(57)【要約】【課題】発光面積が増加され光の損失を低減させる効果を達成すること。【解決手段】発光ダイオードは、エピタキシャルチップと、ｐ型電極と、ｎ型電極とを備え、前記エピタキシャルチップの上面に、表面が粗雑で輪郭がばらつきになる凹溝が複数設けられ、前記エピタキシャルチップの上面も粗雑な形状となり、前記ｐ型電極が前記エピタキシャルチップに電気的に結合して形成され、前記ｎ型電極ｎ型電極が前記エピタキシャルチップに電気的に結合して形成された。【選択図】図３
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
表面が粗雑で輪郭がばらつきになる凹溝が上面に複数設けられ、且つ、該上面も粗雑な形状となるエピタキシャルチップと、
前記エピタキシャルチップに電気的に結合して形成されたｐ型電極と、
前記エピタキシャルチップに電気的に結合して形成されたｎ型電極と、含む発光ダイオード。
【請求項２】
前記エピタキシャルチップは、ｐ型エピタキシャル層と発光層とｎ型エピタキシャル層とで上から下へ順に結合して形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記ｐ型電極が、前記ｐ型エピタキシャル層の表面に設けられたことを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記ｐ型エピタキシャル層は、アルミニウムヒ素化ガリウム層（AlGaAs P Epi Layer）であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記ｎ型電極が、前記ｎ型エピタキシャル層の底面に設けられたことを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記ｎ型エピタキシャル層は、アルミニウムヒ素化ガリウム層（AlGaAs N Epi Layer）であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、発光ダイオードに係り、特に、発光面積が増加され、光の損失を低減可能な発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
台湾では、発光ダイオードが速やかに発展されつつあり、街上の看板から携帯電話の指示ランプまでのいたるところで、伝統的な光源がLEDによって徐々に切り換えられた。原因として、単に、LEDが省電力や、使用寿命が長く、体積が小さいなどの利点を有するためである。しかしながら、発光ダイオードの完成品及び工程が安定になりつつも、欠点がまだ残されている。図４、図５は、それぞれ、従来の発光ダイオードの正面図及び平面図である。図４及び図５に示すように、該発光ダイオードは、ｐ型エピタキシャル層４１と、発光層４２と、ｎ型エピタキシャル層４３と、バッファ層４４と、基板４５と、ｐ型電極４６と、ｎ型電極４７とを含む。チップ製造方法として、基板４５上にバッファ層４４とｎ型エピタキシャル層４３と発光層４２とｐ型エピタキシャル層４１とが有機金属ＣＶＤ法により順次にエピタキシャル成長され、最後に、ｐ型電極４６とｎ型電極４７とをさらに電気的に結合させ、全工程を完了する。発光時に、発光層４２からｐ型エピタキシャル層４１の表面に光が出射し、該光が各層ごとを通過しなければならないため、光出力の経路が長くなり、且つ、光の出射面積も、ｐ型エピタキシャル層４１の表面のみとなる。
【０００３】
そのため、発光面積が向上可能となる創作をどう設計すれば良いかが、本考案の創作者が解決しようとする大きな課題である。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本考案は、エピタキシャルチップの表面に輪郭がばらつきになる凹溝が複数設けられる特殊な設計により、光出力経路を減少し発光面積が増加されることになるので、発光効率を向上する効果が達成できる発光ダイオードを提供することを目的とする。
【０００５】
本考案は、エピタキシャルチップの上面が非平坦な設計である粗雑状となることにより、臨界角が変更され、ブラッグ（bragg's）全反射が少なくなり、光の損失が低減し、光出射効果がより好適になる発光ダイオードを提供することを次の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本考案による発光ダイオードは、エピタキシャルチップと、ｐ型電極と、ｎ型電極とを備え、前記エピタキシャルチップの上面に、表面が粗雑で輪郭がばらつきになる凹溝が複数設けられ、前記エピタキシャルチップの上面も粗雑な形状となり、前記ｐ型電極が前記エピタキシャルチップに電気的に結合して形成され、前記ｎ型電極が前記エピタキシャルチップに電気的に結合して形成された。また、前記エピタキシャルチップは、ｐ型エピタキシャル層と、発光層と、ｎ型エピタキシャル層とで上から下へ順に結合して形成されることにより、発光面積が増加され光の損失を低減させる効果が達成できる。
