Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月17日(2012.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
道路を横切る横断歩道が写る画像から、前記横断歩道を検出する横断歩道検出装置であって、
前記画像に写る前記横断歩道を構成する白色パターンに対応する第１サブパターンと、前記白色パターンに挟まれる領域に対応する第２サブパターンとを有するメインパターンを、前記画像上の第１位置から、前記第１位置とは異なる第２位置まで移動させながら、前記第１サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第１演算値と、前記第２サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第２演算値とを算出する算出手段と、
前記第１演算値と前記第２演算値とを用いた演算を行う演算手段と、
前記メインパターンの位置と前記演算手段による演算の結果との関係の規則性に基づいて、前記第１位置と前記第２位置の間に、前記横断歩道の画像が存在するか否かを判断する判断手段と、
を備える横断歩道検出装置。
【請求項２】
前記演算手段は、前記第１演算値と前記第２演算値との差を演算する請求項１に記載の横断歩道検出装置。
【請求項３】
前記第１位置は、前記画像に写る前記道路の車線の一側に規定され、前記第２位置は、前記画像に写る前記道路の前記車線の他側に規定される請求項１又は２に記載の横断歩道検出装置。
【請求項４】
前記第１位置は、前記画像に写る前記道路の一側に規定され、前記第２位置は、前記画像に写る前記道路の他側に規定される請求項１又は２に記載の横断歩道検出装置。
【請求項５】
前記第１位置は、前記道路の車線を区画するライン上に規定される請求項１又は２に記載の横断歩道検出装置。
【請求項６】
前記メインパターンは、前記第１サブパターンの一側に隣接する前記第２サブパターンと、前記第１サブパターンの他側に隣接する前記第２サブパターンとを有する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の横断歩道検出装置。
【請求項７】
前記判断手段は、前記演算手段による演算結果から導かれる特性曲線によって示されるピーク相互間の間隔の規則性に基づいて、前記横断歩道の画像が存在するか否かを判断する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の横断歩道検出装置。
【請求項８】
前記第１位置と前記第２位置とによって規定される第１直線は、前記画像に写る前記道路に直交する請求項１乃至７のいずれか一項に記載の横断歩道検出装置。
【請求項９】
前記算出手段は、前記第１直線と平行な第２直線に沿って、更に前記メインパターンを移動させながら、前記第１サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第１演算値と、前記第２サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第２演算値とを算出する請求項８に記載の横断歩道検出装置。
【請求項１０】
道路を横切る横断歩道が写る画像から、前記横断歩道を検出するための横断歩道検出方法であって、
前記画像に写る前記横断歩道を構成する白色パターンに対応する第１サブパターンと、前記白色パターンに挟まれる領域に対応する第２サブパターンとを有するメインパターンを、前記画像上の第１位置から、前記第１位置とは異なる第２位置まで移動させながら、前記第１サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第１演算値と、前記第２サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第２演算値とを算出する工程と、
前記第１演算値と前記第２演算値とを用いた演算を行う工程と、
前記メインパターンの位置と、前記第１演算値と前記第２演算値とを用いた演算の結果と、の関係の規則性に基づいて、前記第１位置と前記第２位置の間に、前記横断歩道の画像が存在するか否かを判断する工程と、
を含む横断歩道検出方法。
【請求項１１】
コンピュータを、
画像に写る前記横断歩道を構成する白色パターンに対応する第１サブパターンと、前記白色パターンに挟まれる領域に対応する第２サブパターンとを有するメインパターンを、前記画像上の第１位置から、前記第１位置とは異なる第２位置まで移動させながら、前記第１サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第１演算値と、前記第２サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第２演算値とを算出する算出手段と、
前記第１演算値と前記第２演算値とを用いた演算を行う演算手段と、
前記メインパターンの位置と前記演算手段による演算の結果との関係の規則性に基づいて、前記第１位置と前記第２位置の間に、前記横断歩道の画像が存在するか否かを判断する判断手段と、
として機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第２の観点に係る横断歩道検出方法は、
道路を横切る横断歩道が写る画像から、前記横断歩道を検出するための横断歩道検出方法であって、
前記画像に写る前記横断歩道を構成する白色パターンに対応 する第１サブパターンと、前記白色パターンに挟まれる領域に対応する第２サブパターンとを有するメインパターンを、前記画像上の第１位置から、前記第１位 置とは異なる第２位置まで移動させながら、前記第１サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第１演算値と、前記第２サブパターンと重なる画素 の輝度に基づいて演算された第２演算値とを算出する工程と、
前記第１演算値と前記第２演算値とを用いた演算を行う工程と、
前記メインパターンの位置と、前記第１演算値と前記第２演算値とを用いた演算の結果と、の関係の規則性に基づいて、前記第１位置と前記第２位置の間に前記横断歩道の画像が存在するか否かを判断する工程と、
を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第３の観点に係るプログラムは、コンピュータを、
画像に写る横断歩道を構成する白色パターンに対応する第１ サブパターンと、前記白色パターンに挟まれる領域に対応する第２サブパターンとを有するメインパターンを、前記画像上の第１位置から、前記第１位置とは異 なる第２位置まで移動させながら、前記第１サブパターンと重なる画素の輝度に基づいて演算された第１演算値と、前記第２サブパターンと重なる画素の輝度に 基づいて演算された第２演算値とを算出する算出手段と、
前記第１演算値と前記第２演算値とを用いた演算を行う演算手段と、
前記メインパターンの位置と前記演算手段による演算の結果との関係の規則性に基づいて、前記第１位置と前記第２位置の間に前記横断歩道の画像が存在するか否かを判断する判断手段と、
として機能させる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像をエッジ強調してエッジ強調後画像を生成するエッジ強調部と、
前記入力画像における処理対象となる画素の画素位置である処理対象画素位置の画素値と、前記処理対象画素の近傍の画素の画素位置である近傍画素位置の画素値との差分、および、前記エッジ強調後画像における前記近傍画素位置の画素値に基づいて、前記処理対象画素位置の画素値の範囲を設定する範囲設定部と、
