【事件の表示】
　特願２００２−　６５４３１「半導体発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月２８日出願公開、特開２００３−　９２４５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年３月１１日（優先権主張平成１３年７月１１日）の出願であって、平成１９年１０月２６日付けで手続補正がなされたところ、平成２０年３月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月３０日に拒絶査定不服審判請求がなされ、その後、当審において、平成２１年８月７日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月９日付けで手続補正がなされ、同年１０月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年１月８日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、平成２２年１月８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のものである。
　
「基板と窒素および他のＶ族元素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられ、前記Ａｌを含む半導体層と前記活性層との間にはＡｌを含まない中間層が設けられている半導体発光素子の製造方法において、
基板をサセプターで加熱する工程と、
Ａｌを含む半導体層を有機金属Ａｌ原料を用いて成長する工程と、
Ａｌを含まない中間層を成長する工程と、
窒素および他のＶ族元素を含む活性層を窒素化合物原料を用いて成長する工程とを含み、
前記Ａｌを含む半導体層を成長させてから前記窒素および他のＶ族元素を含む活性層を成長させるまでの結晶成長を大気中に取り出さずに行なうようにしており、
前記Ａｌを含む半導体層の成長後と前記窒素および他のＶ族元素を含む活性層の成長開始との間に、成長室内に残留したＡｌ原料、または、Ａｌ反応物、または、Ａｌ化合物、または、Ａｌを除去する工程を設けたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　本願の優先日前に頒布され、当審における拒絶理由に引用した刊行物である特開平１０−１２６００４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項２】発光層とクラッド層、発光層とガイド層とクラッド層、あるいは、発光層とバリア層とガイド層とクラッド層が積層された積層構造からなり、ＧａＡｓ基板上に形成される半導体発光素子において、前記発光層は、Ｎを含む混晶半導体ＧａａＩｎ１−ａＮｂＡｓｃＰ１−ｂ−ｃ（０≦ａ≦１、０＜ｂ＜１、０≦ｃ＜１）層で形成され、前記発光層と直接接する前記クラッド層、前記ガイド層あるいは前記バリア層は、該発光層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＧａｄＩｎ１−ｄＮｅＡｓｆＰ１−ｅ−ｆ（０≦ｄ≦１、０≦ｅ＜１、０≦ｆ＜１）層で形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
・・・
【請求項４】前記発光層は、ＧａａＩｎ１−ａＮｂＡｓｃＰ１−ｂ−ｃ（０≦ａ≦１、０＜ｂ＜１、０≦ｃ＜１）層で形成され、前記バリア層は、ＧａｄＩｎ１−ｄＮｅＡｓｆＰ１−ｅ−ｆ（０≦ｄ≦１、０≦ｅ＜１、０≦ｆ＜１）層で形成され、前記ガイド層は、前記発光層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）層で形成され、前記クラッド層は、前記バリア層及び前記ガイド層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌｕＧａ１−ｕＡｓ（０＜ｕ≦１）層で形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子。
【請求項５】前記発光層は、ＧａａＩｎ１−ａＮｂＡｓｃＰ１−ｂ−ｃ（０≦ａ≦１、０＜ｂ＜１、０≦ｃ＜１）層で形成され、前記バリア層は、ＧａｄＩｎ１−ｄＮｅＡｓｆＰ１−ｅ−ｆ（０≦ｄ≦１、０≦ｅ＜１、０≦ｆ＜１）層で形成され、前記ガイド層は、前記発光層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）層で形成され、前記クラッド層は、前記バリア層及び前記ガイド層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＩｎｓＧａｔＡｌ１−ｓ−ｔＰ （０＜ｓ＜１、０≦ｔ＜１）層で形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子。」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に関し、詳細には、半導体レーザーや発光ダイオード等に用いる半導体発光素子及びその半導体発光素子の製造方法に関する。」
　
　ウ　「【００４３】図１〜図３は、本発明の半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法の第１の実施の形態を示す図であり、本実施の形態は、請求項１及び請求項２に対応するものである。
【００４４】図１は、本発明の半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法の第１の実施の形態を適用した半導体発光素子１の正面断面図である。
