Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データに対し、複数の調整項目について値を調整して画像処理を実行する画像処理装置であって、
前記画像データを解析して、その特性を取得する取得手段と、
前記取得された前記画像データの特性に基づいて、前記複数の調整項目の値の設定の順番を決定する決定手段と、
前記調整項目の値を設定するために利用される値設定領域を、前記決定された順番にしたがって画面に表示する表示手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
更に、画像データに対し、前記調整項目について互いに異なる複数の値を用いて、画像処理を実行する画像処理手段を有し、
前記表示手段は、前記複数の値とそれぞれ対応する前記複数の画像処理の結果を表すサムネイル画像を、前記調整項目と対応する値設定領域に表示し、
更に、前記表示された複数のサムネイル画像の中からいずれか１つを選択する選択手段と、
前記選択手段により前記サムネイル画像が選択されたとき、前記サムネイル画像と対応する調整項目よりも順番が後の調整項目の値設定領域に表示されたサムネイル画像を消去する消去手段と、を有し、
前記画像処理手段は、さらに前記調整項目よりも順番が前の調整項目について、前記調整項目よりも順番が前の調整項目の値設定領域で選択されたサムネイル画像と対応する値を用いて、画像処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
更に、画像データに対し、前記調整項目について互いに異なる複数の値を用いて、画像処理を実行する画像処理手段を有し、
前記表示手段は、前記複数の値とそれぞれ対応する前記複数の画像処理の結果を表すサムネイル画像を、前記調整項目と対応する値設定領域に表示し、
更に、前記表示された複数のサムネイル画像の中からいずれか１つを選択する選択手段と、
画像データに対し、前記選択されたサムネイル画像と対応する値を用いて、画像処理を実行して、前記画像データとは異なる形式を持つ画像データを新たに生成する生成手段と、を有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記取得手段は、前記画像データのカラーバランス、明るさ、色合いおよびノイズ量のうち少なくとも１つを前記特性として取得することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像処理手段により画像処理を行った結果に色の飽和が発生しているか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により色の飽和が発生していると判定された画像データについて、色の飽和の度合いを算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された色の飽和の度合いを、前記色の飽和が発生していると判定された画像処理結果を表すサムネイル画像の近傍に識別可能に表示する飽和度合表示手段と、を更に有することを特徴とする請求項２または３に記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像データに対し、複数の調整項目について値を調整して画像処理を実行する画像処理方法であって、
前記画像データを解析して、その特性を取得する取得工程と、
前記取得された前記画像データの特性に基づいて、前記複数の調整項目の値の設定の順番を決定する決定工程と、
前記調整項目の値を設定するために利用される値設定領域を、前記決定された順番にしたがって画面に表示する表示工程と、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
更に、画像データに対し、前記調整項目について互いに異なる複数の値を用いて、画像処理を実行する画像処理工程を有し、
前記表示工程では、前記複数の値とそれぞれ対応する前記複数の画像処理の結果を表すサムネイル画像を、前記調整項目と対応する値設定領域に表示し、
更に、前記表示された複数のサムネイル画像の中からいずれか１つを選択する選択工程と、
前記選択工程により前記サムネイル画像が選択されたとき、前記サムネイル画像と対応する調整項目よりも順番が後の調整項目の値設定領域に表示されたサムネイル画像を消去する消去工程と、を有し、
前記画像処理工程では、さらに前記調整項目よりも順番が前の調整項目について、前記調整項目よりも順番が前の調整項目の値設定領域で選択されたサムネイル画像と対応する値を用いて、画像処理を実行することを特徴とする請求項６に記載の画像処理方法。
【請求項８】
更に、画像データに対し、前記調整項目について互いに異なる複数の値を用いて、画像処理を実行する画像処理工程を有し、
前記表示工程では、前記複数の値とそれぞれ対応する前記複数の画像処理の結果を表すサムネイル画像を、前記調整項目と対応する値設定領域に表示し、
更に、前記表示された複数のサムネイル画像の中からいずれか１つを選択する選択工程と、
画像データに対し、前記選択されたサムネイル画像と対応する値を用いて、画像処理を実行して、前記画像データとは異なる形式を持つ画像データを新たに生成する生成工程と、を有することを特徴とする請求項６に記載の画像処理方法。
【請求項９】
前記取得工程では、前記画像データのカラーバランス、明るさ、色合いおよびノイズ量のうち少なくとも１つを前記特性として取得することを特徴とする請求項６に記載の画像処理方法。
【請求項１０】
前記画像処理工程により画像処理を行った結果に色の飽和が発生しているか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程により色の飽和が発生していると判定された画像データについて、色の飽和の度合いを算出する算出工程と、
前記算出工程により算出された色の飽和の度合いを、前記色の飽和が発生していると判定された画像処理結果を表すサムネイル画像の近傍に識別可能に表示する飽和度合表示工程と、を更に有することを特徴とする請求項７または８に記載の画像処理方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載された画像処理装置の各手段として機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の画像処理装置は、画像データに対し、複数の調整項目について値を調整して画像処理を実行する画像処理装置であって、前記画像データを解析して、その特性を取得する取得手段と、前記取得された前記画像データの特性に基づいて、前記複数の調整項目の値の設定の順番を決定する決定手段と、前記調整項目の値を設定するために利用される値設定領域を、前記決定された順番にしたがって画面に表示する表示手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路及び前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナを形成し、
