【事件の表示】
　特願２００２−２７７２６０「フラッシュメモリセルの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１１日出願公開、特開２００３−１９７７８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本願は、平成１４年９月２４日（パリ条約による優先権主張、２００１年１２月２２日、韓国）の出願であって、平成１８年６月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年８月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年１１月１１日付けで審尋がなされ、平成２１年２月１７日に回答書が提出されたものである。 
　 
第２．拒絶理由通知、意見書、拒絶査定及び審判請求書の概要 
１．原審における平成１８年２月１７日付けの拒絶理由通知(以下、「拒絶理由通知」という。）の概要　 
　
「３．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　（略）　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
　（略）
請求項１−７
理由３：
　本願の請求項１には、単に、「イオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」と記載されているため、以下のような発明まで含む物と判断せざるを得ない。
（１）トレンチ絶縁膜の側面にドープされるもののみならず、トレンチ絶縁膜の
上面にのみ
（２）イオン注入する不純物として、請求項５で記載された不純物のみならず、例えば、シリコンをイオン注入する工程まで含まれるものと判断せざるを得ない（シリコンを注入すると、エッチング速度が小さくなってしまい、本願発明と矛盾するものと認められる（引用文献３の発明の実施形態参照））。
　しかしながら、上記（１）及び（２）の場合には、本願発明の作用・効果を奏しないことは明らかであるから、そのような本願発明の作用・効果を奏さない発明については、本願の発明の詳細な説明に記載されたものとは認められない。
　また、本願の請求項１を引用する他の請求項についても同様である。
　なお、請求項２における記載についても、（１）については、不十分である点に注意されたい。（「パッド酸化膜上に形成された部位にのみ行われる」という記載では、トレンチ絶縁膜の上面にのみドープする場合が含まれてしまう。）
　また、（２）については、請求項５に限定することにより、当該拒絶の理由が解消するものと認められる。」
　
２．原審における平成１８年５月２２日付けの意見書(以下、「意見書」という。）の概要
　　
「２．補正の概要及び根拠
　（１）補正後の請求項１は、出願時の請求項１を限定したものです。
　第１平坦化工程を行って前記トレンチ絶縁膜を孤立させる段階が、「前記トレンチ形成後、全体構造上にトレンチ絶縁膜を形成した後、」に行われることは、出願時の明細書の段落番号〔0011〕〜〔0015〕及び図１〜図３の記載に基づくものです。
　前記パッド窒化膜を除去して前記トレンチ絶縁膜の突出部を露出させる段階が、「前記第１平坦化工程後」に行われることは、出願時の明細書の段落番号〔0016〕、〔0017〕及び図３の記載に基づくものです。
　前記トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階が、「前記パッド窒化膜除去後」に行われることは、出願時の明細書の段落番号〔0017〕、〔0018〕及び図３、図４の記載に基づくものです。
　前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階が、「前記トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を行って」行われることは、出願時の明細書の段落番号〔0017〕〜〔0020〕及び図３、図４の記載に基づくものです。
　「洗浄工程を行って前記パッド酸化膜および前記トレンチ絶縁膜の突出部を所定の幅にエッチングする」ことは、出願時の明細書の段落番号〔0021〕及び図４（ｂ）の記載に基づくものです。
　（２）補正後の請求項２は、出願時の請求項２を限定したものです。
　イオン注入工程が、「前記トレンチ絶縁膜の突出部の側面のみにイオンを注入する」ことは、出願時の明細書の段落番号〔0017〕〜〔0019〕及び図４（ａ）の記載に基づくものです。
　（３）補正後の請求項４は、出願時の請求項４を限定したものです。
　イオン注入工程が、「前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われる」ことは、出願時の明細書の段落番号〔0018〕〜〔0019〕及び図４（ａ）の記載に基づくものです。
　（４）補正後の請求項５は、出願時の請求項５の誤記を訂正したものです。
（略）
４．［理由３］に対して
　引用文献１は、基板全面にイオンを注入するので、酸化膜４３の間の基板上にもイオンが注入されます。一方、本願発明はトレンチ絶縁膜のみにイオンを 注入するので、トレンチ絶縁膜突出部の間の基板及び基板上のパッド酸化膜１２上にはイオンが注入されないという差異があります。
