【事件の表示】
　平成　９年特許願第２５４７４１号「スピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法並びに複合型磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月　９日出願公開、特開平１１−　９６５１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年９月１９日の出願であって、平成１６年６月７日付けで手続補正がなされ、平成１６年７月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年８月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成１６年９月２１日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年９月２１日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年９月２１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．　本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の、
（ａ）　「【請求項１】　下地層上に順次、自由側磁性層、非磁性金属層、固定側磁性層、規則系材料であるマンガン（Ｍｎ）系合金を含む層からなる磁区制御層を成膜した後に、該自由側磁性層の磁気異方性を強化するための第１の磁界中熱処理を行い、
　更に、前記固定側磁性層の磁化方向を固定するため、それ以前の工程における最高処理温度を超える温度で第２の磁界中熱処理を行うことを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。」を、
（ｂ）　「【請求項１】　下地層上に順次、自由側磁性層、非磁性金属層、固定側磁性層、規則系材料であるマンガン（Ｍｎ）系合金を含む層からなる磁区制御層を成膜した後に、該自由側磁性層の磁気異方性を強化するための第１の磁界中熱処理を行い、
　更に、前記固定側磁性層の磁化方向を固定するため、それ以前の工程における最高処理温度を超える温度で
、かつ、ネール温度より低い温度で
と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「第２の磁界中熱処理」における「温度」について、「
かつ、ネール温度より低い温度で
　
２．新規事項についての判断
　本件補正の、「第２の磁界中熱処理」における「温度」について、「
ネール温度より低い温度
　請求人が根拠とする明細書の段落１６、３７及び関連する記載について以下詳細に検討する。
（１）　当初明細書には、
　「【００１６】上述のスピンバルブＧＭＲヘッドの製造方法によれば、従来問題となっていた製造工程中の熱処理又は磁界中熱処理において固定側磁性層の磁化方向がＸ軸方向からＹ軸方向に傾いて、信号磁界に対するＧＭＲ膜の抵抗値が歪んで、線形応答しないと行った問題を減少することが出来る。即ち、上述のスピンバルブＧＭＲヘッドの製造方法に依れば、固定側磁性層の磁化方向を自由側磁性層の磁化方向に対して要求仕様値以上に固定することが可能となり、この結果、スピンバルブＧＭＲヘッドは外部信号磁界Ｈｓｉｇに対し線形に応答することが可能になる。」
　「【００２４】反強磁性層５は、例えば膜厚１５０Å以上、典型的には約２５０Åの規則系金属、例えばパラジウム−白金−マンガン（ＰｄＰｔＭｎ）膜，白金−マンガン（ＰｄＰｔＭｎ）膜，パラジウム−マンガン（ＰｄＭｎ）膜，ニッケル−マンガン（ＮｉＭｎ）膜，クロム−マンガン（ＣｒＭｎ）膜の何れか一つから成る。ＧＭＲヘッドの開発初期においては典型的には鉄−マンガン（ＦｅＭｎ）が使用されていたが、耐食性を向上させるために、例えばこのような白金族などの金属を使ったＭｎ合金を使用している。規則系金属は、相変化温度が比較的高い。この実施の形態では、反強磁性層５は、代表的にはＰｄＰｔＭｎ膜から成り、交換磁界結合がゼロになる温度（ブロッキング温度）は約３２０℃である。」
