【事件の表示】
　平成７年特許願第１６５９３６号「半田接続型熱伝導体を有するボールグリッドアレイ集積回路パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成８年２月２７日出願公開、特開平８−５５９３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．本願は、平成７年６月３０日の出願（パリ条約による優先権主張１９９４年６月３０日、米国）であって、平成１６年３月１０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１４日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１６年７月１４日付手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年７月１４日付手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１〜１９のうち、請求項１を次のとおりに補正することを含むものである。
　「【請求項１】　パッケージした集積回路において、
　第一表面と第二表面とを具備すると共に、貫通して設けられた開口を具備しており、且つ複数個の電気的導体を具備する基板が設けられており、
　熱伝導性物質から構成されており且つ第一表面と第二表面とを具備するスラグが設けられており、前記スラグは前記基板の開口内に位置されており且つその第一表面は前記基板の第一表面において露出されており、
　前記スラグの第二表面へ受納されて装着されており且つ前記基板の導体へ電気的に接続されて集積回路チップが設けられており、
　前記基板の第一表面上に配設されており且つ回路ボードへの接続を行なうために前記基板の電気的導体と電気的に接続した状態で第一複数個の半田ボールが設けられており、
　前記回路ボードへの熱的接続を行なうために前記スラグの第一表面に配設して第二複数個の半田ボールが設けられており、
　前記基板の開口が階段状に構成されていて複数段の端子領域を構成している、
ことを特徴とするパッケージした集積回路。」
　
　上記補正は、補正前の平成１６年２月１２日付手続補正書の請求項１において、「前記基板の開口が階段状に構成されていて複数段の端子領域を構成している」点を追加し、補正前の基板の「開口」をさらに具体的に限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先権主張の日前に頒布された特開平６−９７３３１号公報（以下「刊行物」という。）には次の事項が記載されている。
（１ａ）「【０００２】【従来の技術】半導体素子の電力消費と性能が増大するに従い、効率的な熱消散の必要性が増大する。半導体素子に熱消散を施す方法には種々のものが知られている。・・・
　【０００３】熱を除去するためのこれらの方法および他の広く受け入れられている方法には、一般的に少なくとも二つの共通の目的がある。第一の目的は、できるだけ大きい表面積から熱を除去することである。・・・第二の目的は、熱を除去する媒体（それがヒート・シンクであれ冷却した液体であれ）を熱源にできるだけ近づけること、すなわち熱抵抗が最小となる径路を設けることである。半導体素子においては、半導体ダイ、更に特定すればダイの活性面が最大の熱発生源である。
　【０００４】【発明が解決しようとする課題】半導体素子の熱を除去するための現行の数多くの方法に関する一つの問題は、それらの方法が薄いすなわち低い外形のパッケージには効果的に使用することができないことである。伝統的な熱の除去方法が効果的ではない低い外形のパッケージの一例は、オーバ・モールデッド・パッド・アレイ・キャリア（ＯＭＰＡＣ・・・）素子である。・・・
　【０００５】上述した２つの目的を、伝統的な熱の除去方法を用いて達成するために、ＯＭＰＡＣ素子の多くの望ましい特質が譲歩されることになる。例えば、パッケージ本体の上部にヒート・シンクを追加して、ＯＭＰＡＣ素子にヒート・シンクの露出した表面積を大きく得ようとすると、素子の高さすなわち厚さが増して好ましくなくなる。高さの増加を最小にしようとすると、ヒート・シンクはパッケージ本体の凹部の中に置かれることになるであろうが、これによって素子の中でヒート・シンクがワイヤ・ボンドと電気的にショートする可能性が増える。別の例としては、半導体ダイを伝統的な方法を用いて直接ヒート・シンクに取り付けると導伝性トレースをダイの下に通すことができなくなり、ＯＭＰＡＣ素子がユーザの基板上で最小限の基板面積を占めるという魅力的な特徴が生かせないことになる。」
