【事件の表示】
　特願２００３−　７３７７９「ｐ型半導体層活性化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月　７日出願公開，特開２００４−２８１８８５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年３月１８日の出願であって，平成１７年１０月２７日付けの拒絶理由通知に対して，平成１８年５月１日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年８月２２日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１１月２７日に審判請求がされるとともに，同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１８年１１月２７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　　・補正前の請求項１の「半導体層を基板の上に形成する工程」を，補正後の請求項１の「半導体層を基板の上に形成する工程であって，この工程において該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは非半導体層原子と結合を発生してレセプタ機能を喪失する，上記半導体層を基板の上に形成する工程」と補正し，また，補正前の請求項１の「該基板を真空反応室中に送りプラズマ活性化ステップを実行し，即ち，上述の反応室中にあって，電圧を該基板を載置したプラットフォームに印加し，コイルの電圧でプラズマ源を生成させる工程」を，補正後の請求項１の「該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入し，該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊し，電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びにコイルの電圧でプラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程」と補正する。
　
〈補正事項ｂ〉
　　・補正前の請求項７を，補正後の請求項５に繰り上げ，補正前の請求項７の「該基板の上にｐ型ドーパントを含む半導体層を形成する工程」を，補正後の請求項５の「該基板の上に半導体層を形成するエピタキシャル工程であって，該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは該エピタキシャル工程中に非半導体層原子と結合を発生してレセプタ機能を喪失する，上記エピタキシャル工程」と補正し，補正前の請求項７の「該基板を真空反応室中に送りプラズマ活性化ステップを実行し，即ち，上述の反応室中にあって，電圧を該基板を載置したプラットフォームに印加し，コイルの電圧でプラズマ源を生成させる工程」を，補正後の請求項５の「該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入し，該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊し，電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びにコイルの電圧でプラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程」と補正する。
　
〈補正事項ｃ〉
　　・補正前の請求項１５を，補正後の請求項１２に繰り上げ，補正前の請求項１５の「該基板の上にｐ型ドーパントを含む半導体層を形成する工程」を，補正後の請求項１２の「該基板の上に半導体層を形成するエピタキシャル工程であって，該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは該エピタキシャル工程中に非半導体層原子と結合を発生してレセプタ機能を喪失する，上記エピタキシャル工程」と補正し，補正前の請求項１５の「該基板を真空反応室中に送りプラズマ活性化ステップを実行し，即ち，上述の反応室中にあって，電圧を該基板を載置したプラットフォームに印加し，コイルの電圧でプラズマ源を生成させる工程と，
　を具え，そのうち，このプラズマは少なくとも酸素原子含有ガスを包含する気体源を包含すること」を，補正後の請求項１２の「該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，酸素原子を含有する少なくとも一種類の気体を包含する気体源を導入し，第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該半導体層を破壊せずに該結合を破壊し，並びに１０−４０Ｗの電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びに４００−９００Ｗのコイルの電圧でプラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程と，
　を具えたこと」と補正する。
　
〈補正事項ｄ〉
　　・補正前の請求項２，請求項４，及び，請求項８を削除する。
　
〈その他の補正事項〉
　　・補正前の請求項３を，補正後の請求項２に繰り上げることなど。
　
２　補正目的の適否
（１）補正事項ａについて
