【事件の表示】
　特願２００２−　５０８２０「歪検出素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月　５日出願公開、特開２００３−２４７８９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１４年２月２７日の出願であって、平成１９年１２月２６日付け（送達日：平成２０年１月８日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年２月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年３月５日付けで手続補正がなされたものである。 
　
第２　平成２０年３月５日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２０年３月５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
１　補正の内容 
　本件補正の内容は、特許請求の範囲の請求項１の記載を補正前の、 
「　応力負荷により歪みが生じる起歪体と、その起歪体上に形成された絶縁ガラスからなる絶縁層と、その絶縁層上に互いに離隔して形成された一対の電極層と、その一対の電極層を接続するように形成された歪抵抗素子とを備え、前記起歪体に生じた応力歪みを前記歪抵抗素子の抵抗値変化により検出する歪検出素子において、
　前記歪抵抗素子は、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであることを特徴とする歪検出素子。」を
　補正後の、
「　応力負荷により歪みが生じる起歪体と、その起歪体上に形成された絶縁ガラスからなる絶縁層と、その絶縁層上に互いに離隔して形成された一対の電極層と、その一対の電極層を接続するように形成された歪抵抗素子とを備え、前記起歪体に生じた応力歪みを前記歪抵抗素子の抵抗値変化により検出する歪検出素子において、
　前記歪抵抗素子は、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであり、さらに導電粒子を前記抵抗体ペーストに分散混合することによりガラスフリット界部にも導電粒子を分散させていることを特徴とする歪検出素子。」
に補正する補正事項を含むものである。 
 　 
　上記補正事項により、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）である「歪抵抗素子」に関して、「さらに導電粒子を前記抵抗体ペーストに分散混合することによりガラスフリット界部にも導電粒子を分散させている」と限定されたから、この補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　そこで、上記補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。 
  
　２　独立特許要件について 
（１）補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後第１発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，請求項１に記載されたとおりの以下のものである。 
 「　応力負荷により歪みが生じる起歪体と、その起歪体上に形成された絶縁ガラスからなる絶縁層と、その絶縁層上に互いに離隔して形成された一対の電極層と、その一対の電極層を接続するように形成された歪抵抗素子とを備え、前記起歪体に生じた応力歪みを前記歪抵抗素子の抵抗値変化により検出する歪検出素子において、
　前記歪抵抗素子は、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであり、さらに導電粒子を前記抵抗体ペーストに分散混合することによりガラスフリット界部にも導電粒子を分散させていることを特徴とする歪検出素子。」 
　
（２）引用例 
 ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２５３３１３号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。  
 　　 
（ア）　「【発明の属する技術分野】本発明は、空調、電装、住宅設備、電化、ＦＡなどの機器において、圧力、荷重、加速度、変位などを計測する力学量センサに関するものである。」（段落【０００１】）  
 　 
（イ）　「絶縁性の基板上に感歪み抵抗体および電極を形成した力学量センサが提案されている。この力学量センサは、種々の応力によって基板が変形したとき、その歪み量を、基板表面に形成された感歪み抵抗体の長さや断面積の変化に起因した抵抗値の変化より検出するものである。・・・・・近年、力学量センサ用基板として、表面を絶縁層で被覆された金属基材からなるメタルコア（琺瑯）基板が、アルミナを代表とする各種セラミックス製の基板と比べて弾性率や加工性などに優れることから広く用いられてきている。メタルコア基板の金属基材には、例えば鉄系のステンレス鋼あるいはホーロ鋼が用いられる。金属基材の表面に形成する絶縁層には、例えばＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−ＭｇＯ系の結晶化ガラスが用いられる。また、感歪み抵抗体は、例えば酸化ルテニウム等の導電材料粉末、ガラス粉末および有機バインダを混合して調製されるペーストを塗布、焼成して所定の形状に形成される。」（段落【０００３】、【０００４】）  
