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　特願２００５−１４１２７４「送受信端回路装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月１５日出願公開、特開２００５−２５３１１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年１２月２９日に出願した特願平４−３６１５４７号の一部を平成１３年６月１１日に新たに出願（特願２００１−１７５４８７号）し、さらにその一部を平成１６年７月２３日に新たに出願（特願２００４−２１６１７５号）し、さらにその一部を平成１７年５月１３日に新たに出願（特願２００５−１４１２７４号）したものであって、平成１７年１０月１１日付で拒絶の理由が通知され、それに対して、平成１７年１２月１６日付で意見書及び手続補正書が提出されたものの、平成１８年３月１７日付で拒絶査定されたので、平成１８年４月２６日付で拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、平成１８年５月２６日付で手続補正書が提出され、さらに平成１８年９月１３日付で審査官が作成した前置報告に対する反論を記載した上申書が平成１９年１月２６日付で提出されたものである。 
　その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年５月２６日付の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
　
 「高周波回路及びフィルタ回路を含む、高周波帯で使用する、積層基板に支持された送受信端回路装置であって、
　前記高周波回路及び前記フィルタ回路の少なくとも一部の素子は、前記積層基板中に組み込まれ、
　前記積層基板中に組み込まれた前記一部の素子以外の残余の回路部は、チップ部品を用いて構成され、
　前記高周波回路は、アンテナ端に接続される側を送信端と受信端の間で切り換える、半導体素子を含んだ高周波スイッチ回路であり、
　前記送受信端回路装置は、２つのバンドパスフィルタ回路を含んでおり、
　前記２つのバンドパスフィルタ回路に含まれる１つのバンドパスフィルタ回路は、前記高周波スイッチ回路のアンテナ端に対して直列に接続され、かつ、前記２つのバンドパスフィルタ回路に含まれる他の１つのバンドパスフィルタ回路は、前記高周波スイッチ回路の送信端に対して直列に接続され、
　前記積層基板は、それぞれ前記高周波回路又は当該積層基板内の前記バンドパスフィルタ回路の接地端に接続された複数の接地電極端子と、それぞれ前記送信端又は前記受信端に接続された複数の入出力信号端子と、前記アンテナ端側に前記１つのバンドパスフィルタ回路を介して前記高周波スイッチ回路と直列に接続されたアンテナ端子とを備え、
　前記接地電極端子は、前記入出力信号端子に含まれる入力信号端子と出力信号端子とを隔てる位置に形成されていることを特徴とする送受信端回路装置。」
　
２．引用例
 （１）これに対して、原査定の拒絶理由に引用された刊行物「坂井孝治　他２名、“高周波多層セラミック部品とモジュール”、電子技術、第３４巻、第１０号、ｐ．１４−１９、１９９２年９月、日刊工業新聞社」（以下、「引用例１」という。）には、「高周波多層セラミック部品とモジュール」という表題の下に次の事項が記載されている。
 　 
 Ａ．「今日，携帯電話に使われる電子部品には，利用周波数の高周波化のほか，
小型・軽量・複合化などが求められている。 
本稿では，これらの要求に応えて開発された多層セラミック部品と
複合化を実現するための多層セラミック基板技術，
また，それを応用したモジュールの代表例を紹介する。
　