　補正事項ａは，補正前の請求項１の，「半導体層を基板の上に形成する工程」を，補正後の請求項１の「半導体層を基板の上に形成する工程であって，この工程において該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは非半導体層原子と結合を発生してレセプタ機能を喪失する，上記半導体層を基板の上に形成する工程」と限定し，また，補正前の請求項１の「該基板を真空反応室中に送りプラズマ活性化ステップを実行し，即ち，上述の反応室中にあって，電圧を該基板を載置したプラットフォームに印加し，コイルの電圧でプラズマ源を生成させる工程」を，補正後の請求項１の「該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入し，該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊し，電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びにコイルの電圧でプラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程」と限定したものであるから，補正事項ａは，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
　
（２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは，補正前の請求項７の「該基板の上にｐ型ドーパントを含む半導体層を形成する工程」を，補正後の請求項５の「該基板の上に半導体層を形成するエピタキシャル工程であって，該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは該エピタキシャル工程中に非半導体層原子と結合を発生してレセプタ機能を喪失する，上記エピタキシャル工程」と限定し，また，補正前の請求項７の「該基板を真空反応室中に送りプラズマ活性化ステップを実行し，即ち，上述の反応室中にあって，電圧を該基板を載置したプラットフォームに印加し，コイルの電圧でプラズマ源を生成させる工程」を，補正後の請求項５の「該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入し，該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊し，電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びにコイルの電圧でプラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程」と限定したものであるから，補正事項ｂは，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
　
（３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは，補正前の請求項１５の「該基板の上にｐ型ドーパントを含む半導体層を形成する工程」を，補正後の請求項１２の「該基板の上に半導体層を形成するエピタキシャル工程であって，該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは該エピタキシャル工程中に非半導体層原子と結合を発生してレセプタ機能を喪失する，上記エピタキシャル工程」と限定し，補正前の請求項１５の「該基板を真空反応室中に送りプラズマ活性化ステップを実行し，即ち，上述の反応室中にあって，電圧を該基板を載置したプラットフォームに印加し，コイルの電圧でプラズマ源を生成させる工程と，
　を具え，そのうち，このプラズマは少なくとも酸素原子含有ガスを包含する気体源を包含すること」を，補正後の請求項１２の「該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，酸素原子を含有する少なくとも一種類の気体を包含する気体源を導入し，第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該半導体層を破壊せずに該結合を破壊し，並びに１０−４０Ｗの電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びに４００−９００Ｗのコイルの電圧でプラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程と，
　を具えたこと」と限定したものであるから，補正事項ｃは，特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
　
（４）補正事項ｄについて
　補正事項ｄは，請求項の削除を目的とするものである。
　
（５）その他の補正事項について
　その他の補正事項は，補正前の請求項２，請求項４，及び，請求項８を削除することに伴なう補正であり，いずれの補正も，明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　したがって，特許請求の範囲についての本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項１号，２号及び４号に規定する要件を満たす。
　
