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【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的は、減圧された処理室内側に配置された試料がこの処理室内に形成されたプラズマを用いて処理される複数の真空処理容器と、これら真空処理容器がその周囲に連結されその内部に減圧されて前記試料が搬送される搬送室を有する真空搬送ユニットと、この真空搬送ユニットと連結され前記試料がその内部に配置された状態でこの内部を大気圧及び減圧された圧力に調節可能であって真空側と大気側とで前記試料がやりとりされる複数のロック室と、前記搬送室内に配置され前記ロック室と前記複数の真空処理容器内の処理室との間で前記試料を搬送する真空搬送手段と、前記ロック室の大気側に連結され内部に大気圧下で前記試料を搬送する空間を有した大気搬送容器と、この大気搬送容器内の空間に配置され前面側に装着される前記試料を収納するカセットから前記試料を搬送する大気搬送手段と、複数の前記試料の各々を順次前記カセットから搬出して何れかの前記処理室に搬送して該処理室内で処理した後にこの処理室から搬出して前記カセットに戻すまでの前記試料の操作を調節する制御装置とを備えた真空処理装置であって、前記試料の操作は、前記試料を前記カセットから前記複数のロック室の何れかに搬送する動作、前記試料を前記ロック室に収納した状態で前記減圧された圧力まで減圧する動作、前記試料をロック室からいずれかの前記処理室に搬送する動作、前記処理室内に搬送された試料をこの処理室内で処理する動作、該処理室から処理された前記試料をいずれかの前記ロック室に搬送する動作、前記試料をロック室内に収納した状態で前記大気圧まで昇圧する動作、及び前記試料を元の前記カセットに戻す動作を含む複数の動作から構成され、前記複数の試料各々について順次実施される前記操作の各々は予め前記複数の動作の順序、時間が共通に設定され、これらの予め設定された前記複数の動作の情報に基づいて前記制御装置が前記操作を調節することにより達成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記複数の動作の情報の各々は該動作に実際に要する最小の期間とこの期間の前または後に所定の猶予の時間が追加された動作の割当時間を含むことにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらにまた、前記操作の各々は、前記複数の動作のうち前記試料をロック室からいずれかの前記処理室に搬送する動作または前記処理室内に搬送された試料をこの処理室内で処理する動作の前に前記試料を滞留させる時間を有し、この滞留させる時間が前記複数の試料の前記操作の各々で予め共通に設定されたことにより達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧された処理室内側に配置された試料がこの処理室内に形成されたプラズマを用いて処理される複数の真空処理容器と、これら真空処理容器がその周囲に連結されその内部に減圧されて前記試料が搬送される搬送室を有する真空搬送ユニットと、この真空搬送ユニットと連結され前記試料がその内部に配置された状態でこの内部を大気圧及び減圧された圧力に調節可能であって真空側と大気側とで前記試料がやりとりされる複数のロック室と、前記搬送室内に配置され前記ロック室と前記複数の真空処理容器内の処理室との間で前記試料を搬送する真空搬送手段と、前記ロック室の大気側に連結され内部に大気圧下で前記試料を搬送する空間を有した大気搬送容器と、この大気搬送容器内の空間に配置され前面側に装着される前記試料を収納するカセットから前記試料を搬送する大気搬送手段と、複数の前記試料の各々を順次前記カセットから搬出して何れかの前記処理室に搬送して該処理室内で処理した後にこの処理室から搬出して前記カセットに戻すまでの前記試料の操作を調節する制御装置とを備えた真空処理装置であって、
前記試料の操作は、前記試料を前記カセットから前記複数のロック室の何れかに搬送する動作、前記試料を前記ロック室に収納した状態で前記減圧された圧力まで減圧する動作、前記試料をロック室からいずれかの前記処理室に搬送する動作、前記処理室内に搬送された試料をこの処理室内で処理する動作、該処理室から処理された前記試料をいずれかの前記ロック室に搬送する動作、前記試料をロック室内に収納した状態で前記大気圧まで昇圧する動作、及び前記試料を元の前記カセットに戻す動作を含む複数の動作から構成され、
前記複数の試料各々について順次実施される前記操作の各々は予め前記複数の動作の順序、時間が共通に設定され、これらの予め設定された前記複数の動作の情報に基づいて前記制御装置が前記操作を調節する真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、前記複数の動作の情報の各々は該動作に実際に要する最小の期間とこの期間の前または後に所定の猶予の時間が追加された動作の割当時間を含む真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、前記操作の各々は、前記複数の動作のうち前記試料をロック室からいずれかの前記処理室に搬送する動作または前記処理室内に搬送された試料をこの処理室内で処理する動作の前に前記試料を滞留させる時間を有し、この滞留させる時間が前記複数の試料の前記操作の各々で予め共通に設定された真空処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の真空処理装置であって、前記制御装置は前記試料を前記カセットから搬出して前記処理室で処理された後に前記カセットに戻すまでの動作毎の時間を積算して算出する機能及び前記カセットから搬出されて前記処理室で処理された後に前記カセットに戻すまでの前記複数の動作のうちの律速となる動作を検出する機能を備えた真空処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載された真空処理装置であって、前記制御装置は、予め記憶された前記試料を前記カセットから搬出して前記処理室で処理された後に前記カセットに戻す各動作毎の時間の情報を用いてこれら動作の順序と前記滞留時間を異ならせた複数の種類の予定について前記積算を実施し、これら複数の種類の予定のうちから所定の枚数の前記試料を処理する総処理時間が最小となるものを動作の予定情報として選択する真空処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にマイクロリソグラフィー用の光学装置のための、接続装置であり、
第１の物体と、
第２の物体と、
接続デバイスと、
を有し、
前記第１の物体は、接触領域にて層状様式で第２の物体と接触し、
前記接続デバイスは、前記第２の物体に接続し、かつ少なくとも１つの接触ユニットを介して前記第１の物体に接続し、
前記接続デバイスは、前記第１の物体と前記第２の物体との間の前記接触領域に、所定の接触力を生成するように構成された、
接続装置において、
