【事件の表示】
　特願２００２−３１８１９６「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２７日出願公開、特開２００４−１５３１２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　出願　　　　　　　　　　　　：平成１４年１０月３１日
　拒絶理由通知　　　　　　　　：平成１６年１１月１２日付け
　意見書　　　　　　　　　　　：平成１７年　１月１７日付け
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１７年　１月１７日付け
　拒絶理由通知（最後）　　　　：平成１７年　８月　３日付け
　意見書　　　　　　　　　　　：平成１７年　９月２１日付け
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１７年　９月２１日付け
　補正却下（平成１７年９月２１日付け手続補正書）
　　　　　　　　　　　　　　　：平成１７年１１月　９日付け
　拒絶査定　　　　　　　　　　：平成１７年１１月　９日付け
　審判請求　　　　　　　　　　：平成１７年１２月１５日
　手続補正書　　　　　　　　　：平成１７年１２月２７日付け
　手続補正書（方式、請求理由の補充）
　　　　　　　　　　　　　　　：平成１７年１２月２７日付け
　前置報告　　　　　　　　　　：平成１８年　３月２３日付け
　審尋　　　　　　　　　　　　：平成１８年１２月　４日付け
　回答書　　　　　　　　　　　：平成１９年　１月２５日付け
　
［２］平成１７年１２月２７日付け手続補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　平成１７年１２月２７日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
１．手続補正の内容
　本件手続補正により特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりに補正された。
「シリコン基板上に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層の側面にシリコン酸化物を形成する工程と、前記シリコン基板表面上および前記第１の導電層および前記シリコン酸化物を覆うようにシリコン窒化膜で構成されたストッパー膜を形成する工程と、前記ストッパー膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の導電層近傍の前記層間絶縁膜に、前記第１の導電層の側面に形成されたシリコン酸化物上から前記シリコン基板に跨るコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールをマスクとしてフルオロカーボンガスであるＣＨ３Ｆガスと酸素のプラズマにより前記ストッパー膜をドライエッチングする工程と、前記コンタクトホールに第２の導電層を形成する工程とを含み、前記フルオロカーボンガスと前記酸素ガスの流量の和に対する前記フルオロカーボンガスの流量の比率が４７％以上、６８％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　この補正は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「コンタクトホール」について、「前記第１の導電層の側面に形成されたシリコン酸化物上から前記シリコン基板に跨る」ものであることを限定すると共に、「ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスから選ばれる少なくとも一つのフルオロカーボンガス」について、その一部の選択肢を削除して「フルオロカーボンガスであるＣＨ３Ｆガス」と限定するものであるから、この補正を含む本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件手続補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された刊行物である特開平９−５０９８６号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平２００１−６８４５４号公報（以下、「引用例２」という。）の主な記載事項は次のとおりである。
（１）引用例１：特開平９−５０９８６号公報
（摘示１ａ）「【請求項８】  基板上にＳｉＮ系材料からなるエッチング停止膜とＳｉＯｘ系材料からなる層間絶縁膜とをこの順に積層する第１工程と、
前記層間絶縁膜の上に接続孔パターンにならった有機膜パターンを形成する第２工程と、
前記有機膜パターンをマスクとし、前記エッチング停止膜に対して選択比を確保しながら前記層間絶縁膜をドライエッチングする第３工程と、