　そこで，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（同特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に，「レセプタ機能」とあるのは，「アクセプタ機能」の誤記であることが明らかである。この誤記を訂正すると，本件補正後の請求項１の記載は，次のとおりとなる。
　
　【請求項１】
「ｐ型半導体層活性化方法において，該ｐ型半導体層が半導体構造中の一つの半導体層とされ，該ｐ型半導体層活性化方法が，
　基板を提供する工程と，
　半導体層を基板の上に形成する工程であって，この工程において該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは非半導体層原子と結合を発生してアクセプタ機能を喪失する，上記半導体層を基板の上に形成する工程と，
　該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入し，該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊し，電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びにコイルの電圧でプラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程と，
　を具えたことを特徴とする，ｐ型半導体層活性化方法。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
　
　　　引用例：特開２０００−２７７８０１号公報
　
（２−１）引用例の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２７７８０１号公報（以下「引用例」という。）には，図１，図２とともに，次の記載がある（下線は当審で付加）。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００３】【発明が解決しようとする課題】前述のように，
従来のチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子では，その半導体層を積層した後にｐ形層の活性化のためにアニール処理が行われる
このアニール処理は，前述のように，真空中または不活性ガス雰囲気で７００℃以上の高温で行われている
しかし，高温で熱処理をすると，半導体ウェハにクラックが入りやすく，歩留りが低下したり，ｎ形層の不純物がアニール処理をしている間に活性層に拡散し，発光特性を低下させるという問題がある
しかも，そのような熱処理を行っても，完全な活性化を達成できず，充分に低抵抗なｐ形層にすることができないという問題がある
【０００４】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので，チッ化ガリウム系化合物半導体を積層する半導体発光素子のｐ形層の活性化を低い温度で，しかも確実に行うことができる半導体発光素子の製法を提供することを目的とする
　
　　イ　課題を解決するための手段
・「【０００５】【課題を解決するための手段】
本発明者は，ｐ形層を活性化して低抵抗化するため
ｐ形層が充分に活性化されて電気抵抗が下がらない原因が半導体層を積層する際のキャリアガスのＨ
2
 または反応ガスのＮＨ
3
 のＨがｐ形層とするドーパントのＭｇなどと結合し，Ｍｇなどがドーパントの働きをせず高抵抗になるという知見に基づき，Ｈ（水素原子）を抜きとることにより低抵抗化できることを見出した
ｐ形層を成長した半導体ウェハにプラズマ酸素などの活性な酸化性ガスを照射したり，活性な酸素雰囲気に半導体ウェハを晒すことにより，非常に低温で活性化処理を行うことができ，非常に低抵抗なｐ形層を得ることができることを見出した
【０００６】
本発明による半導体発光素子の製法は，基板上に少なくともｎ形層とｐ形層を含み，発光層を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し，該積層した半導体層のｐ形層の活性化処理を行う場合に，前記ｐ形層の成長後該ｐ形層に酸化性ガスを照射することにより，または前記ｐ形層の成長後のいずれかの工程で，該ｐ形層を成長した基板を酸素プラズマの雰囲気に晒すことにより，該ｐ形層内のＨ原子を引き出してｐ形層を活性化させることを特徴とする
【０００７】
ここに酸化性ガスとは，酸素をプラズマ化した酸素プラズマや，オゾン，Ｎ
2
Ｏなどの非常に対象物を酸化させやすく，Ｈ（水素）と化合しやすい気体を意味する。また，チッ化ガリウム系化合物半導体とは，III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物またはIII 族元素のＧａの一部または全部がＡｌ，Ｉｎなどの他のIII 族元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部がＰ，Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からなる半導体をいう
【０００８】
この方法で行うことにより，ｐ形層の表面にプラズマ酸素やオゾンなどの非常に活性な酸化性ガスが存在するため，ｐ形層内のＨ（水素）が引き寄せられて活性な酸素と化合し，ｐ形層からＨ（水素）が抜ける
そのため，ｐ形層内にドーパントとしてドーピングされたＭｇなどがＨとの化合を解かれて，Ｇａサイト内にＭｇが入り，ｐ形ドーパントとして充分に機能する
