【事件の表示】
　平成　７年特許願第１８５９２４号「遠隔の励起源を用いる堆積チャンバーのクリーニング技術」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　３月１１日出願公開、特開平　９−　６９５０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　第１　手続の経緯
　本件出願は、平成７年７月２１日の特許出願であって、平成１４年１１月７日付けで拒絶の理由が通知され、平成１５年５月１２日に意見書とともに手続補正書が提出され、平成１５年８月１３日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、平成１５年１１月１７日に本件審判の請求がされ、平成１５年１２月１６日に明細書を補正対象とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
　第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、その請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
１−１　補正前の請求項１
「電子デバイスの作製において用いられる堆積チャンバーをクリーニングする方法であって、
　前記堆積チャンバー外部の遠隔チャンバーに
前駆体ガス
　遠隔エネルギー源を用いて前記遠隔チャンバー内で前記
前駆体ガス
　前記遠隔チャンバーから前記堆積チャンバー内に前記反応性化学種をフィルターを通して流し；そして、
　前記遠隔チャンバーから前記堆積チャンバー内に前記フィルターを通した前記反応性化学種を流して、前記堆積チャンバーをクリーニングする；
　ことを含む前記方法。」
　
１−２　補正後の請求項２
「電子デバイスの作製において用いられる堆積チャンバーをクリーニングする方法であって、
　前記堆積チャンバー外部の遠隔チャンバーに
弗素ガス
　遠隔エネルギー源を用いて前記遠隔チャンバー内で前記
弗素ガス
　前記遠隔チャンバーから前記堆積チャンバー内に前記反応性化学種をフィルターを通して流し；そして、
　前記遠隔チャンバーから前記堆積チャンバー内に前記フィルターを通した反応性化学種を流して、前記堆積チャンバー
の内側表面
　ことを含む前記方法。」
　
２．補正の適否
　上記請求項１についての補正は、「前駆体ガス」を「弗素ガス」と限定し、クリーニング対象を堆積チャンバーの「内側表面」と限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
２−１　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正がされた明細書及び図面の記載からみて、前記１−２に示す補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの方法であると認める。
　
２−２　刊行物記載の発明及び事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−２１４５３１号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開昭５５−１４５３３８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下のとおり記載されている。
　
（１）刊行物１
ア．段落【０００１】〜【０００５】
「【産業上の利用分野】本発明は、半導体技術において層形成のために使用される析出チャンバをインシトゥ（ｉｎ−ｓｉｔｕ＝本来の場所）浄化するための方法に関する。
・・・
　析出およびエッチング技術は、リソグラフィおよびドーピング技術とならんで、シリコン基板から集積回路を製造するために常に繰り返して使用される基本的な２つのプロセスである。チップ集積密度を増すための開発は個別プロセスおよびプロセスシーケンスへの要求を常に高めてきた。それと関連してますます高効率かつ製造に適した浄化工程の必要性が高まっている。その際に特に問題となることは、ウェハの浄化とならんで、遅くとも所定量のシリコンウェハの浄化後に必要な、各製造サイクルで繰り返して層形成のために使用される析出チャンバの浄化である。
　析出チャンバはたとえば低圧気相析出（ＬＰＣＶＤ）を実施するために使用される。・・・。
　析出チャンバの湿式浄化の公知の欠点、特にこのようなエクスシトゥ（ｅｘ−ｓｉｔｕ＝本来の場所以外）浄化手順における不足する設備および不充分な浄化効果に基づいて、また析出チャンバが現在ではいずれにせよプラズマによる析出用として設計されているので、チャンバ浄化は現在では通常、プラズマ中で活性化されたエッチングガスによるインシトゥ乾式エッチングにより行われる。」
イ．段落【００１１】
「【課題を解決するための手段】この課題は、冒頭に記載した種類の方法において、浄化のために使用されるエッチングガスが析出チャンバから空間的に隔てられたマイクロ波を供給されるプラズマ放電のなかで強く励起され、また活性化された電気的に中性のエッチングガス粒子がその後に析出チャンバのなかに吹き込まれ、またそこですべての表面を表面の位置および配置に無関係な高いエッチングレートでエッチングすることにより解決される。」
ウ．段落【００１５】〜【００１６】
