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　平成　９年特許願第１２５７６６号「集積回路のパッケージング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月　６日出願公開、特開平１０−　６４９３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成　９年　５月１５日（パリ条約による優先権主張１９９６年５月１５日、米国）の出願であって、本願の請求項１−１９のうち、その請求項１４に係る発明（以下、「本願発明１４」という。）は、平成２０年　２月　４日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１４】
　集積回路をパッケージングする方法であって、
　前記集積回路を基板に電気的に接続するステップと、
　モールドを前記基板に除去可能な態様で加えるステップであって、前記モールドと前記基板とが、空洞と少なくとも１つの覆われたチェースとを画定し、前記集積回路が前記空洞の内部に配置されるようにするステップと、
　前記覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入し、結果的に前記空洞の内部には前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるようにするステップと、
　前記モールドを前記基板から除去するステップと、
　を含むことを特徴とする方法。」
　　
　　
第２．特許法第２９条第１項第３号についての判断
１．刊行物
　原査定の拒絶の理由１，２において、本願の優先権主張の日前に国内において頒布された下記の刊行物１が引用された。
　
　刊行物１：特開平７−７４１９４号公報
　　　　　（平成１９年　７月２７日付け拒絶理由通知書の引用文献１）
　　
２．刊行物１の記載事項
　刊行物１には下記の事項が記載されている。
　
（刊１ａ）
「【０００８】【課題を解決するための手段】・・・本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、・・・樹脂系基板面および電子部品の対応・位置合わせした接続用端子同士を固定接続してモジュールを組み立てる工程と、前記組み立てたモジュールを・・・金型内に装着配置し、モールド用樹脂を金型内に圧注入して、モジュールの電子部品実装面側をモールドする工程とを具備して成ることを特徴とする。」
　
（刊１ｂ）「【００１１】【作用】本発明に係る半導体パッケージは、いわゆる片面モールド化により、緻密な封装に伴う保護・安定化などが図られる・・・また、本発明に係る半導体モジュールの製造方法によれば、片面モールドを・・・金型内に、モールド用樹脂が適度の流動性などを呈する条件、あるいは液状の樹脂（たとえばエポキシ樹脂）を用い、これを流し込むことによってモールドを行って、先行して組み立てられたモジュールの破損、たとえば端子接続部の剥離などを起こすことなく、歩留まりよく信頼性の高い半導体パッケージを得ることが可能となる。」
　
(刊１ｃ）
「【００１７】前記樹脂系基板７の一主面に、・・・前記樹脂系基板７面および電子部品８の対応・位置合わせした接続用端子7a，8a同士を・・・固定接続し、モジュールを組み立てる。・・・この状態で、前記接続用パッド7aを成す銀ペーストを熱硬化させることによって、いわゆるフリップチップボンディングが完了し、図２に断面的に示すごとく、樹脂系基板７による固定・保持ともに、電気的な接続が達成され、所望の半導体モジュールが組み立てられる。」
　
（刊１ｄ）
「【００１８】次いで、前記組み立てたモジュールを・・・、射出成型用の金型内に装着配置し、モールド用樹脂を金型内に圧注入して、モジュールの電子部品実装面側をモールドする。図３はこの工程の実施態様を模式的に示したもので、加熱装置付きの金型（上型）12aおよび加熱装置付きの金型（下型）12bから成る金型12、加圧機構13、・・・前記金型12内にモールド用樹脂を供給する樹脂供給機構15、・・・を具備して成る射出成型用の金型装置内に、前記組み立てたモジュールを装着配置する。・・・前記樹脂供給機構15内の低粘度エポキシ樹脂を、組み立てたモジュールが装着配置された射出成型用の金型装置内に供給・充填する。その後、前記金型 12a，12bの加熱装置を動作させ、金型12をモールド用樹脂の硬化温度に加熱・保持して、前記モールド樹脂を硬化させることにより、前記図１に図示した構成の半導体パッケージを得ることができる。」
　
（刊１ｅ）
「【００２０】この実施例における射出成型の場合は、モールドに用いた樹脂が比較的低粘度あるいは液状のエポキシ樹脂で、・・・流動性も向上し、モジュールの微細領域などへの樹脂浸透（進入）もスムースに進行し、緻密な充填・モールドが可能であるとともに、対応する接続用パッド7aおよび接続用バンプ8a間の脱離やＩＣチップ８の損傷などの恐れも全面的に解消される。・・・」
