【事件の表示】
　特願２００３−３５０１９７「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２８日出願公開、特開２００５−１１６８４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年１０月９日の出願であって、その請求項１乃至８に係る発明は、当審に提出された平成２２年２月５日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は、次のとおりである。（以下「本願発明」という。）
「半導体素子が形成された半導体基板をスクライブラインに沿って分割する半導体装置の製造方法であって、
　前記スクライブラインに沿って、前記半導体基板の前記半導体素子が形成された面の裏面から第一のレーザ光を前記半導体基板の内部に集光しながら走査し、多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
　前記工程よりも後に、前記スクライブラインに沿って、前記半導体基板の前記半導体素子が形成された面から第二のレーザ光を集光しながら走査し、溝を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審での平成２１年１２月４日付けの拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１４年１１月１５日に頒布された特開２００２−３２９６８６号公報（以下「引用例１」という。）、同じく本願の出願前である平成１４年７月１０日に頒布された特開２００２−１９２３６７号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の発明、あるいは事項が記載されている。
（１）　引用例１の記載事項
ア　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、概して半導体ウェハのダイシングに関する。より具体的には、本発明は、半導体ウェハのレーザースクライビングに続く機械的ダイシングのための方法および装置に関する。」
イ　段落【００６５】〜【００６６】
「図２を参照すると、本発明の例示的な実施形態のフローチャートが示されている。図３Ａおよび図３Ｂを参照すると、ウェハ個々分割（ｓｉｎｇｕｌａｔｉｎｇ）装置３００の第１の例示的な実施形態が示される。
　図２において、ステップ２００では、（図３Ａおよび図３Ｂに示される）レーザー３０４からのレーザービーム３０６が折り返しミラー３０８により方向づけられ、そして基板１００の表面を覆うコーティング層１０６にフォーカスされるビーム３０２として、レンズ３１０によりフォーカスされる。フォーカスされたレーザービーム３０２はまた、コーティング層１０６または基板１００の表面より上または下の点でフォーカスされ得ることに留意されたい。ステップ２０５では、フォーカスされたレーザービーム３０２は、（例えば方向Ａに）直線の動きで基板コーティング層１０６の表面に亘ってスキャンされ、蒸発によりすべての層１０６を取り除き、そして所望のスクライブライン１０２を形成する。」
ウ　段落【００７２】
「再度図２を参照すると、ステップ２１０では、基板１００は、モーター／スピンドルアセンブリ３１２の制御下において、ソーブレード３１４を用いてスクライブライン１０２、１０４に沿って基板１００を貫通することによってダイシングされ、ダイ１００ａ、１００ｂなどを形成する。」
エ　段落【００９５】
「【発明の効果】半導体ウェハを個々分割（ｓｉｎｇｕｌａｔｅ）するための方法および装置が記載される。この方法は、基板を覆う層にレーザービームを向ける工程と、レーザービームからのエネルギーをその層へと吸収させる工程と、層に亘ってレーザービームをスキャンすることによって層にスクライブラインを形成する工程と、スクライブラインに沿ってソーブレードで基板をカットし、ウェハを個々分割する工程とを包含する。装置は、基板のコーティング層を覆うレーザーと、基板の表面上に取り付けられたソーブレードとを備える。コーティング層は、レーザーの波長に対して第１の吸収係数を有し、半導体基板は第１の吸収係数より小さい第２の吸収係数を有する。レーザービームからのエネルギーは、コーティング層に吸収され、そこでスクライブラインを形成する。そしてソーブレードはスクライブラインに沿って基板をカットする。」
オ　ここで、半導体ウェハにおいては、通常、半導体素子が形成される面に種々のコーティング層が設けられるものであることが技術常識であるところ、摘記事項イに「レーザー３０４からのレーザービーム３０６が折り返しミラー３０８により方向づけられ、そして基板１００の表面を覆うコーティング層１０６にフォーカスされるビーム３０２として、レンズ３１０によりフォーカスされる。」との記載、及び図面の図３Ａを参照することにより、レーザービーム３０２は、半導体ウェハの半導体素子が形成された面からフォーカスされているものあることが理解できる。したがって、半導体ウェハのレーザービーム３０６がフォーカスされる面に半導体素子が形成されていることは明らかである。
　以上ア乃至エの記載事項、及びオの認定事項から、引用例１には、「半導体素子が形成された半導体ウェハをスクライブライン１０２、１０４に沿ってダイシングすることによりダイ１００ａ、１００ｂを形成する製造方法であって、
　ダイシング工程よりも前に、半導体ウェハの半導体素子が形成された面からレーザービーム３０６をフォーカスしながらスキャンし、蒸発によりすべてのコーティング層１０６を取り除き、所望のスクライブライン１０２、１０４を形成する工程を含む、ダイ１００ａ、１００ｂを形成する製造方法。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
（２）　引用例２の記載事項
