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　平成１１年特許願第１４６６９５号「平面形撮像装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月１８日出願公開、特開２０００−　４８７４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１１年５月２６日（優先権主張平成１０年５月２６日）の出願であって、平成１６年１月５日付け（発送日平成１６年１月１３日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年２月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１６年３月１２日付けで手続補正（平成１６年４月１日付け手続補正（方式）により方式上の不備が治癒され、以下、この方式補正されたものを「平成１６年３月１２日け手続補正書」という。）がなされ、前置審査において平成１６年４月２７日付けで拒絶の理由が通知されたものである。
　
　
２．本願発明について
　平成１６年３月１２日け手続補正書による特許請求の範囲の補正は、特許法第１７条の２第４項第３号及び４号の規定に適合するから、本願の請求項１〜１３に係る発明は、平成１６年３月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】　少なくとも外部からの入射光が透過する透光性電極と前記入射光によって信号電荷を発生する光電変換膜とからなる光電変換ターゲットを有する透光性基板と、複数の電界放出型エミッタ群を有する陰極電極と前記電界放出型エミッタ群から電子ビームを引き出すためのゲート電極を有する陰極基板と、前記電界放出型エミッタ群の中で電子を放出する電界放出型エミッタ群を任意に選択できる手段と、前記光電変換膜中の任意の場所で発生して蓄積された信号電荷を読み取り電気信号を発生する手段を備え、前記光電変換ターゲットと前記陰極基板の各外周部の間にスペーサ部材を設けて内部が高真空状態で保持されるように封着部と外囲器を有する撮像装置において、
　前記電界放出型エミッタ群から放出された電子を前記光電変換ターゲットへ効率良く到達させ、且つ前記外囲器内に存在する電子やイオンによる前記陰極基板への損傷を防護し、且つ前記電気信号に混入する雑音を低減させるためのシールド−グリッド電極を有し、
　前記ゲート電極は前記陰極電極よりも電位が高く、前記シールド−グリッド電極は前記ゲート電極よりも高い電位を印加され、電子ビームが光電変換膜に射突して該光電変換膜中に吸着されていたガスまたは／および該光電変換膜の組成物質が真空中にイオン化して放出された場合に、前記シールド−グリッド電極の電位が高い場合には該光電変換膜に再付着し、信号電荷の読み取りに寄与しなかった余剰電子が前記シールド−グリッド電極に戻って流入するように構成されたことを特徴とする平面形撮像装置。」
　
　
３．引用例に記載の発明
　前置審査の拒絶の理由に引用された本願の出願前である平成８年４月２３日に頒布された刊行物である特開平８−１０６８６９号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　
（１−１）「【００４２】＜実施例２＞図３は、本発明に係る画像素子を撮像素子とした場合の別の実施例を示す構造概略図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は一部切欠き斜視図である。図３（ａ）において参照符号２０は透光性のガラス基板を示し、この透光性のガラス基板２０上に、まず、透光性陽電極２１としてＳｎを５％含有するＩｎ２Ｏ３をスパッタリング法により１５ｎｍ堆積する。続いて、正孔注入阻止層２４としてＣｅＯ２を１５ｎｍ、光導電膜２２として非晶質Ｓｅを４μｍ、それぞれ真空中蒸着法により堆積する。次いで、電子注入阻止層兼電子ビームランディング層２６として１００ｎｍの厚さのＳｂ２Ｓ３多孔質膜を、０．２Ｔｏｒｒ程度のＡｒガス雰囲気中で蒸着法を用いて堆積することにより撮像素子の陽極部２５を形成する。陽極部２５をガラスからなる真空保持部材３１に接着剤３７を用いて固定する。なお、この接着剤３７としては、セラミック系粉体を主体として真空中で使用可能な接着剤を用いる。
【００４３】真空保持部材３１には、陽極部２５の位置を確定するために溝３８が形成されている。この溝３８により、陽極部２５と陰極アレー部１５の間隔が２００μｍと一定になると共に横方向もずれないように保持される。さらに、真空保持部材３１には、図３（ｂ）に示すように電極ピン４０が溶着されている。陽極部２５を真空保持部材３１に固定した後、透光性陽電極２１と電極ピン４０を銅線を用いて接続する。
