【事件の表示】
　特願２０００−１１８５７６「シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月　２日出願公開、特開２００１−３０８１０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成１２年４月１９日の出願であって、平成１９年１月４日付けで手続補正がなされ、同年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月２７日に審判請求がなされるとともに、同年１０月１７日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年３月１０日付けで審尋がなされ、同年５月１７日に回答書が提出されたものである。 
　 
第２．平成１９年１０月１７日付けの手続補正についての却下の決定 
　［補正の却下の決定の結論］ 
　平成１９年１０月１７日付けの手続補正を却下する。 
　 
　［理由］ 
１．手続補正の内容 
　平成１９年１０月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、同年１月４日付けで補正された本件補正前の請求項１〜５及び０００６段落を、本件補正後の請求項１〜５及び０００６段落とするものであって、本件補正前の請求項１〜５及び本件補正後の請求項１〜５は、以下のとおりである。
　
（１）本件補正前の請求項１〜５
「　【請求項１】　熱処理により表面に無欠陥層が形成されたシリコンウェーハであって、
　ウェーハの表面側には無欠陥層が形成され、内部及び裏面側には欠陥層であるＢＭＤ領域が形成されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
　　【請求項２】　請求項１記載のシリコンウェーハを製造する際におこなわれるシリコンウェーハの熱処理方法であって、
　前記シリコンウェーハの表面側と裏面側とに互いに異なる種類又は条件の前記雰囲気ガスを供給し、
　前記表面側に供給する雰囲気ガスは、前記シリコンウェーハに空孔よりも格子間シリコンを優勢に注入する種類又は条件のガスであり、
　前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、前記シリコンウェーハに格子間シリコンよりも空孔を優勢に注入する種類又は条件のガスであることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
　　【請求項３】　請求項２記載のシリコンウェーハの熱処理方法において、
　前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、窒化性ガスを含んでいることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
　　【請求項４】　請求項３記載のシリコンウェーハの熱処理方法において、
　前記表面側に供給する雰囲気ガスは、アルゴンガスを主としたガスであり、
　前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、窒素ガスを主としたガスであることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
　　【請求項５】　請求項２から４のいずれか記載のシリコンウェーハの熱処理方法において、
　前記熱処理後に該熱処理より低い温度で、空孔への酸素析出を行うために酸素析出熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。」 
　 
（２）本件補正後の請求項１〜５
　　　（下線部は補正箇所）　
「　【請求項１】　熱処理により表面に無欠陥層が形成され
るとともに、
この裏面側の欠陥層が、前記内部の欠陥層よりも高いゲッタリング能力を有するよう高いＢＭＤ密度を有する
　　【請求項２】　請求項１記載のシリコンウェーハを製造する際におこなわれるシリコンウェーハの熱処理方法であって、
　前記シリコンウェーハの表面側と裏面側とに互いに異なる種類又は条件の前記雰囲気ガスを供給し、
　前記表面側に供給する雰囲気ガスは、前記シリコンウェーハに空孔よりも格子間シリコンを優勢に注入する種類又は条件のガスであり、
　前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、前記シリコンウェーハに格子間シリコンよりも空孔を優勢に注入する種類又は条件のガスである
注入熱処理工程を有する
　　【請求項３】　請求項２記載のシリコンウェーハの熱処理方法において、
　
前記注入熱処理工程で
　　【請求項４】　請求項３記載のシリコンウェーハの熱処理方法において、
　
前記注入熱処理工程で
　　【請求項５】　請求項２から４のいずれか記載のシリコンウェーハの熱処理方法において、
　前記
注入
工程
、
注入
工程
で空
工程を有する
