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【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、
（１）（Ａ）ポリブチレンテレフタレート樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）４価以上のアルコールと炭素数１５以上の高級脂肪酸からなる高級脂肪酸エステル０．０５〜５．０重量部、（Ｃ）炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩０．０１〜１．０重量部を含有し、さらに、（Ｂ）４価以上のアルコールと炭素数１５以上の高級脂肪酸からなる高級脂肪酸エステルと（Ｃ）炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩の配合比率が（Ｂ）／（Ｃ）＝１／１〜２０／１（重量比）であり、（Ｃ）炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩を、窒素雰囲気下１３０℃で３０分加熱処理後、窒素雰囲気下２６０℃で３０分加熱処理したときの重量減量が１．５０％以下であるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物、
（２）（Ｃ）炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩の金属塩が、アルカリ金属塩および／またはアルカリ土類金属である（１）に記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物、
（３）さらに、（Ｄ）非晶性樹脂１〜１００重量部を含有する（１）または（２）に記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物、
（４）（Ｄ）非晶性樹脂が、スチレン系樹脂および／またはポリカーボネート樹脂である（１）〜（３）のいずれかに記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物、
（５）さらに、（Ｅ）難燃剤１〜１００重量部および／または（Ｆ）難燃助剤１〜１５０重量部を含有する（１）〜（４）のいずれかに記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物、
（６）（Ｅ）難燃剤が、臭素系難燃剤または、リン系難燃剤、（Ｆ）難燃助剤が、アンチモン化合物または含窒化合物である（５）に記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
窒素雰囲気下１３０℃で３０分加熱処理後、窒素雰囲気下２６０℃で３０分加熱処理したときの重量減量が１．５０％以下である炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩
（Ｃ−１） ベヘン酸カルシウム：（日東化成（株）製”ＣＳ−７”、重量減量１．２７％）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリブチレンテレフタレート樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）４価以上のアルコールと炭素数１５以上の高級脂肪酸からなる高級脂肪酸エステル０．０５〜５．０重量部、（Ｃ）炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩０．０１〜１．０重量部を含有し、さらに、（Ｂ）４価以上のアルコールと炭素数１５以上の高級脂肪酸からなる高級脂肪酸エステルと（Ｃ）炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩の配合比率が（Ｂ）／（Ｃ）＝１／１〜２０／１（重量比）であり、（Ｃ）炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩を、窒素雰囲気下１３０℃で３０分加熱処理後、窒素雰囲気下２６０℃で３０分加熱処理したときの重量減量が１．５０％以下であるポリブチレンテレフタレート樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｃ）炭素数２０以上の高級脂肪酸金属塩の金属塩が、アルカリ金属塩および／またはアルカリ土類金属塩である請求項１に記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物。
【請求項３】
さらに、（Ｄ）非晶性樹脂１〜１００重量部を含有する請求項１または２に記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｄ）非晶性樹脂が、スチレン系樹脂および／またはポリカーボネート樹脂である請求項１〜３のいずれかに記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物。
【請求項５】
さらに、（Ｅ）難燃剤１〜１００重量部および／または（Ｆ）難燃助剤１〜１５０重量部を含有する請求項１〜４のいずれかに記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｅ）難燃剤が、臭素系難燃剤、または、リン系難燃剤、（Ｆ）難燃助剤が、アンチモン化合物または含窒化合物である請求項５に記載のポリブチレンテレフタレート樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する吐出口と連通する流路を形成する流路形成部材を有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記基板上に有機物の層を設ける工程と、
前記有機物の層上に、溶解可能な樹脂を塗布して樹脂層を設ける工程と、
前記樹脂層をパターニングして前記流路の形状のパターンを形成する工程と、
前記パターンを被覆するように前記流路形成部材となる被覆層を設ける工程と、
前記被覆層に前記吐出口を形成し、前記吐出口から前記パターンの一部を露出させる工程と、
前記吐出口から前記パターンを溶出させて前記流路を形成する工程と、
前記流路形成部材の、前記吐出口が設けられた面に付着している、前記有機物を含む付着物に紫外線を照射する工程と、
前記付着物を除去する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
