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【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明において、水分散重合物と顔料の混合物の付着量は、不織布全質量の２０〜６０質量％が好ましく、より好ましくは２５〜５５質量％であり、さらに好ましくは３０〜５０質量％である。付着量が２０質量％よりも低いと、インキ着肉性においても十分な印刷濃度が得られないことがある。一方、６０質量％を超えると、水分散重合物の付与により、不織布独特の柔らかな風合いが損なわれることがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明の展示用不織布は、該不織布を抄紙の流れ方向に直角に折り、折った背の５ｃｍの区間を１０倍のルーペで観察した際に観察できる立ち上がった毛羽本数が、表裏ともに５〜６５本であり、より好ましくは１０〜６０本であり、さらに好ましくは１５〜５５本である。毛羽本数が５本よりも少ないと、パネルへの貼り付き性が悪くなる。一方、６５本を超えると、表面の平滑性が失われ、十分な印刷濃度が得られず、印刷抜けなどが起こる。なお、毛羽本数の測定は表裏で区別し、サンプル毎に表裏それぞれ５個以上データをとり、最大と最小を除いて平均した本数を、ここで言う「毛羽本数」とする。また、ここで言う「表」とは、抄紙の際の湿紙乾燥時に接触型ドライヤーに接していた面、もしくは、非接触型の乾燥機を用いた場合は熱量が多くかかった側の面を言う。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスからなる複数のコアと、これら複数のコアの屈折率より低い屈折率を有し前記複数のコアを取り囲む共通のクラッドと、このクラッドに設けられた空孔とを有し、
前記複数のコアおよび前記空孔がファイバ軸方向に延在し、
ファイバ軸に垂直な断面において、前記複数のコアのうちの任意のコア（以下「第１コア」という）と、該第１コアに最も近い位置にあるコア（以下「第２コア」という）との間の距離より、前記第１コアおよび前記第２コアそれぞれからの距離が短い位置に、何れかの空孔が存在し、
前記断面において、前記複数のコアそれぞれに対しコア径の３.０〜４.０倍の距離の位置の円周上に複数の空孔が存在し、前記空孔の直径が３.０〜５.０μｍである、
ことを特徴とするマルチコア光ファイバ。
【請求項２】
円柱形状の外形を有し軸方向に貫通する複数の孔部が設けられたガラスからなるクラッド材を用意するとともに、前記クラッド材の屈折率より高い屈折率を有するロッド部の外周に前記クラッド材の屈折率と同じ屈折率を有し軸方向に溝が形成された周縁部が設けられたガラスからなるコア材を前記複数の孔部と同じ個数だけ用意し、
前記クラッド材の前記孔部に前記コア材を挿入し、前記周縁部の溝を空孔としたまま前記クラッド材と前記コア材とを加熱一体化して紡糸する、
ことを特徴とするマルチコア光ファイバ製造方法。
【請求項３】
円柱形状の外形を有し低屈折率のクラッド部中に軸方向に延在する高屈折率の複数のコア部が設けられたガラスからなる円柱状部材を用意し、
前記円柱状部材の前記コア部以外の部分であって、前記複数のコアのうちの任意のコア（以下「第１コア」という）と、該第１コアに最も近い位置にあるコア（以下「第２コア」という）との間の距離より、前記第１コアおよび前記第２コアそれぞれからの距離が短い位置に、軸方向に貫通する空孔を形成して、その空孔を維持したまま前記円柱状部材を紡糸する、
ことを特徴とするマルチコア光ファイバ製造方法。
【請求項４】
各々ガラスからなる複数の高屈折率ロッド材，低屈折率ロッド材およびキャピラリを、前記複数の高屈折率ロッド材のうちの任意の高屈折率ロッド材（以下「第１高屈折率ロッド材」という）と、該第１高屈折率ロッド材に最も近い位置にある高屈折率ロッド材（以下「第２高屈折率ロッド材」という）との間の距離より、前記第１高屈折率ロッド材および前記第２高屈折率ロッド材それぞれからの距離が短い位置に前記キャピラタリを配した状態で、ガラスからなるパイプに挿入してスタック体を作製し、
前記キャピラリの中心孔を維持したまま前記スタック体を加熱一体化して紡糸する、
ことを特徴とするマルチコア光ファイバ製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のマルチコア光ファイバは、断面において、複数のコアそれぞれに対しコア径の３.０〜４.０倍の距離の位置の円周上に複数の空孔が存在し、空孔の直径が３.０〜５.０μｍであることを特徴とする。これにより、本発明のマルチコア光ファイバは、曲げ損失が低減されたものとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月19日(2012.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親水性支持体上に、（Ａ）重合開始剤、（Ｂ）重合性化合物、（Ｃ）増感色素及び（Ｄ）バインダーポリマーを含有する感光層と保護層とをこの順に有する平版印刷版原版を、レーザー露光した後、現像液の存在下に保護層及び非露光部の感光層を除去する平版印刷版の作製方法であって、前記現像液が、両性イオン系界面活性剤及びアルキレンオキサイド鎖を有するノニオン系界面活性剤を含有するｐＨが２以上１０未満の現像液であることを特徴とする平版印刷版の作製方法。
【請求項２】
前記両性イオン系界面活性剤が下記一般式（１）又は（２）で表される両性イオン系界面活性剤の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載の平版印刷版の作製方法。
【化１】
2011180291.tif 000001
式（１）及び（２）中、Ｒ１及びＲ１１は、各々独立に、炭素数８〜２０のアルキル基又は総炭素数８〜２０の連結基を有するアルキル基を表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１２及びＲ１３は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はエチレンオキサイド基を含有する基を表し、Ｒ４及びＲ１４は、各々独立に、単結合又はアルキレン基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち２つの基は互いに結合して環構造を形成してもよく、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４のうち２つの基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
【請求項３】
前記アルキレンオキサイド鎖を有するノニオン系界面活性剤が、下記一般式（３）で表されるノニオン芳香族エーテル系界面活性剤の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１又は２に記載の平版印刷版の作製方法。
Ｘ−Ｙ−Ｏ−（Ａ）ｎ−（Ｂ）ｍ−Ｈ    （３）
式（３）中、Ｘは芳香族基を表し、Ｙは単結合又は炭素数１〜１０のアルキレン基を表し、Ａ及びＢは互いに異なる基であって、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−を表し、ｎ及びｍは各々０〜１００の整数を表す。但しｎ及びｍの和は２以上である。
