【事件の表示】
　特願２００３−５６８７５２「一体型冷却装置を有するヘッダアセンブリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２１日国際公開、ＷＯ０３／６９７４９、平成１７年　６月１６日国内公表、特表２００５−５１８１００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００３年（平成１５年）２月１１日（パリ条約による優先権主張　２００２年２月１４日、２００２年８月２９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成１６年９月２２日付け及び平成１９年１１月１６日付けで手続補正がなされたところ、平成２０年３月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同年７月３０日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年７月３０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年７月３０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　平成２０年７月３０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正して、新たな請求項１とすることを含むものである。 
　
「【請求項１】
　電子構成要素を収容するためのトランジスタヘッダアセンブリにおいて、
　（ａ）金属材料から形成される基台であって、デバイス側面及び構成要素側面を有する前記基台と、
　（ｂ）前記基台の前記デバイス側面及び前記構成要素側面の双方を垂直に貫通して延在する台座であって、内層に配置された１つ又は複数の伝導経路を有するフィードスルーを備える前記台座と、
　（ｃ）前記基台及び前記台座と協働して前記基台の前記デバイス側面に密閉チャンバを画成するキャップと、
　（ｄ）前記台座と熱伝達可能に設けられた冷却装置と、
を備えるトランジスタヘッダアセンブリ。」
　
２．当審の判断 
　本件補正は、補正前の請求項１の「前記密閉チャンバ内に位置して前記基台と熱伝達可能に設けられた熱電式冷却器」との発明特定事項から、「前記密閉チャンバ内に位置して」との発明特定事項を削除するとともに、「熱電式冷却器」との発明特定事項から、「熱電式」との限定を削除して「冷却装置」に変更することを含むものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法における改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明、のいずれにも該当しない。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．付言
　なお、以下のとおり、補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、特許を受けることができないものであるので、本件補正を受け入れる余地はない。 
　
（１）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１４８１９０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「２．　特許請求の範囲
　光学的に結合されたレーザダイオードとホトダイオードとを透明な窓を有する容器内に気密封入しドライバー用ＩＣと接続して使用する半導体レーザ送信パッケージにおいて、前記レーザダイオード，ホトダイオード及びドライバー用ＩＣを一面上に固定する金属製のヒートシンクと、このヒートシンクの部品搭載面上に設けられ前記レーザダイオード，ホトダイオード及びドライバー用ＩＣが挿入可能な貫通孔を備え表面に配線パターンを有する基板と、この基板の上面の前記ホトダイオードとドライバー用ＩＣとの間に設けられた絶縁物隔壁とから成る貫通配線板を前記容器の壁面を貫通して取り付けたことを特徴とする半導体レーザ送信パッケージ。」（第１頁左下欄第４行〜下から１行目）
　
