【事件の表示】
　特願２００２−２６３２２５「半導体レーザモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　２日出願公開、特開２００４−１０３８０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年９月９日の特許出願であって、平成２０年８月２５日付けで手続補正がなされたところ、同年１０月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年１２月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年１２月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１２月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容・目的
　平成２０年１２月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項２を、以下のとおりの請求項１に補正することを含むものである。 
　
「レーザ光の出射端面に設けた第１反射膜と該レーザ光の反射端面に設けた第２反射膜との間に形成された活性層の近傍に回折格子を設け、前記活性層が形成する共振器長と前記回折格子の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子の出射端面近傍に設けられ、前記半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の光軸に対して主面が４°の傾斜角度で傾斜したレンズと、
　を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。」
　
　本件補正は、補正前の請求項２の「半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の光軸に対して主面が３°〜４°の傾斜角度で傾斜したレンズ」について、傾斜角度を「４°」に限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
２　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物記載の発明
　ア　引用刊行物１及び引用発明１
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２０４０２４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　 
（ア）　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  レーザ光の出射端面に設けた第１反射膜と該レーザ光の反射端面に設けた第２反射膜との間に形成された活性層の近傍に回折格子を設け、
前記活性層が形成する共振器長と前記回折格子の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力することを特徴とする半導体レーザ装置。
・・・
【請求項１２】  請求項１〜１１に記載の半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置から出射されたレーザ光を外部に導波する光ファイバと、
前記半導体レーザ装置と前記光ファイバと光結合を行う光結合レンズ系と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項１３】  前記半導体レーザ装置の温度を制御する温度制御装置と、
前記光結合レンズ系内に配置され、光ファイバ側からの反射戻り光の入射を抑制するアイソレータと、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１４】  請求項１〜１１に記載の半導体レーザ装置、あるいは請求項１２または１３に記載の半導体レーザモジュールを広帯域ラマン増幅用の励起光源として用いたことを特徴とするラマン増幅器。」
　
（イ）　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ラマン増幅用励起光源に適した半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器に関するものである。」
　
（ウ）　「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】・・・
・・・
【００１６】また、ラマン増幅器におけるラマン増幅では、信号光の偏波方向と励起光の偏波方向とが一致することを条件としている。すなわち、ラマン増幅では、増幅利得の偏波依存性があり、信号光の偏波方向と励起光の偏波方向とのずれによる影響を小さくする必要がある。ここで、後方励起方式の場合、信号光は、伝搬中に偏波がランダムとなるため、問題は生じないが、前方励起方式の場合、偏波依存性が強く、励起光の直交偏波合成、デボラライズなどによって偏波依存性を小さくする必要がある。すなわち、偏光度（ＤＯＰ：Degree Of Polarization）を小さくする必要がある。
