【事件の表示】
　特願２００６−１７１７１０「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１０日出願公開、特開２００８−　　３２５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１８年６月２１日の特許出願であって、平成２０年８月７日付けで手続補正がなされ、同年１０月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２１年１月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　平成２１年１月１３日付け手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は次のものであると認める。
　
「　第１の基板上に設けられたコモン電極および画素電極の間に横電界を発生させるＩＰＳ構造を有する液晶表示装置において、
　信号線と前記画素電極との間に前記コモン電極を延長してさらに設け、前記画素電極の周囲が前記コモン電極により覆われて、ゲート線と前記画素電極との間に前記コモン電極を延長してさらに設けたことを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１１９２３７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  走査信号を伝達する走査線、映像信号を伝達する信号線、前記走査線と前記信号線が交差してなる格子状の画素、前記画素に設けられて前記走査線および前記信号線と接続され、走査信号に基づいて映像信号のスイッチングを行う薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタと接続された駆動電極、この駆動電極と対向するように配置された対向電極、この対向電極と他の画素の対向電極とを相互に接続する共通配線を備えたＴＦＴアレイ基板と、このＴＦＴアレイ基板に対向するように設けられた対向基板と、前記ＴＦＴアレイ基板と前記対向基板との間に封入され、前記駆動電極および対向電極が基板面に平行な電界を発生させて駆動する液晶とを備えた面内スイッチング型液晶表示装置において、前記ＴＦＴアレイ基板は、前記駆動電極および対向電極を前記信号線の形成される層とは異なる前記液晶に近い層に形成されたことを特徴とする面内スイッチング型液晶表示装置。」
　
（２）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、アレイ基板に対して平行な電界を発生して液晶を駆動する面内スイッチング型（In Plain Switching型：以後、ＩＰＳ型と略す）液晶表示装置に係わり、更に詳しくは信号線からの漏れ電界の影響を軽減し、遮光領域を減らすことにより開口率を高めた高輝度な液晶表示装置の構造に関する。」
　
（３）「【００２８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。尚、図において従来と同一符号は従来のものと同一あるいは相当のものを表す。図１はこの発明の実施の形態１によるＩＰＳ型液晶表示装置の一画素の構造を模式的に示す断面図であり、図２はその平面図である。なお、図１は図２に示すＡ−Ａにおける断面図を示したものである。図において、１はガラス基板、２は走査線、３は信号線、４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、５は駆動電極、６は対向電極、７は保持容量形成用電極、８は共通配線、９はゲート絶縁膜、１０は保護膜、１１は液晶、１２はブラックマトリックス（ＢＭ）、１４はコンタクトホール、１５はトランジスタのソース電極、１６はトランジスタのドレイン電極である。また、２０はアレイ基板（ガラス基板１、信号線３、駆動電極５、対向電極６等で構成されている）、３０はアレイ基板２０に対向して配置された表示画面となる対向基板、４０は信号線３と対向電極６の間の隙間であるスリット、５０は画素の開口部である。・・・
【００２９】次に、図１、図２に基づいて、ＩＰＳ型液晶表示装置の画素の構造について説明する。図において、１はガラス基板であり、このガラス基板１上に走査線２が形成されている。この走査線２を覆うようにゲート絶縁膜９が積層され、このゲート絶縁膜９上に信号線３が設けられている。この信号線３の上に保護膜１０が積層され、保護膜１０の上に駆動電極５、対向電極６が設けられている。ＴＦＴアレイ基板２０は以上説明したような構造となっている。前記ＴＦＴアレイ基板２０と対面するように設けられている基板３０は、前記ＴＦＴアレイ基板２０との間に液晶１１を挟持する対向基板である。本発明にかかるＩＰＳ型液晶表示装置は、前記ＴＦＴアレイ基板の表面に沿って電界を発生させ、この電界の方向を制御することにより液晶１１を駆動する。
【００３０】図２は、図１に示したＩＰＳ型液晶表示装置を平面図で示すものである。図２において、２は走査線、３は信号線であり、この走査線２、信号線３により囲まれた領域が一つの画素となる。４は、走査線２と信号線３の交点に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、薄膜トランジスタ４の有する３つの電極のうちゲート電極は走査線２と、ソース電極１５は信号線３と接続されている。薄膜トランジスタ４の有する３つの電極のうち、ドレイン電極１６は保護膜１０（図示せず）を介した上の層にコンタクトホール１４により駆動電極５と接続されている。この駆動電極５と噛み合わさるように対向して設けられているのが対向電極６であって、対向電極６は共通配線８と同じ層に形成されて相互に接続されている。図示しないが共通配線８は隣接する他の画素の対向電極６を接続している。なお、駆動電極５と対向電極６、共通配線８は、信号線３より上の層に同時に形成されている。
【００３１】７は駆動電極５の電位を保持するための保持容量であって、対向電極６とドレイン電極１６を上下に積層して形成したものである。４０は信号線３と対向電極６との間のスリットであって、図１に示す対向基板３０に設けられたブラックマトリックス１２は、バックライトを光源として前記スリット４０を透過する漏れ光を遮光するものである。５０は開口部であり、開口部の面積が大きくなれば高画質な液晶ディスプレイを得ることができる。なお、ＩＰＳ型液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板２０上に設けられた駆動電極５と対向電極６の間で、薄膜トランジスタ４のドレイン電極１６と接続された駆動電極５に書き込まれる電荷を保持し、ガラス基板１表面に沿って電界を発生させて液晶１１を駆動するので、対向基板３０は電極を備えない無電極基板である。以下、実施の形態１にかかるＩＰＳ型液晶表示装置の画素を構成するＴＦＴアレイ基板のプロセスフローの一例について説明する。
