Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアント装置とネットワークを介して通信可能に接続され、複数のアクティビティからなるワークフローの案件を管理可能なワークフローサーバであって、
参照元となる第１の案件から参照先である第２の案件の参照の可否に関する設定が、前記アクティビティ毎に記憶された参照可否設定記憶手段と、
前記参照元である第１の案件に対して、当該第１の案件からの参照先である第２の案件を設定する参照案件設定手段と、
前記参照案件設定手段により設定された前記第１の案件からの参照先である第２の案件への参照の可否を、前記アクティビティの状態と前記参照可否設定記憶手段に記憶された設定とに応じて判定する参照可否判定手段と、
を有することを特徴とするワークフローサーバ。
【請求項２】
前記参照可否判定手段は、判定された前記第２の案件に対する参照の可否が、ワークフローシステムに設定されている参照権限と異なる場合には、前記第２の案件への参照の可否を、当該ワークフローシステムに設定されている参照権限の設定に変更することを特徴とする請求項１記載のワークフローサーバ。
【請求項３】
前記参照可否判定手段により、前記第２の案件が参照可能と判定された場合、当該案件の表示を参照可能な状態とし、一方参照不可であった場合、当該案件の表示を参照不可な状態として表示させるよう制御する参照案件処理手段と、
を有することを特徴とする請求項１または２記載のワークフローサーバ。
【請求項４】
前記案件の参照とは、添付時点の案件データを参照可能な添付、または最新の案件データを参照可能なリンクであり、
参照可否設定記憶手段に記憶された参照の可否に関する設定は、前記参照する先である第２の案件の指定を前記添付またはリンクの指定とともに設定されていることを特徴とする請求項１乃至３記載のいずれか１項に記載のワークフローサーバ。
【請求項５】
クライアント装置と、複数のアクティビティからなるワークフローの案件を管理可能なワークフローサーバがネットワークを介して通信可能に接続されたワークフローシステムであって、
参照元となる第１の案件から参照先である第２の案件の参照の可否に関する設定が、前記アクティビティ毎に記憶された参照可否設定記憶手段と、
前記参照元である第１の案件に対して、当該第１の案件からの参照先である第２の案件を設定する参照案件設定手段と、
前記参照案件設定手段により設定された前記第１の案件からの参照先である第２の案件への参照の可否を、前記アクティビティの状態と前記参照可否設定記憶手段に記憶された設定とに応じて判定する参照可否判定手段と、
を有することを特徴とするワークフローシステム。
【請求項６】
クライアント装置とネットワークを介して通信可能に接続され、複数のアクティビティからなるワークフローの案件を管理可能で、参照元となる第１の案件から参照先である第２の案件の参照の可否に関する設定が前記アクティビティ毎に記憶された参照可否設定記憶手段を有するワークフローサーバにおけるワークフロー制御方法であって、
前記参照元である第１の案件に対して、当該第１の案件からの参照先である第２の案件を設定する参照案件設定ステップと、
前記参照案件設定ステップにより設定された前記第１の案件からの参照先である第２の案件への参照の可否を、前記アクティビティの状態と前記参照可否設定記憶手段に記憶された設定とに応じて判定する参照可否判定ステップと、
を有することを特徴とするワークフロー制御方法。
【請求項７】
クライアント装置とネットワークを介して通信可能に接続され、複数のアクティビティからなるワークフローの案件を管理可能で、参照元となる第１の案件から参照先である第２の案件の参照の可否に関する設定が前記アクティビティ毎に記憶された参照可否設定記憶手段を有するワークフローサーバにおいて実行可能なプログラムであって、
前記プログラムは、
前記参照元である第１の案件に対して、当該第１の案件からの参照先である第２の案件を設定する参照案件設定手段と、
前記参照案件設定手段により設定された前記第１の案件からの参照先である第２の案件への参照の可否を、前記アクティビティの状態と前記参照可否設定記憶手段に記憶された設定とに応じて判定する参照可否判定手段と、
を有するワークフローサーバとして機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムをコンピュータ読み取り可能に記録した記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながら、この方法では作成された基本文書Ｂが基本文書Ａを包含した状態でワークフローが流れるため、基本文書Ｂを参照する際には基本文書Ａが合わせて参照可能となってしまい、本来参照されたくない状態の文書であっても参照されてしまうことになる。
そこで本願発明では、案件の状態によって該関連する案件の参照の可否を決定するワークフローシステムを提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、クライアント装置とネットワークを介して通信可能に接続され、複数のアクティビティからなるワークフローの案件を管理可能なワークフローサーバであって、
参照元となる第１の案件から参照先である第２の案件の参照の可否に関する設定が、前記アクティビティ毎に記憶された参照可否設定記憶手段と、
前記参照元である第１の案件に対して、当該第１の案件からの参照先である第２の案件を設定する参照案件設定手段と、
前記参照案件設定手段により設定された前記第１の案件からの参照先である第２の案件への参照の可否を、前記アクティビティの状態と前記参照可否設定記憶手段に記憶された設定とに応じて判定する参照可否判定手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、案件の状態によって該関連する案件の参照の可否を決定するワークフローシステムを提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記実行手段は、
前記表示手段に表示されるカーソルと画像とを相対的に移動させる移動手段と、
前記カーソルの位置と重なる位置に存在するＵＩ情報を、実行するＵＩ情報として決定する決定手段と、
を備えたことを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載のウェブサイト閲覧システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記移動手段は、前記ＵＩ情報メタデータに基づいて視覚効果を表示することを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載のウェブサイト閲覧システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
