【事件の表示】
　特願２００２−１１８０６９「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月　７日出願公開、特開２００３−３１８１５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件の出願（以下、「本願」という。）は、平成１４年４月１９日の特許出願であって、平成１７年１２月７日付けで拒絶査定され（発送日：平成１７年１２月１３日）、これに対して、平成１８年１月１２日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成１７年１月２０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明は、次の事項により特定されるものである。
　　　
「埋め込み形成されたプラグを研磨した後にウェハを洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、
　前記洗浄工程は、ブラシユニットにおいて、薬液洗浄および純水リンスを行う工程であり、
　前記洗浄工程の後に、乾燥ユニットにおいて乾燥のみを行う乾燥工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）　
　　
　　
２．刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に示された、本願の出願日前に頒布された国際公開第０１／９９１６８号パンフレット（以下、「公知刊行物」という。）には、図面と共に以下の事項がその明細書に記載されている。
　　
ア．「本発明は、多層配線構造を有する半導体デバイス、並びに、各絶縁膜表面の平坦化を達成するための化学機械研磨（ＣＭＰ）法による研磨工程、それに伴う洗浄工程及びリンス工程を含む多層配線構造の半導体デバイス製造方法に関する。」（第１頁第６行〜第８行）
　　　
イ．「トランジスタ作製工程を経た・・・ウエハ１上に絶縁膜２が層間膜として成長される。
　次に、・・・接続孔４を形成する。
　次に、・・・バリア膜５の表面にシードＣｕ膜（図示せず）を形成する。・・・
　次に、メッキ工程４０で、配線溝３及び接続孔４内に配線材料としてのＣｕを堆積して、完成品におけるＣｕ配線６及びＣｕプラグ７を形成する。このとき・・・全体としては金属膜８が形成されることになる。
　次に、不要物除去工程５０で、絶縁膜２上に堆積した不要な配線材料及びバリア膜５が削られて除去されるとともに、絶縁膜２と当該絶縁膜２に形成されるＣｕ配線６とが面一の上表面を成すように平坦化される。図１に示すように、不要物除去工程５０は、ＣＭＰ工程５０１と、薬液洗浄工程５０２と、リンス工程５０３と、乾燥工程５０４とからなり、これらについては後述する。」（第１０頁第２行〜第２０行）　　
　　　　　
ウ．「ＣＭＰ工程５０１では、・・・ウエハ１の表面を研磨し平坦化する。・・・本実施例のＣＭＰ工程は、薬液スラリ研磨処理と純水研磨処理とからなる。」（第１０頁第２６行〜第１１頁第５行）　
　　
エ．「薬液洗浄工程５０２は、ＣＭＰ工程５０１で生ずる金属汚染及び砥粒による汚染を除去する目的で行われる。高速回転するウエハ１が高速回転するポリビニルアルコール（ＰＶＡ）製の一対の回転ブラシ６１に挟まれ、ブラッシングされる。回転ブラシ６１は、回転中にブラし部に洗浄薬液が供給される構成を採る。・・・洗浄薬液によりウエハ１の表面をブラッシングした後、同じ回転ブラシ６１から純水が供給されて、薬液洗浄工程５０２の締めくくりとして、洗浄薬液のリンス処理が若干行われる。」（第１１頁第２２行〜第１２頁第５行）　　
　　　　　　　　　　　
オ．「リンス工程５０３では、回転しているウエハ１の上部から、溶存酸素の濃度が６重量ｐｐｍ以下、好ましくは４重量ｐｐｍ以下の純水がリンス液注出口７１から供給される。このように溶存酸素濃度を低減することにより、洗浄薬液濃度が超低濃度域４．７０×１０−４〜１．９６×１０−７ｍｏｌ／ｌを通過するときにおいても、上述の理由で金属配線の局部腐食が抑制できる。」（第１２頁第１１行〜第１９行）
　　
カ．「乾燥工程５０４では、ウエハ１の上部にヒータ（図示せず）が設置され、高速回転しているウエハにヒータによる加熱が行われる。これにより、リンス工程５０３で使用された純水を蒸発させ、ウエハ１を乾燥させる。」（第１２頁第２０行〜第２３行）　　
　　
　上記記載事項「エ．」から、薬液洗浄工程５０２は、プラグを研磨した後にウェハを洗浄する工程であって、回転ブラシを備えたユニットにおいて、薬液洗浄および純水リンスを行う工程と理解できる。
　また、上記記載事項「カ．」から、乾燥工程５０４は、純水リンスを伴わない乾燥のみを行う工程と理解できる。
　
　上述した事項および図面の記載内容からみて、刊行物には、次の発明（以下、「公知刊行物記載の発明」という。）が記載されているものと認める。　　　　　
「埋め込み形成されたプラグを研磨した後にウェハを洗浄する薬液洗浄工程を有する半導体デバイスの製造方法において、
　前記薬液洗浄工程は、回転ブラシを備えたユニットにおいて、薬液洗浄および純水リンスを行う工程であり、
　前記洗浄工程の後に、乾燥のみを行う乾燥工程を含む半導体デバイスの製造方法」
　　
　
３．対比
　本願発明と公知刊行物記載の発明を対比する。
　公知刊行物記載の発明における「薬液洗浄工程」、「半導体デバイス」、「回転ブラシを備えたユニット」は、それぞれ、本願発明における「洗浄工程」、「半導体装置」、「ブラシユニット」に相当する。
　そうしてみると、本願発明と公知刊行物記載の発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。　
　
［一致点］
「埋め込み形成されたプラグを研磨した後にウェハを洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、
　前記洗浄工程は、ブラシユニットにおいて、薬液洗浄および純水リンスを行う工程であり、
　前記洗浄工程の後に、乾燥のみを行う乾燥工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」
　　
［相違点］
　本願発明では、乾燥工程は乾燥ユニットにおける工程であるのに対して、公知刊行物記載の発明では、そのようなものであるのかどうか明らかでない点。
　　
　
４．当審の判断　
　上記相違点ついて検討する。
　　
　半導体装置を製造するに当たり、乾燥工程を洗浄ユニットとは別の乾燥ユニットにて実行することは、当業者にとって周知の技術的事項である（そのような例として、特開平６−３１８５８４号公報（特に「乾燥ユニット４０」）、特開２０００−３５３６８０号公報（特に「スピン乾燥ステーション５０」）を挙げることができる。）から、上記相違点に係る本願発明を特定するために必要な事項は、公知刊行物記載の発明及び上記周知の技術的事項に基づいて当業者が格別の創作能力を要さずに採用し得たものである。
　しかも、公知刊行物記載の発明も、乾燥処理において電荷の放出を誘発する純水処理が行われないから、本願発明を特定するために必要な事項により、公知刊行物記載の発明及び上記周知の技術的事項からみて格別顕著な効果が奏されるということもできない。
　　
　　
５．むすび
　本願発明は、公知刊行物記載の発明及び上記周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、そのような本願発明を含む本願は、請求項２〜１１に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　　
　よって、結論のとおり審決する。