Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
1  シース熱電対と補償導線のコネクタの基本構成
本発明のコネクタは、枢軸を介して開閉可能に接続された樹脂製の上板および下板と、閉じられた上記上板および下板の各接触面を密着させる固定具としてのクリップまたは締付けビスより構成されている。
上記固定具には、弾性を利用して固定するものであれば、例えば、Ｌ字状の弾性フックを上板および下板のいずれか一方の縁部に設け、上板または下板がそのフックを乗り越えて閉じられた際に、フックが復元力によって復帰し上板と下板とを密着させるタイプのものも含まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
続いて上板を、上記枢軸まわりに回転させて上板と下板を接触させ、ダブルクリップ、スライド式クリップ、ガチャック（登録商標）等のクリップでその接触した上板と下板を挟むことにより、または、締付けネジによって締め付けること等により、上板と下板の接触面を密着させた状態で固定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
シース熱電対の取り外しは、クリップ又は締付けネジ等を取り外し、上板又は下板を、前記枢軸まわりに回転させて両板間を開くと、シース熱電対を取り外すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現在位置を測位する測位手段と、
目的地までのルート案内を行うナビゲーション手段と、
上記現在位置から目的地までのルート案内画面を表示する表示手段と、
を有し、
上記表示手段は、上記ルート案内画面を介してルートガイドを行っている最中に、上記現在位置から上記目的地までの距離が所定値以内になったとき、上記目的地の表示対象をハイライト表示した案内画像を表示する
情報処理装置。
【請求項２】
上記表示手段は、上記表示対象を立体的な形態に上記ハイライト表示した上記案内画像を表示する
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
上記表示手段は、上記目的地から所定距離だけ離れた地点で当該目的地に近いことを喚起するガイドポイントを通過した後に見える立体的な形態に上記ハイライト表示した上記案内画像を表示する
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
上記表示手段は、上記目的地の周辺に到達したことを喚起する目的地到着案内ポイントから見える立体的な形態に上記ハイライト表示した上記案内画像を表示する
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
上記表示手段は、上記目的地から所定距離だけ離れた地点で当該目的地に近いことを喚起するガイドポイントを通過した後に見える立体的な形態に上記ハイライト表示した上記案内画像を表示した後、上記目的地の周辺に到達したことを喚起する目的地到着案内ポイントから見える立体的な形態に上記ハイライト表示した上記案内画像を表示する
請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
上記表示手段は、上記表示対象を所定色に色付けして表示すると共に、当該表示対象の画像を表示する
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
外部装置との通信手段をさらに有し、
上記通信手段は、上記目的地に関する情報を上記外部装置に送信し、上記目的地に関する情報に対応する案内画像を受信する
請求項１乃至６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
ナビゲーション手段により目的地までのルートガイドを行うナビゲーションステップと、
測位手段によって測位している現在位置から目的地までのルート案内画面を表示し、当該ルート案内画面を介してルートガイドを行っている最中に、上記現在位置から上記目的地までの距離が所定値以内になったとき、表示手段により上記目的地の表示対象をハイライト表示した案内画像を表示する表示ステップと
を有する情報処理方法。
【請求項９】
情報処理装置に対して、
目的地までのルートガイドを行うナビゲーションステップと、
測位している現在位置から目的地までのルート案内画面を表示し、当該ルート案内画面を介してルートガイドを行っている最中に、上記現在位置から上記目的地までの距離が所定値以内になったとき、上記目的地の表示対象をハイライト表示した案内画像を表示する表示ステップと
を実行させる情報処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法及び情報処理プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置、情報処理方法及び情報処理プログラムに関し、例えば車載用のカーナビゲーション装置に適用して好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、自身の現在位置との関係において目的地として設定した表示対象がどれであるかを確実に通知し得る情報処理装置、情報処理方法及び情報処理プログラムを提案しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
かかる課題を解決するため本発明では、現在位置を測位する測位手段と、目的地までのルート案内を行うナビゲーション手段と、現在位置から目的地までのルート案内画面を表示する表示手段とを設け、表示手段は、ルート案内画面を介してルートガイドを行っている最中に、現在位置から目的地までの距離が所定値以内になったとき、目的地の表示対象をハイライト表示した案内画像を表示するようにする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、ルート案内画面を介して現在位置から目的地までの探索経路に従いルートガイドを行っている最中に、現在位置から目的地までの残り距離が所定値以内になったとき、目的地の表示対象を周辺よりも目立つようにハイライト表示した案内画像を表示することにより、ユーザに対して目的地の表示対象を確実に目視確認させて案内することができ、かくして自車の現在位置との関係において目的地として設定した表示対象がどれであるかを確実に通知し得る情報処理装置、情報処理方法及び情報処理プログラムを実現することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
