【事件の表示】
　特願２００２−１５６００１「液晶表示装置用アレー基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月１３日出願公開、特開２００３−　４３５１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年５月２９日（パリ条約による優先権主張２００１年５月２９日、大韓民国）の出願であって、平成２０年３月１９日付けで手続補正がなされたところ、同年６月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月３０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１０月３０日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、平成２０年１０月３０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のものである。
　
「基板上にゲート配線と、前記ゲート配線と平行に前記ゲートラインから一定間隔をおいて離隔された共通配線とを第１の方向に形成する段階と；
　前記ゲート配線及び共通配線上にゲート絶縁膜を形成する段階と；
　前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と；
　前記半導体層とオーバーラップして配置され、ドレイン電極を含むと共に透明導電性物質からなる画素電極を、該ゲート絶縁膜を該共通配線と画素電極との間に介在させて、ストレージ電極を形成することなく、該画素電極と該共通配線との間に保存蓄電器を形成するように形成し、前記ドレイン電極と離隔されて配置されると共に透明導電性物質からなるソース電極を形成する段階と；
　前記ソース電極を露出させる第１コンタクトホールと前記画素電極を露出させる開口部とを有する保護層を形成する段階と；
　前記第１コンタクトホールを通して前記ソース電極と接続され、前記ゲート配線と交差するデータ配線を第２の方向に形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレー基板の製造方法。」
　
　ここで、上記請求項１中の「前記ゲートライン」は、その前に記載されてはおらず、また、本願明細書にも記載されていないものであって、当該「前記ゲートライン」が「前記ゲート配線」の誤りであることは明らかであるから、上記請求項１に係る発明は次のとおりのものであると認められる。
　
「基板上にゲート配線と、前記ゲート配線と平行に前記ゲート配線から一定間隔をおいて離隔された共通配線とを第１の方向に形成する段階と；
　前記ゲート配線及び共通配線上にゲート絶縁膜を形成する段階と；
　前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と；
　前記半導体層とオーバーラップして配置され、ドレイン電極を含むと共に透明導電性物質からなる画素電極を、該ゲート絶縁膜を該共通配線と画素電極との間に介在させて、ストレージ電極を形成することなく、該画素電極と該共通配線との間に保存蓄電器を形成するように形成し、前記ドレイン電極と離隔されて配置されると共に透明導電性物質からなるソース電極を形成する段階と；
　前記ソース電極を露出させる第１コンタクトホールと前記画素電極を露出させる開口部とを有する保護層を形成する段階と；
　前記第１コンタクトホールを通して前記ソース電極と接続され、前記ゲート配線と交差するデータ配線を第２の方向に形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレー基板の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　原出願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平８−３２０５０３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス液晶表示パネルに関し、更に詳しくは、薄膜電界効果型トランジスタのチャネル部を遮光する遮光層を備える形式のアクティブマトリクス液晶表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス液晶表示パネル（ＡＭＬＣＤ）は、薄膜電界効果型トランジスタ（ＴＦＴ）を画素電極のためのスイッチング素子として用いる形式の表示デバイスであり、高品位の画質を有することから、携帯型コンピュータの表示部や投射型表示デバイスのライトバルブなどに幅広く応用されている。
