【事件の表示】
　特願２００２−１９９０７６「回路基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月１２日出願公開、特開２００４−　４７５１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１４年７月８日の出願であって、平成２０年１月７日付けで拒絶理由通知がなされ、同年３月１３日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年４月９日付けで拒絶査定がなされ、同年５月１４日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに、同年５月２７日に手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成２０年５月２７日付け手続補正の補正の却下について
＜結論＞
　平成２０年５月２７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を　却下する。
　
＜理由＞
（１）補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１、２を削除し、請求項３、４を、それぞれ請求項１、２に繰り上げるとともに、ニッケル（Ｎｉ）からなる第１の膜が形成される電極表面を、「電極における上面及び側面の」と限定することを含むものであり、請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１、２に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
　
（２−１）本件補正後の本願発明
　本件補正後の本願請求項１に係る発明は、下記のとおりである。
　
「【請求項１】
　　基板の上方に回路パターンを形成する工程と、
　　前記回路パターン上に、ソルダーレジストと離間して、銅（Ｃｕ）から　なる電極を形成する工程と、
　　前記電極における上面及び側面の全面を覆うように、ニッケル（Ｎｉ）　からなる第１の膜を無電界めっき法で形成する工程と、
　　前記全面を覆うように、前記第１の膜上に重ねて、金（Ａｕ）からなる　第２の膜を無電界めっき法で形成する工程と、
　　前記第２の膜上に、錫（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）を含むバンプを形成する　工程と、
　　を有することを特徴とする回路基板の製造方法。」（以下、「本願補正　発明１」という。）
　
（２−２）引用刊行物の記載事項
　　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された特開２００２　−１２４７５６号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、下記の事　項が記載されている。
　
（ａ）「【請求項１】外部の回路に形成される外部端子と接続するための端　　子部を有する回路基板において、
　　前記端子部には、ニッケルめっき層およびはんだバンプが形成されてお　　り、
　　前記ニッケルめっき層の厚さが、１．０〜４．０μｍであることを特徴　　とする、回路基板。」（【特許請求の範囲】）
　
（ｂ）「…図１は、本発明の回路基板の一実施形態が示される要部断面図で　　ある。図１（ａ）において、この回路基板１は、例えば、絶縁体からな　　るベース層２と、所定の回路パターンとして形成される導体層３と、導　　体層３を被覆する絶縁体からなるカバー層４とが、順次積層されること　　により、形成されている。……
　　　また、導体層３を形成する導体としては、…好ましくは、銅が用いら　　れる。」（【００１２】−【００１３】）
　
（ｃ）「ベース層２の上に、導体層３を所定の回路パターンで形成する……　　…そして、この回路基板１には、……端子部６が形成されている。この　　端子部６は、カバー層４を開口することにより露出される導体層３の表　　面に形成されており、下地めっき層７およびはんだバンプ８によって形　　成されている。
　　……
　　…下地めっき層７は、ニッケルのめっきによって形成されるニッケルめ　　っき層によって形成されている。ニッケルめっき層の形成は、電解めっ　　き、無電解めっきのいずれでもよい。」（【００１５】−【００１７】　　）
　
（ｄ）「また、下地めっき層７には、ニッケルめっき層の上に、必要により　　、金のめっきによって形成される金めっき層を設けてもよい。金めっき　　層の形成は、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよい。……  。
　　……
　　なお、このような金めっき層が形成される態様は、例えば、図２で示さ　　れる。図２においては、ニッケルめっき層７ａの上に、金めっき層７ｂ　　が形成され、その金めっき層７ｂの上に、次に述べるはんだバンプ８が　　形成されている。」（【００１８】）
　
（ｅ）「はんだバンプ８は、この下地めっき層７の上に形成されている。　　　……
　　…また、はんだの組成としては、…より具体的には、錫および銀の２成　　分、…のいずれかの組成のはんだを用いることが好ましい。」（【００　　２０】−【００２１】）
　
（ｆ）「なお、図１に示す回路基板では、カバー層４の開口部において、導　　体層３の表面のみを露出させているが、例えば、図３に示すように、カ　　バー層４をより大きく開口することにより、導体層３の表面のみならず　　側面をも露出させるようにして、その導体層３の表面および側面に、端　　子部６を形成するようにしてもよい。
　　…すなわち、図３においては、カバー層４をより大きく開口することに　　より、導体層３の表面および側面を露出させて、その導体層３の表面お　　よび側面に、下地めっき層７を形成し、さらに、その表面および側面に　　はんだバンプ８を形成するようにしている。」（【００２７】−【００　　２８】）
　
（２−３）引用発明
　上記記載事項（ａ）−（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）によれば、
「ベース層の上方に銅回路パターンを形成する工程と、
　カバー層を大きく開口し、銅回路パターンの表面および側面を露出させる工程と、
　露出した回路パターンにおける表面および側面の全面を覆うように、ニッケルからなる第１の層を無電解めっき法で形成する工程と、
