Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート媒体を選択的に分配するよう適応されたシート媒体ソースと、
シート媒体を受け取るために、前記シート媒体ソースと作動的に連通する少なくとも１つの印刷エンジンと、ここで、前記少なくとも１つの印刷エンジンはマークされたシート媒体を出力するようにされており、
移動方向、前縁、後縁、及び前縁と後縁の間の縦方向縁を有するマークされたシート媒体を受け取るために前記少なくとも１つの印刷エンジンと作動的に連通するように配置された仕上げユニットと、ここで、前記仕上げユニットは収集トレイと変速コンパイリング・システムを含んでおり、前記収集トレイは前記移動方向を近似的に横切るよう配置された第１の整合面を含んでおり、前記収集トレイはマークされたシート媒体の前縁が前記第１の整合面に向かって配置されるようマークされたシート媒体を受け取るようにされており、前記変速コンパイリング・システムは軸及びシート係合面を有しマークされたシート媒体のシートに係合するよう動作するシート係合要素を有しており、前記変速コンパイリング・システムは少なくとも第１の速度及び第１の速度より小さい第２の速度で前記軸の回りに前記シート係合面を変位させるよう動作し、
前記シート媒体ソース、前記少なくとも１つの印刷エンジン、及び、前記仕上げユニットと通信する制御システムと、
を備えており、
前記制御システムは、
前記仕上げユニットにおける前記マークされたシート媒体のシートの到着を判断し、
前記シート係合要素の前記シート係合面が摩擦的にマークされたシート媒体のシートと係合する前、及び、マークされたシート媒体のシートと摩擦的に係合した後に、前記シート係合面が前記第１の速度で前記軸の回りに配置されるように、前記変速コンパイリング・システムを動作させ、
前記移動方向において移動中にマークされたシート媒体のシートに摩擦的に係合しそれによりマークされたシート媒体のシートを減速した後であって、マークされたシート媒体のシートの前縁が前記第１の整合面に接触する前に、前記第２の速度で前記軸の回りに前記シート係合面が配置されるように前記変速コンパイリング・システムを動作させ、
前記マークされたシート媒体のシートの前縁を、前記第１の整合面と少なくともほぼ位置合わせするように、前記変速コンパイリング・システムを動作させる、
ことを特徴とする印刷システム。
【請求項２】
前記制御システムは、プロセッサ及びメモリを備えており、前記メモリは、少なくとも前記第１及び第２の速度に関係する速度特性を格納し、前記プロセッサは、前記速度特性に対応する制御信号を生成するよう動作し、前記制御システムは、前記変速コンパイリング・システムを少なくとも前記第１及び第２の速度で動作させるために前記制御信号を前記変速コンパイリング・システムに通信する、請求項１に記載の印刷システム。
【請求項３】
シート媒体を選択的に分配するよう適応されたシート媒体ソースと、
前記シート媒体ソースと作動的に連通し、ここからシート媒体受け取るようにされた少なくとも１つの印刷エンジンと、ここで、前記少なくとも１つの印刷エンジンはマークされたシート媒体を出力するようにされており、
前記シート媒体ソース及び前記少なくとも１つの印刷エンジンと作動的に連通する媒体搬送通路と、ここで、前記媒体搬送通路は、前記シート媒体ソースから前記少なくとも１つの印刷エンジンへとシート媒体を搬送するとともに、前記シート媒体が前縁、後縁、及び前縁と後縁の間の縦方向縁を有するように前記シート媒体を前記少なくとも１つの印刷エンジンから移動方向へ遠ざけるように搬送するようにされており、
前記媒体搬送通路と作動的に連通するとともに、前記媒体搬送通路からシート媒体を受け取るようにされた仕上げユニットと、
ここで、前記仕上げユニットは、
前記移動方向を近似的に横切るよう配置された第１の整合面を含んでいるとともに、シート媒体の前縁が前記第１の整合面に向かって配置されるようシート媒体を受け取るようにされた収集トレイと、
シート係合要素及び当該シート係合要素と駆動的に接続された回転出力装置と含む変速コンパイリング・システムと、ここで、前記シート係合要素は、軸及び当該軸の回りに変位可能なシート係合面を含んでおり、前記シート係合要素前記収集トレイに沿って配置され、かつ、前記収集トレイへ入るシート媒体のシートと摩擦的に係合するよう動作し、前記変速コンパイリング・システムは少なくとも第１の速度及び当該第１の速度よりも小さい第２の速度で前記シート係合面を善の軸の回りに配置するよう動作し、
を含んでおり、
前記仕上げユニットと通信する制御システムと、
を備えており、
前記制御システムは、
前記仕上げユニットにおける前記マークされたシート媒体のシートの到着を判断し、
前記シート係合要素が前記収集トレイへ入るシートと摩擦的に係合する前、及び、前記シート係合要素が前記収集トレイへ入るシートと摩擦的に係合した後に、前記第１の速度で、前記シート係合面が前記軸の回りに配置されるように、前記変速コンパイリング・システムの前記シート係合要素を動作させ、
前記収集トレイへ入るシートと摩擦的に係合しそれによりシートが減速した後であって、前記シートの前縁が前記第１の整合面に接触する前に、前記シート係合面が前記軸の回りに前記第２の速度で変位するよう、前記変速コンパイリング・システムの前記シート係合面を動作させ、
前記シート係合面を前記軸の回りに変位して、前記シートの前縁を、前記第１の整合面と少なくともほぼ位置合わせするように、前記変速コンパイリング・システムの前記シート係合面を動作させ、
前記前縁を前記第１の整合面と少なくともほぼ位置合わせした後であって、前記シート係合要素が前記シートと摩擦的に係合している間に、前記シート係合面が前記第２の速度より小さい第３の速度で前記軸の回りに変位するように、前記変速コンパイリング・システムの前記シート係合要素を動作させる、
ことを特徴とする印刷システム。
【請求項４】
前記制御システムは、前記第１の速度及び第２の速度で前記変速コンパイリング・システムを動作させるための制御信号を生成するようにされており、前記回転出力装置は、前記制御システムと通信して前記制御信号を受信し、前記シート係合要素の少なくとも前記第１及び第２の速度に対応した回転出力を生成するようにされている、請求項３に記載の印刷システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エスシタロプラムヒドロブロミドを溶剤から結晶質形態で沈殿させて、溶剤から分離し、場合により1回またはそれ以上再結晶化させ、引き続いてエスシタロプラム遊離塩基またはその塩に変換することを特徴とし、ただし、製造されるエスシタロプラム塩がヒドロブロミドでないことを条件とする、エスシタロプラム遊離塩基またはその塩の製造方法。
【請求項２】