画像と該画像から抽出されたＵＩ情報に基づいて生成されたＵＩ情報メタデータを受信する手段と、
前記画像を表示手段に表示する手段と、
前記表示手段に表示された画像上のＵＩ情報を実行する手段と、
前記実行する手段により実行されたＵＩ情報に基づいて前記ＵＩ情報メタデータを書き換える手段と、
前記書き換えられたＵＩ情報メタデータを前記画像の送信元に送信する手段と、
を備えたことを特徴とするクライアント端末。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項５に示すように請求項２から４のいずれかに記載のウェブサイト閲覧システムにおいて、前記実行手段は、前記表示手段に表示されるカーソルと画像とを相対的に移動させる移動手段と、前記カーソルの位置と重なる位置に存在するＵＩ情報を、実行するＵＩ情報として決定する決定手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項８に示すように請求項５から７のいずれかに記載のウェブサイト閲覧システムにおいて、前記移動手段は、前記ＵＩ情報メタデータに基づいて視覚効果を表示することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
前記目的を達成するために請求項１２に記載のクライアント端末は、画像と該画像から抽出されたＵＩ情報に基づいて生成されたＵＩ情報メタデータを受信する手段と、前記画像を表示手段に表示する手段と、前記表示手段に表示された画像上のＵＩ情報を実行する手段と、前記実行する手段により実行されたＵＩ情報に基づいて前記ＵＩ情報メタデータを書き換える手段と、前記書き換えられたＵＩ情報メタデータを前記画像の送信元に送信する手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する駆動回路と、第２の薄膜トランジスタを有する画素部とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたチャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上に設けられた第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層上に設けられた第１の酸化物絶縁層とを有し、
前記第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた第２のゲート電極層と、
前記第２のゲート電極層上に設けられた前記ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層の一部と接するように設けられた第２の酸化物絶縁層と、
前記第２の酸化物半導体層上に設けられた第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、を有し、
前記第１の酸化物絶縁層は、前記第１の薄膜トランジスタのチャネル形成領域と接しており、
前記第２の薄膜トランジスタの前記第２のゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記第２の酸化物半導体層、前記第２の酸化物絶縁層、前記第２のソース電極層、及び前記第２のドレイン電極層は透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の薄膜トランジスタの第１の酸化物半導体層と、前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層との間には、低抵抗ドレイン領域を有し、
前記低抵抗ドレイン領域は、前記第２の薄膜トランジスタの第２のソース電極層、第２のドレイン電極層と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の薄膜トランジスタの第１の酸化物半導体層と、前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層との間には、低抵抗ドレイン領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層の端部は、前記低抵抗ドレイン領域の端面よりも突出し、前記第１の薄膜トランジスタのチャネル形成領域の膜厚と同じ厚さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層と重なる高抵抗ドレイン領域を有し、
前記高抵抗ドレイン領域は、前記第２の薄膜トランジスタのチャネル形成領域よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分とする膜、若しくはそれらの合金膜とを組み合わせた積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記同一基板上に容量部を有し、
前記容量部は、容量配線及び前記容量配線と重なる容量電極を有し、
前記容量配線及び前記容量電極は透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の薄膜トランジスタのチャネル形成領域上に前記第１の酸化物絶縁層を介して導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に第１の薄膜トランジスタ及び画素電極層を有する画素部と第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の一部と接する第１の酸化物絶縁層と、
