【事件の表示】
　特願２００１−５５５９１５「単結晶育成装置及びその装置を用いた単結晶の製造方法並びに単結晶」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月　９日国際公開、ＷＯ０１／５７２９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は２００１年１月２５日（優先権主張２０００年１月３１日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年４月６日付けで拒絶理由が通知され、同年６月５日付けで意見書・手続補正書が提出され、同年同月２６日付けで拒絶査定され、その後、同年８月１日に拒絶査定不服審判が請求され、同年８月２０日付け手続補正書により明細書が補正され、平成２２年１月５日に特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年３月４日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年８月２０日付け手続補正書による補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の結論］
　平成１９年８月２０日付け手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
　平成１９年８月２０日付け手続補正書による補正（以下、「本件補正」という。）は、同年６月５日付け手続補正書により補正された
「　【請求項１】　少なくとも原料融液を収容するルツボ及び原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引上げられて収納される引上げチャンバとを有する単結晶育成装置において、引上げ中の単結晶を取り囲むように前記メインチャンバの少なくとも天井部から原料融液表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒と、該冷却筒より下方に延伸し、円筒または下方に向かって縮径された形状の冷却補助部材を有し、該冷却補助部材に遮熱部材が設けられていることを特徴とする単結晶育成装置。
　【請求項２】　前記冷却筒が、鉄、ニッケル、クロム、銅、チタン、モリブデン、タングステン、若しくはこれらの金属を含む合金、または前記金属若しくは合金をチタン、モリブデン、タングステン、若しくは白金族金属で被覆してなることを特徴とする請求項１に記載の単結晶育成装置。
　【請求項３】　前記冷却補助部材が、黒鉛、モリブデン、またはタングステンからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の単結晶育成装置。
　【請求項４】　前記冷却筒の先端が、ルツボ内に満たされた原料融液の表面から１０ｃｍ以上離れていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の単結晶育成装置。
　【請求項５】　前記冷却筒の外側に、黒鉛または金属からなる保護部材が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の単結晶育成装置。
　【請求項６】　前記冷却筒の内側表面を、黒化処理したことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の単結晶育成装置。
　【請求項７】　請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の単結晶育成装置を用いて単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。」を
「　【請求項１】　少なくとも原料融液を収容するルツボ及び原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引上げられて収納される引上げチャンバとを有する単結晶育成装置において、引上げ中の単結晶を取り囲むように前記メインチャンバの少なくとも天井部から原料融液表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒と、該冷却筒より下方に延伸し、円筒または下方に向かって縮径された形状の冷却補助部材を有し、該冷却補助部材は黒鉛、モリブデン、またはタングステンからなり、前記冷却補助部材の先端には遮熱部材が設けられており、該遮熱部材は黒鉛、モリブデン、またはタングステン、あるいは、炭化ケイ素、あるいは黒鉛の表面を炭化ケイ素で被覆したものからなるものであることを特徴とする単結晶育成装置。
　【請求項２】　前記冷却筒が、鉄、ニッケル、クロム、銅、チタン、モリブデン、タングステン、若しくはこれらの金属を含む合金、または前記金属若しくは合金をチタン、モリブデン、タングステン、若しくは白金族金属で被覆してなることを特徴とする請求項１に記載の単結晶育成装置。