基板上に形成された前記有機物の層に紫外線を照射して前記有機物の層の表面の前記有機物を部分的に崩壊させたのちに、前記有機物の層上に前記溶解可能な樹脂を塗布することを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記付着物は前記樹脂層を形成する化合物を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記付着物は、前記化合物と前記有機物との相溶物であることを特徴とする請求項３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記パターンを溶出させる際に使用した溶媒を用いて、前記付着物をリンスすることにより、前記付着物を除去することを特徴とする請求項４に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記有機物はポリエーテルアミドであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
シクロヘキサノンを溶媒として使用して、前記溶解可能な樹脂を塗布することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記紫外線は前記吐出口が設けられている面全体に照射されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
液体を吐出する吐出口が形成された吐出口形成部材と、前記吐出口と連通する流路の側壁が形成された側壁形成部材と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記基板上に有機物の層を設ける工程と、
前記有機物の層上に、前記有機物の層が部分的に露出するように、前記側壁形成部材を設ける工程と、
溶解可能な樹脂を塗布して前記流路となる部分を満たし前記有機物の層と前記側壁形成部材とを被覆する樹脂層を設ける工程と、
前記側壁の一部が露出する状態となるように、前記樹脂層を基板に向かって研磨する工程と、
前記側壁と前記樹脂層との上に、前記吐出口形成部材を設ける工程と、
前記樹脂層を前記吐出口から溶出して前記流路を形成する工程と、
前記吐出口形成部材の前記吐出口が設けられた面に付着している、前記有機物を含む付着物に紫外線を照射する工程と、
前記付着物を除去する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記有機物の層に紫外線を照射して前記有機物の層の表面を部分的に崩壊させた後に、前記有機物の層上に前記溶解可能な樹脂を塗布することを特徴とする請求項９に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂層を溶出させる際に使用した溶媒を用いて、前記付着物をリンスすることにより、前記付着物を除去することを特徴とする請求項９または１０に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置の運転方法であって、
前記開口の内部と連通された供給口から前記ウエハが前記上面に載せられていない間、または開口が前記処理室に曝されている間、あるいは前記ウエハの受け渡しの動作の間にガスを前記開口を介して前記処理室に供給して、前記開口の内側を処理室内部より高い圧力にするプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、前記試料台上方の前記処理室内にプラズマが形成された間に前記複数のピンが駆動されその上端が前記試料台の上面上方に移動した状態で前記不活性ガスが前記処理室内に供給されるプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、前記プラズマ処理装置が前記開口の下方に配置され前記ピンの下部の周囲を覆いこのピンの上下の移動に伴って伸縮するベローズを備え、前記ガス供給口からの前記ガスにより前記ベローズ内部の空間が充填されるプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、前記プラズマ処理装置が前記ベローズの内側に配置され各々が前記ピン下部の周囲を覆う上下２つの管状の部材とを備え、これら２つの管状の部材のうち下方の部材は前記ピンの移動に伴って上下に移動して前記ピンが前記試料台内部に収納された状態で少なくともその一部が上方の前記管状の部
材と隙間を介して重なり合って前記ピンを二重に覆うプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、前記プラズマ処理装置が前記ベローズ内部の空間と外部とを気密に封止するシール部材とを備え前記ベローズ内部の空間が前記不活性ガスにより充填されるプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項６】
真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記開口の内部と連通され前記ウエハが前記上面に載せられていない間、または開口が前記処理室に曝されている間、あるいは前記ウエハの受け渡しの動作の間にガスを前記開口の内部に供給するガス供給口を備え、前記開口の内部が前記ガス供給口からのガスの供給により前記処理室内部より高圧にされるプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料台上方の前記処理室内にプラズマが形成された間に前記複数のピンが駆動されその上端が前記試料台の上面上方に移動した状態で前記不活性ガスが前記処理室内に供給されるプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載のプラズマ処理装置であって、前記開口の下方に配置され前記ピンの下部の周囲を覆いこのピンの上下の移動に伴って伸縮するベローズとを備え、前記ガス供給口からの前記ガスにより前記ベローズ内部の空間が充填されるプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマ処理装置であって、前記ベローズの内側に配置され各々が前記ピン下部の周囲を覆う上下２つの管状の部材とを備え、これら２つの管状の部材のうち下方の部材は前記ピンの移動に伴って上下に移動して前記ピンが前記試料台内部に収納された状態で少なくともその一部が上方の前記管状の部材と隙間を介して重なり合って前記ピンを二重に覆うプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項７乃至８のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記ベローズ内部の空間と外部とを気密に封止するシール部材とを備え前記ベローズ内部の空間が前記不活性ガスにより充填されるプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的は、真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置の運転方法であって、前記開口の内部と連通された供給口から前記ウエハが前記上面に載せられていない間、または開口が前記処理室に