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　特願２０００−２７２８４０「化合物半導体ヘテロ接合構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月２２日出願公開、特開２００２−　８３８１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．　手続の経緯
　本願は、平成１２年９月８日の出願であって、平成１９年２月９日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年３月２０日に審判請求がなされるとともに、同年４月５日に手続補正がされたものである。
　
第２．　平成１９年４月５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）の却下について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年４月５日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、補正前の特許請求の範囲を、補正後の特許請求の範囲の、
「　【請求項１】　炭素原子を含有するｐ型の砒化ガリウム系結晶層（以後、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層する）とｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層との化合物半導体ヘテロ接合構造体であって、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層の炭素原子濃度が１×１０１９原子／ｃｍ３〜６×１０１９原子／ｃｍ３で、該結晶中の水素原子濃度が炭素原子濃度の１／５以下であり、温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンス測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有し、前記ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて前記ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含むことを特徴とする化合物半導体のヘテロ接合構造体。
　【請求項２】　上記請求項１に記載のヘテロ接合構造体を用いて形成したIII−V族化合物半導体素子。
　【請求項３】　上記請求項２に記載のIII−V族化合物半導体素子を用いたヘテロバイポーラトランジスタ。」
とするものである。
　なお、上記特許請求の範囲の記載も含め、以下で摘記する本願明細書の記載において、例えば「ＧａXＩｎ1-XＰ（０≦Ｘ≦１）」と表記されている組成比の「Ｘ」あるいは「X」は、すべて「ｘ」の誤記と認め、修正した。
　
２．　補正事項の整理
　本件補正のうち、補正後の請求項１についての補正事項は、補正前の請求項１〜３を削除し、補正前の請求項２を介して補正前の請求項１を引用する補正前の請求項４を、独立請求項の形式に改めるとともに、以下の[補正事項１]及び[補正事項２]を行い、補正後の請求項１とするものである。
[補正事項１]
　補正前の請求項１の「炭素原子を含有するｐ型の砒化ガリウム系結晶層」の「炭素原子濃度」を、補正後の「炭素原子濃度が１×１０１９原子／ｃｍ３〜６×１０１９原子／ｃｍ３」であるとする。
［補正事項２］
　補正前の請求項２の「組成比に勾配（以後、組成勾配とする。）を有する領域を含む」「ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層」である、補正前の請求項４の「ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）層」に関し、補正前の「ヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比ｘを減少させる領域を含む」を、補正後の「ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて前記ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含む」とすること。
　
３．　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について
　上記「２．　補正事項の整理」に記載した補正事項のうち、補正前の請求項１〜３を削除し、補正前の請求項２を介して補正前の請求項１を引用する補正前の請求項４を、独立請求項の形式に改めることは、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当する。また、上記「２．　補正事項の整理」に記載した補正事項のうち、［補正事項１］及び［補正事項２］については、いずれも平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、前記[補正事項１]及び[補正事項２]は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものである。
　
４．　独立特許要件の有無の検討
　上記のとおり、本件補正は平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むから、以下において、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
　
４−１．　本願の補正後の発明について
　本願の補正後の請求項１〜３に係る発明のうち、本願の補正後の請求項１に係る発明は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。（再掲）
