【事件の表示】
　特願２００１−２６７０７「電気光学装置および電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年８月１６日出願公開、特開２００２−２３１７６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年２月２日の出願であって、その請求項１〜７に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成１６年１１月１６日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面（以下、「本願明細書及び図面」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】導電粒子を含む異方性導電膜を介しての圧着により、電気光学物質を保持する基板に形成されている複数の端子に対して、半導体チップの複数のバンプ電極がそれぞれ電気的に接続された電気光学装置において、
　１つの前記半導体チップ内における前記バンプ電極を含む前記半導体チップの総厚さ寸法のばらつきは、前記異方性導電膜に含まれる前記導電粒子の平均粒径未満であり、
　前記複数の端子は、電気光学物質を駆動するための電極パターンと同時に前記基板上に形成されたものであり、
　前記半導体チップは、前記基板の上に前記異方性導電膜を介して前記複数のバンプと前記複数の端子とを対向させて載置され、当該半導体チップの上面に圧着ヘッドが当接されて熱圧着されてなることを特徴とする電気光学装置。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−２８３５６６号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、同特開昭６４−１１２３５号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、夫々下記の事項が記載されている。
　　
（１）引用刊行物１：特開平９−２８３５６６号公報
（１ａ）「【請求項１】突起電極を有する第１の基板と、前記突起電極と相対峙する突起電極を有する第２の基板上の少なくとも一方の突起電極面に絶縁性の接着剤層を配置するとともに、前記第１の基板と前記第２の基板の間に絶縁性を有する接着剤に導電性の粒子が分散された異方導電性接着剤を配置し、加圧または加圧加熱することにより、前記第１の基板と前記第２の基板の相対峙する突起電極が、導電性の粒子に接触することにより電気的に接続され、隣接する突起電極間は絶縁されて固定される・・・基板間の接続方法。」（【特許請求の範囲】【請求項１】）、
（１ｂ）【発明の実施の形態】として、「【０００６】第１の基板の材料としては、例えばＩＣチップ類のシリコン、ガリウムヒ素等がある。これらＩＣチップは例えば、導電性の突起電極としてＡｌ等の電極上にＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、はんだ等の突起（バンプ）を設けたものであり、これらのバンプの表面にはＳｎ、Ａｕ、はんだ等の表面層を形成することもできる。・・・第２の基板としては、例えばガラス基板・・・の表面に、突起電極としてＩＴＯ・・・等の薄膜電極・・・を設けたものであり、・・・これらの電極は基板面より凸状であることが導電性の粒子と電極との接触の点で好ましく、電極の高さは後述する導電性の粒子の径よりも大きな２μｍ以上が好ましく、電極表面には凹凸があることから３μｍ以上がより好ましい。電極の高さばらつきは導電性の粒子の粒径よりも小さい方が好ましく、導電性の粒子に均一に圧力を加えるためには、３μｍ以下がより好ましい。
【０００７】異方導電性接着剤の導電性の粒子は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕやはんだ等の金属の粒子であり、ポリスチレン等の高分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電層を設けたものがより好ましい。さらに導電性の粒子の表面にＳｎ、Ａｕ、はんだ等の表面層を形成することもできる。粒径は基板の隣接する電極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の高さばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きいことが好ましく、３〜５μｍが好ましい。また、加圧または加熱加圧により変形する方がより好ましい。」（段落【０００６】、【０００７】）
