Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともナースコール応答用の受話器と、看護師の看護行為および介護行為に関する複数の看護記録項目から選択可能に看護記録を入力する表示入力手段と、これらを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は患者からのナースコールに応答して前記受話器で聴取したときの日時、および前記表示入力手段から選択した看護記録項目を当該患者のナースコール記録として自動作成することを特徴とするナースコール装置。
【請求項２】
複数の看護師名を表示すると共に、前記複数の看護師の勤務状態を表示する選択可能な職員入力手段を更に有し、
前記ナースコールに応答して看護又は介護を他の看護師に依頼するために前記職員入力手段から看護師を選択入力した場合、前記制御部はその入力に応じて当該対応変更を記録することを特徴とする請求項１に記載のナースコール装置。
【請求項３】
前記患者の異常を告げる緊急ボタンを更に有し、前記緊急ボタンの押下により患者の異常事態の発生を職員である医師および看護師に通知することを特徴とする請求項１に記載のナースコール装置。
【請求項４】
前記通知は、異常報知用可動手段を作動させるものであることを特徴とする請求項３に記載のナースコール装置。
【請求項５】
少なくともナースコール応答用の受話器と、看護師の看護行為および介護行為に関する複数の看護記録項目から選択可能に看護記録を入力する表示入力手段と、これらを制御する制御部と、を有し、前記制御部は患者からのナースコールに応答して前記受話器で聴取したときの日時、および前記表示入力手段から選択した看護記録項目を当該患者のナースコール記録として自動作成するナースコール装置と、
前記ナースコール装置で作成された前記ナースコール記録が時系列に保存される看護記録データベースを有する病院情報コンピュータと、
を有することを特徴とするナースコールシステム。
【請求項６】
前記ナースコール装置は、前記ナースコール記録を表示することができ、
前記制御部は、前記病院情報コンピュータの前記看護記録データベースから取得した前記ナースコール記録を表示することを特徴とする請求項５に記載のナースコールシステム。
【請求項７】
前記ナースコール装置は、複数の看護師名を表示すると共に、前記複数の看護師の勤務状態を表示する選択可能な職員入力手段を更に有し、
前記ナースコールに応答して看護又は介護を他の看護師に依頼するために前記職員入力手段から看護師を選択入力した場合、前記制御部はその入力に応じて当該対応変更を作成して前記病院情報コンピュータの前記看護記録データベースに記録し、
前記看護師の勤務状態は前記病院情報コンピュータの勤務情報データベースから得ることを特徴とする請求項５に記載のナースコールシステム。
【請求項８】
前記ナースコール装置には、前記患者の異常を告げる緊急ボタンが更に設けられ、
前記緊急ボタンが押下されたとき、前記患者の異常事態の発生を職員である医師および看護師に異常報知用可動手段を作動させて通知することを特徴とする請求項５に記載のナースコールシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明のナースコール装置は、少なくともナースコール応答用の受話器と、看護師の看護行為および介護行為に関する複数の看護記録項目から選択可能に看護記録を入力する表示入力手段と、これらを制御する制御部と、を有し、前記制御部は患者からのナースコールに応答して前記受話器で聴取したときの日時、および前記表示入力手段から選択した看護記録項目を当該患者のナースコール記録として自動作成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のナースコールシステムは、少なくともナースコール応答用の受話器と、看護師の看護行為および介護行為に関する複数の看護記録項目から選択可能に看護記録を入力する表示入力手段と、これらを制御する制御部と、を有し、前記制御部は患者からのナースコールに応答して前記受話器で聴取したときの日時、および前記表示入力手段から選択した看護記録項目を当該患者のナースコール記録として自動作成するナースコール装置と、前記ナースコール装置で作成された前記ナースコール記録が保存される看護記録データベースを有する病院情報コンピュータと、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２は、医療機関の病院情報コンピュータ２００の構成例を示すブロック図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
そして、制御部６０は病院情報コンピュータ２００と通信を行い、患者ＩＤ、職員ＩＤ、記録内容(コード)を送信する。病院情報コンピュータ２００は、受取った情報から看護記録を看護記録ＤＢ２００ｄ５に保存する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（記録の追加・修正・削除など）
制御部６０は、病院情報コンピュータ２００にログインし、看護記録ＤＢ２００ｄ５から対応したナースコール記録を一覧表示する。そして、編集対象となる記録情報を選択し、記録の追記・修正・削除を行うことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
そして、制御部６０は、このようにして記録した記録情報を、病院情報コンピュータ２００へ送信する。病院情報コンピュータ２００は、送信された記録情報を看護記録ＤＢ２００ｄ５に保存する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
そして、制御部６０は、このようにして記録した記録情報を、病院情報コンピュータ２００へ送信する。病院情報コンピュータ２００は、送信された記録情報を看護記録ＤＢ２００ｄ５に保存する
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010258869.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2010258869.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたエピタキシャル層に第１のトレンチと当該第１のトレンチを更に深くエッチングすることで第２のトレンチを形成し、
前記第２のトレンチの幅を拡張し、
前記拡張された第２のトレンチを酸化することで酸化膜を形成し、
前記第１のトレンチ及び前記酸化膜が形成された第２のトレンチに電極材料を充填する、
