【事件の表示】
　特願２００２−２８３３０７「不導体接着材によって基板にＩＣチップをボンディングする方法、および、この方法により形成されたアセンブリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月　５日出願公開、特開２００３−３４７３５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年９月２７日（パリ条約による優先権主張　平成１４年５月２１日、米国）の出願であって、その請求項１〜１６に係る発明は、平成１６年８月２５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち請求項１０に係る発明（以下、「本願発明１０」という。）は、次のとおりのものである。
「アクティブ面上に形成された平坦なバンプを備えるＩＣチップと、
　上面に形成されたボンディングパッドを備える基板と、
　前記ＩＣチップと前記基板との間に配置され、前記バンプと前記ボンディングパッドとが電気通信可能な状態で前記ＩＣチップと前記基板とを対面の関係でボンディングする不導体接着材と、を有し、前記不導体接着材は、５重量％〜２５重量％の不導体フィラーを含み、
　さらに、前記不導体フィラーは、前記バンプの硬さよりも硬く、前記バンプと前記ボンディングパッドとの間の電気通信を妨げないように前記バンプの中に押し込まれてなる、ＩＣチップ／基板アセンブリ。」
　
２．原審の拒絶理由の概要
　原審において平成１６年５月１９日付けで通知した、新規性、進歩性についての拒絶理由の概要は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１、１３〜２１に記載された発明は、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−２８６２９７号公報（以下、「引用文献１」という。）に記載された発明であるか、又は、該発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項又は同条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
３．引用文献の記載事項
（１）引用文献１：特開２０００−２８６２９７号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ワイヤボンディングと同様に金属線（９５）の先端に電気スパークによりボール（９６，９６ａ）を形成し、上記形成されたボールをキャピラリー（９３，１９３）により電子部品（１）の電極（２）に超音波熱圧着してバンプ（３，１０３）を形成し、
上記形成されたバンプをレベリングせずに、絶縁性樹脂（６ｍ）に無機フィラー（６ｆ）を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（６，６ｂ）を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板（４）の電極（５）とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、
その後、上記電子部品側から加熱しながら、又は基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、ツール（８）により上記電子部品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂層を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続するようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】  ・・・・・
【請求項３】  上記絶縁性樹脂（６ｍ）が絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂であり、この絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂に配合する上記無機フィラーの量は上記絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂の５〜９０ｗｔ％である請求項１又は２に記載の電子部品の実装方法。
【請求項４】 ・・・・・ 
【請求項５】  ワイヤボンディングと同様に金属線（９５）の先端に電気スパークによりボール（９６，９６ａ）を形成し、上記形成されたボールをキャピラリー（９３，１９３）により電子部品（１）の電極（２）に超音波熱圧着して金バンプ（３，１０３）を形成し、
上記形成されたバンプをレベリングせずに、絶縁性樹脂（６ｍ）に無機フィラー（６ｆ）を配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層（６，６ｂ）を介在させながら、上記電子部品の上記電極と回路基板（４）の電極（５）とを位置合わせして上記電子部品を上記基板に搭載し、
その後、ツール（８）により上記電子部品の上面側から荷重を印加して上記金バンプのネック部分の倒れを防止するように先端を整えるとともに超音波を印加して上記金バンプと上記基板の上記電極とを金属接合し、
次に、上記電子部品の上記上面側から加熱しながら、又は、上記基板側から加熱しながら、又は、上記電子部品側と上記基板側の両方から加熱しながら、上記電子部品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記バンプを押しつぶしながら、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂を硬化して、上記電子部品と上記回路基板を接合して上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続するようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法。」