　また、引用文献３においても基板全面にイオンを注入するので、絶縁膜側面にイオンが注入されない一方、本願発明ではトレン絶縁膜の突出部のみにイオンをイオンを注入するので、トレンチ絶縁膜突出部側面にイオンが注入されるという差異があります。
　上記の通り、引用文献１ないし３、いずれにもパッド窒化膜除去後トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を実施し、イオン注入工程後にパッド酸化膜をとり除く段階に関する記載を見出すことができないので、本願発明の補正された請求項１項は周知技術ではないことはもちろん、引用文献等に記載された発明と具現方法が違うので、登録可能だと所存されます。したがって、本願発明の請求項１の従属項である第２項ないし７項をも登録可能だと所存されます。」　
　
３．原審における平成１８年６月７日付けの拒絶査定(以下、「拒絶査定」という。）の概要
　
「この出願については、平成１８年　２月１７日付け拒絶理由通知書に記載した理由３によって、拒絶をすべきものである。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討したが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせない。
　
備考
・請求項１〜７について
　拒絶理由通知において通知したとおり、「突出部にイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」という記載のみでは、例えば、突出部の
上面のみ
　よって、本願の請求項１乃至７に係る発明は、依然として特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するものであるから、拒絶すべきものである。
・請求項１〜４，６，７について
　拒絶理由通知において通知したとおり、イオン注入するための不純物として、「シリコン」が含まれることは明らかであり、当該工程では、本願発明の作用・効果を奏さないことも明らかである。
　よって、本願の請求項１〜４，６，７に係る発明は、依然として特許法第３６条第６項１号の規定に違反するものであるから、拒絶すべきものである。」
　
４．平成１８年８月２５日付けの審判請求書(以下、「審判請求書」という。）の概要　　
　
「【本願発明が特許されるべき理由】 
 （１）補正の概要及び根拠 
 　本日別途提出した特許請求の範囲を補正致しました。 
 （ｉ）補正後の請求項１は、補正前の請求項１を限定したものです。 
　「前記トレンチ絶縁膜の突出部のモウトが発生する部位を除いた部位にホウ素、燐及び砒素のうちいずれか一つのイオンを利用してイオン注入工程を行」うことは、補正前の明細書中〔００１８〕〜〔００２０〕、図４の記載に基づくものです。 
　「前記イオン注入工程後、洗浄工程を行って前記パッド酸化膜をエッチングすると同時に、前記トレンチ絶縁膜の突出部を所定の幅にエッチングする」ことは、補正前の明細書中〔００２０〕〜〔００２１〕、図４の記載に基づくものです。 
 （ｉｉ）補正前の請求項２は削除しました。 
 （ｉｉｉ）補正後の請求項３は、補正前の請求項４を限定したものです。 
　「前記イオン注入工程は前記基板平面に対して０°より大きく８０°未満のイオン注入角で行われる」ことは、補正前の明細書中〔００１９〕、図４の記載に基づくものです。　ここで、角度の基準は出願当初明細書に明記されていませんが、このような角度とした目的として「隣接しているトレンチ絶縁膜２４の突出部を遮蔽層として用いることにより、トレンチ絶縁膜２４の突出部のうち、モウトがよく発生する部位Ａを除いた部位のみにイオンを注入させる」ことが記載されていることから、このような角度の基準は「基板平面」を基準としているといえます。 
　また、出願時の明細書には、「イオン注入角を０°〜８０°範囲」としていましたが、０°では、真横からのイオン注入となってしまい、突出部にイオン注入できないこととなってしまいます。従って、作用から考えて、「イオン注入角を０°〜８０°範囲」は、０°を含まない、「０°より大きく８０°未満」を意図した記載であるといえます。 
  
 （２）拒絶理由３に対して 
 　（ｉ）上記の補正により、トレンチ絶縁膜の上面にのみドープしているものは、含まないことを明確にしました。 
 （ｉｉ）上記の補正により、イオン注入する不純物を、「ホウ素、燐及び砒素のうちいずれか一つのイオン」に限定することで、「シリコン」を含まないことを明確にしました。」
　
第３．平成１８年８月２５日付け手続補正(以下、「本件補正」という。）の却下の決定　　 
　［補正却下の決定の結論］ 
　平成１８年８月２５日付けの手続補正を却下する。 
　［理由］ 
１．本件補正の内容 
　本件補正は、明細書の０００６段落を補正するとともに、補正前の請求項１ないし７のうち請求項２を削除し、補正前の請求項１，３ないし７を、それぞれ、補正後の請求項１ないし６と補正するものであって、補正前の請求項１及び４，補正後の請求項１及び３は以下のとおりである。　 
　　
（補正前の請求項１）
【請求項１】　半導体基板上にパッド酸化膜及びパッド窒化膜を形成する段階と、
前記半導体基板にトレンチを形成する段階と、