イ　「３．　発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、光ファイバケーブル通信に用いられる半導体レーザ送信パッケージに関し、特にその実装構造に関する。」（第１頁右下欄第１〜５行）
　
ウ　「〔実施例〕
　次に、本発明について図面を参照して説明する。
　第１図および第２図は本発明の一実施例の縦断面図および横断面図である。貫通配線板６は、基板６１，ヒートシンク６２，絶縁物隔壁６３で構成されている。基板６１には、部品搭載用の貫通孔があり、上面にレーザダイオード１の電源用およびドライバ用ＩＣ５との間の各信号用の配線パターンと、ホトダイオード２の出力用配線パターンが設けてある。なお、それぞれの配線パターンと各搭載部品とは、ワイヤーボンディングで接続されている。ヒートシンク６２は放熱性を考慮して銅合金などで作製したもので、ステム３に直角に取り付けられレーザダイオード１，ホトダイオード２，ドライバ用ＩＣ５をハンダ合金などで固定搭載すると共にレーザダイオードのアノード端子を兼ねている。基板６１の下面はメタライズ処理されており、ヒートシンク６２にろう付けなどで接合されている。絶縁物隔壁６３は、セラミックで作製したもので基板６１の回路面に焼成して接合されている。ステム３は金属で作製したもので貫通配線板６の取り付けはろう付けにより行っている。
　以上のように、ステム３を貫通するように設けた貫通配線板６に半導体部品を搭載した後、ガラス窓７１を有するキャップ７をステム３に接合し、レーザダイオード１，ホトダイオード２を気密封止して半導体レーザ送信パッケージが完成する。」（第２頁左上欄下から２行目〜左下欄第６行）
　
エ　「〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明は、ステムに貫通配線板を配置し、貫通配線板上にレーザダイオード，ホトダイオード，ドライバ用ＩＣを搭載配線することで、従来のリード線とプリント配線板が不要となり、レーザダイオードとドライバ用ＩＣの寄生インダクタンスを低減することができることから、高速変調可能な半導体レーザ送信パッケージの実現が図れる。又、貫通配線板を２重構造としてレーザダイオードとドライバ用ＩＣの発熱をヒートシンクを介してステムに伝熱させているため、ステムにペルチェクーラを配置すれば、レーザダイオード、ドライバ用ＩＣの温度コントロールが容易にできるという効果がある。」（第２頁左下欄第７行〜下から１行目）
　
オ　上記ウの「ステム３を貫通するように設けた貫通配線板６に半導体部品を搭載した後、ガラス窓７１を有するキャップ７をステム３に接合し、レーザダイオード１，ホトダイオード２を気密封止して半導体レーザ送信パッケージが完成する」との記載を踏まえると、上記アに示した特許請求の範囲の「透明な窓を有する容器」は、ステムと該ステムに接合されるガラス窓を有するキャップとを備えるものであり、特許請求の範囲の「前記容器の壁面」は、「ステム」により構成されるものであると認められる。
　
カ　上記ウの「貫通配線板６は、基板６１，ヒートシンク６２・・・で構成されている」との記載を踏まえて、同「ヒートシンク６２は放熱性を考慮して銅合金などで作製したもので、ステム３に直角に取り付けられ」との記載を見れば、「貫通配線板」は、ステムを貫通して「直角に」取り付けたものであると認められる。
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
「光学的に結合されたレーザダイオードとホトダイオードとを透明な窓を有する容器内に気密封入しドライバー用ＩＣと接続して使用する半導体レーザ送信パッケージにおいて、
　前記透明な窓を有する容器は、金属で作製したステムと、該ステムに接合されるガラス窓を有するキャップとを備え、
　前記レーザダイオード、ホトダイオード及びドライバー用ＩＣを一面上に固定する金属製のヒートシンクと、このヒートシンクの部品搭載面上に設けられ前記レーザダイオード、ホトダイオード及びドライバー用ＩＣが挿入可能な貫通孔を備え表面に配線パターンを有する基板と、この基板の上面の前記ホトダイオードとドライバー用ＩＣとの間に設けられた絶縁物隔壁とから成る貫通配線板を、前記容器の壁面を構成するステムを貫通して直角に取り付け、
　上記基板の配線パターンは、レーザダイオードの電源用およびドライバ用ＩＣとの間の各信号用の配線パターンと、ホトダイオードの出力用配線パターンを構成し、
