【事件の表示】
　特願２００１−　３５０６０「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月３０日出願公開、特開２００２−２４６４６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　　手続の経緯
　本願は，平成１３年２月１３日の出願であって，平成１８年７月１３日付けの拒絶理由通知に対して，同年９月１３日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成１９年５月２３日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年６月２７日に拒絶査定に対する審判請求がされたものである。
　
　
第２　　本願発明の容易想到性について
１　　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は，平成１８年９月１３日付けの手続補正書に記載されたとおりのものであり，その記載は，次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
「　【請求項１】　シリコン酸化膜をエッチングして接続孔を形成する半導体装置の製造方法において，
　絶縁膜に溝を形成して銅配線を形成し，
　前記絶縁膜および前記銅配線の上に前記銅配線の銅の拡散防止層として機能する単層の炭化窒化シリコン膜を形成し，
　前記単層の炭化窒化シリコン膜の上にシリコン酸化膜を形成し，
　前記単層の炭化窒化シリコン膜をエッチングストップ層として，前記銅配線に達する接続孔を形成する領域の前記シリコン酸化膜をエッチングし，
　前記シリコン酸化膜がエッチングされた前記単層の炭化窒化シリコン膜をエッチングして前記銅配線に達する前記接続孔を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。　」
　
２　　引用例１の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０００−２１６２４８号公報（以下「引用例１」という。）には，図１とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したものである。以下同じ。）
　
ア　　発明の実施の形態
「　【００１４】
【発明の実施の形態】
図に一致対応して，本発明による半導体装置のビアホール形成方法の実施の形態は，基板が形成されている。図１（ａ）に示されるように，その基板１０は，他のステップスで３層構造として既に形成されている。その３層構造は，基板中に形成されたＣｕ配線層１と，Ｃｕ配線層１の上面側に形成されているＳｉＮ層２と，ＳｉＮ層２の上面側に形成されているＳｉＯ２層３とからなる。
【００１５】
レジスト層４が形成され，そのパターンに従って，第１段階ビアホール５が形成される。第１段階ビアホール５は，ＳｉＮ層２の表面に届いているが，その表面でそのエッチングは停止している。Ｃｕ配線層１の表面はＳｉＮ層２に覆われて露出していない。
【００１６】次に，図１（ｂ）に示されるように，レジスト層４がアッシング等の処理手段で除去される。
更に次に，図１（ｂ）に示されるように，第１段階ビアホール５に連続して，ＳｉＮ層２に第２段階ビアホール６が形成される。第２段階ビアホール６は，Ｃｕ配線層１の表面に届いている。この段階で，Ｃｕ配線層１の表面は露出している。
　
イ　　図１
　図１には，次の事項が示されている。
・　ＳｉＮ層２は単層の膜であり，基板１０及びＣｕ配線層１の上に形成されること。
・　上記ＳｉＮ層２の上にＳｉＯ２層３が形成されること。
・　上記Ｃｕ配線層１に達するビアホールを形成する領域の上記ＳｉＯ２層３をエッチングすることにより，第１段階ビアホール５が形成されること。
・　上記ＳｉＯ２層３がエッチングされて露出した上記ＳｉＮ層２をエッチングすることにより，上記第１段階ビアホール５に連続して第２段階ビアホール６が形成され，上記Ｃｕ配線層１の表面に達するビアホールが形成されること。
　
　以上によれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「　ＳｉＯ２層３をエッチングしてビアホールを形成する半導体装置のビアホール形成方法において，
