【事件の表示】
　特願２００２−　９３９１４「高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列／並列ＬＥＤアレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月１３日出願公開、特開２００２−３５９４０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１４年３月２９日（パリ条約による優先権主張２００１（平成１３）年３月２９日、米国）の出願であって、平成２０年４月２２日付けで手続補正がなされたが、同年６月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月８日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年９月８日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２０年９月８日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正の内容 
　平成２０年９月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を以下のとおりの請求項１に補正することを含むものである。
「高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイであって、
　前記基層の第１部分の上に形成された第１ｎ型層と、該第１ｎ型層の上に形成された第１活性領域と、該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層と、前記第１ｎ型層に接続された第１ｎ型コンタクトと、前記第１ｐ型層に接続された第１ｐ型コンタクトと、を備えた第１発光デバイスであって、前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第１発光デバイスと、
　前記基層の第２部分の上に形成された第２ｎ型層と、該第２ｎ型層の上に形成された第２活性領域と、該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層と、前記第２ｎ型層に接続された第２ｎ型コンタクトと、前記第２ｐ型層に接続された第２ｐ型コンタクトと、を備えた第２発光デバイスであって、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第２発光デバイスと、
　前記第１発光デバイスと前記第２発光デバイスとを分離するトレンチと、
　前記第１ｎ型層と前記第１ｐ型層とを電気的に分離する誘電体層と、
　前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトのうちの一方を、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトのうちの一方に接続する、第１内部コネクトと、
を具備し、
　前記第１内部コネクトが、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌＳｉＣｕにより形成されることにより、前記第１活性領域により発せられた光を吸収する性質を有するものであり、
　前記誘電体層及び前記第１内部コネクトの両方が、前記トレンチの内部に延びており、
　前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１内部コネクトにより覆われないことにより前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域が、前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を吸収する前記第１内部コネクトにより覆われる領域よりも大きくなるように、前記第１内部コネクトが設けられている、ことを特徴とするアレイ。」
　
２．補正の目的
　請求項１に係る上記補正は、補正前の請求項１の「第１内部コネクト」を「Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌＳｉＣｕにより形成されることにより、前記第１活性領域により発せられた光を吸収する性質を有するもの」に限定するとともに、補正前の請求項１の「前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域」が「前記第１内部コネクトにより覆われないことに」よるものと限定したものであるので、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
３．独立特許要件
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
（１）引用例
　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１５０３０３号公報（以下「引用例１」という。）には下記の記載がある。
　
ア「【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１８】図１および図２を参照して、この発明の実施の形態の発光部品１０は、たとえばサファイア基板等などの絶縁性基板１２を含み、絶縁性基板１２上に４個のＧａＮ（少なくともＧａ、Ｎを含む半導体）系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄが形成されるものである。
【００１９】すなわち、絶縁性基板１２上には、各ＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄに対応して、層厚３．０μｍの電極設置層となるｎ型ＧａＮ層（Ｓｉドープ）１６、層厚０．１μｍの発光層１８、および層厚０．５μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層（Ｍｇドープ）２０が、この順序で形成される。