（１ｃ）実施例１として、「図３は、本発明に関する基板間の接続プロセスを示す模式図である。ＩＣチップとガラス基板の接続に適用した場合を示す。ＩＣチップ１１（バンプ高さ１５μｍ）の表面にエポキシ樹脂を主体とした絶縁性の接着剤層１３（膜厚２０μｍ）を、加圧加熱（９０℃、１Ｍｐａ）により転写し、ガラス基板１６にエポキシ樹脂を主体とした絶縁性接着剤中に導電性の粒子を分散した異方導電性接着剤層１５（膜厚７μｍ）を加圧加熱（９０℃、１Ｍｐａ）により転写した。次いでＩＣチップ１１のバンプ１２とガラス基板１６の透明電極１７との位置合わせを行い、加圧加熱（１８０℃、１００Ｍｐａ、２０秒）することにより接続した。」（段落【０００８】）が記載されている。
（１ｄ）図３には、上記内容のＩＣチップとガラス基板間の接続プロセスが示されるとともに、同ＩＣチップとガラス基板が夫々相対峙する複数の突起電極を有しており、同接続プロセスにより、該複数の各突起電極間に上記導電性粒子を夫々介在させて、同ＩＣチップとガラス基板とが電気的に接続されている装置の構造も示されている。
　　
（２）引用刊行物２：特開昭６４−１１２３５号公報
（２ａ）従来の技術として、「ＩＴＯが形成された２枚のガラス板を電極面を対向させて配置してなる液晶表示パネルの引出し電極に、直接、駆動用半導体素子（以下ＬＳＩという）を実装する手段・・・その一つは、フリップチップ方式によるもの・・・である。前者の方式はＬＳＩチップのアルミ電極パッドに半田バンプを形成し、さらにＩＴＯ上にはＮｉ−Ａｕ，Ｃｒ−Ａｕなどによりメタライジング処理を施し、ＬＳＩチップをフェイスダウンにより位置合せした後、半田リフローにより接続するものである。」（第１頁左下欄下から３行〜右下欄１０行）、
（２ｂ）発明が解決しようとする問題点として、「液晶表示パネルの如きＩＴＯ膜を使用するディスプレイデバイスの引出し電極は金属酸化物により形成され、ＬＳＩチップを実装する場合、前述の通り、金属膜をＩＴＯ上へ形成しなければならない・・・など、複雑なプロセスが必要である。」（第１頁右下欄下から２行〜第２頁左上欄６行）、
（２ｃ）作用として、「本発明による半導体素子はＡｕの電解メッキを施して形成されたバンプを有すし、さらに、半導体素子全面に導電性フィラーを分散させてなる熱接着シートをラミネートする。このＬＳＩチップはＩＴＯ上へフェイスダウンにより加圧加熱することにより電気的接続することができ、前述のごときＩＴＯをメタライズすることは不要となる。」（第２頁右上欄１５行〜左下欄２行）、
（２ｄ）実施例として、「本発明のＩＴＯをメタライズすることなくＬＳＩチップを電気的接続できることである。すなわちＡｕバンプ上へ導電性フィラーを分散させた熱接着シートを形成することにより異方性を示し、熱圧着することにより、ＩＴＯ上へ接続することができる。」（第２頁左下欄３〜９行）、
（２ｅ）「ＬＳＩチップ（半導体素子）はＩＴＯ上へ直接実装でき従来の如きＩＴＯ膜上への金属膜を形成する必要がなく、低価格化に対し大きく寄与する」（第３頁右下欄１０〜１４行）が記載されている。
　　
［３］当審の判断
（１）引用刊行物１記載の発明
　摘記（１ａ）によれば、引用刊行物１には、突起電極を有する第１の基板と、前記突起電極と相対峙する突起電極を有する第２の基板間に絶縁性を有する接着剤に導電性粒子が分散された異方導電性接着剤を配置し、加圧または加圧加熱することにより、前記第１の基板と前記第２の基板の相対峙する突起電極が、導電性粒子に接触することにより電気的に接続され、隣接する突起電極間は絶縁されて固定される接続方法が記載されている。
　そうすると、当該接続方法によって電気的に接続され、隣接する突起電極間が絶縁されて固定された突起電極を有する第１の基板と、前記突起電極と相対峙する突起電極を有する第２の基板を有する装置における、該第１の基板と第２の基板間に絶縁性を有する接着剤に導電性粒子が分散された異方導電性接着剤を配置し、加圧または加圧加熱することにより、前記第１の基板と前記第２の基板の相対峙する突起電極が導電性粒子に接触している構造についても記載されているといえる。
　また、摘記（１ｂ）（１ｃ）には、突起電極を設けたＩＣチップが上記第１の基板として例示され、突起電極としてＩＴＯの薄膜電極を設けたガラス基板が上記第２の基板として例示されている。
　また、摘記（１ｄ）には、上記の両基板が突起電極を夫々複数有する点も示されている。
　また更に、摘記（１ｂ）によれば、上記突起電極は基板面より凸状であることが、上記異方導電性接着剤の導電性粒子と該電極との接触の点で好ましく、該電極の高さは該導電性粒子の径よりも大きな２μｍ以上が好ましく、該電極表面には凹凸があることから３μｍ以上がより好ましく、該電極の高さばらつきは、該導電性粒子の粒径よりも小さい方が好ましく、該導電性粒子に均一に圧力を加えるためには、３μｍ以下がより好ましい旨記載されている。
　　