　「【００３７】図７に示すように、第１段階の最高履歴温度が２３０℃の条件下で、第２段階で２３０℃で磁界中熱処理を行うと固定側磁性層の磁化角度θｐは約６２度に上昇し、２５０℃で磁界中熱処理を行うと磁化角度θｐは約７７度に上昇し、２８０℃で磁界中熱処理を行うと磁化角度θｐは約８０度の値に上昇する。この結果、最高履歴温度２３０℃の場合において、要求仕様値磁化角度θｐ≧７０度に対応する熱処理温度は約２４２℃であり、この温度以上であれば磁化角度θｐは再生ヘッドとしての要求仕様を満足し、また温度を２５０℃に、更に２８０℃に上昇するば、磁化角度θｐは理想状態に一層近づくことが判明した。」
　「【００３８】なお、最高履歴温度が高くなると、それに応じて磁化角度θｐ≧７０度を達成するに必要な熱処理温度が高くなる。従って、第２段階の熱処理温度は、それ以前の製造工程の最高処理温度（即ち、最高履歴温度）によって決定されることが判明した。この第２段階の固定側磁性層に対する磁界中熱処理工程の後は、いかなる磁界中熱処理も行わないことが好ましい。例えば、この第２段階の磁界中熱処理の後で有機絶縁層４の熱処理を行うときは、無磁界中で行う。これによって、固定側磁性層４の磁化角度θｐは、その後要求仕様を継続して満足し、このスピンバルブ膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドは信号磁界Ｈｓｉｇに対して線形の出力特性を持つこととなる。」
　と記載されている。
　なお、原審における平成１６年６月７日付け手続補正において、上記段落１６、２４、３７は、次のように補正されている。（なお、下線は、手続補正による補正部分を示している。）
　「【００１６】（略）
また、スピンバルブ膜を構成する磁区制御層の材料として、規則系金属であるＭｎ系合金（例えばパラジウム・白金・マンガン（ＰｄＰｔＭｎ）、白金・マンガン（ＰｔＭｎ）など）を使用しているので、ネール温度（３５０℃以上）より低い温度で熱処理しても、固定側磁性層の磁化を所望の方向（後述する実施の形態では、磁化角度θｐ≧７０°）にピンニングすることができる
　「【００２４】（略）このような規則系金属は、相変化温度が比較的高く
、そのネール温度は３５０℃以上である
　「【００３７】（略）この結果、最高履歴温度２３０℃の場合において、要求仕様値磁化角度θｐ≧７０度に対応する熱処理温度は約２４２℃であり、この温度以上であれば磁化角度θｐは再生ヘッドとしての要求仕様を満足し、また
、処理
に上げたときに、
。因みに、ここに挙げた各処理温度は、反強磁性層５を構成するＰｄＰｔＭｎやＰｔＭｎ等の規則系金属が呈するネール温度（３５０℃以上）より低い温度である
　
（２）　当初明細書には、ネール温度という語句について一切記載がなく、相変化温度（「規則系金属は、相変化温度が比較的高い。」（段落２４））及びブロッキング温度（「交換磁界結合がゼロになる温度（ブロッキング温度）は約３２０℃である。」（段落２４））が記載されているのみである。
　一方、「第２の磁界中熱処理」における温度について、２３０℃、２５０℃、２８０℃が例示され、約２４２℃の温度以上であれば磁化角度θｐは再生ヘッドとしての要求仕様を満足し、また温度を２５０℃に、更に２８０℃に上昇すれば、磁化角度θｐは理想状態に一層近づくこと（段落３７）、及び、最高履歴温度が高くなると、それに応じて磁化角度θｐ≧７０度を達成するに必要な熱処理温度が高くなること（段落３８）が、当初明細書に記載され、これらの記載によれば、「第２の磁界中熱処理」の熱処理温度は、最高履歴温度に応じてそれより高いのがよく、高くすれば理想状態に近づくとの示唆があるといえるものの、熱処理温度の上限については、何ら示唆されていない。
　しかも、「第２の磁界中熱処理」の温度の上限を、ネール温度より低い温度に特定すること及びその作用効果について、何ら記載も示唆もされていない。
　