曝されている間、あるいは前記ウエハの受け渡しの動作の間にガスを前記開口を介して前記処理室に供給して、前記開口の内側を処理室内部より高い圧力にする真空処理方法により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記目的は、真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置であって、前記開口の内部と連通され前記ウエハが前記上面に載せられていない間、または開口が前記処理室に曝されている間、あるいは前記ウエハの受け渡しの動作の間にガスを前記開口の内部に供給するガス供給口を備え、前記開口の内部が前記ガス供給口からのガスの供給により前記処理室内部より高圧にされるプラズマ処理装置により達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、前記真空容器内に配置され被加工試料を載置する試料台と、前記試料台に対向し前記被加工試料直径よりも大きな直径のガス供給面を有するガス供給手段とを有し、前記被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、
前記ガス供給手段のガス供給面の前記被加工試料に面する領域には複数の同一直径のガス噴出し孔が配置されており、
前記ガス供給面に前記被加工試料直径の１倍から１.１倍の範囲内に前記ガス噴出し孔を、前記被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔の孔数密度の１.５倍から４倍の範囲内の孔数密度で配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
真空容器と、前記真空容器内に配置され被加工試料を載置する試料台と、前記試料台に対向し前記被加工試料直径よりも大きな直径のガス供給面を有するガス供給手段とを有し、前記被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、
前記ガス供給手段のガス供給面の前記被加工試料に面する領域には複数の同一直径のガス噴出し孔が配置されており、
前記ガス供給面に前記被加工試料直径の１倍から１.１倍の範囲内に前記被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔直径の１.１倍から１.５倍の範囲内の直径の値で複数の前記ガス噴出し孔を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
前記ガス供給面と前記試料台の前記試料が載置される面との間の距離が２４mmにされたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、
前記被加工試料直径をＤ、前記被加工試料から前記ガス供給面までの距離をＬとした時、アスペクト比（Ｄ／Ｌ）が２以上であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記課題を解決するために、本発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に配置され被加工試料を載置する試料台と、前記試料台に対向し前記被加工試料直径よりも大きな直径のガス供給面を有するガス供給手段とを有し、前記被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記ガス供給手段のガス供給面の前記被加工試料に面する領域には複数の同一直径のガス噴出し孔が配置されており、前記ガス供給面に前記被加工試料直径の１倍から１.１倍の範囲内に前記ガス噴出し孔を、前記被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔の孔数密度の１.５倍から４倍の範囲内の孔数密度で配置したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、真空容器と、前記真空容器内に配置され被加工試料を載置する試料台と、前記試料台に対向し前記被加工試料直径よりも大きな直径のガス供給面を有するガス供給手段とを有し、前記被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記ガス供給手段のガス供給面の前記被加工試料に面する領域には複数の同一直径のガス噴出し孔が配置されており、前記ガス供給面に前記被加工試料直径の１倍から１.１倍の範囲内に前記被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔直径の１.１倍から１.５倍の範囲内の直径の値で複数の前記ガス噴出し孔を配置したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板に実装された半導体素子と、を有する半導体パッケージを複数備え、前記複数の半導体パッケージが積み重ねられた積層型半導体パッケージにおいて、
互いに対向する２つの配線基板を接合する複数の接合用電極端子を有し、
前記２つの配線基板で挟まれた領域には少なくとも１つの前記半導体素子が配置されており、
前記２つの配線基板で挟まれた領域のうち、前記複数の接合用電極端子が設けられた領域には封止樹脂材が充填されており、前記封止樹脂材は前記半導体素子と非接触状態である、
ことを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記２つの配線基板間に介在する前記半導体素子の周りに空隙が形成されており、前記空隙により前記封止樹脂材と非接触状態となっている、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記２つの配線基板間に介在する前記半導体素子が、前記封止樹脂材よりも熱伝導率の低い低熱伝導性樹脂材で覆われており、前記低熱伝導性樹脂材により前記封止樹脂材と非接触状態となっている、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記低熱伝導性樹脂材は、多孔性の材料である、
ことを特徴とする請求項３に記載の積層型半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、配線基板と、前記配線基板に実装された半導体素子と、を有する半導体パッケージを複数備え、前記複数の半導体パッケージが積み重ねられた積層型半導体パッケージにおいて、互いに対向する２つの配線基板を接合する複数の接合用電極端子を有し、前記２つの配線基板で挟まれた領域には少なくとも１つの前記半導体素子が配置されており、前記２つの配線基板で挟まれた領域のうち、前記複数の接合用電極端子が設けられた領域には封止樹脂材が充填されており、前記封止樹脂材は前記半導体素子と非接触状態である、ことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部の処理室内に処理用ガスが供給されプラズマが形成されてこの処理室内に配置されたウエハが処理される真空容器と、この真空容器と連結され前記ウエハが減圧された内部の搬送室内を搬送される真空搬送容器とを備えた真空処理装置であって、