【００４５】図１において、半導体発光素子１は、ｎ型ＧａＡｓ層で形成された被成長基板２上にクラッド層３、活性層４、クラッド層５及びキャップ層６が順次積層されており、Ｖ族にＮを含んでＮ系混晶半導体材料であるＩｎＧａＮＡｓ層をＧａＡｓ基板２上に形成したものである。
【００４６】クラッド層３は、ＧａＡｓである被成長基板２に格子整合しバンドギャップエネルギーが１．５３ｅＶであるＩｎＧａＡｓＰを用いた構造（ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層）となっており、Ａｌを含まない材料である。
【００４７】発光層である活性層４は、クラッド層３上に形成され、ＩｎＧａＮＡｓ層、すなわち、Ｎを含む混晶半導体であるＧａａＩｎ１−ａＮｂＡｓ１−ｂ（０＜ｂ＜１）層で形成されている。
【００４８】クラッド層５は、活性層４上に形成され、ＩｎＧａＡｓＰを用いた構造（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層）となっている。キャップ層６は、ｐ＋型ＧａＡｓ層で形成されている。
【００４９】次に、この半導体発光素子１の製造方法について、図２に基づいて説明する。図２は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）装置１０の反応室部分の概略構成図であり、ＭＯＣＶＤ装置１０は、横型炉である。
・・・
【００５１】このＭＯＣＶＤ装置１０を使用して半導体発光素子１を製造するには、カーボンサセプター１６に被成長基板２としてＧａＡｓ基板をセットし、図示しない排気装置により反応室１１内の圧力を１．３×１０４Ｐａに減圧する。そして、熱電対１８により温度検出を行いつつ、高周波加熱コイル１７によりカーボンサセプター１６を加熱して、被成長基板２であるＧａＡｓ基板を所定温度に加熱制御し、原料ガスとキャリアガスを同時にガス供給口１４から反応室１１内に供給することにより、被成長基板２であるＧａＡｓ基板上に順次クラッド層３、活性層４、クラッド層５及びキャップ層６を積層する。」
　
　エ　「【００７９】図５は、本発明の半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法の第３の実施の形態を示す図であり、本実施の形態は、ＧａＡｓ基板に格子整合しているＩｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ０．０５Ａｓ０．９５活性層を用いて積層構造を形成したもので、請求項１、請求項２及び請求項４に対応するものである。
【００８０】図５は、半導体発光素子３０の積層構造を示した正面断面図であり、半導体発光素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ層である被成長基板３１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３２、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層３３、ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）３４、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層３５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３６及びｐ＋型ＧａＡｓ層で形成されたキャップ層３７が順次積層されている。そして、井戸層３４は、ＧａＡｓである被成長基板３１に格子整合しているＩｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ０．０５Ａｓ０．９５層により形成されている。
・・・
【００８２】上記半導体発光素子３０は、発光層であるＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層３４にＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３２、３６が直接接していない、すなわち、活性領域（発光層３４とガイド層３３、３５）が活性なＡｌを含んでいないので、Ｎを含む混晶半導体に適した低い成長温度においても、Ａｌを含んだ層の成長表面に形成されやすかった製造装置及び原料ボンベ内のＯ（酸素）が基板表面に取り込まれて発生する劣化の起源となるような非発光再結合センターを、低減させることができる。したがって、発光効率が高く、寿命の長いＧａＡｓ基板格子整合系長波長半導体レーザーを形成することができる。
・・・
【００８６】なお、ＩｎＧａＮＡｓ層である井戸層（活性層）３４は、他の組成でもよく、また、ＧａＡｓ層である被成長基板３１に完全に格子整合していなくともよく、歪を持っていても臨界膜厚以内の厚さならかまわない。また、本実施の形態においては、Ｎ系Ｖ族混晶半導体としてＩｎＧａＮＡｓの場合について説明したが、Ｐを含んだＩｎＧａＮＡｓＰ等の他の混晶半導体についても適用できる。
【００８７】さらに、ガイド層３３、３５は、ＧａＡｓ層である被成長基板３１に格子整合可能な組成、もしくは、格子整合していなくても歪を持っていても臨界膜厚以内の厚さであるＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１）であればかまわない。また、ＡｌＧａＡｓ層であるクラッド層３２、３５のＡｌ組成は、ガイド層３３、３５よりも伝導帯のエネルギーが大きければ、他の組成であってもよい。」
　
　オ　「【００８８】図６は、本発明の半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法の第４の実施の形態を示す図であり、本実施の形態は、クラッド層として、ＧａＡｓ層である被成長基板に格子整合しているＩｎＧａＡｌＰ層を用いたもので、請求項１、請求項２及び請求項５に対応するものである。
