【事件の表示】
　特願２００１−３１２１４５「強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月２３日出願公開、特開２００３−１１８１０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月１０日の出願であって、平成１８年１２月１２日付けで通知した拒絶理由に対して、平成１９年２月１５日付けで手続補正書が提出されたが、同年３月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月１２日付けで審判請求がなされるとともに、同年４月２４日付けで手続補正書が提出され、その後、平成２１年４月３０日付けで、当審における審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１９年４月２４日付けの手続補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年４月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正には、特許請求の範囲の請求項１，２を次のように補正しようとする事項が含まれている。
　
（補正前）
　「【請求項１】Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、
　相対密度が８５％以上、
　０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且つ
　１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４
であることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。
　【請求項２】Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、
　相対密度が９５％以上、
　０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且つ
　１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４
であることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。」
　　
（補正後）
　「【請求項１】 Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、
　相対密度が８５％以上、
　
０．５
　１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４
であることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。
　【請求項２】 Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、
　相対密度が９５％以上、
　
０．５
　１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４
であることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。」
　
　この補正事項は、請求項１，２ともに、補正前の「０．３＜Ｚｒ＜０．８」について、拒絶理由で示された引用例（下記「２．」を参照）に記載された発明における「Ｚｒ＝０．５」を除くととともに数値範囲を限定して、「０．５＜Ｚｒ＜０．８」とするものである。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものに該当する。　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平１０−１７６２６４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
　（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】化学式ＡＢＯ3 で表される
ペロブスカイト型のスパッタリングターゲット
Ｂに少なくともチタン（Ｔｉ）を含み、
相対密度が９５％以上で
誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
【請求項２】Ａに少なくとも鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ナトリウム（Ｎａ）又はカルシウム（Ｃａ）のうちのいずれかを含み、Ｂに少なくともチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、スズ（Ｓｎ）又は鉄（Ｆｅ）のうちのいずれかを含むことを特徴とする請求項１記載の誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】Ａが鉛（Ｐｂ）であり、Ｂにジルコニウム（Ｚｒ）を含むことを特徴とする請求項１記載の誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項４】
鉛（Ｐｂ）が０．０５〜０．５モル添加され
　
　（ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
例えば、ＬＳＩメモリー等の半導体装置に用いられる誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩメモリー等におけるメモリーセルの高集積化に伴い、誘電体に比誘電率の大きな材料を用いることが要望されており、その好ましい材料として、例えば、ＰＺＴ等の強誘電体を用いることが提案されている。」
　
　（ｃ）「【０００７】本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、電気的特性が均一で、かつ、異物の付着の少ない誘電体薄膜を形成しうる誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とするものである。」
　
　（ｄ）「【００１６】この場合、請求項３記載の発明のように、請求項１記載の発明において、Ａが鉛（Ｐｂ）であり、Ｂジルコニウム（Ｚｒ）を含む場合、特に、請求項４記載の発明のように、
鉛（Ｐｂ）が０．０５〜０．５モル、好ましくは０．１〜０．２モル添加され
強誘電体の薄膜
【００１７】一方、請求項３記載の発明において、
鉛（Ｐｂ）の添加量が０．０５モルより少ないと、基板の終縁部における残留分極値が低下し、０．５モルより多くても、同じく基板の終縁部における残留分極値が低下する
　
