【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月7日(2012.11.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
上ダイオード領域１９５が隣接のフィン間の全空間を充填する、図３に示された構造の一つ特徴は、単一の上ダイオード領域１９５が複数の他のダイオード内の活性ダイオード領域１８５と物理的接触（従って電気的接触）することである。この構造は、活性ダイオード領域１８５内で発生された光線の放射をブロックし得る電気コンタクトの領域を低減又は最小化することができるので、ＬＥＤsに特に有利である。共用の上ダイオード領域１９５で各ダイオード素子は、その専用の上電気的コンタクト２００を必要としないことができ、単一の上電気的コンタクト２００は、複数のダイオードの要素となることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板の一部を露出する、少なくとも１のアスペクト比を有する複数の開口を含む誘電材料、
前記開口内の少なくとも一部に設置された下領域と前記開口上に延伸した上領域をそれぞれ含み、前記基板と格子不整合の半導体材料をそれぞれ含む複数の下ダイオード材料、
前記複数の下ダイオード材料の前記上領域に隣接し、前記複数の下ダイオード材料の前記上領域間の全空間を充填する上ダイオード材料、及び
前記上ダイオード材料と前記複数の下ダイオード材料の間にあり、前記基板の上表面から離れて延伸した表面をそれぞれ含む複数の活性ダイオード領域を含むダイオード。
【請求項２】
前記複数の活性ダイオード領域は、前記上ダイオード材料と前記複数の下ダイオード材料の接合によって形成されたｐ−ｎ接合をそれぞれ含む請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
前記複数の活性ダイオード領域は、前記上ダイオード材料及び前記下ダイオード材料と異なる材料を含み、前記複数の活性ダイオード領域は、前記上ダイオード材料と前記複数の下ダイオード材料の間にそれぞれ形成されたｐ−ｉ−ｎ接合の真性領域を形成する請求項１に記載のダイオード。
【請求項４】
前記複数の活性ダイオード領域は、前記上ダイオード材料と前記複数の下ダイオード材料の間にそれぞれ形成された複数の量子井戸を含む請求項１に記載のダイオード。
【請求項５】
前記基板は、シリコン、サファイア及び炭化ケイ素からなるグループから選択される請求項１に記載のダイオード。
【請求項６】
前記基板は、単結晶シリコンウエハである請求項１に記載のダイオード。
【請求項７】
前記複数の開口は複数のトレンチであり、前記複数の下ダイオード材料の前記上領域は、前記複数のトレンチ上に複数のフィンを形成する請求項１に記載のダイオード。
【請求項８】
前記複数の開口は、２つの垂直な軸に関してアスペクト比を有する複数のホールであり、前記複数の下ダイオード材料の前記上領域は、前記複数の開口上に複数の柱を形成する請求項１に記載のダイオード。
【請求項９】
前記半導体材料は、本質的にIII−V族化合物、II−VI族化合物及びIV族合金からなるグループから選択される材料を含む請求項１に記載のダイオード。
【請求項１０】
前記下ダイオード材料は、ｎ型ドーパントを含み、前記上ダイオード材料は、ｐ型ドーパントを含む請求項１に記載のダイオード。
【請求項１１】
基板、
前記基板の一部を露出する、少なくとも１のアスペクト比を有する複数の開口を含む誘電材料、
前記開口内の少なくとも一部に設置された下領域と前記開口上に延伸した上領域をそれぞれ含む、前記基板と格子不整合の複数の下ダイオード材料、
前記複数の下ダイオード材料の前記上領域の周囲をそれぞれ形状適応的に取り囲み、前記下ダイオード材料との境界に、前記基板の上表面から離れて延伸する表面をそれぞれ含む、複数の活性発光ダイオード領域、
前記複数の活性発光ダイオード領域及び前記誘電体材料を覆い、前記複数の下ダイオード材料の前記上領域の周囲を形状適応的に取り囲む前記複数の活性発光ダイオード領域の間の全空間を充填する上ダイオード材料を含むダイオード。
【請求項１２】
前記複数の活性発光ダイオード領域は、前記上ダイオード材料と前記下ダイオード材料の接合によってそれぞれ形成されたｐ−ｎ接合をそれぞれ含む請求項１１に記載のダイオード。
【請求項１３】
前記複数の活性発光ダイオード領域は、前記上ダイオード材料及び前記下ダイオード材料と異なる材料を含み、前記複数の活性発光ダイオード領域は、前記上ダイオード材料と前記複数の下ダイオード材料の間にそれぞれ形成されたｐ−ｉ−ｎ接合の真性領域を形成する請求項１１に記載のダイオード。