【００２０】また、各ｐ型ＧａＮコンタクト層２０上にはｐ型側電極である透光性電極２２が面状に形成され、各ｎ型ＧａＮ層１６上の一端縁近傍かつ幅方向にはｎ型側電極２４が形成される。図１からよくわかるように、透光性電極２２とｎ型側電極２４とは平行に形成される。
【００２１】そして、絶縁性基板１２上の各部材は保護膜２６によって覆われ、隣接するＧａＮ系発光ダイオード間の透光性電極２２とｎ型側電極２４とは所定の幅Ｗ１を有する内部配線２８によって直列接続される。このとき、内部配線２８の一端は透光性電極２２上の一端縁近傍かつ幅方向に延びて形成される。したがって、１つのＧａＮ系発光ダイオードに関していえば、内部配線２８と透光性電極２２との接続箇所は、ｎ型側電極２４の形成箇所とは反対側の端縁近傍となる。なお、図１からわかるように、内部配線２８の幅Ｗ１の寸法は、たとえば、透光性電極２２の幅Ｗ２よりやや小さくかつｎ型側電極２４の長さＬよりやや大きくなるように設定される。
【００２２】さらに、両端の透光性電極２２およびｎ型側電極２４には、それぞれ外部の部品と接続するためのパッド電極３０が接続される。パッド電極３０も内部電極２８と同様に形成される。
【００２３】このように、内部配線２８を介して透光性電極２２とｎ型側電極２４とを接続することによって、４個のＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄを直列接続した発光部品１０が得られる。発光部品１０の等価回路が図３に示される。」
　
イ「【００２４】このような発光部品１０の製造方法の一例を、図４を参照して説明する。
【００２５】まず、図４（ａ）に示すように、絶縁性基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１６、発光層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層２０をＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）によってこの順序でエピタキシャル成長させ、膜厚３．０μｍ、ＮD＝１０18ｃｍ-3のｎ型ＧａＮ層１６、膜厚０．１μｍの発光層１８、および膜厚０．５μｍ、ＮA＝１０17ｃｍ-3のｐ型ＧａＮコンタクト層２０が形成される。
【００２６】ついで、図４（ｂ）に示すように、Ｎｉマスクによるフォトリソグラフィーおよび塩素ガスを０．５Ｐａの圧力で供給するドライエッチング法によって、絶縁性基板１２上のｐ型ＧａＮコンタクト層２０、発光層１８およびｎ型ＧａＮ層１６がエッチング除去され、メサ２１が形成される。このときのエッチングの深さは０．８μｍである。
【００２７】さらに、図４（ｃ）に示すように、Ｎｉマスクによるフォトリソグラフィーおよび塩素ガスを０．５Ｐａの圧力で供給するドライエッチング法によって、絶縁性基板１２上のｎ型ＧａＮ層１６がエッチング除去され、絶縁性基板１２が露出するように凹部３２が形成される。これによって、エッチングの深さは３．６μｍとなり、ＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄを構成する層がそれぞれ分離される。
【００２８】つづいて、図４（ｄ）に示すように、２×１０-6ｔｏｒｒの圧力による電子ビーム蒸着によって、ｐ型ＧａＮコンタクト層２０上面全体に、膜厚２ｎｍのＮｉ膜および膜厚４ｎｍのＡｕ膜がこの順序で成膜され、フォトリソグラフィーによって面状の透光性電極２２が形成される。また、２×１０-6ｔｏｒｒの圧力による電子ビーム蒸着によって、ｎ型ＧａＮ層１６上に、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜および膜厚５００ｎｍのＡｌ膜がこの順序で成膜され、フォトリソグラフィーによってｎ型ＧａＮ層１６上の一端縁近傍かつ幅方向に延びたｎ型側電極２４が形成される。ｎ型側電極２４はＧａＮ系発光ダイオードのカソード電極に相当する。
【００２９】その後、図４（ｅ）に示すように、図４（ｄ）で形成されたチップの上面全体に膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2からなる保護膜２６が電子ビーム蒸着によって形成される。
【００３０】その後、透光性電極２２およびｎ型側電極２４のそれぞれの上面の一部が露出するように、フォトリソグラフィーによって保護膜２６がエッチング除去されて開口される。このとき、１つのＧａＮ系発光ダイオードに関していえば、透光性電極２２上の開口はｎ型側電極２４の形成箇所とは反対側の端縁近傍かつ幅方向に延びて形成される。また、ｎ型側電極２４の開口も幅方向に延びて形成される。
【００３１】そして、図４（ｆ）に示すように、２×１０-6ｔｏｒｒの圧力による電子ビーム蒸着によって、保護膜２６の上面全体に膜厚１００ｎｍのＮｉ膜および膜厚７００ｎｍのＡｕ膜がこの順序で成膜され、フォトリソグラフィーによって内部配線２８が形成される。したがって、１つのＧａＮ系発光ダイオードに関していえば、透光性電極２２に接続される内部配線２８およびｎ型側電極２４に接続される内部配線２８は、ＧａＮ系発光ダイオードの両端からそれぞれ反対方向に引き出されることになる。なお、図４（ｆ）には図示しないが、パッド電極３０も同様にして同時に形成される。内部配線２８およびパッド電極３０のうち、透光性電極２２と接続される一端部が、ＧａＮ系発光ダイオードのアノード電極に相当する。
【００３２】このようにして、４個のＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄが直列接続された発光部品１０が形成される。」
　　
ウ　図２及び図４から、隣接するＧａＮ系発光ダイオード間を分離する凹部３２を覆う保護膜２６上に内部配線２８が形成されることが見てとれる。
　
エ　図１及び図５から、透光性電極２２上の、内部配線２８が接続される一端縁近傍かつ幅方向に延びる領域はそれ以外の領域よりも小さいことが見てとれる。
　
