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　平成　８年特許願第３２５２３６号「光センサＩＣ」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月２６日出願公開、特開平１０−１７３１５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１２月５日の出願であって、平成１６年４月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　平成１５年１１月１７日に提出された手続補正書により補正された請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「【請求項１】　少なくとも太陽光の照射雰囲気下で使用され、光を受光して電気信号に変換する光電変換素子と、当該光電変換素子の電気信号を処理する信号処理回路とがワンチップ化されるとともに、半導体基板における前記信号処理回路を構成する回路素子が遮光膜にて覆われた光センサＩＣにおいて、
　前記半導体基板に形成された前記回路素子のうち最も外周側に位置する回路素子の端部からの遮光膜の被覆距離をＬ（μｍ）とし、
　遮光膜が無い状態で１０万ルクスの光を照射した時の前記回路素子での起電流をＩo とし、
　１０万ルクスの光を照射した時に回路の誤動作を招く前記回路素子の最小起電流をＩmal(min)としたとき、
【数１】Ｌ＞｛［ｌｏｇ（3.17×１０−６×（Ｉmal(min)／Ｉo）＋6.35］／（−0.0704）｝
を満足するようにしたことを特徴とする光センサＩＣ。」
　
３．刊行物に記載された発明
（１）刊行物１　特開昭６２−１１２３８２号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６２−１１２３８２号公報には、第１図ないし第５図とともに以下の事項が記載されている。
「（１）半導体基体と、上記半導体基体内に形成され、少なくとも一つの接合部を有する少なくとも一つの半導体素子と、上記半導体基体上に絶縁層を介して設けられ、上記半導体素子の形成領域上並びにその近傍を覆うように形成された導電性部材からなる遮光層とを具備したことを特徴とする半導体受光装置。
（２）　前記半導体基体内に受光素子が形成されている特許請求の範囲第１項に記載の半導体受光装置。
（３）　前記基体の前記受光素子の形成領域上には前記遮光層が形成されていない特許請求の範囲第２項に記載の半導体受光装置。」（特許請求の範囲第１ないし３項）
「（５）　前記半導体素子が前記受光素子の出力信号を増幅する増幅回路部を構成している特許請求の範囲第２項に記載の半導体受光装置。」（特許請求の範囲第５項）
「（８）　前記半導体基体がシリコン半導体基体であり、かつ基体表面に露出している前記半導体素子の最外部の接合部から前記遮光層の端部までの距離が少なくとも５０μｍ以上離れている特許請求の範囲第１項に記載の半導体受光装置。」（特許請求の範囲第８項）
「［発明の技術分野］
　この発明は、例えば光電スイッチ、光ファイバーデータリンク、高速光通信システムなどにおける光受光装置として使用される半導体受光装置に関する。」（第１頁右下欄第１５ないし１９行）
「ところで上記遮光層42は受光部20の表面を除く全面に一様に形成されており、この遮光層42を設けることにより受光部20以外に光が入射することを防止している。すなわち、受光部20以外のＰＮ接合部、例えばトランジスタ36のベース、コレクタ接合部やエミッタ、ベース接合部に光が入射すると、光電流が生じ、それが後段増幅回路部30の雑音の原因となるからである。そしてこの光電流が大きい場合には誤動作を起こす恐れが生じる。従って、この遮光層42を設けることにより上記のような誤動作の発生を防止している。・・・
［背景技術の問題点］
　ところで、従来では遮光層42を後段増幅回路部30の表面全面を覆うように形成している。このため、次のような問題が発生する。まず、第１に遮光層42の面積が広くなるので、絶縁層41に存在するピンホールにより前記各電極37ないし39それぞれとの間で短絡が生じる可能性が大きくなることが挙げられる。第２に、導電体部材で絶縁層41を挟んでいるために容量が生じ、これが原因で容量結合性の雑音が増加することが挙げられる。さらに第３に、遮光層42の蒸着後の熱処理により内部の水分が気化し、遮光層42と絶縁層41との間に気泡が生じることである。・・・・上記第１ないし第３の問題点のうち第３の気泡による電極、配線の切断及び絶縁性の破壊が最も大きな問題である。・・・
　なお、このような問題はモノリシック化された１チップ型の半導体受光装置に係わらず・・・発生する。」（第２頁右下欄第６行ないし第３頁右上欄第７行）
「［発明の概要］