エスシタロプラムヒドロブロミドを粗製エスシタロプラムから沈殿させることを特徴とする、エスシタロプラム遊離塩基またはその塩の製造のための請求項1記載の方法。
【請求項３】
式（II）または（III）
【化１】
2009179634.tif 000001
で表される1種またはそれ以上の不純物であって、
式中、Zがハロゲン、シアノまたは-CONH2であり、
R1およびR2が独立して水素またはメチルであり、ただし、R1およびR2の両方がメチルである場合には、Zがシアノではないことを条件とし、そして、
式（III）においてジグザグの線として示される結合が二重結合周辺の立体配置がE-もしくはZ-であり得ることを示す、
前記の不純物を、前記の工程によりエスシタロプラムから除去するかまたはエスシタロプラム中で減少させることを特徴とする、エスシタロプラム遊離塩基またはその塩の製造のための請求項1または2のいずれか1つに記載の方法。
【請求項４】
不純物が、式（II）
［式中、Zがブロモまたはクロロであり、そしてR1およびR2が両方ともメチルであり、
Zが-CONH2であり、そしてR1およびR2が両方ともメチルであるか、または
Zがシアノであり、R1が水素であり、そしてR2がメチルである］
で表されるか；あるいは、二重結合周辺の立体配置がZである式（III）で表されることを特徴とする、請求項3記載の方法。
【請求項５】
エスシタロプラムヒドロブロミドを結晶質形態で沈殿させる前に、粗製エスシタロプラムを最初の精製に付す、請求項2〜4のいずれか1つに記載の方法。
【請求項６】
エスシタロプラムヒドロブロミドをエスシタロプラム遊離塩基またはエスシタロプラムシュウ酸塩に変換することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1つに記載の方法。
【請求項７】
R-シタロプラム以外の不純物を0.20%未満、特に0.10%未満含むことを特徴とする、エスシタロプラムの結晶質塩基またはエスシタロプラムのシュウ酸塩。
【請求項８】
R-シタロプラム以外の特定の不純物のうちのいずれかを0.10%未満含むことを特徴とする、請求項７記載の結晶質塩基またはシュウ酸塩。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか1つに記載の方法により製造される、エスシタロプラムの結晶質塩基またはエスシタロプラムのシュウ酸塩。
【請求項１０】
R-シタロプラム以外の不純物を0.20%未満、特に0.10%未満含むことを特徴とする、請求項９記載の塩基またはシュウ酸塩。
【請求項１１】
R-シタロプラム以外の特定の不純物のうちのいずれかを0.10%未満含むことを特徴とする、請求項10記載の結晶質塩基またはシュウ酸塩。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月26日(2012.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像受け取り部材に適用されたゲルインクを均等化するためのシステムであって、
前記画像受け取り部材がインクアプリケータの側を通るときに、前記画像受け取り部材上にゲルインク画像を形成するために前記ゲルインクを画像受け取り部材上に適用するように構成されたインクアプリケータと、
前記インクが前記画像受け取り部材上に再分配されるように、前記画像受け取り部材上の前記ゲルインク画像の方向に流体フローを向けるように構成された流体フロー指向装置と、を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記流体フロー指向装置は、前記画像受け取り部材上の前記ゲルインク画像に実質的に直角な方向に前記流体フローを向けるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記流体フロー指向装置はスチーム指向装置を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記スチーム指向装置は、前記画像受け取り部材上の前記ゲルインク画像の方向に過熱スチームを向けるように構成されていることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記流体フロー指向装置はスチームナイフを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記スチームナイフは、
スチーム源からスチームフローを受け取るためのプレナムチャンバと、
前記プレナムチャンバにおける少なくとも１つの開口部と、
を含み、プレナムからの前記スチームフローを、前記開口部を通して、前記画像受け取り部材上の前記ゲルインク画像の方向に向けるようにする
ことを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記流体フロー指向装置はエアナイフを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記エアナイフは、空気フローを生成し、前記画像受け取り部材上の前記ゲルインク画像の方向に前記空気フローを向けるブロワーを含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記流体フロー指向装置は、前記画像受け取り部材上の前記ゲルインク画像の方向に、毎秒２メートル以上のフロー速度で、前記流体フローを向けるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記流体フローが前記画像受け取り部材上の前記インクを再分配する前に、前記画像受け取り部材上の前記ゲルインク画像の方向に第２の流体フローを向けるように構成された、第２の流体フロー指向装置をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第２の流体フローはスチームフローであることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記流体フロー指向装置は、第１のフロー速度で前記流体フローを向けるように構成され、前記第２の流体フロー指向装置は、前記第１のフロー速度とは異なる第２のフロー速度で前記流体フローを向けるように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２の流体フロー指向装置はスチームナイフをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記スチームナイフは、
スチーム源からスチームフローを受け取るためのプレナムチャンバと、
前記プレナムチャンバにおける少なくとも１つの開口部と、