【００１７】さらに、ラマン増幅は、得られる増幅率が比較的低いため、高出力のラマン増幅用励起光源の出現が望まれていた。
【００１８】この発明は上記に鑑みてなされたもので、安定し、高利得を得ることができるラマン増幅器用光源に適した半導体レーザ装置および半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。」
　
（エ）　「【００６６】（実施の形態２）つぎに、この発明の実施の形態２について説明する。上述した実施の形態１では、共振器長Ｌを長くすることによって、発振波長スペクトル３０の半値幅Δλｈ内の縦モード数が複数となるようにしていたが、この実施の形態２では、回折格子１３のグレーティング長ＬＧあるいは結合係数を変化させることによって、発振波長スペクトル３０の半値幅Δλｈを変化させ、これによって半値幅Δλｈ内の縦モード数が相対的に複数となるようにしている。
【００６７】図６は、この発明の実施の形態２である半導体レーザ装置の概要構成を示す長手方向の縦断面図である。この半導体レーザ装置は、図１〜図３に示した半導体レーザ装置２０の回折格子１３に対応する回折格子４３の構成が、半導体レーザ装置２０と異なるとともに、出射側反射膜１５の反射率が異なる。」
　
（オ）「【００８８】（実施の形態４）つぎに、この発明の実施の形態４について説明する。この実施の形態４では、上述した実施の形態１〜３で示した半導体レーザ装置をモジュール化したものである。
【００８９】図１５は、この発明の実施の形態４である半導体レーザモジュールの構成を示す縦断面図である。図１５において、この半導体レーザモジュール５０は、上述した実施の形態１〜３で示した半導体レーザ装置に対応する半導体レーザ装置５１を有する。半導体レーザモジュール５０の筐体として、Ｃｕ−Ｗ合金などによって形成されたパッケージ５９の内部底面上に、温度制御装置としてのペルチェモジュール５８が配置される。ペルチェモジュール５８上にはベース５７が配置され、このベース５７上にはヒートシンク５７ａが配置される。・・・
【００９０】ベース５７上には、半導体レーザ装置５１およびサーミスタ５８ａを配置したヒートシンク５７ａ、第１レンズ５２、およびモニタフォトダイオード５６が配置される。半導体レーザ装置５１から出射されたレーザ光は、第１レンズ５２、アイソレータ５３、および第２レンズ５４を介し、光ファイバ５５上に導波される。第２レンズ５４は、レーザ光の光軸上であって、パッケージ５９上に設けられ、外部接続される光ファイバ５５に光結合される。・・・
【００９１】ここで、この半導体レーザモジュール５０では、他の光学部品などによる反射戻り光が共振器内に再入力しないように、半導体レーザ装置５１と光ファイバ５５との間にアイソレータ５３を介在させている。・・・」
　
（カ）「【０１１６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明によれば、レーザ光の出射端面に設けた第１反射膜と該レーザ光の反射端面に設けた第２反射膜との間に形成された活性層の近傍に回折格子を設け、前記活性層が形成する共振器長と前記回折格子の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって波長が安定化され、かつ発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上、好ましくは３本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力するようにしているので、複数の発振縦モードの存在によって光出力ピーク値を抑えて、光出力パワーを増大させることができ、ラマン増幅器に用いた場合に、誘導ブリルアン散乱を抑えつつ、高いラマン増幅を行うことができるという効果を奏する。また、ファイバグレーティングを用いず、第１反射膜からの出射光をそのままラマン増幅器用の励起用光源として用いているため、従来のファイバグレーティングを用いた半導体レーザ装置に比して、相対強度雑音が低減され、ラマン増幅器に用いた場合に安定したラマン増幅を行うことができるという効果を奏する。
【０１１７】また、共振器が物理的に分離されていないため、光軸合わせなどを行う必要がなく、組立が容易になるとともに、機械的振動などによってレーザの発振特性が変化しにくくなり、安定したレーザ光を信頼性高く出力することができ、ラマン増幅器に用いた場合に安定かつ信頼性の高いラマン増幅を行うことができるという効果を奏する。
【０１１８】また、複数の発振縦モードの存在によって、デポラライズのために使用する偏波面保持ファイバ長を短くすることができるという効果を奏する。
【０１１９】さらに、当該半導体レーザ装置内の回折格子によって波長ロックを行うようにしているので、出力されたレーザ光を導く光ファイバからの反射戻り光の入射を防ぐためのアイソレータの組み込みが容易になるという効果を奏する。」
　
（キ）上記（オ）によれば、「半導体レーザ装置５１およびサーミスタ５８ａを配置したヒートシンク５７ａ、第１レンズ５２、およびモニタフォトダイオード５６」がその上に配置される「ベース５７」は、半導体レーザモジュール５０の筐体としての「パッケージ５９」の内部に配置されているものと認められる。