半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に埋め込まれ、上面が前記第１絶縁層の上面より高い配線と、
前記配線と前記第１絶縁層の間に位置するエアギャップと、
前記第１絶縁層上、前記エアギャップ上、及び前記配線上に形成されたエッチングストッパー膜と、
前記エッチングストッパー膜上に形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層に埋め込まれ、前記配線に接続するビアと、
を備え、
前記エッチングストッパー膜は、前記エアギャップ上に位置する部分が、前記配線上に位置する部分より厚い半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
また、本発明は以下の態様を含む。
［１］第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に埋め込まれ、上面が前記第１絶縁層の上面より高い配線と、
前記配線と前記第１絶縁層の間に位置するエアギャップと、
前記第１絶縁層上、前記エアギャップ上、及び前記配線上に形成されたエッチングストッパー膜と、
前記エッチングストッパー膜上に形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層に埋め込まれ、前記配線に接続するビアと、
を備え、
前記エッチングストッパー膜は、前記エアギャップ上に位置する部分が、前記配線上に位置する部分より厚い半導体装置。
［２］［１］に記載の半導体装置において、
前記エアギャップは、前記エッチングストッパー膜により形成されている半導体装置。
［３］［１］又は［２］に記載の半導体装置において、
前記配線上に位置する金属キャップ膜を備える半導体装置。
［４］［１］〜［３］のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記第１絶縁層は、ＳｉＣＯＨ膜、ＳｉＣＯＨＮ膜、またはＳｉＣＯＨ膜若しくはＳｉＣＯＨＮ膜ポーラス膜である半導体装置。
［５］第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に溝を形成する工程と、
前記溝に埋め込まれた配線を形成する工程と、
前記第１絶縁層と前記配線の間にスペースを形成し、かつ前記配線の上面を前記第１絶縁層の上面より上に位置させる工程と、
前記スペースにエアギャップを形成し、かつ前記第１絶縁層上及び前記配線上にエッチングストッパー膜を形成する工程と、
前記エッチングストッパー膜上に第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層に、前記配線上に位置するビアを埋め込む工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
［６］［５］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記エアギャップ及び前記エッチングストッパー膜を形成する工程において、前記エッチングストッパー膜によって前記エアギャップを形成する半導体装置の製造方法。
［７］［５］又は［６］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記溝を形成する工程において、前記溝の側壁に前記第１絶縁層が変質した第１変質層を形成し、
前記配線を形成する工程と、前記スペースを形成して前記配線の上面を前記第１絶縁層の上面より上に位置させる工程の間に、前記第１絶縁層の表層に、前記第１絶縁層が変質した第２変質層を形成する工程を有し、
前記第１絶縁層と前記配線の間にスペースを形成し、かつ前記配線の上面を前記第１絶縁層の上面より上に位置させる工程は、前記第１変質層及び前記第２変質層を除去する工程である半導体装置の製造方法。
［８］［７］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１絶縁層は、ＳｉＣＯＨ膜、ＳｉＣＯＨＮ膜、またはＳｉＣＯＨ膜若しくはＳｉＣＯＨＮ膜ポーラス膜であり、
前記第１変質層、及び前記第２変質層は、前記第１絶縁層の炭素濃度が低下した低炭素層である半導体装置の製造方法。
［９］［８］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２変質層を形成する工程は、前記第１絶縁層を水素含有プラズマで処理する工程である半導体装置の製造方法。
［１０］［５］〜［９］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記ビアを形成する工程は、
前記第２絶縁層に接続孔を形成する工程と、
前記接続孔の底面及び側壁に拡散防止膜を形成する工程と、
前記拡散防止膜上にメッキシード膜を形成する工程と、
前記メッキシード膜を用いてメッキ処理を行うことにより、前記接続孔内に導電膜を埋め込む工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
［１１］［５］〜［１０］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線を形成する工程の後、前記エッチングストッパー膜及び前記エアギャップを形成する工程の前に、前記配線上に金属キャップ膜を形成する工程を有し、
前記エッチングストッパー膜及び前記エアギャップを形成する工程において、前記金属キャップ膜上に前記エッチングストッパー膜を形成する半導体装置の製造方法。
［１２］［１１］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属キャップ膜を形成する工程は、無電解メッキ法又は選択ＣＶＤ法である半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に埋め込まれ、上面が前記第１絶縁層の上面より高い配線と、
前記配線と前記第１絶縁層の間に位置するエアギャップと、
少なくとも前記第１絶縁層上及び前記エアギャップ上に形成された第２絶縁層と、
少なくとも前記第２絶縁層上に形成されたエッチングストッパー膜と、
前記エッチングストッパー膜上に形成された第３絶縁層と、
少なくとも前記第３絶縁層に埋め込まれ、前記配線に接続するビアと、
を備える半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
また、本発明は以下の態様を含む。
［１］第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に埋め込まれ、上面が前記第１絶縁層の上面より高い配線と、
前記配線と前記第１絶縁層の間に位置するエアギャップと、
