【事件の表示】
　特願２０００−　　５８５６「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月１９日出願公開、特開２００１−１９４６７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　　　平成１２年　１月　７日
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成１９年　５月２９日
　意見書・手続補正書提出　　　平成１９年　７月２７日
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成１９年１１月２０日
　意見書・手続補正書提出　　　平成２０年　１月１８日
　補正却下の決定　　　　　　　平成２０年　３月２６日
　拒絶査定謄本送達　　　　　　平成２０年　４月２２日
　審判請求　　　　　　　　　　平成２０年　５月２０日
　手続補正書提出　　　　　　　平成２０年　６月１８日
　
II．平成２０年６月１８日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成２０年６月１８日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成２０年６月１８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「一対の基板と、該一対の基板間に液晶を有する液晶パネルを備えた液晶表示装置において、
　前記一対の基板の一方の基板には、複数のゲート配線と、該複数のゲート配線に交差して配置された複数のドレイン配線を有し、該複数のゲート配線と該複数のゲート配線に囲われる領域に対応して画素が形成されており、
　該画素には、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、共通電極が配置されており、
　前記画素電極は透明導電膜で構成されおり、
　前記共通電極は、前記一対の基板の一方の基板の上方に面状に形成された透明導電膜で構成されており、
　前記共通電極上には、複数の画素に跨って配置された共通配線が配置されており、
　前記ゲート配線は、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金、アルミニウム若しくはアルミニウムを主体とするアルミニウ合金、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金の積層構造で構成され、
　該共通配線は、前記画素電極を構成する透明導電膜とは別の材料であるモリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金、アルミニウム若しくはアルミニウムを主体とするアルミニウ合金、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金の積層構造で構成され、
　前記共通電極及び前記共通配線を覆うように絶縁膜が配置され、
　該絶縁膜上には保護膜が配置され、
　該保護膜上に前記画素電極が配置され、
　前記共通配線は、前記ゲート配線が延びる方向と同じ方向に延びて構成されており、
　前記液晶パネルの背面にはバックライトが配置されている液晶表示装置。」と補正することを含むものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　　
２．引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−３１６３８３号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある。　
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関し、より詳しくは、新たな電極構造を有する液晶表示装置に関する。」
　
「【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図面に基づいて詳細に説明する。
【００２３】以下、本発明の第１実施例について図１乃至図１１を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置における電極の配置を示した図面であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ′線の断面図であって、上部基板と下部基板とを共に示したものであり、電気力線及び等電位線も共に示した。