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「ラマン増幅用励起光源に適した半導体レーザモジュールであって、
レーザ光の出射端面に設けた第１反射膜と該レーザ光の反射端面に設けた第２反射膜との間に形成された活性層の近傍に回折格子を設け、前記活性層が形成する共振器長と前記回折格子の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置から出射されたレーザ光を外部に導波する光ファイバと、
前記半導体レーザ装置と前記光ファイバと光結合を行う光結合レンズ系と、
を備え、
前記半導体レーザモジュールのパッケージの内部にはベースが配置され、このベース上には、半導体レーザ装置を配置したヒートシンク、第１レンズ、およびモニタフォトダイオードが配置され、
前記半導体レーザ装置から出射されたレーザ光は、第１レンズ、アイソレータ、および第２レンズを介し、光ファイバ上に導波され、第２レンズは、レーザ光の光軸上であって、パッケージ上に設けられ、外部接続される光ファイバに光結合される、
半導体レーザモジュール。」
　
　イ　引用刊行物２及び引用発明２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−４３６９２号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　 
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上に実装された発光素子と、光ファイバと、該発光素子の放射光を該光ファイバの一方の端面に導き且つ収束させる光学系とを一体に構成してなる発光素子モジュールにおいて、
該発光素子の放射光の光軸が、該光学系を構成する光学部品のうち、該発光素子に最も近い第１光学部品の光学的な中心軸と一致しないように構成されていることを特徴とする発光素子モジュール。
・・・
【請求項３】請求項１に記載された発光素子モジュールにおいて、前記発光素子の放射光の光軸と前記第１光学部品の光軸とが、互いに平行ではなく、且つ、該発光素子の発光中心以外の位置で交叉していることを特徴とする発光素子モジュール。
【請求項４】請求項３に記載された発光素子モジュールにおいて、前記基板が、前記発光素子を支持する水平部分と、前記第１光学部品を支持する垂直部分とを含み、該垂直部分の少なくとも一方の面が、該発光素子の放射光の光軸に対して直角ではない所定の角度を有することを特徴とする発光素子モジュール。」
　
（イ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光素子モジュールに関する。より詳細には、本発明は、発光素子と共に、レンズ、アイソレータ、光ファイバ等を一体化して構成される発光素子モジュールの新規な構成に関する。」
　
（ウ）「【０００２】
【従来の技術】図19は、発光素子モジュールの典型的な構成を示す垂直縦断面図である。
【０００３】同図に示すように、発光素子モジュールは、発光素子１、光学系および光ファイバ４を一体化して構成されている。発光素子１はモニタ用のフォトダイオード８および第１レンズ２と共に基板５上に実装されている。ここで、発光素子１はチップキャリア７を介して、第１レンズ２はレンズホルダを介して、それぞれ基板５に実装されている。更に、この基板５はペルチェ効果素子等の温度制御素子を介してパッケージ６の底面に固定されている。
【０００４】一方、パッケージ１の一方の側面にはハーメチックガラス９で封止された窓が形成されており、この窓の外側にアイソレータ10およびレンズホルダ11が順次装着されている。レンズホルダ11は第２レンズ３を支持しており、更に、レンズホルダ11の他端にはフェルールホルダ12が固定されている。光ファイバ４の端部を把持したフェルール13がフェルールホルダ12に挿入されている。
【０００５】以上のように構成された発光素子モジュールにおいて、発光素子１から出射された出射光は、第１レンズ２、アイソレータ10、第２レンズ３等を順次通過した後、最終的に光ファイバ４の端面に結合される。ここで、通常は、第１レンズ2は発光素子１の放射光を平行光にする機能を有しており、また、第２レンズ３は第１レンズ２から出射された平行光を光ファイバ４の入射端面に収束させる機能を有している。
・・・
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のような構成の発光素子モジュールにおいて、第１レンズ２、アイソレータ10、第２レンズ３等の光学素子の入射面および出射面では不可避に反射が生じる。
【０００８】一方、発光ダイオード、半導体レーザ等の半導体発光素子は、その動作中に上述のような反射光が戻って来て再注入されると、多重反射の影響で発光波長や出力が不安定になり、戻り光雑音や歪が増加するという問題がある。
【０００９】図19または図20に示した発光素子モジュールにおいて使用されているアイソレータ10はこの種の反射光を遮断する目的で設けられたものであり、また、光ファイバの端面反射を低減するために光ファイバの端面を斜めに研磨する等の工夫も提案され、既に実施されている。しかしながら、この種の工夫は、モジュールのパッケージ内部に実装されている第１レンズ２の表面で発生する反射に対しては全く効果が及ばない。