前記半導体集積回路及び前記アンテナを、第１の絶縁体と第２の絶縁体とで挟持し、
めっき法を用いて、前記第１の絶縁体の表面及び前記第２の絶縁体の表面に導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体集積回路及び前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナを形成し、
前記半導体集積回路及び前記アンテナを、第１の絶縁体と第２の絶縁体とで挟持し、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体に貫通孔を形成し、
めっき法を用いて、前記第１の絶縁体の表面、前記第２の絶縁体の表面、及び前記貫通孔に導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の絶縁体の表面及び前記第２の絶縁体の表面に触媒物質を吸着させ、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体をめっき液に浸漬させることにより、前記導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第１の絶縁体の表面及び前記第２の絶縁体の表面に導電膜を形成し、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体をめっき液に浸漬させることにより、前記導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記触媒物質としてパラジウムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記導電性遮蔽体としてニッケル合金膜、又は銅膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体の少なくとも一方は、繊維体及び有機樹脂を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記繊維体にコロナ放電処理、又はプラズマ放電処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
半導体集積回路と、
前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナと、
前記半導体集積回路及び前記アンテナを挟持する、第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、を有し、
前記第１の絶縁体の表面及び前記第２の絶縁体の表面には、導電性遮蔽体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
半導体集積回路と、
前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナと、
前記半導体集積回路及び前記アンテナを挟持する、第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、を有し、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体には、貫通孔が設けられ、
前記第１の絶縁体の表面、前記第２の絶縁体の表面、及び前記貫通孔には、導電性遮蔽体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して、該単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、
絶縁表面を有する基板の表面と前記絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層の一表面に、前記半導体層を溶融させない条件で４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において連続的なスペクトルを有するフラッシュランプからの光を照射して、欠陥を修復させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して、該単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一表面上に第１の絶縁層を形成し、
絶縁表面を有する基板の一表面上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面と前記第１の絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層の一表面に、前記半導体層を溶融させない条件で４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において連続的なスペクトルを有するフラッシュランプからの光を照射して、欠陥を修復させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層の一表面にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
絶縁表面を有する基板の表面と前記絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層の一表面に、前記半導体層を溶融させない条件で４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において連続的なスペクトルを有するフラッシュランプからの光を照射して、欠陥を修復させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板の一表面上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層の一表面にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
