【事件の表示】
　特願２００１−２２８７７７「ウェハ支持部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月１４日出願公開、特開２００３−　４５７６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年７月２７日の出願であって、平成１８年１０月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年３月３日付けで審尋がなされ、同年５月８日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１８年１２月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
【補正却下の決定の結論】
　平成１８年１２月６日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
　１　平成１８年１２月６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）の主な補正事項
　本件補正により、補正前の請求項２である
「【請求項２】　板状セラミック体の一方の一主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミック体中又は上記板状セラミック体の他方の主面に帯状抵抗発熱体を備えてなるウェハ支持部材において、上記帯状抵抗発熱体はその一部に相対向する対向領域を有しており、該対向領域の対向間隔が０．５ｍｍ以上で、かつ上記載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の３倍以下であり、上記帯状抵抗発熱体は平面状に配設された金属メッシュからなり、上記帯状抵抗発熱体のパターン形状は中央から外周へ向かう渦巻き状であることを特徴とするウェハ支持部材。」は、補正後の請求項２として、
「【請求項２】　板状セラミック体の一方の一主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミック体中に帯状抵抗発熱体を備えてなるウェハ支持部材において、上記帯状抵抗発熱体はその一部に相対向する対向領域を有しており、該対向領域の対向間隔が０．５ｍｍ以上で、かつ上記載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の３倍以下であり、上記帯状抵抗発熱体は平面状に配設された金属メッシュからなり、上記帯状抵抗発熱体のパターン形状は中央から外周へ向かう渦巻き状であるとともに、上記帯状抵抗発熱体の上記載置面からの埋設位置が上記板状セラミック体の厚みの０．２〜０．８倍であることを特徴とするウェハ支持部材。」と補正された。（以下「補正事項」という。）
　
　２　特許法第１７条の２第４項について
　補正事項は、主に補正前の請求項に対して、「上記帯状抵抗発熱体の上記載置面からの埋設位置が上記板状セラミック体の厚みの０．２〜０．８倍である」という事項を付与するものであり、当該補正事項は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、さらに、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号、及び第４号に掲げる請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれの事項を目的とするものではないので、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　３　独立特許要件について
　補正事項は、上記２において検討したとおり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しないが、念のため、補正事項が、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると仮定した場合について、補正後の請求項２に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）刊行物に記載された発明
　（ア）刊行物１：特開平７−２６３５３０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１には、「真空処理装置およびそれに用いる載置台」（発明の名称）に関して、図１〜４とともに以下の事項が記載されている。（尚、下線は、引用箇所のうち特に強調する部分に付加した。以下、同様。）
　
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、被処理体を処理温度まで加熱するためにはそれ相応の温度を設定できる加熱装置が必要であるが、載置台が配置されている処理室内は、例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度が設定され、かつ、不純物の混入を避けるために清浄雰囲気が求められる。この関係上、被処理体に直接接触して加熱を行うことはできず、一例としては、静電チャックの下面側に、適宜なスペースを確保して加熱装置を別体として配置し、加熱装置の発熱体の熱は放射によって上側の静電チャックに伝えられるようになっていた。また、外部に加熱源を配置する場合もあった。