（１ｂ）「【００６２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
（第１実施形態）以下、本発明の第１実施形態にかかる電子部品例えばＩＣチップの実装方法及びその装置及び上記実装方法により上記ＩＣチップが上記基板に実装された電子部品ユニット若しくはモジュール例えば半導体装置の一例としての回路基板へのＩＣチップの実装方法及びその実装装置を図１（Ａ）から図１４を参照しながら説明する。
【００６３】まず、本発明の第１実施形態にかかる回路基板へのＩＣチップ実装方法を図１（Ａ）〜図４（Ｃ）を用いて説明する。図１（Ａ）の電子部品の一例であるＩＣチップ１においてＩＣチップ１のＡｌパッド電極２にワイヤボンディング装置により図３（Ａ）〜図３（Ｆ）のごとき動作によりバンプ（突起電極）３を形成する。すなわち、・・・図３（Ｅ）に示すようにバンプ３の上部に湾曲部９８を形成し、引きちぎることにより図３（Ｆ）に示すようなバンプ３を形成する。あるいは、図３（Ｂ）でワイヤ９５をキャピラリー９３でクランプして、キャピラリー９３を上昇させて上方に引き上げることにより、金属線、例えば、金ワイヤ（金線）９５（なお、金属線の例としては、スズ、アルミニウム、銅、又はこれらの金属に微量元素を含有させた合金のワイヤなどがあるが、以下の実施形態では代表例として金ワイヤ（金線）として記載する。）を引きちぎり、図３（Ｇ）のようなバンプ３の形状を形成するようにしてもよい。・・・
【００６４】次に、図１（Ｃ）に示す回路基板４の電極５上に、・・・無機フィラー６ｆを配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層の一例としての絶縁性樹脂シート例えば熱硬化性樹脂シート６を配置し、例えば８０〜１２０℃に熱せられた貼付けツール７により、例えば５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ2程度の圧力で熱硬化性樹脂シート６をステージ１０９上の基板４の電極５上に貼り付ける。・・・ここで、・・・、熱硬化性樹脂シート６は、球状又は破砕シリカ、アルミナ等のセラミクスなどの無機系フィラー６ｆを絶縁性樹脂６ｍに分散させて混合し、これをドクターブレード法などにより平坦化し溶剤成分を気化させ固体化したものが好ましい・・・・・
【００６５】次に、・・・接合ツール８により、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成された・・・ＩＣチップ１を、上記前工程で準備されかつステージ９上に載置された基板４に対して、・・・位置合わせしたのち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１を基板４に押圧する。・・・このとき、バンプ３は、その頭部３ａが、基板４の電極５上で図４（Ａ）から図４（Ｂ）に示すように変形されながら押しつけられていく。このとき、・・・熱硬化性樹脂６ｍ中の無機フィラー６ｆは、接合開始当初に熱硬化性樹脂６ｍ中に入り込んできた尖っているバンプ３により、バンプ３の外側方向へ押し出される。また、・・・この外側方向への押し出し作用によりバンプ３と基板電極５の間に無機フィラー６ｆが入り込まないことにより、接続抵抗値を低下させる効果を発揮する。このとき、もし、バンプ３と基板電極５の間に無機フィラー６ｆが多少入り込んだとしても、バンプ３と基板電極５とが直接接触していることにより、全く問題はない。このとき、ＩＣチップ１を介してバンプ３側に印加する荷重は、バンプ３の外径により異なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ３の頭部３ａが、必ず図４（Ｃ）のように変形する程度の荷重を加えることが必要である。この荷重は、最低で２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）を必要とする。・・・上記ＩＣチップ１を介してバンプ３側に印加する荷重の上限は、ＩＣチップ１、バンプ３、回路基板４などが損傷しない程度とする。・・・
【００６６】・・・・・・
【００６７】回路基板４は、・・・、ガラス布積層エポキシ基板（ガラエポ基板）・・・などが用いられる。」
（１ｃ）「【００６８】・・・・・
（第２実施形態）次に、本発明の第２実施形態にかかる回路基板への電子部品例えばＩＣチップの実装方法・・・を説明する。
【００６９】この第２実施形態においては、第１実施形態において、熱硬化性樹脂シート６に配合する無機フィラー６ｆの混合割合を上記絶縁性熱硬化性樹脂例えば絶縁性熱硬化性エポキシ樹脂６ｍの５〜９０ｗｔ％として、一層好適なものとしたものである。５ｗｔ％未満では無機フィラー６ｆを混合する意味がない・・・一例として、高い信頼性を維持させる観点から、樹脂基板では２０〜４０ｗｔ％、セラミック基板では４０〜７０ｗｔ％が好ましいとともに、ガラエポ基板では２０ｗｔ％程度でもシート封止剤の線膨張係数をかなり低下させることができ、樹脂基板において効果がある。なお、体積％では、ｗｔ％のおよそ半分の割合、又はエポキシ樹脂が１に対してシリカ約２の比重の割合とする。・・・
