【事件の表示】
　特願２００１−２８３３０６「素子の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月２８日出願公開、特開２００３−　８９８６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１３年９月１８日に出願した特許出願であって、平成１７年３月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年５月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月３１日付けで手続補正がなされたものである。
２．平成１７年５月３１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年５月３１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正により、平成１６年１０月２９日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の【特許請求の範囲】【請求項１】について、「ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種以上の元素を０．５〜７．０ａｔ％」を「ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種以上の元素を１．７〜５．４ａｔ％」とし、また、「炭素を０．１〜３．０ａｔ％」を「炭素を０．３〜１．９ａｔ％」としたことにより、次のように補正された。
【請求項１】透明電極材料またはシリコンを含む半導体材料と、アルミニウム合金配線材料とを構成材料として備える素子の形成方法において、
　アルミニウム合金配線材料は、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種以上の元素を１．７〜５．４ａｔ％と、炭素を０．３〜１．９ａｔ％と、残部をアルミニウムとする組成であり、その自然電位が−６５０ｍＶ〜−１０００ｍＶのアルミニウム合金薄膜により形成され、当該アルミニウム合金薄膜と、透明電極材料またはシリコンを含む半導体材料とが直接接合される工程を含むことを特徴とする素子の形成方法。」
（２）そして、上記【特許請求の範囲】【請求項１】についてなされた補正は、いずれも数値範囲の上限及び下限を表２の範囲に補正し、限定的減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する補正の要件を満たしているといえる。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について検討する。
（ｉ）原査定の拒絶の理由において引用文献１として引用された国際公開第９７／１３８８５号パンフレット（以下、「引用文献」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「Ａｌ配線膜によれば、低抵抗配線が実現可能であるものの、Ａｌ配線膜は配線形成後の熱処理やＣＶＤプロセスによる473〜773K程度の加熱等によって、ヒロックと呼ばれる突起が生じるという問題を有している。加熱に伴うＡｌ膜のストレスの解放過程で、Ａｌ原子は例えば結晶粒界に沿って拡散する。このＡｌ原子の拡散に伴って突起（ヒロック）が生じる。このような突起がＡｌ配線に生じると、その後のプロセスに悪影響を及すことになる。」（第１頁第１６〜２１行）
（イ）「また、ＬＣＤの信号線等にＡｌ配線を適用する場合、このＡｌ配線は透明電極を構成するＩＴＯ電極と積層される。このようなＡｌ配線とＩＴＯ電極との積層膜を、パターニング工程で使用される現像液等のアルカリ溶液に浸漬すると、Ａｌ配線とＩＴＯ電極とが直接接触した部分で電気化学反応が起こる。このＡｌ配線とＩＴＯ電極との電気化学反応は、Ａｌの標準電極電位がＩＴＯのそれより低いために起こるものである。この電気化学反応によりＡｌ配線とＩＴＯ電極との間で電子が移動し、ＩＴＯ電極は還元されて着色（例えば黒色化）してしまい、逆にＡｌ配線は酸化されて電気特性が低下するというような問題が生じる」（第２頁第１〜８行）
（ウ）「本発明の第１の配線膜は、Ａｌと金属間化合物を形成する少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％と、Ｃ、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる少なくとも1種の第２の元素を第１の元素量に対して0.01原子ppm〜50原子％とを含み、残部が実質的にＡｌからなるものである。上記した第１の元素としては、Ａｌと金属間化合物を形成する元素であれば種々の元素を用いることができる。具体的には、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ等の希土類金属元素、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ等が挙げられる。これらＡｌと金属間化合物を形成する元素（金属間化合物形成元素）は、例えばＡｌ３Ｙのような金属間化合物を形成してＡｌのトラップ材として機能する。従って、Ａｌ配線膜に熱処理を施したり、またＡｌ配線膜を比較的高温で成膜した場合においても、Ａｌの拡散を抑制することができる。その結果としてヒロック等の発生が防止される。」（第６頁第１〜１３行）
