Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁界を発生するための第１の手段と、第２の磁界を発生するための第２の手段とを有し、前記第１の手段および前記第２の手段が、前記第１の磁界と前記第２の磁界との重畳を可能にするように配置されている、リニア電気機械（１０，２０）の１次側部分（２）において、
前記１次側部分（２）の一方または両方の端面に、力脈動低減のための磁束案内要素が配置されており、当該磁束案内要素（１１）は、終端歯モジュールとして構成されたものであり、当該終端歯モジュールは、少なくとも１つの磁界を発生するための手段を有する
ことを特徴とする、リニア電気機械の１次側部分。
【請求項２】
前記第１の磁界を発生するための前記第１の手段が、単相または多相の巻線として構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の、リニア電気機械の１次側部分。
【請求項３】
前記第２の磁界を発生するための前記第２の手段が、永久磁石材料として構成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の、リニア電気機械の１次側部分。
【請求項４】
前記力脈動低減のための磁束案内要素（１１）が、前記少なくとも１つの磁界を発生するための手段として、単相または多相の巻線として構成された第１の手段または永久磁石材料として構成された第２の手段を有する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の、リニア電気機械の１次側部分。
【請求項５】
前記１次側部分（２）が、予め与え得る個数の歯モジュール（４）によって構成可能であり、各前記歯モジュール（４）が、少なくとも１つの永久磁石（６）と１つの歯コイル（７）とを有する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の、リニア電気機械の１次側部分。
【請求項６】
前記１次側部分（２）の永久磁石（６，１２）が、予め与え得る磁気特性を有し、前記歯モジュール（４）および前記終端歯モジュール（１１）の永久磁石（１２，１３）が、互いに等しい磁気特性を有する
ことを特徴とする請求項５記載の、リニア電気機械の１次側部分。
【請求項７】
前記終端歯モジュール（１１）が、前記歯モジュール（４）に比べて小さい体積を持つ永久磁石（１２）を有する
ことを特徴とする請求項６記載の、リニア電気機械の１次側部分。
【請求項８】
前記１次側部分（２）の永久磁石（６，１３）が、予め与え得る磁気特性を有し、前記歯モジュール（４）の永久磁石（６）が、前記終端歯モジュール（１１）における永久磁石（１３）に比べて高い磁気特性を有する
ことを特徴とする請求項５記載の、リニア電気機械の１次側部分。
【請求項９】
相対運動可能に設けられた１次側部分と２次側部分とを有するリニア電気機械であって、
前記請求項１から８のいずれか１つに記載の１次側部分（２）と、
磁界を発生するための手段のない２次側部分（３）と
を有することを特徴とするリニア電気機械。
【請求項１０】
前記２次側部分（３）が、複数の歯およびスロットを持った歯付の鉄構造を有するものである
ことを特徴とする請求項９記載のリニア電気機械。
【請求項１１】
同期リニアモータとして構成されている
ことを特徴とする請求項９又は１０記載のリニア電気機械。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次側部分（３）と共に配置される、リニア電気機械（１０，２０）の１次側部分（２）であって、
当該１次側部分（２）が、第１の磁界を発生するための第１の手段と、第２の磁界を発生するための第２の手段とを有し、
前記第１の手段および前記第２の手段が、前記第１の磁界と前記第２の磁界との重畳を可能にするように配置されており、
当該１次側部分（２）と前記２次側部分（３）とが、第１の空隙（δ1）によって互いに隔てられており、かつ、前記第２の磁界を発生するための前記第２の手段が、永久磁石によって構成されており、
前記１次側部分（２）の一方または両方の端面に、力脈動低減のための磁束案内要素が配置され、
前記力脈動低減のための磁束案内要素が、磁界を発生する手段として永久磁石（１２）を有する
ことを特徴とするリニア電気機械の１次側部分。
【請求項２】
前記第１の磁界を発生するための第１の手段が、単相または多相の巻線として構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の１次側部分。
【請求項３】
前記１次側部分（２）が、予め与え得る個数の複数の歯モジュール（４）によって構成可能であり、各前記歯モジュール（４）が、少なくとも１つの永久磁石（６）と１つの歯コイル（７）とを有する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の１次側部分。
【請求項４】
前記力脈動低減のための磁束案内要素が、終端歯モジュール（１１）として構成されており、かつ、少なくとも１つの永久磁石（１２）を有する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の１次側部分。
【請求項５】
前記力脈動低減のための磁束案内要素が、前記第１の空隙（δ1）に加えて第２の空隙（δ2）によって２次側部分（３）から隔てられている
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の１次側部分。
【請求項６】
前記複数の歯モジュール（４）同士は、互いに第１の歯ピッチ（τ1）を有して配列されており、前記終端歯モジュール（１１）は、前記歯モジュール（４）に対して予め与え得る第２の歯ピッチ（τ2）を以て配置されており、かつ、前記第１の歯ピッチ（τ1）と前記第２の歯ピッチ（τ2）とが異なる大きさである
ことを特徴とする請求項４から５のいずれか１つに記載の１次側部分。
【請求項７】
前記終端歯モジュール（１１）が、前記歯モジュール（４）に対して異なる幾何学的形状を有する
ことを特徴とする請求項４から６のいずれか１つに記載の１次側部分。
【請求項８】
前記終端歯モジュール（１１）の、前記第１および第２の空隙（δ1，δ2）に向けられた、面またはその面に連なるエッジのうちの少なくともいずれか一方に、予め与え得る半径で丸みが付けられている
ことを特徴とする請求項７記載の１次側部分。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１つの請求項に記載されている１次側部分（２）と、磁界発生のための手段を持たない２次側部分（３）とを備えた
ことを特徴とするリニア電気機械。
【請求項１０】
前記２次側部分（３）が、複数の歯およびスロットを備えた鉄構造を有するものである
ことを特徴とする請求項９記載のリニア電気機械。
【請求項１１】
当該リニア電気機械（１０，２０）が、同期リニアモータとして構成されている
