【事件の表示】
　特願２００５−１５０２１１「発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　８日出願公開、特開２００５−２４４２５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年１２月２７日に出願した特願平８−３５０２５４号（以下「原出願」という。）の一部を平成１２年９月４日に新たな特許出願とした特願２０００−２６７８５２号のさらに一部を平成１７年５月２３日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年１０月２７日付け、平成１９年４月９日付け及び平成２０年１２月２７日付けで手続補正がなされたが、平成２１年７月２９日付けで平成２０年１２月２７日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１１月４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである（以下、平成２１年１１月４日付けでなされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
 　 
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲につき、補正前（平成１９年４月９日付け手続補正後のもの。）の
「　　【請求項１】
　基板上のパッケージ内に設けられた電極上に、合成樹脂によってダイボンドさせたＬＥＤチップと、
　該ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収して発光する蛍光物質を含む色変換部材と
を有する発光ダイオードであって、
　前記ＬＥＤチップは、透光性基体上の一方の面側に窒化物系化合物半導体を有すると共に、前記透光性基体の他方の面側に反射部材を設けており、
　前記パッケージは、内部に一段下がった段差状のキャビティーを形成し、前記キャビティー内に前記ＬＥＤチップと前記色変換部材を配置し、さらに前記色変換部材上にモールド部材を配することを特徴とする発光ダイオード。
　　【請求項２】
　前記パッケージは、合成樹脂又はセラミックであることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
　　【請求項３】
　前記色変換部材は、拡散剤を含有していることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の発光ダイオード。」
を、
「　　【請求項１】
　基板上のパッケージ内に設けられた電極上に、
Ａｇを含有する
れ、発光ピークが４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下である
　該ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収して
、発光ピークが５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトルを
を有する発光ダイオードであって、
　前記ＬＥＤチップは、透光性基体上の一方の面側に窒化物系化合物半導体を有すると共に、前記透光性基体の他方の面側に
Ａｇからなる
　前記パッケージは、内部に一段下がった段差状のキャビティーを形成し、前記キャビティー内に前記ＬＥＤチップと前記色変換部材を配置し、さらに前記色変換部材上にモールド部材を配することを特徴とする発光ダイオード。
　　【請求項２】
　前記パッケージは、合成樹脂又はセラミックであることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
　　【請求項３】
　前記色変換部材は、拡散剤を含有していることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の発光ダイオード。」
に補正する内容を含むものである。
　
（２）補正の目的
　上記（１）の補正の内容は、補正前の請求項１における「合成樹脂」を「Ａｇを含有する」ものに限定し、同じく「ＬＥＤチップ」を「発光ピークが４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下である」ものに限定し、同じく「蛍光物質」を「発光ピークが５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトルを発光する」ものに限定し、同じく「反射部材」を「Ａｇからなる」ものに限定するものであるから、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
（３）本件補正後の請求項３に係る発明
　本件補正後の請求項３は、補正前の請求項３に対応するものであって、請求項１又は２を引用するものであるから、本件補正により請求項３に係る特許請求の範囲は減縮されたものと認められるところ、請求項１を引用する本件補正後の請求項３に係る発明（以下「本願補正発明」という。）を独立形式で表現すると、次のとおりのものと認められる。
　