　上記目的を達成するためこの発明にあっては、遮光層の形成に当り、遮光が必要な部分に対し最大効果が生じるように部分的に遮光層で覆うようにしたものである。すなわち、少なくとも一つの接合部を有する各半導体素子の形成領域上並びにその近傍それぞれを部分的に覆うように導電性部材からなる遮蔽層を設けるようにしている。
［発明の実施例］
　以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
　第１図はこの発明の半導体受光装置を前記第５図に示す従来装置と同様にモノリシック化されたものに実施した場合の断面図である。・・・
　ここでこの実施例装置が従来装置と異なっている点は、後段増幅回路部30における基板10の表面全面を遮光層42で一様に覆うのではなく、光が入射することにより光電流が生じるＰＮ接合部を有する素子、すなわちトランジスタ36や図示しないダイオードなどの形成領域上及びその近傍のみに部分的にかつ選択的にアルミニュームなどからなる遮光層44を設けるようにしたものである。
　第２図は上記のような断面構造を有するこの発明の実施例装置装置全体のパターン平面図である。図中、斜線を施した領域が遮光層44である。この遮光層44は前記各トランジスタ36の形成領域上並びにその近傍を覆うように形成されている。・・・
　そして上記遮光層44を形成する範囲は次にようにして規定されている。
　いま、半導体結晶に光が入射した場合、その光が結晶内に入り込むことのできる深さＬαは吸収長と呼ばれ、
　Ｌα＝１／α０　　　　　・・・　　１
で表わされる。ここでα０は半導体結晶の吸収係数である。従って、光電変換素子においてはＬαの位置にＰＮ接合部を形成すると、入射光に対し最大効率で光電変換を行うことができる。このことから、逆にＰＮ接合部に対してある波長の光を入射させないようにするためには、少なくとも接合部からＬα離れた部分までを遮光すればよい。
　第３図はシリコン（Ｓｉ）・・・からなる半導体結晶における波長λ（μｍ）と吸収係数α０（ｃｍ−１）との関係を示す特性図である。
　いま、第１図の半導体受光装置の基板10がシリコン基板であり、発光側に赤外ダイオードを使用した場合、発光光の波長は約９４０ｎｍ（０．９４μｍ）であるから、吸収係数α０は第３図に示すように、約２×１０２（ｃｍ−１）となり、吸収長Ｌαは約５×１０−３（ｃｍ）、すなわち約５０（μｍ） となる。
　第４図は上記実施例装置において一つのトランジスタ36部分を拡大して示す断面図である。このトランジスタにおけるＮ型半導体領域32とＰ＋型半導体領域33とからなるＰＮ接合部の露出面と前記遮光層44の端部との距離β１を上記のような条件の下で５０μｍ以上確保すれば、このトランジスタ36に対する光遮蔽効果は十分となる。しかし、ここで規定した吸収長Ｌαは入射光強度が１／ｅまで減少する距離であり、約３７％の光はＰＮ接合部にまで到達する。さらにＰＮ接合部では空乏層の広がり及び拡散領域の幅なども考慮しなければならない。従って、入射光による雑音を十分に排除するためには、上記トランジスタ36においては最外部のＰＮ接合部、すなわちＮ型半導体領域32とＰ型基板10とからなるＰＮ接合部の露出面と前記遮光層44の端部との距離β２を５０μｍ以上確保すれば十分である。・・・
　このように上記実施例装置によれば、光遮蔽を行う必要がある個所を遮光層44により必要最低限度覆うような構成としている。このため、従来の装置で問題となっていた遮光層面積の広さによる各電極37ないし39の短絡は、遮光層44の面積を十分に狭くすることができるので、その発生の可能性は十分に低下する。」（第３頁右上欄第１３行ないし第４頁右下欄第１８行）
「この発明ではシリコン基板に限らずその他の半導体基板を使用することができる。さらに入射光波長の変化に対しては、絶縁層41の膜厚、遮光層44のパターン形状や寸法などを変えることにより容易に対応することができる。」（第４頁左下欄第１４ないし１８行）
　また、上記「トランジスタ36」がバイポーラトランジスタであることは、「36・・・バーティカル型ＮＰＮトランジスタ」（第５頁第７行）という記載、第１図、及び第４図から明らかである。
　　
　したがって、刊行物１には以下の発明が記載されている。
  「半導体基体と、上記半導体基体内に形成された受光素子と、
　上記半導体基体内に形成されたバイポーラトランジスタを含む半導体素子からなる、前記受光素子の出力信号を増幅する増幅回路部と、
　上記半導体基体上に絶縁層を介して設けられ、上記半導体素子の形成領域上及びその近傍を覆うように形成された導電性部材からなる遮光膜とを具備し、
   前記半導体基体の表面に露出している前記半導体素子の最外部の接合部から前記遮光層の端部までの距離が少なくとも５０μｍ以上離れていることを特徴とする半導体受光装置。」
　
（２）刊行物２　特開昭６３−２２４３５６号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−２２４３５６号公報には、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。　
