【事件の表示】
　特願２００１−　８９７１１「分布帰還型半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月２８日出願公開、特開２００２−　６４２４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年３月２７日（優先権主張　平成１２年６月６日）の出願であって、平成２１年１月９日付けで手続補正がなされ、同年３月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月６日に拒絶査定不服審判が請求され、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２１年７月６日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年７月６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容・目的
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲（平成２１年１月９日付け手続補正後のもの）の請求項１である、
　
「　半導体基板上に形成された分布帰還型半導体レーザ素子において、
　活性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓで形成された回折格子を備えることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子。」
　
を、補正後の特許請求の範囲の請求項１として、
　
「　半導体基板上に形成された分布帰還型半導体レーザ素子において、
　活性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓで形成された回折格子を備え、
　ＧａＩｎＮＡｓにＶ族組成比で０．２％〜３．５％のＳｂを添加することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子。」
　
に、補正する内容を含むものである。　
　
　上記補正内容は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である、回折格子を形成する「活性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓ」を、「ＧａＩｎＮＡｓにＶ族組成比で０．２％〜３．５％のＳｂを添加する」ものに限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）優先権主張について
　本願は、特許法第４１条第１項の規定により、特願２０００−１６８６１４号（以下、「先の出願」という。）に記載された発明に基づく優先権の主張を伴ってなされたものであるが、本願補正発明の「ＧａＩｎＮＡｓにＶ族組成比で０．２％〜３．５％のＳｂを添加する」との事項は、先の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されたものとはいえない。
　よって、本願補正発明を、先の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明とすることはできないから、本願補正発明には特許法第４１条第２項に規定されている優先権主張の効果が及ばず、本願補正発明について特許法第２９条第２項の規定を適用するに当たっては、本願の出願日である平成１３年３月２７日を判断の基準日とする。
　
（２）刊行物の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、
本願出願前に頒布された
　
（ア）「【請求項１】　活性層近傍に光導波方向に周期的な凹凸形状を形成し、該凹凸形状に隣接して、凹凸形状と同一周期に光吸収層を形成してなる利得結合型分布帰還半導体レーザ装置において、
前記凹凸形状の谷部上にのみ前記光吸収層が形成され、残る凹凸形状に隣接した領域には埋込層が形成されてなることを特徴とする
利得結合型分布帰還半導体レーザ装置
【請求項２】　前記光吸収層は、垂直量子井戸構造であることを特徴とする請求項１に記載の利得結合型分布帰還半導体レーザ装置。
【請求項３】　半導体基板上に周期的な凹凸形状を形成する工程と、
前記凹凸形状の上に、半導体層を成長させることにより、該半導体層の原料元素のマイグレーションの違いから、凹部の谷部上にのみ光吸収層が形成され、残る領域には埋込層を形成してなる工程と、
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の利得結合型分布帰還半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】　半導体基板上に、周期的な凹凸形状を形成する工程と、
