【事件の表示】
　特願２００１−１４８９７８「誘電体薄膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月２９日出願公開、特開２００２−３４３７９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　
　本願は、平成１３年５月１８日の出願であって、平成１７年１月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項１〜２に係る発明は、上記平成１７年２月２４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「誘電体前駆体または誘電体からなる複数の薄膜構成層に加熱処理を施すことにより、酸素八面体の中央に位置する元素がＴｉおよびＺｒであるペロブスカイト結晶構造または擬似ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体薄膜を基板上に形成する誘電体薄膜の製造方法において、
　上記基板側の上記薄膜構成層のＴｉの濃度が、上記基板と反対側の上記薄膜構成層のＴｉの濃度よりも小さくなるように、かつ、上記基板側の上記薄膜構成層のＺｒの濃度が、上記基板と反対側の上記薄膜構成層のＺｒの濃度よりも大きくなるようにして、上記複数の薄膜構成層を形成する工程と、
　上記複数の薄膜構成層に加熱処理を施して、上記誘電体薄膜を形成する工程とを備え、
　上記薄膜構成層の材料はＰｂ(ＺｒＸＴｉ１−Ｘ)Ｏ３またはＰｂ１−ｙＬａｙ(ＺｒＸＴｉ１−Ｘ)Ｏ３であることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。」
　
　なお、Ｐｂ(ＺｒＸＴｉ１−Ｘ)Ｏ３またはＰｂ１−ｙＬａｙ(ＺｒＸＴｉ１−Ｘ)Ｏ３において、酸素八面体の中央に位置する元素であるＺｒ及びＴｉのうち、元素番号の小さい元素はＴｉであるから、補正前の請求項１と本願発明は実質的に変わっておらず、本件補正は、請求項３〜５を削除したものと認められる。
　
　
２．引用例及びその記載事項
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３６５７１号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
 （ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上に形成された第１絶縁膜上に、キャパシタ下部電極、上部領域にＺｒ成分より相対的にＴｉ成分をより多く含む多層誘電膜、及びキャパシタ上部電極を順に形成してキャパシタを形成する段階と、
前記キャパシタを構成する物質が拡散されることを防止する物質層を、前記キャパシタを包むように該キャパシタ上に形成する段階と、を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
・・・
【請求項４】  前記多層誘電膜は、第１強誘電体膜とＺｒ成分より相対的にＴｉ成分をより多く含む第２強誘電体膜とが順に積層されて形成されることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項５】  前記第１強誘電体膜は、ＰＺＴで形成されることを特徴とする請求項４に記載のキャパシタの製造方法。
・・・
【請求項７】  前記第２強誘電体膜は、Ｚｒ成分より相対的にＴｉ成分をより多く含むＰＺＴ及びＰｂＴｉＯ３のいずれかで形成されることを特徴とする請求項４に記載のキャパシタの製造方法。」
　
（ｂ）「【０００４】例えば、ＦＲＡＭ装置の製造工程で誘電膜としてＰＺＴ強誘電体膜が用いられる場合、強誘電体膜ＰＺＴの結晶性は劣化と密接な関係を持っている。ＰＺＴ物質の結晶性は、ＰＺＴ物質の結晶性のための工程後、例えば熱処理工程後、ＰＺＴ物質内のペロブスカイト（perovskite）構造の形成程度と密接な関係があり、このペロブスカイト（perovskite）構造の形成程度は、ＰＺＴ物質内にＺｒとＴｉ組成比の均一性とＴｉの量と非常に密接な関係がある。」
　
（ｃ）「【０００５】図１は従来、強誘電体物質内にて各部位における陽イオン濃度比を示すグラフである。図１を参照すると、Ｐｂの下部電極から強誘電体物質、ＰＺＴの深さによる陽イオン濃度比は次の通りである。参照番号“１４”ラインはＰＺＴ内でＴｉ陽イオンの濃度比を示し、参照番号“１２”はＰＺＴ内でＺｒの濃度比を示す。参照番号“１０”はＰｂの濃度比を示す。グラフに示されたようにＰｂの濃度比は、下部膜からＰＺＴの深さによって変化がほぼない反面、ＺｒとＴｉの濃度比はかなり変化し、Ｚｒの濃度比は増加し、Ｔｉの濃度比は減少することが分かる。
