【事件の表示】
　特願２００５−１１８５２７「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１１日出願公開、特開２００５−２１７４４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１２月４日に出願された特願平８−３３９０４５号、及び、平成８年１２月２６日に出願された特願平８−３５６８８０号を優先権の主張の基礎として平成９年１２月４日に出願した特願平１０−５２３４８９号の一部を、平成１７年４月１５日に新たに特許出願したものであって、平成１９年６月１８日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月２０日付けで手続補正がされたが、平成２０年７月２３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年８月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月２６日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成２０年９月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成２０年９月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
（２−１）補正の概略
　本件補正は、特許請求の範囲についてするもので、補正前に、
「【請求項１】電極の形成されたウエーハを用意する工程と、
　前記電極の少なくとも一部を避けて前記ウエーハに応力緩和層を設ける工程と、
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけ、スパッタリングによって導通部を形成する工程と、
　前記応力緩和層の上方で前記導通部に接続される外部電極を形成する工程と、
　前記ウエーハを個々の個片に切断する工程と、
　を有し、
　前記導通部を形成する工程では、前記導通部を前記応力緩和層上における平面方向に屈曲形成する半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】電極の形成されたウエーハを用意する工程と、
　前記電極の少なくとも一部を避けて前記ウエーハに応力緩和層を設ける工程と、
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけ、メッキによって導通部を形成する工程と、
　前記応力緩和層の上方で前記導通部に接続される外部電極を形成する工程と、
　前記ウエーハを個々の個片に切断する工程と、
　を有し、
　前記導通部を形成する工程では、前記導通部を前記応力緩和層上における平面方向に屈曲形成する半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
　前記導通部を立体的にも屈曲させる半導体装置の製造方法。
　　【請求項４】電極の形成されたウエーハを用意する工程と、
　前記電極の少なくとも一部を避けて前記ウエーハに樹脂層を設ける工程と、
　前記電極から前記樹脂層の上にかけ、スパッタリングによって導通部を形成する工程と、
　前記樹脂層の上方で前記導通部に接続される外部電極を形成する工程と、
　前記ウエーハを個々の個片に切断する工程と、
　を有し、
　前記導通部を前記樹脂層上における平面方向に屈曲形成する半導体装置の製造方法。
　　【請求項５】電極の形成されたウエーハを用意する工程と、
　前記電極の少なくとも一部を避けて前記ウエーハに樹脂層を設ける工程と、
　前記電極から前記樹脂層の上にかけ、メッキによって導通部を形成する工程と、
　前記樹脂層の上方で前記導通部に接続される外部電極を形成する工程と、
　前記ウエーハを個々の個片に切断する工程と、
　を有し、
　前記導通部を前記樹脂層上における平面方向に屈曲形成する半導体装置の製造方法。
　　【請求項６】電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの上にて前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる応力緩和層と、
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけ、スパッタリングによって形成される導通部と、
　前記応力緩和層の上方に位置する前記導通部に形成される外部電極と、
　を有し、
　前記導通部は、前記応力緩和層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部を有する半導体装置。
　　【請求項７】電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの上にて前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる応力緩和層と、
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけ、メッキによって形成される導通部と、
　前記応力緩和層の上方に位置する前記導通部に形成される外部電極と、
　を有し、