オ　上記アないしエから、引用例には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「絶縁性基板１２上に４個のＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄを直列接続した発光部品１０であって、
　絶縁性基板１２上には、各ＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄに対応して、電極設置層となるｎ型ＧａＮ層（Ｓｉドープ）１６、発光層１８、およびｐ型ＧａＮコンタクト層（Ｍｇドープ）２０が、この順序で形成され、４個のＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄを構成する層は、絶縁性基板１２が露出するように形成された凹部３２によりそれぞれ分離され、各ｐ型ＧａＮコンタクト層２０上にはｐ型側電極である透光性電極２２が面状に形成され、各ｎ型ＧａＮ層１６上の一端縁近傍かつ幅方向にはｎ型側電極２４が形成され、上面全体は、透光性電極２２およびｎ型側電極２４のそれぞれの上面の一部が露出するように開口されＳｉＯ2からなる保護膜２６によって覆われており、隣接するＧａＮ系発光ダイオード間の透光性電極２２とｎ型側電極２４とは、該隣接するＧａＮ系発光ダイオード間を分離する凹部３２を覆う保護膜２６上に、膜厚１００ｎｍのＮｉ膜および膜厚７００ｎｍのＡｕ膜をこの順序で成膜して形成した内部配線２８によって直列接続され、透光性電極２２上の、内部配線２８が接続される一端縁近傍かつ幅方向に延びる領域はそれ以外の領域よりも小さい発光部品１０。」
　
　
（２）対比
ア　引用発明１の「絶縁性基板１２」は、本願補正発明の「高抵抗性基層」に相当し、引用発明１の「絶縁性基板１２上に４個のＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄを直列接続した発光部品１０」は、本願補正発明の「高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイ」に相当する。
　
イ　引用発明１の「絶縁性基板１２上」に「各ＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄに対応して」順に形成される、「電極設置層となるｎ型ＧａＮ層（Ｓｉドープ）１６」、「発光層１８」、「ｐ型ＧａＮコンタクト層（Ｍｇドープ）２０」、「ｐ型側電極である透光性電極２２」及び「ｎ型側電極２４」は、それぞれ本願補正発明の、「前記基層の第１部分の上に形成された第１ｎ型層」ないし「前記基層の第２部分の上に形成された第２ｎ型層」、「該第１ｎ型層の上に形成された第１活性領域」ないし「該第２ｎ型層の上に形成された第２活性領域」、「該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層」ないし「該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層」、「前記第１ｐ型層に接続された第１ｐ型コンタクト」ないし「前記第２ｐ型層に接続された第２ｐ型コンタクト」及び「前記第１ｎ型層に接続された第１ｎ型コンタクト」ないし「前記第２ｎ型層に接続された第２ｎ型コンタクト」に相当する。
　
ウ　上記イのとおりであるから、引用発明１の「各ＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄ」は、本願補正発明の、「前記基層の第１部分の上に形成された第１ｎ型層と、該第１ｎ型層の上に形成された第１活性領域と、該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層と、前記第１ｎ型層に接続された第１ｎ型コンタクトと、前記第１ｐ型層に接続された第１ｐ型コンタクトと、を備えた第１発光デバイスであって、前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第１発光デバイス」ないし「前記基層の第２部分の上に形成された第２ｎ型層と、該第２ｎ型層の上に形成された第２活性領域と、該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層と、前記第２ｎ型層に接続された第２ｎ型コンタクトと、前記第２ｐ型層に接続された第２ｐ型コンタクトと、を備えた第２発光デバイスであって、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第２発光デバイス」に相当する。
　
エ　引用発明１の「絶縁性基板１２が露出するように形成された凹部３２」は、「４個のＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄを構成する層をそれぞれ分離するものであるので、本願補正発明の「前記第１発光デバイスと前記第２発光デバイスとを分離するトレンチ」に相当する。
　
オ　引用発明１の「ＳｉＯ2からなる保護膜２６」は、透光性電極２２およびｎ型側電極２４のそれぞれの上面の一部が露出するように開口され、各ＧａＮ系発光ダイオード１４ａ〜１４ｄの上面全体を覆うものであるので、本願補正発明の「前記第１ｎ型層と前記第１ｐ型層とを電気的に分離する誘電体層」に相当する。
　
カ　引用発明１の「内部配線２８」は、隣接するＧａＮ系発光ダイオード間の透光性電極２２とｎ型側電極２４とを直列接続するものであるので、本願補正発明の「前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトのうちの一方を、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトのうちの一方に接続する、第１内部コネクト」に相当する。
　
キ　引用発明１において、隣接するＧａＮ系発光ダイオード間の透光性電極２２とｎ型側電極２４とを直列接続する内部配線２８をその上に形成するＳｉＯ2からなる保護膜２６は、隣接するＧａＮ系発光ダイオード間を分離する凹部３２を覆うものであるので、引用発明１は、本願補正発明の「前記誘電体層及び前記第１内部コネクトの両方が、前記トレンチの内部に延びており」との構成を具備する。
