【事件の表示】
　平成１１年特許願第　３２２８０号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月２２日出願公開、特開２０００−２３２１８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　 
　本願は、平成１１年２月１０日の出願であって、平成１７年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２７日に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成１７年１０月２７日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１７年１０月２７日付け手続補正を却下する。
　　
　　
［理由］
　　
１．補正後の本願発明
　　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜２は次のとおりに補正された。
　 
「【請求項１】　窒化アルミニウムまたはアルミナまたは窒化けい素のいずれかでなるセラミック製の回路基板と、この回路基板の表面に銀・銅・チタニウム・インジウムを主成分とする金属ろう材を用いた活性金属法によって接合した銅または銅合金でなる導電層と、
この導電層の表面に超音波エネルギを加えて接合した銅または銅合金でなる導電部材とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】　前記回路基板が、窒化けい素でなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。」
　 
　本件補正後の請求項１は、補正前の請求項１の「セラミック製の回路基板」についてさらに限定を付加したものであり、本件補正後の請求項２は、補正前の請求項２の「窒化アルミニウムまたはアルミナまたは窒化けい素のいずれかでなること」を「窒化けい素でなること」とするものであって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　 
　 
２．引用例
　 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−２８３６５６号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。 
　 
（ａ）「【特許請求の範囲】【請求項１】  カーボン粉末と、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属とを含有する銀−銅系ろう材層を介してセラミックス基板に金属回路板を接合して成ることを特徴とするセラミックス回路基板。
【請求項６】  銀−銅系ろう材層はＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉ系ろう材層であることを特徴とする請求項４記載のセラミックス回路基板。」
　
（ｂ）「【０００３】従来からセラミックス基板と金属回路板とを一体に接合形成する方法として、・・・活性金属法はＴｉなどの活性金属を含有するろう材を介して金属回路板と非酸化物系セラミックス基板とを一体に接合する方法である。特に高強度で良好な封着性，信頼性を必要とするセラミックス回路基板を得るためには、上記接合法のうち、活性金属法が一般に使用されている。」
　
（ｃ）「【００１６】上記回路基板を構成するセラミックス基板としては、活性金属などのろう材成分と反応して高硬度の反応生成層を形成する窒化アルミニウム（ＡｌＮ），窒化けい素（Ｓｉ３ Ｎ４ ），サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）などの窒化物系セラミックス基板が好適である。
【００１７】また金属回路板としては導電性を有する金属であれば特に限定されないが、電気抵抗率や材料コストの観点から銅またはアルミニウムから成る回路板が好適である。」
　
（ｄ）「【００３６】実施例１〜１０
熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋであり、常圧焼結法によって製造した窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体を加工して、縦２９mm×横６３mm×厚さ０．６３５mmのＡｌＮ基板と、厚さ０．３mmのリン脱酸銅から成るＣｕ回路板（金属回路板）およびＣｕ板（金属板）とを多数調製した。
【００３７】一方、平均粒径５μｍのカーボン（Ｃ）粉末，活性金属粉末，Ｉｎ等の第３成分粉末，Ｃｕ粉末およびＡｇ粉末を用意し、表１に示すような組成を有する各実施例用のペースト状のＡｇ−Ｃｕ系ろう材を調製し、このろう材をＡｌＮ基板の両面に印刷してＡｇ−Ｃｕ系ろう材層を形成し、このろう材層を介して、Ｃｕ回路板およびＣｕ板をそれぞれＡｌＮ基板表面に圧着した。
【００３８】この状態で各圧着体を加熱炉に収容し、１×１０−４Torr以下の高真空中で、表１に示す接合温度に加熱し１０分間保持することにより、一体に接合し、図１に示すような実施例１〜１０に係るセラミックス回路基板１をそれぞれ多数製造した。
