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【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
(要旨)
上記試験結果は、本発明による被覆組成物(実施例 2〜4)および方法を使用することによって、変形フィルム上、80℃までの高温にて優れた耐薬品性を有する表面を得ることができることを示す。さらに、長期の負荷のもとでさえも、フィルムの一貫した高い透明性と共に、優れた耐摩耗性および耐スクラッチ性が達成される。被覆された、UV硬化されていない、フィルムの耐ブロッキング性は、先行技術(実施例５および６)および被覆物中に無機ナノ粒子を含有しないフィルム(実施例１)の耐ブロッキング性よりも顕著に良好であり、したがって、未UV硬化被覆フィルムのロールからロールへの直接積層法を用いる経済的に重要なフィルム被覆方法を使用することができる。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］放射線硬化性被覆物を含むフィルムであって、
該放射線硬化性被覆物が、
(a)ポリイソシアネートと、
(b1)(メタ)アクリレート基を含み、イソシアネートに対して反応性である化合物と
を含む反応混合物の反応から得られる、(メタ)アクリレート基を含むポリウレタンポリマーを含み、および
1 nm〜200 nmの範囲内の平均粒度を有する無機ナノ粒子をさらに含む、
フィルム。
［２］上記フィルムが、10 μm〜1500 μmの範囲内の厚さを有するポリカーボネートフィルムである、［１］に記載のフィルム。
［３］上記ポリウレタンポリマーの重量平均Mwが、250000 g/mol〜350000 g/molの範囲内である、［１］に記載のフィルム。
［４］上記反応混合物が、
(b2)イオン性基および／またはイオン性基に変換可能な基および／または非イオン性基による親水的変性作用を有する化合物と、
(b3)50 g/mol〜500 g/molの範囲内の平均分子量および2以上のヒドロキシル官能価を有するポリオール化合物と、
(b4)アミノ官能性化合物と
をさらに含む、［１］に記載のフィルム。
［５］上記反応混合物が、
(b5)500 g/mol〜13000 g/molの範囲内の平均分子量および1.5〜5の範囲内の平均ヒドロキシル官能価を有するポリオール化合物
をさらに含む、［４］に記載のフィルム。
［６］(b3)中のヒドロキシル基数が、5 mole %〜25 mole %の範囲内のヒドロキシル基とアミノ基との合計量の割合を示す(ここで反応混合物中の水のヒドロキシル基は考慮しない)、［４］に記載のフィルム。
［７］上記放射線硬化性被覆物が、
(b6)(メタ)アクリレート基を含み、イソシアネートに対して非反応性であり、および／または反応しない化合物
をさらに含む、［１］に記載のフィルム。
［８］上記被覆物中の上記無機ナノ粒子の表面が、他の化合物の共有結合および／または非共有結合によって変性されている、［１］に記載のフィルム。
［９］・(a)ポリイソシアネートと、
(b1)(メタ)アクリレート基を含み、イソシアネートに対して反応性である化合物と
を含む反応混合物の反応から得られる、(メタ)アクリレート基を含むポリウレタンポリマーを含み、および
1 nm〜200 nmの範囲内の平均粒度を有する無機ナノ粒子をさらに含む、
ポリマー分散体を調製する工程と、
・上記ポリマー分散体を用いてフィルムを被覆する工程と、
・上記ポリマー分散体を乾燥する工程と
を含む、［１］に記載のフィルムの製造方法。
［１０］［１］に記載のフィルムを含む成形品。
［１１］・［１］に記載のフィルムを調製する工程と、
・上記フィルムを成形品に成形する工程と、
・上記成形品上の放射線硬化性被覆物を硬化する工程と
を含む、放射線硬化被覆物を含む成形品の製造方法。
［１２］成形品の成形を、20 bar〜150 barの範囲内の圧力下、型中で行う、［１１］に記載の方法。
［１３］成形品の成形を、上記フィルムの材料の軟化点未満の、20℃〜60℃の範囲内の温度にて行う、［１１］に記載の方法。
［１４］硬化された放射線硬化性被覆物の反対側の上記フィルムの面上に、ポリマーをさらに付与する工程をさらに含む、［１１］に記載の方法。
［１５］［１１］に記載の方法により製造された成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線硬化性被覆物を含むフィルムであって、
該放射線硬化性被覆物が、
(a)ポリイソシアネートと、
(b1)(メタ)アクリレート基を含み、イソシアネートに対して反応性である化合物と
を含む反応混合物の反応から得られる、(メタ)アクリレート基を含むポリウレタンポリマーを含み、および
1 nm〜200 nmの範囲内の平均粒度を有する無機ナノ粒子をさらに含む、
フィルム。
【請求項２】
上記反応混合物が、
(b2)イオン性基および／またはイオン性基に変換可能な基および／または非イオン性基による親水的変性作用を有する化合物と、
(b3)50 g/mol〜500 g/molの範囲内の平均分子量および2以上のヒドロキシル官能価を有するポリオール化合物と、
(b4)アミノ官能性化合物と
をさらに含む、請求項１に記載のフィルム。
【請求項３】
・(a)ポリイソシアネートと、
(b1)(メタ)アクリレート基を含み、イソシアネートに対して反応性である化合物と
を含む反応混合物の反応から得られる、(メタ)アクリレート基を含むポリウレタンポリマーを含み、および
1 nm〜200 nmの範囲内の平均粒度を有する無機ナノ粒子をさらに含む、
ポリマー分散体を調製する工程と、
・上記ポリマー分散体を用いてフィルムを被覆する工程と、
・上記ポリマー分散体を乾燥する工程と
を含む、請求項１に記載のフィルムの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のフィルムを含む成形品。
【請求項５】
・請求項１に記載のフィルムを調製する工程と、
・上記フィルムを成形品に成形する工程と、
・上記成形品上の放射線硬化性被覆物を硬化する工程と
を含む、放射線硬化被覆物を含む成形品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の要件を満たす芯鞘複合繊維を含む蓄熱性布帛。
・芯部または鞘部にカーボンブラックを含有する。
・芯部または鞘部のカーボンブラックの濃度が３０質量％以上である。
【請求項２】
請求項１の芯鞘複合繊維が、芯部にカーボンブラックを含有する芯鞘複合繊維である中綿用蓄熱性布帛。
【請求項３】
請求項２に記載の布帛が不織布である中綿用蓄熱性不織布。
【請求項４】
以下の要件を満たす請求項３に記載のある中綿用蓄熱性不織布。
・芯鞘複合繊維を１質量％以上４０質量％以下の範囲で含む
・中綿表面のＬ＊値が４５以上。
なお、Ｌ＊値の測定は、染色をしていない不織布を、分光色彩計（株式会社島津製作所製
製品名：ＣＬＲ−７１００Ｆ）を使用して測定した。
【請求項５】
芯鞘複合繊維が芯鞘複合アクリル繊維で、芯部にカーボンブラックを含有する請求項１〜４のいずれかに記載の蓄熱性布帛。
【請求項６】
以下の要件を満たす芯鞘複合繊維を含む、Ｌ＊値が４０以上である蓄熱性布帛。
