【事件の表示】
　平成１０年特許願第　８８２６１号「半導体装置の金属配線構造及びその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　２月２６日出願公開，特開平１１−　５４５１１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１０年３月１８日（パリ条約に基づく優先権主張１９９７年７月２３日，韓国）の出願であって，平成１８年８月２日付けで手続補正がなされ，平成１９年４月２４日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年７月３０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２１年１２月２１日付けで審尋がなされ，平成２２年３月２３日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年７月３０日付けの手続補正について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年７月３０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成１９年７月３０日付けの手続補正（以下「本件補正」という）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２６を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１４とするものであり，本件補正前後の請求項１は以下のとおりである。
（１）本件補正前の請求項１
「【請求項１】　半導体基板の絶縁層上に形成されたシード層と，
　前記シード層上に形成された湿潤層，及び
　前記湿潤層上に形成された金属配線層を含み，
　前記シード層によって，前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成されることを特徴とする半導体装置の金属配線構造。」
（２）本件補正後の請求項１
「【請求項１】　半導体基板の絶縁層上に形成されたシード層と，
　前記シード層上に形成された湿潤層，及び
　前記湿潤層上に形成された金属配線層を含み，
　前記シード層によって，前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成される半導体装置の金属配線構造であって，
　前記シード層はアルミニウム層であり，
　前記湿潤層はチタニウム層，窒化チタニウム層及びチタニウム層と窒化チタニウム層の組合層よりなる一群から選択されるいずれか一つの層であり，
　前記金属配線層はアルミニウム層またはアルミニウム合金層である半導体装置の金属配線構造。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正事項を整理すると，以下のとおりとなる。
＜補正事項１＞
　本件補正前の請求項１の「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成されることを特徴とする半導体装置の金属配線構造。」を，本件補正後の請求項１の「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成される半導体装置の金属配線構造であって，前記シード層はアルミニウム層であり，前記湿潤層はチタニウム層，窒化チタニウム層及びチタニウム層と窒化チタニウム層の組合層よりなる一群から選択されるいずれか一つの層であり，前記金属配線層はアルミニウム層またはアルミニウム合金層である半導体装置の金属配線構造。」と補正する。
＜補正事項２＞
　本件補正前の請求項５を次のように補正し，補正後の請求項２とする。
・補正前の「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成されることを特徴とする半導体装置の金属配線形成方法。」を，「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成される半導体装置の金属配線形成方法であって，前記シード層はアルミニウム層よりなり，前記湿潤層はチタニウム層，窒化チタニウム層及びチタニウム層と窒化チタニウム層との組合層よりなる一群から選択されるいずれか一つの層であり，前記金属配線層はアルミニウム層またはアルミニウム合金層よりなることを特徴とする半導体装置の金属配線形成方法。」と補正する。
＜補正事項３＞
　本件補正前の請求項１１を次のように補正し，補正後の請求項５とする。
・補正前の「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成されることを特徴とする半導体装置の金属配線形成方法。」を 「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成される半導体装置の金属配線形成方法であって，前記シード層はアルミニウム層よりなり，前記金属配線層はアルミニウム層よりなり，前記湿潤層はチタニウム層，窒化チタニウム層及びチタニウム層と窒化チタニウム層の組合層よりなる一群から選択されるいずれか一つの層で形成されることを特徴とする半導体装置の金属配線形成方法。」と補正する。
