【事件の表示】
　特願２００２−　３４５７４「固体撮像素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２２日出願公開，特開２００３−２３４４６４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年２月１２日の出願であって，平成１９年３月２９日に手続補正書が提出され，同年４月１７日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年５月２４日に審判の請求がされるとともに，同年６月２２日に手続補正書が提出されたものである。　
　
第２　平成１９年６月２２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲及び明細書段落【００１４】を補正するものであり，そのうち，特許請求の範囲の補正内容は，すべての請求項（請求項１〜３）について，「転送電極」，「電荷転送部」，「固体撮像素子」とあるのを，それぞれ，「垂直伝送電極」，「垂直電荷転送部」，「インターライン型の固体撮像素子」と補正するものである。
　
２　補正目的の適否
　上記の補正内容は，請求項１〜３に，「転送電極」，「電荷転送部」，「固体撮像素子」とあるのを，それぞれ，「垂直伝送電極」，「垂直電荷転送部」，「インターライン型の固体撮像素子」と技術的に限定するものであるから，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そこで，次に，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が，特許法１７条の２第５項において準用する特許法１２６条５項の規定（独立特許要件）を満たすか否かについて検討する。
　
３　独立特許要件（容易想到性）
（１）本願補正発明
　平成１９年６月２２日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１の記載によれば，本願補正発明は，次のとおりである。
　
「半導体基板上で光電変換部に蓄積された電荷が垂直転送電極による読み出し電圧の印加によって読み出し部を越えて垂直電荷転送部に流れ込むとともに隣接する光電変換部から電荷が流れ込まないようにチャンネル・ストップ部が配設されてなるインターライン型の固体撮像素子であって，
　前記垂直電荷転送部及び前記チャンネル・ストップ部を下地として，シリコン酸化膜層，シリコン窒化膜層，及びシリコン酸化膜層からなるＭＯＮＯＳ構造で形成された膜厚が比較的厚い第１のゲート絶縁膜と，
　前記読み出し部を下地として，シリコン酸化膜層からなるＭＯＳ構造で形成された膜厚が比較的薄い第２のゲート絶縁膜と，
　前記第１及び第２のゲート絶縁膜の上に形成された垂直転送電極と，
を備えることを特徴とする固体撮像素子。」
　　
（２）引用例１の記載内容と引用発明
（２−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平３−１２５４７４号公報（以下「引用例１」という。）には，第１図〜第７図とともに，次の記載がある（下線は当審で付加したしたもの，以下同じ。）。
　　ア　産業上の利用分野及び従来の技術について
「（産業上の利用分野）
　
本発明は，固体撮像装置に関する
　（従来の技術）
　半導体を用いた固体撮像装置は，小型，軽量で信頼性も高いことから，従来の撮像管に代るものとしてその技術改良が急速に進展している。固体撮像装置の代表的なものに，ＣＣＤ撮像装置がある。
　
第７図（ａ）（ｂ）は，従来のＣＣＤ撮像装置の要部構成を示す平面図とそのＡ−Ａ’断面図である
ｐ
−
型シリコン基板１に，感光部としてのフォトダイオード２，このフォトダイオード２で光電変換されて蓄積された信号電荷を転送する信号電荷転送部３，およびフォトダイオード２の信号電荷を信号電荷転送部３に読出すための読出しチャネル部４（通常フィールドシフトゲートと呼ばれる）が形成されている
図では一画素に対応する一個のフォトダイオードのみ示しているが通常これが複数個マトリクス配列され，そのフォトダイオード配列に沿って複数本の信号電荷転送部が配列されて，二次元的ＣＣＤ撮像装置が構成される