【０００７】このため、被処理体への伝熱効率がきわめて悪く、成膜処理のスループットが悪いのが現状であった。しかも、静電チャックとは別に加熱装置が設けられる構造では、部品点数の増加や組立工数の増加を招き、コスト上昇の原因にもなる。
【０００８】また、スループットを改善するために、加熱装置を被処理体に近づけることも考えられるが、この場合には、加熱装置における発熱体の配置パターンの影響が被処理体表面に及びやすくなる。このため、被処理体の面内での均一な温度分布を設定することが困難となり、生成される膜厚も不均一なものとなって製品としての歩留りが悪化する原因にもなっていた。」、
「【００６１】 図１は、本発明による真空処理装置のひとつである枚葉式のコールドウォール型ＣＶＤ装置１の断面を模式的に示したものであり、このＣＶＤ装置１は、気密空間を構成する略円筒状の処理室２を備えている。」、
「【００６５】そして、載置台２１は、底板９の上面に配置されている。この載置台２１は、図２および図３に示すように、
中心部をなす基材２２と、この基材２２の表面に形成された第１の絶縁層２３と、この第１の絶縁層における被処理体の載置面側に位置する一対の導電体２４、２５と、第１の絶縁層２３の下面に直接設けたヒータ２６と、最外層に被覆された第２の絶縁層２７とを備えている。
【００６６】
基材２２は、例えば直径が２８０ｍｍに設定された厚みのある略円盤状の形態を有し、例えば、カーボン（Ｃ）やＢＮ（ボロンナイトライド）で構成されている。
【００６７】なお、載置台２１の構成としては、図４に示すように、基材２２を窒化ホウ素（ＢＮ）等の絶縁性材質を用いた場合には、前記した第１の絶縁層２３を省略して、基材２２の載置面側に静電チャック用の導電体２４、２５を、そしてこの面と反対側の面にはヒータ２６の発熱体２６ａを配置するようにしてもよい。
【００６８】また、
基材２２の表面に形成された図１に示す第１の絶縁層２３は、ＣＶＤ処理によって形成された、例えば、Ｐ−ＢＮ（パイロレテック−ボロンナイトライド）、ＳｉＯ
2 
（酸化ケイ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム），Ａｌ
2 
Ｏ
3 
（アルミナ）及びＳｉＮ（窒化ケイ素）等の薄膜によって形成されている。
【００６９】第１の絶縁層２３の上面に設けられた導電体２４、２５は、図３に示すように中央部を除いて略半円形状をなし、処理室２の外部に設置されて相互に極性が異なる直流高圧電源２８、２９（図２参照）にそれぞれ独立して接続されている。このような電極部２４、２５を備えた構造は、双極型の静電チャックを構成していることになる。
【００７０
】ヒータ２６は、例えば、帯状の発熱体２６ａを適宜の間隔（半径方向の間隔）ｄを以って渦巻き状に配設した発熱パターンが設定されており、
【００７１】帯状の発熱体２６ａの間隔ｄを挙げたのは、基材２２の厚さを設定するためであり、この間隔を基準とした場合、
基材２２の厚さ（高さ）Ｈは、その間隔ｄよりも大きく設定されており、
【００７２】一方、
第２の絶縁層２７は、第１の絶縁層２３と同様にＣＶＤ処理により形成された、ＰーＢＮ（パイロレテック−ボロンナイトライド）、ＳｉＯ
2 
（酸化ケイ素）、ＳｉＮ（窒化ケイ素）及びＡｌ
2 
Ｏ
3 
（アルミナ）等の薄膜により構成されている。
　
　以上から、刊行物１には、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に形成された第１の絶縁層２３と、前記第１の絶縁層２３の下面に直接設けた帯状の発熱体２６ａからなるヒータ２６と、最外層に被覆された第２の絶縁層２７とを備えた載置台２１において、
前記ヒータ２６は、前記帯状の発熱体２６ａを適宜の間隔（半径方向の間隔）ｄを以って渦巻き状に配設した発熱パターンが設定されており、
前記基材２２の厚さ（高さ）Ｈは、その間隔ｄよりも大きく設定されている、
載置台２１。」が記載されている。
　
　（イ）刊行物２：特開２０００−２４３８２１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２には、「ウエハ支持部材」（発明の名称）に関して、図１ないし３とともに以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリング等の成膜装置やエッチング装置において、半導体ウエハ等のウエハを保持するウエハ支持部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスを製造する半導体ウエハ（以下、ウエハという）の処理工程であるＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリング等の成膜工程やエッチング工程では、被処理物であるウエハに均一な膜を付けたり、均一なエッチングを施すにあたり、ウエハの表面温度を均一化することが重要である。