　前記導通部は、前記応力緩和層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部を有する半導体装置。
　　【請求項８】請求項６又は請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
　前記導通部は前記応力緩和層上で立体方向に屈曲する第２の屈曲部を有する半導体装置。
　　【請求項９】電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの上にて前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる樹脂層と、
　前記電極から前記樹脂層の上にかけ、スパッタリングによって形成される導通部と、
　前記樹脂層の上方に位置する前記導通部に形成される外部電極と、
　を有し、
　前記導通部は、前記樹脂層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部を有する半導体装置。
　　【請求項１０】電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの上にて前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる樹脂層と、
　前記電極から前記樹脂層の上にかけ、メッキによって形成される導通部と、
　前記樹脂層の上方に位置する前記導通部に形成される外部電極と、
　を有し、
　前記導通部は、前記樹脂層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部を有する半導体装置。」
とあったものを、
「【請求項１】電極の形成されたウエーハを用意する工程と、
　前記電極の少なくとも一部を避けて前記ウエーハにヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である応力緩和層を設ける工程と、
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけ、スパッタリングによって導通部を形成する工程と、
　前記応力緩和層の上方で前記導通部に接続される外部電極を形成する工程と、
　前記ウエーハを個々の個片に切断する工程と、
　を有し、
　前記導通部を形成する工程では、前記導通部を前記応力緩和層上における平面方向に屈曲形成する半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記導通部を立体的にも屈曲させる半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】電極の形成されたウエーハを用意する工程と、
　前記電極の少なくとも一部を避けて前記ウエーハにヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である樹脂層を設ける工程と、
　前記電極から前記樹脂層の上にかけ、スパッタリングによって導通部を形成する工程と、
　前記樹脂層の上方で前記導通部に接続される外部電極を形成する工程と、
　前記ウエーハを個々の個片に切断する工程と、
　を有し、
　前記導通部を前記樹脂層上における平面方向に屈曲形成する半導体装置の製造方法。
　　【請求項４】電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの上にて前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられ、ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である応力緩和層と、
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけ、スパッタリングによって形成される導通部と、
　前記応力緩和層の上方に位置する前記導通部に形成される外部電極と、
　を有し、
　前記導通部は、前記応力緩和層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部を有する半導体装置。
　　【請求項５】請求項４に記載の半導体装置において、
　前記導通部は前記応力緩和層上で立体方向に屈曲する第２の屈曲部を有する半導体装置。
　　【請求項６】電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの上にて前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられ、ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である樹脂層と、
　前記電極から前記樹脂層の上にかけ、スパッタリングによって形成される導通部と、
　前記樹脂層の上方に位置する前記導通部に形成される外部電極と、
　を有し、
　前記導通部は、前記樹脂層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部を有する半導体装置。」
と補正するものである。
　
　すると、本件補正において、補正前の請求項２、５、７、１０を削除する補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる事項を目的とするものである。