「図面に示されている析出設備の本発明による浄化のためには、浄化のために使用されるエッチングガス、たとえばＣＦ4 またはＯ2 が供給管９または１０を介してエッチングガス導入管１５のなかに導入され、またそこで、析出チャンバから空間的に隔てられて、マイクロ波源７により強く励起される。活性化されたエッチングガス粒子は続いて析出チャンバのなかに吹き込まれ、そこでそれらは、場合によっては既存の電極１および２により発生される非常に小さい電力のプラズマにより助成されて、析出チャンバ全体をエッチングプロセスにより浄化する。その際に生ずる反応生成物および不純物は容易に真空ポンプにより吸引管１６を介して除去され得る。
　公知のプラズマ助成浄化法と異なり、本発明による方法では外部のまた特に強力なマイクロ波励起が行われる。反応室から隔てられた励起装置の配置により本発明による方法では励起プラズマの析出チャンバに対して有害な種は除去され、他方において長い寿命および高い密度の有用な中性の反応粒子が発生される。」
　
　以上の記載及び図面の記載より、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認める。（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
「集積回路の作製において用いられる析出チャンバを浄化する方法であって、
　前記析出チャンバ外部のエッチングガス導入管１５にＣＦ４エッチングガスを供給し；
　マイクロ波源を用いて前記エッチングガス導入管１５内で前記ＣＦ４エッチングガスを活性化してエッチングガス粒子を形成し；
　前記エッチングガス導入管１５から前記析出チャンバ内に前記エッチングガス粒子を流し；そして、
　前記エッチングガス導入管１５から前記析出チャンバ内にエッチングガス粒子を流して、前記析出チャンバの内側表面を浄化する；
　ことを含む前記方法。」
　
（２）刊行物２
ア．第１頁左欄１３〜１８行
「この発明は、半導体装置の製造工程において、半導体ウェーハ上に多結晶シリコン、チッ化シリコン、酸化シリコン等の被膜を形成させるための改良した減圧ＣＶＤ装置（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；減圧化学気相成長装置）に関する。」
イ．第２頁左上欄１８行〜右上欄１７行
「しかし、このような減圧ＣＶＤ装置で、繰り返しＣＶＤ被膜の形成作業を行なっていくと、反応管１１の内壁に数μｍの窒化シリコンや多結晶シリコン等の生成物が堆積される。・・・。これを防止するためには、頻繁に装置を冷却し、反応管１１を装置より取りはずし、薬品等で洗浄しなければならず、装置の稼動率を低下せしめる要因となっている。
　この発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、反応管１１をつけたまま反応管内部の洗浄が効果的に行なわれ、非稼動時間を短縮して効率のよい、半導体ウエーハ１７表面上に不純物の付着されない効果的な半導体ウエーハ１７の被膜形成作業を行なわせることのできる減圧ＯＶＤ装置を提供することを目的とする。」
ウ．第２頁右上欄１８行〜右下欄１６行
「以下、この発明の一実施例を図画を参照して説明する。第２図は、この発明に係わる減圧ＣＶＤ装置を示しており、第１図の場合と同様に横長の反応管１１に対して加熱炉１２を設け、反応管１１出口に真空ポンプ１３、更に入口付近に反応ガス導入管１５を連通する。この導入管１５には第２のバルブ１９を備えた輸送管２０を連通するもので、この輸送管２０は電離室２１に導かれている。この電離室２１には、マイクロ波発生装置を構成するマグネトロン２２からの電磁波を矩形導波管２３を介して供給され、また導入管２４を介して洗浄ガスが導入されている。そして、この洗浄ガスを電離室２１内でプラズマ化し、反応管１１内に導かれるようにしてなる。その他、第１図と同一構成部分は、同ー符号を付してその説明を省略する。
　・・・。この反応管１１の内部の洗浄作業は、真空ポンプ１３を作動させ、反応管１１内部を減圧状態にし、洗浄ガス導入管２４より洗浄ガスとして、例えばフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体を導入する。この混合気体は、電離室２１においてマグナトロン２２で発生し矩形導波管２３で電離室２１に導かれた電磁波が照射されており、導入管２４よりの洗浄ガスをフッ素プラズマ化されたものである。
　このようにして発生したフツ素プラズマは、その寿命が非常に長く、電離室２１より数ｍ離れた場所でも活性化している。・・・。
　このようにして、反応管１１に導入されたフツ素プラズマ化された洗浄ガスは、その内壁に付着した窒化シリコンや多結晶シリコンと反応してこれを除去する。」
　
　以上のとおりであるので、刊行物２には、次の事項が記載されているものと認める。
「マグナトロン２２を用いて電離室２１内でＣＦ４とＯ２の混合気体をプラズマ化してフッ素プラズマを形成する」点。（以下、「刊行物２記載の事項」という。）。
　
２−３．対比
　本件補正発明と刊行物１記載の発明とを対比するに、後者の「集積回路」は前者の「電子デバイス」に相当し、後者の「析出チャンバ」はＣＶＤに用いられているものであるから、前者の「堆積チャンバー」に相当し、後者の「浄化」は前者の「クリーニング」に相当し、後者の「マイクロ波源」は前者の「遠隔エネルギー源」に相当する。
　また、後者の「ＣＦ４エッチングガス」は、堆積チャンバーのクリーニングに用いられる前駆体ガスという限りで、前者の「弗素ガス」と共通し、後者の「エッチングガス粒子」は、前駆体ガスが活性化した反応性化学種という限りで、前者の「反応性化学種」と共通し、後者の「エッチングガス導入管１５」は、堆積チャンバー外部に設けられ、前駆体ガスを活性化する遠隔エネルギー源が設けられている前駆体ガスの活性化部という限りで、前者の「遠隔チャンバー」と共通する。
　