・芯部にカーボンブラックを含有する。
・芯部のカーボンブラックの濃度が３０〜６０質量％である。
・芯鞘質量比が１５対８５である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に、光吸収層と、前記光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、
前記第１の基板の前記材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、
前記第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、前記光吸収層と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、前記材料層の一部を前記第２の基板の被成膜面に成膜する成膜方法において、
式（１）または式（２）を満たす条件で成膜することを特徴とする成膜方法。
【数１】
2009280909.tif 000001
（式（１）において、ｄは第１の基板の厚さ［ｍ］、ｎは第１の基板の屈折率、ｃは光速［ｍ／ｓ］、ｔはレーザ光のパルス幅［ｓ］、αは０．２以上の実数を表す。）
【数２】
2009280909.tif 000002
（式（２）において、ｄは第１の基板の厚さ［ｍ］、ｎは第１の基板の屈折率、Ｗは被照射面におけるレーザビームの幅［ｍ］、ＮＡはレーザビームを成形するレンズのＮＡを表す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記レーザ光は線状または矩形状に成形されていることを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記光吸収層は、金属窒化物を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物からなることを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の成膜方法を用い、
前記材料層の一部を、前記第２の基板の被成膜面上に形成されている第１の電極上に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
クロムを上述した範囲で加えると、高い耐大気腐食性を可能にするばかりでなく, また、例えば, ガスタービンおよび蒸気タービンにおいて一体鋳造の回転子としてかまたは回転子ディスクとして採用されるような, 厚肉の鍛造品の十分な焼入性を有することも可能にすることが知られている。このタイプの証明されている合金は、炭素を約0.08〜0.2%を含有するのが普通であり, これは、溶解状態で、硬質のマルテンサイト組織を設定することを可能にする。マルテンサイト系鋼の耐熱性と延性との良好な組合せは、炭素がカーバイドの形態で沈殿する結果として, 粒子-安定化された顆粒下構造が形成され、その間に、同時に、転位下部構造が回復される、焼きなまし処理によって可能にされる。焼きなまし挙動およびこれから生じる性質は、特殊カーバイド成形体の, 例えば, Mo, W, V, NbおよびTaのようなものの量分率に関して、選択および調整することによって有効に影響されることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
頑丈な基礎マトリックスによりおよび耐熱性をもたらす窒化物、ホウ化物およびカーバイドの存在によって区別される焼き戻しされた構造が設定される。基礎マトリックスの靱性は、置換元素の存在により, 好ましくはニッケルによって設定される。これらの置換元素の含有率は、最も高い可能な耐熱性を設定するために、それらがマルテンサイト系硬化および特殊な窒化物, 例えば窒化バナジウムまたは窒化ニオブの沈殿による粒子硬化の両方の最適な発現を可能にするように決める。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
マンガンは、元素の周期系において鉄元素の隣の左側に位置する。マンガンは、電子が少ない元素であり, および従って、固溶体でのその作用は、ニッケルの作用と著しく異なるはずである。それにもかかわらず, マンガンは、オーステナイト-安定化元素であり, Ac1温度を大きく低下させ, そして延性に対して特別にプラスの効果を与えず, 代わりに, 幾分不都合な影響を与える。炭素含有12%クロム鋼に関して, マンガンは、アニーリング脆化を認め得るほどに助成する汚染元素であると理解される。従って、マンガン含有量は、非常に少ない量に制限されるのが普通である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の画像形成装置は、前記現像剤収容体と前記画像形成ユニットとを備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像剤を収容する筐体と、
前記筐体に配設され、前記現像剤を前記筐体内部に注入する穴部を有するシャッタ部と、
前記穴部を覆う蓋部と、
を有する現像剤収容体において、
前記蓋部は、
外郭を構成すると共に、その内側に中空部を有し、且つ第１の材料からなる補強部と、
前記補強部を覆って前記中空部を封止し、且つ前記第１の材料よりも曲げ弾性率が小さい第２の材料からなる封止部と、
を有することを特徴とする現像剤収容体。
【請求項２】
前記第１の材料は、曲げ弾性率が７００〜７０００ＭＰａであり、
前記第２の材料は、曲げ弾性率が３０〜３００ＭＰａであることを特徴とする請求項１記載の現像剤収容体。
【請求項３】
前記封止部は、前記補強部を覆う第１面と、前記穴部に圧入される第２面とを有することを特徴とする請求項１又は２記載の現像剤収容体。
【請求項４】
前記穴部は、第１の方向規制部を有し、
前記蓋部は、前記第１の方向規制部と嵌合する第２の方向規制部を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の現像剤収容体。
【請求項５】
前記第１の材料は、ボリカーボネートであり、
前記第２の材料は、エチレン酢酸ビニル又はゴムのいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の現像剤収容体。
【請求項６】
前記蓋部は、前記中空部のいずれかを覆って封止する所定部分が肉厚の薄い溝部で囲われていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の現像剤収容体。
【請求項７】
前記溝部は、くさび形、Ｕ字形、階段形、又は単なる溝形状に形成されていることを特徴とする請求項６記載の現像剤収容体。
【請求項８】
前記蓋部は、二色成形によって前記補強部と前記封止部とが作製されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の現像剤収容体。
【請求項９】
前記蓋部は、前記補強部と前記封止部とがそれぞれ成形されたのちに、接着又は圧入により組み立てられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の現像剤収容体。
【請求項１０】