前記第１の酸化物絶縁層及び前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記第１の酸化物絶縁層上に前記画素電極層が設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタの前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記第１の酸化物絶縁層、並びに前記画素電極層は透光性を有し、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第２の酸化物絶縁層で覆われ、前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と材料が異なり、前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の薄膜トランジスタの酸化物半導体層は、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なる領域よりも膜厚の小さい領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の薄膜トランジスタの酸化物半導体層は、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なる領域よりも膜厚の小さいチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域上に前記第２の酸化物絶縁層を介して導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の酸化物絶縁層と前記第２の酸化物絶縁層は、同じ透光性を有する絶縁材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分とする膜、若しくはそれらの合金膜とを組み合わせた積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層、並びに前記画素電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
さらに同一基板上に容量部を有し、
前記容量部は、容量配線及び該容量配線と重なる容量電極を有し、
前記容量配線及び前記容量電極は透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第２の薄膜トランジスタの酸化物半導体層の前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なる領域に高抵抗ドレイン領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記第１のゲート電極層と重なる第１の酸化物半導体層と、前記第２のゲート電極層と重なる第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層に脱水化または脱水素化処理を行い、
前記第２の酸化物半導体層上に第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層の一部と接する第２の酸化物絶縁層と、前記第１の酸化物半導体層の前記第１のゲート電極層と重なる領域に第１の酸化物絶縁層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第１の酸化物絶縁層上に第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を形成し、
前記第１の酸化物絶縁層、前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、及び前記第２の酸化物絶縁層上に保護絶縁層を形成し、
前記保護絶縁層上に前記第１のドレイン電極層または前記第１のソース電極層と電気的に接続する画素電極層と、前記第２の酸化物半導体層と重なる導電層とを形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分とする膜、若しくはそれらの合金膜とを組み合わせた積層膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、及び前記画素電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層に前記脱水化または脱水素化処理を行った後、大気に触れることなく徐冷または冷却する処理を行って前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層への水及び水素の再混入を防ぐことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ状に配置され且つ直列に連結された複数個の発光セルを有する発光セルブロックと、
直列に接続された複数のダイオードをそれぞれ有する第１から第４ダイオードブロックを有するブリッジ整流回路とを備え、
前記第１ダイオードブロックの一端のダイオードと前記第３ダイオードブロックの一端のダイオードと前記発光セルブロックの一端の発光セルとが接続され、
前記第２ダイオードブロックの一端のダイオードと前記第４ダイオードブロックの一端のダイオードと前記発光セルブロックの他端の発光セルとが接続され、
前記第１ダイオードブロックの他端のダイオード及び前記第２ダイオードブロックの他端と、前記第３ダイオードブロックの他端のダイオード及び前記第４ダイオードロックの他端と、の間に交流電源の順方向電圧が印加されると、前記第２ダイオードと前記第３ダイオードとがオン状態となり、前記交流電源の逆方向電圧が印加されると、前記第１ダイオードと前記第４ダイオードとがオン状態となり、
前記第１から前記第４ダイオードブロックは前記発光セルブロックに隣接し前記発光セルブロックを取り囲んで配置されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記複数のダイオードの個数は、前記発光セルブロック内の前記発光セルの個数の１００〜２００％であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記複数のダイオードの個数は、前記発光セルブロック内の前記発光セルの個数の１００〜１３０％であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記複数のダイオードの大きさは、前記発光セルの大きさの８０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記発光セルブロック及びブリッジ整流回路は、同一の基板上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記複数のダイオードの少なくとも１つは発光ダイオードであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記発光素子は、全体形状が四角形であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記基板は４つの辺を有し、
前記第１から第４ダイオードブロックのそれぞれは、前記基板の有する隣接する２つの辺に沿って配置されていることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体デバイスを製造するための方法であって、該方法は、
（ａ）１つ以上の非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を非極性ＧａＮ上または該非極性ＧａＮの上方で成長させること
