【事件の表示】
　特願２００２−１４７２８１「半導体装置の金属導電膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月３１日出願公開、特開２００３−　３１６５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１．手続の経緯
　本願は，平成１４年５月２２日（パリ条約による優先権主張２００１年５月２３日，大韓民国）の出願であって，平成１７年４月２２日付けの拒絶理由通知に対して，同年７月２２日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１２月１９日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成１９年３月２６日に審判請求がされるとともに，同年４月２５日に手続補正書が提出され，その後当審において，平成２１年１０月３０日付けで審尋がされ，平成２２年２月９日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２．平成１９年４月２５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲の請求項１の補正を含むものであるところ，請求項１の本件補正前後の記載は，次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階と，
　前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と，
　前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階と，
　前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階と，
　前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階と，
　前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と，
　前記第２金属層の上面に反射防止膜を積層した後，マスキングエッチングでパターンを形成する段階と，
　を含むことを特徴とする半導体装置の金属導電膜の製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】　所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階と，
　前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と，
　前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階と，
　前記脱ガス処理の段階の以後，前記コンタクトホールの底面に露出された下部導電層に残留した自然酸化膜を除去するためのＲＦプラズマエッチングを行う段階と，
　前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階と，
　前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階と，
　前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と，
　前記第２金属層の上面に反射防止膜を積層した後，マスキングエッチングでパターンを形成する段階と，
　を含むことを特徴とする半導体装置の金属導電膜の製造方法。」
　
２．補正目的の適否
（１）請求項１についての補正内容は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮に該当する。
　
（２）そこで，次に，上記補正内容が，同特許法１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定（独立特許要件）を満たすかどうかについて検討する。
　
３．独立特許要件（容易想到性）
３−１．補正発明
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１を再掲すると，次のとおりである（以下，補正後の請求項１に係る発明を「補正発明」という。）。
　
「所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階と，
　前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と，
　前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階と，
　前記脱ガス処理の段階の以後，前記コンタクトホールの底面に露出された下部導電層に残留した自然酸化膜を除去するためのＲＦプラズマエッチングを行う段階と，
　前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階と，
　前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階と，
　前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と，
　前記第２金属層の上面に反射防止膜を積層した後，マスキングエッチングでパターンを形成する段階と，
　を含むことを特徴とする半導体装置の金属導電膜の製造方法。」
