【事件の表示】
　平成　７年特許願第２４４８２５号「光集積回路装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　４月　４日出願公開、特開平　９−　９２８０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年９月２２日の出願であって、平成１６年３月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月６日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１７年１２月２１日付けで審尋がなされ、その後平成１８年２月３日に回答書が提出されたのものである。
　　           
第２　平成１６年５月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１６年５月６日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　１．本件補正の内容      　
　本件補正は、補正前の請求項１、２及び明細書の００１０段落を補正するものであって、補正後の請求項１及び２に係る発明は、その補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定された以下のとおりのものである。
「【請求項１】　受光部と、回路部とが、共通の半導体チップに形成され、
　該回路部上には遮光膜が被覆され、
　上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子と、
　上記回路部より導出され、外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有し、
　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略したことを特徴とする光集積回路装置。
【請求項２】　受光部と、回路部とが、共通の半導体チップに形成され、
　該回路部上には遮光膜が被覆され、
　外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子が上記回路部より外部に導出され、
　上記外部導出端子の所要の端子に関してのみ保護ダイオードが接続されるとともに、
　外部と電気的に接続されることのない内部端子が上記回路部より導出され、　　
　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略したことを特徴とする光集積回路装置。」
　
　２．補正事項の内容
　補正事項１
　補正前の請求項１の「【請求項１】　受光部と、　回路部とを有し、
　該回路部上には遮光膜が被覆され、
　上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子と、
　外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有し、
　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略したことを特徴とする光集積回路装置。」を
　補正後の請求項１の「【請求項１】　受光部と、回路部とが、共通の半導体チップに形成され、
　該回路部上には遮光膜が被覆され、
　上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子と、
　上記回路部より導出され、外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有し、
　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略したことを特徴とする光集積回路装置。」と補正すること。　
　補正事項２
　補正前の請求項２の「【請求項２】　受光部と、　回路部とを有し、
　該回路部上には遮光膜が被覆され、
　外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子が上記回路部より外部に導出され、
　上記外部導出端子の所要の端子に関してのみ保護ダイオードが接続されることを特徴とする光集積回路装置。」を
　補正後の請求項２の「【請求項２】　受光部と、回路部とが、共通の半導体チップに形成され、
　該回路部上には遮光膜が被覆され、
　外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子が上記回路部より外部に導出され、
　上記外部導出端子の所要の端子に関してのみ保護ダイオードが接続されるとともに、
　外部と電気的に接続されることのない内部端子が上記回路部より導出され、　　
　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略したことを特徴とする光集積回路装置。」と補正すること。　
　補正事項３
　補正前の００１０段落を以下のとおり補正すること。
　「【課題を解決するための手段】本発明による光集積回路は、受光部と、これよりの受光信号による電気信号に対し所要の信号処理を行う信号処理回路等の回路部とが、共通の半導体基板に形成され、この回路部上には遮光膜が被覆され、外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子とが上記回路部より外部に導出され、このように外部と接続されることのない内部端子については少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略する構成とする。」