さらに上述した第１及び第２の実施の形態においては、測位手段としてのＧＰＳユニット１５、ルート案内画面生成手段及び案内画像生成手段としての制御部１０、４０によって本発明の情報処理装置を構成するようにした場合について述べた。しかしながら本発明はこれに限らず、その他種々の構成でなる測位手段、ルート案内画面生成手段及び案内画像生成手段によって本発明の情報処理装置を構成するようにしても良い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
本発明の情報処理装置、情報処理方法及び情報処理プログラムは、例えばＰＮＤ以外にもＧＰＳモジュールを搭載した携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Data Assistance）、ノートブック型パーソナルコンピュータ、ゲーム機等のその他種々のモバイル機器に適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し、試薬ボトルを収容可能な試薬庫と、
前記開口部を覆うために前記試薬庫に取り付けられ、テーパー形状を有する貫通孔を備える蓋と、
を具備する自動分析装置。
【請求項２】
前記蓋は、前記試薬庫の外部に面する表面と前記試薬庫の内部に面する裏面とを有し、
前記貫通孔の径は、前記表面から前記裏面にいくに従って長い、
請求項１記載の自動分析装置。
【請求項３】
前記貫通孔に隣接する前記裏面には、前記内壁に発生した水滴を寄せ集めるための隆起部が設けられる、請求項１記載の自動分析装置。
【請求項４】
前記隆起部は、前記試薬ボトルの開口部の回転軌道の真上から外れた位置に設けられる滴下点を有する、請求項３記載の自動分析装置。
【請求項５】
開口部を有し、試薬ボトルを収容可能な試薬庫と、
前記開口部を覆うために前記試薬庫に取り付けられ、第１径を有する貫通孔が形成された蓋と、
前記蓋に接合される構造物であって、前記蓋との接合部分から末端部分にいくに従って前記第１径から前記第１径よりも長い第２径へと変化する径を有する第２の貫通孔が形成されたテーパー部と、
を具備する自動分析装置。
【請求項６】
前記テーパー部は、前記内壁に発生した水滴を寄せ集めるための隆起部を有する、請求項５記載の自動分析装置。
【請求項７】
前記隆起部は、前記試薬ボトルの開口部の回転軌道の真上から外れた位置に設けられる滴下点を有する、請求項６記載の自動分析装置。
【請求項８】
開口部を有し、試薬ボトルを収容可能な試薬庫と、
前記開口部を覆うために前記試薬庫に取り付けられ、第１の貫通孔が形成された蓋と、
前記蓋の前記貫通孔の周囲に設けられる吸水部と、
を具備する自動分析装置。
【請求項９】
前記吸水部は、前記第１の貫通孔の径よりも短い径を有する第２の貫通孔を備え、前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔とが重なるように前記蓋に設けられる、請求項６記載の自動分析装置。
【請求項１０】
試薬ボトルを収容し、開口部を有する試薬庫と、
前記試薬ボトル内の試薬を吸引するプローブと、
前記開口部の一部領域を覆うために前記試薬庫に取り付けられる第１の蓋部と、
前記開口部の前記一部領域以外の領域を覆うために前記試薬庫に着脱可能に取り付けられ、前記プローブが通過するための貫通孔が形成された第２の蓋部と、
を具備する自動分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から入射される光の分布範囲内に配置され、該光を反射する光反射面を有する可動板と、
前記可動板を所定軸周りに揺動可能に支持する軸部材と、
前記可動板に設けられる強磁性体と、
該強磁性体との間に電磁力を発生させ、前記可動板を揺動させるように構成された駆動手段とを備え、
該駆動手段における前記光の分布範囲内に含まれる部分が、前記光を所定範囲外に反射させるような法線ベクトルを有する面で構成されている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項２】
前記法線ベクトルを有する面は、前記可動板に対して所定角度を有する平面を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
前記強磁性体は永久磁石であり、
前記駆動手段は、該永久磁石に対向する位置に所定距離離間して配置されるコイルと、該コイルに交流電流信号を供給する交流電流信号発生器とを含む
ことを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
【請求項４】
前記所定角度を有する前記平面が、前記永久磁石の磁界の方向に対して直交する方向に傾斜している
ことを特徴とする請求項３に記載の光学デバイス。
【請求項５】
前記法線ベクトルを有する平面を含む基板をさらに備え、
該平面上に前記コイルが設置される
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の光学デバイス。
【請求項６】
前記所定範囲は、前記可動板により反射された光の反射範囲を含む
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の光学デバイス。
【請求項７】
光を反射する光反射面を有する可動部と、
前記可動板を所定の揺動軸周りに揺動可能に支持する軸部材と、
前記可動板に設けられる永久磁石と、
前記可動板を揺動させる電磁力を発生させるコイルと、を備え、
前記コイルの上面は、前記永久磁石と対向し、かつ、前記可動板の板面に対して所定の角度を有して設けられる
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項８】
前記可動板によって反射される光の反射範囲と前記コイルの前記上面によって反射される光の反射範囲とは、お互いに重ならない
ことを特徴とする請求項７に記載の光学デバイス。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の光学デバイスを備える
ことを特徴とする光スキャナー。
【請求項１０】
請求項９に記載の光スキャナーを備える
ことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率が異なる複数の環境下で使用可能な像ぶれ補正装置であって、
前記像ぶれ補正装置の振れを検出する検出手段と、
光軸を偏向することによって前記振れによる像ぶれを補正可能な補正手段と、
前記検出手段の検出結果に対してカットオフ周波数が変更可能なフィルタリング処理と、所定の増幅率を乗じる信号増幅処理とを行って、前記補正手段の補正量を算出する算出手段と、
前記補正量に基づいて前記補正手段を駆動する駆動手段と、
ある環境下から該環境下よりも屈折率が大きい他の環境下に移る時に、前記信号増幅処理での前記増幅率を該ある環境に対する該他の環境の相対屈折率に基づいて変更するとともに、前記フィルタリング処理でのカットオフ周波数を変更する変更手段とを有することを特徴とする像ぶれ補正装置。
