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【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料アセンブリを原子炉に取り付けるためのアセンブリであって、
燃料棒（５０）を内部に含み、前記燃料アセンブリの底部に燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）の付いた下部タイプレート（４８）を有する前記燃料アセンブリ（２２）と、
燃料担体噛合せ取付け具（５４）を含む燃料担体（３６）と、
を備え、
前記燃料担体噛合せ取付け具（５４）と前記燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）は、前記燃料担体（３６）の対する前記燃料アセンブリのただ１つの向き、ただ２つの向き、またはただ３つの向きに互いに適合するように成形され、
前記燃料アセンブリが燃料担体（３６）に中に垂直に下がると、前記燃料アセンブリの底部を形成する前記燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）が、前記燃料担体噛合せ取付け具（５４）と整列して取り付けられるように構成されている、
アセンブリ。
【請求項２】
前記燃料担体（３６）は、前記ただ１つの向き、ただ２つの向き、またはただ３つの向きで、前記燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）が前記燃料担体噛合せ取付け具（５４）と係合していない場合、前記燃料アセンブリ（２２）が持ち上がってしまうように構成されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）は、前記燃料アセンブリ（２２）の中の前記燃料棒（５０）に対して燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）の前記ただ１つの向き、ただ２つの向き、またはただ３つの向きに、前記燃料アセンブリ（２２）によって画定される軸からほぼ放射状構造に位置決めされている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）は、前記燃料アセンブリ（２２）に含まれた格子（５１）に対する前記燃料アセンブリ（２２）の前記ただ１つの向き、ただ２つの向き、またはただ３つの向きを実現する前記下部タイプレート（４８）の外形を含み、さらに、前記燃料担体噛合せ取付け具（５４）は、前記燃料アセンブリ（２２）を前記燃料担体（３６）に取り付けるときに、前記下部タイプレート（４８）を収容しかつ前記燃料担体（３６）に対する前記燃料アセンブリ（２２）の前記ただ１つの向き、ただ２つの向き、またはただ３つの向きを維持するために、前記燃料担体（３６）によって画定された対応する形の開口（４０）を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記下部タイプレート（４８）の前記外形および前記開口（４０）の前記対応する形は、三角形、四辺形、五角形、七角形、および星形から成るグループから選ばれる、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）は、雄部材を含み、前記燃料担体噛合せ取付け具（５４）は、前記ただ１つの向き、ただ２つの向き、またはただ３つの向きを実現するように前記雄部材を収容し固定するように構成された雌部材を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記雌部材は、前記下部タイプレート（４８）を前記空洞（４０）の中に案内しかつ前記燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）を前記燃料担体噛合せ取付け具（５４）と適切に噛み合わせるために、面取りされた空洞（５８）を含む、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記燃料担体噛合せ取付け具（５４）は、雄部材を含み、前記燃料アセンブリ噛合せ取付け具（５２）は、前記ただ１つの向き、ただ２つの向き、またはただ３つの向きを実現するように前記雄部材を収容し固定するように構成された雌部材を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記燃料アセンブリ（２２）の中の前記燃料棒（５０）は、前記燃料アセンブリ（２２）の中で、前記ただ１つの向き、ただ２つの向き、またはただ３つの向きで所定のパターンを有するように配列される、請求項１に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子炉（１０）のための制御棒案内管（３０）であって、
下端部（４２）および上端部（４４）を画定する軸方向長さを有する本体（４０）と、
前記本体（４０）の前記上端部（４２）および下端部（４４）において１つまたは複数のオリフィス（４８、５０）を有し、前記本体（４０）の実質長の範囲内の長さの空洞部（４６）と、
前記空洞部（４６）内で制御棒（２８）を受容するための制御棒室（５２）と、
前記空洞部（４６）に接続され、かつ前記本体（４０）の前記上端部（４２）から実質的な距離位置に設けられた複数の出入口（３８）と、
前記本体（４０）の前記軸方向長さのかなりの部分に亘って延在して前記空洞部（４６）内に設けられた少なくとも２つの流路（５８）とを備え、
それぞれの流路（５８）は、前記本体（４０）の外部から流体の流れを受けるために、前記１つまたは複数の出入口（３８）に流体的に接続され、
それぞれの流路（５８）は、受けた前記流体の流れを供給するために、前記本体（４０）の前記上端部（４２）に近接して設けられた吐出口（６２）に流体的に接続されたこと
を特徴とする制御棒案内管（３０）。
【請求項２】
前記制御棒室（５２）が十字形状を有することを特徴とする、請求項１に記載の制御棒案内管（３０）。
【請求項３】
前記流路（５８）のそれぞれを燃料支持部（３６）によって画定される燃料集合体空洞部のオリフィス（６６）に流体的に接続するために、前記本体（４０）の前記上端部（４２）が前記燃料支持部（３６）の底部に接続されるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の制御棒案内管（３０）。
【請求項４】
それぞれの流路（５８）の断面積が、前記燃料集合体空洞部ののオリフィス（６６）の断面積とほぼ同じまたはそれより小さいことを特徴とする請求項３に記載の制御棒案内管（３０）。
【請求項５】