　
ク　引用発明１の「透光性電極２２上の、内部配線２８が接続される一端縁近傍かつ幅方向に延びる領域以外の領域」は、本願補正発明の「前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１内部コネクトにより覆われないことにより前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域」に相当するので、引用発明１と本願補正発明とは、「前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１内部コネクトにより覆われないことにより前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域が、前記第１内部コネクトにより覆われる領域よりも大きくなるように、前記第１内部コネクトが設けられている」点において一致する。
　
ケ　上記アないしクから、本願補正発明と引用発明１とは、
「高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイであって、
　前記基層の第１部分の上に形成された第１ｎ型層と、該第１ｎ型層の上に形成された第１活性領域と、該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層と、前記第１ｎ型層に接続された第１ｎ型コンタクトと、前記第１ｐ型層に接続された第１ｐ型コンタクトと、を備えた第１発光デバイスであって、前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第１発光デバイスと、
　前記基層の第２部分の上に形成された第２ｎ型層と、該第２ｎ型層の上に形成された第２活性領域と、該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層と、前記第２ｎ型層に接続された第２ｎ型コンタクトと、前記第２ｐ型層に接続された第２ｐ型コンタクトと、を備えた第２発光デバイスであって、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第２発光デバイスと、
　前記第１発光デバイスと前記第２発光デバイスとを分離するトレンチと、
　前記第１ｎ型層と前記第１ｐ型層とを電気的に分離する誘電体層と、
　前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトのうちの一方を、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトのうちの一方に接続する、第１内部コネクトと、
を具備し、
　前記誘電体層及び前記第１内部コネクトの両方が、前記トレンチの内部に延びており、
　前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１内部コネクトにより覆われないことにより前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域が、前記第１内部コネクトにより覆われる領域よりも大きくなるように、前記第１内部コネクトが設けられているアレイ」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：
　本願補正発明は、「第１内部コネクト」が「Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌＳｉＣｕにより形成されることにより、前記第１活性領域により発せられた光を吸収する性質を有するもの」であるのに対して、引用発明１の「内部配線２８」がそのようなものであるのかが不明である点。
　
　
（３）判断
　はじめに、本願補正発明における、「第１内部コネクトがＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌＳｉＣｕにより形成されることにより、前記第１活性領域により発せられた光を吸収する性質を有するもの」とした構成の技術的意義について検討する。
　本願明細書において、上記の構成に関連する唯一の記載として、段落【０００９】に以下の記載がある。
「この後、デバイス上における個別ＬＥＤを接続するための内部コネクト（interconnect）３４を堆積させる。内部コネクト３４については、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、または、ＡｌＳｉＣｕのような合金とすることができる。ｐ型およびｎ型コンタクト３２は、半導体層に対するオーミックコンタクトを形成するように最適化された材料であるが、内部コネクト３４は、厚い材料であり、かつ、電流を伝えるように最適化された高伝導性の材料である。透明なコンタクトを介してデバイスから光が抽出されるのであれば、内部コネクトに吸収される光の量を最小化すべくできるだけコンタクトの障害とならないように、内部コネクトを堆積させる。」
　この記載からみて、本願補正発明の上記構成は、「第１内部コネクト」を「Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、または、ＡｌＳｉＣｕのような合金とする」こと以上の構成を特定するものではなく、「第１内部コネクト」が「前記第１活性領域により発せられた光を吸収する性質を有するもの」である点は、請求人が審判請求書の（３−３）で説明しているように、「Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ及びＡｌＳｉＣｕが、光を吸収する性質を有する」という、当業者にとって自明な事項を発明の特定事項にしたものにすぎないものと認められる。
