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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月21日(2010.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリペプチド増殖因子の制御放出送達のためのヒドロゲル組成物であって、以下：
（ａ）少なくとも１つの正電荷領域を含む、治療有効量のポリペプチド増殖因子；
（ｂ）生理学的に受容可能な水混和性アニオン性ポリマー；
（ｃ）生理学的に受容可能な水混和性の非イオン性ポリマー粘性制御剤；および
（ｄ）水
を含む、ヒドロゲル組成物。
【請求項２】
前記増殖因子が、塩基性線維芽細胞増殖因子、血小板由来増殖因子、上皮増殖因子、血管内皮細胞増殖因子およびヘパリン結合ＥＧＦ様増殖因子から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記増殖因子が、塩基性線維芽細胞増殖因子である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記水混和性アニオン性ポリマーが、カルボキシメチルセルロースナトリウムおよびポリ（アクリル酸）から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記水混和性アニオン性ポリマーが、ポリ（アクリル酸）である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記水混和性の非イオン性ポリマー粘性制御剤が、５，０００Ｄａ〜約１５，０００Ｄａの分子量を有する、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマーである、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記アニオン性ポリマーが、前記組成物の約０．００１重量％〜約１．０重量％の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記ポリ（アクリル酸）が、前記組成物の約０．００１重量％〜約０．１重量％の量で存在する、請求項５に記載の組成物。
【請求項９】
前記ポリ（アクリル酸）が、前記組成物の約０．００１重量％〜約０．０１重量％の量で存在する、請求項５に記載の組成物。
【請求項１０】
前記非イオン性ポリマー粘性制御剤が、前記組成物の約０．５重量％〜約２５重量％の量で存在する、請求項６に記載の組成物。
【請求項１１】
塩基性線維芽細胞増殖因子の制御放出投与のためのヒドロゲル組成物であって、以下：
（ａ）治療有効量の塩基性線維芽細胞増殖因子；
（ｂ）約０．００１重量％〜約０．１重量％の、生理学的に受容可能な水混和性アニオン性ポリマー；
（ｃ）約０．５重量％〜約２５重量％の、非イオン性の水混和性ポリマー粘性制御剤；および
（ｄ）水
を含む、ヒドロゲル組成物。
【請求項１２】
創傷治癒を促進するための組成物であって、以下：
（ａ）治療有効量の塩基性線維芽細胞増殖因子；
（ｂ）約０．００１重量％〜約０．１重量％の、生理学的に受容可能な水混和性アニオン性ポリマー；
（ｃ）約０．５重量％〜約２５重量％の、非イオン性の水混和性ポリマー粘性制御剤；および
（ｄ）水
を含む、組成物。
【請求項１３】
前記ヒドロゲル組成物が、デポー注射によって投与されることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
前記ヒドロゲル組成物が、局所的に投与されることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項１５】
制御放出性増殖因子組成物を生成するための方法であって、該方法は、以下：
（ａ）生理学的に受容可能な、水混和性の非イオン性ポリマー粘性制御剤；
（ｂ）該増殖因子の該組成物からの制御された放出を与えるのに十分な量の、生理学的に受容可能な、水混和性アニオン性ポリマー；および
（ｃ）少なくとも１つの正電荷領域を有する、治療有効量のポリペプチド増殖因子
を水に分散させる工程を包含する、方法。
【請求項１６】
虚血を処置するための組成物であって、以下：
（ａ）少なくとも１つの正電荷領域を有する、治療有効量の血管形成ポリペプチド増殖因子；
（ｂ）生理学的に受容可能な水混和性アニオン性ポリマー；
（ｃ）生理学的に受容可能な水混和性の非イオン性ポリマー粘性制御剤；および
（ｄ）水
を含む、組成物。
【請求項１７】
前記血管形成ポリペプチド増殖因子が、塩基性線維芽細胞増殖因子および血管内皮細胞増殖因子から選択される、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記血管形成ポリペプチド増殖因子が、塩基性線維芽細胞増殖因子である、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１９】
前記水混和性アニオン性ポリマーが、カルボキシメチルセルロースナトリウムおよびポリ（アクリル酸）から選択される、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２０】
前記水混和性アニオン性ポリマーが、ポリ（アクリル酸）である、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２１】
前記水混和性の非イオン性ポリマー粘性制御剤が、約５，０００Ｄａ〜約１５，０００Ｄａの分子量を有する、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマーである、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２２】
前記アニオン性ポリマーが、前記組成物の約０．００１重量％〜約０．１重量％の量で存在する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２３】
前記非イオン性ポリマー粘性制御剤が、前記組成物の約０．５重量％〜約２５重量％の量で存在する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２４】
前記処置される虚血性状態が、末梢血管疾患である、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２５】
前記処置される虚血性状態が、冠状動脈疾患である、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２６】
前記血管形成増殖因子が、塩基性線維芽細胞増殖因子および血管内皮細胞増殖因子から選択される、請求項２４に記載の組成物。
【請求項２７】
前記血管形成増殖因子が、塩基性線維芽細胞増殖因子および血管内皮細胞増殖因子から選択される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２８】
