【事件の表示】
　平成１０年特許願第２７４０２０号「被処理体の処理装置及び被処理体の処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月１１日出願公開、特開２０００−１０６３４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年９月２８日の出願であって、平成１５年９月３０日付で拒絶理由通知がなされ、平成１５年１２月１日付で、意見書と手続補正書が提出され、平成１６年８月３０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月２日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年１１月２日付の手続補正書の補正却下について
　
［補正却下の決定についての結論］
　
　平成１６年１１月２日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜５は、
「　【請求項１】
　複数の被処理体を収納し、処理を施すための反応管と、
　前記反応管内に、被処理体をロードし、処理済みの被処理体をアンロードするローディング機構と、
　前記反応管に接続され、該反応管内のガスを排出するための排気通路と、
　前記排気通路に接続され、前記反応管内のガスを排気するための排気手段と、
　前記排気通路中に配置され、この排気通路を開閉するメインバルブと、
　前記メインバルブを跨いで、排気通路同士を接続すると共に前記排気通路のガス流量よりも少ない流量で、前記反応管内のガスを排気するためのバイパス路と、
　前記バイパス路中に配置されて、該バイパス路を開閉するバイパスバルブと、
　前記メインバルブを跨いで排気通路同士を接続すると共に、被処理体のロード又はアンロードの動作中に、前記バイパス路のガス流量よりも少ない流量で前記反応管内のガスを排気するためのサブバイパス路と、
　前記サブバイパス路中に配置されて、該サブバイパス路を開閉するサブバルブと、
　を備え、
　前記排気手段は、前記ローディング機構による被処理体のロード動作時及び／又はアンロード動作時に、開いた状態の前記サブバルブを介して、大気圧に対して−５〜−７０mmＨ２Ｏの圧力差で前記反応管内のガスを排気する、
　ことを特徴とする被処理体の処理装置。
　　【請求項２】
　前記サブバルブを開いて前記排気手段により前記反応管内のガスを排気しながら被処理体をローディングし、
　ローディング完了後、前記反応管内が第１の圧力に達するまで、前記サブバルブを開いて前記排気手段により前記反応管内のガスを排気し、
　前記反応管内が前記第１の圧力に達した後、前記バイパスバルブを開いて前記排気手段により前記反応管内のガスを排気し、
　前記反応管内が前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に達した後、前記メインバルブを開いて前記排気手段により前記反応管内のガスを排気する、
　ことを特徴とする請求項１に記載の被処理体の処理装置。
　　【請求項３】
　前記被処理体の処理装置は、前記反応管内にＮＨ３ガスとＳｉＨ２Ｃｌ２ガスとを供して、被処理体にＳｉＮ膜を形成する装置であり、
　被処理体のロード動作時及び／又はアンロード動作時に、前記サブバルブを開いて前記排気手段により排気を行うことにより、反応副生成物であるＮＨ４Ｃｌの昇華ガスが前記被処理体に流れることを防止する、
　ことを特徴とする請求項１または２に記載の被処理体の処理装置。
　　【請求項４】
　被処理体を反応管にロードし、ローディング後の被処理体に熱処理を伴う所定の処理を施し、処理後の被処理体をアンロードする被処理体の処理方法において、
　前記反応管内のガスを大気圧に対して−５〜−７０mmＨ２Ｏの圧力差で排気しながら、被処理体を該反応管内にロードし及び／又は該反応管からアンロードする、
　ことを特徴とする被処理体の処理方法。
　　【請求項５】
　前記反応管に接続された排気通路、該排気通路を開閉するメインバルブを跨いで排気通路同士を接続するバイパス路又はサブバイパス路の少なくとも一つを介して反応管内のガスを排気し、
　前記反応管内のガスを前記サブバイパス路を介して排気しながら被処理体をローディングし、
　ローディング完了後、前記反応管内が第１の圧力に達するまで、前記サブバイパス路を介して前記反応管内のガスを排気し、