　基板１０中にＣｕ配線層１を形成し，
　上記基板１０および上記Ｃｕ配線層１の上に単層のＳｉＮ層２を形成し，
　上記単層のＳｉＮ層２の上にＳｉＯ２層３を形成し，
　上記単層のＳｉＮ層２の表面に届いているが，その表面で停止するように，上記Ｃｕ配線層１に達するビアホールを形成する領域の上記ＳｉＯ２層３をエッチングし，
　上記ＳｉＯ２層３がエッチングされた上記単層のＳｉＮ層２をエッチングして上記Ｃｕ配線層１の表面に達する上記ビアホールを形成する半導体装置のビアホール形成方法。　」
　
３　　対比
ア　　引用発明の「ＳｉＯ２層３」及び「ビアホール」は，それぞれ，本願発明の「シリコン酸化膜」及び「接続孔」に相当し，また，引用発明の「半導体装置のビアホール形成方法」は，半導体装置の製造方法における一工程であるから，本願発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　そうすると，引用発明の「ＳｉＯ２層３をエッチングしてビアホールを形成する半導体装置のビアホール形成方法において，」は，本願発明の「シリコン酸化膜をエッチングして接続孔を形成する半導体装置の製造方法において，」に相当する。
　
イ　　引用発明の「基板」と本願発明の「絶縁膜」とは，半導体装置を構成する「部材」である点で共通し，引用発明の「Ｃｕ配線層１」は，本願発明の「銅配線」に相当する。
　そうすると，引用発明の「基板１０中にＣｕ配線層１を形成し，」と本願発明の「絶縁膜に溝を形成して銅配線を形成し，」とは，「部材中に銅配線を形成し，」という点で共通する。
　
ウ　　引用発明の「単層のＳｉＮ層２」と本願発明の「単層の炭化窒化シリコン膜」とは，「単層の膜」である点で共通するから，引用発明の「上記基板１０および上記Ｃｕ配線層１の上に単層のＳｉＮ層２を形成し，上記単層のＳｉＮ層２の上にＳｉＯ２層３を形成し，」と，本願発明の「前記絶縁膜および前記銅配線の上に前記銅配線の銅の拡散防止層として機能する単層の炭化窒化シリコン膜を形成し，前記単層の炭化窒化シリコン膜の上にシリコン酸化膜を形成し，」とは，「前記部材および前記銅配線の上に単層の膜を形成し，前記単層の膜の上にシリコン酸化膜を形成し，」という点で共通する。
　
エ　　引用発明の「上記単層のＳｉＮ層２の表面に届いているが，その表面で停止するように，上記Ｃｕ配線層１に達するビアホールを形成する領域の上記ＳｉＯ２層３をエッチング」することは，ＳｉＮ層２をエッチングストップ層として，Ｃｕ配線層１に達するビアホールを形成する領域のＳｉＯ２層３をエッチングすることを意味すると解される。
　そうすると，引用発明の「上記単層のＳｉＮ層２の表面に届いているが，その表面で停止するように，上記Ｃｕ配線層１に達するビアホールを形成する領域の上記ＳｉＯ２層３をエッチングし，」と，本願発明の「前記単層の炭化窒化シリコン膜をエッチングストップ層として，前記銅配線に達する接続孔を形成する領域の前記シリコン酸化膜をエッチングし，」とは，「前記単層の膜をエッチングストップ層として，前記銅配線に達する接続孔を形成する領域の前記シリコン酸化膜をエッチングし，」という点で共通する。
　
オ　　引用発明の「上記ＳｉＯ２層３がエッチングされた上記単層のＳｉＮ層２をエッチングして上記Ｃｕ配線層１の表面に達する上記ビアホールを形成する」と，本願発明の「前記シリコン酸化膜がエッチングされた前記単層の炭化窒化シリコン膜をエッチングして前記銅配線に達する前記接続孔を形成する」とは，「前記シリコン酸化膜がエッチングされた前記単層の膜をエッチングして前記銅配線に達する前記接続孔を形成する」という点で共通する。
　
　以上から，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりとなる。
　
（一致点）
「　シリコン酸化膜をエッチングして接続孔を形成する半導体装置の製造方法において，
　部材中に銅配線を形成し，
　前記部材および前記銅配線の上に単層の膜を形成し，
　前記単層の膜の上にシリコン酸化膜を形成し，
　前記単層の膜をエッチングストップ層として，前記銅配線に達する接続孔を形成する領域の前記シリコン酸化膜をエッチングし，
　前記シリコン酸化膜がエッチングされた前記単層の膜をエッチングして前記銅配線に達する前記接続孔を形成する半導体装置の製造方法。　」
　
（相違点）
・　相違点１