前記接触ユニットは、複数の分離した接触素子を備え、
前記接触素子の各々は、弾性変形したバネユニットを介して前記第２の物体に接続され、前記接触力への寄与を生成し、
前記接触素子は、前記第１の物体に関する前記接触素子の傾きを補償するための補償デバイスを備えることを特徴とする接続装置。
【請求項２】
前記バネユニットは、板バネの様式で構成された少なくとも１つのバネ、及び／又は、皿バネの様式で構成された少なくとも１つのバネを備えることを特徴とする、請求項１に記載の接続装置。
【請求項３】
前記接触ユニットは、キャリヤ素子を有し、
前記バネユニットは、それぞれ、一方を前記接触素子に接続され、他方を前記キャリヤ素子に接続されることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の接続装置。
【請求項４】
前記キャリヤ素子は、前記接触力の方向に垂直な平面内に長軸を有し、
２つの前記接触素子は、前記長軸に関して前記キャリヤ素子の両側に配置され、
及び／又は、
２つの前記接触素子は、前記長軸に関して前記キャリヤ素子の片側に互いに間を隔てて配置されることを特徴とする、請求項３に記載の接続装置。
【請求項５】
前記キャリヤ素子は、前記長軸に沿って延びる素子として構成され、
少なくとも５個の前記接触素子、好ましくは少なくとも１０個の前記接触素子が、前記長軸に関して前記キャリヤ素子の同じ片側に互いに間を隔てて配置されることを特徴とする、請求項４に記載の接続装置。
【請求項６】
前記キャリヤ素子は、少なくとも１つのスペーサー素子を介して前記第２の物体に接続されていることを特徴とする、請求項３から請求項５の何れかに記載の接続装置。
【請求項７】
少なくとも１つの前記接触素子は、前記第１の物体の軸受面に沿って延びる素子として構成されていることを特徴とする、請求項１から請求項６の何れかに記載の接続装置。
【請求項８】
前記バネユニットは、前記接触素子の中央領域で前記接触素子に作用することを特徴とする、請求項７に記載の接続装置。
【請求項９】
前記補償素子は、継手デバイス、及び／又は、前記第１の物体に面した曲面の軸受面、及び／又は、前記第１の物体に面した尖頭形の軸受面を有することを特徴とする、請求項１から請求項８の何れかに記載の接続装置。
【請求項１０】
前記第１の物体は、光学デバイスの構成要素であり、特に光学的に用いられる構成要素であり、
及び／又は、
前記第２の物体は、前記接触領域を介して前記第１の物体と前記第２の物体との間の高伝熱を達成するための伝熱デバイスの構成要素であり、特に冷却体であることを特徴とする、請求項１から請求項９の何れかに記載の接続装置。
【請求項１１】
接触手段は、前記第１の物体と前記第２の物体との間の熱伝導を向上させるために、前記第１の物体と前記第２の物体との間の接触領域に配置されることを特徴とする、請求項１から請求項１０の何れかに記載の接続装置。
【請求項１２】
前記接触素子のそれぞれは、前記第１の物体に面して且つ前記接触力を生成するよう面圧が作用する軸受面を有し、
前記接触素子の前記面圧が、合同で平均面圧を規定し、
前記接続デバイスは、前記接触素子のそれぞれの前記面圧が前記平均面圧から１０％以下、好ましくは５％以下の違いとなるよう構成されたことを特徴とする、請求項１から請求項１１の何れかに記載の接続装置。
【請求項１３】
前記接触ユニットは、第１の接触ユニットであり、
前記接続デバイスは、前記第１の接触ユニットに接続した第２の接触ユニットを備え、
前記接続デバイスは、前記第２の接触ユニットを介して前記第２の物体に接触していることを特徴とする、請求項１から請求項１２の何れかに記載の接続装置。
【請求項１４】
前記第１の接触ユニットの前記接触素子は第１の接触素子であり、前記バネユニットは第１バネユニットであり、
前記第２の接触ユニットは、第２のバネユニットを介して前記第１の接触ユニットに接続された少なくとも１つの接触素子を備えることを特徴とする、請求項１３に記載の接続装置。
【請求項１５】
特にマイクロリソグラフィー用の光学的イメージング装置であり、
照明デバイスと、
投影パターンを備えるマスクを支えるためのマスクデバイスと、
光学素子群を有する投影デバイスと、
基板を支える基板デバイスと、
を有し、
前記照明デバイスは、前記投影パターンを照射するために構成され、
前記光学素子群は、前記基板上に前記投影パターンをイメージングするように構成された光学的イメージング装置において、
前記照明デバイス、及び／又は、前記投影デバイス、及び／又は、前記マスクデバイス、及び／又は、前記基板デバイスは、請求項１から請求項１４の何れかに記載の接続装置を備えることを特徴とする光学的イメージング装置。
【請求項１６】
特にマイクロリソグラフィー用の光学装置の第１の物体と第２の物体との間に接触力を働かせるための方法であって、
前記第１の物体を、接触領域で前記第２の物体に層状に接触させ、
接続デバイスを、前記第２の物体に接続し、該接続デバイスを、少なくとも１つの接触ユニットを介して前記第１の物体に接触し、
前記接続デバイスが、前記第１の物体と前記第２の物体との間の前記接触領域に所定の接触力を生成する、
方法において、
前記接触ユニットは、複数の別個の接触素子を備え、
前記接触素子の各々を、弾性変形したバネユニットを介して前記第２の物体に接続して、前記接触力への寄与を生じさせ、
前記接触素子は、前記第１の物体に関する前記接触素子の傾きを補償するための補償デバイスを備えることを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記バネユニットは、板バネの様式で構成された少なくとも１つのバネ、及び／又は、皿バネの様式で構成された少なくとも１つのバネを備え、かつ前記接触ユニットは、キャリヤ素子を有し、
前記バネユニットは、それぞれ、一方を前記接触素子に特に接続され、他方を前記キャリヤ素子に接続されることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記キャリヤ素子を、少なくとも１つのスペーサー素子を介して、前記第２の物体に接続することを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の物体と前記第２の物体との間の伝熱を向上させるために、前記第１の物体と前記第２の物体との間の前記接触領域に接触手段を配置することを特徴とする、請求項１６から請求項１８の何れかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光で基板を露光する露光装置であって、 
プロセスガスを放電空間へ導入して生成されたガスを供給可能な第１供給口を有し、前記第１供給口から供給された前記ガスと洗浄対象部材とを接触させて、前記洗浄対象部材をクリーニングするクリーニング装置を備えた露光装置。 
【請求項２】
前記クリーニング装置は、前記第１供給口から前記ガスが供給された第１空間の周囲に第２ガスを供給する第２供給口と、前記第１空間のガスの少なくとも一部を排出する排気口とを有する請求項１記載の露光装置。 
【請求項３】
