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　特願２０００−２００８６０「半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月２２日出願公開、特開２００２−　５７２０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 ・本願発明
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１２年７月３日（優先日、平成１２年１月２０日、平成１２年５月３０日）の出願であって、その請求項１ないし３８に係る発明は、当審での平成１８年１１月２０日付けの拒絶の理由に対して提出された平成１９年１月２９日付けの手続補正書からみて、次のとおりである。
「【請求項１】　第１のセラミックス焼結体の表面上に、金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程と、前記導電層が形成された前記第１のセラミックス焼結体の表面と第２のセラミックス焼結体との間に接着層を介在させて加熱することによって、前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを接合する工程とを備え、前記第１および第２のセラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群から選ばれた１種を含み、前記接着層の材質は、ガラス、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物、または非酸化物セラミックスから選択される１種以上を含む半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項２】　前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを接合する工程は、ガラスを含む層を介在させて加熱することを含む、請求項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項３】　前記ガラスを含む層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項４】　前記非酸化物セラミックスは、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項５】前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項１または４に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項６】　セラミックス焼結体の一方の表面または両方の表面に金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程と、前記導電層の表面を被覆するように前記セラミックス焼結体の上に保護層を形成する工程とを備え、前記第１および第２のセラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群から選ばれた１種を含み、前記保護層の材質は、ガラス、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物、または非酸化物セラミックスから選択される１種以上を含む、半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項７】　前記保護層を形成する工程は、ガラスを含む層を塗布して加熱することを含む、請求項６に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項８】　前記ガラスを含む層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項７に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項９】　前記非酸化物セラミックスは、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項６に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１０】　前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項６または９に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１１】　前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウムである、請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１２】　ウェハ保持体の厚みが５ｍｍ以下である、請求項１から請求項１１までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１３】　ウェハ保持体の厚みが２ｍｍ以下である、請求項１２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１４】　前記導電層を形成する工程は、線幅と線間隔がそれぞれ５ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを形成することを含む、請求項１から請求項１３までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１５】　前記導電層を形成する工程は、線幅と線間隔がそれぞれ１ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを形成することを含む、請求項１４に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１６】　前記導電層を形成する工程は、タングステン、モリブデン、銀、パラジウム、白金、ニッケルおよびクロムからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を含むペーストを塗布して焼成することを含む、請求項１から請求項１５までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１７】　