【事件の表示】
　特願２０００−１１６５８６「半導体装置をウエーハ面上でバーンイン処理するための装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月２４日出願公開、特開２０００−３２３５３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年４月１８日（パリ条約による優先権主張１９９９年４月１９日、ドイツ）の出願であって、平成１６年５月１１日付で拒絶査定がなされ、同年８月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月８日付で手続補正がなされ、当審において平成１８年１１月８日付で拒絶理由が通知され、平成１９年２月８日付で手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願発明は、特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は 以下のとおりである。
「　半導体装置をウエーハ面上でバーンイン処理するための装置であって
、該装置で、多数の半導体チップ（２）を含む半導体ウエーハ（１）がバーンイン処理され、該バーンイン処理により、前記半導体チップ（２）に構成されている集積回路及び構成部品が高温にされて、外部から導入された電圧が印加される装置において、
半導体チップ（２）の切除縁部(Ｋｅｒｆ)（３）内に少なくとも１つＢＩＳＴ（ＢＩＳＴ＝Ｂｕｉｌｔ　ｉｎ　ｓｅｌｆ　ｔｅｓｔ）ユニット（７）が設けられており、
供給電圧、クロックパルス信号、制御信号、命令信号は、半導体ウエーハ（１）上に設けられた、切除縁部(Ｋｅｒｆ)（３）内で案内される線路（４）及び半導体チップ（２）上に設けられたコンタクトクッション（１１）を介して前記ＢＩＳＴユニット（７）に供給可能であり、
ヒューズが、前記切除縁部（Ｋｅｒｆ）（３）内に設けられており、
該ヒューズを介して、前記ＢＩＳＴユニット（７）はプログラミング可能である
ことを特徴とする装置。」
　
３．引用刊行物記載の発明
　これに対し、当審の拒絶の理由に引用された、特開平６−１１５３７号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置や半導体ウエハのテストに関するものであり、特にバーン・インに関するものである。」
ｂ．「【０００５】バーン・インにおいて、ＶＣＣ端子１０とＧＮＤ端子１１間に実動作時より高く、素子の破壊が行われない程度の電位差を与える。これにより全体の約１／２程度の素子にストレスを印加させ、早期不良品を早期にリジェクトする電圧加速試験が行われる。通常このとき同時に、環境温度を高く設定した温度加速試験が行われる。」
ｃ．「【００２８】この発明にかかる半導体ウエハの第１の態様は、（ａ）複数の半導体装置と、（ｂ）複数の半導体装置の第１の配線を共通に接続する第２の配線と、を備える。そして半導体装置は、（ａ−１）テストの対象となる半導体回路と、（ａ−２）通常動作時において半導体回路への入力信号が与えられる入力端子と、（ａ−３）通常動作時において半導体回路からの出力信号が与えられる出力端子と、（ａ−４）通常動作時において半導体回路に所定の電位を与える電源端子と、（ａ−５）入力端子と半導体回路との間に介在し、テスト時及び通常動作時のそれぞれにおいて活性化及び非活性化するテスト信号を受け、テスト信号に依存して動作が切り替わるモード切り換え回路と、（ａ−６）テスト信号をモード切り換え回路に与える第１の配線と、を有する。ここでモード切り換え回路は、（ａ−５−１）通常動作時には、入力端子に与えられた入力信号を半導体回路に与え、（ａ−５−２）テスト時には半導体回路に所定の固定値を与えるものである。
【００２９】この発明にかかる半導体ウエハの第２の態様においては、入力端子は交流信号端子を含み、半導体ウエハは（ｃ）複数の半導体装置を互いに分離するダイシングラインと、（ｄ）交流信号端子と半導体回路との間に介在し、テスト時には交流信号端子に与えられる信号の値にかかわらず、所定の交流信号を出力し、ダイシングラインにおいて形成される信号発生手段を更に備える。
