Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風力タービン塔のための外側カバーを形成する外側部分（１０４）と、
前記外側部分の内部に配置された内側部分（１０２）とを含んでおり、前記内側部分が、
上方に延びる支持体（１１６）、および前記上方に延びる支持体を越えて外側に延びる電気構成部品を含む、事前組立パワーモジュールと、
前記上方に延びる支持体に第１の端部で結合した、前記電気構成部品を越えて外側に延びるガイド支持体（１３０）と、
前記ガイド支持体のうちの少なくとも１つの第２の端部に結合した、前記内側部分の少なくとも一部分に沿って上方に延びる外部レール（１３２）と、
を含む塔（１００）。
【請求項２】
前記内側部分が、前記ガイド支持体のうちの別の少なくとも１つの第２の端部に結合したホイール（３０２）をさらに含む請求項１に記載の塔。
【請求項３】
前記内側部分が、前記ガイド支持体のうちの別のものの第２の端部に結合した、前記内側部分の少なくとも一部分に沿って延びる追加の外部レール（１３２）をさらに含む、請求項１に記載の塔。
【請求項４】
風力タービン塔のための外側カバーを形成する外側部分（１０４）と、
前記外側部分の内部に配置された内側部分（１０２）とを含んでおり、前記内側部分が、
上方に延びる支持体（１１６）、および前記上方に延びる支持体を越えて外側に延びる電気構成部品を含む、事前組立パワーモジュールと、
前記上方に延びる支持体に第１の端部で結合した、前記電気構成部品を越えて外側に延びるガイド支持体（１３０）と、
前記ガイド支持体のうちの少なくとも１つの第２の端部に回転することができるように結合したホイールと、
を含む、塔。
【請求項５】
前記ガイド支持体が外力に応答して撓む、請求項１に記載の塔。
【請求項６】
前記事前組立パワーモジュールが、追加の１つまたは複数の、上方に延びる支持体をさらに含む、請求項１に記載の塔。
【請求項７】
前記内側部分および前記外側部分が基礎によって支持される、請求項１に記載の塔。
【請求項８】
前記内側部分が、追加の事前組立パワーモジュールをさらに含んでおり、前記追加の事前組立パワーモジュールが、上方に延びる支持体と、前記上方に延びる支持体を越えて外側に延びる、前記事前組立パワーモジュールの上に配置された電気構成部品とを含んでおり、前記追加の事前組立パワーモジュールが、また、前記上方に延びる支持体に第１の端部で結合した、前記電気構成部品を越えて外側に延びるガイド支持体を含む、請求項１に記載の塔。
【請求項９】
前記事前組立パワーモジュールの前記ガイド支持体のうちの１つに結合し、また前記追加の事前組立パワーモジュールの前記ガイド支持体のうちの１つに結合した、外部レールをさらに含む、請求項８に記載の塔。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列
2011032286.tif 000001
で表されるペプチド化合物の5位、7位、9位のアミノ酸のうち1残基、2残基、または3残基のアミノ酸が他のアミノ酸に置換された、骨成長を促すペプチド化合物。
【請求項２】
配列
2011032286.tif 000002
で表されるペプチド化合物の5位、7位、9位のアミノ酸のうち1残基または2残基のアミノ酸が他のアミノ酸に置換された、請求項1に記載のペプチド化合物。
【請求項３】
配列
2011032286.tif 000003
で表されるペプチド化合物の5位、7位、9位のアミノ酸のうち1残基のアミノ酸が他のアミノ酸に置換された、請求項2に記載のペプチド化合物。
【請求項４】
配列
2011032286.tif 000004
で表されるペプチド化合物のN末端および／またはC末端に、基質細胞外リン糖タンパク質（matrix extracellular phosphoglycoprotein；MEPE）の天然配列において前記配列のN末端および／またはC末端に対応する1または数個のアミノ酸が付加されている、骨成長を促すペプチド化合物。
【請求項５】
全長が23残基のアミノ酸より成る、請求項4に記載のペプチド化合物。
【請求項６】
N末端およびC末端に各4個以下のアミノ酸が付加された、請求項4に記載のペプチド化合物。
【請求項７】
請求項1〜6のいずれかに記載のペプチド化合物の多量体。
【請求項８】
担体；および請求項1〜6のいずれかに記載の治療的有効量のペプチド化合物を含む製剤。
【請求項９】
担体が生理食塩水であり、製剤が注射用である、請求項8記載の製剤。
【請求項１０】
担体がペーストであり、製剤が練り歯磨きである、請求項8記載の製剤。
【請求項１１】
担体が風味のついた水溶液であり、製剤が口内洗浄剤である、請求項8記載の製剤。
【請求項１２】
請求項8記載の製剤を含む、ペプチド化合物の経口投与用のパッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
発明の概要
骨の欠損または脆弱化に関連する状態の治療もしくは予防に有用な、および/または腎でのリン酸塩排泄を低下させる一群の化合物を開示する。これらの化合物は、10〜50個の単量体（例えばアミノ酸）ユニットを含むペプチドまたはその類似体である。このようなアミノ酸配列は、以下の一つまたは複数のモチーフを含む：インテグリン結合モチーフの配列、グリコサミノグリカン結合モチーフ；およびカルシウム結合モチーフ。アミノ酸は、D型またはL型の構造をとる。化合物に含まれる残りの単量体ユニット（前述のモチーフ以外の配列）はアミノ酸類似体の場合もある。モチーフがインテグリン結合モチーフの場合、残りの単量体ユニットは好ましくは天然のタンパク質である基質細胞外リン糖タンパク質（matrix extracellular phosphoglycoprotein；MEPE）中にRGD配列に近接するアミノ酸配列と実質的に同じ配列を有する天然のアミノ酸である（Roweら、Genomics （2000） 67：56〜68）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月25日(2012.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明者らは、植物由来の脂肪吸収抑制作用を発現し得る成分について研究を重ねた結果、コーヒー由来成分、特にコーヒーオイルに含まれるカフェオール類（kahweols）、カフェストール類（cafestols）などのジテルペン類が、より強力な脂肪吸収抑制作用を示すという知見を得、本発明を完成した。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料油脂と過熱アルコール蒸気とを混合してＦＡＭＥ（Ｆａｔｔｙ  Ａｃｉｄ  Ｍｅｔｈｙｌ  Ｅｓｔｅｒ；脂肪酸メチルエステル、以下同じ）を製造するＦＡＭＥ製造装置であって、
原料油脂と過熱アルコール蒸気とを２００〜３００℃条件下で混合する第一反応部と、
該反応物と過熱アルコール蒸気とを１８０〜２５０℃条件下で混合する第二反応部と、
を少なくとも備えるＦＡＭＥ製造装置。
【請求項２】
前記第一反応部内及び／又は前記第二反応部内に、加熱された油脂と過熱アルコール蒸気とを配管内で混合する配管内混合手段を備える請求項１記載のＦＡＭＥ製造装置。
