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　特願２００１−５４２３８６「集積回路パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月　７日国際公開、ＷＯ０１／４１２１２、平成１５年　５月　７日国内公表、特表２００３−５１５９５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．本願は、２０００年１２月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理、１９９９年１２月２日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年１０月２６日付で拒絶の査定がなされ、これに対し、平成１７年１月３１日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月２１日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１７年２月２１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年２月２１日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、補正前の平成１６年６月１６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２１は、次のとおりに補正された。
　「【請求項１】集積回路のダイと、 
　少なくとも、絶縁基体層、絶縁基体層の上面及び下面に形成された第１の導体層、第１の導体層の上に形成された内部の第１の絶縁層、及び内部の第１の絶縁層の上に形成された第２の導体層より成る有機多層基板と、
　有機多層基板の下部に位置する内部の絶縁層上に形成された有機多層基板の最も外側の導体層に直接はんだ付けされたＴ字形導電ピンとより成る集積回路パッケージ。
　【請求項２】有機多層基板はさらに、絶縁基体層、第１の導体層及び内部の第１の絶縁層を貫通するめっき通孔を有し、このメッキ通孔は第１及び第２の端部で第２の導体層により覆われている請求項１の集積回路パッケージ。
　【請求項３】めっき通孔の内部コアには、エポキシ材が充填されている請求項２の集積回路パッケージ。
　【請求項４】有機多層基板はさらに、内部の第１の絶縁層を貫通する導電性ビアを有し、この導電性ビアは、レーザーにより内部の第１の絶縁層に穿孔を行い、その孔に導電材料のめっきを施すことにより形成されている請求項２の集積回路パッケージ。
　【請求項５】Ｔ字形導電性ピンは、ＰｂＳｎ、ＡｇＳｎまたはＳｂＳｎの何れかより成るはんだによりはんだ付けされている請求項１の集積回路パッケージ。
　【請求項６】有機多層基板の下部にある有機多層基板の最も外側の導体層に結合されたキャパシタをさらに備えた請求項１の集積回路パッケージ。
　【請求項７】 有機多層基板はさらに、 
　第２の導体層上に形成された内部の第２の絶縁層と、 
　内部の第２の絶縁層上に形成された第３の導体層と、 
　第２と、第３の導体層の間にレーザーにより形成された第１のビアと、 
　第１と、第３の導体層との間にレーザーにより形成された第２のビアとより成る請求項１の集積回路パッケージ。
　【請求項８】 第１と、第３の導体層との間に形成されたスキップビアをさらに備え、このスキップビアは、第１と、第３の導体層を結合するが、第２の導体層とは電気的に結合しない請求項７の集積回路パッケージ。
　【請求項９】絶縁基体層、絶縁基体層の上面及び下面に形成された第１の導体層、第１の導体層の上に形成された内部の第１の絶縁層、内部の第１の絶縁層の上に形成された第２の導体層、第２の導体層の上に形成された内部の第２の絶縁層、及び内部の第２の絶縁層の上に形成された第３の導体層の少なくとも１１個の層より成る有機多層基板と、 
　有機多層基板の下部にある第３の導体層に直接はんだ付けされたＴ字形導電ピンと、 
