【事件の表示】
　平成１１年特許願第２１８６５５号「磁性ガーネット単結晶およびそれを用いたファラデー回転子」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月１６日出願公開、特開２００１−　４４０２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年８月２日の出願であって、平成１６年６月３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年７月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされ、平成１７年８月９日付けで審尋がされ、これに対し、同年９月２６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１６年７月１２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年７月１２日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「液相エピタキシャル成長法により育成され、
　一般式　ＢｉａＰｂｂＡ３−ａ−ｂＦｅ５−ｃ−ｄＢｃＰｔｄＯ１２　
　（式中のＡは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素、ＢはＧａ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１種類の元素、ａ、ｂ、ｃ、ｄは各々、０＜ａ＜３．０、０＜ｂ≦２．０、０≦ｃ≦２．０、０＜ｄ≦２．０）
　で示され、
　膜厚が２００μｍ以上であること
　を特徴とする磁性ガーネット単結晶。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項であるＡ成分の選択肢からＥｒを削除するとともに、Ｂ成分の選択肢からＡｌを削除するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　独立特許要件について
（１）特許法第２９条について
　（ア）刊行物に記載された発明
　　（ａ）原査定の拒絶の理由に引用された、浅原陽介外４名著、光アイソレータ用Ｂｉ置換ガーネット厚膜の作製、電子通信学会技術研究報告、社団法人　電子通信学会、１９８６年８月２５日、ＣＰＭ８６−３６、Ｐ１〜８（以下、「刊行物１」という。）
　刊行物１には、「光アイソレータ用Ｂｉ置換ガーネット厚膜の作製」に関して、以下の点が記載されている。
「現在その光アイソレータの中心部品となるファラデー回転子に液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）を利用したＢｉ置換磁性ガーネット厚膜が注目されている。」（第１頁左欄第１０行〜第１３行）
「２　厚膜の育成
　Ｂｉ置換磁性ガーネット厚膜育成の例として（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌＧａ）５Ｏ１２について記す。ＬＰＥ膜育成に際し、フラックス成分はＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３とし・・・イオン半径の大きなＢｉを多量に置換するため、Ｆｅサイトをイオン半径の小さなＡｌ、Ｇａで置換し、基板との格子定数をマッチングさせた。・・・白金るつぼに入れ約１０００℃で完全に融解し、・・・このようにして結晶性のよい厚膜を得ることができた。・・・膜厚３５０±５μｍに鏡面研磨し・・・ファラデー回転子として特性を評価した。」（第１頁右欄第１４行〜第２左欄第３１行）
「３　Ｂｉ置換ガーネット膜の温度特性
　３−１　磁化反転温度
　（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌＧａ）５Ｏ１２厚膜において以下に示す２つの材料の飽和磁化の温度変化を・・・にて測定した。
○１（Ｇｄ２．２３Ｂｉ０．７５Ｐｂ０．０２）（Ｆｅ４．４４Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７Ｐｔ０．０１）Ｏ１２　
○２（Ｇｄ２．００Ｂｉ０．９８Ｐｂ０．０２）（Ｆｅ４．０８Ａｌ０．４２Ｇａ０．４９Ｐｔ０．０１）Ｏ１２　
各々の材料の膜組成はＥＰＭＡによる分析結果である。・・・ＦｅをＧａとＡｌで置換する」（第２頁右欄第１行〜第１７行）
「厚膜の希土類元素ＲはＬｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｙの７種変化させた。」（第３頁右欄第１０行〜第１１行）
「厚さ２００〜３００μｍ程度育成」（第３頁右欄第２９行）
　したがって、刊行物１には、「液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）により育成された結晶性のよい、組成が（Ｇｄ２．２３Ｂｉ０．７５Ｐｂ０．０２）（Ｆｅ４．４４Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７Ｐｔ０．０１）Ｏ１２で表されるＢｉ置換磁性ガーネット厚膜」（以下、「引用発明１」という。）が記載され、さらに、厚膜の希土類元素ＲをＬｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｙの７種変化させること、膜厚３５０±５μｍ、厚さ２００〜３００μｍ程度であることが記載されている。
　
　　（ｂ）原査定の拒絶の理由に引用された、特開平６−３０２４２２号公報（以下、「刊行物２」という。）
　刊行物２には、「磁界センサー用磁性ガーネット」（【発明の名称】）に関して、以下の点が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を有する磁性ガーネットに関するものである。
