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　特願２００１−５１７４８９「ソリッドステート・スイッチ用の高効率ドライバ回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月２２日国際公開、ＷＯ０１／１３５０１、平成１５年　２月２５日国内公表、特表２００３−５０７９９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２０００年８月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　１９９９年８月１３日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年６月２７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２９日に明細書についての補正がなされたものである。
　
２．平成２０年１０月２９日付の手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「制御端子、第１のデバイス端子、および第２のデバイス端子を有するシリコン
制御整流器（ＳＣＲ）
　直流（ＤＣ）供給電圧の電源と、
　供給電圧を出力ＤＣ電流へ変換し、前記
ＳＣＲ
　前記ＤＣ／ＤＣコンバータは、
　　主スイッチの第２のスイッチ端子は前記供給電圧の電源に接続され、前記主スイッチは、閉成される時に第２のスイッチ端子から第１のスイッチ端子へ電流を流すことを許容し、開成される時に第２のスイッチ端子から第１のスイッチ端子へ電流を流すことを許容しない、主スイッチの第１のスイッチ端子と前記制御端子の間に接続されたインダクタと、
　　前記インダクタを通る電流を感知し、前記第２のデバイス端子とグランドの間に結合された感知抵抗器と、前記インダクタを通る電流を表示する値は前記感知抵抗器に跨る電圧であり、
　　前記グランドと前記主スイッチの第１のスイッチ端子の間に接続され、電流が前記グランドから主スイッチの第１のスイッチ端子へダイオードを通って流れるようにするフリーホイール・ダイオードと、
　　前記インダクタを通る電流を表示する値と制御値を比較し、前記主スイッチが開成又は閉成する時を制御する比較器と、を含む、
トリガ回路。」
と補正された。（なお、「ＤＣ／ＤＣコンバータコンバータ」及び「インダクタ通る」は明らかな誤記と認められるので、上記のように認定した。）
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「シリコンデバイス」について「シリコン制御整流器（ＳＣＲ）」と特定するものであって、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、単に「改正前の特許法」という。）第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用文献
（２−１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−５６０６４号公報（以下「引用文献」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
・「（実施例）
　以下、図に沿って本発明の一実施例を説明する。第ｌ図は、この実施例にかかるＧＴＯサイリスタ６のゲート駆動回路２０の構成を示すもので、前記同様に１はオンゲート電流出力用の直流電源、２はオフゲート電流出力用の直流電源、４は半導体スイッチ、６はＧＴＯサイリスタである。また、直流電源１の正極とＧＴＯサイリスタ６のゲートＧとの間には半導体スイッチ７とインダクタ１０とが直列に接続され、半導体スイッチ７と、インダクタｌ０との接続点とＧＴＯサイリスタ６のカソードＫとの間には、半導体スイッチ８とフライホイーリングダイオードとしてのダイオード９とが直列に接続されている。
　更に、インダクタ１０に直列に電流検出器１１が接続され、この電流検出器１１による電流検出値ｉはパルス発生器１２に加えられていると共に、パルス発生器１２の出力によって前記半導体スイッチ７がオン・オフされるようになっている。なお、パルス発生器ｌ２には電流設定値Ｉ＊が入力されており、パルス発生器１２ではこの設定値Ｉ＊と前記検出値ｉとの比較により半導体スイッチ７のオン・オフ指令パルスを出力するものである。
