Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の周波数が割り当てられた第１領域に在圏する移動局の通信を制御する第１基地局と、前記第１領域内において前記第１領域よりも小さい第２領域を通信範囲とする第２基地局と、前記第２基地局と通信可能に接続された情報管理装置と、を含んで構成された利用者情報管理システムであって、
前記第２基地局は、
前記第１基地局が出力する報知情報とは異なる報知情報を、前記第２領域に向けて出力する報知情報出力部と、
前記移動局が前記報知情報の切り替わりを検出したときに出力する応答情報を前記移動局から受信する応答情報受信部と、
前記応答情報受信部が受信した前記応答情報を前記情報管理装置へ送信する応答情報送信部と、
を備え、
前記報知情報出力部は、前記第１基地局が設定した複数の周波数毎に、所定の順序に従って当該周波数に対応する報知情報を順次出力し、
前記情報管理装置は、
前記応答情報送信部より送信された応答情報を取得する応答情報取得部と、
取得された前記応答情報に基づいて、前記第２領域内の前記移動局の把握を行う移動局把握部と、
前記移動局把握部による把握結果を出力する出力部と、
を備える利用者情報管理システム。
【請求項２】
前記第２基地局は、前記第１基地局に設定されたRouting  Area情報とは異なるRouting  Area情報、および、前記第１基地局に設定されたLocation  Area情報とは異なるLocation  Area情報の少なくとも一方が前記複数の周波数毎に設定され、
前記報知情報出力部は、設定された前記情報に基づいて前記報知情報を出力する請求項１に記載の利用者情報管理システム。
【請求項３】
前記移動局把握部は、さらに前記移動局の把握結果に基づいて、他の基地局から得られた前記移動局の把握結果も含めて前記移動局の動態情報を算出し、
前記出力部は、さらに前記移動局把握部によって算出された動態情報を出力する請求項１または２に記載の利用者情報管理システム。
【請求項４】
複数の周波数が割り当てられた第１領域に在圏する移動局の通信を制御する第１基地局と、前記第１領域内において前記第１領域よりも小さい第２領域を通信範囲とする第２基地局と、前記第２基地局と通信可能に接続された情報管理装置と、を含んで構成された利用者情報管理システムにおいて実行される利用者情報管理方法であって、
前記第２基地局が、前記第１基地局が出力する報知情報とは異なる報知情報を、前記第２領域に向けて出力する報知情報出力ステップと、
前記第２基地局が、前記移動局が前記報知情報の切り替わりを検出したときに出力する応答情報を前記移動局から受信する応答情報受信ステップと、
前記第２基地局が、前記応答情報受信ステップにおいて受信された前記応答情報を前記情報管理装置へ送信する応答情報送信ステップと、
前記情報管理装置が、前記応答情報送信ステップにおいて送信された応答情報を取得する応答情報取得ステップと、
前記情報管理装置が、取得された前記応答情報に基づいて、前記第２領域内の前記移動局の把握を行う移動局把握ステップと、
前記情報管理装置が、前記移動局把握ステップによる把握結果を出力する出力ステップと、
を備え、
前記報知情報出力ステップは、前記第２基地局が、前記第１基地局が設定した複数の周波数毎に、所定の順序に従って当該周波数に対応する報知情報を順次出力する利用者情報管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の利用者情報管理システムは、複数の周波数が割り当てられた第１領域に在圏する移動局の通信を制御する第１基地局と、前記第１領域内において前記第１領域よりも小さい第２領域を通信範囲とする第２基地局と、前記第２基地局と通信可能に接続された情報管理装置と、を含んで構成された利用者情報管理システムであって、前記第２基地局は、前記第１基地局が出力する報知情報とは異なる報知情報を、前記第２領域に向けて出力する報知情報出力部と、前記移動局が前記報知情報の切り替わりを検出したときに出力する応答情報を前記移動局から受信する応答情報受信部と、前記応答情報受信部が受信した前記応答情報を前記情報管理装置へ送信する応答情報送信部と、を備え、前記報知情報出力部は、前記第１基地局が設定した複数の周波数毎に、所定の順序に従って当該周波数に対応する報知情報を順次出力し、前記情報管理装置は、前記応答情報送信部より送信された応答情報を取得する応答情報取得部と、取得された前記応答情報に基づいて、前記第２領域内の前記移動局の把握を行う移動局把握部と、前記移動局把握部による把握結果を出力する出力部と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の利用者情報管理方法は、複数の周波数が割り当てられた第１領域に在圏する移動局の通信を制御する第１基地局と、前記第１領域内において前記第１領域よりも小さい第２領域を通信範囲とする第２基地局と、前記第２基地局と通信可能に接続された情報管理装置と、を含んで構成された利用者情報管理システムにおいて実行される利用者情報管理方法であって、前記第２基地局が、前記第１基地局が出力する報知情報とは異なる報知情報を、前記第２領域に向けて出力する報知情報出力ステップと、前記第２基地局が、前記移動局が前記報知情報の切り替わりを検出したときに出力する応答情報を前記移動局から受信する応答情報受信ステップと、前記第２基地局が、前記応答情報受信ステップにおいて受信された前記応答情報を前記情報管理装置へ送信する応答情報送信ステップと、前記情報管理装置が、前記応答情報送信ステップにおいて送信された応答情報を取得する応答情報取得ステップと、前記情報管理装置が、取得された前記応答情報に基づいて、前記第２領域内の前記移動局の把握を行う移動局把握ステップと、前記情報管理装置が、前記移動局把握ステップによる把握結果を出力する出力ステップと、を備え、前記報知情報出力ステップは、前記第２基地局が、前記第１基地局が設定した複数の周波数毎に、所定の順序に従って当該周波数に対応する報知情報を順次出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明によれば、第２基地局は、第１基地局が出力する報知情報とは異なる報知情報を第２領域に向けて出力し、第２領域内の移動局が送信した応答情報を受信する。情報管理装置は、この応答情報に基づいて移動局の把握を行うことができる。このように、異なる周波数が割り当てられた複数の異なるセルが地理的に重複して設定された環境であっても、移動局の把握を行うことが可能となる。また、各周波数に対応した報知情報の出力および応答情報の受信を行う無線通信装置を、各周波数毎に実装する必要がなく、簡素な構成とすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内に、ポリビニルアルコールの水溶液が封入されていることを特徴とする、リチウムイオン二次電池用熱暴走抑制剤。