　 
２．補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりとなる。
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１の「熱処理により表面に無欠陥層が形成されたシリコンウェーハであって、」を、本件補正後の請求項１の「熱処理により表面に無欠陥層が形成され
るとともに、
　
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１の「内部及び裏面側には欠陥層であるＢＭＤ領域が形成された」を、本件補正後の請求項１の「内部及び裏面側には欠陥層であるＢＭＤ領域が形成され、
この裏面側の欠陥層が、前記内部の欠陥層よりも高いゲッタリング能力を有するよう高いＢＭＤ密度を有する
　
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項２の「前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、前記シリコンウェーハに格子間シリコンよりも空孔を優勢に注入する種類又は条件のガスである」を、本件補正後の請求項２の「前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、前記シリコンウェーハに格子間シリコンよりも空孔を優勢に注入する種類又は条件のガスである
注入熱処理工程を有する
　
（４）補正事項４
　本件補正前の請求項３の「前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、窒化性ガスを含んでいる」を、本件補正後の請求項３の「
前記注入熱処理工程で
　
（５）補正事項５
　本件補正前の請求項４の「前記表面側に供給する雰囲気ガスは、アルゴンガスを主としたガスであり、　前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、窒素ガスを主としたガスである」を、本件補正後の請求項４の「
前記注入熱処理工程で
　
（６）補正事項６
　本件補正前の請求項５の「前記熱処理後に該熱処理より低い温度で、空孔への酸素析出を行うために酸素析出熱処理を施す」を、本件補正後の請求項５の「前記
注入
工程
、
注入
工程
で空
工程を有する
　
（７）補正事項７
　本件補正前の０００６段落の「すなわち、本発明のシリコンウェーハは、熱処理により表面に無欠陥層が形成されたシリコンウェーハであって、」を、本件補正後の０００６段落の「すなわち、本発明のシリコンウェーハは、熱処理により表面に無欠陥層が形成され
るとともに、
　
（８）補正事項８
　本件補正前の０００６段落の「内部及び裏面側には欠陥層であるＢＭＤ領域が形成された」を、本件補正後の０００６段落の「内部及び裏面側には欠陥層であるＢＭＤ領域が形成され、
この裏面側の欠陥層が、前記内部の欠陥層よりも高いゲッタリング能力を有するよう高いＢＭＤ密度を有する
　
（９）補正事項９
　本件補正前の０００６段落の「前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、前記シリコンウェーハに格子間シリコンよりも空孔を優勢に注入する種類又は条件のガスである」を、本件補正後の０００６段落の「前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、前記シリコンウェーハに格子間シリコンよりも空孔を優勢に注入する種類又は条件のガスである
注入熱処理工程を有する
　
（１０）補正事項１０
　本件補正前の０００６段落の「前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、窒化性ガスを含んでいる」を、本件補正後の０００６段落の「
前記注入熱処理工程で
　
（１１）補正事項１１
　本件補正前の０００６段落の「前記表面側に供給する雰囲気ガスは、アルゴンガスを主としたガスであり、　前記裏面側に供給する雰囲気ガスは、窒素ガスを主としたガスである」を、本件補正後の０００６段落の「
前記注入熱処理工程で
　
（１２）補正事項１２
　本件補正前の０００６段落の「前記熱処理後に該熱処理より低い温度で、空孔への酸素析出を行うために酸素析出熱処理を施す」を、本件補正後の０００６段落の「前記
注入
工程
、
注入
工程
で空
工程を有する
　