　これらの事項を総合すると、引用刊行物１には、「複数の突起電極を有するＩＣチップと、前記突起電極と相対峙する複数のＩＴＯの薄膜電極を有するガラス基板間に、絶縁性を有する接着剤に導電性粒子が分散された異方導電性接着剤を配置し、前記突起電極の高さばらつきは前記導電性粒子の粒径よりも小さく、前記導電性粒子に均一に圧力を加えるために、より好ましくは３μｍ以下とし、加圧または加圧加熱することにより、前記ＩＣチップの突起電極と前記ガラス基板のＩＴＯの薄膜電極とが前記導電性粒子に接触している装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　　
（２）本願発明１と引用発明との対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「突起電極」、「ＩＣチップ」、「異方導電性接着剤」、「導電性粒子」、「ＩＴＯの薄膜電極」は夫々、本願発明１における「バンプ電極」、「半導体チップ」、「異方性導電膜」、「導電粒子」、「端子」に相当する。
　また、引用発明における「複数のＩＴＯの薄膜電極を有するガラス基板」は、液晶表示パネル等に普通に用いられており、その液晶表示パネルの態様において、本願発明１における「電気光学物質を保持する基板」に該当し、上記「複数のＩＴＯの薄膜電極」は、同「電気光学物質を保持する基板」に形成される「複数の端子」に他ならない。
　また、引用発明における「前記ＩＣチップの突起電極と前記ガラス基板のＩＴＯの薄膜電極とが前記導電性粒子に接触している装置」は、その液晶表示パネルを含む装置の態様において、本願発明１における「電気光学装置」に該当する。
　また、引用発明における「突起電極の高さばらつき」は、本願発明１における「バンプ電極を含む前記半導体チップの総厚さ寸法のばらつき」の少なくとも一部の「厚さ寸法のばらつき」に該当する。
　また、引用発明における「加圧加熱することにより、前記ＩＣチップの突起電極と前記ガラス基板のＩＴＯの薄膜電極とが前記導電性粒子に接触して」は、ＩＣチップを、導電性粒子を分散させた異方導電性接着剤を介して、該チップの突起電極と該ガラス基板のＩＴＯの薄膜電極とを対向させてガラス基板上に載置し、加圧加熱することが自明であり、該チップを該基板に熱圧着することに他ならず、ＩＣチップ上面に圧着ヘッドを当接することは、該チップを熱圧着するための常套手段であるから、本願発明１における「前記半導体チップは、前記基板の上に前記異方性導電膜を介して前記複数のバンプと前記複数の端子とを対向させて載置され、当該半導体チップの上面に圧着ヘッドが当接されて熱圧着されて」に該当する。
　　
　してみると、両者は、「導電粒子を含む異方性導電膜を介しての圧着により、電気光学物質を保持する基板に形成されている複数の端子に対して、半導体チップの複数のバンプ電極がそれぞれ電気的に接続された電気光学装置において、
　１つの前記半導体チップ内における厚さ寸法のばらつきは、前記異方性導電膜に含まれる前記導電粒子の平均粒径未満であり、
　前記半導体チップは、前記基板の上に前記異方性導電膜を介して前記複数のバンプと前記複数の端子とを対向させて載置され、当該半導体チップの上面に圧着ヘッドが当接されて熱圧着されてなる電気光学装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
（イ）本願発明１では、電気光学物質を保持する基板に形成されている複数の端子が、電気光学物質を駆動するための電極パターンと同時に前記基板上に形成されたものであるのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
（ロ）本願発明１では、バンプ電極を含む半導体チップの総厚さ寸法のばらつきが、異方性導電膜に含まれる導電粒子の平均粒径未満であるのに対し、引用発明では、突起電極の高さばらつきが、導電性粒子の粒径よりも小さく、該導電性粒子に均一に圧力を加えるために、より好ましくは３μｍ以下とされている点。
　　
（３）相違点の検討
（３−１）相違点（イ）について
　引用刊行物２には、液晶表示パネルを構成するガラス板上のＩＴＯからなる引出し電極にメタライズすることなく半導体チップを直接ＩＴＯ上へ接続することで、低価格化できることが記載されており（摘記（２ｃ）〜（２ｅ）参照）、該引出し電極にメタライズしないのであれば、該引出し電極を液晶表示パネルの電気光学物質を駆動するためのＩＴＯの電極パターンと同時に形成できることは明らかである。
　してみると、上記引出し電極を上記電極パターンと同時に形成することが低価格化をもたらすことは、引用刊行物２に示唆されているといえるので、引用発明における複数あるガラス基板のＩＴＯの薄膜電極を、該ガラス基板の電気光学物質を駆動するための電極パターンと同時に形成することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
（３−２）相違点（ロ）について
（Ａ）引用刊行物１には、「電極の高さばらつきは導電性の粒子の粒径よりも小さい方が好ましく、導電性の粒子に均一に圧力を加えるためには、３μｍ以下がより好ましい。」（摘記（１ｂ））と記載されており、電極の高さばらつきを、導電性の粒子の粒径よりも小さい方が好ましいとし、さらに、導電性の粒子に均一に圧力を加えるためには、３μｍ以下がより好ましいとしている。
