【事件の表示】
　特願２００１−３９５２５９号「段差を利用した無露光パターン形成方法およびこれを利用したシリサイド化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　２日出願公開、特開２００２−２１７０７８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１３年１２月２６日（パリ条約による優先権主張　２０００年１２月２６日、韓国）の出願であって、平成１９年１０月１０日付けで手続補正がなされた後、平成１９年１０月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２０年１月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成２０年２月２２日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成２０年２月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］平成２０年２月２２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「段差を有するパターンが形成されている基板上に前記パターンに整合的にパターニング対象膜を形成する段階と、
　前記パターニング対象膜上に残膜率が８０％以下のフォトレジスト膜を形成する段階と、
　前記フォトレジスト膜を露光しないで、前記露光されていないフォトレジスト膜を現像液で処理して前記フォトレジスト膜を溶解することにより、前記フォトレジスト膜の上部表面を前記段差上の前記パターニング対象膜の上部表面より低く位置するようにして、前記パターニング対象膜の一部を露出させるフォトレジストパターンを形成する段階と、
　前記フォトレジストパターンをマスクとして使って前記フォトレジストパターンにより露出された前記パターニング対象膜を除去する段階と、
　前記フォトレジストパターンを除去してパターニング対象膜パターンを形成する段階と、を含み、
　前記フォトレジスト膜は、第１ノボラック樹脂及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として３〜１５重量％の光活性化合物を含む第１フォトレジストと、
　第１ノボラック樹脂、現像液に対する溶解速度が３００Å／秒〜１５００Å／秒であり、前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１０〜６０重量％の第２ノボラック樹脂及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１５〜３０重量％の光活性化合物を含む第２フォトレジストと、
　第１ノボラック樹脂、前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１０〜６０重量％のポリヒドロキシスチレン及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１５〜３０重量％の光活性化合物を含む第３フォトレジストと、
からなる群より選択された少なくとも１つのフォトレジストを含むことを特徴とする無露光パターン形成方法。」
と補正された。
　
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「フォトレジスト膜」について、「フォトレジスト膜は、第１ノボラック樹脂及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として３〜１５重量％の光活性化合物を含む第１フォトレジストと、第１ノボラック樹脂、現像液に対する溶解速度が３００Å／秒〜１５００Å／秒であり、前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１０〜６０重量％の第２ノボラック樹脂及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１５〜３０重量％の光活性化合物を含む第２フォトレジストと、第１ノボラック樹脂、前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１０〜６０重量％のポリヒドロキシスチレン及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１５〜３０重量％の光活性化合物を含む第３フォトレジストと、からなる群より選択された少なくとも１つのフォトレジストを含む」と限定するものであり、この補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（２）本願補正発明
