【事件の表示】
　特願２００１−１２９４８８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月　８日出願公開、特開２００２−３２４８５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年４月２６日の出願であって，平成１７年２月３日付けの拒絶理由通知に対して，同年４月２８日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年４月２８日に提出された手続補正書について平成１８年９月２０日付けで補正の却下の決定がなされるとともに，同日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１１月２１日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正書が提出され，その後，当審において平成２１年３月３日付けで審尋がなされ，同年５月１３日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１８年１１月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１１月２１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正後の本願発明と補正目的の適否
　平成１８年１１月２１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の請求項１を補正後の請求項１として，
「【請求項１】　半導体基板の上方に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜の上に形成された下部電極と誘電体膜と上部電極を有するキャパシタを備えた半導体装置において，
　前記上部電極の側壁が曲面を有し，前記誘電体膜と前記下部電極との側壁面と，該上部電極の側壁面とが連続するように形成され，前記上部電極の上面は，該上部電極の膜厚が中央部で厚くその両側で側面方向に向かって薄くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。」と補正するものである。
　上記補正は，補正前の請求項１の「前記下部電極と誘電体膜と前記上部電極の各側壁が１つの面上に形成され」を，補正後の請求項１の「前記上部電極の側壁が曲面を有し，前記誘電体膜と前記下部電極との側壁面と，該上部電極の側壁面とが連続するように形成され」としており，特に，「前記上部電極の側壁が曲面を有」する点を限定するものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　新規事項の追加の有無についての検討
（１）本件補正における，補正後の請求項１に記載された事項である「前記上部電極の側壁が曲面を有」することに関して，本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明によれば，「なお，ストライプ形状の強誘電体膜１２の延在方向では，キャパシタ上部電極１３ａは第２のレジストパターン１５によりその後退量以上に広く覆われているので，図１６(b) に示すように，キャパシタ上部電極１３ａの四隅を除いて膜厚は変化しない。従って，強誘電体膜１２のパターニングを終えた後には，キャパシタ上部電極１３ａの膜厚分布は，最後まで第２のレジストパターン１５に覆われた部分の中央部で厚くその両側で薄くなっている。」（段落【００３３】）と記載されているだけであり，本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明には，補正後の請求項１に記載された事項である「前記上部電極の側壁が曲面を有」することに関する記載はない。
（２）また，平成２１年５月１３日に提出した回答書において，請求人は，「請求項１の発明では，キャパシタの形成時にその側面に上下電極を短絡させるエッチング生成物が形成されないように，上部電極上のレジストパターンを後退させながらエッチングすることにより，上部電極の側壁が曲面になって形成されます。　明細書では「曲面」とは明記されていませんが，強誘電体膜１２をエッチングする際に（図７（ｂ），図８（ａ）），上部電極１３ａ上のレジストパターン１５を後退させながらエッチングすることにより，側壁が曲面となった上部電極１３ａが得られます（図８〜図１１など）。図８〜図１１などでは，上部電極１３ａの側面が明らかに曲面になって描かれています。図面は形態模写であるとしても，直線をわざわざ書きにくい曲状に描くことはあり得ないです。このように，上部電極の側壁が曲面になっていることは，図面及びその製造方法の説明から自明な事項であります。」と主張しているが，「上部電極１３ａ上のレジストパターン１５を後退させながらエッチング」した場合に，上部電極１３ａの側面は，必ずしも曲面とはならず，例えば，テーパー形状となることも，十分予想されることである。
