【事件の表示】
　平成　７年特許願第２７６０４６号「半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　６月２４日出願公開、特開平　９−１６７６９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成７年１０月２４日（優先日、平成７年１０月１３日）の出願であって、平成１７年６月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１７年７月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年８月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　
II．平成１７年８月１９日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年８月１９日付けの手続補正を却下する。
　
１．［理由１］新規事項
（１）平成１７年８月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、本願の明細書には以下の補正を含む補正がなされた（なお、下線部は補正箇所）。
　
　ア．明細書の段落【００５９】について、
「（反応副生成ガスを排気する手段α）
　本発明に係る反応副生成ガスを排気する手段αとしては、パイプ状の管が好適に用いられる。プラズマ中から積極的に反応副生成ガスを排気するため、電極間の空間又は前記空間の近傍に設ける。また、電極間に生起したプラズマの乱れや、反応副生成ガスの局所的な分布を防止する目的から、手段αを電極
ＩＩ
Ｉ
ＩＩ
　とする補正（以下、「補正１」という。）。
　
　イ．請求項１について、
「プラズマを用いて、基体上に成膜又は基体上をエッチングする半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置において、
　プラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩとの間隔Ｄが、プラズマが生起可能な最小値以上、３０ｍｍ以下であり、かつ、前記電極Ｉと前記電極ＩＩの配置が平行平板型であり、
反応副生成物ガスを排気する手段αが、前記電極ＩＩに設けてあり、かつ、プロセスガスを導入する手段βが、前記電極Ｉに設けてある
　とする補正（以下、「補正２」という。）。
　
　ウ．明細書の段落【００１６】について、
「【発明の実施の形態】
　以下では、本発明に係る各請求項の作用に関して説明する。
　請求項１に係る発明では、プラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩとの間隔Ｄが、プラズマが生起可能な最小値以上、３０ｍｍ以下であり、かつ、前記電極Ｉと前記電極ＩＩの配置が平行平板型であるため、電極間に生起されたプラズマ中に存在する反応副生成物ガスを、現在一般的に使われている電極間隔（５０ｍｍ以上）の場合と比較して１０％以上低減することができる。
また、反応副生成ガスを排気する手段αを電極ＩＩに設けてあるため、電極間に生起されたプラズマ中の反応副生成ガスを、電極面内において均一に除去する効果を高めることができる。その結果、面内分布の小さな成膜およびエッチングが可能となる。さらに、プロセスガスを導入する手段βが前記電極Ｉに設けてあるため、電極間に生起されたプラズマ中に原料ガスを、電極面内において均一に供給することができる。その結果、プラズマ密度の空間分布をより小さくすることが可能となる。
　とする補正（以下、「補正３」という。）。
　
（２）そこで、上記補正１から３が新規事項を追加するものであるか否かについて検討する。
　
　上記補正１から３に関連して、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、以下の記載事項がある。
　
　ア．【請求項１】　プラズマを用いて、基体上に成膜又は基体上をエッチングする半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置において、
　プラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩとの間隔Ｄが、プラズマが生起可能な最小値以上、３０ｍｍ以下であり、かつ、前記電極Ｉと前記電極ＩＩの配置が平行平板型であることを特徴とする半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置。
　　【請求項７】　前記手段αが、前記電極Ｉに設けてあることを特徴とする請求項６に記載の半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置。
　　【請求項９】　前記手段βが、前記電極Ｉに設けてあることを特徴とする請求項８に記載の半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置。
　
　イ．【００１６】
　　【発明の実施の形態】
　以下では、本発明に係る各請求項の作用に関して説明する。
