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　平成１１年特許願第１９１３５５号「透明タッチパネル用透明導電膜、透明タッチパネル」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年３月２１日出願公開、特開２０００−８１９５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年７月６日の出願であって、平成１８年７月３日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された次のとおりの「透明タッチパネル用透明導電膜及び透明タッチパネル」に関するものと認める。
「【請求項１】（１）電極基板上に金属酸化物からなる透明導電膜が形成された下部電極と上部電極とがスペーサを介して積層された透明タッチパネルの少なくとも一方の電極を構成する透明導電膜において、
（２）表面形状を構成する粒子の集合体の断面が略台形もしくは略矩形を呈するように構成され、
（３）表面形状における算術平均粗さ（Ｒａ）が０．４ｎｍ≦Ｒａ≦４．０ｎｍであり、
（４）自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が０．６ｎｍ≦Ｒｍｓ≦３．０ｎｍであることを特徴とする透明タッチパネル用透明導電膜。
（なお、上記の番号（１）ないし（４）は、説明の都合により付したものである。）
【請求項２】前記金属酸化物が酸化インジウム−酸化スズ膜より構成され、かつ、
　表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径（Ｒ）が４０ｎｍ≦Ｒ≦２００ｎｍであり、
　前記算術平均粗さ（Ｒａ）が０．４ｎｍ≦Ｒａ≦３．０ｎｍであり、
　前記自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が０．６ｎｍ≦Ｒｍｓ≦２．０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の透明タッチパネル用透明導電膜。
【請求項３】前記金属酸化物がフッ素あるいはアンチモン添加の酸化スズ膜より構成され、かつ、
　表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径（Ｒ）が８０ｎｍ≦Ｒ≦４００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の透明タッチパネル用透明導電膜。
【請求項４】上記表面形状において、Ｒｐは中心線深さを表し、Ｒｍａｘは最大粗さを表すとき、上記表面形状を表現するパラメーター（Ｒｐ／Ｒｍａｘ）を０．５５以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の透明タッチパネル用透明導電膜。
【請求項５】ゾル−ゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法で形成された請求項１〜４のいずれかに記載の透明タッチパネル用透明導電膜。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の透明タッチパネル用透明導電膜が、上記下部電極と上記上部電極の少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成するようにした透明タッチパネル。
【請求項７】請求項１〜５のいずれかに記載の透明タッチパネル用透明導電膜が、上記下部電極と上記上部電極の両方の電極基板にそれぞれ設けられて当該電極をそれぞれ構成するようにした透明タッチパネル。」
　
２　当審における拒絶理由の概要
　当審において、平成１８年４月２７日付けで通知した拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
「［理由１］
（１）本願請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明からみて「電極基板上に金属酸化物からなる透明導電膜が形成された下部電極と上部電極とがスペーサを介して積層された透明タッチパネルの少なくとも一方の電極を構成する透明導電膜において、表面形状における算術平均粗さ（Ｒａ）が０．４ｎｍ≦Ｒａ≦４．０ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が０．６ｎｍ≦Ｒｍｓ≦３．０ｎｍであることを特徴とする透明タッチパネル用透明導電膜」の発明であるが、【発明の実施の形態】の記載においては、上記の発明に係る「透明タッチパネル用透明導電膜」を当業者が製造することができる程度に明確かつ十分に記載されておらず、また、出願時の技術常識に基づいて当業者が上記の発明に係る「透明タッチパネル用透明導電膜」を製造することができるということもできない。
　・・・（中略）・・・
前記「透明タッチパネル用透明導電膜」を製造する際の具体的な製造条件、製造工程、表面形状の定義、並びに、表面形状における算術平均粗さの定義及び測定する具体的な方法（段落【００６３】でいう「測定長さ（基準長さ）ｌの部分」の範囲、「粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）」とするときの関数式ｙ＝ｆ（ｘ）の求め方等）、自乗平均粗さの定義及び測定する具体的な方法（段落【００６５】【００６７】でいう「基準長さｌ」の部分の範囲、「基準長さｌ内での局部山頂の間隔の個数」であるＮの値の範囲等）等について何ら記載も示唆もされていないことから、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。
　・・・（中略）・・・
（６）本願請求項６に係る発明は、発明の詳細な説明からみて「上記表面形状において、Ｒｐは中心線深さを表し、Ｒｍａｘは最大粗さを表すとき、上記表面形状を表現するパラメーター（Ｒｐ／Ｒｍａｘ）を０．５５以下にすることによって上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状もしくは矩形形状を呈するようにした請求項１〜５のいずれかに記載の透明タッチパネル用透明導電膜」の発明であるが、【発明の実施の形態】の記載においては、上記の発明に係る「透明タッチパネル用透明導電膜」を当業者が製造することができる程度に明確かつ十分に記載されておらず、また、出願時の技術常識に基づいて当業者が上記の発明に係る「透明タッチパネル用透明導電膜」を製造することができるということもできない。
