【事件の表示】
　平成　８年特許願第　９９３６８号「シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウエーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月　７日出願公開、特開平　９−２６６１４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年３月２８日の出願であって、平成１７年１１月９日付けで手続補正がなされ、平成１９年１月９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月７日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年８月７日付けで審尋がなされ、同年９月２９日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年３月７日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年３月７日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容 
  平成１９年３月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び２を補正後の特許請求の範囲の請求項１及び２に補正するとともに、補正前の特許請求の範囲の請求項３を削除するものであり、請求項１及び２についての補正は、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】　シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウエーハにエピタキシャル層を形成する前に、シリコンウエーハの一主面のみに、珪素化合物およびガラス質形成剤を含む有機溶剤を塗布して塗布膜を形成し、そして、該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変えることで、エッジ部のドーパント揮散防止用保護膜の除去工程を要さず、その後、前記ドーパント揮散防止用保護膜が形成されていない反対側の一主面にエピタキシャル層を形成することを特徴とする、一主面にドーパント揮散防止用保護膜が形成されたシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。」
と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項２を、補正後の請求項２の
「【請求項２】　シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウエーハにエピタキシャル層を形成する前に、シリコンウエーハの一主面のみに、珪素化合物およびガラス質形成剤を含む有機溶剤を塗布して塗布膜を形成し、そして、該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変えることで、エッジ部のドーパント揮散防止用保護膜の除去工程を要さず、次いで、シリコンウエーハの他の一主面を鏡面研磨し、その後、該鏡面研磨された他の一主面にエピタキシャル層を形成することを特徴とする、一主面にドーパント揮散防止用保護膜が形成されたシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。」
と補正すること。
　
（２）補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（２−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、２つの部分からなるものであるから、各々について検討する。
（２−１−１）補正事項ａのうち、補正前の請求項１における「シリコンウエーハの一主面に、」を、補正後の請求項１における「シリコンウエーハの一主面
のみ
　そして、「シリコンウエーハの一主面
のみ
（２−１−２）補正事項ａのうち、補正前の請求項１における「該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変え、」を、補正後の請求項１における「該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変え
ることで、エッジ部のドーパント揮散防止用保護膜の除去工程を要さず、
　そして、「該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変え
ることで、エッジ部のドーパント揮散防止用保護膜の除去工程を要さず、
　