【００３９】図１に示すように、各実施例に係るセラミックス回路基板１は、ＡｌＮ基板２とＣｕ回路板３との間およびＡｌＮ基板２とＣｕ板（裏銅板）４との間に、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材層５を介して一体に接合されて形成されている。上記回路基板１のＣｕ回路板３の所定位置に半田接合によって半導体素子（Ｓｉチップ）７が接合されて、半導体装置構成用のセラミックス回路基板が形成される。」
　
（ｅ）そして、表１には、ろう材層の組成の例として、Ｃ　１．０重量％，Ｔｉ　４．０重量％，Ｉｎ　１４．０重量％，Ｃｕ　２３．０重量％，残部がＡｇであるもの（実施例１）が記載されている。
　
（ｆ）また、図１には、Ｃｕ回路板は、チップが接合されている領域と、チップが接合されていない領域とを有することが示されている。
　 
　 
３．対比 
　 
　摘記事項（ａ）によれば、カーボン粉末と活性金属とを含有する銀−銅系ろう材層を介してセラミックス基板に金属回路板を接合して成るセラミックス回路基板が記載され、摘記事項（ｂ）によれば、活性金属法はＴｉなどの活性金属を含有するろう材を介して金属回路板とセラミックス基板とを一体に接合する方法であることが記載され、摘記事項（ｃ）によれば、セラミックス基板としては、窒化アルミニウム，窒化けい素などの窒化物系セラミックス基板が好適であること、金属回路板としては、銅から成る回路板が好適であることが記載され、摘記事項（ｅ）によれば、ろう材層の組成の例として、Ｃ　１．０重量％，Ｔｉ　４．０重量％，Ｉｎ　１４．０重量％，Ｃｕ　２３．０重量％，残部がＡｇであるものが記載され、摘記事項（ｄ）によれば、Ｃｕ回路板の所定位置に半導体素子（Ｓｉチップ）が接合されて、半導体装置構成用のセラミックス回路基板が形成されることが記載されている。
　また、刊行物には導電部材が明記されていないが、摘記事項（ｆ）によれば、Ｃｕ回路板は、チップが接合されていない領域を有することが示されており、チップが接合されていない領域に導電部材を接合することが通常行われている点を考慮すれば、回路板の表面に導電部材を接合することは、刊行物に記載されているに等しい事項であるといえる。
　
　摘記事項（ａ）〜（ｆ）を総合すると、刊行物には、「窒化アルミニウム，窒化けい素などのセラミックス基板と、組成がＣ　１．０重量％，Ｔｉ　４．０重量％，Ｉｎ　１４．０重量％，Ｃｕ　２３．０重量％，残部がＡｇであるろう材層を介してセラミックス基板に活性金属法によって接合した銅から成る回路板と、この回路板の表面に接合した導電部材とを具備している半導体素子が接合されたセラミックス回路基板。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。 
　 
　そこで、本願補正発明と刊行物発明とを対比する。 
　 
　刊行物発明の「セラミックス基板」は、本願補正発明の「セラミック製の回路基板」に相当し、以下同様に、「組成がＣ　１．０重量％，Ｔｉ　４．０重量％，Ｉｎ　１４．０重量％，Ｃｕ　２３．０重量％，残部がＡｇであるろう材層」は「銀・銅・チタニウム・インジウムを主成分とする金属ろう材」に、「回路板」は「導電層」に、「半導体素子が接合されたセラミックス回路基板」は「半導体装置」にそれぞれ相当するから、両者は、
「窒化アルミニウムまたは窒化けい素のいずれかでなるセラミック製の回路基板と、この回路基板の表面に銀・銅・チタニウム・インジウムを主成分とする金属ろう材を用いた活性金属法によって接合した銅でなる導電層と、
この導電層の表面に接合した導電部材とを具備している半導体装置。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。 
　 
［相違点］
　導電部材が、本願補正発明では、超音波エネルギを加えて接合した銅または銅合金でなるのに対し、刊行物発明では、この点が記載されていない点。
　 
　 
４．判断  
　 
　次に、前記相違点について検討する。
　
　一般に、セラミック製の回路基板上の導電層への導電部材の接合方法として、接合性の良い超音波エネルギを加えた接合方法を用いること（例えば次の周知例１〜４参照）、及び導電部材の材質として、低抵抗の銅や銅合金を用いること（例えば次の周知例２〜４参照）は、周知のことである。
　
（周知例１）特開平９−３０７０２１号公報
　
（周１ａ）「【従来の技術】従来技術によるパワー半導体素子を用いたモジュール型半導体装置は、回路基板として、酸化アルミニウム、窒素アルミニウム等のセラミック材を絶縁基板材として用い、この絶縁基板上の素子を搭載する面に銅等の金属により回路パターンを形成して構成されている。・・・」（段落【０００２】）
　
（周１ｂ）「前述において、ワイヤによる接続は、超音波を用いたワイヤボンディングにより行われるのが一般的である。この超音波を用いたワイヤボンディングは、素子、回路パターン等に接合するワイヤの先端部を超音波により振動させると共に、素子や回路パターンに一定の力で打ちつけてワイヤを接合することにより行われる。この超音波ボンディング法は、ワイヤの接合性が非常に良く、パワー半導体素子を用いた半導体装置のようにワイヤ径が太く大電流が流れる場合には最適な方法である。