フォトダイオード２は，基板１にｎ型拡散層５が形成されたｐｎ接合ダイオードにより構成されている
信号電荷転送部３は，基板１表面にｎ型拡散層６が形成され，この上にゲート絶縁膜７を介して転送電極８
１
，８
２
が形成された埋込みチャネル型ＣＣＤにより構成されている
転送電極８
２
は読出しチャネル部４の基板１上にまで延在して配設されて読出しチャネル部４の転送電極を兼ねている
フォトダイオード２，信号電荷転送部３および読出しチャネル部４以外の領域の基板表面にはチャネルストッパ層としてｐ型拡散層９が形成されている
素子形成された基板表面はＣＶＤ絶縁膜１０により覆われている
　
　　イ　発明が解決しようとする課題及び課題解決手段について
「（発明が解決しようとする課題）
　以上述べたように従来のＣＣＤ撮像装置では，フローティグの拡散層に蓄積された信号電荷が完全に転送部に読み出されずに，再生画像上で残像として現われ，特に多画素化，高密度化した場合に信号電荷読出し部に短チャネル効果が生じることにより残像現象が大きくなるという問題があった。
　本発明は，この様な短チャネル効果により顕著に現れる残像現象を効果的に低減した固体撮像装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　
本発明は，信号電荷蓄積部と信号電荷転送部，およびこれらの間を繋ぐ信号電荷読出しチャネル部を有する固体撮像装置において，前記信号電荷読出しチャネル部のゲート絶縁膜の膜厚を信号電荷転送部のそれより薄くしたことを特徴とする
　
　　ウ　実施例について
「（実施例）
　以下，本発明の実施例を説明する。
　
第１図（ａ）（ｂ）は，一実施例のＣＣＤ撮像装置の要部構造を示す
この実施例の構造が従来の構造と異なる点は，信号電荷読出しチャネル部４のゲート絶縁膜７
２
（第１図（ａ）の平面図の斜線領域）を信号電荷転送部３のゲート絶縁膜７
１
よりも薄くしていることである
　
第２図（ａ）〜（ｄ）は，この実施例の構造を得るための製造工程例である
ｐ
−
型シリコン基板１にまず，極薄い犠牲酸化膜（図示せず）を形成した状態で，（ａ）に示すように，フィールド領域にチャネルストッパとなるｐ型拡散層９を，感光部２のフォトダイオードを形成するためのｎ型拡散層５および，信号電荷転送部３の埋込みチャネルを形成するためのｎ型拡散層６を，それぞれイオン注入等により形成する
次いで犠牲酸化膜を除去した後，（ｂ）に示すように，熱酸化によって全面に信号電荷転送部３のゲート絶縁膜７
１
となる９００Å程度の酸化膜を形成する
その後フォトレジスト等のマスク（図示せず）をパターン形成した信号電荷読出しチャネル部４の酸化膜を選択エッチングしてその厚みを減じ，約６００Åのゲート絶縁膜７
２
とする
このとき，この領域の酸化膜を一旦すべてエッチング除去し，マスクを除去した後改めて熱酸化を行って６００Å程度のゲート酸絶縁膜７
２
を形成してもよい
　第３図（ａ）〜（ｄ）は別の製造工程例である。（ａ）に示すように各部の拡散層を形成するまでは先の例と同じである。その後この例では，（ｂ）に示すように信号電荷読出しチャネル部４のゲート絶縁膜７２として好ましい膜厚例えば６００Åの酸化膜を形成する。そして（ｃ）に示すように，信号電荷読出しチャネル部４の領域に例えばシリコン窒化膜からなる耐酸化性マスク２１を形成して，熱酸化を行って９００Å程度の厚い電荷転送部３のゲート絶縁膜７１を形成する。その後先の例と同様に，（ｄ）に示すように転送電極８１，８２を形成する。
　この実施例のＣＣＤ撮像装置では，信号電荷読出しチャネル部４のゲート絶縁膜７２が薄いため，短チャネル効果が抑制され，信号電荷読出しチャネル部４のチャネル長が従来と同じであっても，信号電荷読出し期間中弱反転状態で流れるリーク電流が従来より小さい。従ってフォトダイオードの残留電荷による再生画像上の残像が低減され，良質の画像が得られる。信号電荷読出しチャネル部４の面積は信号電荷転送部３の面積に比べると小さいから，この部分のゲート絶縁膜の膜厚を薄くしたことによる信頼性の低下はほとんど問題にならない。」（３頁左下欄１行〜４頁右上欄１行）