【００１０】そこで、本発明は、発光素子モジュールにおける上記従来技術の問題点を解決し、モジュールを構成する各光学部品における戻り光を一層抑制することができる新規な構成を提供することをその目的としている。」
　
（エ）「【００１２】
【作用】本発明に係る発光素子モジュールは、発光素子の放射光の光軸とこの放射光が最初に通過する光学部品の光学的中心とが一致しないように構成されている点にその主要な特徴がある。
【００１３】即ち、従来の発光素子モジュールにおいては、主に結合効率を高くするという観点から、各々の光学的な中心が一直線上に配列されるように各部品が位置決めされていた。しかしながら、発光素子の放射光が光学部品を通過する際には各光学部品への入射および出射に際して発光素子に戻るような反射光が不可避に発生し、これが発光素子の特性劣化の原因となっていた。
【００１４】これに対して、本発明に係る発光素子モジュールにおいては、発光素子の直後に配置された光学部品の光軸が、発光素子の放射光の光軸と一致しないように構成されている。尚、ここで『一致しない』という意味は、両光軸が平行で互いにオフセットされている場合と、両光軸が互いに平行ではなく所定の角度をなすような位置関係になっている場合との両方を含んでいる。
【００１５】このようなレイアウトにより、パッケージ内部の光学部品の入射面と出射面における反射光の光軸は発光素子の発光部からそれるので、発光素子の発光部に戻る戻り光は僅かになる。」
　
（オ）「【００１９】
【実施例】
〔実施例１〕図１は、発光素子の放射光軸と光学系の光軸とをオフセットする方式で本発明を実現した発光素子モジュールの具体的な構成例を示す水平縦断面図である。なお、この発光素子モジュールは、図11に示した従来の発光素子モジュールと共通の構成要素により構成されており各構成要素には共通の参照番号を付している。この発光素子モジュールの固有の特徴は、後述するような各要素の配置と姿勢にある。
【００２０】この発光素子モジュールにおいて、発光素子１は、その出射光の中心軸が、第１レンズ２、光アイソレータ10、第２レンズ３および光ファイバ４からなる光学系の伝播光軸からオフセットされるように位置決めされている。
・・・
【００２７】〔実施例２〕図５は、本発明に係る発光素子モジュールの他の態様を示す図である。尚、図５において、図１と共通の構成要素には共通の参照番号を付している。
【００２８】同図に示すように、この発光素子モジュールは、基本的には図１に示した発光素子モジュールと共通の構成を有している。この発光素子モジュールの特徴は、発光素子１を搭載しているチップキャリア７を、基板５の垂直部に対して傾けて実装することにより、発光素子１の出射光軸が光学系の伝播光軸と交叉するような配置となっていることである。
【００２９】図６は、本発明に係る発光素子モジュールにおける発光素子とレンズとの相対位置とその作用を説明するための図である
【００３０】同図に示すように、本発明に係る発光素子モジュールにおいては、発光素子１の放射光の中心と、レンズ２の中心軸とが所定の角度δをなすように配置されている。尚、このような配置は、実際には、発光素子１とレンズ２のいずれか一方を、あるいは両方を回転させても実現できる。
【００３１】図７は、図６に示した配置における、発光素子の傾き角度と戻り光量との関係を示すグラフである。同図から、傾き角度が大きくなるにつれて戻り光量が減少することがわかる。
【００３２】一方、図８は、発光素子１のずれ角度と、レンズ２から出射される相対光量の変化との関係を示すグラフである。
【００３３】同図に示すように、角度ずれに起因する相対光量の変化は、戻り光量の変化に比較すると非常に小さい。従って、戻り光量の低減により発光素子の動作が安定して実質的に利用できる光パワーが増加することを考慮にいれると、相対光量の低下は無視することができる。」
　
（カ）「【００５７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によると、発光素子モジュールにおける各光学部品から発光素子への戻り光量を効果的に低減することができるので、発光素子の動作を安定させ、発光素子モジュール全体の特性を向上させることができる。
【００５８】また、本発明に係る発光素子モジュールは、基本的には従来の発光素子モジュールと共通の部材を用い、レイアウトの変更だけで実現されている。従って、製造コストの上昇や製造工数の増加を招くことなく実現することができる。」
　
（キ）上記（カ）の「本発明に係る発光素子モジュールは、基本的には従来の発光素子モジュールと共通の部材を用い、レイアウトの変更だけで実現されている。」（段落００５８）との記載等から、上記（オ）の実施例１及び実施例２の発光素子モジュールは、上記（ウ）の発光素子モジュールの典型的な構成の、「発光素子１から出射された出射光は、第１レンズ２、アイソレータ10、第２レンズ３等を順次通過した後、最終的に光ファイバ４の端面に結合される。ここで、通常は、第１レンズ2は発光素子１の放射光を平行光にする機能を有しており、また、第２レンズ３は第１レンズ２から出射された平行光を光ファイバ４の入射端面に収束させる機能を有している。」との事項を、同様に備えていると認められ、これら、「第１レンズ２」、「アイソレータ10」及び「第２レンズ３」が、上記（ア）（請求項１）の「発光素子の放射光を該光ファイバの一方の端面に導き且つ収束させる光学系」を構成していると認められる。