ことを特徴とする請求項９又は１０記載のリニア電気機械。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方に、トランジスタを形成し、
前記トランジスタ上方に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上方に、第１の電極を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第１の電極上方に、珪素を有する絶縁膜を形成し、
前記珪素を有する絶縁膜をエッチングし、前記第１の電極の端部を覆う領域を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第１の電極及び前記第２の絶縁層上方に、有機物を有する層を形成し、
前記有機物を有する層上方に、第２の電極を形成する表示装置の作製方法であって、
前記珪素を有する絶縁膜のエッチングは、ウェットエッチング法を用いて行い、
前記第２の絶縁層の端部は、テーパー形状を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
基板上方に、トランジスタ及び第１の配線を形成し、
前記トランジスタ及び前記第１の配線上方に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上方に、第１の電極と、第２の配線と、を形成し、
前記第１の絶縁層、前記第１の電極、及び前記第２の配線上方に、珪素を有する絶縁膜を形成し、
前記珪素を有する絶縁膜をエッチングし、前記第１の電極の端部を覆う領域及び前記第２の配線の端部を覆う領域を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第１の電極及び前記第２の絶縁層上方に、有機物を有する層を形成し、
前記有機物を有する層上方に、第２の電極を形成し、
前記第２の配線、前記第２の絶縁層、及び前記第２の電極上方に、第３の電極を形成する表示装置の作製方法であって、
前記珪素を有する絶縁膜のエッチングは、ウェットエッチング法を用いて行い、
前記第２の絶縁層の端部は、テーパー形状を有し、
前記第３の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第１の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層の端部は、角度が１０°以上６０°以下のテーパー形状を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るモータとしてのステッピングモータの正面図で、上半分の一部を断面図で、上半分の他の一部をケースが取り除かれた状態で示した図である。
【図２】図２は、図１のステッピングモータの右側面図である。
【図３】図３は、図１のステッピングモータに使用されるヨークを示す図で、図４のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図４】図４は、図３に示すヨークの平面図である。
【図５】図５は、図１のステッピングモータに使用されるヨークの極歯を示す図で、ロータ側から見た図である。
【図６】図６は、図１のステッピングモータに使用されるヨークの極歯を示す図で、励磁コイル側から見た図である。
【図７】図７は、図５および図６に示す極歯がどの方向から見たかを説明するための図である。
【図８】図８は、図１のステッピングモータにおける、極歯とマグネットとの位置関係を説明するための図である。
【図９】図９は、図１のステッピングモータによって光ピックアップを駆動したときの様子を示す図で、リニアリティの状況を説明するための図である。
【図１０】図１０は、本出願人が製造、販売している従来のステッピングモータによって光ピックアップを駆動したときの様子を示す図で、そのリニアリティの状況を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図１のステッピングモータに使用されるヨークの変形例を示す図である。
【図１２】図１２は、従来のステッピングモータのステータヨークを示す斜視図である。
【図１３】図１３は、図１２に示すステータヨークの平面図である。
【図１４】図１４は、図１２に示すステータヨークの極歯をロータ側から見たときの図であり、ステータヨークの極歯の数が４個と仮想した場合の図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
各ヨーク３の内、外ヨークは、図４に示すように、環状部２１の一部が切り欠かれた形状となっている。この切り欠かれた部分となる切り欠き部２４は、中心線２２を中心として１８０度点対称に形成されている。また、各ヨーク３には、極歯２の形成を容易にするために、各極歯２の間に切り込み部２５が形成されている。この実施の形態においては、各極歯２は、中心線２２に対する法線２６に沿う面によって極歯２の側面が形成されていない。以下、この点について述べる。なお、図４では、２本の法線２６のみを表示したが、ここで言う法線２６とは、中心線２２に対して垂直に交差する直線のことであり、実際は多数存在する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（極歯の形状について）
図４に示すように、極歯２の根元３１の側面は、法線２６に沿っていない。具体的には、根元３１を含む根元部３２は、図４および図５に示すように、その側面となる周方向面３３がロータ７に対して斜め状に対向するように形成されている。すなわち、根元部３２の周方向面３３は、ロータ７の側に向くように形成されている。従来であれば、図１３に示すように、極歯１０２の周方向面１０５がロータの中心線１０４に対して斜めに対向せず、周方向面１０５は、ロータの側に向くように形成されていない。これに対し、このステッピングモータ１では、根元部３２の周方向面３３は、ロータ７の側に向くように形成されている。これは、極歯２のロータ７に対向する内側面積と、極歯２の励磁コイル４に対向する外側面積との差が、中心線１０４に対する法線１０６に沿う面によって極歯１０２の周方向面１０５が形成された場合の差より大きくなることを意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（極歯とマグネットとの関係）
