【事件の表示】
　平成８年特許願第５１８３００号「薄膜を成長させるための方法と装置」拒絶査定不服審判事件〔平成８年６月６日国際公開、ＷＯ９６／１７１０７、平成９年９月９日国内公表、特表平９−５０８８９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I.手続の経緯、本願発明
　本願はパリ条約による優先権主張（優先日：１９９４年１１月２８日）を伴い平成７年１１月２８日に国際出願され、平成１４年４月１８日付けで出願拒絶されたところ、平成１４年７月２９日に本件の審判請求がなされたものである。
 　本願の請求項１〜１０に係る発明は、平成１４年２月８日の手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１には以下の事項が記載されている。 
 【請求項１】基板を反応スペースに設置し、前記基板に薄膜形成のために交互に繰り返される複数の気相反応物質との表面反応を行わせる、基板上に薄膜を成長させるための方法であって、前記方法が、前記反応物質を、各々それ自体の供給源から、気相パルスの形で繰り返し交互に前記反応スペースに供給するステップと、前記気相反応物質を基板の表面と反応させ、前記基板上に薄膜化合物を形成するステップと、前記反応スペースを、２つの連続する気相反応パルスの間で、反応スペースをポンプに連結して、前記反応スペースに残留し前記反応スペースの内壁へ吸着した前記反応物質の実質的に全てが、前記２つの連続する気相パルスの第２のパルスを流入させる前に、１％未満のレベルまで除去されるように、排気するステップと、前記排気ステップと同時に、不活性ガスを前記反応スペースに供給するステップとからなることを特徴とする方法。（以下、必要に応じて、「本願発明」という）
　
II．前審における拒絶の理由の概要
　本願請求項１〜１０に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である次の引用例１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用例１：特開平１−２６４９９３号公報 
引用例２：特開昭５１−７７５８９号公報
引用例３：特開昭５５−１３０８９６号公報
引用例４：特開平６−２１６０３０号公報
　
III．引用例の記載
III−１．引用例１（特開平１−２６４９９３号公報）の記載
（Ａ−１）「水素を含有しているキャリヤガスと交互に、半導体を構成する単数または複数の元素の気相化合物を、加熱された基板を収容している室内に供給することにより、基板表面上で半導体の薄層を原子層エピタキシー成長させる方法において、少なくとも一つの気相化合物のキャリヤガスの一部を稀ガスとすることを特徴とする原子層のエピタキシー成長方法。」（特許請求の範囲第１項） 
（Ａ−２）「化合物を交互に供給する間に、その都度室を空にするか、あるいは稀ガスで洗浄することを特徴とする請求項（１）または（２）記載の原子層のエピタキシー成長方法。」（特許請求の範囲第３項） 
（Ａ−３）「いわゆる原子層エピタキシー法は、エピタキシャル型の半導体、つまり結晶学的に配向された（所定の方位関係を有する）単結晶の半導体を、例えばＡなる元素とＢなる元素とから製造するために応用される。
　この場合、加熱された基板には、まず初めに、元素Ａの化合物が、基板表面が単分子層またはＡ−単層で覆われるまで供給され、次に、元素Ｂが、Ａ−単層と反応して、ＡＢ−単層を形成するために供給される。
　このサイクルは、所望の膜厚さが得られるまで反復される。」（第２頁左下欄第１０行〜右下欄第１行） 
（Ａ−４）「このようにすると、確かにｐ−伝導性が若干低下し、電子移動性も僅かに高められるが、通常の原子層エピタキシー成長に際して、つまり、例えば純粋なアルシンとトリエチルガリウムとを交互に室内に供給する場合に避けることのできない問題性が、更に大きくなる。即ち、一方の気相化合物、例えばアルシンが他方の気相化合物、例えばトリエチルガリウムの供給に際して、室内に残留していることにより、両化合物の気相での反応が生じ、ひいては、アダクツ（付加生成物）及び芽晶の形成、室内壁における析出などの現象を惹起するので、半導体薄層の諸特性が著しく劣悪化される。」（第３頁左上欄第１５行〜右上欄第６行）