　（ｅ）「【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットの好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
　・・・（中略）・・・
【００４６】
【実施例】以下、本発明に係る誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットの実施例を比較例とともに詳細に説明する。
【００４７】〔実施例〕
以下に述べるような方法によって、ＰＺＴターゲットＰｂ
1.1
(Ｚｒ
0.5
Ｔｉ
0.5
)Ｏ
3.1
を製作
【００４８】まず、
ＰｂＯ、ＺｒＯ
2
、ＴｉＯ
2
の粉末原料をＰｂ(Ｚｒ
0.5
Ｔｉ
0.5
)Ｏ
3
の組成になるように、すなわち、ＰｂＯ：ＺｒＯ
2
：ＴｉＯ
2
＝１(モル)：０.５（モル）：０.５(モル)に相当する量の各粉末原料を用意
大気仮焼を行った後に粉砕し、ＰＺＴ粉末を約１０Ｋｇ得た
【００４９】
この粉末にＰｂＯの粉末を０．１モル加えて十分に混合し、本焼前原料粉末とした
【００５０】そして、カーボンシート９の上からカーボン型の上板１１を設置し、その上方から上側ホットプレス２を下降させ、上下のホットプレス２、３間を２０〜５０ＭＰａの加圧状態としながら、図示しない加熱装置により温度約９００〜１０００℃で約２時間の
真空ホットプレスを行い、円板状の焼結体を作製
【００５１】
得られたターゲットは
密度は９５％と高密度（相対密度）
【００５２】また、このターゲットの表面についてＸ線回折法による分析を行ったところ、その回折像において、ＰＺＴの結晶系と過剰鉛のピークが観察された。
【００５３】本焼結工程において、炉内の型及び押型の部分のカーボンシートによる気密性向上により酸化鉛の蒸発が極力押さえられ、ほぼ仕込原料と同一組成の焼結体が得られる。
【００５４】図３は、本実施例の方法によって形成されたＰＺＴターゲットにおける表面及び内部での酸化鉛の分布を示すものである。この場合、ＰＺＴターゲットとして、直径３５０ｍｍ、厚み８ｍｍの円板状のものを作製し、その表面において、ターゲットの中心部と、中心部から直径方向に±８０ｍｍ、及び±１６０ｍｍ離れた計５ヶ所の地点において、直径２０ｍｍ、厚み２ｍｍの範囲を削り出して分析用試料とした。
【００５５】さらに、ターゲット内部の酸化鉛の分布を確認するため、上述のターゲットの表面を３ｍｍ削って厚さを５ｍｍとし、上述した５ヶ所の地点において、直径２０ｍｍ、厚み２ｍｍの範囲を削り出して分析用試料を採取した。このようにして、ターゲット表面とターゲット厚みの１／２の内部について、酸化鉛の分布をＩＣＰ分析法にて分析・評価した。
【００５６】
本実施例は、酸化鉛を０.１モル添加した場合、したがって、全体としてＰｂＯが１.１モル存在する場合である
　
　（ｆ）「【発明の効果】以上述べたように、
相対密度が９５％
強誘電体薄膜を形成することができる
　
　これら記載によれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる（実施例を中心に認定した）。
　
　「Ｐｄ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットであって、
　相対密度が９５％で、
　化学式がＰｂ1.1(Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5)Ｏ3.1である、
　強誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット。」
　
３．対比・判断
　本願補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　刊行物１記載の発明の「強誘電体薄膜」「相対密度が９５％」は、それぞれ、本願補正発明の「強誘電体膜」「相対密度が８５％以上」に相当し、
　刊行物１記載の発明の「化学式がＰｂ1.1(Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5)Ｏ3.1である」と、本願補正発明の「０．５＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且つ１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４」とは、「Ｚｒ比及びＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）がそれぞれ所定の範囲又は数値にある」点で共通する。
　
　よって、両者の一致点、相違点は、次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、
　相対密度が８５％以上、
　Ｚｒ比及びＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）がそれぞれ所定の範囲又は数値にある、
　強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。」
　
［相違点］
　本願補正発明は、０．５＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且つ１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４であるのに対し、
　刊行物１記載の発明は、化学式がＰｂ1.1(Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5)Ｏ3.1、すなわち、Ｚｒ＝０．５、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１である点。
　
（相違点について）
　そこで、相違点について検討する。
　
　まず、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）について検討する。
　刊行物１記載の発明は、ＰｂＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2の粉末原料をＰｂ(Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5)Ｏ3の組成になるように、すなわち、ＰｂＯ：ＺｒＯ2：ＴｉＯ2＝１(モル)：０.５（モル）：０.５(モル)に相当する量の各粉末原料を用意して、大気仮焼を行った後に粉砕し、この粉末にＰｂＯの粉末を０．１モル加えて十分に混合し、本焼前原料粉末としたものであるが（刊行物１の実施例）、