【請求項４】
前記現像液が、更に、ｐＨ緩衝剤を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項５】
前記ｐＨ緩衝剤が、炭酸イオン及び炭酸水素イオンであることを特徴とする請求項４に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項６】
前記ｐＨ緩衝剤が、水溶性のアミン化合物及びそのアミン化合物のイオンであることを特徴とする請求項４に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項７】
前記現像液が、更に、水溶性高分子化合物を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）重合性化合物が、ウレタン結合又はウレア結合を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項９】
前記（Ｄ）バインダーポリマーが、酸基を有するポリウレタン樹脂であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項１０】
前記感光層中に含有される（Ｄ）バインダーポリマーの質量に対する（Ｂ）重合性化合物の質量の比が、１．２５〜４．５であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項１１】
前記請求項１〜１０のいずれか１項に記載の平版印刷版の作製方法であって、水洗工程を含まないことを特徴とする平版印刷版の作製方法。
【請求項１２】
下記一般式（１）又は（２）で表される両性イオン系界面活性剤と下記一般式（３）で表されるノニオン芳香族エーテル系界面活性剤を含有するｐＨ２以上１０未満の平版印刷版原版用現像液。
【化２】
2011180291.tif 000002
式（１）及び（２）中、Ｒ１及びＲ１１は、各々独立に、炭素数８〜２０のアルキル基又は総炭素数８〜２０の連結基を有するアルキル基を表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１２及びＲ１３は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はエチレンオキサイド基を含有する基を表し、Ｒ４及びＲ１４は、各々独立に、単結合又はアルキレン基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち２つの基は互いに結合して環構造を形成してもよく、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４のうち２つの基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
Ｘ−Ｙ−Ｏ−（Ａ）ｎ−（Ｂ）ｍ−Ｈ    （３）
式（３）中、Ｘは芳香族基を表し、Ｙは単結合又は炭素数１〜１０のアルキレン基を表し、Ａ及びＢは互いに異なる基であって、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−を表し、ｎ及びｍは各々０〜１００の整数を表す。但しｎ及びｍの和は２以上である。
【請求項１３】
前記現像液が、更に、ｐＨ緩衝剤を含有することを特徴とする請求項１２に記載の平版印刷版原版用現像液。
【請求項１４】
前記ｐＨ緩衝剤が、炭酸イオン及び炭酸水素イオンであることを特徴とする請求項１３に記載の平版印刷版原版用現像液。
【請求項１５】
前記ｐＨ緩衝剤が、水溶性のアミン化合物及びそのアミン化合物のイオンであることを特徴とする請求項１３に記載の平版印刷版原版用現像液。
【請求項１６】
前記現像液が、更に、水溶性高分子化合物を含有することを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の平版印刷版原版用現像液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（４）前記現像液が、更に、ｐＨ緩衝剤を含有することを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の平版印刷版の作製方法。
（５）前記ｐＨ緩衝剤が、炭酸イオン及び炭酸水素イオンであることを特徴とする上記（４）に記載の平版印刷版の作製方法。
（６）前記ｐＨ緩衝剤が、水溶性のアミン化合物及びそのアミン化合物のイオンであることを特徴とする上記（４）に記載の平版印刷版の作製方法。
（７）前記現像液が、更に、水溶性高分子化合物を含有することを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の平版印刷版の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（１３）前記現像液が、更に、ｐＨ緩衝剤を含有することを特徴とする上記（１２）に記載の平版印刷版原版用現像液。
（１４）前記ｐＨ緩衝剤が、炭酸イオン及び炭酸水素イオンであることを特徴とする上記（１３）に記載の平版印刷版原版用現像液。
（１５）前記ｐＨ緩衝剤が、水溶性のアミン化合物及びそのアミン化合物のイオンであることを特徴とする上記（１３）に記載の平版印刷版原版用現像液。
（１６）前記現像液が、更に、水溶性高分子化合物を含有することを特徴とする上記（１２）〜（１５）のいずれか１項に記載の平版印刷版原版用現像液。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
進行方向前方における障害物の有無を検知する障害物検知手段を備え、予め定めた走行経路に沿った無人走行中に、前記障害物検知手段によって前記障害物が検知された場合には車両の走行に制限を加える無人搬送車において、
前記障害物検知手段には、進行方向前方に発光する発光部と前記障害物に当たって反射した反射光を受光する受光部を含み、
前記無人搬送車の前方に所定の距離をあけて配置された複数の反射部を左右方向に沿って段状に配置してなる検査用の反射板で反射した反射光を受光して、前記検査用の反射板の反射した反射部を特定し、
その特定した結果をもとに前記発光部の光軸を調整するための指標となる光軸調整情報を表示装置に表示させる表示制御手段を備えたことを特徴とする無人搬送車。
【請求項２】
無人搬送車の進行方向前方に発光するとともに障害物に当たって反射した反射光を受光することにより、進行方向前方における障害物の有無を検知する無人搬送車における障害物検知手段の光軸検査方法において、
複数の反射部を左右方向に沿って段状に配置してなる検査用の反射板を前記無人搬送車の前方に所定の距離をあけて配置するとともに、前記検査用の反射板に当たって反射した反射光を受光することで反射した反射部を特定し、