　また，本願の図８〜図１１などの図面は，実際には，縦横比（高さと幅の比）が，実寸と相似してはおらず，半導体装置の形状・構造を正確に描いたものではないため，本願の図８〜図１１などを，補正後の請求項１に記載された事項である「前記上部電極の側壁が曲面を有」することの記載の根拠とすることはできない。
（３）また，補正後の請求項１に記載された事項である「前記上部電極の側壁が曲面を有」することが，本願の願書に最初に添付した明細書の発明の詳細な説明の，「図８(a) ，図１３(b) ，図１６(b) に示すように，第２のレジストパターン１５をマスクに使用して強誘電体膜１２をエッチングする。この際，第２のレジストパターン１５を適度に後退させるエッチング条件に設定することにより」（段落【００３１】）形成できるとしても，それ以外の方法では，「曲面」が形成できないものであるから，おおむね，「曲面」の形状や寸法は，所定の曲面形状に特定されるものである。しかし，補正後の請求項１に記載された事項の「曲面」には，大から小まで，種々の形状や曲率半径のものが含まれるものであり，このように，あらゆる形状，曲率の「曲面」を有することは，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されておらず，また，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載からみて自明な事項であるということもできない。
（４）以上の（１）〜（３）において検討したように，本件補正は，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものであるから，本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではなく，平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
　本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）を再掲すると，次のとおりである。
　
「【請求項１】　半導体基板の上方に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜の上に形成された下部電極と誘電体膜と上部電極を有するキャパシタを備えた半導体装置において，
　前記上部電極の側壁が曲面を有し，前記誘電体膜と前記下部電極との側壁面と，該上部電極の側壁面とが連続するように形成され，前記上部電極の上面は，該上部電極の膜厚が中央部で厚くその両側で側面方向に向かって薄くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開２０００−１５０８２５号公報
　
（３）引用例１の記載と引用発明
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１５０８２５号公報（以下「引用例１」という。）には，図７とともに，次の記載がある。
　
　　ア　特許請求の範囲
・「【請求項１】  半導体基板と，
この半導体基板上に絶縁膜を介して順次積層された下部電極，強誘電体膜，及び上部電極を有する強誘電体キャパシタとを備えた半導体装置において，
前記強誘電体膜は，所定パターンの前記下部電極上にこれより小さい面積でパターン形成され，
前記下部電極の前記強誘電体膜の外側に延在する部分の表面部は所定厚み除去されており，且つ前記下部電極の前記強誘電体膜の外側に延在する部分の表面から前記強誘電体膜及び上部電極の側面を通って上部電極の表面にまたがる範囲が水素ガス及びハロゲン系ガスの少なくとも１種に対する保護膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。」
　
　　イ　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，強誘電体メモリ要素等として用いられる薄膜構造の強誘電体キャパシタを含む半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より，強誘電体キャパシタを用いた不揮発性メモリ（以下，強誘電体メモリという）が知られている。強誘電体キャパシタは，基板上に下部電極，強誘電体膜，及び上部電極を積層して形成される。強誘電体膜としては代表的には，ペロブスカイト型結晶構造をもつジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ：ＰｂＺｒxＴｉ1-xＯ3）等の化合物が用いられる。ＰＺＴ膜を用いた場合，上下電極膜には，Ｐｔが用いられる。