前記真空搬送容器の蓋の前記搬送室側の表面に貼り付けられた耐プラズマ性を有する樹脂性のフィルムとを備え、
前記フィルムは、前記蓋に貼り付けられる前の状態でその貼り付け面にこのフィルムの一端から他端まで延在する複数の溝を備えて、貼り付け後に前記溝の内側面が前記蓋の表面に密着した真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、前記蓋はその外周縁部が前記真空搬送容器本体と接続されて指示される板状の部材である真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、前記蓋の中央部の前記搬送室側の表面を前記フィルムが配置された真空処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の真空処理装置であって、前記フィルムがポリイミドまたはポリエステルを主成分とする樹脂から構成された真空搬送装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の真空処理装置であって、前記蓋が接地電位にされ、前記フィルムが前記蓋との間で導通性を備えた真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的は、内部の処理室内に処理用ガスが供給されプラズマが形成されてこの処理室内に配置されたウエハが処理される真空容器と、この真空容器と連結され前記ウエハが減圧された内部の搬送室内を搬送される真空搬送容器とを備えた真空処理装置であって、前記真空搬送容器の蓋の前記搬送室側の表面に貼り付けられた耐プラズマ性を有する樹脂性のフィルムとを備え、前記フィルムは、前記蓋に貼り付けられる前の状態でその貼り付け面にこのフィルムの一端から他端まで延在する複数の溝を備えて、貼り付け後に前記溝の内側面が前記蓋の表面に密着したことにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング法を用いて、基板上に非晶質構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に熱処理を施すことで、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む酸化物半導体層を形成し、
前記結晶粒を含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
スパッタリング法を用いて、基板上に非晶質構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に熱処理を施すことで、非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む酸化物半導体層を形成し、
前記結晶粒を含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
スパッタリング法を用いて、基板上に非晶質構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に熱処理を施すことで、非晶質構造中に、ＩｎＧａＺｎＯ４で表される結晶粒を含む酸化物半導体層を形成し、
前記結晶粒を含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
スパッタリング法を用いて、基板上に非晶質構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に熱処理を施すことで、非晶質構造中に、結晶粒を含む酸化物半導体層を形成し、
前記結晶粒を含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
スパッタリング法を用いて、基板上に非晶質構造を有するＩｎとＧａとＺｎとを含む酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に熱処理を施すことで、非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む酸化物半導体層を形成し、
前記結晶粒を含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
スパッタリング法を用いて、基板上に非晶質構造を有するＩｎとＧａとＺｎとを含む酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に熱処理を施すことで、非晶質構造中に、ＩｎＧａＺｎＯ４で表される結晶粒を含む酸化物半導体層を形成し、
前記結晶粒を含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
スパッタリング法を用いて、基板上に非晶質構造を有するＩｎとＧａとＺｎとを含む酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に熱処理を施すことで、非晶質構造中に、結晶粒を含む酸化物半導体層を形成し、
前記結晶粒を含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層における前記非晶質構造の割合は９０体積％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記チャネル形成領域に対して酸素ラジカル処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記酸素ラジカル処理は、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、酸素を含むＮ２、Ｈｅ、又はＡｒを含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８又は請求項１０において、
前記酸素ラジカル処理は、前記基板にバイアス電圧を印加せずに行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記酸化物半導体層中のＺｎの含有量（原子％）が、Ｉｎの含有量（原子％）未満かつＧａの含有量（原子％）未満となるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｚｎの含有量（原子％）がＩｎの含有量（原子％）以下かつＧａの含有量（原子％）以下のターゲットを用いて、前記スパッタリング法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記熱処理は、３５０℃以上の温度で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記熱処理は、窒素を含む雰囲気で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、