前記凹凸形状の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより、該半導体層の原料元素のマイグレーションの違いから、凹部の谷部にのみ光吸収層が形成され、残る領域には埋込層を形成してなる工程と、を有し、
前記凹凸形状の両斜面が（ｎ１１）面であり、前記凹部の谷部が（１００）面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の利得結合型分布帰還型半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項５】　前記凹凸形状の凹部の谷部はその幅が３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３又は４に記載の利得結合型分布帰還半導体レーザ装置の製造方法。」　
　
（イ）「【０００４】図８は従来の利得結合型分布帰還半導体レーザ装置を示す構造図である。この従来例は、まず、ｎ−ＧａＡｓ基板８０上にｎ−Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓクラッド層８１、アンドープＧａＡｓ活性層８２、ｐ−Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓキャリアブロック層８３、ｐ−Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ａｓガイド層８４、ｐ−ＧａＡｓ光吸収層８５を、ＭＯＣＶＤ法により形成する。続いて、成長層の最上層に二光束干渉露光法及びエッチングにより２５５ｎｍ周期の回折格子を印刻する。その後、ｐ−Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓクラッド層８６、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８７を、ＭＯＣＶＤ法により再成長して形成する。その後、電極８８１，８８２を蒸着し、最後にへき開して、この半導体レーザ素子を完成させる。図８は、共振器方向の断面を示している。
【０００５】この従来例では、吸収層はエッチングにより周期的に分離されており、周期的な利得の変動が施され、利得結合型ＤＦＢ−ＬＤとなっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の実施例では、回折格子のデューティは二光束干渉露光法で形成されるレジストマスクのデューティ及びその後のエッチング量によって大きく変化するため、その制御は難しい。特に小さなデューティを再現よく制御することは非常に困難である。即ち利得結合係数と吸収損失の制御が難しく閾値利得の再現性が得られないという問題があった。本発明は、
デューティの小さい吸収性回折格子を有するＧＣ−ＤＦＢ−ＬＤを提供することを目的
　
（ウ）「【００４４】（実施例４）図９は本発明の第四の実施例を示す利得結合型分布帰還半導体レーザ装置の構造図である。
【００４５】この実施例は、まず、
ｎ−ＧａＡｓ基板９０上に
ｎ−Ａｌ
０．３
Ｇａ
０．７
Ａｓクラッド層９１
アンドープＧａＡｓガイド層９２、
ＧａＩｎＮＡｓ量子井戸層および
ＧａＡｓバリア層よりなるＭＱＷ活性領域９３、
ＧａＡｓガイド層９４を
形成する
続いて、成長層の最上層に
凹凸形状を印刻する
その後、
ｐ−ＧａＩｎＮＡｓ埋込層９６（エネルギー波長λｇ＝１．１μｍ）、
ｐ−Ａｌ
０．３
Ｇａ
０．７
Ａｓクラッド層９７、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９８を
形成する
このとき、ｐ−ＧａＩｎＮＡｓ埋込層９６を成長する際、凹凸形状の谷部から基板に対して垂直な方向に、該埋込層のエネルギーよりも小さいエネルギーの層
即ち
垂直量子井戸（ＶＱＷ）構造９５が形成される
その後、電極９９１，９９２を蒸着し、最後にへき開して、この半導体レーザ素子を完成させる
【００４６】この実施例は、ｐ−ＧａＩｎＮＡｓ埋込層９６は、成長圧力７６Ｔｏｒｒ、成長温度６５０℃、Ｖ／ＩＩＩ比２００、成長速度２５ｎｍ／ｍｉｎでＭＯＣＶＤ成長しており、この際、成長雰囲気中のＶ族原料はウェハと接した領域で、ＮのマイグレーションがＡｓのマイグレーションにくらべ大きく、凹凸形状ウェハ上では、Ｎは谷部にマイグレーションし、谷部ではＮの濃度が増加する。その結果、凹凸形状の谷部に沿って基板に対して垂直な方向に
埋込層９６の他の部分よりもＮ組成の高い層
垂直量子井戸（ＶＱＷ）構造９５が形成され
ＶＱＷ光吸収層を構成している
該ＶＱＷ９５のエネルギー波長は１．３５μｍ、活性層９２のエネルギー波長は１．３μｍであった
【００４７】即ち、
ｐ−ＧａＩｎＮＡｓ埋込層９６の内部で
活性層が発生した光の一部を吸収するＶＱＷ光吸収層と、活性層が発生した光に対して透明なＧａＩｎＮＡｓガイド層（λｇ＝１．１μｍ）が周期的に形成されており
