【事件の表示】
　特願２００６−２８６５９７「自己較正温度プローブ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月２６日出願公開、特開２００７−１０８１８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成９年４月８日（パリ条約による優先権主張平成８年４月８日，米国）に出願した特願平９−８９５９０号の一部を平成１８年１０月２０日に新たな出願としたものであって，平成１９年９月１８日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成１９年１２月２５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年１２月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　本件補正を却下する。
　［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲の請求項１を，
「【請求項１】
　基板処理システムを較正するための装置であって，
　入力端部と出力端部を備え，前記入力端部が処理チャンバからの光をサンプリングする
ように構成されている光学ガイドであって，反射板を含み，
前記基板処理システムを較正するときに光源から光を送出し，
前記光学ガイドと，
　前記処理チャンバ内の反射体であって，
較正中，前記光学ガイドの入力端部により送出された光を反射することにより，
発光
よう
な前記反射体と，
　幹線と第１
支線
ているスプリット光ファイバと，
　前記第１支線と光学的に結合した光源
であって，前記基板処理システムを較正するときに光を発生させるように構成され，前記光が前記入力端部を通って前記処理チャンバに送出され，前記反射体により反射される，前記光源
　前記第２支線と光学的に結合したセンサ
であって，較正中，反射光を検出し，処理中，前記処理チャンバ内の基板により放出される発光を検出することにより前記基板の温度を測定する，前記センサ
を含む装置。」（下線は補正箇所を示す。）と補正することを含むものである。
　
２　本件補正の適否について
　上記請求項１についての補正は，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項のうち，「光学ガイド」について，「前記基板処理システムを較正するときに光源から光を送出し」と限定を付加し，「反射体」について，「前記入力端部から送出された光を用いて所定温度で放射をシミュレーションする為に」を「較正中，前記光学ガイドの入力端部により送出された光を反射することにより，所定温度で発光をシミュレーションするように」と限定を付加し，「光源」を「光源であって，前記基板処理システムを較正するときに光を発生させるように構成され，前記光が前記入力端部を通って前記処理チャンバに送出され，前記反射体により反射される，前記光源」と限定を付加し，「センサ」を「センサであって，較正中，反射光を検出し，処理中，前記処理チャンバ内の基板により放出される発光を検出することにより前記基板の温度を測定する，前記センサ」と限定を付加するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるといえる。
　また，「第１及び第２支線」を「第１支線及び第２支線」とする補正は，誤記の訂正といえる。
　
　そうすると，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号及び３号の特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件について
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。　
　
（ア）　引用刊行物の記載事項　
　原査定の拒絶の理由において引用された特開平６−３４１９０５号公報（以下「刊行物１」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
 　 
（１−ア）
【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　反射部の反射面が物体の表面から放出された熱放射を前記表面の方に反射して戻すように，前記物体の前記表面と前記反射面との間に反射キャビティ（cavity）を形成する反射部，及び　前記熱放射を測定（sampling）し，測定された放射（sampled radiation ）を用いて前記物体の温度を決定する放射センサを備えた，前記物体の前記表面の温度を測定するための装置。