　
３−２．引用例の記載と引用発明
３−２−１．引用例とその記載内容
　
（１）引用例１：特開２０００−１５６４１０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０００−１５６４１０号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜２とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。以下同じ。）
　
ア．図１（Ａ）〜（Ｃ）及び図２（Ａ），（Ｂ）を参照して，
「【００２３】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）〜（Ｃ）および図２（Ａ），（Ｂ）は，本発明に係る
半導体装置の製造方法および半導体装置の一実施の形態
【００２４】以下に，半導体装置の製造方法の一例を示す。」
　
イ．図１（Ａ）を参照して，
「【００２５】（Ａ）図１（Ａ）に示す工程について説明する。
【００２６】（素子の形成）まず，一般的に用いられる方法によって，
シリコン基板１１にＭＯＳ素子が形成される
　
ウ．図１（Ｂ）を参照して，
「【００３０】（Ｂ）次に，図１（Ｂ）に示す工程について説明する。
【００３１】（第１の層間絶縁膜の形成）
第１の層間絶縁膜Ｉ１として，まず，テトラエトキシラン（ＴＥＯＳ）と酸素とをプラズマ反応させることにより，膜厚１００〜２００ｎｍのシリコン酸化膜２０が形成される
【００３２】ここでは，チタンシリサイド層１９上に直接シリコン酸化膜を形成させるが，このときの成膜温度が高いと成膜初期に酸化性ガスとチタンシリサイドとが簡単に反応してクラックや剥離を生じ易いため，処理温度は好ましくは６００℃以下，より好ましくは２５０〜４００℃で行うことが望ましい。そして，シリコン酸化膜がチタンシリサイド層１９上に１００ｎｍ程度の膜厚で前述した比較的低温で形成された後は，水蒸気以外の酸化雰囲気にさらされるアニールや気相酸化処理であれば，温度を９００℃位まで上げても問題とならない。
【００３３】
次に，第１の層間絶縁膜Ｉ１として，前記シリコン酸化膜２０上に，ＳｉＨ
4
あるいはＴＥＯＳなどのシラン化合物と，酸素やオゾン等と，リンおよびホウ素とを含むガスを気相反応させることにより，膜厚数百ｎｍ〜１μｍ位のＢＰＳＧ膜３０が形成される
　
エ．図１（Ｃ）を参照して，
「【００６５】（反射防止膜の成膜）さらに，別のスパッタチャンバで，スパッタによりＴｉＮを堆積することにより，膜厚３０〜８０ｎｍの反射防止膜３６が形成される。その後，Ｃｌ2とＢＣｌ3のガスを主体とする異方性ドライエッチャーで
前記バリア層３３，第１のアルミニウム膜３４，第２のアルミニウム膜３５および反射防止膜３６からなる堆積層を選択的にエッチングして，第１の金属配線層４０のパターニングを行う
【００６６】
このようにして形成された金属配線層４０
　
オ．図２（Ａ）を参照して，
「【００６７】（Ｄ）次に，図２（Ａ）に示す工程について説明する。
【００６８】（第２の層間絶縁膜の形成）
第２の層間絶縁膜Ｉ２として，前記第１の金属配線層４０が形成された基体，すなわち，ＭＯＳ素子が形成されたシリコン基板１１ならびに第１の層間絶縁膜Ｉ１および第１の金属配線層４０からなる第１の配線領域Ｌ１上に，３層のシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜６０を形成する
　
カ．図２（Ａ）を参照して，
「【００７０】（ビアホールの形成）次いで，ＣＨＦ3とＣＦ4とを主ガスとした反応性イオンエッチャーで
第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）および反射防止膜３６を選択的に異方性エッチングすることにより，口径が０．２〜０．５μｍのビアホール６２が形成される
　
キ．図２（Ａ），（Ｂ）を参照して，
「【００７１】（Ｅ）次に，図２（Ｂ）に示す工程について説明する。
【００７２】（脱ガス処理）まず，本発明が特徴とする脱ガス工程を含む熱処理ついて説明する。
【００７３】ランプチャンバで，１×１０-4Ｐａ以下のベース圧力，１５０〜２５０℃の温度で３０〜６０秒間のランプ加熱（熱処理Ｄ）を施す。次いで，別のチャンバで
０．１〜１．０Ｐａの圧力でアルゴンガスを導入し，３００〜５５０℃の温度で，３０〜１２０秒間の熱処理（脱ガス工程；熱処理Ｅ）を行うことによって，脱ガス処理を行う
【００７４】この工程においては，まず，熱処理Ｄにおいて，主として，ウエハの裏面および側面を含むウエハ全体を加熱処理することにより，ウエハに付着している水分などを除去できる。
【００７５】さらに，
熱処理Ｅにおいて，主として，第２の層間絶縁膜Ｉ２中のガス化成分（Ｏ，Ｈ，Ｈ
2
Ｏ，Ｎ）を除去する
【００７６】本実施の形態においては，ウェッテング層，例えばＴｉ膜は数原子％のガス化成分（Ｏ，Ｈ，Ｈ2Ｏ，Ｎ）を固溶することから，この膜を形成する前に，第２の層間絶縁膜Ｉ２中のガス化成分を除去することが，ビアホール内でのアルミニウム膜の成膜を良好に行う上で，極めて有効である。ウェッテング層の下位の層間絶縁膜Ｉ２中のガス化成分を十分に除去しておかないと，ウェッテング層の形成時に，層間絶縁膜Ｉ２中のガス化成分が放出され，このガスがウェッテング層中に取り込まれる。さらに，このガスがアルミニウム膜の成膜時にウェッテング層から離脱してウェッテング層とアルミニウム膜との界面に出てくるため，アルミニウム膜の密着性や流動性に悪影響を与える。」
