【事件の表示】
　特願２００１−　９０６０３「半導体ウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　４日出願公開、特開２００２−２８９５６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は、平成１３年３月２７日の特許出願であって、同１９年１０月１８日付で拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１９年１２月２１日に意見書と共に明細書について手続補正書が提出されたが、同２０年４月４日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、同２０年５月８日に本件審判の請求がされ、その後、同２０年６月９日に明細書について再度手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成２０年６月９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年６月９日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
2.1　補正の内容の概要
　平成２０年６月９日付の手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正をすると共にそれに関連して発明の詳細な説明についても補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
（１）補正前
「スライスされた半導体ウェーハの外周部を研削することによりこの外周部を所定の丸みを帯びた形状に成形する面取り工程、
　この半導体ウェーハの表裏両面を平行化するラッピング工程、
　ラッピングされた半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程、
　エッチングされた半導体ウェーハの表面を研磨する研磨工程、
　研磨された半導体ウェーハを洗浄する洗浄工程を備え、これらの工程が所定の順序で連続して実行される半導体ウェーハの製造方法において、
　上記連続して実行される複数の工程の全てを、半導体ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の工程で構成し、
　この枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送を、半導体ウェーハを１枚ずつ移送する枚葉移送とし、
　この半導体ウェーハの枚葉移送が、２本の把持アームによって半導体ウェーハのエッジを外方から包み込むように把持するロボットハンドを用いて行われるとともに、
　上記研磨工程を１次研磨と２次研磨と仕上げ研磨との３段階に分けて行い、各段階での研磨のタクトタイムを同じにした半導体ウェーハの製造方法。」
（２）補正後
「
口径が３００ｍｍ以上の
　この半導体ウェーハの表裏両面を平行化するラッピング工程、
　ラッピングされた半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程、
　エッチングされた半導体ウェーハの表面を研磨する研磨工程、
　研磨された半導体ウェーハを洗浄する洗浄工程を備え、これらの工程が所定の順序で連続して実行される半導体ウェーハの製造方法において、
　上記連続して実行される複数の工程の全てを、半導体ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の工程で構成し、
　この枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送を、半導体ウェーハを１枚ずつ移送する枚葉移送とし、
　この半導体ウェーハの枚葉移送が、２本の把持アームによって半導体ウェーハのエッジを外方から包み込むように把持するロボットハンドを用いて行われるとともに、
　上記研磨工程を１次研磨と２次研磨と仕上げ研磨との３段階に分けて行い、各段階での研磨のタクトタイムを同じにした半導体ウェーハの製造方法。」
　
2.2　補正の適否　　　
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、スライスされた半導体ウェーハについて「口径が３００ｍｍ以上の」という限定を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかであるので、さらに、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
2.3　補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、上記2.1の（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「半導体ウェーハの製造方法」であると認める。
　
2.4　引用例記載の発明（事項）
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−２５１２７０号公報（以下「引用例１」という。）及び特開平１１−３５４４７５号公報（以下「引用例２」という。）の記載内容はそれぞれ以下のとおりである。
　
2.4.1　引用例１
ａ．（段落【０００１】）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体シリコン単結晶ウエーハを製造する方法に係り、特に大直径の半導体シリコン単結晶ウエーハを製造する方法に関する。」
ｂ．（段落【０００９】〜【００１４】）