前記エッジ強調後画像における前記処理対象画素位置の画素値を前記範囲内に制限するリンギング抑制部と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理装置において、
前記リンギング抑制部は、
前記エッジ強調後画像における前記処理対象画素位置の画素値が前記範囲外である場合、前記エッジ強調後画像における前記処理対象画素位置の画素値を前記範囲内の画素値に変更する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記入力画像における前記処理対象画素位置の画素値が前記近傍画素位置の画素値以上の場合、前記エッジ強調後画像における前記近傍画素位置の画素値を、前記範囲の下限値として設定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記入力画像における前記処理対象画素位置の画素値が前記近傍画素位置の画素値よりも小さい場合、前記エッジ強調後画像における前記近傍画素位置の画素値を、前記範囲の上限値として設定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記入力画像における前記処理対象画素位置の画素値が前記近傍画素位置の画素値以上の場合、前記エッジ強調後画像における前記近傍画素位置の画素値に、前記入力画像における前記処理対象画素位置の画素値と前記近傍画素位置の画素値との差分に所定の係数をかけた値を加算した値を、前記範囲の上限値として設定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記入力画像における前記処理対象画素位置の画素値が前記近傍画素位置の画素値よりも小さい場合、前記エッジ強調後画像における前記近傍画素位置の画素値に、前記入力画像における前記処理対象画素位置の画素値と前記近傍画素位置の画素値との差分に所定の係数をかけた値を減算した値を、前記範囲の下限値として設定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
請求項３または６に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記処理対象画素位置の近傍となる複数の前記近傍画素位置についてそれぞれ下限値を求め、各前記近傍画素位置について求めた下限値の最大値、第２最大値、第３最大値のうちのいずれかを、前記範囲の下限値として設定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
請求項４または５に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記処理対象画素位置の近傍となる複数の前記近傍画素位置についてそれぞれ上限値を求め、各前記近傍画素位置について求めた上限値の最小値、第２最小値、第３最小値のうちのいずれかを、前記範囲の上限値として設定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
請求項３、６、または７に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記範囲の上限値を、前記処理対象画素位置における前記入力画像の画素値以上に制限する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
請求項４、５、または８に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記範囲の下限値を、前記処理対象画素位置における前記入力画像の画素値以下に制限する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１１】
請求項３、６、７、または９のいずれかに記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記範囲の下限値に対して所定のバイアス値を加減算することにより、前記範囲の下限値を変更する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１２】
請求項４、５、８、または１０のいずれかに記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、
前記範囲の上限値に対して所定のバイアス値を加減算することにより、前記範囲の上限値を変更する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれかに記載の画像処理装置において、
前記リンギング抑制部によって画素値を制限されたエッジ強調後画像を第二のエッジ強調後画像とし、
前記入力画像における前記処理対象画素位置の画素値と前記近傍画素位置の画素値との差分と、前記第二のエッジ強調後画像における前記近傍画素位置の画素値とに基づいて、前記処理対象画素位置の画素値の第二のエッジ強調後範囲を設定する、第二のエッジ強調後範囲設定部と、
前記第二のエッジ強調後画像における前記処理対象画素位置の画素値を、前記第二のエッジ強調後範囲内に制限する、第二のリンギング抑制部と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載の画像処理装置
を備えていることを特徴とする撮像装置。
【請求項１５】
入力画像をエッジ強調してエッジ強調後画像を生成するエッジ強調部と、
少なくとも前記入力画像における処理対象画素の近傍の画素のエッジ強調後の画素値に基づいて、前記処理対象画素の画素値の範囲を設定する範囲設定部と、
前記エッジ強調後画像における前記処理対象画素の画素値を前記範囲内に制限するリンギング抑制部と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、前記範囲の少なくも上限値を設定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の画像処理装置において、
前記範囲設定部は、前記範囲の少なくも下限値を設定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１８】
画像処理装置としてのコンピュータに、
入力画像をエッジ強調してエッジ強調後画像を生成するエッジ強調手順と、
前記入力画像における処理対象となる画素の画素位置である処理対象画素位置の画素値と、前記処理対象画素の近傍の画素の画素位置である近傍画素位置の画素値との差分、および、前記エッジ強調後画像における前記近傍画素位置の画素値に基づいて、前記処理対象画素位置の画素値の範囲を設定する範囲設定手順と、
前記エッジ強調後画像における前記処理対象画素位置の画素値を前記範囲内に制限するリンギング抑制手順と
を実行させるための画像処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、この発明は、入力画像をエッジ強調してエッジ強調後画像を生成するエッジ強調部と、少なくとも前記入力画像における処理対象画素の近傍の画素のエッジ強調後の画素値に基づいて、前記処理対象画素の画素値の範囲を設定する範囲設定部と、前記エッジ強調後画像における前記処理対象画素の画素値を前記範囲内に制限するリンギング抑制部とを備えることを特徴とする画像処理装置である。