【００３０】望ましくは、半導体ウエハは（ｅ）前記信号発生手段と前記半導体回路との間に介在する（第２の）ヒューズを更に備える。」
ｄ．「【００４４】この発明にかかる半導体ウエハの第１の態様において、第２の配線はテスト信号をモード切り換え回路に与える第１の配線を複数の半導体装置にわたって共通に接続するので、ウエハの形態を有したまま、チップ状態での複数の半導体装置のテストができる。またテスト時にウエハの裏面から電源を与えることができる。」
ｅ．「【００７１】バーン・インボード設定端子１４に与えられたテスト信号の論理が“Ｈ”の場合にはバーン・イン及び発振器１７の動作のチェックが、“Ｌ”の場合には通常の動作及び波形発生器１８の動作のチェックが、それぞれ行われる。
【００７２】まずバーン・インボード設定端子１４における論理が“Ｌ”の時、セレクタ１９はＢ入力を選択し、外部クロック入力端子３４に与えられた外部クロックを波形発生器１８に与える。この外部クロックに同期して波形発生器１８は動作する。従って、バーン・インを行わない場合において外部クロック入力端子３４に外部からテスタを接続することにより、この外部クロックを印加し、波形発生器モニタ端子３６で、波形発生器１８の動作を確かめることができる。」
ｆ．「【００７８】第５実施例．・・・この発明にかかる半導体ウエハによれば、チップ状態でバーン・インを行うことが可能である。・・・
【００７９】図８にこの発明にかかる半導体ウエハ２４の構成の概略を示す。半導体ウエハ２４上には複数のＩＣ１０２ａがダイシングライン３０によって区分されて形成されている。そして半導体ウエハ２４のうち、ＩＣ１０２ａが形成されている方の面に金属配線２５ａが図のように形成されている。ＩＣ１０２ａはＩＣ１０２と比較してバーン・インボード設定端子１４がなく、金属配線２５ａを有している。この金属配線２５ａは、図５で説明したバーン・インボード設定端子１４に対応しており、テスト信号が与えられる。金属配線２５ａはコンタクトホール２６を介して複数のＩＣ１０２ａと共通に接続されている。
【００８０】図９に金属配線２５ａとＩＣ１０２ａとの接続関係を示すため、コンタクトホール２６近傍の拡大図を示す。金属配線２５ａは配線２９ａを介してヒューズ２７と接続されている。そしてヒューズ２７は配線２９ｂを介してチップ内に生じている電位ＶＣＣが与えられている。金属配線２５ａと配線２９ａとの接続はコンタクトホール２６において、ヒューズ２７の両端での接続はコンタクトホール２８において、それぞれ行われている。
【００８１】パッド６０は、図５で示された入力端子４ａ，４ｂ、出力端子５等に相当する電極である。これらの配線２９ａ，２９ｂ、ヒューズ２７及びパッド６０は、半導体ウエハ２４の基板２４ａの一方の面において形成され、ＩＣ１０２ａの一部を構成している。
【００８２】図８にもどって、金属配線２５ａは半導体ウエハ２４において複数形成されたＩＣ１０２ａを共通に接続するので、テスト信号は金属配線２５ａのどこかに与えればよい。そして基板２４ａの裏面には他の固定電位を与えることができる。半導体ウエハ２４を置くステージを導電性にすることにより、このような操作は可能となる。
【００８３】例えば、基板２４ａがＰ型基板であれば金属配線２５ａには電位ＶＣＣを、基板２４ａには裏面から電位ＧＮＤ（接地）を与えればよい。基板２４ａがＮ型基板であればこれらに与える電位を逆にすればよい。
【００８４】したがって、複数のＩＣ１０２ａは半導体ウエハ２４においてチップ状態で、即ちパッケージングしなくても、バーン・インが行われる。なお、バーン・インが行われた後はＩＣ１０２ａは、ダイシングライン３０の切断に従って分離される。この時ＩＣ１０２ａの断面において配線２５ａが露呈するので、配線２５ａが望ましくない短絡を引き起こすことも考えられる。これを回避するため、ヒューズ２７を切断することにより、ＩＣ１０２ａと配線２５ａを遮断することができる。
【００８５】ヒューズ２７の切断（トリミング）にレーザを用いれば、金属エッチングの工程を増やすことなくトリミングが可能である。ヒューズ２７は、ダイシングライン３０上に配置しても良い。
【００８６】第６実施例．この発明にかかる半導体ウエハは、第２実施例で説明したＩＣ１０１のように発振器１７、波形発生器１８を更に備えた場合についても適用できる。