【００４８】また、ＶＱＷは原料のマイグレーションにより自然形成されるため、量子井戸の界面は徐々に混晶比の変わるグレイデッドな構造が自然に形成され、吸収再結合が効率良く行なわれ、利得結合係数が増大した。また、活性層が発生した光は、活性層に強度のピークを持ち、クラッド層まで光の一部が広がっているが、本実施例においても、光吸収層の存在するｐ−ＧａＩｎＮＡｓ埋込層９６全体に、活性層が発生した光の一部が広がっており、埋込層中に垂直に構成されているＶＱＷ光吸収層は量子井戸の全面で光を感じるため、
ＶＱＷ部分では大きな吸収を感じ
【００４９】一方、ＶＱＷの井戸幅が薄い即ちデューティが小さいため、ＶＱＷでの総吸収量は小さく、吸収係数は小さく抑えられた。小さい吸収係数と大きい利得結合係数を再現良く得られたことから、低い閾値利得が再現良く得られ、動作電流が低減し再現性も向上した。
【００５０】
【発明の効果】
利得結合型分布帰還半導体レーザ装置
ＶＱＷ光吸収層は
吸収性回折格子が構成できる
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）からみて、刊行物１には、
　「ｎ−ＧａＡｓ基板上にｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓクラッド層、アンドープＧａＡｓガイド層、ＧａＩｎＮＡｓ量子井戸層およびＧａＡｓバリア層よりなるＭＱＷ活性領域、ＧａＡｓガイド層を形成し、続いて、成長層の最上層に凹凸形状を印刻し、その後、ｐ−ＧａＩｎＮＡｓ埋込層（エネルギー波長λｇ＝１．１μｍ）、ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓクラッド層、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層を形成し、このとき、ｐ−ＧａＩｎＮＡｓ埋込層を成長する際、凹凸形状の谷部から基板に対して垂直な方向に該埋込層のエネルギーよりも小さいエネルギーの層即ち垂直量子井戸（ＶＱＷ）構造が形成され、その後、電極を蒸着し、最後にへき開して半導体レーザ素子を完成させる、利得結合型分布帰還半導体レーザ装置であって、
　前記垂直量子井戸（ＶＱＷ）構造は、前記埋込層の他の部分よりもＮ組成の高い層でありＶＱＷ光吸収層を構成し、該ＶＱＷのエネルギー波長が１．３５μｍ、活性層のエネルギー波長が１．３μｍであって、
　前記ｐ−ＧａＩｎＮＡｓ埋込層の内部には、前記活性層が発生した光の一部を吸収しＶＱＷ部分では大きな吸収を感じるＶＱＷ光吸収層と、活性層が発生した光に対して透明なＧａＩｎＮＡｓガイド層（λｇ＝１．１μｍ）が周期的に形成されており、ＶＱＷ光吸収層は吸収性回折格子が構成できる、利得結合型分布帰還半導体レーザ装置。」
　
の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
イ　同じく、特開２０００−３１２０５４号公報（以下「刊行物２」という。）には、図とともに次の事項が記載されている。
　
（ア）「【請求項１】　
凹部及び／又は凸部を形成して複数の異なる結晶面を露出させた半導体基板上に、窒素と窒素以外のＶ族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を結晶成長させる
【請求項２】　窒素と窒素以外のＶ族元素とを共に組成として含む化合物半導体層は、窒素原料と、窒素以外のＶ族元素原料とを交互に供給することによって成長される工程を含んでなることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】　基板表面の結晶面の違いによって、窒素と窒素以外のＶ族元素との組成比を制御して、窒素と窒素以外のＶ族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を形成する工程を含んでなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】　前記窒素と窒素以外のＶ族元素とを共に組成として含む化合物半導体層は、量子井戸構造における井戸層をなすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】　前記
窒素以外のＶ族元素は、砒素、リン、アンチモンから少なくとも１種類選択されてなる
・・・
【請求項１４】　
請求項１乃至５に記載の半導体素子の製造方法のいずれかを用い
活性層の近傍に周期的な凹凸からなる回折格子を形成し、該回折格子上方に、該回折格子の凹凸形状を反映すると共に、
窒素と窒素以外のV族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を少なくとも１層積層して、吸収性回折格子を作製する
　
（イ）「【０１０４】本実施形態においても、・・・。
