Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月25日(2012.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明に係る静電霧化装置は、水供給部と、
多孔質体から形成され、前記水供給部から水を受け取り、高電圧が印加されることで前記水を先端霧化部で霧化させる水印加電極と、を備えた静電霧化装置であって、
前記水供給部は、
ペルチェユニットと、その放熱面に接する放熱部と、前記放熱面の反対側に位置する冷却面に接し、前記水印加電極へ供給する水となる結露水を生成する冷却部と、を有し、
前記冷却部の大きさは、前記放熱部より小さく、
前記放熱部は、少なくとも前記冷却部の左右には、前記放熱面と接する面に前記ペルチェユニットから露出している放熱露出部を有し、
前記冷却部の左右両側にそれぞれ、前記放熱露出部を通過した空気が前記冷却部へ来ることを阻止する遮断壁を設けたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明に係る静電霧化装置は、水供給部から供給された水を早く確実に水印加電極の先端霧化部に導くことができ、運転開始から短時間で多くの量の静電ミストを安定して発生させることができるとともに、遮断壁により、放熱した空気が冷却部に流れ込まないので、冷却性能を落とさず、確実に水が得られるという効果を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水供給部と、
多孔質体から形成され、前記水供給部から水を受け取り、高電圧が印加されることで前記水を先端霧化部で霧化させる水印加電極と、を備えた静電霧化装置であって、
前記水供給部は、
ペルチェユニットと、その放熱面に接する放熱部と、前記放熱面の反対側に位置する冷却面に接し、前記水印加電極へ供給する水となる結露水を生成する冷却部と、を有し、
前記冷却部の大きさは、前記放熱部より小さく、
前記放熱部は、少なくとも前記冷却部の左右には、前記放熱面と接する面に前記ペルチェユニットから露出している放熱露出部を有し、
前記冷却部の左右両側にそれぞれ、前記放熱露出部を通過した空気が前記冷却部へ来ることを阻止する遮断壁を設けたことを特徴とする静電霧化装置。
【請求項２】
前記放熱部は、前記冷却部を通過する空気流に対して前記冷却部より上流側にも、前記放熱面と接する面に前記ペルチェユニットから露出している放熱露出部を有し、その上流側にある放熱露出部は、樹脂でカバーされていることを特徴とする請求項１に記載の静電霧化装置。
【請求項３】
室内空気を吸い込む吸い込み口と、
この吸い込み口から吸い込まれた室内空気と冷凍サイクルの冷媒とを熱交換させ、室内空気から調和空気を生成する熱交換器と、
前記調和空気を室内へ吹き出す吹き出し口と、
空気流における前記吸い込み口の下流側であって、前記熱交換器の上流側に設置された請求項１または２に記載の静電霧化装置と、を備え、
前記吹き出し口から前記調和空気とともに、前記静電霧化装置が生成した静電ミストを
室内に放出することを特徴とする空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明に係る静電霧化装置は、水供給部から供給された水を早く確実に水印加電極の先端霧化部に導くことができ、運転開始から短時間で多くの量の静電ミストを安定して発生させることができるとともに、対向電極保持枠の帯電量を軽減し、静電ミストへの帯電の影響を最小レベルに抑制することができ、所望の電圧で安定して静電ミストを放出できるという効果を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変表示の実行条件が成立した後に可変表示の開始条件が成立したことに基づいて、各々が識別可能な複数種類の識別情報を可変表示する可変表示装置を備え、前記識別情報の可変表示結果が予め定められた特定表示結果となった後に、遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記識別情報の可変表示結果を前記特定表示結果とするか否かを、当該可変表示結果が導出表示される以前に判定する可変表示結果判定手段と、
前記可変表示結果判定手段によって前記特定表示結果とする旨の決定がなされたことに基づき、前記特定遊技状態が終了した後の遊技状態を、前記特定表示結果となる確率が通常遊技状態に比べて高い第１特別遊技状態と、前記特定表示結果となる確率が前記通常遊技状態に比べて高く前記可変表示の実行条件が前記通常遊技状態及び前記第１特別遊技状態に比べて成立しやすい第２特別遊技状態とを含むいずれかの遊技状態に制御する遊技状態制御手段と、
前記遊技状態制御手段によって前記第１特別遊技状態に制御されているときには前記通常遊技状態に制御されているときよりも前記第２特別遊技状態に制御する旨の決定がなされる割合が高くなる一方で前記遊技状態制御手段によって前記第２特別遊技状態に制御されているときには前記第１特別遊技状態に制御する旨の決定がなされない決定用データを用いて、いずれの遊技状態に制御するかを決定する遊技状態決定手段とを備える、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）  上記課題を解決するため、本願の請求項に係る遊技機は、可変表示の実行条件（例えば普通可変入賞球装置６に設けられた始動入賞口に遊技球が入賞すること）が成立した後に可変表示の開始条件（例えば特別図柄表示装置４による前回の特図ゲームや大当り遊技状態が終了すること）が成立したことに基づいて、各々が識別可能な複数種類の識別情報（例えば特別図柄や飾り図柄など）を可変表示する可変表示装置（例えば特別図柄表示装置４や画像表示装置５など）を備え、前記識別情報の可変表示結果が予め定められた特定表示結果（例えば大当り図柄や大当り組合せの飾り図柄など）となった後に、遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば大当り遊技状態など）に制御する遊技機（例えばパチンコ遊技機１など）であって、前記識別情報の可変表示結果を前記特定表示結果とするか否かを、当該可変表示結果が導出表示される以前に判定する可変表示結果判定手段（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ３１４の処理を実行する部分など）と、前記可変表示結果判定手段によって前記特定表示結果とする旨の決定がなされたことに基づき、前記特定遊技状態が終了した後の遊技状態を、前記特定表示結果となる確率が通常遊技状態に比べて高い第１特別遊技状態（例えば第１確変遊技状態など）と、前記特定表示結果となる確率が前記通常遊技状態に比べて高く前記可変表示の実行条件が前記通常遊技状態及び前記第１特別遊技状態に比べて成立しやすい第２特別遊技状態（例えば第２確変遊技状態など）とを含むいずれかの遊技状態に制御する遊技状態制御手段（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ４３２〜Ｓ４３９の処理を実行する部分など）と、前記遊技状態制御手段によって前記第１特別遊技状態に制御されているときには前記通常遊技状態に制御されているときよりも前記第２特別遊技状態に制御する旨の決定