【請求項２】
請求項１に記載の熱暴走抑制剤を内蔵していることを特徴とする、リチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板上に形成された第１の有機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜に接して形成された無機膜と、
前記第１の有機絶縁膜上に形成された第２の有機絶縁膜と、
前記第２の有機絶縁膜上に一部が接して形成された発光素子の電極と、
前記第１の基板と前記第２の基板を固着するシール材とを有し、
前記第１の無機膜はその一部が前記シール材と接して形成されており、
前記無機膜と前記電極とは重なっておらず、
前記シール材と前記電極との間には間隙があることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅合金製の金属部材に半導体素子を搭載した実装体を封止樹脂によって封止して形成した半導体装置であって、
前記金属部材と前記封止樹脂との界面に、膜厚が１００ｎｍ以下で、かつ、酸素および銅の成分濃度が５０ａｔ％以上の酸化膜が介在し、前記金属部材を防錆するための防錆皮膜が介在しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
銅合金製の金属部材に半導体素子を搭載した実装体を封止樹脂によって封止して形成した半導体装置の製造方法であって、
前記実装体を前記封止樹脂によって封止する封止工程と、
前記封止工程の前に、酸性かつ還元性を有するガス雰囲気中にて１８０℃以上の温度で前記実装体を５分間以上加熱する加熱工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止工程の前に、前記加熱工程に続いて水分濃度が５００ｐｐｍ以下の酸素含有ガス雰囲気中に前記実装体を暴露する工程を備えることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記加熱工程によって、前記金属部材の表面に形成される防錆皮膜の膜厚がほぼゼロになることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、該非晶質酸化物は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、及びＳｎ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物のうちのいずれかであり、且つ
該第２の工程を、成長室に設置されたオゾン発生装置から、オゾンガスを成長室に導入する工程、窒素酸化物ガスを成長室の外部から成長室に導入する工程、成長室に設置されたラジカル発生装置から、酸素ラジカルを成長室に導入する工程、成長室に設置されたプラズマ発生装置から、酸素イオンを該基板に向けて照射する工程、から選択されるいずれかの工程により発生させた、オゾンガス、窒素酸化物ガス、酸素含有ラジカル、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくともいずれかを含む雰囲気中で行うと共に、製造された該電界効果型トランジスタは、前記非晶質酸化物の電子キャリア濃度は１０1５／cm３以上、１０18／cm３未満であり、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が２ｃｍ２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法は、
基板を用意する第１の工程、及び
該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、該非晶質酸化物は、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物、及びＳｎ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物のうちのいずれかであり、且つ
該第２の工程を、
成長室に設置されたオゾン発生装置から、オゾンガスを成長室に導入する工程、
窒素酸化物ガスを成長室の外部から成長室に導入する工程、
成長室に設置されたラジカル発生装置から、酸素ラジカルを成長室に導入する工程、
成長室に設置されたプラズマ発生装置から、酸素イオンを該基板に向けて照射する工程、
から選択されるいずれかの工程により発生させた、オゾンガス、窒素酸化物ガス、酸素含有ラジカル、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくともいずれかを含む雰囲気中で行うと共に、製造された該電界効果型トランジスタは、前記非晶質酸化物の電子キャリア濃度は１０1５／cm３以上、１０18／cm３未満であり、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が２ｃｍ２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザー・レベルのマルチスレッド機能を提供するプロセッサ内の装置であって、
第一の非特権ユーザー命令によって生成される第一のシュレッドについての、共有リソース・スレッド（「シュレッド」）毎のアプリケーション状態を保持する第一のリソースと、
第二の非特権ユーザー命令によって生成される第二のシュレッドについての、シュレッド毎のアプリケーション状態を保持する、前記第一のリソースの複製を含む第二のリソースと、
共有リソースとを含み、前記共有リソースは、前記第一のシュレッドと前記第二のシュレッドとの間の通信を提供するために、少なくとも、前記第一のシュレッドによって第三の非特権ユーザー命令を通じて、および前記第二のシュレッドによって第四の非特権ユーザー命令を通じて、直接アクセス可能であり、前記共有リソースの各共有される状態要素が、前記第三および第四の非特権ユーザー命令を使った同期アクセスのための対応する空き／充満ビットを有する、
装置。
【請求項２】