その結果，高い温度でのアニール処理を行わなくても，ｐ形層の活性化が充分に行われて低抵抗化を達成することができる
　
　　ウ　実施例
・「【００１０】【発明の実施の形態】つぎに，図面を参照しながら本発明の半導体発光素子の製法について説明をする。図１には，青色系の発光に適したチッ化ガリウム系化合物半導体層をウェハ状のサファイア基板上に積層し，ＬＥＤチップを製造する本発明の製法の一実施形態における工程説明図が示されている。
【００１１】まず，図１（ａ）に示されるように，基板１上に第１導電形半導体層（ｐ形層５）および第２導電形半導体層（ｎ形層３）を含み発光層を形成する半導体層を積層する。具体的には，半導体層を積層するため，たとえば有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により反応ガスおよび必要なドーパントガスを導入して，サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）などからなるウェハ状の基板１の表面にＧａＮからなる低温バッファ層２と，クラッド層となるｎ形のＧａＮおよび／またはＡｌＧａＮ系（ＡｌとＧａの比率が種々変わり得ることを意味する，以下同じ）の積層構造からなるｎ形層３を１〜５μｍ程度堆積し，さらに，バンドギャップエネルギーがクラッド層のそれよりも小さくなる材料，たとえばＩｎＧａＮ系化合物半導体層からなる活性層４を０.０５〜０.３μｍ程度，ｐ形のＡｌＧａＮ系化合物半導体層および／またはＧａＮ層からなるｐ形層（クラッド層）５を０.２〜１μｍ程度，それぞれ順次積層する。
【００１２】つぎに
，図１（ｂ）に示されるように，ｐ形層５が積層されたウェハ１１をボート１５に載せ，酸素プラズマの照射装置１７内に入れ，たとえば酸素プラズマをｐ形層５の表面に照射するように吹き込むか，酸素プラズマが吹き込まれることにより酸素プラズマが照射装置内１７で還流する雰囲気に晒す
酸素プラズマは，たとえば図１（ｂ）に示されるように，一端部が金網２１により閉塞されてマイクロ波を遮断しながら気体を透過させ，他端部をマイクロ波を透過しながら気体を遮断する透過窓２２により仕切られた導波管２３などからなるマイクロ波共振器の透過窓２２を貫通して，酸素供給管２４により酸素をマイクロ波共振器内に導入することにより，酸素供給管２４から供給される酸素がマイクロ波によりプラズマ化され，生成される
【００１３】照射装置１７は，余り温度を上昇させないため，石英管でなくてもよく，アルミニウムなどの金属により断面が円形または矩形形状の容器に形成されてもよい。この容器には，内部の空気を除去することができるように，図示しない排気ポンプに接続される排気管１７ａが設けられると共に，一端部にはボート１５の出し入れをすることができる開閉扉１７ｂが設けられている。この照射装置１７内は，高温にする必要はないが，たとえば３００℃程度に温度を上昇した方がｐ形層５内のＨをその表面側に移動させやすく，表面のＨは活性な酸素と化合しやすいため，温度を上昇させることが，ｐ形層５の活性化を早めるのに都合がよい。そのため，周囲に加熱用のヒータが設けられることもある。たとえば３００℃程度で前述と同じ活性化処理を行うことにより，前述の例より１／２程度の短い処理で同程度の低抵抗のｐ形層５にすることができた。また，前述の図１（ｂ）では，酸素プラズマの供給するマイクロ波共振器が１個しか書かれていないが，周囲に複数個設けて周囲から酸素プラズマを供給することもできる。」
・「【００１７】
本発明によれば，酸素プラズマなどの非常に活性化した酸素などをｐ形層の表面に吹き付けたり，その雰囲気内にｐ形層を有するウェハが晒されるため，まず，ｐ形層の表面に存在するドーパントのＭｇなどと化合したＨが活性化した酸素に引きつけられてＭｇから分離して，その活性な酸素と化合する
Ｈと分離したＭｇはＧａサイトに入りやすくなり，ｐ形ドーパントとして充分に機能する。そして順次，内部のＭｇと化合したＨが表面側に押し出される。表面側には活性な酸素が接触しているため，Ｍｇと化合しているＨは順次活性な酸素に引きつけられてｐ形層から抜け出，活性な酸素と化合する
その結果，Ｈと分離したＭｇはＧａサイトに入りドーパントとして作用する。その結果，高い温度のアニール処理をしなくても，低温でｐ形層の活性化処理を充分に行うことができる
　
　　エ　発明の効果
・「【００２０】【発明の効果】本発明によれば，ウェハの温度を高温にするアニール処理を行わないで，ｐ形層内に取り込まれている水素（Ｈ）を短時間で効率よく取り出すことができるため，ウェハの熱ショックなどに起因する割れや結晶欠陥の発生などが生じにくく，さらに半導体層間のドーパントの拡散による不純物濃度の変化なども生じない。そのため，非常に高性能で高信頼性の発光素子を高歩留りで得ることができる。
【００２１】さらに，ｐ形層の活性化処理を非常に短時間で行うことができると共に，ｐ形層の活性化処理を完全に行うことができるため，直列抵抗が低下して低電圧で動作すると共に，発光効率が向上し高特性の青色系の半導体発光素子が得られる。」
　
（２−２）引用発明
　上記ア〜エによれば，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「ｐ形層の活性化方法において，ウェハ状の基板上にｐ形層およびｎ形層を含む発光層を形成する半導体層を積層し，前記ｐ形層の活性化方法が，
　前記基板を提供する工程と，
　前記ｐ形層を前記基板の上に形成する工程であって，この工程において前記ｐ形層はＭｇからなるドーパントを有し，前記ドーパントは水素原子と結合してドーパントの働きをしない，前記ｐ形層を前記基板の上に形成する工程と，