を含み、プレナムからの前記スチームフローを、前記少なくとも１つの開口部を通して、前記画像受け取り部材上の前記ゲルインク画像の方向に向けるようにする
ことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記スチームは過熱スチームであることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータ起動装置であって、
微小電気機械システムスイッチング回路（２０２）と、
前記微小電気機械システムスイッチング回路に並列回路にて接続された少なくとも第１の過電流保護回路（２０６）とを備え、前記第１の過電流保護回路は、前記微小電気機械システムスイッチング回路の第１のスイッチング事象に応答して瞬間的に導電路を形成するように構成され、前記導電路は、前記第１のスイッチング事象時に、前記微小電気機械システムスイッチング回路の接点間のアーク形成を抑制するために前記微小電気機械システムスイッチング回路と並列回路となる、モータ起動装置。
【請求項２】
前記導電路が、平衡ダイオードブリッジ（２８）によって形成される、請求項１記載のモータ起動装置。
【請求項３】
前記平衡ダイオードブリッジに結合された第１のパルス回路（５２）をさらに備え、前記パルス回路は、前記平衡ダイオードブリッジを通してパルス電流を流すために、パルス信号を生成するように適合されたパルスコンデンサを備え、前記パルス信号は、前記微小電気機械システムスイッチング回路の導通状態へのターンオンに関連して発生され、前記ターンオンが前記第１のスイッチング事象を構成する、請求項２記載のモータ起動装置。
【請求項４】
前記微小電気機械システムスイッチング回路および前記第１の過電流保護回路に並列回路にて接続された第２の過電流保護回路（２０６２）をさらに備え、前記第２の過電流保護回路は、前記微小電気機械システムスイッチング回路の第２のスイッチング事象に応答して瞬間的に導電路を形成するように構成され、前記導電路は、前記第２のスイッチング事象時に、前記微小電気機械システムスイッチング回路の接点間のアーク形成を抑制するために前記微小電気機械システムスイッチング回路と並列回路となる、請求項１乃至３のいずれかに記載のモータ起動装置。
【請求項５】
前記平衡ダイオードブリッジに結合された第２のパルス回路（２２９）をさらに備え、前記パルス回路は、前記平衡ダイオードブリッジを通してパルス電流を流すために、パルス信号を生成するように適合されたパルスコンデンサを備え、前記パルス信号は、前記微小電気機械システムスイッチング回路の非導通状態へのターンオフに関連して発生され、前記ターンオフが前記第２のスイッチング事象を構成する、請求項４記載のモータ起動装置。
【請求項６】
前記微小電気機械システムスイッチング回路および前記第１の過電流保護回路に並列回路にて結合された、固体スイッチング回路（２０４）をさらに備える、請求項１乃至５のいずれかに記載のモータ起動装置。
【請求項７】
前記電気機械スイッチング回路および前記固体スイッチング回路に結合されたコントローラ（２０８）をさらに備え、前記コントローラは、モータ起動装置に接続されたモータからの負荷電流の選択的切換えを行うように構成され、前記選択的切換えは、前記スイッチング回路のそれぞれ１つの動作能力に適した負荷電流状態に応答して、前記電気機械スイッチング回路と前記固体スイッチング回路の間で行われる、請求項６記載のモータ起動装置。
【請求項８】
前記コントローラが、交流電源電圧または交流負荷電流の検出されたゼロクロスに応答して、前記微小電気機械システムスイッチング回路の無アークスイッチングを行うように構成される、請求項７記載のモータ起動装置。
【請求項９】
前記コントローラが、交流電源電圧または交流負荷電流の可変位相角に対応して、前記固体スイッチング回路をスイッチングし、それにより、モータを起動するための電流パルスの流れによって生ずる電気エネルギーの量を調整することによって、ソフトモータ起動を行うように構成される、請求項７記載のモータ起動装置。
【請求項１０】
前記微小電気機械システムスイッチング回路が、モータ逆転動作を行うように構成された個別の微小電気機械システムスイッチを備える、請求項１乃至９のいずれかに記載のモータ起動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図１（Ａ）及び（Ｂ）並びに図２に加えて図４及び図５も参照すると、リフィール３後方のリフィール室２ｃ内には例えば合成樹脂製のノック部材５が配置されており、リフィール３は圧縮バネ４によりノック部材５に向けて付勢されている。軸筒２の後端側開口２ｂには中空で例えば合成樹脂製の尾栓６が螺合されており、尾栓６の中空空間内にはノック部材５が長手軸線Ｋ−Ｋ方向に移動可能に保持されている。この場合、ノック部材５の前端のほぼ中央に形成された凸部５ｂがリフィール３の後端のほぼ中央に形成された凹部３ｃ内に受容されており、それによってリフィール３とノック部材５とが互いに整列される。本発明による実施例では、ノック部材５はリフィール室２ｃのほぼ中央に位置するよう尾栓６により保持されており、したがってリフィール３もリフィール室２ｃのほぼ中央に位置するよう整列されている。なお、リフィール３に凸部を形成しノック部材５に凹部を設けるようにしてもよい。更に、ノック部材５には凸部５ｂの後方にフランジ５ａが形成されており、凸部５ｂが凹部３ｃ内に受容されるとノック部材５とリフィール３の後端との間に環状溝３ｄが形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図３及び図４に示されるように、カバー部材１０の前端には開口１０ｄが形成されている。摺動体１２はこの開口１０を介し前方に延びており、摺動体１２の係止突起１２ａは摺動体室１１の外部に位置することになる。なお、係止突起１２ａはカバー部材１０の開口１０ｄよりも大きく寸法設定されている。一方、軸筒２には窓孔２ｇが形成されており、摺動体１２の内向き突起１２ｂはこの窓孔２ｇを介し内向きに延びてリフィール３とノック部材５との間の環状溝３ｄ内に到り、リフィール３及びノック部材５と係合するようになっている。詳しくは後述するが、内向き突起１２ｂは窓孔２ｇ内を長手軸線Ｋ−Ｋ方向に移動可能になっている。なお、本発明による実施例では、後方脚１０ｂのための受容孔２ｅと窓孔２ｇとが互いに接続されて一つの孔を形成している。更に、クリップ本体７ｃの係止段部７ｇに対面する軸筒２に逃げ孔２ｈが形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明による実施例のノック式ボールペン１はいわゆるセーフティ機構を備えている。すなわち、リフィール３が筆記位置にあるときにボールペン１を例えば衣類のポケットに挿すと、クリップ本体７ｃの係止段部７ｇと摺動体１２の係止突起１２ａとの間の係止が自動的に解除され、リフィール３が摺動体１２及びノック部材５と共に後退位置まで戻され、すなわちペン先３ａが軸筒２内に収容される。