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【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に突起状端子が形成された電子部品を用意し、該電子部品をフェイスアップの態様で基材上に搭載してなる第１の構造体を作製する工程と、
所要の層数で配線層を積層し、前記電子部品の突起状端子を挿通させるためのスルーホールを形成してなる第２の構造体を作製する工程と、
前記第１の構造体の突起状端子と前記第２の構造体のスルーホールとを位置合わせし、各構造体間に接着部材を介在させ、前記突起状端子の端面が前記接着部材を貫通して前記第２の構造体の表面に露出するように各構造体を積層して一体化する工程とを含むことを特徴とする電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記第２の構造体上に、前記突起状端子の端面に接続される配線層を形成する工程と、
該配線層及び前記第２の構造体上に、当該配線層のパッド部が露出するように絶縁層を形成する工程と、
前記基材上に、該基材及び前記接着部材を順に貫通して前記第２の構造体の配線層に達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを導体で充填し、該導体に接続される配線層を形成する工程と、
該配線層及び前記基材上に、当該配線層のパッド部が露出するように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１、第２の各構造体を積層して一体化する工程において、位置合わせされ重ね合わされた第１の構造体、接着部材及び第２の構造体を、１対のプレス熱盤間に配置して加熱・加圧処理により積層し、前記突起状端子の端面を前記第２の構造体の表面と同じ高さに露出させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２の構造体と一方のプレス熱盤との間に保護フィルムを介在させて加熱・加圧処理を行うことを特徴とする請求項３に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の構造体を作製する工程において、前記電子部品を搭載する基材として、導電性材料からなるシート部材の一方の面に絶縁層が形成され、かつ、所要の箇所に所定の大きさで開口部が形成された２層構造の基材を使用し、
前記第１、第２の各構造体を積層して一体化する工程において、前記２層構造の基材と他方のプレス熱盤との間にも保護フィルムを介在させて加熱・加圧処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項６】
一方の面に突起状端子が設けられた電子部品がフェイスアップの態様で基材上に搭載された第１の構造体と、
配線層が積層され、前記電子部品の突起状端子を挿通させるためのスルーホールが設けられた第２の構造体と、
前記基材と前記第２の構造体との間、及び前記突起状端子と前記スルーホールの内壁との間に充填された樹脂部材とを備えたことを特徴とする電子部品内蔵配線基板。
【請求項７】
一方の面に突起状端子が形成された電子部品がフェイスアップの態様で基材上に搭載されてなる第１の構造体と、
配線層が積層され、前記電子部品の突起状端子を挿通させるためのスルーホールが形成された第２の構造体と、
前記基材と前記第２の構造体との間、及び前記突起状端子と前記スルーホールの内壁との間に充填された樹脂部材とを備えた電子部品内蔵配線基板と、
前記電子部品内蔵配線基板に表面実装された半導体素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
一方の面に突起状端子が形成された電子部品がフェイスアップの態様で基材上に搭載されてなる第１の構造体と、
配線層が積層され、前記電子部品の突起状端子を挿通させるためのスルーホールが形成された第２の構造体と、
前記基材と前記第２の構造体との間、及び前記突起状端子と前記スルーホールの内壁との間に充填された樹脂部材とを備えた電子部品内蔵配線基板と、
前記電子部品内蔵配線基板に表面実装された半導体素子と、
前記電子部品内蔵配線基板に表面実装された受動素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子部品内蔵配線基板の製造方法、電子部品内蔵配線基板及び半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するのに供される配線基板を製造する技術に係り、より詳細には、高密度化及び高機能化に対応すべく半導体素子等の電子部品を内蔵した多層構造を有する配線基板（電子部品内蔵配線基板）の製造方法、電子部品内蔵配線基板及び半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、半導体素子等の電子部品を内蔵した配線基板を製造する過程で不具合が生じた場合でも、その不具合により発生する材料等の無駄を大いに減らし、歩留りの向上に寄与することができる電子部品内蔵配線基板の製造方法、電子部品内蔵配線基板及び半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の一形態によれば、一方の面に突起状端子が設けられた電子部品がフェイスアップの態様で基材上に搭載された第１の構造体と、配線層が積層され、前記電子部品の突起状端子を挿通させるためのスルーホールが設けられた第２の構造体と、前記基材と前記第２の構造体との間、及び前記突起状端子と前記スルーホールの内壁との間に充填された樹脂部材とを備えたことを特徴とする電子部品内蔵配線基板が提供される。また、本発明の更に他の形態によれば、上記の一形態に係る電子部品内蔵配線基板に半導体素子（及び受動素子）が表面実装されてなる半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加圧により他の基板に接合される基板を保持する保持領域を有する板状部材と、
前記板状部材を介して前記基板が加圧されたときに前記基板の周縁部に生じる応力集中を緩和する応力緩和部とを備え、
前記応力緩和部は、前記保持領域の外側に配され、前記基板の加圧時に前記板状部材から加圧力を受ける受圧部材を有する基板保持部材。
【請求項２】
前記受圧部材は、前記板状部材の前記保持領域を含む保持面から突出するように前記保持面上に配される請求項１に記載の基板保持部材。
【請求項３】