　したがって、本件補正発明と刊行物１記載の発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「電子デバイスの作製において用いられる堆積チャンバーをクリーニングする方法であって、
　前記堆積チャンバー外部の活性化部に前駆体ガスを供給し；
　遠隔エネルギー源を用いて前記活性化部内で前記前駆体ガスを活性化して反応性化学種を形成し；
　前記活性化部から前記堆積チャンバー内に前記反応性化学種を流し；そして、
　前記活性化部から前記堆積チャンバー内に反応性化学種を流して、前記堆積チャンバーの内側表面を浄化する；
　ことを含む前記方法。」
＜相違点１＞
　前者では、活性化部が遠隔チャンバーであるのに対して、後者では、エッチングガス導入管を用いている点。
＜相違点２＞
　前者では、前駆体ガスとして、弗素ガスと特定しているのに対して、後者では、ＣＦ４エッチングガスと特定している点。
＜相違点３＞
　前者では、活性化部から堆積チャンバー内に反応性化学種をフィルターを通して流しているのに対して、後者では、フィルターを通すとは、特定されていない点。
　
２−４．判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点１について＞
　刊行物２の「マグネナトロン２２」、「電離室２１」、は、それぞれ、本件補正発明の「遠隔エネルギー源」、「遠隔チャンバー」に相当し、刊行物２の「ＣＦ４とＯ２の混合気体洗浄をプラズマ化してフッ素プラズマを形成する」は、ＣＦ４とＯ２の混合気体が本願発明と同様に電子デバイスの作製において用いられる堆積チャンバーをクリーニングするための前駆体ガスであることから、前駆体ガスを活性化して反応性化学種を形成するという限りで、本件補正発明の「弗素ガスを活性化して反応性化学種を形成する」と共通する。
　そうすると、刊行物２記載の事項は「遠隔エネルギー源を用いて前記遠隔チャンバー内で前駆体ガスを活性化して反応性化学種を形成する」点と言い換えることができる。
　したがって、刊行物１記載の発明の活性化部としてエッチングガス導入管に代えて、刊行物２の遠隔チャンバーを用いて、本件補正発明の上記相違点１にかかる事項とすることは当業者が容易に想到し得たものである。
　
＜相違点２について＞
　電子デバイスの作製時に発生する物質の洗浄に弗素ガスを用いることは、例えば、拒絶査定時に周知例として示した特開平６−１５１３９４号公報や特開平６−７７１９６号公報にも見られるように周知である。
　そうすると、同様に電子デバイスの作製時に発生する物質を洗浄する方法である本件補正発明の前駆体ガスとして、前記周知の弗素ガスを用いることは、当業者が容易に想到し得たというべきものである。
　
＜相違点３について＞
　チャンバー内に供給される気体より不要な物質を取り除いてチャンバー内を清浄に保つために、チャンバーへの気体供給路にフィルターを設けることは慣用手段である。
　そして、刊行物１記載の発明においても、チャンバー内を清浄に保つことが必要であることは明らかである。そうすると、刊行物１記載の発明において、チャンバー内を清浄に保つために前記慣用手段を適用し、本件補正発明の上記相違点３にかかる事項とすることは当業者が容易に想到し得たものである。
　
　そして、本件補正発明の作用効果は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、及び前記周知・慣用の事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別のものでない。
　
　したがって、本件補正発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、及び前記周知・慣用の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法等の一部を改正する法律（平成１５年法律第４７号）附則第２条第７項の規定によりなお従前の例によるものとされた同法［第１条の規定］による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条第４項の規定に適合しないものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１〜９に係る発明は、平成１５年５月１２日付け手続補正書の特許請求範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記第２の１−１に示す補正前の請求項１に記載したとおりものと認められる。
　
２．刊行物記載の発明及び事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物記載の発明及び事項は前記第２の２−２（１）乃至（２）に示したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記第２で検討した本件補正発明の「前駆体ガス」を「弗素ガス」と限定した限定事項、及びクリーニング対象を堆積チャンバーの「内側表面」と限定した限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件の全てを含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２　２−４」に記載したとおり、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、及び周知・慣用の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、及び周知・慣用の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。