(57)【要約】  高いγ線エネルギー分解能を有する半導体結晶の製造方法、半導体放射線検出器、およびそれを用いた放射線撮像装置を提供する。半導体結晶を、臭化第一タリウムを９９．９１〜９９．９９モル％、および３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）を０．０１〜０．０９モル％含む臭素リッチな臭化タリウムの単結晶で構成して、半導体放射線検出器を製造する。
2016088640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード電極と、アノード電極と、前記カソード電極と前記アノード電極で挟まれた半導体結晶とを備え、
前記半導体結晶は、臭化第一タリウムを９９．９１〜９９．９９モル％、および３価のタリウムを臭化第二タリウム換算で０．０１〜０．０９モル％含む臭化タリウムの単結晶であることを特徴とする半導体放射線検出器。
【請求項２】
臭化第一タリウムに臭素を富化する富化工程と、
前記富化工程で得られた前記臭化第一タリウムの臭素富化物の単結晶を生成する単結晶生成工程と、
を有する半導体結晶の製造方法であって、
前記富化工程では、前記富化工程を経て生成される、臭化タリウム中の３価のタリウムが臭化第二タリウム換算で０．０９モル％以下になるようにすることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体結晶の製造方法であって、
不純物を含む前記臭化第一タリウムに含まれる前記不純物から不純物ガスを生成し脱気することで、前記臭化第一タリウムを純化する純化工程と、
純化された前記臭化第一タリウムに臭素を富化する前記富化工程と、
前記富化工程で得られた前記臭化第一タリウムの臭素富化物の単結晶を生成する前記単結晶生成工程と、
を有することを特徴とする半導体結晶の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体結晶の製造方法であって、
前記富化工程は、ルツボ内の前記臭化第一タリウムを純化する前記純化工程の終了後、前記ルツボに臭素ガスを注入し、前記ルツボを密封することによって、前記臭化第一タリウムに臭素を富化する工程であることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体結晶の製造方法であって、
前記臭化タリウムは、
不純物を含む前記臭化第一タリウムと、３価のタリウムを含むタリウムの臭化物をルツボ内で混合し、前記ルツボを密封することによって前記臭化第一タリウムに臭素を富化する、富化工程を備えた工程で育成されることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
【請求項６】
請求項１の半導体放射線検出器が複数取り付けられた放射線検出ブロックと、
前記放射線検出ブロックが円柱状の計測領域を周方向に移動できるように前記放射線検出ブロックを支持する支持台とを有し、
前記半導体放射線検出器は、検出された信号をデータ処理装置に出力することを特徴とする放射線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体結晶の製造方法、半導体放射線検出器、およびそれを用いた放射線撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境用放射線検出装置やホームランドセキュリティにおける放射能爆弾テロ対策用線量計等で、γ線等の放射線を検出する放射線検出器に対するニーズが増大しつつある。また、γ線等の放射線を検出して画像診断を行う事を目的とした放射線撮像装置として、核医学診断装置が広く普及してきている。代表的な核医学診断装置としては、ガンマカメラ装置、単光子放射断層撮像装置（ＳＰＥＣＴ（Single Photon Emission Computed Tomography）撮像装置）、陽電子放出型断層撮像装置（ＰＥＴ（Positron Emission Tomography）撮像装置）などがある。【０００３】
これらの放射線検出器は、従来、シンチレータと光電子増倍管とを組み合わせたものであったが、近年、テルル化カドミウム、カドミウム・亜鉛・テルル、ガリウム砒素、臭化タリウム等の半導体結晶によって構成された半導体放射線検出器を用いた技術が注目されている。【０００４】
半導体放射線検出器は、放射線と半導体結晶との相互作用で生じた電荷を電気信号に変換する構成であるため、シンチレータを使用したものより電気信号への変換効率が良く、かつ小型化が可能である等、種々の特徴がある。【０００５】
半導体放射線検出器は、半導体結晶と、この半導体結晶の一面に形成されたカソード電極と、半導体結晶を挟んでこのカソード電極と対向するアノード電極とを備えている。これらのカソード電極とアノード電極との間に直流高圧電圧を印加することにより、Ｘ線、γ線等の放射線が半導体結晶内に入射したときに生成される電荷を、カソード電極あるいはアノード電極から信号として取出すようにしている。【０００６】
ここで、半導体結晶のうち、特に、臭化タリウムは、テルル化カドミウム、カドミウム・亜鉛・テルル、ガリウム砒素等他の半導体結晶に比べて光電効果による線減衰係数が大きく、薄い結晶で他の半導体結晶と同等のγ線感度を得ることができるため、臭化タリウムによって構成された半導体放射線検出器およびそれを用いた放射線撮像装置は、他の半導体放射線検出器およびそれを用いた放射線撮像装置に比べて、より小型化が可能である。【０００７】
また、臭化タリウムは、テルル化カドミウム、カドミウム・亜鉛・テルル、ガリウム砒素等他の半導体結晶に比べて安価であるため、臭化タリウムによって構成された半導体放射線検出器およびそれを用いた放射線撮像装置は、他の半導体放射線検出器およびそれを用いた放射線撮像装置に比べて、安価にすることが可能である。【０００８】
半導体放射線検出器に用いる半導体結晶としては、格子欠陥が少なくエネルギー分解能の高い結晶が求められるが、格子欠陥の少ない結晶を得る方法として、臭化第一タリウムに臭素を富化し、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を製造する方法が知られている（特許文献１参照）。また、エネルギー分解能の高い半導体放射線検出器として、臭化第一タリウムを８０．０〜９９．９モル％、及び３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）を０．１〜２０．０モル％、含む臭化タリウムの単結晶を備えた半導体放射線検出器が知られている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４３３５０２６号
