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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
示差走査熱量計（ＤＳＣ）により求められた吸熱ピークが７５℃以上９５℃以下の範囲にあり、且つ、前記吸熱ピークの半値幅が１３℃以上１７℃以下の範囲にある離型剤と、結晶性ポリエステル樹脂と、非晶性ポリエステル樹脂と、着色剤とを含み、
８０℃における複素弾性率が１．５×１０５Ｐａ以上４．５×１０５Ｐａ以下であり、
トナー中における前記離型剤の分散径が、個数測定に基づくふるい下積算分布で５０％となる粒径（Ｄ５０）として０．３５μｍ以上０．８μｍ以下であり、個数測定に基づくふるい下積算分布で８４％となる粒径（Ｄ８４）として１．０５μｍ以下である、電子写真用トナー。
【請求項２】
前記離型剤が、ノルマル炭化水素の割合が８０質量％以上のパラフィンワックスである請求項１に記載の電子写真用トナー。
【請求項３】
示差走査熱量計（ＤＳＣ）により求められた吸熱ピークが７５℃以上９５℃以下の範囲にあり、且つ、前記吸熱ピークの半値幅が１３℃以上１７℃以下の範囲にある離型剤を分散した離型剤分散液、結晶性ポリエステル樹脂を分散した結晶性ポリエステル樹脂分散液、非晶性ポリエステル樹脂を分散した非晶性ポリエステル樹脂分散液、及び着色剤を分散した着色剤分散液を混合して前記離型剤、前記結晶性ポリエステル樹脂、前記非晶性ポリエステル樹脂、及び前記着色剤を含む凝集粒子の分散液を調製する凝集粒子分散液調製工程と、
前記離型剤の吸熱ピーク温度±１０℃の範囲に加熱して前記凝集粒子を融合・合一する融合・合一工程とを有する請求項１又は請求項２に記載の電子写真用トナーの製造方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の電子写真用トナーを含む電子写真用現像剤。
【請求項５】
トナーが少なくとも収容され、前記トナーが請求項１又は請求項２に記載の電子写真用トナーであるトナーカートリッジ。
【請求項６】
現像剤保持体を少なくとも備え、請求項４に記載の電子写真用現像剤を収容するプロセスカートリッジ。
【請求項７】
感光体と、前記感光体を帯電する帯電手段と、帯電した前記感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、前記感光体上に形成された前記静電荷像を請求項４に記載の電子写真用現像剤によりトナー像として現像する現像手段と、前記トナー像を被転写体上に転写する転写手段と、前記トナー像を定着する定着手段と、を有する画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
即ち、請求項１に係る発明は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により求められた吸熱ピークが７５℃以上９５℃以下の範囲にあり、且つ、前記吸熱ピークの半値幅が１３℃以上１７℃以下の範囲にある離型剤と、結晶性ポリエステル樹脂と、非晶性ポリエステル樹脂と、着色剤とを含み、
８０℃における複素弾性率が１．５×１０５Ｐａ以上４．５×１０５Ｐａ以下であり、
トナー中における前記離型剤の分散径が、個数測定に基づくふるい下積算分布で５０％となる粒径（Ｄ５０）として０．３５μｍ以上０．８μｍ以下であり、個数測定に基づくふるい下積算分布で８４％となる粒径（Ｄ８４）として１．０５μｍ以下である、電子写真用トナーである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３に係る発明は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により求められた吸熱ピークが７５℃以上９５℃以下の範囲にあり、且つ、前記吸熱ピークの半値幅が１３℃以上１７℃以下の範囲にある離型剤を分散した離型剤分散液、結晶性ポリエステル樹脂を分散した結晶性ポリエステル樹脂分散液、非晶性ポリエステル樹脂を分散した非晶性ポリエステル樹脂分散液、及び着色剤を分散した着色剤分散液を混合して前記離型剤、前記結晶性ポリエステル樹脂、前記非晶性ポリエステル樹脂、及び前記着色剤を含む凝集粒子の分散液を調製する凝集粒子分散液調製工程と、
前記離型剤の吸熱ピーク温度±１０℃の範囲に加熱して前記凝集粒子を融合・合一する融合・合一工程とを有する請求項１又は請求項２に記載の電子写真用トナーの製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明者らは重合工程時における重合体付着物の生成のメカニズムに着目し、重合工程中に気化した重合性単量体が重合容器内の気相部で凝縮し、これが重合容器内壁や撹拌機表面などへ移行し、そこで重合することによりこれが起点となって重合体付着物が成長することを解明し、この知見をもとに鋭意検討を行った結果、以下の方法を見出した。
（１）重合性単量体及び着色剤を少なくとも含有する重合性単量体組成物を水系媒体に加え、該水系媒体中で該重合性単量体組成物を造粒して該重合性単量体組成物の粒子を形成し、該重合性単量体組成物の該粒子に含まれる該重合性単量体を重合してトナー粒子を得るトナー粒子の製造方法であって、
該重合性単量体の重合が行なわれる重合装置は、少なくとも重合容器を有し、該重合容器内では、該重合性単量体組成物の粒子を有する水系媒体の液相部と、気相部とが形成され、
該重合容器には該気相部を排気するためのベント配管およびキャリアガスの導入配管が設けられており、
該重合性単量体の重合転化率が少なくとも８０％に達するまでの間に、該気相部に温度が４０℃以上１２０℃以下であるキャリアガスを導入し、且つ重合容器内のガスをベント配管から排気することを特徴とする重合トナーの製造方法。
（２）該キャリアガスが空気、窒素及び水蒸気から選ばれる気体のうちの１種の気体、または２種以上の混合気体であることを特徴とする（１）に記載の重合トナーの製造方法。
（３）該キャリアガスが該重合容器に導入される際の温度と該重合性単量体の重合温度との温度差が１０℃以内であることを特徴とする（１）または（２）に記載の重合トナーの製造方法。
（４）該重合容器に導入されるキャリアガスの流量Ｆ（ｍ3／ｈ）と、該気相部の容積Ｖ（ｍ3）との関係が０．００２≦（Ｖ／Ｆ）≦０．１００を満たすことを特徴とする（１）乃至（３）のいずれかに記載の重合トナーの製造方法。
（５）該重合容器の該気相部を外部ジャケットにより加熱することを特徴とする（１）乃至（４）のいずれかに記載の重合トナーの製造方法。
（６）該外部ジャケットの内部温度と該重合性単量体の重合温度との温度差が１０℃以内であることを特徴とする（５）に記載の重合トナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合性単量体及び着色剤を少なくとも含有する重合性単量体組成物を水系媒体に加え、該水系媒体中で該重合性単量体組成物を造粒して該重合性単量体組成物の粒子を形成し、該重合性単量体組成物の該粒子に含まれる該重合性単量体を重合してトナー粒子を得るトナー粒子の製造方法であって、
