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　特願２００１−１０６６８９「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１８日出願公開、特開２００２−３０５２４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年４月５日の出願であって、平成１６年６月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年８月１７日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年８月９日付けで審尋がなされ、同年１０月３１日に回答書が提出されたものである。 　
　
　
第２　平成１６年８月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について 
　 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１６年８月１７日付けの手続補正を却下する。 
　 
［理由］ 
１　本件補正の内容 
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲である
「【請求項１】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とを主要構成ガスとする成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　　【請求項２】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一とを主要構成ガスとし、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）に対するアンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)の流量比を５以下に調整された成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　　【請求項３】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、炭化水素（ＣmＨn）とを主要構成ガスとする成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　　【請求項４】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一と、炭化水素（ＣmＨn）とを主要構成ガスとする成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　　【請求項５】　前記炭化水素（ＣmＨn）は、メタン(ＣＨ4)、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）のうち何れか一であることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体装置の製造方法。」を、
「【請求項１】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線と接触し、かつ前記銅配線を被覆するように、膜厚１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下でバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線と接触し、かつ前記銅配線を被覆するように、膜厚１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下でバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、炭化水素（ＣmＨn）とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項４】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一と、炭化水素（ＣmＨn）とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項５】　前記炭化水素（ＣmＨn）は、メタン(ＣＨ4)、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）のうち何れか一であることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体装置の製造方法。」 と補正するものである。
　
　また、本件補正は、明細書【０００６】段落の記載を、以下のとおり補正するものである。
「【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するため、第１の発明は、半導体装置の製造方法に係り、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線と接触し、かつ前記銅配線を被覆するように、膜厚１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下でバリア絶縁膜を形成することを特徴とし、
　第２の発明は、半導体装置の製造方法に係り、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線と接触し、かつ前記銅配線を被覆するように、膜厚１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下でバリア絶縁膜を形成することを特徴とし、
