【事件の表示】
　平成１１年特許願第２２９１９１号「金属−セラミックス接合基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月２０日出願公開、特開２００１−　４８６７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年８月１３日の出願であって、平成１８年１１月２９日付けで拒絶理由が通知され、平成１９年２月５日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年３月１６日付けで拒絶査定され、同年４月２７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同年５月２８日付けで明細書の記載に係る手続補正書が提出されたものであり、その後、平成２１年１０月２日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、これに対する回答書が同年１２月１４日に提出されている。
　
２．平成１９年５月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年５月２８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１９年５月２８日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）により、平成１９年２月５日付けの特許請求の範囲である
「　　【請求項１】　セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属板を接合し、接合層のボイドの直径を０．６５ｍｍ以下にすることによって、部分放電の放電開始電圧および放電終止電圧が４．０Ｋｖ以上となるようにしたことを特徴とする金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項２】　上記金属板が銅板であることを特徴とする請求項１記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項３】　上記金属板がアルミニウム板であることを特徴とする請求項１記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項４】　上記セラミックス基板が窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項１、２または３記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項５】　上記セラミックス基板が窒化ケイ素であることを特徴とする請求項１、２または３記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項６】　上記金属−セラミックス接合基板が、電車に使用されるパワーモジュール用であることを特徴とする請求項１、２、３、４または５記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項７】　請求項１、２、３、４、５または６記載の製造方法で製造された金属−セラミックス接合基板を用いた、電車に使用されるパワーモジュールの製造方法。」は、
「　　【請求項１】　セラミックス基板の少なくとも一方の面にＡｇ、Ｃｕを主成分とし、活性金属としてＴｉを含むろう材で金属板を接合し、接合層のボイドの直径を０．６５ｍｍ以下にすることによって、部分放電の放電開始電圧および放電終止電圧が４．０Ｋｖ以上となるようにしたことを特徴とする電車に使用されるパワーモジュール用の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項２】　上記金属板が銅板であることを特徴とする請求項１記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項３】　上記金属板がアルミニウム板であることを特徴とする請求項１記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項４】　上記セラミックス基板が窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項１、２または３記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項５】　上記セラミックス基板が窒化ケイ素であることを特徴とする請求項１、２または３記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　　【請求項６】　請求項１、２、３、４または５記載の製造方法で製造された金属−セラミックス接合基板を用いた、電車に使用されるパワーモジュールの製造方法。」と補正された。