　請求項１に係る発明では、プラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩとの間隔Ｄが、プラズマが生起可能な最小値以上、３０ｍｍ以下であり、かつ、前記電極Ｉと前記電極ＩＩの配置が平行平板型であるため、電極間に生起されたプラズマ中に存在する反応副生成物ガスを、現在一般的に使われている電極間隔（５０ｍｍ以上）の場合と比較して１０％以上低減することができる。また、請求項２に係る発明では、前記Ｄの上限を２０ｍｍ以下とすることで、前記反応副生成物ガスを５０％以上低減することができる。さらに、請求項３に係る発明では、前記Ｄの上限を１５ｍｍ以下とすることで、前記反応副生成物ガスを９０％以上低減することができる。この反応副生成物ガスの低減により、良好な特性および形状を有する半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤを形成することが可能な製造装置が得られる。
　　　【００１９】
　請求項６に係る発明では、前記電極Ｉと前記電極ＩＩの間の空間に、反応副生成ガスを排気する手段αを有するため、電極間に生起されたプラズマ中の反応副生成ガスを、電極面内において均一に除去することができる。その結果、面内分布の小さな成膜およびエッチングが可能となる。特に、請求項７に係る発明では、前記手段αが前記電極Ｉに設けてあるため、その除去効果を高くすることができる。
　　　【００２０】
　請求項８に係る発明では、前記電極Ｉと前記電極ＩＩの間の空間に、プロセスガスを導入する手段βを有するため、電極間に生起されたプラズマ中に原料ガスを、電極面内において均一に供給することができる。その結果、プラズマ密度の空間分布を小さくすることが可能となる。特に、請求項９に係る発明では、前記手段βが前記電極Ｉに設けてあるため、その分布をより小さくすることができる。
　
　ウ．【００５９】
　（反応副生成ガスを排気する手段α）
　本発明に係る反応副生成ガスを排気する手段αとしては、パイプ状の管が好適に用いられる。プラズマ中から積極的に反応副生成ガスを排気するため、電極間の空間又は前記空間の近傍に設ける。また、電極間に生起したプラズマの乱れや、反応副生成ガスの局所的な分布を防止する目的から、手段αを電極Ｉに設けても良い。この場合の手段αは、電極ＩＩと対向する電極Ｉの平面に、単位面積あたり均一に配置されるように、複数個設ける方が好ましい。
　　　【００６０】
　（プロセスガスを導入する手段β）
　本発明に係る反応副生成ガスを導入する手段βとしては、パイプ状の管が好適に用いられる。プラズマ中から積極的に反応副生成ガスを導入するため、電極間の空間又は前記空間の近傍に設ける。また、電極間に生起したプラズマの乱れや、反応副生成ガスの局所的な分布を防止する目的から、手段βを電極Ｉに設けても良い。この場合の手段βは、電極ＩＩと対向する電極Ｉの平面に、単位面積あたり均一に配置されるように、複数個設ける方が好ましい。
　
　エ．【００９５】
　（実施例５）
　本例では、図５に示したとおり、電極Ｉに反応副生成ガスを排気する手段αを設けた点が実施例１と異なる。電極Ｉに設ける排気する手段αは、１０ｃｍ2あたり４個程度とした。
　　　【００９６】
　排気する手段αは、電極Ｉ５０２を貫通し、不図示のガス排気系に接続した複数の配管５２３である。配管としては、ＳＵＳ３１６Ｌからなり、内径／外径が２ｍｍ／３ｍｍのものを用いた。ただし、配管は、電極Ｉとは電気的に絶縁状態とした。
　他の点は、実施例１と同様とした。
　　　【００９７】
　その結果、発光スペクトルの強度を５分の１以下とすることができ、かつ、両電極の直径方向における発光スペクトルの空間分布は、実施例１の４分の１以下となっていた。また同時に、両電極の軸方向における発光スペクトルの空間分布も、実施例１の５分の１以下であることが分かった。
　　　【００９８】
　したがって、本例に示した手段αを用いた場合、プラズマ内における反応副生成ガスの絶対値が減少でき、かつ、その空間分布も小さな半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置が得られた。
　
　オ．【０１０３】
　（実施例７）
　本例では、図７に示したとおり、電極Ｉにプロセスガスを導入する手段βを設けた点が実施例１と異なる。電極Ｉに設けるプロセスガスを導入する手段βは、１０ｃｍ2あたり１個程度とした。
　　　【０１０４】
　導入する手段βは、電極Ｉ７０１を貫通し、不図示のガス供給系に接続した複数の配管７２３である。配管としては、ＳＵＳ３１６Ｌからなり、内径／外径が２ｍｍ／３ｍｍのものを用いた。ただし、配管は、電極Ｉとは電気的に絶縁状態とした。
　他の点は、実施例１と同様とした。
　　　【０１０５】
　その結果、発光スペクトルの強度を５分の１以下とすることができ、かつ、両電極の直径方向における発光スペクトルの空間分布は、実施例１の４分の１以下となっていた。また同時に、両電極の軸方向における発光スペクトルの空間分布も、実施例１の４分の１以下であることが分かった。
　　　【０１０６】
　したがって、本例に示した手段βを用いた場合、プラズマ内における反応副生成ガスの絶対値が減少でき、かつ、その空間分布も小さな半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置が得られた。
　
（３）してみると、本件補正により補正された
　ア．補正１の
「また、電極間に生起したプラズマの乱れや、反応副生成ガスの局所的な分布を防止する目的から、手段αを電極ＩＩに設けても良い。この場合の手段αは、電極Ｉと対向する電極ＩＩの平面に、単位面積あたり均一に配置されるように、複数個設ける方が好ましい。」という事項、