　　本願補正発明は、平成２０年２月２２日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「（１）本件補正後の本願発明」参照）
　
（３）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開平６−１７７０２９号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
　半導体装置の製造方法に関するもので、
記載事項ア．【特許請求の範囲】【請求項１】【請求項２】
「【請求項１】基板（１）の上の膜（２，３，４）に凹部（５）を形成する工程と、
　２０００Å／ｍｉｎ〜１００００Å／ｍｉｎのエッチング速度となるレジスト（７）を前記凹部（５）及びその周辺に塗布する工程と、
　前記レジスト（７）を現像液によりコントロールエッチングし、前記凹部（５）の周辺から前記レジスト（７）を除去するとともに、前記凹部（５）内に前記レジスト（７）を残存させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記レジスト（７）はベースレジンに溶解抑止剤を混入してなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」
　
記載事項イ．【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、凹部内にレジストを埋め込む工程を含む半導体装置の製造方法に関する。」
　
記載事項ウ．【００２０】〜【００２４】
「【００２０】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
（ａ）本発明の第１実施例の説明
　図１、２は、本発明の第１実施例の製造工程を示す断面図である。
【００２１】まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１の上に第一の絶縁膜２、多結晶シリコン膜３及び第二の絶縁膜４を順に積層し、これをフォトリソグラフィー法によりパターニングして半導体基板１の一部を露出させるような開口部（凹部）５を形成する。
【００２２】ついで、図１（ｂ）に示すように、不純物を含有した多結晶シリコン膜６をＣＶＤ法により全体に成長する。この場合の多結晶シリコン膜６は、開口部５内を完全に埋め込まず、かつ、開口部５の内周面及び底面に沿って成長させる。
【００２３】この後に、図１（ｃ）に示すように、パターン形成用のマスクを形成するためのレジスト７をスピンコーティング法により塗布する。レジスト７の塗布は、基板１面内、基板１相互間での均一性は５０Å以内に制御することは容易である。
【００２４】この場合のレジスト７の材料としては、溶解抑止剤、例えばナフトキノンジアジドをフェノールノボラック樹脂等のベースレジンに混入させたものを使用するが、溶解抑止剤の含有量は、アルカリ性現像液に対するエッチング速度が未露光状態で２，０００Å／ｍｉｎ〜１０，０００Å／ｍｉｎ程度となるようにする。これによれば、数秒〜数十秒の範囲内での現像時間の調整により、少なくとも数十Åから数千Åの精度でエッチング量をコントロールできるようになる。」
　
記載事項エ．【００２５】
「【００２５】このようなレジスト７を塗布した後に（図１（ｄ））、アルカリ性の現像液を使用して現像時間を管理しながら通常のパドル現像を通すことにより、レジスト７を薄層化、即ちコントロールエッチングする。この場合、５，０００Å／ｍｉｎの速度で現像液に溶解するようにナフトキノンジアジドを添加したレジストを用いれば、レジストの厚さ１．０μｍに対して、現像時間１分（通常の現像時間とほぼ同等）で５０００Åのコントロールエッチングを行える。」
　
記載事項オ．【００２７】
「【００２７】次に、開口部５内にのみレジスト７を残存させた状態で現像を停止し、洗浄を行った後に、図２（ａ）に示すように、開口部５以外の領域で露出している多結晶シリコン膜６をドライエッチング又はウェッエッチングにより除去する。」
　
記載事項カ．【００２８】
「【００２８】この後に、図２（ｂ）に示すように、開口部５内に残ったレジスト７を溶剤により除去すると、その内面に沿って形成された多結晶シリコン膜６が露出した状態となっているので、図２（ｃ）に示すように多結晶シリコンシリコン膜６内の不純物を半導体基板１内に固相拡散して不純物拡散層８を形成する。このような不純物拡散層８としては、例えばバイポーラトランジスタのベース層がある。」