　前記第１の層上に、錫及び銀を含むバンプを形成する工程と、
　を有する回路基板の製造方法。」が記載されている。　
　
　そして、上記回路基板の製造方法において、「カバー層を大きく開口し、銅回路パターンの表面および側面を露出させる」ことにより、露出された面上には、さらにニッケル層と錫および銀を含むバンプからなる端子部が形成されることから、該露出された面は電極としての機能も有していると解されるから、「カバー層を大きく開口し、銅回路パターンの表面および側面を露出させる工程」とは、「回路パターン上に、カバー層と離間して、銅からなる電極を形成する工程」であり、「露出した回路パターンの表面および側面」とは「電極」であるといえる。
　また、回路基板において、配線パターン上の端子形成部に通電効率等のために銅電極を設けることは通常行われることであるから、上記引用刊行物の製造方法において、露出した回路パターンと同形状の銅電極をさらに設けること、すなわち、カバー層と離間して銅電極を設けることも、記載されているに等しい事項であるといえる。
　　
　よって、引用刊行物には、
「ベース層の上方に銅回路パターンを形成する工程と、
　前記回路パターン上に、カバー層と離間して、銅からなる電極を形成する工程と、
　前記電極における表面および側面の全面を覆うように、ニッケルからなる第１の層を無電解めっき法で形成する工程と、
　前記第１の層上に、錫及び銀を含むバンプを形成する工程と、
　を有する回路基板の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。　
　
（２−４）対比・判断
　本願補正発明１と引用発明とを対比すると、
　引用発明における、「銅回路パターン」、「ベース層」、「カバー層」、「表面」、「第１の層」は、それぞれ、本件補正発明１における、「回路パターン」、「基板」、「ソルダーレジスト」、「上面」、「第１の膜」に相当するから、
　
　両者は、
　「基板の上方に回路パターンを形成する工程と、
　　前記回路パターン上に、ソルダーレジストと離間して、銅（Ｃｕ）から　なる電極を形成する工程と、
　　前記電極における上面及び側面の全面を覆うように、ニッケル（Ｎｉ）　からなる第１の膜を無電界めっき法で形成する工程と、
　　前記第１の膜上に、錫（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）を含むバンプを形成する　工程と、
　　を有する回路基板の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違す　る。
　
（相違点）
　本願補正発明１では、「前記全面を覆うように、前記第１の膜上に重ねて、金（Ａｕ）からなる第２の膜を無電界めっき法で形成する工程」を有するのに対し、引用発明では、そうではない点。
　
　上記相違点について検討すると、
　引用刊行物には、下地メッキ層には、ニッケルめっき層の上に、必要により、金めっき層を無電解めっきにより設けてもよい旨、記載されている（上記記載事項（２−２）（ｄ）参照）。
　そして、該金めっき層の形態、作用効果に関する具体的記載はないものの、回路基板の端子部をニッケルめっき−金めっき−はんだバンプから構成することは慣用手段にすぎず、該金めっきが、下地ニッケルめっき層の酸化防止および半田接合時の半田濡れ性確保のためのものであることも周知の事項である（下記周知例参照）。
　
・周知例（特開平１１−１４５５９０号公報）
　「…電極パッド部上に、無電解めっき法によりＮｉ−Ｂ系めっき膜を形成　する工程と、
　該工程にて形成されたＮｉ−Ｂ系めっき膜上に、無電解めっき法によりＮ　ｉ−Ｐ系めっき膜を形成する工程と、
　該工程にて形成されたＮｉ−Ｐ系めっき膜上に、無電解めっき法によりＡ　ｕ系めっき膜を形成する工程とを含むことを特徴とする回路配線基板の製　造方法。」（【請求項１】）
　「また、最終的にＡｕ系めっき膜を形成することとしたのはＮｉ−Ｐ系膜　の酸化を防止すると同時に半田付けの際に良好な半田濡れ性を確保するた　めである。」（【００１５】）
　
　したがって、引用発明において、下地ニッケル層の酸化防止や半田濡れ性を十分に確保すべく、ニッケルからなる第１の層上に、無電解めっき法により金めっき層を形成し、その際、「全面を覆うように、前記第１の膜上に重ねて」形成することは当業者が容易に想到することと認める。
　
  そして、本願補正発明１が、引用刊行物の記載内容および周知、慣用技術からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願補正発明１は、引用刊行物に記載された発明及び周知、慣用技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３）まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２
第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　平成２０年５月２７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１−４に係る発明は、同年３月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−４に記載されたとおりのものである。
　そして、その請求項３に係る発明（以下、「本願発明３」という。）は、上記［２］（１）のとおり、本願補正発明１のニッケル（Ｎｉ）からなる第１の膜が形成される電極表面について、「電極における上面及び側面の」なる限定のないものであり、本願補正発明１は、上記［２］（２）で述べたとおり、引用刊行物に記載された発明及び周知、慣用技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明３についても、引用刊行物に記載された発明及び周知、慣用技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである 。
　
［４］むすび
　以上のとおり、本願請求項３に記載された発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　そのため、本願請求項１、２、４に記載された発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
  よって、結論のとおり審決する。