【事件の表示】
　特願２００３−５８０４４０「半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　９日国際公開、ＷＯ０３／８３００２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は、平成１５年３月２６日（優先権主張平成１４年３月２８日、日本国）を国際出願日とする特許出願であって、同１９年９月１９日付けで拒絶の理由が通知され、同１９年１１月２６日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに同１９年１２月１２日に手続補正書が提出されたが、同２０年５月２日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同２０年６月１２日に本件審判の請求がされ、同２０年７月１４日に明細書を補正対象書類とする手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、補正前後の請求項１の記載を、補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
(１)　補正前の請求項１
「融点が少なくとも２００℃、厚みが１０〜２００μｍである基材フィルムの表裏両面に１５０℃における貯蔵弾性率が１×１０５Ｐａ以上、１×１０７Ｐａ以下、厚みが３〜１００μｍであり、且つ、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が５〜５００ｇ／２５ｍｍの範囲にある粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。」
(２)　補正後の請求項１
「融点が少なくとも２００℃、厚みが１０〜２００μｍである基材フィルムの表裏両面に１５０℃における貯蔵弾性率が１×１０５Ｐａ以上、１×１０７Ｐａ以下、厚みが３〜１００μｍであり、且つ、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が５〜５００ｇ／２５ｍｍの範囲にある粘着剤層が形成された半導体ウェハ
の回路非形成面の加工工程におけるプラズマエッチング工程用
２　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムが半導体ウェハの回路非形成面の加工工程におけるプラズマエッチング工程用のものであるという限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
(１)　補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書の記載からみて、上記１の(２)の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
(２)　引用例記載事項
　この出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−７５９４２号公報（以下「引用例１」という。）及び特開２００２−５３８１９号公報（以下「引用例２」という。）には、以下のとおり記載されている。
ア　引用例１
(ア)　１欄２−１２行
「【請求項１】　回路が形成された半導体ウエハの表面を半導体ウエハ保護用粘着フィルムの粘着剤面に固定し、それらをリング状のフレームにマウントする工程、及び、半導体ウエハをフレームにマウントした状態で裏面加工する工程を含む半導体ウエハの裏面加工方法であって、半導体ウエハ保護用粘着フィルムとして、少なくとも一層が融点が２００℃以上の樹脂から形成された基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを用い、且つ、半導体ウエハの厚みを１００μｍ以下に裏面加工することを特徴とする半導体ウエハの裏面加工方法。」
(イ)　１欄３１−３６行　
「【従来の技術】通常、半導体チップは、回路が形成された半導体ウエハの表面に半導体ウエハ保護用粘着フィルムを貼着する工程、半導体ウエハの裏面を研削する工程、半導体ウエハ保護用粘着フィルムを剥離する工程を経た後、半導体ウエハをダイシングすることにより製造される。」
(ウ)　２欄１９−２９行　
「【０００６】これらの裏面研削後の工程での問題は、工程数が増加するだけではなく、何れの工程においてもウエハが高温にさらされることが特徴である。特に、プラズマエッチング、金属膜の付設工程では、反応熱により、１５０℃程度となる。また、接着シートの貼り合せ工程では、接着シートとウエハ裏面を充分に接着するために１５０℃程度までウエハを加熱する必要がある。従って、厚みが１００μｍ以下の半導体ウエハを保護用粘着フィルムの粘着剤面に固定し、リング状のフレームにマウントした状態で裏面加工する場合には、１５０℃程度の高温に対応する必要がある。」
(エ)　５欄１７−２４行　
「【００１９】本発明に用いる半導体ウエハ保護用粘着フィルムの粘着力は、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力に換算すると５〜４００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは１０〜３００ｇ／２５ｍｍである。本発明に係わる半導体ウエハ保護用粘着フィルムに使用する剥離フィルムとして、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げられる。必要に応じてその表面にシリコーン処理等が施されたものが好ましい。」
(オ)　６欄１５−２１行
「【００２４】本発明においては、裏面研削工程終了後、さらに薄層化するために、半導体ウエハを引き続きフレームにマウントした状態でエッチング加工を実施する。エッチング加工は、ウエットエッチングとプラズマエッチングの方式があり、単独、或いは両方式共に実施する場合がある。この工程において、ウエハは厚み１００μｍ以下まで薄層化される。」