【００２４】まず、電極が形成されている下部基板の構造について説明する。ガラスや石英のような透明な絶縁物質からなる下部基板１００の内面上にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）などの透明導電物質からなっていて、一定の幅を有する面形電極２が横方向に長く形成されている。面形電極２上を絶縁膜３が覆っており、その上に幅の狭い多数の線形電極１が縦方向に互いに平行に形成されている。線形電極１は透明または不透明な物質からなり得、その幅は線形電極１間の間隔、すなわち、隣接した二つの線形電極１の隣接境界線間の距離より小さい。線形電極１上にはポリイミドなどの物質で作られた配向膜４が塗布されている。一方、下部基板１００の外面には偏光板５が取付けられている。
【００２５】ガラスや石英などの透明な絶縁物質からなって下部基板と対向している上部基板２００の内側面にはポリイミドなどの物質で作られた配向膜６が形成されており、外面には偏光板７が取付けられている。
【００２６】最終に、二つの基板１００、２００の配向膜４、６間には光学異方性を有する液晶層５００が挿入されている。　
【００２７】この液晶表示装置は、下部基板１００の下方に位置するバックライトユニット（図示しない）からの光の透過率を調節しても表示動作を行いうるが、上部基板２００の上部から入ってくる自然光を利用して表示動作を行うことも可能であり、この場合には下部偏光板５は必要がない。自然光を利用した反射型液晶表示装置の場合には、線形電極１と面形電極２を共に不透明で反射率の高い物質、例えば、アルミニウムなどの物質で形成するのが好ましい。また、反射型の場合、下部基板１００を不透明にすることが可能である。」
　
「【０１３３】以下、本発明の第７実施例による液晶表示装置用基板及びその製造方法について説明する。まず、本発明の第７実施例による液晶表示装置用基板の構造について図３５乃至図３７を参照して説明する。図３５は本発明の第７実施例による液晶表示装置の下部基板の配置図である。図３６及び図３７はそれぞれ図３５のＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ′及びＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ′線の断面図である。
【０１３４】図３５乃至図３７に示したように、透明な絶縁基板１００上にＩＴＯなどの透明導電物質からなる面形の共通電極２０が画素単位に形成されている。共通信号を伝達することができるように、共通電極２０は基板１００上の連結部２３を通じて隣接する画素領域の共通電極と連結されている。基板１００上の右側端部に形成されている共通電極線連結部２４は連結部２３を通じて共通電極２０と連結されている。
【０１３５】画素の下側には横に走査信号線１０が形成されており、走査信号線１０は基板の左側端部に形成されているゲートパッド１２と連結されることで外部から走査信号が伝達される。そして、走査信号線１０の一部はゲート電極１１となる。
【０１３６】共通電極２０及び連結部２３と共通電極線連結部２４、ゲート線１０とゲートパッド１２は、ＩＴＯなどの透明導電物質からなり、これらの断線を防止するために共通電極２０の上端、連結部２３、共通電極線連結部２４及び走査信号線１０上に補助パターンが形成されている。補助連結部３３は連結部２３と共通電極２０の上端上に、補助共通電極線連結部３４は共通電極線連結部２４上に、そして補助走査信号線３０及び補助グート電極３１はそれぞれ走査信号線１０及びゲート電極１１上に形成されている。補助パターン３０、３１、３３、３４はアルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電物質からなる。しかし、アルミニウムまたはアルミニウム合金がＩＴＯと直接接触する場合には電気化学反応を起こし得るため、ＩＴＯ膜とアルミニウムまたはアルミニウム合金膜との間にクロムやモリブデン−タングステン合金などのＩＴＯと接触しても反応しない耐火性金属層３２、３５を形成する。勿論、このような配線を多重に形成せずにアルミニウムまたはアルミニウム合金の単層に形成することも可能である。但し、ゲートパッド１２部分は耐酸性の強いＩＴＯ膜で形成するのが以降の工程で有利であるため、アルミニウムまたはアルミニウム合金層や耐火性金属層をＩＴＯ膜上に形成しない。
【０１３７】走査信号線１０及び共通電極２０、共通電極線２３、共通電極線連結部２４はゲート絶縁膜で覆われており、図３５及び図３７に示したように、走査信号線１０の一部であるゲート電極１１上のゲート絶縁膜４０上にはチャンネル層５１が形成されている。チャンネル層５１上にはゲート電極１１に対して両側にｎ型の高濃度不純物でドーピングされた非晶質シリコン層６１、６２がそれぞれ形成されている。
