【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体の電極パッド上に形成された突起部を有するバンプ、及び前記基板本体の回路形成面及び前記バンプを覆い、前記突起部の一部が上面に露出する第１の絶縁層を備えた電子部品と、
前記電子部品の少なくとも側面周囲を覆い、その一方の面が前記第１の絶縁層の表面と同一面となるように形成された第２の絶縁層と、
前記第１、第２の絶縁層上に形成され、前記露出したバンプの突起部の一部に直接接続された第１の配線層と、
前記第１の配線層を覆って前記第１、第２の絶縁層上に形成され、前記第１の配線層に達するビアホールを有する熱硬化性材料からなる第３の絶縁層と、
前記ビアホールに充填され、前記第１の配線層に接続する第１の導体ビアとを有する第１の構造体及び第２の構造体で構成され、
前記第１の構造体及び第２の構造体は、前記第１の導体ビアが充填されている側の面を対向させ、該第１の導体ビア同士を重ね合わせて一体化され、
該一体化された構造体の両面には、前記電子部品の実装エリアの周囲の領域に対応する部分に形成された、前記第１の構造体及び第２の構造体における前記第１の配線層に達する複数のビアホールと、該ビアホールに充填された第２の導体ビアと、該第２の導体ビアを介して前記第１の配線層に接続された第２の配線層と、該第２の配線層の所定の箇所に画定されたパッドの部分を露出させて形成された保護膜とを有することを特徴とする電子部品内蔵配線基板。
【請求項２】
前記第１の構造体の第２の導体ビアは、前記第１の構造体の前記第１の配線層と接続される第２の導体ビアと、前記第２の構造体の第１の配線層と接続される第２の導体ビアとを有し、
前記第２の構造体の第２の導体ビアは、前記第２の構造体の第１の配線層と接続される第２の導体ビアと、前記第１の構造体の第１の配線層と接続される第２の導体ビアとを有することを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵配線基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁層の表面は粗面化されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品内蔵配線基板。
【請求項４】
前記保護膜は、ソルダレジスト層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品内蔵配線基板。
【請求項５】
前記一体化された構造体の両面には、それぞれ、前記電子部品及び前記第２の絶縁層を覆うように第４の絶縁層が形成され、かつ各々の該第４の絶縁層上に前記第２の配線層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子部品内蔵配線基板。
【請求項６】
基板本体に形成された電極パッド上に突起部を有するバンプを形成後、前記基板本体上に前記バンプを覆うように第１の絶縁層を形成し、該第１の絶縁層にシート状の部材を圧着して前記突起部の一部を前記第１の絶縁層の上面に露出させた後、前記シート状の部材を除去して電子部品を得る工程と、
前記電子部品の少なくとも側面周囲を覆い、その一方の面が前記第１の絶縁層の表面と同一面となるように第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第１、第２の絶縁層上に、前記突起部の露出した一部に直接接続される第１の配線層を所要のパターン形状に形成する工程と、
前記第１の配線層を覆うように熱硬化性材料からなる第３の絶縁層を半硬化状態で形成後、該第３の絶縁層に前記第１の配線層に達するビアホールを形成し、該ビアホールに第１の導体ビアを充填する工程と、
以上の工程を経て作製された第１の構造体と、同様の工程を経て作製された第２の構造体とを、それぞれ前記第１の導体ビアが充填されている側の面を対向させ、その充填されている箇所を位置合わせして重ね合わせた後、半硬化状態にある前記第３の絶縁層を熱硬化させて一体化する工程と、
該一体化された構造体の両面に、前記電子部品の実装エリアの周囲の領域に対応する部分において前記第１、第２の各構造体における前記第１の配線層にそれぞれ達する複数のビアホールを形成した後、該ビアホールに第２の導体ビアを充填し、その後第２の導体ビアを介して前記第１の配線層に接続される第２の配線層を所要のパターン形状に形成する工程と、
前記第２の配線層の所定の箇所に画定されたパッドの部分を露出させて保護膜を形成する工程とを含むことを特徴とする電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の構造体の第２の導体ビアは、前記第１の構造体の前記第１の配線層と接続される第２の導体ビアと、前記第２の構造体の第１の配線層と接続される第２の導体ビアとを有し、
