【事件の表示】
　特願２００４−５３１５４０「マイクロエレクトロニック基体から材料を化学的に、機械的に、及び／または、電解的に除去する方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日国際公開、ＷＯ２００４／０２０５４５、平成１７年１２月　８日国内公表、特表２００５−５３７６４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本件出願の発明
　本件出願は、２００３年８月２７日（優先権主張２００２年８月２９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２０年８月２５日付で拒絶査定され、同年１２月１日に査定を不服とする審判が請求されたものである。
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３３に係る発明は、願書に添付した特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、上記請求項１ないし請求項３３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１５に係る発明（以下「本件発明」という。）は、次のとおりである。　
「【請求項１５】
　マイクロエレクトロニック基体から材料を除去するための方法であって、
　前記マイクロエレクトロニック基体を研磨パッドの研磨表面に係合させるステップと、
　電解質、及び１重量％までの研磨材成分を有する研磨液を、前記研磨表面と前記マイクロエレクトロニック基体とに接して配置するステップと、
　前記マイクロエレクトロニック基体から離間している第１の電極から、この第１電極及び前記マイクロエレクトロニック基体から離間している第２の電極まで、研磨液を通して、及び、マイクロエレクトロニック基体の導電性材料を通して、可変電流を印加することにより、前記マイクロエレクトロニック基体から材料を除去するステップと、
　前記研磨パッド及び前記マイクロエレクトロニック基体の少なくとも一方を他方に対して運動させるステップと、を含むことを特徴とする方法。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先権主張の日前の２００２年２月２８日に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００２／２５７６３号明細書（以下「引用例」という。）の記載内容は、引用例のいわゆるパテントファミリの一つである特表２００４−５３１６４９号公報の記載内容を援用して和訳すると、以下のとおりである。
　
2.1　引用例記載の事項
　引用例には以下の事項が記載されている。
ａ．段落【０００２】
（援用文献の段落【０００１】末尾参照。）
「本発明はミクロ電子基板から導電物質を除去する方法および装置に関する。」
ｂ．段落【００６０】〜【００７５】
（援用文献の段落【００３９】〜【００５３】参照。）
「【００６０】図９は本発明の実施例によるミクロ電子基板１１０を化学的、機械的および／または電気的に処理する装置５６０を概略的に示している。この実施例の一面では、装置５６０は磨きパッド５８２の作動部分「Ｗ」が位置決めされるワークステーションに頂パネル５８１を持つ支持テーブル５８０を有している。頂パネル５８１は一般に、物質除去工程中、磨きパッド５８２の特定部分が固着される平らな中実表面をもたらすように剛性の板である。
