【事件の表示】
　特願２００４−２６７０９０「電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年３月３０日出願公開、特開２００６−８３４１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月１４日の出願であって、平成１９年１２月１８日付で通知された拒絶理由に対して、平成２０年２月７日付で手続補正書が提出され、平成２０年４月９日付で最後の拒絶理由が通知され、平成２０年７月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年８月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．拒絶の理由
　平成２０年７月２日付拒絶査定の理由の概要は、この出願は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていないというものであり、具体的には次の理由を含むものである。
（ａ）請求項１に係る発明は「上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップする」と規定するものであるが、「表面を部分的にラップする」という語句の意味が不明であり、また、慣用される技術用語であるともいえない。
（ｂ）請求項１は「表面を部分的にラップする」ものであるが、発明の詳細な説明には、「表面を部分的にラップする」ための具体的な製造条件などの手段について記載されておらず、また、該手段は当業者に自明なものとも認められない。
　
３．特許請求の範囲の記載
　平成２０年２月７日付手続補正書により補正された明細書（以下「本願明細書」という）の特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。
　「【請求項１】　はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記電子部品の母材に上記３層の表面処理を順次行う第1の工程、及びこの第1の工程の後に、上記母材を上記電子部品の形状に応じてプレス加工する第２の工程を含み、上記第１の工程におけるパラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするよう電解めっき処理により形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。」（以下、「本願発明１」という。）
　
４．本願明細書の発明の詳細な説明の記載
　本願明細書において、本願発明１の「上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするよう」形成されるという発明特定事項中の「表面を部分的にラップする」ことに関連する記載事項を摘記すると以下のとおりである。
ａ．「図５は、この発明の実施の形態１による電子部品母材の表面処理を示す原理図である。図５において、１〜５は、図１におけるものと同一のものである。図５では、金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３の表面を部分的にラップするように形成されている。」（【００１１】）
ｂ．「次いで、金ラップめっき４が、０．００３〜０．０２μｍの厚さに形成され、金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係にあると、図５に示されるように、パラジウムストライクめっき３の核を覆うようになる。この状態では、はんだぬれ性のよい表面処理が得られる。また、金ラップめっき４の上述の厚さでは、金色を発色しない。金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３表面の保護（酸化などによる劣化に対する）を行うものである。このため、金ラップめっき４の厚さは、パラジウムストライクめっき３の核を覆うように、０．００３μｍ以上にする必要がある。」（【００１３】）
ｃ．「金ラップめっき４の厚さを、０．００３μｍ〜０．０２μｍの範囲に形成すれば、パラジウムストライクめっき３の核を覆うと共に、はんだ付け時のはんだ強度の低下も見られない。」（【００１３】）
ｄ．「次に上述した電子部品母材の表面処理方法について、さらに具体的に説明する。・・・この３層の形成は、次のようにして行われる。まず、厚さ１〜３μｍのニッケルめっき２が形成された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合されたパラジウム液に漬し、電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件で、パラジウム電解めっきを行い、厚さ０．００７〜０．１μｍのパラジウムストライクめっき３を形成する。」（【００１７】）
ｅ．「次いで、このパラジウムストライクめっき３された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し、電流密度０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件で、金電解めっきを行い、厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４を形成する。」（【００１８】）
ｆ．「このパラジウムストライクめっき３及び金ラップめっき４は、パラジウム液の収容されたパラジウム槽及び金液の収容された金槽を含むめっきラインを、順次、電子部品を一定速度で連続して移動させることによって、形成することができる。パラジウム、金の液濃度及び電流密度により、それぞれ析出速度が変化するので、パラジウム、金の液濃度は、使用しているめっきライン（装置）性能に応じて設定される。」（【００１８】）
ｇ．図１には、電子部品母材の表面処理を示す説明図が、図５には、電子部品母材の表面処理を示す原理図が、図８には、電子部品母材の耐腐食性処理を示す説明図がそれぞれ図示されている。　
　
５．当審の判断
５−１．特許法第３６条第６項第２号の明確性について
　本願発明１の「表面を部分的にラップする」との発明特定事項は、通常の技術用語ではなく、本願明細書中の発明の詳細な説明の記載（摘記事項ａ〜ｆ）及び図面の記載（摘記事項ｇ）によっても、その意味を明確に示した部分はない。　
（１）審判請求人の主張
　この点、審判請求人は、『「上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップする」という語句の意味は、図５に示されるように、ストライクめっきされたパラジウム核の表面の一部を金めっき粒子でラップ（被覆）したことを意味していることは明らかであり・・・その具体的な態様として、表面から観察したとき、金めっき粒子がパラジウムストライクの核を、金色を発色しないようにラップ（被覆）した状態を意味するものである』と主張する（審判請求書の平成２０年９月２日付の手続補正書２頁下から６行〜３頁２行参照）。
（２）判断
　しかし、上記審判請求人の主張は、以下の理由から採用することができない。