＜補正事項４＞
　本件補正前の請求項１９を次のように補正し，補正後の請求項１０とする。
・補正前の「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成されることを特徴とする半導体装置の金属配線形成方法。」を「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成される半導体装置の金属配線形成方法であって，前記シード層はアルミニウム層よりなり，前記金属配線層はアルミニウム層よりなり，前記湿潤層はチタニウム層，窒化チタニウム層及びチタニウム層と窒化チタニウム層の組合層よりなる一群から選択されるいずれか一つの層で形成されることを特徴とする半導体装置の金属配線形成方法。」と補正する。
＜補正事項５＞
　本件補正前の請求項６を次のように補正し，補正後の請求項３とする。
・補正前の「請求項５に記載の」を「請求項２に記載の」と補正する。
＜補正事項６＞
　本件補正前の請求項１０を次のように補正し，補正後の請求項４とする。
・補正前の「請求項５に記載の」を「請求項２に記載の」と補正する。
＜補正事項７＞
本件補正前の請求項１２を次のように補正し，補正後の請求項６とする。
・補正前の「請求項１１に記載の」を「請求項５に記載の」と補正する。
＜補正事項８＞
本件補正前の請求項１３を次のように補正し，補正後の請求項７とする。
・補正前の「請求項１２に記載の」を「請求項６に記載の」と補正する。
＜補正事項９＞
本件補正前の請求項１４を次のように補正し，補正後の請求項８とする。
・補正前の「請求項１２に記載の」を「請求項６に記載の」と補正する。
＜補正事項１０＞
本件補正前の請求項１８を次のように補正し，補正後の請求項９とする。
・補正前の「請求項１１に記載の」を「請求項５に記載の」と補正する。
＜補正事項１１＞
本件補正前の請求項２１を次のように補正し，補正後の請求項１１とする。
・補正前の「請求項１９に記載の」を「請求項１０に記載の」と補正する。
＜補正事項１２＞
本件補正前の請求項２２を次のように補正し，補正後の請求項１２とする。
・補正前の「請求項１９に記載の」を「請求項１０に記載の」と補正する。
＜補正事項１３＞
本件補正前の請求項２３を次のように補正し，補正後の請求項１３とする。
・補正前の「請求項２２に記載の」を「請求項１２に記載の」と補正する。
＜補正事項１４＞
本件補正前の請求項２６を次のように補正し，補正後の請求項１４とする。
・補正前の「請求項１９に記載の」を「請求項１０に記載の」と補正する。
＜補正事項１５＞
本件補正前の請求項１５〜２６を削除する。
　
３　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
　本件補正事項が，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定する要件を充足し，かつ，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）各号に掲げる事項を目的とするものであるか否かについて，以下で検討する。
（１）補正事項１は，補正前の請求項１に係る発明の「シード層」「湿潤層」「金属配線層」について，願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。）の段落【０００８】〜【０００９】の記載に基づいて，各層の構成材料を「前記シード層はアルミニウム層であり，前記湿潤層はチタニウム層，窒化チタニウム層及びチタニウム層と窒化チタニウム層の組合層よりなる一群から選択されるいずれか一つの層であり，前記金属配線層はアルミニウム層またはアルミニウム合金層である」と限定するものであるから，当初明細書に記載された事項の範囲内でする補正であり，かつ，特許法第１７条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２）補正事項２〜４は，上記（１）で検討したのと同様にして，当初明細書に記載された事項の範囲内でする補正であり，かつ，特許法第１７条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（３）補正事項５は，補正事項２に対応して請求項の番号及び従属請求項の番号を変更するものであり，実質的に，補正前の請求項６に対し補正事項２の補正をしたものであるから，上記（２）で検討したのと同様にして，当初明細書に記載された事項の範囲内でする補正であり，かつ，特許法第１７条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（４）補正事項６〜１４は，上記（３）で検討したのと同様にして，当初明細書に記載された事項の範囲内でする補正であり，かつ，特許法第１７条第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（５）補正事項１５は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