（３）　請求人は、第２の磁界中熱処理温度の実施例が２３０℃、２５０℃、２８０℃であること、及び原審における平成１６年６月７日付け手続補正で補正した、規則系Ｍｎ系合金のネール温度が３５０℃以上であることを根拠に、上記補正「ネール温度より低い温度で」と補正しようとするものであるが、規則系Ｍｎ系合金のネール温度が３５０℃以上であることが既に知られている事項であるとしても、先に検討したように、当初明細書等には、第２の磁界中熱処理において、特定の温度を上限とすることは示唆されていない。ましてや、上限を「ネール温度より低い温度」と特定することによる作用効果を、原審における平成１６年６月７日付け手続補正により補正された明細書や請求の理由で新たに主張しているが、当該作用効果は、当初明細書等に記載も示唆もないことである。
　
　よって、明細書及び図面の記載並びに当業者の技術常識を総合的に勘案しても、「第２の磁界中熱処理」の温度を「
ネール温度より低い温度
　
３．　むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．　本願発明
　平成１６年９月２１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至９に係る発明は、平成１６年６月７日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至９に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。                                            
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
２．　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１６７３１８号公報（平成９年６月２４日出願公開。以下「引用例１」という。）には、「スピンバルブ磁気抵抗ヘッドを具備する磁気ヘッド装置の製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「【０００４】一般に、薄膜磁気ヘッドのウエハプロセスや加工プロセスには、１００〜２５０℃程度の加熱を伴う熱処理工程が必ず存在している。例えば、ウエハプロセスでは絶縁膜のレジストキュア工程、加工プロセスでは治具への磁気ヘッドの接着工程（ホットメルト系接着材を用いた場合）等が存在している。スピンバルブを利用したＭＲヘッドの製造プロセスにおいて、このような熱処理、特にそのプロセス温度が交換バイアス磁界を受ける磁性体薄膜層の一軸異方性を変化させるような温度で熱処理を行う場合、その都度、反強磁性バイアス方向を所定の方向に制御することが必要となる。このような異方性の制御法として、磁性層に常に一定方向に磁場を印加した状態でそのネール温度前後の温度で熱処理を行うことが考えられる。」
　（イ）　「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、
非磁性薄膜層によって分離される第１及び第２の軟磁性体薄膜層を少なくとも含み、これら第１及び第２の軟磁性体薄膜層のうちの一方が反強磁性体薄膜層によってピン止めされるスピンバルブ積層体を基板上に形成するステップと、スピンバルブ積層体を用いてスピンバルブ磁気抵抗ヘッドを形成するステップと、スピンバルブ磁気抵抗ヘッドを用いて磁気ヘッド装置を組み立てるステップとを備えており、上述した各ステップの少なくとも１つのステップが、ピン止めされる軟磁性体薄膜層の一軸異方性に変化を与える温度による熱処理工程を含んでおり、この熱処理工程を含む全てのステップが終了した後に、スピンバルブ磁気抵抗ヘッドのトラック幅方向と直交する方向に磁場を印加しつつ熱処理を行いピン止めされる軟磁性体薄膜層に一軸異方性を与えるための最終熱処理ステップをさらに備えたスピンバルブ磁気抵抗ヘッドを具備する磁気ヘッド装置の製造方法
【００１１】軟磁性体薄膜層をピン止めして一軸異方性を与えるための最終熱処理ステップが、このピン止めされる軟磁性体薄膜層の一軸異方性に変化を与える温度による熱処理工程を含む全てのステップが終了した後に行われるので、反強磁性体として、ネール温度の低いＦｅＭｎやＮｉＯを採用した場合にも、軟磁性体薄膜層に付与される異方性を正しくかつ確実に制御可能である。