　
　３．補正事項の整理　
　補正事項１及び２を整理すると以下のとおりである。
　補正事項１について　
　補正事項１は、補正前の請求項１の「受光部と、回路部とを有し」を、補正後の請求項１の「受光部と、回路部とが、共通の半導体チップに形成され」と補正すること（補正事項１−１）と、補正前の請求項１の「外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有し」を、補正後の請求項１の「上記回路部より導出され、外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有し」と補正すること（補正事項１−２）に区分する。　
　補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項２の「受光部と、回路部とを有し」を、補正後の請求項２の「受光部と、回路部とが、共通の半導体チップに形成され」と補正すること（補正事項２−１）と、補正前の請求項２の「上記外部導出端子の所要の端子に関してのみ保護ダイオードが接続される」を、補正後の請求項２の「上記外部導出端子の所要の端子に関してのみ保護ダイオードが接続されるとともに、　外部と電気的に接続されることのない内部端子が上記回路部より導出され、　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略した」と補正すること（補正事項２−２）に区分する。
  　
　４．本件補正についての検討
　（１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
　［補正事項１について］
　［補正事項１−１について］
　補正事項１−１についての補正は、「光集積回路装置」の構成要素である「受光部」と「回路部」が「共通の半導体チップに形成され」ると技術的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　また、本願の願書に最初に添付した明細書の［００１３］段落の「図２に概略断面図を示すように、ｐｎ接合によるフォトダイオードなどの受光部１と、これによって受光した光信号例えば赤外線信号による電気信号を、信号処理して所要の信号出力を取り出す信号処理回路部等を有する回路部２とが、共通の半導体チップ３に形成されてリードフレーム４上にマウントされてなる。」との記載及び図２に、「受光部」と「回路部」が「共通の半導体チップに形成され」ることが記載されており、補正事項１−１についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　［補正事項１−２について］
　補正事項１−２についての補正は、「内部端子」について、「上記回路部から導出され」たものであると技術的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　また、本願の願書に最初に添付した明細書の［００１４］段落の「さらに例えば半導体チップに予め組み込まれた抵抗や容量等を信号処理回路等の回路部２に接続ないしは遮断することによってこの回路部の回路特性等を調整するために用いられる特性調整用端子等の外部との接続がなされない内部端子５ｃとよりなる」との記載及び、図１には、特性調整用端子（内部端子）５ｃが、回路部２より導出されることが記載されていることは明らかであり、補正事項１−２についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　［補正事項２について］
　［補正事項２−１について］
　補正事項２−１についての補正は、「補正事項１−１について」において検討したとおり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当し、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　［補正事項２−２について］
　補正事項２−２において、「外部と電気的に接続されることのない内部端子が上記回路部より導出され、　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略した」ことは、更に、「外部と電気的に接続されることのない内部端子が上記回路部より導出され、　該内部端子に対する」「保護ダイオードの接続を省略した」こと（場合Ａ）と、「外部と電気的に接続されることのない内部端子が上記回路部より導出され、　該内部端子に対する」「一部の保護ダイオードの接続」のみを「省略した」こと（場合Ｂ）に区分して検討する。
　補正事項２−２（場合Ａ）について　
　場合Ａにおける補正事項２−２についての補正は、補正前の「上記外部導出端子の所要の端子に関してのみ保護ダイオードが接続される」、言い換えると、「保護ダイオード」が「上記外部導出端子の所要の端子」に「のみ」接続される点について、（ａ）補正前の請求項２に記載されない「外部と電気的に接続されることのない内部端子」との構成を追加し、（ｂ）「外部と電気的に接続されることのない内部端子が上記回路部より導出され、　該内部端子に対する」「保護ダイオードの接続を省略した」と、「外部と電気的に接続されることのない内部端子」には、「保護ダイオード」が接続されていないことを確認するものであって、上記（ａ）については、補正前の請求項２に新たな発明特定事項である「内部端子」を追加するものであるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものとは言えず、また、上記（ｂ）については、新たな発明特定事項である「内部端子」を備えることを前提とした上で特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものとは言えない。　