前記血管形成増殖因子が、塩基性線維芽細胞増殖因子である、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２９】
明細書に記載の発明。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月27日(2012.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
一方、ステップＳ１４０またはステップＳ１４１で否定判定されると、ステップＳ１４３に進む。ステップＳ１４３では、アイドルストップ許可フラグ（F_FIS）が１または０のいずれかであるかが判定される。アイドルストップ許可フラグが０であると判定される、すなわち、アイドルストップ（ＩＳ）制御が禁止されていると判定されると、ステップＳ１４４に進む。そして、ステップＳ１４４では、モータデューティ比（PWM_DUTY）を、スイングバック用の逆転デューティ比（C_DUTYCCW（スイングバック用係数）×KMTDUTY（所定デューティ比）例えば、１００％）に設定して、一連の制御を終了する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
ステップＳ１４５で肯定判定されると、ステップＳ１４６に進んで、アイドルストップ（ＩＳ）巻き取り時デューティ（DUTY）選択が実行される。続くステップＳ１４７では、モータデューティ比（PWM_DUTY）を、巻き戻し用の逆転デューティ比（ISDUCCW（巻き戻し用係数）×KMTDUTY（所定デューティ比）例えば、１００％）に設定して、一連の制御を終了する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011021588.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の通信手段を有するカメラ本体と、
前記カメラ本体に着脱可能であって前記第１の通信手段と通信可能な第２の通信手段を有する交換レンズと、
から構成される交換レンズ方式カメラシステムであって、
前記カメラ本体は、
前記第１の通信手段と前記第２の通信手段間の通信において通信エラーが発生したか否かを検出するエラー検出手段と、
前記交換レンズの起動時に前記エラー検出手段が通信エラーを検出した場合は、第１のエラー対処メッセージを表示し、前記交換レンズの起動後に前記エラー検出手段が通信エラーを検出した場合は、第２のエラー対処メッセージを表示する表示手段とを有する、
ことを特徴とする交換レンズ方式カメラシステム。
【請求項２】
前記交換レンズの起動時は、前記カメラ本体が前記交換レンズから所定の情報を受信する前または受信したときである、ことを特徴とする請求項１に記載の交換レンズ方式カメラシステム。
【請求項３】
前記所定の情報は、前記交換レンズが起動処理を完了したことを示す情報である、ことを特徴とする請求項２に記載の交換レンズ方式カメラシステム。
【請求項４】
前記所定の情報は、前記交換レンズが保持する前記交換レンズに関する情報である、ことを特徴とする請求項２に記載の交換レンズ方式カメラシステム。
【請求項５】
前記第１のエラー対処メッセージは前記交換レンズの付け直しを促すものであり、前記第２のエラー対処メッセージは前記カメラ本体の電源の入れ直しを促すものである、ことを特徴とする請求項１に記載の交換レンズ方式カメラシステム。
【請求項６】
前記表示手段は、前記交換レンズの駆動において、前記エラー検出手段が通信タイムアウトや通信データの異常値を検出した場合にエラーが発生したと判定したときは第３のエラー対処メッセージを表示する、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の交換レンズ方式カメラシステム。
【請求項７】
前記第３のエラー対処メッセージは、前記交換レンズに異常があることを示すものである、ことを特徴とする請求項１に記載の交換レンズ方式カメラシステム。
【請求項８】
第２の通信手段を有する交換レンズが装着可能なカメラ本体であって、
前記第２の通信手段と通信可能な第１の通信手段と、
前記第１の通信手段と前記第２の通信手段間の通信において通信エラーが発生したか否かを検出するエラー検出手段と、
前記交換レンズの起動時に前記エラー検出手段が通信エラーを検出した場合は、第１のエラー対処メッセージを表示し、前記交換レンズの起動後に前記エラー検出手段が通信エラーを検出した場合は、第２のエラー対処メッセージを表示する表示手段とを有する、カメラ本体。
【請求項９】
前記交換レンズの起動時は、前記カメラ本体が前記交換レンズから所定の情報を受信する前または受信したときである、ことを特徴とする請求項８に記載のカメラ本体。
【請求項１０】
前記所定の情報は、前記交換レンズが起動処理を完了したことを示す情報である、ことを特徴とする請求項９に記載のカメラ本体。
【請求項１１】
前記所定の情報は、前記交換レンズが保持する前記交換レンズに関する情報である、ことを特徴とする請求項９に記載のカメラ本体。
【請求項１２】
前記第１のエラー対処メッセージは前記交換レンズの付け直しを促すものであり、前記第２のエラー対処メッセージは前記カメラ本体の電源の入れ直しを促すものである、ことを特徴とする請求項８に記載のカメラ本体。
【請求項１３】
前記表示手段は、前記交換レンズの駆動において、前記エラー検出手段が通信タイムアウトや通信データの異常値を検出した場合にエラーが発生したと判定したときは第３のエラー対処メッセージを表示する、ことを特徴とする請求項８に記載のカメラ本体。
【請求項１４】
前記第３のエラー対処メッセージは、前記交換レンズに異常があることを示すものである、ことを特徴とする請求項１３に記載の交換レンズ方式カメラシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009260949.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
監視データを転送する処理は、記憶装置が監視データを要求するステップを含ま無くても良い。このような場合、監視装置は、転送の時期と転送するコンテンツを制御し、単純に、監視データ１３８及び１４２を記憶装置に転送する。すなわち、シグナリングは、用いられないデータを監視する要求１３６及び１４０を除き、図３に示したものと同じである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
