【事件の表示】
　平成１０年特許願第２７１１４８号「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年４月７日出願公開、特開２０００−１００７７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１０年９月２５日の出願であって、平成１６年１１月１１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１２月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年１月１９日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１７年１月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
 　平成１７年１月１９日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、補正前の請求項１〜３は削除されるとともに、補正前の請求項４は請求項１として次のとおりに補正された。
「【請求項１】下部に液体供給口を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有し、内部に基板が搬入されて収容される処理槽と、
　この処理槽内へ前記液体供給口を通してフッ化水素を含む水溶液を供給する薬液供給手段と、
を備えた基板処理装置において、
　オゾンが溶解したオゾン水を生成する手段と、
　生成されたオゾン水を脱気する脱気手段と、
　前記処理槽内に収容されたフッ化水素を含む水溶液で基板を洗浄もしくはエッチングした後に、前記処理槽内へ前記液体供給口を通して脱気されたオゾン水を供給して、そのオゾン水中に基板を浸漬させて基板の表面に清浄な酸化膜を形成するオゾン水供給手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。」
　
　上記補正は、補正前の請求項４に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記処理槽内へ前記液体供給口を通して脱気されたオゾン水を供給するオゾン水供給手段を設けた」を、「前記処理槽内に収容されたフッ化水素を含む水溶液で基板を洗浄もしくはエッチングした後に、前記処理槽内へ前記液体供給口を通して脱気されたオゾン水を供給して、そのオゾン水中に基板を浸漬させて基板の表面に清浄な酸化膜を形成するオゾン水供給手段と、を備えた」と「オゾン水供給手段」の態様を限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用例、及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に国内で頒布された特開昭６２−２９３６１８号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開平９−２６０３２８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）刊行物１（特開昭６２−２９３６１８号公報）
（１ａ）「シリコン基板上のシリコン酸化膜を、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含む溶液中で除去する処理において、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含む溶液中でシリコン酸化膜を除去した後、このシリコン基板をシリコン酸化膜の除去用の処理槽から取り出すことなくオーバフロー水洗を行ない弗化水素酸を純水と置換する工程と、その後酸素あるいはオゾンをバブリングしてシリコン基板上に清浄な保護酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の処理方法。」（特許請求の範囲）
（１ｂ）「〔発明が解決しようとする問題点〕
　上述した従来のシリコン基板の処理方法においては、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含む溶液によりシリコン基板上のシリコン酸化膜を除去した後に、弗化水素酸処理槽からシリコン基板を取り出す時にシリコン基板表面に空気中の炭化水素や微粒子が吸着するという欠点がある。
　本発明の目的は上記の欠点を除去し、シリコン酸化膜を除去した後、空気中に取り出すことをなくすることにより、炭化水素や微粒子の吸着されない清浄な保護酸化膜の形成されたシリコン基板を提供することにある。」（１頁右欄１４行〜２頁左上欄５行）