３．補正の目的及び新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、後述するように、結果として請求項１の全体の記載を冗長にしている面はあるものの、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１が、本願の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、本願の願書に最初に添付された明細書及び図面を、各々「当初明細書」及び「当初図面」といい、これらをまとめて「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「内部」及び「裏面側」の「欠陥層であるＢＭＤ領域」について、「裏面側の欠陥層が、前記内部の欠陥層よりも高いゲッタリング能力を有するよう高いＢＭＤ密度を有する」と、相互のＢＭＤ密度の関係を限定したものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　また、「裏面側の欠陥層が、前記内部の欠陥層よりも」「高いＢＭＤ密度を有する」ことは、当初図面の図２から読み取ることができ、また、「これらの熱処理により、図２に示すように、表面Ｓ側にはＤＺ層が形成され、内部及び裏面Ｒ側には欠陥層（ＢＭＤ領域）が形成されたシリコンウェーハＷが得られる。すなわち、本実施形態によれば、シリコンウェーハＷの酸素濃度にかかわらず高信頼性のデバイス作製に十分な無欠陥層を表面Ｓに形成することができると共に、裏面Ｒに高いゲッタリング能力を有する欠陥層を同時に形成することができる。」との００２３段落の記載等から、当業者であれば、ＢＭＤ密度が高いほどゲッタリング能力も高くなることが推定できるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３）補正事項３〜６について
　補正事項３〜６は、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項３〜６が、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、補正事項３〜６は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）補正事項７〜１２について
　補正事項７〜１２についての本件補正は、それぞれ請求項に関する補正事項１〜６についての本件補正に対応させて、発明の詳細な説明を補正するものであって、補正事項７〜１２は、それぞれ特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（５）補正の目的及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、次に、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かを、請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）について検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）本件補正による補正後の発明
　補正発明は、請求項１に記載されている事項により特定されるものであるが、上記１．（２）において補正後の請求項１として記載をしたもののうち、「熱処理により表面に無欠陥層が形成され
るとともに、
「熱処理によりウェーハの表面に無欠陥層が形成されるとともに、内部及び裏面側には欠陥層であるＢＭＤ領域が形成され、この裏面側の欠陥層が、前記内部の欠陥層よりも高いゲッタリング能力を有するよう高いＢＭＤ密度を有することを特徴とするシリコンウェーハ。」
と読み替えて認定する。
　
（２）引用例に記載された発明
（２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された特表平０６−５０４８７８号公報（以下「引用例」という。）には、第２ａ図（ＦＩＧ．２（ａ））、第２ｂ図（ＦＩＧ．２（ｂ））、及び第３図（ＦＩＧ．３）とともに、次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）
　
「　　　　　　　　請求の範囲
・・・（中略）・・・
８．珪素ウェーハ内部に析出物密度の制御された分布状態を達成するための珪素ウェーハの処理方法において、次の操作、（ａ）ウェーハを９５０℃〜１１５０℃の温度で約１５分間予備的熱処理にかけ、（ｂ）標準的化学的腐食処理の後、ウェーハを不活性ガス雰囲気中で、表面を遮蔽して、１２００℃〜１２７５℃の温度で数十秒間速いアニーリング熱処理にかけ、（ｃ）前記ウェーハを更に９００℃〜１０００℃の温度で長い熱処理にかけ、そして最後に、（ｄ）前記ウェーハを炉から取り出し、前記速いアニーリング処理中遮蔽されていた表面を表面研磨にかける、操作からなることを特徴とする珪素ウェーハ処理方法。
９．不活性雰囲気が窒素であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
１２．窒素雰囲気に対するウェーハの一方の面の遮蔽が、その面上にアルゴン雰囲気を適用することにより実現されることを特徴とする請求項８及び９に記載の方法。