「【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため本発明の請求項１に記載した発明は、少なくとも、半導体単結晶棒をスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、スライスされたウエーハをラッピングしてこれを平坦化するラッピング工程と、ラッピングされたウエーハ表面に残留する加工歪を除去するエッチング工程と、エッチングされたウエーハの表面を研磨する研磨工程と、研磨されたウエーハを洗浄する洗浄工程と、から成る半導体シリコンウエーハの製造方法において、少なくとも前記ラッピング工程、エッチング工程、及び研磨工程を、ウエーハを一枚ずつ加工する枚葉式により行うことを特徴とする半導体シリコンウエーハの製造方法である。
【００１０】このように、少なくとも、スライス工程と、ラッピング工程と、エッチング工程と、研磨工程と、洗浄工程と、から成る半導体シリコンウエーハの製造方法において、半導体シリコンウエーハの大直径化によって、最も問題となるラッピング工程、エッチング工程、及び研磨工程の３工程を、ウエーハを一枚ずつ加工する枚葉式により行うことにより、それらの加工装置単体の大きさを小さくでき、その重量を低減することができる。そのため、シリコンウエーハが大直径化しても工場建屋の増築・新築の必要がなくなる利点がある。
【００１１】また、枚葉式によりラッピング工程、エッチング工程、及び研磨工程を行えば、ウエーハのハンドリング及びウエーハ加工装置のメンテナンス等が、バッチ方式によって行う場合よりも容易になり、大直径のウエーハを加工する場合であっても、人員の追加等の必要がなく、効率的に作業を進めることができる。また、自動化も容易となり、製造ライン全体の自動化、効率化ができる。
【００１２】この場合、前記スライス工程の後から前記洗浄工程までの間に、ウエーハになされる加工工程の全てを、ウエーハを一枚ずつ加工する枚葉式により行うことが望ましい（請求項２）。
【００１３】このように、スライス工程の後から洗浄工程までの間に、ウエーハになされる加工工程の全てを、ウエーハを一枚ずつ加工する枚葉式により行えば、大直径のシリコンウエーハをウエーハ加工する場合における枚葉式の加工法の利点を、さらに活かすことができ、半導体シリコンウエーハの大直径化に伴う弊害を防ぐ効果はより顕著なものとなる。
【００１４】また、この場合に、製造される半導体シリコンウエーハの直径は、３００ｍｍ以上とすることができる（請求項３）。本発明の半導体シリコンウエーハの製造方法は、製造される半導体シリコンウエーハの直径が３００ｍｍ以上の大直径のものである時に、さらに本発明の製造方法の利点を活かすことができ、その効果は著しいものとなる。」
ｃ．（段落【００２２】）
「【００２２】本発明は、前記のように半導体シリコンウエーハの製造における各工程で、例えばウエーハを収納カセットから取り出し、ウエーハを一枚ずつ加工し、その後カセットに収納する枚葉式製造システムを採用することにより、ウエーハ加工装置単体の大きさを小さくでき、装置重量を軽量化することができる。枚葉式のウエーハ加工装置は、その設置に必要な床面積が３ｍ２以下であり、装置重量は重いものでも１０ｔ未満で、通常は６〜８ｔ程度のものとすることができる。」
ｄ．（段落【００２６】〜【００２７】）
「【００２６】ここで本実施例１のラッピング工程（２）において使用した枚葉式ラッピング装置は、図３（Ａ）（Ｂ）に示すようにウエーハｗを一枚ずつラッピングすることができるようにした枚葉式両面ラッピング装置２１であって、ウエーハｗを上下から挟み込んでラッピング面部で保持しつつ垂直軸まわりに回転可能な上下一対の定盤２２と、ウエーハｗの上下面にラッピング液を供給するラッピング液供給機構２３と、ウエーハｗの水平方向の移動を規制する位置規制機構２４を備えており、上下の定盤２２は水平方向に移動自在な構造となっている。
【００２７】そして、上下の定盤２２によってウエーハｗを挟み込み、ラッピング液供給機構２３からラッピング液を供給すると同時に、定盤２２を回転させつつ水平方向に移動させながら、ウエーハｗの上下面をラッピングするようになっている。また、ウエーハｗを挟持するラッピング面部は、挟持面に多数の溝をクロス状に刻設した目切り部となっており、ラッピング液にはラッピングコンパウンドを用いた。」
ｅ．（段落【００３７】〜【００３９】）
「【００３７】（実施例２）図２に示した加工流れ図にしたがい、直径３００ｍｍの半導体シリコン単結晶インゴットから、半導体シリコンウエーハを製造した。まず、半導体シリコン単結晶インゴットを従来のスライス装置によりスライスして薄円状のウエーハにした（１１）。ウエーハの外周エッジ部を、従来の面取り装置により、一枚ずつ一次面取りを行った（１２）。枚葉式ラッピング装置により、ウエーハのラッピングを行い、ウエーハを平坦化した（１３）。枚葉式エッチング装置により、ウエーハのエッチングを行い、ウエーハ表面に残留する加工歪を除去した（１４）。枚葉式研磨装置により、ウエーハの一次研磨を行い、エッチングされたウエーハの表面を粗研磨した（１５）。ウエーハの外周エッジ部を、従来の面取り装置により、一枚ずつ二次面取り（鏡面面取り）を行った（１６）。枚葉式ウエーハ研磨装置により、ウエーハの二次研磨を行った（１７）。枚葉式研磨装置により、ウエーハの仕上げ研磨を行い、ウエーハ表面を鏡面にした（１８）。最後に枚葉式洗浄装置により、ウエーハの洗浄を行い、半導体シリコンウエーハを完成させた（１９）。
【００３８】本実施例２においては、スライス工程（１１）後に、一次面取り工程（１２）を行った。また、ウエーハの平坦度、表面粗さをさらに向上させるため、エッチング工程（１４）後の研磨工程を、一次研磨工程（１５）、二次研磨工程（１７）、仕上げ研磨工程（１８）の３段階に分けて行った。
【００３９】また本実施例２の各加工工程で使用した加工装置は、本発明の実施例１での各工程で使用した加工装置と同じ装置を用いた。本実施例２の一次研磨工程（１５）、二次研磨工程（１７）、及び仕上げ研磨工程（１８）では、実施例１の研磨工程（５）で使用された枚葉式研磨装置を用い、一次研磨工程（１５）、二次研磨工程（１７）、仕上げ研磨工程（１８）と工程が進むにつれて、より目の細かい研磨布を用い、研磨液の研磨剤濃度を低めて研磨を行った。」