　
（ク）上記（ウ）の「一方、発光ダイオード、半導体レーザ等の半導体発光素子は、その動作中に上述のような反射光が戻って来て再注入されると、多重反射の影響で発光波長や出力が不安定になり、戻り光雑音や歪が増加するという問題がある。」（段落０００８）との記載から、引用刊行物２の各記載における「発光素子」は、「発光ダイオード」または「半導体レーザ」であると認められる。
　
（ケ）上記（ア）の「前記発光素子の放射光の光軸と前記第１光学部品の光軸とが、互いに平行ではなく、且つ、該発光素子の発光中心以外の位置で交叉している」（請求項３）との記載をふまえると、上記（オ）の「実施例２」における「発光素子１の放射光の中心と、レンズ２の中心軸とが所定の角度δをなすように配置されている」との記載における「所定の角度δ」は、各光軸が互いに平行ではない角度、すなわち「０°」でない角度であると認められる。
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 
　
「基板上に実装された発光素子と、光ファイバと、該発光素子の放射光を該光ファイバの一方の端面に導き且つ収束させる光学系とを一体に構成してなる発光素子モジュールにおいて、
該発光素子の放射光の光軸が、該光学系を構成する光学部品のうち、該発光素子に最も近い第１光学部品の光学的な中心軸と一致しないように構成されており、
前記発光素子の放射光の光軸と前記第１光学部品の光軸とが、互いに平行ではなく、且つ、該発光素子の発光中心以外の位置で交叉しており、
前記基板が、前記発光素子を支持する水平部分と、前記第１光学部品を支持する垂直部分とを含み、該垂直部分の少なくとも一方の面が、該発光素子の放射光の光軸に対して直角ではない所定の角度を有し、
上記発光素子の放射光を該光ファイバの一方の端面に導き且つ収束させる光学系は、第１レンズ、アイソレータ及び第２レンズを含み、前記発光素子から出射された出射光は、第１レンズ、アイソレータ、第２レンズを順次通過した後、最終的に光ファイバの端面に結合され、
前記発光素子は、発光ダイオードまたは半導体レーザであり、
前記発光素子の放射光の中心と、第１レンズの中心軸とが０°でない所定の角度δをなすように配置されており、
これによって、第１レンズから発光素子への戻り光量を効果的に低減することができ、モジュールを構成する各光学部品における戻り光を一層抑制することができる、
発光素子モジュール。」
　
（２）対比 
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。 
　
　ア　引用発明１の「半導体レーザモジュール」は、本願補正発明の「半導体レーザモジュール」に相当する。
　
　イ　引用発明１の「半導体レーザ装置」は、本願補正発明の「半導体レーザ素子」に相当し、引用発明１は、本願補正発明の「レーザ光の出射端面に設けた第１反射膜と該レーザ光の反射端面に設けた第２反射膜との間に形成された活性層の近傍に回折格子を設け、前記活性層が形成する共振器長と前記回折格子の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する半導体レーザ素子」との特定事項を備える。
　
　ウ　引用発明１の「第１レンズ」は、「半導体レーザ装置を配置したヒートシンク」と同じ「ベース上」に配置されるものであり、「半導体レーザ装置から出射されたレーザ光は、第１レンズ、アイソレータ、および第２レンズを介し、光ファイバ上に導波され」るから、引用発明１の「第１レンズ」は、本願補正発明の「半導体レーザ素子の出射端面近傍に設けられ」た「レンズ」に相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明１とは、 
「レーザ光の出射端面に設けた第１反射膜と該レーザ光の反射端面に設けた第２反射膜との間に形成された活性層の近傍に回折格子を設け、前記活性層が形成する共振器長と前記回折格子の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子の出射端面近傍に設けられたレンズと、
　を備えた半導体レーザモジュール。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
［相違点］
　半導体レーザ素子の出射端面近傍に設けられたレンズが、本願補正発明では「半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の光軸に対して主面が４°の傾斜角度で傾斜した」ものであるのに対し、引用発明１ではそのような特定事項を有していない点。
　
（３）判断 
　上記相違点について検討する。 
　
　引用刊行物２には、上記（１）イに示したとおりの引用発明２が記載され、発光素子モジュールにおいて、発光素子の放射光の中心と、発光素子に最も近い第１レンズの中心軸とが０°でない所定の角度をなすように配置することにより、第１レンズから発光素子への戻り光量を低減し、モジュールを構成する各光学部品における戻り光を一層抑制することができることが示されている。