　前記反応管内が前記第１の圧力に達した後、前記バイパス路又は前記バイパス路及び前記サブバイパス路を介して前記反応管内のガスを排気し、
　前記反応管内が前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に達した後、少なくとも前記排気通路を介して前記反応管内のガスを排気する、
　ことを特徴とする請求項４に記載の被処理体の処理方法。」
と補正された。（以下、「本願補正発明１〜５」という。）
　
　本願補正発明１は補正前の請求項３に対応し、その内容は同一であり、本願補正発明２は請求項１の補正に対応して補正したものであり、補正前の請求項２の内容と実質的に同一である。
　本願補正発明３は補正前の請求項４に対応し、本願補正発明４は補正前の請求項６に対応し、本願補正発明５は、補正前の請求項６の内容に補正前の請求項５の要件を追加したものであり、その内容は補正前の請求項５に「前記反応管内のガスを大気圧に対して−５〜−７０mmＨ２Ｏの圧力差で排気しながら、被処理体を該反応管内にロードし及び／又は該反応管からアンロードする、」の限定を加え、請求の範囲を減縮したものと認められる。補正前の請求項１は、削除された。よって、この補正は、特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除、及び、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１４７７３号公報（以下、刊行物１という。）には、図面とともに、
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の製造装置の１つである減圧ＣＶＤ装置に関するものである。」
「【０００４】前記反応室９にはボート４が装入、引出し可能となっており、該ボート４には水平姿勢で多段にウェーハ５が装填される様になっている。又、前記ボート４はボートキャップ６を介して炉口蓋７に載置され、該炉口蓋７はボート４装入状態で前記反応室９の炉口部を閉塞可能となっている。該炉口蓋７は図示しないボートエレベータにより昇降可能である。」
「【０００６】前記反応室９の下端に反応ガス導入管８が連通し、前記円筒状空間１０の下端には、ガス排気管１２連通され、該ガス排気管１２には真空ポンプ１３が接続されている。該ガス排気管１２の途中にはメインバルブ１４が設けられ、該メインバルブ１４をバイパスする補助排気管１５が前記ガス排気管１２に接続され、該補助排気管１５に補助バルブ１６が設けられる。又、メインバルブ１４、補助バルブ１６の上流側に圧力検出器１７、過加圧防止ライン１８が接続され、該過加圧防止ライン１８に仕切バルブ１９、チェック弁２０が設けられる」
「【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に、前記圧力検出器１７が反応室９を大気圧と検知し、或はチェック弁２０で不活性ガスを漏出させ大気圧に保持している状態でも、正確には反応室９の内外では圧力差がある。この為、前記ボート４を引出し、或は前記炉口シャッタ１１を開いた場合、反応室９の雰囲気に乱れが生ずる。特に排気系から反応室９方向への雰囲気の乱れがあった場合、ガス排気管１２の内壁に付着していたパーティクル、或は残留したＮＨ4 Ｃｌが反応室９に混入し、ウェーハ５の汚染の原因となる問題があった。」
「【００１３】・・・ボートの引出し、或は前記炉口シャッタの開閉で反応室雰囲気が乱れてもパーティクル、或はＮＨ４Ｃｌ等の汚染物質の混入がない様にしたものである。」
「【００１８】円筒状空間１０の下端にガス排気管１２を連通し、該ガス排気管１２に真空ポンプ１３を接続する。前記ガス排気管１２にメインバルブ１４を設け、該メインバルブ１４をバイパスして補助排気管１５を設け、該補助排気管１５に補助バルブ１６を設ける。前記メインバルブ１４、補助バルブ１６の上流側に圧力検出器１７を設ける。
【００１９】前記メインバルブ１４をバイパスして更に過加圧防止ライン２１を設け、該過加圧防止ライン２１に仕切バルブ２２、該仕切バルブ２２の下流側にニードルバルブ等の流量制御弁２３を設ける。」
「【００２２】次に、メインバルブ１４、補助バルブ１６、仕切バルブ２２を閉じ、前記反応ガス導入管８より更に不活性ガスを流入し、反応室９を大気圧迄昇圧する。前記圧力検出器１７により大気圧であることが検出されると前記過加圧防止ライン２１の仕切バルブ２２を開き前記流量制御弁２３で前記真空ポンプ１３の吸引量を調整しながら過加圧とならない様に不活性ガスを吸引する。而して、炉口蓋７を下降させたり、炉口シャッタ１１を開いた場合に、反応室９の雰囲気に乱れを生じたとしても、前記過加圧防止ライン２１は常に微少量吸引されているので、前記ガス排気管１２中のガスは過加圧防止ライン２１方向に流れ、反応室９に排気系からのパーティクル、或はＮＨ4 Ｃｌ等の汚染物質の混入がなくなる。」