該重合性単量体の重合が行なわれる重合装置は、少なくとも重合容器を有し、該重合容器内では、該重合性単量体組成物の粒子を有する水系媒体の液相部と、気相部とが形成され、
該重合容器には該気相部を排気するためのベント配管およびキャリアガスの導入配管が設けられており、
該重合性単量体の重合転化率が少なくとも８０％に達するまでの間に、該気相部に温度が４０℃以上１２０℃以下であるキャリアガスを導入し、且つ重合容器内のガスをベント配管から排気することを特徴とする重合トナーの製造方法。
【請求項２】
該キャリアガスが空気、窒素及び水蒸気から選ばれる気体のうちの１種の気体または２種以上の混合気体であることを特徴とする請求項１に記載の重合トナーの製造方法。
【請求項３】
該キャリアガスが該重合容器に導入される際の温度と該重合性単量体の重合温度との温度差が１０℃以内であることを特徴とする請求項１または２に記載の重合トナーの製造方法。
【請求項４】
該重合容器に導入されるキャリアガスの流量Ｆ（ｍ3／ｈ）と、該気相部の容積Ｖ（ｍ3）との関係が０．００２≦（Ｖ／Ｆ）≦０．１００を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の重合トナーの製造方法。
【請求項５】
該重合容器の該気相部を外部ジャケットにより加熱することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の重合トナーの製造方法。
【請求項６】
該外部ジャケットの内部温度と該重合性単量体の重合温度との温度差が１０℃以内であることを特徴とする請求項５に記載の重合トナーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月26日(2012.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の画像処理装置は、動作履歴をログとして記録する記録手段を備えた画像処理装置において、前記画像処理装置でエラーが発生したときに、当該発生したエラーに基づいて、上書き禁止とすべきログの種類を決定する決定手段と、前記画像処理装置でエラーが発生した後に前記記録手段にログを記録するときに、前記決定手段によって決定された種類のログが上書きされないように、前記記録手段にログを記録する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作履歴をログとして記録する記録手段を備えた画像処理装置において、
前記画像処理装置でエラーが発生したときに、当該発生したエラーに基づいて、上書き禁止とすべきログの種類を決定する決定手段と、
前記画像処理装置でエラーが発生した後に前記記録手段にログを記録するときに、前記決定手段によって決定された種類のログが上書きされないように、前記記録手段にログを記録する制御手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像処理装置で発生したエラーの種類を特定する特定手段をさらに備え、
前記決定手段は、前記特定手段によって特定されたエラーの種類に基づいて上書き禁止とすべきログの種類を決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記決定手段によって決定された種類のログのうちのフィルタリングの対象とする領域を決定するフィルタリング領域決定手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記フィルタリング領域決定手段によって決定された領域に記録され、且つ、前記決定手段によって決定された種類のログが上書きされないように、前記記録手段にログを記録する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記フィルタリング領域決定手段は、前記フィルタリング対象領域を、前記画像処理装置でエラーが発生してから遡る時間に基づいて決定することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記フィルタリング領域決定手段は、前記フィルタリング対象領域を、前記画像処理装置でエラーが発生してから遡る領域サイズに基づいて決定することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項６】
動作履歴をログとして記録するログ記録工程と、
前記画像処理装置でエラーが発生したときに、当該発生したエラーに基づいて、上書き禁止とすべきログの種類を決定する決定工程と、
前記画像処理装置でエラーが発生した後にログを記録するときに、前記ログ記録工程で記録されたログのうち前記決定工程で決定された種類のログを上書きすることなく前記ログを記録するように制御する制御工程と、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
画像処理装置の制御方法を実行するための、コンピュータで読み取り可能なプログラムであって、
動作履歴をログとして記録するログ記録ステップと、
前記画像処理装置でエラーが発生したときに、当該発生したエラーに基づいて、上書き禁止とすべきログの種類を決定する決定ステップと、
前記画像処理装置でエラーが発生した後にログを記録するときに、前記ログ記録ステップで記録されたログのうち前記決定ステップで決定された種類のログを上書きすることなく前記ログを記録するように制御する制御ステップと、を有することを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データ又は音声データを再生対象データとして再生する再生手段と、
前記再生対象データの再生位置の移動を行うため、ポインティングデバイスへの円弧状の操作軌跡を判別する判別手段と、
前記判別手段で前記ポインティングデバイスへの円弧状の操作を判別した場合、その円弧の大きさに応じて、前記操作軌跡の所定の操作量に対する前記再生対象データの再生位置の移動量を異ならせる処理手段とを備えたことを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記円弧の半径を求める算出手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記円弧の半径が、第１の半径よりも大きい第２の半径のとき、前記所定の操作量に対する再生位置の移動量は、前記第１の半径のときの移動量よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の再生装置。
【請求項４】
前記算出手段は、前記ポインティングデバイスへの操作軌跡から、少なくとも３つ以上の入力座標の情報に基づいて前記円弧の半径を求めることを特徴とする請求項２または３に記載の再生装置。
【請求項５】
前記ポインティングデバイスによる円弧状の操作の回転方向が右回りの場合に送り処理を行い、左回りの場合に戻し処理を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項６】