【特許文献２】特開２００５−２２３００９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
発明者らは、臭化第一タリウムの原料８０．０〜９９．９モル％に３価のタリウム換算で臭素を０．１〜２０．０モル％富化して臭素リッチな臭化タリウム結晶を育成し、カソード電極およびアノード電極で上記半導体結晶を挟んで放射線検出器を作製して、放射線計測特性、特に57Coを線源とする122keVのγ線エネルギースペクトルについて検証を行った。発明者らは、その検証に基づいて、この半導体放射線検出器では、122keVのエネルギースペクトルは観測されるものの、必ずしも十分なエネルギー分解能が得られないという問題がある事を発見した。【００１１】
臭素リッチな臭化タリウム結晶は、３価のタリウムを含む臭化第一タリウムの結晶である。３価のタリウムが含まれる事によって、従来の３価のタリウムを含まない臭化第一タリウム結晶に比べると、格子欠陥が低減されていると考えられる（特許文献１参照）。しかしながら、３価のタリウムが多く含まれ過ぎると、３価のタリウム自体が不純物の結晶、即ち１価のタリウムと３価のタリウムを１：１で含有する錯塩（例えばＴｌ2Ｂｒ4）等を形成し、半導体結晶の一部が多結晶になると、放射線の入射によって発生した電子や正孔の移動がかえって阻害され、高いエネルギー分解能を得られない結果になる。【００１２】
本発明の目的は、高いγ線エネルギー分解能を有する半導体結晶の製造方法、半導体放射線検出器、およびそれを用いた放射線撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記問題を解決するために、本発明の半導体放射線検出器は、カソード電極と、アノード電極と、前記カソード電極と前記アノード電極で挟まれた半導体結晶とを備え、前記半導体結晶は、臭化第一タリウムを９９．９１〜９９．９９モル％、および３価のタリウムを臭化第二タリウム換算で０．０１〜０．０９モル％含む臭化タリウムの単結晶であることを特徴とする。本発明の半導体結晶の製造方法は、臭化第一タリウムに臭素を富化する富化工程と、前記富化工程で得られた前記臭化第一タリウムの臭素富化物の単結晶を生成する単結晶生成工程とを有する半導体結晶の製造方法であって、前記富化工程では、前記富化工程を経て生成される、臭化タリウム中の３価のタリウムが臭化第二タリウム換算で０．０９モル％以下になるようにすることを特徴とする。なお、以下では、臭化第二タリウム換算で表した３価のタリウムの量（モル％）のことを、「３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）」という表記で表す。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、γ線エネルギースペクトルを高いエネルギー分解能で計測可能な半導体放射線検出器を製造することが可能になり、それを用いた放射線撮像装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の半導体結晶の製造の一部に用いる臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造装置を示す概略図である。
【図２】本発明の半導体結晶の製造の一部に用いる臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図２の続きであって、本発明の半導体結晶の製造の一部に用いる臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態による半導体放射線検出器の構成図である。
【図５】本発明の実施形態による半導体放射線検出器に用いて放射線計測を行う場合の回路構成を示す回路図である。
【図６】本発明の実施形態による半導体放射線検出器に印加されるバイアス電圧の時間変化の説明図である。
【図７】本発明の実施形態による半導体放射線検出器を用いて計測したγ線エネルギースペクトルの説明図である。
【図８】比較例の半導体放射線検出器を用いて計測したγ線エネルギースペクトルの説明図である。
【図９】半導体放射線検出器に用いる臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造工程におけるルツボ内側の黒色不純物をＸ線回折によって分析した結果を説明する図である。
【図１０】本発明の実施形態による半導体放射線検出器を用いた放射線撮像装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本願発明は、半導体放射線検出器のエネルギー分解能が、半導体結晶を構成する臭素リッチな臭化タリウム結晶中の３価のタリウムの組成比に依存するという発明者の新たな知見に基づいてなされたものである。以下説明する実施例のように不純物結晶の原因となる３価のタリウムの量を少なくすれば、３価のタリウムによる、結晶中の格子欠陥低減効果を得つつ、特許文献２の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を用いた半導体放射線検出器よりも、高いγ線エネルギー分解能を有する半導体放射線検出器を製造することができる。
【００１７】
次に、本発明の実施例である半導体結晶の製造方法について適宜図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
本発明の実施例である半導体放射線検出器に用いる半導体結晶は、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶で構成されるので、まず、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法を説明し、その後にそれを用いた本発明の半導体結晶の製造方法を説明する。
【００１９】
〈臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造装置の構成〉
