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　平成１０年特許願第５２２８６３号「導電性ポリマーのパターンおよび電極または電気接点としてのその応用」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２２日国際公開、ＷＯ９８／２１７５５、平成１２年　４月２５日国内公表、特表２０００−５０５２４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９７年１１月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９６年１１月１２日、アメリカ合衆国）を国際特許出願日とする特許出願であって、平成１５年９月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年４月２５日付けで審尋がなされ、同年７月２５日に回答書が提出され、その後、当審において、平成１８年８月３１日付けで平成１５年１２月２５日付けの手続補正が却下されるとともに、平成１８年９月１５日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して指定期間内である同年１２月１５日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項５に係る発明は、平成１８年１２月１５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「パターン化した導電性ポリマーを有する半導体構造を形成する方法であって、
　ポリアニリンからなる導電性ポリマーの層を有する基板を準備するステップと、
　前記ポリアニリンからなる導電性ポリマー層上にレジスト材料の層を配設するステップと、
　前記レジスト材料を放射線のパターンに露出させて、前記レジスト材料層中にパターンを形成するステップと、
　前記パターンを現像して前記レジスト材料層中にパターンを形成し、前記ポリアニリンからなる導電性ポリマーの露出領域と非露出領域を得るステップと、
　前記露出領域の前記ポリアニリンからなる導電性ポリマーを反応性イオン・エッチングによって除去するステップと、
　前記レジスト材料を除去して、前記基板上に前記ポリアニリンからなる導電性ポリマーのパターンを残すステップとを含む方法。」
　
３．刊行物記載の発明
　
（１）刊行物１：特開平７−１２０９１９号公報
　当審における拒絶の理由に引用され、本願のパリ条約による優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１には、以下の事項が記載されている。
「【請求項４】基材に…ケイ素化合物層を形成した後、共役系重合体膜を形成することを特徴とする薄膜を有する基材の製造方法。
【請求項５】該共役系重合体が、ポリアセチレン、ポリピロール…から選ばれることを特徴とする請求項４記載の薄膜を有する基材の製造方法。」
「【請求項７】該共役系重合体膜を形成した後、フォトレジスト膜を形成し、露光、現像し、フォトレジストパターンを得ることを特徴とする請求項４〜６記載の薄膜を有する基材の製造方法。
【請求項８】フォトレジストパターンを得た後、フォトレジストパターンの開口部の共役系重合体膜を、選択的に除去することを特徴とする請求項７記載の薄膜を有する基材の製造方法。」
「【００１６】…本発明は特に半導体集積回路の製造プロセスにおいて効果を発揮し、その場合、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム化合物、インジウム化合物などの半導体特性を有する基材…が、基板として例示される。」
「【００３５】フォトレジストとしては、選択的な露光、次に現像の工程によってパターンを形成しうる任意のものが選ばれる。」
「【００３７】フォトレジスト膜を露光する方法としては、透明な基板の上に遮光膜のパターンが形成されたフォトマスクを通じて露光する方法…が例示される。
【００３８】選択的に露光されたフォトレジスト膜を現像して、フォトレジストパターンを得る方法としては、現像液に浸漬して、フォトレジストの一部を溶解する方法が例示される。現像液としては、使用されるフォトレジストの現像に適したものが任意に選ばれる。
【００３９】以上の方法によって、共役系重合体膜上に、フォトレジストのパターンが得られる。一般的にはさらに、フォトレジストパターンの開口部の共役系重合体膜を選択的に除去して、フォトレジスト膜と共役系重合体膜とからなる二層構造のパターンを得る。共役系重合体膜を選択的に除去する方法としては、フォトレジストをマスクとして…ドライの反応性イオンエッチングを行う方法が例示される。反応性イオンの原料としては、酸素、ハロゲン、ハロゲン化炭化水素などが多く用いられる。」