　
　上記摘記事項を技術常識を考慮に入れながら補正発明に照らして整理すると、引用例１には以下の発明が記載されていると認める。
「口径が３００ｍｍ以上のスライスされた半導体ウェーハの外周部を研削することによりこの外周部を所定の形状に成形する面取り工程、
　この半導体ウェーハの表裏両面を平行化するラッピング工程、
　ラッピングされた半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程、
　エッチングされた半導体ウェーハの表面を研磨する研磨工程、
　研磨された半導体ウェーハを洗浄する洗浄工程を備え、これらの工程が所定の順序で実行される半導体ウェーハの製造方法において、
　上記実行される複数の工程の全てを、半導体ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の工程で構成し、
　この枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送をカセットに収納して行うとともに、
　上記研磨工程を１次研磨と２次研磨と仕上げ研磨との３段階に分けて行う半導体ウェーハの製造方法。」（以下、「引用例１記載の発明」という。）
　
2.4.2　引用例２
ａ．（段落【０００１】〜【０００２】）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの研磨装置に係り、特に、研磨装置部において研磨が終了したウェーハを、洗浄装置部へ移送する部分に設けられるアンローダ部の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、ウェーハの研磨加工（ポリッシング）の際に使用される従来の研磨装置の全体構成を示す。図３において、２０は研磨装置部、２５ａ及び２５ｂはカセット、２６はウェーハ移載用のロボット、２７はローダ部、４０はアンローダ部（兼二次研磨加工部）、３０は洗浄装置部を表す。」
ｂ．（段落【０００９】〜【００１５】）
「【０００９】ウェーハ移載用のロボット２６は、カセット２５ａからウェーハ１０を取り出し、上下面を反転させた後、ローダ部２７の上に降ろす。従って、ローダ部２７の上に載せられたウェーハ１０ｂは、図３に示す様に、非研磨面（Ｂ面）が上面になっている。次に、研磨ヘッド２２がローダ部２７の上方へ旋回し、ローダ部２７上のウェーハ１０ｂをＢ面側から保持して、研磨装置部２０のターンテーブル２１の上に搬送する。次いで、ウェーハ１０ｃの一次研磨が行われる。
【００１０】ウェーハ１０ｃの一次研磨が終了すると、研磨ヘッド２２が、ウェーハを保持した状態で上昇し、次いで旋回して、アンローダ部（兼二次研磨加工部）４０の上へ移動する。アンローダ部（兼二次研磨加工部）４０では、ウェーハを保持した状態で研磨ヘッド２２が下降し、二次研磨用定盤４１を用いて、研磨面の二次研磨が行なわれる。この二次研磨によって、ウェーハの研磨面の面精度が更に高められる。
【００１１】図４に、アンローダ部（兼二次研磨加工部）４０のＹ−Ｙ部の断面図を示す。図４において、４１は二次研磨用定盤であり、下部に回転駆動機構を有している。４２は受取り用台であり、二次研磨終了後のウェーハを研磨ヘッド２２から受取るために使用される。受取り用台４２の下部には、ガイド部４３及び受取り用台４２を昇降させるシリンダ４４が設けられている。
【００１２】ウェーハの二次研磨が終了すると、ウェーハ受取り用台４２が上昇し、上面に設けられたピンの上にウェーハを載せて、二次研磨用定盤４１の上方で停止する。この時、ウェーハは非研磨面であるＢ面が上面になっている。ここで、次に示す洗浄装置部３０に設けられているロボット３１が、ウェーハを受け取る。
【００１３】次に、図３中に示した洗浄装置部３０について説明する。洗浄装置部３０は、４つの部屋に区分されている。図３において左側から第一の部屋には、両面ブラッシング装置３２及びウェーハの移載用のロボット３１が収容されている。第二の部屋には第一スピン洗浄装置３４、第三の部屋には旋回式反転機構３８、第四の部屋には第二スピン洗浄装置３５がそれぞれ収容されている。
【００１４】ウェーハは、ベース２９上のアンローダ部（兼二次研磨加工部）４０からロボット３１によって取り出され、洗浄装置部３０内に搬入される。なお、アンローダ部（兼二次研磨加工部）４０において、ウェーハは、受取り用台４２（図４）上に非研磨面（Ｂ面）を上側にして載せられており、ロボット３１は、外周部を側方から挟んでウェーハを保持し、両面ブラッシング装置３２内に搬入する。
【００１５】両面ブラッシング装置３２において両面のブラッシングが終了した後、ウェーハは、ロボット３１によって第一スピン洗浄装置３４に搬送される。第一スピン洗浄装置３４では、ウェーハのＢ面が上面にあり、洗浄効率上、主にＢ面側の洗浄が行われる。」
　
　上記摘記事項を補正発明に照らして整理すると、引用例２には以下の事項が記載されていると認める。
 「ウェーハ研磨装置において、枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送を、半導体ウェーハを１枚ずつ移送する枚葉移送とし、この半導体ウェーハの枚葉移送が、半導体ウェーハの外周部を側方から挟んで保持するロボットハンドを用いて行われること。」（以下、「引用例２記載の事項」という。）
　
2.5　対比
　補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、両者は、以下の点で一致しているということができる。
＜一致点＞
「口径が３００ｍｍ以上のスライスされた半導体ウェーハの外周部を研削することによりこの外周部を所定の形状に成形する面取り工程、