　携帯電話市場は２２０ｃｃ，３３０ｇの小型携帯電話の登場により，小型・軽量化に拍車がかかり，わずか２年足らずで１５０ｃｃ，２３０ｇまで小型化が進んでいる。この小型・軽量化の流れに沿って携帯電話の需要の伸びも著しく，首都圏では現行のアナログ方式のまま加入者数を増やすことが不可能に近い状態になりつつある。 
　この問題の解消を目的として，利用周波数の高周波化，デジタル化（多重化）が検討されている。加えてセットはさらに小型・軽量化が指向され，従来以上に高密度実装とすることが必要となっている。このような背景のもとに，部品についてもＳＭＤ化，究極的な小型，軽量，複合化が求められている。 
　ここでは，携帯電話のこの要求に応えるべく開発された，多層セラミック部品と，複合化を実現するための多層セラミック基板技術，それを応用したモジュールの代表例を紹介する。」（第１４頁左欄第１行〜同頁右欄８行） 
　 
 Ｂ．「チップ積層ＬＣフィルタ 
 （１）チップ積層ＬＣフィルタ開発の経緯 
　当社では１９８４年に，それまで不可能とされていた誘電体上でのＬ（コイル）形成の技術的問題を解決することによって，単板のセラミック上にＬとＣ（コンデンサ）をプリントしたＬＣフィルタを開発した。 
　１９８９年になって，銅とセラミックのコファイア（同時焼成）が可能な低温焼成セラミック原料が開発されると同時に，それまでの単板構造でのノウハウを多層セラミックに応用した国内コードレス電話用および携帯電話用のチップ積層ＬＣフィルタＬＦシリーズを開発した。携帯電話用ＬＦＣ３５シリーズの外観，概略構造および等価回路を図１に示す。 
　中央部にコイル部をおき，上下面にコンデンサ部とシールド部が配置されている。この上下面のコンデンサと中央部のコイルが外部電極で接続されることで共振器が形成されフィルタが構成されている。 
　コイル，コンデンサ，シールドは，いずれも誘電体シート上に印刷された銅電極によって形成されており，これらのシートを立体的に積み重ね，外部電極を塗布した後に誘電体，電極の同時焼成を行っている。」（第１４頁右欄第９〜３９行、及び図１を参照。） 
 　 
 Ｃ．「（２）チップ積層マイクロフィルタＬＦＣ３０，ＬＦＪ３０シリーズバンドパスフイルタ 
　図２，写真１，２にＬＦＣ３０，ＬＦＪ３０シリーズの外観を前述のＬＦＣ３５シリーズと比較して示す。また，表１にこれらの主要特性を示す。さらに代表として，ＬＦＣ３０シリーズ８２０ＭＨｚバンドパスフィルタ（国内デジタル携帯電話用）の特性を図３に，ＬＦＪ３０シリーズ１．９ＧＨｚバンドパスフィルタ（第二世代コードレス電話用）の特性を図４に示す。」（第１５頁中央欄第２〜１４行、及び図２〜４、写真１，２、表１を参照。）
　
 Ｄ．「銅配線セラミック多層基板 
　前述のように，フィルタやカプラなど高周波の回路に不可欠な部品をセラミックの多層技術を使い商品化しているが，そのセラミック体を基板として利用し，半導体などの部品を搭載することで，小型で高機能な高周波モジュールを形成することが可能である。 
　多層基板の仕様を表３に示す。数ＧＨｚの周波数でも使用に適するように導体としては銅電極を使用，その導電率は１ＧＨｚで４×１０7Ｓ／ｍであり，厚膜の電極であるにもかかわらず，純銅（５．７×１０7Ｓ／ｍ）に近い性能を実現している。」（第１７頁中央欄第６行〜第１８頁右欄第４行、及び表３を参照。） 
　
 Ｅ．「この基板を使用して，携帯電話用のアンプ，ミキサ，ＶＣＯなど小型化要求の強いモジュールの開発を行っている。写真４にアンプ，写真５にミキサの外観を示す。アンプは５×４ｍｍ，ミキサは８×５ｍｍである。これらの代表例として図１０にアンプの回路図と特性を示す。トランジスタ以外の素子はすべて基板に内蔵しており，プリント基板に形成した場合に比べ，約１／３の大きさとなっている。現在，７００〜９５０ＭＨｚの範囲で中心周波数の設定が可能で，Ｇａｉｎ１２ｄＢ，ＮＦ２ｄＢを実現している。　今後は，フィルタと一体化したアンプやミキサなど，より複合化を進めたモジュールを検討していく予定である。また，前述の設計データをまとめ，ＭＭＩＣなどの搭載基板として使えるように準備中である。多層基板では共振器，コンデンサ，スタブなどを多くの層を使ってコンパクトに形成でき，かつＩＣパッケージも兼ねることが可能であり，ＩＣと機能分担していくことで，互いの特徴を生かしたモジュールを生み出していけるのではないかと考えている。」（第１８頁右欄第２４行〜第１９頁左欄第１９行、及び写真４，５、図１０を参照。） 
