【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を処理する処理装置に用いられる溶射膜を有する部材であって、セラミックスで構成された基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とする溶射膜を有する部材。
【請求項２】
前記セラミックスは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＡｌＮから選択されたものであることを特徴とする請求項１に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項３】
被処理基板を処理する処理装置に用いられる溶射膜を有する部材であって、金属で構成された基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とする溶射膜を有する部材。
【請求項４】
前記金属は、アルミニウム、ステンレス鋼、アルマイト、ニッケル合金から選択されたものであることを特徴とする請求項３に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項５】
前記周期律表第３ａ族元素化合物は、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｄｙの酸化物またはフッ化物を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項６】
前記周期律表第３ａ族元素化合物は、Ｙ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、ＳｃＦ３、ＹＦ３のいずれかを含むことを特徴とする請求項５に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項７】
前記周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜は、その表面が研磨されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項８】
被処理基板を処理する処理装置に用いられる溶射膜を有する部材であって、電極を構成する基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とする溶射膜を有する部材。
【請求項９】
前記基材は、アルミニウムまたは表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなることを特徴とする請求項８に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項１０】
前記電極は、平行平板電極の上部電極または下部電極であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項１１】
前記電極は、平行平板電極の上部電極として用いられる、多数のガス吐出孔を有するシャワーヘッドであることを特徴とする請求項１０に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項１２】
プラズマエッチング装置に設置されることを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項１３】
前記周期律表第３ａ族元素化合物は、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｄｙの酸化物またはフッ化物を含むことを特徴とする請求項８から請求項１２のいずれか１項に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項１４】
前記周期律表第３ａ族元素化合物は、Ｙ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、ＳｃＦ３、ＹＦ３のいずれかを含むことを特徴とする請求項１３に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項１５】
前記周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜は、その表面が研磨されていることを特徴とする請求項８から請求項１４のいずれか１項に記載の溶射膜を有する部材。
【請求項１６】
基板を収容してその中でプラズマエッチング処理が行われるチャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、下部電極として機能するサセプタと、
前記サセプタに対向して設けられ、複数のガス導入孔を有する電極板を備えた上部電極と、
前記サセプタ上の基板の周囲を囲むように配置され、エッチングの均一性を向上させるためのフォーカスリングと、
前記チャンバーの内周面に配置され、エッチングの際の副生成物が前記チャンバー内壁に付着するのを防止するデポシールドと、
前記電極板の外周部に設けられたシールドリングと、
前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記チャンバー内を真空ポンプを介して排気する排気口と、
前記サセプタまたは前記電極板に高周波電力を供給する手段と
を備え、
前記サセプタ、前記フォーカスリング、前記電極板、前記シールドリングおよびデポシールドの少なくとも一つが、基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１７】
前記サセプタ上に設けられ、絶縁材の間に電極が介在されて構成され、前記電極に直流電圧を印加することにより基板を静電吸着させる静電チャックをさらに具備することを特徴とする請求項１６に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１８】
前記周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜は、その表面が研磨されていることを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１９】
プラズマエッチング装置において、基板を載置するサセプタであって、
基材と、
その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とするサセプタ。
【請求項２０】
前記周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜は、その表面が研磨されていることを特徴とする請求項１９に記載のサセプタ。
【請求項２１】
プラズマエッチング装置において、サセプタに載置された基板の周囲を囲むように配置され、エッチングの均一性を向上させるためのフォーカスリングであって、
基材と、
その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とするフォーカスリング。
【請求項２２】
前記周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜は、その表面が研磨されていることを特徴とする請求項２１に記載のフォーカスリング。
【請求項２３】
プラズマエッチング装置において、上部電極の電極板の外周部に設けられたシールドリングであって、
基材と、
その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とするシールドリング。
【請求項２４】
前記周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜は、その表面が研磨されていることを特徴とする請求項２３に記載のシールドリング。
【請求項２５】
被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板を載置する載置台と、
チャンバーの上方に設けられた誘電体部材と、
前記誘電体部材を介して前記チャンバー内に誘導電磁界を形成するためのアンテナ手段と、
