【事件の表示】
　特願２０００−３３５６９７「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月１７日出願公開、特開２００２−１４１２９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１２年１１月２日の出願であって、平成１９年４月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月１８日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成２１年１０月３０日付けで審尋がなされ、回答書が提出されなかったものである。
　
第２　平成１９年６月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定 
　
　［補正却下の決定の結論］ 
　　平成１９年６月１８日付けの手続補正を却下する。 
　
　［理由］ 
　１　補正後の本願発明 
　平成１９年６月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１ないし９を、補正後の請求項１ないし６に補正するものであり、そのうち補正前の請求項５についての補正は、補正前の請求項５を補正後の請求項１として、 
「【請求項１】　半導体基板に不純物を注入する工程と、前記半導体基板に主たる波長の広がりが１μｍ以下であるインコヒーレントな光を０．１ｓｅｃ以下照射して前記注入された不純物を活性化させ、この不純物で構成される不純物拡散領域を形成する工程とを備え、前記光の光源は、フラッシュランプであり、前記半導体基板は、前記インコヒーレントな光を照射する前に６５０℃以下で予備加熱され、前記予備加熱の熱源は、前記半導体基板に離間して配置されたハロゲンランプであり、且つ前記半導体基板を挟んで前記光源と対向配置されており、前記インコヒーレントな光を照射する工程において、前記光源と前記半導体基板との間に光学的開口部を持つマスクを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正するものである。 
　上記補正は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項５を独立項にするとともに、その構成に、補正後の請求項１の「前記予備加熱の熱源」が「前記半導体基板に離間して配置されたハロゲンランプであ」ることを限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　そこで、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　
　２　独立特許要件について 
（１）刊行物に記載された発明 
　（ア）刊行物１：特開昭５７−２０７３４５号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１には、「光照射アニール装置」（発明の名称）に関して、第１図ないし第３図とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線「
　
　
「本発明は、光照射アニール装置、特にイオン注入を行なった半導体基板表面の結晶性回復のための光照射アニールをなす際に該基板表面を加熱するための赤外線照射を行う装置に関する。」（第１頁左下欄第１３〜１６行）
「本願の発明者は
光照射アニールにおいてイオン注入層の回復或いは活性化を計るには、基板表面を適当な温度（300〜500℃）に予備加熱しておくと効果的である
「第１図には、本願発明者の実施した実験結果の線図が示され、それは基板温度と活性化率の関係を表わす。同図において、実線ａはアニール光照射エネルギーが19Jcm−２、点線ｂは10Jcm−２の場合を、また△は電気炉アニールの場合を示す。同図を参照すると、光照射エネルギーを一定にしたとき基板温度が室温付近の場合、
100〜200μsec照射しても活性化率（注入した不純物が電気的にどの程度有効になっているかを示す量）は０に等しいが、基板温度が300〜500℃になると活性化率が80％以上になる。
　
従来の光照射アニールにおいては、第３図に示す如く、基板３の加熱には抵抗加熱ヒータ２を用い基板３の下方から加熱した上で、キセノン（Xe）ランプ１の照射を行う。