がなされる割合が高くなる一方で前記遊技状態制御手段によって前記第２特別遊技状態に制御されているときには前記第１特別遊技状態に制御する旨の決定がなされない決定用データ（例えば第１及び第２確変時遊技状態決定テーブル２３２、２３３など）を用いて、いずれの遊技状態に制御するかを決定する遊技状態決定手段（例えばＣＰＵ１０３が図１０（Ｂ）に示す第１確変時遊技状態決定テーブル２３２を参照するときには３／８の決定割合で第１確変遊技状態に決定される一方で１／４の決定割合で第２確変遊技状態に決定されるのに対して、図１０（Ｃ）に示す第２確変時遊技状態決定テーブル２３３を参照するときには第１確変遊技状態に決定されない一方で５／８の決定割合で第２確変遊技状態に決定される部分など）とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような構成によれば、遊技状態決定手段は、遊技状態制御手段によって第１特別遊技状態に制御されているときには通常遊技状態に制御されているときよりも第２特別遊技状態に制御する旨の決定がなされる割合が高くなる一方で遊技状態制御手段によって第２特別遊技状態に制御されているときには第１特別遊技状態に制御する旨の決定がなされない決定用データを用いて、特定遊技状態が終了した後の遊技状態を通常遊技状態と第１特別遊技状態と第２特別遊技状態とのうちでいずれに制御するかを決定するように構成されている。
これにより、通常遊技状態や第１及び第２特別遊技状態のうちいずれの遊技状態に制御されているかに応じて第１及び第２特別遊技状態のそれぞれに制御する旨の決定がなされる割合が異なるものとなり、特定遊技状態の終了後にいずれの状態に制御されるかということに対する遊技者の期待感を高めて遊技の興趣を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
系統電力線の電圧を検出して電圧検出値を生成する電圧検出部と、
出力電圧が前記電圧検出値に追従するようにＰＷＭ信号を生成するＰＷＭ信号生成部と、
電源から供給された電力を前記ＰＷＭ信号に基づいてパルス幅変調することにより前記出力電圧を生成して前記系統電力線に供給する電圧変換回路
とを具備する系統連系システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】系統連系システム
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
診断支援情報を導出するためのパラメータの入力が可能な複数の項目を表示手段に表示する項目表示手段と、
前記項目表示手段により表示された前記複数の項目に対して、異なる複数の値を仮入力値として入力する仮入力手段と、
前記仮入力手段により入力された前記異なる複数の仮入力値の各々の組み合わせに対応した複数の診断支援情報を、医用情報の参照により導出する導出手段と、
前記導出手段により導出された前記複数の診断支援情報を、前記複数の項目の表示とともに一覧形式で前記表示手段に提示する提示手段と
を備えることを特徴とする医療診断支援装置。
【請求項２】
前記一覧形式で表示された前記複数の診断支援情報の中から一の診断支援情報を選択する選択手段を更に備え、
前記仮入力手段は、前記選択手段により選択された前記一の診断支援情報に対応する仮入力値を、前記異なる複数の仮入力値のうち優先順位の高い第１の仮入力値として設定することを特徴とする請求項１に記載の医療診断支援装置。
【請求項３】
前記仮入力手段により設定された前記第１の仮入力値を、前記複数の診断支援情報の中から一の診断支援情報を確定するための本入力値として確定する確定手段を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の医療診断支援装置。
【請求項４】
医療診断支援装置の制御方法であって、
項目表示手段が、診断支援情報を導出するためのパラメータの入力が可能な複数の項目を表示手段に表示する項目表示工程と、
仮入力手段が、前記項目表示工程で表示された前記複数の項目に対して、異なる複数の値を仮入力値として入力する仮入力工程と、
導出手段が、前記仮入力工程で入力された前記異なる複数の仮入力値の各々の組み合わせに対応した複数の診断支援情報を、医用情報の参照により導出する導出工程と、
提示手段が、前記導出工程で導出された前記複数の診断支援情報を、前記複数の項目の表示とともに一覧形式で前記表示手段に提示する提示工程と
を有することを特徴とする医療診断支援装置の制御方法。
【請求項５】
コンピュータを、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の医療診断支援装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る医療診断支援装置は、診断支援情報を導出するためのパラメータの入力が可能な複数の項目を表示手段に表示する項目表示手段と、
前記項目表示手段により表示された前記複数の項目に対して、異なる複数の値を仮入力値として入力する仮入力手段と、
前記仮入力手段により入力された前記異なる複数の仮入力値の各々の組み合わせに対応した複数の診断支援情報を、医用情報の参照により導出する導出手段と、
前記導出手段により導出された前記複数の診断支援情報を、前記複数の項目の表示とともに一覧形式で前記表示手段に提示する提示手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技領域に設けられた第１始動領域を遊技媒体が通過した後に、可変表示の開始を許容する開始条件の成立に基づいて、各々を識別可能な複数種類の第１識別情報の可変表示を行い表示結果を導出表示する第１可変表示手段と、前記遊技領域に設けられた第２始動領域を遊技媒体が通過した後に、前記開始条件の成立に基づいて、各々を識別可能な複数種類の第２識別情報の可変表示を行い表示結果を導出表示する第２可変表示手段と、を含み、前記第１可変表示手段または前記第２可変表示手段に予め定められた特定表示結果が導出表示されたときに、遊技者にとって有利な前記特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記第１始動領域を遊技媒体が通過したにもかかわらず前記開始条件が成立していない可変表示について第１保留記憶として、また、前記第２始動領域を遊技媒体が通過したにもかかわらず前記開始条件が成立していない可変表示について第２保留記憶として、遊技媒体が通過した順序を特定可能に所定の上限数まで記憶可能な保留記憶手段と、
前記第１保留記憶の数を認識可能に第１保留記憶表示として表示するとともに、前記第２保留記憶の数を認識可能に第２保留記憶表示として表示する保留表示手段と、
前記開始条件が成立したときに、前記保留記憶手段の記憶に基づいて、前記特定遊技状態に制御するか否かを表示結果の導出表示以前に決定する事前決定手段と、
該事前決定手段の決定結果に基づいて、前記保留記憶手段に記憶された前記第１保留記憶または前記第２保留記憶に基づく可変表示を開始し、表示結果を導出表示させる可変表示実行手段と、
前記保留記憶手段に前記第１保留記憶または前記第２保留記憶が記憶されることに基づいて、該第１保留記憶または該第２保留記憶に基づく可変表示の表示結果が前記特定表示結果となるか否かを判定する保留判定手段と、
