【事件の表示】
　特願２００２−１０１７５２「鏡面半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ用研磨スラリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１７日出願公開、特開２００３−２９７７７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は、平成１４年４月３日の特許出願であって、同２０年１月２５日付で拒絶の理由が通知され、同２０年３月３１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同２０年６月２日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同２０年７月９日に本件審判の請求がされ、同２０年８月１日に明細書を補正対象書類とする手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、補正前後の請求項１の記載は、以下のとおりである。
　
(１)　補正前の請求項１
「研磨スラリを用いて半導体ウェーハの表面を研磨して鏡面半導体ウェーハを製造する鏡面半導体ウェーハの製造方法において、
　鏡面半導体ウェーハの表面に析出する銅、ニッケル、クロム、鉄のうちの少なくとも一つからなる汚染金属の量が一定レベル以下に低減するように、スラリ原液に添加するＮａＯＨ又はＫＯＨに含有される汚染金属イオ
ンと
　を用いて半導体ウェーハを研磨すること
　を特徴とする鏡面半導体ウェーハの製造方法。」
　
(２)　補正後の請求項１
「研磨スラリを用いて半導体ウェーハの表面を研磨して鏡面半導体ウェーハを製造する鏡面半導体ウェーハの製造方法において、
　鏡面半導体ウェーハの表面に析出する銅、ニッケル、クロム、鉄のうちの少なくとも一つからなる汚染金属の量が一定レベル以下に低減するように、スラリ原液に添加するＮａＯＨ又はＫＯＨに含有される汚染金属イオン
を減少させる操作
　を用いて半導体ウェーハを研磨すること
　を特徴とする鏡面半導体ウェーハの製造方法。」
　
２　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、汚染金属イオンを「減少させる操作」が、ＮａＯＨ又はＫＯＨに含有される汚染金属イオンを「減少させる操作」と、スラリ原液に含有される汚染金属イオンを「減少させる操作」の「それぞれ」とからなる旨の限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
(１)　補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、上記１の(２)の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
(２)　刊行物記載事項
　この出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１８６２０１号公報（以下「刊行物」という。）には、以下のとおり記載されている。
　
ア　１欄１６−３９行
「【発明の属する技術分野】本発明は、研磨加工時における半導体シリコンウェーハ（以下、単にウェーハ、半導体ウェーハ又はシリコンウェーハということがある）への金属汚染、特にＣｕ、Ｎｉ汚染を防ぐことができるようにした半導体シリコンウエーハ研磨用研磨剤及び研磨方法に関する。
【０００２】
【関連技術】一般に、半導体ウェーハの製造方法は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取りする面取り工程と、この面取りされたウェーハを平面化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウェーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、このエッチングされたウェーハ表面を鏡面化する研磨工程と、研磨されたウェーハを洗浄してこれに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程とから構成されている。
【０００３】前記研磨工程は、一般に、微細なＳｉＯ２砥粒をｐＨ＝９〜１２程度のアルカリ水溶液中にコロイド状に分散させたシリカ含有研磨剤が用いられ、ＳｉＯ２による機械的作用と、アルカリ溶液によりシリコンをエッチングする化学的作用の複合作用により研磨される。」
　
イ　４欄２３行−５欄８行　
「研磨剤：陽イオン交換樹脂により金属不純物を除去した２ｗｔ％のＳｉＯ２を含むコロイダルシリカ原液を用い、純水で１０倍に希釈したコロイダルシリカ研磨剤の希釈液を用いた。この研磨剤中のＣｕ，Ｎｉ濃度はそれぞれ約０．０１ｐｐｂ以下であった。