（Ａ−５）「ヨーロッパ特許第００１５３９０号明細書によれば、原子層エピタキシー法における結晶核（芽晶）の形成を抑制するため、半導体を構成する各元素の化合物を交互に供給する間に、例えばアルゴンのような不活性のパージガス（洗浄ガス）が供給される。これによって、どのような形にせよ、化合物同士が互いに接触することが妨げられ、ひいては、アダクツ形成および芽晶形成が阻止される。」（第３頁右上欄第１８行〜左下欄第５行）
（Ａ−６）「本発明による方法では、アダクツ形成及び芽晶形成を阻止するべく、有利には、各化合物を交互に供給する間に、室が空にされる（掃気）か、又はパージガスで洗浄される。この場合、パージガスとして、やはり稀ガスを用いると効果的である。」（第４頁左下欄第７〜１１行） 
（Ａ−７）「本発明による方法では、すべての水素を、稀ガスに替える必要はない。むしろ本発明による利点は、キャリヤガス又はパージガスの極く一部だけを、稀ガスから構成するのみで、認めるに足るだけの効果が得られるところにある。〈中　略〉
　しかし、キャリヤガス又はパージガス中に或る程度の、例えば少なくとも５容量％程度の水素を含有させておくことは、むしろ望ましい。何故ならば、このようにすると、酸化により惹起される夾雑物生成を阻止する還元性の雰囲気が保証されることになるからである。」（第４頁右下欄第２〜１９行）
（Ａ−８）「ガリウム塩化ジエチル（ＤＥＧａＣｌ）は、本発明による方法において、特に有効な有機金属ガリウム化合物であるといえる。つまり、この物質（ＤＥＧａＣｌ）は、Ｈ２が存在しない場合、即ち、純粋なヘリウム雰囲気にある場合でも、比較的低い３５０℃程度から６００℃以上にまで及びかなり広い温度範囲おいて、確実に単層の形成を行う。」（第６頁右上欄第１１〜１７行）
（Ａ−９）「従って、パージガスの供給時およびＤＥＧａＣｌの供給時における砒素水素：アルシン（ＡｓＨ３）、又は隣化水素：ホスフィン（ＰＨ３）の含有率を、場合によってはゼロにするか、あるいは、かなり低い値に抑えることができるので、芽晶形成、アダクツ形成などの現象は阻止される。」（第６頁左下欄第４〜９行） 
（Ａ−１０）「各化合物を交互に供給している際の室内圧が、例えば１００Ｐａである場合、その間の掃気過程における圧力は、例えば０．１Ｐａに低減される。」（第７頁左下欄第３〜６行） 
（Ａ−１１）「反応室としての円筒ケーシング（１）の下端部は、図示されていない真空ポンプに接続されたタンク（１３）上に当接しており、ベースプレート（１１）も、このタンク（１３）内に固定されている。」（第８頁左上欄第６〜９行）
　
III−２．引用例３（特開昭５５−１３０８９６号公報）の記載
（Ｂ−１）「１．基体表面上に異種元素の化合物薄膜を成長せしめる方法において：
　該物質の蒸気を、くり返し、交互に、該基体を収容しているチャンバに供給し、
　ガス相媒体を該チャンバに少なくとも、該物質の交互の供給の間の期間に供給し、
そのとき、
　該蒸気は、基体の表面と反応し、そこに成長した薄膜は、該基体表面の温度で、固体状態生成物を供し、そして、該ガス相媒体の供給は、基本的に該基体上への該化合物薄膜成長の間、該交互供給蒸気の同時干渉を防止する工程により該元素を含む異種物質の交互表面反応を供することを特徴とする前記方法。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｂ−２）「６．基体表面上に異種元素の化合物薄膜を成長せしめる装置において、
　該薄膜は、該元素を含む異種物質の交互の表面反応によって形成され、
　基体を収容するチャンバ；該チャンバと連結した真空手段；該チャンバ内の基体を加熱する手段；
　該チャンバと連結し、異種物質の蒸気を該蒸気ソースから該チャンバに選択的に、かつ、別々に供給する複数の蒸気ソース；