該保留判定手段による判定結果に基づいて、該判定の対象とされた可変表示が実行される以前に、前記特定表示結果となることを予告する予告演出を実行するか否かを決定するとともに、該予告演出を実行するときに予告演出態様を複数種類の予告演出態様の中から選択する予告演出選択手段と、
該予告演出選択手段により選択された前記予告演出態様に基づいて、前記保留判定手段による判定の対象となった前記保留表示手段における前記第１保留記憶表示または前記第２保留記憶表示の表示態様を変化させる前記予告演出を実行する予告演出実行手段と、
を備え、
前記複数種類の予告演出態様は、前記保留判定手段により前記第１保留記憶として記憶される可変表示が前記特定表示結果となると判定された場合、及び、前記保留判定手段により前記第２保留記憶として記憶される可変表示が前記特定表示結果となると判定された場合のいずれであっても選択可能な共通予告演出態様を含み、
前記予告演出選択手段は、前記保留判定手段の判定の対象が前記第１保留記憶として記憶される可変表示の表示結果である場合、その判定結果が前記特定表示結果でなくても所定の割合で前記共通予告演出態様のうち特定の予告演出態様を選択可能であるとともに、前記保留判定手段の判定の対象が前記第２保留記憶として記憶される可変表示の表示結果である場合、その判定結果が前記特定表示結果であるときのみに前記特定の予告演出態様を選択可能である
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の心拍数と共に、心収縮期におけるデータ収集タイミング（以下、ＤＴｓ）、心収縮期におけるデータ収集時間（以下、ＡＴｓ）、心拡張期におけるデータ収集タイミング（以下、ＤＴｄ）、および、心拡張期におけるデータ収集時間（以下、ＡＴｄ）の値をパラメータ設定するパラメータ設定手段と、
被検体の心電波形を検出する心電情報検出手段と、
前記検出した心電波形に基づき被検体の心拍数をモニタリングするモニタリング手段と、
前記検出した心電波形からＲ−Ｒ間隔における心収縮期の期間ＱＴ、心拡張期の期間ＴＱを算出するＱＴ，ＴＱ算出手段と、
前記算出した心収縮期の期間ＱＴ、心拡張期の期間ＴＱに基づいて、前記パラメータ設定手段で設定したＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄ、ＡＴｄの内の、少なくともＡＴｄを含む値を算出するＤＴ，ＡＴ算出手段と、
前記モニタリング手段でモニタリングした被検体の心拍数が前記パラメータ設定手段で設定した心拍数から変動している場合には、前記パラメータ設定手段で設定したＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄ、ＡＴｄの値に代えて、前記ＤＴ，ＡＴ算出手段で算出した少なくともＡＴｄを含む値を用いて、被検体から核磁気共鳴信号を計測するよう制御する計測制御手段と、
を備えた核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１記載の核磁気共鳴イメージング装置において、
前記ＤＴ，ＡＴ算出手段は、ＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの値を算出するものであり、
前記計測制御手段は、被検体の心拍数が前記パラメータ設定手段で設定した心拍数から変動している場合には、前記パラメータ設定手段で設定したＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの項目値に代えて、前記ＤＴ，ＡＴ算出手段で算出したＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの値を用いて、被検体から核磁気共鳴信号を計測するよう制御するものであることを特徴とする核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１記載の核磁気共鳴イメージング装置において、
前記ＤＴ，ＡＴ算出手段は、前記パラメータ設定手段で設定した心拡張期の期間（ＴＱｒ）および心拡張期のデータ収集時間（ＡＴｄ，ｒ）と、前記ＱＴ，ＴＱ算出手段で算出した心拡張期の期間（ＴＱｈ）とに基づいて、ＡＴｄの項目値を算出するものであり、
前記計測制御手段は、被検体の心拍数が前記パラメータ設定手段で設定した心拍数から変動している場合には、前記パラメータ設定手段で設定したＡＴｄの値に代えて、前記ＤＴ，ＡＴ算出手段で算出したＡＴｄの値を用いて、被検体から核磁気共鳴信号を計測するものであることを特徴とする核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項３記載の核磁気共鳴イメージング装置において、さらに、
前記ＤＴ，ＡＴ算出手段は、前記パラメータ設定手段で設定した心収縮期の期間（ＱＴｒ）および心収縮期のデータ収集時間（ＡＴｓ，ｒ）と、前記ＱＴ，ＴＱ算出手段で算出した心収縮期の期間（ＱＴｈ）とに基づいて、ＤＴｓおよびＡＴｓの値を算出するものであり、
前記計測制御手段は、被検体の心拍数が前記パラメータ設定手段で設定した心拍数から変動している場合には、前記パラメータ設定手段で設定したＤＴｓおよびＡＴｓの値に代えて、前記ＤＴ，ＡＴ算出手段で算出したＤＴｓおよびＡＴｓの値を用いて、被検体から核磁気共鳴信号を計測するものであることを特徴とする核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項１記載の核磁気共鳴イメージング装置において、
前記ＤＴ，ＡＴ算出手段は、前記パラメータ設定手段で設定した心収縮期のデータ収集タイミング（ＤＴｓ，ｒ）、心拡張期のデータ収集タイミング（ＤＴｄ，ｒ）、心収縮期のデータ収集時間（ＡＴｓ，ｒ）、心拡張期のデータ収集時間（ＡＴｄ，ｒ）、心収縮期の期間（ＱＴｒ）および心拡張期の期間（ＴＱｒ）と、前記ＱＴ，ＴＱ算出手段で算出した心収縮期の期間（ＱＴｈ）および心拡張期の期間（ＴＱｈ）とに基づいて、ＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの値を算出するものであり、
前記計測制御手段は、被検体の心拍数が前記パラメータ設定手段で設定した心拍数から変動している場合には、前記パラメータ設定手段で設定したＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの値に代えて、前記ＤＴ，ＡＴ算出手段で算出したＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの値を用いて、被検体から核磁気共鳴信号を計測するものであることを特徴とする核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項１記載の核磁気共鳴イメージング装置において、
前記ＤＴ，ＡＴ算出手段は、前記パラメータ設定手段で設定した心収縮期のデータ収集タイミング（ＤＴｓ，ｒ）、心拡張期のデータ収集タイミング（ＤＴｄ，ｒ）、心収縮期のデータ収集時間（ＡＴｓ，ｒ）、心拡張期のデータ収集時間（ＡＴｄ，ｒ）および心拍数（ＢＲｒ）と、測定した心拍数（ＢＲｈ）とに基づいて、ＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの値を算出するものであり、