したがって、衣類がインクで汚れることがない。クリップ本体７ｃと軸筒２との間に物品を挟もうとした場合も同様である。この場合、クリップ本体７ｃが外向きに移動してもよいし、クリップ本体７ｃが外向きに移動しなくても摺動体１２の前端部が逃げ孔２ｈ内に内向きに変形することによって係止段部７ｇと係止突起１２ａとの間の係止が解除される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次いで、新たなリフィール３が後端側開口２ｂを介しリフィール室２ｃ内に挿入される。この場合、図８に示されるように摺動体１２は離脱位置に保持されている。また、リフィール室２ｃの内径はリフィール３ないしインクタンク３ｂの外径よりもわずかに大きく寸法設定されているので（図５参照）、リフィール３はリフィール室２ｃに対しわずかに偏心した状態でリフィール室２ｃ内を前進させられる。その結果、リフィール３は摺動体１２の内向き突起１２ｂに衝突することなくリフィール室２ｃ内を前方に移動することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次いで、尾栓６がノック部材５と共に後端側開口２ｂに取り付けられる。尾栓６が軸筒２に螺合されてノック部材５が前方に移動されると、図７に示されるようにノック部材５の凸部５ｂがリフィール３の凹部３ｃ内に受容されるようになり、したがってリフィール３がリフィール室２ｃ内においてセンタリングされる。また、このときリフィール３とノック部材５との間に環状溝３ｄが形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008173883.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008173883.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録方法および記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、記録方法および記録装置に関し、詳しくは、記録ヘッドによる記録濃度の検出パターン形成に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、以上のようなドットの記録位置のずれを生ずることがあっても、パターンについて測定される濃度の変化を抑制するパターンを記録することが可能な、記録方法および記録装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そのために本発明では、記録媒体上にドットを形成するための複数の記録素子を配列した記録ヘッドの記録媒体に対する主走査方向の走査と、前記主走査方向と交差する副走査方向への前記記録媒体の搬送と、を行うことにより、記録濃度を検出するためのパターンを前記記録媒体上に記録する記録方法であって、前記パターンは、記録ヘッドのＮ（Ｎは２以上の自然数）回の走査により記録され、前記副走査方向に隣り合うドットが同一の走査で記録されることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、記録媒体上にドットを形成するための複数の記録素子を配列した記録ヘッドの記録媒体に対する主走査方向の走査と、前記主走査方向と交差する副走査方向への前記記録媒体の搬送と、を行うことにより、記録濃度を検出するためのパターンを前記記録媒体上に記録する記録装置であって、前記パターンは、記録ヘッドのＮ（Ｎは２以上の自然数）回の走査により記録され、前記副走査方向に隣り合うドットが同一の走査で記録されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体上にドットを形成するための複数の記録素子を配列した記録ヘッドの記録媒体に対する主走査方向の走査と、前記主走査方向と交差する副走査方向への前記記録媒体の搬送と、を行うことにより、記録濃度を検出するためのパターンを前記記録媒体上に記録する記録方法であって、
前記パターンは、記録ヘッドのＮ（Ｎは２以上の自然数）回の走査により記録され、前記副走査方向に隣り合うドットが同一の走査で記録されることを特徴とする記録方法。
【請求項２】
前記パターンは、前記主走査方向に隣り合うドットが同一の走査または連続する２つの走査で記録されることを特徴とする請求項１に記載の記録方法。
【請求項３】
前記パターンは、前記主走査方向の記録ヘッドの走査のうち往路または復路のいずれかの走査のみで記録されることを特徴とする請求項１または２に記載の記録方法。
【請求項４】
前記記録ヘッドは複数色を記録可能であり、各色に対応する複数の記録素子列を備え、
前記パターンは、前記複数の記録素子列のうち特定色のドットに対応する記録素子列を用いて前記特定色の記録材により記録された前記特定色のパターンと、前記特定色以外の色のドットに対応する記録素子列を用いて前記特定色の記録材により記録された前記特定色のパターンと、を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の記録方法。
【請求項５】
前記Ｎ回の各走査の間に、前記副走査方向への前記記録媒体の搬送を行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の記録方法。
【請求項６】
前記Ｎ回の各走査で記録されるドットの数が等しいことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の記録方法。
【請求項７】
記録媒体上にドットを形成するための複数の記録素子を配列した記録ヘッドの記録媒体に対する主走査方向の走査と、前記主走査方向と交差する副走査方向への前記記録媒体の搬送と、を行うことにより、記録濃度を検出するためのパターンを前記記録媒体上に記録する記録装置であって、
前記パターンは、記録ヘッドのＮ（Ｎは２以上の自然数）回の走査により記録され、前記副走査方向に隣り合うドットが同一の走査で記録されることを特徴とする記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼鏡レンズを保持するレンズチャック軸と眼鏡レンズの周縁を加工する加工具とが配置された加工室と、眼鏡レンズの周縁加工に必要な玉型データを含む加工条件データを入力するデータ入力手段と、入力された加工条件データに基づいて前記レンズチャック軸と前記加工具との相対的な位置を変化させて眼鏡レンズを加工する加工制御手段と、を備える眼鏡レンズ加工装置において、
前記加工具による眼鏡レンズの加工状態の映像を撮影するために前記加工室に配置されたカメラを備えることを特徴とする眼鏡レンズ加工装置。
