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　特願２００３−３９６７８５「内層側に凸出部のあるビアホール接続用の電極」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月１６日出願公開、特開２００５−１５９０７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１５年１１月２７日の出願であって、平成１９年１２月１７日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２０年２月２１日付けで意見書が提出され、同年５月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、さらに、同年７月９日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成２０年６月１０日付け手続補正（以下、「本件補正１」という。）、及び同年７月９日付け手続補正（以下、「本件補正２」という。）について
＜結論＞本件補正２を却下する。
　
＜理由＞
（１）本件補正１及び本件補正２の内容
　本件補正１は、出願時の明細書の特許請求の範囲の請求項１−４を削除し、請求項５−８を請求項１−４に繰り上げるものであり、請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また、本件補正２は、本件補正１による補正後の特許請求の範囲の請求項１及び請求項３において、導電ペースト側への凸部を有する電極について、「該凸部の導電ペースト側への深さは６μｍ以上であって、」なる限定をさらに加えるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）独立特許要件
　そこで、本件補正２により補正された本願請求項に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
　
（２−１）本件補正２により補正された本願請求項３に係る発明
　本件補正２により補正された本願請求項３に係る発明は、下記のとおりのものである（以下、「本願補正発明３」という。）
　
 「【請求項３】基材に形成されたビアホール内に導電ペーストが充填され、更にその上下の端面には導電ペースト側への凸部を有する電極が装着されてなるビアホールの接続に使用する転写用の電極の製造方法であって、
　該凸部の導電ペースト側への深さは６μｍ以上であり、
表面に上記電極となる材料の層が形成された転写用基板から、電極となる部分以外の他の場所の材料の層を取り去る第１段目のエッチングステップと、
該最初のエッチングステップにて取り残された場所の材料の層から、上記電極の凸部となる部分以外の他の場所の材料の層を所定厚さだけ取り去る第２段目のエッチングステップとを有していることを特徴とするビアホールの接続に使用する転写用電極の製造方法。」
　
（２−２）引用刊行物の記載事項および引用刊行物１発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願前に頒布された特開平１１−８４７２号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特開２０００−２３６１６６号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
・引用刊行物１
（ａ）「本発明の配線基板によれば、図２の図１の要部拡大断面図に示すように、導体配線層３のバイアホール導体４との接続部において、導体配線層３の一部に突起部５が形成され、その突起部５がバイアホール導体４内に突出するように配置されている。この突起部５は、バイアホール導体４と同一あるいはそれよりも小さい径からなり、バイアホール導体４内の金属粉末を含むペーストを押し込んで、…バイアホール導体４との電気的な接続を強固に行う作用をなすものである。」（【００１３】）
　
（ｂ）「本発明によれば、導体配線層３に形成された突起部５の直径はバイアホールの直径と同一、若しくはそれより小さい径であれば、その形状を特別限定するものではなく、例えば、図２に示すように、突起部５の縦断面形状が矩形型や、…であってもよい。」（【００１５】）
　
（ｃ）「また、この突起部５は、導体配線層３からの突出高さＬが、５〜３０μｍであることが望ましい。…」（【００１６】）
　
（ｄ）「一方、導体配線層を形成するために、図３（ｂ）に示すように、樹脂フィルム８の表面に所定厚みの金属箔を接着剤等を用いて貼り付けた後、その金属箔をエッチング処理して導体配線層９を形成する。そして、図３（ｃ）に示すように、形成した導体配線層９におけるバイアホール導体７との接続部に所定高さの突起部１０を形成する。この突起部１０は、金属箔をエッチングして形成した導体配線層９の表面をエッチング処理するか、…によて所定厚みの金属からなる突起部１０を形成することができる。」（【００２４】）
　
（ｅ）「図３（ｄ）に示すように、図３（ａ）のバイアホール導体７を形成した絶縁層６に対して図３（ｃ）の突起部１０を有する導体配線層９が形成された樹脂フィルム８をバイアホール導体７と突起部１０とを位置合わせして重ね合わせて、圧力を印加して突起部１０をバイアホール導体７内に押し込んだ後、樹脂フィルム８を剥離して、導体配線層９を具備する１層の配線基板を形成することができる。」（【００２５】）
　
（ｆ）「なお、上記の製造方法の説明では、導体配線層９を樹脂フィルムからの転写によって形成する方法を採用したものであるが、」（【００２９】）
　
・引用刊行物２
（ｇ）「【請求項１】導電体が充填されたバイアホールを有する配線基板において、その両面に配置される配線パターンのランド部のうち、少なくともどちらか一方のランド部の内側面に導電性材料からなる突起状のバンプを形成し、前記バンプを介してバイアホール内部に充填された前記導電体と配線パターンとの接続をおこなうバイアホール部の接続構造。」（【特許請求の範囲】）　
　
（ｈ）「【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明は、…前記バンプの突起によって前記バイアホール中の導電性ペーストに充分な圧縮がかかり、その結果、導電体の導体成分が緻密化され、初期抵抗値が低く、高信頼性を有するバイアホール接続が可能になるものである。」（【００１６】）
