層の材質を瞬時に切換えるようになっている。
【００８８】タ−ゲットＴは、無酸素銅板の支持体７にベリリウム箔の電子線吸収層６を接合し、その上に多数のＸ線発生体８を接合したものである。すなわち、〔実施例　２〕の図２に示したタ−ゲット構造においてＸ線発生体８を複数にしたものである。Ｘ線発生体８には、必要とする波長の特性Ｘ線を放射する材料を選択することができる。
【００８９】Ｘ線発生体８が微小な塊になると、集束電子線１のビ−ム径を必ずしも細く集束しなくても微小なＸ線焦点サイズが得られる。１μｍの焦点サイズを得るためには個々のＸ線発生体８の大きさを１μｍにすることが好ましい。また、集束電子線１のビ−ム径が十分に細くすると、Ｘ線発生体８の厚さを薄くすればＸ線発生体８の面積は大きくても差し支えない。
【００９０】集束電子線１は、偏向コイル３３により所望する波長の特性Ｘ線を出す材質のＸ線発生体８に照射され、所望する波長の特性Ｘ線４Ａが得られる。集束電子線１により照射されるＸ線発生体８が変えられることにより、異なる波長の特性Ｘ線４Ａを瞬時に発生させることができる。また、本実施例では、タ−ゲットＴの冷却は、電子冷却素子１８で冷却されるようになっているが他の方法でも差し支えない。」
（１ｄ）「【００９１】〔実施例　１６〕第三の発明のさらに他の一実施例を説明する。図１７，１８は、本発明のさらに他の実施例に係るＸ線源のタ−ゲット説明図である。図中、図１５，１６と同一符号は同等部分であるのでその説明を省略する。新たな符号のみ説明する。３８は薄膜、３９は保護層である。
【００９２】本実施例は、特性Ｘ線を発生する薄膜の材質を場所によって変えておき、集束電子線を偏向させ、照射する位置を変えることでタ−ゲットの材質を瞬時に切換えるものである。上記の各実施例では反射形タ−ゲットについて説明したが、本実施例は透過形タ−ゲットである。
【００９３】図１７において、タ−ゲットＴは薄膜３８にＸ線発生体８が載置されている構造である。薄膜３８は電子の照射によるＸ線の発生が少なくＸ線の吸収が少ない軽元素が望ましく、例えば、ベリリウム箔が最適である。Ｘ線発生体８は必要とする波長の特性Ｘ線を放射する材料を選択すれば良い。Ｘ線発生体８は微小な塊であるので、集束電子線１のビ−ム径を必ずしも細く集束しなくても微小なＸ線焦点サイズが得られる。また、集束電子線１のビ−ム径を十分に細くしＸ線発生体８の厚さを薄くすれば、Ｘ線発生体８の面積は大きくても差し支えない。
【００９４】集束電子線１は偏向コイル３３により所望する波長の特性Ｘ線を放射する材質のＸ線発生体８を照射され、所望する波長の特性Ｘ線４Ａを得る。集束電子線１が照射されるＸ線発生体８を変えることで、発生する特性Ｘ線の波長を瞬時に変えることができる。
【００９５】図１８は、Ｘ線発生体８の転倒などを防止するため保護層３９の間にＸ線発生体８を埋め込む構造としたものを示す。保護層としてはＸ線の発生が少ない軽元素が良い。Ｘ線発生体８は保護層３９により機械的に保護される。」
（１ｅ）「【００９６】〔実施例　１７〕第四の発明の一実施例を説明する。本発明のさらに他の実施例を説明する。図１９は本発明のさらに他の実施例に係る高解像度Ｘ線撮像装置の説明図である。本実施例は各実施例において説明したタ−ゲットを使用した高解像度Ｘ線撮像装置に係るものである。
【００９７】図１９において、図５，１２と同一符号は同等部分であるので説明は省略する。新たな符号のみを説明する。４０は真空ポンプ、４３は加速管、４４はコンデンサレンズ、４５は対物レンズ、４６は同期回路、４７ａ，４７ｂはディスプレイ、４８は試料、４９はステ−ジ、５０はＸ線イメ−ジインテンシファイア、５１はコリメ−タレンズ、５２はミラ−、５３はイメ−ジングレンズ、５４はＣＣＤカメラ、５５はコントロ−ラである。
【００９８】Ｘ線撮像装置は微小焦点Ｘ線源と制御部と検出系とから大別される。微小焦点Ｘ線源は、真空ポンプ４０で真空に保持されている真空容器１３の中に、フィラメント３１，加速管４３，コンデンサレンズ４４，偏向コイル３３，対物レンズ４５，タ−ゲットＴが配設され構成している。タ−ゲットＴは図４の〔実施例　４〕で示したタ−ゲットＴと同一の構成である。
