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　特願２００２−２２９０８１「半導体ウェーハの両面研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月　４日出願公開、特開２００４−　７１８３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年８月６日の出願であって、その請求項１ないし２に係る発明は、当審で提出された平成２１年１０月２９日付けの手続補正書によって補正された明細書及び出願当初の図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は、次のとおりである。（以下「本願発明」という。）
「研磨作用面に平均粒径５０μｍ以下の研磨砥粒が固定されたショアＤ硬度が４０〜８５で、かつ体積比で研磨布１００に対して前記研磨砥粒が５〜７０混入された研磨布を、研磨圧力１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２で半導体ウェーハの表面に押し付けるとともに、該半導体ウェーハの裏面に、研磨作用面に平均粒径５０μｍ以下の前記研磨砥粒が固定されたショアＤ硬度が４０〜８５で、かつ体積比で研磨布１００に対して前記研磨砥粒が０．０００５〜７混入された研磨布を、研磨圧力１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２で押し付け、両研磨作用面に研磨砥粒を含まないｐＨ１１．５〜ｐＨ１２．５のアルカリ性溶液である研磨液をそれぞれ供給しながら、前記半導体ウェーハと両研磨布との相対運動により、この半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨する半導体ウェーハの両面研磨方法。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審での平成２１年９月１４日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１３年１１月２日に頒布された刊行物である特開２００１−３０８０３８号公報（以下「引用例１」という。）、及び、同じく本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−２９０３５６号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の発明が記載されている。
（１）引用例１
ア　特許請求の範囲の請求項１〜３
「【請求項１】　キャリアプレートに形成されたウェーハ保持孔内に半導体ウェーハを挿入・保持し、研磨剤を半導体ウェーハに供給しながら、対向配置された一対の研磨部材の間で、上記キャリアプレートの表面と平行な面内でこのキャリアプレートを運動させて、上記半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨することができる両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法であって、
一方の上記研磨部材を固定砥粒を有する固定砥粒体とし、他方の上記研磨部材をこの固定砥粒体に対向する面に研磨布が展張された研磨定盤とすることで、半導体ウェーハの表裏面の研磨量を異ならせる両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項２】　上記研磨剤がアルカリ液である請求項１に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項３】　上記固定砥粒体が研磨砥石で、上記研磨布が不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた軟質の不織布パッドである請求項１または請求項２に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法。」
イ　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】この発明は両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法、詳しくはサンギヤが組み込まれていない両面研磨装置を使用して、表裏面の研磨量が異なる半導体ウェーハを得る両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法に関する。」