【０００３】その為、これらの工程では、
図３に示すような、ウエハＷの載置面４４を有する板状セラミック体４１中の載置面４４側に静電吸着用の電極４２を、載置面４４と反対側に抵抗発熱体４３をそれぞれ埋設してなり、
「【００１３】図１（ａ）は本発明のウエハ支持部材を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図で、ウエハＷの載置面２３を有する円盤状をした薄肉の板状セラミック体２１中に静電吸着用の電極２２を埋設してなる静電チャック２と、該静電チャック２とほぼ同径の円盤状をした板状セラミッック体３１中に抵抗発熱体３２を埋設してなるセラミックヒータ３と、上記静電チャック２及びセラミックヒータ３を構成する板状セラミック体２１，３１との熱膨脹差が５×１０-6／℃以下であるセラミックスと金属の複合材からなり、上記静電チャック２及びセラミックヒータ３とほぼ同径の円盤状をした第１のプレート４及びリング状をした第２のプレート５とからなり、各部材は図１に示すように静電チャック２、第１のプレート４、セラミックヒータ３、第２のプレート５の順に順次ロウ付けして接合一体化してある。なお、図１に示すウエハ支持部材１において、静電吸着用の電極２２は、図２（ａ）に示すような円形のパターン形状とするとともに、抵抗発熱体３２は、図２（ｂ）に示すように直線状の帯状体と円弧状の帯状体とでほぼ同心円を構成するパターン形状としてある。そして、上記静電チャック２の静電吸着用の電極２２及びセラミックヒータ３の抵抗発熱体３２への通電は、各々開口する孔内に固定され電気的に接続された給電端子６，７を介して行うようになっており、各給電端子６，７に接続されたリード線８，９は、第２のプレート５の下面中央にロウ付け等によって接合された金属製のパイプ１０内を通して外部へ導出するようになっている。」、
「【００２８】静電吸着用の電極２２や抵抗発熱体３２としては、板状セラミック体２１，３１の反りや割れを防ぐために板状セラミック体２１，３１との熱膨張差が小さいものが良く、例えば熱膨張係数が４〜６×１０-6／℃のタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属やこれらの合金、あるいは炭化タングステン（ＷＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を用いることができる。なお、
板状セラミック体２１，３１中に埋設する電極２２や抵抗発熱体３２の形態としては膜状のものに限らず、金属箔などの板状体やメッシュ体、さらにはコイルであっても良く、そのパターン形状も図２（ａ）（ｂ）にそれぞれ示したものだけに限らず、様々なパターン形状に形成することができる。
　
　（ウ）刊行物３：特開２００１−１３５４６０号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物３には、「セラミックヒータ」（発明の名称）に関して、図１、２とともに以下の事項が記載されている。
　
「【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明のセラミックヒータについて説明する。本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体が形成されるとともに、このセラミック基板の温度を測定する測温素子と、上記発熱体に電力を供給する制御部と、上記測温素子により測定された温度データを記憶する記憶部と、上記温度データから上記発熱体に必要な電力を演算する演算部とを備えてなり、上記発熱体が少なくとも２以上の回路に分割されてなり、各回路には異なる電力が供給されるように構成されていることを特徴とする。」、
「【００１２】図１（ａ）は、本発明のセラミックヒータの一例の概略を示したブロック図であり、（ｂ）は、その一部を示した部分拡大断面図である。また、図２は、図１に示したセラミックヒータを構成するヒータ部分を模式的に示す平面図である。
【００１３】
ヒータ板１１は、円板状に形成されており、発熱体１２（１２ｘ、１２ｙ）は、ヒータ板１１のウエハ加熱面１１ａの全体の温度が均一になるように加熱するため、ヒータ板１１の内部に同心円形状のパターンに形成されている。
「【００２０】次に、本発明のセラミックヒータを構成する各部材等について説明する。このセラミックヒータ１０において、ヒータ板１１の厚さは、０．５〜５ｍｍが好ましい。０．５ｍｍより薄いと、強度が低下するため破損しやすくなり、一方、５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が悪くなる。
【００２１】
セラミックヒータ１０を構成するセラミックは、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックであることが望ましい。
「【００３４】発熱体１２は、図２に示したように、少なくとも２以上の回路に分割されていることが望ましく、２〜１０の回路に分割されていることがより望ましい。回路を分割することにより、各回路に投入する電力を制御して発熱量を変えることができ、ウエハ加熱面１１ａの温度を調整することができるからである。