　
　イ．補正２の
「反応副生成物ガスを排気する手段αが、前記電極ＩＩに設けてあり、かつ、プロセスガスを導入する手段βが、前記電極Ｉに設けてある」という事項、
　
　ウ．補正３の
「また、反応副生成ガスを排気する手段αを電極ＩＩに設けてあるため、電極間に生起されたプラズマ中の反応副生成ガスを、電極面内において均一に除去する効果を高めることができる。その結果、面内分布の小さな成膜およびエッチングが可能となる。」という事項は、
　
　いずれも当初明細書等に記載されておらず、また、以下に検討することからも分かるように、当初明細書等の記載から自明な事項でもない。
　
（４）補正１について
　補正１に関する当初明細書等の記載と補正後の記載とを比較してみると、補正１は、要するに、手段αを設ける電極をプラズマ励起機能を有する電極Ｉから基板保持機能を有する電極ＩＩに変更する補正をしたものである。
　しかしながら、当初明細書等において、反応副生成ガスを排気する手段αを電極に設けた例として具体的に開示されているのは、実施例５（【００９５】から【００９８】）においてのみであり、同実施例では、上記【００９５】に記載のとおり、手段αを電極Ｉに設けることが明確に示されている。
　また、本願出願時の技術常識に照らしても、手段αを、電極Ｉにではなく、電極ＩＩに設けるということの明らかな誤記であったと認められるような根拠があるものでもない。
　したがって、補正１は誤記を訂正するものであるとはいえない。
　また、当初明細書等の全体を見ても、手段αを設ける電極が基板保持機能を有する電極ＩＩであることが自明であるとする記載を見出すこともできない。
　したがって、補正１により補正された事項は、当初明細書等の記載から自明な事項ではない。
　
（５）補正２について
　反応副生成ガスを排気する手段αを電極に設けた唯一の例である上記実施例５において、当初明細書の【００９５】の上記記載から、プロセスガスを導入する手段βとして実施例１と同じ手段を用いていると認められる。
　してみると、実施例１において、プロセス供給源１０９からのガスをチャンバ１０１の壁を介してチャンバ１０１中に導入していることは、図１より、明らかであることから、実施例５においても、プロセスガスはチャンバの壁を介してチャンバに導入されているものと解される。
　このように、反応副生成ガスを排気する手段αとプロセスガスを導入する手段βとの両者を電極Ｉ、ＩＩのいずれかに設けた実施例が当初明細書等には記載されていない。
　したがって、補正２により補正された事項も、当初明細書等の記載から自明であるともいえない。
　
（６）補正３について
　補正３により補正された事項は、補正２により補正された事項に係る作用効果に関するものである。
　しかしながら、「反応副生成ガスを排気する手段αが、前記電極ＩＩに設けてあり」という事項（「補正２」）は、上記のように、当初明細書等の記載から自明な事項ではないため、補正３により補正された事項も、当初明細書等の記載から自明な事項でもない。
　
（７）したがって、補正１から３はいずれも、当初明細書等に記載された事項の範囲内でなされたものではない。
　
（８）以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
２．［理由２］独立特許要件違反
（１）本件補正後の本願発明
　本件補正における請求項１についての補正は、上記１．（１）のとおりであり、仮に、新規事項でないとすると、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものということになる。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）についても検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−１８９１２５号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
　ア．（産業上の利用分野）
　本発明は、エツチング方法に関する。
　（第１頁左欄第１１行から第１２行）
　
　イ．（実施例）
　以下、本発明方法を半導体製造工程のエツチング装置に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
　Ａｌ製で表面をアルマイト処理した円筒状真空容器(１)内の上部には、電極昇降機構(２)例えばエアシリンダやボールネジ等と連結棒(３)を介して昇降可能な上部電極(４)が設けられている。この上部電極(４)は、Ａｌ製で表面にアルマイト処理を施してある平板状で、図示しないガス供給源からの反応ガス例えばアルゴンやフレオン等を導入する反応ガス供給パイプ(５)に接続されている。また、上部電極(４)下部表面には多数の図示しない小孔が設けられ、この小孔から真空容器(１)内に反応ガスを流出可能となっている。しかも、上部電極(４)はプラズマ発生用で例えば電力が５００Ｗで１３ＭＨｚ程度の高周波電源(６)に接続されており、また、上部電極(４)上側には、この上部電極(４)を循環冷却液例えば水等で冷却可能な如く、図示しない冷却液循環器から冷却液パイプ(７)を介して冷却液を循環可能な円板状上部電極冷却ブロック(８)が設けられている。