　【請求項３】　前記冷却筒の先端が、ルツボ内に満たされた原料融液の表面から１０ｃｍ以上離れていることを特徴とする請求項１ないし請求項２のいずれか１項に記載の単結晶育成装置。
　【請求項４】　前記冷却筒の外側に、黒鉛または金属からなる保護部材が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の単結晶育成装置。
　【請求項５】　前記冷却筒の内側表面を、黒化処理したことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の単結晶育成装置。
　【請求項６】　請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の単結晶育成装置を用いて単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。」
と補正するものである。
　本件補正は、
（ｉ）補正前の請求項１を引用する請求項３が特定する「冷却補助部材が、黒鉛、モリブデン、またはタングステンからなる」ことを補正前の請求項１に付け加え、
（ｉｉ）補正前の請求項１の「該冷却補助部材に遮熱部材が設けられて」を「前記冷却補助部材の先端には遮熱部材が設けられて」と限定し、
（ｉｉｉ）補正前の請求項１の「遮熱部材」について「該遮熱部材は黒鉛、モリブデン、またはタングステン、あるいは、炭化ケイ素、あるいは黒鉛の表面を炭化ケイ素で被覆したものからなるものである」ことを限定し、
（ｉｖ）補正前の請求項３を削除し、
（ｖ）補正前の請求項４〜７の各請求項を請求項３〜６と補正する、
ものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号に該当するものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後発明」という）が特許出願の際に独立して特許をうけることができるかどうかについて検討する。
　
（１）引用例
　本願の優先日前に頒布されたことが明らかな特開昭６１−６８３８９号公報（原査定で引用文献１として引用されたもの。以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載され、視認される。
（１−１）「結晶原料の融液を収容するるつぼと、前記融液を加熱する加熱手段と、前記融液から単結晶を引き上げる引上げ手段とをそれぞれ具備する単結晶成長装置において、前記引き上げられた単結晶の周囲に冷却された円筒を設けたことを特徴とする単結晶成長装置。」（特許請求の範囲）
（１−２）「実施例
・・・・・・
　第１図に示すように、本実施例による単結晶成長装置においては、第２図に示す従来の単結晶成長装置と同様な構成に加えて、水冷ジャケット８ｂの中央部の内壁に、融液３の液面の上方例えば５０ｍｍ程度の高さまで下方に延びる水冷円筒２２が設けられていて、引き上げ軸１７、単結晶２０等を取り囲んでいる。・・・・・・さらに上記水冷円筒２２の下端には、モリブデン（またはタンタル等）製の円筒の一端に、単結晶２０の径よりも少し大きい内径を有するリング板をその下端に設けた熱遮蔽体２４が取り付けられている。
・・・・・・
　さらに、本実施例による単結晶成長装置においては、水冷ジャケット８ｃと引き上げ軸１７との間を通じて上方から水冷ジャケット８ａ〜８ｃ内に不活性ガス、例えばＡｒガスが導入されるようになっていて、このＡｒガスの雰囲気下で単結晶２０の引き上げ成長が行われるようになっている。
　上述の実施例によれば、次のような種々の利点がある。すなわち、単結晶２０の周囲に水冷円筒２２を設けているので、この水冷円筒２２により単結晶２０を強制的に冷却することができると共に、この水冷円筒２２により、るつぼ１、２、発熱体４等からの放射熱を遮蔽することができるため、この放射熱によって単結晶２０が熱せられるのを防止することができる。・・・・・・。
・・・・・・
　また水冷円筒２２の下端に熱遮蔽体２４を設けているので、融液３、るつぼ２からの放射熱により単結晶２０が加熱されるのを防止することができる。・・・・・・。
・・・・・・
・・・・・・不活性ガスは、水冷円筒２２と単結晶２０との間を通って熱遮蔽体２４と融液３との間を矢印Ｄで示すように流れ、次いで例えば発熱体４とるつぼ１との間を通った後、排出管１０から装置の外部に排出される。・・・・・・。
・・・・・・
・・・・・・水冷円筒２２の下端と融液３の液面との距離は必要に応じて選択可能であるが、不活性ガスの流れを円滑にするためには２０〜１００ｍｍであるのが好ましく、２０〜６０ｍｍであるのがより好ましい。」（２頁右下欄９行〜４頁右下欄４行）
（１−３）「４．図面の簡単な説明
・・・・・・
　なお図面に用いられた符号において、
・・・・・・
　　　　４・・・・・・・・発熱体（加熱手段）
　　　１７・・・・・・・・引上げ軸（引上げ手段）」（５頁右上欄２〜１０行）