（実施の形態４）本発明の実施形態４として、
ＧａＩｎＮＡｓをＭＱＷ活性層の井戸層、および吸収性回折格子に有
利得結合分布帰還型半導体レーザ
素子
【０１０５】以下に、製造手順を追いながら素子構造についても詳しく説明する。
【０１０６】まず、（１００）面を表面に有する低抵抗ｎ型ＧａＡｓ基板１１の表面に、通常のホトリソグラフィによるパターンニングとウエットエッチングを用いて、図１０（ａ）に示すように領域Ａには幅の広い平坦な頂部をもつストライプ状のメサ２４を、領域Ｂには幅の狭いストライプ状のメサ２３をエッチング加工することにより設ける。図１０（ａ）において、ＷＡは２０μｍ、ＷＢは６μｍとし、メサの高さを１．４μｍとした。領域Ａが半導体レーザ部、領域Ｂが変調器となる。メサ２３，２４の長て方向における側面には、｛３１１｝Ｂ面から成る斜面が露出していた。
【０１０７】次に、図１０（ａ）のように加工された基板の上に、導波路構造を構成する各層を積層する。半導体レーザ部となる幅の広い平坦頂部をもつストライプ状のメサ２４の上に形成された層構造の断面を図１０（ｂ）に、光導波路部となる幅の狭いストライプ状のメサ２３の上に形成された層構造の断面を図１０（ｃ）に示す。積層される各層の材料，層厚（平坦部への成長層で計測）は次の通りである。
【０１０８】
　　下クラッド層１３　　：ｎ型Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ，層厚０．２μｍ
　　活性層１４　　　　　　　　：三重量子井戸
　　　井戸層１４ａ　　：ノンドープＧａ０．８Ｉｎ０．２ＮｙＡｓ１−ｙ，層厚８ｎｍ
　　　障壁層１４ｂ　　：ノンドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ，層厚１０ｎｍ
　　　ガイド層１４ｃ：ノンドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ，層厚３０ｎｍ
　　光導波層１９　　　　　　：ｐ型Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ，層厚０．２μｍ
この時の結晶成長には、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ａｓ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ），アルシン（ＡｓＨ３）を、Ｎ原料として５００℃でクラッキングされたアンモニアガス（ＮＨ３）を用いた化学ビームエピタキシャル成長（ＣＢＥ）法を使用し、成長温度を５００℃とした。活性層のＧａＩｎＮＡｓ層の結晶成長は、Ｖ族原料を交互に供給することによって行った。
【０１０９】図１０（ａ）のように加工されたＧａＡｓ（１００）基板の最表面には、主面である（１００）面の他に、溝部の長て方向の側面には｛３１１｝Ｂ面から成る斜面が露出している。この基板の上にＶ族元素としてＡｓとＮとを含む材料を結晶成長すると、実施形態１で説明したものと同じ作用により、主面である（１００）面上に結晶成長した部分よりも｛３１１｝Ｂ面上に結晶成長した部分の方がＮ原子と置き換わるＡｓ原子の割合いが少なく、わずかにＮ組成が小さくなる。Ｂ面上の量子井戸３２はＮ組成がｙ＝０．００９と小さく、ＭＱＷの禁制帯幅は１．０８ｅＶ（波長１．１５μｍ相当）となっていた。
【０１１０】一方で傾斜されていない（１００）面上に形成されている量子井戸３３ではＮ組成が大きくｙ＝０．０１８であり、禁制帯幅は０．９５ｅＶ（波長１．３１μｍ相当）であった。なお、組成の分布に対応して格子定数にも分布が生じるが、ＧａＩｎＮＡｓ層は臨界膜厚以下であることから結晶欠陥が誘発されることはない。（１００）面上のＧａＩｎＮＡｓ層は１．０％程度の圧縮歪を受けており、Ｂ面上のＧａＩｎＮＡｓ層は１．３％程度の圧縮歪を受けている。
【０１１１】次に、図１１（ａ）に示すように、
基板に設けたストライプ状のメサの長て方向に直交するように
表面に
頂部に平坦部をもつＶ溝状の回折格子２０を印刻した
この上に
ＧａＩｎＮＡｓ層３４を０．０３μｍ結晶成長させた
【０１１２】エッチングによって作製された
回折格子の溝の
斜面上にはＮ組成が大きく禁制帯幅の小さなＧａＩｎＮＡｓ混晶３５が、頂部にはＮ組成が小さく禁制帯幅の大きなＧａＩｎＮＡｓ層３６が成長した
禁制帯幅の小さなＧａＩｎＮＡｓ層３５が活性層から発せられる波長１．３μｍの光を吸収するように
かつ
禁制帯幅の大きなＧａＩｎＮＡｓ層３６が波長１．３μｍの光に対して透明となるように混晶比の分布を制御して結晶成長を行う
【０１１３】回折格子の上に上クラッド層１５であるｐ型Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐを０．８μｍ、コンタクト層１６であるｐ型ＧａＡｓを０．５μｍ結晶成長し、最後の工程として領域Ａと領域Ｂとを分離する幅２μｍの分離溝２５の作製を行う。レーザ素子から発せられたレーザ発振光がこの分離溝２５で反射してレーザ素子に戻ることがないように、分離溝２５はレーザの共振器方向に対して６０〜８０°程度傾くようにした。領域Ａ，Ｂそれぞれに、ｐ型／ｎ型それぞれの電極１７，１８を蒸着により形成して、半導体光集積素子を完成した。