【０１３８】一方、ゲート絶縁膜４０上には、また、縦方向にデータ線７０が形成されて走査信号線１０と交差しており、データ線７０の一部が延長されてドーピングされた非晶質シリコン層６１上に形成されてソース電極７１をなし、ゲート電極１１に対してソース電極７１の向かい側に位置したドーピングされた非晶質シリコン層６２上にはドレイン電極７２が形成されている。このようなゲート電極１１、ソース電極７１及びドレイン電極７２は薄膜トランジスタの各電極をなし、チャンネル層５１には電子が移動するチャンネルが形成され、ドーピングされた非晶質シリコン層６１、６２はソース及びドレイン電極７１、７２とチャンネル層５１との抵抗性接触を向上させる役割を果す。
【０１３９】ドレイン電極７２は延長されて縦方向の多数の線形画素電極７５をなし、このようなデータ線７０、ソース及びドレイン電極７１、７２並びに画素電極７５は保護膜８０で覆われている。」
　
「【０１４３】以下、本発明の第７実施例による液晶表示装置を製造する方法について、図３８乃至図４９を参照して説明する。図３８、図４１、図４４、図４７は本発明の第７実施例による液晶表示装置の製造方法を示した配置図であり、図３９、図４０、図４２、図４３、図４５、図４６、図４８、図４９は、それぞれ図３８のＸＸＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ′線及びＸＬ−ＸＬ′線、図４１のＸＬＩＩ−ＸＬＩＩ′線及びＸＬＩＩＩ−ＸＬＩＩＩ′線、図４４のＸＬＶ−ＸＬＶ′線及びＸＬＶＩ−ＸＬＶＩ′線、図４７のＸＬＶＩＩＩ−ＸＬＶＩＩＩ′線及びＸＬＩＸ−ＸＬＩＸ′線に沿って示した断面図である。
【０１４４】まず、図３８乃至図４０に示したように、ガラスなどの透明な絶縁基板１００上にＩＴＯなどの透明導電物質を５０〜１００ｎｍの厚さで積層し、一番目のマスクを利用してパターニングすることで、共通電極２０、連結部２３及び共通電極線連結部２４を含む共通配線と、走査信号線１０及びゲートパッド１２を形成する。
【０１４５】次に、図４１乃至図４３に示したように、クロムまたはモリブデン−タングステンなどの耐火性金属からなる下部金属膜と１００〜４００ｎｍの厚さのアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる上部金属膜を順に蒸着し、二番目のマスクを利用してパターニングすることで補助パターン３０、３１、３３、３４とその下部のバッファ層３２、３５とを形成する。そして、窒化シリコンなどの物質からなるゲート絶縁膜４０を積層して共通電極２０と走査信号線１０などが形成された基板の全面を覆う。
【０１４６】そして、図４４乃至図４６に示したように、ゲート絶縁膜４０上にチャンネル層５１及びｎ＋型の非晶質シリコン層６０を連続的に積層し、三番目のマスクを利用して共にパターニングすることで薄膜トランジスタの半導体層を形成する。
【０１４７】次に、図４７乃至図４９に示したように、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、またはこれらの合金を１００〜２００ｎｍの厚さで蒸着し、四番目のマスクを利用してパターニングすることでデータ線７０、ソース電極７１及びドレイン電極７２を形成し、画素領域に縦方向の多数の線形画素電極７５を形成した後、ソース及びドレイン電極７１、７２をマスクにして露出したｎ＋型の非晶質シリコン層６０をエッチングして抵抗性接触層６１、６２を完成する。
【０１４８】最後に、図３５乃至図３７に示したように、保護膜８０を２００〜４００ｎｍ程度の厚さで蒸着し、五番目のマスクを利用してゲートパッド１２部分の保護膜８０と絶縁膜３とを除去する。この時、画素電極７５上の保護膜を除去することで開口部を形成し得る。
【０１４９】これとは異なり、共通配線とゲート配線を補助配線及びバッファ層が形成された以降に形成することも可能である。　
【０１５０】電極をなす物質、電極の幅及び間隔などが液晶表示装置の設計によって変化可能なのは勿論である。例えば、線形電極１を透明な物質で形成すると、線形電極１上の液晶分子も光の調節に利用されるので、より大きな透過率が得られる。また、反射型液晶表示装置の場合、線形電極１と面形電極２とを共に不透明で反射率の高い物質、例えばアルミニウムなどの物質で作ることが好ましい。」
　
　上記【００２２】〜【００２７】の記載によれば、引用例１には、
ア「下部基板１００と上部基板２００の間に液晶層５００が挿入され、下部基板１００の下方に位置するバックライトユニットからの光の透過率を調節して表示動作を行う液晶表示装置。」が記載されているものと認められる。
　また、その下部基板１００として、上記【０１３３】〜【０１３９】には、