前記受圧部材は、前記基板に対して前記板状部材から加えられる圧力が低い領域において前記板状部材に保持される請求項１または２に記載の基板保持部材。
【請求項４】
前記受圧部材は、前記保持領域に保持された基板の厚さと等しい突出量を有する請求項１から３のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項５】
前記受圧部材は、前記保持領域を包囲する環状部材である請求項１から４のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項６】
前記環状部材は、前記保持面に保持した前記基板の外形に略等しい内側形状を有する請求項５に記載の基板保持部材。
【請求項７】
前記受圧部材は、前記板状部材の外形と等しい外形を有する請求項１または２に記載の基板保持部材。
【請求項８】
前記受圧部材は、前記基板の材料と同一の材料で形成されている請求項１から７のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項９】
前記受圧部材は、前記基板の弾性係数と等しい弾性係数を有する材料で形成されている請求項１から８のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項１０】
前記受圧部材の突出量は、前記板状部材に保持された前記基板と前記基板に接合される前記他の基板との厚さを合わせた大きさと等しい請求項１から９のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項１１】
前記受圧部材は、前記保持面からの突出量が可変である請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項１２】
前記受圧部材は、印加される電圧の増減に応じて伸縮する電気機械変換材料を有する請求項１１に記載の基板保持部材。
【請求項１３】
前記板状部材は、前記板状部材の前記基板を保持する保持面において前記受圧部材の外側まで延在するフランジ部を更に有する請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板保持部材。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載された前記基板保持部材に保持された前記基板と前記他の基板とに、前記板状部材を介して圧力を加える加圧面を有する加圧部を備える接合装置。
【請求項１５】
請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載された一対の前記基板保持部材と、
前記一対の基板保持部材に各々保持されて前記一対の基板保持部材の間に挟まれた一対の基板に、前記板状部材を介して圧力を加える加圧部とを備え、当該一対の基板を圧着させる接合装置。
【請求項１６】
基板と当該基板の厚さと等しい厚さを有して当該基板の外側に配された受圧部材とに接して当該基板を加圧する加圧面を備えた接合装置。
【請求項１７】
一対の基板を互いに位置合わせする位置合わせ工程と、
前記一対の基板を一対の加圧面の間で加圧する加圧工程と、
前記加圧工程で圧力を受ける受圧部材を前記加圧面上に前記一対の基板の外側で配置する配置工程とを有する接合方法。
【請求項１８】
前記一方の加圧面からの前記受圧部材の突出量を前記基板の厚さに応じて調整する調整工程を有する請求項１７に記載の接合方法。
【請求項１９】
互いに厚さが異なる複数の受圧部材から前記基板の厚さと等しい厚さを有する前記受圧部材を選択する選択工程を有する請求項１８に記載の接合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板保持部材、接合装置および接合方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合対象の複数の画像を読取装置に第１の解像度で読み取らせる第１の読取制御手段と、
前記複数の画像のそれぞれにおける一部分であって、当該複数の画像のそれぞれにおける他の画像が結合される結合部を、前記読取装置に、前記第１の解像度よりも高い第２の解像度で読み取らせる第２の読取制御手段と、
前記第２の読取制御手段により読み取られた、前記複数の画像のそれぞれにおける結合部の画像に基づき、当該複数の画像が結合されるときのレイアウトを決定する決定手段と、
前記第１の読取制御手段により読み取られた前記複数の画像が、前記決定手段により決定されたレイアウトで結合された画像を出力する出力手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第２の読取制御手段により読み取られた、前記結合対象の複数の画像における結合部の相関を解析する解析手段を有し、
前記決定手段は、前記解析手段で解析した結果に基づき、前記第１の読取制御手段により読み取られた前記複数の画像のレイアウトを決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第２の読取制御手段は、２つの結合対象の画像において重複した部分を含む、当該２つの結合対象の画像のそれぞれにおける結合部を読み取り、前記解析手段は、当該２つの結合部のそれぞれの画像を比較することにより、当該２つの結合部の相関を解析することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第２の読取制御手段により読み取られた、結合対象の複数の画像のそれぞれの結合部を、表示装置に表示させる表示制御手段を有し、
前記決定手段は、前記表示制御手段による表示に基づくユーザによる指示に応じて、前記結合対象の複数の画像のレイアウトを決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第１の読取制御手段は、前記読取装置の原稿台に載置されている原稿を、結合対象の画像として前記第１の解像度で前記読取装置に読み取らせ、
前記第２の読取制御手段は、前記原稿が載置された前記原稿台における所定の領域を、前記結合対象の画像の結合部として前記第２の解像度で前記読取装置に読み取らせることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
結合対象の複数の画像を読取装置に第１の解像度で読み取らせ、
前記複数の画像のそれぞれにおける一部分であって、当該複数の画像のそれぞれにおける他の画像が結合される結合部を、前記読取装置に、前記第１の解像度よりも高い第２の解像度で読み取らせ、
前記読取装置により読み取られた、前記複数の画像のそれぞれにおける結合部の画像に基づき、当該複数の画像が結合されるときのレイアウトを決定し、