　
（刊１ｆ）
　刊行物１の図１には、ＩＣチップを片面実装した樹脂系基板のＩＣチップ実装側のみに樹脂系基板よりも小さい領域に対してモールド樹脂層が形成されている半導体パッケージが図示されており、また、図３には、半導体パッケージの製造工程における樹脂モールドの概要が図示されており、ＩＣチップが実装されたモジュールを、金型内の空洞に装着配置し、金型の外部にある樹脂供給機構１５から金型内の空洞にかけて樹脂が供給される通路が形成されていることが示されている。　
　
３．当審の判断
（１）刊行物１に記載の発明
　上記記載事項（刊１ａ）−（刊１ｆ）を整理すると刊行物１には、
「半導体パッケージの製造方法であって、
　配線回路を備えた樹脂系基板の一主面に、前記樹脂系基板面およびＩＣチップの対応・位置合わせした接続用端子同士を固定し、電気的な接続をしてモジュールを組み立てる工程と、
　加熱装置付きの金型（上型）および加熱装置付きの金型（下型）から成る金型、加圧機構、前記金型内にエポキシ樹脂を供給する樹脂供給機構とを具備して成る射出成型用の金型装置の金型内の空洞に前記組み立てたモジュールを装着配置し、樹脂供給機構から金型内の空洞にかけてエポキシ樹脂が供給される通路が形成される工程と、
　樹脂供給機構から金型内の空洞にかけて形成されている通路を介してエポキシ樹脂を金型内に圧注入して、モジュールのＩＣチップ実装面側をモールドする工程と、
を具備して成る半導体パッケージの製造方法」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものである。
　　
（２）対比・判断
　そこで、本願発明１４と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ＩＣチップ」、「樹脂系基板」は、本願発明１４の「集積回路」、「基板」に相当し、また、
　ア．刊行物１発明の「半導体パッケージの製造方法」は、ＩＣチップを樹脂系基板に電気的な接続をし、その周囲をモールドするものであるから、本願発明１４の「集積回路をパッケージングする方法」に相当し、
　
　イ．刊行物１発明の「配線回路を備えた樹脂系基板の一主面に、前記樹脂系基板面およびＩＣチップの対応・位置合わせした接続用端子同士を固定し、電気的な接続をして半導体モジュールを組み立てる工程」は、本願発明１４の「集積回路を基板に電気的に接続するステップ」に相当し、
　
　ウ．刊行物１の記載事項（刊１ｄ）には、樹脂モールドに際して、エポキシ樹脂の加熱硬化後は、図１の構造になる旨記載されていることから、金型が半導体パッケージから取り外されていることは明らかであるので、金型は基板に対して除去可能な態様で加えられているものである。
　また、刊行物１の図３には、加熱装置付きの金型（上型）（以下「上側の金型」という。）と、加熱装置付きの金型（下型）（以下「下側の金型」という。）と、組み立てたモジュールとで、空洞と、空洞から樹脂供給機構に通じる通路の一部（以下「覆われた溝」という。」が形成され、組み立てたモジュールとしての樹脂系基板に実装されたＩＣチップが空洞の内部に配置されていることも明示されている。
　更に、本願発明１４の「覆われたチェース」は、「モールド」と「基板」とによって「覆われた溝」であり、空洞内に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入する通路の一部である。
　したがって、刊行物１発明の「加熱装置付きの金型（上型）および加熱装置付きの金型（下型）から成る金型、加圧機構、前記金型内にエポキシ樹脂を供給する樹脂供給機構とを具備して成る射出成型用の金型装置の金型内の空洞に前記組み立てたモジュールを装着配置し、樹脂供給機構から金型内の空洞にかけてエポキシ樹脂が供給される通路が形成される工程」と、本願発明１４の「モールドを前記基板に除去可能な態様で加えるステップであって、前記モールドと前記基板とが、空洞と少なくとも１つの覆われたチェースとを画定し、前記集積回路が前記空洞の内部に配置されるようにするステップ」とは、共に「部材を前記基板に除去可能な態様で加えるステップであって、前記部材と基板を用いて、空洞と覆われた溝とを画定し、前記集積回路が前記空洞の内部に配置されるようにするステップ」の点で一致し、
　
　エ．エポキシ樹脂は、一般的には、その比較の程度にもよるが、断熱性ではなく熱伝導性を有しているものであり、一方、本願発明１４における「熱伝導性のエポキシ樹脂」は、熱伝導性において比較すべき対象物との対比或いは具体的な熱伝導度は特定されていない。