前記蓋部は、前記補強部と前記封止部とがそれぞれ作製されたのちに、締結部材により組み立てられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の現像剤収容体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の現像剤収容体は更に、
画像形成ユニットに前記現像剤を補給する供給口を有し、
前記シャッタ部は、前記穴部の回転と連動して前記供給口を開くことを持徴とする現像剤収容体。
【請求項１２】
前記供給口は、前記穴部に隣接し、且つ長手方向に設けられていることを持徴とする請求項１１記載の現像剤収容体。
【請求項１３】
現像剤を収容する筐体と、
前記筐体に配設され、前記現像剤を前記筐体内部に注入する穴部を有するシャッタ部と、
前記穴部を覆う蓋部と、
を有する現像剤収容体が装着可能である画像形成ユニットであって、
前記蓋部は、
外郭を構成すると共に、その内側に中空部を有し、且つ第１の材料からなる補強部と、
前記補強部を覆って前記中空部を封止し、且つ前記第１の材料よりも曲げ弾性率が小さい第２の材料からなる封止部と、
を有することを持徴とする画像形成ユニット。
【請求項１４】
請求項１３記載の画像形成ユニットであって、
前記現像剤収容体を装着する凹部と、
前記凹部に設けられた突起部とを有し、
前記穴部に圧入されている前記蓋部の前記中空部が、前記突起部に挿入されたのち、前記穴部を回転させることによって前記補強部と前記突起部とが嵌合し、前記現像剤収容体を固定することを特徴とする画像形成ユニット。
【請求項１５】
現像剤を収容する筐体と、前記筐体に配設され、前記現像剤を前記筐体内部に注入する穴部を有するシャッタ部と、前記穴部を覆う蓋部と、を有する現像剤収容体と、
前記現像剤収容体が装着可能である画像形成ユニットと、
を備えた画像形成装置であって、
前記蓋部は、
外郭を構成すると共に、その内側に中空部を有し、且つ第１の材料からなる補強部と、
前記補強部を覆って前記中空部を封止し、且つ前記第１の材料よりも曲げ弾性率が小さい第２の材料からなる封止部と、
を有することを持徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に分離されて各々ブロックを形成する複数の導光板と、
前記複数の導光板の側部にそれぞれ配置された複数のＬＥＤと
を備え、
それぞれの導光板の一端にはＬＥＤを収めるための切断部が設けられ、
それぞれの前記ＬＥＤは、隣り合う他ブロックの前記導光板に光を入光させるバックライトユニット。
【請求項２】
それぞれの前記導光板は、前記切断部以外の領域の厚みが均一である
請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
複数のＬＥＤはブロック別に部分駆動されることを特徴とする請求項１または２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記複数のＬＥＤは、前記複数の導光板に対応する分割領域ごとに、前記分割領域に表示される画像に応じて輝度が調節される
請求項３に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記複数のＬＥＤは、前記分割領域に表示される画像のグレーレベルのピーク値に応じて輝度が調節される
請求項４に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記切断部は、傾斜面、丸い面または角のいずれかを有する請求項１から４のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記複数の導光板の側部に配置された回路基板をさらに備え、
前記複数のＬＥＤは、前記回路基板に配置された請求項１から６のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記回路基板が、前記複数の導光板に亘って配置された請求項７に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記複数の導光板が、マトリクスに配列された請求項１から８のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項１０】
前記複数の導光板は、四角形、三角形または六角形のいずれかの形状である請求項１から９のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のバックライトユニットを有する液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の液晶表示装置を有するテレビ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バックライトユニット、液晶表示装置およびテレビ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の技術的課題を達成すべく、相互に分離されて各々ブロックを形成する複数の導光板と、複数の導光板の側部にそれぞれ配置された複数のＬＥＤとを備え、それぞれの導光板の一端にはＬＥＤを収めるための切断部が設けられ、それぞれのＬＥＤは、隣り合う他ブロックの導光板に光を入光させるバックライトユニットを提供する。それぞれの導光板は、切断部以外の領域の厚みが均一であってよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の実施形態によると、複数の導光板に対応する分割領域ごとに、分割領域に表示される画像のグレーレベルのピーク値に応じて輝度が調節されて、部分駆動される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の一方の面に光吸収層を形成し、
第１の材料液を第１のノズルから吐出して第１の材料層と、第２の材料液を第２のノズルから吐出して第２の材料層と、第３の材料液を第３のノズルから吐出して第３の材料層とを前記第１の基板上に形成し、
前記第１の基板の前記第１の材料層、前記第２の材料層、及び前記第３の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、減圧下で前記第１の基板の他方の面側から光を前記光吸収層に照射して、前記光吸収層と重なる位置にある前記第１の材料層、前記第２の材料層、及び前記第３の材料層の少なくとも一部を選択的に加熱し、
前記第２の基板の被成膜面に第１の有機化合物を含む層、第２の有機化合物を含む層、及び第３の有機化合物を含む層の形成を行い、それぞれのノズルから前記第１の基板上に吐出される材料液は、ノズルの先端から途切れることなく前記第１の基板面に達することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
光透過性を有するフィルムの一方の面に光吸収層を形成し、
第１の材料液を第１のノズルから吐出して第１の材料層と、第２の材料液を第２のノズルから吐出して第２の材料層と、第３の材料液を第３のノズルから吐出して第３の材料層とを前記光透過性を有するフィルム上に形成し、
