【事件の表示】
　平成７年特許願第１５１６６１号「光触媒装置」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１月７日出願公開、特開平９−９４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成７年６月１９日に特許出願され、平成１５年１１月１８日付けで出願拒絶されたところ、当該拒絶につき平成１５年１２月２５日に本件審判請求がなされ、平成１６年１月２６日に手続補正が提出され、その後、当審により平成１８年７月１８日付けで拒絶理由が通知され、請求人から平成１８年９月２０日に手続補正が提出され、更に、当審により平成１８年１０月２３日付けで拒絶理由が通知（最後の拒絶理由通知）されたところ、請求人から平成１８年１２月１４日に手続補正が提出されたものである。
　
II．平成１８年１２月１４日提出の手続補正についての補正却下の決定
II−１．［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１２月１４日提出の手続補正を却下する。
　
II−２．補正却下の理由
II−２−１．補正後の本願発明
　平成１８年１２月１４日提出の手続補正（以下、必要に応じて、「本件補正」という）により、本願請求項１は、
「【請求項１】３８０〜３９０ｎｍ（理論値は３８８ｎｍ）の波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有している二酸化チタンの薄膜からなる光触媒を担持した光触媒反応表面を有し、光触媒反応のために十分な広さの表面積を確保することができる形状の複数の開口が設けられている光触媒作用に不活性な材料からなる基体と、
　前記光触媒を照射可能に配置され、波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオードと
を具備することを特徴とする光触媒装置。」と補正された。
　上記補正は、３８０〜３９０ｎｍの波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有している二酸化チタンの薄膜からなる光触媒において、当該紫外線の波長を、「（理論値は３８８ｎｍ）」と限定する補正を含むものであって、特許法第１７条の２第３項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含む。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができ特許法第１７条の２第４項の規定に適合するものであるか否かにつき、以下に検討する。
　
II−２−２．引用例とその記載
引用例１：特開平７−１００３７８号公報
引用例２：特開昭６３−２６２１５５号公報
引用例３：特開平６−１７７４２９号公報
引用例４：特開平７−３９２７３号公報
引用例５：特開平５−３０９２６７号公報
引用例６：特開平７−６０１３２号公報
引用例７：特開平６−２４６１６５号公報
引用例８：特開平４−１７４６７９号公報
引用例９：特開昭４９−９４２９３号公報
引用例10：特開平４−１６８７７４号公報
引用例11：特開平６−１７７０５９号公報
引用例12：特開平５−１１２４８７号公報
引用例13：清野学著、「酸化チタン−物性と応用技術」、技報堂出版株式会社、1991年6月25日1版1刷、第６５〜６９頁
II−２−２−Ａ．引用例１（特開平７−１００３７８号公報）の記載内容
（Ａ−１）「【請求項１】結晶形がアナターゼであることを特徴とする酸化チタン薄膜光触媒。
【請求項２】チタニアゾルを基板にコーティングした後、室温から徐々に６００℃から７００℃の最終温度にまで加熱昇温して焼成することを特徴とする酸化チタン薄膜光触媒の製造方法。」（特許請求の範囲第１及び２項）
（Ａ−２）「しかし、これまで行われてきた光触媒による有機物の分解除去の研究では、光触媒として半導体粉末が用いられていた（例えば、・・・）。そのため、被処理物と光触媒との分離や回収が困難で、光触媒としての取扱いや使用が難しいという欠点を持っていた。水処理の場合、光触媒粉末を回収するため、処理した水を濾過しなければならないが、光触媒が微粉末であるため目詰まりを起こしたりして、濾過が容易でなく、連続的に水処理できないという問題があった。」（第２頁左欄第３６〜４８行）
（Ａ−３）「本発明の酸化チタン薄膜光触媒は、こうして得られたチタニアゾルを、ディップコーティング法やスピンコーティング法、塗布法、スプレー法などによって基板にコーティングした後、室温から徐々に加熱昇温して焼成することによって得られる。この時の昇温の最終温度、つまり焼成温度は６００℃から７００℃が好ましい。この操作によって、基板にコーティングされたチタニアゾルは、光触媒として高性能の、結晶形がアナターゼである酸化チタン薄膜に変わる。」（第２頁右欄第３５〜４３行）
（Ａ−４）「本発明の酸化チタン薄膜光触媒を製造する際に使用される基板は、ガラスやセラミックス、コンクリート、金属など、６００℃から７００℃の温度での焼成に耐えられるものであれば、どの様な材質であっても良い。」（第３頁左欄第６〜１０行）
（Ａ−５）「こうして得られた本発明による酸化チタン薄膜光触媒は、太陽光や、蛍光灯、ブラックライト、ＵＶランプ、水銀灯、キセノンランプ、ハロゲンランプ、メタルハライドランプなどからの人工光の照射によって酸化チタン薄膜に生成した電子と正孔の酸化還元作用により、水中に溶解している有機溶剤や農薬などの環境を汚染している有機化合物を容易にしかも連続的に分解除去することができる。」（第３頁左欄第２５〜３２行）
（Ａ−６）「実施例１
