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【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色材成分を含有する水性インクを、該水性インク中の該色材成分と接触して凝集体を形成する凝集液が付与された中間転写体の画像形成面にインクジェット記録方法で付与することにより中間画像を形成する中間画像形成工程と、該中間画像が形成された該画像形成面に記録媒体を圧着して該中間画像を該画像形成面から該記録媒体へ転写する転写工程とを有する転写型インクジェット記録方法に用いる中間転写体であって、
該画像形成面が、ポリテトラフルオロエチレンを含有する樹脂を２軸延伸することにより得られた多孔質体で形成されており、該画像形成面における該凝集液の接触角が９０°以上であり、該画像形成面における該水性インクの接触角が９０°未満であることを特徴とする転写型インクジェット記録用中間転写体。
【請求項２】
前記多孔質体のフィブリルの平均太さが０．５μｍ以下である請求項１に記載の転写型インクジェット記録用中間転写体。
【請求項３】
前記多孔質体のノード−ノード間の平均距離が１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１または２に記載の転写型インクジェット記録用中間転写体。
【請求項４】
前記多孔質体の透気度が４μｍ／Ｐａ・ｓ以上である請求項１から３のいずれかに記載の転写型インクジェット記録用中間転写体。
【請求項５】
色材成分を含有する水性インクを、該水性インク中の該色材成分と接触して凝集体を形成する凝集液が付与された中間転写体の画像形成面にインクジェット記録方法で付与することにより中間画像を形成する中間画像形成工程と、該中間画像が形成された該画像形成面に記録媒体を圧着して該中間画像を該画像形成面から該記録媒体へ転写する転写工程とを有する転写型インクジェット記録方法に用いる中間転写体であって、
該画像形成面が、ポリテトラフルオロエチレンを含有する樹脂を２軸延伸することにより得られた多孔質体で形成されており、下記の条件１及び条件２を満たすことを特徴とする転写型インクジェット記録用中間転写体。
＜条件１＞
該中間転写体の該画像形成面における、塩化カルシウム（ＣａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）の１０質量％水溶液の接触角が９０°以上である。
＜条件２＞
該中間転写体の該画像形成面における、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５（３質量部）、酸価２４０、重量平均分子量５０００のスチレン−アクリル酸−アクリル酸エチル共重合体（１質量部）、グリセリン（１０質量部）、エチレングリコール（５質量部）、及びイオン交換水（８１質量部）から構成されるインクの接触角が９０°未満である。
【請求項６】
色材成分を含有する水性インクを該水性インク中の該色材成分と接触して凝集体を形成する凝集液が付与された中間転写体の画像形成面にインクジェット記録方法で付与することにより中間画像を形成する中間画像形成工程と、該中間画像が形成された該画像形成面に記録媒体を圧着して該中間画像を該画像形成面から該記録媒体へ転写する転写工程とを有する転写型インクジェット記録方法であって、
前記画像形成面に、ポリテトラフルオロエチレンを含有する樹脂を２軸延伸することで得られた多孔質体を用い、
該画像形成面における該凝集液の接触角が９０°以上であり、該画像形成面における該水性インクの接触角が９０°未満であることを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
即ち、本発明は、色材成分を含有する水性インクを、該水性インク中の該色材成分と接触して凝集体を形成する凝集液が付与された中間転写体の画像形成面に、インクジェット記録方法で付与することにより中間画像を形成する中間画像形成工程と、該中間画像が形成された中間転写体に記録媒体を圧着して該中間画像を該中間転写体から該記録媒体へ転写する転写工程とを有する転写型インクジェット記録方法に用いる中間転写体であって、該中間転写体の画像形成面が、ポリテトラフルオロエチレンを含有する樹脂を２軸延伸することにより得られた多孔質体で形成されており、該画像形成面における該凝集液の接触角が９０°以上であり、該画像形成面における該水性インクの接触角が９０°未満であることを特徴とする中間転写体を提供することで上述の課題を解決することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の色成分について、記録媒体上の同一領域に対して、複数回記録することにより画像を形成するための処理を行う画像処理装置であって、
前記画像を形成したときの変動量を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された変動量における周波数特性を解析する解析手段と、
前記解析手段による解析結果に基づいて、前記変動量に対する補正量を決定する決定手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記解析結果により、前記変動量の周波数特性における低周波成分が所定値よりも大きい場合に、前記変動量に対する補正量を決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記変動量を微分した結果から前記補正量を決定することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
さらに、前記解析手段による解析結果に基づいて、前記同一領域に対して記録する回数を決定する第２の決定手段を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第２の決定手段は、前記解析手段による解析結果において、最も振幅スペクトルの大きい周波数に基づいて、前記回数を決定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
さらに、前記決定手段により決定された補正量を用いて前記画像を補正した結果を評価する評価手段を有し、
