【事件の表示】
　特願２００２−　８４１６１「プローブ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　２日出願公開、特開２００３−２７９４６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月２５日の出願であって、平成１６年８月３日付で拒絶査定がなされ（発送日：同年８月１０日）、これに対し、同年９月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月１２日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１６年１０月１２日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年１０月１２日付の手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１及び２は、それぞれ
「【請求項１】
頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた錘状の探針と、上記錐状の探針と一体化して形成されているホウ素がドープされたダイヤモンド層と、シリコン層とが積層された構成とされ、上記探針の底面及び上記探針の頂点間を光が透過することが可能となる状態で上記探針を支持する支持基板とを備え、上記探針がホウ素がドープされたダイヤモンドからなり紫外光を導波することを特徴とするプローブ。
」
及び
「
【請求項２】
　ホウ素がドープされたダイヤモンドからなる錘状の探針を有し紫外光を導波するプローブの製造方法であって、シリコン基板の一方の主面側に、他方の主面側に近接するに従って開口が徐々に小さくなる穴部を穿設する穴部穿設工程と、上記シリコン基板の一方の主面側にダイヤモンド層を形成するダイヤモンド層形成工程と、上記シリコン基板の他方の主面側を、上記ダイヤモンド層の先端が露呈し且つ上記シリコン基板が所定の厚みとなるまで除去する除去工程とを有し、上記ダイヤモンド層形成工程では、ダイヤモンド層を形成するときに、ホウ素を含む材料を添加して、上記ホウ素がドープされたダイヤモンド層を形成し、頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた上記錘状の探針を上記ホウ素がドープされたダイヤモンド層と一体化して形成することをを特徴とするプローブの製造方法。
」
へと補正された。
　
　該請求項１及び２に記載された「錘状」なる記載は、本願出願当初明細書では「錐状」と記載されていたものが、平成１６年４月２６日付手続補正書により「錘状」と補正されたものであるが、出願当初明細書中には「錘」なる文字は使われておらず、探針や開口の形状に関しては「錐状」「錐体」との「錐」なる語を用いた表現が為されていること、及び、「錐」が主に「きり」を示す語であるのに対し「錘」は主に「おもり」を意味し、両者に大きな意味の相違があるにもかかわらず、前記平成１６年４月２６日付手続補正書に於いて、「錘状」と補正された箇所に補正箇所を示す下線部が施されておらず、同日付の意見書でも、該補正に関し補正の意図が示されていないこと、図１に記載された図から読み取ることができる探針の形状は「錐状」の一種である角錐状であることからみて、前記「錘状」への補正は錯誤により為されたものであって、「錘状」は「錐状」の誤記と認める。
　また、請求項２の「一体化して形成することをを特徴とする」は「一体化して形成することを特徴とする」の誤記であることが明らかである。
　
　よって、本件補正後の請求項１及び２に係る発明は、それぞれ
「　【請求項１】
　頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた錐状の探針と、上記錐状の探針と一体化して形成されているホウ素がドープされたダイヤモンド層と、シリコン層とが積層された構成とされ、上記探針の底面及び上記探針の頂点間を光が透過することが可能となる状態で上記探針を支持する支持基板とを備え、上記探針がホウ素がドープされたダイヤモンドからなり紫外光を導波することを特徴とするプローブ。
」
及び、
「　【請求項２】