　
記載事項キ．【００２９】
「【００２９】ところで、上記した実施例では、レジスト７の溶解抑止剤の含有量を調整し、レジスト７の現像液に対するエッチング速度を調節しているが、現像液のアルカリ濃度を高くすれば、未露光状態でエッチング速度が数十Å以下程度である通常のポジ型レジストを用いてエッチングコントロールが行える。なお、ネガ型のレジストでは光を照射した状態である。」
　
記載事項ク．【００３２】、【００３３】
「【００３２】以上のような方法によりレジスト７を開口部５内に充填すると、現像装置の性能が向上している現状においては、現像の基板１内分布、基板１相互間分布が非常に良くなり、パーティクルの発生が非常に少なく、当然真空引きを必要としないためにスループットがドライエッチングに比べて高くなる。
【００３３】したがって、制御性良く、高スループットで、パーティクルの発生も抑えながらレジストのコントロールエッチングを行えることになる。」
　
　上記記載事項ア．〜ク．の記載事項を総合すると引用例には、
「半導体基板１の上に第一の絶縁膜２、多結晶シリコン膜３及び第二の絶縁膜４を順に積層し、これをフォトリソグラフィー法によりパターニングして半導体基板１の一部を露出させるような開口部（凹部）５を形成し、ついで、不純物を含有した多結晶シリコン膜６をＣＶＤ法により全体に成長させるが、この場合の多結晶シリコン膜６は、開口部５内を完全に埋め込まず、かつ、開口部５の内周面及び底面に沿って成長させる段階、
　この後に、溶解抑止剤としてナフトキノンジアジドをフェノールノボラック樹脂のベースレジンに混入させたレジスト７を塗布してパターン形成用のマスクを形成する段階、
　溶解抑止剤の含有量は、アルカリ性現像液に対するエッチング速度が未露光状態で２，０００Å／ｍｉｎ〜１０，０００Å／ｍｉｎ程度となるが、５，０００Å／ｍｉｎの速度で現像液に溶解するようにナフトキノンジアジドを添加したレジストを用いれば、レジストの厚さ１．０μｍに対して、現像時間１分（通常の現像時間とほぼ同等）で５０００Åのコントロールエッチングを行うことができ、このようなレジスト７を塗布した後に、アルカリ性の現像液を使用して現像時間を管理しながら通常のパドル現像を通すことにより、レジスト７を薄層化、即ちコントロールエッチングする段階、
　次に、開口部５内にのみレジスト７を残存させた状態で現像を停止し、洗浄を行う段階、
　開口部５以外の領域で露出している多結晶シリコン膜６をドライエッチング又はウェッエッチングにより除去する段階、
　開口部５内に残ったレジスト７を溶剤により除去して、その内面に沿って形成された多結晶シリコン膜６が露出した状態とする段階と、を含む
　半導体装置の製造方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（４）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ａ）引用発明の「半導体基板１」は、本願補正発明の「基板」に相当する。
　また、引用発明の「半導体基板１の上に第一の絶縁膜２、多結晶シリコン膜３及び第二の絶縁膜４を順に積層し、これをフォトリソグラフィー法によりパターニングして半導体基板１の一部を露出させるような開口部（凹部）５を形成」することにより、引用発明の半導体基板１の上には、本願補正発明の「段差を有するパターン」に相当する構成が形成されているといえ、引用発明の「ついで、不純物を含有した多結晶シリコン膜６をＣＶＤ法により全体に成長させるが、この場合の多結晶シリコン膜６は、開口部５内を完全に埋め込まず、かつ、開口部５の内周面及び底面に沿って成長させる」ことにより、不純物を含有した多結晶シリコン膜６は、開口部５内を完全に埋め込まず、かつ、開口部５の内周面及び底面に沿って成長させるのであるから、引用発明の「不純物を含有した多結晶シリコン膜６」は、本願補正発明の「パターンに整合的に」形成した「パターニング対象膜」に相当する。そうすると、引用発明の「半導体基板１の上に第一の絶縁膜２、多結晶シリコン膜３及び第二の絶縁膜４を順に積層し、これをフォトリソグラフィー法によりパターニングして半導体基板１の一部を露出させるような開口部（凹部）５を形成し、ついで、不純物を含有した多結晶シリコン膜６をＣＶＤ法により全体に成長させるが、この場合の多結晶シリコン膜６は、開口部５内を完全に埋め込まず、かつ、開口部５の内周面及び底面に沿って成長させる段階」は、本願補正発明の「段差を有するパターンが形成されている基板上に前記パターンに整合的にパターニング対象膜を形成する段階」に相当するといえる。