（６）以上のとおりであるから，本件補正事項は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を充足し，かつ，特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　
４　独立特許要件の検討
　以上で検討したとおり，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下でさらに検討する。
　
４−１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであって，上記第２，１（２）で本件補正後の請求項１として摘記したとおりのものと認める。
　
４−２　引用例に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−２７４１７３号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜１０とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，全体的にいえば，半導体装置の製造に関する。さらに詳細にいえば，本発明は集積回路の金属化層に関する
「【０００２】
【発明が解決しようとする課題】ラジオ，コンピュータ，テレビジョン，および高品位テレビジョンのような電子装置への応用に対する集積回路において，半導体が広く用いられている。
このような集積回路は，単結晶シリコンの中に多数個のトランジスタが製造されている装置を用いるのが典型的な場合である。現在の多くの集積回路は，多重レベルに配置された金属化層を相互に接続することにより作成される
「【００１２】先行技術に関してここで認識されるべき問題点が，図１〜図６でまず説明される。図１は，半導体ウエハ２０の横断面図である。半導体ウエハ２０は，基板２２の上に沈着された拡散障壁体２４を有する。
基板２２はＳｉＯ
2
 で構成することができるが
 「【００１８】
図７は，本発明の実施例の横断面図である。基板２２の上に，拡散障壁体３重層４２が沈着される。この拡散障壁体３重層４２の上に，金属化層２６が沈着される。拡散障壁体３重層４２は，底部層４４と，シード層４６と，頂部層４８とで構成される
【００１９】半導体技術において，シリコンを成長させる時，結晶構造を要求された配置に配向させるために，種結晶が用いられる。
同様に，拡散障壁体３重層４２のシード層４６は，後で沈着される頂部層４８の結晶構造を配向させる。拡散障壁体３重層４２のシード層４６は，その結晶構造，格子パラメータ，および結晶整合のために選定された，ＴｉまたはＡｌＣｕのような部材である。結晶構造と格子パラメータは，頂部層４８の結晶構造および格子パラメータと類似であることが要求される
【００２０】本発明の利点を示すために，実験が行われた。図９は，
ＡｌＣｕの金属化層２６と，ＴｉＮの頂部層４８と，ＡｌＣｕのシード層４６とで構成される構造体
Ｘ線回折は，シード層４６を用いることにより，ＴｉＮの頂部層４８は，アモルファスＳｉＯ
2
 の上に沈着された多結晶ＴｉＮに比べて，さらに強く組織化される，またはさらによく単結晶化されるようになることを示している。ＳｉＯ
2
 の上に沈着されたＴｉＮの（１１１）Ｘ線回折線の強度は，ＡｌＣｕの上のＴｉＮの（１１１）Ｘ線回折線の強度の１０分の１以下である
「【００２２】また別の処理工程およびエレメント部材を適切に用いることもでき，そしてこのような変更実施例の可能であることは，当業者にはすぐに分かるであろう。例えば，頂部層４８は，ＴｉＷ，ＴｉＷＮ，ＴｉＡｌＮ，ＴｉＳｉＮ，Ｔａ，またはＴａＮのような他の結晶拡散障壁体部材で構成することもできる。底部層４４は，ＴｉＷ，ＴｉＷＮ，ＴｉＡｌＮ，ＴｉＳｉＮ，Ｔａ，ＴａＮ，またはＴａＳｉＮのような他の結晶または他のアモルファス拡散障壁体部材で構成することもできる。基板は，誘電体（例えば，ＳｉＯ2 ，ＰＥＴＥＯＳ，ＢＰＳＧ），金属（例えば，Ｗ，Ａｕ），または半導体（例えば，Ｓｉ，ＧａＡｓ）であることができる。
シード層４６は，頂部層４８の結晶構造に適切に整合する結晶構造を有する他の部材で構成することができる。金属化層２６は，アルミニウム，銅，およびそれらの合金，または他の金属で構成することができる
　
（２）上記を整理すると，引用例１には次のことが記載されているものと認められる。
　ア　引用例１の段落【０００１】の「
本発明は，全体的にいえば，半導体装置の製造に関する。さらに詳細にいえば，本発明は集積回路の金属化層に関する
　イ　引用例１の段落【００１８】の「図７は，本発明の実施例の横断面図である。基板２２の上に，拡散障壁体３重層４２が沈着される。この拡散障壁体３重層４２の上に，金属化層２６が沈着される。拡散障壁体３重層４２は，底部層４４と，シード層４６と，頂部層４８とで構成される。」との記載，及び，図７に照らして，引用例１には，基板２２上に形成されたシード層４６と，前記シード層４６上に形成された頂部層４８，及び前記頂部層４８上に形成された金属化層２６が記載されている。
　ウ　引用例１の段落【００２０】の「ＴｉＮの頂部層４８と，ＡｌＣｕのシード層４６」との記載，及び，段落【００２２】の「金属化層２６は，アルミニウム，銅，およびそれらの合金，または他の金属で構成することができる。」との記載からみて，引用例１には，シード層はＡｌＣｕ層であり，頂部層４８はＴｉＮ層であり，金属化層２６はＡｌ層またはＡｌ合金層であることが記載されている。