所定空間と、 
前記所定空間に第１ガスを供給することによって、前記所定空間の環境を調整する調整装置と、をさらに備え、 
前記第２ガスは、前記第１ガスと実質的に同じ温度である請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２ガスは、前記第１ガスと実質的に同じ種類である請求項２又は３記載の露光装置。 
【請求項５】
前記基板は、露光液体を介して、前記露光光で露光され、 
前記洗浄対象部材は、露光液体と接触する請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項６】
前記プロセスガスは、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを含み、
前記クリーニング装置は、前記第１のプロセスガスを前記放電空間に供給するための第１供給路と、前記第２のプロセスガスを前記放電空間に供給するための第２供給路と、前記放電空間と前記第１供給路とが連通している第１状態と前記放電空間と前記第２供給路とが連通している第２状態とを切換可能な切換装置とを有し、 
前記第１状態において、前記第１のプロセスガスが前記放電空間に導入されて生成されたガスを前記第１供給口から供給して前記洗浄対象部材をクリーニングし、 
前記第２状態において、前記第２のプロセスガスが前記放電空間に導入されて生成されたガスを前記第１供給口から供給して部材と接触させ、前記部材の表面の露光液体に対する撥液性を高める請求項５記載の露光装置。 
【請求項７】
前記第１のプロセスガスは、酸素を含み、 
前記第２のプロセスガスは、フッ素化合物を含む請求項６記載の露光装置。 
【請求項８】
前記第１のプロセスガス又は前記第２のプロセスガスは、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、ラドンガス、ネオンガス、及び窒素ガスの少なくとも一つを含む請求項７記載の露光装置。 
【請求項９】
前記第２状態において、前記第１供給口から供給された前記ガスと前記洗浄対象部材とを接触させて、前記洗浄対象部材の表面の前記露光液体に対する撥液性を高める請求項６〜８のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項１０】
前記基板の露光中に、前記基板の表面の少なくとも一部は、前記洗浄対象部材と対向する請求項５〜９のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項１１】
前記洗浄対象部材は、多孔部材を含み、 
前記多孔部材を介して露光液体が回収される請求項１０記載の露光装置。 
【請求項１２】
前記洗浄対象部材は、露光液体を供給可能な供給口、又は露光液体を回収可能な回収口、又はその両方を有する請求項１０記載の露光装置。 
【請求項１３】
露光液体を回収可能な回収口と、 
前記回収口に連通する回収流路とを備え、 
前記洗浄対象部材の表面は、前記回収流路の内面を含む請求項５〜１１のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項１４】
前記回収口と真空源とを前記回収流路を介して接続し、前記第１供給口から供給された前記ガスを前記回収口から吸引することによって、前記第１供給口から供給された前記ガスと前記回収流路の内面とを接触させる請求項１３記載の露光装置。 
【請求項１５】
露光液体を供給可能な供給口と、 
前記供給口に連通する供給流路とを備え、 
前記洗浄対象部材の表面は、前記供給流路の内面を含む請求項５〜１１、１３、及び１４のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項１６】
前記供給口と真空源とを前記供給流路を介して接続し、前記第１供給口から供給された前記ガスを前記供給口から吸引することによって、前記第１供給口から供給された前記ガスと前記供給流路の内面とを接触させる請求項１５記載の露光装置。 
【請求項１７】
前記洗浄対象部材は、前記露光光が照射可能な位置に移動可能である請求項１〜１６のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項１８】
前記洗浄対象部材は、第１部材と、前記第１部材とギャップを介して配置された第２部材との少なくとも一方を含み、 
前記第１供給口からの前記ガスは、前記ギャップ内に供給される請求項１７記載の露光装置。 
【請求項１９】
前記洗浄対象部材は、前記基板を保持可能な基板保持部材を含む請求項１７又は１８記載の露光装置。 
【請求項２０】
前記基板を保持可能な基板保持部材を備え、 
前記洗浄対象部材は、前記基板保持部材に保持された基板の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１７又は１８記載の露光装置。 
【請求項２１】
前記洗浄対象部材は、前記露光光を受光可能な計測器の少なくとも一部を含む請求項１７〜２０のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項２２】
前記露光光が照射可能な位置に移動可能な可動部材を備え、 
前記第１供給口は、前記可動部材に設けられている請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。 
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、 
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 
【請求項２４】
露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、 
プロセスガスを放電空間に導入して生成されたガスと洗浄対象部材とを接触させて前記洗浄対象部材をクリーニングすることを含むメンテナンス方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月25日(2012.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、
ガラス基板上に第２の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板を、前記第１の絶縁膜を介して前記ガラス基板上の前記第２の絶縁膜と貼り合わせ、
前記ボンド基板を前記脆化層において分離して前記ガラス基板上に前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記半導体膜の周辺領域を除去して前記ガラス基板の一部を露出させ、
前記半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記ガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に接して２層構造の積層導電膜を形成し、