（２−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、２つの部分からなるものであるから、各々について検討する。
（２−２−１）補正事項ｂのうち、補正前の請求項２における「シリコンウエーハの一主面に、」を、補正後の請求項２における「シリコンウエーハの一主面
のみ
　そして、「シリコンウエーハの一主面
のみ
（２−２−２）補正事項ｂのうち、補正前の請求項２における「該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変え、」を、補正後の請求項２における「該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変え
ることで、エッジ部のドーパント揮散防止用保護膜の除去工程を要さず、
　そして、「該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変え
ることで、エッジ部のドーパント揮散防止用保護膜の除去工程を要さず、
　
（２−３）したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下、「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成１９年３月７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）引用刊行物に記載された発明
（３−３−１）刊行物：特開平１−２４６８２２号公報
（３−３−１−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１年１０月２日に頒布された刊行物である特開平１−２４６８２２号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、第１図ないし第３図とともに、以下の事項が記載されている。
　
「(1)背面の周縁部面取り部分のほぼ全域及び主面に保護膜を有し、且つ表面にエピタキシャル成長膜を有することを特徴とする半導体シリコンウェーハ。
（中略）
(5)面取りされたシリコン半導体基板の表面主面及び周縁の面取り部をサセプターの上の、その寸法が基板の直径より僅かに大きく且つその厚さよりやや大きい深さを持ち、少なくとも底部周縁が載置する半導体基板の片面に嵌合するように円錐面で形成された凹部に載置し、化学蒸着反応によって少なくとも背面の周縁部面取り部及び背面主面を保護膜で覆った後、該基板の周縁部を機械的及び／又は化学的に加工して該基板を露出することを特徴とする請求項(1)(2)(3)又は(4)記載の
半導体シリコンウェーハ用保護膜付基板の製造方法。
　
「（発明が解決しようとする課題）
　本発明は、エピタキシャル層の問題点として大きくクローズアップしてきている半導体シリコンエピタキシャル基板の背面周縁面取り部及び端面に析出する異常成長小突起の発生の防止を主眼とし、
同時にオートドーピングを実質的に抑制する方法及び当該方法で製造される半導体素子用エピタキシャルシリコンウェーハ基板を提供することを目的とする。
「（実施例）
　以下に本発明の具体例を添付図面中、第１図〜第３図に基づいて説明する。
　第１図は、酸化保護膜を析出させるための石英サセプターＳを説明したもので、特にシリコン基板２を挿置するための凹部４の断面形状、シリコン基板２を挿置保持した状況、一部保護膜Ｆが析出された状況などを示したものである。
　ここで、石英サセプターＳの凹部４は、底面４ａが平坦でシリコン基板２とほぼ密接し、周縁部４ｂが上方に傾斜し、シリコン基板２の背面外周端２ｆが該傾斜周縁部４ｂに密接する。
保護膜Ｆは、主として反応空間に露出するシリコン基板２の背面２Ｄ（この場合、即ち第３図の例では上面となっている）に析出される。
　
第２図は、以上のようにして蒸着された保護膜Ｆがシリコン基板２に析出した状態を示したもので、シリコン基板２の端側面部２ｃにも僅かに保護膜Ｆが析出している。
第３図は、シリコン基板２の端側面部２ｃに析出した不要の保護膜を除去したもので、エピタキシャル成長用シリコン基板を示す。
　上述の説明では保護膜として酸化珪素のみを述べたが、窒化珪素からなるものでも良いし、またシリコン多結晶に酸素または窒素を混入したものでも良い。酸化珪素以外の上記材質からなる保護膜を形成するに際しては、化学反応、真空蒸着、スパッタリングの何れかを用いることができるが、かかる保護膜を堆積するには、酸化珪素膜のときと同じようにシリコン基板のサセプターにおける凹部の形成と、この凹部にシリコン基板を嵌載すること、シリコン基板の端側面部における不要の保護膜の析出は、同様に除去されなければならない。」（第５頁右下欄第１３行〜第６頁右上欄第１３行）