　エ　上記ア〜ウによれば，引用例１には次の発明が記載されている。
「基板２２上に形成されたシード層４６と，
前記シード層４６上に形成された頂部層４８，及び
前記頂部層４８上に形成された金属化層２６を含む
集積回路の金属化層構造であって，
前記シード層はＡｌＣｕ層であり，
前記頂部層４８はＴｉＮ層であり，
前記金属化層２６はＡｌ層またはＡｌ合金層である半導体装置の金属化層構造。」
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−１３４９２０号公報（以下「引用例２」という。）には，次の記載がある。
「【０００９】ここで，Ａｌ配線（Ａｌ合金配線）のエレクトロマイグレーション耐性は，Ａｌ合金膜の膜質に強く依存しており，
高いエレクトロマイグレーション耐性を確保するためには，Ａｌ合金膜の結晶粒の（１１１）配向性が高くなければならない
「【００１７】一般に，配線層として使用されるＡｌ等の導電性材料の結晶配向性は，下地層の結晶配向性に密接に関連することが知られている。下地層は，下層からコンタクトメタル／バリアメタルが順に積層されて構成されていることが多い。ここで，例えば，下層から順にＴｉ／ＴｉＮ／Ｔｉが形成されている場合には，第１層Ｔｉ膜の（００２）配向性が高いほど，第２層ＴｉＮ膜の（１１１）配向性，及び第３層Ｔｉ膜の（００２）配向性が高くなる。更に，第３層Ｔｉ膜上に配線層としてＡｌ合金膜が形成されると，その配線層中のＡｌ結晶の（１１１）配向性が高くなる。
これは，Ｔｉ膜の（００２）面，ＴｉＮ膜の（１１１）面及びＡｌ層の（１１１）面の原子配置がそれぞれ近似しており，第１層のＴｉ膜の（００２）配向性が，エピタキシャル成長により上層に引き継がれるためである
　
４−３　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と，上記引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比する。
　ア　引用例１の段落【０００２】には，「このような集積回路は，単結晶シリコンの中に多数個のトランジスタが製造されている装置を用いるのが典型的な場合である。現在の多くの集積回路は，多重レベルに配置された金属化層を相互に接続することにより作成される。」との記載からみて，引用発明の「金属化層」は，半導体装置内の相互接続配線を構成する層であるといえるから，本願発明の「金属配線層」に相当する。また，引用発明における「前記金属化層２６はＡｌ層またはＡｌ合金層である」との事項は，補正発明における「前記金属配線層はアルミニウム層またはアルミニウム合金層である」との事項に相当する。
　イ　引用例１の段落【００１２】には，「基板２２はＳｉＯ２で構成することができるが，タングステンの貫通孔や，他の金属層，または半導体エレメントをもまた有することができる。」と記載されているから，引用発明の「基板２２」は，補正発明の「半導体基板の絶縁層」に相当する。
　ウ　引用発明における「頂部層４８」は，湿潤層として機能しているものと解されるから，補正発明における「湿潤層」に相当する。
　また，引用発明における「前記頂部層４８はＴｉＮ層であり」との事項は，補正発明における「前記湿潤層はチタニウム層，窒化チタニウム層及びチタニウム層と窒化チタニウム層の組合層よりなる一群から選択されるいずれか一つの層であり」との発明特定事項に含まれるものである。
　エ　引用例１の段落【００１９】には，「同様に，拡散障壁体３重層４２のシード層４６は，後で沈着される頂部層４８の結晶構造を配向させる」と記載され，また，引用例１の段落【００２０】には，「Ｘ線回折は，シード層４６を用いることにより，ＴｉＮの頂部層４８は，アモルファスＳｉＯ2 の上に沈着された多結晶ＴｉＮに比べて，さらに強く組織化される，またはさらによく単結晶化されるようになることを示している。ＳｉＯ2 の上に沈着されたＴｉＮの（１１１）Ｘ線回折線の強度は，ＡｌＣｕの上のＴｉＮの（１１１）Ｘ線回折線の強度の１０分の１以下である」と記載されていることから，引用発明の「シード層４６」は，その上に形成されるＴｉＮの頂部層４８の結晶構造を１１１方向に配向させる層であると言える。一方，本願の当初明細書の段落【００１６】には，「１１１方向の結晶学的配向を有するシード層６００として用いられるアルミニウム層によって，シード層６００上の湿潤層７００は前記アルミニウム層の１１１方向での格子定数と類似の大きさの格子定数を有する結晶学的方向への結晶学的配向を有し」と記載され，また，本願の当初明細書の段落【００２８】には，「前記湿潤層７００の結晶学的特性は，前記シード層６００の結晶学的構造に影響を受ける。（略）従って，シード層６００でアルミニウム層を薄く形成した後，その上に湿潤層７００として窒化チタニウム層を形成すると，前記窒化チタニウム層は前記シード層６００のアルミニウム層の格子定数，即ち２．３３８Åと類似の大きさを有する格子定数を有する決定構造に積層されて成長する。即ち１１１方向の結晶学的配向を優先的に有して前記窒化チタニウム層は形成される。」と記載されている。すなわち，補正発明における，「シード層」もまた，その上に形成される窒化チタニウムからなる湿潤層の結晶構造を１１１方向に配向させる層であると言えるから，引用発明における「シード層」は，補正発明における「シード層」に相当する。