前記第２の決定手段は、前記評価手段による評価結果に応じて、前記回数の決定を行うことを特徴とする請求項４または５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
さらに、前記決定手段により決定された補正量を用いた補正処理を行うかどうか、また、前記第２の決定手段により決定された回数で前記画像を形成するかどうか、をユーザに選択させる選択手段を有することを特徴とする請求項４乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
コンピュータに読み込み実行させることで、前記コンピュータを請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項９】
同一の色成分について、記録媒体上の同一領域に対して、複数回記録することにより画像を形成するための処理を行う画像処理装置による画像処理方法であって、
前記画像を形成したときの変動量を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された変動量における周波数特性を解析する解析ステップと、
前記解析ステップによる解析結果に基づいて、前記変動量に対する補正量を決定する決定ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像処理装置と、
前記決定手段により決定された補正量を用いた補正処理が施された画像を前記記録媒体上に形成する形成手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、記録媒体に画像を形成するための処理の技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の画像処理装置は、同一の色成分について、記録媒体上の同一領域に対して、複数回記録することにより画像を形成するための処理を行う画像処理装置であって、前記画像を形成したときの変動量を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された変動量における周波数特性を解析する解析手段と、前記解析手段による解析結果に基づいて、前記変動量に対する補正量を決定する決定手段と、を有する。
また、本発明は、上述した画像処理装置による画像処理方法、コンピュータを上述した画像処理装置として機能させるコンピュータプログラム、及び、上述した画像処理装置を含む画像形成装置を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層を有し、
第２の導電層を有し、
前記第１の導電層上に、チタンと酸素とを含む第１の層を有し、
前記第２の導電層上に、チタンと酸素とを含む第２の層を有し、
前記第１の層上及び前記第２の層上に、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを含む半導体層を有し、
前記半導体層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第３の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の層と前記半導体層との間に、チタンとインジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを含む第３の層を有し、
前記第２の層と前記半導体層との間に、チタンとインジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを含む第４の層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１乃至第４の層は、インジウム、ガリウム、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム、鉄、錫、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウム、ホウ素、タリウム、ゲルマニウム、鉛のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層上にｎ型の導電型を有する第１のバッファ層と、
前記ドレイン電極層上にｎ型の導電型を有する第２のバッファ層と、
前記第１及び第２のバッファ層上に酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なり、且つ前記ゲート絶縁層に接する領域を有し、
前記第１及び第２のバッファ層のキャリア濃度は、前記酸化物半導体層のキャリア濃度より高く、
前記酸化物半導体層は、前記第１のバッファ層を介して前記ソース電極層と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記第２のバッファ層を介して前記ドレイン電極層と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１及び第２のバッファ層はｎ型を付与する不純物元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度は１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満であり、
前記第１及び第２のバッファ層のキャリア濃度は１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層と前記第１のバッファ層の間に第３のバッファ層と、
前記酸化物半導体層と前記第２のバッファ層の間に第４のバッファ層とを有し、
前記第３のバッファ層のキャリア濃度は前記酸化物半導体層より高く、前記第１のバッファ層より低く、
前記第４のバッファ層のキャリア濃度は前記酸化物半導体層より高く、前記第２のバッファ層より低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層はチタンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記ドレイン電極層の側面と対向する前記ソース電極層の側面は、前記第１のバッファ層で覆われ、