　・・・（中略）・・・
前記「透明タッチパネル用透明導電膜」を製造する際の具体的な製造条件、製造工程、表面形状を表現するパラメーター（Ｒｐ／Ｒｍａｘ）の定義、表面形状を構成する粒子の集合体の断面としての台形形状もしくは矩形形状の定義、及び、中心線深さ、最大粗さを測定する具体的な方法等について何ら記載も示唆もされていないことから、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。 
  ・・・（中略）・・・」
　
３　当審の判断
３−１　特許請求の範囲に記載の「透明タッチパネル用透明導電膜及び透明タッチパネル」は、その特許請求の範囲の請求項１の記載によれば、（１）ないし（４）の要件を有するものであり、そのうち、（２）ないし（４）の要件は、次のとおりである。
「（２）表面形状を構成する粒子の集合体の断面が略台形もしくは略矩形を呈する（以下、「（２）の要件」という。）ように構成され、
（３）表面形状における算術平均粗さ（Ｒａ）が０．４ｎｍ≦Ｒａ≦４．０ｎｍ（以下、「（３）の要件」という。）であり、
（４）自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が０．６ｎｍ≦Ｒｍｓ≦３．０ｎｍ（以下、「（４）の要件」という。）である」
　
　それに対し、本願明細書の段落【００６９】ないし【０１０９】には、実施例及び比較例として、「【００６９】
【実施例】
　以下に、上記実施形態のより具体的な実施例と、当該実施例と比較するための比較例とを示す。
【００７０】
（実施例１）
　約５μｍのアクリル系ハードコートを有した厚さ２０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、透明導電膜としてＩＴＯ膜を成膜温度１３０℃にてスパッタリング法により形成し、さらに、１５０℃前後の温度でエージングを行って、平均結晶粒径（Ｒ）が４０〜６０ｎｍの範囲に分布した透明導電フィルムを作製した。このフィルムのハードコート面に粘着層を介してあらかじめ背面に約５μｍアクリル系ハードコートを有した厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを貼り合わせた。
【００７１】
　また、両面にＳｉＯ２がディップコートされた厚さ１．１ｍｍのガラスを下部電極基板とし、基板温度２５０℃に設定し、透明導電膜として厚さ１５ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により形成した。原子間力顕微鏡（株式会社島津製作所製ＳＰＭ−９５００）により観察したところ、平均結晶粒径（Ｒ）は４０〜６０ｎｍの範囲に分布していた。
【００７２】
　上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タッチパネルを作製し、ポリアセタール製のペンに総重量２０ｇとなるように荷重を負荷し、格子状に入力したところ、線の歪や飛びもなく、安定した入力ができた。
【００７３】
　また、この透明タッチパネルに５Ｖ印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、４．６Ｖで安定した値を示した。
【００７４】
　さらに、この透明タッチパネルを６０℃、相対湿度９５％（ＲＨ）の耐湿熱試験に５００時間かけた後、同様の格子入力の試験を行ったところ、初期の状態と変わりがなかった。また、入力電圧測定を行ったところ、４．６Ｖで安定した値を示し初期値とまったく変化なく、軽タッチ入力において問題なく使用できるものであった。
【００７５】
（実施例２）
　成膜温度を１００℃とした他は実施例１と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透明導電膜を形成した。透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を測定したところ、０．４ｎｍ≦Ｒａ≦１．２ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は０．８ｎｍであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。
【００７６】
　また、インジウム、スズ比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝２０重量％になるように調整された透明導電インキ組成物を前述の薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した。
【００７７】
　ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った後、コンベア式雰囲気分離炉を用いて、２００℃〜４００℃の温度域を毎分５５℃の昇温速度で昇温し、５４０℃まで昇温し続けて酸化焼成し、引き続きコンベア式雰囲気分離炉内で水素ガスを微量含む窒素雰囲気中で５４０℃から室温に冷却することにより、厚さ１０ｎｍの透明導電膜を得た。原子間力顕微鏡（株式会社島津製作所製ＳＰＭ−９５００）により観察したところ、平均結晶粒径（Ｒ）は１０〜３０ｎｍの範囲に分布していた。
【００７８】
　さらに、透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を測定したところ、０．１５ｎｍ≦Ｒａ≦０．２９ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は０．３９ｎｍであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。
【００７９】
　上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タッチパネルを作製し、ポリアセタール製のペンに総重量２０ｇとなるように荷重を負荷し、格子状に入力したところ、線飛びもなく、線の歪も発生せず安定な入力ができた。
【００８０】
　また、この透明タッチパネルに５Ｖ印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、４．５Ｖと安定な値を示した。
【００８１】