　該チャンバと連結したガス源を含むガス相媒体；及び、該チャンバを通して、該ガス源から該真空手段への該ガス相媒体の流れを制御し、少なくとも該蒸気の１つの個別の供給の終了時に、そして、他の該蒸気の個別の供給の前に、該ガス相媒体を供給する手段を有し、該チャンバから該基体上の該化合物の成長中の夫々の該交互表面反応の間に、該蒸気を基本的に取り除くものであることを特徴とする前記装置。」（特許請求の範囲第６項）
（Ｂ−３）「反応容積を規定し、化合物薄膜が成長する基体が置かれている反応チャンバ；該反応容積に連結された真空ポンプ手段；
　該反応容積に連結された、少なくとも２つの異種ガスのソース手段；
　該反応容積に連結された、不活性担体及び／或は分離ガスのソース手段；
　反応容積及び、反応性ガス源を所定温度に保持し、前記の手段の操作をつかさどり制御し、本発明方法による装置の操作を行う加熱手段；
以上の要素の組合せを有することを特徴とする特許請求の範囲第１−５項の方法を行う装置。」（特許請求の範囲第７項）
（Ｂ−４）「８．吸引ポンプが、不活性キャリヤ及び／或は分離ガスの流れ（ｖ）の方向に関して、反応チャンバの出口側に連結され、反応性ガスのソース及び、キャリヤ及び／或は分離ガスのソースが、反応チャンバの入口側に連結されている特許請求の範囲第７項の装置」（特許請求の範囲第８項）
（Ｂ−５）「本発明方法によるＡＬＥ型成長を得るための条件は、基体表面温度で互いに反応でき、その温度で固体状態反応製品が得られるような蒸気の同時干渉が、ガス相媒体或はキャリヤガスによって形成された拡散バリヤの助けによつて防止されることである。ガス相媒体は、成長表面に関して原理的に不活性でなければならない。」（第４頁左下欄第８〜１５行）
　
IV．当審の判断
IV−１．その１（引用例１に記載の発明と対比・判断）
　引用例１の前記（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−６）の記載によれば、引用例１には、
「水素を含有しているキャリヤガスと交互に、半導体を構成する単数又は複数の元素の気相化合物を、加熱された基板を収容している室内に供給することにより、基板表面上で半導体の薄層を原子層エピタキシー成長させる方法において、気相化合物を交互に供給する間に、その都度室を空にする（ないしは掃気する）か、あるいは稀ガスで洗浄する方法」に関する発明（以下、必要に応じて、「引用発明」という）が記載されているということができる。
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「室内」、「基板」、「気相化合物」及び「半導体の薄層」は本願発明の「反応スペース」、「基板」、「気相反応物質」及び「薄層、又は、薄膜化合物」にそれぞれ相当する。
　そして、引用発明の方法にあっては、その基板が室内に収容されるので、そこでは、本願発明と同じように「基板を室内に設置する」ものであるということができる。
　ついで、引用発明においては交互に半導体を構成する単数又は複数の元素の気相化合物を加熱された基板を収容している室内に供給することにより基板表面上で半導体の薄層を原子層エピタキシー成長させるものであり、かつ、前記（Ａ−３）によれば（更に必要ならば、原子層エピタキシ又はＡＬＥに関する引用例２及び３に記載の技術を参照）、ここでの原子層エピタキシー成長方法とは、基板表面を覆う元素成分層が別異の元素成分層と反応して単層を形成し、所望の膜厚さが得られるまで反復されるものであることから、引用発明は、本願発明と同じように、「前記基板に半導体の薄膜形成のために交互に繰り返される複数の気相化合物との表面反応を行わせる、基板上に半導体の薄膜を成長させるための方法」を少なくとも含むものであり、また、「前記気相化合物を気相パルスの形で繰り返し交互に前記室内に供給するステップと、前記気相化合物を基板の表面と反応させ、前記基板上に半導体の薄層を形成するステップ」を少なくとも具備するものであるということができる。この場合、この分野の技術常識（例えば、原子層エピタキシ又はＡＬＥに関する引用例２及び３の記載を参照）からみても明らかなとおり、引用発明においても、気相化合物は各々それ自体の供給源から供給されるものであるということができる。
　よって、両者は、