前記２層構造の積層導電膜として、上層に引っ張り応力を有する導電膜、下層に圧縮応力を有する導電膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記引っ張り応力を有する導電膜は、タングステン膜であり、前記圧縮応力を有する導電膜は、窒化タンタル膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ボンド基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、
ガラス基板上に第２の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板を、前記第１の絶縁膜を介して前記ガラス基板上の前記第２の絶縁膜と貼り合わせ、
前記ボンド基板を前記脆化層において分離して前記ガラス基板上に前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記半導体膜の周辺領域を除去して前記ガラス基板の一部を露出させ、
前記半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記ガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に接して積層導電膜を形成し、
前記積層導電膜の有する応力の大きさが０．１ＧＰａ以下となる条件で成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記積層導電膜は、上層をタングステン膜とし、下層を窒化タンタル膜とする２層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
ボンド基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、
ガラス基板上に第２の絶縁膜を形成し、
前記ボンド基板を、前記第１の絶縁膜を介して前記ガラス基板上の前記第２の絶縁膜と貼り合わせ、
前記ボンド基板を前記脆化層において分離して前記ガラス基板上に前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記半導体膜の周辺領域を除去して前記ガラス基板の一部を露出させ、
前記半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記ガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に接して２層構造の積層導電膜を形成し、
前記２層構造の積層導電膜として、上層にタングステン膜、下層に窒化タンタル膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記周辺領域は、前記第２の絶縁膜の最外縁から、前記半導体膜の最外縁の１ｍｍ乃至１０ｍｍ内側までの帯状の領域とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜若しくは窒化酸化シリコン膜から選ばれた単数の膜又は複数の膜の積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜若しくは窒化酸化アルミニウム膜から選ばれた膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ボンド基板は、単結晶シリコン基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置と通信して、前記外部装置の電源状態を第１の電源状態から第２の電源状態に変更可能な電子機器であって、
前記外部装置と通信する通信手段と、
前記電子機器と前記外部機器との間の連携を示す情報を記憶可能な記憶手段と、
前記通信手段を介して前記外部装置との通信が可能になったことを検知する検知手段と、
前記検知手段によって前記外部装置との通信が可能になったことを検知した場合、前記記憶手段に連携を示す情報が記憶されているか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段によって前記記憶手段に連携を示す情報が記憶されていないと判別された場合、前記記憶手段に前記連携を示す情報を記憶させるとともに、前記外部装置の電源状態を前記第２の電源状態に制御するためのコントロール信号を前記外部装置に送信する一方、前記判別手段によって前記記憶手段に連携を示す情報が記憶されていると判別された場合、前記コントロール信号を前記外部装置に送信しない送信手段と、
を備える電子機器。
【請求項２】
前記検知手段によって前記外部装置との通信が可能になったことを検知した場合、前記通信手段を介して前記外部装置の電源状態を示す信号を受信する受信手段をさらに備え、
前記送信手段は、前記受信手段によって受信した信号が第１の電源状態を示した場合にのみ、前記判別手段によって前記記憶手段に連携を示す情報が記憶されていないと判別された場合に、前記記憶手段に前記連携を示す情報を記憶させるとともに、前記外部装置の電源状態を前記第２の電源状態に制御するためのコントロール信号を前記外部装置に送信する動作を行う、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１の電源状態は待機状態であり、前記第２の電源状態はＯＮ状態である、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
電池電源を接続可能な装着手段と、
前記装着手段に電池電源が接続されているか否かを判断する判断手段とをさらに備え、
前記送信手段は、前記判断手段により、前記装着手段に電池電源が装着されていると判断された場合にのみ、前記判別手段によって前記記憶手段に連携を示す情報が記憶されていないと判別された場合に、前記記憶手段に前記連携を示す情報を記憶するとともに、前記外部装置の電源状態を前記第２の電源状態に制御するためのコントロール信号を前記外部装置に送信する動作を行う、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項５】
前記送信手段は、前記電子機器の電源がＯＦＦからＯＮに変更されたときに、前記連携を示す情報をリセットする、請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
使用者の電子機器に対する操作を受け付ける操作受付手段をさらに備え、
前記操作受付手段により使用者の操作が受け付けられたときは、前記受信手段によって受信した信号が第１の電源状態を示す場合、前記判別手段によって前記記憶手段に連携を示す情報が記憶されていると判別された場合でも、前記コントロール信号を前記外部装置に送信する、
請求項２に記載の電子機器。
【請求項７】
使用者の電子機器に対する操作を受け付ける操作受付手段と、
前記受付手段が使用者の操作を受け付けた場合、前記連携情報をリセットするリセット手段と、
をさらに備える、請求項１に記載の電子機器。
【請求項８】