前記ドライエッチングに伴って前記エッチング停止膜の露出面上に堆積したカーボン系保護膜と前記エッチング停止膜とを、少なくとも酸素系化学種の関与するエッチング反応系を用いて同時に除去することにより接続孔を完成させる第４工程とを有する接続孔の形成方法。
【請求項９】  前記第４工程における前記カーボン系保護膜と前記エッチング停止膜の同時除去は、酸素系化学種とＳｉＮ系材料用のエッチング種とを同時に生成させ得るプラズマを用いて行う請求項８記載の接続孔の形成方法。
【請求項１０】  前記プラズマを、少なくともフルオロカーボン系化合物とＯ2 とを含むガスを放電させて励起する請求項９記載の接続孔の形成方法。
【請求項１１】  ・・・
【請求項１２】  前記基板上には上面および側面がそれぞれＳｉＯｘ系材料からなるオフセット絶縁膜とサイドウォール絶縁膜とに被覆された電極パターンが形成され、前記接続孔は底面の一部が少なくとも該サイドウォール絶縁膜上にかかるごとく開口される請求項８記載の接続孔の形成方法。」
（摘示１ｂ）「【００２９】実施例１
本実施例は、２本のワード線の間でＳＲＡＭのビット線引出し電極を基板にコンタクトさせるＳＡＣプロセスに関するものであり、ＳｉＯｘ層間絶縁膜を有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャーでドライエッチングした後、ＳｉＮエッチング停止膜の露出面に堆積したＦＣ系保護膜をアッシャーで除去し、さらに別の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャーを用いてＳｉＮエッチング停止膜をドライエッチングする例である。・・・・
【００３０】まず、・・・Ｓｉ基板１の表面を・・・熱酸化することにより、・・・ゲート酸化膜２（ＳｉＯ2 ）を形成した。続いて、・・・厚さ約１４０ｎｍのタングステン・ポリサイド膜と厚さ約５０ｎｍのＳｉＯｘ膜とを順次成膜し、これらの膜を共通のレジスト・マスクを介してドライエッチングすることにより、ゲート電極３（ｐｏｌｙＳｉ／ＷＳｉｘ）とオフセット酸化膜４からなる積層パターンを形成した。・・・
【００３１】次に、・・・ＳｉＯｘ膜を堆積させた後これを等方的にエッチバックし、上記積層パターンの側壁面にサイドウォール５を形成した。さらに、・・・ＬＤＤ構造を有するソース／ドレイン領域６を形成した。
【００３２】次に、この基体の全面をコンフォーマルに覆うＳｉＮエッチング停止膜７を、減圧ＣＶＤ法により約５０ｎｍの厚さに成膜した。さらに、・・・ＳｉＯｘ層間絶縁膜８を約５００ｎｍの厚さに成膜して、基体の表面をほぼ平坦化した。この後、ＳｉＯｘ層間絶縁膜８の上にレジスト・パターン９を形成した。・・・
【００３３】次に、・・・有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャーを用い、上記ＳｉＯｘ層間絶縁膜８を選択的にエッチングした。・・・
【００３４】上記のエッチングでは、・・・異方性エッチングが進行する。またこれと共に、プラズマ中に生成するＦＣ系保護膜１１が・・・ＳｉＮエッチング停止膜７の露出面に堆積して下地選択比を確保する役目を果たすので、エッチング速度はＳｉＯｘ層間絶縁膜８が除去された時点で大きく低下する。このようにして、コンタクトホール１０が途中まで形成された。・・・
【００３５】次に、・・・酸素プラズマ処理を行った。この工程ではＯ* （酸素ラジカル）の寄与によりＦＣ系保護膜１１が除去され、・・・コンタクトホール１０の底面にＳｉＮエッチング停止膜７が露出した。・・・
【００３６】次に、・・・上記のＳｉＮエッチング停止膜７の露出部分を選択的に除去した。このときのエッチング条件は、たとえば
ＣＨＦ3 流量              ５０ＳＣＣＭ
圧力                  ０．２７Ｐａ
マイクロ波パワー      １０００Ｗ（２．４５ＧＨｚ）
ＲＦバイアス・パワー    １００Ｗ（８００ｋＨｚ）
ウェハ温度                ３０℃
オーバーエッチング率      ２０％
とした。
【００３７】・・・このエッチングにより、・・・コンタクトホール１０を完成させた。
【００３８】この後、レジスト・パターン９をアッシングし、・・・上記コンタクトホール１０を被覆するごとくＡｌ系多層膜からなる上層配線１２（Ａｌ）を形成し、ビット線コンタクトを完成させた。・・・
【００３９】本発明によれば、ＳｉＮエッチング停止膜７のドライエッチングの開始前にＦＣ系保護膜を十分に除去することができるので、該ＳｉＮエッチング停止膜７の残渣が発生したり、あるいはこれを除去するための過剰なオーバーエッチングを行う必要がない。したがって、ゲート電極３と上層配線１２との間の耐圧不良や短絡、あるいはコンタクト不良を生ずることなく、信頼性の高い半導体デバイスを作成することができた。」
（摘示１ｃ）「【００５０】実施例５
本実施例では、ＩＣＰエッチャーを用いてＳｉＯｘ層間絶縁膜のドライエッチングを行った後、別のＩＣＰエッチャーを用いてＦＣ系保護膜とＳｉＮエッチング停止膜の同時除去を行った。
