【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法：
（ａ）支持板上に開口部を有する第１レジスト層を形成し、前記第１レジスト層の開口部の支持板上に第１めっき膜を形成し、次いで、前記第１レジスト層を除去する工程；
（ｂ）前記支持板上に開口部を有する第２レジスト層を形成し、前記第２レジスト層の開口部の支持板上に第２めっき膜を形成し、次いで、前記第２レジスト層を除去する工程；
（ｃ）前記（ａ）、（ｂ）工程後に、前記第１および第２めっき膜と電気的に接続された配線層と絶縁層とを積層し、配線基板本体を形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記支持板を除去して前記配線基板本体の支持板除去面に前記第１および第２めっき膜を露出し、前記第１めっき膜から構成される第１電極パッドおよび前記第２めっき膜から構成される第２電極パッドを形成する工程。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、
前記第１および第２めっき膜を覆うように前記支持板上に樹脂からなる前記絶縁層を積層する工程と、
前記絶縁層に、前記第１および第２めっき膜のそれぞれに達する第１および第２ビア穴を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記第１ビア穴を介して前記第１めっき膜に接続され、前記第２ビア穴を介して前記第２めっき膜に接続される前記配線層を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の配線基板の製造方法において、
前記第１めっき膜と前記第２めっき膜が、異なる材質からなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の配線基板の製造方法において、
前記支持板はＮｉからなり、
前記第１めっき膜はＣｕからなり、
前記第２めっき膜はＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕからなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１または２記載の配線基板の製造方法において、
前記支持板上には給電層が形成されており、
前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程では、前記給電層をめっき給電部として用いることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板の製造方法において、
前記支持板はＣｕからなり、
前記給電層はＮｉからなり、
前記第１めっき膜はＣｕからなり、
前記第２めっき膜はＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕからなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程または前記（ｂ）工程では、前記支持板と前記第１または第２めっき膜との間に深さ調整膜を形成し、
前記（ｄ）工程では、前記支持板を除去した後、前記深さ調整膜を除去することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の配線基板の製造方法において、
前記支持板はＣｕからなり、
前記給電層はＮｉからなり、
前記第１めっき膜はＣｕからなり、
前記深さ調整膜はＮｉからなり、
前記深さ調整膜上の前記第２めっき膜はＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕからなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１または２記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程または前記（ｂ）工程では、前記支持板と前記第１または第２めっき膜との間に深さ調整膜を形成し、
前記（ｄ）工程では、前記支持板を除去した後、前記深さ調整膜を除去することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の配線基板の製造方法において、
前記支持板はＣｕからなり、
前記深さ調整膜はＮｉからなり、
前記深さ調整膜上の前記第１めっき膜はＣｕからなり、
前記第２めっき膜はＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕからなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の配線基板の製造方法において、
前記支持板はＮｉからなり、
前記深さ調整膜はＮｉからなり、
前記第１めっき膜はＣｕからなり、
前記深さ調整膜上の前記第２めっき膜はＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕからなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１または２記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記支持板と前記第１めっき膜との間に第１深さ調整膜を形成し、
前記（ｂ）工程では、前記支持板と前記第２めっき膜との間に第２深さ調整膜を形成し、
前記（ｄ）工程では、前記支持板および前記第２深さ調整膜を除去した後、前記第１深さ調整膜を除去することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の配線基板の製造方法において、
前記支持板はＣｕからなり、
前記第１深さ調整膜はＮｉからなり、
前記第１深さ調整膜上の前記第１めっき膜はＣｕからなり、
前記第２深さ調整膜はＣｕからなり、
前記第２深さ調整膜上の前記第２めっき膜はＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／ＣｕまたはＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕからなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記請求項１〜１３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｄ）工程後に、前記第１および前記第２めっき膜のそれぞれには異なる部品が電気的に接続されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
例えば、サブトラクティブ法によって配線基板上に電極パッドを形成する場合、銅箔表面に開口部を有するレジストパターンを形成し、その開口部から露出する銅箔をエッチングした後、レジストパターンを剥離することによって、残存した銅箔からなる電極パッドが形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の一実施形態における配線基板の製造方法は、以下の工程を含む。（ａ）支持板上に開口部を有する第１レジスト層を形成し、前記第１レジスト層の開口部の支持板上に第１めっき膜を形成し、次いで、前記第１レジスト層を除去する工程；（ｂ）前記支持板上に開口部を有する第２レジスト層を形成し、前記第２レジスト層の開口部の支持板上に第２めっき膜を形成し、次いで、前記第２レジスト層を除去する工程；（ｃ）前記（ａ）、（ｂ）工程後に、前記第１および第２めっき膜と電気的に接続された配線層と絶縁層とを積層し、配線基板本体を形成する工程；（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記支持板を除去し、前記配線基板本体の支持板除去面に前記第１および第２めっき膜を露出し、前記第１めっき膜から構成される第１電極パッドおよび前記第２めっき膜から構成される第２電極パッドを形成する工程。
ここで、前記（ｃ）工程は、以下の下位工程を含むことが好適である。前記第１および第２めっき膜を覆うように前記支持板上に樹脂からなる前記絶縁層を積層する工程；前記絶縁層に、前記第１および第２めっき膜のそれぞれに達する第１および第２ビア穴を形成する工程；前記絶縁層に、前記第１ビア穴を介して前記第１めっき膜に接続され、前記第２ビア穴を介して前記第２めっき膜に接続される前記配線層を形成する工程。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
めっき膜４は、例えば、１０〜２０μｍ程度の厚さのＣｕめっき膜である。本実施形態では、給電層５２としてＮｉめっき膜を形成しているので、めっき膜４はそれとは異なる材質のＣｕめっき膜を形成している。後工程で、Ｎｉめっき膜からなる給電層５２はエッチングによって除去されるが、その時にはめっき膜４は残存させておくので、めっき膜４には、Ｎｉめっき膜とエッチングレートの異なる材質であるＣｕめっき膜を形成している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
めっき膜４は、例えば、１０〜２０μｍ程度の厚さのＣｕめっき膜である。本実施形態では、給電層５２としてＮｉめっき膜を形成しているので、めっき膜４はそれとは異なる材質のＣｕめっき膜を形成している。後工程で、Ｎｉめっき膜からなる給電層５２はエッチングによって除去されるが、その時にはめっき膜４は残存させておくので、めっき膜４には、Ｎｉめっき膜とエッチングレートの異なる材質であるＣｕめっき膜を形成している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６３】
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