少なくとも前記第１絶縁層上及び前記エアギャップ上に形成された第２絶縁層と、
少なくとも前記第２絶縁層上に形成されたエッチングストッパー膜と、
前記エッチングストッパー膜上に形成された第３絶縁層と、
少なくとも前記第３絶縁層に埋め込まれ、前記配線に接続するビアと、
を備える半導体装置。
［２］［１］に記載の半導体装置において、
前記エアギャップは、前記第２絶縁層により形成されている半導体装置。
［３］［１］又は［２］に記載の半導体装置において、
前記第２絶縁層は、比誘電率が３．５以下である半導体装置。
［４］［１］〜［３］のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記配線は、上面が前記第２絶縁層に被覆されておらず、
前記エッチングストッパー膜は、前記配線上にも形成されている半導体装置。
［５］［１］〜［３］のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記配線は、上面が前記第２絶縁層に被覆されており、
前記ビアは、下部が前記第２絶縁層に埋め込まれている半導体装置。
［６］［１］〜［５］のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記配線上に位置する金属キャップ膜を備える半導体装置。
［７］［１］〜［６］のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記ビアは、メッキ法により形成されている半導体装置。
［８］［１］〜［７］のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記第１絶縁層は、ＳｉＣＯＨ膜、ＳｉＣＯＨＮ膜、またはＳｉＣＯＨ膜若しくはＳｉＣＯＨＮ膜のポーラス膜である半導体装置。
［９］第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に溝を形成する工程と、
前記溝に埋め込まれた配線を形成する工程と、
前記第１絶縁層と前記配線の間にスペースを形成し、かつ前記配線の上面を前記第１絶縁層の上面より高くする工程と、
前記スペースにエアギャップを形成し、かつ少なくとも前記第１絶縁層上及び前記配線上に第２絶縁層を形成する工程と、
少なくとも前記第２絶縁層上にエッチングストッパー膜を形成する工程と、
前記エッチングストッパー膜上に第３絶縁層を形成する工程と、
少なくとも前記第３絶縁層に、前記配線上に位置するビアを埋め込む工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
［１０］［９］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記エアギャップ及び前記第２絶縁層を形成する工程において、前記第２絶縁層によって前記エアギャップを形成する半導体装置の製造方法。
［１１］［１０］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記エアギャップ及び前記第２絶縁層を形成する工程は、
前記スペース上、前記第１配線層上、及び前記配線上に前記第２絶縁層を成膜する工程と、
前記第２絶縁層の表層をＣＭＰ法により除去する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
［１２］［１１］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁層の表層をＣＭＰ法により除去する工程において、前記配線を前記第２絶縁層から露出させる半導体装置の製造方法。
［１３］［１１］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁層の表層をＣＭＰ法により除去する工程において、前記第２絶縁層を前記配線上に残す半導体装置の製造方法。
［１４］［９］〜［１３］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁層は比誘電率が３．５以下である半導体装置の製造方法。
［１５］［９］〜［１４］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記溝を形成する工程において、前記溝の側壁に前記第１絶縁層が変質した第１変質層を形成し、
前記配線を形成する工程と、前記スペースを形成して前記配線の上面を前記第１絶縁層の上面より高くする工程の間に、前記第１絶縁層の表層に、前記第１絶縁層が変質した第２変質層を形成する工程を有し、
前記第１絶縁層と前記配線の間にスペースを形成し、かつ前記配線の上面を前記第１絶縁層の上面より高くする工程は、前記第１変質層及び前記第２変質層を除去する工程である半導体装置の製造方法。
［１６］［１５］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１絶縁層は、ＳｉＣＯＨ膜、ＳｉＣＯＨＮ膜、またはＳｉＣＯＨ膜若しくはＳｉＣＯＨＮ膜のポーラス膜であり、
前記第１変質層、及び前記第２変質層は、前記第１絶縁層の炭素濃度が低下した低炭素層である半導体装置の製造方法。
［１７］［１６］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２変質層を形成する工程は、前記第１絶縁層を水素含有プラズマで処理する工程である半導体装置の製造方法。
［１８］［９］〜［１７］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記ビアを形成する工程は、
少なくとも前記第３絶縁層に接続孔を形成する工程と、
前記接続孔の底面及び側壁に拡散防止膜を形成する工程と、
前記拡散防止膜上にメッキシード膜を形成する工程と、
前記メッキシード膜を用いてメッキ処理を行うことにより、前記接続孔内に導電膜を埋め込む工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
［１９］［９］〜［１８］のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線を形成する工程の後、前記第２絶縁層及び前記エアギャップを形成する工程の前に、前記配線上に金属キャップ膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
［２０］［１９］に記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属キャップ膜を形成する工程は、無電解メッキ法又は選択ＣＶＤ法である半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有し、かつ前記主表面に溝を有する半導体基板と、