　
ク．図２（Ｂ）を参照して，
「【００７７】（ウェッテング層の成膜）
スパッタ法により，ウェッテング層６３を構成する膜として，例えばチタン膜を２０〜７０ｎｍの膜厚で形成する
　
ケ．図２（Ｂ）を参照して，
「【００８４】（アルミニウム膜の成膜）
まず，２００℃以下，より好ましくは３０〜１００℃の温度で，０．２〜１．０重量％の銅を含むアルミニウムを膜厚１５０〜３００ｎｍでスパッタによって高速度で成膜し，第１のアルミニウム膜６４が形成される
続いて，同一チャンバ内で基板温度４２０〜４６０℃に加熱して，同様に銅を含むアルミニウムをスパッタにより低速度で成膜し，膜厚３００〜６００ｎｍの第２のアルミニウム膜６５が形成される
　
コ．図２（Ｂ）を参照して，
「【００９０】（反射防止膜の成膜）さらに，別のスパッタチャンバで，
スパッタによりＴｉＮを堆積することにより，膜厚３０〜８０ｎｍの反射防止膜６６が形成される
その後，Ｃｌ
2
とＢＣｌ
3
のガスを主体とする異方性ドライエッチャーで前記ウェッテング層６３，第１のアルミニウム膜６４，第２のアルミニウム膜６５および反射防止膜６６からなる堆積層を選択的にエッチングして，第２の金属配線層７０のパターニングを行う
【００９１】
このようにして形成された金属配線層７０
　
（２）引用例２：特開平１０−１４４７９０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１０−１４４７９０号公報（以下「引用例２」という。）には，図１とともに，次の記載がある。
　
ア．図１（Ａ），（Ｂ）を参照して，
「【００２４】［工程−１００］先ず，図示しない半導体基板上に下層絶縁層１０を成膜し，かかる下層絶縁層１０上に下層配線１１を形成する。次いで，例えばＳｉＯ2から成り，厚さ１．０μｍの絶縁層１２を全面にＣＶＤ法にて成膜した後，
下層配線１１の上方の絶縁層１２に孔部である開口部１３をＲＩＥ法にて形成する
【００２５】［工程−１１０］
次に，下層絶縁層１０や絶縁層１２の脱ガス，開口部１３の底部に生成した自然酸化膜の除去を目的として，以下の表１に例示する条件にて予備加熱処理及びエッチング処理を行う
半導体基板をエッチング装置のチャンバー内に配設されたヒーターステージに載置し，チャンバー内にアルゴンガスを導入した後，ヒーターステージを加熱することによって，予備加熱を行うことができる
その後，ヒーターステージ上に半導体基板を載置した状態でエッチングを行う
【００２６】
【表１】予備加熱処理条件
温度　　　　　　：４５０゜Ｃ
プロセスガス　　：アルゴンガス
チャンバー内圧力：１３３Ｐａ
加熱時間　　　　：２分
エッチング処理条件
処理方法　　　　：プラズマ方式　ＩＣＰ
プロセスガス　　：アルゴンガス＝５０sccm
チャンバー内圧力：０．４Ｐａ
コイルＲＦパワー：５００Ｗ
基板ＲＦパワー　：３００Ｗ
基板バイアス　　：２５０Ｖ
【００２７】［工程−１２０］
その後，開口部１３内を含む絶縁層１２上に第１の下地層１４をＤＣマグネトロンスパッタ法にて形成する
　
３−２−２．引用発明
　
（１）上記３−２−１．（１）ア及びケによれば，「
半導体装置の製造方法
金属配線層
半導体装置の金属配線層の製造方法
　
（２）上記３−２−１．（１）オによれば，「
第２の層間絶縁膜Ｉ２として
ＭＯＳ素子が形成されたシリコン基板１１ならびに第１の層間絶縁膜Ｉ１および第１の金属配線層４０
上に
層間絶縁膜６０を形成する
シリコン基板１１にＭＯＳ素子が形成され
第１の層間絶縁膜Ｉ１として
シリコン酸化膜２０が形成され
次に，第１の層間絶縁膜Ｉ１として
ＢＰＳＧ膜３０が形成され
第１の金属配線層４０
　よって，引用例１には，
ＭＯＳ素子及び第１の層間絶縁膜Ｉ１が形成されたシリコン基板１１の上に，第１の金属配線層４０及び第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を順次積層して形成する工程
　
（３）上記３−２−１．（１）カによれば，「
第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）
を選択的に異方性エッチングすることにより
ビアホール６２が形成される
第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を選択的に異方性エッチングすることによりビアホール６２を形成する工程
　
（４）上記３−２−１．（１）キによれば，「０．１〜１．０Ｐａの圧力でアルゴンガスを導入し，３００〜５５０℃の温度で，３０〜１２０秒間の
熱処理（脱ガス工程；熱処理Ｅ）を行うことによって，脱ガス処理を行
熱処理Ｅにおいて，主として，第２の層間絶縁膜Ｉ２中のガス化成分
Ｈ
2
Ｏ
を除去する
熱処理を行うことによって，第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中のガス化成分であるＨ
2
Ｏを除去する脱ガス工程
　
（５）上記３−２−１．（１）クによれば，「スパッタ法により，
ウェッテング層６３を構成する膜として
チタン膜を
形成する
　よって，引用例１には，
ビアホール６２と第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）の全表面上にウェッテング層６３を構成するチタン膜を形成する工程
　
（６）上記３−２−１．（１）ケによれば，「
まず
第１のアルミニウム膜６４が形成され
続いて
第２のアルミニウム膜６５が形成される