　また、刊行物１発明の「樹脂供給機構から金型内の空洞にかけて形成されている通路」は、上記ウ．のように、その一部が、「覆われた溝」である。　したがって、刊行物１発明における「エポキシ樹脂」は、本願発明１４における「熱伝導性のエポキシ樹脂」に相当するから、刊行物１発明の「樹脂供給機構から金型内の空洞にかけて形成されている通路を介してエポキシ樹脂を金型内に圧注入して、モジュールのＩＣチップ実装面側をモールドする工程」と本願発明１４の「前記覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入し、結果的に前記空洞の内部には前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるようにするステップ」とは、共に「前記覆われた溝の中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入するステップ」の点で一致し、
　
　オ．上記ウ．の摘記事項のように刊行物１の記載事項（刊１ｄ）には、樹脂モールドに際して、エポキシ樹脂の加熱硬化後は、図１の構造になる旨記載されていることから、金型が半導体パッケージから取り外されていることは明らかであるので、刊行物発明１は、「金型を前記基板から除去するステップ」を実質的に有しているから、前記刊行物発明１の「金型を前記基板から除去するステップ」と、本願発明１４の「モールドを前記基板から除去するステップ」とは、「部材を前記基板から除去するステップ」の点で一致する。
    
　そうすると、両者は、
「集積回路をパッケージングする方法であって、
　前記集積回路を基板に電気的に接続するステップと、
　部材を前記基板に除去可能な態様で加えるステップであって、前記部材と基板とを用いて、空洞と覆われた溝とを画定し、前記集積回路が前記空洞の内部に配置されるようにするステップと、
  前記覆われた溝の中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入するステップと、
　前記部材を前記基板から除去するステップ
　を含むことを特徴とする方法。」
の点で一致し、下記の点で一応相違する。
　
　相違点１
　「部材」として、本願発明１４における「モールド」に対して、刊行物１では「モールド」との名称を用いた部材は明記されておらず、また、本願発明１４では、「前記モールドと前記基板とが」、「空洞」と「少なくとも１つの覆われたチェース」とを画定するのに対して、刊行物１発明では、その点が明記されていない点。
　
　相違点２
　「前記覆われた溝の中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入するステップ」が、
　本願発明１４では、「覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入し、結果的に前記空洞の内部には前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるようにする」のに対して、刊行物１発明では、その点が明記されていない点。
　
　次に、上記相違点１、２について検討する。
　　
＜相違点１について＞
　本願発明１４に係る「モールド」は、それ自体の形状、大きさ、材質等に関し特定の構成を限定しておらず、また「モールド」を「基板に加える」との方法が特定されているものの、「モールド」と「基板」との位置決め・固定方法、「モールド」に形成された「チェース」の形状・大きさ及び「モールド」に形成された「チェース」への外部からの熱伝導性のエポキシ樹脂の注入経路及び方法、「基板」の支持手段とその支持方法等及び「モールド」を「基板に加える」ことについてその具体的な方法が、特定されていないところ、本願発明１４においては、「モールドを前記基板に加えることにより」、結果として「モールドと前記基板とが、空洞と、前記空洞から前記モールドと前記基板との外部まで延長する少なくとも１つの覆われたチェースとを画定」し、「集積回路が前記空洞の内部に配置され」ることが特定されているのみである。
　
　ここで、本件審判請求人は、平成２０年　８月１３日付手続補正書における請求の理由において、本願発明の請求項１４の発明特定事項と類似する構成を有している請求項１に係る発明について
　『引用文献１記載の発明では、金型１２は、本願発明の請求項１に記載されているように「空洞と、前記空洞から前記モールドと前記基板との外部まで延長する少なくとも１つの覆われたチェースとを画定」していない。むしろ、上側の金型１２ａと下側の金型１２ｂとは、基板とは関係なく、これら２つの部分が相互で空隙を画定するように構成されている。組み立てられたＩＣモジュールは、この金型ユニットの中に配置されて封止がなされる。』
と主張している。
　
　ところで、刊行物１の図３には、上側の金型と下側の金型からなる部材と組み立てたモジュールの樹脂系基板との各配置関係が明確には図示されていないが、少なくとも、刊行物１発明では、図１の半導体パッケージの構成のように、ＩＣチップを実装した片面にのみモールド樹脂層を形成し、モールド樹脂層が樹脂系基板よりも小さな領域となる半導体パッケージとする際には、片面のみを樹脂封止する下記周知文献１−３に記載された周知の手段が用いられていることは明らかである。