「既に知られているように、半導体電子部品を製造する殆どの方法の出発材料である単結晶珪素は、一般に所謂チョクラルスキー法で製造されており、その場合、一つの種子結晶を溶融珪素中に浸漬し、次にゆっくり引き上げることにより成長させる。溶融珪素は石英坩堝中に入っていると、種々の不純物で汚染され、その不純物の中の主なものは酸素である。珪素が溶融物になっている温度では、酸素が結晶格子中に、溶融物の温度での酸素の珪素中への溶解度及び固化珪素中の酸素の実際の偏析係数によって決定される濃度に到達するまで入っていく。そのような濃度は集積回路を製造する方法で典型的な温度での固体珪素中の酸素の溶解度よりも大きい。従って、結晶が溶融物質から成長し、冷却されると、その中の酸素の溶解度は急速に低下し、そのため得られるスライス、即ちウェーハには、酸素が過飽和濃度で存在する。酸素が過飽和濃度で存在すると、ウェーハの後の熱処理工程で酸素の析出（ｐｒｅｃｉｐｉｔａｉｏｎ）を起こす。
　
酸素の析出は有用な効果と有害な効果を起こすことがある。有用な効果は、電子部品を製造するための後の製造工程中に、ウェーハと接触して電子部品の性能を悪くする望ましくない金属不純物をトラップする酸素析出物の能力と関連している。有害な効果は、そのような析出物自体が、反対に、例えば集積回路の製造にとっては非常に高い純度が必要になる場所であるウェーハの活性領域中に存在すると、汚染物質となることから起きてくるものである。
　そのような方法は、トラッピング又は「内在（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）」ゲッタリング法として知られており、ウェーハの表面に近い欠陥のない領域は、欠陥除去領域（ｄｅｎｕｄｅｄ　ｚｏｎｅ）と呼ばれている。
　
本発明の目的は、珪素ウェーハ中に存在するトラッピング中心の濃度を制御する方法を示すことにあり、特に良好な欠陥除去領域及び良好な内在トラッピング効果を達成するのに必要な欠陥密度分布状態を実現するための方法を示すことにある。
「最後に速い高温アニーリング処理中２枚のウェーハを組合せることにより、各ウェーハ中に完全に非対称的分布状態が実現され、それは一方の側では非常に高い欠陥密度を示し、他方の側では非常に低い欠陥密度を示すものであり、ウェーハの冷却方式が密度分布状態の形成に重要な役割を果たすと言う観察を発展することによって初めて得られたものである。」（第３ページ左下欄第１２行〜第１８行）
「第２ａ図及び第２ｂ図は、単一のウェーハを処理した場合と、本発明による一対の重ねたウェーハを処理した場合とを比較できるように示した図である。
　第３図は、重ねた形で本発明による処理にかけた２枚のウェーハの一方についての、深さの関数として析出物密度の分布状態を示した図である。」（第３ページ右下欄第１行〜第６行）
「この非常に重要な考察により、ウェーハが単独に処理されるのではなく、物理的に密接に接触するように組合せ或は対にして処理することにより、それらの相互の熱的遮蔽が達成されていると言う事実に存在する基本的な特徴の一つが本発明に結び付いている。このようにして、単一のウェーハが露出された場合、欠陥の分布が第２ａ図の矢印で示した二重ピーク分布曲線になると言うことは、第２ｂ図の矢印IIで示したように、常に二重ピーク分布曲線を生ずることになるが、この場合には、そのような分布曲線が、二枚の対にしたウェーハに対するものであると言うことが重要であり、
それは、互いに分離すると、各ウェーハは一方の表面に近いピークと、他方の表面近辺の零に近い平坦部とを有する欠陥密度分布曲線を持つようになる。
　第３図には、酸素析出物の密度分布曲線が、別のウェーハと対にした形で処理したウェーハについて、１２００℃及び１２５０℃の二つの温度の場合について深さの関数として一層正確に報告してある。」（第４ページ左上欄第２５行〜右上第２０行）
「
研磨した表面近くに非常に低い欠陥密度（平坦部）が存在し、それによって集積回路を製造するのに完全に適した欠陥除去領域を実現し、更に汚染物質をトラップする希望の機能を果たすのに完全に適した、活性領域とは反対側のウェーハ後面に近い充分制御された欠陥密度の高い部分が存在するようにすることができる。
「本発明の枠組み内で、更に、スライス上のガス雰囲気、特に窒素の存在により析出物分布曲線の形が、未だ決定はされていないが、少なくとも影響を受けていることが確認されている。
　従って、珪素の表面を遮蔽することにより得られる分布曲線の非対称性はスライスが窒素雰囲気に対して遮蔽されていると言う事実にも因るものである。
　
更に、スライスを重ねることによって遮蔽を実現することは、必ずしも必要ではないことを明確に指摘しておきたい、なぜなら、他の遮蔽部材、例えば石英板によっても同じ効果が得られるからである。
　
分布曲線の非対称性は、スライスの一方の面上のアルゴンと他方の面上の窒素からなる二重のガス雰囲気によって、促進されるわけではないが、少なくとも支援されるものであることが予想される。
　
（２−２）ここで、引用例の請求項８を引用する請求項９を更に引用する請求項１２に記載された発明は、
「珪素ウェーハ内部に析出物密度の制御された分布状態を達成するための珪素ウェーハの処理方法において、次の操作、