それぞれの流路（５８）に接続された前記出入口（３８）の総断面積が、前記接続された流路（５８）の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の制御棒案内管（３０）。
【請求項６】
前記空洞部（４６）内に配置された挿入体（５４）であって、前記空洞部（４６）内に前記制御棒室（５２）を画定し、かつ前記空洞部（４６）を画定する前記本体（４０）の内面と共に前記流路（５８）のそれぞれを画定する挿入体（５４）をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の制御棒案内管（３０）。
【請求項７】
前記挿入体（５４）が前記空洞部（４６）内で回転可能であることを特徴とする、請求項６に記載の制御棒案内管（３０）。
【請求項８】
前記挿入体（５４）が前記本体（４０）の前記内面に固定的に付着されていることを特徴とする、請求項６に記載の制御棒案内管（３０）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンの独立的に且つ並行して回転する１対のシャフトの間においてトルクを伝達するシステムであって、当該システムが：
磁気ギアボックス（１１０）を含み、該磁気ギアボックス（１１０）が、第１リング構造（１１６）、第２リング構造（１１２）、および中間リング構造（１１４）を含み、各々の第１（１１６）、第２（１１２）および中間（１１４）のリング構造が、それらを貫通する環状開口と、その中に埋め込んだ複数の磁極片（１１２ａ，１１４ａ，１１６ａ）とを有し、中間リング構造（１１４）が、第１リング構造（１１６）と第２リング構造（１１２）の間に配設され、各々の第１（１１６）、第２（１１２）および中間（１１４）のリング構造が、残りのリング構造に対して同軸的に配設され、同心的且つ独立的に回転可能であり；
第１（１１６）および第２（１１２）リング構造が、それぞれに回転エンジン（１０）シャフトの別体のものに結合し、中間リング構造（１１４）が、第１リング構造（１１６）および第２リング構造（１１２）と協働して、シャフトの対の間において伝達されるトルクレベルを決定する、
システム。
【請求項２】
中間リング構造（１１４）が回転機械に結合していて、回転機械がコントローラを有し、回転機械がシャフトの対の間において伝達されるトルクレベルを調節すべく動作可能である、
請求項１記載のシステム。
【請求項３】
回転機械は、コントローラによって生成される信号に応じて中間リング構造（１１４）からの動力を受け取り且つそれに対して動力を供給するように構成されるモータ／発電機（１６０）であり、トルクが回転シャフトの対の間において可変伝達される、
請求項２記載のシステム。
【請求項４】
回転機械がロータ部分（２０４）と複数の永久磁石（２０２）をその中に埋め込んだ第３環状リング（１１４）構造とを含み、ロータ部分（２０４）が、出力シャフト（２０６）を含み、回転機械の軸に沿って２方向に運動してロータ（２０４）を第３リング（１１４）の中に磁気結合するように構成され、第３環状リング（１１４）が、独立的に回転するエンジン（１０）のシャフトのうちの１本に対して駆動的に結合し、ロータ部分（２０４）の中において電磁場を誘導して、出力シャフト（２０６）の出力トルクを選択的に制御し、ロータ（２０４）の出力シャフト（２０６）が、第１（１１６）、中間（１１４）または第２（１１２）のリング構造のうちの１つに結合する、
請求項２記載のシステム。
【請求項５】
ロータ部分（２０４）がカゴ形誘電ロータである、
請求項４記載のシステム。
【請求項６】
磁気ギアボックス（１１０）が機械式周転円運動プラネタリギアボックスの完全に受動的な磁気的等価物を含む、
請求項１乃至５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
磁気ギアボックス（１１０）の脱出トルクが、過剰に掛かったトルクに応じて、第１（１１６）、第２（１１２）および中間（１１４）のリング構造が摺動することを許容して、磁気ギアボックス（１１０）に対する機械損傷を防止する、
請求項１乃至６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
第１（１１６）、第２（１１２）および中間（１１４）のリング構造が以下の式によって関連付けられる角速度ωｐ，ωｓおよびωｒを有し：
ωｃ（１−ｉ０）＝ωｓ−（ｉ０）（ωｒ）
ここでは、比率ｉ０＝ｚｒ／ｚｓであり、ｚｒ／ｚｓは、第２リング構造（１１２）中の永久磁石（２０２）の個数に対する磁気ギアボックス（１１０）の外側プラネタリリング上の第１リング構造（１１６）中の永久磁石（２０２）の個数によって規定される比率である、
請求項２記載のシステム。
【請求項９】
トルクＴｓ，ＴｃおよびＴｒは、第１リング構造（１１６）、第２リング構造（１１２）および中間リング構造（１１４）に対応し、以下の式に従って、第１（１１６）、第２（１１２）および中間（１１４）のリング構造にトルクを掛ける：
Ｔｓωｓ ＋ Ｔｃωｃ ＋ Ｔｒωｒ ＝ ０
請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
エンジン（１０）が第１シャフトに結合する高圧タービン（２３）と第２シャフトに結合する低圧タービン（２７）とを有するターボファン航空機エンジンである、
請求項１乃至９のいずれかに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元アレイに配列された複数の金属化アノード（１０２）であって、各々の金属化アノード（１０２）が間隙（１２５）により他の金属化アノード（１０２）から離隔されている、複数の金属化アノード（１０２）と、
該複数の金属化アノード（１０２）に電気的に結合されている直接変換物質（１０１）であって、当該直接変換物質（１０１）に入射するＸ線により発生される電荷が前記複数の金属化アノード（１０２）の少なくとも２個の間で共有される複数の電荷共有領域（１２４）を有する直接変換物質（１０１）と、
前記電荷共有領域（１２４）に向かうＸ線を減弱するように配置されているＸ線減弱物質（１１０）の交差する桟材（１１４、１１６）の二次元グリッドと
を備えた計算機式断層写真法（ＣＴ）検出器。
【請求項２】
前記Ｘ線減弱物質（１１０）は、タングステン、モリブデン、鉛、並びにタングステン、モリブデン及び鉛の一つで充填されたポリマーの一つである、請求項１に記載の計算機式断層写真法検出器。
【請求項３】
前記Ｘ線減弱物質（１１０）と前記直接変換物質（１０１）との間に配置された高電圧絶縁物質（１１９）をさらに含んでいる請求項１に記載の計算機式断層写真法検出器。
【請求項４】
前記高電圧物質（１１９）と前記直接変換物質（１０１）との間に配置されており、前記高電圧絶縁物質（１１９）の表面に付着されている金属化表面（１２０）をさらに含んでいる請求項３に記載の計算機式断層写真法検出器。