　チタンテトライソプロポキシドをイソプロパノールで希釈し、攪拌しながら、塩酸とジイソプロパノールアミンを添加して透明なゾル液を調製し、ディップコーティング法により直径８ｍｍ、長さ６０ｍｍ、厚さ１ｍｍの石英ガラス管の表面に酸化チタン膜をコーティングした。すなわち、このゾル液に石英ガラス板を浸漬して引き上げ、乾燥した後、室温から徐々に６３０℃にまで加熱昇温して焼成した。これを７回繰り返して石英ガラス板の表面に０．２μｍの酸化チタン膜を作った。得られた酸化チタン膜の結晶構造をＸ線回折によって調べた結果、アナターゼ１００％であった。この酸化チタン薄膜光触媒を用いて、現在、ハイテク産業やクリーニング業で溶剤や洗浄剤として広く使用され、地下水や土壌を汚染して問題となっているテトラクロロエチレンの分解を行った。１００ｐｐｍ（０．０１重量％）の濃度のテトラクロロエチレンの水溶液１８ｍｌを硬質ガラス製試験管に入れ、その中に得られた酸化チタン薄膜光触媒を浸し、酸素をバブリングした後、３００Ｗのキセノンランプの光を１時間１５分間照射した。得られた反応液に含まれるテトラクロロエチレンの量をガスクロマトグラフを用いて分析した結果、テトラクロロエチレンの量は９５％減少していた。酸化チタン薄膜光触媒を用いなかった場合には、反応液に含まれるテトラクロロエチレンの量はほとんど減少しなかった。」（第３頁右欄第２〜２６行）
（Ａ−７）「実施例２
　チタンテトラエトキシドをメタノールで希釈し、攪拌しながら、硝酸とトリエタノールアミンを添加して透明なゾル液を調製し、ディップコーティング法により直径１０ｍｍ、長さ６０ｍｍ、厚さ１ｍｍの石英ガラス管の表面に酸化チタン膜をコーティングした。すなわち、このゾル液に石英ガラス管を浸漬して引き上げ、乾燥した後、室温から徐々に６７０℃の温度にまで加熱昇温して焼成した。これを１３回繰り返して石英ガラス板の表面に０．４μｍの酸化チタン膜を作った。得られた酸化チタン膜の結晶構造をＸ線回折によって調べた結果、アナターゼ１００％であった。この酸化チタン薄膜光触媒を用いて、ハイテク産業やクリーニング業で溶剤や洗浄剤として広く使用され、地下水や土壌を汚染して問題となっているトリクロロエチレンの分解を行った。５００ｐｐｍ（０．０５重量％）の濃度のトリクロロエチレンの水溶液１８ｍｌを石英ガラス製試験管に入れ、その中に得られた酸化チタン薄膜光触媒を浸し、酸素をバブリングした後、５００Ｗの高圧水銀ランプの光を３０分間照射した。得られた反応液に含まれるトリクロロエチレンの量をガスクロマトグラフを用いて分析した結果、トリクロロエチレンの量は９９％減少していた。」（第３頁右欄第４３行〜第４頁左欄第１４行）
　
II−２−２−Ｂ．引用例２
引用例２（特開昭６３−２６２１５５号公報）の記載内容
（Ｂ−１）「従来、各種の殺菌消毒に紫外線ランプが使用されているが、小容量のものでは、ランプの寿命が連続点灯で２０００〜３０００時間、点滅点灯ではその半分と極めて短い。しかも、紫外線ランプは、ランプを点灯させるためのグロー管や安定器の大きさ等の関係で、どうしても小容量にしては全体が大形となり、小形化が難しい。」（第１頁右下欄第１４行〜第２頁左上欄第１行）
（Ｂ−２）「したがって、この発明の第１の目的は、簡単な方法で各種の小形タンク内の菌による汚染を効率よく防止しようとするものである。」（第２頁右上欄第１６〜１８行）
（Ｂ−３）「この発明は、発光ダイオードが発する光線に含まれる可視光線や赤外線或いは紫外線でも菌の増殖を防止する作用がある点に着目し、小形タンクの内部が照射されるように発光ダイオードを配設すると共に発光ダイオードが発する光線の照射により光電子を発生する光電子発生部材を配設してタンク内部の汚染を防止するようにした。」（第２頁左下欄第１５行〜右下欄第２行）
（Ｂ−４）「この光電子発生部材（４０）は金属や非金属でよく、この金属又は非金属としては、セシウム、・・・、シリコンカーバイト、シリコン、酸化マグネシウム、酸化セシウムなどがある。このように光電子を発生することにより、菌の増殖の防止が促進される。」（第３頁右下欄第１５行〜第４頁左上欄第１行）
　
II−２−２−Ｄ．引用例４（特開平７−３９２７３号公報）の記載内容
（Ｄ−１）「【請求項１】水浄化槽内に紫外線ランプと光触媒体とを備えてなる水浄化装置。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｄ−２）「【発明が解決すべき課題】紫外線照射法は、２５４ｎｍの紫外線、いわゆる殺菌線を照射する方法であるが、このような短波長の紫外線を効率よく大量に発生する手段は技術的に困難で、また水中での殺菌線の透過率が低いため、大量の水を効率よく処理できないといった問題があった。また、紫外線を照射するだけでは、殺菌はできても上述の如きアンモニアの分解は不可能であった。
　さらに紫外線ランプを用いた水処理装置は、一般に紫外線ランプを内蔵する内筒部と、プラスチックからなる外筒部との間に、処理すべき水の流路を形成するという構造からなっているが、プラスチック製外筒部が、紫外線によって経時劣化するという問題点があった。」（段落０００５及び０００６）
（Ｄ−３）「次に、紫外線ランプ３には、殺菌線を放射し、かつ光触媒を光活性化するために必要な波長の光を放出するランプであれば何れも用いることができる。例えば光触媒に酸化チタンを用いる場合には、４２０ｎｍ以下の波長の光が触媒の光活性化を行うので、例えば、水銀ランプ、メタルハライドランプなどの高輝度放電灯、殺菌灯、飼育用蛍光灯、などの蛍光灯類などがすべて適用可能である。なお、光触媒による殺菌力が十分に強い場合は、用いる光触媒に適した分光分布を持つものがより好ましい場合がある。」（段落００１９）
　
II−２−２−Ｅ．引用例５（特開平５−３０９２６７号公報）の記載内容
（Ｅ−１）「　＜試験例１＞　　