【請求項３】
前記第一反応部及び／又は前記第二反応部で生成された反応物からＦＡＭＥを分離する分離手段、及び／又は、分離して得たＦＡＭＥを貯留する貯留槽を、前記アルコールの沸点以上の温度で保温する保温手段を備える請求項１又は請求項２記載のＦＡＭＥ製造装置。
【請求項４】
原料油脂と過熱アルコール蒸気とを混合してＦＡＭＥを製造するＦＡＭＥ製造方法であって、
原料油脂と過熱アルコール蒸気とを２００〜３００℃条件下で混合する第一工程と、
該反応物と過熱アルコール蒸気とを１８０〜２５０℃条件下で混合する第二工程と、
を少なくとも含むＦＡＭＥ製造方法。
【請求項５】
前記第一工程及び／又は前記第二工程において、
加熱された油脂と過熱アルコール蒸気とを配管内で混合する手順を含む請求項４記載のＦＡＭＥ製造方法。
【請求項６】
前記第一工程及び／又は前記第二工程で生成された反応物を、前記アルコールの沸点以上の温度で保温し、残留アルコールを除去する工程を含む請求項４又は請求項５記載のＦＡＭＥ製造方法。
【請求項７】
請求項４〜請求項６のいずれか一項のＦＡＭＥ製造方法により製造されたＦＡＭＥ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月25日(2012.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを積載するシート積載部と、
複数の綴じ針が連結された針シートを収納する針カートリッジと、
前記針カートリッジに収納された針シートの綴じ針を所定の綴じ位置に送り、前記綴じ位置で一針ごとに打ち出して前記シート積載部に積載されたシートを綴じる綴じ部と、を備え、
前記針シートの前記綴じ位置への送り方向は、積載されたシートの一側縁に沿った方向であり、
前記綴じ位置における前記綴じ針の綴じ角度は、前記針シートの送り方向に対して傾斜した角度であることを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記綴じ部は、前記綴じ針を打ち出すための打ち出し部材を有し、
前記打ち出し部材は、前記綴じ部の本体に対して回動自在に構成されることを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記カートリッジの前記綴じ針の収納部には、前記綴じ針を所定の姿勢で収納するための設置用突起があることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシート処理装置。
【請求項４】
前記針シートは、複数の綴じ針の先端を各々所定量ずつずらして連結されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項５】
シートに画像を形成する画像形成部と、
画像形成されたシート束を綴じる請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のシート処理装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するための本発明の代表的な構成は、シートを積載するシート積載部と、複数の綴じ針が連結された針シートを収納する針カートリッジと、前記針カートリッジに収納された針シートの綴じ針を所定の綴じ位置に送り、前記綴じ位置で一針ごとに打ち出して前記シート積載部に積載されたシートを綴じる綴じ部と、を備え、前記針シートの前記綴じ位置への送り方向は、積載されたシートの一側縁に沿った方向であり、前記綴じ位置における前記綴じ針の綴じ角度は、前記針シートの送り方向に対して傾斜した角度であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体に装着可能に設けられ、シートを積載するシート積載部をカセット本体に昇降自在に設けた給紙カセットと、前記給紙カセットの前記シート積載部に積載されたシートを給送するシート給送部と、を備えた画像形成装置において、
前記シート積載部を押し上げて前記シート積載部に積載されているシートを前記シート給送部に圧接させるリフト部材と、
前記リフト部材に連結される複数の弾性部材と、
前記リフト部材を駆動するための駆動機構と、
前記リフト部材と前記駆動機構との間に配置され、前記複数の弾性部材を選択的に前記リフト部材に作用させることによって、前記シート積載部に積載されているシートと前記シート給送部とを圧接させる圧接力を設定する設定機構と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記複数の弾性部材は、同一のバネ定数又は一部異なるバネ定数、あるいはそれぞれ異なるバネ定数で設定されており、
前記設定機構は、前記シート積載部に積載されるシートのサイズに応じて、前記複数の弾性部材のうちで前記リフト部材に作用させる前記弾性部材を選択することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記設定機構は、前記複数の弾性部材の他端がそれぞれ係止され、前記弾性部材を作用状態とする方向に移動可能に並設された複数のラックと、前記ラックの移動方向と直交する方向に移動可能に設けられ、シートサイズに応じて移動して前記複数のラックのうちの所定のラックに係合し、前記駆動機構により回転されて前記所定のラックを移動させるピニオンと、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記設定機構は、前記複数の弾性部材の他端がそれぞれ係止され、前記弾性部材を作用状態とする方向に沿って揺動自在に並設された複数のレバーと、前記複数のレバーのうちの所定のレバーに係合し、前記駆動機構により回転して前記所定のレバーを揺動させる回転体と、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記設定機構は、前記シート積載部に積載されるシートが所定枚数よりも多くなったときには前記リフト部材に作用する前記弾性部材の数を増やすようにすることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記複数の弾性部材のそれぞれが係止され、前記弾性部材を作用状態とする方向に移動可能な複数のラックと、
前記複数のラックに係合し、前記駆動機構により回転してラックを移動させて前記弾性部材を伸張させるピニオンと、を備え、
前記ピニオンは、軸方向に並設された平歯歯車部と欠歯歯車部を備え、前記駆動機構が回転して前記平歯歯車部が噛み合って前記ラックを移動させるタイミングよりも遅いタイミングで前記欠歯歯車部が前記ラックに噛み合うように前記ピニオンを前記ラックに対応させて配置する、ことを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記設定機構は、前記シート積載部に積載されるシートのサイズに応じて、前記複数の弾性部材を選択的に前記リフト部材に作用させる機能と、前記複数の弾性部材を同時に前記リフト部材に作用させる機能とを有する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記給紙カセットは、前記シート積載部に積載されたシートの位置を規制する移動自在な規制部材を備え、