「４．図面の簡単な説明
　
第１図と第２図は厚さ50mmの酸化シリコン膜（SiO
２
）を通して、ホウ素イオン（B
+
）を100KeV、10
14
cm
-2
でシリコン基板に注入したイオン層に対する光照射および電気炉アニールの結果を示す線図。
　
　以上から、刊行物１には、 
「ホウ素イオン（B+）を注入されたシリコン基板に、抵抗加熱ヒータ２を用い、基板温度が300〜500℃になるように、基板３の下方から加熱した上で、キセノン（Xe）ランプ１の照射を100〜200μsec行い、イオン注入層の活性化を計る光照射アニール。」（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
　
　（イ）刊行物２：特開昭５５−６８６３８号公報 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２には、「半導体表面の加熱処理法」（発明の名称）に関して、第１図とともに以下の事項が記載されている。
　
「本発明は、
半導体ウエハーの一主面にキセノンランプ等の光ランプによる光をパルス照射することにより半導体表面を加熱する
　以下、本発明の実施例を説明する。
　
Xeランプ（キセノンランプ）により波長λ＝3000Å〜1μで100μ／cm
2
　1μsec，１joule／cmの光を得、これをレンズ又はミラー等を用いる一般の光学的方法により集光し、直径５インチのシリコンウエハの表面全体に一括パルス照射してウエハ表面を瞬間的に加熱する。
　又、キセノンランプのパワーが一桁程度小さい場合は、第１図にて示すように光を５mm□又は１０mm□程度の１チップ２の寸法に絞りステップアンドリピートによりシリコンウエハ１上にシリコンウエハ１上のスクライブラインとして用いるところ所謂スクライブエリア３をはずして照射する（同図４で示す場所が照射領域である）。」（第２頁左上欄第７行〜同頁右上欄第３行）
「さらに、本発明によれば光源となるキセノンランプと被照射物（シリコンウエハ等）との間にアパーチャーを用いた光整形による光分布の均一化、又はマスクを用いた図形形成によるウエハ表面の光加熱処理の図形化を計ることもできる。」（第２頁右上欄第８〜１２行）
　
　（ウ）刊行物３：特開昭６０−２５８９２８号公報 
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物３には、「半導体ウエーハの加熱装置および方法」（発明の名称）に関して、第１図、第２図、第４図、第８図及び第９図とともに以下の事項が記載されている。
　
「本発明は半導体ウエーハの加熱装置および方法に関する。」（第２頁左上欄第９〜１０行）
「この用途に利用する本発明の方法は、主にイオン−インプラント半導体ウエーハを焼なまして、イオンインプラント処理によって生じたストレスを取り除き、インプラントドウパント（implant dopants）を完全に活性化し、固相エピタキシヤルを再成長させて損傷した結晶格子構造を補修することができる。」（第２頁左上欄第１６行〜同頁右上欄第２行）
「
装置の第２の実施例の詳細な説明（第４図と第９図）
　
第４図と第９図は異なったタイプの放射熱源を使用した実施例を示している。一方の放射熱源はCWであり、他方の放射熱源はパルスまたはフラッシュ熱源である。
　上部集光罐体は、非常に好ましくは既に述べたようなカレイドスコープである。この上部集光罐体は参照番号１０ａで示されており、その壁を１１ａで、非拡散反射コーティングを１３ａで、そして端壁を１２ａで示してある。下部集光罐体（カレイドスコープ）は、前述した実施例に記載のものと同一であるが逆向きになっている。従って、同一の参照番号１０等を使用する。
　
カレイドスコープ１０ａの上端にある放射源は、参照番号４６で示されている。この放射源はパルスまたはフラッシュ放射源であり、３つのフラッシュチューブ４７が図示されている。
　
フラッシュチューブ４７は、例えばキセノンフラッシュチューブでも良く、ストロボ発光すると高出力を出し瞬間的なフラッシュ光を発する。
「ドウパントインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなます第２の方法は、ウエーハの溶融点よりかなり低い所定温度までそうしたウエーハを均一に等温加熱し、その後でウエーハの（ドウパントインプラント処理を加える）上部表面区域を速やかに熱線束加熱し、次いでウエーハを冷却する工程を備えている。熱線束加熱（この用語は、本明細書の冒頭で特定されている）は、半導体材料の溶融点付近で行なうことが望ましいが、第９図の中央領域にある立ち上がり部分で示されているように、シリコンの１４１０℃の溶融点に対しこれと同じ温度まで到達することはない。
　さらに詳しく説明すると，
第２の製法は、CW放射源によりドウパントインプラント半導体ウエーハを等温加熱する工程を備えている。前記CW放射源は、好ましくは、集光罐体（カレイドスコープが好ましい）で構成された光学系空所内に配置された石英ハロゲンランプの列である。CWランプに供給される電力は、毎秒当たり２００−５００℃（またはそれ以上）の温度上昇速度が得られるように制御される。シリコンウエーハが、８００−１１００℃のプログラム温度に達すると、次にパルスランプの列へ大電力が供給され、ウエーハのドウパントインプラント表面の温度を１２００−１４００℃まで急速に高める。
　組み合わせ方式による加熱法により、半導体ウエーハに接触してこれを汚染することなく、急速に、効率よく、しかも効果的に半導体ウェーハを加熱することができ、例えば予熱板を使用する必要がない。複式石英ハロゲンランプと複式高出力（パルス発光）ランプとを同じ空所内に設置することで、半導体材料を両方のランプにより等温熱線束加熱することができる。
　パルスランプ列のパルス発光時間は、５マイクロ秒から１０００マイクロ秒にすることができる。半導体材料のドウパントインプラント表面で吸収される熱線束エネルギは、５マイクロ秒パルス当たり0.5Ｊ／cm3から１０００マイクロ秒パルス当たり１０Ｊ／cm3までの範囲にできる。
　強調したいことは、前述しそして第９図に示した第２の製法において、この等温加熱は、当該等温加熱（パルスなし）を第８図に示すように用いた場合と比べて、低温にできるため好ましい。半導体材料の表面温度を溶融点付近まで急激に上昇できることから、焼きなまし速度を（温度と焼きなまし速度との関係が直線になる場合での焼きなまし速度よりかなり）速められる。その結果、低い等温加熱温度を利用することができる。
　例えば、等温加熱を用いて、ウエーハ全体の温度を約１１００℃まで均一に高められる。数秒後、パルス源にエネルギが加えられて立ち上がり（第９図）を形成し、ウエーハの上部表面域だけをピーク温度まで高めている。しかし、箇々の半導体材料（第９図に示す例ではシリコン）の溶融温度まで上昇することはない。パルスは、少なくともドウパントインプラント層とほぼ同じ深さ（底）までの区域を加熱し焼きなますのに必要な短いものである。パルスの持続時間は、（特に、等温加熱の後）シリコンパネルのスリップを極力少なくし、さらにウエーハの導体全体を加熱することのほとんどない充分に短いものである。ウエーハ全体を加熱することがないため、ウエーハ全体の温度は、前記実施例で説明した１１００℃から数度上昇するにすぎない。熱線束加熱を行うパルスが短かいためである。
　強調したいことは、ガリウムヒ素等の他の半導体材料のために、温度および／または時間を変えられることである。ゆっくりした（炉）焼きなましに際して蒸発が起こるため、ガリウムヒ素には大きな問題点が残されている。ガリウムヒ素では、既に述べてきた第２の製法を用いて、ほぼ蒸発の生じない比較的低い温度までウエーハを等温加熱することができる。次いで、パルスランプを用いて熱線束加熱し、（等温加熱と共に）所望の焼きなましを行う。さらに詳しく説明すると、ガリウムヒ素半導体ウエーハは、第２の製法により、当該ウエーハを約５００−６００℃の範囲の温度まで等温加熱することにより急速に焼きなまされ、次いで、約９５０−１０００℃まで温度を高める。」（第９頁左下欄第１２行〜第１０頁左下欄第１２行）
　
（２）本願補正発明と引用発明との対比・判断 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。 
　
（ａ）引用発明の「シリコン基板」、「ホウ素イオン（B+）」及び「光照射アニール」は、それぞれ本願補正発明の「半導体基板」、「不純物」及び「半導体装置の製造方法」に相当する。
（ｂ）引用発明では、「ホウ素イオン（B+）を注入されたシリコン基板」を用いることから、引用発明に、「シリコン基板」に「ホウ素イオン（B+）」を「注入」する工程が含まれていることは明らかである。
