【事件の表示】
　特願２００１−２５３０９９「半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月　７日出願公開、特開２００３−　６８７０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯
　
　本願は、平成１３年８月２３日の出願であって、平成１７年５月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月２０日に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成１７年７月２０日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１７年７月２０日付け手続補正を却下する。
　
　
［理由］
　
１．補正後の本願発明
　
　本件補正により、特許請求の範囲は請求項１〜２に補正され、その請求項２は次のとおりに補正された。
　
「【請求項２】
　エッチング処理室、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ、前記エッチング処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段を備えたプラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を連続処理する半導体素子の製造方法において、
　処理室内に第１の処理ガスとしてＢＣｌ３およびＣｌ２を導入して前記半導体基板のＡｌ導体をエッチング処理する第１のエッチング工程と、
　処理室内に第２の処理ガスとしてＯ２を導入して、基板ステージにＲＦバイアスを印加しない状態で、プラズマ放電を行う第２のエッチング工程を備え、
　前記第１のエッチング工程で発生し前記処理室内壁に残留するエッチング生成物を第２のエッチング工程において除去するとともに前記半導体基板に蓄積された電荷を除電放電することを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
　
　そして、前記した請求項２に記載された発明（以下、「本願補正発明２」という。）は、その内容からみて、下記の平成１６年５月２１日付け手続補正書の請求項４に記載された発明（以下、「旧請求項４に係る発明」という。）を補正したものと認められる。
　
　　　　　　　　　　　　　　　記
「【請求項１】
　エッチング処理室、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ、前記エッチング処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段を備えたプラズマ処理装置を用い、前記半導体基板に互いに異なる生成条件で生成したプラズマを用いた少なくとも２以上のエッチングステップを適用して前記半導体基板を連続処理する半導体素子の製造方法であって、
　一方のエッチングステップは、処理室内に第１の処理ガスを導入して前記半導体基板をエッチング処理するエッチングステップであり、他方のエッチングステップは、処理室内に第２の処理ガスを導入して処理室内壁に堆積した前記一方のエッチングステップによる生成物をも分解除去するエッチングステップであることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項４】 
　請求項１ないし請求項２の何れか１記載の半導体素子の製造方法において、前記半導体基板はアルミニウムあるいはアルミニウムを含む化合物からなる膜を含み、前記第２の処理ガスは酸素を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
　
２．補正の妥当性についての判断
　
　上記補正は、「処理室内壁に堆積した前記一方のエッチングステップによる生成物をも分解除去する」を「前記第１のエッチング工程で発生し前記処理室内壁に残留するエッチング生成物を・・・除去する」としており、旧請求項４に係る発明に記載された発明を特定するために必要と認める事項の一部である「生成物をも」の「も」を削除することを含むものであって、例えば半導体基板上に堆積した生成物など、処理室内壁に堆積した生成物以外のものも除去する点が削除されているから、「前記第１のエッチング工程で発生し前記処理室内壁に残留するエッチング生成物」のみを除去することが含まれることになり、本願補正発明２は特許請求の範囲が拡張されているものである。
　