前記酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、
前記酸化物半導体層は、非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、
前記酸化物半導体層は、非晶質構造中に、ＩｎＧａＺｎＯ４で表される結晶粒を含む構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、
前記酸化物半導体層は、非晶質構造中に、結晶粒を含む構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
ＩｎとＧａとＺｎとを含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、
前記酸化物半導体層は、非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
ＩｎとＧａとＺｎとを含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、
前記酸化物半導体層は、非晶質構造中に、ＩｎＧａＯＺｎ４で表される結晶粒を含む構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
ＩｎとＧａとＺｎとを含む酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、
前記酸化物半導体層は、非晶質構造中に、結晶粒を含む構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１６乃至請求項２２のいずれか一において、
前記酸化物半導体層における前記非晶質構造の割合は９０体積％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１６乃至請求項２３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層中のＺｎの含有量（原子％）を、Ｉｎの含有量（原子％）未満かつＧａの含有量（原子％）未満としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項１６乃至請求項２４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｚｎの含有量（原子％）がＩｎの含有量（原子％）以下かつＧａの含有量（原子％）以下のターゲットを用いたスパッタリング法により形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４に記載の電気機器は、請求項１乃至３いずれか一に記載の電子部品実装モジュールと；電子部品実装モジュールの基板が金属微粒子膜を介在して配設される放熱部材と；を具備するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に動作時に発熱する電子部品が実装され、電子部品が実装された一面に対して反対側の他面が放熱部材に配設される非金属製の基板と；
基板と放熱部材との間に介在されるように形成された金属微粒子膜と；
を具備することを特徴とする電子部品実装モジュール。
【請求項２】
基板はセラミックス製であり、電子部品はＬＥＤであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装モジュール。
【請求項３】
金属微粒子膜は、セラミックス製の基板に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一に記載の電子部品実装モジュールと；
電子部品実装モジュールの基板が金属微粒子膜を介在して配設される放熱部材と；
を具備することを特徴とする電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、
前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと、前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットと、
前記物理ツールユニットを前記基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、
前記ノズルユニットを前記基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、を備え、
前記物理ツールユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記物理ツールユニットを移動させる送りねじと、を有しており、
前記ノズルユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記ノズルユニットを前記物理ユニットの移動と同期して、移動させる送りねじと、を有していることを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記物理ツールユニットと、前記ノズルユニットと、前記物理ツールユニット移動機構部と、そして前記ノズルユニット移動機構部と、を収容するケースを備えるノズルヘッド装置と、
前記ノズルヘッド装置を前記基板の表面に対して移動させるノズルヘッド装置の移動操作部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ノズルヘッド装置の移動操作部は、
前記ノズルヘッド装置を、前記基板の回転中心軸と平行な方向に上下移動させる上下移動部と、
前記ノズルヘッド装置を、前記基板上に揺動させる回転支持部と、を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ノズルユニット移動機構部は、前記ノズルユニットを、前記物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に直線移動させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理方法であって、
前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、
前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと、前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットと、
前記物理ツールユニットを前記基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、
