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【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、Ｃ：０.０１０〜０.１００％、Ｓｉ：１.５０％以下、Ｍｎ：２.００％以下、Ｐ：０.１００％以下、Ｓ：０.０３０％以下、Ｎ：０.００５０％以下、Ｔｉ：０.０５０％以下、Ｂ：０.０００３〜０.０１００％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、下記（１）式によるＬ値が５.５０以上である化学組成を有し、フェライト：１０〜９９体積％、残部がベイナイト、パーライトまたはセメンタイトである金属組織を有する鋼基材の表面に、亜鉛系合金めっき層を有する耐溶融金属脆化割れ性に優れた亜鉛系合金めっき鋼材。
Ｌ値＝｛（Ｔｉ／４８）＋（Ｂ／１１）｝／（Ｎ／１４）  …（１）
【請求項２】
鋼基材は、さらにＣｒ：２.００％以下、Ｎｂ：０.１０％以下、Ｖ：０.５０％以下、Ｍｏ：０.５０％以下、Ｚｒ：０.５０％以下の１種以上を含有する化学組成を有する請求項１に記載の亜鉛系合金めっき鋼材。
【請求項３】
亜鉛系合金めっきがＺｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金めっきである請求項１または２に記載の亜鉛系合金めっき鋼材。
【請求項４】
亜鉛系合金めっき層が、質量％で、Ａｌ：３.０〜２２.０％、Ｍｇ：１.０〜１０.０％を含有し、さらにＴｉ：０.１％以下、Ｂ：０.０５％以下、Ｓｉ：２.０％以下、Ｆｅ：２.０％以下の１種以上を含有し、残部がＺｎおよび不可避的不純物からなるものである請求項１または２に記載の亜鉛系合金めっき鋼材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明では、質量％で、Ｃ：０.０１０〜０.１００％、Ｓｉ：１.５０％以下、Ｍｎ：２.００％以下、Ｐ：０.１００％以下、Ｓ：０.０３０％以下、Ｎ：０.００５０％以下、Ｔｉ：０.０５０％以下、Ｂ：０.０００３〜０.０１００％を含有し、必要に応じてさらに、Ｃｒ：２.００％以下、Ｎｂ：０.１０％以下、Ｖ：０.５０％以下、Ｍｏ：０.５０％以下、Ｚｒ：０.５０％以下の１種以上を含有し、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、下記（１）式によるＬ値が５.５０以上である化学組成を有し、フェライト：１０〜９９体積％、残部がベイナイト、パーライトまたはセメンタイトである金属組織を有する鋼基材の表面に、亜鉛系合金めっき層を有する耐溶融金属脆化割れ性に優れた亜鉛系合金めっき鋼材が提供される。
Ｌ値＝｛（Ｔｉ／４８）＋（Ｂ／１１）｝／（Ｎ／１４）  …（１）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、（１）式の元素記号の箇所には質量％で表される当該元素の含有量の値が代入される。フェライト、パーライト、ベイナイトの各組織中には、上記成分組成を満たす限り微細な析出物や介在物が含まれていて構わない。本明細書において単に「フェライト」と言うときは、パーライトを構成するフェライト相を除くフェライト相を意味する。また、単に「セメンタイト」と言うときは、パーライトを構成するセメンタイト相を除くセメンタイト相を意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
〔鋼基材の金属組織〕
本発明の亜鉛系合金めっき鋼材は、良好な加工性を発揮させ、且つ良好な耐溶融金属脆化割れ性を発揮させるために、鋼基材がフェライトを１０体積％以上含有し、残部にベイナイト、パーライトまたはセメンタイトを有する組織状態に調整されている。フェライトはその軟質な特性により、鋼材に良好な延性（加工性）を付与する役割を担う。また、溶接時には主に軟質なフェライトが変形することによって熱ひずみによる応力が緩和され、溶融金属脆化による割れの発生が抑止される。一方、フェライトに比べで硬質な残部の相は、材料の強度を高める役割を担う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
種々検討の結果、本発明で対象とする上記組成の低炭素鋼においてフェライトによる上記役割を十分に発揮させるためには、１０体積％以上のフェライトが存在している必要がある。４５体積％以上のフェライト量を確保することがより好ましい。金属組織におけるフェライトの残部はベイナイト、パーライトまたはセメンタイトである。これらの高強度化に寄与する組織部分が少なすぎると、用途によっては強度不足となる場合がある。このため、本発明ではフェライト量は９９体積％以下の範囲に制限される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
なお、前述のようにフェライト、ベイナイト、パーライトの内部には、析出物や製鋼段階で生成した介在物が存在し、それらは光学顕微鏡観察によっても観測できる場合がある。本明細書でいうフェライト、ベイナイトおよびパーライトは、析出物（セメンタイトを除く）や介在物を含んだ状態のものを意味する。例えば、「フェライト量が６０体積％」というときは、そのフェライト中に存在する析出物（セメンタイトを除く）や介在物の量と、金属相であるフェライト相自体の量の合計が６０体積％であることを意味する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明対象となる鋼基材の金属組織は、鋼の化学組成と、熱間加工や焼鈍の熱履歴に依存する。本発明で規定するところのフェライト：１０〜９９体積％、残部がベイナイト、パーライトまたはセメンタイトである金属組織を有する鋼材は、例えば鋼板の場合、上述の化学組成に調整した上で、熱間圧延での抽出温度、仕上圧延温度、巻取温度、巻取りまでの冷却速度などを調整することによって得ることができる。冷間圧延する場合は、冷間圧延後の熱処理による組織変化も考慮すればよい。また、溶融めっき時の加熱履歴も考慮に入れるとよい。そのような鋼板製造条件は、一般的な大量生産現場における鋼板製造設備で設定可能な条件範囲内において見出すことができる。具体的には、化学組成に応じて予備実験により製造条件と金属組織の関係を把握しておき、そのデータに基づいて適正な製造条件を設定することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【表３】