　
　　エ　図の符号について
「１・・・ｐ−型シリコン基板，２・・・フォトダイオード（感光部），３・・・信号電荷転送部，４・・・信号電荷読出しチャネル部，５・・・ｎ型拡散層，６・・・ｎ型拡散層，７１，７２・・・ゲート絶縁膜，８１，８２・・・転送電極，９・・・ｐ型層」（５頁左上欄下から５行〜末行）
　
　　オ　第１図（ａ），（ｂ）について
　第１図（ａ），（ｂ）は，一実施例に係るＣＣＤ撮像装置の一部の平面図及び断面図である。
　上記アの前提技術の説明も参照すると，第１図（ａ）から，感光部となるフォトダイオード２がマトリクス状に配列され，フォトダイオード２には横方向に信号電荷読出しチャネル部４が設けられ，さらに，フォトダイオード２の配列に沿って垂直に信号電荷転送部３が設けられていることが分かる。
　また，上記ウの記載も参照すると，第１図（ｂ）から，信号電荷転送部３の埋め込みチャネルを形成するための拡散層６とチャネルストッパとなる拡散層９の上のゲート絶縁膜７１は比較的厚く，信号電荷読出しチャネル部４の上のゲート絶縁膜７２は比較的薄く形成されていることが分かる。さらに，転送電極８１，８２は，ゲート絶縁膜７１とゲート絶縁膜７２ の上に形成されていることが明らかである。
　
（２−２）引用発明
　上記ア〜オによれば，引用例１には，次の発明が記載されている（以下，この発明を「引用発明」という。）。
　
「シリコン基板１上に，ｐｎ接合ダイオードにより構成されたフォトダイオード（感光部）２が複数個マトリクス配列され，このフォトダイオード配列に沿って複数本の信号電荷転送部３が配列され，フォトダイオード２で光電変換されて蓄積された信号電荷を信号電荷転送部３に読み出すための読出しチャネル部４と，チャネルストッパとなる拡散層９とを有してなるＣＣＤ撮像装置であって，
　信号電荷転送部３の埋め込みチャネルを形成するための拡散層６とチャネルストッパとなる拡散層９の上に設けられた，熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる比較的厚いゲート絶縁膜７１と，
　信号電荷読出しチャネル部４の上に設けられた，熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる比較的薄いゲート絶縁膜７２と，
　ゲート絶縁膜７１及びゲート絶縁膜７２ の上に形成された転送電極８１，８２と，
を備えるＣＣＤ撮像装置。」
　
（３）本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点
（３−１）対比
　　ア（ア）引用発明の「ＣＣＤ撮像装置」は，本願補正発明の「固体撮像素子」に相当する。
　　　（イ）引用発明の「フォトダイオード（感光部）２」は，本願補正発明の「光電変換部」に相当する。また，引用発明の「信号電荷転送部３」，「転送電極８１，８２」は，それぞれ，本願補正発明の「垂直電荷転送部」，「垂直転送電極」に相当する。
　　　（ウ）引用発明の「ＣＣＤ撮像装置」も，フォトダイオード（感光部）２が複数個マトリクス配列され，このフォトダイオード配列に沿って複数本の信号電荷転送部３が配列されているから，いわゆる「インターライン型の固体撮像素子」といえる。
　　　（エ）引用発明において，感光部（本願補正発明の光電変換部）に蓄積された電荷は，転送電極８１，８２によるゲート絶縁膜７２への読出し電圧の印加により，チャネル部４を越えて信号電荷転送部３に流れ込むようになっているものと理解できるから，引用発明の「読出しチャネル部４」は，本願補正発明の「読み出し部」に相当する。
　　　（オ）引用発明の「チャネルストッパとなる拡散層９」は，隣接する感光部（本願補正発明の光電変換部）から電荷が流れ込まないようにするためのものであることが明らかであるから，本願補正発明の「チャンネル・ストップ部」に相当する。
　　　（カ）引用発明の「ゲート絶縁膜７１」及び「ゲート絶縁膜７２」は，本願補正発明の「第１のゲート絶縁膜」及び「第２のゲート絶縁膜」に相当する（材料・構造の違いについては後出の相違点で述べる）。