前記溝内を埋め込む埋め込み絶縁膜と、
少なくとも前記埋め込み絶縁膜上に位置するゲート電極層とを備え、
前記溝は、互いに対向する一方壁部と他方壁部とを有し、かつ前記一方壁部および前記他方壁部の少なくともいずれかの壁部の前記主表面と前記溝の底部との間に角部を有している、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部領域のレイアウトに第１電源の電源供給線の配線を生成する工程と、
前記電源供給線に接続されるように複数のプリミティブセルの各々の配置を生成する工程と、
前記第１電源の電源供給線から前記複数のプリミティブセルの各々に供給される信号のタイミングが所定の基準を満たすか否かの確認を行う工程と、
前記所定の基準を満たすことが確認された後に、前記複数のプリミティブセルの中の少なくとも一つの電源分離対象セルに対して、前記第１電源が供給する第１電位に替えて第２電源が生成する第２電位を供給するために配線する工程
とを具備するレイアウト設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レイアウト設計方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１配線と、
前記半導体基板上の前記第１配線との交差部において、隙間を介して前記第１配線を跨ぐように形成された第２配線と、
前記交差部の前記第２配線下において、少なくとも前記第１配線を覆うように前記半導体基板上に形成された保護膜と、
前記交差部の前記第２配線下の前記保護膜上において、前記保護膜の端部よりも内側に形成され、前記交差部の前記第１配線を覆うように島状に形成された絶縁膜と、を備えた半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月11日(2012.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成され表面にリッジを有する窒化物半導体層と、該窒化物半導体層表面に設けられた絶縁性保護膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記絶縁性保護膜は、リッジの側面及び窒化物半導体層表面に接触して設けられる第１膜と、第１膜上に設けられた第２膜とを有し、第１膜と第２膜の間に空隙を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１膜と前記第２膜は異なる材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第１膜は、前記リッジの側面の一部を露出するように設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１膜は、前記リッジの側面を被覆するように設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１膜は結晶質の材料で形成され、前記第２膜はアモルファスを含む材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記空隙は、前記窒化物半導体層の表面に設けられた第１膜の表面と前記リッジの側面とで規定される角部において、第１膜、第２膜及びリッジ側面に囲まれて設けられる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記空隙は、前記窒化物半導体層の表面に設けられた第１膜の表面と前記リッジの側面に設けられた第１膜の表面で規定される角部において、第１膜及び第２膜に囲まれて設けられる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記空隙は断面視で横長である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記第１膜は、前記第２膜よりも膜厚が薄い請求項１乃至８のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記第１膜はＡｌＮ又はＡｌ２Ｏ３で形成され、前記第２膜はＺｒＯ２又はＳｉＯ２で
形成されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ
素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのパッケージに形成される半導体装置であって、
第１、第２、第３、第４および第５の外部端子を備え、
それぞれが第１、第２および第３の電極を有する第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを備え、
前記第１および第２のトランジスタは封止体によって封止され、
前記第１のトランジスタは前記第１の外部端子を含む板状の第１の導体部材上に搭載され、
前記第２のトランジスタは前記第２の外部端子を含む板状の第２の導体部材上に搭載され、
前記第１のトランジスタの前記第１の電極は、前記第１の外部端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記第１の電極は、前記第２の外部端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記第２の電極は、前記第２の外部端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記第２の電極は、前記第３の外部端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記第３の電極は、前記第４の外部端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記第３の電極は、前記第５の外部端子に電気的に接続され、
前記第３、第４および第５の外部端子は、前記第１、第２の外部端子の間に存在することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
第２のセラミック部分領域が第１のセラミック部分領域の表面上に設置されている、請求項６記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記基体（１）中の前記導電性の電極層（２５）は、前記２つのセラミック部分領域の交互に配置された層に対して平行に配置されている、請求項１３記載のデバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
