【事件の表示】
　特願２０００−１８５９６９「拡散シリコンウェハおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１月１１日出願公開、特開２００２−　９００６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月２１日の出願であって、平成１８年７月１０日付けで手続補正がなされ、同年１０月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２８日付けで手続補正がなされ、その後、平成２１年３月３日付けで審尋がなされ、それに対する回答はなされなかったものである。
　
第２．平成１８年１２月２８日付けの手続補正についての却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成１８年１２月２８日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１．手続補正の内容
　平成１８年１２月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１と補正するものであり、補正前後の請求項１は以下のとおりである。
（補正前）
　「【請求項１】
　拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面よりを拡散する拡散工程と、該不純物拡散を行ったシリコンウェハを、その厚み方向における中央部で２分割する工程と、得られるシリコンウェハの切断面を研磨する工程からなることを特徴とする拡散ウェハの製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の、リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面よりを拡散する拡散工程と、該不純物拡散を行ったシリコンウェハを、その厚み方向における中央部で２分割する工程と、得られるシリコンウェハの切断面を研磨する工程からなることを特徴とする拡散ウェハの製造方法。」
　
　ここにおいて、補正前後の上記各請求項１における「シリコンウェハの表裏両面
よりを
より
　
２．補正の目的、及び新規事項の追加の有無について
　本件補正は、補正前の請求項１の「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程」における「不純物元素」を、「リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種の不純物元素」と補正するものであり、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程」に対して技術的限定を付加するものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものである。
　また、「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程」における「不純物元素」として、「リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種の不純物元素」を用いることは、本願の願書に最初に添付した明細書の００１７段落等に記載されているから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当するから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
３．独立特許要件について
（１）特許法第２９条第２項についての検討
（１−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の、リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程と、該不純物拡散を行ったシリコンウェハを、その厚み方向における中央部で２分割する工程と、得られるシリコンウェハの切断面を研磨する工程からなることを特徴とする拡散ウェハの製造方法。」
　
（１−２）刊行物に記載された発明
（１−２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平４−２４５４２３号公報（以下「引用例」という。）には、図１、４及び５とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当合議体において付加したものである。）。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体ウエーハにドーパント物質を高濃度に熱拡散させた高濃度拡散ウエーハの製造方法に関する
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエーハにＰ，Ｂ等のドーパント物質を熱拡散させる場合、比較的安価な製造方法として、塗布法及び固体ドーパント法がある。これを図４および図５（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。ドーパントすべき半導体ウエーハ１０は、ウエーハボート２０内に整列されて反応炉４０内に装入される。ドーパント物質を含むドープ剤１１は、塗布法では半導体ウエーハ１０の表面に塗布され（図４（ａ）参照）、固体ドーパント法ではドープ剤１１が固体ソースとされてウエーハボート２０内の半導体ウエーハ１０間に配置される（図４（ｂ）参照）。そして、反応炉４０内にキャリヤガスを流通させながら、反応炉４０内の半導体ウエーハ１０を加熱することにより、半導体ウエーハ１０にドーパント物質が熱拡散される。