2011195845.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明例のものは耐溶融金属脆化割れ性に優れると共に、延性（加工性）にも優れていることがわかる。一方、試料Ｅ１およびＥ２は、フェライト面積率が１０％未満であるため全伸びが低く、加工性に劣る。なお、Ｅ１およびＥ２は、本発明の規定を満たす化学組成を有する鋼基材において、適正条件範囲から外れる製造条件を採用することによってフェライト量を１０体積％未満に調整したものである。本発明例であるＤ２およびＤ３の全伸びはそれぞれ３８％および４２％であるのに対し、マルテンサイトを含むＤ１の全伸びは２１％である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、  Ｃ：0.18〜0.29％、                      Si：１％以下、  Mn：1.5％以下、                        Ｐ：0.1％以下、  Ｓ：0.03％以下、                        sol.Al：0.1％以下、  Ｎ：0.0050％以下を含み、さらに、  Ti：0.002〜0.05％、                     Ｂ：0.0005〜0.0050％を含有し、残部Feおよび不可避的不純物からなる組成と、フェライト相およびパーライトの体積率の合計が組織全体に対する組織分率で95％以上である組織とを有し、前記フェライト相が7.0〜15.0μmの平均結晶粒径と、組織全体に対する体積率で50％以上の組織分率を有することを特徴とする、引張強さが500MPa以下である、冷間加工性と焼入れ性に優れた熱延鋼板。
【請求項２】
前記組成に加えてさらに、質量％で、Nb、Ｖのうちから選ばれた１種または２種を合計で0.1％以下含有することを特徴とする請求項１に記載の熱延鋼板。
【請求項３】
前記組成に加えてさらに、質量％で、Ni、Cr、Moのうちから選ばれた１種または２種以上を合計で1.5％以下含有することを特徴とする請求項１または２に記載の熱延鋼板。
【請求項４】
前記組成に加えてさらに質量％で、Sb、Snのうちから選ばれた１種または２種を合計で0.1％以下含有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の熱延鋼板。
【請求項５】
鋼板の両エッジ端５mmから内側の領域における引張強さの幅方向のばらつきΔTSが60MPa以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の熱延鋼板。
【請求項６】
質量％で、  Ｃ：0.18〜0.29％、                      Si：１％以下、  Mn：1.5％以下、                        Ｐ：0.1％以下、  Ｓ：0.03％以下、                        sol.Al：0.1％以下、  Ｎ：0.0050％以下を含み、さらに、  Ti：0.002〜0.05％、                     Ｂ：0.0005〜0.0050％を含有し、残部Feおよび不可避的不純物からなる組成を有する鋼素材に、仕上圧延終了温度を800〜900℃とする熱間圧延を施し熱延板とし、該熱間圧延終了後、前記熱延板を、20℃／ｓ以下の平均冷却速度で冷却し、巻取温度CT：500℃以上で巻き取る、熱延工程を施すことを特徴とする冷間加工性と焼入れ性に優れた熱延鋼板の製造方法。
【請求項７】
前記組成に加えてさらに、質量％で、Nb、Ｖのうちから選ばれた１種または２種を合計で、0.1％以下含有することを特徴とする請求項６に記載の熱延鋼板の製造方法。
【請求項８】
前記組成に加えてさらに、質量％で、Ni、Cr、Moのうちから選ばれた１種または２種以上を合計で1.5％以下含有することを特徴とする請求項６または７に記載の熱延鋼板の製造方法。
【請求項９】
前記組成に加えてさらに、質量％で、Sb、Snのうちから選ばれた１種または２種を合計で0.1％以下含有することを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の熱延鋼板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式：
【化１】
2011195589.tif 000001
[上式中、
R1は、メチルであり;
R2は、置換または非置換のヘテロアリール基であり;
R5およびR6はそれぞれ独立に、水素であり;
Xは、Oであり;
RBは、1個または複数のハロゲンで置換されていてもよいアルキルであり;
mは、1である] の化合物。
【請求項２】
RBは、1個または複数のハロゲンで置換されていてもよい直鎖または分枝鎖のC1-6アルキルである、請求項1に記載の化合物。
【請求項３】
RBは、メチルである、請求項1または2に記載の化合物。
【請求項４】
RBは、1個または複数のハロゲンで置換されていてもよい直鎖のC1-6アルキルである、請求項1または2に記載の化合物。
【請求項５】
RBは、1個または複数のハロゲンで置換されていてもよいメチルである、請求項4に記載の化合物。
【請求項６】
ハロゲンは、フッ素である、請求項5に記載の化合物。
【請求項７】
RBは、-CF3である、請求項6に記載の化合物。
【請求項８】
R2は、置換のヘテロアリール基である、請求項1から7のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項９】
ヘテロアリールが、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアジアゾリル、オキサジアゾリル、チオフェニル、フラニル、キノリニルおよびイソキノリニルから選択される、請求項8に記載の化合物。
【請求項１０】
ヘテロアリールは、C1-8アルキル基で置換されている、請求項9に記載の化合物。
【請求項１１】
ヘテロアリールは、C1-4アルキル基で置換されている、請求項10に記載の化合物。
【請求項１２】
ヘテロアリールは、メチル基で置換されている、請求項11に記載の化合物。
【請求項１３】
へテロアリール基は、イソオキサゾリルである、請求項8から12のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１４】
R2は、置換イソオキサゾリルであり、RBは、CF3である、請求項1に記載の化合物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）有機溶媒中で、６０モル％を超え８５モル％までのｐ−フェニレンジアミンと１５モル％から４０モル％未満のｍ−フェニレンジアミンとを含有するジアミン成分と、少なくとも１種の芳香族酸二無水物成分とを反応させて、ポリアミド酸ポリマー溶液を形成する工程；
ｂ）十分な時間にわたり前記ポリアミド酸ポリマー溶液を、加熱および攪拌しながら前記溶媒の加熱された溶液に移し、それによって不溶性ポリイミドのスラリーへの反応を完成する工程；および
ｃ）前記ポリイミドスラリーを濾過し、洗浄し、および乾燥して、硬質の芳香族ポリイミド樹脂を形成する工程；
を具える製造方法により得られたことを特徴とする硬質の芳香族ポリイミド。
【請求項２】
工程ａ）は、１．０モル％まで過剰の前記ジアミン成分を反応させる工程をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載の硬質の芳香族ポリイミド。
【請求項３】