　次にこの動作を説明する。まず、ＧＴＯサイリスタ６へのオンゲート電流は直流電源１から供給される。いま、半導体スイッチ７が閉じると、直流電源１→半導体スイッチ７→電流検出器１１→インダクタ１０→ＧＴＯサイリスタ６→直流電源１のループが形成され、インダクタ１０の電流、すなわちＧＴＯサイリスタ６へのオンゲート電流ｉが増加する。なお、オンゲート電流を出力する期間、半導体スイッチ８は閉じたままにしておく。
　次に、半導体スイッチ７がオフすると、インダクタ１０の電流（オンゲート電流）はダイオード９へ転流する。このダイオード９への通流期間、オンゲート電流ｉは回路損失により、減少する。ここで上記回路損失は、主にＧＴＯサイリスタ６のゲート・カソード間で発生するものである。
　パルス発生器ｌ２は、オンゲート電流の設定値Ｉ＊にその検出値ｉが近づくように半導体スイッチ７のオン・オフ指令パルスを調整して出力するものである。
　第２図は、上記動作を示すタイミングチャートである。同図に示すように、半導体スイッチ７のオンによりオンゲート電流ｉが徐々に増加して設定値Ｉ＊の上限値Ｉ２＊に達すると半導体スイッチ７がオフし、オンゲート電流ｉは減少する方向で連続的に流れる。そして、オンゲート電流ｉが設定値Ｉ＊の下限値Ｉ１＊に達すると再び半導体スイッチ７がオンしてオンゲート電流ｉを増加させる方向に電圧を印加する。」（２頁左下欄５行〜３頁左上欄１５行）
・「また、本発明は、ＧＴＯサイリスタのみならず通常のサイリスタやパワトランジスタ等の電流駆動形電力用半導体素子の駆動回路に適用可能である。」（３頁右上欄８〜１１行）
・また、上記記載を参照すれば、第１図には、アノード、カソード、およびゲートを有するサイリスタがゲート駆動回路２０により制御され、ゲート駆動回路２０は、直流電源１からの電流を調整してオンゲート電流として出力するゲート電流出力手段といえる構成を有することが示されている。
　
　これらの記載によれば、引用文献には、
「ゲート、アノード、およびカソードを有するサイリスタを駆動するゲート駆動回路２０であって、
　直流電源１と、
　前記直流電源１からの電流を、電流検出値ｉが電流設定値Ｉ＊に近づくように半導体スイッチ７のオン・オフ指令パルスを調整してオンゲート電流として出力するオンゲート電流出力手段と、
　前記オンゲート電流出力手段は、
　　前記直流電源１の正極と前記サイリスタのゲートとの間に接続された半導体スイッチ７と、該半導体スイッチ７と直列に接続されたインダクタ１０と、
　　前記インダクタ１０に直列に接続された電流検出器１１と、
　　前記半導体スイッチ７と前記インダクタｌ０との接続点と、前記サイリスタのカソードとの間に接続されたフライホイーリングダイオードとしてのダイオード９と、
　　前記電流検出器１１による電流検出値ｉと電流設定値Ｉ＊との比較により前記半導体スイッチ７をオン・オフするパルス発生器１２と、を含む、
ゲート駆動回路２０。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、後者の「ゲート」はその機能・作用からみて、前者の「制御端子」に相当し、以下同様に「アノード」は「第１のデバイス端子」に、「カソード」は「第２のデバイス端子」に、「サイリスタ」は「シリコン制御整流器（ＳＣＲ）」に、「駆動する」は「トリガする」に、「ゲート駆動回路２０」は「トリガ回路」に、「直流電源１」は「直流（ＤＣ）供給電圧の電源」に、それぞれ相当する。
　そして、本件補正発明の「ＤＣ／ＤＣコンバータ」は、明細書の全記載及び図１を参照すれば、直流の供給電圧Ｖ１を主スイッチ１２２でオンオフして感知抵抗１３６で検出される電圧がＵＴとＬＴとの間となるようにゲート電流を制御するものであり、引用発明の「半導体スイッチ７」が本件補正発明の「主スイッチ１２２」に相当し、引用発明の「電流検出値ｉが電流設定値Ｉ＊に近づくように半導体スイッチ７のオン・オフ指令パルスを調整」する態様が本件補正発明の「供給電圧を出力ＤＣ電流へ変換」する態様に相当し、引用発明の「オンゲート電流として出力する」が本件補正発明の「出力ＤＣ電流を制御端子に供給する」に相当するので、引用発明の「直流電源１からの電流を、電流検出値ｉが電流設定値Ｉ＊に近づくように半導体スイッチ７のオン・オフ指令パルスを調整してオンゲート電流として出力するオンゲート電流出力手段」が本件補正発明の「供給電圧を出力ＤＣ電流へ変換し、ＳＣＲをターンオンするために前記出力ＤＣ電流を制御端子に供給するＤＣ／ＤＣコンバータ」に相当するものといえる。