研磨荷重：３５０ｇ／ｃｍ２　　　　
研磨時間：１０分
【００２４】上記研磨条件において、コロイダルシリカ研磨剤の希釈液に銅またはニッケルの標準溶液を添加し、１ｐｐｂ（実施例１）、１０ｐｐｂ（比較例１）、１００ｐｐｂ（比較例２）、５００ｐｐｂ（比較例３）の銅またはニッケルを含む希釈研磨剤を調製した。この研磨剤に水酸化ナトリウム水溶液を添加してｐＨを１１にし、図３に示した研磨装置を用いてこの希釈研磨剤によって試料ウェーハ( 各２枚）を研磨した。ｐＨ調整用の水酸化ナトリウム水溶液は微量であるため、研磨中のＣｕ，Ｎｉ濃度は供給タンク内とほぼ同じである。
【００２５】研磨した試料ウェーハの評価は次のように行った。ウェーハ内に拡散しているＮｉ，Ｃｕをウェーハ表面に集める為、研磨した試料ウェーハの研磨面にサンドブラスト処理を施して洗浄を施した後、試料ウェーハを４５０℃で３０分熱処理した。その後、研磨された面の熱酸化膜をフッ酸蒸気で気相分解し、これをフッ酸液滴で回収、ＩＣＰ−ＭＳ（Inductively Coupled Plasma‐Mass Spectrometry）法により分析した。このような評価方法によりウェーハ全体の汚染レベルを評価した。
【００２６】その結果を図１に示す。図１から明らかなように、コロイダルシリカ研磨剤中の銅またはニッケル濃度を１ｐｐｂ以下とすることにより、研磨ウェーハの銅、ニッケル汚染レベルをエッチドウェーハレベル（図中のＣＷ）に抑制することが判る。なお、エッチドウェーハとは研磨していないサンプル、つまり研磨による汚染を受けていないリファレンスサンプルで、もともとのウェーハに入っている銅、ニッケルのレベルを示すものである（Ｎ．Ｄ．：検出下限）。」
　
ウ　６欄４−７行　
「【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、ウェーハの研磨加工時の金属イオンによるウェーハ中への汚染、とくに銅、ニッケル汚染を抑制することができるという効果が達成される。」
　
　また、上記事項イの試料ウェーハの評価が鏡面半導体シリコンウェーハの表面に析出する銅及びニッケルからなる汚染金属の量を評価しているものであることは、技術常識より明らかである。
　
　以上のとおりであるので、刊行物には、半導体シリコンウェーハ研磨加工時の汚染金属イオンによる半導体シリコンウェーハ中への汚染を抑制する効果を達成する、次の鏡面半導体シリコンウェーハの製造方法が記載されていると認める。
　
「半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤を用いて半導体シリコンウェーハの表面を研磨して鏡面半導体シリコンウェーハを製造する鏡面半導体シリコンウェーハの製造方法において、
　鏡面半導体シリコンウェーハの表面に析出する銅及びニッケルからなる汚染金属の量が検出下限以下に低減するように、コロイダルシリカ原液に含有される金属不純物を陽イオン交換樹脂により除去した上で、コロイダルシリカ原液を純水で希釈した希釈研磨剤に水酸化ナトリウム水溶液を添加することによって、半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤中の汚染金属の濃度を１ｐｐｂ以下に低減させた半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤を用いて半導体シリコンウェーハを研磨する鏡面半導体シリコンウェーハの製造方法。」（以下「刊行物記載の発明」という。）
　
(３)　対比
　補正発明と刊行物記載の発明とを対比すると、刊行物記載の発明の「半導体シリコンウェーハ研磨用研磨剤」は、補正発明の「研磨スラリ」に相当しており、以下同様に、「半導体シリコンウェーハ」は「半導体ウェーハ」に、「検出下限以下」は「一定レベル以下」に、「コロイダルシリカ原液に含有される金属不純物を陽イオン交換樹脂により除去した上で」は「スラリ原液に含有される汚染金属イオンを減少させる操作を行った上で」に、「１ｐｐｂ以下」は「一定レベル以下」にそれぞれ相当している。
　また、補正発明の「スラリ原液にＮａＯＨを添加する」は、明細書の段落【００３１】〜段落【００３３】及び段落【００３５】の記載より、「純水で希釈したスラリ原液にＮａＯＨを添加する」ことを意味すると解されるので、刊行物記載の発明の「コロイダルシリカ原液を純水で希釈した希釈研磨剤に水酸化ナトリウム水溶液を添加する」は、補正発明の「スラリ原液にＮａＯＨを添加する」に相当している。
　さらに、刊行物記載の発明の「汚染金属の濃度」は、そのことに限り、補正発明の「汚染金属イオンの濃度」と一致している。