前記読取装置により読み取られた前記複数の画像が、決定された前記レイアウトで結合された画像を出力することを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
結合対象の複数の画像が結合された画像を出力する画像処理装置、画像処理方法、およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
したがって本発明は、結合対象の複数の画像が適切に結合された画像を出力することができる画像処理装置、画像処理方法、およびプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するために本発明の画像処理装置は、結合対象の複数の画像を読取装置に第１の解像度で読み取らせる第１の読取制御手段と、前記複数の画像のそれぞれにおける一部分であって、当該複数の画像のそれぞれにおける他の画像が結合される結合部を、前記読取装置に、前記第１の解像度よりも高い第２の解像度で読み取らせる第２の読取制御手段と、前記第２の読取制御手段により読み取られた、前記複数の画像のそれぞれにおける結合部の画像に基づき、当該複数の画像が結合されるときのレイアウトを決定する決定手段と、前記第１の読取制御手段により読み取られた前記複数の画像が、前記決定手段により決定されたレイアウトで結合された画像を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、結合対象の複数の画像が適切に結合された画像を出力することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の画像形成装置と、
前記１つ以上の画像形成装置に接続された、階調補正の対象となる第１画像読取装置と、
前記１つ以上の画像形成装置に接続された、階調補正の基準となる第２画像読取装置と
を備えた画像形成システムであって、
前記第１画像読取装置は、
それぞれ同一の画像形成装置により出力された基準原稿を読み取ることで取得された前記第１画像読取装置の読取結果と前記第２画像読取装置の読取結果とに基づいて、前記第１画像読取装置の読取結果を前記第２画像読取装置の読取結果に近づけるための補正値を決定する補正値決定手段と、
前記補正値を前記第１画像読取装置に設定する設定手段と
を備えることを特徴とする画像形成システム。
【請求項２】
前記第１画像読取装置の読取結果は、
前記第１画像読取装置が所定のチャートを読み取り、
読み取った該チャートを前記画像形成装置が出力することで第１の基準原稿を形成し、
前記第１の基準原稿を前記第１画像読取装置が読み取ることで作成した階調特性であり、
前記第２画像読取装置の読取結果は、
前記第２画像読取装置が前記チャートを読み取り、
読み取った該チャートを前記画像形成装置が出力することで第２の基準原稿を形成し、
前記第２の基準原稿を前記第１画像読取装置が読み取ることで作成した階調特性である
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成システム。
【請求項３】
前記第１画像読取装置及び前記第２画像読取装置は、
自己の読取結果に自己の識別情報を埋め込む埋め込み手段
を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成システム。
【請求項４】
複数の画像読取装置のそれぞれにおける画像の読み取り回数をカウントするカウンタと、
前記複数の画像読取装置における各読み取り回数を比較する比較手段と、
前記複数の画像読取装置のうち、前記読み取り回数が最小の画像読取装置を前記第２画像読取装置として選択する選択手段と
を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像形成システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一方で、複数のリーダーに対して同一のプリンタ部を使用するシステムも提案されている（特許文献３）。この提案によれば、プリンタ部は、階調補正手段の補正係数をリーダーごとに有し、読み取りを行ったリーダーを特定することで補正係数を切り替えている。
【特許文献１】特開平５−３７７７８号公報
【特許文献２】特開平７−１９３６８６号公報
【特許文献３】特開２００１−１７７７２５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ、通信回路およびアンテナ端末を含み、前記通信回路が、第１の搬送周波数を有する第１の被変調信号を生成するＲＦＩＤタグと、
前記アンテナ端末に結合しているアンテナと、
前記第１の被変調信号の変調を検出するための検出器と、
前記第１の被変調信号を阻止するためのフィルタと、を含む前記アンテナ端末に結合している回路と、
前記アンテナを通してＲＦＩＤタグ・リーダ・ライタによる後での検索のために、前記メモリに第１のデータを送信し、前記メモリから前記ＲＦＩＤタグ・リーダ・ライタからの第２のデータを受信するためのプロセッサであって、前記プロセッサが、前記第１のデータを受信するために前記検出器に結合しているデータ入力端末と、前記第２のデータを送信するために前記フィルタに結合するためのデータ出力端末とを含み、前記プロセッサが、前記第１の搬送周波数より低い第２の搬送周波数を有し、前記フィルタを通して前記ＲＦＩＤタグに前記第２のデータと一緒に通過することができる、前記データ出力端末から第２の被変調信号を生成するプロセッサと、
を備えるプロセッサをＲＦＩＤタグに結合するためのデバイス。
【請求項２】
前記プロセッサが、前記第２の搬送信号のためのクロック信号を生成し、前記クロック信号をオン／オフすることにより前記クロック信号を変調することにより、前記第２の被変調信号を生成する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
ＲＦＩＤタグと通信するための方法であって、
前記ＲＦＩＤタグとワイヤで接続しているプロセッサにより、前記ＲＦＩＤタグに第１の被変調信号を送信するステップと、
前記プロセッサにより検出器を通して、前記ＲＦＩＤタグから第２の被変調信号の変調を受信するステップと、
の各ステップを含むプロセッサをＲＦＩＤタグに結合する方法。
【請求項４】
