【事件の表示】
　平成　９年特許願第２４９２４１号「半導体ウェハ用研磨装置及び半導体ウェハの研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月　６日出願公開、特開平１１−　９０８１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件発明
　本件出願は、平成９年９月１２日の特許出願であって、その請求項１ないし請求項１５に係る発明は、平成１６年２月１９日付の手続補正書によって補正された明細書、及び願書に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１３に係る発明（以下「本件発明」という。）は、次のとおりである。　
「第１の定盤上の研磨布上で第２の定盤によって支持した研磨対象物である半導体ウェハを移動させることによって前記研磨対象物の研磨を開始し、
　前記第２の定盤上に取り付けた振動検出素子によって検出された研磨振動の第１の出力信号を増幅器によって増幅し、
　前記増幅器から出力された第２の信号の大きさに基づいて前記増幅器の利得の大きさの適否を判定して、前記利得が適正な大きさにない場合には前記増幅器の前記利得の大きさを変更し、
　前記増幅器から出力された前記第２の信号の変化に基づいて研磨終点を判定して前記第１の定盤の移動を停止して研磨を終了させることを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。」
　
第２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１５０３６７号公報（以下「引用例」という。）の記載内容は以下のとおりである。
１　引用例記載の事項
　引用例には以下の事項が記載されている。
（１）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置及び研磨方法に関し、より詳しくは半導体素子を構成する絶縁膜や導電膜の表面などの平坦化に用いる研磨装置及び研磨方法に関する。」
（２）段落【００４７】
「【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）図１は、本発明の第１実施形態の研磨装置の要部を示す構成図である。研磨装置は、モータＭによって回転される円盤状の下側定盤２と、吸着パッド（不図示）を介して被研磨物Ｗを支持する円盤状の上側定盤３とを有している。下側定盤２と上側定盤３内にはそれぞれ１つ又は複数の空洞からなる共振部２ａ，３ａが形成されている。また、下側定盤２上には、被研磨物Ｗと対向接触する研磨布１が張りつけられている。」
（３）段落【００５０】〜段落【００５２】
「上側定盤３の上部又は側部には振動検出素子（以下、加速度素子ともいう）１０が取り付けられ、その振動検出素子１０の出力端は筐体８に取り付けられた送信機１３に接続されている。・・・
　また、送信機１３は、振動検出素子１０からの振動周波数、振動強度に関する情報の信号を無線で受信機１４に送信し、受信機１４で受けた振動情報を信号解析部１５によって分析し、得られた振動周波数と振動強度のパワースペクトルから研磨以外の原因による固有振動成分（例えば、研磨装置固有の振動成分）を差し引き、その結果を例えば表示部１６に表示したり、駆動制御部１７を介してシャフト９やドレッサー１２を移動したり駆動、停止したり、或いは駆動制御部１７を介してノズル１１から供給される研磨液給料量を制御したりしている。
　研磨布１の表面はドレッサー１２により目立てされる。ドレッサー１２の上下動及び回転動作は、駆動制御部１７によって制御される。下側定盤２を回転させるモータＭの回転数は、駆動制御部１７によって制御される。上述した研磨装置により研磨される被研磨物Ｗとしては、例えばシリコン、ゲルマニウムや化合物半導体などのウェハや、そのようなウェハに形成された導電膜、絶縁膜、金属膜がある。」
（４）段落【００５９】
「振動周波数に対する振動強度のスペクトルを信号解析部１５により積分すると研磨が進行するにつれて積分値は次第に減少するので、積分値の時間的変化が無くなった場合には研磨が終了したと判断して信号解析部１５から研磨終了の信号を駆動制御部１７に送り、駆動制御部１７はシャフト９の回転を停止したり、シャフト９を上昇させたりして、半導体ウェハＷと研磨布１の接触を断って研磨を終了させる。」
（５）段落【００８２】〜【００８５】
「・・・
（第８実施形態）本実施形態では、研磨面の円周方向（又は回転方向）の振動によって研磨を制御する研磨装置について説明する。図１７は、第８実施形態を示す研磨装置の側面図であり、図１８は、ヘッドの底面図を示している。図１７において、図１及び図１５と同一符号は同一要素を示し、また、図示しない部分は図１及び図１５の何れかと同じ機構となっている。
　本実施形態において、エアバック式の筐体８と上側定盤３を接続する弾性体７は特に材料を限定されるものでないが、布を挟み込んだ多層構造のゴムシートを使用したり、そのゴムシートを複数枚重ねたものを使用すれば機械的強度の大きいものが得られる。上側定盤３の上には振動検出素子１０Ａが取付けられていて、図１８に示すように上側定盤３の円周方向の微小振動を検出する向きとなっている。・・・
　振動検出素子１０は、信号線を介して筐体８上の送信機１３Ａに接続されている。送信機１３Ａの信号出力端は筐体８外周面の環状の送信用アンテナ２５に接続され、また、送信機１３Ａの電源端は図１５で示した環状導電体２８に接続されている。送信用アンテナ２５から出力される無線信号を受ける側の機構は、図１５で示した環状の受信用アンテナ２６を含む構成となっている。
　なお、図１７中符号３４は、後述する第１のアンプ３４ａとフィルタ３４ｂと第２のアンプ３４ｃを集積した回路を示している。その送信系と受信系の回路は図１９のようになる。振動検出素子１０Ａは、第１のアンプ３４ａとフィルタ３４ｂと第２のアンプ３４ｃを介して送信機１３Ａに有線で接続されている。・・・」