【０００２】
【従来技術】光磁界センサーは、磁性体中を透過する透過光の偏向面が、磁性体の持つファラデー効果により回転し、且つその回転角（ファラデー回転角）が磁界に比例して変化することを利用して磁界を測定するものである。」
「【０００５】この問題を解決する方法として、感度定数の温度係数を互いに相殺するような２種類以上の希土類元素を固容体にして使用したり、また、温度特性の異なる磁性ガーネットを多層に重ねて使用する方法がとられていた。このうち、前者の例としては雑誌〔J.Magn.Soc.Jpn.,Vol.11.Supplement,NO.S1(1987)401〕に、組成（Ｙ，Ｌａ，Ｂｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２の磁性ガーネットが開示されており、このガーネットの感度定数の温度変化は、図２に示すように２５０Ｋ〜３５０Ｋの範囲で、３００Ｋを基準とした時に±２％の範囲であった。」
「【０００９】
【課題を解決するための手段】通常、液相成長法では溶媒として用いるＰｂと、白金坩堝から容出したＰｔとが結晶中に混入して温度特性に影響を与えるため、成長温度を高く設定するなどしてこれらの混入を最小限に抑えるようにしている。しかし、Ｐｂ、Ｐｔの混入は程度の差はあるにしても必ず生じるため、Ｐｂ、Ｐｔの混入した磁性ガーネットの温度特性は、希土類元素とＢｉ、Ｐｂ、Ｐｔとが与える温度係数の複合効果としてとらえられる。そこで、本発明はＢｉ、Ｐｂ、Ｐｔの温度特性を考慮して、これらと相殺するような温度特性を有する希土類元素としてＥｒを使用し、さらに結晶を構成する各元素の割合を厳密に規定するものである。
【００１０】即ち、本発明の磁性ガーネットは、化学式Ｅｒ１．４８Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｐｔ０．０５Ｆｅ４．９５Ｏ１２で表され、且つ感度定数の温度変化が−２０℃〜＋９０℃の範囲で２０℃を基準として＋１．５から−０．１％の範囲であることを特徴とする。
【００１１】
【実施例】本発明の磁性ガーネットは、希土類元素がＥｒ１種類で、且つ単層の結晶で、しかも温度特性の良好なものである。
【００１２】本発明の磁界センサー用磁性ガーネットは液相成長法により以下のようにして得られる。即ち、メルトの組成ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３をモル百分率で夫々、５５、５．４、２８、１１、０．５６とし、結晶成長温度を７３０℃として白金坩堝中で結晶成長を行い、化学式Ｅｒ１．４８Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｐｔ０．０５Ｆｅ４．９５Ｏ１２で表される磁性ガーネットを作成する。
【００１３】この磁性ガーネットの感度定数の温度変化を測定したところ、図１に示すように、温度−２０℃〜＋９０℃の範囲で２０℃を基準として＋１．５〜−０．１％の範囲であった。
【００１４】本発明の磁性ガーネットによれば、単層であるため、反射率が小さく、且つ磁性ガーネットを透過する光の透過性がよい。また、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｐｔの温度特性を相殺するＥｒを使用し、結晶を構成するこれらの元素の割合を化学式Ｅｒ１．４８Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｐｔ０．０５Ｆｅ４．９５Ｏ１２で表されるものにしたので、温度特性が良好になる。さらに、希土類元素としてＥｒを１種類だけ使用しているので、従来のように複数の希土類元素を折出するものに比べて所望の組成比の結晶を得やすく、磁性ガーネットの温度特性が安定する。」
　したがって、刊行物２には、「液相成長法により結晶成長させた、化学式がＥｒ１．４８Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｐｔ０．０５Ｆｅ４．９５Ｏ１２で表される磁性ガーネット」（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
　　（ｃ）拒絶査定において周知例として提示された、特開平１１−９２２９２号公報（以下、「刊行物３」という。）
　刊行物３には、「ビスマス置換型ガーネット単結晶厚膜材料及びその製造方法」（【発明の名称】）に関して、以下の点が記載されている。
「【００１８】白金るつぼの中にＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３等をフラックス成分とし、ガーネット成分（Ｔｂ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３等）を約９００〜１１００℃にて溶解して溶液を作成した後、降温し過冷却状態（過飽和溶液状態）とする。その溶液中に、ガーネット基板を浸漬し、長時間回転することにより、Ｂｉ置換型ガーネットの厚膜を育成する。」
「【００２２】これらの観点に立ち、種々改善を重ねた結果、本発明におけるＢｉ置換型Ｔｂガーネット材厚膜の組成は、Ｔｂ３−ａ−ｂＧｄａＢｉｂＦｅ５−ｘＧａｘＯ１２なる組成において、ａ＝０．０３〜０．５０、ｘ＝０．０２〜０．５０、ｂ＝０．７〜１．３とすることにより、光学特性が良好となる。」