前記ポインティングデバイスによる円弧状の操作の開始時における回転方向を送り方向とすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項７】
前記円弧の大きさが所定の大きさより小さい場合、前記操作軌跡の所定の操作量に対する前記再生対象データの再生位置の移動量を円弧の大きさによらず一定とすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項８】
前記円弧の大きさが所定の大きさより大きい場合、前記操作軌跡の所定の操作量に対する前記再生対象データの再生位置の移動量を円弧の大きさによらず一定とすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項９】
前記再生対象データは一連の動画データ又は一連の音声データであり、
前記円弧の大きさに応じて、前記ポインティングデバイスの操作量に対する時間経過量を異ならせることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項１０】
前記再生対象データは一連の動画データ又は複数枚の静止画データであり、
前記円弧の大きさに応じて、前記ポインティングデバイスの操作量に対するフレーム又は静止画の移動枚数を異ならせることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項１１】
前記再生対象データは複数の音声データ又は複数枚の静止画データであり、
前記ポインティングデバイスに利用されるディスプレイには、前記複数の音声データ又は複数枚の静止画データのそれぞれに対応付けられたアイコンが表示され、
前記円弧の大きさに応じて、前記ポインティングデバイスの操作量に対するアイコンの移動数を異ならせることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項１２】
前記再生対象データは一連の動画データ又は複数枚の静止画データであり、
前記ポインティングデバイスは、前記動画データ又は前記静止画データが表示されている画面上への操作を受け付けることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項１３】
画像データ又は音声データを再生対象データとして再生する再生手段と、
前記再生対象データの再生位置の移動を行うため、ポインティングデバイスへの円弧状の操作軌跡を判別する判別手段と、
前記判別手段で前記ポインティングデバイスへの円弧状の操作を判別した場合、その円弧の大きさに応じて、前記操作軌跡の所定の操作量に対する前記再生対象データの再生位置の移動量を異ならせる処理手段とを備えたことを特徴とする再生システム。
【請求項１４】
再生装置が画像データ又は音声データを再生対象データとして再生する再生方法であって、
前記再生対象データの再生位置の移動を行うため、ポインティングデバイスへの円弧状の操作軌跡を判別するステップと、
前記ポインティングデバイスへの円弧状の操作を判別した場合、その円弧の大きさに応じて、前記操作軌跡の所定の操作量に対する前記再生対象データの再生位置の移動量を異ならせるステップとを有することを特徴とする再生方法。
【請求項１５】
画像データ又は音声データを再生対象データとして再生する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記再生対象データの再生位置の移動を行うため、ポインティングデバイスへの円弧状の操作軌跡を判別する処理と、
前記ポインティングデバイスへの円弧状の操作を判別した場合、その円弧の大きさに応じて、前記操作軌跡の所定の操作量に対する前記再生対象データの再生位置の移動量を異ならせる処理とをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の再生装置は、画像データ又は音声データを再生対象データとして再生する再生手段と、前記再生対象データの再生位置の移動を行うため、ポインティングデバイスへの円弧状の操作軌跡を判別する判別手段と、前記判別手段で前記ポインティングデバイスへの円弧状の操作を判別した場合、その円弧の大きさに応じて、前記操作軌跡の所定の操作量に対する前記再生対象データの再生位置の移動量を異ならせる処理手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明に係る半導体装置は、多層金属配線層を最下層の第１金属配線層よりも上層の金属配線層の配線を用いて形成されるヒューズ素子を備える。このヒューズ素子は、上層の金属配線のうちの特定の配線層の銅配線を用いて形成されたヒューズと、このヒューズを囲むように形成される拡散防護壁と、このヒューズ上層にヒューズと平面的に見て重なり合うように配置される電源配線を備える。この電源配線には電源電圧が伝達される。この電源配線とヒューズとの間の配線層の配線は、ヒューズと平面的に見て重なる領域以外の領域に配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
一実施の形態にかかる半導体装置は、銅電気ヒューズとこの銅電気ヒューズと直列に接続されて導通時銅電気ヒューズに対して切断電流を流す第１のトランジスタとを有するヒューズ回路と、この第１のトランジスタの導通を制御する切断制御回路と、電気ヒューズの切断を判定する判定回路とを備える。切断制御回路および判定回路は第１のパッドを介して供給される第１の電源電圧を動作電源電圧として受ける。ヒューズ回路は、第１のパッドと別に設けられる第２のパッドを介して供給される第２の電源電圧をヒューズ回路電源ノードに受ける。第２の電源電圧は、通常動作モード時には接地電圧レベルに設定され、電気ヒューズの切断を行なう切断モード時には前記第１の電源電圧と異なる電圧レベルに設定され、第１のパッドは通常動作モード時および切断モード時において第１の電源電圧を受ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の金属配線層を有する半導体装置であって、
前記金属配線層の最下層の第１金属配線層よりも上層の金属配線層の配線を用いて形成される少なくとも１つのヒューズ素子を備え、前記ヒューズ素子は、前記上層の金属配線層のうちの銅配線を用いて形成されるヒューズと、前記ヒューズを囲むように前記複数の金属配線層の所定の配線層の配線を利用して形成される拡散防護壁とを備え、前記拡散防護壁は、前記ヒューズ上層に前記ヒューズと平面的に見て重なり合うように配置される電源電圧を伝達する電源配線を備え、前記電源配線と前記ヒューズとの間の配線層の配線は、前記ヒューズと平面的に見て重ならない領域に配置される、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
基板１０の横方向の両側に配置された第１ＮｉＣｏパターン層３２は、それらの間にスリットＳが設けられた状態でその長手方向が横方向を向いて並んで形成されている（図５参照）。また、基板１０の縦方向の両側に配置された第１ＮｉＣｏパターン層３２は、それらの間にスリットＳが設けられた状態でその長手方向が縦方向を向いて並んで形成されている（図５参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