【００６１】また、装置５６０は頂パネル５８１の上方で磨きパッド５８２を案内したり、位置決めしたり、保持したりするために複数のローラを有することができる。これらのローラは供給ローラ５８３、第１および第２アイドルローラ５８４a、５８４ｂ、第１および第２ガイドローラ５８５a、５８５ｂおよび引取ローラ５８６を含むことができる。供給ローラ５８３は磨きパッド５８２の未使用部分または前作動部分を支持し、引取ローラ５８６は磨きパッド５８２の使用済み部分または後作動部分を支持する。更に、第１アイドルローラ５８４aおよび第１ガイドローラ５８５aは作動中、頂パネル５８１の上方で磨きパッド５８２を伸ばして磨きパッド５８２を静止状態に保持することができる。モータ(図示せず)が供給ローラ５８３および引取ローラ５８６のうちの少なくとも一方を駆動して磨きパッド５８２を頂パネル５８１を横切って前進させる。従って、基板１１０を磨いたりおよび／または清浄したりするための一貫した表面を設けるために使用済み部分の代わりに磨きパッド５８２のきれいな前作動部分をすばやく代用し得る。
【００６２】また、装置５６０は物質除去プロセス中、基板１１０を制御し且つ保護するキャリア組立体５９０を有することができる。キャリア組立体５９０は物質除去プロセスの適切な段階で基板１１０を取り上げたり、保持したり、解放したりするために基板ホルダ５９２を有することができる。また、キャリア組立体５９０は駆動組立体５９６を支持する支持ガントリー５９４を有することができ、駆動組立体５９６はガントリー５９４に沿って並進することができる。駆動組立体５９５はアクチュエータ５９６と、アクチュエータ５９６に連結された駆動軸５９７と、駆動軸５９７から突出しているアーム５９８とを有することができる。アーム５９８は、駆動組立体５９５が基板ホルダ５９２を(矢印「Ｒ１」で示すように)軸線Ｅ−Ｅのまわりに軌道を描いて回転させるように末端軸５９９を介して基板ホルダ５９２を移送する。末端軸５９９が基板ホルダ５９２を(矢印「Ｒ２」で示すように)その中央軸線Ｆ−Ｆのまわりに回転させてもよい。
【００６３】一実施例では、磨きパッド５８２および平坦化溶液５８７が基板１１０の表面から物質を機械的および／または化学機械的に除去する物質除去媒体の少なくとも一部を構成する。装置５６０に使用された磨きパッド５８２は懸濁媒体に固定的に接合された研磨粒子を有する固定研磨式磨きパッドであることができる。従って、平坦化溶液５８７は、研磨粒子が磨きパッド５８２の磨き面５８８を横切って固定的に分布されているので、研磨粒子の無い「きれいな溶液」であることができる。他の応用では、磨きパッド５８２は研磨粒子の無い非研磨パッドでもよく、平坦化溶液５８７は基板１１０から物質を除去すべき研磨粒子および化学薬品を有するスラリーであることができる。更に他の応用では、図９ないし図１１を参照して以下により詳細に説明するように磨きパッド５８２および平坦化溶液５８７の両方を研磨粒子または要素なしに構成することができる。
【００６４】装置５６０で基板１１０から物質を除去するには、キャリア組立体５９０が平坦化溶液５８７の存在下で基板１１０の面１１３を磨きパッド５８２の磨き面５８８に押付ける。次いで、駆動組立体５９５が基板ホルダ５９２を軸線Ｅ−Ｅのまわりに軌道を描いて回転させ、必要に応じて基板ホルダ５９２を軸線Ｆ−Ｆのまわりに回転させて基板を平坦化表面５８８を横切って並進させる。その結果、化学的および／または化学機械的平坦化（ＣＭＰ）方法において物質除去媒体中の研磨粒子および／または化学薬品が基板１１０の表面から物質を除去する。従って、一実施例では、磨きパッド５８２は基板１１０の導電層１１１から突出している粗い特徴を除去することによって基板１１０を滑らかにすることができる。
【００６５】この実施例のなお一層の面では、装置５６０は図１０を参照してより詳細に説明するように電解質を導管５３７で磨きパッド５８２の平坦化面５８８に供給する電解質供給容器５３０を有することができる。更に、装置５６０は電流を支持テーブル５８０および／または頂パネル５８１に位置決めされた電極に供給するために支持テーブル５８０および／または頂パネル５８１に結合された電流源５２１を有することができる。従って、装置５６０は図１ないし図８Ｃを参照して以上で説明したものと同様な方法で導電層１１１から物質を電解的に除去することができる。
