【事件の表示】
　平成８年特許願第２９５９８３号「低温で基板のステップカバレージを改良する方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成９年６月３０日出願公開，特開平９−１７２０８５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成８年１１月８日（パリ条約による優先権主張１９９５年１１月２１日，米国）の出願であって，平成１９年１１月２８日付けで手続補正がなされ，平成２０年６月１２日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年９月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２１年４月２日付けで審尋がなされ，同年７月６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２０年９月１６日付けの手続補正について
　平成２０年９月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，本件補正前の請求項１，４，及び６〜１９を削除するとともに，本件補正前の請求項１を引用する本件補正前の請求項４を更に引用する本件補正前の請求項５を，独立形式の請求項に補正して，本件補正後の請求項１に繰り上げるものである。したがって，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除，及び，第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するものであるから，適法になされたものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年９月１６日付けの手続補正は，上記のとおり適法になされたものであるから，本願の請求項１〜３に係る発明は，平成２０年９月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
「【請求項１】　基板の特徴部を形成する方法であって，
　ａ）アパーチャの表面にわたって，およそ５Åから７００Åの間の厚さを有するチタン層をスパッタリングし；
　ｂ）アパーチャの頂部を覆うことなく，チタン層の表面にわたって，およそ２００Åから１μｍの間の厚さを有するアルミニウムを化学蒸着し；
　ｃ）化学蒸着されたアルミニウムにわたって，アルミニウムをおよそ６６０℃より低い温度で物理気相成長させ，化学蒸着されたアルミニウムと物理気相成長されたアルミニウムを，ボイドを形成することなくバイアに流動させる
ステップを有し，
　（ａ）から（ｃ）までのステップが，統合された処理チャンバ内で実行され，
　物理気相成長されたアルミニウムが，ドーパントを含み，およそ２５０℃から３５０℃の間の温度でアニーリングするステップをさらに有する
ことを特徴とする方法。」
　
２　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１１５０７３号公報（平成７年５月２日出願公開，以下「引用例」という。）には，次の記載がある。
ア　「【請求項１】  
シリコン基板上に堆積された層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し，このコンタクト孔を介して，前記層間絶縁膜の上下で電気的接続をとる半導体装置の製造方法
第２のアルミニウムを堆積
・・・
【請求項５】  前記
第２のアルミニウム膜の堆積はスパッタリング法
イ　「【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために，コンタクト孔を有する層間絶縁膜上に，Ｔｉ膜と，ＴｉＮ膜を順次堆積する工程と，第１のＡ１膜をＣＶＤ法により堆積する工程と，さらに引き続き
第２のＡ１膜を堆積速度の速い堆積方法により堆積
・・・
【００１０】また，前記
第２のＡｌ膜は
スパッタリング法
