【事件の表示】
　特願２００１−５４７４９３号「セラミックイグナイター用組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年６月２８日国際公開、ＷＯ０１／４６６２２、平成１５年６月３日国内公表、特表２００３−５１８２３８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明   
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１２年１２月２０日（優先権主張１９９９年１２月２０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年５月１日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年５月８日）、これに対し、同年８月６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、同年３月２６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。    
「２つの冷たい帯域（コールドゾーン）とその間に配置された熱い帯域
（ホットゾーン）を含む焼成セラミックイグナイターであり、そのホットゾーンは：
　（ａ）電気絶縁性材料；
　（ｂ）半導体材料少くとも３vol％；および
　（ｃ）10-2ohm-cmより小さい比抵抗を有する金属導体、
を含むホットゾーン組成物を含み、ホットゾーン組成物の少くとも３０vol ％が金属酸化物絶縁性材料である、ホットゾーン組成物を含むイグナイター。」
　
２．刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特表平１０−５００７６６号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
ア．「(a)少なくとも約1010Ω・cmの抵抗率を有する
電気絶縁性セラミックを50〜80体積％
  (b)
約１〜約10
8
Ω・cmの抵抗率を有する半導電性材料を10〜45体積％
  (c)
約10
-2
Ω・cm未満の抵抗率を有する金属導電性材料を5〜25体積％
  (d)
金属酸化物
からなる群より選択された抵抗率増加用成分を2.0〜20体積％、を含んでなる高温ゾーン組成物を有するセラミック点火器
イ．「Mini-Igniter（商標）は、１種の高い抵抗の材料(AlN)、１種の中位の抵抗の材料(SiC)、及び１種の高い導電性の材料(MoSi2)を含んでなるため、
点火器の抵抗率を高めるための１つの明らかな手段は、AlNを追加しながらそのMoSi
2
とSiCの含有率を減らすことである。
組成（約76体積％のAlN、9体積％のMoSi
2
、及び15体積％のSiCを含む）は、
大きな負の抵抗率温度係数(NTCR)を有し、このため約1350℃を超えると温度が暴走するといった点で満足できないことが分った。負の抵抗率温度係数は、点火器の温度が高くなるとその抵抗が低下することを意味する。
ウ．「したがって、
本発明の目的は、高温で温度の暴走を呈さず、高電圧の印加において上記の時間と温度の制約を満たす、高い抵抗の小型点火器の組成を見出すことである
エ．「従来の
AlN-MoSi
2
-SiC系の加熱ゾーンにアルミナ、
を添加することが、同等のAlNの割合よりも点火器の抵抗率を高め、この結果、より多いMoSi
2
割合の使用を可能にすると同時に、より高い電圧の印加に必要な抵抗率を与えることが予想外に見出された。
本発明の点火器は、高い電圧の印加に必要な抵抗率と、加熱工業や家電工業に必要な短い昇温時間の、双方を有する。
　本発明のある態様において、
抵抗率増加用成分は、アルミナと酸窒化アルミニウムの混合物である。この混合物は、アルミナを単に素地に添加することによって作成され得る。
アルミナの添加は、粒成長を促進し、導電性相の一部を孤立させ、したがって抵抗率を高めるものと考えられる。
オ．「下記に示す例1〜3は、通常のAlN-MoSi2-SiC系にそれぞれアルミナのみを添加するが、その他の金属酸化物、金属酸窒化物、希土類酸化物（例、5体積％のイットリア）、希土類酸窒化物、及びそれらの混合物のような成分が本発明の素地のアルミナの代わりに用いられても、やはり望ましい結果が得られるものと考えられる。