　　イ　以上によれば，引用発明の，「シリコン基板１上に，ｐｎ接合ダイオードにより構成されたフォトダイオード（感光部）２が複数個マトリクス配列され，このフォトダイオード配列に沿って複数本の信号電荷転送部３が配列され，フォトダイオード２で光電変換されて蓄積された信号電荷を信号電荷転送部３に読み出すための読出しチャネル部４と，チャネルストッパとなる拡散層９とを有してなるＣＣＤ撮像装置」との構成と，本願補正発明の，「半導体基板上で光電変換部に蓄積された電荷が垂直転送電極による読み出し電圧の印加によって読み出し部を越えて垂直電荷転送部に流れ込むとともに隣接する光電変換部から電荷が流れ込まないようにチャンネル・ストップ部が配設されてなるインターライン型の固体撮像素子」との構成は，表現は異なるものの，内容は同じである。
　　ウ　また，引用発明の，「信号電荷転送部３の埋め込みチャネルを形成するための拡散層６とチャネルストッパとなる拡散層９の上に設けられた，熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる比較的厚いゲート絶縁膜７１と，信号電荷読出しチャネル部４の上に設けられた，熱酸化膜（シリコン酸化膜）からなる比較的薄いゲート絶縁膜７２と」との構成と，本願補正発明の，「垂直電荷転送部及びチャンネル・ストップ部を下地として，シリコン酸化膜層，シリコン窒化膜層，及びシリコン酸化膜層からなるＭＯＮＯＳ構造で形成された膜厚が比較的厚い第１のゲート絶縁膜と，読み出し部を下地として，シリコン酸化膜層からなるＭＯＳ構造で形成された膜厚が比較的薄い第２のゲート絶縁膜と」との構成は，両者とも，「垂直電荷転送部及びチャンネル・ストップ部を下地として，形成された膜厚が比較的厚い第１のゲート絶縁膜と，前記読み出し部を下地として，形成された膜厚が比較的薄い第２のゲート絶縁膜と」を有する点で共通する。
　
（３−２）そうすると，本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。　
　
《一致点》
「半導体基板上で光電変換部に蓄積された電荷が垂直転送電極による読み出し電圧の印加によって読み出し部を越えて垂直電荷転送部に流れ込むとともに隣接する光電変換部から電荷が流れ込まないようにチャンネル・ストップ部が配設されてなるインターライン型の固体撮像素子であって，
　前記垂直電荷転送部及び前記チャンネル・ストップ部を下地として，形成された膜厚が比較的厚い第１のゲート絶縁膜と，
　前記読み出し部を下地として，形成された膜厚が比較的薄い第２のゲート絶縁膜と，
　前記第１及び第２のゲート絶縁膜の上に形成された垂直転送電極と，
を備えることを特徴とする固体撮像素子。」
　
《相違点》
　本願補正発明では，「比較的厚い第１のゲート絶縁膜」は，「シリコン酸化膜層，シリコン窒化膜層，及びシリコン酸化膜層からなるＭＯＮＯＳ構造」で形成され，「比較的薄い第２のゲート絶縁膜」は，「シリコン酸化膜層からなるＭＯＳ構造」で形成されているのに対し，引用発明では，「比較的厚い第１のゲート絶縁膜」と「比較的薄い第２のゲート絶縁膜」が，ともに「熱酸化膜（シリコン酸化膜）」（シリコン酸化層からなるＭＯＳ構造）で形成されている点。
　
（４）相違点についての検討
　相違点の検討に先だって，引用例２の記載内容を確認する。
（４−１）引用例２の記載内容
　　ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平６−２９１３０８号公報（以下「引用例２」という。）には，図１〜４とともに，次の記載がある。
　　（ア）　産業上の利用分野等
「【０００１】【産業上の利用分野】
本発明は，絶縁ゲート型トランジスタとその製造方法に関する
【０００２】【従来の技術】
固体撮像装置の出力部に用いられるＭＯＳトランジスタ
【０００３】【発明が解決しようとする課題】しかしながら，膜厚が１００ｎｍ程度の厚いフィールド酸化膜をエッチングすることにより，ＭＯＳトランジスタのゲート幅を規定したのでは，ゲート幅の微細化ができない。すなわち，フィールド酸化膜の膜厚が厚いためにエッチングプロセスのばらつきが大きくなるためである。このようにゲート幅を微細化できないと，ゲート容量が大きくなるので，例えば固体撮像装置の出力部に用いられるＭＯＳトランジスタでは，信号電荷を電圧に変換する際の効率が大幅に低下する。