【００８７】図１０にこの発明にかかる半導体ウエハのコンタクトホール２６近傍の拡大図を示す。図１０に示された構成は、図９に示された構成に更に発振器１７、波形発生器１８をダイシングライン３０上に附加した構成となっている。そしてこれらは配線２５ｂ，２９ｃを介して配線２９ｂに接続されている。配線２５ｂ，２９ｃは、発振器１７、波形発生器１８へ電源を供給配線する。」
ｇ．「【００９２】このようにダイシングライン３０において発振器１７、波形発生器１８を設けることにより、更に以下の効果が得られる。例えば図１１に示されるように、ダイシングライン３０において設けられた波形発生器１８は、ダイシングライン３０を介して隣接する複数のＩＣに所定の交流信号を送ることができる。
【００９３】また、図１２に示されるようにチェック回路５０をもダイシングライン３０において設けることができ、集積度を損なうことなくダイナミック型のバーン・インを行うことができる。」
　
したがって引用文献１には、以下の発明が記載されている。
「ウエハの形態を有した、チップ状態でＶＣＣ端子１０とＧＮＤ端子１１間に電位差を与え電圧加速試験を行い、同時に、環境温度を高く設定した温度加速試験を行うバーン・インに関し、
　信号発生手段をダイシングライン３０上に附加し、信号発生手段は配線２５ｂ，２９ｃを介して配線２９ｂに接続され、配線２５ｂ，２９ｃは、信号発生手段へ電源を供給配線し、
　信号発生手段と前記半導体回路との間に介在する（第２の）ヒューズを更に備え、ヒューズ２７は、ダイシングライン３０上に配置され、トリミングが可能であり、
　入力端子４ａ，４ｂ、出力端子５等に相当する電極であるパッド６０を設け、
　金属配線２５ａは配線２９ａを介してヒューズ２７と接続され、金属配線２５ａには電位ＶＣＣを与る半導体ウエハ。」（以下、「引用文献１発明」という）
　
　同じく、当審の拒絶の理由に引用された、特開平４−２８８８４９号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
ｈ．「【００１４】・・・又本発明に係るウェハ構造に於いては、図３に示される様に、ウェハ上に形成されている各集積回路ブロック２がダイシングライン８─１、８─２に沿って形成された配線７を介して少なくとも第１と第２の電源の何れか一方と接続されているもので有っても良い。該配線７の内、配線７─１は高電位電源である第１の電源３に接続されており、配線７─２は低電位電源である第２の電源４に接続されている。」
ｉ．「【００２５】本発明に係るバーンインに於いては、出来るだけ多くの回路が均等に作動させながら強制テストする事が望ましいと言う観点から、係る作動を実行させるシーケンスを持ったインストラクションコードからなるプログラムを内蔵したバーンイン用ＲＯＭを使用する事が好ましい。又、被検査集積回路ブロックは、ユーザープログラムで作動するものであるから、係るユーザープログラムの制御下に該集積回路ブロックを作動させてバーンインを実施する必要があり、その為，ユーザープログラムを内蔵したＲＯＭを使用する場合もある。係るユーザープログラムを下に該被検査集積回路ブロックを動作させる場合を通常動作と称している。但し、ユーザープログラムのみでは、当該集積回路ブロックがどう動くか判らないし、又特定の回路のみしか作動させないことあるので、完全なバーンインが実行される保証が無い。
従って、本発明に於いては、バーンイン用ＲＯＭとユーザープログラムを内蔵した通常動作用ＲＯＭとを併用して使用する事がある。
【００２６】図１０は本発明に係る上記の構成の具体例を示したものであり、被検査集積回路ブロック２が適宜のＣＰＵ３２とＲＡＭ３３を有している場合に、バーンイン用ＲＯＭ３０とユーザープログラムを内蔵した通常動作用ＲＯＭ３１を適宜の切り換え手段３５を介して該ＣＰＵ３２に接続させ、更に該切り換え手段３５を図９に於けるモード設定手段２９に接続せしめたもので有る。つまり、該モード設定手段２９によって、通常動作モードとバーンインモードを切り換える事が可能である。」
　
４．対比
　本願発明と引用文献１発明とを対比すると、
