【事件の表示】
　平成　８年特許願第　２２１６１号「エピタキシャルウエハ用シリコン基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　７月３１日出願公開、特開平　９−１９９３８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１月１２日の出願であって、平成１８年１１月１４日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１２月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年１月１６日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２１年３月３日付けで審尋がなされ、同年４月２８日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１９年１月１６日付けの手続補正について
【補正の却下の決定の結論】
　平成１９年１月１６日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成１９年１月１６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１を補正するものであって、その補正前の請求項１及び補正後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　所定にヘビードープされたボロン濃度［Ｂ0 ］を有するシリコン基板であって、該基板のエピタキタシャル膜を成長させる最表面における表面ボロン濃度［ＢS ］が１．５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下であり、且つ、［Ｂ0 ］×０．５以上のボロン濃度［ＢX ］まで該最表面から少なくとも２μｍの深さに亘りボロン濃度が勾配を有して逓増することを特徴とするエピタキシャルウエハ用シリコン基板。 」
　
（補正後）
「【請求項１】　所定にヘビードープされたボロン濃度［Ｂ0 ］を有するシリコン基板であって、ボロン濃度が１×１０15〜１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のライトドープ状態のエピタキタシャル膜を成長させる該基板の最表面における表面ボロン濃度［ＢS ］が１．５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下であり、且つ、［Ｂ0 ］×０．５以上のボロン濃度［ＢX ］まで該最表面から少なくとも２μｍの深さに亘りボロン濃度が勾配を有して逓増することを特徴とするエピタキシャルウエハ用シリコン基板。」
　
（２）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
　本件補正は、補正前の請求項１の「該基板のエピタキタシャル膜を成長させる最表面」を、補正後の請求項１の「ボロン濃度が１×１０15〜１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のライトドープ状態のエピタキタシャル膜を成長させる該基板の最表面」と限定的に減縮する補正である。
　そして、「ボロン濃度が１×１０15〜１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のライトドープ状態のエピタキタシャル膜を成長させる該基板の最表面」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【０００９】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下、「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下、「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下、「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後の発明」という。）は、平成１９年１月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）引用刊行物に記載された発明
（３−３−１）刊行物：特開昭５４−２９５６０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である昭和５４年３月５日に頒布された刊行物である特開昭５４−２９５６０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、第１図ないし第４図とともに、以下の事項が記載されている。
　
「
トランジスタ、ダイオード等の半導体装置にはｐ形またはｎ形の不純物を高濃度にドープしたシリコンの結晶基板（ウエハー）上に低不純物濃度の層をエピタキシャル成長させた結晶が用いられる。
「したがって、本発明の目的は、気相成長時のオートドーピングの発生をできるだけ少なくすることによって、不純物濃度を正確に制御するとともに、基板とエピタキシャル層との境界部にあって急峻な不純物濃度分布曲線を有する結晶板を製造することにある。
　このような目的を達成するために本発明は、
半導体の基板上に基板と同一導電型あるいは異なる導電型のエピタキシャル層を所望の厚さに成長させる半導体気相成長方法
　第１図は本発明の半導体気相成長方法の一実施例による工程を示す。まず、
部分的にまたは全体的に高濃度な不純物領域を有する半導体基板（ウエハー）を用意する。
ウエハーを１０００〜１３００℃の熱雰囲気に晒す。
ウエハーの表面部の不純物の揮散を図る。
　つぎに、これらのウエハー１を熱処理炉３から抜き出して他の気相成長装置に入れ、温度を１０００℃前後に保つとともに、真空度を常圧から１０−３Torr程度に維持しながら、キャリアガス（水素ガス）、気相成長のもととなる原料ガス（モノシラン等）、成長層の導電型を決定するためのドーピングガスを供給する。前記ドーピングガスはＮ型の場合にはたとえばホスフインガス（ＰＨ３）やアルシンガス（ＡｓＨ３）、Ｐ型の場合にはたとえばジボランガス（Ｂ２Ｈ６）などを用い、