前記トレンチ形成後、全体構造上にトレンチ絶縁膜を形成した後、第１平坦化工程を行って前記トレンチ絶縁膜を孤立させる段階と、
前記第１平坦化工程後、前記パッド窒化膜を除去して前記トレンチ絶縁膜の突出部を露出させる段階と、
前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階と、
前記イオン注入工程後、洗浄工程を行って前記パッド酸化膜および前記トレンチ絶縁膜の突出部を所定の幅にエッチングする段階と、
全体構造上に第１ポリシリコン層を形成した後、第２平坦化工程を行って、孤立したフローティングゲートを形成する段階と、
全体構造上に誘電体膜及び第２ポリシリコン層を形成した後、エッチング工程を行ってコントロールゲートを形成する段階とを含んでなることを特徴とするフラッシュメモリセルの製造方法。」
（補正前の請求項４）　
「【請求項４】　前記イオン注入工程は前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われることを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリセルの製造方法。」
　
（補正後の請求項１） 
「【請求項１】　半導体基板上にパッド酸化膜及びパッド窒化膜を形成する段階と、
前記半導体基板にトレンチを形成する段階と、
前記トレンチ形成後、全体構造上にトレンチ絶縁膜を形成した後、第１平坦化工程を行って前記トレンチ絶縁膜を孤立させる段階と、
前記第１平坦化工程後、前記パッド窒化膜を除去して前記トレンチ絶縁膜の突出部を露出させる段階と、
前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部のモウトがよく発生する部位を除いた部位にホウ素、燐及び砒素のうちいずれか一つのイオンを利用してイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階と、
前記イオン注入工程後、洗浄工程を行って前記パッド酸化膜をエッチングすると同時に、前記トレンチ絶縁膜の突出部を所定の幅にエッチングする段階と、
全体構造上に第１ポリシリコン層を形成した後、第２平坦化工程を行って、孤立したフローティングゲートを形成する段階と、
全体構造上に誘電体膜及び第２ポリシリコン層を形成した後、エッチング工程を行ってコントロールゲートを形成する段階とを含んでなることを特徴とするフラッシュメモリセルの製造方法。」
（補正後の請求項３）
「【請求項３】　前記イオン注入工程は、前記トレンチ絶縁膜の突出部に隣接しているトレンチ絶縁膜の突出部を遮蔽層として用いて行うことを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリセルの製造方法。」
　
２．補正内容の整理
（１）補正事項１
　補正前の請求項２を削除し、補正前の請求項３ないし７を、補正後の請求項２ないし６に繰り上げること。
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」を、補正後の請求項１の「前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部のモウトがよく発生する部位を除いた部位にホウ素、燐及び砒素のうちいずれか一つのイオンを利用してイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」と補正すること（補正事項２−１）及び、補正前の請求項１の「前記イオン注入工程後、洗浄工程を行って前記パッド酸化膜および前記トレンチ絶縁膜の突出部を所定の幅にエッチングする段階」を、補正後の請求項１の「前記イオン注入工程後、洗浄工程を行って前記パッド酸化膜をエッチングすると同時に、前記トレンチ絶縁膜の突出部を所定の幅にエッチングする段階」と補正すること（補正事項２−２）。
（３）補正事項３
　補正前の請求項４の「前記イオン注入工程は前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われること」を、補正後の請求項３の「前記イオン注入工程は、前記トレンチ絶縁膜の突出部に隣接しているトレンチ絶縁膜の突出部を遮蔽層として用いて行うこと」と補正すること、言い換えると、補正前の請求項４の「前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われる」を削除し、補正後の請求項３の「、前記トレンチ絶縁膜の突出部に隣接しているトレンチ絶縁膜の突出部を遮蔽層として用いて行う」を追加すること。
　
３．補正事項３についての補正の目的について
（１）上記２．（３）に記載したとおり、補正事項３についての補正は、補正前の請求項４の「前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われる」を削除し、補正後の請求項３の「、前記トレンチ絶縁膜の突出部に隣接しているトレンチ絶縁膜の突出部を遮蔽層として用いて行う」を追加するものである。
（２）本願の出願当初の明細書には、イオンを注入する角度（イオン注入角）について、「【請求項４】  前記イオン注入工程は０〜３６０°の回転範囲で０〜８０°の
イオン注入角
イオン注入角
イオン注入角