　 
　ここで、上記Ａの記載からみて、携帯電話における高周波回路を構成する電子部品の小型・軽量・複合化などの要求に応じて開発された多層セラミック部品と、複合化を実現するための多層セラミック基板技術及びそれを応用した高周波モジュールが記載されている。
　
　上記Ｂ及び図１によれば、バンドパスフィルタを構成するコイル、コンデンサ、シールドは、いずれもセラミック誘電体シート上に印刷された銅電極によって形成され、これらのシートを立体的に積み重ね、外部電極を塗布した後に誘電体，電極の同時焼成を行うことにより形成されたチップ積層ＬＣフィルタが記載されており、図１、２及び写真１，２を参照すると、複数の外部電極は積層したセラミック基板の側面の一部の上に形成されているものであり、かつバンドパスフィルタを構成するコンデンサは積層されたセラミック基板と一体的に形成された積層方向に対向するコンデンサパターンにより形成されているものと認められる。
　
　上記Ｃ、表１、及び図３，４によれば、上記バンドパスフィルタの中心周波数は、国内デジタル携帯電話用の８２０ＭＨｚや第二世代コードレス電話用の１．９ＧＨｚ帯であるので、上記フィルタは、携帯電話や第二世代コードレス電話の高周波帯の回路で使用されるものと認められる。 
　さらに、上記Ｄ、Ｅ、図１０及び写真４，５によれば、フィルタやカプラなど高周波の回路に不可欠な部品をセラミックの多層技術を使いセラミック体として作り、さらにそのセラミック体を基板として利用して、このセラミック多層基板の上に半導体などの高周波回路を構成するチップ部品を搭載し形成された携帯電話用の高周波アンプ、ミキサ、ＶＣＯなどの高周波回路とフィルタ回路を含む高周波モジュールが記載されているものと認められる。そして、上記高周波モジュールは、セラミック体として形成されたフィルタと共に高周波回路として動作するためには、関連部品間が電気的に接続されていなければならないことは自明であるので、積層されたセラミック多層基板内に形成されたフィルタなどの回路と、セラミック多層基板上に搭載された半導体などのチップ部品は上記の側面に形成された複数の外部電極を介して電気的に接続されているものと認められる。 
 　 
　よって、上記Ａ〜Ｅの記載事項、及び図１〜１０、写真１〜５、表１〜３を参照すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 
　
　高周波回路及びフィルタ回路を含む、高周波帯で使用する、セラミック多層基板（以下、単に「多層基板」という。）に支持された携帯電話や第二世代コードレス電話用の高周波アンプ、ミキサ、ＶＣＯなどの高周波回路とフィルタ回路を含む高周波モジュールであって、
　前記高周波回路及び前記フィルタ回路のうち、バンドパスフィルタを構成する素子であるコンデンサとコイルが前記多層基板中に形成され、 
　前記多層基板中に形成された素子以外の回路部はチップ部品を用いて構成され、前記多層基板は、前記高周波回路及び前記多層基板中に形成されたフィルタを構成する素子であるコンデンサとコイルに接続されると共に、外部の回路と接続される複数の外部電極を備えていることを特徴とする携帯電話や第二世代コードレス電話用の高周波モジュール。 
 　 
３．対比 
　本願発明と引用発明１とを対比すると、 
　引用発明１における「高周波モジュール」は、高周波帯で使用される高周波回路装置を構成するものであるから、本願発明の送受信端回路装置と、高周波帯で使用する高周波回路装置の点において一致している。 