（エ）「また、本発明の第２の配線膜は、Ａｌより標準電極電位が高い少なくとも1種の第１の元素を0.001〜30原子％と、Ｃ、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる少なくとも1種の第２の元素を第１の元素量に対して0.01原子ppm〜50原子％とを含み、残部が実質的にＡｌからなるものである。
　この第１の元素としては、Ａｌより標準電極電位が高い元素であれば種々の元素を用いることができる。具体的には、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｐｂ等が挙げられる。これらのうち、特にＡｌとの標準電極電位の差が2V（298K）以上であるＡｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ等が好ましく用いられる。
　これらＡｌより標準電極電位が高い元素（高電極電位元素）を、Ａｌ配線膜中に含有させることによって、Ａｌ配線膜の標準電極電位を高めることができる。ここで、アルカリ溶液中でＡｌ配線膜とＩＴＯ電極との間に発生する電気化学反応は、Ａｌの標準電極電位がＩＴＯのそれより低いために電子が移動して起こる現象である。従って、Ａｌ配線膜に高電極電位元素を含有させて、Ａｌ配線膜の標準電極電位を例えばＩＴＯのそれより高くすることによって、Ａｌ配線膜とＩＴＯ電極との間のアルカリ溶液中における電気化学反応を防止することができる。これによって、ＩＴＯ電極の還元による着色やＡｌ配線膜の酸化による電気特性の低下等を招くことなく、例えばＬＣＤのゲート線を単層構造のＡｌ配線膜で健全に形成することが可能となる。なお、高電極電位元素の添加によるＡｌ配線膜の標準電極電位の向上は、ＩＴＯ電極と積層する場合に限らず、Ａｌ配線膜をＡｌより標準電極電位が高い各種材料からなる電極や配線等と積層する場合に対して有効である。」（第６頁第２０行〜第７頁第１３行）
（オ）「上記した高電極電位元素としては、Ａｌ配線膜の比抵抗の増大を抑制する上で、Ａｌと金属間化合物を形成する元素を用いることが好ましい。また、高電極電位元素としてＡｌと金属間化合物を形成する元素を用いることによって、前述したようにヒロックの発生やエレクトロマイグレーション等を抑制することも可能となる。このように、Ａｌより標準電極電位が高く、かつＡｌと金属間化合物を形成する元素は特に有効である。このような元素を含有させたＡｌ配線膜は、例えばＬＣＤの信号線およびゲート線のいずれにも良好に使用することができ、汎用性の高いＡｌ配線膜ということができる。このような元素としては、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ等が挙げられる。」（第７頁第１４〜２２行）
（カ）「上述した金属間化合物形成元素や高電極電位元素は、Ａｌ配線膜中に0.001〜30原子％の範囲で含有させる。例えば、金属間化合物形成元素の含有量が0.001原子％未満であると、上述したヒロックの抑制効果を十分に得ることができない。一方、30原子％を超えると金属間化合物がＡｌ配線膜の抵抗を増大させたり、ドライエッチングやウェットエッチング時に残渣の発生原因となる。高電極電位元素の含有量が0.1原子％未満であると、上述した電気化学反応の抑制効果を十分に得ることができない。一方、20原子％を超えるとＡｌ配線膜の抵抗を増大させたり、またドライエッチングやウェットエッチング時に残渣の発生となる。より好ましい添加量は0.1〜20原子％の範囲である。」（第８頁第２〜１０行）
（キ）「本発明の配線膜は、上記したように金属間化合物形成元素および高電極電位元素の少なくとも一方を満足する元素と共に、Ｃ、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる少なくとも 1種の元素を微量含有させている。この微量含有させた元素（Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｈ）は、金属間化合物、もしくは金属間化合物形成元素および高電極電位元素自体の微細析出に対して有効に作用する。従って、Ａｌ配線膜中の金属間化合物、金属間化合物形成元素、高電極電位元素を、Ａｌの粒内や粒界に微細にかつ均一に析出させることが可能となる。」（第８頁第１１〜１７行）
（ク）「より好ましい微細析出化元素の含有量は、Ｃを用いる場合には3原子ppm〜3原子％の範囲であり、Ｏ、ＮおよびＨを用いる場合には1.5原子ppm〜7.5原子％の範囲である。微細析出化元素としてＣを用いる場合、金属間化合物形成元素や高電極電位元素の量に対して300〜3000原子ppmの範囲とすることがさらに好ましく、望ましくは600〜1500原子ppmの範囲である。微細析出化元素としてＯ、ＮおよびＨを用いる場合、金属間化合物形成元素や高電極電位元素の量に対して500原子ppm〜1.5原子％の範囲とすることがさらに好まし、望ましくは300〜1500原子ppmの範囲である。」（第９頁第１２〜１６行）
（ケ）「上述した微細析出化元素のうち、特にＣは金属間化合物や金属間化合物形成元素の微細析出に効果を発揮する。従って、第１の配線膜においては、微細析出化元素としてＣを用いることが好ましい。」（第９頁第２０〜２２行）