図６ａに、上述した処理の過程で送られるメッセージを示す。始めに、記憶装置１４ａから制御サーバ１０に、記憶装置の存在を制御サーバに通知し、監視システムへの接続を要求するために、接続メッセージ１８０を送る。記憶装置１４ａと制御サーバ１０との間の通信は、接続を設定し記憶装置を識別するために、さらに、ネットワークを介して送られるメッセージを含んでもよい。ネットワーク制限装置４６の後方に記憶装置１４ａを配置する際に、制御サーバ１０の観点から、接続の設定に関して特定の通信となる場合の一つを、以下で説明する。まず、制御サーバは、監視システムの装置間の通信経路のテストを開始しそれを実行するが、このテストに関する通信１８２について以下詳細に説明する。制御サーバ１０にテストシーケンスの結果が返信された後、制御サーバは、新しい記憶操作のスキームに基づいた新しい命令を必要とする装置に、相互作用の命令を含むメッセージを送る。図６ａにおいて相互作用の命令を含むメッセージ１８４が新たな格納装置１４ａに送られ、既に監視システムに登録された記憶装置１４ｂにメッセージ１８６が送られ、カメラ２２にメッセージ１８８が送られ、監視装置２０にメッセージ１９０が送られる。制御サーバ１０に設定された記憶操作のスキームに基づき、メッセージ１８４〜１９０の中の任意のメッセージの組合せ又はそれらの中の単一のメッセージが送られる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル成長法により、単結晶半導体基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に熱酸化処理を行うことにより、表面に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を介して前記単結晶半導体層にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体層中に脆化領域を形成し、
前記酸化膜を介して前記単結晶半導体層と半導体基板とを接着し、
熱処理を行い、前記脆化領域において前記単結晶半導体層を分割することにより、分割された単結晶半導体層を前記酸化膜を介して前記半導体基板上に設け、
前記半導体基板上の前記分割された単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記脆化領域の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、前記水素ガスを励起して、Ｈ３＋を含むプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオンを加速して、前記単結晶半導体層に照射することで、前記脆化領域を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記熱酸化処理は、塩酸を含む雰囲気で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体基板は、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、又は太陽電池級シリコン基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記平坦化処理として、化学的機械研磨を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記平坦化処理として化学的機械研磨を行った後に、熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の作製方法で作製されたＳＯＩ基板を用いて半導体素子を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を行うことにより前記単結晶半導体層の表面に第１の酸化膜を形成し、
前記第１の酸化膜を介して前記単結晶半導体層にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体層中に脆化領域を形成し、
前記第１の酸化膜を介して、前記単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、
熱処理を行うことにより、前記脆化領域において前記単結晶半導体層を分離して、前記ベース基板上に前記単結晶半導体層の一部を残存させ、
前記ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、
前記ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を行うことにより第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記単結晶半導体層に照射するイオンとして、Ｈ３＋を含むイオンを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の熱酸化処理は、ＨＣｌを含む雰囲気で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の熱酸化処理は、ＨＣｌを含む雰囲気で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記レーザ光を照射した後に、前記ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記平坦化処理は、ＣＭＰ処理又はエッチング処理であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記レーザ光の照射は、不活性雰囲気中で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の作製方法で作製されたＳＯＩ基板を用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で第１の熱酸化処理を行うことにより、前記単結晶半導体基板表面に第１の酸化膜を形成するとともに、前記第１の酸化膜に前記単結晶半導体基板中の不純物をゲッタリングさせることにより、前記単結晶半導体基板中の前記不純物の濃度を低下させ、
前記第１の酸化膜を除去し、
前記第１の酸化膜が除去された前記単結晶半導体基板表面にレーザ光を照射し、
前記レーザ光が照射された前記単結晶半導体基板に第２の熱酸化処理を行うことにより第２の酸化膜を形成し、
前記第２の酸化膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記第２の酸化膜を介して前記脆化領域が形成された前記単結晶半導体基板と半導体基板とを接着し、
熱処理を行うことにより、前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分割して、前記半導体基板上に単結晶半導体層を設けることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記脆化領域の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、前記水素ガスを励起して、Ｈ３＋を含むプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオンを加速して、前記単結晶半導体基板に照射することで、前記脆化領域を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の熱酸化処理は、塩素を含む雰囲気で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の酸化膜は、酸化シリコンを主成分とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の酸化膜は、酸化シリコンを主成分とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記半導体基板は、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、又は太陽電池級シリコン基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の作製方法で作製されたＳＯＩ基板を用いて半導体素子を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板に第１の熱酸化処理を行うことにより、前記単結晶半導体基板の表面に第１の酸化膜を形成し、