　そして、引用発明１における「フィルタ回路」、「セラミック多層基板」、「フィルタを構成する素子であるコンデンサとコイル」、「外部電極」は、それぞれ本願発明の「フィルタ回路」、「積層基板」、「フィルタ回路の少なくとも一部の素子」、「端子」に相当している。
　
　したがって、本願発明と引用発明１とは、 
　
　高周波回路及びフィルタ回路を含む、高周波帯で使用する、積層基板に支持された高周波回路装置であって、
　前記高周波回路及び前記フィルタ回路の少なくとも一部の素子は、前記積層基板中に組み込まれ、
　前記積層基板中に組み込まれた前記一部の素子以外の残余の回路部は、チップ部品を用いて構成され、
　前記積層基板は、それぞれ前記高周波回路又は当該積層基板内のバンドパスフィルタ回路に接続されると共に外部の回路と接続される複数の端子とを備えていることを特徴とする高周波回路装置。
　
である点で一致し、次の点で相違する。 
　
＜相違点＞ 
 （１）高周波回路装置を構成する高周波回路が、
　本願発明においては「アンテナ端に接続される側を送信端と受信端の間で切り換える、半導体素子を含んだ高周波スイッチ回路」であるのに対して、
　引用発明１においては、携帯電話や第二世代コードレス電話用の高周波アンプ、ミキサ、ＶＣＯなどである点。
　
 （２）高周波回路装置が、
　本願発明においては、２つのバンドパスフィルタ回路を含んでおり、前記２つのバンドパスフィルタ回路に含まれる１つのバンドパスフィルタ回路は、前記高周波スイッチ回路のアンテナ端に対して直列に接続され、かつ、前記２つのバンドパスフィルタ回路に含まれる他の１つのバンドパスフィルタ回路は、前記高周波スイッチ回路の送信端に対して直列に接続されているところの送受信端回路装置であるのに対して、
　引用発明１においては、携帯電話や第二世代コードレス電話用の高周波アンプ、ミキサ、ＶＣＯなどの高周波回路とフィルタ回路を含む高周波モジュールである点。 
　
 （３）積層基板に備えられた端子が、
　本願発明においては、それぞれ前記高周波回路又は当該積層基板内の前記バンドパスフィルタ回路の接地端に接続された複数の接地電極端子と、それぞれ前記送信端又は前記受信端に接続された複数の入出力信号端子と、前記アンテナ端側に前記１つのバンドパスフィルタ回路を介して前記高周波スイッチ回路と直列に接続されたアンテナ端子とを備え、前記接地電極端子は、前記入出力信号端子に含まれる入力信号端子と出力信号端子とを隔てる位置に形成されているのに対して、
　引用発明１においては、前記高周波回路及び前記多層基板中に形成されたフィルタを構成する素子であるコンデンサとコイルに接続されると共に、外部の回路と接続される複数の端子があるものの、その複数の端子に係る具体的な接続・配置関係は明らかではない点。
　
４．当審の判断 
 　以下、上記相違点について検討する。
　
 相違点（１）、（２）について、 
（ア）引用発明１が対象とする携帯電話や第二世代コードレス電話などのアンテナを共用する無線送受信装置において、「アンテナ端に接続される側を送信端と受信端の間で切り換える、半導体素子を含んだ高周波スイッチ回路」を使用することは、特開平３−３２１１８号公報（原審の拒絶理由において提示された引用文献４。第１頁右下欄第５行〜第３頁右上欄第１２行、第１図及び第３図のアンテナスイッチ回路１，３０を参照。）、実願昭６３−１４４１４１号（実開平２−６４２０４号）のマイクロフィルム（第４頁第１０行〜第７頁第８行、及び第１図におけるダイオードスイッチＤ１，Ｄ２を参照。）に開示されているごとく当業者にとって周知の事項である。
　