【００３２】図４、図５、図６はＴＦＴアレイ基板のプロセスフローを示す図である。なお、図４〜図６の左側の図はＴＦＴアレイ基板を、右側の図は走査線２を走査線駆動回路に実装する端子部を示す図である。図４において、工程１は、ガラス基板１の上に走査線２をＣｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ等の単体あるいはこれらの合金、あるいはＩＴＯ（Indium Tin Oxide インジウム錫酸化物）等の透明材料、あるいはこれらを積層した構造で、膜厚を５０ｎｍから８００ｎｍ程度の厚さで形成するものである。この走査線２は薄膜トランジスタ４のゲート電極としても機能する。走査線２を形成する際のエッチング方法として、図４では断面が台形状になるテーパーエッチングを例に示したが、断面が長方形となるようなエッチング方法を用いてもよい。」
　
（４）「【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１にかかる面内スイッチング型液晶表示装置の一画素の構造を示す断面図である。
【図２】  この発明の実施の形態１にかかる面内スイッチング型液晶表示装置の一画素の構造を示す平面図である。
・・・」
　
（５）上記（３）の「７は駆動電極５の電位を保持するための保持容量であって、対向電極６とドレイン電極１６を上下に積層して形成したものである。」（【００３１】）との記載を踏まえると、図２から、「対向電極６」は、「保持容量７」が形成されている領域に至るよう「信号線３」と「駆動電極５」との間、及び「走査線２」と「駆動電極５」との間に延長されており、「駆動電極５」の周囲を囲んでいることが見て取れる。
　
（６）したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「走査信号を伝達する走査線、映像信号を伝達する信号線、前記走査線と前記信号線が交差してなる格子状の画素、前記画素に設けられて前記走査線および前記信号線と接続され、走査信号に基づいて映像信号のスイッチングを行う薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタと接続された駆動電極、この駆動電極と対向するように配置された対向電極、この対向電極と他の画素の対向電極とを相互に接続する共通配線を備えたＴＦＴアレイ基板と、このＴＦＴアレイ基板に対向するように設けられた対向基板と、前記ＴＦＴアレイ基板と前記対向基板との間に封入され、前記駆動電極および対向電極が基板面に平行な電界を発生させて駆動する液晶とを備えた面内スイッチング型（ＩＰＳ型）液晶表示装置において、
　前記ＴＦＴアレイ基板は、前記駆動電極および対向電極を前記信号線の形成される層とは異なる前記液晶に近い層に形成されており、
　前記走査線は薄膜トランジスタのゲート電極としても機能し、
　前記対向電極は共通配線と同じ層に形成されて相互に接続されており、
　前記対向電極は、保持容量が形成されている領域に至るよう信号線と駆動電極との間、及び走査線と駆動電極との間に延長されており、駆動電極の周囲を囲んでいる、
　面内スイッチング型（ＩＰＳ型）液晶表示装置。」
　
４　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「面内スイッチング型（ＩＰＳ型）液晶表示装置」は、本願発明の「液晶表示装置」に相当する。
　
（２）引用発明の「駆動電極」は、本願発明の「画素電極」に相当する。
　
（３）引用発明の「対向電極」は、「共通配線と同じ層に形成されて相互に接続されている」ものであり、本願発明の「コモン電極」に相当する。
　
（４）引用発明の「ＴＦＴアレイ基板」は、「走査信号を伝達する走査線、映像信号を伝達する信号線、前記走査線と前記信号線が交差してなる格子状の画素、前記画素に設けられて前記走査線および前記信号線と接続され、走査信号に基づいて映像信号のスイッチングを行う薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタと接続された駆動電極、この駆動電極と対向するように配置された対向電極、この対向電極と他の画素の対向電極とを相互に接続する共通配線を備えた」ものであるから、本願発明の「『コモン電極および画素電極』がその『上に設けられた』『第１の基板』」に相当する。
　
（５）引用発明の「面内スイッチング型（ＩＰＳ型）液晶表示装置」は、「前記ＴＦＴアレイ基板と前記対向基板との間に封入され、前記駆動電極および対向電極が基板面に平行な電界を発生させて駆動する液晶とを備えた」ものであるから、本願発明の「第１の基板上に設けられたコモン電極および画素電極の間に横電界を発生させるＩＰＳ構造を有する」との特定事項を備える。
　
（６）引用発明の「走査線」は、本願発明の「ゲート線」に相当する。
　
（７）引用発明において、「対向電極（コモン電極）」は、「保持容量が形成されている領域に至るよう信号線と駆動電極（画素電極）との間、及び走査線（ゲート線）と駆動電極（画素電極）との間に延長されており、駆動電極（画素電極）の周囲を囲んで」いるから、引用発明は、本願発明の「信号線と前記画素電極との間に前記コモン電極を延長してさらに設け、前記画素電極の周囲が前記コモン電極により覆われて、ゲート線と前記画素電極との間に前記コモン電極を延長してさらに設けた」との特定事項を備える。
　
　したがって、両発明は、
「第１の基板上に設けられたコモン電極および画素電極の間に横電界を発生させるＩＰＳ構造を有する液晶表示装置において、
　信号線と前記画素電極との間に前記コモン電極を延長してさらに設け、前記画素電極の周囲が前記コモン電極により覆われて、ゲート線と前記画素電極との間に前記コモン電極を延長してさらに設けた、液晶表示装置。」
である点で一致し、両発明の間には差異はない。
　
　よって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明である。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。