【請求項２】
前記変更手段は、前記増幅率が増加するときに、前記増幅率の増加の前に前記振れの低周波数成分に対する補正が行われなくなるように前記フィルタリング処理でのカットオフ周波数を変更することを特徴とする請求項１に記載の像ぶれ補正装置。
【請求項３】
前記変更手段は、前記振れの低周波数成分に対する補正が行われなくなるように前記フィルタリング処理でのカットオフ周波数を変更した後に、前記補正量が小さいほど前記カットオフ周波数を低く更に変更することを特徴とする請求項２に記載の像ぶれ補正装置。
【請求項４】
前記補正量の大きさを所定の制限値に制限する制限手段を更に備え、
前記変更手段は、前記増幅率が増加するときには、前記所定の制限値を増加するように変更させることを特徴とする請求項１又は３に記載の像ぶれ補正装置。
【請求項５】
前記像ぶれ補正装置は、前記屈折率が異なる複数の環境下として空気中と水中で使用可能であるとともに、前記像ぶれ補正装置が水中にあるときの撮影に対応して前記増幅率を設定する水中モードと、前記像ぶれ補正装置が空気中にあるときの撮影に対応して前記増幅率を設定する空気中モードと、を含む少なくとも２つのモードのうちの何れかを選択する選択手段を有し、
前記選択手段の選択に応じて前記変更手段は前記増幅率を変更することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の像ぶれ補正装置。
【請求項６】
前記選択手段によって前記空気中モードから前記水中モードに変更された際、前記変更手段は、前記振れの低周波数成分に対する補正が行われなくなるように前記フィルタリング処理でのカットオフ周波数を変更することを特徴とする請求項５に記載の像ぶれ補正装置。
【請求項７】
前記選択手段によって前記水中モードから前記空気中モードに変更された際、前記変更手段は、前記増幅率が減少するときには、前記所定の制限値を減少させるように変更することを特徴とする、請求項４に従属する請求項５又は請求項４に従属する請求項６に記載の像ぶれ補正装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の像ぶれ補正装置を備えた光学機器。
【請求項９】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の像ぶれ補正装置を備えた撮像装置。
【請求項１０】
光軸を偏向することによって振れによる像ぶれを補正可能な補正手段を備え、屈折率が異なる複数の環境下で使用可能な像ぶれ補正装置の制御方法であって、
前記像ぶれ補正装置の検出手段が、前記像ぶれ補正装置の振れを検出する検出工程と、
前記像ぶれ補正装置の算出手段が、前記検出工程の検出結果に対してカットオフ周波数が変更可能なフィルタリング処理と、所定の増幅率を乗じる信号増幅処理とを行って、前記補正手段の補正量を算出する算出工程と、
前記像ぶれ補正装置の駆動手段が、前記補正量に基づいて前記補正手段を駆動する駆動工程と、
前記像ぶれ補正装置の変更手段が、ある環境下から該環境下よりも屈折率が大きい他の環境下に移る時に、前記信号増幅処理での前記増幅率を該ある環境に対する該他の環境の相対屈折率に基づいて変更するとともに、前記フィルタリング処理でのカットオフ周波数を変更する変更工程とを有することを特徴とする像ぶれ補正装置の制御方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の像ぶれ補正装置の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】像ぶれ補正装置、光学機器、撮像装置、像ぶれ補正装置の制御方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明は、屈折率が異なる複数の環境下で使用可能な像ぶれ補正装置であって、前記像ぶれ補正装置の振れを検出する検出手段と、光軸を偏向することによって前記振れによる像ぶれを補正可能な補正手段と、前記検出手段の検出結果に対してカットオフ周波数が変更可能なフィルタリング処理と、所定の増幅率を乗じる信号増幅処理とを行って、前記補正手段の補正量を算出する算出手段と、前記補正量に基づいて前記補正手段を駆動する駆動手段と、ある環境下から該環境下よりも屈折率が大きい他の環境下に移る時に、前記信号増幅処理での前記増幅率を該ある環境に対する該他の環境の相対屈折率に基づいて変更するとともに、前記フィルタリング処理でのカットオフ周波数を変更する変更手段とを有することを特徴とする像ぶれ補正装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感圧素子と、
可撓部と、前記可撓部に配置されていて前記感圧素子と接続している一対の支持部と、を有するダイアフラムと、
を備え、
前記一対の支持部の並びの方向で前記可撓部の縁辺と前記支持部との間の距離が前記可撓部の長さの４％から９％の範囲内であることを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】
前記支持部は、前記可撓部から突設している島部であることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサー。
【請求項３】
前記感圧素子は圧電素子であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧力センサー。
【請求項４】
前記感圧素子が、少なくとも一以上の柱状ビームから構成されている感圧部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の圧力センサー。
【請求項５】
前記ダイアフラムは平面視で矩形であり、前記一対の支持部の並びの方向が長辺の方向であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の圧力センサー。
【請求項６】
前記感圧素子との間に空間を有するように、前記ダイアフラムにベースを積層したことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の圧力センサー。
【請求項７】
前記ベースの前記ダイアフラムに対向する側の面に発振回路を備えたことを特徴とする請求項６に記載の圧力センサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
第１の形態の圧力センサーは、感圧素子と、可撓部と、前記可撓部に配置されていて前記感圧素子と接続している一対の支持部と、を有するダイアフラムと、を備え、前記一対の支持部の並びの方向で前記可撓部の縁辺と前記支持部との間の距離が前記可撓部の長さの４％から９％の範囲内であることを特徴とする圧力センサー。