　
（ｂ）引用発明の「この後に、溶解抑止剤としてナフトキノンジアジドをフェノールノボラック樹脂のベースレジンに混入させたレジスト７を塗布してパターン形成用のマスクを形成する段階」は、本願補正発明の「前記パターニング対象膜上に」「フォトレジスト膜を形成する段階」に相当する。
　
（ｃ）引用発明のレジスト７に混入される溶解抑止剤の含有量は、アルカリ性現像液に対するエッチング速度が未露光状態で２，０００Å／ｍｉｎ〜１０，０００Å／ｍｉｎ程度となるのであるから、「５，０００Å／ｍｉｎの速度で現像液に溶解するようにナフトキノンジアジドを添加したレジストを用いれば」行える「レジストの厚さ１．０μｍに対して、現像時間１分（通常の現像時間とほぼ同等）で５０００Åのコントロールエッチング」は、未露光状態でのコントロールエッチングであるといえる。
　また、引用例の記載事項ウ、エによれば、引用例の図１（ａ）には、半導体基板１の上にフォトリソグラフィー法によりパターニングして段差を有するパターンが形成された状態が示され、引用例の図１（ｂ）には、その段差を有するパターン上に多結晶シリコン膜６を形成した状態が示され、引用例の図１（ｃ）には、その多結晶シリコン膜６の上にレジスト７が塗布された現像前の状態が示され、引用例の図１（ｄ）には、レジスト７を現像液で現像してコントロールエッチングされた状態が示されているといえ、引用例の図１（ｄ）には、コントロールエッチングされたレジスト７が開口部５内のみに残存し、そのレジスト７の上部表面が段差を有するパターン上に形成された多結晶シリコン膜６の上部表面よりも低い位置となることが図示されている。これらの引用例の記載事項及び図示事項を参酌すると、引用発明の「溶解抑止剤の含有量は、アルカリ性現像液に対するエッチング速度が未露光状態で２，０００Å／ｍｉｎ〜１０，０００Å／ｍｉｎ程度となるが、５，０００Å／ｍｉｎの速度で現像液に溶解するようにナフトキノンジアジドを添加したレジストを用いれば、レジストの厚さ１．０μｍに対して、現像時間１分（通常の現像時間とほぼ同等）で５０００Åのコントロールエッチングを行うことができ、このようなレジスト７を塗布した後に、アルカリ性の現像液を使用して現像時間を管理しながら通常のパドル現像を通すことにより、レジスト７を薄層化、即ちコントロールエッチングする段階」及び「次に、開口部５内にのみレジスト７を残存させた状態で現像を停止し、洗浄を行う段階」は、本願補正発明の「前記フォトレジスト膜を露光しないで、前記露光されていないフォトレジスト膜を現像液で処理して前記フォトレジスト膜を溶解することにより、前記フォトレジスト膜の上部表面を前記段差上の前記パターニング対象膜の上部表面より低く位置するようにして、前記パターニング対象膜の一部を露出させるフォトレジストパターンを形成する段階」に相当するといえる。
　
（ｄ）引用発明の「開口部５以外の領域で露出している多結晶シリコン膜６をドライエッチング又はウェッエッチングにより除去する段階」は、本願補正発明の「前記フォトレジストパターンをマスクとして使って前記フォトレジストパターンにより露出された前記パターニング対象膜を除去する段階」に相当する。
　
（ｅ）引用発明の「開口部５内に残ったレジスト７を溶剤により除去して、その内面に沿って形成された多結晶シリコン膜６が露出した状態とする段階」は、本願補正発明の「前記フォトレジストパターンを除去してパターニング対象膜パターンを形成する段階」に相当する。
　
（ｆ）引用発明は、「溶解抑止剤としてナフトキノンジアジドをフェノールノボラック樹脂のベースレジンに混入させたレジスト７」を使用しているが、「ナフトキノンジアジド」は、本願補正発明において、光活性化合物として使用されているものであり（本願明細書の【００４９】参照）、また、引用発明の「レジスト７」に使用する「フェノールノボラック樹脂」は、本願補正発明の「第１ノボラック樹脂」に相当するものである（本願明細書の【００４７】参照）。
　よって、引用発明の「溶解抑止剤としてナフトキノンジアジドをフェノールノボラック樹脂のベースレジンに混入させたレジスト７」は、本願補正発明の「第１ノボラック樹脂及び」「光活性化合物を含む第１フォトレジスト」「を含む」「フォトレジスト膜」に相当する。
　
（ｇ）引用発明の「半導体装置の製造方法」は、上記（ｃ）で述べたように、無露光でレジストのパターンを形成するものといえるから、本願補正発明の「無露光パターン形成方法」に相当する。
　
　そうすると、本願補正発明と引用発明との両者は、
　
