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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月7日(2012.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜を脱水化または脱水素化した後、大気に触れることなく、前記酸化物半導体膜への水や水素の再混入を防ぎ、前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記酸化物半導体膜及び前記導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記酸化物半導体膜及び前記導電膜をエッチングし、
前記レジストマスクをアッシングし、前記アッシングされたレジストマスクを用いて、エッチングされた前記酸化物半導体膜及び前記導電膜をエッチングして、前記第１のゲート電極層と重なる第１の酸化物半導体層と、前記第２のゲート電極層と重なる第２の酸化物半導体層、第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層の一部と接する第２の酸化物絶縁層と、前記第１の酸化物半導体層の前記第１のゲート電極層と重なる領域に第１の酸化物絶縁層とを形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第１の酸化物絶縁層上に第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を形成し、
前記第１の酸化物絶縁層、前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、及び前記第２の酸化物絶縁層上に保護絶縁層を形成し、
前記保護絶縁層上に前記第１のドレイン電極層または前記第１のソース電極層と電気的に接続する画素電極層と、前記第２の酸化物半導体層と重なる導電層とを形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分とする膜、若しくはそれらの合金膜とを組み合わせた積層膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、及び前記画素電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記レジストマスクは露光マスクを用いて形成し、前記露光マスクとしてハーフトーンマスク、又はグレートーンマスクを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データが外部入力される信号端子に接続される入力初段回路と、
外部入力されるクロックと、前記入力初段回路に含まれるラッチ回路へのラッチタイミング信号とを同位相に調整する位相調整回路と、を備え、
前記位相調整回路は、
前記クロックと当該クロックから擬似する擬似遅延回路の出力との比較結果に基づいてクロックツリー回路を通過して前記ラッチ回路へと供給される前記ラッチタイミング信号の遅延時間を調整する
ことを特徴とする入力インターフェース回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月19日(2012.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板を露光する露光装置において、
可動部材と、
前記可動部材に支持され、前記可動部材と異なる所定部分に付着した前記液体を検出可能な検出装置と、
を備えた露光装置。
【請求項２】
液体を介して基板を露光する露光装置において、
前記基板を支持するテーブルと、
前記露光装置に固定して配置される部材に取り付けられる検出装置と、備え、
前記検出装置は、前記部材と異なって前記テーブルより下方に配置される所定部分に付着した前記液体を検出する露光装置。
【請求項３】
前記検出装置は非接触方式で前記液体を検出する請求項１または２記載の露光装置。
【請求項４】
前記所定部分は、前記基板を保持して移動可能なテーブルの移動を案内するガイド面を有するベース部材の上面を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項５】
前記所定部分は、前記基板を保持して移動可能なテーブルの移動を案内するガイド面を有するベース部材の側面を含む請求項１〜４記載のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記所定部分は、前記基板を保持して移動可能なテーブルの移動を案内するガイド面を有するベース部材が設置された定盤の上面または床面を含む請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記検出装置は前記所定部分に対して検出光を照射するとともに前記所定部分からの光を受光し、該受光結果に基づいて前記所定部分の前記液体を検出する請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記検出装置は、前記液体の大きさを検出可能である請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記可動部材は、前記基板を保持して移動可能なテーブルを移動するための駆動機構を含む請求項１記載の露光装置。
【請求項１０】
前記可動部材は２次元面内で互いに独立して移動可能な第１テーブル及び第２テーブルを含み、
前記検出装置は前記第１テーブル及び前記第２テーブルのうち少なくともいずれか一方に設けられている請求１記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１テーブルは、前記基板を支持して移動可能である請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１テーブルの上面は、この第１テーブルに支持された前記基板の表面と同じ高さである請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記検出装置は、検出光を射出する投光部と、前記検出光に対して所定位置に設けられ、前記検出光を受光する受光部とを有し、
前記可動部材は、前記投光部を支持する第１可動部材と、前記受光部を支持する第２可動部材とを含み、
前記第１可動部材と前記第２可動部材とを移動しつつ前記液体を検出する請求項１記載の露光装置。
【請求項１４】
前記検出装置は、前記可動部材より下方に配置される前記所定部分に付着した前記液体を検出する請求項１記載の露光装置。
