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【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浅穴の穴内段部底面及び穴上端面のいずれかを基準にして浅穴内径を測定するようにした内径測定器であって、
浅穴(90)の上端面(90C) に載置される一対のスライドピン(10C) が後述のロッド(20)から幅方向に等しい位置にスライド自在にかつ突出方向に付勢して、しかも固定可能に設けられたベースブロック(10)と、
該ベースブロック(10)の後端に取付けられ、浅穴(90)の内径に対応した長さを有し、後端に後端測定子(20A) が設けられ、該後端測定子(20A) が浅穴(90)の内径面(90A) に当接されるロッド(20)と、
該ロッド(20)の後端部に取付けられ、一対のスライドピン(30B) が両側のロッドから幅方向に等しい位置にスライド自在にかつ突出方向に付勢して、しかも固定可能に設けられ、突出されたスライドピン(30B) が浅穴(90)の上端面(90C) に載置されて上記ベースブロック(10)のスライドピン(10C) とともに上記ベースブロック(10)を上記穴上端面(90C) を基準に水平な姿勢に保持する基準ガイド(30)と、
上記ベースブロック(10)に搭載され、測定子(60C,80A) の変位によって浅穴(90)の内径を表示し、上記ベースブロック(10)及びロッド(20)を水平な姿勢を保った状態で浅穴(90)の内径面(90A) 内で円周方向に移動させて表示の最大値を浅穴(90)の内径とするための測定器本体(60,80) と、
上記ベースブロック(10)の先端に前方に付勢して取付けられ、先端測定子(50C) が上記ロッド(20)の後端測定子(20A) と同軸に固定され、上記測定器本体(60,80) の測定子(60C,80A) が連携され、上記ロッド(20)の後端測定子(20A) が浅穴(90)の内径面(90A) に当接された状態で上記先端測定子(50C) が浅穴(90)の内径面(90A) に当接されることによって上記測定器本体(60,80) の測定子(60C,80A) を浅穴(90)の内径に対応して変位させる基準盤(50)と、
該ベースブロック(10)の下面及び基準ガイド(30)の下面の各々に間隔をあけて取付けられ、浅穴(90)の穴内段部底面(90B) に当接されることによって上記ベースブロック(10)及び基準ガイド(30)を穴内段部底面(90B) を基準に水平な姿勢に保持する複数の下面突部(10D,30G) と、を備えたことを特徴とする内径測定器。
【請求項２】
上記ロッド(20)は異なる内径の浅穴(90)に対応して長さの異なる複数のロッドから選択されたものである請求項１記載の内径測定器。
【請求項３】
上記ロッド(20)に取付けられ、上記ベースブロック(10)及びロッド(20)を深穴(91)内に挿入するためのグリップロッド(70)を更に備え、深穴(91)の内径を測定し得るようにした請求項１記載の内径測定器。
【請求項４】
上記測定器本体はダイヤルゲージ(60)又はてこ式ダイヤルゲージ(80)である請求項１記載の内径測定器。
【請求項５】
浅穴の穴内段部底面又は穴上端面を基準にして浅穴内径を測定するようにした内径測定方法であって、
ベースブロック(10)とロッド(20)とを相互に連結して浅穴(90)の内径に対応した長さとなし、
ベースブロック(10)先端から突出させたスライドピン(10C) を浅穴(90)の穴上端面(90C) に載置するとともに、ロッド(20)の基準ガイド(30)から後方に突出させたスライドピン(30B) を浅穴(90)の穴上端面(90C) に載置することによって、ベースブロック(10)、ロッド(20)及び基準ガイド(30)を浅穴(90)の穴上端面(90C) を基準に水平な姿勢に保持するか、
又はベースブロック(10)及び基準ガイド(30)の下面突部(10D,30G) を浅穴(90)の穴内段部底面(90B) に当接させることによって上記ベースブロック(10)、ロッド(20)及び基準ガイド(30)を穴内段部底面(90B) を基準に水平な姿勢に保持し、
上記ロッド(20)の後端測定子(20A) を浅穴(90)の内径面(90A) に当接させるとともに、基準盤(50)の先端測定子(50C) を進退させて浅穴(90)の内径面(90A) に当接させることにより上記ベースブロック(10)搭載の測定器本体(60,80) の測定子(60C,80A) を変位させ、  上記ベースブロック(10)及びロッド(20)を水平な姿勢を保った状態で浅穴(90)の内径面(90A) 内で円周方向に移動させて測定器本体(60,80) の表示の最大値を求めて浅穴(90)の内径とするようにしたことを特徴とする内径測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に吹き付けられているアスベスト含有吹付け材の除去方法であって、
前記アスベスト含有吹付け材の前記基材との接着面付近に酸性液を注入するようにしたことを特徴とするアスベスト含有吹付け材の除去方法。
【請求項２】
手持ち可能な注入具を用いて、前記酸性液を注入するようにしたことを特徴とする請求項１に記載のアスベスト含有吹付け材の除去方法。
【請求項３】
前記注入具は、適宜量の前記酸性液を吸引可能な注射器であることを特徴とする請求項２に記載のアスベスト含有吹付け材の除去方法。
【請求項４】
前記注射器における注射針は、先端部の針穴が横向きに開口していることを特徴とする請求項３に記載のアスベスト含有吹付け材の除去方法。
【請求項５】
前記注入具による注入箇所の間隔は前記基材における前記接着面の形状に応じて設定され、その形状が複雑になるほど前記注入箇所が密に配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のアスベスト含有吹付け材の除去方法。
【請求項６】
前記アスベスト含有吹付け材の表面に飛散抑制剤を散布することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のアスベスト含有吹付け材の除去方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係るアスベスト含有吹付け材の除去方法では、基材の表面に吹き付けられているアスベスト含有吹付け材の除去方法であって、アスベスト含有吹付け材の基材との接着面付近に酸性液を注入するようにしたことを特徴としている。