　実施例１及び実施例２において得られた光触媒体を３０ｍｍ×３０ｍｍに切り出しそれぞれ（ａ）、（ｂ）とし（酸化チタン量（ａ）：０．１８ｇ，（ｂ）：０．１７ｇ）、２００ｍｌビーカーの底面に配置した。ここに、濃度０．１ｍｍｏｌ／ｌのフェノール水溶液１００ミリリットルをいれ、ビーカー底面より１ｋＷ高圧水銀ランプの４００ｎｍ−３００ｎｍの紫外光を照射し、この水溶液の光照射時間に対するフェノール濃度の経時変化を検討した。このときの紫外線強度は８．７９μアインシュタイン／分であった。」（段落００２２）
　
II−２−２−Ｆ．引用例６（特開平７−６０１３２号公報）の記載内容
（Ｆ−１）「【請求項１】光触媒活性を持つ二酸化チタン粒子を、無機質粒子表面の略一面にわたって担持してなる光触媒体。
【請求項２】光触媒活性を持つ二酸化チタン粒子を集合させ相互担持してなる光触媒体。
【請求項３】有機系バインダを混合してなる請求項１または２記載の光触媒体。
【請求項４】対象物体表面に吹き付け、あるいは塗布後、波長が３００〜４００ｎｍの近紫外光を照射する請求項３記載の光触媒体の担持方法。」（特許請求の範囲第１〜４項）
　
II−２−２−Ｇ．引用例７（特開平６−２４６１６５号公報）の記載内容
（Ｇ−１）「【請求項１】粉末状光触媒と該粉末状光触媒の結着剤として作用する金属酸化物ゾルとの混合物もしくは光触媒の出発物質となる金属酸化物ゾルを、光触媒の支持体に担持し、６００℃以下の温度で熱処理してゲル化したのち、熱水中に浸積するか高温の水蒸気で処理し、さらに６００℃以下の温度で熱処理することにより、上記金属酸化物ゲルを発泡体状金属酸化物とすることを特徴とする光触媒体の製造方法。」（特許請求の範囲）
（Ｇ−２）「【実施例】
＜実施例１＞
　テトラエトキシシラン４ｇを５０ミリリットルのエタノールに溶解し、ここに２０ミリリットルのエタノール、２ミリリットルの水、及び０．３ミリリットルの濃塩酸の混合溶液を加え、シリカゾルを得た。これに、あらかじめ３５０℃で２時間熱処理したアナターゼ型酸化チタン（粒子径０．０３μm ）５ｇを分散して、これを直径３６ｍｍのガラス板にディップコーティング法にて光触媒層を形成し、溶媒をとばし、ゲル化した。その後、１００℃の熱水中で１時間処理し、４００℃で１時間焼成し、光触媒体とした。このときの酸化チタンの担持量は２．５ｍｇであった。比較のために、同様の製作方法で熱水処理しないものを用意した。
　得られた光触媒体を、１３０ｍｌビーカーの底面に配置した。ここに濃度０．０２ｍｍｏｌ／ｌのフェノール水溶液１００ミリリットルを入れ、ビーカー底面より１ｋＷ高圧水銀ランプの４００ｎｍ−３００ｎｍの紫外光を照射し、この水溶液の光照射時間に対するフェノール濃度の経時変化を検討した。このときの紫外線強度は、１１ｍＷ／ｃｍ２（３６５ｎｍ）であった。
　その結果、光照射開始後約２０分でフェノールの濃度は半減し、約２時間で検出限界以下に分解された。比較のために、熱水処理せずに製作したものについて同様の検討を行ったところ、熱水処理せずに製作したものについては、３時間の光照射後も完全には分解されなかった。」（段落００２９〜００３１）
（Ｇ−３）「＜実施例２＞チタンテトライソプロポキシド１０ｇを５０ミリリットルのエタノールに溶解し、ここに２０ミリリットルのエタノール、２ミリリットルの水、及び０．３ミリリットルの濃塩酸の混合溶液を加え、酸化チタンゾルを得た。これを、３０ｍｍ×３０ｍｍ角のガラス板に、ディップコーティング法にて、光触媒層を形成し、溶媒をとばし、ゲル化した。その後、１００℃の熱水中で１時間処理し、４００℃で１時間焼成し、光触媒体とした。比較のために、同様の製作方法で熱水処理しないものを用意した。　得られた光触媒体を直径５０ｍｍのガラス管内部に配置し、密閉系とし、アセトアルデヒド２０ｐｐｍ．を含む空気を還流させながら、光触媒体に３００Ｗのキセノンランプの４００−３００ｎｍの紫外光を４０ｍＷ／ｃｍ２（３６５ｎｍ）で照射したところ、光照射開始後約１５分でアセトアルデヒドはほぼ分解された。比較のために、ゾルゲル法にて調製した酸化チタン１．１ｍｇについて同様の検討を行ったところ、４時間の光照射後も分解されなかった。」（段落００３２）
　
II−２−２−Ｈ．引用例８（特開平４−１７４６７９号公報）の記載内容
（Ｈ−１）「実施例１
　第１表に示した光反応性半導体粉末とチタンテトライソプロポキシドとを用いて、下記処方のＡ液及びＢ液を作製した。
　〈中　略〉
　光反応性半導体重量換算で０．５ｇになる量の有害物質除去剤を８０ミリリットルの紫外線透過性ガラス製三角フラスコ内に投入し、フラスコ内部を第１表に示す初濃度のエチレンを含む空気で置換した後、シリコンゴム栓で密閉し、フラスコから２０ｃｍの距離に設置した超高圧水銀灯（照度１０ｍＷ／ｃｍ２、主波長３６５ｎｍ）により紫外線照射を行なつた。点灯後のフラスコ内のエチレンの濃度の経過変化をガスクロマトグラフィーで追跡した。この結果を第１表に示す。」（第６頁左上欄第３行〜右上欄第９行）
　
II−２−２−Ｊ．引用例１２（特開平５−１１２４８７号公報）の記載内容
（Ｊ−１）「【従来の技術】太陽光線に含まれる紫外線は、皮膚科学的には４００nm〜３２０nmの長波長紫外線（ＵＶ−Ａ）、３２０nm〜２９０nmの中波長紫外線（ＵＶ−Ｂ）、２９０nm以下の短波長紫外線（ＵＶ−Ｃ）に分類される。このうち、２９０nm以下の波長の紫外線はオゾン層によって吸収され、地表に到達しない。地表に届く紫外線は、人間の皮膚に様々な影響を及ぼす。地上にまで達する紫外線の内で、特にＵＶ−Ｂは皮膚の紅斑や水泡を形成し、メラニン形成も促進する。
　このようなＵＶ−Ｂの有害性から皮膚を保護するために、各種紫外線吸収剤が開発されてきた。」（段落０００２及び０００３の抜粋）
　
II−２−３．当審の判断
II−２−３−１．その１
II−２−３−１−１．引用発明Ａ