　一般に、高温ゾーンの組成物は、(a)少なくとも約1010Ω・cmの抵抗率を有する電気絶縁性セラミックを約50〜80体積％、(b)約１〜約108Ω・cmの抵抗率を有する半導電性材料を約10〜約45体積％、(c)約10-2Ω・cm未満の抵抗率を有する金属導電性材料を約5〜約25体積％、及び(d) 金属酸化物、金属酸窒化物、希土類酸化物、希土類酸窒化物、及びそれらの混合物からなる群より選択された抵抗率を高める成分を約2.0〜約20体積％、を含むべきである。好ましくは、高温ゾーンは、50〜70体積％の電気絶縁性セラミック、20〜30体積％の半導電性セラミック、6〜12体積％の導電性材料、及び2〜8体積％の抵抗率増加用成分を含んでなる。」（第9頁第12乃至25行）
カ．「本発明の目的に関し、半電導体セラミック（又は半導体材料）は室温で約１〜108Ω・cmの抵抗率を有するセラミックである。半導電性の成分が高温ゾーン組成物の約45体積％より多く存在する場合（導電性セラミックが約6〜10体積％のとき）、得られる組成物は高電圧の印加に対して過度に導電性となる（絶縁性材料の不足のため）。この反対に、約10体積％より少なく存在すると（導電性セラミックが約6〜10体積％のとき）、得られる組成物は過度に抵抗性となる（絶縁性材料が多過ぎるため）。同様に、導電性材料のレベルがより高いと、所望の電圧を得るためには、絶縁性材料と半導電性材料の割合においてより高い抵抗性の混合物が必要である。典型的に、半導電性材料は、炭化ケイ素（ドーピングあり又はなし）と炭化ホウ素からなる群より選択された炭化物である。」（第10頁第15乃至24行）
キ．「抵抗増加用成分が、高温ゾーン組成物の約2.0体積％より少ない量で存在する場合、その抵抗を増加させる効果はそれ程大きくない。この反対に、
約20体積％よりも多い量で存在する場合、高温ゾーンは、高電圧の印加で迅速に昇温するには過度に抵抗性となる。
ク．「Washburn特許に記載の高温ゾーン／低温ゾーンの点火器の設計が、本発明によって適切に利用されることができる。高温ゾーンは、ガス点火のための機能的加熱を提供する。一般に、これは少なくとも約0.04Ω・cmの抵抗率、好ましくは1000〜1600℃の温度範囲で少なくとも約0.2Ω・cmの抵抗率を有する。好ましくは、約50〜80体積％の窒化アルミニウム、約５〜25体積％のMoSi2、及び10〜45体積％のSiC（約１部のMoSi2と約２部のSiCの体積比）、及び約2.0〜20体積％の抵抗率増加用成分を含んでなる。より好ましくは、約50〜70体積％の窒化アルミニウム、約6〜12体積％のMoSi2、20〜30体積％のSiC（典型的に、約2部のSiCに対して約１部のMoSi2の体積比）、及び約2〜8体積％の抵抗増加用成分を含んでなる。１つの特に好ましい態様において、高温ゾーンは、約60体積％のAlN、11体積％のMoSi2、25体積％のSiC、及び5.5体積％の酸窒化アルミニウム／アルミナの混合物を含んでなる。
　好ましい態様において、緻密体された物体の高温ゾーンの成分の平均粒子サイズ（ｄ50）は次の通りである。
  ａ）絶縁性材料（即ち、AlN）：約２〜10μｍ
  ｂ）半導電性材料（即ち、SiC）：約１〜10μｍ
  ｃ）導電性材料（即ち、MoSi2）：約１〜10μｍ
  ｄ）抵抗増加用成分（即ち、アルミナ／酸窒化アルミニウムの混合物）：約2〜10μｍ
図１は、本発明の微細構造を示している。
　
低温ゾーンはリード線の取り付けを用意する。
高温ゾーンよりも、導電性材料と半導電性材料（即ち、SiCとMoSi
2
）のかなり高い割合を有する。
　点火器の寸法がその特性と性能に影響を及ぼすことが分っている。一般に、高温ゾーンの１本の脚の長さは約0.700インチを上廻るべきであるが（低温の対流ガスの流れがその温度にさ程影響しないように十分な大きさを与えるため）、約1.500インチを下廻るべきである（十分な機械的強度を与えるため）。その幅は、十分な強度と製造容易性を与えるため、約0.04インチを上廻るべきである。同様に、その厚さは、十分な強度と製造容易性を与えるため、約0.03インチを上廻るべきである。好ましくは、本発明の２本の脚のヘアピン型点火器は、一般に、全体の１本の脚の長さが約1.25〜約2.00インチであり、約0.001〜約0.005平方インチ（より好ましくは、0.0025平方インチを下廻る）の高温ゾーン横断面を有する。120Ｖの印加について設計されたある態様において、高温ゾーンは、１本の脚の長さが約1.25インチ、厚さが約0.03インチ、幅が約0.047インチ（即ち、約0.00141平方インチの横断面）である。また、これらの寸法の変化が、いろいろな定格電圧を有する本発明の点火器を提供し得ることが見出されている。」（第11頁第20行乃至第13頁第6行）