（ｃ）引用発明の「シリコン基板に、」「キセノン（Xe）ランプ１の照射を」「行い、イオン注入層の活性化を計る」ことは、本願補正発明の「前記半導体基板に」「光を」「照射して」「注入された不純物を活性化させ」ることに相当する。そして、「活性化」された「イオン注入層」が「不純物拡散領域」であることは明らかである。
（ｄ）引用発明の「抵抗加熱ヒータ２を用い、基板温度が300〜500℃になるように、基板３の下方から加熱した上で、キセノン（Xe）ランプ１の照射を」「行」うことは、本願補正発明の「前記半導体基板は、」「光を照射する前に６５０℃以下で予備加熱され」ることに相当し、引用発明の「抵抗加熱ヒータ２」は、本願補正発明の「予備加熱の熱源」に相当する。
（ｅ）刊行物１の「従来の光照射アニールにおいては、第３図に示す如く、基板３の加熱には抵抗加熱ヒータ２を用い基板３の下方から加熱した上で、キセノン（Xe）ランプ１の照射を行う。」（第２頁右上欄第７〜１０行）という記載及び第３図を参照すれば、引用発明において、「抵抗加熱ヒータ２」が、「基板３」（「シリコン基板」）を挟んで「キセノン（Xe）ランプ１」と対向配置していることは明らかである。
　
　よって、両者は、 
「半導体基板に不純物を注入する工程と、
前記半導体基板に光を照射して前記注入された不純物を活性化させ、この不純物で構成される不純物拡散領域を形成する工程とを備え、
前記半導体基板は、前記光を照射する前に予備加熱され、前記予備加熱の熱源は、前記半導体基板を挟んで前記光源と対向配置されている半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の６点で相違する。 
　
［相違点１］本願補正発明の「光」は、「主たる波長の広がりが１μｍ以下であるインコヒーレントな光」であるのに対して、引用発明では、そのような特定はされていない点。
　
［相違点２］本願補正発明では、「光を０．１ｓｅｃ以下照射して」いるのに対して、引用発明では、「キセノン（Xe）ランプ１の照射を100〜200μsec行」っている点。
　
［相違点３］本願補正発明では、「光の光源は、フラッシュランプであ」るのに対して、引用発明では、そのような特定はなされていない点。
　
［相違点４］本願補正発明は、「６５０℃以下で予備加熱され」いるのに対して、引用発明では、「基板温度が300〜500℃になるように」、「加熱し」ている点。 
　
［相違点５］本願補正発明の「予備加熱の熱源」が、「半導体基板に離間して配置されたハロゲンランプであ」るのに対して、引用発明では、「抵抗加熱ヒータ２を用い、」「基板３」を「加熱し」ている点。
　
［相違点６］本願補正発明は、「光を照射する工程において、」「光源と」「半導体基板との間に光学的開口部を持つマスクを配置する」のに対して、引用発明では、そのような特定はなされていない点。 
　
　そこで、上記相違点について検討する。 
［相違点１について］
　引用発明の「キセノン（Xe）ランプ１」は、インコヒーレントな光源であると認められる。また、刊行物２には、「半導体表面の加熱処理法」（発明の名称）に関して、「Xeランプ（キセノンランプ）により波長λ＝3000Å〜1μ・・・の光を得、これを・・・直径５インチのシリコンウエハの表面全体に一括パルス照射してウエハ表面を瞬間的に加熱する」（第２頁左上欄第１１〜１６行）ことが記載されており、引用発明の「キセノン（Xe）ランプ１」において、刊行物２に記載されたような波長を採用し、本願補正発明のように「主たる波長の広がりが１μｍ以下である」「光」を照射することは、当業者が適宜なし得たことである。 
　
［相違点２について］
　引用発明と本願補正発明とは、「光」を「100〜200μsec」の範囲で照射している点で、一致している。そして、本願明細書には、「・・・前記半導体基板に主たる波長の広がりが１μｍ以下であるインコヒーレントな光を１秒以下、
好まししくは０．１秒以下、
照射時間が短い程半導体基板の結晶を痛めず、拡散を抑止することが良好になる。
1μsec
　
［相違点３について］