　有機多層基板の上部にある第３の導体層にはんだ付けされたマイクロプロセッサーのダイとより成るマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１０】有機多層基板はさらに、絶縁基体層、第１の導体層及び内部の第１の絶縁層を貫通するめっき通孔を有し、このメッキ通孔は第１及び第２の端部で第２の導体層により覆われている請求項９のマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１１】めっき通孔の内部コアには、エポキシ材が充填されている請求項１０のマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１２】有機多層基板はさらに、内部の第２の絶縁層を貫通する導電性ビアを有し、この導電性ビアは、レーザーにより内部の第２の絶縁層に穿孔を行い、その孔に導電材料のめっきを施すことにより形成されている請求項１０のマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１３】導電性ビアは、めっき通孔と実質的に同一直線上にある請求項１２のマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１４】Ｔ字形導電性ピンは、ＰｂＳｎ、ＡｇＳｎまたはＳｂＳｎ合金より成るはんだによりはんだ付けされている請求項９のマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１５】第１と、第３の導体層との間に形成されたスキップビアをさらに備え、このスキップビアは、第１と、第３の導体層を結合するが、第２の導体層とは電気的に結合しない請求項９のマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１６】絶縁基体層、絶縁基体層の上面及び下面に形成された第１の導体層、第１の導体層の上に形成された内部の第１の絶縁層、内部の第１の絶縁層の上に形成された第２の導体層、第２の導体層の上に形成された内部の第２の絶縁層、及び内部の第２の絶縁層の上に形成された第３の導体層の少なくとも１１個の層より成り、絶縁基体層、第１の導体層及び内部の第１の絶縁層を貫通するめっき通孔が、第１及び第２の端部で第２の導体層により覆われており、内部の第２の絶縁層を貫通する導電性ビアが、レーザーにより内部の第２の絶縁層に穿孔を行い、その孔に導電材料のめっきを施すことにより形成されている有機多層基板と、 
　有機多層基板の下部にある第３の導体層に直接はんだ付けされたＴ字形導電ピンと、 
　有機多層基板の上部にある第３の導体層にはんだ付けされたマイクロプロセッサーのダイとより成るマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１７】Ｔ字形導電性ピンは、ＰｂＳｎ、ＡｇＳｎまたはＳｂＳｎの合金より成るはんだによりはんだ付けされている請求項１６のマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１８】有機多層基板の下部にある第３の導体層に結合されたキャパシタをさらに備えた請求項１６のマイクロプロセッサーパッケージ。
　【請求項１９】集積回路基板の形成方法であって、 
　絶縁基体層の上面に第１の導電層を形成し、 
　第１の導体層をパターン化して所望の相互接続部を形成し、 
　パターン化した第１の導体層の上に、内部の第１の絶縁層を形成し、 
　絶縁基体層、第１の導体層及び内部の第１の絶縁層に第１のビアを形成し、　導電材料の第１の被覆を施すことにより、内部の第１の絶縁層上に第２の導体層を形成して、この第２の導体層が第１のビアの内側表面を覆って基板に導電パスが形成されるようにし、 
　内側表面が第２の導体層により覆われた第１のビアにエポキシ材を充填し、 
　第１の被覆の上に導電材料の第２の被覆を施して第２の導体層の厚さを増加させると共にエポキシ材を充填した第１のビアの端部が第２の被覆により覆われるようにし、 
　第２の導体層をパターン化して所望の相互接続部を形成し、 
　パターン化した第２の導体層の上に内部の第２の絶縁層を形成し、 
　レーザーを用いて内部の第２の絶縁層の少なくとも１つに第２のビアを形成し、 
　導電材料の被覆を施こすことにより、内部の第２の絶縁層上に第３の導電層を形成して、この第３の導電層が第２のビアの内側表面を覆って内部の第２の絶縁層を貫通する導電パスが形成されるようにし、 
　第２の導電層をパターン化して所望の相互接続部及びピンボンディングパッドを形成し、
　Ｔ字形相互接続用ピンを、集積回路基板から下方に延びるようにピンボンディングパッドにはんだ付けするステップより成る集積回路基板の形成方法。
　【請求項２０】第１及び第２のビアは実質的に整列関係にある請求項１９の方法。
　【請求項２１】第２の導体層をパターン化するステップは、ピンボンディングパッドに隣接するキャパシタボンディングパッドをパターン化するステップを含む請求項２０の方法。」