　そして、引用発明１と引用発明２とは、半導体レーザ装置から出射されたレーザ光を外部に導波する光ファイバと、前記半導体レーザ装置と前記光ファイバと光結合を行う光結合レンズ系とを一体のパッケージに備えた半導体レーザモジュールである点で共通するところ、半導体レーザ装置への戻り光量を低減すべきことは本願出願時において周知の課題であると認められるから、引用発明１において、半導体レーザモジュールを構成する各光学部品からの戻り光を一層抑制するために、上記引用発明２を適用し、第１レンズを、半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の光軸に対して主面を０°でない所定の角度で傾斜したものとすることは、当業者が容易になし得たことである。そして、その際、傾斜の角度は、戻り光量の低減の効果等を勘案して当業者が適宜設計する事項である。
　
　なお、本願補正発明において傾斜角度を「４°」とした特定事項に関して、本願の明細書には、「図１１は、半導体レーザモジュール１００から出力されるレーザ光の第１レンズの傾き依存性を示す図である。・・・図１１において、実測値では、３°を越えると急激に光出力が低下し、計算値では、４°を越えると急激に光出力が低下する。したがって、実測値の誤差を考慮すると、第１レンズの傾きは、４°以下の傾きをもたせるのが好ましい。」（段落００４９）と記載されており、実測値としては、「４°」の傾きは光出力が急激に低下している範囲内であり、計算値においても、「４°」の傾きは好ましい範囲の限界値である。してみると、本願補正発明において、傾斜角度を「４°」と特定することによって、格別の効果を奏すると認めることはできない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１及び２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年８月２５日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子の出射端面近傍に設けられ、前記半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の光軸に対して主面が３°〜４°の傾斜角度で傾斜したレンズと、
　を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。」（以下「本願発明」という。）
　
２　引用刊行物記載の発明
（１）引用刊行物３及び引用発明３
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１４１６０７号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は、審決で付した。）。
　 
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体レーザ素子（１）、該半導体レーザ素子（１）から出力された光を受光して伝送する光ファイバ（２）を有し、該光ファイバ（２）の受光側先端にはフェルール（５）を備えた半導体レーザモジュールにおいて、
フェルール（５）の外側で、且つ保護チューブ（６）の内側における光ファイバ（２）にファイバグレーティング（ＦＢＧ）を設けて、ＦＢＧと半導体レーザ素子（１）との間でキャビティを構成したことを特徴とする半導体レーザモジュール。」
　
　イ　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信に使用される光増幅器と、光増幅器の励起光源として使用され得る半導体レーザモジュールに関するものである。」
　
　ウ　「【０００２】
【従来の技術】現在の光ファイバ通信システムでは光増幅器が多く使用されている。特にエルビウム（Er）を添加したエルビウム添加光ファイバ増幅器（以下「ＥＤＦＡ」と記載する。）を始めとする希土類添加ファイバ増幅器がよく用いられている。近年では、ラマン増幅作用を利用したラマン増幅器も用いられるようになってきた。
・・・
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図７の様にＦＢＧをフェルールに設けたものは、フェルール内に光ファイバを接着固定するための接着剤がある。接着剤は外部温度の変化により軟化したり、硬くなったりし、その変化により生ずる応力がＦＢＧに影響を及ぼすことがあり、その場合は、ＦＢＧの反射率や反射波長（中心波長）が変化し、所望の波長特性が得られなかった。たとえばこのような半導体レーザモジュールを励起光源として使用したラマン増幅器では、励起光波長が揺らぐことにより、ラマン利得波長も揺らいで信号光波長も揺らぐという問題がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、発振波長が一定に保たれた半導体レーザモジュール、とりわけ光増幅器の励起光源として特に好適な半導体レーザモジュールを提供することにある。」
　
　エ　「【００１３】
