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　特願２０００−２５７５３９「半導体装置の製造方法及びフォトリソグラフィ用マスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月１５日出願公開、特開２００２−　７６２８８、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成１２年８月２８日の出願であって、平成１５年１２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年２月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１５年１０月３０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定された以下のとおりのものである。　
　「【請求項１】　半導体基板上に、第１導電型及び第２導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタと、前記低耐圧ＭＯＳトランジスタよりも高い電圧で動作し、かつドリフト拡散領域を有する第１導電型及び第２導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタとを備える半導体装置の製造方法であって、
　半導体基板上の素子分離領域のみにロコス酸化膜を形成した後、
　第１導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタを形成するための第１領域、第１導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタの素子分離を行うための前記ロコス酸化膜が形成された第２領域及び第２導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタのドリフト拡散領域を形成するための第３領域の各領域に開口を有する１つのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、前記第１及び第３領域においては前記半導体基板の深さ方向に第２導電型の注入イオンが２以上の異なる濃度ピークを有するように、第２領域においては前記ロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍に注入イオンが濃度ピークを有するようにイオン注入し、
　アニールを行って、第１領域に第２導電型のウェルを形成し、第２領域に第２導電型の拡散層を形成し、第３領域に第２導電型のドリフト拡散領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】　第１及び第３領域における濃度ピークが、少なくとも、ロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍と、それよりも浅い位置とに有するようにイオン注入する請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】　イオン注入が、加速エネルギーを変えて２回以上行われる請求項１又は２に記載の方法。
　　【請求項４】　イオン注入が、第２領域のロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍に注入イオンが濃度ピークを有する加速エネルギーで１回行われ、該加速エネルギーよりも小さい加速エネルギーで少なくとも１回行われる請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
　　【請求項５】　イオン注入が、第１領域において、第１導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタの閾値を制御するために少なくとも１回、かつ半導体基板の不純物濃度を制御するために少なくとも１回行われる請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
　　【請求項６】　請求項１〜５の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法におけるフォトレジスト膜に開口を形成するためのフォトリソグラフィ用マスクであって、
　半導体基板上における、第１導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタを形成するための第１領域、第１導電型であって前記低耐圧ＭＯＳトランジスタよりも高い電圧で動作する高耐圧ＭＯＳトランジスタの素子分離を行うための第２領域及び第２導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタのドリフト拡散領域を形成するための第３領域の各領域に開口形成用パターンを有してなるフォトリソグラフィ用マスク。」
　
２．刊行物に記載された発明
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開平８−１４８５７７号公報（以下、「刊行物１」という。）の図１ないし図４、００１４段落、００１８段落ないし００４８段落には、以下の発明が記載されている。
　「ｎ型及びｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、ｎ型及びｐ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタとが共通の基板上に形成されてなる半導体装置の製法において、
　ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの周囲とｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する領域に絶縁膜１７１を形成する第１の局部的熱酸化工程と、