　また、補正前の請求項１、６に「応力緩和層」とあったところを、補正後の請求項１、４の「ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である応力緩和層」と限定し、補正前の請求項４、９の「樹脂層」とあったところを、補正後の請求項３、６の「ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である樹脂層」と限定し、補正前の請求項３、８から、削除された請求項への引用を削除して補正後の請求項１及び請求項４のみをそれぞれ引用するものとした補正後の請求項２、５とする補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲の請求項１−６に記載されている事項により構成される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを、補正後の請求項６に係る発明（以下、「本願補正発明６」という。）について以下に検討する。
　
（２−２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願が優先権の主張の基礎とする出願の出願前に頒布された刊行物である、特開昭６３−７２１４３号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（２−２−１）引用例１（特開昭６３−７２１４３号公報）
（１ａ）「（１）表面に基板端子を有する集積回路が設けられた回路基板と、この回路基板の表面に前記集積回路と電気的に絶縁して設けた絶縁体と、この絶縁体の表面に配設し、かつこの絶縁体を介して前記回路基板と絶縁するように設けた金属導体とを具備し、前記金属導体の一端を前記基板端子に接続し、かつ多端（審決注：「他端」の誤記である。）に前記基板端子の端子面積より大きい端子面積を有する接続端子を形成してなることを特徴とする集積回路装置。
　（２）金属導体を金属粒子と有機物とを混合してなるペーストとしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集積回路装置。」（特許請求の範囲）  
 　 
（１ｂ）「これに対し、フリップチップはＩＣ表面の全面に亘って出力パッドを形成する事から、多数点接続が可能である。しかし、半田が溶融状態から固化する時にかかる応力により、ＩＣの表面にストレスがかかり、ＩＣの特性に悪影響を及ぼす為、ＩＣの出力パッドの下にＩＣの能動領域が作れずあまり有効にＩＣの面積を活用できないという問題があった。」（〔従来の技術〕の項、第２頁左上欄第８〜１５行） 
 　 
（１ｃ）「〔発明の構成〕（問題点を解決するための手段）本発明の基本は、先ずＩＣチップの上にパッド部のみ開口した絶縁体を有する事、これら絶縁体の開口部より導体が引き出され、この導体の先端に出力端子が配置されている構成である。」（第２頁右上欄第８−１３行）
　
（１ｄ）「第１および第２図に於いて、１は集積回路（ＩＣ）基板、２は基板端子となるワイヤボンド用出力パッド（Ｐａｄ）であり、３は有機物絶縁体、６は金属導体の導体ペーストであり、４はそのうちの一部の出力端子である。・・・絶縁体３，５は例えば紫外線硬化樹脂、ポリイミド、エポキシ、アクリルやテフロン等でありペースト６は銀や銅粉を含んだ導体である。出力端子４の部分は、表面にＮｉやＣｕメッキをして半田付けをする事もできる。この場合、半田の凝固ストレスは絶縁体３により緩和される。」（（実施例）の項、第２頁左下欄第２〜１７行） 
 　 
（１ｅ）第１図は、引用例１に記載された発明の実施例を示す第２図のＡ−Ａ断面図、第２図は、引用例１に記載された発明の実施例の一部を切欠断面で示す平面図であって、両図からは、基板端子２と出力端子（接続端子）４とを接続する金属導体６が、その接続経路の途中において、有機絶縁体３の上で平面方向に屈曲する複数の屈曲部を有することを読み取ることができる。
　
（２−３）当審の判断 
（２−３−１）引用例１に記載の発明 
　引用例１の摘記（１ａ）〜（１ｅ）をまとめると、引用例１には、
「表面に基板端子を有する集積回路が設けられた回路基板（ＩＣチップ）と、
　前記回路基板（ＩＣチップ）の上に設けられた、基板端子となるパッド部のみ開口した、例えば紫外線硬化樹脂、ポリイミド、エポキシ、アクリルやテフロン等である有機絶縁体と、
　前記有機絶縁体の開口部より金属導体が引き出され、この金属導体の先端に、表面にＮｉやＣｕメッキをした出力端子（接続端子）が配置された集積回路装置であって、
　前記金属導体は、銀や銅粉と有機物とを混合してなるペーストであり、基板端子と出力端子とを接続する経路の途中において、前記有機絶縁体の上で平面方向に屈曲する複数の屈曲部を有する集積回路装置」
の発明（以下、「引用例発明１」という。）が記載されている。 
　
（２−３−２）対比 
　本願補正発明６と引用例発明１とを対比する。 