（３）補正前の請求項４に記載される、イオン注入角についての記載である「前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われる」の「垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われる」は、上記（２）に摘記した本願の出願当初の明細書の「イオン注入角」についての記載（「０〜８０°」）と整合しておらず、本願の出願当初の明細書に記載されたものとは言えない。
　また、半導体技術分野において、イオン注入での注入角度は、半導体表面からの法線を基準として表示することが技術常識であることを考慮しても、本願の明細書に記載される「０〜８０°」は、半導体表面からの法線を基準として、「０〜８０°」の角度範囲であると解せられるのであって、上記（２）で摘記した本願明細書の「イオン注入角」についての記載（「０〜８０°」）を、補正前の請求項４の「垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角」であると解することは、半導体技術分野の技術常識とも矛盾するものである。　
（４）なお、請求人は、審判請求書において、
「ｉｉｉ）補正後の請求項３は、補正前の請求項４を限定したものです。 
　「前記イオン注入工程は前記基板平面に対して０°より大きく８０°未満のイオン注入角で行われる」ことは、補正前の明細書中〔００１９〕、図４の記載に基づくものです。　ここで、
角度の基準は出願当初明細書に明記されていません
　また、出願時の明細書には、「イオン注入角を０°〜８０°範囲」としていましたが、０°では、真横からのイオン注入となってしまい、突出部にイオン注入できないこととなってしまいます。従って、作用から考えて、「イオン注入角を０°〜８０°範囲」は、０°を含まない、「０°より大きく８０°未満」を意図した記載であるといえます。」
と主張している。
　しかしながら、請求人は、上記主張においても、「角度の基準は出願当初明細書に明記されていません」と認め、また、補正前の請求項４の「垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角」が、本願の出願当初の明細書又は図面に記載されていると主張するものでなく、「垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角」なる記載が、本願の出願当初の明細書の記載と整合しないことは、上記（３）で検討したとおりであって、さらに、審判請求書においては、補正後の請求項３の「前記トレンチ絶縁膜の突出部に隣接しているトレンチ絶縁膜の突出部を遮蔽層として用いて行う」ことが、補正前の請求項４の「前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われる」ことを限定するものである旨の根拠を示した主張はなされていないから、請求人の主張は採用できない。　
　
　さらに、請求人は、平成２１年２月１７日付けの回答書(以下、「回答書」という。）において、補正前の請求項４を補正後の請求項３とする補正を含む、審判請求時の手続補正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであると主張している。しかしながら、拒絶査定の追って書き（「以下は、拒絶査定の理由を構成するものではない。」の下）においては、「・本願の請求項４では、「イオン注入工程は、前記基板表面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われること」という補正がなされているが、
当該補正は、当初明細書及び図面に記載されたものとは認められない
　したがって、請求人の回答書における、補正事項３についての補正は平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的としているとの主張は、採用することができない。
　　
（５）補正後の請求項３の「前記トレンチ絶縁膜の突出部に隣接しているトレンチ絶縁膜の突出部を遮蔽層として用いて行う」ことに関して、本願の出願当初の明細書の【００１９】段落には、「これはイオン注入工程時にイオン注入角を０〜８０°範囲で設定するとともにより(Twist)角度を０〜３６０°の範囲で設定し、隣接しているトレンチ絶縁膜２４の突出部を遮蔽層として用いる
ことにより
トレンチ絶縁膜２４の突出部のうち、モウトがよく発生する部位Ａを除いた部位のみにイオンを注入させることが可能
　ここで、補正後の請求項３が引用する補正後の請求項１の「前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部のモウトがよく発生する部位を除いた部位に」「イオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」に対応するのは、上記【００１９】段落の「トレンチ絶縁膜２４の突出部のうち、モウトがよく発生する部位Ａを除いた部位のみにイオンを注入させる」段階であるが、そのための要件として、本願の明細書の【００１９】段落においては、「イオン注入工程時に」、（ａ）「イオン注入角を０〜８０°範囲で設定する」こと、（ｂ）「より(Twist)角度を０〜３６０°の範囲で設定」すること、及び（ｃ）「隣接しているトレンチ絶縁膜２４の突出部を遮蔽層として用いること」を挙げている。