【００１２】最終熱処理ステップが、熱処理後のピン止めされる軟磁性体薄膜層のＢＨループのシフト量（Ｈｕａ）がそのピークの２０％となる温度以上の温度で熱処理を行う熱処理ステップであることが好ましい。
【００１３】最終熱処理ステップが、反強磁性体薄膜層のネール温度近傍以上の温度で行われる熱処理ステップであることがより好ましく、反強磁性体薄膜層のネール温度以上の温度で行われる熱処理ステップであることが最も好ましい。
【００１４】最終熱処理ステップの前に行われる熱処理工程が、３００℃以下の温度で行われることが好ましい。
【００１５】最終熱処理ステップ自体も、３００℃以下の温度で行われることが好ましい。このように、いずれのステップも３００℃以下の温度で行うことにより、各薄膜層の劣化の可能性が非常に少なくなる。
【００１６】
最終熱処理ステップの前に行われる熱処理工程が、トラック幅方向に磁場を印加して熱処理を行う工程を含むことが好ましい。これにより、ピン止めされない方の軟磁性体薄膜層、下部シールド層、上部シールド層及び上部ポール層等の磁性層の特性が安定化する
　（ウ）　「【００２１】（略）この基板１上に、例えばＴａによる
下地層
【００２２】次いで、この
下地層２上に、スピンバルブ積層体が積層
第１の軟質強磁性体薄膜層
非磁性金属体薄膜層４としてＣｕ
第２の軟質強磁性体薄膜層
反強磁性体薄膜層
　（エ）　「【００２９】（略）このウエハプロセスにおいて、第２の軟質強磁性体薄膜層５の一軸異方性に変化を与える温度による熱処理工程は、ほとんどが真空磁場中で行われる。例えば、フォトレジスト（ステンシル１４）のレジストキュア工程は
真空磁場中で行われる
第１の軟質強磁性体薄膜層３の既に付与されている磁化容易軸方向（図２のａに示すトラック幅方向）に素子に実効的に印加される磁場が数百（Ｏｅ）エルステッド程度となるような磁場を真空中で印加して熱処理を行う。
【００３０】次に、以上述べたウエハプロセス終了後に行われる加工プロセスについて説明する。
【００３１】図３は、この加工プロセスの概略的な工程図である。まずステップＳ１において、多数の磁気ヘッド素子が形成されているウエハを治具に接着する。熱可塑性の樹脂を用いた接着をする場合には、第２の軟質強磁性体薄膜層５の一軸異方性に変化を与える温度を印加する熱処理、例えば反強磁性体薄膜層６のネール温度近傍の温度（１００〜１５０℃）を印加する熱処理が行われる。（略）」
　（オ）　「【００３９】次のステップＳ１４では、
第２の軟磁性体薄膜層５をピン止めして一軸異方性を与えるための最終熱処理工程が行われる
第１の軟質磁性体薄膜層３の磁化容易軸と直交する方向（図２のｂに示すトラック幅方向に直交する方向）に５〜１０（ＫＯｅ）キロエルステッドの磁場（素子に実効的に印加される磁場が数百（Ｏｅ）エルステッド程度となるような磁場）を印加しながら、熱処理後の第２の軟質磁性体薄膜層５のＢＨループのシフト量（Ｈｕａ）がそのピークの２０％となる温度以上の温度、より好ましくは反強磁性体薄膜層６のネール温度近傍以上の温度、最も好ましくは反強磁性体薄膜層６のネール温度以上の温度（１５０〜２００℃）を印加する
　（カ）　「【００４４】次に、図４〜図７を用いて、第２の軟質強磁性体薄膜層５の一軸異方性に変化を与える温度及び第２の軟磁性体薄膜層５をピン止めして一軸異方性を与えるための最終熱処理工程の温度について説明する。
【００４５】図４及び図５は、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果を利用した構造体の熱処理温度に対するピン止めされる軟磁性体薄膜層のＨｕａの特性を示している。（略）