　部材中に銅配線を形成するにあたり，本願発明は，絶縁膜に溝を形成して銅配線を形成するのに対し，引用発明は，基板１０中にＣｕ配線層１（本願発明の銅配線に相当。）を形成するもので，本願発明のような特定がされていない点。
　
・　相違点２
　本願発明は，単層の膜が炭化窒化シリコン膜であるのに対し，引用発明は，単層の膜がＳｉＮ（窒化シリコン）層２である点。
　
・　相違点３
　本願発明は，単層の膜が銅配線の銅の拡散防止層として機能するものであるのに対し，引用発明には，そのような特定がされていない点。
　
４　　相違点についての検討
（１）　相違点１について
　半導体装置の製造において，絶縁膜に溝を形成して銅配線を形成することは，当該技術分野では「ダマシン法」と呼ばれる周知の技術であり，この点について，例えば，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０００−２９９３７６号公報には，図２とともに，次の記載がある。
　
「　【００１４】先ず，図２（ａ）に示すように，
基板（図示省略）上の低誘電膜１１に配線溝１１ａを形成する。
次に，配線溝１１ａの内壁を覆う状態でバリアメタル層１２を形成した後，配線溝１１ａ内を配線材料１３で埋め込む。
配線材料１３は銅（Ｃｕ）からなることとする。
【００１５】その後，ＣＭＰ法によって低誘電膜１１上の配線材料１３及びバリアメタル層１２を除去し，
配線溝１１ａ内に下層配線１３ａを形成する。
　
　そうすると，引用発明において，絶縁膜に溝を形成してＣｕ配線層１（本願発明の銅配線に相当。）を形成すること（相違点１に係る構成とすること）は，当業者が行う，上記周知技術の単なる置換である。
　
（２）　相違点２について
ア　　引用例２について
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１０−２２３７５８号公報（以下「引用例２」という。）には，図４〜６とともに，次の記載がある。
　
（ア）　実施例
「【００３４】次に図４，図５，図６を参照して本発明の実施の形態の他の例につき説明する。この図４，図５，図６において，図１，図２，図３に対応する部分には同一符号を付して示す。
（中略）
【００３６】この第１層のＡｌＣｕ配線３及びＢＰＳＧ膜２上にプラズマＣＶＤ法により形成したＰ−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜４ａ及びＯ３−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ  ＮＳＧ膜４ｂの２層より成る層間絶縁膜を構成する第１の酸化膜４を形成する。
【００３７】その後，
この第１の酸化膜４上をＣＭＰ法により研磨して平坦とし，平坦面５を形成する。
（中略）
【００３８】
その後，本例においては，この平坦面５よりＮ
＋
 をウェーハ全面にイオン注入し，ＳｉＮより成る難エッチング層２０を形成する。
（注入後のミキシング層はアモルファスであるが，層間膜の成膜中の加熱により多結晶化し，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ混晶等が生成する。）
（中略）
【００４０】次に、
この平坦面５上にプラズマＣＶＤ法により、例えば１００ｎｍのＰ−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜７を成膜する。
（中略）
【００４１】このＰ−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜７上にこのＰ−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜７を下地とした第２層のＡｌＣｕ配線８をドライエッチングにより微細加工して形成する。
（中略）
【００４２】
この第２層のＡｌＣｕ配線８及びＰ−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜７上にプラズマＣＶＤ法により形成したＰ−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜９ａ及びＯ
３
−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜９ｂの２層より成る層間絶縁膜を構成する第２の酸化膜９を形成する。