「【請求項１】　炭素原子を含有するｐ型の砒化ガリウム系結晶層（以後、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層する）とｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層との化合物半導体ヘテロ接合構造体であって、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層の炭素原子濃度が１×１０１９原子／ｃｍ３〜６×１０１９原子／ｃｍ３で、該結晶中の水素原子濃度が炭素原子濃度の１／５以下であり、温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンス測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有し、前記ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて前記ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含むことを特徴とする化合物半導体のヘテロ接合構造体。」
（以下「補正発明」という。）
　
４−２．　本願の補正後の特許請求の範囲の記載と本願明細書の発明の詳細な説明の欄の記載との整合（いわゆるサポート要件）について
（１）本件補正後の特許請求の範囲のうち、補正発明に係る請求項１の記載は、上記「第２．　４−１．　本願の補正後の発明について」に記したとおりである。それゆえ、「炭素原子を含有するｐ型の砒化ガリウム系結晶層（以後、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層する）とｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層との化合物半導体ヘテロ接合構造体であって」、「炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層」が「炭素原子濃度が１×１０１９原子／ｃｍ３〜６×１０１９原子／ｃｍ３で、該結晶中の水素原子濃度が炭素原子濃度の１／５以下であり、温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンス測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有」するものであり、「ｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層」が「前記ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて」「組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含む」ものである、化合物半導体のヘテロ接合構造体であれば、補正発明に包含される。
（２）これに対し、本願明細書のうち、前記「ｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層」が「前記ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて」「組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含む」ものについては、次の記載がある。
「　　　【００３５】（実施例２）
　本実施例では、組成勾配を付したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をエミッタ層としてＧａＩｎＰ系ＨＢＴを構成する場合を例にして本発明を具体的に説明する。
　　　【００３６】
　実施例１に記載の炭素ドープｐ形ＧａＡｓ層１０４の表面上に、継続して、ガリウム組成（＝ｘ）に組成勾配を付したＳｉドープｎ形ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）からなるエミッタ層１０５を積層させた。ガリウム組成比（＝ｘ）は炭素ドープｐ形ＧａＡｓベース層１０４との接合界面で０．８０とした。ガリウム組成比はｐ形ＧａＡｓベース層１０４との接合界面から７０オングストロームの幅の領域において直線的に０．５１に至る迄減少させた。その後、ガリウム組成比は一定の０．５１とした。
　　　【００３７】
　積層構造体の気相成長を終了した後は、反応系内に窒素（Ｎ2）ガスを充満させた後、６４０℃から４００℃に毎分２５℃の冷却速度で降温させた。約４００℃から室温に至る迄は自然冷却させた。この冷却操作により、炭素ドープＧａＡｓベース層１０４内部の水素原子の濃度を１．８×１０18原子／ｃｍ3に低下させた。
　　　【００３８】
　実施例１と同様の加工手段により積層構造体から、ｎｐｎ接合型ＧａＩｎＰＨＢＴ１００を構成した。図６にＨＢＴ１００の平面模式図を示す。ＨＢＴ１００の電流増幅率（Ｉｃ／Ｉｂ：β）は１２０であり、また、βのドリフト（経時変化率）は０．３％と実施例１のＨＢＴに比較してより小さくなった。」
　この記載においては、「ガリウム組成（＝ｘ）に組成勾配を付したＳｉドープｎ形ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）からなるエミッタ層１０５」として、「ガリウム組成比（＝ｘ）は炭素ドープｐ形ＧａＡｓベース層１０４との接合界面で０．８０とし」、「ｐ形ＧａＡｓベース層１０４との接合界面から７０オングストロームの幅の領域において直線的に０．５１に至る迄減少させ」、「その後、ガリウム組成比は一定の０．５１とした」ものが示されてはいるが、ここに記載された実施例２は「ＧａＩｎＰ系ＨＢＴを構成する」ものであって、「ガリウム組成（＝ｘ）に組成勾配を付したＳｉドープｎ形ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）」は、飽くまでもエミッタ層１０５を形成するものであり、上記００３６段落において参照されている「実施例１」においても、同様に「ＧａｘＩｎ１−ｘＰ系ＨＢＴ」を構成するものである。それゆえ、上記記載からは、「ＧａｘＩｎ１−ｘＰ系ＨＢＴ」ではない、単なるヘテロ接合構造体は読み取れない。
　また、本願明細書には、ｎ形ＧａｘＩｎ１−ｘＰ層に組成勾配を設けることについて、次の記載もある。
「【００２３】