請求項１に記載の製造方法により製造された半導体製造装置用ウェハ保持体であって、第１のセラミックス焼結体と、第２のセラミックス焼結体と、前記第１のセラミックス焼結体の表面上に形成された導電層と、前記導電層が形成された前記第１のセラミックス焼結体の表面と前記第２のセラミックス焼結体との間に介在し、前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを接合する接着層とを備え、前記第１・第２のセラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群より選ばれた１種の成分を含み、前記接着層は、ガラス、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱によってイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物、または加熱によってイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物、または非酸化物セラミックスから選択される１種以上を含む半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項１８】　前記接着層は、ガラスを含む、請求項１７に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項１９】　前記接着層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有するガラスを含む、請求項１８に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２０】　前記非酸化物セラミックスは、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項１７に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２１】　前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項１７または請求項２０に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２２】　請求項６に記載の製造方法により製造された半導体製造装置用ウェハ保持体であって、セラミックス焼結体と、前記セラミックス焼結体の一方の表面または両方の表面上に形成された導電層と、前記導電層の表面を被覆するように前記セラミックス焼結体の上に形成された保護層とを備え、前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群より選ばれた１種の成分を含み、前記保護層は、ガラス、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱によってイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物、または加熱によってイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物、または非酸化物セラミックスから選択される１種以上を含む半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２３】　前記接着層は、ガラスを含む、請求項２２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２４】　前記保護層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有するガラスを含む、請求項２３に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２５】　前記非酸化物セラミックスは、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項２２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２６】　前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項２２または請求項２５に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２７】　前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウムである、請求項１７から請求項２６までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２８】　ウェハ保持体の厚みが５ｍｍ以下である、請求項１７から請求項２６までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２９】　ウェハ保持体の厚みが２ｍｍ以下である、請求項２８に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３０】前記導電層は、線幅と線間隔がそれぞれ５ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを含む、請求項１７から請求項２９までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３１】　前記導電層は、線幅と線間隔がそれぞれ１ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを含む、請求項３０に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３２】　前記導電層は、タングステン、モリブデン、銀、パラジウム、白金、ニッケルおよびクロムからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を含む、請求項１７から請求項３１までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３３】　前記導電層に接続されてウェハ保持体の外側に延びる電極部材をさらに備え、前記電極部材は、導電性の基材と、前記基材の表面を被覆するセラミックス層とを含む、請求項１７から請求項３２までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３４】　前記セラミックス層は、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムからなる、請求項３３に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３５】前記セラミックス層は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法および溶射法からなる群より選ばれた１種の方法によって形成されている、請求項３２または請求項３３に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３６】　前記基材は、タングステンまたはモリブデンからなる、請求項３２から請求項３４までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３７】　請求項１７から請求項３６までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体を内蔵する半導体製造装置。