　
　上記引用刊行物１には、その記載事項（ａ）−（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）によれば、
　「基材に形成されたバイアホール内に導体ペーストが充填され、更にその端面には導体ペースト側への突起部を有する導体配線層が装着されてなるバイアホールの接続に使用する転写用の導体配線層であって、該突起部の導体ペースト側への突出高さは５〜３０μｍである」ものが記載され、
　
　また、同記載事項（ｄ）によれば、該転写用の導体配線層の製造方法として、「表面に上記導体配線層となる金属箔の層が形成された転写用樹脂フィルムから、導体配線層となる部分以外の他の場所の金属箔の層を取り去る第１段目のエッチングステップと、
該最初のエッチングステップにて取り残された場所の金属箔の層から、上記導体配線層の突起部となる部分以外の他の場所の金属箔の層を所定厚さだけ取り去る第２段目のエッチングステップとを有していること」が記載されているといえるから、
　
　これらをまとめると、引用刊行物１には、
 「基材に形成されたバイアホール内に導体ペーストが充填され、更にその端面には導電ペースト側への突起部を有する導体配線層が装着されてなるバイアホールの接続に使用する転写用の導体配線層の製造方法であって、
　該突起部の導体ペースト側への突出高さは５〜３０μｍであり、
表面に上記導体配線層となる金属箔の層が形成された転写用樹脂フィルムから、導体配線層となる部分以外の他の場所の金属箔の層を取り去る第１段目のエッチングステップと、
該最初のエッチングステップにて取り残された場所の金属箔の層から、上記導体配線層の突起部となる部分以外の他の場所の金属箔の層を所定厚さだけ取り去る第２段目のエッチングステップとを有していることを特徴とする転写用導体配線層の製造方法。」の発明（以下、「引用刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。
　
（２−３）対比・判断
　本願補正発明３と引用刊行物１発明とを対比すると、
　引用刊行物１発明における、「バイアホール」、「導体ペースト」、「導体配線層」、「突起部」、「突出高さ」、「金属箔」、「樹脂フィルム」は、それぞれ、本願補正発明３における「ビアホール」、「導電ペースト」、「電極」、「凸部」、「深さ」、「電極となる材料」、「基板」に相当する。
　
 したがって、両者は、
「基材に形成されたビアホール内に導電ペーストが充填され、更にその端面には導電ペースト側への凸部を有する電極が装着されてなるビアホールの接続に使用する転写用の電極の製造方法であって、
　凸部の導電ペースト側への深さは６μｍ以上であり、
表面に上記電極となる材料の層が形成された転写用基板から、電極となる部分以外の他の場所の材料の層を取り去る第１段目のエッチングステップと、
該最初のエッチングステップにて取り残された場所の材料の層から、上記電極の凸部となる部分以外の他の場所の材料の層を所定厚さだけ取り去る第２段目のエッチングステップとを有していることを特徴とするビアホールの接続に使用する転写用電極の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　上記転写用の電極が、本願補正発明３では、基材に形成されたビアホール内に充填された導電ペーストの
上下端面
端面
　
（相違点２）
　上記凸部の導電ペースト側への深さが、本願補正発明３では、「６μｍ以上」であるのに対して、引用刊行物１発明では、「５〜３０μｍ」である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
（相違点１）について
　上記引用刊行物２には、その記載事項（ｇ）、（ｈ）によれば、導電体（導電ペースト）が充填されたバイアホールを有する配線基板において、該
バイアホールの両端、あるいはどちらか一方に
　一方、引用刊行物１発明も、上記記載事項（ａ）から明らかなとおり、突起部によりバイアホール内の導体ペーストを押し込んで、すなわち圧縮して、導体配線層と導体ペーストとの強固な電気的な接続を得るためのものであることから、該引用刊行物１発明に係る転写用の導体配線層を、導体ペーストの両端、すなわち
上下端面に
　
（相違点２）について
  凸部による圧縮効果は、ビアホールの大きさによって変わるものであるから、バイアホールの大きさに応じて、凸部の深さを「６μｍ以上」と設定することは当業者が適宜なしえた設計的事項にすぎない。
　
　そして、本願補正発明３が、引用刊行物１及び２の記載内容からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願補正発明３は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３）まとめ
　したがって、本件補正２は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　平成２０年７月９日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１−４に係る発明は、同年６月１０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−４に記載されたとおりのものである（以下、それぞれ、「本願発明１」…「本願発明４」という。）
　そして、本願発明３は、上記［２］（１）のとおり、本願補正発明３における「該凸部の導電ペースト側への深さは６μｍ以上であり」なる限定のないものであり、本願補正発明３は、上記［２」（２）で述べたとおり、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明３についても、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび
　以上のとおり、本願請求項３に記載された発明は、特許法第２９条第２項
の規定により特許を受けることができない。
　そのため、本願請求項１、２、４に記載された発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。