【０１１４】この様にして作製した集積素子の半導体レーザ部に、上下の電極１７，１８を通して電流を流すと、閾値電流１０ｍＡ、波長１．３μｍでレーザ発振した。周期的な吸収回折格子を備えていることから、レーザ光は安定した単一波長での発振であった。従来のような高温での長時間の熱処理を必要としていない為、同様の構造の単体の半導体レーザ素子と比べて、閾値電流の上昇などの特性に劣化はみられなかった。また、領域Ｂの電極に電界を印加することにより、透過するＤＦＢレーザ光を変調することができた。発光素子の発光層と変調器の光ガイド部とが連続した同一層として同時に結晶成長されているので、各層の位置ずれ又は継ぎ目が全くなく、素子間の境界における光の過剰損失，散乱は非常に小さかった。」
　
（ウ）「【０１３５】・・・
（実施の形態７）本発明の実施形態７として、ＧａＡｓＳｂＮを井戸層とするＭＱＷを活性層に有する半導体レーザ素子と光導波路素子とを集積する方法について示す。実施形態１〜５，６においては、活性層あるいはコア層における井戸層が、Ｖ族元素としてＮの他にＡｓあるいはＰを含む化合物半導体であったのに対し、本実施形態ではＶ族元素として更にＳｂを含む化合物半導体を用いている点で異なる。
・・・
【０１４０】実施形態６，７で示した結晶成長及び素子構造の上での特徴は、実施形態１において図４を参照しながら説明したＶ族元素としてＡｓとＮを含む化合物半導体材料の場合と同様に、Ｖ族元素としてＰとＮを含む化合物半導体材料の場合、Ｖ族元素としてＡｓ，ＳｂとＮを含む化合物半導体を井戸層に用いた場合にも同様であることを示している。また、実施形態６，７では半導体レーザと光導波路素子とを集積する場合についてのみ示したが、ＰとＮとを含む化合物あるいは
ＡｓとＳｂとＮとを含む化合物によって、他の実施形態で示したものと同様の
吸収性回折格子
に適用することが可能である
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）からみて、刊行物２には、
　「凹部及び／又は凸部を形成して複数の異なる結晶面を露出させた半導体基板上に、窒素と窒素以外のＶ族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を結晶成長させる半導体素子の製造方法を用い、窒素と窒素以外のＶ族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を少なくとも１層積層して吸収性回折格子を作製する利得結合分布帰還型半導体レーザ素子であって、
　ＧａＩｎＮＡｓをＭＱＷ活性層の井戸層および吸収性回折格子に有し、該吸収性回折格子は、基板に設けたストライプ状のメサの長て方向に直交するように表面に頂部に平坦部をもつＶ溝状の回折格子を印刻し、この上にＧａＩｎＮＡｓ層を結晶成長させ、回折格子の溝の斜面上にはＮ組成が大きく禁制帯幅の小さなＧａＩｎＮＡｓ混晶３５が、回折格子の溝の頂部にはＮ組成が小さく禁制帯幅の大きなＧａＩｎＮＡｓ層３６が成長し、禁制帯幅の小さなＧａＩｎＮＡｓ層３５が活性層から発せられる波長１．３μｍの光を吸収するように、かつ、禁制帯幅の大きなＧａＩｎＮＡｓ層３６が波長１．３μｍの光に対して透明となるように混晶比の分布を制御して結晶成長を行うものであり、前記窒素と窒素以外のＶ族元素とを共に組成として含む化合物半導体層としてＡｓとＳｂとＮとを含む化合物を吸収性回折格子に適用することが可能である、利得結合分布帰還型半導体レーザ素子。」
　
の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
ウ　同じく、国際公開第２０００／７９５９９号（以下「刊行物３」という。）には、図とともに次の事項が記載されている。
　「Also shown in Fig.2 is the XRD spectrum 203 of a In0.3Ga0.7As0.992N0.008/GaAs multiple quantum well where 8×10-8Torr Sb beam fluxed was introduced during growth of the well. Compared with the XRD spectrum 201 of the In0.3Ga0.7As0.992N0.008/GaAs multiple quantum well structure grown in the absence ob Sb , the better developed satellite peaks and clear diffraction fringes of the XRD spectrum 203 of the same multiple quantum well grown in the presence Sb indicate that the crystal quality and interface of the InGaAsN/GaAs multiple quantum well structure was improved by the introduction of the Sb flux during growth .」（６頁６行〜１３行）