【請求項３８】　エッチング装置、ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置およびイオン注入装置からなる群より選ばれた１種である、請求項３７に記載の半導体製造装置。」
　ここで、請求項６において、「前記第１および第２のセラミックス焼結体は」とあるが、請求項６は他の請求項を引用していないのに、請求項６の中に「第１および第２のセラミックス焼結体」は前記されていない。そこで、請求項６の「第１および第２のセラミックス焼結体」より前におけるセラミックス焼結体の記載は「セラミックス焼結体」とだけ記載されている。また、本件出願の発明の詳細な説明の段落【００１６】及び【００１７】には、請求項６に対する説明として、
「（２）保護層／導電層／セラミックス構造のウェハ保持体の製造方法
　（ａ）セラミックス焼結体の一方の表面または両方の表面に、金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程。
　（ｂ）導電層の表面を被覆するようにセラミックス焼結体の上に保護層を形成する工程。」
と記載され、また、段落【００１８】に、
「（１）の構造の製造方法ではセラミックス焼結体を接合するため、第１と第２の焼結体の反りが合わなかったり、接合時の加重等が不足したりすると、接合隙等の不良を発生することが有り、歩留まりが低下することがある。そこで、（２）の構造の製造方法のように１枚の焼結体の片側に導電層を形成し、この表面をハロゲン等の腐食性ガスから保護する層で覆うという手法を採ると、歩留まりとコストの観点からは好ましい。この場合、焼結体の片側あるいは両側に電極を形成できるので、ヒーター回路、プラズマ下部電極、静電チャック用電極から選ばれる１種または２種の導電層を持った保持体を作製することができる。保護層の表面の面粗度や平面度の必要に応じて、保護層を形成した後、機械的、化学的あるいは両者を組み合わせた加工を施すこともできる。」
と記載されているように、請求項６に記載された発明は、第１と第２のセラミックス焼結体を用いることに代えてセラミックス焼結体を１枚のみ用いたものであることが理解できる。
　したがって、請求項６における「第１および第２のセラミックス焼結体」は「セラミックス焼結体」の誤りである。
　以上のとおりであるので、本件出願の請求項１ないし３８に係る発明は、以下のとおりと認める。（以下、「本願発明１ないし３８」とする。）
「【請求項１】　第１のセラミックス焼結体の表面上に、金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程と、前記導電層が形成された前記第１のセラミックス焼結体の表面と第２のセラミックス焼結体との間に接着層を介在させて加熱することによって、前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを接合する工程とを備え、前記第１および第２のセラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群から選ばれた１種を含み、前記接着層の材質は、ガラス、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物、または非酸化物セラミックスから選択される１種以上を含む半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項２】　前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを接合する工程は、ガラスを含む層を介在させて加熱することを含む、請求項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項３】　前記ガラスを含む層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項４】　前記非酸化物セラミックスは、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項５】前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項１または４に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項６】　セラミックス焼結体の一方の表面または両方の表面に金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程と、前記導電層の表面を被覆するように前記セラミックス焼結体の上に保護層を形成する工程とを備え、前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群から選ばれた１種を含み、前記保護層の材質は、ガラス、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物、または非酸化物セラミックスから選択される１種以上を含む、半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項７】　前記保護層を形成する工程は、ガラスを含む層を塗布して加熱することを含む、請求項６に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項８】　前記ガラスを含む層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項７に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項９】　