前記計測制御手段は、被検体の心拍数が前記パラメータ設定手段で設定した心拍数から変動している場合には、前記パラメータ設定手段で設定したＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの値に代えて、前記ＤＴ，ＡＴ算出手段で算出したＤＴｓ、ＡＴｓ、ＤＴｄおよびＡＴｄの値を用いて、被検体から核磁気共鳴信号を計測するものであることを特徴とする核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
請求項１記載の核磁気共鳴イメージング装置において、
前記被検体の心電波形を検出する心電情報検出手段が、心電計または脈波計であることを特徴とする核磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
請求項１記載の核磁気共鳴イメージング装置において、
前記被検体から核磁気共鳴信号を計測するように制御する計測制御手段は、k空間の充填率をモニタリングすることで、ＡＴｓ、ＡＴｄの短縮、延長に応じて位相エンコード、スライスエンコードをコントロールしてデータ収集することを特徴とする核磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の表面実装振動子では、例えばセット基板に配設されたＩＣ内の発振回路（第４図）と電気的に接続して発振させると次の問題があった。すなわち、表面実装振動子の長辺方向を逆にして接続すると、即ち発振用増幅器１３の入出力端に接続する第１と第２の実装端子４（ａｂ）を逆にして接続すると、発振周波数が変化する問題があった。なお、第４図の符号２Ａは水晶振動子（表面実装振動子）、同Ｃａ、Ｃｂは発振用のコンデンサ、同Ｒは帰還抵抗である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
要するに、表面実装振動子がセット基板に搭載されると、第１と第２の配線路７（ａｂ）はセット基板のアースパターンとの間に浮遊容量Ｃ1、Ｃ2を生ずる。浮遊容量Ｃ1、Ｃ2は、前第４図に示したように、発振回路中の水晶振動子２Ａの両端子とアースとの間に付加されたことになる。ここでは、第２配線路７（ａｂ）が第１配線路７（ａｂ）よりも長いので、浮遊容量Ｃ2がＣ1よりも大きくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この場合、第１実装端子４ａの設けられる外底面の一端部に対応して、前述同様に、セラミック容器１の内底面の一端部両側には、第１と第２の水晶保持端子５（ａｂ）を有する。そして、水晶保持端子５（ａｂ）には、引出電極１０（ａｂ）の延出した水晶片２の一端部両側が固着される。したがって、切り欠き１４の設けられた容器本体１の一端部が水晶片２が保持された水晶保持端子５ａ側となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気ユニットと、
前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極
と、
前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、
を備え、
前記電極は、
金属からなる芯線と、
該芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記芯線よりも熱による変形が
少ない管体と、
から構成される基板処理装置。
【請求項２】
前記管体は、金属又は絶縁材からなる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記管体は石英からなる請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記管体の形状は、略円筒形状又は略球状である請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記芯線は、塑性変形可能な金属からなる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記芯線は、ニッケルからなる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記電極は、前記管体の複数個の外表面を覆うように設けられ、金属からなり可撓性を
有する網状の網組部材をさらに有する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記管体は、導電性材料からなる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
複数の基板を積層して収容する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気ユニットと、
前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極
と、
前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、
前記処理室の外に設けられ、前記処理室内の雰囲気を加熱する加熱ユニットと、
を備え、
前記電極は、
金属又は絶縁材からなる複数の内部材と、
前記内部材のそれぞれを連結する金属からなる芯線と、
前記内部材の外表面を覆うように設けられた金属からなる網状の外部材と、
から構成される基板処理装置。
【請求項１０】
処理室に基板を搬入する工程と、
活性化した処理ガスを用いて基板に膜を形成する工程と、
前記処理室から基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記膜を形成する工程では、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納管に収納された一対の電極であって、金属からなる芯線と該芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記芯線よりも熱による変形が少ない管体からなる前記一対の電極に高周波電力を印加することにより処理室に供給された処理ガスを活性化して用いる半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
処理室に基板を搬入する工程と、
活性化した処理ガスを用いて基板に膜を形成する工程と、
前記処理室から基板を搬出する工程と、
を有する基板処理方法であって、
前記膜を形成する工程では、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納管に収納された一対の電極であって、金属からなる芯線と該芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記芯線よりも熱による変形が少ない管体からなる前記一対の電極に高周波電力を印加することにより処理室に供給された処理ガスを活性化して用いる基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月26日(2012.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、被処理体上にプラズマＣＶＤ法によって窒化珪素膜の積層体を形成する窒化珪素膜積層体の製造方法であって、
シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用い、処理圧力を０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で一定に設定し、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内から選択した第１の流量比でプラズマＣＶＤを行い、２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の第１のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第１のＣＶＤ工程と、
前記第１のＣＶＤ工程の前または後に、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用い、前記第１のＣＶＤ工程と同じ処理圧力で、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内で前記第１のＣＶＤ工程とは異なる第２の流量比に設定することにより、２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内で前記第１のバンドギャップとは異なる第２のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第２のＣＶＤ工程と、
を備えたことを特徴とする窒化珪素膜積層体の製造方法。
【請求項２】
処理圧力を０．１Ｐａ以上４Ｐａ以下の範囲内で一定に設定するとともに、前記第１の流量比より前記第２の流量比が大きくなるように設定することにより、前記第１のバンドギャップを前記第２のバンドギャップよりも大きくすることを特徴とする請求項１に記載の窒化珪素膜積層体の製造方法。
【請求項３】
処理圧力を４０Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で一定に設定するとともに、前記第１の流量比より前記第２の流量比が大きくなるように設定することにより、前記第２のバンドギャップを前記第１のバンドギャップよりも大きくすることを特徴とする請求項１に記載の窒化珪素膜積層体の製造方法。
【請求項４】
前記第１のＣＶＤ工程と前記第２のＣＶＤ工程を繰り返し行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の窒化珪素膜積層体の製造方法。
【請求項５】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成させるプラズマＣＶＤ装置を用い、被処理体上にプラズマＣＶＤ法によって窒化珪素膜を形成するに際し、
シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用い、処理圧力を０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で一定に設定し、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内から選択した第１の流量比でプラズマＣＶＤを行い、２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の第１のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第１のＣＶＤ工程と、
前記第１のＣＶＤ工程の前または後に、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用い、前記第１のＣＶＤ工程と同じ処理圧力で、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内で前記第１のＣＶＤ工程とは異なる第２の流量比に設定することにより、２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内で前記第１のバンドギャップとは異なる第２のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第２のＣＶＤ工程と、が行われるように、コンピュータに前記プラズマＣＶＤ装置を制御させるものであることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項６】
処理圧力を０．１Ｐａ以上４Ｐａ以下の範囲内で一定に設定するとともに、前記第１の流量比より前記第２の流量比が大きくなるように設定することにより、前記第１のバンドギャップを前記第２のバンドギャップよりも大きくすることを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項７】
処理圧力を４０Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で一定に設定するとともに、前記第１の流量比より前記第２の流量比が大きくなるように設定することにより、前記第２のバンドギャップを前記第１のバンドギャップよりも大きくすることを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項８】
前記第１のＣＶＤ工程と前記第２のＣＶＤ工程を繰り返し行うように、コンピュータに前記プラズマＣＶＤ装置を制御させるものであることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項９】
プラズマＣＶＤ法により被処理体上に窒化珪素膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、
被処理体を載置台に載置して収容する処理容器と、
前記処理容器の前記開口部を塞ぐ誘電体部材と、
前記誘電体部材の外側に設けられ、前記処理容器内にマイクロ波を導入するための複数の孔を有する平面アンテナと、
前記処理容器内に原料ガスを供給するガス供給装置と、
前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、
前記処理容器内で、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用い、処理圧力を０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で一定に設定し、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内から選択した第１の流量比でプラズマＣＶＤを行い、２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の第１のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第１のＣＶＤ工程と、