その特定した結果をもとに光軸を調整するための指標となる光軸調整情報を表示装置に表示させることを特徴とした無人搬送車における障害物検知手段の光軸検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無人搬送車及び無人搬送車における障害物検知手段の光軸検査方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、進行方向前方における障害物の有無を検知する障害物検知手段を備えた無人搬送車及び無人搬送車における障害物検知手段の光軸検査方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、障害物検知手段を構成する発光部の光軸調整を容易に行うことができる無人搬送車及び無人搬送車における障害物検知手段の光軸検査方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、進行方向前方における障害物の有無を検知する障害物検知手段を備え、予め定めた走行経路に沿った無人走行中に、前記障害物検知手段によって前記障害物が検知された場合には車両の走行に制限を加える無人搬送車において、前記障害物検知手段には、進行方向前方に発光する発光部と前記障害物に当たって反射した反射光を受光する受光部を含み、前記無人搬送車の前方に所定の距離をあけて配置された複数の反射部を左右方向に沿って段状に配置してなる検査用の反射板で反射した反射光を受光して、前記検査用の反射板の反射した反射部を特定し、その特定した結果をもとに前記発光部の光軸を調整するための指標となる光軸調整情報を表示装置に表示させる表示制御手段を備えたことを要旨とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、無人搬送車の進行方向前方に発光するとともに障害物に当たって反射した反射光を受光することにより、進行方向前方における障害物の有無を検知する無人搬送車における障害物検知手段の光軸検査方法において、複数の反射部を左右方向に沿って段状に配置してなる検査用の反射板を前記無人搬送車の前方に所定の距離をあけて配置するとともに、前記検査用の反射板に当たって反射した反射光を受光することで反射した反射部を特定し、その特定した結果をもとに光軸を調整するための指標となる光軸調整情報を表示装置に表示させることを要旨とする。
請求項１、２の発明によれば、光軸を調整するための指標となる光軸調整情報が表示装置に表示されることから、その表示内容をもとに光軸調整の必要性や調整する場合の調整量を把握できる。したがって、障害物検知手段を構成する発光部の光軸調整を容易に行うことができる。
また、複数の反射部を段状に配置することによって検査用の反射板とするから、特定の高さ位置に対しては、１つの反射部のみが存在することになる。したがって、光軸検査において複数の反射部を同時に検知してしまうことが回避されるので、精度の良い検査結果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも染料を含む着色剤（Ａ）と、樹脂（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）と、光重合性化合物（Ｄ）と、化合物（Ｅ）とからなるカラーフィルタ用感光性着色組成物において、化合物（Ｅ）が下記一般式(１)で示される化合物（Ｅ）であることを特徴とするカラーフィルタ用感光性着色組成物。
一般式(１)
【化１】
2011180186.tif 000001
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は各々独立に、置換または未置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒは置換または未置換の２価または３価の芳香族炭化水素基を表す。ＸはＳＯ３−、ＣＯ２−、またはＨ２ＰＯ４−を表し、Ｙはアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンまたは遷移金属イオンを表し、ｍ、ｎは０〜２の整数を表し、かつ、２≧ｍ＋ｎ≧１を満たす。ｐ、ｑは各々独立に、１〜６までの整数を表す。）
【請求項２】
一般式（１）におけるＸが、ＳＯ３−であることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ用感光性着色組成物。
【請求項３】
一般式（１）におけるＹが、Ｃｏ２＋またはＮｉ２＋であることを特徴とする請求項１または２に記載のカラーフィルタ用感光性着色組成物。
【請求項４】
光重合開始剤（Ｃ）と化合物（Ｅ）との重量比（Ｅ／Ｃ）が０．００１〜１．０であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載のカラーフィルタ用感光性着色組成物。
【請求項５】
基板上に、請求項１〜４いずれか１項に記載のカラーフィルタ用感光性着色組成物から形成されるフィルタセグメントを具備することを特徴とするカラーフィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明者らは前記諸問題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、少なくとも染料を含む着色剤（Ａ）と、樹脂（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）と、光重合性化合物（Ｄ）、および下記一般式(１)で示される化合物（Ｅ）とを含むカラーフィルタ用感光性着色組成物によって、高い明度と耐光性に優れ、高感度かつパターン形状にも優れたカラーフィルタを得る事が可能となることを見出し、この知見に基づいて本発明をなしたものである。
一般式(１)
【化１】
2011180186.tif 000002
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は各々独立に、置換または未置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒは置換または未置換の２価または３価の芳香族炭化水素基を表す。ＸはＳＯ３−、ＣＯ２−、またはＨ２ＰＯ４−を表し、Ｙはアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンまたは遷移金属イオンを表し、ｍ、ｎは０〜２の整数を表し、かつ、２≧ｍ＋ｎ≧１を満たす。ｐ、ｑは各々独立に、１〜６までの整数を表す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のカラーフィルタ用感光性着色組成物は、少なくとも染料を含む着色剤（Ａ）と、樹脂（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）と、光重合性化合物（Ｄ）と、下記一般式(１)で示される化合物（Ｅ）とからなることを特徴とする。
一般式(１)
【化２】
2011180186.tif 000003
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は各々独立に、置換または未置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒは置換または未置換の２価または３価の芳香族炭化水素基を表す。ＸはＳＯ３−、ＣＯ２−、またはＨ２ＰＯ４−を表し、Ｙはアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンまたは遷移金属イオンを表し、ｍ、ｎは０〜２の整数を表し、かつ、２≧ｍ＋ｎ≧１を満たす。ｐ、ｑは各々独立に、１〜６までの整数を表す。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