　しかるところ、電流を伝える材料として「Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌＳｉＣｕ」は周知のものであることから、引用発明１の「内部配線２８」をこの周知の「Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌＳｉＣｕにより形成し」、結果、引用発明１を本願補正発明の上記相違点に係る構成とすることは、当業者が適宜なし得た設計上の事項にすぎない。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２０年９月８日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願発明は、平成２０年４月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。 
「【請求項１】　高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイであって、
　前記基層の第１部分の上に形成された第１ｎ型層と、該第１ｎ型層の上に形成された第１活性領域と、該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層と、前記第１ｎ型層に接続された第１ｎ型コンタクトと、前記第１ｐ型層に接続された第１ｐ型コンタクトと、を備えた第１発光デバイスであって、前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第１発光デバイスと、
　前記基層の第２部分の上に形成された第２ｎ型層と、該第２ｎ型層の上に形成された第２活性領域と、該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層と、前記第２ｎ型層に接続された第２ｎ型コンタクトと、前記第２ｐ型層に接続された第２ｐ型コンタクトと、を備えた第２発光デバイスであって、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第２発光デバイスと、
　前記第１発光デバイスと前記第２発光デバイスとを分離するトレンチと、
　前記第１ｎ型層と前記第１ｐ型層とを電気的に分離する誘電体層と、
　前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトのうちの一方を、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトのうちの一方に接続する、第１内部コネクトと、
を具備し、
　前記誘電体層及び前記第１内部コネクトの両方が、前記トレンチの内部に延びており、
　前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域が、前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を吸収する前記第１内部コネクトにより覆われる領域よりも大きくなるように、前記第１内部コネクトが設けられている、
ことを特徴とするアレイ。」（以下、「本願発明」という。） 
　 
　 
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−１０７３１６号公報（以下「引用例２」という。）には下記の記載がある。
　
ア「【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係わるワンチップに形成された発光ダイオード１０の構成を示した模式図であり、図１（ａ）がその平面構成を、図１（ｂ）がチップ拡大図をそれぞれ示している。又、図２が図１（ｂ）におけるＡ−Ａ断面を示し、図３が図１（ｂ）におけるＢ−Ｂ断面を示している。発光ダイオード１０は４つの発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄから成り、同一基板上に一体的に形成され、矩形状にワンチップに形成されている。発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄはそれぞれｎ電極８ａ、８ｂ、８ｃ及び８ｄと、ｐ電極７ａ、７ｂ、７ｃ及び７ｄとを有し、各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄのそれぞれの間には十字状の溝部１１が形成されている。この溝部１１により、各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄのそれぞれの間が電気的に分離されている。又、発光ダイオード１０ｃのｐ電極７ｃと発光ダイオード１０ｄのｎ電極８ｄ、発光ダイオード１０ｄのｐ電極７ｄと発光ダイオード１０ａのｎ電極８ａ、発光ダイオード１０ａのｐ電極７ａと発光ダイオード１０ｂのｎ電極８ｂとがそれぞれｐ電極７ｃ、７ｄ及び７ａの表面パターンにより電気的に直列に接続されている。そして、発光ダイオード１０ｂのｐ電極７ｂｂ及び発光ダイオード１０ｃのｎ電極８ｃが、それぞれワイヤ１２及び１３を用いたワイヤボンディングにより、ステム１７内に配設された図略のリード線と電気的に接続され、そのリード線を介して図略の外部電源に接続されている。
【００１１】次に、発光ダイオード１０の断面構造について図２及び図３を用いて説明する。図２は、発光ダイオード１０ｃ及び１０ｄの断面構造を模式的に示している。発光ダイオード１０ｃ、１０ｄは同一のサファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上に膜厚500 ÅのAl0.1Ga0.83In0.07Nのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、膜厚約2.0 μｍ、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコン（Si) ドープのGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３が形成されている。