また、手持ち可能な注入具を用いて、前記酸性液を注入するようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明では、例えば手持ち式の小型で軽量な注入具を用いて基材とアスベスト含有吹付け材との間（接着面）に酸性液を注入することで、アスベスト含有吹付け材を基材との接触面で酸により分解させて溶解させ、これによりアスベスト含有吹付け材が基材に対して剥離し、さらに自然に落下させることができる。このように、注入作業といった簡単な作業によりアスベスト含有吹付け材を基材に対してほぼ付着残しのない状態で除去することが可能であり、さらに従来のような大型の除去装置やマニピュレータを備えた除去ロボットが不要となり、またケレン棒で粗落としを行った後に磨き上げを行うといった手間のかかる作業も不要となる。そのため、狭小な作業空間においても、人力によって容易に、且つ短時間で除去作業を行うことができる。しかも、例えば基材がＨ型鋼材やボルトといった複雑な形状物から構成される場合であっても、アスベスト含有吹付け材の付着残しがほとんど無い状態で除去を行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のアスベスト含有吹付け材の除去方法によれば、例えば手持ち式の注入具を用いて酸性液を注入するといった手間のかからない簡単な作業によりアスベスト含有吹付け材を基材との接触面で溶解させ、剥離させることが可能であり、基材が複雑な形状であってもほぼ付着残しがない状態で確実に除去することができ、作業時間の低減を図ることができる。
また、大型の除去装置等を用いることがないので、狭小な作業空間であっても除去作業を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載された伝送装置と、
複数の車両それぞれに搭載された伝送装置間を接続する伝送線とを有する鉄道車両内情報ネットワーク装置において、
前記伝送装置は、
前記伝送線を介してデータの送信および受信を行う送受信部と、
前記送受信部および前記伝送線を介して隣接した車両に搭載された伝送装置に対して調整用データを送信し、この調整用データに基づいて前記隣接した車両に搭載された伝送装置で品質評価された結果データを受信し、そして、この結果データに基づき、前記送受信部がデータを送信するときの送信出力、及び前記送受信部がデータを送信するときに使用する周波数帯の一方、または隣接した車両に搭載された伝送装置から受信したデータを評価した結果に基づいて前記送受信部がデータを受信するときの受僧感度、を調整する調整部と、
を備えることを特徴とする鉄道車両内情報ネットワーク装置。
【請求項２】
前記調整部は、電源起動または伝送装置リセット時、システム運用中随時または一定周期毎、運転台に設置される表示操作器や保守用端末からの指令により、送信先の伝送装置に調整用データを送信し、送信先の伝送装置で品質評価された結果データを受信して、前記結果データに基づいて送信出力を自動的に調整することを特徴とする請求項１記載の鉄道車両内情報ネットワーク装置。
【請求項３】
前記調整部は、前記送信出力を調整したときはその送信出力調整値を記憶し、前記伝送装置は、電源再起動時または伝送装置リセット時にその記憶した送信出力調整値で伝送を行うこと特徴とする請求項２記載の鉄道車両内情報ネットワーク装置。
【請求項４】
前記受信感度は、電源起動または伝送装置リセット時、システム運用中随時または一定周期毎、運転台に設置される表示操作器や保守用端末からの指令により、受信データの強度に基づいて受信感度の調整が行なわれることを特徴とする請求項１記載の鉄道車両内情報ネットワーク装置。
【請求項５】
前記受信感度は、前記受信感度を調整したときはその受信感度調整値が記憶され、前記伝送装置は、電源再起動時または伝送装置リセット時にその記憶した受信感度調整値で伝送を行うことを特徴とする請求項４記載の鉄道車両内情報ネットワーク装置。
【請求項６】
前記使用する周波数帯は、電源起動または伝送装置リセット時、システム運用中随時または一定周期毎、運転台に設置される表示操作器または保守用端末からの指令により、送信先の伝送装置に使用周波数調整用データとして送信され、そして送信先の伝送装置の結果データを受信したとき、前記結果データに基づいて使用周波数が自動的に選定されることを特徴とする請求項１記載の鉄道車両内情報ネットワーク装置。
【請求項７】
前記使用する周波数帯は、その周波数帯が複数に分割され、別ネットワークとの信号干渉の影響を回避できるようにネットワ−ク毎に分割した使用周波数帯が割り当てられることを特徴とする請求項１記載の鉄道車両内情報ネットワーク装置。
【請求項８】
前記使用する周波数帯は、前記使用周波数が選定されたときはその使用周波数選定値が記憶され、分割した使用周波数を割り当てたときば分割した使用周波数選定値が記憶され、前記伝送装置は、電源再起動時または伝送装置リセット時にその記憶した使用周波数選定値を用いて伝送を行うことを特徴とする請求項６または請求項７記載の鉄道車両内情報ネットワーク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係わる鉄道車両内情報ネットワーク装置は、車両に搭載された伝送装置と、複数の車両それぞれに搭載された伝送装置間を接続する伝送線とを有する鉄道車両内情報ネットワーク装置において、前記伝送装置は、前記伝送線を介してデータの送信および受信を行う送受信部と、前記送受信部および前記伝送線を介して隣接した車両に搭載された伝送装置に対して調整用データを送信し、この調整用データに基づいて前記隣接した車両に搭載された伝送装置で品質評価された結果データを受信し、そして、この結果データに基づき、前記送受信部がデータを送信するときの送信出力、及び前記送受信部がデータを送信するときに使用する周波数帯の一方、または隣接した車両に搭載された伝送装置から受信したデータを評価した結果に基づいて前記送受信部がデータを受信するときの受僧感度、を調整する調整部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月16日(2012.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次ペイロード通信チャンネルを使用する二次ペイロード通信のための二次ペイロードインターフェースであって、該二次ペイロードインターフェースは、
該一次ペイロード通信チャンネルを二次ペイロードに接続するための複数の入力／出力カプラと、
該二次ペイロードが、該一次ペイロード通信チャンネルを使用して、地上局と通信することを可能にするための回路と
を備えている、二次ペイロードインターフェース。
【請求項２】
前記二次ペイロードは通信衛星上でホストされる、請求項１に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項３】
前記複数の入力／出力カプラは、前記一次ペイロード通信チャンネル内に二次ペイロード通信チャンネルを確立し、該二次ペイロード通信チャンネルは、該一次ペイロード通信チャンネルの残りから分離される、請求項１に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項４】