【００９９】すなわち、無酸素銅板の支持体７にベリリウム箔の電子線吸収層６が接合され、さらにタングステン膜のＸ線発生層５が蒸着されたものである。裏面には冷却用パイプ１５が設けられ、そこを流れる冷媒１６により冷却されている。この実施例においては、図４の〔実施例　４〕で示したタ−ゲットを用いたが、前述した他の実施例のタ−ゲットを使用しても差し支えない。」
（１ｆ）「【０１０５】このようにして得られたＸ線源は、その線源径が小さく、かつ、焦点が微細となっているため、試料の透過像に半影ぼけが発生せず、解像度の高いＸ線透視像が得られる。集束電子線１の照射によりタ−ゲットＴが損傷を受けた場合、偏向コイル３３により集束電子線１の照射する位置を少しずらさせる。これによりタ−ゲットＴの寿命が伸び、その交換回数を減らすことができる。」
（１ｇ）上記（１ｃ）の記載に即し、【図１５】には、Ｘ線発生層として第１の金属膜３５および第２の金属膜３６を隣接して設けた態様が図示され、【図１６】には、多数のＸ線発生体８をマトリクス状に設けたターゲットが図示されている。
（１ｈ）【図１９】には、上記（１ｅ）の記載に即し、真空容器１３の中に、フィラメント３１，加速管４３，コンデンサレンズ４４，偏向コイル３３，対物レンズ４５，タングステン膜のＸ線発生層５を有するタ−ゲットが順に配設され、集束電子線１がフィラメント３１からＸ線発生層５に向けて照射されてＸ線４を発生する微小焦点Ｘ線源が図示されている。
　
　これらの記載のうち、上記（１ｅ），（１ｇ）の「フィラメント」が、上記（１ｂ）の「カソード」を意味することは明らかであるので、引用例１の上記記載からして引用例１には、
「熱電子を放射するフィラメント、
　前記フィラメントから放射され、加速管，コンデンサレンズ，偏向コイル，対物レンズを経た集束電子線が照射されることによりＸ線を発生する、Ｘ線発生層を有するターゲットを備え、
前記ターゲットのＸ線発生層の材質は場所によって変えられており、前記偏向コイルにより前記集束電子線を所望する波長の特性Ｘ線を出す材質のＸ線発生層に照射させるとともに、
集束電子線の照射により前記タ−ゲットが損傷を受けた場合、偏向コイルにより集束電子線を照射する位置を少しずらすことにより、タ−ゲットの寿命を伸ばして、その交換回数を減らすことができる微小焦点Ｘ線源」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているということができる。
　
（２−２）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特公昭３７−５５０１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
（２ａ）「本発明は前述のような欠点を除去し、しかもステレオ撮影も容易に行い得ると共に試料の材質に応じて任意の特定波長を含むＸ線を発生させること等も可能なＸ線源装置を提供するものである。」（第１頁左欄第１４〜１８行）
（２ｂ）「　図面は本発明の一実施例で、硝子等の気密管壁１中に電子銃２を装備すると共に該管壁の内面に導電膜３を被着し且気密管壁１の先端にベリリウム或はマイカ等の如くＸ線を透過し得る薄膜４を気密封着してその内面にＸ線を発生するための金属箔５を貼着する。このような気密管球を排気して封じ切つたのち口金６を装着してＸ線管７を形成し更に管壁１の外側に電子線集束線輪８と偏向線輪９，９を装備して、先端のＸ線透過板４の前面に任意の試料１０を配設したものである。」（第１頁左欄第１９〜２７行）
（２ｃ）「また金属箔５は、その微小部分を高速度の電子線で長時間衝撃されるから加熱によってその部分が熔融するおそれもあるが、このような場合も前述の如く偏向線輪電流の調整により極めて簡易に電子線の衝撃位置を変化して金属箔の健全部分を使用し得るものである。」（第１頁右欄第５〜９行）
（２ｄ）「またＸ線を発生する金属箔の一部に損傷を生ずる場合に於ても、電子線を偏向させることによって簡易に他の健全部分を使用し得るから寿命も長く、且試料のステレオ撮影等も容易である。」（第１頁右欄第３３〜３６行）
　
（３）本件補正発明と引用発明との対比
　本件補正発明と、引用発明とを対比する。