（ａ）ウェーハを９５０℃〜１１５０℃の温度で約１５分間予備的熱処理にかけ、
（ｂ）標準的化学的腐食処理の後、ウェーハを不活性ガス雰囲気中で、表面を遮蔽して、１２００℃〜１２７５℃の温度で数十秒間速いアニーリング熱処理にかけ、
（ｃ）前記ウェーハを更に９００℃〜１０００℃の温度で長い熱処理にかけ、そして最後に、
（ｄ）前記ウェーハを炉から取り出し、前記速いアニーリング処理中遮蔽されていた表面を表面研磨にかける、操作からなることを特徴とする珪素ウェーハ処理方法。」であって、「不活性雰囲気が窒素である」とともに「窒素雰囲気に対するウェーハの一方の面の遮蔽が、その面上にアルゴン雰囲気を適用することにより実現される」ものであり、また、そのような処理方法により処理された「珪素ウェーハ」を開示しているにも等しい。
　そして、引用例における「本発明の目的は、珪素ウェーハ中に存在するトラッピング中心の濃度を制御する方法を示すことにあり、特に良好な欠陥除去領域及び良好な内在トラッピング効果を達成するのに必要な欠陥密度分布状態を実現するための方法を示すことにある。」との記載、及び、「酸素の析出は有用な効果と有害な効果を起こすことがある。有用な効果は、電子部品を製造するための後の製造工程中に、ウェーハと接触して電子部品の性能を悪くする望ましくない金属不純物をトラップする酸素析出物の能力と関連している。」との記載に照らすと、引用例に記載された「析出物密度」とは、電子部品の性能を悪くする望ましくない金属不純物をトラップする「酸素析出物」の密度のことを意味しており、その「析出物密度」の制御された分布状態は、「良好な欠陥除去領域及び良好な内在トラッピング効果を達成するのに必要な欠陥密度分布状態」を実現するものと解される。
　さらに、引用例には、上記処理方法（珪素ウェーハにつき、窒素ガス雰囲気中で速いアニーリング処理を行うにあたり、一方の面をアルゴン雰囲気で遮蔽するとの特徴を持つ。）によって実現される「酸素析出物の密度の制御された分布状態」に関し、その明細書中において、以下の記載がある。
・スライスを重ねることによって遮蔽を実現した珪素ウェーハ（第２ｂ図参照）に関する「それは、互いに分離すると、各ウェーハは一方の表面に近いピークと、他方の表面近辺の零に近い平坦部とを有する欠陥密度分布曲線を持つようになる。」との記載。
・表面研磨後の当該珪素ウェーハに関する「研磨した表面近くに非常に低い欠陥密度（平坦部）が存在し、それによって集積回路を製造するのに完全に適した欠陥除去領域を実現し、更に汚染物質をトラップする希望の機能を果たすのに完全に適した、活性領域とは反対側のウェーハ後面に近い充分制御された欠陥密度の高い部分が存在するようにすることができる。」との記載。
・「更に、スライスを重ねることによって遮蔽を実現することは、必ずしも必要ではないことを明確に指摘しておきたい、なぜなら、他の遮蔽部材、例えば石英板によっても同じ効果が得られるからである。　分布曲線の非対称性は、スライスの一方の面上のアルゴンと他方の面上の窒素からなる二重のガス雰囲気によって、促進されるわけではないが、少なくとも支援されるものであることが予想される。」との記載。
　これらの記載を総合すると、上記処理方法によって実現される「酸素析出物の密度の制御された分布状態」も、スライスを重ねることによって遮蔽を実現した珪素ウェーハのものと同様、「研磨した表面近くに」活性領域としての「良好な欠陥除去領域」を有し、かつ、当該活性領域とは「反対側のウェーハ後面に近い部分」において「良好な内在トラッピング効果を達成するのに必要な欠陥密度分布状態を実現した」、分布曲線が非対称性のものと解するのが自然である。
　
（２−３）そうすると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　 
「珪素ウェーハ内部に酸素析出物の密度の制御された分布状態を達成するよう、
（ａ）ウェーハを９５０℃〜１１５０℃の温度で約１５分間予備的熱処理にかけ、
（ｂ）標準的化学的腐食処理の後、ウェーハを窒素雰囲気中で、その一方の面上にアルゴン雰囲気を適用することにより表面を遮蔽して、１２００℃〜１２７５℃の温度で数十秒間速いアニーリング熱処理にかけ、
（ｃ）前記ウェーハを更に９００℃〜１０００℃の温度で長い熱処理にかけ、そして最後に、
（ｄ）前記ウェーハを炉から取り出し、前記速いアニーリング処理中遮蔽されていた表面を表面研磨にかける、
操作からなる処理を行うことで、研磨した表面近くに良好な欠陥除去領域を有し、かつ、反対側のウェーハ後面に近い部分に良好な内在トラッピング効果を達成するのに必要な欠陥密度分布状態を実現した珪素ウェーハ。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比 
（３−１）両者を対比すると、 
ア　引用発明の「９５０℃〜１１５０℃の温度で約１５分間予備的熱処理」、「１２００℃〜１２７５℃の温度で数十秒間速いアニーリング熱処理」、「９００℃〜１０００℃の温度で」の「長い熱処理」、及び「前記速いアニーリング処理」は、そのいずれも補正発明の「熱処理」に相当する。