（１−４）「本発明に係る単結晶成長装置の一実施例を示す断面図」である第１図には、３融液、２るつぼ、４発熱体を囲む部材８ａと、部材８ａの上方に接し、２２水冷円筒を設けた部材８ｂと、部材８ｂの上方に接し、１７引上げ軸を囲む８ｃが見て取れる。
　
　本願の優先日前に頒布されたことが明らかな特開平６−１９９５９０号公報（原査定で引用文献３として引用されたもの。以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２−１）「【請求項１】　半導体融液が収容されるルツボおよび該ルツボ内の原料半導体を加熱する加熱ヒータを格納した加熱チャンバ本体と、該加熱チャンバの開口部を覆う加熱チャンバ天井部および該加熱チャンバ天井部の中央部分に位置し、引上げられた半導体単結晶棒を収納する引上げチャンバ部よりなる半導体単結晶棒の製造装置において、該加熱チャンバ天井部と該引上げチャンバ部との接合部位より加熱チャンバ内部に向かって伸延し、引上げ中の半導体単結晶棒を取り囲む整流冷却筒を前記加熱チャンバ天井部と一体的に形成したことを特徴とする半導体単結晶棒製造装置。」（特許請求の範囲請求項１）
（２−２）「【請求項４】　該整流冷却筒内部に嵌合し、該整流冷却筒からさらに前記加熱チャンバ内に向かって伸延する黒鉛、炭化珪素および表面が炭化珪素で被覆された黒鉛よりなる群から選択された少なくとも一つの素材により形成された内部冷却筒をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体単結晶棒製造装置。」（特許請求の範囲請求項４）
（２−３）「また、該整流冷却筒内部に輻射率の優れた黒鉛、炭化珪素および表面が炭化珪素で被覆された黒鉛よりなる群から選択された少なくとも一つの素材により形成された内部冷却筒を嵌合させることにより、さらに効率良く半導体棒を冷却することができる。」（【００１３】）
（２−４）「この内部冷却筒２５は、整流冷却筒３０によって加熱ヒータ６およびシリコン融液等からの輻射熱が遮断され、引上げ中の単結晶棒Ｓの急冷を可能としている。」（【００２２】）
　
（２）対比・判断
（あ）引用例１の（１−１）に記載の「単結晶成長装置」における「加熱手段」、「引上げ手段」は（１−３）の記載によれば、それぞれ、「発熱体」、「引上げ軸」とも称せられている。
（い）引用例１の（１−１）に記載の「単結晶成長装置」は、次の（ａ）〜（ｃ）を有しているといえる。
（ａ）引用例１の（１−４）の視認事項である「３融液、２るつぼ、４発熱体を囲む部材８ａ」、すなわち、上記（あ）の検討及び同（１−２）の「水冷ジャケット８ａ」との記載を踏まえた「融液、るつぼ、加熱手段を囲む水冷ジャケット８ａ」
（ｂ）引用例１の（１−２）の「水冷ジャケット８ｂの中央部の内壁に、融液３の液面の上方例えば５０ｍｍ程度の高さまで下方に延びる水冷円筒２２が設けられていて、引き上げ軸１７、単結晶２０等を取り囲んでいる。・・・・・・水冷ジャケット８ａ」との記載、同（１−４）の「部材８ａの上方に接し２２水冷円筒を設けた部材８ｂ」なる視認事項を併せみた「水冷ジャケット８ａ上方に水冷ジャケット８ａと接し単結晶を取り囲む水冷ジャケット８ｂ」
（ｃ）引用例１の（１−４）の視認事項である「部材８ｂの上方に接し、１７引上げ軸を囲む８ｃ」、すなわち、上記（あ）の検討及び同（１−２）の「水冷ジャケット８ａ・・・・・・水冷ジャケット８ｃ」との記載を踏まえた「水冷ジャケット８ｂ上方に水冷ジャケット８ｂと接し引上げ手段を囲む水冷ジャケット８ｃ」
（う）また、引用例１の（１−１）に記載の「単結晶成長装置」は、上記（１−２）の「水冷ジャケット８ｂの中央部の内壁に、融液３の液面の上方例えば５０ｍｍ程度の高さまで下方に延びる水冷円筒２２が設けられていて、引き上げ軸１７、単結晶２０等を取り囲んでいる。」との記載から、「水冷ジャケット８ｂの中央部の内壁に設けた単結晶を取り囲み融液の液面に向かって下方に延びている水冷円筒」を有しているといえる。
（え）さらに、引用例１の（１−１）に記載の「単結晶成長装置」は、引用例１の（１−２）の「さらに上記水冷円筒２２の下端には、モリブデン（・・・・・・）製の円筒の一端に、単結晶２０の径よりも少し大きい内径を有するリング板をその下端に設けた熱遮蔽体２４が取り付けられている。」との記載から、「水冷円筒の下端にはモリブデン製の円筒」と「該円筒の一端にリング板をその下端に設けた熱遮蔽体が取り付けられているといえる。
　
　以上の（あ）〜（え）の検討を踏まえて、引用例１の（１−１）〜（１−３）の記載及び（１−４）の視認事項を補正後発明の記載ぶりに則して整理すると、引用例１には、
