【事件の表示】
　特願２００３−１１４８７７「発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月３１日出願公開、特開２００３−３０９２９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年３月１０日（優先権主張平成８年４月２６日）に出願した特願平９−５５２２１号（以下「原出願」という。）の一部を平成１５年４月１８日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年５月２５日及び同年１２月２７日に手続補正がなされたところ、平成２０年４月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１５日に拒絶査定不服審判が請求され、その後当審において、平成２１年９月２日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年１１月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年１１月９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２１年１１月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成１９年１２月２７日の手続補正後のもので、請求項については平成１９年５月２５日付け手続補正後のもの）の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、
　前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、
　前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、
　前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、
　前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、
　前記活性層上にＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を前記活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により形成する工程と、
　前記キャップ層上に前記活性層の成長温度より高くかつ前記キャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。」
　
　本件補正は、補正前の請求項１の「活性層上にＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程」において、該「キャップ層」を「前記活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により」形成すること（以下「本件補正事項」という。）を加えることを含むものである。
　
２　独立特許要件 
　本件補正は、上記本件補正事項を加えることを含むものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）記載不備（特許法第３６条第６項第２号）
　本件補正事項における「活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度」とは、具体的にどのような温度を意味するのか、あるいは、具体的にどの程度の温度であれば「活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度」といえるのかが明らかではない。
　すなわち、上記「活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度」に関して、本願明細書（平成２１年１１月９日付け手続補正後のもの）の発明の詳細な説明の欄には、
　
　ア　「【０００９】
　【課題を解決するための手段および発明の効果】
　第１の発明に係る半導体素子の製造方法は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、下地層上に第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上にＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により形成する工程と、キャップ層上に活性層の成長温度より高くかつキャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含み、キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする。」
　
　イ　「【００１０】
　第２の発明に係る半導体素子の製造方法は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により形成する工程と、活性層の成長温度よりも高くかつキャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、第２導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程とをこの順に備え、活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする。」
　
　ウ　「【００１１】
　第３の発明に係る半導体素子の製造方法は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、第１導電型のコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により形成する工程と、活性層の成長温度よりも高くかつキャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とをこの順に備え、活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする。」
　
　エ　「【００１２】
　第４の発明に係る半導体素子の製造方法は、非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を気相成長法により形成する工程と、単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を気相成長法により形成する工程と、第１導電型のＧａＮからなるコンタクト層を気相成長法により形成する工程と、第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により形成する工程と、活性層の成長温度よりも高くかつキャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とをこの順に備え、キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする。」
　
との記載がされているのみであって、それが具体的にどのような温度を意味するのか、あるいは、具体的にどの程度の温度であれば「活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度」といえるのかが明らかではない。
　よって、具体的にどの程度の温度であるのかが明らかでない「活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度」との記載を含む請求項１に係る発明は明確でない。
　
　したがって、この出願は、請求項１の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
 　 
（２）むすび  
　上記（１）のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　新規事項
　上記本件補正事項が、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）に記載されていたか否かについて検討する。
（１）本願明細書の記載
　上記本件補正事項に関して、当初明細書等には、以下の記載がある。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなる下地層を形成する工程と、
　前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を形成する工程と、
　前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記キャップ層上に前記活性層の成長温度より高い成長温度で第２導電型の第２のクラッド層を形成する工程とを含み、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
　【請求項２】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を形成する工程と、
　第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記活性層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を形成する工程と、
　第２導電型のコンタクト層を形成する工程とをこの順に備え、
　前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
　【請求項３】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　単結晶の窒化物系の化合物半導体からなる下地層を形成する工程と、
　第１導電型のコンタクト層を形成する工程と、
　第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記活性層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を形成する工程とをこの順に備え、
　前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
　【請求項４】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　単結晶の窒化物系の化合物半導体からなる下地層を形成する工程と、
　第１導電型のＧａＮからなるコンタクト層を形成する工程と、
　第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記活性層の成長温度よりも高い成長温度で前記第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を形成する工程とをこの順に備え、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
　・・・
　【請求項１０】　前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１または４記載の発光素子の製造方法。
　【請求項１１】　前記量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなることを特徴とする請求項２、３または１０記載の発光素子の製造方法。
　【請求項１２】　前記量子井戸構造は量子障壁層をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の発光素子の製造方法。
　【請求項１３】　前記量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなり、前記量子障壁層はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（１＞ｓ＞ｒ≧０）からなることを特徴とする請求項２、３または１２記載の発光素子の製造方法。
　【請求項１４】　前記量子障壁層はＧａＮ量子障壁層であり、
　前記ＧａＮ量子障壁層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項２、３、１２または１３記載の発光素子の製造方法。
　【請求項１５】　前記キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　【請求項１６】　前記キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有することを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに
記載の発光素子の製造方法。
　【請求項１７】　前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の発光
素子の製造方法。
　【請求項１８】　前記キャップ層はアンドープ層であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　【請求項１９】　前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　【請求項２０】　前記キャップ層を前記活性層の成長温度とほぼ同じ成長温度で形成することを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　【請求項２１】　前記キャップ層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１〜２０のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　【請求項２２】　前記第２のクラッド層はＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜２１のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　【請求項２３】　前記キャップ層のＡｌ組成比は前記第２のクラッド層のＡｌ組成比よりも小さいことを特徴とする請求項２２記載の発光素子の製造方法。
　【請求項２４】　前記キャップ層は、前記活性層からのインジウムの脱離を抑制する層であることを特徴とする請求項１〜２３のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　・・・