（イ）また、無線送受信装置において使用される高周波スイッチ回路とアンテナとの間に、フィルタを挿入することは、前記の特開平３−３２１１８号公報（特に、第１図において、アンテナ３と共通接続点Ｘとの間に挿入されたローパスフィルタ４を参照。）、前記の実願昭６３−１４４１４１号（実開平２−６４２０４号）のマイクロフィルム（特に、第１図においてアンテナ１０とダイオードスイッチＤ１，Ｄ２との間に挿入された同調周波数可変型ストリップラインフィルタ１１を参照。）、特開平４−１０３２２８号公報（第７頁左下欄第４〜１５行、及び第８図において、アンテナ５６とアンテナスイッチ６１との間に挿入された高周波フィルタ５７を参照。）、特開平４−１６０９２６号公報（第２頁右上欄第１行〜同頁右下欄第１１行、第１、３図においてアンテナ３４と高周波スイッチ回路３２との間に挿入されたローパスフィルタ３３を参照。）、特開平４−２４０９２４号公報（【００１２】〜【００１４】段落、及び【図１】において、送受信切換スイッチ７とアンテナ９との間に挿入されたバンドパスフィルタ８を参照。）、及び特開平４−３７２２３３号公報（従来の技術を示す、【０００１】〜【０００５】段落、及び【図３】において、アンテナ１とスイッチ３との間に挿入されたＲＦフィルタ２を参照。）に開示されているごとく当業者にとって周知の事項である。
　
（ウ）さらに、無線送受信装置において使用されるところの、アンテナに接続された高周波スイッチ回路の送信側または受信側にバンドパスフィルタを挿入することは、特開平４−２１３９２６号公報（原審の拒絶理由において提示された引用文献１。【０００１】〜【００１２】段落、【図１】及び【図４】において高周波スイッチ回路３２にパワーアンプ１７を介して接続された送信用のバンドパスフィルタ１６、及び高周波スイッチ回路３２に接続された受信用のバンドパスフィルタ２１を参照。）、特開平２−８２７２９号公報（第２頁右下欄第１４行〜第３頁左上欄第６行、第１図においてＲＦスイッチＫに接続された受信用の帯域フィルタＳ１及び送信用の帯域フィルタＳ２を参照。）、及び前記特開平４−１６０９２６号公報（第２頁右上欄第１行〜同頁右下欄第１１行、第１、３図において高周波スイッチ回路３２にパワーアンプ１６を介して接続された送信用のバンドパスフィルタ１５、及び高周波スイッチ回路３２に接続された受信用のバンドパスフィルタ２１を参照。）に開示されているごとく当業者にとって周知の事項である。
　
（エ）また、無線送受信装置であるところの移動通信装置において、受信回路または送信回路のアンテナ側に位置する高周波回路部である送受信端の回路部分をモジュールとして一体化することは、特開昭６２−１７１３２７号公報（第２頁左上欄第１０行〜同頁右上欄第１９行、第２図において破線２０３で囲まれた、送信フィルタ２０４，受信前段フィルタ２０５、分岐回路の送信側線路２０６，分岐回路の受信側線路２０７、受信低雑音増幅器２０８、受信後段フィルタ２０９、受信混合器（ミキサー）２１０を含む回路部分を参照。）に開示されているごとく当業者にとって周知であり、さらに、携帯電話器やコードレス電話器等に用いられるマイクロ波帯域用の高周波モジュールにおいて、複数のフィルタを積層基板内に形成し、その積層基板上に半導体、抵抗、コンデンサなどのチップ部品によって構成されるＲＦ回路ブロックを形成することにより高周波モジュールを構成することも、特開平４−３０１９０１号公報（【０００１】〜【００１３】、及び【図１】〜【図３】を参照。）に開示されているごとく当業者にとって周知である。
　
（オ）そして、上記引用例１には、「銅配線セラミック多層基板
　前述のように，フィルタやカプラなど高周波の回路に不可欠な部品をセラミックの多層技術を使い商品化しているが，そのセラミック体を基板として利用し，半導体などの部品を搭載することで，小型で高機能な高周波モジュールを形成することが可能である。」（上記２（１）Ｄ．を参照。）、及び「この基板を使用して携帯電話用のアンプ，ミキサ，ＶＣＯなど小型化要求の強いモジュールの開発を行っている。・・・（中略）・・・今後は，フィルタと一体化したアンプやミキサなど，より複合化を進めたモジュールを検討していく予定である。また，前述の設計データをまとめ，ＭＭＩＣなどの搭載基板として使えるように準備中である。多層基板では共振器，コンデンサ，スタブなどを多くの層を使ってコンパクトに形成でき，かつＩＣパッケージも兼ねることが可能であり，ＩＣと機能分担していくことで，互いの特徴を生かしたモジュールを生み出していけるのではないかと考えている。」（上記２（１）Ｅ．を参照。）という記載があり、