(カ)　６欄３０−３８行
「プラズマエッチングは、ＣＦ４等のプラズマにより薄層化する方式が採用される。この場合、発熱により、ウエハの温度は１５０℃程度まで上昇することがある。
【００２６】本発明では、少なくとも一層が融点が２００℃以上の樹脂から形成された基材フィルムを用いることにより、これらエッチング加工における発熱に充分耐えることができ、フレームにマウントした状態を維持することができる。」
(キ)　７欄３６−３９行
「【００３４】実施例１
基材フィルムとして、厚さ１００μｍの片面コロナ処理した２軸延伸のポリエチレンナフタレート（融点：２６９℃）フィルムを用いた。」
(ク)　８欄１５−２４行
「【００３７】〔半導体ウエハ保護用粘着フィルムの作製〕得られた粘着剤塗布液をロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で１分間乾燥し厚さ４０μｍの粘着剤層を設けた。得られた粘着剤層を基材フィルムのコロナ処理面を粘着剤層と貼り合わせ押圧して転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより半導体ウエハ保護用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１７０ｇ／２５ｍｍであった。」
　上記摘記事項より、引用例１には、次の事項が記載されていると認める。
「融点が２６９℃、厚みが１００μｍであるポリエチレンナフタレートフィルムの片表面に厚みが４０μｍであり、且つ、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が１７０ｇ／２５ｍｍである粘着剤層が形成された、１５０℃程度の高温に対応する半導体ウエハ裏面加工工程におけるプラズマエッチング工程用表面保護用粘着フィルム。」（以下「引用例１記載の発明」という。）
イ　引用例２
(ア)　１欄２−１０行
「【請求項１】　半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムの片表面に放射線硬化型粘着剤層（Ａ）、該放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の表面に、架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー１００重量部、及び、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１〜３０重量部を含み、５０℃における貯蔵弾性率が７×１０４〜１×１０８Ｐａである粘着剤層（Ｂ）が設けられたことを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。」
(イ)　３欄４７行−４欄１０行
「【００１１】このような状況の中で、従来より、半導体ウエハ保護用粘着フィルムには、ウエハ裏面の研削加工、薬液処理等の際にはウエハ表面の凹凸によく密着して研削水や薬液等の浸入を防止する「凹凸への高密着性」、ウエハ表面から粘着フィルムを剥離する際には低い粘着力で剥離でき、ウエハを破損したり作業性を悪化させたりすることのない「剥離時の易剥離性」、そして、剥離後のウエハ表面に糊残りによる汚染が残留することのない「低汚染性」の３つの性能を併せ持つことが要求されていた。そして、前述のように近年その要求レベルは益々厳しくなっており、今後もさらに厳しくなっていくと予想される。その為、上記の要求に対して高いレベルで対応することのできる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが求められている。」
(ウ)　９欄２１−３３行
「【００３９】本発明において、架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー１００重量部、及び、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１〜３０重量部を含み、５０℃における貯蔵弾性率が７×１０４〜１×１０８Ｐａである粘着剤層（Ｂ）〔以下、単に粘着剤層（Ｂ）という〕が、上記粘着剤層（Ａ）の表面に形成される。
【００４０】粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾性率が低くなると、粘着フィルムを剥離した後のウエハ表面に汚染を生じることがある。粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾性率が高くなると、ウエハ表面に対する密着性が低下し、研削水や薬液が浸入することがある。かかる観点から、上記範囲の貯蔵弾性率を有するものが好ましい。」
(エ)　１５欄２７−２８行
「薬液処理のことを、通常、ケミカルエッチングと称する。」
　上記摘記事項より、引用例２には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムにおいて、粘着フィルム剥離後の糊残りによるウエハ表面の汚染、研削加工時の研削水の浸入及びケミカルエッチング時の薬液の浸入を防止する観点から５０℃における粘着剤層の貯蔵弾性率を７×１０４〜１×１０８Ｐａとすること。」（以下「引用例２記載の技術的事項」という。）
(３)　対比
　補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明の「ポリエチレンナフタレートフィルム」及び「半導体ウエハ裏面加工工程」は、補正発明の「基材フィルム」及び「半導体ウェハの回路非形成面の加工工程」にそれぞれ相当している。
　また、引用例１記載の発明の「片表面」と補正発明の「表裏両面」とは、面であることに限り一致している。