「【００２９】高純度の酸化テルビニウム（Ｔｂ２Ｏ３）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３）、酸化第２鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化鉛（ＰｂＯ）、及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）の粉末を原料として使用し、フラックスとしてＰｂＯ−Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系を使用して、ＬＰＥ法によりＳＧＧＧ基板［組成式（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２］を使用し、組成比がＴｂ２−ａＧｄａＢｉ１Ｆｅ４．９Ｇａ０．１Ｏ１２で、ａ＝０．０５，０．１，０．２，０．３，０．４，０．５，０．６なる単結晶ガーネット厚膜を得た。これらの膜厚は約６００μｍであり、膜面は（８８８）であり、格子定数は約１２．４９５オングストロームであった。」
　したがって、刊行物３には、「白金るつぼとＰｂＯを含むフラックスを用いたＬＰＥ法（液相成長法）により得た、膜厚約６００μｍの組成比がＴｂ２−ａＧｄａＢｉ１Ｆｅ４．９Ｇａ０．１Ｏ１２で表される単結晶ガーネット厚膜」（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。
　
　　（ｄ）拒絶査定において周知例として提示された、特開平９−１１１０６号公報（以下、「刊行物４」という。）
　刊行物４には、「ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の研磨加工法」（【発明の名称】）に関して、以下の点が記載されている。
「【００２０】本発明を実施するとき、ファラデー回転子、即ち、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の組成には特に制限はないが、一般式、
Ｒ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｚＡｚＯ１２　
〔但し、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの群から選ばれる少なくとも一種であり、Ａは、Ｇａ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｉｎの群から選ばれる少なくとも一種であり、しかも、０．５≦ｘ≦２．０、０≦ｚ≦１．５である〕で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の中から適宜選択する。」
「【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例によって、その実施態様と効果を具体的に、かつ詳細に説明するが、以下の例は、具体的に説明するものであって、本発明の実施態様や発明の範囲を限定するものとしては意図されていない。
実施例１
容量　３０００ｍｌ（ミリットル）の白金製ルツボに、酸化鉛［ＰｂＯ，４Ｎ］５，０００ｇ、酸化ビスマス［Ｂｉ２Ｏ３，４Ｎ］５，８００ｇ、酸化第２鉄［Ｆｅ２Ｏ３，４Ｎ］７６５ｇ、酸化ほう素［Ｂ２Ｏ３，５Ｎ］２１０ｇ　、酸化テルビウム［Ｔｂ４Ｏ７，３Ｎ］３４．０ｇ、酸化ホルミウム［Ｈｏ２Ｏ３、３Ｎ］４５．０ｇを仕込んだ。これを精密縦型管状電気炉の所定の位置に設置し、１０００℃に加熱溶融して十分に攪拌して均一に混合したのち、融液温度７７１℃にまで冷却してビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用融液とした。
【００２３】ここに得られた融液表面に、常法に従って、厚さが５００μｍで格子定数が１．２４９７±０．０００２ｎｍの３インチ（１１１）ガーネット単結晶［（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２］基板の片面を接触させ、融液温度を７７１℃に維持しながら２２時間のエピタキシャル成長を行い、厚さ３９８μｍで、Ｈｏ１．１Ｔｂ０．７Ｂｉ１．２Ｆｅ５Ｏ１２の組成を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜（以下簡単のためＨｏＴｂＢｉＩＧと略称する）を作製した。ＨｏＴｂＢｉＩＧが育成された基板は基板側が凸に反っており、曲率に換算すると０．５６ｍ−１であった。」
　したがって、刊行物４には、「エピタキシャル成長により得た、厚さ３９８μｍの、一般式、Ｒ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｚＡｚＯ１２〔但し、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの群から選ばれる少なくとも一種であり、Ａは、Ｇａ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｉｎの群から選ばれる少なくとも一種であり、しかも、０．５≦ｘ≦２．０、０≦ｚ≦１．５である〕で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜」が記載されている。
　
　　（ｅ）審尋において周知例として提示された、特開平９−３２８３９７号公報（以下、「刊行物５」という。）
　刊行物５には、「磁気光学素子の基板用ガーネット結晶及びその製造法」（【発明の名称】）に関して、以下の点が記載されている。
「【請求項１】　一般式：Ｃａ３ＬｉｘＮｂ（１．５＋ｘ）Ｇａ（３．５−２ｘ）Ｏ１２　（但し、ｘは０．２４≦ｘ≦０．６０）で表される磁気光学素子の基板用ガーネット結晶。
【請求項２】　該磁気光学素子が基板用ガーネット結晶上に、液相エピタキシャル法で育成されてなり、一般式：Ｒ３−ｙＢｉｙＦｅ５−ｚＭｚＯ１２　（但し、ｙ，ｚはそれぞれ　０≦ｙ≦２．０，０≦ｚ≦２．０の範囲の数値を示し、ＲはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの少なくとも１種であり、かつ、ＭはＩｎ，Ｓｃ，Ｇａ，Ａｌの少なくとも１種を表す。）で表されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶からなる磁気光学結晶膜を形成するものである請求項１記載の磁気光学素子の基板用ガーネット結晶。」