「〔発明の概要〕
　本発明は光学的黒信号を得る様にした固体撮像装置であって、半導体基板に有効画素部と共に光学的黒信号形成用画素部を設ける様にした固体撮像装置において、半導体基板のサイズを光学的黒信号形成用画素部のうちクランプすべき光学的黒信号を得るための光学的黒信号形成用画素部が半導体基板の端部に入射する光の影響を受けない大きさとなる様にしたことにより、クランプミスを防止し、常に良好な黒レベルクランプを行うことができる様にしたものである。」（第１頁左下欄第１６行ないし同頁右下欄第７行）
「斯る従来の固体撮像装置においては、強い光、例えば太陽光ＢがＰ型シリコン基板(1)の端部(1A)に照射されると、クランプミスが生じ、画面が見苦しくなるという不都合があった。
　・・・斯る不都合は、Ｐ型シリコン基板(1)の端部(1A)に光Ｂが照射されると、この光Ｂがこの端部(1A)から、Ｐ型シリコン基板(1)内に入り込み、電子を発生させてしまい、この電子が光学的黒信号形成用画素部(3)(3)・・・(3)に蓄積されてしまうために生ずることが判明した。」（第２頁右上欄第９ないし１９行）
「斯る本発明においては、半導体基板(1)のサイズを光学的黒信号形成用画素部(3A１)(3A２)・・・(3A２０)のうちクランプすべき光学的黒信号を得るための光学的黒信号形成用画素部(3A１２)が半導体基板(1)の端部(1A)に入射する光Ｂの影響を受けない大きさとなる様にされているので、良好な光学的黒信号が得られ、良好な黒レベルクランプが行われる。」（第３頁左上欄第２ないし８行）
「本例においては、第１図に示す様に、Ｐ型シリコン基板(1)の一主面側に第２図例と同様にホトダイオードからなる有効画素部(2)(2)・・・(2)、同じくホトダイオードからなる光学的黒信号形成用画素部(3A１)(3A２)・・・(3A２０)、電荷結合素子(CCD)からなる垂直レジスタ部(4)(4)・・・(4)、同じく電荷結合素子(CCD)からなる水平レジスタ部・・・及び・・・電荷検出部・・・を設けると共に光学的黒信号形成用画素部(3A１)(3A２)・・・(3A２０)上方にＰ型シリコン基板(1)の端部(1A)にわたるアルミニウムよりなる遮光層(5)を設ける。
　また本例においては、水平方向に20ビット配する様に光学的黒信号形成用画素部(3A１)(3A２)・・・(3A２０)を形成すると共に垂直レジスタ部(4)を含めた１ビット分の幅Ｘｐを１７μｍとし、有効画素部側から数えて第１３ビット目の光学的黒信号形成用画素部(3A１３)に得られる光学的黒信号をクランプする様にする。
　この様にするときは有効画素部(2)(2)・・・(2)における標準設定レベルＶｓ（例えば150mV）のＩ倍（例えば24000倍）の光Ｂ′がこの有効画素部側から入射したとしても、この入射光Ｂ′による第１３ビット目の光学的黒信号形成用画素部(3A１３)の浮き上がりΔＶｓをＶｓの1/100、即ち　
Ｄ＝−２０logＶｓ／ΔＶｓ＝−４０〔ｄＢ〕とすることができ、この入射光Ｂ′による影響をほとんど受けない様にできる。」（第３頁左上欄第１４行ないし同頁左下欄第２行）
「また本例においては、最終ビット目、即ち、第20ビット目の光学的黒信号形成用画素部(3A２０)の端部(11B)から遮光層(6)の一方の端部(6A)の下方の半導体基板(1)までの距離ＸＣＥが約1150μｍとなる様にする。
　この様にするときは、有効画素部(2)(2)・・・(2)における標準設定レベルＶｓ（例えば150mV）のＩ倍（例えば24000倍）の光Ｂが半導体基板(1)の端部(1A)に入射したとしても、この入射光Ｂによる第13ビット目の光学的黒信号形成用画素部(3A１３)の浮き上がり、ＶｓをＶｓの1/100、即ち　
Ｄ＝−２０logＶｓ／ΔＶｓ＝−４０〔ｄＢ〕とすることができ、この入射光Ｂによる影響をほとんど受けない様にできる。」（第４頁左上欄第１ないし１４行）
　
４．対比・判断
　本願発明と、刊行物１に記載される発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
　（ａ）刊行物発明の「受光素子」が、光を電気信号に変換するものであることは明らかであるから、刊行物発明の「受光素子」は、本願発明の「光を受光して電気信号に変換する光電変換素子」に相当する。
　（ｂ）刊行物発明の「上記半導体基体内に形成されたバイポーラトランジスタを含む半導体素子からなる、前記受光素子の出力信号を増幅する増幅回路部」が、「受光素子」の電気信号を処理する回路であることは明らかであるから、上記（ａ）を参照すると、刊行物発明の「上記半導体基体内に形成されたバイポーラトランジスタを含む半導体素子からなる、前記受光素子の出力信号を増幅する増幅回路部」は、本願発明の「当該光電変換素子の電気信号を処理する信号処理回路」に相当する。