【請求項５】
前記直接変換物質（１０１）と前記Ｘ線減弱物質（１１０）との間に配置されており、前記直接変換物質（１０１）の表面に付着されている金属化表面（１０８）をさらに含んでいる請求項１に記載の計算機式断層写真法検出器。
【請求項６】
隣り合った前記桟材（１１４、１１６）の間に配置されている低Ｘ線減弱性の構造材（１２２）を含んでいる、請求項１に記載の計算機式断層写真法検出器。
【請求項７】
前記二次元グリッド（１１０）の前記桟材（１１４、１１６）に実質的に整列しているプレート（１９）の二次元パターンを有する散乱線除去コリメータ（１２８）をさらに含んでいる請求項６に記載の計算機式断層写真法検出器。
【請求項８】
焦点スポットと、対応する電荷共有領域（１２４）との間に延在する射線と同一線上に各々配置されている複数の散乱線除去ブレード（１９）をさらに含んでいる請求項６に記載の計算機式断層写真法検出器。
【請求項９】
前記二次元グリッド（１１０）は、前記複数の金属化アノード（１０２）により形成される間隙（１５２）のパターンに実質的に一致するパターン（１５０）を形成する、請求項６に記載の計算機式断層写真法検出器。
【請求項１０】
前記グリッドにより形成される複数の開口（１７６）の各々が、前記直接変換物質（１０１）の４個のピクセル（１０２）を包含する、請求項９に記載の計算機式断層写真法検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半径方向に延びる複数のブレードを持つ少なくとも一つのタービンロータを含み、各ブレードは、エアロホイルと、このエアロホイルの半径方向内方に配置されたプラットホームと、このプラットホームの半径方向内方に配置されたステムとを有する、ターボマシンで使用するための振動ダンパーにおいて、
隣接したブレードプラットホームに設けられた夫々の接触面と係合するように形成された一対のシール面を含むシール領域と、前記シール領域から半径方向内方に延び、隣接したブレードステムの間の位置で終端するように形成されたマス領域とを含み、
前記シール領域は、前記対をなしたシール面のうちの第１シール面が、前記ロータに対して実質的に半径方向の平面内にあり、前記隣接したブレードプラットホームのうちの一方の半径方向接触面と係合するように形成されている、振動ダンパー。
【請求項２】
請求項１に記載の振動ダンパーにおいて、
前記マス領域は全体に細長い形態である、振動ダンパー。
【請求項３】
請求項１に記載の振動ダンパーにおいて、
前記マス領域は、前記シール領域と隣接した比較的狭い区分と、その半径方向内方の比較的大きな区分とを有する、振動ダンパー。
【請求項４】
請求項１に記載の振動ダンパーにおいて、
重心が、実質的に前記マス領域内に、又は前記マス領域とほぼ隣接して配置されている、振動ダンパー。
【請求項５】
請求項１に記載の振動ダンパーにおいて、
前記シール領域は、前記シール面が前記ロータに対して半径方向外方で先細になるように形成されており、前記隣接したブレードプラットホームの同様に先細になる接触面と係合する、振動ダンパー。
【請求項６】
請求項５に記載の振動ダンパーにおいて、
前記シール面は互いに鋭角をなす、振動ダンパー。
【請求項７】
請求項１に記載の振動ダンパーにおいて、
前記ロータの回転中に前記ダンパーに作用する遠心力の線が、前記対をなしたシール面のうちの第２シール面の中央弦領域を通過する質量分布を持つように形成されている、振動ダンパー。
【請求項８】
請求項１に記載の振動ダンパーにおいて、
前記シール領域は保持突出部を有し、この保持突出部は、前記振動ダンパーに作用する遠心力が、前記シール面を押圧して前記接触面と係合させるには不十分である場合に、隣接したブレードプラットホームのうちの一方に形成された対応する保持凹所内に緩く係合し、前記保持凹所内に保持される形体を備えている、振動ダンパー。
【請求項９】
請求項１に記載の複数の振動ダンパーが、隣接したタービンブレード間に設けられた少なくとも一つのタービンロータを持ち、
前記ロータの各ブレードの前記プラットホームは、前記エアロホイルの一方の側に第１接触面を形成し、前記エアロホイルの反対側に第２接触面を形成するような形体を有し、
前記プラットホームは、前記第２接触面の実質的に半径方向内方に配置された突出部を含み、前記第２接触面と前記突出部との間に凹所を形成し、
振動ダンパーのシール領域は、前記凹所内に配置されている、ターボマシン。
【請求項１０】
請求項９に記載のターボマシンにおいて、
前記第１接触面は、前記ロータに対して実質的に半径方向の平面内にあり、前記第２接触面は、前記半径方向の平面に対して鋭角をなす平面内にある、ターボマシン。
【請求項１１】
請求項１０に記載のターボマシンにおいて、
前記第１接触面は前記エアロホイルの吸引側に設けられ、前記第２接触面は前記エアロホイルの圧力側に設けられる、ターボマシン。
【請求項１２】
請求項１１に記載のターボマシンにおいて、
各ダンパーは、そのシール領域が、実質的に、一方のブレードの前記第１接触面と、隣接したブレードの前記第２接触面との間に形成された空間内に配置されるように形成されている、ターボマシン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンノズル用のダブレットベーン（１０）であって、
半径方向内側バンド（１２）と、
半径方向外側バンド（１４）と、
内側バンドと外側バンドの間に延在する１対の翼形部（１６，１８）と
を有し、
内側バンド及び外側バンドの一方は前記１対の翼形部（１６，１８）に共通するバンドであり、内側バンド及び外側バンドの他方が前記一対の翼形部の間を通る分割線（３２）に沿って略軸方向に分割されており、
前記分割線の対向する縁部の間又はその近傍にシール（３６）が固定されている、
ダブレットベーン。
【請求項２】
前記分割線（３２）が半径方向内側バンドに形成されている、請求項１に記載のダブレットベーン。
【請求項３】
前記シール（３６）が半径方向内側バンド又は外側バンドの前端（２８）から後端（３０）まで延在する、請求項１に記載のダブレットベーン。
【請求項４】
前記シール（３６）が半径方向内側バンドの前端（２８）から後端（３０）まで延在する、請求項２に記載のダブレットベーン。
【請求項５】
前記シール（３６）が、分割線（３２）に沿って取り付けられた可撓性金属製織布シール又はシートメタルシールを含む、請求項１に記載のダブレットベーン。
【請求項６】
前記翼形部（１６，１８）の一方の正圧面（３８）が遮熱コーティングで被覆されている、請求項１に記載のダブレットベーン。
【請求項７】
前記翼形部（１６，１８）の一方の正圧面（３８）が遮熱コーティングで被覆されている、請求項４に記載のダブレットベーン。