【請求項１５】
前記検出装置の検出光と前記所定部分とが相対的に移動しつつ前記所定部分に付着した前記液体が検出される請求項１記載の露光装置。
【請求項１６】
前記露光装置に固定して配置される部材は、前記基板に露光光を投影する投影光学系を支持するコラム部材を含む請求項２記載の露光装置。
【請求項１７】
前記部材に対して前記所定部分が移動することにより、前記検出装置が前記所定部分に付着した前記液体を検出する請求項２または１５記載の露光装置。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項１９】
液体を介して基板を露光する露光装置に用いられる液体検出方法において、
検出装置を支持する可動部材を移動させることと、
前記検出装置により、前記可動部材と異なる所定部分に付着した前記液体を検出することと、
を含む液体検出方法。
【請求項２０】
液体を介して基板を露光する露光装置に用いられる液体検出方法において、
前記露光装置に固定して配置される部材に取り付けられた検出装置に対して、前記部材と異なって当該部材より下方の所定部分を移動させることと、
前記検出装置により前記所定部分に付着した前記液体を検出することと、
を含む液体検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、デバイス製造方法、及び液体検出方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、デバイス製造方法、及び液体検出方法に関するものである。
本願は、２００４年７月１２日に出願された特願２００４−２０５００９号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と基板との間の少なくとも一部を液体で満たし、前記投影光学系と前記液体とを介してパターンの像を前記基板上に投影し、前記基板を露光する露光装置であって、
加湿器を備え、
前記加湿器からの気体を前記液体の周囲に供給する露光装置。
【請求項２】
前記基板上に前記液体を供給する液体供給機構と、
前記基板上の前記液体を回収する液体回収機構と、を備え、
前記液体供給機構の液体供給と前記液体回収機構の液体回収とにより前記基板上の一部の領域に前記液体で液浸領域が形成され、
前記加湿器からの気体を前記液浸領域の周囲に供給する請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記投影光学系と前記基板との間の前記液体の周囲の空間を囲む隔壁部材を備え、
前記加湿器からの気体が、前記隔壁部材によって形成される閉空間に供給される請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記加湿器からの気体により、前記閉空間の蒸気圧を、その外側よりも高くする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記加湿器からの気体により、前記閉空間を前記液体の飽和蒸気圧にする請求項３又は４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記加湿器からの気体が、前記投影光学系の先端に供給される請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項７】
前記加湿器からの気体が、前記基板に供給される請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項８】
湿度センサを備え、
前記湿度センサの出力に基づいて前記加湿器が制御される請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記加湿器からの気体は、前記液体と同じ物質の蒸気、または前記液体が気化したときに生じる蒸気と同じ組成の蒸気である請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記液体は、純水であり、
前記加湿器の気体は、水蒸気である請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記加湿器からの気体により、前記液体の気化を抑制する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項１３】
投影光学系と基板との間の少なくとも一部を液体で満たし、前記投影光学系と前記液体とを介してパターンの像を前記基板上に投影し、前記基板を露光する露光方法であって、
加湿器からの気体を前記液体の周囲に供給することを含み、
前記加湿器からの気体により、前記液体の気化を抑制する露光方法。
【請求項１４】
前記基板上に液体供給機構から前記液体を供給することと、
前記基板上の前記液体を液体回収機構から回収することと、を含み、
前記液体供給機構の液体供給と前記液体回収機構の液体回収とにより前記基板上の一部の領域に前記液体で液浸領域が形成され、
前記加湿器からの気体を前記液浸領域の周囲に供給する請求項１３に記載の露光方法。
【請求項１５】
前記加湿器からの気体が、前記投影光学系の先端に供給される請求項１３又は１４に記載の露光方法。
【請求項１６】
前記加湿器からの気体が、前記基板に供給される請求項１３又は１４に記載の露光方法。
【請求項１７】
前記加湿器からの気体は、前記液体と同じ物質の蒸気、または前記液体が気化したときに生じる蒸気と同じ組成の蒸気である請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１８】
前記液体は、純水であり、
前記加湿器の気体は、水蒸気である請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１９】
請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の情報記録面を有する光記録媒体を回転するモータと、
前記光記録媒体に照射するレーザ光の焦点位置を、所定の情報記録面から他の情報記録面に移動させることにより、複数の情報記録面から情報を再生又は記録する光ヘッド装置とを具備し、
前記光記録媒体の製造方法は、
開口数ＮＡが約０．８５の対物レンズによって絞り込まれた光が入射する前記光記録媒体の表面に最も近い第１の情報記録面と、
前記表面に二番目に近い第２の情報記録面と、
前記表面に三番目に近い第３の情報記録面と、
屈折率ｎｒ１を有し、前記表面から前記第１の情報記録面までの間に存在するカバー層と、