【００８９】図６において、半導体発光素子４０は、ｎ型ＧａＡｓで形成された被成長基板４１上に、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層で形成されたクラッド層４２、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層４３、ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層４４、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層４５、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ層で形成されたクラッド層４６及びｐ＋ 型ＧａＡｓ（キャップ層）４７が順次積層されている。
【００９０】半導体発光素子４０は、クラッド層４２、４６が、ＧａＡｓ層で形成された被成長基板４１に格子整合しているＩｎＧａＡｌＰ層により形成されている。ＩｎＧａＡｌＰ系は、ＡｌＧａＡｓ系よりも大きなバンドギャップエネルギーとなる組成が存在しており、キャリア及び光閉じ込め効率を高くすることができる。さらに、ＡｌＧａＡｓ系は、ＧａＡｓ層である被成長基板４１に対して、格子定数がわずかにずれるが、ＩｎＧａＡｌＰ系は、完全に格子整合させることができるというメリットがある。
【００９１】したがって、発光効率が高く、寿命の長いＧａＡｓ基板格子整合系長波長半導体レーザーである半導体発光素子４０を形成することができる。」
　
　カ　上記ウを踏まえて上記エ及びオを読むと、上記エ及びオに示された第３の実施の形態及び第４の実施の形態の半導体発光素子は、そのクラッド層、ガイド層及び発光層がＭＯＣＶＤ装置を使用して製造される、といえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ｎ型ＧａＡｓ層である被成長基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層又はｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層で形成されたクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層、ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層又はｐ型ＩｎＧａＡｌＰ層で形成されたクラッド層及びｐ＋型ＧａＡｓ層で形成されたキャップ層を順次積層してなる半導体発光素子を、ＭＯＣＶＤ装置を使用して製造する方法。」
　
（２）引用刊行物２
　本願の優先日前に頒布され、当審における拒絶理由に引用した刊行物である特開平８−７８７７１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ増幅器の励起光用の半導体レーザとその製造方法に関する。」
　
　イ　「【００１１】
【実施例】
（第１の実施例）本発明の第１の実施例に係わる半導体レーザの構造及び製造方法を図１ないし図３と共に説明する。・・・
【００１２】ｎ−ＧａＡｓ基板１上には約２μｍの厚さのｎ−クラッド層２が成長され、このｎ−クラッド層２上には、圧縮応力の加わった活性層４が第１のバリヤ層３と第２のバリヤ層５に挟まれて成長されている。第２のバリヤ層５上には、ｐ−クラッド層６とｐ−ＧａＩｎＡｓＰバッファ層７ａとｐ−ＧａＡｓコンタクト層７ｂ及び、後述する電流ブロック層１０を有するｐ−電極層８が順次に積層され、更に、半導体基板１の裏面にはｎ−電極層９が積層されている。・・・
【００１３】ここで、ｎ−クラッド層２とｐ−クラッド層６はＡｌＧａＩｎＰから成り、更に、ｐ−クラッド層６は、第２のバリヤ層５に積層される約０．４μｍの層厚部分と、約２μｍの厚さ且つ約１．５μｍの幅のメサストライプ部を有し、残余の部分は、フォトリソグラフィ及び化学エッチングによって除去されて、再び結晶成長されたｎ−ＡｌＧａＩｎＰの電流ブロック層１０が形成されている。
【００１４】第１，第２のバリヤ層３，５は、いずれもＧａＩｎＡｓＰから成ると共に、約３４０オングストロームの層厚に成長されている。活性層４は、ＧａＩｎＡｓＰから成ると共に、約８０オングストロームの層厚に成長されている。」
　
　ウ　「【００２８】（第２の実施例）次に、第２の実施例を図４及び図５と共に説明する。この実施例は、図１（ａ）に示すクラッド層２，６の一部の組成比を変えることによって、図４に示すようなバンドギャップＥｇを発生させ、残余の層構造（特に、第１，第２のバリヤ層３，５と活性層４）は第１の実施例と同様にしたものである。即ち、クラッド層２，６の主な部分は、（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐから成り、クラッド層２の一部は、（Ａｌ０．９Ｇａ０．１）０．５７Ｉｎ０．４３Ｐを成長させることにより、高いバンドギャップＥｇを実現している。・・・
【００２９】かかる構造の半導体レーザを製造するための装置構成を図５に示す。尚、ＡｓＨ３とＰＨ３の供給系統は図中から省略してある。これはＯＭＶＰＥを適用し、Ａｌを含むクラッド層２，６を成長させるために使用される第１のバブラー１１と、Ａｌを含まない第１，第２のバリヤ層３，５及び活性層４を成長させるために使用される第２のバブラー１２を夫々独立に備え、夫々のバブラー１１，１２は切替え装置１３を介して反応槽（リアクター）１５に配管接続されている。尚、切替え装置１３にはバイパス配管１４が連設され、更に、反応槽１５の終端とバイパス配管１４の終端から排気されるようになっている。