【００７０】上記したような混合割合の無機フィラー６ｆを熱硬化性樹脂シート６に配合することにより、・・・弾性率を増加させることができ、熱膨張係数を低下させてＩＣチップ１と基板４の接合信頼性を向上させることができる。また、基板４の材料に合わせて、熱硬化性樹脂６ｍの材料常数、すなわち弾性率、線膨張係数を最適なものとするように、無機フィラー６ｆの混合割合を決定することができる。なお、無機フィラー６ｆの混合割合が挿花するにつれて、弾性率は大きくなるが、線膨張係数は小さくなる傾向がある。」
（１ｄ）「【０１２７】また、従来例１の方法に比べて、導電性接着剤の転写といった不安定な転写工程での接着剤の転写量を安定させるためのバンプレベリングが不要となり、そのようなレベリング工程用のレベリング装置が不要となる。その理由は、バンプを押圧しながら基板の電極上で押しつぶすため、予めバンプだけをレベリングしておく必要がないためである。」
（１ｅ）「【０１４１】（２）ＩＣチップと回路基板の接合
従来例２の方法によれば、接続抵抗は、バンプと回路基板の電極の間に存在する導電粒子の数に依存していたが、本発明では、独立した工程としてのレベリング工程においてバンプをレベリングせずに回路基板の電極に従来例１、２よりも強い荷重（例えば、１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力）で押しつけてバンプと電極とを直接的に接合することができるため、介在する粒子数に接続抵抗値が依存せず、安定して接続抵抗値が得られる。
【０１４２】また、従来のレベリング工程では基板電極との接合時のバンプ高さを一定に整えるために行っているが、本発明ではバンプの押しつぶしを電極への接合と同時に行うことができるので、独立したレベリング工程が不要であるばかりでなく、接合時に回路基板の反りやうねりを変形させて矯正しながら接合することができる・・・」
　
４．当審の判断
４−１．引用文献１記載の発明
（ア）摘示（１ａ）には、請求項１に記載のとおりの、電子部品を回路基板に実装する電子部品の実装方法が記載されているから、引用文献１には、そのような実装方法により製造された「電子部品／基板アセンブリ」も記載されているといえる。
（イ）摘示（１ｂ）等の「電子部品例えばＩＣチップ」などの記載からみて、前記実装方法における電子部品はＩＣチップであるといえる。
（ウ）摘示（１ａ）の請求項５には、電子部品の電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプは、金バンプである旨が記載され、また、摘示（１ｂ）には、バンプを形成するワイヤの代表例として金ワイヤが記載されているから、前記実装方法において、電子部品の電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプは金バンプといえる。
（エ）摘示（１ｃ）には、回路基板がガラエポ基板（ガラス布積層エポキシ基板）である場合、絶縁性樹脂に配合する無機フィラーの混合割合は、２０ｗｔ％程度でよい旨が記載され、また、摘示（１ｂ）には、無機フィラーはシリカ等である旨、さらに、摘示（１ｃ）には、エポキシ樹脂に対し無機フィラーとしてシリカを混合する旨が記載されているから、回路基板がガラエポ基板（ガラス布積層エポキシ基板）である場合、絶縁性樹脂としてのエポキシ樹脂に配合される無機フィラーはシリカであって、その混合割合は２０ｗｔ％程度であるといえる。
　
　以上の（ア）〜（エ）の事項を考慮し、回路基板をガラエポ基板とした場合について整理すると、引用文献１には、次の「ＩＣチップ／基板アセンブリ」の発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。
「ワイヤボンディングと同様に金ワイヤの先端に電気スパークによりボールを形成し、上記形成されたボールをキャピラリーによりＩＣチップの電極に超音波熱圧着して金バンプを形成し、上記形成された金バンプをレベリングせずに、絶縁性樹脂に無機フィラーのシリカを２０ｗｔ％程度配合した固体又は半固体の絶縁性樹脂層を介在させながら、上記ＩＣチップの上記電極とガラエポ回路基板の電極とを位置合わせして上記ＩＣチップを上記基板に搭載し、その後、上記ＩＣチップ側から加熱しながら、又は基板側から加熱しながら、又は、上記ＩＣチップ側と上記基板側の両方から加熱しながら、ツールにより上記ＩＣチップを上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力により押圧し、上記基板の反りの矯正と上記金バンプを押しつぶしながら、上記ＩＣチップと上記回路基板の間に介在する上記絶縁性樹脂層を硬化して、上記ＩＣチップと上記回路基板を接合して上記ＩＣチップの上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続するようにした実装方法により製造されたＩＣチップ／基板アセンブリ。」
　
４−２．本願発明１０と引用文献１発明との対比
　本願発明１０と引用文献１発明を対比すると、
（カ）引用文献１発明における「（ガラエポ回路基板の）電極」、「無機フィラーのシリカ」は、それぞれ、本願発明１０における「ボンディングパッド」、「不導体フィラー」に相当する。
（キ）引用文献１発明における「絶縁性樹脂」は、硬化してＩＣチップと回路基板を接合するものであるから、本願発明１０における「不導体接着材」に相当する。
（ク）引用文献１発明における「上記ＩＣチップの上記電極と上記回路基板の上記電極を電気的に接続するようにした」は、本願発明１０における「前記バンプと前記ボンディングパッドとの間の電気通信を妨げないように」したことや、「前記バンプと前記ボンディングパッドとが電気通信可能な状態」としたことに相当するといえる。
　
　以上の（カ）〜（ク）の事項を考慮すると、両者は、