ウ　図１を参照して，「【００１４】図１は本発明の一実施例を用いる工程毎の断面図を示す。拡散層２が形成されたシリコン基板１上に厚さ１．０μｍの層間絶縁膜３を堆積する。次に，拡散層２上の
層間絶縁膜３にコンタクト孔４を開孔
続いてＴｉ膜５を０．０３μｍ，ＴｉＮ膜６を０．１μｍを例えばスパッタリング法を用いて順次堆積
次に
ＣＶＤ法によるＡｌ膜７を
堆積
更に
スパッタリング法を用いて，例えばＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％ＣｕなどのＡｌ合金膜８を堆積
続いて４５０℃で
加熱しＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ合金膜８を流動化させて，コンタクト孔４を埋設し平坦な表面を有するＡｌ合金膜９を得る
エ　「【００１５】但し，以上の工程において，ＣＶＤ−Ａｌ膜７表面，及びスパッタＡｌ合金膜８表面の酸化を防ぎ，両者のＡｌのフロー性を確保するために，
ＣＶＤ−Ａｌ膜７の堆積，スパッタＡｌ膜８の堆積，及びＡｌ流動化のための高温加熱の工程は全て同一真空中で行われる
オ　「【００１６】なお，
ＣＶＤ−Ａｌ膜７の膜厚は
０．０５μｍ以上
０．２μｍ以下
カ　「【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は，堆積速度は速いが被覆性の悪いスパッタＡｌ合金膜８あるいは第２のＣＶＤ−Ａｌ膜１０の堆積を行うに先立って，被覆性の優れた第１のＣＶＤ−Ａｌ膜７を堆積しているため，微細なコンタクトにおいてもリフローによるＡｌの埋設を行うのに充分な膜厚のＡｌをコンタクト孔４の側壁に確保できる。このため，
リフローの際におけるコンタクト孔４側壁でのＡｌの分離を防ぐことができ，すなわちコンタクト孔４内部でのボイドの発生を防止できる
（２）上記（１）アによれば，引用例に記載された発明は，シリコン
基板
（３）上記（１）ウによれば，引用例には，層間絶縁膜３にコンタクト孔４を開孔し，続いてＴｉ膜５を０．０３μｍ，ＴｉＮ膜６を０．１μｍをスパッタリング法を用いて順次堆積することが記載されているから，図１（ｂ）におけるコンタクト孔４とＴｉ膜５及びＴｉＮ膜６との位置関係を参酌すれば，コンタクト孔４の表面上に，３００ÅのＴｉ膜５と１０００ÅのＴｉＮ膜６をスパッタリング法を用いて堆積することが開示されている。
（４）上記（１）ウ及びオによれば，引用例には，Ｔｉ膜５とＴｉＮ膜６の堆積の次にＣＶＤ法によるＣＶＤ−Ａｌ膜７を堆積すること，及び，ＣＶＤ−Ａｌ膜７の膜厚は，０．０５μｍ以上０．２μｍ以下であることが記載されているから，図１（ｂ）におけるコンタクト孔４，Ｔｉ膜５及びＴｉＮ膜６とＣＶＤ−Ａｌ膜７との位置関係を参酌すれば，コンタクト孔４の頂部を覆うことなく，Ｔｉ膜５上のＴｉＮ膜６の表面上に，５００〜２０００Åの間の厚さを有するＣＶＤ−Ａｌ膜７をＣＶＤ法により堆積することが開示されている。
（５）上記（１）ウ及びカによれば，引用例には，さらに，スパッタリング法を用いて，例えばＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％ＣｕなどのスパッタＡｌ合金膜８を堆積し，続いて４５０℃で加熱しＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ合金膜８を流動化させて，コンタクト孔４を埋設し平坦な表面を有するＡｌ合金膜９を得ること，及び，リフローの際におけるコンタクト孔４側壁でのＡｌの分離を防ぐことができ，すなわちコンタクト孔４内部でのボイドの発生を防止できることが記載されている。そうすると，図１（ｂ）及び（ｃ）におけるコンタクト孔４とＣＶＤ−Ａｌ膜７とスパッタＡｌ合金膜８との位置関係を参酌すれば，引用例には，ＣＶＤ−Ａｌ膜７上に，スパッタＡｌ合金膜８をスパッタリング法を用いて堆積し，４５０℃で加熱しＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ合金膜８を流動化させ，ボイドの発生を防止してコンタクト孔４を埋設し，平坦な表面を有するＡｌ合金膜９を得ること，及び，スパッタＡｌ合金膜８が，例えばＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕからなることが開示されている。