工程ｃ）は、１００から２３０℃の温度で前記ポリイミドスラリーを乾燥する工程をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載の硬質の芳香族ポリイミド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の芳香族ポリイミドおよび０．１から８０重量％の少なくとも１種のフィラーをさらに含有することを特徴とする硬質の芳香族ポリイミド組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１種のフィラーは、グラファイト、二硫化モリブデン、カオリナイトクレー、並びにポリテトラフルオロエチレンポリマーおよびコポリマーであることを特徴とする請求項４に記載の芳香族ポリイミド組成物。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬質の芳香族ポリイミドから製造されたことを特徴とする成形品。
【請求項７】
請求項４〜５のいずれか１項に記載の硬質の芳香族ポリイミド組成物から製造されたことを特徴とする成形品。
【請求項８】
繰り返し単位
2009001825.tif 000001
であり、Ｒが６０モル％を超え８５モル％までのｐ−フェニレンジアミン残基(residue)、および１５モル％から４０モル％未満のｍ−フェニレンジアミン残基である繰り返し単位を具えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬質の芳香族ポリイミド。
【請求項９】
請求項８に記載の硬質の芳香族ポリイミドを含有することを特徴とする固体粒子。
【請求項１０】
請求項８に記載の硬質の芳香族ポリイミドおよび０．１から８０重量％の少なくとも１種のフィラーをさらに含有することを特徴とする硬質の芳香族ポリイミド組成物。
【請求項１１】
前記少なくとも１種のフィラーが、グラファイト、二硫化モリブデン、カオリナイトクレー、並びにポリテトラフルオロエチレンポリマーおよびコポリマーであることを特徴とする請求項１０に記載の硬質の芳香族ポリイミド組成物。
【請求項１２】
請求項８に記載の硬質の芳香族ポリイミドから製造されたことを特徴とする成形品。
【請求項１３】
請求項１０〜１１のいずれか１項に記載の硬質の芳香族ポリイミド組成物から製造されたことを特徴とする成形品。
【請求項１４】
酸二無水物成分は３，３'４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物であり、および前記ジアミン成分は７０モル％ｐ−フェニレンジアミンと３０モル％ｍ−フェニレンジアミンとであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬質の芳香族ポリイミド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
実施例１から８および比較例ＡからＤのポリイミド組成物の引張強さおよび伸びを以下の表１に示す。実施例１から８の引張強さは、比較可能なレベルのフィラーで、比較例ＡからＤよりも概して高く、一方、伸びは有用な範囲に留まった。
2009001825.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能回路と、
前記機能回路に第１の電圧を供給する第１の配線と、
前記機能回路に第２の電圧を供給する第２の配線と、を有し、
前記第１の電圧は前記第２の電圧より高く、
前記第１の配線は、第１の方向に延びた第１の部分と、前記第１の方向と交わる第２の方向に前記第１の部分から延びた複数の第２の部分とを有し、
前記第２の配線は、第３の方向に延びた第３の部分と、前記第３の方向と交わる第４の方向に前記第３の部分から延びた複数の第４の部分とを有し、
前記第１の配線と前記第２の配線とは、前記第１の配線の複数の前記第２の部分と前記第２の配線の複数の前記第４の部分とが交互に隣り合うように配置され、
前記第１の配線の複数の前記第２の部分同士は、第３の配線により電気的に接続され、
前記第２の配線の複数の前記第４の部分同士は、第４の配線により電気的に接続され、
前記第３の配線及び前記第４の配線は、第１の配線層でなり、
前記第１の配線及び前記第２の配線は、第２の配線層でなり、
前記第３の配線は前記第３の方向に沿って前記第３の部分と重なり、前記第４の配線は前記第１の方向に沿って前記第１の部分と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
機能回路と、
前記機能回路に第１の電圧を供給する第１の配線と、
前記機能回路に第２の電圧を供給する第２の配線と、を有し、
前記第１の電圧は前記第２の電圧より高く、
前記第１の配線は、第１の方向に延びた第１の部分と、前記第１の方向と交わる第２の方向に前記第１の部分から延びた複数の第２の部分とを有し、
前記第２の配線は、第３の方向に延びた第３の部分と、前記第３の方向と交わる第４の方向に前記第３の部分から延びた複数の第４の部分とを有し、
前記第１の配線と前記第２の配線とは、前記第１の配線の複数の前記第２の部分と前記第２の配線の複数の前記第４の部分とが交互に隣り合うように配置され、
前記第１の配線の複数の前記第２の部分同士は、前記第２の配線の前記第３の部分と交差する第３の配線と、前記第３の部分に沿って前記第３の方向に延びる第４の配線とにより電気的に接続され、
前記第２の配線の複数の前記第４の部分同士は、前記第１の配線の前記第１の部分と交差する第５の配線と、前記第１の部分に沿って前記第１の方向に延びる第６の配線とにより電気的に接続され、
前記第３の配線及び前記第５の配線は、第１の配線層でなり、
前記第４の配線、前記第６の配線、前記第１の配線及び前記第２の配線は、第２の配線層でなり、
前記第４の配線は、前記第２の配線の前記第３の部分に対して複数の前記第４の部分とは逆側に配置され、
前記第６の配線は、前記第１の配線の前記第１の部分に対して複数の前記第２の部分とは逆側に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第３の配線及び前記第４の配線は、前記機能回路が有する薄膜トランジスタのゲート配線と同一層であり、前記ゲート配線は前記第１の配線層でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項３において、