屈折率ｎｒ２を有し、前記第１の情報記録面から前記第２の情報記録面までの間に存在する第１の中間層と、
屈折率ｎｒ３を有し、前記第２の情報記録面から前記第３の情報記録面までの間に存在する第２の中間層とを形成し、
前記屈折率がｎｒαである前記カバー層もしくは中間層の形状的な厚みがｔｒα（１≦α≦３（αは自然数））であり、
前記屈折率がｎｒαである層の中での光の収束角度がθｒα（１≦α≦３（αは自然数））であり、屈折率ｎｏ＝１．６の層の中での光の収束角度がθｏであるときに、
前記形状的な厚みｔｒαを、前記屈折率がｎｏの場合の厚みであるｔα（１≦α≦３（αは自然数））へ、
ｔα＝ｔｒα・（ｔａｎ（θｒα）／ｔａｎ（θｏ））…式（１）
前記式（１）に基づいて変換し、
前記変換後の厚みであるｔ１，ｔ２，ｔ３のうちの任意の２値の互いの差がいずれも１μｍ以上であることを満たすことを特徴とする光情報装置。
【請求項２】
前記光記録媒体の製造方法は、さらに、
前記屈折率ｎｏを有する層において発生する球面収差量が所定の許容範囲内となる層の前記厚みｔαの範囲が、前記屈折率ｎｒαを有する層の前記厚みｔｒαの範囲に変換された場合に、
前記厚みｔｒαは、変換後の前記厚みｔｒαの範囲内に含まれることを満たすことを特徴とする請求項１記載の光情報装置。
【請求項３】
前記光記録媒体の製造方法は、さらに、
前記変換後の厚みであるｔ１，ｔ２，ｔ３が、
｜ｔ１−（ｔ２＋ｔ３）｜≧１μｍであることを満たすことを特徴とする請求項１又は２記載の光情報装置。
【請求項４】
複数の情報記録面を有する光記録媒体を回転するモータと、
前記光記録媒体に照射するレーザ光の焦点位置を、所定の情報記録面から他の情報記録面に移動させることにより、複数の情報記録面から情報を再生又は記録する光ヘッド装置とを具備し、
前記光記録媒体は、
開口数ＮＡが約０．８５の対物レンズによって絞り込まれた光が入射する前記光記録媒体の表面に最も近い第１の情報記録面と、
前記表面に二番目に近い第２の情報記録面と、
前記表面に三番目に近い第３の情報記録面と、
屈折率ｎｒ１を有し、前記表面から前記第１の情報記録面までの間に存在するカバー層と、
屈折率ｎｒ２を有し、前記第１の情報記録面から前記第２の情報記録面までの間に存在する第１の中間層と、
屈折率ｎｒ３を有し、前記第２の情報記録面から前記第３の情報記録面までの間に存在する第２の中間層とを形成し、
前記屈折率がｎｒαである前記カバー層もしくは中間層の形状的な厚みがｔｒα（１≦α≦３（αは自然数））であり、
前記屈折率がｎｒαである層の中での光の収束角度がθｒα（１≦α≦３（αは自然数））であり、屈折率ｎｏ＝１．６の層の中での光の収束角度がθｏであるときに、
前記形状的な厚みｔｒαを、前記屈折率がｎｏの場合の厚みであるｔα（１≦α≦３（αは自然数））へ、
ｔα＝ｔｒα・（ｔａｎ（θｒα）／ｔａｎ（θｏ））…式（１）
前記式（１）に基づいて変換し、
前記変換後の厚みであるｔ１，ｔ２，ｔ３のうちの任意の２値の互いの差がいずれも１μｍ以上であることを満たすことを特徴とする光情報装置。
【請求項５】
前記光記録媒体は、さらに、
前記屈折率ｎｏを有する層において発生する球面収差量が所定の許容範囲内となる層の前記厚みｔαの範囲が、前記屈折率ｎｒαを有する層の前記厚みｔｒαの範囲に変換された場合に、
前記厚みｔｒαは、変換後の前記厚みｔｒαの範囲内に含まれることを満たすことを特徴とする請求項４記載の光情報装置。
【請求項６】
前記光記録媒体は、さらに、
前記変換後の厚みであるｔ１，ｔ２，ｔ３が、
｜ｔ１−（ｔ２＋ｔ３）｜≧１μｍであることを満たすことを特徴とする請求項４又は５記載の光情報装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月30日(2012.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記従来の課題を解決するために本発明の誘導加熱調理器は、操作基板ケースの前方に突出された延長部を設け、前記延長部の前面に補強壁を形成し、前記補強壁は前記外郭ケースに沿って所定の大きさの隙間を設けて配置されたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の発明は、本体の外郭を形成する金属製の外郭ケースと、前記外郭ケースの上方に設けられた被加熱調理器具を載置するトッププレートと、前記トッププレートを下方で支持するアンダーフレームと、前記トッププレートの外周を覆い前記トッププレートを前記アンダーフレームとで挟持するトップフレームと、前記アンダーフレームの下面４隅に設けられ前記外郭ケースと前記アンダーフレームとを接続固定するフレームフックと、前記トッププレートの下方に設けられた誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルに高周波電力を供給する制御基板と、前記制御基板を載置する制御基板ケースと、外部操作により前記誘導加熱コイルを制御するための信号入力部及び機器の制御状態を表示する表示部を有する操作基板と、前記操作基板を収納し前記トップフレームの下面に固定される操作基板ケースと、を備え、前記操作基板ケースの前方に突出された延長部を設け、前記延長部の前面に補強壁を形成し、前記補強壁は前記外郭ケースに沿って所定の大きさの隙間を設けて配置されたことにより、製品の運送時や持ち運び時の落下等で外郭ケースに衝撃が加わった際、補強板が本体内側から外郭ケースの変形を押さえるため、外郭ケースが永久変形してしまうのを防ぐことが出来る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第２の発明は、第１の発明において、前記所定の大きさの隙間を０．３〜１．０ｍｍである０．