さらに、第１ＮｉＣｏパターン層３２及び第１絶縁層２０の上には第２絶縁層２２（下側絶縁層）が形成されている。第２絶縁層２２の上にはパッド部４０ａとそれに繋がって時計回転方向に巻かれたコイル部４０ｂとによって構成される第１平面コイル層４０が形成されている。第１平面コイル層４０のコイル部４０ｂは四角形で巻かれて配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
以上により、第２実施形態のインダクタ装置１ａが得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
図１４（ｂ）に示すように、第２実施形態のインダクタ装置１ａでは、最下に、第１触媒金属含侵樹脂パターン層３０とその下に同一パターンで配置された第１ＮｉＣｏパターン層３２とが形成されている。第１触媒金属含侵樹脂パターン層３０の上には第１絶縁層６０（下側絶縁層）が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
これと同時に、ホールＨを形成することにより、第１、第２ＮｉＣｏパターン層３２，３６同士の距離（第１絶縁ギャップＡ）が第１平面コイル層４０と第１ＮｉＣｏパターン層３２との間の距離（第２絶縁ギャップＢ）よりも短くなるように設定すればよい（図１４（ｂ））。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
なお、図１６の例では、第１、第２平面コイル層４０，４２の外側周縁部の全体にリング状に第１、第２ＮｉＣｏパターン層３２，３６を配置しているが、四隅部にホールＨをまとめて配置し、四隅部に三角状の第１、第２ＮｉＣｏパターン層３２，３６を延在させてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
また、前述した第１実施形態のインダクタ装置１に同様なホールＨを形成して同様な構造としてもよい。この場合、前述した第１実施形態において、第１、第２平面コイル層４０，４２のパッド部４０ａ，４２ａが省略され、パッド部４０ａ，４２ｂに対応する大きな径のビアホールＶＨの側面にビア導体が設けられて、第１、第２平面コイル層４０，４２が相互接続される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
１，１ａ…インダクタ装置、２，…インダクタ素子、１０…基板、２０，２２，２４，２６，６０、６２…絶縁層、３０ａ…第１触媒金属含侵樹脂層、３０…第１触媒金属含侵樹脂パターン層、３２…第１ＮｉＣｏパターン層（磁性体パターン層）、３４…第２触媒金属含侵樹脂パターン層、３６…第２ＮｉＣｏパターン層（磁性体パターン層）、４０…第１平面コイル層、４０ａ，４２ａ…パッド部、４０ｂ，４２ｂ…コイル部、４１…ビア導体、４２…第２平面コイル層、Ａ，Ｂ，Ｃ…絶縁ギャップ、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ…ビアホール、Ｈ…ホール、Ｓ…スリット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１のレジストパターンの上に保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記保護膜の上であって前記複数の第１のレジストパターンの間に第２のレジストパターンが形成され、
夫々異なる方法を用いて少なくとも２層に分けて前記保護膜を形成する保護膜形成工程を有する半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記保護膜形成工程は、
前記第１のレジストパターンと接する第１の保護膜を、触媒を用いて形成する第１の保護膜形成工程と、
前記第２のレジストパターンと接する第２の保護膜を、プラズマを用いて形成する第２の保護膜形成工程を有する請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記２層の保護膜は、前記第１のレジストパターンと接する第１の保護膜と、前記第２のレジストパターンと接する第２の保護膜とを有し、
前記第２の保護膜は、所定の膜厚に対して前記第２のレジストパターンを形成する際の現像液を通過させない程度の現像液耐性を有する請求項１もしくは請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
露光を２回行うことで第１のレジストパターンと第２のレジストパターンとを基板上に形成する際の半導体デバイスの製造方法であって、
前記第１のレジストパターンと接する第１の保護膜を形成する第１の保護膜形成工程と、
前記第１の保護膜の上に形成され、前記第２のレジストパターンと接する第２の保護膜を形成する第２の保護膜形成工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１の保護膜形成工程は、
処理室に収容された基板に第１の原料ガスを曝す第１の工程と、
処理室に収容された基板に第２の原料ガスを曝す第２の工程と、
処理室に触媒を供給する第３の工程と、
を有し、各工程を行うことにより第１の保護膜を形成し、
前記第２の保護膜形成工程は、
第１の保護膜の上に第３の原料ガスを曝して前記第３の原料ガスのうち少なくとも一部の成分を前記第１の保護膜の上に吸着させる第４の工程と、
第４の原料ガスであって、プラズマ励起により活性化された第４の原料ガスを前記基板に曝して前記第１の保護膜の上に吸着された第３の原料の成分と反応させる第５の工程と、
を有し、各工程を行うことにより第２の保護膜を形成する請求項４に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
基板上に形成された第１のレジストパターンの上に保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記保護膜の上であって前記複数の第１のレジストパターンの間に第２のレジストパターンが形成され、
夫々異なる方法を用いて少なくとも２層に分けて前記保護膜を形成する保護膜形成工程を有する基板処理方法。
【請求項７】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に複数の原料ガスを供給する複数の原料ガス供給手段と、
前記処理室に触媒を供給する触媒供給手段と、
プラズマを生成して前記原料ガスを活性化させるプラズマ生成手段と、
前記処理室を排気する排気手段と、