　　
（１）請求項１、２、４、６、７について
　請求項１において、「絶縁基体層、絶縁基体層の上部及び下部の上にそれぞれ形成された第１の導体層、第１の絶縁層及び第２の導体層より成る有機多層基板と、基板の下部の上の最も外側の導体層」を、「
少なくとも、
面
面
、第１の導体層の上に形成された内部の
、
内部の第１の絶縁層の上に形成された
有機多層
に位置する内部の絶縁層上に形成された有機多層基板
　また、請求項２、４、６、７において、「基板」、「第１の絶縁層」を、「
有機多層
内部の
　上記補正は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的、及び同条同項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的としたものに該当する。
　
（２）請求項９、１０、１２について
　請求項９において、「絶縁基体層の上部及び下部の上に」を「絶縁基体層の上
面
面
内部の
内部の
有機多層
にある
有機多層
にある
　また、請求項１０、１２において、「基板」、「第１の絶縁層」、「第２の絶縁層」を「
有機多層
内部の
内部の
　上記補正は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的、及び同条同項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的としたものに該当する。
　
（３）請求項１６、１８について
　請求項１６において、「絶縁基体層の上部及び下部の上に」を「絶縁基体層の上
面
面
内部の
内部の
有機多層
にある
有機多層
にある
　また、請求項１８において、「基板の下部の第３の導体層」を、「
有機多層
にある
　上記補正は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び同条同項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的としたものに該当する。
　
（４）請求項１９について
　請求項１９において、「絶縁基体層の上に第１の導体層」を「絶縁基体層の上
面
内側表面が第２の導体層により覆われた第１のビア
ると共にエポキシ材を
第２の被覆により
貫通する
　
　そして、上記補正（１）〜（４）については、いずれも願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　つぎに、補正後の請求項１〜２１のうち請求項１６に係る発明（以下、「本願補正発明１６」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
２．先願及び先願明細書の摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された、特願平１１−３０３３０５号（特開２００１−１２７４３４号）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には次の事項が記載されている。
　
（１ａ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホールにて接続されたビルドアップ層が、コア基板の両面に形成されてなる多層プリント配線板に関し、特に、ＩＣチップを載置するパッケージ基板として用いることのできる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法に関するものである。」
　
（１ｂ）「【０００３】【発明が解決しようとする課題】現在、ＩＣチップの高周波数化に伴い、多層プリント配線板にも伝送速度の高速化が要求されている。・・・」
　
（１ｃ）「【０００５】本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、内部の配線長を短縮できると共に、接続信頼性に優れる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。」
　