前記第２の構造体の第２の導体ビアは、前記第２の構造体の第１の配線層と接続される第２の導体ビアと、前記第１の構造体の第１の配線層と接続される第２の導体ビアとを有することを特徴とする請求項６に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記電子部品を得る工程において、前記シート状の部材として、前記第１の配線層と対向する側の面が粗面とされた銅箔又は樹脂フィルムを用い、該銅箔又は樹脂フィルムの圧着により前記粗面を前記第１の絶縁層及び前記突起部の露出した一部に転写することを特徴とする請求項６又は７に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記電子部品を得る工程において、前記電極パッド上に形成される前記突起部を有するバンプは、ボンディングワイヤの前記パッドへの接合と、該接合後の該ボンディングワイヤの切断を連続的に行うことで形成されることを特徴とする請求項８に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の絶縁層を形成する工程は、支持基材上に前記電子部品をフェイスダウンの態様で配置する工程と、前記支持基材上に前記電子部品の側面周囲を覆うように前記第２の絶縁層を形成する工程と、前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項８に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記電子部品は、ウエハレベルパッケージのプロセスを用いて半導体ウエハに作り込まれた複数のデバイスに対し、前記電子部品を得る工程で行った処理を施した後に、各デバイス単位に個片化して得られた半導体チップであることを特徴とする請求項８に記載の電子部品内蔵配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子部品内蔵配線基板及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵配線基板及びその製造方法に関し、特に、高密度及び高機能化に対応すべく半導体素子等の電子部品を内蔵した配線基板（電子部品内蔵配線基板）及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、半導体素子等の電子部品を内蔵した配線基板を製造するにあたり、工程の簡素化を図り、配線の微細化を実現するとともに、より一層の高密度実装を実現することができる電子部品内蔵配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の従来技術の課題を解決するために、本発明に係る電子部品内蔵配線基板の製造方法は、基板本体に形成された電極パッド上に突起部を有するバンプを形成後、前記基板本体上に前記バンプを覆うように第１の絶縁層を形成し、該第１の絶縁層にシート状の部材を圧着して前記突起部の一部を前記第１の絶縁層の上面に露出させた後、前記シート状の部材を除去して電子部品を得る工程と、前記電子部品の少なくとも側面周囲を覆い、その一方の面が前記第１の絶縁層の表面と同一面となるように第２の絶縁層を形成する工程と、前記第１、第２の絶縁層上に、前記突起部の露出した一部に直接接続される第１の配線層を所要のパターン形状に形成する工程と、前記第１の配線層を覆うように熱硬化性材料からなる第３の絶縁層を半硬化状態で形成後、該第３の絶縁層に前記第１の配線層に達するビアホールを形成し、該ビアホールに第１の導体ビアを充填する工程と、以上の工程を経て作製された第１の構造体と、同様の工程を経て作製された第２の構造体とを、それぞれ前記第１の導体ビアが充填されている側の面を対向させ、その充填されている箇所を位置合わせして重ね合わせた後、半硬化状態にある前記第３の絶縁層を熱硬化させて一体化する工程と、該一体化された構造体の両面に、前記電子部品の実装エリアの周囲の領域に対応する部分において前記第１、第２の各構造体における前記第１の配線層にそれぞれ達する複数のビアホールを形成した後、該ビアホールに第２の導体ビアを充填し、その後第２の導体ビアを介して前記第１の配線層に接続される第２の配線層を所要のパターン形状に形成する工程と、前記第２の配線層の所定の箇所に画定されたパッドの部分を露出させて保護膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る電子部品内蔵配線基板の製造方法によれば、基板本体の電極パッド上に突起部を有するバンプを形成し、更にシート状の部材を第１の絶縁層に圧着して突起部の一部を第１の絶縁層の上面に露出させたもの（電子部品）を、第２の絶縁層内に再配置して再配線（第１の配線層）を行っている。さらに、その再配線を行った構造体に対し、第１の絶縁層を覆う第３の絶縁層（半硬化状態）を形成後、第１の配線層を介してバンプの突起部に接続される第１の導電ビアを充填してなる第１の構造体とし、これと同様の工程を経て作製された第２の構造体と重ね合わせ、第３の絶縁層を熱硬化させて一体化したものに対し、さらに再配線（第２の配線層）を行っている。