【００４４】次に、ガラス基板１０上に、Ａｌ蒸着膜からなる平行短冊状の陰電極１２と、Ｍｏからなる円錐状の電界放出型電子源１１と、ＳｉＯ２からなる絶縁層１３と、Ｍｏ蒸着膜からなる平行短冊状のゲート電極１４と、から構成される冷陰極アレー部１５を形成する。冷陰極アレー部１５の形成は、例えば、以下のような周知の方法によって製造することができる。ガラス基板１０上にＡｌからなる陰電極１２と、ＳｉＯ２等の絶縁層１３と、Ｍｏからなるゲート電極１４とを順次スパッタリング法により堆積した後、フォトリソグラフィー技術等を用いて絶縁層１３とゲート電極１４に直径２μｍ程度の穴を空けて、陰電極１２を露出させる。次に、ゲート電極１４の上にＡｌ膜を蒸着法等により堆積するが、このときＡｌが上記穴の底に露出させた陰電極１２に付着しないようにガラス基板１０を傾ける。さらにガラス基板１０の垂直方向からＭｏをスパッタリング法等により堆積させると穴が堆積物により次第に小さくなるため、穴の中に円錐状の電界放出型電子源１１が形成される。その後、上記Ａｌ膜を化学エッチング法により除去して、冷陰極アレー部１５が形成される。本実施例では、電子源１１の間隔は１０μｍとした。
【００４５】さらに、真空保持部材３１に冷陰極アレー部１５と透光性窓３２をフリットガラス３４によってシールした後、内部を真空封止することにより撮像素子が得られる。尚、透光性窓３２とガラス基板２０との間の図３（ａ）に示した空間Ａと、ガラス基板２０とガラス基板１０との間の空間Ｂとは、適当な貫通孔又は貫通溝により連結されていることは勿論である。
【００４６】このようにして形成された撮像素子は、図３（ｂ）に示すように、各陰電極１２に接続された電子源選択回路４１、各ゲート電極１４に接続されたゲート選択回路４２、及びこれら選択回路４１，４２と電極ピン４０に接続された制御回路４３によって、冷陰極アレー部１５中の電子ビームを放出する電子源１１を任意に選択でき、所望の走査方法で動作させることができる。
【００４７】本実施例の撮像素子は、真空封止しても陽極部２５との間に応力がかからないので、多数のスペーサを挿入する必要が無い構造である。冷陰極アレー部１５と陽極部２５の間隔は、真空保持部材３１に設けた溝３８により規定されて均一であり、しかも絶縁抵抗も高いので、両者の間に実用上充分高い電圧を印加することが可能である。
【００４８】本実施例の光導電膜２２の材料である非晶質Ｓｅは、約８×１０5Ｖ／ｃｍ以上の電界を印加するとアバランシェ増倍を生じることが知られている。本実施例による撮像素子は、このような高い電界を光導電膜２２に印加するように操作することにより、高感度で使用することができる。ここで、制御回路４３によって、電子ビーム放出時の電子源１１と陽電極２１の間に、例えば４６０Ｖの電圧を印加すると、光導電膜２２に約１．１５×１０6Ｖ／ｃｍの電界が印加され、アバランシェ増倍効果によって１個の光子に対して、１０個程度の電荷対を生成し、８×１０5Ｖ以下の低電界で動作した場合と比して１０倍高感度となる。」
が記載されている。
　
　そうすると、電子源１１から電子ビームが放出されるのであるから、ゲート電極１４は陰電極１２よりも電位が高く構成されていることが読み取れる。
　
　したがって、これらの事項によると、引用例１には、次のとおりの発明、
　
「少なくとも外部からの入射光が透過する透光性陽電極２１と前記入射光によって信号電荷を発生する光導電膜２２とからなる光電変換ターゲットを有する透光性のガラス基板２０と、複数の電界放出型電子源１１を有する陰電極１２と前記電界放出型電子源１１から電子ビームを引き出すためのゲート電極１４を有するガラス基板１０と、前記電界放出型電子源１１の中で電子を放出する電界放出型電子源１１を任意に選択できる電子源選択回路４１，ゲート選択回路４２，制御回路４３と、制御回路４３を備え、前記光電変換ターゲットと前記ガラス基板１０の各外周部の間に真空保持部材３１を設けて内部が高真空状態で保持されるように溝３８及び接着剤３７と外囲器を有する撮像素子において、前記ゲート電極１４は前記陰電極１２よりも電位が高く構成されたことを特徴とする平面形撮像素子。」（以下、これを「引用例１に記載の発明」という。）
　　
が記載されているものと認める。
　
４．対比・判断
　本願発明１と引用例１に記載の発明とを対比する。
　引用例１に記載の発明における「透光性陽電極２１」、「光導電膜２２」、「透光性のガラス基板２０」、「電界放出型電子源１１」、「陰電極１２」、「ゲート電極１４」、「ガラス基板１０」、「電界放出型電子源１１の中で電子を放出する電界放出型電子源１１を任意に選択できる電子源選択回路４１，ゲート選択回路４２，制御回路４３」、「真空保持部材３１」、「溝３８及び接着剤３７」、「撮像素子」は、それぞれ、