「基板を反応スペースに設置し、前記基板に薄膜形成のために交互に繰り返される複数の気相反応物質との表面反応を行わせる、基板上に薄膜を成長させるための方法であって、前記方法が、前記反応物質を、各々それ自体の供給源から、気相パルスの形で繰り返し交互に前記反応スペースに供給するステップと、前記気相反応物質を基板の表面と反応させ、前記基板上に薄膜化合物を形成するステップとからなる方法」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点１】当該基板上に薄膜を成長させるための方法が、本願発明では、「前記反応スペースを、２つの連続する気相反応パルスの間で、反応スペースをポンプに連結して、前記反応スペースに残留し前記反応スペースの内壁へ吸着した前記反応物質の実質的に全てが、前記２つの連続する気相パルスの第２のパルスを流入させる前に、１％未満のレベルまで除去されるように、排気するステップと、前記排気ステップと同時に、不活性ガスを前記反応スペースに供給するステップ」との特定事項を更に具備するのに対して、引用発明では、その気相化合物を交互に供給する間に、その都度室を空にする処理ないしは掃気処理を施すか、あるいは稀ガスで洗浄処理するものの、当該特定事項の全てを具備しない点
　以下、上記相違点１に関する特定事項が当業者の容易に想到できるものであるか否かにつき検討する。
　引用発明で、その気相化合物を交互に供給する間に、すなわち、２つの連続する気相反応パルスの間に、その都度、室を空にする処理ないしは室を掃気する処理（本願発明の「排気するステップ」に相当する）、あるいは室を稀ガスで洗浄する処理（本願発明の「不活性ガスを前記反応スペースに供給するステップ」に相当する）を実施するものであって、これら処理は、前記（Ａ−４）〜（Ａ−６）によれば、一方の気相化合物が室内に残留することによるアダクツ（付加生成物）形成及び芽晶形成を阻止するべく、すなわち、気相化合物の残留成分を除去する等のためになされるものである。
　そうであれば、引用発明において、その気相化合物を交互に供給する間に、気相化合物の残留成分をより完全に除去する等のために、上記の室を空にする処理ないしは室を掃気する処理と、稀ガスで洗浄する処理との、双方を、同時に適用することは当業者であれば直ちに想到し得るものであるし、その際、室を空にする処理ないしは室を掃気する処理につき、その処理程度を「室内に残留し前記室内の内壁へ吸着した前記気相化合物の実質的に全てが、前記２つの連続する気相パルスの第２のパルスを流入させる前に、１％未満のレベルまで除去されるように」することに、何等の困難も伴わない。
　また、この場合、室を空にする処理ないしは室を掃気する処理を実施するものであるから、そこには、通常、室内と連結して排気するためのポンプ手段が設けられるものであり、また、具体的にも、前記（Ａ−１１）によれば、反応室に接続して真空ポンプ（本願発明の「ポンプ」に相当）が設けられることが明示されるものであり、引用発明において当該室を空にする処理ないしは室を掃気する処理を実施するときには、その発明で、「前記室内を、２つの連続する気相反応パルスの間で、室内を真空ポンプに連結して、排気する」ようにすることは当業者が当然のこととして実施できることに過ぎない。
　してみれば、引用発明において、上記相違点１に係る特定事項を具備するようにすることは当業者が困難なく適宜実施できるものである。
　また、引用発明において、上記相違点１に係る特定事項を具備させることにより格別予想し難い効果を奏するものであるということもできない。
　したがって、本願発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
IV−２．その２（引用例３に記載の発明と対比・判断）
　引用例３には、化合物薄膜の成長のための方法に関する事項が記載されており、先ず、その記載内容を検討する。
　引用例３の前記（Ｂ−１）によれば、「基体表面上に異種元素の化合物薄膜を成長せしめる方法において、
　該物質の蒸気を、くり返し、交互に、該基体を収容しているチャンバに供給し、ガス相媒体を該チャンバに少なくとも、該物質の交互の供給の間の期間に供給し、