そして、高キャリア濃度ｎ+ 層３の上の電極８ｃ、８ｄ及びSiO2層１４を形成する部分を除いた領域には、順に、膜厚約2.0 μｍ、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Al0.47Ga0.53)0.9In0.1N から成る高キャリア濃度ｎ+ 層４、膜厚約0.5μｍ、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)及びシリコン(Si)ドープの(Al0.3Ga0.7)0.94In0.1Nから成るｐ伝導型の発光層５、膜厚約1.0 μｍ、ホール濃度5 ×1017/cm3、マグネシウム濃度1×1020/cm3のマグネシウムドープの(Al0.47Ga0.53)0.9In0.1Nから成るｐ層６１、膜厚約0.2 μｍ、ホール濃度5 ×1017/cm3、マグネシウム濃度1 ×1020/cm3のマグネシウムドープのGaN から成る第２コンタクト層６２、膜厚約500 Å、ホール濃度 2×1017/cm3、マグネシウム濃度2 ×1020/cm3のマグネシウムドープのGaN から成る第１コンタクト層６３が形成されている。
【００１２】そして、第１コンタクト層６３に接続する電極７ｃ、７ｄと高キャリア濃度ｎ+ 層３の露出面に接続する電極８ｃ、８ｄが形成されている。電極７ｃ、７ｄは第１コンタクト層６３上に一様に厚さ２０Åに形成されたチタン(Ti)から成る層７１と厚さ６０Åに形成されたニッケル(Ni)から成る層７２とを有しており、この２つの層７１、７２は透明電極として機能する。電極８ｃ、８ｄは、高キャリア濃度ｎ+ 層３に接合する厚さ５００Åのアルミニウム(Al)から成る層８１と厚さ５０００Åのチタン(Ti)から成る層８２と厚さ１．５μｍの金(Au)から成る層８３との３層構造で構成されており、このうち電極８ｃはワイヤ１３がボンディングされるパッドとして機能する。
【００１３】発光ダイオード１０ｃと１０ｄとの間には、サファイア基板１に達するだけの深さを有した溝部１１が形成されており、この溝部１１上と、層３の電極８ｃ、８ｄの形成領域を除いた部分と、層６３の電極７ｃ、７ｄの形成領域を除いた部分にはSiO2層１４が形成されている。発光ダイオード１０ｃの第１コンタクト層６３上に形成された電極７ｃが、同時に溝部１１上を横切って発光ダイオード１０ｄの電極８ｄ上に形成されることで発光ダイオード１０ｃと１０ｄとが電気的に接続されている。このようにして発光ダイオード１０ｃ、１０ｄの断面が構成されている。又、発光ダイオード１０ａの断面も発光ダイオード１０ｃ、１０ｄと同様に構成されており、図示していないが電極７ｄと電極８ａとの接触形成により発光ダイオード１０ｄと１０ａとが電気的に接続され、電極７ａと電極８ｂとの接触形成により発光ダイオード１０ａと１０ｂとが電気的に接続されている。
【００１４】又、発光ダイオード１０ｂの断面構造を図３に示すが、サファイア基板１から層７２までの構成は他の発光ダイオード１０ａ、１０ｃ及び１０ｄと同様の構成である。発光ダイオード１０ｂでは、層７２の上の一部に厚さ１０００Åのニッケル(Ni)から成る層７３と、厚さ１．５μｍの金(Au)から成る層７４とが形成されている。この層７３及び７４により電極７ｂｂが構成され、この電極７ｂｂはワイヤ１２がボンディングされるパッドとして機能する。」
　
イ　上記アから、引用例２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「４つの発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄから成り、同一基板上に一体的に形成され、矩形状にワンチップに形成されている発光ダイオード１０であって、発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄはそれぞれｎ電極８ａ、８ｂ、８ｃ及び８ｄと、ｐ電極７ａ、７ｂ、７ｃ及び７ｄとを有し、各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄのそれぞれの間には十字状の溝部１１が形成され、この溝部１１により、各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄのそれぞれの間が電気的に分離され、又、発光ダイオード１０ｃのｐ電極７ｃと発光ダイオード１０ｄのｎ電極８ｄ、発光ダイオード１０ｄのｐ電極７ｄと発光ダイオード１０ａのｎ電極８ａ、発光ダイオード１０ａのｐ電極７ａと発光ダイオード１０ｂのｎ電極８ｂとがそれぞれｐ電極７ｃ、７ｄ及び７ａの表面パターンにより電気的に直列に接続されており、各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄは同一のサファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上にバッファ層２が形成され、そのバッファ層２の上には、高キャリア濃度ｎ+ 層３が形成され、そして、高キャリア濃度ｎ+ 層３の上の電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ及び各発光ダイオードとの間に形成される、サファイア基板１に達するだけの深さを有した溝部１１を除いた領域に、順に、高ャリア濃度ｎ+ 層４、ｐ伝導型の発光層５、ｐ層６１、第２コンタクト層６２、第１コンタクト層６３が形成され、溝部１１上、高キャリア濃度ｎ+層３上のｎ電極の形成領域を除いた部分及び第１コンタクト層６３のｐ電極の形成領域を除いた部分にはSiO2層１４が形成され、そして、第１コンタクト層６３に接続する電極７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄと高キャリア濃度ｎ+ 層３の露出面に接続する電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄが形成され、電極７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは第１コンタクト層６３上に一様に厚さ２０Åに形成されたチタン(Ti)から成る層７１と厚さ６０Åに形成されたニッケル(Ni)から成る層７２とを有しており、この２つの層７１、７２は透明電極として機能し、電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄは、高キャリア濃度ｎ+ 層３に接合する厚さ５００Åのアルミニウム(Al)から成る層８１と厚さ５０００Åのチタン(Ti)から成る層８２と厚さ１．