前記第三の非特権ユーザー命令が、前記共有リソースの共有される状態要素への書き込みの前に前記空き／充満ビットが空きを示すまで待つ同期書き込みを実行する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第四の非特権ユーザー命令が、前記共有リソースの共有される状態要素からの読み出しの前に前記空き／充満ビットが充満を示すまで待つ同期読み出しを実行する、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記共有リソースが32ビット・アーキテクチャで使うための32ビットの共有される状態要素を有する、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記共有リソースが64ビット・アーキテクチャで使うための64ビットの共有される状態要素を有する、請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記第三の非特権ユーザー命令が、前記共有リソースの共有される状態要素への書き込みに際して対応する空き／充満ビットを充満を示すよう設定する同期書き込みを実行する、請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記第四の非特権ユーザー命令が、前記共有リソースの共有される状態要素からの読み出しに際して対応する空き／充満ビットを空きを示すよう設定する同期読み出しを実行する、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記第三の非特権ユーザー命令が、前記共有リソースの共有される状態要素への書き込みの前に前記空き／充満ビットが空きを示すかどうかを調べない非同期書き込みを実行する、請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記第四の非特権ユーザー命令が、前記共有リソースの共有される状態要素からの読み出しの前に前記空き／充満ビットが充満を示すかどうかを調べない非同期読み出しを実行する、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
前記共有リソースがレジスタである、請求項１記載の装置。
【請求項１１】
ユーザー・レベルのマルチスレッド機能を提供するプロセッサ・システムであって、
第一の組の複製された状態リソースを有する第一のユーザー・レベルのスレッドを生成するフォーク命令を実行し、第二の組の複製された状態リソースを有する第二のユーザー・レベルのスレッドを生成するもう一つのフォーク命令を実行する実行ユニットと；
前記第一のユーザー・レベルのスレッドによって実行される同期ユーザー・レベル命令書き込みおよび前記第二のユーザー・レベルのスレッドによって実行される同期ユーザー・レベル命令読み出しを通じて前記第一および第二のユーザー・レベルのスレッドの間の同期を提供する一組の共有される状態リソースであって、前記スレッドはいずれも前記一組の共有される状態リソースの同じ共有される状態要素にアクセスし、前記一組の共有される状態リソースの各共有される状態要素が、前記同期ユーザー・レベル命令書き込みおよび同期ユーザー・レベル命令読み出しを使ったそれぞれ同期書き込みアクセスおよび同期読み出しアクセスのための対応する空き／充満ビットに関連付けられている、
プロセッサ・システム。
【請求項１２】
前記同期ユーザー・レベル命令書き込みが、前記一組の共有される状態リソースの共有される状態要素への書き込みの前に前記空き／充満ビットが空きを示すまで待つ、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項１３】
前記同期ユーザー・レベル命令読み出しが、前記一組の共有される状態リソースの共有される状態要素からの読み出しの前に前記空き／充満ビットが充満を示すまで待つ、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項１４】
前記一組の共有される状態リソースが32ビット・アーキテクチャで使うための32ビットの共有される状態要素を有する、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項１５】
前記一組の共有される状態リソースが64ビット・アーキテクチャで使うための64ビットの共有される状態要素を有する、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項１６】
前記一組の共有される状態リソースがまた、前記第二のユーザー・レベルのスレッドによって実行される同期ユーザー・レベル命令書き込みを通じても前記第一および第二のユーザー・レベルのスレッドの間の同期を提供する、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項１７】
前記一組の共有される状態リソースがまた、前記第一のユーザー・レベルのスレッドによって実行される同期ユーザー・レベル命令読み出しを通じても前記第一および第二のユーザー・レベルのスレッドの間の同期を提供する、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項１８】
前記一組の共有される状態リソースがまた、前記第二のユーザー・レベルのスレッドによって実行される非同期ユーザー・レベル命令書き込みを通じても前記第一および第二のユーザー・レベルのスレッドの間の同期を提供する、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項１９】
前記一組の共有される状態リソースがまた、前記第一のユーザー・レベルのスレッドによって実行される非同期ユーザー・レベル命令読み出しを通じても前記第一および第二のユーザー・レベルのスレッドの間の同期を提供する、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項２０】
前記同期ユーザー・レベル命令書き込みが、前記一組の共有される状態リソースの共有される状態要素への書き込みに際して対応する空き／充満ビットを充満を示すよう設定する、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項２１】
前記同期ユーザー・レベル命令読み出しが、前記一組の共有される状態リソースの共有される状態要素からの読み出しに際して対応する空き／充満ビットを空きを示すよう設定する、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【請求項２２】