（コ）「以上の実施例からも明らかなように、本発明の配線膜は低抵抗であることに加えて、耐ヒロック性、エッチング性、ＩＴＯ等との電気化学反応の防止性等に優れるものである。従って、本発明の配線膜を用いることによって、ＬＣＤの信号線、ゲート線や半導体素子の微細配線網等を健全に形成することができる。」（第２８頁下から５〜２行）
（ｉｉ）対比・判断
　引用文献には、「ＬＣＤの信号線、ゲート線や半導体素子の微細配線網等を健全に形成する」ためには「Ａｌより標準電極電位が高い元素（高電極電位元素）を、Ａｌ配線膜中に含有させ」、「Ａｌ配線膜の標準電極電位を例えばＩＴＯのそれより高くすることによって」、「ＩＴＯ等との電気化学反応の防止」を行い「高電極電位元素の添加によるＡｌ配線膜の標準電極電位の向上は、ＩＴＯ電極と積層する場合に限らず、Ａｌ配線膜をＡｌより標準電極電位が高い各種材料からなる電極や配線等と積層する場合に対して有効」であり、「高電極電位元素としてＡｌと金属間化合物を形成する元素を用いることによって、前述したようにヒロックの発生やエレクトロマイグレーション等を抑制することも可能となる。このように、Ａｌより標準電極電位が高く、かつＡｌと金属間化合物を形成する元素は特に有効である。このような元素を含有させたＡｌ配線膜は、例えばＬＣＤの信号線およびゲート線のいずれにも良好に使用することができ、汎用性の高いＡｌ配線膜ということができる。このような元素としては、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ等が挙げられる。」こと、「金属間化合物形成元素や高電極電位元素は、Ａｌ配線膜中に0.001〜30原子％の範囲で含有させる。」こと、「より好ましい添加量は0.1〜20原子％の範囲である。」こと、「本発明の配線膜は、上記したように金属間化合物形成元素および高電極電位元素の少なくとも一方を満足する元素と共に、Ｃ、Ｏ、ＮおよびＨから選ばれる少なくとも 1種の元素を微量含有させている。」こと、「微細析出化元素としてＣを用いることが好ましい。」こと、微細析出化元素の含有量は、金属間化合物形成元素や高電極電位元素の量に対して「0.01原子ppm〜50原子％」であることが記載されている。より好ましい高電極電位元素の含有量は２０原子％が上限であるから微細析出化元素の上限は１０原子％となり下限はほぼ０原子％になるから、これらを本願補正発明１の記載に則って整理すると、「Ａｌ配線膜からなるＬＣＤの信号線、ゲート線や半導体素子の微細配線網等を健全に形成するために、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ等のＡｌより標準電極電位が高く、かつＡｌと金属間化合物を形成する元素を０．１〜２０原子％、微細析出化元素としてＣを１０原子％以下含有させ、Ａｌ配線膜の標準電極電位を例えばＩＴＯのそれより高くし、Ａｌ配線膜をＩＴＯ電極と積層する場合に限らず、Ａｌ配線膜をＡｌより標準電極電位が高い各種材料からなる電極や配線等と積層する場合を含む形成方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　本願補正発明１と引用発明を対比すると、引用発明の「Ａｌ配線膜からなるＬＣＤの信号線、ゲート線や半導体素子の微細配線網等を健全に形成するために」及び「Ａｌ配線膜をＩＴＯ電極と積層する場合に限らず、Ａｌ配線膜をＡｌより標準電極電位が高い各種材料からなる電極や配線等と積層する場合」が、それぞれ、本願補正発明１の「透明電極材料またはシリコンを含む半導体材料と、アルミニウム合金配線材料とを構成材料として備える素子の形成方法において」及び「当該アルミニウム合金薄膜と、透明電極材料またはシリコンを含む半導体材料とが直接接合される工程 」に相当し、また、引用発明の「Ｐｄ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ等のＡｌより標準電極電位が高く、かつＡｌと金属間化合物を形成する元素」は本願補正発明１の選択成分である鉄属金属の「Ｎｉ」と「Ｃｏ」で一致し、本願補正発明１の選択成分の含有量も引用発明に包含され、引用発明の「微細析出化元素としてＣを１０原子％以下含有させ」ることも、本願補正発明１の「炭素を０．３〜１．９ａｔ％」に包含され、それぞれ引用発明に記載されているということができる。
　してみると、本願補正発明１と引用発明とは、「透明電極材料またはシリコンを含む半導体材料と、アルミニウム合金配線材料とを構成材料として備える素子の形成方法において、
　アルミニウム合金配線材料は、ニッケル、コバルトを１．７〜５．４ａｔ％と、炭素を０．３〜１．９ａｔ％と、残部をアルミニウムとする組成であり、当該アルミニウム合金薄膜と、透明電極材料またはシリコンを含む半導体材料とが直接接合される工程を含むことを特徴とする素子の形成方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
（ａ）本願補正発明１では「鉄」を選択成分の一つとしているのに対して、引用発明では、Ａｌより標準電極電位が高い元素としてしかＦｅについて記載のない点。
（ｂ）本願補正発明１では「その自然電位が−６５０ｍＶ〜−１０００ｍＶのアルミニウム合金薄膜により形成され、」ているのに対して、引用文献にはについては「Ａｌ配線膜の標準電極電位を例えばＩＴＯのそれより高く」すると記載されている点。