図１を参照して、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法を行うための製造装置の概要を説明する。臭素リッチな臭化タリウムの単結晶は、例えば、ＴｌＢr及びＴｌＢr3の混晶結晶、及びＴｌＢｒ及びＴｌＢr3の錯体結晶である。
【００２０】
図１に示すように、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造装置１は、主に、電気炉２と、ルツボ３と、ルツボ３を電気炉２内で回転させながら上下動させるための駆動装置４と、ルツボ３内に臭化水素ガスを供給するガスボンベ５と、ルツボ３内で生成した不純物を含むガスを捕集するトラップ６と、ルツボ３内に臭素ガスを供給する臭素容器１０を備えている。駆動装置４は、ルツボ３を上下方向にのみ移動させる駆動装置であっても良い。
【００２１】
電気炉２には、その上下方向に沿って複数の発熱コイル２１が配設されている。発熱コイル２１のそれぞれは、電気炉２内における上下方向の温度分布を自在に設定することができるように、温度制御装置２２、温度センサ２３及び温度測定装置２４でその発熱量が個別に制御されている。
【００２２】
ルツボ３は、臭化第一タリウムの原料、つまり、不純物を含む臭化第一タリウムを封入するものであり、電気炉２内に配置されている。このルツボ３の材料としては、例えば耐熱ガラスが挙げられる。
【００２３】
駆動装置４は、電気炉２の上方に配置されて、電気炉２内でルツボ３を回転させながら予め設定された一定の速度で上下動させることができるようになっている。この駆動装置４としては、公知のものを採用することができ、例えば、駆動源としてのモータや変速機等を組み合わせて構成することができる。
【００２４】
ガスボンベ５には、臭化水素ガスが充填されており、このガスボンベ５は、臭化第一タリウム（ＴｌＢｒ）の原料（例えば、臭化第一タリウムの粉末）を封入したルツボ３内と連通するようにこのルツボ３と配管７ａで接続されている。ルツボ３とガスボンベ５との間で延びるこの配管７ａの途中には、配管７ｂを介して圧力計９、配管７ｅを介して臭素容器１０が接続されると共に、次に説明するトラップ６から延びる配管７ｃが接続されている。なお、配管７ａには、ガスボンベ５の近傍でバルブ８ａが、ルツボ３の近傍でバルブ８ｂがそれぞれ配置されており、そして、配管７ｂにはバルブ８ｃが、配管７ｅにはバルブ８ｆが、配管７ｃにはバルブ８ｄがそれぞれ設置されている。
【００２５】
トラップ６は、液体窒素等の冷媒で冷却されるコールドトラップであり、このトラップ６には、配管７ｄを介して真空ポンプ６１が接続されている。この配管７ｄには、バルブ８eが設置されている。
【００２６】
〈臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法〉
次に、この製造装置１を使用した臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法について説明する。この製造方法は、主に、臭化第一タリウムの乾燥工程、臭化第一タリウムの純化工程、臭化第一タリウムに臭素を富化する富化工程、及び臭化第一タリウムの臭素富化物の単結晶を生成する単結晶生成工程を含んでいる。
【００２７】
（乾燥工程）
まず、図２に示すように、臭化第一タリウムの原料をルツボ３内に充填する（ステップＳ１）。この臭化第一タリウムの原料には、臭化第一タリウムの他、微量な水分、酸化タリウム等の不純物が含まれている。次に、配管７ａがルツボ３と連通するように、配管７ａとルツボ３とを接続する（ステップＳ２）。そして、駆動装置４を駆動してルツボ３を下降させ、ルツボ３を電気炉２内に配置する。このときバルブ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８e、８ｆは、閉鎖されている。次いで、電気炉２内の温度を１００℃程度に設定すると共に、バルブ８ｂ、バルブ８ｄ及びバルブ８eを開放し、真空ポンプ６１を作動させることによって、昇温したルツボ３内のガスを脱気する（ステップＳ３）。臭化第一タリウムの原料は、このようなステップＳ１〜Ｓ３を経ることによって、乾燥される。
【００２８】
（純化工程）
まず、トラップ６に液体窒素ＬＮを充填する（ステップＳ４）。トラップ６は、液体窒素ＬＮで冷却されることによって、後記するように真空ポンプ６１でルツボ３から吸引した不純物を含むガス（以下、「不純物ガス」という）の捕集が可能になる。次に、発熱コイル２１に通電することにより電気炉２内の温度を上げてルツボ３を所定の温度まで昇温する（ステップＳ５）。なお、この昇温幅は、後記するステップＳ５〜Ｓ８の工程の繰り返し回数によって適宜に設定することができ、この昇温幅については、後記する。
【００２９】
次に、配管７ｃのバルブ８ｄと、配管７ｄのバルブ８eとが閉鎖されている状態で、配管７aのバルブ８a及びバルブ８ｂと、配管７ｂのバルブ８ｃとを開放することによってガスボンベ５に充填された臭化水素ガスは、配管７ａを介してルツボ３内に充填される（ステップＳ６）。なお、ルツボ３及び配管７ａ内は真空ポンプ６１によって予め減圧された状態になっており、バルブ８ａを開くと、ガスボンベ５内の液体状態である臭化水素が、気化されてガス状となり、配管７ａを通ってルツボ３内に供給される。このときルツボ３内に充填される臭化水素ガスの量は、圧力計９でルツボ３内の圧力をモニタリングしながら、ガスボンベ５の図示しないレギュレータにより適宜に調節することができる。このようにして臭化第一タリウムの原料と臭化水素ガスとが前記所定の温度で接触すると、臭化第一タリウムの原料に含まれる酸化タリウム等の不純物は、臭化水素ガスと反応して不純物ガスを生成する。この状態を維持しながら、所定時間（例えば、４〜５分間）ルツボ３を放置する（ステップＳ７）。
【００３０】
次に、配管７ａのバルブ８ａを閉鎖すると共に、配管７ａのバルブ８ｂ及び配管７ｂのバルブ８ｃが開放された状態で、配管７ｃのバルブ８ｄ及び配管７ｄのバルブ８eを開放する。そして、真空ポンプ６１を作動させることによって、ルツボ３内のガス、つまり、ルツボ３内に生成した不純物ガスや未反応の臭化水素ガスを脱気する（ステップＳ８）。この脱気されたガスは、トラップ６に捕集される。
【００３１】