　引用文献１発明の、「半導体ウエハ」、「バーン・イン」、「チップ」、「高く設定された環境温度」、「ダイシングライン」 、「配線」、「信号発生手段」が、本願発明の「ウエーハ」、「バーンイン処理」、「半導体チップ」、「高温」、「切除縁部」、「線路」、「ＢＩＳＴユニット」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用文献１発明とは、
 「半導体装置をウエーハ面上でバーンイン処理するための装置であって
、該装置で、多数の半導体チップ（２）を含む半導体ウエーハ（１）がバーンイン処理され、該バーンイン処理により、前記半導体チップ（２）に構成されている集積回路及び構成部品が高温にされて、外部から導入された電圧ＶＣＣが印加される装置において、
半導体チップ（２）の切除縁部(Ｋｅｒｆ)（３）内に少なくとも１つＢＩＳＴ（ＢＩＳＴ＝Ｂｕｉｌｔ　ｉｎ　ｓｅｌｆ　ｔｅｓｔ）ユニット（７）が設けられており、
ヒューズが、前記切除縁部（Ｋｅｒｆ）（３）内に設けられている装置。」
 の点で一致し、以下の点で相違する。
　
１）相違点１
 本願発明では、供給電圧、クロックパルス信号、制御信号、命令信号は、半導体ウエーハ（１）上に設けられた、切除縁部(Ｋｅｒｆ)（３）内で案内される線路（４）及び半導体チップ（２）上に設けられたコンタクトクッション（１１）を介して前記ＢＩＳＴユニット（７）に供給可能であるのに対して、引用文献１発明ではこの点が明確に記載されていない点。
　
２）相違点２
 本願発明では、該ヒューズを介して、前記ＢＩＳＴユニット（７）はプログラミング可能であるのに対し、引用文献１発明では、この点が明確に記載されていない点。
　
５．検討
　相違点１について
　本願発明のコンタクトクッションは、本願明細書第２８段落において「半導体チップ２上にコンタクトクッション乃至パッド１１を設けることもでき、このコンタクトクッション乃至パッド１１を介して、実行すべきバーンイン処理用のピンを配設することができる。」と記載されているので、コンタクトクッションとパッドとは、実質的に相違がないと認められる。よって、引用文献１発明のパッドは、本願発明のコンタクトクッションに相当するものである。
　ダイシングライン内に配線を形成することは引用文献２に記載されているように周知である。また、配線にどのような電位、あるいは信号を付加するかは適宜なし得ることである。
　引用文献１発明において、外部から電位ＶＣＣを印加しており、さらに、摘記事項ｆ．（第７９段落）に記載されているように、「テスト信号」が外部から与えられている。また、引用文献１発明では、テスト時に、内部回路においてクロック及び波形信号を発生しているが、必要に応じて、これらを外部から与えるように変更することも適宜なし得ることである。よって、クロックパルス信号、制御信号、命令信号を外部から印加すること、及び、それらの信号や、供給電圧を、ダイシングライン内に設けられた配線及びパッドを介してＢＩＳＴユニットに供給することは、当業者が容易になし得ることである。
　また、相違点１の構成による効果も当業者が容易に予測しうる程度のものである。
　
相違点２について
　引用文献１発明において、「ダイシングラインにおいて形成される信号発生手段」（第２９段落）を備え、「信号発生手段と前記半導体回路との間に介在する（第２の）ヒューズ」（第３０段落）を備えており、さらに、「ヒューズを切断（トリミング）」（第８５段落）することが記載されているので、必要に応じて発振器１７、波形発生器１８へ電源を供給する配線に接続されたヒューズをトリミングすることは、適宜なし得ることである。
　ヒューズをトリミングすることは一種のプログラミングであるから、相違点２の構成は、実質的に引用文献１に記載されている。また、ヒューズを用いてプログラミングすることは、周知（特開平７−２６０８７４号公報、特開平１０−１８８５９９号公報、特開平５−２２６５９９号公報）であり、必要に応じて当業者が適宜なし得ることである。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用文献１、２に記載された発明及び周知文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。