スピネルは、次のグループ：チタン、アルミニウム、カルシウム、ジルコニウム、マグネシウムから選択される金属でドープされている、請求項１６記載のデバイス。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
保護層（６５）が１０6Ωｃｍを上回る高い比電気抵抗を有する材料を有する、請求項２０記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光を波長変換して波長変換光を発生させる量子点及び前記量子点を分散させる分散媒質と、
前記量子点が分散された分散媒質の表面をパック内に密封する密封部材と、
を含む量子点波長変換体。
【請求項２】
前記量子点は、Ｓｉ系ナノ結晶、ＩＩ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶、ＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体ナノ結晶、ＩＶ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶及びこれらの混合物のうちいずれか一つのナノ結晶を含むことを特徴とする請求項１に記載の量子点波長変換体。
【請求項３】
前記ＩＩ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ及びＨｇＺｎＳＴｅで構成された群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項２に記載の量子点波長変換体。
【請求項４】
前記ＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体ナノ結晶は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、及びＩｎＡｌＰＡｓで構成された群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項２に記載の量子点波長変換体。
【請求項５】
前記ＩＶ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶は、ＳｂＴｅであることを特徴とする請求項２に記載の量子点波長変換体。
【請求項６】
前記分散媒質は、液体状態であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の量子点波長変換体。 
【請求項７】
前記分散媒質は、エポキシ樹脂またはシリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の量子点波長変換体。 
【請求項８】
前記密封部材は、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の量子点波長変換体。 
【請求項９】
分散媒質に励起光を波長変換して波長変換光を発生させる量子点を分散させる段階と、
前記量子点が分散された分散媒質の表面を密封部材でパック内に密封する段階と、
を含む量子点波長変換体の製造方法。
【請求項１０】
前記密封する段階は、
第１密封シート及び第２密封シートを用意して積層する段階と、
前記第１及び第２密封シートの間に前記量子点が分散された分散媒質を注入する段階と、
前記第１及び第２密封シートの前記量子点が分散された分散媒質の周囲を加熱して熱粘着させる段階と、
を含むことを特徴とする請求項９に記載の量子点波長変換体の製造方法。
【請求項１１】
発光源と、
前記発光源の発光方向の上部に形成され、励起光を波長変換して波長変換光を発生させる量子点と、
前記量子点を分散させる分散媒質と、前記量子点が分散された分散媒質の表面をパック内に密封する密封部材を含む量子点波長変換体と、
を含む発光装置。
【請求項１２】
前記発光源は、発光ダイオード及びレーザダイオードのうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記量子点波長変換体は、複数であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記複数の量子点波長変換体のうち少なくとも２以上の層は、前記発光源から発光された光を相違する波長に変換することができる量子点を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記発光源は青色光を発光し、
前記複数の波長変換体のうちいずれか一つの第１量子点波長変換体は赤色光を放出し、
前記複数の波長変換体のうち前記第１量子点波長変換体とは異なる第２量子点波長変換体は緑色光を放出することを特徴とする請求項１３または１４に記載の発光装置。 
【請求項１６】
前記発光源が実装される底面及び反射部が形成された側面を含む溝部と、
前記溝部を支持し、前記発光源と電気的に連結された電極部が形成された支持部と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。 
【請求項１７】
前記溝部は、封止物質で封止されたことを特徴とする請求項１６に記載の発光装置。
【請求項１８】
前記封止物質は、エポキシ、シリコーン、アクリル系高分子、ガラス、カーボネート系高分子及びこれらの混合物のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１７に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図５は、音像定位処理フィルタ１２の構成例を説明するための図である。音像定位処理フィルタ１２は、例えば、図５（ａ）に示すように、１つのデジタルフィルタによって実現することができる。当該デジタルフィルタ１２は、例えば、前述したＰＥＱといったＩＩＲ（Infinite Impulse Response）フィルタやＦＩＲ(Finite Impulse Response)フィルタによって実現可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動的焦点スポット偏向時のＸ線管出力の減定格を少なくする方法であって、
回転アノードＸ線管において電子ビームを発生するステップ（４０２）と、
前記電子ビームの発生に応答して、前記電子ビームを前記アノードの第一の位置に合焦させるステップ（４０４）と、
前記合焦に応答して、前記電子ビームを前記アノードにおいて脱焦させるステップ（４０６）と、
前記脱焦に応答して、前記電子ビームを前記第一の位置とは異なる前記アノードの第二の位置に再合焦させるステップ（４０８）と、
を備えた方法。
【請求項２】
前記電子ビーム（１０８）を第一の位置（１２０）に合焦させるステップ（４０４）は、
第一のバイアス電圧（１１４）により第一の電極（１１２）にバイアスを加えるステップと、