　第３の発明は、半導体装置の製造方法に係り、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、炭化水素（ＣmＨn）とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とし、
　第４の発明は、半導体装置の製造方法に係り、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一と、炭化水素（ＣmＨn）とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とし、
　第５の発明は、第３又は第４の発明の半導体装置の製造方法において、前記炭化水素（ＣmＨn）は、メタン(ＣＨ4)、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）のうち何れか一であることを特徴としている。」
　 
２　本件補正の適否についての検討
　本件補正の請求項２は、「テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線と接触し、かつ前記銅配線を被覆するように、膜厚１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下でバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」であるが、補正前の請求項２の「テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一とを主要構成ガスとし、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）に対するアンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)の流量比を５以下に調整された成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」の内の、「テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一とを主要構成ガスとし、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）に対するアンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)の流量比を５以下に調整された成膜ガス」を、本件補正において、「テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）と、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)のうち少なくとも何れか一とを含む成膜ガス」と補正し（以下、「補正事項２−１」という。）、また、補正前の請求項２の「表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成する」を、本件補正において、「表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線と接触し、かつ前記銅配線を被覆するように、膜厚１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下でバリア絶縁膜を形成する」と補正する（以下、「補正事項２−２」という。）ものである。そして、この内、上記補正事項２−１については、補正前の請求項２にあった「テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）に対するアンモニア（ＮＨ3）又は窒素(Ｎ2)の流量比を５以下に調整された」点が、本件補正において、なくなっており、特許請求の範囲を限定しているものではない。
　そうすると、上記補正事項２−１についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした補正には、該当しない。
　また、上記補正事項２−１についての補正は、誤記の訂正を目的とするものにも、明りょうでない記載の釈明を目的とするものにも該当せず、請求項の削除を目的とするものにも該当しない。
　
３　むすび 
　以上のとおり、上記補正事項２−１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げるいずれを目的とするものでもない。
　したがって、補正事項２−２、及びその他の補正事項についての補正の適否を検討するまでもなく、適法ではない補正を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１６年８月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１５年１２月２４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、この内、本願の請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とを主要構成ガスとする成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２　引用刊行物に記載の発明
　原査定において拒絶の理由に引用された、本願出願前日本国内において頒布された刊行物１（特開平４−１６２４２８号公報）には、
「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、
