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　平成７年特許願第２０８１３０号「半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品」拒絶査定不服審判事件〔平成８年７月１２日出願公開，特開平８−１８１０４８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成７年８月１５日（パリ条約による優先権主張１９９４年８月１５日，米国）の出願であって，平成１８年１２月６日付けで手続補正がなされ，平成２１年１月１６日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年４月２７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年５月２７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２１年５月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，その内容は，以下のとおりである。
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１，９，２２，２４，２５，３０，３２，３３，４５を削除すること。
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１を引用する請求項３を本件補正後の請求項１とし，本件補正前の請求項３の「前記層の上に，硬く，凝集性の膜であって，弗素に対して透過性であるが酸素に対しては実質的に非透過性である膜を更に有する」を，本件補正後の請求項１の「ｃ）前記ハロゲン化マグネシウム化合物からなる層の上の，前記ハロゲン化マグネシウム化合物からなる層より硬く，前記ハロゲン化マグネシウム化合物からなる層より強い凝集力によって形成された膜であって，当該膜は，弗素に対して透過性であるが酸素に対しては非透過性である；」と補正すること。
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項４，６〜８，１０，１１，１３〜１９，２１，２３，２６〜２９，３１，３４，３５，３８，３９，４３，４４，４７，５０を，本件補正後の請求項３，５〜７，９，１０，１２〜１８，１９，２０，２１〜２４，２５，２６，２７，３０，３１，３５，３６，３８，４１に繰り上げ，必要に応じて，それぞれが引用する請求項を，本件補正後の請求項の番号に合わせて補正すること。
（４）補正事項４
　本件補正前の請求項５を本件補正後の請求項４とし，本件補正前の請求項５の「ｂ）該本体の外部領域の上（overlying）の膜であって，弗素に対して透過性であるが酸素に対しては実質的に非透過性である膜とを含み；且つ該物品がハロゲン含有化学種に晒された際に，前記外部領域内で該膜の下（underneath）にハロゲン化マグネシウム層が形成されて，本体をハロゲンによる腐食から保護すること」を，本件補正後の請求項４の「ｂ）該本体の外部領域の上（overlying）の膜であって，弗素に対して透過性であるが酸素に対しては非透過性である膜とを含み；且つ該物品がハロゲン含有化学種に晒された際に，前記外部領域内で該膜の下（underneath）にハロゲン化マグネシウム層が形成されて，本体をハロゲンによる腐食から保護し，　前記膜は，前記ハロゲン化マグネシウム化合物からなる層より硬く，前記ハロゲン化マグネシウム化合物からなる層より強い凝集力によって形成されていること」と補正すること。
（５）補正事項５
　本件補正前の請求項９を引用する請求項２０を本件補正後の請求項８とし，本件補正前の請求項８の「可動性（mobile）不純物原子の非常に低い濃度を示すこと」と本件補正前の請求項２０の「前記物品中のシリコン，鉄，銅，クロム，および亜鉛からなる群から選ばれた前記可動性不純物原子の含有量が，０．２重量％未満である」を，本件補正後の請求項８の「０．２重量％未満である可動性（mobile）不純物原子の濃度を示し，且つ前記可動性（mobile）不純物原子はシリコン，鉄，銅，クロム，および亜鉛からなる群から選ばれたものであること」と補正すること。
（６）補正事項６
　本件補正前の請求項１２を本件補正後の請求項１１とし，本件補正前の請求項１２の「該外部表面上を覆う（overlies）酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムからなる膜を含む」を，本件補正後の請求項１１の「前記ハロゲン化マグネシウム保護層上を覆う（overlies）酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムからなる膜を含む」と補正すること。
（７）補正事項７
　本件補正前の請求項３６，３７，４０〜４２，４８，４９，５１を，本件補正後の請求項２８，２９，３２〜３４，３９，４０，４２に繰り上げ，それぞれが引用する請求項を本件補正後の請求項の番号に合わせるととともに，本件補正前の請求項３６，３７，４０〜４２，４８，４９，５１の「耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に」を，本件補正後の請求項２８，２９，３２〜３４，３９，４０，４２の「耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に」と補正すること。
（８）補正事項８