また、この発明は、上記に記載の画像処理装置を備えていることを特徴とする撮像装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月16日(2012.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像面を有する固体撮像素子チップと、前記撮像面を覆うカバーガラスと、前記固体撮像素子チップが実装される配線基板と、を備えた撮像モジュールであって、
前記固体撮像素子チップと前記配線基板の端部同士が互いに重なり合うオーバーラップ構造を有し、
前記固体撮像素子チップの端部に形成される第１電極部と前記配線基板の端部に形成される第２電極部とがバンプを介して電気的に接続されることを特徴とする撮像モジュール。
【請求項２】
前記固体撮像素子チップと前記配線基板の端部同士は樹脂で封止固定されることを特徴とする請求項１に記載の撮像モジュール。
【請求項３】
前記第１電極部は、前記撮像面と同一平面上に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像モジュール。
【請求項４】
前記配線基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像モジュール。
【請求項５】
前記フレキシブル基板は、少なくとも、ベース層、前記ベース層上に形成される配線パターン、及び前記配線パターンが形成された前記ベース層の表面を覆うカバー層を含むことを特徴とする請求項４に記載の撮像モジュール。
【請求項６】
撮像面を有する固体撮像素子チップと、前記撮像面を覆うカバーガラスと、前記固体撮像素子チップが実装される配線基板と、を備えた撮像モジュールの製造方法であって、
前記固体撮像素子チップと前記配線基板の端部同士が互いに重なり合うようにする位置合わせする工程と、
前記位置合わせが行われた後、前記固体撮像素子チップの端部に形成される第１電極部と前記配線基板の端部に形成される第２電極部とをバンプを介して電気的に接続する工程と、
含むことを特徴とする撮像モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記固体撮像素子チップ及び前記配線基板の少なくとも一方の端部に熱硬化性樹脂を塗布する工程と、
前記第１電極部及び前記第２電極部を前記バンプを介して電気的に接続した状態で前記熱硬化性樹脂を加熱して硬化させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の撮像モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記熱硬化性樹脂の加熱は、前記固体撮像素子チップを吸着するツールを介して間接的に行われることを特徴とする請求項７に記載の撮像モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記熱硬化性樹脂は、前記固体撮像素子チップの固体撮像素子が熱劣化する温度以下で硬化する低温硬化樹脂であることを特徴とする請求項７又は８に記載の撮像モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像モジュールを備えたことを特徴とする内視鏡装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明において、前記第１電極部は、前記撮像面と同一平面上に形成されることが好ましい。固体撮像素子チップの第１の電極が撮像面と異なる平面上に形成される場合に比べて、撮像モジュールの小型化を図ることができる。また、撮像面から電極パッドまでの配線長を短くすることができ、電気ノイズ耐性も向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、第１の半導体層と、第１のゲート電極と、を有し、
前記半導体装置は、前記第１のトランジスタの少なくとも一部を覆う絶縁膜を有し、
前記第２のトランジスタは、バックゲート電極と、前記バックゲート電極上の第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記絶縁膜は、前記バックゲート電極と前記第２の半導体層の間に挟まれ、
前記第２の半導体層は、酸化物半導体層を有し、
前記バックゲート電極は前記第１のゲート電極と同じ膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、第１の半導体層と、第１のゲート電極と、を有し、
前記半導体装置は、前記第１のトランジスタの少なくとも一部を覆う絶縁膜を有し、
前記第２のトランジスタは、バックゲート電極と、前記バックゲート電極上の第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の第２のゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記絶縁膜は、前記バックゲート電極と前記第２の半導体層の間に挟まれ、
前記第２の半導体層は、酸化物半導体層を有し、
前記バックゲート電極は前記第１のゲート電極と同じ膜から形成され、
前記第１のゲート電極は前記ソース電極またはドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、第１の半導体層と、第１のゲート電極と、を有し、
前記半導体装置は、前記第１のトランジスタの少なくとも一部を覆う絶縁膜を有し、
前記第２のトランジスタは、バックゲート電極と、前記バックゲート電極上の第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、前記第１の電極上の第２の電極と、を有し
前記絶縁膜は、前記バックゲート電極と前記第２の半導体層の間に挟まれ、
前記第２の半導体層は、酸化物半導体層を有し、
前記バックゲート電極と、前記第１のゲート電極と、前記第２の電極と、は同じ膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは、ＳＯＩ基板が用いられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、水平な表面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のゲート電極の上面は、前記絶縁膜から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記バックゲート電極と前記第２の半導体層のチャネル形成領域との距離は、前記第１の半導体層の厚さに等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記半導体装置はメモリ素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記半導体装置は反転素子であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電気信号に変換する受光素子と、前記電気信号を転送する第１のトランジスタと、前記転送された電気信号を増幅する第２のトランジスタとを有し、
前記受光素子は、シリコン半導体を用いて形成されており、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されており、
前記第２のトランジスタは、シリコン半導体を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