【０００３】ＡＭＬＣＤは、一般に、ＴＦＴ基板および対向基板とよばれる２枚の基板を有する。ＴＦＴ基板は、透明絶縁基板上に、走査線及び信号線を格子状に配設し、各格子部に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びこのＴＦＴに駆動される画素電極を設け、これらを基板上にマトリックス状に配設し、更に表面に配向膜１５を形成した構造を有する。・・・」
　
　イ　「【００２７】次に本発明の第２の実施例のＡＭＬＣＤについて述べる。図４は本実施例のＡＭＬＣＤの平面図、図５（ａ）および（ｂ）は夫々、図４のＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’断面図である。
【００２８】ガラス板などから成る第１の透光性絶縁基板７の上に、ゲート電極４を含む走査線１と信号線２とを相互に交差させて格子状に配置し、各格子内に画素を形成する。各格子内には、走査線１と信号線２の交点近傍に配置されるＴＦＴと、このＴＦＴで駆動される画素電極５とが配置される。ＴＦＴは、走査線１と一体に形成されるゲート電極４と、ゲート電極４上に絶縁膜８を介して設けられた島状非晶質シリコン膜１０から成るチャネル部と、非晶質シリコン膜１０の一部表面を含み絶縁膜８表面上に設けられたソース電極３およびドレイン電極９とから成る。
【００２９】ここで、ＴＦＴのソース電極３およびドレイン電極９と、ドレイン電極９と一体に形成される画素電極５と、走査線１上方の一部で絶縁膜８を介して走査線１から絶縁される遮光補助層１２とが、いずれも同じ層から成る金属層として構成されている。画素電極５の中央部１４および周辺の端子部を除いて全体を覆うように護絶縁膜１３（審決注：「保護絶縁膜１３」の誤りと認める。）が設けられている。遮光補助層１２上およびソース電極３上の保護絶縁膜１３内にはコンタクトホールが形成されている。この保護絶縁膜１３上には、ＴＦＴのチャネル部を覆う遮光層１１およびこれと同じ層で形成する信号線２が形成され、遮光層１１と遮光補助層１２、および、信号線２とソース電極３はそれぞれコンタクトホール６を介して接続されている。
【００３０】図６（ａ）〜（ｃ）は、上記第２の実施例のＡＭＬＣＤの製造方法におけるＡＭＬＣＤの各工程段階を順次に示す平面図である。まず、透光性の絶縁基板の上にクロム膜をスパッタ法で１００ｎｍの厚さに堆積してこれをパターニングする。これにより、ゲート電極４を含む走査線１を得る。次いで、表面にゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜を４００ｎｍの厚さに堆積し、更にその上に、厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質シリコン膜および厚さ２０ｎｍのＮ型非晶質シリコン膜を順次に堆積してこれをパターニングすることで、ゲート電極４上に島状非晶質シリコン膜１０を形成する。引き続き、ＩＴＯ膜を１００ｎｍ積層してこれをパターニングし、ソース電極３、ドレイン電極９、これと一体に形成される画素電極５、および、走査線１の上方の一部で絶縁膜を介してこれから絶縁される遮光補助層１２を同じ層の金属層で形成する。これにより、図６（ａ）に示す構造を得る。
【００３１】次いで、表面に厚さ２００ｎｍの保護絶縁膜１３を堆積し、画素電極５上の符号１４に示す領域でこの保護絶縁膜１３をエッチングにより除去すると同時に、遮光補助層１２上の一部およびソース電極の一部にコンタクトホール６を形成し、図６（ｂ）に示す構造を得る。
【００３２】その後、更にクロム膜２００ｎｍを堆積してこれをパターニングし、遮光層１１および信号線２を同じ層で形成する。このようにして形成した遮光層１１はコンタクトホール６を通して遮光補助層１２に接続されている。また、同様に信号線２はコンタクトホールを介してソース電極３に接続されている。これにより図６（ｃ）に示す構造を得る。」
　
　ウ　「【符号の説明】
・・・
２０  ＴＦＴ基板
２１  対向基板」
　
　エ　上記ウ及び図５を踏まえると、上記イに示された第２の実施例は、「アクティブマトリクス液晶表示パネルのＴＦＴ基板２０の製造方法」に関するものであるといえる。
　
　オ　図４から、
　（ア）「走査線１」は、左右横方向に延伸して形成されること、
　（イ）「信号線２」は、上下縦方向に延伸し、「走査線１」と交差して形成されること、
が見て取れる。
　
　カ　上記イの【００３１】において、「保護絶縁膜１３」に形成される「コンタクトホール６」は、ソース電極が形成されている領域に形成される、といえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「透光性の絶縁基板の上にクロム膜をスパッタ法で１００ｎｍの厚さに堆積してこれをパターニングし、これにより、ゲート電極４を含む走査線１を左右横方向に延伸して形成し、