 　　 
（ウ）　「【発明の実施の形態】本発明の感歪み抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム、ガラスフリットおよび有機バインダを含み、ガラスフリットが、ＰｂＯを７３．１〜８６．７重量％、ＳｉＯ2を９．７〜２２．２重量％、Ｂ2Ｏ3を２．５〜５．０重量％、及びＡｌ2Ｏ3を０．９〜３．６重量％含むＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラスからなるものである。」（段落【０００９】） 
 　 
（エ）　「本発明の力学量センサは、表面に結晶化ガラス層を備えた金属基材からなる絶縁基板、絶縁基板の表面に形成された一対の電極、電極間を接続して形成された感歪み抵抗体を具備し、感歪み抵抗体が、ＰｂＯを７３．１〜８６．７重量％、ＳｉＯ2を９．７〜２２．２重量％、Ｂ2Ｏ3を２．５〜５．０重量％、およびＡｌ2Ｏ3を０．９〜３．６重量％含むＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラスからなるガラスフリット、酸化ルテニウムおよび有機バインダを含む感歪み抵抗体ペーストを焼成して得られたものである。感歪み抵抗体は、上記の感歪み抵抗体ペーストを、例えば、描画、スクリーン印刷、メタルマスク印刷、ドクターブレード、オフセット印刷などによって絶縁基板上に塗着した後、焼成して形成される。」（段落【００１０】） 
　
（オ）　「【実施例】以下、本発明の感歪み抵抗体ペーストおよびそれを用いた力学量センサの好ましい具体例を、詳細に説明する。・・・・・上述の製造方法に基づいて感歪み抵抗体を形成したＧＦ測定用のサンプルを説明する。以下のようにして、図１に示す力学量センサを得た。長さが１００ｍｍ、幅が３０ｍｍで、厚さが０．８ｍｍのステンレス鋼ＳＵＳ４３０からなる金属基材１に、前処理として脱脂・水洗・酸洗・水洗・ニッケルメッキ・水洗の各処理を施した。ついで、ＳｉＯ2を１３重量％、Ｂ2Ｏ3を２５重量％、ＭｇＯを３９重量％、ＣａＯを３重量％、Ｌａ2Ｏ3を５重量％、ＺｒＯ2を２重量％およびＰ2Ｏ5を１重量％を含む結晶化ガラス粒子を分散させたスラリー中にこの金属基材１を浸漬し、対極と金属基材１間に直流電圧を印加することにより、金属基材１の表面にガラス粒子を被覆させた。次に、この表面に結晶化ガラス粒子を被覆した金属基材１を加熱して室温から８８０℃まで２時間かけて昇温させ、さらにこの温度で１０分間保持する焼成を行なった。これにより、図１に示すように表面に厚さ１００μｍの結晶化ガラスからなる絶縁層３を備えた絶縁基板を得た。ついで、絶縁層３の表面にＡｇ−Ｐｔペーストをスクリーン印刷した後、８００℃で焼成して一対の電極４を形成した。・・・平均粒径が１．２μｍの酸化ルテニウムと、平均粒径３μｍで表１〜３に示す組成番号１〜２１のガラスを重量比で１：４となるように混合した。この混合物に、エチルセルロースとテルピネオールを主成分とする有機ビヒクルを、酸化ルテニウムとガラスの混合物１００重量部に対して約２０重量部添加した。これらを乳鉢で混合し、さらに３本ローラで２時間混合して、感歪み抵抗体ペーストを得た。」（段落【００１４】〜【００１６】）  
 　　 
（カ）　「《実施例１》表１〜３に示す組成番号１〜２１のガラスを用いた感歪み抵抗体ペーストをそれぞれ調製した。得られた感歪み抵抗体ペーストを用いて、絶縁基板に形成された一対の電極を接続するように、所定のパターンで印刷したのち、絶縁基板を乾燥器で１２０℃で３０分間乾燥させた。ついで、この絶縁基板をピーク温度８００℃で１０分間焼成し、抵抗体２を形成した。」（段落【００１７】） 
　
　上記記載事項（ア）ないし（カ）及び図面から、以下の事項を読み取ることができる。
　
・上記記載事項（オ）、（カ）及び図１から、力学量センサは、金属基材１と、その金属基材１上に設けられた結晶化ガラスからなる絶縁層３と、その絶縁層３上に形成された一対の電極４と、その一対の電極４を接続するように形成された感歪み抵抗体とを備えていること。
・上記記載事項（イ）から、力学量センサは、金属基材が種々の応力によって変形したときその歪み量を感歪み抵抗体の抵抗値の変化により検出するものであること。
・上記記載事項（オ）、上記記載事項（カ）から、感歪み抵抗体は、酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペーストを焼成したものであること。
 　 
　したがって、引用例１には次のとおりの発明（以下、「引用例発明１」という。）が記載されているものと認められる。 
【引用例発明１】 
