【事件の表示】
　特願２０００−３１１１２４「成膜方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１８日出願公開、特開２００２−　１５９８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成１２年１０月１１日（優先権主張　平成１２年４月２７日）の出願であって、平成１８年３月２７日付けで手続補正がなされた後、平成１８年８月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１８年１０月５日に審判請求がなされるとともに、平成１８年１１月６日付けで手続補正がなされたものである。
　本願の特許請求の範囲の請求項１乃至１９に係る発明は、平成１８年１１月６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１乃至１９に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「液体を滴下する滴下部から該滴下部の鉛直下にある被処理基板上に滴下された液体を該被処理基板に留めながら、該被処理基板もしくは該滴下部を相対的に移動させて被処理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、
　前記被処理基板と前記滴下部との相対的な移動は、該基板を回転させつつ、前記滴下部を該基板の内周部から該基板の外周部に向けて相対的に移動させるものであり、前記液体が前記被処理基板上に螺旋状に滴下されるものであって、
　前記被処理基板の内周部から外周部に向けた前記滴下部の相対的な移動に伴い、滴下された液膜にかかる遠心力により滴下された該液膜が移動しないように、該基板の回転数ｗを低下させると共に、該滴下部からの前記液体の供給速度ｖを増加させて、前記被処理基板上に液膜を形成する、
　ことを特徴とする成膜方法。」
　
　平成１８年１１月６日付けの補正後の本願発明は、その補正前の請求項１の「液体を滴下する滴下部と、該滴下部の鉛直下にある被処理基板と、該滴下部から該基板上に滴下された液体を該被処理基板に留めながら、」を、「液体を滴下する滴下部から該滴下部の鉛直下にある被処理基板上に滴下された液体を該被処理基板に留めながら、」と補正するものであって、この補正は、特許法第１７条の２第４項第３号の誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開２０００−７７３２６号公報（以下、「引用例１」という。）、及び同じく特開平１１−７０３５３号公報（以下、「引用例２」という。）にはそれぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）引用例１；
　成膜装置及び成膜方法に関するもので、
ア．【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ、ＬＣＤ基板や露光マスク等の被処理基板上に樹脂等を溶解させたものからなる液体、特にレジスト液を塗布し、この液体の膜を形成する成膜装置に関するものである。」
　
イ．【特許請求の範囲】【請求項１９】
「被処理基板の表面に成膜するための成膜方法であって、
　前記被処理基板を保持する工程と、
　成膜用の液体を細径の線状に連続吐出しながら、前記基板保持部とノズルユニットを相対的に駆動し、前記被処理基板に塗布させることで被処理基板の表面に膜を形成する工程と
　を有することを特徴とする成膜方法。」
　
ウ．【００１４】
「この発明は、（１）〜（５）に掲げた（「掲げたな」は誤記と認める。）事情に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、成膜に要する液体の歩留まりが高く、かつ、被処理基板の所望の箇所のみに前記液体を均一に塗布できる成膜装置を提供することにある。」
　
エ．【０１２１】
「第２に、レジスト液の塗布径路は、上記一実施形態のもの（図３）に限定されるものではなく、例えば図９に示すように渦巻き状の径路としても良い。この場合、前記ウエハ１を低速（例えば２０〜３０ｒｐｍ）で回転させつつノズルユニット２をこのウエハ１の直径方向（例えばＸ方向）に移動させることで塗布を行うようにすることが好ましい。」
　【０１２２】
「この場合でもウエハ１とノズルユニット２の相対速度を一定に保つことが重要である。例えばノズルユニット２を一定の速度で移動させる場合には、このノズルユニット２がウエハ１の周縁部側に移動するにしたがってウエハ１の回転速度を徐々に低下させる。」
　
