【事件の表示】
　平成１１年特許願第２７４２７６号「受光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月１３日出願公開、特開２００１−１０２６２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年９月２８日の出願であって、平成１９年９月２１日付けで手続補正がなされたところ、同年１０月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年６月２６日付けで前記平成１９年１１月２１日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年８月２４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成２１年８月２４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
「基板材料と格子不整合のある光吸収層を有する半導体結晶材料を用いた受光素子において、
　基板と、
　格子定数の異なる複数の層で構成され各層の膜厚が格子定数の異なる下の層に対して臨界膜厚以下であり厚さが２μｍ以上の光吸収層と、
　前記基板と前記光吸収層との間に形成されその格子定数が前記基板の格子定数から前記光吸収層の格子定数まで徐々に変化するバッファ層と
を備え、
　前記光吸収層の最下層の膜厚が前記バッファ層の最上層の臨界膜厚以下に形成されると共に、結晶欠陥の発生を抑制することを特徴とする受光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布され、当審における拒絶の理由に引用された刊行物である特開平９−２７０５２７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体受光素子に関し、特に光計測や光通信に用いて好適な半導体受光素子に関する。」
　
　イ　「【００１４】従って、本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、例えば光通信用ファイバ網の回線監視用の受光素子に用いた場合に好適な、波長１．６５μｍの光に対し、高い量子効率と低い暗電流と、高い電流増倍率とを得ることを可能とした半導体受光素子を提供することを目的とする。」
　
　ウ　「【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照して以下に説明する。
【００１７】まず、図１を参照して、本発明の実施の形態は、ｎ＋−（第１導電型）ＩｎＰ基板１上に、この第１導電型歪ＩｎＧａＡｓ層（吸収端波長λ＝１．８５μｍ）３と、第１導電型ＩｎＧａＡｓ層（吸収端波長λ＝１．６５μｍ）４と、第１導電型ＩｎＰ増倍層６と、第１導電型ＩｎＰ窓層７と、が順次構成されたヘテロエピタキシャル層構造を備え、窓層７内及び／又は増倍層６内に部分的に、ｐ−（第２導電型）ＩｎＰ領域９を設け、窓層７内に設けた第２導電型ＩｎＰ領域９上に設けたｐ側（第２導電型）電極１２と、第１導電型ＩｎＰ基板１上に設けたｎ側（第１導電型）電極１４と、を備えたものである。
　・・・
【００２２】また、ＩｎＧａＡｓ光吸収層４とＩｎＰ基板１との間に歪ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３を挟むことで、格子不整合を抑えることができるため、２０ｎＡ以下の低い暗電流特性が得られる。さらに、歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３或いはＩｎＧａＡｓ光吸収層４にて光吸収によって生成されたキャリアは、ｎ＋−ＩｎＰ増倍層６に印加された電界によりアバランシェ増倍を引き起こすことで、例えば３０倍以上の高い増倍率が得られる。」
　
　エ　「【００２３】
【実施例】上記した本発明の実施形態をより詳細に説明すべく本発明の実施例を以下に図面を参照して説明する。
【００２４】図１は、本発明に係る半導体受光素子の一実施例の構成を断面図にて模式的に示したものである。
【００２５】図１を参照して、ｎ＋−ＩｎＰ基板１上に、気相成長法により、好ましくはキャリア濃度１０１５〜２×１０１６ｃｍ−３、層厚１〜３μｍとされるｎ−ＩｎＰ緩衝層２と、１．６５μｍの光を吸収するために好ましくは吸収端波長λ＝１．８５μｍ、キャリア濃度１０１５〜２×１０１６ｃｍ−３、層厚１〜３μｍの歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３と、１．５５μｍあるいは１．３μｍの光を吸収するためのｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層として、好ましくはキャリア濃度１０１５〜５×１０１５ｃｍ−３、層厚３〜４μｍのｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４を成長した後、好ましくは、キャリア濃度３×１０１５〜１０１６ｃｍ−３、層厚０．０３〜０．５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層５を成長させ、その後増倍層層（審決注：「増倍層」の誤りと認める。）として、好ましくはキャリア濃度１０１６〜４×１０１６ｃｍ−３、層厚０．５〜３μｍのｎ＋−ＩｎＰ増倍層６を成長する。最後に窓層として、好ましくはキャリア濃度２×１０１５〜６×１０１５ｃｍ−３層厚１〜２μｍのｎ−−ＩｎＰ窓層７を成長する。
【００２６】本実施例では、一例として、ｎ＋−ＩｎＰ基板１上に、気相成長法により、上記したｎ−ＩｎＰ緩衝層２は、キャリア濃度を１０１５ｃｍ−３、層厚を２μｍ、歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３は、キャリア濃度を１０１５ｃｍ−３、層厚を２μｍ、ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４は、キャリア濃度を３×１０１５ｃｍ−３、層厚を４μｍとして成長させ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層５は、キャリア濃度を１０１６ｃｍ−３、層厚を０．５μｍとし、ｎ＋−ＩｎＰ増倍層６は、キャリア濃度を３×１０１６ｃｍ−３、層厚を１．４μｍとし、ｎ−−ＩｎＰ窓層７は、キャリア濃度を５×１０１５ｃｍ−３、層厚を１．４μｍとして成長させた。」
　
　オ　「【００３６】また、ＩｎＧａＡｓ光吸収層４とＩｎＰ基板１との間に、歪ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３を挟むことで、格子不整合を抑えることができるため、２０ｎＡ以下の低い暗電流特性が得られる。」
　