「　基板上のパッケージ内に設けられた電極上に、Ａｇを含有する合成樹脂によってダイボンドされ、発光ピークが４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下であるＬＥＤチップと、
　該ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収して、発光ピークが５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトルを発光する蛍光物質を含む色変換部材と
を有する発光ダイオードであって、
　前記ＬＥＤチップは、透光性基体上の一方の面側に窒化物系化合物半導体を有すると共に、前記透光性基体の他方の面側にＡｇからなる反射部材を設けており、
　前記パッケージは、内部に一段下がった段差状のキャビティーを形成し、前記キャビティー内に前記ＬＥＤチップと前記色変換部材を配置し、さらに前記色変換部材上にモールド部材を配し、
　前記色変換部材は、拡散剤を含有することを特徴とする発光ダイオード。」
　
（４）独立特許要件についての検討
　本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて検討する。
　
　ア　刊行物の記載
（ア）原査定の拒絶の理由に引用した、原出願の出願前に頒布された刊行物である実願昭６１−７３１５７号（実開昭６２−１８４５８４号）のマイクロフィルム（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
 　 
　ａ　「ケースの凹穴に発光素子を収納し、この発光素子の給電用電極を設けた発光表示ブロックにおいて、上記凹穴の内周面を光反射面となすと共に、上記凹穴の下部に光拡散剤入りの透光性樹脂を注入して上記発光素子を封止したことを特徴とする発光表示ブロック。」（１頁５〜１０行）
　
　ｂ　「以下、実施例を挙げて本考案を詳述する。
　第１図は本考案発光表示ブロックの一実施例を示す斜視図、第２図はその断面図であって、１は例えばノリル樹脂やポリサルホン樹脂等で成形された有底筒状のケースを示している。このケース１には擂鉢状の凹穴２が形成されており、この凹穴２の上拡がりのテーパをもった内周面３は、例えば白色系又は銀色系の塗装を施す等の手段によって光反射面とされている。また、このケース１には、
発光素子５の給電用電極となる二本のリード４，４′がケース底壁を貫いてケース裏面より外部へ導出されており、これらリード４，４′の上端はいずれも凹穴２の底面に露出している。そして、一方のリード４のＬ形に折曲げられた上端には、発光素子としてＬＥＤチップ５が導電ペースト等で固着され、このＬＥＤチップ５はボンディングワイヤ−６を介して他方のリード４′に接続されている
　また、凹穴２の下部には、本考案の特徴とする光拡散剤入りの透光性樹脂７が注入されて加熱硬化されており、この光拡散剤入りの透光性樹脂７によってＬＥＤチップ５の配設配線部分が封止されている。この光拡散剤入りの透光性樹脂７は、上記のようにＬＥＤチップ５を封止して湿気等の侵入を防止すると共に、ＬＥＤチップ５から発する光を拡散して和らげるためのものであり、例えば光拡散剤として酸化チタン系の白色顔料等を混入したエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が好適に使用される。更にこの実施例では、凹穴２の上部に光拡散剤無配合の無色透明な例えばエポキシ樹脂等の透光性樹脂８が注入されて加熱硬化されており、この樹脂８は図示のように上面も下面も凹面とされた凹レンズ形状に構成されている。」（５頁５行〜６頁１７行）
　
　ｃ　「上記実施例では、ケース１が有底円筒状、凹穴２が擂鉢状に形成されているが、かかる形状のみに限定されるものではなく、所望の形状とすることができる。第５図及び第６図はそのような形状の異なる他の実施例を示す斜視図及び断面図で、これによれば、ケース１が有底箱状に構成されており、
凹穴２が円筒状の凹穴下部２ａと擂鉢状の凹状穴部２ｂとで構成され、その内周面が光反射面とされている。そして、この凹穴下部２ａに光拡散剤入りの透光性樹脂７が、また擂鉢状の凹穴状部２ｂに光拡散剤無配合の透光性樹脂８が、それぞれ注入されて加熱硬化され、ＬＥＤチップ５が封止されている
　
（イ）同じく、特開平６−６９５４６号公報（以下「刊行物２」という。）には、発光ダイオードに関し、以下の記載がある。
　
　ａ　「【０００９】本発明における発光層とは、ｎ型半導体層、ｐ型およびｉ型半導体層から選ばれた２種以上の組み合わせからなる発光層のことである。また、これらの発光層を形成する半導体は、ＩＩＩーＶ族化合物半導体、ＩＩーＶＩ族化合物半導体のどちらでもよいが、ＩＩＩーＶ族化合物半導体であるＧａＮ系半導体は絶縁性基板であるサファイア、ＣａＦ2 、ＭｇＯ等に結晶性の良好な薄膜の成長が可能であり特に好ましいものである。」
　