ウェッテング層６３の上面に第１のアルミニウム膜６４を形成する工程
第１のアルミニウム膜６４上に第２のアルミニウム膜６５を形成する工程
　
（７）上記３−２−１．（１）コによれば，「スパッタにより
ＴｉＮを堆積することにより
反射防止膜６６が形成される
第２のアルミニウム膜６５の上面に反射防止膜６６を構成するＴｉＮを積層して形成する工程
　
（８）上記３−２−１．（１）コによれば，「
その後
前記ウェッテング層６３，第１のアルミニウム膜６４，第２のアルミニウム膜６５および反射防止膜６６からなる堆積層を選択的にエッチングして，第２の金属配線層７０のパターニングを行う
その後，前記ウェッテング層６３，第１のアルミニウム膜６４，第２のアルミニウム膜６５および反射防止膜６６からなる堆積層を選択的にエッチングして，第２の金属配線層７０のパターニングを行う工程
　
　したがって，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されている。
「ＭＯＳ素子及び第１の層間絶縁膜Ｉ１が形成されたシリコン基板１１の上に，第１の金属配線層４０及び第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を順次積層して形成する工程と，
　第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を選択的に異方性エッチングすることによりビアホール６２を形成する工程と，
　熱処理を行うことによって，第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中のガス化成分であるＨ2Ｏを除去する脱ガス工程と，
　ビアホール６２と第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）の全表面上にウェッテング層６３を構成するチタン膜を形成する工程と，
　ウェッテング層６３の上面に第１のアルミニウム膜６４を形成する工程と，
　第１のアルミニウム膜６４上に第２のアルミニウム膜６５を形成する工程と，
　第２のアルミニウム膜６５の上面に反射防止膜６６を構成するＴｉＮを積層して形成する工程と，
　その後，前記ウェッテング層６３，第１のアルミニウム膜６４，第２のアルミニウム膜６５および反射防止膜６６からなる堆積層を選択的にエッチングして，第２の金属配線層７０のパターニングを行う工程と，
　を含む，
　半導体装置の金属配線層の製造方法。」
　
３−３．対比
　
（１）引用発明の「シリコン基板１１」，「第１の金属配線層４０」，「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）」は，それぞれ，補正発明の「ウェーハ」，「下部導電層」，「層間絶縁膜」に相当する。また，引用発明の「ＭＯＳ素子及び第１の層間絶縁膜Ｉ１が形成されたシリコン基板１１」は，補正発明の「所定の下部構造を有するウェーハ」に相当する。
　よって，引用発明の「ＭＯＳ素子及び第１の層間絶縁膜Ｉ１が形成されたシリコン基板１１の上に，第１の金属配線層４０及び第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を順次積層して形成する工程」は，補正発明の「所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階」に相当する。
　
（２）引用発明の「ビアホール６２」は，補正発明の「コンタクトホール」に相当する。また，引用発明の「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を選択的に異方性エッチングすることによりビアホール６２を形成する工程」において，エッチングにより「第１の金属配線層４０」の上面が露出することは，上記３−２−１．（１）エ及びカで摘示した事項並びに図２（Ａ）より明らかである。
　よって，引用発明の「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を選択的に異方性エッチングすることによりビアホール６２を形成する工程」は，補正発明の「前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階」に相当する。
　
（３）引用発明の「Ｈ2Ｏ」は，補正発明の「水分」に相当する。また，引用発明の「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中のガス化成分」において，「ガス化成分」が「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中」から外部に発生してくるものであること，及び，「ビアホール６２」が「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）」に隣接して配置されていることを参酌すれば，「ガス化成分」が「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）」だけでなく「ビアホール６２」（補正発明の「コンタクトホール」に相当）にも含まれていることは，明らかである。
　よって，引用発明の「熱処理を行うことによって，第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中のガス化成分であるＨ2Ｏを除去する脱ガス工程」は，補正発明の「前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階」に相当する。