前記第１のＣＶＤ工程の前または後に、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用い、前記第１のＣＶＤ工程と同じ処理圧力で、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内で前記第１のＣＶＤ工程とは異なる第２の流量比に設定することにより、２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内で前記第１のバンドギャップとは異なる第２のバンドギャップを有する窒化珪素膜を形成する第２のＣＶＤ工程と、が行われるように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１０】
処理圧力を０．１Ｐａ以上４Ｐａ以下の範囲内で一定に設定するとともに、前記第１の流量比より前記第２の流量比が大きくなるように設定することにより、前記第１のバンドギャップを前記第２のバンドギャップよりも大きくすることを特徴とする請求項９に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１１】
処理圧力を４０Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内で一定に設定するとともに、前記第１の流量比より前記第２の流量比が大きくなるように設定することにより、前記第２のバンドギャップを前記第１のバンドギャップよりも大きくすることを特徴とする請求項９に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記第１のＣＶＤ工程と前記第２のＣＶＤ工程を繰り返し行うように制御するものであることを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子のためのパッケージを作製する製法であって、 
金属層を設ける工程と、 
前記金属層を貫いて穴のパターンをパンチング加工して、ダイパッドと複数のピンとを画定する工程と、
前記金属層の一部をスタンピング加工して、前記複数のピンに含まれるピンの一部を前記ダイパッドの水平面の上方に持ち上げ、且つ、該ピンに正方形と長方形とを除く複雑な横断面外形を付与する工程と、
前記ピンの前記持ち上げられた一部と前記複雑な横断面外形との少なくとも一部分をパッケージボディ内部に封入する工程と、
を含む製法。 
【請求項２】
前記スタンピング加工が前記ダイパッドの一部もしくはピンの一部に窪みを形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の製法。 
【請求項３】
前記複雑な横断面外形によって前記パッケージボディ内部の前記ピンを機械的に噛み合わせることを特徴とする、請求項１又は２に記載の製法。 
【請求項４】
前記複雑な横断面外形が、面取り型、砂時計型、Ｔ字型、Ｉ字型、凹型、凸型、もしくは鋸歯型から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製法。 
【請求項５】
前記スタンピング加工によって前記ダイパッドの外周と隣接した穴を作ることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製法。 
【請求項６】
ダウンボンド・ランウェイ領域が前記ダイパッドの縁と前記穴との間に画定されることを特徴とする、請求項５に記載の製法。 
【請求項７】
前記パンチング加工によって０．１５ｍｍ以上の幅を示す前記複数のピンを作ることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製法。 
【請求項８】
前記パンチング加工によって０．４ｍｍ以上の間隔幅を有する前記複数のピンを作ることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製法。 
【請求項９】
前記金属層を設ける工程が銅ロールを設ける工程を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の製法。 
【請求項１０】
前記銅ロールを設ける工程が約０．００４〜０．０２０インチの間の厚さを有する銅ロールを設ける工程を含むことを特徴とする、請求項９に記載の製法。 
【請求項１１】
前記ピンの一部に電気めっきを施す工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の製法。 
【請求項１２】
前記ダイパッドのダイ取付部に電気めっきを施す工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載の製法。 
【請求項１３】
前記ダイ取付部の周囲に防止帯を形成するために電気めっきされた前記ダイパッドを酸化する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の製法。 
【請求項１４】
電気伝導性接着材料を用いてダイを前記ダイパッドに取付る工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の製法。 
【請求項１５】
前記電気伝導性接着材料を前記ダイの裏側に前塗布することを特徴とする、請求項１４に記載の製法。 
【請求項１６】
前記ダイの取付に先立って前記電気伝導性接着材料を前記ダイパッドに塗布することを特徴とする、請求項１４に記載の製法。
【請求項１７】
前記電気伝導性接着材料の延展がオキサイド防止帯によって抑えられることを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の製法。
【請求項１８】
電気伝導性のクリップを前記ダイ上の接触点とピンとの間に設ける工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の製法。
【請求項１９】
前記パンチング加工によって周囲の金属ロールの直交する部分およびダイパッドと一体になった少なくとも２つのピンを作ることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の製法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板とゲート電極の間に、前記シリコン基板側から順に第１シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、第２シリコン酸化膜が積層した絶縁膜が介在した半導体記憶装置であって、
前記第１シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜の間の界面、前記シリコン窒化膜と前記第２シリコン酸化膜の間の界面、及び前記第２シリコン酸化膜と前記ゲート電極の間の界面の全て又は少なくとも１つの界面に水素吸蔵膜が介在することを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者において口腔咽頭扁平上皮細胞癌または頭頸部扁平上皮細胞癌を診断するための方法であって、以下の段階を含む方法：
被検者の唾液の無細胞流体相部分を供給する段階；ならびに
供給された無細胞唾液流体相部分において、該癌に関連した遺伝子のパネルのmRNAプロファイルを検出する段階であって、該遺伝子がIL1b、OAZ1、SAT、およびIL8を含み、かつ、IL1b、OAZ1、SAT、およびIL8の発現上昇が、該癌の存在する確率が高いことの指標となる、段階。
【請求項２】