　次いで、表面にゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜を４００ｎｍの厚さに堆積し、
　更にその上に、厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質シリコン膜および厚さ２０ｎｍのＮ型非晶質シリコン膜を順次に堆積してこれをパターニングすることで、ゲート電極４上に島状非晶質シリコン膜１０を形成し、
　引き続き、ＩＴＯ膜を１００ｎｍ積層してこれをパターニングし、ソース電極３、ドレイン電極９、これと一体に形成される画素電極５、および、走査線１の上方の一部で絶縁膜を介してこれから絶縁される遮光補助層１２を同じ層の金属層で形成し、
　次いで、表面に厚さ２００ｎｍの保護絶縁膜１３を堆積し、画素電極５上の符号１４に示す領域でこの保護絶縁膜１３をエッチングにより除去すると同時に、遮光補助層１２上の一部およびソース電極が形成されている領域にコンタクトホール６を形成し、
　その後、更にクロム膜２００ｎｍを堆積してこれをパターニングし、遮光層１１および信号線２を同じ層で形成し、このようにして形成した遮光層１１はコンタクトホール６を通して遮光補助層１２に接続されており、また、同様に信号線２はコンタクトホールを介してソース電極３に接続されており、前記信号線２は、上下縦方向に延伸し、前記走査線１と交差して形成される、
　アクティブマトリクス液晶表示パネルのＴＦＴ基板２０の製造方法。」
　
（２）引用刊行物２
　原出願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平６−９５１４７号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置とその製造方法にかかわり、特に液晶表示装置等の駆動に用いる、非線形素子マトリクス基板の非線形素子を含む画素及びその製造方法に関する。
・・・
【０００３】液晶表示装置には、画質向上のために液晶セルと並列に補助容量が設けられている。補助容量には、画素電極と前段の走査電極配線を絶縁膜を介して重ねる付加容量型と、専用の配線を別途形成し絶縁膜を介して画素電極と対抗配置させる蓄積容量型がある。・・・」
　
　イ　「【００１２】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
【００１３】実施例１
図３から図８は、本発明の実施例１のプロセスフローを示した断面図である。以下、図の順番に従って製造方法を説明する。
【００１４】１…（図３参照）ガラス基板１上に、Ａｌ膜をスパッタリング法により３００ｎｍ堆積し、通常のホトリソグラフィ技術によりレジストマスクを作成し、Ａｌ膜をパターニングして走査電極２及び走査電極配線を作成する。
【００１５】２…（図４参照）水溶液中にて前記基板を陽極側電極として設置し、Ｐｔ板を陰極側電極として設置して、走査電極２及び走査電極配線に電流を供給して表面を陽極酸化法を用いて酸化し、第一の絶縁膜３を形成する。
【００１６】３…（図５参照）基板上に、窒化シリコン膜を２００ｎｍと非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと略）膜を１００ｎｍ、及びＰを１％含んだａ−Ｓｉ（以下ｎ＋ａ−Ｓｉと略）膜を５０ｎｍとを、化学的気相析出法（以下ＣＶＤ法と略）により堆積する。次に、通常のホトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、ａ−Ｓｉ膜及びｎ＋ａ−Ｓｉ膜をエッチングして島状加工しａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を得る。レジストを除去した後、ホトリソグラフィ技術によりレジストマスクを形成し、窒化シリコン膜をパターニングしてゲート絶縁膜４を得る。
【００１７】４…（図６参照）Ｔｉ膜をスパッタリング法を用いて堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成してエッチングを行い、次にレジストパターンを除去して不透明金属で形成される画素電極パターン７を作成する。
【００１８】５…(図７参照)基板上にスパッタリング法を用いてＡｌを４００ｎｍ堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成しエッチングして、次にレジストパターンを除去して画像信号電極配線パターン８とソース電極パターン９を形成する。基板上にＣＶＤ法により窒化シリコン膜を５００ｎｍ堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成しエッチングして、レジストパターンを除去し、前記金属不透明画素電極上に開口部を備えた絶縁保護膜１０のパターンを作成する。