　ｂ　「【００１３】また、本発明においては、基板上の発光層が形成されていない面上に図１１に示すような少なくとも一種の金属反射層を設けることも好ましいものとなる。この金属層はｎ型半導体層およびｐ型あるいはｉ型半導体層を組み合わせてなる発光層において発光して基板を通して出てくる光を反射して電極側から取り出すことを可能とするものである。これにより、発光素子の光の取り出し効率を高めることができる。金属反射層として使われる材料としてはＡｌ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属の単体あるいはそれらの合金がある。金属反射層は、一層だけでもよいが、リードフレームに実装するときの耐ハンダ性、耐熱性や耐ボンディング性を向上せしめるためにＮｉ、Ｗ、Ｍｏ等の高融点の金属を積層した構造とすることも好ましいものとなる。」
　
　イ　引用発明
　上記ア（ア）によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　「ケースの凹穴に発光素子を収納し、この発光素子の給電用電極を設けた発光表示ブロックにおいて、上記凹穴の内周面を光反射面となすと共に、上記凹穴の下部に光拡散剤入りの透光性樹脂を注入して上記発光素子を封止した発光表示ブロックであって、前記発光素子の給電用電極となる二本のリードがケース底壁を貫いてケース裏面より外部へ導出され、これらリードの上端はいずれも凹穴の底面に露出し、一方のリードのＬ形に折曲げられた上端には、発光素子としてＬＥＤチップが導電ペースト等で固着され、このＬＥＤチップはボンディングワイヤーを介して他方のリードに接続され、前記凹穴は円筒状の凹穴下部と擂鉢状の凹状穴部とで構成され、この凹穴下部に光拡散剤入りの透光性樹脂が、また擂鉢状の凹穴状部に光拡散剤無配合の透光性樹脂が、それぞれ注入されて加熱硬化されてＬＥＤチップが封止された発光表示ブロック。」（以下「引用発明」という。）
　
　ウ　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
 　 
（ア）本願明細書（本件補正後のもの。以下、「（４）」の項において同じ。）の「本願発明に用いられる基板１０４とは、ＬＥＤチップ１０３を配置させると共に光を有効利用するため高反射率を有するものが好ましい。したがって、ダイボンド部材によって接着させるために十分な大きさがあればよく、所望に応じて種々の形状や材料を用いることができる。具体的には、発光ダイオードに用いられるリードフレームやチップタイプＬＥＤのパッケージなどが好適に用いられる。」（【００４２】）との記載によれば、本願補正発明の「基板」は、発光ダイオードに用いられるリードフレームであってよいものと認められる。
　よって、引用発明の「リード」は、本願補正発明の「基板」に相当する。
　
（イ）引用発明の「ケース」及び「凹穴」は、それぞれ、本願補正発明の「パッケージ」及び「キャビティー」に相当し、引用発明の「ケース」は、「内部にキャビティーを形成」する「パッケージ」である点で、本願補正発明の「パッケージ」と一致する。
　また、引用発明の「『ケースの凹穴』の『底面に露出』した、『給電用電極となる』『リード』の『上端』」は、本願補正発明の「基板上のパッケージ内に設けられた電極」に相当する。
 　                                           
（ウ）引用発明の「ＬＥＤチップ」は、「凹穴の底面に露出し」た「リードのＬ形に折曲げられた上端」に「導電ペースト等で固着され」たものであるから、「基板上のパッケージ内に設けられた電極上にダイボンドされた」点及び「前記キャビティー内に配置」された点において、本願補正発明の「ＬＥＤチップ」と一致する。
　
（エ）引用発明の「光拡散剤入りの透光性樹脂」は、「凹穴」を構成する「円筒状の凹穴下部」に「注入されて加熱硬化」されるものであるから、「前記キャビティー内に配置し、拡散剤を含有する部材」である点で、本願補正発明の「色変換部材」と一致する。
　また、引用発明の「『凹穴』を構成する『擂鉢状の凹状穴部』に『注入されて加熱硬化』された『光拡散剤無配合の透光性樹脂』」は、本願補正発明の「モールド部材」に相当する。
　
（オ）引用発明の「ＬＥＤチップが封止された発光表示ブロック」は、本願補正発明の「発光ダイオード」に相当する。
　
（カ）以上によれば、両者は、
「　基板上のパッケージ内に設けられた電極上にダイボンドされたＬＥＤチップを有する発光ダイオードであって、
　前記パッケージは、内部にキャビティーを形成し、前記キャビティー内に前記ＬＥＤチップと拡散剤を含有する部材を配置し、さらに前記部材上にモールド部材を配した発光ダイオード。」
である点で一致し、以下のａないしｄの点で相違するものと認められる。
　
　ａ　ＬＥＤチップをダイボンドするものが、本願補正発明では、Ａｇを含有する合成樹脂であるのに対して、引用発明では、導電ペーストである点（以下「相違点１」という。）。
　
　ｂ　ＬＥＤチップが、本願補正発明では、透光性基体上の一方の面側に窒化物系化合物半導体を有し、発光ピークが４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下であり、また、前記透光性基体の他方の面側にＡｇからなる反射部材を設けているのに対して、引用発明では、その具体的な構造及び発光ピークが不明であり、また、反射部材を設けたものでない点（以下「相違点２」という。）。