　したがって、場合Ａにおける補正事項２−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項に掲げるいずれの目的にも該当しない。　
　補正事項２−２（場合Ｂ）について
　場合Ｂにおける補正事項２−２についての補正は、補正前の「上記外部導出端子の所要の端子に関してのみ保護ダイオードが接続される」、言い換えると、「保護ダイオード」が「上記外部導出端子の所要の端子」に「のみ」接続される点について、「外部と電気的に接続されることのない内部端子が上記回路部より導出され、　該内部端子に対する」「一部の保護ダイオードの接続」のみを「省略した」とするものであって、（ａ）補正前の請求項２に記載されない「外部と電気的に接続されることのない内部端子」を追加するとともに、（ｂ）「該内部端子に対する」「一部の保護ダイオードの接続」のみを「省略した」、言い換えると、「該内部端子に対」して「保護ダイオード」が接続されたものも含むとしたものであり、補正前の「保護ダイオード」が「上記記外部導出端子の所要の端子」に「のみ」接続されることと整合しない構成となり、上記（ａ）については、補正前の請求項２に新たな発明特定事項である「内部端子」を追加するものであるから、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものとは言えず、また、上記（ｂ）については、補正前の「保護ダイオード」が「上記記外部導出端子の所要の端子」に「のみ」接続されることと整合しない構成となるから上記（ａ）及び上記（ｂ）については、特許法第１７条の２第４項に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　したがって、場合Ｂにおける補正事項２−２についての補正は、特許法第１７条の２第４項に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　
　よって、補正事項２−２についての補正を含む補正事項２についての補正を包含する本件補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しない。
　
　ここで、仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第４項の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとして、以下において、同条第５項の要件について検討する。
  
　（２）独立特許要件について
　（２−１）刊行物に記載された発明
　刊行物１．　特開昭６４−５１７２号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開昭６４−５１７２号公報には、第１図及び、第３図ないし第５図とともに以下の事項が記載されている。
　「受光素子と該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタが形成された基板と、前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップで構成されたイメージセンサに於て、外部に接続される入出力信号線がすべて上記シリコン集積回路チップを経由もしくは接続されて、取り出されていることを特徴とするイメージセンサ。」（特許請求の範囲第１項）
　「第４図に水素化非晶質シリコン・・・を用いて、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略記する）、ＴＦＴ型センサ、蓄積コンデンサ、マトリックス配線等をガラス基板上に一体化形成したイメージセンサの等価回路を示す。」（第１頁右下欄第７〜１２行）、
　「第５図にセンサユニットの構成図を示す。１は筐体、２はセンサ基板、３は信号スイッチＩＣ，４はゲート駆動ＩＣ，５は取り出し用フレキシブルプリント板、６はＶＲ，ＶＳ，ＶＢ，ＧＮＤ等のバイアス接続部、７は本体に接続されるコネクタである。」（第２頁左上欄第９〜１４行）、
　「センサ基板上に形成されているＴＦＴ、ＴＦＴ型センサ、蓄積コンデンサ等は薄い絶縁層を挟む構造をもっている。従って、ある一定以上の電圧が印加されるとこれらの絶縁層は絶縁破壊を起し、素子を破壊してしまう。この破壊は作業者の衣服等で発生する静電気で容易に起る。」（第２頁右上欄第１〜６行）、
　「第４図のセンサユニットに於て、その原因を追及したところ接続コネクター７から、６のＶＲ，ＶＳ，ＶＢ等のバイアス線を通し、これらの線に接続されているＴＦＴ、センサ等が破壊されていることが判明した。
　通常、このような静電対策としてＣＭＯＳ　ＩＣ等で実施されている保護ダイオードを用いる方法がある。すなわち、入力端子に電源およびＧＮＤ側に対し、それぞれダイオードを接続し、静電気を逃がす方法である。」（第２頁右上欄第１６行〜同頁左下欄第５行）、　
　「第１図に本発明のイメージセンサの静電対策回路の一例を示す。
　２はセンサ基板、４はゲート駆動用ＩＣ、７は外部接続用コネクタ、１２はゲート駆動ＩＣの電源ＶＤＤに接続用ボンディグパッドでセンサバイアス電源ＶＳと共通に接続される。１４はゲート駆動ＩＣのグランド側（ＶＳＳ）に接続するボンディングパッドで蓄積コンデンサのグランド側端子に接続される。１３および１５はゲート駆動ＩＣ内部でＶＤＤおよびＶＳＳにクランプダイオード１６がそれぞれ接続された端子で、センサ基板のＶＢ，ＶＲにそれぞれ接続される。１７は取り出しフレキシブルケーブルの配線抵抗である。」（第２頁右下欄第６〜１８行）、