前記原料ガス供給手段、前記触媒供給手段、前記プラズマ生成手段および前記排気手段を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記原料ガス供給手段、前記触媒供給手段、前記プラズマ生成手段および前記排気手段を制御して、前記複数の原料ガスと前記触媒を用いて基板上に形成された第１のレジストパターンと接する第１の保護膜を形成した後、前記プラズマにより少なくとも１種の前記原料ガスを活性化させて用いて前記第１の保護膜の上に第２の保護膜を形成する基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体デバイスの製造方法、基板処理装置および基板処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様によれば、基板上に形成された複数の第１のレジストパターンの上に保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
保護膜の上であって複数の第１のレジストパターンの間に第２のレジストパターンが形成され、
夫々異なる方法を用いて少なくとも２層に分けて保護膜を形成する保護膜形成工程を有する半導体デバイスの製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、露光を２回行うことで第１のレジストパターンと第２のレジストパターンとを基板上に形成する際の半導体デバイスの製造方法であって、
第１のレジストパターンと接する第１の保護膜を形成する第１の保護膜形成工程と、
第１の保護膜の上に形成され、第２のレジストパターンと接する第２の保護膜を形成する第２の保護膜形成工程とを有する半導体デバイスの製造方法が提供される。
さらに、本発明の他の態様によれば、基板上に形成された第１のレジストパターンの上に保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
保護膜の上であって複数の第１のレジストパターンの間に第２のレジストパターンが形成され、
夫々異なる方法を用いて少なくとも２層に分けて保護膜を形成する保護膜形成工程を有する基板処理方法が提供される。
さらに、本発明の他の態様によれば、基板を収容する処理室と、
処理室に複数の原料ガスを供給する複数の原料ガス供給手段と、
処理室に触媒を供給する触媒供給手段と、
プラズマを生成して原料ガスを活性化させるプラズマ生成手段と、
処理室を排気する排気手段と、
原料ガス供給手段、触媒供給手段、プラズマ生成手段および排気手段を制御する制御部と、
を有し、
制御部は、原料ガス供給手段、触媒供給手段、プラズマ生成手段および排気手段を制御して、複数の原料ガスと触媒を用いて基板上に形成された第１のレジストパターンと接する第１の保護膜を形成した後、プラズマにより少なくとも１種の原料ガスを活性化させて用いて第１の保護膜の上に第２の保護膜を形成する基板処理装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の基板と、
この基板上に形成された第２導電型の半導体層と、
前記基板と前記半導体層とにわたって形成された第２導電型の第１の埋め込み層と、
この第１の埋め込み層の下に形成され前記第１の埋め込み層よりも不純物濃度の低い第２導電型の第２の埋め込み層と、
前記半導体層上に形成された第２導電型の第１の拡散層と、
この第１の拡散層上に形成され前記第１の拡散層よりも不純物濃度の高いドレイン領域としての第２導電型の第２の拡散層と、
前記半導体層上に形成された第１導電型の第３の拡散層と、
この第３の拡散層上に形成された前記第３の拡散層よりも不純物濃度の高い第１導電型の第４の拡散層と、
前記第３の拡散層上で前記第４の拡散層と隣接して形成されたソース領域としての第２導電型の第５の拡散層と、
前記半導体層の上方に前記第１の拡散層と前記第３の拡散層との間にわたって形成されたゲート膜と、
前記半導体層、前記第１および第２の埋め込み層、前記第１〜第５の拡散層、ならびに前記ゲート膜を含む素子領域の領域端に形成されて、前記第１および第２の埋め込み層の側面を囲むように当該素子領域を素子分離するものであって、前記素子領域の表面から前記基板内に達し内部に絶縁材料が埋め込まれたトレンチを備えて成る素子分離領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記トレンチには、前記絶縁材料としてＴＥＯＳが埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記トレンチの側壁にはＴＥＯＳ膜が形成され、前記絶縁材料としてポリシリコンが埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記素子領域の外部では、前記基板上に形成された第１の導電型の第３の埋め込み層と、この第３の埋め込み層上に形成され前記基板よりも不純物濃度の低い第１導電型の第１の半導体層と、この第１の半導体層上に形成され前記基板よりも不純物濃度の高い第１導電型の第２の半導体層とが設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願発明の一態様によれば、第１導電型の基板と、この基板上に形成された第２導電型の半導体層と、前記基板と前記半導体層とにわたって形成された第２導電型の第１の埋め込み層と、この第１の埋め込み層の下に形成され前記第１の埋め込み層よりも不純物濃度の低い第２導電型の第２の埋め込み層と、前記半導体層上に形成された第２導電型の第１の拡散層と、この第１の拡散層上に形成され前記第１の拡散層よりも不純物濃度の高いドレイン領域としての第２導電型の第２の拡散層と、前記半導体層上に形成された第１導電型の第３の拡散層と、この第３の拡散層上に形成された前記第３の拡散層よりも不純物濃度の高い第１導電型の第４の拡散層と、前記第３の拡散層上で前記第４の拡散層と隣接して形成されたソース領域としての第２導電型の第５の拡散層と、前記半導体層の上方に前記第１の拡散層と前記第３の拡散層との間にわたって形成されたゲート膜と、前記半導体層、前記第１および第２の埋め込み層、前記第１〜第５の拡散層、ならびに前記ゲート膜を含む素子領域の領域端に形成されて、前記第１および第２の埋め込み層の側面を囲むように当該素子領域を素子分離するものであって、前記素子領域の表面から前記基板内に達し内部に絶縁材料が埋め込まれたトレンチを備えて成る素子分離領域と、を備えることを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、以下に示す回路基板用金属箔テープが提供される。
〔１〕  予め回路が形成された回路基板にラミネートされて使用される金属箔テープであって、少なくとも金属箔と接着剤層からなり、該金属箔の厚みが５〜１００μｍであり、該接着剤層の厚みが２〜４０μｍであることを特徴とする回路基板用金属箔テープ。
〔２〕前記金属箔の引張破壊伸びが３％以上であることを特徴とする前記〔１〕に記載の回路基板用金属箔テープ。
〔３〕前記金属箔の引張弾性率が５〜４０ＧＰａであることを特徴とする前記〔１〕に記載の回路基板用金属箔テープ。
〔４〕前記金属箔がアルミニウム箔であることを特徴とする前記〔１〕に記載の回路基板用金属箔テープ。
〔５〕前記接着剤がアクリル系接着剤であることを特徴とする前記〔１〕に記載の回路基板用金属箔テープ。
〔６〕前記接着剤層がアクリル系接着剤からなり、該アクリル系熱接着剤がアクリル系ポリマーとエポキシ硬化剤を含有することを特徴とする前記〔１〕に記載の回路基板用金属箔テープ。