【０００４】
本発明は，ＭＯＳトランジスタの実効ゲート幅を微細化するのに優れている絶縁ゲート型トランジスタとその製造方法を提供することを目的とする
【０００５】【課題を解決するための手段】本発明は，上記目的を達成するためになされた絶縁ゲート型トランジスタとその製造方法である。すなわち，
絶縁ゲート型トランジスタとしては，半導体基体における実効チャネル領域が形成される上面に形成した第１のゲート絶縁膜と，これよりも膜厚が厚いものでその両側に連続して形成した第２のゲート絶縁膜と，第１，第２の絶縁膜を横切る状態にそれら第１，第２のゲート絶縁膜の上に形成したゲート電極と，このゲート電極の両側における半導体基体の上層側に形成したソース・ドレイン領域とよりなる
　　（イ）　第１の実施例について
「【０００９】【実施例】本発明の第１の実施例を図１の絶縁ゲート型トランジスタの説明図により説明する。図では，上側の（１）にレイアウト図を示し，下側の（２）にＡ−Ａ線概略断面図を示す。
【００１０】図に示すように，半導体基体１１の上層側には，絶縁ゲート型トランジスタ１が形成される領域の側周を囲む状態に，フィールド酸化膜２１が形成されている。
【００１１】
上記半導体基体１１における絶縁ゲート型トランジスタの実効チャネル領域３１が形成される上面には，第１のゲート絶縁膜１２が形成されている
この第１のゲート絶縁膜１２は，例えば膜厚が２０ｎｍの酸化シリコンよりなる
また上記第１のゲート絶縁膜１２の両側における当該半導体基体１１の上面には，当該第１のゲート絶縁膜１２よりも膜厚が厚い第２のゲート絶縁膜１３が，当該第１のゲート絶縁膜１２に連続した状態に形成されている
この第２のゲート絶縁膜１３は，例えば膜厚が５０ｎｍの酸化シリコンよりなる
　　（ウ）　第２の実施例について
「【００２１】次に第２の実施例として，
第２のゲート絶縁膜をいわゆる酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とよりなる積層構造に形成した絶縁ゲート型トランジスタを図３により説明する
【００２２】図に示すように，半導体基体１１の上層側には，絶縁ゲート型トランジスタ１が形成される領域の側周を囲む状態に，フィールド酸化膜２１が形成されている。
【００２３】上記半導体基体１１における絶縁ゲート型トランジスタの実効チャネル領域３１が形成される上面には，第１のゲート絶縁膜１２が形成されている。この
第１のゲート絶縁膜１２は，例えば酸化シリコンよりなる
上記第１のゲート絶縁膜１２の両側における当該半導体基体１１の上面には，当該第１のゲート絶縁膜１２よりも膜厚が厚い第２のゲート絶縁膜１３が形成されている
第２のゲート絶縁膜１３は，例えば酸化シリコン膜１７と窒化シリコン膜１８と酸化シリコン膜１９とを積層した構造になっている
少なくとも酸化シリコン膜１８と上記第１のゲート絶縁膜１２とは連続した状態に形成されている
【００２４】さらに上記第１，第２の絶縁膜１２，１３の上面には，当該第１，第２のゲート絶縁膜１２，１３を横切る状態に，ゲート電極１４が形成されている。また上記ゲート電極１４の両側における半導体基体１１の上層側にはソース・ドレイン領域１５，１６（斜線で示す領域）が形成されている。
このように，絶縁ゲート型トランジスタ２は，第１のゲート絶縁膜１２上ではＭＯＳ構造のトランジスタになり，第２のゲート絶縁膜１３上ではＭＯＮＯＳ構造のトランジスタになる
　
　　イ　上記（ア）〜（ウ）によれば，引用例２には，出力部ではあるものの，固体撮像装置に用いられるＭＯＳトランジスタにおいて，ゲート絶縁膜を，連続する薄い第１ゲートと厚い第２ゲートで構成することが記載されており，具体的な実施例として，両方ともＭＯＳ構造とした例（実施例１）と，厚い方にＭＯＮＯＳ構造を薄い方にＭＯＳ構造を採用した例（実施例２）が示されていることがわかる。
　
（４−２）相違点についての判断