「段差を有するパターンが形成されている基板上に前記パターンに整合的にパターニング対象膜を形成する段階と、
　前記パターニング対象膜上にフォトレジスト膜を形成する段階と、
　前記フォトレジスト膜を露光しないで、前記露光されていないフォトレジスト膜を現像液で処理して前記フォトレジスト膜を溶解することにより、前記フォトレジスト膜の上部表面を前記段差上の前記パターニング対象膜の上部表面より低く位置するようにして、前記パターニング対象膜の一部を露出させるフォトレジストパターンを形成する段階と、
　前記フォトレジストパターンをマスクとして使って前記フォトレジストパターンにより露出された前記パターニング対象膜を除去する段階と、
　前記フォトレジストパターンを除去してパターニング対象膜パターンを形成する段階と、を含み、
　前記フォトレジスト膜は、第１ノボラック樹脂及び光活性化合物を含む第１フォトレジストを含む、無露光パターン形成方法。」
である点で一致し、次の相違点が存在する。
　
相違点；
　パターニング対象膜上に形成するフォトレジスト膜が、本願補正発明は、残膜率が８０％以下のフォトレジスト膜であり、また、第１フォトレジストが、第１ノボラック樹脂の総重量を基準として３〜１５重量％の光活性化合物を含むのに対して、引用発明は、「溶解抑止剤としてナフトキノンジアジドをフェノールノボラック樹脂のベースレジンに混入させたレジスト７」の残膜率が不明であり、また、「溶解抑止剤としてナフトキノンジアジドをフェノールノボラック樹脂のベースレジンに混入させたレジスト７」に含まれる「ナフトキノンジアジド」についての「フェノールノボラック樹脂」の総重量を基準とした具体的な含有割合も不明である点。
　
（５）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　
　引用発明は、「５，０００Å／ｍｉｎの速度で現像液に溶解するようにナフトキノンジアジドを添加したレジストを用いれば、レジストの厚さ１．０μｍに対して、現像時間１分（通常の現像時間とほぼ同等）で５０００Åのコントロールエッチングを行うことができ」るのであるから、引用発明は、コントロールエッチング後に５０００Åのレジスト膜が残ることになり、残膜率が５０％のフォトレジスト膜が形成されているといえ、残膜率５０％は残膜率８０％以下に含まれるから、フォトレジスト膜の残膜率について本願補正発明と引用発明とで実質的な差異がない。
　なお、仮に、引用発明の「５，０００Å／ｍｉｎの速度で現像液に溶解するようにナフトキノンジアジドを添加したレジストを用いれば、レジストの厚さ１．０μｍに対して、現像時間１分（通常の現像時間とほぼ同等）で５０００Åのコントロールエッチングを行うことができ」ることが、１分当たりのエッチング速度を規定したにとどまり、レジストの厚さ１．０μｍの場合に５０００Åのコントロールエッチングを行うことを規定したものではないとしても、前記「（３）対比」の項で述べたように、引用発明は、「フォトレジスト膜を露光しないで、前記露光されていないフォトレジスト膜を現像液で処理して前記フォトレジスト膜を溶解することにより、前記フォトレジスト膜の上部表面を前記段差上のパターニング対象膜の上部表面より低く位置するようにして、前記パターニング対象膜の一部を露出させるフォトレジストパターンを形成する」ものである点で、本願補正発明と一致するのであるから、引用発明の「溶解抑止剤としてナフトキノンジアジドをフェノールノボラック樹脂のベースレジンに混入させたレジスト７」をどの程度エッチングするかは、レジスト７の塗布膜厚及び開口部５内に多結晶シリコン膜６をどの程度残すのかに応じて当業者が適宜なし得る設計的事項であり、しかも、本願補正発明において、フォトレジスト膜の残膜率の上限値を８０％とすることに、格別の臨界的意義があるとも認められないから、引用発明において多結晶シリコン膜６上に残膜率が８０％以下のレジスト７を形成する程度のことは当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎないといわざるを得ない。
　
　また、引用例の記載事項キ．を参酌すると、引用発明ではレジストの溶解抑止剤の含有量を調整することによりレジスト７の現像液に対するエッチング速度を調節することができるのであるから、所望のフォトレジスト膜のエッチング速度となるように引用発明の「フェノールノボラック樹脂」の総重量に対する「溶解抑止剤としてのナフトキノンジアジド」の含有割合を調整することは、当業者であれば適宜なし得ることであり、本願補正発明において、光活性化合物の総重量に対する含有割合の下限、上限の範囲を３〜１５重量％とすることに、格別の臨界的意義があるものとも認められないから、引用発明の「フェノールノボラック樹脂」の総重量に対する「溶解抑止剤としてのナフトキノンジアジド」の含有割合を３〜１５重量％とする程度のことは当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎないといわざるを得ない。