前記第１の酸化膜を介して、前記単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上の前記第１の酸化膜の表面と半導体基板の表面とを接着させ、
熱処理によって、前記脆化領域を境として前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記半導体基板上に前記第１の酸化膜を介して単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層にレーザ光を照射し、
前記半導体基板及び前記単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を行うことにより、前記単結晶半導体層上に第２の酸化膜を形成し、
前記第２の酸化膜を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板に第１の熱酸化処理を行うことにより、前記単結晶半導体基板の表面に第１の酸化膜を形成し、
前記第１の酸化膜を介して、前記単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上の前記第１の酸化膜の表面と半導体基板の表面とを接着させ、
熱処理によって、前記脆化領域を境として前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記半導体基板上に前記第１の酸化膜を介して単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層にレーザ光を照射し、
前記レーザ光を照射した前記単結晶半導体層に平坦化処理を行い、
前記半導体基板及び前記単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を行うことにより、前記単結晶半導体層上に第２の酸化膜を形成し、
前記第２の酸化膜を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記脆化領域の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、
前記水素ガスを励起して、Ｈ３＋を含むプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオンを加速して、前記単結晶半導体基板に照射することで、前記脆化領域を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の熱酸化処理は、ハロゲンを含む雰囲気下において行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の熱酸化処理は、ハロゲンを含む雰囲気下において行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の熱酸化処理は、塩素を含む雰囲気下において行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の熱酸化処理は、塩素を含む雰囲気下において行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体基板は、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、又は太陽電池級シリコン基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
不活性雰囲気で前記レーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の作製方法で作製されたＳＯＩ基板を用いて、半導体装置を作製する方法であり、
前記半導体基板上の前記単結晶半導体層を用いて半導体素子を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタ上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に配線を形成する工程と、
前記配線上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記配線と接するアンテナを形成する工程と、を有し、
前記アンテナを、
前記第２の絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記配線と接するバリアメタル膜を形成し、
前記バリアメタル膜上に１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚のアルミニウムを主成分とする膜を形成し、
前記アルミニウムを主成分とする膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記アルミニウムを主成分とする膜をウェットエッチングし、
前記マスクを用いて、前記ウェットエッチングされた前記アルミニウムを主成分とする膜及び前記バリアメタル膜をドライエッチングすることによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
集積回路上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記集積回路の配線と接するアンテナを形成する工程と、を有し、
前記アンテナを、
前記絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記配線と接するバリアメタル膜を形成し、
前記バリアメタル膜上に１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚のアルミニウムを主成分とする膜を形成し、
前記アルミニウムを主成分とする膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記アルミニウムを主成分とする膜をウェットエッチングし、
前記マスクを用いて、前記ウェットエッチングされた前記アルミニウムを主成分とする膜及び前記バリアメタル膜をドライエッチングすることによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記アルミニウムを主成分とする膜にはＣｕが含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維体及び前記繊維体に含浸された有機樹脂を有する構造体と、