絶縁表面を有する基板の一表面上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面と前記第１の絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層の一表面に、前記半導体層を溶融させない条件で４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において連続的なスペクトルを有するフラッシュランプからの光を照射して、欠陥を修復させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記フラッシュランプの光の照射前又は照射後に、前記半導体層に対して平坦化処理を施すことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記平坦化処理は、エッチング処理を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記フラッシュランプからの光の照射時間は、１０μｓ以上であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記フラッシュランプは、キセノンランプであることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記フラッシュランプからの光を照射する際に、前記絶縁表面を有する基板の温度を３００℃以上に保つことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層と支持基板を密着させて前記単結晶半導体基板と前記支持基板を貼り合わせ、
前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に前記絶縁層及び単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層より結晶性が低い第２の半導体層を形成し、
熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を固相成長させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
一導電型を付与する不純物元素が添加された単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面上に、第１の導電層及び絶縁層を形成し、
前記絶縁層と支持基板を密着させて前記単結晶半導体基板と前記支持基板を貼り合わせ、
前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に前記絶縁層、前記第１の導電層、第１の不純物半導体層を形成し、
前記第１の不純物半導体層上に前記一導電型と同じ導電型を付与する不純物元素が添加された第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層より結晶性が低く、且つ前記一導電型と同じ導電型を付与する不純物元素が添加された第２の半導体層を形成し、
熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を固相成長させ、第２の不純物半導体層を形成し、
前記第２の不純物半導体層に、前記一導電型と同じ導電型を付与する不純物元素を添加してソース領域又はドレイン領域としての機能を有する第１の領域を形成し、前記一導電型とは異なる導電型を付与する不純物元素を添加してチャネル形成領域としての機能を有する第２の領域を形成し、
前記第２の領域上にゲート絶縁層を介してゲート電極層を形成し、
前記第１の領域と電気的に接続する第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記貼り合わせを行う前に、前記支持基板の表面又は前記絶縁層の表面に、酸素プラズマ処理又はオゾン処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記貼り合わせの後、前記単結晶半導体基板及び前記支持基板に対して加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の半導体層の水素濃度より前記第１の半導体層の水素濃度が低くなるように、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の半導体層は、その厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように形成され、
前記第２の半導体層は、その厚さが３００ｎｍ以上となるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記イオンとして、水素を含む原料ガスにより生成されるイオンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の半導体層の形成は、シラン系ガスに対する水素ガスの流量比を５０倍以上とするプラズマ化学気相成長法により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０６】
具体的に説明すると、取っ手２５７０は、駆動ケーブル２５４２が作動のために解除可能に固定される取っ手本体２５７４で構成されている。このことを念頭に置いて、取っ手本体２５７４は、駆動ケーブル２５４２が収納された状態で設けられる中央通路２５７８を有している。取っ手本体２５７４は、中央握り２５８０、および以下に詳細に説明する仕方で中央握り２５８０に対して動くスライダ部材２５８１で構成されている。中央通路２５７８は、第１の開口端２５８２および第２の閉鎖端２５８４を有している。第２の閉鎖端２５８４に隣接して、中央握り２５８０に固定された状態のばね付きトリガロック２５８６が設けられている。トリガロック２５８６は、駆動ケーブル２５４２の近位先端部２５８８に沿って設けられた突起２５９４（例えば、弾頭形先端部）に係合するような寸法形状になっている。このように、駆動ケーブル２５４２の近位先端部２５８８は、通路２５７８の近位端部２５９２に設けられた凹部２５９０内、および中央握り２５８０内に（その心出しのため）設けられ、トリガロック２５８６は、駆動ケーブル２５７６を取っ手本体２５７４内に維持するために下方に動かされて突起２５９４に係合する。取っ手２５７０を駆動ケーブル２５７８から取り外すことが望ましい場合、トリガロック２５８６をその解除位置に作動させれば済み、取っ手本体２５７４は、駆動ケーブル２５４２から自由に取り外せる。取っ手本体２５７４内への駆動ケーブル２５４２の保持は、ロックスライダ２５９６をスライダ部材２５８１に沿って設けることにより一段と容易になる。ロックスライダ２５９６は、駆動ケーブル２５４２に形成されていて、取っ手本体２５７４を駆動ケーブル上に保持するカラー２５９８と摩擦により相互作用する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