【００４３】その後、この第２の酸化膜９上をＣＭＰ法により研磨して平坦とし、平坦面１０を形成する。（中略）
この平坦面１０上にプラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍ以下例えば１００ｎｍのＰ−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜１１を成膜する。
【００４４】
このＰ−ＴＥＯＳ  ＮＳＧ膜１１上に所定数のボーダーレスコンタクトホールを形成するパターンが形成されたマグネトロンＲＩＥのレジスト１２を設ける如くする。
【００４５】
次にこのレジスト１２を使用し，マグネトロンＲＩＥによるボーダーレスコンタクトホールのエッチングを実施する。
（中略）
【００４７】
この場合，最も浅い層間絶縁膜のコンタクトホール１３ａでは深さ１．１μｍ（第２層のＡｌＣｕ配線８の下１００ｎｍ）にこのコンタクトホール１３ａの底が到達すると，図５に示す如く，ＳｉＮ，ＳｉＯＮの難エッチング層２０が底に露出して，このエッチングの進行が阻止される。これは周知の如く，Ｃ
４
Ｆ
８
 ／Ｃｏ／Ａｒ／Ｏ
２
 でのＳｉＮに対するＳｉＯ
２
 の高選択比エッチングの機構が働くためである（特開平６−１３２２５２号公報参照）。
【００４８】
また浅い層間膜厚のコンタクトホール１３ａでは，ＳｉＮ，ＳｉＯＮの難エッチング層２０でのエッチングストップが働く為，配線の下地の酸化膜の掘れが一定の深さ（ＡｌＣｕ配線の下２００ｎｍ程度で揃う）。
（中略）
【００５２】また本例によればＮ＋イオンの注入条件を所望の値に設定することにより任意のＳｉＮ，ＳｉＯＮの難エッチング層２０を形成することができる。
【００５３】
尚，上述実施例においては，Ｎ
＋
イオンを注入してＳｉＮ，ＳｉＯＮの難エッチング層を形成した例につき述べたが，この代わりにＣ
＋
 イオンを注入しＳｉＣの難エッチング層としても良いし，またＣ
＋
イオン及びＮ
＋
イオンの二重注入によってＳｉＣＮの難エッチング層を形成しても上述と同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
　
（イ）　発明の効果
「【００５６】
【発明の効果】本発明によれば，μ−ローディング効果を良くして高アスペクト比のボーダーレスコンタクトホールを良好に形成できると共に
Ｎ又はＣを含有するＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＣ，ＳｉＣＮ等から成る難エッチング層をエッチングストップ層としているので，このボーダーレスコンタクトホールの底の位置が決まり，このボーダーレスコンタクトホールにより多層金属配線間を接続するようにしたときに誤短絡を生じたり，耐圧不良等が発生したりすることがない利益がある。
　
イ　　引用例３について
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平０６−３４９７８８号公報（以下「引用例３」という。）には，図３〜６とともに，次の記載がある。
　
（ア）　実施例３
「　【００４４】実施例３．図３は本発明の実施例３による薄膜層のエッチング後の状態を示す模式断面図であり，
６は非エッチング部１の表層に形成された被覆膜７の表層に炭素化合物化処理により形成された絶縁性炭素化合物層あるいは絶縁性炭素化合物分散層（以下炭素化合物層と記す）である。
この実施例では非エッチング部１を内在する薄膜層３は酸化シリコン膜であり，非エッチング部１の上に形成された被覆膜７はストッパ膜としての機能を持たせることを目的としている窒化シリコン膜である。
【００４５】
上記のように構成されたエッチング時の選択比向上方法においては，非エッチング部１を内在する薄膜層３である酸化シリコン膜のハロゲンガスのプラズマあるいはハロゲン化合物ガスのプラズマによるホールエッチング中に，ホール底の一部が非エッチング部１の上に形成された被覆膜７に到達後さらにホールエッチングを続けても，上記と同様に，非エッチング部１の上に形成された被覆膜７上に設けられた炭素化合物層６の表面からエッチングが進行しないため非エッチング部１の上に形成された被覆膜７に損傷を与えることなくホールエッチングを行うことができる。即ち非エッチング部１に損傷を与えることなくホールエッチングを行える。
