【事件の表示】
　平成１０年特許願第　７９６８２号「半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月　８日出願公開、特開平１１−２７４５５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月２６日に出願された特許出願であって、原審において平成１５年１０月２３日付けで通知された拒絶理由に対して、同年１２月２６日付けで手続補正がなされた後、平成１６年２月２６日付けで拒絶査定がなされたものであり、これに対し、平成１６年４月６日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年４月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ：但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された半導体からなるコンタクト層と、該コンタクト層上に形成された金属からなる電極とを有する半導体素子において、上記コンタクト層が、ＧａＡｓyＮ1-y（０＜ｙ＜０．２）からなり、コンタクト層の電極界面におけるｙは０．１であり、かつ該コンタクト層のバンドギャップが、半導体層側から電極に向かって、連続的に狭くなっていることを特徴とする半導体素子。」と補正された。
　上記補正は、コンタクト層におけるＡｓの組成比を「コンタクト層の電極界面におけるｙは０．１であり」と規定する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定による特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）先願明細書
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた、特願平８−３４６９５０号（特開平１０−１８９４７９号公報参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
　ア．「【請求項１】  第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成され、導電型が前記第１の半導体層の導電型と同一である第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された電極とを有し、前記第２の半導体層の禁制帯幅が前記第１の半導体層の禁制帯幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記第２の半導体層の禁制帯幅が、前記第１の半導体層の側から前記電極の側へ向かって連続的に狭くなり、かつ前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との境界面における前記第１の半導体層の禁制帯幅と前記第２の半導体層の禁制帯幅とが同一であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
……
【請求項５】  前記第１の半導体層としてＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）、前記第２の半導体層としてＩｎuＧａvＡｌ1-u-vＡｓzＮ1-z（０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｕ＋ｖ≦１、０≦ｚ≦１）を用い、前記第２の半導体層におけるＡｓの組成比ｚが、前記第１の半導体層の側から前記電極の側へ向かって連続的に大きくなり、かつ前記第２の半導体層が前記第１の半導体層に接する面における前記第２の半導体層のＡｓの組成比ｚが０であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。」
　イ．「【００１１】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の断面図を示す。図１において、キャリア密度５×１０17ｃｍ-3のｐ型のＧａＮで構成された第１の半導体層である半導体層１上に、この半導体層１よりも禁制帯幅の狭い、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＡｓＮで構成された膜厚１００ｎｍの第２の半導体層である半導体薄膜１ｂ、およびＮｉで構成された電極２が順次形成されている。電極２の間には、表面電流による電流リークを防ぐための絶縁膜３が設けられている。」
　ウ．「【００２６】（実施の形態４）図５は、本発明の実施の形態４における半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、実施の形態１において図１に示した半導体装置と基本的には同様のものであるが、半導体薄膜１ｂのＡｓ組成比ｘが、半導体薄膜１ｂが半導体層１に接する面において０であり、かつ半導体層１と半導体薄膜１ｂとの境界面から前記半導体薄膜と前記電極との境界面へ向かって連続的に大きくなっているという点において、半導体薄膜１ｂの全域でＡｓの組成比ｘを一定とした図１に示した半導体装置とは異なる。Ａｓの組成比ｘは、アンモニアとアルシンの流量比を徐々に変化させることにより０から０．０４まで変化させた。」
　エ．図２及び図４から、Ａｓの組成比が０．０７であるときの禁制帯幅と接触抵抗の測定値、及び、Ａｓの組成比が大きくなるにつれて、禁制帯幅が狭く、接触抵抗が小さくなるとの関係がみてとれる。
　
　したがって、上記ア〜エの記載事項からみて、先願明細書には以下の発明が記載されていると認められる。 