【００４６】図６及び図７は、スピンバルブＭＲ効果を利用した構造体の熱処理温度に対するＭＲ変化率特性及びピン止めされない側の軟磁性体薄膜層のＢＨループのＨｃの特性を示している。ただし、熱処理温度は、磁場中で成膜後、その磁場と直交する方向（ピン止めされない側の軟磁性体薄膜層の磁化容易軸と直交する方向）に１ＫＯｅの磁場を印加した状態で１時間行う熱処理の温度であり、ＭＲ変化率は熱処理後、熱処理磁場方向と同一方向に１００Ｏｅの磁場を印加した状態で室温で測定したものを示しており、Ｈｃはピン止めされない側の軟磁性体薄膜層の磁化容易軸方向での室温で測定したＢＨループの保磁力を示している。また、図６は反強磁性体としてＦｅＭｎを、図７は反強磁性体としてＮｉＯを用いた場合である。（略）
【００４７】図４及び図５から明らかのように、熱処理が、これら例の場合で反強磁性体のネール温度より９０〜１４０℃低い温度以上の温度で行われると、Ｈｕａの値がゼロから変化し、このＨｕａの値がある程度大きくなると、ピン止めされる軟質磁性体薄膜層の一軸異方性に多少の変化を与える。従って、このような軟質磁性体薄膜層の一軸異方性に変化を与える温度以上の温度で行われる熱処理が全て終了した後に最終熱処理工程を行っている。
【００４８】
最終熱処理工程の温度は
ピン止めされる軟磁性体薄膜層のＨｕａの値がそのピーク値の２０％となる温度以上の温度で行うことが望ましい
最終熱処理が低い温度で行われると、ピン止めされる軟磁性体薄膜層の一軸異方性が正しい方向に制御されない場合がある
シフト量Ｈｕａの値がそのピーク値の２０％となる温度より低い温度でこの最終熱処理を行うと、ピン止めされる軟磁性体薄膜層の一軸異方性が正しく制御されないこと
最終熱処理工程は、Ｈｕａの値がそのピーク値の２０％となる温度以上の温度で行うことが望ましい。さらに、実際の特性上から、反強磁性体薄膜層のネール温度近傍以上の温度で行うことがより好ましく
　
３．　対比判断
（１）　対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記（１）で摘示した記載事項、特に（イ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「非磁性薄膜層によって分離される第１及び第２の軟磁性体薄膜層を少なくとも含み、これら第１及び第２の軟磁性体薄膜層のうちの一方が反強磁性体薄膜層によってピン止めされるスピンバルブ積層体を基板上に形成するステップと、スピンバルブ積層体を用いてスピンバルブ磁気抵抗ヘッドを形成するステップと、スピンバルブ磁気抵抗ヘッドを用いて磁気ヘッド装置を組み立てるステップとを備えており、上述した各ステップの少なくとも１つのステップが、ピン止めされる軟磁性体薄膜層の一軸異方性に変化を与える温度による熱処理工程を含んでおり、この熱処理工程を含む全てのステップが終了した後に、スピンバルブ磁気抵抗ヘッドのトラック幅方向と直交する方向に磁場を印加しつつ熱処理を行いピン止めされる軟磁性体薄膜層に一軸異方性を与えるための最終熱処理ステップをさらに備えたスピンバルブ磁気抵抗ヘッドを具備する磁気ヘッド装置の製造方法であって、
　最終熱処理ステップの前に行われる熱処理工程が、トラック幅方向に磁場を印加して熱処理を行う工程を含み、当該工程により、ピン止めされない方の軟磁性体薄膜層の磁性層の特性が安定化する、磁気ヘッド装置の製造方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「スピンバルブ磁気抵抗ヘッド」は、本願発明の「スピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッド」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「非磁性薄膜層によって分離される第１及び第２の軟磁性体薄膜層を少なくとも含み、これら第１及び第２の軟磁性体薄膜層のうちの一方が反強磁性体薄膜層によってピン止めされるスピンバルブ積層体」は、具体的には、基板の上に形成されたＴａ等の下地層の上に積層され、第１の軟質強磁性体薄膜層、非磁性金属体薄膜層、第２の軟質強磁性体薄膜層、及び反強磁性体薄膜層がこの順で成膜されて形成されている（上記（ウ）参照）から、引用例１に記載された発明の「第１の軟磁性体薄膜層」「非磁性薄膜層」「第２の軟磁性体薄膜層」「反強磁性体薄膜層」は、それぞれ本願発明の「自由側磁性層」「非磁性金属層」「固定側磁性層」「磁区制御層」に相当している。