　
　ｃ　キャビティー内に配置した拡散剤を含有する部材が、本願補正発明では、ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収して、発光ピークが５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトルを発光する蛍光物質を含む色変換部材であるのに対して、引用発明では、色変換部材でない点（以下「相違点３」という。）。
　
　ｄ　キャビティーが、本願補正発明では、一段下がった段差状であるのに対して、引用発明では、円筒状の凹穴下部と擂鉢状の凹状穴部とで構成される点（以下「相違点４」という。）。
　
　エ　判断 
（ア）相違点１について
　引用発明において、ＬＥＤチップをダイボンドする導電ペーストとして具体的にどのようなものを用いるかは、当業者が設計上適宜に定め得ることというべきところ、ＬＥＤチップをダイボンドする導電ペーストとしてＡｇを含有する合成樹脂を用いることは、原出願の出願時において周知の技術である（例えば、特開平６−１６６２１０号公報の【００３８】〜【００３９】を参照。）から、引用発明において、上記周知技術を適用することにより相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
　また、本願明細書には、ダイボンド部材に関して、
「【００２５】
　本願発明に用いられるダイボンド部材１０７とは、ＬＥＤチップ１０３と、基板１０４とを接着させるために用いられる。したがって、ダイボンド部材１０７は、基板及びＬＥＤチップ１０３との密着性が高いことが望まれる。ダイボンド部材に用いられる具体的な合成樹脂としては、一液、二液型エポキシ樹脂や一液、二液型シリコーン樹脂が好適に用いられる。
【００２６】
　また、ダイボンド部材１０７を利用してＬＥＤチップと基板とを電気的に導通させてもよい。この場合、ダイボンド部材中に、銀、金、アルミニウム、銅、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ2などから選択される少なくとも１種を含有させることが好ましい。特に、銀、金、アルミニウム、銅などは、導電性を持たせると共に放熱性を向上させることができる。
【００２７】
　このようなダイボンド部材１０７は、ＬＥＤチップ１０３と基板１０４とを接着させるためにダイボンダーを用いることによって簡単に塗布などすることができる。」
との記載があるにとどまり、本願補正発明において、相違点１に係る構成により格別顕著な効果が奏されるものとは認められない。
               
（イ）相違点２について
　ａ　引用発明において、ＬＥＤチップとして具体的にどのようなものを用いてどのような発光ピークをもたせるかは、当業者が設計上適宜に定め得ることというべきところ、ＬＥＤチップを、透光性基体上の一方の面側に窒化物系化合物半導体を有するものとすること、４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下の範囲にある発光ピークを窒化物系化合物半導体を有するＬＥＤチップにもたせることは、原出願の出願時において周知の技術である（例えば、前者について、刊行物２の前記ア（イ）ｂの記載、後者について、特開平８−１３０３２７号公報の【０００４】、特開平８−１４８７１７号公報の【００１６】、特開平８−２６４８３７号公報の【００３９】を参照。）から、引用発明において、ＬＥＤチップを、透光性基体上の一方の面側に窒化物系化合物半導体を有し、発光ピークが４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下であるものとすることは、格別の困難を要することなく当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
　また、本願明細書には、発光ピークに関して、
「【００４１】
  本願発明の発光ダイオードにおいて樹脂劣化、白色系など蛍光物質との補色関係等を考慮する場合は、４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。ＬＥＤチップと蛍光物質との効率をそれぞれより向上させるためには、４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好ましい。」
との記載があるにとどまり、本願補正発明において、発光ピークを４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下とした点に、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
　ｂ　そして、前記ア（イ）によれば、刊行物２には、発光ダイオードにおいて、サファイア等の基板上の、ＧａＮ系半導体からなる発光層が形成されていない面上に少なくとも一種の金属反射層を設け、基板を通して出てくる光を反射して電極側から取り出すことを可能として発光素子の光の取り出し効率を高める技術が記載されているものと認められ、金属反射層に使われる材料としてはＡｌ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属の単体あるいはそれらの合金があることが記載されている。