　しかしながら、補正後の請求項３に発明特定事項として記載されているのは、上記（ｃ）のみであり、上記（ａ）、（ｂ）のいずれも記載されておらず、補正前の請求項４に記載の「前記イオン注入工程は前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われること」（上記（ａ）に相当すると請求人が主張しているもの）が、上記（ｃ）に対応するものでないことも明らかである。
　したがって、仮に、補正前の請求項４に記載される「垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われること」が上記（ａ）に相当するとしても、上記（ａ）ないし（ｃ）の内の、（ａ）と（ｃ）が概念の異なるものであることは明らかであって、上記（ａ）の要件に相当すると請求人が主張する、補正前の請求項４の「前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われる」を削除し、補正後の請求項３に上記（ｃ）に対応する要件を構成として追加することは、概念の異なる構成を差し替えるものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの目的にも該当しないことは明らかである。
　
　４．むすび 
　以上のとおりであるから、補正事項１及び２についての補正について検討するまでもなく、補正事項３についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　 
　
第４．本願の明細書について 
　平成１８年８月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の明細書および図面は、平成１８年５月２２日付けの手続補正により補正された明細書および図面であって、その特許請求の範囲に記載される、請求項１ないし７は以下のとおりである。 
　
「　【請求項１】　半導体基板上にパッド酸化膜及びパッド窒化膜を形成する段階と、
前記半導体基板にトレンチを形成する段階と、
前記トレンチ形成後、全体構造上にトレンチ絶縁膜を形成した後、第１平坦化工程を行って前記トレンチ絶縁膜を孤立させる段階と、
前記第１平坦化工程後、前記パッド窒化膜を除去して前記トレンチ絶縁膜の突出部を露出させる段階と、
前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階と、
前記イオン注入工程後、洗浄工程を行って前記パッド酸化膜および前記トレンチ絶縁膜の突出部を所定の幅にエッチングする段階と、
全体構造上に第１ポリシリコン層を形成した後、第２平坦化工程を行って、孤立したフローティングゲートを形成する段階と、
全体構造上に誘電体膜及び第２ポリシリコン層を形成した後、エッチング工程を行ってコントロールゲートを形成する段階とを含んでなることを特徴とするフラッシュメモリセルの製造方法。
　　【請求項２】　前記イオン注入工程は、前記トレンチ絶縁膜の突出部の側面のみにイオンを注入することを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
　　【請求項３】　前記パッド酸化膜は前記イオン注入工程時に半導体基板の上部表面を保護するための保護膜として使用されることを特徴とする請求項２記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
　　【請求項４】　前記イオン注入工程は前記基板平面に対して垂直線から１０°ないし９０°のイオン注入角で行われることを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
　　【請求項５】　前記イオン注入工程は、１Ｅ１０〜１Ｅ１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２のドーズを有する硼素、リン及び砒素のいずれかイオンを用いて２〜５ＫｅＶの低いイオン注入エネルギーで行われることを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
　　【請求項６】　前記洗浄工程はＨＦとＮＨ４ＯＨが所定の比率で混合された溶液を用いて２５０秒〜５５０秒間行うウェットエッチング方式であることを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリセルの製造方法。
　　【請求項７】　前記洗浄工程はＨＦを用いたドライエッチング方式であることを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリセルの製造方法。」
　
第５．当審の判断
１．原審における拒絶理由通知において、本願の請求項１ないし７は、以下の理由により、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないと指摘している。　
　 
「本願の請求項１には、単に、「イオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」と記載されているため、以下のような発明まで含む物と判断せざるを得ない。
