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　特願２００２−３８１７０７「基板処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２９日出願公開、特開２００４−２１４３８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年１２月２７日の出願であって、平成１９年９月１３日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１２月１０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１２月２８日付けで拒絶査定がなされ　、これに対し、平成２０年２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１９年１２月１０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料からなる犠牲膜を備えた基板に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給して前記犠牲膜を変性させる工程と、
　前記基板を所定の薬液で処理することによって前記基板から変性した犠牲膜を除去する工程と、
　を有することを特徴とする基板処理方法。」
　
２．原査定の理由の概要
　原査定の拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。
　
（ａ）平成平成１９年９月１３日付け拒絶理由通知書には、以下のように記載されている。
「この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　発明の詳細な説明の［００５９］、［００６０］、図８、図９等には、無機系の犠牲膜に対し、請求項１−７に係る発明の如くの処理方法を適用した場合の結果が示されている。しかし、「犠牲膜」として具体的にどのような物質からなる無機系の膜が用いられたのかについては全く記載がない。犠牲膜という同じ用途であっても、具体的な材質によって、その化学的な性質は大きく異なるものであることから、全ての無機系膜に関して、等しく請求項１−７に係る発明の如くの処理方法が適用可能であるとは認められない。よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１−７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。」
　
（ｂ）これに対して、平成１９年１２月１０日付けの手続補正書によって、「犠牲膜」が「Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料からなる」ものと補正されたが、平成１９年１２月２８日付けの拒絶査定には、以下のように記載されている。
　
「出願人は意見書において、発明の詳細な説明の記載から、実施例において用いられた犠牲膜が、レジストを形成する前につけられる膜で、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料、そして、本件の出願当時に市販されていた無機系の犠牲膜材料というキーワードを読み取ることができることから、実施例において示された結果は、十分に理解できる旨主張している。
　しかし、Ｓｉ−Ｏ系無機系材料といっても、品番等によってその成分や組成等は大きく異なるものであり、そのような組成等によって化学的性質も大きく変わるものである。そして、具体的にどのような品番のものが本願の実施例において用いられたのかは、発明の詳細な説明において一切明らかにされていないのであるから、図８や図９に示された結果に関しては、その測定対象が不明であることから信頼するに足るものとは言えない。」
　
３．当審の判断
（ａ）本願発明１は、「Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料からなる犠牲膜を備えた基板に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給して前記犠牲膜を変性させる工程」（以下、「犠牲膜変性工程」という。）を有するところ、犠牲膜を構成する材料は、任意の「Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料」と認められる。
　上記犠牲膜変性工程における「変性」について、本願明細書の【００１７】には、「ここで「変性」とは、犠牲膜がウエハＷ上に残った状態で所定の薬液に対して溶解し易くなり、レジスト膜とポリマー残渣がウエハＷ上に残った状態で水溶性となることを意味する。」と記載されている。すると、上記犠牲膜変性工程は、上記Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料からなる犠牲膜を備えた基板に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給して前記犠牲膜を所定の薬液に対して溶解し易くする工程を意味するものと認められる。