含水率、pH、熱処理の温度及び時間は、当業者により、粘度、分散性、ゲル組織(gel texture)、溶液の透明度及び他の望ましい特性を達成するように調節し得る。これは更に、使用した出発材料(等級、粘度、分子量及び粒子サイズ)に左右される。典型的には、低い湿分を用いて、熱処理の影響を改善する。しかし、ある一定の湿分においては、温度又は時間の増加は、一般に粘度を最大まで増大し、更なる加熱は本発明において使用される濃度では、キサンタンガムの粘度を低下させる。典型的には、酸性pHが適しており、pH2〜4が最も適している。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物、及びシベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素塩を含有する注射用製剤。
【請求項２】
炭酸水素塩が、炭酸水素ナトリウム及び／又は炭酸水素カリウムである請求項１記載の製剤。
【請求項３】
炭酸水素塩が、炭酸水素ナトリウムである請求項２記載の製剤。
【請求項４】
さらにｐＨ調整剤を含有し、所望によって賦形剤及び／又は無機塩を含有していてもよい請求項１〜３のいずれかに記載の製剤。
【請求項５】
ｐＨ調整剤が水酸化ナトリウムである請求項４記載の製剤。
【請求項６】
賦形剤がマンニトールである請求項４記載の製剤。
【請求項７】
無機塩が塩化ナトリウムである請求項４記載の製剤。
【請求項８】
注射用凍結乾燥製剤である請求項１〜７のいずれかに記載の製剤。
【請求項９】
溶解液に対して低温可溶性である請求項８記載の製剤。
【請求項１０】
低温が５℃〜１５℃である請求項９記載の製剤。
【請求項１１】
溶解液が水、生理食塩水、及び／又はブドウ糖液である請求項９記載の製剤。
【請求項１２】
注射用液状製剤である請求項１〜７のいずれかに記載の製剤。
【請求項１３】
注射用凍結乾燥製剤を溶解液で溶解した溶液である請求項１２記載の製剤。
【請求項１４】
注射用凍結乾燥製剤を溶解液で溶解した溶液を低ｐＨ輸液に希釈した溶液である請求項１２記載の製剤。
【請求項１５】
低ｐＨ輸液が、ソリタＴ３号、ソリタＴ２号、ソリタＴ１号、ＫＮＭＧ３号、フィジオゾール３号、アクチット注、及び／又はヴィーン３Ｇ注である請求項１４記載の製剤。
【請求項１６】
注射用凍結乾燥製剤を製造する溶液である請求項１２記載の製剤。
【請求項１７】
注射用凍結乾燥製剤を製造する溶液の溶媒が水である請求項１６記載の製剤。
【請求項１８】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素ナトリウム、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して４．３〜７．３モル量のマンニトール、及びシベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２７〜０．９モル量の塩化ナトリウムを含有する注射用凍結乾燥製剤。
【請求項１９】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素ナトリウム、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して４．３〜７．３モル量のマンニトール、及びシベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２７〜０．９モル量の塩化ナトリウムを含有する注射用液状製剤。
【請求項２０】
ｐＨ値が７．５〜８．５である請求項１９記載の注射用液状製剤。
【請求項２１】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素ナトリウム、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して４．３〜７．３モル量のマンニトール、及びシベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２７〜０．９モル量の塩化ナトリウムを含有し、水酸化ナトリウムによりｐＨ値が調整されてなる注射用液状製剤。
【請求項２２】
ｐＨ値が７．５〜８．５である請求項２１記載の注射用液状製剤。
【請求項２３】
請求項２１又は２２記載の注射用液状製剤を凍結乾燥して製造された注射用凍結乾燥製剤。
【請求項２４】
注射用凍結乾燥製剤を溶解液で溶解した溶液のｐＨ値が７．５〜８．５である請求項２３記載の注射用凍結乾燥製剤。
【請求項２５】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素ナトリウム、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して４．３〜７．３モル量のマンニトール、及びシベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２７〜０．９モル量の塩化ナトリウムを含有する注射用凍結乾燥製剤であって、該注射用凍結乾燥製剤を溶解液で溶解した溶液のｐＨ値が７．５〜８．５になるように調整されてなる注射用凍結乾燥製剤。
【請求項２６】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物、及び炭酸水素塩を含有する注射用凍結乾燥製剤であって、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素塩を含有し、溶解液との混合後の液状製剤が低温で澄明な溶液状態を維持しうる製剤。
【請求項２７】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物、及び炭酸水素塩を含有する注射用液状製剤であって、シベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素塩を含有し、低ｐＨ輸液との配合後の液状製剤が澄明な溶液状態を維持しうる製剤。
【請求項２８】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物を含有する注射用凍結乾燥製剤であって、溶解液との混合後に低温で澄明な溶液状態を維持しうる製剤を製造するために、注射用凍結乾燥製剤を製造する溶液にシベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素塩を使用する方法。
【請求項２９】