　　【請求項２】　前記反射面が前記物体の前記表面に接触しない請求項１記載の装置。
　　【請求項３】　前記表面から放出された熱放射が，前記反射面と前記物体の前記表面との間で繰り返し反射される請求項１記載の装置。」
　
（１−イ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】
　この発明は，ウエハ処理チャンバ内の半導体ウエハの温度測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
　多くの製造処理，例えば半導体ウエハの処理においては，高品質は，対象物　（workpiece ）（例えばウエハ）の温度が厳しく制御されたときにのみ達成されうる。しかし，対象物に物理的に接触することなく温度測定が行われなければならない状況が多い。例えば，処理中のウエハは熱プローブの接触によって汚染される。従って，対象物に接触することなく温度を測定する方法が必要とされる。
【０００３】
　非接触で温度を測定するための一つの既知の方法は，熱放射に基づくものである。絶対零度より高い温度にあるすべての物体は広い帯域の熱放射を放っている。約５００℃よりも低い温度においては，ほとんどの放射は赤外であるが，高温においては可視光が放射される。」
　
（１−ウ）
「【００２０】
　半導体処理及び他の応用例においては，導光性導管（light conductive conduit）（例えば，反射部の小さな穴を通して反射キャビティ内に挿入されたもの）を用いて反射キャビティからの熱放射を集め，集められた熱放射を離れて配置された高温計に運ぶことも有用である。物体の種々の位置の温度を測定するために，導管は，物体に対して相対的に移動させるアクチュエータに接続されていてもよい。導管は光ファイバや結晶であってもよいし，反射する内面を有する開口チューブであってもよいし，鏡とレンズから成るシステムであってもよい。」
　
（１−エ）
「【００３９】
　前述の原理は，放射率に依存しない非接触型の温度測定装置を形成するのに用いうる。例えば，図１( ａ) を参照して説明したタイプのキャビティは，半導体ウエハの温度を測定するのに用いうる。この原理を用いた半導体処理チャンバが図２に示されている。
【００４０】
　総括的に２０で指示される図２の半導体処理装置は，円筒形の処理チャンバ２１（断面で示されている）を備えており，その中には，例えばディスク形状の８インチ（２００ｍｍ）の直径のウエハ２２が搭載されている。ウエハ２２は，ウエハの真上に配置された加熱要素１５によって加熱される。加熱要素１５は放射されるエネルギである光２６を発生し，光２６は，ウエハの約１インチ（２．５ｃｍ）上方にある石英窓（quartz window ）２８を通った後，処理チャンバ２１に入る。好適な加熱要素１５は，この出願の優先権の基礎となった米国出願の譲り受け人に譲渡された米国特許第5,155,336 号に開示されている。そこで開示されている加熱要素は，光を集めて平行にし，平行光を処理チャンバ２１内に向かわせる１８７個の光パイプを使用している。１８７個の光パイプは，半径方向に対称に配置される１２グループに分けられる。それらのグループは，下方のウエハ２２の異なる領域に向かう光の強度を制御するために，個々に調整されうる。
【００４１】
　水冷の反射部３０が，ウエハ２２と反射部３０との間に反射キャビティ３２を形成するために，ウエハ２２の下方に配置される。ウエハ２２から発せられた熱放射は，このキャビティ３２内で反射し，包囲する放射レベルを形成する。図１のキャビティ１０のように，キャビティ３２内の放射レベルはウエハ温度の関数になるが，ウエハ２２の放射率及び反射部の温度には依存しない。反射部３０の反射面３９は，よく磨かれた安定な反射面から作られている。面３９の反射率が１００％に近づくにしたがい，キャビティ３２の振る舞いは図１( ａ) の理想的なモデルにより近くなる。最も反射する既知の面は金である。従って，一つの実施例においては，反射面は石英板の内部にシールされた金箔である。しかし，半導体処理チャンバ内で金を使用することは汚染のリスクを増加させる，あるいは増加させるように見える。ニッケルは金よりも不活性であり，ステンレス鋼よりも少しだけ高い反射率を有している。それゆえ，ニッケルをめっきした（plated）ステンレス鋼が現在では好まれている。しかし，与えられる波長によっては，金，ニッケルまたはステンレス鋼以外の面が最高の反射率をもつこともある。」