前記設定機構は、前記規制部材のシートサイズに応じた規制位置に応じて前記リフト部材に作用する前記弾性部材を選択することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
この後、図１９の（ａ）に示すように、駆動伝達ギア７６が反時計周りに回転すると、駆動伝達ギア７６の大径カム部７６ｃが第１プルレバー６７の加圧点６７ｂに当接し、プルレバー６７を支点軸３０ｃを中心に時計周り方向へ揺動させる。このとき、プルレバー６７のバネ掛け部６７ａに接続された第３加圧スプリング６６ｃを引っ張り、同時に加圧アーム３５、加圧レバー３４を介してシート積載板３１を持ち上げ始める。この後、大径カム部７６ｃの外周面に第１プルレバー６７の加圧点６７ａが載るまで駆動ギア７６を回転した後、停止し、シート積載板３１のリフトアップ動作を完了する。ここで、第３加圧スプリング６６ｃは、既述した第１の実施の形態における第１加圧スプリング３６ａと同じバネ定数及び同じ作用長に設定してある。このため、シート積載板３１にかかる加圧力は図４の（ａ）のＰ１と同等となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを搬送するための搬送手段と、
前記搬送手段の搬送方向に対して直交する幅方向に沿ってシートに穴をあける穿孔手段と、
前記穿孔手段によって穿孔されたシートを幅方向に移動させる移動手段と、
前記搬送手段によって搬送されたシートを積載するための積載手段と、
を有し、
前記移動手段は、前記穿孔手段により、前記積載手段に先に積載される第１のシートにあけられた穴と、その上に積載される第２のシートにあけられた穴と、が幅方向において重ならないように、第１、第２のシートのうちの少なくとも一方を幅方向に移動させることを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記移動手段は、前記穿孔手段がシートにあける穴の大きさより大きく、穴と穴の間の長さより小さい範囲で、前記第１、第２のシートのうちの少なくとも一方を幅方向に移動させることを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記穿孔手段は、穴の種類が異なる複数の穿孔ユニットが着脱可能であり、前記穿孔ユニットが有する穴の種類に関する情報に基づいて、前記移動手段が幅方向に移動させる移動量を設定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシート処理装置。
【請求項４】
前記移動手段は、シートの幅方向に移動してシートの幅方向の端部を整合する整合部材であり、前記積載手段に第２のシートが積載される前に、前記積載手段に既に積載されている第１のシートを幅方向に移動させることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項５】
前記移動手段は、シートを挟持して搬送する間に幅方向に移動可能な搬送部材であり、前記積載手段に第２のシートが積載される前に、第２のシートを挟持して幅方向に移動させることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項６】
前記積載手段に積載されたシートを整合する整合部材を有し、前記整合部材は、前記積載手段に既に積載されている第１のシートと幅方向において穴が重ならないように前記積載手段に積載された第２のシートを、穴が重ならない状態で搬送方向の整合を行った後、幅方向の整合を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項７】
シートに画像を形成する画像形成部と、
画像が形成されたシートに対して選択的に処理を行い、前記シートを積載するシート処理部と、
を有する画像形成システムであって、
前記シート処理部として、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のシート処理装置を有することを特徴とする画像形成システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は、シートを搬送するための搬送手段と、前記搬送手段の搬送方向に対して直交する幅方向に沿ってシートに穴をあける穿孔手段と、前記穿孔手段によって穿孔されたシートを幅方向に移動させる移動手段と、前記搬送手段によって搬送されたシートを積載するための積載手段と、を有し、前記移動手段は、前記穿孔手段により、前記積載手段に先に積載される第１のシートにあけられた穴と、その上に積載される第２のシートにあけられた穴と、が幅方向において重ならないように、第１、第２のシートのうちの少なくとも一方を幅方向に移動させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂からなり、横断面Ｃ字状を呈する長尺の本体樹脂部と、
前記本体樹脂部に内蔵され、前記本体樹脂部の長手に沿って配置された抗張体と、
前記本体樹脂部の内側面に設けられた帆布と、
を備えた手摺本体の端部同士を接合するマンコンベア用移動手摺の加工方法であって、
前記手摺本体の一端部から、前記抗張体の上方にある前記本体樹脂部の樹脂を前記抗張体に沿って除去することにより、前記手摺本体の前記一端部に、下方に前記抗張体の一端部が配置された接合用上面を形成するステップと、
前記手摺本体の前記一端部に、前記接合用上面から上方に伸びる接合用上側一端面、及び、前記接合用上面から下方に伸びる接合用下側一端面を形成するステップと、
前記手摺本体の他端部から、前記抗張体の下方にある前記本体樹脂部の樹脂を前記抗張体に沿って除去することにより、前記手摺本体の前記他端部に、上方に前記抗張体の他端部が配置された接合用下面を形成するステップと、
前記手摺本体の前記他端部に、前記接合用下面から上方に伸びる接合用上側他端面、及び、前記接合用下面から下方に伸びる接合用下側他端面を形成するステップと、
前記接合用下面を前記接合用上面に合わせ、前記接合用上側一端面が前記接合用上側他端面に、前記接合用下側一端面が前記接合用下側他端面に対向して配置された状態で加熱成型することにより、前記手摺本体の前記一端部と前記他端部とを一直線状に接合するステップと、
を備え、
前記形成された各端面は、前記手摺本体の上下方向及び幅方向の双方に対して斜めに形成された平面からなることを特徴とするマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【請求項２】
前記帆布の一端を前記接合用下側一端面付近の前記本体樹脂部に押し込んだ後、前記手摺本体の前記一端部に、前記帆布の前記一端を覆うように留め樹脂を充填するステップと、
前記帆布の他端を前記接合用下側他端面付近の前記本体樹脂部に押し込んだ後、前記手摺本体の前記他端部に、前記帆布の前記他端を覆うように留め樹脂を充填するステップと、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【請求項３】