【０００３】この様な強誘電体メモリは，バッテリーレスでデータを保持でき，高速動作が可能であるため，ＲＦ−ＩＤ（Radio Frequency Identification）等の非接触カードへの応用が始まりつつある。また，ＳＲＡＭ，ＤＲＡＭ，ＥＥＰＲＯＭ等との置き換え，ロジック混載等に対する期待も大きい。
【０００４】図７（ａ）〜（ｃ）は，基板７１上の強誘電体キャパシタの加工形状例を示している。メモリの微細化，高集積化のためには，図７（ａ）に示すように，下部Ｐｔ電極７２，ＰＺＴ膜７３及び上部Ｐｔ電極７４を連続的に略垂直にエッチングして強誘電体キャパシタを形成することが望ましい。しかし，この様なキャパシタ形状を得ようとすると，下部Ｐｔ電極７２のエッチングにより飛散するＰｔがＰＺＴ膜７３の側壁に再度被着して，Ｐｔフェンスが形成され，上下電極間が短絡するという問題がある。
【０００５】この問題を解決するためには，図７（ｂ）に示すように，全体をテーパエッチングする方法，或いは図７（ｃ）に示すように，上部電極７４及びＰＺＴ膜７３とは別工程で下部Ｐｔ電極７２のエッチングを行い，下部Ｐｔ電極７２のエッジがＰＺＴ膜７３から離れた位置に来るようにパターン形成する方法がある。図７（ｂ）の方法では，下部Ｐｔ電極７２のエッチング時にＰＺＴ膜７３の側面にＰｔ膜が被着したとしても，側面がテーパ面になっているためにＰｔ膜は被着と同時にエッチングがなされて，結局ＰＺＴ膜７３の側面にＰｔ膜のない状態を得ることが可能である。図７（ｃ）の方法では，下部Ｐｔ電極７２のエッチングをＰＺＴ膜７３から離れた位置で行うことにより，ＰＺＴ膜７３の側面へのＰｔ膜形成を防止することができる。」
　
（３−２）引用発明
　上記ア，イによれば，引用例１には，特に，図７（ｂ）に関して，次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されているといえる。
　
「基板７１上に形成された下部Ｐｔ電極７２とＰＺＴ膜７３と上部Ｐｔ電極７４を有する強誘電体キャパシタを備えた半導体装置において，
　前記下部Ｐｔ電極７２とＰＺＴ膜７３と上部Ｐｔ電極７４の側面がテーパ面になっていることを特徴とする半導体装置。」
　
（４）対比
（４−１）次に，本願補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「基板７１」，「下部Ｐｔ電極７２」，「ＰＺＴ膜７３」，「上部Ｐｔ電極」，「強誘電体キャパシタ」は，それぞれ，本願補正発明の「半導体基板」，「下部電極」，「誘電体膜」，「上部電極」，「キャパシタ」に相当する。
　そして，本願補正発明においては，「絶縁膜」のみならず「キャパシタ」も「半導体基板の上方に形成されて」いるから，引用発明の「基板７１上に形成された下部Ｐｔ電極７２とＰＺＴ膜７３と上部Ｐｔ電極７４を有する強誘電体キャパシタを備えた半導体装置」は，本願補正発明の「半導体基板の上方に形成された」「下部電極と誘電体膜と上部電極を有するキャパシタを備えた半導体装置」に相当する。
　　イ　引用発明の「前記下部Ｐｔ電極７２とＰＺＴ膜７３と上部Ｐｔ電極７４の側面がテーパ面になっている」に関して，引用例１の「【０００５】この問題を解決するためには，図７（ｂ）に示すように，全体をテーパエッチングする方法」及び図７（ｂ）の記載も参照すると，テーパ面が，前記下部Ｐｔ電極７２とＰＺＴ膜７３と上部Ｐｔ電極７４の側面で連続していることは，明らかであるから，引用発明の「前記下部Ｐｔ電極７２とＰＺＴ膜７３と上部Ｐｔ電極７４の側面がテーパ面になっている」ことは，本願補正発明の「前記誘電体膜と前記下部電極との側壁面と，該上部電極の側壁面とが連続するように形成され」ていることに相当する。
　
（４−２）そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「半導体基板の上方に形成された下部電極と誘電体膜と上部電極を有するキャパシタを備えた半導体装置において，
　前記誘電体膜と前記下部電極との側壁面と，該上部電極の側壁面とが連続するように形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は，「半導体基板の上方に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜の上に形成された下部電極」を有するのに対して，引用発明は，基板７１上に形成された下部Ｐｔ電極７２を有するものの，基板７１上に形成された絶縁膜を有するかどうか不明である点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は，「前記上部電極の側壁が曲面を有」するのに対して，引用発明は，このような構成要件を有していない点。
　
《相違点３》