【００５１】本実施例でサンプルとして用いたウェハＷは、実施例１同様、図１に示す構造のものである。ここでは、まずＳｉＯｘ層間絶縁膜８のエッチングを・・・行った。・・・これにより、・・・ＦＣ系保護膜１１の寄与によりＳｉＮエッチング停止膜７に対して約３０もの高選択比を達成しながらＳｉＯｘ層間絶縁膜８が異方的にエッチングされた。
【００５２】次に、ウェハＷをポリシリコン膜エッチング用のＩＣＰエッチャーに移送して、ＦＣ系保護膜１１とＳｉＮエッチング停止膜７とを同時に除去した。このときの条件はたとえば、
ＣＨＦ3 流量              ５０ＳＣＣＭ
Ｏ2 流量                  ３０ＳＣＣＭ
圧力                  ０．２７Ｐａ
ソース・パワー        １５００Ｗ（２ＭＨｚ）
ＲＦバイアス・パワー    ８００Ｗ（１．８ＭＨｚ）
上部電極温度            ２５０℃
ウェハ温度                ３０℃
オーバーエッチング率      ２０％
とした。
【００５３】この工程では、プラズマ中にＦＣ系保護膜１１のエッチング種であるＯ* （酸素ラジカル）とＳｉＮエッチング停止膜７のエッチング種であるＦ* ，ＣＦｘ+が同時に生成するため、まず、ＦＣ系保護膜１１が除去され、続いてＳｉＮエッチング停止膜７の選択ドライエッチングが進行する。もちろん、ＳｉＮエッチング停止膜７のエッチング中に生成するＦＣ系ポリマーも、即時に除去される。この結果、ＳｉＮエッチング停止膜７は残渣を生ずることなくきれいに除去され、最終的には上述の各実施例と同様、信頼性の高い半導体デバイスを製造することができた。」
　
（２）引用例２：特開平２００１−６８４５４号公報
（摘示２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し，前記処理室内に配された被処理体に形成されたＣｕ層上のＳｉＮｘ層をエッチングするエッチング方法において，前記処理ガスは，ＣとＨとＦから構成されるガスと，Ｏ２とを含むことを特徴とする，エッチング方法。
【請求項２】  前記ＣとＨとＦから構成されるガスは，ＣＨ２Ｆ２であることを特徴とする，請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】  前記ＣとＨとＦから構成されるガスは，ＣＨ３Ｆであることを特徴とする，請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項４】  前記ＣとＨとＦから構成されるガスは，ＣＨＦ３であることを特徴とする，請求項１に記載のエッチング方法。」
（摘示２ｂ）「【００３３】例えば，上記実施の形態において，エッチング処理ガスの構成ガスにＣＨ２Ｆ２を使用する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されず，ＣＨ２Ｆ２に代えて，ＣＨ２Ｆ２やＣＨ３ＦやＣＨＦ３を使用しても上述した作用効果を奏することができる。」
　
３．当審の判断
３−１．引用例１に記載された発明
（ア）引用例１の（摘示１ａ）の請求項８には、基板上にＳｉＮ系材料からなるエッチング停止膜とＳｉＯｘ系材料からなる層間絶縁膜とをこの順に積層する工程、前記エッチング停止膜に対して選択比を確保しながら前記層間絶縁膜をドライエッチングする工程、エッチング停止膜の露出面上に堆積したカーボン系保護膜と前記エッチング停止膜とを、少なくとも酸素系化学種の関与するエッチング反応系を用いて同時に除去することにより接続孔を完成させる工程等の構成要件を具備する接続孔の形成方法が記載され、また、同請求項９、１０には、カーボン系保護膜とエッチング停止膜の同時除去に用いるプラズマは、フルオロカーボン系化合物とＯ2 とを含むものである旨、同請求項１２には、基板上には上面および側面がそれぞれＳｉＯｘ系材料からなるオフセット絶縁膜とサイドウォール絶縁膜とに被覆された電極パターンが形成され、前記接続孔は底面の一部が少なくとも該サイドウォール絶縁膜上にかかるごとく開口される旨が記載されている。
（イ）引用例１の（摘示１ｃ）には、上記接続孔の形成方法により、実施例１と同様の構造のＳｉ基板（ウェハ）を用いて半導体デバイスを製造する場合の実施例５として、流量５０ＳＣＣＭのＣＨＦ3 と流量３０ＳＣＣＭのＯ2 とをカーボン系保護膜とエッチング停止膜の同時除去用プラズマに用いる旨が記載され、また、（摘示１ｂ）には、実施例１の半導体デバイスの製造において、接続孔の形成に用いるＳｉ基板（ウェハ）の構造は、Ｓｉ基板の表面にゲート電極とオフセット酸化膜からなる積層パターンが形成され、該積層パターンの側壁面にＳｉＯｘのサイドウォールが形成されたものである旨が記載され、さらに、実施例５の半導体デバイスの製造においても、実施例１と同様に、完成された接続孔（コンタクトホール）には上層配線が形成されると認められるから、引用例１には、上記接続孔の形成方法により、Ｓｉ基板の表面にゲート電極とオフセット酸化膜からなる積層パターンが形成され、該積層パターンの側壁面にＳｉＯｘのサイドウォールが形成されたＳｉ基板を用いて半導体デバイスを製造する方法であって、流量５０ＳＣＣＭのＣＨＦ3 と流量３０ＳＣＣＭのＯ2 とをカーボン系保護膜とエッチング停止膜の同時除去用プラズマに用い、完成された接続孔には上層配線が形成される、半導体デバイスの製造方法が記載されているといえる。