５ｍｍとしたもので、製品の運送時や持ち運び時の落下等で外郭ケースに衝撃が加わった際、補強板が本体内側から外郭ケースの変形を押さえるため、外郭ケースが永久変形してしまうのを防ぐことが出来る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第３の発明は、第１または第２の発明において、前記補強壁から前記操作基板ケースの間に所定の変位量を吸収できるように弾性体を設け、前記所定の大きさの隙間を前記弾性体を設ける前より小さくしたもので、製品の運送時や持ち運び時の落下等で外郭ケースに衝撃が加わった際、補強板が本体内側から外郭ケースの変形を押さえるため、外郭ケースが永久変形してしまうのを防ぐことが出来る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第４の発明は、第１〜３のいずれか１つの発明において、前記補強壁と前記外郭ケースの間にクッション材を貼り付けたもので、製品の運送時や持ち運び時の落下等で外郭ケースに衝撃が加わった際、補強板が本体内側から外郭ケースの変形を押さえるため、外郭ケースが永久変形してしまうのを防ぐことが出来る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体の外郭を形成する金属製の外郭ケースと、前記外郭ケースの上方に設けられた被加熱調理器具を載置するトッププレートと、前記トッププレートを下方で支持するアンダーフレームと、前記トッププレートの外周を覆い前記トッププレートを前記アンダーフレームとで挟持するトップフレームと、前記アンダーフレームの下面４隅に設けられ前記外郭ケースと前記アンダーフレームとを接続固定するフレームフックと、前記トッププレートの下方に設けられた誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルに高周波電力を供給する制御基板と、前記制御基板を載置する制御基板ケースと、外部操作により前記誘導加熱コイルを制御するための信号入力部及び機器の制御状態を表示する表示部を有する操作基板と、前記操作基板を収納し前記トップフレームの下面に固定される操作基板ケースとを備え、前記操作基板ケースは前方に突出された延長部を設け、前記延長部の前面に補強壁を形成し、前記補強壁は前記外郭ケースに沿って所定の大きさの隙間を設けて配置された誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記所定の大きさの隙間を０．３〜１．０ｍｍである０．５ｍｍとした請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記補強壁から前記操作基板ケースの間に所定の変位量を吸収できるように弾性体を設け、前記所定の大きさの隙間を前記弾性体を設ける前より小さくした請求項１または２に記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記補強壁と前記外郭ケースの間にクッション材を貼り付けた請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘導加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、図６に示すように、無電解めっきにより、拡散バリア層１６上にＮｉ合金層（第２の金属層）１８を形成する。この際、Ｐｄ活性化処理を前処理として行なうことにより、置換還元性の拡散バリア層１６の無電解めっきを実行できる。また、Ｎｉ合金層１８をＮｉ‐Ｐから構成し、その厚さを０．３μｍにする。なお、拡散バリア層１６がＰｄから構成される場合、前処理のＰｄ活性化処理を省略できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に第１の絶縁膜を形成するステップと、
前記第１の絶縁膜上に、ルチル型又はブルカイト型のチタン酸化物を含む第２の絶縁膜を形成するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜はハフニウムアルミニウム酸化物又はジルコニウムアルミニウム酸化物のいずれかである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の絶縁膜は、チタン酸化膜もしくはチタンアルミニウム酸化膜である請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板には、下部電極としてのチタン窒化物が形成されている請求項１乃至３いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ハフニウムアルミニウム酸化物又はジルコニウムアルミニウム酸化物の結晶構造は、立方晶系又は正方晶系のいずれかである請求項２乃至４いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第１の処理室に、表面に立方晶系もしくは正方晶系のハフニウムアルミニウム酸化膜又はジルコニウムアルミニウム酸化膜である第１の絶縁膜が形成された基板を搬入する第１のステップと、
前記第１の処理室にチタン含有ガスと酸素含有ガスを含む複数のガスを供給して、前記第１の絶縁膜の上に、アモルファスであるチタン酸化物を含む第２の絶縁膜を形成する第２のステップと、
前記第１の処理室から前記基板を搬出する第３のステップと、
第２の処理室に、前記アモルファスであるチタン酸化物を含む第２の絶縁膜が形成された基板を搬入する第４のステップと、
前記第２の絶縁膜が形成された基板を加熱して前記第２の絶縁膜を正方晶系もしくは斜方晶系のチタン酸化物である第３の絶縁膜へ結晶化させる第５のステップと、
前記処理室から前記第３の絶縁膜が形成された基板を搬出する第６のステップと、
を順に行う半導体装置の製造方法。
【請求項７】
下電極の上に、立方晶系もしくは正方晶系のハフニウムアルミニウム酸化膜又はジルコニウムアルミニウム酸化膜が形成され、前記正方晶系のハフニウムアルミニウム酸化膜又はジルコニウムアルミニウム酸化膜の上に正方晶系もしくは斜方晶系のチタン酸化物含有膜が形成され、前記正方晶系もしくは斜方晶系のチタン酸化物含有膜の上に上電極が形成された半導体装置。
【請求項８】
基板を収容する処理室と、
前記処理室にチタン含有ガスを供給するチタン含有ガス供給手段と、
前記処理室に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段と、
前記処理室に前記チタン含有ガスおよび前記酸素含有ガスを供給して、第１の絶縁膜が形成された基板上にルチル型もしくはブルカイト型のチタン酸化物を含む第２の絶縁膜を形成するよう前記チタン含有ガス供給手段および前記酸素含有ガス供給手段を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、半導体装置および基板処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため本発明によれば、基板に第１の絶縁膜を形成するステップと、前記第１の絶縁膜上に、ルチル型又はブルカイト型のチタン酸化物を含む第２の絶縁膜を形成するステップと、を有する。これにより、高い誘電率のチタン酸化物含有膜を、他の素子に影響を与えない程度の低温で形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体パッケージの製造方法：
（ａ）第１面とその裏側の第２面を有する感光性絶縁材を準備する工程；