　【請求項２８】　前記活性層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜２７のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　【請求項２９】　前記活性層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１〜２８のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　【請求項３０】　前記第２のクラッド層を１０００℃以上１２００℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１〜２９のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
　・・・」
　
　イ　「【０００７】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記の発光ダイオードの製造時には、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５は、ＩｎＧａＮ活性層１０４上に結晶性良く成長するように、ＩｎＧａＮ活性層１０４の成長温度よりも高い成長温度で形成される。このような高温でのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５の成長時にＩｎＧａＮ活性層１０４からＩｎ等の構成元素が脱離する。これにより、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５の結晶成長時にＩｎＧａＮ活性層１０４の結晶性が劣化する。この結果、発光ダイオードの発光強度を大きくすることが困難であった。
【０００８】
　本発明の目的は、高い発光強度を有する発光素子の製造方法を提供することである。」
　
　ウ　「【０００９】
　【課題を解決するための手段および発明の効果】
　第１の発明に係る半導体素子は、結晶成長可能な第１の成長温度で形成された第１の半導体層と、第１の半導体層上に第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で形成された第２の半導体層と、第２の半導体層上に第１の成長温度よりも高い第３の成長温度で形成された第３の半導体層とを備えたものである。
【００１０】
　本発明に係る半導体素子においては、第１の半導体層上に第１の半導体層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で第２の半導体層が設けられているので、第２の半導体層上に第３の半導体層を第１の半導体層の結晶成長可能な温度よりも高い成長温度で形成した場合でも、第１の半導体層から構成元素が脱離することが抑制される。したがって、第１の半導体層の結晶性の劣化が防止され、半導体素子の性能が向上する。
【００１１】
　第１の半導体層がインジウムを含んでもよい。この場合、第１の半導体層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。」
　
　エ　「【００１２】
　第２の発明に係る発光素子は、第１導電型の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む化合物半導体からなる活性層と、化合物半導体からなるキャップ層と、第２導電型の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備えたものである。
【００１３】
　本発明に係る発光素子においては、活性層上にキャップ層が設けられているので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その結果、発光強度を大きくすることができる。
【００１４】
　第１のクラッド層は第１導電型の窒化物系半導体からなり、活性層は窒化物系半導体からなり、キャップ層は窒化物系半導体からなり、第２のクラッド層は第２導電型の窒化物系半導体からなる。
【００１５】
　第１のクラッド層は第１導電型のIII −Ｖ族窒化物系半導体からなり、活性層はIII −Ｖ系窒化物系半導体からなり、キャップ層はIII −Ｖ族窒化物系半導体からなり、第２のクラッド層は第２導電型のIII −Ｖ族窒化物系半導体からなってもよい。キャップ層が活性層上の全面に密接して形成されることが好ましい。
【００１６】
　活性層がＩｎＧａＮ層からなってもよい。この場合、インジウムは脱離しやすいので、顕著な効果が得られる。キャップ層はＡｌＧａＮ層からなってもよく、ＧａＮ層からなることが好ましい。
【００１７】
　キャップ層はＡｌｕＧａ１−ｕＮからなり、第２のクラッド層は第２導電型のＡｌｚＧａ１−ｚＮからなってもよく、キャップ層のＡｌ組成比ｕは第２のクラッド層のＡｌ組成比ｚよりも小さいことが好ましい。第１のクラッド層は、製造歩留りの観点からＧａＮからなることが好ましい。
【００１８】
　特に、キャップ層のＡｌ組成比ｕがほぼ０．１以下であることが好ましい。キャップ層がＧａＮからなることがより好ましい。この場合、キャップ層がＧａＮ層からなるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その結果、発光強度を顕著に大きくすることができる。
【００１９】
　キャップ層は、活性層よりも大きなバンドギャップを有することが好ましい。これにより、キャップ層が発光領域となることが防止される。
【００２０】
　また、キャップ層は、活性層と第２のクラッド層の中間のバンドギャップを有することが好ましい。これにより、動作電圧を低くすることが可能となる。
【００２１】
　キャップ層の不純物濃度は、第２のクラッド層の不純物濃度よりも低いことが好ましい。これにより、キャップ層側から活性層へ不所望な不純物が拡散するおそれが小さくなる。その結果、不所望な不純物拡散による発光強度の劣化を抑制することができる。
【００２２】
　特に、キャップ層がアンドープ層であることがより好ましい。この場合、キャップ層側から活性層へ不所望な不純物が拡散するおそれがほとんどなくなる。その結果、不所望な不純物拡散による発光強度の劣化を十分に抑制することができる。
【００２３】
　キャップ層の厚さはほぼ２００Å以上ほぼ４００Å以下であることが好ましい。これにより、発光強度を顕著に大きくすることが可能となる。」
　
　オ　「【００２７】
　第３の発明に係る半導体素子の製造方法は、第１の半導体層を結晶成長可能な第１の成長温度で気相成長法により形成する工程と、第１の半導体層上に第２の半導体層を第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で気相成長法により形成する第２の工程と、第２の半導体層上に第３の半導体層を第１の成長温度よりも高い第３の成長温度で気相成長法により形成する第３の工程とを含む。
【００２８】
　本発明の製造方法によれば、第１の半導体層上に第２の半導体層が第１の半導体層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で形成されるので、第２の半導体層上に第１の半導体層の結晶成長可能な温度よりも高い成長温度で第３の半導体層を形成した場合でも、第１の半導体層から構成元素が脱離することが抑制される。したがって、第１の半導体層の結晶性の劣化が防止され、高性能の半導体素子が得られる。」
　
　カ　「【００２９】
　第４の発明に係る発光素子の製造方法は、インジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程とを含む。
【００３０】
　本発明に係る製造方法によれば、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でキャップ層が形成されるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その結果、発光強度を大きくすることができる。
【００３１】
　本発明の製造方法は、キャップ層上に活性層が結晶成長可能な成長温度よりも高い成長温度で化合物半導体からなるクラッド層を気相成長法により形成する工程をさらに含んでもよい。
【００３２】
　活性層は窒化物系半導体からなり、キャップ層は窒化物系半導体からなってもよい。クラッド層は一導電型の窒化物系半導体からなってもよい。
【００３３】
　活性層はIII −Ｖ族窒化物系半導体からなり、キャップ層はIII −Ｖ族窒化物系半導体からなってもよい。クラッド層は一導電型のIII −Ｖ族窒化物半導体からなってもよい。特に、活性層がＩｎＧａＮ層からなってもよい。この場合、インジウムは脱離しやすいので、顕著な効果が得られる。
【００３４】
　キャップ層はＡｌｕＧａ１−ｕＮからなり、クラッド層は一導電型のＡｌｚＧａ１−ｚＮからなり、キャップ層のＡｌ組成比ｕはクラッド層のＡｌ組成比ｚよりも小さいことが好ましい。
【００３５】
　特に、キャップ層のＡｌ組成比ｕがほぼ０．１以下であることが好ましい。キャップ層がＧａＮからなることがさらに好ましい。この場合、キャップ層がＧａＮ層からなるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。この結果、発光強度を顕著に大きくすることができる。
【００３６】
　特に、キャップ層がアンドープ層であることが好ましい。この場合、キャップ層側から活性層側へ不所望な不純物が拡散するおそれがほとんどなくなる。その結果、不所望な不純物拡散による発光強度の劣化を十分に抑制することができる。
【００３７】
　キャップ層の厚さはほぼ２００Å以上ほぼ４００Å以下であることが好ましい。これにより、発光強度を顕著に大きくすることが可能となる。
【００３８】
　キャップ層を活性層の成長温度とほぼ同じ成長温度で形成することが好ましい。この場合、活性層の形成後に時間間隔をあけずにキャップ層を連続的に形成することができるので、活性層からの構成元素の脱離を顕著に防止することができる。
【００３９】
　キャップ層の成長温度は、活性層が単結晶成長する温度であることが好ましい。活性層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。キャップ層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。この場合、活性層上に低い成長温度でキャップ層が形成されるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。
【００４０】
　活性層は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＧａＮ量子障壁層とからなる量子井戸構造を有し、ＧａＮ量子障壁層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で気相成長法により形成することが好ましい。この場合、ＩｎＧａＮ量子井戸層からインジウム等の構成元素の脱離を抑制することができるので、発光強度を大きくすることができる。量子障壁層として量子井戸層よりもＩｎ組成の少ないＩｎＧａＮを用いてもよい。
【００４１】
　特に、発光素子の製造方法が、第１導電型の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、第１のクラッド層上にインジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上に活性層が気相成長可能な温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、キャップ層上に活性層が気相成長可能な温度よりも高い温度で第２導電型の化合物半導体からなる第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含んでもよい。
【００４２】
　第１のクラッド層は第１導電型の窒化物系半導体からなり、活性層は窒化物系半導体からなり、キャップ層は窒化物系半導体からなり、第２のクラッド層は第２導電型の窒化物系半導体からなってもよい。
【００４３】
　第１のクラッド層は第１導電型のIII −Ｖ族窒化物系半導体からなり、活性層はIII −Ｖ族窒化物系半導体からなり、キャップ層はIII −Ｖ族窒化物系半導体からなり、第２のクラッド層は第２導電型のIII −Ｖ族窒化物系半導体からなってもよい。
【００４４】
　基板上に、非単結晶のIII −Ｖ族窒化物系半導体からなるバッファ層およびアンドープのIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる単結晶下地層をこの順で形成した後、第１のクラッド層、活性層、キャップ層および第２のクラッド層を結晶成長させることが好ましい。・・・」
　
　キ　「【００４６】
　　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の第１の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図１を用いて詳細に説明する。
【００４７】
　図１において、サファイヤ絶縁基板１上に、層厚１１０ÅのアンドープのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ｘ＝０．５）バッファ層２、層厚０．２μｍのアンドープのＧａＮ下地層３、層厚４μｍのｎ型クラッド層を兼用するＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４、およびＺｎおよびＳｉがドープされた層厚０．２μｍのＩｎｑＧａ１−ｑＮ（ｑ＝０．０５）活性層５が順に形成されている。ＩｎＧａＮ活性層５上には、その活性層５の結晶劣化を防止する層厚２００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層６、Ｍｇがドープされた層厚０．１５μｍのｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（ｚ＝０．２）クラッド層７、およびＭｇがドープされた層厚０．３μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層８が順に形成されている。
・・・
【００４９】