カ　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の基板の切断に使用されるレーザ加工方法に関する。」
キ　段落【００２５】
「レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち矢印Ａ方向に沿って）相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、図３〜図５に示すように改質領域７が切断予定ライン５に沿って基板１の内部にのみ形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は、基板１がレーザ光Ｌを吸収することにより基板１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。基板１にレーザ光Ｌを透過させ基板１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって、基板１の表面３や裏面２１ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、基板１の表面３や裏面２１が溶融することはない。」
ク　段落【００４６】〜【００４８】
「次に、本実施形態に係るレーザ加工方法を説明する。図１６は、このレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。
　まず、基板１及びダイシングフィルム４の光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。この測定結果に基づいて、基板１及びダイシングフィルム４に対して透明な波長又は吸収の少ない波長のレーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１を選定する（Ｓ１０１）。次に、基板１及びダイシングフィルム４の厚さを測定する。厚さの測定結果と基板１及びダイシングフィルム４の屈折率とを基にして、基板１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）。これは、レーザ光Ｌの集光点Ｐを基板１の内部に位置させるために、基板１の裏面２１に貼り付けられたダイシングフィルム４の表面６（レーザ光Ｌの照射側の面）に位置するレーザ光Ｌの集光点を基準とした基板１のＺ軸方向の移動量である。この移動量を全体制御部１２７に入力する。
　基板１の裏面２１にダイシングフィルム４を貼り付け、基板１を裏面２１がレーザ光Ｌの照射側となるようにレーザ加工装置１００の載置台１０７に載置する。そして、観察用光源１１７から可視光を発生させて基板１を照明する（Ｓ１０５）。照明された切断予定ライン５を含む基板１の裏面２１を撮像素子１２１により撮像する。この撮像データは撮像データ処理部１２５に送られる。・・・」
ケ　段落【００５１】〜【００５２】
「次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを基板１の裏面２１の切断予定ライン５に照射する。図１７はレーザ加工中の溶融処理領域１３を含む基板１の断面図である。図示するように、レーザ光Ｌは、ダイシングフィルム４に対して透過性を有するため、ダイシングフィルム４ではほとんど吸されずダイシングフィルム４を介して基板１の裏面２１から入射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは基板１の内部に位置しているので、溶融処理領域１３は基板１の内部にのみ形成される。このとき、回路部２は基板１の表面３に形成されているため、回路部２をレーザ光Ｌから保護することが可能となる。また、ダイシングフィルム４の変形や溶融等も防止される。そして、裏面２１の切断予定ライン５に沿うように（すなわち矢印Ａ方向に沿うように）Ｘ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域１３を切断予定ライン５に沿うように基板１の内部に形成する（Ｓ１１３）。
　そして、基板１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、基板１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、基板１を、回路部２を備えたシリコンチップに分割する。このとき、各シリコンチップはダイシングフィルム４に貼り付けられているため、チップ飛びを防止して安定したピックアップを行うことが可能となる。」
　以上カ乃至ケの記載事項から、引用例２には、「半導体基板の切断に使用されるレーザ加工方法であって、
基板１の回路部２が形成された表面３の裏面２１にダイシングフィルム４を貼り付け、基板１の裏面２１の切断予定ライン５にレーザ光Ｌを照射し、レーザ光Ｌの集光点Ｐを基板１の内部に位置させることにより溶融照射領域１３を形成し、当該溶融照射領域１３における多光子吸収による改質領域を切断予定ライン５に沿うように基板の内部に形成する方法。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比すると、引用発明１の「半導体ウェハ」、「ダイ１００ａ、１００ｂ」、「レーザービーム３０６」、「フォーカス」、「スキャン」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」、「半導体装置」、「第二のレーザ光」、「集光」、「走査」に相当する。
　本願発明において「スクライブライン」とは、明細書の段落【００３２】に「スクライブライン２は、切断を行う仮想ラインである。」と記載されていることから、半導体基板において切断を行う仮想のラインを意味するところ、当該仮想のラインに沿って半導体基板を切断することは当然のことであることから、引用発明１の「スクライブライン１０２、１０４に沿ってダイシングする」の「スクライブライン１０２、１０４に沿って」は、本願発明の「スクライブラインに沿って」に相当するものであることは明らかである。そうすると、引用発明１の「スクライブライン１０２、１０４に沿ってダイシングする」は、「スクライブラインに沿って分離する」という限りにおいて、本願発明の「スクライブラインに沿って分割する」と共通する。