前記外部装置との間でＨＤＭＩ（High Definition Multimedia Interface）を介して通信を行う、請求項１に記載の電子機器。
【請求項９】
被写体を撮像して画像データを生成する撮像装置である、請求項１に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記外部装置は、テレビ受像機、パーソナルコンピュータ、及び光ディスク再生装置のいずれかである、請求項１に記載の電子機器。
【請求項１１】
第１の機器から、第２の機器の電源状態を第１の電源状態から第２の電源状態に制御する電源制御方法であって、
前記第１の機器と前記第２の機器間の通信が可能であるか否かを検知し、
前記第１の機器と前記第２の機器間の通信が可能になったことを検知した場合に、前記第１の機器と前記第２の機器との間の連携を示す情報が記憶されているか否かを判別し、
前記連携を示す情報が記憶されていないことを判別した場合、前記連携を示す情報を記憶するとともに、前記第２の機器の電源状態を前記第２の電源状態に制御するためのコントロール信号を前記第２の機器に送信する一方、前記連携を示す情報が記憶されていることを判別した場合、前記コントロール信号を前記第２の機器に送信しない、
電源制御方法。
【請求項１２】
前記第１の機器と前記第２の機器間の通信が可能になったことを検知した場合に、前記第２の機器の電源状態をさらに取得し、
前記取得した第２の機器の電源状態が第１の電源状態を示した場合にのみ、前記連携を示す情報が記憶されていないことを判別した場合に、前記連携を示す情報を記憶するとともに、前記第２の機器の電源状態を前記第２の電源状態に制御するためのコントロール信号を前記第２の機器に送信する、
請求項１１に記載の電源制御方法。
【請求項１３】
前記第１の電源状態は待機状態であり、前記第２の電源状態はＯＮ状態である、請求項１１に記載の電源制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の態様において、外部装置と通信して、外部装置の電源状態を第１の電源状態から第２の電源状態に変更可能な電子機器が提供される。その電子機器は、外部装置と通信する通信手段と、電子機器と外部機器との間の連携を示す情報を記憶可能な記憶手段と、通信手段を介して外部装置との通信が可能になったことを検知する検知手段と、検知手段によって外部装置との通信が可能になったことを検知した場合、記憶手段に連携を示す情報が記憶されているか否かを判別する判別手段と、送信手段とを備える。送信手段は、判別手段によって記憶手段に連携を示す情報が記憶されていないと判別された場合、記憶手段に連携を示す情報を記憶させるとともに、外部装置の電源状態を第２の電源状態に制御するためのコントロール信号を外部装置に送信する一方、判別手段によって記憶手段に連携を示す情報が記憶されていると判別された場合、コントロール信号を外部装置に送信しない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第２の態様において、第１の機器から、第２の機器の電源状態を第１の電源状態から第２の電源状態に制御する電源制御方法が提供される。その電源制御方法は、第１の機器と第２の機器間の通信が可能であるか否かを検知する。第１の機器と第２の機器間の通信が可能になったことを検知した場合に、第１の機器と第２の機器との間の連携を示す情報が記憶されているか否かを判別する。連携を示す情報が記憶されていないことを判別した場合、連携を示す情報を記憶するとともに、第２の機器の電源状態を第２の電源状態に制御するためのコントロール信号を第２の機器に送信する。一方、連携を示す情報が記憶されていることを判別した場合、コントロール信号を第２の機器に送信しない。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月19日(2012.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準クロックを単位時間だけ遅延させて複数の多相クロックを生成し、前記複数の多相クロックの何れか一つと前記基準クロックとの周波数が一致する時にイネーブルされるイネーブル信号を生成するように構成される多相クロック生成部と、
前記イネーブル信号がイネーブルされると、第１の制御信号により前記複数の多相クロックの何れか一つを所定時間遅延させて前記基準クロックの位相と比較し、前記複数の多相クロックのうち、前記基準クロックと位相が一致する多相クロックを遅延クロックとして生成するように構成される多相クロック選択部と
を含むことを特徴とするＤＬＬ回路。
【請求項２】
前記多相クロック生成部は、
前記基準クロックと前記複数の多相クロックの何れか一つとの周波数を比較して、バイアス電圧及び前記イネーブル信号を生成するように構成される発振制御部と、
前記バイアス電圧により発振周波数を調節し、単位時間だけ位相差を有する前記複数の多相クロックを生成するように構成される電圧制御発振部と
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＤＬＬ回路。
【請求項３】
前記発振制御部は、前記基準クロックと前記複数の多相クロックの何れか一つとの周波数を比較して、前記バイアス電圧のレベルを上昇又は下降させることを特徴とする請求項２に記載のＤＬＬ回路。
【請求項４】
前記発振制御部は、前記基準クロックと前記複数の多相クロックの何れか一つとの周波数が同一であるとき、前記イネーブル信号をイネーブルさせることを特徴とする請求項２に記載のＤＬＬ回路。
【請求項５】
前記多相クロック選択部は、
前記複数の多相クロックを受信し、前記第１の制御信号に応じて遅延クロックを生成するように構成される遅延クロック生成部と、
前記遅延クロックを所定時間だけ遅延してフィードバッククロックを生成する遅延モデリング部と、
前記基準クロックと前記フィードバッククロックとの位相を比較して、前記第１の制御信号を生成する位相比較部と
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＤＬＬ回路。
【請求項６】
前記遅延クロック生成部は、前記第１の制御信号に応じて、前記複数の多相クロックの何れか一つを出力する第１のＭＵＸ部を備えることを特徴とする請求項５に記載のＤＬＬ回路。
【請求項７】
バイアス電圧が印加されて基準クロックと同一の周波数で発振するクロックを単位時間だけ遅延して、複数の多相クロックを生成する電圧制御発振部と、
前記複数の多相クロックを受信し、前記第１の制御信号に応じて遅延クロックを生成する遅延クロック生成部と、
前記遅延クロックを受信し、所定時間遅延してフィードバッククロックを生成する遅延モデリング部と、
前記複数の多相クロックの何れか一つと前記基準クロックとの周波数を比較して前記バイアス電圧を生成し、前記フィードバッククロックと前記基準クロックとの位相を比較して第１の制御信号を生成するＤＬＬ制御部と
を含むことを特徴とするＤＬＬ回路。
【請求項８】
前記電圧制御発振部は、
前記バイアス電圧により遅延量が調節される複数のディレイセルと、
