【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動部と、
前記振動部の表裏の主面に設けられ、表面が非結合電子対をもった物質の化学吸着による単分子膜により覆われている励振電極と、
を含むことを特徴とする振動素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記非結合電子対は前記励振電極が含むダングリングボンドに化学吸着していることを特徴とする振動素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記物質は、ジメチルポリシロキサン分子であることを特徴とする振動素子。
【請求項４】
請求項３において、
前記ジメチルポリシロキサン分子は、環状の分子であることを特徴とする振動素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の振動素子と、
前記振動素子を収容している容器と、
を備え、
前記容器の内部に、非結合電子対をもった物質が配置されていることを特徴とする振動子。
【請求項６】
請求項５において、
蒸散した前記物質の前記非結合電子対が、前記励振電極の表面に化学吸着していることを特徴とする振動子。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記物質が導電性接合部材であり、
前記振動素子は、
前記導電性接合部材により前記容器の内部に保持されていることを特徴とする振動子。
【請求項８】
請求項７において、
前記導電性接合部材は、シリコーン系接着剤材であることを特徴とする振動子。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項において、
前記容器は、気密封止されていることを特徴とする振動子。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか一項に記載の振動子と、
発振回路と、
を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項１１】
基板の表裏の主面に金属膜を含む振動素子を、ジメチルポリシロキサン蒸気の雰囲気中に配置することにより、前記金属膜の表面にジメチルポリシロキサン分子を化学吸着させて前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成することを特徴とする振動素子の周波数安定化方法。
【請求項１２】
基板の表裏の主面に金属膜を備えた振動素子が容器内に搭載された状態で、前記容器内に含まれるジメチルポリシロキサン蒸気の雰囲気中に露出する前記金属膜の表面にジメチルポリシロキサン分子を化学吸着させて前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成することを特徴とする振動素子の周波数安定化方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、
前記単分子膜は、
前記単分子膜によって覆われていない前記金属膜の表面に更に前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成しても共振周波数の低下量が１ｐｐｍ未満となるように前記金属膜のほぼ全面を覆うことを特徴とする振動素子の周波数安定化方法。
【請求項１４】
基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を、シリコーン系接着剤により保持した容器内に、ジメチルポリシロキサン液を滴下して前記容器を封止することにより、露出した前記金属膜の表面にジメチルポリシロキサン分子を化学吸着させて前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成することを特徴とする振動素子の周波数安定化方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記単分子膜は、
前記単分子膜によって覆われていない前記金属膜の表面に更に前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成しても共振周波数の低下量が１ｐｐｍ未満となるように前記金属膜のほぼ全面を覆うことを特徴とする振動素子の周波数安定化方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか一項において、
前記ジメチルポリシロキサン分子は、環状の分子であることを特徴とする振動素子の周波数安定化方法。
【請求項１７】
基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を容器内に導電性接合部材にて保持する工程と、
前記振動素子が保持された前記容器を非結合電子対をもった物質の蒸気の雰囲気内に放置することにより、前記金属膜が含むダングリングボンドに非結合電子対をもった物質を化学吸着させて、前記金属膜の表面を単分子膜によって覆う工程と、
前記容器を気密封止する工程と、
を含むことを特徴とする振動子の製造方法。
