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【手続補正書】
【提出日】平成24年6月14日(2012.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルターエレメントであって；
互いに反対を向く第１端及び第２端を有する環状フィルター媒体であって、最内周が前記環状フィルター媒体の内径を成し、最外周が前記環状フィルター媒体の外径を成す環状フィルター媒体と；
前記フィルター媒体の第１端に密封状に接続された第１円盤領域を含む第１端部キャップであって、前記第１端部キャップが流入口を有する、第１端部キャップと；
前記フィルター媒体の第２端に密封状に接続された第２端部キャップと；
前記フィルターエレメントの入り口と前記流入口とを結ぶ流入路を有する中央管とを備え；
前記第２端部キャップは、端部キャップ部と、排出器の作動を受けるように構成された排出器受けとを含み、前記排出器受けは、前記端部キャップ部と一体に形成された軸方向に延在する環状フランジを含み、前記軸方向に延在する環状フランジは、前記端部キャップから軸方向に遠ざかって延在して環状の自由端で終わり、前記環状の自由端は、前記排出器受けの作動時に前記環状フィルター媒体の前記最内周の半径方向外側の前記排出器受けと係合するために前記環状の自由端が形成されるように、前記環状フィルター媒体の前記最内周の半径方向外側に位置する；
フィルターエレメント。
【請求項２】
前記環状フランジの前記環状の自由端は、前記フィルターエレメントの軸方向の最大範囲を形成する、
請求項１に記載のフィルターエレメント。
【請求項３】
前記排出器受けは、前記端部キャップ部と１つの連続した構成要素として一体的に形成され、前記第２端部キャップから分離不可能である、
請求項１又は請求項２に記載のフィルターエレメント。
【請求項４】
前記第２端部キャップの前記端部キャップ部から軸方向に延在する前記環状フランジが、湾曲した外縁を有する、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のフィルターエレメント。
【請求項５】
開口を有する第１空間を成すフィルターハウジングと；
前記開口を介して前記フィルターハウジング内へ挿入可能なフィルターエレメントを備え；
前記フィルターエレメントは、
互いに反対を向く第１端及び第２端を有する環状フィルター媒体であって、最内周が前記環状フィルター媒体の内径を成し、最外周が前記環状フィルター媒体の最外径を成し、前記フィルター媒体が前記フィルターハウジング内に装着可能な環状フィルター媒体と；
前記第１端に密封状に接続された第１端部キャップと；
前記第２端に密封状に接続された第２端部キャップとを含み；
更に、前記ハウジングを通って延在する排出器機構であって、前記排出器機構が前記ハウジングに対して位置決めされて前記フィルターエレメントが前記ハウジング内に装着できる収縮状態と、前記排出器機構が前記ハウジングに対して移動し、前記フィルターエレメントと相互作用して前記フィルターハウジングに対して前記フィルターエレメントを軸方向に動かす伸張状態との間で移動可能な排出器機構と；
前記第２端部キャップに形成された排出器受けとを備える；
フィルターアセンブリ。
【請求項６】
前記排出器受けは、半径方向に延在する円盤部として、前記環状フィルター媒体の前記最内周の半径方向内側に延在し、前記半径方向に延在する円盤部は、前記フィルターハウジングに対する前記フィルターエレメントの軸方向の作動に伴う前記排出器機構の作動により係合し、前記排出器受けは流体が通過する開口部を含む；
請求項５に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項７】
前記開口は前記フィルターハウジングの第１端に形成され、前記排出器機構は前記フィルターハウジングの対向する第２端を通って延在し、前記排出器機構は、前記排出器機構が前記収縮状態から前記伸張状態に遷移する際に、前記フィルターエレメントを、前記フィルターハウジングの前記第２端から遠ざかるように軸方向に片寄せする、
請求項５又は請求項６に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項８】
前記排出器機構は前記フィルターハウジングの前記第２端の開口を通って軸線に沿って延在し、前記排出器機構はハンドルを更に含み、前記ハンドルは前記軸に直角な開口の最大寸法よりも大きな少なくとも１つの前記軸に直角の寸法を有する、
請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項９】
前記排出器機構は前記ハウジングを通って延在する頸部を含み、前記ハウジング及び前記頸部は協働するネジ部を有する、
請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項１０】
前記排出器受けを貫通する前記開口部は、前記フィルター媒体の最内径よりも小さい直径を有する、
請求項６に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項１１】
前記円盤部は、前記環状フィルター媒体の前記最内周の半径方向内側で前記排出器機構と嵌合する、
請求項６に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項１２】
前記排出器機構及び前記排出器受けは、前記排出器機構が前記収縮状態のときに接触しない、
請求項５乃至請求項１１のいずれか１項に記載のフィルターアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング内に挿入するためのフィルターエレメントであって；
内部空間を形成する管環状のフィルター媒体と；
前記フィルター媒体の第１端に密封状に固定された第１端部キャップと；
前記フィルター媒体の第２端に密封状に固定された第２端部キャップと；
前記フィルター媒体に固定された水分離器の少なくとも一部分であって、前記フィルター媒体から離れて軸方向を向く、軸方向に露出した合体生成面を形成する一部分とを備える；
フィルターエレメント。
【請求項２】
水分離器の前記少なくとも一部分は、動作するためには水分離器の他の部分と組み合わせる必要があるような水分離器の一部分だけである、請求項１に記載のフィルターエレメント。
【請求項３】
前記合体生成面は円錐状である、請求項１又は請求項２に記載のフィルターエレメント。
【請求項４】