　以上のとおりであるので、両者は、次の「表面保護用粘着フィルム」で一致している。
「融点が２６９℃、厚みが１００μｍである基材フィルムの面に、厚みが４０μｍであり、且つ、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が１７０ｇ／２５ｍｍである粘着剤層が形成された半導体ウェハの回路非形成面の加工工程におけるプラズマエッチング工程用表面保護用粘着フィルム。」
　そして、両者は、次の点で相違している。
ア　＜相違点１＞
　粘着剤層が、補正発明では、基材フィルムの「表裏両面」に形成されているのに対し、引用例１記載の発明では、基材フィルムの「片表面」に形成されている点。
イ　＜相違点２＞
　補正発明では、粘着剤層を「１５０℃における貯蔵弾性率が１×１０５Ｐａ以上、１×１０７Ｐａ以下」であると特定しているのに対し、引用例１記載の発明では、貯蔵弾性率がどのようなものであるのか明らかではない点。
(４)　相違点の検討
　そこで、上記各相違点について、以下検討する。
ア　＜相違点１＞について
　半導体ウェハの裏面加工に用いる粘着フィルムとして、基材フィルムの表裏両面に粘着剤層が形成されたものは、例示するまでもなく従来周知であるので、引用例１記載の発明において、基材フィルムの表裏両面に粘着剤層を形成することに格別の困難性はない。
イ　＜相違点２＞について
　上記(２)のイのとおり、引用例２には、引用例１記載の発明と同じ技術分野である半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムについて、「ウエハ表面の汚染、研削加工時の研削水の浸入及びケミカルエッチング時の薬液の浸入を防止する観点から５０℃における粘着剤層の貯蔵弾性率を７×１０４〜１×１０８Ｐａとすること」が記載されているので、引用例１記載の発明に引用例２記載の技術的事項を採用して、引用例１記載の発明の粘着剤層の貯蔵弾性率について、実験的に数値範囲をウェハ表面の汚染、研削水の浸入及び薬液の浸入を防止する程度の値とすることに格別の困難性はない。
　また、引用例２記載の技術的事項は、ケミカルエッチングを行うものであるところ、引用例１記載の発明は、プラズマエッチングを行い、ウエハの温度が１５０℃程度に上昇するものであるので、引用例２記載の技術的事項を採用するに際し、粘着剤層がプラズマエッチングにおけるそのような高温にも対応することができるように貯蔵弾性率の数値範囲を最適化又は好適化し、その数値範囲を１５０℃において特定することは、当然に考慮すべき技術的事項である。
　そして、粘着剤層の貯蔵弾性率について、引用例２に５０℃における貯蔵弾性率が７×１０４〜１×１０８Ｐａであるところ、１５０℃における貯蔵弾性率として、１×１０５Ｐａに近い値である７．７×１０５ｄｙｎ／ｃｍ２の粘着剤が、例えば特開平５−７０７５２号公報（５ページの表１における実施例１参照。）に記載されているように従来知られているものであること、及び、本件出願の明細書の段落【００６１】における表３の比較例２、３、６に見られるように、貯蔵弾性率が１×１０５〜１×１０７Ｐａであっても、必ずしも、半導体ウェハの破損や汚染等の防止に良好な結果が得られるものではないことを勘案すると、１５０℃において１×１０５Ｐａ以上、１×１０７Ｐａ以下という数値は、特別のものではなく必要に応じて適宜選択しうる貯蔵弾性率であると考えざるを得ない。
　したがって、引用例１記載の発明に引用例２記載の技術的事項を採用して、粘着剤層の１５０℃における貯蔵弾性率を１×１０５Ｐａ以上、１×１０７Ｐａ以下とすることは、当業者が容易に想到することができたことである。
ウ　補正発明の作用効果について
　補正発明が奏する作用効果は、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術的事項及び上記従来周知の事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　したがって、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術的事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１乃至４に係る発明は、願書に添付された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１の(１)の補正前の請求項１に示したとおりである。
２　引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に上記引用例１及び２が引用されており、その記載事項は、上記第２の２の(２)に示したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２で述べたとおり、補正発明の発明特定事項から、上記限定事項が省かれたものである。
　そうすると、上記第２の２の(４)で検討したとおり、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術的事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、補正発明の発明特定事項から上記限定事項が省かれた本願発明についても、同様の理由により、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術的事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術的事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、この出願の請求項２乃至４に係る発明について判断するまでもなく、この出願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。