しかし、この超音波を用いたワイヤボンディング法は、回路基板に大きな衝撃を加えることになる。このため、回路基板の絶縁基板材として一般に用いられるセラミック基板等を使用した場合、このセラミック基板は、硬く脆い材質であるため、超音波を用いたワイヤボンディングによる衝撃等の大きな衝撃のため、セラミック基板内にクラックが生じることがあった。このクラックは、回路パターン金属に直接ワイヤボンディングする場合にボンディング部周辺で多く発生しやすく、パワー半導体素子上にワイヤボンディングする場合にはクラックが発生しにくい。
この理由は、素子上にワイヤボンディングを行う場合、素子、素子−回路パターン間接合材、回路パターン金属材、回路パターン−絶縁基板間の接合材の４層を介して絶縁基板にワイヤボンディングによる衝撃が伝わるのに対し、回路パターンに直接ワイヤボンディングする場合、回路パターン、回路パターン−絶縁基板間の接合材の２層のみを介してワイヤボンディングによる衝撃が伝わるためである。」（段落【０００４】〜【０００６】）
　
（周知例２）特開平８−２０４１０９号公報
　
（周２ａ）「また本発明の半導体装置によれば、外部リード端子が絶縁基体の配線層に超音波接合による金属結合により取着されていることから各配線層と外部リード端子との間に大きな熱応力が発生し内在することはなく、その結果、外部リード端子に外力が印加されても外部リード端子は配線層に強固に取着し、これによって内部に収容する半導体素子を外部リード端子を介して所定の外部電気回路に正確、且つ確実に電気的接続することが可能となる。」（段落【００１２】）
　
（周２ｂ）「前記絶縁基体1 は酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁材料から成り、・・・」（段落【００１５】）
　
（周２ｃ）「前記外部リード端子2 は銅を主成分とする銅系合金や鉄を主成分とする鉄系合金等の金属から成り、・・・」（段落【００２２】）
　
（周２ｄ）「また前記外部リード端子2 はその一端が配線層4 に超音波接合によって取着されており、具体的には絶縁基体1 の上面外周部に位置する配線層4 の一端部に外部リード端子2 の一端を載置させ、しかる後、前記外部リード端子2 の一端に超音波振動子( ホーン) を0.5 〜5.0Kgf/mm 2 の圧力で押圧させるとともに振動数20〜60KHz 、振幅1.0 〜10.0μm の超音波振動を0.3 〜1.0 秒印加することによって行われる。この場合、外部リード端子2 は配線層4 に超音波接合による金属結合により取着されることから外部リード端子2 と配線層4 との間に大きな熱応力が発生し内在することはなく、その結果、外部リード端子2 の配線層4 に対する接合強度が強くなり、外力が印加されても配線層4 より剥離することはない。」（段落【００２３】）
　
（周知例３）特開平６−２１６５０５号公報
　
（周３ａ）「プリント配線板の導体回路の表面に端子の先部を密着させて加圧しつつ超音波振動を与えることによって、端子を導体回路に金属拡散接合させるにあたって、接合部の近傍においてその基部寄りの表面に凹部を凹設した端子を用いることを特徴とするプリント配線板への端子の接続方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】）
　
（周３ｂ）「【従来の技術】プリント配線板に形成される金属の導体回路に金属で形成される外部接続用の端子を接続するにあたっては、半田や銀ろうなどのろう材を用いてろう付けすることによっておこなうのが一般的である。しかしこのようにろう付けすることによって接続をおこなうと、溶融させたろう材の高熱がプリント配線板に作用してプリント配線板に劣化が発生するおそれがある等の問題がある。
そこで、本出願人によって超音波振動を与えることによる金属拡散接合でプリント配線板１の導体回路２に外部接続用の端子３を接続するようにした技術が特願平３−５００４３号や特願平３−５００４４号などで提供されている。すなわち、図４に示すように、プリント配線板１の導体回路２の表面に端子３の先端部を重ねて密着させ、超音波伝導子の伝達ツール（加圧子）９を用いて端子３を導体回路２に加圧しながら超音波振動を与えることによって、導体回路２と端子３とを金属拡散接合させて接続するようにしたものである。」（段落【０００２】〜【０００３】）
　
（周３ｃ）「・・・プリント配線板１としては、・・・セラミック板で絶縁基板１ａを作成すると共にその表面に金属導体ペースト等で導体回路２を設けたセラミック基板のものなど、任意のものを使用することができる。」（段落【０００８】）
　
（周３ｄ）「また、外部接続用の端子３としては、例えば銅や銅合金、４２アロイ、鉄、鉄合金、アルミニウムなどで作成されたリードフレームや、短冊状リード、端子ピンなどを用いることができる。・・・」（段落【０００９】）
　
