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　特願２００３−３８６３０３「電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日出願公開、特開２００５−１４５７６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年１１月１７日に出願されたものであって、平成１８年４月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１４日に意見書と特許請求の範囲の記載に係る手続補正書が提出され、同年７月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月３１日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年９月２８日付けで特許請求の範囲の記載に係る手続補正書が提出されたものであり、平成２０年１１月２１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、平成２１年１月２２日に請求人から回答書が提出されたものであって、その後、同年１２月２５日付けで当審より拒絶理由が通知され、平成２２年３月４日付けで意見書及び発明の詳細な説明の記載に係る手続補正書が提出されたものである。
　そして、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２２年３月４日付けで補正された発明の詳細な説明の記載からみて、平成１８年９月２８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
　【請求項１】
　誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体を有する積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
　前記誘電体層を構成する前記誘電体磁器組成物は、主成分原料粉末と、副成分原料粉末とを混合し、誘電体磁器組成物原料粉末とし、前記誘電体磁器組成物原料粉末を焼成することにより得られ、
　前記主成分原料粉末の平均粒子径（Ｄ１）が１．０μｍ以下、前記副成分原料粉末の平均粒子径（Ｄ２）が０．０５〜０．５μｍ、前記主成分原料粉末の平均粒子径（Ｄ１）と前記副成分原料粉末の平均粒子径（Ｄ２）との比（Ｄ２／Ｄ１）が、０．１≦Ｄ２／Ｄ１≦０．５であり、
　前記誘電体層の厚みが３μｍ以下、
　前記誘電体層の厚みを、前記誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒径で除すことによって求められる誘電体層の１層あたりの平均粒子数が、２以上、６以下であり、かつ、
　前記副成分原料粉末が、Ｍｎの酸化物および／または焼成後にＭｎの酸化物になる化合物と、Ｓｉの酸化物および／または焼成後にＳｉの酸化物になる化合物と、Ｖの酸化物および／または焼成後にＶの酸化物になる化合物と、Ｍｇの酸化物および／または焼成後にＭｇの酸化物になる化合物と、Ｃａの酸化物および／または焼成後にＣａの酸化物になる化合物と、Ｙの酸化物および／または焼成後にＹの酸化物になる化合物と、を含有し、
　これらの含有量が、前記主成分原料粉末１００モルに対して、
　Ｍｎの酸化物および／または焼成後にＭｎの酸化物になる化合物：ＭｎＯ換算で、１モル以下、
　Ｓｉの酸化物および／または焼成後にＳｉの酸化物になる化合物：ＳｉＯ２換算で、１２モル以下、
　Ｖの酸化物および／または焼成後にＶの酸化物になる化合物：Ｖ２Ｏ５換算で、０．５モル以下、
　Ｍｇの酸化物および／または焼成後にＭｇの酸化物になる化合物：ＭｇＯ換算で、５モル以下、
　Ｃａの酸化物および／または焼成後にＣａの酸化物になる化合物：ＣａＯ換算で、１２モル以下、
　Ｙの酸化物および／または焼成後にＹの酸化物になる化合物：Ｙ２Ｏ３換算で、５モル以下である積層セラミックコンデンサの製造方法。
　【請求項２】
　前記主成分原料粉末が、チタン酸バリウムを含有する請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
　【請求項３】
　請求項１または２に記載の方法で製造される積層セラミックコンデンサ。
　
２．当審からの拒絶理由について
　平成２２年１２月２５日付け拒絶理由は、次の（１）及び（２）を含むものであり、請求項１〜３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないし、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜３に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない、から、特許法第３６条第６項第１号及び同条第４項第１号の規定を満たしていないというものである。