〔７〕前記接着剤層を構成する接着剤の硬化後の引張弾性率が１０ＭＰａ以下であることを特徴とする前記〔１〕に記載の回路基板用金属箔テープ。
〔８〕前記接着剤層に離型性フィルムが積層されていることを特徴とする請求項前記〔１〕に記載の回路基板用金属箔テープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め回路が形成された回路基板にラミネートされて使用される金属箔テープであって、少なくとも金属箔と接着剤層からなり、該金属箔の厚みが５〜１００μｍであり、該接着剤層の厚みが２〜４０μｍであることを特徴とする回路基板用金属箔テープ。
【請求項２】
前記金属箔の引張破壊伸びが３％以上であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板用金属箔テープ。
【請求項３】
前記金属箔の引張弾性率が５〜４０ＧＰａであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板用金属箔テープ。
【請求項４】
前記金属箔がアルミニウム箔であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板用金属箔テープ。
【請求項５】
前記接着剤層がアクリル系接着剤からなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板用金属箔テープ。
【請求項６】
前記接着剤層がアクリル系接着剤からなり、該アクリル系接着剤層がアクリル系ポリマーとエポキシ硬化剤を含有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板用金属箔テープ。
【請求項７】
前記接着剤層を構成する接着剤の硬化後の引張弾性率が１０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板用金属箔テープ。
【請求項８】
前記接着剤層に離型性フィルムが積層されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板用金属箔テープ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフレームレートより高い第２のフレームレートによって記録された所定の区間に対応する映像を含む映像コンテンツが記録されている場合、第１の時間を表示するための処理を行う制御手段を有し、
前記第１の時間は、フレームの間引き処理が行われることなく前記所定の区間に対応する映像が再生される場合における前記映像コンテンツの再生に関する時間を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１の時間を示すデータと、前記映像コンテンツに関連するデータとが表示されるようにすることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のフレームレートによって記録された区間に対応する映像が前記映像コンテンツに含まれる場合、前記制御手段は、第２の時間を表示するための処理を行い、
前記第２の時間は、前記所定の区間に対応する映像にフレームの間引き処理が行われてから再生される場合における前記映像コンテンツの再生に関する時間を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のフレームレートによって記録された区間に対応する映像が前記映像コンテンツに含まれる場合、前記制御手段は、前記第２の時間を示すデータが表示されるようにすることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記映像コンテンツに関するデータは、前記映像コンテンツを識別するためのデータを含むことを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記映像コンテンツに関するデータは、前記映像コンテンツに対応するサムネイルデータを含むことを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記映像コンテンツに関するデータは、前記映像コンテンツに対応する再生映像を含むことを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記映像コンテンツの再生が行われる前に、前記制御手段は、前記第１の時間を表示するための処理を行うことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記映像コンテンツの再生が行われる場合、前記制御手段は、前記第１の時間を表示するための処理を行うことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記所定の区間に対応する映像に対してフレームの間引き処理を行わないように前記映像コンテンツの再生を行うか否かを選択するための選択手段をさらに有することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記映像コンテンツの再生を行う映像再生手段をさらに有することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の装置を制御するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】装置及び方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、装置及び方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る装置は、第１のフレームレートより高い第２のフレームレートによって記録された所定の区間に対応する映像を含む映像コンテンツが記録されている場合、第１の時間を表示するための処理を行う制御手段を有し、前記第１の時間は、フレームの間引き処理が行われることなく前記所定の区間に対応する映像が再生される場合における前記映像コンテンツの再生に関する時間を含むことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、ユーザに円滑に再生モードを選択させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｎＯを含む膜を形成する第１の工程と、前記ＳｎＯを含む膜の上に酸化物又は窒化物からなる絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ＳｎＯを含む膜と前記絶縁膜を含む積層膜を熱処理する第３の工程と、
を含むことを特徴とするＳｎＯを含む膜の形成方法。
【請求項２】
前記ＳｎＯを含む膜がｐ型半導体であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体膜の形成方法。
【請求項３】
前記第３の工程の後の前記ＳｎＯを含む膜が多結晶を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体膜の形成方法。
【請求項４】