接合のための加熱成型時に、前記手摺本体の前記一端部及び前記他端部に設けられた前記各留め樹脂、並びに、前記各留め樹脂と前記本体樹脂部とをそれぞれ一体化させることを特徴とする請求項２に記載のマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【請求項４】
接合のための加熱成型後、前記帆布の一端部及び他端部間に設けられた樹脂が、前記帆布の表面位置よりも外側に突出しないことを特徴とする請求項３に記載のマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【請求項５】
前記接合用下側一端面の端部に、前記手摺本体の長手に沿って第１取付穴を形成するステップと、
前記接合用下側他端面の端部に、前記手摺本体の長手に沿って第２取付穴を形成するステップと、
を備え、
前記第１取付穴及び前記第２取付穴は、前記接合用下面を前記接合用上面に合わせた状態で前記手摺本体の前記一端部と前記他端部とを一直線状に配置することにより、互いに対向するように配置され、
接合のための加熱成型は、前記第１取付穴と前記第２取付穴とに所定の端部抗張体を内蔵した状態で行われることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載のマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【請求項６】
前記端部抗張体は、前記本体樹脂部との溶着性に優れた所定の樹脂によって予め被覆された鋼製部材を備えたことを特徴とする請求項５に記載のマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【請求項７】
前記接合用上面が前記接合用下面に接触するように重ね合わされた時の前記手摺本体の前記一端部及び前記他端部の全体の厚みが、前記手摺本体の中間部の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載のマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【請求項８】
接合のための加熱成型時に、成型後に余る余分な樹脂を、前記手摺本体の内側面或いは下面から排出させることを特徴とする請求項７に記載のマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【請求項９】
前記抗張体は、前記本体樹脂部との溶着性に優れた所定の樹脂によって予め被覆されたワイヤロープを備えたことを特徴とする請求項１から請求項８の何れかに記載のマンコンベア用移動手摺の加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明に係るマンコンベア用移動手摺の加工方法は、熱可塑性樹脂からなり、横断面Ｃ字状を呈する長尺の本体樹脂部と、本体樹脂部に内蔵され、本体樹脂部の長手に沿って配置された抗張体と、本体樹脂部の内側面に設けられた帆布と、を備えた手摺本体の端部同士を接合するマンコンベア用移動手摺の加工方法であって、手摺本体の一端部から、抗張体の上方にある本体樹脂部の樹脂を抗張体に沿って除去することにより、手摺本体の一端部に、下方に抗張体の一端部が配置された接合用上面を形成するステップと、手摺本体の一端部に、接合用上面から上方に伸びる接合用上側一端面、及び、接合用上面から下方に伸びる接合用下側一端面を形成するステップと、手摺本体の他端部から、抗張体の下方にある本体樹脂部の樹脂を抗張体に沿って除去することにより、手摺本体の他端部に、上方に抗張体の他端部が配置された接合用下面を形成するステップと、手摺本体の他端部に、接合用下面から上方に伸びる接合用上側他端面、及び、接合用下面から下方に伸びる接合用下側他端面を形成するステップと、接合用下面を接合用上面に合わせ、接合用上側一端面が接合用上側他端面に、接合用下側一端面が接合用下側他端面に対向して配置された状態で加熱成型することにより、手摺本体の一端部と他端部とを一直線状に接合するステップと、を備え、形成された各端面は、手摺本体の上下方向及び幅方向の双方に対して斜めに形成された平面からなるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クランクケースの側壁とこの側壁から突出するクランクシャフトの端部に取り付けた回転体との間に配設され、前記クランクシャフト及びカムシャフトを連結するカムチェーンと、前記クランクケースの右側に配置されるクラッチ室と、前記クランクケースの左側に配置されて前記回転体が収容されるマグネト室と、前記クラッチ室に配置されてエンジン各部にオイルを供給するフィードポンプと、前記マグネト室に滞留するオイルを吸引するスカベンジングポンプとを有した自動二輪車エンジンにおいて、
前記スカベンジングポンプの吐出側のオイル通路にオイル噴射ノズルを設けて、前記スカベンジングポンプから吐出されるオイルの一部を前記カムチェーンに噴射するようにしたことを特徴とする自動二輪車エンジンのカムチェーン潤滑構造。
【請求項２】
前記クランクシャフトに取り付けたカムチェーン駆動用ドライブスプロケットよりも外周であって、前記カムチェーンと前記ドライブスプロケットとの噛合領域に対応して前記クランクケースの側壁から突設したガイドリブの一端部と、前記カムチェーンに接触して張力を付与するカムチェーンテンショナの下端部との相互間には間隙が形成され、前記オイル噴射ノズルは、前記間隙を指向して配置されたことを特徴とする請求項１に記載の自動二輪車エンジンのカムチェーン潤滑構造。
【請求項３】
前記クランクケースの側壁、前記回転体の側面及び前記ガイドリブにより、前記カムチェーンを囲繞するように配置したことを特徴とする請求項２に記載の自動二輪車エンジンのカムチェーン潤滑構造。
【請求項４】
前記オイル噴射ノズルは、前記スカベンジングポンプと複数のミッションギヤを格納するミッション室とを繋ぐオイル通路の途中に接続されたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の自動二輪車エンジンのカムチェーン潤滑構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の自動二輪車エンジンのカムチェーン潤滑構造は、クランクケースの側壁とこの側壁から突出するクランクシャフトの端部に取り付けた回転体との間に配設され、前記クランクシャフト及びカムシャフトを連結するカムチェーンと、前記クランクケースの右側に配置されるクラッチ室と、前記クランクケースの左側に配置されて前記回転体が収容されるマグネト室と、前記クラッチ室に配置されてエンジン各部にオイルを供給するフィードポンプと、前記マグネト室に滞留するオイルを吸引するスカベンジングポンプとを有した自動二輪車エンジンにおいて、前記スカベンジングポンプの吐出側のオイル通路にオイル噴射ノズルを設けて、前記スカベンジングポンプから吐出されるオイルの一部を前記カムチェーンに噴射するようにしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明による自動二輪車エンジンのカムチェーン潤