前記第１の配線及び前記第２の配線は、前記機能回路が有する薄膜トランジスタ同士を電気的に接続する配線と同一層であり、前記薄膜トランジスタ同士を電気的に接続する配線は前記第２の配線層でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の配線層は前記第１の配線層の上層に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記機能回路は、中央演算処理装置を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記機能回路は、記憶装置を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記記憶装置は、スタティック型メモリ、ダイナミック型メモリ、または不揮発性メモリであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記機能回路は、画像処理回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記機能回路は、ディジタル信号処理プロセッサを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第３の配線は、前記第１の部分と複数の前記第２の部分とにより櫛状をなし、前記第４の配線は、前記第３の部分と複数の前記第４の部分とにより櫛状をなすことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部電極と、化合物半導体層からなる光電変換層と、化合物半導体層からなるバッファ層と、透光性導電層との積層構造を有する光電変換素子の製造方法において、
前記光電変換層上に前記バッファ層を形成するバッファ層形成工程前に、前記光電変換層を表面に有する前記基板を、４０℃以上１００℃未満の所定温度に調整された、少なくとも１種のＣｄ源と少なくとも１種のアルカリ剤とを含み、かつＳイオン源を含まない、Ｃｄイオン濃度が０．１Ｍ以上、ｐＨ９〜１３の水溶液中に浸漬して、前記光電変換層中にＣｄイオンを拡散させる拡散工程を含むことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【請求項２】
前記水溶液のｐＨを１１．５〜１２．５とすることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項３】
前記Ｃｄ源として、硫酸カドミウム、酢酸カドミウム、硝酸カドミウム、クエン酸カドミウム、およびこれらの水和物からなる群より選ばれた少なくとも１種を用いることを特徴とする請求項１または２記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項４】
前記アルカリ剤として、ＮＨ4＋イオンあるいはＮａ＋イオンの少なくとも１つを含む化合物を用いることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項５】
前記アルカリ剤として、アンモニアまたは水酸化ナトリウムの少なくとも１つを用いることを特徴とする請求項４記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項６】
前記バッファ層をＣＢＤ法により形成することを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項７】
前記拡散工程の前または後に、前記光電変換層の表面の不純物除去を行う表面処理工程を含むことを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項８】
前記光電変換層の主成分が、少なくとも１種のカルコパイライト構造の化合物半導体であることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項９】
前記光電変換層の主成分が、
ＣｕおよびＡｇからなる群より選択された少なくとも１種のIｂ族元素と、
Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群より選択された少なくとも１種のIIIｂ族元素と、
Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅからなる群から選択された少なくとも１種のVIｂ族元素とからなる少なくとも１種の化合物半導体であることを特徴とする請求項８に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１０】
前記基板として、
Ａｌを主成分とするＡｌ基材の少なくとも一方の面側にＡｌ２Ｏ３を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、
Ｆｅを主成分とするＦｅ材の少なくとも一方の面側にＡｌを主成分とするＡｌ材が複合された複合基材の少なくとも一方の面側にＡｌ２Ｏ３を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、
および、Ｆｅを主成分とするＦｅ材の少なくとも一方の面側にＡｌを主成分とするＡｌ膜が成膜された基材の少なくとも一方の面側にＡｌ２Ｏ３を主成分とする陽極酸化膜が形成された陽極酸化基板、
からなる群より選ばれた陽極酸化基板を用いることを特徴とする請求項１から９いずれか１項記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１１】
前記基板として可撓性を有する基板を用い、
前記拡散工程および／または前記バッファ層形成工程をロール・トウ・ロール方式で行うことを特徴とする請求項１から１０いずれか１項記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１２】
基板上に、下部電極と、化合物半導体層からなる光電変換層と、化合物半導体層からなるバッファ層と、透光性導電層との積層構造を有する光電変換素子であって、
前記光電変換層の主成分が、少なくとも１種のカルコパイライト構造の化合物半導体であり、
前記光電変換層が膜厚方向の全域に亘ってＣｄを含むものであり、該膜厚方向におけるＣｄ濃度が、前記バッファ層側から前記下部電極側に向けて低くなっていることを特徴とする光電変換素子。
【請求項１３】
前記光電変換層において、前記下部電極側の界面における前記Ｃｄ濃度が０．０１ｍｏｌ％以上であることを特徴とする請求項１２記載の光電変換素子。
【請求項１４】
前記光電変換層がＮａを含有するものであることを特徴とする請求項１２または１３記載の光電変換素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図２は、製造装置の概略構成を示すものである。製造装置は、表面処理工程用の反応槽１１０、拡散工程用の反応槽１２０、析出工程用の反応槽１３０、各工程後に、基板の洗浄および乾燥を行うために、各反応槽１１０、１２０、１３０の下流にそれぞれ配置された水シャワー１１１、１２１、１３１および熱風ドライヤー１１２、１２２、１３２を備えている。また、ロール・トウ・ロール方式による製造を行うために、表面処理工程用の反応槽１１０の上流側に配置された、基板を供給する巻出しロール１０１、析出工程用の反応槽１３０の下流側に配置された、バッファ成膜後の基板を巻き取る巻取りロール１０２、巻出しロール１０１から供給される基板を表面処理、拡散、析出の各工程に順次導くための複数のガイドロール１０３、および基板の各処理領域を反応槽中に浸漬させるために反応槽１１０、１２０、１３０中に配置されたドラム１０５、１０６、１０７を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