（当審訳：また図２に、Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ａｓ０．９９２Ｎ０．００８／ＧａＡｓ多重量子井戸のＸＲＤスペクトル２０３を示し、ここでは井戸の成長中に、８×１０−８ＴｏｒｒのＳｂビームフラックスを導入している。Ｓｂの存在しない所で成長させたＩｎ０．３Ｇａ０．７Ａｓ０．９９２Ｎ０．００８／ＧａＡｓ量子井戸構造のＸＲＤスペクトル２０１に比べて、Ｓｂの存在する所で成長させた同じ量子井戸のＸＲＤスペクトル２０３の、より良好に発達した衛星（副）ピーク、及び明瞭な回折縞は、成長中にＳｂフラックスを導入することによって、結晶品質及びＩｎＧａＡｓＮ／ＧａＡｓ多重量子井戸構造の境界面が改善されたことを示している。）
　
（３）本願補正発明と引用発明１との対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「ｎ−ＧａＡｓ基板」は、本願補正発明の「半導体基板」に相当するとともに、引用発明１の「利得結合型分布帰還半導体レーザ装置」につき、前記「ｎ−ＧａＡｓ基板」上に、利得結合型分布帰還半導体レーザを構成する素子が形成されることが明らかであるから、引用発明１は、本願補正発明の「半導体基板上に形成された分布帰還型半導体レーザ素子」との事項を備える。
　
（イ）引用発明１の「垂直量子井戸（ＶＱＷ）構造」は、埋込層の他の部分（ｐ−ＧａＩｎＮＡｓ）よりもＮ組成の高い層であり「ＶＱＷ光吸収層」を構成するものであり、該「ＶＱＷ光吸収層」は、活性層が発生した光の一部を吸収しＶＱＷ部分では大きな吸収を感じ、吸収性回折格子が構成できるものであって、前記「ＶＱＷ光吸収層」が活性層の発振波長の光を吸収することは明らかであるから、上記（ア）に照らせば、引用発明１は、本願補正発明の「性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓで形成された回折格子を備える分布帰還型半導体レーザ素子」との事項を備える。
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）から、本願補正発明と引用発明１とは、
「　半導体基板上に形成された分布帰還型半導体レーザ素子において、
　活性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓで形成された回折格子を備える分布帰還型半導体レーザ素子。」
の点で一致し、
「本願補正発明は、活性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓにつき『ＧａＩｎＮＡｓにＶ族組成比で０．２％〜３．５％のＳｂを添加する』のに対し、引用発明１は、そうではない」点（以下「相違点１」という。）で相違するものと認められる。
　
イ　判断
　上記相違点１について検討する。　
（ア）上記２（ウ）によれば、刊行物３には、成長中にＳｂフラックスを導入することによって、結晶品質及びＩｎＧａＡｓＮ／ＧａＡｓの境界面が改善されるとの技術事項が開示されている。
　
（イ）半導体レーザ素子において、結晶品質の改善及び構造の境界面の改善をすることは、当業者が当然に考慮する課題であるところ、引用発明１のｐ−ＧａＩｎＮＡｓからなるＶＱＷ光吸収層において、成長中にＳｂフラックスを導入することは、当業者が容易になし得ることである。
　
（ウ）そして、引用発明１のｐ−ＧａＩｎＮＡｓからなるＶＱＷ光吸収層に添加するＳｂの量は当業者が設計上適宜定め得る程度のことというべきところ、この量をＶ族組成比で０．２％〜３．５％とすることに格別の困難を要するものとは認められないから、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易に想到し得たことというべきである。
　
（エ）そして、本願補正発明の奏する効果が、引用発明１及び刊行物３の記載事項から当業者が予測可能な域を超える程の格別なものとは認められない。
　
（オ）したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物３の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）本願補正発明と引用発明２との対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明２とを対比する。
