【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）シリコンウエハに、厚さ方向に貫通するビアと、MEMS素子搭載面とは反対面側に前記ビアと電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、
（ｂ）前記シリコンウエハの前記MEMS素子搭載面に、前記ビアとMEMS素子とを電気的に接続してMEMS素子ウエハを接合する工程と、
（ｃ）前記シリコンウエハに接合されたMEMS素子ウエハのMEMS素子を個別に分離する工程と、
（ｄ）前記シリコンウエハのMEMS素子搭載面に、前記個別に分離されたMEMS素子が搭載された領域ごとに、MEMS素子を収容する凹部を備えたリッドを接合する工程と、
（ｅ）前記シリコンウエハとリッドとの接合体を個片化して半導体パッケージを形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
（ａ）シリコンウエハに、厚さ方向に貫通するビアと、MEMS素子搭載面とは反対面側に前記ビアと電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、
（ｆ）前記シリコンウエハの前記MEMS素子搭載面に、前記ビアとMEMS素子とを電気的に接続するとともに、MEMS素子の領域ごとにMEMS素子ウエハを接合する工程と、
（ｇ）前記シリコンウエハに接合されたMEMS素子ウエハ上に、MEMS素子ごとにMEMS素子を収容する凹部を備えるリッドを接合する工程と、
（ｉ）前記（ｇ）工程後に、前記シリコンウエハの前記MEMS素子搭載面とは反対面側から、MEMS素子の搭載領域ごとに、前記シリコンウエハと前記MEMS素子ウエハを厚さ方向に貫通し、内底面が前記リッドの厚さ方向の中途位置となる深さに溝を形成する工程と、
（ｊ）前記（ｉ）工程後に、前記溝の内壁面と内底面とをめっきにより被覆する工程と、
（ｈ）前記（ｊ）工程後に、前記溝を形成した位置に合わせて、前記シリコンウエハと前記MEMS素子ウエハと前記リッドとの接合体を個片化して半導体パッケージを形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記（ｇ）工程においては、真空環境下において、前記MEMS素子ウエハ上に前記リッドを接合することを特徴とする請求項２記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
（ａ）シリコンウエハに、厚さ方向に貫通するビアと、MEMS素子搭載面とは反対面側に前記ビアと電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、
（ｆ）前記シリコンウエハの前記MEMS素子搭載面に、前記ビアとMEMS素子とを電気的に接続するとともに、MEMS素子の領域ごとにMEMS素子ウエハを接合する工程と、
（ｋ）前記シリコンウエハに接合されたMEMS素子ウエハ上に、MEMS素子ごとにMEMS素子を収容する凹部を備え、前記凹部に連通する通気孔が形成されたリッドを接合する工程と、
（ｎ）前記（ｋ）工程後に、前記シリコンウエハの前記MEMS素子搭載面とは反対面側から、MEMS素子の搭載領域ごとに、前記シリコンウエハと前記MEMS素子ウエハを厚さ方向に貫通し、内底面が前記リッドの厚さ方向の中途位置となる深さに溝を形成する工程と、
（ｏ）前記（ｎ）工程後に、前記溝の内壁面と内底面とをめっきにより被覆する工程と、
（ｌ）前記（ｏ）工程後に、真空環境下において、前記シリコンウエハと前記MEMS素子ウエハと前記リッドとの接合体の前記通気孔を封止する工程と、
（ｍ）前記（ｌ）工程後に、前記溝を形成した位置に合わせて、前記通気孔が封止された、前記シリコンウエハと前記MEMS素子ウエハと前記リッドとの接合体を個片化して半導体パッケージを形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
（ａ）シリコンウエハに、厚さ方向に貫通するビアと、MEMS素子搭載面とは反対面側に前記ビアと電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、
（ｐ）前記シリコンウエハの前記MEMS素子搭載面に、保護カバーを支持するポストを形成する工程と、
（ｑ）前記ポストが形成されたシリコンウエハの前記MEMS素子搭載面に、前記ビアとMEMS素子とを電気的に接続するとともに、MEMS素子の領域ごとにMEMS素子ウエハを接合する工程と、