　引用発明の「熱電子を放射するフィラメント」、「Ｘ線を発生するＸ線発生層を有するターゲット」、「コンデンサレンズ」及び「対物レンズ」、ならびに「微小焦点Ｘ線源」が、それぞれ本件補正発明の「電子ビームを照射する陰極」、「Ｘ線を発生するターゲット」、「集束電極」、ならびに「Ｘ線装置」に相当することは明らかである。
　そして、引用発明では、「フィラメントから放射され、加速管，コンデンサレンズ，偏向コイル，対物レンズを経た集束電子線が」「Ｘ線を発生するＸ線発生層を有するターゲット」に「照射される」のであるから、引用発明は、「フィラメント」、「コンデンサレンズ」、「偏向コイル」、「対物レンズ」、「ターゲット」が順に配設されているといえる。また、引用発明の「偏向コイル」は、「材質」が「場所によって変えられ」た「Ｘ線発生層」に対し、「集束電子線を所望する波長の特性Ｘ線を出す材質のＸ線発生層に照射させる」とともに、「集束電子線の照射する位置を少しずらす」ものであるから、前記引用発明の「偏向コイル」は、本件補正発明の「電子ビームの照射位置を移動させる磁石部」と、「電子ビームの照射位置を移動させる偏向部材」である点で共通している。
　そうすると、引用発明の前記各部材の配設の順および偏向コイルの前記機能からして、引用発明と本件補正発明とは、「ターゲットと陰極との間に位置する複数の集束電極」を有する点、ならびに「電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置し、ターゲットに照射される電子ビームの照射位置を移動させる偏向部材」を具備する点で一致する。
　
　以上から、本件補正発明と引用発明とは、
「電子ビームを照射する陰極と、
　この電子ビームが照射されてＸ線を発生するターゲットと、
　このターゲットと陰極との間に位置する複数の集束電極と、
　（偏向部材の）電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置し、ターゲットに照射される電子ビームの照射位置を移動させる偏向部材とを具備するＸ線装置」という点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点〉
　本件補正発明は、偏向部材が「磁石部」であって、「この磁石部は、電子ビームを挟んで対向した複数対の電磁石を有し、選択的に対向する電磁石に通電して電子ビームの照射位置を制御する」るのに対し、
引用発明は、偏向部材が「偏向コイル」であって、その具体的構成について記載されていない点。
　
（４）相違点についての検討・判断
　電子ビームの偏向が磁場を用いて行われることは周知の技術的事項であるので、引用発明の偏向コイルが、磁場発生のために設けられている磁石部として機能する電磁石であることは、当業者に明らかである。
　ここで、引用例１には、場所によって材質が変えらているターゲットのＸ線発生層について、「多数の種類のタ−ゲットを必要とするならばその個数だけ異なった金属膜を設ければ良い」ことが記載され（上記（１ｃ）の段落【００８５】参照）、加えて、異なった金属をマトリクス状に配したターゲットも記載されている（上記（１ｇ）参照）のであるから、引用例１には、偏向コイルを、集束電子線を平面内で２次元的に偏向できるような磁場を発生する偏向コイルとすることも記載されているといえる。
　また、集束電子線を平面内で２次元的に偏向できる磁場を発生するための偏向コイルの最も単純な構成が、集束電子線を挟んで対向する少なくとも２組の電磁石を設ける態様であることは当業者に明らかであり、前記集束電子線を挟んで対向する少なくとも２組の電磁石を選択的に動作させることにより、集束電子線を離散的に偏向できることも、当業者に明らかである。
　してみると、ターゲットとして設けられた「多数の種類の」「異なった金属膜」、あるいは、マトリクス状に配した異なった金属の配列形態に応じ、前記集束電子線を挟んで対向する少なくとも２組の電磁石を選択的に動作させ、離散的に設けられたターゲットに集束電子線を照射することは、当業者が適宜設定し得る設計的事項にすぎない。