前記ソース電極層の側面と対向する前記ドレイン電極層の側面は、第２のバッファ層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１及び第２のバッファ層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１及び第２のバッファ層はマグネシウム、アルミニウム、又はチタンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上にｎ型の導電型を有するバッファ層を形成し、
前記バッファ層上に酸化物半導体層を形成し、
前記バッファ層のキャリア濃度は、前記酸化物半導体層のキャリア濃度より高く、
前記酸化物半導体層は、前記バッファ層を介して前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なり、且つ前記ゲート絶縁層に接する領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度は１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満とし、
前記バッファ層のキャリア濃度は１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一項において、
前記のバッファ層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか一項において、
前記バッファ層にマグネシウム、アルミニウム、又はチタンを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第２の導電層を有し、
前記絶縁層上に第３の導電層を有し、
前記第２の導電層上に、チタンと酸素とを含む第１の層を有し、
前記第３の導電層上に、チタンと酸素とを含む第２の層を有し、
前記第１の層上、前記第２の層上、及び前記第１の層と前記第２の層の間の前記絶縁層上に、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを含む半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間隔は、前記第１の層と前記第２の層との間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の層及び前記第２の層は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛、錫のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第１の層と前記半導体層との間に、前記第１の層よりもキャリア濃度が低く前記半導体層よりもキャリア濃度が高い第３の層を有し、
前記第２の層と前記半導体層との間に、前記第２の層よりもキャリア濃度が低く前記半導体層よりもキャリア濃度が高い第４の層を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月20日(2011.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を形成し、
前記酸化物半導体膜上のｎ型の導電型を有する膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記導電膜と、前記ｎ型の導電型を有する膜と、前記酸化物半導体膜とをエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性の基板上に遮光性のゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に透光性のゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に透光性の絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、
前記ゲート電極をフォトマスクとして、前記フォトレジストに基板側から露光してレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いてチャネル保護層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記チャネル保護層上にｎ型の導電型を有する膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記導電膜と、前記ｎ型の導電型を有する膜と、前記酸化物半導体膜とをエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記レジストマスクを用いて前記チャネル保護層を形成する際、前記酸化物半導体膜の表面がエッチングされることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は透光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記チャネル保護層をエッチングストッパーとして機能させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜を酸素が９０％以上の雰囲気において、スパッタリング法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は非晶質を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜を加熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜にプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記バッファ層は、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、又は酸化錫を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ、及び当該薄膜トランジスタを有する表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート電極層の一部と重畳し、前記第１のゲート絶縁層上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層とオーミック接触する層を介して前記第２の半導体層上のソース電極及びドレイン電極層と、