　前記第１の局部熱酸化工程の後に、所定のイオン注入マスクで前記ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１４を形成する部分の開口１７Ｗとその周囲の前記絶縁膜１７１を通じて、ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ、１００〜１２０ｋｅｖ及び２０〜３０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することによりｐ型のイオン注入領域２６ないし２８、前記絶縁膜１７１の下にｐ型のイオン注入領域４２及び４３を形成する工程と、
　前記イオン注入工程と同時に、前記絶縁膜１７１を介して前記ｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１３のゲート部を挟んで形成するＳ／Ｄ領域２４ｐ形成部に、所定のイオン注入マスクで、ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ及び１００〜１２０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することにより前記絶縁膜１７１の下にｐ型のイオン注入領域２６１及び２７１を形成する工程と、
　その後、前記第１の局部的熱酸化によって形成された前記絶縁膜１７１の一部を、第２の耐酸化膜をマスクとして、第２の局部的熱酸化により、厚い第２の絶縁膜１６１を形成する工程とを有し、
　前記第１の局部的熱酸化のみによって形成された前記絶縁膜１７１によって前記ｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜と、ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの素子分離絶縁膜とを形成し、第１および第２の局部的熱酸化が重ねられて形成された前記厚い第２の絶縁膜１６１を他部の素子分離絶縁膜、すなわちｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成部における素子分離絶縁膜あるいは、ｎ型及びｐ型の高耐圧電界効果トランジスタ間の素子分離絶縁膜とし、
　アニールを行って、前記ｐ型イオン注入領域２６ないし２８が形成された領域にｐ型ウェル領域２３を形成し、前記ｐ型のイオン注入領域４２及び４３が形成された領域に前記厚い第２の絶縁膜１６１に接してチャネルストップ領域３９を形成し、前記ｐ型のイオン注入領域２６１及び２７１が形成された領域に、前記Ｓ／Ｄ領域２４ｐを形成することを特徴とする半導体装置の製法。」
　
３．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
　
（ａ）刊行物発明の「ｎ型及びｐ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ」、「ｎ型及びｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ」及び「基板」は、それぞれ、本願発明の「第１導電型及び第２導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタ」、「低耐圧ＭＯＳトランジスタよりも高い電圧で動作」「する第１導電型及び第２導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタ」及び「半導体基板」に相当する。　
（ｂ）刊行物１の００５３段落の「低電圧ｐ−ＭＯＳ１５および高耐圧ｐ−ＭＯＳ１３の形成部において、サイドウオール５８、各ゲート電極５２および５３、素子分離絶縁膜１６および１７をマスクとして各低電圧ｐ−ＭＯＳ１５の高濃度Ｓ／Ｄ領域６０ｐと高耐圧ｐ−ＭＯＳ１３のアクティブＳ／Ｄ領域２５ｐとをイオン注入によって形成する。」との記載から、「アクティブＳ／Ｄ領域２５ｐ」が高濃度のｐ型であり、一方、「アクティブＳ／Ｄ領域２５ｐ」を囲んで形成された「Ｓ／Ｄ領域２４ｐ」は、ｐ型ウェル領域２３の形成と同等のｐ型不純物が導入された領域であるから、「アクティブＳ／Ｄ領域２５ｐ」と比較して低濃度のｐ型である。
　したがって、刊行物発明の「Ｓ／Ｄ領域２４ｐ」は、本願発明の「ドリフト拡散領域」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「ｐ型ウェル領域２３」には、ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタが形成され、一方、本願発明の「第１導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタ」は第１領域の「第２導電型のウェル」に形成されるから、刊行物発明の「ｐ型ウェル領域２３」は、本願発明の「第２導電型のウェル」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「チャネルストップ領域３９」は、「ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成部における素子分離絶縁膜あるいは、ｎ型及びｐ型の高耐圧電界効果トランジスタ間の素子分離絶縁膜」である「前記厚い第２の絶縁膜１６１」に接して形成されたｐ型不純物が拡散された層であり、一方、本願発明の「第２導電型の拡散層」は、「第１導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタの素子分離を行うための前記ロコス酸化膜が形成された第２領域」に形成され、「第２領域においては前記ロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍に注入イオンが濃度ピークを有するようにイオン注入」された後アニールされ、「第２導電型の拡散層」は「前記ロコス酸化膜」に接して形成されていることは明らかであるから、刊行物発明の「チャネルストップ領域３９」は、本願発明の「第２導電型の拡散層」に相当する。