　そのとき、該蒸気は、基体の表面と反応し、そして、該ガス相媒体の供給は、基本的に該基体上への該化合物薄膜成長の間、該交互供給蒸気の同時干渉を防止する工程により、該元素を含む異種物質の交互表面反応を供する、前記方法」に関する事項が記載される。
　そして、上記方法においては「異種元素の化合物薄膜を成長」せしめ且つ「該元素を含む異種物質の交互表面反応」を実施するものであるので、上記「該物質」とは「異種元素を含む異種物質」を指すものであり、また、上記「該物質の蒸気」については、前記（Ｂ−２）及び（Ｂ−３）によれば、各々それ自体のソース手段から供給されるものであり、更には、上記のガス相媒体は、前記（Ｂ−４）によれば、成長表面に関して不活性なものである。
　以上のとおり、引用例３には、
「基体表面上に異種元素の化合物薄膜を成長せしめる方法において、
　異種元素を含む異種物質の蒸気を、各々それ自体のソース手段から、くり返し、交互に、該基体を収容しているチャンバに供給し、成長表面に対して不活性なガス相媒体を該チャンバに少なくとも、該物質の交互の供給の間の期間に供給し、
　そのとき、該蒸気は、基体の表面と反応し、そして、該ガス相媒体の供給は、基本的に該基体上への該化合物薄膜成長の間、該交互供給蒸気の同時干渉を防止する工程により、該元素を含む異種物質の交互表面反応を供する、前記方法」に関する発明（以下、必要に応じて「引用発明３」という）が記載されているということができる。
　そこで、本願発明と引用発明３とを対比する。
　先ず、引用発明３の「チャンバの内部」、「基体」、「蒸気形態の異種物質」及び「異種元素の化合物薄膜」は本願発明の「反応スペース」、「基板」、「気相反応物質」及び「薄層、又は、薄膜化合物」にそれぞれ相当することは明白なことである。
　そして、引用発明３の方法にあっては、その基体がチャンバに収容されるので、そこでは、本願発明と同じように「基体をチャンバの内部に設置する」ものであるということができる。
　ついで、引用発明３においては、蒸気形態の異種物質を、くり返し、交互に、該基体を収容しているチャンバに供給し、該蒸気形態の異種物質を基体の表面と反応させ、異種物質の交互表面反応を行うものであって、引用発明３は、本願発明と同じように、「前記基体に異種元素の化合物薄膜形成のために交互に繰り返される複数の蒸気形態の異種物質との表面反応を行わせる、基体上に異種元素の化合物薄膜を成長させるための方法」に関するものであって、「前記蒸気形態の異種物質を気相パルスの形で繰り返し交互に前記チャンバの内部に供給するステップと、前記蒸気形態の異種物質を基体の表面と反応させ、前記基体上に異種元素の化合物薄膜を形成するステップ」を具備するものである。
　更に、引用発明３は、異種物質の蒸気を各々それ自体のソース手段から供給するものであるから、本願発明と同じように、「前記異種物質を、各々それ自体の供給源から、供給する」ものであるということができる。
　よって、両者は、
「基板を反応スペースに設置し、前記基板に薄膜形成のために交互に繰り返される複数の気相反応物質との表面反応を行わせる、基板上に薄膜を成長させるための方法であって、前記方法が、前記反応物質を、各々それ自体の供給源から、気相パルスの形で繰り返し交互に前記反応スペースに供給するステップと、前記気相反応物質を基板の表面と反応させ、前記基板上に薄膜化合物を形成するステップとからなる方法」である点で一致し、以下の点で相違する。
【相違点イ】当該基板上に薄膜を成長させるための方法が、本願発明では、「前記反応スペースを、２つの連続する気相反応パルスの間で、反応スペースをポンプに連結して、前記反応スペースに残留し前記反応スペースの内壁へ吸着した前記反応物質の実質的に全てが、前記２つの連続する気相パルスの第２のパルスを流入させる前に、１％未満のレベルまで除去されるように、排気するステップと、前記排気ステップと同時に、不活性ガスを前記反応スペースに供給するステップ」との特定事項を更に具備するのに対して、引用発明３では、成長表面に対して不活性なガス相媒体を、該チャンバの内部に該異種物質の交互の供給の間の期間に（すなわち、２つの連続する気相反応パルスの間において）供給するものであるものの、当該特定事項を全て具備しない点