（周知例４）特開平９−３６１８６号公報
　
（周４ａ）「図１３は従来のパワー半導体モジュールの構造の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。図において１はシリコン半導体チップ、２は半導体チップ上に形成されたアルミニウムパッド、３は絶縁基板、４は絶縁基板上に形成されたＮｉ／Ｃｕ層として設けられた電極、５はアルミニウムパッドと電極とを接続するために使用されたアルミニウムワイヤ、６は半導体素子と電極とを接合するために使用された半田、７は放熱板、８は絶縁基板と放熱板とを接合するために使用された半田である。
次に、従来のモジュールの組立て工程について説明する。・・・次いで半導体チップ上に形成されたアルミニウムパッド２と電極４とを太いアルミニウムワイヤ５を用い、ワイヤボンディングによって接続する。ワイヤボンディングは、アルミニウムワイヤにツールを介して、大きな荷重と超音波を印加することによってワイヤならびに接合する相手材を変形させ、両者の酸化膜を除去し互いに清浄な新生面を露出させる原理で接合するものである。・・・」（段落【０００３】〜【０００４】）
　
（周４ｂ）「接続方法としてワイヤボンディングを用いること及び導体としてアルミニウムを用いることに関しては、以下の大きな問題がある。・・・シリコン半導体チップ並びに絶縁基板（Ａｌ２Ｎ３）の熱膨張率と・・・
二つ目は、ワイヤボンディングの際に発生する半導体チップの損傷である。ボンディング部の温度サイクルに対する寿命を伸ばすためには、ワイヤを強固に接合する必要がある。そのためには大きなパワーと荷重でボンディングするが、この時、パッド下の絶縁層を破壊し、絶縁耐圧が低下するという問題が発生する。三つ目は、従来のワイヤによる接続では配線の電気抵抗を低減することが困難なため、パワー半導体モジュールの通電容量の増加に対応できないことである。すなわち、電気抵抗を低減するには、ワイヤ径の増大及び低抵抗の銅ワイヤを用いる方法があるが、太線ではボンディングの際により大きなパワーが必要であり、銅ワイヤの場合では硬いためいずれも前述の半導体チップの損傷が発生する。」（段落【０００７】〜【０００８】）
　
　
　刊行物発明において、導電部材の接合方法及び材質は、実施にあたって当然に選択されるものであり、セラミック製の回路基板上の導電層への導電部材の接合方法として、接合性の良い超音波エネルギを加えた接合方法を用いること、及び導電部材の材質として、低抵抗の銅や銅合金を用いることは、周知であるから、刊行物発明の実施に際し、接合性及び抵抗率等の周知の課題を考慮して、導電部材の接合方法として超音波エネルギを加えた接合方法を、導電部材の材質として銅や銅合金をそれぞれ採用して、上記相違点を構成することは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　また、本願補正発明の導電部材を接合した部分の回路基板のセラミックス表面にダメージを与える虞がなくなるという効果も、超音波による接合は、セラミック基板内にクラックを生じさせるという問題点が本願出願前において知られていたのであるから（（周１ｂ）参照）、当該問題点を解消しようとすることも当然のことであって、上記作用効果は、刊行物及び周知技術から当業者が予測し得た範囲のものである。そして、本願補正発明のその他の効果も、刊行物及び周知技術から当業者が予測し得た範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　 
　 
５．むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
III．本願発明について
　
　平成１７年１０月２７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２に係る発明は、平成１７年３月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「セラミック製の回路基板と、この回路基板の表面に銀・銅・チタニウム・インジウムを主成分とする金属ろう材を用いた活性金属法によって接合した銅または銅合金でなる導電層と、この導電層の表面に超音波エネルギを加えて接合した銅または銅合金でなる導電部材とを具備していることを特徴とする半導体装置。」
　
　
１．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記「II．２．」に記載したとおりである。
　
　
２．対比・判断
　
　本願発明は、前記II．で検討した本願補正発明から、セラミック製の回路基板について「窒化アルミニウムまたはアルミナまたは窒化けい素のいずれかでなる」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「II．４．」に記載したとおり、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
３．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。