　特に、本発明の請求項６の発明に係わる第６の実施形態では、炭素含有ｐ形ＧａＡｓ系結晶層とｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層との接合構造を利用して化合物半導体ＨＢＴを構成する。例えば、ｐ形ＧａＡｓ系層をベース層とし、ｎ形ＧａｘＩｎ１−ｘＰ組成勾配層をエミッタ層とするＧａｘＩｎ１−ｘＰ系化合物半導体ＨＢＴを構成する。また、ｐ形ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓ層とｎ形ＡｌzＩｎ1-zＡｓ組成勾配層とからなるｐｎ接合型ヘテロ接合構造を利用して、ｐ形ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓ層をベース層とし、ｎ形ＡｌzＩｎ1-zＡｓをエミッタ層とするＡｌzＩｎ1-zＡｓ系化合物半導体ＨＢＴを構成する。ｐｎ接合界面で禁止帯幅が最大となる様に組成勾配を付したｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を利用すれば、ベース層とのバンド（ｂａｎｄ）障壁が高められ、しいてはベース電流の漏洩（ｌｅａｋ）が抑制され動作信頼性に優れるＨＢＴがもたらされる効果がある。」
　ここで、特に「例えば、ｐ形ＧａＡｓ系層をベース層とし、ｎ形ＧａｘＩｎ１−ｘＰ組成勾配層をエミッタ層とするＧａｘＩｎ１−ｘＰ系化合物半導体ＨＢＴ」において、「ｐｎ接合界面で禁止帯幅が最大となる様に組成勾配を付したｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を利用すれば、ベース層とのバンド（ｂａｎｄ）障壁が高められ、しいてはベース電流の漏洩（ｌｅａｋ）が抑制され動作信頼性に優れるＨＢＴがもたらされる効果がある」との記載を、「ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）」はＧａ組成比ｘが大きいほどその禁止帯幅が大きいことと併せて考慮すると、本件補正後の請求項１に係る「ｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層」が「前記ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて」「組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含む」ことも、上記と同様の効果を奏すべく、「ＧａｘＩｎ１−ｘＰ系ＨＢＴ」を構成するためのものと解されるが、やはり、単なるヘテロ接合構造体としての構成を読み取ることはできない。
（３）以上のとおり、本願明細書の記載からは、ＧａＩｎＰ系ＨＢＴを構成しない、単なる「ヘテロ接合構造体」であって、「ｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層」が「前記ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて」「組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含む」構成を含むものは読み取ることができず、また、このような構成が当業者に自明なものとも認められない。
　したがって、補正発明は、本願明細書の発明の詳細な説明の欄に記載したものではないから、本願特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさない。
　
４−３．　本願補正発明の容易想到性について
　（１）　特開２０００−１３３６５４号公報の記載内容と引用発明
　現査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１３３６５４号公報（以下「引用例１」という。）には、図１〜４とともに以下の記載がある。
　ア　　（０００２〜０００５段落）
「【０００２】
【従来の技術】ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（Heterojunction Bipolar Transistor,ＨＢＴ）は、ベース層よりバンドギャップ・エネルギーの大きな化合物半導体をエミッタ層に使ったトランジスタであって、ベース層からエミッタ層への少数キャリアの注入がバンドギャップ・エネルギーの大きなエミッタ層によって抑制されることにより、電流利得が大きくなる利点を有する。このような利点から、ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、移動体通信の増幅素子として広く使われていて、特に、Ｇa Ａs 基板上に作製されたバイポーラトランジスタはトランジスタ特性が良好であることから、その用途が広がっている。
【０００３】ここで、図４を参照して、代表的なＧaＡs系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの構成を説明する。図４に示すヘテロ接合バイポーラトランジスタ４０は、ＧaＡs基板上に形成されたＧaＡs系ヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、基本的には、半絶縁性（ＳＩ）ＧaＡs基板４２上に、ｎ+−（高濃度ｎ型不純物含有）ＧaＡs４６、ｎ−（低濃度ｎ型不純物含有）ＧaＡs（又はｉ（真性）ＧaＡs）コレクタ層４８、ｐ+−（高濃度ｐ型不純物含有）ＧaＡs（又はＡｌＧaＡs）ベース層５２、ｎ−ＡｌＧaＡsエミッタ層５４、ｎ−ＧaＡs（又はＡｌＧaＡs）エミッタキャップ層（又は第２エミッタ層）５８、及び、ｎ+−ＩｎＧaＡs電極層５９を備えている。コレクタ層４６、ベース層５２、及びエミッタキャップ層５８は、それぞれ、その上面に、コレクタ電極４４、ベース電極５０及びエミッタ電極５６を備えている。炭素（Ｃ）は、亜鉛（Ｚｎ）やベリリウム（Ｂｅ）などと比べて、拡散定数が小さく、コレクタ層及びエミッタ層との境界で急峻な濃度勾配のｐ型不純物層を作り易いという理由から、ベース層５２のｐ型不純物には、炭素が多用されている。
【０００４】上述のＧaＡs系バイポーラトランジスタ４０を作製するには、従来、先ず、ＳＩ−ＧaＡs基板４２上に、順次、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）または分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）により、ｎ+−ＧaＡs層４６、ＧaＡsコレクタ層４８、ベース層５２、エミッタ層５４、エミッタキャップ層５８、及び、電極層５９をエピタキシャル成長させて、化合物半導体層のエピタキシャル層を形成する。次いで、電極層５９上にマスクを形成し、そのマスクを使って、沸酸と過酸化水素水の混合液のような適当なエッチャントを使って、電極層５９、エミッタキャップ層５８及び第エミッタ層５４を選択的にウエットエッチングして、エミッタメサを形成すると共にベース層５２を露出させる。続いて、エッチング工程、リフトオフ等による電極形成工程等を経て、ＧaＡs系バイポーラトランジスタ４０を得ることができる。