（１ｂ）「【０００７】【課題を解決するための手段】本発明により、上述した従来技術の制限は克服され、他の利点が得られる。本発明の一つの形態では、半導体素子が回路基板を有するものである。この基板にはその上面に形成された複数の導伝性トレース、および基板を貫通する複数の導伝路がある。導伝路は導伝性トレースと電気的に結合している。基板にはまた、ダイ受容区域および開口部がある。この開口部はダイ受容区域から基板の底面に及んでいる。開口部の面積はダイ受容区域よりも小さい。熱導体がこの開口部を塞ぎ、ダイ受容区域および基板の底面とは実質的に平面状になっている。半導体ダイはダイ受容区域に置かれ、開口部と熱導体の上に横たわる。ダイは基板の複数の導伝路と電気的に結合され、従って基板の複数の導伝性トレースに結合される。複数のターミナルが基板の底面に取り付けられ、複数の導伝性トレースと電気的に結合し、半導体ダイに外部から電気的に接続できるようにしている。」
（１ｃ）「【００１０】図１は本発明による半導体素子１０を横断面図で示している。素子１０には、回路基板１４の上面のダイ受容区域に取り付けられた半導体ダイ１２がある。・・・・基板１４は半導体ダイ１２と電気信号の行き来をさせるために使用されるので、回路基板と呼ばれる。信号経路線を形成するために、基板１４にはその上面に複数の導伝性トレース１８がある。・・・・信号経路線の形成を可能にするために、回路基板１４には複数の導伝路２２がある。導伝路２２は基板１４を貫通して、基板の上面の導伝性トレースを底面の導伝性トレースと電気的に結合する。・・・回路基板の底面上の各導伝性トレースの終端部には、半田球２６を受け入れるために欠くことのできない導伝性パッド２４がある。半田球２６は、素子１０のターミナルであり、半導体ダイ１２と外部から電気的に接続することを可能にするものである。一般的には、パッド２４および半田球２６は基板１４の底面上にアレイの形態に配置されるので、素子１０はパッド・アレイまたはボール・アレイ素子と呼ばれる。・・・」
（１ｄ）「【００１２】本発明では、回路基板１４は基板の開口部３０の中に位置する熱導体２８も含んでいる。図１に示された素子１０では、開口部３０は基板の上面から底面に及び、熱導体２８は基板の上面および底面と平らになっている。・・・・・しかしながら、後に取り扱うことであるが、熱導体２８の面積は半導体ダイ１２の面積よりも小さくなければならない。導伝性トレース１８および導伝性パッド２４と同様に、熱導体２８はメッキしてもよい。例えば図１に示すように、基板１４の底面上に露出した熱導体の一部は、メッキされる区域３２で覆われる。・・・熱導体２８は銅または銅合金製であるから、金またはニッケルと金によりメッキされた区域は、一つまたはそれ以上の半田球２６を熱導体に取り付けるために、より半田付けに適する面を生み出すために使用することができる。半田球または他のターミナルを、熱導体、またはより好ましくは熱導体を覆う金属化された区域に取り付けることには利点がある。一つの利点は、半田球が熱の除去径路を熱導体を越えてユーザの基板にまで延長することである。延長された熱の径路は、素子１０が冷却装置を備えているユーザ基板に搭載される場合には特に有効である。
　【００１３】半田球・・・を熱導体と結合することの別の利点は、図２〜図４を参照して次に述べるように、熱導体を接地面として利用することができることである。・・・・・図２の素子３５には、基板１４の上面に形成されたメッキまたは金属化された区域３７の上に搭載した半導体ダイ１２がある。金属化された区域３７にはトレース１８と同様に、通常２つの層、すなわちラミネートされた導伝層とその上のメッキされた導伝層がある。・・・素子３５にもメッキされ金属化された区域３９があり、これは金属化された区域３７と同等であるが、基板１４の底面に形成されるものである。
　・・・・・