図１に示した光電変換素子と同様の層構成の素子を、実施例１〜５および比較例１〜５の方法により作製し、その光電変換率について評価した。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性で筒状の絶縁枠と、前記絶縁枠の内部に形成された固体電解質層と、少なくとも前記固体電解質層の一方の面に積層され、前記絶縁枠の内部に形成される電極層と、前記電極層に積層され、前記絶縁枠によって保持されている集電部材と、を備える固体リチウム二次電池であって、
前記集電部材は、少なくともその一部が前記絶縁枠内になるように配置され、
前記絶縁枠と、前記集電部材の外周側面との間に、該集電部材に接する電極層の材料である粉体が充填されていることを特徴とする固体リチウム二次電池。
【請求項２】
前記電極層は、前記絶縁枠の内部において前記固体電解質層の一方に積層され、粉体を圧縮して形成される正極層と、前記絶縁枠の内部において前記固体電解質層の他方に積層され、粉体を圧縮して形成される負極層と、を含み、
前記集電部材は、前記正極層に積層され、前記絶縁枠によって保持される正極集電部材と、前記負極層に積層され、前記絶縁枠によって保持される負極集電部材と、を含む請求項１に記載の固体リチウム二次電池。
【請求項３】
前記集電部材の外径は、前記絶縁枠の内径よりも２００から１２００マイクロメートルの範囲で小さいことを特徴とする、請求項１または２に記載の固体リチウム二次電池。
【請求項４】
電気絶縁性で筒状の絶縁枠と、前記絶縁枠の内部に形成された固体電解質層と、少なくとも前記固体電解質層の一方の面に積層され、電極層の材料である粉体をプレスすることで前記絶縁枠の内部に形成される電極層と、前記電極層に積層され、少なくとも一部が前記絶縁枠の内部に配置される集電部材と、を備える固体リチウム二次電池の製造方法であって、
前記集電部材に力を加えることで前記電極層の材料をプレスする工程であって、該プレスの際に、前記集電部材が、前記固体電解質層の方へ前記絶縁枠の内部を移動するようにプレスすることで、絶縁枠内に固定される、前記工程を含み、
該プレスの際に、前記電極層の材料である粉体の層が塑性変形をすることで、該電極層の材料が前記集電部材の外周と前記絶縁枠との間に入り込む、前記固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項５】
電気絶縁性で筒状の絶縁枠の中に、電極層の材料である粉体と、固体電解質層の材料である粉体と、を入れて仮プレスをし、電極層と固体電解質層の積層構造からなる電解質電極積層体を作成する工程と、
集電部材の少なくとも一部が前記絶縁枠内に配置されるように、前記電解質電極積層体に前記集電部材を積層する工程と、
前記集電部材が、前記固体電解質層の方へ前記絶縁枠の内部を移動するようにプレスすることで、絶縁枠内に固定され、かつ、前記集電部材を積層した電解質電極積層体を本プレスする工程と、を含み、
該本プレスの際に、前記電極層が塑性変形をすることで、該電極層の材料が前記集電部材の外周と前記絶縁枠との間に入り込む、固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項６】
前記集電部材が前記絶縁枠に対して移動する距離は、前記集電部材の厚さの５分の１以上、前記集電部材の厚さ以下であることを特徴とする、請求項４または５に記載の固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項７】
前記電極層は、前記絶縁枠の内部において前記固体電解質層の一方に形成される正極層と、前記絶縁枠の内部において前記固体電解質層の他方に形成される負極層と、を含み、
前記集電部材は、前記正極層に積層され、前記絶縁枠によって保持される正極集電部材と、前記負極層に積層され、前記絶縁枠によって保持される負極集電部材と、を含む、請求項４〜６のいずれか１項に記載の固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項８】
前記集電部材の外径は、前記絶縁枠の内径よりも２００から１２００マイクロメートルの範囲で小さいことを特徴とする、請求項４〜７のいずれか１項に記載の固体リチウム二次電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月24日(2012.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図５は、強度変調制御部１４を図４に示す一点鎖線で切断したときの断面の概略を示す断面図である。上方のオープンスタブ３２は、第４の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブを示し、下方のオープンスタブ３２は、第６の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブを示している。同図からもわかるように、上方のオープンスタブ３２は、第３の配線層である配線層３４ａ（第１の接地導体層）と、第５の配線層である配線層３４ｂ（第２の接地導体層）と、の間の配線層（すなわち、第４の配線層）に設けられている。また、下方のオープンスタブ３２は、第５の配線層である配線層３４ｂ（第１の接地導体層）と、第７の配線層である配線層３４ｃ（第２の接地導体層）と、の間の配線層（すなわち、第６の配線層）に設けられている。上述のように、両オープンスタブ３２は、接地されている配線層３４ａ〜３４ｅと、開口部３０により隔てられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なお、ここでは、バイアホール３１の半径を０．１５ミリメートルとしている。また、配線層３４ａと上方のオープンスタブ３２との距離、上方のオープンスタブ３２と配線層３４ｂとの距離、配線層３４ｂと下方のオープンスタブ３２との距離、及び下方のオープンスタブ３２と配線層３４ｃとの距離を、それぞれ０．１ミリメートルとしている。また、誘電体として比誘電率が３．９６の材料を用いている。また、オープンスタブ３２の長さＲ（図５参照）を、１．７５ミリメートルとしている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る音響警報装置は、前記圧電ブザー鳴動回路及び前記コンデンサへ供給する電流を制限する電流制限回路を備えたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
制御回路３１は、火災受信機ＦＡから音響鳴動の制御信号を受信すると、所定の周波数でトランジスタ３５をオン／オフさせて、コイル３３に所定の周波数で電圧を印加する。そして、トランジスタ３５をオフしたときにコイル３３に発生した昇圧電圧を圧電ブザー３２に印加することにより、圧電ブザー３２を鳴動させる。