前記第１の被変調信号の第１の搬送周波数が、前記第２の被変調信号の第２の搬送周波数より低い、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記送信ステップが、前記第２の被変調信号を阻止するフィルタを通して、前記第１の被変調信号を送信するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の被変調信号が、前記ＲＦＩＤタグに結合しているアンテナを通して、ＲＦＩＤタグ・リーダ・ライタによる後での検索のために、前記メモリ内に格納している第１のデータを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の被変調信号が、前記プロセッサによる後での検索のために、前記ＲＦＩＤタグに結合しているアンテナを通して、ＲＦＩＤタグ・リーダ・ライタにより前記メモリ内に格納している第２のデータを含む、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ発光部を備えた複数の操作デバイスと、当該複数の操作デバイスと通信接続される情報処理装置と、を含む情報処理システムであって、
前記情報処理装置は、
前記複数の操作デバイスのそれぞれに対して発光色の指示を送信する発光制御手段と、
前記発光部から発せられる光を検出する検出手段と、
前記検出された光の位置に応じて、前記各操作デバイスの位置を特定する位置特定手段と、
を備え、
前記複数の操作デバイスのそれぞれは、前記発光制御手段が送信する指示に応じて、互いに異なる発光色で前記発光部を発光させる
ことを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
請求項１記載の情報処理システムにおいて、
前記発光制御手段は、前記操作デバイスのユーザに発光色の候補を提示し、当該発光色の候補の中からユーザが選択する色で、当該ユーザが保持する操作デバイスの前記発光部を発光させる指示を当該操作デバイスに送信する
ことを特徴とする情報処理システム。
【請求項３】
請求項１又は２記載の情報処理システムにおいて、
前記情報処理装置は、前記通信接続される操作デバイスのそれぞれに対して、当該操作デバイスを識別するための論理番号の割り当てを行い、
前記複数の操作デバイスのそれぞれは、当該操作デバイスが割り当てられた論理番号に応じて決まる発光色で前記発光部を発光させる
ことを特徴とする情報処理システム。
【請求項４】
請求項２記載の情報処理システムにおいて、
前記発光制御手段は、前記提示する発光色の候補の中から、他の操作デバイスの発光色を除外する
ことを特徴とする情報処理システム。
【請求項５】
発光部を備え、情報処理装置と通信接続される操作デバイスであって、
前記発光部から発せられる光が前記情報処理装置による当該操作デバイスの位置の特定に用いられ、
前記発光部が、前記情報処理装置から受信した指示に応じて、前記情報処理装置に接続される他の操作デバイスとは異なる発光色で発光する
ことを特徴とする操作デバイス。
【請求項６】
それぞれ発光部を備えた複数の操作デバイスと通信接続される情報処理装置であって、
前記発光部から発せられる光を検出する検出手段と、
前記検出された光の位置に応じて、前記各操作デバイスの位置を特定する位置特定手段と、
前記複数の操作デバイスのそれぞれに対して、当該操作デバイスの前記発光部を他の操作デバイスと異なる発光色で発光させる指示を当該操作デバイスに送信する発光制御手段と、
を含むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
それぞれ発光部を備えた複数の操作デバイスと通信接続される情報処理装置の制御方法であって、
前記発光部から発せられる光を検出するステップと、
前記検出された光の位置に応じて、前記各操作デバイスの位置を特定するステップと、
前記複数の操作デバイスのそれぞれに対して、当該操作デバイスの前記発光部を他の操作デバイスと異なる発光色で発光させる指示を当該操作デバイスに送信するステップと、
を含むことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項８】
それぞれ発光部を備えた複数の操作デバイスと通信接続され、前記発光部から発せられる光を検出する検出手段を備える情報処理装置を、
前記検出された光の位置に応じて、前記各操作デバイスの位置を特定する位置特定手段、及び
前記複数の操作デバイスのそれぞれに対して、当該操作デバイスの前記発光部を他の操作デバイスと異なる発光色で発光させる指示を当該操作デバイスに送信する発光制御手段、
として機能させるためのプログラム。
【請求項９】
請求項８記載のプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像読み取り部を備え、情報処理装置に接続される画像読取装置であって、
前記画像読取装置を使用するために前記情報処理装置で実行されるソフトウエアを記憶したソフトウエア記憶手段と、
前記情報処理装置からファイルの読み書きが可能なファイル記憶手段と、
前記画像読取装置を前記情報処理装置の外部記憶装置として該情報処理装置に認識させるための認識制御手段と、
前記ソフトウエア記憶手段から前記ソフトウエアが前記情報処理装置によって実行されたときに、該ソフトウエアにしたがって前記情報処理装置が前記ファイル記憶手段に書き込んだ制御ファイルを読み出すとともに、該制御ファイルに含まれているコマンドを実行する実行手段と
を備え、
前記ファイル記憶手段は、前記画像の読み取りに適用されるパラメータを記憶し、
前記ソフトウエアは、前記パラメータを前記ファイル記憶手段から読み出し、読み出した該パラメータに応じたコマンドを前記画像読取装置に送信するコマンド送信手段として該情報処理装置を機能させる
ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記ソフトウエアは、
前記情報処理装置に付与された識別情報を取得する取得手段と、
前記情報処理装置に付与された識別情報に基づいて対応する前記パラメータを前記ファイル記憶手段から検索して抽出する検索抽出手段
として、前記情報処理装置を機能させることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記ソフトウエアは、
前記情報処理装置にログインしているユーザの識別情報を取得する取得手段と、
前記ユーザの識別情報に基づいて対応する前記パラメータを前記ファイル記憶手段から検索して抽出する検索抽出手段
として、前記情報処理装置を機能させることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記ソフトウエアは、