【００６６】図９を参照して以上で説明した装置５６０の実施例の一面では、まず電解方法により、次いでＣＭＰ方法により物質を基板１１０の導電層１１１から次々に除去することができる。例えば、電解方法は導電層１１１を粗くする方法で物質を導電層１１１から除去することができる。所定の電解処理時間が経過した後、電解処理操作を停止し、ＣＭＰ方法により追加の物質を除去することができる。変更例として、電解方法およびＣＭＰ方法を同時に行うことができる。これらの処理方法のいずれにおいても、図９を参照して以上で説明した装置５６０の実施例の一特徴は同装置５６０がＣＭＰを介して基板１１０を平坦化し、電解方法を介して基板１１０から物質を除去することができると言う点である。この実施例の利点は基板１１０がＣＭＰおよび電解処理の両方を受けるために基板１１０を１つの装置から他の装置へ移動させることが必要でない。
【００６７】図９を参照して以上で説明した装置５６０の実施例の他の特徴は、これらの方法は互いに関連して使用する場合、基板１１０から物質を幾つかの在来方法よりすばやく且つ正確に除去するものと思われると言う点である。例えば、上記のように、電解方法はミクロ電子基板１１０を粗くする方法で比較的多量の物質を除去することができ、平坦化方法はミクロ電子基板１１０を滑らかにしおよび／或いは平坦化する方法で細かいスケールで物質を除去することができる。
【００６８】図１０は図９を参照して以上で説明した装置５６０の一部の部分分解部分概略的等角投影図である。図１０に示す実施例の一面では、頂パネル５８１が複数の電極対５７０を収容し、電極対５７０の各々は第１電極５２０aおよび第２電極５２０ｂを有する。第１電極５２０aは第１リード線５２８aに結合されており、第２電極５２０ｂは第２リード線５２８ｂに結合されている。第１および第２リード線５２８a、５２８ｂは電流源５２１(図９) に結合されている。この実施例の一面では、第１電極５２０aをテフロンTMまたは他の適当な誘電体を含む電極誘電層５２９aにより第２電極５２０ｂから分離することができる。従って、電極誘電層５２９aは第１電極５２０aと第２電極５２０ｂとの間の領域の容積および誘電性を一定に制御して電極間の電気結合を制御することができる。
【００６９】電極５２０a、５２０ｂを磨きパッド５８２によりミクロ電子基板１１０（図９）に電気的に結合することができる。この実施例の一面では、磨きパッド５８２はそのすぐ下の頂パネル５８１の孔５３８を通して供給導管５３７により供給された電解質５３１で飽和される。従って、電極５２０a、５２０ｂは電解質５３１と適合可能であるように選択される。別の実施例では、電解質５３１を(例えば、電解質５３１を平坦化液５８７内に配置することによって)頂パネル５８１を通してではなく上から磨きパッド５８２に供給することができる。従って、磨きパッド５８２はこれと電極５２０a、５２０ｂとの間に位置決めされたパッド誘電層５２９ｂを有することができる。パッド誘電層５２９ｂが適所にある場合、電極５２０a、５２０ｂは電解質５３１との物理的接触から隔離され、従って、電解質５３１と必ずしも適合性ではない物質から選択することができる。いずれの実施例でも、電極５２０a、５２０ｂは互いと、一般容量の電解質を解して導電層１１１とに流体連通することができる。各電極５２０a、５２０ｂは、電流が一方の電極から導電層１１１を経て他方の電極へ流れるように、他方の電極によりも導電層１１１に直接電気的に結合することができる。
【００７０】図１０を参照して以上で説明した装置の実施例の一面では、電極５２０a、５２０ｂはこれらとミクロ電子基板１１０の表面１１３(図９)との間に磨きパッド５８２を介在させてミクロ電子基板１１０の表面１１３の方に面している。ミクロ電子基板１１０および電極５２０a、５２０ｂが互いに対して移動すると、これらの電極は表面１１３の少なくとも相当な部分に電気的に結合することができる。従って、表面１１３のところで導電層１１１(図９)に電気的に隔離された「島部」を形成する可能性を在来装置と比較して減じることができる。変更例として、装置が(図６の電極２２０ｇを参照して以上で説明したものと概ね同様な方法)各々が表面１１３の約半分に面するように構成されたたった２つとで電極を有する場合も、これらの電極は表面１１３の少なくとも相当な部分に電気的に結合することができる。