　【００１５】図２および図４でも示されているように、半田球２６は金属化された区域３９と結合している。これらの半田球は金属化された区域の二重の目的を満たすのを助けている。すなわち、半田球は熱導体２８および金属化された区域３９を越えてユーザの基板（図示せず）にまで熱の伝導径路を伸ばすことにより、素子の熱の発散を助けているのである。また、金属化された区域３９に取り付けられた半田球は、金属化された区域３７，３９および熱導体２８を接地電位に保つための、素子３５の接地ターミナルとして使用することもできる。」
（１ｅ）「【００１６】図５は本発明の他の形態の横断面図を示している。半導体素子４０は多層回路基板４２を使用している。上面と底面とに導伝性トレースがあるほかに、基板４２には内部に導伝層もある。多層の導伝層は基板に高密度の回路を作ることが可能であるから、多層基板は一般にターミナルの数の多い半導体素子に使用される。・・・・多層基板４２には一緒にラミネートされた２枚の単層基板４３，４４があり、２つ以上の平面に導伝トレース１８および導伝路２２がある。
　【００１７】本発明に従って多層基板を使用する際には、図５に示すように多層基板４２の上面に開口部４５が形成される。開口部４５は基板４２を貫通せず、基板の中にダイを受け入れる凹部を形成しこの中に半導体ダイ１２が取り付けられる。・・・・・開口部４５を設ける目的は、素子４０の高さすなわち外形を小さくするためである。開口部４５がなければ、半導体ダイ１２は多層基板４２の上面に取り付けられることになり、パッケージ本体は、ダイおよびワイヤ・ボンドを十分にカプセルで覆うためにパッケージ本体１５よりも高くならざるを得ない。・・・もう一つの重要な注意点は、多層基板４２は図５に示すような２枚の単層基板を含むものに限らないということである。本発明では回路基板の層がいくつであっても使用することができる。
　【００１８】本発明によれば、図１〜図５のそれぞれに示したように、熱導体２８を収容する開口部３０の面積は半導体ダイ１２の面積よりも小さい。更に特定するならば、熱導体２８の面積はダイ１２の面積の約１０−７５％であることが推奨される。一方では、この関係は、伝導面積をできる限り大きくとっている熱導体およびヒート・シンクを利用する標準的な業界の慣行に反するものである。しかし、この同じ関係には多くの利点がある。第一に、導伝トレースおよびターミナルは、熱導体２８があっても半導体ダイ１２の下を通すことができる。ターミナルをダイの下に道付けをして置くことができることにより、ターミナル密度の高い素子のサイズを小さくすることができる。さらに、ターミナルを熱導体に直接取り付けることができる。第二に、熱導体２８の面積と厚さが小さいので、多くの伝統的なヒート・シンクとは異なり素子の重さが大きくは増えない。特に、大部分の消費者製品に適用するものに関しては、過大な重さは半導体素子の不利な点である。第三に、熱導体２８の面積が半導体ダイ１２よりも小さいとしても、熱導体２８を通る熱の移動は、パッド・アレイ素子に用いられる現在の熱の除去方法よりもかなり高率である。・・・」
（１ｆ）「【００１９】本発明による半導体素子に熱導体を組み立てる、別の方法が図９〜図１０に示されている。・・・・・図９〜図１０に示された方法から若干形を変えたものに、２つ以上の軸部をもつ導伝プラグを使用するものがある。図１１の横断面図に示しているものは、回路基板７２の一部で、その導伝プラグ７６は基板に形成された多数の開口部と形状が一致しているものである。導伝プラグ７６は、上述した圧縮技術を用いたり、熱導体を接着剤で基板７２に単に接着することによって基板７２と一体化することができる。伝導プラグ７６には３本の柱部７８があり、基板の底面に露出している。図１１に示されている導伝プラグの形を用いることの利点は、導伝プラグ７６の底面が頭部と同じ面積である場合よりも、基板７２の底面上で利用できる基板面積が大きいことである。なおその上、基板７２が多層基板である場合には、導伝トレースを柱部７８の間に置くことができ、トレース密度をさらに高くすることができる。」