「金属基材１と、その金属基材１上に設けられた結晶化ガラスからなる絶縁層３と、その絶縁層３上に形成された一対の電極４と、その一対の電極４を接続するように形成された感歪み抵抗体とを備え、前記金属基材が種々の応力によって変形したときその歪み量を前記感歪み抵抗体の抵抗値の変化により検出する力学量センサにおいて、
　前記感歪み抵抗体は、酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペーストを焼成したものである力学量センサ。」
　
イ　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−２０６５０４号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。  
 　　 
（ア）　「【特許請求の範囲】（１）金属ホウ化物ＺｒＢ２を含有する粉末状金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスと、金属、金属ホウ化物、金属ケイ化物、金属窒化物から成る群から選ばれた金属質的導電性物質と、有機結合剤および有機溶媒とから構成される厚膜抵抗体組成物。」（公報第１頁左下欄第４〜１０行）  
　
（イ）「【従来の技術】
　　従来、電極を形成したアルミナ磁器基板に設ける厚膜抵抗体組成物としてはルテニウム酸化物とガラスから構成されるルテニウム酸化物系厚膜抵抗体組成物が広く用いられている。
　このルテニウム酸化物系厚膜抵抗体組成物は、あらかじめ銀あるいは銀とパラジウムから成る電極材料を空気中で焼き付けたアルミナ陶器基板上の電極に接するように印刷し、空気中で７５０〜９００℃で焼成して厚膜抵抗体としている。」（公報第２頁左上欄第７〜１６行）
（ウ）　「本発明の厚膜抵抗体組成物は、金属ホウ化物ＺｒＢ２の微粉末を含有させた粉末状金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスと、金属、金属ホウ化物、金属ケイ化物、金属窒化物およびこれら混合物から成る群から選ばれた粉末状金属質的導電性物質とを、重量比で３０：７０〜８０：２０の割合で混合し、この混合物と有機結合剤及び有機溶媒とにより構成されたもの」（公報第２頁左下欄第１７行〜同右下欄第６行）  
 　　 
（エ）　「本発明の厚膜抵抗体組成物を非酸化性雰囲気中で焼成して得られた厚膜抵抗体は、前記金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスと前記金属質的導電性物質により導電ネットワークを構成する」（公報第２頁右下欄第１６行〜同第３頁右上欄第１行） 
　
（オ）　「金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスは、前駆体のホウケイ酸ガラスの粉末と、金属ホウ化物ＺｒＢ２の粉末との混合粉を非酸化性雰囲気、９００℃でガラスの熔融を行い、熔融したガラスに金属ホウ化物ＺｒＢ２を分散させて急冷して得られる」（公報第３頁左上欄第１５行〜同右上欄第１行）  
 　 
（カ）　「本発明の厚膜抵抗体の抵抗値は、前記金属質的導電性物質と金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスとの相対的割合を変化させることにより調整される。本発明の厚膜抵抗体では、前記金属質的導電性物質が、該導電性物質のバインダーである金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスの周りに分散し、導電性物質が網目状に分散した導電マトリックスを形成する。金属質的導電性物質は、金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスの周りに分散することにより、導電ネットワークを構成する。」（公報第３頁左下欄第１６行〜同第４頁第８行）  
 　　 
（キ）　「前記ホウケイ酸ガラス粉末に前記金属ホウ化物ＺｒＢ２を全重量で１〜２０重量％加え混合した。これら混合粉末を炭素製のるつぼに入れ、窒素雰囲気下で９００℃・・・・・で１時間焼成して金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスを得た。この金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスをエタノール中でジルコニアボールを用いて平均粒径約３．２μｍになるまで粉砕した。」（公報第４頁左下欄第１４行〜同右下欄第４行） 
 　　 
　上記記載事項（ア）ないし（キ）から、以下の事項を読み取ることができる。
　
・上記記載事項（イ）から、アルミナ磁器基板上の電極に接するように形成した厚膜抵抗体
・上記記載事項（オ）から、金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスは、金属ホウ化物の粉末とホウケイ酸ガラスの粉末とを混合し、熔融、急冷して得られること。
・上記記載事項（オ）、（キ）から、得られた金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスは、平均粒径約３．２μｍになるまで粉砕されること。