前記構造体に固着された複数の半導体集積回路とを有し、
前記複数の半導体集積回路は、それぞれ、透光性基板と、前記透光性基板の他方の面に設けられた光電変換素子を有する半導体集積回路部と、前記透光性基板の一方の面に設けられた透光性樹脂層とを有し、
前記構造体は、前記光電変換素子に対応して設けられた開口を有し、
前記透光性基板の断面は、凸字形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
繊維体及び前記繊維体に含浸された有機樹脂を有する構造体と、
前記構造体に固着された複数の半導体集積回路とを有し、
前記複数の半導体集積回路は、それぞれ、透光性基板と、前記透光性基板の他方の面に設けられた光電変換素子を有する半導体集積回路部と、前記透光性基板の一方の面に設けられた透光性樹脂層とを有し、
前記構造体は、前記光電変換素子に対応して設けられた開口を有し、
前記透光性基板の断面の形状は、台形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記台形は、上段から下段に向かって湾曲する形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記透光性樹脂層は、有彩色の層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記複数の半導体集積回路の各透光性樹脂層における有彩色の層の色がそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記透光性基板の下底面及び上底面は、四角形であり、
前記下底面の面積は、前記上底面の面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記透光性樹脂層上に、衝撃吸収層としての機能を有する透光性樹脂層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記複数の半導体集積回路は、赤色の透光性樹脂層を有する半導体集積回路、緑色の透光性樹脂層を有する半導体集積回路、及び青色の透光性樹脂層を有する半導体集積回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記複数の半導体集積回路は、シアンの透光性樹脂層を有する半導体集積回路、マゼンタの透光性樹脂層を有する半導体集積回路、及びイエローの透光性樹脂層を有する半導体集積回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記繊維体は、織布又は不織布を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記有機樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又は光硬化性樹脂を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記透光性基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
第１の透光性基板の他方の面に、光電変換素子と有する半導体集積回路部を複数形成し、 前記第１の透光性基板の一方の面側の厚さを小さくし、
前記複数の半導体集積回路部の間と重なる前記第１の透光性基板の前記一方の面の一部に溝を形成し、
前記溝が形成された前記第１の透光性基板の前記一方の面に、第１の透光性樹脂層を形成し、
前記第１の透光性基板の前記溝において、前記第１の透光性基板及び前記第１の透光性樹脂層を分断することによって、第２の透光性基板と、前記第２の透光性基板の前記一方の面に設けられた第２の透光性樹脂層と、前記第２の透光性基板の前記他方の面に設けられた前記半導体集積回路部とを有する半導体集積回路を複数形成し、
前記半導体集積回路を繊維体及び前記繊維体に含浸された有機樹脂を有する構造体に固着し、
前記半導体集積回路の前記構造体への固着は、前記構造体に設けられた開口に対応して前記光電変換素子が配置されるように行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１の透光性基板、及び前記第１の透光性樹脂層を切断する切断面の幅は、前記溝の幅より狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板の一方の面に設けられた第１の有彩色の透光性樹脂層と、前記第１の透光性基板の他方の面に設けられた第１の光電変換素子を有する第１の半導体集積回路部とを有する第１の半導体集積回路を形成し、
第２の透光性基板と、前記第２の透光性基板の一方の面に設けられた第２の有彩色の透光性樹脂層と、前記第２の透光性基板の他方の面に設けられた第２の光電変換素子を有する第２の半導体集積回路部とを有する第２の半導体集積回路を形成し、
少なくとも、前記第１の半導体集積回路及び前記第２の半導体集積回路を繊維体及び前記繊維体に含浸された有機樹脂を有する構造体に固着し、
前記第１の半導体集積回路及び前記第２の半導体集積回路の前記構造体への固着は、前記構造体に設けられた複数の開口のそれぞれに対応して前記第１の光電変換素子及び前記第２の光電変換素子が配置されるように行い、
前記第１の有彩色の透光性樹脂層及び前記第２の有彩色の透光性樹脂層は、互いに異なる着色材料を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第１の半導体集積回路及び前記第２の半導体集積回路を前記構造体に固着する前に、前記第１の半導体集積回路及び前記第２の半導体集積回路は、検査工程を経ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2009260323.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改善された移動度と可撓性とを有する薄膜トランジスタであって、
ゲート誘電体層と半導体層とを含み、前記半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含み、
前記半導体ポリマーが、下記ポリマーＡ〜Ｃからなる群から選択される、薄膜トランジスタ。
【化１】
2009260340.tif 000001
【化２】
2009260340.tif 000002
【化３】
2009260340.tif 000003
（式中、ＲおよびＲ’は、水素、炭素数１〜２０のアルキルまたは置換アルキル、ヘテロ原子含有基、およびハロゲンから独立に選択され、ｎは３〜２００の整数である。）  
【請求項２】
前記絶縁ポリマーは、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（４−ビニルビフェニル）、ポリ（ビニルシンナメート）、およびポリシロキサンからなる群より選択される、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