【０００６】図２は、強誘電体物質内にで各部位における陽イオン濃度比の相対比を示すグラフである。図２を参照すると、参照番号“１６”はＰＺＴ内で、Ｚｒ陽イオンとＴｉ陽イオンの合計に対するＰｂ陽イオン濃度比の相対比、参照番号“１８”はキャパシタ上部電極近くで多少の減少はあるが、Ｔｉに対するＺｒの陽イオン濃度比の相対比は急激に増えていることが分かる。このように、ＺｒとＴｉの組成比がＰＺＴ部位によって異なるように現れる理由は、ＰＺＴ物質自体が不均質（heterogeneous）強誘電体物質であるため、下部膜に依存性を有するため生じるようになる。」
　
（ｄ）「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図３乃至図９を参照して本発明の実施の形態を詳しく説明する。図３乃至図９は本発明によるキャパシタの製造方法を順次段階的に説明するための断面図である。図３を参照すると、まず半導体基板１００上に活性領域と非活性領域を定義するため素子隔離領域１０２が形成される。・・・
【００１５】次に、白金膜１１０上に多層誘電膜１１２，１１３が形成される。多層誘電膜１１２，１１３は、第１強誘電体膜１１２と第２強誘電体膜１１３で構成される。第１強誘電体膜１１２は白金膜１１０上にＰＺＴで形成される。ＰＺＴ１１２はゾル−ゲル（sol−gel）工程を通して約２５００オングストロームの厚さを有するように形成され、図１（「図１Ａ」は誤記。）のグラフに示すように、ＰＺＴ内の下部から上部へ行くほどＴｉのＺｒに対する相対比が減少されて強誘電体膜の結晶性に問題を発生させる。このような問題を解決するため本実施の形態では第１強誘電体膜１１２上に第２強誘電体膜１１３が形成され、多層誘電膜１１２，１１３が形成される。第２強誘電体膜１１３はＺｒより相対的にＴｉ成分をより多く含むＴｉ量の多いＰＺＴ１１２ｂや、Ｔｉ成分を増加させ、第１強誘電体膜１１２からＴｉ成分が拡散されることを防止するためのＰＴＯ（ＰｂＴｉＯ３）１１３で形成される。この場合、第２強誘電体膜１１３は約１０００オングストロームの厚さを有するように形成される。第２強誘電体膜１１３上に上部電極層１１４が形成される。例えば、上部電極層１１４は、Ｉｒ、Ｒｈ、及びＲｕなどの金属膜で形成されることもでき、ＩｒＯ２、ＩＴＯ、ＲｈＯ２、ＲｕＯ２、及びＭｏＯ３のうちいずれか一つと、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、及びＲｕのうちいずれか一つとが順に積層されて形成されることもできる。」
　
（ｅ）「【００２５】
【発明の効果】本発明は、従来、強誘電体膜であるＰＺＴ膜をキャパシタの誘電膜として用いる場合、製造工程上の特性と強誘電体膜の特性により、ＰＺＴ膜を構成する成分の構成比が各部位別に不均一になる。これによって、ＰＺＴ膜の結晶性が低下されてキャパシタの性能が悪くなる問題点を解決したものとして、強誘電体膜の各部位別成分比を均一に維持でき、強誘電体膜の結晶性を向上でき、これにより、強誘電体膜の誘電特性を向上できる効果がある。」
　
（ｆ）そして、図１には、ｂ−Ｐｔからの距離が約０〜２５００オングストロームにおいて、Ｐｂイオン含有率がほぼ一定であること、Ｔｉより相対的にＺｒ成分がより多く含まれていることが示されている。
　
　
３．対比・判断
　
　摘記事項（ｂ）によれば、強誘電体膜ＰＺＴの結晶性は、ＰＺＴ物質の結晶性のための熱処理工程後、ＰＺＴ物質内のペロブスカイト構造の形成程度と密接な関係があり、このペロブスカイト構造の形成程度は、ＰＺＴ物質内にＺｒとＴｉ組成比の均一性とＴｉの量と非常に密接な関係があることが記載され、摘記事項（ｄ）によれば、第１強誘電体膜１１２は半導体基板の白金膜上にＰＺＴで形成されること、ＰＺＴ１１２はゾル−ゲル工程を通して形成されること、第１強誘電体膜１１２上に第２強誘電体膜１１３が形成され、多層誘電膜１１２，１１３が形成されること、第２強誘電体膜１１３はＺｒより相対的にＴｉ成分をより多く含むＴｉ量の多いＰＺＴであることが記載されている。
　ここで、第１強誘電体膜のＰＺＴは、ゾル−ゲル工程を通して形成されることが記載されていることから、第１強誘電体膜のＰＺＴは前駆体であるといえ、第２強誘電体膜も同様な工程により形成されているものと認められるから、第２強誘電体膜のＰＺＴも前駆体であるといえる。
　
　また、摘記事項（ｄ）によれば、第１強誘電体膜は、白金膜上に約２５００オングストロームの厚さを有するように形成されたＰＺＴであり、図１のグラフに示すように、ＰＺＴ内の下部から上部へ行くほどＴｉのＺｒに対する相対比が減少されて強誘電体膜の結晶性に問題を発生させるものであることが記載され、摘記事項（ｆ）によれば、図１には、ｂ−Ｐｔからの距離が約０〜２５００オングストロームにおいて、Ｐｂイオン含有率がほぼ一定であること、Ｔｉより相対的にＺｒ成分がより多く含まれていることが示されているから、第１強誘電体膜のＰＺＴは、Ｐｂイオン含有率がほぼ一定であり、Ｔｉより相対的にＺｒ成分をより多く含んでいるといえる。