　引用例発明１の「表面に集積回路が設けられた回路基板（ＩＣチップ）」、「基板端子」、「回路基板（ＩＣチップ）の上に設けられた、基板端子となるパッド部のみ開口した、例えば紫外線硬化樹脂、ポリイミド、エポキシ、アクリルやテフロン等である有機絶縁体」、「金属導体」、「表面にＮｉやＣｕメッキをした出力端子（接続端子）」、「集積回路装置」は、それぞれ順に本願補正発明６の「半導体チップ」、「電極」、「半導体チップの上にて電極の少なくとも一部を避けるように設けられた樹脂層」、「導通部」、「外部電極」、「半導体装置」に相当する。また、引用例発明１の「基板端子と出力端子とを接続する経路の途中において、前記有機絶縁体の上で平面方向に屈曲する複数の屈曲部」の内の、一の「屈曲部」は、本願補正発明６の「樹脂層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部」に相当するといえる。
　
　そうすると、両者は、 
「電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの上にて前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられた樹脂層と、
　前記電極から前記樹脂層の上にかけて形成される導通部と、
　前記樹脂層の上方に位置する前記導通部に形成される外部電極と、
　を有し、
　前記導通部は、前記樹脂層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部を有する半導体装置。」
の点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
　相違点１：本願補正発明６の樹脂層は「ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である」が、引用例発明１の樹脂層は「例えば紫外線硬化樹脂、ポリイミド、エポキシ、アクリルやテフロン等である」として、材料名は明らかであるものの、各材料のヤング率が引用例１に明記されていないため、引用例１の記載のみからは、引用例発明１の「樹脂層」が「ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である」という条件を満たしているか不明である点。
　
　相違点２：本願補正発明６の導通部が「スパッタリングによって形成される」ものであるのに対して、引用例発明１の導通部が「銀や銅粉と有機物とを混合してなるペースト」である点。
　
（２−３−３）判断 　 
　相違点１について 
　引用例１に記載された各材料のヤング率は、下記の周知例１−３によれば、ポリイミド、エポキシ、アクリルのヤング率は、いずれも、１×１０１０Ｐａ以下であり、一方、紫外線硬化樹脂は、１×１０１０Ｐａを超えるヤング率を有するものを含むといえる。したがって、引用例１に例示された樹脂層を構成する材料の一部にヤング率が１×１０１０Ｐａを超えるものを含む点で、本願補正発明６と引用例発明１とは一応相違するといえる。
　一方、引用例１の上記摘記（１ｄ）には「半田の凝固ストレスは絶縁体３により緩和される。」として、前記樹脂層の機能の一つとして、ストレスの緩和が挙げられている。
　そして、このストレスの緩和という機能をより一層果たすためには、前記樹脂層のヤング率が低いことが望ましいことは明らかである。また、ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下であるポリイミド、エポキシは、半導体装置の層間絶縁膜の材料として周知慣用のものでもある。してみれば、引用例発明１において、例示された各材料のうち、ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下のものを使用することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　周知例１：特開平５−１６０５３６号公報
（周１ａ）「例えばエポキシ系樹脂のヤング率は３５０〜４００kgf／mm2、ポリイミド系樹脂のそれは３００〜３３０kgf／mm2、紫外線硬化型樹脂は８５０〜１２５０kgf／mm2、アクリル系樹脂は１５０〜５００kgf／mm2であり、金に比較して１桁近く小さいヤング率を有している。」（【０００９】）（審決注：１×１０１０Ｐａ＝約１０２０ｋｇｆ／ｍｍ２）
　
　周知例２：特開平８−２９８２６９号公報
（周２ａ）「樹脂封止体にエポキシ樹脂を用いると、そのヤング率は、フィラーの充填量が０ｗｔ％の場合が３５００ＭＰａ、４０ｗｔ％の場合が６０００ＭＰａ、６３ｗｔ％の場合が９５００ＭＰａである。」（【００１８】）
　
　周知例３：特開平８−２９７１３９号公報
（周３ａ）「エポキシ系の樹脂のヤング率は５．４×１０8ｋｇ／ｍ2」（【００１９】）
　
　相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ａ）には、特許請求の範囲の第１項に、金属導体の製法・材料を限定しない集積回路装置の発明が記載されており、これに続く第２項に、前記第１項を引用する実施態様項として「金属導体を金属粒子と有機物とを混合してなるペーストとしたこと」が記載されている。
　すなわち、引用例１の特許請求の範囲の第１項の記載ぶりは、「金属導体」として、特許請求の範囲の第２項に記載された「金属粒子と有機物とを混合してなるペーストとした」ものだけではなく、これ以外のものについても選択の対象となり得ることを前提としたものと認められる。
　けだし、半導体装置の製造において、電流の経路となる導通部を、どのような製法・材料を用いて作成するかを、当該導通部に要求される微細化度、電流密度、コスト等を総合勘案して決定することは、当業者が通常行っていることである。