第二のバイアス電圧（１１８）により第二の電極（１１６）にバイアスを加えるステップと、
をさらに含んでおり、前記電子ビーム（１０８）を前記アノード（１１０）の公称焦点スポット径（１２４）に位置する第一の位置（１２０）に向けるために、前記第二のバイアス電圧（１１８）は前記第一のバイアス電圧（１１４）よりも低い、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電子ビーム（１０８）を脱焦させるステップ（４０６）は、
前記電子ビーム（１０８）を脱焦させるために、第二の電極（１１６）のバイアス電圧（１１８）を上昇させるステップ
をさらに含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電子ビーム（１０８）を前記アノード（１１０）の第二の位置（１２２）に再合焦させるステップ（４０８）は、
前記電子ビーム（１０８）を前記アノード（１１０）の公称焦点スポット径（１２４）に位置する第二の位置（１２２）に向けて合焦させるために、第一の電極（１１２）の第一のバイアス電圧（１１４）を第二の電極（１１６）の第二のバイアス電圧（１１８）よりも低い電圧に低下させるステップ
をさらに含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電子ビーム（１０８）を第一の位置（１２０）に合焦させるステップ（４０４）は、
前記電子ビーム（１０８）を第一の位置（１２０）に向けるために、１又は複数の磁場を印加するステップ
をさらに含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電子ビーム（１０８）を脱焦させるステップ（４０６）は、
前記電子ビーム（１０８）を脱焦させるために、１又は複数の磁場を印加するステップ
をさらに含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記電子ビーム（１０８）を前記アノード（１１０）の第二の位置（１２２）に再合焦させるステップ（４０８）は、
前記電子ビーム（１０８）を前記アノード（１１０）の前記第二の位置（１２２）に再合焦させるために、１又は複数の磁場を印加するステップ
をさらに含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
動的焦点スポット偏向時のＸ線管出力の減定格を少なくする方法であって、
回転アノードＸ線管において電子ビームを発生するステップ（４０２）と、
前記電子ビームの発生に応答して、前記電子ビームをアノードの第一の位置に合焦させるステップ（４０４）と、
前記合焦に応答して、前記電子ビームを前記第一の位置とは異なる前記アノードの第二の位置に再合焦させるステップ（４０８）と、
を備えた方法。
【請求項９】
前記電子ビーム（１０８）を第一の位置（１２０）に合焦させるステップ（４０４）は、
第一のバイアス電圧（１１４）により第一の電極（１１２）にバイアスを加えるステップと、
第二のバイアス電圧（１１８）により第二の電極（１１６）にバイアスを加えるステップと、
をさらに含んでおり、前記電子ビーム（１０８）を前記アノード（１１０）の公称焦点スポット径（１２４）に位置する第一の位置（１２０）に向けるために、前記第二のバイアス電圧（１１８）は前記第一のバイアス電圧（１１４）よりも低い、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記電子ビーム（１０８）を前記アノード（１１０）の第二の位置（１２２）に再合焦させるステップ（４０８）は、
前記電子ビーム（１０８）を前記アノード（１１０）の公称焦点スポット径（１２４）に位置する第二の位置（１２２）に向けて合焦させるために、第一の電極（１１２）の第一のバイアス電圧（１１４）を第二の電極（１１６）の第二のバイアス電圧（１１８）よりも低い電圧に低下させるステップ
をさらに含んでいる、請求項８または９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月30日(2012.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力信号によって制御対象物の選択／非選択を規定するデコーダ回路であって、
電位設定ノードに高電圧を付与する高電圧付与部と、
入力信号に基づき選択状態の有無を判定し、選択状態時に、前記電位設定ノードの電圧を前記高電圧より低い低電圧に強制的に設定する低電圧設定部と、
前記電位設定ノードより得られる電圧に基づき、前記高電圧及び前記低電圧を含む電圧レベルの前記出力信号を出力する出力信号駆動部とをさらに備え、
前記高電圧付与部は、
常時オン状態に設定されて前記電位設定ノードに前記高電圧を付与する第１のスイッチング素子と、
前記第１のスイッチング素子と独立して設けられ、非選択状態の開始当初の所定期間にオン状態に設定されて前記電位設定ノードに前記高電圧を付与する第２のスイッチング素子とを含む、
デコーダ回路。
【請求項２】
出力信号によって制御対象物の選択／非選択を規定するデコーダ回路であって、
電位設定ノードに高電圧を付与する高電圧付与部と、
入力信号に基づき選択状態の有無を判定し、選択状態時に、前記電位設定ノードの電圧を前記高電圧より低い低電圧に強制的に設定する低電圧設定部と、
前記電位設定ノードより得られる電圧に基づき、前記高電圧及び前記低電圧を含む電圧レベルの前記出力信号を出力する出力信号駆動部とをさらに備え、
前記高電圧付与部は、直列接続された第１及び第２のスイッチング素子を介して前記高電圧を付与し、
前記高電圧付与部は、
前記第１及び第２のスイッチング素子とは独立して設けられ、非選択状態の開始当初の所定期間にオン状態に設定され、前記電位設定ノードに前記高電圧を付与する第３のスイッチング素子をさらに備える、
デコーダ回路。
【請求項３】
請求項２記載のデコーダ回路であって、
前記高電圧は前記第１及び第２のスイッチング素子のオン耐圧以上のオン耐圧超高電圧を含む、
デコーダ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜、第１の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に凹部を有するレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第１の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行って少なくとも前記第１の導電膜を露出させ、
前記第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極を形成し、