前記複数の入力／出力カプラは、
指向性カプラ、
オープンコレクタトランジスタドライバ、
固体スイッチ、
電気機械スイッチ、
ＲＦスイッチ、
ＩＦスイッチ、
ベースバンドデータポート、
電力分割器、
光アイソレートデータポート、
フィルタ、
抵抗要素、および、
無線周波数ポートのうちの１つである、請求項１に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項５】
前記回路は、
前記二次ペイロードからデータを受信することと、
該データを暗号化することと
のための暗号化モジュールを備えている、請求項１に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項６】
前記回路は、前記データのビットをデータパケットにフレーミングするデータフレーミングモジュールを備えている、請求項５に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項７】
前記回路は、前記データパケットを前記一次ペイロード通信チャンネルに対して適切なフォーマットに変調する変調器を備えている、請求項６に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項８】
前記フォーマットは直交振幅変調信号を備えている、請求項７に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項９】
前記複数の入力／出力カプラは、前記二次ペイロードが前記地上局と通信している間に、前記一次ペイロードが前記一次ペイロード通信チャンネルの残りを使用することを可能にする、請求項１に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項１０】
前記複数の入力／出力カプラは、前記二次ペイロードが前記地上局と通信していないとき、前記一次ペイロード通信チャンネルのすべてが、前記一次ペイロードに対して回復されることを可能にする、請求項１に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項１１】
前記複数の入力／出力カプラは、前記二次ペイロードの動作状態に関わりなく、前記一次ペイロード通信チャンネルのすべてが、前記一次ペイロードに対して回復されることをさらに可能にする、請求項１０に記載の二次ペイロードインターフェース。
【請求項１２】
一次ペイロード通信チャンネルを使用するペイロード通信のための方法であって、該方法は、
該一次ペイロード通信チャンネルのトランスポンダ経路内に結合して、該一次ペイロード通信チャンネル内に二次ペイロード通信チャンネルを確立することと、
該二次ペイロード通信チャンネルを使用して、二次ペイロードが地上局と通信することを可能にすることと
を包含する、方法。
【請求項１３】
前記二次ペイロードは通信衛星上でホストされる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記二次ペイロード通信チャンネルは、前記一次ペイロード通信チャンネルの残りから分離される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記結合することは、
複数の指向性カプラ、
オープンコレクタトランジスタドライバ、
固体スイッチ、
電気機械スイッチ、
ＲＦスイッチ、および、
ＩＦスイッチのうちの１つを使用して、前記一次ペイロード通信チャンネルの前記トランスポンダ経路内に結合することを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記可能にすることは、
前記二次ペイロードからデータを受信することと、
該データを前記一次ペイロード通信チャンネルに対して適切なフォーマットに変調することと、
該変調されたデータを前記地上局に送信することと
を包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記可能にすることは、
前記地上局からデータを受信することと、
該データを復調することと、
該復調されたデータを前記二次ペイロードに送信することと
を包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記二次ペイロードの通信をディセーブルし、前記一次ペイロード通信チャンネルのすべてを一次ペイロードに対して回復することをさらに包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
通信衛星上でホストされた少なくとも１つの二次ペイロードを制御する方法であって、該方法は、
二次ペイロードインターフェースを使用して、該通信衛星上の一次ペイロード通信チャンネル内の二次ペイロード通信チャンネルを分離することであって、該二次ペイロードインターフェースは、該二次ペイロード通信チャンネルを分離する複数の指向性カプラを備えている、ことと、
該分離された二次ペイロード通信チャンネルを介して、該少なくとも１つの二次ペイロードを安全に制御することと
を包含する、方法。
【請求項２０】
前記通信衛星との制御相互作用を、前記二次ペイロードインターフェースに電力を提供する接続に限定することをさらに包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記通信衛星とのテレメトリ相互作用を、搬送波ロック、温度、ハートビートおよびフレームロックのうちの少なくとも１つを備えている離散的なテレメトリポイントに限定することをさらに包含する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して設けられた第１の封止層および第２の封止層と、
前記対向する第１の封止層と第２の封止層との間に挟持して設けられた光電変換素子群と、
を備え、
前記光電変換素子群の周囲において、前記対向して設けられた第１の封止層と第２の封止層とが接する領域を有し、
前記第１の封止層は、
第１の繊維体に第１の有機樹脂が含浸された第１の構造体と、
前記第１の構造体の前記第２の封止層と接する逆側の面に、第１の保護層とを有し、
前記第２の封止層は、
第２の繊維体に第２の有機樹脂が含浸された第２の構造体と、
前記第２の構造体の前記第１の封止層と接する逆側の面に、第２の保護層とを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
互いに対向して設けられた第１の封止層および第２の封止層と、
前記対向する第１の封止層と第２の封止層との間に挟持して設けられた光電変換素子群と、
を備え、