（６）上記（１）エによれば，引用例には，ＣＶＤ−Ａｌ膜７の堆積，スパッタＡｌ膜８の堆積，及びＡｌ流動化のための高温加熱の工程は全て同一真空中で行われることが記載されている。
（７）よって，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「基板の特徴部を形成する方法であって，
　コンタクト孔４の表面上に，３００ÅのＴｉ膜５と１０００ÅのＴｉＮ膜６をスパッタリング法を用いて堆積し，
　コンタクト孔４の頂部を覆うことなく，Ｔｉ膜５上のＴｉＮ膜６の表面上に，５００〜２０００Åの間の厚さを有するＣＶＤ−Ａｌ膜７をＣＶＤ法により堆積し，
　ＣＶＤ−Ａｌ膜７上に，スパッタＡｌ合金膜８をスパッタリング法を用いて堆積し，４５０℃で加熱しＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ合金膜８を流動化させ，ボイドの発生を防止してコンタクト孔４を埋設し，平坦な表面を有するＡｌ合金膜９を得る
ステップを有し，
　ＣＶＤ−Ａｌ膜７の堆積，スパッタＡｌ膜８の堆積，及びＡｌ流動化のための高温加熱の工程は全て同一真空中で行われ，
　スパッタＡｌ合金膜８が，例えばＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕからなる
ことを特徴とする方法。」
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「コンタクト孔４」，「Ｔｉ膜５」は，本願発明の「アパーチャ」，「チタン層」にそれぞれ相当し，また，引用発明の「Ｔｉ膜５」の厚さは，３００Åであって，「およそ５Åから７００Å」の範囲内であるから，引用発明の「コンタクト孔４の表面上に，３００ÅのＴｉ膜５」「をスパッタリング法を用いて堆積」することは，本願発明の「アパーチャの表面にわたって，およそ５Åから７００Åの間の厚さを有するチタン層をスパッタリング」することに相当する。
（２）引用発明の「ＣＶＤ法」，「ＣＶＤ−Ａｌ膜７」は，本願発明の「化学蒸着」，「化学蒸着」された「アルミニウム」にそれぞれ相当し，また，引用発明の「ＣＶＤ−Ａｌ膜７」の厚さは，５００〜２０００Åであって，「およそ２００Åから１μｍ」の範囲内であるから，引用発明の「５００〜２０００Åの間の厚さを有するＣＶＤ−Ａｌ膜７をＣＶＤ法により堆積」することは，本願発明の「およそ２００Åから１μｍの間の厚さを有するアルミニウムを化学蒸着」することに相当する。したがって，引用発明の「コンタクト孔４の頂部を覆うことなく，Ｔｉ膜５上のＴｉＮ膜６の表面上に，５００〜２０００Åの間の厚さを有するＣＶＤ−Ａｌ膜７をＣＶＤ法により堆積」することは，本願発明の「アパーチャの頂部を覆うことなく，チタン層の表面にわたって，およそ２００Åから１μｍの間の厚さを有するアルミニウムを化学蒸着」することに対応し，本願発明と引用発明は，本願発明がチタン層の表面に化学蒸着するものであることは別にして，「アパーチャの頂部を覆うことなく，チタン層の上にわたって，およそ２００Åから１μｍの間の厚さを有するアルミニウムを化学蒸着」するステップを具備する点で共通する。
（３）引用発明の「スパッタリング法」は本願発明の「物理気相成長」に相当するから，引用発明の「スパッタＡｌ合金膜８」は本願発明の「物理気相成長されたアルミニウム」に対応し，本願発明と引用発明は，アルミニウム系金属を物理気相成長する点で共通する。また，引用発明の「ＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ合金膜８を流動化させ，ボイドの発生を防止してコンタクト孔４を埋設」させることは，本願発明の「化学蒸着されたアルミニウムと物理気相成長されたアルミニウムを，ボイドを形成することなくバイアに流動させる」ことに対応する。