　上記の発光ダイオードの製造方法を説明する。本実施例では、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により各層が形成される。
【００５０】
　まず、有機金属化学気相成長装置内に基板１を設置した後、・・・基板１上に非単結晶のアンドープのＡｌＧａＮバッファ層２を成長させる。
【００５１】
　その後、・・・バッファ層２上に単結晶のアンドープのＧａＮ下地層３を成長させる。
【００５２】
　続いて、・・・下地層３上に単結晶のＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４を成長させる。
【００５３】
　次に、基板１を単結晶成長温度、好ましくは７００〜９５０℃、例えば８６０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ドーパントガスとしてＳｉＨ4 およびジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を用いて、ｎ型コンタクト層４上に単結晶のＳｉおよびＺｎドープのＩｎＧａＮ活性層５を成長させる。
【００５４】
　引き続いて、基板１を活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃に保持した状態で、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、ＩｎＧａＮ活性層５上にその活性層５の成長に連続して単結晶のアンドープのＧａＮキャップ層６を成長させる。トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の代わりにトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用いてもよい。
【００５５】
　その後、基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ドーパントガスとしてＣｐ2 Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いて、ＧａＮキャップ層６上に単結晶のＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７を成長させる。
・・・
【００６０】
　この発光ダイオードは、ＩｎＧａＮ活性層５にアンドープのＧａＮキャップ層６が密接して形成された構成を有するので、ＩｎＧａＮ活性層５の形成中または形成後にその活性層５からＩｎ等の構成元素が脱離することが抑制される。この結果、活性層５の結晶欠陥の数が低減し、結晶性の劣化が抑制される。
【００６１】
　また、上記活性層５は結晶欠陥が少ないので、この活性層５へ不所望な不純物が拡散することが抑制されると考えられる。
【００６２】
　さらに、本実施例のＧａＮキャップ層６は、故意にドーパントを使用することなく形成される所謂アンドープ層であるので、ＩｎＧａＮ活性層５への不所望な不純物の拡散が十分に抑制される。
【００６３】
　このように、本実施例の場合、活性層５からの構成元素の脱離が抑制されて活性層５の結晶欠陥数が低減したことによる活性層５への不純物の拡散抑制効果と、キャップ層６がアンドープ層であることによる活性層５への不純物の拡散抑制効果の両効果により、活性層５への不所望な不純物拡散が顕著に抑制される。
【００６４】
　したがって、キャップ層６がない以外は本実施例と同じ発光ダイオードでは、発光波長のばらつきが大きく、また不発光あるいは低発光になる発光ダイオードの数が多いのに比べて、本実施例の発光ダイオードでは、発光波長のばらつきが小さく、発光強度が顕著に大きくなる。
【００６５】
　特に、本実施例の発光ダイオードの製造時には、ＩｎＧａＮ活性層５の全面直上にアンドープのＧａＮキャップ層６をＩｎＧａＮ活性層５の成長温度以下の温度、本実施例では８６０℃で成長させるので、このキャップ層６を形成する際に、ＩｎＧａＮ活性層５の構成元素の脱離を抑制できるとともに、キャップ層６を形成した後にＩｎＧａＮ活性層５からの構成元素の脱離を防止できる。したがって、本実施例の製造方法は好ましい製造方法である。
【００６６】
　特に、本実施例では、ＩｎＧａＮ活性層５およびＧａＮキャップ層６の成長温度をほぼ同じとしてこれらを連続的に成長させるので、ＩｎＧａＮ活性層５からの構成元素の脱離を十分に抑制できるとともに、量産性も向上する。
・・・」
　
　ク　「【００７５】
　次に、本発明の第２の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを説明する。
【００７６】
　本実施例が第１の実施例と異なるのは、キャップ層６としてアンドープのＧａＮ層に代えて層厚２００ÅのアンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮ層を用いた点である。ここで、ｕはほぼ０．１および０．２である。このＡｌu Ｇａ1-u Ｎ層もＭＯＣＶＤ法により形成され、成長温度は、活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃である。・・・
【００７７】
　本実施例の発光ダイオードにおいても、キャップ層６を有さない発光ダイオードに比べて発光強度が顕著に大きくなることがわかった。
・・・」
　
　ケ　「【００８１】
　次に、本発明の第３の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図２を用いて説明する。
【００８２】
　本実施例が第１の実施例と異なるのは、ＧａＮ下地層３を用いない点であり、製造方法もこのＧａＮ下地層３の形成工程がない点を除いて第１の実施例と同様である。
・・・
【００８５】
　上記各実施例では、活性層５として量子井戸構造でない非量子井戸構造の活性層を用いたが、もちろん、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層を用いてもよい。例えば、活性層５をＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）量子井戸層からなる単一量子井戸構造としてもよく、あるいはＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）量子井戸層とＩｎｒＧａ１−ｒＮ（１＞ｓ＞ｒ≧０）量子障壁層とからなる多重量子井戸構造としてもよい。
【００８６】
　ＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）量子井戸層とＧａＮ量子障壁層とからなる多重量子井戸構造を用いる場合、ＧａＮ量子障壁層は７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することが好ましく、量子井戸層および量子障壁層の成長温度をほぼ等しくすることが好ましい。
・・・」
　
　コ　「【００８８】
　次に、本発明の第４の実施例における屈折率導波型半導体レーザ素子を図３を用いて説明する。この半導体レーザ素子はセルフアライン型半導体レーザ素子である。
【００８９】
　図３において、サファイア絶縁基板１１上に、層厚約１００〜２００ÅのアンドープのＡｌＧａＮバッファ層１２、層厚０．４μｍのアンドープのＧａＮ下地層１３、層厚４μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層１４、および層厚０．１〜０．５μｍのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１５が順に形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１５上には、ＩｎＧａＮ活性層１６、層厚２００〜４００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層１７、および層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８が順に形成されている。
・・・
【００９２】
　活性層１６としては、非量子井戸構造層を用いてもよく、あるいは単一量子井戸構造層または多重量子井戸層を用いてもよい。非量子井戸構造層の場合には、層厚を０．１〜０．３μｍ程度とする。単一量子井戸構造層の場合には、量子井戸層の層厚を１０〜５０Åとし、多重量子井戸構造層に場合には、量子井戸層の層厚を１０〜５０Åとし、量子障壁層の層厚を１０〜１００Å程度とする。
【００９３】
　この半導体レーザ素子は、ＭＯＶＣＤ法等の化学気相成長法を用いて１回の結晶成長により作製される。製造の際には、アンドープのＡｌＧａＮバッファ層１２の成長温度を６００℃とし、アンドープのＧａＮ下地層１３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１４およびｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１５の成長温度を１１５０℃とし、ＩｎＧａＮ活性層１６およびＧａＮキャップ層１７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、ｎ型電流ブロック層１９およびｐ型ＧａＮコンタクト層２０の成長温度を１１５０℃とする。
・・・」
　
　サ　「【００９５】
　次に、本発明の第５の実施例における屈折率導波型半導体レーザ素子を図４を用いて説明する。この半導体レーザ素子はリッジ埋め込み型導体レーザ素子である。
【００９６】
　図４において、サファイア絶縁基板３１上に、層厚１００〜２００ÅのアンドープのＡｌＧａＮバッファ層３２、層厚０．４μｍのアンドープのＧａＮ下地層３３、層厚４μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層３４、および層厚０．１〜０．５μｍのｎ型ＡｌＧａＮ層クラッド層３５が順に形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３５上には、ＩｎＧａＮ活性層３６、層厚２００〜４００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層３７、および層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３８が順に形成されている。なお、ＩｎＧａＮ活性層３６の構造および層厚は第４の実施例のＩｎＧａＮ活性層１６と同様である。
・・・
【００９９】
　この半導体レーザ素子は、ＭＯＣＶＤ法等の化学気相成長法を用いて３回の結晶成長で作製される。製造の際には、アンドープのＡｌＧａＮバッファ層３２の成長温度を６００℃とし、アンドープのＧａＮ下地層３３、ｎ型ＧａＮコンタクト層３４およびｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３５の成長温度を１１５０℃とし、ＩｎＧａＮ活性層３６およびアンドープのＧａＮキャップ層３７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３８、ｐ型キャップ層３９、ｎ型電流ブロック層４０およびｐ型ＧａＮコンタクト層４１の成長温度を１１５０℃とする。
・・・」
　
　シ　「【０１０１】
　次に、本実施例の第６の実施例における利得導波型半導体レーザ素子を図５を用いて説明する。
・・・
【０１０３】
　ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５５上には、ＩｎＧａＮ活性層５６、層厚２００〜４００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層５７、層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５８、および層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層５９が順に形成されている。なお、ＩｎＧａＮ活性層５６の構造および層厚は、第４の実施例のＩｎＧａＮ活性層１６と同様である。
・・・
【０１０５】
　本実施例の半導体レーザ素子は、ＭＯＣＶＤ法等の化学気相成長法を用いて１回の結晶成長で作製される。製造の際には、アンドープのＡｌＧａＮバッファ層５２の成長温度を６００℃とし、アンドープのＧａＮ下地層５３、ｎ型ＧａＮコンタクト層５４およびｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５５の成長温度を１１５０℃とし、ＩｎＧａＮ活性層５６およびアンドープのＧａＮキャップ層５７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５８およびｐ型ＧａＮコンタクト層５９の成長温度を１１５０℃とする。
・・・」
　
　ス　「【０１０７】
　上記第１〜第６の実施例では、絶縁基板上に半導体層を備えた発光素子について説明したが、本発明は、ＳｉＣ基板等の導電性基板上に半導体層を備え、この半導体層の最上層の上面と基板の下面に電極を有する発光素子にも同様に適用することができる。
【０１０８】
　また、上述では、ｎ型クラッド層上に活性層、キャップ層およびｐ型クラッド層をこの順序で形成しているが、ｐ型クラッド層上に活性層、キャップ層およびｎ型クラッド層をこの順序で形成してもよく、すなわち、第１〜第６の実施例において各層の導電型を逆にしてもよい。
【０１０９】
　また、上記第１〜第６の実施例では、本発明を発光ダイオード、半導体レーザ素子等の発光素子に適用する場合について説明したが、本発明は、電界効果トランジスタ等の、Ｉｎを含有する化合物半導体層を備えた半導体素子にも適用可能である。
【０１１０】
　例えば、図６に示す構造では、ｎ型ＧａＮ層７１上にｎ型ＡｌＧａＮ層７２およびＩｎＧａＮ層７３が順に形成され、ＩｎＧａＮ層７３上にアンドープのＧａＮキャップ層７４を介してｐ型ＳｉＣ層７５が形成されている。この場合、ＩｎＧａＮ層７３およびＧａＮキャップ層７４を７００〜９５０℃の成長温度で形成し、ｐ型ＳｉＣ層７５を１３００〜１５００℃の成長温度で形成する。この例においても、ＩｎＧａＮ層７３上にアンドープのＧａＮキャップ層７４が形成されているので、ＩｎＧａＮ層７３からＩｎ等の構成元素が脱離することが抑制される。
【０１１１】