（ｂ）前記感光性絶縁材の前記第１面に、表面に接続端子を有する半導体チップを前記表面側で接着する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第２面側から前記感光性絶縁材を露光する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１面上の前記半導体チップを樹脂封止する工程；
（ｅ）前記（ｃ）工程後に、前記感光性絶縁材を現像することによって、前記接続端子に通ずる貫通穴を前記感光性絶縁材に形成する工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｄ）工程後に、前記（ｅ）工程を行う。
【請求項３】
以下の工程を更に含む請求項２記載の半導体パッケージの製造方法：
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記接続端子と電気的に接続する導電性材を前記貫通穴に形成する工程；
（ｇ）前記導電性材と電気的に接続する配線層を前記感光性絶縁材上に形成する工程。
【請求項４】
請求項１、２または３記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記（ｃ）工程で用いる露光光を透過する基材が前記第２面に接着された前記感光性絶縁材を準備し、
前記（ｃ）工程では、前記基材を介して前記感光性絶縁材を露光し、
前記（ｅ）工程の現像前に、前記基材を前記感光性絶縁材から分離する。
【請求項５】
請求項３記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｂ）工程では、環状の治具を前記感光性絶縁材の第１面に接着した後、前記治具の内側で前記半導体チップを前記感光性絶縁材の第１面に接着し、
前記（ｇ）工程後に、前記治具を前記感光性絶縁材から分離する。
【請求項６】
請求項３記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｂ）工程では、環状の治具と、前記治具の内側に配置され、開口部を有する補強材とを前記感光性絶縁材の第１面に接着した後、前記開口部の内側で前記半導体チップを前記感光性絶縁材の第１面に接着し、
前記（ｄ）工程では、前記半導体チップとともに前記補強材を樹脂封止し、
前記（ｇ）工程後に、前記治具を前記感光性絶縁材から分離する。
【請求項７】
請求項５または６記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｇ）工程後に、前記感光性絶縁材に前記治具が接着した状態で、前記半導体チップの周囲を切断し、前記半導体チップを有する個片を形成した後、前記治具を前記感光性絶縁材から分離する。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記感光性絶縁材の硬化温度より低い温度で、前記半導体チップを加熱しながら前記半導体チップを前記感光性絶縁材の第１面に接着する。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記接続端子は、前記半導体チップの表面から突起しており、
前記（ｂ）工程では、前記接続端子を前記感光性絶縁材中にめり込ませる。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記感光性絶縁材の硬化温度より低い温度で、前記半導体チップを樹脂封止する。
【請求項１１】
表面に接続端子を有する半導体チップと、
前記半導体チップの表面が露出するように、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記半導体チップの表面が露出する前記封止樹脂の表面および前記半導体チップの表面上に配線層と層間絶縁層とが積層された配線構造と、を有し、
前記配線構造が、感光性絶縁材を介して前記封止樹脂の表面および前記半導体チップの表面上に積層され、
前記配線層が、前記感光性絶縁材に設けられた貫通穴を介して前記接続端子に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体パッケージにおいて、
前記封止樹脂と前記半導体チップとを基体とし、該基体上に前記配線構造が設けられており、
前記配線構造の厚さが、前記半導体チップの厚さよりも薄いことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１３】
請求項１１または１２記載の半導体パッケージにおいて、
前記配線構造が、配線層と絶縁層とを複数積層してなり、最上層の配線層に電極パッドが設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１４】
請求項１１、１２または１３記載の半導体パッケージにおいて、
前記封止樹脂が、モールド樹脂からなり、
前記層間絶縁層が、樹脂フィルムからなることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体パッケージにおいて、
前記半導体チップの裏面が、前記封止樹脂から露出していることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体パッケージにおいて、
開口部を有する補強材が前記封止樹脂に封止されており、
前記補強材の開口部内に前記半導体チップが配置されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、第１導電層と、第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層によって挟まれた駆動領域を有する圧電体層と、を備える圧電素子において、
前記駆動領域外の前記圧電体層上方に緩和層が設けられ、
少なくとも前記緩和層及び前記圧電体層は第２導電層によって覆われていることを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
請求項１において、前記緩和層は、前記圧電体層の上面と側面が結合する端部を沿って配置されていることを特徴とする圧電素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記緩和層は、該緩和層の上面および前記圧電体層の側面を接続する第１側面と、前記
緩和層の上面および前記圧電体層の上面を接続する第２側面と、を有し、
前記第２側面の前記緩和層の上面に対する傾斜は、前記第１側面の前記緩和層上面に対