　
（１−オ）
「【００４３】
　ウエハ２２の温度を測定するために，キャビティ３２内に包囲された放射の一部は固定された導管３６の開口端３４に捕えられ，導管の他端に連通される。この他端において放射は，柔軟な光パイプ３５（すなわち光ファイバ）につながれ，光パイプ３５は熱放射を放射に感応する高温計（pyrometer ）３８まで約１０フィート（３ｍ）運ぶ。高温計３８は，受け取った熱放射の量を決定し，これにより導管の開口端３４に隣接するウエハの部分の温度を決定する。以下に記述されるように，ウエハは，ウエハの他の部分を開口端３４上に配置するために，その軸のまわりに回転させられる。」
【００４４】
　導管には２つの実施例が考えられ，それらは両方とも図２に示されている。
【００４５】
　第１の実施例においては，３６′で指示するように導管は真っ直ぐであり，反射部３０内の固定位置に配置されている。真っ直ぐな導管の開口端３４は，反射部３０の面と実質的に同一平面に配置される。この実施例において，導管の受け入れ角は比較的広く，例えば５２°（実験的に測定されたもの）である。この結果，高温計はウエハ２２の下側の比較的大きな領域の温度を読み取ることになる。もしウエハのより小さい領域の測定が好ましいなら，小さい受け入れ角を有する導管を使用しうるし，または（上述のように，もし状況が許すなら）導管はウエハの下側のより近くに移動させられうる。しかし，これらの方法は両方とも，信号レベル，それゆえ検出器における信号−ノイズ比を減少させることにもなる。」
　
（１−カ）
「【００４８】
　他の実施例においては，導管３６′は曲った形状をしており，水平な中間部分によって結ばれた２つの垂直な端部を有している。導管３６′はアクチュエータ（図示せず）に結合されており，アクチュエータは導管を３６０°の円弧に沿って矢印３５で示される方向に回転させる。（柔軟な光パイプ３５は，−−これは導管３６′に堅固に取り付けられている−−導管３６′がこの３６０°の円弧に沿って回転する際に，どちらの方向にねじるにも十分な弾性を有している。）この実施例において，開放端３４′はウエハ２２の下面の比較的近くに（例えば，１００分の４インチ）配置されており，従ってウエハ２２と反射部３０との間の距離を最小にすることができる。導管３６は好ましくは，単結晶サファイア（single sapphire crystal ）のような耐熱性で耐食性の材料から形成されている。サファイアの導管はうまく用いられているが，光ファイバの他の形態，反射する内面を有する開口パイプも，熱放射をキャビティ３２から高温計３８まで連通させるために，効果的に使用することができることは明らかである。他の例は，反射部３０に取り付けられた小さな半径の対物レンズを含む光学系と，レンズによって集められた放射を高温計に連通（光ファイバによることが可能である）させる鏡及びレンズのシステムとを用いるものである。これらの他の実施例は，適当なサイズと光学特性を有する既製の光要素が見つかったなら，サファイアの導管よりも低価格であろう。
【００４９】
　光パイプ３５は，例えば，反射コーティングに包まれた少し柔軟な石英ファイバを含んでもよい。それは，導管及び光パイプの端部をお互いが接触した状態または接触に近い状態に正確に制御された位置で保持する市販のファイバカプラ４１によって，導管に接続される。導管及び光パイプの端部の間に隙間があると，導管に極端な角度で入った光は（導管内で反射した後に）導管を極端な角度で出て行くであろうから，それは導管の受け入れ角に影響を及ぼすであろうし，それゆえ，光パイプにうまく接続されないであろう。従って，導管の受け入れ角は，導管及び光パイプをそれらを適当な距離だけ離して位置決めするカプラ４１を選択することにより調整されうるであろう。」
　
（１−キ）
　図２には，導管３６が反射部３０中の開口部３１を通ってキャビティ３２に導かれていることが示されている。
　
　これらの記載事項と図面を総合すると，刊行物１には，以下の発明が記載されていると認められる。　
　
「半導体ウエハの処理において，ウエハ処理チャンバ内の半導体ウエハの温度測定するための装置であって，反射部３０の反射面が物体の表面から放出された熱放射を前記表面の方に反射して戻すように，前記物体の前記表面と前記反射面との間に反射キャビティ３２を形成する反射部３０，該反射部３０中の開口部３１を通ってキャビティ３２に導かれ，前記熱放射を捕らえる開口端３４を備えた導管３６，該導管３６の他端に連通された光ファイバ３５，及び該光ファイバ３５につながれた高温計３８を備えた，前記物体の前記表面の温度を測定するための装置。」（以下「引用発明」という。）