　また、図７の構造では、ｎ型ＳｉＣ層８１上にＩｎＧａＮ層８２が形成され、ＩｎＧａＮ層８２上にアンドープのＧａＮキャップ層８３を介してｐ型ＳｉＣ層８４が形成されている。この場合にも、ＩｎＧａＮ層８２およびアンドープのＧａＮキャップ層８３を７００〜９５０℃の成長温度で形成し、ｐ型ＳｉＣ層８４を１３００〜１５００の成長温度で形成する。この例においても、ＩｎＧａＮ層８２上にアンドープのＧａＮキャップ層８３が形成されているので、ＩｎＧａＮ層８２からＩｎ等の構成元素が脱離することが抑制される。」
　
（２）本件補正事項について
　上記（１）ア〜スによれば、当初明細書等には、
　ア　ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層は、ＩｎＧａＮ活性層上に結晶性良く成長するように、ＩｎＧａＮ活性層の成長温度よりも高い成長温度で形成されるが、このような高温でのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層の成長時にＩｎＧａＮ活性層からＩｎ等の構成元素が脱離し、これにより、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層の結晶成長時にＩｎＧａＮ活性層の結晶性が劣化する、との課題、
　イ　第１導電型の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む化合物半導体からなる活性層と、化合物半導体からなるキャップ層と、第２導電型の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備えた発光素子において、活性層上にキャップ層が設けられているので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制されること、
　ウ　上記アのように、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層をＩｎＧａＮ活性層の成長温度よりも高い成長温度で形成すると、その成長時にＩｎＧａＮ活性層からＩｎ等の構成元素が脱離するので、前記ＩｎＧａＮ活性層からＩｎ等の構成元素が脱離するのを抑制するために、第１の半導体層（インジウムを含有する化合物半導体からなる活性層）を結晶成長可能な第１の成長温度で気相成長法により形成し、第１の半導体層上に第２の半導体層（化合物半導体からなるキャップ層）を第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で気相成長法により形成し、第２の半導体層上に第３の半導体層（化合物半導体からなるクラッド層）を第１の成長温度よりも高い第３の成長温度で気相成長法により形成すること、
　エ　第４〜６の実施例として、ＩｎＧａＮ活性層およびＧａＮキャップ層の成長温度を７００〜９５０℃とし、ＡｌＧａＮクラッド層の成長温度を１１５０℃として半導体レーザ素子を製造すること、
が記載されているものと認められる。
　すなわち、当初明細書等には、上記アの課題を解決する発光素子の製造方法としては、上記ウの方法が記載されており、上記エの実施例４〜６も、上記ウの方法の実施例を説明するものと解するのが相当である。
　しかしながら、当初明細書等には、上記本件補正事項（キャップ層を前記活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により形成すること）については記載されていない。また、上記アの課題を解決するには、本件補正事項である「キャップ層を活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により形成すること」が有効であるとしても、当初明細書等には、当該課題を解決する発光素子の製造方法としては上記ウの方法が記載されているにとどまるのであって、第１の半導体層上に第２の半導体層（化合物半導体からなるキャップ層）を第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で気相成長法により形成するか否かにかかわらず、単に「キャップ層を活性層からのインジウムの脱離が抑制される温度で気相成長法により形成すること」により上記アの課題を解決する技術的思想が当初明細書等の記載から自明な事項である、ということもできないから、本件補正事項が、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである、ということはできない。
　よって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１　本願発明
　平成２１年１１月９日付けの手続補正は上記第２の２及び３のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年５月２５日付け及び同年１２月２７日付けの手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、平成１９年５月２５日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜２９に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１〜４に係る発明（以下、それぞれを「本願発明１」〜「本願発明４」という。）は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を形成する工程と、
　前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を形成する工程と、
　前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　前記活性層上にＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記キャップ層上に前記活性層の成長温度より高くかつ前記キャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の第２のクラッド層を形成する工程とを含み、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
　【請求項２】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を形成する工程と、
　第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記活性層の成長温度よりも高くかつ前記キャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を形成する工程と、
　第２導電型のコンタクト層を形成する工程とをこの順に備え、
　前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
　【請求項３】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を形成する工程と、
　第１導電型のコンタクト層を形成する工程と、
　第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記活性層の成長温度よりも高くかつ前記キャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を形成する工程とをこの順に備え、
　前記活性層は、量子井戸層および量子障壁層を含む量子井戸構造を有し、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
　【請求項４】　非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を形成する工程と、
　第１導電型のＧａＮからなるコンタクト層を形成する工程と、
　第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記活性層の成長温度よりも高くかつ前記キャップ層の成長温度よりも高い成長温度で前記第２導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第２のクラッド層を形成する工程とをこの順に備え、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする発光素子の製造方法。」
　
　ここで、上記請求項１〜４には、「・・・バッファ層を形成する工程と、・・・下地層を形成する工程と、・・・第１のクラッド層を形成する工程と、・・・活性層を形成する工程と、・・・キャップ層を形成する工程と、・・・活性層の成長温度より高くかつ前記キャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の第２のクラッド層を形成する工程・・・」と記載されている。 
　しかしながら、以下のａ及びｂの点については規定されていない。 
 　 
　ａ　「バッファ層」、「下地層」、「第１のクラッド層」、「活性層」及び「キャップ層」等の各層を、「気相成長法」を用いて形成すること。 
　ｂ　「活性層」の成長温度と、「キャップ層」の成長温度との関係（具体的には、「キャップ層を、活性層が結晶成長可能な温度以下の成長温度または活性層の成長温度と略同じ成長温度で（気相成長法により）形成すること」）。 
　 
　したがって、本願発明１〜４の「発光素子の製造方法」は、以下のａ′及びｂ′のものである、ということができる。 
　 
　ａ′　「バッファ層」、「下地層」、「第１のクラッド層」、「活性層」及び「キャップ層」等の各層を形成する方法は、「気相成長法」に限られず、「気相成長法」以外の方法であってもよい。 
　ｂ′　キャップ層の成長温度は、活性層が結晶成長可能な温度と特定の関係を有するものに限られず、すなわち、例えば、キャップ層を、活性層が成長可能な温度より高い成長温度で形成するものであってもよい。 
　 
　これらの点に関して、原出願の明細書には、以下の記載がある。 
 　 
（１）「【請求項１】　結晶成長可能な第１の成長温度で形成された第１の半導体層と、
　前記第１の半導体層上に前記第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で形成された第２の半導体層と、
　前記第２の半導体層上に前記第１の成長温度よりも高い第３の成長温度で形成された第３の半導体層とを備えたことを特徴とする半導体素子。
　【請求項２】　前記第１の半導体層はインジウムを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。」 
 　 
（２）「【請求項１４】　第１の半導体層を結晶成長可能な第１の成長温度で気相成長法により形成する工程と、 
　前記第１の半導体層上に第２の半導体層を前記第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で気相成長法により形成する第２の工程と、 
　前記第２の半導体層上に第３の半導体層を前記第１の成長温度よりも高い第３の成長温度で気相成長法により形成する第３の工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。」 
 　 
（３）「【請求項１５】　インジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、 
　前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。」 
 　 
（４）「【０００９】 
　【課題を解決するための手段および発明の効果】 
　第１の発明に係る半導体素子は、結晶成長可能な第１の成長温度で形成された第１の半導体層と、第１の半導体層上に第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で形成された第２の半導体層と、第２の半導体層上に第１の成長温度よりも高い第３の成長温度で形成された第３の半導体層とを備えたものである。 
【００１０】 
　本発明に係る半導体素子においては、第１の半導体層上に第１の半導体層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で第２の半導体層が設けられているので、第２の半導体層上に第３の半導体層を第１の半導体層の結晶成長可能な温度よりも高い成長温度で形成した場合でも、第１の半導体層から構成元素が脱離することが抑制される。・・・」 
 　 
（５）「【００２７】 
　第３の発明に係る半導体素子の製造方法は、第１の半導体層を結晶成長可能な第１の成長温度で気相成長法により形成する工程と、第１の半導体層上に第２の半導体層を第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で気相成長法により形成する第２の工程と、第２の半導体層上に第３の半導体層を第１の成長温度よりも高い第３の成長温度で気相成長法により形成する第３の工程とを含む。 
【００２８】 
　本発明の製造方法によれば、第１の半導体層上に第２の半導体層が第１の半導体層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で形成されるので、第２の半導体層上に第１の半導体層の結晶成長可能な温度よりも高い成長温度で第３の半導体層を形成した場合でも、第１の半導体層から構成元素が脱離することが抑制される。」 
 　 
（６）「【００２９】 
　第４の発明に係る発光素子の製造方法は、インジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程とを含む。 
【００３０】 
　本発明に係る製造方法によれば、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でキャップ層が形成されるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。」 
 　 
（７）「【００３８】 
　キャップ層を活性層の成長温度とほぼ同じ成長温度で形成することが好ましい。・・・」 
 　 
（８）「【００３９】 
　キャップ層の成長温度は、活性層が単結晶成長する温度であることが好ましい。活性層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。キャップ層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。この場合、活性層上に低い成長温度でキャップ層が形成されるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。」 