　ステムを貫通するように設けた貫通配線板に半導体部品を搭載した後、ガラス窓を有するキャップをステムに接合し、レーザダイオード、ホトダイオードを気密封止して半導体レーザ送信パッケージが完成する、
　半導体レーザ送信パッケージ。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「レーザダイオードとホトダイオード」は、本願補正発明の「電子構成要素」に相当する。
　そして、引用発明の「半導体レーザ送信パッケージ」は、「光学的に結合されたレーザダイオードとホトダイオードとを透明な窓を有する容器内に気密封入しドライバー用ＩＣと接続して使用する」ものであるから、本願補正発明の「電子構成要素を収容するためのトランジスタヘッダアセンブリ」に相当する。
　
イ　引用発明の「金属で作製したステム」は、本願補正発明の「金属材料から形成される基台」に相当する。
　ここで、基台の「デバイス側面」に関して、本願明細書において、「能動デバイス６０が配置される基台側面は、幾つかの例において、本明細書では、基台のデバイス側面と称する」（段落〔００２８〕）と定義されており、基台の「デバイス側面」とは、半導体レーザ等の電子構成要素が配置される側の面をいうものと認められる。一方、本願明細書に、基台の「構成要素側面」を明示的に定義する記載はないが、上記能動デバイスが配置される「デバイス側面」とは反対側の基台の面（請求項９及び発明の詳細な説明に記載された「コネクタ側面」に相当する面）をいうものと解するのが相当である。
　しかるところ、引用発明の「ステム」は、「（レーザダイオードとホトダイオードとを気密封入する）容器の壁面を構成する」ものであり、その壁面は、容器側の面（レーザダイオード等に面する側の面）と、それとは反対側の面（ドライバ用ＩＣに面する側の面）とを有していることは明らかであるから、引用発明は、本願補正発明の「金属材料から形成される基台であって、デバイス側面及び構成要素側面を有する前記基台」との特定事項を備える。
　
ウ　引用発明の「貫通配線板」は、本願補正発明の「台座」に相当する。
　ここで、上記イに示したとおり、引用発明の「ステム」は、本願補正発明の「デバイス側面及び構成要素側面」に相当する各面を有するものであり、「貫通配線板」は「容器の壁面を構成するステムを貫通して直角に取り付けた」ものであるから、該「貫通配線板」は、「デバイス側面及び構成要素側面」の「双方を垂直に貫通して延在する」ものであることは明らかである。したがって、引用発明は、本願補正発明の「前記基台の前記デバイス側面及び前記構成要素側面の双方を垂直に貫通して延在する台座であって」との特定事項を備える。
　また、引用発明の「貫通配線板」は、「表面に配線パターンを有する基板」をその構成要素の一つとして備えるものであり、該「配線パターン」は、「レーザダイオードの電源用およびドライバ用ＩＣとの間の各信号用の配線パターンと、ホトダイオードの出力用配線パターンを構成」するものであるから、引用発明の「配線パターン」及び「基板」は、それぞれ、本願補正発明の「１つ又は複数の伝導経路」及び「フィードスルー」に相当し、引用発明は、本願補正発明の「１つ又は複数の伝導経路を有するフィードスルーを備える前記台座」との特定事項を備える。
　
エ　引用発明は、「ステムを貫通するように設けた貫通配線板に半導体部品を搭載した後、ガラス窓を有するキャップをステムに接合し、レーザダイオード、ホトダイオードを気密封止して半導体レーザ送信パッケージが完成する」ものであるから、引用発明の「キャップ」は、本願補正発明の「前記基台及び前記台座と協働して前記基台の前記デバイス側面に密閉チャンバを画成するキャップ」に相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「電子構成要素を収容するためのトランジスタヘッダアセンブリにおいて、
　金属材料から形成される基台であって、デバイス側面及び構成要素側面を有する前記基台と、
　前記基台の前記デバイス側面及び前記構成要素側面の双方を垂直に貫通して延在する台座であって、１つ又は複数の伝導経路を有するフィードスルーを備える前記台座と、
　前記基台及び前記台座と協働して前記基台の前記デバイス側面に密閉チャンバを画成するキャップと、
を備えるトランジスタヘッダアセンブリ。」
である点で一致し、以下の２点で相違する。 
　 
相違点
［相違点１］