ケ．「ここで、全てのセラミック点火器と同様に、本発明の選択された組成物の一部は、その動作範囲が限られていると思われる。例えば、少なくとも約1.1Ω・cmの
高温ゾーン抵抗率と
単一脚長さを有する本発明の一部のヘアピン型点火器
コ．「
例１
　約60体積部のAlN、約11体積部のMoSi2、約25体積部のSiC、及び約4体積部のAl2O3を含む高温ゾーン組成物を、高速剪断ミキサー中で配合した。同様にして、約20体積部のAlN、約20体積部のMoSi2、約60体積部のSiCを含む低温ゾーン組成物を配合した。次いでこれらの粉末配合物を、ホットプレスの備えつきのスペースに充填し、ホットプレスし、理論密度の約60％のビレットを作成した。次いでこのビレットを、未焼結の状態で機械加工し、約3.00×2.00×0.20インチの2ゾーンのタイル状物を作成した。次に、この機械加工したタイル状物を高温で等方プレスし、タイル状物を1790℃の30000psiで１時間処理した。このHIP処理の後、緻密なタイル状物をダイヤモンド加工し、ヘアピン式の点火器を得た（即ち、単一脚長さ1.5インチ×厚さ0.030インチ×脚幅0.047インチであって、スロット幅が0.060インチ）。
　この点火器は120Ｖで良好な性能を示した。これは、十分に高い抵抗率（1300℃で0.3±0.05Ω・cm）、短い昇温時間（1100℃まで4秒間）を有し、132Ｖまで安定であった。
例２
  この点火器は230Ｖで良好な性能を示した。これは十分に高い抵抗率（1300℃で1.2Ω・cm）と短い昇温時間（1100℃まで５秒間）を有し、250Ｖまで安定であった。」（第14頁第20行乃至第15頁第13行）
　上記記載事項からみて、刊行物には、次の発明が記載されている。
「高温で温度の暴走を呈さず、高電圧の印加における制約を満たす、高い抵抗の小型点火器の組成を得ることを目的として、
　低温ゾーンと高温ゾーンとを有するヘアピン型セラミック点火器において、高温ゾーンは、
(a)電気絶縁性セラミックであるAlNを50〜80体積％、
(b)約1〜約108Ω・cmの抵抗率を有する半導電性材料であるSiCを10〜45体積％、
(c)約10-2Ω・cm未満の抵抗率を有する金属導電性材料であるMoSi2を5〜25体積％、
を含む高温ゾーン組成物を含み、高温ゾーン組成物の2.0〜20体積％がAl2O3を例とする金属酸化物からなる抵抗率増加用成分であるヘアピン型セラミック点火器。」
　
３．対比
　本願発明と刊行物に記載された発明を対比する。
　刊行物に記載された発明の「低温ゾーン」は、その機能及び構成からみて、本願発明の「冷たい帯域（コールドゾーン）」に相当し、以下同様に
　「高温ゾーン」は「熱い帯域（ホットゾーン）」に、
　「電気絶縁性セラミックであるAlN」は「電気絶縁性材料」に、
　「半導電性材料であるSiCを10〜45体積％」は「半導体材料少くとも３vol％」に、
　「約10-2Ω・cm未満の抵抗率を有する金属導電性材料であるMoSi2」は「10-2ohm-cmより小さい比抵抗を有する金属導体」に、
　「高温ゾーン組成物」は「ホットゾーン組成物」に、
それぞれ相当する。
　また、刊行物に記載された発明の「セラミック点火器」は、上記「２．刊行物」の摘記事項コによると、「機械加工したタイル状物を高温で等方プレスし、タイル状物を1790℃の30000psiで１時間処理」するものであるから、本願発明の「焼成セラミックイグナイター」及び「イグナイター」に相当する。
　さらに、刊行物に記載された発明の「高温ゾーン組成物の2.0〜20体積％がAl2O3を例とする金属酸化物からなる抵抗率増加用成分」と本願発明の「ホットゾーン組成物の少くとも30vol ％が金属酸化物絶縁性材料」とは、Al2O3が電気絶縁性材料であることから、「ホットゾーン組成物の一部が金属酸化物絶縁性材料」である点で共通する。
　したがって、上記両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。　　　［一致点］
「冷たい帯域と熱い帯域を含む焼成セラミックイグナイターであり、そのホットゾーンは：
　（ａ）電気絶縁性材料；
　（ｂ）半導体材料少くとも３vol％；および
　（ｃ）10-2ohm-cmより小さい比抵抗を有する金属導体、
を含むホットゾーン組成物を含み、ホットゾーン組成物の一部が金属酸化物絶縁性材料である、ホットゾーン組成物を含むイグナイター。」
［相違点１］
　焼成セラミックイグナイターについて、
　本願発明では、２つの冷たい帯域とその間に配置された熱い帯域を含むものであるのに対して、