　本願補正発明は，「前記上部電極の上面は，該上部電極の膜厚が中央部で厚くその両側で側面方向に向かって薄くなるように形成されている」のに対して，引用発明は，「上部Ｐｔ電極７４の側面がテーパ面になっている」点。
　
（５）相違点についての検討
（５−１）相違点１について
　　ア　引用例１の特許請求の範囲に，「この半導体基板上に絶縁膜を介して順次積層された下部電極，強誘電体膜，及び上部電極を有する強誘電体キャパシタ」（【請求項１】参照）が記載されているように，半導体基板上に絶縁膜を形成し，その上に，下部電極を形成することは，当該技術分野の周知技術であるから，引用発明には，明示されてはいないものの，引用発明も，通常，基板７１と下部Ｐｔ電極７２との間に絶縁膜を有するものであり，相違点１は，実質的に相違しない。
　　イ　また，仮に，相違点１の点で，相違するとしても，引用例１の特許請求の範囲に，「この半導体基板上に絶縁膜を介して順次積層された下部電極，強誘電体膜，及び上部電極を有する強誘電体キャパシタ」（【請求項１】参照）が記載されているように，半導体基板上に絶縁膜を形成し，その上に，下部電極を形成することは，当該技術分野の周知技術であるから，引用発明において，基板７１と下部Ｐｔ電極７２との間に絶縁膜を設けて，本願補正発明のように，「半導体基板の上方に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜の上に形成された下部電極」を有するようになすことは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（５−２）相違点２について
　　ア　引用発明の「上部Ｐｔ電極７４の側面」の「テーパ面」が始まる部分は，引用例１の図７（ｂ）の記載を参照すると，「上部Ｐｔ電極７４」の中央部との間で，鈍角になっているが，この鈍角になっている部分は，微視的にみると，エッチングの影響により，若干の丸みを帯びていることは，当業者の技術常識である。
　　イ　そして，本願補正発明の「前記上部電極の側壁が曲面を有」することは，曲面であれば，いかなる形状の曲面を有していても良いから，上記アに記載の，微視的にみて，「若干の丸みを帯びていること」も，本願補正発明の「前記上部電極の側壁が曲面を有」することに該当する。
　　ウ　したがって，相違点２は，実質的に相違しない。
　　エ　また，審判請求人は，審判請求書において，「上部電極の側壁が曲面状で側面方向に向かって薄く形成されているため，上部電極を被覆する層間絶縁膜や絶縁保護膜の上部電極の両側での被覆性が優れたものとなります。」と主張しているが，半導体装置の配線等において，導電体層を被覆する層間絶縁膜や絶縁保護膜の被覆性を優れたものとするために，導電体層の側壁を曲面状とすることは，次に示す周知例１〜４に記載されているように，周知技術である。
　　オ　周知例１．特開平９−２９８２０１号公報（図１（ｄ），（ｅ），及び，段落【０００５】，【００１４】〜【００１９】の記載を参照）には，次の記載がある。
・「【０００５】ところが，アルミ配線パターンの上を層間絶縁膜で覆う構造の薄膜トランジスタを形成する場合，アルミ配線パターンの縁部角が直角かまたは鋭角に尖っていると，構造的に縁部で電界集中が起こりやすく，また，縁部での層間絶縁膜の被覆性が悪くなるため，層間絶縁膜の膜厚が局部的に薄くなり，層間ショート等の不良が発生する確率が増加する。そのため，アルミ配線パターン上部の縁部角を丸める必要があった。」
・「【００１９】・・・アルミ配線パターン５に対するエッチング作用が加わるため，図１（ｄ）に示すように，第１の剥離槽７での処理後に残ったレジストパターン４が溶解すると同時に，レジストパターン４とアルミ配線パターン５の縁部との界面から剥離液が染み込み，縁部角がエッチングされて丸まる。そして，第２の剥離槽８でもレジストパターン４は完全には剥離されず，５〜１０ｎｍ程度が残る。最後に，図１（ｅ）に示すように，第３の剥離槽９でレジストパターン４は完全に剥離され，縁部角が丸まった所望のアルミ配線パターン５が完成する。」
　　カ　周知例２．特開平４−２４５６３８号公報（図５，図６，及び，段落【０００１】，【０００３】，【００１１】の記載を参照）には，次の記載がある。
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置，特に半導体集積回路における配線を形成する方法に関するものであり，特に配線の角部を丸めて層間絶縁膜のカバレッジおよびストレスマイグレーション耐性を向上した配線を形成する方法に関するものである。」
・「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の配線形成方法においては，アルミ膜をエッチングする際に角がほぼ直角となるため，配線の上に層間絶縁膜を形成したときに層間絶縁膜のカバレッジが悪くなり，段切れや剥がれが発生し易くなる欠点があった。」