　そして、引用例１に記載された発明の、「非磁性薄膜層によって分離される第１及び第２の軟磁性体薄膜層を少なくとも含み、これら第１及び第２の軟磁性体薄膜層のうちの一方が反強磁性体薄膜層によってピン止めされるスピンバルブ積層体を基板上に形成するステップ」は、磁区制御層の材料を除いて、本願発明の、「下地層上に順次、自由側磁性層、非磁性金属層、固定側磁性層、」「磁区制御層を成膜した」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「最終熱処理ステップの前に行われる熱処理工程が、トラック幅方向に磁場を印加して熱処理を行う工程を含み、当該工程により、ピン止めされない方の軟磁性体薄膜層の磁性層の特性が安定化する」の「トラック幅方向に磁場を印加して熱処理を行う工程」は、本願発明の「自由側磁性層の磁気異方性を強化するための第１の磁界中熱処理」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「スピンバルブ磁気抵抗ヘッドのトラック幅方向と直交する方向に磁場を印加しつつ熱処理を行いピン止めされる軟磁性体薄膜層に一軸異方性を与えるための最終熱処理ステップ」は、本願発明の「固定側磁性層の磁化方向を固定するため」に行う「第２の磁界中熱処理」に相当している。
　
　よって、本願発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）　「下地層上に順次、自由側磁性層、非磁性金属層、固定側磁性層、磁区制御層を成膜した後に、該自由側磁性層の磁気異方性を強化するための第１の磁界中熱処理を行い、
　更に、前記固定側磁性層の磁化方向を固定するため、第２の磁界中熱処理を行うスピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。」
　
　（相違点１）　本願発明は、「磁区制御層」として「規則系材料であるマンガン（Ｍｎ）系合金を含む層からなる磁区制御層」を用い、「第２の磁界中熱処理」の熱処理温度を「それ以前の工程における最高処理温度を超える温度で」で行うと特定しているのに対して、引用例１に記載された発明は、そのように特定しない点。
　
（２）判断
　引用例１において、第１の磁界中熱処理の温度が、記載されていないが、薄膜磁気ヘッドウエハプロセスや加工プロセスには、１００℃〜２５０℃程度の加熱を伴う熱処理工程が必ず存在している（上記（ア）段落４参照）と記載され、また、磁化固定のための第２の磁界中熱処理より前の、加熱工程は１００〜１５０℃が例示されている（上記（エ）段落２９参照）ことからすれば、第１の磁界中熱処理の温度は、せいぜい２５０℃程度以下といえる。一方、引用例１の磁化固定のための第２の磁界中熱処理の温度は、磁化固定の作用のためには、「熱処理後のピン止めされる軟磁性体薄膜層のＢＨループのシフト量（Ｈｕａ）がそのピークの２０％となる温度以上の温度」でよく、「反強磁性体薄膜層のネール温度近傍以上の温度」が好ましく、さらに「反強磁性体薄膜層のネール温度以上の温度で行われる熱処理」（１５０〜３００℃、又は２００〜３００℃）がより好ましいと記載され（上記（イ）段落１２、１３参照）、より高い温度で熱処理するとよいことが示され、熱処理温度が上がる（ネール温度を超えた場合は同レベルであることは当然であるから除く）と、磁化固定の作用が大きいことが、示唆されている（上記（カ）段落４７〜４８、図４〜図７参照）。
　よって、引用例１には、第２の磁界中熱処理において、それ以前の温度より高い温度で熱処理することも、低い温度で熱処理することも、記載されているといえ、熱処理温度が上がると、磁化固定の作用も大きいことが、示唆されている。