mRNAプロファイルを検出する段階がマイクロアレイアッセイにより行われる、請求項1記載の方法。
【請求項３】
mRNAプロファイルを検出する段階が高密度オリゴヌクレオチドマイクロアレイアッセイにより行われる、請求項2記載の方法。
【請求項４】
mRNAプロファイルを検出する段階が定量的PCR分析またはRT-PCR分析により行われる、請求項1記載の方法。
【請求項５】
口腔咽頭扁平上皮細胞癌または頭頸部扁平上皮細胞癌の診断のためのキットであって、
唾液の無細胞流体相部分中のバイオマーカーのパネルの識別子であって、バイオマーカーのパネルがIL1b、OAZ1、SAT、およびIL8を含む、識別子；ならびに
識別子についての検出器
を含むキットであり、
識別子および検出器が体液プロファイルを検出するために用いられるものであり、ここで識別子が唾液の無細胞流体相部分中のバイオマーカーのパネルに結合し、検出器が識別子を検出するために用いられ、それにより、識別子および検出器がバイオマーカーのパネルの体液プロファイルの検出を可能にする、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件の成立に応じて複数種類の識別情報を複数の変動表示部において変動表示させ、該複数の変動表示部のうちの先停止変動表示部における変動表示を停止させた後に該先停止変動表示部とは異なる後停止変動表示部における変動表示を停止させる変動表示装置を備え、該変動表示装置に特定の識別情報の組み合わせが停止されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に遊技状態を制御する遊技機であって、
識別情報の変動表示が停止されるよりも前に、該変動表示の停止後に前記特定遊技状態に制御するか否かを決定する特定決定手段と、
前記特定決定手段の決定結果に応じて、識別情報の変動表示が停止されるまでに前記変動表示装置において行われる識別情報の変動パターンを複数種類の変動パターンのうちから選択する手段であって、前記特定遊技状態に制御する旨が決定されているときには前記特定遊技状態に制御する旨が決定されていないときよりも高い割合でリーチ変動パターン及び再変動パターンを選択する変動パターン選択手段と、
前記変動パターン選択手段により選択された変動パターンに従って前記変動表示装置を構成する各変動表示部において識別情報を変動表示させ、前記特定決定手段の決定結果と前記変動パターン選択手段の選択した変動パターンとに応じた組み合わせの識別情報を各変動表示部に停止させる変動表示実行手段とを備え、
前記変動表示実行手段は、
前記変動パターンとしてリーチ変動パターンが選択されたときに、前記特定の識別情報の組み合わせの一部を構成するリーチ表示態様を表示させる識別情報を前記先停止変動表示部に停止させた後に、前記後停止変動表示部に識別情報を停止させるリーチ変動表示実行手段と、
前記変動パターンとして再変動パターンが選択されたときに、識別情報の変動表示が最終的に停止される前に前記特定の識別情報の組み合わせとは異なる組み合わせの識別情報を前記複数の変動表示部に識別情報を一旦停止させた後に全ての変動表示部において識別情報を再度変動表示させる再変動表示を１回または複数回実行する再変動表示実行手段と、
前記先停止変動表示部に識別情報を一旦停止させた後に該先停止変動表示部に一旦停止された識別情報を再度変動表示させるスベリ演出を実行するスベリ演出実行手段とを含み、
前記スベリ演出が実行されて前記先停止変動表示部にリーチ表示態様とならない識別情報が停止された場合のうちで前記再変動表示が実行される場合の割合は、前記スベリ演出が実行されずに識別情報が停止された場合のうちで前記再変動表示が実行される場合の割合よりも高い
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明にかかる遊技機は、
所定の始動条件の成立に応じて複数種類の識別情報を複数の変動表示部（飾り図柄表示領域９ａ〜９ｃ）において変動表示させ、該複数の変動表示部のうちの先停止変動表示部（左と右の飾り図柄表示領域９ａ、９ｃ）における変動表示を停止させた後に該先停止変動表示部とは異なる後停止変動表示部（中の飾り図柄表示領域９ｂ）における変動表示を停止させる変動表示装置（可変表示装置９）を備え、該変動表示装置に特定の識別情報の組み合わせが停止されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（第１大当たり遊技状態）に遊技状態を制御する遊技機（パチンコ遊技機１）であって、
識別情報の変動表示が停止されるよりも前に、該変動表示の停止後に前記特定遊技状態に制御するか否かを決定する特定決定手段（ＣＰＵ５６：大当たり抽選、大当たり種別抽選）と、
前記特定決定手段の決定結果に応じて、識別情報の変動表示が停止されるまでに前記変動表示装置において行われる識別情報の変動パターンを選択する手段であって、前記特定遊技状態に制御する旨が決定されているときには前記特定遊技状態に制御する旨が決定されていないときよりも高い割合でリーチ変動パターン（ノーマルリーチ、スーパーリーチ）及び再変動パターン（疑似連）を選択する変動パターン選択手段（ＣＰＵ５６：変動パターンの選択（図４））と、
前記変動パターン選択手段により選択された変動パターンに従って前記変動表示装置を構成する各変動表示部において識別情報を変動表示させ、前記特定決定手段の決定結果と前記変動パターン選択手段の選択した変動パターンとに応じた組み合わせの識別情報を各変動表示部に停止させる変動表示実行手段（表示制御基板８０の表示制御用ＣＰＵ：飾り図柄の変動表示の実行）とを備え、
前記変動表示実行手段は、
前記変動パターンとしてリーチ変動パターンが選択されたときに、前記特定の識別情報の組み合わせの一部を構成するリーチ表示態様を表示させる識別情報を前記先停止変動表示部に停止させた後に、前記後停止変動表示部に識別情報を停止させるリーチ変動表示実行手段（表示制御基板８０の表示制御用ＣＰＵ）と、
前記変動パターンとして再変動パターンが選択されたときに、識別情報の変動表示が最終的に停止される前に前記特定の識別情報の組み合わせとは異なる組み合わせの識別情報を前記複数の変動表示部に識別情報を一旦停止させた後に全ての変動表示部において識別情報を再度変動表示させる再変動表示を１回または複数回実行する再変動表示実行手段（表示制御基板８０の表示制御用ＣＰＵ）と、
前記先停止変動表示部に識別情報を一旦停止させた後に該先停止変動表示部に一旦停止された識別情報を再度変動表示させるスベリ演出（順スベリ、逆スベリ、両スベリ）を実行するスベリ演出実行手段（表示制御基板８０の表示制御用ＣＰＵ）とを含み、
前記スベリ演出が実行されて前記先停止変動表示部にリーチ表示態様とならない識別情報が停止された場合のうちで前記再変動表示が実行される場合の割合は、前記スベリ演出が実行されずに識別情報が停止された場合のうちで前記再変動表示が実行される場合の割合よりも高い（（Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３）／（Ａ１＋Ａ３＋Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３）＞Ｄ０／（Ａ０＋Ｄ０）（図４））
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