（１）「誘電体層の１層あたりの平均粒子数」について 、請求項１には、「誘電体層の１層あたりの平均粒子数が、２以上、６以下」と特定されているものの、この平均粒子数の上限値、下限値の技術的意義が客観的なデータによって裏付けられておらず、その技術的意義が判然としない。また、下限値については明細書の【００４２】に下限値未満となると「耐電圧不良率が悪化する」との説明がなされているが、上限値については何ら説明がされていない。
（２）誘電体層の「平均粒子径」の算出につき、説明がされておらず、主成分の平均粒子径と副成分の平均粒子径を基にしてどのようにして処理しているのかが不明である。
（なお、上記拒絶理由通知では、「特許法第３６条第４項」と記載したが、同通知の末には「当業者が請求項１〜３に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。」と記載しているから、上記条文は「特許法第３６条第４項第１項」の誤記であることは明らかである。）
　
３．判断
３−１．誘電体層の１層あたりの平均粒子数の上・下限値について
（１）上限値について
　平成２２年３月４日付け意見書（以下、「意見書２」という。）において、請求人も認めるように、上限値を規定する技術的意義については、明細書には明記はされていない。請求人は、意見書２において、「たとえば同一の平均粒子径の誘電体粒子である場合には、誘電体層一層あたりの平均粒子数が増大すると、誘電体層の厚みも増大します。この結果、電子部品（積層セラミックコンデンサ）自体のサイズが増大することになり、機器の小型化の要請に反することになります。本願発明において誘電体層一層あたりの平均粒子数の上限値を「６」と規定した理由もまさにこの点にあります。そして、誘電体層の厚みが増大すると機器の小型化が困難になることは明記するまでもなく、当業者には容易に理解できるところであります。したがって、誘電体層一層あたりの平均粒子数の上限値を規定する技術的意義が明細書に明記されていないとしても、当業者が本願発明を理解し、実施する上では何ら不都合は無いものと思料致します。」と主張しているから、この主張について検討する。
　請求項１には、原料粉末の平均粒子径及び誘電体層の厚みについて、
「前記主成分原料粉末の平均粒子径（Ｄ１）が１．０μｍ以下、前記副成分原料粉末の平均粒子径（Ｄ２）が０．０５〜０．５μｍ、前記主成分原料粉末の平均粒子径（Ｄ１）と前記副成分原料粉末の平均粒子径（Ｄ２）との比（Ｄ２／Ｄ１）が、０．１≦Ｄ２／Ｄ１≦０．５であり、
　前記誘電体層の厚みが３μｍ以下、」
と特定され、主成分原料粉末に１００モルに対して副成分原料粉末は最大で３５．５（＝１＋１２＋０．５＋５＋１２＋５）モル加えることも特定されている。
　ここで、Ｄ１とＤ２に係る上記特定事項より計算すると、（Ｄ１，Ｄ２）＝（０．１μｍ，０．０５μｍ）〜（１μｍ，０．５μｍ）となる。
　さらに、平均粒径は、モル比を基に計算すると、下記計算により、０．０９μｍ〜０．９μｍの範囲になる。
　
（１００×０．１＋３５．５×０．０５）／（１００＋３５．５）＝０．０９μｍ
（１００×１＋３５．５×０．５）／（１００＋３５．５）＝０．９μｍ
　
　そうすると、誘電粒子の径は原料粉末の径に近似できるとみると、誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒径で除すことによって求められる誘電体層の１層あたりの平均粒子数は、３（＝３／０．９）〜３０（＝３／０．０９）となる。
　すなわち、請求項１の特定事項や発明の詳細な説明の記載からは、誘電体の１層あたりの平均粒子数は約３０以下とすることは導き出されるが、６以下とすることは導き出されず、むしろ６を超えていてもよいととれ、しかも、発明の詳細な説明の記載には６を超えた場合に不都合が生じることは何ら示されていない。
　確かに、請求人が主張するように、同一の平均粒子径の誘電体粒子である場合には、誘電体層の１層あたりの平均粒子数が増大すると、誘電体層の厚みは増大することは明らかであるが、請求項１の特定をみると、原料粉末の粒子径は所定の範囲にあるから、誘電体粒子の径も所定の範囲にあり、しかも、誘電体層の厚さの上限値が特定されているから、粒子数が６を超えていても、誘電体層の厚みはこの厚さの上限値以下とされて、誘電体層の厚みは増大することはないから、平均粒子数が増大すると誘電体層の厚みが増大するという、請求人の主張を直ちに採用することはできない。
　
（２）下限値について
　請求人は意見書２において、追加実験Ａ〜Ｃを示し、誘電体層の１層あたりの平均粒子数が２未満となると耐電圧不良率が悪化することを示している。