　
　以上のとおりであるので、両者は、次の「鏡面半導体ウェーハの製造方法」で一致している。
「研磨スラリを用いて半導体ウェーハの表面を研磨して鏡面半導体ウェーハを製造する鏡面半導体ウェーハの製造方法において、
　鏡面半導体ウェーハの表面に析出する銅及びニッケルからなる汚染金属の量が一定レベル以下に低減するように、スラリ原液に含有される汚染金属イオンを減少させる操作を行った上で、スラリ原液にＮａＯＨを添加することによって、研磨スラリ中の汚染金属の濃度を一定レベル以下に低減させた研磨スラリ
　を用いて半導体ウェーハを研磨する鏡面半導体ウェーハの製造方法。」
　
　そして、両者は、次の点で相違している。
ア　相違点１
　汚染金属の濃度が、補正発明では、汚染金属イオンの濃度であるのに対し、刊行物記載の発明では、汚染金属イオンの濃度であるのか明らかではない点。
イ　相違点２
　補正発明では、スラリ原液に添加するＮａＯＨに含有される汚染金属イオンを減少させる操作を行っているのに対し、刊行物記載の発明では、そのような操作を行っていない点。
　
(４)　相違点の検討
　そこで、上記各相違点について、以下検討する。
　
ア　相違点１について
　刊行物記載の発明は、スラリ原液に含有される汚染金属イオンを減少させる操作を行ない、半導体ウェーハ研磨加工時の汚染金属イオンによる半導体ウェーハ中への汚染を抑制する効果を達成するものであり、また、研磨スラリ中の汚染金属イオンを低減させることが好ましいことは、例えば、特開平１１−８０７０７号公報（以下「周知例１」という。）（６欄２８−２９行参照）、特開平１１−１１６９４２号公報（以下「周知例２」という。）（７欄３８−４０行参照）等に記載されているように従来周知である。
　したがって、刊行物記載の発明における研磨スラリ中の汚染金属の濃度を汚染金属イオンの濃度とすることに格別の困難性はない。
　
イ　相違点２について
　研磨スラリを用いた半導体ウェーハ表面の研磨において、研磨スラリ中に含まれるＮａＯＨ又はＫＯＨ等の塩基性化合物について、汚染金属イオンが極めて少ない高純度のものを使用することにより、研磨スラリ中の汚染金属イオンを低減させることができることは、例えば、上記周知例１（６欄１６−２９行参照）、周知例２（７欄１３−４０行参照）等に記載されているように従来周知である。
　したがって、スラリ原液に添加するＮａＯＨに含有される汚染金属イオンを減少させる操作を行うことは、上記相違点１についてで検討した研磨スラリ中の汚染金属の濃度を汚染金属イオンの濃度とするに際し、その汚染金属イオンの濃度を低減させることができる上記従来周知の事項を採用することにより、当業者が容易に想到することができたことである。
　請求人は、この点について、回答書で、先入観に基づく論理の飛躍がある旨、主張する。
　しかし、上記のとおり、周知技術を踏まえれば、請求人の主張は根拠がない。
　
ウ　補正発明の作用効果について
　補正発明が奏する作用効果は、刊行物記載の発明及び上記従来周知の各事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
　したがって、補正発明は、刊行物記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１ないし５に係る発明は、願書に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１の(１)の補正前の請求項１に示したとおりである。
　
２　刊行物記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に上記刊行物が引用されており、その記載事項は、上記第２の２の(２)に示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２で述べたとおり、補正発明の発明特定事項から、上記限定事項が省かれたものである。
　そうすると、上記第２の２の(４)で検討したとおり、補正発明は、刊行物記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正発明の発明特定事項から上記限定事項が省かれた本願発明についても、同様の理由により、刊行物記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物記載の発明及び上記従来周知の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、この出願の請求項２ないし５に係る発明について判断するまでもなく、この出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。