このようなＳ５〜Ｓ８の工程は、予め設定された所定の回数、繰り返される。つまり、ステップＳ８の工程が終了した後、Ｓ５〜Ｓ８の工程が所定の回数以上、繰り返されていなければ（ステップＳ９がＮＯ）、Ｓ５〜Ｓ８の工程は更に実行される。そして、Ｓ５〜Ｓ８の工程が所定の回数以上、つまり、少なくともその所定の回数が繰り返されていれば（ステップＳ９がＹＥＳ）、次のステップＳ１０の操作に移行する。なお、本実施の形態での繰返し回数は、５回に設定したが、この繰り返し回数は、特に制限は無く、例えば、４〜２０回の範囲で適宜に設定されれば良い。
【００３２】
次に、ステップＳ１０では、ルツボ３が所定の温度になったか否かが判断される。なお、本実施の形態では、この温度が３００℃に設定されている。そして、ルツボ３が所定の温度、つまり３００℃になっていなければ（ステップＳ１０がＮＯ）、ステップＳ５〜ステップＳ９の工程が繰り返される。そして、ルツボ３が所定の温度、つまり３００℃になっていれば（ステップＳ１０がＹＥＳ）、次のステップＳ１１の操作に移行する。
【００３３】
ここで、ステップＳ５におけるルツボ３の昇温幅について説明すると、この昇温幅は乾燥工程終了時の温度（本実施の形態では１００℃）とステップＳ１０におけるルツボ３の所定の温度（本実施の形態では３００℃）との差（本実施の形態では２００℃）を、ステップＳ９における所定の回数（本実施の形態では５回）で除した温度（本実施の形態では４０℃）に設定すれば良い。つまり、本実施の形態では、ルツボ３の温度が３００℃になるまでの間に、ステップＳ５〜ステップＳ８の工程が少なくとも５回、実行されることになる。なお、ここで「少なくとも５回」としたのは、予め設定した５回のステップＳ５〜ステップＳ８の操作が終了した後に、ステップＳ１０におけるルツボ３の温度が所定の温度（３００℃）に満たない場合に、さらなるステップＳ５〜ステップＳ８の工程の実行を許容する意味である。
【００３４】
なお、本実施の形態における純化工程は、ステップＳ４〜ステップＳ１０で構成されるが、この、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法における純化工程は、これに制限されるものではなく、この純化工程には、ステップＳ４〜ステップＳ１０からなる工程に代えて、融点が４５９℃の臭化第一タリウムが得られる公知の純化工程が採用されても良い。
【００３５】
（富化工程）
この富化工程では、３価のタリウム（例えば、ＴｌＢr3）が形成されるように、純化された臭化第一タリウムに臭素が富化される。本実施の形態における富化工程は、図２及び図３に示すステップＳ１１〜Ｓ１３を含む。富化工程の対象となる、ルツボ３内の臭化第一タリウムに含まれる不純物は、１×１０-4ｗｔ％以下となっている。これだけ、前述の純化工程で臭化第一タリウムが純化されたことになる。まず、臭素がルツボ３内に充填される（ステップＳ１１）。このとき、バルブ８ｄが閉じられ、バルブ８ｆを開くことによって、臭素容器１０の臭素ガスの一部である所定量がルツボ３内に充填される。この臭素は、臭化第一タリウムが９９．９１〜９９．９９モル％に対して３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）が０．０１〜０．０９モル％となる量が充填される。
【００３６】
なお、本実施例の形態における富化工程は、ステップＳ１１〜Ｓ１３で構成されるが、このうちのＳ１１に替えて、Ｓ１の「臭化第一タリウムの原料をルツボに充填」の次の工程として、「臭化第一タリウムの原料９９．９１〜９９．９９モル％に対して、３価のタリウムを含むタリウムの臭化物、例えばＴｌＢｒ３を０．０１〜０．０９モル％、ルツボ内に加えて混合する」工程が採用されても良い。
【００３７】
バルブ８ａ、バルブ８ｂ、バルブ８ｃ、バルブ８ｄ、バルブ８e及びバルブ８ｆの全てが閉鎖されると共に、配管７aがルツボ３の近傍で封じ切られることによって、ルツボ３が封止（密封）される（ステップＳ１２）。そして、ルツボ３が所定の時間放置されることによって（ステップＳ１３）、純化された臭化第一タリウムに臭素ガスが富化されていく。臭化第一タリウム９９．９１〜９９．９９モル％に対して、臭素ガス０．０１〜０．０９モル％がルツボ３内に充填されているので、臭素ガスが臭化第一タリウムに富化されると、臭化タリウム中の３価のタリウムは、臭化第二タリウム換算で０．０１〜０．０９モル％になる。
【００３８】
（単結晶生成工程）
図３に示すように、この単結晶生成工程では、まず、電気炉２内において、その上部から下部にかけて温度が徐々に低下していく温度勾配が形成される（ステップＳ１４）。この温度勾配は、臭化第一タリウムの臭素富化物の融点を中心に、電気炉２内の上部でルツボ３内に当該臭化第一タリウムの臭素富化物の液層が形成され、電気炉２内の下部で当該臭化第一タリウムの臭素富化物の固層が形成されるように設定される。具体的には、発熱コイル２１の発熱量を温度制御装置２２、温度センサ２３及び発熱コイル２１の温度測定装置２４で制御することによって、電気炉２内には、その上部から下部にかけて、５００℃〜１５０℃、好ましくは４８０℃〜１５０℃の範囲で温度勾配が形成される。
【００３９】
次に、ルツボ３を、駆動装置４によって、回転させながら電気炉２内を上部から下部に向けて一定の速度で下降させていく。（ステップＳ１５）。ルツボ３を下降させる速度は、温度勾配を形成した区間の上下長さによって変動するが、例えば、その長さが６０ｃｍの場合には、０．５ｍｍ／ｈ程度で良い。
【００４０】
このようにルツボ３が、前記温度勾配が形成された電気炉２内を下降していく間に、電気炉２の上部で溶融した臭化第一タリウムの臭素富化物は、徐々に温度を下げながら固化し、単結晶を成長させていく。そして、ルツボ３の内容物、つまり当該臭化第一タリウムの臭素富化物が完全に固化していない場合（ステップＳ１６がＮＯ）は、更にルツボ３を一定速度で下降させ（ステップＳ１５）、当該臭化第一タリウムの臭素富化物が完全に固化した場合（ステップＳ１６がＹＥＳ）に、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造工程は終了する。ルツボ３が駆動装置４によって回転させられながら下降されるので、均一な単結晶が製造できる。
【００４１】
