【事件の表示】
　特願２００１−２５６２８２「化合物単結晶の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月　７日出願公開、特開２００３−　６８６５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年８月２７日の出願であって、平成１６年６月２１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年７月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１６年８月１６日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年８月１６日付の手続補正について
補正却下の決定について
　平成１６年８月１６日付の手続補正を却下する。
理由
　
（１）補正後の本願発明
　本件補正により特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおり補正された。
「単結晶基板の表面にこの基板と異なる化合物単結晶層の２層以上を順次エピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、
　前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつ２回目以降のエピタキシャル成長は、直前に形成された化合物単結晶層の表面の少なくとも一部に一方向に延在する複数の起伏を形成した後に行い、
かつ、前記起伏は、前記化合物単結晶層内の反位相領域境界面または双晶を低減または解消するように、斜度１〜１０°の範囲で設けられていることを特徴とする方法。」（以下、「本願補正発明」という）
 
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「化合物単結晶層」について「基板と異なる化合物単結晶層」との限定を付加し、さらに、「起伏」について「斜度１〜１０°の範囲で設けられている」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１７８７４０号公報（以下、引用例１という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】  単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法であって、
前記基板表面の全部又は一部に１方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この基板表面上に炭化珪素を成長させることを特徴とする炭化珪素膜の製造方法。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料としての単結晶炭化珪素膜等に関し、特に半導体装置を作製する上で好ましい低欠陥密度の炭化珪素及びその製造方法等に関する。」
「【０００７】本発明は上述した背景の下になされたものであり、反位相領域境界面を効果的に低減又は消滅させた炭化珪素膜等の提供を目的とする。」
「【００２３】・・・本発明では、被成長基板表面における原子レベルのステップ近傍での炭化珪素の成長を促進することにより、その効果が発揮されることから、起伏の斜度は、斜面全面が単一ステップに覆われる（１１１）面の斜度５４．７°以下の傾斜において本発明が実現される。また、１°未満の斜度においては起伏斜面のステップ密度が著しく減少するため、起伏の斜面の傾斜は１°以上であることが望ましい。さらに望ましくは、起伏の斜面の傾斜角が２°以上１０°以下であると、本発明の効果が十分に発揮される。なお、本発明でいう「起伏の斜面」は、平面、曲面などのあらゆる形態を含む。また、本発明でいう「起伏における斜面の斜度」は、本発明の効果に寄与する実質的な斜面の斜度を意味し、斜面の形態に応じ、最大斜度、平均斜度などを「起伏の斜度」として採用できる。」
「【００４１】実施例２
Ｓｉ（００１）面を被成長基板とし、フォトリソグラフィー技術を用いて基板表面上に１．５μｍ幅、長さ６０ｍｍ、厚さ１μｍのライン＆スペースパターンをレジストにて形成した。・・・このレジストパターンの断面形状（起伏）及び平面形状（ライン＆スペース）をドライエッチングにてＳｉ基板に転写した。レジストを過酸化水素と硫酸の混合液中で除去した後、３Ｃ−ＳｉＣの成長を実施した。ＳｉＣの成長は、基板表面の炭化工程と、原料ガスの交互供給によるＳｉＣ成長工程に分けられる。なお、炭化工程の詳細条件は表１と同様とし、ＳｉＣ成長工程の詳細条件は表５と同様とした。
・・・