　そうすると、上記ａのように、引用発明において、ＬＥＤチップを、透光性基体上の一方の面側に窒化物系化合物半導体を有するものにする際、光の取り出し効率を高めるために、前記透光性基体の他方の面側にＡｇからなる反射部材を設けることは、刊行物２記載の上記技術に基づいて当業者が容易に想到し得る程度のことである。
　また、本願明細書には、反射部材に関して、
「【００２３】
  本願発明に用いられる反射部材２０１とは、半導体発光層から放出された光をダイボンド樹脂に直接照射させないように設けられると共に、効率よく発光観測面側に反射させるためのものである。
【００２４】
  このような反射部材は、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、ＡｇやＰｔなどの金属や合金、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＢａＦ2等の誘電体材料を積層した誘電体多層膜で形成することができる。特に、Ａｌ、Ａｇ、ＰｔやＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＢａＦ2等の誘電体材料を利用した反射部材は、窒化物系化合物半導体の発光層から放出される発光波長を効率よく反射できると共に比較的簡単に形成できるためより好ましい。このような反射部材は、蒸着法、スパッタリング法などの気相成長膜技術などにより透光性基体上に容易に形成することができる。」
との記載があるにとどまり、本願補正発明において、反射部材をＡｇからなるものとした点に、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
　ｃ　以上によれば、引用発明において、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、刊行物２記載の技術に基づいて当業者が容易になし得たものというべきである。
　
　ｄ　請求人は、請求の理由において、刊行物２の記載からは、「リードフレームに実装するときの耐ハンダ性、耐熱性、耐ボンディング性」を向上させるために材料選択を行うとすれば、「Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の高融点の金属」を積層した構造が好ましいことが分かり、刊行物２において、Ａｇの存在を認識しつつも、「高融点の金属」からＡｇが排除されていることに鑑みれば、刊行物２に触れた当業者が「リードフレームに実装するときの耐ハンダ性、耐熱性、耐ボンディング性」を向上させるために材料選択を行おうとすれば、「高融点の金属」からＡｇを排除する示唆に従い、Ａｇ以外の「高融点の金属」、例えばＮｉ、Ｗ、Ｍｏ等を選択するよう本願発明から遠ざかる動機付け乃至これらの金属に比べ低融点であるＡｇを選択することの阻害要因が存在する結果、金属反射層の材料にＡｇを選択することには困難性がある旨主張する。
　しかし、刊行物２においては、反射部材として使われる材料中にＡｇが明記されている以上、当業者は、反射部材をＡｇからなるものとすることを理解できるというべきである。そして、刊行物２には、「金属反射層は、一層だけでもよいが、リードフレームに実装するときの耐ハンダ性、耐熱性や耐ボンディング性を向上せしめるためにＮｉ、Ｗ、Ｍｏ等の高融点の金属を積層した構造とすることも好ましい」（前記ア（イ）ｂを参照。）ことが記載されているが、該記載は単に好ましい例を説明するにすぎず、引用発明において、Ａｇからなる反射部材を設けることに格別の妨げがあるとは認められないから、請求人の上記主張は採用できない。
　
（ウ）相違点３について
　ａ　発光ダイオードにおいて、キャビティー内に配置した窒化物系化合物半導体を有する青色系ＬＥＤチップを覆う樹脂中に、ＬＥＤチップからの発光の一部を吸収して発光する蛍光物質を含ませて色変換部材とすることは、原出願の出願時において周知の技術である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用した特開平５−１５２６０９号公報の１頁【要約】欄、同じく特開平７−９９３４５号公報の【０００１】〜【０００６】を参照。）から、上記（イ）ａのように、引用発明において、ＬＥＤチップを窒化物系化合物半導体を有するものにする際、引用発明において、凹穴下部に注入されて加熱硬化されてＬＥＤチップを封止する光拡散剤入りの透光性樹脂（拡散剤を含有する部材）に、ＬＥＤチップからの発光の一部を吸収して発光する蛍光物質を含ませて色変換部材とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　そして、蛍光物質として具体的にどのようなものを用いてどのような発光スペクトルをもたせるかは、当業者が設計上適宜に定め得ることというべきところ、紫外ないし青色の励起光により発光ピークが５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトルを発光する蛍光物質は、原出願の出願時において周知のものである（例えば、特開昭６１−６８８５４号公報の２頁左下欄１０行〜１２行及び第１図（ｂ）、特開平８−６２６０２号公報の【００３２】〜【００３５】及び図４を参照。）から、かかる蛍光物質を用いることは、格別の困難を要することなく当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