前記光電変換素子群の周囲において、前記対向して設けられた第１の封止層と第２の封止層とが接する領域を有し、
前記第１の封止層は、
第１の繊維体に第１の有機樹脂が含浸された第１の構造体と、
前記第１の構造体の前記第２の封止層と接する逆側の面に、前記第１の構造体より弾性率が低い第１の保護層とを有し、
前記第２の封止層は、
第２の繊維体に第２の有機樹脂が含浸された第２の構造体と、
前記第２の構造体の前記第１の封止層と接する逆側の面に、前記第２の構造体より弾性率が低い第２の保護層とを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の保護層および前記第２の保護層は、アラミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリイミド樹脂のいずれか一を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記第１の封止層の表面および前記第２の封止層の表面の少なくとも一方に導電層を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記光電変換素子群と前記第１の構造体との間、および、前記光電変換素子群と前記第２の構造体との間の少なくとも一方に無機絶縁層を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第１の封止層と前記第２の封止層は、前記光電変換素子群に対して層構造が対称であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記第１の有機樹脂および前記第２の有機樹脂は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の繊維体および前記第２繊維体は、ポリビニルアルコール繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維、ポリエチレン繊維、アラミド繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記光電変換素子群は、電気的に直列に接続された複数の光電変換素子を有することを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の半導体素子を有する第１の素子層と、
前記第１の素子層と電気的に接続される第１の配線とを有する第１の半導体回路素子を形成し、
第２の半導体素子を有する第２の素子層と、
前記第２の素子層と電気的に接続される第２の配線と、
前記第２の素子層と、前記第２の配線との上に、第１のシート状繊維体と、前記第１のシート状繊維体に含浸し、硬化した第１の有機樹脂とを有する第１の構造体と、
前記第１のシート状繊維体に含浸し、前記第１の構造体を貫通し、前記第２の配線に電気的に接続される第１の電極とを有する第２の半導体回路素子を形成し、
第２のシート状繊維体と、前記第２のシート状繊維体に含浸し、未硬化の第２の有機樹脂とを有する第２の構造体上に、金属粒子を有する導電性樹脂を配置し、
前記導電性樹脂によって、前記第２の有機樹脂が溶解し、前記導電性樹脂が前記第２のシート状繊維体に含浸することで前記第２の構造体を貫通する第２の電極とを形成し、
前記第１の配線と、前記第２の電極と、前記第２の配線とが重なり合うように、
前記第１の半導体回路素子の上に、前記第２の構造体を配置し、
前記第２の構造体の上に、前記第２の半導体回路素子を配置し、
前記未硬化の第２の有機樹脂を硬化させることにより、前記第１の半導体回路素子と、前記第２の構造体と、前記第２の半導体回路素子とを固着させ、
前記固着された前記第１の半導体回路素子と、前記第２の構造体と、前記第２の半導体回路素子とから、前記基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、第１の半導体素子を有する第１の素子層と、
前記第１の素子層と電気的に接続される第１の配線とを有する第１の半導体回路素子を形成し、
第２の半導体素子を有する第２の素子層と、
前記第２の素子層と電気的に接続される第２の配線と、
前記第２の素子層と、前記第２の配線との上に、第１のシート状繊維体と、前記第１のシート状繊維体に含浸し、未硬化の第１の有機樹脂とを有する第１の構造体とを形成し、
前記未硬化の第１の有機樹脂上に、金属粒子を有する第１の導電性樹脂を配置し、
前記第１の導電性樹脂によって、前記第１の有機樹脂が溶解し、前記第１の導電性樹脂が前記第１のシート状繊維体に含浸することで前記第１の構造体を貫通し、前記第２の配線と電気的に接続する第１の電極を形成し、
前記第１の有機樹脂を硬化させて、前記第２の構造体を前記第２の素子層に固着させることで第２の半導体回路素子を形成し、
第２のシート状繊維体と、前記第２のシート状繊維体に含浸し、未硬化の第２の有機樹脂とを有する第２の構造体上に、金属粒子を有する第２の導電性樹脂を配置し、
前記第２の導電性樹脂によって、前記第２の有機樹脂が溶解し、前記第２の導電性樹脂が前記第２のシート状繊維体に含浸することで前記第２の構造体を貫通する第２の電極とを形成し、
前記第１の配線と、前記第２の電極と、前記第２の配線とが重なり合うように、
前記第１の半導体回路素子の上に、前記第２の構造体を配置し、
前記第２の構造体の上に、前記第２の半導体回路素子を配置し、
前記未硬化の第２の有機樹脂を硬化させることにより、前記第１の半導体回路素子と、前記第２の構造体と、前記第２の半導体回路素子とを固着させ、
前記固着された前記第１の半導体回路素子と、前記第２の構造体と、前記第２の半導体回路素子とから、前記基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記金属粒子は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のいずれかを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１のシート状繊維体と、前記第２のシート状繊維体とは、ガラス繊維を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の半導体回路素子と、
前記第１の半導体回路素子上の第２の構造体と、
前記第２の構造体上の第２の半導体回路素子とを有する半導体装置であって、
前記第１の半導体回路素子は、
第１の半導体素子を有する第１の素子層と、
前記第１の素子層と電気的に接続される第１の配線とを有し、
前記第２の半導体回路素子は、
第２の半導体素子を有する第２の素子層と、
前記第２の素子層と電気的に接続される第２の配線と、
前記第２の素子層と、前記第２の配線との上に、第１のシート状繊維体と、前記第１のシート状繊維体に含浸され、硬化された第１の有機樹脂とを有する第１の構造体と、