　本願発明１における「透光性電極」、「光電変換膜」、「透光性基板」、「電界放出型エミッタ群」、「陰極電極」、「ゲート電極」、「陰極基板」、「電界放出型エミッタ群の中で電子を放出する電界放出型エミッタ群を任意に選択できる手段」、「スペーサ部材」、「封着部」、「撮像装置」に相当する。
　さらに、引用例１に記載の発明における「制御回路４３」は、電極ピン４０を介して透光性陽電極２１と接続されているから、本願発明１における「光電変換膜中の任意の場所で発生して蓄積された信号電荷を読み取り電気信号を発生する手段」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　
【一致点】
「少なくとも外部からの入射光が透過する透光性電極と前記入射光によって信号電荷を発生する光電変換膜とからなる光電変換ターゲットを有する透光性基板と、複数の電界放出型エミッタ群を有する陰極電極と前記電界放出型エミッタ群から電子ビームを引き出すためのゲート電極を有する陰極基板と、前記電界放出型エミッタ群の中で電子を放出する電界放出型エミッタ群を任意に選択できる手段と、前記光電変換膜中の任意の場所で発生して蓄積された信号電荷を読み取り電気信号を発生する手段を備え、前記光電変換ターゲットと前記陰極基板の各外周部の間にスペーサ部材を設けて内部が高真空状態で保持されるように封着部と外囲器を有する撮像装置において、前記ゲート電極は前記陰極電極よりも電位が高く構成されたことを特徴とする平面形撮像装置。」
で一致し、
　
【相違点】
　「本願発明１は、電界放出型エミッタ群から放出された電子を前記光電変換ターゲットへ効率良く到達させ、且つ外囲器内に存在する電子やイオンによる前記陰極基板への損傷を防護し、且つ電気信号に混入する雑音を低減させるためのシールド−グリッド電極を有し、
　シールド−グリッド電極はゲート電極よりも高い電位を印加され、電子ビームが光電変換膜に射突して該光電変換膜中に吸着されていたガスまたは／および該光電変換膜の組成物質が真空中にイオン化して放出された場合に、シールド−グリッド電極の電位が高い場合には該光電変換膜に再付着し、信号電荷の読み取りに寄与しなかった余剰電子が前記シールド−グリッド電極に戻って流入するように構成されているのに対して、
　引用例１に記載の発明は、そもそも、シールド−グリッド電極を有していない点」
で相違する。
　　
　そこで、上記【相違点】について検討する。
　同じく、前置審査の拒絶の理由において引用された本願の出願前である昭和５０年１１月１日に頒布された刊行物である特公昭５０−３３６０８号公報（以下、「引用例２」という。）には、
（２−１）「本発明は映像の撮像を行なう平板形の撮像装置に関するものである。」（１頁左欄３１〜３２行）
（２−２）「第３図に示すようにこれらトンネルカソード群６を形成する各ストリップ７および１０にシフトレジスタ等の行および列の順次パルス発生器１３および１４より約７Ｖの互いに逆極性のパルスを印加してトンネルカソード１２を行列に応じて順次走査してストリップのうち交叉点には約１４Ｖ、それ以外のストリップ部分には約７Ｖのバイアス電圧がかかるようにすると、」（２頁左欄４３行〜右欄６行）
（２−３）「更に、光導電ターゲット４とトンネルカソード群６との間にターゲット４と対向しこれと平行にメッシュ電極１５を配置し、第１図示のようにこのメッシュ電極１５に数１００Ｖの電圧Ｅ１をバイアスしておく。・・・本例によればトンネルカソード群６に供給される走査切換用スイッチングパルスはターゲット４の前方に配置されているメッシュ電極１５によりターゲット４に対して交流的にシールドされるので、かかるパルスがターゲット４側に混入することはない。」（２頁右欄１６行〜３５行）と記載されており、
　平面形の撮像装置に、電気信号に混入する雑音を低減させるためのメッシュ電極１５（シールド−グリッド電極に相当。）を設け、メッシュ電極１５はストリップ１０の電位７〜１４Ｖよりも高い電位数１００Ｖを印加されることが読み取れる。
　したがって、引用例１に記載の発明に、引用例２に記載の電気信号に混入する雑音を低減させるためのメッシュ電極１５を設け、メッシュ電極１５は、引用例１に記載の発明におけるゲート電極１４よりも高い電位数１００Ｖを印加されるように構成することは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、ゲート電極１４よりも高い電位をメッシュ電極１５に印加すれば、例えば、特開平９−１０６７５３号公報
　
（そこには、「【００６９】また、１１１は導電性を有する薄板（アルミニウム等）からなる電位規定板であり、行方向配線１０３上に設けられた絶縁層１２０を介して配置される。電位規定板１１１は各電子放出素子１０２の直上部を覆い、かつ各電子放出素子の電子放出部から放出される電子の軌道を遮らないように電子通過孔１１２が形成されている。