　ホウ素がドープされたダイヤモンドからなる錐状の探針を有し紫外光を導波するプローブの製造方法であって、シリコン基板の一方の主面側に、他方の主面側に近接するに従って開口が徐々に小さくなる穴部を穿設する穴部穿設工程と、上記シリコン基板の一方の主面側にダイヤモンド層を形成するダイヤモンド層形成工程と、上記シリコン基板の他方の主面側を、上記ダイヤモンド層の先端が露呈し且つ上記シリコン基板が所定の厚みとなるまで除去する除去工程とを有し、上記ダイヤモンド層形成工程では、ダイヤモンド層を形成するときに、ホウ素を含む材料を添加して、上記ホウ素がドープされたダイヤモンド層を形成し、頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた上記錐状の探針を上記ホウ素がドープされたダイヤモンド層と一体化して形成することを特徴とするプローブの製造方法。
」
にあるものと認める（それぞれ、「本件補正発明１」及び「本件補正発明２」という。）。
　
　そして、上記補正は、該補正前の、平成１６年４月２６日付手続補正書により補正された特許請求の範囲における請求項１乃至４のうち、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「支持基板」の「ダイヤモンド層」について、「ホウ素がドープされた」との限定を、同じく「探針」について「紫外線を導波する」との限定をそれぞれ付加し、同じく前記補正前の請求項３に記載した発明を特定するために必要な事項である「基板」について「シリコン基板」との限定を、「プローブ」の構造・性質について「ホウ素がドープされたダイヤモンドからなる錐状の探針を有し紫外光を導波するプローブ」との限定を、同じく「探針」の構造について「頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた上記錐状の探針を上記ホウ素がドープされたダイヤモンド層と一体化して形成する」との限定を、それぞれ付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する、請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、前記本件補正発明１及び２が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用した引用例は以下の４件である。
　引用例１：特開２００２−７１５４５号公報
　引用例２：特開平１０−２５９０９２号公報
　引用例３：E. Oesterschulze, W. Scholz, Ch. Mihalcea, D. Albert, B. Sobisch, and W. Kulisch、Fabrication of small diamond tips for scanning probe microscopy application、Applied Physics Letters、American Institute of Physics、１９９７年、第７０巻、第４号、ｐ．４３５−４３７
　引用例４：C. Mihalcea, W. Scholz, S. Werner, S. Munster, E. Oesterschulze, and R. Kassing、Multipurpose sensor tips for scanning near-field microscopy、Applied Physics Letters、American Institute of Physics、１９９６年、第６８巻、第２５号、ｐ．３５３１−３５３３
ア．引用例３には、図面とともに次の記載がある。
（１）「ダイヤモンドチップは既に様々な技術によってＦＥＡ(Field Emitter Array)用と同様ＳＰＭ装置用にも用意されている。AFMチップはバルクダイヤモンドの破砕物から作られてきたが、そのようなチップの形状や表面の化学的性質は明確に定義づけられなかった。」（第４３５ページ左欄第２２乃至２６行）
（２）「この論文では、我々は、シリコン基板上に一体化されたダイヤモンド製カンチレバーの上に一体化された小さな曲率半径を持つダイヤモンドチップの異なった製法を提案する。それは、SNOM用の中空金属ピラミッドの製造工程と類似のものである。」（第４３５ページ左欄第４１行乃至同右欄第３行）