「【０００６】上記ＢＩＧ厚膜［Ｇｄ３−ＸＢｉＸＦｅ５Ｏ１２］を本発明のＣＬＮＧＧ基板上に育成すると、ビスマスの置換量ｘを０．８から１．３まで大きくとることが可能となり、波長１．５５μｍに対応するファラデー回転子を作成すると約３３０μｍ程度の厚さとなり、液相エピタキシャル法で容易に製造可能となる。そして、本発明のＣＬＮＧＧは、一般式：Ｒ３−ｙＢｉｙＦｅ５−ｚＭｚＯ１２（但し、ｙ、ｚはそれぞれ０≦ｙ≦２．０、０≦ｚ≦２．０の範囲の数値を示し、ＲはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの少なくとも１種であり、かつ、ＭはＩｎ，Ｓｃ，Ｇａ，Ａｌの少なくとも１種を表す。）で表されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル法で育成するのに好適に使用されるものである。」
　したがって、刊行物５には、「液相エピタキシャル法により育成した、厚さ約３３０μｍの一般式：Ｒ３−ｙＢｉｙＦｅ５−ｚＭｚＯ１２（但し、ｙ，ｚはそれぞれ０≦ｙ≦２．０，０≦ｚ≦２．０の範囲の数値を示し、ＲはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの少なくとも１種であり、かつ、ＭはＩｎ，Ｓｃ，Ｇａ，Ａｌの少なくとも１種を表す。）で表されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶」が記載されている。
　
　（イ）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　　（ａ）本願補正発明と引用発明１との対比・判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）により育成された結晶性のよいＢｉ置換磁性ガーネット厚膜」は、本願補正発明の「液相エピタキシャル成長法により育成された磁性ガーネット」に相当し、引用発明１の組成「（Ｇｄ２．２３Ｂｉ０．７５Ｐｂ０．０２）（Ｆｅ４．４４Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７Ｐｔ０．０１）Ｏ１２」、すなわち、「Ｂｉ０．７５Ｐｂ０．０２Ｇｄ２．２３Ｆｅ４．４４Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７Ｐｔ０．０１Ｏ１２」における「Ｂｉ０．７５」、「Ｐｂ０．０２」、「Ｇｄ２．２３」、「Ｐｔ０．０１」は、それぞれ本願補正発明の組成の一般式における「Ｂｉａ（０＜ａ＜３）」、「Ｐｂｂ（０＜ｂ≦２．０）」、「Ａ３−ａ−ｂ（Ａは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素）」、「Ｐｔｄ（０＜ｄ≦２．０）」に含まれる。
　さらに、引用発明１の組成における「Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７」も、本願補正発明の組成の一般式における「ＢＣ（ＢはＧａ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１種類の元素、０≦ｃ≦２．０）」成分も、どちらもＦｅの一部を置換する元素（以下、「Ｄ」という。）である点で共通し、その置換量についても引用発明１の組成における「Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７」の合計量０．５５は、本願補正発明の組成の一般式におけるＢの量である０≦ｃ≦２．０に含まれるので、両者は、
「液相エピタキシャル成長法により育成され、
　Ｂｉ０．７５Ｐｂ０．０２Ｇｄ２．２３Ｆｅ４．４４Ｄ０．５５Ｐｔ０．０１Ｏ１２　
　で示されること、
　を特徴とする磁性ガーネット。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願補正発明は、「単結晶」であるのに対して、引用発明１では、「単結晶」とは記載されていない点。
［相違点２］
　Ｆｅの一部を置換する元素「Ｄ」が、本願補正発明は、「Ｇａ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１種類の元素」であるのに対して、引用発明１では、「Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７」である点。
［相違点３］
　本願補正発明は、膜厚が２００μｍ以上であるのに対して、引用発明１では、膜厚が記載されていない点。
　
　そこで、相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用発明１は、「液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）により育成された結晶性のよいＢｉ置換磁性ガーネット厚膜」であり、刊行物１には、ファラデー回転子として用いられることも記載されているので、引用発明１の磁性ガーネット厚膜が単結晶であることは、明らかであり、相違点１は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、引用発明１の磁性ガーネット厚膜を単結晶とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
［相違点２について］