前記ノズルユニットを前記基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、を備え、
前記物理ツールユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記物理ツールユニットを移動させる送りねじと、を有しており、
前記ノズルユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記ノズルユニットを前記物理ユニットの移動と同期して、移動させる送りねじと、を有している基板処理装置を用いて、
前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットを、物理ツールユニット移動機構部により前記基板の表面に沿って直線移動させ、
前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットを、ノズルユニット移動機構部により、前記物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に前記基板の表面に沿って直線移動させることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の基板処理装置は、基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理装
置であって、前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、前記
基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと、前記基板の表面にガスを供給するガス供給
ノズルとを有するノズルユニットと、前記物理ツールユニットを基板の表面に沿って移動
させる物理ツールユニット移動機構部と、前記ノズルユニットを基板の表面に沿って移動
させるノズルユニット移動機構部と、を備え、前記物理ツールユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記物理ツールユニットを移動させる送りねじと、を有しており、
前記ノズルユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記ノズルユニットを前記物理ユニットの移動と同期して、移動させる送りねじと、を有していることを特徴とすることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の基板処理方法は、基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理方法であって、前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、
前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと、前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットと、前記物理ツールユニットを前記基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、前記ノズルユニットを前記基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、を備え、前記物理ツールユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記物理ツールユニットを移動させる送りねじと、を有しており、前記ノズルユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記ノズルユニットを前記物理ユニットの移動と同期して、移動させる送りねじと、を有している基板処理装置を用いて、前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットを、物理ツールユニット移動機構部により前記基板の表面に沿って直線移動させ、前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットを、ノズルユニット移動機構部により、前記物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に前記基板の表面に沿って直線移動させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体素子を形成し、
前記半導体素子上に樹脂層を形成し、
エッチング液を用いて前記剥離層を溶解し、
前記基板と前記半導体素子とを分離することを特徴とするフレキシブル半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にバッファ層を形成し、
前記バッファ層上に半導体素子を形成し、
前記半導体素子上に樹脂層を形成し、
エッチング液を用いて前記剥離層を溶解し、
前記基板と前記半導体素子とを分離することを特徴とするフレキシブル半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記半導体素子を囲うようにレーザを照射して、前記樹脂層に溝を形成し、
前記溝に沿って、前記エッチング液を用いて前記剥離層を溶解することを特徴とするフレキシブル半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記エッチング液を用いて前記剥離層を溶解し、
前記剥離層の溶解した領域にフィルムを挿入し、
前記フィルムを前記剥離層の溶解していない領域に向かって移動させることによって、前記基板と前記半導体素子とを分離することを特徴とするフレキシブル半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記フィルムはポリエチレンナフタレートであることを特徴とするフレキシブル半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記エッチング液はアンモニア−過酸化水素混合液であることを特徴とするフレキシブル半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記樹脂層は紫外線硬化樹脂で形成されることを特徴とするフレキシブル半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記剥離層はタングステンを含むことを特徴とするフレキシブル半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送室を中心としてロードロック室と少なくとも二つの処理室が配置されている基板処理装置であって、