【請求項８】
前記翼形部対のうち前から後に向かって右側の翼形部（１８）の正圧面（３８）が遮熱コーティングで被覆されている、請求項６に記載のダブレットベーン。
【請求項９】
前記分割線（１３２）が半径方向外側バンドに形成されている、請求項１に記載のダブレットベーン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
廃熱源を有する蒸気タービンと、
前記廃熱源に作動連結された蒸気吸収冷却システムと
を含み、
前記冷却システムが前記廃熱源から廃棄熱を抽出して冷却媒体を形成することができる、熱回収システム。
【請求項２】
前記廃熱源が復水器である、請求項１記載の熱回収システム。
【請求項３】
前記冷却システムに作動連結された冷却塔をさらに含む、請求項１記載の熱回収システム。
【請求項４】
前記廃熱源と前記冷却システムとの間に流体連結された熱交換器をさらに含む、請求項１記載の熱回収システム。
【請求項５】
該熱回収システムが蒸気タービンに作動連結される、請求項１記載の熱回収システム。
【請求項６】
熱回収システムを作動させる方法であって、
蒸気ターボ機械と作動的に関連する廃熱源を通して熱交換媒体を流すステップと、
前記廃熱源から前記熱交換媒体内に熱を抽出するステップと、
前記熱交換媒体を蒸気吸収冷却システムまで導くステップと、
前記熱交換媒体から熱を抽出して冷却媒体を生成するステップと
を含む方法。
【請求項７】
前記冷却媒体と熱交換伝達状態で流体を冷却塔に流して、該冷却媒体により該流体の温度を低下させるステップをさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記廃熱源を通して熱交換媒体を流すステップが、復水器を通して該熱交換媒体を流すステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項９】
蒸気タービンに作動連結された廃熱源と、
前記廃熱源に作動連結された蒸気吸収冷却システムと
を含み、
前記冷却システムが前記廃熱源から廃棄熱を抽出して冷却媒体を形成することができる、
ターボ機械熱回収システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主燃料ノズル軸線（Ａ）に沿って配置されたハブ（９２）と、このハブ（９２）を全周にわたりそのハブ（９２）から間隔を隔てて取り囲み少なくとも１つのねじれ羽根（９１）を有する囲壁（Ｂ）とを備え、その羽根（９１）がハブ（９２）から半径方向外側に囲壁（Ｂ）まで延びている旋回翼（９０）であって、
主燃料ノズル軸線（Ａ）に対して垂直な囲壁（Ｂ）の横断面が台形状であることを特徴とする旋回翼。
【請求項２】
少なくとも１つのねじれ羽根（９１）が三次元ねじれ形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の旋回翼。
【請求項３】
囲壁（Ｂ）の複数の隅に複数のコーナー羽根（９６）が存在していることを特徴とする請求項１又は２に記載の旋回翼。
【請求項４】
前記コーナー羽根（９６）の尖っていることを特徴とする請求項３に記載の旋回翼。
【請求項５】
燃料がハブ（９２）を通して導かれることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の旋回翼。
【請求項６】
複数の燃料噴射ノズルが含まれていることを特徴とする請求項５に記載の旋回翼。
【請求項７】
燃料がハブ（９２）を通して複数のねじれ羽根（９１）に導かれ、そこで噴射されおよび／又は燃料が追加的にハブから噴射されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の旋回翼。
【請求項８】
囲壁（Ｂ）又は  囲壁（Ｂ）の複数の隅が流出空気で保護されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の旋回翼。
【請求項９】
主燃料ノズル軸線（Ａ、Ａ′）に沿って配置されたハブ（９２）並びにそれぞれハブ（９２）を全周にわたりそのハブ（９２）から間隔を隔てて取り囲み少なくとも１つのねじれ羽根（９１）を有する囲壁（Ｂ、Ｂ′）を備えた少なくとも２つの旋回翼（９０ａ、９０ｂ）を備え、そのねじれ羽根（９１）がハブ（９２）から半径方向外側に囲壁（Ｂ）まで延び、少なくとも２つの前記旋回翼（９０ａ、９０ｂ）が環状に配置されている、旋回翼装置（９５）であって、
少なくとも２つの旋回翼（９０ａ、９０ｂ）における主燃料ノズル軸線（Ａ、Ａ′）に対して垂直な囲壁（Ｂ、Ｂ′）の横断面が非円形に形成され、その横断面形状によって少なくとも２つの旋回翼（９０ａ、９０ｂ）の囲壁（Ｂ、Ｂ′）間にできるだけ小さな隙間（ｄ１）が存在するように形成されていることを特徴とする旋回翼装置。
【請求項１０】
少なくとも１つの旋回翼（９０ａ、９０ｂ）が請求項１ないし８のいずれか１つに記載の旋回翼（９０）であることを特徴とする請求項９に記載の旋回翼装置。
【請求項１１】
燃料・空気混合気を案内するためのパイロットバーナ（１）並びにパイロット燃焼域（２３）を有するパイロット円錐胴（２０）が存在し、複数の旋回翼（９０ａ、９０ｂ）が前記パイロットバーナ（１）の周りに環状に配置されている、請求項９又は１０に記載の旋回翼装置（９５）を備えたバーナ（１００）であって、
前記旋回翼（９０）の幾何学形状が旋回翼（９０）のパイロット円錐胴（２０）への極めて近い位置付けを可能としていることを特徴とするバーナ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のバーナを備えていることを特徴とするガスタービン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第１の発泡ＰＥＴ絶縁層１ａおよび第２の発泡ＰＥＴ絶縁層１ｂの誘電率は例えば２．８である。発泡ＰＥＴ絶縁層１ａ，１ｂは、ポリエステル８０重量部とポリオレフィン系樹脂１０重量部と二酸化チタン１０重量部と芳香族系樹脂その他添加剤６重量部を入れている。発泡率は２０％位に制御している。
発泡ＰＥＴ絶縁層１ａ，１ｂの誘電率を小さくする必要がないため、発泡率を下げることができ、脆性破壊しやすくなることを回避できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ポリオレフィン系接着剤層２の誘電率は例えば２．４である。ポリオレフィン系接着剤層２は、ポリオレフィン１００重量部に臭素系難燃剤３０重量部とアンチモン系難燃剤１０重量部とその他添加剤２重量部を入れている。
無機フィラーの添加を行わないことで、ポリオレフィン系接着剤層２の誘電率が大きくなるのを回避することが出来る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