（ｒ）前記MEMS素子ウエハに形成されている各々のMEMS素子の領域を遮蔽する配置に、前記ポスト上に前記保護カバーを接合して支持する工程と、
（ｓ）前記保護カバーが接合された前記シリコンウエハの前記MEMS素子搭載面に、物理的方法によって金属層を被着形成する工程と、
（ｔ）前記金属層が被着形成されたMEMS素子ウエハ上に、MEMS素子ごとにMEMS素子を収容する凹部を備えるリッドを、金属接合材を用いて接合する工程と、
（ｕ）前記シリコンウエハと前記MEMS素子ウエハと前記リッドとの接合体を個片化して半導体パッケージを形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
第１の基板部と、
該第１の基板部に形成された配線パターンと電気的に接続して前記第１の基板部に気密に接合して搭載されたMEMS素子と、
前記MEMS素子を収容する凹部を備え、前記MEMS素子を気密に封止して接合された第２の基板部とを備え、
前記第１の基板部と前記MEMS素子との接合部の端部と、前記MEMS素子と前記第２の基板部との接合部の端部がパッケージの外周側面に延在し、前記接合部の端部を含むパッケージの外周側面が金属めっきにより被覆されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（第１の実施の形態）
以下、本発明に係る半導体パッケージの製造方法について説明する。
図１は、半導体パッケージの第１の基板部を形成する工程を示す。第１の基板部はMEMS素子を支持するものであり、MEMS素子と実装基板とを電気的に接続する配線パターンを備える。
本実施形態においては、シリコンウエハを基材に用いて第１の基板部を形成する。図１（ａ）は、銅板等の導電性を有する支持板１２上に、ビア孔１１を貫設したシリコンウエハ１０を支持した状態を示す。ビア孔１１はレーザ加工、ドライエッチング等によって形成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
リッド２４をシリコンウエハによって形成した場合に、リッド２４を直接接合する方法は、ウエハを高温に加熱し、ウエハの表面にシリコン酸化膜を形成して接合する方法である。この場合は、ウエハ表面の平滑性が求められる。共晶接合は、接合表面に共晶材料を形成し、共晶温度以上に加熱し加圧して接合する方法である。共晶接合としては、たとえばAu-Siによる共晶接合がある。金属接合材を用いる接合方法は、はんだあるいはインジウムといった接合性のある金属を用いて接合する方法である。この場合は、シリコンウエハとの密着性を良好にするために、シリコンウエハの表面に、スパッタリングあるいはめっき等によって金属接合材を付着させる下地金属層（Ti/Cu、Cu/Ni/Auなど)を設けておくのが良い。MEMS素子の接続電極のように金属パターンが形成されている部位であれば金属接合材を用いてそのまま接合できる。樹脂系接着剤を用いる場合は下地金属層を設けなくてもよい。ガラス板とシリコンウエハとの接合に用いられる陽極接合は、ガラス板とシリコンウエハを重ねて加熱しながら電圧を印加して接合する方法である。この場合は、接触界面が平滑面である必要がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図８（ａ）、（ｂ）に上記方法によって得られた半導体パッケージ３０２の断面構成と平面構成を示す。半導体パッケージ３０２の構成は図６に示す半導体パッケージ３０１と同様である。本実施形態の半導体パッケージ３０２が半導体パッケージ３０１と相違する構成は、リッド２４１からなる第２の基板部２４ａにMEMS素子２０を収容するキャビティ内を真空にする通気孔２４１ａが設けられ、通気孔２４１ａが封止材３８によって封止されてキャビティ内が真空封止されている点にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本実施形態の半導体パッケージの製造方法においては、シリコンウエハ１０、MEMS素子ウエハ１８、リッド２４１を接合した後に、真空環境下において通気孔２４１ａを封止する方法によってMEMS素子２０を真空封止する。したがって、第２の実施の形態のように、リッド２４をMEMS素子ウエハ１８に接合する操作とともに真空封止する方法とくらべて、真空封止する操作が容易にかつ確実に行えるという利点がある。