【０００５】ところが有機金属気相成長法を用いて、作製したヘテロ接合バイポーラトランジスタ（以下、特に断らないかぎり、バイポーラトランジスタと言う）を長時間使用すると、ベース層中に混入した水素に起因して、電流増幅率が経時的に次第に低下することが知られている（Bahl等IEEE Electron Device Lett. 17, 446, 1996）。また、電流増幅率の経時的低下の問題とは別に、従来の方法で作製したバイポーラトランジスタでは、通電開始当初、例えば数秒から数十分の間の通電初期に、電流増幅率が急激に増加するという、電流増幅率の初期不安定性の問題がある。この現象が発生する原因も、ベース層中の水素が再結合中心となって、電流を消費しているためであることがわかっている（伏見等日本物理学会講演概要集第５３巻第１号第２分冊１５０頁１ｐ−Ｔ−５）。」
　
　イ　　（００２１〜００２４段落）
「【００２１】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。以下の実施形態例でガス源の種類、化合物半導体層の膜厚、イオンドーズ量等は例示であって、当然のことながら、本発明方法がこれらに制約されるわけではない。
実施形態例１
　・・・（中略）
【００２３】以下に、各層のエピタキシャル成長について更に説明する。先ず、ＧaＡsバッファ層１４を成長温度６５０℃でエピタキシャル成長させる。次いで、バッファ層１４上にｎ+−ＧａＡｓサブコレクタ層１６を成長温度６５０℃でエピタキシャル成長させる。この時のｎ型不純物の濃度は、約３〜５×１０18個／ｃｍ3程度、例えば４×１０18個／ｃｍ3である。続いて、サブコレクタ層１６上に、ｎ−ＧａＡｓコレクタ層１８を成長温度６５０℃でエピタキシャル成長させる。この時のｎ型不純物の濃度は、例えば２×１０16個／ｃｍ3である。コレクタ層１８上にｐ型不純物として炭素（Ｃ）を高濃度、例えば４×１０19個／ｃｍ3で含むｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０を成長温度６００℃でエピタキシャル成長させる。本実施形態例ではＣ源としてＣＢｒ4を用いている。
【００２４】次いで、ベース層２０上にｎ−Ｉｎ0.48Ｇa0.52Ｐエミッタ層２２を成長温度６００℃でエピタキシャル成長させる。ｎ型不純物の濃度は、例えば２×１０17個／ｃｍ3である。続いて、エミッタキャップ層２４を成長温度６００℃でエピタキシャル成長させる。ｎ型不純物の濃度は、例えば１×１０18個／ｃｍ3である。」
　
　ウ　　（００２９〜００３０段落）
「【００２９】本実施形態例に従って試作した試料バイポーラトランジスタのベース層中の水素量をＳＩＭＳ測定法により計数したところ、１．０×１０18（個／ｃｍ3）であった。一方、本発明方法で特定するアニール処理を行わずに従来の方法に従って試作した従来例バイポーラトランジスタのベース層中の水素量をＳＩＭＳ測定法により計数したところ、１．５×１０19（個／ｃｍ3）であった。これから判る通り、従来法に従って作製した従来例バイポーラトランジスタに比べて、本実施形態例に従って作製した試料バイポーラトランジスタは、ベース層中の水素量が著しく少ない。
【００３０】また、本実施形態例に従って試作した試料バイポーラトランジスタの電流増幅率を測定したところ、図３のグラフ（１）に示す結果を得た。図３のグラフ（１）に示すように、試料バイポーラトランジスタの電流増幅率は、通電開始直後の極めて短い時間を除いてほぼ安定して一定の値である。・・・（後略）。」
　
　ここで、「【００２９】本実施形態例に従って試作した試料バイポーラトランジスタのベース層中の水素量をＳＩＭＳ測定法により計数したところ、１．０×１０18（個／ｃｍ3）であった。」との記載において、１．０×１０18（個／ｃｍ3）という「水素量」は、その単位から見て、水素の濃度を表していることは明らかである。
　したがって、引用例１には、次の発明が記載されている。
「ヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、
ｎ−ＧaＡsからなるコレクタ層１８と、
　前記ｎ−ＧaＡsからなるコレクタ層１８上にエピタキシャル成長された、ｐ型不純物として炭素（Ｃ）を含むｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０と、
　前記ベース層２０上にエピタキシャル成長された、ｎ−Ｉｎ0.48Ｇa0.52Ｐからなるエミッタ層２２とからなり、
　前記ｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０は、炭素を４×１０19個／ｃｍ3の濃度で含み、水素を１．０×１０18個／ｃｍ3の濃度で含む、
　ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。」
（以下「引用発明」という。）
　
（２）特開平１０−９８０５２号公報の記載内容
　現査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−９８０５２号公報（以下「引用例２」という。）には、図４とともに以下の記載がある。
「【００２１】本発明はこの点に着目してなされたもので、本発明によれば、ＩｎＧａＰをエミッタに用いたＨＢＴにおいて、エミッタに接する表面側にＩｎｘＧａ1-ｘＰ（ｘ＝０〜１）による組成傾斜層を挿入することにより、格子不整合の悪影響を排除しつつ、バンドを滑らかにつないで余分なエネルギ障壁を生ぜしめることなく、低抵抗のエミッタコンタクトを有するＨＢＴを実現することができる。