　
（イ）　実施例６
「　【００５９】実施例６．上記実施例では，別の工程として表層の炭素化合物化処理を行うものとしている。しかし，
非エッチング部１の上に形成される被覆膜７の表層を被覆膜７を構成している物質と被覆膜７に含まれる金属の炭素化合物との混合物の膜（炭素化合物分散層６）とし，
上記実施例と同様の効果が得られる。
【００６０】非エッチング部１の上に形成される被覆膜７が窒化シリコン膜の場合は，例えば，熱ＣＶＤ装置によりジクロルシラン３０ＳＣＣＭ，アンモニア１８０ＳＣＣＭ，圧力６００ｍＴｏｒｒ，基板温度７８０℃で被覆膜７の窒化シリコン膜の成膜を行い，成膜終了前にエチレンガスを１０ＳＣＣＭ添加することにより
６インチシリコンウェハ上の窒化シリコン膜の表面層に窒化シリコンと炭化シリコンの混合膜，即ち炭素化合物分散層６を成膜することができる。
　
（ウ）　実施例９
「　【００７１】実施例９．上記実施例６〜８では，非エッチング部の上に形成された被覆膜７を構成している物質と被覆膜７に含まれる金属の炭素化合物との混合物の膜を炭素化合物分散層６として用いたが，例えば，ＲＦプラズマＣＶＤ装置によりアンモニアガス１００ＳＣＣＭ，窒素ガス５０ＳＣＣＭ，シランガス３０ＳＣＣＭ，一酸化炭素ガス１００ＳＣＣＭ，アルゴンガス２００ＳＣＣＭとすることにより，
非エッチング部１を表面に持つ６インチシリコンウェハ上に硬質の窒化シリコンと炭化シリコンの混合膜のストッパ膜１１を形成した場合にも同様の効果が得られる。
　
（エ）　発明の目的及び効果
・「　【００１４】本発明は，かかる問題点を解決するためになされたものであり，エッチングしたくない部分のエッチングを抑止することを目的とし，
エッチング時の選択比を向上させて目的とする形状を確実且つ簡単に得られるエッチング方法を提供することを目的とするものである。さらに上記方法に用いられる容易な表面処理方法，さらにはエッチング量が少なくなる組成のストッパ膜およびエッチング量が少なく加工精度を向上できるストッパ膜の構造を提供することを目的としている。
　
・「　【００８７】
【発明の効果】以上説明してきたように，
本発明によれば，エッチングしたくない部分の表層あるいは表面に，絶縁性の炭素化合物分散層あるいは炭素化合物層を設けているため，例えばハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスのプラズマを用いてエッチングするに際して，エッチングしたくない部分の形状に関係なく，これを保護，エッチングしたくない部分の表層に損傷を与えずにエッチングできるので，エッチングしたくない部分を内在する薄膜層に目的とする形状を形成することができる。
（中略）
【００９３】
また，窒化シリコン，酸化シリコンのうち少なくとも１種類以上の化合物と炭化シリコンとの混合膜をストッパ膜として用いることにより，成膜速度が早く且つ効果の高いストッパ膜により高い精度で目的とする形状が得られる。
　
ウ　　判断
　上記アによれば，引用例２には，半導体装置の製造において，単層の膜の上にシリコン酸化膜を形成し，上記単層の膜をエッチングストップ層として上記シリコン酸化膜をエッチングする際に，上記単層の膜として炭化窒化シリコン膜を採用することで，上記シリコン酸化膜とのエッチング選択比が良好なエッチングストップ層が得られることが教示されている。
　また，上記イによれば，引用例３には，半導体装置の製造において，単層の膜の上にシリコン酸化膜を形成し，上記単層の膜をエッチングストップ層として上記シリコン酸化膜をエッチングする際に，上記単層の膜として窒化シリコンと炭化シリコンとの混合膜を採用することで，上記シリコン酸化膜とのエッチング選択比が良好なエッチングストップ層が得られることが教示されている。
　そうすると，引用発明において，Ｃｕ配線層１（本願発明の「銅配線」に相当。）に達するビアホール（本願発明の「接続孔」に相当。）を形成する領域のＳｉＯ２層３（本願発明の「シリコン酸化膜」に相当。）をエッチングする際に，上記ＳｉＯ２層３とのエッチング選択比を良好にするために，エッチングストップ層となる単層の膜を炭化窒化シリコン膜で構成すること（相違点２に係る構成）は，引用例２及び引用例３に教示された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）　相違点３について