前記搬送室は前記ロードロック室と前記処理室間で基板を搬送する基板搬送部を有し、
前記基板搬送部は、それぞれに基板載置部が設けられた第一のフィンガと第二のフィンガを有する第一のアームを有し、
前記第一と第二のフィンガは同じ方向に水平に延伸され、対になる一方のフィンガの載置部先端には切り欠きが設けられるよう構成され、
前記処理室は、第一の処理部と第二の処理部とを有し、前記第二の処理部は、前記搬送室から前記第一の処理部を挟んで遠方に配置される基板処理装置。
【請求項２】
前記基板搬送部は、第三のフィンガ及び第四のフィンガが設けられた第二のアームを有し、前記第一、第二、第三、第四のフィンガの先端は水平方向であって同じ方向に延伸され
前記第三のフィンガと前記第四のフィンガには基板を載置する載置部がそれぞれ設けられ、それぞれのフィンガの載置部先端には切り欠きが設けられるよう構成される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記フィンガには基板を載置する載置部がそれぞれ設けられ、対になる一方のフィンガの載置部先端と、他方のフィンガの載置部先端は、重ならないように構成される請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第一フィンガと前記第二フィンガには、前記それぞれのフィンガの支持部と前記載置部に跨って貫通孔が設けられている請求項１から３いずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
対になる一方のフィンガの載置部先端には切り欠きが設けられるよう構成され、同じ方向に水平に延伸される第一のフィンガと第二のフィンガを備えた第一のアームを有する基板搬送部が、複数の基板を処理室に搬入する工程と、
前記複数の基板を前記処理室内で処理する工程と、
前記第一のアームが前記処理室から前記複数の基板を搬出する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月23日(2012.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有すると共に、Ｃｕ又はＣｕを含んだ合金により構成されたリードフレーム本体と、
前記リードフレーム本体に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有し、
前記金属膜は、Ａｇ結晶粒の結晶粒間にナノ粒子である炭素粒子が配置されたＡｇめっき膜であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有するリードフレーム本体と、
前記リードフレーム本体に設けられたＣｕ膜と、
前記Ｃｕ膜上に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有し、
前記金属膜は、Ａｇ結晶粒の結晶粒間にナノ粒子である炭素粒子が配置されたＡｇめっき膜であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
前記ナノ粒子の粒径は、０．０１μｍ〜０．５μｍであることを特徴とする請求項１または２記載のリードフレーム。
【請求項４】
請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載のリードフレームと、
前記ダイパッドに接着された前記半導体チップと、
前記金属膜と前記電極パッドを電気的に接続する前記金属ワイヤと、
前記リードの一部、前記半導体チップ、前記金属ワイヤ、及び前記Ａｇめっき膜を封止するモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有すると共に、Ｃｕ又はＣｕを含んだ合金により構成されたリードフレーム本体と、前記リードフレーム本体に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有したリードフレームの製造方法であって、
粒子径が０．０１μｍ〜０．５μｍとされたナノ粒子である炭素粒子が分散されたＡｇめっき液を用いた電解めっき法により、前記金属膜の形成領域に対応する部分の前記リードフレーム本体に、前記金属膜として前記ナノ粒子を含んだＡｇめっき膜を形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項６】
半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有するリードフレーム本体と、前記リードフレーム本体に設けられたＣｕ膜と、前記Ｃｕ膜上に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有したリードフレームの製造方法であって、
前記金属膜の形成領域に対応する部分の前記リードフレーム本体に、めっき法により前記Ｃｕ膜を形成するＣｕ膜形成工程と、
粒子径が０．０１μｍ〜０．５μｍとされたナノ粒子である炭素粒子が分散されたＡｇめっき液を用いた電解めっき法により、前記Ｃｕ膜上に、前記金属膜として、前記ナノ粒子を含んだＡｇめっき膜を形成するＡｇめっき膜形成工程と、を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記Ａｇめっき液は、前記ナノ粒子を０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％含有することを特徴とする請求項５または６記載のリードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一観点によれば、半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有すると共に、Ｃｕ又はＣｕを含んだ合金により構成されたリードフレーム本体と、
前記リードフレーム本体に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有し、
前記金属膜は、Ａｇ結晶粒の結晶粒間にナノ粒子である炭素粒子が配置されたＡｇめっき膜であることを特徴とするリードフレームが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の他の観点によれば、半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有するリードフレーム本体と、
前記リードフレーム本体に設けられたＣｕ膜と、
前記Ｃｕ膜上に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有し、
