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　特願２００２−２５５６６１「有機ＥＬ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月２５日出願公開、特開２００４−　９５３８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、出願日が平成１４年８月３０日である特願２００２−２５５６６１号であって、平成１７年１２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し平成１８年２月３日付けで拒絶査定不服審判が請求され、平成１８年３月６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年３月６日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月６日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
（１）本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１７年１１月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１（以下、「補正前発明」という。）に記載の、
「陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に狭持され、光を発する有機ＥＬ層とを備え、
　前記有機ＥＬ層は、温度上昇に伴い高抵抗化する高抵抗化領域を備えたリーク防止層を少なくとも有し、前記高抵抗化領域における抵抗値の変化率が当該高抵抗化領域以外の領域に比較して急峻であることを特徴とする有機ＥＬ素子。」
　が、平成１８年３月６日付けの手続補正の特許請求の範囲の請求項１（以下、「補正後発明」という。）の、
「陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に狭持され、光を発する有機ＥＬ層とを備え、
　前記有機ＥＬ層は、１２０〜４００℃の温度で高抵抗化する高抵抗化領域を備えたリーク防止層を少なくとも有し、前記高抵抗化領域における高抵抗化時の比抵抗が、高抵抗化前の抵抗値の１０倍以上大きくなることを特徴とする有機ＥＬ素子。」
　と補正されたものである。
（２）特許法第１７条の２第４項について
（ア）本件補正が、特許法第１７条の２第４項に掲げる事項を目的とする補正に該当するかについて検討すると、請求項の削除（同項第１号）、誤記の訂正（同第３号）に該当しないことは明らかである。
（イ）また、補正前発明では、「前記高抵抗化領域における抵抗値の変化率が当該高抵抗化領域以外の領域に比較して急峻である」と規定していたのに対して、補正後発明では、高抵抗化領域以外の領域については言及していないから、本件補正は特許請求の範囲の減縮（同第２号）にも該当しない。
（ウ）さらに、補正後発明においては、「前記高抵抗化領域における高抵抗化時の比抵抗が、高抵抗化前の抵抗値の１０倍以上大きくなる」との記載がなされているが、これは、高抵抗化領域について、高抵抗化時の比抵抗と、高抵抗化前の抵抗値という、二者を対比しているものである。
　しかし、比抵抗と抵抗値とは、次元を異にする、明らかに異なる物理量であり、それらを対比することは不適切であるから、補正後発明は、依然としてその内容が不明りょうであるので、本件補正は明りょうでない記載の釈明（同第４号）にも該当しない。
（エ）したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものではないから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年１１月２５日付け手続補正書の請求項１に記載された補正前発明により特定されるものであり、次のとおりのものと認める。
「陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に狭持され、光を発する有機ＥＬ層とを備え、
　前記有機ＥＬ層は、温度上昇に伴い高抵抗化する高抵抗化領域を備えたリーク防止層を少なくとも有し、前記高抵抗化領域における抵抗値の変化率が当該高抵抗化領域以外の領域に比較して急峻であることを特徴とする有機ＥＬ素子。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２０００−１６４３５７号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】有機発光デバイス（100、110、120）であって、電極（102、112、122、108、118、128）と、電流自己制限構造（105、115、125）と、前記電極（102、112、122、108、118、128）と前記電流自己制限構造（105、115、125）の間に配置された有機スタック（109、119、129）とからなることを特徴とするデバイス。」
「【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、一般に発光デバイスに関し、より詳細には有機及びポリマー発光デバイスの信頼性を向上させるための構造及びその生産方法に関する。」
「【０００２】
　【従来の技術】
　発光デバイスは、電子機器、通信システム、コンピュータシステム及びディスプレイシステムを含む多くの用途に利用される。発光デバイスは、種々のプロセスを利用して、種々の材料から、多様な形態で生産される。ポリマー及び有機発光デバイス（OLED）は、一般に低い供給電圧（ほぼ2.5〜15ボルト（V））で、１ルーメン／ワット（Lm/W）を超える高い出力効率を得ることが望まれる、ディスプレイシステム用途で利用される。」
「【００２６】
　次に図２を参照すると、本発明にしたがって構成された有機発光デバイスアセンブリ100の断面図が示されている。この望ましい実施態様の場合、慣例により、有機発光デバイスは、上方への光出力を生じるが、デバイス100は、下方へ光を放出することも可能である。」
「【００２７】