「結晶原料の融液を収容するるつぼ及び前記融液を加熱する加熱手段を囲む水冷ジャケット８ａと、該水冷ジャケット８ａの上方に水冷ジャケット８ａと接し単結晶を取り囲む水冷ジャケット８ｂと、該水冷ジャケット８ｂ上方に水冷ジャケット８ｂと接し引上げ手段を囲む水冷ジャケット８ｃとを有する単結晶成長装置において、該水冷ジャケット８ｂの中央部の内壁に設けた単結晶を取り囲み融液の液面に向かって下方に延びている水冷円筒と、該水冷円筒の下端にモリブデン製の円筒、該円筒の下端にリング板を設けた熱遮蔽体が取り付けられている単結晶成長装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、補正後発明と引用発明とを対比する。
（か）引用発明の「結晶原料の融液」、「るつぼ」、「加熱手段」、「水冷円筒」及び「単結晶成長装置」は、それぞれ、補正後発明の「原料融液」、「ルツボ」、「ヒータ」「冷却媒体で強制冷却される冷却筒」及び「単結晶育成装置」に相当する。
（き）補正後発明の「メインチャンバ」は「少なくとも原料融液を収容するルツボ及び原料融液を加熱するヒータを格納する」するものであり、一方、引用発明の「水冷ジャケット８ａ」は「結晶原料の融液を収容するるつぼ及び前記融液を加熱する加熱手段を囲む」ものであり、同「水冷ジャケット８ｂ」は「単結晶を取り囲む」ものであって、「水冷ジャケット８ａ」と接しているから、上記（か）の検討を併せみると、引用発明の「水冷ジャケット８ａ」及び「水冷ジャケット８ｂ」は補正後発明の「メインチャンバ」とみるとができる。
（く）引用発明の「水冷ジャケット８ｃ」は、引上げ手段を囲むものであるが、単結晶の成長により単結晶を取り囲むことは明らかであり、成長した単結晶を引き上げ収納するものといえ、補正後発明の「引上げチャンバ」に相当し、水冷ジャケット８ｃは水冷ジャケット８ｂとそれぞれ接しているから、それぞれ「連接」しているといえる。
（け）上記（き）及び（く）の検討から、引用発明の「水冷ジャケット８ａと、該水冷ジャケット８ａの上方に水冷ジャケット８ａと接し単結晶を取り囲む水冷ジャケット８ｂと、該水冷ジャケット８ｂ上方に水冷ジャケット８ｂと接し引上げ手段を囲む水冷ジャケット８ｃ」は、補正後発明の「メインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引上げられて収納される引上げチャンバ」に他ならない。
（こ）引用発明の「水冷円筒」は、「水冷ジャケット８ｂの中央部の内壁に設け」られ、「融液の液面に向かって下方に延びている」から、水冷ジャケット８ｂの天井部から結晶原料の融液を収容するるつぼを囲む水冷ジャケット８ａに向かって延びていることは明らかであるから、上記（き）を併せみると、引用発明の「水冷円筒」は「メインチャンバの少なくとも天井部から原料融液表面に向かって延伸し」ているとみることができる。
（さ）引用発明の「熱遮蔽体」の「モリブデン製の円筒」は、「水冷円筒」の下端に設けられているから、本願発明の「円筒形状の冷却補助部材」に相当する。そして、本願発明の該「冷却補助部材」は、「黒鉛、モリブデン、またはタングステンからな」るものであるところ、引用発明の「モリブデン製の円筒」は「モリブデン」からなることは明らかであるから、両者はモリブデンからなる点で一致している。
（し）引用例１の（１−２）の「また水冷円筒２２の下端に熱遮蔽体２４を設けているので、融液３、るつぼ２からの放射熱により単結晶２０が加熱されるのを防止することができる。」との記載をみると、熱遮蔽体のリング板も熱遮蔽機能を有しているとみるのが自然であるから、この「リング板」は、補正後発明の「遮熱部材」に相当する。
　上記（か）〜（し）の検討を踏まえると、両者は、
「原料融液を収容するルツボ及び原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引上げられて収納される引上げチャンバとを有する単結晶育成装置において、引上げ中の単結晶を取り囲むように前記メインチャンバの少なくとも天井部から原料融液表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒と、該冷却筒より下方に延伸し、円筒形状の冷却補助部材を有し、該冷却補助部材はモリブデンからなり、前記冷却補助部材の先端には遮熱部材が設けられている単結晶育成装置。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：本願発明の遮熱部材は黒鉛、モリブデン、またはタングステン、あるいは、炭化ケイ素、あるいは黒鉛の表面を炭化ケイ素で被覆したものからなるものであるのに対し、引用発明のリング板はどのようなものからなるのか不明である点。
　そこで、この相違点Ａについて検討する。
（た）引用発明の「熱遮蔽体」の「円筒」の部分はモリブデン製であり、熱を遮蔽するものであって上記（し）で述べたように、「熱遮蔽体のリング板」も「融液３、るつぼ２からの放射熱により単結晶２０が加熱されるのを防止すること」、すなわち、この熱を遮蔽する働きをもたせるとみることが自然であるから、「円筒」の部分と同じようにモリブデン製とみることができ、この相違点Ａは実質的なものでないし、仮にそうでないとしてもモリブデン製とすることは当業者ならば適宜なし得るものである。