　磁性ガーネット単結晶のＦｅの一部を置換する元素「Ｄ」として、Ｇａ、Ｓｃ、Ａｌなどが用いられ、ＡｌをＧａ、Ｓｃなどに置換可能であることは、請求人も回答書（第３頁第６行〜第７行）で認めており、さらに、このことは、例えば刊行物４，５にも示されるように技術常識であり、本願補正発明においても、出願当初は、Ａｌも含まれていた。  
　ゆえに、引用発明１において、Ｆｅの一部を置換する元素であるＡｌをＧａ、Ｓｃなどに置換することは、当業者が適宜なし得たことである。
［相違点３について］
　磁性ガーネット単結晶の膜厚を２００μｍ以上とすることは、刊行物１（膜厚３５０±５μｍ、厚さ２００〜３００μｍ程度）、刊行物３（膜厚約６００μｍ）、刊行物４（厚さ３９８μｍ）、刊行物５（厚さ約３３０μｍ）にも示されるように周知なので、引用発明１において、膜厚を２００μｍ以上とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　　（ｂ）本願補正発明と引用発明２との対比・判断
　本願補正発明と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「液相成長法により結晶成長させた磁性ガーネット」は、本願補正発明の「液相エピタキシャル成長法により育成された磁性ガーネット」に相当し、引用発明２の組成「Ｅｒ１．４８Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｐｔ０．０５Ｆｅ４．９５Ｏ１２」、すなわち、「Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｅｒ１．４８Ｆｅ４．９５Ｐｔ０．０５Ｏ１２」における「Ｂｉ１．４６」、「Ｐｂ０．０６」、「Ｐｔ０．０５」は、それぞれ本願補正発明の組成の一般式における「Ｂｉａ（０＜ａ＜３）」、「Ｐｂｂ（０＜ｂ≦２．０）」、「Ｐｔｄ（０＜ｄ≦２．０）」に含まれる。
　さらに、引用発明２の組成における「Ｅｒ」も、本願補正発明の組成の一般式における「Ａ（Ａは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素）」成分も、どちらも希土類元素（以下、「Ｒ」という。）である点で共通し、引用発明２の組成におけるＥｒ量１．４８は、本願補正発明の組成の一般式におけるＡの量である３−ａ−ｂに含まれる。
　また、引用発明２の組成では、本願補正発明の組成の一般式における「Ｂ（ＢはＧａ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１種類の元素）」成分を含んでいないが、本願補正発明の組成の一般式におけるＢ成分は、０≦ｃ≦２．０と０の場合も含むので、両者は、
「液相エピタキシャル成長法により育成され、
　Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｒ１．４８Ｆｅ４．９５Ｐｔ０．０５Ｏ１２　
　で示されること、
　を特徴とする磁性ガーネット。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願補正発明は、「単結晶」であるのに対して、引用発明２では、「単結晶」とは記載されていない点。
［相違点２］
　Ｒ（希土類元素）が、本願補正発明は、「Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素」であるのに対して、引用発明２では、「Ｅｒ」である点。
［相違点３］
　本願補正発明は、膜厚が２００μｍ以上であるのに対して、引用発明２では、膜厚が記載されていない点。
　
　そこで、相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用発明２は、「液相成長法により結晶成長させた磁性ガーネット」であり、刊行物２には、ファラデー効果を利用した光磁界センサーとして用いられることも記載されているので、引用発明２の磁性ガーネットが単結晶であることは、明らかであり、相違点１は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、引用発明２の磁性ガーネットを単結晶とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
［相違点２について］
　磁性ガーネット単結晶として、希土類元素が用いられ、他の希土類元素に置換可能であることは、請求人も回答書（第３頁第６行〜第７行）で認めており、さらに、このことは、例えば刊行物１，４，５にも示されるように技術常識であり、本願補正発明においても、出願当初は、Ｅｒも含まれていた。
　ゆえに、引用発明２において、感度定数の温度変化を考慮する必要がなければ、「Ｅｒ」を他の希土類元素であるＹ、Ｙｂなどに置換することは、当業者が適宜なし得たことである。
［相違点３について］
　磁性ガーネット単結晶の膜厚を２００μｍ以上とすることは、刊行物１（膜厚３５０±５μｍ、厚さ２００〜３００μｍ）、刊行物３（膜厚約６００μｍ）、刊行物４（厚さ３９８μｍ）、刊行物５（厚さ約３３０μｍ）にも示されるように周知なので、引用発明２において、膜厚を２００μｍ以上とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　したがって、本願補正発明は、刊行物２に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　なお、Ｐｂ及びＰｔを必須の構成要素とする本願補正発明の実施例１〜４におけるＰｂの量０．０４、Ｐｔの量０．０２〜０．０４は、引用発明２における不可避的に含まれるＰｂの量０．０６、Ｐｔの量０．０５よりも少なくなっており、Ｐｂ及びＰｔを必須の構成要素とする場合とＰｂ及びＰｔを不可避的に含む場合の両者の区別ができない。
　
　　（ｃ）本願補正発明と引用発明３との対比・判断