イ「透明な絶縁基板１００上に透明導電物質からなる面形の共通電極２０が画素単位に形成され、共通電極２０は基板１００上の連結部２３を通じて隣接する画素領域の共通電極と連結され、画素の下側には横に走査信号線１０が形成され、共通電極２０の上端、連結部２３、走査信号線１０上には補助パターンが形成され、補助パターンはアルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電物質からなるが、その下側には、クロムやモリブデン−タングステン合金などのＩＴＯと接触しても反応しない耐火性金属層が形成され、走査信号線１０及び共通電極２０、共通電極線２３はゲート絶縁膜で覆われており、走査信号線１０の一部であるゲート電極１１上のゲート絶縁膜４０上にはチャンネル層５１が形成され、ゲート絶縁膜４０上には、縦方向にデータ線７０が形成されて走査信号線１０と交差しており、データ線７０の一部が延長されてソース電極７１をなし、ゲート電極１１に対してソース電極７１の向かい側にドレイン電極７２が形成され、ゲート電極１１、ソース電極７１及びドレイン電極７２は薄膜トランジスタの各電極をなし、ドレイン電極７２は延長されて縦方向の多数の線形画素電極７５をなし、データ線７０、ソース及びドレイン電極７１、７２並びに画素電極７５は保護膜８０で覆われている液晶表示装置用基板。」が記載されているものと認められる。
　したがって、結局、引用例１には、下部基板１００が上記イの「液晶表示装置用基板」である上記アの「液晶表示装置」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−３６５０１２号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示素子、シャッタアレイ等に用いられる液晶素子に関し、特に表示電極としてＩＴＯ（インジウムチンオキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔｉｎ　　Ｏｘｉｄｅ）と金属配線の積層構成を有する液晶素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子の電極配線の低抵抗化を目的としてＩＴＯ（インジウムチンオキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔｉｎ　　Ｏｘｉｄｅ）と金属配線の積層構造が用いられてきた。上記金属配線を形成する金属としては、ＩＴＯとの選択エッチングが可能で、かつ通常のフォトリソプロセスに耐えるＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ等が用いられてきた。
【０００３】また、近年、液晶表示素子の大面積化、高精細化への要求が高まり、電極配線の抵抗をさらに小さくする必要から、抵抗が低く安価で微細加工が可能なＡｌが金属配線として用いられるようになった。
【０００４】ＩＴＯとＡｌからなる電極配線の積層構成を、通常のフォトリソプロセスで形成する際には、ＩＴＯにピンホール状の欠陥が発生し易いという問題があったが、このような欠陥を防止するための技術として、ＩＴＯ層とＡｌ層の間にＭｏまたはＭｏ合金からなる槽を設けた３層積層構成の表示電極を用いることが特願平０２−０４２６１１に提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】本発明者らが上記提案のＩＴＯ、Ｍｏ、またはＭｏ合金Ａｌの３層構造からなる表示電極について検討を重ねたところ、次のような問題点を見出した。
１．通常フォトプロセス工程の最終工程としてレジスト剤剥離を行うが、剥離液を用いた剥離時間がＡｌ膜保護のために制約を受け、剥離工程の最適条件設定が難しい。
２．ＡｌよりＭｏの方がエッチング速度が大きく、Ａｌ電極がオーバーハングになるので、基板に配向処理を施し、該基板２枚を貼り合わせ、液晶を封入して液晶表示素子を得ると、配向欠陥が発生する場合がある。
【０００６】本発明が解決しようとしている課題は上記の２点である。
【０００７】すなわち本発明の一つの目的は、ＩＴＯとＡｌ配線の積層構成を有する表示電極を作製する場合に、フォトリソプロセスの剥離工程における最適条件を、剥離工程を複雑化することなく得ることである。
【０００８】また本発明の別の目的は、液晶表示素子として用いる場合に、配向欠陥を生じにくい表示電極を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＩＴＯからなる第１層と、前記第１層上に設けられたＭｏ又はＭｏ合金からなる第２層と、前記第２層上に設けられたＡｌ又はＡｌ合金からなる第３層と前記第３層上に設けられたＭｏ又はＭｏ合金からなる第４層とから構成された表示電極を有することを特徴とする液晶表示素子である。」
　
（３）引用例３