図８に、極歯２と、ロータ７のマグネット１３との位置関係を示す。図８に示すように、マグネット１３の各極の着磁幅Ｗ１１と、極歯２の内側の面における根元３１の下端の幅寸法となる周方向幅Ｗ１２とは、ほぼ同一となっている。極歯２の外側の面における環状部２１の上端と接する部分の幅寸法となる周方向幅Ｗ１３は、周方向幅Ｗ１２に比べ大きくなっている。また、周方向幅Ｗ１３は、極歯２の内側の面における環状部２１の上端位置の幅寸法である周方向幅Ｗ１４に比べると、かなり広くなっている。すなわち幅寸法の大小関係は、「Ｗ１４＜Ｗ１２＜Ｗ１３」となっている。そして、極歯２の内側の面において、着磁幅Ｗ１１より広い領域は、根元３１の図８における下端から曲線４１の中間より若干下の位置までである。すなわち、根元部３２の周方向面３３における幅方向の両端が、着磁幅Ｗ１１より広がっている領域となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011114912.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011114912.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2011114912.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）表面、および前記表面とは反対側の裏面を有する第１配線基板を用意する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記第１配線基板の前記表面に第１電子部品を搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、上面、前記上面とは反対側の下面、および前記上面から前記下面までそれぞれ貫通する複数の開口部を有するマスクを、前記第１配線基板の前記表面に配置し、複数の金属粒子を有する金属ペーストを前記マスクの前記複数の開口部のそれぞれの内部に配置する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記マスクを除去する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記（ｄ）工程により形成された複数の柱状金属ペーストを介して、表面、前記表面とは反対側の裏面、および前記表面に搭載された第２電子部品を有する第２配線基板を、前記第２配線基板の前記裏面が前記第１配線基板の前記表面と対向するように、かつ、前記第２配線基板の前記裏面に形成された複数の電極が前記第１配線基板の前記表面に形成された複数の電極および前記複数の柱状金属ペーストとそれぞれ重なるように、前記第１配線基板の前記表面上に積層する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記複数の柱状金属ペーストを加熱することで、前記複数の柱状金属ペーストと前記第１配線基板の前記表面に形成された前記複数の電極および前記第２配線基板の前記裏面に形成された前記複数の電極とを溶着焼結し、複数の金属柱を形成する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第１配線基板と前記第２配線基板との隙間および前記第２配線基板上に封止樹脂を供給し、前記第１電子部品、前記第２電子部品および前記複数の金属柱を封止する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記第１配線基板の前記裏面に複数のバンプを接合する工程。
【請求項２】
前記マスクの前記開口部の前記下面側の開口径は、前記上面側の開口径よりも大きく、
前記（ｃ）工程では、前記マスクの前記下面が前記第１配線基板の前記表面と対向するように、前記第１配線基板の前記表面に配置する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｇ）工程で使用する前記封止樹脂の部材は、ガラスシリカフィラーを含んだエポキシもしくはビフェニールである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属粒子は、直径が１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属ペーストは、Ａｇ、ＣｕまたはＡｕを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）表面、および前記表面とは反対側の裏面を有する第１配線基板を用意する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記第１配線基板の前記表面に第１電子部品を搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、上面、前記上面とは反対側の下面、および前記上面から前記下面までそれぞれ貫通する複数の開口部を有するマスクを、前記第１配線基板の前記表面に配置し、複数の金属粒子を有する金属ペーストを前記マスクの前記複数の開口部のそれぞれの内部に配置する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記マスクを除去する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記（ｄ）工程により形成された複数の柱状金属ペーストを介して、表面、前記表面とは反対側の裏面、および前記表面に搭載された第２電子部品を有する第２配線基板を、前記第２配線基板の前記裏面が前記第１配線基板の前記表面と対向するように、かつ、前記第２配線基板の前記裏面に形成された複数の電極が前記第１配線基板の前記表面に形成された複数の電極および前記複数の柱状金属ペーストとそれぞれ重なるように、前記第１配線基板の前記表面上に積層する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第１配線基板と前記第２配線基板との隙間および前記第２配線基板上に封止樹脂を供給し、前記第１電子部品、前記第２電子部品および前記複数の柱状金属ペーストからなる複数の金属柱を封止する工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項３記載の再送信システムにおいて、前記伝送路を前記第１の警報信号が伝送されているか否かを制御手段が検出し、前記制御手段は、前記第１の警報信号を非検出のとき、前記第２の警報手段に前記第２の警報信号を前記送信用アンテナに供給する再送信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機械装置であって、
中心にシャフトを有するローターと、
前記ローターの周囲に設置されたステーターと、
を備え、
前記シャフトは、中空部を有し、
前記シャフトは、炭素繊維を含む樹脂で構成されている、
電気機械装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気機械装置において、
前記炭素繊維は、複数の繊維束が交差した布状繊維として形成されている、
電気機械装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＤＭＡ信号を受信した受信信号に対する相関演算処理を周波数方向に行う周波数探索処理を実行して捕捉周波数を決定して前記ＣＤＭＡ信号を捕捉する受信装置であって、
第１次周波数探索処理を実行する第１次サーチ実行部と、
前記第１次周波数探索処理に用いた相関積算時間をもとにサイドローブチェック用周波数を設定する設定部と、
前記第１次周波数探索処理の結果をもとに、前記サイドローブチェック用周波数を含む複数のサーチ周波数を選択する第２次サーチ周波数選択部と、