【請求項２】
請求項１の眼鏡レンズ加工装置において、前記カメラに撮影された映像及び入力された前記加工条件データが記憶される記憶手段と、
前記カメラにより撮影された映像をディスプレイ又は外部記憶装置に出力するために、前記記憶手段に記憶された映像及び加工条件データの中から特定の映像及び加工条件データを指定する指定手段と、
指定された映像及び加工条件データをディスプレイ又は外部記憶装置に出力する出力制御手段と、
を備えることを特徴とする眼鏡レンズ加工装置。
【請求項３】
請求項２の眼鏡レンズ加工装置において、
前記記憶手段には眼鏡レンズ毎の加工時の映像が前記指定手段により指定可能に記憶されると共に前記加工条件データが眼鏡レンズ毎の映像に対応付けで記憶され、
前記出力制御手段は前記指定手段により指定された眼鏡レンズ毎の映像を前記記憶手段から呼び出して出力すると共に、前記加工条件データを前記記憶手段から呼び出された映像に付加データとして出力する出力することを特徴とする眼鏡レンズ加工装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）  眼鏡レンズを保持するレンズチャック軸と眼鏡レンズの周縁を加工する加工具とが配置された加工室と、眼鏡レンズの周縁加工に必要な玉型データを含む加工条件データを入力するデータ入力手段と、入力された加工条件データに基づいて前記レンズチャック軸と前記加工具との相対的な位置を変化させて眼鏡レンズを加工する加工制御手段と、を備える眼鏡レンズ加工装置において、前記加工具による眼鏡レンズの加工状態の映像を撮影するために前記加工室に配置されたカメラを備えることを特徴とする。
（２）  （１）の眼鏡レンズ加工装置において、前記カメラに撮影された映像及び入力された前記加工条件データが記憶される記憶手段と、前記カメラにより撮影された映像をディスプレイ又は外部記憶装置に出力するために、前記記憶手段に記憶された映像及び加工条件データの中から特定の映像及び加工条件データを指定する指定手段と、指定された映像及び加工条件データをディスプレイ又は外部記憶装置に出力する出力制御手段と、を備えることを特徴とする。
（３）  （２）の眼鏡レンズ加工装置において、前記記憶手段には眼鏡レンズ毎の加工時の映像が前記指定手段により指定可能に記憶されると共に前記加工条件データが眼鏡レンズ毎の映像に対応付けで記憶され、前記出力制御手段は前記指定手段により指定された眼鏡レンズ毎の映像を前記記憶手段から呼び出して出力すると共に、前記加工条件データを前記記憶手段から呼び出された映像に付加データとして出力する出力することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
従って、本発明は、使用済みトナーカートリッジを水性の泡集合体で覆い、その状態で該カートリッジを破砕することを特徴とする使用済みトナーカートリッジの破砕処理方法にあり、特に、使用済みトナーカートリッジを水性の泡集合体で覆い、その状態で該カートリッジを、水性の泡集合体で塞がれた開口部を介して、内部に破砕手段を備える破砕装置に導入して、該カートリッジを水性の泡集合体に覆われた状態で破砕することを特徴とする使用済みトナーカートリッジの破砕処理方法にある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用済みトナーカートリッジを水性の泡集合体で覆い、その状態で該カートリッジを破砕することを特徴とする使用済みトナーカートリッジの破砕処理方法。
【請求項２】
使用済みトナーカートリッジを、予め蓄積された水性の泡集合体に投入することにより、使用済みトナーカートリッジを水性の泡集合体で覆う請求項１に記載の方法。
【請求項３】
トナーカートリッジの破砕により放出されるトナーを吸引分離する工程を含む請求項１に記載の使用済みトナーカートリッジの破砕処理方法。
【請求項４】
水性の泡集合体を発生させる泡発生装置、該泡発生装置に接続する泡集合体供給管、上部に該泡集合体供給管に接続する泡集合体導入口と使用済みトナーカートリッジ導入口とを備え、底部に開口部を備える泡集合体蓄積貯留タンク、そして上部で該泡集合体蓄積貯留タンクの開口部に接続し、内部に破砕手段を備える破砕装置を含む使用済みトナーカートリッジ破砕処理ユニット。
【請求項５】
破砕装置が、破砕手段の下方側面に、トナー吸引装置に接続する排気口を備え、該排気口のさらに下方に破砕物排出口を備える請求項４に記載の使用済みトナーカートリッジ破砕処理ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月30日(2011.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理水を，逆浸透膜処理する水処理方法において，
前記逆浸透膜処理の前に，表面材質が前記逆浸透膜よりも疎水性が高い水処理部材に前記被処理水を接触させる処理を行うことを特徴とする水処理方法。
【請求項２】
前記水処理部材は，表面材質の高分子の結合部位にカルボニル基を有する水処理部材であることを特徴とする請求項１に記載の水処理方法。
【請求項３】
前記水処理部材は，表面の材料が，イミド結合を有するポリイミドであることを特徴とする請求項２に記載の水処理方法。
【請求項４】
前記水処理部材は，表面の材料が，アミド結合を有するポリアミドであることを特徴とする請求項２に記載の水処理方法。
【請求項５】
前記水処理部材の表面材質の材料が，その繰り返し単位にアミノ基，芳香環，炭素数４以上のアルキル鎖のいずれかもしくは複数を含むことを特徴とする請求項１に記載の水処理方法。
【請求項６】
前記水処理部材の表面材質を平板上に形成したとき，その水の接触角が４０度〜９０度であることを特徴とした請求項１乃至５のいずれかに記載の水処理方法。
【請求項７】
前記水処理部材は，水が通過可能な連通孔を有する多孔体であり，当該連通孔の平均孔径は５〜２００μｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の水処理方法。
【請求項８】
前記水処理部材が，前記多孔体と，当該多孔体を支持する支持体とを有することを特徴とする請求項７に記載の水処理方法。
【請求項９】
水処理部材に前記被処理水を接触させる処理の後に、前記被処理水を、前記水処理部材の表面材質よりも親水性の逆浸透膜を用いて逆浸透膜処理する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の水処理方法。
【請求項１０】
被処理水を，逆浸透膜処理する水処理で，前記逆浸透膜処理の前に，前記被処理水に接触させる水処理部材であって，
表面の材料が逆浸透膜よりも疎水性が高いことを特徴とする水処理部材。
【請求項１１】