前記第２の半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極層上の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層上に、前記第２の半導体層のバックチャネル部と重畳する第２のゲート電極層と、を有し、
前記第２の半導体層は非晶質半導体層であり、
前記第１の半導体層は前記第２の半導体層よりも導電性が高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の半導体層は、一導電性を付与する不純物元素が添加された微結晶半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の半導体層は、非晶質構造中に結晶領域を有し、且つ窒素又はＮＨ基を含む半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート電極層の一部と重畳し、前記第１のゲート絶縁層上の導電層と、
前記導電層上の半導体層と、
前記半導体層とオーミック接触する層を介して前記半導体層上のソース電極及びドレイン電極層と、
前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極層上の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層上に、前記半導体層のバックチャネル部と重畳する、前記第２のゲート絶縁層上に第２のゲート電極層と、を有し、
前記半導体層は非晶質半導体層であり、
前記導電層は、第１の領域と第２の領域に分離され、
前記導電層の第１の領域は、前記ソース電極及びドレイン電極層の一方と重畳し、且つ前記ソース電極及びドレイン電極層の他方と重畳せずして設けられ、
前記導電層の第２の領域は、前記前記ソース電極及びドレイン電極層の他方と重畳し、且つ前記ソース電極及びドレイン電極層の一方と重畳せずして設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート電極層の一部と重畳し、前記第１のゲート絶縁層上の導電層と、
前記導電層上の半導体層と、
前記半導体層とオーミック接触する層を介して前記半導体層上のソース電極及びドレイン電極層と、
前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極層上の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層上に、前記半導体層のバックチャネル部と重畳する、前記第２のゲート絶縁層上に第２のゲート電極層と、を有し、
前記半導体層は非晶質半導体層であり、
前記導電層は、前記ソース電極及びドレイン電極層の一方と重畳し、他方と重畳せずして設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート電極層の一部と重畳し、前記第１のゲート絶縁層上の導電層と、
前記導電層上の半導体層と、
前記半導体層とオーミック接触する層を介して前記半導体層上のソース電極及びドレイン電極層と、
前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極層上の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層上に、前記半導体層のバックチャネル部と重畳する第２のゲート電極層と、を有し、
前記半導体層は非晶質半導体層であり、
前記導電層と前記ソース電極及びドレイン電極層は重畳しない領域に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記導電層は、一導電性を付与する不純物元素が添加された微結晶半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記導電層は、非晶質構造中に結晶領域を有し、且つ窒素又はＮＨ基を含む半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
前記第２のゲート電極層は画素電極層と同層で同時に形成された電極層であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性体からなるスピンホール効果層を備え湾曲部を有するスピンホール効果素子と、
前記スピンホール効果素子に電流を流す一対の電極端子と、
前記一対の電極端子に接続された電源とを有し、
前記湾曲部の湾曲内側領域に蓄積される偏極スピン電子により磁界を発生させることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果層は一部を切欠いた部分環、あるいは前記部分環が複数連なった形状を有することを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項３】
請求項１記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果素子は前記スピンホール効果層と強磁性体層とが積層された積層膜を含み、前記スピンホール効果層の厚みは当該スピンホール効果層を構成する材料のスピン拡散長の２倍以下であることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項４】
請求項３記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果層と前記強磁性体層の間に高抵抗膜を有することを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項５】
請求項４記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記高抵抗膜はＡｌＯXであることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項６】