　さらに、この透明タッチパネルを６０℃、相対湿度９５％（ＲＨ）の耐湿熱試験に５００時間かけた後、同様の格子入力の試験を行い、その後、入力電圧測定を行ったところ、４．５Ｖと初期値と同様の値を示し、軽タッチ入力においても問題ないものであった。また、１５万字の連続入力試験後の入力状態を格子入力により評価したところ、線飛びも生じなく、安定した格子を描画できた。
【００８２】
（実施例３）
　成膜温度を１５０℃、エージングを１５０℃で数時間行った他は実施例１と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透明導電膜を形成した。平均結晶粒径（Ｒ）は４０〜１００ｎｍの範囲に分布していた。透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．１ｎｍ≦Ｒａ≦２．３ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は０．９ｎｍであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。
【００８３】
　また、インジウム、スズ比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝１２重量％になるように調整された透明導電インキ組成物を、前述の薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した。
【００８４】
　ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った後、コンベア式雰囲気分離炉を用いて、２００℃〜４００℃の温度域を毎分５５℃の昇温速度で昇温し、５４０℃まで昇温し続けて酸化焼成し、引き続きコンベア式雰囲気分離炉内で水素ガスを微量含む窒素雰囲気中で５４０℃から室温に冷却することにより、厚さ２０ｎｍの透明導電膜を得た。原子間力顕微鏡（セイコー電子工業株式会社製ＳＰＩ３６００）により観察したところ、平均結晶粒径（Ｒ）は４０〜６０ｎｍの範囲に分布していた。
【００８５】
　さらに膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を測定したところ０．４≦Ｒａ≦０．８ｎｍであり、かつ自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が０．７０ｎｍであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。
【００８６】
　上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タッチパネルを作製し、ポリアセタール製のペンに総重量２０ｇとなるように荷重を負荷し、格子状に入力したところ、線飛びもなく、線の歪も発生せず安定な入力ができた。
【００８７】
　また、このタッチパネルに５Ｖ印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、４．６５Ｖと安定な値を示していた。
【００８８】
　さらに、この透明タッチパネルを６０℃、相対湿度９５％（ＲＨ）の耐湿熱試験に５００時間かけた後、同様の格子入力の試験を行い、その後、入力電圧測定を行ったところ、４．６５Ｖと初期値と同様の値を示し、軽タッチ入力においても問題ないものであった。
【００８９】
（実施例４）
　成膜温度を１００℃とした他は実施例１と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透明導電膜を形成した。透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を測定したところ、０．４ｎｍ≦Ｒａ≦１．２ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は０．８ｎｍであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。
【００９０】
　また、インジウムとスズの比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝１０重量％になるように調整した透明導電インキ組成物を、前述の薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した。
【００９１】
　ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った後、コンベア式雰囲気分離炉を用いて、２００℃〜４００℃の温度域を毎分５５℃の昇温速度で昇温し、５４０℃まで昇温し続けて酸化焼成し、引き続きコンベア式雰囲気分離炉内で水素ガスを微量含む窒素雰囲気中で５４０℃から室温に冷却することにより厚さ１０ｎｍの透明導電膜を得た。原子間力顕微鏡（株式会社島津製作所製ＳＰＭ−９５００）により観察したところ、平均結晶粒径（Ｒ）は４０〜５０ｎｍの範囲に分布していた。
【００９２】
　さらに、透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を測定したところ、０．４ｎｍ≦Ｒａ≦０．９ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は０．６７であった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。また、Ｒｐ／Ｒｍａｘが０．５０ｎｍであり、上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状を呈していた。
【００９３】
　上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タッチパネルを作製し、ポリアセタール製のペンに総重量２０ｇとなるように荷重を負荷し、格子状に入力したところ、線飛びもなく、線の歪も発生せず安定な入力ができた。
【００９４】
　また、この透明タッチパネルに５Ｖ印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、４．５５Ｖと安定な値を示した。
【００９５】
　さらに、この透明タッチパネルを６０℃、相対湿度９５％（ＲＨ）の耐湿熱試験に５００時間かけた後、同様の格子入力の試験を行い、その後、入力電圧測定を行ったところ、４．５Ｖと初期値と同様の値を示し、軽タッチ入力においても問題ないものであった。また、１５万字の連続入力試験後の入力状態を格子入力により評価したところ、線飛びも生じなく、安定した格子を描画できた。
【００９６】