　
（４）引用発明の「ウェッテング層６３（を構成するチタン膜）」は，補正発明の「金属接合層」に相当する。
　よって，引用発明の「ビアホール６２と第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）の全表面上にウェッテング層６３を構成するチタン膜を形成する工程」は，補正発明の「前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階」に相当する。
　
（５）引用発明の「第１のアルミニウム膜６４」は，補正発明の「第１金属層」に相当する。
　よって，補正発明の「前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階」と引用発明の「ウェッテング層６３の上面に第１のアルミニウム膜６４を形成する工程」とは，「前記金属接合層の上面に第１金属層を」「形成する段階」である点で共通する。
　
（６）引用発明の「第２のアルミニウム膜６５」は，補正発明の「第２金属層」に相当する。
　よって，引用発明の「第１のアルミニウム膜６４上に第２のアルミニウム膜６５を形成する工程」は，補正発明の「前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階」に相当する。
　
（７）引用発明の「反射防止膜６６（を構成するＴｉＮ）」は，補正発明の「反射防止膜」に相当する。
　よって，引用発明の「第２のアルミニウム膜６５の上面に反射防止膜６６を構成するＴｉＮを積層して形成する工程」は，補正発明の「前記第２金属層の上面に反射防止膜を積層」する段階に相当する。
　
（８）引用発明の「堆積層を選択的にエッチングして，第２の金属配線層７０のパターニングを行う」において，「堆積層を選択的にエッチング」するために「マスキングエッチング」をすることは明らかである。
　よって，引用発明の「前記ウェッテング層６３，第１のアルミニウム膜６４，第２のアルミニウム膜６５および反射防止膜６６からなる堆積層を選択的にエッチングして，第２の金属配線層７０のパターニングを行う工程」は，補正発明の「マスキングエッチングでパターンを形成する段階」に相当する。
　
（９）引用発明の「半導体装置の金属配線層の製造方法」は，補正発明の「半導体装置の金属導電膜の製造方法」に相当する。
　
　そうすると，補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階と，
　前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と，
　前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階と，
　前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階と，
　前記金属接合層の上面に第１金属層を形成する段階と，
　前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と，
　前記第２金属層の上面に反射防止膜を積層した後，マスキングエッチングでパターンを形成する段階と，
　を含むことを特徴とする半導体装置の金属導電膜の製造方法。」
　 
《相違点》 
《相違点１》
　補正発明は，「前記脱ガス処理の段階の以後，前記コンタクトホールの底面に露出された下部導電層に残留した自然酸化膜を除去するためのＲＦプラズマエッチングを行う段階」を有するのに対し，引用発明は，これに相当する段階を有さない点。
《相違点２》
　補正発明では，「前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階」であるのに対し，引用発明では，「ウェッテング層６３の上面に第１のアルミニウム膜６４を形成する工程」の条件に関して，「圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲」とする構成を有さない点。
　
３−４．相違点についての検討
　
３−４−１．相違点１について
　
（１）上記３−２−１．（２）アによれば，引用例２には，「下層配線１１の上方の絶縁層１２に孔部である開口部１３をＲＩＥ法にて形成する・・・次に，
下層絶縁層１０や絶縁層１２の脱ガス，開口部１３の底部に生成した自然酸化膜の除去を目的として
予備加熱処理及びエッチング処理を行う
予備加熱を行う
その後
エッチングを行う
　また，上記３−２−１．（２）アによれば，引用例２には，上記「エッチング処理」の「エッチング処理条件」として「処理方法：プラズマ方式　ＩＣＰ」，「プロセスガス：アルゴンガス」，「コイルＲＦパワー：５００Ｗ」，「基板ＲＦパワー：３００Ｗ」が挙げられており，ＲＦプラズマエッチングであることは，明らかである。
　よって，引用例２には，
下層絶縁層１０や絶縁層１２の脱ガスを目的とした予備加熱処理を行った後に，開口部１３の底部に生成した自然酸化膜の除去を目的としたエッチング処理をＲＦプラズマエッチングで行う技術
　
（２）引用発明も，「ビアホール６２」の形成によってその底部の「第１の金属配線層４０」が露出することになるから，時間の経過とともに露出した「ビアホール６２」の底部の「第１の金属配線層４０」に自然酸化膜が生成されることは明らかである。また，この自然酸化膜が，「第１の金属配線層４０」と「第２の金属配線層７０」とのコンタクト抵抗を上昇させるものであり，通常は配線特性上好ましくないものであることも，当業者にとって明らかである。