ウ　段落【００１３】〜【００１６】
「それぞれの研磨部材の回転速度は限定されない。例えば、同じ速度で回転させてもよいし、異なる速度で回転させてもよい。また、各回転方向も限定されない。すなわち、同じ方向に回転させてもよいし、互いに反対方向へ回転させてもよい。・・・各研磨部材の半導体ウェーハに対する押圧力は限定されない。ただし、通常は１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２である。
　半導体ウェーハの選択研磨される面は限定されない。また、ウェーハ表裏両面の研磨量も限定されない。ただし、例えばウェーハ裏面が梨地面である片面鏡面ウェーハの場合、通常は鏡面（ウェーハ表面）側の研磨量が５〜２０μｍ、梨地面側の研磨量が１μｍ以下である。このように、ウェーハ片面の研磨を他面よりも大きくする選択研磨を行うことで、ウェーハ表裏面の光沢度を異ならせることができる。・・・
　固定砥粒体の種類は限定されない。例えば固定砥粒を結合材で所定形状、例えば厚肉円盤形状に固めた研磨砥石を採用してもいし、テープ基材の表面および／または裏面に固定砥粒が結合材によって固定された研磨テープでもよいし、シリカ微粉末、セリア微粉末および／またはアルミナ微粉末を所定の形状に成形したのち焼成したものでもよい。固定砥粒の粒度は限定されない。ただし、通常は０．１〜３．０μｍである。研磨定盤に展張される研磨布の種類および材質は限定されない。例えば、硬質の発泡ウレタンフォームパッド、不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた軟質の不織布パッドなどが挙げられる。その他、不織布からなる基布の上にウレタン樹脂を発泡させたパッドなども挙げられる。
　また、請求項２に記載の発明は、上記研磨剤がアルカリ液である請求項１に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法である。このアルカリ液には遊離砥粒を含まない。また、アルカリ液の種類は限定されない。例えばＮａＯＨ、ＫＯＨ、ピペラジンなどが挙げられる。このアルカリ液のｐＨは限定されない。ただし、通常は、ｐＨ９〜１１である。」
エ　段落【００１９】
「【作用】この発明によれば、研磨剤を半導体ウェーハに供給しながら、固定砥粒体と研磨布との間で、キャリアプレートをそのプレートの表面と平行な面内で運動させる。これにより、半導体ウェーハの表裏両面が、これらの固定砥粒体および研磨布によって研磨される。この際、固定砥粒体または研磨布の何れかによって、ウェーハ片面の研磨量が大きくなるウェーハ片面の選択研磨が行われる。すなわち、固定砥粒体によるウェーハ片面の研磨量と、研磨布によるウェーハ他面の研磨量とに差が生じる。その結果、この無サンギヤ式両面研磨装置を用いて、ウェーハ表裏両面の光沢度が異なる研磨を行うことができる。」
オ　段落【００２３】〜【００２４】
「図１，図２において、１０は一実施例に係る半導体ウェーハの研磨方法が適用される両面研磨装置（以下、両面研磨装置という）である。この両面研磨装置１０は、５個のウェーハ保持孔１１ａがプレート軸線回りに（円周方向に）７２度ごとに穿設された平面視して円板形状のガラスエポキシ製のキャリアプレート１１と、それぞれのウェーハ保持孔１１ａに旋回自在に挿入・保持された直径３００ｍｍのシリコンウェーハＷを、上下から挟み込むとともに、シリコンウェーハＷに対して相対的に移動させることでウェーハ表面を鏡面に研磨する上側配置の研磨ローラ（研磨砥石）１２と、研磨布によりシリコンウェーハＷの裏面を若干研磨して梨地面にする下側配置の研磨定盤１３とを備えている。シリコンウェーハＷは、その片面がシリコン酸化膜により覆われたものを採用してもよい。また、キャリアプレート１１の厚さは６００μｍで、シリコンウェーハＷの厚さ７３０μｍよりも若干薄くなっている。
　研磨ローラ１２は、上向き配置されるウェーハ表面を鏡面研磨する固定砥粒体であり、固定砥粒を結合材を介して、円盤形状に固めたものが採用されている。具体的には、この研磨ローラ１２は、エポキシ樹脂からなる直径３００ｍｍ，厚さ１０ｍｍのローラ本体を主体とし、研磨作用面を含むその露呈する面の全域に、粒径３μｍの微細な研磨砥粒（シリカ粒子）が固定されたローラである。この研磨砥粒の樹脂全体に対する混入量は、体積比で合成樹脂１００に対して１５に設定されている。この研磨ローラ１２における研磨砥粒の固定には、液状の常温硬化エポキシン樹脂に砥粒を混合し金型に鋳込む方法が採用されている。一方、研磨定盤１３の上面には、ウェーハ裏面を梨地化させる不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた軟質の不織布パッド１５が展張されている。軟質不織布パッド１５（ロデール社製「ＭＨ−１５」）の硬度は８０゜（Ａｓｋｅｒ）であって、厚さは１２７０μｍとなっている。」