・「【００１１】次に，第２のホトレジスト７をマスクとして第２のアルミ膜６をエッチングによって選択的に除去して図５に示すように第２の配線パターン８を形成する。この第２の配線パターン８は第１の配線パターン５を囲むように形成されている。図４に示すように第２のアルミ膜６は平坦ではなく，第１の配線パターン５に応じて波打ったようになっているため，第２の配線パターン８の角は丸みをおびたものとなる。したがって，その上に形成される層間絶縁膜のカバレッジは良好なものとなるとともにストレスも緩和されることになる。」
　　キ　周知例３．特開平２−１６６７３９号公報（第１図，及び，２頁左上欄９〜１４行，２頁右上欄６〜１２行，２頁左下欄１行〜同頁右下欄２行の記載を参照）には，次の記載がある。
・「上記したように，従来例の配線構造では，層間絶縁膜であるＳｉＯ２膜２３内に空洞が生じている。そのため，上層と下層の配線間の層間絶縁膜の耐圧劣化が生じる。また，配線間にＳｉＯ２膜が入り込みにくくなるため，層間絶縁膜が薄くなり耐圧劣化する部分がある。」（２頁左上欄９〜１４行）
・「本発明は，前記した半導体装置の製造方法により，パターンニング形成されたアルミ配線に，アルゴン衝撃を加え，欠陥を誘発させると同時に，温度を上昇させ，アルミ配線表面を軟化・流動させ，該アルミ配線の角部を丸める。その結果，アルミ配線上に堆積する層間絶縁膜の段差被覆性を改善することができる。」（２頁右上欄６〜１２行）
・「まず，第１図（Ａ）に示すように，半導体基板１１上に，Ａｌ−１％Ｓｉ膜を直流型マグネトロンスパッタ法を用いて，８００ｎｍ堆積後，通常のホトリソグラフィー工程およびドライエッチング工程によって最小配線間隔８００ｎｍとなるようにアルミ配線１２のパターンニングを行った。
　次に，前記半導体基板１１をアルゴン雰囲気中に設置し半導体基板１１に負，対向電極（図示せず）に正の電位を与え，アルゴンガスをイオン化させて，アルミ配線１２へ衝突させる。具体的には，圧力１．０Ｐａ，電力０．５ｗ／ｃｍ２，基板温度３００℃の条件を用いた。この処理によって，同図（Ｂ）に示すように，アルミ配線表面に欠陥を誘発し，加熱することによって，アルミ配線表面を軟化・流動させて，丸みをつけることができる。
　続いて，同図（Ｃ）に示すように，プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜となるＳｉＯ２膜１３を堆積する。この場合，下地となるアルミ配線１２の角部分が丸まっているため，ＳｉＯ２膜１３は，段差被覆性が劣化せず，アルミ配線間に空洞を生じることなく，また，薄い部分も生じることなく形成することができる。」（２頁左下欄１行〜同頁右下欄２行）
　　ク　周知例４．特開昭６４−１５９３３号公報（第５図，及び，２頁右上欄１１行〜同頁左下欄５行，４頁左下欄８行〜同頁右下欄３行の記載を参照）には，次の記載がある。
・「多層回路の製造で問題となつているのは，アルミニウム回路パターン上に析出された二酸化ケイ素層を完全なものとし，断線や，ボイドや薄弱部分，特に導電体の間の位置でこれらを確実に無くすことが求められている点である。この問題は，導電体の間隔が狭くなるにつれて，いつそう厳しくなつてきている。
　この問題は，有角，関根，岡野，堀池らの「Ａｌ　Ｔａｐｅｒｅｄ　Ｅｔｃｈｉｎｇ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ　Ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ　Ｐｒｏｃｅｓｓ」と題し，１９８６年１２月に出版された，ＩＥＥＥの文献の中で認められ，議論されているが，それは，この問題を軽減するためにアルミニウム側壁にテーパーをつけることを示唆するものであつた。」（２頁右上欄１１行〜同頁左下欄５行）
・「注意すべきことは，自然にできた酸化物がエツチングされるとすぐに，塩素類エツチング剤のために，レジストとアルミニウムの間で競争的なエツチングが始まることである。傾斜を与えるのは，アルミニウムの塩素エツチングに対する，レジストの塩素エツチングの比である。
　第５図は第１〜第４図を参照して記述した本発明の操作であるが，第二エツチング工程からＣｌ２をさらに減少させるかあるいは削除した点が相違する。ＢＣｌ３は単独でエツチングのための塩素類を供給するものであり，塩素類の濃度を低下させた効果は，上述した突出部分をなだらかにし，そしてアルミニウム側壁１８を，示したように湾曲したか丸まつた形で終わらせることである。」（４頁左下欄８行〜同頁右下欄３行）