「保護膜Ｆがその背面２Ｄの主面２ｄ及び面取り部２ｅのみを被覆したシリコン基板２をエピタキシャル反応の基板として用いるならば、サセプターＳと密接又は近接している背面の主面２ｄ及び面取り部２ｅは、直接反応ガス又はその副組成物に接触することはなく、従ってオートドーピングの原因となる背面２Ｄからのドーパントの供給が完全に防止される。」（第６頁左下欄第８〜１５行）
「実施例２及び比較例１
エピタキシャル成長とオートドープ
　サセプターとしては、凹部を有するＳｉＣコートされた等方性グラファイト板を用い、これを赤外線ランプにより上部から加熱した。この凹部には、上記した
実施例１で作られた酸化珪素保護膜付シリコン基板と更に比較のために保護膜のないシリコン基板を挿入し、光高温計でシリコン基板の表面温度が１１８０℃となるように調節し、シリコン基板上に水素ガス中にＳｉＨＣｌ
３
を約１μｍ／minの速度で２０μｍのエピタキシャル成長層を得た。
　この結果、
シリコン基板の表面にはその主面及び面取り部に均一なエピタキシャル成長層を生じ、その端側面部にはほとんどシリコンの析出はなかった。
　
（３−３−１−２）したがって、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「面取りされたシリコン半導体基板の表面主面及び周縁の面取り部をサセプターの上の凹部に載置し、化学蒸着反応によって少なくとも背面の周縁部面取り部及び背面主面を保護膜で覆った後、該基板の周縁部を機械的及び／又は化学的に加工して該基板を露出させたエピタキシャル成長用シリコン基板上にエピタキシャル成長層を析出させる半導体素子用エピタキシャルシリコンウェーハ基板の製造方法。」
　
（３−３−２）刊行物：特開昭５０−１０５７２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である昭和５０年２月３日に頒布された刊行物である特開昭５０−１０５７２号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、第１図ないし第３図とともに、以下の事項が記載されている。
　
「本発明は半導体装置の製法に関するものである。
　トランジスタ、半導体集積回路装置（ＩＣ）を製造する際の各プロセスにおいて、シリコン半導体基体中にNa，Au，Cu等の重金属が微量ながら入り込み、そのためにｐｎ接合のリーク電流を増大させることが知られている。そして、
半導体基体中に入り込んだ重金属を除去する手段として、P（リン）の酸化物を用いて半導体基体中にPを拡散させる所謂ゲツタリング処理が知られている。
　ところで、Pをエミッタ領域のドナーとして使用した場合、PとSiとの原子半径の相違から不純物濃度が大きいとき結晶欠陥が極めて多くなり、高周波特性、高速性について劣るという問題があるので、原子半径Siとほぼ等しいAs（ヒ素）をドナーとして使用する場合がある。そしてその場合、Asを含むガラス層はゲツタ作用が殆んどないので、リーク電流が大きくなるという問題があった。そこで、本発明はリーク電流をより小さくし、しかも、ソフトブレークダウン現象をなくすべく成されたものである。
　上記目的を達成するための
本発明の基本的構成は、半導体基体の裏面にリンを含む膜を形成した状態で、半導体表面に不純物をドープしてｐｎ接合を形成することを特徴とする。
　
本発明の他の構成は半導体基体の裏面にリンを含む膜を形成し、さらにその膜をリンの外部への飛散を防止する膜で覆った状態で、半導体表面に不純物をドープしてｐｎ接合を形成することを特徴とする。
　以下本発明を実施例により説明する。
　図面は本発明の一実施例を示すものである。
　第１図に示すように、ｐ形Si基体1上にｐ型アイソレーションされたｎ型エピタキシャルSi層３を形成し、このｎ型Si層３にｐ型選択拡散によるベース領域を形成し、ウオツシユドエミッタSiO2膜６をフォトエツチング処理したのち、前記Si基体１裏面にPをドープしたSiO2膜７をＣＶＤ法により形成する。
　さらに第２図に示すように、PドープSiO2膜７上をなにものもドープされていないSiO2膜８で被う。（ＣＶＤ法で形成）
　その後第３図に示すように、SiO2膜６をマスクとしてAsを拡散してエミッタ領域を形成する。
　このようにすれば、Asのエミッタ拡散と同時に、半導体基体表面部から内部に向ってPが拡散する。
　そして、このPのゲツタリング作用によって、エミッタ接合部の重金属がゲツタされ、リーク電流が増大しない。
　また、
PドープSiO
2
膜７を不純物を含まないSiO
2
膜８で被っているので、Pが外部に飛散し、飛散したPがエミッタ領域内に拡散するということが防止され、濃度制御、結晶欠陥防止に支障をきたさない。
　なお、本発明はAsではなくPその他の不純物をエミッタ領域形成用不純物として使用した場合にも適用できるものである。