　半導体装置の製造工程において、ミリ秒単位のパルス光を照射して加熱処理を行う場合に、フラッシュランプを使用することは周知技術であり（例えば、以下の周知例１を参照）、引用発明において「100〜200μsec」の「照射」をおこなう「キセノン（Xe）ランプ１」が「フラッシュランプ」であるかどうかは明らかではないものの、このようなランプとして「フラッシュランプ」を使用し、本願補正発明のように、「光の光源」を「フラッシュランプ」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　周知例１（刊行物３）：特開昭６０−２５８９２８号公報には、第１図、第２図、第４図及び第９図とともに、以下の記載がなされている。
　「
装置の第２の実施例の詳細な説明（第４図と第９図）
　
第４図と第９図は異なったタイプの放射熱源を使用した実施例を示している。一方の放射熱源はCWであり、他方の放射熱源はパルスまたはフラッシュ熱源である。
　上部集光罐体は、非常に好ましくは既に述べたようなカレイドスコープである。この上部集光罐体は参照番号１０ａで示されており、その壁を１１ａで、非拡散反射コーティングを１３ａで、そして端壁を１２ａで示してある。下部集光罐体（カレイドスコープ）は、前述した実施例に記載のものと同一であるが逆向きになっている。従って、同一の参照番号１０等を使用する。
　
カレイドスコープ１０ａの上端にある放射源は、参照番号４６で示されている。この放射源はパルスまたはフラッシュ放射源であり、３つのフラッシュチューブ４７が図示されている。
　
［相違点４について］
　引用発明と本願補正発明とは、「300〜500℃」の温度範囲で基板を予備加熱している点で、一致している。そして、本願明細書には、「
前記半導体基板は、前記インコヒーレントな光を照射する前に６５０℃以下、好ましくは６００℃以下で予備加熱しておくようにしても良い。
　
［相違点５について］
　刊行物３には、「ドウパントインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなます」方法として、「光学系空所内に配置された石英ハロゲンランプの列である」「CW放射源によりドウパントインプラント半導体ウエーハを等温加熱」し、「シリコンウエーハが、８００−１１００℃のプログラム温度に達すると、次にパルスランプの列へ大電力が供給され、ウエーハのドウパントインプラント表面の温度を１２００−１４００℃まで急速に高める」ことが記載されており、この「石英ハロゲンランプ」による「等温加熱」は、上記「ドウパントインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなます」方法における一連の加熱処理の中の「予備加熱」といえるから、引用発明における「抵抗加熱ヒータ２」に換えて、刊行物３に記載された「石英ハロゲンランプ」を用い、本願補正発明のように、「予備加熱の熱源」が、「半導体基板に離間して配置されたハロゲンランプである」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点６について］
　半導体基板の加熱方法において、光源と半導体基板との間に光学的開口部を有するマスクを配置することは、以下の周知例２ないし４にも示されるように周知技術であるから、引用発明において、本願補正発明のように「光を照射する工程において、」「光源と」「半導体基板との間に光学的開口部を持つマスクを配置する」ことは、単なる設計事項である。
　
　周知例２（刊行物２）：特開昭５５−６８６３８号公報には、以下の記載がなされている。
　「さらに、本発明によれば光源となるキセノンランプと被照射物（シリコンウエハ等）との間にアパーチャーを用いた光整形による光分布の均一化、又は
マスクを用いた図形形成によるウエハ表面の光加熱処理の図形化を計ることもできる。
 
　周知例３：特開平１０−２２３５４９号公報には、図２、図３とともに、以下の記載がなされている。
　「（作用）上記した本発明のランプアニール装置によれば、各ランプユニットの光源から放射される平行な光はレンズを通過し被アニール物上に均一に照射される。また、
前記レンズの近傍に設けるマスクは、被アニール物上の照射領域を限定する作用をする。
光源１から放射する光１６、１６ａの通過を限定する開口部２４を有する金属製のマスク４
　
　周知例４：特開２０００−７７３４９号公報には、図１とともに、以下の記載がなされている。