前記端部キャップが、前記端部キャップと水分離器の前記一部分とが単体として形成されるように水分離器の前記一部分を形成する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のフィルターエレメント。
【請求項５】
前記端部キャップ及び水分離器の前記一部分は、独立した別体の構成要素として形成された、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のフィルターエレメント。
【請求項６】
前記端部キャップと水分離器の前記一部分との間で挿入配置されてそれらを接続するシール部材を更に含む、請求項５に記載のフィルターエレメント。
【請求項７】
前記端部キャップは開口を形成する円環状ディスク部を含み、水分離器の前記一部分は軸方向に延在するハブを含み、前記ハブは前記開口内に軸方向に延在する、請求項６に記載のフィルターエレメント。
【請求項８】
前記シール部材は、前記ハブに対する半径方向シール及び前記端部キャップに対する半径方向シールを提供する、請求項７に記載のフィルターエレメント。
【請求項９】
中央空間を形成する側壁を有するハウジングと；
前記中央空間内に取り外し可能に配置され、内部空間を形成する管環状フィルター媒体と；
前記管環状フィルター媒体の端部に密封状に固定され、汚濁流体流入口を形成する第１端部キャップと；
前記管環状フィルター媒体に取り付けられた上部と前記ハウジングに取り付けられた底部とを有する水分合体生成円錐部であって、前記上部及び前記底部は組み合わされて、その間に前記汚濁流体流入口と連通する略円錐状の合体生成流路を形成する水分合体生成円錐部とを備える；
フィルター。
【請求項１０】
前記管環状フィルター媒体は前記ハウジングから取り外し可能であり、前記管環状フィルター媒体を取り外すことにより前記水分合体生成円錐部の前記上部が前記ハウジングから外れるように、前記水分合体円錐部の前記上部が管環状前記フィルター媒体に取り付けられた、請求項９に記載のフィルター。
【請求項１１】
前記水分合体生成円錐部の上部は、前記第１端部キャップと共に単体として形成された、請求項９に記載のフィルター。
【請求項１２】
前記水分合体生成円錐部の上部は、前記第１端部キャップからは構造的に独立していて、前記第１端部キャップに密封状に取り付けられた、請求項９に記載のフィルター。
【請求項１３】
前記管環状フィルター媒体は前記ハウジングから取り外し可能であり、前記水分合体生成円錐部の上部は前記管環状フィルター媒体に解放可能に固定され、前記管環状フィルター媒体を取り外しても、前記水分合体生成円錐部の上部が前記ハウジングから外れないようにした、請求項９又は請求項１２に記載のフィルター。
【請求項１４】
前記上部又は底部のうちの一方は全体的に凹面を形成し、前記上部又は底部のうちの他方は協働する凸面を形成し、前記凹面及び凸面が離間してその間に前記合体生成流路を形成する、請求項９乃至請求項１３のいずれか１項に記載のフィルター。
【請求項１５】
軸方向に前記内部空間まで延在し、前記合体生成流路に連通する汚濁流体流入路を形成する中央管を更に備え、前記第１端部キャップとしての前記管環状フィルター媒体の端部の反対側の端部に密封状に固定された第２端部キャップを更に含み、前記第２端部キャップはそれを貫通する汚濁流体入口を形成し、前記中央管の前記汚濁流体流入路は前記汚濁流体入口と前記合体生成流路とを連通し、前記中央管は前記水分合体生成円錐部の前記底部と一体に形成され、前記水分合体生成円錐部の前記上部は前記中央管が貫通する開口を含む、請求項９乃至請求項１４のいずれか１項に記載のフィルター。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を流通する流れの圧力を検出する２方向流量センサであって、
第１端部と第２端部を備え、かつ、中心軸で孔を規定し、該孔が前記第１端部と前記第２端部との間に配設されたスロート部を含む、中空管状部材と、
前記スロート部を二等分すると共に、各々タップ高さを規定する一対の圧力タップを含む、流量制限器と、
前記第２端部に配設され、前記圧力タップにおいて前記孔を横切る流速の均一化を助長する形状を有した流動障害物と、
を含んで構成される流量センサ。
【請求項２】
前記流動障害物は、軸方向から視て、前記流量制限器に対して垂直方向に配設される請求項１に記載の流量センサ。
【請求項３】
前記各圧力タップのタップ高さは、前記中心軸に対して対称的である請求項１に記載の流量センサ。
【請求項４】
前記流動障害物は、ダイアモンド形状の軸方向断面を有する請求項１に記載の流量センサ。
【請求項５】
前記流動障害物は、涙滴形状の軸方向断面を有する請求項１に記載の流量センサ。
【請求項６】
前記流量制限器は、横長形状の軸方向断面を有する請求項１に記載の流量センサ。
【請求項７】
前記流量制限器は、ダイアモンド形状の軸方向断面を有する請求項６に記載の流量センサ。
【請求項８】
前記流動障害物は、前記タップ高さ以上の大きさ及び形状を有した障害物高さを規定する請求項１に記載の流量センサ。
【請求項９】
Ｙ字状接続器に一体に形成される請求項１に記載の流量センサ。
【請求項１０】
内部を流通する流れの圧力を検出する２方向流量センサであって、
第１端部と第２端部を備え、かつ、中心軸で孔を規定し、該孔が前記第１端部と前記第２端部との間に配設されたスロート部を含む、中空管状部材と、
前記スロート部を二等分すると共に、各々タップ高さを規定する一対の圧力タップを含む、流量制限器と、
前記孔内の第１端部に配設され、前記圧力タップにおける非軸流を最小限とする大きさ及び形状を有したバッフルと、
を含んで構成される流量センサ。
【請求項１１】
径方向に向けてベーンが配設される請求項１０に記載の流量センサ。
【請求項１２】
前記バッフルは、相互に等角度間隔に配設されたベーンを８個まで含んで構成される請求項１１に記載の流量センサ。
【請求項１３】
前記各ベーンが径方向内側にノッチを含み、ノッチ全体で圧力リリーフ機構を構成する請求項１０に記載の流量センサ。
【請求項１４】
前記孔は、前記バッフルに隣接して配設され、前記第１端部から前記第２端部に向かう方向に沿って径方向内側に傾斜するテーパ部を含む請求項１０に記載の流量センサ。
【請求項１５】
前記各圧力タップのタップ高さは、中心軸に対して対称的である請求項１０に記載の流量センサ。
【請求項１６】
機械式人工呼吸器に付属して使用され、かつ、空気圧縮ノイズが約毎分０．１リットル（ＬＰＭ）未満に維持される形状を有する請求項１０に記載の流量センサ。
【請求項１７】
Ｙ字状接続器に一体に形成される請求項１０に記載の流量センサ。
【請求項１８】