以上の工程が終了すると、ルツボ３内には、臭化第一タリウムが９９．９１〜９９．９９モル％に対して３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）が０．０１〜０．０９モル％となる量だけ含有された、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶（例えば、ＴｌＢr3を含む臭化第一タリウムの単結晶）が生成される。
【００４２】
本実施形態では、３価のタリウムがそれぞれ０．０２モル％及び０．０４モル％となるように臭素を富化した２個の３インチ単結晶インゴットＮｏ．１及びＮｏ．２を作製した。
【００４３】
また、第１の比較例として、３価のタリウムが０．００モル％となるように、臭素を富化しない３インチ単結晶インゴットＮｏ．３を作製した。
【００４４】
さらに、第２の比較例として、３価のタリウムが０．１７モル％となるように、臭素を富化した３インチ単結晶インゴットＮｏ．４を作製した。
【００４５】
〈半導体結晶の製造方法〉
次に、図４を参照して、上記の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を用いた半導体放射線検出器の構成と製造方法について説明する。
【００４６】
本実施形態の半導体放射線検出器（以下では単に、「検出器」と称する）１０１は、平板状に形成された1枚の半導体結晶１１１と、半導体結晶１１１の一方の面（下面）に配置された第１電極１１２と、他方の面（上面）に配置された第２電極１１３とを備えている。本実施形態の検出器においては、第１電極１１２に正バイアス、第２電極１１３に負バイアスを印加する場合と、第１電極１１２に負バイアス、第２電極１１３に正バイアスを印加する場合がある。第１電極１１２に正バイアス、第２電極１１３に負バイアスを印加する場合は、第１電極１１２がアノード電極、第２電極１１３がカソード電極である。また、第１電極１１２に負バイアス、第２電極１１３に正バイアスを印加する場合は、第１電極１１２がカソード電極、第２電極１１３がアノード電極である。
【００４７】
半導体結晶１１１は、放射線（γ線等）と相互作用をして電荷を生成する領域をなしており、上記の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶から切り出して形成されている。前述の直径３インチの単結晶インゴットＮｏ．１及びＮｏ．２をそれぞれ内周スライサで切断した後、表面を研磨して厚さ０．５ｍｍの３インチ単結晶ウエハＮｏ．１及びＮｏ．２を得ることができる。上記単結晶ウエハを、例えば、寸法５．１ｍｍ×５．０ｍｍにダイシングすることにより、図４に示した平板状体の半導体結晶１１１を得る。
【００４８】
また、前述の第１の比較例の３インチ単結晶インゴットＮｏ．３及び第２の比較例の３インチ単結晶インゴットＮｏ．４についても同様に加工して、比較例の３インチ単結晶ウエハＮｏ．３及びＮｏ．４を得る。これら比較例の３インチ単結晶ウエハＮｏ．３及びＮｏ．４についても、寸法５．１ｍｍ×５．０ｍｍにダイシングすることにより、それぞれ平板状体の半導体結晶を得る。
【００４９】
ここで、上記の単結晶ウエハＮｏ．１から作製した半導体結晶１１１は、臭化第一タリウム９９．９８モル％に対して３価のタリウムが０．０２モル％含有されており、上記の単結晶ウエハＮｏ．２から作製した半導体結晶１１１は、臭化第一タリウム９９．９６モル％に対して３価のタリウムが０．０４モル％含有されている。
【００５０】
また、第１の比較例の単結晶ウエハＮｏ．３及び第２の比較例の単結晶ウエハＮｏ．４から作製した半導体結晶は、それぞれ、臭化第一タリウム１００．００モル％及び９９．８３モル％に対して３価のタリウムが０．００モル％及び０．１７モル％含有されている。
【００５１】
本実施形態の第１電極１１２及び第２電極１１３は、金または白金またはパラジウムのいずれかを用いて形成されており、その厚さは、例えば、５０ｎｍとしている。また、第１電極１１２及び第２電極１１３の寸法は、例えば、５．１ｍｍ×５．０ｍｍとしている。
【００５２】
なお、前記した半導体結晶１１１、第１電極１１２、及び第２電極１１３の寸法は、一例を示すものであり、前記各寸法に限定されるものでない。
【００５３】
次に、第１電極１１２及び第２電極１１３の作製工程について説明する。
【００５４】
はじめに、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶からなる平板状体の半導体結晶１１１の一方の面（下面、寸法５．１ｍｍ×５．０ｍｍ）に電子ビーム蒸着法によって金または白金またはパラジウムを５０ｎｍ被着し、第１電極１１２を形成する。
【００５５】
次に、半導体結晶１１１の第１電極を形成した面と反対側の面（上面、寸法５．１ｍｍ×５．０ｍｍ）に、電子ビーム蒸着法によって金または白金またはパラジウムを５０ｎｍ被着し、第２電極１１３を形成する。
【００５６】
このような工程を経ることによって、検出器１０１が得られる。
【００５７】
また、同様の工程を経ることによって、第１の比較例及び第２の比較例の２つの検出器が得られる。
【００５８】
〈半導体放射線検出器を用いて放射線計測を行う場合の回路構成〉
次に、図５を用いて、本実施形態による半導体放射線検出器に用いて放射線計測を行う場合の回路構成について説明する。
【００５９】
図５は、本発明の一実施形態による半導体放射線検出器に用いて放射線計測を行う場合の回路構成を示す回路図である。
【００６０】
図５においては、検出器１０１に電圧を印加する平滑コンデンサ３２０と、平滑コンデンサ３２０の一方の電極に正電荷を供給する第１直流電源３１１と、平滑コンデンサ３２０の前記一方の電極に負電荷を供給する第２直流電源３１２とが検出器１０１に接続されている。
【００６１】
さらに、第１直流電源３１１から平滑コンデンサ３２０の前記一方の電極への電流を通流するように定電流特性の極性を合わせた第１定電流ダイオード３１８と、平滑コンデンサ３２０の前記一方の電極から第２直流電源３１２への電流を通流するように定電流特性の極性を合わせた第２定電流ダイオード３１９が、第１直流電源３１１および第２直流電源３１２と検出器１０１との配線に接続されている。
【００６２】
さらに、第１直流電源３１１と平滑コンデンサ３２０の前記一方の電極を接続する配線には第１フォトモスリレー３１５が、また、第２直流電源３１２と平滑コンデンサ３２０の前記一方の電極を接続する配線には第２フォトモスリレー３１６が、それぞれ接続されている。
【００６３】