　したがって、前記ア．〜エ．の記載事項と図９の記載からして、引用例１には、「成膜用の液体を滴下するノズルユニット２から該ノズルユニット２の鉛直下にある被処理基板１上に滴下された液体を該被処理基板１に留めながら、該被処理基板１とノズルユニット２を相対的に移動させて被処理基板上に液体の膜を形成する方法であって、前記被処理基板１と前記ノズルユニット２との相対的な移動は、該基板１を回転させつつ、前記ノズルユニット２を該基板１の内周部から該基板の外周部に向けて相対的に移動させるものであり、前記液体が前記被処理基板上に螺旋状に滴下されるものであって、前記被処理基板１の内周部から外周部に向けた前記ノズルユニット２の相対的な移動に伴い、該基板１の回転速度を低下させる、前記被処理基板１上に液体の膜を形成する、成膜方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（ｂ）引用例２；
　回転中の被処理体に処理液を塗布する処理装置に関するもので、
オ．【０００１】
「【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウェーハの露光、現像処理等に用いられる処理装置に関する。」
　
カ．【特許請求の範囲】【請求項１】
「処理液供給ノズルを、回転中の被処理体の上方において、回転半径方向に移動させながら、上記被処理体上に処理液を供給して上記被処理体に処理液を塗布する処理装置において、
　上記処理液供給ノズルの移動区間を複数個に分割し、各分割移動区間での上記処理液供給ノズルの移動速度を、それぞれ所望の速度値に設定するノズル移動速度設定手段と、
　上記各分割移動区間のそれぞれにおける上記処理液供給ノズルの移動速度を、上記ノズル移動速度設定手段により設定された速度値に制御するノズル移動速度制御手段と、
　上記各分割移動区間での上記被処理体の回転速度を、上記処理液供給ノズルの、上記被処理体の回転半径方向位置に応じて切り替え制御する回転速度制御手段と、
　を備えることを特徴とする処理装置。」
　
キ．【０００２】
「【従来の技術】露光処理前の半導体ウェーハにホトレジスト膜を塗布する場合や、現像処理液を半導体ウェーハの表面に塗布する場合、ホトレジスト材料や現像処理液は、半導体ウェーハの上方に設置されるノズルから半導体ウェーハの表面に供給する。」
　
ク．【発明の実施の形態】中、【００３７】
「このデータ設定部におけるデータ設定の方法を以下説明する。」
　【００３８】
「今、例えば図５に示すように、１回のスキャン距離を８０ｍｍとした時、これを前半の１５ｍｍの分割スキャン区間ＳＡと、後半の６５ｍｍ分割スキャン区間ＳＢとに分割して、ノズルのスキャン速度を２段階に変えるようにする場合を例にとる。
　【００３９】
「上記の例の場合には、データ設定部はＰ１とＰ２を使用する。」
　【００４０】
「先ず、データ設定部Ｐ１では、分割スキャン区間ＳＡのスキャン時間を例えば０．５秒と設定する。スキャン遅延時間は、例えば０とする。スキャン方向は、半導体ウェーハの周辺部から中心部方向へ向かう方向であってもよいし、逆に中心部から周辺部に向かう方向であってもよい。」
　
ケ．同じく【００４９】
「図８は、上記のレシピに従ったノズルの移動とその速度変化とを示す図である。この図８を参照しながら、この例の現像処理液塗布動作について説明する。」
　【００５０】
「すなわち、処理液塗布処理のスタート指令がユニットコントローラに対し与えられると、ユニットコントローラ１１Ａまたは１１Ｂから、セクションＳＥＱ１で起動信号が速度コントローラ２０に与えられると共にデータ設定部Ｐ１及びＰ２のデータが速度コントローラ２０に送られる。すると、速度コントローラ２０により、ステッピングモータ３５はデータ設定部Ｐ１で設定された速度値及び加速度値の割合で目標速度まで加速される。そして、ノズルから現像液が例えば、２０ｃｃ／秒の割合で、ウェーハに供給される。以後、ノズルからは、この割合で、一定量づつ半導体ウェーハに現像液が供給される。」
  【００５１】〜【００５５】
・・・・・・・・・・・・・・
　【００５６】
「以上のようにして、ノズルの移動速度は、分割スキャン区間ごとに異なる値に設定される。また、ウェーハの回転速度も変えられている。」
　【００５７】
「この場合、ノズルの移動速度は半導体ウェーハの中心に近い位置では８１．２５ｍｍ／秒と速く、外周縁に近い位置では３０ｍｍ秒と比較的遅くなる。従って、処理液をノズルから一定量ずつ半導体ウェーハの表面に供給したとしても、処理液が半導体ウェーハの表面に塗布されない部分が生じないようにすることができる。」
　
コ．同じく【００６３】
「また、上記の実施例ではノズルの移動速度を変えて被処理体への処理液量を回転中心部と周辺部とで変えるようにした場合について説明したが、ノズルの移動速度は一定にしておき、ノズルからの処理液の供給量を、ノズルからの処理液の噴射を断続させることにより、あるいはノズルからの噴射量自体を変えることにより変えて、被処理体の回転中心部と周辺部とでの処理液量を変えるようにしても良い。」
　
サ．【００６５】