　前記基板をボートに載せ，酸素プラズマの照射装置内に入れ，酸素プラズマで前記ｐ形層を活性化する工程であって，前記照射装置には排気ポンプに接続される排気管が設けられており，前記照射装置に酸素を導入し，前記酸素をマイクロ波によりプラズマ化して前記酸素プラズマを生成させ，この酸素プラズマにより，ドーパントのＭｇと化合した水素原子が，活性化した酸素に引きつけられて前記Ｍｇから分離し，前記活性化した酸素と化合することで，前記ｐ形層を活性化させる工程と，
　を備えたことを特徴とする，ｐ形層の活性化方法。」
　
　なお，引用発明の課題は，「チッ化ガリウム系化合物半導体を積層する半導体発光素子のｐ形層の活性化を低い温度で，しかも確実に行うことができる半導体発光素子の製法を提供すること」（段落【０００４】）であり，本願補正発明と同様である。
　　
（３）対比
（３−１）次に，本願補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「ｐ形層の活性化方法」は，本願補正発明の「ｐ型半導体層活性化方法」に相当する。
　　イ　引用発明の「ウェハ状の基板上にｐ形層およびｎ形層を含む発光層を形成する半導体層を積層」することは，本願補正発明の「該ｐ型半導体層が半導体構造中の一つの半導体層とされ」ることに相当する。
　　ウ　引用発明の「ｐ形層」は，本願補正発明の「半導体層」に相当するので，引用発明の「前記ｐ形層を前記基板の上に形成する工程」は，本願補正発明の「半導体層を基板の上に形成する工程」に相当し，また，引用発明の「前記ｐ形層はＭｇからなるドーパントを有」すること，「前記ドーパントは水素原子と結合してドーパントの働きをしない」ことは，それぞれ，本願補正発明の「該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含」すること，「該ｐ型ドーパントは非半導体層原子と結合を発生してアクセプタ機能を喪失する」ことに相当するので，引用発明の「前記ｐ形層を前記基板の上に形成する工程であって，この工程において前記ｐ形層はＭｇからなるドーパントを有し，前記ドーパントは水素原子と結合してドーパントの働きをしない，前記ｐ形層を前記基板の上に形成する工程」は，本願補正発明の「半導体層を基板の上に形成する工程であって，この工程において該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは非半導体層原子と結合を発生してアクセプタ機能を喪失する，上記半導体層を基板の上に形成する工程」に相当する。
　　エ　引用発明の「酸素プラズマの照射装置」には，「排気ポンプに接続される排気管が設けられて」いるので，引用発明の「酸素プラズマの照射装置」は，本願補正発明の「真空反応室」に相当し，引用発明の「酸素プラズマ」，「前記照射装置に酸素を導入」すること，「前記ドーパントの前記Ｍｇと化合した水素原子が，活性化した酸素に引きつけられて前記Ｍｇから分離」すること，「プラズマ化されて前記酸素プラズマが生成され」ることは，それぞれ，本願補正発明の「プラズマ」，「少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入」すること，「該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊」すること，「プラズマ源を生成する」ことに相当するので，引用発明の「前記基板をボートに載せ，酸素プラズマの照射装置内に入れ，酸素プラズマで前記ｐ形層を活性化する工程であって，前記照射装置には排気ポンプに接続される排気管が設けられており，前記照射装置に酸素を導入し，前記酸素がマイクロ波によりプラズマ化され，この酸素プラズマにより，ドーパントのＭｇと化合した水素原子が，活性化した酸素に引きつけられて前記Ｍｇから分離し，前記活性化した酸素と化合することで，前記ｐ形層を活性化させる工程」は，本願補正発明の「該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入し，該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊し，」「プラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程」に相当する。
　
（３−２）そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「ｐ型半導体層活性化方法において，該ｐ型半導体層が半導体構造中の一つの半導体層とされ，該ｐ型半導体層活性化方法が，
　基板を提供する工程と，
　半導体層を基板の上に形成する工程であって，この工程において該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは非半導体層原子と結合を発生してアクセプタ機能を喪失する，上記半導体層を基板の上に形成する工程と，
　該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入し，該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊し，プラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程と，
　を具えたことを特徴とする，ｐ型半導体層活性化方法。」