（ｅ）刊行物発明の「所定のイオン注入マスクで前記ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１４を形成する部分の開口１７Ｗとその周囲の前記絶縁膜１７１を通じて、ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ、１００〜１２０ｋｅｖ及び２０〜３０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することによりｐ型のイオン注入領域２６ないし２８」を「形成する工程」において、加速電圧を変えて３回のイオン注入を行っており、また「前記絶縁膜１７１を介して前記ｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１３のゲート部を挟んで形成するＳ／Ｄ領域２４ｐ形成部に、所定のイオン注入マスクで、ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ及び１００〜１２０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することにより前記絶縁膜１７１の下にｐ型のイオン注入領域２６１及び２７１を形成する工程」においては、加速電圧を変えて２回のイオン注入を行っており、一方、本願発明において、「第１領域」は、「第１導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタを形成するための第１領域」であって、「第３領域」は、「第２導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタのドリフト拡散領域を形成するための第３領域」であり、「前記第１及び第３領域においては前記半導体基板の深さ方向に第２導電型の注入イオンが２以上の異なる濃度ピークを有するように」「イオン注入」されている。
　したがって、上記（ｂ）を参酌すると、刊行物発明の「所定のイオン注入マスクで前記ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１４を形成する部分の開口１７Ｗ」に「ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ、１００〜１２０ｋｅｖ及び２０〜３０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することによりｐ型のイオン注入領域２６ないし２８」「を形成する工程と」、「前記ｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１３のゲート部を挟んで形成するＳ／Ｄ領域２４ｐ形成部に、所定のイオン注入マスクで、ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ及び１００〜１２０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することにより前記絶縁膜１７１の下にｐ型のイオン注入領域２６１及び２７１を形成する工程と」は、本願発明の「前記第１及び第３領域においては前記半導体基板の深さ方向に第２導電型の注入イオンが２以上の異なる濃度ピークを有するように」「イオン注入」することに相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
　「半導体基板上に、第１導電型及び第２導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタと、前記低耐圧ＭＯＳトランジスタよりも高い電圧で動作し、かつドリフト拡散領域を有する第１導電型及び第２導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタとを備える半導体装置の製造方法であって、
　第１導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタを形成するための第１領域及び第２導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタのドリフト拡散領域を形成するための第３領域の各領域に開口を有するフォトレジスト膜をマスクとして用いて、前記第１及び第３領域においては前記半導体基板の深さ方向に第２導電型の注入イオンが２以上の異なる濃度ピークを有するようにイオン注入し、
　アニールを行って、第１領域に第２導電型のウェルを形成し、第２領域に第２導電型の拡散層を形成し、第３領域に第２導電型のドリフト拡散領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」で一致し、以下の各点で相違する。　
　
　相違点１
　本願発明は、「半導体基板上の素子分離領域のみにロコス酸化膜を形成した後」、「第１導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタの素子分離を行うための前記ロコス酸化膜が形成された第２領域」「に開口を有する」「フォトレジスト膜をマスクとして用いて」、「第２領域においては前記ロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍に注入イオンが濃度ピークを有するようにイオン注入し」、「アニールを行って」、「第２領域に第２導電型の拡散層を形成」することを特徴とする「半導体装置の製造方法」であるのに対して、