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−２６０６３１号公報（以下「引用例３」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネル等に使用される、薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法に関する。」（第２頁右上欄第１４〜１７行）
　
「〔発明が解決しようとする課題〕
　ところで上記した従来の薄膜トランジスタマトリクスにおいては、多数のゲートバスラインＧＢとドレインバスラインＤＢとの交差部で、バスライン間の短絡が生じた場合には周知のように、表示画面上ではライン欠陥となり、これは表示パネルとして致命的な障害である。
　これら交差部における短絡障害は、主としてバスラインや層間絶縁層等を形成する際の下地不良や、眉間絶縁層のピンホール等に起因する。
　このような短絡障害は、基板上に下側バスライン（第３図の例ではゲートバスラインＧＢ）を形成した後、層間絶縁膜６を形成する直前に行う酸素プラズマアッシング等の前処理、或いは、層間絶縁膜６を形成する時のプラズマプロセス等において、ゲートバスラインＧＢを構成する金属が、偏析あるは結晶化することによる層間絶縁膜の劣化が原因である。この現象は基板側のバスラインに低融点金属であるＡｌを用いた時に、特に著しく発生する。
　このような問題はあっても、Ａｌは抵抗率が低く、バスラインの配線を細くしても低抵抗化が可能なため、基板サイズの大型化によるバスライン長が増大し、高輝度化に必要なピクセルサイズの増加に伴ってバスライン幅が減少しても、バスラインの抵抗を低く保つことができるので、きわめて有用な金属元素である。そのため従来から、ＬＳＩ等のバスライン配線においても、ＡｌやＡｌとシリコン（Ｓｉ）の合金を用いることが一般的に行われている。
　ＴＦＴマトリクスの製造工程においてバスライン上に眉間絶縁膜を形成する工程が必要となり、この層間絶縁膜を形成する際には、プラズマ化学気相成長（Ｐ−ＣＶＤ）法が用いられ、Ａｌ膜やＡｌ−Ｓｉ合金膜は、その前工程でのプラズマ処理，層間絶縁膜形成時のプラズマや雰囲気温度により、Ａｌの偏析または結晶化を引き起してバスライン間短絡を生じる。
　本発明は、絶縁性基板上に形成されたＡｌ膜やＡｌ−Ｓｉ合金膜が、その後工程においてプラズマに曝されても、ダメージを受けるのを防止することを目的とする。」（第３頁左上欄第１行〜左下欄第２行）
　
「〔課題を解決するための手段〕
　以下本発明を第１図（ａ）、（ｂ）により説明する。なお、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視部の要部断面図である。
　同図（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明の薄膜トランジスタは、下層金属膜２１，Ａｌを含む低抵抗金属膜２２，上層金属膜２３との積層膜２を使用した第１のバスラインＢ−１と、上記下層金属膜２１単層からなるゲート電極Ｇとが、絶縁性基板１表面に形成されてなり、且つ、その上を所定の絶縁膜〔図ではゲート絶縁膜３〕で共通に被覆した構成を具備する。
　上記下層金属膜２１および上層金属膜２３は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，ＴａＩｒの中から選ばれた金属を使用して形成した膜とする。
　この構成の薄膜トランジスタを製造するに際しては、前記絶縁性基板１上に、前記下層金属膜２１，前記低抵抗金属膜２２および前記上層金属膜２３をこの順に積層して積層膜２を形成し、次いで、レジスト膜をマスクとしてその露出部を除去し、前記第１のバスラインＢ−１とこれより幅の狭いゲート電極Ｇのパターンを形成し、次いで、前記低抵抗金属膜２２の等方性エツチング法を施して、低抵抗金属膜２２のサイドエツチングを前記ゲート電極Ｇ部の低抵抗金属膜２２が除去されるまで行ない、前記下層金属膜２１からなるゲート電極Ｇと前記３層の積層膜２からなる第１のバスラインＢ−１を形成し、次いで、前記レジスト膜を除去することにより、ゲート電極Ｇおよび第１のバスラインＢ−１ともに、露出している面は、プラズマに曝されてもダメージを受けることのない金属膜とした構成を形成する。」（第３頁左下欄第４行〜右下欄第１５行）
　
「〔作　用〕
　本発明の薄膜トランジスタマトリクスでは、ゲート電極Ｇおよび第１のバスラインＢ−１とも、表面を露出しているのは、いずれもプラズマに曝されてもダメージを受けにくい金属膜である。
　従って、製造工程において、レジスト膜を除去するための酸素（Ｏ２）を使ったプラズマアッシングや、ゲート絶縁膜３等の形成時にプラズマに曝されても、Ａｌが偏析したり結晶化することにより変質することが防止され、上下のバスラインＢ−１，Ｂ−２間の短絡が生じにくくなる。」（第４頁左上欄第１〜１１行）