前記第１のレジストマスクを後退させて前記第１のレジストマスクの凹部と重畳する領域の前記第２の導電膜を露出させ、
前記後退させたレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成し、
前記レジストマスクを除去した後、前記ソース電極及びドレイン電極、前記ソース領域及びドレイン領域並びに前記半導体層を含む薄膜トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にカラーフィルタ層を、前記薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するように形成し、
前記カラーフィルタ層上に画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記凹部を有するレジストマスクは多階調マスクを用いて形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
第１の導電膜、第１の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の導電膜、前記第１の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行って少なくとも前記第１の導電膜を露出させ、
前記第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極を形成し、
前記第１のレジストマスクを除去した後、第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成し、
前記第２のレジストマスクを除去した後、前記ソース電極及びドレイン電極、前記ソース領域及びドレイン領域並びに前記半導体層を含む薄膜トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にカラーフィルタ層を、前記薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するように形成し、
前記カラーフィルタ層上に画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
第１の導電膜、第１の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に凹部を有するレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第１の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行って少なくとも前記第１の導電膜を露出させ、
前記第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極を形成し、
前記第１のレジストマスクを後退させて前記第１のレジストマスクの凹部と重畳する領域の前記第２の導電膜を露出させ、
前記後退させたレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成し、
前記レジストマスクを除去した後、前記ソース電極及びドレイン電極、前記ソース領域及びドレイン領域並びに前記半導体層を含む薄膜トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に選択的にカラーフィルタ層を形成し、
前記カラーフィルタ層上に画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記凹部を有するレジストマスクは多階調マスクを用いて形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
第１の導電膜、第１の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行って少なくとも前記第１の導電膜を露出させ、
前記第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極を形成し、
前記第１のレジストマスクを除去した後、第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極、ソース領域及びドレイン領域並びに半導体層を形成し、
前記第２のレジストマスクを除去した後、前記ソース電極及びドレイン電極、前記ソース領域及びドレイン領域並びに前記半導体層を含む薄膜トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に選択的にカラーフィルタ層を形成し、
前記カラーフィルタ層上に画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、
前記カラーフィルタ層は、印刷法又はインクジェット法を用いて選択的に形成されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記サイドエッチングにより、前記第１の絶縁層の側面から所定の距離だけ内側に側面を有するゲート電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１のエッチングはドライエッチングであり、
前記第２のエッチングはウエットエッチングであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の製造方法を用いて製造された液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の液晶表示装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月5日(2011.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも着色剤、結着樹脂、離型剤からなるトナーであって、該トナーは水系媒体中で作製する方法により得られたものであり、該トナーのＧＰＣによるＴＨＦ可溶成分の分子量分布が、Ｍｗ４０００〜１１０００であり、分子量２００〜５００の低分子量成分のピーク面積が全体の３．２％以下であることを特徴とする静電荷像現像用トナー。
【請求項２】
前記トナーのガラス転移温度は、４０℃以上であることを特徴とする請求項１に記載の静電荷像現像用トナー。
【請求項３】
前記トナーの体積平均粒径は、４．５μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の静電荷像現像用トナー。
【請求項４】