　
　以上の（ア）、（イ）の事項を考慮し、（摘示１ａ）〜（摘示１ｃ）の記載を整理すると、引用例１には、次の「半導体デバイスの製造方法」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　　引用例１発明：「接続孔の形成方法を用いて半導体デバイスを製造する方法であって、該接続孔の形成方法は、Ｓｉ基板の表面にゲート電極とオフセット酸化膜からなる積層パターンが形成され、該積層パターンの側壁面にＳｉＯｘのサイドウォールが形成されたＳｉ基板上にＳｉＮ系材料からなるエッチング停止膜とＳｉＯｘ系材料からなる層間絶縁膜とをこの順に積層する第１工程と、前記層間絶縁膜の上に接続孔パターンにならった有機膜パターンを形成する第２工程と、前記有機膜パターンをマスクとし、前記エッチング停止膜に対して選択比を確保しながら前記層間絶縁膜をドライエッチングする第３工程と、前記ドライエッチングに伴って前記エッチング停止膜の露出面上に堆積したカーボン系保護膜と前記エッチング停止膜とを、少なくとも酸素系化学種の関与するエッチング反応系を用いて同時に除去することにより接続孔を完成させる第４工程とからなり、カーボン系保護膜とエッチング停止膜の同時除去に用いるプラズマは、フルオロカーボン系化合物であるＣＨＦ3 とＯ2 とを含むものであり、それらの流量は、それぞれ、５０ＳＣＣＭ、３０ＳＣＣＭであり、前記接続孔は底面の一部が少なくとも該サイドウォール絶縁膜上にかかるごとく開口され、完成された接続孔には上層配線が形成される、半導体デバイスの製造方法。」
　
３−２．本願補正発明１と引用例１発明との対比
　本願補正発明１と引用例１発明を対比すると、
（カ）引用例１発明における「Ｓｉ基板」は、本願補正発明１における「シリコン基板」に相当し、以下同様に、「ゲート電極」は「第１の導電層」に、「ＳｉＯｘ」は「シリコン酸化物」に、「ＳｉＮ系材料からなるエッチング停止膜」は「シリコン窒化膜で構成されたストッパー膜」に、「接続孔」は「コンタクトホール」に、「Ｏ2 」は「酸素」乃至「酸素ガス」に、「上層配線」は「第２の導電層」に、「半導体デバイス」は「半導体装置」に、それぞれ相当する。（以下、引用例１発明における用語の代わりに、それに相当する本願補正発明１における用語を使用することがある。）
（キ）引用例１発明におけるプラズマに用いる「フルオロカーボン系化合物であるＣＨＦ3 」は、フルオロカーボンガスといえる。
（ク）引用例１発明におけるＣＨＦ3 とＯ2 の流量の和に対するＣＨＦ3 の流量の比率は、６２．５％〔＝｛５０／（５０+３０）｝×１００〕であるから、本願補正発明１と引用例１発明は、フルオロカーボンガスと酸素ガスの流量の和に対するフルオロカーボンガスの流量の比率が６２．５％である点で一致しているといえる。
（ケ）引用例１発明における接続孔は、「底面の一部が少なくとも該サイドウォール絶縁膜上にかかるごとく開口され」ているから、該接続孔（コンタクトホール）は、“ゲート電極（第１の導電層）近傍の層間絶縁膜に、前記ゲート電極（第１の導電層）の側面に形成されたＳｉＯｘ（シリコン酸化物）上からＳｉ基板（シリコン基板）に跨る”ように形成されているといえる。
　
　以上の（カ）〜（ケ）の事項を勘案すると、両者は、
「シリコン基板上に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層の側面にシリコン酸化物を形成する工程と、前記シリコン基板表面上および前記第１の導電層および前記シリコン酸化物を覆うようにシリコン窒化膜で構成されたストッパー膜を形成する工程と、前記ストッパー膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の導電層近傍の前記層間絶縁膜に、前記第１の導電層の側面に形成されたシリコン酸化物上から前記シリコン基板に跨るコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールをマスクとしてフルオロカーボンガスと酸素のプラズマにより前記ストッパー膜をドライエッチングする工程と、前記コンタクトホールに第２の導電層を形成する工程とを含み、前記フルオロカーボンガスと前記酸素ガスの流量の和に対する前記フルオロカーボンガスの流量の比率が６２．５％である、半導体装置の製造方法。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
　　　相違点：シリコン窒化膜で構成されたストッパー膜をドライエッチングする際のプラズマに酸素と共に用いるフルオロカーボンガスが、本願補正発明１では、「ＣＨ３Ｆ」であるのに対し、引用例１発明では、「ＣＨＦ3」である点
　
