【事件の表示】
　特願２０００−　６８２３０「半導体ウェハの加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２１日出願公開、特開２００１−２５７１８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、平成１２年３月１３日の出願であって、平成１６年６月７日付及び平成１７年１月１７日付の手続補正を経て、平成１７年２月３日付で同年１月１７日付手続補正を却下する決定とともに拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願の発明
　平成１７年１月１７日付の手続補正は却下されたため、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１６年６月７日付の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「機械研磨によって回路が形成された半導体ウェハの反対側の面を研磨し、次いで研磨された面をドライエッチングすることにより前記半導体ウェハを目標厚さに薄化加工する半導体ウェハの加工方法であって、
　半導体ウェハはシリコンを主成分とし、その半導体ウェハを機械研磨によって前記目標厚さに３μｍ〜５０μｍの範囲で設定されるドライエッチング代を加えた厚さに研磨し、半導体ウェハの研磨された面を洗浄液によって洗浄し、洗浄されたドライエッチング代をフッ素系ガスと酸素を主体とするプラズマ発生用の混合ガスによってドライエッチングして除去することを特徴とする半導体ウェハの加工方法。」（以下、「本件発明」という。）
　
３．刊行物記載の発明（事項）
　本願の出願前に国内で頒布された刊行物であり、原査定の拒絶の理由に引用された、
　　特開平８−２５０４５６号公報（以下、「刊行物１」という。）及び
　　特開昭６３−１２７５３１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されていると認められる。
　
3.1　刊行物１
ａ．（特許請求の範囲、請求項１）
「個々のチップに鋸引きするためにウェハを薄く研磨し、この研磨工程で生じたウェハ背面のダメージ領域をウェハ前面を保護しながら鋸引き前に行われるエッチングにより除去するようにしたウェハ状の半導体基板の上に高密度集積回路を製造するための方法において、エッチングがマイクロ波又は高周波により励起されるダウンストリーム・プラズマエッチング法としてエッチングガス中にフッ素化合物を使用して実施されることを特徴とする半導体基板上における高密度集積回路の製造方法。」
ｂ．（第１欄第２８〜３２行）
「【従来の技術】半導体デバイスを備えたシリコンウェハの製造工程の終了時にウェハは薄く研磨され、次いで個々のチップに鋸引きされる。この研磨工程はウェハ背面に微細な亀裂を生じ、障害のある従って応力下にあるシリコン前面を残す。」
ｃ．（第２欄第３７〜４０行）
「ウェハ背面上のシリコンのエッチングのために既存の種々のマイクロ波又は高周波プラズマ工程が用いられる。この工程はＣＦ４ ／Ｏ２ 剤並びにＳＦ６ ／Ｏ２ ／Ｎ２ （Ｎ２ Ｏ）剤を使用して行うことができる。」
　
　上記摘記事項中、「半導体デバイスを備えたシリコンウェハの製造工程の終了時にウェハは薄く研磨され、」の記載から、回路が形成されたシリコンウェハの反対側の背面を研磨していることが、容易に理解される。また、「研磨」とは、通常、機械的な研磨加工を指すことは、一般知識である。そこで、上記摘記事項の内容を本件発明の記載に沿って整理すると、刊行物１には、
「機械研磨によって回路が形成されたシリコンウェハの反対側の面を研磨し、次いで研磨された面をプラズマエッチングすることにより前記シリコンウェハを薄化加工するシリコンウェハの加工方法であって、
　シリコンウェハを機械研磨によって研磨し、シリコンウェハの研磨された面をフッ素系ガスと酸素を主体とするエッチングガスによってプラズマエッチングして除去するシリコンウェハの加工方法。」
の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。　
　
3.2　刊行物２　
ｄ．（第２ページ左上欄第１〜７行）