　本願補正発明と引用発明３とを対比すると、引用発明３の「ＬＰＥ法（液相成長法）により得た単結晶ガーネット厚膜」は、本願補正発明の「液相エピタキシャル成長法により育成された磁性ガーネット単結晶」に相当し、引用発明３の組成「Ｔｂ２−ａＧｄａＢｉ１Ｆｅ４．９Ｇａ０．１Ｏ１２」、すなわち、「Ｂｉ１Ｔｂ２−ａＧｄａＦｅ４．９Ｇａ０．１Ｏ１２」における、「Ｂｉ１」、「Ｔｂ２−ａＧｄａ」、「Ｇａ０．１」は、それぞれ本願補正発明の組成の一般式における「Ｂｉａ（０＜ａ＜３）」、「Ａ（Ａは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素）」、「Ｂｃ（ＢはＧａ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１種類の元素、０≦ｃ≦２．０）」に含まれ、引用発明３の「膜厚約６００μｍ」は、本願補正発明の「膜厚が２００μｍ以上」に含まれるので、両者は、
「液相エピタキシャル成長法により育成され、
　Ｂｉ１Ｔｂ２−ａＧｄａＦｅ４．９Ｇａ０．１Ｏ１２　
　で示され、
　膜厚が約６００μｍであること
　を特徴とする磁性ガーネット単結晶。」
の点で一致し、以下の点で一応相違している。
［相違点１］
　本願補正発明は、組成にＰｂｂ（０＜ｂ≦２．０）及びＰｔｄ（０＜ｄ≦２．０）を含むのに対して、引用発明３では、Ｐｂ及びＰｔが含まれていない点。
　
　そこで、相違点１について検討する。
　刊行物２の【０００９】に「通常、液相成長法では溶媒として用いるＰｂと、白金坩堝から容出したＰｔとが結晶中に混入して温度特性に影響を与える」と記載されているように、液相成長法で製造した磁性ガーネット結晶中にＰｂ、Ｐｔが混入することは技術常識であり、その量も刊行物２の【００１０】の記載によれば、Ｐｂが０．０６、Ｐｔが０．０５程度であるから、本願補正発明のＰｂ、Ｐｔの量である０＜ｂ≦２．０、０＜ｄ≦２．０に含まれることは、明らかである。
　そして、Ｐｂ及びＰｔを必須の構成要素とする本願補正発明の実施例１〜４におけるＰｂの量０．０４、Ｐｔの量０．０２〜０．０４は、刊行物２における不可避的に含まれるＰｂの量０．０６、Ｐｔの量０．０５よりも少なくなっており、Ｐｂ及びＰｔを必須の構成要素とする場合とＰｂ及びＰｔを不可避的に含む場合の両者の区別ができない。
　ゆえに、引用発明３である白金るつぼとＰｂＯを含むフラックスを用いたＬＰＥ法（液相成長法）により得た単結晶ガーネット厚膜の実際の組成は、Ｐｂ及びＰｔも含まれており、本願補正発明の組成の一般式に実質的に含まれる。
　したがって、本願補正発明は、刊行物４に記載された発明である。
　
　（ウ）特許法第２９条についてのまとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第１項第３号及び同法第２９条第２項の規定により、その特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（２）特許法第３６条について
　本願補正発明は、以下の点において、出願時の技術常識を参酌しても、発明の詳細な説明に開示された内容を請求項１に係る発明の範囲に拡張ないし一般化することができないので、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとは認められず、第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。（以下、「サポート要件違反」という。）
　本願補正発明における発明の詳細な説明には、以下の点において、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に、記載されているとは認められず、第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。（以下、「実施可能要件違反」という。）
　
　（ア）本願補正発明では、比較例１個と、実施例は希土類としてＧｄとＹｂを含む４個しかなく、ａは１．１２，１．１５，１．３０、ｂは０．０４のみ、ｃは０のみ、ｄは０．０２，０．０３，０．０４だけである。この結果だけから、本願補正発明に含まれるすべての組成及びすべての数値範囲等において、実施例と同様に、本願明細書に記載された「【００３１】【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、光吸収損失が小さいだけでなく結晶欠陥の少ない磁性ガーネット単結晶を得ることができる。また、消光比の高いファラデー回転子を安定して得ることができるようになる。」との効果があるとは認められないので、サポート要件違反、実施可能要件違反である。
　本願明細書【００１１】〜【００１３】では、ａ〜ｄの範囲において、単に磁性ガーネットとして製造可能又は存在が可能であることの根拠を記載しているだけであり、ａ〜ｄの全範囲において、実施例と同様の効果があることを何ら立証していない。
　
　（イ）特に、本願補正発明は、ａ，ｂ，ｄがほぼ０のもの（例えば０．０１，０．００１，０．０００１等）、さらにＡ成分が０のもの（ａ＋ｂ＝３のとき）も含むが、そのような組成においても、実施例と同様の効果があるとは認められないので、サポート要件違反、実施可能要件違反である。
　
　（ウ）本願補正発明は、請求項１に記載されているように「液相エピタキシャル成長法により育成され」たものである。
　これに対して、本願明細書には、「【００１１】・・・Ｂｉ量ａが０．６以下ではファラデー回転能が小さくなりすぎ、１．５以上ではガーネット以外の相の析出が起こり磁性ガーネットの正常なエピタキシャル成長ができなくなる可能性がある。但し、現状において実験的にＢｉ量ａが０．６以下の磁性ガーネットも製造可能であり、また真空成膜の技術によればＢｉ量ａが３．０の磁性ガーネットも得られている。従って、ファラデー回転子を作製するための磁性ガーネット単結晶のＢｉ量ａは、本発明においては０＜ａ＜３．０に設定している。」と記載されている。