【００１９】６…（図８参照）水溶液中に、前記基板を陽極側電極として設置し、Ｐｔ板を陰極側電極として設置して、基板中の薄膜トランジスターマトリクスの各画像信号電極配線８を陽極に接続しＰｔ板を陰極に接続する。基板中の各走査電極２及び走査電極配線に電圧を印加して各薄膜トランジスターを駆動し、画像信号電極配線８より薄膜トランジスターを介して、前記薄膜トランジスターに付随する不透明金属画素電極７へ電流を供給し、陽極酸化してＴｉ酸化物とし透光性導電膜１１を得る。」
　
　ウ　「【００２２】実施例２
図９から図１２は、本発明の実施例２のプロセスフローを示した断面図である。以下、図の順番に従って説明する。
【００２３】１…(図９参照)ガラス基板１上にＴｉ膜をスパッタリング法により１００ｎｍ堆積し、通常のホトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、前記Ｔｉ膜の不要部分をエッチングしレジスト膜を除去して蓄積容量電極パターン１２を形成する。
【００２４】２…(図１０参照)前記基板上に、Ａｌ膜をスパッタリング法により３００ｎｍ堆積し、通常のホトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを作成し、不要部分をエッチングした後レジストを除去して走査電極２及び走査電極配線を形成し、同時に同一マスクで前記蓄積容量電極パターン１２上に少なくとも一部が重なるように蓄積容量用共通電極配線１３を形成する。
【００２５】３…（図１１参照）水溶液中にて前記基板を陽極側電極として設置し、Ｐｔ板を陰極側電極として設置して走査電極配線と蓄積容量用共通電極配線１３に電流を供給し、走査電極２及び走査電極配線と蓄積容量用共通電極配線１３及び蓄積容量用共通電極配線１３より電流を供給される蓄積容量電極１２を陽極酸化する。その結果、走査電極２及び走査電極配線と蓄積容量用共通電極配線１３の表面には第一の絶縁膜が形成され、酸化された蓄積容量電極１２は透明導電膜となる。
【００２６】４…（図１２参照）前記基板を用いて、実施例１の３以降の工程を行って薄膜トランジスターマトリクスを作成する。」
　
　エ　上記イ、ウ、図５〜８及び図１２を踏まえると、実施例２のプロセスフローは、上記ウの【００２５】「３」のプロセスの後に、
　（ア）窒化シリコン膜を２００ｎｍと非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を１００ｎｍ、及びＰを１％含んだａ−Ｓｉ（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜を５０ｎｍとを、化学的気相析出法（ＣＶＤ法）により堆積し、通常のホトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、ａ−Ｓｉ膜及びｎ＋ａ−Ｓｉ膜をエッチングして島状加工しａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を得、
　（イ）Ｔｉ膜をスパッタリング法を用いて堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成してエッチングを行い、次にレジストパターンを除去して不透明金属で形成される画素電極パターン７を作成し、
　（ウ）スパッタリング法を用いてＡｌを４００ｎｍ堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成しエッチングして、次にレジストパターンを除去して画像信号電極配線パターン８とソース電極パターン９を形成し、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜を５００ｎｍ堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成しエッチングして、レジストパターンを除去し、前記金属不透明画素電極上に開口部を備えた絶縁保護膜１０のパターンを作成し、
　（エ）水溶液中に、前記基板を陽極側電極として設置し、Ｐｔ板を陰極側電極として設置して、基板中の薄膜トランジスターマトリクスの各画像信号電極配線８を陽極に接続しＰｔ板を陰極に接続し、基板中の各走査電極２及び走査電極配線に電圧を印加して各薄膜トランジスターを駆動し、画像信号電極配線８より薄膜トランジスターを介して、前記薄膜トランジスターに付随する不透明金属画素電極７へ電流を供給し、陽極酸化してＴｉ酸化物とし透光性導電膜１１を得る、