　
　片面のみを樹脂封止する周知手段としては、基板のＩＣチップを実装した側である片面側のみに樹脂を封止するために、下側の金型の上に搭載したＩＣチップ実装基板のＩＣチップ実装面側とは反対面となる側に樹脂が回らないようにするが、その際、ＩＣチップ実装側の基板の表面と上側の金型の凹部によって空洞部分を形成すると共に、上側の金型の凹部に通じる溝をＩＣチップ実装側の基板の表面で覆うことによって、当該空洞への樹脂注入のための通路の少なくとも一部を形成し、前記通路を介して空洞に樹脂を注入するものであり、刊行物１発明においても、当該周知の手段を用いていることは明らかである。
　
　即ち、刊行物１発明における「部材」のうち、上側の金型である「部材」は、樹脂系基板と共に、空洞と、覆われた溝を形成しており、下側の金型は、下側から樹脂系基板を支え、樹脂系基板と上側の金型との密着を保持する手段であり、本願発明１４においては、「モールド」を「基板」に除去可能な態様で加える際に、当該「基板」を保持・固定する手段・方法が明記されていないものの、「チェース」から樹脂を注入するためには、「モールド」と「基板」とが保持・固定されていることが必要であるところ、本願の明細書全体を通じて、「モールド」と「基板」とを保持・固定する方法・手段は説明されておらず、「モールド」と「基板」とによって形成された「チェース」に、何らの保持・固定手段も用いずに、樹脂を注入することは当業者にとって周知の方法でもないから、本願発明１４においても、その実施化に際しては、刊行物１発明の下側の金型を含めた基板を支える何らかの手段を設けることは、当然考慮されるものである。
　
　したがって、刊行物１発明における「部材」のうち、上側の金型である「部材」は、本願発明１４における「モールド」に相当し、刊行物１発明において、「上側の金型を樹脂系基板に加えることにより、前記上側の金型と前記樹脂系基板とが、空洞と少なくとも１つの覆われた溝とを画定し、ＩＣチップが前記空洞の内部に配置されるようにする」ことは前記周知技術から明らかである。
　よって、審判請求人の主張する、刊行物１発明は、「上側の金型１２ａと下側の金型１２ｂとは、基板とは関係なく、これら２つの部分が相互で空隙を画定するように構成」しているとの点は採用できない。
　
＜周知文献＞
１．周知文献１：特開平６−２７５６７０号公報
（周１ａ）「【０００３】・・・なおチップがフリップチップやタブ（ＴＡＢ）法により造られたチップの場合は、ワイヤ１６は不要である。・・。」
（周１ｂ）「【００１５】次にモールドプレス装置の動作を説明する。図３に示すように、基板２２を下型３２の上面に載置し、上型３１を下降させて下型３２の上面に接地させる。この状態でチップ２３はキャビティ３３内に位置し、またバンプ３０は孔部４１内に位置する。
【００１６】次にヒータにより樹脂４４を加熱して溶融させ、プランジャ４５を上昇させる。すると溶融した樹脂４４はゲート溝３５およびサブゲート溝３６を通過してキャビティ３３内に圧入される。」
　
２．周知文献２：特開平８−５１１６８号公報
（周２ａ）「【００１１】図３〜図６は上記モールド金型を用いてＢＧＡパッケージを樹脂モールドする様子を示す。図３はモールド金型を型開きした状態で下型２４に基板１２をセットし、・・・基板１２は吸着溝２５によってキャビティ凹部に吸着支持し、・・・ポット１８には樹脂タブレット４０を投入する。
【００１２】次いで、基板１２を下型２４と上型２６とでクランプし、溶融樹脂をプランジャー２０でキャビティ内へ圧送する。図４はプランジャー２０で溶融樹脂４２をキャビティに樹脂充填している様子を示す。・・・」
　
３．周知文献３：特開平８−８３８６６号公報
（周３ａ）「【００１５】・・・半導体素子２０と回路基板１０の配線パターンとの電気的接続はワイヤボンディングに限るものではなく、ＴＡＢテープを使用する方法、フリップチップ法による方法等が可能である。
【００１６】次に、樹脂封止工程において半導体素子２０を樹脂封止する。図１(c) はモールド金型２６ａ、２６ｂにより回路基板１０およびキャリアフレーム１２をクランプして樹脂封止する様子を示す。樹脂封止操作は半導体素子２０を搭載した回路基板１０の片面側について行うから、上型側のモールド金型２６ａにキャビティ凹部を形成し、キャリアフレーム１２の上面にランナー路２８を配置してキャビティに樹脂を充填する。図１(c) に示すようにモールド金型２６ａで回路基板１０をクランプして樹脂を充填すると、樹脂はモールド金型２６ａに設けたキャビティ凹部とキャリアフレーム１２の貫通孔１３部分（キャリアフレーム１２の厚み分）に充填されて樹脂成形される。」
　
　また、上記請求の理由において、審判請求人は、本願発明の効果として、種々の請求項に記載された態様或いは明細書中の各種実施態様に変えることができるとの次のとおりの主張をしている。