　　
　また，原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−１０３５３２号公報(以下「刊行物２」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
　
（２−ア）
「２．特許請求の範囲
　校正用光源に発光ダイオード，レーザダイオードなどの発光素子を使用し，この校正用光源からの光を光ファイバを通して検出ヘッドに伝送し，検出ヘッドから出射された光をヘッドの前方に配置した反射体で反射させ，反射体からの反射光を光ファイバで受光して伝送し，光ファイバで伝送されてくる光を光学系を通して光検出部に入射するようにしたことを特徴とする光ファイバ放射温度計の校正方法。」（１頁左下欄４〜１３行）
　
（２−イ）
「校正用光源１０から発生される光は集光レンズ１７で集光されてハーフミラ−１８に至り，同ミラー１８により反射されて光ファイバ１１に入射され，光ファイバ１１により集光ヘッド１３に伝送され，レンズ１９を通して出射される。出射された光は反射体（鏡）１４で反射され，その反射光がレンズ１９により集光されて光ファイバ１１に受光されて，同ファイバ１１で伝送されてくる光は同ファイバ１１の出射端２０から出射されてハーフミラ−１８を通り，集光レンズ２１により集光されて光検出器２２に入射される。入射された光は同検出器２２において電気信号に変換され，その電気信号が信号処理回路２３により温度に換算される。
　換算された後は従来の校正方法と同様に以下の校正手順に従って校正を行なう。
　正しい動作状態の光ファイバ放射温度計の場合，校正用光源１０に流れる電流が５ｍＡのときは表示温度が６００℃，ｌ０ｍＡのときは６５０℃というように記録しておく。
　次回の校正時に同じ校正用光源ｌ０に同じ値の電流，例えばｌ０ｍＡを流し，そのとき６５０℃と表示されればこの光ファイバ放射温度計は正常動作していることになる。このときｌ０ｍＡで６４０℃というような前回と異なった値が表示されればその放射温度計は正常動作していないので調整を行なう必要がある。
　この校正方法は光ファイバなしの放射温度計とか，光ファイバ熱物体検出装置の動作チェックにも使用することができる。
　温度測定の際には校正用光源ｌ０の電流を切り，集光ヘッド１３の前の反射体１４を取り外せばよい。
　校正に際しては電流設定器２４により校正用光源１０に流れる電流値を変えてもよい。この電流値を変えることは黒体炉を使用する校正方法において黒体炉の温度設定を変えることと等価となる。従ってこの場合は複数の電流値における表示温度を読むだけでよい。
（実施例）
　第１図は本発明の一例を示す説明図である。
　本発明の光学系１５はハーフミラ−１８と集光レンズ２１とから構成されている。ハーフミラ−１８は集光レンズ１７を通る光を光ファイバ１１に送り出すと共に光ファイバ１１の出射端２０から出射される反射光を通して集光レンズ２１に入射させるものである。
　ハーフミラ−１８は同等の役割を行なうビームスプリッタ，光分岐器等と置き変えてもよい。
　第１図では反射体１４として鏡を使用してあるが，反射体１４はプリズム等にすることも可能である。
　第１図の光検出部１６は光を電気信号に変換する光検出器２２と，変換された電気信号を処理する信号処理回路２３とから校正されている。」（２頁左上欄１４行〜右下欄８行）
　
（イ）　対比
　引用発明と本願補正発明とを対比すると，
ア）その機能・構造からみて，引用発明の「半導体ウエハの処理」，「ウエハ処理チャンバ」，「反射部３０」，「導管３６」が，本願補正発明の「基板処理システム」，「処理チャンバ」，「反射板」，「光学ガイド」に相当することは明らかである。また，引用発明の「導管３６」はウエハ処理チャンバ内の熱放射を捕らえる「開口端３４」を備えていることから，引用発明の「導管３６」と本願補正発明の「光学ガイド」は，「処理チャンバ」内でサンプリングする「端部」を備えている点で共通する。そうすると，引用発明の「該反射部３０中の開口部３１を通ってキャビティ３２に導かれ，前記熱放射を捕らえる開口端３４を備えた導管３６，該導管３６の他端に連通された光ファイバ３５」と本願補正発明の「入力端部と出力端部を備え，前記入力端部が処理チャンバからの光をサンプリングするように構成されている光学ガイドであって，反射板を含み，前記基板処理システムを較正するときに光源から光を送出し，前記光学ガイドが前記反射板中の通路を通って延びる，前記光学ガイド」は，「端部を備え，処理チャンバからサンプリングするように構成されている光学ガイドであって，反射板を含み，前記光学ガイドが前記反射板中の通路を通って延びる，前記光学ガイド」である点で共通する。