前記一組の共有される状態リソースがレジスタである、請求項１１記載のプロセッサ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、上記特許文献１のようなスラリー研磨を行う際、スラリー中に異物が混入されていると、半導体ウェハの表面に局所的な応力が加わり、変質したシリコン（以下、変質シリコンと称す）が凸状の欠陥として発生することが確認されている。また、変質シリコンは、フッ化水素によるエッチングレートが、シリコンより高くシリコン酸化膜より低いことが確認されている。
この欠陥を除去するために、特許文献２に記載のような方法を用いることが考えられる。しかしながら、上記のように変質シリコンのエッチングレートがシリコンより高いため、変質シリコンを除去可能な条件でエッチングすると、変質シリコンの欠陥のみが除去され、半導体ウェハの表面に大きな凹状の溝が形成されてしまうという問題が挙げられる。
また、フッ酸を噴霧する場合は、フッ化水素を含む気体を噴射する場合に比べて不純物の含有量が多いため、半導体シリコンウェハ表面に付着するパーティクルなどの付着物の量が多くなってしまうという問題が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（２）シリコンウェハ表面１１に対して、オゾン水溶液２によるシリコン酸化膜１０Ａの形成と、フッ酸３によるシリコン酸化膜１０Ａの溶解除去とを繰り返し行うため、この繰り返し回数を適宜設定することで、容易に所定の膜厚のシリコン酸化膜１０Ａを溶解除去することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本実施形態の効果を説明するための実施例および比較例について説明する。
［実験方法］
〔比較例１〕
酸化処理は、温度２３℃、濃度１５ｐｐｍのオゾン水溶液２をシリコンウェハ表面１１に流量１リットル／分で１５秒間液滴下することで行った。
また、液相エッチング処理は、温度２３℃、濃度１質量％のフッ酸３をシリコンウェハ表面１１に流量１リットル／分で３秒間液滴下することで行った。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
〔比較例２〕
比較例１と同様の酸化処理を行った。
また、液相エッチング処理は、温度２３℃、濃度１質量％のフッ酸３をシリコンウェハ表面１１に流量１リットル／分で６０秒間液滴下することで行った。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
［実験結果］
図３には、洗浄後のシリコンウェハ表面における単位面積当たりの表面形状の割合が示されている。
図３について説明すると、Ｒｉｄｇｅ（リッジ）はシリコンウェハ表面１１の変質シリコンで構成される欠陥１２のことであり、Ｓｃｒａｔｃｈ（スクラッチ）はシリコンウェハ表面１１の欠陥１２の箇所がエッチングされて欠陥１２が凹状に形成されたものであり、消滅は略平滑な平面のことである。
縦軸は、研磨直後のリッジ個数全体を１００％として、それらのリッジがリッジ、スクラッチおよび消滅のそれぞれに変化した個数の割合を示している。横軸には、比較例１、比較例２、実施例１および比較例３の方法で洗浄したものを示している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
これより、比較例１では、約９８％がリッジのまま存在している。
そして比較例２では、液相エッチング時間が３秒から６０秒まで延長されることで、欠陥１２が溶解され、リッジがスクラッチへと移行している。その結果、比較例２はリッジが約３５％とスクラッチが約６０％となっている。
実施例１では、比較例１と同様の酸化処理と液相エッチング処理とを繰り返すことで、リッジを浮き彫りにし、更に気相エッチング処理を６０秒行うことで浮き彫りとなった欠陥１２を溶解除去している。その結果、リッジが約３０％まで減少し、消滅が約６０％となっている。
比較例３では、比較例１と同様の酸化処理と液相エッチング処理とを繰り返した後に、更に比較例２と同様の液相エッチング処理を６０秒行うことで、リッジを浮き彫りにし、欠陥１２を溶解除去している。その結果、実施例１と同様にリッジが約３０％まで減少し、消滅が約６０％となっている。
これより、実施例１と比較例３との洗浄方法は、シリコンウェハ表面１１のリッジ欠陥を除去することができ、その大部分を略平滑な平面（消滅）とすることができることが確認できた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図５には、（Ａ）洗浄前の欠陥箇所の粒径が６０ｎｍ以上の場合の洗浄後の粒径が示され、（Ｂ）洗浄前の欠陥箇所の粒径が３５〜６０ｎｍの場合の洗浄後の粒径が示されている。
図５について説明すると、横軸は洗浄前の欠陥箇所の粒径を示し、縦軸は洗浄後の欠陥箇所の粒径を示している。
これによると、図５（Ａ），（Ｂ）ともに実施例１（比較例３も同等）、比較例２、比較例１の順に洗浄後の欠陥箇所の粒径が小さくなっていることがわかる。これより、実施例１（比較例３も同等）、比較例２、比較例１の順に欠陥箇所を除去若しくは縮小できる能力が高いことがわかる。よって、付着物量、欠陥除去等を踏まえると実施例１の洗浄方法が最も好ましいことが確認できた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態におけるシリコンウェハの模式図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図。
【図２】前記実施形態における各工程のシリコンウェハの模式的な断面図であり、（Ａ）は酸化処理後、（Ｂ）は酸化エッチング処理後、（Ｃ）は液相エッチング処理後を示す。
【図３】本発明の実施例における洗浄後のシリコンウェハ表面における単位面積当たりの各種表面形状の割合を示すグラフ。
【図４】前記実施例における洗浄後にシリコンウェハ表面に付着している付着物の量を相対的な割合で示すグラフ。
【図５】前記実施例における洗浄前後の欠陥箇所の粒径を示すグラフであり、（Ａ）は洗浄前の欠陥箇所の粒径が６０ｎｍ以上の場合、（Ｂ）は洗浄前の欠陥箇所の粒径が３５〜６０ｎｍの場合を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
〔比較例１〕
酸化処理は、温度２３℃、濃度１５ｐｐｍのオゾン水溶液をシリコンウェハ表面１１に流量１リットル／分で１５秒間噴霧することで行った。
また、液相エッチング処理は、温度２３℃、濃度１質量％のフッ酸をシリコンウェハ表面１１に流量１リットル／分で３秒間噴霧することで行った。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
〔比較例２〕