　　ア　上記（３−２）で認定したように，本願補正発明と引用発明の相違点は，本願補正発明では，「比較的厚い第１のゲート絶縁膜」は，「シリコン酸化膜層，シリコン窒化膜層，及びシリコン酸化膜層からなるＭＯＮＯＳ構造」で形成され，「比較的薄い第２のゲート絶縁膜」は，「シリコン酸化膜層からなるＭＯＳ構造」で形成されているのに対し，引用発明では，「比較的厚い第１のゲート絶縁膜」と「比較的薄い第２のゲート絶縁膜」が，ともに「熱酸化膜（シリコン酸化膜）」（シリコン酸化層からなるＭＯＳ構造）で形成されている点である。
　
　　イ　一方，上記（４−１）で見たように，引用例２には，出力部ではあるものの，固体撮像装置に用いられるＭＯＳトランジスタにおいて，ゲート絶縁膜を，連続する薄い第１ゲートと厚い第２ゲートで構成すること，その具体的な実施例として，両方ともＭＯＳ構造とした例と，厚い方にＭＯＮＯＳ構造を薄い方にＭＯＳ構造を採用した例が開示されている。
　引用例１は，本願の出願時より１０年以上前の平成３年の公開特許公報であるが，その後の技術開発により，本願の出願時には，ゲート絶縁膜として，ＭＯＳ構造だけでなく，ＭＯＮＯＳ構造のものを採用することが一般に知られていたものと認められる（これについては，以下の（４−３）で述べる。）。
　そうすると，引用発明の比較的薄い第１ゲート絶縁膜はＭＯＳ構造のままとし，比較的厚い第２ゲートにＭＯＮＯＳ構造とするよう設計変更することは，本願の出願前に引用例１の記載（引用発明）に接した当業者に普通に期待できることである。
　
（４−３）ＭＯＮＯＳ構造のゲート絶縁膜の一般的技術水準について
　・特開平９−２６６２９５号公報（撮像素子の製造方法）
　撮像素子を構成する転送電極にＭＯＳ又はＭＯＮＯＳを用いることが記載されている（段落【００２２】，【００２８】）。
　・特開平８−１２５１５９号公報（ＣＣＤ固体撮像素子の製造方法）　　
　撮像素子を構成する転送電極にＭＯＮＯＳ構造のものを用いることが，従来技術として，記載されている（段落【０００１】，【０００３】）。
　・特開平６−２４４３９８号公報（固体撮像装置のフォトセンサ）
　第１の絶縁膜にＭＯＮＯＳ構造のものを，第２の絶縁膜に酸化シリコンよりなる膜（ＭＯＳ構造）を用いることが記載されている（段落【００２５】，【００２８】）。　
　・特開平５−２０６４３８号公報（固体撮像素子）
　撮像素子を構成するＭＩＳゲートの構造として主流となっているのが，ＭＯＳ構造とＭＯＮＯＳ構造のものであることが，従来技術として記載されている（段落【０００４】）。ＭＯＮＯＳ構造は，膜厚が均一にできる点で有利であり，ＭＯＳ構造は膜厚を薄くできる点で有利であることも記載されている（段落【００１０】，【００１１】）。
　・特開平３−１０９７４２号公報（電荷転送装置）　
　電荷転送装置の転送電極をＭＯＮＯＳ構造のものとすることが記載されている（１頁右下欄８行〜１２行の「産業上の利用分野」の記載）。
　・特開平２−８４７４２号公報（電荷転送装置のパターン形成法）
　電荷転送装置の転送電極にはＭＯＳ構造のものもＭＯＮＯＳ構造のものも使えることが記載されている（４頁左下欄下から４行〜２行）。
　
　以上によれば，固体撮像素子のゲート絶縁膜にＭＯＳ構造又はこれに代えてＭＯＮＯＳ構造のもの用いることは，本願の出願時（平成１４年）において当業者に一般的に知られていたものと認められる。
　
（４−４）しがたって，本願補正発明は，本願出願時の一般的技術水準に照らして，引用発明に引用例２に記載の技術を適用することにより，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４−５）審判請求人は，審判請求の理由において，「これに対し，本願発明は，別途提出の手続補正書の請求項１に記載されているように，垂直電荷転送部とともにチャンネル・ストップ部を下地とした第１のゲート絶縁膜を，前記読み出し部を下地とした第２のゲート絶縁膜よりも膜圧を比較的厚く形成している，すなわち「チャンネル・ストップ部７のバリアは，読み出し部２のバリアよりも高く設定」して，「読み出し電圧ＶＴを印加したときに，フォト・ダイオード部１の蓄積電荷が隣接する画素単位の垂直転送部３'に誤って流れ込むことを防止する」ことができる。」と主張する。