（１ｃ）「〔実施例〕・・・。第１図は本発明による処理方法の一実施例の模式図である。先ず弗化水素酸処理を施こそうとするシリコン基板１を、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含む水溶液を満たした弗化水素酸処理槽２の中に浸し、シリコン酸化膜を除去する。シリコン酸化膜が完全に除去された後に、純水供給バルブ３を開きオーバフロー水洗を行なう。弗化水素酸溶液が完全に純水で置換された後、テフロン製バブラ４より酸素あるいはオゾンをバブリングする。酸素あるいはオゾンの効果により、シリコン基板１の表面に清浄な薄い保護酸化膜が形成された時点で、シリコン基板１を弗化水素酸処理槽２より取り出しシャワー槽５に移す。シャワー槽５においてシャワーノズル６より純水を噴射し、シリコン基板上の弗化水素酸などを完全に除去する。
　本発明による処理方法においては、弗化水素酸処理槽２からシャワー槽５ヘシリコン基板１を移す時に、シリコン基板上に保護酸化膜が形成されているため、空気中の炭化水素および微粒子のシリコン基板上への吸着を防ぐことができる。」（２頁左上欄末行〜左下欄１行）
　  
（２）刊行物２（特開平９−２６０３２８号公報）
（２ａ）「【請求項１】シリコンウエーハをフッ酸で処理した後、シリコンウエーハをオゾン水で処理してシリコンウエーハ表面に自然酸化膜を形成させることを特徴とする、シリコンウエーハ表面に多結晶シリコン膜を形成する前のシリコンウエーハ表面の処理方法。」  
（２ｂ）「【０００２】【従来の技術】シリコンウエーハ中の結晶欠陥および重金属を除去（ゲッタリング）するために、シリコンウエーハ表面に多結晶シリコン膜を形成することが行われる（・・・）。シリコンウエーハ表面に多結晶シリコン膜を形成するためには、シリコンウエーハ表面に自然酸化膜が存在していることが必要であることが知られている。従来、シリコンウエーハ表面を、アンモニア／過酸化水素水溶液で洗浄した後、フッ酸水溶液で洗浄して、シリコンウエーハ表面の、不純物で汚染されている自然酸化膜を除去し、次いで塩酸／過酸化水素水溶液で洗浄することによって清浄な自然酸化膜をシリコンウエーハ表面に形成させ、その後、多結晶シリコン膜を形成していた。
　【０００３】【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来法において、塩酸／過酸化水素水溶液での洗浄により自然酸化膜をシリコンウエーハ表面に形成させる際に、・・・・３分間で・・厚さの自然酸化膜が形成されるものの、過酸化水素が高濃度の塩酸により急激に分解されるので、溶液の寿命が低下し、または溶液中の塩酸および過酸化水素の濃度の制御が必要となる。従って、これを回避するために、通常、ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１：２０の塩酸／過酸化水素水溶液を用いているが、この場合、・・厚さの自然酸化膜を形成するためには６分間の長い洗浄時間が必要となる。
　【０００４】また、シリコンウエーハ表面を塩酸／過酸化水素水溶液で洗浄する際、過酸化水素が塩酸により分解されることにより気泡が発生するが、この気泡が、ウエーハを洗浄中保持するウエーハキャリアとシリコンウエーハの間に付着し、この気泡の付着によって、自然酸化膜が形成されずそのまま表面が露出している部分が残る。このような表面が露出している部分があると、その後にシリコンウエーハ表面に多結晶シリコン膜を形成させようとしても、このような部分では多結晶シリコンの成長異常が起こり、単結晶に近い膜しか形成されないため、ゲッタリング能力の低下および外観不良といった問題もある。」     
（２ｃ）「【０００６】【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは・・・・自然酸化膜を形成させるために、塩酸／過酸化水素水溶液ではなく、オゾン水を用いると、３分間といった短い時間でも、塩酸／過酸化水素水溶液で形成される自然酸化膜と同程度の厚さ、清浄さの自然酸化膜を形成できると共に、気泡が発生しないので、自然酸化膜がシリコンウエーハ表面に均一に形成されることを見いだした。」  
（２ｄ）「【００１４】他方のシリコンウエーハの表面は、本発明の方法により処理した。具体的には、フッ素樹脂製ウエーハキャリアで保持したシリコンウエーハを、先ず３分間純水に浸漬し（工程１）、次いで３分間アンモニア／過酸化水素水溶液に浸漬した（工程２）。次いで、６分間純水に浸漬した（工程３および４）。次いで、３分間フッ酸水溶液に浸漬し（工程５）、その後、３分間純水に浸漬した（工程６）。次いで、３分間オゾン水（純水にオゾンを溶解させることにより調製した）に浸漬した（工程７）後、３分間純水に浸漬した（工程８）。その後、３分間スピンドライヤーで乾燥させた（工程９）。乾燥は、イソプロピルアルコール蒸気を用いて行うこともできる。」
                            　
３．当審の判断
３−１．刊行物２記載の発明