５μｍの金(Au)から成る層８３との３層構造で構成されており、発光ダイオード１０ｃの第１コンタクト層６３上に形成された電極７ｃが、同時に溝部１１上を横切って発光ダイオード１０ｄの電極８ｄ上に形成されることで発光ダイオード１０ｃと１０ｄとが電気的に接続され、同様に電極７ｄと電極８ａとの接触形成により発光ダイオード１０ｄと１０ａとが電気的に接続され、電極７ａと電極８ｂとの接触形成により発光ダイオード１０ａと１０ｂとが電気的に接続されている、発光ダイオード１０。」
　
　
３．対比
ア　引用発明２の「サファイア基板１」は、本願発明の「高抵抗性基層」に相当し、引用発明２の「４つの発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄから成り、同一基板上に一体的に形成され、矩形状にワンチップに形成されている発光ダイオード１０」は、本願発明の「高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイ」に相当する。
　
イ　引用発明２の「同一のサファイア基板１」上に形成される「各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄ」の、「高キャリア濃度ｎ+ 層３及び高ャリア濃度ｎ+ 層４」及び「ｐ伝導型の発光層５」は、それぞれ本願発明の、「前記基層の第１部分の上に形成された第１ｎ型層」ないし「前記基層の第２部分の上に形成された第２ｎ型層」及び「該第１ｎ型層の上に形成された第１活性領域」ないし「該第２ｎ型層の上に形成された第２活性領域」に相当する。
　
ウ　本願発明の「該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層」ないし「該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層」は、本願明細書の段落【０００５】から、異なる組成およびドーパント濃度を有する数個のサブ層を含みうるものであるので、引用発明２の「ｐ層６１、第２コンタクト層６２及び、第１コンタクト層６３」は、本願発明の、「該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層」ないし「該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層」に相当する。
　
エ　引用発明２の「ｐ電極」及び「ｎ電極」は、それぞれ本願発明の「前記第１ｐ型層に接続された第１ｐ型コンタクト」ないし「前記第２ｐ型層に接続された第２ｐ型コンタクト」及び「前記第１ｎ型層に接続された第１ｎ型コンタクト」ないし「前記第２ｎ型層に接続された第２ｎ型コンタクト」に相当する。
　
オ　上記アないしエから、引用発明２の「４つの発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄ」のうちの電気的に接続された２つの発光ダイオードは、本願発明の、「前記基層の第１部分の上に形成された第１ｎ型層と、該第１ｎ型層の上に形成された第１活性領域と、該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層と、前記第１ｎ型層に接続された第１ｎ型コンタクトと、前記第１ｐ型層に接続された第１ｐ型コンタクトと、を備えた第１発光デバイスであって、前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第１発光デバイス」と「前記基層の第２部分の上に形成された第２ｎ型層と、該第２ｎ型層の上に形成された第２活性領域と、該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層と、前記第２ｎ型層に接続された第２ｎ型コンタクトと、前記第２ｐ型層に接続された第２ｐ型コンタクトと、を備えた第２発光デバイスであって、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第２発光デバイス」とに相当する。
　
カ　引用発明２の「各発光ダイオード１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄのそれぞれの間を電気的に分離する溝部１１」は、本願発明の「前記第１発光デバイスと前記第２発光デバイスとを分離するトレンチ」に相当する。
　
キ　引用発明２の「SiO2層１４」は、「高キャリア濃度ｎ+層３上のｎ電極の形成領域を除いた部分及び第１コンタクト層６３のｐ電極の形成領域を除いた部分に形成」されるものであるので、本願発明の「前記第１ｎ型層と前記第１ｐ型層とを電気的に分離する誘電体層」に相当する。
　
ク　引用発明２は、第１コンタクト層６３上に形成されたｐ電極が、溝部１１上を横切って隣接する発光ダイオードのｎ電極上に形成されることで隣接する発光ダイオードを電気的に接続するものであるので、引用発明２と本願発明とは、「前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトのうちの一方を、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトのうちの一方に接続する」点で一致する。
　
ケ　引用発明２において、溝部１１上にはSiO2層１４が形成されるので、引用発明２と、本願発明とは「前記誘電体層が、前記トレンチの内部に延びている」点で一致する。
　