シベレスタットナトリウム塩又はその水和物を含有する注射用液状製剤であって、低ｐＨ輸液との配合後に澄明な溶液状態を維持しうる製剤を製造するために、注射用凍結乾燥製剤を製造する溶液にシベレスタットナトリウム塩又はその水和物１モルに対して０．２５〜０．９５モル量の炭酸水素塩を使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記回収工程で触媒とともに回収されたナノカーボンを微粉化した後、高純度ナノカーボンと、前記触媒を高濃度に含有するナノカーボンとを比重選別、または／および磁気選別し、前記触媒を高濃度に含有する前記ナノカーボンを優先的に前記二酸化炭素還元工程に供することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の合成ガスとナノカーボンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記低級炭化水素分解反応装置で生成されたナノカーボンを回収するナノカーボン回収部と、該ナノカーボン回収部で回収した後のナノカーボンを前記二酸化炭素還元反応装置に移送するナノカーボン移送路を備えることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載の合成ガスとナノカーボンの製造システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１０−５２６７５９号公報
【特許文献２】特開平７−６９６０３号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012188321.tif 000001
【図２】
2012188321.tif 000002
【図３】
2012188321.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部に設けられた給電設備が備える送電コイルから非接触で電力を受電すると共に、車両の底面側に配置された受電コイルと、
前記車両の底面ではない周面に設けられ、前記車両の外部を撮像する撮像装置と、
前記給電設備と通信する通信部と、
前記撮像装置が撮像した前記車両の外部を表示する表示部と、
前記受電コイルの前記受電電圧、または、前記通信部を介して受信した前記給電設備から送出される電力の情報の少なくとも一方に基づいて、前記送電コイルへ前記車両を誘導する誘導制御部と、
を備え、
前記受電コイルは、前記車両の前後方向における中央部から前記撮像装置が設けられた周面側にずれた位置に配置された、車両。
【請求項２】
外部に設けられた給電設備が備える送電コイルから非接触で電力を受電すると共に、車両の底面側に配置された受電コイルと、
前記車両の底面ではない周面に設けられ、前記車両の外部を撮像する撮像装置と、
前記給電設備と通信する通信部と、
前記撮像装置が撮像した前記車両の外部を表示する表示部と、
前記給電設備からの給電出力または前記受電コイル側への給電入力の少なくとも一方の検出により求めた前記送電コイルから前記受電コイルへの給電状況に基づいて、前記送電コイルへ前記車両を誘導する誘導制御部と、
を備え、
前記受電コイルは、前記車両の前後方向における中央部から前記撮像装置が設けられた周面側にずれた位置に配置された、車両。
【請求項３】
外部に設けられた給電設備が備える送電コイルから非接触で電力を受電すると共に、車両の底面側に配置された受電コイルと、
前記車両の底面ではない周面に設けられ、前記車両の外部を撮像する撮像装置と、
前記給電設備と通信する通信部と、
前記撮像装置が撮像した前記車両の外部を表示する表示部と、
前記受電コイルの受電電圧を前記通信部を介して前記給電設備に送信すると共に前記通信部を介して前記給電設備から受信する前記受電コイルと前記送電コイルとの距離情報に基づいて前記送電コイルへ前記車両を誘導する誘導制御部と、
を備え、
前記受電コイルは、前記車両の前後方向における中央部から前記撮像装置が設けられた周面側にずれた位置に配置された、車両。
【請求項４】
内部に前記送電コイルを有する送電ユニットが前記撮像装置の死角に入った後、前記誘導制御部は前記車両の誘導を開始する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の車両。
【請求項５】
前記車両は、前記受電コイルを内部に有する受電ユニットを備え、
内部に前記送電コイルを有する送電ユニットと前記受電ユニットとを、前記車両を平面視する方向から見ると、前記送電ユニットと前記受電ユニットとは、同一形状であり、
前記送電ユニットが前記撮像装置の死角に入るときに、前記送電ユニットの一部と前記受電ユニットの一部とが対向する、請求項１から請求項４のいずれかに記載の車両。
【請求項６】
前記誘導制御部による制御時に前記給電設備から出力される電力は、前記誘導制御部による制御後に、前記給電設備から出力される電力よりも小さい、請求項１から請求項５のいずれかに記載の車両。
【請求項７】
前記受電コイルが前記送電コイルから電力を受電可能な距離となると、前記誘導制御部による制御が開始される、請求項１から請求項３のいずれかに記載の車両。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体の内部に供給された粉体物を乾燥させる粉体物乾燥装置において、
前記装置本体の上部に粉体物供給口が形成され、
前記装置本体の内部に、熱交換用パイプが概略円筒状をなすように設けられており、
前記粉体物供給口が前記熱交換用パイプのなす円筒の内周孔の中心上に配設されるとともに、前記内周孔の内径が前記粉体物供給口よりも大径とされていることを特徴とする粉体物乾燥装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この課題を解決するために、本発明に係る粉体物乾燥装置は、装置本体の内部に供給された粉体物を乾燥させる粉体物乾燥装置において、前記装置本体の上部に粉体物供給口が形成され、前記装置本体の内部に、熱交換用パイプが概略円筒状をなすように設けられており、前記粉体物供給口が前記熱交換用パイプのなす円筒の内周孔の中心上に配設されるとともに、前記内周孔の内径が前記粉体物供給口よりも大径とされていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この構成の粉体物乾燥装置においては、粉体物が粉体物供給口を介して円筒状をなす熱交換用パイプの内周側に落下することになり、粉体物との衝突を防止して熱交換パイプの破損を防止できる。また、装置本体内部に熱交換パイプが設けられているので、粉体物を効率良く乾燥させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、ケーシング１１の上方（上方開口部近傍）には、ケーシング１１内に装入されたフレキシブルコンテナパックＣを叩くための叩打手段２０が設けられている。本実施形態においては、図３に示すように、ケーシング１１の内側面に沿って延びる一対の叩打部材２１が設けられており、これら叩打部材２１の両端が軸支され、それぞれ駆動部２２によって回動可能とされている。