　刊行物発明は、「ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの周囲とｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する領域に絶縁膜１７１を形成する第１の局部的熱酸化工程と、」「前記第１の局部熱酸化工程の後に」、「所定のイオン注入マスクで前記ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１４を形成する部分の開口１７Ｗ」「の周囲の前記絶縁膜１７１を通じて、ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ、１００〜１２０ｋｅｖ及び２０〜３０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することにより」「前記絶縁膜１７１の下にｐ型のイオン注入領域４２及び４３を形成する工程」と、「その後、前記第１の局部的熱酸化によって形成された前記絶縁膜１７１の一部を、第２の耐酸化膜をマスクとして、第２の局部的熱酸化により、厚い第２の絶縁膜１６１を形成する工程とを有し」、「前記第１の局部的熱酸化のみによって」「ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの素子分離絶縁膜」「を形成し、第１および第２の局部的熱酸化が重ねられて形成された前記厚い第２の絶縁膜１６１を他部の素子分離絶縁膜、すなわちｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成部における素子分離絶縁膜あるいは、ｎ型及びｐ型の高耐圧電界効果トランジスタ間の素子分離絶縁膜とし」、「アニールを行って」、「前記ｐ型のイオン注入領域４２及び４３が形成された領域に前記厚い第２の絶縁膜１６１に接してチャネルストップ領域３９を形成」「することを特徴とする半導体装置の製法。」である点。
　
　相違点２
　本願発明は、「第１導電型の低耐圧ＭＯＳトランジスタを形成するための第１領域、第１導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタの素子分離を行うための前記ロコス酸化膜が形成された第２領域及び第２導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタのドリフト拡散領域を形成するための第３領域の各領域に開口を有する１つのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、前記第１及び第３領域においては前記半導体基板の深さ方向に第２導電型の注入イオンが２以上の異なる濃度ピークを有するように、第２領域においては前記ロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍に注入イオンが濃度ピークを有するようにイオン注入」しているのに対して、
　刊行物発明は、「所定のイオン注入マスクで前記ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１４を形成する部分の開口１７Ｗとその周囲の前記絶縁膜１７１を通じて、ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ、１００〜１２０ｋｅｖ及び２０〜３０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することによりｐ型のイオン注入領域２６ないし２８、前記絶縁膜１７１の下にｐ型のイオン注入領域４２及び４３を形成する工程と、前記イオン注入工程と同時に、前記絶縁膜１７１を介して前記ｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１３のゲート部を挟んで形成するＳ／Ｄ領域２４ｐ形成部に、所定のイオン注入マスクで、ボロンＢ＋を２００〜４００ｋｅｖ及び１００〜１２０ｋｅｖでそれぞれイオン注入することにより前記絶縁膜１７１の下にｐ型のイオン注入領域２６１及び２７１を形成する工程」とを備えているが、「前記ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１４を形成する部分の開口１７Ｗとその周囲」及び「前記ｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１３のゲート部を挟んで形成するＳ／Ｄ領域２４ｐ形成部」へのイオン注入を「１つ」のフォトレジスト膜をマスクとして用いて行っているか否か明らかでない点。
　
　以下、相違点について検討する。
　相違点１について
　（ｆ）本願発明においては、「半導体基板上の素子分離領域のみにロコス酸化膜を形成した後」、「第１導電型の高耐圧ＭＯＳトランジスタの素子分離を行うための前記ロコス酸化膜が形成された第２領域」「に開口を有する」「フォトレジスト膜をマスクとして用いて」、「第２領域においては前記ロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍に注入イオンが濃度ピークを有するようにイオン注入し」、「アニールを行って」、「第２領域に第２導電型の拡散層を形成」している、言い換えると、半導体基板上に「ロコス酸化膜を形成」する工程の後に、「前記ロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍に注入イオンが濃度ピークを有するようにイオン注入し」、その後アニールすることにより、「第２導電型の拡散層を形成」している。
　一方、刊行物発明においては、「ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの周囲」に「絶縁膜１７１を形成する第１の局部的熱酸化工程」の後に、「前記絶縁膜１７１を通じて」「イオン注入し」て、「前記絶縁膜１７１の下にｐ型のイオン注入領域４２及び４３を形成」し、「その後、前記第１の局部的熱酸化によって形成された前記絶縁膜１７１の一部を、第２の耐酸化膜をマスクとして、第２の局部的熱酸化により」、「ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成部における素子分離絶縁膜あるいは、ｎ型及びｐ型の高耐圧電界効果トランジスタ間の素子分離絶縁膜」となる「厚い第２の絶縁膜１６１を形成する工程」の後に、「アニールを行って」、「前記ｐ型のイオン注入領域４２及び４３が形成された領域に前記厚い第２の絶縁膜１６１に接してチャネルストップ領域３９を形成」している。