　これらの記載は、携帯電話等に使用される高周波モジュールにおいて、フィルタ等の高周波の回路に不可欠な部品を多層基板、つまり積層基板の多くの層を使用してコンパクトに形成し、このフィルタと関連した回路であって半導体などの部品で形成可能な高周波回路であれば、その回路の種別は問わず、この積層基板に搭載することにより、フィルタと一体化した小型で複合化した高機能な高周波モジュールを形成することが可能であることを示唆しているものと認められる。
　また、上記引用例１において開示されているバンドパスフィルタの通過中心周波数は、国内デジタル携帯電話用にあっては８２０ＭＨｚであり、第二世代コードレス電話用にあっては１．９ＧＨｚと記載されており、これらの周波数はアンテナを介して基地局との間で送受信する電波の周波数と一致しているのであるから、引用発明１における高周波モジュールの対象とする高周波回路が、携帯電話や第二世代コードレスの送受信端回路装置を構成する高周波回路を包含していることは当業者にとって自明である。 
　
（カ）したがって、上記の携帯電話やコードレス電話などの無線送受信装置、すなわち高周波回路装置における周知技術を勘案すれば、引用発明１における高周波回路として、周知の「アンテナ端に接続される側を送信端と受信端の間で切り換える、半導体素子を含んだ高周波スイッチ回路」を採用し、高周波モジュールとして構成される高周波回路装置を、２つのバンドパスフィルタ回路を含んでおり、前記２つのバンドパスフィルタ回路に含まれる１つのバンドパスフィルタ回路は、前記高周波スイッチ回路のアンテナ端に対して直列に接続され、かつ、前記２つのバンドパスフィルタ回路に含まれる他の１つのバンドパスフィルタ回路は、前記高周波スイッチ回路の送信端に対して直列に接続されているところの送受信端回路装置として構成することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　よって上記相違点（１）及び（２）は格別なものではない。
　
相違点（３）について 
（キ）原査定の拒絶理由に引用された刊行物である特開平４−２０７８０５号公報（特に、第２頁右上欄第２行〜第４頁右上欄第１１行、及び第１図、第２図（ａ）、（ｂ）を参照。）には、積層基板内にバンドパスフィルタＦ１が形成され、その積層基板に、入力端子（第２図（ｂ）における端面電極６ｂ）と、前記バンドパスフィルタＦ１の接地端に接続された複数の接地電極端子（同端面電極６ｃ，６ｆ，６ｇ，６ｈ，６ｊ，６ｋ）と、出力端子（同端面電極６ｉ）とが備えられていること、さらに、入力端子６ｂと出力端子６ｉが、それぞれ対向する辺に形成され、それらの周囲にはそれぞれ不使用のダミー電極６ａや接地電極端子６ｃ、及び接地電極端子６ｈや接地電極端子６ｊに挟まれ、互いに離間されていることが開示されている。
　
（ク）また、バンドパスフィルタ等の高周波回路モジュールにおいて、入出力用の端子の間に接地用の端子を形成し、入力用の端子と出力用の端子とを隔てるように構成することは、特開昭６３−３０５６０９号公報（第１頁右下欄第１２行〜第２頁右上欄第１０行、及び第１、３図における入出力用のリード端子１１，１３及び接地用の端子１２，１４を参照。）、特開昭５６−８３９５７号公報（第２頁左下欄第６行〜第３頁右上欄第３行、第１図における接地端子部材５，７及び入出力端子に相当する端子部材９，１０を参照。）に開示されているごとく、当業者にとって周知である。
　
