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　特願２０００−３５３５８４「多数の半導体ウェーハの製造法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月１９日出願公開、特開２００１−１９６３３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本件発明
　本件出願は、平成１２年１１月２０日（パリ条約による優先権主張１９９９年１１月２３日、ドイツ国）の特許出願であって、その請求項１乃至１１に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、次のとおりである。
「多数の半導体ウェーハの製造法において、次の個別工程：
（ａ）研磨ゾルの供給下に回転する研磨ディスクの間でそれぞれの半導体ウェーハの前面および裏面を同時に研磨し、その際それぞれの半導体ウェーハは厚さｔ１Ｌの回転ディスク中の凹所内に置かれ、一定の幾何学的軌道上に維持され、かつ半導体ウェーハは、研磨前に初期厚さｔ０および研磨後に最終厚さｔ１を有し、その際厚さの差ｔ０−ｔ１Ｌは、１５μｍ〜１００μｍであり、厚さの差ｔ１−ｔ１Ｌは、２μｍ〜２０μｍである工程、
（ｂ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連してそれぞれの半導体ウェーハを評価する工程、
（ｃ）品質検査（ｂ）に応じて所定の品質特性を満たしていない全ての半導体ウェーハの前面および裏面を、厚さｔ２Ｌの回転ディスクを用いて再び同時に研磨し、その際この半導体ウェーハは、研磨前に初期厚さｔ１および研磨後に最終厚さｔ２を有し、その際厚さの差ｔ１−ｔ２Ｌは、５μｍ〜３０μｍであり、厚さの差ｔ２−ｔ２Ｌは、２μｍ〜１０μｍである工程、および
（ｄ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連して工程（ｃ）に供給された全ての半導体ウェーハを再び評価する工程を含むことを特徴とする、多数の半導体ウェーハの製造法。」
　
２　周知技術及び引用例記載事項
(1) 周知技術
　これに対して、例えば、査定時にキャリア（回転ディスク）を用いた両面研磨工程が周知であることを示すために引用された特開平１１−２８５９６９号公報の段落【０００６】〜【００１０】及び図３〜５に記載されているように、
「多数の半導体ウェーハの製造法において、研磨ゾルの供給下に回転する研磨ディスクの間でそれぞれの半導体ウェーハの前面および裏面を同時に研磨し、その際それぞれの半導体ウェーハは回転ディスク中の凹所内に置かれ、一定の幾何学的軌道上に維持される、多数の半導体ウェーハの製造法。」
は、従来周知の事項であると認められる（以下、この周知の多数の半導体ウェーハの製造法を「周知の製造法」という。）。
　
(2) 引用例記載事項
ア．引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された本件優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平５−６２９５２号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
（１−ア）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置におけるＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板の製造方法，およびＳＯＩ基板の製造における被薄膜化シリコン基板の膜厚測定方法に関するものである。」
　
（１−イ）段落【００２６】〜【００３０】
「次に、図３，ないし図５を参照して、この実施例でのＳＯＩ基板の製造について述べる。
　この実施例方法においては、まず、例えば、Ｃｚ引上げ法Ｎ型〈１００〉による外径１５０ｍｍ，厚さ６７５μｍの２枚１組からなる単結晶シリコン基板３１，３２を準備し（図３（ａ））、かつこれらの各単結晶シリコン基板３１，３２の一方に対して１μｍ程度の酸化膜３３を形成させた後、両者を結合させるが、当該結合に際しては、結合熱処理による酸化性雰囲気のために他方の裏面に酸化膜３４が生成される（図３（ｂ））。
　続いて、前記一方の単結晶シリコン基板３１，こゝでは、被薄膜化基板３１の基板面を、平面研削盤によって研削し、当該結合基板の全厚が７００±３μｍとなるまで薄膜化させて薄膜化基板３５を得る（図３（ｃ））。