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明の「下部基板及び上部基板」、「液晶層」、「バックライトユニット」及び「液晶表示装置」が本願補正発明の「一対の基板」、「液晶」、「バックライト」及び「液晶表示装置」にそれぞれ相当するところであり、両者はともに、「一対の基板と、該一対の基板間に液晶を有する液晶パネルを備えた液晶表示装置において」、「前記液晶パネルの背面にはバックライトが配置されている液晶表示装置」である点で一致する。
イ　引用発明の「下部基板」、「走査信号線」、「データ線」、「画素」、「薄膜トランジスタ」、「画素電極」及び「共通電極」が本願補正発明の「一方の基板」、「ゲート線」、「ドレイン線」、「画素」、「薄膜トランジスタ」、「画素電極」及び「共通電極」にそれぞれ相当するところであり、両者はともに、「前記一対の基板の一方の基板には、複数のゲート配線と、該複数のゲート配線に交差して配置された複数のドレイン配線を有し、該複数のゲート配線と該複数のゲート配線に囲われる領域に対応して画素が形成されており、該画素には、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、共通電極が配置されて」いる点で一致する。
ウ　引用発明の「共通電極」は、「基板１００上」に形成された「透明導電物質からなる面形の共通電極」であるから、本願補正発明の「共通電極」と同様に、「透明導電膜で構成されおり、前記一対の基板の一方の基板の上方に面状に形成された透明導電膜で構成され」たものである。
エ　引用発明の「共通電極」は、共通電極と同じ透明導電物質の連結部を通じて隣接する画素領域の共通電極と連結されているが、これら共通電極と連結部上にはアルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電物質からなる補助パターンが形成されている。
　ここで、このアルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電物質の電気抵抗は、ＩＴＯ等の透明導電物質の電気抵抗よりも遙かに低いことが当業者には明らかであるから、引用発明の「共通電極と連結部上に形成された補助パターン」は、本願補正発明の「複数の画素に跨って配置された共通配線」に相当するものと認められる。
オ　引用発明の「ゲート絶縁膜」は「共通電極」及び「補助パターン」を覆っており、また、引用発明の「保護膜」は「ゲート絶縁膜」の上に設けられているから、引用発明の「ゲート絶縁膜」及び「保護膜」は、本願補正発明の「絶縁膜」及び「保護膜」にそれぞれ相当する。
カ　引用発明の「共通電極と連結部上に形成された補助パターン」は、引用例１の図３５から明らかなように、走査信号線が伸びる方向と同じ方向に伸びて形成されている。
　
　以上のことから、本願補正発明と引用発明はともに、
「一対の基板と、該一対の基板間に液晶を有する液晶パネルを備えた液晶表示装置において、
　前記一対の基板の一方の基板には、複数のゲート配線と、該複数のゲート配線に交差して配置された複数のドレイン配線を有し、該複数のゲート配線と該複数のゲート配線に囲われる領域に対応して画素が形成されており、
　該画素には、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、共通電極が配置されており、
　前記共通電極は、前記一対の基板の一方の基板の上方に面状に形成された透明導電膜で構成されており、
　前記共通電極上には、複数の画素に跨って配置された共通配線が配置されており、
　前記共通電極及び前記共通配線を覆うように絶縁膜が配置され、
　該絶縁膜上には保護膜が配置され、
　前記共通配線は、前記ゲート配線が延びる方向と同じ方向に延びて構成されており、
　前記液晶パネルの背面にはバックライトが配置されている液晶表示装置。」の発明である点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
ａ．本願補正発明の画素電極は、透明導電膜で構成され、保護膜上に配置されているのに対し、引用発明の画素電極は、ドレイン電極の延長としてゲート絶縁膜と保護膜の間に形成されている点。
　
ｂ．本願補正発明のゲート配線は、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金、アルミニウム若しくはアルミニウムを主体とするアルミニウ合金、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金の積層構造で構成されているのに対し、引用発明は、走査信号線が透明導電物質で形成され、その上にクロムやモリブデン−タングステン合金などのＩＴＯと接触しても反応しない耐火性金属層が形成され、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電物質が形成された構造とされている点。