半導体ウエーハ１０に対する加熱工程は、通常ベーキング、デポジション、プレドライブ、ドライブインの４工程からなる
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、
パワートランジスタ用トリプル拡散ウエーハ等にあっては、拡散速度の増大、リンゲッタ効果の増大等のために、ドーパント物質を高濃度に熱拡散させる必要がある。
【０００４】本発明の目的は、ドーパント物質を高濃度に熱拡散させると共に、その濃度の均一化を図り、しかも低コストで生産性にも優れた高濃度拡散ウエーハの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の高濃度拡散ウエーハの製造方法は、ウエーハボート内に整列された半導体ウエーハを、内部圧力の放出が可能な中間容器内にドープ剤と共に収容し、この状態で前記中間容器を反応炉内に装入してキャリヤガスを流通させつつ加熱することを特徴としてなる
【０００６】図１は本発明法の一実施態様を示している。本発明法は、半導体ウエーハ１０にドーパント物質を熱拡散するに際してウエーハボート２０、中間容器３０及び反応炉４０を使用する。
【０００７】ウエーハボート２０および反応炉４０は従来法に使用されているものと基本的に同一構造である。
ただし、反応炉４０の規模および形状は、中間容器３０が収容され得るように設計されている。
【０００８】中間容器３０は、一方の端部が閉塞された円筒状の容器本体３１と、容器本体３１の開放端部に差し込まれるキャップ３２とからなる。
【０００９】容器本体３１には、所定枚数の半導体ウエーハ１０がウエーハボート２０内に整列されて収容される。その規模は出来るだけ小さくするのが良く、例えば内径はウエーハ径＋３０ｍｍ以下、長さは反応炉４０の均熱長さ＋１００ｍｍ程度とされる。キャップ３２は、中間容器３０内が高圧になった場合にその圧力が放出されるように、容器本体３１との間に僅かの隙間を形成する大きさになっている。中間容器３０の材質には、例えばセラミックス，Ｓｉ，ＳｉＯ２等の耐熱、高純度物質が用いられる。
【００１０】
本発明法でデポジション及びプレドライブを行う際には、まず、ウエーハボート２０内に所定枚数の半導体ウエーハ１０を整列させる。次いで、これをドープ剤と共に中間容器３０内に装入する。ドープ剤は、塗布法では半導体ウエーハ１０の表面に塗布され（図５（ａ）参照）、固体ドーパント法では固体ソースとされてウエーハボート２０内の半導体ウエーハ１０間に配置される（図５（ｂ）参照）
【００１１】中間容器３０内に半導体ウエーハ１０が収容されると、その中間容器３０を反応炉４０内に装入する。このとき、反応炉４０内に供給されるキャリヤガスが中間容器２０内に侵入しないように、ガス流通方向の上流側に中間容器３０の閉塞端側を位置させる。そして、反応炉４０内にキャリヤガスを流通させながら、ベーキング、デポジション、プレドライブの順で中間容器３０内の半導体ウエーハ１０を加熱する。
【００１２】デポジション、プレドライブの各工程では、中間容器３０内のドープ剤が蒸発する。中間容器３０内にキャリヤガスは侵入しないので、中間容器３０内はドーパント蒸気で充満され、その内部圧力は反応炉４０の内部圧力よりも高くなる。従って、
中間容器３０内の半導体ウエーハ１０には、ドーパント物質が高濃度かつ均一に熱拡散される。
　「【００１６】
【実施例】表１に仕様を示す中間容器と塗布法との併用により、２５０枚の１００ｍｍ径の半導体ウエーハに
リンをドープ剤として熱拡散させた。
　「【００１９】
プレドライブ後のウエーハ表面濃度は、シート抵抗ρｓで表わして０．２２±０．０１５Ω／□であり、
また、ドライブイン後では、ρｓは０．１１±０．０１Ω／□であり、
　
（１−２−２）ここにおいて、００１９段落の「また、ドライブイン後では、ρｓは０．１１±０．０１Ω／□であり、」とは、「ドライブイン後」の「半導体ウエーハ表面」の「シート抵抗」「ρｓ」が「０．１１±０．０１Ω／□であ」ることを意味するものであることが明らかである。
　
　したがって、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「ウエーハボート内に整列された半導体ウエーハを、内部圧力の放出が可能な中間容器内にドープ剤としてのリンと共に収容し、この状態で前記中間容器を反応炉内に装入してキャリヤガスを流通させつつ加熱することにより、前記半導体ウエーハにドーパント物質を高濃度かつ均一に熱拡散させ、ドライブイン後の前記半導体ウエーハ表面のシート抵抗ρｓが０．１１±０．０１Ω／□である高濃度拡散ウエーハの製造方法。」
　
（１−３）補正発明と引用発明との対比
（１−３−１）引用発明の「半導体ウエーハ」、「ドープ剤としてのリン」、「前記半導体ウエーハ表面のシート抵抗ρｓ」、「高濃度拡散ウエーハの製造方法」が、各々補正発明の「シリコンウェハ」、「リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種の不純物元素」、「シリコンウェハの拡散面のシート抵抗」、「拡散ウェハの製造方法」に相当する。
　また、引用発明の「ウエーハボート内に整列された半導体ウエーハを、内部圧力の放出が可能な中間容器内にドープ剤としてのリンと共に収容し、この状態で前記中間容器を反応炉内に装入してキャリヤガスを流通させつつ加熱することにより、前記半導体ウエーハにドーパント物質を高濃度かつ均一に熱拡散させ」る工程についてみると、当該工程において、「ドーパント物質」、すなわち「ドープ剤としてのリン」が「半導体ウエーハ」の表裏両面より拡散されていることは、図５に記載された従来技術からも明らかである。