　一方、スパッタリングによって形成する、半導体装置の導通部は、下記の周知例４−６に記載されるように、本願の原出願が優先権の主張の基礎とする出願の出願前に周知である。また、スパッタリングによる薄膜形成が、ファインパターンの形成に適していることも、下記の周知例６に記載されるように周知の事項である。
　してみれば、引用例発明１の「銀や銅粉と有機物とを混合してなるペースト」に替えて、前記周知の「スパッタリングによって形成される」導通部を用いることは、当業者が必要に応じて適宜なし得た事項であると認められる。また、その作用効果も当業者が予測しうるものにすぎない。
　
　周知例４：特開平１−２０９７４６号公報
（周４ａ）「半導体装置は、シリコン基板１の表面のＡｌ電極２の上に、第１導電層５と第２ポリイミド層６と第２導電層７の多層配線層を介してはんだバンプ１０を接続するバリアメタル層９を形成している。第１導体層５はＡｌ電極２の上から横の第１ポリイミド層の上に延び、そこで第２導体層７とＰ面で接続し、Ａｌ電極２とバリアメタル層９はジグザグに接続され、機械的にも柔い構造である。ポリイミドは耐熱性を有し、微細パターン化の可能な樹脂として広く用いられているが、無機材料、金属材料に比較して弾性係数が約２桁低いために発生する応力は小さいものとなる。また、他から加わる応力を吸収する効果も生じる。本実施例では、この低応力樹脂であるポリイミド層をはんだバンプ１０の下方に厚く形成している。樹脂層と導体層の層数を増減することにより所望の厚みを設定できる。ポリイミドの場合、その弾性率と膜厚によって応力が異なってくるが（たとえば昭和５９年電子通信学会総合全国大会１−２４）、適度な応力吸収の効果を得、かつポリイミドそのものから発生する応力の影響を受けぬ様にするためには、ポリイミドの膜厚は２０〜２００μｍぐらいが適切である。通常、ポリイミドの場合、良好にパターン化可能な一層の厚みは２〜２０μｍ程度であるため、十分な厚みを得るためには本実施例のように多層構造にする必要がある。また、各導体層は、スパッタ法、蒸着法、めっき法にて形成可能な単層又は多層構造とすることができる。」（第２頁左上欄第２０行−左下欄第１３行）
　
　周知例５：特開平８−９７２１７号公報
（周５ａ）「【実施例】本発明の半導体装置及びその製造方法の実施例を、以下に説明する。本発明の半導体装置においては、一般的な半導体素子を形成したウェハ作製工程を完了したウェハを用いて製造する。
実施例１
まず、図１に示したように、半導体素子が形成されたウェハ１上に、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）やフリップチップ等に使用されるバンプ（突出電極）形成技術を用いて金属配線を形成する。
次いで、図２に示したように、Ａｌ電極２及びパッシベーション膜３を含むウェハ１上全面にスパッタにより、金属膜４を蒸着する。」（【００１５】−【００１７】）
　
　周知例６：特開平８−２５０５４９号公報
（周６ａ）「本発明の半導体装置の製造方法を図４、図５に基づいて説明する。図４において、先ず、第１の絶縁層形成工程で、素子電極４を有する半導体素子２の表面に感光性絶縁材料で第１の絶縁層１５１ａを形成する。感光性絶縁材料はエポキシ系樹脂であることが好ましい。第１の絶縁層１５１ａの形成は、液状のものを印刷しても良く、フイルム状のものを付着させても良い。次に、露光工程で、所定パターンの光が通過するように形成されたマスク１７を使用して露光１８する。次に、現像工程で、現像することによって、素子電極４の上に貫通孔４ａを設け、第１絶縁層１５１を形成する。次に、第１の導電性材料層形成工程で、前記の第１絶縁層１５１と貫通孔４ａと素子電極４との上に、第１の導電性材料層１７１ｃを形成する。この第１の導電性材料層１７１ｃの形成には、薄膜を形成することができ、ファインパターンを形成できるものであれば、メッキ、スパッタリング、蒸着等の各種の加工方法を自由に選択できる。次に、整形工程で、前記第１導電性材料層１７１ｃから、必要な部分を残して、エッチングを行い、第１配線１６１と外部電極１７１とを形成する。勿論、整形方法も自由に選択できる。」（【００４０】−【００４５】）
　
　したがって、本願補正発明６は、引用例発明１、及び、従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由の「３．３．２．本願発明と引用文献１との対比」において、「引用文献１には、・・・絶縁体３としてヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である材料を用いることも記載されていない。」、「仮に、引用文献１記載の発明において、先行技術文献１（特開平０１―２０９７４６号）や先行技術文献２（特開平８―０９７２１７号）の記載に基いて金属導体６をスパッタを用いて形成することができたとしても、これらいずれの文献にも応力緩和層としてヤング率が１×１０１０Ｐａ以下のものを用いることの記載がない以上、本願半導体装置の構成に到達することができない。」と主張するが、前記相違点１において検討したように、引用例１に記載された、ポリイミド、エポキシ、アクリルのヤング率は、いずれも、１×１０１０Ｐａ以下であり、紫外線硬化樹脂は、１×１０１０Ｐａを超えるヤング率を有するものを含むとはいえ、引用例１の樹脂層の、ストレスの緩和という機能を鑑みれば、前記樹脂層のヤング率を１×１０１０Ｐａ以下と限定することは当業者にとって容易に想到し得たことであると認められる。したがって、審判請求人の前記主張は採用することができない。