（１ｄ）「【００１２】【発明の実施の形態】・・・先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について縦断面を示す図６を参照して説明する。該多層プリント配線板１０ではコア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ｕ、８０Ｄが形成されている。該ビルドアップ配線層８０Ｕ、８０Ｄは、バイアホール４６の形成された下層層間樹脂絶縁層５０と、上層のバイアホール６６の形成された上層層間樹脂絶縁層６０と、上層層間樹脂絶縁層６０上に形成されたソルダーレジスト層７０から成る。該ソルダーレジスト７０の開口部７１を介して、上側のバイアホール６６には、ＩＣチップ（図示せず）への接続用の半田バンプ（外部接続端子）７６が形成され、下側のバイアホール６６には、ドータボード（図示せず）への接続用の導電性接続ピン（外部接続端子）７８が接続されている。
・・・・・
　【００１４】本実施形態では、コア基板３０及び下層層間樹脂絶縁層５０を貫通するようにスルーホール３６を形成し、スルーホール３６の直上にバイアホール６６を形成してある。このため、スルーホール３６とバイアホール６６とが直線状になって配線長さが短縮し、信号の伝送速度を高めることが可能になる。また、スルーホール３６と、外部接続端子（半田バンプ７６、導電性接続ピン７８）へ接続されるバイアホール６６とを直接接続しているので、接続信頼性に優れる。特に、本実施形態では、後述するようにスルーホール３６に充填された充填剤５４を研磨により平坦にしてから、該充填剤５４を覆う蓋めっき（導体層）５８を配設し、この上にバイアホール６６が形成されているため、スルーホール３６表面の平滑性が高く、当該スルーホール３６とバイアホール６６との接続信頼性に優れる。」
　
（１ｅ）「【００１７】引き続き、該多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図５を参照にして説明する。
（１）　・・・ガラスエポキシ樹脂、ＦＲ４，ＦＲ５，又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に・・・銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図１（Ａ））。まず、この銅張積層板をパターン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅パターン３４を形成する（図１（Ｂ））。
　【００１８】（２）内層銅パターン３４およびスルーホール３６を形成した基板３０を水洗いした後、・・・導体回路の銅導体を溶解させボイドを形成する処理により、内層銅パターン３４の表面に粗化層３８を設ける（図１（Ｃ））。　・・・・・
　【００２４】（３）該基板３０の表面に下層層間樹脂絶縁層となる樹脂フィルム５０αを、・・・昇温しながら・・・真空圧着ラミネートして貼り付ける（図１（Ｄ））。該樹脂フィルムとしては、難溶性樹脂、可溶性樹脂粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
　・・・・・
　【００４４】（４）引き続き、樹脂フィルム５０を貼り付けたコア基板３０に、ドリルにより・・・スルーホール用貫通孔３５を穿設する（図１（Ｅ））。
　
（１ｆ）「【００４５】（５）そして、炭酸、エキシマ、ＹＡＧ、又はＵＶレーザにより樹脂フィルム５０αに・・・バイアホール用開口５２を穿設する（図２（Ａ））。その後、樹脂フィルムを熱硬化させて下層層間樹脂絶縁層５０を形成する。バイアホールは、レーザによるエリア加工、あるいは、マスクを載置させてレーザによるエリア加工によって形成させてもよい。・・・スルーホール及びバイアホールを共にレーザで形成させてもよい。
　・・・・・
　【００４７】本実施形態の多層プリント配線板は、コア基板３０がＦＲ４，ＦＲ５，ＢＴレジンのいずれかから成り、下層層間樹脂絶縁層５０が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、・・・の少なくとも１を含有する。このため、・・・酸化剤で貫通孔３５のデスミヤ処理と、該下層層間樹脂絶縁層５０の粗化処理とを同時に行うことが可能となり、工程を削減することで、多層プリント配線板を廉価に製造できる。
　【００４８】（７）表面を粗化した層間樹脂絶縁層５０表面に、・・・無電解銅めっき膜４２を形成する（図２（Ｃ））。・・・
　【００４９】（８）無電解銅めっき膜４２を形成した基板を水洗いした後、所定パターンのめっきレジスト４３を形成する（図２（Ｄ））。
（９）そして、基板を電解めっき液中に浸漬し、無電解銅めっき膜４２を介して電流を流し、電解銅めっき膜４４を形成する（図２（Ｅ））。」
　