　そして、Pをエミッタに拡散する不純物とした場合においては、半導体基体表面に形成したPドープSiO2膜からPが外部へ飛散し、それが半導体表面にドープされてもさしたる支障をきたさないので、必ずしも、PドープSiO2膜を不純物のドープされない膜で被っておくことを要しない。
　
なお、Pドープ又は不純物がドープされない膜の形成は、ＣＶＤ方法以外の例えばシリカフィル等を塗布拡散することによってもできる。
　本発明はバイポーラ型ＩＣ、トランジスタその他の半導体装置一般に広く適用できる。」（第１頁左下欄第１３行〜第２頁左下欄第９行）
　
（３−３−３）刊行物：特開昭５８−７４０４３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である昭和５８年５月４日に頒布された刊行物である特開昭５８−７４０４３号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「本発明の特徴は、半導体基体の一主面上にシリコン窒化膜を有する半導体装置において、該シリコン窒化膜上にはシリコン酸化膜が形成され、更に
シリコン化合物を含む溶液を塗布，焼成して形成されたシリコン酸化膜
「次に、本発明を実施例について説明する。第１図は本発明を二層アルミ配線構造に適用した例である。先づ、Ｐ型半導体基体１１上にフィールド酸化膜１２を形成し、次にアルミを真空蒸着し、ホトレジスト法を用いて選択的に触刻し、第１のアルミ配線層１３を約１μｍの膜厚で形成し、次にアンモニア及びシランのプラズマ雰囲気中でシリコン窒化膜１４を形成し、次にシラン及び酸素雰囲気中にて酸化膜１５を気相成長法により２００Å成長する。次に、
エチルアルコールにシラノールを溶解したシリカフィルム液を回転塗布し、窒素雰囲気中にて、４５０℃，１時間焼成し、シリカフィルム１７の膜厚として約１２００Åを得る。
　
（３−４）対比
（３−４−１）刊行物発明における「半導体素子用エピタキシャルシリコンウェーハ基板」、「エピタキシャル成長層」、「背面主面」及び「保護膜」が、各々補正後の発明における「シリコンエピタキシャルウエーハ」、「エピタキシャル層」、「シリコンウエーハの」「ドーパント揮散防止用保護膜が形成され」る「一主面」及び「ドーパント揮散防止用保護膜」に相当する。
　
（３−４−２）刊行物発明における「背面の周縁部面取り部及び背面主面」は、「面取りされたシリコン半導体基板の」「背面の周縁部面取り部及び背面主面」であることは明らかである。
　また、刊行物発明の「化学蒸着反応によって少なくとも背面の周縁部面取り部及び背面主面を保護膜で覆」う構成は、補正後の発明の「シリコンウエーハの一主面のみに、珪素化合物およびガラス質形成剤を含む有機溶剤を塗布して塗布膜を形成し、そして、該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変える」構成に対応しており、両者は、「シリコンウエーハの一主面にドーパント揮散防止用保護膜」を設ける点で共通する。
　
（３−４−３）以上を勘案すると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、
少なくとも、シリコンウエーハにエピタキシャル層を形成する前に、シリコンウエーハの一主面にドーパント揮散防止用保護膜を設け、その後、前記ドーパント揮散防止用保護膜が形成されていない反対側の一主面にエピタキシャル層を形成することを特徴とする、一主面にドーパント揮散防止用保護膜が形成されたシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。」
である点で一致し、以下の２点で相違する。
　
（相違点１）
　「シリコンウエーハの一主面にドーパント揮散防止用保護膜を設け」るに際し、補正後の発明では、「シリコンウエーハの
一主面
　
（相違点２）
  補正後の発明では、「シリコンウエーハの
一主面のみに
　
（３−５）判断
（３−５−１）相違点１について
  引用刊行物２には、「半導体基体中に入り込んだ重金属を除去する手段として、P（リン）の酸化物を用いて半導体基体中にPを拡散させる所謂ゲツタリング処理」において「半導体基体の裏面にリンを含む膜を形成し、さらにその膜をリンの外部への飛散を防止する膜で覆った状態で、半導体表面に不純物をドープしてｐｎ接合を形成すること」が記載され、その効果について、「PドープSiO2膜７を不純物を含まないSiO2膜８で被っているので、Pが外部に飛散し、飛散したPがエミッタ領域内に拡散するということが防止され、濃度制御、結晶欠陥防止に支障をきたさない。」との記載がなされている。さらに、「なお、Pドープ又は不純物がドープされない膜の形成は、ＣＶＤ方法以外の例えばシリカフィル等を塗布拡散することによってもできる。」と記載されている。