『本願発明の著しい効果として、段落［００２１］に記載されているように、「ある実施例では、モールド１８は、上述したように、図３、図１０及び図１１に示したように、基板１０上にそのまま配置されたままにされる。別の実施例では、モールド１８は、図４及び図７に示したように、基板１０から取り外される。この取り外しが行われると、集積回路１２を封止しアンダーフィルする化合物２４は、露出したままとなり、最終的なパッケージの外側の一部分を形成する」ことがある。また、請求項５、６、１０、１３及び１５のそれぞれに記載された別の実施例では、「接着剤を用いてモールドを前記基板に固定的に加える」ことが要求されている。引用文献１に記載された従来技術では、パッケージングの済んだＩＣデバイスをこのように形成することはないし、そのような技術が示唆されていることもない。』
　
　しかしながら、請求項１４に係る本願発明１４は、モールドを前記基板から除去する点までしか特定されていないから、モールドをそのままとすることは含まれておらず、また、取り外したモールドを再度、接着剤にて取り付ける等の態様は請求項１４には特定されていない。
　したがって、上記の審判請求人の効果についての主張は、特許請求の範囲の請求項１４に記載された事項に基づくものではなく、即ち本願発明１４の構成に基づくものではないから、これを採用することはできない。
　
＜相違点２について　
　本願発明１４の「前記覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入し、結果的に前記空洞の内部には前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるようにする」との構成について、本件審判請求人は、前記請求の理由において、本願発明の請求項１４の発明特定事項と類似する構成を有している請求項１に係る発明に関して、次のとおりの主張をしている。
　『引用文献１及び２には、請求項１などに記載されている「前記覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に化合物を注入し、結果的に前記空洞の内部に前記化合物が存在しない空隙が存在しなくなるようにするステップ」について・・・例えば、引用文献１の段落［００１７］には、「・・・この工程においては、前記接続用端子7a，8a同士の接合部以外の領域で、絶縁性接着剤により樹脂系基板７面とＩＣチップ８下面とを接着して、前記接続固定の補強を行ってもよい。・・・」・・・ＩＣと基板との間の空間が完全に充填され空隙が存在しなくなるとは必ずしも言えないことが示唆されている。この点から見ても、審査官による「引用文献１に記載の発明においても当然に考慮されるべき課題にすぎず、引用文献１に記載されているに等しい事項である」という指摘は根拠がない。』
　
　ところで、本願の出願当初明細書には、次の説明がなされている。
（本ａ）「【０００８】以上の理由から、必要なのは、・・・不完全なアンダーフィルの発生を減少させる、集積回路のパッケージング方法である。」
（本ｂ）「【００１０】本発明の方法に従って製造されたパッケージング済の回路においては、・・・熱伝導性のエポキシ樹脂が空洞の内部に配置されて、空洞の内部の空隙を少なくとも部分的には充填する。」
（本ｃ）「【００１１】トランスファ・モールド技術を用いてフリップチップをアンダーフィルすることによって、アンダーフィル材料が、ある程度の圧力の下で、加えられる。その結果、より迅速でより完全なアンダーフィルが生じ、従来の毛細現象によるアンダーフィル・プロセスの場合よりも少ない空隙しか残存しない傾向がある。」
（本ｄ）「【００２０】図示されているように、化合物２４は、空洞２０の中に注入されているので、基板１０と集積回路１２との間のギャップ１６を完全に充填する傾向を有する。・・・」　
　
　即ち、「不完全なアンダーフィルの発生を減少」、「空洞の内部の空隙を少なくとも部分的には充填」、「少ない空隙しか残存しない傾向」、「ギャップ１６を完全に充填する傾向」等、必ずしも完全に空隙を充填するとの具体的な説明はなされておらず、また、「空洞の内部に前記化合物が存在しない空隙が存在しなくなるようにする」ために、どの様な熱伝導性のエポキシ樹脂を、どの様に空洞の内部に、どの様な温度・圧力等の雰囲気で注入すればよいか等の具体的な説明或いは実施例が記載されていない。
　してみると、本願発明１４に係る「空洞の内部に前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるようにする」ことは、「覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂が注入」することのみで、当業者が適宜実施しうる範囲で得られる程度に空隙が存在しなくなるようにしたものである。
　