　まず、請求人が上記主張の根拠とする図５は、「この発明の実施の形態１による電子部品母材の表面処理を示す原理図」（摘記事項ａ）に過ぎない。そして、請求人が主張する「図５に示されるように、パラジウムストライクめっきされたパラジウム核の表面の一部を金めっき粒子でラップ（覆う）したこと」について、図５とそれに関連する記載（摘記事項ａ〜ｇ）を参照しても、金めっき粒子の大きさ、被覆率等の具体的なデータが示されていないため、パラジウムストライクめっき表面がどのように覆われていた場合に、「表面を部分的にラップする」よう形成されていると解すべきかを判断することはできない。
　また、本願発明１の「表面を部分的にラップする」よう形成されている金層は、その厚さが「０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲」であるとされていることからすると、金層の厚さが基準であると解する余地もあるが、本願発明１は、「上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするよう」形成されることを発明特定事項としている。すると、金層の厚さに加えて、金層がパラジウムストライク表面を部分的にラップすることが規定されていると解されるから、金層の厚さを、「表面を部分的にラップする」よう形成されていることの基準とすることもできない。
　さらに、仮に審判請求人が主張するように、金めっき粒子がパラジウムストライクめっきの核を、「金色を発色しないように」ラップ（被覆）した状態であることが基準であるとしても、パラジウムストライクめっきの表面に金めっき層を形成する過程においては、金色でないパラジウムストライクめっきの下地の上に金層が形成されていくことによって、その表面が徐々に金色に変化するであろう点にかんがみると、金色を発色したか否かにより、「表面を部分的にラップする」よう形成されていることの基準とすることもできない。
　したがって、本願発明１の金層は、「表面を部分的にラップする」という発明特定事項について明確性を欠くというべきである。
　
５−２．特許法第３６条第４号の実施可能要件について
（１）判断
　出願時の技術常識に照らして、本願明細書に当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているかどうかについて、以下検討する。
　所定のめっきを形成するための製造条件として、めっき液の濃度、電流密度、液温の全部又は一部の組み合わせによる特定が不可欠であることが出願時の技術常識といえることは、以下の周知例に示されるとおりである。
  しかるに、摘記事項ｄ〜ｆを含む本願明細書全体をみても、「金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするよう」形成されるための条件としては、電流密度及び金液の濃度についての記載がうかがえるにとどまる。
　そして、電流密度については、摘記事項ｅに「電流密度０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２」と記載されているが、金液の濃度については、摘記事項ｅに「通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し」と記載されているにすぎず、「通常市販されている濃度」あるいは「通常市販されている濃度より薄い濃度」がどの程度の濃度の範囲を指すかは、出願時の技術常識を踏まえても、当業者が理解できる程度に明確かつ十分に記載されているということはできない。また、その他、液温等の製造条件の記載はない。
　よって、本願明細書の発明の詳細な説明において、当業者が本願発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているということはできない。
　　
（２）周知例
(i) 周知例１：日本プレーティング協会編「現場技術者のための実用めっき（Ｉ）（増補版）」、槇書店、平成９年７月２０日増補７刷発行、３９３、３９４頁　
　３９４頁の「各種金合金めっき液の標準組成と作業条件」に関する表１１−１には、「金及び金合金めっき液」の「代表的液組成および作業条件」として、
　「ｒｉｎｋｅｒ浴
　　　　クエン酸クエン酸ナトリウム　８０〜１００ｇ／ｌ
　　　　金ＫＡｕ（ＣＮ）２　８．０ｇ／ｌ　
　　　　ニッケル（スルファミン酸ニッケル）　３ｇ／ｌ
　　　　亜鉛（酢酸亜鉛として）　０．５ｇ／ｌ
　　　　ｐＨ　４．５〜５．０
　　　　Ｄｋ：１．０〜２．０Ａ／dm２　　　　温度：４０℃　」と記載されている。
(ii) 周知例２：日本プレーティング協会編「現場技術者のための実用めっき（III）」、槇書店、平成元年７月１０日１版２刷発行、１５２頁
　１５２頁の「薄付け金めっき浴」に関する表において、「２４Ｋイングリッシュ」について、金（シアン金カリウムとして）１．２５〜２ｇ／ｌ、６０〜７０℃、１〜４Ａ／dm２の条件が記載されている。
(iii) 周知例３：特開平１０−３１３０８７号公報
　【００１９】の「めっき液組成とめっき条件」に関する表２には、「３．Ｐｄめっき」について、「塩化Ｐｄアンモニウム  ５ｇ／ｌ、塩化アンモニウム　３０ｇ／ｌ、電流密度　０．５Ａ／dm２、温度　室温」、「７．Ａｕフラッシュめっき」について、「シアン化Ａｕカリウム　２ｇ／ｌ、クエン酸カリウム　４０ｇ／ｌ、クエン酸　４０ｇ／ｌ、電流密度　０．５Ａ／dm２、温度　室温」と記載されている。
(iv) 周知例４：特開平４−３３７６５７号公報
　【００１８】には、「光沢Ｎｉめっき（ワット浴）
　　　　ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ　　２５０ｇ／ｌ　　　　
　　　　ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ　　５１ｇ／ｌ　　　　　　
　　　　Ｈ３ＢＯ３　　　　　　　５０ｇ／ｌ　　　　
　　　　・・・・　　　　
　　　　温度　　　　　５０℃　
　　　　電流密度　４Ａ／ｄｍ２　　　　アノード　　Ｎｉ板
　Ｐｄ−Ｎｉめっき液
　　　　・・・　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　金属Ｐｄ濃度　　１０ｇ／ｌ　　　　　　　
　　　　金属Ｎｉ濃度　　　６ｇ／ｌ　　　　　　
　　　　温度　　　　　３０℃
　　　　電流密度　　１Ａ／ｄｍ２　　　　アノード　　白金めっきチタン板
　Ａｕめっき液
　　　　・・・　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　金属Ａｕ濃度　　８ｇ／ｌ　　　　　　　
　　　　温度　　７０℃  
　　　　電流密度　　１Ａ／ｄｍ２　
　　　　アノード　　白金めっきチタン板  」と記載されている。
 　
５−３．まとめ　
　したがって、本願発明１の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、同条第４項に規定する要件を見たしていない。
　なお、本件と関連する出願において、「表面を部分的にラップする」点が特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない旨判示された点にも留意する必要がある（平成２０年（行ケ）第１０１７１号）。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。