　「第３図に本発明のイメージセンサのユニット構成斜視図を示す。ＶＲ，ＶＢ，ＶＳ等のバイアス線は取り出しフレキシブル基板の配線部を通り、一旦ゲート駆動ＩＣのボンデングパッドに接続された後、取り出しコネクター７に接続される。」（第３頁左上欄第３〜７行）
　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。　
　「受光素子と該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタが形成された基板と、前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップで構成されたイメージセンサに於て、外部に接続される入出力信号線がすべて上記シリコン集積回路チップを経由もしくは接続されて、取り出されるとともに、前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線の内、前記ＶＢ及びＶＲにそれぞれクランプダイオードが接続されていることを特徴とするイメージセンサ。」
　　
　刊行物２．　特開平６−１０４４７６号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開平６−１０４４７６号公報には、第１図ないし第５図とともに以下の事項が記載されている。
「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の従来技術では、拡散抵抗３の抵抗値を大きくとろうとしたとき、図４に示すとおり、拡散抵抗３のパターンを蛇行させ、長さをかせぐ必要がある。この様な拡散抵抗３は、図５に示すとおり、見かけ上のフォトトランジスタ（寄生フォトトランジスタ）となる。上述したとおり、アルミ膜５でこの拡散抵抗３領域が、フォトトランジスタ動作しないように、この領域を遮光するのが通常であるが、このアルミ膜５は配線電極としても使用する為、図４内のＢ部のようにすき間があき、このすき間から露出する拡散抵抗３表面に光が照射されると、フォトトランジスタとして動作してしまうことが避けられない。従って、この拡散抵抗３領域が光照射によりフォトトランジスタ動作してしまうことから、正規の抵抗特性を示さないという問題があった。」（０００４段落）
「【実施例】図１〜３を用いて本発明の実施例につき説明をする。
【０００９】本発明の受光素子は、ｐｏｌｙ　Ｓｉ基板１８内には、複数の単結晶島１７ａ，１７ｂが設けられている。各単結晶島１７ａ，１７ｂには、単結晶島と異なる導電型の不純物を拡散させ、ダイオード１４、及び拡散抵抗１３を設けられている。これらの拡散層を設けた後、図３に示すような等価回路に基づき、アルミ膜又は、アルミ合金等で配置することによって、接続電極１５、端子２１ａ，２２及び遮光膜２１ｂを形成する。
【００１０】次に、単結晶島１７ａ表面及び拡散抵抗１３表面上に遮光膜２１ｂを設ける工程を図２を用いて説明する。なお、図２は、図１のＡ−Ａ′断面図である。
【００１１】ｐｏｌｙ　Ｓｉ基板１８内には、単結晶島１７ａが設けられ、単結晶島１７ａ表面には、拡散抵抗１３が設けられている。ここで遮光膜２１ｂは、単結晶島１７ａ表面上に絶縁層１６を介して設けられる。また、遮光膜２１ｂは、拡散抵抗１３，単結晶島１７ａと、それぞれコンタクトホールを介して電気的に接続される。」（０００８段落ないし００１１段落）
　
　（２−２）対比・判断
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比・検討する。
　（ａ）「受光素子」から他の領域（回路等）へ信号を伝達するためには、「転送する薄膜トランジスタ」等の回路要素が必要であることは明らかであるから、刊行物の「受光素子と該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタ」は、補正発明１の「受光部」に相当する。
　（ｂ）刊行物発明の「信号を処理するシリコン集積回路チップ」が回路であることは明らかであるから、刊行物発明の「信号を処理するシリコン集積回路チップ」は、補正発明１の「回路部」に相当する。
　（ｃ）刊行物発明の「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」が外部と電気的に接続される端子に接続されるものであることは明らかであり、また、刊行物発明の「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」は、「シリコン集積回路チップ」を介して外部に電気的に接続されることは明らかであるから、刊行物発明の「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」は、補正発明１の「上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される」「外部導出端子」に相当する。　
　（ｄ）刊行物発明の「受光素子」、「該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタ」及び「前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップ」からなる「イメージセンサ」が、光集積回路装置であることは明らかであるから、刊行物発明の「イメージセンサ」は、補正発明１の「光集積回路装置」に相当する。