発泡ＰＥＴ絶縁層１の誘電率は例えば２．８である。発泡ＰＥＴ絶縁層１は、ポリエステル８０重量部とポリオレフィン系樹脂１０重量部と二酸化チタン１０重量部と芳香族系樹脂その他添加剤６重量部を入れている。発泡率は２０％位に制御している。
発泡ＰＥＴ絶縁層１の誘電率を小さくする必要がないため、発泡率を下げることができ、脆性破壊しやすくなることを回避できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
１，１ａ，１ｂ      発泡ＰＥＴ絶縁層
２                  ポリオレフィン系接着剤層
３ａ〜３ｄ          導体線
４                  難燃ＰＥＴ被覆層
５，５ａ，５ｂ      接着剤層
６，６ａ，６ｂ      ＰＥＴ絶縁層
７，７ａ，７ｂ      アルミ・シールド層
８                  接着剤層
９                  ＰＥＴ絶縁層
１０１              両面シールド・フレキシブルフラットケーブル
１０２              片面シールド・フレキシブルフラットケーブル
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2012064478.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルが装着された主鉄心と、
この主鉄心と組み合わされて閉磁路を構成するサイド鉄心とを備え、
当該閉磁路の途中に鉄心の嵌合部を備えたものにおいて、
前記嵌合部は２つの近接する嵌合平面区域と、この２つの嵌合平面区域の間に形成された軸方向の段差部とを備える閉磁路型変圧装置。
【請求項２】
請求項１に記載したものにおいて、
前記閉磁路の途中に永久磁石が配置されている閉磁路型変圧装置。
【請求項３】
請求項１若しくは２のいずれかに記載したものにおいて、
前記主鉄心と前記サイド鉄心とは嵌合部において双方の鉄心を挿入する際に、挿入方向に交差する方向に、圧入力が働くよう構成されている閉磁路型変圧装置。
【請求項４】
請求項３に記載のものにおいて、
前記サイド鉄心は前記主鉄心に並行な第一サイド鉄心部と、前記主鉄心の一端に設けられ前記第一サイド鉄心と前記主鉄心とを繋ぐ第二サイド鉄心とを備える
閉磁路型変圧装置。
【請求項５】
請求項４に記載のものにおいて、
前記第一サイド鉄心は前記センタ鉄心を挟んでセンタ鉄心に並行な２つの鉄心部分とこの２つの鉄心部分を繋ぐ第三鉄心部分とが一体に形成されており、
前記第二サイド鉄心部分を前記第三鉄心部分と並行に組み付けることによって前記主鉄心を通る一対の閉磁路が構成されるように構成されている閉磁路型変圧装置。
【請求項６】
請求項５に記載のものにおいて、
前記嵌合部は、前記センタ鉄心の長手方向の中心軸に対し前記第一サイド鉄心と前記第二サイド鉄心との２つの嵌合部を有し、当該２つの嵌合部が対称的に配置されている閉磁路型変圧装置。
【請求項７】
請求項６に記載のものにおいて、
前記２つの嵌合部はそれぞれ、前記センタ鉄心の長手方向の中心軸に対し互いに向き合う前記２つの嵌合平面区域と当該２つの嵌合平面区域の間に形成された前記段付部を備える閉磁路型変圧装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ表示装置であって、
透明基板と；
前記基板の第１の面側に形成された有機ＥＬ素子と；
前記有機ＥＬ素子に面する前記基板の前記第１の面上に形成された封止ケースと；
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する端子と；
前記端子の端部を除いた前記有機ＥＬ表示装置の全体を封止している封止材と
を具備した有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記封止材は透明な封止材である請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記基板と前記封止ケースとを固定する接着剤を更に備え、前記接着剤は長さ１０μｍ以下のガラス片を含んでいる請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記封止ケースと前記封止材との間に設けられたスペーサと；
前記スペーサと前記基板又は前記封止ケースとの間に設けられた少なくとも１つの乾燥剤と
を更に備えた請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
有機ＥＬ表示装置であって、
基板と；
前記基板の第１の面上に形成された有機ＥＬ素子と；
前記有機ＥＬ素子に面する前記基板の前記第１の面上に形成された封止ケースと；
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する端子と；
前記封止ケースと前記基板との間に設けられた第１の封止材と；
有機ＥＬ表示装置の端部に隣り合った補強材と；
前記補強材を覆うように形成された透明の第２の封止材と
を具備した有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第１の封止材はガラスを細かく砕いて純粋な樹脂と混ぜた封止材である請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記細かく砕いたガラスは長さが１０μｍ以下である請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記補強材は、金属、ガラス及び樹脂からなる群より選択される材料を含んでいる請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記補強材は前記有機ＥＬ表示装置の外周部の一部分を覆って形成されている請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記第２の封止材は、前記有機ＥＬ素子が形成されている領域外に設けられている請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記補強材の外側に乾燥剤を更に備えた請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記補強材の内側に乾燥剤を更に備えた請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
有機ＥＬ照明装置であって、
基板と；
前記基板の第１の面上に形成された有機ＥＬ素子と；
前記有機ＥＬ素子に面する前記基板の前記第１の面上に形成された封止ケースと；