　
ｃ．本願補正発明の共通配線は、画素電極を構成する透明導電膜とは別の材料であるモリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金、アルミニウム若しくはアルミニウムを主体とするアルミニウ合金、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金の積層構造で構成されているのに対し、引用発明の補助パターンは、クロムやモリブデン−タングステン合金などのＩＴＯと接触しても反応しない耐火性金属層上にアルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電物質が形成されたものである点。
　
４．相違点についての検討
　相違点ａについて検討する。
　引用例１の【０１５０】には、引用発明の画素電極を透明な物質で形成するように設計変更することが記載されている。
　そして、ドレイン電極とは異なる材料である透明な物質で画素電極を形成する場合には、保護膜上に画素電極を形成し、保護膜に設けたコンタクトホールを通じて保護膜下のドレイン電極との電気的導通を得るという構造とすることが周知であるから（必要ならば、例えば、引用例１の図６２に示される、保護膜８０上に設けられたＩＴＯ等でなる画素電極９１が保護膜８０の下のドレイン電極７２に接触している構造や原審で引用された特開平１０−４８６７０号公報の図１に示される、保護性絶縁膜９の上に形成されたＩＴＯの画素電極１１が保護性絶縁膜９の下のソース電極８に電気的に接続されている構造を参照されたい。）、引用発明の画素電極を透明な物質で形成するようにして、上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　なお、引用発明の画素電極を透明な物質で形成するように設計変更すれば、上記相違点ｃに係る「共通配線は、画素電極を構成する透明導電膜とは別の材料である」との本願補正発明の発明特定事項も当然に満たされることとなる。
　
　相違点ｂについて検討する。
　引用発明は、透明導電物質の上にクロムやモリブデン−タングステン合金などのＩＴＯと接触しても反応しない耐火性金属層及びアルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電物質が形成された構造とされているが、透明導電物質の電気抵抗に比べアルミニウムまたはアルミニウム合金の電気抵抗が低いことは当業者に周知であって、各画素の薄膜トランジスタを駆動するという走査信号線の機能からすれば、透明導電物質の層が必須のものでないことは当業者に明らかであり、現に上記引用例３においても、そのゲートバスラインＧＢは、透明導電物質の層を用いることなく、下層金属膜２１，Ａｌを含む低抵抗金属膜２２，上層金属膜２３との積層膜という構造としている。
　また、引用例３において、Ａｌを含む低抵抗金属膜２２の上に上層金属膜２３を形成しているのは、最上層をプラズマに曝されてもダメージを受けにくい金属膜とすることにより、製造工程において、レジスト膜を除去するための酸素（Ｏ２）を使ったプラズマアッシングや、ゲート絶縁膜３等の形成時にプラズマに曝されても、Ａｌが偏析したり結晶化することにより変質することが防止され、上下のバスラインＢ−１，Ｂ−２間の短絡を生じにくくするためであると認められるところ、引用発明においても、走査信号線上にはゲート絶縁膜が形成され、その上には走査信号線に交差するデータ線が形成されるのであるから、走査信号線上の最上層がアルミニウムまたはアルミニウム合金であれば、レジスト膜を除去するための酸素（Ｏ２）を使ったプラズマアッシングや、ゲート絶縁膜等の形成時にプラズマに曝されてＡｌが偏析したり結晶化することにより変質することになり、走査信号線とデータ線が短絡するおそれが生じるものと認められる。　
　そして、引用例３の下層金属膜２１及び上層金属膜２３は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，ＴａＩｒの中から選ばれた金属を使用して形成した膜である。
　以上のことから、引用発明の走査信号線として、下地層にモリブデンやモリブデン合金を採用し、次いでアルミニウムまたはアルミニウム合金の層を形成し、その上にモリブデンの上層金属膜を形成するようにして、上記相違点ｂに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得るものと認められる。
　
　相違点ｃについて検討する。