　さらに、スイッチが、閉成される時に電流を流すことを許容し、開成される時に電流を流すことを許容しないことは自明の事項であるから、引用発明の「直流電源１の正極とサイリスタのゲートとの間に接続された半導体スイッチ７と、該半導体スイッチ７と直列に接続されインダクタ１０」は、本件補正発明の「主スイッチの第２のスイッチ端子は供給電圧の電源に接続され、前記主スイッチは、閉成される時に第２のスイッチ端子から第１のスイッチ端子へ電流を流すことを許容し、開成される時に第２のスイッチ端子から第１のスイッチ端子へ電流を流すことを許容しない、主スイッチの第１のスイッチ端子と制御端子の間に接続されたインダクタ」に相当する。
　また、引用発明の「インダクタ１０に直列に接続された電流検出器１１」と、本件補正発明の「インダクタを通る電流を感知し、前記第２のデバイス端子とグランドの間に結合された感知抵抗器」とは、「インダクタを通る電流を感知する手段」との概念で共通する。
　そして、引用発明の「半導体スイッチ７とインダクタｌ０との接続点と、サイリスタのカソードとの間に接続されたフライホイーリングダイオードとしてのダイオード９」と、本件補正発明の「グランドと主スイッチの第１のスイッチ端子の間に接続され、電流が前記グランドから主スイッチの第１のスイッチ端子へダイオードを通って流れるようにするフリーホイール・ダイオード」とは、「主スイッチのインダクタ側の端子とＳＣＲのカソードとの間に接続されたフリーホイール・ダイオード」との概念で共通する。
　また、引用発明の「電流検出器１１による電流検出値ｉ」は本件補正発明の「インダクタを通る電流を表示する値」に相当し、以下同様に「電流設定値Ｉ＊」は「制御値」に、「半導体スイッチ７をオン・オフする」は「主スイッチが開成又は閉成する時を制御する」に、それぞれ相当するので、引用発明の「電流検出器１１による電流検出値ｉと電流設定値Ｉ＊との比較により半導体スイッチ７をオン・オフするパルス発生器１２」は本件補正発明の「インダクタを通る電流を表示する値と制御値を比較し、主スイッチが開成又は閉成する時を制御する比較器」に、それぞれ相当する。
　
　したがって両者は、
［一致点］
「制御端子、第１のデバイス端子、および第２のデバイス端子を有するシリコン制御整流器（ＳＣＲ）をトリガするトリガ回路であって、
　直流（ＤＣ）供給電圧の電源と、
　供給電圧を出力ＤＣ電流へ変換し、前記ＳＣＲをターンオンするために前記出力ＤＣ電流を前記制御端子に供給するＤＣ／ＤＣコンバータと、を備え、
　前記ＤＣ／ＤＣコンバータは、
　　主スイッチの第２のスイッチ端子は前記供給電圧の電源に接続され、前記主スイッチは、閉成される時に第２のスイッチ端子から第１のスイッチ端子へ電流を流すことを許容し、開成される時に第２のスイッチ端子から第１のスイッチ端子へ電流を流すことを許容しない、主スイッチの第１のスイッチ端子と前記制御端子の間に接続されたインダクタと、
　　前記インダクタを通る電流を感知する手段と、
　　前記主スイッチのインダクタ側の端子と前記ＳＣＲのカソードとの間に接続されたフリーホイール・ダイオードと、
　　前記インダクタを通る電流を表示する値と制御値を比較し、前記主スイッチが開成又は閉成する時を制御する比較器と、を含む、
トリガ回路。」である点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　「インダクタを通る電流を感知する手段」の種類に関して、本件補正発明では、「感知抵抗器」であるのに対して、引用発明では、単に「電流検出器」である点。
　
［相違点２］
　「インダクタを通る電流を感知する手段」の接続位置が本件補正発明では、「第２のデバイス端子とグランドの間」であるのに対して、引用発明では、「インダクタに直列」の位置である点。
　
［相違点３］
　「インダクタを通る電流を感知する手段」の表示する値が本件補正発明では、「感知抵抗器に跨る電圧」であるのに対して、引用発明では、そのような構成を有していない点。
　
［相違点４］