　この補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属板を接合」を「セラミックス基板の少なくとも一方の面に活性金属としてＴｉを含むろう材で金属板を接合」とし、さらに、同「金属−セラミックス接合基板」を「電車に使用されるパワーモジュール用金属−セラミックス接合基板」として、いずれも限定を加えるもの、及び同請求項６を削除するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号、同条同項第２号に規定する、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正のなされた補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けるものであるか否かを以下に検討する。
　
（２）引用例・周知例に記載された事項・視認される事項
（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−２８３６７１号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が載されている。
（ア）「本発明は回路上の半導体素子からの発熱量を回路から効率よく除去できるセラミックス−金属複合回路基板を提供することを目的とする。」（【０００１】）
（イ）「加熱炉中の温度域を５５０℃，６００℃，６５０℃と３段階に分けて夫々保持時間を変えたもののボイドを調べたところ、５５０℃での脱バインダー温度ではボイド径の大きいものが見られるのに対し、脱バインダー温度が上昇するに従ってこの径が小さくなり、更に同一温度でも保持時間を長くして脱バインダー処理を行なって、バインダー中のカーボンを除去すると同様にボイド径が小さくなり、結果として面積当たりのボイド率が低下することが測定できた。」（【００１６】）
（ウ）「（実施例１）
・・・・・・
日立建機製の超音波探傷装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ−ｉ）を用いてボイド最大径、１５ｃｍ2 当たりの径１００μｍ以上のボイド数及びボイド率を夫々測定し・・・・・・た。なお、超音波探傷装置で得られたボイドの画像は、実際のボイド箇所の切断面観察で得られたボイド径と一致するように超音波探傷条件を設定した。」（【００１８】〜【００２０】）
（エ）「（実施例２）
　金属部材として厚さ０．３ｍｍの回路側用の銅板と、厚さ０．２５ｍｍのヒートシンク側用の銅板とを用意し、セラミックス部材として３０×５０×０．６３５ｍｍの窒化アルミニウム基板に予めＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のペーストろう材をスクリーン印刷して乾燥したものを９枚用意した。
　次いで、上記窒化アルミニウム基板を加熱炉中で加熱温度、保持時間を夫々変えて脱バインダー処理を行ない、バインダー中に含まれるカーボンを除去した後、更に８５０℃一定にして銅板を基板の上下面に接合した接合体を得、・・・・・・金属−セラミックス複合回路基板を得た。
　これらの金属−セラミックス複合回路基板のうち、Ｓｉチップ等の半導体素子を搭載する部分の回路用銅板と窒化アルミニウム基板とのろう材接合による接合界面を実施例１に示す超音波探傷装置を用いてボイド最大径、１５ｃｍ2 当たりの径１００μｍ以上のボイド数及びボイド率を夫々測定し、これらの結果を表２に併せて示した。
【表２】
　
」（【００２２】〜【００２６】）
（オ）測定後の複合基板の回路面に半導体素子としてＳｉチップを搭載して電力を通す試験を行なった」（【００２７】）
（カ）「【発明の効果】本発明のセラミックス−金属複合回路基板の開発により、・・・・・・接合界面のボイド率を１．５％以下に制御することができた。これにより熱抵抗に優れた回路基板を低コストで製造でき、商業的価値の極めて高いものである。」（【００２８】）
　
（２−２）周知技術を記載した文献（周知例）である「電気学会編　”電気工学ポケットブック（第４版）”　株式会社オーム社（昭和６２年７月２５日発行）４４頁」には、次のように記載されている。
（キ）「〔２〕パッシェンの法則
　平等電界中で火花放電が起こる電圧Ｖｓは、気圧ｐと電極間隔ｌの積ｐｌの関数となり、図１・５２のように最小値Ｖｓｍｉｎのあることが実験的に見い出された。これを発見者の名前をとってパッシェンの法則という。」（４４頁左欄下から２行〜同頁右欄４行）
（ク）図１・５２には縦軸にＶｓ、横軸にｐｌをとったグラフがあり、（ｐｌ）ｍｉｎでＶｓｍｉｎが最小値となるような曲線が描かれていることが見て取れる。
　
（３）引用例に記載された発明
（あ）上記（エ）の「セラミックス部材として・・・・・・窒化アルミニウム基板に予めＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のペーストろう材をスクリーン印刷して・・・・・・銅板を基板の上下面に接合した接合体を得、・・・・・・金属−セラミックス複合回路基板を得た。」との記載からみて、窒化アルミニウム基板の両方の面にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のペーストろう材で銅板を接合しているといえる。