・上記記載事項（オ）及び記載事項（ウ）中の「金属ホウ化物ＺｒＢ２の微粉末を含有させた粉末状金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラス」から、金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスは、ガラス内部に金属ホウ化物を含有していること。
・上記記載事項（ウ）中の「厚膜抵抗体組成物は、・・・金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスと・・・金属ホウ化物・・・とを、重量比で・・・８０：２０の割合で混合し、この混合物と有機結合剤及び有機溶媒とにより構成されたもの」から、厚膜抵抗体組成物は、金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスを主成分とし、かつ、金属ほう化物を分散混合していること。
・上記記載事項（ウ）、（エ）、（カ）から、厚膜抵抗体は厚膜抵抗体組成物を焼成して得られ、さらに金属ホウ化物を金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスの周りに分散させていること。
　
　したがって、引用例２には、次のとおりの発明（以下、「引用例発明２」という。）が記載されているものと認められる。 
【引用例発明２】 
「アルミナ磁器基板上の電極に接するように形成した厚膜抵抗体において、金属ホウ化物の粉末（導電性材料）とホウケイ酸ガラスの粉末（ガラス材料）を混合し、熔融（溶解）、急冷（冷却）後、平均粒径約３．２μｍになるまで粉砕（微粉砕）したものであってガラス内部に金属ホウ化物（導電粒子）を含有させた金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラス（ガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラス）を主成分とする厚膜低抗体組成物（抵抗体ペースト）を焼成したものであり、さらに金属ほう化物（導電粒子）を前記厚膜低抗体組成物に分散混合することにより金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスの周り（ガラスフリット界部）にも金属ほう化物（導電粒子）を分散させている厚膜抵抗体。」
　
（３）対比  
　補正後第１発明と引用例発明１を対比する。 
　
ア　引用例発明１の「金属基材１」は、力学量センサが備えるものであって、「前記金属基材が種々の応力によって変形したとき」と規定されていることから、引用例発明１の「金属基材１」は、補正後第１発明の「応力負荷により歪みが生じる起歪体」に相当する。
　イ　引用例発明１の「設けられた」、「結晶化ガラス」、「絶縁層３」は、補正後第１発明の「形成された」、「絶縁ガラス」、「絶縁層」にそれぞれ相当する。
　したがって、引用例発明１の「その金属基材１上に設けられた結晶化ガラスからなる絶縁層３」は、補正後第１発明の「その起歪体上に形成された絶縁ガラスからなる絶縁層」に相当する。
　ウ　引用例発明１の「電極４」は、補正後第１発明の「電極層」に相当する。そして、絶縁層３上に形成された一対の電極４は、引用例１の図１から、互いに離間していることは明らかである。
　したがって、引用例発明１の「絶縁層３上に形成された一対の電極４」は、補正後第１発明の「絶縁層上に互いに離隔して形成された一対の電極層」に相当する。
　エ　引用例発明１の「感歪み抵抗体」は、補正後第１発明の「歪抵抗素子」に相当する。
　したがって、引用例発明１の「一対の電極４を接続するように形成された感歪み抵抗体」は、補正後第１発明の「一対の電極層を接続するように形成された歪抵抗素子」に相当する。
　オ　引用例発明１の「前記金属基材が種々の応力によって変形したときその歪み量」、「抵抗値の変化」は、補正後第１発明の「前記起歪体に生じた応力歪み」、「抵抗値変化」にそれぞれ相当する。
　したがって、引用例発明１の「前記金属基材が種々の応力によって変形したときその歪み量を前記感歪み抵抗体の抵抗値の変化により検出する」は、補正後第１発明の「前記起歪体に生じた応力歪みを前記歪抵抗素子の抵抗値変化により検出する」に相当する。
　カ　引用例発明１の対象である「力学量センサ」は、補正後第１発明の対象である「歪検出素子」に相当する。 
　キ　引用例発明１の「感歪み抵抗体ペースト」は、「酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペースト」であるから、ガラス、酸化ルテニウムを主成分とする感歪み抵抗体ペーストといえる。
　そして、引用例発明１の「感歪み抵抗体ペースト」は、補正後第１発明の「抵抗体ペースト」に相当し、また、引用例発明１の「ガラス」と補正後第１発明の「導電成分含有ガラス」とは、ガラスの点で共通する。
　してみると、引用例発明１の「酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペースト」と補正後第１発明の「導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペースト」とは、ガラスを主成分とする抵抗体ペーストの点で共通する。