請求項１記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果素子は前記スピンホール効果層に非磁性絶縁層を介して強磁性体層がトンネル接合している積層膜を含むことを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項７】
請求項６記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記非磁性絶縁層は酸化マグネシウムＭｇＯからなることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項８】
請求項１記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果層の幅は当該スピンホール効果層を構成する材料のスピン拡散長の３倍よりも広いことを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項９】
請求項１記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果層は、原子番号がＣｕより大きな非磁性元素、又はガリウム砒素、インジウム砒素、アルミニウム砒素、インジウムガリウム砒素、インジウムガリウム窒素−ガリウム窒素超格子、テルル化水銀、セレン化水銀、β−硫化水素、α−スズ、テルル化鉛、セレン化鉛、硫化鉛からなる群の中から選択された化合物半導体、又はガリウム砒素系半導体であることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項１０】
請求項１記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果素子は一部を切欠いた１つの部分環からなる形状を有し、前記スピンホール効果素子の膜面に垂直な方向の磁界を発生させることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項１１】
請求項１記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果素子は一部を切欠いた部分環が２つ連なった形状を有し、前記スピンホール効果素子の膜面に平行な方向の磁界を発生させることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項１２】
請求項１記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記スピンホール効果素子の前記湾曲部に非磁性絶縁層を介して強磁性層が配置されていることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項１３】
請求項１２記載の局所磁界発生デバイスにおいて、前記強磁性層はＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅからなる群の中から選択される元素、あるいはそれらのうち少なくとも一種類を主成分として含有している合金あるいは化合物からなることを特徴とする局所磁界発生デバイス。
【請求項１４】
非磁性体からなるスピンホール効果層を備え湾曲部を有するスピンホール効果素子と、
前記スピンホール効果素子に電流を流す一対の電極端子と、
前記一対の電極端子に接続された電源と、
前記スピンホール効果素子の前記湾曲部の湾曲内側領域に蓄積される偏極スピン電子により発生される磁界を磁気記録媒体に印加するための開口を有する磁気シールドとを有することを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
非磁性体からなるスピンホール効果層と非磁性絶縁体層と非磁性伝導層を積層した積層膜を備え、湾曲部を有するスピンホール効果素子と、
前記湾曲部の湾曲内側領域に配置された強磁性体芯と、
前記非磁性伝導層から前記強磁性体芯に電流を印加する手段と、
前記スピンホール効果層の両端に接続された一対の電極端子とを備え、
前記強磁性体芯の磁化状態に応じて前記強磁性体芯から前記スピンホール効果層へ注入される偏極スピン電子により前記一対の電極間に発生する電圧を検出することを特徴とする局所磁界検知デバイス。
【請求項１６】
非磁性体からなるスピンホール効果層と非磁性絶縁体層と非磁性伝導層を積層した積層膜を備え、湾曲部を有するスピンホール効果素子と、
前記湾曲部の湾曲内側領域に配置された強磁性体芯と、
前記非磁性伝導層から前記強磁性体芯に電流を印加する手段と、
前記スピンホール効果層の両端に接続された一対の電極端子と、
磁気記録媒体からの漏れ磁場を前記強磁性体芯に導入するための開口を有する磁気シールドと
を有することを特徴とする磁気再生ヘッド。
【請求項１７】
非磁性体からなる第１のスピンホール効果層を備え湾曲部を有する第１のスピンホール効果素子と、前記第１のスピンホール効果素子に電流を流す一対の電極端子と、前記一対の電極端子に接続された電源とを有し、前記湾曲部の湾曲内側領域に蓄積される偏極スピン電子により磁界を発生させる局所磁界発生デバイスと、
非磁性体からなる第２のスピンホール効果層と非磁性絶縁体層と非磁性伝導層を積層した積層膜を備え、湾曲部を有する第２のスピンホール効果素子と、前記湾曲部の湾曲内側領域に配置された強磁性体芯と、前記非磁性伝導層から前記強磁性体芯に電流を印加する手段と、前記第２のスピンホール効果層の両端に接続された一対の電極端子とを備え、前記強磁性体芯の磁化状態に応じて前記強磁性体芯から前記スピンホール効果層へ注入される偏極スピン電子により前記一対の電極間に発生する電圧を検出する局所磁界検知デバイスと、
前記局所磁界発生デバイスと前記局所磁界検知デバイスの間に配置された非磁性絶縁体層と、
前記局所磁界発生デバイスから発生される磁界を磁気記録媒体に印加し、磁気記録媒体からの漏れ磁場を前記局所磁界検知デバイスに導入するための開口を有する磁気シールドと
を有することを特徴とする記録再生一体型磁気ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電流を生成することができる機能を有する光電変換素子と、
前記光電流の大きさに応じた周波数のランプ波形信号を出力することができる機能を有するランプ波形出力回路と、
前記ランプ波形信号と、第１の電位とを比較することができる機能を有する第１のコンパレータと、
前記ランプ波形信号と、第２の電位とを比較することができる機能を有する第２のコンパレータと、