　Ｂｉ量ａが１．５〜３．０では「液相エピタキシャル成長法により育成」することは、不可能であり、さらに、磁性ガーネットの正常なエピタキシャル成長ができなくなる可能性があるような状態で液相エピタキシャル成長させたものが、実施例と同様の効果を奏するとは、到底認められないので、サポート要件違反、実施可能要件違反である。
　　
　（エ）本願補正発明は、請求項１に記載されているように「液相エピタキシャル成長法により育成され」たものである。
　これに対して、本願明細書には、「【００１２】ｂは磁性ガーネット中のＰｂ量を表している。Ｐｂ量ｂが少なくとも２．０程度までのガーネットは焼結体の状態で存在が可能であるので、本発明においては０＜ｂ≦２．０に設定している。」と記載されている。
　焼結体の状態でＰｂ量ｂが２．０程度まで存在が可能であっても、液相エピタキシャル成長法でもＰｂ量ｂが２．０程度まで育成可能であるとは、認められないので、Ｐｂ量ｂが、どの程度まで「液相エピタキシャル成長法により育成」可能か不明確であり、サポート要件違反、実施可能要件違反である。
　
　（オ）本願明細書には、「【００１２】・・・ｃは、ＣａやＡｌなどのＦｅに置換し得る非磁性元素の量を表している。非磁性元素量ｃが２．０程度を越えると磁性ガーネットはフェリ磁性体から常磁性体になるためファラデー回転能は著しく小さくなり回転子として使用できなくなる。従って、本発明では、非磁性元素量ｃを０≦ｃ≦２．０に設定している。」と記載されているが、下限が０まで使用可能であるとの根拠はなく、サポート要件違反、実施可能要件違反である。
　
　（カ）本願明細書には、「【００１３】ｄは、Ｐｔの量を表している。光吸収損失を小さくするには２価の元素であるＰｂ量と４価の元素であるＰｔ量ｄをほぼ同量にする必要があるので、Ｐｔ量ｄはＰｂ量と同様に０＜ｄ≦２．０に設定している。また、０．５≦ｂ／ｄ≦２．０であることが好ましいのも、光吸収損失（挿入損失）との関係から得られるものである。例えば後述の実施例１では、Ｐｂ量ｂが０．０４でＰｔ量ｄも０．０４であるのでＰｂ量ｂ／Ｐｔ量ｄ＝１となる。このときのファラデー回転子の挿入損失は０．０１〜０．０５ｄＢである。また例えば実施例２では、Ｐｂ量ｂが０．０４でＰｔ量ｄは０．０２であるのでＰｂ量ｂ／Ｐｔ量ｄ＝２となる。このときのファラデー回転子の挿入損失は０．０６〜０．１０ｄＢである。光アイソレータ用のファラデー回転子の挿入損失として一般的に要求される値は０．１０ｄＢである。Ｐｂ量ｂとＰｔ量ｄが一致する組成が最も挿入損失が小さくなり、Ｐｂ量ｂとＰｔ量ｄの割合が異なってくると共に挿入損失は大きくなる。従って一般的な要求値である挿入損失０．１０ｄＢを満たすためには０．５≦ｂ／ｄ≦２．０の条件が必要になる。」と記載されているのにもかかわらず、請求項１では、Ｐｂ量ｂとＰｔ量ｄを、独立に設定したものも含まれ、０．５≦ｂ／ｄ≦２．０以外のほぼ同量でない部分については、効果が不明であり、サポート要件違反、実施可能要件違反である。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第１項第３号、同法第２９条第２項、同法第３６条第４項及び同法第３６条第６項の規定により、その特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１６年７月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は，平成１６年２月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　
　液相エピタキシャル成長法により育成され、
　一般式　ＢｉａＰｂｂＡ３−ａ−ｂＦｅ５−ｃ−ｄＢｃＰｔｄＯ１２　
　（式中のＡは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素、ＢはＧａ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１種類の元素、ａ、ｂ、ｃ、ｄは各々、０＜ａ＜３．０、０＜ｂ≦２．０、０≦ｃ≦２．０、０＜ｄ≦２．０）
　で示され、
　膜厚が２００μｍ以上であること
　を特徴とする磁性ガーネット単結晶。」
　
　２　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及び、拒絶査定又は審尋において周知例として提示された刊行物に記載された発明は，前記「第２　２（１）（ア）」に記載したとおりである。（ただし、「刊行物３」、「刊行物４」、「刊行物５」は、それぞれ「周知例３」、「周知例４」、「周知例５」と読み替える。）
　
　３　本願発明と引用発明との対比・判断
（１）本願発明と引用発明１との対比・判断
　本願発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）により育成された結晶性のよいＢｉ置換磁性ガーネット厚膜」は、本願発明の「液相エピタキシャル成長法により育成された磁性ガーネット」に相当し、引用発明１の組成「（Ｇｄ２．２３Ｂｉ０．７５Ｐｂ０．０２）（Ｆｅ４．４４Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７Ｐｔ０．０１）Ｏ１２」、すなわち、「Ｂｉ０．７５Ｐｂ０．０２Ｇｄ２．２３Ｆｅ４．４４Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７Ｐｔ０．０１Ｏ１２」における「Ｂｉ０．７５」、「Ｐｂ０．０２」、「Ｇｄ２．２３」、「Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７」、「Ｐｔ０．０１」は、それぞれ本願発明の組成の一般式における「Ｂｉａ（０＜ａ＜３）」、「Ｐｂｂ（０＜ｂ≦２．０）」、「Ａ３−ａ−ｂ（Ａは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素）」、「Ｂｃ（ＢはＧａ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１種類の元素、０≦ｃ≦２．０）」、「Ｐｔｄ（０＜ｄ≦２．０）」に含まれるので、両者は、