（い）上記（エ）の「金属−セラミックス複合回路基板のうち、Ｓｉチップ等の半導体素子を搭載する部分の回路用銅板」との記載からみて、この「金属−セラミックス複合回路基板」は、半導体素子用であることは明らかである。
（う）上記（カ）の記載からみて、接合界面のボイド率が１．５％以下のものが熱抵抗に優れた金属−セラミックス複合回路基板といえ、上記（エ）の表２において、ボイド率が１．５％以下のとき、ボイドの最大径は、「１２０μｍ」、「１１０μｍ」、「不明」と記載されている。
（え）上記（イ）には、ボイド径は、脱バインダー温度が上昇すると、あるいは、同一の脱バインダー温度でも保持時間が長くなると、小さくなることが記載されているといえるから、表２において、脱バインダー温度６００℃で６時間保持したもののボイド最大径は、不明と記載されているものの、６００℃で４時間保持したときのボイド最大径１１０μｍよりも小さく、また、６５０℃で４時間、６時間保持したもののボイド最大径も不明と記載されているものの６５０で２時間保持したときのボイド最大径１２０μｍよりも小さいといえる。
（お）上記（カ）の記載をみると、ボイド率を１．５％以下にすることが望ましいとみることができ、上記（イ）には、ボイド径が小さくなるとボイド率が下がることが記載されていること（このことは、表２において、ボイド率が１．５％以下のときのボイドの最大径からも窺い知ることができる。）を併せみると、ボイド径は小さいことが望ましいとの技術思想が引用例には開示されているといえる。
　そこで、上記（あ）〜（お）の検討を踏まえて、上記（ア）〜（カ）の記載事項を、補正後発明の記載ぶりに則して整理して記載すると、引用例には、
「窒化アルミニウム基板の両方の面にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のペーストろう材で銅板を接合し、銅板と窒化アルミニウム基板とのろう材接合による接合界面のボイドの最大径が１２０μｍ以下である半導体素子用金属−セラミックス複合回路基板の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（４）対比・判断
　補正後発明と引用発明を対比する。
（か）引用発明の「窒化アルミニウム基板」及び「銅板」は、それぞれ、補正後発明の「セラミックス基板」及び「金属板」に相当する。また、補正後発明の「セラミックス基板の少なくとも一方の面」は、「セラミックス基板の両方の面」を含むものである。さらに、本願明細書の「接合層とはセラミックス基板と金属板にはさまれた部分をいうものである。」（【０００７】）の記載からみて、引用発明の「銅板と窒化アルミニウム基板とのろう材接合による接合界面」は、補正後発明の「接合層」といえる。
（き）引用発明の「Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のペーストろう材」は、「Ａｇ、Ｃｕを主成分とし、活性金属としてＴｉを含むろう材」に他ならない。
（く）補正後発明のボイド直径は、本願明細書【００１９】の記載によれば、「日立建機株式会社製超音波探傷装置ｍｉｓｃｏｒｐ−ｉ」にて測定されるものであり、上記（ウ）の記載からみて、引用発明のボイド直径も「日立建機製の超音波探傷装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ−ｉ）」にて測定されるものであるから、両者のボイド径として測定されるものに実質的な差違はなく（「ｍｉｓｃｏｒｐ−ｉ」と「ｍｉ−ｓｃｏｐｅ−ｉ」は事実上同じものであるとみている）、引用発明の「ボイドの最大径が１２０μｍ以下」は、補正後発明の「ボイドの直径を０．６５ｍｍ以下」とボイドの直径が１２０μｍ以下、すなわち、０．１２ｍｍ以下の範囲で一致している。
（け）補正後発明の「電車に使用されるパワーモジュール」は、半導体素子の一つである。
（こ）引用発明の「金属−セラミックス複合回路基板」は、金属とセラミックスが接合されたものであるから、補正後発明の「金属−セラミックス接合基板」に相当する。
　上記（か）〜（こ）の検討を踏まえると、補正後発明と引用発明とは、
「セラミックス基板の両方の面にＡｇ、Ｃｕを主成分とし、活性金属としてＴｉを含むろう材で金属板を接合し、接合層のボイドの直径を０．１２ｍｍ以下にする半導体素子用金属−セラミックス接合基板の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：半導体素子用金属−セラミックス接合基板につき、補正後発明が電車に使用されるパワーモジュール用であるのに対し、引用発明がかかる特定を有していない点
相違点Ｂ：補正後発明が接合層のボイドの直径を０．６５ｍｍ以下にすることによって、部分放電の放電開始電圧および放電終止電圧が４．０Ｋｖ以上となるように特定されているのに対して、引用発明はボイドの直径の範囲は補正後発明の範囲内にあるものの、ボイドの直径をある値以下にして部分放電の放電開始電圧および放電終止電圧を特定の電圧以上とすることが特定されていない点
　
　そこで、これら相違点について検討する。
・相違点Ａについて