＜化合物（Ｅ）＞
本発明の本発明に使用される化合物（Ｅ）の配合量は、着色剤の全量を基準（１００重量％）として、耐光性付与および溶解性の観点から０．０１〜２００重量％であることが好ましく、１〜１００重量％であることがより好ましい。
本発明に使用される化合物（Ｅ）は、一般式（１）で表される化合物である。
一般式（１）
【化３】
2011180186.tif 000004
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は各々独立に、置換または未置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒは置換または未置換の２価または３価の芳香族炭化水素基を表す。ＸはＳＯ３−、ＣＯ２−、またはＨ２ＰＯ４−を表し、Ｙはアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンまたは遷移金属イオンを表し、ｍ、ｎは０〜２の整数を表し、かつ、２≧ｍ＋ｎ≧１を満たす。ｐ、ｑは各々独立に、１〜６までの整数を表す。）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
化合物（Ｅ）中のＸは、ＳＯ３−またはＣＯ２−、Ｈ２ＰＯ４−があげられる。
中でも、ＳＯ３−が耐光性の点から好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５７】
カラーフィルタの評価結果
【表１４】
2011180186.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像コンテンツを生成する画像形成部と、前記画像形成部によって生成された前記画像コンテンツに基づく映像を表示する映像表示部とを備えている映像表示装置であって、
前記映像表示部によって表示される映像とは異なる光を発する発光部と、
前記映像表示部に前記映像が表示されている期間中に前記発光部を発光させ、発光強度が広義単調増加または単調減少する２以上の発光強度変化期間を有し、前記２以上の発光強度変化期間が連続するように前記発光部の発光状態を制御する発光制御部とを備え、
前記発光強度変化期間には、カメラのオートアイリス制御の時定数以上の期間と時定数以下の期間を含む、映像表示装置。
【請求項２】
前記発光強度変化期間が、３０ミリ秒以上３.０秒以下であることを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項３】
前記映像表示部に表示される映像の明るさを解析する画像解析部をさらに備え、
前記発光制御部は、前記画像解析部によって解析された映像の明るさに基づいて、前記発光部の単位面積あたりの最大発光強度が前記映像の単位面積あたりの明るさよりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項４】
前記最大発光強度が前記映像の単位面積あたりの明るさの３倍以上となるように制御することを特徴とする請求項３に記載の映像表示装置。
【請求項５】
前記発光制御部は、前記発光部の発光強度の変化が極小の値から極大の値に至るまでと、前記極大の値から前記極小の値に至るまでとの少なくとも一部が線形に変化するように制御することを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項６】
前記発光制御部は、前記発光部の発光強度の変化が極小の値から極大の値に至るまでと、前記極大の値から前記極小の値に至るまでとの少なくとも一部が非線形に変化するように制御することを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項７】
前記発光制御部は、前記発光部の発光強度の変化が生じない期間を含み、その期間の長さが前記カメラのオートアイリス制御の時定数以上であるように制御することを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項８】
前記発光強度変化期間の合計長さが、前記カメラのオートアイリス制御の時定数以下であることを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項９】
前記発光強度変化期間の合計長さが、３０ミリ秒以上３.０秒以下であることを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項１０】
前記映像とは異なる光は、赤外光であることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の映像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像表示部に表示された映像に赤外光を重ね合わせることにより、映像表示部に表示された映像が不正に撮像されるのを妨害する撮像防止装置において、
少なくとも７８０ｎｍ以上の波長を含む赤外光を前記映像表示部に対して出射する赤外光光源と、
前記赤外光光源の前方に配置され、前記赤外光光源からの出射光のうち可視領域に近い所定の波長成分を実質的に非透過とする波長カットフィルタとを有する撮像防止装置。
【請求項２】
前記所定の波長成分が、前記赤外光光源の輝度が極大となる波長よりも低波長側にある、請求項１に記載の撮像防止装置。
【請求項３】
前記所定の波長成分が、７８０ｎｍ〜８４０ｎｍの成分である、請求項１または２に記載の撮像防止装置。
【請求項４】
前記所定の波長成分が、７８０ｎｍ〜８７０ｎｍの成分である、請求項１または２に記載の撮像防止装置。
【請求項５】
前記波長カットフィルタが、光透過領域と光遮断領域との間の遷移領域において３０ｄＢ以上連続的に変化する特性を有している、請求項１から４のいずれかに記載の撮像防止装置。
【請求項６】
前記遷移領域において３０ｄＢ以上連続的に変化する波長領域が、前記所定の波長成分の上限波長と前記赤外光光源の輝度が極大となる波長との間に存在する、請求項５に記載の撮像防止装置。
【請求項７】
前記赤外光光源の輝度が極大となる波長が、９２０ｎｍ以下である、請求項２に記載の撮像防止装置。
【請求項８】
前記赤外光の、前記映像表示部表面における輝度が、０．００６２ｎｍＷ／ｃｍ２以上である、請求項１から７のいずれか記載の撮像防止装置。
【請求項９】
前記赤外光の、前記映像表示部表面における輝度が、０．３１０ｎｍＷ／ｃｍ２以上である、請求項８に記載の撮像防止装置。
【請求項１０】
前記赤外光が投影されている、前記映像表示部表面における輝度が、１．０１ｎｍＷ／ｃｍ２を超えない、請求項１から９のいずれかに記載の撮像防止装置。
【請求項１１】
前記映像表示部に表示された映像の輝度に対する上記赤外光の輝度の比が、０．０１２以上である、請求項１から１０のいずれかに記載の撮像防止装置。
【請求項１２】
前記映像表示部に表示された映像の輝度に対する上記赤外光の輝度の比が、０．５９以上である、請求項１１に記載の撮像防止装置。
【請求項１３】
前記赤外光光源が、ＬＥＤ、レーザー、キセノンランプのいずれかである、請求項１から１２のいずれかに記載の撮像防止装置。
【請求項１４】