　刊行物２には、上記摘記（２ａ）によれば、シリコンウエーハをフッ酸で処理した後、シリコンウエーハをオゾン水で処理してシリコンウエーハ表面に自然酸化膜を形成させること、摘記（２ｄ）によれば、３分間フッ酸水溶液に浸漬し（工程５）、その後、３分間純水に浸漬し（工程６）、次いで、３分間オゾン水（純水にオゾンを溶解させることにより調製した）に浸漬した（工程７）ことが記載されている。そして、このフッ酸処理、オゾン水処理を行うのには、通常、処理槽内へのフッ酸供給手段、オゾン水供給手段を備えたシリコンウエーハ処理装置を用いるものであるから、実質的に当該処理装置が記載されているといえ、又「オゾン水（純水にオゾンを溶解させることにより調製した）」と記載されているからオゾンが溶解したオゾン水を生成する手段も備えているものである。また、シリコンウエーハをフッ酸で処理することは、フッ酸水溶液で洗浄して、シリコンウエーハ表面の、不純物で汚染されている自然酸化膜を除去すること（摘記（２ｂ））に外ならないから、シリコンウエーハを洗浄もしくはエッチングすることである。
　そうすると、刊行物２には、「処理槽内へのフッ酸供給手段と、オゾンが溶解したオゾン水を生成する手段と、オゾン水供給手段を備えたシリコンウエーハ処理装置であって、処理槽内に収容されたフッ酸でシリコンウエーハを洗浄もしくはエッチング処理した後、シリコンウエーハをオゾン水で処理してシリコンウエーハ表面に自然酸化膜を形成させるシリコンウエーハ処理装置。」（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されているといえる。
　　                  
３−２．対比・判断
　本願補正発明と刊行物２発明とを対比する。
　刊行物２発明においては、フッ酸でシリコンウエーハを洗浄もしくはエッチング処理した後、シリコンウエーハをオゾン水で処理してシリコンウエーハ表面に自然酸化膜を形成させているから、自然酸化膜は清浄な酸化膜であるといえ、刊行物２発明の「フッ酸供給手段」、「シリコンウエーハ処理装置」は、それぞれ本願補正発明の「フッ化水素を含む水溶液を供給する薬液供給手段」、「基板処理装置」に相当しているから、両者は、
「内部に基板が搬入されて収容される処理槽と、この処理槽内へフッ化水素を含む水溶液を供給する薬液供給手段と、を備えた基板処理装置において、オゾンが溶解したオゾン水を生成する手段と、前記処理槽内に収容されたフッ化水素を含む水溶液で基板を洗浄もしくはエッチングした後に、オゾン水中に基板を浸漬させて基板の表面に清浄な酸化膜を形成するオゾン水供給手段と、を備えた基板処理装置。」で一致し、次の点で相違している。
　
　相違点１：本願補正発明が、下部に液体供給口を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有する処理槽と、この処理槽内へ前記液体供給口を通してフッ化水素を含む水溶液を供給する薬液供給手段と、前記処理槽内へ前記液体供給口を通して供給するオゾン水供給手段を備えているのに対して、刊行物２発明は、この点が記載されていない点。
　
　相違点２：本願補正発明が、生成されたオゾン水を脱気する脱気手段を備え、脱気されたオゾン水を供給しているのに対して、刊行物２発明は、この点が記載されていない点。　
 
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
相違点１について：
　刊行物１には、上記摘記（１ａ）によれば、シリコン基板上のシリコン酸化膜を、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含む溶液中で除去する処理において、弗化水素酸あるいは弗化水素酸を含む溶液中でシリコン酸化膜を除去した後、このシリコン基板をシリコン酸化膜の除去用の処理槽から取り出すことなくオーバフロー水洗を行ない弗化水素酸を純水と置換する工程と、その後オゾンを用いてシリコン基板上に清浄な保護酸化膜を形成する工程とを含むシリコン基板の処理方法が記載されており、処理槽から取り出すことなくオーバフローさせ、同一処理槽で処理することが清浄な酸化膜形成に良いことが示されている。
　
　又基板処理装置として、処理槽の下部に液体供給口を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有し、この処理槽内へ前記液体供給口を通して薬液を含む水溶液、純水を供給する供給手段を備え、同一処理槽で処理するものは、次に示すとおり周知である。
　周知例１：特開平８−１０６７３号公報（段落【００１８】〜【００２２】実施例、図１）
　周知例２：特開平８−３１７８９号公報（段落【００１５】〜【００１６】実施例、図１）
　また、表面処理装置として、処理槽の下部に液体供給口を有するとともに上部に液体が溢れ出すオバーフロー部を有し、この処理槽内へ前記液体供給口を通してＨＦ水溶液、オゾン水、純水を供給する供給手段を備え、同一処理槽で処理するものは、次のとおり周知である。
　周知例３：特開平８−２５０４６０号公報（段落【００１８】〜【００２１】実施例、図１）
　
　そして、刊行物２発明においても処理槽内に収容されたフッ化水素を含む水溶液でシリコンウエーハを洗浄もしくはエッチング処理した後、オゾン水で処理しているものであって、清浄な酸化膜形成する技術課題は当然に有しているものであるから、処理槽として、下部に液体供給口を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有し、この処理槽内へ前記液体供給口を通してフッ化水素を含む水溶液、及びオゾン水を供給する供給手段を備えるようにして相違点１なる構成となすことに困難性は見いだせない。