（１ｇ）「【００５０】（１０）めっきレジスト４３を・・・剥離除去し、めっきレジスト下の無電解銅めっき膜４２を・・・剥離することで、無電解銅めっき膜４２及び電解銅めっき膜４４からなるバイアホール４６及びスルーホール３６を形成する（図３（Ａ））。
　【００５１】（１１）バイアホール４６及びスルーホール３６に、粗化層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金）４７を無電解めっきにより形成する（図３（Ｂ））。・・・
　【００５２】（１２）スルーホール３６内、及び、バイアホール４６内に樹脂充填剤５４を充填し、・・・乾燥させる（図３（Ｃ））。本実施形態では、スルーホール３６とバイアホール４６とに同一の充填剤を同時に充填するため、製造工程を削減できる。ここで、樹脂充填剤としては、下記の原料組成物を用いることができる。・・・
　【００５３】（１３）前記（１２）の処理を終えた基板３０の片面を、バイアホール４６、スルーホール３６の開口からはみ出した樹脂充填剤５４の表面を平滑化するように研磨し、次いで、研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行う（図３（Ｄ））。次いで、・・・加熱処理を行って樹脂充填剤５４を硬化した。樹脂充填材を構成する樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、・・・などを意味して、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいは、それぞれの複合体でもよく、樹脂内にシリカ、アルミナなどの無機フィラーなどを含有させて熱膨張率などを整えたものでもよい。・・・」
　
（１ｈ）「【００５４】（１４）層間樹脂絶縁層５０表面に、・・・無電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ａ））。ここでは、無電解銅めっき膜を形成しているが、あるいは、スパッタを用いて、銅又はニッケル皮膜を形成することも可能である。
　【００５５】（１５）所定パターンのめっきレジスト（図示せず）を形成した後、電解銅めっき膜５７を形成してから、めっきレジストを剥離除去し、めっきレジスト下の無電解銅めっき膜５６をライトエッチングにより剥離することで、無電解銅めっき膜５６及び電解銅めっき膜５７からなる蓋めっき５８を、バイアホール４６及びスルーホール３６の開口部に形成する（図４（Ｂ））。
　【００５６】（１６）バイアホール４６及びスルーホール３６の開口の蓋めっき５８に、粗化層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ）５９を無電解めっきにより形成する（図４（Ｃ））。・・・
（１７）上述した工程（３）〜（１１）の工程を繰り返すことで、上層層間樹脂絶縁層６０を形成し、該上層層間樹脂絶縁層６０上に無電解銅めっき膜６２及び電解銅めっき膜６４からなるバイアホール６６を形成する（図４（Ｄ））。
（１８）引き続き、ソルダーレジスト及び半田バンプを形成する。・・・・・・・
　上記（１７）で得られた多層プリント配線板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物７０αを・・・塗布する（図５（Ａ））。」
　
（１ｉ）「【００５７】（１９）次いで、・・・乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された・・・フォトマスクフィルムを密着させて載置し、・・・紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理する。そしてさらに、・・・加熱処理し、開口部７１を有する・・・ソルダーレジスト層７０・・・を形成する（図５（Ｂ））。
　【００５８】（２０）その後、多層プリント配線板開口部７１から露出しためっきポスト２４２を・・・無電解ニッケルめっき液に、・・・浸漬して、開口部７１に・・・ニッケルめっき層７２を形成する。さらに・・・無電解金めっき液に・・・浸漬して、ニッケルめっき層７２上に・・・金めっき層７４を形成する（図５（Ｃ））。・・・」
　
（１ｊ）「【００５９】（２３）そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して　・・・リフローすることにより、上面のバイアホール６６に半田バンプ（半田体）７６を形成し、また、下面側のバイアホール６６に半田７７を介して導電性接続ピン７８を取り付ける（図６参照）。なお、導電性接続ピンの代わりにＢＧＡを形成することも可能である。」