「【００４５】次に、共役系重合体膜上に…フォトレジスト…を塗布、水銀灯でパターン露光、現像を行い、共役系重合体膜上にフォトレジストパターンを形成した。さらにフォトレジストパターンをマスクとして、酸素プラズマで共役系重合体の部分的な除去を行い、共役系重合体膜のパターンを形成、次にフォトレジスト剥離液で、フォトレジストを除去し、基材上にケイ素化合物膜、共役系重合体膜パターンからなる薄膜が得られた。」
　
　したがって、刊行物には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「半導体特性を有する基材の上にケイ素化合物膜及び共役系重合体膜を形成する工程と、
　前記共役系重合体膜上にフォトレジスト膜を塗布し、前記フォトレジスト膜を水銀灯でパターン露光した後、現像を行い、前記共役系重合体膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、
　前記フォトレジストパターンをマスクとして、反応性イオンエッチングで前記フォトレジストパターンの開口部の前記共役系重合体を選択的に除去して、共役系重合体膜パターンを形成する工程と、
　フォトレジスト剥離液で、前記フォトレジストパターンを除去する工程と、を含むケイ素化合物膜及び共役系重合体パターンを有する基材の製造方法。」
　
（２）刊行物２：特開平８−２３１８６３号公報
　当審における拒絶の理由に引用され、本願のパリ条約による優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物２には、以下の事項が記載されている。
「導電性有機ポリマーは…金属の持つ電磁特性を有すると同時に、従来の有機ポリマーに付随する物理的、機械的特性を残している。本明細書では…導電性の…ポリアニリン…について記載する。これらの材料を金属に代わってさらに多くの分野に適用するには、これらの材料の導電率を増大させることが望ましい。」（０００２段落）
　
４．対比・判断
　
（１）本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）重合体がポリマー（polymer）の日本語訳であることは当業者の技術常識であるから、刊行物発明の「重合体膜」は、本願発明の「ポリマーの層」及び「ポリマー層」に相当する。
　また、刊行物発明の「基材」は、本願発明の「基板」に相当し、刊行物発明の「基材」は、「ケイ素化合物膜及び」「重合体膜」が形成されているから、「重合体膜」を有している。
　したがって、刊行物発明の「基材の上にケイ素化合物及び」「重合体膜を形成する工程」は、本願発明の「ポリマーの層を有する基板を準備するステップ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「フォトレジスト膜」は、本願発明の「レジスト材料の層」に相当するから、刊行物発明の「重合体膜上にフォトレジスト膜を塗布し」は、本願発明の「ポリマー層上にレジスト材料の層を配設する」に相当する。
（ｃ）特許法第１８４条の６第２項の規定により願書に添付して提出した明細書とみなされた外国語でされた国際特許出願に係る国際出願日における明細書及び請求の範囲の翻訳文並びに同法同条同項の規定により願書に添付して提出した図面とみなされた外国語でされた国際特許出願に係る国際出願日における図面及び図面の中の説明の翻訳文には「レジストを紫外／可視光線、電子線、Ｘ線、イオン・ビームなどの所与の放射線で露光し、…現像する。」（第４１頁第２ないし８行）と、「放射線」がレジストを露光するためのものであることが記載されており、本願発明の「露出」は上記記載における「露光」の意味で用いられていることは明らかであるから、刊行物発明において「フォトレジスト膜を」「パターン露光」するために用いる「水銀灯」は、本願発明の「放射線」に相当する。
　また、本願発明では「レジスト材料を放射線のパターンに露出させて、前記レジスト材料層中にパターンを形成するステップ」の直後に「前記パターンを現像」しているから、「レジスト材料を放射線のパターンに露出させて、前記レジスト材料層中にパターンを形成するステップ」は、「レジスト材料を放射線のパターンに露出させて、前記レジスト材料層中に」前記放射線の露出領域と非露出領域からなる「パターンを形成するステップ」を意味していると解釈できる。
　したがって、刊行物発明の「フォトレジスト膜を水銀灯でパターン露光した」は、本願発明の「レジスト材料を放射線のパターンに露出させて、前記レジスト材料層中にパターンを形成する」に相当する。
（ｄ）刊行物発明では「フォトレジスト膜を水銀灯でパターン露光した後、現像を行い、」「重合体膜上にフォトレジストパターンを形成」しているから、「フォトレジストパターン」が形成された後に「重合体膜」に露出した領域と露出していない領域が形成されることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「フォトレジスト膜」の「現像を行い、」「重合体膜上にフォトレジストパターンを形成する」は、本願発明の「レジスト材料層中にパターンを形成するステップと、　前記パターンを現像して前記レジスト材料層中にパターンを形成し、」「ポリマーの露出領域と非露出領域を得る」に相当する。