　
相違点２について：
　上記摘記（２ｃ）によれば、自然酸化膜を形成させるために、塩酸／過酸化水素水溶液ではなく、オゾン水を用いると、清浄な自然酸化膜を形成できると共に、気泡が発生しないので、自然酸化膜がシリコンウエーハ表面に均一に形成されることが記載されており、このことは、気泡が自然酸化膜をシリコンウエーハ表面に均一に形成する際の問題点として認識し、気泡の含んでいないオゾン水を用いることを示唆しているものといえる。
　
　又オゾン水を用いるシリコンウエハーの処理において、生成したオゾン水を脱気し、これを用いて処理することは、次に示すとおり周知である。
　周知例４：特開平１０−２７７７１号公報
　（段落【００４７】に「洗浄液も同様脱気したものを用いることが好ましい。」、同【００６１】に「洗浄液はポンプ５０７で加圧され膜脱気装置５０８に送られ、洗浄液中の溶存ガスを取り除かれた後、洗浄槽の内槽５０１に送られる。」、同【０１０９】に「２ｐｐｍオゾン添加超純水で１０分間洗浄した後、」と記載され、オゾン添加超純水も洗浄液の一つであり脱気されていること、図５中５０８、図６中６０３の膜脱気装置、参照）
　周知例５：特開平１０−１１６８０９号公報
　（請求項４にオゾン水を用いること、段落【００４３】に「洗浄液も同様脱気したものを用いるのがが好ましい。」と記載されオゾン水も脱気したものを用いること、図１、２、３中脱気ユニット１０３、参照）
　周知例６：特開平９−３８６７１号公報
　（段落【００１７】に「製造される超純水は、半導体製造工程における半導体ウエハあるいは半導体デバイス等の洗浄を行うユースポイントＵへ供給され、それぞれの洗浄水として用いられる」こと、図１に真空脱気塔１６、図２に気液分離装置２４でオゾン水中の残留ガスを除去すること、参照）
　
　そうすると、刊行物２発明では、上記したとおり気泡が自然酸化膜をシリコンウエーハ表面に均一に形成する際の問題点として認識しているのであるから、当然に気泡が発生しないようにするものであって、刊行物２発明におけるオゾン水を脱気する脱気手段を備え、脱気されたオゾン水を供給するようにすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明における効果も、刊行物１、２の記載及び上記周知技術から予測しえる程度であって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願発補正明は、刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　　　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
　平成１７年１月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１６年３月２４日付の手続補正願書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、そのうち請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項４】下部に液体供給口を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有し、内部に基板が搬入されて収容される処理槽と、
　この処理槽内へ前記液体供給口を通してフッ化水素を含む水溶液を供給する薬液供給手段と、を備えた基板処理装置において、
　オゾンが溶解したオゾン水を生成する手段、および、生成されたオゾン水を脱気する手段を備え、前記処理槽内へ前記液体供給口を通して脱気されたオゾン水を供給するオゾン水供給手段を設けたことを特徴とする基板処理装置。」
　
１．引用例、及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及びその記載事項は、前記「II．２．」に記載したとおりである。
　
２．当審の判断
　本願発明は、前記「II．」で検討した本願補正発明において「オゾン水供給手段」について「前記処理槽内に収容されたフッ化水素を含む水溶液で基板を洗浄もしくはエッチングした後に、前記処理槽内へ前記液体供給口を通して脱気されたオゾン水を供給して、そのオゾン水中に基板を浸漬させて基板の表面に清浄な酸化膜を形成する」との限定事項がないものに相当するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに下位の構成要件に限定したものに相当する本願補正発明が、前記「II．３．」に記載したとおり、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願請求項４に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。