前記光透過性を有するフィルムの前記第１の材料層、前記第２の材料層、及び前記第３の材料層が形成された面と、ガラス基板の被成膜面とを対向させ、前記光透過性を有するフィルムの他方の面側から光を前記光吸収層に照射して、前記光吸収層と重なる位置にある前記第１の材料層、前記第２の材料層、及び前記第３の材料層の少なくとも一部を選択的に加熱し、
前記ガラス基板の被成膜面に第１の有機化合物を含む層、第２の有機化合物を含む層、及び第３の有機化合物を含む層の形成を行い、それぞれのノズルから前記光透過性を有するフィルム上に吐出される材料液は、ノズルの先端から途切れることなく前記光透過性を有するフィルム面に達することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記光の照射により前記光吸収層と前記第１の材料層との間の密着性を低下させて、前記光吸収層と前記第１の材料層とを分離することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記光吸収層を囲む隔壁を選択的に形成した後、前記隔壁で囲まれた領域に前記材料液を吐出することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
第１の基板の一方の面に光吸収層を形成し、
前記光吸収層を囲む第１の隔壁を選択的に形成し、
ポンプ圧送により複数種類の材料液を複数のノズルからそれぞれ吐出して前記第１の隔壁及び前記光吸収層に接する材料層を複数並べて形成し、
前記第１の基板の前記材料層が形成された面と、第１の電極を有する第２の基板の被成膜面とを対向させ、前記第１の基板の他方の面側から光を前記光吸収層に照射して、前記光吸収層と重なる位置にある前記材料層の少なくとも一部を選択的に加熱し、
前記第２の基板の被成膜面に設けられた前記第１の電極上に有機化合物を含む層の形成を行い、前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成し、前記第２の基板の被成膜面には、前記第１の電極が複数設けられ、互いの間を絶縁する第２の隔壁を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に、前記一導電型とは逆導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層と、を有し、
前記第２の半導体層は、非晶質半導体層と、前記非晶質半導体層中に前記第１の半導体層と前記第３の半導体層との間を貫通する結晶と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
積層された複数のセルを有する光電変換装置であって、
前記複数のセルのそれぞれは、
一導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に、前記一導電型とは逆導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層と、を有し、
前記第２の半導体層は、非晶質半導体層と、前記非晶質半導体層中に前記第１の半導体層と前記第３の半導体層との間を貫通する結晶と、を有しており、
前記複数のセルは、光入射側から、前記第２の半導体層の前記結晶が占める割合が大きくなるように積層されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数のセルは、前記光入射側から、前記結晶を含む第２の半導体層の膜厚が厚くなるように積層されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に第１電極と、
前記第１電極上に、単結晶半導体層を有する第１ユニットセルと、
前記第１ユニットセル上に第２ユニットセルと、
前記第２ユニットセル上に第２電極と、を有し、
前記第２ユニットセルは、
一導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層と、
前記一導電型とは逆導電型を付与する不純物元素を含む第２の半導体層と、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層の間に第３の半導体層と、を有し、
前記第３の半導体層は、非晶質半導体層と、前記非晶質半導体層中に前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間を貫通する結晶と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記結晶は、針状であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記針状の結晶は、円錐形状、円柱形状、多角錐形状、または多角柱状であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の半導体層はｎ型微結晶半導体であり、
前記第２の半導体層はｐ型微結晶半導体であり、
前記結晶は、前記第１の半導体層上から上狭まりに成長していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
一導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、半導体材料ガスに対して希釈ガスの流量比を１倍以上６倍以下とした反応ガスを反応室内に導入しプラズマを生成することによって第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、前記一導電型とは逆導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層は、非晶質半導体層と、前記非晶質半導体層中に前記第１の半導体層から前記第３の半導体層に向かって成長した結晶と、を有し、
前記結晶は、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間を貫通することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記結晶は、前記第１の半導体層上から上狭まりに成長していることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】
単結晶半導体基板の一表面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記一表面側に一導電型を付与する第１の不純物元素を導入して、前記単結晶半導体層の前記脆化層上に第１の半導体層を形成し、
前記一表面上に第１電極を形成し、
前記第１電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層と、絶縁表面を有する基板と、を対向させ、重ね合わせて貼り合わせ、
前記脆化層を境として前記単結晶半導体基板を分割することによって、前記絶縁表面を有する基板上に、前記絶縁層、前記第１電極、及び前記第１の半導体層を間に介して単結晶半導体層からなる第２の半導体層を配置し、
前記第２の半導体層上に、前記第１の不純物元素とは逆導電型を付与する第２の不純物元素を含む第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層上に、前記第２の不純物元素とは逆導電型を付与する第３の不純物元素を含む第４の不純物半導体層を形成し、