する傾斜よりも小さい、圧電素子。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれの一項において、
さらに、前記圧電体層の上面を覆い、該圧電体層と前記第２導電層との間に設けられた
第３導電層を含み、
前記緩和層は、前記第３導電層の上方に設けられた、圧電素子。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項において、
前記緩和層の材質は、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、および酸化ランタ
ンニッケルから選択される少なくとも一種を含む、圧電素子。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項において、
前記第１導電層、前記圧電体層、前記緩和層および前記第２導電層を含む積層構造を複
数有し、
前記第１導電層は、各前記積層構造における個別電極となっており、前記第２導電層は、複数の前記積層構造における共通電極となっている、圧電素子。
【請求項７】
基板の上方に第１導電層を形成する工程と、
前記基板および前記第１導電層の上方に圧電体層を成膜する工程と、
前記圧電体層の上方に緩和層を成膜する工程と、
前記緩和層、および前記圧電体層をパターニングする第１パターニング工程と、
パターニングされた前記緩和層をさらにパターニングする第２パターニング工程と、
前記圧電体層および前記緩和層を被覆するように第２導電層を形成する工程と、
を含み、
前記第２パターニング工程では、前記緩和層は、前記圧電体層の上面の端に沿うように
形成される、圧電素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の圧電素子を含み、
前記基板は、可撓性を有し、前記圧電体層の動作によって変形する、圧電アクチュエー
ター。
【請求項９】
請求項８に記載の圧電アクチュエーターと、
ノズル孔と連通し、前記圧電アクチュエーターの動作によって容積が変化する圧力室と、
を含む、液体噴射ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載の液体噴射ヘッドを含む、液体噴射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器に導入され、処理容器内で処理ガスがプラズマ化されて基板がエッチング処理されるプラズマエッチング処理装置であって、
種類の異なる原料ガスを供給する複数の原料ガス供給部と、
各原料ガス供給部による原料ガスの供給量を制御する制御部と、
前記処理容器に収納された基板の中心部に処理ガスを導入する中央導入部と、
前記処理容器に収納された基板の周辺部に処理ガスを導入する周辺導入部と、
前記中央導入部と前記周辺導入部に供給する処理ガスの流量比を可変に調節するスプリッターとを備え、
前記制御部は、プラズマエッチング処理中に、前記中央導入部からの処理ガスの導入量と前記周辺導入部からの処理ガスの導入量の比を変化させるように、前記スプリッターを制御する、プラズマエッチング処理装置。
【請求項２】
複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器に導入され、処理容器内で処理ガスがプラズマ化されて基板がエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、
種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御され、
前記処理容器に収納された基板の中心部に導入される処理ガスの導入量と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマエッチング処理中に変化させられる、プラズマエッチング処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器に導入され、処理容器内で処理ガスがプラズマ化されて基板がエッチング処理されるプラズマエッチング処理装置であって、種類の異なる原料ガスを供給する複数の原料ガス供給部と、各原料ガス供給部による原料ガスの供給量を制御する制御部と、前記処理容器に収納された基板の中心部に処理ガスを導入する中央導入部と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に処理ガスを導入する周辺導入部と、前記中央導入部と前記周辺導入部に供給する処理ガスの流量比を可変に調節するスプリッターとを備え、前記制御部は、プラズマエッチング処理中に、前記中央導入部からの処理ガスの導入量と前記周辺導入部からの処理ガスの導入量の比を変化させるように、前記スプリッターを制御する、プラズマエッチング処理装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明によれば、複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器に導入され、処理容器内で処理ガスがプラズマ化されて基板がエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御され、前記処理容器に収納された基板の中心部に導入される処理ガスの導入量と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマエッチング処理中に変化させられる、プラズマエッチング処理方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理容器に収納された基板の中心部に処理ガスを導入する中央導入部と、
前記処理容器に収納された基板の周辺部に処理ガスを導入する周辺導入部と、
前記中央導入部と前記周辺導入部に供給する処理ガスの流量比を可変に調節するスプリッターと、
前記スプリッターを制御する制御部を備え、
前記制御部は、プラズマ処理中に、前記中央導入部からの処理ガスの導入量と前記周辺導入部からの処理ガスの導入量の比を変化させるように、前記スプリッターを制御する、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、プラズマ処理中に、前記中央導入部からの処理ガスの導入量と前記周辺導入部からの処理ガスの導入量の比を、第１の導入量比と、前記第１の導入量比とは異なる第２の導入量比とに交互に切り替えるように、前記スプリッターを制御する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記中央導入部は、前記処理容器の天井面に設けられ、