　引用例１には、その前記（Ａ−１）〜（Ａ−５）により、また、必要に応じて、前記（Ａ−６）及び（Ａ−７）によれば、「ガラス又はセラミックスからなる基板上に製造されたアナターゼ型酸化チタン薄膜光触媒に、蛍光灯、ブラックライト、ＵＶランプ、水銀灯、キセノンランプ、ハロゲンランプ、メタルハライドランプなど（以下、「キセノンランプ等」という）からの人工光を照射することによって、該酸化チタン薄膜に生成した電子と正孔の酸化還元作用により、環境を汚染している有機化合物を分解除去することが」記載されており、このことから、引用例１には、
「アナターゼ型酸化チタン薄膜光触媒がその上に製造されたガラス又はセラミックスからなる基板と、蛍光灯、ブラックライト、ＵＶランプ、水銀灯、キセノンランプ、ハロゲンランプ、メタルハライドランプなどの人工光源とからなり、当該人工光源からの人工光の照射によって該酸化チタン薄膜に生成した電子と正孔の酸化還元作用により、環境を汚染している有機化合物を分解除去する装置」に関する発明（以下、必要に応じて、「引用発明Ａ」という）が記載されているということができる。
　
II−２−３−１−２．対比・検討
　そこで、補正発明と引用発明Ａとを対比する。
　引用発明Ａの「酸化チタン薄膜光触媒」及び「基板」は、補正発明の「二酸化チタンの薄膜からなる光触媒」及び「基体」にそれぞれ相当し、また、引用発明Ａの装置は、そこでは光触媒反応を行っていることは明らかであるので、補正発明の「光触媒装置」に相当する。
　そして、引用発明Ａにおいては、基板上に酸化チタン薄膜光触媒が製造されており、また、その薄膜光触媒により有機酸化物が分解していることが明らかであるから、その基板は補正発明と同じように酸化チタン薄膜光触媒を担持した光触媒反応表面を有しているということができ、更に、基板の材質はガラス又はセラミックスからなるものであるから、その基板は、補正発明と同じように光触媒作用に不活性な材料からなるものであるということができる。
　次いで、引用発明Ａの人工光源と補正発明の発光ダイオードとは、いずれも、光源に属するものであり、また、引用発明Ａにおいては、その人工光源は酸化チタン薄膜光触媒に対してその光が照射可能なように設ける必要があることはいうまでもない。
　よって、両者は、
「二酸化チタンの薄膜からなる光触媒を担持した光触媒反応表面を有し、光触媒作用に不活性な材料からなる基体と、前記光触媒を照射可能に配置された光源とを具備する、光触媒装置」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点１】該二酸化チタンの薄膜からなる光触媒につき、補正発明では、「３８０〜３９０ｎｍ（理論値は３８８ｎｍ）の波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有している」との構成を有するのに対して、引用発明Ａではそのことが明示されない点
【相違点２】該基体につき、補正発明では、「光触媒反応のために十分な広さの表面積を確保することができる形状の複数の開口が設けられている」との構成を有するのに対して、引用発明Ａではそのことが示されない点
【相違点３】該光源につき、補正発明では、「波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオード」からなるとの構成を有するのに対して、引用発明Ａではそのことが示されない点
　以下、上記相違点に係る構成つき検討する。
【相違点１】について
　引用発明Ａにおける酸化チタン薄膜光触媒の酸化チタンはアナターゼ型の結晶を有するものである。
　そして、アナターゼ型酸化チタンについては、その酸化チタンのバンドギャップエネルギーＥｇが３．２ｅＶを示すものであって、これにより、少なくとも、約３８８ｎｍの波長（１２４０／３．２）の光に対して吸収ピークを有するものである（この点、必要ならば、藤嶋昭外２名、「入門ビジュアルサイエンス　光触媒のしくみ」、２００３年６月１日、株式会社日本実業出版社、第１１０〜１１５頁、引用例１３、等を参照）。
　そうであれば、引用発明Ａにおける酸化チタン薄膜光触媒は、その酸化チタンがアナターゼ型であって、これにより、３８８ｎｍ（理論値）の波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有し、また、それは、通常３８０〜３９０ｎｍの波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有しているものであるといえる。
　してみれば、この相違点１に係る構成が両者の実質上の相違点とはなり得ない。
　なお、アナターゼ型の酸化チタンが当該相違点に係る構成を具備することは平成１８年１２月１４日提出の意見書第６頁第２９〜４６行目において請求人も容認するものである。
【相違点２】について
　まず、引用発明Ａにおいて、その基板につき、光触媒反応を促進させる観点から、光触媒反応のために十分な広さの表面積を確保することができる形状とすることは当然のことであり、当業者が何等の困難もなく適宜なし得ることに過ぎない。
　次に、光触媒の基板として、（場合によっては流通させるための）多数又は複数の開口を有する基板（ないしは担体）を用いることは、慣用の事項〔必要ならば、特開平６−３４３８７５号公報の特許請求の範囲及び段落０００２、特開平７−８８３６７号公報の特許請求の範囲第１項及び段落００１２、等を参照〕に外ならず、引用発明Ａにおいて、その基板につき、（場合によっては流通させるための）多数又は複数の開口を設けることに何等の困難も伴わない。
　そうであれば、引用発明Ａにおいて、当該相違点２に係る構成を具備するようにすることは、困難なく、当業者が適宜なし得るものである。
【相違点３】について