滑構造において、前記クランクシャフトに取り付けたカムチェーン駆動用ドライブスプロケットよりも外周であって、前記カムチェーンと前記ドライブスプロケットとの噛合領域に対応して前記クランクケースの側壁から突設したガイドリブの一端部と、前記カムチェーンに接触して張力を付与するカムチェーンテンショナの下端部との相互間には間隙が形成され、前記オイル噴射ノズルは、前記間隙を指向して配置されたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明による自動二輪車エンジンのカムチェーン潤滑構造において、前記クランクケースの側壁、前記回転体の側面及び前記ガイドリブにより、前記カムチェーンを囲繞するように配置したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明による自動二輪車エンジンのカムチェーン潤滑構造において、前記オイル噴射ノズルは、前記スカベンジングポンプと複数のミッションギヤを格納するミッション室とを繋ぐオイル通路の途中に接続されたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面側に、図柄が付された透湿防水層を有し、前記片面側の最表面に突起群が透明に形成され、前記片面側の最表面の平滑度が４０秒以下であることを特徴とする透湿防水性布帛。
【請求項２】
前記透湿防水層がポリウレタンからなる、請求項１に記載の透湿防水性布帛。
【請求項３】
前記図柄が、親水性ポリウレタンからなる着色剤で描かれている、請求項１または２に記載の透湿防水性布帛。
【請求項４】
前記突起群がプラスチゾルからなる、請求項１〜３のいずれかに記載の透湿防水性布帛。
【請求項５】
前記突起群がアクリル系プラスチゾルからなる、請求項４に記載の透湿防水性布帛。
【請求項６】
前記突起群が発泡体からなる、請求項１〜５のいずれかに記載の透湿防水性布帛。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る透湿防水性布帛は、片面側に、図柄が付された透湿防水層を有し、前記片面側の最表面に突起群が透明に形成され、前記片面側の最表面の平滑度が４０秒以下であることを特徴とするものからなる。突起群を透湿防水性布帛の片面側の最表面に形成する方法としては、グラビア法、スクリーン法など各種の公知の方法が採用可能であるが、連続加工に適したグラビア法を採用するのが好ましい。このように本発明の透湿防水性布帛においては、透湿防水層に模様等の図柄が付され、最表面に突起群が形成されることにより、図柄から意匠性が発揮されるとともに、サラサラとした使用感を呈するように最表面の肌触りが向上される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の透湿防水性布帛において、前記片面側の最表面の平滑度が４０秒以下である。ここで平滑度とは、ＪＩＳ規格（Ｐ８１１９ベック法）に規定された平滑度の測定方法による測定値をいう。この平滑度が低いほど、布帛と肌の間の空間が多く通気性が高くなるので、布帛と肌との密着性が低く快適であるといえるが、平滑度が４０秒以下、より好ましくは２０秒以下であることにより、十分な快適性が得られる。なお、平滑度は、単に突起群の占める面積を大きくすれば低くなるものではなく、ある程度の高さを持った突起をまばらに配置した方が、平滑度は低くなりやすい。各突起の高さとしては１０μｍ以上が好ましく、あまり突起の高さが大きくなり過ぎると肌触りが悪くなるため、２０μｍ〜２００μｍであることがより好ましい。突起群の被覆面積率は３〜４０面積％が好ましく、５〜１５面積％の被覆面積率でまんべんなく突起が配置されることがより好ましい。被覆面積率が小さ過ぎると透湿防水層と肌の密着面積が増え、快適性が損なわれる場合がある。被覆面積率が大き過ぎると布帛の風合いが硬くなり、透湿性が低下し、さらに布帛の重量が重くなるため、着心地が悪化しやすい。また、突起の形状としては、角がなく滑らかな表面構造をなす形状であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の透湿防水性布帛において、前記突起群が透明に形成されている。突起群が透明に形成されることによって、図柄が突起群によって隠蔽されず、図柄の意匠性が損なわれにくくなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ここで、該布帛と肌の密着度は、突起群が形成された面の平滑度（ＪＩＳ規格Ｐ８１１９ベック法）を測定することによって表すことができる。平滑度が低いほど該布帛と肌の間の空間が多く通気性が高いことを示し、すなわち肌との密着性が低く快適であるといえる。本発明においては、突起群が形成された面の平滑度を４０秒以下とし、より好ましい平滑度は２０秒以下である。平滑度は、単に突起群の占める面積を大きくすれば低くなるというものでは無く、むしろ、ある程度の高さを持った突起群をまばらに配置した方が好ましい。具体的には、各突起の高さとして１０μｍ以上が好ましく、より好ましくは２０μｍ〜２００μｍである。突起が高く形成され過ぎると、肌触りが悪くなりやすい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、
単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
前記非単結晶半導体層と前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を前記損傷領域にて分離させることにより、前記非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成し、
前記非単結晶半導体層の前記一部の領域以外の領域を用いて画素領域の半導体素子を形成し、
前記単結晶半導体層を用いて駆動回路領域の半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、
単結晶半導体基板の表面に第２の絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
前記非単結晶半導体層と前記第２の絶縁層を貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を前記損傷領域にて分離させることにより、前記非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成し、
前記非単結晶半導体層の前記一部の領域以外の領域を用いて画素領域の半導体素子を形成し、
前記単結晶半導体層を用いて駆動回路領域の半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記画素領域の半導体素子を形成する前、且つ、前記駆動回路領域の半導体素子を形成する前に、