前記複数のディレイセルの数だけ具備され、前記複数のディレイセルの出力端に各々連結しており、前記複数の多相クロックを生成するように構成される複数のバッファーと
を含むことを特徴とする請求項２又は７に記載のＤＬＬ回路。
【請求項９】
前記遅延クロック生成部は、前記第１の制御信号に応じて、前記複数の多相クロックの何れか一つを出力する第１のＭＵＸ部を備えることを特徴とする請求項７に記載のＤＬＬ回路。
【請求項１０】
前記遅延クロック生成部は、前記第１の制御信号に応じて、前記第１のＭＵＸ部が出力する多相クロックの位相を微細調整する第１の位相混合部をさらに含むことを特徴とする請求項６又は９に記載のＤＬＬ回路。
【請求項１１】
前記遅延クロック生成部は、
前記第１の制御信号を受信して第２の制御信号を生成する合算器と、
前記合算器の出力に応じて、前記複数の多相クロックの何れか一つを出力する第２のＭＵＸ部と
をさらに含むことを特徴とする請求項６又は７に記載のＤＬＬ回路。
【請求項１２】
前記遅延クロック生成部は、前記第２の制御信号に応じて、前記第２のＭＵＸ部が出力する多相クロックの位相を微細調整する第２の位相混合部をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のＤＬＬ回路。
【請求項１３】
前記ＤＬＬ制御部は、
前記複数の多相クロックの何れか一つと前記基準クロックとの周波数を比較して、前記バイアス電圧及びイネーブル信号を生成するように構成される発振制御部と、
前記イネーブル信号に応じて活性化し、前記フィードバッククロックと前記基準クロックとの位相を比較して前記第１の制御信号を生成する位相比較部と
を含むことを特徴とする請求項７に記載のＤＬＬ回路。
【請求項１４】
前記発振制御部は、前記基準クロックと前記複数の多相クロックの何れか一つとの周波数を比較して、前記バイアス電圧のレベルを上昇又は下降させることを特徴とする請求項１３に記載のＤＬＬ回路。
【請求項１５】
前記発振制御部は、前記基準クロックと前記複数の多相クロックの何れか一つとの周波数が同一であるとき、前記イネーブル信号をイネーブルさせることを特徴とする請求項１３に記載のＤＬＬ回路。
【請求項１６】
前記位相比較部は、
前記基準クロックと前記フィードバッククロックとの位相を比較して、アップ信号又はダウン信号を生成する位相感知部と、
前記イネーブル信号により活性化し、前記アップ信号及び前記ダウン信号に応じて前記第１の制御信号を生成する制御信号生成部と
を含むことを特徴とする請求項５又は１３に記載のＤＬＬ回路。
【請求項１７】
前記制御信号生成部は、前記イネーブル信号により活性化し、前記アップ信号又は前記ダウン信号のイネーブル回数によって前記第１の制御信号を生成することを特徴とする請求項１６に記載のＤＬＬ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写界像を撮像し撮像データを生成する撮像手段と、
前記撮像データの一部を切り出して複数の切り出し画像データを作成する切り出し手段と、
前記複数の切り出し画像データを所定の出力間隔で順次外部装置に出力する出力手段を備える、撮像装置。
【請求項２】
前記複数の切り出し画像データは、ユーザにより複数の任意エリアが指定されることにより決定される請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の切り出し画像データの夫々に前記外部装置に出力するための順番を割り当てる割り当て手段を更に備え、
前記出力手段は、前記割り当て手段によって割り当てられた順番に基づいて、前記複数の切り出し画像データを所定の出力間隔で順次前記外部装置に出力することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数の切り出し画像データに対し、夫々にズーム倍率を設定する設定手段を更に備え、
前記切り出し手段は、前記設定手段により設定された夫々のズーム倍率に基づいて前記撮像データの一部を切り出し、前記複数の切り出し画像データを作成することを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
被写界像を撮像して撮像データを生成し、該撮像データを出力する撮像装置と、前記撮像装置から出力される前記撮像データを受け入れる画像処理装置と、前記撮像装置から出力される前記撮像データに基づく画像を第１表示手段に表示する外部装置とで構成される撮像システムであって、
前記画像処理装置は、
前記撮像データに基づく画像を第２表示手段に表示する表示処理手段と、
前記第２表示手段によって表示される画像の中から複数の任意エリアを指定するエリア指定手段を備え、
前記撮像装置は、
前記画像処理装置が備える前記エリア指定手段によって指定された複数の任意のエリアに基づいて、前記撮像データの一部を切り出して複数の切り出し画像データを作成する切り出し手段と、
前記複数の切り出し画像データを所定の出力間隔で順次前記第１表示手段に出力する出力手段を備える、撮像システム。
【請求項６】
前記撮像装置は、前記複数の切り出し画像データの夫々に前記第１表示手段に出力するための順番を割り当てる割り当て手段を更に備え、
前記出力手段は、前記割り当て手段によって割り当てられた順番に基づいて、前記複数の切り出し画像データを所定の出力間隔で順次前記第１表示手段に出力することを特徴とする請求項５に記載の撮像システム。
【請求項７】
前記複数の切り出し画像データに対し、夫々にズーム倍率を設定する設定手段を更に備え、
前記切り出し手段は、前記設定手段により設定された夫々のズーム倍率に基づいて前記撮像データの一部を切り出し、前記複数の切り出し画像データを作成することを特徴とする請求項５または６に記載の撮像システム。
【請求項８】
前記撮像装置から出力された前記画像データの解像度は前記第１表示手段の解像度よりも高く、前記切り出し手段によって作成される複数の切り出し画像データの解像度は前記第１表示手段の解像度に相当することを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
切り出しエリア設定Ｚには、圧縮画像データのアスペクト比が１６：９の、縦×横が１９２０×１０８０の画像から、同じアスペクト比１６：９の画像になるように、間引き処理が施されて、表示される。また、設定変更エリアＵ上に、ポインティングデバイス１４ｃの動きに対応するカーソルが表示される。ポインティングデバイス１４ｃは、例えばマウスのように、本体を水平方向または垂直方向に移動させ、ボールや赤外線、レーザのなどを利用したセンサで移動を検知し、２次元の移動距離情報をＣＰＵ３２へ出力することや、左クリック操作が為されると、ＣＰＵ３２へ左クリック情報を出力することを行う。ＣＰＵ３２は移動距離情報に基づいて、切り出し設定エリアＺ上にカーソルの移動を表示させることや、左クリック情報に基づいて、選択／設定を認識することを行う。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月16日(2012.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、該光電変換部からの信号電荷を保持する電荷保持部と、前記光電変換部から前記電荷保持部へ信号電荷を転送する第１転送部と、前記電荷保持部で保持された信号電荷を転送する第２転送部と、を有する複数の画素と、
