【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜を順に有する配線基板を形成する工程と、
前記上層の導電膜と前記下層の導電膜とが短絡している層間短絡を修正する工程と、
前記配線基板に表示素子を形成する工程と
を含み、
前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡を含む短絡包含領域に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光を照射し、前記短絡包含領域内の前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜を除去する
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記層間短絡を修正する工程において、前記短絡包含領域内の前記上層の導電膜、前記絶縁膜および前記下層の導電膜を除去する
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡の大きさに応じてレーザ光の照射方法を異ならせる
請求項１または２記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記層間短絡を修正する工程において、前記層間短絡の大きさが閾値以下であるか前記閾値よりも大きいかを判別し、前記層間短絡の大きさが前記閾値以下の場合は前記短絡包含領域にレーザ光を照射し、前記層間短絡の大きさが前記閾値よりも大きい場合は前記層間短絡の周囲を囲む枠領域にレーザ光を照射する
請求項３記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線基板は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたトランジスタと、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたキャパシタと、前記表示素子とを有する画素駆動回路を備え、
前記層間短絡を修正する工程において、前記キャパシタに生じている層間短絡を修正する
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記配線基板は、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の一方により構成された走査配線と、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の他方により構成された信号配線とを有し、
前記層間短絡を修正する工程において、前記走査配線と前記信号配線との交差部に生じている層間短絡を修正する
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記表示素子は有機発光素子であり、
前記配線基板は、前記下層の導電膜または前記上層の導電膜により構成された電源電位供給配線を有し、
前記層間短絡を修正する工程において、前記電源電位供給配線と前記走査配線または前記信号配線との交差部に生じている層間短絡を修正する
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記レーザ光の１パルスあたりのエネルギー密度が０．０３Ｊ／ｃｍ2 以上０．５Ｊ／ｃｍ2 以下である
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記レーザ光を静止させて照射する
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザ光を走査させて照射する
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
基体上に下層の導電膜、絶縁膜および上層の導電膜を順に有する配線基板と、前記配線基板に形成された表示素子とを備え、
前記配線基板は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたトランジスタと、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜により構成されたキャパシタと、前記表示素子とを有する画素駆動回路を備え、
前記キャパシタは、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
表示装置。
【請求項１２】
前記配線基板は、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の一方により構成された走査配線と、前記下層の導電膜および前記上層の導電膜の他方により構成された信号配線とを有し、
前記走査配線と前記信号配線との交差部は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
請求項１１記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示素子は有機発光素子であり、
前記配線基板は、前記下層の導電膜または前記上層の導電膜により構成された電源電位供給配線を有し、
前記電源電位供給配線と前記走査配線または前記信号配線との交差部は、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された開口部を有する
請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
前記キャパシタは、
前記上層の導電膜と前記下層の導電膜とが短絡している層間短絡と、
前記層間短絡の周囲を囲むと共に、前記下層の導電膜、前記絶縁膜および前記上層の導電膜のうち少なくとも前記上層の導電膜が除去された溝と
を有する請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図３】図２に示したキャパシタの構成を表す断面図である。
【図４】図２に示したキャパシタの他の構成を表す断面図である。
【図５】図２に示した画素駆動回路の等価回路を表す図である。
【図６】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す平面図および断面図である。
【図８】図７に示した層間短絡の修正を行う修正装置の構成を表す図である。
【図９】図８に示した局所修正部を底面から見た構成を表す平面図である。
【図１０】図７に続く工程を表す平面図である。
【図１１】上層導電膜（上層電極）の主要な構成材料であるアルミニウム（Ａｌ）について、パルス幅と熱拡散長との関係を表した図である。
【図１２】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を表す断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図１６】図１５に示したキャパシタの構成を表す断面図である。
【図１７】図１５に示したキャパシタの他の構成を表す断面図である。
【図１８】図１５に示した表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１９】図１８に示した工程を説明するための図である。
【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図２１】図２０に示した交差部の構成を表す断面図である。
【図２２】図２０に示した交差部の他の構成を表す断面図である。
【図２３】図１９に示した表示装置の製造方法を工程順に説明するための平面図および断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を説明するための図である。
【図２５】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置の画素駆動回路の一例を表す平面図である。
【図２６】図２５に示した交差部の構成を表す断面図である。
【図２７】図２５に示した交差部の他の構成を表す断面図である。
【図２８】図２５に示した表示装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図２９】本発明の実施例の結果を表す写真である。
【図３０】本発明の実施例の結果を表す写真である。
【図３１】本発明の実施例の結果を表す図である。
【図３２】上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図３３】上記各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図３４】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図３５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図３６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図３７】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
配線基板１は、基体１１上の表示領域１１０内に画素駆動回路１１１、表示領域１１０の周辺に映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１２および走査線駆動回路１１３をそれぞれ形成したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
開口部１６１においては、図４に示したように上層電極１４３のみが除去されているよりも、図３に示したように上層電極１４３、絶縁膜１３１および下層電極１２２が除去されているほうが好ましい。安定した確実な修正が可能となるからである。すなわち、図４に示したように下層電極１２２が完全に除去されていない場合、下層電極１２２を構成する導電材料が絶縁膜１３１中に拡散するなどして、上層電極１４３との短絡を発生させる可能性がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板３０には、必要に応じてカラーフィルタ３１およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
有機層１５は、例えば、正孔輸送層，発光層および電子輸送層が第１電極１３の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層は発光層への正孔注入効率を高めるためのものである。発光層は電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものである。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられ、有機発光素子１０Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、２，５−ビス−［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン−１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）が挙げられ、有機発光素子１０Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３ ）が挙げられる。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機発光素子１０Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニレン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）が挙げられ、有機発光素子１０Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機発光素子１０Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ にクマリン６（Ｃ６；Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものが挙げられ、有機発光素子１０Ｇの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
パルスレーザ光源８３２は、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを発生可能なものである。局所排気系８３５は、レーザ照射室８３１Ｂを局所的に排気し、レーザ加工により除去された配線材料などを除去するものである。圧縮ガス供給系８３６は、アルゴン（Ａｒ）または窒素（Ｎ２ ）などの不活性気体よりなる圧縮ガスＧ１を用いて、局所修正部８３１を浮上させるものである。圧縮ガス排気系８３７は、圧縮ガスＧ１を排気することにより、局所修正部８３１と配線基板１との間にバネ定数の極めて大きなバネを形成し、局所修正部８３１の浮上量Ｄの変動を抑えて浮上の剛性を高めるものである。パージガス供給系８３８は、レーザ加工により除去された配線材料などが窓８３１Ａに付着することを抑えるため、アルゴン（Ａｒ）ガスなどのパージガスＧ２を窓８３１Ａに吹きつけるものである。なお、修正機構８３０は、必要に応じて、レーザＣＶＤ法のためのガスを供給する成膜材料供給系、または金属粒子塗布法のための塗布液供給系（いずれも図示せず）を有していてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
溝１６５においては、図１７に示したように上層電極１４３のみが除去されているよりも、図１６に示したように上層電極１４３、絶縁膜１３１および下層電極１２２が除去されているほうが好ましい。安定した確実な修正が可能となるからである。