　引用発明Ａにおける人工光源については、その放射する光の波長については具体的に示されないものの、光触媒反応を惹起するための光源の光として、３００〜４００ｎｍの波長の紫外線を用いることは、例えば、引用例５〜８において示されるように本願出願前に周知・慣用の事項となっている。
　そうであれば、引用発明Ａにおける人工光源は、少なくとも、３００〜４００ｎｍの波長の紫外線を放射するものであるということができる。
　一方、上記領域の光を放射する人工光源として、波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなる発光ダイオードは周知〔必要ならば、特開平６−２６８２５９号公報の段落００１７〜００２４、特開平６−２３２４５１号公報の段落００１４〜００２０、特開平６−２９１３６８号公報の段落０００１及び００１１、特開平６−１７７４２３号公報の段落００２７〜００３０、等を参照〕のものに外ならない。
　そして、引用発明Ａにおいては、その前記（Ａ−１）及び（Ａ−２）によれば、分離や回収が容易な薄膜形の酸化チタン光触媒を提供しようとするものであって、その人工光源については、そこで例示されるキセノン等に限定されるものではなく、出願前に周知ないしは公知である全ての人工光源を用い得るものである。
　そうであれば、引用発明Ａにおける人工光源として（又は人工光源に替えて）、３００〜４００ｎｍの波長域に含まれる波長の紫外線を主に放射する上記周知の発光ダイオードを用いることは当業者であれば、困難なく、適宜実施できるものである。
〔更に、引用例２には、その前記（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）によれば、装置の小形化等の観点から、発光ダイオードを紫外線ランプに替えて用いることとし、発光ダイオードが発する光線に含まれる可視光線や赤外線或いは紫外線を、シリコンカーバイト、シリコン及び酸化セシウムなどの光触媒機能（必要ならば、引用例４の段落００１７、引用例５の段落００１１、引用例７の段落００１４、引用例８の第２頁右下欄第９行〜第３頁左上欄第３行で例示される化合物が酸化チタンと同じ光触媒として表示されていることを参照されたい）を保有する光電子発生部材に照射することにより菌による汚染を防止することが示されており、このことと、発光ダイオードは通常広範囲の波長の光を放射するものではなく特定の領域の波長の光を放射するものであることからすれば、引用例２には、その一態様として、「光触媒装置の光源として紫外線を放射する発光ダイオードを用いること」が開示されているということができる。
　そうであれば、上記したとおり人工光源として３００〜４００ｎｍの波長の紫外線を放射するものを用いることが実質上示されている引用発明Ａにおいて、引用例２における光触媒装置の光源として紫外線を放射する発光ダイオードを用いるとの教示に基づき、その人工光源として（又は人工光源に替えて）、上記したとおり周知となっている光源として波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなるところの発光ダイオードを、用いることに何等の困難も伴うものではなく、この点からみても、引用発明Ａにおいて当該構成を具備するようにすることは当業者が困難なく、適宜実施できるものである。〕
　そして、当該発光ダイオードにおいて、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを具備させることは、これまた、周知の構造〔必要ならば、森崎弘、「改訂　電子デバイス入門」、株式会社技術評論社、平成７年４月２５日、第１３２〜１３３頁における発光ダイオードの構造と特性の項、特開平７−１２５８８０号公報の段落００２１及び図２、等を参照〕に外ならない。
　そうであれば、引用発明Ａにおける人工光源として、上記周知の発光ダイオードを適用する場合において、上記の周知の構造を適用することに何等の困難も伴わないものである。
　してみれば、引用発明Ａにおいて、その人工光源として、当該相違点３に係る「波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオード」を採択することは当業者が容易に想到できるものである。
　また、引用発明Ａにおいて、上記相違点２及び３に係る構成を具備することにより、予測し難い効果を奏したものであるということはできず、その効果は格別なものではない。
　したがって、補正発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１〜１２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
II−２−３−２．その２
II−２−３−２−１．引用発明Ｂ
　引用例１には、酸化チタン薄膜光触媒とその応用につき纏まりのある一つの技術思想が記載され、その前記（Ａ−６）及び（Ａ−７）によれば、
「石英ガラス管の表面にアナターゼ１００％の酸化チタン膜を作り、テトラクロロエチレン又はトリクロロエチレンの水溶液を硬質ガラス製試験管に入れ、その中に得られた上記酸化チタン薄膜光触媒を浸し、３００Ｗのキセノンランプの光を１時間１５分間照射し、又は、５００Ｗの高圧水銀ランプの光を３０分間照射して、テトラクロロエチレン又はトリクロロエチレンの分解を行ったこと」が記載されている。この場合、前記（Ａ−３）及び（Ａ−５）によれば、当該アナターゼ１００％の酸化チタン膜は、光触媒を構成していることが明白である。
　以上のことから、引用例１には、
「表面にアナターゼ１００％の酸化チタン膜光触媒を有する石英ガラス管と、キセノンランプ又は高圧水銀ランプとからなる、当該キセノンランプ又は高圧水銀ランプの光を当該酸化チタン膜を有するガラス管に照射することによりテトラクロロエチレン又はトリクロロエチレンを分解する装置」に関する発明（以下、必要に応じて、「引用発明Ｂ」という）が記載されているということができる。