前記第４の半導体層上に、半導体材料ガスに対して希釈ガスの流量比を１倍以上６倍以下とした反応ガスを反応室内に導入しプラズマを生成することによって第５の半導体層を形成し、
前記第５の半導体層上に、前記第３の不純物元素とは逆導電型を付与する第４の不純物元素を含む第６の半導体層を形成し、
前記第６の半導体層上に第２電極を形成し、
前記第４の半導体層は、非晶質半導体層と、前記非晶質半導体層中に前記第３の半導体層から前記第５の半導体層に向かって成長した結晶と、を有し、
前記結晶は、前記第３の半導体層と前記第４の半導体層との間を貫通することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記結晶は、前記第３の半導体層上から上狭まりに成長していることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
前記絶縁層と前記絶縁表面を有する基板との接合面の平均面粗さを０．５ｎｍ以下とすることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
前記半導体材料ガスは水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンを含み、
前記希釈ガスとしては水素を含むことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月27日(2012.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハを保持するためのウェーハ保持具と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの加熱面に対向して加熱を行う加熱機構と、
前記ウェーハの所定のパターンが形成された表面内の輻射率分布を検出する輻射率分布検出機構と、
前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを前記加熱機構に対向する加熱面とするかを、前記輻射率分布検出機構により検出された前記ウェーハの表面内輻射率分布に基づき決定する加熱面判断機構と、
前記加熱面判断機構により決定された加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、
前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有する第１及び第２のウェーハからなる２枚のウェーハを互いに所定の距離だけ離して保持するためのウェーハ保持具と、
前記ウェーハ保持具の両側において互いに対向するように配置され、前記ウェーハ保持具に保持された前記第１のウェーハの加熱面に対向して加熱を行う第１の加熱機構と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記第２のウェーハの加熱面に対向して加熱を行う第２の加熱機構と、
前記第１及び第２のウェーハの所定のパターンが形成された各表面内の輻射率分布を検出する輻射率分布検出機構と、
前記第１及び第２ウェーハの表面及び裏面のいずれを前記加熱機構に対向する加熱面とするかを、前記輻射率分布検出機構により検出された前記第１及び第２のウェーハの各表面内輻射率分布に基づき決定する加熱面判断機構と、
前記加熱面判断機構により決定された加熱面の決定に応じて前記第１及び第２のウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、
前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記第１及び第２のウェーハを保持して前記第１及び第２のウェーハの前記加熱面が各対向させる前記第１及び第２の加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハを保持するためのウェーハ保持具と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの加熱面に対向して加熱を行う加熱機構と、
前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを前記加熱機構に対向する前記加熱面とするか前記ウェーハの表面内輻射率分布に応じた加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、
前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有する第１及び第２のウェーハからなる２枚のウェーハを互いに所定の距離だけ離して保持するためのウェーハ保持具と、
前記ウェーハ保持具の両側において互いに対向するように配置され、前記ウェーハ保持具に保持された前記第１のウェーハの加熱面に対向して加熱を行う第１の加熱機構と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記第２のウェーハの加熱面に対向して加熱を行う第２の加熱機構と、
前記第１のウェーハの表面及び裏面のいずれを前記第１の加熱機構に対向する前記加熱面とするか及び前記第２のウェーハの表面及び裏面のいずれを前記第２の加熱機構に対向する前記加熱面とするか、前記第１及び第２のウェーハの表面内輻射率分布に応じた各加熱面の決定に応じて前記第１及び第２のウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、
前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記第１及び第２のウェーハを保持して前記第１及び第２のウェーハの前記加熱面が各対向させる前記第１及び第２の加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハの前記表面内の輻射率分布を検出する工程と、
前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを加熱機構に対向する加熱面とするかを、検出された前記ウェーハの表面内輻射率分布に基づき決定する工程と、
前記加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させる工程と、