　また、本願発明は、上記犠牲膜変性工程によって処理された基板を「所定の薬液で処理することによって前記基板から変性した犠牲膜を除去する工程」を有するところ、請求項１には、「薬液」の種類が特定されていないから、当該「薬液」は、変性した犠牲膜を除去するために用いられる任意の「薬液」を意味するものと認められる。
　
（ｂ）ここで、本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて、当業者が本願発明１を実施できるというためには、少なくとも、
ア．犠牲膜を形成するＳｉ−Ｏ系の無機系材料を決定すること
イ．変性した犠牲膜を除去できる薬液を決定すること
　が必要であるといえる。
　そこで上記の点について、本願明細書の記載を検討する。
　
（ｃ）ア．について
（ｃ−１）上記（ａ）で検討したとおり、本願発明１における「変性」とは、「犠牲膜がウエハＷ上に残った状態で所定の薬液に対して溶解し易くな」ることを意味するところ、そのためには、
ア−１．犠牲膜が水蒸気とオゾンを含む処理ガスと反応すること
ア−２．処理ガスと反応した犠牲膜が、所定の薬液に対して溶解し易くなること
を要するものといえる。
　
（ｃ−２）そこで、まず、犠牲膜が水蒸気とオゾンを含む処理ガスと反応する点（ア−１．）について検討すると、犠牲膜を形成する材料である「Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料」について、本願明細書には具体的な定義は記載されていないものの、Ｓｉ−Ｏ結合を有する無機化合物を包含する用語と解される。
　そして、Ｓｉ−Ｏ結合を有する化合物には、例えば周知の犠牲膜としてのＳｉＯ２等が含まれるところ、水蒸気とオゾンを含むガスによってＳｉＯ２膜を形成することは、周知例１〜３に記載されているように、半導体ウェハ等の基板の製造技術において周知の事項である。かかる周知技術において、ＳｉＯ２膜は、水蒸気とオゾンを含むガスと、ＴＥＯＳ、多結晶シリコン層あるいはシリコン・ウェーハとの反応生成物として形成されるのであるから、ＳｉＯ２は、水蒸気とオゾンを含むガスとは反応しない化合物であるといえる。なぜならば、ＳｉＯ２は、ＴＥＯＳ、多結晶シリコン層あるいはシリコン・ウェーハから形成されるものであり、上記ガスは当該ＳｉＯ２自体をさらに変化させるものではないし、仮に、当該ＳｉＯ２が上記ガスと反応して他の物質になるのであれば、上記膜をＳｉＯ２からなるものとするためには、何らかの手段を講じてかかる反応を防止する必要があるが、上記周知技術においてそのような事情は窺えないからである。
　すると、本願発明１における「Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料」は、水蒸気とオゾンを含む処理ガスによって反応しない化合物を包含するものであるから、本願発明１において犠牲膜を形成するＳｉ−Ｏ系の無機系材料を決定するためには、請求項１に記載された任意のＳｉ−Ｏ系の無機系材料を用意すればよいというものではなく、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料の中から、水蒸気とオゾンを含む処理ガスによって反応する材料を選択する必要があることになる。
　
周知例１：特開平８−１５３７８４号公報
（周１ａ）「積層配線・・・を含む表面に、・・・常圧ＣＶＤ装置を用いて、基板温度４００℃，オゾン流量４００sccmの条件下で、ＴＥＯＳおよび水をそれぞれ窒素ガスにてバブリングすることにより、ＴＥＯＳを５０sccm，水蒸気１２０sccmを導入した。・・・燐酸は触媒として用いるものであり、・・・燐酸ガスをＴＥＯＳ，オゾン，水蒸気とともに導入することで、常圧ＣＶＤ装置内において、・・・シリコン酸化膜を形成させることができる。」（【００２６】〜【００２７】）
　
周知例２：特開２００２−３２４８０９号公報
（周２ａ）「本発明は、・・・オゾンとＨ２Ｏを含む雰囲気・・・の中で多結晶シリコン層の表面を酸化させることにより、・・・シリコン酸化層を形成するようにした。」（【００１３】）
（周２ｂ）「無アニールガラス基板・・・の上に多結晶シリコン層・・・が形成されたサンプルを第１の処理室に搬入し、・・・第２の処理室に、オゾン（約１０ＳＬＭ）、水蒸気（約１００ＳＣＣＭ）を導入し、第２の処理室内を約７００Ｔｏｒｒに制御した。・・・上記のオゾン中に水蒸気を導入した酸化処理雰囲気にある第２の処理室に、第１の処理室から・・・サンプルを搬入する。このような処理を行なうことによって、多結晶シリコン層・・・の表面が酸化され、その結果としてその表面に４ｎｍ以上の膜厚を有する第１の絶縁層・・・、即ちＳｉＯ２層が形成される。」（【００２４】〜【００２５】）