　
　そうすると，補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「半導体基板の絶縁層上に形成されたシード層と，
　前記シード層上に形成された湿潤層，及び
　前記湿潤層上に形成された金属配線層を含む
　半導体装置の金属配線構造であって，
　前記湿潤層はチタニウム層，窒化チタニウム層及びチタニウム層と窒化チタニウム層の組合層よりなる一群から選択されるいずれか一つの層であり，
　前記金属配線層はアルミニウム層またはアルミニウム合金層である半導体装置の金属配線構造。」である点。
＜相違点１＞
  補正発明では，「シード層はアルミニウム層」であるのに対し，引用発明ではＡｌＣｕ層である点。
＜相違点２＞
　補正発明では，金属配線層とシード層とが同一の結晶学的配向を有して形成されるのに対し，引用発明では金属配線層の結晶学的配向が明示されていない点。
　
４−４　相違点についての判断
（１）相違点１について
　上記４−３，エに記したとおり，引用例１のＡｌＣｕからなるシード層は，窒化チタニウムからなる頂部層を（１１１）配向とするためのものであると理解できる。
　また，引用例１の段落【００１９】の「シード層４６は，その結晶構造，格子パラメータ，および結晶整合のために選定された，ＴｉまたはＡｌＣｕのような部材である。結晶構造と格子パラメータは，頂部層４８の結晶構造および格子パラメータと類似であることが要求される。」との記載，及び，引用例１の段落【００２２】の「シード層４６は，頂部層４８の結晶構造に適切に整合する結晶構造を有する他の部材で構成することができる。」との記載から，引用例１には，窒化チタニウムの（１１１）面と整合する材料であればシード層材料として採用できることが示唆されているものと理解できる。
　一方，窒化チタニウムの（１１１）面とアルミニウムの（１１１）面の結晶構造と格子パラメータが類似していることは，上記４−２（３）で摘記した引用例２の段落【００１７】の記載をはじめ，以下の周知例１〜３にも記載された周知の事項である。
・周知例１：特開平７−１１３１７２号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平７−１１３１７２号公報（以下「周知例１」という。）には，次の記載がある。
「【００３９】本発明の薄膜加工方法あるいは半導体装置の配線形成方法においては，基体（絶縁層）に対して斜め方向からスパッタリングを行うことにより，基体（絶縁層）上にＴｉＮ層を形成する。その結果，成膜されたＴｉＮ結晶は主に（１１１）配向を有する。
ＴｉＮ（１１１）面とＡｌ（１１１）面の格子定数の整合性は良いので，ＴｉＮ（１１１）面上に形成されたアルミニウム系合金から成る配線層の表面には荒れが少ない
・周知例２：特開平７−２２６３８７号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平７−２２６３８７号公報（以下「周知例２」という。）には，次の記載がある。
「【０００５】また，M.KAGEYAMA et al.29th annual proceedings,Reliability Physics Symposium,p97,1991 には，上記
ＴｉＮ膜（下地金属膜）の（１１１）面とＡｌ（配線用金属膜）の（１１１）面は原子配列が同一で，かつ原子間距離が極めて近いため，（１１１）優先配向したＴｉＮ膜上には，やはり（１１１）優先配向したＡｌあるいはＡｌ合金膜が堆積し，
・周知例３：特開平７−４５５５３号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平７−４５５５３号公報（以下「周知例３」という。）には，次の記載がある。
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで，Ａｌ系配線の配線寿命は，Ａｌ系材料膜の（１１１）配向度に比例することが知られている。これは，エレクトロマイグレーション耐性の向上に関連した現象である。
Ａｌ（１１１）膜を成長させるためには，下地にこれと格子定数の近いＴｉＮ（１１１）膜を成長させることが有効と考えられる
　そうすると，引用発明の（１１１）配向したＡｌＣｕからなるシード層を，窒化チタニウム層との（１１１）面での整合性において同等の性質を有する，（１１１）配向したアルミニウムからなるシード層に代えることは，前記周知の事項に照らして，当業者に普通に期待できる材料選択といえる。
　
（２）相違点２について
　（１１１）配向した窒化チタニウム層の上に形成されたアルミニウム層が１１１方向に優先配向することは，上記の周知例１〜３にも記載されているように，当業者に周知の事項である。
・上記周知例１には，次の記載がある。
「【００５７】
下地であるＴｉＮ層５０は主に（１１１）配向を有している。その結果，その上に形成されるアルミニウム層５４も主に（１１１）配向を有する
・上記周知例２には，次の記載がある。