　また、引用例１に記載された発明と同様のスピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッドを構成するスピンバルブ積層体の磁区制御層に用いる反強磁性体層として、規則系材料であるＭｎ系合金を含む層は、周知である。例えば、特開平６−３１４６１７号公報（ＰｄＰｔＭｎ等（特許請求の範囲、段落１８、２１等））、特開平６−２３６５２７号公報（ＮｉＭｎ（特許請求の範囲の請求項１，３等））、特開平６−６０３３６号公報（ＮｉＭｎ（段落１４等））、特開平６−２２３３３６号公報（ＮｉＭｎ（段落２７等））、特開平９−２２５１０号公報（ＮｉＭｎ（段落７等））、特開平９−３５２１２号公報（ＮｉＭｎ（段落１０〜１２、従来例の特開平６−７６２４７号公報に関連する記載））を参照されたい。
　してみると、引用例１に記載された発明において、その磁区制御層として周知の規則系材料であるＭｎ系合金を含む層を採用した際に、第２の磁界中熱処理の温度として、「それ以前の工程における最高処理温度を超える温度で」熱処理することは、反強磁性体材料が異なっても、当業者が容易に想到しうることであり、磁化の固定を確実に行う効果は、引用例１の記載に基いて、当業者であれば、予測される範囲内である。すなわち、本願発明の作用効果について、明細書には、第２の磁界中熱処理の温度が、２５０℃，２８０℃の場合に、２３０℃の場合（第１の磁界中熱処理の温度と同じ温度）より、磁化角度θｐが理想状態に近づき磁化固定の効果を奏することが具体的に記載され（段落３５〜３７）、「なお、最高履歴温度が高くなると、それに応じて磁化角度θｐ≧７０度を達成するに必要な熱処理温度が高くなる。」（段落３８）と記載されているが、これらの記載からは、熱処理温度の下限を「それ以前の工程における最高処理温度」と特定することにより格別の作用効果を奏しているとは認められず、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基いて予測される範囲内の効果にすぎない。
　なお、本願発明は、引用例１に例示された反強磁性体の材料と異なる材料を特定しているので、その具体的な熱処理温度が異なることは当然であるところ、規則系材料であるＭｎ系合金では、第２の磁界中熱処理の温度として、２６０〜２８０℃程度が通常採用されていること（例えば、特開平６−２２３３３６号公報（ＮｉＭｎを用いて、２６０℃の熱処理温度で磁化方向を設定すること（段落２７等））、特開平９−２２５１０号公報（ＮｉＭｎを用いて、２８０℃での磁界中熱処理により磁化方向を固定すること（段落２３））、特開平９−３５２１２号公報（ＮｉＭｎ合金を用いて２６０℃に近い高温で規則化の処理を行うこと（段落１０〜１２、従来例の特開平６−７６２４７号公報に関連する記載））参照。）を考慮すると、本願発明の上記相違点における特定が格別の意義をもつとはいえず、当業者が適宜なし得る程度の温度の選択であるともいえる。
　なお、請求人は、請求の理由や平成１６年６月７日付け意見書で、規則系材料であるＭｎ系合金を含む層からなる磁区制御層を用いることにより、ネール温度（３５０℃以上）以下で熱処理を行っても固定側磁性層の磁化方向を所望の方向にピニングすることができるという特有の作用効果を奏すると、補正された段落１６等を参照して、本願発明の作用効果を主張している。しかしながら、根拠とされる段落の個所は、補正により加入された部分であり、当初明細書に記載されていない事項であるから、請求人の主張は採用できない。また、請求人は、引用例１で用いられているＦｅＭｎやＮｉＯ等の不規則系材料では、ネール温度（１５０〜２００℃）より高い温度で磁化方向の固定を行っていると主張しているが、引用例１には、「熱処理後のピン止めされる軟磁性体薄膜層のＢＨループのシフト量（Ｈｕａ）がそのピークの２０％となる温度以上の温度」「反強磁性体薄膜層のネール温度近傍以上の温度」と記載され、図４乃至図７に示されるように、ネール温度より低い温度で行うことが記載されているので、請求人の主張は採用できない。そして、規則系材料であるＭｎ系合金を含む層からなる反強磁性層は、先に示したとおり周知の事項であり、ネール温度以下で磁化方向を所望の方向に固定することも先に示したとおり周知の事項であるから、請求人の主張する効果は、引用例１及び周知の事項から予測しうる範囲内のことにすぎない。
　
４．　むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。