　しかし，本件補正に係る請求項１には，第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜の厚さの関係については限定されているが，ゲート絶縁膜上に形成される電極の配置とチャンネル・ストップ部の配置について何ら規定されていないから，読み出し電圧ＶＴを印加したときにチャンネル・ストップ部のバリアが直ちに影響を受けるということはできない。
　また，引用発明においても，チャネルストッパとなる領域９（チャンネル・ストップ部）は，フォトダイオードの蓄積電荷が隣接領域に流れ込むことを防止するために設けられているのであるから，チャネルストッパとなる領域９のバリアは，信号電荷読出しチャネル部４のバリアよりも高く設定されているものと理解できる。
　したがって，審判請求人の上記主張は採用できない。
　審判請求人は，さらに，平成２２年１月５日に提出された回答書において，本願発明に係る固体撮像素子は，埋め込みダイオードのセンサ構造であり，完全空乏型のものであるので，引用発明とは異なる課題が生じる旨の主張をしている。
　しかし，本件補正に係る請求項１には，このような限定はなく，引用発明との相違点とはならない。
　
（５）以上検討したとおり，本願補正発明は，本願出願時の一般的技術水準に照らして，引用発明に引用例２に記載の技術を適用することにより，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，独立して特許を受けることができない。
　
４　したがって，本件補正は，平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項の規定に違反するので，特許法１５９条１項において読み替えて準用する特許法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明 
１　以上のとおり，本件補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の請求項１（平成１９年３月２９日に提出された手続補正書により補正された請求項１）に記載された，次のとおりのものである。 
 　 
「半導体基板上で光電変換部に蓄積された電荷が転送電極による読み出し電圧の印加によって読み出し部を越えて電荷転送部に流れ込むとともに隣接する光電変換部から電荷が流れ込まないようにチャンネル・ストップ部が配設されてなる固体撮像素子であって，
　前記電荷転送部及び前記チャンネル・ストップ部を下地として，シリコン酸化膜層，シリコン窒化膜層，及びシリコン酸化膜層からなるＭＯＮＯＳ構造で形成された膜厚が比較的厚い第１のゲート絶縁膜と，
　前記読み出し部を下地として，シリコン酸化膜層からなるＭＯＳ構造で形成された膜厚が比較的薄い第２のゲート絶縁膜と，
　前記第１及び第２のゲート絶縁膜の上に形成された転送電極と，
を備えることを特徴とする固体撮像素子。」
 　 
２　引用発明及び引用例２の記載については，それぞれ，前記第２の３（２）及び（４−１）において認定したとおりである。
　
３　対比・判断 
　前記第２の２で検討したように，本件補正後の請求項１の内容（本願補正発明）は，本件補正前の請求項１に，「転送電極」，「電荷転送部」，「固体撮像素子」とあるのを，それぞれ，「垂直伝送電極」，「垂直電荷転送部」，「インターライン型の固体撮像素子」と，技術的に限定するものである。逆に言えば，本件補正前の発明（本願発明）は，本願補正発明から，上記の限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定した本願補正発明が，本願出願時の一般的技術水準に照らして，引用発明及び引用例２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものなのであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
第４　結言 
 　以上のとおり，本願発明は，本願出願時の一般的技術水準に照らして，引用発明及び引用例２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
 　よって，結論のとおり審決する。