なお、前記再変動表示実行手段は、識別情報の変動表示が最終的に停止される前に前記後停止変動表示部に前記特定の識別情報の組み合わせを構成しない特別識別情報（「☆」）を停止させることで全ての変動表示部に識別情報を一旦停止させた後に全ての変動表示部において識別情報を再度変動表示させるものとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
これにより、先停止変動表示部に一旦停止された識別情報に対してスベリ演出が実行された場合に、スベリ演出が実行された結果としてリーチ表示態様が表示されなかったときでも再変動表示が実行されることを遊技者に期待させることができる。さらに、少なくともスベリ演出が実行されたことを以て、そのスベリ演出の実行前後でリーチ表示態様が表示されるか否かに関わらずに遊技者の期待感を高めさせることができ、遊技の興趣を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動条件の成立にもとづいて、各々を識別可能な複数種類の識別情報の可変表示を行う可変表示手段を備え、該可変表示手段に表示結果を導出することで遊技の結果を確定し、遊技の結果が特定遊技結果となったときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記識別情報の可変表示を行う遊技状態として、所定遊技状態と、前記所定遊技状態よりも前記特定遊技状態に制御され易い有利遊技状態と、を含む複数の遊技状態のうちの１の遊技状態に制御する手段であって、所定の移行条件が成立した後に前記所定遊技状態と前記有利遊技状態のいずれかに制御する遊技状態制御手段と、
前記識別情報の可変表示を行う演出モードとして、遊技状態が前記所定遊技状態のときに制御され易い通常演出モードと、遊技状態が前記有利遊技状態のときに制御され易い特定演出モードと、を含む複数の演出モードのうちの１の演出モードに制御する手段であって、少なくとも前記移行条件が成立したことにもとづいて前記特定演出モードに制御する演出モード制御手段と、を備え、
前記遊技状態制御手段は、前記移行条件が成立した後に前記有利遊技状態に制御するときに、該移行条件が成立してから識別情報の可変表示が特定回数実行されるまで前記有利遊技状態に制御し、
前記演出モード制御手段は、
前記移行条件が成立してからの識別情報の可変表示の実行回数を計数する実行回数計数手段と、
前記移行条件が成立した後に、前記所定遊技状態に制御されかつ前記実行回数計数手段が計数する実行回数が前記特定回数以下の所定回数未満のとき、前記所定遊技状態に制御されかつ前記実行回数計数手段が計数する実行回数が前記所定回数以上のとき、前記有利遊技状態に制御されかつ前記実行回数計数手段が計数する実行回数が前記特定回数以下の予め定められた回数未満のとき、または前記有利遊技状態に制御されかつ前記実行回数計数手段が計数する実行回数が前記予め定められた回数以上のとき、のいずれの状態にあるかに応じて、異なる割合で前記演出モードを移行させるか否かを決定する演出モード移行決定手段と、を含む
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による遊技機は、始動条件の成立（例えば、第１始動入賞口１３または第２始動入賞口１４に遊技球が入賞したこと）にもとづいて、各々を識別可能な複数種類の識別情報（例えば、特別図柄）の可変表示を行う可変表示手段（例えば、特別図柄表示器８ａ，８ｂ）を備え、該可変表示手段に表示結果（例えば停止図柄）を導出することで遊技の結果（例えば、はずれ、大当り等）を確定し、遊技の結果が特定遊技結果（例えば大当り）となったときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば、大当り遊技状態）に制御する遊技機であって、識別情報の可変表示を行う遊技状態として、所定遊技状態（例えば通常状態：低ベース・高ベースのいずれも含む）と、所定遊技状態よりも特定遊技状態に制御され易い有利遊技状態（例えば確変状態：低ベース・高ベースのいずれも含む）と、を含む複数の遊技状態のうちの１の遊技状態に制御する手段であって、所定の移行条件が成立（例えば、突然確変大当りまたは小当りが発生したことにもとづく大入賞口の開放が行われたこと）した後に所定遊技状態と有利遊技状態のいずれかに制御する遊技状態制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ３０７（大当り終了処理）におけるＳ１７２ＡおよびステップＳ３１０（小当り終了処理）を実行する部分）と、識別情報の可変表示を行う演出モードとして、遊技状態が所定遊技状態のときに制御され易い通常演出モード（例えば、通常モード）と、遊技状態が有利遊技状態のときに制御され易い特定演出モード（例えば、潜伏モード）と、を含む複数の演出モードのうちの１の演出モードに制御する手段であって、少なくとも移行条件が成立したことにもとづいて特定演出モードに制御する演出モード制御手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるステップＳ６１８Ｂ，Ｓ６３６，Ｓ８２８を実行する部分：なお、１５ラウンドの通常大当り・確変大当り遊技の終了後に潜伏モードに移行させる構成であってもよい。）と、を備え、遊技状態制御手段は、移行条件が成立した後に有利遊技状態に制御するときに、該移行条件が成立してから識別情報の可変表示が特定回数（例えば５４回）実行されるまで有利遊技状態に制御し（例えば、確変回数が５４回に達するまで確変状態を継続し；ステップＳ１４２Ａ，Ｓ１４２Ｂ）、演出モード制御手段は、移行条件が成立してからの識別情報の可変表示の実行回数（例えば変動回数）を計数する実行回数計数手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるステップＳ８１３を実行する部分）と、移行条件が成立した後に、所定遊技状態に制御されかつ実行回数計数手段が計数する実行回数が特定回数（例えば５４回）以下の所定回数（例えば２６回）未満のとき、所定遊技状態に制御されかつ実行回数計数手段が計数する実行回数が所定回数（例えば２６回）以上のとき、有利遊技状態に制御されかつ実行回数計数手段が計数する実行回数が特定回数（例えば５４回）以下の予め定められた回数（例えば２６回：なお、「予め定められた回数」は「所定回数」と同じ回数であっても異なる回数であってもよい。）未満のとき、または有利遊技状態に制御されかつ実行回数計数手段が計数する実行回数が予め定められた回数（例えば２６回）以上のとき、のいずれの状態にあるかに応じて、異なる割合で演出モードを移行させるか否かを決定する演出モード移行決定手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００がステップＳ８２３にて図４１に示すテーブルを用いて各移行抽選演出を実行するか否かを決定し、ステップＳ８２６にて図４３に示すテーブルを用いて各移行抽選演出において昇格・転落・移行なしを決定する処理を実行する部分）と、を含むことを特徴とする。このような構成によれば、特定演出モードに移行した後の状況（可変表示の実行回数など）に応じて特別遊技状態に対する期待感を適切に煽ることができる。