　一方、刊行物１の上記記載事項（刊１ｅ）には、「【００２０】この実施例における射出成型の場合は、モールドに用いた樹脂が比較的低粘度あるいは液状のエポキシ樹脂で、かつ金型内が真空・減圧されているため、流動性も向上し、モジュールの微細領域などへの樹脂浸透（進入）もスムースに進行し、緻密な充填・モールドが可能である・・・」との記載が有り、また、刊行物１発明の「ＩＣチップと樹脂系基板との間」もモジュールの微細領域であるから、当該「ＩＣチップと樹脂系基板との間」にも、緻密な充填・モールドが行われているものである。
　
　したがって、刊行物１発明においても、「空洞の内部に前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるように」されているものと理解するのが相当である。
　
　また、審判請求人が上記のように主張している刊行物１の「接続固定の補強を行ってもよい。」（【００１７】）との点については、必要に応じて適宜「補強を行ってもよい。」としているのであって、必ずしも補強を行わなくても良いことは明らかであり、刊行物１の上記【００２０】の記載のように、微細領域への緻密な充填・モールドを行うものであるから、刊行物１発明において、補強を行わなければ、空隙部をなくすことができないと言うことを示しているのではないことも明らかである。
　
　なお、例えば、下記周知文献４に記載されているように、フリップチップ接続においてＩＣチップと回路基板との間に樹脂を流し込みたいとの課題、また、上記「間」に予め接着剤を設けておく手順或いはＩＣチップ周囲全体への樹脂封止時に間隙も同時に流し込む手順は、適宜選択しうる手順であること、はいずれも周知である。
　
＜周知文献＞
４．周知文献４：特開平８−１７８５３公報
（周４ａ）「【０００２】【従来の技術】・・・絶縁性の回路基板２の主表上に形成された配線３０上に、・・・ＩＣチップ１がフリップチップ方式で接続され、ＩＣチップ１を機械的及び化学的に保護するために、このＩＣチップ１の他に、バンプ３や回路基板２の所要部分を、樹脂２２で封止・・・従来例がある。」
（周４ｂ）「【００１２】図１において、・・・回路基板２の主表面に、・・・電極４とＩＣチップ１の主表面上のバンプ３とがフリップチップ方式で接続され、・・・封止樹脂５は、機械的及び化学的に保護するため、・・・即ち、金属キャップ６とＩＣチップ１の一主表面との隙間や、ＩＣチップ１の他主表面と回路基板２の主表面との隙間等にも、封止樹脂５が埋められている。・・・」
（周４ｃ）「【００２３】・・・製造方法の第２の実施例・・・ＩＣチップ１の一側面に封止樹脂５をＩＣチップと回路基板２の間隙を充填するだけの必要量を供給し、５０〜７０℃に加熱する事により流動性を増加させ毛管現象によって封止する（図５（ｂ））。さらに封止樹脂５によって全体を覆う・・・」
　
　よって、本願発明１４は、上記刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　
第３．特許法第２９条の２についての判断
１．先願
　原査定の拒絶の理由３．において、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平７−１６５９２８号（特開平９−１７９１１号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）が引用された。
　　
２．先願明細書の記載事項
　先願明細書には下記の事項が記載されている。
（先願ａ）「【００４３】そして、同図（チ）に示すように、補助配線板２に半導体チップ１を搭載する。すなわち、補助配線板２の内側電極１１側に、半導体チップ１を、その電極１１と上記内側電極２１と一致するようにアライメントし、・・・接続・・・する。・・・  」
（先願ｂ）「【００４６】つぎに、補助配線板２に半導体チップ１を搭載した後、半導体チップ１の封止をトランスファ成形により行う。」
（先願ｃ）「【００４７】すなわち、図４（イ）に示すように、上下一組の成形型５ａ，５ｂを準備し、上記半導体チップ１を搭載した補助配線板２を、その半導体チップ１が成形空間（キャビティ−）５ｄ内に位置するように、上記成形型５ａ，５ｂで挟む。そして、加熱溶融したエポキシ樹脂組成物を、ゲート５ｃを通してキャビティ５ｄに圧送する。この時、本発明のエポキシ樹脂組成物は、充填剤の比表面積および粒度組成を特定していることから、極めて狭い空間である上記半導体チップ１と補助配線板との間隙に、充分に充填することができる。ついで、成形型５ａ，５ｂを加熱し、エポキシ樹脂組成物を硬化させる。このようにすると。図３（リ）に示すように、半導体チップ１と補助配線板２との間隙を含む半導体チップ１の全面が封止されるようになる。そして、トランスファ成形によるため、パッケージの形状、特に半導体チップと補助配線板との間隙の封止形状が良好なものとなる。なお、同図において、３および４は、ともにエポキシ樹脂組成物の硬化体である。」