前記ファイル記憶手段から読み出した前記パラメータを提示するためのユーザインターフェースを表示する表示手段と、
前記ユーザインターフェースを通じて前記パラメータの変更を受け付ける受付手段と、
変更された前記パラメータを前記ファイル記憶手段に書き込む書き込み手段
として、前記情報処理装置を機能させることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記ファイル記憶手段は、前記画像読取装置に接続される情報処理装置ごとの、前記画像の読み取りに適用されるパラメータを記憶していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記ファイル記憶手段は、前記情報処理装置を使用するユーザごとの、前記画像の読み取りに適用されるパラメータを記憶していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
画像読み取り部と、画像読取装置を使用するために情報処理装置で実行されるソフトウエアを記憶したソフトウエア記憶手段と、前記情報処理装置からファイルの読み書きが可能なファイル記憶手段とを備えた画像読取装置の制御方法であって、
前記画像読取装置を前記情報処理装置の外部記憶装置として該情報処理装置に認識させるための認識制御工程と、
前記ソフトウエア記憶手段から前記ソフトウエアが前記情報処理装置によって実行されたときに、該ソフトウエアにしたがって前記情報処理装置が前記ファイル記憶手段に書き込んだ制御ファイルを読み出すとともに、該制御ファイルに含まれているコマンドを実行する実行工程と
を備え、
前記ファイル記憶手段は、前記画像の読み取りに適用されるパラメータを記憶しており、
前記ソフトウエアは、前記パラメータを前記ファイル記憶手段から読み出し、読み出した該パラメータに応じたコマンドを前記画像読取装置に送信するコマンド送信手段として該情報処理装置を機能させることを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の画像読取装置は、画像読み取り部を備え、情報処理装置に接続される画像読取装置であって、
前記画像読取装置を使用するために前記情報処理装置で実行されるソフトウエアを記憶したソフトウエア記憶手段と、
前記情報処理装置からファイルの読み書きが可能なファイル記憶手段と、
前記画像読取装置を前記情報処理装置の外部記憶装置として該情報処理装置に認識させるための認識制御手段と、
前記ソフトウエア記憶手段から前記ソフトウエアが前記情報処理装置によって実行されたときに、該ソフトウエアにしたがって前記情報処理装置が前記ファイル記憶手段に書き込んだ制御ファイルを読み出すとともに、該制御ファイルに含まれているコマンドを実行する実行手段と
を備え、
前記ファイル記憶手段は、前記画像の読み取りに適用されるパラメータを記憶し、
前記ソフトウエアは、前記パラメータを前記ファイル記憶手段から読み出し、読み出した該パラメータに応じたコマンドを前記画像読取装置に送信するコマンド送信手段として該情報処理装置を機能させる
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の太陽電池セルと、
前記複数の太陽電池セルの少なくとも一部を互いに接続する配線タブと、
を備え、
前記複数の太陽電池セルは、
複数のフィンガー電極と、
前記配線タブが接続される領域に配置される圧力分散材と、
を含み、
前記圧力分散材は、前記配線タブの長手方向に延在して前記複数のフィンガー電極のうち隣り合うフィンガー電極を接続するライン状の導電材を複数有し、
前記複数の導電材は、前記配線タブの短手方向に配列している、太陽電池モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池モジュールにおいて、
前記複数の導電材は、前記複数のフィンガー電極よりも狭い幅を有する、太陽電池モジュール。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載の太陽電池モジュールにおいて、
前記複数の導電材は、前記複数のフィンガーと同一の導電性材料を有する、太陽電池モジュール。
【請求項４】
請求項1〜３のいずれかに記載の太陽電池モジュールにおいて、
前記複数の導電材の互いの間隔は、前記複数のフィンガー電極の互いの間隔よりも小さい、太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線を透過させる材料で構成され、放電用ガスを封入した薄箱形状を呈し、厚さ方向に直交する互いに平行な２側面の一方を被照射体に対向する窓面とした放電容器と、
前記窓面の外側面に配置され、紫外線を透過させる窓側電極層と、
前記放電容器における前記窓面に対向する背面の外側面に配置される背面側電極層と、
前記窓側電極層と前記背面側電極層との間に高周波電圧を印加する電源手段と、
前記窓側電極層の外側に間隙を設けて配置され、紫外線を透過させる被照射体側窓部材と、
前記間隙に不活性ガスを流通させるガス供給手段と、
を備えたエキシマ照射装置。
【請求項２】
前記窓側電極層と前記被照射体側窓部材との間に、紫外線を透過させる電極側窓部材備えた請求項１に記載のエキシマ照射装置。
【請求項３】
紫外線を透過させるフィルタを、前記被照射体側窓部材の外側に、前記被照射体側窓部材の外側面との間を無酸素状態にして着脱自在に備えた請求項１又は２に記載のエキシマ照射装置。
【請求項４】
前記窓面の法線方向に沿って前記被照射体側窓部材を前記電極側窓部材に対して変位自在に支持する支持手段を備えた請求項１乃至３の何れかに記載のエキシマ照射装置。
【請求項５】
前記窓側電極層は前記窓面の面方向に沿って複数の開口を有する網状電極であり、前記背面側電極層は前記背面の外側面に貼付されて紫外線を遮光する板状電極である請求項１乃至４の何れかに記載のエキシマ照射装置。
【請求項６】
前記放電容器における前記窓面以外の面のエキシマ光を検出するセンサと、前記センサの検出信号に応じて前記紫外線の照射状態を検出する制御部と、を備えた請求項１乃至５の何れかに記載のエキシマ照射装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記センサの検出信号に応じて前記電源手段の出力を制御する請求項６に記載のエキシマ照射装置。
【請求項８】
前記背面電極層の外側に流体冷却手段を配置した請求項１乃至７の何れかに記載のエキシマ照射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