前記加熱面の決定に応じて回転された前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するようウェーハ保持具に搬送する工程と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの前記加熱面に対向して前記加熱機構から加熱を行う工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様によれば、所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハを保持するためのウェーハ保持具と、前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの加熱面に対向して加熱を行う加熱機構と、前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを前記加熱機構に対向する加熱面とするか前記ウェーハの表面内輻射率分布に応じた加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させるためのウェーハ回転機構と、前記ウェーハ回転機構の動作に基づき前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するよう前記ウェーハ保持具に搬送する搬送機構と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様によれば、所定のパターンが形成された表面及びパターンが形成されていない裏面を有するウェーハの前記表面内の輻射率分布を検出する工程と、前記ウェーハの表面及び裏面のいずれを加熱機構に対向する加熱面とするかを、検出された前記ウェーハの表面内輻射率分布に基づき決定する工程と、前記加熱面の決定に応じて前記ウェーハを当該ウェーハの面方向の軸を中心に回転させる工程と、前記加熱面の決定に応じて回転された前記ウェーハを保持して前記加熱面が前記加熱機構に対向するようウェーハ保持具に搬送する工程と、
前記ウェーハ保持具に保持された前記ウェーハの前記加熱面に対向して前記加熱機構から加熱を行う工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）制御電極、
（Ｂ）第１電極及び第２電極、並びに、
（Ｃ）第１電極と第２電極との間であって、絶縁層を介して制御電極と対向して設けられ、少なくとも絶縁材料から成る微粒子を含む有機半導体材料から構成された能動層、
を備えており、
能動層を、有機半導体材料が溶解した溶液を塗布、乾燥することで形成する３端子型の電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
有機半導体材料が溶解した溶液には、絶縁材料から成る微粒子が添加されている請求項１に記載の３端子型の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
有機半導体材料が溶解した溶液の塗布、乾燥において、微粒子が微粒子に固定され、有機半導体材料が微粒子と微粒子との間に固定される請求項２に記載の３端子型の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
能動層は、有機半導体材料及び微粒子から成り、
微粒子が能動層を占める割合は、有機半導体材料：微粒子の体積比で５：１乃至１：３０である請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
微粒子はシリカである請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
３端子型の電子デバイスは、電界効果トランジスタから成り、
制御電極がゲート電極に相当し、第１電極及び第２電極がソース／ドレイン電極に相当し、絶縁層がゲート絶縁膜に相当し、能動層がチャネル形成領域に相当する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
（Ａ）基体上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
（Ｂ）ゲート絶縁層上にソース／ドレイン電極を形成した後、
（Ｃ）少なくとも、ソース／ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層の上に、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、チャネル形成領域を形成する、
各工程から成る半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（Ａ）基体上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
（Ｂ）ゲート絶縁層上に、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、
（Ｃ）チャネル形成領域延在部上にソース／ドレイン電極を形成する、
各工程から成る半導体装置の製造方法。
【請求項９】
（Ａ）基体上にソース／ドレイン電極を形成し、次いで、
（Ｂ）全面に、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、チャネル形成領域を形成した後、
（Ｃ）全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程から成る半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
（Ａ）基体上に、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、
（Ｂ）チャネル形成領域延在部上にソース／ドレイン電極を形成した後、
（Ｃ）全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程から成る半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（Ａ）制御電極、
（Ｂ）第１電極及び第２電極、並びに、
（Ｃ）第１電極と第２電極との間であって、絶縁層を介して制御電極と対向して設けられた能動層、
を備えており、
能動層は、有機半導体材料及び微粒子から成り、
微粒子が能動層を占める割合は、有機半導体材料：微粒子の体積比で５：１乃至１：３０である３端子型の電子デバイス。
【請求項１２】
基体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース／ドレイン電極及びチャネル形成領域を備えており、
チャネル形成領域は、有機半導体材料及び微粒子から成り、
微粒子がチャネル形成領域を占める割合は、有機半導体材料：微粒子の体積比で５：１乃至１：３０である半導体装置。
【請求項１３】
（Ａ）制御電極、
（Ｂ）第１電極及び第２電極、並びに、
（Ｃ）第１電極と第２電極との間であって、絶縁層を介して制御電極と対向して設けられた能動層、
を備えており、
能動層は、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料から構成されている３端子型の電子デバイス。
【請求項１４】
能動層は、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで形成され、
塗布、乾燥においては、微粒子が微粒子に固定され、微粒子と微粒子との間に有機半導体材料が固定された状態で能動層が形成される請求項１３に記載の３端子型の電子デバイス。
【請求項１５】
能動層においては、微粒子が微粒子に固定され、微粒子と微粒子との間に有機半導体材料が固定されている請求項１３又は請求項１４に記載の３端子型の電子デバイス。
【請求項１６】
微粒子が能動層を占める割合は、有機半導体材料：微粒子の体積比で５：１乃至１：３０である請求項１３乃至請求項１５のいずれか１項に記載の３端子型の電子デバイス。