このような特徴を有する圧力センサーによれば、製造バラツキによる受圧感度の劣化を防ぎ、かつ高い受圧感度を持つことを実現することができる。
第２の形態の圧力センサーは、前記支持部は、前記可撓部から突設している島部であることを特徴とする第１の形態に記載の圧力センサー。
このような特徴を有することにより、支持部は可撓部上において一定の位置となる。よって、接合時にズレ等が生ずる虞が無い。
第３の形態の圧力センサーは、前記感圧素子は圧電素子であることを特徴とする第１または第２の形態に記載の圧力センサー。
このような特徴を有することにより、感圧素子の制御が容易となる。
第４の形態の圧力センサーは、前記感圧素子が、少なくとも一以上の柱状ビームから構成されている感圧部を有することを特徴とする第１乃至第３の形態のいずれか１つに記載の圧力センサー。
このような構成の感圧部を有する感圧素子とすることで、他の振動素子に比べて圧力検出の感度を良好に保つことができる。
第５の形態の圧力センサーは、前記ダイアフラムは平面視で矩形であり、前記一対の支持部の並びの方向が長辺の方向であることを特徴とする第１乃至第４の形態のいずれか１つに記載の圧力センサー。
第６の形態の圧力センサーは、前記感圧素子との間に空間を有するように、前記ダイアフラムにベースを積層したことを特徴とする第１乃至第５の形態のいずれか１つに記載の圧力センサー。
このような構成とすることで、感圧素子の感圧部がキャビティ内において他の構成要素と接触する虞が無い。
第７の形態の圧力センサーは、前記ベースの前記ダイアフラムに対向する側の面に発振回路を備えたことを特徴とする第６の形態に記載の圧力センサー。
このような構成とすることにより、１パッケージで圧力センサーとして動作させることが可能となる。
また、本発明に係る適用例は、以下の通りである。
［適用例１］感圧部と該感圧部の両端に接続される一対の基部とを有する感圧素子と、一方の面が圧力を受圧する受圧部であって、他方の面に前記感圧素子の前記一対の基部を固定するための一対の支持部を有し、前記受圧部が受圧したときに撓む領域を可撓部とするダイアフラムと、を備え、前記支持部を、前記受圧部が前記圧力を受圧したときに前記可撓部に生じる応力が最も大きくなる領域を通過する軸線上であって、前記可撓部の縁辺から前記可撓部の長さの４％から９％の範囲内に、前記支持部の端部が位置するように配置したことを特徴とする圧力センサー。
このような特徴を有する圧力センサーによれば、製造バラツキによる受圧感度の劣化を防ぎ、かつ高い受圧感度を持つことを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月13日(2012.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被除振物を支持した状態で除振する除振部材であって、
上部支持体と、
前記上部支持体と離間して配置された下部支持体と、
前記上部支持体と前記下部支持体とに両端部が接触して配置されているコイルバネと、
前記上部支持体と前記下部支持体との間に設けられた吸収材収容部と、
前記吸収材収容部に配置された粘弾性体と
を有し、
前記粘弾性体の自然状態での高さは、前記被除振物を支持して前記コイルバネが収縮した際の前記吸収材収容部の高さと略同じになるように設定されている、除振部材。
【請求項２】
前記粘弾性体の自然高さは、前記被除振物を支持しているときの前記吸収材収容部の高さの１１０％未満であり、かつ、前記被除振物を支持して除振中の前記吸収材収容部の最小高さよりも大きい、請求項１に記載の除振部材。
【請求項３】
前記粘弾性体のヤング率Ｅ’は、２０℃の環境下、１Ｈｚの圧縮モードで測定したときに３ｘ１０５Ｐａ以下である、請求項１または２に記載の除振部材。
【請求項４】
前記粘弾性体は、アクリルポリマーもしくはイオン性液体ゲルを含むものである、請求項１から３のいずれか１項に記載の除振部材。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の除振部材の製造方法であって、
前記被除振物を支持した状態における前記吸収材収容部の高さを求める工程と、
前記被除振物を支持した状態における前記吸収材収容部の高さと略等しい高さを有する前記粘弾性体を用意する工程と、
前記吸収材収容部に前記粘弾性体を配置し、前記圧縮コイルバネの両端に接するように前記圧縮コイルバネを前記下部支持部材と前記上部支持部材とに組付ける工程と、を含む除振部材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
(実施例１の作用)
次に、実施例１に係る自動製氷機１０の作用について、以下説明を行なう。なお、実施例１では、除氷運転での除氷完了時間Ｔ1に基づいて製氷運転での給水量を制御手段２４が決定するため、除氷運転を経ていない最初の製氷運転では、制御手段２４は給水量を決定することができない。そこで、最初の製氷運転では、例えば、給水量を低温時給水量にするよう予め制御手段２４に設定されているものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
座屈波形部と直管部とが連結されている鋼管よりなる断層用管路であって、前記座屈波形部は、１．７２√（ｒ・ｔ）で表わされる圧縮局部座屈波長と直管部の管厚のｎ倍で表わされる山高さをパラメータとして定められた形状であり、前記座屈波形部の間隔である前記直管部の長さが（０．５〜２）Ｄであることを特徴とする断層用管路。ただし、ｒは直管部の管半径、ｔは直管部の管厚、ｎは整数、Ｄは直管部の管外径である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
座屈波形は、圧縮局部座屈波長（Ｌ＝１．７２√(ｒ・ｔ)、ｒ：直管部の管半径、ｔ：直管部の管厚）と山高さ（直管部の管厚のｎ倍）をパラメータとしてＦＥＭを用いてパラメータスタディを行い決定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この座屈波形部１山で吸収できる変位量は最大で座屈波長であるので、座屈波形部の山数は、座屈波長と布設部位で想定される断層変位から決定する。例えば板厚９．０ｍｍ、口径６００Ａの鋼管で、座屈波長２７０ｍｍの座屈波長部を設ける場合には、３ｍの断層変位が予測される部位には最低で約１２山必要になる。多くの断層変位箇所の変位は１ｍ〜５ｍ程度と予測されるので、座屈波形部の山数は、｛（１ｍ〜５ｍ）／座屈波長｝程度設けることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
座屈波形部の間隔は断層変位および断層角度を考慮し、解析を行って決定する必要があり、通常（０．５〜２）Ｄ（Ｄ：直管部の管外径）程度が適当である。座屈波形部と直管部との接合は、一体構造とするため溶接接合が望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ａ  座屈波形管