　「主スイッチのインダクタ側の端子とＳＣＲのカソードとの間に接続された」フリーホイール・ダイオードに関して、本件補正発明では、「グランドと主スイッチの第１のスイッチ端子の間に接続され、電流が前記グランドから主スイッチの第１のスイッチ端子へダイオードを通って流れるようにする」ものと特定しているのに対して、引用発明では、「半導体スイッチとインダクタとの接続点と、サイリスタのカソードとの間に接続されたフライホイーリングダイオードとしての」ものである点。
　
（４）相違点に対する判断
相違点１及び３について
　電気回路において、回路を流れる電流を検出するべき位置に直列に抵抗を挿入し、その抵抗の両端に跨る電圧を電流値として検出することは常套手段であり、また、挿入する位置は検出する電流の流れる位置であれば任意に選択し得る事項に過ぎない。
　したがって、引用発明において相違点１及び３に係る本件補正発明の構成とすることは当業者が必要に応じて適宜設計し得る事項と認めざるを得ない。
　
相違点２及び４について
　回路の０電位などの基準電位をグランドとして接続することは常套手段であり、「インダクタを通る電流を感知する手段」及び「フリーホイール・ダイオード」の接続位置がインダクタに直列の位置であればよいことは自明の事項であるから、引用発明において相違点２及び４に係る本件補正発明の構成とすることは当業者が必要に応じて適宜設計し得る事項と認めざるを得ない。
　
　また、本件補正発明の全体構成により奏される効果は、引用発明、及び上記常套手段から予測し得る程度のものと認められる。
　したがって、本件補正発明は、引用発明、及び上記常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　したがって、本件補正は、改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成２０年５月１２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項からみて、以下のとおりのものと認める。
「制御端子、第１のデバイス端子、および第２のデバイス端子を有するシリコンデバイスをトリガするトリガ回路であって、
　直流（ＤＣ）供給電圧の電源と、
　供給電圧を出力ＤＣ電流へ変換し、前記シリコンデバイスをターンオンするために前記出力ＤＣ電流を前記制御端子に供給するＤＣ／ＤＣコンバータと、を備え、
　前記ＤＣ／ＤＣコンバータは、
　　主スイッチの第２のスイッチ端子は前記供給電圧の電源に接続され、前記主スイッチは、閉成される時に第２のスイッチ端子から第１のスイッチ端子へ電流を流すことを許容し、開成される時に第２のスイッチ端子から第１のスイッチ端子へ電流を流すことを許容しない、主スイッチの第１のスイッチ端子と前記制御端子の間に接続されたインダクタと、
　　前記インダクタを通る電流を感知し、前記第２のデバイス端子とグランドの間に結合された感知抵抗器と、前記インダクタを通る電流を表示する値は前記感知抵抗器に跨る電圧であり、
　　前記グランドと前記主スイッチの第１のスイッチ端子の間に接続され、電流が前記グランドから主スイッチの第１のスイッチ端子へダイオードを通って流れるようにするフリーホイール・ダイオードと、
　　前記インダクタを通る電流を表示する値と制御値を比較し、前記主スイッチが開成又は閉成する時を制御する比較器と、を含む、
トリガ回路。」（なお、「ＤＣ／ＤＣコンバータコンバータ」及び「インダクタ通る」は明らかな誤記と認められるので、上記のように認定した。）
　
（１）引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記したとおりであって、前記「２．」で検討した本件補正発明から「シリコンデバイス」について「シリコン制御整流器（ＳＣＲ）」との特定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明、及び上記常套手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、及び上記常套手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、及び上記常套手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。