イ）本願明細書【００２２】の「高温基板は，発光たとえば赤外線を発生し，各自己構成温度プローブの光導体によってサンプリングされる。」との記載からみて，引用発明の「熱放射」が，本願補正発明の「発光」に相当することは明らかである。また，引用発明の「高温計３８」が，本願補正発明の「センサ」に相当することも明らかである。そうすると，引用発明の「前記熱放射を捕らえる開口端３４を備えた導管３６，前記導管３６の他端に連通された光ファイバ３５，及び前記光ファイバ３５につながれた高温計３８を備え」と本願補正発明の「前記第２支線と光学的に結合したセンサであって，較正中，反射光を検出し，処理中，前記処理チャンバ内の基板により放出される発光を検出することにより前記基板の温度を測定する，前記センサ」は，「光ファイバと光学的に結合したセンサであって，処理中，前記処理チャンバ内の基板により放出される発光を検出することにより前記基板の温度を測定する，前記センサ」である点で共通する。
　
　そうすると，両者は，
（一致点）　
「端部を備え，端部が処理チャンバからサンプリングするように構成されている光学ガイドであって，反射板を含み，前記光学ガイドが前記反射板中の通路を通って延びる，前記光学ガイドと，
　光ファイバと光学的に結合したセンサであって，処理中，前記処理チャンバ内の基板により放出される発光を検出することにより前記基板の温度を測定する，前記センサと，
を含む装置。」　
である点で一致し，以下の点で相違するといえる。　
　
（相違点）　
　本願補正発明は「前記処理チャンバ内の反射体であって，較正中，前記光学ガイドの入力端部により送出された光を反射することにより，所定温度で発光をシミュレーションするように動作可能な前記反射体」と，「幹線と第１支線及び第２支線を有し，前記幹線がプローブの出力端部と光学的に結合しているスプリット光ファイバ」と，「前記第１支線と光学的に結合した光源であって，前記基板処理システムを較正するときに光を発生させるように構成され，前記光が前記入力端部を通って前記処理チャンバに送出され，前記反射体により反射される，前記光源」とを備え，「光学ガイド」が「入力端部と出力端部を備え，前記入力端部が処理チャンバからの光をサンプリングするように構成され」，「前記基板処理システムを較正するときに光源から光を送出」し，「センサ」が「較正中，反射光を検出」する「基板処理システムを較正するための装置」であるのに対して，引用発明は，物体の熱放射を捕らえることによる「物体の前記表面の温度を測定するための装置」である点。
　
（ウ）　上記相違点についての当審の判断　
　上記（２−イ）によると，刊行物２には，校正用光源からの光を光ファイバを通して検出ヘッドに伝送し，検出ヘッドから出射された光をヘッドの前方に配置した反射体で反射させ，反射体からの反射光を光ファイバで受光して伝送し，光ファイバで伝送されてくる光を光学系を通して光検出部に入射し，該入射された光は同検出器２２において電気信号に変換され，その電気信号が信号処理回路２３により温度に換算され光ファイバ放射温度計の校正をする方法であって，温度測定の際には校正用光源ｌ０の電流を切り，集光ヘッド１３の前の反射体１４を取り外す事項が記載されている。
　また，本願出願時において，光ファイバを分岐することは周知の技術である。例えば，特開昭６１−１４８３３３号公報には「第１図は，本発明の一実施例の構成概略図である。光分岐器３に光トランスデユーサとしての光フアイバプローブ１と入力用光フアイバ４と出力用光フアイバ２とが接続されている。」（２頁右上欄１８行〜左下欄１行）と記載され，また，特開昭６２−２８５５３５号公報には「光ファイバ３の本体側にはファイバ分岐コネクタ４，表示部側にはファイバ分岐コネクタ５が設けられ，光ファイバ３は本体側では３Ａ，３Ｂに，表示部側では３Ｃ，３Ｄにそれぞれ分岐される。」と記載されている。
　一方，上記（１−イ）に「多くの製造処理，例えば半導体ウエハの処理においては，高品質は，対象物　（workpiece ）（例えばウエハ）の温度が厳しく制御されたときにのみ達成されうる。」と記載されているように，半導体ウエハの処理の分野においては，正確な温度制御が求められることは技術常識といえる。