さらに、ケーシング１１の上方には、中央に孔部が形成された布またはゴム製のカバー部材が設けられている。このカバー部材は伸縮可能とされ、孔部の大きさが変形するように構成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ケーシング１１の下方に設けられた集合ホッパー１３は、ケーシング１１の下方開口部に連設されており、上下方向に直交する断面の面積が、下方に向かうにしたがい漸次小さくなるように構成されている。集合ホッパー１３の下方端には、ナイフゲート弁２５によって開閉可能とされた落下口２６が設けられている。なお、集合ホッパー１３の内部には、フレキシブルコンテナパックＣの切断片等の混入を防止するために金網が配設されている。
また、このフレキシブルコンテナパック用開袋機１０には、集合ホッパー１３に接続され、集合ホッパー１３内を浮遊する微粉末を回収するバグフィルター２７が備えられている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このように配置されたフレキシブルコンテナパックＣを降下させて、ケーシング１１の上方開口部からケーシング１１内部へと装入し、カバー部材の孔部を通じてフレキシブルコンテナパックＣをカバー部材の下方側へとさらに下降させる。
すると、フレキシブルコンテナパックＣの底部が固定刃１６に接触し、金属シリコン粉末が充填されたフレキシブルコンテナパックＣの自重によって固定刃１６の刃先１７に強く押し当てられる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
さらに、本実施形態である粉体物乾燥装置３０によれば、ケーシング１１の下方に、ケーシング１１の下方開口部から落下した金属シリコン粉末を集合させる集合ホッパー１３が設けられるとともに、この集合ホッパー１３に接続されて集合ホッパー１３内に浮遊する微粉末を回収するバグフィルター２７を備えているので、金属シリコン粉末がケーシング１１から落下した衝撃で集合ホッパー１３内に浮遊した微粉末をバグフィルター２７によって回収でき、装置本体３１及びトリクロロシラン製造用反応装置に微粉末が入り込むことを防止できる。
また、集合ホッパー１３に金網が配設されているので、フレキシブルコンテナパックＣの切断片等の異物が金属シリコン粉末内に混入することを防止できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
さらに、本実施形態では、ケーシング１１の上方に、中央に孔部が形成された布またはゴム製のカバー部材が設けられており、このカバー部材の下方側でフレキシブルコンテナパックＣを開袋されるので、カバー部材によって金属シリコン粉末が落下した際の飛散を確実に防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる種類の第１光情報記録媒体及び第２光情報記録媒体に対して記録又は再生が可能な光学ヘッド装置であって、
３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの波長λ１を有する第１光ビームを出射する第１光源と、
前記波長λ１より長い波長λ２を有する第２光ビームを出射する第２光源と、
前記第１光ビーム及び前記第２光ビームの光路を共通化する光学系と、
共通化された光路から入射する前記第１光ビーム及び前記第２光ビームを、それぞれ第１光路及び第２光路へ選択的に分離する光束分離部と、
前記光束分離部で前記第１光路へと分離された前記第１光ビームを前記第１光情報記録媒体に集光する第１対物レンズと、
前記光束分離部で前記第２光路へと分離された前記第２光ビームを前記第２光情報記録媒体に集光する樹脂製の第２対物レンズと、
前記第２対物レンズのビーム出射面に設けられ、前記第１光ビームの透過率を前記第２光ビームの透過率よりも低下させる第１フィルタ部と、を含み、
前記第１対物レンズと前記第２対物レンズとが、下記式（１）の関係にあることを特徴とする光学ヘッド装置。
【数１】
2010061781.tif 000001
ＯＬ１＿ＷＤλ１：第１対物レンズの波長λ１での作動距離（ｍｍ）
Ｄ：２軸アクチュエータに搭載された第１対物レンズの出射面位置と第２対物レンズの出射面位置の距離（ｍｍ）（ただし、第１対物レンズの出射面位置がより高い（より光情報記録媒体に近い）場合を正、第２対物レンズの出射面位置がより高い（より光情報記録媒体に近い）場合を負とする。）
ＯＬ２＿ｔ：第２対物レンズの厚み（ｍｍ）
ＯＬ２＿ｎλ１：第２対物レンズの波長λ１での屈折率（ｍｍ）
ＯＬ２＿ＢＦλ１：第２対物レンズの波長λ１でのバックフォーカス（ｍｍ）
【請求項２】
前記第２対物レンズのビーム入射面に設けられ、前記第１光ビームの透過率を前記第２光ビームの透過率よりも低下させる第２フィルタ部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光学ヘッド装置。
【請求項３】
前記第１フィルタ部における前記第１光ビームの透過率は、前記第２フィルタ部における前記第１光ビームの透過率以下に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の光学ヘッド装置。
【請求項４】
前記第１フィルタ部における前記第１光ビームの透過率は、８５％以下に設定されていることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の光学ヘッド装置。
【請求項５】
前記第１フィルタ部における前記第２光ビームの透過率は、９０％以上に設定されていることを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載の光学ヘッド装置。
【請求項６】
前記第２フィルタ部における前記第１光ビームの透過率は、８５％以下に設定されていることを特徴とする請求項２または３に記載の光学ヘッド装置。
【請求項７】
前記第２フィルタ部における前記第２光ビームの透過率は、９０％以上に設定されていることを特徴とする請求項２、３又は６に記載の光学ヘッド装置。
【請求項８】