　本件補正前の請求項４５を引用する請求項４６を本件補正後の請求項３７とし，本件補正前の請求項４５の「ｂ）少なくとも，耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に（on）ハロゲン化マグネシウムの保護上層（overlying layer）を形成し，該ハロゲン化アルミニウム層は少なくとも０．００２５ミクロンの厚さを有する；」を，本件補正後の請求項３７の「ｂ）少なくとも，耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（on）ハロゲン化マグネシウムの保護上層（overlying layer）を形成し，該ハロゲン化マグネシウム層は少なくとも０．００２５ミクロンの厚さを有し；」と補正すること。
（９）補正事項９
　本件補正前の請求項１，５，１０，１４〜１９，３４，４２，４５に記載された「約」を削除すること。
（１０）補正事項１０
　本件補正前の請求項４５を引用する請求項４６の「０．０２５ミクロン」を，本件補正後の請求項３７の「０．００２５ミクロン」と補正すること。
　
２　補正の目的の適否
（１）補正事項１は，本件補正前の請求項１，９，２２，２４，２５，３０，３２，３３，４５を削除するものであるから，請求項の削除を目的とするものに該当する。
（２）補正事項２〜９は，本件補正前の請求項１，９，２２，２４，２５，３０，３２，３３，４５を削除したことに伴って，それぞれ請求項を繰り上げ，必要に応じて引用する請求項を変更して，記載を明りょうにするものであるか，又は，拒絶査定における指摘事項を踏まえて，記載を明りょうにするものであるから，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（３）補正事項１０は，本件補正前の請求項４６の誤記を訂正するものであるから，誤記の訂正を目的とするものに該当する。
（４）以上検討したとおり，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号，第３号又は第４号に掲げる事項を目的とするものに該当するものであるから，適法になされたものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は，上記のとおり適法になされたものであるから，本願の請求項１〜４２に係る発明は，本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜４２に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。 
「【請求項８】 ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の部分を少なくとも一部に有する外部表面（exterior surface）を有する，半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の（aluminum-comprising）物品であって；
　ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の前記外部表面の部分の上（upon），または下（underlying）のハロゲン化マグネシウム保護層であって，該ハロゲン化マグネシウム層が少なくとも０．００２５ミクロンの厚さを有し；
　少なくとも，前記ハロゲン化マグネシウム層に直ちに隣接する（immediately adjacent）前記アルミニウム製の物品の部分が，０．２重量％未満である可動性（mobile）不純物原子の濃度を示し，且つ前記可動性（mobile）不純物原子はシリコン，鉄，銅，クロム，および亜鉛からなる群から選ばれたものであることを特徴とする該アルミニウム製の物品。」
　
２　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−６６６５７号公報（平成４年３月３日出願公開，以下「引用例１」という。）には，次の記載がある。
ア　「２．特許請求の範囲
１　マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が，フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜で被覆されていることを特徴とする
耐食性アルミニウム合金材
イ　「［従来の技術］
　一般に，アルミニウム合金は，活性に富んでおり，表面に酸化膜が形成されやすい。この酸化膜は比較的安定しており，内部酸化を防止し，アルミニウム合金の耐食性を向上させている。
　ところが，Ｃｌ２ガスなどのように腐食性の強いものに対しては，十分な耐食性能を発揮することができず，早期に腐食が進行してしまう。
　上記の
Ｃｌ
２
ガスのように腐食性の強いガスは，半導体製造プロセスで広く使用されており，このプロセスで使用される器具，装置類には，極めて耐食性に優れた材料を用いる必要がある
ウ　「本願発明に使用されるアルミニウム合金としては，マグネシウムを添加元素として含むものが用いられるが，その他の添加元素の種類や添加量については制限を受けない。なお，マグネシウムの添加量は特に限定されないが，望ましい範囲としては，０．３〜１５重量％を示すことができる。」（２頁右上欄４〜９行）
エ　「上記フッ化処理によるフッ化不働態膜は，アルミニウム合金の少なくとも一部に形成されていればよく，例えば，使用目的などによって，特定の表面部位や表面全部を被覆する。なお，上記
不働態膜は，通常は２００〜５０００Åの厚さ
オ　「また，本願発明の耐食性アルミニウム合金材によれば，
マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が，フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜で被覆されているので，腐食性の強いハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有しており
ハロゲン系腐食ガスを使用する半導体装置のチャンバー，配管，ガス貯蔵装置やこれらの周辺装置への応用が可能になる
（２）上記（１）アによれば，引用例１に記載された発明は，耐食性アルミニウム合金材に関するものである。
（３）上記（１）オによれば，引用例１には，マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が，フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜で被覆されているので，腐食性の強いハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有することが記載されているから，ハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有するフッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜により，マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が被覆されること，及び，ハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有し，マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部を被覆する，フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜が開示されている。
（４）上記（１）イ及びオによれば，引用例１には，Ｃｌ２ガスのように腐食性の強いガスは，半導体製造プロセスで広く使用されており，このプロセスで使用される器具，装置類には，極めて耐食性に優れた材料を用いる必要があること，及び，ハロゲン系腐食ガスを使用する半導体装置のチャンバー，配管，ガス貯蔵装置やこれらの周辺装置への応用が可能になることが記載されているから，半導体製造プロセスで使用することが開示されている。
（５）上記（１）エによれば，引用例１には，不働態膜は，通常は２００〜５０００Åの厚さとすることが記載されているから，フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜を，２００〜５０００Åの厚さとすることが開示されている。
（６）よって，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「ハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有するフッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜により，マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が被覆されたものである，半導体製造プロセスで使用する耐食性アルミニウム合金材であって，
　ハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有し，マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部を被覆する，フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜であって，フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜を２００〜５０００Åの厚さとした耐食性アルミニウム合金材。」
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「ハロゲン系ガス」，「強い耐食性」は，本願発明の「ハロゲン含有化学種」，「腐食に対して抵抗性」にそれぞれ相当するから，引用発明の「ハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有するフッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜」は，本願発明の「ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の部分」に相当する。そして，引用発明の「マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が被覆されたもの」は，本願発明の「外部表面（exterior surface）」に相当するから，引用発明の「ハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有するフッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜により，マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が被覆されたもの」は，本願発明の「ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の部分を少なくとも一部に有する外部表面（exterior surface）」に相当する。