（１ｇ）「【００２２】・・・・・本発明は特定の具体例に関連して記述し説明を行ったが、本発明はこれら説明のための具体例に限定されるものではない。当業者は、本発明の精神から離れることなく変形や変種を作ることができることを認めるであろう。例えば、熱導体はここで開示された方法によってのみ回路基板と一体化する必要はない。・・・・・更に、本発明はここに記述され例示された熱導体の特定の形状や寸法に限定されるものではない。また、本発明は例示された特定の導伝トレース，導伝路または半田球の配列に限定されるものではない。更に、本発明に従って用いられる熱導体の上にまたは隣接して、金属化またはメッキされた区域がある必要性もない。更に、ここで例示したような１つの熱導体を用いずに、複数のより小さい熱導体の方が適用例によっては望ましいことがあり得ることも考えられる。それゆえに、本発明はそのような変形や変種の全てを特許請求の範囲に含むものである。」
（１ｈ）図１１には、導伝プラグ７６は回路基板７２に形成された多数の開口部と形状が一致しているものであり、導伝プラグ７６には３本の柱部７８があり、該基板の底面に露出していることが示され、更に、伝導プラグ７６の上面の面積は、底面の３本の柱部７８面積の約２倍以上になっていることが示されている。　
　
３．当審の判断
３−１．刊行物記載の発明
　上記摘記事項（１ｂ）には「基板にはまた、ダイ受容区域および開口部がある。この開口部はダイ受容区域から基板の底面に及んでいる。・・・・熱導体がこの開口部を塞ぎ、ダイ受容区域および基板の底面とは実質的に平面状になっている。半導体ダイはダイ受容区域に置かれ、開口部と熱導体の上に横たわる。」と記載されているから、基板の上面にはダイ受容区域が形成され、基板の底面にはダイ受容区域から底面に及び貫通して設けられた開口部が形成されており、この開口部には熱導体が塞いでおり、熱導体は基板の底面において露出していることが理解できる。
　また、上記摘記事項（１ｆ）には「図１１の横断面図に示しているものは、回路基板７２の一部で、その導伝プラグ７６は基板に形成された多数の開口部と形状が一致しているものである。・・・伝導プラグ７６には３本の柱部７８があり、基板の底面に露出している。」と記載されているから、導伝プラグは基板に形成された開口部と形状が一致し、導伝プラグの上面はダイ受容区域を形成し、基板のダイ受容区域から一定の深さまで上面と同一形状で導伝プラグの上部を形成するとともに、基板の一定の深さから基板の底面までに至り、底面から３本突出して露出し下部を形成するもので、３つの開口部が基板の底面に形成されているものである。
　また、上記摘記事項（１ｅ）によれば、多層基板４２には一緒にラミネートされた２枚の単層基板４３，４４があり、２つ以上の平面に導伝トレース１８および導伝路２２があり、上面の開口部４５、底面の開口部３０を設けてあるから、多層基板の開口部は２段の階段状に構成されているものであり、上記３本の柱部からなる導伝プラグを当該多層基板に設ける場合も記載されているといえる。
　更に、上記摘記事項（１ｄ）段落【００１５】には「半田球は熱導体２８および金属化された区域３９を越えてユーザの基板・・・にまで熱の伝導経路を伸ばすことにより、素子の熱の発散を助けているのである。」と記載されているから、熱導体にある半田球は熱伝導のためにユーザ基板に接続していることがわかる。
　なお、刊行物には、「本発明に従って用いられる熱導体の上にまたは隣接して、金属化またはメッキされた区域がある必要性もない」と記載されている（摘記事項（１ｇ）段落【００２２】）から、基板の上面及び底面には、金属化またはメッキされた区域がない場合も想定しているものである。
　
　そこで、刊行物の摘記事項（１ａ）〜（１ｈ）を総合すると、刊行物には、「上面と底面とを具備する基板に貫通して設けられ、上面に露出するとともに底面に３つの開口部を具備しており、且つ複数個の導伝トレースを具備する基板が設けられており、熱導体から構成されており且つ上面と底面とを具備する導伝プラグが設けられており、この導伝プラグは基板の開口部内に位置されており且つその底面は基板の底面から露出されており、導伝プラグの上面に装着されており且つ基板の導伝トレースへ電気的に接続された半導体素子が設けられており、基板の底面上に配設されており且つユーザ基板への接続を行なうために基板の導伝トレースと電気的に接続した状態で複数個の半田球が設けられており、該ユーザ基板への熱的接続を行なうために導伝プラグの底面に配設した複数個の半田球が設けられており、基板の開口部が２段の階段状に構成されている、パッケージした集積回路」（以下、「刊行物記載発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−２．対比・判断