 　 
（９）「【００４１】 
　特に、発光素子の製造方法が、第１導電型の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、第１のクラッド層上にインジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上に活性層が気相成長可能な温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、キャップ層上に活性層が気相成長可能な温度よりも高い温度で第２導電型の化合物半導体からなる第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含んでもよい。」 
 　 
（１０）「【００４６】 
　【発明の実施の形態】 
　以下、本発明の第１の実施例におけるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図１を用いて詳細に説明する。 
　・・・ 
【００４９】 
　上記の発光ダイオードの製造方法を説明する。本実施例では、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により各層が形成される。 
　・・・ 
【００５３】 
　次に、基板１を単結晶成長温度、好ましくは７００〜９５０℃、例えば８６０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ドーパントガスとしてＳｉＨ４およびジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を用いて、ｎ型コンタクト層４上に単結晶のＳｉおよびＺｎドープのＩｎＧａＮ活性層５を成長させる。 
【００５４】 
　引き続いて、基板１を活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃に保持した状態で、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、ＩｎＧａＮ活性層５上にその活性層５の成長に連続して単結晶のアンドープのＧａＮキャップ層６を成長させる。・・・ 
【００５５】 
　その後、基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いて、ＧａＮキャップ層６上に単結晶のＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７を成長させる。」
 　 
（１１）「【００６５】 
　特に、本実施例の発光ダイオードの製造時には、ＩｎＧａＮ活性層５の全面直上にアンドープのＧａＮキャップ層６をＩｎＧａＮ活性層５の成長温度以下の温度、本実施例では８６０℃で成長させるので、このキャップ層６を形成する際に、ＩｎＧａＮ活性層５の構成元素の脱離を抑制できるとともに、キャップ層６を形成した後にＩｎＧａＮ活性層５からの構成元素の脱離を防止できる。・・・ 
【００６６】 
　特に、本実施例では、ＩｎＧａＮ活性層５およびＧａＮキャップ層６の成長温度をほぼ同じとしてこれらを連続的に成長させるので、ＩｎＧａＮ活性層５からの構成元素の脱離を十分に抑制できるとともに、量産性も向上する。」 
 　 
（１２）「【００７５】 
　次に、本発明の第２の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを説明する。 
【００７６】 
　本実施例が第１の実施例と異なるのは、キャップ層６としてアンドープのＧａＮ層に代えて層厚２００ÅのアンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮ層を用いた点である。ここで、ｕはほぼ０．１および０．２である。このＡｌｕＧａ１−ｕＮ層もＭＯＣＶＤ法により形成され、成長温度は、活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃である。・・・」 
　 
（１３）「【００８８】 
　次に、本発明の第４の実施例における屈折率導波型半導体レーザ素子を図３を用いて説明する。 
　・・・ 
【００９２】 
　この半導体レーザ素子は、ＭＯＶＣＤ法等の化学気相成長法を用いて１回の結晶成長により作製される。製造の際には、・・・ＩｎＧａＮ活性層１６およびＧａＮキャップ層１７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、ｎ型電流ブロック層１９およびｐ型ＧａＮコンタクト層２０の成長温度を１１５０℃とする。」 
 　 
（１４）「【００９４】 
　次に、本発明の第５の実施例における屈折率導波型半導体レーザ素子を図４を用いて説明する。 
　・・・ 
【００９８】 
　この半導体レーザ素子は、ＭＯＣＶＤ法等の化学気相成長法を用いて３回の結晶成長で作製される。製造の際には、・・・ＩｎＧａＮ活性層３６およびアンドープのＧａＮキャップ層３７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３８、ｐ型キャップ層３９、ｎ型電流ブロック層４０およびｐ型ＧａＮコンタクト層４１の成長温度を１１５０℃とする。」 
 　 
（１５）「【０１００】 
　次に、本実施例の第６の実施例における利得導波型半導体レーザ素子を図５を用いて説明する。 
・・・ 
【０１０４】 
　本実施例の半導体レーザ素子は、ＭＯＣＶＤ法等の化学気相成長法を用いて１回の結晶成長で作製される。製造の際には、・・・ＩｎＧａＮ活性層５６およびアンドープのＧａＮキャップ層５７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５８およびｐ型ＧａＮコンタクト層５９の成長温度を１１５０℃とする。」 
 　 
（１６）「【０１０９】 
　例えば、図６に示す構造では、ｎ型ＧａＮ層７１上にｎ型ＡｌＧａＮ層７２およびＩｎＧａＮ層７３が順に形成され、ＩｎＧａＮ層７３上にアンドープのＧａＮキャップ層７４を介してｐ型ＳｉＣ層７５が形成されている。この場合、ＩｎＧａＮ層７３およびＧａＮキャップ層７４を７００〜９５０℃の成長温度で形成し、ｐ型ＳｉＣ層７５を１３００〜１５００℃の成長温度で形成する。・・・ 
【０１１０】 
　また、図７の構造では、ｎ型ＳｉＣ層８１上にＩｎＧａＮ層８２が形成され、ＩｎＧａＮ層８２上にアンドープのＧａＮキャップ層８３を介してｐ型ＳｉＣ層８４が形成されている。この場合にも、ＩｎＧａＮ層８２およびアンドープのＧａＮキャップ層８３を７００〜９５０℃の成長温度で形成し、ｐ型ＳｉＣ層８４を１３００〜１５００の成長温度で形成する。・・・」 
 　 
　上記（１）〜（１６）によれば、原出願の出願当初の明細書（以下「原出願明細書」という。）には、
　ア　第１導電型の化合物半導体からなる第１のクラッド層と、インジウムを含む化合物半導体からなる活性層と、化合物半導体からなるキャップ層と、第２導電型の化合物半導体からなる第２のクラッド層とをこの順に備えた発光素子において、活性層上にキャップ層が設けられているので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制されること、
　イ　「第１の半導体層（インジウムを含有する化合物半導体からなる活性層）を結晶成長可能な第１の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記第１の半導体層上に第２の半導体層（化合物半導体から成るキャップ層）を前記第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で気相成長法により形成する第２の工程と、前記第２の半導体層上に第３の半導体層（化合物半導体から成る第２のクラッド層）を前記第１の成長温度よりも高い第３の成長温度で気相成長法により形成する第３の工程とを含」む「半導体素子（発光素子）の製造方法」であって、「第１の半導体層上に第１の半導体層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で第２の半導体層が設けられているので、第２の半導体層上に第３の半導体層を第１の半導体層の結晶成長可能な温度よりも高い成長温度で形成した場合でも、第１の半導体層から構成元素が脱離することが抑制される」こと、
　ウ　「活性層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好まし」く、「キャップ層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好まし」く、
　（ア）第１〜３の実施例において、活性層の成長温度とキャップ層の成長温度は、いずれも同じ温度（８６０℃）であること、
　（イ）第４〜６の実施例において、ＩｎＧａＮ活性層およびＧａＮキャップ層の成長温度を７００〜９５０℃とすること、
が記載されている。 
　しかしながら、原出願明細書には、
　ｉ　具体的な発光素子の各層の形成方法としては「気相成長法」のみが記載されており、それ以外の方法を用いて発光素子を製造することは記載されていない。また、
　ｉｉ　キャップ層の成長温度と活性層の成長温度との関係に関して、
　（ｉ）キャップ層を、活性層が結晶成長可能な第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で気相成長法により形成すること、
　（ｉｉ）活性層とキャップ層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下が好ましいこと、
　（ｉｉｉ）第１〜３の実施例においては、活性層の成長温度とキャップ層の成長温度はいずれも同じ温度（８６０℃）であること、
が記載され、
　（ｉｖ）第４〜６の実施例においては、活性層とキャップ層の成長温度は７００〜９５０℃であることは記載されているが、各層が具体的にいかなる温度で成長されるかについては記載されていない。
　すなわち、原出願明細書には、発光素子を「気相成長法」以外の方法で製造すること、及び、キャップ層の成長温度が、活性層が結晶成長可能な温度と特定の関係を有するものではないこと（すなわち、キャップ層を、活性層が成長可能な温度より高い成長温度で形成すること）、は記載されていない。 
　そして、これらの点は、原出願明細書又は図面に記載した事項から自明であるとはいえない。 
 　 
　すなわち、本願発明１〜４は原出願明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものではないから、本願は、原出願を適法に分割したものとはいえず、本願の出願日の遡及は認められない。 
 　 
　したがって、本願の出願日は現実の出願日（平成１５年４月１８日）である。 
 　 
２　新規性（特許法第２９条第１項第３号） 
（１）刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１２９２３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【請求項１５】  インジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、
前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１６】  前記活性層は窒化物系半導体からなり、
前記キャップ層は窒化物系半導体からなることを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造方法。
・・・
【請求項１８】  前記活性層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１５、１６または１７記載の発光素子の製造方法。
【請求項１９】  前記キャップ層はＧａＮまたはＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
・・・
【請求項２２】  前記キャップ層を前記活性層の成長温度とほぼ等しい成長温度で形成することを特徴とする請求項１５〜２１のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
・・・」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、発光素子およびその製造方法ならびに発光素子を用いた電子機器に関する。」
　
　ウ　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の発光ダイオードの製造時には、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５は、ＩｎＧａＮ活性層１０４上に結晶性良く成長するように、ＩｎＧａＮ活性層１０４の成長温度よりも高い成長温度で形成される。このような高温でのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５の成長時にＩｎＧａＮ活性層１０４からＩｎ等の構成元素が脱離する。これにより、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５の結晶成長時にＩｎＧａＮ活性層１０４の結晶性が劣化する。この結果、発光ダイオードの発光強度を大きくすることが困難であった。
【０００８】本発明の目的は、高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供することである。」
　
　エ　「【００２９】第４の発明に係る発光素子の製造方法は、インジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程とを含む。
【００３０】本発明に係る製造方法によれば、活性層上に活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度でキャップ層が形成されるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その結果、発光強度を大きくすることができる。
【００３１】本発明の製造方法は、キャップ層上に活性層が結晶成長可能な成長温度よりも高い成長温度で化合物半導体からなるクラッド層を気相成長法により形成する工程をさらに含んでもよい。