【００７０】具体的には、基板１０１とメタルバック１０９との間隔Ｈは５ｍｍとし、加速電圧Ｖａを５ｋＶ、一対の素子電極間の印加電圧Ｖｆは１４Ｖとした。電子放出素子の上部８０μｍの高さｈに厚さ５０μｍの電位規定板を配置し、長辺２２０μｍ、短辺１１０μｍの長方形の孔を、電子放出部１０２の直上部から６０μｍずれた位置に電子通過孔１１２として配置した。電子放出部の形状は長さ１００μｍの直線状であるので、この電子通過孔の大きさは電子ビームが衝突せずに通るために十分な大きさである。また電位規定板が存在しないときの素子基板からの高さｈが８０μｍの空間電位はＶａ・ｈ／Ｈ＝８０Ｖである。
【００７１】本実施形態において電位規定板に１５Ｖの電圧を与えると、スポット径が電位規定板を入れなかった場合の６０％程度になり、より高精細なディスプレイを実現できた。電位規定板に３５Ｖの電位を与えるとスポット径は電位規定板に１５Ｖの電位を与えたときと同程度で、より明るいスポットを得ることができた。電位規定板に７５Ｖの電位を与えると電位規定板を入れなかった場合と比べて、スポット系は９０％程度でスポットの明るさは減少した。これは電子ビームの一部が電位規定板に衝突しているためと考えられる。
【００７２】電位規定板に与えた電位に関わらず、イオンによる電子放出部のダメージが少なくなったため、電子放出素子の寿命が延び、また、画像形成部材と素子の間で生じる突発的な放電現象も減少することを確認した。絶縁部の帯電によるスポットずれやスポット変形も減少した。本実施形態においては、スポット径の大きさと明るさを総合的に考慮すると電位規定板に与える電位は３５Ｖの場合が最も好ましかった。
【００７３】理由は、図４に示すごとく、電位規定板の電位を徐々に変化させた場合のスポットサイズが図４の様になるからでもある。図４によれば、スポット径が最少になるのは前記電位規定板の電位を該電位規定板が存在しないときの空間電位に０．３を乗じた電位に設定した時であること、また、電位規定板の電位を低くすると電子放出の効率が低下することがわかる。そこで、本発明の電子線発生装置に於いては、前記電位規定板の電位を該電位規定板が存在しないときの空間電位に０．３を乗じた電位よりも高く設定することで電子の放出効率をあまり低下させずに且つ電子ビームを必要なスポット径に絞ることができるのである。」、
「【００４７】即ち、本発明の電子線発生装置によれば、電子放出素子の電子放出部から放出された電子は上記素子の真上方向に対して一対の素子電極のなす電界方向にずれて飛翔するのに加え、電位規定板の電位を加速電極型の電界が強くなるように設定することで電子の軌道を更に大きく上記素子の真上方向に対してずらすことができるので、電子が電位規定板に衝突することなく電子通過孔を通過することができる。一方、画像形成装置内で発生する正イオンは、電子放出素子に対してほぼ鉛直方向から入射してくる。そのため、上記正イオンは電位規定板にて遮られ、電子放出部に到達することはない。即ち、電位規定板はイオン遮蔽板として働く。また、不測の放電が生じた場合にも電子源の劣化を防止できる。」と記載されており、
　電子放出素子１０２の電極間電圧１４Ｖよりも高い電位３５Ｖを印加された電位規定板１１１は、電子放出素子１０２から放出された電子をターゲットへ効率良く到達させ、且つ外囲器内に存在する電子やイオンによる電子源への損傷を防護する効果を奏することが読み取れる。）
　
に記載されているごとく、メッシュ電極１５は、電界放出型エミッタ群から放出された電子を前記光電変換ターゲットへ効率良く到達させ、且つ外囲器内に存在する電子やイオンによる前記陰極基板への損傷を防護するものと解されるから、引用例１に記載された発明にメッシュ電極１５を適用することにより、電子ビームが光電変換膜に射突して該光電変換膜中に吸着されていたガスまたは／および該光電変換膜の組成物質が真空中にイオン化して放出された場合に、メッシュ電極１５（シールド−グリッド電極に相当。）の電位が高い場合には該光電変換膜に再付着し、信号電荷の読み取りに寄与しなかった余剰電子がメッシュ電極１５に戻って流入するように構成することは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　
　そして、本願発明１の効果は、引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が予測可能な範囲内のものである。
　
　したがって、本願発明１は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明１が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜１３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。