前記周辺導入部は、前記処理容器の内側面に設けられる、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
処理容器に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理容器に収納された基板の中心部に導入される処理ガスの導入量と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化させられる、プラズマ処理方法。
【請求項５】
前記処理容器に収納された基板の中心部に導入される処理ガスの導入量と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、第１の導入量と、前記第１の導入量比とは異なる第２の導入量比とに交互に切り替えられる、請求項４に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性ボールを基板の所定位置に搭載するために、前記導電性ボールを挿通可能な複数の開口部が前記基板に応じた所定の配列パターンで配置され、前記開口部の上端周縁に、高さ方向よりも水平方向の距離が長く設定されたスロープ状のボール誘導部が形成された導電性ボール配列用マスクの製造方法であって、
母型の表面に、前記開口部に対応するレジスト体を有するパターンレジストを設けるパターニング工程と、
前記パターンレジストを用いて前記母型上に電着金属を電鋳し、電着層を形成する電鋳工程と、
前記レジスト体を除去し、前記開口部が形成されるレジスト除去工程と、
前記開口部の母型側周縁にスロープ状のボール誘導部を形成する電解研磨工程と、
を有することを特徴とする配列用マスクの製造方法。
【請求項２】
導電性ボールを基板の所定位置に搭載するために、前記導電性ボールを挿通可能な複数の開口部が前記基板に応じた所定の配列パターンで配置された導電性ボール配列用マスクであって、
前記開口部の上端周縁に、高さ方向よりも水平方向の距離が長く設定されたスロープ状のボール誘導部が形成されていることを特徴とする導電性ボール配列用マスク。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月7日(2012.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤又は両面粘着テープを用いて結晶系太陽電池セルを放熱板に貼り付ける事を特徴とする結晶系太陽電池パネル。
【請求項２】
凹凸の溝加工を施した金属板を放熱板として用いることを特徴とする請求項１の結晶系太陽電池パネル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層上及び前記第２のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する第１のソース電極層と、前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する第１のドレイン電極層と、を形成し、
前記ゲート絶縁層上、前記第１のソース電極層上、及び前記第１のドレイン電極層上に、前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層を形成するとともに、前記ゲート絶縁層上に、前記第２のゲート電極層と重なる領域を有する第２の酸化物半導体層を形成し、
窒素雰囲気下又は希ガス雰囲気下で加熱を行うことにより、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層から水及び水素を低減させ、
前記第２の酸化物半導体層上に、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のソース電極層と、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のドレイン電極層と、を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上、前記第１のソース電極層上、前記第１のドレイン電極層上、前記第２の酸化物半導体層上、前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上に、酸化物絶縁層を形成し、
前記第１のドレイン電極層に電気的に接続される画素電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層は可視光に対して透光性を有し、
前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層は可視光に対して透光性を有し、
前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層は金属を有し、
前記酸化物絶縁層は、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層に接しており、
前記画素電極層は可視光に対して透光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１のゲート電極層を形成し、
前記基板上に第２のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層上及び前記第２のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する第１のソース電極層と、前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する第１のドレイン電極層と、を形成し、
前記ゲート絶縁層上、前記第１のソース電極層上、及び前記第１のドレイン電極層上に、前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層を形成するとともに、前記ゲート絶縁層上に、前記第２のゲート電極層と重なる領域を有する第２の酸化物半導体層を形成し、
窒素雰囲気下又は希ガス雰囲気下で加熱を行うことにより、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層から水及び水素を低減させ、
前記第２の酸化物半導体層上に、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のソース電極層と、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のドレイン電極層と、を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上、前記第１のソース電極層上、前記第１のドレイン電極層上、前記第２の酸化物半導体層上、前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上に、酸化物絶縁層を形成し、