　よって、引用例発明１の「前記感歪み抵抗体は、酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペーストを焼成したものである」と補正後第１発明の「前記歪抵抗素子は、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであり、さらに導電粒子を前記抵抗体ペーストに分散混合することによりガラスフリット界部にも導電粒子を分散させていること」とは、前記歪抵抗素子は、ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものである点で共通する。
　
　したがって、補正後第１発明と引用例発明１の両者は、次の一致点及び相違点を有する。 
　【一致点】  
「応力負荷により歪みが生じる起歪体と、その起歪体上に形成された絶縁ガラスからなる絶縁層と、その絶縁層上に互いに離隔して形成された一対の電極層と、その一対の電極層を接続するように形成された歪抵抗素子とを備え、前記起歪体に生じた応力歪みを前記歪抵抗素子の抵抗値変化により検出する歪検出素子において、
　前記歪抵抗素子は、ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものである歪検出素子。」 
 　 
　【相違点】  
　補正後第１発明では、歪抵抗素子が、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであり、さらに導電粒子を前記抵抗体ペーストに分散混合することによりガラスフリット界部にも導電粒子を分散させているのに対して、引用例発明１では、感歪み抵抗体が、酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペーストを焼成したものである点。  　 
（４）判断  
　上記相違点について検討する。 
　
　引用例１の記載事項（イ）の記載によれば、電極および感歪み抵抗体が形成された力学量センサの基板（起歪体）として、引用例発明１の力学量センサが備える「絶縁層で被覆された金属基材からなるメタルコア（琺瑯）基板」の他に、アルミナを代表とする各種セラミックス製も従来から用いられている。
　一方、引用例２には、引用例発明２の「厚膜抵抗体」が接する電極が設けられる基板として、アルミナ磁器基板が記載されている（記載事項（イ））。
　してみると、引用例発明１が備える「感歪み抵抗体」も引用例発明２の対象である「厚膜抵抗体」も、基板上の電極と接する厚膜抵抗体であり、また、引用例１には、上記基板の材料として、引用例発明２の厚膜抵抗体が形成されるアルミナ磁器基板の「アルミナ磁器」と同様な「アルミナを代表とする各種セラミックス」が記載されているから、引用例発明１の力学量センサが備える「感歪み抵抗体」を引用例発明２の対象である「厚膜抵抗体」に変更しようとすることに困難性はない。
　
　また、上述したように、引用例２には、
「アルミナ磁器基板上の電極に接するように形成した厚膜抵抗体において、金属ホウ化物の粉末（導電性材料）とホウケイ酸ガラスの粉末（ガラス材料）を混合し、熔融（溶解）、急冷（冷却）後、平均粒径約３．２μｍになるまで粉砕（微粉砕）したものであってガラス内部に金属ホウ化物（導電粒子）を含有させた金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラス（ガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラス）を主成分とする厚膜低抗体組成物（抵抗体ペースト）を焼成したものであり、さらに金属ほう化物（導電粒子）を前記厚膜低抗体組成物に分散混合することにより金属ホウ化物含有ホウケイ酸ガラスの周り（ガラスフリット界部）にも金属ほう化物（導電粒子）を分散させている厚膜抵抗体。」の発明が記載されている。
　
　そして、引用例発明１の対象である力学センサが備える「感歪み抵抗体」として引用例発明２の「厚膜抵抗体」を採用することにより、補正後第１発明が備える「歪抵抗素子」の特徴である「歪抵抗素子が、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであり、さらに導電粒子を前記抵抗体ペーストに分散混合することによりガラスフリット界部にも導電粒子を分散させている」とすることは、引用例発明１の力学量センサが備える「感歪み抵抗体」を引用例発明２の「厚膜抵抗体」に変更することによって得られる上記当然の事項に過ぎない。 
　よって、上記相違点に係る補正後第１発明の発明特定事項は、引用例発明１及び２に基づいて当業者が容易になし得る事項である。 
 　 
　また、補正後第１発明の奏する効果は、引用例１，２の記載から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎず、格別なものとはいえない。 
　したがって、補正後第１発明は、引用例発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　 
（５）むすび  