　ここで、二酸化珪素を主成分とする膜を、いわゆるシリカフィルム液を塗布した後に熱処理によって焼成して形成することは、例えば、引用刊行物３に「シリコン化合物を含む溶液を塗布，焼成して形成されたシリコン酸化膜」、「エチルアルコールにシラノールを溶解したシリカフィルム液を回転塗布し、窒素雰囲気中にて、４５０℃，１時間焼成し、シリカフィルム１７の膜厚として約１２００Åを得る。」と記載されているように、当業者における周知技術であるところ、引用刊行物２における「シリカフィル等を塗布拡散することによって」形成する旨の記載が、シリカフィルムを塗布した後に熱処理によって焼成して形成することを意味することは、当業者にとって明らかである。
　そして、刊行物発明及び引用刊行物２に記載された発明は、いずれも基板裏面側から不純物が拡散して基板表面側へ影響を及ぼすことを防止する点で課題が共通し、基板の裏面を二酸化珪素膜で被覆する点で解決手段も共通する。
　よって、刊行物発明における保護膜の形成方法として、引用刊行物２に記載されたシリカフィルの塗布及び焼成によって形成する方法を適用し、刊行物発明の「化学蒸着反応によって、面取りされたシリコン半導体基板の少なくとも背面の周縁部面取り部及び背面主面を保護膜で覆」うことに換えて、補正後の発明のように、「シリコンウエーハの
一主面
　よって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−５−２）相違点２について
　一般に、半導体デバイスの製造過程において、シリコンウエーハに周縁面取り部を設けるか否かは、用いられる製造装置や製造プロセスに応じて、当業者が適宜選択できる設計的事項である。
　したがって、刊行物発明において、使用されるウエーハを周縁面取り部を設けないものにすることは、当業者が適宜なし得た事項である。
　ところで、引用刊行物１に、「第２図は、以上のようにして蒸着された保護膜Ｆがシリコン基板２に析出した状態を示したもので、
シリコン基板２の端側面部２ｃにも僅かに保護膜Ｆが析出している。
シリコン基板２の端側面部２ｃに析出した不要の保護膜を除去した
　してみれば、ウエーハとして周縁面取り部を設けないものを用い、上記（３−５−１）において検討したように、刊行物発明における保護膜の形成方法として、「シリコンウエーハの一主面に、珪素化合物およびガラス質形成剤を含む有機溶剤を塗布して塗布膜を形成」するに際して、「シリコン半導体基板の一主面」のみに塗布膜を形成し、「周縁部」には塗布膜を形成しないようにし、「該基板の周縁部を機械的及び／又は化学的に加工して該基板を露出させる」工程を不要とすること、すなわち、補正後の発明のように、「シリコンウエーハの一主面のみに、珪素化合物およびガラス質形成剤を含む有機溶剤を塗布して塗布膜を形成し、」「エッジ部のドーパント揮散防止用保護膜の除去工程を要さ」ない構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（３−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、当業者が、引用刊行物２に記載された公知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものであり、補正後の発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１９年３月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１７年１１月９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウエーハにエピタキシャル層を形成する前に、シリコンウエーハの一主面に、珪素化合物およびガラス質形成剤を含む有機溶剤を塗布して塗布膜を形成し、そして、該塗布膜が形成された該シリコンウエーハを熱処理することにより該塗布膜を焼成してドーパント揮散防止用保護膜である二酸化珪素を主成分とする膜に変え、その後、前記ドーパント揮散防止用保護膜が形成されていない反対側の一主面にエピタキシャル層を形成することを特徴とする、一主面にドーパント揮散防止用保護膜が形成されたシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。」
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、引用刊行物１及び２には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１−１）及び（３−３−２）に記載したとおりの事項、並びに上記２．（３−３−１−２）に記載したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、当然に引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。