前記複数のサーチ周波数それぞれにおいて前記相関演算処理を行う第２次周波数探索処理を実行する第２次周波数サーチ実行部と、
前記第２次周波数探索処理の結果を用いて第３次周波数探索処理を実行して捕捉周波数を決定する捕捉周波数決定部と、
を備えた受信装置。
【請求項２】
前記設定部は、前記相関演算処理を周波数を変化させて行った場合に前記相関積算時間に応じて定まるメインローブとサイドローブとの周波数の差分を用いて前記サイドローブチェック用周波数を設定し、
前記捕捉周波数決定部は、前記第２次周波数探索処理により求まった相関値が最も大きいサーチ周波数に基づいて前記第３次周波数探索処理を実行する、
請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記第２次周波数サーチ実行部は、前記第２次周波数探索処理により求まった最大の相関値の周波数が前記サイドローブチェック用周波数であった場合には、当該サイドローブチェック用周波数に基づいて新たなサイドローブチェック用周波数を含む新たなサーチ周波数を選択して、前記第２次周波数探索処理を再度実行する、
請求項１又は２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記第２次周波数サーチ実行部は、前記第２次周波数探索処理を再度実行する時に、既に実行した前記第２次周波数探索処理における最大の相関値の周波数が、前記第１次周波数探索処理における最大の相関値の周波数よりも大きい場合には、前記新たなサイドローブチェック用周波数を、既に実行した前記第２次周波数探索処理における最大の相関値の周波数よりも大きい周波数に設定する、
請求項３に記載の受信装置。
【請求項５】
前記第２次周波数サーチ実行部は、前記第２次周波数探索処理を再度実行する時に、既に実行した前記第２次周波数探索処理における最大の相関値の周波数が、前記第１次周波数探索処理における最大の相関値の周波数よりも小さい場合には、前記新たなサイドローブチェック用周波数を、既に実行した前記第２次周波数探索処理における最大の相関値の周波数よりも小さい周波数に設定する、
請求項３に記載の受信装置。
【請求項６】
前記第２次周波数サーチ実行部は、
前記受信信号の信号強度に基づいて、前記第２次周波数探索処理において前記サイドローブチェック用周波数を使用するか否かを判定しかつ、
当該判定が前記サイドローブチェック用周波数を使用するとの判定結果であった場合に、前記サイドローブチェック用周波数を含めて前記複数のサーチ周波数それぞれにおいて前記相関演算処理を行い、前記判定が前記サイドローブチェック用周波数を使用しないとの判定結果であった場合には、前記サイドローブチェック用周波数とは異なるサーチ周波数において前記相関演算処理を行う、
請求項１〜５の何れか一項に記載の受信装置。
【請求項７】
前記第２次周波数サーチ実行部は、前記複数のサーチ周波数を選択する時に、所与の基準周波数をもとにサーチ周波数を選択することに用いるサーチ周波数選択パターンを用いて選択した周波数と、前記サイドローブチェック用周波数とを前記第２次周波数探索処理に用いるサーチ周波数として選択し、
前記捕捉周波数決定部は、前記第３次周波数探索処理を実行する時に、前記第２次周波数探索処理により求まった相関値が最も大きいサーチ周波数を前記基準周波数として前記サーチ周波数選択パターンを用いて前記第３次周波数探索処理における詳細サーチ用周波数を選択し、当該詳細サーチ用周波数それぞれにおいて前記相関演算処理を行う詳細周波数探索処理を実行しかつ、当該詳細周波数探索処理により求まった相関値が最も大きい詳細サーチ用周波数を新たな前記基準周波数として、前記詳細サーチ用周波数の選択と前記詳細周波数探索処理の実行とを繰り返す、
請求項１〜６の何れか一項に記載の受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月1日(2012.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この迷惑メールのように、電話番号の収集や予想を行ない、送信元を偽装して大量発信される迷惑電話が憂慮されている。従来の迷惑電話は、人を介して行なわれていた。しかし、ＩＰを使用するＳＰＩＴ（SPAM over IP Telephony）は、コンピュータを使用し、ＳＰＡＭ生成ソフトを自動で走らせる。ＩＰ電話サービスでは、基本的に発信者が着信者へ接続を要求すると、着信音が鳴ってしまう。このため、ＳＰＩＴにより絶えず迷惑電話を着信してしまう虞がある。迷惑メールは、受信してもまずはサーバに蓄積され、読まずに削除することができる。しかし、迷惑電話は、受信のたびに着信音が鳴らされるため、２４時間３６５日着信音に悩まされる虞もある。したがって、迷惑電話の問題は、迷惑メールよりも深刻である。
また、アナログおよびＩＳＤＮの電話回線においてもＭＧを介することによりＩＰ電話との通信が可能である。このため、同様の懸念がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図１９を参照して、ブラックリストに登録された発呼ＩＰ電話端末と、着呼ＩＰ電話端末と、ＳＩＰサーバとの間のシーケンスを説明する。図１９において、ＩＰ電話端末１−１ｎは、ＳＩＰサーバ２にＩＮＶＩＴＥメッセージを送信する（Ｓ３０１）。ＳＩＰサーバ２は、ＩＰ電話端末１−２ＢにＩＮＶＩＴＥメッセージを送信する（Ｓ３０２）。ＩＰ電話端末１−２Ｂは、サーバ判定処理を実施する（Ｓ３０３）。ＩＰ電話端末１−２Ｂは、ＩＮＶＩＴＥ受信処理を実施する（Ｓ３０４）。ここでは、ＩＮＶＩＴＥ受信処理でブラックリスト登録であったので、ＩＰ電話端末１−２Ｂは、ＳＩＰサーバ２に４８０ Ｔｅｍｐｏｒａｒｉｌｙ Ｕｎａｖａｉｌａｂｌｅを送信する（Ｓ３０６）。ＳＩＰサーバ２は、ＩＰ電話端末１−２ＢにＡＣＫを送信する（Ｓ３０７）。ＳＩＰサーバ２は、ＩＰ電話端末１−１ｎに４８０ Ｔｅｍｐｏｒａｒｉｌｙ Ｕｎａｖａｉｌａｂｌｅを送信する（Ｓ３０８）。ＩＰ電話端末１−１ｎは、ＳＩＰサーバ２にＡＣＫを送信する（Ｓ３０９）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板及び携帯端末装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板及び携帯端末装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、複数の機能ブロック毎に断線を検出することができるとともに、回路構成を簡単にすることができ、断線の検知処理に伴う処理負荷を抑制することができる基板及び携帯端末装置を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の基板は、互いに絶縁された複数の層を持つ基板であって、前記複数の層それぞれに設けられた信号線と、前記基板と他の基板とを往復し、前記複数の層のうちの１つから他の層へ向けて折れ曲がることにより、前記１つの層および前記他の層の両方を通過するダミー線と、を備える構成を採る。