（ケ）さらに、前記の特開平４−３０１９０１号公報（【００１２】段落、及び【図３】に図示された入出力端子１４を参照。）に開示されているごとく、積層基板内に形成した複数のフィルタと、その積層基板上に形成されたＲＦ回路ブロックとから構成された高周波モジュールにおいて外部の回路基板と接続するために上記積層基板が入出力端子を備えることは当業者にとって周知である。
　
（コ）また、本願発明に係る高周波スイッチ回路は、送信信号と受信信号を同一のアンテナで送受信するためのアンテナ共用器に相当するものと認められるが、このようなアンテナ共用器において、アンテナ側に接続されるアンテナ端子と、送信側に接続され送信信号を入力する入力端子と、受信側に接続され受信信号を出力する出力信号端子を備えることは、前記特開平３−３２１１８号公報（第１図におけるアンテナ３とローパスフィルタ４との接続、送信端子１２、及び受信端子１３を参照。）、前記特開昭６２−１７１３２７号公報（第１図におけるアンテナ端子１１０、送信入力端子１１１、及び受信入力端子１１２を参照。）、及び実願平１−７０２３５号（実開平３−１０６４３号）のマイクロフィルム（第２図に記載された共用器において、アンテナ３０に接続されたアンテナ端子１１、送信回路３２に接続された入力端子１６、及び受信回路３１に接続された出力端子１５を参照。）に開示されているごとく当業者にとって周知である。
　
（サ）そして、引用例１において、セラミック多層基板で形成されたチップ積層ＬＣフィルタを示す図１の下段に示されている等価回路をみると、このフィルタを外部の回路と接続するためには、接地されていない入出力部に接続される端子と、接地部に接続される端子が必要であることが理解されるので、積層基板の側面の一部に形成された外部電極として、このフィルタに接続される回路系の所定の箇所とフィルタの入出力部とを接続する非接地の入出力用電極、及び前記回路系の所定の接地される箇所と内部の接地層とを電気的に接続する接地電極の二種類の電極を形成することは、当業者にとって普通のことと認められる。
　
（シ）上記の、本件出願前の公知技術、又は周知技術の存在を勘案すると、上記相違点（１）、（２）についてで検討したように、引用発明１において、高周波回路装置を構成する高周波回路として「アンテナ端に接続される側を送信端と受信端の間で切り換える、半導体素子を含んだ高周波スイッチ回路」を採用し、高周波回路装置を２つのバンドパスフィルタ回路を含んでおり、前記２つのバンドパスフィルタ回路に含まれる１つのバンドパスフィルタ回路は、前記高周波スイッチ回路のアンテナ端に対して直列に接続され、かつ、前記２つのバンドパスフィルタ回路に含まれる他の１つのバンドパスフィルタ回路は、前記高周波スイッチ回路の送信端に対して直列に接続されているところの送受信端回路装置とした場合に、
　積層基板の端子として、
それぞれ前記高周波回路又は当該積層基板内の前記バンドパスフィルタ回路の接地端に接続された複数の接地電極端子と、
　それぞれ前記送信端又は前記受信端に接続された複数の入出力信号端子と、
　前記アンテナ端側に前記１つのバンドパスフィルタ回路を介して前記高周波スイッチ回路と直列に接続されたアンテナ端子とを備え、前記接地電極端子は、前記入出力信号端子に含まれる入力信号端子と出力信号端子とを隔てる位置に形成されるように構成することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　よって上記相違点（３）は格別なものではない。
　
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用発明１及び上記周知技術から当業者ならば容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。 
 　 
 ５．むすび 
 　したがって、本願発明は、引用発明１及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　よって、結論の通り審決する。