・・・
【００３３】活性層はIII −Ｖ族窒化物系半導体からなり、キャップ層はIII −Ｖ族窒化物系半導体からなってもよい。クラッド層は一導電型のIII −Ｖ族窒化物半導体からなってもよい。特に、活性層がＩｎＧａＮ層からなってもよい。この場合、インジウムは脱離しやすいので、顕著な効果が得られる。
【００３４】キャップ層はＡｌｕＧａ１−ｕＮからなり、クラッド層は一導電型のＡｌｚＧａ１−ｚＮからなり、キャップ層のＡｌ組成比ｕはクラッド層のＡｌ組成比ｚよりも小さいことが好ましい。
・・・
【００３８】キャップ層を活性層の成長温度とほぼ同じ成長温度で形成することが好ましい。この場合、活性層の形成後に時間間隔をあけずにキャップ層を連続的に形成することができるので、活性層からの構成元素の脱離を顕著に防止することができる。
【００３９】キャップ層の成長温度は、活性層が単結晶成長する温度であることが好ましい。活性層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。キャップ層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。この場合、活性層上に低い成長温度でキャップ層が形成されるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。
・・・
【００４１】特に、発光素子の製造方法が、第１導電型の化合物半導体からなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、第１のクラッド層上にインジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、活性層上に活性層が気相成長可能な温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、キャップ層上に活性層が気相成長可能な温度よりも高い温度で第２導電型の化合物半導体からなる第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを含んでもよい。
【００４２】第１のクラッド層は第１導電型の窒化物系半導体からなり、活性層は窒化物系半導体からなり、キャップ層は窒化物系半導体からなり、第２のクラッド層は第２導電型の窒化物系半導体からなってもよい。
・・・
【００４４】基板上に、非単結晶のIII −Ｖ族窒化物系半導体からなるバッファ層およびアンドープのIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる単結晶下地層をこの順で形成した後、第１のクラッド層、活性層、キャップ層および第２のクラッド層を結晶成長させることが好ましい。バッファ層はＡｌＧａＮからなることが好ましい。また、バッファ層がＡｌＮからなってもよい。下地層はＧａＮからなることが好ましく、下地層がＡｌＧａＮからなってもよい。」
　
　オ　「【００４６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図１を用いて詳細に説明する。
【００４７】図１において、サファイヤ絶縁基板１上に、層厚１１０ÅのアンドープのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ｘ＝０．５）バッファ層２、層厚０．２μｍのアンドープのＧａＮ下地層３、層厚４μｍのｎ型クラッド層を兼用するＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４、およびＺｎおよびＳｉがドープされた層厚０．２μｍのＩｎｑＧａ１−ｑＮ（ｑ＝０．０５）活性層５が順に形成されている。ＩｎＧａＮ活性層５上には、その活性層５の結晶劣化を防止する層厚２００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層６、Ｍｇがドープされた層厚０．１５μｍのｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（ｚ＝０．２）クラッド層７、およびＭｇがドープされた層厚０．３μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層８が順に形成されている。
・・・
【００４９】上記の発光ダイオードの製造方法を説明する。本実施例では、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により各層が形成される。
【００５０】まず、有機金属化学気相成長装置内に基板１を設置した後、その基板１を非単結晶成長温度、例えば６００℃の成長温度（基板温度）に保持した状態にして、・・・基板１上に非単結晶のアンドープのＡｌＧａＮバッファ層２を成長させる。
【００５１】その後、・・・バッファ層２上に単結晶のアンドープのＧａＮ下地層３を成長させる。
【００５２】続いて、・・・下地層３上に単結晶のＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４を成長させる。
【００５３】次に、基板１を単結晶成長温度、好ましくは７００〜９５０℃、例えば８６０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ドーパントガスとしてＳｉＨ４およびジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を用いて、ｎ型コンタクト層４上に単結晶のＳｉおよびＺｎドープのＩｎＧａＮ活性層５を成長させる。
【００５４】引き続いて、基板１を活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃に保持した状態で、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、ＩｎＧａＮ活性層５上にその活性層５の成長に連続して単結晶のアンドープのＧａＮキャップ層６を成長させる。・・・
【００５５】その後、基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いて、ＧａＮキャップ層６上に単結晶のＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７を成長させる。
・・・」
　
　カ　「【００７５】次に、本発明の第２の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを説明する。
【００７６】本実施例が第１の実施例と異なるのは、キャップ層６としてアンドープのＧａＮ層に代えて層厚２００ÅのアンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮ層を用いた点である。ここで、ｕはほぼ０．１および０．２である。このＡｌｕＧａ１−ｕＮ層もＭＯＣＶＤ法により形成され、成長温度は、活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃である。キャリアガスとしてはＨ２およびＮ２、原料ガスとしてはアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いる。・・・
【００８０】・・・キャップ層６としてＧａＮ層を用いることが最も好ましく、ＡｌｕＧａ１−ｕＮ層を使用する場合にもＡｌ組成比ｕがほぼ０．１と小さい方が好ましいことがわかる。ＡｌＧａＮでは、Ａｌ組成比が大きい程バンドギャップが大きくなる。ｐ型クラッド層７のＡｌ組成比は、第１の実施例で述べたように０．２である。キャップ層６のＡｌ組成比が０．１であると、キャップ層６のバンドギャップはｐ型クラッド層７のバンドギャップよりも小さいことになる。このことから、キャップ層６のバンドギャップは、活性層５のバンドギャップとｐ型クラッド層７のバンドギャップの間の大きさが好ましいことが理解できる。」
　
　キ　「【００８４】なお、上記各実施例の発光ダイオードはｎ型コンタクト層４上に活性層５を備えた構造を有するが、ｎ型コンタクト層４と活性層５との間にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層を設けてもよい。・・・」
　
　ク　上記オ及びキを踏まえてカを読むと、第２の実施例において、
　（ア）キャップ層６としてアンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮ層を用い、このＡｌｕＧａ１−ｕＮ層は、基板１を活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃に保持した状態で、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いて、ＩｎＧａＮ活性層５上にアンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮキャップ層６を成長させること、
　（イ）ｎ型コンタクト層４と活性層５との間にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層を設けてもよいこと、
　（ウ）キャップ層６のバンドギャップは、活性層５のバンドギャップとｐ型クラッド層７のバンドギャップの間の大きさが好ましいこと、
が理解できる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「インジウムを含有する化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上に前記活性層の成長温度とほぼ同じかまたは低い成長温度で化合物半導体からなるキャップ層を気相成長法により形成する工程とを含む発光素子の製造方法であって、
　有機金属化学気相成長装置内にサファイヤ絶縁基板１上を設置した後、その基板１上に非単結晶のアンドープのＡｌＧａＮバッファ層２を成長させ、
　その後、バッファ層２上に単結晶のアンドープのＧａＮ下地層３を成長させ、
　続いて、下地層３上に単結晶のＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４を成長させ、
　次に、基板１を単結晶成長温度、好ましくは７００〜９５０℃、例えば８６０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ドーパントガスとしてＳｉＨ４およびジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を用いて、ｎ型コンタクト層４上に単結晶のＳｉおよびＺｎドープのＩｎＧａＮ活性層５を成長させ、
　引き続いて、基板１を活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃に保持した状態で、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いて、ＩｎＧａＮ活性層５上にアンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮキャップ層６を成長させ、
　その後、基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いて、ＡｌｕＧａ１−ｕＮキャップ層６上に単結晶のＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７を成長させ、
　ｎ型コンタクト層４と活性層５との間にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層を設けてもよく、
　キャップ層６のバンドギャップは、活性層５のバンドギャップとｐ型クラッド層７のバンドギャップの間の大きさが好ましい、発光素子の製造方法。」
 　 
（２）対比
  本願発明と引用発明を対比する。
　ア　引用発明の「発光素子の製造方法」は、本願発明の「発光素子の製造方法」に相当する。
　
　イ　引用発明は、「基板（サファイヤ絶縁基板）１上に非単結晶のアンドープのＡｌＧａＮバッファ層２を成長させ」るものであるから、
　（ア）引用発明の「非単結晶のアンドープのＡｌＧａＮバッファ層２」は、本願発明の「非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層」に相当し、
　（イ）引用発明の「発光素子の製造方法」は、本願発明の「非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程とを含み」との事項を備える。
　
　ウ　引用発明は、「バッファ層２上に単結晶のアンドープのＧａＮ下地層３を成長させ」るものであるから、
　（ア）引用発明の「単結晶のアンドープのＧａＮ下地層３」は、本願発明の「単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層」に相当し、
　（イ）引用発明の「発光素子の製造方法」は、本願発明の「前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を形成する工程とを含み」との事項を備える。
　
　エ　引用発明は、「下地層３上に単結晶のＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４を成長させ」るものであるから、
　（ア）引用発明の「単結晶のＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４」は、本願発明の「第１導電型のコンタクト層」に相当し、
　（イ）引用発明の「発光素子の製造方法」は、本願発明の「前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を形成する工程とをを含み」との事項を備える。
　
　オ　引用発明は、「基板１を単結晶成長温度、好ましくは７００〜９５０℃、例えば８６０℃の成長温度に保持した状態にして、・・・ｎ型コンタクト層４上に単結晶のＳｉおよびＺｎドープのＩｎＧａＮ活性層５を成長させ」るものであり、「ｎ型コンタクト層４と活性層５との間にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層を設けてもよ」いから、