カ　段落【００３１】
「また、図６にはこの装置にあってその研磨剤供給孔の位置を示す。例えば研磨ローラ１２に形成される複数の研磨剤供給孔はシリコンウェーハＷが常に存在する所定幅の円環状の領域Ｘに配置されている。ウェーハＷが揺動しても鏡面仕上げされるその表面に常に研磨剤が供給されるよう構成されている。研磨剤には、ｐＨが１０．５に調整されて、アミノエチルエタノールアミンを主成分としたアルカリ液が使用されている。この結果、研磨中において、ウェーハＷの裏面の研磨剤による薄膜が保持されることになる。」
キ　ここで、摘記事項ウの「各研磨部材の半導体ウェーハに対する押圧力は限定されない。ただし、通常は１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２である。」の記載から、研磨ローラ１２、及び軟質不織布パッド１５はともに、シリコンウェーハＷの表面に対して研磨圧力１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２で押し付けているものであることは明らかである。
　以上ア〜カの記載、及びキの認定事項から、引用例１には、以下の発明が記載されていると認められる。
「研磨作用面に粒径３μｍの研磨砥粒が固定され、かつ体積比で合成樹脂１００に対して前記研磨砥粒が１５混入された研磨ローラ１２を、研磨圧力１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２でシリコンウェーハＷの表面に押し付けるとともに、該シリコンウェーハＷの裏面に、不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた硬度８０°（Ａｓｋｅｒ）の軟質不織布パッド１５を、研磨圧力１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２で押し付け、両研磨作用面に遊離砥粒を含まないｐＨ９〜１１のアルカリ液である研磨剤を供給しながら、シリコンウェーハＷに対して研磨ローラ１２及び軟質不織布パッド１５を相対的に移動させることにより、このシリコンウェーハＷの表裏両面を同時に研磨するシリコンウェーハＷの両面研磨方法。」（以下、「引用発明」という。）
（２）引用例２
ク　特許請求の範囲の請求項１
「ＡＳＴＭ−Ｄ２２４０で規定する硬度がショアＤ６０〜８３であるポリウレタン樹脂のマトリックス８５〜５０重量％と、前記マトリックス中に分散された研磨砥粒１５〜５０重量％とから成り、発泡倍率が２〜１７倍であることを特徴とする研磨材。」
ケ　段落【００１３】〜【００１４】
「前記マトリックスに研磨砥粒を分散させるためには、例えば化学的に安定な活性水素含有化合物中に予め研磨砥粒の所定量を投入し、攪拌機などを用いて充分に混合分散させ、ここに、前記したイソシアネート化合物を混合することが好適である。本発明の研磨材において、マトリックスであるポリウレタン樹脂の硬度をショアＤ６０〜Ｄ８３と限定した理由は、硬度がショアＤ６０未満の場合には、研磨材としての硬度が低過ぎて、図２に示すように、研磨時にかかる圧力によって被研磨体５が研磨材３に沈み込みすぎて、被研磨体５の外周面付近（周縁部）が削られやすくなり、そのため、中心部の厚みよりも外周部の厚みの方が薄くなる、いわゆる面ダレが生じて品質を損ねるからである。
　また、硬度がショアＤ８３を超える場合には、マトリックスとしての弾性力が劣り、そのため、研磨砥粒の影響が大きく発現するようになって研磨後の被研磨体５の平滑性が低下し、同じく品質を損ねるためである。なお、前記ポリウレタン樹脂の硬度は、ポリオールと鎖延長剤とを官能基当量比率で、ポリオール：鎖延長剤＝１：２〜１：２５の範囲で配合することにより活性水素含有化合物とし、この活性水素含有化合物とイソシアネートとを官能基当量比率で、活性水素含有化合物：イソシアネート＝１：1.０４〜１：1.２の範囲で配合することにより、ショアＤ６０〜８３に調整することが可能である。」
コ　段落【００１９】
