【事件の表示】
　平成　８年特許願第　３３９８０号「化合物半導体装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月　５日出願公開、特開平　９−２３２６６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年２月２１日に出願された特許出願であって、原審において、平成１５年６月１９日付で拒絶理由が通知され、同年８月２０日に手続補正がなされたところ、同年１２月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月９日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１６年２月９日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１６年２月９日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　化合物半導体基板上に、複数の化合物半導体層が積層形成された積層半導体構造部を有して成る化合物半導体装置であり、
　上記積層半導体構造部の表面側に位置しない、かつ電極導出を要する電極導出半導体領域から上記表面側に電極導出をなす電極導出部が設けられ、
　該電極導出部は、高抵抗領域と電極コンタクト用凹部とを有して成り、
　上記高抵抗領域は、上記電極コンタクト用凹部の内周面に存在する１つの領域から成り、かつ上記積層半導体構造部の表面側から選択的に上記電極導出半導体領域に達し、該半導体領域の全厚さを横切ることのない深さに形成され、
　上記電極コンタクト用凹部は、上記高抵抗領域の面積内において、上記電極コンタクト用凹部と、上記高抵抗領域の周囲の半導体構造部との間に高抵抗領域を介在させる面積を有し、かつ上記電極導出半導体領域に達し上記高抵抗領域の深さより大なる深さを有し、底部に上記電極導出半導体領域を露出させて形成され、
　上記電極コンタクト用凹部を通じて上記電極導出半導体領域に対してコンタクトされる電極を上記積層半導体構造部の表面側から導出して成ることを特徴とする化合物半導体装置。」
と補正された。
　　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「高抵抗領域」に、「上記電極コンタクト用凹部の内周面に存在する１つの領域から成り」との技術的限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された“特許請求の範囲の減縮”を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−８３４０号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　ａ．「本発明は、エミッタ領域及びコレクタ領域に、ベース領域よりバンド・ギャップの大きい半導体材料を用いたダブル・ヘテロ構造のへテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）に関する。」（２頁左上欄４〜７行）
　ｂ．「第１図は、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系材料を用いた本発明の第１実施例のへテロ接合バイポ−ラトランジスタである。
半絶縁性ＩｎＰ基板１を用いてこの上に、コレクタ層２，べ−ス層３およびエミッタ層４が積層形成されている
　ｃ．「このトランジスタを製造するには、
半絶縁性ＩｎＰ基板上に、順次半導体層をエピタキシャル成長させる
　ｄ．「この様に形成されたエピタキシャル・ウエハを用いて、先ず、基板１に達する素子分離用絶縁層８をＨ＋のイオン注入によりり形成し、又
トランジスタ内部のｎ
＋
型ＩｎＰ層２
１
に達する電極間分離用絶縁層９をＢ
＋
のイオン注入によりそれぞれ形成する
コレクタ領域の電極コンタクトをとるため、ウエハ表面から、ｎ
＋
型Ｉｎｐ層２
１
に達する深さのエッチングを行う
　ｅ．上記ｄ、および第１図からは、以下の事項がみてとれる。
　　１）コレクタ電極７は、半絶縁性ＩｎＰ基板１の直ぐ上に形成されたｎ＋型ＩｎＰ層２１と接続し、半絶縁性ＩｎＰ基板１上に順次積層形成された半導体層を横断して半導体層の表面側に導出している。
　　２）コレクタ電極７が収容されている開口は、上記ｎ＋型ＩｎＰ層２１に達する電極間分離絶縁層９の深さより深い同層２１の内部にまで達しており、電極間分離絶縁層９の領域内にあるものの、その図示右側面は素子分離用絶縁層８に接しており、結果的に上記開口の内周面は、電極間分離絶縁層９と素子分離用絶縁層８との二つの領域に囲まれている。
　
　したがって、上記ａ〜ｅの記載事項によれば、引用例には、
「半絶縁性ＩｎＰ基板上にＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系材料を用いて順次積層形成された半導体層からなるへテロ接合バイポーラトランジスタであり、上記半絶縁性ＩｎＰ基板の直ぐ上に形成されたｎ＋型ＩｎＰ層に接続し、上記半導体層の表面側に導出されたコレクタ電極を有し、上記コレクタ電極の導出用開口は、電極間分離絶縁層の領域内にあって、その内周面は、上記電極間分離絶縁層と素子分離用絶縁層との二つの領域に囲まれており、その深さは、上記ｎ＋型ＩｎＰ層に達する電極間分離絶縁層の深さより深い上記ｎ＋型ＩｎＰ層の内部にまで達しているへテロ接合バイポーラトランジスタ。」
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例発明」という。）。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを以下に対比する。
　ア．引用例発明の「半絶縁性ＩｎＰ基板」、「ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系材料を用いて順次積層形成された半導体層」、「へテロ接合バイポーラトランジスタ」、「コレクタ電極の導出用開口」、「ｎ＋型ＩｎＰ層」、および「コレクタ電極」は、それぞれ本願補正発明の「化合物半導体基板」、「積層半導体構造部」、「化合物半導体装置」、「電極コンタクト用凹部」、「電極導出半導体領域」、および「電極」に相当する。