　「図１は本発明の第１の実施の形態に係る加熱装置の構成を表すものである。この加熱装置は、石英管１１の外側の上部に、光源として、放物面反射鏡２０ａを備えた均一照射の赤外線ランプ２０を複数個（ここでは３個）配設した構成を有している。石英管１１の内部には、サセプタ１２を介してイオン注入された半導体ウェハ１３が配置されている。半導体ウェハ１３は、例えば、ロジック部分とＤＲＡＭ部分を含むＤＲＡＭ混載ロジックのＬＳＩが形成されたものであり、前述のように、高温の熱処理はＤＲＡＭ部分のみに必要であり、ロジック部分には必要ではない。」（【００１５】）、「
サセプタ１２の上部には、半導体ウェハ１３の全体を覆う大きさのマスク１４が配置されている。マスク１４は、耐熱性の遮光基板、例えばタングステンにより形成されており、半導体ウェハ１３の加熱が必要な部分（ＤＲＡＭ部分）に対応して開口１４ａが設けられている。
本実施の形態では、３つの赤外線ランプ２０から、石英管１１の内部の半導体ウェハ１３の全体に向けて赤外線２０ｂが照射されるが、マスク１４が介在しているため、開口１４ａ以外の部分では赤外線２０ｂが遮光される。従って、半導体ウェハ１３の特定部分（ＤＲＡＭ部分）にのみ赤外線が照射され、これによりＤＲＡＭ部分が選択的に加熱される。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　３　むすび 
　以上のとおり、請求項１についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明 
　平成１９年６月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１９年２月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。　
「【請求項１】　半導体基板に不純物を注入する工程と、前記半導体基板に主たる波長の広がりが１μｍ以下であるインコヒーレントな光を０．１ｓｅｃ以下照射して前記注入された不純物を活性化させ、この不純物で構成される不純物拡散領域を形成する工程とを備え、前記光の光源は、フラッシュランプであり、前記半導体基板は、前記インコヒーレントな光を照射する前に６５０℃以下で予備加熱され、前記予備加熱の熱源は、前記半導体基板を挟んで前記光源と対向配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第４　刊行物に記載された発明 
　刊行物１、２の記載事項及び引用発明は、上記「第２　２（１）」で認定したとおりである。
　 
第５　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（ａ）引用発明の「シリコン基板」、「ホウ素イオン（B+）」及び「光照射アニール」は、それぞれ本願発明の「半導体基板」、「不純物」及び「半導体装置の製造方法」に相当する。
（ｂ）引用発明では、「ホウ素イオン（B+）を注入されたシリコン基板」を用いることから、引用発明に、「シリコン基板」に「ホウ素イオン（B+）」を「注入」する工程が含まれていることは明らかである。
（ｃ）引用発明の「シリコン基板に、」「キセノン（Xe）ランプ１の照射を」「行い、イオン注入層の活性化を計る」ことは、本願発明の「前記半導体基板に」「光を」「照射して」「注入された不純物を活性化させ」ることに相当する。そして、「活性化」された「イオン注入層」が「不純物拡散領域」であることは明らかである。
（ｄ）引用発明の「抵抗加熱ヒータ２を用い、基板温度が300〜500℃になるように、基板３の下方から加熱した上で、キセノン（Xe）ランプ１の照射を」「行」うことは、本願発明の「前記半導体基板は、」「光を照射する前に６５０℃以下で予備加熱され」ることに相当し、引用発明の「抵抗加熱ヒータ２」は、本願発明の「予備加熱の熱源」に相当する。
（ｅ）刊行物１の「従来の光照射アニールにおいては、第３図に示す如く、基板３の加熱には抵抗加熱ヒータ２を用い基板３の下方から加熱した上で、キセノン（Xe）ランプ１の照射を行う。」（第２頁右上欄第７〜１０行）という記載及び第３図を参照すれば、引用発明において、「抵抗加熱ヒータ２」が、「基板３」（「シリコン基板」）を挟んで「キセノン（Xe）ランプ１」と対向配置していることは明らかである。
　
　よって、両者は、 
「半導体基板に不純物を注入する工程と、