（比較例１）
　エージング工程を省略したことを除いて、実施例１と同様にポリエチレンテレフタレートフィルム上に透明導電膜を形成したところ、平均結晶粒径（Ｒ）は１０〜２０ｎｍの範囲に分布した。また、両面にＳｉＯ２がディップコートされた厚さ１．１ｍｍのガラスを下部電極基板として、基板温度１５０℃に設定し、透明導電膜として厚さ１０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により形成した。原子間力顕微鏡（セイコー電子工業株式会社製ＳＰＩ３６００）により観察したところ、平均結晶粒径（Ｒ）は２０〜３０ｎｍの範囲に分布していた。
【００９７】
　上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タッチパネルを作製し、ポリアセタール製のペンに総重量２０ｇとなるように荷重を負荷し、格子状に入力したところ、線飛びはなかったものの、線の歪が発生し、安定した入力ができなかった。
【００９８】
　また、この透明タッチパネルに５Ｖ印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、４．３〜４．４Ｖと不安定な値を示した。
【００９９】
　さらに、この透明タッチパネルを６０℃、相対湿度９５％（ＲＨ）の耐湿熱試験に５００時間かけた後、同様の格子入力の試験を行ったところ、初期の状態に比べ線の歪は大きく線飛びも発生し、さらに入力不可能な場所も観察された。また、入力電圧測定を行ったところ、４．０〜４．３Ｖと初期値よりさらに低く、軽タッチ入力において使用できないものであった。
【０１００】
（比較例２）
　比較例１と同様に、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透明導電膜を形成したところ、結晶粒径（Ｒ）は１０〜２０ｎｍの範囲に分布していた。透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．１≦Ｒａ≦０．２５ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は０．５５ｎｍであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。
【０１０１】
　また、両面にＳｉＯ２がディップコートされた厚さ１．１ｍｍのガラスを下部電極基板とし、基板温度８０℃に設定し、透明導電膜として厚さ１５ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により形成した。原子間力顕微鏡（セイコー電子工業株式会社製ＳＰＩ３６００）により観察したところ、平均結晶粒径（Ｒ）は１０〜１５ｎｍの範囲に分布していた。透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．１≦Ｒａ≦０．２２ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は０．３５ｎｍであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。
【０１０２】
　上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タッチパネルを作製し、ポリアセタール製のペンに総重量２０ｇとなるように荷重を負荷し、５Ｖ印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、４．２〜４．３Ｖと不安定な値を示した。
【０１０３】
　さらに、この透明タッチパネルを６０℃、相対湿度９５％（ＲＨ）の耐湿熱試験に５００時間かけた後、同様の格子入力の試験を行ったところ、初期の状態に比べ線の歪は大きく線飛びも発生し、さらに入力不可能な場所も観察された。また、入力電圧測定を行ったところ、３．７〜４．０Ｖと初期値よりさらに低く、軽タッチ入力において使用できないものであった。また、１５万字の連続入力試験後の入力状態を格子入力により評価したところ、部分的に３．９〜４．１Ｖの箇所が検出された。
【０１０４】
（比較例３）
　実施例３と同様に、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透明導電膜を形成した。
【０１０５】
　また、透明導電インキ組成物を薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した。
【０１０６】
　ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った後、コンベア式雰囲気分離炉を用いて５００℃で焼成し、引き続きコンベア式雰囲気分離炉内で水素ガスを微量含む窒素雰囲気中で５００℃から室温に冷却することにより厚さ１０ｎｍの透明導電膜を得た。原子間力顕微鏡（セイコー電子工業株式会社製ＳＰＩ３６００）により観察したところ、平均結晶粒径（Ｒ）は１０〜３０ｎｍの範囲に分布していた。また、透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を測定したところ　０．１≦Ｒａ≦０．４ｎｍであり、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は０．３５ｎｍであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは７００ｎｍで得られた値である。
【０１０７】
　上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タッチパネルを作製し、ポリアセタール製のペンに総重量２０ｇとなるように荷重を負荷し、格子状に入力したところ、線飛びがなかったものの、線の歪が発生し、安定した入力ができなかった。
【０１０８】
　また、この透明タッチパネルに５Ｖ印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、４．３〜４．４Ｖと不安定な値を示した。
【０１０９】
　さらに、この透明タッチパネルを６０℃、相対湿度９５％（ＲＨ）の耐湿熱試験に５００時間かけた後、同様の格子入力の試験を行ったところ、初期の状態に比べ線の歪は大きく線飛びも発生し、さらに入力不可能な場所も観察された。また、入力電圧測定を行ったところ、４．０〜４．３Ｖと初期値よりさらに低く、軽タッチ入力において使用できないものであった。」が記載されている。
　