　そして、引用発明においては、「前記半導体ウエーハにドーパント物質を高濃度かつ均一に熱拡散させ、ドライブイン後の前記半導体ウエーハ表面のシート抵抗ρｓが０．１１±０．０１Ω／□」となっているから、引用発明においては、拡散後の「前記半導体ウエーハ表面のシート抵抗ρｓが０．１１±０．０１Ω／□」となる量の「リン」が拡散されているものと認められる。
　
（１−３−２）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が一定の範囲となる量の、リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程を備えることを特徴とする拡散ウェハの製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗」が、補正発明は「０．０８５〜０．１１５Ω／□」であるのに対して、引用発明は「０．１１±０．０１Ω／□」である点。
　
（相違点２）
　補正発明は「該不純物拡散を行ったシリコンウェハを、その厚み方向における中央部で２分割する工程と、得られるシリコンウェハの切断面を研磨する工程」を備えているのに対して、引用発明はそのような構成を備えていない点。
　
（１−４）相違点についての当審の判断
（１−４−１）相違点１について
　引用発明の「０．１１±０．０１Ω／□」というシート抵抗の範囲は、補正発明の「０．０８５〜０．１１５Ω／□」というシート抵抗の範囲と、「０．１０〜０．１１５Ω／□」という範囲で重複しており、かつ、本願の明細書又は図面を参照しても、「０．０８５Ω／□」及び「０．１１５Ω／□」という値に臨界的意義は認められないから、引用発明において、「ドライブイン後の前記半導体ウエーハ表面のシート抵抗ρｓ」を補正発明のように「０．０８５〜０．１１５Ω／□」とすることは、当業者が通常行う試行錯誤を通じて適宜なし得た程度のことである。
　
（１−４−２）相違点２について
　引用発明に係る「高濃度拡散ウエーハの製造方法」により得られる「半導体ウエーハ」は、両面に不純物拡散領域が形成されたものになることは当業者にとって明らかである。
　一方、引用発明は、引用例の０００３段落に記載されているように、「パワートランジスタ用トリプル拡散ウエーハ等」に用いられる「半導体ウエーハ」を製造することを目的とするものであるが、「パワートランジスタ用トリプル拡散ウエーハ等」は、片面のみに不純物拡散領域が存在する構造であることは当業者における技術常識であるから、当該「パワートランジスタ用トリプル拡散ウエーハ等」を得るために、引用発明に対して、両面に不純物拡散領域が存在する「半導体ウエーハ」を、片面のみに不純物拡散領域が存在する「半導体ウエーハ」に加工する工程を付加することは、当業者が当然になし得たことである。
　
　ところで、一般に、両面に不純物拡散領域が存在する半導体ウエーハを、片面のみに不純物拡散領域が存在する半導体ウエーハに加工するに際して、両面に不純物拡散領域が存在する半導体ウエーハを、その厚み方向における中央部で２分割した後、得られる半導体ウエーハの切断面を研磨することにより、片面のみに不純物領域が存在する半導体ウエーハを得るという手法は、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平１０−３２６７５３号公報（以下「周知例」という。）の０００３段落に、「従来の手法（２）」として、「上記の従来方法（１）ではウエハの両面に形成されていた拡散層のどちらか一方は研削・研磨加工により除去され、結果的には拡散工程の半分が無駄になってしまうと言うことから、同じくトランジスターの例であるが以下の方法が最近取り入れられている。その方法は、素材ウエハとして上記従来方法（１）のほぼ２倍程の厚さを有するウエハの両面より同様に拡散層を形成し、その後ウエハ厚さ方向の中央部よりウエハを２分割し、その切断面を研削・研磨加工し２枚のデスクリート用基板を製造する方法である。」と記載されていることから明らかなように、本願の出願前において当業者の周知技術である。
　
　したがって、引用発明に対して、両面に不純物拡散領域が存在する「半導体ウエーハ」を、片面のみに不純物拡散領域が存在する「半導体ウエーハ」に加工する工程を付加するに際して、上記周知例に記載された周知技術を適用し、両面に不純物拡散領域が存在する「半導体ウエーハ」を、その厚み方向における中央部で２分割した後、得られる「半導体ウエーハ」の切断面を研磨することにより、片面のみに不純物領域が存在する半導体ウエーハを得る工程を付加すること、すなわち、補正発明のように、「該不純物拡散を行ったシリコンウェハを、その厚み方向における中央部で２分割する工程と、得られるシリコンウェハの切断面を研磨する工程」を付加することは、当業者が容易になし得たことである。
　
（１−４−３）判断についてのまとめ
　以上のとおりであるから、補正発明は、上記周知例に記載された周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（２）特許法第３６条第４項についての検討
（２−１）補正発明の「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の、リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程」についてみると、当該工程において拡散させる元素は、「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の」「リン」、「アンチモン」、若しくは「ボロン」、又はそれらを任意に組み合わせたものであると認められる。