表面の材料の高分子の結合部位にカルボニル基を有する水処理部材であることを特徴とする請求項１０に記載の水処理部材。
【請求項１２】
表面の材料が，イミド結合を有するポリイミドであることを特徴とする請求項１０に記載の水処理部材。
【請求項１３】
表面の材料が，アミド結合を有するポリアミドであることを特徴とする請求項１０に記載の水処理部材。
【請求項１４】
表面の材料が，その繰り返し単位にアミノ基，芳香環，炭素数４以上のアルキル鎖のいずれかもしくは複数を含むことを特徴とする請求項１０に記載の水処理部材。
【請求項１５】
前記表面の材料を平板上に形成したとき，その水の接触角が４０度〜９０度であることを特徴とした請求項１０乃至１４のいずれかに記載の水処理部材。
【請求項１６】
前記表面の材料が，水が通過可能な連通孔を有し，当該連通孔の平均孔径５〜２００μｍの多孔体であることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれかに記載の水処理部材。
【請求項１７】
請求項１０乃至１６に記載の水処理部材と、
前記水処理部材の表面材質よりも親水性の逆浸透膜を有し、前記水処理部材により処理した被処理水を逆浸透膜処理する逆浸透膜モジュールと、
を備えたことを特徴とする水処理設備。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】水処理方法、水処理部材及び水処理設備
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月19日(2012.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【図１】本発明の一実施例の不正開放防止機構の構造を表した分解斜視図である
【図２】図１に示した不正開放防止機構を組みつけて右上から見た外観斜視図である。
【図３】図２におけるIII矢視方向に見た基板ケースユニットの断面図で、図２に加えて、さらにロック部材によりロックされた状態を加えた断面図である
【図４】図２に示した組みつけた不正開放防止機構からカバー部材を外して右下から見た外観斜視図である。
【図５】図１のカバー部材を右下から見た外観斜視図である。
【図６】図６（Ａ）は、ロック部材の右上から見た外観斜視図であり、図６（Ｂ）は、ロック部材の左下から見た外観斜視図である。
【図７】図６（Ａ）のロックピンの中心軸を通るVII矢視方向のロック部材の断面図である。
【図８】本発明の他の実施例の不正開放防止機構の構造を表した分解斜視図である。
【図９】ケース蓋部材の係合部を前面側から見た斜視図である。
【図１０】ケース本体部材の係合部を前面側から見た斜視図である。
【図１１】図７に示した不正開放防止機構を組みつけた外観斜視図であって、ケース蓋部材とケース本体部材の係合部を拡大して示したものである。
【図１２】本発明に係る不正開放防止機構が適用される遊技機の一例として示すパチンコ機の正面図である。
【図１３】不正開放防止機構が設けられる上記パチンコ機の背面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）反応性樹脂組成物を調製する工程、
（２）反応性樹脂組成物を離型体上にキャスティングする工程、
（３）キャスティング膜を乾燥して離型体から剥離し、独立したシートを形成する工程、
を少なくとも含むレーザー彫刻用フレキソ印刷版原版の製造方法。
【請求項２】
（４）シートと接着層が塗布された支持体とをラミネートする工程を、さらに含む請求項１に記載のレーザー彫刻用フレキソ印刷版原版の製造方法。
【請求項３】
支持体上に塗布された接着層が、反応性樹脂組成物中と同一または同種のポリマーを含有することを特徴とする請求項２に記載のレーザー彫刻用フレキソ印刷版原版の製造方法。
【請求項４】
（５）シートと一時的支持体とをラミネートする工程を、さらに含む請求項１〜３のいずれかに記載のレーザー彫刻用フレキソ印刷版原版の製造方法。
【請求項５】
一時的支持体が予め、反応性樹脂組成物中と同一または同種のポリマーを含有する層を有することを特徴とする請求項４に記載のレーザー彫刻用フレキソ印刷版原版の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のステムと、
前記ステム上に底面が載置された柱状のサブマウントと、
前記サブマウントの側面上に設けられ、発振波長の異なる複数のレーザダイオードと、
前記ステムを貫通して設けられ、前記サブマウントの側面の稜線に対向する位置に配置されたリードピンとを備え、
前記複数のレーザダイオードの発光点から前記ステムの中心軸までの距離がすべて実質的に等しいことを特徴とする多波長半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記サブマウントは正多角柱状であることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記サブマウントは正三角柱状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記リードピンは、前記サブマウントの中心軸に対して回転対称であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記サブマウントの中心軸と前記ステムの中心軸とが一致することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記複数のレーザダイオードの少なくとも１つは、２波長レーザダイオードであることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記複数のレーザダイオードは、前記サブマウント側面の稜線近傍に配置されたことを特徴とする請求項６に記載の多波長半導体レーザ装置。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、板状のステムと、前記ステム上に底面が載置された柱状のサブマウントと、前記サブマウントの側面上に設けられ、発振波長の異なる複数のレーザダイオードと、前記ステムを貫通して設けられ、前記サブマウントの側面の稜線に対向する位置に配置されたリードピンとを備え、前記複数のレーザダイオードの発光点から前記ステムの中心軸までの距離がすべて実質的に等しいことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む半導体集積回路装置：
（ａ）第1及び第2の主面を有する半導体チップ；
（ｂ）前記半導体チップの前記第1の主面上に設けられたアルミニウム系メタル膜パターン；
（ｃ）前記アルミニウム系メタル膜パターンの上面を覆う窒化チタン膜；