前記アンテナ手段に高周波電力を印加する高周波印加手段と、
前記チャンバーに、側方からプラズマ生成ガスおよび処理ガスを供給するガス供給手段と
を具備し、前記チャンバー内に形成された誘導電磁界によりプラズマを形成して処理を行う処理装置であって、
前記チャンバー内の部材の表面に周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜が形成され、その膜の表面が研磨されていることを特徴とする処理装置。
【請求項２６】
被処理基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で被処理基板を載置する載置台と、
チャンバーの上方に設けられた誘電体部材と、
前記誘電体部材を介して前記チャンバー内に誘導電磁界を形成するためのアンテナ手段と、
前記アンテナ手段に高周波電力を印加する高周波印加手段と、
前記チャンバーの上部の前記誘電体部材を介して前記チャンバー内にプラズマ生成ガスを供給するガス供給手段と
を具備し、前記チャンバー内に形成された誘導電磁界によりプラズマを形成して処理を行う処理装置であって、
前記チャンバー内の部材の表面に周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜が形成され、その膜表面が研磨されていることを特徴とする処理装置。
【請求項２７】
前記載置台上に設けられ、絶縁材の間に電極が介在されて構成され、前記電極に直流電圧を印加することにより基板を静電吸着させる静電チャックをさらに具備することを特徴とする請求項２５または請求項２６に記載の処理装置。
【請求項２８】
前記周期律表第３ａ族元素化合物は、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｄｙの酸化物またはフッ化物を含むことを特徴とする請求項２５から請求項２７のいずれか１項に記載の処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】溶射膜を有する部材、プラズマエッチング装置、サセプタ、フォーカスリング、シールドリング、処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、溶射膜を有する部材、プラズマエッチング装置、ならびに、プラズマエッチング装置に用いられる、サセプタ、フォーカスリング、およびシールドリング、処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、溶射膜を有する部材、プラズマエッチング装置、ならびに、プラズマエッチング装置に用いられる、サセプタ、フォーカスリング、およびシールドリング、処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、被処理基板を処理する処理装置に用いられる溶射膜を有する部材であって、セラミックスで構成された基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とする溶射膜を有する部材を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の観点では、被処理基板を処理する処理装置に用いられる溶射膜を有する部材であって、金属で構成された基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とする溶射膜を有する部材を提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第３の観点では、被処理基板を処理する処理装置に用いられる溶射膜を有する部材であって、電極を構成する基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とする溶射膜を有する部材を提供する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第４の観点では、基板を収容してその中でプラズマエッチング処理が行われるチャンバーと、前記チャンバー内に配置され、下部電極として機能するサセプタと、前記サセプタに対向して設けられ、複数のガス導入孔を有する電極板を備えた上部電極と、前記サセプタ上の基板の周囲を囲むように配置され、エッチングの均一性を向上させるためのフォーカスリングと、前記チャンバーの内周面に配置され、エッチングの際の副生成物が前記チャンバー内壁に付着するのを防止するデポシールドと、前記電極板の外周部に設けられたシールドリングと、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記チャンバー内を真空ポンプを介して排気する排気口と、前記サセプタまたは前記電極板に高周波電力を供給する手段とを備え、前記サセプタ、前記フォーカスリング、前記電極板、前記シールドリングおよびデポシールドの少なくとも一つが、基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第５の観点では、プラズマエッチング装置において、基板を載置するサセプタであって、基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とするサセプタを提供する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第６の観点では、プラズマエッチング装置において、サセプタに載置された基板の周囲を囲むように配置され、エッチングの均一性を向上させるためのフォーカスリングであって、基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とするフォーカスリングを提供する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第７の観点では、プラズマエッチング装置において、上部電極の電極板の外周部に設けられたシールドリングであって、基材と、その上に溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜とを具備することを特徴とするシールドリングを提供する。
上記第１から第７の観点において、前記周期律表第３ａ族元素化合物を含む溶射膜は、その表面が研磨されていることが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第８の観点では、被処理基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を載置する載置台と、チャンバーの上方に設けられた誘電体部材と、前記誘電体部材を介して前記チャンバー内に誘導電磁界を形成するためのアンテナ手段と、前記アンテナ手段に高周波電力を印加する高周波印加手段と、前記チャンバーに、側方からプラズマ生成ガスおよび処理ガスを供給するガス供給手段とを具備し、前記チャンバー内に形成された誘導電磁界によりプラズマを形成して処理を行う処理装置であって、前記チャンバー内の部材の表面に周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜が形成され、その膜の表面が研磨されていることを特徴とする処理装置を提供する。
本発明の第９の観点では、被処理基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を載置する載置台と、チャンバーの上方に設けられた誘電体部材と、前記誘電体部材を介して前記チャンバー内に誘導電磁界を形成するためのアンテナ手段と、前記アンテナ手段に高周波電力を印加する高周波印加手段と、前記チャンバーの上部の前記誘電体部材を介して前記チャンバー内にプラズマ生成ガスを供給するガス供給手段とを具備し、前記チャンバー内に形成された誘導電磁界によりプラズマを形成して処理を行う処理装置であって、前記チャンバー内の部材の表面に周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜が形成され、その膜表面が研磨されていることを特徴とする処理装置を提供する。