カーボンブラックとフッ化ビニリデン系ポリマーとＮ−メチル−２−ピロリドンとを混練してなるリチウムイオン二次電池電極用カーボンブラック分散体の製造方法であって、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが該分散体の２０重量％〜６０重量％、かつ、フッ化ビニリデン系ポリマーの重量がカーボンブラックの重量以下で混練することを特徴とするリチウムイオン二次電池電極用カーボンブラック分散体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月2日(2012.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する半導体素子と、
導体と、
前記半導体素子の電極と、前記導体とを接合する導電性の接合材とを備えた半導体装置において、
前記導体は複数の導線が編まれた編み線状導体であり、
前記編み線状導体がCuもしくは電気抵抗率2.7×10-8Ω・m未満のCu合金からなる導線と、当該CuまたはCu合金よりも線膨張係数が低い低熱膨張率材料からなる導線とを編みこんで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記低熱膨張率材料が、インバー、Mo、Wの少なくとも１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記CuまたはCu合金の表面に、Ni、Ni-P、Ni-Bめっきの少なくとも１つがなされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
電極を有する半導体素子と、
導体と、
前記半導体素子の電極と、前記導体とを接合する導電性の接合材とを備えた半導体装置において、
前記導体は複数の導線が編まれた編み線状導体であり、
前記編み線状導体が、Cuもしくは電気抵抗率2.7×10-8Ω・m未満のCu合金からなる線を有し、
前記CuまたはCu合金の表面に、Ni、Ni-P、Ni-Bめっきの少なくとも１つがなされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記編み線状導体の前記導電性接合材に接続される部分は、編まれていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１から６のいずれかにおいて、
前記導電性接合材が、Sn系鉛フリーはんだであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかにおいて、
編み線状導体を接続する導電性接合材が純Snはんだ、またはSn-Cu共晶はんだであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
またさらに、第２連結部を、第１連結部に対して溶接又は接着するとよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、第２連結部を、第１連結部の内部に圧入するとよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、第２連結部を、第１連結部に対して螺合させるとよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらにまた、第２連結部を、第１連結部に対して加締めるとよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
またさらに、第２連結部を、第１連結部と共に前記ステムに対して係合させるとよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力流体の供給・排出されるポートを有し、前記ポートを介してボディ内に流通する前記圧力流体の流通状態を調整可能な流体圧機器の弁構造であって、
前記ボディの内部に変位自在に設けられるケーシングと、
前記ケーシングの内部に設けられ、前記ボディに形成された弁座に着座する環状のシール部材と、
前記ケーシングの内部に設けられ、前記シール部材を該ケーシングとの間に保持する保持部材と、
を備え、
前記ケーシングと前記保持部材とが一体的に装着されると共に、前記ケーシングの中央部に連接されるステムを介して該ケーシング及びシール部材が前記弁座に対して接近・離間する方向に変位することを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項２】
請求項１記載の弁構造において、
前記ケーシングには、前記シール部材を保持可能なシール保持部を備え、前記シール保持部の内周側に前記保持部材が挿入されると共に、前記保持部材には、該ケーシングに対する挿入方向とは反対方向に向かって徐々に拡径するテーパ部を備え、前記テーパ部と前記シール保持部との間に前記シール部材が挟持されることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項３】
請求項２記載の弁構造において、
前記ケーシングには、第１連結部が設けられ、前記ボディの内部において、前記シール保持部が前記弁座側となるように配置され、前記第１連結部が、前記保持部材の第２連結部と連結されることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項４】
請求項２又は３記載の弁構造において、
前記シール保持部には、前記シール部材の外周側に設けられた外壁部を有し、前記外壁部が、前記テーパ部に徐々に接近するように半径内方向に縮径するように傾斜して形成されることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の弁構造において、
前記シール部材には、前記ケーシングに臨む一側面及び前記弁座に臨む他側面の少なくともいずれか一方に、前記一側面及び／又は前記他側面から突出したシール部を備えることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の弁構造において、
前記シール部材に臨む前記ケーシングの側面及び前記弁座の少なくともいずれか一方には、前記シール部材側に向かって突出した突起部を備えることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項７】
請求項３記載の弁構造において、
前記第２連結部は、前記第１連結部に対して溶接又は接着されることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項８】
請求項３記載の弁構造において、
前記第２連結部は、前記第１連結部の内部に圧入されることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項９】
請求項３記載の弁構造において、
前記第２連結部は、前記第１連結部に対して螺合されることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項１０】
請求項３記載の弁構造において、
前記第２連結部は、前記第１連結部に対して加締められることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【請求項１１】
請求項３記載の弁構造において、