　引用例２には、透明導電膜上にＭｏまたはＭｏ合金からなる層を設けその上にＡｌ層を設けただけでは、フォトプロセス工程のレジスト剤の剥離において不都合があるので、Ａｌ層の上に更にＭｏまたはＭｏ合金からなる層を設けることが記載されている。
　引用発明においても、補助パターンの形成に関してレジスト剤の剥離工程はあるから、最上層がアルミニウムでは、同様の問題が生じるものと認められる。
　また、引用発明において、共通電極と連結部上に形成された補助パターンの上にはゲート絶縁膜が形成され、その上には当該補助パターンに交差するデータ線が形成されるから、最上層がアルミニウムやアルミニウム合金の場合には、引用例３で指摘されたと同様のアルミニウムの偏析や結晶化による短絡の問題が生じるものと認められる。
　そして、上記のとおり、引用例２には、Ａｌ層の上にＭｏまたはＭｏ合金からなる層を設けること、また、引用例３には、Ａｌを含む低抵抗金属膜の上にＴｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，ＴａＩｒの中から選ばれた金属の膜を設けることが記載されているのであるから、引用発明の補助パターンにおいて、下地層に耐火性金属層のモリブデン合金を採用し、次いでアルミニウムまたはアルミニウム合金の層を形成し、その上にモリブデンやモリブデン合金の上層膜を形成するようにして、上記相違点ｃに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得るものと認められる。
　
　また、本願補正発明が奏する効果についても、当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用例１ないし３に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成１４年法律第２４号による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年６月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下され、また、平成２０年１月１８日付けの手続き補正も却下されているので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年７月２７日に補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「一対の基板と、該一対の基板間に液晶を有する液晶表示装置において、
　前記一対の基板の一方の基板には、複数のゲート配線と、該複数のゲート配線に交差して配置された複数のドレイン配線を有し、該複数のゲート配線と該複数のゲート配線に囲われる領域に対応して画素が形成されており、
　該画素には、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、共通電極が配置されており、
　前記画素電極は透明導電膜で構成されおり、
　前記共通電極は、前記一対の基板の一方の基板の上方に面状に形成された透明導電膜で構成されており、
　前記共通電極上には、複数の画素に跨って配置された共通配線が配置されており、
　前記ゲート配線は、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金、アルミニウム若しくはアルミニウムを主体とするアルミニウ合金、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金の積層構造で構成され、
　該共通配線は、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金、アルミニウム若しくはアルミニウムを主体とするアルミニウ合金、モリブデン若しくはモリブデンを主体とするモリブデン合金の積層構造で構成され、
　前記共通電極及び前記共通配線を覆うように絶縁膜が配置され、
　該絶縁膜上には保護膜が配置され、
　該保護膜上に前記画素電極が配置され、
　前記共通配線は、前記ゲート配線が延びる方向と同じ方向に延びて構成されている液晶表示装置。」
　
２．判断
　本願補正発明は、上記II．［II］２．〜４．において検討したとおり、上記引用例１ないし３に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　ここで、本願補正発明は、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定を加えたものである。
　してみれば、本願発明が同様の理由により、上記引用例１ないし３に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１ないし３に記載された発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。