【請求項１７】
微粒子の表面に表面処理が施されている請求項１３乃至請求項１７のいずれか１項に記載の３端子型の電子デバイス。
【請求項１８】
能動層には、更に、ポリマー材料が含まれている請求項１３至請求項１７のいずれか１項に記載の３端子型の電子デバイス。
【請求項１９】
電界効果トランジスタから成り、
制御電極がゲート電極に相当し、第１電極及び第２電極がソース／ドレイン電極に相当し、絶縁層がゲート絶縁膜に相当し、能動層がチャネル形成領域を含む請求項１３乃至請求項１８のいずれか１項に記載の３端子型の電子デバイス。
【請求項２０】
請求項１３乃至請求項１９のいずれか１項に記載の３端子型の電子デバイスを備えている半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ダイオード、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記半導体膜は、亜鉛と酸素とを含み、
前記半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体膜と前記ゲート電極との間に設けられ、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記ゲート電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続されていることを特徴とするダイオード。
【請求項２】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、島状の第１の導電膜と、島状の第２の導電膜と、半導体膜と、を有し、
前記島状の第１の導電膜と、前記島状の第２の導電膜と、は、前記ゲート絶縁膜の上方に設けられ、
前記島状の第２の導電膜は、前記島状の第１の導電膜の上方に設けられ、
前記半導体膜は、前記島状の第２の導電膜の上方に設けられ、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記半導体膜と重なる領域を有し、
前記島状の第２の導電膜と、前記半導体膜と、は、亜鉛と、酸素と、を含み、
前記島状の第１の導電膜の端部は、前記島状の第２の導電膜の端部と概略一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
亜鉛と酸素とを含む半導体膜中に設けられたチャネル形成領域と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、
金属材料を含む導電膜と、を有し、
前記チャネル形成領域は前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なり、
前記チャネル形成領域は、亜鉛と酸素と窒素とを含む領域を介して、前記導電膜と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
亜鉛と酸素とを含む半導体膜中に設けられたチャネル形成領域と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、
金属材料を含む導電膜と、を有し、
前記チャネル形成領域は前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なり、
前記チャネル形成領域は、亜鉛と酸素とリンとを含む領域を介して、前記導電膜と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
超微小電気機械システムスイッチ（２０）と、
前記超微小電気機械システムスイッチの接点と接点の間のアークの形成を抑制するように構成された平衡ダイオードブリッジ（２８）と、
前記平衡ダイオードブリッジに結合されたパルス回路（５２）であって、前記平衡ダイオードブリッジにパルス電流を流すためのパルス信号を形成するように適合されたパルスコンデンサを備え、前記パルス信号が前記超微小電気機械システムスイッチに結合された負荷回路の故障状態に応じて生成されるパルス回路（５２）と、
前記パルス回路に並列回路で結合され、エネルギー吸収コンデンサ（Ｃｔ）と、該エネルギー吸収コンデンサに直列に接続されたダイオードとを備えたエネルギー吸収回路（２００）とを備え、
前記エネルギー吸収コンデンサに故障状態に先だって初期電圧値が蓄積され、前記エネルギー吸収コンデンサに前記初期電圧値が蓄積されたときに、前記ダイオード逆バイアス状態となり、前記ダイオードブリッジの両端間に展開する電圧が、前記エネルギー吸収コンデンサに蓄積されている初期電圧値の値と整合する値に到達すると前記ダイオードが、導通状態になるように接続され、
前記エネルギー吸収コンデンサ（Ｃｔ）が、前記故障状態によって生じる電気エネルギーを吸収し、前記パルス回路によるパルス信号の形成に影響を及ぼすことが無いように構成され、前記エネルギー吸収回路（２００）の前記ダイオードの導通状態が、前記ダイオードブリッジの両端間に展開する電圧が、前記エネルギー吸収コンデンサに蓄積されている初期電圧値の値を超えた後にのみ、前記エネルギー吸収コンデンサ（Ｃｔ）が、故障電流を受けるようにする、
システム。
【請求項２】
前記パルスコンデンサのキャパシタンスの値が、前記エネルギー吸収コンデンサのキャパシタンスの値に無関係に、前記パルス信号の１つまたは複数のパルス信号特性を制御するように選択される、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記パルス信号の前記１つまたは複数のパルス信号特性が、前記パルス信号の幅、前記パルス信号のピークおよび前記パルス信号の前記幅と前記ピークの組合せからなるグループから選択される、請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記エネルギー吸収コンデンサのキャパシタンスの値が、前記パルスコンデンサのキャパシタンスの値に無関係に、前記エネルギー吸収コンデンサによって吸収される電気エネルギーの量を制御するように選択される、請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記平衡ダイオードブリッジが第１の分岐（および第２の分岐）を備え、前記第１の分岐が、第１の直列回路で結合された第１のダイオードおよび第２のダイオードを備え、前記第２の分岐が、第２の直列回路で結合された第３のダイオードおよび第４のダイオードを備えた、請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記超微小電気機械システムスイッチが前記平衡ダイオードブリッジの中点の両端間に並列で結合され、第１の中点が前記第１のダイオードと第２のダイオードの間に位置し、第２の中点が前記第３のダイオードと第４のダイオードの間に位置している、請求項６記載のシステム。
【請求項７】
前記超微小電気機械システムスイッチが、前記平衡ダイオードブリッジと共に単一パッケージ内に統合された、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記パルス回路が、さらに、故障状態を検出し、かつ、前記故障状態に応じて前記超微小電気機械システムスイッチの開動作を開始するように構成された、請求項１記載のシステム。