ｂ  断層面
ｃ  直管
ｄ  座屈波長
ｅ  山高さ
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
座屈波形部を有する座屈波形鋼管であって、前記座屈波形部が、１．７２√（ｒ・ｔ）で表わされる圧縮局部座屈波長と、管厚のｎ倍で表わされる山高さから定められる形状であることを特徴とする座屈波形鋼管。ただし、ｒは管半径、ｔは管厚、ｎは整数である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明が適用される鋼管は、断層変位に従って座屈波形部が破断しないで変形しうる必要があり、この点で軟鋼（ＳＳ４００）が好ましい。ここに、軟鋼とは、炭素含有量が０．１３〜０．２０％、引張強度３３０〜４３０N/mm2のものである。鋼管の管径と板厚は、用途等によって定まるが、管径は口径（呼び径）で600A（600ｍｍ）〜3000A（3000ｍｍ）程度である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
a  座屈波長
b  山高さ
c  座屈波形部
d  断層面
e  直管
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、他の基板固定構造として、例えば、基板とコネクタ端子との半田付け部分への応力負荷の軽減と半田付け工数の軽減のために、半田付けするコネクタ端子群および基板に挿入して固定するための複数の支柱の一部を並設したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。さらに、角速度および加速度検出手段を実装した回路基板を保護ケースに固定する構造として、回路基板に対して電源、ＧＮＤ、信号を中継する中継端子と、保護ケースのコネクタ端子とをそれぞれ半田付けする構成が知られている（例えば、特許文献２参照）。この構成によれば、端子間が「互いに強固に固着されることとなり、その結果、振動に対する強度の向上した角速度および加速度検出用複合センサを提供できる」とされている。また、端子の半田付けによって電子部品を実装固定する例として、角速度センサに設けられた外端子を相手側基板に半田付けすることにより角速度センサを相手側基板に実装するものが知られている（例えば、特許文献３参照）。その外端子は、外端子と相手側基板との半田付け部に直接に応力が加わることがないように、折り曲げるようにされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０３０７２号公報
【特許文献２】特開２００３−００４４５０号公報
【特許文献３】特開２００１−１６５６６３号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、上述した図２１（ａ）（ｂ）に示されるような基板固定構造は、基板の１面に対する接着による固定であるため、３次元的な衝撃に対して耐衝撃性が低いという問題がある。また、半田付けによる固定部分は、コネクタ端子９２が塑性変形し易いので耐衝撃性への貢献は期待できない。また、上述した特許文献１に示されるような基板固定構造は、基板に挿入した支柱の先端部分をかしめる機械加工によって基板を固定するものであって、支柱は銅製の円柱状部材を別途製作してインサート成形により筐体に作り込む必要があり、製造工程が複雑であるという問題がある。また、特許文献２に示されるような中継端子や、特許文献３に示されるような外端子は、図２１（ａ）（ｂ）に示したコネクタ端子９２と同様に塑性変形し易いと考えられる。なお、図２１（ａ）（ｂ）に示した従来技術は、自社において計画していたものであるが特許出願等を行ってなく、それに対応する公知文献はない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
スタック形成
バリアー性能を測定するために、ウェーハを、６０ｎｍ厚さの市販の有機反射防止層で被覆し、２１５℃で硬化させ、次いでメタクリレート系１９３ｎｍフォトレジストを被覆した。次いで、トップコート層の堆積の前にレジストを任意にソフトベークした。トップコート層の堆積の前にイソプロパノールを、ウェーハに任意に適用して予備湿潤させ、及びレジストの表面を洗浄した。トップコート層の堆積後、フィルムを９０℃又は１２０℃の温度で１分間ソフトベークした。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも４００，０００の重量平均分子量をもつ重合体を製造する方法において、該方法は
（ａ）脂肪族炭化水素希釈剤、並びに
（ｂ）８０〜９９モル％のハロゲン化ジアルキルアルミニウム、１〜２０モル％の二ハロゲン化モノアルキルアルミニウム、および、全反応供給物に関して２〜１００ｐｐｍの水を含む触媒混合物
を存在させ、−１００〜＋５０℃の温度範囲において、Ｃ4〜Ｃ8イソモノオレフィン単量体をＣ4〜Ｃ14多重オレフィン単量体と接触させること、ここで、重合体中のＣ4〜Ｃ14多重オレフィン単量体含量が１．９〜２６モル％である、方法。
【請求項２】
希釈剤がＣ4〜Ｃ8飽和脂肪族炭化水素である請求項１記載の方法。
【請求項３】
Ｃ4〜Ｃ14多重オレフィンがＣ4〜Ｃ10共役ジオレフィンである請求項１記載の方法。
【請求項４】
ハロゲン化ジアルキルアルミニウムがＣ2〜Ｃ8ハロゲン化ジアルキルアルミニウムであり、各アルキル基が１〜４の炭素を含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
二ハロゲン化モノアルキルアルミニウムがＣ1〜Ｃ4二塩化アルキルアルミニウムである請求項１記載の方法。
【請求項６】
少なくとも４００，０００の重量平均分子量をもつ溶液中の重合体を製造する方法において、該方法は、
Ｃ4〜Ｃ8パラフィン希釈剤、並びに
（ｉ）各アルキル基が１〜８個の炭素を含むＣ2〜Ｃ16ハロゲン化ジアルキルアルミニウム８５〜９９モル％、（ｉｉ）各アルキル基が１〜８個の炭素を含むＣ1〜Ｃ8の二ハロゲン化モノアルキルアルミニウム１〜１５モル％、および、（ｉｉｉ）全反応供給物に関して２〜１００ｐｐｍの水を含む触媒混合物
を存在させ、−８０〜−２０℃の温度範囲でＣ4〜Ｃ8イソモノオレフィンをＣ4〜Ｃ10共役ジオレフィンと反応させ、ここで、重合体中のＣ4〜Ｃ10共役ジオレフィン単量体含量が１．９〜２６モル％である、方法。
【請求項７】
希釈剤がＣ4〜Ｃ8飽和脂肪族炭化水素である請求項６記載の方法。
【請求項８】
Ｃ4〜Ｃ8イソモノオレフィンがイソブチレンを含み、Ｃ4〜Ｃ10共役ジオレフィンがイソプレンを含む請求項６記載の方法。
【請求項９】
ハロゲン化ジアルキルアルミニウムがＣ2〜Ｃ8ハロゲン化ジアルキルアルミニウムであり、各アルキル基が１〜４の炭素を含む請求項６記載の方法。