本発明の携帯端末装置は、第１の筐体と、前記第１の筐体に設けられ、互いに絶縁された複数の層を持つ第１の基板と、前記第１の筐体と接続される第２の筐体と、前記第２の筐体に設けられ、互いに絶縁された複数の層を持つ第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の複数の層それぞれに設けられた信号線と、前記第１の基板と前記第２の基板とを往復し、前記第１の基板または前記第２の基板の複数の層のうちの１つから他の層へ向けて折れ曲がることにより、前記１つの層および前記他の層の両方を通過するダミー線と、前記ダミー線の断線を検知する断線検知部と、前記断線検知部により前記ダミー線の断線を検知した際に警告する警告部と、を備える構成を採る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
本発明は、例えば折り畳み式の筐体に設けられる基板及びこれを有する携帯端末装置に好適である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに絶縁された複数の層を持つ基板であって、
前記複数の層それぞれに設けられた信号線と、
前記基板と他の基板とを往復し、前記複数の層のうちの１つから他の層へ向けて折れ曲がることにより、前記１つの層および前記他の層の両方を通過するダミー線と、
を備える基板。
【請求項２】
前記複数の層それぞれに設けられた信号線は、異なる機能ブロックに接続する、
請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記ダミー線は、複数回折れ曲がることにより、前記複数の層全てを通過する、
請求項１記載の基板。
【請求項４】
前記基板は、フレキシブルプリント基板である、
請求項１記載の基板。
【請求項５】
第１の筐体と、
前記第１の筐体に設けられ、互いに絶縁された複数の層を持つ第１の基板と、
前記第１の筐体と接続される第２の筐体と、
前記第２の筐体に設けられ、互いに絶縁された複数の層を持つ第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の複数の層それぞれに設けられた信号線と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを往復し、前記第１の基板または前記第２の基板の複数の層のうちの１つから他の層へ向けて折れ曲がることにより、前記１つの層および前記他の層の両方を通過するダミー線と、
前記ダミー線の断線を検知する断線検知部と、
前記断線検知部により前記ダミー線の断線を検知した際に警告する警告部と、
を備える携帯端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月14日(2012.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６３１】
ディジタルTV１３は、携帯端末２１からのデバイス情報の要求を受信し、ステップＳ５１０において、そのデバイス情報の要求に対する応答として、ディジタルTV１３のデバイス情報を、ネットワーク１０を介して、携帯端末２１に送信する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が配線基板上に搭載され、前記半導体素子に電気的に接続された導体部分と前記半導体素子とを、前記配線基板との間に接着材料を介在させて凹状のキャップで封止する構造を有した半導体装置において、
前記半導体素子は前記配線基板に形成されたキャビティ内に搭載され、
前記凹状のキャップの側壁部が接着剤を介して前記配線基板の周縁の絶縁層の上に接着されており、
前記配線基板上で前記キャップが接着される部分と、前記導体部分のうち前記配線基板上の、前記キャビティの周囲に形成された配線部分との間に、前記配線基板の最外層の絶縁層の一部から形成されたダム状部材が設けられ、
前記凹状のキャップの側壁部の、前記配線基板上に接着される側の底面に繋がる外側の部分に、当該部分での側壁部の厚さが他の部分よりも薄く形成された凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダム状部材の外側側面に前記キャップの対応する内側側面が接触するように押し当てられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダム状部材は、前記キャップの側壁部の内側周縁部の形状に従ってリング状に配設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダム状部材は、前記配線基板上に形成された配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線が形成されている領域の近傍にのみ部分的に配設されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記凹状のキャップの側壁部の外側の部分に設けられる前記凹部は、段差状もしくはテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記キャビティの直下の領域には、前記配線基板の厚み方向に貫通するサーマルビアが形成されており、
前記サーマルビアは前記キャビティの底面に露出しており、接着剤層を介して前記半導体素子と熱的に結合していることを特徴する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線基板の上に、該配線基板から露出した状態で高周波用の配線が形成されており、前記配線の露出部分を保護するように前記キャップで封止されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、半導体素子が配線基板上に搭載され、前記半導体素子に電気的に接続された導体部分と前記半導体素子とを、前記配線基板との間に接着材料を介在させて凹状のキャップで封止する構造を有した半導体装置において、前記半導体素子は前記配線基板に形成されたキャビティ内に搭載され、前記凹状のキャップの側壁部が接着剤を介して前記配線基板の周縁側の絶縁層の上に接着されており、前記配線基板上で前記キャップが接着される部分と、前記導体部分のうち前記配線基板上の、前記キャビティの周囲に形成された配線部分との間に、前記配線基板の最外層の絶縁層の一部から形成されたダム状部材が設けられ、前記凹状のキャップの側壁部の、前記配線基板上に接着される側の底面に繋がる外側の部分に、当該部分での側壁部の厚さが他の部分よりも薄く形成された凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月8日(2012.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配線層が形成され、前記配線層内の配線間に少なくとも樹脂中に磁性微粒子を有する高透磁率膜が、前記配線と接触しないように設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