　
周知例３：特開平４−１１４４３１号公報
（周３ａ）「炉内にシリコン・ウェーハを設置すると共に、水蒸気とオゾン・ガスを炉内に供給する事によっても、・・・無欠陥・・・の良質のシリコン酸化膜を形成する事ができる。」（２頁左上欄９〜１４行）
　
（ｃ−３）また、ア−２．についてみても、Ｓｉ−Ｏ結合を有する点で共通するからといって、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料すべてが同一または類似の化学的性質を有するものではないことは、上記（ｃ−２）でも検討したとおり明らかであるから、処理ガスとＳｉ−Ｏ系の無機系材料との反応生成物についても、その化学的性質は種々のものとなるといえる。
　すると、該反応生成物が、反応前と比べ、なんらかの薬液に溶解し易くなるか否か、その薬液はいかなる物質かを調べた上で、該反応生成物を生成するＳｉ−Ｏ系の無機系材料と薬液との組み合わせを決定することになる。
　
（ｃ−４）他方、犠牲膜を形成する材料について、本願明細書には以下の記載がある。
　
「【００４７】
続いてウエハＷは、レジスト塗布／現像システム１０２に搬送されて、そこで犠牲膜塗布処理ユニットを用いて、ビアホール６４ａを有する絶縁膜６４の表面に無機系材料（例えば、Ｓｉ−Ｏ系材料）からなる犠牲膜６７を形成する（ステップ５、図７（ｅ））。」
　
「【００５４】
その後、オゾン／窒素混合ガスに水蒸気を混合させた処理ガス（例えば、水蒸気量が水換算で１６ｍｌ／分）を、処理ガス供給装置１６からチャンバ３０内に供給する。この処理ガスによってウエハＷに形成されている犠牲膜６７は薬液に溶解され易い性質へと変わり、レジスト膜６８とウエハＷに付着しているポリマー残渣（例えば、エッチング処理後に生ずるポリマー残渣）は水溶性に変わる（図７（ｈ））。このように処理ガスは、犠牲膜６７、レジスト膜、ポリマー残渣をそれぞれ変性させるが、絶縁膜６４にダメージを与えることはない。」
　
「【００５９】
図８と図９は、市販されている無機系の犠牲膜材料を用いて犠牲膜６７を形成した場合の、その厚さと犠牲膜６７の除去処理に要する時間との関係を示すグラフである。ここでは、上述したように犠牲膜６７に対して処理ガスによる変性処理を行った後に薬液処理を行うことにより犠牲膜６７を除去する方法（実施例）と、エッチング処理後に処理ガスによる犠牲膜６７の変性処理を行うことなく直接に犠牲膜６７を薬液処理して犠牲膜６７を除去する方法（比較例）とを比較しており、図８は薬液として希フッ酸水溶液を用いた場合について、図９は薬液としてアミン系薬液を用いた場合について、それぞれ示されている、図８と図９から明らかなように、処理ガスによる変性処理を行った場合には、変性処理を行わなかった場合と比べて、短い処理時間で犠牲膜６７の除去を行うことができる。」
　
「【００６３】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、犠牲膜は、無機系材料からなるものに限られるものではなく、有機系材料（例えば、ノボラック樹脂系材料）からなるものであってもよい。」
　
　上記の記載によれば、無機系材料としてＳｉ−Ｏ系材料が例示され（【００４７】）、オゾン／窒素混合ガスに水蒸気を混合させた処理ガス（例えば、水蒸気量が水換算で１６ｍｌ／分）によって変性される無機系材料が存在し（【００５４】）、市販されている無機系の犠牲膜材料を用いて犠牲膜を形成できること（【００５９】）、犠牲膜は、無機系材料からなるものに限られるものではなく、有機系材料（例えば、ノボラック樹脂系材料）からなるものであってもよい（【００６３】）ことまでは記載されているものの、水蒸気とオゾンを含む処理ガスによって変性し得るＳｉ−Ｏ系の無機系材料として、どのようなものを選択すべきか、なんら記載されていない。
　すなわち、上記（ａ）のとおり、「変性」とは、「犠牲膜がウエハＷ上に残った状態で所定の薬液に対して溶解し易くな」ることを意味するところ、【００４７】には、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料の中から、水蒸気とオゾンを含む処理ガスによって変性し得る物質を選択する指針乃至反応機構が説明されているわけでもないし、【００５４】には、変性される犠牲膜がＳｉ−Ｏ系の無機系材料によって形成されることも、いかなる薬液を用いたのかも記載されていない。また、【００５９】においても、「市販の無機系材料」を用いた旨が記載されているのみで、具体的な製品名が挙げられているわけでもない。
　
（ｃ−５）してみると、本願の発明の詳細な説明には、上記条件ア−１．及びア−２．を満たすＳｉ−Ｏ系の無機系材料としていかなる化合物を選択すべきか記載されていないことになるから、当業者が本願発明１を実施するためには、任意のＳｉ−Ｏ系の無機系材料から、変性し得る材料を選択するために過度の試行錯誤を強いるものと言わざるを得ない。