エピタキシャル層が所望の厚さになるまで成長処理を続行する。
　このような方法によれば、つぎのような理由により、オートドーピングは極めて少なくなる。すなわち、この実施例では、エピタキシャルを行なう前にウエハーを加熱処理している。この結果、加熱処理後のウエハーの表層部の不純物濃度分布は第２図で示すようになる。この分布に関与する要は、不純物の蒸発速度ｈ、シリコン中の不純物の拡散係数Ｄ、シリコンのガスエッチング速度Ｖ、処理温度Ｔおよび処理時間ｔである。
いま加熱温度をＴとして、ウエハーをｔ
１
時間加熱すれば、同図（ａ）で示すハッチング部の不純物が炉内に気化（蒸発）する。そこで、あらかじめｔ
２
時間熱処理を施したらウエハーを他の気相成長装置でｔ
１
時間気相成長した場合、炉内への気化不純物は同図（ｂ）で示すようなクロスハッチング領域部に相当する。
　
（３−３−２）引用刊行物には、「トランジスタ、ダイオード等の半導体装置にはｐ形またはｎ形の不純物を高濃度にドープしたシリコンの結晶基板（ウエハー）上に低不純物濃度の層をエピタキシャル成長させた結晶が用いられる。」（第１頁左下欄第２０行〜同頁右下欄第４行）と記載されていることから、実施例における半導体基板（ウエハー）も、「シリコン基板」であり、半導体基板（ウエハー）上にエピタキシャル成長された層も、「低不純物濃度」であることは明らかである。
　
（３−３−３）
　加熱処理後、エピタキシャル成長前のウエハー（半導体基板）に着目すると、加熱処理後のウエハーの表層部の不純物濃度分布は、ウエハーの最表面から不純物の濃度が勾配を有して逓増していることは、第２図から明らかであり、この「ウエハーの最表面」にエピタキシャル層を成長させることも明らかである。そして、この加熱処理後、エピタキシャル成長前のウエハー（半導体基板）は、エピタキシャルウエハー用半導体基板ということができる。
　
（３−３−４）　
　したがって、引用刊行物には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「部分的にまたは全体的に高濃度な不純物領域を有するシリコン基板であって、低不純物濃度のエピタキシャル層を成長させる該基板の最表面から不純物の濃度が勾配を有して逓増しているエピタキシャルウエハー用シリコン基板」
　
（３−４）対比
（３−４−１）刊行物発明における「ウエハー」、「部分的にまたは全体的に高濃度な不純物領域を有するシリコン基板」、「低不純物濃度のエピタキシャル層」は、各々補正後の発明における「ウエハ」、「所定にヘビードープされたシリコン基板」、「ライトドープ状態のエピタキタシャル膜」に相当する。
　
（３−４−２）以上を勘案すると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「所定にヘビードープされたシリコン基板であって、ライトドープ状態のエピタキタシャル膜を成長させる該基板の最表面から不純物濃度が勾配を有して逓増することを特徴とするエピタキシャルウエハ用シリコン基板。」
である点で一致し、以下の４点で相違する。
　
（相違点１）
　「シリコン基板」が、補正後の発明では、「所定のボロン濃度［Ｂ0 ］を有する」のに対して、刊行物発明では、所定のボロン濃度を有しているかどうか明らかでない点。
　
（相違点２）
 補正後の発明では、「ライトドープ状態のエピタキタシャル膜」の「ボロン濃度が１×１０15〜１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3」であるのに対して、刊行物発明では、「低不純物濃度のエピタキシャル層」の具体的な不純物濃度が明らかでない点。
　
（相違点３）
  補正後の発明では、「基板の最表面における表面ボロン濃度［ＢS ］が１．５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下であ」るのに対して、刊行物発明では、「シリコン基板」の表面不純物濃度に関する具体的な特定がなされていない点。
　
（相違点４）
　補正後の発明では、「［Ｂ0 ］×０．５以上のボロン濃度［ＢX ］まで該最表面から少なくとも２μｍの深さに亘りボロン濃度が勾配を有して逓増する」のに対して、刊行物発明では、「シリコン基板」の最表面から深さ方向の濃度分布に関する具体的な特定がなされていない点。
　
（３−５）判断
（３−５−１）相違点１について
　引用刊行物には、「本発明は、
半導体の基板上に基板と同一導電型
のエピタキシャル層を所望の厚さに成長させる
Ｐ型の場合にはたとえばジボランガス（Ｂ
２
Ｈ
６
）などを用い、エピタキシャル層が所望の厚さになるまで成長処理を続行する。
　したがって、相違点１は、実質的なものでない。
　
（３−５−２）相違点２について
　高不純物濃度のシリコン基板の上に低不純物濃度のエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウエハにおいて、該エピタキシャル層の不純物濃度を、１０１３〜１０１５ｃｍ−３程度にすることは、以下の周知例１〜３に記載されるように、通常行われていることである。
　
（ア）周知例１：特開平７−２１１８８２号公報には、図１とともに以下の記載がなされている。
「【００２２】また、Ｐ型シリコン基板１０は、抵抗率約０．０１Ωｃｍ［不純物濃度（キャリア濃度）約５×１０18ｃｍ-3］のＣＺ法によって製造された５インチウェハであり、Ｐ型緩衝層２０は、抵抗率が約０．１Ωｃｍ（不純物濃度約２×１０17ｃｍ-3）のエピタキシャル層である。また、
Ｐ型活性層３０ａはこのＰ型緩衝層２０上にエピタキシャル成長した抵抗率約１０Ωｃｍ（不純物濃度約１×１０
15
ｃｍ
-3
）のエピタキシャル層であり、
（イ）周知例２：特開平６−１１２１２０号公報には、以下の記載がなされている。
「【０００２】