　本質的に本発明は、有機発光デバイス内に１つの（又は複数の）電流自己制限構造を導入するものである。電流自己制限構造は、可変抵抗の導電性材料から形成される。この材料は、適度な電流が流れる状態では、比較的良好な導体であるが、大きな電流が流れる場合では、抵抗が大きくなるか又は非伝導状態になる。このような層がなければ、発光デバイスを構成する層の１つでの短絡のような、抵抗の小さい領域に電流が集中する。デバイス内に電流自己制限構造を配置することによって、短絡付近でのこの電流の「暴走」が阻止される。」
「【００３１】
　本発明に適した第３の種類の材料は、無機材料が存在しなくとも、導電性が維持される導電性ポリマー材料である。その一例に、ｎタイプ又はｐタイプの特性を付与するため、適合する有機酸を「ドープした」ポリアニリンがある。これらの材料は、ポリマーのバックボーンにπ（パイ）共役（conjugation）を含む特定の化学的構造特徴の結果として導電性を示す。パイ共役は、有機化学の技術者には明らかなように、ポリマーバックボーンの共有結合（長い連鎖をなすように結合した一連の炭素原子）における電子が非局在化され、したがって比較的自由に連鎖に沿って移動する状態を表している。この共役を妨げるか、又はデドーピング（de-doping）を生じさせる反応を引き起こすのに十分な加熱をポリマーに施すと、この導電性は失われる。このような材料は、電荷注入を改善し、寿命を延ばすため、有機LEDにおいて利用されてきたが、その電流制限を施す能力については、これまで考慮されていなかった。」
「【００３２】
　…電流自己制限（CSL）構造…」
「【００３７】
　CSL層の配置は、記述された材料層の任意の層における短絡による大きな（又は暴走）電流の発生を減少させるか又は排除するように機能する。これは、ITO陽極102と陰極108の間の上述された層のうち任意の層における短絡の付近に多量の電流が流れることによって、CSL材料は極めて抵抗が大きくなるか、又は非導電状態となる。CSL層の機能性については、図６、７及び８に関連して詳述する。」
「【００３８】
　図３は、図２の有機発光デバイスの第１の代替実施態様の断面図である。図３に示す有機発光デバイス110は、図２に関して説明されたものと同様であるが、CSL構造115は、陰極118と有機スタック119の間に位置している。この実施態様の場合、CSL構造115は有効な陰極となり、一方陰極118は有効なバス層になる。図２に関して解説のものと同様に、ITO陽極112は、透明基板111の上に堆積される。有機スタック119には、正孔輸送層114、エレクトロルミネセンス層116及び電子輸送層117が含まれる。」
「【００４７】
　CSL構造125の機能性を説明するため、短絡134が有機スタック129内のどこかで生じるものと仮定する。短絡234は、デバイス120のどの層にでも生じる可能性があり、ただ単に説明を目的として、有機スタック129に生じるように示されている。CSL構造がなければ、ITO陽極122と陰極128の間の短絡134に向かって電流が集中することになる。電極の１つ、この場合陰極128と、対応するバス層131の間にCSL構造125を含むことによって、短絡134の付近に多量の電流が流れることによって、短絡の付近のCSL構造125が抵抗を示すようになるか、又は導通しなくなる。」
（３）引用発明
　してみれば、上記記載事項から、引用例１には、
「陽極102と、電流自己制限構造105と、エレクトロルミネセンス層116を含む有機スタック119と、陰極108とからなる有機発光デバイスであり、
　前記電流自己制限構造105は前記有機スタック119の任意の層における短絡の付近に多量の電流が流れることによって、極めて抵抗が大きくなるか、又は非導電状態となる有機発光デバイス。」
（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
（４）対比
　引用発明の「有機スタック」、「エレクトロルミネセンス層を含む有機スタック」、「電流自己制限構造」、「有機発光デバイス」は、それぞれ、本願発明の「有機ＥＬ層」、「光を発する有機ＥＬ層」、「高抵抗化領域を備えたリーク防止層」、「有機ＥＬ素子」に相当する。
　したがって、両者は、
「陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に狭持され、光を発する有機ＥＬ層とを備え、
　前記有機ＥＬ層は、リーク防止層を少なくとも有する有機ＥＬ素子」
である点で一致し、
　本願発明が、「前記リーク防止層が、温度上昇に伴い高抵抗化する高抵抗化領域を備え、前記高抵抗化領域における抵抗値の変化率が当該高抵抗化領域以外の領域に比較して急峻である」のに対して、
　引用発明は、「前記電流自己制限構造が、前記有機スタックの任意の層における短絡の付近に多量の電流が流れることによって、極めて抵抗が大きくなるか、又は非導電状態となる」
　である点において相違する。
　
４．当審の判断
（１）上記相違点について検討すると、引用発明においても、前記電流自己制限構造として用いられている、有機酸をドープしたポリアニリンが加熱により導電性が失われる材料であることを勘案すれば、有機スタックの任意の層における短絡の付近に多量の電流が流れることによって、前記電流自己制限構造の抵抗が極めて大きくなるか、又は非導電状態となるのは、短絡の付近において熱が発生し、それによりリーク防止層の温度が上昇することに起因するためであると解するのが相当であり、その点で、引用発明は、「リーク防止層が温度上昇に伴い高抵抗化する高抵抗化領域を備える」と規定している本願発明と実質的に相違するものではないと認められる。
　また、引用発明においては、有機スタックには有機ＥＬ素子において通常用いられるような材料が用いられていると認めるのが相当であり、そのような材料は電流によって抵抗値の変化率が大きいものではないと考えられることから、本願発明のように、「高抵抗化領域における抵抗値の変化率が高抵抗化領域以外の領域に比較して急峻である」ように構成されている点でも本願発明と実質的に相違するものではないと判断される。また、そのように素子の材料を選択することは当業者であれば容易にできることである。
（２）してみれば、本願発明は、引用発明及び引用例１に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。