　ここで、上記実施例１として、段落【００７０】には「透明導電膜としてＩＴＯ膜を成膜温度１３０℃にてスパッタリング法により形成し、」とあるが、上記「スパッタリング法」の製造条件としては「成膜温度１３０℃」のみが記載されており、「他の製造条件」が明らかではなく、また、上記「他の製造条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「スパッタリング法」を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。また、段落【００７０】には「１５０℃前後の温度でエージングを行って、」とあるが、上記「エージング」の製造条件としては「１５０℃前後の温度」のみが記載されており、「他の製造条件」が明らかではなく、また、上記「他の製造条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「エージング」を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。
　また、上記実施例２として、段落【００７６】には「インジウム、スズ比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝２０重量％になるように調整された透明導電インキ組成物を前述の薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した」とあるが、上記「透明導電インキ組成物」の条件としては「インジウム、スズ比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝２０重量％」のみが記載されており、粘度や導電率など「他の条件」が明らかではなく、また、上記「他の条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「透明導電インキ組成物」の調製を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。また、前記「透明導電インキ組成物」をソーダガラス基板上に印刷する条件としては「薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した」のみが記載されており、印刷する際の速度や膜厚など「他の印刷条件」が明らかではなく、また、上記「他の印刷条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「印刷」を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。
　また、上記実施例３として、段落【００８２】には「成膜温度を１５０℃、エージングを１５０℃で数時間行った」とあるが、上記「エージング」の製造条件としては「１５０℃で数時間」のみが記載されており、前記「数時間」は明確でなく、「他の製造条件」が明らかではなく、また、上記「他の製造条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「エージング」を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。また、段落【００８３】には「また、インジウム、スズ比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝１２重量％になるように調整された透明導電インキ組成物を、前述の薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した」とあるが、上記「透明導電インキ組成物」の条件としては「インジウム、スズ比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝１２重量％」のみが記載されており、粘度や導電率など「他の条件」が明らかではなく、また、上記「他の条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「透明導電インキ組成物」の調製を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。また、前記「透明導電インキ組成物」をソーダガラス基板上に印刷する条件としては「薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した」のみが記載されており、印刷する際の速度や膜厚など「他の印刷条件」が明らかではなく、また、上記「他の印刷条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「印刷」を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。また、段落【００８４】には「ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った」とあるが、上記「予備乾燥」の「製造条件」が明らかではなく、また、上記「製造条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「予備乾燥」を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。
　また、上記実施例４として、段落【００９０】には「また、インジウムとスズの比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝１０重量％になるように調整した透明導電インキ組成物を、前述の薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した」とあるが、上記「透明導電インキ組成物」の条件としては「インジウムとスズの比が｛Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）｝×１００＝１０重量％」のみが記載されており、粘度や導電率など「他の条件」が明らかではなく、また、上記「他の条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「透明導電インキ組成物」の調製を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。また、前記「透明導電インキ組成物」をソーダガラス基板上に印刷する条件としては「薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、ＳｉＯ２コートした３００ｍｍ×３００ｍｍ×１．１ｍｍのソーダガラス基板上に印刷した」のみが記載されており、印刷する際の速度や膜厚など「他の印刷条件」が明らかではなく、また、上記「他の印刷条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「印刷」を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。また、段落【００９１】には「ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った」とあるが、上記「予備乾燥」の「製造条件」が明らかではなく、また、上記「製造条件」が当業者の技術常識であるともいえないから、上記「予備乾燥」を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。