　一方、半導体チップの厚さにもばらつきがあることは、例えば下記周知例１〜３にも、半導体基板又はウエハの厚さばらつきが夫々示され、該基板等を処理・加工し分割した半導体チップにも同様な厚さばらつきがあることになり、夫々の半導体チップに同様な厚さばらつきがあることが明白であるから、本出願前周知の事項であると認められる。
周知例１：特開平６−３２０４１３号公報（段落【００１５】参照）
周知例２：特開平１０−３４５２０号公報（段落【００２３】参照）
周知例３：特開昭６３−６８３６０号公報（第１表参照）
　　
　そして、該チップの厚さばらつきも、電極の高さばらつきとともに該チップの総厚さ寸法のばらつきに含まれ、該チップの裏面より付加する導電性の粒子に対する圧力を不均一化するので、電極の高さばらつきを小さくしたのみでは、必ずしも導電性の粒子に均一に圧力を加えることはできず、導電性の粒子に均一に圧力を加えるためには、該チップの厚さばらつきをも含めた該チップの総厚さ寸法のばらつきを小さくすべきであることは自明の事項である。
　そうすると、引用刊行物１における、電極の高さばらつきを、導電性の粒子の粒径よりも小さい方が好ましいとし、さらに、導電性の粒子に均一に圧力を加えるためには、３μｍ以下がより好ましいとする上述の記載において、電極の高さばらつきばかりか、ＩＣチップの厚さばらつきをも含めた該チップの総厚さ寸法のばらつきを、導電性の粒子に均一に圧力を加えることができるように小さくすべきであることは明白である。そして、該チップの総厚さ寸法のばらつきには電極の高さばらつきが含まれるので、該チップの総厚さ寸法のばらつきを導電性の粒子の粒径よりも小さくすれば、電極の高さばらつきも導電性の粒子の粒径よりも小さくなり、該導電性の粒子に均一に圧力を加えるために好ましいことは、同記載に示唆されているといえる。
　したがって、引用発明におけるＩＣチップの総厚さ寸法のばらつきを導電性粒子の粒径よりも小さくすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
（Ｂ）本願明細書の段落【０００７】には、「駆動用ＩＣ１３を製造する際、バンプ電極１３０を研磨して、バンプ電極１３０を含めた駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲを可能な限り小さくする方法が考えられるが、このような管理方法では、駆動用ＩＣ１３の製造コストが著しく増大するという問題点がある」と記載されているものの、請求項１には、「半導体チップ
の総厚さ寸法のばらつきは、前記異方性導電膜に含まれる前記導電粒子の平均粒径未満」と規定されているのみであり、その下限は規定されていないから、上記段落【０００７】の「総厚さ寸法のばらつきＲを可能な限り小さくする」ことは、本願発明１から除外されているわけではない。
　ところで、基板にフェイスダウンで実装する半導体チップのバンプの高さばらつきも含めて総厚さ寸法のばらつきを小さくすることは、下記周知例４〜６にも記載されているように、本出願前周知の技術である。
周知例４：特開平６−２０９０２８号公報（段落【０００７】〜【０００９　　　　　】、段落【００１４】、【図１】〜【図４】参照）
周知例５：特開平１１−８７４３１号公報（【請求項１】、段落【００１７　　　　　】、【図３】参照）
周知例６：特開平１０−１６３２１５号公報（【請求項１】、段落【０００　　　　　４】、【図１】〜【図３】参照）
　　
　そして、フェイスダウンで基板に実装する半導体チップのバンプの高さも含めて総厚さ寸法のばらつきを小さくしてゆけば、該総厚さ寸法のばらつきは導電性粒子の粒径よりも小さくなり、導電性粒子に均一に圧力を加えることができることは自明の事項である。
　そうであれば、引用発明において、導電性粒子に均一に圧力を加えることができるように、上記周知技術を採用してＩＣチップの総厚さ寸法のばらつきを可能な限り小さくすることにより、相違点（ロ）に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
　また、相違点（イ）（ロ）に係る本願発明１の特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物１、２の記載、及び上記周知技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　　
　したがって、本願発明１は、引用刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［５］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２〜７に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。