　審判請求人は，相違点３について，平成１９年６月２７日に提出され，同年７月２６日付け手続補正書により補正された，審判請求書の請求の理由で，次のとおり主張しているので，当該主張も含めて検討する。
（審決注：下記主張における「引用文献１」，「引用文献２」及び「引用文献４」は，それぞれ，本審決における「引用例３」，「引用例２」及び「引用例１」に対応する。）
　
「　
シリコン酸化膜のエッチングによる接続孔形成時のエッチングストップ層として用い得る膜，すなわちシリコン酸化膜とエッチング選択比を有する膜は，炭化窒化シリコン膜以外にも多種多様のものがある。そして，それらの膜すべてが銅の拡散防止機能を有するか否かについては，出願当時，必ずしも明確でない。これら多種多様の膜から，シリコン酸化膜とのエッチング選択比を有するいずれかの膜を選択し，それを銅配線上の膜として使用したとしても，その膜が必ずしも銅の拡散防止機能を有するとは限らない。
　引用文献１，２では，構成上，エッチングストップ層に用いる材料選択にあたり銅の拡散については何ら考慮されず，また，引用文献１，２には，炭化窒化シリコン膜が銅の拡散防止機能を有することも何ら記載されていない。このようなことが考慮されていない以上，引用文献１，２のエッチングストップ層の材料を，引用文献４のような銅配線上に形成するエッチングストップ層の材料として適用する動機付けが存在するとは言えない。
本願発明のように炭化窒化シリコン膜を銅拡散防止層兼エッチングストップ層として用いる点は，引用文献１，２，４から当業者が容易に想到できたものであるとは考えられない。
　
ア　　本願の出願時における技術水準について
　絶縁膜中に銅配線が形成されてなる半導体装置において，上記絶縁膜及び上記銅配線の上に，上記銅配線の銅の拡散防止層として機能する単層の窒化シリコン膜又は炭化シリコン膜を形成することは，例えば，本願の出願前に日本国内で頒布された，次の（ア）及び（イ）の刊行物にみられるように，本願の出願前に当業者により通常に知られていたことである。
  
（ア）　本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である国際公開第２００１／００３１７９号には，図１及び図２とともに，次の記載がある。（訳文は，その対応日本出願の公表公報である特表２００３−５０４８４８号公報によった。）
　
・「  次に，図１を参照しながら，これらの困難についてさらに説明する。図からわかるように，
誘電体１０には，ライナーバリア１４を有する銅の溝線１２が設けられている。銅が誘電体１０内に拡散するのを防ぐために，バリア層１６ａが設けられている。
第１の酸化物層１８ａおよび第２の酸化物層１８ｂが，非ドープのＴＥＯＳ酸化物またはフッ素ドープされた酸化物である場合は，充分に開発されたエッチング技術を用いることができ，層１６ａおよび１６ｂに対して優れた選択性を維持することができる。このような選択性が，例えば約２０：１の範囲にあれば，層１６ａおよび１６ｂの厚さを最小に保つことができる。通常，窒化ケイ素（ＳｉＮ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる層１６は約９という高い誘電率を有しているために，層の厚さを最小に保っておくことが重要になる。このように選択性が２０：１の範囲にあるために，バリア層１６ａが，比較的薄い層として形成されている場合でも，早く除去されてしまうことを避けることができる。
　
・「　図２は，複数の層が形成された半導体構造を切り取ったものを，本発明の１つの実施形態に従って示した図である。この構造は酸化物層１００を有しており，
酸化物層１００の内部には，金属による配線が形成されている。金属による配線は，通常，酸化物１００内に溝をエッチングした後，電導性の材料で溝を満たすことによって形成される。電導性の材料は，銅材料１２２であることが好ましい。
　溝内では，銅材料１２２が酸化物１００内に拡散するのを防ぐために，バリア層１２０をスパッタリングすることが好ましい。好ましい実施形態において，バリア層１２０は窒化タンタル（ＴａＮ）である。もちろん，他のバリア層材料を使用することもできる。したがって，バリア層１２０は，溝の壁の輪郭を形成するとともに，銅材料１２２にも接することになる。化学機械研磨（ＣＭＰ）を行って，酸化物１００上からバリア層１２０および余分な銅材料１２２を取り除くと，銅の金属配線が形成されていることになる。