　
　したがって、本願明細書には「透明タッチパネル用透明導電膜及び透明タッチパネル」の一般的な製造方法が記載されているに過ぎず、本願でいう「透明タッチパネル用透明導電膜」の（２）ないし（４）の要件を全て満たすためには、一般的な製造方法の中から、如何なる製造条件によって得られるかという、製造条件と（２）ないし（４）の要件とを結びつける記載は認められない。
　また、本願でいう「透明タッチパネル用透明導電膜」の（２）ないし（４）の要件を満たすための製造方法が、当業者の技術常識であるともいえない。
　してみれば、「透明タッチパネル用透明導電膜」の製造方法である実施例において、「透明タッチパネル用透明導電膜」の製造には、どの程度の設計変更が可能であるのか、当業者が予測することができず、（２）ないし（４）の要件のすべてを満たす「透明タッチパネル用透明導電膜」を製造するために、当業者にとって、過度の試行錯誤を強いるものといわざるを得ない。
　
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとは認められない。
　
３−２　請求人は、平成１８年７月３日付けの意見書において、
「（２）補正後の請求項１に関する明細書の記載事項
　・・・（中略）・・・
　また、この評価指標の値を有する透明タッチパネル用透明導電膜の製造方法としては、段落００５０に記載されている。段落００５０には、「ゾル−ゲル材料を塗布または印刷後、４０℃〜１００℃にて初期乾燥し、次いで２００℃〜４００℃の温度域を毎分４０℃〜６０℃の昇温速度で酸化焼成を行い、引き続き還元焼成を行うことにより、（中略）算術平均粗さ（Ｒａ）、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）も前記範囲内に収めるように制御するのが容易である。」との記載があり、算術平均粗さ（Ｒａ）及び自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）を特有の数値範囲にするための製造方法についても説明がなされている。
　
（３）上記記載が記載要件を満たしているか
　上述のように、特許法第３６条第４項及び第６項を満たしているか否かについては、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきである。
　この判断基準を本件出願書類の記載内容と比較してみるところ、請求項１に記載された発明に関し、少なくとも当業者が技術常識を参酌して請求項１にかかる透明導電膜の製造をすることができる程度の開示がなされているものと解される。そして、当該透明導電膜の表面形状も、算術平均粗さ（Ｒａ）及び自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）を評価指標とし、その計算式も開示されている。これらの評価指標は、種々の技術論文においても広く用いられている標準パラメータであり、技術論文にも具体的な測定方法まで開示されることなく用いられている。また、上記パラメータを用いた具体的数値の技術的意義についても明確に説明されている。
　本願請求項１にかかる発明は、上述のように、表面形状を断面台形などに近づけることによってより高精度の透明電極膜を形成しようとする技術的知見に基づくものであり、これらの知見に基づいて、当業者であれば、当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであることは明確である。
　上記のように特許法第３６条第４項及び第６項の趣旨は、発明の課題が解決できることを当業者において認識できるように記載しなければならないという趣旨であり、少なくとも課題を解決することができる程度に発明を特定することができる程度の開示があれば要件を満たしていると解されるべきである。
　したがって、上記補正後の請求項１の記載は、特許法第３６条第４項及び第６項に違反するものではなく、請求項１にかかる発明は特許を受けることができる。」と主張している。（第４頁第１０〜４０行）
　
　しかしながら、「ゾル−ゲル材料を塗布または印刷後、４０℃〜１００℃にて初期乾燥し、次いで２００℃〜４００℃の温度域を毎分４０℃〜６０℃の昇温速度で酸化焼成を行い、引き続き還元焼成を行う」と、「前記範囲内の平均結晶粒径（Ｒ）を容易に得ることができる。また、算術平均粗さ（Ｒａ）、自乗平均粗さ（Ｒｍｓ）も前記範囲内に収める」との具体的な因果関係が明確でないものと認める。また、前記の具体的な因果関係が技術常識であるともいえない。
　また、「表面形状を断面台形などに近づけることによってより高精度の透明電極膜を形成しようとする技術的知見に基づくものであり、これらの知見に基づいて、当業者であれば、当該発明の課題を解決できる」としているが、「ゾル−ゲル材料を塗布または印刷後、４０℃〜１００℃にて初期乾燥し、次いで２００℃〜４００℃の温度域を毎分４０℃〜６０℃の昇温速度で酸化焼成を行い、引き続き還元焼成を行う」と、前記の「表面形状」との具体的な因果関係が明確でないものと認める。また、前記の具体的な因果関係が技術常識であるともいえない。
　したがって、「少なくとも当業者が技術常識を参酌して請求項１にかかる透明導電膜の製造をすることができる程度の開示がなされているものと解される。」とする請求人の上記主張は採用することができない。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないので、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。