【００２２】以下、図４を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２３】半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にｎ+型ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層２、ｎ型ＧａＡｓからなるコレクタ層３、ｐ+型ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ型ＩｎＧａＰからなるワイドギャップエミッタ層５が積層され、この上にｎ+型ＩｎｘＧａ1-ｘＰ（ｘ＝０．５〜ｘ１）からなる厚さｄ１の組成傾斜層６と、１０nmのｎ+型ＧａＡｓ層７とを積層し、その上にｎ+型ＩｎyＧａ1-yＡｓ（ｙ＝０〜ｙ１）からなる４０nmの組成傾斜層８、ｎ+型Ｉｎy1Ｇａ1-y1Ａｓからなるキャップ層（エミッタコンタクト層）９を積層している。組成傾斜層６ではワイドギャップエミッタ層５側からキャップ層９側へ向かってｘが０．５からｘ１に次第に変化するように組成が連続的に変化する。同様に組成傾斜層８においてもキャップ層９側へ向かってｙが０からｙ１へ変化するように組成が連続的に変化する。キャップ層９はバンドギャップが最も小さくなるｙ１＝１．０のＩｎＡｓが好ましいが、ｙ１＞０．４程度の範囲であれば低抵抗のコンタクト層が実現される。この例ではｙ１＝０．５としている。
【００２４】ここで、ｘ１の値はｎ+型ＩｎｘＧａ1-ｘＰのバンドギャップがＧａＡｓのバンドギャップに等しくなるように選ばれるが、必ずしも厳密に一致する必要はない。この実施例ではｘ１＝０．８５としている。ｎ型ＩｎｘＧａ1-ｘＰのバンドキャップがＧａＡｓのバンドギャップと完全に一致していなくても本発明の効果が失われるものではない。」
　
　ここで、「ｎ+型ＩｎｘＧａ1-ｘＰ（ｘ＝０．５〜ｘ１）からなる厚さｄ１の組成傾斜層６」について、ｘ＝「ｘ１＝０．８５とし」たときは「ｎ型ＩｎｘＧａ1-ｘＰのバンドキャップがＧａＡｓのバンドギャップと完全に一致」する一方、ｘ＝０．５となる部分は、「ｎ型ＩｎＧａＰからなるワイドギャップエミッタ層５」とバンドが「滑らかに」つながるのであるから、ｎ型ＩｎＧａＰからなるワイドギャップエミッタ層５とバンドギャップがほぼ等しく、組成比もほぼ等しいものであることは明らかであり、ｎ型ＩｎＧａＰからなるワイドギャップエミッタ層５におけるＩｎ組成比はほぼ０．５であることは明らかである。
　したがって、引用例２には、
「ｐ+型ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ型Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐからなるワイドギャップエミッタ層５及びＧａＡｓ層７を有するＨＢＴにおいて、ワイドギャップエミッタ層５に接する側がｎ+型ＩｎｘＧａ1-ｘＰ（ｘ＝０．５）であり、他の側がｎ+型ＩｎｘＧａ1-ｘＰ（ｘ＝０．８５；すなわち、Ｇａ組成比が０．１５）である組成傾斜層６を挿入することにより、格子不整合の悪影響を排除しつつ、バンドを滑らかにつないで余分なエネルギ障壁を生ぜしめることなく、低抵抗のエミッタコンタクトを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを実現する。」
という技術が示されている。
　
（３）　補正発明と引用発明との対比
・引用発明の「エピタキシャル成長された、ｐ型不純物として炭素（Ｃ）を含むｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０」は、エピタキシャル成長されたものであり、結晶層であると言うことができるから、補正発明の「炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層」に対応する。
・同様に、引用発明の「エピタキシャル成長された、ｎ−Ｉｎ0.48Ｇa0.52Ｐエミッタ層２２」は、補正発明の「ｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層」に対応する。
・引用発明の「ｐ型不純物として炭素（Ｃ）を含むｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０」及び「ｎ−Ｉｎ0.48Ｇa0.52Ｐエミッタ層２２」は、互いに異なる化合物半導体材料からなり、しかも「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ」を構成しているから、両者が「化合物半導体のヘテロ接合構造体」を構成し、「ヘテロ接合界面」を有することは明らかである。
・引用発明の「ｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０」が含む炭素の濃度である「４×１０19個／ｃｍ3」は、補正発明の「炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層の炭素原子濃度」の「１×１０１９原子／ｃｍ3〜６×１０１９原子／ｃｍ３」という数値範囲に包含される。
・引用発明の「ｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０は、炭素を４×１０19個／ｃｍ3の濃度で含み、水素を１．０×１０18個／ｃｍ3の濃度で含む」から、水素濃度は炭素濃度の１／４０であり、これは、補正発明の「炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層」「の水素原子濃度が炭素原子濃度の１／５以下」に対応する。
　
　したがって、補正発明と引用発明とは、
「炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層とｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層との化合物半導体ヘテロ接合構造体であって、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層の炭素原子濃度が１×１０１９原子／ｃｍ３〜６×１０１９原子／ｃｍ３で、該結晶中の水素原子濃度が炭素原子濃度の１／５以下であることを特徴とする化合物半導体のヘテロ接合構造体。」
である点で一致する。
　
　一方、両者は、以下の点で相違する。
・相違点１
　補正発明においては、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層について、「温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンス測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有」するのに対し、引用発明では、そのような限定がなされていない点。