比較例１と同様の酸化処理を行った。
また、液相エッチング処理は、温度２３℃、濃度１質量％のフッ酸をシリコンウェハ表面１１に流量１リットル／分で６０秒間噴霧することで行った。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
〔実施例１〕
比較例３と同様の酸化処理を行った。
また、気相エッチング処理は、窒素ガスに濃度２３ｇ/ｍ３のフッ化水素を含む混合ガ
スを洗浄ガス３としてシリコンウェハ表面１１に噴射圧力１０１ｋＰａで６０秒間噴射することで行った。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
［実験結果］
図３には、洗浄後のシリコンウェハ表面における単位面積当たりの表面形状の割合が示されている。
図３について説明すると、Ｒｉｄｇｅ（リッジ）はシリコンウェハ表面１１の変質シリコンで構成される欠陥１２のことであり、Ｓｃｒａｔｃｈ（スクラッチ）はシリコンウェハ表面１１の欠陥１２の箇所がエッチングされて欠陥１２が凹状に形成されたものであり、消滅は略平滑な平面のことである。
縦軸は、研磨直後のリッジ個数全体を１００％として、それらのリッジがリッジ、スクラッチおよび消滅のそれぞれに変化した個数の割合を示している。横軸には、比較例１、比較例２、実施例１および比較例３の方法で洗浄したものを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
実施例１では、オゾンガス２によりシリコンウェハ表面１１を酸化処理してシリコン酸化膜１０Ａと酸化欠陥１２Ａとを形成し、その後、更に気相エッチング処理を６０秒行いシリコン酸化膜１０Ａと酸化欠陥１２Ａとをエッチングして溶解除去している。その結果、スクラッチが発生せずにリッジから消滅へと移行していることがわかった。
比較例３では、高濃度オゾンガス２によりシリコンウェハ表面１１を酸化処理してシリコン酸化膜１０Ａと酸化欠陥１２Ａとを形成し、その後、更に比較例２と同様の液相エッチング処理を６０秒行いシリコン酸化膜１０Ａと酸化欠陥１２Ａとをエッチングして溶解除去している。その結果、大部分のリッジが消滅へと移行していることがわかった。
これより、実施例１と比較例３との洗浄方法は、シリコンウェハ表面１１のリッジを除去することができ、その大部分を略平滑な平面とすることができることが確認できた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図５には、（Ａ）洗浄前後の欠陥箇所の粒径が６０ｎｍ以上の場合の洗浄後の粒径が示され、（Ｂ）洗浄前後の欠陥箇所の粒径が３５〜６０ｎｍの場合の洗浄後の粒径が示されている。
図５について説明すると、横軸は洗浄前の欠陥箇所の粒径を示し、縦軸は洗浄後の欠陥箇所の粒径を示している。
これによると、図５（Ａ），（Ｂ）ともに実施例１（比較例３も同等）、比較例２、比較例１の順に洗浄後の欠陥箇所の粒径が小さくなっていることがわかった。よって、実施例１（比較例３も同等）、比較例２、比較例１の順に欠陥箇所を除去若しくは縮小できる能力が高いことがわかった。
また、比較例１，２に比べて実施例１（比較例３も同等）は大幅に洗浄後粒径が縮小していることから、実施例１（比較例３も同等）による洗浄方法は、卓越した欠陥除去能力を有していることが確認できた。
よって、付着物量、欠陥除去等を踏まえると実施例１の洗浄方法が最も好ましいことが確認できた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態におけるシリコンウェハの模式図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図。
【図２】前記実施形態における各工程のシリコンウェハの模式的な断面図であり、（Ａ）は酸化処理後、（Ｂ）は液相エッチング処理後を示す。
【図３】本発明の実施例における洗浄後のシリコンウェハ表面における単位面積当たりの各種表面形状の割合を示すグラフ。
【図４】前記実施例における洗浄後にシリコンウェハ表面に付着している付着物の量を相対的な割合で示すグラフ。
【図５】前記実施例における洗浄前後の欠陥箇所の粒径を示すグラフであり、（Ａ）は洗浄前の欠陥箇所の粒径が６０ｎｍ以上の場合、（Ｂ）は洗浄前の欠陥箇所の粒径が３５〜６０ｎｍの場合を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム装置に使用され且つ負及び正に荷電された粒子を同時に検出するための検出装置であって、
正及び負に荷電された二次粒子を分離する分離フィールド（２２０Ｆ）を発生するよう構成された分離フィールド発生部分（２２０）と、
正に荷電された粒子を検出するための少なくとも１つの第１検出器（２１２，３１２，４１２，５１２，７１２）と、
負に荷電された粒子を検出するための少なくとも１つの第２検出器（２１４，３１４，４１４，５１４，７１４）と、
を備え、
正に荷電された粒子を前記少なくとも１つの第１検出器で且つ負に荷電された粒子を前記少なくとも１つの第２検出器で同時に検出するよう構成され、
前記分離フィールド発生部分は、
電界を発生するよう構成された電界発生部分（３２２Ｍ，３２２Ｐ；４２２Ｍ，４２２Ｐ，４２４Ｍ，４２４Ｐ；５２２Ｍ，５２２Ｐ；７２２Ｍ，７２２Ｐ）と、
前記電界と少なくとも分離エリアにおいて実質的に直交する磁界を発生するよう構成された磁界発生部分（３３２Ｎ，３３２Ｓ；４３２Ｎ，４３２Ｓ，４３４Ｎ，４３４Ｓ）と、
を備える、検出装置。
【請求項２】
前記磁界は、実質的に、均質なフィールド、双極フィールド、四極フィールド又は四極より多極のフィールドであり、及び／又は、前記電界は、実質的に、均質なフィールド、双極フィールド、四極フィールド又は四極より多極のフィールドである、請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記分離フィールド発生部分は、
正に荷電された粒子の通過が少なくとも部分的に可能であり、負の電圧でバイアスされるよう構成された第１電極（３２２Ｍ，４２２Ｍ，５２２Ｍ，７２２Ｍ）と、
負に荷電された粒子の通過が少なくとも部分的に可能であり、正の電圧でバイアスされるよう構成された第２電極（３２２Ｐ，４２２Ｐ，５２２Ｐ，７２２Ｐ）と、
を備えた請求項１又は２に記載の検出装置。
【請求項４】
正に荷電された粒子を粒子特性に基づいてフィルタするよう構成された前記少なくとも１つの第１検出器の検出器アパーチャー（７５４）、及び／又は
負に荷電された粒子を粒子特性に基づいてフィルタするよう構成された前記少なくとも１つの第２検出器の検出器アパーチャー（７５２）、