前記非単結晶半導体層、及び、前記単結晶半導体層に対してレーザー光を照射することにより、前記非単結晶半導体層を微結晶半導体、又は、多結晶半導体に変化させると共に、前記単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記単結晶半導体基板の分離後、前記画素領域の前記非単結晶半導体層上に第１のゲート電極を形成し、前記駆動回路領域の前記単結晶半導体層上に第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極は、同一の工程で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の第１の非単結晶半導体層と、
前記絶縁層上の第２の非単結晶半導体層と、
前記第２の非単結晶半導体層上の単結晶半導体層を有し、
前記第１の非単結晶半導体層を用いて画素領域の半導体素子が形成されており、
前記単結晶半導体層を用いて駆動回路領域の半導体素子が形成されていることを特徴と
する半導体装置。
【請求項６】
基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の非単結晶半導体層と、
前記第１の絶縁層上の第２の非単結晶半導体層と、
前記第２の非単結晶半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の単結晶半導体層を有し、
前記第１の非単結晶半導体層を用いて画素領域の半導体素子が形成されており、
前記単結晶半導体層を用いて駆動回路領域の半導体素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の半導体装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記一表面上に第１不純物半導体層、第１電極、絶縁層を形成し、
前記絶縁層と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、前記脆化層又は前記脆化層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第１単結晶半導体層を形成し、
シラン系ガスと、前記シラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素と、を原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により、前記第１単結晶半導体層上に半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成し、
シラン系ガスと、前記シラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素と、一導電型を付与する不純物元素を含むドーピングガスと、を原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により、前記第２単結晶半導体層上に半導体層をエピタキシャル成長させて前記第１不純物半導体層とは、逆の導電型を含む第２不純物半導体層を形成し、
前記第２不純物半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記一表面上に第１不純物半導体層、第１電極、絶縁層を形成し、
前記絶縁層と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、前記脆化層又は前記脆化層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第１単結晶半導体層を形成し、
シラン系ガスと、前記シラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素と、を原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により、前記第１単結晶半導体層上に半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成し、
シラン系ガスと、前記シラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素と、一導電型を付与する不純物元素を含むドーピングガスと、を原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により、前記第２単結晶半導体層上に半導体層をエピタキシャル成長させて前記第１不純物半導体層とは、逆の導電型を含む第２不純物半導体層を形成し、
前記第２不純物半導体層上に、前記第２不純物層とは逆の一導電型を含む第３不純物半導体層と、
前記第３不純物半導体層上に、非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に、前記第３不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第４不純物半導体層を形成し、
前記第４不純物半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ドーピングガスとして、ジボラン又はフォスフィンを用いることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記脆化層の形成は、水素を含む原料ガスにより生成されるイオン又はクラスターイオンを用い、
前記イオン又はクラスターイオンは、生成されたイオンを質量分離しないで電圧で加速して、前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記イオン又はクラスターイオンは、照射するイオンの総量に対してＨ３＋イオンの割合が多いことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１単結晶半導体層と前記第２単結晶半導体層とを合わせた厚さは、８００ｎｍ以上であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記単結晶半導体基板としてｐ型の単結晶半導体基板を用いることにより、ｐ型の第１単結晶半導体層を形成し、
前記第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させることにより、真性の第２単結晶半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１不純物半導体層をｐ型とし、
前記第２不純物半導体層をｎ型とすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記一表面上に第１不純物半導体層、第１電極を形成し、
前記第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、前記脆化層又は前記脆化層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第１単結晶半導体層を形成し、
前記第１単結晶半導体層の分離面上に第１非晶質半導体層を形成し、
前記第１非晶質半導体層上に、前記第１不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第２非晶質半導体層を形成し、