前記離型剤がポリオレフィンワックス、長鎖炭化水素、カルボニル基含有ワックスから選択される単独または２種以上含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の静電荷像現像用トナー。
【請求項５】
少なくとも有機溶媒中に、ポリエステル樹脂、活性水素基を有する化合物と反応可能な部位を有する重合体、活性水素基を有する化合物、離型剤、着色剤を溶解又は分散させ、該溶液または分散液を水系媒体中で分散させ、活性水素基を有する化合物と反応可能な部位を有する重合体を活性水素基を有する化合物と架橋又は伸長反応させることで得られることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の静電荷像現像用トナー。
【請求項６】
前記有機溶媒中に、さらに層間のイオンの少なくとも一部を有機物イオンで変性した層状無機鉱物を溶解又は分散させることを特徴とする請求項５に記載の静電荷像現像用トナー。
【請求項７】
前記活性水素基を有する化合物と反応可能な部位を有する重合体が、末端にイソシアネート基を有する変性ポリエステルプレポリマーであり、活性水素基を有する化合物がアミン類であることを特徴とする請求項５または６に記載の静電荷像現像用トナー。
【請求項８】
前記トナーが非磁性一成分現像用トナーであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の静電荷像現像用トナー。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーを用いたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーを充填したことを特徴とするトナー容器。
【請求項１１】
潜像担持体と、少なくとも潜像担持体上の潜像をトナーで現像する現像装置とを一体化して画像形成装置に対して着脱可能に構成したプロセスカートリッジにおいて、前記トナーとして、請求項１〜８のいずれかに記載の静電荷像現像用トナーを用いることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、本発明は以下のとおりである。
（１）少なくとも着色剤、結着樹脂、離型剤からなるトナーであって、該トナーは水系媒体中で作製する方法により得られたものであり、該トナーのＧＰＣによるＴＨＦ可溶成分の分子量分布が、Ｍｗ４０００〜１１０００であり、分子量２００〜５００の低分子量成分のピーク面積が全体の３．２％以下であることを特徴とする静電荷像現像用トナー。
（２）前記トナーのガラス転移温度は、４０℃以上であることを特徴とする前記（１）に記載の静電荷像現像用トナー。
（３）前記トナーの体積平均粒径は、４．５μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の静電荷像現像用トナー。
（４）前記離型剤がポリオレフィンワックス、長鎖炭化水素、カルボニル基含有ワックスから選択される単独または２種以上含有することを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載の静電荷像現像用トナー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月6日(2012.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に複数種類の図柄が配列されている複数のリールと、
リプレイ、小役、レギュラーボーナス、およびビッグボーナスを含む複数種類の役の当否を決定する抽選を行う抽選手段と、
前記複数のリールの回転及び停止の契機となる操作を行うための操作手段と、
前記操作手段への停止操作に基づいて、回転している前記複数のリールを前記役の当否に応じて停止させる制御を行うリール停止制御手段と、
前記複数のリールが停止した状態において、有効ライン上に停止している図柄の組合せが、役毎に予め定められた入賞の形態であるか否かを判定する入賞判定手段と、
前記リプレイの入賞に基づいて遊技者の所有する遊技媒体を要さずに次回の遊技を行わせるリプレイ処理を行うリプレイ処理手段と、
前記小役の入賞に基づいて遊技媒体の払い出しに関する制御を行う払出制御手段と、
通常状態、レギュラーボーナス状態、およびビッグボーナス状態を含む複数種類の遊技状態の間で遊技状態を移行させ、前記レギュラーボーナスの入賞に基づいて遊技状態をレギュラーボーナス状態に移行させ、前記ビッグボーナスの入賞に基づいて遊技状態をビッグボーナス状態に移行させる制御を行う遊技状態移行制御手段とを備えた遊技機であって、
前記遊技状態移行制御手段が、
前記ビッグボーナス状態では、抽選で前記レギュラーボーナスの当否が決定される第１遊技状態を経由して前記小役の入賞率が前記通常状態よりも高い第２遊技状態へ移行させ、第１遊技状態において前記レギュラーボーナスに当選したことに基づいて第１遊技状態を終了させるとともに、前記リプレイの当選確率を上昇させることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１において、
前記抽選手段が、
前記ビッグボーナス状態における第１遊技状態では、前記通常状態と同じ当選確率で前記小役の当否を決定するとともに、前記通常状態よりも低い確率で前記リプレイの当否を決定する抽選を行うことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記抽選で当選した小役の種類および前記抽選で当選した小役の入賞に要する停止操作の態様の少なくとも一方を報知するアシストタイム状態を所定条件下で設定する手段を含むことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
座５が使用位置から待機位置へ回動する際には、それに連動して、ロータ４３が図９における反時計回りに回動し、各流体室４２における圧力室４２ａ内の圧力が圧力室４２ｂ内の圧力より大となり、作動流体がオリフィス４５を通って、圧力室４２ａから圧力室４２ｂへ流れるが、このときは、オリフィス４５を通る作動流体の流れは、調整弁４６である板ばね４８に妨げられることがないため、第２抵抗力付与手段２８からは、座５の使用位置から待機位置への回動に対して、座５が待機位置から使用位置へ回動する際に付与される際の抵抗力より小さい(その際の最小の抵抗力と同等のものも含む)抵抗力が、第２抵抗力付与手段２８から座５の回動に付与されるだけである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
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