とのプロセスを経るものといえる。
　
　オ　上記ア（【０００３】）を踏まえると、上記ウの実施例２のプロセスフローで製造される液晶表示装置は、画質向上のために液晶セルと並列に補助容量が設けるべく、蓄積容量用共通電極配線１３及び蓄積容量電極１２を、窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜を介して、透光性導電膜１１と対向配置するものである、といえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「ガラス基板１上にＴｉ膜をスパッタリング法により１００ｎｍ堆積し、通常のホトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、前記Ｔｉ膜の不要部分をエッチングしレジスト膜を除去して蓄積容量電極パターン１２を形成し、
　前記基板上に、Ａｌ膜をスパッタリング法により３００ｎｍ堆積し、通常のホトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを作成し、不要部分をエッチングした後レジストを除去して走査電極２及び走査電極配線を形成し、同時に同一マスクで前記蓄積容量電極パターン１２上に少なくとも一部が重なるように蓄積容量用共通電極配線１３を形成し、
　水溶液中にて前記基板を陽極側電極として設置し、Ｐｔ板を陰極側電極として設置して走査電極配線と蓄積容量用共通電極配線１３に電流を供給し、走査電極２及び走査電極配線と蓄積容量用共通電極配線１３及び蓄積容量用共通電極配線１３より電流を供給される蓄積容量電極１２を陽極酸化し、その結果、走査電極２及び走査電極配線と蓄積容量用共通電極配線１３の表面には第一の絶縁膜が形成され、酸化された蓄積容量電極１２は透明導電膜となり、
　窒化シリコン膜を２００ｎｍと非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を１００ｎｍ、及びＰを１％含んだａ−Ｓｉ（ｎ＋ａ−Ｓｉ）膜を５０ｎｍとを、化学的気相析出法（ＣＶＤ法）により堆積し、通常のホトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、ａ−Ｓｉ膜及びｎ＋ａ−Ｓｉ膜をエッチングして島状加工しａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を得、
　Ｔｉ膜をスパッタリング法を用いて堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成してエッチングを行い、次にレジストパターンを除去して不透明金属で形成される画素電極パターン７を作成し、
　スパッタリング法を用いてＡｌを４００ｎｍ堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成しエッチングして、次にレジストパターンを除去して画像信号電極配線パターン８とソース電極パターン９を形成し、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜を５００ｎｍ堆積し、ホトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンのレジストマスクを形成しエッチングして、レジストパターンを除去し、前記金属不透明画素電極上に開口部を備えた絶縁保護膜１０のパターンを作成し、
　水溶液中に、前記基板を陽極側電極として設置し、Ｐｔ板を陰極側電極として設置して、基板中の薄膜トランジスターマトリクスの各画像信号電極配線８を陽極に接続しＰｔ板を陰極に接続し、基板中の各走査電極２及び走査電極配線に電圧を印加して各薄膜トランジスターを駆動し、画像信号電極配線８より薄膜トランジスターを介して、前記薄膜トランジスターに付随する不透明金属画素電極７へ電流を供給し、陽極酸化してＴｉ酸化物とし透光性導電膜１１を得る、
　画質向上のために液晶セルと並列に補助容量が設けるべく、蓄積容量用共通電極配線１３及び蓄積容量電極１２を、窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜を介して、透光性導電膜１１と対向配置する、液晶表示装置の製造方法。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「透光性の絶縁基板」及び「アクティブマトリクス液晶表示パネルのＴＦＴ基板２０の製造方法」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」及び「液晶表示装置用アレー基板の製造方法」に相当する。
　