熱処理を行い、前記第１非晶質半導体層と前記第２非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層と第２不純物半導体層を形成し、
前記第２不純物半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記一表面上に第１不純物半導体層、第１電極を形成し、
前記第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、前記脆化層又は前記脆化層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第１単結晶半導体層を形成し、
前記第１単結晶半導体層の分離面上に第１非晶質半導体層を形成し、
前記第１非晶質半導体層上に、前記第１不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第２非晶質半導体層を形成し、
熱処理を行い、前記第１非晶質半導体層と前記第２非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層と第２不純物半導体層を形成し、
前記第２不純物半導体層上に、前記第２不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第３不純物半導体層を形成し、
前記第３不純物半導体層上に、第３非晶質半導体層を形成し、
前記第３非晶質半導体層上に、前記第３不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第４不純物半導体層を形成し、
前記第４不純物半導体層上に、第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１電極上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を間に挟んで前記第１電極と前記支持基板とを重ね合わせて貼り合わせることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記脆化層の形成は、水素を含む原料ガスにより生成されるイオン又はクラスターイオンを用い、
前記イオン又はクラスターイオンは、生成されたイオンを質量分離しないで電圧で加速して、前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記イオン又はクラスターイオンは、照射するイオンの総量に対してＨ３＋イオンの割合が多いことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１単結晶半導体層と前記第２単結晶半導体層とを合わせた厚さは、８００ｎｍ以上であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記単結晶半導体基板としてｐ型の単結晶半導体基板を用いることにより、ｐ型の前記第１単結晶半導体層を形成し、
前記第１非晶質半導体層として真性半導体を用いることにより、真性の前記第２単結晶半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１不純物半導体層をｐ型とし、
前記第２不純物半導体層をｎ型とすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月15日(2011.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面型構造をなすように配置された、複数の固体高分子形燃料電池であって、各燃料電池が、
アノード電極と、
カソード電極と、
固体高分子電解質とを含み、各電極が触媒層を含む、
という複数の固体高分子形燃料電池と、
電極の少なくとも一方の端部に結合した、集電手段とを含む平面型燃料電池系であって、ここで、
前記アノードの前記触媒層および前記カソードの前記触媒層のうちの少なくとも一方が、面内方向に関する導電性を、面を貫く方向に関する導電性よりも高める第一の高導電性添加物を含むことを特徴とする、平面型燃料電池系。
【請求項２】
前記第一の高導電性添加物が、黒鉛、カーボンナノチューブ、耐蝕性金属、もしくはそれらの組み合わせを含む、請求項１記載の平面型燃料電池系。
【請求項３】
前記カーボンナノチューブが、単壁ナノチューブ、ナノチューブ膜、もしくは複壁ナノチューブである、請求項２記載の平面型燃料電池系。
【請求項４】
前記耐蝕性金属が、金である、請求項２又は３に記載の平面型燃料電池系。
【請求項５】
前記触媒層のうちのひとつ以上の、前記電極の面と平行な方向における抵抗が、前記触媒層の前記電極の前記面と垂直な方向における抵抗よりも低い、請求項１から４のいずれか１項に記載の平面型燃料電池系。
【請求項６】
一方の電極中の前記第一の高導電性添加物が、前記電極に隣接した対応する前記集電手段のうちのひとつに結合する、請求項１から５のいずれか１項に記載の平面型燃料電池系。
【請求項７】
平面型燃料電池系の性能を高める方法であって、
第一の高導電性添加物を、少なくとも一つの触媒層に入れこむステップと、
前記少なくとも一つの触媒層を、燃料電池系に入れこむステップとを含み、
ここで前記燃料電池系が、
平面型構造をなすように配置された複数の固体高分子形燃料電池であって、各燃料電池が、
アノード電極と、
カソード電極と、
固体高分子電解質とを含み、各電極が前記少なくとも一つの触媒層のうちの１つを含む、
という複数の固体高分子形燃料電池と、
前記電極の端部に結合した、集電手段とを含み、
前記平面型燃料電池系でのオーミック損失が低減されるほど十分に、前記第一の高導電性添加物が前記少なくとも一つの触媒層に入れこまれ、
面を貫く方向に関する導電性よりも高い面内方向に関する導電性を提供するように、前記第一の高導電性添加物を適用することを特徴とする、方法。
【請求項８】
前記第一の高導電性添加物が、黒鉛、カーボンナノチューブ、耐蝕性金属、もしくはそれらの組み合わせを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記平面型燃料電池系のオーミック損失が、前記触媒層の電気抵抗を含む、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記触媒層の前記電気抵抗が、前記電極に対して平行な面内方向での電気抵抗を含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記第一の高導電性添加物が、フラーライト、ナノトーラス、ナノバッド、又はそれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項１、４から６のいずれか一項に記載の平面型燃料電池系。
【請求項１２】
少なくとも一つの前記集電手段は、第二の高導電性添加物を含み、
前記第二の高導電性添加物は、前記第一の高導電性添加物と同じである、又は異なることを特徴とする、請求項１から６、１１のいずれか一項に記載の平面型燃料電池系。
【請求項１３】
電池相互接続部を更に含み、前記電池相互接続部は第三の高導電性添加物を含み、