前記第１のコンパレータの出力信号と、前記第２のコンパレータの出力信号とが入力されることで、前記光電流に応じて周波数が変化するクロック信号を生成することができる機能を有するフリップフロップ回路と、
前記第１のコンパレータの出力信号と、前記第２のコンパレータの出力信号との否定論理和を取ることができる機能を有する回路と、
前記クロック信号のパルス数をカウントすることができる機能を有するカウンター回路と、
前記カウンター回路で前記パルス数をカウントする期間を生成することができる機能を有するパルス出力回路と、を有し、
前記パルス出力回路は、前記否定論理和を取ることができる機能を有する回路の出力信号に応じて、前記パルス数をカウントする期間の生成を停止することができる機能を有するスイッチを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記光電変換装置は、複数の増幅回路を有し、
前記複数の増幅回路を切り替えて動作させるための切り替え回路によって、増幅された前記光電流が前記ランプ波形出力回路に入力されることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数の増幅回路は異なる増幅率を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記増幅回路は、カレントミラー回路であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記パルス出力回路は、発振回路及びカウンター回路を有し、前記スイッチは、前記発振回路から出力されるクロック信号が前記カウンター回路に入力されることを間欠的に行うことでパルス出力を行うことを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の光電変換装置を具備することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ショットキー電極を含むショットキー障壁部と、前記ショットキー障壁部における多数キャリアに対して整流性を有する少なくとも１つの障壁部と、前記整流性を有する障壁部に電気的に接したオーミック電極と、を備え、
被検出電磁波の電界成分が前記ショットキー電極と前記オーミック電極の間に誘起されたとき、検出電流に対応する多数キャリアが前記オーミック電極と前記整流性を有する障壁部と前記ショットキー障壁部とをこの順で流れるように、前記ショットキー障壁部と前記整流性を有する障壁部が多数キャリアの流れの経路に沿って接続されていることを特徴とした検出素子。
【請求項２】
複数の前記整流性を有する障壁部を備え、
被検出電磁波の電界成分が前記ショットキー電極と前記オーミック電極の間に誘起されたとき、検出電流に対応する多数キャリアが前記オーミック電極と複数の前記整流性を有する障壁部と前記ショットキー障壁部とをこの順で流れるように、複数の前記整流性を有する障壁部が多数キャリアの流れの経路に沿って接続されていることを特徴とした請求項１に記載の検出素子。
【請求項３】
前記ショットキー障壁部は、前記ショットキー電極をなす金属及び半金属の一方と前記多数キャリアがなくなる様な実質的に真性な半導体及び真性な半導体の一方とを含んで構成されること特徴とした請求項１又は２に記載の検出素子。
【請求項４】
前記整流性を有する障壁部は、順に、前記多数キャリアを与える様な導電型の半導体、前記多数キャリアがなくなる様な実質的に真性な半導体及び真性な半導体の一方、前記導電型の半導体とは反対の導電型の半導体、前記実質的に真性又は真性な半導体よりも厚く前記多数キャリアがなくなる様な実質的に真性な半導体及び真性な半導体の一方、前記多数キャリアを与える様な導電型の半導体を備えた多層膜構造によって構成されること特徴とした請求項１から３のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項５】
前記整流性を有する障壁部は、順に、前記多数キャリアを与える様な導電型の半導体、半金属、前記多数キャリアがなくなる様な実質的に真性な半導体及び真性な半導体の一方、前記多数キャリアを与える様な導電型の半導体を備えた多層膜構造によって構成されること特徴とした請求項１から３のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項６】
前記整流性を有する障壁部は、順に、前記多数キャリアを与える様な導電型の半導体、前記導電型の半導体よりバンドギャップが大きく且つ前記多数キャリアがなくなる様な実質的に真性又は真性な半導体、前記多数キャリアを与える様な導電型の半導体を備えた多層膜構造によって構成されること特徴とした請求項１から３のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項７】
前記多数キャリアは電子であることを特徴とした請求項１から６のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項８】
検出信号を出力するためのトランジスタを備え、
前記検出素子と前記トランジスタが同一基板に配置されることを特徴とした請求項１から７のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項９】
被検出電磁波の電界成分を前記ショットキー電極と前記オーミック電極の間に誘起するためのアンテナを備え、
前記ショットキー電極と前記オーミック電極を前記アンテナの出力ポートとすることを特徴とした請求項１から８のいずれか１項に記載の検出素子。
【請求項１０】
前記ショットキー障壁部と前記整流性を有する障壁部は、それぞれ、一方側が他方側よりも大きい勾配の非対称なバンドプロファイルを有するように構成され、且つ、
前記ショットキー障壁部と前記整流性を有する障壁部は、それぞれ、前記バンドプロファイルの大きい勾配の方の側が前記ショットキー電極の側に位置するように接続されていることを特徴とした請求項１に記載の検出素子。
【請求項１１】
複数の請求項１から１０のいずれか１項に記載の検出素子をアレイ状に配し、