　この半導体ウェーハの表裏両面を平行化するラッピング工程、
　ラッピングされた半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程、
　エッチングされた半導体ウェーハの表面を研磨する研磨工程、
　研磨された半導体ウェーハを洗浄する洗浄工程を備え、これらの工程が所定の順序で実行される半導体ウェーハの製造方法において、
　上記実行される複数の工程の全てを、半導体ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の工程で構成し、
　上記研磨工程を１次研磨と２次研磨と仕上げ研磨との３段階に分けて行う半導体ウェーハの製造方法。」である点。
　そして、補正発明と引用例１記載の発明とは、以下の３点で相違している。
＜相違点1＞
　面取り行程において、補正発明では、外周部を所定の丸みを帯びた形状に成形するのに対して、引用例１記載の発明では、外周部をどのような形状に成形するのか明らかでない点。
＜相違点２＞
　補正発明では、枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送を、２本の把持アームによって半導体ウェーハのエッジを外方から包み込むように把持するロボットハンドを用いて半導体ウェーハを１枚ずつ移送する枚葉移送として、各工程を連続して行うのに対し、引用例１記載の発明では枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送をカセットに収納して行う点。
＜相違点３＞
　補正発明では、研磨工程における各段階での研磨のタクトタイムを同じにしたのに対して、引用例１記載の発明では、当該タクトタイムが同じであるのかどうか明らかでない点。
　
2.6　相違点の検討
2.6.1　相違点１について
　半導体ウェーハの外周部を丸みを帯びた形状に面取りすることは、例えば、原審における拒絶をすべき旨の査定の際に引用した特開平９−１７７５９号公報の図２及び図４（ａ）に示されているように従来周知であり、この従来周知の事項を引用例１記載の発明に適用して補正発明のように構成することに格別の困難性は見当たらない。
　
2.6.2　相違点２について
　上記2.4.2の末尾で認定したように、引用例２には「 ウェーハ研磨装置において、枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送を、半導体ウェーハを１枚ずつ移送する枚葉移送とし、この半導体ウェーハの枚葉移送が、半導体ウェーハの外周部を側方から挟んで保持するロボットハンドを用いて行われること。」が記載されている。
　また、半導体ウェーハの枚葉移送に用いられるロボットハンドとして、２本の把持アームによって半導体ウェーハのエッジを外方から包み込むように把持する構成のものを採用することは、例えば、特開２０００−１２１３４４号公報の図４、特開平１１−３０７０３６号公報の図４に示されているように従来周知である。
　そうしてみると、引用例１記載の発明に引用例２記載の事項を適用すると共に、その適用に当たってロボットハンドとして上記従来周知のものを採用することにより、補正発明のように構成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　
2.6.3　相違点３について
　複数の加工工程を有する半導体ウェーハの製造方法において、各工程のタクトタイムを同じにすることは、例えば、原審における拒絶をすべき旨の査定の際に引用した特開平１１−２７７３８１号公報（特許請求の範囲等参照。）、特開２０００−３３１９８１号公報（段落【００６７】等参照。）に示されているように従来周知であり、この従来周知の事項を引用例１記載の発明に適用して補正発明のように構成することに格別の困難性は見当たらない。
　
2.6.4　まとめ
　また、補正発明によってもたらされる効果も、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び上記従来周知の各事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　したがって、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
2.7　むすび
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本件出願の発明について
3.1　本件出願の発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、平成１９年１２月２１日付手続補正書により補正された明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、上記2.1の（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「半導体ウェーハの製造方法」であると認める。
　
3.2　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、上記2.4に示したとおりである。
　
3.3　対比・検討
　本件出願の発明は、上記２．で検討した補正発明から、スライスされた半導体ウェーハについて「口径が３００ｍｍ以上の」という限定を削除したものである。
　そうすると、本件出願の発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の限定を付加する補正発明が上記2.6.4で示したとおり、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件出願の発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。