　以上のとおり、補正後第１発明は、引用例発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
 第３　本願発明 
　平成２０年３月５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成１９年４月２日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて，以下のとおりのものである。
「応力負荷により歪みが生じる起歪体と、その起歪体上に形成された絶縁ガラスからなる絶縁層と、その絶縁層上に互いに離隔して形成された一対の電極層と、その一対の電極層を接続するように形成された歪抵抗素子とを備え、前記起歪体に生じた応力歪みを前記歪抵抗素子の抵抗値変化により検出する歪検出素子において、
　前記歪抵抗素子は、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであることを特徴とする歪検出素子。」 
 　 
 第４　引用例 
１　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、及び、その記載事項は、前記「第２　２（２）引用例」に記載したとおりである。 
　
２　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６２−２５０６０３号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。  
　
ア　「　産業上の利用分野
　本発明は、厚膜低抗体の製造方法に係り、特に非還元性ガラスと珪化物導体とアルミナとから構成される厚膜低抗体の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、電極を備えた絶縁性磁器基板上に設ける抵抗材料として、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）−ガラスから構成されるＲｕＯ２系厚膜抵抗体がひろく実用に供されている。
この厚膜抵抗体は、焼結絶縁性磁器基板上に銀あるいは銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼き付けたうえで、Ｒｕ２―ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビヒクル中に分散させたペーストを絶縁性磁器基板上の前記電極に接続するように印刷し、空気中７００〜９００℃の温度で焼成して形成されている。」（公報第１頁左下欄第１７行〜同右下欄第１３行） 
　　　
イ　「　本発明の厚膜低抗体の製造方法は非還元性ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末とを混練し、前記混練後の粉末を非酸化性雰囲気中１０００〜１２００°Ｃで熱処理する工程と、前記熱処理後の固形混合物を粉砕微粉化した後ペースト化する工程と、電極として卑金属電極がメタライズされた絶縁性磁器基板上に前記ペーストをスクリーン印刷して、８００〜１１００℃の非酸化性雰囲気中で焼成する工程を備えたものである。
　作用
　本発明は上記したように、非還元性ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末との混合物を非酸化性雰囲気中１０００〜１２００℃で熱処理することにより、熱処理粉はガラスが溶融して珪化物粒子、アルミナ粒子を被い、三成分が一体化している。」（公報第２頁左下欄第１６行〜同右下欄第１０行） 　
ウ　「　第２図は本発明の製造方法によって得られた抵抗体のモデル図、第３図は従来の抵抗体のモデル図をそれぞれ示し、４ａと５ａは珪化物粒子、４ｂはガラス、４ｃと５ｃはアルミナ粒子、４ｄは熱処理粉粒子、５ｂはガラス粒子をそれぞれ示す。」（公報第３頁左上欄第９〜１３行） 
　
エ　「　この非還元性ガラス粉末に珪化物導体粉体を４０〜８０重量％、アルミナ粉末を１０〜３０重量％加え、混合して混合粉を得た。つぎに前記混合粉を金型を用いて乾式成形し、この成形物をＡｒガス中１０００〜１２００℃、保持時間１０〜６０分で熱処理した。・・・・・この熱処理物を粗粉砕の後、キシレンとメノウ玉石を用い、ボールミナ中で湿式粉砕して微粉化を行ない熱処理粉末とした。この熱処理粉末をＳＥＭで観察したところ、第２図に示すように珪化物粒子５ａとアルミナ粉末５ｃがガラス５ｂ中に（当審注：「珪化物粒子４ａとアルミナ粉末４ｃがガラス４ｂ中に」の誤記である。）閉じ込められている構造となっていた。
　これら熱処理粉末と非還元性ガラス粉末を珪化物導体粉末／（熱処理粉末＋非還元性ガラス）比が重量比で０．１〜０．４となるように混合し、厚膜低抗体粉末とした。
　この厚膜低抗体粉末と混練するビヒクルはテルピネオール中にポリメチルメタアクリレートが１０％重量比になるよう秤量し、溶解して得た。
　そして、厚膜抵抗粉末を１ｇあたり０．６〜０．７ｃｃのビヒクルで混練して厚膜低抗体ペーストを得た。
　この厚膜低抗体ペーストを３２５メツシユのステンレススクリーンを用いて卑金属電極（ＣＬ１％　Ｎｉ５Ｍｏ、Ｗ）を備えたアルミナ基板上にスクリーン印刷した。この後１２０℃で１０分間乾燥してから、雰囲気制御可能な厚膜炉で焼成した。」（公報第３頁右上欄第４行〜同左下欄第１５行）