（ち）また、引用例２の（２−１）〜（２−４）の記載をみると、「加熱ヒータ６およびシリコン融液等からの輻射熱が遮断」されるようにすべく、「輻射率の優れた黒鉛、炭化珪素および表面が炭化珪素で被覆された黒鉛よりなる群から選択された少なくとも一つの素材により形成された内部冷却筒」を「整流冷却筒内部に嵌合」した「半導体単結晶棒製造装置」が記載されているといえる。すなわち、引用例２に接した当業者は、「加熱ヒータ６およびシリコン融液等からの輻射熱が遮断」する材として「黒鉛、炭化珪素および表面が炭化珪素で被覆された黒鉛」が望ましいという教示を受けることは明らかである。
　そうすると、（た）で述べたように、熱を遮蔽する働きが必要とされる引用発明のリング板の材質を「黒鉛、炭化珪素および表面が炭化珪素で被覆された黒鉛」とすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
（つ）よって、この相違点Ａに係る補正後発明の特定事項は実質的なものとはいえず、また、仮にそうでないとしても引用例１及び２の記載に基づいて当業者であれば適宜なし得るものであり、補正後発明は特許法第２９条第１項第３号に該当し、または同条第２項の規定により特許を受けることはできない。　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１９年８月２０日付け手続補正書による補正は上記のように補正却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は平成１９年６月５日付け手続補正書によって補正された請求項１〜７に記載されたとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「　【請求項１】　少なくとも原料融液を収容するルツボ及び原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引上げられて収納される引上げチャンバとを有する単結晶育成装置において、引上げ中の単結晶を取り囲むように前記メインチャンバの少なくとも天井部から原料融液表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒と、該冷却筒より下方に延伸し、円筒または下方に向かって縮径された形状の冷却補助部材を有し、該冷却補助部材に遮熱部材が設けられていることを特徴とする単結晶育成装置。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用した引用文献１は、上記２．（１）で引用例１の記載事項として適示した事項が記載され、上記２．（２）で述べた引用発明が記載されているといえる。
　
５．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　上記２．で述べたように、本願発明は補正後発明の「冷却補助部材」及び「遮熱部材」に係る材の特定事項を有しておらず、また、「遮熱部材」が「冷却補助部材」に設けられている位置についての特定事項を有していない。
　そうすると、本願発明と引用発明を対比すると、補正後発明と引用発明とを対比したときの遮熱部材の材に係る相違点である上記相違点Ａはなく、両者に相違点は存在しない。
　よって、本願発明は引用発明と同じであり、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることはできない。
　
６．回答書に記載の補正案について
　審判請求人は、平成２２年３月４日付けの回答書において「冷却筒の先端が原料融液の表面から１０ｃｍより離れているという特徴を加える補正、また、冷却補助部材の材質としてモリブデンを削除する補正」を検討する旨の主張をしている（８頁１７〜１９）。
　そこで、この補正について検討すると、
（な）引用例１の（１−２）には、「水冷円筒２２の下端と融液３の液面との距離は必要に応じて選択可能であるが、不活性ガスの流れを円滑にするためには２０〜１００ｍｍであるのが好ましく」と記載されており、例示された長さは２０〜１００ｍｍであるものの、不活性ガスの流量等に応じて水冷円筒の下端と融液の液面との距離は適宜決定しうるといえ、水冷円筒、すなわち、冷却筒の先端が原料融液から１０ｃｍより離れるとすることも当業者であれば適宜なし得ることである。
（に）上記（ち）で述べたように引用例２（引用文献３）は、「加熱ヒータ６およびシリコン融液等からの輻射熱が遮断」されるようにする材として「黒鉛、炭化珪素および表面が炭化珪素で被覆された黒鉛」が望ましいという教示を与えるものであるから、「冷却補助部材の材質としてモリブデンを削除」して、「黒鉛またはタングステン」とすることは当業者とって何ら困難を伴うものとはいえない。
（ぬ）よって、補正機会を与えこの補正案を採用することはできない。
　
７．むすび
　　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。