そうすると，引用発明の「ＣＶＤ−Ａｌ膜７上に，スパッタＡｌ合金膜８をスパッタリング法を用いて堆積し，４５０℃で加熱しＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ合金膜８を流動化させ，ボイドの発生を防止してコンタクト孔４を埋設」させることは，本願発明の「化学蒸着されたアルミニウムにわたって，アルミニウムをおよそ６６０℃より低い温度で物理気相成長させ，化学蒸着されたアルミニウムと物理気相成長されたアルミニウムを，ボイドを形成することなくバイアに流動させる」ことに対応し，本願発明と引用発明は，本願発明が，アルミニウムをおよそ６６０℃より低い温度で物理気相成長させることは別にして，「化学蒸着されたアルミニウムにわたって，アルミニウム系金属を物理気相成長させ，化学蒸着されたアルミニウムと物理気相成長されたアルミニウム系金属を，ボイドを形成することなくバイアに流動させる」ステップを具備する点で共通する。
（４）以上のことを踏まえると，本願発明と引用発明とは，
「基板の特徴部を形成する方法であって，
　ａ）アパーチャの表面にわたって，およそ５Åから７００Åの間の厚さを有するチタン層をスパッタリングし；
　ｂ）アパーチャの頂部を覆うことなく，チタン層の上にわたって，およそ２００Åから１μｍの間の厚さを有するアルミニウムを化学蒸着し；
　ｃ）化学蒸着されたアルミニウムにわたって，アルミニウム系金属を物理気相成長させ，化学蒸着されたアルミニウムと物理気相成長されたアルミニウム系金属を，ボイドを形成することなくバイアに流動させる
ステップを有する
ことを特徴とする方法。」
である点で一致し，次の相違点１〜相違点４で相違する。
相違点１：アルミニウムを化学蒸着するのが，本願発明は，チタン層の表面であるのに対し，引用発明は，Ｔｉ膜５上のＴｉＮ膜６の表面である点。
相違点２：本願発明では，アルミニウムをおよそ６６０℃より低い温度で物理気相成長させるのに対し，引用発明では，ＣＶＤ−Ａｌ膜７上にスパッタリング法を用いて堆積するのがスパッタＡｌ合金膜８であり，また，スパッタリング法を用いて堆積する際の温度が明示されておらず，４５０℃で加熱しＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ合金膜８を流動化させる点。
相違点３：本願発明では，（ａ）から（ｃ）までのステップが，統合された処理チャンバ内で実行されるのに対し，引用発明では，ＣＶＤ−Ａｌ膜７の堆積，スパッタＡｌ膜８の堆積，及びＡｌ流動化のための高温加熱の工程を全て同一真空中で行うのであって，Ｔｉ膜５をスパッタリング法を用いて堆積する工程も含め，統合された処理チャンバ内で実行されることを明示しない点。
相違点４：本願発明は，物理気相成長されたアルミニウムが，ドーパントを含み，およそ２５０℃から３５０℃の間の温度でアニーリングするステップをさらに有するのに対し，引用発明は，そのようなステップを明示しない点。
　
４　当審の判断
（１）上記相違点１について検討すると，まず，アルミニウムを化学蒸着する下地となる膜をＴｉ膜又はＴｉＮ膜とすることは，例えば下記の周知例１のア及びイに記載されているように，アパーチャを金属被覆する技術分野において周知である。
　また，本願明細書にも，アルミニウムを化学蒸着する膜を，Ｔｉ膜５又はＴｉＮ膜とすることについては，次の記載がある。
「【００１１】アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）のような軟質な金属が，表面張力の効果により，各々の溶融点よりも低い温度で流動することが示されている。しかしながら，これらの金属は，高温で下方の絶縁層からディウェッティングする傾向がある。そのために，本発明は，軟質な金属層と絶縁層の間に接着層を介在させ，軟質金属のウェッティングを改良する。適切な接着層は，絶縁材料よりも軟質な金属をウェッティングする。接着薄層のみが堆積されるときでも，接着層はウェッティングを改良するのが好ましい。アパーチャの壁および底面を含む絶縁材料の表面にわたって，実質的に均一な接着がなされることができる。本発明によると，接着層が，
ＰＶＤによるＴｉまたは
ＣＶＤによるＴｉＮ，ＰＶＤによるＴｉＮ，またはこれらの層の組合せを含むのが好ましい