　
　上記記載事項アないしエ及び図面から、以下の事項を読み取ることができる。
　
・上記記載事項アから、絶縁性磁器基板上の電極に接するように形成した厚膜抵抗体
・上記記載事項イにおける記載「本発明の厚膜低抗体の製造方法は非還元性ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末とを混練し、前記混練後の粉末を非酸化性雰囲気中１０００〜１２００°Ｃで熱処理する工程・・・・・・・本発明は上記したように、非還元性ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末との混合物を非酸化性雰囲気中１０００〜１２００℃で熱処理することにより、熱処理粉はガラスが溶融して珪化物粒子、アルミナ粒子を被い、三成分が一体化している。」から、上記熱処理する工程は溶融する工程といえる。
・上記記載事項イにおける記載「本発明の厚膜低抗体の製造方法は・・・・・前記熱処理後の固形混合物を粉砕微粉化した後ペースト化する工程」から、前記熱処理後の固形混合物を得るために冷却され、その後に粉砕微粉化していること。
・上記記載事項イにおける記載「非還元性ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末との混合物を非酸化性雰囲気中１０００〜１２００℃で熱処理することにより、熱処理粉はガラスが溶融して珪化物粒子、アルミナ粒子を被い、三成分が一体化している。」から、熱処理粉末は、ガラス内部に珪化物導体粉末を含有させたガラス粉末であることは明らかである。
・上記記載事項エにおける記載「厚膜低抗体ペーストは、厚膜抵抗粉末を１ｇあたり０．６〜０．７ｃｃのビヒクルで混練して得たものである。」と「これら熱処理粉末と非還元性ガラス粉末を珪化物導体粉末／（熱処理粉末＋非還元性ガラス）比が重量比で０．１〜０．４となるように混合し、厚膜低抗体粉末とした。」とから、厚膜低抗体ペーストは、ガラス内部に珪化物粒子を含有させたガラスを主成分としていること。
　
　したがって、引用例３には、次のとおりの発明（以下、「引用例発明３」という。）が記載されているものと認められる。 
　【引用例発明３】 
「絶縁性磁器基板上の電極に接するように形成した厚膜抵抗体において、珪化物導体粉体（導電性材料）と非還元性ガラス粉末（ガラス材料）を混合し、溶融（溶解）、冷却後、粉砕微粉化した（微粉砕した）ものであってガラス内部に珪化物粒子（導電粒子）を含有させたガラス（ガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラス）を主成分とする厚膜低抗体ペーストを焼成したものである厚膜抵抗体。」
 　 
 第５　対比 
　本願第１発明と引用例発明１を対比する。 
　
　ア　引用例発明１の「金属基材１」は、力学量センサが備えるものであって、「前記金属基材が種々の応力によって変形したとき」と規定されていることから、引用例発明１の「金属基材１」は、本願第１発明の「応力負荷により歪みが生じる起歪体」に相当する。
　イ　引用例発明１の「設けられた」、「結晶化ガラス」、「絶縁層３」は、補正後第１発明の「形成された」、「絶縁ガラス」、「絶縁層」にそれぞれ相当する。
　したがって、引用例発明１の「その金属基材１上に設けられた結晶化ガラスからなる絶縁層３」は、本願第１発明の「その起歪体上に形成された絶縁ガラスからなる絶縁層」に相当する。
　ウ　引用例発明１の「電極４」は、補正後第１発明の「電極層」に相当する。そして、絶縁層３上に形成された電極４は、引用例１の図１から、互いに離間していることは明らかである。
　したがって、引用例発明１の「絶縁層３上に形成された一対の電極４」は、本願第１発明の「絶縁層上に互いに離隔して形成された一対の電極層」に相当する。
　エ　引用例発明１の「感歪み抵抗体」は、補正後第１発明の「歪抵抗素子」に相当する。
　したがって、引用例発明１の「一対の電極４を接続するように形成された感歪み抵抗体」は、本願第１発明の「一対の電極層を接続するように形成された歪抵抗素子」に相当する。
　オ　引用例発明１の「前記金属基材が種々の応力によって変形したときその歪み量」、「抵抗値の変化」は、本願第１発明の「前記起歪体に生じた応力歪み」、「抵抗値変化」にそれぞれ相当する。
　したがって、引用例発明１の「前記金属基材が種々の応力によって変形したときその歪み量を前記感歪み抵抗体の抵抗値の変化により検出する」は、本願第１発明の「前記起歪体に生じた応力歪みを前記歪抵抗素子の抵抗値変化により検出する」に相当する。
　カ　引用例発明１の対象である「力学量センサ」は、本願第１発明の対象である「歪検出素子」に相当する。 
　キ　引用例発明１の「感歪み抵抗体ペースト」は、「酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペースト」であるから、ガラス、酸化ルテニウムを主成分とする感歪み抵抗体ペーストといえる。
　そして、引用例発明１の「感歪み抵抗体ペースト」は、本願第１発明の「抵抗体ペースト」に相当し、また、引用例発明１の「ガラス」と本願第１発明の「導電成分含有ガラス」とは、ガラスの点で共通する。