前記第２連結部は、前記第１連結部と共に前記ステムに対して係合されることを特徴とする流体圧機器の弁構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】内燃機関の制御装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、内燃機関の制御装置に係り、例えば流動強化弁を備え、点火時期と燃料噴射量との制御を行う内燃機関の制御装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明の内燃機関の制御装置は、基本的には、流動強化弁を備えた内燃機関の制御装置であって、エアフローセンサで検出された吸入空気量と回転速度と前記流動強化弁の動作状態とに基づいてシリンダ筒内に流入する吸入空気量を演算する吸入空気量演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と前記流動強化弁の動作状態とに基づいて前記筒内の乱れ強度の指標を演算する乱れ強度演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と前記乱れ強度指標とに基づいて点火時期を演算する点火時期演算手段と、を備えていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流動強化弁を備えた内燃機関の制御装置であって、
エアフローセンサで検出された吸入空気量と回転速度と前記流動強化弁の動作状態とに基づいてシリンダ筒内に流入する吸入空気量を演算する吸入空気量演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と前記流動強化弁の動作状態とに基づいて前記筒内の乱れ強度の指標を演算する乱れ強度演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と前記乱れ強度指標とに基づいて点火時期を演算する点火時期演算手段と、を備えたことを特徴とする内燃機関の制御装置。
【請求項２】
前記内燃機関は、吸気バルブに可変バルブ機構を備え、
前記吸入空気量演算手段は、前記可変バルブ機構の動作状態を更に加味して前記筒内に流入する吸入空気量を演算し、前記乱れ強度演算手段は、前記可変バルブ機構の動作状態を更に加味して前記乱れ強度の指標を演算することを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の制御装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記流動強化弁を制御する流動強化弁制御手段と、前記点火時期を補正する点火時期補正手段と、を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の内燃機関の制御装置。
【請求項４】
流動強化弁を備えた内燃機関の制御装置であって、
エアフローセンサで検出された吸入空気量と回転速度と前記流動強化弁の動作状態とに基づいてシリンダ筒内に流入する吸入空気量を演算する吸入空気量演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と前記流動強化弁の動作状態とに基づいて前記筒内の乱れ強度の指標を演算する乱れ強度演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と目標空燃比とに基づいて燃料噴射量を演算する燃料噴射量演算手段と、を備えたことを特徴とする内燃機関の制御装置。
【請求項５】
前記内燃機関は、吸気バルブに可変バルブ機構を備え、
前記流入吸入空気量演算手段は、前記可変バルブ機構の動作状態を更に加味して前記筒内に流入する吸入空気量を演算し、前記乱れ強度演算手段は、前記可変バルブ機構の動作状態を更に加味して前記乱れ強度の指標を演算することを特徴とする請求項４に記載の内燃機関の制御装置。
【請求項６】
流動強化弁を備えた内燃機関の制御装置であって、
エアフローセンサで検出された吸入空気量と回転速度と前記流動強化弁の動作状態とに基づいてシリンダ筒内に流入する吸入空気量を演算する吸入空気量演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と前記流動強化弁の動作状態とに基づいて前記筒内の乱れ強度の指標を演算する乱れ強度演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と前記乱れ強度指標とに基づいて点火時期を演算する点火時期演算手段と、前記回転速度と前記筒内に流入する吸入空気量と目標空燃比とに基づいて燃料噴射量を演算する燃料噴射量演算手段と、を備えたことを特徴とする内燃機関の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月24日(2012.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、フルオロアルキルビニルエーテル、特に一般式
CnF2n+1(CH2CF2)a(CF2CF2)b(CH2CH2)cOCH=CH2 〔I〕
で表わされるフルオロアルキルビニルエーテルの貯蔵時や輸送工程において重合抑制が有効に行われる、それの重合抑制方法を提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明方法により、フルオロアルキルビニルエーテル、特に一般式
CnF2n+1(CH2CF2)a(CF2CF2)b(CH2CH2)cOCH=CH2 〔I〕
で表わされるフルオロアルキルビニルエーテルの貯蔵時や輸送工程において重合抑制が有効に行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
得られた結果は、重合抑制剤の種類および添加量(フルオロアルキルビニルエーテルに対する重量％)と共に、次の表１に記載される。
表１
重合抑制剤         1ヶ月後        3ヶ月後        5ヶ月後   
種類    添加量  純度   変色   純度   変色   純度   変色 
(HOC2H4)3N   0.003   92.3    なし    92.2    なし    91.6    なし 
(HOC2H4)3N   0.01    92.5    なし    92.5    なし    92.5    なし 
(C6H13)3N    0.01    92.4    なし    92.4    なし    91.9    なし 
KOH          0.05    92.3    あり    91.8    あり    87.3    あり 
なし          −     91.0    あり    89.0    あり    82.4    あり 
注) 変色はオレンジ色に変色
KOH、1ヶ月後では、KOH周囲に付着物あり
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維集合体の芯材と、該芯材を収納する外袋とを有し、前記外袋内を減圧した真空断熱材において、
前記芯材は第一の積層体及び第二の積層体の間に所定間隔で第三の積層体及び第四の積層体を備え、
前記第一の積層体及び前記第二の積層体は第三の積層体及び第四の積層体の間を埋めるように曲がり、前記第一の積層体及び前記第二の積層体の外面にそれぞれ凹所が形成されたことを特徴とする真空断熱材。
【請求項２】
前記第二の積層体は前記第一の積層体よりも厚さ寸法が大きく、前記第二の積層体側に形成される凹所は前記第一の積層体側に形成される凹所よりも深さ寸法が大きいことを特徴とする、請求項１記載の真空断熱材。
【請求項３】