前記第１のシート状繊維体に含浸され、前記第１の構造体を貫通することで前記第２の配線と電気的に接続される第１の電極とを有し、
前記第２の構造体は、
第２のシート状繊維体と、
前記第２のシート状繊維体に含浸され、硬化された第２の有機樹脂と、
前記第２のシート状繊維体に含浸された第２の電極とを有し、
前記第２の電極は、前記第２の構造体を貫通することで、前記第１の配線と、前記第２の電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の電極は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第１のシート状繊維体と、前記第２のシート状繊維体とは、ガラス繊維を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光センサを有するカラーセンサであって、
前記複数の光センサは、光電変換素子を有する光電流変換回路部と、光フィルタと、を有し、
前記複数の光センサそれぞれが有する前記光電流変換回路部は、インターポーザに設けられた配線と電気的に接続され、
前記配線は、前記インターポーザに設けられた電極と電気的に接続され、
前記電極には、電源電位が供給されることを特徴とするカラーセンサ。
【請求項２】
複数の光センサを有するカラーセンサであって、
前記複数の光センサは、光電変換素子を有する光電流変換回路部と、光フィルタと、を有し、
前記複数の光センサそれぞれが有する前記光電流変換回路部は、インターポーザの表面側に設けられた第１の配線及び第２の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記インターポーザに設けられた第１の開口を介して、前記インターポーザの裏面側に設けられた第１の電極と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記インターポーザに設けられた第２の開口を介して、前記インターポーザの裏面側に設けられた第２の電極と電気的に接続され、
前記第１の電極には、第１の電源電位が供給され、
前記第２の電極には、第２の電源電位が供給されることを特徴とするカラーセンサ。
【請求項３】
光センサを有するカラーセンサであって、
前記光センサは、光電変換素子を有する複数の光電流変換回路部と、複数の光フィルタと、を有し、
前記複数の光電流変換回路部は、インターポーザに設けられた配線と電気的に接続され、
前記配線は、前記インターポーザに設けられた電極と電気的に接続され、
前記電極には、電源電位が供給されることを特徴とするカラーセンサ。
【請求項４】
光センサを有するカラーセンサであって、
前記光センサは、光電変換素子を有する複数の光電流変換回路部と、複数の光フィルタと、を有し、
前記複数の光電流変換回路部は、インターポーザの表面側に設けられた第１の配線及び第２の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記インターポーザに設けられた第１の開口を介して、前記インターポーザの裏面側に設けられた第１の電極と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記インターポーザに設けられた第２の開口を介して、前記インターポーザの裏面側に設けられた第２の電極と電気的に接続され、
前記第１の電極には、第１の電源電位が供給され、
前記第２の電極には、第２の電源電位が供給されることを特徴とするカラーセンサ。
【請求項５】
請求項２又は４において、
前記インターポーザは、前記第１の配線及び第２の配線と電気的に接続されていない第３の配線、又は、前記第１の電極及び前記第２の電極と電気的に接続されていない第３の電極を有することを特徴とするカラーセンサ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項にいて、
前記光フィルタは、透光性を有する樹脂に覆われていることを特徴とするカラーセンサ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記光電流変換回路部は、前記光電変換素子からの信号を対数圧縮することができる機能を有することを特徴とするカラーセンサ。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記光電流変換回路部は、前記光電変換素子からの信号をデジタル信号に変換することができる機能を有することを特徴とするカラーセンサ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のカラーセンサを有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月18日(2012.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面上に変質層を有するガラス基板と、
前記変質層上に接する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接する単結晶半導体層と、
を有し、
前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項２】
少なくとも一方の面上に変質層を有するガラス基板と、
前記変質層上に接する窒素含有層と、
前記窒素含有層上に接する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接する単結晶半導体層と、
を有し、
前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項３】
少なくとも一方の面上に変質層を有するガラス基板と、
前記変質層上に接する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に接する窒素含有層と、
前記窒素含有層上に接する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接する単結晶半導体層と、
を有し、
前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記窒素含有層は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜若しくは酸化窒化シリコン膜から選ばれた一の層又は複数の膜の積層であることを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項５】
請求項３において、
前記第２の絶縁層は、酸化シリコン膜であることを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項６】