（ｄ）前記窒化チタン膜の上面を含む前記半導体チップの前記第1の主面を覆う絶縁性表面保護膜；
（ｅ）前記絶縁性表面保護膜に形成されたボンディング・パッド開口；
（ｆ）前記窒化チタン膜に設けられたボンディング・パッド開口に対応する第1開口部；
（ｇ）前記第1開口部の外部近傍の前記窒化チタン膜に設けられた第２開口部。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月19日(2012.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のチャネル領域の両側に形成された第１、第２不純物領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたセレクトゲート電極と、
前記セレクトゲート電極の両側面乃至チャネル領域の表面にゲート分離絶縁膜を介してサイドウォール状に形成された第１、第２コントロールゲート電極と、
を有するメモリセルを備え、
前記メモリセルは、行方向及び列方向に並んで配され、
前記第２不純物領域は、列方向に隣り合う前記第２不純物領域同士が繋がるように構成されるとともに、共通ソース線と電気的に接続され、
前記セレクトゲート電極は、前記第２不純物領域を囲むようにリング状に構成されるとともに、ワード線と電気的に接続され、
前記第１コントロールゲート電極は、前記セレクトゲート電極の外周側にてリング状に構成され、
前記第２コントロールゲート電極は、前記セレクトゲート電極の内周側であって前記第２不純物領域の外周側にてリング状に構成され、
前記第１不純物領域は、前記第１コントロールゲート電極の外周側に配されるとともに、列方向に隣り合う前記第１不純物領域同士が繋がらないように構成され、
前記メモリセル上にて行ごとに対応する第１、第２ビット線が配され、
前記第１ビット線は、前記第２不純物領域を挟んで行方向に隣り合う第１不純物領域の一方と電気的に接続され、
前記第２ビット線は、前記第２不純物領域を挟んで行方向に隣り合う第１不純物領域の他方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体記憶装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、スプリットゲート型の不揮発性メモリを有する半導体記憶装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の主な課題は、フォトリソグラフィによるレジストを形成する工程を削減してコストを低減することが可能な半導体記憶装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置では、基板（図２、図３の１）のチャネル領域の両側に形成された第１、第２不純物領域（図１〜図３の２ａ、２ｂ）と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜（図２、図３の３）を介して形成されたセレクトゲート電極（図１〜図３の４）と、前記セレクトゲート電極（図１〜図３の４）の両側面乃至チャネル領域の表面にゲート分離絶縁膜（図２、図３の５）を介してサイドウォール状に形成された第１、第２コントロールゲート電極（図１〜図３の６ａ、６ｂ）と、を有するメモリセルを備え、前記メモリセルは、行方向及び列方向に並んで配され、前記第２不純物領域（図１〜図３の２ｂ）は、列方向に隣り合う前記第２不純物領域（図１〜図３の２ｂ）同士が繋がるように構成されるとともに、共通ソース線（図１のＣＳ）と電気的に接続され、前記セレクトゲート電極（図１〜図３の４）は、前記第２不純物領域（図１〜図３の２ｂ）を囲むようにリング状に構成されるとともに、ワード線（図１のＷＬ）と電気的に接続され、前記第１コントロールゲート電極（図１〜図３の６ａ）は、前記セレクトゲート電極（図１〜図３の４）の外周側にてリング状に構成され、前記第２コントロールゲート電極（図１〜図３の６ｂ）は、前記セレクトゲート電極（図１〜図３の４）の内周側であって前記第２不純物領域（図１〜図３の２ｂ）の外周側にてリング状に構成され、前記第１不純物領域（図１〜図３の２ａ）は、前記第１コントロールゲート電極（図１〜図３の６ａ）の外周側に配されるとともに、列方向に隣り合う前記第１不純物領域（図１〜図３の２ａ）同士が繋がらないように構成され、前記メモリセル上にて行ごとに対応する第１、第２ビット線（図１〜図３のＢＬ）が配され、前記第１ビット線（図１〜図３のＢＬ）は、前記第２不純物領域（図１〜図３の２ｂ）を挟んで行方向に隣り合う第１不純物領域（図１〜図３の２ａ）の一方と電気的に接続され、前記第２ビット線（図１〜図３のＢＬ）は、前記第２不純物領域（図１〜図３の２ｂ）を挟んで行方向に隣り合う第１不純物領域（図１〜図３の２ａ）の他方と電気的に接続されている。
本発明の実施形態１に係る半導体記憶装置において、前記第１コントロールゲート電極は、接地配線と電気的に接続され、前記第２コントロールゲート電極は、電圧制御される配線に電気的に接続されていることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の実施形態２に係る半導体記憶装置の製造方法では、基板のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してセレクトゲート電極を形成する工程（図９（Ａ））と、前記セレクトゲート電極を含む前記基板の表面にゲート分離絶縁膜を形成する工程（図９（Ｂ））と、前記ゲート分離絶縁膜の表面にシリコン層を成膜した後（図９（Ｃ））、前記シリコン層をエッチバックすることによりサイドウォール状の第１、第２コントロールゲート電極を形成する工程（図１０（Ａ））と、前記基板のチャネル領域の両側に自己整合的に第１、第２不純物領域を形成する工程（図１０（Ｂ））と、前記セレクトゲート電極及び前記第１、第２不純物領域上の前記ゲート分離絶縁膜を除去して前記セレクトゲート電極及び前記第１、第２不純物領域の表面を露出させる工程（図１０（Ｃ））と、を含み、前記第１、第２不純物領域を形成する工程では、列方向に隣り合う前記第２不純物領域同士が繋がるように前記第２不純物領域を形成し（図６（Ａ））、前記セレクトゲート電極を形成する工程では、前記第２不純物領域が形成されることになる領域を囲むようにリング状に前記セレクトゲート電極を形成する（図５（Ａ））。