前記流動障害物は、前記第２端部に流入する空気流に対し、該流動障害物によって前記空気流が前記圧力タップへ直接衝突することを抑制し、あるいは前記圧力タップでの非軸流を最小限として前記流量制限器での軸交差流を最小限とするように形成されている請求項１に記載の流量センサ。
【請求項１９】
前記第１端部は呼吸器側端部であり、前記第２端部は患者側端部である請求項１に記載の流量センサ。
【請求項２０】
前記流量制限器での軸交差流を最小限とするように形成された流動障害物と、前記バッフルとを含んで構成されている請求項１０に記載の流量センサ。
【請求項２１】
前記第１端部は呼吸器側端部であり、前記第２端部は患者側端部である請求項１０に記載の流量センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置による生体内の画像取り込み処理の終了を決定する方法であって、当該方法は、
前記撮像装置に関する条件が満たされているかどうかを判定する工程と、
前記条件が満たされている場合に前記撮像装置をビーコンモードに設定する工程と、
前記撮像装置から信号を受信する工程と、
前記信号がビーコン信号であるのか画像信号であるのか又はそのどちらでもないのかを判定する工程と、
前記信号がビーコン信号であるとき、前記生体内の画像取り込み処理が終了していると決定する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記生体内の画像取り込み処理が終了している場合に、通知を提供する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記撮像装置が生体内にあるかどうかを決定する工程と、
前記撮像装置が生体内にあるかないかの通知を提供する工程と、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記撮像装置が生体内にあるかどうかの前記決定が、前記撮像装置によって取り込まれた画像の分析に基づいている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記信号の電力の強さ、周波数、速度、長さ、または内容に基づいて前記信号のタイプを検知する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記撮像装置から信号が受信されない場合、前記画像取り込み処理の終了を決定する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記信号のタイプに基づいて、前記生体内の画像取り込み処理が開始されるかどうかを決定する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記条件は、低バッテリ電圧、画像取り込み処理の完了、停止又は終了、所定時間の経過、もしくはカプセルが生体内の所定位置に到達したことである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
所定時間が経過したか否かを判定する工程を更に備える請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
生体内の画像取り込み処理の終了を決定するためのシステムであって、当該システムは、
信号をワイヤレスで送信するためのトランシーバを備える撮像装置と、
前記撮像装置から送信された信号を検知し、前記検知された信号がビーコン信号であるのか画像信号であるのか又はそのどちらでもないのかを判定するための検知ユニットと、
前記撮像装置に関する条件が満たされているかどうかを判定し、前記条件が満たされている場合に前記撮像装置をビーコンモードに設定する処理ユニットであって、前記検知された信号がビーコン信号であるとき、前記画像取り込み処理が終了していると決定するための処理ユニットと、
を備える、システム。
【請求項１１】
前記検知ユニットは、前記撮像装置から送信された信号の電力の強さ、周波数、速度、長さ、または内容を検知する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記条件は、低バッテリ電圧、画像取り込み処理の完了、停止又は終了、所定時間の経過、もしくはカプセルが生体内の所定位置に到達したことである、請求項１０に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の一実施形態は、撮像装置による生体内の画像取り込み処理の終了を決定するための方法に関する。この方法は、撮像装置に関する条件が満たされているかどうかを判定する工程と、当該条件が満たされている場合に撮像装置をビーコンモードに設定する工程と、撮像装置から信号を受信する工程と、当該信号がビーコン信号であるのか画像信号であるのか又はそのどちらでもないのかを判定する工程と、当該信号がビーコン信号であるとき、生体内の画像取り込み処理が終了していると決定する工程と、を含む。一部の実施形態において、撮像装置が画像取り込み処理を終了したことが決定される場合、その処理の終了に関して、通知が、例えば患者に対して、または医療専門家に対して提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一部の実施形態において、本方法は、カプセルから送信され、外部受信機によって検知される信号に基づいて、撮像装置が生体内にあるかどうかを決定する工程と、その撮像装置が生体内にあるかどうか、またはその身体から出ていったかどうかの通知を提供する工程を含んでもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一部の実施形態において、本方法は、取り込まれた生体内の画像を分析する工程および撮像装置が画像分析に基づいて生体内にあるかどうかを決定する工程を含んでもよい。
一実施形態によれば、撮像装置によって生体内の画像取り込み処理の終了を決定する方法が提供される。本方法は、撮像装置からの信号が受信されない場合、画像取り込み処理の終了が決定されてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