請求項５において、
前記酸化シリコン膜は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成されたものであることを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記変質層は、前記ガラス基板よりアルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度が低いことを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記変質層と前記ガラス基板との間に中間層を有し、
前記中間層は、組成及び密度において、前記ガラス基板と前記変質層の間の値をとることを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン膜であることを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項１０】
請求項９において、
前記酸化シリコン膜は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成されたものであることを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項１１】
請求項９において、
前記酸化シリコン膜中に塩素原子が含まれることを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記ガラス基板は、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はバリウムホウケイ酸ガラスであることを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載のＳＯＩ基板が有する前記単結晶半導体層を用いた薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で処理して、前記ガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成し、
前記変質層上に第１の絶縁層を介して単結晶半導体基板を貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板の一部を分離して、前記ガラス基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１５】
ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で処理して、前記ガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成し、
前記変質層上に窒素含有層と第１の絶縁層を介して単結晶半導体基板を貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板の一部を分離して、前記ガラス基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１６】
ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で処理して、前記ガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成し、
前記変質層上に第２の絶縁層と窒素含有層と第１の絶縁層を介して単結晶半導体基板を貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板の一部を分離して、前記ガラス基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記変質層の組成における酸化シリコンの割合は、前記ガラス基板の組成における酸化シリコンの割合より大きく、
前記変質層の密度は、前記ガラス基板の密度より低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６において、
前記窒素含有層は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜若しくは酸化窒化シリコン膜から選ばれた一の層又は複数の膜の積層を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６において、
前記第２の絶縁層は、酸化シリコン膜を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記酸化シリコン膜は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記変質層は、前記ガラス基板よりアルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度が低いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２１】
請求項１４乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン膜を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記酸化シリコン膜は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２３】
請求項２１において、
前記酸化シリコン膜中に塩素原子を含ませることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２４】
請求項１４乃至請求項２３のいずれか一項において、
前記ガラス基板は、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はバリウムホウケイ酸ガラスであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２５】
請求項１４乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液として、塩酸と過酸化水素と純水を混合した塩酸過酸化水素水混合溶液を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２６】
請求項１４乃至請求項２５のいずれか一項において、