　
II−２−３−２−２．対比・検討
　そこで、補正発明と引用発明Ｂとを対比する。
　引用発明Ｂの「酸化チタン膜光触媒」及び「石英ガラス管」は、補正発明の「二酸化チタンの薄膜からなる光触媒」及び「基体」にそれぞれ相当し、また、引用発明Ｂの装置は、そこでは光触媒反応が行なわれていることは明らかであるので、補正発明の「光触媒装置」に相当する。
　そして、引用発明Ｂにおいては、ガラス管表面に酸化チタン膜光触媒を有しており、また、その酸化チタン膜光触媒によりテトラクロロエチレン又はトリクロロエチレン有機酸化物を分解していることが明らかであるから、その基板は補正発明と同じように酸化チタン膜光触媒を担持した光触媒反応表面を有しているということができ、更に、当該石英ガラス管は、その材質は石英ガラスからなるものであるから、補正発明と同じように光触媒作用に不活性な材料からなるものであるということができる。
　次いで、引用発明Ｂのキセノンランプ又は高圧水銀ランプと補正発明の発光ダイオードとは、いずれも、光源に属するものであり、また、引用発明Ｂにおいては、そのランプは酸化チタン膜光触媒に対してその光が照射可能なように設けられていることはいうまでもない。
　よって、両者は、
「二酸化チタンの薄膜からなる光触媒を担持した光触媒反応表面を有し、光触媒作用に不活性な材料からなる基体と、前記光触媒を照射可能に配置された光源とを具備する、光触媒装置」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点４】該二酸化チタンの薄膜からなる光触媒につき、補正発明では、「３８０〜３９０ｎｍ（理論値は３８８ｎｍ）の波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有している」との構成を有するのに対して、引用発明Ｂではそのことが明示されない点
【相違点５】該基体につき、補正発明では、「光触媒反応のために十分な広さの表面積を確保することができる形状の複数の開口が設けられている」との構成を有するのに対して、引用発明Ｂではそのことが示されない点
【相違点６】該光源につき、補正発明では、「波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオード」からなるとの構成を有するのに対して、引用発明Ｂではそのことが示されない点
　以下、上記相違点に係る構成つき検討する。
【相違点４】について
　引用発明Ｂにおける酸化チタン膜光触媒の酸化チタンはアナターゼ型の結晶を有するものである。
　そして、前記【相違点１】についての箇所で記載した理由と同じ理由により、引用発明Ｂにおける酸化チタン膜光触媒は、その酸化チタンがアナターゼ型であって、これにより、３８８ｎｍ（理論値）の波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有し、また、それは、通常３８０〜３９０ｎｍの波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有しているものであるといえる。
　してみれば、この相違点４に係る構成が両者の実質上の相違点とはなり得ない。
【相違点５】について
　まず、引用発明Ｂにおいて、その石英ガラス管につき、光触媒反応を促進させる観点から、光触媒反応のために十分な広さの表面積を確保することができる形状とすることは当然のことであり、当業者が何等の困難もなく適宜なし得ることに過ぎない。
　次に、前記【相違点２】についての箇所で記載した理由と同じ理由により、引用発明Ｂにおいて、基板である石英ガラス管につき、（場合によっては流通させるための）多数又は複数の開口を設けることに何等の困難も伴わない。
　そうであれば、引用発明Ｂにおいて、当該相違点５に係る構成を具備するようにすることは、困難なく、当業者が適宜なし得るものである。
【相違点６】について
　引用発明Ｂにおいては、そのキセノンランプ又は高圧水銀ランプが酸化チタン膜光触媒を有する石英ガラス管に対して照射するところの光の波長については明示されない。
　しかし、酸化チタン光触媒系に光を照射するキセノンランプ又は高圧水銀ランプにつき、引用例５の前記（Ｅ−１）によれば「酸化チタンからなる光触媒に１ｋＷ高圧水銀ランプの４００ｎｍ−３００ｎｍの紫外光を照射する」旨記載され、引用例７の前記（Ｇ−２）によれば「アナターゼ型酸化チタンからなる光触媒層に１ｋＷ高圧水銀ランプの４００ｎｍ−３００ｎｍの紫外光を照射し、このときの紫外線強度は、１１ｍＷ／ｃｍ２（３６５ｎｍ）であった」旨記載され、引用例７の前記（Ｇ−３）によれば「酸化チタンからなる光触媒層にキセノンランプの４００−３００ｎｍの紫外光を４０ｍＷ／ｃｍ２（３６５ｎｍ）で照射した」旨記載されており、このように、この種のキセノンランプ又は高圧水銀ランプにおいては、いずれも、４００〜３００ｎｍの紫外光を放射するために用いられ、少なくとも、４００〜３００ｎｍの波長の紫外線を放射するものであるということができる。
　そうであれば、引用発明Ｂにおけるキセノンランプ又は高圧水銀ランプ（人工光源）は、少なくとも、３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線を放射するものであるということができる。
　そして、前記【相違点３】についての箇所で記載した理由と同じ理由により、引用発明Ｂにおいて、その人工光源（キセノンランプ又は高圧水銀ランプ）に替えて、当該相違点６に係る「波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオード」を採択することは当業者が容易に想到できるものである。