「第１図は本発明の第１の実施例を説明するための半導体チップの断面図であり、本発明をパッシベーション膜に適用した場合である。・・・
　まずシリコン基板１に素子形成したのち、ＰＳＧ膜２を介して幅１．０μｍ，間隔０．８〜１．４μｍのアルミ配線３を形成する。このシリコン基板１を第２図に示したプラズマＣＶＤ装置の基板台１５上にセットしたのち、電極板１３に１３．６ＭＨｚ，５００Ｗ、基板台１５に２００ＫＨｚ，５００Ｗの電力を与え、原料ガスとしてテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）６０ＳＣＣＭ，亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）１．０ＳＬＭ，アンモニア（ＮＨ３）２．０ＳＬＭをガス供給口１４より反応室８内に流し、基板温度３００℃，２．０Ｔｏｒｒのガス圧下でアルミ配線３上に厚さ約１．０μｍのＳｉＯＮ膜４を形成した。
　このようにして得られたＳｉＯＮ膜４は、ステップカバレッジが良好で、アルミ配線３の間隔が狭くなっても、アルミ配線側壁部の膜厚もあまり薄くなることはなく、耐湿性に優れたパッシベーション膜を形成することができた。また、ＳｉＨ４，Ｎ２Ｏ及びＮＨ３の原料ガスでＳｉＯＮ膜を形成する従来例では、ＳｉＯＮ膜を厚く堆積するとアルミ配線間に空洞が形成されたが、本実施例では空洞の発生は全くみられなかった。
　・・・
　第５図は本発明の第２の実施例を説明するための半導体チップの断面図であり、本発明を層間絶縁膜に適用した場合である。
　まず第５図に示すように、素子が形成されたシリコン基板１上にＳｉＯ２等の絶縁膜２Ａを介してアルミ配線３を形成したのち層間絶縁膜として厚さ０．５μｍのプラズマＳｉＯ２膜５，平坦部での厚さ０．２μｍのＳＯＧ膜６及び厚さ０．５μｍのＳｉＯＮ膜４Ａを形成する。なおＳＯＧ膜６を厚く形成したのちエッチバックし凹部のみに残してもよい。ＳｉＯＮ膜４Ａの形成は、第１の実施例と同様に行った。すなわち、原料ガスとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）５０ＳＣＣＭ，亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）１．０ＳＬＭ，アンモニア（ＮＨ３）２．０ＳＬＭを反応室８に流し、２．０Ｔｏｒｒのガス圧で平行平板電極に５００Ｗの電圧を与えることにプラズマを発生させ、基板温度３００℃でＣＶＤ成長を行った。
　こうして得られたＳｉＯＮ膜４Ａ中のＳｉ−ＯＨ結合をＦＴＲＩ測定により調べた結果、ＳＯＧ膜の４０％程度であることが確認された。また成膜後４００℃３０分の熱処理を行なうことにより、ＳＯＧ膜６中の水分がＳｉＯＮ膜４Ａを通して放出されるため、層間絶縁膜に接続孔を形成し上層配線用のアルミをスパッタ法により成膜する際、下層のアルミ配線表面が酸化されることがないので良好な歩留りを得ることができる。
　・・・
〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明は、有機シランを原料としたＳｉＯＮ膜を絶縁膜として形成するため、このＳｉＯＮ膜をパッシベーション膜として用いる場合は、配線間隔が微細になっても配線側壁部の膜厚が薄くなることはなく、耐湿性が劣化しないので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
　またＳｉＯＮ膜をＳＯＧ膜上に形成し層間絶縁膜として用いる場合は、後の熱処理によりＳＯＧ膜中の水分をＳｉＯＮ膜を通して放出することができるので、接続孔においてＳＯＧ膜からのガスを原因とする導通不良が発生することがなくなるため、安定した高い歩留りで半導体装置を製造することができる。また、有機シランを原料とするため、カバレジが良く、平坦性が向上するので、上層配線の断線やエッチング残りを低減できるという効果もある。」（第２頁左下欄第５行〜第４頁右下欄最終行）ことが、第１図〜第７図と共に記載されている。
　
　原査定において拒絶の理由に引用された、本願出願前日本国内において頒布された刊行物３（特開平２００１−７７１９２号公報）には、
「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、
「【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩにおける配線としてＣｕ配線の適用が活発化している。このＣｕ配線の配線構造の一例としていわゆるデュアルダマシン（dual damascene) 構造を図８に示す。図８に示すように、この配線構造においては、図示省略した基板上に、それぞれプラズマＣＶＤ法により、Ｐ−ＳｉＮ膜１０１、Ｐ−ＳｉＯ膜１０２、Ｐ−ＳｉＮ膜１０３およびＰ−ＳｉＯ膜１０４を順次形成する。ここで、「Ｐ−」はプラズマＣＶＤ法により形成された膜であることを意味する。次に、Ｐ−ＳｉＯ膜１０４の所定部分をドライエッチングによりエッチングして配線溝１０５を形成した後、この配線溝１０５内のＰ−ＳｉＮ膜１０３およびＰ−ＳｉＯ膜１０２の所定部分をドライエッチングにより順次エッチングして接続孔１０６を形成する。次に、これらの配線溝１０５および接続孔１０６内にバリア層としてＴａＮ膜１０７を形成した後、このＴａＮ膜１０７を介して配線溝１０５および接続孔１０６内にＣｕ配線１０８を埋め込む。この後、このＣｕ配線１０８の上層にＣｕの拡散防止層としてＰ−ＳｉＮ膜１０９を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に示す従来の配線構造においては、Ｃｕの拡散防止層またはドライエッチング時のエッチングストッパー層として用いられるＰ−ＳｉＮ膜１０１、１０３、１０９の比誘電率は、一般に約７〜８と大きいため、ＬＳＩの処理速度や消費電力に影響を及ぼす配線容量の増加が問題となってきている。一方、従来より層間絶縁膜として用いられてきたＰ−ＳｉＯ膜（比誘電率：４．２〜４．３）ではＣｕの拡散を防止することができないことが分かっている（H.Miyazaki,et al,J.Appl.Phys.81(12),15 June 1997) 。さらに、リンガラス（ＰＳＧ）はＰ−ＳｉＮ並の時間依存性絶縁破壊（ＴＤＤＢ）の寿命を持つことが報告されているが（上記文献参照）、吸湿性や熱処理の問題で配線工程との整合性が劣る。