前記塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液に超音波振動を加えて処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月6日(2012.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特許第３２２２４３９号公報（特許文献１）には、細片化マンナンゲル、油脂、糖、１５〜４０％の挽肉を含むひき肉加工品が開示されている。特公平７−７９６４０号公報（特許文献２）には、こんにゃくを利用した肉類加工食品が記載されている。特開２００１‐３２７２６５号公報（特許文献３）には、ι（イオタ）−カラギナンを含むことを特徴とする牛肉加工品が開示されている。これら技術はタンパク質源である肉の添加を必要とし、タンパク質摂取量の大幅な低減は実現できない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特許第３２２２４３９号公報
【特許文献２】特公平７−７９６４０号公報
【特許文献３】特開２００１‐３２７２６５号公報
【特許文献４】特許第３６３７８５２号公報
【特許文献５】特開平４−９４６６４号公報
【特許文献６】特開昭６２−２５９５５０号公報
【特許文献７】特開昭６２−５５０５２号公報
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横列及び縦列を形成しており、中央横列（２０６）と、該中央横列（２０６）の相対向する辺に沿って配置された少なくとも第一及び第二の外側横列（２０８、２１０）とを含んでいる素子（１０４）のアレイ（２００）と、
前記素子（１０４）の少なくとも部分を超音波システム（１００）に接続するように構成されているトランスデューサ・ケーブル（１２０）の内部のワイヤ（２５２）と、
前記中央横列（２０６）の第一の部分（２１２）の内部の前記素子（１０４）の各々を前記ワイヤ（２５２）の１本に電気的に接続する第一の組の線（２１８）であって、前記第一の部分（２１２）は、前記中央横列（２０６）の内部の総数未満の前記素子（１０４）を含んでいる、第一の組の線（２１８）と、
前記第一及び第二の外側横列（２０８、２１０）の内部の前記素子（１０４）のうち少なくとも同じ縦列に位置する部分を電気的に接続し、さらに前記中央横列（２０６）の第二の部分（２１４）の内部の前記素子（１０４）を、前記中央横列（２０６）の第二の部分（２１４）の内部の前記素子（１０４）と同じ縦列の前記第一及び第二の外側横列に位置する前記素子（１０４）に電気的に接続する第二の組の線（２５０）であって、当該第二の組の線（２５０）の内部の線の各々が前記ワイヤ（２５２）の１本に接続される、第二の組の線（２５０）と
を備えた超音波トランスデューサ（１０６）。
【請求項２】
前記第一及び第二の組の線（２１８、２５０）に接続されているマルチプレクサ（２７６）と、
前記トランスデューサ・ケーブル（１２０）の内部で前記マルチプレクサ（２７６）と前記超音波システム（１００）とを接続するように構成されているマルチプレクサ制御線（２７８）であって、前記マルチプレクサ（２７６）は、当該マルチプレクサ制御線（２７８）から受信された信号に基づいて前記中央横列（２０６）に沿って前記第一の部分（２１２）の位置を選択するように構成されている、マルチプレクサ制御線（２７８）と
をさらに含んでいる請求項１に記載のトランスデューサ（１０６）。
【請求項３】
前記第一及び第二の組の線（２１８、２５０）に接続されているマルチプレクサ（２７６）と、
前記トランスデューサ・ケーブル（１２０）の内部で前記マルチプレクサ（２７６）と前記超音波システム（１００）とを接続するように構成されているマルチプレクサ制御線（２７８）であって、前記マルチプレクサ（２７６）は、当該マルチプレクサ制御線（２７８）から受信された信号に基づいて前記第一の部分（２１２）の内部の一定個数の素子（１０４）を選択するように構成されている、マルチプレクサ制御線（２７８）と
をさらに含んでいる請求項１に記載のトランスデューサ（１０６）。
【請求項４】
予め決定された仰角で前記素子（１０４）のアレイ（２００）を予備集束させるように構成されているレンズをさらに含んでいる請求項１に記載のトランスデューサ（１０６）。
【請求項５】
前記中央横列（２０６）の内部の前記素子（１０４）は、前記第一及び第二の外側横列（２０８、２１０）の内部の素子（１０４）よりも大きい、請求項１に記載のトランスデューサ（１０６）。
【請求項６】
前記第一及び第二の外側横列（２０８、２１０）の外側エッジに沿ってそれぞれ配置されている第三及び第四の外側横列（３０８、３１０）と、
該第三及び第四の外側横列（３０８、３１０）の内部の前記素子（１０４）のうち少なくとも同じ縦列に位置する部分を電気的に接続する第三の組の線であって、当該第三の組の線の内部の線の各々が前記ワイヤ（２５２）の１本に接続されている、第三の組の線と
をさらに含んでいる請求項１に記載のトランスデューサ（１０６）。
【請求項７】
アレイ（２００）の第一の次元（２０２）において個数Ｋの素子（１０４）を画定するステップと、
前記アレイ（２００）の第二の次元（２０４）において少なくとも３である列数の横列を画定するステップと、
前記素子（１０４）の第一の部分（２１２）を１．５次元（１．５Ｄ）アレイ構成として接続するステップと、
同時に、前記素子（１０４）の第二の部分（２１４）を一次元（１Ｄ）アレイ構成として接続するステップと
を備えた超音波トランスデューサ（１０６）を形成して用いる方法。
【請求項８】
前記第一の部分（２１２）は、前記第一の次元（２０２）のＫ／３個の素子（１０４）及び前記第一の次元（２０２）のＮ／３個の素子（１０４）の一方を含んでおり、ＮはＫよりも小さい、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記１Ｄ及び１．５Ｄのアレイ構成に基づいて、前記素子（１０４）の少なくとも１個に関連する少なくとも１個のビームフォーマ・パラメータを調節するステップをさらに含んでいる請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記１Ｄ及び１．５Ｄのアレイ構成に基づいて、ビームフォーマ・ゲイン、ビームフォーマ遅延及びビームフォーマ送信電圧振幅の少なくとも一つを調節するステップをさらに含んでいる請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【化１】
2010180306.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【化２】
2010180306.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【化３】
2010180306.tif 000003
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【化４】
2010180306.tif 000004