別の実施形態によれば、生体内の画像取り込み処理の終了を決定するためのシステムが提供される。当該システムは、信号をワイヤレスで送信するためのトランシーバを備える撮像装置と、撮像装置から送信された信号を検知し、その検知された信号がビーコン信号であるのか画像信号であるのか又はそのどちらでもないのかを判定するための検知ユニットと、撮像装置に関する条件が満たされているかどうかを判定し、当該条件が満たされている場合に撮像装置をビーコンモードに設定する処理ユニットであって、当該検知された信号がビーコン信号であるとき、画像取り込み処理が終了していると決定するための処理ユニットと、を備える。一部の実施形態において、検知ユニットは、撮像装置から送信された信号の電力の強さ、周波数、速度、長さ、または内容を検知する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記撮像装置に関する条件は、低バッテリ電圧、画像取り込み処理の完了、停止又は終了、所定時間の経過、もしくはカプセルが生体内の所定位置に到達したことである。従って、撮像装置の電力供給が低い場合、例えば、バッテリが低い電圧の表示を有する場合、撮像装置は画像取り込みモードを停止し、ビーコンモードに切り替えられてもよい。撮像装置が画像取り込みモードにおける送信を停止する場合、その処理が終了する。その場合に、撮像装置が生体内にあることが決定されてもよい。信号の送信が停止し、低い電圧の以前の表示がない場合、その処理が終了し、撮像装置が患者の身体から出ていったことが決定されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性部材の表面に、上記導電性部材の表面粗さの指標となる平均長さＲｓｍ値以下の径の粉体絶縁粒子を塗装して絶縁被膜を形成する工程、絶縁性ガスが充填される接地タンクの内部に上記導電性部材を配設し、上記接地タンクと上記導電性部材とを絶縁したガス絶縁電気機器を得る工程を含むことを特徴とするガス絶縁電気機器の製造方法。
【請求項２】
上記導電性部材の表面凹部を埋設する絶縁被膜埋設部を構成する大径粒子よりも小径粒子の個数が多くなるように上記粉体絶縁粒子を配合する工程を含むことを特徴とする請求項１記載のガス絶縁電気機器の製造方法。
【請求項３】
上記絶縁被膜を形成する工程は、上記導電性部材の表面に積層された第一の絶縁被膜と、上記第一の絶縁被膜の表面に積層された第二の絶縁被膜を含む積層膜とを形成し、且つ、上記第一の絶縁被膜を構成する上記粉体絶縁粒子の粒径が、上記第二の絶縁被膜を構成する上記粉体絶縁粒子の粒径よりも小さくなるように形成することを特徴とする請求項１記載のガス絶縁電気機器の製造方法。
【請求項４】
上記絶縁被膜を形成する工程は、上記絶縁被膜を、上記導電性部材の表面凹凸の高さの指標となる最大高さＲｙ値よりも厚く形成することを特徴とする請求項１記載のガス絶縁電気機器の製造方法。
【請求項５】
上記絶縁被膜を形成する工程は、上記絶縁被膜のうち、上記導電性部材の表面凹部を埋設する絶縁被膜埋設部上に積層された絶縁被膜表層部を、上記導電性部材の表面粗さの指標となる平均長さＲｓｍ値以上の径の上記粉体絶縁粒子によって形成することを特徴とする請求項１記載のガス絶縁電気機器の製造方法。
【請求項６】
上記絶縁被膜を形成する工程の後に、硬化処理にて成膜を行う工程を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載のガス絶縁電気機器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガス絶縁電気機器の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ガス絶縁電気機器の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一般的に絶縁物と金属といった異種の材料を接合する接合面では、熱サイクルがある環境下においては材料による線膨張係数の違いで発生する応力によって、絶縁物と金属の界面剥離が発生する場合がある。剥離の起こりやすさは、接合界面の密着性となる金属と絶縁物の接触面積の広さが要因の一つであるが、上述した特許文献１のような塗装方法では、電極に吹き付ける粉体粒子の平均粒径を２０μｍ以上と規定しており、金属表面の表面粗さよりも粉体粒径が大きい場合は表面凹凸の凹部分に粉体樹脂が入らないため、金属表面と絶縁物との接触面積が凹部に樹脂がない分だけ小さくなり、その結果、剥離が生じやすくなる。
この発明は上記のような問題を解決するためになされたものであり、金属表面に対して、樹脂である絶縁物との接触面積が最大になるような界面剥離が起こりにくい絶縁被膜を形成できるガス絶縁電気機器の製造方法を得ることを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン系樹脂（ａ１）を主成分とする層（Ａ１）と、酸変性オレフィン系樹脂（ａ２）を含有する層（Ａ２）と、インク受理層（Ｂ）とが、（Ａ１）／（Ａ２）／（Ｂ）の順で積層されてなるインクジェット記録媒体の製造方法であり、前記層（Ａ１）と前記層（Ａ２）とを共押出積層法を用いて積層した後、層（Ａ２）上にインク受理剤（ｂ）を塗布することを特徴とするインクジェット記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記ポリオレフィン系樹脂（ａ１）の融点が１１０℃以上である請求項１記載のインクジェット記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記酸変性オレフィン系樹脂（ａ２）における変性率が３〜４０％の範囲である請求項1又は２記載のインクジェット記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記層（Ａ２）が更にポリオレフィン系樹脂を含有する請求項１〜３の何れか１項記載のインクジェット記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記層（Ａ２）を形成する樹脂成分１００質量部中に、前記酸変性オレフィン系樹脂（ａ２）を２０質量部以上含有するものである請求項１〜４の何れか１項記載のインクジェット記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記インク受理剤（ｂ）が、ポリウレタン系樹脂（ｂ１）を含有するものである請求項１〜５の何れか１項記載のインクジェット記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項記載の製造方法で得られたものであって、
ポリオレフィン系樹脂（ａ１）を主成分とする層（Ａ１）と、酸変性オレフィン系樹脂（ａ２）を含有する層（Ａ２）と、インク受理層（Ｂ）とが、（Ａ１）／（Ａ２）／（Ｂ）の順で積層されてなり、前記層（Ａ１）と前記層（Ａ２）との合計厚みに対する層（Ａ２）の比率が５〜４０％であることを特徴とするインクジェット記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