　よって、上記補正は、特許法第１７条の２第３項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、また、特許法第１７条の２第３項の他の各号に規定する事項いずれをも目的とするものでもない。
　
　
３．むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
III．本願発明について
　
　平成１７年７月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年５月２１日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲１〜６に記載されたとおりのものと認められ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「エッチング処理室、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ、前記エッチング処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段を備えたプラズマ処理装置を用い、前記半導体基板に互いに異なる生成条件で生成したプラズマを用いた少なくとも２以上のエッチングステップを適用して前記半導体基板を連続処理する半導体素子の製造方法であって、
　一方のエッチングステップは、処理室内に第１の処理ガスを導入して前記半導体基板をエッチング処理するエッチングステップであり、他方のエッチングステップは、処理室内に第２の処理ガスを導入して処理室内壁に堆積した前記一方のエッチングステップによる生成物をも分解除去するエッチングステップであることを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
　
１．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２５１２９２号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ａ）「・・・近年の超ＬＳＩ（large scale integration ）デバイス等に見られるように、半導体装置の高集積化及び高性能化が進展するに伴い、メモリセル縮小技術に対する要求が益々高まっている。
特にその中でも、シリコン（Ｓｉ）系材料やアルミニウム（Ａｌ）系材料のドライエッチング工程においては、高異方性、高選択性、低ダメージ性等の諸要求のいずれをも犠牲にすることなく達成する技術の開発が強く望まれている。
ドライエッチング工程に用いるエッチングガスとしては、一時、フロンガス等も用いられたが、近年では、ＳＦ６ 、Ｃｌ２ 、ＢＣｌ３ 、ＨＢｒといった各種のハロゲンを含有するガス（ハロゲン系ガス又はハロゲン含有ガスと称する。）が典型的に用いられている。これらは、何も新しいガスではないが、被エッチング材料中に存在するＳｉ、Ｗ（タングステン）、Ａｌ等のエッチャントをいずれも含むため、被エッチング材料がＳｉの場合、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒによってＳｉＦ４ 、ＳｉＣｌ４ ＳｉＢｒ４ を、Ｗの場合にはＦによってＷＦ６ を、Ａｌの場合にはＣｌによってＡｌＣｌ３ をというように蒸気圧の高い生成物を形成し、従って、エッチングそのものは基本的に容易に行うことができる。
そして、単独のガス系では不足しがちな側壁保護膜形成のために、例えば、フォトレジストからの分解物やエッチング時の反応生成物を側壁保護膜として用いる等の如く、ガス系やプロセスパラメータの制御等によって、高異方性、高選択性、低ダメージ性等を確保することが図られている。
・・・しかしながら、上記のようなハロゲン系ガスを用いるドライエッチングプロセスに関していくつかの問題点が指摘されている。その中でも特に問題となっているのが、被処理材料（特に半導体基板）の腐食、及び、ドライエッチング装置の腐食である。
半導体基板（ウエハ）の腐食に関しては、特にＡｌ系材料のコロージョン（corrosion ）がよく知られている。周知のように、Ａｌ原子とＣｌ原子とは反応性が非常に高く、ＡｌＣｌX のような化合物を形成した後、これを大気中に放出すると即座に腐食が進行してしまう。そのため、現在では、アルミニウムを含む積層構造のドライエッチング処理に用いるドライエッチング装置の多くで、インラインアッシングチェンバーを用いた残留Ｃｌ原子及びその化合物の除去処理を行っている。