・相違点２
　補正発明においては、ｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰ（０≦ｘ≦１）結晶層が「ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて前記ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含む」一方、引用発明においては、補正発明の「ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面」に対応する、「ベース層２０」と「エミッタ層２２」の界面でのｎ型ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．５２であるといえるものの、「ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域」は含まない点。
　
（４）　当審の判断
　以下、上記各相違点について検討する。
・相違点１について
　引用発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタに係るものであるところ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタを良好な特性とすべく、特にそのベース領域において、結晶欠陥による電子−正孔の再結合を減らすために、その結晶性をできる限り高くすることは、従来より当業者における技術常識であり、引用発明においても、「ｐ型不純物として炭素（Ｃ）を含むｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０」の結晶性をできる限り高いものとすべきことは明らかである。
　ここで、本願明細書の発明の詳細な説明の欄には、次の記載がある。
「【００１２】
　本発明では、上記の望ましい範囲の炭素原子濃度を有する炭素含有ＧａＡｓ系結晶層にあって、更にその結晶性を特定の範囲内にする必要がある。炭素（原子半径＝０．７７オングストローム）はガリウム（原子半径＝１．３８オングストローム）や砒素（原子半径＝１．２５オングストローム）に比較して原子半径が小であるため（原子半径については、（社）日本化学会編著、「化学便覧基礎編」、丸善（株）、昭和４５年８月２０日発行、第３刷、１２５９頁参照）、炭素原子を過度に含有させると例えば、ＧａＡｓ結晶の格子が縮小することに起因して結晶性が損なわるものとなる。この結晶性が損なわれる状況は一般的なフォトルミネスセンス（英略称：ＰＬ）法により測定できる。結晶性の悪化に伴いＰＬ発光強度は急激に低下するのが認められる。図１に良好な結晶性の炭素含有ＧａＡｓ結晶層の炭素原子濃度とフォトルミネッセンス波長との関係を示す。２０ＫでのＰＬ測定に於いて、励起光には波長４８８ｎｍのアルゴン（Ａｒ）レーザー光を用いている。炭素原子濃度が概して２×１０18ｃｍ-3以下である場合、ＰＬ発光波長はＧａＡｓの禁止帯幅（ｂａｎｄ　ｇａｐ）に相当する約８２８ｎｍと略一定である。それより炭素原子濃度が増加するとＰＬ波長が急激に長波長側に移行（ｓｈｉｆｔ）する（図１参照）。同一の炭素原子濃度であっても、結晶性が悪化する程、ＰＬ発光波長はより長波長となる。また、例えば、成膜条件が充分に適正化されずにＭＯＣＶＤ手段に依り成長した炭素含有ＧａＡｓ系結晶層にあっては、結晶性がより劣悪となり、ＰＬ発光波長は、より低い炭素原子濃度でも長波長側へ移行する傾向が見受けられる。ＰＬ発光波長にして８４５ｎｍを越えるＰＬ発光を有する炭素添加ＧａＡｓ結晶層では、得られるＰＬ発光強度は急激に低下する。即ち、充分に結晶性に優れる炭素添加ＧａＡｓ結晶層が得られ難い。炭素原子濃度が好ましくは１×１０19原子／ｃｍ3以上で６×１０19原子／ｃｍ3以下にあり、また、２０ＫでのＰＬ発光波長を８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内、より好ましくは８２８ｎｍ〜８４０ｎｍとする炭素含有ＧａＡｓ系結晶層では結晶性が良好であるため、例えば、ＨＢＴ用途のｐ形ベース層として好ましく用いることができる。炭素原子濃度が同一である場合、より短波長のＰＬ発光波長を生ずる炭素含有ｐ形ＧａＡｓ系結晶層は更に好適に半導体素子の構成に利用できる。ちなみに、温度４．２Ｋに於けるＰＬ測定では、上記の好ましいＰＬ発光波長の範囲は約８２５ｎｍ以上で８４２ｎｍ以下となる。」
　この記載によれば、良好な結晶性の炭素含有ＧａＡｓ結晶層の炭素原子濃度は、１×１０19原子／ｃｍ3以上で６×１０19原子／ｃｍ3以下であって、そのような炭素含有ＧａＡｓ結晶層の２０ＫでのＰＬ発光波長は８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内となるものと認められる。言い換えれば、炭素原子濃度が１×１０19原子／ｃｍ3以上で６×１０19原子／ｃｍ3以下の炭素含有ＧａＡｓ結晶層であって、結晶性が良好なものは、２０ＫでのＰＬ発光波長が８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内であるということになる。
　そして、引用発明にかかるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、炭素（Ｃ）を含むｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０は、炭素を４×１０19個／ｃｍ3の濃度で含むから、上記の「１×１０19原子／ｃｍ3以上で６×１０19原子／ｃｍ3以下」の範囲内に含まれ、また、前述のように、ベース層２０の結晶性をできる限り高いものとすべきことは明らかである。
　そうすると、引用発明においても、結果として、補正発明と同様に「温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンス測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有」するものになると認められるから、相違点１は、実質的な相違点とは言えない。仮に相違したとしても、ベース層２０の結晶性をより高いものとして、結果として「温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンス測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有」するものとすることは、当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点２について