前記非酸化物セラミックスは、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項６に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１０】　前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項６または９に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１１】　前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウムである、請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１２】　ウェハ保持体の厚みが５ｍｍ以下である、請求項１から請求項１１までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１３】　ウェハ保持体の厚みが２ｍｍ以下である、請求項１２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１４】　前記導電層を形成する工程は、線幅と線間隔がそれぞれ５ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを形成することを含む、請求項１から請求項１３までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１５】　前記導電層を形成する工程は、線幅と線間隔がそれぞれ１ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを形成することを含む、請求項１４に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１６】　前記導電層を形成する工程は、タングステン、モリブデン、銀、パラジウム、白金、ニッケルおよびクロムからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を含むペーストを塗布して焼成することを含む、請求項１から請求項１５までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
【請求項１７】　請求項１に記載の製造方法により製造された半導体製造装置用ウェハ保持体であって、第１のセラミックス焼結体と、第２のセラミックス焼結体と、前記第１のセラミックス焼結体の表面上に形成された導電層と、前記導電層が形成された前記第１のセラミックス焼結体の表面と前記第２のセラミックス焼結体との間に介在し、前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを接合する接着層とを備え、前記第１・第２のセラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群より選ばれた１種の成分を含み、前記接着層は、ガラス、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱によってイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物、または加熱によってイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物、または非酸化物セラミックスから選択される１種以上を含む半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項１８】　前記接着層は、ガラスを含む、請求項１７に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項１９】　前記接着層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有するガラスを含む、請求項１８に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２０】　前記非酸化物セラミックスは、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項１７に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２１】　前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項１７または請求項２０に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２２】　請求項６に記載の製造方法により製造された半導体製造装置用ウェハ保持体であって、セラミックス焼結体と、前記セラミックス焼結体の一方の表面または両方の表面上に形成された導電層と、前記導電層の表面を被覆するように前記セラミックス焼結体の上に形成された保護層とを備え、前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群より選ばれた１種の成分を含み、前記保護層は、ガラス、またはイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱によってイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物、または加熱によってイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物、または非酸化物セラミックスから選択される１種以上を含む半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２３】　前記接着層は、ガラスを含む、請求項２２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２４】　前記保護層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有するガラスを含む、請求項２３に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２５】　前記非酸化物セラミックスは、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨張係数を有する、請求項２２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２６】　