　
３．当審の判断
３−１．先願明細書記載の発明
　上記摘記事項（１ｄ）段落【００１２】によると、図６には、多層プリント配線板１０ではコア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ｕ、８０Ｄが形成され、該ビルドアップ配線層８０Ｕ、８０Ｄは、バイアホール４６の形成された下層層間樹脂絶縁層５０と、上層のバイアホール６６の形成された上層層間樹脂絶縁層６０と、上層層間樹脂絶縁層６０上に形成されたソルダーレジスト層７０から成り、該ソルダーレジスト７０の開口部７１を介して、上側のバイアホール６６には、ＩＣチップへの接続用の半田バンプ（外部接続端子）７６が形成され、下側のバイアホール６６には、ドータボードへの接続用の導電性接続ピン（外部接続端子）７８が接続されていることが記載され、同段落【００１４】によると、コア基板３０及び下層層間樹脂絶縁層５０を貫通するようにスルーホール３６を形成すること、及びスルーホール３６に充填された充填剤５４を研磨により平坦にしてから、該充填剤５４を覆う蓋めっき（導体層）５８を配設すること、
　上記摘記事項（１ｅ）段落【００１７】によると、基板の両面に内層銅パターン３４を形成すること、
　上記摘記事項（１ｆ）【００４５】によると、レーザによりバイアホール用開口を穿設すること、同【００４８】【００４９】によると、層間樹脂絶縁層５０表面に無電解銅めっき膜４２、電解銅めっき膜４４を形成すること、
　上記摘記事項（１ｇ）段落【００５２】によると、スルーホール３６内、及び、バイアホール４６内に樹脂充填剤５４を充填すること、
　上記摘記事項（１ｈ）によると、層間樹脂絶縁層５０表面に無電解銅めっき膜５６を形成し、無電解銅めっき膜５６及び電解銅めっき膜５７からなる蓋めっき５８を、バイアホール４６及びスルーホール３６の開口部に形成すること、更に、上層層間樹脂絶縁層６０を形成し、該上層層間樹脂絶縁層６０上に無電解銅めっき膜６２及び電解銅めっき膜６４からなるバイアホール６６を形成すること、
　上記摘記事項（１ｉ）によると、開口部７１を有するソルダーレジスト層７０を形成すること、多層プリント配線板開口部７１にニッケルめっき層７２、ニッケルめっき層７２上に金めっき層７４を形成するすること、
　上記摘記事項（１ｊ）によると、下面側のバイアホール６６に半田７７を介して導電性接続ピン７８を取り付けることが記載されている。
　
　以上の記載によれば、多層プリント配線板は、コア基板３０の両面に内層銅パターン３４を形成し、樹脂充填剤を充填したスルーホール３６の開口部に蓋めっき（導電層）５８を形成した後、蓋めっきを含む下層層間樹脂絶縁層５０上に上層層間樹脂絶縁層６０を形成しているから、コア基板及び下層層間樹脂絶縁層を貫通するスルーホールは、上下の端部で、即ち第１及び第２の端部で蓋めっき（導電層）により覆われていることになる。
　又蓋めっき上の上層層間樹脂絶縁層上に無電界銅めっき膜及び電解銅めっき膜からなるバイアホール６６を形成し、該バイアホールはレーザーで上層層間樹脂絶縁層を穿孔しその孔に導電性のめっき膜を形成しているものである。
　さらに、このバイアホール上に形成されたソルダーレジスト層７０の開口部７１にニッケルめっき層７２と金めっき層７４を形成して多層プリント配線板とし、この多層プリント配線板において、コア基板の下面側のバイアホール６６に半田を介して導電性接続ピン７８を取り付けている。そして、コア基板の上面側のバイアホール６６に半田バンプ７６を介してＩＣチップを取り付けることになるから、ＩＣチップを取り付けたものも記載されているといえる。
　ここで、蓋めっき上の上層層間樹脂絶縁層上には、無電界銅めっき膜及び電解銅めっき膜からなるバイアホールが形成されており、該バイアホールは導体層を形成しているともいえ、さらにソルダーレジスト層の開口部には、バイアホール上にニッケルめっき層と金めっき層が形成されることになるから、結局、上層層間樹脂絶縁層上のバイアホールを含む３層（銅めっき膜、ニッケルめっき層、金めっき層）からなる導体層が形成されることになる。そして、該バイアホールは、多層プリント配線板の上層層間樹脂絶縁層の上にも形成されており、かつ上層層間樹脂絶縁層を貫通しているともいえる。
　さらに、コア基板の下面側のバイアホールには半田を介して導電性接続ピンが取り付けられているから、導電性接続ピンは３層からなる導体層に直接はんだ付けされることは明らかであり、ＩＣチップを取り付けた多層プリント配線板はパッケージを形成することも明らかである。