　カ　「【００５４】本発明の第２の効果として、例えば２０ｎＡ以下の低い暗電流特性が得られるということである。これは、本発明によれば、ＩｎＧａＡｓ光吸収層とＩｎＰ基板との間に歪ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層を挟むことで、格子不整合を抑えることができるためである。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ｎ＋−ＩｎＰ基板１上に、気相成長法により、ｎ−ＩｎＰ緩衝層２と、１．６５μｍの光を吸収するために層厚１〜３μｍの歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３と、１．５５μｍあるいは１．３μｍの光を吸収するためのｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層として、層厚３〜４μｍのｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４を成長した後、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層５を成長させ、その後ｎ＋−ＩｎＰ増倍層６を成長し、最後にｎ−−ＩｎＰ窓層７を成長する半導体受光素子であって、
　ＩｎＧａＡｓ光吸収層４とＩｎＰ基板１との間に、歪ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３を挟むことで、格子不整合を抑えることができるため、２０ｎＡ以下の低い暗電流特性が得られる半導体受光素子。」
　
　
３　対比、判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　
　ア　引用発明の「ｎ＋−ＩｎＰ基板１」及び「半導体受光素子」は、それぞれ、本願発明の「基板」及び「受光素子」に相当する。
　
　イ　引用発明の「半導体受光素子」は、「ｎ＋−ＩｎＰ基板１上に、気相成長法により、・・・１．６５μｍの光を吸収するために層厚１〜３μｍの歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３と、１．５５μｍあるいは１．３μｍの光を吸収するためのｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層として、層厚３〜４μｍのｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４を成長した」ものであり、「歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３」と「ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４」とは互いに格子定数が異なる層であり、また、両者の層厚は合わせて４〜７μｍであるといえるから、
　（ア）引用発明の「歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３」及び「ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４」は、本願発明の「格子定数の異なる複数の層で構成され（た）光吸収層」に相当するとともに、
　（イ）引用発明の「歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３」及び「ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４」は、本願発明の「厚さが２μｍ以上の」との事項を満たす。
　
　ウ　引用発明の「ｎ−ＩｎＰ緩衝層２」は、「ｎ＋−ＩｎＰ基板１」と「歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３」との間に「気相成長法により」成長されるものであるから、本願発明の「前記基板と前記光吸収層との間に形成され（た）バッファ層」に相当する。
　
　エ　引用発明の「半導体受光素子」は、「ｎ＋−ＩｎＰ基板１上に、気相成長法により、ｎ−ＩｎＰ緩衝層２と、・・・歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３と、・・・ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４を成長」するものであり、「ＩｎＧａＡｓ光吸収層４とＩｎＰ基板１との間に、歪ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３を挟むことで、格子不整合を抑えることができる」ものであるから、本願発明の「基板材料と格子不整合のある光吸収層を有する半導体結晶材料を用いた」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「基板材料と格子不整合のある光吸収層を有する半導体結晶材料を用いた受光素子において、
　基板と、
　格子定数の異なる複数の層で構成され厚さが２μｍ以上の光吸収層と、
　前記基板と前記光吸収層との間に形成されたバッファ層と
を備える受光素子。」
の点で一致し、以下の点で相違する。  
 　  
相違点
　本願発明は、基板と光吸収層との間に形成されたバッファ層の格子定数が前記基板の格子定数から前記光吸収層の格子定数まで徐々に変化するものであるとともに、格子定数の異なる複数の層で構成される光吸収層の各層の膜厚が格子定数の異なる下の層に対して臨界膜厚以下であり、光吸収層の最下層の膜厚がバッファ層の最上層の臨界膜厚以下に形成され、結晶欠陥の発生を抑制するものであるのに対し、引用発明は、バッファ層がそのように格子定数が徐々に変化するようなものではなく、また、光吸収層の各層の膜厚が格子定数の異なる下の層に対して臨界膜厚以下であるのか否か、光吸収層の最下層の膜厚がバッファ層の最上層の臨界膜厚以下であるのか否か、結晶欠陥の発生を抑制するものであるのか否かが明らかではない点。
　
　上記相違点につき検討する。
　互いに格子不整合をなす基板と光吸収層との間に、格子定数が段階的に変化する傾斜バッファ層を形成し、両者の格子定数をあわせるようになすフォトダイオード用の半導体積層構造体は本願の出願前に周知であるところ（例えば、特開平１０−１２９１４号公報（【０００２】〜【０００５】、図２）、特開平２−１００３７９号公報（第２頁右上欄最下行〜同頁左下欄第８行、第６図）参照。）、半導体上に格子定数の異なる半導体層を形成する際に該半導体層がある厚み（臨界膜厚）を超えるとその結晶に転位すなわち結晶欠陥が発生してしまうことは本願の出願前に周知であるから（必要なら、特開平５−３１５６３７号公報（【０００４】、【０００５】）、特開平９−２７８５９７号公報（【００１３】）、特開平７−３３５９３４号公報（【００４０】）、特開平６−３３４１６８号公報（【００１３】））、引用発明の「半導体発光素子」において、その「ｎ−ＩｎＰ緩衝層２」に換えて上記周知の傾斜バッファ層を用いるとともに、形成される半導体層の結晶に転位すなわち結晶欠陥が発生しないように、その「ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４」の厚みをその下の「歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３」に対して臨界膜厚以下となし、かつ「歪ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３」の厚みをその下の傾斜バッファ層の最上層の臨界膜厚以下となして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、引用発明及び上記各周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。