前記第２対物レンズに設けられた前記第１フィルタ部及び前記第２フィルタ部を通過する前記第１光ビームの透過率が７５％以下である請求項２又は３に記載の光学ヘッド装置。
【請求項９】
互いに異なる種類の第１光情報記録媒体及び第２光情報記録媒体に対して記録又は再生が可能な光学ヘッド装置であって、
３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの波長λ１を有する第１光ビームを出射する第１光源と、
前記波長λ１より長い波長λ２を有する第２光ビームを出射する第２光源と、
前記第１光ビーム及び前記第２光ビームの光路を共通化する光学系と、
共通化された光路から入射する前記第１光ビーム及び前記第２光ビームを、それぞれ第１光路及び第２光路へ選択的に分離する光束分離部と、
前記光束分離部で前記第１光路へと分離された前記第１光ビームを前記第１光情報記録媒体に集光する第１対物レンズと、
前記光束分離部で前記第２光路へと分離された前記第２光ビームを前記第２光情報記録媒体に集光する樹脂製の第２対物レンズと、
前記第２対物レンズのビーム出射面に設けられ、前記第１光ビームの透過率を前記第２光ビームの透過率よりも低下させる第１フィルタ部と、を含み、
前記第１対物レンズと前記第２対物レンズとが、下記式（２）の関係にあることを特徴とする光学ヘッド装置。
【数２】
2010061781.tif 000002
ＯＬ１＿ＷＤλ１：第１対物レンズの波長λ１での作動距離（ｍｍ）
Ｄ：２軸アクチュエータに搭載された第１対物レンズの出射面位置と第２対物レンズの出射面位置の距離（ｍｍ）（ただし、第１対物レンズの出射面位置がより高い（より光情報記録媒体に近い）場合を正、第２対物レンズの出射面位置がより高い（より光情報記録媒体に近い）場合を負とする。）
ＯＬ２＿ｔ：第２対物レンズの厚み（ｍｍ）
ＯＬ２＿ｎλ１：第２対物レンズの波長λ１での屈折率（ｍｍ）
ＯＬ２＿ＢＦλ１：第２対物レンズの波長λ１でのバックフォーカス（ｍｍ）
Ｌ＿ｔ：第１光情報記録媒体の所定情報記録面における光透過層の厚み（ｍｍ）
Ｌ＿ｎλ１：第１光情報記録媒体の光透過層の波長λ１での屈折率（ｍｍ）
【請求項１０】
前記第２対物レンズのビーム入射面に設けられ、前記第１光ビームの透過率を前記第２光ビームの透過率よりも低下させる第２フィルタ部をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の光学ヘッド装置。
【請求項１１】
前記第１フィルタ部における前記第１光ビームの透過率は、前記第２フィルタ部における前記第１光ビームの透過率以下に設定されていることを特徴とする請求項１０記載の光学ヘッド装置。
【請求項１２】
前記第１フィルタ部における前記第１光ビームの透過率は、８５％以下に設定されていることを特徴とする請求項９ないし１１の何れか１項に記載の光学ヘッド装置。
【請求項１３】
前記第１フィルタ部における前記第２光ビームの透過率は、９０％以上に設定されていることを特徴とする請求項９ないし１２の何れか１項に記載の光学ヘッド装置。
【請求項１４】
前記第２対物レンズに設けられた前記第１フィルタ部及び前記第２フィルタ部を通過する前記第１光ビームの透過率が７５％以下であることを特徴とする請求項１０又は１１記載の光学ヘッド装置。
【請求項１５】
前記第２対物レンズは、前記第１フィルタ部で反射した前記第１光ビームが前記第２対物レンズ内で集光しない厚さを有することを特徴とする請求項１ないし１４の何れか１項に記載の光学ヘッド装置。
【請求項１６】
前記光束分離部と前記第２対物レンズとの間に配置され、前記第１光ビームの透過率を前記第２光ビームの透過率よりも低下させる光学素子をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし１５の何れか１項に記載の光学ヘッド装置。
【請求項１７】
前記光学素子における前記第１光ビームの透過率は、２％以下に設定されていることを特徴とする請求項１６に記載の光学ヘッド装置。
【請求項１８】
前記光学素子が波長板であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の光学ヘッド装置。
【請求項１９】
請求項１ないし１８の何れか１項に記載の光学ヘッド装置と、
前記光学ヘッド装置を制御し、前記第１光情報記録媒体及び前記第２光情報記録媒体に対して情報の記録及び再生の少なくとも一方を行わせる制御部と、を備えた記録／再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料からそれぞれ発せられる第１、第２部分画像ビームを、光学機器内にて結果として生じる画像ビームに合成するための光学システムであって、前記光学システムは、前記第１部分画像ビームのための少なくとも１つの第１可動ストップ要素と、前記第２部分画像ビームのための少なくとも１つの第２可動ストップ要素と、前記２つのストップ要素を結合して移動するために可動配置された結合要素とを備えるストップ装置を有し、
前記第１及び第２ストップ要素が各々、結果として生じる合成画像ビーム内の夫々第１又は第２部分画像ビームの面積比を修正するために夫々第１又は第２部分ストップ要素の移動によって前記第１又は第２部分画像ビームと作動位置にもたらされるようになっている少なくとも１つのストップ部を備えて構成され、
前記ストップ装置が、第１の移動によって、前記第１ストップ要素と前記第２ストップ要素が夫々第１の位置をとる第１と第２の構成の第１集合に至るようになっていて、前記第１の構成における前記結合要素の第１回転軸回りの回転移動が、前記合成画像ビームにおける前記第１部分画像ビームの面積比を増加し、且つ、前記合成画像ビームにおける前記第２部分画像ビームの面積比を減少し、
前記ストップ装置が、第２回転軸回りの前記結合要素の回転である第２の移動によって、前記結合要素の第１、第２、第３及び第４の構成の第２集合に至り得て、前記ストップ要素を夫々第１、第２、第３及び第４の位置へもたらす、光学システム。
【請求項２】
前記結合要素が、２つのストップ要素を動かないように結合する、請求項１に記載の光学システム。
【請求項３】
前記結合手段の第１移動として前記回転移動を操作するために、手動で作動可能な第１調節メカニズムを更に備えて構成される、請求項１に記載の光学システム。
【請求項４】
前記第１回転軸が、前記ストップ要素の間で、前記結合要素の長手方向軸に対して垂直に延びる、請求項１に記載の光学システム。
【請求項５】
前記第１回転軸の回りで前記結合要素を回転するために、偏心装置が設けられる、請求項１に記載の光学システム。
【請求項６】