　引用発明に係る「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ」は、引用例１の０００２段落に【従来の技術】として記載された「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ」と同じく、「ワイドギャップエミッタ層」を用いたもの、すなわち「ベース層よりバンドギャップ・エネルギーの大きな化合物半導体をエミッタ層に使ったトランジスタであって、ベース層からエミッタ層への少数キャリアの注入がバンドギャップ・エネルギーの大きなエミッタ層によって抑制されることにより、電流利得が大きくなる利点を有する」ものである。
　引用例２には、前述のとおり、引用発明と同じく「ワイドギャップエミッタ層」を用いたものであって、「ｐ+型ＧａＡｓからなるベース層４、ｎ型Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐからなるワイドギャップエミッタ層５及びＧａＡｓ層７を有するＨＢＴにおいて、ワイドギャップエミッタ層５に接する側がｎ+型ＩｎｘＧａ1-ｘＰ（ｘ＝０．５）であり、他の側がｎ+型ＩｎｘＧａ1-ｘＰ（ｘ＝０．８５；すなわち、Ｇａ組成比が０．１５）である組成傾斜層６を挿入することにより、格子不整合の悪影響を排除しつつ、バンドを滑らかにつないで余分なエネルギ障壁を生ぜしめることなく、低抵抗のエミッタコンタクトを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを実現する」という技術が示されている。この技術においては、ベース層４とワイドギャップエミッタ層５からなるヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて、ｎ+型ＩｎｘＧａ1-ｘＰのＩｎ組成比ｘが増大するとともに、禁止帯幅（バンドギャップ）が小さくなる組成傾斜層６、すなわち組成勾配領域を有することは明らかである。なお、この記載からもわかるように、ＩｎＧａＰ（すなわちＧａＩｎＰ）のＧａ組成比が小さくなるほど、バンドギャップ（禁止帯幅）が小さくなることは技術常識である。
　また、ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ヘテロ接合構造におけるヘテロ接合界面から離れるに従い、禁止帯幅（バンドギャップ）が小さくなる組成勾配領域を設けることにより、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特性を改良することは、上記引用例２のほかに、次の周知例にも記載されているように、従来周知の技術である。
　周知例：特開平３−８８３３５号公報には、第１図〜第４図とともに次の記載がある。
「第４図は第３図に見られる半導体装置のエネルギ・バンド・ダイヤグラムを表し、第１図、第２図、第４図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
　図から明らかなように、このＨＢＴでは、エミッタ・ベース間はアブラプト接合になっているので、ベースに注入される電子はホット・エレクトロンとなるからスピードは向上する。また、アブラプト接合は、伝導帯側のみでなく、価電子帯側にも存在しているので、ベース中のホールはエミッタ側に拡散し難く、従って、電流利得も向上する。」
　
　ところで、補正発明は、「前記ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域」として、組成比ｘの値が「０．８０から０．５１に減少する」と具体的数値を規定している。これに関する本願明細書の記載は、前記「第２．　４−２．」において摘記した００３５〜００３８段落のとおりであるが、この記載を見ても、組成比ｘの値を「０．８０から０．５１に減少する」ように設定することの技術的意義は見いだせない。同じく、前記「第２．　４−２．」において摘記した００２３段落には、「ｐｎ接合界面で禁止帯幅が最大となる様に組成勾配を付したｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を利用すれば、ベース層とのバンド（ｂａｎｄ）障壁が高められ、しいてはベース電流の漏洩（ｌｅａｋ）が抑制され動作信頼性に優れるＨＢＴがもたらされる効果がある。」との記載はあるが、この記載からも、前記組成比ｘが「０．８０から０．５１に減少する」ことの具体的な技術的意義は見いだせない。したがって、補正発明において、組成勾配領域の「ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する」点は、単に望ましい値に限定したものと認められる。
　一方、引用発明は、「ベース層からエミッタ層への少数キャリアの注入がバンドギャップ・エネルギーの大きなエミッタ層によって抑制されることにより、電流利得が大きくなる利点を有する」ものであるから、この利点を増強するため、エミッタ層のバンドギャップ・エネルギーをより大きくして、ベース層からエミッタ層への少数キャリアの注入をより抑制すべく、エミッタ層２２におけるＧａ組成比を０．８程度まで増加させることは当業者が適宜になし得たことである。
　そうすると、引用発明において、上記周知の技術を適用して、ベース層２０とエミッタ層２２からなる「ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて前記ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが減少する組成勾配領域を含む」ように構成するとともに、エミッタ層のベース層側におけるＧａ組成比を０．８程度まで増加させ、前記組成勾配領域のＧａｘＩｎ１−ｘＰのＧａ組成比ｘを、前記０．８程度から、例えば引用例２に記載された０．１５程度まで減少するものとすること、すなわち、前記組成比ｘが０．８程度から０．５１を経て０．１５程度に至る領域が含まれるものとすることは当業者が容易になし得たことである。ここで、エミッタ層と組成勾配層は、Ｇａ組成比ｘは異なるものの、概念上、組成勾配領域を含むＧａｘＩｎ１−ｘＰからなる層として両者を一体化しうることは明らかである。