　また、前記薄膜化処理を終えた結合基板をしかるべく洗浄処理し、ついで、当該薄膜化基板３５の研削面上に、例えば、外径１４４ｍｍの耐アルカリ性シール３６を中心が一致するように貼着させた後、例えば、６０℃，２０％ＫＯＨ水溶液中に浸漬させて、当該耐アルカリ性シール３６のマスクにより、当該薄膜化基板３５の露出されている外周部分が全てエッチング除去されて、前記酸化膜３３の該当面３７が露出するまで処理し、この結果，こゝでの薄膜化基板３５の研削された表面と薄膜化基板３５の露出面３７との間に段差３８が生成され（図３（ｄ））るもので、この際、研削を受けない他方の単結晶シリコン基板３２，こゝでは、支持体基板３２については、前記酸化膜３４が形成されているために、殆んどエッチングされない。
　そして、前記エッチング処理を終えた結合基板を、支持体基板３２側で研磨プレート４１（図４参照）上に貼着させ、薄膜化基板３５の研削された表面を、研磨盤によってメカノケミカルポリッシュし、ついで、研磨盤の特性，研磨条件などにより、当該研削された表面をおゝよそ１０μｍ程度まで研磨したと推定できる時間後、図４に示されているように、この結合基板を研磨プレート４１毎取り出して、段差測定用の水槽４２内に水平状態で据え置き、かつ所定の深さまで水４３に浸した上で、防水，耐水性のレーザー三角測量方式による測長器４４を用いて、研磨面４５と先の露出面３７との間の段差４６の値を、次のようにして測定した。」
　
（１−ウ）段落【００３２】
「・・・このようにしてなされた測定結果，段差の値は、１４．０μｍであり、そして、ＳＯＩ膜規格は、１０±１μｍであるので、この場合には、再研磨を必要とすることが判明した。そこで、許容値に相当する４μｍ分対応の時間だけ再研磨を行なった後、再度，同様にして段差を測定したところ、１０．０μｍであった。・・・」
　
　上記摘記事項（１−ウ）において、薄膜化基板の厚さである段差を測定し、段差の測定値とＳＯＩ膜規格値とを比較して再研磨が必要であると判明していることについては、後加工に対して予め定められた品質特性に関連して薄膜化基板を評価していると捉えることができ、再研磨を行なった後、再度、段差を測定していることについても、同様に、段差の測定値とＳＯＩ膜規格値との比較が当然に行われていると解されるので、後加工に対して予め定められた品質特性に関連して再研磨された薄膜化基板を再び評価していると捉えることができる。
　また、１０±１μｍのような上下限値を有する厚さが所定の品質特性である基板を研磨し、測定し、必要に応じて再研磨する場合に、所定の品質特性を満たしていない基板は全て上限値を超える基板であるように、下限値より小さな値とならないように研磨し、測定値が上限値を超える基板である所定の品質特性を満たしていない全ての基板について再研磨することは当然になされることである。
　以上のとおりであるので、引用例１には、次の事項（以下「引用例１記載の技術的事項）が記載されていると認められる。
「ＳＯＩ基板の製造法において、次の個別工程：
（ａ）薄膜化基板３５を研磨する工程、
（ｂ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連して薄膜化基板３５を評価する工程、
（ｃ）品質検査（ｂ）に応じて所定の品質特性を満たしていない全ての薄膜化基板３５を再び研磨する工程、および
（ｄ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連して工程（ｃ）に供給された全ての薄膜化基板３５を再び評価する工程を含むＳＯＩ基板の製造法。」
　
イ．引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された本件優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１１−２６５８６０号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（２−ア）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、研磨されたウェーハに発生した凹凸部の特に凸部を部分的に研磨することによって、ウェーハの平坦度を必要な精度の範囲内に追い込むことを可能にした部分研磨方法及び部分研磨装置に関する。」
　
（２−イ）段落【０００４】〜【０００５】