　
イ　引用発明の「良好な内在トラッピング効果を達成するのに必要な欠陥密度分布状態を実現した」領域は、 電子部品の性能を悪くする望ましくない金属不純物をトラップする「酸素析出物」の密度を制御することによって形成されたものであり、補正発明の「高いゲッタリング能力を有するよう高いＢＭＤ密度を有する」「欠陥層であるＢＭＤ領域」に相当する。
　
ウ　引用発明の「良好な欠陥除去領域」は、補正発明の「無欠陥層」を包含する上位概念のものに相当する。
　
エ　引用発明の「珪素ウェーハ」は、補正発明の「シリコンウェーハ」に相当する。
　
オ　引用発明の「珪素ウェーハ」が「研磨した表面近くに良好な欠陥除去領域を有」することと、補正発明の「シリコンウェーハ」の「表面に無欠陥層が形成される」こととを、上記ウ及びエも踏まえて比較検討すると、補正発明の「無欠陥層」は、少なくとも表面近くのある厚さまでを範囲に含むと解するのが自然であり、両者は、「シリコンウェーハ」の「少なくとも表面近くに良好な欠陥除去領域が形成される」点で共通する。
　　
カ　引用発明の「珪素ウェーハ」に関する「反対側のウェーハ後面に近い部分」は、補正発明の「シリコンウェーハ」に関する「裏面側」の一部に相当する。
　
（３−２）以上によれば、補正発明と引用発明とは、 
「熱処理によりウェーハの少なくとも表面近くに良好な欠陥除去領域が形成されるとともに、裏面側には欠陥層であるＢＭＤ領域が形成され、この裏面側の欠陥層が、高いゲッタリング能力を有するよう高いＢＭＤ密度を有することを特徴とするシリコンウェーハ。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
（相違点１） 
　補正発明では、「シリコンウェーハ」の「表面」に「無欠陥層」が形成されているのに対し、引用発明は、「表面」に「無欠陥層」といえるものが形成されているか否か不明な点。
　
（相違点２）
　補正発明の「欠陥層であるＢＭＤ領域」は、「内部及び裏面側」に形成され、かつ、「この裏面側の欠陥層が、前記内部の欠陥層よりも高いゲッタリング能力を有するよう高いＢＭＤ密度を有する」ものとされているのに対し、引用発明は、そのような構成について教示していない点。
　 
（４）相違点についての当審の判断 
（４−１）相違点１について 
　引用例の「有害な効果は、そのような析出物自体が、反対に、例えば集積回路の製造にとっては非常に高い純度が必要になる場所であるウェーハの活性領域中に存在すると、汚染物質となることから起きてくるものである。」との記載に照らし、引用発明における「良好な欠陥除去領域」は、「集積回路の製造にとっては非常に高い純度が必要である」観点から、補正発明のように「無欠陥層」であることが望ましく、かつ、珪素ウェーハの「表面」に形成されるのが望ましいことは明らかである。
　そうすると、引用発明において、そのような望ましい「珪素ウェーハ」を実現すべく、上記相違点１に係る構成を得ることは、当業者が必要に応じてなし得たものといえる。
　
（４−２）相違点２について 
　補正発明における上記相違点２に係る構成について、その「内部」及び「裏面側」は、互いの境界位置が明確に定められているものではなく、また、「裏面側の欠陥層」の「ＢＭＤ密度」と、「内部の欠陥層」の「ＢＭＤ密度」の関係も、、「裏面側の欠陥層」の「ＢＭＤ密度」のほうが「内部の欠陥層」の「ＢＭＤ密度」よりも、単に「高い」ことが規定されているにすぎない。
　また、補正発明の上記相違点２に係る構成を備えた「シリコンウェーハ」を得る方法に関し、本願明細書には、以下の記載がある。
「　　【０００７】 
　このシリコンウェーハの熱処理方法では、シリコンウェーハの表面側と裏面側とに互いに異なる種類又は条件の雰囲気ガスを供給することにより、表面側と裏面側とで異なる熱処理を同時に施すことができる。例えば、表面側には無欠陥層の形成に好適な雰囲気ガスを供給すると共に、裏面側にはゲッタリングのための欠陥を形成するのに好適な雰囲気ガスを供給することにより、表面にＤＺ層を形成し、同時に内部及び裏面に欠陥層を形成することができる。」
「　　【００１９】 
　例えば、表面側ガスは、Ａｒ（アルゴン）、ＡｒとＮ2（窒素）との混合ガス、ＡｒとＯ2（酸素）との混合ガス、又はＮ2とＯ2との混合ガス等が適用されるが、格子間シリコンを注入し易いＡｒを主（主成分又は高い混合比）とするガスが好ましい。
　また、裏面側ガスは、Ｎ2、ＡｒとＮ2との混合ガス、又はＮ2とＯ2との混合ガス等が適用されるが、空孔を注入し易いＮ2を主（主成分又は高い混合比）とするガスが好ましい。」
「　　【００２１】 
　この熱処理炉によりシリコンウェーハＷに熱処理、特に急加熱及び急冷却の熱処理を施すには、サセプタ１にシリコンウェーハＷを載置した後、表面側供給口２ａから表面側ガスをシリコンウェーハＷの表面Ｓに供給すると共に、裏面側供給口２ｃから裏面側ガスをシリコンウェーハＷの裏面Ｒに供給した状態で、１１５０℃以上の高温でＲＴＡ(Rapid Thermal Annealing)等の短時間の急速加熱・急冷を行う。