しかしながら、インラインアッシングチェンバーを用いたハロゲン系生成物の除去処理は、エッチングチェンバーとは別のチェンバーに被処理材料を移送し、そのチェンバー内で処理を行わなければならず、装置コストの削減や、フットプリントの低減等の要求に相対することになる。
一方、装置の腐食については、Ｓｉ系材料のエッチングプロセスで指摘されている。これは、Ｓｉ系材料のエッチングプロセスでは、前述したＡｌ系材料のエッチングプロセスのように、ハロゲン系の残留物によって即座に腐食されることがないため、多くの装置でインラインアッシングチェンバーを付設していないことに起因している。従って、半導体基体上に吸着したＣｌ原子やＢｒ原子が放出されてエッチングチェンバー内壁に既に付着しているため、大気開放した際にこの付着物が水和してＳＵＳ系部品を腐食させ、最悪の場合、装置の寿命を縮めたり、パーティクルの発生の根源となってしまうことがある。
もちろん、Ｓｉ系材料のエッチング装置についてもインラインアッシングチェンバーを付設することも可能であるが、昨今の装置コストやフットプリントの削減要求と相対してしまい、恒久的解決策とは言い難い。
そこで、Ｓｉ系材料のエッチングプロセスでは、半導体基体上に存在するドライエッチング処理による残留ハロゲン（特にハロゲン系生成物）の除去を主な目的として、エッチングを行うチェンバー（処理室：以下、同様）と同じチェンバー内で、エッチング後に、残留ハロゲンを除去するための放電処理が行われている。これは、半導体基体上に残留したＣｌ原子、Ｂｒ原子等のハロゲン原子や、ＳｉＣｌＸ 、ＳｉＢｒＸ 等のハロゲン系化合物を、放電エネルギーによって生じる励起種（脱ハロゲン用ガスの反応性プラズマ又はガス原子分子）によって置換するか、或いは、その放電熱により気化させてしまうものである。
しかしながら、この場合、図２１に示すような問題が生じる。それは、放電の際に、脱ハロゲン用ガスとして酸素ガスを用いた際に特に顕著である。
一般に、図２１（Ａ）に示すように、マグネトロン１によるマグネトロン放電によって発生するマイクロ波と、ソレノイドコイル４によって発生する電磁場とによって生成した高密度プラズマによって、ウエハステージ５上に配されるシリコンウエハ６をドライエッチング処理すると、ハロゲン系エッチングガスの分解やウエハの食刻等によってＳｉＣｌＸ 、ＳｉＢｒＸ などのハロゲン系の反応生成物１００がエッチングチェンバー（石英ベルジャー）３の内壁部や、ウエハ６上に付着する（ウエハ上に付着したハロゲン系の反応生成物は図示省略）。
そして、図２１（Ｂ）に示すように、ウエハ上のハロゲン系反応生成物の除去を目的に、ガス導入口８から導入された酸素ガス雰囲気下で、ウエハステージ（支持電極）５に対して高周波電源１２からの高周波電圧を印加して放電処理を行うと、この放電による反応性プラズマがチェンバー３の内壁にも作用するので、チェンバー３の内壁に付着していた反応生成物１００がＳｉＯＸ 等の無機系の生成物１０１となり、これがウエハ６上に降り注ぐことがある（但し、図中の各生成物の厚さ、大きさは誇張して示している）。」（段落【０００２】〜【００１４】）
　
（ｂ）「従来、Ａｌ系材料のエッチング処理工程では、いわゆるコロージョン防止のために、フッ素系ガスや酸素系ガスの存在下での放電処理が知られており、また、Ｓｉ系材料のエッチング工程では、ごく最近であるが、同様の放電処理が実施されはじめている。しかしながら、どちらのエッチング処理における腐食防止のための放電も、チェンバー壁面に付着したハロゲン系反応生成物を酸化もしくは蒸気圧の低い物質に変化させる反応を伴うために、後処理工程で問題となるパーティクルが大量発生していた。」（段落【０１０８】）
　
　
２．対比・判断　
　
　摘記事項（ａ）には、半導体装置のＳｉ系材料やＡｌ系材料のドライエッチング工程に用いるエッチングガスとして、各種のハロゲンを含有するガスが用いられ、Ａｌの場合にはＣｌによってＡｌＣｌ３ というように蒸気圧の高い生成物を形成しエッチングを行うこと、半導体基板（ウエハ）の腐食に関しては、特にＡｌ系材料のコロージョンがよく知られ、ＡｌＣｌＸ のような化合物を形成した後、これを大気中に放出すると即座に腐食が進行してしまうことが記載され、摘記事項（ｂ）には、従来、Ａｌ系材料のエッチング処理工程では、コロージョン防止のために、フッ素系ガスや酸素系ガスの存在下での放電処理が知られており、また、Ｓｉ系材料のエッチング工程でも同様の放電処理が実施されはじめていること、しかしながら、どちらのエッチング処理における腐食防止のための放電も、チェンバー壁面に付着したハロゲン系反応生成物を酸化もしくは蒸気圧の低い物質に変化させる反応を伴うことが記載されている。