（３）「カンチレバーの製造工程がFig.1に図解されている。開始時には、シリコン基板は熱酸化物（２μｍ）とフォトレジスト（Hoechst AZ1518）に被覆され、該被覆には正方形の窓（幅d=18μｍ）が開けられ、将来のチップの底部が規定されている。KOH(40wt.%,60℃)内での異方性エッチングにより深さ約0.7d、頂角70.6゜の中空のピラミッドが形成される。続いて、第２のリソグラフィー工程に於いて、将来のカンチレバーのための窓(幅150μｍ,長さ650μｍ)が開けられる。次いで基板は、例えばダイヤモンドペーストを用いた超音波(US)処理やＢＥＮ法(Bias-enhanced nucleation)によるダイアモンド核生成のための予備処理（下記参照）に供される。これに引き続き、3-5μｍ厚のダイヤモンド薄膜が、ＨＦＣＶＤ(hot-filament CVD)或いはマイクロ波ＣＶＤ(MWCVD)によって蒸着される。そして、残存した酸化珪素は除去され、最後にシリコンがKOHの中でエッチング除去されて、ダイヤモンド製チップと一体化した独立したダイヤモンド製カンチレバー（片持ち梁）が切り離される。」（第４３５ページ右欄第５乃至２２行）
（４）「Fig.1に記載された工程の要所は、先端部に至るまでピラミッド全体にわたって均質な高核生成濃度を要求されるダイヤモンドの核生成である。この点は、シリコン基板に対する逆ピラミッドのエッチング、核生成を強化する予備処理、ダイヤモンドの蒸着、そしてピラミッドが露出する数μｍにまでシリコン基板をエッチングすることからなるFig.1記載の工程を簡素化する変形によって吟味される。30〜100μｍの底部を持つピラミッドが用意される。」（第４３６ページ左欄第６乃至最下行）
（５）Fig.1には、上記（２）の記載に対応して、中空のピラミッド状のダイヤモンド製チップの断面形状、及び、１）シリコン基板の上面に中空ピラミッド状の穴部を形成し、４）該穴部を含む上面の表面上にダイヤモンド薄膜を形成し、次いで６）該上面側のダイヤモンド薄膜の下面に形成されたシリコン基板を除去して、中空ピラミッド状のダイヤモンドチップを生成する製造工程が示されている。
（６）Fig.2には、ピラミッド状チップの形状が示されている。
　
　これらの記載を参照すると、引用例３には、次の各発明が記載されている。
　
「ダイヤモンド製のピラミッド状の中空チップと、該チップと一体化し、数μｍのシリコン基板と積層されたダイヤモンド薄膜からなるカンチレバーとからなる、ＳＰＭ用カンチレバー。」（以下、「引用発明３−１」という。）
　
「ダイヤモンド製のピラミッド状の中空チップと、該チップと一体化したカンチレバーとからなるＳＰＭ用カンチレバーの製造方法であって、シリコン基板の上面に異方性エッチングによって中空のピラミッドを形成し、該シリコン基板上面にダイヤモンド薄膜を形成し、前記シリコン基板の下面側をエッチングによりピラミッドが露出する数μｍにまで除去する工程からなる、前記ＳＰＭ用カンチレバーの製造方法。」（以下、「引用発明３−２」という。）
　
イ．引用例２には次の記載がある。
（１）「探針と表面とのインタラクションや探針と表面との間に流れるトンネル電流を検出して表面の微細な形状を観察する走査型プローブ顕微鏡には、導電性のプローブが用いられている。従来、導電性プローブ（探針）は、チッ化シリコン製のプローブ基体に金などの導電性の金属薄膜を被覆するか、もしくは金属箔を加工することで作製されていた。」（【０００２】）
（２）「本発明では、走査型プローブ装置に用いられるプローブについて、カンチレバーにダイヤモンドのプローブ先端を効率的に設ける方法を提案する。」（【０００７】）
（３）「本発明の第８の形態では、異なる物質をドーピングして得られたドーピング層を有するシリコン基板と、ドーピング層の上に成膜され、白金系遷移金属からなる金属層とを有する被加工物に探針を設けてなる走査型プローブ装置用のプローブの製造方法において、被加工物上に非金属物質からなる被膜を形成する工程と、被膜が形成された被加工物上に、レジスト膜を形成する工程と、探針を設ける部分に対応するレジスト膜を除去する工程と、レジスト膜が除去された部分における被膜をエッチングすることで被膜を除去するエッチング工程と、少なくとも炭素原子を有するガスを導入して行う化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって、エッチング工程で露出した金属層にダイヤモンド膜を所望の探針形状になるまで成長させる探針形成工程と、探針が形成されたシリコン基板を所望の形状に加工を行う加工工程ととした。」（【００１１】）
（４）「ところで、更にこのダイヤモンドの探針１０を形成するときに、ボロン等を含んだガス（例えば、ジボラン：Ｂ2Ｈ6）を含んだガス導入することで、探針１０を導電性にすることができる。また、探針１０は白金薄膜７に直接接合されているので、この白金薄膜７をカンチレバー部１３の内部に設けられた配線として用いることにより、走査型トンネル電流顕微鏡の探針としても使用することが出来る。」（【００２６】）