前記金属膜は、Ａｇ結晶粒の結晶粒間にナノ粒子である炭素粒子が配置されたＡｇめっき膜であることを特徴とするリードフレームが提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明のその他の観点によれば、半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有すると共に、Ｃｕ又はＣｕを含んだ合金により構成されたリードフレーム本体と、前記リードフレーム本体に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有したリードフレームの製造方法であって、
粒子径が０．０１μｍ〜０．５μｍとされたナノ粒子である炭素粒子が分散されたＡｇめっき液を用いた電解めっき法により、前記金属膜の形成領域に対応する部分の前記リードフレーム本体に、前記金属膜として前記ナノ粒子を含んだＡｇめっき膜を形成することを特徴とするリードフレームの製造方法が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のその他の観点によれば、半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有するリードフレーム本体と、前記リードフレーム本体に設けられたＣｕ膜と、前記Ｃｕ膜上に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有したリードフレームの製造方法であって、
前記金属膜の形成領域に対応する部分の前記リードフレーム本体に、めっき法により前記Ｃｕ膜を形成するＣｕ膜形成工程と、
粒子径が０．０１μｍ〜０．５μｍとされたナノ粒子である炭素粒子が分散されたＡｇめっき液を用いた電解めっき法により、前記Ｃｕ膜上に、前記金属膜として、前記ナノ粒子を含んだＡｇめっき膜を形成するＡｇめっき膜形成工程と、を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層と第１のゲート電極とを有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層と、第２のゲート電極と、第３のゲート電極とを有し、
前記第２のゲート電極は、前記第２の酸化物半導体層を介して前記第３のゲート電極と重なり、
前記第２の酸化物半導体層と前記第３のゲート電極の間に、第１の絶縁層と第２の絶縁層とが設けられ、
前記第１の絶縁層は前記第２の酸化物半導体層に接して設けられ、
前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層に接して設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の酸化物半導体層のチャネル方向において、第３のゲート電極の幅は前記第２の酸化物半導体層の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の酸化物半導体層のチャネル方向において、前記第３のゲート電極の幅は前記第１の絶縁層の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上の第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に接する第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接する第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第１のゲート電極は、前記第１の絶縁層、前記酸化物半導体層、前記第２の絶縁層、及び前記第３の絶縁層を介して前記第２のゲート電極と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記酸化物半導体層のチャネル方向において、第２のゲート電極の幅は前記酸化物半導体層の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記酸化物半導体層のチャネル方向において、前記第２のゲート電極の幅は前記第１の絶縁層の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極を形成する第１の工程と、
前記第１電極上に一導電型を有する第１の不純物半導体層を形成する第２の工程と、
前記第１の不純物半導体層上に第１の半導体領域を形成する第３の工程と、
前記第１の半導体領域上に半導体粒子を散布する第４の工程と、
前記第１の半導体領域上及び前記半導体粒子上に第２の半導体領域を形成する第５の工程と、
前記第２の半導体領域上に、前記一導電型と逆の導電型を有する第２の不純物半導体層を形成する第６の工程と、
前記第２の不純物半導体層上に第２電極を形成する第７の工程と、を有し、
前記第５の工程において、
前記第１の混合比で前記半導体材料ガスと前記希釈ガスとを前記反応室内に導入してプラズマを生成し、
前記第１の混合比から第２の混合比となるように、前記希釈ガスに対する前記半導体材料ガスの流量を段階的に増加させながら前記半導体材料ガスと前記希釈ガスとを前記反応室内に導入してプラズマを生成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１半導体領域は非晶質半導体領域と結晶質半導体領域とを有し、
前記第１半導体領域において、前記結晶質半導体領域の占める割合は前記非晶質半導体領域の占める割合よりも大きいことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２半導体領域は非晶質半導体領域と結晶質半導体領域とを有し、
前記第２半導体領域において、前記非晶質半導体領域の占める割合は前記結晶質半導体領域の占める割合よりも大きいことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の半導体領域は、放射状結晶と針状の成長端を有する結晶とを有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
第１の電極上に、一導電型を有する第１の不純物半導体層と、
前記第１の不純物半導体層上の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域上の第２の半導体領域と、を有する半導体層と、
前記第２の半導体領域上に、前記一導電型と逆の導電型を有する第２の不純物半導体層と、
前記第２の不純物半導体層上に第２の電極と、を有し、
前記第１の半導体領域は、第１の結晶質半導体領域と第１の非晶質半導体領域とを有し、
前記第１の結晶質半導体領域の占める割合は、前記第１の非晶質半導体領域の占める割合よりも大きく、
前記第２の半導体領域は、第２の結晶質半導体領域と第２の非晶質半導体領域とを有し、
前記第２の非晶質半導体領域の占める割合は、前記第２の結晶質半導体領域の占める割合よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の半導体領域は、放射状結晶と針状の成長端を有する結晶とを有することを特徴とする光電変換装置。