前記第２転送部により転送された信号電荷に基づく信号を増幅する増幅部と、
前記増幅部に転送された信号電荷をリセットするリセット部と、
前記第１、第２転送部及びリセット部に駆動パルスを供給する制御部と、を有する固体撮像装置であって、
前記電荷保持部は、前記光電変換部と前記増幅部との間の電荷経路に配され、
前記制御部は、一信号電荷生成期間中に生じた信号電荷を前記増幅部へ転送する際に、前記電荷保持部で蓄積された信号電荷を前記増幅部へ転送した後に、前記増幅部に転送された信号電荷をリセットし、その後、前記光電変換部で蓄積された信号電荷を前記電荷保持部を介して前記増幅部へ転送することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記光電変換部と前記電荷保持部との間の電荷経路が埋め込みチャネル構造であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記光電変換部及び前記電荷保持部での信号電荷の蓄積を行なっている期間中の、前記光電変換部と前記電荷保持部との間の電荷経路の信号電荷に対するポテンシャル障壁が、前記光電変換部とその他の領域との間のポテンシャル障壁に比べて低いことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記第１及び第２転送部に導通パルスを供給する前に、前記第２転送部に複数回の導通パルスを供給することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記制御部は、
更に、前記第２転送部に対して前記導通パルスと非導通パルスとの間の波高値を有する中間レベルパルスを供給可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記中間レベルパルスの波高値を複数の値から選択可能であることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
更に、前記増幅部から出力された信号を処理する読み出し回路を有し、
前記制御部は、
前記中間レベルパルスで転送される信号電荷数が、前記読み出し回路の読み出し可能な最大値を下回るように、前記中間レベルパルスの波高値を設定することを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
更に、前記増幅部から出力された信号を処理するゲイン可変の増幅回路を有し、
該増幅回路のゲインは、前記第１及び第２転送部に導通パルスを供給することにより前記光電変換部に保持された信号電荷を前記増幅部へ転送することにより得られる信号に対するゲインよりも、前記第２転送部に導通パルスを供給して前記電荷保持部に保持された信号電荷を前記増幅部へ転送することにより得られる信号に対するゲインを高く設定されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
更に温度検出部を有し、
前記制御部は、
前記中間レベルパルスの波高値を前記温度検出部からの温度情報に応じて変化させることを特徴とする請求項６又は７のいずれかに記載の固体撮像
装置。
【請求項１０】
前記画素への入射光量により、前記第２転送部に導通パルスを供給して前記電荷保持部に保持された信号電荷を前記増幅部へ転送することにより得られる信号を画像形成用に用いる場合と用いない場合とを切り換え可能なことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記一信号電荷生成期間中に生じた信号電荷を前記増幅部へ転送する際に、前記第１転送部に非導通パルスを供給した状態で、前記第２転送部に導通パルスを供給して前記電荷保持部に保持された信号電荷を前記増幅部へ転送し、前記リセット部に導通パルスを供給して該増幅部に転送された信号電荷をリセットし、その後、前記第１及び第２転送部に導通パルスを供給することにより前記光電変換部に保持された信号電荷を前記増幅部へ転送することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記増幅部及び前記リセット部は複数の画素で共有されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記複数の画素から読み出された信号に対して処理を行なう列回路を有し、前記列回路はＡＤ変換部を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記電荷保持部で信号電荷を蓄積している期間において、絶縁膜を介した対向電極に電位を与えて前記電荷保持部の表面に信号電荷と逆極性の電荷を蓄積させることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置を有する撮像システムであって、メカシャッタを有することを特徴とする撮像システム。
【請求項１６】
光電変換部と、該光電変換部からの信号電荷を保持する電荷保持部と、前記光電変換部から前記電荷保持部へ信号電荷を転送する第１転送部と、前記電荷保持部で保持された信号電荷を転送する第２転送部と、を有する複数の画素と、
前記第２転送部により転送された信号電荷に基づく信号を増幅する増幅部と、
前記増幅部に転送された信号電荷をリセットするリセット部と、
を有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記電荷保持部は、前記光電変換部と前記増幅部との間の電荷経路に配され、
一信号電荷生成期間中に生じた信号電荷を前記増幅部へ転送する際に、前記電荷保持部で蓄積された信号電荷を前記増幅部へ転送した後に、前記増幅部に転送された信号電荷をリセットし、その後、前記光電変換部で蓄積された信号電荷を前記電荷保持部を介して前記増幅部へ転送することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記第１及び第２転送部に導通パルスを供給する前に、前記第２転送部に複数回の導通パルスを供給することを特徴とする請求項１６に記載の固体撮像装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１又は２に記載の筆記具保持用補助具において、前記グリップ部は筆記具先端側に傾けて取り付けることに代えて筆記具先端側とは反対の後端側に傾けて取り付けたことを特徴とする筆記具保持用補助具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような突起が設けてあれば、人指し指をその突起に掛けることにより筆記具保持用補助具を保持する安定性が向上する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、グリップ部４の筆記具先端側辺部４ａに設けた３個の窪み４１、４２、４３に中指、薬指、小指の各第１、第２関節間部を当てがう。このようにすると手や指に殆ど力を入れなくても補助具３１を落下させずに保持することができる。最後に人指し指、親指を伸ばした状態で筆記具固定部３の両側面にあてがう。図９は、このようにして補助具３１を保持した状態を示している。第１の実施形態の補助具１に設けた筆記具固定部３の上面先端側寄り突起７を設けることは任意である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ガラス温度は準静的方法、例えば示差走査熱量測定（ＤＳＣ）の結果として示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