を更に備えた請求項１〜３のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの第１検出器及び／又は少なくとも１つの第２検出器の出力を評価するための評価ユニット（５４０，７４０）を更に備え、
前記少なくとも１つの第１検出器は、その出力を前記評価ユニットへ伝送するための出力部分（５１２Ｅ，７１２Ｅ）を含み、及び／又は前記少なくとも１つの第２検出器は、その出力を前記評価ユニットへ伝送するための出力部分（５１４Ｅ，７１４Ｅ）を含み、
前記評価ユニットは、前記少なくとも１つの第１検出器の出力部分から及び／又は前記少なくとも１つの第２検出器の出力部分から出力を受け取るための入力部分（５４２，５４４；７４２，７４４）を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の検出装置を備えた荷電粒子ビーム装置であって、
一次荷電粒子ビーム（１）を発生するための一次荷電粒子ビームソースと、
サンプルを保持するためのサンプルホルダ（３）と、
を更に備えた荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
分離フィールドは、更に、前記一次荷電粒子ビーム（１）が非偏向で通過するようにさせるよう構成された、請求項６に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
前記一次荷電粒子ビームを整形及び／又は偏向するためのビーム整形部分（４，５，７）であって、衝突角度及び／又は衝突スポットに作用するよう構成されたビーム整形部分を更に備えた、請求項６又は７に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
荷電粒子ビーム用途で負及び正に荷電された粒子を同時に検出する方法であって、
分離フィールドにおいて負に荷電された二次粒子を正に荷電された二次粒子から分離するステップであって、前記分離フィールドは、電界と、該電界と少なくとも分離エリアにおいて実質的に直交する磁界とを含む、ステップと、
正に荷電された二次粒子を少なくとも１つの第１検出器で且つ負に荷電された二次粒子を少なくとも１つの第２検出器で同時に検出するステップと、
を備えた方法。
【請求項１０】
前記磁界は、均質なフィールド、双極フィールド、四極フィールド又は四極より多極のフィールドであり、及び／又は、前記電界は、均質なフィールド、双極フィールド、四極フィールド又は四極より多極のフィールドである、
請求項９に記載の負及び正に荷電された粒子を同時に検出する方法。
【請求項１１】
粒子を少なくとも１つの粒子特性に基づいてフィルタリングするステップを更に備え、粒子は、負に荷電された粒子及び正に荷電された粒子の少なくとも１つを含む、請求項９又は１０に記載の負及び正に荷電された粒子を同時に検出する方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの第１検出器及び少なくとも１つの第２検出器の検出出力を評価するステップを更に備えた、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の負及び正に荷電された粒子を同時に検出する方法。
【請求項１３】
サンプルを像形成する方法において、
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の負及び正に荷電された粒子を検出する方法と、
サンプルを準備するステップと、
一次荷電粒子ビームを与えるステップと、
を備え、負及び正に荷電された粒子は、一次荷電粒子ビームがサンプルに衝突することにより与えられる、方法。
【請求項１４】
前記一次荷電粒子ビームは、分離フィールドを非偏向で通過する、請求項１３に記載のサンプルを像形成する方法。
【請求項１５】
前記一次荷電粒子ビームソースは、ガスフィールドイオンソースを含む、請求項６〜８のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像のインパルスノイズを低減したプレノイズ低減画像を生成するノイズ低減手段と、
前記入力画像の、処理対象画素を含む局所的な領域の複数の画素の信号レベルを平滑化した値を算出する平滑化手段と、
前記プレノイズ低減画像を用いて、前記処理対象画素のエッジの程度を示す特徴量を算出する特徴量算出手段と、
前記特徴量に応じた割合で、前記処理対象画素の信号レベルと前記平滑化した値とを加重加算し、加重加算の結果を前記入力画像のノイズ低減処理後の信号レベルとして出力する加算手段とを有し、
前記加算手段は、エッジの程度が高いことを示す特徴量を有する画素ほど、前記平滑化した値の割合が小さくなるように加重加算することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記特徴量算出手段は、前記プレノイズ低減画像の前記処理対象画素を含む局所的な領域の複数の画素の信号レベルの分散値と、前記プレノイズ低減画像のノイズの分散値を用いて前記特徴量を算出するものであり、
前記ノイズの分散値に対する前記信号レベルの分散値の割合が大きくなるほど、前記特徴量が示すエッジの程度が高くなることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記入力画像の縮小画像を生成する縮小画像生成手段と、
前記加算手段から出力された複数の信号レベルの中からいずれかを選択する選択手段とをさらに有し、
前記ノイズ低減手段は、前記縮小画像のインパルスノイズを低減したプレノイズ低減画像をさらに生成し、
前記平滑化手段は、前記縮小画像の処理対象画素を含む局所的な領域の複数の画素の信号レベルを平滑化した値をさらに算出し、
前記特徴量算出手段は、前記縮小画像のプレノイズ低減画像を用いて、前記処理対象画素のエッジの程度を示す特徴量をさらに算出し、
前記加算手段は、前記縮小画像のプレノイズ低減画像を用いて算出した前記特徴量に応じた割合で、前記縮小画像の処理対象画素の信号レベルと前記縮小画像の前記平滑化した値とを加重加算し、加重加算の結果を前記縮小画像のノイズ低減処理後の信号レベルとしてさらに出力し、