　また、引用発明Ｂにおいて、上記相違点５及び６に係る構成を具備することにより、予測し難い効果を奏したものであるということはできず、その効果は格別なものではない。
　したがって、補正発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１〜１２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
II−２−４．まとめ
　以上のとおり、補正発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１〜１２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
　平成１８年１２月１４日に提出の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１及び２に係る発明は、平成１８年９月２０日に提出された手続補正により補正された特許請求の範囲に記載されるとおりのものであり、その請求項１には次の事項が記載されている。
【請求項１】３８０〜３９０ｎｍの波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有している二酸化チタンの薄膜からなる光触媒を担持した光触媒反応表面を有し、より広い面積で界面接触できるように流通させるための多数の開口が設けられている光触媒作用に不活性な材料からなる基体と、
　前記光触媒を照射可能に配置され、波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオードとを具備することを特徴とする光触媒装置。
（以下、必要に応じて、「本願発明」という）
　
IV．平成１８年７月１８日付け拒絶理由の概要
　平成１６年１月２６日に提出の手続補正により補正された本願請求項１〜４に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１〜１３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用例１：特開平７−１００３７８号公報
引用例２：特開昭６３−２６２１５５号公報
引用例３：特開平６−１７７４２９号公報
引用例４：特開平７−３９２７３号公報
引用例５：特開平５−３０９２６７号公報
引用例６：特開平７−６０１３２号公報
引用例７：特開平６−２４６１６５号公報
引用例８：特開平４−１７４６７９号公報
引用例９：特開昭４９−９４２９３号公報
引用例10：特開平４−１６８７７４号公報
引用例11：特開平６−１７７０５９号公報
引用例12：特開平５−１１２４８７号公報
引用例13：清野学著、「酸化チタン−物性と応用技術」、技報堂出版株式会社、1991年6月25日1版1刷、第６５〜６９頁
　
Ｖ．当審の判断
　平成１６年１月２６日に提出の手続補正により補正された本願請求項１に記載される発明は、平成１８年１２月１４日に提出の手続補正により補正された本願請求項１に記載される発明に対応する。
　そして、引用例１〜１３には、前記II−２−２−Ａ．〜前記II−２−２−Ｊ．に記載した事項が記載されている。
　
Ｖ−１．その１
Ｖ−１−１．引用発明Ａ
　引用例１には、前記II−２−３−１−１．で記載したとおり、
「アナターゼ型酸化チタン薄膜光触媒がその上に製造されたガラス又はセラミックスからなる基板と、蛍光灯、ブラックライト、ＵＶランプ、水銀灯、キセノンランプ、ハロゲンランプ、メタルハライドランプなどの人工光光源とからなり、当該人工光源からの人工光の照射によって該酸化チタン薄膜に生成した電子と正孔の酸化還元作用により、環境を汚染している有機化合物を分解除去する装置」に関する発明（以下、必要に応じて、「引用発明Ａ」という）が記載されているということができる。
　
Ｖ−１−２．対比・検討
　そこで、前記本願発明と引用発明Ａとを対比すると、前記II−２−３−１−２．の対比・検討の箇所に記載した理由と同じ理由により、両者は、
「二酸化チタンの薄膜からなる光触媒を担持した光触媒反応表面を有し、光触媒作用に不活性な材料からなる基体と、
　前記光触媒を照射可能に配置され、とを具備することを特徴とする光触媒装置」点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点イ】該二酸化チタンの薄膜からなる光触媒につき、本願発明では、「３８０〜３９０ｎｍの波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有している」との構成を有するのに対して、引用発明Ａではそのことが明示されない点
【相違点ロ】該基体につき、本願発明では、「より広い面積で界面接触できるように流通させるための多数の開口が設けられている」との構成を有するのに対して、引用発明Ａではそのことが示されない点
【相違点ハ】該光源につき、本願発明では、「波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオード」からなるとの構成を有するのに対して、引用発明Ａではそのことが示されない点
　以下、上記相違点に係る構成つき検討する。
【相違点イ】について
　当該相違点については、前記【相違点１】についての箇所で記載したとおりであり、引用発明Ａにおける酸化チタン薄膜光触媒は、その酸化チタンがアナターゼ型であって、通常３８０〜３９０ｎｍの波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有しているものであるといえるものであり、この相違点イに係る構成が両者の実質上の相違点とはなり得ない。