「液相エピタキシャル成長法により育成され、
　Ｂｉ０．７５Ｐｂ０．０２Ｇｄ２．２３Ｆｅ４．４４Ａｌ０．１８Ｇａ０．３７Ｐｔ０．０１Ｏ１２　
　で示されること、
　を特徴とする磁性ガーネット。」
の点で一致し，以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願発明は、「単結晶」であるのに対して、引用発明１では、「単結晶」とは記載されていない点。
［相違点２］
　本願発明は、膜厚が２００μｍ以上であるのに対して、引用発明１では、膜厚が記載されていない点。
　
　そこで、相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用発明１は、「液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）により育成された結晶性のよいＢｉ置換磁性ガーネット厚膜」であり、刊行物１には、ファラデー回転子として用いられることも記載されているので、引用発明１の磁性ガーネット厚膜が単結晶であることは、明らかであり、相違点１は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、引用発明１の磁性ガーネット厚膜を単結晶とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
［相違点２について］
　磁性ガーネット単結晶の膜厚を２００μｍ以上とすることは、刊行物１（膜厚３５０±５μｍ、厚さ２００〜３００μｍ）、周知例３（膜厚約６００μｍ）、周知例４（厚さ３９８μｍ）、周知例５（厚さ約３３０μｍ）にも示されるように周知なので、引用発明１において、膜厚を２００μｍ以上とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本願発明と引用発明２との対比・判断
　本願発明と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「液相成長法により結晶成長させた磁性ガーネット」は、本願発明の「液相エピタキシャル成長法により育成された磁性ガーネット」に相当し、引用発明２の組成「Ｅｒ１．４８Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｐｔ０．０５Ｆｅ４．９５Ｏ１２」、すなわち、「Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｅｒ１．４８Ｆｅ４．９５Ｐｔ０．０５Ｏ１２」における「Ｂｉ１．４６」、「Ｐｂ０．０６」、「Ｅｒ１．４８」、「Ｐｔ０．０５」は、それぞれ本願発明の組成の一般式における「Ｂｉａ（０＜ａ＜３）」、「Ｐｂｂ（０＜ｂ≦２．０）」、「Ａ３−ａ−ｂ（Ａは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素）」、「Ｐｔｄ（０＜ｄ≦２．０）」に含まれる。
　また、引用発明２の組成では、本願発明の組成の一般式における「Ｂ（ＢはＧａ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１種類の元素）」成分を含んでいないが、本願発明の組成の一般式におけるＢ成分は、０≦ｃ≦２．０と０の場合も含むので、両者は、
「液相エピタキシャル成長法により育成され、
　Ｂｉ１．４６Ｐｂ０．０６Ｅｒ１．４８Ｆｅ４．９５Ｐｔ０．０５Ｏ１２　で示されること、
　を特徴とする磁性ガーネット。」
の点で一致し，以下の点で相違している。
［相違点１］
　本願発明は、「単結晶」であるのに対して、引用発明２では、「単結晶」とは記載されていない点。
［相違点２］
　本願発明は、膜厚が２００μｍ以上であるのに対して、引用発明２では、膜厚が記載されていない点。
　
　そこで、相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用発明２は、「液相成長法により結晶成長させた磁性ガーネット」であり、刊行物２には、ファラデー効果を利用した光磁界センサーとして用いられることも記載されているので、引用発明２の磁性ガーネットが単結晶であることは、明らかであり、相違点１は、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、引用発明２の磁性ガーネットを単結晶とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
［相違点２について］
　磁性ガーネット単結晶の膜厚を２００μｍ以上とすることは、刊行物１（膜厚３５０±５μｍ、厚さ２００〜３００μｍ）、周知例３（膜厚約６００μｍ）、周知例４（厚さ３９８μｍ）、周知例５（厚さ約３３０μｍ）にも示されるように周知なので、引用発明２において、膜厚を２００μｍ以上とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　したがって、本願発明は、刊行物２に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１又は刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。