前記第三の高導電性添加物は、前記第一の高導電性添加物と同じである、又は異なることを特徴とする、請求項１から６、１１、１２のいずれか一項に記載の平面型燃料電池系。
【請求項１４】
前記第一の高導電性添加物が、フラーライト、ナノトーラス、ナノバッド、又はそれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも一つの前記集電手段は、第二の高導電性添加物を含み、
前記第二の高導電性添加物は、前記第一の高導電性添加物と同じである、又は異なることを特徴とする、請求項７から１０、１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記平面型燃料電池系は電池相互接続部を更に含み、
前記電池相互接続部は第三の高導電性添加物を含み、
前記第三の高導電性添加物は、前記第一の高導電性添加物と同じである、又は異なることを特徴とする、請求項７から１０、１４、１５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】純タングステンコンタクトおよびラインを形成する方法及び半導体基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
純タングステンプラグを形成する方法であって、
導電領域を露出するコンタクトホールを誘電層内に有する半導体基板を提供する段階と、
前記半導体基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質、および、還元剤にさらすことによって、少なくとも前記露出した導電領域上にタングステンリッチ膜を堆積する段階と、
前記半導体基板をタングステン含有前駆物質にさらすことによって、前記タングステンリッチ膜上に１つ以上のタングステン層を堆積する段階と、
前記コンタクトホールをタングステンでふさぎ、タングステンプラグを形成する段階と、
を備える方法。
【請求項２】
前記タングステンリッチ膜は、少なくとも６０原子百分率のタングステンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンタクトホールをタングステンでふさぐ段階の後に、前記タングステンをエッチバックして前記タングステンプラグを形成する段階をさらに備える、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
純タングステンラインを形成する方法であって、
ビットライントレンチを誘電層内に有する半導体基板を提供する段階と、
前記半導体基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質、および、還元剤にさらすことによって、少なくとも前記ビットライントレンチ内にタングステンリッチ膜を堆積する段階と、
前記半導体基板をタングステン含有前駆物質にさらすことによって、前記タングステンリッチ膜上に１つ以上のタングステン層を堆積する段階と、
前記ビットライントレンチをタングステンでふさぐ段階と、
を備え、
前記ビットライントレンチは、前記半導体基板における異なる領域を接続する、方法。
【請求項５】
前記タングステンリッチ膜は、少なくとも７０原子百分率のタングステンを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記タングステンリッチ膜は、金属タングステンと、少なくとも１つのタングステン化合物との混合物を含む、請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記タングステンリッチ膜は、金属タングステンと、タングステン・カーバイドとの混合物を含む、請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
金属タングステン（Ｗ）とタングステン・カーバイド（ＷＣ）との分子比率は、２：１から１０：１までの範囲である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
金属タングステン（Ｗ）とタングステン・カーバイド（ＷＣ）との分子比率は、２：１から４：１までの範囲である、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記タングステンリッチ膜は、２５％以下の炭素を含む、請求項１から９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記タングステンリッチ膜の厚みは、１０オングストロームから１００オングストロームまでの範囲である、請求項１から１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体基板をタングステン含有前駆物質にさらすことによって、前記タングステンリッチ膜上に１つ以上のタングステン層を堆積する段階は、前記半導体基板をＷＦ６にさらす段階を含む、請求項１から１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体基板をタングステン含有前駆物質にさらすことによって、前記タングステンリッチ膜上に１つ以上のタングステン層を堆積する段階は、前記タングステンリッチ膜上にタングステン核生成層を堆積し、前記タングステン核生成層上にバルクタングステン膜を堆積する段階を含む、請求項１から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
純タングステンビットラインを形成する方法であって、
半導体基板を提供する段階と、
前記半導体基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質、および、還元剤にさらすことによって、前記半導体基板の少なくとも一部の上にタングステンリッチ膜を堆積する段階と、
前記半導体基板をタングステン含有前駆物質にさらすことによって、前記タングステンリッチ膜上にタングステンビットライン膜を堆積する段階と、
前記タングステンビットライン膜をフォトパターニングし、かつ、エッチングして前記純タングステンビットラインを形成する段階と、
を備える方法。
【請求項１５】
純タングステンプラグまたはラインを形成する方法であって、
導電領域を露出させるコンタクトホールまたはトレンチを誘電層内に有する半導体基板を提供する段階と、
前記半導体基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質、および、還元剤にさらすことによって、前記コンタクトホールまたはトレンチ内にコンフォーマルな連続したタングステンリッチ膜を堆積する段階と、
前記半導体基板をタングステン含有前駆物質にさらすことによって、前記タングステンリッチ膜上に１つ以上のタングステン層を堆積する段階と、
前記コンタクトホールまたはトレンチをタングステンでふさぎ、前記タングステンプラグまたはラインを形成する段階と、
を備え、
前記タングステンリッチ膜は、金属タングステンと、タングステン・カーバイドとの混合物を含む、
方法。
【請求項１６】
請求項１から１５の何れか１項に記載の方法によって、基板上に純タングステンプラグまたはラインを形成する段階を含む半導体基板の製造方法。