　そして、真空容器(１)の下部には、上部電極(４)と同様に図示しない冷却液循環器から冷却液パイプ(９)を介して冷却液例えば水等を循環可能な円板状下部電極冷却ブロック(１０)が設けられており、この下部電極冷却ブロック(１０)の上面と接する如く、Ａｌ製で表面にアルマイト処理を施してある平板状下部電極(１１)が設置されていて、この下部電極(１１)は接地されている。
　ここで、真空容器(１)は図示しない開閉機構例えばゲートバルブ機構等により開閉可能で、また、図示しない搬送機構例えばハンドアーム等で内部に被処理体例えば半導体基板(１２)を搬送し、下部電極(１１)上に半導体基板(１２)を載置可能となっている。
　（第２頁右上欄第９行から左下欄第１９行）
　
　ウ．ここで、下部電極(１１)の半導体基板(１２)載置面は、半導体基板(１２)にクランプリング(１３)で加えた力が、半導体基板(１２)に等分布荷重として加あったと仮定した時の半導体基板(１２)の変形曲線となる如く、凸形状に形成してある。
　（第３頁左上欄第３行から第７行）
　
　エ．そして、下部電極(１１)外周と真空容器(１)間には、反応ガスを真空容器(１)側壁の排気パイプ(２２)に排気する如く、絶縁性例えば四弗化エチレン樹脂製で多数の排気孔(２３)を有する排気リング(２４)が設けられている。
　（第３頁左上欄第１６行から第２０行）
　
　オ．同時に、高周波電源(６)により上部電極(４)へ高周波電圧を印加し、接地した下部電極(１１)との間にプラズマを発生させ、このプラズマで下部電極(１１)上の半導体基板(１２)をエッチング処理する。
　（第３頁左下欄第７行から第１１行）
　
　カ．そして、第２図から明らかな様に、電極間隔の変化に対するエツチング速度の変化の依存性が小さくなる如く、電極間隔を０．７cm以上１．５cm以下とすると、上部電極(４)と下部電極(１１)の全面における電極間隔をそれほど精度よく位置調整しなくとも所望のエツチング速度を半導体基板(１２)全面で容易に実現でき、エツチングの均一性が向上するので電極間隔の精度のよい調整を不要とした。しかも、このことによりエツチング処理の再現性が良くなり、歩留り及び生産性が向上する。
　（第３頁右下欄第１５行から第４頁左上欄第４行）
　
　キ．そして、処理後の反応ガスを、排気リング(２４)の排気孔(２３)を介して排気パイプ(２２)から排出する。
　（第４頁右下欄第１０行から第１２行）
　
　ク．また、上記実施例では被処理体を半導体基板を用いて説明したが、エツチング処理される被処理体なら何でもよく、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）基板でもガラス基板でもよいことは言までもない。
　（第５頁左上欄第４行から第７行）
　
　これらの記載から、引用例１には、
「プラズマを発生させて、半導体基板(１２)をエッチング処理する半導体製造工程のエッチング装置において、
　プラズマ発生用の平板状の上部電極(４)と前記半導体基板(１２)を載置可能な凸形状に形成された平板状の下部電極(１１)との間隔が０．７cm以上１．５cm以下であり、
　処理後の反応ガスを排出する排気リング(２４)が下部電極(１１)外周と真空容器(１)との間に設けており、反応ガス供給パイプ(５)が上部電極(４)に設けてある、半導体基板(１２)のエッチング装置。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「プラズマ発生用の平板状の上部電極(４)」、「半導体基板(１２)を載置可能な下部電極(１１)」、「処理後の反応ガスを排出する排気リング(２４)」、「反応ガス供給パイプ(５)」は、それぞれ、本願補正発明の「プラズマ励起機能を有する電極Ｉ」、「基板保持機能を有する電極ＩＩ」、「反応副生成物ガスを排気する手段α」、「プロセスガスを導入する手段β」に相当する。
　また、引用発明の「プラズマを発生させて、半導体基板(１２)をエッチング処理する半導体製造工程のエッチング装置」は、本願補正発明の「プラズマを用いて、基体上をエッチングする半導体の製造装置」に相当することから、同「プラズマを用いて、基体上に成膜又は基体上をエッチングする半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置」に包含されるものである。
　以上から、本願補正発明と引用発明とは、
「プラズマを用いて、基体上に成膜又は基体上をエッチングする半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置において、
　プラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩとが設けられ、
　ガスを排気する手段αが設けてあり、かつ、プロセスガスを導入する手段βが、前記電極Ｉに設けてある半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置」
　である点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　本願補正発明では、プラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩの配置が平行平板型であるのに対して、引用発明では、プラズマ発生用の上部電極(４)と半導体基板(１２)を載置可能な下部電極(１１)とは共に平板状であるものの、同下部電極(１１)は凸形状に形成されている点。
　
［相違点２］