−１０Ｖ以上のしきい値電圧を有する、請求項１又は請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
改善された可撓性と移動度とを有する薄膜トランジスタであって、
ゲート誘電体層と、実質的に均質な半導体層とを含み、前記半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含み、
前記半導体ポリマーは、下記ポリマーＡの構造を有し、前記絶縁ポリマーは、分子量１００，０００ｇ／ｍｏｌ以上のポリスチレンである、薄膜トランジスタ。
【化４】
2009260340.tif 000004
（式中、ＲおよびＲ’は、水素、炭素数１〜２０のアルキルまたは置換アルキル、ヘテロ原子含有基、およびハロゲンから独立に選択され、ｎは３〜２００の整数である。）
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に互いに接して積層された第１の発光層及び第２の発光層とを有し、
前記第１の発光層は前記陽極側、前記第２の発光層は前記陰極側に各々位置し、
前記第１の発光層は第１の物質と第２の物質とを含み、
前記第２の発光層は前記第１の物質と第３の物質とを含み、
前記第１の発光層は前記第１の物質の含有量が５０ｗｔ％以上１００ｗｔ％未満であり、
前記第２の発光層においては前記第３の物質が最多成分であり、
前記第２の物質及び前記第３の物質は共に前記第１の物質より大きいエネルギーギャップを有している発光素子。
【請求項２】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に互いに接して積層された第１の発光層及び第２の発光層とを有し、
前記第１の発光層は前記陽極側、前記第２の発光層は前記陰極側に各々位置し、
前記第１の発光層は第１の物質と第２の物質とを含み、
前記第２の発光層は前記第１の物質と第３の物質とを含み、
前記第１の発光層は前記第１の物質の含有量が５０ｗｔ％以上１００ｗｔ％未満であり、
前記第２の発光層は前記第１の物質の含有量が０．００１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であり、
前記第２の物質及び前記第３の物質は共に前記第１の物質より大きいエネルギーギャップを有している発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の物質が正孔輸送性を有する物質である発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の物質がアントラセンとジアリールアミノ基がアリーレン基を介して結合している化合物である発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の物質が９，１０−ジアリールアントラセン誘導体であり、
前記９，１０−ジアリールアントラセン誘導体の９位に結合するアリール基がアリーレン基とジアリールアミノ基が結合した基である発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の物質が下記一般式（ｉ）で表される物質である発光素子。
【化１】
2009260307.tif 000001
（但し、式中Ａｒ１は炭素数６〜２５のアリール基、Ａｒ２は炭素数６〜２５のアリーレン基を表し、Ａｒ３、Ａｒ４はそれぞれ独立に炭素数６〜２５のアリール基、カルバゾリル基のいずれかを表す。）
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の物質がアントラセン誘導体又はカルバゾール誘導体である発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の物質がアントラセン骨格及びカルバゾール骨格の両方を有する物質である発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記第１の発光層と前記陽極との間に正孔輸送層を有する発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記第１の発光層における前記第１の物質の含有量が７０ｗｔ％以上１００ｗｔ％未満である発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第２の物質と前記第３の物質とが同じ物質である発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発光装置を備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が照射されると電流を生成するフォトダイオードと、
前記電流が供給されることができる機能を有する回路と、
前記フォトダイオードと直列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆に接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
光が照射されると第１の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第１の電流が供給されることで、第２の電流を生成することができる機能を有する回路と、
前記第２の電流の経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
光が照射されると第１の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第１の電流が供給されることで、第２の電流を生成することができる機能を有する回路と、
前記第２の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が同じになるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、
前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
光が照射されると第１の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第１の電流が供給されることで、第２の電流を生成することができる機能を有する回路と、
前記第２の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている複数のダイオードと、
前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
前記フォトダイオード及び前記複数のダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
光が照射されると電流を生成するフォトダイオードと、
前記電流を増幅する単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