　
ウ．引用例１には次の記載がある。
（１）「そこでいま、試料表面に生成される近視野光とプローブとの間に生じる相互作用を観察対象とすることで、試料表面の微小な領域の観察を可能にした近視野光学顕微鏡（ＳＮＯＭ）が注目されている。近視野光学顕微鏡においては、先鋭化された光ファイバーの先端に設けられた開口から近視野光を試料の表面に照射する。開口は、光ファイバーに導入される光の波長の回折限界以下の大きさを有しており、たとえば、１００ｎｍ程度の直径である。プローブ先端に形成された開口と試料間の距離は、ＳＰＭの技術によって制御され、その値は開口の大きさ以下である。このとき、試料上での近視野光のスポット径は、開口の大きさとほぼ同じである。したがって、試料表面に照射する近視野光を走査することで、微小領域における試料の光学物性の観測を可能としている。」（【０００３】）
（２）「図１に示す、ワーク１０００は、基板４上に形成された透明層５、透明層５の上に形成された錘状のチップ１および尾根状のストッパー２、チップ１、ストッパー２および透明層５の上に形成された遮光膜３からなる。」（【００１４】）
（３）「チップ１、ストッパー２および透明層５は、二酸化ケイ素やダイヤモンドなどの可視光領域において透過率の高い誘電体や、ジンクセレンやシリコンなどの赤外光領域において透過率の高い誘電体や、フッ化マグネシウムやフッ化カルシウムなどの紫外光領域において透過率の高い材料を用いる。また、チップ１の材料は、開口を通過する光の波長帯において少しでもチップ１を透過する材料であれば用いることができる。また、チップ１、ストッパー２および透明層５は、同一の材料で構成されても良いし、別々の材料で構成されても良い。」（【００１６】）
（４）「図３は、力Ｆを加えた後に、板６および押し込み用具７を取り除いた状態を示した図である。遮光膜３の塑性変形量が非常に小さく、チップ１およびストッパー２が弾性変形領域でのみ変位しているため、チップ１の先端に開口８が形成される。開口８の大きさは、数ｎｍからチップ１を通過する光の波長の回折限界程度の大きさである。・・・開口８に光を導入するために、基板４をチップ１の形成面と反対側からエッチングすることによって透明体５またはチップ１の少なくとも一部を露出させて、開口８への光の導入口を形成する。また、基板４を透明材料１０３で構成することによって、光の導入口を形成する工程を省くことができるのは言うまでもない。」（【００１８】）
（５）「以上説明したように、本発明の開口作製方法によれば、ストッパー２によって板６の変位量を良好に制御することができ、かつ、板６の変位量を非常に小さくできるため、大きさが均一で小さな開口８をチップ１先端に容易に作製することができる。また、基板側から光を照射して、開口８から近視野光を発生させることができる。」（【００２０】）
　
３．本件補正発明１について
３−１．対比
　引用発明３−１の
 (a)「ピラミッド状の中空のチップ」、(b)「カンチレバー」、(c)「ダイヤモンド薄膜」、
は、それぞれ本件補正発明１の、
(a)「頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた錐状の探針」、(b)「支持基板」、(c)「ダイヤモンド層」
に相当することが明らかである。また、引用発明３−１に於ける、(d)「チップ」と「カンチレバー」とを総称したものが、本件補正発明１に於ける(d)「プローブ」に相当することも明らかである。
　よって、引用発明３−１と本件補正発明１とは、
（一致点１）
「頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた錐状の探針と、上記錐状の探針と一体化して形成されているダイヤモンド層とシリコン層とが積層された支持基板とを備え、上記探針がダイヤモンドからなるプローブ。」
の点で一致し、以下の各点で相違する。
（相違点１）
　本件補正発明１では、探針と基板のダイヤモンドにはホウ素がドープされているのに対し、引用発明３−１ではホウ素はドープされていない点。
（相違点２）
　本件補正発明１では、支持基板は探針の底面及び上記探針の頂点間を光が透過することが可能となる状態で上記探針を支持しているのに対し、引用発明３−１では、基板による探針の支持形態と探針への光の透過性について言及がない点。
（相違点３）