（先願ｄ）「【００４８】また、図４（ロ）に示す成形型６ａ，６ｂを使用してもよい。同図において、図４（イ）と同一部分には同一符号を付している。この成形型では、上型６ａのゲート６ｃの吐出口が、半導体チップ１の側面側に位置している。」
（先願ｅ）「【００５６】【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置は、トランスファ成形により、充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化体で少なくとも半導体チップと補助配線板との間隙を封止したものである。・・・エポキシ樹脂組成物の溶融粘度がトランスファ成形に適した範囲となり、・・・上記間隙へのエポキシ樹脂組成物の充填を充分に行うことが可能となる。・・・この結果、本発明の半導体装置は、エポキシ樹脂組成物の硬化体により、半導体チップ回路形成面および電気的接続部が充分に保護されているため、信頼性が優れたものとなる。」
（先願ｆ）上記（先願ｃ）の記載を参酌すれば、図４（ロ）には、成形型６ｂの上に、半導体チップが搭載された補助配線基板２が載置され、当該補助配線基板２の上に、凹部が形成された成形型６ａが配置されることで、上成形型６ａと補助配線基板２とにより形成された成形空間及び成型空間に通じるゲート６ｃが形成され、当該成型空間内に半導体チップが配置されることが示されている。
　
３．当審の判断
（１）先願明細書に記載された発明
　上記記載事項（先願ａ）−（先願ｆ）を整理すると先願明細書には、
「半導体装置の製法であって、
　補助配線板の内側電極側に、半導体チップを、その電極と上記内側電極と一致するように接続し、
　凹部が形成された上側の成形型及び補助配線基板を載置する下側の成形型を準備し、下側の成形型の上に、半導体チップが接続された前記補助配線基板が載置され、当該補助配線基板の上に凹部が形成された上側の成形型が配置されることで、上側の成形型と補助配線基板とにより成型空間と当該成型空間に通じるゲートを形成し、前記空間内に半導体チップが配置され、
　加熱溶融したエポキシ樹脂組成物を、ゲートを通して成型空間に圧送し、これにより、半導体チップと補助配線板との間隙を含む半導体チップの全面が封止される、
ことを特徴とする製法」
に関する発明（以下、「先願発明」という。）が、記載されているものである。
　　
（２）対比・判断
　本願発明１４と先願発明とを対比すると、先願発明の「半導体チップ」、「補助配線板」、「エポキシ樹脂組成物」は、本願発明１４の「集積回路」、「基板」、「エポキシ樹脂」に相当し、また、
　
　ア．先願発明の「半導体装置の製法」は、半導体チップをエポキシ樹脂組成物により封止することから、本願発明１４の「集積回路をパッケージングする方法」に相当し、
　
　イ．先願発明の「補助配線板の内側電極側に、半導体チップを、その電極と上記内側電極と一致するように接続し」は、半導体チップと補助基板とを電気的に接続することであるから、本願発明１４の「前記集積回路を基板に電気的に接続するステップ」に相当し、
　
　ウ．本願発明１４において「熱伝導性」について、具体的な熱伝導率等の限定がなく、先願発明においても、特段の限定がないことから、先願発明の「エポキシ樹脂組成物」は、本願発明１４の「熱伝導性のエポキシ樹脂」に相当する。
　
　エ．先願明細書の前記記載事項（先願ｃ）には、図４（イ）の成形型５ａ，５ｂを加熱し、エポキシ樹脂組成物を硬化させると、図３（リ）に示されている状態になることが記載されており、これは、先願発明においても、慣用的なトランスファ成形と同様に、樹脂の硬化処理前・後において型と基板とを設置及び分離することが説明されているものであり、また、図４（ロ）の成形型を用いた場合にも同様であることは明らかである。
  また、先願明細書の図４（ロ）から、先願発明の「成形空間」と「ゲート」は、補助配線基板の上に、上側の成形型の凹部が重なることで、形成されるものであるから、それぞれ本願発明１４の「空洞」及び「覆われたチェース」に相当する。
　そして、本願発明１４のモールドについては、形状、大きさ、材質及び基板への配置・固定方法等具体的な構成が特定されておらず、モールドと基板とで、空洞及びチェースを形成し、熱伝導性のエポキシ樹脂が注入されることが特定されているのであるから、先願発明の上側の成形型は、本願発明１４の「モールド」に相当する。
　したがって、先願発明の「助配線基板の上に凹部が形成された上側の成形型が配置される」は、本願発明１４の「モールドを前記基板に除去可能な態様で加えるステップ」に相当する。
　