との記載が認められ、これらの記載によれば、刊行物１には、
「反応室９にはボート４が装入、引出し可能となっており、前記ボート４は、炉口蓋７に載置され、該炉口蓋７はボートエレベータにより昇降可能であり、円筒状空間１０の下端にガス排気管１２を連通し、該ガス排気管１２に真空ポンプ１３を接続し、前記ガス排気管１２にメインバルブ１４を設け、該メインバルブ１４をバイパスして補助排気管１５を設け、該補助排気管１５に補助バルブ１６を設け、前記メインバルブ１４をバイパスして更に過加圧防止ライン２１を設け、該過加圧防止ライン２１に仕切バルブ２２、該仕切バルブ２２の下流側にニードルバルブ等の流量制御弁２３を設け、炉口蓋７を下降させたり、炉口シャッタ１１を開いた場合に、反応室９の雰囲気に乱れを生じたとしても、前記過加圧防止ライン２１は常に微少量吸引されているので、前記ガス排気管１２中のガスは過加圧防止ライン２１方向に流れ、反応室９に排気系からのパーティクル、或はＮＨ４Ｃｌ等の汚染物質の混入がない減圧ＣＶＤ装置」の発明（以下「刊行物１発明」という。）が開示されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明１と刊行物１発明とを比較すると、刊行物１発明の「反応室」、「ボートエレベータ」、「ガス排気管」、「真空ポンプ」、「補助排気管」、「補助バルブ」、「過加圧防止ライン」、「仕切バルブ」、「減圧ＣＶＤ装置」は、それぞれ、本願補正発明の、「反応管」、「ローディング機構」、「排気通路」、「排気手段」、「バイパス路」、「バイパスバルブ」、「サブバイパス路」、「サブバルブ」、「処理装置」に相当するから、両者は、
「複数の被処理体を収納し、処理を施すための反応管と、
　前記反応管内に、被処理体をロードし、処理済みの被処理体をアンロードするローディング機構と、
　前記反応管に接続され、該反応管内のガスを排出するための排気通路と、
　前記排気通路に接続され、前記反応管内のガスを排気するための排気手段と、
　前記排気通路中に配置され、この排気通路を開閉するメインバルブと、
　前記メインバルブを跨いで、排気通路同士を接続する、前記反応管内のガスを排気するためのバイパス路と、
　前記バイパス路中に配置されて、該バイパス路を開閉するバイパスバルブと、
　前記メインバルブを跨いで排気通路同士を接続すると共に、被処理体のロード又はアンロードの動作中に、前記反応管内のガスを排気するためのサブバイパス路と、
　前記サブバイパス路中に配置されて、該サブバイパス路を開閉するサブバルブと、
　を備えることを特徴とする被処理体の処理装置。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　バイパス路が、本願補正発明１は、「排気通路のガス流量よりも少ない流量で、前記反応管内のガスを排気する」のに対し、刊行物発明１ではそのような記載のない点。
［相違点２］
　被処理体のロード又はアンロードの動作中にサブバイパス路が、本願補正発明１では、「バイパス路のガス流量よりも少ない流量で」排気するのに対し、刊行物発明１では、「常に微少量吸引されている」点。
［相違点３］
　本願補正発明１では、「前記排気手段は、前記ローディング機構による被処理体のロード動作時及び／又はアンロード動作時に、開いた状態の前記サブバルブを介して、大気圧に対して−５〜−７０mmＨ２Ｏの圧力差で前記反応管内のガスを排気する」のに対し、刊行物発明１ではそのような記載のない点。
　
（４）判断
［相違点１］について
　メインの排気通路の流量よりバイパスの流量を小さくすることは適宜なし得る設計事項である。
［相違点２］について
　刊行物１，第２２段落において、「メインバルブ１４、補助バルブ１６、仕切バルブ２２を閉じ、前記反応ガス導入管８より更に不活性ガスを流入し、反応室９を大気圧迄昇圧する。前記圧力検出器１７により大気圧であることが検出されると前記過加圧防止ライン２１の仕切バルブ２２を開き前記流量制御弁２３で前記真空ポンプ１３の吸引量を調整しながら過加圧とならない様に不活性ガスを吸引する。而して、炉口蓋７を下降させたり・・」と記載されており、メインバルブ、補助バルブ、仕切バルブを閉じて、不活性ガスを導入したのち、仕切バルブを開いているので、補助バルブは、閉じたままであり、被処理体のアンロードの動作中に、前記バイパス路のガス流量よりも少ない流量で前記反応管内のガスを排気していると認められる。