「アクティブ面上に形成されたバンプを備えるＩＣチップと、上面に形成されたボンディングパッドを備える基板と、前記ＩＣチップと前記基板との間に配置され、前記バンプと前記ボンディングパッドとが電気通信可能な状態で前記ＩＣチップと前記基板とを対面の関係でボンディングする不導体接着材と、を有し、前記不導体接着材は、２０重量％程度の不導体フィラーを含み、さらに、前記バンプと前記ボンディングパッドとの間の電気通信を妨げないようにした、ＩＣチップ／基板アセンブリ。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　　　相違点１：本願発明１０では、ＩＣチップのアクティブ面上に形成されたバンプが「平坦な」ものであるのに対し、引用文献１発明では、それが不明である点
　　　相違点２：本願発明１０では、バンプとボンディングパッドとの間の電気通信を妨げないように、不導体フィラーは、「前記バンプの硬さよりも硬く」、「バンプの中に押し込まれてなる」のに対し、引用文献１発明では、そのような事項が不明である点
　
４−３．相違点についての検討
（ｉ）相違点１について
　引用文献１発明における金バンプは、ＩＣチップを基板に搭載する前においてレベリングされないが、ツールによりＩＣチップを基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力で押圧する際に、摘示（１ｄ）等に記載されているように、基板の電極（ボンディングパッド）上で押しつぶされるから、バンプの少なくとも一部は、基板の電極表面に沿った「平坦な」ものになっているといえる。そのことは、引用文献１の各実施形態の図面からみても明らかである。したがって、この相違点１は、実質的な相違とはいえない。
　
（ｉｉ）相違点２について
　本願明細書の次の摘示Ａ〜Ｃ等の記載からみて、本願発明１０は、バンプとボンディングパッドとの間の電気通信が妨げられないことを課題として、不導体フィラーがバンプの中に押し込まれるように、不導体フィラーをバンプの硬さよりも硬くしたものであり、そのため、実施の形態では、バンプの材料として金等を、不導体フィラーとしてシリカを採用していると認められる。
　　　摘示Ａ：「【００４５】
【発明の実施の形態】・・・不導体フィラーは、金属バンプの硬さよりも硬い硬さを有している。金属バンプは、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）およびスズ（Ｓｎ）合金のような金属材料から形成され得る。不導体フィラーは、金属バンプ材料の硬さよりも硬い、好ましくは、金属バンプ材料の硬さよりも少なくとも２倍硬い、シリカ粒子あるいは他のいかなる適切なフィラー粒子であり得る。」
　　　摘示Ｂ：「【００４８】第２番目に、インナーリードボンダーにおいてボンディング操作が実施されている間に、フィラー粒子がバンプの上面の中にプレスされ押し込まれ得るように、フィラー粒子は、バンプを形成するために使用される金属材料よりも硬い硬さ、好ましくは、２倍の硬さを有していなければならない。」
　　　摘示Ｃ：「【００５８】・・・バンプ９６は、不導体フィラー粒子９２の硬さと比較してかなり低い硬さを有する金属材料から好適に形成され得る。例えば、不導体フィラー粒子９２がシリカ粒子であるときには、フィラー粒子がバンプ９６の上面にプレスされ押し込まれることができるとともにバンプ９６とボンディングパッド８４との間の電気通信が妨げられないような金（Ａｕ）から、バンプ９６は好適に形成され得る。」
　
　これに対し、引用文献１発明においても、バンプの材料として金を、不導体フィラーとしてシリカを採用しているし、また、摘示（１ｂ）には、「もし、バンプ３と基板電極５の間に無機フィラー６ｆが多少入り込んだとしても、バンプ３と基板電極５とが直接接触していることにより、全く問題はない。」と記載され、バンプと基板電極（ボンディングパッド）との間に無機フィラー（不導体フィラー）が挟まれる場合について、バンプと基板電極（ボンディングパッド）とが直接接触することが示されているから、バンプとボンディングパッドとの間の電気通信を妨げないように、不導体フィラーは、「前記バンプの硬さよりも硬く」、「バンプの中に押し込まれてなる」点で、本願発明１０と引用文献１発明とが格別に相違するとはいえない。
　仮に、不導体フィラーは、「バンプの中に押し込まれてなる」点が実質的な相違であるとしても、バンプと基板電極（ボンディングパッド）との間に無機フィラー（不導体フィラー）が挟まれて、バンプと基板電極（ボンディングパッド）とが接触できなければ、バンプと基板電極（ボンディングパッド）とが電気的に接続できなくなることは、当業者に明らかであるから、バンプと基板電極（ボンディングパッド）との間に無機フィラー（不導体フィラー）が存在する場合に、バンプと基板電極（ボンディングパッド）とを直接接触させるべく、不導体フィラーを「バンプの中に押し込まれてなる」ようにすることは、当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（ｉｉｉ）相違点検討のまとめ
　上記（ｉ）、（ｉｉ）のとおり、上記相違点１、２は、いずれも、実質的な相違でないか、仮に実質的な相違であるとしても、当業者が容易に想到し得たものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１０は、引用文献１に記載された発明であるか、又は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明１０は、特許法第２９条第１項又は同条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。