【００３５】
発熱体１２のパターンとしては、図２に示した同心円のほか、例えば、渦巻き、偏心円、屈曲線などが挙げられる。
「【００４５】
本発明の発熱体をヒータ板１１の内部に偏芯して形成する場合の位置は、ヒータ板１１のウエハ加熱面１１ａに対向する底面１１ｂに近い位置で、ウエハ加熱面１１ａから底面１１ｂまでの距離に対して５０％を超え、９９％までの位置とすることが望ましい。
　
（２）本願補正発明と刊行物１に記載された発明（以下「引用発明」という。）との対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　（ａ）引用発明の「載置台２１」、「帯状の発熱体２６ａからなるヒータ２６」は、各々本願補正発明の「ウェハ支持部材」、「帯状抵抗発熱体」に相当する。
　（ｂ）引用発明の「円盤状の形態を有する基材２２」は、本願補正発明の「板状セラミック体」に対応するものであり、引用発明の「円盤状の形態を有する基材２２」は「板状」であることは明らかであるから、両者は、「板状基体」という点で、共通する。
　（ｃ）引用発明において、「円盤状の形態を有する基材２２の」「最外層に被覆された第２の絶縁層２７」のうち、前記「基材２２」の一方の主面上に形成された部分の表面が、ウェハを載せる載置面となることは明らかである。
　（ｄ）引用発明において「前記ヒータ２６は、前記帯状の発熱体２６ａを適宜の間隔（半径方向の間隔）ｄを以って渦巻き状に配設した発熱パターンが設定されて」いるから、「帯状の発熱体２６ａ」が、中央から外周へ向かう渦巻き形状であり、また、その一部に対向領域を有していることは明らかである。
　（ｅ）引用発明において、「基材２２の厚さ（高さ）Ｈは、その間隔ｄよりも大きく設定されて」おり、上記（ｃ）で述べたように、「基材２２」の一方の主面上に形成された「第２の絶縁層２７」の表面が、ウェハを載せる載置面であることから、帯状の発熱体２６ａの間隔ｄは、ウェハの載置面からヒータ２６との距離の３倍以下であることは明らかである。
　
　よって、両者は、
「板状基体に帯状抵抗発熱体を備えてなるウェハ支持部材において、
上記帯状抵抗発熱体はその一部に相対向する対向領域を有しており、該対向領域の対向間隔が、ウェハを載せる載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の３倍以下であり、上記帯状抵抗発熱体のパターン形状は中央から外周へ向かう渦巻き状であることを特徴とするウェハ支持部材。」である点で一致し、以下の６点で相違する。
　
［相違点１］
　本願補正発明では、「基体」が「セラミック体」であるのに対し、引用発明では、「基体」が、セラミックであるかどうかが明らかでない点。
　
［相違点２］
　本願補正発明では、「板状セラミック体の一方の一主面を、ウェハを載せる載置面と」しているのに対し、引用発明では、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に形成された第１の絶縁層２３と、」「最外層に被覆された第２の絶縁層２７とを備え」ており、前記「円盤状の形態を有する基材２２の」「最外層に被覆された第２の絶縁層２７」のうち、前記「基材２２」の一方の主面上に形成された部分の表面を、ウェハを載せる載置面としている点。
　
［相違点３］
　本願補正発明では、「セラミック体中に帯状抵抗発熱体を備えてなる」のに対し、引用発明では、「帯状の発熱体２６ａ」は、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に形成された第１の絶縁層２３」「の下面に直接設け」られている点。
　
［相違点４］
　本願補正発明では、帯状抵抗発熱体の対向領域の対向間隔が、「０．５ｍｍ以上」であるのに対し、引用発明では、「帯状の発熱体２６ａの間隔ｄ」の値が、記載されていない点。
　
［相違点５］
　本願補正発明では、「帯状抵抗発熱体は平面状に配設された金属メッシュからな」っているのに対し、引用発明では、「帯状の発熱体２６ａ」は、金属メッシュではない点。
　
［相違点６］
　本願補正発明では、「帯状抵抗発熱体の載置面からの埋設位置が板状セラミック体の厚みの０．２〜０．８倍で」あるのに対し、引用発明では、「帯状の発熱体２６ａ」は、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に形成された第１の絶縁層２３と、前記第１の絶縁層２３の下面に直接設け」られている点。
　
そこで、相違点について検討する。
［相違点１について］
　板状セラミック体に発熱体を備えたウェハ支持部材は、以下の周知例１及び２にも示されるように周知技術である。
　周知例１：特開２０００−２４３８２１号公報（刊行物２）には、図３とともに、以下の記載がなされている。
　「【０００３】・・・図３に示すような、ウエハＷの載置面４４を有する板状セラミック体４１中の載置面４４側に静電吸着用の電極４２を、載置面４４と反対側に抵抗発熱体４３をそれぞれ埋設してなり、・・・」