　フィードスルーが有する「１つ又は複数の伝導経路」が、本願補正発明では「内層に配置された」ものであるのに対して、引用発明ではそのような冷却装置を備えていない点。
　
［相違点２］
　本願補正発明が「前記台座と熱伝達可能に設けられた冷却装置」を備えるのに対して、引用発明はそのような構成を備えていない点。
　
（３）判断
　上記相違点について検討する。 
　
ア　相違点１について
　配線回路基板として、伝導経路が内層に配置された構成の多層配線基板は周知のものである（必要なら、光モジュールにおいて適用される例として、特開平９−２６５３０号公報（図２）、特開平７−９９３６７号公報（「セラミック２層電極１４」に関する記載）を参照。）から、引用発明における「配線パターンを有する基板」（１つ又は複数の伝導経路を有するフィードスルー）を、上記周知の伝導経路が内層に配置された多層配線基板とし、本願の上記相違点１に係る特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
イ　相違点２について
　上記（１）エに示したように、引用刊行物の〔発明の効果〕欄には、「ステムにペルチェクーラを配置すれば、レーザダイオード、ドライバ用ＩＣの温度コントロールが容易にできるという効果がある」と記載されており、引用発明においてステムに冷却装置であるペルチェクーラを配置することが示唆されており、引用発明のレーザダイオード、ドライバー用ＩＣは、貫通配線板（本願発明の「台座」に相当。）の一部を構成する金属製のヒートシンクの上に固定されているものであるから、ペルチェクーラがヒートシンクを介してレーザダイオード等の温度コントロールを行うことになるのは明らかであり、上記示唆に基づいて引用発明のステムにペルチェクーラを配置して、「台座と熱伝達可能に設けられた冷却装置」を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。  
　
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年１１月１６日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「電子構成要素を収容するためのトランジスタヘッダアセンブリにおいて、
　（ａ）金属材料から形成される基台であって、デバイス側面及び構成要素側面を有する前記基台と、
　（ｂ）前記基台の前記デバイス側面及び前記構成要素側面の双方を垂直に貫通して延在する台座であって、更に、当該台座に形成された少なくとも１つの伝導経路を備える前記台座と、
　（ｃ）前記基台及び前記台座と協働して前記基台の前記デバイス側面に密閉チャンバを画成するキャップと、
　（ｄ）前記密閉チャンバ内に位置して前記基台と熱伝達可能に設けられた熱電式冷却器と、
を備えるトランジスタヘッダアセンブリ。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１４８１９０号公報（「引用刊行物」）には、上記第２の３（１）に摘記した事項及び引用発明が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「レーザダイオードとホトダイオード」は、本願発明の「電子構成要素」に相当する。
　そして、引用発明の「半導体レーザ送信パッケージ」は、「光学的に結合されたレーザダイオードとホトダイオードとを透明な窓を有する容器内に気密封入しドライバー用ＩＣと接続して使用する」ものであるから、本願発明の「電子構成要素を収容するためのトランジスタヘッダアセンブリ」に相当する。
　
イ　引用発明の「金属で作製したステム」は、本願発明の「金属材料から形成される基台」に相当する。
　ここで、基台の「デバイス側面」に関して、本願明細書において、「能動デバイス６０が配置される基台側面は、幾つかの例において、本明細書では、基台のデバイス側面と称する」（段落〔００２８〕）と定義されており、基台の「デバイス側面」とは、半導体レーザ等の電子構成要素が配置される側の面をいうものと認められる。一方、本願明細書に、基台の「構成要素側面」を明示的に定義する記載はないが、上記能動デバイスが配置される「デバイス側面」とは反対側の基台の面（請求項９及び発明の詳細な説明に記載された「コネクタ側面」に相当する面）をいうものと解するのが相当である。