　そこで、上記相違点について検討する。
（ａ）については、引用文献の記載事項（エ）に「この第１の元素としては、Ａｌより標準電極電位が高い元素であれば種々の元素を用いることができる。具体的には、・・・Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ・・・等が挙げられる。」とされ、鉄を選択成分とすることも該記載から当業者であれば容易になし得るものである。
（ｂ）については、本願補正発明１がこの自然電位の数値範囲を限定する根拠としては、段落【００３７】における「自然電位はおおよそ−６５０〜−１０００ｍＶの範囲内にあり、ＩＴＯ膜の自然電位と同じ程度であった。」こと、【表３】にＩＴＯの自然電位が−１００８ｍＶであることから、Ａｌ配線膜の標準電極電位を例えばＩＴＯのそれより高くすることによって、ＩＴＯ等との電気化学反応の防止を行うことと格別相違するものとは認められず、単に数値限定によりＡｌ配線膜の標準電極電位を例えばＩＴＯのそれより高くすることを表現したにすぎないもので、当業者であれば適宜なしうるものである。
　そして、上記の（ａ）及び（ｂ）の相違点の構成を採用することにより奏されるとする、直接接合した際の界面反応の抑制という効果も引用発明における電気化学反応の防止がアルカリエッチング時における解決のみを図ったものと限定して解釈することもできず、直接接合されることが当業者であれば自明である引用発明においても当然界面反応の防止効果も予測し得る範囲内のものであり、４００℃の高温の熱処理におけるヒロックを発生しないとういう効果も本願補正発明１の基板温度１００℃に基づく【表１】からは裏付けを欠くものであって、しかも、引用文献の記載事項アによると「Ａｌ配線膜は配線形成後の熱処理やＣＶＤプロセスによる473〜773K程度の加熱等によって、ヒロックと呼ばれる突起が生じるという問題を有している。」と５００℃までの高温処理も当然考慮すべき課題であったことがうかがえること、さらには、本願明細書において先行技術として挙げられた公知文献である特開２０００−３３６４４７号公報の【表１】に記載されるように４００℃のヒロック発生抑制が周知の課題であったことから、格別顕著なものとすることはできない。
　したがって、本願補正発明１は、上記引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ｉｉｉ）
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。そうすると、平成１７年５月３１日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反してなされたものであるから、同補正は、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
３．本願発明について
　平成１７年５月３１日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１６年１０月２９日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
【請求項１】透明電極材料またはシリコンを含む半導体材料と、アルミニウム合金配線材料とを構成材料として備える素子の形成方法において、
　アルミニウム合金配線材料は、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種以上の元素を０．５〜７．０ａｔ％と、炭素を０．１〜３．０ａｔ％と、残部をアルミニウムとする組成であり、その自然電位が−６５０ｍＶ〜−１０００ｍＶのアルミニウム合金薄膜により形成され、当該アルミニウム合金薄膜と、透明電極材料またはシリコンを含む半導体材料とが直接接合される工程を含むことを特徴とする素子の形成方法。
４．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献（国際公開第９７／１３８８５号パンフレット）及びその記載事項は、「前記２（２）（ｉ）」に記載したとおりである。
５．対比・判断
　本願発明１は、前記２で検討した本願補正発明１に関して、「ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種以上の元素を１．７〜５．４ａｔ％」を「ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種以上の元素を０．５〜７．０ａｔ％」とし、また、「炭素を０．３〜１．９ａｔ％」を「炭素を０．１〜３．０ａｔ％」としたものである。
　してみると、本願発明１の構成を全て含み、さらに前記の二つの組成範囲が本願発明１に包含される本願補正発明１が、上記２に記載したとおり、上記引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、本願補正発明１と同様の理由により、上記引用文献に記載された発明及に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、本願の出願前に頒布された刊行物である上記引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。