　この記載によれば，本願明細書においても，接着層すなわちアルミニウムを化学蒸着する膜として，Ｔｉ，ＴｉＮ，又はこれらの層の組合せとすることは，選択的な事項として明記されている。
　したがって，アルミニウムを化学蒸着する膜を，Ｔｉ膜とするかＴｉＮ膜とするかは，必要により当業者が適宜選択することのできる技術的な設計事項であるから，引用発明において，Ｔｉ膜５上のＴｉＮ膜６の表面に代えて，Ｔｉ膜５の表面上にＣＶＤ−Ａｌ膜７をＣＶＤ法により堆積することを採用することが，格別困難であると認めることはできない。
　
周知例１：特開平６−３４２７９０号公報
ア　「【請求項１】　（１）
層間絶縁膜にビアホ−ルまで形成した集積回路基板上にブランケットアルミＣＶＤ法によりアルミ膜層を形成
【請求項２】　前記
アルミＣＶＤ法は，成長前処理として，チタン又は窒化チタン膜成長を行う
イ　「【０００２】
【従来の技術】従来技術による多層配線形成法に係る半導体装置の製造方法としては，例えば特開昭５９−１９８７３４号公報に記載されているように，
層間絶縁膜にスル−ホ−ル（ビアホ−ル）を開孔し，そこにチタン，窒化チタンなどの中間層を形成し，その上にアルミ層をＣＶＤ法等で形成
ウ　「【００１２】次に，この集積回路基板に密着改善層として
反応性コリメ−トスパッタ法により窒化チタン膜６を０．１μｍ成膜
ブランケットアルミＣＶＤ法によりＣＶＤアルミ膜７を０．３μｍ成膜
【００１３】このＣＶＤ条件は，次のとおりである。
・ソ−スガス：（ＣＨ３）２ＡｌＨ
・キャリアガス：Ｈ２　
・圧力：１．０Ｔｏｏｒ
・基板温度：１５０℃
【００１４】その後，図１工程Ｄに示すように，スパッタ蒸着法により
スパッタＡｌ−１％Ｃｕ膜８を０．４μｍ成膜
【００１５】その後，フォトレジスト９を除去し，
４００℃で３０分間Ｎ
２
による熱処理
スパッタＡｌ−１％Ｃｕ膜８中の銅をＣＶＤアルミ膜７中に拡散
　
（２）上記相違点２について検討すると，まず，上記２（１）ア及びイによれば，引用例においても，スパッタリング法で堆積する第２のＡｌ膜は，Ａｌ合金膜に特定されるものではなく，Ａｌ膜という包括的な概念で記載されている。また，化学蒸着されたアルミニウムにわたってアルミニウムを物理気相成長させることは，例えば下記の周知例２，周知例３のア及びイ，並びに周知例４のア及びイに記載されているように，従来周知の技術である。そして，例えば下記の周知例２に，基板の温度を約５５０℃に設定した高温スパッタにおいて，第一のアルミニウム膜７の上へやって来るアルミニウムは，溶融状態で第一のアルミニウム膜上に堆積して，ビアホール６の内部を完全に充填することが記載され，また，下記の周知例５のウに，３００℃〜６００℃で，スパッタリングによりアルミニウムを堆積し，アルニウムの層（６）のアルミニウムはコンタクトホール（１３）内に向かってスムーズに移動して，コンタクトホール（３）を埋め尽くすことが記載されているように，およそ６６０℃より低い温度で物理気相成長させ，アルミニウムをバイアに流動させることも，従来周知の技術である。したがって，引用発明の「ＣＶＤ−Ａｌ膜７上に，スパッタＡｌ合金膜８をスパッタリング法を用いて堆積し，４５０℃で加熱しＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ合金膜８を流動化させ」る構成の代わりに，これらの従来周知の技術を適用し，「ＣＶＤ−Ａｌ膜７上に，４５０℃で加熱してスパッタＡｌ膜８をスパッタリング法を用いて堆積し，ＣＶＤ−Ａｌ膜７及びスパッタＡｌ膜８を流動化させ」る構成，すなわち本願発明の「化学蒸着されたアルミニウムにわたって，アルミニウムをおよそ６６０℃より低い温度で物理気相成長させ，アルミニウムをバイアに流動させる」構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　
周知例２：特開平５−３０４１４９号公報
「【００６３】図４（Ａ）に示すように，層間絶縁膜５の上面とビアホール６の内壁面及び底面へ
ＣＶＤ法により薄い第一のアルミニウム膜７を
堆積
高温スパッタ装置
に入れ，
第二のアルミニウム膜８を