【００３０】まず、クラッド層２を成長させるときは、切替え装置１１を切替え制御することにより、第１のバブラー１１と反応槽１１５を接続し、第２のバブラー１２を遮断する。これにより、図４に示したＡｌを含むクラッド層２を成長させる。次に、第２のバブラー１２と反応槽１５を接続し、第１のバブラー１１を遮断する。これにより、図４に示したＡｌを含まない第１，第２のバリヤ層３，５と活性層４を成長させる。更に、切替え装置１３を切替え制御することにより、第１のバブラー１１と反応槽１５を接続し、第２のバブラー１２を遮断する。これにより、図４に示したＡｌを含むクラッド層６を成長させる。そして、残余の各層は通常のＯＭＶＰＥの方法によって成長させる。
【００３１】このように、第１，第２のバブラー１１，１２の２系統を切替え装置１３によって切替え制御するので、１系統のバブラーを適用して同じ目的を達成しようとする場合に較べて、各原料の流量制御を高精度で実現することができる。即ち、１系統のバブラーを適用する場合には、Ａｌのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を遮断しても、配管内に残留したＡｌが反応槽１５に流入するために実際にはＡｌがパージされた状態にならないのに対し、この実施例では、切替え装置１３によって、第１，第２のバブラー１１，１２と反応槽１５の接続を切替え装置１３で迅速に切替え制御するので、Ａｌを含まない第１，第２のバリヤ層３，５と活性層４を成長させることが可能となる。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
　
「ＯＭＶＰＥを適用して半導体レーザを製造する際に、
　ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＩｎＰから成り、Ａｌを含むクラッド層２を成長し、
　このクラッド層２上に、ＧａＩｎＡｓＰから成り、Ａｌを含まない活性層４を、ＧａＩｎＡｓＰから成り、Ａｌを含まない第１のバリヤ層３と第２のバリヤ層５に挟んで成長させ、
　Ａｌを含むクラッド層２を成長させ、次に、Ａｌを含まない第１、第２のバリヤ層３、５と活性層４を成長させる際、１系統のバブラーを適用する場合には、Ａｌのマスフローコントローラを遮断しても、配管内に残留したＡｌが反応槽１５に流入するために実際にはＡｌがパージされた状態にならないこと。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「ｎ型ＧａＡｓ層である被成長基板」及び「半導体発光素子を、ＭＯＣＶＤ装置を使用して製造する方法」は、それぞれ、本願発明の「基板」及び「半導体発光素子の製造方法」に相当する。
　
（２）引用発明の、「ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）」は、Ｎ（窒素）とＶ族元素であるＡｓを含むから、本願発明の「窒素および他のＶ族元素を含む活性層」に相当する。
　
（３）引用発明は、「ｎ型ＧａＡｓ層である被成長基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層又はｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層で形成されたクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層、ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層・・・を順次積層してなる」ものであるから、
　ア　引用発明の「ｎ型ＡｌＧａＡｓ層又はｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層で形成されたクラッド層」は、本願発明の「Ａｌを含む半導体層」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「基板と窒素および他のＶ族元素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられ」との事項を備える。また、
　ウ　引用発明の「ｎ型ＡｌＧａＡｓ層又はｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層で形成されたクラッド層」を「積層してなる半導体発光素子を、ＭＯＣＶＤ装置を使用して製造する」との事項と、本願発明の「Ａｌを含む半導体層を有機金属Ａｌ原料を用いて成長する工程」とは、「Ａｌを含む半導体層を成長する工程」である点で一致する。
　
（４）引用発明は、「ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層、ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層」「を順次積層」するから、
　ア　引用発明の「ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層」は、本願発明の「（前記Ａｌを含む半導体層と前記活性層との間に設けられた）Ａｌを含まない中間層」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「Ａｌを含まない中間層を成長する工程」を備える。
　
（５）引用発明は、「ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）」を「積層してなる半導体発光素子を、ＭＯＣＶＤ装置を使用して製造」するから、上記（２）を踏まえると、引用発明の「ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）」を「積層してなる半導体発光素子を、ＭＯＣＶＤ装置を使用して製造」するとの事項と、本願発明の「窒素および他のＶ族元素を含む活性層を窒素化合物原料を用いて成長する工程」とは、「窒素および他のＶ族元素を含む活性層を成長する工程」である点で一致する。