【００７１】図１０を参照して以上で説明した実施例のいずれにおいても、磨きパッド５８２は幾つかの在来の電解構成にまさる幾つかの追加の利点をもたらすことができる。例えば、磨きパッド５８２は電極５２０a、５２０ｂをミクロ電子基板１１０（図９）から一様に分離することができ、これにより電解方法が導電層１１１(図９)から物質を除去する一様性を高めることができる。磨きパッド５８２は図９を参照して以上で説明した方法でミクロ電子基板１１０を平坦化するための研磨粒子を有することもできる。更に、磨きパッド５８２は電極物質をミクロ電子基板１１０に接触しないようにするために電極５２０a、５２０ｂから侵食される炭素または他の物質をろ過することができる。更に、磨きパッド５８２は電解質５３１をミクロ電子基板１１０に極近接して保持するためにスポンジとして作用することができる。
【００７２】図１１は本発明の他の実施例によるミクロ電子基板１１０を機械的、化学的および／または電解的に処理するための回転装置６６０の部分概略横断面側面立面図である。この実施例の一面では、装置６６０は概ね円形のプラテンまたはテーブル６８０と、キャリア組立体６９０と、テーブル６８０に位置決めされた磨きパッド６８２と、磨きパッド６８２上の平坦化液６８７とを有している。磨きパッド６８２は固定研磨型磨きパッドであることができる。変更例として、平坦化液６８７は研磨要素の懸濁液を有するスラリーであることができ、磨きパッド６８２は非研磨型パッドであることができる。駆動組立体６９５が平坦化中、プラテン６８０を回転(矢印「Ｇ」)および／または往復移動(矢印「Ｈ」)させて磨きパッド６８２を移動させる。従って、磨きパッド６８２に対するミクロ電子基板１１０の運動は円形、楕円形、軌道的、歳差または非歳差運動を含むことができる。
【００７３】キャリア組立体６９０は物質除去プロセス中、ミクロ電子基板１１０を制御し、保護する。キャリア組立体６９０は代表的には吸引を介してミクロ電子基板１１０を保持するパッド６９４を持つ基板ホルダ６９２を有している。代表的には、キャリア組立体６９０の駆動組立体６９６が基板ホルダ６９２を回転および／または並進させる（それぞれ矢印「Ｉ」、「Ｊ」）。変更例として、基板ホルダ６９２は磨きパッド６８２の上方を摺動する一方に片寄った自由浮動ディスク(図示せず)を有してもよい。
【００７４】一実施例における装置でミクロ電子基板１１０を平坦化するには、キャリア組立体６９０がミクロ電子基板１１０を磨きパッド６８２の磨き表面６８８に押し付ける。次いで、プラテン６８０および／または基板ホルダ６９２が互いに対して移動してミクロ電子基板１１０を磨き表面６８８を横切って並進させる。その結果、磨きパッド６８２の研磨粒子および／または平坦化液６８７の化学薬品がミクロ電子基板１１０の表面から物質を除去する。
【００７５】また、装置６６０はリード線６２８a、６２８ｂで１つまたはそれ以上の電極対６７０（それらのうちの１つを図１１に示してある）に結合された電流源６２１を有することができる。電極５２０a，５２０ｂ(図１０)を頂パネル５８１(図１０)と一体化するのと概ね同じようにして電極対６７０をプラテン６８０と一体化することができる。変更例として、電極対６７０を磨きパッド６８２と一体化することができる。いずれの実施例でも、電極対６７０はミクロ電子基板１１０から導電物質を電解的に除去するために図３ないし図１０を参照して以上で説明したもののいずれとも概ね同様な形状および構成を有する電極を有することができる。図９を参照して以上で説明したように、電解方法をＣＭＰ方法の前、中または後に行うことができる。」