前記赤外光光源が、可視光波長の光を出射する、請求項１から１３のいずれかに記載の撮像防止装置。
【請求項１５】
前記赤外光光源を複数備えている、請求項１から１４のいずれかに記載の撮像防止装置。
【請求項１６】
映像表示部に表示された映像に赤外光を重ね合わせることにより、映像表示部に表示された映像が不正に撮像されるのを妨害する撮像防止方法において、
赤外光光源から、少なくとも７８０ｎｍ以上の波長を含む赤外光を前記映像表示部に対して出射し、
前記赤外光光源の前方に配置された波長カットフィルタにより、前記赤外光光源からの出射光のうち可視領域に近い所定の波長成分を実質的に非透過とする、撮像防止方法。
【請求項１７】
映像信号に基づいて表示画像を生成する画像形成部と、
前記画像形成部によって生成された画像が表示される映像表示部とを備えた映像表示システムであって、
少なくとも７８０ｎｍ以上の波長を含む赤外光を前記映像表示部に対して出射する赤外光光源と、
前記赤外光光源の前方に配置され、前記赤外光光源からの出射光のうち可視領域に近い所定の波長成分を実質的に非透過とする波長カットフィルタとを有する映像表示システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
このような問題を回避する手法として、例えば、図４（ａ）に示すような透過特性を有する波長カットフィルタを用いることができる。望ましくは、フィルタの遮断域と通過域の差が５０ｄＢ以上のフィルタである。さらに望ましくは、Ｒｈにおける透過率が０％または０％近傍であり、λｉにおける透過率が１００％または１００％近傍であるという特性を有するフィルタを用いることが望ましい。しかし、透過率が１００％または１００％近傍を実現できない場合には、適宜、赤外光源の光量を増大するなどの処置をとってもよい。また、このような波長カットフィルタとしては、遷移領域（遮断域と通過域の間）が３０ｄＢ以上のものがよい。さらには、この遷移領域が、人間の目で着色が観察できるＲｈの上限λ２（少なくとも８４０ｎｍ、望ましくは８７０ｎｍ）と、妨害光源として用いる赤外光のピーク波長（λｉ）との間で３０ｄＢ以上の差があることが望ましい。これは、遷移領域における減衰量が３０ｄＢ以上連続的に変化する波長域がＲｈに重なれば画像コンテンツの着色を生じやすくなるし、λｉよりも長波長領域に重なってしまうと、赤外光光源の効率（つまり、再撮カメラへ妨害を与えられる赤外光の光利用効率）が著しく低下してしまうからである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被計測面の高さを計測する計測装置であって、
光源からの広帯域波長の光により照明された被計測面からの計測光と、前記広帯域波長の光により照明された参照面からの参照光との干渉光を検出する複数の検出部を有する撮像素子と、
前記被計測面上の複数の計測点で反射された計測光と、前記参照面上の複数の参照点で反射された参照光とを前記複数の検出部に導く光学系と、
前記複数の検出部により検出された干渉光の強度を用いて、前記複数の検出部において干渉光強度信号のピーク位置を特定し、特定したピーク位置に対応する前記被計測面の高さを算出する処理部と、を有し、
前記参照面は、前記複数の検出部について、前記検出部に入射する前記参照光と前記計測光との光路長差の差分を生じさせることを特徴とする計測装置。
【請求項２】
被計測面の高さを計測する計測装置であって、
光源からの広帯域波長の光を計測光と参照光とに分離して、前記広帯域波長の前記計測光を前記被計測面の表面に入射させ、前記広帯域波長の前記参照光を参照面に入射させ、前記被計測面の局所領域内の第１の計測点で反射した第１の計測光と前記第１の計測点に対応する前記参照面の第１の参照点で反射した第１の参照光とを撮像素子の第１の領域に導き、前記被計測面の前記局所領域内の第２の計測点で反射した第２の計測光と前記第２の計測点に対応する前記参照面の第２の参照点で反射した第２の参照光とを前記撮像素子の第２の領域に導く光学系と、
前記撮像素子で検出され、前記第１の領域において前記第１の計測光と前記第１の参照光によって形成される干渉光の強度、及び、前記第２の領域において前記第２の計測光と前記第２の参照光によって形成される干渉光の強度に基づいて、前記局所領域における前記被計測面の高さを算出する処理部と、
を有し、
前記参照面は、前記第１の領域に入射する前記第１の計測光と前記第１の参照光との光路長差と、前記第２の領域に入射する前記第２の計測光と前記第２の参照光との光路長差との間に差が生じるように配置され、
前記処理部は、前記第１の領域において前記第１の計測光と前記第１の参照光によって形成される干渉光の強度、及び、前記第２の領域において前記第２の計測光と前記第２の参照光によって形成される干渉光の強度を用いて干渉光強度信号のピーク位置を特定し、特定したピーク位置に対応する前記局所領域における前記被計測面の高さを算出することを特徴とする計測装置。
【請求項３】
被計測面の高さを計測する計測装置であって、
光源からの広帯域波長の光を計測光と参照光とに分離して、前記広帯域波長の前記計測光を前記被計測面の表面に入射させ、前記広帯域波長の前記参照光を参照面に入射させ、前記被計測面の局所領域内の第１の計測点で反射した第１の計測光と前記第１の計測点に対応する前記参照面の第１の参照点で反射した第１の参照光とを撮像素子の第１の領域に導き、前記被計測面の前記局所領域内の第２の計測点で反射した第２の計測光と前記第２の計測点に対応する前記参照面の第２の参照点で反射した第２の参照光とを前記撮像素子の第２の領域に導く光学系と、
前記撮像素子で検出され、前記第１の領域において前記第１の計測光と前記第１の参照光によって形成される干渉光の強度、及び、前記第２の領域において前記第２の計測光と前記第２の参照光によって形成される干渉光の強度に基づいて、前記局所領域における前記被計測面の高さを算出する処理部と、
を有し、
前記参照面は、前記第１の領域に入射する前記第１の計測光と前記第１の参照光との光路長差と、前記第２の領域に入射する前記第２の計測光と前記第２の参照光との光路長差との間に差が生じるように構成された非平面形状を有し、
前記処理部は、前記第１の領域において前記第１の計測光と前記第１の参照光によって形成される干渉光の強度、及び、前記第２の領域において前記第２の計測光と前記第２の参照光によって形成される干渉光の強度を用いて干渉光強度信号のピーク位置を特定し、特定したピーク位置に対応する前記局所領域における前記被計測面の高さを算出することを特徴とする計測装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記干渉光強度信号の複数のピーク位置を特定し、特定した複数のピーク位置を用いて前記被計測面の傾きを算出することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項５】
前記干渉光強度信号の２つのピーク、２つのボトム、又はピークとボトムに基づいて、前記局所領域における前記被計測面の傾きを算出することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項６】
前記処理部は、
前記特定したピーク位置に対応する前記参照光と前記計測光との光路長差と、基準光路長差との差分を算出し、