を含み、
該非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、少なくとも１つの発光量子井戸構造を含み、
該少なくとも１つの発光量子井戸構造は、該発光量子井戸構造のエネルギープロフィールにおいて井戸が形成されるように、異なるバンドギャップの交互の層を含み、該異なるバンドギャップの交互の層は、少なくとも１つの量子バリア層および少なくとも１つの量子井戸層を含み、該量子井戸層は、５ｎｍよりも大きい厚さを有し、該発光量子井戸構造のピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度は、５ｎｍ未満の厚さを有する量子井戸層を有する発光非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸構造からのＰＬ発光の波長および強度よりも大きい、方法。
【請求項２】
前記非極性ＧａＮは、前記基板上で成長させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記量子井戸層は、インジウム含有量子井戸層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記発光量子井戸構造は、ＧａＮでキャップされている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、少なくとも１つのヘテロ構造を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記へテロ構造は、超格子を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記超格子は、トランジスタ動作のための電気チャネルを生成する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記非極性ＧａＮは、２．６×１０１０ｃｍ−２を超えない貫通転位密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記非極性ＧａＮは、３．８×１０５ｃｍ−１を超えない積層欠陥密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
窒化物半導体デバイスであって、該デバイスは、
（ａ）非極性ＧａＮ上または該非極性ＧａＮの上方で成長させられる１つ以上の非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層
を含み、
該非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、少なくとも１つの発光量子井戸構造を含み、
該少なくとも１つの発光量子井戸構造は、該発光量子井戸構造のエネルギープロフィールにおいて井戸が形成されるように、異なるバンドギャップの交互の層を含み、該異なるバンドギャップの交互の層は、少なくとも１つの量子バリア層および少なくとも１つの量子井戸層を含み、該量子井戸層は、５ｎｍよりも大きい厚さを有し、該発光量子井戸構造のピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度は、５ｎｍ未満の厚さを有する量子井戸層を有する発光非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸構造からのＰＬ発光の波長および強度よりも大きい、デバイス。
【請求項１１】
前記非極性ＧａＮは、前記基板上で成長させられる、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記量子井戸層は、インジウム含有量子井戸層を含む、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記発光量子井戸構造は、ＧａＮでキャップされている、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、少なくとも１つのヘテロ構造を含む、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記へテロ構造は、超格子を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記超格子は、トランジスタ動作のための電気チャネルを生成する、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記非極性ＧａＮは、２．６×１０１０ｃｍ−２を超えない貫通転位密度を有する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記非極性ＧａＮは、３．８×１０５ｃｍ−１を超えない積層欠陥密度を有する、請求項１０に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月16日(2012.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面に、第１の凹部と、前記第１の凹部内に、前記第１の凹部よりも深い第２の凹部と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記第１の面を覆うように設けられた光吸収層と、
前記光吸収層上に設けられた第１の有機材料層と、
を有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項２】
請求項１において、前記光吸収層は、モリブデン、窒化タンタル、チタン、タングステン、またはカーボンを材料として含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２の成膜用基板を加熱することにより、前記第１の有機材料層を液化し、前記液化した第１の有機材料は前記第２の凹部に集まり、
前記第１の基板の前記第１の面側に、第２の基板を対向させ、
前記第１の面と反対側の第２の面側から、前記成膜用基板に光を照射し、
前記光を照射することにより、前記第２の凹部に集められた前記液化した第１の有機材料を、第２の有機材料層として前記第２の基板上に転写することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の有機材料層は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれか１つであることを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２の成膜用基板を加熱することにより、前記第１の有機材料層を液化し、前記液化した第１の有機材料は、前記第２の凹部に集まり、