　
（３）よって，引用発明において，引用例２に記載された技術を適用し，「熱処理を行うことによって，第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中のガス化成分であるＨ2Ｏを除去する脱ガス工程」の後に，「ビアホール６２」の底部の「第１の金属配線層４０」に生成した自然酸化膜の除去を目的としたエッチング処理をＲＦプラズマエッチングで行うことにより，補正発明のように，「前記脱ガス処理の段階の以後，前記コンタクトホールの底面に露出された下部導電層に残留した自然酸化膜を除去するためのＲＦプラズマエッチングを行う段階」との構成を備えたものとすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
３−４−２．相違点２について
　
（１）多層配線の技術分野において，コンタクトホール（ビアホール）内に金属を成膜するに際して，成膜時の圧力を「１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）」程度の値とすることは，以下の周知例１，２にも記載されているように，従来周知の技術である。
　
ア．周知例１：特開平８−６４５９９号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−６４５９９号公報（以下「周知例１」という。）には，次の記載がある。
「【００６２】高アスペクト比のバイア／線が表面拡散によって充たされる本発明のもう１つの実施例では，
低圧スパッタリング・プロセス
低圧（たとえば，１ｍＴｏｒｒ未満，好ましい範囲は０．２ｍＴｏｒｒから０．８ｍＴｏｒｒである）での方向性が改善される
付着が，室温の低圧で実行される場合（下の表３参照），４に近いアスペクト比を，ボイドなしで充填できる（表３参照）
室温で圧力を高めることによって，下の表４に示されるように，充填は悪影響を受ける
表５の結果から，適度に低い圧力と低い温度で，高アスペクト比（４以上）を充たすことができることが示される
【００６３】この挙動について可能な説明の１つは，低圧で放出されるスパッタリングされる原子の運動エネルギの増加に起因するというものであろう。このような高エネルギを有する原子は，高圧（０．８ｍＴｏｒｒから１ｍＴｏｒｒ）で生成されたスパッタリングされる原子と比較して，低い付着係数（０．１から０．３）を有する。これらの原子は，高エネルギ（１ｅＶ超）を有するので，垂直の壁に付着せず，安定構成に達するまで，跳ね返るか拡散する。さらに，低圧での大きな平均自由行程が，他の原子との最小の衝突を支援し，したがって，運動エネルギが保存される可能性がある。さらに，適度な温度（たとえば４５０℃未満）が，スパッタリングされた原子の表面拡散特性を高め，ボイドのない充填をもたらす可能性がある。
【００６４】したがって，
０．２から０．８ｍＴｏｒｒなどの低圧では，表３，表４および表５に示されるように，高アスペクト比（４以上のアスペクト比）のバイアを低抵抗率金属によって完全に充たすことができる
【表３】
　　　　　　　　低圧室温での充填
　　　　　　　　　　　　　　　ステップ・カバレージ
　圧力　　　　アスペクト比　　Ａｌ　　　Ａｌ−Ｃｕ（２％）
０．２ｍＴ　　　１．５　　　　１００　　　１００
　　　　　　　　２．０　　　　１００　　　１００
　　　　　　　　３．０　　　　１００　　　　９８
　　　　　　　　３．５　　　　１００　　　　９７
　　　　　　　　４．０　　　　　９８　　　　９５
【００６５】
【表４】
　　　　　　　　高圧室温での劣悪な充填
アスペクト比　　圧力　　　　　　Ａｌ　　　Ａｌ−Ｃｕ（２％）
　　４　　　　　０．４ｍＴ　　　９６　　　　９７
　　　　　　　　０．８ｍＴ　　　５５　　　　５２
　　　　　　　　２．０ｍＴ　　　３２　　　　３０
【００６６】
【表５】
　　　　　　　　低圧高温1での良好な充填
アスペクト比　　圧力　　　　　　Ａｌ　　　Ａｌ−Ｃｕ（２％）
　　４　　　　　０．４ｍＴ　　　１００　　　１００
　　　　　　　　０．８ｍＴ　　　１００　　　１００
　　　　　　　　２．０ｍＴ　　　　８０　　　　７０
1４００℃から４５０℃の間の温度を使用した。」
　
イ．周知例２：特開平９−２１３６６０号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−２１３６６０号公報（以下「周知例１」という。）には，次の記載がある。
「【００１０】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明による平坦な金属層の形成方法の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態を工程順に示す断面図である。本発明の実施の形態では，図１（ａ）に示すように，半導体基板２１上に絶縁膜２２を形成し，この絶縁膜２２に１以上のアスペクト比を有するコンタクトホール２３を形成する。次に，金属粒子が高い表面移動距離をもつ例えぼ１００℃またはその未満の低温状態と，分離された粒子の散乱または衝突を最小化することができる
例えば０．５ｍＴｏｒｒ程度の低圧状態に維持された真空チャンバ内で
前記コンタクトホール２３の側壁および底面に，前記コンタクトホール２３の直径の１／２以下の厚さに均一にアルミニウムまたはアルミニウム合金の金属層２４を堆積させる
　