　　
　よって、補正発明１と刊行物発明とは、
　「受光部と、回路部とが形成され、
　上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される外部導出端子と、
　を備えたことを特徴とする光集積回路装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。　　
　
　相違点１
　補正発明１は、「受光部と、回路部とが、共通の半導体チップに形成され」たものであるのに対して、
　刊行物発明は、「受光素子と該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタが形成された基板と、前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップで構成されたイメージセンサ」である点。
　相違点２
　補正発明１は、「該回路部上には遮光膜が被覆され」ているのに対して、
　刊行物発明は、「前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップ」が遮光膜に被覆されていない点。
　相違点３
　補正発明１は、「上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「外部に接続される入出力信号線がすべて上記シリコン集積回路チップを経由もしくは接続されて、取り出されるとともに、　前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線の内、前記ＶＢ及びＶＲにそれぞれクランプダイオードが接続されていること」との構成を備えている点。
　相違点４
　補正発明１は、「上記回路部より導出され、外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有し、　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略した」との構成を備えているのに対して、
　刊行物発明は、上記構成を備えていない点。
　
　以下で、各相違点について検討する。
　［相違点１について］
　（ａ）光集積回路装置において、「受光部」と「回路部」とを同一の半導体チップ上に形成することは、例えば、特開昭６１−６１４５７号公報（「本発明による光センサは、光電変換素子とその出力を増幅する増幅器とを一体形成する」（第２頁右上欄第７〜８行））、特開昭６３−１１６４５８号公報（「同一半導体チップにフォトセンサと信号処理回路が形成され」（特許請求の範囲第１項））、特開昭６４−６９０５９号公報（「本発明の集積化受光装置は、半導体基板の一主表面上に、半導体受光素子及び半導体集積回路素子が形成され」（第２頁右上欄第１６〜１８行））、特開平１−２０５４６２号公報（「本発明の半導体素子は受光部と回路部を１チップに集積化した半導体素子に適用するものであり」（第２頁左上欄第１０〜１１行））及び、特開昭６３−１３３６８号公報（「集積化技術の進歩により、半導体センサ部と、その信号処理回路部とを同一基板上に形成することが可能となり」（第１頁右上欄第１〜３行））に記載されるように、従来周知の技術的事項である。
　（ｂ）刊行物発明においては、受光素子を「水素化非晶質シリコン」に形成するために、受光素子を形成する基板として「ガラス基板」を用いているが、受光素子として、従来周知の、半導体基板に形成した半導体受光素子を用いることは、当業者が必要に応じて適宜なしうるものである。
　（ｃ）受光素子として、半導体基板に形成した半導体受光素子を用いる場合には、受光素子と、補正発明１の「回路部」に相当する「シリコン集積回路チップ」とを、上記（ａ）で検討したように、同一基板に形成することがより合理的であり、格別の事情がない限り、受光素子と「シリコン集積回路チップ」とを別の基板に形成する必要性はないから、受光素子として、従来周知の半導体受光素子を用いることにより、補正発明１の如く、「受光部と、回路部と」を「共通の半導体チップに形成」することは、当業者が容易になしえたものである。
　（ｄ）また、刊行物発明の「シリコン集積回路チップ」は、「前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップ」とその機能が限定されているのに対して、補正発明１においては、「回路部」が「受光部」と回路的にどのような関係にあるか明らかではないが、刊行物発明の「シリコン集積回路チップ」について回路的にどのような機能をもたせるかは、光集積回路装置の全体的機能との関連で、当業者が適宜設定しえるものである。
　［相違点２について］
　刊行物２に「この様な拡散抵抗３は、図５に示すとおり、見かけ上のフォトトランジスタ（寄生フォトトランジスタ）となる。上述したとおり、アルミ膜５でこの拡散抵抗３領域が、フォトトランジスタ動作しないように、この領域を遮光するのが通常である・・・図４内のＢ部のようにすき間があき、このすき間から露出する拡散抵抗３表面に光が照射されると、フォトトランジスタとして動作してしまう」（０００４段落）との問題点を解決するために、「単結晶島１７ａ表面及び拡散抵抗１３表面上に遮光膜２１ｂを設ける」（００１０段落）ことが記載されているから、刊行物発明においても、遮光すべき部分を「遮光膜」により覆うことは、当業者が容易になしえたものである。
　［相違点３について］　