［３］  前記補強セグメントの前記補強部が形成された前記流出セルは、前記流出セルの全ての角部に前記補強部が形成されたものである前記［１］に記載の目封止ハニカム構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
［９］  前記中央部セグメントが、前記断面における前記隔壁が交差する角部に前記補強部が形成されていない非補強セグメントである前記［１］〜［７］のいずれかに記載の目封止ハニカム構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常遊技状態と該通常遊技状態よりも遊技者に有利な特定遊技状態との間での制御を実行可能な遊技機において、
遊技領域内に配置される第１の始動口及び第２の始動口と、
前記第１の始動口に遊技媒体が入賞したときは、前記通常遊技状態にあるときよりも前記特定遊技状態にあるときのほうが高い確率に設定される第１の抽選確率にて大当りについての第１の抽選処理が行われるとともに該第１の抽選処理にて大当りが当選された場合には遊技者に対して遊技媒体が付与される第１の特別遊技がさらに行われる第１の始動入賞遊技を実行可能である一方で、
前記第２の始動口に遊技媒体が入賞したときは、前記通常遊技状態にあるときと前記特定遊技状態にあるときとで前記第１の抽選確率に対してそれぞれ同一確率となるように設定される第２の抽選確率にて大当りについての第２の抽選処理が行われるとともに該第２の抽選処理にて大当りが当選された場合には遊技者に対して遊技媒体が付与される第２の特別遊技がさらに行われる第２の始動入賞遊技を実行可能である遊技制御手段と、
前記遊技領域内に配置される通過ゲートと、
前記第２の始動口に遊技媒体が入賞され易くする動作を行いうる可動部材と、
前記通過ゲートを遊技媒体が通過したことに基づいて、普通当りについての抽選を行う普通抽選手段と、
前記普通抽選手段による抽選の結果に基づいて、普通図柄の変動にかかる制御を行う普通変動制御手段と、
前記普通抽選手段による抽選の結果として普通当りが得られた場合、前記普通変動制御手段による普通図柄の変動が終了されてから、前記可動部材を動作させる制御を行う可動制御手段と、
を備え、
前記遊技制御手段は、
前記第１の抽選確率と前記第２の抽選確率とがそれぞれ同一確率となるように設定されるにもかかわらず、前記第１の抽選処理においては、前記第２の特別遊技よりも少ない期待数量値の遊技媒体を前記第１の特別遊技にて付与するように大当りの当選種別が設定されるようにすることで、前記第１の始動入賞遊技を、前記第２の始動入賞遊技よりも遊技者にとって有利性の低い不利な遊技として機能させる低払出制御手段、
前記通常遊技状態において、前記普通変動制御手段による普通図柄の変動にかかる時間を相対的に長くすることによって前記可動部材による動作頻度を低くすることにより有利性が高い側の前記第２の始動口に遊技媒体が入賞され難くすることで、前記第１の始動口への遊技媒体の入賞を通じた不利な遊技としての前記第１の始動入賞遊技が繰り返し行われうるようにする不利遊技繰行手段、及び
前記特定遊技状態において、前記普通変動制御手段による普通図柄の変動にかかる時間を相対的に短くすることによって前記可動部材による動作頻度を高くすることにより有利性が高い側の前記第２の始動口に遊技媒体が入賞され易くした上で、前記第１の始動入賞遊技と前記第２の始動入賞遊技とのうちの前記第１の始動入賞遊技の実行条件が成立されないように遊技者が遊技可能とすることで、前記第２の始動口への遊技媒体の入賞を通じた有利性の高い遊技としての前記第２の始動入賞遊技のみの連続実行を可能ならしめる有利遊技連続実行実現手段、
を備え、
前記通過ゲートは、
前記第１の始動口と前記第２の始動口とのうち、前記第２の始動口に入賞しうるように前記遊技領域に打ち出された遊技媒体のみが通過可能とされるように配設されてなる
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第１の抽選処理は、前記第１の始動口に遊技媒体が入賞したときに取得される乱数に基づいて行われる
請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記第２の抽選処理は、前記第２の始動口に遊技媒体が入賞したときに取得される乱数に基づいて行われる
請求項１または２に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１にかかる発明は、通常遊技状態と該通常遊技状態よりも遊技者に有利な特定遊技状態との間での制御を実行可能な遊技機において、遊技領域内に配置される第１の始動口及び第２の始動口と、前記第１の始動口に遊技媒体が入賞したときは、前記通常遊技状態にあるときよりも前記特定遊技状態にあるときのほうが高い確率に設定される第１の抽選確率にて大当りについての第１の抽選処理が行われるとともに該第１の抽選処理にて大当りが当選された場合には遊技者に対して遊技媒体が付与される第１の特別遊技がさらに行われる第１の始動入賞遊技を実行可能である一方で、前記第２の始動口に遊技媒体が入賞したときは、前記通常遊技状態にあるときと前記特定遊技状態にあるときとで前記第１の抽選確率に対してそれぞれ同一確率となるように設定される第２の抽選確率にて大当りについての第２の抽選処理が行われるとともに該第２の抽選処理にて大当りが当選された場合には遊技者に対して遊技媒体が付与される第２の特別遊技がさらに行われる第２の始動入賞遊技を実行可能である遊技制御手段と、前記遊技領域内に配置される通過ゲートと、前記第２の始動口に遊技媒体が入賞され易くする動作を行いうる可動部材と、前記通過ゲートを遊技媒体が通過したことに基づいて、普通当りについての抽選を行う普通抽選手段と、前記普通抽選手段による抽選の結果に基づいて、普通図柄の変動にかかる制御を行う普通変動制御手段と、前記普通抽選手段による抽選の結果として普通当りが得られた場合、前記普通変動制御手段による普通図柄の変動が終了されてから、前記可動部材を動作させる制御を行う可動制御手段とを備え、前記遊技制御手段は、前記第１の抽選確率と前記第２の抽選確率とがそれぞれ同一確率となるように設定されるにもかかわらず、前記第１の抽選処理においては、前記第２の特別遊技よりも少ない期待数量値の遊技媒体を前記第１の特別遊技にて付与するように大当りの当選種別が設定されるようにすることで、前記第１の始動入賞遊技を、前記第２の始動入賞遊技よりも遊技者にとって有利性の低い不利な遊技として機能させる低払出制御手段、前記通常遊技状態において、前記普通変動制御手段による普通図柄の変動にかかる時間を相対的に長くすることによって前記可動部材による動作頻度を低くすることにより有利性が高い側の前記第２の始動口に