　オ．先願発明は、「半導体チップと補助配線板との間隙を含む半導体チップの全面が封止される」ことから、先願発明の成形空間に注入された加熱溶融されたエポキシ樹脂組成物は、成形空間内において、エポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しないようにされているものであり、本願発明１４の「前記空洞の内部には前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるようにする」事に相当する。
　
　カ．上記摘記事項エ．のように、先願明細書には、樹脂の硬化処理後において、型と基板とを分離することから先願発明においても、本願発明１４の「モールドを前記基板から除去するステップ」を有していることは明らかである。
　
　そうすると、両者は、
「集積回路をパッケージングする方法であって、
　前記集積回路を基板に電気的に接続するステップと、
　モールドを前記基板に除去可能な態様で加えるステップであって、前記モールドと前記基板とが、空洞と少なくとも１つの覆われたチェースとを画定し、前記集積回路が前記空洞の内部に配置されるようにするステップと、
　前記覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入し、結果的に前記空洞の内部には前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるようにするステップと、
　前記モールドを前記基板から除去するステップと、
　を含むことを特徴とする方法。」
で一致し、相違点はない。
　
　なお、審判請求人は、前記請求の理由において、次の主張をしている。
１．『引用文献２記載の発明は、エポキシ樹脂自体の特定の組成に関する点が中心である。しかし、請求項１−４、７−９及び９−１３に関しては、引用文献２は、やはり、例えば、上述した請求項１の「モールドを前記基板に加えることにより、前記モールドと前記基板とが、空洞と、前記空洞から前記モールドと前記基板との外部まで延長する少なくとも１つの覆われたチェースとを画定し、前記集積回路が前記空洞の内部に配置されるようにするステップ」について、記載も示唆もない。』
２．『また、やはり上述した「接着剤を用いてモールドを前記基板に固定的に加える」点についても、記載も示唆もない。』
３．『また、引用文献１及び２には、請求項１などに記載されている「前記覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に化合物を注入し、結果的に前記空洞の内部に前記化合物が存在しない空隙が存在しなくなるようにするステップ」についてもキャッシュサービスルーチンも示唆もない。』
　
　上記主張１については、請求項１４に係る発明の構成「モールドを前記基板に除去可能な態様で加えるステップであって、前記モールドと前記基板とが、空洞と少なくとも１つの覆われたチェースとを画定し、前記集積回路が前記空洞の内部に配置されるようにするステップ」と異なる構成に基づく主張であるから、これを採用できない。
　また、上記主張２に係る構成「接着剤を用いてモールドを前記基板に固定的に加える」点は、請求項１４に係る発明において特定されていないのであるから、これを採用することはできない。
　なお、上記主張３については、本願発明１４において「空洞の内部に前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるようにする」ことは、熱伝導性のエポキシ樹脂の特段の調整、温度管理等を行わずに「覆われたチェースの中の１つを介して前記空洞の中に熱伝導性のエポキシ樹脂を注入」することのみによってなされる程度のステップである一方、先願発明では、先願明細書の上記記載事項（先願ｃ）にも記載されているように「極めて狭い空間である上記半導体チップ１と補助配線板との間隙に、充分に充填」させるために調整した「エポキシ樹脂組成物」を用い、さらに圧送していることから、本願発明１４の「空洞の内部に前記熱伝導性のエポキシ樹脂が存在しない空隙が存在しなくなるように」されているのは明らかである。
　
　よって、本願発明１４は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明１４の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明１４は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
　
第３．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１４に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定及び特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、本願の請求項１−１３，１５−１９に係る発明については検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　　
　よって、結論のとおり審決する。