さらに、第１直流電源３１１と第１フォトモスリレー３１５との間には保護抵抗器３１３が、また、第２直流電源３１２と第２フォトモスリレー３１６との間には保護抵抗器３１４が、過電流防止用の抵抗として接続されている。
【００６４】
第１フォトモスリレー３１５と第２フォトモスリレー３１６の開閉は、スイッチ制御装置３１７によって制御される。
【００６５】
また、検出器１０１の出力にはブリーダ抵抗器３２１と結合コンデンサ３２２の一方の電極が接続され結合コンデンサ３２２の他方の電極には検出器１０１の信号を増幅する増幅器３２３が接続されている。さらに、スイッチ制御装置３１７と増幅器３２３には、フォトモスリレー３１５、３１６の開閉および増幅器３２３の極性反転のタイミングを制御する極性統合制御装置３２４が接続されている。
【００６６】
第１直流電源３１１の負極、第２直流電源３１２の正極、平滑コンデンサ３２０の前記一方の電極以外の他方の極、およびブリーダ抵抗器３２１の一方の極はそれぞれ接地線に接続される。
【００６７】
なお、第１定電流ダイオード３１８と第２定電流ダイオード３１９は互いに定電流特性の極性を逆にして直列に接続されて定電流装置３６１を構成している。この構成において、第１定電流ダイオード３１８と第２定電流ダイオード３１９に用いられている現状の一般的な定電流ダイオードは、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）のソース電極とゲート電極を短絡した構造で定電流特性が作り出されているので、逆電圧を加えた場合は電界効果型トランジスタの中で形成されているｐ−ｎ接合が順方向にバイアスされ、大きな電流が流れる。つまり定電流ダイオードの電流特性は極性を持っている。したがって、第１定電流ダイオード３１８と第２定電流ダイオード３１９とは互いに定電流特性の極性を逆にして直列に接続されることによって、極性の差がない定電流特性が得られる。
【００６８】
γ線等の放射線を計測する場合には、検出器１０１の第１電極１１２と第２電極１１３の電極間に、第１直流電源３１１あるいは第２直流電源３１２と平滑コンデンサ３２０によって、電荷収集用のバイアス電圧が印加される（例えば、＋500Vあるいは−500V）。
【００６９】
ここで、検出器１０１の部材である半導体結晶１１１は臭素リッチな臭化タリウムで構成されているので、検出器１０１に対して第１直流電源３１１を用いて例えば＋500Vのバイアス電圧を連続して印加すると、半導体結晶１１１にポーラリゼーション（polarization）すなわち電荷の偏りによる放射線計測性能の劣化が発生し、γ線のエネルギー分解能が劣化する。
【００７０】
ポーラリゼーションを防止するには、検出器１０１に印加するバイアス電圧の極性を周期的に反転する必要がある。すなわち、例えば＋500Vから−500V、−500Vから＋500Vに極性反転する必要がある。反転の周期は、例えば5分である。
【００７１】
最初、検出器１０１に＋500Vのバイアス電圧を印加する場合について説明する。第１直流電源３１１から検出器１０１に対して＋500Vの電圧を直接印加するとノイズが発生するため、平滑コンデンサ３２０を用いて検出器１０１に電圧を印加する。
【００７２】
スイッチ制御装置３１７は、検出器１０１に正のバイアス電圧を印加する時に第１フォトモスリレー３１５を閉じていると共に第２フォトモスリレー３１６を開いている。
【００７３】
平滑コンデンサ３２０は、定電流装置３６１を介して充電され、平滑コンデンサ３２０の電圧は＋500Vとなる。それに伴って、検出器１０１に印加されるバイアス電圧も＋500Vとなる。逆に、検出器１０１に−500Vのバイアス電圧を印加する場合、負の直流バイアス電圧は、第２直流電源３１２によって供給される。
【００７４】
スイッチ制御装置３１７は、検出器１０１に負のバイアス電圧を印加する時に第１フォトモスリレー３１５を開くと共に第２フォトモスリレー３１６を閉じている。平滑コンデンサ３２０は、定電流装置３６１を介して充電され、平滑コンデンサ３２０の電圧は−500Vとなる。平滑コンデンサ３２０の一方の電極に正電荷あるいは負電荷を蓄積することで、検出器１０１へ印加するバイアス電圧を正負反転させる。
【００７５】
極性統合制御装置３２４は、5分毎の極性反転の時間情報に基づいてスイッチ制御装置３１７と増幅器３２３に「正バイアス」、「負バイアス」、「正から負へのバイアス反転」、「負から正へのバイアス反転」の指令信号を送信する。スイッチ制御装置３１７はこの指令信号に基づいてフォトモスリレー３１５、３１６を開閉する。
【００７６】
図６は、検出器１０１に印加されるバイアス電圧の時間変化を示す。本実施形態において、検出器１０１に印加されるバイアス電圧は、最初＋500Vである（符号Ｖ１）が、バイアス電圧の周期的反転により、−500V（符号Ｖ３）に変化し、5分後に再び＋500V（符号Ｖ５）に復帰する。バイアス電圧が反転する時の時間変化（符号Ｖ２およびＶ４）が直線的な勾配になるのは、定電流装置３６１の効果である。また、バイアス電圧を反転させる間はバイアス電圧の絶対値が電荷収集用として不十分となりγ線検出信号を十分に取出せなくなるが、符号ｔ１およびｔ２で表わされる計測の途切れ時間はそれぞれ0.3秒である。5分の計測中に0.3秒の途切れ時間が発生するが、半導体放射線検出器を放射線撮像装置やホームランドセキュリティに応用する場合には、十分に短い時間であって、問題とはならない。
【００７７】
バイアス電圧が印加された検出器１０１にγ線が入射すると、検出器１０１を構成する半導体結晶１１１と入射したγ線との間で相互作用が起こり、電子および正孔といった電荷が生成される。
【００７８】
生成された電荷は、検出器１０１からγ線検出信号として出力される。このγ線検出信号は、結合コンデンサ３２２を介して、増幅器３２３に入力される。ブリーダ抵抗器３２１は、結合コンデンサ３２２に電荷が蓄積し続けることを防止し、検出器１０１の出力電圧が上がり過ぎないようにする働きをする。増幅器３２３は、微小な電荷であるγ線検出信号を電圧に変換し増幅する働きをする。
【００７９】
増幅器３２３によって増幅されたγ線検出信号は、後段のアナログ・デジタル変換器（図示せず）でデジタル信号に変換され、γ線のエネルギー毎にデータ処理装置（図示せず）によってカウントされる。
【００８０】
〈半導体放射線検出器によるγ線エネルギースペクトル〉