前記撮像素子に入射する前記参照光と前記計測光との光路長差の差分が生じないように前記参照面を配置し、前記被計測面を高さ方向に移動させながら前記参照光と前記計測光との干渉光の強度信号を取得して、前記強度信号のピーク位置を特定し、当該ピーク位置に対応する前記参照光と前記計測光との光路長差を前記基準光路長差として算出することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項７】
前記非平面形状は、前記第１の領域及び前記第２の領域に対応した段差を有する階段形状を含むことを特徴とする請求項３に記載の計測装置。
【請求項８】
前記干渉光強度信号のピーク位置と前記被計測面の高さとの関係を表すデータを記憶する記憶部を有することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項９】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記基板の高さを計測する計測装置と、
前記計測装置によって計測された前記基板の高さに基づいて、前記基板の位置を調整するステージと、
を有し、
前記計測装置は、請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の計測装置であることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての計測装置は、被計測面の高さを計測する計測装置であって、光源からの広帯域波長の光により照明された被計測面からの計測光と、前記広帯域波長の光により照明された参照面からの参照光との干渉光を検出する複数の検出部を有する撮像素子と、前記被計測面上の複数の計測点で反射された計測光と、前記参照面上の複数の参照点で反射された参照光とを前記複数の検出部に導く光学系と、前記複数の検出部により検出された干渉光の強度を用いて、前記複数の検出部において干渉光強度信号のピーク位置を特定し、特定したピーク位置に対応する前記被計測面の高さを算出する処理部と、を有し、前記参照面は、前記複数の検出部について、前記検出部に入射する前記参照光と前記計測光との光路長差の差分を生じさせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面側及び裏面側のそれぞれに形成された表面側マーク及び裏面側マークを検出する検出装置であって、
前記基板を透過する波長を有する第１の光と前記基板を透過しない波長を有する第２の光とを射出する光源と、
光電変換素子と、
前記光源から射出した第１の光を前記基板の表面側から前記裏面側マークに照射して前記裏面側マークで反射した第１の光により前記裏面側マークの像を前記光電変換素子の受光面に形成すると共に、前記光源から射出した第２の光を前記基板の表面側から前記表面側マークに照射して前記表面側マークで反射した第２の光により前記表面側マークの像を前記光電変換素子の受光面に形成する光学系と、
を有することを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記光電変換素子は、第１の光電変換素子と、第２の光電変換素子と、を含み、
前記光学系は、前記裏面側マークの像を前記第１の光電変換素子の受光面に形成すると共に、前記表面側マークの像を前記第２の光電変換素子の受光面に形成することを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記光学系は、
前記裏面側マークで反射した第１の光を前記第１の光電変換素子の受光面に結像させるための第１のレンズと、
前記表面側マークで反射した第２の光を前記第２の光電変換素子の受光面に結像させるための第２のレンズと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記光学系は、前記基板の厚さに基づいて、前記第１のレンズ又は前記第２のレンズをその軸方向に沿って駆動する駆動部を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の検出装置。
【請求項５】
前記基板と前記光学系との間に配置され、前記第１の光の結像位置と前記第２の光の結像位置とが異なるように構成された対物レンズを更に有することを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項６】
前記対物レンズは、前記裏面側マークで反射した第１の光を前記第１の光の波長に応じて前記光電変換素子の受光面に結像させるように、且つ、前記表面側マークで反射した第２の光を前記第２の光の波長に応じて前記光電変換素子の受光面に結像させるように構成されていることを特徴とする請求項５に記載の検出装置。
【請求項７】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記基板を保持するステージと、
前記基板の表面側及び裏面側のそれぞれに形成された表面側マーク及び裏面側マークを検出する検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記ステージの位置を制御する制御部と、
を有し、
前記検出装置は、請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の検出装置を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項８】
前記検出装置と露光位置との関係を計測するための基準マークを更に有し、
前記基準マークは、前記基板と高さが一致するように、前記ステージに配置されていることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての検出装置は、基板の表面側及び裏面側のそれぞれに形成された表面側マーク及び裏面側マークを検出する検出装置であって、前記基板を透過する波長を有する第１の光と前記基板を透過しない波長を有する第２の光とを射出する光源と、光電変換素子と、前記光源から射出した第１の光を前記基板の表面側から前記裏面側マークに照射して前記裏面側マークで反射した第１の光により前記裏面側マークの像を前記光電変換素子の受光面に形成すると共に、前記光源から射出した第２の光を前記基板の表面側から前記表面側マークに照射して前記表面側マークで反射した第２の光により前記表面側マークの像を前記光電変換素子の受光面に形成する光学系と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