　
　したがって、両者は、　  
「基板と窒素および他のＶ族元素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられ、前記Ａｌを含む半導体層と前記活性層との間にはＡｌを含まない中間層が設けられている半導体発光素子の製造方法において、
Ａｌを含む半導体層を成長する工程と、
Ａｌを含まない中間層を成長する工程と、
窒素および他のＶ族元素を含む活性層を成長する工程とを含む、
半導体発光素子の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
［相違点１］
　本願発明は、基板をサセプタ−で加熱する工程を含み、Ａｌを含む半導体層を有機金属Ａｌ原料を用いて成長させ、窒素および他のＶ族元素を含む活性層を窒素化合物原料を用いて成長させるのに対し、引用発明は、基板をサセプタ−で加熱する工程を含むか否か明らかではなく、また、Ａｌを含む半導体層を有機金属Ａｌ原料を用いて成長させ、窒素および他のＶ族元素を含む活性層を窒素化合物原料を用いて成長するのか否か明らかでない点。
［相違点２］
  本願発明は、Ａｌを含む半導体層を成長させてから窒素および他のＶ族元素を含む活性層を成長させるまでの結晶成長を大気中に取り出さずに行なうようにしており、前記Ａｌを含む半導体層の成長後と前記窒素および他のＶ族元素を含む活性層の成長開始との間に、成長室内に残留したＡｌ原料、または、Ａｌ反応物、または、Ａｌ化合物、または、Ａｌを除去する工程を設けたのに対し、引用発明は、Ａｌを含む半導体層を成長させてから窒素および他のＶ族元素を含む活性層を成長させるまでの結晶成長を大気中に取り出さずに行なうのか否か明らかでなく、また、Ａｌを含む半導体層の成長後と窒素および他のＶ族元素を含む活性層の成長開始との間に、成長室内に残留したＡｌ原料、または、Ａｌ反応物、または、Ａｌ化合物、または、Ａｌを除去する工程を設けるか否か明らかでない点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）［相違点１］について
　ＭＯＣＶＤ法により化合物半導体層を成長させる際に、Ａｌを含む半導体層を有機金属Ａｌ原料を用いて成長させ、窒素を含む層を窒素化合物原料を用いて成長させることは、本願の優先日時点で慣用されている事項であり（必要なら、特開平１０−１４５００６号公報（【００４６】）、特開平８−２２２８１２号公報（【０００３】）、特開平７−２９７４９８号公報（【００５６】）参照。）、また、ＭＯＣＶＤ（ＯＭＶＰＥ）法において、基板を載せたサセプタを加熱して化合物半導体を成長させることは本願の優先日時点で周知であるから（必要なら、特開平１０−１７４００号公報（【０００２】、【０００３】、図５）、特開昭６４−７９０９７号公報（第２頁左上欄第１３行、同頁右下欄第１０〜１７行、第２図）、特開平３−１３２０１８号公報（第１頁右下欄第１４〜末行、第４頁左上欄第１３〜末行、第１図）参照。）、引用発明に上記慣用されている事項及び上記周知技術を適用して、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に行うことができることである。
　
（２）［相違点２］について
　引用刊行物２には、上記２（２）のとおり、「ＯＭＶＰＥを適用して半導体レーザを製造する際に、・・・Ａｌを含むクラッド層２を成長させ、次に、Ａｌを含まない第１、第２のバリヤ層３、５と活性層４を成長させる際、・・・配管内に残留したＡｌが反応槽１５に流入するために実際にはＡｌがパージされた状態にならない」との技術的事項が記載され、配管内にＡｌがパージされないで残留することが示されているところ、反応管内に残存するＡｌ原料ガスを水素ガスでパージすることは本願の優先日時点で周知であるから（例えば、特開昭６３−２９２６２０号公報（第２頁左下欄下から４行目〜第３頁左上欄第９行）、特開平２−１６７８９５号公報（第３頁左下欄下から２行目〜第４頁左上欄第１３行）参照。）、引用発明において、「ｎ型ＡｌＧａＡｓ層又はｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層で形成されたクラッド層」と「ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層及びＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）」の積層を大気中に取り出さずに行ない、その際、反応管内に残存するＡｌ原料ガスを水素ガスでパージするようになして、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に行うことができることである。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、引用発明、上記技術的事項、上記慣用されている事項及び上記各周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（３）まとめ
　上記（１）及び（２）より、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明、引用刊行物２に記載された技術的事項、慣用されている事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明、引用刊行物２に記載された技術的事項、慣用されている事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。