次に、図７及び図８を用いて、本実施形態による半導体放射線検出器１０１、及び比較例の半導体放射線検出器を用いて計測したγ線エネルギースペクトルについて説明する。
【００８１】
図７は、本発明の実施形態による半導体放射線検出器を用いて計測した57Ｃｏ線源のγ線エネルギースペクトルの説明図である。図７（ａ）は、前述のウエハＮｏ．１から切り出した半導体結晶１１１を用いて検出器１０１を作製した場合の計測結果を示しており、図７（ｂ）は、前述のウエハＮｏ．２から切り出した半導体結晶１１１を用いて検出器１０１を作製した場合の計測結果を示している。
【００８２】
また、図８は、比較例の半導体放射線検出器を用いて計測した57Ｃｏ線源のγ線エネルギースペクトルの説明図である。図８（ａ）は、前述のウエハＮｏ．３から切り出した半導体結晶を用いて第１の比較例の検出器を作製した場合の計測結果を示しており、図８（ｂ）は、前述のウエハＮｏ．４から切り出した半導体結晶を用いて第２の比較例の検出器を作製した場合の計測結果を示している。
【００８３】
図７及び図８において、横軸はエネルギーチャンネルのチャンネル番号を示している。各番号のエネルギーチャンネルには、様々なエネルギーのγ線がエネルギー別に各チャンネルに対応づけて割り当てられている。例えば、図７（ａ）において、略３２０チャンネル近辺のエネルギーチャンネルに対して、略１２２ｋｅＶのγ線エネルギーが割り当てられている。縦軸は各エネルギーチャンネルのγ線の計数率（counts per min、１分当たりのカウント数）を示している。
【００８４】
図７（ａ）において、略１２２ｋｅＶに対応したエネルギーチャンネルの計数率にピークが見られる。このようなピークにおけるエネルギーの分解能は、次のように表わせる。
エネルギー分解能（％）＝（ピークの半値幅のチャンネル数）／（ピーク直下のチャンネル数）×１００  ・・・（式１）
【００８５】
図７（ａ）及び（ｂ）に示す本実施形態の半導体放射線検出器１０１においては、１２２ｋｅＶのエネルギー分解能はそれぞれ略５％及び略６％である。
【００８６】
これに対して、図８（ａ）及び(ｂ)に示す比較例の半導体放射線検出器においては、１２２ｋｅＶのエネルギー分解能はそれぞれ略２０％以上及び略１５％である。
【００８７】
以上のように、本実施形態の半導体放射線検出器及び比較例の半導体放射線検出器共に１２２ｋｅＶのエネルギースペクトルが計測可能であるが、エネルギー分解能には大きな差があり、本実施形態の検出器１０１において７％以下を実現できるのに対して、比較例の検出器においては７％よりも悪い値である。これは、半導体放射線検出器のエネルギー分解能が、半導体結晶を構成する臭素リッチな臭化タリウム結晶中の３価のタリウムの組成比に依存するという本願発明者の新たな知見に基づいて本願発明がなされたものであることによる。
【００８８】
半導体結晶として、臭化第一タリウムを９９．９１〜９９．９９モル％、および３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）を０．０１〜０．０９モル％含む臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を用いることで、臭化第一タリウムを１００．００モル％、３価のタリウムを０．００％含む臭化タリウムの単結晶に比べて格子欠陥が低減される。これは、特許文献２に記述されているのと同様、３価のタリウムの効果である。
【００８９】
また、臭化第一タリウムを９９．９１〜９９．９９モル％、及び３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）を０．０１〜０．０９モル％含む臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を用いることで、臭化第一タリウムを８０．０〜９９．９モル％、及びよび３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）を０．１〜２０．０モル％含む臭素リッチな臭化タリウムの単結晶に比べて、３価のタリウムの濃度は小さくできる。
【００９０】
３価のタリウムの濃度が０．１モル％よりも多い場合、臭素リッチな臭化タリウムの結晶以外に、１価のタリウムと３価のタリウムを１：１で含有する錯塩（例えばＴｌ2Ｂｒ4）等が不純物の結晶として半導体結晶中に混じり、全体として多結晶となることを回避しにくい。実際に、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を製造する場合、ルツボの内容物が完全に固化した後、ルツボ内側に付着した黒色不純物をＸ線回折で分析すると、図９に示すように、Ｔｌ2Ｂｒ4の結晶が検出されることがある（図９の矢印で示したピークがＴｌ2Ｂｒ4の回折ピークである。）。３価のタリウムの組成比を高くした場合に、このように３価のタリウム自体が不純物の結晶を形成し半導体結晶の一部が多結晶になると、放射線の入射によって発生した電子や正孔の移動がかえって阻害され、検出器として高いエネルギー分解能を得られない結果になる。
【００９１】
したがって、高いエネルギー分解能を有する半導体放射線検出器を製造するためには、臭化第一タリウムを１００．００モル％、３価のタリウムを０．００％含む臭化タリウムの単結晶でなく、臭化第一タリウムを８０．０〜９９．９モル％、及び３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）を０．１〜２０．０モル％含む臭素リッチな臭化タリウムの単結晶でもなく、臭化第一タリウムを９９．９１〜９９．９９モル％、及び３価のタリウム（臭化第二タリウム換算）を０．０１〜０．０９モル％含む臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を製造し、これを検出器に用いる必要がある。
【００９２】
〈本実施形態の半導体放射線検出器の放射線撮像装置への適用例〉
次に、図１０を用いて、本実施形態による半導体放射線検出器を用いた放射線撮像装置の構成について説明する。
【００９３】
図１０は、本発明の一実施形態による半導体放射線検出器を用いた放射線撮像装置の構成図である。放射線撮像装置として、単光子放射断層撮像装置（ＳＰＥＣＴ撮像装置）６００に本実施形態の検出器１０１を適用した場合について説明する。
【００９４】