このように、ウエハ４０の裏面側マークに対しては赤外光を、ウエハ４０の表面側マークに対しては可視光を用いることで、ウエハ４０の裏面側マーク及び表面側マークのそれぞれの位置を検出することができる。但し、赤外光及び可視光を用いて、ウエハ４０の裏面側マーク及び表面側マークの両方を検出する場合には、以下のような問題が生じることがある。図６は、ウエハ４０の断面を模式的に示す図であって、図６（ａ）は、可視光ＶＲを用いてウエハ４０の表面側マークＡＭｓを検出する場合を、図６（ｂ）は、赤外光ＩＲを用いてウエハ４０の裏面側マークＡＭｂを検出する場合を示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、一般的に、可視光ＶＲによる検出面と赤外光ＩＲによる検出面とは、同じ位置になるように構成されている。従って、例えば、ウエハ４０の裏面側マークＡＭｂを検出するためには、ウエハ４０をＺ軸方向（高さ方向）に駆動しなければならない。上述したように、ウエハ４０を駆動するウエハステージ４５には、低熱膨張材を鏡面加工したミラー５２が設けられているが、ミラー５２には加工誤差が残存している。そのため、干渉計５０からのレーザ光が照射されるミラー５２上の位置によって、干渉計５０で測定されるウエハステージ４５の位置に誤差が含まれることになる。従って、ウエハ４０の裏面側マークＡＭｂを検出するためにウエハ４０をＺ軸方向に駆動した場合には、干渉計５０からのレーザ光が照射されるミラー５２上の位置も変化してしまうため、ウエハステージ４５の位置を正確に測定することが困難になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、フォーカス位置計測系６０は、一般的には、高精度な計測を保証するため、計測範囲が限定されている。従って、ウエハ４０の裏面側マークＡＭｂを検出するためにウエハ４０をＺ軸方向に駆動した場合には、フォーカス位置計測系６０の計測範囲外にウエハ４０を駆動してしまう可能性がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
そこで、本実施形態では、ウエハ４０の裏面側マークＡＭｂを検出するためのウエハ４０のＺ軸方向への駆動を不要にするために、ウエハ側における赤外光ＩＲの結像位置と可視光ＶＲの結像位置とが異なるように、対物レンズ７１４を構成している。対物レンズ７１４は、一般的には、所定の軸上色収差が補正されている。但し、本実施形態の対物レンズ７１４には、ウエハ４０の裏面側マークＡＭｂで反射した赤外光及び表面側マークＡＭｓで反射した可視光のそれぞれを第１の光電変換素子７２２及び第２の光電変換素子７２６の受光面に結像させるように、軸上色収差を発生させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011040549.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明にあっては、第１電極として、例えば、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＭｏ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、（Ｔｉ／）ＴｉＷ／Ｐｔ／Ａｕ、（Ｔｉ／）ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ、アルミニウム合金、ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層に近いところに位置する。あるいは又、第１電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂといった透明導電材料から構成することもできる。第１電極は、第１化合物半導体層に電気的に接続されているが、第１電極を第１化合物半導体層上に形成してもよいし、半導体発光素子製造用基板が導電性を有している場合、半導体発光素子製造用基板上に第１電極を形成してもよい。第１電極や第２電極（これらの電極の延在部を含む）に対して、必要に応じて、例えば、Ｔｉ層／Ｐｔ層／Ａｕ層等といった［接着層（Ｔｉ層やＣｒ層等）］／［バリアメタル層（Ｐｔ層、Ｎｉ層、ＴｉＷ層やＭｏ層等）］／［実装に対して融和性の良い金属層（例えばＡｕ層）］のような積層構成とした多層メタル層から成る接続層やコンタクト部（パッド部）を設けてもよい。第１電極や接続層、コンタクト部（パッド部）は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といった各種のＰＶＤ法、各種のＣＶＤ法、メッキ法によって形成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
接着剤層７１は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等といったエネルギー線の照射によって接着機能を発揮する材料、熱や圧力等を加えることによって接着機能を発揮する材料等、何らかの方法に基づき接着機能を発揮する材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよい。容易に形成することができ、しかも、接着機能を発揮する材料として、樹脂系の接着剤、特に、感光性接着剤、熱硬化性接着剤、又は、熱可塑性接着剤を挙げることができる。例えば、感光性接着剤を用いる場合、接着剤に光や紫外線を照射することによって、あるいは又、加熱することによって、接着剤に接着機能を発揮させることができる。また、熱硬化性接着剤を用いる場合、光の照射等により接着剤を加熱することによって、接着剤に接着機能を発揮させることができる。更には、熱可塑性接着剤を用いる場合、光の照射等により接着剤の一部分を選択的に加熱することによって係る一部分を溶融し、流動性を持たせることができる。接着剤として、その他、例えば、感圧性接着剤（例えば、アクリル系樹脂等から成る）等を挙げることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
実施例４も実施例１の変形である。実施例４にあっては、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、第２電極構造体３３にジンケート処理を施す前に、第２電極構造体３３に酸素プラズマ処理を施す。これによって、第２電極構造体３３の表面が均一に酸化される結果、ジンケート処理によって析出される亜鉛層３４の均一化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、
該第１の半導体層上に形成された高抵抗の第２の半導体層と、
該第２の半導体層上に形成された第１導電型の第３の半導体層と、
前記第２の半導体層中に埋め込まれた第２導電型の第４の半導体層とを備えてなり、
前記第４の半導体層は、前記半導体基板の表面に水平方向に一定間隔で分離されていることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第４の半導体層は、帯状のストライプ構造または格子状の周期構造を有することを特徴とする半導体受光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第４の半導体層が光の進入長の半分以下の間隔で分離されている面受光型であることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項４】
請求項３において、
電流増幅機能を有するトランジスタを更に備えていることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記トランジスタはバイポーラトランジスタであり、
前記半導体基板はシリコンから成り、