遊技媒体が入賞され難くすることで、前記第１の始動口への遊技媒体の入賞を通じた不利な遊技としての前記第１の始動入賞遊技が繰り返し行われうるようにする不利遊技繰行手段、及び前記特定遊技状態において、前記普通変動制御手段による普通図柄の変動にかかる時間を相対的に短くすることによって前記可動部材による動作頻度を高くすることにより有利性が高い側の前記第２の始動口に遊技媒体が入賞され易くした上で、前記第１の始動入賞遊技と前記第２の始動入賞遊技とのうちの前記第１の始動入賞遊技の実行条件が成立されないように遊技者が遊技可能とすることで、前記第２の始動口への遊技媒体の入賞を通じた有利性の高い遊技としての前記第２の始動入賞遊技のみの連続実行を可能ならしめる有利遊技連続実行実現手段、を備え、前記通過ゲートは、前記第１の始動口と前記第２の始動口とのうち、前記第２の始動口に入賞しうるように前記遊技領域に打ち出された遊技媒体のみが通過可能とされるように配設されてなることを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】眼科装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は被検眼の眼底の表面画像および断層画像を撮像するために用いられる眼科装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定光を照射した被検眼からの戻り光と、前記測定光に対応する参照光とを合波した合波光に基づいて前記被検眼の眼底の断層画像を取得する断層画像取得手段と、
前記被検眼の第１の位置と前記断層画像取得手段との位置合わせを行う位置合わせ手段と、
前記断層画像と前記断層画像の傾きを変更するための表示形態とを表示手段に表示させる表示制御手段と、を有し、
前記位置合わせ手段は、前記表示形態を介して前記断層画像の傾きの変更が指示された場合、前記表示手段に表示された断層画像の傾きを変更するように前記第１の位置とは異なる前記被検眼の第２の位置と前記断層画像取得手段との位置合わせを行うことを特徴とする眼科装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記表示形態を前記断層画像上に表示させることを特徴とする請求項１記載の眼科装置。
【請求項３】
前記位置合わせ手段は、前記表示形態を介して指示された前記断層画像の傾きの変更量に応じた前記第２の位置と前記断層画像取得手段との位置合わせを行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の眼科装置。
【請求項４】
前記第１の位置は前記被検眼の前眼部の瞳孔の中心位置であり、
前記第２の位置は前記被検眼の前眼部の前記瞳孔の中心位置とは異なる位置であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の眼科装置。
【請求項５】
指示手段を更に備え、
前記指示手段により前記表示形態を選択することで前記表示手段に表示された断層画像の傾きの変更を指示することを特徴とする請求項1乃至４のいずれか１項に記載の眼科装置。
【請求項６】
前記指示手段に対する指示に伴い前記表示手段上を移動する指標が、前記表示形態が表示される前記表示手段上の位置の近傍に位置する場合に、前記表示制御手段は前記表示形態を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項５記載の眼科装置。
【請求項７】
前記指示手段はマウスであり、
前記マウスにより前記表示形態をクリックすることで前記表示手段に表示された断層画像の傾きの変更を指示することを特徴とする請求項５記載の眼科装置。
【請求項８】
前記表示制御手段は前記表示手段に表示された断層画像の質を示す指標を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の眼科装置。
【請求項９】
前記表示制御手段は前記指標を前記断層画像と並べて前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項８記載の眼科装置。
【請求項１０】
前記表示形態は前記表示手段に表示された断層画像を傾ける方向を示す２つの表示形態を備え、
前記２つの表示形態はそれぞれ異なる方向に前記表示手段に表示された断層画像を傾けるための表示形態であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の眼科装置。
【請求項１１】
前記位置合わせ手段は、前記断層画像取得手段を移動させることで位置合わせを行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の眼科装置。
【請求項１２】
前記被検眼の眼底の断層画像を取得する断層画像取得手段と、
前記断層画像と前記断層画像を傾ける方向を示す２つの表示形態とを表示手段に表示させる表示制御手段と、を備え、
前記２つの表示形態はそれぞれ異なる方向に前記表示手段に表示された断層画像を傾けるための表示形態であることを特徴とする眼科装置。
【請求項１３】
測定光を照射した被検眼からの戻り光と、前記測定光に対応する参照光とを合波した合波光に基づいて前記被検眼の眼底の断層画像を断層画像取得手段により取得する断層画像取得工程と、
前記被検眼の第１の位置と前記断層画像取得手段との位置合わせを行う第１位置合わせ工程と、
前記断層画像と前記断層画像の傾きを変更するための表示形態とを表示手段に表示させる表示制御工程と、
前記表示形態を介して前記断層画像の傾きの変更が指示された場合、前記表示手段に表示された断層画像の傾きを変更するように前記第１の位置とは異なる前記被検眼の第２の位置と前記断層画像取得手段との位置合わせを行う第２位置合わせ工程と、
を備えたこと特徴とする眼科制御方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月17日(2012.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタのバックゲート電極と一方のソース・ドレイン領域との接続点と、前記電界効果トランジスタのゲート電極との間に接続された抵抗素子と、
を備え、