前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項２２または請求項２５に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２７】　前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウムである、請求項１７から請求項２６までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２８】　ウェハ保持体の厚みが５ｍｍ以下である、請求項１７から請求項２６までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項２９】　ウェハ保持体の厚みが２ｍｍ以下である、請求項２８に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３０】前記導電層は、線幅と線間隔がそれぞれ５ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを含む、請求項１７から請求項２９までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３１】　前記導電層は、線幅と線間隔がそれぞれ１ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを含む、請求項３０に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３２】　前記導電層は、タングステン、モリブデン、銀、パラジウム、白金、ニッケルおよびクロムからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を含む、請求項１７から請求項３１までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３３】　前記導電層に接続されてウェハ保持体の外側に延びる電極部材をさらに備え、前記電極部材は、導電性の基材と、前記基材の表面を被覆するセラミックス層とを含む、請求項１７から請求項３２までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３４】　前記セラミックス層は、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムからなる、請求項３３に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３５】前記セラミックス層は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法および溶射法からなる群より選ばれた１種の方法によって形成されている、請求項３２または請求項３３に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３６】　前記基材は、タングステンまたはモリブデンからなる、請求項３２から請求項３４までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
【請求項３７】　請求項１７から請求項３６までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体を内蔵する半導体製造装置。
【請求項３８】　エッチング装置、ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置およびイオン注入装置からなる群より選ばれた１種である、請求項３７に記載の半導体製造装置。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審で平成１８年１１月２０日付けの拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成６年５月３１日に頒布された特開平６−１５１０４４号公報（以下「引用例１」という。）、及び本願の出願の日前である平成９年７月３１日に頒布された特開平９−１９７８６１号公報（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ、次の発明が記載されている。
２−１　引用例１に記載された発明
ア　発明の詳細な説明の段落【０００１】〜【０００２】
「【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基体中に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックスヒーター及びその製造方法に関し、例えば半導体加熱用として好適に使用できるセラミックスヒーター及びその製造方法に関するものである。
【従来の技術】従来、半導体製造装置における熱源としては、いわゆるステンレスヒーターや間接加熱方式のものが一般的であった。しかし、これらの熱源を用いると、ハロゲン系腐蝕性ガスの作用によってパーティクルが発生したり、熱効率が悪いといった問題があった。こうした問題を解決するため、本発明者らは、緻密質セラミックスからなる円盤状基体の内部に、高融点金属からなるワイヤーを埋設したセラミックスヒーターを提案した。」
イ　発明の詳細な説明の段落【００１１】
「【実施例】図１は本発明のセラミックスヒーターの一例の構成を示す図であり、図１（ａ）は平面図を、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面図を示している。図１に示す実施例において、１は焼結した緻密質セラミックスからなる上基板、２は上基板１と同一の材質からなる下基板、３は接合用のガラス層、４はシート状の抵抗発熱体、５−１、５−２はシート状の抵抗発熱体４の両端部に設けた電極部、６−１、６−２はシート状抵抗発熱体４に電力を供給するための取り出し電極である。」
ウ　発明の詳細な説明の段落【００１３】〜【００１４】
「図２（ａ）〜（ｃ）は本発明のセラミックスヒーターの製造方法の一例を工程順に示す図である。図２に示す実施例において、図１に示す部材と同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。まず、図２（ａ）に示すように、従来から公知の方法に従って、例えば窒化珪素焼結体からなる上基板１と、電極６−１、６−２を設置するための電極穴７−１、７−２を有する上基板１と同一材質の焼結体からなる下基板２とを準備する。同時に、例えば厚さ２５μｍのタングステン箔をパターニングして得たシート状の抵抗発熱体４を準備する。