　刊行物に記載された発明では、低温ゾーンと高温ゾーンとを有するヘアピン型であるが、低温ゾーンと高温ゾーンとの配置関係について不明である点。
［相違点２］
　本願発明では、ホットゾーン組成物の少くとも３０vol％が金属酸化物絶縁性材料であるのに対して、
　刊行物に記載された発明では、ホットゾーン組成物の2.0〜20体積％がAl2O3を例とする金属酸化物絶縁性材料である点。
　
４．当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
(1)まず、上記相違点１について検討する。
　刊行物に記載された発明のヘアピン型点火器（本願発明の「焼成セラミックイグナイター」に相当する。）は、その形状が「ヘアピン型」であるが、一般に、ヘアピン型点火器が、２つの冷たい帯域とその間に配置された熱い帯域を含むように構成されたものであることは、本願の優先権主張日前に周知の技術事項である（例えば、特表平１１−５０６１９４号公報の第10頁第27行乃至第11頁第4行及び【図2】や、特表２０００−５０９８０６号公報の第10頁第10乃至第11頁第6行及び【図1】、【図2】等を参照。）。
　したがって、刊行物に記載された発明を具体化するに当たり上記周知の技術事項に倣って、上記相違点１における本願発明の構成に到達することは、当業者が容易になし得たものである。
　
(2)次に、上記相違点２について検討する。
　上記「２．刊行物」の摘記事項エによると、刊行物には、高電圧に対応するためにAlNのみを増やすと、不具合があるとされていることから、AlNのみを増やすのではなくAl2O3 を増やすことが示されているといえる。
　また、上記「２．刊行物」の摘記事項コによると、刊行物に記載された例１がAl2O34％、MoSi211％として132Vまで安定であるのに対して、例２がAl2O35％、MoSi210％として250Vまで安定であるように、刊行物には、Al2O3を増やし抵抗値を増加した分、MoSi2を減らして抵抗値を減少させることにより、全体の抵抗値を上げて高電圧に対応できるようにすることも示唆されているといえる。
　一方、刊行物に記載された発明が、ヘアピン型点火器を構成する高温ゾーンに金属酸化物電気絶縁性材料であるAl2O3を20体積％迄含むとしているのは、上記「２．刊行物」の摘記事項キによると、Al2O3を20体積％より多くすると、過度に抵抗性となるためであるといえる。しかしながら、Al2O3を増加するのみではなく、電気絶縁性材料であるAlNを減らし、金属導体であるMoSi2を増やせば、その抵抗値を低く抑えられることは、当業者が直ちに想到し得たことといえる。
　さらに、電気絶縁性材料として、金属酸化物絶縁性材料であるAl2O3のみを含んだ焼成セラミックイグナイターも、本願の優先権主張日前に周知の技術事項である（例えば、特開平７−３０２６８１号公報の段落【0060】や、特開平２−２５０９３８号公報の第5頁左上欄第2行乃至同左下欄第4行参照。）。
　その上、上記「２．刊行物」の摘記事項イ、クによると、刊行物に記載された発明の焼成セラミックイグナイターは、その不安定性に基づき1600℃の温度範囲までしか利用できないとしているが、焼成セラミックイグナイターをより高い温度範囲まで利用可能なように、電気絶縁性材料について、Al2O3に対するAlNの比率を減らし、上記電気絶縁性材料としてAlNのみを用いた場合の使用温度に基づくイグナイターの不安定性に基づく問題を解決しようとすることは、当業者であれば普通に想到し得たものである。
　したがって、刊行物に記載された発明の焼成セラミックイグナイターを、より高い電圧、より高い温度に対応できるように高抵抗とし、上記相違点２に係る本願発明の構成に至ることは、当業者が容易になし得たものである。
　なお、刊行物に記載された発明において、ヘアピン型点火器を構成する高温ゾーンへのAl2O3の添加量を増加することが記載されている以上、Al2O3 も電気絶縁性材料といえるから、AlNをAl2O3で置き換えることも当業者にとって容易である。
　また、本願発明が全体として奏する効果についてみても、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項により奏される効果から当業者が予測できる範囲内のものである。
　よって、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえる。
　
５．むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　　  
　よって、結論のとおり審決する。