　しかるところ、引用発明の「ステム」は、「（レーザダイオードとホトダイオードとを気密封入する）容器の壁面を構成する」ものであり、その壁面は、容器側の面（レーザダイオード等に面する側の面）と、それとは反対側の面（ドライバ用ＩＣに面する側の面）とを有していることは明らかであるから、引用発明は、本願発明の「金属材料から形成される基台であって、デバイス側面及び構成要素側面を有する前記基台」との特定事項を備える。
　
ウ　引用発明の「貫通配線板」は、本願発明の「台座」に相当する。
　ここで、上記イに示したとおり、引用発明の「ステム」は、本願発明の「デバイス側面及び構成要素側面」に相当する各面を有するものであり、「貫通配線板」は「容器の壁面を構成するステムを貫通して直角に取り付けた」ものであるから、該「貫通配線板」は、「デバイス側面及び構成要素側面」の「双方を垂直に貫通して延在する」ものであることは明らかである。したがって、引用発明は、本願発明の「前記基台の前記デバイス側面及び前記構成要素側面の双方を垂直に貫通して延在する台座であって」との特定事項を備える。
　また、引用発明の「貫通配線板」は、「表面に配線パターンを有する基板」をその構成要素の一つとして備えるものであり、該「配線パターン」は、「レーザダイオードの電源用およびドライバ用ＩＣとの間の各信号用の配線パターンと、ホトダイオードの出力用配線パターンを構成」するものであるから、引用発明の「配線パターン」は、本願発明の「１つ又は複数の伝導経路」に相当し、引用発明は、本願発明の「更に、当該台座に形成された少なくとも１つの伝導経路を備える前記台座」との特定事項を備える。
　
エ　引用発明は、「ステムを貫通するように設けた貫通配線板に半導体部品を搭載した後、ガラス窓を有するキャップをステムに接合し、レーザダイオード、ホトダイオードを気密封止して半導体レーザ送信パッケージが完成する」ものであるから、引用発明の「キャップ」は、本願発明の「前記基台及び前記台座と協働して前記基台の前記デバイス側面に密閉チャンバを画成するキャップ」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、 
「電子構成要素を収容するためのトランジスタヘッダアセンブリにおいて、
　金属材料から形成される基台であって、デバイス側面及び構成要素側面を有する前記基台と、
　前記基台の前記デバイス側面及び前記構成要素側面の双方を垂直に貫通して延在する台座であって、更に、当該台座に形成された少なくとも１つの伝導経路を備える前記台座と、
　前記基台及び前記台座と協働して前記基台の前記デバイス側面に密閉チャンバを画成するキャップと、
を備えるトランジスタヘッダアセンブリ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
［相違点３］
　本願発明が「前記密閉チャンバ内に位置して前記基台と熱伝達可能に設けられた熱電式冷却器」を備えるのに対して、引用発明はそのような構成を備えていない点。
　
４．判断
　上記第２の３（１）エに示したように、引用刊行物の〔発明の効果〕欄には、「ステムにペルチェクーラを配置すれば、レーザダイオード、ドライバ用ＩＣの温度コントロールが容易にできるという効果がある」と記載されており、引用発明において熱電式冷却器を備えることが示唆されているところ、電子構成要素として半導体レーザ等を収容する半導体レーザ送信パッケージ（トランジスタヘッダアセンブリ）において、半導体レーザを熱電式冷却器に搭載しステムを通じて放熱する構成とし、かつ、半導体レーザと熱電式冷却器とを共に容器内に密閉封止する構成とすることは、本願の優先日当時周知の技術である（必要なら、特開昭６１−７１６８９号公報（特許請求の範囲、第１図等）、特開昭６３−１３６６８０号公報（請求項１−２、第４頁左上欄、第１図等）、特開平１−１６９９８６号公報（特許請求の範囲、Ｇ．実施例、第１図乃至第２図等）、特開平２−２４０９８９号公報（特許請求の範囲、第３の実施例、第３図等）参照。）。
　したがって、引用発明において、上記周知技術を採用して、容器（密閉チャンバ内）に位置してステム（基台）と熱伝達可能に設けられた熱電式冷却器を備えるようになして、上記相違点３に係る本願発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。