（２）よって，引用発明の「ウェッテング層６３の上面に第１のアルミニウム膜６４を形成する工程」において，具体的な「第１のアルミニウム膜６４」の成膜条件を決定するに際し，「ビアホール６２」への段差被覆性等に配慮して上記周知の圧力条件を採用することにより，補正発明のように，「前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階」との構成を備えたものとすることは，当業者が適宜なし得た設計事項である。
　
３−４−３．相違点についての検討のまとめ
　したがって，引用発明において，相違点１，２に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
３−５．小括
　以上のとおり，補正発明は，引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．補正却下の結論
　したがって，本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合しないので，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明の容易想到性
　
１．本願発明
　本件補正は前記のとおり却下されたので，本願発明は，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものとなる。
　
「所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階と，
　前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と，
　前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階と，
　前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階と，
　前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階と，
　前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と，
　前記第２金属層の上面に反射防止膜を積層した後，マスキングエッチングでパターンを形成する段階と，
　を含むことを特徴とする半導体装置の金属導電膜の製造方法。」
　
２．引用例の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載内容は，前記第２．３−２−１．（１）に記載したとおりであり，引用発明（引用例１に記載された発明）は，前記第２．３−２−２．に記載したとおりである。
　
３．対比
　
（１）引用発明の「シリコン基板１１」，「第１の金属配線層４０」，「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）」は，それぞれ，本願発明の「ウェーハ」，「下部導電層」，「層間絶縁膜」に相当する。また，引用発明の「ＭＯＳ素子及び第１の層間絶縁膜Ｉ１が形成されたシリコン基板１１」は，本願発明の「所定の下部構造を有するウェーハ」に相当する。
　よって，引用発明の「ＭＯＳ素子及び第１の層間絶縁膜Ｉ１が形成されたシリコン基板１１の上に，第１の金属配線層４０及び第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を順次積層して形成する工程」は，本願発明の「所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階」に相当する。
　
（２）引用発明の「ビアホール６２」は，本願発明の「コンタクトホール」に相当する。また，引用発明の「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を選択的に異方性エッチングすることによりビアホール６２を形成する工程」において，エッチングにより「第１の金属配線層４０」の上面が露出することは，上記３−２−１．（１）エ及びカで摘示した事項並びに図２（Ａ）より明らかである。
　よって，引用発明の「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）を選択的に異方性エッチングすることによりビアホール６２を形成する工程」は，本願発明の「前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階」に相当する。
　
（３）引用発明の「Ｈ2Ｏ」は，本願発明の「水分」に相当する。また，引用発明の「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中のガス化成分」において，「ガス化成分」が「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中」から外部に発生してくるものであること，及び，「ビアホール６２」が「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）」に隣接して配置されていることを参酌すれば，「ガス化成分」が「第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）」だけでなく「ビアホール６２」（補正発明の「コンタクトホール」に相当）にも含まれていることは，明らかである。