加えて、放電容器における窓面以外の面のエキシマ光を検出するセンサと、センサの検出信号に応じて紫外線の照射状態を検出する制御部と、を備えることが好ましい。放電容器内における紫外線の発生状態を容易に確認することができる。この場合に、制御部は、センサの検出信号に応じて電源手段の出力を制御するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＩＭＯＸウェーハの埋め込み酸化膜下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減する方法であって、
前記ウェーハの表面から前記シリコン層に注入したイオンを前記結晶欠陥に衝突させて該結晶欠陥を壊す第１の工程と、該第１の工程で得られた前記ウェーハを加熱して前記シリコン層を再結晶させる第２の工程とを含み、
前記第１の工程は、異なる注入エネルギで前記イオンを複数回注入することを特徴とするＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項２】
ＳＩＭＯＸウェーハの埋め込み酸化膜下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減する方法であって、
前記ウェーハの表面から前記埋め込み酸化膜よりも設定深さの範囲の前記シリコン層までイオンを注入する第１の工程と、該第１の工程で得られた前記ウェーハを加熱して前記イオンが注入された部位の結晶性を回復させる第２の工程とを含み、
前記第１の工程は、異なる注入エネルギで前記イオンを複数回注入することを特徴とするＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項３】
前記第１の工程は、前記シリコン層に注入するイオンを酸素イオンとするとき、前記ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態から前記イオンの注入を開始し、各イオン注入時のイオンドーズ量を１×１０１５〜１．５×１０１６、前記注入エネルギを１５０ｋｅＶ〜２２０ｋｅＶとすることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項４】
前記第１の工程で前記シリコン層に注入するイオンは、元素周期表の水素からアルゴンまでの元素のうちいずれかのイオンであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項５】
前記第２の工程は、前記ウェーハを１１５０℃〜１３５０℃の温度に加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に表裏を貫通する貫通孔を形成し、
前記基板及び前記貫通孔の表面に絶縁膜を形成し、
前記基板の少なくとも一方及び／又は前記貫通孔に金属からなるシード膜を形成し、
前記シード膜にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記貫通孔内に金属材料を充填することを特徴とする貫通電極基板の製造方法。
【請求項２】
前記電解めっき法は、前記シード膜にプラス電圧とマイナス電圧を周期的に印加することによって行うことを特徴とする請求項１に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項３】
前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記貫通孔に金属材料を形成した後、前記シード膜に第２の時間パルス電流を供給する電解めっき法により、
前記貫通孔内に金属材料を充填することを特徴とする請求項２に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項４】
前記シード膜にパルス電流を供給する前記電解めっき法は、前記パルス電流の電流密度を大きくしながら前記貫通孔内に前記金属材料を充填する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項５】
前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記貫通孔に金属材料を形成した後、前記シード膜に第３の時間、第１の電流密度でパルス電流を供給し、前記シード膜に第４の時間、前記第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度でパルス電流を供給する電解めっき法により、前記貫通孔内に金属材料を充填することを特徴とする請求項２に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項６】
基板に前記基板を貫通しない有底孔を形成し、
前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、
前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、
前記シード膜にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、
前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨することを特徴とする貫通電極基板の製造方法。
【請求項７】
前記電解めっき法は、前記シード膜にプラス電圧とマイナス電圧を周期的に印加することによって行うことを特徴とする請求項６に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項８】
前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔に金属材料を形成した後、前記シード膜に第２の時間パルス電流を供給する電解めっき法により、
前記有底孔内に金属材料を充填することを特徴とする請求項７に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項９】
前記シード膜にパルス電流を供給する前記電解めっき法は、前記パルス電流の電流密度を大きくしながら前記有底孔内に前記金属材料を充填する工程を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項１０】