　
　上記の事項を踏まえ摘記事項（１ａ）〜（１ｊ）を総合すると、先願明細書には、「コア基板、コア基板の上面及び下面に形成された内層銅パターン、内層銅パターンの上に形成された下層層間樹脂絶縁層、下層層間樹脂絶縁層の上に形成された蓋めっき、蓋めっきの上に形成された上層層間樹脂絶縁層、及び上層層間樹脂絶縁層の上に形成された無電界銅めっき膜及び電界銅めっき膜からなるバイアホール、及び該バイアホールを含み、ニッケルめっき層、及び金めっき層の３層からなる導体層の少なくとも１１個の層よりなり、コア基板、内層銅パターン及び下層層間樹脂絶縁層を貫通するスルーホールが、第１及び第２の端部で蓋めっきにより覆われており、上層層間樹脂絶縁層を貫通するバイアホールが、レーザーにより上層層間樹脂絶縁層に穿孔を行い、その孔に導電性のめっきを施すことにより形成されている多層プリント配線板と、
　多層プリント配線板の下部にある３層からなる導体層に直接半田を介して取り付けた導電性接続ピンと、多層プリント配線板の上部にある３層からなる導体層に形成された半田バンプにより半田付けされたＩＣチップとより成るパッケージ。」（以下、「先願発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　そこで、本願補正発明１６と先願発明とを対比する。先願発明の「コア基板」、「内層銅パターン」、「下層層間樹脂絶縁層」、「蓋めっき」、「上層層間樹脂絶縁層」、「３層からなる導体層」、「スルーホール」、「バイアホール」、「多層プリント配線板」、「導電性接続ピン」、及び「ＩＣチップ」は、それぞれ順に本願補正発明１６の「絶縁基体層」、「第１の導体層」、「第１の絶縁層」、「第２の導体層」、「第２の絶縁層」、「第３の導体層」、「めっき通孔」、「導電性ビア」、「有機多層基板」、「Ｔ字形導電ピン」、及び「ダイ」に相当している。また、先願発明の「下層層間樹脂絶縁層」、「上層層間樹脂絶縁層」は、それぞれ内層銅パターン、蓋めっきからなる導体層の上に形成された「内部」が限定された下層層間樹脂絶縁層又は上層層間樹脂絶縁層を形成していることは明らかである。
　
　そうすると、両者は「絶縁基体層、絶縁基体層の上面及び下面に形成された第１の導体層、第１の導体層の上に形成された内部の第１の絶縁層、内部の第１の絶縁層の上に形成された第２の導体層、第２の導体層の上に形成された内部の第２の絶縁層、及び内部の第２の絶縁層の上に形成された第３の導体層の少なくとも１１個の層より成り、絶縁基体層、第１の導体層及び内部の第１の絶縁層を貫通するめっき通孔が、第１及び第２の端部で第２の導体層により覆われており、内部の第２の絶縁層を貫通する導電性ビアが、レーザーにより内部の第２の絶縁層に穿孔を行い、その孔に導電材料のめっきを施すことにより形成されている有機多層基板と、
　有機多層基板の下部にある第３の導体層に直接はんだ付けされたＴ字形導電ピンと、
　有機多層基板の上部にある第３の導体層にはんだ付けされたダイとよりなるパッケージ。」の点で一致し、次の点で一応相違する。
　
　相違点：本願補正発明１６は、ダイがマイクロプロセッサーであり、かつマイクロプロセッサーパッケージであるとしているのに対し、先願発明は、この点が記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　上記先願明細書の摘記事項（１ｂ）によれば、先願発明の多層プリント配線板は、ＩＣチップの高周波数化に伴い、伝送速度の高速化が要求されるとしており、この高周波数化したＩＣチップの中にマイクロプロセッサーが含まれることは技術常識である。
　そうすると、先願発明において、多層プリント配線板の上面の半田バンプで取り付けるＩＣチップがマイクロプロセッサーであること、かつそのマイクロプロセッサが搭載された多層プリント配線板がマイクロプロセッサーパッケージであることも、先願明細書に記載されていることに等しい事項といえ、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　
　したがって、本願補正発明１６は先願発明と同一の発明である。
　
　以上のとおりであるから、本願補正発明１６は先願明細書に記載された発明と同一の発明であり、しかも、本願補正発明１６の発明者が先願明細書に記載された発明者と同一であるとも、本願出願の時において、本願出願人が上記先願の出願人と同一であるとも認められないから、本願補正発明１６は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３−３．請求人の主張について