前記第二の積層体側の前記外袋は前記第一の積層体側の前記外袋よりも収縮率が大きいことを特徴とする、請求項２記載の真空断熱材。
【請求項４】
前記第二の積層体側の前記外袋は前記第一の積層体側の前記外袋よりも厚いことを特徴とする、請求項２記載の真空断熱材。
【請求項５】
繊維集合体の芯材と、該芯材を収納する外袋とを有し、前記外袋内を減圧した真空断熱材において、
前記芯材は第一の積層体及び第二の積層体の間に第三の積層体を備え、
前記第三の積層体は前記第一の積層体及び前記第二の積層体よりも長さが短く、前記第二の積層体は第一の積層体側に曲がり、前記第二の積層体の外面に曲面が形成されたことを特徴とする真空断熱材。
【請求項６】
外箱の内側に配置された真空断熱材と、該真空断熱材と前記外箱との間に配置された放熱パイプと、を備えた冷蔵庫において、
前記真空断熱材は、繊維集合体の芯材と、該芯材を収納する外袋とを有し、前記外袋内を減圧して、
前記芯材は第一の積層体及び第二の積層体の間に所定間隔で第三の積層体及び第四の積層体を備え、
前記第一の積層体及び前記第二の積層体は第三の積層体及び第四の積層体の間を埋めるように曲がり、前記第一の積層体及び前記第二の積層体の外面にそれぞれ凹所が形成され、前記凹所のいずれかに前記放熱パイプが配置されたことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項７】
外箱の内側に配置された真空断熱材と、前記外箱に設けられた発泡断熱材の注入孔と、を備えた冷蔵庫において、
前記真空断熱材は、繊維集合体の芯材と、該芯材を収納する外袋とを有し、前記外袋内を減圧して、
前記芯材は第一の積層体及び第二の積層体の間に第三の積層体を備え、
前記第三の積層体は前記第一の積層体及び前記第二の積層体よりも長さが短く、前記第二の積層体は第一の積層体側に曲がり、前記第二の積層体の外面に曲面が形成され、
前記曲面は前記注入孔近傍に位置することを特徴とする冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月10日(2012.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所送達ビヒクルであって、
約０．２５Ｍ〜約１５Ｍのイオン強度を有しかつ一酸化窒素ドナーを含む、不利な生物物理学的環境；および
局所的医学的状態を処置するために有効な投与量の薬剤；
を含み、該投与量は、少なくとも約１重量％であり、該薬剤は、イブプロフェン、ナプロキセン、セレコキシブ、レフェコキシブ、モルヒネ、プロポキシフェン、オキシコドン、またはヒドロコドンからなる群より選択される、
局所送達ビヒクル。
【請求項２】
前記薬剤はイブプロフェンである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３】
前記不利な生物物理学的環境は少なくとも約１Ｍのイオン強度を有する、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項４】
前記不利な生物物理学的環境はイオン性塩を含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項５】
前記イオン性塩は約５％（重量/体積）〜約５０％（重量/体積）の濃度で存在する、請求項４に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項６】
前記イオン性塩は塩化ナトリウムを含む、請求項４に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項７】
前記イオン性塩は塩化コリンを含む、請求項４に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項８】
前記イオン性塩は塩化マグネシウムを含む、請求項４に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項９】
前記イオン性塩は塩化カルシウムを含む、請求項４に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１０】
前記一酸化窒素ドナーはＬ−アルギニンを含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１１】
前記一酸化窒素ドナーは塩酸Ｌ−アルギニンを含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１２】
前記一酸化窒素ドナーは少なくとも０．５％（重量/体積）の濃度で存在する、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１３】
前記一酸化窒素ドナーは、約０．５％（重量／体積）〜約２５％（重量／体積）の濃度で存在する、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１４】
前記不利な生物物理学的環境は約３〜約１１であるｐＨを有する、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１５】
前記不利な生物物理学的環境は少なくとも約９であるｐＨを有する、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１６】
前記不利な生物物理学的環境は約５未満であるｐＨを有する、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１７】
クリームである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１８】
ゲルである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項１９】
ローションである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２０】
前記薬剤はナプロキセンである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２１】
前記薬剤はセレコキシブである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２２】
前記薬剤はレフェコキシブである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２３】
前記薬剤はモルヒネである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２４】
前記薬剤はプロポキシフェンである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２５】
前記薬剤はオキシコドンである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２６】
前記薬剤はヒドロコドンである、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２７】
添加物をさらに含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２８】
前記添加物はテオフィリンを含む、請求項２７に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項２９】
前記不利な生物物理学的環境は尿素を含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３０】