架橋剤（成分Ｂ）としては本発明に従って金属キレート、例えばアルミニウム−又はチタンキレート、多官能性イソシアネート、多官能性アミン、多官能性アルコール又は多官能性エポキシドが明らかに適している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
有利に使用される架橋剤の初期質量ｍｖは、ポリマー成分の初期質量ｍＰ及びその数平均分子量Ｍｎ，Ｐから、挿入される相応規定数値によって次のように決められる：
2009270111.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
この方法は、基礎となるモノマーを含むモノマー混合物の重合（ポリマー成分Ａ１）及びε＜５及びε＞１０のグラフト活性を有する少なくとも２種類の熱分解性開始剤の使用下に製造するための重合法を包含し、その際にε＜５で最初に線重合を行いそして次にε＞１０でグラフト重合体を製造する。続く段階において、架橋剤の添加下に架橋反応を前述の量で実施するのが有利である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
この場合に、初めに使用される開始剤は、ポリマー中で側鎖を形成する傾向が小さく、そのグラフト活性が開始剤を添加するときの反応混合物の温度においてε＜５の値より下にあるように選択するのが有利である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
印刷版の貼り付け及び適用：
１１０ｍｍの直径を有する鋼鉄製胴の上に、市販の接着剤（図１の層９）を有する上記の両面感圧接着テープを貼り付ける。２．５４ｍｍの厚さのDuPont Cyrel HOS 社の印刷版を試験すべき接着剤（本発明の実施例或いは比較例；図１の層３）に貼り付ける。印刷版の貼り付いた鋼鉄製胴を次いで印刷機械に据付、１５０μｍの印刷設定で１６時間印刷する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の成分を含む潤滑油組成物：
ａ）主要量のＩ種基油及び／又はII種基油、および
ｂ）少なくとも９０％のアルキル基がＣ20又はそれ以上であるアルキル置換ヒドロキシ安息香酸の塩を含む、少なくとも一種の清浄剤、
ただし、潤滑油組成物は中又は高石鹸分配合物である。
【請求項２】
潤滑油組成物の全塩基価（ＴＢＮ）が少なくとも２０である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
潤滑油組成物が一種以上の分散剤を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
潤滑油組成物が、一種以上の分散剤を組成物の全質量に対して０．３−０．７質量％含む請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
分散剤のうちの一種以上がポリアルキレンコハク酸イミドを含む請求項３に記載の組成物。
【請求項６】
少なくとも一種の清浄剤が過塩基性塩を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
少なくとも一種の清浄剤が更に、アルキル置換ヒドロキシ安息香酸とアルキル置換フェノールのうちの一種以上の非過塩基性塩を含む請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
潤滑油組成物がサリシレート系清浄剤を含まない請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
潤滑油組成物が、アルキル置換ヒドロキシ安息香酸の塩を含まない清浄剤を含有することがない請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
潤滑油組成物が、スルホン酸の塩、またはアルキル置換ヒドロキシ安息香酸の塩を含まないアルキルフェノール清浄剤を含有しない請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
トランクピストン・エンジンを運転する方法であって、下記の工程を含む方法：
（ａ）エンジンに低硫黄舶用重質燃料油を供給する工程、そして
（ｂ）少なくとも９０％のアルキル基がＣ20又はそれ以上であるアルキル置換ヒドロキシ安息香酸の塩を含む少なくとも一種の清浄剤を含有する潤滑油組成物を用いるエンジンの潤滑工程。
【請求項１２】
潤滑油組成物のＴＢＮが少なくとも２０である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
潤滑油組成物が、Ｉ種基油およびII種基油からなる群より選ばれた油を主要量で含んでいる請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
潤滑油組成物が更に、一種以上の分散剤を含んでいる請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
分散剤のうちの一種以上がポリアルキレンコハク酸イミドを含んでいる請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも一種の清浄剤が過塩基性塩を含んでいる請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも一種の清浄剤が更に、アルキル置換ヒドロキシ安息香酸とアルキル置換フェ
ノールのうちの一種以上の非過塩基性塩を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
低硫黄舶用重質燃料油で運転されるトランクピストン・エンジンの潤滑方法であって、少なくとも９０％のアルキル基がＣ20又はそれ以上であるアルキル置換ヒドロキシ安息香酸の塩を含む少なくとも一種の清浄剤を含む潤滑油組成物を用いてトランクピストン・エンジンを潤滑にすることを含む方法。
【請求項１９】
潤滑油組成物のＴＢＮが少なくとも２０である請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
潤滑油組成物が更に、一種以上の分散剤を含む請求項１８に記載の方法。