【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と酸化物半導体層との間にゲート絶縁膜を有し、
前記酸化物半導体層の前記ゲート電極側および前記ゲート電極と反対側に、酸化アルミニウムよりなる第１層とシリコン（Ｓｉ）を含む絶縁材料よりなる第２層との積層膜が設けられている
薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第１層および前記第２層が、前記第１層を前記酸化物半導体層側にして積層されている
請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
基板上に、前記ゲート電極，前記ゲート絶縁膜，前記酸化物半導体層，チャネル保護膜，ソース・ドレイン電極およびパッシベーション膜を順に備え、
前記ゲート絶縁膜と、前記チャネル保護膜および前記パッシベーション膜のうちの少なくとも一方とが、前記積層膜である
請求項１または２記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記第２層は、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜のうち少なくとも一つを含む
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
基板上に、ゲート電極，ゲート絶縁膜，酸化物半導体層，チャネル保護膜，ソース・ドレイン電極およびパッシベーション膜を順に備え、
前記パッシベーション膜が、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）およびタンタル（Ｔａ）のうち少なくとも１種を含む酸化物、窒化物あるいは酸窒化物により構成されている
薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記パッシベーション膜が、アルミニウムの酸窒化物あるいは窒化物により構成されている
請求項５記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記パッシベーション膜の密度は、３．０ｇ／ｃｍ3 以上４．０ｇ／ｃｍ3 以下である
請求項５または６記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記パッシベーション膜は単層膜である
請求項５ないし７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記パッシベーション膜は積層膜である
請求項６または７記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記積層膜は、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物よりなる下層と、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸窒化物または窒化物よりなる上層とを有する
請求項９記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記パッシベーション膜は、スパッタリング法により形成された
請求項５ないし１０のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
薄膜トランジスタおよび表示素子を備え、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と酸化物半導体層との間にゲート絶縁膜を有し、
前記酸化物半導体層の前記ゲート電極側および前記ゲート電極と反対側に、酸化アルミニウムよりなる第１層とシリコン（Ｓｉ）を含む絶縁材料よりなる第２層との積層膜が設けられている
表示装置。
【請求項１３】
前記表示素子は、前記薄膜トランジスタの側から順に、アノードと、発光層を含む有機層と、カソードとを有する有機発光素子である
請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】
薄膜トランジスタおよび表示素子を備え、
前記薄膜トランジスタは、
基板上に、ゲート電極，ゲート絶縁膜，酸化物半導体層，チャネル保護膜，ソース・ドレイン電極およびパッシベーション膜を順に備え、
前記パッシベーション膜が、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）およびタンタル（Ｔａ）のうち少なくとも１種を含む酸化物、窒化物あるいは酸窒化物により構成されている
表示装置。
【請求項１５】
前記表示素子は、前記薄膜トランジスタの側から順に、アノードと、発光層を含む有機層と、カソードとを有する有機発光素子である
請求項１４記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一方、酸化物半導体は耐熱性が充分でなく、ＴＦＴ製造プロセス中の熱処理により酸素や亜鉛などが脱離して格子欠陥を形成することが知られている。この格子欠陥は、電気的には浅い不純物準位を形成し、酸化物半導体層の低抵抗化を引き起こす。そのため、そのため、ゲート電圧を印加しなくてもドレイン電流が流れるノーマリーオン型すなわちデプレッション型の動作となり、欠陥準位の増大と共に閾値電圧が小さくなり、リーク電流が増大する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
酸化物半導体層２３は、例えば、厚みが２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）により構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ソース・ドレイン電極２５は、モリブデン，アルミニウム，チタン等の金属あるいはそれらの多層膜により構成されている。ソース・ドレイン電極２５の具体的な構成としては、例えば、酸化物半導体層２３の側から、厚みが５０ｎｍのモリブデン層２５Ａ、厚みが５００ｎｍのアルミニウム層２５Ｂおよび厚みが５０ｎｍのチタン層２５Ｃの積層膜が好ましい。その理由は、以下の通りである。後述する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのアノード５２をアルミニウムを主成分とする金属により構成した場合、アノード５２をリン酸・硝酸、酢酸等を含む混合液を用いてウェットエッチングする必要がある。その際、チタン層２５Ｃはエッチングレートが非常に低いので、基板１０側に残すことができる。その結果、後述する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのカソード５５と、基板１０側のチタン層２５Ｃとを接続することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１０の一辺に、封止用基板７１および接着層６０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
１…ＴＦＴ基板、３Ａ…サンプリング用トランジスタ、３Ｂ…駆動用トランジスタ、３Ｃ…保持容量、３Ｄ…発光素子、１０…基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ…ＴＦＴ、２１…ゲート電極、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ…ゲート絶縁膜、２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ…酸化物半導体層、２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ…チャネル保護層、２５…ソース・ドレイン電極、２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ…パッシベーション膜、３１…第１層、３２…第２層、５１…平坦化絶縁膜、５２…アノード、５３…電極間絶縁膜、５４…有機層、５５…カソード、５６…保護膜、６０…接着層、７１…封止用基板、１１０…表示領域、１４０…画素駆動回路
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010114413.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2010114413.tif 000002