【０００４】以上のような理由により、Ｃｕの拡散防止層またはエッチングストッパー層として、比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性の良い膜が求められている。
【０００５】したがって、この発明の目的は、比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性の良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。」こと、
「【００２９】次に、この発明の第２の実施形態によるＬＳＩの製造方法、特に配線形成工程について説明する。図４にその方法を示す。この第２の実施形態は、デュアルダマシン配線構造の形成にこの発明を適用した実施形態である。
【００３０】この第２の実施形態においては、まず、図４Ａに示すように、図示省略したＳｉなどからなる半導体基板上にＰ−ＳｉＮ膜２１、Ｐ−ＳｉＯ膜２２、Ｐ−ＳｉＮ膜２３、Ｐ−ＳｉＯ膜２４およびＰ−ＳｉＮ膜２５を順次形成する。
【００３１】Ｐ−ＳｉＮ膜２１、２３、２５は、図１に示す成膜装置を用いて下記の条件で成膜した。
【００３２】
Ｎ2 ガス流量：４０００ｓｃｃｍ
ＳｉＨ4 ガス流量：１０ｓｃｃｍ
ＮＨ3 ガス流量：５００ｓｃｃｍ
圧力：６６５Ｐａ
ＲＦ電力：３５０Ｗ
基板温度：３５０℃
成膜されたＰ−ＳｉＮ膜２１、２３、２５の屈折率（６３３ｎｍ）は１．７、比誘電率は５．０、Ｓｉ／Ｎ組成比は０．５５であった。
【００３３】次に、Ｐ−ＳｉＮ膜２５およびＰ−ＳｉＯ膜２４をドライエッチングにより所定形状にパターニングすることにより配線溝２６を形成する。次に、この配線溝２６内のＰ−ＳｉＮ膜２３の所定部分をエッチング除去することにより、開口２７を形成する。
【００３４】次に、図４Ｂに示すように、Ｐ−ＳｉＮ膜２３をマスクとしてその開口２７の部分のＰ−ＳｉＯ膜２２をドライエッチングすることにより接続孔２８を形成する。・・・
【００３５】
・・・
このドライエッチングにおいては、Ｐ−ＳｉＯ膜２２に対するＰ−ＳｉＮ膜２３のエッチング選択比が３０％で、従来のＰ−ＳｉＮ膜と同等であるため、Ｐ−ＳｉＯ膜２２のドライエッチング時のエッチングストッパー層としての機能を十分に有していた。したがって、図４Ｂに示すようなデュアルダマシン構造を形成することができる。
【００３６】この後、図示は省略するが、配線溝２６および接続孔２８の内にバリア層として例えばＴａＮ膜を形成し、さらに配線溝２６および接続孔２８内にＣｕ配線を埋め込み、その上層にＣｕの拡散防止層としてＳｉ／Ｎ比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜を形成する。
【００３７】以上のように、この第２の実施形態によれば、ｐ−ＳｉＯ膜２２をドライエッチングする際のエッチングストッパー層としてＳｉ／Ｎ組成比が０．５５のＰ−ＳｉＮ膜２１、２３、２５を用いていることにより、従来のＰ−ＳｉＮ膜と同等のレベルのエッチングストップ効果を維持しつつ、Ｐ−ＳｉＮ膜２１、２３、２５を比誘電率５に低誘電率化することができる。このため、ＬＳＩの処理速度の向上および低消費電力化を図ることができる。また、これらのＰ−ＳｉＮ膜２１、２３、２５は配線工程との整合性も従来のＰ−ＳｉＮ膜と同様に良い。」こと、
「【００３８】次に、この発明の第３の実施形態によるＬＳＩの製造方法、特に電極形成工程について説明する。図５にその方法を示す。
【００３９】この第３の実施形態においては、まず、図５Ａに示すように、Ｓｉなどからなる半導体基板３１上にＰ−ＳｉＯＮ膜３２を形成する。このＰ−ＳｉＯＮ膜３２は、図１に示す成膜装置を用いて下記の条件で成膜した。
【００４０】
Ｎ2 ガス流量：４０００ｓｃｃｍ
ＳｉＨ4 ガス流量：１０ｓｃｃｍ
ＮＨ3 ガス流量：３００ｓｃｃｍ
Ｎ2 Ｏガス流量：１００ｓｃｃｍ
圧力：６６５Ｐａ
ＲＦ電力：３５０Ｗ
基板温度：３５０℃
この条件で形成されたＰ−ＳｉＯＮ膜３２の屈折率（６３３ｎｍ）は１．７、比誘電率は５．０、Ｓｉ／Ｎ組成比は０．７であった。
【００４１】次に、図５Ｂに示すように、Ｐ−ＳｉＯＮ膜３２上に第１の実施形態と同様にしてＣｕ電極３３を形成する。
【００４２】このようにしてＣｕ電極３３を形成した後に、Ｐ−ＳｉＯＮ膜３２によるＣｕの拡散防止効果を確認するためにＴＤＤＢ測定を行った結果、電界強度０．２ＭＶ／ｃｍでＴＤＤＢ寿命が１０年を超えた。このＴＤＤＢ寿命は従来のＰ−ＳｉＮ膜と同等である。
【００４３】以上のように、この第３の実施形態によれば、Ｃｕ電極３３の下地絶縁膜としてＳｉ／Ｎ組成比が０．７のＰ−ＳｉＯＮ膜３２を用いていることにより、従来のＰ−ＳｉＮ膜と同等のレベルのＣｕの拡散防止効果を維持しつつ、Ｐ−ＳｉＯＮ膜３２を比誘電率５に低誘電率化することができる。このため、ＬＳＩの処理速度の向上および低消費電力化を図ることができる。」ことが、図４、図５、図８と共に記載されている。