（１）トレンチ絶縁膜の側面にドープされるもののみならず、トレンチ絶縁膜の上面にのみドープしているものまで含むものと判断せざるを得ない。
（２）イオン注入する不純物として、請求項５で記載された不純物のみならず、例えば、シリコンをイオン注入する工程まで含まれるものと判断せざるを得ない（シリコンを注入すると、エッチング速度が小さくなってしまい、本願発明と矛盾するものと認められる（引用文献３の発明の実施形態参照））。
　しかしながら、上記（１）及び（２）の場合には、本願発明の作用・効果を奏しないことは明らかであるから、そのような本願発明の作用・効果を奏さない発明については、本願の発明の詳細な説明に記載されたものとは認められない。
　また、本願の請求項１を引用する他の請求項についても同様である。」　
　
２．拒絶理由の（１）について　
　イオン注入について、請求項１には、「前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」と記載されている。
　請求項１の「前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」においては、「前記トレンチ絶縁膜の突出部」のどの部分にドープするかについて何ら限定がされていないので、拒絶理由通知で指摘したとおり、「トレンチ絶縁膜の
上面にのみ
上面にのみ
　したがって、請求項１に係る発明は、本願の発明の詳細な説明に記載されたものではない。　
　また、請求項１を引用する請求項３，５ないし７に係る発明も、同様な理由により、本願の発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　　
３．拒絶理由の（２）について　　
　イオン注入について、請求項１には、「前記パッド窒化膜除去後、前記トレンチ絶縁膜の突出部にイオン注入工程を行って前記トレンチ絶縁膜の突出部をドープさせる段階」と記載されているが、何をイオン注入するか、どの程度の量及びエネルギーでドープするかについて何ら記載されていない。
　これに対し、拒絶理由通知では、「（２）イオン注入する不純物として、請求項５で記載された不純物のみならず、例えば、シリコンをイオン注入する工程まで含まれるものと判断せざるを得ない（シリコンを注入すると、エッチング速度が小さくなってしまい、本願発明と矛盾するものと認められる（引用文献３の発明の実施形態参照））。」と指摘している。
　ここで、拒絶理由通知で引用文献３として引用した特開平１１−１２１６０７号公報には、図２とともに、「【００１４】ＣＶＤ酸化膜６をトレンチ溝５の内部に埋め込んだ後、ＣＭＰ法によって、ＣＶＤ酸化膜６をストッパーであるＣＶＤ窒化膜３が顕われるまで平坦化する（図２（ａ））。この後、基板全面にシリコンをドーズ量４×１０１４乃至９×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２で、注入エネルギーは１０乃至３０ｋｅＶでイオン注入する。シリコンイオン注入は酸化膜中でのシリコン濃度が％オーダーになる程度注入する。尚、この条件でのシリコンイオン注入によって、ＣＶＤ酸化膜６中にその表面からおよそ３０乃至８０ｎｍの厚さに渡って、シリコンを１乃至１０％過剰に含むシリコン注入層８が形成される（図２（ｂ））。続いて、ストッパーであったＣＶＤ窒化膜３をリン酸系のエッチング液で剥離する（図２（ｃ））。　【００１５】この状態で、基板全体を温度９００℃の窒素雰囲気中で、１０乃至６０分間程度の熱処理を行う。この熱処理は、トレンチ溝５内のＣＶＤ酸化膜６中にイオン注入されたシリコンのＣＶＤ酸化膜６の中での結合を確実にする目的で行う。・・・この後、ふっ酸系のエッチング液でパッド酸化膜２を除去するが、この時、トレンチ溝５内の
ＣＶＤ酸化膜６は、その表面にシリコン注入ＣＶＤ酸化膜層８があるため、ふっ酸系のエッチング液に対するエッチングレートが小さく
　請求項１の、イオン注入をするための上記段落において、シリコンをイオン注入すると、シリコンが注入された部分では、引用文献３の上記記載に従えば、むしろ、エッチング速度が遅くなり、イオン注入した部分のエッチング速度（エッチング率）を増加することはできないから、上記２．で引用した本願の明細書の【００２６】段落及び【００２７】段落に記載される作用効果が奏せられないことは、当業者にとって明らかであり、また、引用文献３でのイオン注入の量及びエネルギーが本願の明細書に記載されるイオン注入の量及びエネルギーと相違するとしても、請求項１には、イオン注入の量及びエネルギーのいずれについても記載されていないから、本願の明細書に記載される作用効果が、請求項１に係る発明により奏せられないことは明らかである。
　したがって、請求項１に係る発明は、本願の発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　また、請求項１を引用する請求項２ないし４，６及び７に係る発明も、同様な理由により、本願の発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　
第６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。