「【発明が解決しようとする課題】本発明は、研磨により凹凸の発生したウェーハの凸部を部分的に再研磨することにより、必要なウェーハの平坦度精度の範囲に追い込むことができるようにし、平坦度の規格に達しないウェーハを再研磨により規格内におさめることができ、研磨したウェーハの廃棄を極力防ぐことができ、生産コストの低下を図ることができるようにしたウェーハの部分研磨装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明の部分研磨装置は、研磨されたウェーハの面内凹凸を測定する凹凸測定装置と、測定された凹凸データから再研磨の必要な研磨位置、研磨量及び研磨範囲からなる部分研磨情報を決定する部分研磨情報決定手段と、該部分研磨情報に基づいて当該ウェーハを部分的に研磨する部分研磨機とからなることを特徴とする。」
　
　上記摘記事項（２−イ）において、必要なウェーハの平坦度精度の範囲に追い込むために、測定された凹凸データから再研磨の必要な研磨位置、研磨量及び研磨範囲からなる部分研磨情報を決定し、該部分研磨情報に基づいて当該ウェーハを部分的に研磨することは、後加工に対して予め定められた品質特性に関連してウェーハを評価する工程及び所定の品質特性を満たしていないウェーハを再び研磨する工程ということができるとともに、所定の品質特性を満たしていない全てのウェーハについて再研磨することも当然になされることである。
　そこで、上記摘記事項を本件発明に照らして整理すると、引用例２には、次の事項（以下「引用例２記載の技術的事項」という。）が記載されていると認められる。
「ウェーハの研磨方法において、次の個別工程：
（ａ）ウェーハを研磨する工程、
（ｂ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連してウェーハを評価する工程、
（ｃ）品質検査（ｂ）に応じて所定の品質特性を満たしていない全てのウェーハを再び研磨する工程、を含むウェーハの研磨方法。」
　
３　対比
　そこで、本件発明と上記周知の製造法とを対比すると、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「多数の半導体ウェーハの製造法において、研磨ゾルの供給下に回転する研磨ディスクの間でそれぞれの半導体ウェーハの前面および裏面を同時に研磨し、その際それぞれの半導体ウェーハは回転ディスク中の凹所内に置かれ、一定の幾何学的軌道上に維持される工程を含む多数の半導体ウェーハの製造法。」である点。
［相違点］
　本件発明では、（ａ）研磨ゾルの供給下に回転する研磨ディスクの間でそれぞれの半導体ウェーハの前面および裏面を同時に研磨し、その際それぞれの半導体ウェーハは厚さｔ１Ｌの回転ディスク中の凹所内に置かれ、一定の幾何学的軌道上に維持され、かつ半導体ウェーハは、研磨前に初期厚さｔ０および研磨後に最終厚さｔ１を有し、その際厚さの差ｔ０−ｔ１Ｌは、１５μｍ〜１００μｍであり、厚さの差ｔ１−ｔ１Ｌは、２μｍ〜２０μｍである工程、（ｂ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連してそれぞれの半導体ウェーハを評価する工程、（ｃ）品質検査（ｂ）に応じて所定の品質特性を満たしていない全ての半導体ウェーハの前面および裏面を、厚さｔ２Ｌの回転ディスクを用いて再び同時に研磨し、その際この半導体ウェーハは、研磨前に初期厚さｔ１および研磨後に最終厚さｔ２を有し、その際厚さの差ｔ１−ｔ２Ｌは、５μｍ〜３０μｍであり、厚さの差ｔ２−ｔ２Ｌは、２μｍ〜１０μｍである工程、および（ｄ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連して工程（ｃ）に供給された全ての半導体ウェーハを再び評価する工程の個別工程を含むものであるのに対し、周知の多数の半導体ウェーハの製造法では、工程（ａ）のように回転ディスクと半導体ウェーハとの厚さの差が特定されているものではなく、また、工程（ｂ）乃至工程（ｄ）を含むものではない点。
　
４　相違点についての検討
　引用例１には、上記２(2)アに示すとおりの技術的事項が記載されており、引用例１記載の技術的事項における「ＳＯＩ基板」及び「薄膜化基板」は、半導体基板という限りで本件発明における「半導体ウェーハ」と共通している。そうすると、引用例１には、「半導体基板の製造法において、次の個別工程：
（ａ）半導体基板を研磨する工程、
（ｂ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連して半導体基板を評価する工程、
（ｃ）品質検査（ｂ）に応じて所定の品質特性を満たしていない全ての半導体基板を再び研磨する工程、および