【請求項１８】
基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を容器内にシリコーン系導電性接着材にて保持する工程と、
前記容器を気密封止する工程と、
気密封止した前記容器に所定時間加熱処理を施して前記シリコーン系接着剤から蒸散する非結合電子対をもった物質を前記金属膜が含むダングリングボンドに化学吸着させて、前記金属膜の表面を単分子膜によって覆う工程と、
を含むことを特徴とする振動子の製造方法。
【請求項１９】
基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を容器内にシリコーン系導電性接着剤にて保持する工程と、
前記容器を気密封止する工程と、
気密封止した前記容器を温度Ｋの雰囲気中に時間Ｔ以上放置することによりシリコーン系接着剤から蒸散する非結合電子対をもった物質を前記金属膜が含むダングリングボンドに化学吸着させて、前記金属膜の表面を単分子膜によって覆う工程と、
を含み、
前記温度Ｋと時間Ｔとの関係が、
Ｔ＝２４２９４ｅ−０．０２５１Ｋ
を満足することを特徴とする振動子の製造方法。
【請求項２０】
基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を容器内にシリコーン系導電性接着剤にて保持する工程と、
前記容器内に非結合電子対をもった物質を配置する工程と、
前記容器を気密封止する工程と、
前記非結合電子対をもった物質が蒸散するのに必要な温度に所定時間加熱して前記非結合電子対をもった物質を前記金属膜が含むダングリングボンドに化学吸着させて、前記金属膜の表面を単分子膜によって覆う工程と、
を含むことを特徴とする振動子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１７乃至２０のいずれか一項において、
前記容器を気密封止する工程は、不活性ガス雰囲気に置換した状態で気密封止することを特徴とする振動子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動素子、振動子、発振器、振動素子の周波数安定化方法及び振動子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の第１の実施形態は、前記振動部の表裏の主面に設けられ、表面が非結合電子対をもった物質の化学吸着による単分子膜により覆われている励振電極と、を含む振動素子を特徴とする。
また、本発明の第２の実施形態は、第１の実施形態において、前記非結合電子対は前記励振電極が含むダングリングボンドに化学吸着している振動素子を特徴とする。
また、本発明の第３の実施形態は、前記物質は、ジメチルポリシロキサン分子である第１又は第２の実施形態の振動素子を特徴とする。
また、本発明の第４の実施形態は、第３の実施形態において、前記ジメチルポリシロキサン分子は、環状の分子である振動素子を特徴とする。
また、本発明の第５の実施形態は、第１乃至第４の実施形態のうち何れかの振動素子と、前記振動素子を収容している容器と、を備え、前記容器の内部に、非結合電子対をもった物質が配置されている振動子を特徴とする。
また、本発明の第６の実施形態は、第５の実施形態において、蒸散した前記物質の前記非結合電子対が、前記励振電極の表面に化学吸着している振動子を特徴とする。
また、本発明の第７の実施形態は、第５又は第６の実施形態において、前記物質が導電性接合部材であり、前記振動素子は、前記導電性接合部材により前記容器の内部に保持されている振動子を特徴とする。
また、本発明の第８の実施形態は、第７の実施形態において、前記導電性接合部材は、シリコーン系接着剤材である振動子を特徴とする。
また、本発明の第９の実施形態は、第５乃至第８の何れかの実施形態において、前記容器は、気密封止されている振動子を特徴とする。
また、本発明の第１０の実施形態は、第５乃至第９の実施形態のうち何れかの振動子と、発振回路と、を備えている発振器を特徴とする。
また、本発明の第１１の実施形態は、基板の表裏の主面に金属膜を含む振動素子を、ジメチルポリシロキサン蒸気の雰囲気中に配置することにより、前記金属膜の表面にジメチルポリシロキサン分子を化学吸着させて前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成する振動素子の周波数安定化方法を特徴とする。
また、本発明の第１２の実施形態は、基板の表裏の主面に金属膜を備えた振動素子が容器内に搭載された状態で、前記容器内に含まれるジメチルポリシロキサン蒸気の雰囲気中に露出する前記金属膜の表面にジメチルポリシロキサン分子を化学吸着させて前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成する振動素子の周波数安定化方法を特徴とする。
また、本発明の第１３の実施形態は、第１１又は第１２の実施形態において、前記単分子膜は、前記単分子膜によって覆われていない前記金属膜の表面に更に前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成しても共振周波数の低下量が１ｐｐｍ未満となるように前記金属膜のほぼ全面を覆う振動素子の周波数安定化方法を特徴とする。