（６）段落【００８９】〜【００９１】
「次に、上記した構造の研磨装置を使用して研磨終点を検出することについて説明する。まず、下側定盤２と上側定盤３を回転させるとともに、下側定盤２の下に貼り付けた被研磨物Ｗを下側定盤２上の研磨布１に押しつけて被研磨物Ｗの研磨を開始する。・・・
　上側定盤３の円周方向の０〜２５ｋＨｚの振動の周波数とその振動の強度の関係が研磨時間によってどのように変化するかを調べたところ図２１のような結果が得られ、研磨が進むにつれて振動周波数の帯域全体で振動強度が低下することがわかる。このことから、振動検出素子１０Ａによって検出された振動信号は、送信機１３Ａ、受信機１４などを介して処理部３５に入力する。処理部３５では、基準値であるリファレンススペクトルと測定中の振動信号とを比較し、例えば、特定の周波数域における振動強度の積分値とリファレンススペクトルの積分値との比が所定の閾値以下になったとき、或いは、特定の周波数域の振動強度の積分値の時間変化量が所定の閾値以下になったときに、研磨の終了と判定する。
　振動信号の検出精度は、無線送信機１３Ａの性能に大きく影響する。第１及び第２のアンプ３４ａ，３４ｃとフィルタ３４ｂに要求される特性や送信する振動信号は次のような手順を踏んで決定される。まず、有線で上側定盤３の振動強度を測定する。次に、振動強度信号を増幅した電圧がフィルタ３４ｂの許容入力電圧を越えないような値となるように第１のアンプ３４ａの増幅率を決定する。さらに、フィルタ３４ｂを通過した振動強度信号を増幅して得られる電圧が送信機１３Ａの許容入力電圧を越えないような値になるように第２のアンプ３４ｃの増幅率が決定される。」
２　引用例記載の発明
　引用例記載の事項を技術常識を考慮に入れながら本件発明に照らして整理すると引用例には以下の発明が記載されていると認める。
「下側定盤２上の研磨布１上で上側定盤３によって支持した研磨対象物である半導体ウェハＷを移動させることによって前記研磨対象物の研磨を開始し、
　前記上側定盤３上に取り付けた振動検出素子１０Ａによって検出された振動信号をアンプ集積回路３４によって増幅し、
　前記アンプ集積回路３４から出力された振動信号とリファレンススペクトルとを比較し、研磨の終了を判定して、シャフト９の回転を停止したり、シャフト９を上昇させたりして、研磨を終了させる半導体ウェハの研磨方法。」
　
第３　対比
　本件発明と引用例記載の発明とを対比すると、引用例記載の発明の「下側定盤２」、「上側定盤３」及び「アンプ集積回路３４」は、それぞれ本件発明の「第１の定盤」、「第２の定盤」及び「増幅器」に相当し、また、引用例記載の発明の「振動板検出素子１０Ａによって検出された振動信号」は、本件発明の「研磨振動の第１の出力信号」に相当し、引用例記載の発明の「アンプ集積回路３４から出力された振動信号」は、アンプ集積回路で増幅された振動信号であるので、本件発明の「増幅器から出力された第２の信号」と言い得るものである。
　さらに、引用例記載の発明の「研磨の終了を判定」することは、本件発明の「研磨終点を判定」することに相当するから、結局、引用例記載の発明の「アンプ集積回路３４から出力された振動信号とリファレンススペクトルとを比較し、研磨の終了を判定」することは、本件発明の「第２信号の変化に基づいて研磨終点を判定」することである。
　以上の点から、本件発明と引用例記載の発明とは、以下の一致点及び相違点を有している。
１　一致点
「第１の定盤上の研磨布上で第２の定盤によって支持した研磨対象物である半導体ウェハを移動させることによって前記研磨対象物の研磨を開始し、
　前記第２の定盤上に取り付けた振動検出素子によって検出された研磨振動の第１の出力信号を増幅器によって増幅し、
　前記増幅器から出力された第２の信号の変化に基づいて研磨終点を判定して研磨を終了させる半導体ウェハの研磨方法。」
２　相違点
＜相違点１＞
　本件発明では、増幅器から出力された第２の信号の大きさに基づいて前記増幅器の利得の大きさの適否を判定して、前記利得が適正な大きさにない場合には前記増幅器の前記利得の大きさを変更しているのに対して、引用例記載の発明では、そのようになっていない点。
＜相違点２＞
　研磨を終了させるに際し、本件発明では第１の定盤の移動を停止しているのに対し、引用例記載の発明では、シャフト９の回転を停止したり、シャフト９を上昇させたりしている点。
　
第４　相違点についての検討
＜相違点１＞について
　増幅器から出力された信号の大きさに基づいて前記増幅器の利得の大きさの適否を判定して、前記利得が適正な大きさにない場合には前記増幅器の前記利得の大きさを変更することは、例えば、拒絶理由において提示した特開昭６３−２９７３９号公報（特に、第１図及びその説明参照のこと。）、特開平９−１１３３５１号公報（特に、【図５】、【図６】及びその説明参照のこと。）に示されているように従来周知である。
　そして、上記従来周知の事項は、増幅器を使用する種々の技術分野において必要に応じて適宜採用し得る事項であり、また、引用例記載の発明に適用することを妨げる特段の事由も見当たらない。
　そうしてみると、上記従来周知の事項を引用例記載の発明に適用して本件発明のように構成することに格別の困難性はない。
＜相違点２＞について
　半導体ウェハの研磨を終了することは、研磨装置を停止することであるから、本件発明においても、研磨の終了において研磨布のある第１の定盤の移動を停止することは、当業者が容易に想到し得るものである。
＜作用・効果＞について
　また、本件発明の採用する構成によってもたらされる効果も、引用例記載の発明及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
第５　むすび
　したがって、本件発明は、引用例記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく結論のとおり審決する。