（ｄ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連して工程（ｃ）に供給された全ての半導体基板を再び評価する工程を含む半導体基板の製造法。」が記載されているとすることができる。
　また、引用例２には、上記２(2)イに示すとおりの技術的事項が記載されており、引用例２記載の技術的事項における「ウェーハ」は半導体基板ということができるから、引用例２には、同様に、「半導体基板の製造法において、次の個別工程：
（ａ）半導体基板を研磨する工程、
（ｂ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連して半導体基板を評価する工程、
（ｃ）品質検査（ｂ）に応じて所定の品質特性を満たしていない全ての半導体基板を再び研磨する工程、を含む半導体基板の製造法。」が記載されているとすることができる。
　そして、引用例１乃至２記載の技術的事項と上記周知の製造法とは、半導体基板の研磨という共通する技術分野に属するものであるから、周知の製造法における半導体ウェーハの前面および裏面を同時に研磨するに際し引用例１乃至２記載の技術的事項を採用して、次の個別工程：
「（ａ）研磨ゾルの供給下に回転する研磨ディスクの間でそれぞれの半導体ウェーハの前面および裏面を同時に研磨し、その際それぞれの半導体ウェーハは回転ディスク中の凹所内に置かれ、一定の幾何学的軌道上に維持される工程、
（ｂ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連してそれぞれの半導体ウェーハを評価する工程、
（ｃ）品質検査（ｂ）に応じて所定の品質特性を満たしていない全ての半導体ウェーハの前面および裏面を回転ディスクを用いて再び同時に研磨する工程、および
（ｄ）後加工に対して予め定められた品質特性に関連して工程（ｃ）に供給された全ての半導体ウェーハを再び評価する工程」を含むものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　また、上記採用に当たり、工程（ａ）における、半導体ウェーハの研磨前の初期厚さｔ０及び研磨後の最終厚さｔ１と回転ディスクの厚さｔ１Ｌとの差「ｔ０−ｔ１Ｌ」及び「ｔ１−ｔ１Ｌ」については、ウェーハに求められる品質特性等に応じて当業者が適宜決定すべき設計的事項にすぎず、上記「ｔ０−ｔ１Ｌ」を１５μｍ〜１００μｍとし、「ｔ１−ｔ１Ｌ」を２μｍ〜２０μｍとすることに格別の困難性は見出せない。同様に、工程（ｃ）における、半導体ウェーハの研磨前の初期厚さｔ１及び研磨後の最終厚さｔ２と回転ディスクの厚さｔ２Ｌとの差「ｔ１−ｔ２Ｌ」及び「ｔ２−ｔ２Ｌ」についても、「ｔ１−ｔ２Ｌ」を５μｍ〜３０μｍとし、「ｔ２−ｔ２Ｌ」を２μｍ〜１０μｍとすることに格別の困難性は見当たらない。
　さらに、本件発明の奏する作用効果についても、上記周知の製造法及び引用例１乃至２記載の技術的事項より当業者が予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
　なお、平成１８年１１月１４日付回答書には、「本出願人としましては、本発明の請求項１の（ｂ）工程では、評価の際に、『この評価は、局部的な幾何学的寸法の測定を一緒に含む』こと、および（ｃ）工程では、所定の品質特性が『局部的な幾何学的寸法に関連する』こと、および（ｄ）工程では、評価の際に、『この評価は、局部的な幾何学的寸法の測定を一緒に含む』ことを記入して請求項１の記載を減縮する意志があります。」と記載されている。
　しかしながら、半導体ウェーハの研磨において、平坦度を表すＴＴＶが目標値になるまで研磨を繰り返すことが、特開平１０−１３５１６２号公報（４欄４２−４４行参照）に記載されており、また、半導体ウェーハの平坦度として局部的な幾何学的寸法であるサイトの平坦度（ＬＴＶやローカルサイトフラットネス）を規定することが、特開平９−１３９３２８号公報（１欄３６−３８行参照）や特開平９−２４６２２０号公報（請求項１参照）に記載されているように当業者に既に知られた事項であるから、上記のように請求項１の記載を減縮したとしても、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　むすび
　以上のとおりであり、本件発明は、周知の多数の半導体ウェーハの製造法及び引用例１乃至２に記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。