ｃ．段落【００８１】〜【００８２】
（援用文献の段落【００５９】〜【００６０】参照。）
【００８１】上記実施例のいずれにおいても、磨きパッド５８２はＩＣ１０００パッド(アリゾナ州フエニックスのロデル社から入手可能)のような在来のパッドであることができる。この実施例の一面では、磨きパッド５８２は懸濁媒体に固定的に分布された研磨要素を有することができる。変更例として、磨きパッド５８２とミクロ電子基板１１０との間に配置された平坦化液またはスラリーに研磨要素を懸濁することができる。いずれの実施例でも、研磨要素は酸化クロム、酸化アルミニウムまたは二酸化シリコンを含もことができ、平坦化液はミクロ電子基板を電位源に電気的に結合するために電解質を含むことができる。更に他の実施例では、研磨要素を物質除去媒体から全く除くことができ、電解方法および磨きパッド５８２との接触の結果、物質をミクロ電子基板から除去することができる。
【００８２】更に他の実施例では、ミクロ電子基板１１０を１つまたはそれ以上の化学反応性溶液にさらすことによって上記電気機械的相互作用を化学相互作用で補うことができる。この実施例の一面では、化学溶液はＣＭＰ処理に代表的に使用されるものと概ね同様であることができる。変更例として、化学溶液、化学環境および化学相互作用は在来のＣＭＰ技術と関連したものと異なることができる。例えば、溶液は(ＮＨ４)２ＳＯ４、Ｈ２ＳＯ４、Ｋ２ＳＯ４、ＭｇＳＯ４および／またはＨ３ＰＯ４を有する電解流体を含むことができる。変更例として、流体は図１３Ａないし図１３Ｃを参照して以下に説明するもののような他の成分を有することができる。また、流体は比較的低い濃度（例えば、銅除去の場合、約５０ｐｐｍないし約５，０００ｐｐｍ、白金除去の場合、約１００ｐｐｍないし約５，０００ｐｐｍ）の塩化物イオンを含むことができる。白金除去に適した特定の一例では、液体は約１Ｍ（モル／リットル）ないし約５．５Ｍの濃度の(ＮＨ４)２ＳＯ４の混合物、約０．５Ｍまでの濃度のＨ２ＳＯ４、および約５００ｐｐｍの塩化物イオンを含むことができる。これは塩素系物質（例えば、ＫＣｌまたはＨＣｌ）を含み、且つ非常に高い濃度（例えば、約１００，０００ｐｐｍ）の塩化物イオンを有する代表的な平坦化液体とは異なる。
ｄ．段落【００９４】〜【００９５】
（援用文献の段落【００７１】〜【００７２】参照。）
【００９４】図１４Ａは図１０を参照して以上で説明した構成要素の幾つかの概略回路図である。回路類似物も図３ないし図１３Ｃを参照して以上で説明した構成にいずれかに当てはまることができる。図１４Ａに概略的に示すように、電流源５２１がリード線５２８a、５２８ｂでそれぞれ第１電極５２０aおよび第２電極５２０ｂに結合されている。電極５２０a、５２０ｂは２組の平行キャパシタおよび抵抗により概略的に表すことができる構成で電解質５３１によりミクロ電子基板１１０に結合されている。第３キャパシタおよび抵抗はミクロ電子基板１１０が接地導体または他の電位に対して「浮動する」ことを概略的に示している。
【００９５】図１４Ａに示す実施例の一面では、図１４Ｂに示すように電流源５２１により生じる信号を変調する振幅変調器５２２に電流源５２１を結合することができる。従って、電流源５２１は高周波１４０４を発生させることができ、振幅変調器５２２は低周波１4０２を高周波1４０４に重畳することができる。例えば、高周波１４０４は低周波１４０２により定められる正方形波包絡線内に含まれる一連の正または負の電圧スパイクを有することができる。高周波１４０４の各スパイクは電荷を誘電体を通して電解質へ移送すべく比較的急な上昇時傾き、およびより徐々の下降時傾きを有することができる。下降時傾きは高周波１４０４で示すように直線、または高周波１４０４aで示すように曲線を形成することができる。他の実施例では、高周波１４０４および低周波１４０２は、例えば電極４２０に隣接した誘電体および電解質の特定の特性、基板１１０の特性および／または基板１１０から材料を除去する目標速度に依存する他の形状を有することができる。