（ｅ）本願発明の「露出領域の」「ポリマーを反応性イオン・エッチングによって除去するステップ」における「露出領域」は、本願発明が当該「ステップ」の前に「レジスト材料層中にパターンを形成し、」「ポリマーの露出領域と非露出領域を得るステップ」を備えていることを勘案すると、「ポリマー層上」の「パターンを形成」された「レジスト材料層」に覆われていない領域を意味する。
　したがって、刊行物発明の「フォトレジストパターンをマスクとして、反応性イオンエッチングで前記フォトレジストパターンの開口部の」「重合体を選択的に除去して、」「重合体膜パターンを形成する工程」は、本願発明の「露出領域の」「ポリマーを反応性イオン・エッチングによって除去するステップ」に相当する。
（ｆ）刊行物発明は「重合体パターンを有する基材の製造方法」であるから「フォトレジスト剥離液で、」「フォトレジストパターンを除去する工程」を経た後に「重合体パターン」が残存していることは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「フォトレジスト剥離液で、」「フォトレジストパターンを除去する工程」は、本願発明の「レジスト材料を除去して、」「基板上に」「ポリマーのパターンを残すステップ」に相当する。
（ｇ）刊行物発明の「基材」は「半導体特性を有する」から、上記（ａ）の検討内容も踏まえると、刊行物発明の「ケイ素化合物膜及び」「重合体パターンを有する基材の製造方法」は、本願発明の「パターン化した」「ポリマーを有する半導体構造を形成する方法」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明は
「パターン化したポリマーを有する半導体構造を形成する方法であって、
　ポリマーの層を有する基板を準備するステップと、
　前記ポリマー層上にレジスト材料の層を配設するステップと、
　前記レジスト材料を放射線のパターンに露出させて、前記レジスト材料層中にパターンを形成するステップと、
　前記パターンを現像して前記レジスト材料層中にパターンを形成し、前記ポリマーの露出領域と非露出領域を得るステップと、
　前記露出領域の前記ポリマーを反応性イオン・エッチングによって除去するステップと、
　前記レジスト材料を除去して、前記基板上に前記ポリマーのパターンを残すステップとを含む方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　本願発明では「ポリマーの層」が「ポリアニリンからなる導電性ポリマーの層」であるのに対して、刊行物発明では「重合体膜」が「共役系重合体膜」である点。
　
（２）上記相違点について検討する。
　刊行物２には「導電性有機ポリマーは…金属の持つ電磁特性を有すると同時に、従来の有機ポリマーに付随する物理的、機械的特性を残している。本明細書では…導電性の…ポリアニリン…について記載する。これらの材料を金属に代わってさらに多くの分野に適用するには、これらの材料の導電率を増大させることが望ましい。」（０００２段落）と、導電性ポリアニリンを金属の代替材料として用い得ることが記載されており、そのためには、導電性ポリアニリンをパターン化する必要があることは、当業者にとって明らかなことである。
　また、刊行物１には「共役系重合体が、ポリアセチレン、ポリピロール…から選ばれる」（特許請求の範囲の請求項５）と記載されており、刊行物１に共役系重合体として例示列挙されているポリアセチレン及びポリピロールと並んで、ポリアニリンが共役系重合体であることは、例えば、特開昭６３−６９８２４号公報に「本発明は…共役系重合体からなる導電材料の製造方法に関するものである。…主鎖に共役二重結合をもつ高分子、例えばポリアセチレン，ポリピロール，…ポリアニリンなどは…Ｐ型あるいはＮ型のドーピング剤で処理すると電気伝導性が著しく向上し、絶縁体から半導体、さらには導電体なることが従来より知られている。」（第２頁右上欄下から第３行ないし同頁左下欄上から第１２行）と記載され、また、特開平４−２８０６８１号公報に「従来…ポリアニリン…などの共役系高分子化合物が…合成されている。これらの共役系の重合体は各種用途に利用することが期待できる」（０００２段落）と記載されているように、当業者にとって従来周知の技術的事項である。
　以上の検討内容を踏まえると、刊行物２の記載事項及び従来周知の技術的事項に基づいて、刊行物発明における「共役系重合体膜」として、パターン化の必要がある導電性ポリアニリン膜を選択することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。