前記不利な生物物理学的環境は糖質を含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３１】
前記不利な生物物理学的環境は、少なくとも約１０００であるオクタノール−水分配係数を有する成分を含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３２】
前記不利な生物物理学的環境は、約１０−３未満であるオクタノール−水分配係数を有する成分を含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３３】
前記不利な生物物理学的環境は、角質層を通るように前記薬剤を駆動可能である、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３４】
前記不利な生物物理学的環境はケイ素含有物質を含む、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３５】
前記ケイ素含有物質は、ポリジメチルシロキサン、シクロペンタシロキサン、ジメチコール、またはジメチコーンのうちの１種以上を含む、請求項３４に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３６】
前記一酸化窒素ドナーは、皮膚中の血流を増大するために有効な量で存在する、請求項１に記載の局所送達ビヒクル。
【請求項３７】
局所送達ビヒクルであって、
約０．２５Ｍ〜約１５Ｍのイオン強度を有しかつイブプロフェンおよび一酸化窒素ドナーを含む、不利な生物物理学的環境
を含み、該一酸化窒素ドナーは、Ｌ−アルギニンおよび塩酸Ｌ−アルギニンからなる群より選択され、
該イブプロフェンは、少なくとも約１重量％の濃度で存在する、
局所送達ビヒクル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2012062331.tif 000001
（式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）
で示されるトリハロゲノインジウム、一般式（２）
【化２】
2012062331.tif 000002
（式中、Ｒ１は、炭素原子数１〜６のアルキル基を示す。）
で示されるトリアルキルアルミニウム及び一般式（３）
【化３】
2012062331.tif 000003
（式中、Ｒ２は、炭素原子数６〜１２のアルキル基を示す。）
で示されるトリアルキルアルミニウム１モルに対して０．６〜１．５モルのトリアルキルアミンを３０〜１５０℃で反応させて、副生するアルミニウム−アミン錯体を形成させて高沸点化し、次いで、反応混合物から一般式（４）
【化４】
2012062331.tif 000004
（式中、Ｒ１は、前記と同義である。）
で示されるトリアルキルインジウムを８０〜２００℃、０．１〜２０ｋＰａで留出させた後、更に、トリアルキルインジウム１モルに対して０．０５モルから０．５モルのトリアルキルアミンを反応させた後にトリアルキルインジウムを３０〜９０℃、０．１〜１０ｋＰａで昇華又は蒸留させることを特徴とする、高純度トリアルキルインジウムの製法。
【請求項２】
トリハロゲノインジウムが、トリクロロインジウムである請求項１記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。
【請求項３】
トリアルキルアルミニウムが、トリメチルアルミニウム又はトリエチルアルミニウムである請求項１記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。
【請求項４】
トリアルキルアミンが、トリ-n-オクチルアミンである請求項１記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。
【請求項５】
トリアルキルインジウムが、トリメチルインジウム又はトリエチルインジウムである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。なお、トリアルキルインジウムの金属原子の分析は、誘導結合プラズマ発光分析法（ICP-OES法）にて行った。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インスリン分子及び血液成分に共有結合するための反応基を含むインスリン誘導体であって、当該インスリン分子がＡ鎖及びＢ鎖を含み、そして当該反応基が、α,β-不飽和カルボニル部分、スクシンイミジル含有基、及びマレイミド含有基からなる群から選ばれ、ここで当該反応基が、インスリン分子のＡ鎖又はＢ鎖のＮ末端アミノ酸のα-アミノ基に結合しているか、又はＢ２９のε-アミノ基に結合している、前記インスリン誘導体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程１〜４を含むエポキシ化合物の製造方法。
工程１）アルカリ剤を用いてクロルヒドリンの閉環反応を行い、エポキシ化合物、無機塩、及び水を含有する組成物を得る工程
工程２）下記区画１〜３を含む電気透析装置の区画１に工程１で生じた無機塩及び水を導入し直流電圧をかけることにより通電し、区画１において無機塩を陽イオンと陰イオンとにイオン化し、その陽イオンを区画２においてアルカリ剤として回収すると共に、陰イオンを区画３において酸として回収する工程
区画１：アニオン交換膜とカチオン交換膜との間に画定される区画
区画２：区画１を画定する前記カチオン交換膜を隔てて区画１と隣接する区画であって、前記カチオン交換膜と第１のバイポーラ膜のアニオン交換膜側との間に画定される区画
区画３：区画１を画定する前記アニオン交換膜を隔てて区画１と隣接する区画であって、前記アニオン交換膜と第２のバイポーラ膜のカチオン交換膜側との間に画定される区画
工程３）工程２の区画１から排出される無機塩濃度の低下した組成物を、工程２の区画２及び／又は区画３に供給して電解質水溶液としてリサイクルする工程
工程４）工程２の区画２において回収したアルカリ剤を、工程１のアルカリ剤としてリサイクルする工程
【請求項２】
工程１において用いるクロルヒドリンが、下記一般式（Ｉ）で表されるクロルヒドリンである、請求項１記載の製造方法。
【化２】
2012062306.tif 000001
［式中、Ｒは、Ｒ1又はＲ1−Ｏ−ＣＨ2−、Ｃｌ−ＣＨ2−、ＨＯ−Ｒ2―を示し、ここで、Ｒ1は、水素原子又は炭素数２〜２２の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基又はアルケニル基、Ｒ2は、炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。］
【請求項３】
工程１において用いるアルカリ剤が、アルカリ金属の水酸化物であり、クロルヒドリンの閉環反応により生じる無機塩が、前記アルカリ金属の塩化物塩である、請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
さらに下記工程ｉ又は工程iiを含む、請求項１〜３の何れか１項記載の製造方法。
工程ｉ）工程１と工程２の間に、工程１で得られたエポキシ化合物、無機塩及び水を含有する組成物からエポキシ化合物を分離する工程
工程ii）工程２の後に、工程２の区画１から排出される無機塩濃度の低下した組成物からエポキシ化合物を分離する工程
【請求項５】
さらに下記工程iii又は工程ivを含む、請求項４記載のエポキシ化合物の製造方法。