　（ａ）刊行物発明においては、「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」は、「上記シリコン集積回路チップを経由もしくは接続されて、取り出され」、「外部に接続される入出力信号線」であって、前記「ＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」は、補正発明１の「上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される」「電源端子」「となる外部導出端子」に相当し、また、刊行物発明においても、補正発明１の「外部と電気的に接続される」「出力端子と、接地端子となる外部導出端子」が動作上必須であることは明らかであるから、刊行物発明においても、前記「出力端子と、接地端子となる外部導出端子」を実質的に備えることは明らかである。
　（ｂ）刊行物発明においては、「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線の内、前記ＶＢ及びＶＲにそれぞれクランプダイオードが接続されていること」との構成を備えているが、前記クランプダイオードは「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」の保護のために接続されているのであるから、保護することが必要でなければ、前記クランプダイオードを設置しないことは、当業者が必要に応じて適宜なしえたものである。
　（ｃ）したがって、相違点３は、当業者が容易になしえたものである。
　［相違点４について］
　（ａ）刊行物発明は、「外部と電気的に接続されることのない内部端子」を備えていないが、受光素子を備えた光集積回路装置において、「外部と電気的に接続されることのない内部端子」を備えることは、例えば、特開昭６３−１３３６８号公報（「測定用端子１２はウェハー状態でのチェックのみに使用」する（第３頁右上欄第８〜９行）、「測定用端子１２」は電源端子、出力端子、接地端子以外の端子である。「本発明による光センサ装置は上記測定用端子１２をフォトダイオード１の一方の端子９とオペアンプ２の入力端子１０との間に設けたことを特徴とする。　上記光センサ装置において、フォトダイオード１に入る光を遮断し、測定用端子１２にフォトダイオード１からオペアンプ２へ入力される電気信号と同レベルの電気信号を入力すると、オペアンプ２のみの電気的特性を評価することができる。・・・測定用端子１２は、第２図に示すように半導体チップ１３上のフォトダイオード部１４と信号処理回路部１５との配線部に接続され・・・る。」第３頁左上欄第１〜１８行）及び第２図）、特開平４−１８０３７４号公報（第３図の「断線チェック用パッド」（１９，２２）、「第３図において・・・１９は外部から横方向のバスライン１２の断線をチェックするためのパッド・・・２２は外部から縦方向のバスライン１５の断線をチェックするためのパッド」（第５頁右上欄第１３行〜同頁左下欄第１行））に記載されるように従来周知である。
　（ｂ）補正発明１において、「該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略した」ことは、「該内部端子に対する」「一部の保護ダイオードの接続を省略した」場合、及び「該内部端子に対する」全ての「保護ダイオードの接続を省略した」場合を包含しているから、補正発明１には、「該内部端子に対して」「保護ダイオード」を全く接続しない、言い換えると、「内部端子」を備えるのみであって、「該内部端子に対して」「保護ダイオード」を設置しない構成も含まれている。　
　（ｃ）また、端子を過電圧等から保護する必要性がない場合には、端子に「保護ダイオード」を接続しないことは技術常識である。　
　（ｄ）したがって、刊行物発明において、単に、従来周知の「外部と電気的に接続されることのない内部端子」を設置することは、当業者が容易になしえたものである。
　
　したがって、補正発明１は、刊行物１及び２に記載される発明並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　
　（２−３）むすび
　したがって、補正事項２−２についての補正を含む補正事項２についての補正を包含する本件補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しないから、特許法第１７条の２第４項に規定された要件を満たさず、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第３項及び第４項第２号に規定する要件を満たすとしても、補正後の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではなく、補正事項１についての補正を含む本件補正は、特許法１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１６年５月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、願書に最初に添付された明細書又は図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。　　　
　「受光部と、　回路部とを有し、　該回路部上には遮光膜が被覆され、
　上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子と、
　外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有し、