【請求項１０】
二ハロゲン化モノアルキルアルミニウムがＣ1〜Ｃ4二塩化アルキルアルミニウムである請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月6日(2011.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2011231130.tif 000001
（式中、Ｒ１及びＲ２は、同一又は異なっていても良く、炭素数１〜６のアルキル基を示す。）
で示されるジアルキルマグネシウムと、ジアルキルマグネシウム１モルに対して、２．０５〜２．１８モルのシクロペンタジエンを反応させた後、得られたビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムを減圧下で昇華精製させることを特徴とする、高純度ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムの製法。
【請求項２】
ジアルキルマグネシウムが、一般式（２）
【化２】
2011231130.tif 000002
（式中、Ｒ３は、炭素数６〜１２のアルキル基を示す。）
で示されるトリアルキルアミンで処理したものである請求項２記載の高純度ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムの製法。
【請求項３】
ジアルキルマグネシウムが、n−ブチルエチルマグネシウムである請求項１記載の高純度ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムの製法。
【請求項４】
シクロペンタジエンが、ジシクロペンタジエンを１４０〜１７０℃でクラッキング反応させた後に２５℃以下に冷却したものである請求項１記載の高純度ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムの製法。
【請求項５】
トリアルキルアミンが、トリ−ｎ−ドデシルアミンである請求項２記載の高純度ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムの製法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定され
るものではない。なお、ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム中の金属原子の分析は
、誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ−ＯＥＳ法）により行った。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切り刃をガラス板に対して予め設定された形成すべき切り線に沿って移動させ、この移動中において、強弱が交互に切り替えられる空気圧により切り刃をガラス板に対して弾性的に押圧して、ガラス板に切り線を形成するガラス板切断方法。
【請求項２】
空気圧の強弱の交互の切り替えを、一定の時間間隔置きに行わせる請求項１に記載のガラス板切断方法。
【請求項３】
空気圧の強弱の交互の切り替えを、３０ｍｓから７０ｍｓの時間間隔置きに行わせる請求項１又は２に記載のガラス板切断方法。
【請求項４】
ガラス板に切り線を形成する切り刃と、この切り刃をガラス板に対して予め設定された形成すべき切り線に沿って移動させる移動手段と、空気圧によりこの切り刃をガラス板に対して弾性的に押圧する弾性押圧装置と、移動手段による切り刃の移動において強弱が交互に切り替えられる空気圧により切り刃をガラス板に対して弾性的に押圧するように弾性押圧装置を制御する制御装置とを具備しており、移動手段は、アール部を移動させる切り刃の移動速度を、直線部を移動させる切り刃の移動速度よりも低速度とするようになっているガラス板切断機。
【請求項５】
制御装置は、アール部における空気圧の強弱を交互に切り替える時間間隔を、直線部における空気圧の強弱を交互に切り替える時間間隔よりも短くなるように弾性押圧装置を制御するようになっている請求項４に記載のガラス板切断機。
【請求項６】
ガラス板に切り線を形成する切り刃と、この切り刃をガラス板に対して予め設定された形成すべき切り線に沿って移動させる移動手段と、空気圧によりこの切り刃をガラス板に対して弾性的に押圧する弾性押圧装置と、移動手段による切り刃の移動において強弱が交互に切り替えられる空気圧により切り刃をガラス板に対して弾性的に押圧するように弾性押圧装置を制御する制御装置とを具備しており、制御装置は、アール部における空気圧の強弱を交互に切り替える時間間隔を、直線部における空気圧の強弱を交互に切り替える時間間隔よりも短くなるように弾性押圧装置を制御するようになっているガラス板切断機。
【請求項７】
制御装置は、空気圧の強弱の交互の切り替えを、一定の時間間隔置きに行わせるように弾性押圧装置を制御するようになっている請求項４から６のいずれか一項に記載のガラス板切断機。
【請求項８】
制御装置は、空気圧の強弱の交互の切り替えを、３０ｍｓから７０ｍｓの時間間隔置きに行わせるように弾性押圧装置を制御するようになっている請求項４から７のいずれか一項に記載のガラス板切断機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明組成物の有効成分として用いられるスルホニウム塩化合物は、前記一般式〔I〕で表わされ、このウレタン結合含有スルホニウム塩化合物は、一般式
2011231243.tif 000001
(ここで、R2は炭素数1〜6のアルキル基であり、R3は芳香族炭化水素基であり、X-は非求核性アニオン性基である)で表わされる水酸基含有スルホニウム塩を、芳香族系または脂肪族系イソシアネート化合物 R1(NCO)n〔III〕と反応させることにより製造される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記一般式〔II〕で表わされる水酸基含有スルホニウム塩において、R2は炭素数1〜6のアルキル基、好ましくはメチル基、エチル基であり、R3は芳香族炭化水素基、好ましくはフェニル基、1-ナフチル基(α-ナフチル基)であり、これらの芳香族炭化水素基はアルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、ビニル基、ニトロ基等でモノ置換またはポリ置換されたものであってもよい。またX-は非求核性アニオン性基であり、例えばB(C6F5)4-、BF4-、PF6-、SbF6-、AsF6-、SbCl4-等が挙げられ、好ましくは硬化性、耐腐食性の点からアニオン性ホウ酸塩基が用いられ、特に好ましくはテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートB(C6F5)4-が用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような水酸基含有スルホニウム塩〔II〕と反応する芳香族系または脂肪族系イソシアネート化合物 R1(NCO)n〔III〕としては、モノイソシアネート、ジイソシアネート、3官能以上のイソシアネート化合物が用いられ、それぞれn＝1、2または3以上のウレタン結合含有スルホニウム塩化合物を形成させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
