【手続補正書】
【提出日】平成24年5月14日(2012.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形状エレメントを処理するための装置であって、
前記エレメントの内側表面の第１の部分に接触することで前記エレメントを支持し、軸方向の長さを有する支持手段と、
前記内側表面の反対側の前記エレメントの外側表面に隣接する処理媒体を提供する手段であって、前記処理媒体と前記支持手段の軸長方向に沿った前記外側表面との間に接触ニップを形成するに適した長さを有する提供手段と、
前記支持手段をその一端のプリセット位置に付勢し、前記支持手段のまわりを開放または閉鎖するのに適合したクランプ手段、または前記提供手段をその一端のプリセット位置に付勢し、前記提供手段のまわりを開放または閉鎖するのに適合したクランプ手段と、
を具えたことを特徴とする処理装置。
【請求項２】
円筒形状エレメントを処理するための装置に使用される方法であって、
軸方向の長さを有した支持部材を前記エレメントの内側表面に接触させることで前記エレメントを支持する工程と、
接触部材を用いて、前記内側表面の反対側の前記エレメントの外側表面に隣接する処理媒体を提供する工程であって、前記接触部材が前記処理媒体と前記支持手段の軸長方向に沿った前記外側表面との間に接触ニップを形成するに適した長さを有している、当該提供工程と、
前記支持部材をその一端のプリセット位置に付勢し、前記支持部材のまわりを開放または閉鎖するのに適合したクランプ工程、または前記接触部材をその一端のプリセット位置に付勢し、前記接触部材のまわりを開放または閉鎖するのに適合したクランプ工程と、
を具えた方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
これらの線源は、概して３１０〜４００ｎｍの長波の紫外線を放射する。化学線のスペクトルエネルギー分布および強度、感光性エレメントからの距離、および、光重合性材料の量および性質に基づいて、曝露時間は２、３秒から数分まで変化させることができる。像形成用曝露は、像生成マスク（image-bearing mask）を通して感光性エレメントを曝露することにより行うことができる。マスクは、分離したフィルム、すなわちハロゲン化銀フィルムなど像形性の透過性を持つものないしはフォトツールであってもよいし、当業者によく知られているような、ディジタル法により感光性エレメントに一体化されたフォトマスクであってもよい。  
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］
円筒形状エレメントを処理するための装置であって、
前記エレメントの内側表面の第１の部分に接触することで前記エレメントを支持し、軸方向の長さを有する支持手段と、
前記内側表面の反対側の前記エレメントの外側表面に隣接する処理媒体を提供する手段であって、前記処理媒体と前記支持手段の軸長方向に沿った前記外側表面との間に接触ニップを形成するに適した長さを有する提供手段と、
前記支持手段をその一端のプリセット位置に付勢し、前記支持手段のまわりを開放または閉鎖するのに適合したクランプ手段、または前記提供手段をその一端のプリセット位置に付勢し、前記提供手段のまわりを開放または閉鎖するのに適合したクランプ手段と、
を具えたことを特徴とする処理装置。
［２］
前記プリセット位置は前記支持手段の軸長方向を前記提供手段の軸長方向に平行な固定位置に維持することを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［３］
前記プリセット位置は前記提供手段の軸長方向を前記支持手段の軸長方向に平行な固定位置に維持することを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［４］
前記プリセット位置は前記支持手段をその軸長方向に沿って予め屈曲させることを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［５］
前記プリセット位置は前記提供手段をその軸長方向に沿って予め屈曲させることを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［６］
前記クランプ手段は、互いに分離した少なくとも２つのクランプ具をもつクランプアセンブリを具えることを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［７］
少なくとも1つの前記クランプ具は凹部を持つ上側ブラケットと凹部を持つ下側ブラケットとを具え、前記上側ブラケットおよび前記下側ブラケットが結合して、前記支持手段を保持するための通路が前記凹部により形成されることを特徴とする［６］に記載の処理装置。
［８］
前記クランプアセンブリはプラットフォーム上に第１のクランプ具および第２のクランプ具を具え、前記第１のクランプ具は、前記プラットフォームからｈ１の高さに通路を有する上側および下側ブラケットを具え、前記第２のクランプ具は、前記プラットフォームからｈ２の高さに通路を有する上側および下側ブラケットを具え、前記高さｈ１と前記高さｈ２とが異なっていることを特徴とする［６］に記載の処理装置。
［９］
前記高さｈ１が前記高さｈ２より大であることを特徴とする［８］に記載の処理装置。
［１０］
前記高さｈ２が前記高さｈ１より大であることを特徴とする［８］に記載の処理装置。
［１１］
前記支持手段の前記一端とは反対側の前記支持手段の第２端に、第２のクランプ手段をさらに具えていることを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［１２］
前記第２のクランプ手段は、互いに分離した少なくとも２つのクランプ具をもつクランプアセンブリを具えることを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［１３］
前記支持手段は、ドラム、ローラ、複数のローラおよびプラットフォーム部材を含む群から選択されることを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［１４］
前記第１の部分とは異なる第２の部分で前記内側表面に接触することで前記エレメントを支持する第２の支持手段をさらに具え、前記エレメントは前記第１の部分と前記第２の部分との間に１以上の非支持部分を有することを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［１５］
前記処理媒体を提供する前記提供手段は、組成物層を有する前記エレメントを加熱する手段と、現像部材を前記外側表面に接触させて前記エレメントに凹凸表面を形成するための手段と、を具えることを特徴とする［１］に記載の処理装置。
［１６］
円筒形状エレメントを処理するための装置に使用される方法であって、
軸方向の長さを有した支持部材を前記エレメントの内側表面に接触させることで前記エレメントを支持する工程と、
接触部材を用いて、前記内側表面の反対側の前記エレメントの外側表面に隣接する処理媒体を提供する工程であって、前記接触部材が前記処理媒体と前記支持手段の軸長方向に沿った前記外側表面との間に接触ニップを形成するに適した長さを有している、当該提供工程と、
前記支持部材をその一端のプリセット位置に付勢し、前記支持部材のまわりを開放または閉鎖するのに適合したクランプ工程、または前記接触部材をその一端のプリセット位置に付勢し、前記接触部材のまわりを開放または閉鎖するのに適合したクランプ工程と、
を具えた方法。
［１７］
前記プリセット位置は前記支持部材の軸長方向を前記接触部材の軸長方向に平行な固定位置に維持することを特徴とする［１６］に記載の方法。
［１８］
前記プリセット位置は前記支持部材をその軸長方向に沿って予め屈曲させていることを特徴とする［１６］に記載の方法。
［１９］
前記プリセット位置は前記接触部材の軸長方向を前記支持部材の軸長方向に平行な固定位置に維持することを特徴とする［１６］に記載の方法。
［２０］
前記プリセット位置は前記接触部材をその軸長方向に沿って予め屈曲させていることを特徴とする［１６］に記載の方法。
［２１］
前記処理媒体を提供する前記提供工程は、部分的に液状化が可能な組成物層を有する前期エレメントを加熱する工程と、前記層の液状化した部分を除去するために、前記エレメントに現像媒体を接触させる工程と、を具えることを特徴とする［１６］に記載の方法。