また、本発明の第１４の実施形態は、基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を、シリコーン系接着剤により保持した容器内に、ジメチルポリシロキサン液を滴下して前記容器を封止することにより、露出した前記金属膜の表面にジメチルポリシロキサン分子を化学吸着させて前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成する振動素子の周波数安定化方法を特徴とする。
また、本発明の第１５の実施形態は、第１４の実施形態において、前記単分子膜は、前記単分子膜によって覆われていない前記金属膜の表面に更に前記ジメチルポリシロキサン分子の単分子膜を形成しても共振周波数の低下量が１ｐｐｍ未満となるように前記金属膜のほぼ全面を覆う振動素子の周波数安定化方法を特徴とする。
また、本発明の第１６の実施形態は、第１１乃至第１５の何れかの実施形態において、前記ジメチルポリシロキサン分子は、環状の分子である振動素子の周波数安定化方法を特徴とする。
また、本発明の第１７の実施形態は、基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を容器内に導電性接合部材にて保持する工程と、前記振動素子が保持された前記容器を非結合電子対をもった物質の蒸気の雰囲気内に放置することにより、前記金属膜が含むダングリングボンドに非結合電子対をもった物質を化学吸着させて、前記金属膜の表面を単分子膜によって覆う工程と、前記容器を気密封止する工程と、を含む振動子の製造方法を特徴とする。
また、本発明の第１８の実施形態は、基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を容器内にシリコーン系導電性接着材にて保持する工程と、前記容器を気密封止する工程と、気密封止した前記容器に所定時間加熱処理を施して前記シリコーン系接着剤から蒸散する非結合電子対をもった物質を前記金属膜が含むダングリングボンドに化学吸着させて、前記金属膜の表面を単分子膜によって覆う工程と、を含む振動子の製造方法を特徴とする。
また、本発明の第１９の実施形態は、基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を容器内にシリコーン系導電性接着剤にて保持する工程と、前記容器を気密封止する工程と、気密封止した前記容器を温度Ｋの雰囲気中に時間Ｔ以上放置することによりシリコーン系接着剤から蒸散する非結合電子対をもった物質を前記金属膜が含むダングリングボンドに化学吸着させて、前記金属膜の表面を単分子膜によって覆う工程と、を含み、前記温度Ｋと時間Ｔとの関係が、Ｔ＝２４２９４ｅ−０．０２５１Ｋを満足する振動子の製造方法を特徴とする。
また、本発明の第２０の実施形態は、基板の表裏の主面に金属膜を形成した振動素子を容器内にシリコーン系導電性接着剤にて保持する工程と、前記容器内に非結合電子対をもった物質を配置する工程と、前記容器を気密封止する工程と、前記非結合電子対をもった物質が蒸散するのに必要な温度に所定時間加熱して前記非結合電子対をもった物質を前記金属膜が含むダングリングボンドに化学吸着させて、前記金属膜の表面を単分子膜によって覆う工程と、を含む振動子の製造方法を特徴とする。
また、本発明の第２１の実施形態は、第１７乃至２０のいずれかの実施形態において、前記容器を気密封止する工程は、不活性ガス雰囲気に置換した状態で気密封止する振動子の製造方法を特徴とする。
［適用例１］本適用例に係る圧電振動素子は、厚み滑り系の圧電材料から成る圧電基板と、該圧電基板面に形成した金属膜とを備えた圧電振動素子において、前記金属膜表面が、非結合電子対をもった物質との化学吸着によって形成された膜によって覆われていることを特徴とする。
［適用例２］本適用例に係る圧電振動素子は、圧電基板と、該圧電基板面に形成した金属膜とを備えた圧電振動素子において、前記金属膜表面が非結合電子対をもった物質との化学吸着によって形成された膜によって覆われており、該膜によって覆われていない金属膜表面に更に膜を形成しても共振周波数の低下量が１ｐｐｍ未満となるように金属膜のほぼ全面が前記膜によって覆われていることを特徴とする。
［適用例３］本適用例に係る圧電振動子は、適用例１、又は２に記載の圧電振動素子と、この圧電振動素子を気密封止した容器と、を備えたことを特徴とする。
［適用例４］本適用例に係る圧電振動子は、適用例１、又は２に記載の圧電振動素子と、この圧電振動素子をシリコーン系導電性接着剤を用いて保持した状態で収容して不活性ガス中に気密封止した容器と、を備えたことを特徴とする。
［適用例５］本適用例に係る圧電発振器は、適用例３、又は４に記載の容器の内部又は外部に発振回路部品を配置したことを特徴とする。
［適用例６］本適用例に係る圧電振動素子の周波数安定化方法は、厚み滑り系の圧電材料から成る圧電基板面に金属膜を備えた圧電振動素子を、環状ジメチルポリシロキサン蒸気の雰囲気中に配置することにより、前記金属膜表面に前記環状ジメチルポリシロキサン分子を化学吸着させて該環状ジメチルポリシロキサン分子の膜を形成したことを特徴とする