　周知例２：特開２００１−１３５４６０号公報（刊行物３）には、図１とともに以下の記載がなされている。
　「【００１０】・・・本発明のセラミックヒータについて説明する。本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体が形成され・・・」、「【００１３】ヒータ板１１は、円板状に形成されており、・・・」
　したがって、引用発明の「基材２２」に換えて、本願補正発明のように「板状セラミック体」を使用することは、周知技術に基づき、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点２について］
　引用発明において、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に」、「第１の絶縁層２３」、「第２の絶縁層２７」を形成するかどうかということは、当業者が必要に応じて、適宜、選択し得ることである。
　また、板状セラミック体の一方の主面をウェハの載置面とすることは、以下の周知例１及び２にも示されるように周知技術である。
　周知例１：特開２０００−２４３８２１号公報（刊行物２）には、図３とともに、以下の記載がなされている。
　「【０００３】・・・図３に示すような、ウエハＷの載置面４４を有する板状セラミック体４１中の載置面４４側に静電吸着用の電極４２を、載置面４４と反対側に抵抗発熱体４３をそれぞれ埋設してなり、・・・」
　周知例２：特開２００１−１３５４６０号公報（刊行物３）には、図１とともに以下の記載がなされている。
　「【００１３】ヒータ板１１は、円板状に形成されており、発熱体１２（１２ｘ、１２ｙ）は、ヒータ板１１のウエハ加熱面１１ａの全体の温度が均一になるように加熱するため、ヒータ板１１の内部に同心円形状のパターンに形成されている。・・・」（当審注：「ウエハ加熱面１１ａ」は、「ウエハの載置面」に相当する。）
　したがって、引用発明において、「基材２２」として、本願補正発明のように、「板状セラミック」を使用し、「板状セラミック」の表面に、「第１の絶縁層２３」、「第２の絶縁層２７」を形成することなく、本願補正発明のように、「板状セラミック体の一方の一主面を、ウェハを載せる載置面と」することは、周知技術に基づき、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点３について］
　板状セラミック体中に抵抗発熱体を埋設したウエハ支持部材は、以下の周知例１及び２にも示されるように周知技術である。
　周知例１：特開２０００−２４３８２１号公報（刊行物２）には、図３とともに、以下の記載がなされている。
　「【０００３】・・・図３に示すような、ウエハＷの載置面４４を有する板状セラミック体４１中の載置面４４側に静電吸着用の電極４２を、載置面４４と反対側に抵抗発熱体４３をそれぞれ埋設してなり、・・・」
　周知例２：特開２００１−１３５４６０号公報（刊行物３）には、図１とともに以下の記載がなされている。
　「【００１０】・・・本発明のセラミックヒータについて説明する。本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体が形成され・・・」、「【００１３】ヒータ板１１は、円板状に形成されており、発熱体１２（１２ｘ、１２ｙ）は、ヒータ板１１のウエハ加熱面１１ａの全体の温度が均一になるように加熱するため、ヒータ板１１の内部に同心円形状のパターンに形成されている。・・・」
　したがって、引用発明において、「基材２２」として、本願補正発明のように、「板状セラミック」を使用し、本願補正発明のように、「板状セラミック体中に帯状抵抗発熱体を備え」た構成とすることは、周知技術に基づき、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点４について］
　引用発明において、「帯状の発熱体２６ａの間隔ｄ」を広くすると温度均一性が低下し、逆に狭くすると帯状の発熱体の加工が困難になり、また対向する発熱体がショートする可能性が高まり、コストも上昇することは、当業者にとって技術常識である。
　したがって、引用発明において、「帯状の発熱体２６ａの間隔ｄ」をどの程度にするかということは、当業者が実験などにより適宜決定し得たことである。
　
［相違点５について］
　刊行物２に、「・・・板状セラミック体２１，３１中に埋設する電極２２や抵抗発熱体３２の形態としては膜状のものに限らず、金属箔などの板状体やメッシュ体、さらにはコイルであっても良く、・・・」（【００２８】）と記載されているように、板状セラミック体中に埋設する抵抗発熱体として、金属メッシュを使用することは従来公知である。
　したがって、引用発明における帯状の発熱体２６ａとして、金属メッシュを使用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点６について］
　刊行物３には、「・・・本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体が形成されるとともに、・・・」（【００１０】）、「本発明の発熱体をヒータ板１１の内部に偏芯して形成する場合の位置は、ヒータ板１１のウエハ加熱面１１ａに対向する底面１１ｂに近い位置で、