前記フォトダイオードと直列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
光が照射されると第１の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第１の電流を増幅することで第２の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
前記第２の電流の経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
光が照射されると第１の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第１の電流を増幅することで第２の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
前記第２の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が同じになるように接続されている少なくとも一つのダイオードと、
前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
前記フォトダイオード及び前記ダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
光が照射されると第１の電流を生成するフォトダイオードと、
前記第１の電流を増幅することで第２の電流を生成する、単数または複数のトランジスタを有する増幅回路と、
前記第２の電流の経路とは異なる経路において、前記フォトダイオードと並列に、かつ前記フォトダイオードとバイアス方向が逆になるように接続されている複数のダイオードと、
前記ダイオードへの光の入射を防ぐことができる機能を有する膜と、を有し、
前記フォトダイオード及び前記複数のダイオードは、積層された複数の半導体膜をそれぞれ有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ダイオードはフォトダイオードであることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層、界面層、および半導体層を有する薄膜トランジスタであって、
前記界面層は前記誘電体層と前記半導体層との間にあり、
前記界面層は下記式（ＩＩ）のシランから形成され、
前記半導体層は下記式（Ｉ）の半導体を含む、
薄膜トランジスタ。
【化１】
2009260346.tif 000001
【化２】
2009260346.tif 000002
［式中、Ｒ’、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は、互いに同一であり、炭素数８〜１８の直鎖アルキルである。Ｒ”は炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲン、アルコキシ、ヒドロキシル、またはアミノであり；Ｌはハロゲン、酸素、アルコキシ、ヒドロキシル、またはアミノであり；ｋは１または２であり；ｍは１〜３の整数である。］
【請求項２】
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、誘電体層、界面層、および半導体層を含む薄膜トランジスタであって、
前記界面層は前記誘電体層と前記半導体層との間に位置しており、
前記誘電体層は前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置しており、
前記界面層は式Ｃ12Ｈ25ＳｉＸ3（ＸはＣｌ、ＯＣＨ3、およびこれらの混合から選択される）のシランから形成され、
前記半導体層は下記式（Ｉ）の半導体を含む、
薄膜トランジスタ。
【化３】
2009260346.tif 000003
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は、Ｃ12Ｈ25である。］
【請求項３】
前記シランが、ドデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、またはオクタデシルトリクロロシランである、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記シランが、ドデシルトリクロロシランである、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱部が内包されているサセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記基板載置面に設けられた均熱部とを有する基板載置台。
【請求項２】
前記複数のサセプタ分体の間に、伝熱部を有する請求項1記載の基板載置台。
【請求項３】
前記伝熱部の下端部は、鉛直方向で、前記加熱部と前記サセプタ分体の下端部の間に設定される請求項２記載の基板載置台。
【請求項４】
前記均熱部の径は、載置される基板の径より大きい請求項１乃至３記載の基板載置台。
【請求項５】
前記均熱部及び前記伝熱部は、同材質である請求項２乃至４記載の基板載置台。
【請求項６】
前記並べられた複数のサセプタ分体は上面が扇形であって、前記サセプタ分体の先端部に加熱部電力供給端子を設ける請求項１乃至５記載の基板載置台。
【請求項７】
処理ガスを供給するガス供給部と、プラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマにより処理される基板を内包する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する基板処理装置。
【請求項８】
前記基板載置面に、伝熱部を有する請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第一または伝熱部は、SiCである請求項8記載の基板処理装置。
【請求項１０】
処理ガスを供給するガス供給部と、基板を加熱処理する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体とを複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する基板処理装置。
【請求項１１】
処理ガスを供給するガス供給部と、基板を加熱処理する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する基板処理装置を用いた半導体デバイスの製造方法であり、
前記処理室に基板を搬入し、前記基板載置部に載置する工程と、前記基板を前記加熱部により加熱する工程と、前記ガス供給部から前記処理室に前記処理ガスを供給し、基板を処理する工程と、前記処理室から基板を搬出する工程とを有する半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月7日(2012.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に接合層を形成し、