　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略したことを特徴とする光集積回路装置。」
　　
第４　刊行物に記載された発明
　「刊行物１．特開昭６４−５１７２号公報」及び「刊行物２．　特開平６−１０４４７６号公報」には、上記「第２　４．（２−１）刊行物に記載された発明」に記載されたとおりの事項が記載されており、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　　
　「受光素子と該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタが形成された基板と、前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップで構成されたイメージセンサに於て、外部に接続される入出力信号線がすべて上記シリコン集積回路チップを経由もしくは接続されて、取り出されるとともに、前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線の内、前記ＶＢ及びＶＲにそれぞれクランプダイオードが接続されていることを特徴とするイメージセンサ。」
　
第５　対比・判断
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比・検討する。
　（ａ）「受光素子」から他の領域（回路等）へ信号を伝達するためには、「転送する薄膜トランジスタ」等の回路要素が必要であることは明らかであるから、刊行物の「受光素子と該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタ」は、本願発明の「受光部」に相当する。
　（ｂ）刊行物発明の「信号を処理するシリコン集積回路チップ」が回路であることは明らかであるから、刊行物発明の「信号を処理するシリコン集積回路チップ」は、本願発明の「回路部」に相当する。
　（ｃ）刊行物発明の「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」が外部と電気的に接続される端子に接続されたものであることは明らかであり、また、刊行物発明の「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」は、「シリコン集積回路チップ」を介して外部に電気的に接続されることは明らかであるから、刊行物発明の「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」は、本願発明の「上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される」「外部導出端子」に相当する。　
　（ｄ）刊行物発明の「受光素子」、「該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタ」及び「前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップ」からなる「イメージセンサ」が、光集積回路装置であることは明らかであるから、刊行物発明の「イメージセンサ」は、本願発明の「光集積回路装置」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
　「受光部と、回路部とを有し、
　上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される外部導出端子と、
　を備えたことを特徴とする光集積回路装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。　　
　
　相違点１
　本願発明は、「受光部と、回路部とを有」するものであるのに対して、
　刊行物発明は、「受光素子と該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタが形成された基板と、前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップで構成されたイメージセンサ」である点。
　相違点２
　本願発明は、「該回路部上には遮光膜が被覆され」ているのに対して、
　刊行物発明は、「前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップ」が遮光膜に被覆されていない点。
　相違点３
　本願発明は、「外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子となる外部導出端子」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「外部に接続される入出力信号線がすべて上記シリコン集積回路チップを経由もしくは接続されて、取り出されるとともに、　前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線の内、前記ＶＢ及びＶＲにそれぞれクランプダイオードが接続されていること」との構成を備えている点。
　相違点４
　本願発明は、「外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有し、　該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略した」との構成を備えているのに対して、
　刊行物発明は、上記構成を備えていない点。
　
　以下で、各相違点について検討する。
　［相違点１について］