「【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば、被処理体の回転中心部と周辺部とで、塗布する処理液量を変えるようにしたので、被処理体の回転中心からの半径方向の距離が異なるいずれの位置でも被処理体への処理液の塗布量は均一になり、処理液が塗布されない箇所が生じることがない。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「成膜用の液体」、「液体の膜」は、それぞれ本願発明の「液体」、「液膜」に相当する。
（２）引用発明の「ノズルユニット２」は、本願発明の「滴下部」に相当する。
（３）引用発明の「基板１の回転速度」は、本願発明の「基板の回転数ｗ」に相当する。
　
　前記指摘した（１）〜（３）のことからして、両者は、「液体を滴下する滴下部から該滴下部の鉛直下にある被処理基板上に滴下された液体を該被処理基板に留めながら、該被処理基板もしくは該滴下部を相対的に移動させて被処理基板上に液膜を形成する液膜形成方法であって、前記被処理基板と前記滴下部との相対的な移動は、該基板を回転させつつ、前記滴下部を該基板の内周部から該基板の外周部に向けて相対的に移動させるものであり、前記液体が前記被処理基板上に螺旋状に滴下されるものであって、前記被処理基板の内周部から外周部に向けた前記滴下部の相対的な移動に伴い、該基板の回転数ｗを低下させて、前記被処理基板上に液膜を形成する、成膜方法。」である点で一致し、次の相違点が存在する。
　
［相違点］
  被処理基板上に液膜を形成するのに、本願発明は、滴下された液膜にかかる遠心力により滴下された該液膜が移動しないように、該基板の回転数ｗを低下させると共に、該滴下部からの前記液体の供給速度ｖを増加させるのに対して、引用例１には、滴下された液膜にかかる遠心力により滴下された該液膜が移動しないことの記載はなく、また、該基板の回転数ｗを低下させることの記載はあるが、該基板の回転数ｗを低下させると共に、該滴下部からの前記液体の供給速度ｖを増加させることの記載がない点。
　
４．当審の判断
　前記相違点について検討する。
　引用例２には、回転中の被処理体に処理液を塗布する成膜方法において（記載事項キ．）、ノズルのスキャン方向は、回転中心部から周辺部に向かう方向であってもよいこと（記載事項ク．）、ノズルの移動速度は一定にしておき、ノズルからの処理液の供給量を、ノズルからの噴射量自体を変えることにより変えて、被処理体の回転中心部と周辺部とでの処理液量を変えるようにすること（記載事項コ．）、被処理体の外周縁に近い位置ではノズルの移動速度が遅くなる、すなわち、周辺部での塗布量は回転中心部の塗布量よりも多いこと（記載事項ケ．の【００５７】）、及び、被処理体の回転中心部と周辺部とで、塗布する処理液量を変えるようにしたので、被処理体の回転中心からの半径方向の距離が異なるいずれの位置でも被処理体への処理液の塗布量は均一になり、処理液が塗布されない箇所が生じることがないこと（記載事項サ．）等が、記載されている。
　
　以上の記載から、引用例２には、被処理基板の内周部から外周部に向けたノズルの相対的な移動をさせ（記載事項ク．）、ノズルの移動速度は一定にしておき、ノズルからの処理液の供給量を、ノズルからの噴射量自体を変えることにより、被処理体の回転中心部と周辺部とでの処理液量を変えるようにする場合（記載事項コ．）、被処理体の周辺部での塗布量は回転中心部の塗布量よりも多くしているのであるから（記載事項ケ．）、被処理基板の内周部から外周部に向けたノズルの相対的な移動に伴い、ノズルからの液体の供給速度ｖを増加させて成膜している点が記載されていると認められる。
　
　したがって、引用発明の成膜方法において、被処理体の回転中心からの半径方向の距離が異なるいずれの位置でも被処理体への処理液の塗布量は均一になるようにするために、被処理基板の内周部から外周部に向けた前記滴下部の相対的な移動に伴い、該基板の回転数ｗを低下させるだけでなく、滴下部からの液体の供給速度ｖを増加させるように換えて本願発明の相違点に係る構成とすることは、引用例２の記載事項を基に当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願発明は、被処理基板の内周部から外周部に向けた滴下部の相対的な移動に伴い、滴下された液膜にかかる遠心力により滴下された該液膜が移動しないようにするものではあるが、引用発明も、ウエハ１を低速（例えば２０〜３０ｒｐｍ）で回転させつつノズルユニット２をこのウエハ１の直径方向（例えばＸ方向）に移動させることで塗布を行っているのであるから（記載事項エ．）、滴下された液膜にかかる遠心力により該液膜が容易に移動するとは考えにくいし、さらには、そのような本願発明の効果は、引用発明に引用例２の発明を適用した発明から予測される範囲のものにすぎない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。