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【化５】
2010180306.tif 000005
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【化６】
2010180306.tif 000006
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【化７】
2010180306.tif 000007
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【化８】
2010180306.tif 000008
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
グリシジル基含有エチレン性不飽和単量体としては、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、メチルグリシジルアクリレート、メチルグリシジルメタクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、グリシジル（メタ）アクリレートが好ましい。これらのグリシジル基含有エチレン性不飽和単量体は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）〜（４）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリル系共重合樹脂、（Ｂ）ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート及び（Ｃ）光重合開始剤を含有することを特徴とする活性エネルギー線硬化性ハードコート剤組成物。
【化１】
2010180306.tif 000009
【化２】
2010180306.tif 000010
【化３】
2010180306.tif 000011
【化４】
2010180306.tif 000012
（式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立して、水素またはメチル基であり、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立して、１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族炭化水素基または環状構造を有する脂環族炭化水素基であり、ｎは、１０〜５００の数である）
【請求項２】
前記（Ａ）成分が、４００〜５，０００の二重結合当量、６０℃〜１００℃のガラス転移温度及び５０，０００〜２００，０００の重量平均分子量を有する（メタ）アクリル系共重合樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の活性エネルギー線硬化性ハードコート剤組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との質量比が２０：８０〜５０：５０の範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の活性エネルギー線硬化性ハードコート剤組成物。
【請求項４】
前記（Ｃ）成分が、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との合計１００質量部に対して、２質量部〜１０質量部含有されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の活性エネルギー線硬化性ハードコート剤組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の活性エネルギー線硬化性ハードコート剤組成物に活性エネルギー線を照射することにより得られることを特徴とする硬化塗膜。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために講じた手段は、主材となるゴムと、ガラス繊維とを有した組成物を、加熱・加圧して成形した成形品の表面を研磨して摩擦面とする摩擦材において、前記ガラス繊維が前記組成物中に略均一に分散し、かつ前記摩擦面に前記ガラス繊維が重なり部分が少なく略均一に露出していることにある。
また、前期ガラス繊維が短繊維であると良い。
さらに、前記ガラス繊維の繊維長が約１０ｍｍ以下であると良い。
以上のような前記摩擦材は、所定以上のトルクが前記摩擦材に入力したとき、前記摩擦面が摺動することで所定のトルクを出力するトルク変動吸収手段として働くと良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記構成の摩擦材では、ゴムを主材とする組成物中にガラス繊維を略均一に分散させて成形した成形品を研磨して作製した摩擦面にガラス繊維が重なり部分が少なく略均一に露出しているため、ガラス繊維に付着して保持される水等は摩擦面に略均一に分散して存在することになる。従って摩擦面に保持される水等の各々の部分が小さくなるため水等の乾燥が早くなり錆は発生しにくくなる。そしてガラス繊維の組成物中への分散は短繊維ほど分散しやすくなり、特に約１０ｍｍ以下のものが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
主材となるゴムと、ガラス繊維とを有した組成物を、加熱・加圧して成形した成形品の表面を研磨して摩擦面とする摩擦材において、
前記ガラス繊維が前記組成物中に略均一に分散し、かつ前記摩擦面に前記ガラス繊維が重なり部分が少なく略均一に露出していることを特徴とする摩擦材。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図１は、段４のブレード３の翼端２を円錐形カッタ５および冷却潤滑剤を使用した５軸フライス加工により機械加工する過程における、航空機用ガスタービンのブリスク型コンプレッサロータ１の部分図を示す。円錐形カッタ５の先端角は３０°から１５０°であり、ねじれ角は０°から６０°である。コンプレッサドラムを固定治具内に固定すると、コンプレッサドラムの位置および零点位置は工作機械内で光学計測装置により直接決定される。その後、翼端２は粗フライス加工され、その後、寸法的に再検査され、次の連続して行われる最終フライス加工のための補正値が翼端２の各々に対して決定される。機械加工時、円錐形カッタ５は、刃先６がコンプレッサロータ１の段４の各々の外表面に常に正接するよう誘導される。（コンプレッサロータの外表面に正接する投影面から分かる通り、工具の軸は直角の方向に配向される。）最終フライス加工時においては、翼端直径が寸法的に再検査され、必要に応じて、最終フライス加工およびその後の寸法検査が繰り返し実行される。