前記有機ＥＬ素子に電圧を印加する端子と；
前記封止ケースと前記基板とを固定するための接着剤と；
前記端子の端部を除いた前記有機ＥＬ照明装置を包み込む透明又は半透明の封止材と
を具備した有機ＥＬ照明装置。
【請求項１４】
前記封止材は透明である請求項１３に記載の有機ＥＬ照明装置。
【請求項１５】
前記封止材は半透明である請求項１３に記載の有機ＥＬ照明装置。
【請求項１６】
前記接着剤はガラスを細かく砕いて純粋な樹脂と混ぜた封止材である請求項１３に記載の有機ＥＬ照明装置。
【請求項１７】
前記細かく砕いたガラスは長さが１０μｍ以下である請求項１６に記載の有機ＥＬ照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記グラフェン超格子は、多重量子ウェル構造を有することを特徴とする請求項２に記載のグラフェン発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記少なくとも１つのグラフェン・ナノリボンそれぞれは、長手方向に沿って、幅ｗ１を有する区間と、幅ｗ１とは異なる幅ｗ２を有する区間とを有することを特徴とする請求項４に記載のグラフェン発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記少なくとも１つのグラフェン・ナノリボンそれぞれは、長手方向に沿って、幅ｗ１を有する区間と、幅ｗ１とは異なる幅ｗ２を有する区間とを有することを特徴とする請求項８に記載のグラフェン発光素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記グラフェン超格子は、ナノサイズのグラフェンで形成されたグラフェン量子点が配置されたことを特徴とする請求項２に記載のグラフェン発光素子。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
前記少なくとも１つのグラフェン・ナノリボンそれぞれは、長手方向に沿って、幅ｗ１を有する区間と、幅ｗ１とは異なる幅ｗ２を有する区間とを有することを特徴とする請求項２９に記載のグラフェン発光素子の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
前記少なくとも１つのグラフェン・ナノリボンそれぞれは、長手方向に沿って、幅ｗ１
を有する区間と、幅ｗ１とは異なる幅ｗ２を有する区間とを有することを特徴とする請求
項３１に記載のグラフェン発光素子の製造方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３３】
前記活性グラフェンを形成する段階は、前記グラフェンをパターニングし、ナノサイズ
のグラフェンで形成されたグラフェン量子点を形成する段階を含むことを特徴とする請求
項２８に記載のグラフェン発光素子の製造方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
活性グラフェンは、グラフェン超格子を含むことができる。かようなグラフェン超格子
は、多重量子ウェル構造を有することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
グラフェン超格子は、ｐ型グラフェンとｎ型グラフェンとを連結する帯状の少なくとも
１つのグラフェン・ナノリボンを含むことができる。少なくとも１つのグラフェン・ナノ
リボンそれぞれは、長手方向に沿って、幅ｗ１を有する区間と、幅ｗ１とは異なる幅ｗ２
を有する区間とを有する。このとき、少なくとも１つのグラフェン・ナノリボンそれぞれ
の幅は、３ｎｍないし２０ｎｍの範囲内で、長手方向に周期的に変動しうる。一方、少な
くとも１つのグラフェン・ナノリボン間の間隔は、２ｎｍないし１５ｎｍの範囲内である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
グラフェン超格子は、ｐ型グラフェンとｎ型グラフェンとの間で、ｐ型グラフェンの境
界及びｎ型グラフェンの境界に平行するように長く延びる少なくとも１つのグラフェン・
ナノリボンを含むこともできる。少なくとも１つのグラフェン・ナノリボンそれぞれは、
長手方向に沿って、幅ｗ１を有する区間と、幅ｗ１とは異なる幅ｗ２を有する区間とを有
する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
グラフェン超格子は、ナノサイズのグラフェンで形成されたグラフェン量子点が配置さ
れることもできる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
活性グラフェンを形成する段階は、グラフェンをパターニングしてグラフェン超格子を
形成する段階を含むことができる。たとえば、活性グラフェンを形成する段階は、グラフ
ェンをパターニングし、ｐ型グラフェンとｎ型グラフェンとを連結する帯状の少なくとも
１つのグラフェン・ナノリボンを形成する段階を含むことができる。少なくとも１つのグ
ラフェン・ナノリボンそれぞれは、長手方向に沿って、幅ｗ１を有する区間と、幅ｗ１と
は異なる幅ｗ２を有する区間とを有する。このとき、少なくとも１つのグラフェン・ナノ
リボンそれぞれの幅は、３ｎｍないし２０ｎｍの範囲内で、長手方向に周期的に変動しう
る。また、少なくとも１つのグラフェン・ナノリボン間の間隔は、２ｎｍないし１５ｎｍ
の範囲内である。または、活性グラフェンを形成する段階は、グラフェンをパターニング
し、ｐ型グラフェンとｎ型グラフェンとの間で、ｐ型グラフェン及びｎ型グラフェンの境
界に平行するように長く延びる少なくとも１つのグラフェン・ナノリボンを形成する段階
を含むこともできる。このとき、少なくとも１つのグラフェン・ナノリボンそれぞれは、
長手方向に沿って、幅ｗ１を有する区間と、幅ｗ１とは異なる幅ｗ２を有する区間とを有
する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
活性グラフェンを形成する段階は、グラフェンをパターニングし、ナノサイズのグラフ
ェンで形成されたグラフェン量子点を形成する段階を含むこともできる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる基板と、
Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり前記基板上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなる第２の半導体層と
を備え、
前記第１の半導体層の（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、III族窒化物半導体積層ウェハ。