前記電界効果トランジスタの他方のソース・ドレイン領域が一方の端子であり、前記抵抗素子と前記ゲート電極との接続点が他方の端子であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一態様に係る半導体装置は、電界効果トランジスタと、抵抗素子と、を備える。前記抵抗素子は、前記電界効果トランジスタのバックゲート電極と一方のソース・ドレイン領域との接続点と、前記電界効果トランジスタのゲート電極との間に接続されている。そして、前記電界効果トランジスタの他方のソース・ドレイン領域が一方の端子であり、前記抵抗素子と前記ゲート電極との接続点が他方の端子である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
前記半導体領域の第１及び第２の端面上にそれぞれ設けられ、該III族窒化物半導体レーザ素子の共振器のための第１及び第２の膜と、
を備え、
前記半導体領域は、第１導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第１のクラッド層と、第２導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第１のクラッド層、前記第２のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記支持基体の前記III族窒化物半導体の＜０００１＞軸の方向を示すｃ＋軸ベクトルは、前記法線軸の方向を示す法線ベクトルに対して前記III族窒化物半導体のｍ軸及びａ軸のいずれかの結晶軸の方向に４５度以上８０度以下及び１００度以上１３５度以下の範囲の角度で傾斜しており、
前記第１及び第２の端面は、前記III族窒化物半導体の前記結晶軸及び前記法線軸によって規定される基準面に交差し、
前記ｃ＋軸ベクトルは、前記第２の端面から前記第１の端面への方向を示す導波路ベクトルと鋭角を成し、
前記第２の膜を光出射面とする、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記レーザ構造体は第１及び第２の面を含み、前記第１の面は前記第２の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第１の面と前記支持基体との間に位置し、
前記第１及び第２の端面の各々は、前記第１の面のエッジから前記第２の面のエッジまで延在する面に含まれる、ことを特徴とする請求項１に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第１の膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン酸窒化物、ジルコニウム酸化物、ジルコニウム窒化物、ジルコニウム酸窒化物、ジルコニウム弗化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、ハフニウム酸化物、ハフニウム窒化物、ハフニウム酸窒化物、ハフニウム弗化物、アルミ酸化物、アルミ窒化物、アルミ酸窒化物、マグネシウム弗化物、マグネシウム酸化物、マグネシウム窒化物、マグネシウム酸窒化物、カルシウム弗化物、バリウム弗化物、セリウム弗化物、アンチモン酸化物、ビスマス酸化物、ガドリニウム酸化物のうち少なくとも１つからなり、
前記第２の膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン酸窒化物、ジルコニウム酸化物、ジルコニウム窒化物、ジルコニウム酸窒化物、ジルコニウム弗化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、ハフニウム酸化物、ハフニウム窒化物、ハフニウム酸窒化物、ハフニウム弗化物、アルミ酸化物、アルミ窒化物、アルミ酸窒化物、マグネシウム弗化物、マグネシウム酸化物、マグネシウム窒化物、マグネシウム酸窒化物、カルシウム弗化物、バリウム弗化物、セリウム弗化物、アンチモン酸化物、ビスマス酸化物、ガドリニウム酸化物のうち少なくとも１つからなる、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板を準備する工程と、
前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、アノード電極、及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、
前記基板生産物を形成した後に、第１及び第２の端面を形成する工程と、
前記第１及び第２の端面にそれぞれ該窒化物半導体レーザ素子の共振器のための第１及び第２の膜を形成する工程と、
を備え、
前記第１及び第２の端面は、前記六方晶系III族窒化物半導体のａ軸及びｍ軸のいずれか一方の結晶軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定される基準面に交差し、
前記半導体領域は、第１導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第１のクラッド層と、第２導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第１のクラッド層、前記第２のクラッド層及び前記活性層は、前記法線軸の方向に配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記基板の前記半極性主面は、該窒化物半導体の＜０００１＞軸の方向を示すｃ＋軸ベクトルに直交する平面に４５度以上８０度以下及び１００度以上１３５度以下の範囲の角度で交差しており、
前記ｃ＋軸ベクトルは、前記第２の端面から前記第１の端面への方向を示す導波路ベクトルと鋭角を成し、
前記第２の膜が光出射面である、ことを特徴とする方法。
【請求項５】
第１及び第２の端面を形成する前記工程は、
前記基板生産物の第１の面をスクライブする工程と、
前記基板生産物の第２の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、レーザバーを形成する工程と、
を含み、
前記レーザバーは、前記分離により形成された第１及び第２の端面を有し、
前記第１の面は前記第２の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第１の面と前記基板との間に位置し、
前記レーザバーの前記第１及び第２の端面の各々は、前記第１の面から前記第２の面にまで延在し前記分離により形成された面に含まれる、ことを特徴とする請求項４に記載された方法。
【請求項６】