　
（２−２）一方、本願の明細書には、「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□」とすることに関連して、以下の記載がある。
　「　【０００５】
　拡散ウェハを用いてパワーＭＯＳトランジスタなどのデバイスを製造する際、欠陥密度が多いと得られる半導体デバイスは、リーク不良などの不良の原因となり、半導体デバイス製造歩留が低下するため、この欠陥密度を３００個／ｃｍ２以下にすることが要請されている。」
　「　【０００７】
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、拡散シリコンウェハにおける上記問題点に鑑みてなされたもので、拡散シリコンウェハを製造する過程で発生する拡散転移を制御することにより、この拡散シリコンウェハを用いて半導体デバイスを形成する工程において、結晶欠陥の発生を抑制することを目的とするものである。」
　「　【００１３】
　すなわち、本発明においては、シリコンウェハに不純物を拡散する際、拡散後に得られる拡散面のシート抵抗を０．１００±０．０１５Ω／□の値となる様な不純物量を拡散する。そして、この不純物濃度ではシリコンウェハの拡散層内に多くの拡散転位が発生するが、この拡散転位は、非拡散層と拡散層の境界より深部において格子状の構造を形成し、不純物拡散によって生じる応力を緩和し、また酸化等の熱処理による非拡散層への転位の成長を止め、デバイスでの規定の歩留を得るための欠陥密度３００個／ｃｍ２以下という低欠陥密度の拡散ウェハを得ることを可能にしたものである。」
　「　【００２３】
　　【実施例】
（実施例および比較例）
　ＭＣＺ結晶を、スライスおよびラッピングすることにより得られたシリコンウェハを熱拡散炉に配置し、不純物ガスとして塩化リンを使用し、またキャリアガスとして窒素ガスを使用して、シリコンウェハ表面に堆積するリン酸化物の量が異なるように７つの堆積シリコンウェハを作製した。次いで、これらの堆積シリコンウェハを、１１００℃で５時間１０分、酸化熱処理を行なった後、酸化膜をＨＦにて除去し、軽度のエッチングを行ない光学顕微鏡にて結晶欠陥を観察・計測した。拡散シリコンウェハ上の観察位置は、図３に示す通りシリコンウェハ中央とシリコンウェハのエッジから５ｍｍの８点、計９点である。
　以上の結果を図２に示す。
　　　【００２４】
　図２から明らかなように、拡散工程後のシート抵抗が高いものは、転位の密度が高く、シート抵抗が低くなるに伴い、欠陥密度も下がっているが、０．１００Ω／□付近を境に再び欠陥密度が高くなる。このグラフからもわかるように欠陥密度が３００個／ｃｍ２以下の拡散ウェハを得るためのシート抵抗は、０．１００±０．０１５Ω／□の範囲が最適であることが判明した。」
　
（２−３）上記の記載のうち、０００５段落及び００１３段落の記載を総合すると、補正発明において、「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の、リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面より拡散」している理由は、「拡散ウェハを用いてパワーＭＯＳトランジスタなどのデバイスを製造する際、」「欠陥密度を３００個／ｃｍ２以下にすることが要請されている」ところ、「シリコンウェハに不純物を拡散する際、拡散後に得られる拡散面のシート抵抗を０．１００±０．０１５Ω／□の値となる様な不純物量を拡散す」れば、「欠陥密度３００個／ｃｍ２以下という低欠陥密度の拡散ウェハを得る」ことができるためであると認められる。
　そして、「シリコンウェハに不純物を拡散する際、拡散後に得られる拡散面のシート抵抗を０．１００±０．０１５Ω／□の値となる様な不純物量を拡散す」れば、「欠陥密度３００個／ｃｍ２以下という低欠陥密度の拡散ウェハを得る」ことができることの根拠として、００２３段落〜００２４段落に、「不純物ガスとして塩化リンを使用し、」「シリコンウェハ表面に堆積するリン酸化物の量が異なるように７つの堆積シリコンウェハを作製した。次いで、これらの堆積シリコンウェハを、１１００℃で５時間１０分、酸化熱処理を行なった後、酸化膜をＨＦにて除去し、軽度のエッチングを行な」った場合の実験結果が図２とともに記載されており、当該実験結果を基に、「欠陥密度が３００個／ｃｍ２以下の拡散ウェハを得るためのシート抵抗は、０．１００±０．０１５Ω／□の範囲が最適であることが判明した。」との結論が出されている。
　
（２−４）一方、補正発明は、「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の」「リン」、「アンチモン」、若しくは「ボロン」、又はそれらを任意に組み合わせたものをシリコンウェハの表裏両面から拡散させるものであるから、補正発明が所期の課題を解決できるためには、「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の」「リン」、「アンチモン」、若しくは「ボロン」、又はそれらを任意に組み合わせたものをシリコンウェハの表裏両面から拡散させた場合に、「欠陥密度が３００個／ｃｍ２以下」となることが必要であることは明らかである。