　してみると、引用例発明１の「酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペースト」と本願第１発明の「導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペースト」とは、ガラスを主成分とする抵抗体ペーストの点で共通する。
　よって、引用例発明１の「前記感歪み抵抗体は、酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペーストを焼成したものである」と本願第１発明の「前記歪抵抗素子は、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであり、さらに導電粒子を前記抵抗体ペーストに分散混合することによりガラスフリット界部にも導電粒子を分散させていること」とは、前記歪抵抗素子は、ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものである点で共通する。
 　
　したがって、本願第１発明と引用例発明１の両者は、次の一致点及び相違点を有する。 
　【一致点】  
「応力負荷により歪みが生じる起歪体と、その起歪体上に形成された絶縁ガラスからなる絶縁層と、その絶縁層上に互いに離隔して形成された一対の電極層と、その一対の電極層を接続するように形成された歪抵抗素子とを備え、前記起歪体に生じた応力歪みを前記歪抵抗素子の抵抗値変化により検出する歪検出素子において、
　前記歪抵抗素子は、ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものである歪検出素子。」 
 　 
　【相違点】  
　本願第１発明では、歪抵抗素子が、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものであるのに対して、引用例発明１では、感歪み抵抗体が、酸化ルテニウムとガラスを混合した混合物に、有機ビヒクルを添加して得た感歪み抵抗体ペーストを焼成したものである点。 
　
第６　判断 
　引用例１の記載事項（イ）の記載によれば、電極および感歪み抵抗体が形成された力学量センサの基板（起歪体）として、引用例発明１の力学量センサが備える「絶縁層で被覆された金属基材からなるメタルコア（琺瑯）基板」の他に、アルミナを代表とする各種セラミックス製も従来から用いられている。
　一方、引用例３には、引用例発明３の「厚膜抵抗体」が接する電極が設けられる基板として、絶縁性磁器基板が記載されている（記載事項ア）。
　してみると、引用例発明１が備える「感歪み抵抗体」も引用例発明３の対象である「厚膜抵抗体」も、基板上の電極と接する厚膜抵抗体であり、また、引用例１には、上記基板の材料として、引用例発明３の厚膜抵抗体が形成される絶縁性磁器基板の「磁器」と同様な「セラミック」が記載されているから、引用例発明１の力学量センサが備える「感歪み抵抗体」を引用例発明３の対象である「厚膜抵抗体」に変更しようとすることに困難性はない。
　
　また、上述したように、引用例３には、次のとおりの発明が記載されているものと認められる。 
「絶縁性磁器基板上の電極に接するように形成した厚膜抵抗体において、珪化物導体粉体（導電性材料）と非還元性ガラス粉末（ガラス材料）を混合し、溶融（溶解）、冷却後、粉砕微粉化した（微粉砕した）ものであってガラス内部に珪化物粒子（導電粒子）を含有させたガラス（ガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラス）を主成分とする厚膜低抗体ペーストを焼成したものである厚膜抵抗体。」
　
　そして、引用例発明１の対象である力学センサが備える「感歪み抵抗体」として引用例発明３の「厚膜抵抗体」を採用することにより、本願第１発明が備える「歪抵抗素子」の特徴である「歪抵抗素子が、導電性材料とガラス材料とを混合し、溶解、冷却後、微粉砕したものであってガラスフリット内部に導電粒子を含有させた導電成分含有ガラスを主成分とする抵抗体ペーストを焼成したものである」とすることは、引用例発明１の力学量センサが備える「感歪み抵抗体」を引用例発明３の「厚膜抵抗体」に変更することによって得られる当然の事項に過ぎない。 
　よって、上記相違点に係る本願第１発明の発明特定事項は、引用例発明１及び３に基づいて当業者が容易になし得る事項である。 
 　 
　また、本願第１発明の奏する効果は、引用例１，３の記載から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎず、格別なものとはいえない。 
　したがって、本願第１発明は、引用例発明１及び３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　 
 第７　むすび 
 　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用例発明１及び３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
 　よって、結論のとおり審決する。