【事件の表示】
　特願２００１−２０４１８２「電界効果トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月１７日出願公開、特開２００３−　１７５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年７月５日の出願であって、平成１９年８月３日付けで手続補正がなされ、同年１０月２５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１１月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　なお、審判請求後の平成２０年１月７日にも手続補正書が提出されたものの、同手続補正書に係る手続は、同年３月２８日付けで手続却下の決定がなされ、この処分は確定している。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成１９年８月３日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】 荷電粒子が走行するチャネルと、それぞれチャネルの一部に接続されるソース領域、ドレイン領域と、チャネルと電磁気的に結合するゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて
　前記チャネルにカーボンナノチューブが集積化され、
　前記カーボンナノチューブの一方の端は、前記ソース領域に接続され、
　前記カーボンナノチューブの他方の端は、前記ドレイン領域に接続されている、
ことを特徴とする電界効果トランジスタ。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）本願の出願前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物であるPaul L McEuen et al.，Nanotube Nanoelectronics，Device Research Conference 2001，２００１年　６月２５日，p. 107-110（以下、「引用例」という。）には、図１ないし図３とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当合議体にて付加したものである。
　
「
単層カーボンナノチューブ
　
　注目に値するＳＷＮＴｓの電気的特性は、それらが構成される２次元材質（グラフェン）の独特な電子構造から生じる。ｋ−空間のいくつかの方角に金属で、他の方向において半導体であるので、それは半金属（あるいはゼロバンドギャップ半導体）と呼ばれる。グラフェンがチューブ（図lを参照）を形成するために丸められた場合に、チューブの外周を動き回る電子の運動量が量子化される。この量子化は、伝導の優先方向に対し、 どのような運動量の量子化値が許されるかによって、チューブが一次元の金属あるいは半導体のいずれになるかの結果をもたらす。チューブがどのように丸められるかにより、ナノチューブはこのように金属にも半導体にもなることができる。この注目に値する理論的予測は、多くの測定技術を使用することにより確かめられている。
　
　デバイスを作成するために、チューブはCVDを使用することによりその表面上に成長されるか、または、溶媒からその表面へと堆積される。リソグラフィーが、
単一のナノチューブかナノチューブの束へ接触する金属電極
　
　
ソースとドレインの電極に加えて、３番目のゲート端子は、チューブ上のキャリアー密度を静電的に調整するために用いられる。
ＤＥＬＥＴグループによって最初に観測されたように、チューブはゲートに負のバイアスを印加することによりオンにすることができ、正のバイアスによりオフにできる。このデバイスは、荷電粒子を有する材料としてのＳｉをナノチューブで置き換えた、ｐ型のＭＯＳＦＥＴに似ている。
　
　この
半導体のナノチューブ・トランジスター
　
（３−２）ここで、引用例において、その図２に概略図が示され、かつ、「Ｓｉをナノチューブで置き換えた、ｐ型のＭＯＳＦＥＴに似てい」るとも、「半導体のナノチューブ・トランジスター」とも記載されているデバイスは、半導体の単層カーボンナノチューブの一方の端をソースの電極に、また他方の端をドレインの電極に接続し、ゲート端子により、そのチューブのキャリアー密度が静電的に調整されるものであって、デバイス動作上、ゲート端子により密度が静電的に調整されるキャリアーが当該半導体の単層カーボンナノチューブを走行することも、当業者には明らかである。
　
（３−３）したがって、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「キャリアーが走行する半導体の単層カーボンナノチューブと、それぞれ単層カーボンナノチューブの一部に接続されるソースの電極、ドレインの電極と、半導体の単層カーボンナノチューブのキャリアー密度を静電的に調整するゲート端子からなる半導体のナノチューブ・トランジスタにおいて
　前記単層カーボンナノチューブの一方の端は、前記ソースの電極に接続され、
　前記単層カーボンナノチューブの一方の端は、前記ドレインの電極に接続されている、
ことを特徴とする半導体のナノチューブ・トランジスタ。」
　
４．本願発明と引用発明との対比
（４−１）本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「キャリアー」，「ソースの電極」，「ドレインの電極」，「ゲート端子」及び「半導体の単層カーボンナノチューブ」は、それぞれ、本願発明の「荷電粒子」，「ソース領域」，「ドレイン領域」，「ゲート電極」及び「カーボンナノチューブ」に相当し、かつ、引用発明の「半導体の単層カーボンナノチューブ」は、本願発明の「チャネル」に相当する役割を果たすものである。
　また、引用発明における「ゲート端子」が「半導体の単層カーボンナノチューブのキャリアー密度を静電的に調整する」とは、本願発明のごとく、「ゲート電極」が「チャネルと電磁気的に結合」している状態を前提に、キャリアー密度を調整することを示しているものと理解される。