【従来の技術】従来、個別半導体デバイスであるパワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等の高耐圧素子を製造するには、Ｓi （シリコン）単結晶ウェーハの上に、厚いＳi エピタキシャル層を形成した、いわゆるエピタキシャルウェーハを用いている。
【０００３】通常このウェーハは、Ｓb （アンチモン）あるいはＢ（ボロン）を高濃度（例えば≧ 5×1018 atoms／cm3 ）に添加したＳi 単結晶が用いられる。また
エピタキシャル層は、例えば耐圧が 500Ｖ以上の場合には、低濃度（約10
14
 atoms／cm
3 
以下）のＰ（リン）或いはＢ（ボロン）がドーピングされ、
（ウ）周知例３：特開平６−８４８０９号公報には、図５とともに以下の記載がなされている。
「【００１９】図３〜５を個別に説明すると、図３では、エピタキシャル層の形成初期にはノンドープ層の厚さを厚くしておき、徐々に薄くしていっている。図４では、図３と同様にノンドープ層の厚さを徐々に薄くすると共に、ノンドープ層形成時の不純物ガス流量を徐々に増加させて形成したものである。なお、ノンドープ層を常に不純物ガス流量０で形成し、間欠的に形成されるドープ層を段階的に不純物ガス流量を増加して形成してもよい。図５には具体的に不純物濃度が２〜８×1019／cm3 で比抵抗が１／1000〜３／1000Ωcmの半導体基板に、８μｍ程度の厚さで、かつ均一に
２〜６×10
15
／cm
3 
の不純物濃度分布を呈する、比抵抗が数Ωcm程度のエピタキシャル層を形成するための、
　
　そして、エピタキシャル層の不純物濃度をどの程度にするかということは、形成するデバイスの特性に応じて、適宜設定するものであるから、刊行物発明において、「低不純物濃度のエピタキシャル層」の不純物として、ボロンを用い、その濃度を、補正後の発明のように、「１×１０15〜１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3」にすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−５−３）相違点３について
　引用刊行物の第２図（ａ）には、「加熱処理後のウエハーの表層部の不純物濃度分布」が示されている。これによると、基板の最表面の不純物濃度は、ほぼゼロになっており、補正後の発明の「基板の最表面における表面ボロン濃度［ＢS ］が１．５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下」という範囲に含まれており、相違点３は、実質的な相違点ではないものと認められる。
　また、仮に実質的な相違点であったとしても、基板の最表面の不純物濃度を、基板本体の不純物濃度に比べて十分低くすればよいことは、引用刊行物における「本発明の目的は、気相成長時のオートドーピングの発生をできるだけ少なくする」（第２頁左上欄第１４〜１５行）という記載からみて明らかであり、また、本件明細書の記載からは、補正後の発明の「基板の最表面における表面ボロン濃度［ＢS ］」を「１．５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下」にすることの臨界意義も認められないから、刊行物発明において、不純物としてボロンを用い、シリコン「基板の最表面におけるボロン濃度」を「１．５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下」にすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点３は、実質的なものではなく、また、仮に実質的なものであったとしても、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−５−４）相違点４について
　刊行物発明において、「低不純物濃度のエピタキシャル層を成長させる該基板の最表面から不純物濃度が勾配を有して逓増している」構成とするにあたり、基板の最表面から十分な深さに亘って、不純物の濃度を低くしておかなければならないことは、引用刊行物における「本発明の目的は、気相成長時のオートドーピングの発生をできるだけ少なくする」（第２頁左上欄第１４〜１５行）という記載からみて当然のことであるから、刊行物発明において、基板の不純物としてボロンを用いるに際し、「［Ｂ0 ］×０．５以上のボロン濃度［ＢX ］まで最表面から」十分な「深さに亘りボロン濃度が勾配を有して逓増する」構成とすることは、当業者が当然になし得たことである。そして、本件明細書の記載からは、補正後の発明の「
［Ｂ
0 
］×０．５以上のボロン濃度［Ｂ
X 
］まで該最表面から少なくとも２μｍの深さに亘り
　よって、相違点４は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、実質的なものではないか、または、当業者が、周知技術を勘案することにより容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、刊行物発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１９年１月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１８年８月２１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、引用刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）ないし（３−３−３）に記載したとおりの事項、及び上記２．（３−３−４）に記載したとおりの発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の発明は、本願発明を限定的に減縮したものであるところ、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、当然に引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。