ここで、最大音圧を得ることのできる圧電ブザー３２の駆動周波数は、各個体でばらつきがある。圧電ブザー３２の個体毎の特性に合わせて駆動周波数を調整すれば、それぞれの圧電ブザー３２が最大音圧で鳴動することができるが、個体ごとに調整するには手間がかかり、多大なコストがかかる。また、設置箇所の温度条件等によっても、最大音圧を得ることのできる圧電ブザー３２の駆動周波数が変化しうるので、たとえ調整したとしても最大音圧を得られるとは限らない。
このため、制御回路３１は、トランジスタ３５をオン／オフさせる周波数、すなわち、圧電ブザー３２に印加する電圧の周波数を所定の範囲でスイープさせる。例えば、２．５ｋＨｚ、２．６ｋＨｚ、２．７ｋＨｚ、・・・、３．５ｋＨｚ、のように、０．１ｋＨｚ刻みで１０ｍｓｅｃずつ電圧を印加し、その周波数で圧電ブザー３２を鳴動させる。このように、印加する電圧の周波数を所定の範囲でスイープさせることで、いずれかのタイミングで最も大きい音圧レベルで音響鳴動させることができる。なお、トランジスタ３５は、電流制限手段３４のオン／オフするスイッチとして動作するとともに、電流制限手段３４の構成部品としても兼用されているため、部品点数を削減することができ、コストにおいて優れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
上述したように、本実施の形態１に係る音響警報装置Ｃ１１によれば、電流制限手段３４によりコイル３３に流れる電流を制限することができる。また、コンデンサ２３により、圧電ブザー鳴動回路３０が消費する電流のピークを抑えて平均化することができる。さらに、電流制限回路２２より、圧電ブザー鳴動回路３０に流れる電流を制限することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
このように、本実施の形態２に係る音響警報装置によれば、コイル３３に印加する電圧のデューティ比を変化させるようにした。このため、圧電ブザー３２の音圧レベル上昇に寄与しない電流が流れるのを抑制することができるので、消費電力を低減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電ブザー、
前記圧電ブザーに並列に接続されたコイル、
前記圧電ブザーと前記コイルへの通電時間を調整するスイッチング手段、
及び、周波数を変化させて前記スイッチング手段のオン／オフ動作を制御する制御手段を備えた圧電ブザー鳴動回路と、
前記圧電ブザー鳴動回路に並列に接続されたコンデンサと、を備えた
ことを特徴とする音響警報装置。
【請求項２】
前記圧電ブザー鳴動回路及び前記コンデンサへ供給する電流を制限する電流制限回路を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の音響警報装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記スイッチング手段のデューティー比を変化させる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の音響警報装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記コイルへの通電時間が一定となるようにデューティー比を変化させる
ことを特徴とする請求項３記載の音響警報装置。
【請求項５】
火災受信機と、
前記火災受信機に信号授受の経路となる信号線で接続される請求項１〜請求項４のいずれか記載の音響警報装置と、を備え、
前記音響警報装置は、前記火災受信機から送信される制御信号に基づいて音響鳴動する
ことを特徴とする火災報知設備。
【請求項６】
火災受信機と、
前記火災受信機に信号授受の経路となる信号線で接続される請求項１〜請求項４のいずれか記載の複数の音響警報装置と、を備え、
前記複数の音響警報装置は、前記火災受信機から送信される制御信号に基づいて、前記複数の音響装置間で同期して断続的に音響鳴動する
ことを特徴とする火災報知設備。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011159005.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体に登録されるデータについて、フォルダを用いてデータ管理を実現するデータ管理方法において、
入力部が、前記データに対する改訂処理を受付け、
処理部が、
前記受け付けた改訂処理に応じた前記記憶媒体での登録状況の変化内容を検知し、
検知された変化内容に対応する前記データについての処理内容を特定し、
特定された前記処理内容に従って、前記データおよび当該データの登録されたフォルダに関連するデータに対する記憶媒体への登録を制御することを特徴とするデータ管理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のデータ管理方法において、
前記処理部は、前記改訂処理が削除処理である場合、削除対象のデータが存在するフォルダが削除可能かを判断し、
削除可能な場合、当該関連フォルダを削除することを特徴とするデータ管理方法。
【請求項３】
請求項２に記載のデータ管理方法において、
前記削除対象のデータが存在するフォルダが削除可能かの判断は、前記削除対象のデータが存在するフォルダの削除可否を示す属性情報が削除可能を示し、かつ、前記フォルダ内に他のデータまたはフォルダが存在しない場合に、前記フォルダを削除可能と判断することを特徴とするデータ管理方法。
【請求項４】
請求項３に記載のデータ管理方法において、
前記処理部は、前記フォルダを削除する場合、前記フォルダが存在する上位フォルダについて、当該上位フォルダの削除可否を示す属性情報が削除可能を示し、かつ、前記上位フォルダ内に他のデータまたはフォルダが存在しない場合に、前記上位フォルダを削除可能と判断し、削除することを特徴とするデータ管理方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のデータ管理方法において、
前記改訂処理の結果、前記データについて１つの資料区分に対して複数のフォルダが存在する場合、前記処理部は、そのそれぞれのフォルダに登録を行うことを特徴とするデータ管理方法。
【請求項６】
請求項１に記載のデータ管理方法において、
前記改訂処理が前記データを修正する場合、
前記入力部は、修正前のデータを残さない旨を利用者から受け付け、
前記処理部は、当該受け付けに応じて、前記修正前のデータを前記記憶媒体から削除してから、修正後のデータを前記記憶媒体に登録することを特徴とするデータ管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性支持体上に表面抵抗率に寄与する金属細線からなるメッシュパターンと、該金属細線よりも電気抵抗が大きく実質的に表面抵抗率に寄与しない細線とで構成されるパターンを有する透明導電性材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のホスト装置から所定のインタフェースバスを介してアクセス可能なストレージ装置におけるインタフェースコントローラであって、