　
　ｂ　また、本願明細書には、蛍光物質に関して、
「【００３０】
  本願発明に用いられる蛍光物質３２２は、窒化物系化合物半導体から放出された可視光や紫外光を他の発光波長に変換するためのものである。従って、ＬＥＤチップ１０３に用いられる発光層から発光される発光波長や発光ダイオードから放出される所望の発光波長に応じて種々ものが用いられる。特に、ＬＥＤチップ１０３が発光した光と、ＬＥＤチップ１０３からの光によって励起され発光する蛍光物質３２２からの光が補色関係にあるとき白色系光を発光させることもできる。
【００３１】
  このような蛍光物質３２２として、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光物質、ペリレン系誘導体や銅、アルミニウムで付活された硫化亜鉛カドミウムやマンガンで付活された酸化マグネシュウム・チタンなど種々のものが挙げられる。これらの蛍光物質は、１種類で用いてもよいし、２種類以上混合して用いてもよい。
【００３２】
  特に、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光物質は、ガーネット構造であるため、熱、光及び水に強く、励起スペクトルのピークが４５０ｎｍ付近にさせることができる。また、発光ピークも５３０ｎｍ付近などにあり、７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトルを持たせることができる。しかも、組成のＡｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波長側にシフトし、また組成のＹの一部をＧｄで置換することで、発光波長が長波長側へシフトさせることができる。このように組成を変化させることで連続的に種々の発光波長とすることができるため本願発明の蛍光物質として特に好ましい。
【００３３】
  なお、所望に応じて発光波長を長波長や短波長側に調節させるため、イットリウムの一部をＬｕ、Ｓｃ、Ｌａに置換させることもできるし、アルミニウムの一部をＩｎ、Ｂ、Ｔ
ｌに置換させることもできる。さらに、セリウムに加えて、ＴｂやＣｒを微量含有させ吸収波長を調整させることもできる。
【００３４】
  セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光物質を用いた場合は、ＬＥＤチップ１０３と接する或いは近接して配置された放射照度として（Ｅｅ）＝３Ｗ・ｃｍ-2以上１０Ｗ・ｃｍ-2以下の高照射強度においても高効率に十分な耐光性を有する発光ダイオードを構成することができる。」
との記載があるにとどまり、本願補正発明において、蛍光物質につき、「発光ピークが５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトルを発光する発光ピークを４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下」のものとした点に、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
　ｃ　以上によれば、引用発明において、相違点３に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のこととというべきである。
　
（エ）相違点４について
　前記ア（ア）ｃのとおり、刊行物１には、「ケース１が有底円筒状、凹穴２が擂鉢状に形成されているが、かかる形状のみに限定されるものではなく、所望の形状とすることができる。」との記載に引き続き、引用発明のように、凹穴が円筒状の凹穴下部と擂鉢状の凹状穴部とで構成される例が説明されることに照らせば、引用発明において、凹穴の形状は適宜変更し得るものであることが理解できる。
　しかるところ、発光ダイオードにおいてＬＥＤチップを配置するキャビティを一段下がった段差状に形成することは、原出願の出願時において周知の技術である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用した特開平６−５９２７号公報の【０００２】及び図４、同じく特開平７−１１１３４３号公報の【００１６】〜【００２０】、図１及び図２を参照。）から、引用発明において、相違点４に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
　また、本願明細書には、キャビティに関して、
「【００２１】
  パッケージ２０４には、内部に一段下がったキャビティーを設けてある。キャビティー内には、蛍光物質を含有させた透光性ポリイミド樹脂を色変換部材２０２として注入し発光ダイオードを構成させてある。・・・」