【０００７】
本考案の特徴、特点及び技術内容をさらに深く了解を得るため、以下の本考案に係る詳細説明及び添付図面を参照すれば得られるが、前記添付図面は参考や説明のみ提供され、本考案を局限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案に係る発光ダイオードの正面図である。
【図２】本考案に係る発光ダイオードの平面図である。
【図３】本考案に係る発光ダイオードの使用状態を示す図である。
【図４】従来の発光ダイオードのの正面図である。
【図５】従来の発光ダイオードの平面図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
図１、図２は、それぞれ、本考案の発光ダイオードの正面図及び平面図である。図１及び図２に示すように、発光ダイオードは、エピタキシャルチップ１と、ｐ型電極２（p electrode）と、ｎ型電極３（n electrode）とを含む。
【００１０】
エピタキシャルチップ１の上面に、輪郭がばらつきになる凹溝１０が複数設けられ、凹溝１０の表面は粗雑状で、前記エピタキシャルチップの上面も、非平坦な設計である粗雑な形状となる。ｐ型電極２がエピタキシャルチップ１に電気的に結合して形成され、ｎ型電極３がエピタキシャルチップ１に電気的に結合して形成された。
【００１１】
エピタキシャルチップ１は、ｐ型エピタキシャル層１１と、発光層１２と、ｎ型エピタキシャル層１３とで上から下へ順に結合して形成され、ｐ型電極２がｐ型エピタキシャル層１１の表面に設けられ、ｐ型電極２がアルミニウムヒ素化ガリウム層（AlGaAs P Epi Layer）であり、ｎ型電極３がｎ型エピタキシャル層１３の底面に設けられ、ｎ型エピタキシャル層１３は、アルミニウムヒ素化ガリウム層（AlGaAs N Epi Layer）である。
【００１２】
図３は、本考案の発光ダイオードの使用状態を示す図である。図３に示すように、発光ダイオードは、エピタキシャルチップ１の上面に輪郭がばらつきになる凹溝１０をウェットエッチング法で形成し、複数の凹溝１０による面積の増加によって、発光層１２が光を出射すると、光が各凹溝１０の各々の面及びエピタキシャルチップ１から出射し、発光面積が増加される。さらに、凹溝１０と発光層１２との距離が短縮されるので、光出力経路が減少し、発光効率が有効に向上される。また、エピタキシャルチップの上面も非平坦な設計である粗雑な形状となるので、光出射の臨界角が変更され、ブラッグ全反射が少なくなり、光の損失が低減し、光出射効果がより好適になる。
【００１３】
以上のように、本考案の発光ダイオードは、以下の特徴を有する。
エピタキシャルチップの表面に輪郭がばらつきになる凹溝１０が複数設けられる特殊な設計により、光出力経路を減少し発光面積が増加されることになるので、発光効率を向上する効果が達成できる。さらに、エピタキシャルチップの上面も非平坦な設計である粗雑状となることにより、臨界角が変更され、ブラッグ全反射が少なくなり、光の損失が低減し、光出射効果がより好適になる
【００１４】
以上のように単に本考案の好ましい実施例に過ぎず、本考案の実用新案登録請求の範囲を局限するものではなく、いずれの当該分野における通常の知識を有する専門家は、本考案の分野の中で、適当に変更や修飾などを実施できるが、それらの実施が本考案の主張範囲内に納入されるべきことは言うまでもないことである。
【符号の説明】
【００１５】
１  エピタキシャルチップ
２  ｐ型電極
３  ｎ型電極
１０  凹溝
１１  ｐ型エピタキシャル層
１２  発光層
１３  ｎ型エピタキシャル層
４１  ｐ型エピタキシャル層
４２  発光層
４３  ｎ型エピタキシャル層
４４  バッファ層
４５  基板
４６  ｐ型電極
４７  ｎ型電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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