　上記（オ）には、「半導体素子としてＳｉチップを搭載して電力を通す試験を行なった」との記載、また、（カ）の「熱抵抗に優れた」との記載からみて、引用発明の半導体素子用金属−セラミックス複合回路基板は、大電力向けのパワーモジュール用であるといえる。ここで、大電力向けのパワーモジュールとしてＩＧＢＴはごく普通のものであり、このＩＧＢＴを用いて電車の運転制御（電力制御）を行うことは周知技術である（要すれば、特開平１１−３９９５号公報、特開平５−８３９４７号公報を参照）。そうすると、引用発明の半導体素子用金属−セラミックス複合回路基板を電車に使用されるパワーモジュール用金属−セラミックス複合回路基板とすることは、当業者であれば困難なくなし得ることである。
・相違点Ｂについて
　まず、パッシェンの法則についてみてみると、上記（キ）及び（ク）の記載より、同法則によれば、放電が起こる電圧Ｖｓは気圧ｐと電極間隔ｌの積ｐｌの関数となり、ｐが一定であれば、Ｖｓはｌによって変化し、ある値ｌでＶｓは最小となる変化をするといえる。
　ここで、接合層のボイド内部における放電について検討すると、各ボイド内にはろう付け時に発生したほぼ同圧のガスが含まれ、ろう材層が十分に厚いものであれば、ボイドの外周面には界面張力を最小にする力が働くから、ボイドの形状は球に近い三次元形状といえる。また、金属−セラミック接合基板の両面に電圧を印加した場合を等価回路によって表せば、ボイドはコンデンサとして表されることは技術常識から明らかであって、このコンデンサの電極間において放電が生じるとみることができる。
　ところで、上記相違点Ａの検討のところで述べたように、引用発明の半導体素子用金属−セラミックス複合回路基板は大電力向けのパワーモジュール用であるといえるから、放電に対する配慮が当然になされており、１２０μｍ（＝０．１２ｍｍ）以下のボイド直径においても放電が起こらないように、この複合回路基板に印加する電圧の上限値が設定されていることは明らかである。
　すなわち、引用発明において、０．１２ｍｍ以下のボイド直径で放電が起こらないということは、ボイド直径がコンデンサの電極間隔と相関するとみたとき、ボイド直径０．１２ｍｍと相関するコンデンサ電極間隔に相当する電極間隔（以下、「０．１２ｍｍ相当値」という。）以下の電極間隔において放電が起こらないことといえる。
　このことを、上記パッシェンの法則をあてはめてみてみると、ボイド内は同圧だから上記０．１２ｍｍ相当値以下の電極間隔は、パッシェンの法則でいうＶｓの最小値を与える電極間隔（上記ある値ｌ）以下（左方）の電極間隔（領域）に相当するとみることができる。
　そうすると、同法則の教示によれば、上記０．１２ｍｍ相当値以下と電極間隔が小さくなると、換言すれば、ボイド直径が０．１２ｍｍ以下とボイドが小さくなると、放電が起きる電圧はより高くなることが予想される。
　よって、引用発明の半導体素子用金属−セラミックス複合回路基板を電車に使用されるパワーモジュール用として用いるに当たり、パワーモジュールの安定動作や安全性を考慮して実際に印加する電圧よりも高い電圧、例えば４Ｋｖを設定し、この４Ｋｖ以上の部分放電の放電開始電圧および放電終止電圧となるようなボイドの直径を、パッシェンの法則の教示に従って適宜定め、この定めたボイド直径以下の直径を有するボイドとすることは、当業者であれば困難なくなし得ることである。
　そして、補正後発明の奏する作用効果は格別なものとはいえない。
　してみれば、補正後発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者であれば困難なく発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１９年５月２８日付け手続補正は上記２．の通り却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成１９年２月５日付けの手続補正書によ
って補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
【請求項１】　セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属板を接合し、接合層のボイドの直径を０．６５ｍｍ以下にすることによって、部分放電の放電開始電圧および放電終止電圧が４．０Ｋｖ以上となるようにしたことを特徴とする金属−セラミックス接合基板の製造方法。
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例（特開平９−２８３６７１号公報）、周知例には、上記２．（２）に摘示した事項が記載されている。
　
５．対比・判断
　本願発明は、上記２．において検討した補正後発明において、「Ａｇ、Ｃｕを主成分とし、活性金属としてＴｉを含むろう材で」及び「電車に使用されるパワーモジュール用の」の２つの特定事項を有していないものである。
　そうすると、この２つの特定事項を有する補正後発明が、上記２．（３）（４）に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正後発明と同じ理由によって、本願発明も、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。