　（ア）引用発明の「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層」及び「単結晶のＳｉおよびＺｎドープのＩｎＧａＮ活性層５」は、それぞれ、本願発明の「第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層」及び「インジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層」に相当し、
　（イ）引用発明の「発光素子の製造方法」は、本願発明の「前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程とを含み」との事項を備える。
　
　カ　引用発明は、「基板１を活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃に保持した状態で、・・・ＩｎＧａＮ活性層５上にアンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮキャップ層６を成長させ」るものであるから、
　（ア）引用発明の「アンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮキャップ層６」は、本願発明の「Ａｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層」に相当し、
　（Ｉ）引用発明の「発光素子の製造方法」は、本願発明の「前記活性層上にＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程とを含み」との事項を備える。
　
　キ　引用発明は、「基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態にして、・・・ＡｌｕＧａ１−ｕＮキャップ層６上に単結晶のＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７を成長させ」るものであるから、
　（ア）引用発明の「単結晶のＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７」は、本願発明の「第２導電型の第２のクラッド層」に相当し、
　（イ）引用発明の「発光素子の製造方法」は、本願発明の「前記キャップ層上に前記活性層の成長温度より高くかつ前記キャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の第２のクラッド層を形成する工程とを含み」との事項を備える。
　
　ク　引用発明の「キャップ層６のバンドギャップ」は、「活性層５のバンドギャップとｐ型クラッド層７のバンドギャップの間の大きさが好ましい」ものであり、該「キャップ層６のバンドギャップ」が活性層５のバンドギャップより大きいことは明らかであるから、引用発明は、本願発明の「前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
 「非単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
　前記バッファ層上に単結晶の窒化物系の化合物半導体からなるアンドープの下地層を形成する工程と、
　前記下地層上に第１導電型のコンタクト層を形成する工程と、
　前記第１導電型のコンタクト層上に第１導電型の窒化物系の化合物半導体からなる第１のクラッド層を形成する工程と、
　前記第１のクラッド層上にインジウムを含有する窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
　前記活性層上にＡｌを含むＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
　前記キャップ層上に前記活性層の成長温度より高くかつ前記キャップ層の成長温度よりも高い成長温度で第２導電型の第２のクラッド層を形成する工程とを含み、
　前記キャップ層は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する発光素子の製造方法。」
である点で一致する。
　
　してみると、両発明の間には相違点は存在せず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明である。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
３　記載不備（特許法第３６条第６項第１号）
（１）平成２１年９月２日付け拒絶理由通知書
　当審において平成２１年９月２日付けで通知した拒絶の理由のうち、記載不備に関して通知した事項は次のとおりである。
　
「第３　記載不備（特許法第３６条第６項第１号） 
　この出願は、特許請求の範囲の記載が、下記の点で特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　 
　 　　　　　　　　　　　　　　　記 
　 
　この出願の特許請求の範囲の請求項１〜２９に記載の「発光素子の製造方法」は、以下のａ′）及びｂ′）（ただし、ｂ′）について請求項２１を除く。）のものである。 
　 
　ａ′）「バッファ層」、「下地層」、「第１のクラッド層」、「活性層」及び「キャップ層」等の各層を形成する方法は、「気相成長法」に限られず、「気相成長法」以外の方法をも含むものである。 
　ｂ′）キャップ層の成長温度は、活性層が結晶成長可能な温度と特定の関係を有するものではなく、例えばキャップ層を、活性層が成長可能な温度より高い成長温度で形成するものも含むものである。 
　 
　しかるに、この出願の明細書には、具体的な発光素子の各層の形成方法としては「気相成長法」のみが記載されており、それ以外の方法を用いて発光素子を製造することは記載されていない。また、キャップ層の成長温度と活性層の成長温度との関係に関しては、キャップ層を、活性層が結晶成長可能な第１の成長温度とほぼ同じかまたは低い第２の成長温度で気相成長法により形成するとした上で、活性層とキャップ層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下が好ましく、第１〜３の実施例において、活性層の成長温度とキャップ層の成長温度は、いずれも同じ温度（８６０℃）であることは記載されてはいるが、キャップ層を、活性層が結晶成長可能な温度より高い成長温度で形成することについては記載されていない。 
　そして、これらの点（発光素子を「気相成長法」以外の方法で製造すること、及び、キャップ層を活性層が成長可能な温度より高い成長温度で形成すること）は、この出願の出願時の技術常識に照らしても、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるものとはいえない。 
　 
　したがって、この出願は、上記の点において、特許法第第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。」
　
（２）当審の判断
　本願明細書（平成１９年１２月２７日付け手続補正後のもの）の発明の詳細な説明の欄には、以下のような記載がある。
　ア　「【０００７】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記の発光ダイオードの製造時には、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５は、ＩｎＧａＮ活性層１０４上に結晶性良く成長するように、ＩｎＧａＮ活性層１０４の成長温度よりも高い成長温度で形成される。このような高温でのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５の成長時にＩｎＧａＮ活性層１０４からＩｎ等の構成元素が脱離する。これにより、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５の結晶成長時にＩｎＧａＮ活性層１０４の結晶性が劣化する。この結果、発光ダイオードの発光強度を大きくすることが困難であった。
【０００８】
　本発明の目的は、高い発光強度を有する発光素子の製造方法を提供することである。」
　
　イ　「【００１３】
　本発明に係る製造方法により製造された発光素子においては、活性層上にキャップ層が設けられているので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。その結果、発光強度を大きくすることができる。
【００１４】
　活性層およびキャップ層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することが好ましい。第２のクラッド層を１０００℃以上１２００℃以下の成長温度で形成することが好ましい。
・・・
【００１６】
　活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有してもよい。量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなってもよい。量子井戸構造は量子障壁層をさらに含んでもよい。量子井戸層はＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）からなり、量子障壁層はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（１＞ｓ＞ｒ≧０）からなってもよい。量子障壁層はＧａＮ量子障壁層であり、ＧａＮ量子障壁層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することが好ましい。」
　
　ウ　「【００３０】
　キャップ層を活性層の成長温度とほぼ同じ成長温度で形成することが好ましい。この場合、活性層の形成後に時間間隔をあけずにキャップ層を連続的に形成することができるので、活性層からの構成元素の脱離を顕著に防止することができる。
【００３１】
　キャップ層の成長温度は、活性層が単結晶成長する温度であることが好ましい。活性層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。キャップ層の成長温度は７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。この場合、活性層上に低い成長温度でキャップ層が形成されるので、活性層からインジウム等の構成元素が脱離することが抑制される。
【００３２】
　活性層は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＧａＮ量子障壁層とからなる量子井戸構造を有し、ＧａＮ量子障壁層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で気相成長法により形成することが好ましい。この場合、ＩｎＧａＮ量子井戸層からインジウム等の構成元素の脱離を抑制することができるので、発光強度を大きくすることができる。・・・」
　
　エ　「【００３４】
　　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の第１の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図１を用いて詳細に説明する。
【００３５】
　図１において、サファイヤ絶縁基板１上に、層厚１１０ÅのアンドープのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ｘ＝０．５）バッファ層２、層厚０．２μｍのアンドープのＧａＮ下地層３、層厚４μｍのｎ型クラッド層を兼用するＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４、およびＺｎおよびＳｉがドープされた層厚０．２μｍのＩｎｑＧａ１−ｑＮ（ｑ＝０．０５）活性層５が順に形成されている。ＩｎＧａＮ活性層５上には、その活性層５の結晶劣化を防止する層厚２００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層６、Ｍｇがドープされた層厚０．１５μｍのｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（ｚ＝０．２）クラッド層７、およびＭｇがドープされた層厚０．３μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層８が順に形成されている。
・・・
【００３７】
　上記の発光ダイオードの製造方法を説明する。本実施例では、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により各層が形成される。
【００３８】
　まず、有機金属化学気相成長装置内に基板１を設置した後、その基板１を非単結晶成長温度、例えば６００℃の成長温度（基板温度）に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いて、基板１上に非単結晶のアンドープのＡｌＧａＮバッファ層２を成長させる。
【００３９】
　その後、基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、バッファ層２上に単結晶のアンドープのＧａＮ下地層３を成長させる。
【００４０】
　続いて、基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ドーパントガスとしてＳｉＨ４を用いて、下地層３上に単結晶のＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層４を成長させる。
【００４１】
　次に、基板１を単結晶成長温度、好ましくは７００〜９５０℃、例えば８６０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ドーパントガスとしてＳｉＨ４およびジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を用いて、ｎ型コンタクト層４上に単結晶のＳｉおよびＺｎドープのＩｎＧａＮ活性層５を成長させる。
【００４２】
　引き続いて、基板１を活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃に保持した状態で、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、ＩｎＧａＮ活性層５上にその活性層５の成長に連続して単結晶のアンドープのＧａＮキャップ層６を成長させる。トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の代わりにトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用いてもよい。