前記複数の検出素子がそれぞれ検出する被検出電磁波の電界に基づいて電界分布の画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月15日(2012.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層を積層したプリント配線板において、第１の電源配線が形成された第１の配線層と、第２の電源配線が形成された第２の配線層と、前記第１及び前記第２の電源配線を電気的に接続する複数のヴィアと、を有するプリント配線板において、
前記プリント配線板を前記第１の配線層側から透視した場合に、前記第１の電源配線において前記複数のヴィアが形成された第１の端部領域と、第２の電源配線において前記複数のヴィアが形成された第２の端部領域とは、重なった位置に配置されており、第１の電源配線および第２に電源配線は、お互いの端部領域から逆方向に伸びており、
前記ヴィアは、前記第１、第２の電源配線の配線方向に沿って配置されており、前記複数のヴィアのうち前記第１の電源配線の最も端に近い位置に設けられたヴィアと、該ヴィアと隣接するヴィアとの間の領域には、抵抗値が前記第１の電源配線の他の領域よりも大きい第１の高抵抗配線領域が設けられ、前記複数のヴィアのうち前記第２の電源配線の最も端に近い位置に設けられたヴィアと、該ヴィアと隣接するヴィアとの間の領域には、抵抗値が前記第２の電源配線の他の領域よりも大きい第２の高抵抗配線領域が設けられていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記第１の高抵抗配線領域は、前記第１の電源配線の他の部分の配線幅よりも細い配線からなっており、前記第２の高抵抗配線領域は、前記第２の電源配線の他の部分の配線幅よりも細い配線からなっていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記第１の高抵抗配線領域は、前記第１の電源配線の他の部分よりも厚さが薄い配線からなっており、前記第２の高抵抗配線領域は、前記第２の電源配線の他の部分よりも厚さが薄い配線からなっていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記第１、第２の高抵抗配線領域には、前記第１、第２の電源配線の幅方向に長いスリットが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記複数のヴィアは、前記第１、第２の電源配線の幅方向に複数個並んで配置されたヴィア群が、前記第１、第２の電源配線の配線方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項６】
プリント配線板に半導体パッケージが実装されたプリント回路板において、第１の電源配線が形成されたプリント配線板と、前記プリント配線板に実装され、第２の電源配線が形成された第２の配線層を有する半導体パッケージと、前記第１及び前記第２の電源配線のお互いの端部領域を電気的に接続する複数の接続部からなっているプリント回路板において、
前記プリント回路板を前記第１の配線層側から透視した場合に、前記第１の電源配線において前記複数の接続部が形成された第１の端部領域と、第２の電源配線において前記複数の接続部が形成された第２の端部領域とは、重なった位置に配置されており、第１の電源配線および第２に電源配線は、お互いの端部領域から逆方向に伸びており、
前記接続部は、前記第１、第２の電源配線の配線方向に沿って配置されており、前記複数の接続部のうち前記第１の電源配線の最も端に近い位置に設けられた接続部と、該接続部と隣接する接続部との間の領域には、抵抗値が前記第１の電源配線の他の領域よりも大きい第１の高抵抗配線領域が設けられ、前記複数の接続部のうち前記第２の電源配線の最も端に近い位置に設けられた接続部と、該接続部と隣接する接続部との間の領域には、抵抗値が前記第２の電源配線の他の領域よりも大きい第２の高抵抗配線領域が設けられていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項７】
前記接続部ははんだボールであることを特徴とする請求項６に記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記第１の高抵抗配線領域は、前記第１の電源配線の他の部分の配線幅よりも細い配線からなっており、前記第２の高抵抗配線領域は、前記第２の電源配線の他の部分の配線幅よりも細い配線からなっていることを特徴とする請求項６または７に記載のプリント配線板。
【請求項９】
前記第１の高抵抗配線領域は、前記第１の電源配線の他の部分よりも厚さが薄い配線からなっており、前記第２の高抵抗配線領域は、前記第２の電源配線の他の部分よりも厚さが薄い配線からなっていることを特徴とする請求項６または７に記載のプリント配線板。
【請求項１０】
前記第１、第２の高抵抗配線領域には、前記第１、第２の電源配線の幅方向に長いスリットが形成されていることを特徴とする請求項６または７に記載のプリント配線板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のプリント配線板は、複数の配線層を積層したプリント配線板において、第１の電源配線が形成された第１の配線層と、第２の電源配線が形成された第２の配線層と、前記第１及び前記第２の電源配線を電気的に接続する複数のヴィアと、を有するプリント配線板において、前記プリント配線板を前記第１の配線層側から透視した場合に、前記第１の電源配線において前記複数のヴィアが形成された第１の端部領域と、第２の電源配線において前記複数のヴィアが形成された第２の端部領域とは、重なった位置に配置されており、第１の電源配線および第２に電源配線は、お互いの端部領域から逆方向に伸びており、前記ヴィアは、前記第１、第２の電源配線の配線方向に沿って配置されており、前記複数のヴィアのうち前記第１の電源配線の最も端に近い位置に設けられたヴィアと、該ヴィアと隣接するヴィアとの間の領域には、抵抗値が前記第１の電源配線の他の領域よりも大きい第１の高抵抗配線領域が設けられ、前記複数のヴィアのうち前記第２の電源配線の最も端に近い位置に設けられたヴィアと、該ヴィアと隣接するヴィアとの間の領域には、抵抗値が前記第２の電源配線の他の領域よりも大きい第２の高抵抗配線領域が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の基台と、