前記第３の工程の後の前記ＳｎＯを含む膜のＸ線、電子線又は中性子回折法による回折線がＳｎＯ多結晶に起因するものであり、かつＳｎＯ多結晶以外のスズ酸化物に起因する回折線が実質的に観察されないことを特徴とする請求項３記載の半導体膜の形成方法。
【請求項５】
前記ＳｎＯを含む膜を形成する第１の工程と、
前記ＳｎＯを含む膜の少なくとも一部の領域上に酸化物又は窒化物からなる絶縁膜を形成する第２の工程と、
酸素含有雰囲気で熱処理を行う第３の工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の形成方法。
【請求項６】
前記第３の工程の後の前記ＳｎＯを含む膜のうち、前記絶縁膜を形成した領域がＳｎＯ多結晶を含むことを特徴とする、請求項５記載の半導体素子の形成方法。
【請求項７】
前記第３の工程の後の前記該ＳｎＯを含む膜のうち、前記絶縁膜が上に形成された領域はＳｎＯ多結晶を含み、前記絶縁膜が上に形成されていない領域はＳｎＯ２を含むことを特徴とする、請求項６に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項８】
前記第２の工程の前に、前記ＳｎＯを含む膜をｐ型半導体とする領域とｎ型半導体とする領域とに分離する第４の工程を含むことを特徴とする、請求項５から７のいずれか１項に記載の半導体素子の形成方法。
【請求項９】
少なくともｐ型伝導を示す酸化物半導体膜とｎ型伝導を示す酸化物半導体膜とを含む半導体素子であって、前記ｐ型伝導を示す酸化物半導体膜はＳｎＯを含み、前記ｎ型伝導を示す酸化物半導体膜はＳｎＯ２を含むことを特徴とする半導体素子。
【請求項１０】
前記ｐ型伝導を示すＳｎＯを含む膜がＳｎＯ多結晶を含むことを特徴とする、請求項９に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記ＳｎＯを含む膜のＸ線、電子線又は中性子回折法による回折線がＳｎＯ多結晶に起因するものであり、かつＳｎＯ多結晶以外のスズ酸化物に起因する回折線が実質的に観察されないことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記半導体素子がＳｎＯを含む膜をチャネルとした薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記半導体素子が相補型半導体素子であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー源によりエネルギーを与えられる少なくとも１つの放射部材であって、該放射部材が少なくとも部分的に環形状を含む、放射部材；
少なくとも２つの同軸環または部分的環によって規定される少なくとも部分的に円形帽子形状の溝の凹面反射表面を含む反射部材；
を備え、
該内側同軸環または部分的環が、該反射部材の底から突出または上昇し、該反射部材の中心または近くに位置し、該放射部材によって形成される少なくとも部分的な環内に少なくとも部分的に配置される該反射部材の部分を形成する少なくとも部分的に円錐形のセグメントを規定し；
該反射部材の半径方向の断面が、焦点領域を規定する少なくとも部分的に放物線状、双曲線状または円錐形状を含み、そして該半径方向の断面の境界の少なくとも一点または部分が、該同軸環または部分的環に接触し；
該少なくとも部分的に円形帽子形状の凹面反射部材の反射表面が、該半径方向の断面の外側の軸であって、該内側同軸環または部分的環の中心に配置され、三次元空間において内側同軸環または部分的環によって形成される面に対して垂直である軸に沿って該反射部材の半径方向の断面の回転から生成し、該反射表面が、該少なくとも部分的に円形帽子形状の凹面反射部材の長さの一部に沿って少なくとも部分的に長手方向の少なくとも部分的に円形の焦点領域を規定し；
該放射部材の少なくとも一部は、該少なくとも部分的に長手方向の少なくとも部分的に円形の焦点領域において、またはその近くで、または沿って部分的に円形帽子形状の凹面反射部材の長さの少なくとも一部において、またはその近くで、または沿って存在し；
該放射部材の少なくとも一部は、該反射部材の少なくとも部分的に円錐形のセグメントの開口部に向けられ、該開口部を通過し、該反射部材の少なくとも部分的に円錐形のセグメントの少なくとも凹部またはその後ろに入れられるかまたは固定されている、
ラジエーター。
【請求項２】
前記円錐形のセグメントが、前記放射部材によって形成される少なくとも部分的に環の三次元空間の面に垂直な軸を有する、請求項１に記載のラジエーター。
【請求項３】
前記放射部材が、セラミック材料、炭素質材料、ケイ素の酸化物、カーバイド、水和物または硝酸塩の材料、あるいは金属材料を含む、請求項１または２に記載のラジエーター。
【請求項４】
前記放射部材が、セラミック材料、炭素質材料、ケイ素の酸化物、カーバイド、水和物または硝酸塩の材料、あるいは金属材料に囲まれた電気コイル抵抗を含む、請求項１または２に記載のラジエーター。
【請求項５】
前記放射部材の少なくとも端部が、前記反射部材の少なくとも部分的に円錐形のセグメントの開口部に向けられ、該開口部を通過し、該反射部材の少なくとも部分的に円錐形のセグメントの凹部またはその後ろに入れられるかまたは固定される、請求項１〜４のいずれか一項に記載のラジエーター。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のラジエーターであって、前記放射部材が、熱伝導性材料により覆われている電気コイル抵抗を含む、ラジエーター。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のラジエーターであって、ここで、前記放射部材が、少なくとも部分的に管状形状を含む、ラジエーター。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のラジエーターであって、ここで、前記放射部材が、ほぼ環形状を有する、ラジエーター。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報表示媒体に表示された画像を特定するための情報を取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した情報に基づいて、前記画像に対応する画像データを当該画像データが記憶された記憶手段から読み出す読出手段と、
前記情報表示媒体のサイズを特定する特定手段と、
前記読出手段によって読み出された画像データを、前記特定手段によって特定された前記情報表示媒体のサイズに基づいて印刷する印刷手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記特定手段は、前記情報表示媒体のサイズ及び向きを特定し、
前記印刷手段は、前記読出手段によって読み出された画像データを、前記特定手段によって特定された前記情報表示媒体のサイズ及び向きに基づいて印刷することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記情報表示媒体に表示された画像の表示倍率を判別する判別手段をさらに備え、