　
　イ．引用例発明の「電極間分離絶縁層および素子分離用絶縁層」は、両者でコレクタ電極の導出用開口の内周面を取り囲んでいる領域である点で、本願補正発明の「高抵抗領域」に一致する。
　
　ウ．引用例発明は、本願補正発明の「電極コンタクト用凹部」に相当する「コレクタ電極の導出用開口」、および本願補正発明の「高抵抗領域」に上記イの点で一致する「電極間分離絶縁層および素子分離用絶縁層」を備えているから、本願補正発明の、高抵抗領域と電極コンタクト用凹部とを有してなる「電極導出部」を有している。
　
　したがって両者は、
「化合物半導体基板上に、複数の化合物半導体層が積層形成された積層半導体構造部を有して成る化合物半導体装置であり、上記積層半導体構造部の表面側に位置しない、かつ電極導出を要する電極導出半導体領域から上記表面側に電極導出をなす電極導出部が設けられ、該電極導出部は、高抵抗領域と電極コンタクト用凹部とを有して成り、上記高抵抗領域は、上記電極コンタクト用凹部の内周面に存在する領域から成り、かつ上記積層半導体構造部の表面側から選択的に上記電極導出半導体領域に達し、上記電極コンタクト用凹部は、上記高抵抗領域の面積内において、上記電極導出半導体領域に達する深さを有し、底部に上記電極導出半導体領域を露出させて形成され、上記電極コンタクト用凹部を通じて上記電極導出半導体領域に対してコンタクトされる電極を上記積層半導体構造部の表面側から導出して成る化合物半導体装置。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点１］本願補正発明の高抵抗領域は、「上記電極コンタクト用凹部の内周面に存在する１つの領域から成り」、その深さは「上記電極導出半導体領域に達し、該半導体領域の全厚さを横切ることのない深さ」であるのに対して、引用例発明の高抵抗領域は、「電極間分離絶縁層と素子分離用絶縁層との二つの領域」からなり、一方の素子分離用絶縁層の深さは、電極導出半導体領域の全厚さを横切ることのない深さとはいえないものである点。
　
［相違点２］本願補正発明は「高抵抗領域の周囲の半導体構造部との間に高抵抗領域を介在させる面積を有」するものであるのに対し、引用例発明の高抵抗領域の周囲がすべて半導体構造部となっているのか不明である点。
　　
４）判断
［相違点１］について　
　高抵抗領域と電極コンタクト用凹部とを有する電極導出部が設けられた化合物半導体装置において、上記高抵抗領域が、上記電極コンタクト用凹部の内周面に存在する１つの領域からなるものであって、その深さが、電極導出半導体領域に達し、該半導体領域の全厚さを横切ることのない深さである点は、本願出願前に周知の技術事項にすぎない。
　必要であれば、特開平４−２８７３３１号公報（段落【００１４】、【００１７】、【図２】（ａ）〜（ｂ）、【図３】（ａ）〜（ｂ））、特開平４−１９２５５７号公報（３頁右下欄６〜９行、第１図（ａ））、特開平５−１７５２２３号公報（段落【００２１】、【００２６】、【図４】（ａ）〜（ｂ）、【図７】）等を参照のこと。
　
　そして、上記文献には、当該周知技術を引用例発明と同じヘテロ接合バイポーラトランジスタに適用したものが記載されているのであるから、これを引用例発明に適用することは容易である。
　したがって、上記相違点１に係る本件発明の事項は引用例発明および上記周知技術に基づき当業者が容易になしえたことである。
     
［相違点２］について
　引用例１の第１図によれば、コレクタ電極７の右隣は素子分離用絶縁層８に接しており、そのさらに右側は図示されていない。したがって、「高抵抗領域の周囲の半導体構造部」がその図示されていない領域に存在するのか否か不明であるが、常識的にみて右隣は素子分離用絶縁層８なのであるから、ウエハ上の構造としてではなく個別の素子として第１図をみた場合には、そのさらに右側に半導体層があるとは考え難い。
　しかしながら、本願発明の高抵抗領域の素子端部の側（引用例１の素子分離用絶縁層８の領域）に半導体層が存在するか否か、言い換えれば素子分離用絶縁層８が必要か否かは、本願発明の化合物半導体装置の機能等に格別影響を及ぼさない事項であって、製品である半導体素子の機能・用途等に応じて適宜取捨選択可能な事項であるといえるから、当業者が適宜なしうる設計事項にすぎない。
　
　したがって、上記相違点２に係る本件発明の事項は引用例発明および上記周知技術に基づき当業者が容易になしえたことである。
　
　よって、本願補正発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年２月９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年８月２０日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】　化合物半導体基板上に、複数の化合物半導体層が積層形成された積層半導体構造部を有して成る化合物半導体装置であり、
　上記積層半導体構造部の表面側に位置しない、かつ電極導出を要する電極導出半導体領域から上記表面側に電極導出をなす電極導出部が設けられ、
　該電極導出部は、高抵抗領域と電極コンタクト用凹部とを有して成り、
　上記高抵抗領域は、上記積層半導体構造部の表面側から選択的に上記電極導出半導体領域に達し、該半導体領域の全厚さを横切ることのない深さに形成され、
　上記電極コンタクト用凹部は、上記高抵抗領域の面積内において、上記電極コンタクト用凹部と、上記高抵抗領域の周囲の半導体構造部との間に高抵抗領域を介在させる面積を有し、かつ上記電極導出半導体領域に達し上記高抵抗領域の深さより大なる深さを有し、底部に上記電極導出半導体領域を露出させて形成され、
　上記電極コンタクト用凹部を通じて上記電極導出半導体領域に対してコンタクトされる電極を上記積層半導体構造部の表面側から導出して成ることを特徴とする化合物半導体装置。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「上記電極コンタクト用凹部の内周面に存在する１つの領域から成り」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。