脂環式エポキシ化合物の具体例としては、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル-5,5-スピロ-3,4-エポキシ)シクロヘキサン-m-ジオキサン、ビス(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、4-ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス(3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル)アジペート、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシル-3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサン)、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールジ(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)エーテル、エチレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、プロピレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ-2-エチルヘキシル、1,4-シクロヘキサンジメタノールジ(3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)等が挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
以上の各実施例および比較例で得られた結果は、次の表に示される。
表
例    硬化剤 貯蔵安定性 硬化性(秒) 接着強度(MPa)
実施例１  NSF-TI       0.5%          23              10     
〃  ２    〃         0.5%          37              15     
〃  ３    〃         0.5%          47              14     
〃  ４  BSF-PI       1.0%          27              11     
〃  ５    〃         1.0%          40              15     
〃  ６    〃         1.0%          53              13     
〃  ７  NSF-MDI      1.0%          53              14     
〃  ８  NSF-TI       0.5%          40              13     
〃  ９  BSF-PI       1.0%          54              13     
比較例１  NSF-TI       0.5%          14               5     
〃  ２  BSF-PI       1.0%          17               5     
〃  ３  SI80L        0.5%          80               5
〃  ４  SI100L       0.5%         100               5
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炉高方向で炉下部側から順に朝顔部、切立部およびシャフト部を備え、且つ炉下端側に羽口を備え、羽口から微粉炭吹き込みを行う高炉の炉高方向において、熱負荷が小さい炉上部・中部領域(A)には鋳鉄製ステーブを配置し、それよりも下方の熱負荷の大きい領域であって、溶融スラグ生成開始領域および溶融スラグ存在領域である炉下部領域(B)と溶融スラグ存在領域である炉最下部領域(C)には、ステーブ表面に溶融スラグが接触すると凝固して凝固スラグ層が生成する銅または銅合金製ステーブを配置したステーブ配置構造であって、
前記炉下部領域(B)が、朝顔部の上部領域、切立部の全部領域およびシャフト部の下部領域であり、前記炉最下部領域(C)が、羽口上方における朝顔部の下部領域であることを特徴とする高炉のステーブ配置構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［1］炉高方向で炉下部側から順に朝顔部、切立部およびシャフト部を備え、且つ炉下端側に羽口を備え、羽口から微粉炭吹き込みを行う高炉の炉高方向において、熱負荷が小さい炉上部・中部領域(A)には鋳鉄製ステーブを配置し、それよりも下方の熱負荷の大きい領域であって、溶融スラグ生成開始領域および溶融スラグ存在領域である炉下部領域(B)と溶融スラグ存在領域である炉最下部領域(C)には、ステーブ表面に溶融スラグが接触すると凝固して凝固スラグ層が生成する銅または銅合金製ステーブを配置したステーブ配置構造であって、
前記炉下部領域(B)が、朝顔部の上部領域、切立部の全部領域およびシャフト部の下部領域であり、前記炉最下部領域(C)が、羽口上方における朝顔部の下部領域であることを特徴とする高炉のステーブ配置構造。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体貯蔵および供給システムであって、
開口を有し、高圧ガスまたは液化ガスを保持するようにされる内部容積を封じ込める容器と、
前記開口に係合するとともに、前記容器からの通過した流体を供給する出口を有するヘッドアセンブリと、
前記ヘッドアセンブリに連結され、前記容器の前記内部容積内に下方に延びる接続管と、
前記接続管に連結され、前記容器の前記内部容積内に位置する流れ制御バルブ装置とを備え、
前記流れ制御バルブ装置は、大気圧より低い圧力レベルに応答して開いて前記容器から前記接続管および前記ヘッドアセンブリを経て前記出口へ流体が供給され、そうでない場合には、前記流体を前記容器内に保持するように構成され、さらに、