【請求項１４】
前記複数の活性ダイオード領域は、前記上ダイオード材料と前記複数の下ダイオード材料の間にそれぞれ形成された複数の量子井戸を含む請求項１１に記載のダイオード。
【請求項１５】
前記複数の下ダイオード材料は、ｎ型ドーパントを含み、前記上ダイオード材料は、ｐ型ドーパントを含む請求項１１に記載のダイオード。
【請求項１６】
ダイオードを製造する方法であって、
基板上に、誘電材料の層を堆積するステップ、
前記誘電材料の層に少なくとも１のアスペクト比を有する複数の開口をパターンニングし、前記基板の一部を露出するステップ、
前記複数の開口内と当該開口上に前記基板と格子不整合の化合物半導体材料を成長させて、前記開口内の少なくとも一部に設置される下領域と前記開口の上に伸びる上領域をそれぞれ含む、複数の下ダイオード領域を形成するステップ、
前記複数の下ダイオード領域の前記上領域の周囲をそれぞれ形状適応的に取り囲む複数の活性ダイオード領域を形成するステップ、及び
前記活性ダイオード領域及び前記誘電材料を覆い、前記複数の下ダイオード材料の前記上領域の周囲を形状適応的に取り囲む前記複数の活性発光ダイオード領域間の全空間を充填する上ダイオード領域を形成するステップを含む方法。
【請求項１７】
前記複数の活性ダイオード領域は、複数の量子井戸をそれぞれ含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板は、シリコン、サファイア及び炭化ケイ素からなるグループから選択される請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数の開口は、複数のトレンチ及び／または複数のホールである請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記化合物半導体材料は、本質的にIII−V族化合物、II−VI族化合物及びIV族合金からなるグループから選択される材料を含む請求項１６に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
一実施例に基づいて、ダイオードは、基板、基板の一部を露出する、少なくとも１のアスペクト比を有する複数の開口を含む誘電材料、開口内の少なくとも一部に設置された下領域と開口上に延伸した上領域をそれぞれ含み、基板と格子不整合の半導体材料をそれぞれ含む複数の下ダイオード材料、複数の下ダイオード材料の上領域に隣接し、複数の下ダイオード材料の上領域間の全空間を充填する上ダイオード材料と、上ダイオード材料と複数の下ダイオード材料の間にあり、基板の上表面から離れて延伸した表面をそれぞれ含む複数の活性ダイオード領域を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
もう一つの実施例に基づいて、ダイオードは、基板、基板の一部を露出する、少なくとも１のアスペクト比を有する複数の開口を含む誘電材料、開口内の少なくとも一部に設置された下領域と開口上に延伸した上領域をそれぞれ含む、基板と格子不整合の複数の下ダイオード材料、複数の下ダイオード材料の上領域の周囲をそれぞれ形状適応的に取り囲み、下ダイオード材料との境界に、基板の上表面から離れて延伸する表面をそれぞれ含む、複数の活性発光ダイオード領域、複数の活性発光ダイオード領域及び誘電体材料を覆い、複数の下ダイオード材料の上領域の周囲を形状適応的に取り囲む複数の活性発光ダイオード領域の間の全空間を充填する上ダイオード材料を含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
もう一つの実施例は、ダイオードを製造する方法である。前記方法は、基板上に、誘電材料の層を堆積するステップ、誘電材料の層に少なくとも１のアスペクト比を有する複数の開口をパターンニングし、基板の一部を露出するステップ、複数の開口内と開口上に、基板と格子不整合の化合物半導体材料を成長させて、開口内の少なくとも一部に設置される下領域と開口の上に伸びる上領域をそれぞれ含む、複数の下ダイオード領域を形成するステップ、複数の下ダイオード領域の上領域の周囲をそれぞれ形状適応的に取り囲む複数の活性ダイオード領域を形成するステップと、活性ダイオード領域及び前記誘電材料を覆い、複数の下ダイオード材料の上領域の周囲を形状適応的に取り囲む複数の活性発光ダイオード領域間の全空間を充填する上ダイオード領域を形成するステップを含む。