酸化物１００内に適切な数の金属配線およびビア（図示せず）を形成してしまうと，バリア層１０２を堆積して，上に堆積した誘電体材料からバリア層１０２までビアホールをエッチングする際に，銅材料１２２が時期尚早に酸化されてしまうことを回避する。バリア層１０２は，選択的なエッチングストッパとしても機能するように構成されている。この実施形態において，バリア層１０２は窒化ケイ素（ＳｉＮ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）であることが好ましい。
　
（イ）　本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０００−２９４６３３号公報には，図２とともに，次の記載がある。
　
「　【００３９】次に，本発明の半導体装置の製造方法に係わる実施の形態を，図２の製造工程図によって説明する。
【００４０】図２の（１）に示すように，基体１１は，一例として，基板５１上に半導体素子（図示省略）が形成され，それを覆う層間絶縁膜５２中に配線５３，プラグ（図示省略）等が形成されたものである。このような基体１１上に層間絶縁膜１２の下層部分となる第１の絶縁膜１３を，例えばキセロゲルを３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに成膜して形成する。
（中略）
【００４１】
なお，必要に応じて，配線５３と第１の絶縁膜１３との間に拡散防止層（図示省略）を，例えば窒化シリコン膜もしくは炭化シリコン膜を例えば２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さに形成する。特に，配線５３が銅もしくは銅合金で形成されている場合には，銅の拡散を防止するために，上記拡散防止層は必要となる。
　
　上記のとおり，窒化シリコン層及び炭化シリコン層が銅配線の銅拡散防止層として機能することは，本願の出願時に当業者により通常に知られていたことであり，この点からみて，炭化窒化シリコン層が銅配線の銅拡散防止層として機能することも，本願の出願時に当業者がただちに察知し得たことであるといえる。
　
イ　　判断
　上記（２）で検討したとおり，引用発明において，ＳｉＯ２層３（本願発明の「シリコン酸化膜」に相当。）とのエッチング選択比を良好にするために，エッチングストップ層となる単層の膜を炭化窒化シリコン膜で構成することは，引用例２及び引用例３に教示された事項を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることであり，その結果，本願発明と同様に，上記炭化窒化シリコン層がＣｕ配線層１（本願発明の「銅配線」に相当。）上に形成されることになる。
　そして，上記アで検討したとおり，炭化窒化シリコン層が銅配線の銅拡散防止層として機能することは，本願の出願時に当業者がただちに察知し得たことであるから，引用発明に引用例２及び引用例３に教示された事項を適用することにより，上記Ｃｕ配線層１上に形成された炭化窒化シリコン層が，エッチングストップ層として機能することに加え，上記Ｃｕ配線層１の銅拡散防止層としても機能することは，当業者が容易に予測し得ることである。
　そうすると，本願発明のように，炭化窒化シリコン膜を銅拡散防止層として機能させること（相違点３に係る構成とすること）は，引用発明に引用例２及び引用例３に教示された事項を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることであり，審判請求人の上記の主張を採用することはできない。
　
５　　まとめ
　上記４で検討したとおり，相違点１は，当業者が行う周知技術の単なる置換であり，また，相違点２及び相違点３は，いずれも，引用発明に引用例２及び引用例３に教示された事項を適用することにより，当業者が容易に想到し得ることである。
　したがって，本願発明は，引用例１に記載された発明（引用発明）に，引用例２及び引用例３に教示された事項を適用することにより，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
　
第３　　結言
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。