　以上の記載から、刊行物３には、「従来、基板上の配線溝１０５および接続孔１０６内にバリア層としてＴａＮ膜１０７を形成した後、このＴａＮ膜１０７を介して配線溝１０５および接続孔１０６内にＣｕ配線１０８を埋め込み、この後、このＣｕ配線１０８の上層にＣｕの拡散防止層としてプラズマＣＶＤ法により形成された膜であるＰ−ＳｉＮ膜１０９を形成していたが、Ｃｕの拡散防止層として、従来のプラズマＣＶＤ法により形成された膜であるＰ−ＳｉＮ膜と同等のレベルのＣｕの拡散防止効果を維持しつつ、比誘電率５に低誘電率化することができる、プラズマＣＶＤ法により形成された膜であるＰ−ＳｉＯＮ膜３２を、Ｎ2 ガス流量：４０００ｓｃｃｍのＮ2 ガスと、ＳｉＨ4 ガス流量：１０ｓｃｃｍのＳｉＨ4 ガスと、ＮＨ3 ガス流量：３００ｓｃｃｍのＮＨ3 ガスと、Ｎ2 Ｏガス流量：１００ｓｃｃｍのＮ2 Ｏガスとを用い、圧力：６６５Ｐａ、ＲＦ電力：３５０Ｗ、基板温度：３５０℃の条件で成膜した。」（以下、「刊行物３に記載の発明」という。）ことが示されている。
　
３　対比・判断
　本願の請求項１に係る発明と刊行物３に記載の発明とを対比すると、刊行物３に記載の発明の「ＳｉＨ4 ガス流量：１０ｓｃｃｍのＳｉＨ4ガスと、ＮＨ3 ガス流量：３００ｓｃｃｍのＮＨ3ガスと、Ｎ2 Ｏガス流量：１００ｓｃｃｍのＮ2 Ｏガス」は、成分は一部異なるものの、本願の請求項１に係る発明の「成膜ガス」に相当し、刊行物３に記載の発明の「プラズマＣＶＤ法により形成された」ことは、本願の請求項１に係る発明の「プラズマ化して反応させ」ることに相当し、また、刊行物３に記載の発明の「Ｃｕ配線１０８の上層にＣｕの拡散防止層を形成する」ことは、本願の請求項１に係る発明の「表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成すること」に相当し、刊行物３に記載の発明も本願の請求項１に係る発明も、ともに「半導体装置の製造方法」であるから、
本願の請求項１に係る発明と刊行物３に記載の発明とは、
「成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線が露出している基板上に前記銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」の点で一致し、
本願の請求項１に係る発明は、成膜ガスとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とを主要構成ガスとする成膜ガスを用いているのに対して、刊行物３に記載の発明は、ＳｉＨ4 ガス流量：１０ｓｃｃｍのＳｉＨ4ガスと、ＮＨ3 ガス流量：３００ｓｃｃｍのＮＨ3ガスと、Ｎ2 Ｏガス流量：１００ｓｃｃｍのＮ2 Ｏガスを用いている点（以下、「相違点」という。）で相違している。
　そこで、上記相違点について検討すると、刊行物１に記載の発明には、パッシベーション膜、あるいは層間絶縁膜に適用するものではあるが、従来例の「ＳｉＨ４，Ｎ２Ｏ及びＮＨ３の原料ガスでＳｉＯＮ膜を形成する」（第２頁右下欄第１３〜１４行）ことに代えて、「シリコン基板１を・・・プラズマＣＶＤ装置の基板台１５上にセットしたのち、・・・原料ガスとしてテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）６０ＳＣＣＭ、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）１．０ＳＬＭ，アンモニア（ＮＨ３）２．０ＳＬＭを・・反応室８内に流し、・・・ＳｉＯＮ膜４を形成した。」（第２頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第７行）ことと、「ＳｉＯＮ膜４Ａの形成は、・・・原料ガスとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）５０ＳＣＣＭ，亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）１．０ＳＬＭ，アンモニア（ＮＨ３）２．０ＳＬＭを反応室８に流し、・・・プラズマを発生させ、・・・ＣＶＤ成長を行った。」（第３頁右上欄第１〜８行）ことが記載されており、従来例の原料ガスの内、ＳｉＨ４ガスの代わりに、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）又はテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）を用いていることになる。
　してみると、刊行物１に記載のように、ＳｉＨ４ガスの代わりに、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）又はテトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）を用い、刊行物３に記載の発明における、ＳｉＨ4ガスと、ＮＨ3ガスと、Ｎ2 Ｏガスの代わりに、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、ＮＨ3ガスと、Ｎ2 Ｏガスを用いることは、当業者が適宜選択できた程度のことと認められ、この内のテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）とＮ2 Ｏガスとを、成膜ガス中の主要構成ガスとすることも、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、その出願前に国内において頒布された上記刊行物３及び刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、他の請求項に係る発明についての判断をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。