前記第１のドレイン電極層に電気的に接続される画素電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層は可視光に対して透光性を有し、
前記第２のゲート電極層は金属を有し、
前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層は可視光に対して透光性を有し、
前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層は金属を有し、
前記酸化物絶縁層は、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層に接しており、
前記画素電極層は可視光に対して透光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物絶縁層上に、前記第２のゲート電極層と重なる領域を有する導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記基板上に容量配線層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記容量配線層上に容量電極を形成し、
前記容量配線層は、前記第１のゲート電極層と同一工程で形成され、
前記容量配線層は、可視光に対して透光性を有し、
前記容量電極は、前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層と同一工程で形成され、
前記容量電極は、可視光に対して透光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、駆動回路と画素部とを有し、
前記駆動回路は、
前記基板上の第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層の一部と接する第１のチャネル保護層と、
前記第１のチャネル保護層上及び前記第１の酸化物半導体層上の第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、を有し、
前記画素部は、
前記基板上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の前記ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層の一部と接する第２のチャネル保護層と、
前記第２のチャネル保護層上及び前記酸化物半導体層上の第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、
前記第２のチャネル保護層上の画素電極層と、を有し、
前記第２のゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記第２の酸化物半導体層、前記第２のソース電極、前記第２のドレイン電極、前記第２のチャネル保護層、及び前記画素電極層は透光性を有し、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極とは材料が異なり、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル形成領域上に前記第１のチャネル保護層を介して導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のチャネル保護層と前記第２のチャネル保護層は、同じ透光性を有する絶縁材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分とする膜、若しくはそれらの合金膜とを組み合わせた積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２のソース電極、前記第２のドレイン電極、及び画素電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
さらに前記基板上に容量部を有し、
前記容量部は、容量配線及び該容量配線と重なる容量電極を有し、
前記容量配線及び前記容量電極は透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記第１のゲート電極層と重なる第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層と前記第２のゲート電極層と前記ゲート絶縁層と前記第１のソース電極層と前記第１のドレイン電極層を覆って酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を脱水化または脱水素化した後、大気に触れることなく、前記酸化物半導体層の上に金属膜を形成し、
多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いて、
前記第１のゲート電極層、第１のソース電極層の一部、及び第１のドレイン電極層の一部と重なる第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第１の導電層と、
前記第２のゲート電極層と重なる、第２の酸化物半導体層と、第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、を形成し、
前記第１の導電層をエッチングして前記第１の酸化物半導体層を露出させ、
前記第２の酸化物半導体層の一部と接し、且つ、前記第１の酸化物半導体層の上面及び側面と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層上に前記第１のドレイン電極層または前記第１のソース電極層と電気的に接続する画素電極層と、前記第２の酸化物半導体層と重なる導電層とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む膜、若しくはそれらを組み合わせた積層膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、及び前記画素電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム錫、または酸化インジウム亜鉛であることを特徴とする半導体装置の作製方法。