　（ａ）本願発明においても、「回路部」を何らかの基板に形成することは明らかであるから、刊行物発明が「受光素子と該受光素子の出力を転送する薄膜トランジスタが形成された基板」を備えることは、実質的な相違点ではない。
　（ｂ）刊行物発明の「シリコン集積回路チップ」は、「前記薄膜トランジスタを駆動し、信号を処理するシリコン集積回路チップ」とその機能が限定されているのに対して、本願発明においては、「回路部」が「受光部」と回路的にどのような関係にあるか明らかではないが、刊行物発明の「シリコン集積回路チップ」について回路的にどのような機能をもたせるかは、光集積回路装置の全体的機能との関連で、当業者が適宜設定しえるものである。
　［相違点２について］
　刊行物２に「この様な拡散抵抗３は、図５に示すとおり、見かけ上のフォトトランジスタ（寄生フォトトランジスタ）となる。上述したとおり、アルミ膜５でこの拡散抵抗３領域が、フォトトランジスタ動作しないように、この領域を遮光するのが通常である・・・図４内のＢ部のようにすき間があき、このすき間から露出する拡散抵抗３表面に光が照射されると、フォトトランジスタとして動作してしまう」（０００４段落）との問題点を解決するために、「単結晶島１７ａ表面及び拡散抵抗１３表面上に遮光膜２１ｂを設ける」（００１０段落）ことが記載されているから、刊行物発明においても、遮光すべき部分を「遮光膜」により覆うことは、当業者が容易になしえたものである。
　［相違点３について］　　
　（ａ）刊行物発明においては、「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」は、「上記シリコン集積回路チップを経由もしくは接続されて、取り出され」、「外部に接続される入出力信号線」であって、前記「ＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」は、本願発明の「上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続される」「電源端子」「となる外部導出端子」に相当し、また、刊行物発明においても、本願発明の「外部と電気的に接続される」「出力端子と、接地端子となる外部導出端子」が動作上必須であることは明らかであるから、刊行物発明においても、前記「出力端子と、接地端子となる外部導出端子」を実質的に備えることは明らかである。
　（ｂ）刊行物発明においては、「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線の内、前記ＶＢ及びＶＲにそれぞれクランプダイオードが接続されていること」との構成を備えているが、前記クランプダイオードは「前記イメージセンサのセンサ基板のＶＲ、ＶＳ、ＶＢを含むバイアス線」の保護のために接続されているのであるから、保護することが必要でなければ、前記クランプダイオードを設置しないことは、当業者が必要に応じて適宜なしえたものである。
　（ｃ）したがって、相違点３は、当業者が容易になしえたものである。
　［相違点４について］
　（ａ）刊行物発明は、「外部と電気的に接続されることのない内部端子」を備えていないが、受光素子を備えた光集積回路装置において、「外部と電気的に接続されることのない内部端子」を備えることは、例えば、特開昭６３−１３３６８号公報（「測定用端子１２はウェハー状態でのチェックのみに使用」する（第３頁右上欄第８〜９行）、「測定用端子１２」は電源端子、出力端子、接地端子以外の端子である。「本発明による光センサ装置は上記測定用端子１２をフォトダイオード１の一方の端子９とオペアンプ２の入力端子１０との間に設けたことを特徴とする。　上記光センサ装置において、フォトダイオード１に入る光を遮断し、測定用端子１２にフォトダイオード１からオペアンプ２へ入力される電気信号と同レベルの電気信号を入力すると、オペアンプ２のみの電気的特性を評価することができる。・・・測定用端子１２は、第２図に示すように半導体チップ１３上のフォトダイオード部１４と信号処理回路部１５との配線部に接続され・・・る。」第３頁左上欄第１〜１８行）及び第２図）、特開平４−１８０３７４号公報（第３図の「断線チェック用パッド」（１９，２２）、「第３図において・・・１９は外部から横方向のバスライン１２の断線をチェックするためのパッド・・・２２は外部から縦方向のバスライン１５の断線をチェックするためのパッド」（第５頁右上欄第１３行〜同頁左下欄第１行））に記載されるように従来周知である。
　（ｂ）本願発明において、「該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略した」ことは、「該内部端子に対する」「一部の保護ダイオードの接続を省略した」場合、及び「該内部端子に対する」全ての「保護ダイオードの接続を省略した」場合を包含しているから、本願発明には、「該内部端子に対して」「保護ダイオード」を全く接続しない、言い換えると、「内部端子」を備えるのみであって、「該内部端子に対して」「保護ダイオード」を設置しない構成も含まれている。　
　（ｃ）また、端子を過電圧等から保護する必要性がない場合には、端子に「保護ダイオード」を接続しないことは技術常識である。　
　（ｄ）したがって、刊行物発明において、単に、従来周知の「外部と電気的に接続されることのない内部端子」を設置することは、当業者が容易になしえたものである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び２に記載される発明並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。