第２の基板の第１の面上に、第１の電極を形成し、
前記第１の基板の前記第１の面側に、前記第２の基板の前記第１の面側を対向させ、
前記第１の基板の前記第１の面と反対側の第２の面側から、前記成膜用基板に光を照射し、
前記光を照射することにより、前記第２の凹部に集められた前記液化した第１の有機材料を、第２の有機材料層として前記第１の電極上に転写し、
前記第２の有機材料層上に、第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の有機材料層は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれか１つであることを特徴とする発光素子の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次いで、ドナー基板１０１と転写対象の基板１０５を対向させる（図３（Ａ）参照）。ドナー基板１０１と転写対象の基板１０５との間は、真空治具などを用いて真空度１０−３Ｐａ以下に保つ。その状態で、ドナー基板１０１の第１の面と反対側である第２の面から光１０６を照射する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
光１０６の照射により、第２の凹部１１２に集められた有機材料１０４が転写対象の基板１０５に転写され、有機材料層１０８が基板１０５上に成膜される（図３（Ｂ）参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
「実在または仮想のデータベース」の全体またはその一部の複製（以下「自複製」）を保持する装置（以下「自装置」）が、該「自複製」を更新する方法であって、少なくとも、
該「自複製」に対する編集内容（以下「自編集内容」）を作成する処理、
該「自装置」とは異なる装置（以下「他装置」）が保持する「該データベースの全体またはその一部の複製」に対して該「他装置」が作成する編集内容（以下「他編集内容」）と、該「自編集内容」が集められ、かつ該「他編集内容」と該「自編集内容」の順番を指定する情報を該「他装置」と該「自装置」へ送信する装置を、「サーバー」としたとき、該「自編集内容」を該サーバーへ送信する処理、
該「他編集内容」を該サーバーから受信する処理、
該サーバーから該情報を取得し、該情報に基づく順番で該「自編集内容」と該「他編集内容」を用いて、該「自複製」を更新する処理、
を有する事を特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影して撮影画像を出力する撮影手段と、
前記撮影手段による撮影の実行指示を受け付けるシャッタボタンと、
前記撮影画像を表示する表示手段と、
前記表示手段の表示を制御する表示制御手段と、
前記表示手段へのタッチ入力を検出するタッチ検出手段と、を有し、
前記表示制御手段は、
前記撮影の実行指示がタッチ入力によりなされた場合は、前記撮影手段による撮影が行われた後、前記表示手段の表示を前記撮影画像から撮影待機状態の表示に切り替える指示を入力するためのタッチ入力領域を前記表示手段に表示させ、
前記撮影の実行指示が前記シャッタボタンへの入力によりなされた場合は、前記撮影手段による撮影が行われた後、前記切り替える指示を入力するためのタッチ入力領域を前記表示手段に表示させないように制御する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、
前記撮影の実行指示が前記タッチ入力によりなされた場合は、前記撮影手段による撮影が行われた後、前記切り替える指示を入力するためのタッチ入力領域に対するタッチ入力、又は前記シャッタボタンへの入力により、前記撮影待機状態の表示に前記表示手段を切り替え、
前記撮影の実行指示が前記シャッタボタンへの入力によりなされた場合は、前記撮影手段による撮影が行われた後、前記シャッタボタンへの入力により、前記撮影待機状態の表示に前記表示手段を切り替える
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記撮影手段による撮影が行われてから予め定められた時間が経過した場合に、前記撮影待機状態の表示に前記表示手段を切り替えることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像装置の姿勢を検出する姿勢検出手段をさらに有し、
前記表示制御手段は、前記姿勢検出手段により検出された前記撮像装置の姿勢が、予め定められた姿勢の範囲に含まれる場合に、前記撮影の実行指示を前記タッチ入力により入力するためのタッチ入力領域を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、前記姿勢検出手段により検出された前記撮像装置の姿勢が縦位置に対応する姿勢である場合に、前記撮影の実行指示を前記タッチ入力により入力するためのタッチ入力領域を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮影待機状態の表示は、前記撮影手段により順次撮像された画像を逐次表示する表示であり、
前記表示制御手段は、前記姿勢検出手段により検出された前記撮像装置の姿勢が縦位置に対応する姿勢である場合に、前記順次撮像された画像の逐次表示とともに、前記撮影の実行指示を前記タッチ入力により入力するためのタッチ入力領域を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項４または５に記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体を撮影して撮影画像を出力する撮影手段と、前記撮影手段による撮影の実行指示を受け付けるシャッタボタンと、前記撮影画像を表示する表示手段と、前記表示手段へのタッチ入力を検出するタッチ検出手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像装置の表示制御手段が、
前記撮影の実行指示がタッチ入力によりなされた場合は、前記撮影手段による撮影が行われた後、前記表示手段の表示を前記撮影画像から撮影待機状態の表示に切り替える指示を入力するためのタッチ入力領域を前記表示手段に表示させ、
前記撮影の実行指示が前記シャッタボタンへの入力によりなされた場合は、前記撮影手段による撮影が行われた後、前記切り替える指示を入力するためのタッチ入力領域を前記表示手段に表示させないように制御する表示制御工程を有する
ことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前述の目的を達成するために、本発明の撮像装置は、以下の構成を備える。