前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔に金属材料を形成した後、前記シード膜に第３の時間、第１の電流密度でパルス電流を供給し、前記シード膜に第４の時間、前記第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度でパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填することを特徴とする請求項７に記載の貫通電極基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のダイオードと、第２のダイオードと、を有し、
前記第１のダイオードの出力は、前記第２のダイオードの入力と電気的に接続されており、
前記第２のダイオードの入力は、前記第２のダイオードの出力と電気的に接続されており、
前記第１のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第１の長さを有し、
前記第２のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第２の長さを有し、
前記第２の長さは、前記第１の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
第３のダイオードを有し、
前記第２のダイオードの出力は、前記第３のダイオードの入力と電気的に接続されており、
前記第３のダイオードの入力は、前記第３のダイオードの出力と電気的に接続されており、
前記第３のダイオードは、電流が流れる方向と垂直な方向に第３の長さを有し、
前記第３の長さは、前記第１の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
配線を有し、
前記第２のダイオードの入力は、前記配線と直接接続されており、
前記第２のダイオードの出力は、前記配線と直接接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
スイッチング素子を有し、
前記第２のダイオードの入力は、前記スイッチング素子を介して、前記第２のダイオードの出力と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、支持部材と、を接着する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）接着フィルム付き半導体素子を準備する工程と、
（ｂ）前記接着フィルム付き半導体素子を前記支持部材に熱圧着して、前記接着フィルム付き半導体素子と前記支持部材とからなる半導体部品を得る熱圧着工程と、
（ｃ）前記接着フィルム付き半導体素子と前記支持部材とからなる前記半導体部品を、加圧流体を用いて加熱、加圧し、接着フィルムの硬化を進行させる加圧キュア工程と、
を前記工程（ａ），（ｂ），（ｃ）の順で行い、
前記加圧キュア工程（ｃ）における加圧力が０．１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下であって、
前記加圧キュア工程（ｃ）において、圧力容器を用いて、該圧力容器内に前記接着フィルム付き半導体素子と前記支持部材とからなる前記半導体部品を設置し、前記加圧流体により加熱、加圧を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記加圧流体が加圧ガスであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記加圧流体が加圧空気であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記加圧キュア工程（ｃ）における加熱、加圧条件が、加熱温度８０℃以上であり、加圧時間が１分以上、４８０分以下である、ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記加圧キュア工程（ｃ）によりボイドと隙間とが低減され、
前記加圧キュア工程（ｃ）を経た後において、前記接着フィルム内部に直径３０μｍ以上のボイドが存在しないことを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ａ）が、
（ａ１）ウエハ、接着フィルム、ダイシングテープの順になるように、前記ウエハの裏面に、ダイシングテープ付き接着フィルムをラミネートする工程と、
（ａ２）前記ウエハとラミネートした前記ダイシングテープ付き接着フィルムとを一体にダイシングする工程と、
（ａ３）前記ダイシングテープを剥離し、接着フィルム付き半導体素子を形成する工程と、
を上記（ａ１），（ａ２），（ａ３）の順で行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ａ）を行う前における前記接着フィルムの１００℃〜１５０℃での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１０００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法により製造されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、導体素子と、支持部材と、を接着する半導体装置の製造方法であって、（ａ）接着フィルム付き半導体素子を準備する工程と、（ｂ）前記接着フィルム付き半導体素子を前記支持部材に熱圧着して、前記接着フィルム付き半導体素子と前記支持部材とからなる半導体部品を得る熱圧着工程と、（ｃ）前記接着フィルム付き半導体素子と前記支持部材とからなる前記半導体部品を、加圧流体を用いて加熱、加圧し、接着フィルムの硬化を進行させる加圧キュア工程と、を前記工程（ａ），（ｂ），（ｃ）の順で行い、前記加圧キュア工程（ｃ）における加圧力が０．１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下であって、前記加圧キュア工程（ｃ）において、圧力容器を用いて、該圧力容器内に前記接着フィルム付き半導体素子と前記支持部材とからなる前記半導体部品を設置し、前記加圧流体により加熱、加圧を行うことを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法においては、接着フィルム付き半導体素子を支持部材に熱圧着する熱圧着工程（ｂ）を行った後に、接着フィルムの硬化を進行させる加圧キュア工程（ｃ）を行うことにより、接着フィルム内部のボイドの発生を抑えることができ、また、接着フィルムと半導体素子との界面、及び接着フィルムと支持部材との界面の隙間を埋めることも可能となる。