第一のアルミニウム膜７の上に堆積
基板の温度は約５５０℃に設定
【００６４】この高温スパッタにおいては，
第一のアルミニウム膜７の上へやって来るアルミニウムは
溶融状態で第一のアルミニウム膜上に堆積して，ビアホール６の内部を完全に充填
この際には，第二の膜からの熱により第一の膜も溶融状態
実際の境目は区別されない
　
周知例３：特開平５−２９２５８号公報
ア　「【請求項１】　半導体基板上に絶縁膜を形成したのちパターニングし接続孔を形成する工程と，この接続孔を含む全面に
気相化学成長法により第１の金属膜を形成したのちスパッタリング法
により第２の金属膜を形成し接続孔を埋める
イ　「【００１０】次に図１（ｂ）に示すように，有機アルミニウム材料を用いた
気相化学成長法で
第１の金属膜としてアルミニウム膜４Ａを堆積
【００１１】次に図１（ｃ）に示すように，
スパッタリング法によって第２の金属膜としてＳｉを含むアルミニウム膜４Ｂを堆積
ウ　「【００１４】また，
スパッタリング法で形成する第２の金属膜にＡｌ−Ｓｉ合金，Ａｌ−Ｃｕ合金，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等を用いてもかまわない
スパッタリング後の熱処理によって合金中のＳｉ，Ｃｕ等が気相成長法によって形成された第１のアルミニウム膜３２中に拡散
　
周知例４：特開平６−２３２０７７号公報
ア　「【請求項１】　半導体ウェハー上に形成されており凹部を有する絶縁膜と，前記凹部を完全に埋め立て平滑な表面を有する
ＣＶＤ金属層
ＣＶＤ金属層上に形成されており，スパッターされた金属層
・・・
【請求項８】  前記ＣＶＤ金属層とスパッターされた金属層の間に形成された
中間層を更に含む
イ　「【００５０】図１０はＣＶＤ金属層３７の形成段階を示す。前記核生成活性層３６を形成した後，真空を破らず，基板３１を他の反応室に移送させた後，前記核生成活性層３６上に
ＣＶＤ方法によりＡｌを蒸着
・・・
【００５６】図１２は中間層３８及びスパッターされた金属層３９を形成する段階を示す。前記その表面が平滑なＣＶＤ金属層３７ａ上に中間層３８としてＴｉ又はＴｉＮをスパッタリング方法により２００Åの厚さで蒸着して拡散防止膜を形成する。この際，蒸着温度は２００℃である。次に，前記中間層３８上に
アルミニウム又はアルミニウム合金を
蒸着
【００５７】
スパッター金属層３９はＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕをターゲットとして使用し３５０℃以下の温度でスパッタリングして形成
（なお，周知例４の段落【００５６】の実施例では，ＣＶＤ金属層３７ａ上に中間層３８としてＴｉ又はＴｉＮを形成しているが，請求項１及び８の記載によれば，周知例４において中間層３８を形成することは，選択的な事項であって必須なものではない。）
　
周知例５：特開昭６４−７６７３６号公報
ア　「　半導体基板例えば，シリコンの半導体ウエハ（１）表面に形成された二酸化シリコン膜などの絶縁層（２）には凹部例えば，開口が半導体ウエハ（１）表面を露出して設けられている開口部はコンタクトホール（３）と呼ばれている。この
ホール（３）に，
第１の金属例えば，高融点金属であるチタン（Ｔｉ）膜（４）を
１層目メタルとして通常行われているスパッタリングにて堆積
第１の工程
イ　「　次に，上記
一層目メタル（４）上に
メタル（４）より低融点金属の第２の金属例えばアルミニウム（Ａｌ）の層（５）を上記コンタクトホール（３）が閉鎖されない程度の厚さ
に，例えば通常に行われているスパッタリング法にて堆積
第２の工程
ウ　「　次に上記アルミニウムの層（５）の上にさらに，この層（５）と同一か，上記第１のメタル（４）より低融点の金属，例えばアルミニウム層（６）を成膜する。この成膜は平坦表面部分の厚さが，例えば６０００〜９０００Å程度の厚さになるように行う。即ち，
第３の工程
半導体ウエハ（１）を予め３００℃〜６００℃，例えば３５０℃程度に加熱した状態で半導体ウエハ（１）に
スパッタリングにてアルミニウムの層（６）を堆積
アルニウムの層（６）のアルミニウムはコンタクトホール（１３）内に向かってスムーズに移動して，上記コンタクトホール（３）を埋め尽くす