　
《相違点》
　本願補正発明は，「電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びにコイルの電圧でプラズマ源を生成する」のに対して，引用発明は，「マイクロ波によりプラズマ化」して「プラズマを生成」する点。
　
（４）相違点についての判断
（４−１）相違点について
　　ア　処理容器に誘導結合コイルを設け，高周波を印加するとともに，半導体ウエハの裁置台（プラットフォーム）に電圧を印加することにより，処理ガスのプラズマを生成する技術（誘導結合型プラズマ処理装置）は，半導体製造技術分野における周知技術であり（例えば，拒絶査定時に周知例として提示した特開２００２−２０８５８４号公報の図１，図７及び段落【０００３】，【０００４】，【０００９】，【００１１】，【００１２】，【００１７】の記載を参照。），引用発明で採用されているマイクロ波によるプラズマ発生技術（マイクロ波プラスマ処理装置）と並んで，半導体の製造工程においてよく用いられている技術である。
　　ウ　また，引用発明の「マイクロ波によりプラズマ化し」「プラズマを生成させ」ることについて，引用例には，「酸素プラズマは，たとえば図１（ｂ）に示されるように，・・・酸素供給管２４から供給される酸素がマイクロ波によりプラズマ化され，生成される。」（【００１２】段落）という記載があり，「たとえば」と記載されているように，「マイクロ波によりプラズマ化され」ることは，例示であり，他の方法でも「プラズマ化されて」「プラズマが生成され」ることが示唆されている。
　　エ　そうすると，プラズマ源を生成するために，引用発明の「マイクロ波によりプラズマ化」して「プラズマを生成」することと，本願補正発明の「電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びにコイルの電圧でプラズマ源を生成する」ことに相当する，周知技術である「処理容器に，誘導結合コイルを設けて，高周波を印加するとともに，半導体ウエハの裁置台にバイアス電極を埋め込み，高周波を印加することにより，処理ガスのプラズマを生成する」ことの，どちらを選択するかは，当業者が適宜選択できた程度のことと認められる。
　
（５）以上のとおり，相違点に係る構成とすることは，当業者が容易に想到できたものである。
　したがって，本願補正発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　以上の次第で，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により，却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明 
１　以上のとおり，本件補正（平成１８年１１月２７日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１８年５月１日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された，次のとおりのものである。 
 　 
　【請求項１】
 「ｐ型半導体層活性化方法において，該ｐ型半導体層が半導体構造中の一つの半導体層とされ，該ｐ型半導体層活性化方法が，
　基板を提供する工程と，
　半導体層を基板の上に形成する工程と，
　該基板を真空反応室中に送りプラズマ活性化ステップを実行し，即ち，上述の反応室中にあって，電圧を該基板を載置したプラットフォームに印加し，コイルの電圧でプラズマ源を生成させる工程と，
　を具えたことを特徴とする，ｐ型半導体層活性化方法。」
 　 
２　引用例の記載事項，引用発明については，前記第２，３（２），（２−１）〜（２−２）において認定したとおりである。
　
３　対比・判断 
 　前記第２の１〈補正事項ａ〉及び２（１）で検討したように，本願補正発明は，補正前の「半導体層を基板の上に形成する工程」について，「半導体層を基板の上に形成する工程であって，この工程において該半導体層は少なくとも一種類のｐ型ドーパントを包含し，該ｐ型ドーパントは非半導体層原子と結合を発生してレセプタ機能を喪失する，上記半導体層を基板の上に形成する工程」と具体的に限定し，また，補正前の「該基板を真空反応室中に送りプラズマ活性化ステップを実行し，即ち，上述の反応室中にあって，電圧を該基板を載置したプラットフォームに印加し，コイルの電圧でプラズマ源を生成させる工程」について，「該基板を真空反応室中に送り，プラズマで上記半導体層を活性化する工程であって，この工程において該真空反応室内に，少なくとも一種類の第ＶＩ族元素の気体を包含する気体源を導入し，該第ＶＩ族元素を該非半導体層原子と反応させて該結合を破壊し，電圧を該基板を載置するプラットフォームに印加し，並びにコイルの電圧でプラズマ源を生成する，上記プラズマで上記半導体層を活性化する工程」と具体的に限定したものである。逆に言えば，本件補正前の発明（本願発明）は，本願補正発明から，このような限定をなくしたものである。 
 　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２，３において検討したとおり，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
　 
第４　結言 
 　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
 　 
 　よって，結論のとおり審決する。