　
　そして、第１強誘電体膜のＰＺＴは、Ｔｉより相対的にＺｒ成分をより多く含んでいること、第２強誘電体膜のＰＺＴは、Ｚｒより相対的にＴｉ成分をより多く含んでいること、及び、第１強誘電体膜のＰＺＴと第２強誘電体膜のＰＺＴは、技術常識からみて、Ｐｂイオン含有率がほぼ同じであり、ＺｒイオンとＴｉイオンの含有率の合計もほぼ同じであることを参酌すると、第１強誘電体膜のＴｉイオン含有率は、第２強誘電体膜のＴｉイオン含有率よりも小さく、第１強誘電体膜のＺｒイオン含有率は、第２強誘電体膜のＺｒイオン含有率よりも大きいといえる。
　
　上記摘記事項（ａ）〜（ｆ）を総合すると、刊行物には、「強誘電体膜ＰＺＴの結晶性のための熱処理工程を行い、ペロブスカイト構造の強誘電体膜ＰＺＴを半導体基板上に形成する強誘電体膜の製造方法において、
　第１強誘電体膜のＰＺＴ前駆体上に第２強誘電体膜のＰＺＴ前駆体が積層されて多層誘電膜が形成され、
　第１強誘電体膜のＴｉイオン含有率は、第２強誘電体膜のＴｉイオン含有率よりも小さく、第１強誘電体膜のＺｒイオン含有率は、第２強誘電体膜のＺｒイオン含有率よりも大きい強誘電体膜の製造方法。」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　
　
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比する。
　
　刊行物発明の「強誘電体膜」は、本願発明の「誘電体薄膜」に相当し、以下同様に、「ＰＺＴ」は「Ｐｂ(ＺｒＸＴｉ１−Ｘ)Ｏ３ 」に、「結晶性のための熱処理工程」は「加熱処理」に、「ペロブスカイト構造」は「ペロブスカイト結晶構造」に、「半導体基板」は「基板」に、「第１強誘電体膜」は「基板側の薄膜構成層」に、「第２強誘電体膜」は「基板と反対側の薄膜構成層」に、「多層誘電膜」は「複数の薄膜構成層」に、「イオン含有率」は「濃度」に、それぞれ相当している。
　
　また、ペロブスカイト構造のＰＺＴにおいて、酸素八面体の中央に位置する元素はＴｉおよびＺｒであるから、両者は、
「誘電体前駆体からなる薄膜構成層に加熱処理を施すことにより、酸素八面体の中央に位置する元素がＴｉおよびＺｒであるペロブスカイト結晶構造を有する誘電体薄膜を基板上に形成する誘電体薄膜の製造方法において、
　上記基板側の上記薄膜構成層のＴｉの濃度が、上記基板と反対側の上記薄膜構成層のＴｉの濃度よりも小さくなるように、かつ、上記基板側の上記薄膜構成層のＺｒの濃度が、上記基板と反対側の上記薄膜構成層のＺｒの濃度よりも大きくなるようにして、上記複数の薄膜構成層を形成する工程と、
　加熱処理を施して、上記誘電体薄膜を形成する工程とを備え、
　上記薄膜構成層の材料はＰｂ(ＺｒＸＴｉ１−Ｘ)Ｏ３である誘電体薄膜の製造方法。」
の点で一致するものの、次の点で一応相違する。
　
［相違点］
　本願発明は、誘電体前駆体または誘電体からなる複数の薄膜構成層に加熱処理を施すことにより、酸素八面体の中央に位置する元素がＴｉおよびＺｒであるペロブスカイト結晶構造または擬似ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体薄膜を基板上に形成し、複数の薄膜構成層に加熱処理を施して、誘電体薄膜を形成する工程とを備えているのに対し、刊行物発明は、加熱処理を複数の薄膜構成層に施しているのかが不明である点。
　
　
　上記相違点について検討すると、刊行物には、どの時点で結晶性のための熱処理工程を施すのかについて明記されていないが、複数の薄膜構成層に結晶性のための熱処理工程を施すことが技術常識（例えば、特開平８−１５７２６０号公報（特に段落【００３６】〜【００３８】）、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐｐ．５３６４−５３６７（特に第５３６４頁左欄第３７〜３９行、同頁右欄第２０〜２１行）参照）であることに照らせば、刊行物に記載の「結晶性のための熱処理工程」には、複数の薄膜構成層に施すものが含まれることは明らかである。してみれば、複数の薄膜構成層に結晶性のための熱処理工程を施す点は、刊行物に記載されているに等しい事項であるといえるから、上記相違点は実質的なものではなく、本願発明と刊行物発明とは実質的に相違しない。
　
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。