　
　なお、本件審判請求人は、平成２１年１月１６日付けの回答書において、参考資料１（国際公開第９６／２２５６３号パンフレットの表４、５及び７）に開示されているように、残膜率が９０％以上であるフォトレジスト膜を使用することが、本願出願当時の技術常識であった旨主張しているが、参考資料１は、パターン露光、現像して、未露光部分のポジパターンを残す型のポジ型レジスト組成物に関するもので、ポジパターンの残膜率は当然１００％近いことが要求されるものであって、引用発明及び本願補正発明の「フォトレジスト膜を露光しないで、前記露光されていないフォトレジスト膜を現像液で処理して前記フォトレジスト膜を溶解することにより、前記フォトレジスト膜の上部表面を段差上のパターニング対象膜の上部表面より低く位置する」ように用いるフォトレジストとは、機能・作用が明らかに異なるものであるから、本件審判請求人の前記主張は、本願補正発明が引用発明に基いて容易に発明をすることができることを覆す根拠となるものではない。
　
　よって、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
　また、本願補正発明の作用・効果についても、引用発明から予測される範囲を逸脱するものとは認めがたい。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（６）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願の請求項１に係る発明の認定
　平成２０年２月２２日付けの手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年１０月１０日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）
　
「段差を有するパターンが形成されている基板上に前記パターンに整合的にパターニング対象膜を形成する段階と、
　前記パターニング対象膜上に残膜率が８０％以下のフォトレジスト膜を形成する段階と、
　前記フォトレジスト膜を露光しないで、前記露光されていないフォトレジスト膜を現像液で処理して前記フォトレジスト膜を溶解することにより、前記フォトレジスト膜の上部表面を前記段差上の前記パターニング対象膜の上部表面より低く位置するようにして、前記パターニング対象膜の一部を露出させるフォトレジストパターンを形成する段階と、
　前記フォトレジストパターンをマスクとして使って前記フォトレジストパターンにより露出された前記パターニング対象膜を除去する段階と、
　前記フォトレジストパターンを除去してパターニング対象膜パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする無露光パターン形成方法。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記「２．（１）」で検討した本願補正発明の「フォトレジスト膜」の限定事項である「フォトレジスト膜は、第１ノボラック樹脂及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として３〜１５重量％の光活性化合物を含む第１フォトレジストと、第１ノボラック樹脂、現像液に対する溶解速度が３００Å／秒〜１５００Å／秒であり、前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１０〜６０重量％の第２ノボラック樹脂及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１５〜３０重量％の光活性化合物を含む第２フォトレジストと、第１ノボラック樹脂、前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１０〜６０重量％のポリヒドロキシスチレン及び前記第１ノボラック樹脂の総重量を基準として１５〜３０重量％の光活性化合物を含む第３フォトレジストと、からなる群より選択された少なくとも１つのフォトレジストを含む」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。