　追加実験Ａ〜Ｃの結果をみると、確かに、誘電体層の１層あたりの平均粒子数が１．５では耐電圧不良率が悪化するといえるが、誘電体層の１層あたりの平均粒子数が２の場合では耐電圧不良率が悪化しないことは示されておらず（発明の詳細な説明の【００９５】の表２をみると、平均粒子数が３では耐電圧不良率が悪化しないことが見て取れる。）、誘電体層の１層あたりの平均粒子数が２が下限値であると直ちにはいえない。さらに、上記（１）で触れたように、計算上の誘電体１層あたりの平均粒子数の下限値は３となるから、請求項１〜３に係る発明において、誘電体１層あたりの平均粒子数の２の場合があり得るのかどうか疑問であり、平均粒子径の下限値として２を導き出すことはできないと解するのが自然である。
　
　よって、誘電体層の１層あたりの平均粒子数の６という上限値及び２という下限値の技術的意義は不明であり、この上限値・下限値相互の関係も不明であって、しかもこれらが出願時の技術常識に基づいても当業者が理解できないため、当業者が請求項に係る発明の実施を行うに当たり過度の試行錯誤を行わざるを得ないから、発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１項の規定を満たしていないし、請求項１〜３に特定される誘電体層の１層あたりの平均粒子数の６という上限値及び２という下限値が、発明の詳細な説明に実質的に記載も示唆もされていないといえ、特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。
　
３−２．誘電体粒子の平均粒子径の算出について
　発明の詳細な説明には、コード法により誘電体粒子の平均粒径を測定した旨の記載（【００８７】）はあるものの、コード法自体について説明する記載は何ら見当たらない。
　そこで、コード法について言及のある公知文献の記載をみてみると、コード法（インタセプト法）による粒径を求める式には、 
（ｉ）Ｄ＝１．５×ｎ／Ｌ　Ｌ：測定長さ、ｎ：長さＬ当たりの結晶の数（特開平６−１５１９１号公報の【００１４】） 
 （ｎ／ＬはＬ／ｎの誤記と推定される。）、 
（ｉｉ）単位長さ／単位長さを結晶粒界が横切る数に１．５６を乗じる（特開平５−１９６７７０号公報の【００３１】）、 
（ｉｉｉ）線分長（μｍ）÷粒界数÷（０．７９）２（特開平４−８９３５９号公報の４頁右上欄１５〜１９行）、 
（ｉｖ）粒子形状を球形と近似し、任意の直線が粒子によって切り取られる切片の平均長さの１．５倍（特開平１−１１９５５９号公報の６頁右下欄４〜１０行）
（ｖ）地域規格（ＢＳ　ＥＮ　６２３−３：２００１）によるグレインサイズ測定方法
ａ）７５ｍｍ以上の直線を５本以上引く。
ｂ）全直線長さを測定ｌ（ｔ）（３７５ｍｍ以上・１００個以上のグレインを横切ること）。
ｃ）大きな気孔を横切った場合には、その長さを測定ｌ（ｐ）。
ｄ）グレインバンダリーと直線との交点の数を数えるｎ（ｉ）。
　　直線が３重点を横切った場合は交点数１．５。直線が大きな気孔を横切った場合は交点数１。
　　直線がグレインバンダリーに沿っている場合は交点数１。
　　平均直線２点間距離［・・・・・・］は以下に示す式（１）によって算出する。単位はμｍである。
　
　　　　　　　　［ｌ（ｔ）−ｌ（ｐ）］×１０３　　
ｇ（ｍｌｉ）＝−−−−−−−−−−−−−−−−−−−　
　　　　　　　　　　ｎ（ｉ）×ｍ　
　
　　　　　　　　　ここで、ｍは写真の撮影倍率である。
（ＪＩＳ　Ｒ　１６７０：２００６　５頁から転載）
と種々のものがあり、しかも、（ｉ）〜（ｉｖ）では、「測定長さ」、「線分長」、「任意の直線」に係る直線の引き方（長さ、引く方向、その本数）について何ら規定がされておらず、また、本願出願前にこの規定に言及する文献は未見であり、（ｖ）においても直線の引き方の最低の要件が決められているだけであるから、コード法を用いるに当たり、直線の引き方は任意であるといえる。
　また、主成分と副成分との間に存在する空隙や三重点等を扱いについて、発明の詳細な説明にも言及はなく、この空隙の大きさを主成分と副成分の平均粒径に対してどのように扱って、コード法により平均粒径を求めているのかも説明されていない。
　そうすると、コード法によって平均粒径を求め方には、上記（ｉ）〜（ｖ）に記載されているように種々のものがあり、一義的なものとは直ちにいえず、本願の請求項１〜３に係る発明が、空隙や三重点等の大きさやを何らかの方法で処理し、ある特定のコード法によって、誘電体層粒子の平均粒子径を求めていても、他のコード法によって求めた誘電体層粒子の平均粒子径についてまで記載されていると同視できる程度の発明の詳細な説明の記載はないから、他のコード法によって求めた誘電体層粒子の平均粒子径においても、本願の発明の詳細な説明に記載された発明が解決しようとする課題を解決できるか否かを過度の試行錯誤なくして当業者が確認できるとはいえないし、請求項１〜３に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張できない。
　よって、発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号の規定を満たしていないし、特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない。
　
４．むすび
　よって、結論のとおり審決する。