　次に、図２（ｂ）に示すように、上基板１と下基板２との間に、例えばオキシナイトライドガラスからなるガラス層３を介して、準備したシート状の抵抗発熱体４をその電極部５−１、５−２と電極穴７−１、７−２とを位置決めした状態で重ね合わせする。この状態で例えば５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力でプレスして接合体を作製し、これを例えば１５５０℃の温度で加熱してガラス層３を溶融して、ガラス接合を行う。その後、図２（ｃ）に示すように、例えばＮｉからなる電極６−１、６−２を電極穴７−１、７−２にロウ付けする。ロウ付けは、１０−５torrの真空中で、Ｔｉ、Ｚｒ等を含有する活性Ａｇロウの場合は７９０℃で１０分間、活性Ａｕロウの場合は１０５０℃で１０分間の条件で実施すると好ましい。以上で、最終製品としてのセラミックスヒーターを得ることができる。」
エ　ここで、摘記事項アに「従来、半導体製造装置における熱源としては、いわゆるステンレスヒーター・・・が一般的であった。・・・セラミックスヒーターを提案した。」と記載されていることから、セラミックスヒーターとは半導体製造装置用のものであることが理解できる。
　以上アないしウの記載事項、及び上記エの認定事項から、引用例１には、「上基板１と下基板２との間にガラス層３を介してシート状の抵抗発熱体４を重ね合わせる工程と、前記抵抗発熱体４が重ね合わされた上基板１と下基板２との間にガラス層３を介在させて加熱することによって、ガラス層３を溶融してガラス接合を行うことにより上基板１と下基板２とを接合する工程とを備え、前記上基板１及び下基板２は、窒化珪素焼結体からなり、上記ガラス接合される材料の材質はガラスである半導体加熱用として好適な半導体製造装置用セラミックスヒーターの製造方法。」の発明（以下、「引用発明１」という。）、及び「上基板１と、下基板２と、シート状の抵抗発熱体４と、前記抵抗発熱体４が重ね合わされた上基板１と下基板２との間に介在し、加熱することによって溶融され上基板１と下基板２とをガラス接合するガラス層３とを備え、前記上基板１及び下基板２は、窒化珪素焼結体からなり、上記ガラス接合される材料の材質はガラスである半導体加熱用として好適な半導体製造装置用セラミックスヒーター。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
２−２　引用例２に記載された発明
オ　発明の詳細な説明の段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】この発明は、ヒーターおよびそれを備えた加熱定着装置に関し、・・・」
カ　発明の詳細な説明の段落【００７２】〜【００７３】
「【実施例】
実施例１
セラミック基板の材料としてＡｌ２Ｏ３またはＡｌＮを用いて図１、図２および図７に示すセラミックヒーターを作製した。セラミックヒーターの作製方法は以下のとおりである。
　Ａｌ２Ｏ３焼結体またはＡｌＮ焼結体から、３００ｍｍ×１０ｍｍ×０．７ｍｍの大きさのセラミック基板１を準備した。この表面を十点平均高さ粗さＲｚで２μｍに仕上げ、その基板の上にＡｇまたはＰｔの貴金属を主成分とするペーストを所定の位置にスクリーン印刷法によって塗布することにより、発熱体を形成した。Ａｇ等の金属成分を含むペーストを所定の位置にスクリーン印刷法によって塗布することにより、発熱体２に接続する電極を形成した。また、Ａｇ−Ｐｄを基板１の上にスクリーン印刷法で塗布することにより、温度検知素子用電気回路層３を形成した。その温度検知素子用電気回路層３の上に温度検知素子４を搭載した。その後、セラミック基板１を温度９００℃で大気中で焼成した。このときの発熱体２の抵抗値は２０Ωとした。焼成処理されたセラミック基板１に対して、電気回路層と発熱体２の保護のためにガラスをスクリーン印刷法によって塗布し、温度６００℃で大気中で焼成した。これにより、厚み６０μｍの保護ガラス層５が形成された。なお、この時点での基板の長手方向の反りおよびうねりは、それぞれ１．８ｍｍ、２．０ｍｍであった。」
　以上、オないしカの記載事項から、引用例２には、「ＡｌＮ焼結体からなるセラミック基板１の上に、ＡｇまたはＰｔの貴金属を主成分とするペーストを塗布し、焼成することによって発熱体２を形成する工程と、発熱体２が形成されたセラミック基板１に発熱体２の保護のためのガラスを塗布し、焼成することによって保護ガラス層５を形成するセラミックヒーターの製造方法。」の発明（以下、「引用発明３」という。）、及び「ＡｌＮ焼結体からなるセラミック基板１と、セラミック基板１の上に、ＡｇまたはＰｔの貴金属を主成分とするペーストを塗布し、焼成することによって形成された発熱体２と、発熱体２が形成されたセラミック基板１に発熱体２の保護のためのガラスを塗布し、焼成することによって形成された保護ガラス層５とを備えるセラミックヒーター。」の発明（以下、「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比及び当審の判断
　
３−１　本願発明１について
３−１−１　対比
　本願発明１と引用発明１を対比すると、引用発明１の「上基板１」、「下基板２」は、窒化珪素焼結体から構成されていることから、それぞれ本願発明１の「第１のセラミックス焼結体」、「第２のセラミックス焼結体」に相当する。また、引用発明１の「抵抗発熱体４」は、本願発明１の「導電層」に相当する。そうすると、引用発明１の「上基板１と下基板２との間にガラス層３を介してシート状の抵抗発熱体４を重ね合わせる」ことは、「第１のセラミックス焼結体上に、導電層を形成する」限りにおいて、本願発明１の「第１のセラミックス焼結体の表面上に、金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する」ことと共通する。
　引用発明１の「ガラス層３」は、溶融してガラス接合を行うものであることから、本願発明１の「接着層」と言い得るものである。
　引用発明１の「半導体加熱用として好適な半導体製造装置用セラミックスヒーター」は、「半導体製造装置」という限りにおいて、本願発明１の「半導体製造装置用ウェハ保持体」と共通する。
　したがって、本願発明１と引用発明１とは、以下の一致点を有し、また、相違点を有している。
＜一致点＞
「第１のセラミックス焼結体上に、導電層を形成する工程と、前記導電層が形成された前記第１のセラミックス焼結体と第２のセラミックス焼結体との間に接着層を介在させて加熱することによって、前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを接合する工程とを備え、前記第１および第２のセラミックス焼結体は、窒化ケイ素を含み、前記接着層の材質は、ガラスを含む半導体製造装置の製造方法。」