ウエハ加熱面１１ａから底面１１ｂまでの距離に対して５０％を超え、９９％までの位置
　したがって、引用発明において、「基材２２」として、本願補正発明のように、「板状セラミック」を使用し、本願補正発明のように、「帯状抵抗発熱体の載置面からの埋設位置が板状セラミック体の厚みの０．２〜０．８倍」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　よって、本願補正発明は、刊行物１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、請求項２についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明
　平成１８年１２月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年８月３０日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項２】　板状セラミック体の一方の一主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミック体中又は上記板状セラミック体の他方の主面に帯状抵抗発熱体を備えてなるウェハ支持部材において、上記帯状抵抗発熱体はその一部に相対向する対向領域を有しており、該対向領域の対向間隔が０．５ｍｍ以上で、かつ上記載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の３倍以下であり、上記帯状抵抗発熱体は平面状に配設された金属メッシュからなり、上記帯状抵抗発熱体のパターン形状は中央から外周へ向かう渦巻き状であることを特徴とするウェハ支持部材。」
　
第４　刊行物に記載された発明
　刊行物１、２の記載事項及び刊行物１に記載された発明は、上記「第２　３（１）」に記載したとおりである。
　
第５　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　（ａ）引用発明の「載置台２１」、「帯状の発熱体２６ａからなるヒータ２６」は、各々本願発明の「ウェハ支持部材」、「帯状抵抗発熱体」に相当する。
　（ｂ）引用発明の「円盤状の形態を有する基材２２」は、本願発明の「板状セラミック体」に対応するものであり、引用発明の「円盤状の形態を有する基材２２」は「板状」であることは明らかであるから、両者は、「板状基体」という点で、共通する。
　（ｃ）引用発明において、「円盤状の形態を有する基材２２の」「最外層に被覆された第２の絶縁層２７」のうち、前記「基材２２」の一方の主面上に形成された部分の表面が、ウェハを載せる載置面となることは明らかである。
　（ｄ）引用発明において「前記ヒータ２６は、前記帯状の発熱体２６ａを適宜の間隔（半径方向の間隔）ｄを以って渦巻き状に配設した発熱パターンが設定されて」いるから、「帯状の発熱体２６ａ」が、中央から外周へ向かう渦巻き形状であり、また、その一部に対向領域を有していることは明らかである。
　（ｅ）引用発明において、「基材２２の厚さ（高さ）Ｈは、その間隔ｄよりも大きく設定されて」おり、上記（ｃ）で述べたように、「基材２２」の一方の主面上に形成された「第２の絶縁層２７」の表面が、ウェハを載せる載置面であることから、帯状の発熱体２６ａの間隔ｄは、ウェハの載置面からヒータ２６との距離の３倍以下であることは明らかである。
　
　よって、両者は、
「板状基体に帯状抵抗発熱体を備えてなるウェハ支持部材において、
上記帯状抵抗発熱体はその一部に相対向する対向領域を有しており、該対向領域の対向間隔が、ウェハを載せる載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の３倍以下であり、上記帯状抵抗発熱体のパターン形状は中央から外周へ向かう渦巻き状であることを特徴とするウェハ支持部材。」である点で一致し、以下の５点で相違する。
　
［相違点７］
　本願発明では、「基体」が「セラミック体」であるのに対し、引用発明では、「基体」が、セラミックであるかどうかが明らかでない点。
　
［相違点８］
　本願発明では、「板状セラミック体の一方の一主面を、ウェハを載せる載置面と」しているのに対し、引用発明では、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に形成された第１の絶縁層２３と、」「最外層に被覆された第２の絶縁層２７とを備え」ており、前記「円盤状の形態を有する基材２２の」「最外層に被覆された第２の絶縁層２７」のうち、前記「基材２２」の一方の主面上に形成された部分の表面を、ウェハを載せる載置面としている点。
　
［相違点９］
　本願発明では、「セラミック体の他方の主面に帯状抵抗発熱体を備えてなる」のに対し、引用発明では、「帯状の発熱体２６ａ」は、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に形成された第１の絶縁層２３」「の下面に直接設け」られている点。