被写体を撮影して撮影画像を出力する撮影手段と、撮影手段による撮影の実行指示を受け付けるシャッタボタンと、撮影画像を表示する表示手段と、表示手段の表示を制御する表示制御手段と、表示手段へのタッチ入力を検出するタッチ検出手段と、を有し、表示制御手段は、撮影の実行指示がタッチ入力によりなされた場合は、撮影手段による撮影が行われた後、表示手段の表示を撮影画像から撮影待機状態表示に切り替える指示を入力するためのタッチ入力領域を表示手段に表示させ、撮影の実行指示がシャッタボタンへの入力によりなされた場合は、撮影手段による撮影が行われた後、切り替える指示を入力するためのタッチ入力領域を表示手段に表示させないように制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像画像再生装置及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像したパノラマ画像を表示する撮像画像再生装置及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記のような実情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、パノラマ画像を観賞する者が、当該パノラマ画像中に写る被写体が撮影時に位置していた方角を容易に理解することが可能な撮像画像再生装置及びプログラムを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一態様は、表示手段と、記録手段に記録されたパノラマ画像に関連付けて記録されている方位を示す情報に基づいて、当該パノラマ画像を所定の方位が中心となるように表示手段に表示させる表示制御手段とを具備したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示手段と、
記録手段に記録されたパノラマ画像に関連付けて記録されている方位を示す情報に基づいて、当該パノラマ画像を所定の方位が中心となるように表示手段に表示させる表示制御手段と
を具備したことを特徴とする撮像画像再生装置。
【請求項２】
前記所定の方位を任意に設定する設定手段をさらに具備し、
前記表示制御手段は、前記設定手段により設定された所定の方位が中心となるように前記パノラマ画像を前記表示手段に表示させる
ことを特徴とする請求項１記載の撮像画像再生装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記所定の方位を基準とする略１８０°分のパノラマ画像を当該所定の方位が中心となるように前記表示手段に表示させる
ことを特徴とする請求項１記載の撮像画像再生装置。
【請求項４】
本撮像画像再生装置の一構成面が対向する方位、及び同装置の姿勢を検出する検出手段をさらに具備し、
前記記録手段は、前記パノラマ画像を前記検出手段で検出した方位及び姿勢を示す情報と関連付けて記録し、
前記表示制御手段は、前記パノラマ画像に関連付けて記録されている姿勢を示す情報が水平面から所定の範囲内である場合に限って、当該パノラマ画像を前記表示手段に表示させる
ことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の撮像画像再生装置。
【請求項５】
撮像手段と、
前記撮像手段により撮像された画像からパノラマ画像を生成する生成手段と、
本画像表示装置筐体の一構成面が対向する方位を検出する検出手段と、
をさらに具備し、
前記記録手段は、前記生成手段により生成されたパノラマ画像と前記検出手段により検出された方位を示す情報を関連付けて記録する
ことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の撮像画像再生装置。
【請求項６】
コンピュータを、
記録手段に記録されたパノラマ画像に関連付けて記録されている方位を示す情報に基づいて、当該パノラマ画像を所定の方位が中心となるように表示手段に表示させる表示制御手段
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素からなる撮像素子を用いて撮像される画像データに含まれる、前記撮像素子の欠陥画素から出力される欠陥画素データを補正する欠陥画素データ補正装置であって、
前記画像データの撮像条件及び前記欠陥画素の種類に基づいて、前記欠陥画素データを補正する補正手段を有することを特徴とする欠陥画素データ補正装置。
【請求項２】
さらに、前記画像データの撮像条件及び前記欠陥画素の種類に基づいて、前記欠陥画素データの補正要否を判定する判定手段を有し、前記補正手段は、前記判定手段により補正要と判定された前記欠陥画素データを補正することを特徴とする請求項１記載の欠陥画素データ補正装置。
【請求項３】
前記欠陥画素の種類として、定常欠陥画素と点滅欠陥画素とを含み、
前記撮像条件として、前記撮像素子の周辺温度と、前記撮像素子の電荷蓄積時間とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の欠陥画素データ補正装置。
【請求項４】
前記複数の画素に含まれる各欠陥画素についての欠陥画素の種類及び欠陥出力レベルを含む欠陥画素情報を記憶した欠陥画素情報記憶手段と、
前記欠陥画素の種類、前記撮像条件及び補正対象となる欠陥出力レベルを対応づけるための補正テーブルを記憶した補正テーブル記憶手段とをさらに有し、
前記判定手段は、前記欠陥画素情報と前記補正テーブルとに基づいて前記欠陥画素データの補正要否を判定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の欠陥画素データ補正装置。
【請求項５】
前記撮像素子と、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の欠陥画素データ補正装置を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
さらに、所定の撮像条件でダーク画像を前記撮像素子で撮像して得られた画像データから、前記撮像素子に含まれる欠陥画素とその種類を検出する欠陥画素検出手段を有し、
前記所定の撮像条件が、前記検出する欠陥画素の種類に応じて異なることを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
【請求項７】
前記欠陥画素検出手段は、前記ダーク画像を撮像して得られた画像データから、前記定常欠陥画素及び前記点滅欠陥画素を検出することを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【請求項８】