前記第１から第４の半導体層は単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記バイポーラトランジスタのエミッタは単結晶シリコン・ゲルマニウムまたは単結晶シリコンから成ることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第４の半導体層は、前記バイポーラトランジスタのベースを兼ねていることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記第１の半導体層は、前記バイポーラトランジスタのベースを兼ねていることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項８】
請求項２において、
前記第４の半導体層が前記第２の半導体層の厚さの半分以下の間隔で分離されている導波路型である
ことを特徴とする半導体受光装置。
【請求項９】
請求項８において、
電流増幅機能を有するトランジスタを更に備えていることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記トランジスタはバイポーラトランジスタであり、
前記半導体基板はシリコンから成り、
前記第１から第４の半導体層は単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記バイポーラトランジスタのエミッタは単結晶シリコン・ゲルマニウムまたは単結晶シリコンから成る
ことを特徴とする半導体受光装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第４の半導体層は、前記バイポーラトランジスタのベースを兼ねていることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記第１の半導体層は、前記バイポーラトランジスタのベースを兼ねていることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項１３】
半導体基板上に第１導電型の第１の半導体層をエピタキシャル成長する工程と、
該第１の半導体層上に高抵抗の第２の半導体層をエピタキシャル成長する工程と、
該第２の半導体層上に絶縁膜によるパターニングを施し、第２導電型の第４の半導体層を選択的にエピタキシャル成長する工程と、
前記絶縁膜をエッチング除去する工程と、
前記第４の半導体層上に前記第２の半導体層を再びエピタキシャル成長する工程と、
前記第２の半導体層上に第１導電型の第３の半導体層をエピタキシャル成長する工程とを有することを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第１の半導体層と前記第３の半導体層とを金属電極により接続することを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体基板上に第１導電型の第１の半導体層をエピタキシャル成長する工程と、
該第１の半導体層上に高抵抗の第２の半導体層をエピタキシャル成長する工程と、
該第２の半導体層上にパターニングを施し、イオン打ち込み法によって第２導電型の第４の半導体層領域を前記第２の半導体層内に形成する工程と、
前記第２の半導体層上に前記第２の半導体層を再びエピタキシャル成長する工程と、
前記第２の半導体層上に第１導電型の第３の半導体層をエピタキシャル成長する工程とを有することを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第１の半導体層と前記第３の半導体層とを金属電極により接続することを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングテープをウェハ裏面に貼り付け、前記ダイシングテープを介してレーザ光を透過させ、ウェハ内部にレーザ光を到達させてウェハのダイシングを行うレーザダイシングに使用される、ダイシングテープ用の基材であって、
カリウムアイオノマーを含む層を備えるダイシングテープ用基材。
【請求項２】
請求項１に記載のダイシングテープ用基材において、
当該ダイシングテープ用基材の表面抵抗率が１．０×１０８Ω／ｃｍ２以上１．０×１０１０Ω／ｃｍ２以下であるダイシングテープ用基材。
【請求項３】
請求項１または２に記載のダイシングテープ用基材において、
可視光の光線透過率が９０％以上であるダイシングテープ用基材。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
表面側および裏面側の表面粗さＲａが１．０μｍ以下であるダイシングテープ用基材。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
前記カリウムアイオノマーを含む層は、カリウムアイオノマーと、ポリプロピレン系樹脂とを含むダイシングテープ用基材。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
前記カリウムアイオノマーは、エチレン−不飽和カルボン酸共重合体の少なくとも一部がカリウムで中和されたアイオノマーであるダイシングテープ用基材。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
当該ダイシングテープ用基材がカリウムアイオノマーを含む層からなるダイシングテープ用基材。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載のダイシングテープ用基材において、
ポリプロピレン系樹脂を含む一対の層間に、前記カリウムアイオノマーを含む層が挟まれた構造であるダイシングテープ用基材。
【請求項９】
粘着層と、
前記粘着層が積層される基材とを備え、
前記基材は、請求項１乃至８のいずれかに記載のダイシングテープ用基材であるダイシングテープ。
【請求項１０】
ウェハの裏面に、ダイシングテープを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープが貼り付けられたウェハに対し、前記ダイシングテープ側からレーザ光を照射し、ダイシングテープを介してレーザ光を前記ウェハまで到達させ、前記ウェハをダイシングする工程と、
を含み、
前記ダイシングテープは、粘着層と、
前記粘着層が積層される基材と、
を備え、
前記基材は、カリウムアイオノマーを含む層を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基材の表面抵抗率が１．０×１０８Ω／ｃｍ２以上１．０×１０１０Ω／ｃｍ２以下である請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、本発明では、上述したダイシングテープを使用した半導体装置の製造方法も提供できる。
すなわち、本発明によれば、ウェハの裏面に、ダイシングテープを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープが貼り付けられたウェハに対し、前記ダイシングテープ側からレーザ光を照射し、ダイシングテープを介してレーザ光を前記ウェハまで到達させ、前記ウェハをダイシングする工程と、
を含み、
前記ダイシングテープは、粘着層と、
前記粘着層が積層される基材と、
を備え、
前記基材は、カリウムアイオノマーを含む層を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法も提供できる。