【発明の実施形態１】本発明の半導体レーザモジュールの第１の実施形態を図１に示す。この半導体レーザモジュールは、パッケージ２０内に、モニタ用フォトダイオード（ＰＤ）、半導体レーザ素子１、同素子１から出射されるレーザ光を平行光にする第１のレンズ（平行化レンズ）３が収容されており、そのうちフォトダイオード（ＰＤ）、半導体レーザ素子１、平行化レンズ３はペルチエ素子１５で温度制御されるベース１６の上に搭載されている。更に、パッケージ２０には取付け部２１が突設されており、その取付け部２１内に平行化レンズ３で平行化されたレーザを集光する第２レンズ（集光レンズ）４が収容され、その前方に、光ファイバ２が挿着接続されたフェルール５が差し込まれて固定されて、ＰＤ、半導体レーザ素子１、平行化レンズ３、集光レンズ４、フェルール５、光ファイバ２が光軸上に一列に配置されている。また、光ファイバ２にはファイバグレーティング（ＦＢＧ）１７が設けられている。このＦＢＧ１７はフェルール５よりも外側で、光ファイバ２の外側の保護チューブ６の内側であり、且つ、保護チューブ６の外側からパッケージ２０の取付け部２１にかけて被せてある保護ブーツ７の内側位置に形成してある。ＦＢＧが形成された位置には光ファイバ２をフェルール５に接着固定するための接着剤は存在しない。ＦＢＧ１７は二つ以上形成してもよく、それらＦＢＧ１７は反射中心波長が同じものでも、多少異なるものでもよい。」
　
　オ　「【００１９】上記各実施形態例に記載の半導体レーザモジュールを励起光源モジュールとして使用する光増幅器、ここではラマン増幅器の一実施形態例となる構成を図３に示す。図３において、ラマン増幅器１００は、異なる波長の光を出力する複数のレーザユニット１０１と、該レーザユニット１０１から出力された光を波長合成するＷＤＭカプラ１０２と、該波長合成された光を伝送する光ファイバ１０３と、該光ファイバ１０３中に配置された偏波無依存型の光アイソレータ１０４とを有する、前方励起方式の光増幅器である。
【００２０】各レーザユニット１０１は、上記各実施形態例のいずれかに記載の半導体レーザモジュール１０５と、該半導体レーザモジュール１０５から出力されたレーザ光を伝送する光ファイバ１０６と、該光ファイバ１０６内に挿入されたＰＭＦからなるデポラライザ１０７と、制御部１０８と、を有する。
【００２１】前記半導体レーザモジュール１０５は、制御部１０８による半導体レーザ素子の動作制御、例えば注入電流やペルチェモジュール温度の制御に基づいて、それぞれ異なる波長のレーザ光を出射している。本発明者らの検討によれば、
ラマン増幅器では励起光源となる半導体レーザモジュール１０５には次のような特性が要求される
・・・
（２）偏光度（ＤＯＰ）が小さいこと。コヒーレント長が短いこと、すなわち多モードであってデボラライズがし易いこと、若しくは偏波合成により偏光がないものとされていることが必要である。
前記多モードであること、については、発振スぺクトル幅（スぺクトルのピークから３ｄＢダウンした波長の幅）内に縦モードが少なくとも３本、好ましくは４〜５本入っていればよい
・・・
（４）波長安定性が良いこと。発振波長が変動すると利得波長帯域が変動するためファイバグレーティング、ＤＦＢレーザ（Distributed −Feedback Laser）、ＤＢＲレーザ（DistributedBragg Reflecter Laser ）等による波長安定化技術が必須である。変動幅は全ての駆動条件（環境温度：０〜75℃、駆動電流：０〜１Ａ）において、例えば±１ｎｍ以内であることが必要である。
（５）各励起レーザモジュールの発振スぺクトル幅が狭いこと。各励起レーザモジュールの発振スぺクトル幅は、広すぎると波長合成カプラの合波ロスが大きくなると共に、スぺクトル幅内に含まれる縦モード数が大きくなって発振中に縦モードが動き、ノイズ、利得変動の原因になる。このため発振スぺクトル幅は２ｎｍ以下又は３ｎｍ以下であることが必要である。あまり狭すぎると電流−光出力特性においてキンクが現れ、レーザ駆動時における制御に支障が生ずる。なお、前記（２）に記したように発振スぺクトル幅内に縦モードが少なくとも３本、好ましくは４〜５本入って入れば、コヒーレンシーが低減され、ＤＯＰが低減され易いと考えられる。
・・・
（７）ＳＢＳ（Stimulated Brillouin Scattering ) が出ないこと。ファイバグレーティング等により、狭い波長帯域に高光出力が集中すると、ＳＢＳが発生して励起効率が低下する。この点からも多モード（発振スぺクトル幅内に複数の縦モードが存在すること）が適する。
（８）アイソレータ内蔵が好ましい。反射戻り光によりレーザの動作が不安定にならないようにするために、アイソレータが内蔵されていることが好ましい。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物３には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。 
　 
「ラマン増幅器の励起光源モジュールとして使用する半導体レーザモジュールであって、
半導体レーザ素子（１）、該半導体レーザ素子（１）から出力された光を受光して伝送する光ファイバ（２）を有し、該光ファイバ（２）の受光側先端にはフェルール（５）を備えた半導体レーザモジュールにおいて、
フェルール（５）の外側で、且つ保護チューブ（６）の内側における光ファイバ（２）にファイバグレーティング（ＦＢＧ）を設けて、ＦＢＧと半導体レーザ素子（１）との間でキャビティを構成し、