複数の画素からなる撮像素子を用いて撮像される画像データに含まれる、前記撮像素子の欠陥画素から出力される欠陥画素データを補正する欠陥画素データ補正方法であって、
補正手段が、前記画像データの撮像条件及び前記欠陥画素の種類に基づいて、前記欠陥画素データを補正する補正ステップを有することを特徴とする欠陥画素データ補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のある見地によれば、複数の画素からなる撮像素子を用いて撮像される画像データに含まれる、撮像素子の欠陥画素から出力される欠陥画素データを補正する欠陥画素データ補正装置であって、画像データの撮像条件及び欠陥画素の種類に基づいて、欠陥画素データを補正する補正手段を有することを特徴とする欠陥画素データ補正装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
定常欠陥画素は、一定の温度での異常出力信号レベルを発生するのに対し、点滅欠陥画素の異常出力信号レベルは温度依存性がほとんどない。そこで、点滅欠陥画素と定常欠陥画素とを区別して検出できるように、撮像素子近傍の温度が低く、かつ蓄積時間が短い条件で点滅欠陥画素を検出すればよい。本実施形態では、温度が２５℃以下で蓄積時間を１／１０００秒に設定してダークＲＡＷ画像を撮像することで、点滅欠陥画素を検出する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
制御部１１４は、Ｓ２１１において、Ｒ33 の欠陥画素情報が欠陥画素情報メモリ１０７に記録されていない場合は、新規に記録する。一方、既に、Ｒ33 の欠陥画素情報が欠陥画素情報メモリ１０７に記録されている場合、制御部１１４は、既記録欠陥画素情報と点滅欠陥画素アドレス情報をマージして欠陥画素情報メモリ１０７に記録する。
制御部１１４は、上述したＳ２０７〜Ｓ２１５までの処理を、欠陥画素検出領域の全画素について繰り返し行い、点滅欠陥画素検出を終了する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
例えば、欠陥画素の種類が定常欠陥画素で、撮像時の温度検出部１１５による検出温度が２５℃、電荷蓄積時間（電子シャッター速度）が１／６０秒、ＩＳＯ感度が１００であったとする。この場合、図９（ａ）の定常欠陥画素補正テーブルを参照することで、異常出力信号レベルがＫu1〜Ｋu2の定常欠陥画素が補正対象となることがわかる。そのため、欠陥画素情報メモリ１０７に記憶された欠陥画素の欠陥レベルがＫu1もしくはＫu2であれば、欠陥画素補正回路１１１は補正が必要であると判定し、欠陥画素情報メモリ１０７に記憶された欠陥画素の欠陥レベルがＫu3〜Ｋu8であれば、欠陥画素補正回路１１１は欠陥画素補正が不要であると判定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011040893.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ・デジタル変換の対象となるアナログ信号を入力する接続端子と、カウンタと、前記カウンタの出力値をアナログ変換するデジタル・アナログ変換器と、前記デジタル・アナログ変換器の出力が入力される前記アナログ信号より大きければパルスを出力する比較器と、出力用レジスタと、アナログ・デジタル変換制御回路と、タイマ入力端子と、を有するアナログ・デジタル変換回路であって、
前記デジタル・アナログ変換器の出力が前記アナログ・デジタル変換の対象となるアナログ信号より大きければパルスを出力し、
前記パルスが入力された前記アナログ・デジタル変換制御回路が前記カウンタの出力値と前記タイマ入力端子からの入力値を前記出力用レジスタにセットすることを特徴とするアナログ・デジタル変換回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アナログ・デジタル変換回路
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２は、上記電源回路２の内部構成を示す回路図である。この電源回路２は、商用交流電圧を入力電圧とし、整流及びスイッチングによるＡＣ／ＤＣ変換を行うことにより、直流の所定の出力電圧（例えばＤＣ１６Ｖ）を提供する。具体的には、当該電源回路２は、４つのダイオードによって構成されるブリッジ回路２１と、整流に用いられるコンデンサＣｓと、ＬＣ並列回路２２と、半導体スイッチング素子Ｓｘと、トランス２３と、２つのダイオード２４，２５と、チョークコイル２６と、平滑用のコンデンサ２７とを図示のように接続して、フォワードコンバータを構成する。ＬＣ並列回路２２は、インダクタＬｘ（インダクタンス：Ｌｘ）と、コンデンサＣｘ（キャパシタンス：Ｃｘ）とを互いに並列に接続したものである。ＬＣ並列回路２２を除く上記各部は、電源回路として元々必要なものである。
なお、ブリッジ回路２１及びダイオード２４，２５はＦＥＴ等のトランジスタに代替し、同期整流を行うことによっても実現することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３の（ｂ）は、（ａ）に示すパルス信号を含む、電源回路２のスイッチングを示す図である。電源回路としての本来のスイッチングは、電力信号としての図示のＰＷＭ（パルス幅変調）パルスによって一定周期ｔｓで行われる。このＰＷＭパルスは、１周期ｔｓの全体にわたることはなく、１周期ｔｓの初期・終期に必ず空き時間がある。そこで、この空き時間を利用して、例えば図示のように、１周期の初期に（ａ）に示す電力線通信のパルス信号を挿入する。なお、前述のように、電力線通信の信号周波数は、電源回路本来のスイッチング周波数よりはるかに高周波であるため、送信の時間Ｔは、ごく僅かである。また、図２のデジタル通信処理部１１は、スイッチング制御部２８と同期をとって変調部１２を動作させるので、正確に空き時間をねらって信号を挿入することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
例えば、本通信方式は交流電源線のみならず、直流電源線においてもブリッジ回路２１を省略することにより適用できる。また位相変調のみならず、ＦＳＫ，ＱＰＳＫ，ＱＡＭ，ＯＦＤＭ，ＳＳ（Spread Spectrum）変調も適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
データ信号を送信する移動局と、当該移動局が送信したデータ信号を受信する複数の基地局とを含む通信システムにおいて、
前記基地局として、
前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を検出する第１の信号検出部を備える第１の基地局と、
