【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品と、
前記電極パッド形成面を露出する第１の面、及び前記背面を露出する第２の面を有し、前記電子部品の側面を封止する絶縁部材と、
前記第１の面上及び前記電極パッド形成面上に積層された複数の絶縁層と配線パターンとを有する多層配線構造体と、
前記絶縁部材を前記第１の面から前記第２の面にかけて貫通する貫通電極と、を有し、
前記多層配線構造体の配線パターンが、前記電極パッド及び前記貫通電極と接続されている半導体装置。
【請求項２】
前記多層配線構造体の配線パターンが、前記電極パッド及び前記貫通電極に直接接続されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁部材の第２の面側の前記貫通電極の端面が、前記絶縁部材の第２の面及び前記電子部品の背面に対して略面一となるように形成されている請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品と、
前記電極パッド形成面を露出する第１の面、及び前記背面を露出する第２の面を有すると共に、前記第１の面から前記第２の面にかけて貫通し、前記電子部品が収納された貫通部を有する絶縁部材と、
前記電子部品の側面を封止するよう前記貫通部内に設けられた封止樹脂と、
前記絶縁部材の第１の面上及び前記電極パッド形成面上に積層された複数の絶縁層と配線パターンを有する多層配線構造体と、
前記絶縁部材を前記第１の面から前記第２の面にかけて貫通する貫通電極と、を有し、
前記多層配線構造体の配線パターンが、前記電極パッド及び前記貫通電極と接続されている半導体装置。
【請求項５】
前記多層配線構造体の配線パターンが、前記電極パッド及び前記貫通電極に直接接続されている請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁部材の第２の面側の前記貫通電極の端面が、前記絶縁部材の第２の面及び前記電子部品の背面に対して略面一となるように形成されている請求項４又は５記載の半導体装置。
【請求項７】
電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品を、支持体の第１の面と前記電極パッド形成面とが触るよう、前記支持体上に接着する電子部品接着工程と、
前記支持体の第１の面に、前記電子部品の側面を封止する絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
前記電子部品の背面側から、前記電子部品及び前記絶縁部材を研削することにより、前記電子部品及び前記絶縁部材を薄板化する研削工程と、
前記絶縁部材を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔を充填する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記貫通電極形成工程後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、
前記電極パッド形成面上、及び該電極パッド形成面側に配置された前記絶縁部材の面上に複数の絶縁層と配線パターンを積層して多層配線構造体を形成する多層配線構造体形成工程と、を有し、
前記多層配線構造体形成工程では、前記電極パッド及び前記貫通電極と接続されるよう、前記配線パターンを形成する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記多層配線構造体形成工程では、前記電極パッド及び前記貫通電極と直接接続されるよう、前記配線パターンを形成する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
貫通部と、該貫通部の周囲に形成された貫通孔とを有する絶縁部材を、支持体の第１の面に形成する絶縁部材形成工程と、
前記貫通孔を充填する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品を、前記支持体の第１の面と前記電極パッド形成面とが触るよう、前記貫通部から露出する前記支持体の第１の面に接着する電子部品接着工程と、
前記貫通部に、前記電子部品を封止する封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、
前記電子部品の背面側から、前記電子部品、前記絶縁部材、前記封止樹脂、及び前記貫通電極を研削することにより、前記電子部品を薄板化する研削工程と、
前記貫通電極及び前記封止樹脂が形成された後、前記支持体を除去する支持体除去工程と、
前記電極パッド形成面上、及び該電極パッド形成面側に配置された前記絶縁部材の面上に複数の絶縁層と配線パターンを積層して多層配線構造体を形成する多層配線構造体形成工程と、を有し、
前記多層配線構造体形成工程では、前記電極パッド及び前記貫通電極と接続されるよう、前記配線パターンを形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記多層配線構造体形成工程では、前記電極パッド及び前記貫通電極と直接接続されるよう、前記配線パターンを形成する請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一観点によれば、電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品と、前記電極パッド形成面を露出する第１の面、及び前記背面を露出する第２の面を有し、前記電子部品の側面を封止する絶縁部材と、前記第１の面上及び前記電極パッド形成面上に積層された複数の絶縁層と配線パターンとを有する多層配線構造体と、前記絶縁部材を前記第１の面から前記第２の面にかけて貫通する貫通電極と、を有し、前記多層配線構造体の配線パターンが、前記電極パッド及び前記貫通電極と接続されている半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の他の観点によれば、電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品と、前記電極パッド形成面を露出する第１の面、及び前記背面を露出する第２の面を有すると共に、前記第１の面から前記第２の面にかけて貫通し、前記電子部品が収納された貫通部を有する絶縁部材と、前記電子部品の側面を封止するよう前記貫通部内に設けられた封止樹脂と、前記絶縁部材の第１の面上及び前記電極パッド形成面上に積層された複数の絶縁層と配線パターンを有する多層配線構造体と、前記絶縁部材を前記第１の面から前記第２の面にかけて貫通する貫通電極と、を有し、前記多層配線構造体の配線パターンが、前記電極パッド及び前記貫通電極と接続されている半導体装置が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のその他の観点によれば、電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品を、支持体の第１の面と前記電極パッド形成面とが触るよう、前記支持体上に接着する電子部品接着工程と、前記支持体の第１の面に、前記電子部品の側面を封止する絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、前記電子部品の背面側から、前記電子部品及び前記絶縁部材を研削することにより、前記電子部品及び前記絶縁部材を薄板化する研削工程と、前記絶縁部材を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を充填する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記貫通電極形成工程後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、前記電極パッド形成面上、及び該電極パッド形成面側に配置された前記絶縁部材の面上に複数の絶縁層と配線パターンを積層して多層配線構造体を形成する多層配線構造体形成工程と、を有し、前記多層配線構造体形成工程では、前記電極パッド及び前記貫通電極と接続されるよう、前記配線パターンを形成する半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明のその他の観点によれば、貫通部と、該貫通部の周囲に形成された貫通孔とを有する絶縁部材を、支持体の第１の面に形成する絶縁部材形成工程と、前記貫通孔を充填する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品を、前記支持体の第１の面と前記電極パッド形成面とが触るよう、前記貫通部から露出する前記支持体の第１の面に接着する電子部品接着工程と、前記貫通部に、前記電子部品を封止する封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、前記電子部品の背面側から、前記電子部品、前記絶縁部材、前記封止樹脂、及び前記貫通電極を研削することにより、前記電子部品を薄板化する研削工程と、前記貫通電極及び前記封止樹脂が形成された後、前記支持体を除去する支持体除去工程と、前記電極パッド形成面上、及び該電極パッド形成面側に配置された前記絶縁部材の面上に複数の絶縁層と配線パターンを積層して多層配線構造体を形成する多層配線構造体形成工程と、を有し、前記多層配線構造体形成工程では、前記電極パッド及び前記貫通電極と接続されるよう、前記配線パターンを形成する半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】