　
2.2　引用例記載の発明
　引用例記載の事項において、平坦化液として電解質と、研磨粒子ないし研磨要素、すなわち、研磨材成分とを有する研磨液を採用したものに着目して、引用例記載の事項を技術常識を考慮に入れながら本件発明に照らして整理すると、引用例には以下の発明が記載されていると認める。
「ミクロ電子基板から導電物質を除去する方法であって、
　前記ミクロ電子基板を磨きパッドの磨き面に係合させるステップと、
　電解質及び研磨材成分を有する研磨液を、前記磨き面と前記ミクロ電子基板とに接して配置するステップと、
　前記ミクロ電子基板から離間している第１の電極から、この第１電極及び前記ミクロ電子基板から離間している第２の電極まで、研磨液を通して、及び、ミクロ電子基板の導電物質を通して、可変電流を印加することにより、前記ミクロ電子基板から導電物質を除去するステップと、
　前記磨きパッド及び前記ミクロ電子基板の少なくとも一方を他方に対して運動させるステップと、を含む方法。」
　
３．対比
　本件発明と引用例記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例記載の発明の「ミクロ電子基板」が、本件出願の発明の「マイクロエレクトロニック基体」に相当することは明らかであり、以下同様に、前者の「導電物質」、「磨きパッド」、「磨きパッドの磨き面」が、後者の「材料」ないし「導電性材料」、「研磨パッド」、「研磨パッドの研磨表面」にそれぞれ相当することは明らかである。。
　また、引用例記載の発明の研磨液が、所定重量％の研磨材成分を有していることは明らかであり、本件出願の発明の研磨液と引用例記載の発明の研磨液とは、電解質及び所定重量％の研磨材成分を有しているという限りで共通している。
　そうすると、本件出願の発明と引用例記載の発明とは、以下の点で一致しているということができる。
［一致点］
「マイクロエレクトロニック基体から材料を除去するための方法であって、
　前記マイクロエレクトロニック基体を研磨パッドの研磨表面に係合させるステップと、
　電解質及び所定重量％の研磨材成分を有する研磨液を、前記研磨表面と前記マイクロエレクトロニック基体とに接して配置するステップと、
　前記マイクロエレクトロニック基体から離間している第１の電極から、この第１電極及び前記マイクロエレクトロニック基体から離間している第２の電極まで、研磨液を通して、及び、マイクロエレクトロニック基体の導電性材料を通して、可変電流を印加することにより、前記マイクロエレクトロニック基体から材料を除去するステップと、
　前記研磨パッド及び前記マイクロエレクトロニック基体の少なくとも一方を他方に対して運動させるステップと、を含む方法。」である点。
　そして、本件出願の発明と引用例記載の発明とは、以下の点で相違している。
［相違点］
　本件出願の発明では、研磨液が、１重量％までの研磨材成分を有しているのに対して、引用例記載の発明では、研磨材成分の重量％がどの程度であるのか明らかでない点。
　
４．相違点についての検討
　研磨液の研磨材成分の含有量をどの程度とするかは、原査定の際にもその旨述べているように、研磨対象の物性や加工条件等に応じて実験的に最適化又は好適化して適宜設定すればよい事項である。
　また、本件出願の明細書及び図面を参照しても研磨材成分の含有量を１重量％までとしたことによる格別の作用効果を認めることができない。
　そうしてみると、引用例記載の発明において、研磨材成分の含有量を１重量％までとすることに格別の困難性は見当たらないから、本件発明は引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件出願の請求項１５に係る発明は引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。