　そして、一般に、半導体ウエハに不純物を拡散させた場合に、拡散面のシート抵抗がどのような値となるかは、不純物の種類、濃度、拡散の際の温度や時間等により異なり、また、同様に、半導体ウエハに不純物を拡散させた場合に、欠陥密度がどのような値になるかも、不純物の種類、濃度、拡散の際の温度や時間等により異なるものと認められ、拡散面のシート抵抗と欠陥密度との間に自明な相関関係は存在しないから、「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の」「リン」、「アンチモン」、若しくは「ボロン」、又はそれらを任意に組み合わせたものをシリコンウェハの表裏両面から拡散させた場合に、「欠陥密度が３００個／ｃｍ２以下」となることを示すためには、発明の詳細な説明において、それを理論的に説明するか、「リン」、「アンチモン」、若しくは「ボロン」、又はそれらを任意に組み合わせたものについて、各々「欠陥密度が３００個／ｃｍ２以下」となる実験データを示すことが必要であると認められる。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明においては、拡散面のシート抵抗と欠陥密度との関係についての理論的な説明は記載されておらず、かつ、実験データについても、「リン」を拡散させた場合について記載されているのみであり、「アンチモン」若しくは「ボロン」、又は「リン」、「アンチモン」、「ボロン」を組み合わせたものを拡散させた場合の実験データについては記載されていない。
　そして、前述のように、「拡散面のシート抵抗」及び「欠陥密度」は、ともに不純物の種類により影響を受けるものであるから、「リン」での結果が他の物質についてそのまま当てはまるとは考えられない。
　
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、「拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の」「リン」、「アンチモン」、若しくは「ボロン」、又はそれらを任意に組み合わせたものをシリコンウェハの表裏両面から拡散させた場合に、「欠陥密度が３００個／ｃｍ２以下」となることの根拠、換言すれば補正発明が課題を解決できることの根拠について、当業者が理解できる程度に十分に記載されているとは認められないから、本願の発明の詳細な説明は、補正発明について経済産業省令で定めるところにより記載されたものではなく、また、本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて、当業者が補正発明の実施をすることも困難である。
　
（２−５）以上検討したとおり、本願の発明の詳細な説明は、補正発明について、経済産業省令で定めるところにより、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正発明が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件補正後の明細書における発明の詳細な説明が、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
４．補正の却下の決定についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．平成１８年１２月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年７月１０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　拡散後のシリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□となる量の不純物元素をシリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程と、該不純物拡散を行ったシリコンウェハを、その厚み方向における中央部で２分割する工程と、得られるシリコンウェハの切断面を研磨する工程からなることを特徴とする拡散ウェハの製造方法。」
　
２．一方、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平４−２４５４２３号公報（引用例）には、上記第２．３．（１−２）に記載したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を付加した発明である補正発明は、上記第２．３．（１）において検討したとおり、上記周知例に記載された周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、上記周知例に記載された周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．また、上記第２．３．（２）において検討したとおり、本願の発明の詳細な説明は、「リン」を拡散させた場合についての実験データ等が記載されているのみであるから、「シリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程」において拡散させる元素が「リン、アンチモン、及びボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種」である補正発明について、経済産業省令で定めるところにより、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、補正発明よりも技術的範囲が広く、「シリコンウェハの表裏両面より拡散する拡散工程」において拡散させる元素が特定されていない本願発明についても当然に、経済産業省令で定めるところにより、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしてない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。