工程iii）前記工程ｉの後、工程２の区画１から排出される無機塩濃度の低下した組成物を、工程２の区画２及び／又は区画３に供給する工程
工程iv）前記工程iiの後、無機塩濃度が低下し且つエポキシ化合物が分離された組成物を、工程２の区画２及び／又は区画３に供給する工程
【請求項６】
さらに、工程２の区画２で回収したアルカリ剤及び／又は区画３で回収した酸の濃度調節工程を含む、請求項１〜５の何れか１項記載のエポキシ化合物の製造方法。
【請求項７】
さらに、工程２の区画３で回収した酸を用いて、工程１で得られたエポキシ化合物、無機塩及び水を含有する組成物及び／又は工程ｉでエポキシ化合物を分離した後の組成物の中和を行う工程を含む、請求項４〜６の何れか１項に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【請求項８】
工程２において、区画１〜３を循環する液の温度を１０℃以上に維持する、請求項１〜７の何れか１項記載のエポキシ化合物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月26日(2012.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
植物由来の香気成分を含有する、香気成分含有抽出液の生産方法であって、
a) ５５℃以下の温度下で、植物を破砕および攪拌しながら、減圧し、植物由来の蒸気を生成する工程、
を含む、生産方法。
【請求項２】
請求項１に記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記香気成分含有抽出液が、精油である、
生産方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記植物が、ハーブ、果物、花、または野菜からなる群から選ばれる１種以上の植物を含む、
生産方法。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記植物が、ラベンダー、ローズマリー、レモングラス、レモンバーム、セージ、ペパーミント、スペアミント、バジル、大葉（青じそ）、赤しそ、ヨモギ、ミカン若葉、ひのき枝葉、伽羅木枝葉、ビワの葉、イチゴ、ユズ皮、すだち、グレープフルーツ、シークワーサー、桃、ぶどう、カリン、ハマナス、および長ネギからなる群から選ばれる１種以上の植物を含む、
生産方法。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記植物が、ラベンダーである、
生産方法。
【請求項６】
請求項５に記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記香気成分含有抽出液が、酢酸リナリル、リナロール、テレピネン-4-オール、(z)-β-オシメン、酢酸ラバンデュリル、酢酸オクテン-1-オール-3、プレゴン、γ-テレピネン、ボルネオール、カリオフィレンオキサイド、ミルセン、酢酸ゲラニル、またはβ-ピネンを含む、
生産方法。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記工程a)が、水蒸気を外部から添加しない環境下で行われる、
生産方法。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかに記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記減圧における圧力が-80kPa以下である、
生産方法。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれかに記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
b)前記植物由来の蒸気を冷却して、液体を得る工程と、
c)前記液体を水溶性画分と脂溶性画分に分離する工程と、
をさらに含む、生産方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれかに記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記工程a)が、可動刃および固定刃を備えた粉砕装置を用いて植物を粉砕する過程、
を含む、生産方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれかに記載の香気成分含有抽出液の生産方法であって、
前記香気成分含有抽出液が、アロマセラピー用、香料用、化粧料添加用、食品添加用、
または医薬品添加用の香気成分含有抽出液である、
生産方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１いずれかに記載の香気成分含有抽出液の生産方法で得られる、香気成分含有抽出液。
【請求項１３】
請求項５または６記載の香気成分含有抽出液の生産方法で得られる、香気成分含有抽出液であって、
酢酸リナリルの含有率が６０％超である、香気成分含有抽出液。
【請求項１４】
請求項５または６記載の香気成分含有抽出液の生産方法で得られる、香気成分含有抽出液であって、
リナロールの含有率が１６％以下である、香気成分含有抽出液。
【請求項１５】
植物由来の香気成分を含有する香気成分含有抽出液の抽出装置であって、
植物を収容可能な容器内に設けられた、植物を破砕および攪拌するための可動刃および撹拌羽根と、
前記容器の内壁に設けられた固定刃と、
前記容器内で植物を減圧するための減圧部と、
前記容器内で植物を加熱するための加熱部と、
を備え、
前記撹拌羽根は、前記固定刃を通過するための溝を備える、抽出装置。
【請求項１６】
植物由来の香気成分を含有する、香気成分含有抽出液の生産方法であって、
ｂ)請求項15に記載の抽出装置を用いて、植物を破砕及び攪拌しながら、加熱及び減圧し、植物由来の蒸気を生成する工程、
を含む、生産方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、ゲート誘電体層及び半導体層を含み、前記ゲート誘電体層が、ポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーを含む、薄膜トランジスター。
【請求項２】
前記ポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーは、メラミン/ホルムアルデヒド樹脂によって架橋されている、請求項１に記載の薄膜トランジスター。
【請求項３】
ポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーを含む、電子デバイス用ゲート誘電体層。
【請求項４】
基板、ゲート電極、ゲート誘電体層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層を提供する工程を含む、薄膜トランジスターの作製方法であって、
前記ゲート誘電体層が、ポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーを含み、
前記ゲート誘電体層が、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から前記ゲート電極を隔離している、
薄膜トランジスターの作製方法。
【請求項５】
前記ポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーは、メラミン/ホルムアルデヒド樹脂によって架橋されている、請求項４に記載の方法。