　そうすると，引用発明と刊行物２は，光ファイバ放射温度計により物体の温度を測定する点で共通することから，引用発明の光ファイバ放射温度計に，刊行物２に記載されている事項を適用し，光ファイバ放射温度計の精度を高めようとすることは当業者であれば容易に想到し得る事項というべきである。そして，刊行物２に記載されている事項を引用発明に適用する際に，引用発明は「導管３６の他端に連通された光ファイバ３５，及び該光ファイバ３５につながれた高温計３８」を既に備えており，また、上記したとおり，光ファイバを分岐することは本願出願時には周知の技術であるので，引用発明の光ファイバ３５から校正用光源に接続する光ファイバを分岐するようにすることは，当業者であれば当然なし得る設計事項に過ぎないというべきであるから、相違点に係る本願補正発明の構成とすることに格別な困難性はない。
　
　また，本願補正発明に係る効果も，引用発明，刊行物２に記載されている事項及び周知の技術から予測し得る範囲内であり，格別顕著なものであるとはいえない。
　　
　よって，本願補正発明は，引用発明，刊行物２に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。　
　　
４　まとめ　
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により，却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明　
　本件補正は上記のとおり却下されることとなったので，本願の請求項１ないし７に係る発明は，平成１８年１０月２０日付け特許出願の願書に添付された明細書，特許請求の範囲および図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであると認められ，その請求項１は次のとおりである。（以下「本願発明」という。）
　　
「【請求項１】
　基板処理システムを較正するための装置であって，
　入力端部と出力端部を備え，前記入力端部が処理チャンバからの光をサンプリングするように構成されている光学ガイドであって，反射板を含み，前記光学ガイドが前記反射板中の通路を通って延びる，前記光学ガイドと，
　前記処理チャンバ内の反射体であって，前記入力端部から送出された光を用いて所定温度で放射をシミュレーションする為に動作可能な前記反射体と，
　幹線と第１及び第２支線を有し，前記幹線がプローブの出力端部と光学的に結合しているスプリット光ファイバと，
　前記第１支線と光学的に結合した光源と，
　前記第２支線と光学的に結合したセンサと，
を含む装置。」　
　　
２　引用刊行物の記載事項　
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物１の記載事項は，前記「第２［理由］３（ア）」に記載したとおりである。
　　
３　本願発明と引用発明との対比・判断　
　本願発明は，上記「第２［理由］３（イ）」で検討した本願補正発明から，「光学ガイド」について，「前記基板処理システムを較正するときに光源から光を送出し」という限定を削除し，「反射体」について，「較正中，前記光学ガイドの入力端部により送出された光を反射することにより，所定温度で発光をシミュレーションするように」とあったところを「前記入力端部から送出された光を用いて所定温度で放射をシミュレーションする為に」とし，「光源であって，前記基板処理システムを較正するときに光を発生させるように構成され，前記光が前記入力端部を通って前記処理チャンバに送出され，前記反射体により反射される，前記光源」とあったところを「光源」とし，「センサであって，較正中，反射光を検出し，処理中，前記処理チャンバ内の基板により放出される発光を検出することにより前記基板の温度を測定する，前記センサ」とあったところを「センサ」と限定を解除するとともに，「第１支線及び第２支線」を「第１及び第２支線」としたものに相当する。
　
　そうすると，本願発明の構成要件を全て含み，更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２［理由］３（ウ）」に記載したとおり，引用発明、刊行物２に記載された発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，引用発明、刊行物２に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび　
　以上のとおり，本願発明は，本願出願前に頒布された刊行物１，刊行物２に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。