前記印刷手段は、前記判別手段により判別された表示倍率に基づいて、前記読出手段によって読み出された画像データを印刷することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記情報表示媒体は、原稿台に載置可能であり、
前記取得手段は、前記原稿台に載置された前記情報表示媒体に表示された画像を特定するための情報を前記原稿台に載置された前記情報表示媒体から取得することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記特定手段は、前記原稿台に載置された前記情報表示媒体を検知センサで検知することによって、前記情報表示媒体のサイズを特定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記記憶手段は、前記画像処理装置の記憶手段或いは、ネットワークで接続される外部装置の記憶手段であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記取得手段は、前記情報表示媒体に表示された画像を特定するための情報を前記情報表示媒体から無線通信で取得することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記情報表示媒体は、電子ペーパであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
画像処理装置の画像処理方法であって、
情報表示媒体に表示された画像を特定するための情報を取得する取得ステップと、
前記取得ステップが取得した情報に基づいて、前記画像に対応する画像データを当該画像データが記憶された記憶手段から読み出す読出ステップと、
前記情報表示媒体のサイズを特定する特定ステップと、
前記読出ステップによって読み出された画像データを、前記特定ステップによって特定された前記情報表示媒体のサイズに基づいて印刷する印刷ステップと、
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報表示媒体と通信可能な画像処理装置の出力制御に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
電子ペーパに表示されている内容を見た目の通り印刷を行うには画面を従来の原稿をコピーする方法と同様の方法でコピーするのが簡便な方法である。しかしながら、電子ペーパを光学的に読み取って印刷した場合、十分な画質が得られない。
上記特許文献１の画像処理装置では、電子ペーパに表示された画像を印刷する場合に、画像処理装置と電子ペーパとを専用のインタフェースで接続する必要がある。そのため、ユーザは、電子ペーパを画像処理装置に接続する必要があり、煩わしかった。また、上記特許文献１では、印刷原稿サイズの設定や、印刷倍率の設定などを予め電子ペーパに行っておく必要があるため、操作性が低下する要因となっていた。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、本発明の目的は、情報表示媒体に表示された画像を、画質の低下や操作性の低下を抑制しつつ、印刷する仕組みを提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成する本発明の画像処理装置は以下に示す構成を備える。
情報表示媒体に表示された画像を特定するための情報を取得する取得手段と、前記取得手段が取得した情報に基づいて、前記画像に対応する画像データを当該画像データが保存された記憶手段から読み出す読出手段と、前記情報表示媒体のサイズを特定する特定手段と、前記読出手段によって読み出された画像データを、前記特定手段によって特定された前記情報表示媒体のサイズに基づいて印刷する印刷手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、情報表示媒体に表示された画像を、画質の低下や操作性の低下を抑制しつつ、印刷することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質の両側面に、電極を設けた電解質電極構造体とセパレータとを積層してセルを形成し、
該セルを複数積層して燃料電池スタックを形成し、
前記セパレータに、電気的に電圧監視ユニットとダイオードユニットとを接続した燃料電池であって、
前記燃料電池スタックの一側面に、前記電圧監視ユニットを配置する一方、
前記燃料電池スタックの前記一側面とは異なる他側面に、前記ダイオードユニットを配置したことを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
前記一側面と前記他側面とが互いに対向した位置に存在していることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
下方に向かって徐々に末広がりとなるように傾斜する一対の側壁を有するセンターコンソール内に、前記燃料電池スタックを収納し、
前記燃料電池スタックに接続されたセル電圧測定用コネクタよりも下方に、前記電圧監視ユニットを配置すると共に、
前記燃料電池スタックに配置されたダイオードユニット用端子よりも下方に、前記ダイオードユニットを配置したことを特徴とする請求項２に記載の燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載した発明は、前記一側面と前記他側面とが互いに対向した位置に存在していることを特徴とする。
このように構成することで、電圧監視ユニットとダイオードユニットとの離間距離を大きく確保することができる。
請求項３に記載した発明は、下方に向かって徐々に末広がりとなるように傾斜する一対の側壁を有するセンターコンソール内に、前記燃料電池スタックを収納し、前記燃料電池スタックに接続されたセル電圧測定用コネクタよりも下方に、前記電圧監視ユニットを配置すると共に、前記燃料電池スタックに配置されたダイオードユニット用端子よりも下方に、前記ダイオードユニットを配置したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月27日(2012.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の密閉電池の製造方法おいては、第３の工程で接続端子と電流遮断機構との間の空気漏れを検査しているので、組立途中で溶接不良の電池を選別することができ、しかも、第５の工程で貫通穴内に弾性部材からなる端子栓を挿入しているので、第７の工程での電解液注入時及びその後に必要に応じて行われる水洗時に貫通穴の内部に電解液が浸入することを防止することができる。そのため、本発明の密閉電池の製造方法によれば、途中で不良品の選別が行われていると共に、電流遮断機構が腐食されて誤動作を起こすことがなくなるので、高信頼性の密閉電池を製造することができるようになる。なお、空気漏れを検査する際に使用するガスとしては、窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガス、乾燥空気等を用いることができる。