前記接合層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、
熱処理を行うことにより、前記脆化領域に沿って、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と前記単結晶半導体基板の一部とを分離し、
前記単結晶半導体層の表面に対して第１のドライエッチング処理を行い、
前記第１のエッチング処理が行われた前記単結晶半導体層の表面に対して第２のドライエッチング処理を行い、
前記第２のドライエッチング処理が行われた前記単結晶半導体層に対してレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に接合層を形成し、
前記接合層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、
熱処理を行うことにより、前記脆化領域に沿って、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と前記単結晶半導体基板の一部とを分離し、
前記単結晶半導体層表面に形成された第１の酸化膜、及び前記単結晶半導体層に残存する脆化領域を第１のドライエッチング処理により除去し、
前記第１の酸化膜及び前記脆化領域が除去された前記単結晶半導体層表面に形成された第２の酸化膜を第２のドライエッチング処理により除去し、
前記第２の酸化膜が除去された単結晶半導体層に対してレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板上に接合層を形成し、
単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記接合層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、
熱処理を行うことにより、前記脆化領域に沿って、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と前記単結晶半導体基板の一部とを分離し、
前記単結晶半導体層の表面に対して第１のドライエッチング処理を行い、
前記第１のエッチング処理が行われた前記単結晶半導体層の表面に対して第２のドライエッチング処理を行い、
前記第２のドライエッチング処理が行われた前記単結晶半導体層に対してレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板上に接合層を形成し、
単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記接合層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、
熱処理を行うことにより、前記脆化領域に沿って、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と前記単結晶半導体基板の一部とを分離し、
前記単結晶半導体層表面に形成された第１の酸化膜、及び前記単結晶半導体層に残存する脆化領域を第１のドライエッチング処理により除去し、
前記第１の酸化膜及び前記脆化領域が除去された前記単結晶半導体層表面に形成された第２の酸化膜を第２のドライエッチング処理により除去し、
前記第２の酸化膜が除去された単結晶半導体層に対してレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記単結晶半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に前記接合層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５にいずれか一において、
前記支持基板表面の超音波洗浄を行った後に、前記貼り合わせを行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記貼り合わせ後に加熱処理を行い、
前記加熱処理後に前記分離を行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記レーザ光を照射した後に、薄膜化処理を行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に形成された脆化層から分離され、絶縁層を介してベース基板上に固定された後、レーザ光が照射されて再単結晶化した単結晶半導体層に対し、
前記単結晶半導体層の深さ方向の炭素濃度分布を測定し、
前記炭素濃度分布が極大を有するときは、前記単結晶半導体層の結晶性が優れると判定することを特徴とする単結晶半導体層の結晶性評価方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に形成された脆化層から分離され、絶縁層を介してベース基板上に固定された後、レーザ光が照射されて再単結晶化した単結晶半導体層に対し、
前記単結晶半導体層の深さ方向の炭素濃度分布及び水素濃度分布を測定し、
前記炭素濃度分布が極大を有し、且つ前記水素濃度分布がショルダーピークを有さないときは、前記単結晶半導体層の結晶性が優れると判定することを特徴とする単結晶半導体層の結晶性評価方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に形成された脆化層から分離され、絶縁層を介してベース基板上に固定された後、レーザ光が照射されて再単結晶化した単結晶半導体層に対し、
前記単結晶半導体層の深さ方向の炭素濃度分布を測定し、
前記単結晶半導体層中であって前記絶縁層との界面から２０ｎｍ以内の領域に、前記炭素濃度分布が極大を有するときは、前記単結晶半導体層の結晶性が優れると判定することを特徴とする単結晶半導体層の結晶性評価方法。
【請求項４】
第１の単結晶半導体基板の表面にイオンを照射して、前記第１の単結晶半導体基板の表面から所定の深さに脆化層を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板と、ベース基板とを、前記第１の単結晶半導体基板または前記ベース基板の少なくとも一方に設けられた絶縁層を介して、それぞれ張り合わせ、
熱処理によって、前記脆化層を境として前記第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体層と第２の単結晶半導体層に分離することにより、前記ベース基板上に前記第２の単結晶半導体層を固定し、
前記第２の単結晶半導体層の複数の領域に対して、レーザ光を照射し、
前記第２の単結晶半導体層の前記レーザ光を照射した複数の領域の炭素及び水素の深さ方向の濃度分布をそれぞれ測定し、
前記第２の単結晶半導体層の深さ方向の炭素濃度分布が極大を有し、且つ、水素濃度分布がショルダーピークを有さないときのレーザ光を前記第３の単結晶半導体層へ照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記炭素濃度の極大は、前記第２の単結晶半導体層中であって、前記絶縁層との界面から２０ｎｍ以内の領域に有することを特徴とする半導体基板の作製方法。