　引用発明１の「スクライブライン１０２、１０４」は、レーザービーム３０６をフォーカスしながらスキャンし、蒸発によりコーティング層１０６を取り除いたものであるから、本願発明の「溝」に相当することは明らかである。また、引用発明１におけるスクライブライン１０２、１０４は、本願発明で言うところの仮想の「スクライブライン」に設けられるものであることは明らかであるので、引用発明１の「所望のスクライブライン１０２、１０４を形成する」ことは、本願発明の「スクライブラインに沿って溝を形成する」ことに相当する。
　以上の点から、両者は、以下の一致点、及び相違点を有している。
＜一致点＞
「半導体素子が形成された半導体基板をスクライブラインに沿って分離する半導体装置の製造方法であって、
　前記スクライブラインに沿って、前記半導体基板の前記半導体素子が形成された面から第二のレーザ光を集光しながら走査し、溝を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。」
＜相違点１＞
　半導体基板の分離手段に関し、本願発明では、「分割する」としているのに対して、引用発明１では、「ダイシングする」としている点。
＜相違点２＞
　本願発明では、「スクライブラインに沿って、半導体基板の半導体素子が形成された面の裏面から第一のレーザ光を前記半導体基板の内部に集光しながら走査し、多光子吸収による改質領域を形成する工程」を有し、その「前記工程よりも後に」、第二のレーザ光による溝を形成する工程を有しているのに対して、引用発明１では、溝を形成する工程の後にダイシングするものであって、半導体基板の内部に第一のレーザー光による改質領域を形成する工程を有さない点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
（１）　＜相違点２＞について
　引用発明２において、引用発明２の「切断予定ライン５」、「基板１」、「回路部２」、「レーザ光Ｌ」は、それぞれ本願発明の「スクライブライン」、「半導体基板」、「半導体素子」、「第一のレーザ光」に相当する。そうすると、引用発明２の「切断予定ライン５にレーザ光Ｌを照射する」ことは、本願発明の「スクライブラインに沿って第一のレーザ光を集光」することに相当する。
　また、引用発明２における「レーザ光Ｌの集光点Ｐを基板１の内部に位置させる」ことは、本願発明の「第一のレーザ光を半導体基板の内部に集光」させることに相当する。
　さらに、引用発明２における「多光子吸収による改質領域を切断予定ライン５に沿うように基板の内部に形成する」ことは、本願発明の「多光子吸収による改質領域を形成する」ことに相当する。そして、引用発明２は、レーザ光Ｌによって溶融照射領域を形成するものであるから、引用発明２の「溶融照射領域１３における多光子吸収による改質領域を切断予定ライン５に沿うように基板の内部に形成する」ことは、「第一のレーザ光」を「走査」することにより行うものであることは明らかである。
　してみると、引用発明２は、本願発明に即して言い換えると「スクライブラインに沿って、半導体基板の半導体素子が形成された面の裏面から第一のレーザ光を半導体基板の内部に集光しながら走査し、多光子吸収による改質領域を形成する」方法である。そして、引用発明１も引用発明２も、半導体基板を個々の半導体装置に分離するための技術であることから、引用発明２を引用発明１に適用し、そのスクライブラインにおいても、スクライブラインに沿って、半導体基板の半導体素子が形成された面の裏面から第一のレーザ光を半導体基板の内部に集光しながら走査し、多光子吸収による改質領域を形成する工程を組み入れることは、当該工程を組み入れることの阻害要因が存在しないことからすれば、当業者が容易になし得たものであると考えざるを得ない。
　ここで、上記相違点２に関し、本願発明においては、さらに、溝を形成する工程を、多光子吸収による改質領域を形成する工程よりも後であると、すなわち、多光子吸収による改質領域を形成する工程は、溝を形成する工程よりも前に行うものであると特定している。
　しかしながら、多光子吸収による改質領域を形成する工程は、半導体基板の半導体素子が形成された面の裏面からレーザ光を照射するものであるところ、本願発明の「溝を形成する工程」に相当する「スクライブライン１０２、１０４を形成する工程」は、半導体基板の半導体素子が形成された面からレーザ光を照射するものであり、両工程は相互に影響を受けないものであることは明らかであるから、本願発明において、溝を形成する工程を、多光子吸収による改質領域を形成する工程よりも後であると特定することに格別の技術的意義を見出すことはできず、そうであれば、当該工程の先後における特定は、単なる設計的事項にすぎない。
（２）　＜相違点１＞について
　基板を個々の半導体装置に分離する加工を、分割することにより行うことは、引用例２（上記摘記事項ケ参照。）にも記載されているように従来周知の事項であることから、引用発明１においても、半導体基板の分離を、分割することに行うようにすることは、当業者が容易になし得たものである。
（３）　作用・効果について
　本願発明の奏する作用ないし効果は、引用発明１ないし２が有する作用ないし効果、及び従来周知の事項が有する作用ないし効果から予測し得る範囲しか認められない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１ないし２に記載された発明および従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願の請求項２乃至８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。