「本発明の研磨方法においては、図１で示した研磨装置の上定盤１と下定盤２に上記研磨材３を配置し、それらの間に、被研磨体５を保持したキャリア４を介装し、前記した上・下定盤１、２を被研磨体５に対して回転させればよい。このとき、界面活性剤を主成分とする従来の研磨液を併用してもよい。なお、本発明の研磨材はアルミ基板の研磨用に最適であるが、研磨対象はこれに限定されるものではなく、精密な研磨が要求される各種基板、金属、プラスチック成形品、更にはレンズ等の光学部品などの被研磨体の研磨用として使用することができる。」
　以上ク〜コの記載事項から、引用例２には、以下の事項が記載されていると認められる。
「ショアＤ硬度が６０〜８３で、かつ重量％で研磨材１００に対して研磨砥粒が１５〜５０混入された精密な研磨が要求される各種基板などの被研摩体の研磨用研磨材。」（以下、「引用例２記載事項」という。）
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明の「シリコンウェーハＷ」、「不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた軟質不織布パッド１５」、「アルカリ液」、「研磨剤」は、それぞれ、本願発明の「半導体ウェーハ」、「研磨布」、「アルカリ性溶液」、「研磨液」に相当する。
　引用発明の「研磨ローラ１２」及び「不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた軟質不織布パッド１５」は、共に、「研磨体」という限りで、本願発明の「研磨布」に相当する。
　引用発明の「粒径３μｍの研磨砥粒」が「平均粒径５０μｍ以下の研磨砥粒」と言えるものであることは明らかである。
　引用発明の「体積比で合成樹脂１００に対して前記研磨砥粒が１５混入された研磨ローラ１２」は、「体積比で研磨体構成要素１００に対して研磨砥粒が１５混入された研磨体」という限りで、本願発明の「体積比で研磨布１００に対して前記研磨砥粒が５〜７０混入された研磨布」と共通する。
　引用発明の「遊離砥粒を含まない研磨剤」は、本願発明の「研磨砥粒を含まない研磨液」に相当する。
　引用発明の「シリコンウェーハＷに対して研磨ローラ１２及び軟質不織布パッド１５を相対的に移動させること」は、「半導体ウェーハと両研磨体との相対運動」という限りで、本願発明の「半導体ウェーハと両研磨布との相対運動」と共通する。
　以上の点から、両者は「研磨作用面に平均粒径５０μｍ以下の研磨砥粒が固定され、かつ体積比で研磨体構成要素１００に対して前記研磨砥粒が１５混入された研磨体を、研磨圧力１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２で半導体ウェーハの表面に押し付けるとともに、該半導体ウェーハの裏面に、研磨布を、研磨圧力１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２で押し付け、両研磨作用面に研磨砥粒を含まないアルカリ性溶液である研磨液を供給しながら、半導体ウェーハと両研磨体との相対運動により、この半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨する半導体ウェーハの両面研磨方法。」で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点１＞
　半導体ウェーハの表面及び裏面に設けられた研磨体に関して、本願発明では、表面に設けられる研磨体が「ショアＤ硬度が４０〜８５の研磨布」であり、また、裏面に設けられる研磨体が「研磨作用面に平均粒径５０μｍ以下の研磨砥粒が固定されたショアＤ硬度が４０〜８５で、かつ体積比で研磨布１００に対して前記研磨砥粒が０．０００５〜７混入された研磨布」としているのに対し、引用発明では、半導体ウェーハの表面に設けられた研磨体が「研磨ローラ１２」であってその硬度については不明であり、また、裏面に設けられる研磨体が「不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた硬度８０°（Ａｓｋｅｒ）の軟質不織布パッド１５」であり、研磨砥粒を含むかどうか不明な点。
＜相違点２＞
　研磨液のｐＨに関して、本願発明では、「ｐＨ１１．５〜ｐＨ１２．５」としているのに対し、引用発明では、「ｐＨ９〜１１」である点。
＜相違点３＞
　研磨液の供給に関して、本願発明では、両研磨作用面に、「それぞれ」供給するとしているのに対し、引用発明では、「それぞれ」供給するのかどうか不明な点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
