【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減する方法であって、
前記リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定すること、および、
前記リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成されたプロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、前記レジストの少なくとも前記１つの測定された特性に応答して変更し、前記クリティカルな測定基準の前記ウェハ内変動を低減することを含む方法。
【請求項２】
前記クリティカルな測定基準が、前記リソグラフィによって形成されたフィーチャのクリティカル寸法を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レジストの少なくとも前記１つの特性を測定することが、前記ウェハ全体にわたって様々な場所で少なくとも前記１つの特性を測定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レジストの少なくとも前記１つの特性を測定することが、前記リソグラフィ・プロセスのステップ間で少なくとも前記１つの特性を測定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記レジストの少なくとも前記１つの特性を測定することが、前記リソグラフィ・プロセスのステップ中に少なくとも前記１つの特性を測定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記リソグラフィ・プロセス中に少なくとも２枚のウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定することをさらに含み、前記変更されたパラメータが、少なくとも前記２枚のウェハ上に配置された前記レジストの少なくとも前記１つの測定された特性の関数をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも前記１つの特性が、厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも前記１つのパラメータを変更することが、フィードバック制御技法を使用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも前記１つのパラメータを変更することが、フィードフォワード制御技法を使用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも前記１つのパラメータを変更することが、ｉｎ  ｓｉｔｕ制御技法を使用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも前記１つのパラメータを変更することが、フィードバック制御技法、フィードフォワード制御技法、ｉｎ  ｓｉｔｕ制御技法、またはこれらいずれかの組合せを使用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも前記１つのパラメータを変更することが、前記ウェハの第１の部分を、前記ステップ中に第１の１組のプロセス条件で加工すること、および前記ウェハの第２の部分を、前記ステップ中に第２の１組のプロセス条件で加工することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記プロセス・モジュールが、表面準備モジュール、コーティング・モジュール、ベーク・モジュール、露光モジュール、または現像モジュールを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
使用中にリソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減するように構成されたシステムであって、
前記リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定するように構成された少なくとも１つの測定装置と、
使用中に前記リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成されたプロセス・モジュールとを具備し、
前記プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータが、クリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減することができるように、少なくとも前記１つの測定された特性に応答して変更することができるシステム。
【請求項１５】
少なくとも前記１つの測定装置および前記プロセス・モジュールに結合され、使用中に少なくとも前記１つの測定装置から前記レジストの少なくとも１つの測定された特性を受け取るように構成され、さらに、使用中に前記１つの測定された特性に応答して、前記プロセス・モジュールの少なくとも前記１つのパラメータを変更するように構成された制御装置コンピュータをさらに具備する請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記クリティカルな測定基準が、前記リソグラフィ・プロセスによって形成されたフィーチャのクリティカル寸法を含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
少なくとも前記１つの測定装置が、前記ウェハ全体にわたって様々な場所で前記レジストの少なくとも前記１つの特性を測定するようにさらに構成された請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
少なくとも前記１つの測定装置が、前記リソグラフィ・プロセスのステップ間で前記レジストの少なくとも前記１つの特性を測定するようにさらに構成された請求項１４に記載のシステム。
【請求項１９】
少なくとも前記１つの測定装置が、前記リソグラフィ・プロセスのステップ中に前記レジストの少なくとも前記１つの特性を測定するようにさらに構成された請求項１４に記載のシステム。
【請求項２０】
少なくとも前記１つの特性が、厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項２１】
前記プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、フィードバック制御技法を使用して変更することができる請求項１４に記載のシステム。
【請求項２２】
前記プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、フィードフォワード制御技法を使用して変更することができる請求項１４に記載のシステム。
【請求項２３】
前記プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、ｉｎ  ｓｉｔｕ制御技法を使用して変更することができる請求項１４に記載のシステム。
【請求項２４】
前記プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、フィードバック制御技法、フィードフォワード制御技法、ｉｎ  ｓｉｔｕ制御技法、またはこれらいずれかの組合せを使用して変更することができる請求項１４に記載のシステム。
【請求項２５】
前記ウェハの第１の部分を、前記ステップ中に第１の１組のプロセス条件で加工することができるように、また前記ウェハの第２の部分を、前記ステップ中に第２の１組のプロセス条件で加工することができるように、前記プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを変更することができる請求項１４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記プロセス・モジュールが、表面準備モジュール、コーティング・モジュール、ベーク・モジュール、露光モジュール、または現像モジュールを含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項２７】
半導体デバイスを作製する方法であって、
リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定すること、
前記リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成されたプロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、前記レジストの少なくとも前記１つの測定された特性に応答して変更し、前記リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減すること、および、
前記ウェハを加工して、前記ウェハ上に少なくとも１つの半導体デバイスの少なくとも一部分を形成することを含む方法。
【請求項２８】
前記ウェハを加工することが、エッチング、イオン注入、堆積、化学的機械的研磨、またはめっきを含む請求項２７に記載の方法。