との記載があるにとどまり、本願補正発明において、相違点４に係る構成としたことに格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
（オ）本願補正発明の効果について
　ａ　本願明細書の記載をみても、引用発明において各相違点の構成とすることにより当然奏される効果以上の格別顕著な効果が、本願補正発明において奏されるものとは認められない。
　
　ｂ　請求人は、請求の理由において、
（ａ）本願補正発明は、ＬＥＤチップの裏面にＡｇを設けることで、効率よく光を反射することができるとともに、ＬＥＤチップの接着剤として機能する合成樹脂にもＡｇを含有させることで、接着強度を一層向上させることができる、
（ｂ）本願補正発明では、ＬＥＤの発光ピークを「４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下」に限定すると共に、該ＬＥＤチップからの発光を色変換する蛍光物質の発光を「発光ピークが５３０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光スペクトル」に限定した結果、合成樹脂がＡｇを含有していること、及び反射部材がＡｇからなることと相俟って、ＬＥＤチップの波長が短いために合成樹脂からなるダイボンド樹脂が劣化する事態を、ＬＥＤチップの裏面に設けたＡｇで抑制することができ、さらに反射部材をＡｇとすることで、光の反射効率を向上でき、加えて、ブロードな発光スペクトルを有する色変換部材を用いることで、演色性の優れた白色等の発光を得ることができる、
旨主張する。
　しかし、前記（ア）及び（イ）ｂで検討したとおり、本願明細書には、Ａｇは、単にダイボンド部材に含有させる導体ないし反射部材の一例として記載されるにすぎないのであって、反射部材をＡｇからなるものにすると同時にダイボンド部材にＡｇを含有させることの技術的意義はもとより、反射部材をＡｇからなるものにすると同時にダイボンド部材にＡｇを含有させること自体、本願明細書には記載されていないのであるから、上記（ａ）の請求人の主張は、本願明細書の記載に基づかないものであって、失当である。
　また、本願補正発明におけるＬＥＤの発光ピーク及び蛍光物質の発光スペクトルについて、設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められないことは、前記（イ）ｂ及び（ウ）ｂで検討したとおりであって、上記（ア）ないし（エ）での検討に照らして、上記（ｂ）の請求人の主張をもって、引用発明において各相違点の構成とすることにより当然奏される効果以上の格別顕著な効果が、本願補正発明において奏されるものと認めることはできない。
　よって、請求人の上記主張は、上記ａの判断を左右するものではない。
　
　オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明並びに刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　 
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年４月９日付け手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１を引用する請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）を独立形式で表現すると、次のとおりのものと認められる。
　
「　基板上のパッケージ内に設けられた電極上に、合成樹脂によってダイボンドさせたＬＥＤチップと、
　該ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収して発光する蛍光物質を含む色変換部材と
を有する発光ダイオードであって、
　前記ＬＥＤチップは、透光性基体上の一方の面側に窒化物系化合物半導体を有すると共に、前記透光性基体の他方の面側に反射部材を設けており、
　前記パッケージは、内部に一段下がった段差状のキャビティーを形成し、前記キャビティー内に前記ＬＥＤチップと前記色変換部材を配置し、さらに前記色変換部材上にモールド部材を配し、
　前記色変換部材は、拡散剤を含有することを特徴とする発光ダイオード。」
 　 
２　判断
　前記第２、２（２）及び（３）によれば、本願補正発明は、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものと認められるところ、前記第２、２（４）で検討したとおり、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものである本願補正発明が、引用発明並びに刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、減縮前の本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用発明並びに刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明並びに刊行物２記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。