これは、接着フィルムが、熱圧着工程（ｂ）では完全硬化には至っておらず、さらなる加熱により軟化又は移動することができる程度の硬化度合いとなっているため、加圧キュア工程（ｃ）において加熱を行うと同時に、加圧も行うことによって、接着フィルムの硬化がさらに進行するとともに、ボイドを押し潰し、隙間を埋めるように移動することができることによるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法は、前記加圧キュア工程（ｃ）における加熱、加圧条件が、加熱温度８０℃以上であり、加圧時間が１分以上、４８０分以下である、ものとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と、基板を保持して移動するステージと、前記投影光学系の光軸の方向に関して前記基板の表面の位置を計測する計測器とを有し、前記基板の上に配列された複数のショット領域を前記計測器に対して走査して各ショット領域の表面の位置を計測し、その計測結果にしたがって前記ステージを移動させて前記投影光学系を介し各ショット領域を露光する露光装置であって、
前記ステージおよび前記計測器を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記走査の方向に沿うようにショット領域の中心に対して対称に所定ピッチで配置された計測箇所のリストである第１計測箇所リストを生成し、
前記制御部による前記計測器の制御は、
前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所で前記計測器に前記表面の位置を計測させる第１の制御と、
ショット領域において最後に計測される計測箇所及びその次のショット領域において最初に計測される計測箇所の少なくとも一方を前記第１計測箇所リストから除いた第２計測箇所リストに含まれる計測箇所で前記計測器に前記表面の位置を計測させる第２の制御と、を含む、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所に関してショット領域において最後に計測される計測箇所とその次のショット領域において最初に計測される計測箇所との間隔である第１間隔が前記所定ピッチより大きい場合には、前記第１の制御を実行する、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所に関して前記第１間隔が前記所定ピッチより小さい場合には、前記第２の制御を実行する、
ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部による前記計測器の制御は、
複数回の基板の走査を通して、前記第１計測箇所リストに含まれる全ての計測箇所で前記計測器に前記表面の位置を計測させる第３の制御を含み、
前記制御部は、
前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所に関して前記第１間隔が前記所定ピッチより小さく、かつ、計測精度よりも計測時間を優先させるモードにおいては、前記第２の制御を実行し、
前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所に関して前記第１間隔が前記所定ピッチより小さく、かつ、計測時間よりも計測精度を優先させるモードにおいては、前記第３の制御を実行する、
ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
投影光学系と、基板を保持して移動するステージと、前記投影光学系の光軸の方向に関して前記基板の表面の位置を計測する計測器とを有し、前記基板の上に配列された複数のショット領域を前記計測器に対して走査して各ショット領域の表面の位置を計測し、その計測結果にしたがって前記ステージを移動させて前記投影光学系を介し各ショット領域を露光する露光装置であって、
前記ステージおよび前記計測器を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記走査の方向に沿うように、ショット領域の中心に配置された計測箇所と該中心に対して対称に所定ピッチで配置された計測箇所とのリストである第１計測箇所リストを生成し、
前記制御部による前記計測器の制御は、
前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所で前記計測器に前記表面の位置を計測させる第１の制御と、
前記第１計測箇所リストにおける計測箇所のうちショット領域の中心に関して第１方向の側にある計測箇所を前記所定ピッチの半分だけ前記第１方向の反対方向である第２方向に移動させ、前記第１計測箇所リストにおける計測箇所のうち該ショット領域の中心に関して前記第２方向の側にある計測箇所を前記所定ピッチの半分だけ前記第１方向に移動させ、かつ該ショット領域の中心に位置する計測箇所を除いて得られる第２計測箇所リストに含まれる計測箇所で前記計測器に前記表面の位置を計測させる第２の制御と、を含む、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所に関してショット領域において最後に計測される計測箇所とその次のショット領域において最初に計測される計測箇所との間隔である第１間隔が前記所定ピッチより大きい場合には、前記第１の制御を実行する、
ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所に関して前記第１間隔が前記所定ピッチより小さい場合には、前記第２の制御を実行する、
ことを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御部による前記計測器の制御は、
前記走査の速度を前記第１の制御における速度よりも低下させて前記計測器に前記表面の位置を計測させる第３の制御を含み、
前記制御部は、
前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所に関して前記第１間隔が前記所定ピッチより小さく、かつ、計測精度よりも計測時間を優先させるモードにおいては、前記第２の制御を実行し、
前記第１計測箇所リストに含まれる計測箇所に関して前記第１間隔が前記所定ピッチより小さく、かつ、計測時間よりも計測精度を優先させるモードにおいては、前記第３の制御を実行する、
ことを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項９】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、を含む
ことを特徴とするデバイス製造方法。