　　ケ　そうすると，本願補正発明が，仮に，相違点２の点で引用発明と相違するとしても，上記エに記載のように，半導体装置の配線等において，導電体層を被覆する層間絶縁膜や絶縁保護膜の被覆性を優れたものとするために，導電体層の側壁を曲面状とすることは，周知技術である。また，引用発明における上部電極においても，引用例１の図１，３，５等からも明らかなように，一般に層間絶縁膜や絶縁保護膜により被覆されることは技術常識であり，その際，配線等と同様に層間絶縁膜や絶縁保護膜を良好に被覆するという課題を有していることは明らかであるから，引用発明の「上部Ｐｔ電極７４の側面がテーパ面になっている」ことに代えて，上記エに記載の周知技術を適用して，本願補正発明のように，「前記上部電極の側壁が曲面を有」するようになすことは，当業者が適宜なし得たことである。
　
（５−３）相違点３について
　　ア　引用発明の「上部Ｐｔ電極７４の側面がテーパ面になっている」ということは，上部Ｐｔ電極７４の中央部は，テーパになっていないことであり，また，引用例１の図７（ｂ）の記載も参照すると，上部Ｐｔ電極７４の厚さは，中央部で厚く，中央部の両側では，中央部に続く部分から外側に向かって徐々に薄くなっているので，本願補正発明の「前記上部電極の上面は，該上部電極の膜厚が中央部で厚くその両側で側面方向に向かって薄くなるように形成されている」ことに相当するから，相違点３は，実質的に相違しない。
　　イ　また，仮に，相違点３の点で，相違するとしても，以下のとおりである。
　引用発明の「上部Ｐｔ電極７４の側面がテーパ面になっている」ということは，上部Ｐｔ電極７４の中央部は，テーパになっていないことであり，また，引用例１の図７（ｂ）の記載も参照すると，上部Ｐｔ電極７４の厚さは，中央部で厚く，中央部の両側では，中央部に続く部分から外側に向かって徐々に薄くなっている。
　また，上記「（５−２）相違点２について」において検討したとおり，引用発明においても，実質的に「前記上部電極の側壁が曲面を有」している，又は，本願補正発明のように，「前記上部電極の側壁が曲面を有」するようになすことは，当業者が適宜なし得たことであるから，引用発明の「上部Ｐｔ電極７４の側面がテーパ面になっている」構成に加えて「前記上部電極の側壁が曲面を有」するように構成すれば，本願補正発明のように，「前記上部電極の上面は，該上部電極の膜厚が中央部で厚くその両側で側面方向に向かって薄くなるように形成されている」ことは，明らかである。
　
（６）したがって，相違点１〜３は，実質的に相違しないか，又は，相違点１〜３に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たものである。
　よって，本願補正発明は，引用例１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し，又は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（７）以上の次第で，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１８年１１月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成１７年１月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。　 
「【請求項１】　半導体基板の上方に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜の上に形成された下部電極と誘電体膜と上部電極を有するキャパシタを備えた半導体装置において，
　前記下部電極と誘電体膜と前記上部電極の各側壁が１つの面上に形成され，前記上部電極の上面は，該上部電極の膜厚が中央部で厚くその両側で側面方向に向かって薄くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。」
 　 
２　引用例１の記載と引用発明
　引用例１の記載と引用発明については，前記第２　３「独立特許要件を満たすかどうかの検討」の（３−１），（３−２）において認定したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明は，前記第２で検討した本願補正発明から実質的に「前記上部電極の側壁が曲面を有」するとの構成を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，前記第２　３で検討したとおり，引用例１に記載された発明であり，又は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用例１に記載された発明であり，又は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　結言 
　以上のとおり，本願発明は，引用例１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し，又は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
 　 
 　よって，結論のとおり審決する。