　本願補正発明１と刊行物記載発明とを対比する。刊行物記載発明での基板の「底面」「上面」は、本願補正発明１での基板の「第一表面］「第二表面」に相当し、刊行物記載発明の「導伝トレース」、「導伝プラグ」、「半導体素子」及び「ユーザ基板」は、それぞれ本願補正発明１の「電気的導体」、「スラグ」、「集積回路チップ」及び「回路ボード」に相当する。また、刊行物記載発明の「基板の導伝トレースと電気的に接続した状態で複数個の半田球が設けられ」及び「導伝プラグの底面に配設した複数個の半田球が設けられ」は、それぞれ本願補正発明１の「基板の電気的導体と電気的に接続した状態で第一複数個の半田ボールが設けられ」及び「スラグの第一表面に配設して第二複数個の半田ボールが設けられ」に相当する。
　そうすると、両者は、「パッケージした集積回路において、第一表面と第二表面とを具備すると共に、貫通して設けられた開口を具備しており、且つ複数個の電気的導体を具備する基板が設けられており、熱伝導性物質から構成されており且つ第一表面と第二表面とを具備するスラグが設けられており、前記スラグは前記基板の開口内に位置されており且つその第一表面は前記基板の第一表面において露出されており、前記スラグの第二表面へ装着されており且つ前記基板の導体へ電気的に接続されて集積回路チップが設けられており、前記基板の第一表面上に配設されており且つ回路ボードへの接続を行なうために前記基板の電気的導体と電気的に接続した状態で第一複数個の半田ボールが設けられており、前記回路ボードへの熱的接続を行なうために前記スラグの第一表面に配設して第二複数個の半田ボールが設けられており、前記基板の開口が階段状に構成されているパッケージした集積回路」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：集積回路チップのスラグへの装着について、本願補正発明１では、スラグの第二表面へ受納されて装着されておりとしているのに対し、刊行物記載発明では、スラグの第二表面へ装着されているものの、受納されて装着されているのか否かは不明である点。
　相違点２：本願補正発明１では、基板の開口が階段状に構成されていて複数段の端子領域を構成しているのに対し、刊行物記載発明では、基板の開口は階段状に構成されているものの、複数段の端子領域を構成していることが記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
相違点１について
　刊行物には、上記摘記事項（１ｂ）、（１ｅ）段落【００１８】によれば、基板を貫通する開口部に収容される熱導体の面積は、半導体ダイの面積の約１０−７５％であることが推奨されるとしているから、基板に収容される熱導体の面積を半導体ダイの面積の７５％とすることができる。
　また、刊行物記載発明では、基板の底面に３つの開口部を具備し、伝導プラグが基板の開口部内に位置されており、伝導プラグの上面は大きく、伝導プラグの底面が３本の柱部となり上面より小さい場合では、伝導プラグの上面は底面の３本の柱部面積の約２倍以上になっている（摘記事項（１ｈ））ものである。そして、この３本の柱部面積は上記熱導体の面積に該当する。
　今、伝導プラグの底面である３本の柱部面積を、半導体ダイの面積の７５％とすると、半導体ダイの面積は、３本の柱部面積の約１．３３倍になり、基板の上面の開口部の面積、即ち基板の上面の導伝プラグの面積は、半導体ダイの面積よりも大きいものである。
　即ち伝導プラグの３本の柱部面積が半導体ダイの面積の７５％よりも小さいことは、基板の上面のダイ受容区域（約２倍以上）は、半導体ダイの面積である、３本の柱部面積の１．３３倍よりも大きいことは明らかであり、半導体素子は伝導プラグの上面へ受納されて装着されることになる。