前記選択手段は、前記入力画像の信号レベルの分散値が閾値以上であれば、前記入力画像のノイズ低減処理後の信号レベルを選択し、前記入力画像の信号レベルの分散値が前記閾値よりも小さければ、前記縮小画像のノイズ低減処理後の信号レベルを選択して出力するか、あるいは、前記入力画像のプレノイズ低減画像の信号レベルの分散値が閾値以上であれば、前記入力画像のノイズ低減処理後の信号レベルを選択し、前記入力画像のプレノイズ低減画像の信号レベルの分散値が前記閾値よりも小さければ、前記縮小画像のノイズ低減処理後の信号レベルを選択して出力することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記閾値は、前記縮小画像の信号レベルに含まれるノイズの分散値であることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記選択手段にて出力された信号レベルと、前記入力画像の信号レベルとを加重加算し、加重加算の結果の信号レベルを前記入力画像のノイズ低減後の信号レベルとして出力する混合処理手段を有することを特徴とする請求項３または４記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記混合処理手段は、前記入力画像を撮影した際に撮影装置に設定されていた感度が高いほど、前記選択手段にて出力された信号レベルの割合が大きくなるように加重加算することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記加算手段は、前記入力画像を撮影した際に撮影装置に設定されていた感度が高いほど、前記平滑化した値の割合が大きくなるように加重加算することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像処理装置が実行する画像処理方法であって、
ノイズ低減手段が、入力画像のインパルスノイズを低減したプレノイズ低減画像を生成するノイズ低減工程と、
平滑化手段が、前記入力画像の、処理対象画素を含む局所的な領域の複数の画素の信号レベルを平滑化した値を算出する平滑化工程と、
特徴量算出手段が、前記プレノイズ低減画像を用いて、前記処理対象画素のエッジの程度を示す特徴量を算出する特徴量算出工程と、
加算手段が、前記特徴量に応じた割合で、前記処理対象画素の信号レベルと前記平滑化した値とを加重加算し、加重加算の結果を前記入力画像のノイズ低減処理後の信号レベルとして出力する加算工程とを有し、
前記加算工程において前記加算手段は、エッジの程度が高いことを示す特徴量を有する画素ほど、前記平滑化した値の割合が小さくなるように加重加算することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
前記特徴量算出工程において前記特徴量算出手段は、前記プレノイズ低減画像の処理対象画素を含む局所的な領域の複数の画素の信号レベルの分散値と、前記プレノイズ低減画像のノイズの分散値を用いて前記特徴量を算出し、
前記ノイズの分散値に対する前記信号レベルの分散値の割合が大きくなるほど、前記特徴量が示すエッジの程度が高くなることを特徴とする請求項８に記載の画像処理方法。
【請求項１０】
縮小画像生成手段が、前記入力画像の縮小画像を生成する縮小画像生成工程と、
選択手段が、前記加算工程において出力された複数の信号レベルの中からいずれかを選択する選択工程とをさらに有し、
前記ノイズ低減工程において前記ノイズ低減手段は、前記縮小画像のインパルスノイズを低減したプレノイズ低減画像をさらに生成し、
前記平滑化工程において前記平滑化手段は、前記縮小画像の処理対象画素を含む局所的な領域の複数の画素の信号レベルを平滑化した値をさらに算出し、
前記特徴量算出工程において前記特徴量算出手段は、前記縮小画像のプレノイズ低減画像を用いて、前記処理対象画素のエッジの程度を示す特徴量をさらに算出し、
前記加算工程において前記加算手段は、前記縮小画像のプレノイズ低減画像を用いて算出した前記特徴量に応じた割合で、前記縮小画像の処理対象画素の信号レベルと前記縮小画像の前記平滑化した値とを加重加算し、加重加算の結果を前記縮小画像のノイズ低減処理後の信号レベルとしてさらに出力し、
前記選択工程において前記選択手段は、前記入力画像の信号レベルの分散値が閾値以上であれば、前記入力画像のノイズ低減処理後の信号レベルを選択し、前記入力画像の信号レベルの分散値が前記閾値よりも小さければ、前記縮小画像のノイズ低減処理後の信号レベルを選択して出力するか、あるいは、前記入力画像のプレノイズ低減画像の信号レベルの分散値が閾値以上であれば、前記入力画像のノイズ低減処理後の信号レベルを選択し、前記入力画像のプレノイズ低減画像の信号レベルの分散値が前記閾値よりも小さければ、前記縮小画像のノイズ低減処理後の信号レベルを選択して出力することを特徴とする請求項９に記載の画像処理方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、前記画素部の外側に保護回路とを有し、
前記保護回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線とを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第１端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの第１端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの第２端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタの第１端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４トランジスタの第２端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタはそれぞれ、酸化物半導体を有し、
前記第１の配線と、前記第１乃至第４のトランジスタの第２端子とは、透明導電膜を介して電気的に接続することができることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
画素部と、前記画素部の外側に保護回路とを有し、
前記保護回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線とを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第１端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはそれぞれ、酸化物半導体を有し、
前記第１の配線と、前記第１のトランジスタの第２端子、又は第２のトランジスタの第１端子とは、透明導電膜を介して電気的に接続することができることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを含むことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４のトランジスタを有し、