基板上に配線層が形成され、前記配線間において前記配線層の直下層に窪みが存在し、前記窪み内に少なくとも樹脂中に磁性微粒子を有する高透磁率膜が設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記高透磁率膜は、前記窪み内およびその上部にも存在することを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記樹脂が感光性の樹脂である請求項１〜３のいずれか記載の配線基板。
【請求項５】
樹脂がポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体を含む請求項１〜４のいずれか記載の配線基板。
【請求項６】
磁性微粒子がＦｅまたはＦｅ合金である請求項１〜５のいずれか記載の配線基板。
【請求項７】
前記高透磁率膜の体積抵抗率が１×１０１０Ωｃｍ以上である請求項１〜６のいずれか記載の配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光部で構成される受光面に入射された光が結像した画像の画素ごとの色を示す画素情報を出力するイメージセンサを含み、受光面の第１の領域に含まれる受光部について第１の数の自乗の受光部ごとに１つの画素情報を出力する第１のモードと、前記第１の領域の第２の数の倍率の相似形の第２の領域に含まれる受光部について前記第１の数の自乗に前記第２の数の自乗を掛けた数の受光部ごとに１つの画素情報を出力する第２のモードとを少なくとも有するイメージ処理部と、
外部から入射された光を前記イメージ処理部の前記受光面に導く光学系と、
広角または望遠に切替える操作を受付ける切替操作手段と、
前記切替操作手段によって前記広角に切替える操作が受付けられた場合、前記イメージ処理部を前記第２のモードに切替え、前記望遠に切替える操作が受付けられた場合、前記イメージ処理部を前記第１のモードに切替える制御手段と、
前記イメージ処理部から出力された前記画素情報に基づく画像情報を記録媒体または外部に出力する出力手段とを備えた撮像装置。
【請求項２】
前記光学系は、前記イメージ処理部の前記受光面に結像される画像を拡大するズーム倍率を、第３の数の倍率から第４の数の倍率までの範囲で変更可能であり、
前記ズーム倍率を変更する操作を受付けるズーム操作手段をさらに備え、
前記光学系は、前記ズーム操作手段によって受付けられた操作に応じて、前記ズーム倍率を変更する、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記イメージ処理部は、前記第１のモードにおいて、前記第１の数の自乗の前記受光部に含まれる前記受光部の前記画素情報で示されるそれぞれの値の加算値を示す１つの画素情報を出力し、前記第２のモードにおいて、前記第１の数の自乗に前記第２の数の自乗を掛けた数の前記受光部に含まれる前記受光部の前記画素情報で示されるそれぞれの値の加算値を示す１つの画素情報を出力する、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の領域は、Ｈ×Ｖの前記受光部を含む矩形の領域であり、
前記第２の領域は、ｎＨ×ｎＶの前記受光部を含む矩形の領域であり、
前記第１の領域および前記第２の領域の中心点は同じである、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
複数の受光部で構成される受光面に入射された光が結像した画像の画素ごとの色を示す画素情報を出力するイメージセンサを含み、第１の領域に含まれる受光部について第１の数の受光部ごとに１つの画素情報を出力する第１のモードと、前記第１の領域の第２の数の倍率の相似形の第２の領域に含まれる受光部について前記第１の数に前記第２の数の自乗を掛けた数の受光部ごとに１つの画素情報を出力する第２のモードとを少なくとも有するイメージ処理部と、外部から入射された光を前記イメージ処理部の前記受光面に導く光学系と、前記イメージ処理部から出力された前記画素情報に基づく画像情報
を記録媒体または外部に出力する出力部とを備えた撮像装置によって実行される撮像方法であって、
広角または望遠に切替える操作を受付けるステップと、
前記広角に切替える操作が受付けられた場合、前記イメージ処理部を前記第２のモードに切替え、前記望遠に切替える操作が受付けられた場合、前記イメージ処理部を前記第１のモードに切替えるステップとを含む撮像方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の目的を達成するために、この発明のある局面によれば、撮像装置は、複数の受光部で構成される受光面に入射された光が結像した画像の画素ごとの色を示す画素情報を出力するイメージセンサを含み、受光面の第１の領域に含まれる受光部について第１の数の自乗の受光部ごとに１つの画素情報を出力する第１のモードと、第１の領域の第２の数の倍率の相似形の第２の領域に含まれる受光部について第１の数の自乗に第２の数の自乗を掛けた数の受光部ごとに１つの画素情報を出力する第２のモードとを少なくとも有するイメージ処理部と、外部から入射された光をイメージ処理部の受光面に導く光
学系と、広角または望遠に切替える操作を受付ける切替操作部と、切替操作部によって広角に切替える操作が受付けられた場合、イメージ処理部を第２のモードに切替え、望遠に切替える操作が受付けられた場合、イメージ処理部を第１のモードに切替える制御部と、イメージ処理部から出力された画素情報に基づく画像情報を記録媒体または外部に出力する出力部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明の他の局面によれば、撮像方法は、複数の受光部で構成される受光面に入射された光が結像した画像の画素ごとの色を示す画素情報を出力するイメージセンサを含み、第１の領域に含まれる受光部について第１の数の受光部ごとに１つの画素情報を出力する第１のモードと、第１の領域の第２の数の倍率の相似形の第２の領域に含まれる受光部について第１の数に第２の数の自乗を掛けた数の受光部ごとに１つの画素情報を出力する第２のモードとを少なくとも有するイメージ処理部と、外部から入射された光をイメージ処理部の受光面に導く光学系と、イメージ処理部から出力された画素情報に基づく画像情報を記録媒体または外部に出力する出力部とを備えた撮像装置によって実行され、広角または望遠に切替える操作を受付けるステップと、広角に切替える操作が受付けられた場合、イメージ処理部を第２のモードに切替え、望遠に切替える操作が受付けられた場合、イメージ処理部を第１のモードに切替えるステップとを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信システムにおいて基地局装置と通信する移動局装置であって、