本発明の実施形態２に係る半導体記憶装置の製造方法において前記セレクトゲート電極及び前記第１、第２不純物領域の表面を露出させる工程の後、前記第１、第２不純物領域、前記セレクトゲート電極及び前記第１、第２コントロールゲート電極を含む前記基板上に層間絶縁膜を成膜する工程と、前記層間絶縁膜の所定の位置に前記第１、第２不純物領域、前記セレクトゲート電極及び前記第１、第２コントロールゲート電極に通ずる下穴を形成する工程と、前記下穴にビアを埋め込む工程と、前記ビアを含む前記層間絶縁膜上の所定の位置にビット線、ワード線を含む配線を形成する工程と、を含むことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、前記支持体の表面を露出する柱状の貫通孔を有する第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
前記柱状の貫通孔から露出する前記支持体の表面及び前記柱状の貫通孔の内壁面を覆うように第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
前記第２金属層上に前記柱状の貫通孔を充填するように第３金属層を形成する第３金属層形成工程と、
前記第３金属層を覆うように前記第１金属層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の一方の面に、前記第３金属層と電気的に接続する配線層を形成する配線層形成工程と、
前記支持体及び前記第１金属層を除去し、前記第２金属層及び前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部を形成する突出部形成工程（１）と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記突出部は上面及び下面を有し、前記上面及び下面方向の断面が矩形の柱状で、前記下面側が前記絶縁層に埋設され、前記上面側が前記絶縁層の他方の面から突出した接続端子である請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記突出部形成工程（１）に代えて、前記支持体及び前記第１金属層を除去した後、更に前記第２金属層を除去し、前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部を形成する突出部形成工程（２）を有する請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１金属層形成工程は、
前記支持体上に前記柱状の貫通孔に対応する柱状のレジスト層を形成する第１工程と、
前記支持体上の前記柱状のレジスト層が形成されていない領域に前記第１金属層を形成する第２工程と、
前記柱状のレジスト層を除去する第３工程と、を有する請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持体は導電体であり、前記第１金属層形成工程において、前記第１金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記支持体は導電体であり、前記第２金属層形成工程において、前記第２金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記支持体は導電体であり、前記第３金属層形成工程において、前記第３金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記支持体及び前記第１金属層は同一のエッチング液により除去可能な材料により構成されている請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２金属層は、前記支持体及び前記第１金属層を除去するエッチング液に耐性を有する材料により構成されている請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２金属層は、異なる材料からなる複数の金属層が積層された構造を有する請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項記載の製造方法で製造された突出部を有する配線基板と、電極パッドを有する半導体チップと、を準備する準備工程と、
前記突出部と前記電極パッドとを対向させるように、前記配線基板上に前記半導体チップを配置する配置工程と、
前記突出部と前記電極パッドとを電気的に接続する接続工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記配線基板の前記突出部が形成されている面と前記半導体チップとの間に樹脂を充填する樹脂充填工程を更に有する請求項１１記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
絶縁層と、
前記絶縁層の一方の面に形成された配線層と、
前記配線層と電気的に接続され、前記絶縁層の他方の面から突出する柱状の突出部と、を有し、
前記突出部は上面及び下面を有し、前記上面及び下面方向の断面が矩形の柱状で、前記下面側が前記絶縁層に埋設され、前記上面側が前記絶縁層の他方の面から突出した接続端子である配線基板。
【請求項１４】
前記柱状の突出部は、異なる材料からなる複数の金属層が積層された構造を有する請求項１３記載の配線基板。
【請求項１５】
請求項１３又は１４記載の配線基板と、電極パッドを有する半導体チップと、を有し、
前記突出部と前記電極パッドとは電気的に接続されている半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記突出部と前記電極パッドとは、前記突出部と前記電極パッドとの対向する面間に形成されたはんだを介して接続されている請求項１５記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に形成された配線層と、前記配線層と電気的に接続され、前記絶縁層の他方の面から突出する柱状の突出部と、を有し、前記突出部は上面及び下面を有し、前記上面及び下面方向の断面が矩形の柱状で、前記下面側が前記絶縁層に埋設され、前記上面側が前記絶縁層の他方の面から突出した接続端子であることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にトランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、導電層と、絶縁層と、半導体層と、を有し、
前記導電層は、前記絶縁層を介して、前記半導体層と重なる領域を有し、
前記半導体層は、
前記基板表面の法線方向に沿って成長した結晶を有する第１の領域と、
非晶質を有する第２の領域と、
前記第１の領域と前記第２の領域の間に設けられ、前記結晶と非晶質とが混在した第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、第１５族元素を含み、
前記第１の領域において、二次イオン質量分析法によって計測される第１５族元素の濃度は、６×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。