　刊行物記載発明は、上記摘記事項（１ｂ）段落【０００７】によれば、「基板にはまた、ダイ受容区域および開口部がある。この開口部はダイ受容区域から基板の底面に及んでいる。開口部の面積はダイ受容区域よりも小さい。」としているものの、上記のとおり伝導プラグが３本の柱部がある場合の実施態様によれば、半導体素子は伝導プラグの上面へ受納されて装着されることが示唆されているものである。
　
　一方、半導体などの電子部品搭載用基板として、ヒートシンクを用いた基板において、チップを搭載する面のヒートシンクの大きさを、チップを受納するようにチップの面積よりも大きくすることは、次の文献に示すとおり周知である。
　周知例１：特開平２−５８３５８号公報（第２頁左上欄２行〜右上欄１１行、第４図、第５図参照）
　周知例２：特開平５−３０４２２３号公報（段落【０００４】、【０００５】、図３、図４参照）
　周知例３：特開昭４９−８０５６９号公報（第１頁左下欄下から３〜末行、第１図、第４図、第５図参照）
　
　そして、刊行物記載発明の一実施態様での示唆、従来の標準的な業界の慣行である、熱導体の伝導面積をできる限り大きくとっていること（摘記事項（１ｅ）段落【００１８】）及び上記周知例をあわせ考慮すると、刊行物発明において、導伝プラグの面積を半導体ダイの面積より大きくして、半導体ダイを受納して装着するようにすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
相違点２について
　階段状に構成された基板の開口部に、複数段の端子領域を設けることは周知の技術にすぎない（特開平２−３９４４５号公報（第１図（ｂ）、第３図参照）、特開昭５９−１４６５２号公報（第１図参照）、特開昭５６−１２６９４８号公報（第２図、第３図参照））から、刊行物記載発明における基板の開口部を、階段状に構成されていて複数段の端子領域を構成しているとすることは、当業者ならば適宜になし得る設計的事項にすぎない。
　
　そして、本願補正発明１の奏する効果も刊行物発明及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１６年７月１４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２２に係る発明は、同年２月１２日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２２に記載されたとおりものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】　パッケージした集積回路において、
　第一表面と第二表面とを具備すると共に、貫通して設けられた開口を具備しており、且つ複数個の電気的導体を具備する基板が設けられており、
　熱伝導性物質から構成されており且つ第一表面と第二表面とを具備するスラグが設けられており、前記スラグは前記基板の開口内に位置されており且つその第一表面は前記基板の第一表面において露出されており、
　前記スラグの第二表面へ受納されて装着されており且つ前記基板の導体へ電気的に接続されて集積回路チップが設けられており、
　前記基板の第一表面上に配設されており且つ回路ボードへの接続を行なうために前記基板の電気的導体と電気的に接続した状態で第一複数個の半田ボールが設けられており、
　前記回路ボードへの熱的接続を行なうために前記スラグの第一表面に配設して第二複数個の半田ボールが設けられている、
ことを特徴とするパッケージした集積回路。」
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物及びその摘記事項は、上記「II．２−１．引用刊行物とその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．当審の判断
　本願発明１は、上記本願補正発明１の発明特定事項の一部である、「前記基板の開口が階段状に構成されていて複数段の端子領域を構成している」という具体的な限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明１の構成を全て含み、さらに他の構成を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．当審の判断」に記載したとおり、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。