　また，引用発明の「半導体製造プロセス」，「耐食性アルミニウム合金材」は，本願発明の「半導体プロセス」，「アルミニウム製の（aluminum-comprising）物品」にそれぞれ相当する。そうすると，引用発明の「半導体製造プロセスで使用する耐食性アルミニウム合金材」は，半導体製造プロセスにおいて有用なものであることは明らかであるから，本願発明の「半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の（aluminum-comprising）物品」に相当する。
　したがって，引用発明の「ハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有するフッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜により，マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が被覆されたものである，半導体製造プロセスで使用する耐食性アルミニウム合金材」は，本願発明の「ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の部分を少なくとも一部に有する外部表面（exterior surface）を有する，半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の（aluminum-comprising）物品」に相当する。
（２）引用発明の「フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜」は，本願発明の「外部表面（exterior surface）」に相当する「マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部が被覆されたもの」の少なくとも一部であるから，少なくとも「耐食性アルミニウム合金材」の表面部分の上又は下に形成されていることは明らかである。そして，引用発明の「フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜」は，ハロゲン化マグネシウムの一種であるフッ化マグネシウムを含み，また，マグネシウム含有アルミニウム合金を保護する膜であることは明らかであるから，本願発明の「ハロゲン化マグネシウム保護層」に相当する。そうすると，引用発明の「ハロゲン系ガス」，「強い耐食性」が，本願発明の「ハロゲン含有化学種」，「腐食に対して抵抗性」にそれぞれ相当するから，引用発明の「ハロゲン系ガスに対しても強い耐食性を有し，マグネシウム含有アルミニウム合金の表面の少なくとも一部を被覆する，フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜」は，本願発明の「ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の前記外部表面の部分の上（upon），または下（underlying）のハロゲン化マグネシウム保護層」に相当する。
（３）２００〜５０００Åの厚さは，０．０２〜０．５ミクロンの厚さであって，少なくとも０．００２５ミクロンの厚さに該当するから，引用発明の「フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜を２００〜５０００Åの厚さとした」ことは，本願発明の「該ハロゲン化マグネシウム層が少なくとも０．００２５ミクロンの厚さを有」することに相当する。
（４）以上のことを踏まえると，本願発明と引用発明とは，
「ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の部分を少なくとも一部に有する外部表面（exterior surface）を有する，半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の（aluminum-comprising）物品であって；
　ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の前記外部表面の部分の上（upon），または下（underlying）のハロゲン化マグネシウム保護層であって，該ハロゲン化マグネシウム層が少なくとも０．００２５ミクロンの厚さを有することを特徴とする該アルミニウム製の物品。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
相違点：本願発明は，少なくとも，前記ハロゲン化マグネシウム層に直ちに隣接する（immediately adjacent）前記アルミニウム製の物品の部分が，０．２重量％未満である可動性（mobile）不純物原子の濃度を示し，且つ前記可動性（mobile）不純物原子はシリコン，鉄，銅，クロム，および亜鉛からなる群から選ばれたものであるのに対して，引用発明では，「フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜」に隣接する「耐食性アルミニウム合金材」の部分である「マグネシウム含有アルミニウム合金」に，そのような構成がない点。
　
４　当審の判断
　まず，マグネシウムを含有するアルミニウム合金としては，マグネシウム以外に含有される元素である鉄，珪素，亜鉛，銅，クロム等の可動性不純物元素は，可及的少量とすることが好ましいことは，例えば下記の特開平４−９９２８２号公報に記載されているように，半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の物品において，当然に考慮される技術常識である。また，実際に，鉄や珪素の可動性不純物元素を０．２重量％未満の不純物原子の濃度で有するアルミニウム合金は，例えば原査定の拒絶の理由に引用された下記の特開平４−２３１４８５号公報，又は下記の特開平２−２１３４８０号公報に記載されている。そうすると，引用発明において，鉄，珪素，亜鉛，銅，クロム等の可動性不純物元素が０．２重量％未満の不純物原子の濃度であるアルミニウム合金を採用することは，必要により当業者が適宜行うことができる技術的な設計事項と認められる。