「先ず、厚さを調整すべき半導体基板の一面に表面保護膜を塗布し、ロータリーサーフェスグラインダにより保護膜を塗布しない他面を研削し、所定の厚さにする。次いで基板を洗浄、乾燥したのち、反応槽に入れ、フレオン（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）の混合ガスを用いて露出した研削面をプラズマエッチングする。」
　
　上記摘記事項から、刊行物２には、
「半導体基板の一面を研削し、洗浄・乾燥ののち、研削面をプラズマエッチングすること」
（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
　
４．対比
　本件発明と刊行物１記載の発明とを比較すると、後者の「シリコンウェハ」は半導体デバイスを備えるのであるから、前者の「半導体ウェハ」に相当するものであって、シリコンを主成分とするものであることは明白である。また、後者の「プラズマエッチング」は、エッチング液を使用せずにフッ素系ガスと酸素を主体とする混合ガスをプラズマ化して、エッチングするものと理解されるから、前者の「ドライエッチング」に相当するものということができ、後者の「エッチングガス」は前者の「プラズマ発生用の混合ガス」に相当する。したがって、両者の間には、以下の一致点及び相違点があるものと認められる。
＜一致点＞
「機械研磨によって回路が形成された半導体ウェハの反対側の面を研磨し、次いで研磨された面をドライエッチングすることにより前記半導体ウェハを薄化加工する半導体ウェハの加工方法であって、
　半導体ウェハはシリコンを主成分とし、その半導体ウェハを機械研磨によって研磨し、半導体ウェハの研磨された面をフッ素系ガスと酸素を主体とするプラズマ発生用の混合ガスによってドライエッチングして除去する半導体ウェハの加工方法。」　
＜相違点１＞
　前者では、半導体ウェハの目標厚さに３μｍ〜５０μｍの範囲で設定されるドライエッチング代を加えた厚さまで機械研磨し、ドライエッチング代をドライエッチングにより除去するのに対し、後者では、機械研磨、ドライエッチングとも加工代について特定されていない点。
＜相違点２＞
　前者では、機械研磨の後、ドライエッチングの前に、半導体ウェハを洗浄液によって洗浄するのに対し、後者では、半導体ウェハの洗浄について特定がない点。
　
５．当審の判断　
　以下、上記相違点について検討する。
　
5.1　＜相違点１＞について
　機械研磨とドライエッチングのように、それぞれが材料の除去を伴う複数の工程により加工する場合、後工程の加工代を残すように前工程の加工を行うことは、従来周知の加工技術である。また、ドライエッチング代を機械研磨により影響を受けた層の厚み以上に設定することは、上記3.1の摘記事項ａから容易に理解されるように、刊行物１記載の発明においても同様と認められ、一方、ドライエッチング代を３μｍ〜５０μｍの範囲とすることに、格別の技術的な意義を認めることもできない。このため、本件発明において半導体ウェハの目標厚さに３μｍ〜５０μｍの範囲で設定されるドライエッチング代を加えた厚さまで機械研磨し、ドライエッチング代をドライエッチングにより除去することは、当業者が容易に選択し得る設計的事項というべきである。
　
5.2　＜相違点２＞について
　刊行物２記載の事項における「半導体基板」、「プラズマエッチング」及び「研削」が、刊行物１記載の発明の「半導体ウェハ」、「ドライエッチング」及び「機械研磨」に相当することは明白である。したがって、機械研磨の後、ドライエッチングの前に、半導体ウェハを洗浄することは刊行物２に記載されている。また、半導体ウェハの洗浄に洗浄液を用いることは、従来周知の技術である。
　刊行物２記載の事項は、刊行物１記載の発明と同じく、半導体ウェハを機械研磨した後にドライエッチングする加工方法にかかわるから、刊行物２記載の事項を刊行物１記載の発明に適用して、相違点２に係る発明特定事項を本件発明のものとすることは、当業者が容易になし得る。
　
5.3　まとめ
　本件発明の作用効果には、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術から普通に予測される範囲を超える格別のものを見出すことはできない。
　よって、本件発明は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。