　よって，引用発明の「熱処理を行うことによって，第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）中のガス化成分であるＨ2Ｏを除去する脱ガス工程」は，本願発明の「前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階」に相当する。
　
（４）引用発明の「ウェッテング層６３（を構成するチタン膜）」は，本願発明の「金属接合層」に相当する。
　よって，引用発明の「ビアホール６２と第２の層間絶縁膜６０（Ｉ２）の全表面上にウェッテング層６３を構成するチタン膜を形成する工程」は，本願発明の「前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階」に相当する。
　
（５）引用発明の「第１のアルミニウム膜６４」は，本願発明の「第１金属層」に相当する。
　よって，本願発明の「前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階」と引用発明の「ウェッテング層６３の上面に第１のアルミニウム膜６４を形成する工程」とは，「前記金属接合層の上面に第１金属層を」「形成する段階」である点で共通する。
　
（６）引用発明の「第２のアルミニウム膜６５」は，本願発明の「第２金属層」に相当する。
　よって，引用発明の「第１のアルミニウム膜６４上に第２のアルミニウム膜６５を形成する工程」は，本願発明の「前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階」に相当する。
　
（７）引用発明の「反射防止膜６６（を構成するＴｉＮ）」は，補正発明の「反射防止膜」に相当する。
　よって，引用発明の「第２のアルミニウム膜６５の上面に反射防止膜６６を構成するＴｉＮを積層して形成する工程」は，本願発明の「前記第２金属層の上面に反射防止膜を積層」する段階に相当する。
　
（８）引用発明の「堆積層を選択的にエッチングして，第２の金属配線層７０のパターニングを行う」において，「堆積層を選択的にエッチング」するために「マスキングエッチング」をすることは明らかである。
　よって，引用発明の「前記ウェッテング層６３，第１のアルミニウム膜６４，第２のアルミニウム膜６５および反射防止膜６６からなる堆積層を選択的にエッチングして，第２の金属配線層７０のパターニングを行う工程」は，本願発明の「マスキングエッチングでパターンを形成する段階」に相当する。
　
（９）引用発明の「半導体装置の金属配線層の製造方法」は，本願発明の「半導体装置の金属導電膜の製造方法」に相当する。
　
　そうすると，本願発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「所定の下部構造を有するウェーハの上面に下部導電層及び層間絶縁膜を順次積層する段階と，
　前記層間絶縁膜の所定の部位をエッチングして前記下部導電層の上面が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と，
　前記コンタクトホールと層間絶縁膜に含まれている水分を脱ガス処理して除去する段階と，
　前記コンタクトホールと前記層間絶縁膜の全表面上に金属接合層を形成する段階と，
　前記金属接合層の上面に第１金属層を形成する段階と，
　前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と，
　前記第２金属層の上面に反射防止膜を積層した後，マスキングエッチングでパターンを形成する段階と，
　を含むことを特徴とする半導体装置の金属導電膜の製造方法。」
　 
《相違点》 
　本願発明では，「前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階」であるのに対し，引用発明では，「ウェッテング層６３の上面に第１のアルミニウム膜６４を形成する工程」の条件に関して，「圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲」とする構成を有さない点。
　
４．相違点についての検討
　
（１）多層配線の技術分野において，コンタクトホール（ビアホール）内に金属を成膜するに際して，成膜時の圧力を「１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）」程度の値とすることは，前記第２．３−４−２．（１）ア，イで挙げた周知例１，２にも記載されているように，従来周知の技術である。
　
（２）よって，引用発明の「ウェッテング層６３の上面に第１のアルミニウム膜６４を形成する工程」において，具体的な「第１のアルミニウム膜６４」の成膜条件を決定するに際し，「ビアホール６２」への段差被覆性等に配慮して上記周知の圧力条件を採用することにより，本願発明のように，「前記金属接合層の上面に第１金属層を圧力１．３３３２〜９３．３２４ｍＰａ（０．０１〜０．７ｍＴｏｒｒ）の範囲で形成する段階」との構成を備えたものとすることは，当業者が適宜なし得た設計事項である。
　
（３）したがって，引用発明において，相違点に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
５．小括
　以上のとおり，本願発明は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第４．結言
　以上のとおりであるから，本願は，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。