　本件補正発明１では、探針は紫外線を導波するのに対し、引用発明３−１では、探針が導波する光の波長について言及がない点。
　
３−２．判断
（１）相違点１について
　ＳＰＭ用のダイヤモンド製プローブに於いて、ダイヤモンドにホウ素をドープ（添加）して導電性を持たせ、ＳＴＭに使用可能とすることは、引用例２（上記２．イ．（４）参照）にも記載されたとおりの周知技術に過ぎない。そして、本件補正発明１においても、ダイヤモンドへのホウ素のドープが、プローブへの導電性付与を目的としていることは、本願明細書【００３７】の記載から明らかである。
　よって、引用発明３−１に該周知技術を適用して該相違点の構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（２）相違点２及び３について
　ＳＰＭ用のプローブに於いて、探針や該探針と連続する基板上の透明層にダイヤモンドを用い、探針の基板側即ち底面側から光を照射して探針先端で近接場光を発生させるようにしてＳＮＯＭ（近視野光学顕微鏡）への適用を可能とすることは、引用例１に記載されている（上記２．ウ．参照）。また、ダイヤモンドが可視光から紫外線にかけての光に対して透過性を有することは周知である（上記２．ウ．（３）及び特開昭６２−２１３８号公報第３ページ左下欄参照）。
　よって、引用発明３−１に於いて、ダイヤモンド製の探針に底面側から光を照射した場合、探針の頂点に紫外線を含む光が透過することは自明であるし、そのように紫外光などの光をダイヤモンド製探針に透過させてＳＮＯＭ用のプローブとして利用することも、前記引用例１の記載事項から当業者が容易に想到し得た事項である。
　
４．本件補正発明２について
４−１．対比
　引用発明３−２と本件補正発明２とは、上記引用発明３−１と本件補正発明１との相当事項(a)乃至(d)のほか、引用発明３−２の
(e)「上面」、(f)「下面」、(g)「中空のピラミッド」
が、それぞれ本件補正発明２の、
(e)「一方の主面」、(f)「他方の主面」、(g)「穴部」
に相当することが明らかである。
　
　よって、引用発明３−２と本件補正発明２とは、
（一致点２）
「ダイヤモンドからなる錐状の探針を有するプローブの製造方法であって、シリコン基板の一方の主面側に、他方の主面側に近接するに従って開口が徐々に小さくなる穴部を穿設する穴部穿設工程と、上記シリコン基板の一方の主面側にダイヤモンド層を形成するダイヤモンド層形成工程と、上記シリコン基板の他方の主面側を、上記ダイヤモンド層の先端が露呈し且つ上記シリコン基板が所定の厚みとなるまで除去する除去工程とを有し、上記ダイヤモンド層形成工程では、頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた上記錐状の探針を上記ダイヤモンド層と一体化して形成する、プローブの製造方法。」
の点で一致し、上記相違点１と同様の相違点に加え、以下の各点でさらに相違する。
（相違点４）
　本件補正発明２では、ダイヤモンド層を形成するときに、ホウ素を含む材料を添加して、ホウ素がドープされたダイヤモンド層を形成する工程を備えるのに対し、引用発明３−２ではそのような工程は備えていない点。
（相違点５）
　本件補正発明２では、プローブは紫外光を導波するのに対し、引用発明３−２では、プローブが導波する光の波長について言及がない点。
　
４−２．判断
（１）相違点４について
　上記３−２．（１）で述べたと同様の理由により、引用発明３に該周知技術を適用して該相違点の構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（２）相違点５について
　ダイヤモンドが可視光から紫外線にかけての光に対して透過性を有することは周知である（上記２．ウ．（３）及び特開昭６２−２１３８号公報第３ページ左下欄参照）から、引用発明３−２ダイヤモンド製のチップ及び該チップと一体化したダイヤモンド薄膜とからなる引用発明３−２のＳＰＭ用カンチレバーが紫外線を導波することは自明である。
　よって、引用発明３−２に於いて、ダイヤモンド製のチップ及びカンチレバーで構成されるプローブが紫外線を導波すると特定することは、当業者が容易に為し得たことである。
　
（３）相違点１と同様の相違点について
　上記３−２．（１）で述べたとおりである。
　
５．むすび
　したがって、本件補正発明１及び２は、引用例１乃至３記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　 そして、本件補正発明１及び２の作用効果も、引用例１乃至３及び周知技術から当業者であれば予測できる範囲のものである。