　
［相違点１０］
　本願発明では、帯状抵抗発熱体の対向領域の対向間隔が、「０．５ｍｍ以上」であるのに対し、引用発明では、「帯状の発熱体２６ａの間隔ｄ」の値が、記載されていない点。
　
［相違点１１］
　本願発明では、「帯状抵抗発熱体は平面状に配設された金属メッシュからな」っているのに対し、引用発明では、「帯状の発熱体２６ａ」は、金属メッシュではない点。
　
そこで、相違点について検討する。
［相違点７について］
　板状セラミック体に発熱体を備えたウェハ支持部材は、以下の周知例１及び２にも示されるように周知技術である。
　周知例１：特開２０００−２４３８２１号公報（刊行物２）には、図３とともに、以下の記載がなされている。
　「【０００３】・・・図３に示すような、ウエハＷの載置面４４を有する板状セラミック体４１中の載置面４４側に静電吸着用の電極４２を、載置面４４と反対側に抵抗発熱体４３をそれぞれ埋設してなり、・・・」
　周知例２：特開２００１−１３５４６０号公報（刊行物３）には、図１とともに以下の記載がなされている。
　「【００１０】・・・本発明のセラミックヒータについて説明する。本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体が形成され・・・」、「【００１３】ヒータ板１１は、円板状に形成されており、・・・」
　したがって、引用発明の「基材２２」に換えて、本願発明のように「板状セラミック体」を使用することは、周知技術に基づき、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点８について］
　引用発明において、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に」、「第１の絶縁層２３」、「第２の絶縁層２７」を形成するかどうかということは、当業者が必要に応じて、適宜、選択し得ることである。
　また、板状セラミック体の一方の主面をウェハの載置面とすることは、以下の周知例１及び２にも示されるように周知技術である。
　周知例１：特開２０００−２４３８２１号公報（刊行物２）には、図３とともに、以下の記載がなされている。
　「【０００３】・・・図３に示すような、ウエハＷの載置面４４を有する板状セラミック体４１中の載置面４４側に静電吸着用の電極４２を、載置面４４と反対側に抵抗発熱体４３をそれぞれ埋設してなり、・・・」
　周知例２：特開２００１−１３５４６０号公報（刊行物３）には、図１とともに以下の記載がなされている。
　「【００１３】ヒータ板１１は、円板状に形成されており、発熱体１２（１２ｘ、１２ｙ）は、ヒータ板１１のウエハ加熱面１１ａの全体の温度が均一になるように加熱するため、ヒータ板１１の内部に同心円形状のパターンに形成されている。・・・」（当審注：「ウエハ加熱面１１ａ」は、「ウエハの載置面」に相当する。）
　したがって、引用発明において、「基材２２」として、本願発明のように、「板状セラミック」を使用し、「板状セラミック」の表面に、「第１の絶縁層２３」、「第２の絶縁層２７」を形成することなく、本願発明のように、「板状セラミック体の一方の一主面を、ウェハを載せる載置面と」することは、周知技術に基づき、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点９について］
　引用発明において、「円盤状の形態を有する基材２２の表面に」、「第１の絶縁層２３」、「第２の絶縁層２７」を形成するかどうかということは、当業者が必要に応じて、適宜、選択し得ることである。また、前記周知例１及び２に示されるウエハ支持部材においても、板状セラミック体の表面には絶縁膜は形成されていない。
　したがって、引用発明において、「基材２２」として、本願発明のように、「板状セラミック」を使用し、「第１の絶縁層２３」を形成することなく、本願発明のように「セラミック体の他方の主面に帯状抵抗発熱体を備え」た構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
［相違点１０について］
　引用発明において、「帯状の発熱体２６ａの間隔ｄ」を広くすると温度均一性が低下し、逆に狭くすると帯状の発熱体の加工が困難になり、また対向する発熱体がショートする可能性が高まり、コストも上昇することは、当業者にとって技術常識である。
　したがって、引用発明において、「帯状の発熱体２６ａの間隔ｄ」をどの程度にするかということは、当業者が実験などにより適宜決定し得たことである。
　
［相違点１１について］
　刊行物２に、「・・・板状セラミック体２１，３１中に埋設する電極２２や抵抗発熱体３２の形態としては膜状のものに限らず、金属箔などの板状体やメッシュ体、さらにはコイルであっても良く、・・・」（【００２８】）と記載されているように、板状セラミック体中に埋設する抵抗発熱体として、金属メッシュを使用することは従来公知である。
　したがって、引用発明における帯状の発熱体２６ａとして、金属メッシュを使用することは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。