　また、摘記事項（ａ）〜（ｂ）の記載及び技術常識を参酌すると、刊行物に記載の「ドライエッチング」には、プラズマを用いたドライエッチングが含まれているといえる。
　
　上記摘記事項（ａ）〜（ｂ）を総合すると、刊行物には、以下の発明が記載されていることになる。
　
「Ｃｌを含有するガスのプラズマによってＡｌ系材料のドライエッチングを行い、ＡｌＣｌｘによる半導体基板の腐食防止のために、フッ素系ガスや酸素系ガスの存在下で、チェンバー壁面に付着したハロゲン系反応生成物を酸化もしくは蒸気圧の低い物質に変化させる反応を伴う放電処理を行う半導体装置の製造方法。」（以下、「刊行物発明」という。）
　
　
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比する。
　
　本願発明の「エッチングステップ」は、半導体基板に適用する、互いに異なる生成条件で生成したプラズマを用いたものである。一方、刊行物発明の「ドライエッチング」は、Ｃｌを含有するガスのプラズマで半導体基板のＡｌ系材料をドライエッチングするものであり、刊行物発明の「放電処理」は、フッ素系ガスや酸素系ガスのプラズマで半導体基板上のＡｌＣｌＸを除去するものであるから、上記「ドライエッチング」及び「放電処理」は、半導体基板に適用しており、また、Ｃｌを含有するガスのプラズマとフッ素系ガスや酸素系ガスのプラズマという異なる生成条件で生成したプラズマを用いているといえる。よって、刊行物発明の「ドライエッチング」及び「放電処理」は、本願発明の半導体基板に適用する、互いに異なる生成条件で生成したプラズマを用いた２以上の「エッチングステップ」となっている。
　
　また、刊行物発明の「ドライエッチング」は、本願発明の少なくとも２以上のエッチングステップのうちの「一方のエッチングステップ」に相当し、刊行物発明の「Ｃｌを含有するガス」、「Ａｌ系材料のドライエッチング」、「半導体装置」は、本願発明の「第１の処理ガス」、「半導体基板をエッチング処理」、「半導体素子」にそれぞれ相当する。
　
　そして、放電処理では、半導体基板上のＡｌＣｌＸのみならず、チェンバー壁面に付着したハロゲン系反応生成物をも酸化もしくは蒸気圧の低い物質に変化させており、また、ハロゲン系反応生成物はドライエッチングによって生成したものであるから、刊行物発明の「ＡｌＣｌＸによる半導体基板の腐食防止のために、フッ素系ガスや酸素系ガスの存在下で、チェンバー壁面に付着したハロゲン系反応生成物を酸化もしくは蒸気圧の低い物質に変化させる反応を伴う」処理をすることは、本願発明の「処理室内に第２の処理ガスを導入して処理室内壁に堆積した前記一方のエッチングステップによる生成物をも分解除去する」ことに相当し、刊行物発明の「放電処理」は、本願発明の「他方のエッチングステップ」に相当する。
　
　よって、両者は、「半導体基板に互いに異なる生成条件で生成したプラズマを用いた少なくとも２以上のエッチングステップを適用する半導体素子の製造方法であって、
　一方のエッチングステップは、処理室内に第１の処理ガスを導入して前記半導体基板をエッチング処理するエッチングステップであり、他方のエッチングステップは、処理室内に第２の処理ガスを導入して処理室内壁に堆積した前記一方のエッチングステップによる生成物をも分解除去するエッチングステップである半導体素子の製造方法。」の点で一致し、以下の点で一応相違している。
　
［相違点１］
　本願発明は、エッチング処理室、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ、前記エッチング処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段を備えたプラズマ処理装置を用いているのに対し、刊行物発明では、この点について明記されていない点。
　
　
［相違点２］
　本願発明では、半導体基板を連続処理しているのに対し、刊行物発明では、この点について明記されていない点。
　
　
　上記相違点１〜２について検討すると、上記相違点１は、半導体装置の製造におけるドライエッチングとして通常のことである。
　
　
　上記相違点２は、２以上のエッチングステップを適用して半導体基板を連続処理することや、複数枚の半導体基板を連続処理することは、半導体装置の製造において通常のことである（必要であれば特開平８−１７８０４号公報参照）。
　
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　
３．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。