　「ＧａＮからなる半導体層と、該半導体層上に形成された半導体薄膜と、該半導体薄膜上に形成されたＮｉからなる電極とを有する半導体装置において、上記半導体薄膜が、ＧａＡｓxＮ1-xからなり、半導体層と半導体薄膜との境界面におけるｘは０であり、半導体薄膜と電極との境界面におけるｘは０．０４であり、かつｘが、半導体層と半導体薄膜との境界面から半導体薄膜と電極との境界面へ向かって連続的に大きくなっている半導体装置。」（以下、「先願発明」という。）
　
（３）対比
　次に、本願補正発明と先願発明とを対比すると、  
　ア．先願発明における「半導体薄膜」，「Ｎｉ」及び「半導体装置」は、それぞれ、本願補正発明における「コンタクト層」，「金属」及び「半導体素子」に相当する。
　イ．先願発明における「ＧａＮ」は、本願補正発明における「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ：但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）」の、ｘ＝０，ｙ＝１の場合に相当するものである。
　ウ．先願発明における「半導体薄膜と電極との境界面」が、本願補正発明の「コンタクト層の電極界面」に相当することは明らかである。
　エ．先願発明における「ｘが、半導体層と半導体薄膜との境界面から半導体薄膜と電極との境界面へ向かって連続的に大きくなっている」との構成を「半導体薄膜のバンドギャップ」で置き換えて表現すれば、本願補正発明の「コンタクト層のバンドギャップが、半導体層側から電極に向かって、連続的に狭くなっている」に相当するものであることは明らかである。
　
　したがって、本願補正発明と先願発明とは、
　「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ：但し、ｘ＝０、ｙ＝１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された半導体からなるコンタクト層と、該コンタクト層上に形成された金属からなる電極とを有する半導体素子において、上記コンタクト層が、ＧａＡｓyＮ1-yからなり、かつ該コンタクト層のバンドギャップが、半導体層側から電極に向かって、連続的に狭くなっていることを特徴とする半導体素子。」である点で一致し、次の点で一応相違している。  
　
　［相違点］  
・相違点１
　本願補正発明では、コンタクト層の半導体層界面におけるｙは「０＜ｙ」であるのに対して、先願発明では「ｙ＝０」である点。
・相違点２
　本願補正発明では「コンタクト層の電極界面におけるｙは０．１」であるのに対して、先願発明では「０．０４」である点。
　
（４）判断
　以下、上記相違点について検討する。
　ア．相違点１について
　「前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との境界面における前記第１の半導体層の禁制帯幅と前記第２の半導体層の禁制帯幅とが同一である」（上記「（２）ウ」）と記載のとおり、先願発明は、ＧａＮ（第１の半導体層）と半導体薄膜（第２の半導体層）との界面におけるバンドギャップ差が最小となる半導体薄膜のＡｓの組成比として「ｙ＝０」とするものであるが、該界面に多少のバンドギャップ差が許容されることは自明であることから、相違点１に係る「コンタクト層の半導体層界面におけるｙは「０＜ｙ」である」との事項は先願に記載されているに等しい事項であり、設計上の微差にすぎない。
　イ．上記「（２）エ」のとおり、Ａｓの組成比が０．０７であるものについて、禁制帯幅及び接触抵抗を測定していること、Ａｓの組成比が大きくなるにつれて、禁制帯幅が狭く、接触抵抗が小さくなっていること、及び、「第２の半導体層としてＩｎuＧａvＡｌ1-u-vＡｓzＮ1-z（０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｕ＋ｖ≦１、０≦ｚ≦１）」（上記「（２）ア」）と記載され、Ａｓの組成比として「０≦ｚ≦１」を開示していることから、相違点２に係る「コンタクト層の電極界面におけるｙは０．１」とする構成は先願に記載されているに等しい事項であり、設計上の微差である。
　
　したがって、本願補正発明は、先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年４月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１２月２６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。 
　「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ：但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された半導体からなるコンタクト層と、該コンタクト層上に形成された金属からなる電極とを有する半導体素子において、上記コンタクト層が、ＧａＡｓyＮ1-y（０＜ｙ＜０．２）からなり、かつ該コンタクト層のバンドギャップが、半導体層側から電極に向かって、連続的に狭くなっていることを特徴とする半導体素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）先願明細書
　原査定の拒絶の理由に引用された先願明細書、および、その記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。  
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明から「コンタクト層の電極界面におけるｙは０．１であり」との規定を省いたものである。  
　したがって、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるから、本願発明も、同様の理由により、先願明細書に記載された発明と実質的に同一である。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。  
　よって、結論のとおり審決する。