　 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
　平成１６年１０月１２付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１乃至４に記載された発明（以下、それぞれ「本願発明１」乃至「本願発明４」という。）は、平成１６年４月２６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至４（それぞれ、「旧請求項１」乃至「旧請求項４」という。）に記載された、次のとおりのものである。
「
　【請求項１】
　ダイヤモンドによって作製された錐状の探針と、上記探針を、上記探針の底面及び上記探針の頂点間を光が透過することが可能となる状態で支持する支持基板とを備え、上記探針の底面には、頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が設けられており、上記支持基板は、上記探針と一体化して形成されているダイヤモンド層と、シリコン層とが積層された構成とされていることを特徴とするプローブ。
　【請求項２】
　上記探針は、ホウ素がドープされていることを特徴とする請求項１記載のプローブ、
　【請求項３】
　基板の一方の主面側に、他方の主面側に近接するに従って開口が徐々に小さくなる穴部を穿設する穴部穿設工程と、上記基板の一方の主面側にダイヤモンド層を形成するダイヤモンド層形成工程と、上記基板の他方の主面側を、上記ダイヤモンド層の先端が露呈し且つ上記基板が所定の厚みとなるまで除去する除去工程とを有することを特徴とするプローブの製造方法。
　【請求項４】
　上記ダイヤモンド層形成工程では、ダイヤモンド層を形成するときに、ホウ素を含む材料を添加して、上記ホウ素がドープされたダイヤモンド層を形成することを特徴とする請求項３記載のプローブの製造方法。
」
　
　なお、平成１６年４月２６日付手続補正書の請求項１には「錘状」と記載されているが、上記「II．１．」で述べたとおりの理由により、これは「錐状」の誤記と認められるので、本願発明１は上記のとおり認定した。
　
１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記「II．２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明２は、前記II．で検討した本件補正発明１から、「探針」についての限定事項である、「紫外光を導波する」との構成を省き、「支持基板」の「ダイヤモンド層」についての限定事項である「ホウ素がドープされた」との構成を省いたものである。
　また、本願発明４は、前記II．で検討した本件補正発明２から、「基板」について「シリコン」製との限定事項を省き、「プローブ」について「ホウ素がドープされたダイヤモンドからなる錐状の探針を有し紫外光を導波する」との限定事項を省き、「探針」と「ダイヤモンド層」との関係についての「頂点に近接するに従って徐々に小さくなる開口が底面に設けられた上記錐状の探針を上記ホウ素がドープされたダイヤモンド層と一体化して形成する」との限定事項を省いたものである。
　また、本願発明１は、本願発明２から更に旧請求項２記載の限定事項を省いたものであり、本願発明３は、本願発明４から更に、旧請求項４記載の限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明１乃至４の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明１及び２が、前記II．３．及び４．に記載したとおり、引用例１乃至３記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１乃至４も同様の理由により、引用例１乃至３及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　そして、本願発明１乃至４の作用効果も、引用例１乃至３および周知技術から当業者であれば予測できる範囲のものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明１乃至４は、引用例１乃至３に記載された発明、並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。