　なお、Ｓｉ−Ｏ系であっても変性しない無機系材料があることは、平成１９年１２月１０日付け意見書において、「「変性しない犠牲膜については自ずと排除する」記載となっています。」と主張しているように、審判請求人自身も認めるところである。
　
（ｃ−６）審判請求人は、平成２０年５月２８日付けの審判請求書の手続補正書において、「Ｓｉ−Ｏ系無機系材料といえば、基本的な構造がほぼ決まっており、同様の耐薬品性を示すことは常識的なことであり、化学的性質が大きく変わることはありません。」と主張するが、上記（ｃ−１）で検討したように、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料であっても、水蒸気とオゾンを含む処理ガスによって反応しないものがあることは明らかであるし、上記平成１９年１２月１０日付け意見書において、Ｓｉ−Ｏ系であっても変性しない無機系材料があることを認める旨の主張とも矛盾することから、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
　
（ｃ−７）また、審判請求人は、平成１９年１２月１０日付けの意見書において、「なお、当業者は「市販されている材料」については分析をしません。どのような組成であるかの詳細については、「その材料を開発した人」が明らかにしない限り、分かりません。」と主張している。かかる主張によれば、本願発明１におけるＳｉ−Ｏ系の無機系材料は、市販の組成物をも包含するものと解されるが、上記（ｃ−２）で検討したように、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料が化合物であったとしても、当業者にとって過度の試行錯誤を要するのであるから、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料組成物についてもなおさら、本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて、当業者が本願発明１を実施できないというべきである。
　
（ｄ）イ．について
　上記（ａ）のとおり、本願発明１における「薬液」とは、任意の「薬液」を意味するものと認められるが、上記（ｃ−３）において検討したように、本願発明１を実施するためには、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料と薬液との組み合わせを決定する必要があるのだから、薬液についても、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料と同様に、いかなる薬液を選択すべきか、指針乃至反応機構が説明されていなければ、過度の試行錯誤を要することなく、当業者が本願発明１を実施し得るものとはいえない。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、【００５７】に、「そこで所定の薬液（例えば、希フッ酸、アミン系薬液）によって犠牲膜６７の除去処理が行われる（図７（ｉ））。」と記載され、【００５９】に、「図８は薬液として希フッ酸水溶液を用いた場合について、図９は薬液としてアミン系薬液を用いた場合について、それぞれ示されている」と記載されているが、【００５７】、【００５９】に記載された例では、「市販されている無機系の犠牲膜材料」を用いているものの、該犠牲膜材料がＳｉ−Ｏ系の無機系材料であるか不明であるから、希フッ酸水溶液あるいはアミン系薬液であればすべてのＳｉ−Ｏ系の無機系材料に適用できるか理解できないし、希フッ酸水溶液あるいはアミン系薬液以外にどのような薬液を適用できるのかも説明されていないことからすれば、任意の薬液の中から、いかなる薬液を選択すべきか、指針乃至反応機構が説明されているものとは認められない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明の記載では、当業者が任意の薬液から、Ｓｉ−Ｏ系の無機系材料を変性し得る薬液を選択するために過度の試行錯誤を強いるものというべきである。
　
（ｅ）以上検討したように、本願に係る発明の詳細な説明には、本願発明１を当業者が容易に実施することができる程度に、発明の目的、構成及び効果が記載されているとは認められない。
　
　したがって、この出願は、特許法第３６条第４項第１項に規定する要件を満たしていない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明について、この出願は、特許法第３６条第４項第１項に規定する要件を満たしておらず、特許を受けることができないから、その余の本願の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本特許出願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。