　よって、引用発明において、相違点２に係る「ヘテロ接合構造体におけるヘテロ接合界面から反対方向に向けて前記ＧａｘＩｎ１−ｘＰの組成比ｘが０．８０から０．５１に減少する組成勾配領域を含む」構成を有するものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
４−４．小括
　上述したように、本件補正後の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合しておらず、また、補正発明は、引用例１及び２に記載された発明ならびに周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　
５．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．　本願発明について
１．　本願発明
　上記のとおり、平成１９年４月５日付けの手続補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び図面の記載から見て、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】炭素原子を含有するｐ形の砒化ガリウム系結晶層（以後、炭素含有ｐ形ＧａＡｓ系結晶層とする。）と、ｎ形のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層とからなるヘテロ（異種）接合構造を含む化合物半導体ヘテロ接合構造体であって、炭素含有ｐ形ＧａＡｓ系結晶層が、温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンスの測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有し、且つ、該結晶層中の水素原子濃度が炭素原子濃度の１／５以下であることを特徴とする化合物半導体ヘテロ接合構造体。」
（以下「本願発明」という。）
　
２．　引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及び２、それらの記載事項、及び、引用例１に記載された発明（引用発明）は、上記の「第２．　４−３．（１）　特開２０００−１３３６５４号公報の記載内容と引用発明」、及び「第２．　４−３．（２）特開平１０−９８０５２号公報の記載内容」において認定したとおりである。
　
３．　対比・判断
・引用発明の「エピタキシャル成長された、ｐ型不純物として炭素（Ｃ）を含むｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０」は、エピタキシャル成長されたものであり、結晶層であると言うことができるから、本願発明の「炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層」に対応する。
・同様に、引用発明の「エピタキシャル成長された、ｎ−Ｉｎ0.48Ｇa0.52Ｐエミッタ層２２」は、本願発明の「ｎ形のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層」に対応する。
・引用発明の「ｐ型不純物として炭素（Ｃ）を含むｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０」及び「ｎ−Ｉｎ0.48Ｇa0.52Ｐエミッタ層２２」は、互いに異なる化合物半導体材料からなり、しかも「ヘテロ接合バイポーラトランジスタ」を構成しているから、これらの層が本願発明の「ヘテロ（異種）接合構造を含む化合物半導体ヘテロ接合構造体」を構成することは明らかである。
・引用発明の「ｐ+−ＧａＡｓからなるベース層２０は、炭素を４×１０19個／ｃｍ3の濃度で含み、水素を１．０×１０18個／ｃｍ3の濃度で含む」から、水素濃度は炭素濃度の１／４０であり、これは、本願発明の「炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層」「の水素原子濃度が炭素原子濃度の１／５以下」に対応する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層と、ｎ形のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層との化合物半導体ヘテロ接合構造体であって、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層の炭素原子濃度が１×１０１９原子／ｃｍ3〜６×１０１９原子／ｃｍ３で、該結晶中の水素原子濃度が炭素原子濃度の１／５以下であることを特徴とする化合物半導体のヘテロ接合構造体。」
である点で一致する。
　
　一方、両者は、以下の点で相違する。
・相違点
　本願発明においては、炭素含有ｐ型ＧａＡｓ系結晶層について、「温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンスの測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有」するのに対し、引用発明では、そのような限定がなされていない点。
　
　上記相違点と、前記「第２．　４−３．（３）　補正発明と引用発明との対比」において抽出された「相違点１」とは、上記相違点において「フォトルミネッセンス
の
　よって、「第２．　４−３．（４）　当審の判断」における前記「相違点１」についての検討したことと同様に、上記相違点は実質的な相違点とは認められず、仮にそうでないとしても、ベース層２０の結晶性をより高いものとして、結果として「温度２０ケルビン（Ｋ）におけるフォトルミネッセンスの測定で、８２８ｎｍ〜８４５ｎｍの範囲内に主たる発光ピークを有」するものとすることは、当業者が適宜になし得たことである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができず、仮にそうでないとしても、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．　むすび
　以上のとおりであるから、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。