【請求項２】
基板上に設けられたＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層と、
Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなる第２の半導体層と
を備え、
前記第１の半導体層の（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、III族窒化物半導体積層ウェハ。
【請求項３】
前記第１の半導体層の（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が４００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、請求項１または２に記載のIII族窒化物半導体積層ウェハ。
【請求項４】
前記第１及び第２の半導体層が共にＡｌＧａＮからなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体積層ウェハ。
【請求項５】
ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる基板と、
Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり前記基板上に設けられたチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、前記チャネル層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなるバリア層と、
を備え、
前記チャネル層の（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、III族窒化物半導体デバイス。
【請求項６】
基板上に設けられたＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層と、
Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層上に設けられたチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、前記チャネル層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなるバリア層と
を備え、
前記チャネル層の（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、III族窒化物半導体デバイス。
【請求項７】
前記チャネル層の（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が４００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、請求項５または６に記載のIII族窒化物半導体デバイス。
【請求項８】
前記チャネル層及び前記バリア層が共にＡｌＧａＮからなることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体デバイス。
【請求項９】
ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる基板と、
Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり前記基板上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなる第２の半導体層と
を備え、
前記第１の半導体層の（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、III族窒化物半導体積層ウェハ。
【請求項１０】
基板上に設けられたＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層と、
Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなる第２の半導体層と
を備え、
前記第１の半導体層の（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、III族窒化物半導体積層ウェハ。
【請求項１１】
前記第１の半導体層の（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が４００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、請求項９または１０に記載のIII族窒化物半導体積層ウェハ。
【請求項１２】
前記第１及び第２の半導体層が共にＡｌＧａＮからなることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体積層ウェハ。
【請求項１３】
ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる基板と、
Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり前記基板上に設けられたチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、前記チャネル層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなるバリア層と、
を備え、
前記チャネル層の（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、III族窒化物半導体デバイス。
【請求項１４】
基板上に設けられたＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層と、
Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり前記ＡｌＸＧａ１−ＸＮ層上に設けられたチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、前記チャネル層よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなるバリア層と
を備え、
前記チャネル層の（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、III族窒化物半導体デバイス。
【請求項１５】
前記チャネル層の（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が４００［ａｒｃｓｅｃ］未満であることを特徴とする、請求項１３または１４に記載のIII族窒化物半導体デバイス。