前記半導体基板に光を照射して前記注入された不純物を活性化させ、この不純物で構成される不純物拡散領域を形成する工程とを備え、
前記半導体基板は、前記光を照射する前に予備加熱され、前記予備加熱の熱源は、前記半導体基板を挟んで前記光源と対向配置されている半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の４点で相違する。 
　
［相違点７］本願発明の「光」は、「主たる波長の広がりが１μｍ以下であるインコヒーレントな光」であるのに対して、引用発明では、そのような特定はされていない点。
　
［相違点８］本願発明では、「光を０．１ｓｅｃ以下照射して」いるのに対して、引用発明では、「キセノン（Xe）ランプ１の照射を100〜200μsec行」っている点。
　
［相違点９］本願発明では、「光の光源は、フラッシュランプであ」るのに対して、引用発明では、そのような特定はなされていない点。
　
［相違点１０］本願発明は、「６５０℃以下で予備加熱され」いるのに対して、引用発明では、「基板温度が300〜500℃になるように」、「加熱し」ている点。 
　
　そこで、上記相違点について検討する。 
［相違点７について］
　引用発明の「キセノン（Xe）ランプ１」は、インコヒーレントな光源であると認められる。また、刊行物２には、「半導体表面の加熱処理法」（発明の名称）に関して、「Xeランプ（キセノンランプ）により波長λ＝3000Å〜1μ・・・の光を得、これを・・・直径５インチのシリコンウエハの表面全体に一括パルス照射してウエハ表面を瞬間的に加熱する」（第２頁左上欄第１１〜１６行）ことが記載されており、引用発明の「キセノン（Xe）ランプ１」において、刊行物２に記載されたような波長を採用し、本願発明のように「主たる波長の広がりが１μｍ以下である」「光」を照射することは、当業者が適宜なし得たことである。 
　
［相違点８について］
　引用発明と本願発明とは、「光」を「100〜200μsec」の範囲で照射している点で、一致している。そして、本願明細書には、「・・・前記半導体基板に主たる波長の広がりが１μｍ以下であるインコヒーレントな光を１秒以下、
好まししくは０．１秒以下、
照射時間が短い程半導体基板の結晶を痛めず、拡散を抑止することが良好になる。
1μsec
　
［相違点９について］
　半導体装置の製造工程において、ミリ秒単位のパルス光を照射して加熱処理を行う場合に、フラッシュランプを使用することは周知技術であり（例えば、以下の周知例１を参照）、引用発明において「100〜200μsec」の「照射」をおこなう「キセノン（Xe）ランプ１」が「フラッシュランプ」であるかどうかは明らかではないものの、このようなランプとして「フラッシュランプ」を使用し、本願発明のように、「光の光源」を「フラッシュランプ」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　周知例１（刊行物３）：特開昭６０−２５８９２８号公報には、第１図、第２図、第４図及び第９図とともに、以下の記載がなされている。
　「
装置の第２の実施例の詳細な説明（第４図と第９図）
　
第４図と第９図は異なったタイプの放射熱源を使用した実施例を示している。一方の放射熱源はCWであり、他方の放射熱源はパルスまたはフラッシュ熱源である。
　上部集光罐体は、非常に好ましくは既に述べたようなカレイドスコープである。この上部集光罐体は参照番号１０ａで示されており、その壁を１１ａで、非拡散反射コーティングを１３ａで、そして端壁を１２ａで示してある。下部集光罐体（カレイドスコープ）は、前述した実施例に記載のものと同一であるが逆向きになっている。従って、同一の参照番号１０等を使用する。
　
カレイドスコープ１０ａの上端にある放射源は、参照番号４６で示されている。この放射源はパルスまたはフラッシュ放射源であり、３つのフラッシュチューブ４７が図示されている。
　
［相違点１０について］
　引用発明と本願発明とは、「300〜500℃」の温度範囲で基板を予備加熱している点で、一致している。そして、本願明細書には、「
前記半導体基板は、前記インコヒーレントな光を照射する前に６５０℃以下、好ましくは６００℃以下で予備加熱しておくようにしても良い。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。