＜相違点１＞
　導電層を形成する工程を、本願発明１では、「第１のセラミックス焼結体の表面上に、金属粒子を含むペーストを塗布して焼成する」ことによって行っているのに対し、引用発明１では、「上基板１と下基板２との間にガラス層３を介してシート状の抵抗発熱体４を重ね合わせる」ことによって行っている点。
＜相違点２＞
　製造されるものが、本願発明１では、「半導体製造装置用ウエハ保持体」であるのに対し、引用発明１では、「半導体製造装置用セラミックスヒーター」である点。
３−１−２　当審の判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点１＞について
　引用発明３において、「ＡｌＮ焼結体からなるセラミック基板１」、「ＡｇまたはＰｔの貴金属を主成分とするペースト」、「発熱体２」は、それぞれ、本願発明１の「第１のセラミックス焼結体」、「金属粒子を含むペースト」、「導電層」に相当する。そして、「セラミック基板１の上に塗布する」ことが、「セラミック基板１の表面上に塗布する」ことを意味することは明らかであるから、引用発明３は、「第１のセラミックス焼結体の表面上に、金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程」を有するものである。そして、引用発明１も引用発明３も、ともにセラミックスヒーターの製造に関するものであって、引用発明３のセラミックスヒーターの発熱体の製造を引用発明１のセラミックスヒーターの発熱体の製造に適用できないとする阻害要因も特段見当たらないことから、引用発明１に引用発明３を適用し、その導電層である抵抗発熱体４を金属粒子を含むペーストの塗布と焼成によって第１のセラミックス焼結体の表面上に形成することは、当業者が容易になし得たものである。
＜相違点２＞について
　半導体製造装置用セラミックスヒーター上にウェハを載置し、ウェハ保持体として利用することは本件出願の出願前、例示するまでもなく周知の事項であるので、引用発明１の半導体製造装置を、ウェハを載置可能なウェハ保持体とすることは、当業者が容易になし得たものである。
＜作用・効果＞について
　本願発明１の作用・効果も、引用発明１及び引用発明３が奏する作用ないし効果から予測可能なものであって、格別のものではない。
　
３−２　本願発明６について
３−２−１　対比
　本願発明６と引用発明３とを対比すると、引用発明３の「ＡｌＮ焼結体からなるセラミック基板１」、「ＡｇまたはＰｔの貴金属を主成分とするペースト」、「発熱体２」は、それぞれ、本願発明６の「セラミックス焼結体」、「金属粒子を含むペースト」、「導電層」に相当する。そして、「セラミック基板１の上に塗布する」ことが、「セラミック基板１の一方の表面上に塗布する」ことを意味することは明らかである。引用発明３の「保護ガラス層５」は、本願発明６の「保護層」に相当する。
　引用発明３において、保護ガラス層５は、発熱体２を保護するためのものであるので、引用発明３の「セラミック基板１に発熱体２の保護のためのガラスを塗布し、焼成することによって保護ガラス層５を形成する」ことは、本願発明６の「導電層の表面を被覆するようにセラミックス焼結体の上に保護層を形成する」ことに相当する。
　引用発明３の「ＡｌＮ」が「窒化アルミニウム」であることは明らかであり、また、「保護ガラス層」の材質はガラスであることは明らかである。
　引用発明３の「セラミックヒーター」は、「導電層を有する装置」である限りにおいて、本願発明６の「半導体製造装置用ウェハ保持体」と共通する。
　したがって、本願発明６と引用発明３とは、以下の一致点を有し、また、相違点を有している。
＜一致点＞
「セラミックス焼結体の一方の表面に金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程と、前記導電層の表面を被覆するように前記セラミックス焼結体の上に保護層を形成する工程とを備え、前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウムを含み、前記保護層の材質は、ガラスを含む、導電層を有する装置の製造方法。」
＜相違点３＞
　導電層を有する装置が、本願発明６においては、「半導体製造装置用ウェハ保持体」であるのに対し、引用発明３においては、「セラミックヒーター」である点。
３−２−２　当審の判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点３＞について
　セラミックスヒーター上にウェハを載置し、半導体製造装置用のウェハ保持体として利用することは本件出願の出願前、例示するまでもなく周知の事項であり、また、引用発明３のセラミックヒーターを半導体製造装置用のウェハ保持体に適用することを阻害する要因も格別見当たらないことから、引用発明３のセラミックヒーターをウェハを載置可能な半導体製造装置用のウェハ保持体として転用することは、当業者が容易になし得たものである。
　
３−３　本願発明１７に対して
３−３−１　対比
　本願発明１７と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「上基板１」、「下基板２」は、窒化珪素焼結体から構成されていることから、それぞれ本願発明１７の「第１のセラミックス焼結体」、「第２のセラミックス焼結体」に相当する。また、引用発明２の「抵抗発熱体４」は、本願発明１７の「導電層」に相当する。
　引用発明２の「ガラス層３」は、溶融してガラス接合を行うものであることから、本願発明１７の「接着層」と言い得るものである。
　引用発明２の「半導体加熱用として好適な半導体製造装置用セラミックスヒーター」は、「半導体製造装置」という限りにおいて、本願発明１７の「半導体製造装置用ウェハ保持体」と共通する。
　したがって、本願発明１７と引用発明２とは、以下の一致点を有し、また、相違点を有している。
＜一致点＞
「第１のセラミックス焼結体と、第２のセラミックス焼結体と、導電層と、前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体との間に介在し、前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを接合する接着層とを備え、前記第１・第２のセラミックス焼結体は、窒化ケイ素を含み、前記接着層は、ガラスを含む半導体製造装置。」
＜相違点４＞
　本願発明１７は、「請求項１に記載の製造方法によって製造された半導体製造装置用ウェハ保持体であって」と請求項１の製造方法を発明特定事項としているのに対し、引用発明２はそのような製造方法を発明特定事項としていない点。