【００４３】レジストパターンの加熱温度を１５０℃〜２００℃の間で変化させて、起伏の傾斜角θを変化させた各基板上にそれぞれ成長させた３Ｃ−ＳｉＣについて、最表面に現れる反位相領域境界面の密度を上記と同様にして測定したところ、表８に示す結果を得た。
・・・
【００４５】表８に示す起伏の斜度と反位相領域境界面密度との関係から、起伏の傾斜角θが、特に（１１１）面のなす角である５４．７°未満であって１°以上である場合に反位相領域境界面の密度の減少が確認できる。さらに、従来法である表３の数値と比較して、同じオフ角であっても本発明の如く起伏加工基板上へ成長させた３Ｃ−ＳｉＣは反位相領域境界面密度が大幅に減少又は解消しており、本発明の有効性が顕著であることがわかる。」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−３５３６６９号公報（以下、引用例２という）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に青色レーザや高速動作トランジスタなどの窒化物半導体装置に関するものである。」
「【０００９】本発明は、半導体素子の能動領域の格子欠陥を低減し、信頼性が高く、高性能な半導体装置を提供することを目的とする。」
「【００４７】まず、図７（ａ）に示すように、サファイア（０、０、０、１）基板で構成された基板１上に、ＭＯＣＶＤ法を用い、温度条件１０００℃で厚さ５μｍのＡｌＮ層１４を形成する。ＡｌＮ層１４中には、ＡｌＮとサファイアとの格子定数の違いにより発生する格子欠陥ａが存在している。
【００４８】次に、図７（ｂ）に示すように、リアクティブイオンエッチングにより、ＡｌＮ層１４の表面に第１の段差である凹凸構造１４ａを設ける。この凹凸構造の凸部は、ＡｌＮ層１４の（０、０、０、１）面を有することなく形成される。この凹凸構造１４ａによって紙面垂直方向に形成される溝の方向として、＜１、１、−２、０＞を選択した。
【００４９】次に、図７（ｃ）に示すように、ＡｌＮ層１４上にＭＯＣＶＤ法を用い、厚さ１０μｍのＧａＮ層１５を形成する。このとき、ＡｌＮ層１４の凹部上のＧａＮ層１５の格子欠陥ａは、ＧａＮ層１５の堆積の進行とともにＡｌＮ層１４の凹部中央に向かって集結し、やがて１筋の格子欠陥ａにまとまる。最終的にＧａＮ層１５の表面に存在する格子欠陥ａは、ＡｌＮ層１４の凹部中央付近のみであり、その他の領域は低欠陥領域ｂが形成される。
【００５０】ＧａＮ層１５の表面に残った格子欠陥ａの数をさらに減らす為に、図７（ｄ）に示すように、リアクティブイオンエッチングにより、ＧａＮ層１５の格子欠陥ａが凹部に位置するように凸部が（０、０、０、１）面を有さない凹凸構造１５ａを形成する。この際凹凸構造１５ａの周期は凹凸構造１４ａの周期の２倍とする。そして、図７（ｅ）に示すように、ＧａＮ層１５上にＨＶＰＥ法により厚さ２０μｍのＧａＮ層１６を形成する。このとき、ＧａＮ層１５の凹部上のＧａＮ層１６の格子欠陥ａは、ＧａＮ層１６の堆積の進行とともにＧａＮ層１５の凹部中央に向かって集結し、やがて１筋の格子欠陥ａにまとまる。これにより、格子欠陥ａがさらに減少する。」
　
（３）対比
　引用例１についての上記摘記事項から、引用例１には、以下の発明が記載されている。
「反位相領域境界面を効果的に低減又は消滅させた低欠陥密度の炭化珪素膜等を得るための、Ｓｉ単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法であって、
前記基板表面の全部又は一部に１方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、起伏の斜度は、斜度５４．７°以下、１°以上、さらに望ましくは、起伏の斜面の傾斜角が２°以上１０°以下であるこの基板表面上に炭化珪素を成長させることを特徴とする炭化珪素膜の製造方法。」（以下、「引用発明１」という）
　
　同じく、引用例２についての上記摘記事項から、引用例２には、以下の事項が記載されている。
「ＡｌＮ層１４の表面に第１の段差である溝状の凹凸構造１４ａを設け、ＭＯＣＶＤ法を用い、厚さ１０μｍのＧａＮ層１５を形成する。ＧａＮ層１５の表面に残った格子欠陥ａの数をさらに減らす為に、凹凸構造１５ａを形成する。ＧａＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する。このとき、ＧａＮ層１５の凹部上のＧａＮ層１６の格子欠陥ａは、ＧａＮ層１６の堆積の進行とともにＧａＮ層１５の凹部中央に向かって集結し、やがて１筋の格子欠陥ａにまとまる。これにより、格子欠陥ａがさらに減少する。」
　
　本願補正発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「Ｓｉ単結晶基板」、「炭化珪素膜」は、本願補正発明の「単結晶基板」、「化合物単結晶層」に、それぞれ相当する。また、エピタキシャル成長させる炭化珪素膜は、単結晶基板のＳｉとは異なる化合物単結晶層であるから、両者は、