　請求人は、審判請求書の平成１７年４月１４日付手続補正書３頁下から７行〜下から４行で「引用文献１の発明では、金メッキ層７４は、本願発明の第２の導電層に相当する蓋メッキ層５８の上に直接形成されるものであり、この点で、Ｔ字形導電ピンが直接はんだ付けされる有機多層基板の最も外側の導体層が、第２の導電層上でなくて、内部の絶縁層上に形成される本願発明と、引用文献１の発明は相違する。」と主張している。ここで、本願補正発明１６では、上記「有機多層基板の最も外側の導体層」を「有機多層基板の下部にある第３の導体層」と読み替えるものとする。
　しかし、本願補正発明１６の「第３の導体層」に相当する先願発明の「３層からなる導体層」は、上層層間樹脂絶縁層の上に形成された無電界銅めっき膜及び電界銅めっき膜からなるバイアホールを含むものである。そして、「３層からなる導体層」は、何らかの形で第２の導電層と接続しなければならないものであり、本願補正発明１６も、導電性ビアにより接続しているものである。
　更に先願発明の「３層からなる導体層」は、蓋メッキ層５８の上に形成され接続しているが、上層層間樹脂絶縁層の上にも形成されていることは上記したとおり確かなことである。このことは、先願明細書の図６、図４（Ｄ）には、３層からなる導電層を構成するバイアホール６６が、蓋めっき層５８と同程度の巾で上層層間樹脂絶縁層の上に位置していることが示されていることからも裏付けられるものである。
　よって、請求人の主張する上記相違はないものであるから、上記主張は採用することはできない。　
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１７年２月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２１のうち、請求項１６に係る発明（以下、「本願発明１６」という。）は、平成１６年６月１６日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１６に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１６】絶縁基体層、絶縁基体層の上部及び下部の上に形成された第１の導体層、第１の導体層の上に形成された第１の絶縁層、第１の絶縁層の上に形成された第２の導体層、第２の導体層の上に形成された第２の絶縁層、及び第２の絶縁層の上に形成された第３の導体層の少なくとも１１個の層より成り、絶縁基体層、第１の導体層及び第１の絶縁層を貫通するめっき通孔が、第１及び第２の端部で第２の導体層により覆われており、第２の絶縁層を貫通する導電性ビアが、レーザーにより第２の絶縁層に穿孔を行い、その孔に導電材料のめっきを施すことにより形成されている有機多層基板と、 
　基板の下部の上の第３の導体層に直接はんだ付けされたＴ字形導電ピンと、
　基板の上部の第３の導体層にはんだ付けされたマイクロプロセッサーのダイとより成るマイクロプロセッサーパッケージ。」
　
２．先願及び先願明細書の摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した先願及び先願明細書の摘記事項は、上記「II．２．先願及び先願明細書の摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．当審の判断
　本願発明１６は、上記本願補正発明１６の発明特定事項の一部である、「
内部の
内部の
有機多層
にある
有機多層
にある
　
　そうすると、本願発明１６の構成を全て含み、さらに他の構成を付加したものに相当する本願補正発明１６が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、先願発明と同一の発明であるから、本願発明１６についても、同様の理由により、先願発明と同一の発明である。
　
　以上のとおりであるから、本願発明１６は先願明細書に記載された発明と同一の発明であり、しかも、本願発明１６の発明者が先願明細書に記載された発明者と同一であるとも、本願出願の時において、本願出願人が上記先願の出願人と同一であるとも認められないから、本願発明１６は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１６に係る発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。