（１）＜相違点１＞について
　基板などの被研摩体用の研磨布としてショアＤ硬度が４０〜８５程度のものは、引用例２に記載されているように従来周知の事項である。また、研磨砥粒が固定された研磨布で基板の一種である半導体ウェーハを研磨することは、特開２００２−１８７３１号公報（特許請求の範囲の請求項１、及び段落【００４３】参照。）、特開２００２−１６０２５号公報（段落【００４４】参照。）に記載されているように従来周知の事項である。してみると、引用例２記載事項を引用発明に適用し、基板の一種であるシリコンウェーハＷの両面に押し付ける研磨体を、研磨砥粒が混入された、ショアＤ硬度が４０〜８５程度のものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
　なお、本願発明では、さらに、半導体ウェーハの裏面に設けられた研磨布を、さらに、「平均粒径５０μｍ以下の研磨砥粒が固定され、かつ体積比で研磨布１００に対して前記研磨砥粒が０．０００５〜７混入された」ものと特定している。
　しかしながら、引用発明においても、研磨体である研磨ローラ１２に対してではあるものの、そこに固定される研磨砥粒の粒径は３μｍであることから、引用発明において、半導体ウェーハの裏面に設けられる研磨体を研磨砥粒が固定された研磨布とした場合には、その固定される研磨砥粒の平均粒径を５０μｍ以下とすることは、当業者が通常なし得る設計変更に過ぎない。
　また、一般に被研磨体を研磨砥粒が固定された研磨布で研磨する場合、固定される砥粒の量が多ければそれだけ多くの研磨砥粒が被研磨体の表面を削るため研磨速度が速くなり、逆に固定される研磨砥粒の量が少なければそれだけ研磨速度が遅くなることは明らかである。そして、引用発明においては、引用例１の摘記事項アや摘記事項ウに記載されているように、被研磨体としてのシリコンウェーハＷの表裏両面の研磨速度を異ならせるものであることからすれば、引用発明において、シリコンウェーハＷの表面及び裏面に設けられる研磨布を研磨砥粒が固定されたものとした場合には、その固定される研磨砥粒の量を、シリコンウェーハＷの表面に設けられる研磨布に固定される研磨砥粒の量よりも少なくすることは、当業者が通常なし得る設計事項に過ぎない。そして、その混入される研磨砥粒の量を、体積比で研磨布１００に対して前記研磨砥粒が０．０００５〜７と特定することは、その特定値による臨界的な意義が存在しないことから、当該数値に特定することは単なる設計的事項にすぎない。
（２）＜相違点２＞について
　半導体ウェーハのアルカリ性溶液である研磨液のｐＨを「１１．５〜１２．５」程度とすることは、例えば、特開平８−２６７３５８号公報（段落【０００１】〜【０００２】参照。）、特開平９−３０６８８０号公報（特許請求の範囲の請求項１、及び段落【００２２】参照。）、特開２００１−７０６３号公報（段落【００１７】参照。）等に示されるように従来周知の事項であり、また、特に研磨液のｐＨを１１．５〜１２．５に特定したことによる臨界的意義も見当たらないことからすれば、研磨液のｐＨを１１．５〜１２．５と特定することは、当業者が容易になし得た事項である。
（３）＜相違点３＞について
　一般に、研磨される部分に個別に研磨液を供給することは従来通常行われているものであるところ、引用例１においても、摘記事項カに「研磨ローラ１２に形成される複数の研磨剤供給孔はシリコンウェーハＷが常に存在する所定幅の円環状の領域Ｘに配置されている。ウェーハＷが揺動しても鏡面仕上げされるその表面に常に研磨剤が供給されるよう構成されている。・・・この結果、研磨中において、ウェーハＷの裏面の研磨剤による薄膜が保持されることになる。」と記載されているように、シリコンウェーハＷの裏面にも、潤滑剤の薄膜が設けられているものであることからすれば、引用発明においても、シリコンウェーハＷの表面だけでなく、裏面にも研磨液である研磨剤を供給することは、当業者が容易になし得たものである。
（４）作用・ないし効果について
　本願発明の奏する作用ないし効果についても、引用発明、引用例２記載事項、及び、その他の周知の事項から予測し得る程度のものであって、格別のものではない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２記載事項及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。