　本願補正発明では、プラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩとの間隔Ｄが、プラズマが生起可能な最小値以上、３０ｍｍ以下とされているのに対して、引用発明では、プラズマ発生用の平板状の上部電極(４)と半導体基板(１２)を載置可能な下部電極(１１)との間隔が、０．７cm以上１．５cm以下である点。
　
［相違点３］
　本願補正発明では、反応副生成物ガスを排気する手段αが基板保持機能を有する電極ＩＩに設けられているのに対して、引用発明では、処理後の反応ガスを排出する排気リング(２４)が下部電極(１１)外周と真空容器(１)との間に設けられている点。
　
（４）判断
［相違点１］について
　引用発明においては、引用例１の記載事項ウ．に記載されているように、下部電極(１１)を、あえて凸形状に設計したものであり、それを平面状の電極とすること、すなわち、上部電極(４)と下部電極(１１)を平行平板型にすることは格別なものではなく、従来周知（例えば、特開平５−３１５２６８号公報（図１、図２）、特開昭６２−２８７０７１号公報（図１など）を参照）の技術事項であるので、相違点１に係る本願補正発明の構成を限定することは当業者にとって容易である。
　
［相違点２］について
　本願補正発明におけるプラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩとの間隔Ｄの上限値３０ｍｍは、引用発明における上限値である１．５ｃｍより大きなものであり、また、本願補正発明においては、間隔Ｄの下限値を「プラズマが生起可能な最小値」としているが、このことはプラズマを用いたエッチングのための製造装置である引用発明においても当然に要求される事項である。してみれば、本願補正発明における間隔Ｄの値は、引用発明における間隔Ｄの値を包含するものである。
　したがって、相違点２に関しては、本願補正発明と引用発明との間には実質的な相違はない。
　なお、間隔Ｄは、本願補正発明においては平行平板型の電極間によって定められるものであるのに対して、引用発明においては一方の電極を凸形状とする電極対の間によって定められるものである点において、相違がある。しかし、引用発明において凸形状とされる電極は半導体基板を載置する部材であり、同電極を湾曲させる度合いはわずかなものであると解するのが相当であることから、本願補正発明と引用発明との間で、間隔Ｄに要求される値に格別な差異が生じるとは認められない。
　
［相違点３］について
　反応副生成物ガスを排気する手段を基板保持機能を有する電極に設置する点は、例えば、ここで新たに引用する特開平５−２１７９５２号公報（【０００７】、【図１】を参照）や、特開平３−１５１６２９号公報（第３頁左上欄第１０行から第２０行、第１図を参照）に示されているように、従来周知の技術であり、引用発明において上記従来周知の技術を採用することにより、相違点３に係る本願補正発明の構成を限定することは当業者が容易に想到できたといえる。
　
　また、本願補正発明の作用効果も、引用例１の記載及び従来周知の技術から当業者が予測しうる範囲のものである。
　
（５）してみれば、本願補正発明は、引用発明及び従来周知技術に基づいて当業者であれば容易に想到できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（６）以上のとおり、本願補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定にも違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定によって却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．平成１７年８月１９日付けの手続補正について
　本件補正は、上記「II．」のとおり、却下された。
　
２．本願発明について
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、出願当初の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「プラズマを用いて、基体上に成膜又は基体上をエッチングする半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置において、
　プラズマ励起機能を有する電極Ｉと基板保持機能を有する電極ＩＩとの間隔Ｄが、プラズマが生起可能な最小値以上、３０ｍｍ以下であり、かつ、前記電極Ｉと前記電極ＩＩの配置が平行平板型であることを特徴とする半導体及びＴＦＴ−ＬＣＤの製造装置。」
　（以下、「本願補正発明」という。）
　
３．引用例
　引用例１に記載された発明は、前記「II．２．（２）」に記載されたとおりである。
　
４．対比・判断
（１）本願発明は、前記「II．２．（１）」で認定した本願補正発明から、「反応副生成物ガスを排気する手段αが、前記電極ＩＩに設けてあり、かつ、プロセスガスを導入する手段βが、前記電極Ｉに設けてある」という限定を省いたものである。
（２）してみれば、本願発明は、上記「II．２．」と同様の理由により、引用発明及び従来周知の技術に基づいて、当業者であれば容易に想到できたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び従来周知の技術に基づいて当業者であれば容易に想到できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。