前記基地局装置からの指示に応じて、セル内の移動局装置に共通して定められる共通検索領域または移動局装置ごとに定められる移動局特有検索領域のいずれとも異なる拡張検索領域で、物理下りリンク制御チャネルのモニタリングを行うことを特徴とする移動局装置。
【請求項２】
移動通信システムにおいて移動局装置と通信する基地局装置であって、
前記移動局装置に対して、セル内の移動局装置に共通して定められる共通検索領域または移動局装置ごとに定められる移動局特有検索領域のいずれとも異なる拡張検索領域で物理下りリンク制御チャネルのモニタリングを行うように指示することを特徴とする基地局装置。
【請求項３】
移動通信システムにおける移動局装置の処理方法であって、
基地局装置からの指示に応じて、セル内の移動局装置に共通して定められる共通検索領域または移動局装置ごとに定められる移動局特有検索領域のいずれとも異なる拡張検索領域で、物理下りリンク制御チャネルのモニタリングを行うことを特徴とする処理方法。
【請求項４】
移動通信システムにおける基地局装置の処理方法であって、
移動局装置に対して、セル内の移動局装置に共通して定められる共通検索領域または移動局装置ごとに定められる移動局特有検索領域のいずれとも異なる拡張検索領域で物理下りリンク制御チャネルのモニタリングを行うように指示することを特徴とする処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データが示す画像を表示手段に表示させる第１の制御手段と、
前記画像データを解析して、前記画像データが示す画像に埋め込まれている埋め込み情報を取得する取得手段と、
前記表示手段により表示される画像においてユーザにより指定された個所を特定する特定手段と、
前記取得手段により取得される埋め込み情報であって前記特定手段により特定される個所に対応する埋め込み情報を前記表示手段に表示させる第２の制御手段とを有することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記画像データが示す画像には複数の画像オブジェクトが含まれ、
前記第２の制御手段は、前記特定手段により特定される個所にある画像オブジェクトに関連する埋め込み情報を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
埋め込み情報の表示方法を切り替える切り替え手段を有し、
前記第２の制御手段は、前記切り替え手段により第１の表示方法が選択された場合に、前記取得手段により取得される埋め込み情報であって前記画像データが示す画像に埋め込まれている全ての埋め込み情報を前記表示手段に表示させ、
前記第２の制御手段は、前記切り替え手段により第２の表示方法が選択された場合に、前記取得手段により取得される埋め込み情報であって前記特定手段により特定される個所に対応する埋め込み情報を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項４】
前記取得手段は、前記画像データの所在を示す埋め込み情報、前記画像データのページを示す埋め込み情報、前記画像データを印刷するときのレイアウトを示す埋め込み情報、または前記画像データが示す画像に含まれている複数の画像オブジェクトのそれぞれに関する埋め込み情報を取得することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
前記特定手段は、前記ユーザにより動かされるカーソルの位置を特定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項６】
前記第１の制御手段は、前記画像データが示す画像を外部装置の前記表示手段に表示させるために、当該画像を示す表示データを当該外部装置に送信し、
前記第２の制御手段は、前記取得手段により取得される埋め込み情報であって前記特定手段により特定される個所に対応する埋め込み情報を前記外部装置の前記表示手段に表示させるために、当該埋め込み情報を示す表示データを当該外部装置に送信することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項７】
画像データが示す画像を印刷する印刷手段と、
前記画像データが示す画像を表示する第１の表示手段と、
前記画像データを解析して、前記画像データが示す画像に埋め込まれている埋め込み情報を取得する取得手段と、
前記表示手段により表示される画像においてユーザにより指定された個所を特定する特定手段と、
前記取得手段により取得される埋め込み情報であって前記特定手段により特定される個所に対応する埋め込み情報を表示する第２の表示手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
制御装置が表示手段を制御して、画像データが示す画像を前記表示手段に表示させる表示方法であって、
前記制御装置が、前記画像データが示す画像を前記表示手段に表示させる第１の表示ステップと、
前記制御装置が、前記画像データを解析して、前記画像データが示す画像に埋め込まれている埋め込み情報を取得する取得ステップと、
前記制御装置が、前記表示手段により表示される画像においてユーザにより指定された個所を特定する特定ステップと、
前記制御装置が、前記取得ステップで取得される埋め込み情報であって前記特定ステップで特定される個所に対応する埋め込み情報を前記表示手段に表示させる第２の表示ステップとを有することを特徴とする表示方法。
【請求項９】
表示手段を制御して画像データが示す画像を表示させる、コンピュータにより読み取り可能なプログラムであって、
前記画像データが示す画像を前記表示手段に表示させる第１の表示ステップと、
前記画像データを解析して、前記画像データが示す画像に埋め込まれている埋め込み情報を取得する取得ステップと、
前記表示手段により表示される画像においてユーザにより指定された個所を特定する特定ステップと、
前記取得ステップで取得される埋め込み情報であって前記特定ステップで特定される個所に対応する埋め込み情報を前記表示手段に表示させる第２の表示ステップとを前記コンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係わる制御装置は、画像データが示す画像を表示手段に表示させる第１の制御手段と、前記画像データを解析して、前記画像データが示す画像に埋め込まれている埋め込み情報を取得する取得手段と、前記表示手段により表示される画像においてユーザにより指定された個所を特定する特定手段と、前記取得手段により取得される埋め込み情報であって前記特定手段により特定される個所に対応する埋め込み情報を前記表示手段に表示させる第２の制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明に係わる画像処理装置は、画像データが示す画像を印刷する印刷手段と、前記画像データが示す画像を表示する第１の表示手段と、前記画像データを解析して、前記画像データが示す画像に埋め込まれている埋め込み情報を取得する取得手段と、前記表示手段により表示される画像においてユーザにより指定された個所を特定する特定手段と、前記取得手段により取得される埋め込み情報であって前記特定手段により特定される個所に対応する埋め込み情報を表示する第２の表示手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路に形成された電極パッド上に接続端子が形成され、前記半導体集積回路上に前記接続端子の一部を露出する第１絶縁層が形成された半導体装置と、