　また、審判請求人は「本願半導体装置における、外部端子に加わる応力を柔らかい応力緩和層（樹脂層）によって十分に緩和させるという事項と、スパッタリングで設けられる電気的特性の優れた導通部を平面方向に屈曲させることにより、該導通部の断線等を抑制するという事項とは、互いに機能的に関連している。」と主張する。しかしながら、本願の明細書及び図面には、両者が機能的に関連して導通部の断線が抑制されたという具体的な事例が何ら示されていないから、前記主張は、主張の前提を欠き採用することができない。
　次に、審判請求人は「引用文献１の図２は、基板端子２と出力端子４とを電気的に接続し、基板端子２を、それより大きい表面積と間隔を有する出力端子４に変換するために金属導体６を屈曲させた例を示しているに過ぎない。」として、本願半導体装置との差異を主張するが、本願補正発明６は「導通部は、前記樹脂層上で平面方向に屈曲する第１の屈曲部を有する」と規定するのみであり、引用例１に記載された前記「基板端子２と出力端子４とを電気的に接続し、基板端子２を、それより大きい表面積と間隔を有する出力端子４に変換するために金属導体６を屈曲させた例」を排除するものではないから、前記主張は前提を欠き採用できない。
　さらに、審判請求人は「引用文献１の絶縁体３は、ＩＣ上の能動領域と、金属導体６とを電気的に分離するために設けられたものであって、出力端子４からの応力を緩和するために設けられたものではない（第２頁右下欄３〜６行目）。」と主張する。しかしながら、引用例１の上記摘記（１ｂ）の「半田が溶融状態から固化する時にかかる応力により、ＩＣの表面にストレスがかかり、ＩＣの特性に悪影響を及ぼす為、ＩＣの出力パッドの下にＩＣの能動領域が作れずあまり有効にＩＣの面積を活用できないという問題があった。」、及び、上記摘記（１ｄ）の「絶縁体３，５は例えば紫外線硬化樹脂、ポリイミド、エポキシ、アクリルやテフロン等でありペースト６は銀や銅粉を含んだ導体である。出力端子４の部分は、表面にＮｉやＣｕメッキをして半田付けをする事もできる。この場合、半田の凝固ストレスは絶縁体３により緩和される。」との記載によれば、引用例１の絶縁体３は、「出力端子４からの応力を緩和するために設けられたもの」と認められるから、審判請求人の前記主張は採用できない。
　また、審判請求人は、スパッタリングで設けられる導通部の電気的特性が優れたものであることを本願補正発明の効果として主張する。しかしながら、審判請求人の主張する前記「電気的特性」が、具体的にどのような物性値を指しているのかが明らかでない上に、一般に、スパッタリングによって形成された導通部の電気特性は、該導通部を構成する材料の種類、スパッタリングの際の成膜条件、スパッタリング後の熱処理の有無、成膜の厚さ等の種々の条件によって変化することは明らかであるから、例えば、電気伝導度の低いクローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等をスパッタリングして形成された本願明細書の【００４９】に記載された導通部が、引用例発明１の「銀や銅粉と有機物とを混合してなるペースト」に比べて「電気的特性」がどのように優れているかも明らかでない。したがって、審判請求人の前記主張は前提を欠き採用することができない。
　
（２−３−４）本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明６は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２０年９月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−１０に係る発明（以下、「本願発明１」−「本願発明１０」という。）は、平成１９年８月２０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　
（３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、前記（２−２）に記載したとおりである。　
　
（３−２）対比・判断
　本願発明９は、（２−３）で検討した本願補正発明６から、「樹脂層」が「ヤング率が１×１０１０Ｐａ以下である」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明９の構成要件のすべてを含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明６が、前記（２−３）に記載したとおり、引用例１に記載された発明、並びに従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明９も同様の理由により、引用例１に記載された発明、並びに従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
（３−３）むすび
　以上のとおり、本願発明９は、引用例１に記載された発明、並びに従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。