（ア）引用発明２の「半導体基板」及び「利得結合分布帰還型半導体レーザ素子」は、それぞれ、本願補正発明の「半導体基板」及び「分布帰還型半導体レーザ素子」に相当するとともに、引用発明２の「利得結合分布帰還型半導体レーザ素子」は、半導体基板上に形成されるものであるから、引用発明２は、本願補正発明の「半導体基板上に形成された分布帰還型半導体レーザ素子」との事項を備える。
　
（イ）引用発明２の「吸収性回折格子」は、回折格子の溝の斜面上にはＮ組成が大きく禁制帯幅の小さなＧａＩｎＮＡｓ混晶３５が成長し、禁制帯幅の小さなＧａＩｎＮＡｓ層３５は、活性層から発せられる波長１．３μｍの光を吸収するものであるから、引用発明２は、本願補正発明の「活性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓで形成された回折格子を備え」との事項を備えるとともに、引用発明２の「吸収性回折格子」を作製する「窒素と窒素以外のＶ族元素とを共に組成として含む化合物半導体層」は、ＡｓとＳｂとＮとを含む化合物であってよく、すなわち、上記禁制帯幅の小さなＧａＩｎＮＡｓ層３５にＳｂを添加したものであってよいから、引用発明２は、本願補正発明の「（ＧａＩｎＮＡｓで形成された回折格子を備え、）ＧａＩｎＮＡｓにＳｂを添加する」との事項を備えているといえる。
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）から、本願補正発明と引用発明２とは、
「　半導体基板上に形成された分布帰還型半導体レーザ素子において、
　活性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓで形成された回折格子を備え、
　ＧａＩｎＮＡｓにＳｂを添加する分布帰還型半導体レーザ素子。」
の点で一致し、
「ＧａＩｎＮＡｓに添加するＳｂの量が、本願補正発明では、『Ｖ族組成比で０．２％〜３．５％』であるのに対し、引用発明２では、そのような量かどうか不明である」点（以下「相違点２」という。）で相違するものと認められる。
　
イ　判断
　上記相違点２について検討する。　
（ア）引用発明２の「吸収性回折格子」につき、禁制帯幅の小さなＧａＩｎＮＡｓ層３５に添加するＳｂの量は当業者が設計上適宜定め得る程度のことというべきところ、この量をＶ族組成比で０．２％〜３．５％とすることに格別の困難を要するものとは認められないから、上記相違点２に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易に想到し得たことというべきである。　
　
（イ）そして、本願補正発明の奏する効果が、引用発明２から当業者が予測可能な域を超える程の格別なものとは認められない。
　
（ウ）したがって、本願補正発明は、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）小括
　上記（３）及び（４）の検討により、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物３の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、本願補正発明は、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上の検討によれば、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年１月９日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１で、本件補正前の請求項１として記載されたとおりのものである。
　なお、本願発明には特許法第４１条第２項に規定されている優先権主張の効果が及ぶから、本願発明について特許法第２９条第１項第３号に該当するかどうかの判断に当たっては、平成１２年６月６日を判断の基準日とする。
　
２　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、
本願優先日前に頒布された
　
３　対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　上記第２［理由］２（３）に照らせば、本願発明と引用発明１とは、
「　半導体基板上に形成された分布帰還型半導体レーザ素子において、
　活性層の発振波長の光を吸収する組成のＧａＩｎＮＡｓで形成された回折格子を備える分布帰還型半導体レーザ素子。」の点で一致し、相違する点はない。
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明である。
　
４　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。