前記半導体レーザモジュールは、パッケージ２０内に、モニタ用フォトダイオード（ＰＤ）、半導体レーザ素子１、同素子１から出射されるレーザ光を平行光にする第１のレンズ（平行化レンズ）３が収容されており、そのうちフォトダイオード（ＰＤ）、半導体レーザ素子１、平行化レンズ３はペルチエ素子１５で温度制御されるベース１６の上に搭載され、パッケージ２０には取付け部２１が突設されており、その取付け部２１内に平行化レンズ３で平行化されたレーザを集光する第２レンズ（集光レンズ）４が収容され、その前方に、光ファイバ２が挿着接続されたフェルール５が差し込まれて固定されて、ＰＤ、半導体レーザ素子１、平行化レンズ３、集光レンズ４、フェルール５、光ファイバ２が光軸上に一列に配置されており、
偏光度（ＤＯＰ）が小さいものとするため、発振スぺクトル幅内に縦モードが少なくとも３本入っている、
半導体レーザモジュール。」
　
（２）引用刊行物２及び引用発明２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である引用刊行物２及び引用発明２は、上記第２の２（１）イに記載したとおりである。
　
３　対比
　本願発明と引用発明３とを対比する。 
　
（１）引用発明３の「半導体レーザモジュール」は、本願発明の「半導体レーザモジュール」に相当する。
　
（２）引用発明３の「半導体レーザ素子（１）」は、「発振スぺクトル幅内に縦モードが少なくとも３本入っている」ものであるから、本願発明の「発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する半導体レーザ素子」に相当する。
　
（３）引用発明３の「第１のレンズ（平行化レンズ）３」は、「半導体レーザ素子１」「から出射されるレーザ光を平行光にする」ものであり、「半導体レーザ素子１」と同じ「ベース１６」の上に搭載されるものであるから、本願発明の「半導体レーザ素子の出射端面近傍に設けられ」た「レンズ」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明３とは、 
「発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子の出射端面近傍に設けられたレンズと、
　を備えた半導体レーザモジュール。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
［相違点］
　半導体レーザ素子の出射端面近傍に設けられたレンズが、本願補正発明では「半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の光軸に対して主面が３°〜４°の傾斜角度で傾斜した」ものであるのに対し、引用発明３ではそのような特定事項を有していない点。
　
４　判断
　上記相違点について検討する。 
　
　引用刊行物２には、上記第２の２（１）イに示したとおりの引用発明２が記載され、発光素子モジュールにおいて、発光素子の放射光の中心と、発光素子に最も近い第１レンズの中心軸とが０°でない所定の角度をなすように配置することにより、第１レンズから発光素子への戻り光量を低減し、モジュールを構成する各光学部品における戻り光を一層抑制することができることが示されている。
　そして、引用発明３と引用発明２とは、半導体レーザ素子、該半導体レーザ素子から出力された光を受光して伝送する光ファイバ、および半導体レーザ素子から出射された光を光ファイバに結合する複数のレンズを有した光学系を備えた半導体レーザモジュールである点で共通するところ、半導体レーザ装置への戻り光量を低減すべきであることは本願出願時において周知の課題であると認められるから、引用発明３において、半導体レーザモジュールを構成するレンズからの戻り光を一層抑制するために、上記引用発明２を適用し、第１のレンズ（平行化レンズ）を、半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の光軸に対して主面を０°でない所定の角度で傾斜したものとすることは当業者が容易になし得たことである。そして、その際、傾斜の角度は、戻り光量の低減の効果等を勘案し、当業者が適宜設計する事項である。
　
　なお、本願発明において傾斜角度を「３°〜４°」とした特定事項に関して、本願の明細書には、「図１１は、半導体レーザモジュール１００から出力されるレーザ光の第１レンズの傾き依存性を示す図である。・・・図１１において、実測値では、３°を越えると急激に光出力が低下し、計算値では、４°を越えると急激に光出力が低下する。したがって、実測値の誤差を考慮すると、第１レンズの傾きは、４°以下の傾きをもたせるのが好ましい。」（段落００４９）と記載されており、実測値としては、「３°〜４°」の傾きはすでに光出力が低下してしている範囲である。してみると、本願補正発明において、傾斜角度を「３°〜４°」と特定することにより格別の効果を奏するものと認めることはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明３及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物３及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。