＜相違点５＞
　導電層の形成位置に関し、本願発明１７では、「第１のセラミックス焼結体の表面上」としているのに対し、引用発明２では、導電層に相当する抵抗発熱体４の形成位置について、表面上であるかどうか不明な点。
＜相違点６＞
　半導体製造装置が、本願発明１７では、「半導体製造装置用ウエハ保持体」であるのに対し、引用発明２では、「半導体製造装置用セラミックスヒーター」である点。
３−３−２　当審の判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点４＞について
　本願発明１７は、「半導体製造装置用ウェハ保持体」という物の発明であるから、製造工程は本願発明１７の特定事項ではなく、あくまでも物を特定するための構成である限りにおいてのみ、意味を有するものである。そして、製造工程を特定することによって物の発明としての特定の構成も特段存在しないことから、相違点４における発明特定事項は、物の発明としての発明特定事項ではない。
＜相違点５＞について
　引用発明４において、「ＡｌＮ焼結体からなるセラミック基板１」、「ＡｇまたはＰｔの貴金属を主成分とするペーストを塗布し、焼成することによって形成された発熱体２」は、それぞれ、本願発明１７の「第１のセラミックス焼結体」、「導電層」に相当する。そして、「セラミック基板１の上に塗布する」ことが、「セラミック基板１の表面上に塗布する」ことを意味することは明らかであるから、引用発明４は、「第１のセラミックス焼結体の表面上に形成された導電層」を有するものである。そして、引用発明２も引用発明４も、ともにセラミックスヒーターに関するものであって、引用発明４のセラミックスヒーターの発熱体の構造を引用発明２のセラミックスヒーターの発熱体の構造に適用できないとする阻害要因も特段見当たらないことから、引用発明２に引用発明４を適用し、その導電層である抵抗発熱体４を上基板１の表面上に形成することは、当業者が容易になし得たものである。
＜相違点６＞について
　半導体製造装置用セラミックスヒーター上にウェハを載置し、ウェハ保持体として利用することは本件出願の出願前、例示するまでもなく周知の事項であるので、引用発明２の半導体製造装置を、ウェハを載置可能なウェハ保持体とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
３−４　本願発明２２について
３−４−１　対比
　本願発明２２と引用発明４とを対比すると、引用発明４の「ＡｌＮ焼結体からなるセラミック基板１」、「ＡｇまたはＰｔの貴金属を主成分とするペーストを塗布し、焼成することによって形成された発熱体２」は、それぞれ、本願発明２２の「セラミックス焼結体」、「導電層」に相当する。そして、「セラミック基板１の上に塗布、焼成することによって形成される」ことが、「セラミック基板１の一方の表面上に形成される」ことを意味することは明らかである。引用発明４の「保護ガラス層５」は、本願発明２２の「保護層」に相当する。
　引用発明４において、保護ガラス層５は、発熱体２を保護するためのものであるので、引用発明４の「セラミック基板１に発熱体２の保護のためのガラスを塗布し、焼成することによって形成された保護ガラス層５」は、本願発明２２の「導電層の表面を被覆するようにセラミックス焼結体の上に形成された保護層」に相当する。
　引用発明４の「ＡｌＮ」が「窒化アルミニウム」であることは明らかであり、また、「保護ガラス層」の材質はガラスであることは明らかである。
　引用発明４の「セラミックヒーター」は、「導電層を有する装置」である限りにおいて、本願発明２２の「半導体製造装置用ウェハ保持体」と共通する。
　したがって、本願発明２２と引用発明４とは、以下の一致点を有し、また、相違点を有している。
＜一致点＞
「セラミックス焼結体と、前記セラミックス焼結体の一方の表面上に形成された導電層と、前記導電層の表面を被覆するように前記セラミックス焼結体の上に形成された保護層とを備え、前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウムを含み、前記保護層は、ガラスを含む導電層を有する装置。」
＜相違点７＞
　本願発明２２は、「請求項６に記載の製造方法によって製造された半導体製造装置用ウェハ保持体であって」と請求項６の製造方法を発明特定事項としているのに対し、引用発明４はそのような製造方法を発明特定事項としていない点。
＜相違点８＞
　導電層を有する装置が、本願発明２２では、「半導体製造装置用ウエハ保持体」であるのに対し、引用発明４では、「セラミックヒーター」である点。
３−４−２　当審の判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点７＞について
　本願発明２２は、「半導体製造装置用ウェハ保持体」という物の発明であるから、製造工程は本願発明２２の特定事項ではなく、あくまでも物を特定するための構成である限りにおいてのみ、意味を有するものである。そして、製造工程を特定することによって物の発明としての特定の構成も特段存在しないことから、相違点７における発明特定事項は、物の発明としての発明特定事項ではない。
＜相違点８＞について
　セラミックスヒーター上にウェハを載置し、半導体製造装置用のウェハ保持体として利用することは本件出願の出願前、例示するまでもなく周知の事項であり、また、引用発明４のセラミックヒーターを半導体製造装置用のウェハ保持体に適用することを阻害する要因も格別見当たらないことから、引用発明４のセラミックヒーターを、ウェハを載置可能な半導体製造装置用のウェハ保持体として転用することは、当業者が容易になし得たものである。
　
４　むすび
　したがって、本願発明１は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、及び上記周知の事項に基づいて、本願発明６は、引用例２に記載された発明、及び上記周知の事項に基づいて、本願発明１７は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、及び上記周知の事項に基づいて、本願発明２２は、引用例２に記載された発明、及び上記周知の事項に基づいて、それぞれ、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願の請求項２ないし５に係る発明、７ないし１６に係る発明、１８ないし２１に係る発明、２３ないし３８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。