前記インタフェースコントローラが前記複数のホスト装置のうちの第１のホスト装置と接続された第１の時点からの経過時間を計測し、前記計測された経過時間と第１のタイムアウト値とに基づいて第１のタイムアウトを検出する第１のタイマと、
前記第１の時点の後で且つ前記第１のタイムアウトの検出前に前記第１のホスト装置からの最初のフレームが受信された第２の時点における前記計測された経過時間を示す値をモニタ結果として取得するモニタ結果取得手段と、
前記取得されたモニタ結果を保持するモニタ結果保持手段と、
前記モニタ結果保持手段に保持されている少なくとも１つのモニタ結果に基づいて、前記第１のタイムアウト値を調整する調整手段と
を具備するインタフェースコントローラ。
【請求項２】
前記少なくとも１つのモニタ結果は、前記インタフェースコントローラが前記第１のホスト装置と複数回接続された後に前記モニタ結果保持手段に保持されている複数のモニタ結果であり、
前記調整手段は、前記複数のモニタ結果に基づいて前記複数のモニタ結果の傾向を検出し、前記検出された傾向に基づいて、前記第１のタイムアウト値を調整する
請求項１記載のインタフェースコントローラ。
【請求項３】
前記調整手段は、前記複数のモニタ結果の最大の値を前記検出された傾向を表す値として取得し、前記第１のタイムアウト値を前記取得された最大の値に変更する請求項２記載のインタフェースコントローラ。
【請求項４】
前記調整手段は、前記複数のモニタ結果の平均値を前記検出された傾向を表す値として取得し、前記第１のタイムアウト値を前記取得された平均値に変更する請求項２記載のインタフェースコントローラ。
【請求項５】
前記少なくとも１つのモニタ結果は最新のモニタ結果であり、
前記調整手段は、前記第１のタイムアウト値と前記最新のモニタ結果との平均値を計算し、且つ前記第１タイムアウト値を前記計算された平均値に変更する請求項１記載のインタフェースコントローラ。
【請求項６】
前記少なくとも１つのモニタ結果は最新のモニタ結果であり、
前記調整手段は、前記最新のモニタ結果が取得された場合、前記第１のタイムアウト値を所定の値だけ減じる請求項１記載のインタフェースコントローラ。
【請求項７】
前記複数のホスト装置の各々に対応付けてタイムアウト値を保持するタイムアウト値保持手段をさらに具備し、
前記第１のタイマは、前記インタフェースコントローラが前記第１のホスト装置と接続された場合、前記第１のホスト装置に対応付けて前記タイムアウト値保持手段に保持されているタイムアウト値を前記第１のタイムアウト値として使用し、
前記調整手段は、前記第１タイムアウト値として使用された前記タイムアウト値保持手段に保持されているタイムアウト値を調整する
請求項１記載のインタフェースコントローラ。
【請求項８】
前記第１の時点からの経過時間を計測し、前記計測された経過時間と前記第１のタイムアウト値よりも大きい第２のタイムアウトとに基づいて第２のタイムアウトを検出する第２のタイマと、
前記第１のタイムアウトまたは前記第２のタイムアウトの検出に応じて前記第１のホスト装置と前記インタフェースコントローラとの接続を切断する接続切断手段と
をさらに具備する請求項１記載のインタフェースコントローラ。
【請求項９】
記憶手段と、
複数のホスト装置のうちの第１のホスト装置が所定のインタフェースバスを介して前記記憶手段にアクセスするために、前記第１のホスト装置によって送られる接続要求に応じて、前記第１のホスト装置との接続を制御するインタフェースコントローラとを具備し、
前記インタフェースコントローラは、
前記インタフェースコントローラが前記第１のホスト装置と接続された第１の時点からの経過時間を計測し、前記計測された経過時間と第１のタイムアウト値とに基づいて第１のタイムアウトを検出する第１のタイマと、
前記第１の時点の後で且つ前記第１のタイムアウトの検出前に前記第１のホスト装置からの最初のフレームが受信された第２の時点における前記計測された経過時間を示す値をモニタ結果として取得するモニタ結果取得手段と、
前記取得されたモニタ結果を保持するモニタ結果保持手段と、
前記モニタ結果保持手段に保持されている少なくとも１つのモニタ結果に基づいて、前記第１のタイムアウト値を調整する調整手段とを具備する
ストレージ装置。
【請求項１０】
複数のホスト装置から所定のインタフェースバスを介してアクセス可能なストレージ装置におけるタイムアウト値調整方法であって、
前記ストレージ装置と前記複数のホスト装置のうちの第１のホスト装置とが接続された第１の時点からの経過時間を計測し、
前記第１の時点から第１のタイムアウト値の示す時間が経過するまでに前記第１のホスト装置からの最初のフレームが受信されなかった場合、第１のタイムアウトを検出し、
前記第１の時点から前記第１のタイムアウト値の示す時間が経過する前の第２の時点に前記第１のホスト装置からの最初のフレームが受信された場合、前記第２の時点における前記計測された経過時間を示す値をモニタ結果として取得し、
前記取得されたモニタ結果をモニタ結果保持手段に保持し、
前記モニタ結果保持手段に保持されている少なくとも１つのモニタ結果に基づいて、前記第１のタイムアウト値を調整する
タイムアウト値調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012128560.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2012128560.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2012128560.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
番組を特定するための番組特定情報と、前記番組の実データを可搬型記録媒体に記録させたか否かを示す転送有無情報と、前記番組の実データを記録させた可搬型記録媒体を特定するための可搬型記録媒体特定情報とを少なくとも含むライブラリ管理情報を記録する記録部と、
前記実データを可搬型記録媒体に記録させる制御手段と、
前記実データが可搬型記録媒体に記録されると、その実データに対応する前記ライブラリ管理情報における前記転送有無情報及び前記可搬型記録媒体特定情報を更新する更新手段と
実データを記録させた可搬型記録媒体を特定可能に、前記番組特定情報を表示部に表示させる表示制御手段と
を備えることを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項２】
前記ライブラリ管理情報は、前記実データが前記記録部に記録されているか否かを示す実データ有無情報を含み、