　以下、上記相違点イにつき検討する。
　引用発明３においては、上記したとおり、成長表面に対して不活性なガス相媒体（本願発明の「不活性ガス」に相当）を、チャンバの内部に異種物質の交互の供給の間の期間に供給するものであって、それは、交互供給蒸気（前記異種物質）の同時干渉を防止する、ないしは、前記（Ｂ−２）によれば、該チャンバから異種物質の交互の供給の間の期間に異種物質を取り除くために行われるものである。
　一方、引用例１には、前記（Ａ−１）によれば、「水素を含有しているキャリヤガスと交互に、半導体を構成する複数の元素の気相化合物を、加熱された基板を収容している室内に供給することにより、基板表面上で半導体の薄層を原子層エピタキシー成長させる方法」と、引用発明３と同じように、異種物質の蒸気を交互に該基体を収容しているチャンバの内部に供給して基体表面上に異種元素の化合物薄膜を成長せしめる技術が記載されており、そして、その前記（Ａ−２）及び（Ａ−４）〜（Ａ−６）によれば、当該引用例１では、一方の気相化合物が室内に残留することによるアダクツ（付加生成物）形成及び芽晶形成を阻止するべく、すなわち、気相化合物の残留成分を除去する等のために、「その気相化合物を交互に供給する間に、すなわち、２つの連続する気相反応パルスの間に、その都度、室を空にする処理ないしは室を掃気する処理、あるいは室を稀ガスで洗浄する処理を実施する」ことが教示される。この場合、その「気相化合物」及び「室」は、引用発明３の「蒸気形態の異種物質」及び「チャンバ」にそれぞれ相当し、また、その「室を空にする処理ないしは室を掃気する処理」及び「室を稀ガスで洗浄する処理」は、本願発明の「排気ステップ」及び「不活性ガスを前記反応スペースに供給するステップ」にそれぞれ相当する。
　そうであれば、引用発明３において、該異種物質の交互の供給の間の期間に、すなわち、２つの連続する気相反応パルスの間において、該ガス相媒体をチャンバの内部に供給する際に、交互供給蒸気の同時干渉をより完全に防止する、ないしは、該チャンバから異種物質の交互の供給の間の期間に異種物質をより完全に取り除くことを意図して、上記で教示されるところの「チャンバを空にする処理ないしはチャンバを掃気する処理」を、そのガス相媒体の供給と同時に適用することは当業者であれば困難なく適宜なし得ることに過ぎず、その際、当該「チャンバを空にする処理ないしはチャンバを掃気する処理」につき、その処理の程度を「チャンバの内部に残留し前記チャンバ（の内部）の内壁へ吸着した前記気相化合物の実質的に全てが、前記２つの連続する気相パルスの第２のパルスを流入させる前に、１％未満のレベルまで除去されるように」とすることに、何等の困難も伴わない。
　また、引用発明３では、その前記（Ｂ−３）及び（Ｂ−４）によれば、チャンバに真空ポンプ又は吸引ポンプ（本願発明の「ポンプ」に相当）が連結されるものであり、引用発明３において引用例１で教示されるところの「室を空にする処理ないしは室を掃気する処理」を適用する場合には、本願発明と同じように、「前記チャンバの内部を、２つの連続する気相反応パルスの間で、チャンバの内部を真空ポンプに連結して、排気する」ようにすることは当業者であれば当然のこととして実施できるものである。
　してみれば、引用発明３において、上記相違点イに係る特定事項を具備するようにすることは当業者が困難なく適宜実施できるものである。
　また、引用発明３において、上記相違点イに係る特定事項を具備させることにより格別予想し難い効果を奏するものであるということもできない。
　したがって、本願発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
V．請求人の主張について
（１）請求人は、「このように引例１ではそれ自身の方法について「原子層エピタキシー」（ＡＬＥ）の用語を使って表現しているが、引例１のプロセスでは「加熱された基板」を用いており前駆体を高い温度で分解させていることから、当該プロセスは本願発明の如き真のＡＬＥプロセスとはいえない。」（平成１８年７月１８日提出の回答書第２頁第１３〜１６行）と、引用例１に記載の発明のプロセスは加熱された基板を用いており本願発明の如き真のＡＬＥプロセスとはいえない旨主張する。