前記ストップ装置が第２の構成にもたらされ得、前記第１ストップ要素と前記第２ストップ要素が、前記合成画像ビームが前記２つの部分画像ビームの混合によって形成される夫々第２の位置をとる、請求項１に記載の光学システム。
【請求項７】
前記ストップ装置が、第３及び第４の構成にもたらされ得、前記合成画像ビームが第１部分画像ビームのみによって、及び第２部分画像ビームのみによって、各々形成される夫々第３、第４の位置をとる、請求項１に記載の光学システム。
【請求項８】
前記可動ストップ要素のうち少なくとも１つが回転可能なストップ円板であり、その回転軸は、付随する部分画像ビーム路から平行に隙間をあけてずれて配置される、請求項１に記載の光学システム。
【請求項９】
前記結合要素の第２移動を操作する手動で作動可能な第２調節メカニズムが設けられる、請求項１に記載の光学システム。
【請求項１０】
前記結合要素の前記第２移動が、第２回転軸回りの回転移動であり、前記少なくとも１つのストップ円板の回転軸と前記第２回転軸とが一致する、請求項８に記載の光学システム。
【請求項１１】
前記第２回転軸が、前記結合要素の長手方向軸と平行に延びる、請求項１に記載の光学システム。
【請求項１２】
請求項１に記載の光学システムを包含する比較顕微鏡又は比較マクロスコープ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷組版として使用される円筒形感光エレメントの製造方法であって、
（ａ）外面を有するロール上に外面および内面を有する円筒形支持体を取り付けるステップであって、前記支持体の前記内面が前記ロールの前記外面と接触する、ステップ、
（ｂ）熱可塑性バインダー、モノマー、および光開始剤を含む感光層を設けるステップであって、前記層が、接触面によって接合される第一端部と、前記第一端部の反対側の第二端部とを有する、ステップ、
（ｃ）前記感光層を前記支持体の周囲に巻き付けることによって前記感光層の前記接触面を前記支持体の前記外面と接触させて、前記第二端部を前記第一端部に近接した状態にするステップ、
（ｄ）前記支持体上へ前記感光層を貼り合わせ、前記端部同士をシールして前記支持体上に連続層を形成するステップ、および
（ｅ）前記感光層、または前記支持体、または前記感光層と前記支持体の両方を加熱するステップ
を含み、
前記ロールの前記外面が順応性である、方法。
【請求項２】
前記第二端部が前記第一端部と当接するように、前記第二端部が前記第一端部に近接している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一端部と前記第二端部との間に間隙が形成されるように、前記第二端部が前記第一端部に近接している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
貼合せの間に前記端部同士を融着させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法に従って作製される円筒形感光エレメント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
粘着性除去は、任意選択の現像後の処理であり、フレキソ印刷平版の表面がまだ粘着性である場合に適用することができる。このような粘着性は一般には後露光において除去されない。粘着性は、臭素または塩素溶液による処理、また３００ｎｍ以下の波長を有する線源への曝露によるなどの当業界でよく知られている方法によって無くすことができる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．印刷組版として使用される円筒形感光エレメントの製造方法であって、
（ａ）外面を有するロール上に外面および内面を有する円筒形支持体を取り付けるステップであって、前記支持体の前記内面が前記ロールの前記外面と接触する、ステップ、
（ｂ）熱可塑性バインダー、モノマー、および光開始剤を含む感光層を設けるステップであって、前記層が、接触面によって接合される第一端部と、前記第一端部の反対側の第二端部とを有する、ステップ、
（ｃ）前記感光層を前記支持体の周囲に巻き付けることによって前記感光層の前記接触面を前記支持体の前記外面と接触させて、前記第二端部を前記第一端部に近接した状態にするステップ、
（ｄ）前記支持体上へ前記感光層を貼り合わせ、前記端部同士をシールして前記支持体上に連続層を形成するステップ、および
（ｅ）前記感光層、または前記支持体、または前記感光層と前記支持体の両方を加熱するステップ
を含み、
前記ロールの前記外面が順応性である、方法。
２．前記順応性外面が、約４０から約７０の間のショアＡジュロメーター硬度を有する、前記１に記載の方法。
３．前記第二端部が前記第一端部と当接するように、前記第二端部が前記第一端部に近接している、前記１に記載の方法。
４．前記第一端部と前記第二端部との間に間隙が形成されるように、前記第二端部が前記第一端部に近接している、前記１に記載の方法。
５．前記感光層がある厚さを有し、前記間隙が前記感光層の前記厚さの約１／２以下である、前記４に記載の方法。
６．前記接触のステップに先立って、前記第一および／または前記第二端部の形を切り整えて他方の端部と当接させるか、または間隙を形成するステップをさらに含む、前記１に記載の方法。
７．前記加熱のステップが、前記接触のステップの前に、前記接触のステップの後に、または両方の組合せで行われる、前記１に記載の方法。
８．前記加熱のステップが、前記接触のステップの前に行われ、１）前記支持体の前記外面を３９℃を超える温度に予熱するステップと、２）前記感光層の前記接触面をそのガラス転移温度未満の温度に予熱するステップと、１）および２）の組合せとからなる群から選択される、前記１に記載の方法。
９．貼合せの間に前記端部同士を融着させるステップをさらに含む、前記１に記載の方法。
１０．前記接触のステップの後に、前記シール用端部同士を貼合せの間に融着させるのに十分な温度まで前記感光層を加熱するステップをさらに含む、前記１に記載の方法。
１１．前記貼合せのステップの後に、前記支持体の反対側の前記感光層の表面を研削するステップをさらに含む、前記１に記載の方法。
１２．前記支持体が化学線に対して透明であり、前記方法が、ステップｅ）の後に前記エレメントを化学線に、前記支持体を通して露光させるステップをさらに含む、前記１に記載の方法。
１３．前記貼合せのステップが、前記感光層を有する前記支持体を回転させること、および前記支持体の反対側の前記感光層の外面を貼合せロールと接触させることを含む、前記１に記載の方法。
１４．前記貼合せロールが、前記感光層を０から１ｍｍの印圧設定で押圧している、前記１３に記載の方法。
１５．前記１に記載の方法に従って作製される円筒形感光エレメント。