前記半導体装置の少なくとも側面部を埋め、前記接続端子の露出部側の面に凹部が形成された第２絶縁層と、
前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に形成され、前記第２絶縁層の前記凹部の形状に対応する凹部を有し前記接続端子の露出部と電気的に接続する配線パターンと、
前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に、前記第２絶縁層の前記凹部に形成された前記配線パターンの一部のみを露出する開口部が設けられた第３絶縁層と、を有する半導体装置内蔵基板。
【請求項２】
前記開口部は、前記配線パターンの凹部の底面及び内側面の一部を露出するように前記第３絶縁層に設けられている請求項１記載の半導体装置内蔵基板。
【請求項３】
前記開口部は、前記配線パターンの凹部の全面を露出するように前記第３絶縁層に設けられている請求項１記載の半導体装置内蔵基板。
【請求項４】
前記第２絶縁層は、前記半導体装置の側面部及び裏面部を覆うように形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置内蔵基板。
【請求項５】
半導体集積回路に形成された電極パッド上に接続端子を形成する工程と、前記接続端子を覆うように前記半導体集積回路上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、前記第１絶縁層と対向する側の面が粗面とされた板状体を配設する工程と、前記板状体の前記粗面を前記第１絶縁層に圧着することにより、前記接続端子の一部を前記第１絶縁層から露出させる工程と、前記板状体を除去する工程と、を含む工程により半導体装置を製造する第１工程と、
一方の面に凸部が設けられた支持体を前記接続端子の露出部側に配置し、前記半導体装置の少なくとも側面部を埋めるように、前記接続端子の露出部側の面に前記凸部によって凹部が設けられた第２絶縁層を形成する第２工程と、
前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に、前記第２絶縁層の前記凹部の形状に対応する凹部を有し前記接続端子の露出部と電気的に接続する配線パターンを形成する第３工程と、を有する半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２工程は、一方の面に凸部が設けられた支持体を準備し、前記接続端子の露出部が前記支持体の前記一方の面と対向するように、前記半導体装置を前記支持体の前記一方の面の前記凸部を含まない領域に配置する第２Ａ工程と、
前記支持体の前記一方の面に配置された前記半導体装置の少なくとも側面部を埋めるように、前記支持体の前記一方の面の前記凸部を含む領域に第２絶縁層を形成する第２Ｂ工程と、
前記支持体を除去し、前記第２絶縁層に前記凸部に対応する前記凹部を形成する第２Ｃ工程と、を有する請求項５記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程は、第１支持体を準備し、前記接続端子の露出部が前記第１支持体の一方の面と対向するように、前記半導体装置を前記第１支持体の前記一方の面に配置する第２Ｄ工程と、
一方の面に凸部が設けられた第２支持体を準備し、前記半導体装置が配置された前記第１支持体の他方の面を前記第２支持体の前記一方の面と対向させ、前記第２支持体の前記凸部を含まない領域に前記半導体装置が配置されるように、前記第１支持体を前記第２支持体の前記一方の面に吸着保持させ、前記第１支持体の前記一方の面に前記第２支持体の前記凸部の形状に対応する凸部を形成する第２Ｅ工程と、
前記第１支持体の前記一方の面に配置された前記半導体装置の少なくとも側面部を埋めるように、前記第１支持体の前記一方の面の前記凸部を含む領域に第２絶縁層を形成する第２Ｆ工程と、
前記第１支持体及び前記第２支持体を除去し、前記第２絶縁層に前記第１支持体の前記凸部に対応する前記凹部を形成する第２Ｇ工程と、を有する請求項５記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に、前記第２絶縁層の前記凹部に形成された前記配線パターンの少なくとも一部を露出する開口部が設けられた第３絶縁層を形成する第４工程を更に有する請求項５乃至７の何れか一項記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記第３絶縁層上に、前記開口部内に露出する前記配線パターンと電気的に接続される外部接続端子を形成する第５工程を更に有する請求項８記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第４工程では、前記第２絶縁層の前記凹部に形成された前記配線パターンの一部のみを前記開口部から露出する請求項８又は９記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第４工程では、前記第２絶縁層の前記凹部の底面に形成された前記配線パターンのみを前記開口部から露出する請求項１０記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２工程において、前記半導体装置の前記側面部及び裏面部を埋めるように、前記第２絶縁層を形成する請求項５乃至１１の何れか一項記載の半導体装置内蔵基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体装置内蔵基板の製造方法は、半導体集積回路に形成された電極パッド上に接続端子を形成する工程と、前記接続端子を覆うように前記半導体集積回路上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、前記第１絶縁層と対向する側の面が粗面とされた板状体を配設する工程と、前記板状体の前記粗面を前記第１絶縁層に圧着することにより、前記接続端子の一部を前記第１絶縁層から露出させる工程と、前記板状体を除去する工程と、を含む工程により半導体装置を製造する第１工程と、一方の面に凸部が設けられた支持体を前記接続端子の露出部側に配置し、前記半導体装置の少なくとも側面部を埋めるように、前記接続端子の露出部側の面に前記凸部によって凹部が設けられた第２絶縁層を形成する第２工程と、前記第１絶縁層の前記接続端子の露出部側の面、及び前記第２絶縁層の前記凹部を含む領域に、前記第２絶縁層の前記凹部の形状に対応する凹部を有し前記接続端子の露出部と電気的に接続する配線パターンを形成する第３工程と、を有することを要件とする。