前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を前記第１の基地局が検出した検出結果を用いて、自局が受信したデータ信号の検出を行う第２の信号検出部を備える第２の基地局とを少なくとも一つずつ含むことを特徴とする通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
データ信号を送信する移動局と、当該移動局が送信したデータ信号を受信する少なくとも第１及び第２の基地局とを含む通信システムにおける通信方法において、
前記第１の基地局に、
前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を検出するステップと、
前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を前記第１の基地局が検出した検出結果を用いて、自局が受信したデータ信号の検出を行うステップとを実現するための通信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
データ信号を送信する移動局と、前記移動局が送信したデータ信号を検出する第１の信号検出部を備える他の基地局と、を含む通信システムに接続される基地局であって、
前記他の基地局が、前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を前記第１の基地局が検出した結果を用いて、自局が受信したデータ信号の検出を行う第２の信号検出部を備えることを特徴とする基地局。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上述した課題を解決するために、本発明が目的とする通信システムは、データ信号を送信する移動局と、当該移動局が送信したデータ信号を受信する複数の基地局とを含む通信システムにおいて、前記基地局として、前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を検出する第１の信号検出部を備える第１の基地局と、前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を前記第１の基地局が検出した検出結果を用いて、自局が受信したデータ信号の検出を行う第２の信号検出部を備える第２の基地局とを少なくとも一つずつ含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の通信方法は、データ信号を送信する移動局と、当該移動局が送信したデータ信号を受信する少なくとも第１及び第２の基地局とを含む通信システムにおける通信方法において、前記第１の基地局に、前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を検出するステップと、前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を前記第１の基地局が検出した検出結果を用いて、自局が受信したデータ信号の検出を行うステップとを実現することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明の基地局は、データ信号を送信する移動局と、前記移動局が送信したデータ信号を検出する第１の信号検出部を備える他の基地局と、を含む通信システムに接続される基地局であって、前記他の基地局が、前記移動局から送信された情報ビットを符号化して生成したデータ信号を前記第１の基地局が検出した結果を用いて、自局が受信したデータ信号の検出を行う第２の信号検出部を備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2011040832.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2011040832.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力した光信号を電流信号に変換する受光素子と、
前記電流信号の電流値に比例した電圧信号に基準電圧を加算した出力電圧信号を出力する電流電圧変換回路と、
前記基準電圧の値に係らず前記出力電圧信号が一定の値以上にはならないように、前記基準電圧に基づいて前記電流信号の電流値を制限して電流電圧変換回路へ供給する入力電流制限部と、
を備えることを特徴とする受光回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受光回路
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このような受光回路において、光入力電流検出部９ａおよび電位調整部１７ａに対し、帰還抵抗部１２ａと同一構成の回路を用いることで、それぞれのゲインに対して実施例１と同等の機能を得ることができる。
なお、本発明において、さらに下記の形態が可能である。
［形態１］
上記１つのアスペクト（側面）に係る受光回路のとおりである。
［形態２］
前記入力電流制限部は、前記電流信号の電流値が制限値以上である場合、前記電流電圧変換回路が一定の出力電圧信号を出力するように、前記電流電圧変換回路へ供給する前記電流信号に係る電流値を制限することを特徴とする形態１記載の受光回路。
［形態３］
前記入力電流制限部は、
一端の電位が前記基準電圧によって定められる第１の抵抗素子と、
一端の電位が前記第１の抵抗素子の他端の電位によって定められる第２の抵抗素子と、
を備え、
前記第１の抵抗素子に一定の電流を流し、前記一定の電流に前記電流信号の電流を加算した電流を前記第２の抵抗素子に流し、前記第２の抵抗素子の他端の電位が所定の電位を超えたか否かに基づいて前記電流信号の電流値を制限することを特徴とする形態２記載の受光回路。
［形態４］
前記入力電流制限部は、前記第２の抵抗素子の他端の電圧と前記電流信号の制限電流に係る電圧とを比較して、前記電流信号の電流値における制限電流を超えた余剰分をバイパスする余剰光電流処理回路をさらに備えることを特徴とする形態３記載の受光回路。
［形態５］
前記電流電圧変換回路は、前記出力電圧信号を出力する出力端と前記入力電流制限部から出力される電流信号を入力する入力端との間に帰還抵抗を備え、
前記帰還抵抗は、前記電流電圧変換回路のゲインを切り替え可能となるように構成され、
前記入力電流制限部は、前記帰還抵抗の切り替えに連動して前記第１および第２の抵抗素子の抵抗値を切り替えるように構成することを特徴とする形態３記載の受光回路。
［形態６］
形態１〜５のいずれか一に記載の受光回路を備えることを特徴とする半導体装置。