【００４３】
　その後、基板１を単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態にして、キャリアガスとしてＨ２およびＮ２、原料ガスとしてアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ドーパントガスとしてＣｐ2 Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いて、ＧａＮキャップ層６上に単結晶のＭｇドープのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７を成長させる。
・・・
【００４８】
　この発光ダイオードは、ＩｎＧａＮ活性層５にアンドープのＧａＮキャップ層６が密接して形成された構成を有するので、ＩｎＧａＮ活性層５の形成中または形成後にその活性層５からＩｎ等の構成元素が脱離することが抑制される。この結果、活性層５の結晶欠陥の数が低減し、結晶性の劣化が抑制される。
・・・
【００５１】
　このように、本実施例の場合、活性層５からの構成元素の脱離が抑制されて活性層５の結晶欠陥数が低減したことによる活性層５への不純物の拡散抑制効果と、キャップ層６がアンドープ層であることによる活性層５への不純物の拡散抑制効果の両効果により、活性層５への不所望な不純物拡散が顕著に抑制される。
・・・
【００５３】
　特に、本実施例の発光ダイオードの製造時には、ＩｎＧａＮ活性層５の全面直上にアンドープのＧａＮキャップ層６をＩｎＧａＮ活性層５の成長温度以下の温度、本実施例では８６０℃で成長させるので、このキャップ層６を形成する際に、ＩｎＧａＮ活性層５の構成元素の脱離を抑制できるとともに、キャップ層６を形成した後にＩｎＧａＮ活性層５からの構成元素の脱離を防止できる。したがって、本実施例の製造方法は好ましい製造方法である。
【００５４】
　特に、本実施例では、ＩｎＧａＮ活性層５およびＧａＮキャップ層６の成長温度をほぼ同じとしてこれらを連続的に成長させるので、ＩｎＧａＮ活性層５からの構成元素の脱離を十分に抑制できるとともに、量産性も向上する。
・・・」
　
　オ　「【００６３】
　次に、本発明の第２の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを説明する。
【００６４】
　本実施例が第１の実施例と異なるのは、キャップ層６としてアンドープのＧａＮ層に代えて層厚２００ÅのアンドープのＡｌｕＧａ１−ｕＮ層を用いた点である。ここで、ｕはほぼ０．１および０．２である。このＡｌu Ｇａ1-u Ｎ層もＭＯＣＶＤ法により形成され、成長温度は、活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃である。キャリアガスとしてはＨ２およびＮ２、原料ガスとしてはアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いる。トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の代わりにトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用いてもよい。
【００６５】
　本実施例の発光ダイオードにおいても、キャップ層６を有さない発光ダイオードに比べて発光強度が顕著に大きくなることがわかった。
・・・」
　
　カ　「【００６９】
　次に、本発明の第３の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図２を用いて説明する。
【００７０】
　本実施例が第１の実施例と異なるのは、ＧａＮ下地層３を用いない点であり、製造方法もこのＧａＮ下地層３の形成工程がない点を除いて第１の実施例と同様である。
・・・
【００７３】
　上記各実施例では、活性層５として量子井戸構造でない非量子井戸構造の活性層を用いたが、もちろん、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層を用いてもよい。例えば、活性層５をＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）量子井戸層からなる単一量子井戸構造としてもよく、あるいはＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）量子井戸層とＩｎｒＧａ１−ｒＮ（１＞ｓ＞ｒ≧０）量子障壁層とからなる多重量子井戸構造としてもよい。
【００７４】
　ＩｎｓＧａ１−ｓＮ（１＞ｓ＞０）量子井戸層とＧａＮ量子障壁層とからなる多重量子井戸構造を用いる場合、ＧａＮ量子障壁層は７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することが好ましく、量子井戸層および量子障壁層の成長温度をほぼ等しくすることが好ましい。
・・・」
　
　キ　「【００７６】
　次に、本発明の第４の実施例における屈折率導波型半導体レーザ素子を図３を用いて説明する。この半導体レーザ素子はセルフアライン型半導体レーザ素子である。
【００７７】
　図３において、サファイア絶縁基板１１上に、層厚約１００〜２００ÅのアンドープのＡｌＧａＮバッファ層１２、層厚０．４μｍのアンドープのＧａＮ下地層１３、層厚４μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層１４、および層厚０．１〜０．５μｍのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１５が順に形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１５上には、ＩｎＧａＮ活性層１６、層厚２００〜４００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層１７、および層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８が順に形成されている。
・・・
【００８１】
　この半導体レーザ素子は、ＭＯＶＣＤ法等の化学気相成長法を用いて１回の結晶成長により作製される。製造の際には、アンドープのＡｌＧａＮバッファ層１２の成長温度を６００℃とし、アンドープのＧａＮ下地層１３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１４およびｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１５の成長温度を１１５０℃とし、ＩｎＧａＮ活性層１６およびＧａＮキャップ層１７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、ｎ型電流ブロック層１９およびｐ型ＧａＮコンタクト層２０の成長温度を１１５０℃とする。
・・・」
　
　ク　「【００８３】
　次に、本発明の第５の実施例における屈折率導波型半導体レーザ素子を図４を用いて説明する。この半導体レーザ素子はリッジ埋め込み型導体レーザ素子である。
【００８４】
　図４において、サファイア絶縁基板３１上に、層厚１００〜２００ÅのアンドープのＡｌＧａＮバッファ層３２、層厚０．４μｍのアンドープのＧａＮ下地層３３、層厚４μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層３４、および層厚０．１〜０．５μｍのｎ型ＡｌＧａＮ層クラッド層３５が順に形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３５上には、ＩｎＧａＮ活性層３６、層厚２００〜４００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層３７、および層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３８が順に形成されている。なお、ＩｎＧａＮ活性層３６の構造および層厚は第４の実施例のＩｎＧａＮ活性層１６と同様である。
・・・
【００８７】
　この半導体レーザ素子は、ＭＯＣＶＤ法等の化学気相成長法を用いて３回の結晶成長で作製される。製造の際には、アンドープのＡｌＧａＮバッファ層３２の成長温度を６００℃とし、アンドープのＧａＮ下地層３３、ｎ型ＧａＮコンタクト層３４およびｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３５の成長温度を１１５０℃とし、ＩｎＧａＮ活性層３６およびアンドープのＧａＮキャップ層３７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３８、ｐ型キャップ層３９、ｎ型電流ブロック層４０およびｐ型ＧａＮコンタクト層４１の成長温度を１１５０℃とする。
・・・」
　
　ケ　「【００８９】
　次に、本実施例の第６の実施例における利得導波型半導体レーザ素子を図５を用いて説明する。
・・・
【００９１】
　ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５５上には、ＩｎＧａＮ活性層５６、層厚２００〜４００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層５７、層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５８、および層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層５９が順に形成されている。なお、ＩｎＧａＮ活性層５６の構造および層厚は、第４の実施例のＩｎＧａＮ活性層１６と同様である。
・・・
【００９３】
　本実施例の半導体レーザ素子は、ＭＯＣＶＤ法等の化学気相成長法を用いて１回の結晶成長で作製される。製造の際には、アンドープのＡｌＧａＮバッファ層５２の成長温度を６００℃とし、アンドープのＧａＮ下地層５３、ｎ型ＧａＮコンタクト層５４およびｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５５の成長温度を１１５０℃とし、ＩｎＧａＮ活性層５６およびアンドープのＧａＮキャップ層５７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５８およびｐ型ＧａＮコンタクト層５９の成長温度を１１５０℃とする。
・・・」
　
　コ　「【００９７】
　また、上記第１〜第６の実施例では、本発明を発光ダイオード、半導体レーザ素子等の発光素子に適用する場合について説明したが、本発明は、電界効果トランジスタ等の、Ｉｎを含有する化合物半導体層を備えた半導体素子にも適用可能である。
【００９８】
　例えば、図６に示す構造では、ｎ型ＧａＮ層７１上にｎ型ＡｌＧａＮ層７２およびＩｎＧａＮ層７３が順に形成され、ＩｎＧａＮ層７３上にアンドープのＧａＮキャップ層７４を介してｐ型ＳｉＣ層７５が形成されている。この場合、ＩｎＧａＮ層７３およびＧａＮキャップ層７４を７００〜９５０℃の成長温度で形成し、ｐ型ＳｉＣ層７５を１３００〜１５００℃の成長温度で形成する。この例においても、ＩｎＧａＮ層７３上にアンドープのＧａＮキャップ層７４が形成されているので、ＩｎＧａＮ層７３からＩｎ等の構成元素が脱離することが抑制される。
【００９９】
　また、図７の構造では、ｎ型ＳｉＣ層８１上にＩｎＧａＮ層８２が形成され、ＩｎＧａＮ層８２上にアンドープのＧａＮキャップ層８３を介してｐ型ＳｉＣ層８４が形成されている。この場合にも、ＩｎＧａＮ層８２およびアンドープのＧａＮキャップ層８３を７００〜９５０℃の成長温度で形成し、ｐ型ＳｉＣ層８４を１３００〜１５００の成長温度で形成する。この例においても、ＩｎＧａＮ層８２上にアンドープのＧａＮキャップ層８３が形成されているので、ＩｎＧａＮ層８２からＩｎ等の構成元素が脱離することが抑制される。」
　
　上記ア〜コによれば、上記本願明細書（平成１９年１２月２７日付け手続補正後のもの）には、
　ａ　発光素子の各層を、気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて形成することは記載されているものの、それ以外の方法を用いて発光素子の各層を形成することは具体的に記載されていない。また、
　ｂ　キャップ層の成長温度と活性層の成長温度との関係については、
　（ａ）ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層は、ＩｎＧａＮ活性層上に結晶性良く成長するように、ＩｎＧａＮ活性層の成長温度よりも高い成長温度で形成されるが、このような高温でのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層の成長時にＩｎＧａＮ活性層からＩｎ等の構成元素が脱離するので、前記ＩｎＧａＮ活性層からＩｎ等の構成元素が脱離するのを抑制するために、ＩｎＧａＮ活性層の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度で該ＩｎＧａＮ活性層上にＧａＮ層あるいはＡｌｕＧａ１−ｕＮ層からなるキャップ層を気相成長法により形成すること、
　（ｂ）実施例４〜６において、ＩｎＧａＮ活性層およびＧａＮキャップ層の成長温度を７００〜９５０℃とすること、
は記載されているものの、キャップ層の成長温度は、活性層が結晶成長可能な温度と特定の関係を有するものではないこと（すなわち、例えば、該キャップ層を、活性層が成長可能な温度より高い成長温度で形成してもよいこと）については記載されていない。
　
　そして、これらの点（発光素子を「気相成長法」以外の方法で製造すること、及び、キャップ層の成長温度は、活性層が結晶成長可能な温度と特定の関係を有するものではないこと）は、この出願の出願時の技術常識に照らしても、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるものとはいえない。
　 
（３）むすび
　したがって、この出願は、上記の点において、特許法第第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。
　
　よって、結論のとおり審決する。