前記更新手段は、実データが前記記録部から削除されると、その実データに対応する前記ライブラリ管理情報における前記実データ有無情報を更新することを特徴とする請求項１記載の情報記録再生装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記ライブラリ管理情報に基づいて、前記実データが前記記録部に記録されているか否かを識別可能に、前記番組特定情報を表示部に表示させることを特徴とする請求項２記載の情報記録再生装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、可搬型記録媒体のＩＤ番号を表示することで、実データを記録させた可搬型記録媒体を特定可能に、前記番組特定情報を表示部に表示させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報記録再生装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、番組の実データを可搬型記録媒体に記録させた番組に対応する番組特定情報と、番組の実データを可搬型記録媒体に記録させていない番組に対応する番組特定情報とを含む複数の番組特定情報の一覧を、実データを可搬型記録媒体に記録させたか否かを識別可能に表示部に表示させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の情報記録再生装置。
【請求項６】
前記番組特定情報は、番組名に関する情報、及び、番組のサムネイル画像に関する情報のうちの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の情報記録再生装置。
【請求項７】
番組を特定するための番組特定情報と、前記番組の実データを可搬型記録媒体に記録させたか否かを示す転送有無情報と、前記番組の実データを記録させた可搬型記録媒体を特定するための可搬型記録媒体特定情報とを少なくとも含むライブラリ管理情報を記録する記録部を用いた情報記録再生方法において、
前記実データを可搬型記録媒体に記録させる制御ステップと、
前記実データが可搬型記録媒体に記録されると、その実データに対応する前記ライブラリ管理情報における前記転送有無情報及び前記可搬型記録媒体特定情報を更新する更新ステップと
実データを記録させた可搬型記録媒体を特定可能に、前記番組特定情報を表示部に表示させる表示制御ステップと
を有することを特徴とする情報記録再生方法。
【請求項８】
番組を特定するための番組特定情報と、前記番組の実データを可搬型記録媒体に記録させたか否かを示す転送有無情報と、前記番組の実データを記録させた可搬型記録媒体を特定するための可搬型記録媒体特定情報とを少なくとも含むライブラリ管理情報を記録する記録部を有する情報記録再生装置のコンピュータに、
前記実データを可搬型記録媒体に記録させる制御ステップと、
前記実データが可搬型記録媒体に記録されると、その実データに対応する前記ライブラリ管理情報における前記転送有無情報及び前記可搬型記録媒体特定情報を更新する更新ステップと
実データを記録させた可搬型記録媒体を特定可能に、前記番組特定情報を表示部に表示させる表示制御ステップと
を実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
番組を特定するための番組特定情報と、前記番組の実データを可搬型記録媒体に記録させたか否かを示す転送有無情報と、前記番組の実データを記録させた可搬型記録媒体を特定するための可搬型記録媒体特定情報とを少なくとも含むライブラリ管理情報を記録する記録部と、前記実データを可搬型記録媒体に記録させる制御手段と、前記実データが可搬型記録媒体に記録されると、その実データに対応する前記ライブラリ管理情報における前記転送有無情報及び前記可搬型記録媒体特定情報を更新する更新手段と実データを記録させた可搬型記録媒体を特定可能に、前記番組特定情報を表示部に表示させる表示制御手段とを備えることを特徴とする情報記録再生装置。
番組を特定するための番組特定情報と、前記番組の実データを可搬型記録媒体に記録させたか否かを示す転送有無情報と、前記番組の実データを記録させた可搬型記録媒体を特定するための可搬型記録媒体特定情報とを少なくとも含むライブラリ管理情報を記録する記録部を用いた情報記録再生方法において、前記実データを可搬型記録媒体に記録させる制御ステップと、前記実データが可搬型記録媒体に記録されると、その実データに対応する前記ライブラリ管理情報における前記転送有無情報及び前記可搬型記録媒体特定情報を更新する更新ステップと実データを記録させた可搬型記録媒体を特定可能に、前記番組特定情報を表示部に表示させる表示制御ステップとを有することを特徴とする情報記録再生方法。
番組を特定するための番組特定情報と、前記番組の実データを可搬型記録媒体に記録させたか否かを示す転送有無情報と、前記番組の実データを記録させた可搬型記録媒体を特定するための可搬型記録媒体特定情報とを少なくとも含むライブラリ管理情報を記録する記録部を有する情報記録再生装置のコンピュータに、前記実データを可搬型記録媒体に記録させる制御ステップと、前記実データが可搬型記録媒体に記録されると、その実データに対応する前記ライブラリ管理情報における前記転送有無情報及び前記可搬型記録媒体特定情報を更新する更新ステップと実データを記録させた可搬型記録媒体を特定可能に、前記番組特定情報を表示部に表示させる表示制御ステップとを実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月1日(2012.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともにその誘電体層上に保護層を形成した前面板と、
この前面板に放電空間を形成するように対向配置され、かつ前記表示電極と交差する方向にアドレス電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた背面板と、
を有し、
前記前面板の保護層は、前記誘電体層上に形成した下地膜と、この下地膜上全面に亘って分布するように付着させた凝集粒子とを有し、
この凝集粒子は、金属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子であって、真空紫外線励起によって波長２００ｎｍ〜３００ｎｍの領域に発光を有し、前記発光の強度が５０％に減衰するまでの時間τ０．５がτ０．５≧６０ｍｓである、
プラズマディスプレイパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明のＰＤＰは、基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともにその誘電体層上に保護層を形成した前面板と、この前面板に放電空間を形成するように対向配置され、かつ前記表示電極と交差する方向にアドレス電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた背面板と、を有し、前記前面板の保護層は、前記誘電体層上に形成した下地膜と、この下地膜上全面に亘って分布するように付着させた凝集粒子とを有し、この凝集粒子は、金属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子であって、真空紫外線励起によって波長２００ｎｍ〜３００ｎｍの領域に発光を有し、前記発光の強度が５０％に減衰するまでの時間τ０．５がτ０．５≧６０ｍｓである、というものである。