（２）引用発明１は、「透光性の絶縁基板の上にクロム膜をスパッタ法で１００ｎｍの厚さに堆積してこれをパターニングし、これにより、ゲート電極４を含む走査線１を左右横方向に延伸して形成」するものであるから、
　ア　引用発明１の「走査線１」は、本願発明の「ゲート配線」に相当し、
　イ　引用発明１の「・・・ゲート電極４を含む走査線１を得」との事項と、本願発明の「基板上にゲート配線と、前記ゲート配線と平行に前記ゲート配線から一定間隔をおいて離隔された共通配線とを第１の方向に形成する段階」とは、「基板上にゲート配線を第１の方向に形成する段階」である点で一致する。
　
（３）引用発明１は、「次いで、表面にゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜を４００ｎｍの厚さに堆積」するから、
　ア　引用発明１の「ゲート絶縁膜」は、本願発明の「ゲート絶縁膜」に相当し、
　イ　引用発明１の「次いで、表面にゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜を・・・堆積し」との事項と、本願発明の「前記ゲート配線及び共通配線上にゲート絶縁膜を形成する段階」とは、「前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する段階」である点で一致する。
　
（４）引用発明１は、「更にその上に、厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質シリコン膜および厚さ２０ｎｍのＮ型非晶質シリコン膜を順次に堆積してこれをパターニングすることで、ゲート電極４上に島状非晶質シリコン膜１０を形成」するから、
　ア　引用発明１の「島状非晶質シリコン膜１０」は、本願発明の「半導体層」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階を含み」との事項を備える。
　
（５）引用発明１は、「引き続き、ＩＴＯ膜を１００ｎｍ積層してこれをパターニングし、ソース電極３、ドレイン電極９、これと一体に形成される画素電極５・・・を同じ層の金属層で形成」するものであり、「ドレイン電極９」と一体に形成される「画素電極５」が上記「島状非晶質シリコン膜１０」とオーバーラップして配置されるものであるといえ、また、「ソース電極３」が前記「ドレイン電極９」と離隔されて配置されるといえるから、
　ア　引用発明１の「ドレイン電極９」、「画素電極５」及び「ソース電極３」は、それぞれ、本願発明の「ドレイン電極」、「（前記半導体層とオーバーラップして配置され、ドレイン電極を含むと共に透明導電性物質からなる）画素電極」及び「（前記ドレイン電極と離隔されて配置されると共に透明導電性物質からなる）ソース電極」に相当し、
　イ　引用発明１の「・・・ＩＴＯ膜を１００ｎｍ積層してこれをパターニングし、ソース電極３、ドレイン電極９、これと一体に形成される画素電極５・・・を同じ層の金属層で形成し」との事項と、本願発明の「前記半導体層とオーバーラップして配置され、ドレイン電極を含むと共に透明導電性物質からなる画素電極を、該ゲート絶縁膜を該共通配線と画素電極との間に介在させて、ストレージ電極を形成することなく、該画素電極と該共通配線との間に保存蓄電器を形成するように形成し、前記ドレイン電極と離隔されて配置されると共に透明導電性物質からなるソース電極を形成する段階」とは、「前記半導体層とオーバーラップして配置され、ドレイン電極を含むと共に透明導電性物質からなる画素電極を該ゲート絶縁膜の上に形成し、前記ドレイン電極と離隔されて配置されると共に透明導電性物質からなるソース電極を形成する段階」である点で一致する。
　
（６）引用発明１は、「次いで、表面に厚さ２００ｎｍの保護絶縁膜１３を堆積し、画素電極５上の符号１４に示す領域でこの保護絶縁膜１３をエッチングにより除去すると同時に、・・・ソース電極が形成されている領域にコンタクトホール６を形成」するから、
　ア　引用発明１の「保護絶縁膜１３」、「コンタクトホール６」及び「『画素電極５上の符号１４に示す領域でエッチングにより除去された保護絶縁膜１３』の部分」は、それぞれ、本願発明の「保護層」、「（前記ソース電極を露出させる）第１コンタクトホール」及び「前記画素電極を露出させる開口部」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記ソース電極を露出させる第１コンタクトホールと前記画素電極を露出させる開口部とを有する保護層を形成する段階とを含み」との事項を備える。
　