コ　引用発明２において、電極７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは第１コンタクト層６３上に一様に厚さ２０Åに形成されたチタン(Ti)から成る層７１と厚さ６０Åに形成されたニッケル(Ni)から成る層７２とを有しており、この２つの層７１、７２は透明電極として機能するので、引用発明２と、本願発明とは、「前記第１発光デバイスの上部表面に前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域が設けられている」点で一致する。
　
サ　上記アないしコから、本願発明と引用発明２とは、
「　高抵抗性基層の上に形成された発光デバイスアレイであって、
　前記基層の第１部分の上に形成された第１ｎ型層と、該第１ｎ型層の上に形成された第１活性領域と、該第１活性領域の上に形成された第１ｐ型層と、前記第１ｎ型層に接続された第１ｎ型コンタクトと、前記第１ｐ型層に接続された第１ｐ型コンタクトと、を備えた第１発光デバイスであって、前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第１発光デバイスと、
　前記基層の第２部分の上に形成された第２ｎ型層と、該第２ｎ型層の上に形成された第２活性領域と、該第２活性領域の上に形成された第２ｐ型層と、前記第２ｎ型層に接続された第２ｎ型コンタクトと、前記第２ｐ型層に接続された第２ｐ型コンタクトと、を備えた第２発光デバイスであって、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトが該デバイスの同一面に形成される第２発光デバイスと、
　前記第１発光デバイスと前記第２発光デバイスとを分離するトレンチと、
　前記第１ｎ型層と前記第１ｐ型層とを電気的に分離する誘電体層と、
を具備し、
　前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトのうちの一方を、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトのうちの一方に接続し、
　前記誘電体層は、前記トレンチの内部に延び、
　前記第１発光デバイスの上部表面に前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域が設けられているアレイ。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明は、「前記第１ｎ型コンタクトおよび前記第１ｐ型コンタクトのうちの一方を、前記第２ｎ型コンタクトおよび前記第２ｐ型コンタクトのうちの一方に接続する、第１内部コネクトを具備し、前記第１内部コネクトは、前記トレンチの内部に延びており、前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域が、前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を吸収する前記第１内部コネクトにより覆われる領域よりも大きくなるように、前記第１内部コネクトが設けられている」のに対し、引用発明２は、そのような第１内部コネクトを具備していない点。
　
　
４．判断
　はじめに、本願発明における、「前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域が、前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を吸収する前記第１内部コネクトにより覆われる領域よりも大きくなるように、前記第１内部コネクトが設けられている」構成の技術的意義について検討する。
　この構成に関連する本願明細書及び図面の記載として、段落【０００９】及び【００１４】〜【００１５】並びに図１１及び図１２がある。
　これらを参照すると、本願発明における、「前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１活性領域により発せられた光を通過させる領域」及び「前記第１発光デバイスの上部表面のうち前記第１内部コネクトにより覆われる領域」とは、それぞれ「第１活性領域により発せられた光を通過させる第１ｐ型コンタクトの上部表面の領域」及び「第１ｐ型コンタクトの上部表面の領域のうち第１内部コネクトに覆われた領域」のことを指していることが理解できる。
　そして、本願発明は、「第１内部コネクト」が、「光を吸収する性質を有する物質であるＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、または、ＡｌＳｉＣｕのような合金により形成される」ことから、「第１活性領域により発せられた光を通過させる第１ｐ型コンタクトの上部表面の領域の障害とならないように」、「第１活性領域により発せられた光を通過させる第１ｐ型コンタクトの上部表面の領域」が、「第１ｐ型コンタクトの上部表面の領域のうち第１内部コネクトに覆われた領域」よりも大きくなるよう、「前記第１内部コネクト」を設けたものであると理解できる。
　しかるところ、同一基板上に形成され、溝によって電気的に分離された複数の発光ダイオードの隣接する発光ダイオードのｐ電極ないしｎ電極を当該溝に沿って金属配線によって電気的に接続することは周知の手段（例えば特開２０００−１０１１３６号公報段落【００２９】、特開平１１−１５０３０３号公報の段落【００２３】参照）であり、金属配線の材料として「Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌＳｉＣｕ」も周知であるので、引用発明２の隣接する発光ダイオードのｐ電極ないしｎ電極を電気的に接続する手段としてこの周知の手段を採用することは、当業者が設計上適宜なし得る程度のことである。そして、その際、透明電極として機能するｐ電極の障害とならないように、隣接する発光ダイオード間の溝部１１に沿って前記周知の材料で金属配線を形成することは、当業者が当然考慮する程度の事項であり、その結果、引用発明２を本願発明の上記相違点の構成とすることは、当業者が容易になし得たものというべきである。
　
　
５．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。