【相違点ロ】について
　まず、引用発明Ａにおいて、その基板につき、光触媒反応を促進させるために、より広い面積で界面接触できるように、その構造又は形状等を設定することは当業者が適宜なし得ることに過ぎない。
　次に、光触媒の基板として、流通させるための多数又は複数の開口を有する基板（ないしは担体）を用いることは、前記【相違点２】についての箇所で記載したとおり、慣用の事項であり、引用発明Ａにおいて、その基板につき、流通させるための多数又は複数の開口を設けることに何等の困難も伴わない。
〔なお、この外、引用発明Ａにおいて、その基板上で光触媒反応が生じていることは明白であって、その基板につき、より広い面積で界面接触できるように流通させるための多数の開口が設けられている構造又は形状等とすることは当業者が適宜なし得ることに過ぎない。〕
　そうであれば、引用発明Ａにおいて、当該相違点ロに係る構成を具備するようにすることは、困難なく、当業者が適宜なし得るものである。
【相違点ハ】について
　当該相違点については、前記【相違点３】についての箇所で記載したとおりであり、引用発明Ａにおいて、その人工光源として、当該相違点ハに係る構成を採択することは当業者が容易に想到できるものである。
　また、引用発明において、上記相違点ロ及びハに係る構成を具備することにより、予測し難い効果を奏したものであるということはできず、その効果は格別なものではない。
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１〜１２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
Ｖ−２．その２
Ｖ−１−１．引用発明Ｂ
　引用例１には、前記II−２−３−２−１．で記載したとおり、
「表面にアナターゼ１００％の酸化チタン膜光触媒を有する石英ガラス管と、キセノンランプ又は高圧水銀ランプとからなる、当該キセノンランプ又は高圧水銀ランプの光を当該酸化チタン膜を有するガラス管に照射することによりテトラクロロエチレン又はトリクロロエチレンを分解する装置」に関する発明（以下、必要に応じて、「引用発明Ｂ」という）が記載されているということができる。
　
Ｖ−１−２．対比・検討
　そこで、本願発明と引用発明Ｂとを対比すると、前記II−２−３−２−２．の対比・検討の箇所で記載した理由と同じ理由により、両者は、
「二酸化チタンの薄膜からなる光触媒を担持した光触媒反応表面を有し、光触媒作用に不活性な材料からなる基体と、前記光触媒を照射可能に配置された光源とを具備する、光触媒装置」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点ニ】該二酸化チタンの薄膜からなる光触媒につき、本願発明では、「３８０〜３９０ｎｍの波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有している」との構成を有するのに対して、引用発明Ｂではそのことが明示されない点
【相違点ホ】該基体につき、本願発明では、「より広い面積で界面接触できるように流通させるための多数の開口が設けられている」との構成を有するのに対して、引用発明Ｂではそのことが示されない点
【相違点ヘ】該光源につき、本願発明では、「波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオード」からなるとの構成を有するのに対して、引用発明Ｂではそのことが示されない点
　以下、上記相違点に係る構成つき検討する。
【相違点ニ】について
　引用発明Ｂにおける酸化チタン膜光触媒の酸化チタンはアナターゼ型の結晶を有するものである。
　そして、前記【相違点１】についての箇所で記載した理由と同じ理由により、引用発明Ｂにおける酸化チタン膜光触媒は、その酸化チタンがアナターゼ型であって、通常３８０〜３９０ｎｍの波長の紫外線に対して吸収スペクトルピークを有しているものであるといえる。
　してみれば、この相違点ニに係る構成が両者の実質上の相違点とはなり得ない。
【相違点ホ】について
　まず、引用発明Ｂにおいて、その石英ガラス管につき、光触媒反応を促進させる観点から、より広い面積で界面接触できるように、その形状・構造等を設定することは、当業者が何等の困難もなく適宜なし得ることに過ぎない。
　次に、前記【相違点２】についての箇所で記載したとおり、引用発明Ｂにおいて、基板である石英ガラス管につき、流通させるための多数の開口を設けることに何等の困難も伴わない。
　そうであれば、引用発明Ｂにおいて、当該相違点ホに係る構成を具備するようにすることは、困難なく、当業者が適宜なし得るものである。
【相違点ヘ】について
　前記【相違点６】についての箇所で記載した理由と同じ理由により、引用発明Ｂにおいて、そのキセノンランプ又は高圧水銀ランプに替えて、当該相違点ヘに係る「波長３６０〜４００ｎｍの紫外線を主に放射するｐｎ接合された窒化ガリウム（ＧａＮ）系光半導体の結晶体からなり、光を放射するチップ及び前記チップを封止すると共に放射された光に指向性を与えるモールドレンズとを有する発光ダイオード」を採択することは当業者が容易に想到できるものである。
　また、引用発明Ｂにおいて、上記相違点ホ及びヘに係る構成を具備することにより、予測し難い効果を奏したものであるということはできず、その効果は格別なものではない。
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１〜１２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
VI．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。