図１０において、ＳＰＥＣＴ撮像装置６００は、中央部分に円柱状の計測領域６０２を取り囲むようにして、２台の上下に位置した放射線検出ブロック６０１Ａ，６０１Ｂと、回転支持台６０６と、ベッド３１と、画像情報作成装置６０３を備えている。放射線検出ブロック６０１Ａ，６０１Ｂは、円柱状の計測領域を周方向に移動できるように回転支持台６０６に支持されている。
【００９５】
ここで、上側に位置する放射線検出ブロック６０１Ａは、複数の放射線計測ユニット６１１と、ユニット支持部材６１５と、遮光・電磁シールド６１３とを備えている。放射線計測ユニット６１１は、複数の半導体放射線検出器１０１と、基板６１２と、コリメータ６１４とを備えている。また、下部に位置する放射線検出ブロック６０１Ｂも同様の構成である。また、画像情報作成装置６０３は、データ処理装置３２と、表示装置３３とから構成されている。
【００９６】
放射線検出ブロック６０１Ａ，６０１Ｂは、回転支持台６０６において周方向に１８０度ずれた位置に配置されている。具体的には、それぞれの放射線検出ブロック６０１Ａ，６０１Ｂの各ユニット支持部材６１５（一方のみ図示）が、周方向に１８０度隔てた位置で回転支持台６０６に取り付けられる。そして、ユニット支持部材６１５に、基板６１２を含む複数の放射線計測ユニット６１１が着脱可能に取り付けられている。
【００９７】
複数の検出器１０１は、コリメータ６１４で仕切られる領域Ｋに、基板６１２に取り付けられた状態で多段にそれぞれ配置される。コリメータ６１４は、放射線遮蔽材（例えば、鉛、タングステン等）から形成され、放射線（例えば、γ線）が通過する多数の放射線通路を形成している。
【００９８】
全ての基板６１２およびコリメータ６１４は、回転支持台６０６に設置された遮光・電磁シールド６１３内に配置される。この遮光・電磁シールド６１３は、γ線以外の電磁波の検出器１０１等への影響を遮断している。
【００９９】
このようなＳＰＥＣＴ撮像装置６００では、放射性薬剤を投与された被検体Ｈが載置されるベッド３１が移動され、被検体Ｈは、一対の放射線検出ブロック６０１Ａ，６０１Ｂの間に移動される。そして、回転支持台６０６が回転されることによって、各放射線検出ブロック６０１Ａ，６０１Ｂが被検体Ｈの周囲を旋回して検出が開始される。
【０１００】
そして、放射性薬剤が集積した被検体Ｈ内の集積部（例えば、患部）Ｄからγ線が放出されると、放出されたγ線がコリメータ６１４の放射線通路を通って対応する検出器１０１に入射する。そして、検出器１０１は、γ線検出信号を出力する。このγ線検出信号は、γ線のエネルギー毎にデータ処理装置３２によってカウントされ、その情報等が表示装置３３に表示される。
【０１０１】
なお、図１０において、放射線検出ブロック６０１Ａ，６０１Ｂは、回転支持台６０６に支えられながら、太い矢印で示したように回転し、被検体Ｈとの角度を変えながら、撮像、および計測を行う。また、放射線検出ブロック６０１Ａ，６０１Ｂは、細い矢印で示したように上下に移動可能であり、被検体Ｈとの距離を変えることができる。
【０１０２】
このようなＳＰＥＣＴ撮像装置６００に用いられた検出器１０１は、半導体結晶として臭素リッチな臭化タリウムを用いつつ、高いエネルギー分解能で１２２ｋｅＶのγ線エネルギースペクトルを計測可能である。したがって、小型で安価、かつ核医学検査用の放射性医薬品に用いられる代表的な放射性核種の一つであり１４１ｋｅＶのγ線を放出する99mＴｃを高いエネルギー分解能で撮像可能なＳＰＥＣＴ撮像装置を提供することが可能になる。
【０１０３】
以上説明したように、本実施形態によれば、放射線検出器を構成する半導体結晶として臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を用いつつ、該放射線検出器によって高いエネルギー分解能でγ線エネルギースペクトルを計測可能である。したがって、小型で安価、かつエネルギー分解能が高い半導体放射線検出器、およびこの半導体放射線検出器を搭載した放射線撮像装置を提供できる。
【０１０４】
なお、以上においては、本発明の実施形態に係る半導体放射線検出器を、放射線撮像装置の一種である単光子放射断層撮像装置（ＳＰＥＣＴ撮像装置）に用いた場合を例示して説明したが、これに限られず、例えばガンマカメラ等、他の放射線撮像装置に適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１０５】
１…臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造装置，２…電気炉，３…ルツボ，４…駆動装置，５…ガスボンベ，６…トラップ，７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ…配管，８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ、８ｆ…バルブ，９…圧力計，１０…臭素容器，２１…発熱コイル，２２…温度制御装置，３…温度センサ，２４…温度測定装置，６１…真空ポンプ，１０１…半導体放射線検出器（検出器），１１１…半導体結晶，１１２…第１電極，１１３…第２電極，３１１…第１直流電源，３１２…第２直流電源，３１３、３１４…保護抵抗器，３１５…第１フォトモスリレー，３１６…第２フォトモスリレー，３１７…スイッチ制御装置，３１８…第１定電流ダイオード，３１９…第２定電流ダイオード，３２０…平滑コンデンサ，３２１…ブリーダ抵抗器，３２２…結合コンデンサ，３２３…増幅器，３２４…極性統合制御装置，３６１…定電流装置，６００…ＳＰＥＣＴ撮像装置，６０１Ａ、６０１Ｂ…放射線検出ブロック，６０２…計測領域，６０３…画像情報作成装置，６０６…回転支持台，６１１…放射線計測ユニット，６１２…基板，６１３…遮光・電磁シールド，６１４…コリメータ，６１５…ユニット支持部材，Ｄ…集積部，Ｈ…被検体，Ｋ…コリメータで仕切られる領域，ＬＮ…液体窒素
【図１】
2016088640.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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2016088640.tif 000014
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