　（ｇ）本願は、「ロコス酸化の前にイオン注入を行うため、ロコス酸化のバラツキ等の影響でイオン注入された不純物のロコス酸化膜中への偏析量が変化し、素子分離領域での耐圧がばらついたり、ドリフト拡散領域のシート抵抗及びドリフト拡散領域の実効寸法のバラツキが大きくなり、このため、得られたトランジスタの耐圧にばらつきが生じるという問題がある。」（０００８段落）との課題を解決するために、「ロコス酸化」した後に「イオン注入」を行うことにより、素子分離領域であるロコス酸化膜と半導体基板との界面近傍に注入イオンが濃度ピークを持つチャネルストップ領域として作用する「第２導電型の拡散層」を形成したものであり、「ロコス酸化」のための熱処理工程の後に「イオン注入」が行われている。
　一方、刊行物１の０００９段落の「上述した駆動回路において、その高耐圧トランジスタ、低電圧トランジスタにおいて、ＣＭＯＳ（相補型電界効果トランジスタ）構成がとられることなどによって、半導体基板にウエル領域が形成されるものであるが」、「上述した従来方法」、即ち、厚い素子分離絶縁膜２を形成する方法、「による場合、低電圧トランジスタのウェル領域を形成するイオン注入も、上述した５００〜７００ｎｍの厚い素子分離絶縁膜を通じて行う必要が生じ、そのイオン注入には、高エネルギーによるイオン注入を必要とする。」との課題を解決するために、「本発明は、イオン注入エネルギーを低減化し、低電圧トランジスタと高耐圧トランジスタの寄生トランジスタのしきい値電圧Ｖthのマージンの向上をはかって、それぞれの特性を損なうことなく、共通の基板上に形成することができるようにした半導体装置とその製法を提供する。」（００１１段落）ものであると記載されており、刊行物発明においては、ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの素子分離絶縁膜である、絶縁膜１７１を形成するための第１の局部的熱酸化工程の後に、前記絶縁膜１７１を介してのイオン注入がなされ、その後、「第２の局部的熱酸化により」、「ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成部における素子分離絶縁膜あるいは、ｎ型及びｐ型の高耐圧電界効果トランジスタ間の素子分離絶縁膜」となる「厚い第２の絶縁膜１６１を形成」しており、言い換えると、「イオン注入」した後に「高耐圧電界効果トランジスタ間の素子分離絶縁膜」形成のための「第２の局部的熱酸化」が行われている。　
　（ｈ）上記（ｇ）で検討したとおり、本願発明と刊行物発明とは、「高耐圧電界効果トランジスタ間の素子分離絶縁膜」としての「ロコス酸化膜」または「厚い第２の絶縁膜」を形成する工程と「イオン注入」する工程との順序が全く逆であり、この工程順序は、それぞれが解決しようとする課題が異なることに由来するものであるから、刊行物発明において、「素子分離領域」としての「厚い第２の絶縁膜」を形成する工程と「イオン注入」する工程の順序を入れ替えることはできず、結局、両工程の順序を変更することには、阻害要因が存在する。　
　（ｉ）また、相違点１については、本願発明においては、「半導体基板上の素子分離領域のみにロコス酸化膜を形成」するもの、言い換えると、「ロコス酸化膜」は「素子分離領域」「のみ」に形成されており、一方、刊行物発明においては、「第１および第２の局部的熱酸化が重ねられて形成された前記厚い第２の絶縁膜１６１を他部の素子分離絶縁膜、すなわちｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成部における素子分離絶縁膜あるいは、ｎ型及びｐ型の高耐圧電界効果トランジスタ間の素子分離絶縁膜」としての「厚い第２の絶縁膜」と、「ｎ型の低電圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタの素子分離絶縁膜」としての「前記第１の局部的熱酸化のみによって形成された前記絶縁膜１７１」を備えると共に、「前記第１の局部的熱酸化のみによって形成された前記絶縁膜１７１によって」形成された「前記ｐ型の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜」をも備えている点においても、両者は相違する。
　（ｊ）相違点１については、上記（ｉ）で検討した相違点について検討するまでもなく、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できたものとすることはできない。　
　よって、相違点２について検討するまでもなく、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できたものとは認められないから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないとは言えない。
　また、他に本願発明を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　さらに、請求項１を引用する、請求項２ないし６に係る発明についても、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到できたものとは認められないから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないとは言えず、また、他に請求項２ないし６に係る発明を拒絶すべき理由を発見しない
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。