　刊行物１の【請求項４】等には、実施例とは別に、鉛（Ｐｂ）が０．０５〜０．５モル添加される旨の記載もあり、これは、ＰｂＯ１モルを使用して大気仮焼を行った後の粉末に、ＰｂＯの粉末を「０．０５〜０．５モル」添加してもよいことを示しているものと理解される。つまり、刊行物１には、「１．０５≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．５」の範囲が記載または示唆されているといえる。
　この範囲は、本願補正発明の「１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４」よりも広いが、大部分で重複するものである。
　また、本願の図６をみると、本願補正発明の「１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４」は、確かに、圧電特性の点で優れる範囲であるが、本願の当初明細書には「【００３９】図６に示すように、１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．５において良好な圧電特性を示している。」として、刊行物１の「１．０５≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．５」をほぼ含む範囲について、圧電特性が良好である旨も明示されていたのであり、また、図６からは、刊行物１の「１．０５≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．５」に比べて、本願補正発明の「１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４」が、格段に優れているといえず、明確な臨界的意義を認めることもできない。また、図５の結果よりＺ比の変動も圧電特性に影響しており、Ｚ比の変動から離れて、図６の結果（これは特定のＺ比で実験したものであることは明らかである）を一般化することはできない。
　さらに、本願補正発明は、特許請求の範囲の記載から明らかなように、「強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット」に関する発明であって、請求人が想定するような、『高い圧電特性を必要とするアクチュエータ用強誘体電膜の形成に用いられるスパッタリングターゲット』に限定されないものであり、刊行物１に例示される『ＬＳＩメモリー等の半導体装置用誘電体薄膜の形成に用いられるスパッタリングターゲット』を排除していない。したがって、容易想到性の判断に当たっては、請求人の主張する「圧電特性」に沿って論理付けを行う必要は特にないものである。
　以上の点を踏まえて、刊行物１の技術事項をみると、鉛（Ｐｂ）の添加を０．０５〜０．５モルとする理由は、「鉛（Ｐｂ）の添加量が０．０５モルより少ないと、基板の終縁部における残留分極値が低下し、０．５モルより多くても、同じく基板の終縁部における残留分極値が低下する」（上記（ｄ））ことである。そうすると、刊行物１で想定している用途で必要とされる特性である、残留分極値を低下させないとの観点から、鉛（Ｐｂ）の添加を「０．０５〜０．５モル」の範囲から、その中間帯である「０．２〜０．４モル」（すなわち、本願補正発明の「１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４」）の範囲を選択することは、上下限付近よりも中間帯付近により好適な範囲があることが当然に予想されるから、当業者が適宜なし得ることであるといわざるを得ない。
　
　次に、Ｚｒ比の範囲について検討する。
　本願補正発明は「０．５＜Ｚｒ＜０．８」を規定するが、本願の当初明細書には「０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）であれば、Ｚｒが単独で結晶化してペロブスカイト層を形成しにくくなるという問題が発生することを抑制し、良好な圧電特性を示していることが分かった。」（【００３７】）との記載があり、本願補正発明よりも広い範囲で良好であることを明記していた。本願の図５をみても、圧電特性の点で、本願補正発明の限定された「０．５＜Ｚｒ＜０．８」が、除外された「０．３＜Ｚｒ≦０．５」に比べて優れているものではなく、臨界的意義が明確でないばかりか、刊行物１記載の発明のＺｒ＝０．５は、本願補正発明の「０．５＜Ｚｒ＜０．８」よりも優れている蓋然性が高い。
　そして、刊行物１では、実施例はＺｒ＝０．５としているが、刊行物１の他の記載をみても、Ｚｒ＝０．５が必須とされていないから、刊行物１に接した当業者であれば、Ｚｒ＝０．５から多少なりとも外れる数値を試してみようとするものである。
　したがって、当業者であれば、Ｚｒ＝０．５に換えて、本願補正発明の「０．５＜Ｚｒ＜０．８」に入る数値（例えば、０．５１等）を採用することに困難性はないというべきである。
　
　以上のことから、刊行物１記載の発明において、相違点に係る本願補正発明のごとくなすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
（効果について）
　また、全体としてみても、本願補正発明が、刊行物１記載の発明及び刊行物１の記載事項に比べて、格別の効果を奏するものとはいえない。
　
（まとめ）
　よって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願の請求項１に係る発明
　平成１９年４月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成１９年２月１５日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものとと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、
　相対密度が８５％以上、
　０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且つ
　１．２≦Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）≦１．４
であることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。」　
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１（特開平１０−１７６２６４号公報）およびその記載事項は、上記「第２　２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明の「０．５＜Ｚｒ＜０．８」の範囲を拡大して、「０．３＜Ｚｒ＜０．８」としたものに相当する。
　そうすると、本願発明１のＺｒの範囲を限定し、更に他の構成要件を全て含むものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。