　そして、電子ビームによって損傷を受けるターゲットにおいて、電子ビームを偏向させることによりターゲットに対する電子ビームの照射位置を変えて長寿命化を図ることは、引用例２に記載されている（前記（２−２）参照）ように当業者に古くから知られた事項である上、引用発明の偏向コイルは、「集束電子線の照射により前記タ−ゲットが損傷を受けた場合、偏向コイルにより集束電子線を照射する位置を少しずらすことにより、タ−ゲットの寿命を伸ばして、その交換回数を減らす」ためにも用いられるものであるから、前記集束電子線を挟んで対向する少なくとも２組の電磁石を選択的に動作させるならば、集束電子線の照射位置が離散的にずれて、ターゲットの長寿命化をも図り得ることは当業者に明らかな事項である。
　したがって、ターゲットの長寿命化を図るために、引用発明の偏向部材である偏向コイルを、「電子ビームを挟んで対向した複数対の電磁石を有し、選択的に対向する電磁石に通電して電子ビームの照射位置を制御する」よう構成し、相違点に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得る事項である。
　
　以上のとおり、本件補正発明が奏する作用効果も引用発明および引用例２に記載された技術的事項から当業者が予測できる範囲のものであるので、本件補正発明は、引用発明および引用例２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本件補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４　本件補正についての結び
　以上のとおり、本件補正のうち特許請求の範囲についてする補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものでもないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであり、仮に本件補正後の請求項１に係る補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、本件補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないので、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさず、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年１１月２１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成２０年７月１１日付け手続補正書によって補正された、特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「電子ビームを照射する陰極と、
　この電子ビームが照射されてＸ線を発生するターゲットと、
　このターゲットに照射される電子ビームの照射位置を移動させる磁石部とを具備し、
　この磁石部は、電子ビームを挟んで対向した複数対の電磁石を有し、選択的に対向する電磁石に通電して電子ビームの照射位置を制御する
　ことを特徴とするＸ線装置。」
　
２　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献およびその記載事項、ならびに引用発明は、上記II［理由］３の（２）に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明との対比
　本願発明は、上記II［理由］２で検討したとおり、本件補正発明の発明特定事項である「ターゲットと陰極との間に位置する複数の集束電極」、ならびに当該集束電極について、「電子ビームの軸方向に沿った中心位置が陰極と最もターゲット側に位置する集束電極との間に位置」する、という発明特定事項を削除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に他の発明特定事項を追加したものに相当する本件補正発明が、上記II［理由］３の（４）で述べたとおり、引用発明および引用例２に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、同様の理由により、引用発明および引用例２に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。