　また、刊行物発明１では、常に微少量吸引されており、この微少量が、バイパス路のガス流量よりも少ない流量とすることは、必要に応じて適宜なし得る設計事項である。
［相違点３］について
　刊行物１の発明が解決しようとする課題の欄に「ボート４を引出し、或は前記炉口シャッタ１１を開いた場合、反応室９の雰囲気に乱れが生ずる。特に排気系から反応室９方向への雰囲気の乱れがあった場合、ガス排気管１２の内壁に付着していたパーティクル、或は残留したＮＨ４Ｃｌが反応室９に混入し、ウェーハ５の汚染の原因となる問題があった。」との課題が認識されており、ガス流量を制御するために、本願発明と同じニードルバルブ等の流量制御弁を用いて常に微少量吸引するようにしたものである。
　刊行物１において、具体的な吸引条件は示されていないが、パーティクル、或は残留したＮＨ４Ｃｌがウェーハ５の汚染の原因とならないように微少量吸引する条件を設定することは、当業者が実施に当たって当然考慮することである。
　また、圧力差が、例えば−７０mmＨ２Ｏという同一の条件であったとしても、真空ポンプの排気容量とバルブの開度の組み合わせによって、該バルブを通過するガスの流量が異なることは明らかであり、本願補正発明１で規定する圧力差を保持したとしても、使用する真空ポンプの排気容量によって、反応管内から排気される排気流量が異なることになり、これに伴い、パーティクルの挙動も異なることとなるものと認められる。さらに、排気流量とパーティクルの挙動の関係は、反応管の構造（二重管等）、反応管の容量、反応管における排気孔の開口位置等の種々の条件によって変化することも明らかであから、大気圧に対して−５〜−７０mmＨ２Ｏという圧力差に臨界的な意義は認められない。
　そして、本願補正発明１の作用効果も、刊行物１に記載された範囲のものである。
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年１１月２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１５年１２月１日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものである（以下、同項記載の発明を「本願発明１〜６」という。）ところ、請求項３に記載の発明は、以下のとおりのものである。
「　【請求項３】
　複数の被処理体を収納し、処理を施すための反応管と、
　前記反応管内に、被処理体をロードし、処理済みの被処理体をアンロードするローディング機構と、
　前記反応管に接続され、該反応管内のガスを排出するための排気通路と、
　前記排気通路に接続され、前記反応管内のガスを排気するための排気手段と、
　前記排気通路中に配置され、この排気通路を開閉するメインバルブと、
　前記メインバルブを跨いで、排気通路同士を接続すると共に前記排気通路のガス流量よりも少ない流量で、前記反応管内のガスを排気するためのバイパス路と、
　前記バイパス路中に配置されて、該バイパス路を開閉するバイパスバルブと、
　前記メインバルブを跨いで排気通路同士を接続すると共に、被処理体のロード又はアンロードの動作中に、前記バイパス路のガス流量よりも少ない流量で前記反応管内のガスを排気するためのサブバイパス路と、
　前記サブバイパス路中に配置されて、該サブバイパス路を開閉するサブバルブと、
　を備え、
　前記排気手段は、前記ローディング機構による被処理体のロード動作時及び／又はアンロード動作時に、開いた状態の前記サブバルブを介して、大気圧に対して−５〜−７０mmＨ２Ｏの圧力差で前記反応管内のガスを排気する、
　ことを特徴とする被処理体の処理装置。」
　
（１）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。　
（２）対比・判断
　本願発明３は、前記２．で検討した本願補正発明１と同じものである。　そうすると、本願発明３も、同じ理由により、刊行物１に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明３は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。