前記基台の一方の開口を塞ぐ状態に取り付けられた給電口金と、
半導体発光素子を構成中に含み、前記基台における他方の開口側端面に取り付けられた発光ユニットと、
複数の電子部品を含み構成されているとともに、前記給電口金に電気的に接続されており、前記複数の電子部品の内の一部が前記基台の内部に収納され、且つ、残りの電子部品が前記基台における他方の開口から外方に突出する状態で設けられた点灯回路と、
前記発光ユニットと、前記点灯回路における前記他方の開口から突出した電子部品との間に介挿され、前記発光ユニット側の面が光反射面となっている反射体とを有する
ことを特徴とするランプ。
【請求項２】
前記反射体は、前記基台の筒軸に並行する軸を中心軸とする回転体であって、前記基台の他方の開口の少なくとも一部を塞ぐ状態に設けられており、
前記発光ユニットは、複数の半導体発光素子を有し、
前記複数の半導体発光素子は、前記基台における他方の開口側端面において、前記反射体の周囲を取り囲む状態であって、且つ、互いに間隔をあけて取り付けられており、
前記点灯回路における前記他方の開口から突出した電子部品は、前記反射体の内方に収納されている
ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
【請求項３】
前記反射体は、前記基台における他方の開口から離れるに従って、断面サイズが大きくなる逆錐台形状を有しており、
前記反射体の頂面上にも、半導体発光素子を構成中に含む発光ユニットが取り付けられている
ことを特徴とする請求項２に記載のランプ。
【請求項４】
前記基台における他方の開口側端面に取り付けられた発光ユニットは、前記点灯回路と基板を共有している
ことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載のランプ。
【請求項５】
前記基台は、金属材料からなり、筒状をしたヒートシンク部と、当該ヒートシンク部の側周壁を取り囲むように配された絶縁性のカバー部とから構成されており、
前記発光ユニットは、基板に実装され、当該基板を介した状態で前記ヒートシンク部に対して熱結合された状態で取り付けられている
ことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載のランプ。
【請求項６】
前記反射体は、金属材料から構成されており、前記ヒートシンク部に対して熱結合されている
ことを特徴とする請求項５に記載のランプ。
【請求項７】
前記基台における他方の開口側には、前記発光ユニットおよび前記反射体の外囲を覆うように透光性のカバーが取り付けられている
ことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載のランプ。
【請求項８】
前記カバーの内面には、光拡散層が形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載のランプ。
【請求項９】
前記発光ユニットは、前記半導体発光素子と、その外周を覆うように形成され、前記半導体発光素子からの出射光の波長を変換する波長変換層とにより構成されている
ことを特徴とする請求項１から８の何れかに記載のランプ。
【請求項１０】
筒状の基台と、
前記基台の一方の開口を塞ぐ状態に取り付けられた給電口金と、
半導体発光素子を構成中に含み、前記基台における他方の開口側端面に取り付けられた発光ユニットと、
複数の電子部品を含み構成されているとともに、前記給電口金に電気的に接続されており、前記複数の電子部品の内の一部が前記基台の内部に収納され、且つ、残りの電子部品が前記基台における他方の開口から外方に突出する状態で設けられた点灯回路とを有する
ことを特徴とするランプ。
【請求項１１】
前記発光ユニットは、複数の半導体発光素子を有し、
当該複数の半導体発光素子は、前記基台における前記他方の開口側端面において、前記外方に突出する前記残りの電子部品基台を取り囲む状態であって、且つ、互いに間隔をあけて取り付けられている
ことを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月26日(2011.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響空間に配置される１または複数の音光変換器であって、各々がマイクロホンと該マイクロホンの出力信号に応じて発光する発光部とを有する１または複数の音光変換器と、
前記音響空間の映像を撮像し、その映像を表す映像信号を出力する撮像装置と、
前記撮像装置から出力される映像信号を送信する送信装置と、
前記送信装置から送信されてくる映像信号を受信し、その映像信号の表す映像にて前記１または複数の音光変換器の各々に対応する光点の発光態様の時間変化から１または複数の音信号を復元する受信装置と
を有することを特徴とする音場伝送システム。
【請求項２】
前記受信装置は、前記送信装置から受信した映像信号の表す映像における各光点の発光態様の時間変化から復元した１または複数の音信号の各々を与える１または複数のスピーカの音響空間における配置位置を示す位置情報を予め記憶しており、前記送信装置から受信した映像信号の表す映像における各光点の位置と前記位置情報とに基づいて光点毎に前記１または複数のスピーカの何れかを対応付け、光点の発光態様の時間変化から復元した音信号を該光点に対応付けたスピーカに与えることを特徴とする請求項１に記載の音場伝送システム。
【請求項３】
前記送信装置は、前記１または複数の音光変換器の各々について発光部の発光輝度のバラつき補正するための係数を音光変換器毎に予め記憶しており、前記撮像装置から出力される映像信号の表す映像における各光点の輝度を前記係数に応じて補正して前記受信装置へ送信することを特徴とする請求項１に記載の音場伝送システム。
【請求項４】
前記受信装置は、前記送信装置から受信した映像信号の表す映像における各光点の発光態様の時間変化から復元した１または複数の音信号にミキシング編集を施し、１または複数の新たな音信号に振り分けて出力することを特徴とする請求項１に記載の音場伝送システム。
【請求項５】
前記１または複数の音光変換器の各々が有する発光部は赤外線ＬＥＤ（Light Emitting Diode）であり、前記撮像装置は赤外線ビデオカメラであることを特徴とする請求項１に記載の音場伝送システム。