【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と配線層とが積層されて形成された配線基板であって、
絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれた配線層と、
前記絶縁層に設けられたビア導体を介して前記配線層に接続されると共に、前記絶縁層の外面側に少なくとも一部が埋め込まれた接続パッドとを有し、
前記接続パッドは、外層側に配置された第１金属層と、前記第１金属層の内層側の面に配置された中間金属層と、前記中間金属層の内層側の面に配置された第２金属層とを含み、
前記配線基板の表面となる前記絶縁層の外面に、前記接続パッドの前記第１金属層側の面が露出しており、
前記接続パッドの側面と前記第２金属層側の面が、前記配線基板の表面となる前記絶縁層に被覆されており、かつ、前記第２金属層に前記ビア導体が接続されており、
前記中間金属層の硬度は、前記第１金属層及び第２金属層の硬度より高いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、同じ金属から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記中間金属層の周縁部は、前記第１金属層及び第２金属層の外周部より外側に突き出る突出部となっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１金属層及び第２金属層の周縁部は、前記中間金属層の外周部より外側に突き出る突出部となっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１金属層及び第２金属層は銅から形成され、前記中間金属層はニッケル、パラジウム、クロム、鉄、モリブデン、及びマンガンのいずれかより形成されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
前記接続パッドは前記第１金属層の外層側の面に形成された表面処理層を含み、
前記表面処理層は、外側から順に金層／ニッケル層、外側から順に金層／パラジウム層／ニッケル層、外側から順に金層／パラジウム層、金層、錫層、及び酸化防止剤のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線基板はコア基板をもたないコアレス配線基板であり、前記絶縁層が基板として機能することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記接続パッドの外層側の接続面が前記絶縁層の外面と同一位置又はそれより内層側に沈み込む位置に配置されているか、あるいは、前記接続パッドの前記第１金属層が前記絶縁層の外面から外側に突出するバンプ電極となっていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項９】
支持基板の上に、開口部が設けられたレジストを形成する工程と、
電解めっきにより、前記レジストの開口部に、下から順に、第１金属層、中間金属層及び第２金属層を含む金属積層部を形成する工程であって、前記中間金属層の硬度が前記第１金属層及び第２金属層の硬度より高く設定される工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記金属積層部を埋め込む絶縁層を前記支持基板の上に形成する工程と、
前記絶縁層に設けられたビア導体を介して前記第２金属層に接続される配線層を前記絶縁層の上に形成する工程と、
前記支持基板を除去することにより、前記第１金属層、前記中間金属層及び前記第２金属層を含む接続パッドを得る工程とを有すること特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、同じ金属から形成されることを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記レジストを除去する工程の後に、
前記第１金属層及び第２金属層を前記中間金属層に対して選択的にウェットエッチングすることにより、前記中間金属層の周縁部を前記第１金属層及び第２金属層の外周部から外側に突き出る突出部とする工程をさらに有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記レジストを除去する工程の後に、
前記中間金属層を前記第１金属層及び第２金属層に対して選択的にウェットエッチングすることにより、前記第１金属層及び第２金属層の周縁部を前記中間金属層の外周部から外側に突き出る突出部とする工程をさらに有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記金属積層部を形成する工程において、
前記第１金属層を形成する前に、前記レジストの開口部にめっき層を形成し、
前記支持基板を除去する工程は、前記支持基板を除去した後に、前記めっき層を除去することを含み、
前記接続パッドを得る工程において、前記接続パッドは前記絶縁層の外面から内層側に沈み込んで形成されることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一向に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部が設けられたレジストを形成する工程の後に、
前記レジストの開口部内の前記支持基板に凹部を形成する工程をさらに有し、
前記金属積層部を形成する工程において、
前記第１金属層は前記凹部を埋め込んで形成され、
前記接続パッドを得る工程において、前記接続パッドの第１金属層は前記絶縁層から外側に突出して形成されることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１金属層及び第２金属層は銅から形成され、前記中間金属層はニッケル、パラジウム、クロム、鉄、モリブデン、及びマンガンのいずれかより形成されることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、絶縁層と配線層とが積層されて形成された配線基板であって、絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれた配線層と、前記絶縁層に設けられたビア導体を介して前記配線層に接続されると共に、前記絶縁層の外面側に少なくとも一部が埋め込まれた接続パッドとを有し、前記接続パッドは、外層側に配置された第１金属層と、前記第１金属層の内層側の面に配置された中間金属層と、前記中間金属層の内層側の面に配置された第２金属層とを含み、前記配線基板の表面となる前記絶縁層の外面に、前記接続パッドの前記第１金属層側の面が露出しており、前記接続パッドの側面と前記第２金属層側の面が、前記配線基板の表面となる前記絶縁層に被覆されており、かつ、前記第２金属層に前記ビア導体が接続されており、前記中間金属層の硬度は、前記第１金属層及び第２金属層の硬度より高いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図３に示すように、第１実施形態の第１変形例の配線基板１ａでは、図２（ａ）の配線基板１の接続パッドＣとは逆に、接続パッドＣの中間金属層２２は第１金属層２０及び第２金属層２４より小さい面積（径）でそれらの中央部に配置されており、第１金属層２０及び第２金属層２４の外周部の位置が中間金属層２２の外周部の位置より外側に配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
これにより、第１金属層２０及び第２金属層２４の各周縁部が中間金属層２２の外周部から外側（横方向）に突き出る突出部Ｐとなっている。このようにして、第１変形例の配線基板１ａの接続パッドＣでは、第１、第２金属層２０，２４が突出部Ｐを備えることでその側面に段差（凹凸）が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、接続パッドが配置される部分に開口部１２ａが設けられたレジスト１２を銅板１０の上に形成する。フォトリソグラフィによってレジスト１２に対して露光・現像を行うことにより開口部１２ａが形成される。レジスト１２は、ドライフィルムレジストを貼付してもよいし、あるいは、液状レジストを塗布してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
このようにして、銅板１０と金属積層部５の最下のポケットめっき層１４が連続してエッチングされて除去される。これにより、第１絶縁層３０の外面３０ｘ側に深さｄの凹部３０ａが形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
前述した図３の第１変形例の配線基板１ａを製造する場合は、前述した図６（ｄ）の工程において、第１、第２銅層２０，２４をエッチングする代わりに、ニッケル層２２を第１、第２銅層２０，２４に対して選択的にウェットエッチングすることにより、第1銅層２０及び第２銅層２４の周縁部を突出部Ｐにすればよい。ニッケル層２２のエッチャントとしては、硝酸過水液（硝酸と過酸化水素水の混合液（ＨＮＯ3／Ｈ2Ｏ2））が使用される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
さらに、図１５（ｂ）に示すように、銅板１０を硫酸過水液又はアルカリエッチング液などでエッチングストップ用ニッケル層１１に対して選択的にエッチングして除去した後に、露出したエッチングストップ用ニッケル層１１を硝酸過水液で接続パッドＣの第１銅層２０に対して選択的にエッチングして除去する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
さらに、図１７（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、第１、第２銅層２０，２４の表面を粗化した後に、第１銅層２０及び第２銅層２４を硫酸過水液でニッケル層２２に対して選択的にウェットエッチングする。これにより、ニッケル層２２の周縁部を第１、第２銅層２０，２４の外周部から外側に突き出る突出部Ｐとする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
このようにして、接続パッドＣの第１銅層２０（第１金属層）が第１絶縁層３０の外面３０ｘから外側に突出するバンプ電極として形成される。