（７）引用発明１は、「その後、更にクロム膜２００ｎｍを堆積してこれをパターニングし、・・・信号線２を同じ層で形成し、・・・信号線２はコンタクトホールを介してソース電極３に接続されており、前記信号線２は、上下縦方向に延伸し、前記走査線１と交差して形成される」ものであるから、
　ア　引用発明１の「（コンタクトホールを介してソース電極３に接続され、走査線１と交差し、上下縦方向に延伸して形成される）信号線２」は、本願発明の「（前記第１コンタクトホールを通して前記ソース電極と接続され、前記ゲート配線と交差し、第２の方向に形成される）データ配線」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記第１コンタクトホールを通して前記ソース電極と接続され、前記ゲート配線と交差するデータ配線を第２の方向に形成する段階とを含む」との事項を備える。
　
　したがって、本願発明と引用発明１とは、　  
「基板上にゲート配線を第１の方向に形成する段階と；
　前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する段階と；
　前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と；
　前記半導体層とオーバーラップして配置され、ドレイン電極を含むと共に透明導電性物質からなる画素電極を該ゲート絶縁膜の上に形成し、前記ドレイン電極と離隔されて配置されると共に透明導電性物質からなるソース電極を形成する段階と；
　前記ソース電極を露出させる第１コンタクトホールと前記画素電極を露出させる開口部とを有する保護層を形成する段階と；
　前記第１コンタクトホールを通して前記ソース電極と接続され、前記ゲート配線と交差するデータ配線を第２の方向に形成する段階とを含む液晶表示装置用アレー基板の製造方法。」
である点で一致し、両者は次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　本願発明は、基板上に、ゲート配線と平行に前記ゲート配線から一定間隔をおいて離隔された共通配線を第１の方向に形成し、該共通配線上にゲート絶縁膜を形成し、画素電極を、該ゲート絶縁膜を該共通配線と画素電極との間に介在させて、ストレージ電極を形成することなく、該画素電極と該共通配線との間に保存蓄電器を形成するように形成するのに対し、引用発明１は、基板上にそのような共通配線は形成されておらず、画素電極と該共通配線との間に保存蓄電器が形成されていない点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）本願発明の「ストレージ電極」に関して、本願明細書には、
　ア　「【００１７】・・・画素領域内には前記共通配線２４とオーバーラップされる位置に一定面積を有し、前記データ配線３６と同一物質で構成されたストレージ電極３８が形成されている。」、
　イ　「【００２０】・・・共通配線２４とストレージ電極３８間にはゲート絶縁膜が介在されて、前記ストレージ電極３８と画素電極４６間には・・・保護層が位置する。」、
　ウ　「【００２３】・・・共通配線２４とストレージ電極３８は、不透明金属物質であるデータ配線３６の物質で形成される・・・」、
と記載されており、上記ア〜ウの各記載から見て、本願発明でいう「ストレージ電極」とは、不透明金属物質であるデータ配線の物質で形成されるものであって、共通配線との間にはゲート絶縁膜が介在され、画素電極との間には保護層が位置するもの、と解される。
　
（２）一方、引用刊行物２には、上記２（２）のとおりの引用発明２が記載され、液晶表示装置の画質向上のために、ゲート絶縁膜を介して、蓄積容量用共通電極配線１３及び蓄積容量電極１２を透光性導電膜１１（画素電極）と対向配置し、該蓄積容量用共通電極配線１３を走査電極配線と同時に形成する構成が示されているところ、引用発明２の上記「蓄積容量電極１２」は、透明導電膜であって、ガラス基板１上に直接Ｔｉ膜を堆積して形成されるものであるから、当該「蓄積容量電極１２」は、本願発明でいう「ストレージ電極」に該当するものではなく、上記構成は「ストレージ電極」を形成しないものといえる。
　
（３）そして、引用発明１において、製造される液晶表示パネルの画質向上のために上記（２）の引用発明２の構成を適用して、ゲート絶縁膜を介して蓄積容量用の配線と電極を画素電極と対向配置し、当該蓄積容量用の配線を走査線１と同時に形成するようになし、ストレージ電極を形成することなく、画素電極と蓄積容量用の配線との間に容量を形成するようになして、本願発明の上記相違点に係る構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、引用発明１、２から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。