　さらに、引用例における「ソースとドレインの電極に加えて、３番目のゲート端子は、チューブ上のキャリアー密度を静電的に調整するために用いられる。」との記載、及び「ＤＥＬＥＴグループによって最初に観測されたように、チューブはゲートに負のバイアスを印加することによりオンにすることができ、正のバイアスによりオフにできる。このデバイスは、荷電粒子を有する材料としてのＳｉをナノチューブで置き換えた、ｐ型のＭＯＳＦＥＴに似ている。」との記載からわかるように、引用発明の「半導体のナノチューブトランジスタ」は、本願発明のように「電界効果トランジスタ」として動作するデバイスであると認められる。
　
（４−２）以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　「荷電粒子が走行するチャネルと、それぞれチャネルの一部に接続されるソース領域、ドレイン領域と、チャネルと電磁気的に結合するゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて
　前記チャネルにカーボンナノチューブが用いられ、
　前記カーボンナノチューブの一方の端は、前記ソース領域に接続され、
　前記カーボンナノチューブの他方の端は、前記ドレイン領域に接続されている、
ことを特徴とする電界効果トランジスタ。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明は、「チャネルにカーボンナノチューブが集積化され」ているという構成を備えるのに対して、引用発明は、そのような構成を備えていない点。
　
５．相違点についての当審の判断
（５−１）容易想到性について
　一般に、必要な電流・パワーを得るために、カーボンナノチューブを多数並列に用いることは、例えば、本願の出願前の平成１１年７月２１日に頒布された刊行物である特開平１１−１９４１３４号公報（以下、「周知文献１」という。）の図８に示される「トンネル型カーボンナノチューブデバイス」（ただし、この用語自体は周知文献１の【図面の簡単な説明】の記載から補足的に引用）における「カーボンナノチューブ２４」の態様、また、本願の出願前の平成１２年８月３１日に頒布された刊行物である国際公開第００／０５１１８６号（以下、「周知文献２」という。）の第９ページ第３７行ないし第３９行に「真の金属、半金属、または、半導体のいずれであるかを問わず、数個、数ダース、数百、数百万、数千億の範囲の複数の導電性ナノチューブを並列に配置し、適切にゲートし、パワー・デバイスの構成を行うことが可能となる。」（訳文は、その対応日本出願の公表公報である特表２００２−５３８６０６号によった。）との記載を見ても明らかなとおり、本願出願時の当業者における周知技術である。
　したがって、引用発明の「電界効果トランジスタ」に対し、必要な電流・パワーを得るために、周知文献１，周知文献２などに記載される上記周知技術を適用し、カーボンナノチューブを多数並列に用いること、すなわち、本願発明のように「チャネルにカーボンナノチューブが集積化され」た「電界効果トランジスタ」を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（５−２）意見書の内容の検討
　なお、出願人は平成１９年８月３日付けの意見書で、引用発明との構成及び効果の相違について、次のような主張をしている。
　
「また、審査官殿は備考欄において、「引用文献２には、チャネルとしてカーボンナノチューブを用いた電界効果トランジスタが記載されている。」と指摘しておりますが、チャネルにカーボンナノチューブが集積化されていることは、記載も示唆もありません。引用文献２の図２には、カーボンナノチューブの一方の端がソース領域に接続され、他方の端がドレイン領域に接続されていることが記載されておりますが、引用文献２は、その第４段落に記載されているように、バルク半導体素子を極微小化する際の固有の課題、即ち、３次元結晶表面を境界とすることに起因する電子伝導の劣化が、微小化するほど顕著化する課題に対する解決策として、チャネルにカーボンナノチューブを用いることを提案するものです。そして、第４段落の「半導体ナノチューブトランジスタのゲート幅は、僅か１ｎｍで済む。」との記載から明らかなように、引用文献２に記載の技術は、素子をできるだけ微小化させる、という点に主眼を置いています。ここで該ゲート幅は、図２の記載からカーボンナノチューブの径方向に該当していることからも明らかなように、引用文献２に接した当業者は、本願発明のようにカーボンナノチューブをチャネルに多数集積化して、マクロな電界効果トランジスタを構成することを想到するものではありません。
　これに対して、本願発明の電界効果トランジスタは、チャネルにカーボンナノチューブが集積化され、かつ、前記カーボンナノチューブの一方の端は、前記ソース領域に接続され、前記カーボンナノチューブの他方の端は、前記ドレイン領域に接続されている、構成であるため、非常に高い周波数でデジタル電気信号あるいはアナログ電気信号を制御あるいは増幅する電界効果トランジスタとすることができる、という、明細書の段落［００３３］に記載の本願発明に特有の顕著な効果を得ることができます。」（審決注：当該意見書に記載された「引用文献２」は、本審決における「引用例」に相当する。）
　
　しかしながら、一般に、デバイスを設計・製造しようとする当業者であれば、デバイスを微小化する観点のみならず、性能，コストなどの諸観点を総合的に勘案して、それらの最適化を図ろうとするのが当然であり、また、引用例の上記記載に接した当業者が、微細化以外の観点をことさら排除しなければならない特段の事情も認められないから、上記意見書で出願人が主張している構成の相違に関する点は、引用発明に上記周知技術を適用するにあたっての阻害要因ともなりえない。また、本願の明細書及び図面の記載からみて、本願発明の上記相違点の構成が奏する効果は、必要とされる量の電流を流せるようにすることで「実用に耐えうる電界効果トランジスタを提供できる」（明細書００１３段落）点が把握できるのみであるから、本願発明が上記意見書で出願人が主張する高い周波数における増幅特性などの顕著な効果を奏するものとは認められず、又、仮にそのような効果を奏するとしても、引用発明に上記周知技術を適用することにより得られるトランジスタにおいても、同様の効果を奏するものと認められる。
　したがって、上記意見書における出願人の主張は、採用できない。
　
（５−３）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。