　しかし、本願請求項１の記載をみても明らかなとおり、本願発明が真のＡＬＥプロセスに係わるものであるとは限定的に記載されるものではなく、また、基板を加熱しないと限定的に記載されるものではない。
　そうであれば、請求人のこの主張は、本願明細書の記載に基づくものではなく失当という外はない。
　仮に、本願請求人の主張するように、本願請求項に係る発明がそのように真のＡＬＥプロセスに係わるものであると限定的に解釈できたとしても、当該真のＡＬＥプロセスは出願前に周知の技術であり、引用発明又は引用発明３の構成をそのような真のＡＬＥプロセスの条件に限定ないしは変更することに何等の困難も伴わない。
（２）請求人は、「引例１においては水素ガスがキャリヤガスとして用いられており、しかも水素は不活性ガスではない。この点で、引例１は、明らかに、本願発明と異なるものである。」（平成１８年７月１８日提出の回答書第３頁第３〜５行）と、引用例１に記載の発明ではその室の洗浄には水素が用いられ、当該水素は本願発明の排気ステップと同時に反応スペースに供給される不活性ガスではない旨主張する。
　確かに、引用発明においては、その前記（Ａ−７）によれば、パージガス、即ち洗浄するためのガスには水素を少なくとも５容量％含有することが有利である旨記載される。
　しかし、本願明細書の記載によれば、「不活性ガスは、望ましくない反応（例えば、酸化反応）が基板表面で起こるのを防止する水素ガスのような、本来は反応性ガスでも良い。」（平成８年７月２９日付け特許法第１８４条の５第１項の規定による書面の第５頁第１２及び１３行）と記載され、その不活性ガスには、望ましくない反応（酸化反応）が基板で起こるのを防止する観点で用いられる水素ガスが少なくとも含まれるものである。
　そして、引用例１には、水素が、前記（Ａ−７）によれば、酸化により惹起される夾雑物生成を阻止する還元性の雰囲気を保証する観点で用いられ得るものであって、このような水素は、本願発明の上記不活性ガスに含まれることは明白である。
　したがって、請求人のこの主張は、本願明細書の記載に基づくものではなく失当という外はない。
（３）請求人は、「しかし、上述の如く、水素ガスは不活性ガスではないし、また引例１の発明では反応器内には水素が絶え間なく一定量流入されていることから、たとえ圧が減少されたとしても、すなわち、水素の分圧はいつも反応器内では同じであり、水素と基板表面との間の反応がいつも生じることになる。その水素の分圧がいつも同じであるので、気相反応パルスの際（反応ステージの際）の１％に減少されることはない。」（平成１８年７月１８日提出の回答書第３頁第１５〜２０行）と、引用例１に記載の発明では、その前記（Ａ−１０）によれば、掃気過程における圧力は１／１０００にされるもかかわらず、そこでの排気ステップにおいて気相反応物質は１％未満になることはない旨主張する。
　しかし、本願請求項１の記載からみて明らかなとおり、気相反応物質とは基板表面と反応をなし薄膜を形成するために用いられる物質であることから、請求人のいう水素は、その気相反応物質には当たらない。
　そうであれば、請求人の主張する上記主張は、その前提において成り立たないものであり、したがって、その主張は合理的とは云えない。
　そもそも、引用例１には、その前記（Ａ−１０）によれば、「各化合物を交互に供給している際の室内圧が、例えば１００Ｐａである場合、その間の掃気過程における圧力は、例えば０．１Ｐａに低減される。」と記載され、掃気処置（排気ステップ）において圧力は１／１０００になるものであるから、気相反応物質は、第２のパルスを流入させる前に、０．１％レベルまで除去されるものであり、この点からみても、上記相違点１に係る特定事項は当業者が困難なく適宜なし得るものである。
　
VI．まとめ
　したがって、本願請求項１に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。