前記容器の前記内部容積内において前記流れ制御バルブ装置より下に位置し、それに結合され、前記容器からの流体の供給中に流体を前記流れ制御バルブ装置に流すための管状制限流れ構造を含む、流体貯蔵および供給システム。
【請求項２】
前記流れ制御バルブ装置が、前記出口における圧力に応じて、流体を供給する開位置と、流体を前記容器内に閉じ込める閉位置との間を移動可能なポペット素子を含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項３】
前記流れ制御バルブ装置が設定ポイントレギュレータを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項４】
前記設定ポイントレギュレータは調整可能な設定ポイントを有する、請求項３に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項５】
前記設定ポイントレギュレータは固定された設定ポイントを有する、請求項３に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項６】
前記設定ポイントレギュレータは７００Ｔｏｒｒを越えないポイントを有する、請求項３に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項７】
前記流れ制御バルブ装置は相分離器を含むアセンブリの一部である、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項８】
前記ヘッドアセンブリは２つのポートを有するバルブヘッドアセンブリを含む、請求項１から７のいずれかに記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項９】
前記ヘッドアセンブリは単一のポートを有するバルブヘッドアセンブリを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１０】
前記管状制限流れ構造は流体が流れる細孔を含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１１】
前記容器の前記開口が２．５４ｃｍ(１インチ)ＮＧＴよりも大きい、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１２】
前記流れ制御バルブ装置が単一段レギュレータを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１３】
前記流れ制御バルブ装置が多段レギュレータを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１４】
前記流体が前記容器内に閉じ込められる、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１５】
前記流体が、アルシン、ホスフィン、および三フッ化ホウ素からなる群から選択される、請求項１４に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１６】
前記出口がイオン注入装置に結合される、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１７】
前記容器がアルシンを貯蔵する、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１８】
前記容器が、半導体製造におけるイオン注入工程においてアルシンを供給するために適用される、請求項１７に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項１９】
前記容器がホスフィンを貯蔵する、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項２０】
前記容器が三フッ化ホウ素を貯蔵する、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。
【請求項２１】
流体を貯蔵および供給するための方法であって、
容器の内部容積内に流体を貯蔵する工程を備え、
前記流体は、前記容器の前記内部容積内の、前記容器から流体を供給する流体流路内に位置する流れ制御バルブ装置によって封じ込められ、前記流れ制御バルブ装置は、大気圧より低い圧力レベルに応答して開いて流体を前記流体流路を経て供給し、そうでない場合には、前記流体を前記容器内に保持するように構成され、前記流れ制御バルブ装置は、前記容器の前記内部容積内において管状制限流れ構造に結合され、流体は、前記容器からの流体の供給中に前記管状制限流れ構造を介して前記流れ制御バルブ装置に流れる、流体を貯蔵および供給するための方法。
【請求項２２】
前記流体が供給されて、イオン注入または化学蒸着のために用いられる、請求項２１に記載の流体を貯蔵および供給するための方法。
【請求項２３】
前記流体がアルシンである、請求項２１に記載の流体を貯蔵および供給するための方法。
【請求項２４】
前記流体がホスフィンである、請求項２１に記載の流体を貯蔵および供給するための方法。
【請求項２５】
前記流体が三フッ化ホウ素である、請求項２１に記載の流体を貯蔵および供給するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体を搬送すべく往復動するダイヤフラムを設けたダイヤフラム駆動室と、前記ダイヤフラムを往復動させるための駆動力を供給する駆動力供給部とを備えた往復動ポンプであって、
前記駆動力供給部が、一つの偏心カムと、この偏心カムを回転させるための駆動力伝達軸と、前記偏心カムの回転によって往復動する第一ピストン部および第二ピストン部とを用いて構成され、
前記ダイヤフラム駆動室内には、第一ダイヤフラムおよび第二ダイヤフラムが設けられ、前記第一および第二ピストン部の駆動力が、作動油を介して、前記第一および第二ダイヤフラムに伝達されるべく構成され、
前記ダイヤフラム駆動室内の流体搬送室に前記流体を搬送すべく、補助駆動部が設けられ、
前記補助駆動部が、流体を搬送すべく往復動する第一補助ダイヤフラムおよび第二補助ダイヤフラムと、前記第一および第二補助ダイヤフラムを往復動させるために前記駆動力伝達軸に設けられる補助偏心カムと、この補助偏心カムの回転に応じて往復動する補助可動体と、この補助可動体の動きによって第一及び第二補助ダイヤフラムを往復動させるべく、補助可動体に取り付けられる第一可動シャフト及び第二可動シャフトと、を有するとともに、前記補助偏心カム、補助可動体、第一及び第二可動シャフトによって、前記第一及び第二補助ダイヤフラムを、前記作動油を介することなく往復動させるように構成されることを特徴とする往復動ポンプ。
【請求項２】
所定圧力以上の流体が流体搬送室に搬送されることを防止するための補助リーク部をさらに備える請求項１に記載の往復動ポンプ。