前記第１乃至第４のトランジスタは、各々、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第４のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の酸化物半導体と、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の酸化物半導体と、第３の導電層と、第４の導電層と、を有し、
前記第３のトランジスタは、第３のゲート電極と、第３の酸化物半導体と、第５の導電層と、第６の導電層と、を有し、
前記第４のトランジスタは、第４のゲート電極と、第４の酸化物半導体と、第７の導電層と、第８の導電層と、を有し、
前記第１のゲート電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の酸化物半導体は、前記第１のゲート電極と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の酸化物半導体と電気的に接続され、且つ前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第１の酸化物半導体と電気的に接続され、且つ第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の酸化物半導体は、前記第２のゲート電極と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の酸化物半導体と電気的に接続され、且つ前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４の導電層は、前記第２の酸化物半導体と電気的に接続され、且つ第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のゲート電極は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３の酸化物半導体は、前記第３のゲート電極と重なる領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第３の酸化物半導体と電気的に接続され、且つ前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第６の導電層は、前記第３の酸化物半導体と電気的に接続され、且つ第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のゲート電極は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４の酸化物半導体は、前記第４のゲート電極と重なる領域を有し、
前記第７の導電層は、前記第４の酸化物半導体と電気的に接続され、且つ前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第８の導電層は、前記第４の酸化物半導体と電気的に接続され、且つ第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素に対応するデータを受信し、
受信した前記データをアナログのデータ電圧に変換して複数のデータ配線に出力し、
前記データ電圧の一番目のデータ電圧と最後のデータ電圧とのうち１つを前記複数のデータ配線のうちの一つのデータ配線と隣接するように配置されたダミーデータ配線に出力すること、
を含むことを特徴とするデータ駆動方法。
【請求項２】
互いに隣接したデータ配線には、基準電圧を基準に互いに反転した極性を有する第１極性及び第２極性のデータ電圧がそれぞれ印加されることを特徴とする請求項１記載のデータ駆動方法。
【請求項３】
前記データ配線には、Ｍ（Ｍは自然数）番目のフレームとＭ＋１番目のフレームとに互いに異なる極性のデータ電圧が印加されることを特徴とする請求項２記載のデータ駆動方法。
【請求項４】
複数のデータ配線、前記複数のデータ配線のうちの一つのデータ配線に隣接するように配置されたダミーデータ配線、及び前記データ配線と交差する複数のゲート配線を含む表示パネルと、
画素に対応するデータを受信して出力するラッチ部、前記ラッチ部から出力された前記データをアナログのデータ電圧に変換するデジタル−アナログ変換部、前記データ電圧を緩衝して複数のデータ配線に出力する出力部、及び前記データ電圧のうち一番目のデータ電圧と最後のデータ電圧とを受信して前記一番目及び最後のデータ電圧のうち１つを前記ダミーデータ配線に出力するダミー出力部、を含むデータ駆動回路と、
を含む表示装置。
【請求項５】
前記ダミー出力部は、
前記一番目のデータ電圧を出力する出力端子と隣接するように配置された第１ダミーＭＵＸと、
前記最後のデータ電圧を出力する出力端子と隣接するように配置された第２ダミーＭＵＸと、の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記ダミーデータ配線が前記データ配線のうち一番目のデータ配線に隣接するように配置された場合、前記第１ダミーＭＵＸは、前記ダミーデータ配線にデータ電圧を出力することを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記ダミーデータ配線が前記データ配線のうち最後のデータ配線に隣接するように配置された場合、前記第２ダミーＭＵＸは、前記ダミーデータ配線にデータ電圧を出力することを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示パネルは、
互いに隣接したデータ配線の間に配置された垂直列の画素を含み、前記垂直列の画素は、前記互いに隣接したデータ配線に交互に電気的に接続されることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項９】
前記データ駆動回路は、前記互いに隣接したデータ配線に基準電圧を基準に互いに反転した極性を有する第１極性及び第２極性のデータ電圧を出力することを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項１０】
前記データ駆動回路は、前記データ配線にＭ（Ｍは自然数）番目のフレームとＭ＋１番目のフレームとに互いに異なる極性のデータ電圧を出力することを特徴とする請求項４記載の表示装置。