【請求項１６】
前記チャネル層及び前記バリア層が共にＡｌＧａＮからなることを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
干渉計のミラー・ブロック、光学センサ、反射素子、およびアライメント・マークのうちの少なくとも一つを含む基板テーブルと、
パターン形成された放射ビームを投影する投影システムと、
リソグラフィ装置内の前記基板テーブルの表面をその場でクリーニングするクリーニング・システムであって、クリーニングすべき前記基板テーブル上に局所的にプラズマを提供するプラズマ・システムを含み、前記干渉計のミラー・ブロック、光学センサ、反射素子、前記アライメント・マーク、これらの下の位置、およびこれらの周囲の位置のうちの少なくとも一つをクリーニングするクリーニング・システムと、を含むリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記クリーニング・システムが、前記干渉計のミラー・ブロック、光学センサ、反射素子、前記アライメント・マーク、前記アライメント・マークの下の位置、および前記アライメント・マークの周囲の位置のうちの少なくとも一つを、周期的にクリーニングする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板テーブル上の汚染物の位置を決定するデバイスをさらに含む、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記周期的なクリーニングが、汚染物の位置を決定するためのデバイスによる汚染物の検出なしに行われる、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記プラズマ・システムが、所定の位置の隣接部に局所的にプラズマを提供する、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記放射ビームにその断面でパターンを与えるパターン形成デバイスを支持する支持構造をさらに含む、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
レーザ・ビームを分岐し、分岐されたレーザ・ビームを２つの異なるルートを介して前記基板テーブルに向けて照射する光学系をさらに含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
放射ビームにその断面でパターンを与えるパターン形成デバイスを支持する支持構造と、
基板を支持する基板テーブルと、
前記基板の標的部分に、前記パターン形成された放射ビームを投影する投影システムと、
リソグラフィ装置内の部品をその場でクリーニングするクリーニング・システムであって、クリーニングすべき前記部品上の所定の位置の隣接部に雪の粒子の噴流を提供するクリーニング・システムとを含むリソグラフィ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブルと、
投影システムと前記基板及び／又は前記基板テーブルとの間の空間に液浸液を実質的に閉じ込める液体閉じ込めシステムと、
前記液体閉じ込めシステムの外側に配置され、且つ、加湿気体を供給する気体シャワー出口と、を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記基板、前記基板テーブル及び基板保持器の少なくとも１つの少なくとも一部の局部温度を測定する少なくとも１つの温度センサをさらに備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記温度センサによって測定された前記局所温度に基づいて前記加湿気体が供給される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記加湿気体を供給する加湿器を更に備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記加湿器は、
浸液蒸気を生成するために１つ以上の浸液槽を加熱する内部加熱要素を備える蒸発容器と、
気体と浸液蒸気との混合気が過飽和状態になって前記液浸液が冷却されるように前記液浸蒸気を気体と混合する凝縮容器と、
制御温度及び／又は制御飽和水準で前記加湿気体を生成するために、前記過飽和状態の気体と乾燥気体とを混合する混合室と、を備える、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記加湿気体はバブラを用いて供給される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記バブラは、液体及び液体蒸気を収容する容器中に浸漬けされた多孔装置である、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記加湿気体の浄化された流れを生成する加湿キャビネットを用いて供給される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記加湿キャビネットは、熱交換流体によって前記加湿気体の温度を制御する、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記加湿キャビネットから前記加湿気体を制御流量で排出可能にする可変排出システムを更に備える、請求項８又は９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記可変排出システムは、前記加湿キャビネットからの流量が一定に留まるように構成される、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記可変排出システムは、前記加湿器キャビネットからの流れを制御する流れインピーダンスであって、前記加湿キャビネットの背圧に応答する流れインピーダンスを有するように構成される、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
リソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブルと、
投影系と前記基板及び／又は基板テーブルとの間の空間の少なくとも一部を液浸液で充満するように構成された液体供給システムと、
前記基板、前記基板テーブル及び基板保持器の少なくとも１つの対応部分を局部的に加熱するようにそれぞれ構成された複数のヒータと、
前記基板テーブルの位置、速度、加速度、及び、所定経路の少なくとも１つを含む情報を決定する基板テーブル経路決定装置と、を備え、
前記ヒータそれぞれの駆動が前記決定された情報に基づいて制御される、リソグラフィ装置。