「【００２８】このようにＡｌ膜が（１１１）優先配向を持つ現象は次のように理解できる。まずＴｉの結晶は六方晶系に属し，（００２）に優先配向する性質を有している。Ｔｉの（００２）面は図２（ａ）に示すような原子配列を有し，原子問距離は０．２９５ｎｍである。次にＴｉＮの結晶は立方晶系に属し，その（１１１）面は図２（ｂ）に示すような原子配列を有し，原子間距離は０．３００ｎｍである。図２から分かるように，Ｔｉの（００２）面とＴｉＮの（１１１）面とは同一の原子配列を有し，かつその原子間距離が極めて近いため，（００２）に優先配向したＴｉ膜上に堆積したＴｉＮ膜は（１１１）に優先配向する。
さらにＡｌの結晶はＴｉＮと同様に立方晶系に属し，その（１１１）面はＴｉＮの（１１１）面と同一の原子配列を有し，かつその原子間距離は０．２８６ｎｍであり，ＴｉＮの原子問距離に極めて近い。従って（１１１）に優先配向したＴｉＮ膜上に堆積したＡｌ膜は（１１１）に優先配向する
・上記周知例３には，次の記載がある。
「【００１９】
【作用】本発明の半導体装置においては，バリヤメタルの最も下層側のＴｉ膜は基板，特にＳｉ基板との間のオーミック・コンタクトの形成に寄与し，その上のＴｉＮ（２００）膜とＴｉＮ（１１１）膜がバリヤ性の確保に寄与する。特に，
Ａｌ系配線膜の直下にＴｉＮ（１１１）膜が配されることにより，Ａｌ系配線膜の（１１１）配向が促進され，エレクトロマイグレーション耐性が向上し，配線を長寿命化させることができる
　さらに，マイグレーションを防止するためには，アルミニウム配線層を（１１１）配向させることが望ましいことは，上記４−２（３）で摘記した引用例２の段落【０００９】の記載をはじめ，上記周知例２の段落【０００５】の記載，上記周知例３の段落【００１９】の記載のほか，以下の文献にも記載された周知の事項である。
・周知例４：特開平７−２４０４１２号公報
  本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平７−２４０４１２号公報（以下「周知例４」という。）には，次の記載がある。
「【００１１】
【実施例】エレクトロマイグレーションは，一般にグレインサイズが大きいほど起こりにくいことが知られている。これは，エレクトロマイグレーションが主にグレインバウンダリで起こるためと考えられる。また，
Ａｌの場合には結晶の（１１１）面の配向が強いほどエレクトロマイグレーションが起こりにくいことが知られている
（ｓ／σ2 ）ｌｏｇ（Ｉ(111) ／Ｉ(200) ）3
に比例すると報告されている。」
　したがって，引用発明において（１１１）配向した窒化チタニウム層の上に（１１１）配向したアルミニウム配線層を形成することは，上記周知の事項に照らして，当業者に普通に期待できる技術上の設計事項であるといえる。
　そうすると，（１１１）配向したアルミニウムをシード層とすること，及び，（１１１）配向した窒化チタニウム層の上に（１１１）配向したアルミニウム配線層を形成することは，それぞれ，当業者に普通に期待できることであり，また，「前記金属配線層と前記シード層とが同一の結晶学的配向を有して形成されること」との事項は，それらに伴って必然的に得られるものであるから，引用発明において，相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
　よって，補正発明は，引用発明及び引用例２の記載並びに周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４−５　独立特許要件についての結論
　以上のとおり，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５　補正却下の決定についての結論
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年７月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜２６に係る発明は，平成１８年８月２日付けの手続補正により補正された願書に添付した明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２６に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，４−２（２）エで認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　上記第２，３（１）で検討したように，補正発明は，本件補正前の請求項１の「シード層」「湿潤層」「金属配線層」について，各層の構成材料を限定したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，上記第２，４において検討したとおり，引用発明及び引用例２の記載並びに周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということができる。
　
４　本願発明についての結論
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２の記載並びに周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第4　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。