エ　「上記
第１，第２，第３の工程は大気に晒すことなく連続的に実行
その手段は種々あり複数のプロセスを同一真空槽内に形成して，工程移動又は同一位置で３工程を順次実行
　
（３）上記相違点３について検討すると，Ｔｉ膜の堆積からＡｌ流動化のための高温加熱の工程を全て同一真空中で行うことは，例えば前示の周知例５のエに記載されているように，必要により当業者が適宜行うことのできる技術的な設計事項であり，また，一連の処理を統合された処理チャンバ内で実行することも，例えば下記の周知例６に記載されているように慣用技術である。したがって，引用発明の「ＣＶＤ−Ａｌ膜７の堆積，スパッタＡｌ膜８の堆積，及びＡｌ流動化のための高温加熱の工程を全て同一真空中で行う」構成に，これらの慣用技術を採用し，「Ｔｉ膜の堆積からＡｌ流動化のための高温加熱の工程を全て同一真空中で行う」ために，アパーチャを金属被覆する一連の処理を，統合された処理チャンバ内で実行するようにすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
周知例６：特開平７−８６１８７号公報
図１を参照して，「【００３３】次に，上記
マルチチャンバー処理装置を用いた配線用成膜処理の一例
処理室１内ではスパッタリングによりＴｉＮを半導体ウエハのコンタクトホールの表面に密着層を形成
処理室２内では処理室１内で処理後の半導体ウエハのコンタクトホールにブランケットＷによりタングステンを埋め込み
処理室３内では処理室２内でタングステン埋め込み後の半導体ウエハの表面からタングステンをエッチバックしてコンタクトホールにのみタングステンを残す処理
各処理室での処理後は連続して次の工程へ半導体ウエハを第１搬送装置９を介して搬送
各処理室内はいずれもそれぞれの処理に必要な真空度に保持
　
（４）上記相違点４について検討すると，まず，本願明細書に，アニーリングについては，次の記載のみがある。
「【請求項１】　・・・
　
物理気相成長されたアルミニウムが，ドーパントを含み，およそ２５０℃から３５０℃の間の温度でアニーリングするステップをさらに有する
「【００１３】ＰＶＤによるＡｌ層が，同時に行われるＰＶＤのＡｌＣｕ工程においてアルミニウムと同時にスパッタされる銅（Ｃｕ）を含むのが好ましい。ＰＶＤによるＡｌＣｕは，ＣＶＤによるＡｌに続き，それらの層の間に酸化物層は存在せず，ＰＶＤによるＡｌＣｕが，粒子境界が存在しないようにＣＶＤによるＡｌ上に気相成長する。さらに，次の
ＣＶＤによるＡｌ／ＰＶＤによるＡｌＣｕ工程が，混合層をおよそ３００℃でおよそ１５分間アニールし，スタック中でＣｕを一様に分散させる
　これらの記載によれば，本願発明における「アニーリング」は，スタック中でＣｕを分散させるためのものであるが，その実施例としては３００℃のみが開示されているのであって，「およそ２５０℃から３５０℃の間の温度」と特定することについて，特別な技術的意義は明記されていない。
　そして，スパッタＡｌ−１％Ｃｕ膜８中の銅をＣＶＤアルミ膜７中に拡散させるために，
４００℃で熱処理
熱処理
４５０℃の熱処理
　
周知例７：特開平３−２５７９２８号公報
「さらに，レジストをマスクにして周知のドライエッチング法によりバイアホールを形成する（第１図ｃ）。次に，トリイソブチルＡｌやトリエチルＡｌ等の有機金属化合物の
ＣＶＤ法により
Ａｌ膜７を堆積
その上にスパッタ法により
Ａｌ−Ｓｉ又はＡｌ−５ｉ−Ｃｕ合金膜８を堆積
４５０℃の熱処理
Ａｌ膜７およびＡｌ−Ｓｉ又はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜８の２層膜は単一濃度のＡｌ−Ｓｉ又はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜に変換
　
５　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，従来周知の技術等を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。