３−３．相違点についての検討
　引用例１には、（摘示１ａ）等の記載にみられるように、シリコン窒化膜で構成されたストッパー膜をドライエッチングする際のプラズマに酸素と共にフルオロカーボンガス（フルオロカーボン系化合物）を用いることが記載されており、該フルオロカーボンガスがその実施例で用いた「ＣＨＦ3」でなければならない旨の記載は存在しない。
　一方、引用例２の（摘示２ａ）、（摘示２ｂ）には、ＳｉＮｘ層（本願補正発明１における「シリコン窒化膜」に相当するもの）をドライエッチングする際のプラズマに酸素と共に用いる“ＣとＨとＦから構成されるガス”（同「フルオロカーボンガス」に相当するもの）として、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＨＦ３のうちのいずれをも同等に使用し得る旨が示されている。
　してみれば、引用例１発明において、シリコン窒化膜で構成されたストッパー膜をドライエッチングする際のプラズマに酸素と共に用いるフルオロカーボンガスとして、「ＣＨＦ3」の代わりに「ＣＨ３Ｆ」を用いることは、引用例２の前示の記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　そして、本願の出願当初の明細書では、フルオロカーボンガスとしてＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆのいずれをも同等に使用し得る旨が記載されていたのであり（特許請求の範囲の請求項８、段落【００４１】参照、なお、段落【００４１】の「フルオロカーボンガスとしてＣＨ２Ｆ２を用いた場合を例示したが、本発明はこれらに限られるものではない。」という記載は、補正後もそのまま存在している。）、しかも、本願明細書には、実施例として、フルオロカーボンガスのうちＣＨ２Ｆ２を用いたものが記載されているだけで、ＣＨ３Ｆを用いることにより、ＣＨＦ３やＣＨ２Ｆ２を用いた場合よりも格別に顕著な効果が得られることを示す実施例などの記載は全く存在しないから、本願補正発明１は、フルオロカーボンガスとしてＣＨ３Ｆを選択したことにより、格別に顕著な効果を奏するとは認められない。
　したがって、本願補正発明１は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
４．本件手続補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
［３］本願発明について
１．本願発明
　平成１７年１２月２７日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成１７年１月１７日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
「シリコン基板上に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層の側面にシリコン酸化物を形成する工程と、前記シリコン基板表面上および前記第１の導電層および前記シリコン酸化物を覆うようにシリコン窒化膜で構成されたストッパー膜を形成する工程と、前記ストッパー膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の導電層近傍の前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールをマスクとしてＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスから選ばれる少なくとも一つのフルオロカーボンガスと酸素のプラズマにより前記ストッパー膜をドライエッチングする工程と、前記コンタクトホールに第２の導電層を形成する工程とを含み、前記フルオロカーボンガスと前記酸素ガスの流量の和に対する前記フルオロカーボンガスの流量の比率が４７％以上、６８％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本出願前に頒布された刊行物である引用例１、２の主な記載事項は、上記［２］２．のとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、上記［２］で検討した本願補正発明１から、その発明を特定するために必要な事項である「コンタクトホール」について、「前記第１の導電層の側面に形成されたシリコン酸化物上から前記シリコン基板に跨る」ものであるという限定を省くと共に、「フルオロカーボンガス」について、その選択肢を増加するものである。
　そうすると、本願発明１をさらに具体的に限定すると共に一部の選択肢を削除したものに相当する本願補正発明１は、上記［２］３．に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえるから、本願発明１も、同様の理由により、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。