　したがって，引用発明の「フッ化マグネシウムを含むフッ化不働態膜」に隣接する「耐食性アルミニウム合金材」の部分である「マグネシウム含有アルミニウム合金」において，鉄，珪素，亜鉛，銅，クロム等の可動性不純物元素が０．２重量％未満の不純物原子の濃度を有する構成を採用し，本願発明のような「少なくとも，前記ハロゲン化マグネシウム層に直ちに隣接する（immediately adjacent）前記アルミニウム製の物品の部分が，０．２重量％未満である可動性（mobile）不純物原子の濃度を示し，且つ前記可動性（mobile）不純物原子はシリコン，鉄，銅，クロム，および亜鉛からなる群から選ばれたものである」構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
・特開平４−９９２８２号公報（平成４年３月３１日出願公開）
ア　「［産業上の利用分野］
　本発明は，
材料表面にプラズマＣＶＤ法により成膜したり，また材料表面をプラズマクリーニングするなどの目的に適用される高周波プラズマ処理装置において使用されるプラズマ発生用電極
イ　「本発明は目的に沿うような
アルミニウム合金
マグネシウムを２重量％以上含有する合金
　
マグネシウム以外に含有される元素としては
鉄，珪素，亜鉛
銅，クロム
フッ化物が生成した膜中に混入して膜の性能等を悪化
上記の元素は可及的少量とすることが好ましい
ウ　これらの記載によれば，引用例２には，高周波プラズマ処理装置で使用されるプラズマ発生用電極において，マグネシウムを２重量％以上含有するアルミニウム合金としては，マグネシウム以外に含有される元素である鉄，珪素，亜鉛，銅，クロムは，可及的少量とすることが好ましいことが開示されている。
　
・特開平４−２３１４８５号公報（平成４年８月２０日出願公開）
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，アルミニウム基材に形成された耐蝕性保護被膜に関する。特に好ましい実施形式では，本発明は
半導体ウェーハに集積回路構造物を形成するのに使用される処理装置で使用することのできる被覆アルミニウム基材
イ　「【００１４】特に好ましい実施態様では，本発明は半導体ウェーハの処理に使用するアルミニウムチャンバー，例えば図２に示され前述の処理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に耐えることのできるように形成された高純度の耐蝕性保護被膜４０で保護されたその内表面３２を有するアルミニウム反応チャンバー３０を含む。
高純度の保護被膜は
アルミニウム基材
ウ　「【００１６】本発明で使用される
“高純度の酸化アルミニウム”という用語は，純度
好ましくは９９重量％以上
殊に不純物
例えば
一般に他の金属
シリコン
を包含する他の元素３重量％以下，好ましくは１重量％以下
【００１７】かかる
高純度の酸化アルミニウムを形成すべきアルミニウム基材は，
好ましくは純度約９９．９重量％を有していなければならない
エ　これらの記載によれば，引用例３には，半導体ウェーハに集積回路構造物を形成する処理装置で使用することのできる被覆アルミニウム基材として，純度約９９．９重量％を有するアルミニウム基材，すなわち，不純物原子である例えばシリコンを０．１重量％以下（すなわち，０．２重量％未満）の不純物原子の濃度で有するアルミニウム基材が開示されている。
　
・特開平２−２１３４８０号公報（平成２年８月２４日出願公開）
ア　「＜産業上の利用分野＞
　本発明は，
材料表面にプラズマＣＶＤ法により成膜したり，又材料表面をプラズマエッチングや反応性イオンエッチングする等の目的に適用される高周波プラズマ処理装置で使用されるプラズマ発生用電極
イ　「本発明に於けるアルミニウム又はアルミニウム合金素材としては，９９．０％以上の純アルミニウム及び
９９．９９％以上高純アルミニウム並びにそれらをベースとして溶製されたアルミニウム合金
Ａｌ−２〜６％Ｍｇ合金
　しかるに，好ましくは，それらのアルミニウム又はアルミニウム合金から製造された素材は，陽極酸化され難い析出粒子，即ち
金属Ｓｉ及び金属間化合物
アルミニウム原料に高純度材
９９．９９％以上で，特に不純物などとしての鉄含有量を３０ｐｐｍ以下に規制
ウ　「実施例２
　ＪＩＳ規格材のアルミニウム合金６０６１−Ｏ材及び
純度９９．９９重量％のアルミニウムをベースとしてマグネシウムを４．０重量添加して溶製したアルミニウム−マグネシウム合金
Ｆｅ及びＳｉが各々２０ｐｐｍ
エ　これらの記載によれば，引用例４には，高周波プラズマ処理装置で使用されるプラズマ発生用電極として，純度９９．９９重量％のアルミニウムをベースとしてマグネシウムを４．０重量添加して溶製したアルミニウム−マグネシウム合金，すなわち，マグネシウム以外の不純物原子である例えばＦｅ，Ｓｉを０．０１重量％以下（すなわち，０．２重量％未満）の不純物原子の濃度で有するアルミニウム−マグネシウム合金が開示されている。
　
５　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の物品における技術常識を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。