【請求項９】
電気的に直列回路で結合された第１の複数の超微小電気機械スイッチをさらに備えた、請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１の複数の超微小電気機械スイッチのうちの少なくとも１つが、さらに、第２の複数の超微小電気機械スイッチを備えた並列回路で結合された、請求項９記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を電気信号に変換する光電変換素子を含む画素が複数行列状に配置され、各画素を行ごとに順次走査しながら選択行の各画素の信号を列ごとに配線された複数の垂直読出線を介して出力する撮像手段と、
前記垂直読出線を介して出力された各画素の信号を保持する複数の保持手段と、
前記複数の保持手段のそれぞれに対応して設けられ、当該保持手段によって保持される画素の信号をアナログ信号からデジタル値に変換する複数の変換手段とを含み、
前記複数の変換手段のそれぞれは、当該保持手段によって保持される画素の信号に応じて前記デジタル値の中の上位ビットを生成する第１の生成手段と、
当該保持手段によって保持される画素の信号および前記第１の生成手段によって生成された上位ビットに応じて前記デジタル値の中の下位ビットを生成する第２の生成手段と、
前記第１の生成手段によって生成された上位ビットと前記第２の生成手段によって生成された下位ビットとを加算して前記デジタル値を出力する加算手段とを含む、固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
一方、外部電源（図示せず）により、各電極層５ａ，５ｂ間に電圧を印加すると、マイナス電極側に陽イオンが移動し、プラス電極側に陰イオンが移動する。例えば、図４（ｂ）に示すように、電極層５ａにプラスの電位、電極層５ｂにマイナスの電位を印加すると、電極層５ａに陰イオン（図示せず）が集まり、電極層５ｂに陽イオンが集まる。このとき、陽イオン（カチオン）交換樹脂内では、陰イオンは移動しにくいため、主に陽イオンが移動することとなる。そして、この陽イオンの偏在による濃度差により、電極層５ａ，５ｂに体積差が生じ、アクチュエータ１全体が湾曲（変形する）する。即ち、陽イオンが増加した電極層５ｂは膨潤し、陽イオンが減少した電極層５ａは収縮する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明の画像合成装置は、
第１及び第２静止画像を取得する静止画取得手段と、前記第１及び第２静止画像とは異なる複数の画像に共通して含まれる被写体の前記複数の画像にわたる変化を検出する検出手段と、前記第２静止画像を背景として、前記検出手段によって検出された変化を反映して前記第１静止画像を合成した合成動画を生成する合成手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載の画像合成装置において、
連続した複数の静止画を含む動画像或いは連写画像を取得する画像取得手段を更に備え、前記検出手段は、前記画像取得手段により取得された前記動画像及び前記連写画像を前記第１及び第２静止画像とは異なる複数の画像として、これら複数の画像に共通して含まれる被写体の前記複数の画像にわたる変化を検出することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項８に記載の発明のプログラムは、
コンピュータを、第１及び第２静止画像を取得する静止画取得手段、前記第１及び第２静止画像とは異なる複数の画像に共通して含まれる被写体の前記複数の画像にわたる変化を検出する検出手段、前記第２静止画像を背景として、前記検出手段によって検出された変化を反映して前記第１静止画像を合成した合成動画を生成する合成手段、として機能させることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２静止画像を取得する静止画取得手段と、
前記第１及び第２静止画像とは異なる複数の画像に共通して含まれる被写体の前記複数の画像にわたる変化を検出する検出手段と、
前記第２静止画像を背景として、前記検出手段によって検出された変化を反映して前記第１静止画像を合成した合成動画を生成する合成手段と、
を備えたことを特徴とする画像合成装置。
【請求項２】
前記被写体の前記複数の画像にわたる変化とは、前記複数の画像の画角における前記被写体の位置の単位時間当たりの変化、前記複数の画像における前記被写体の画像が占める範囲の単位時間当たりの変化、前記複数の画像の水平方向及び垂直方向の少なくとも一方に対する前記被写体の回転角度の単位時間当たりの変化の少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項１に記載の画像合成装置。
【請求項３】
前記検出手段によって検出された変化を複数枚の画像として記憶する記憶手段を更に備え、
前記合成手段は、
前記記憶手段から複数枚の画像を読み出す読出手段と、
前記第２静止画像を背景画像として、前記読出手段によって読み出された複数枚の画像の夫々における被写体の位置に前記第１静止画像を合成した合成静止画像を複数生成する生成手段と、
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像合成装置。
【請求項４】
前記生成手段は、
前記検出手段により検出された変化に基づいて、合成内容情報を順次生成する合成内容生成手段と、
前記合成内容生成手段により順次生成された合成内容情報に応じて、前記第１静止画像の合成位置、大きさや形状、及び、回転角度のうち、少なくとも何れか一つを設定する設定手段と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載の画像合成装置。
【請求項５】
連続した複数の静止画を含む動画像或いは連写画像を取得する画像取得手段を更に備え、
前記検出手段は、前記画像取得手段により取得された前記動画像及び前記連写画像を前記第１及び第２静止画像とは異なる複数の画像として、これら複数の画像に共通して含まれる被写体の前記複数の画像にわたる変化を検出することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の画像合成装置。
【請求項６】
前記画像取得手段は、撮像手段を含むことを特徴とする請求項５に記載の画像合成装置。
【請求項７】
前記第１静止画像は、所定の静止画像から特定の領域を抽出した抽出画像であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の画像合成装置。
【請求項８】
コンピュータを、
第１及び第２静止画像を取得する静止画取得手段、
前記第１及び第２静止画像とは異なる複数の画像に共通して含まれる被写体の前記複数の画像にわたる変化を検出する検出手段、
前記第２静止画像を背景として、前記検出手段によって検出された変化を反映して前記第１静止画像を合成した合成動画を生成する合成手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。