「単結晶基板の表面にこの基板と異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、
 前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、
かつ、前記起伏は、前記化合物単結晶層内の反位相領域境界面または双晶を低減または解消するように設けられている方法。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
相違点１
 本願補正発明では、化合物単結晶層の２層以上を順次エピタキシャル成長させ、かつ２回目以降のエピタキシャル成長は、直前に形成された化合物単結晶層の表面の少なくとも一部に一方向に延在する複数の起伏を形成した後に行っているのに対し、引用発明１では、この構成がない点。
　
相違点２
　本願補正発明では、前記起伏は、前記化合物単結晶層内の反位相領域境界面または双晶を低減または解消するように、斜度１〜１０°の範囲で設けられているのに対し、引用発明１では、起伏の斜度は、斜度５４．７°以下、１°以上、さらに望ましくは、起伏の斜面の傾斜角が２°以上１０°以下となっている点。
　
（４）判断
相違点１について
　引用例２において、さらに結晶欠陥を減少させるために、下層に形成した起伏と同様の起伏を、その上層のエピタキシャル層にも形成し、２回目のエピタキシャル層を積層する繰り返し工程の発明が記載されている。欠陥をさらに低減するために、工程を繰り返すことは、通常行われることであるから、引用例１の発明において、反位相領域境界面を低減または解消するように、複数の起伏を具備させ、この基板表面上に化合物単結晶層を成長させる工程を、引用例２に記載されたように、工程を繰り返し行い、化合物単結晶層の２層以上を順次エピタキシャル成長させ、かつ２回目以降のエピタキシャル成長は、直前に形成された化合物単結晶層の表面の少なくとも一部に一方向に延在する複数の起伏を形成した後に行うことは当業者が容易に想到しうることである。
　
相違点２
　引用発明１では、起伏の斜度は、「５４．７°以下、１°以上、さらに望ましくは、起伏の斜面の傾斜角が２°以上１０°以下」であり、本願補正発明の範囲を完全に包含しているが、さらに、引用例１、第２３段落において「また、１°未満の斜度においては起伏斜面のステップ密度が著しく減少するため、起伏の斜面の傾斜は１°以上であることが望ましい。」と記載されており、傾斜は１°以上であることが望ましいとの記載から、傾斜角の下限を１°とし、「傾度１〜１０°の範囲」とすることは適宜なし得ることであり、また、傾斜角を２°とすることに格別な臨界的意義も見いだせないので、傾斜角を「１〜１０°」の範囲とすることは当業者が容易になし得ることである。
　さらに、本願補正発明の作用効果も、引用例１、引用例２から当業者が予測できる範囲のものである
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正発明は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年８月１６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１５年９月１６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】単結晶基板の表面にこの基板と同一または異なる化合物単結晶層の２層以上を順次エピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、
　前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつ２回目以降のエピタキシャル成長は、直前に形成された化合物単結晶層の表面の少なくとも一部に一方向に延在する複数の起伏を形成した後に行い、
　かつ、前記起伏は、前記化合物単結晶層内の反位相領域境界面または双晶を低減または解消するように設けられていることを特徴とする方法。」（以下、「本願発明」という）
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「化合物単結晶層」の限定事項である「基板と異なる化合物単結晶層」の「異なる」との特定事項を省き、さらに、「起伏」の限定事項である「斜度１〜１０°の範囲で設けられている」との構成事項を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１、引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１、引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。