　　　【００２２】 
　上記熱処理により、表面Ｓには、格子間シリコンが優勢に注入されると共に酸素外方拡散が生じてＤＺ層（無欠陥層）が形成され、裏面Ｒには、空孔が優勢に注入される。
　さらに、上記熱処理後に該熱処理より低い温度で、空孔への酸素析出を行うために熱処理を施す。例えば、８００℃４時間の熱処理を施すことにより、酸素析出核の安定を図り、さらに１０００℃１６時間の熱処理を施すことにより、析出物の成長を行う。
　なお、上記酸素析出のための熱処理を特に行わず、その後のデバイス作製工程に伴って行われる熱処理で酸素析出を行っても構わない。」
　
　これらの記載を含む本願明細書及び図面全体の記載に照らし、補正発明の上記相違点２に係る構成を備えた「シリコンウェーハ」は、以下の工程ア及び工程イを備えた製造方法により得られるものと理解される。
ア　シリコンウェーハの表面側にＡｒ（アルゴン），裏面側にＮ2（窒素）を雰囲気ガスとして供給した状態で、１１５０℃以上の高温で短時間の急速加熱・急冷を行うことで、表面には、格子間シリコンが優勢に注入されると共に酸素外方拡散が生じてＤＺ層（無欠陥層）が形成され、裏面には、空孔が優勢に注入され、
イ　さらにより低い温度で熱処理を施すことにより、空孔への酸素析出を行う。
　他方、引用発明の「珪素ウェーハ」は、当該「珪素ウェーハ」を得るために行われる（ｂ）の操作が、「珪素ウェーハ」を「窒素雰囲気中で、その一方の面上にアルゴン雰囲気を適用することにより表面を遮蔽して、１２００℃〜１２７５℃の温度で数十秒間速いアニーリング熱処理にかけ」ている点において、上記工程アと一致しており、そこでは「表面には、格子間シリコンが優勢に注入されると共に酸素外方拡散が生じてＤＺ層（無欠陥層）が形成され、裏面には、空孔が優勢に注入され」るとの上記工程アと同様の現象が生じているものと推定される。また、当該「珪素ウェーハ」を得るために行われる引用発明の（ｃ）の操作は、上記工程イの「さらにより低い温度で熱処理を施すこと」と一致しており、そこでは「空孔への酸素析出を行う。」との、上記工程イと同様の現象が生じているものと推定される。
　そうすると、引用発明の「珪素ウェーハ」を得るために行われる（ｂ）及び（ｃ）の一連の操作を含む処理は、補正発明の上記相違点２に係る構成を備えた「シリコンウェーハ」を得るための製造方法と同一のものと推定されるから、上記相違点２は、補正発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえない。
　
（４−３）判断についてのまとめ 
　以上のとおり、補正発明の上記相違点１に係る構成は、引用発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであり、かつ、補正発明の上記相違点２に係る構成は、補正発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえない。
　したがって、補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　 
（５）独立特許要件についてのまとめ 
　本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。 
　 
５．補正の却下の決定のむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　 
第３．本願発明について 
　平成１９年１０月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、同年１月４日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項により特定されるとおりのものである。 
　そして、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．（１）に記載したとおりのものである。　 
　 
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された引用例（特開表０６−５０４８７８号公報）には、上記第２．３．（２）で認定したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。 
　そして、本願発明に対して技術的限定を付加した発明である補正発明は、上記第２．３．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。 
　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
第４．むすび 
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、上記結論のとおり審決する。