前記第１の誘電体多層膜内の誘電体層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン酸窒化物、ジルコニウム酸化物、ジルコニウム窒化物、ジルコニウム酸窒化物、ジルコニウム弗化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、ハフニウム酸化物、ハフニウム窒化物、ハフニウム酸窒化物、ハフニウム弗化物、アルミ酸化物、アルミ窒化物、アルミ酸窒化物、マグネシウム弗化物、マグネシウム酸化物、マグネシウム窒化物、マグネシウム酸窒化物、カルシウム弗化物、バリウム弗化物、セリウム弗化物、アンチモン酸化物、ビスマス酸化物、ガドリニウム酸化物のうち少なくとも１つを用いて形成され、前記第２の誘電体多層膜内の誘電体層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン酸窒化物、ジルコニウム酸化物、ジルコニウム窒化物、ジルコニウム酸窒化物、ジルコニウム弗化物、タンタル酸化物、タンタル窒化物、タンタル酸窒化物、ハフニウム酸化物、ハフニウム窒化物、ハフニウム酸窒化物、ハフニウム弗化物、アルミ酸化物、アルミ窒化物、アルミ酸窒化物、マグネシウム弗化物、マグネシウム酸化物、マグネシウム窒化物、マグネシウム酸窒化物、カルシウム弗化物、バリウム弗化物、セリウム弗化物、アンチモン酸化物、ビスマス酸化物、ガドリニウム酸化物のうち少なくとも１つを用いて形成される、ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載された方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
前記半導体領域の第１及び第２の端面上にそれぞれ設けられ、該III族窒化物半導体レーザ素子の共振器のための第１及び第２の膜と、
を備え、
前記半導体領域は、第１導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第１のクラッド層と、第２導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第１のクラッド層、前記第２のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記支持基体の前記III族窒化物半導体の＜０００１＞軸の方向を示すｃ＋軸ベクトルは、前記法線軸の方向を示す法線ベクトルに対して前記III族窒化物半導体のｍ軸及びａ軸のいずれかの結晶軸の方向に４５度以上８０度以下及び１００度以上１３５度以下の範囲の角度で傾斜しており、
前記第１及び第２の端面は、前記III族窒化物半導体の前記結晶軸及び前記法線軸によって規定される基準面に交差し、
前記ｃ＋軸ベクトルは、前記第２の端面から前記第１の端面への方向を示す導波路ベクトルと鋭角を成し、
前記第２の膜の反射率は、前記第１の膜の反射率より小さい、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる半極性主面を有する基板を準備する工程と、
前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、アノード電極、及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、
前記基板生産物を形成した後に、第１及び第２の端面を形成する工程と、
前記第１及び第２の端面にそれぞれ該窒化物半導体レーザ素子の共振器のための第１及び第２の膜を形成する工程と、
を備え、
前記第１及び第２の端面は、前記六方晶系III族窒化物半導体のａ軸及びｍ軸のいずれか一方の結晶軸及び前記半極性主面の法線軸によって規定される基準面に交差し、
前記半導体領域は、第１導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第１のクラッド層と、第２導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第１のクラッド層、前記第２のクラッド層及び前記活性層は、前記法線軸の方向に配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記基板の前記半極性主面は、該窒化物半導体の＜０００１＞軸の方向を示すｃ＋軸ベクトルに直交する平面に４５度以上８０度以下及び１００度以上１３５度以下の範囲の角度で交差しており、
前記ｃ＋軸ベクトルは、前記第２の端面から前記第１の端面への方向を示す導波路ベクトルと鋭角を成し、
前記第２の膜の反射率は、前記第１の膜の反射率より小さい、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月1日(2012.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型第ＩＩＩ属窒化物層と、
交代層の周期を少なくとも２周期有する、前記ｎ型第ＩＩＩ属窒化物層上の第ＩＩＩ属窒化物ベースの超格子と、
前記ｎ型第ＩＩＩ属窒化物層側とは反対側の前記超格子上の第ＩＩＩ属窒化物ベースの発光ダイオード活性領域であって、キャリアーが再結合することにより光子放出をもたらす発光ダイオード活性領域と、
前記発光ダイオード活性領域上のアルミニウム（Ａｌ）を含む第ＩＩＩ属窒化物キャッピング層であって、前記発光ダイオード活性領域に対して近位の領域のＡｌ濃度よりも遠位の領域のＡｌ濃度の方が高い第ＩＩＩ属窒化物キャッピング層と
を備えたことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記第ＩＩＩ属窒化物キャッピング層は、ドープされていないことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記発光ダイオード活性領域とは離れている、前記第ＩＩＩ属窒化物キャッピング層直上のｐ型第ＩＩＩ属窒化物層をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記ｐ型第ＩＩＩ属窒化物層はＡｌを含み、前記ｐ型第ＩＩＩ属窒化物層のＡｌ濃度は前記第ＩＩＩ属窒化物キャッピング層の前記発光ダイオード活性領域に対して近位の領域のＡｌ濃度よりも低いことを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記第ＩＩＩ属窒化物キャッピング層のＡｌ濃度は、連続的に勾配がつけられていることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記第ＩＩＩ属窒化物キャッピング層のＡｌ濃度は、段階的に勾配がつけられていることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記発光ダイオード活性領域と前記第ＩＩＩ属窒化物キャッピング層との間に窒化ガリウム層をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。