　（ｃ）刊行物発明は、「上記半導体素子の形成領域上及びその近傍を覆うように形成された導電性部材からなる遮光膜」を備えており、前記遮光層により、「増幅回路部」を構成する「半導体素子の形成領域」上が覆われているから、刊行物発明が「上記半導体素子の形成領域上及びその近傍を覆うように形成された導電性部材からなる遮光膜」を備えていることは、本願発明が「半導体基板における前記信号処理回路を構成する回路素子が遮光膜にて覆われ」ていることに相当する。
　（ｄ）刊行物発明は、「半導体基体と、上記半導体基体内に形成された受光素子と、　上記半導体基体内に形成されたバイポーラトランジスタを含む半導体素子からなる、前記受光素子の出力信号を増幅する増幅回路部と」を備えているから、「受光素子」と「増幅回路部」は同一「半導体基体」に形成されていることは明らかであって、 同一「半導体基体」ないし「半導体基板」に複数の半導体素子を形成することは、複数の半導体素子を「ワンチップ化」することを意味する。また、刊行物１には、「モノリシック化された１チップ型の半導体受光装置」（第３頁右上欄第３ないし４行）と記載されているから、刊行物発明が「半導体基体と、上記半導体基体内に形成された受光素子と、　上記半導体基体内に形成されたバイポーラトランジスタを含む半導体素子からなる、前記受光素子の出力信号を増幅する増幅回路部と」を備えたことは、本願発明が「光を受光して電気信号に変換する光電変換素子と、当該光電変換素子の電気信号を処理する信号処理回路とがワンチップ化され」ていることに相当する。
　（ｅ）上記（ｄ）で検討したとおり、刊行物発明の「半導体受光装置」は、「受光素子」と「増幅回路部」が同一「半導体基体」に形成された集積回路であるから、本願発明の「ＩＣ」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
  「光を受光して電気信号に変換する光電変換素子と、当該光電変換素子の電気信号を処理する信号処理回路とがワンチップ化されるとともに、半導体基板における前記信号処理回路を構成する回路素子が遮光膜にて覆われたＩＣ」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「少なくとも太陽光の照射雰囲気下で使用され、光を受光して電気信号に変換する光電変換素子」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「受光素子」を備えているが、「太陽光の照射雰囲気下で使用され」るか否か明らかでない点。
　相違点２
　本願発明は、「光センサＩＣ」であるのに対して、
　刊行物発明は、「半導体受光装置」である点。
　相違点３
　本願発明は、「前記半導体基板に形成された前記回路素子のうち最も外周側に位置する回路素子の端部からの遮光膜の被覆距離をＬ（μｍ）とし、
　遮光膜が無い状態で１０万ルクスの光を照射した時の前記回路素子での起電流をＩo とし、
　１０万ルクスの光を照射した時に回路の誤動作を招く前記回路素子の最小起電流をＩmal(min)としたとき、
【数１】　　Ｌ＞｛［ｌｏｇ（3.17×１０−６×（Ｉmal(min)／Ｉo）＋6.35］／（−0.0704）｝
を満足するようにしたこと」との構成を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記半導体基体の表面に露出している前記半導体素子の最外部の接合部から前記遮光層の端部までの距離が少なくとも５０μｍ以上離れていること」との構成を備えている点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　［相違点１について］
　（ａ）例えば刊行物２に記載されるように、受光素子（ホトダイオード）を「太陽光」が照射される状態で使用することは、受光素子の使用態様として従来周知のものである。
　（ｂ）刊行物２には、受光素子であるホトダイオードが太陽光の照射による影響を受けないようにするために、太陽光の照射による影響が問題とされる側の画素部から遮光層（６）の端部（６Ａ）までの距離を設定することが記載されており、また、刊行物発明においては、「遮光層の形成に当り、遮光が必要な部分に対し最大効果が生じるように部分的に遮光層で覆うように」（第３頁右上欄第１５ないし１７行）するために、「前記半導体基体の表面に露出している前記半導体素子の最外部の接合部から前記遮光層の端部までの距離が少なくとも５０μｍ以上離れている」との構成を備えるものであるから、半導体基体に形成された半導体素子（受光素子）を遮光層の端部から離す（距離を設定する）点において、刊行物１に記載された技術的事項と刊行物２に記載された技術的事項は、技術的に同等である。
　（ｃ）したがって、「半導体受光装置」である刊行物発明を、従来周知の受光素子の使用態様である、「太陽光」が照射された状態で用いることは、当業者が必要に応じて適宜なしえたものである。　
　
　［相違点２について］
　（ａ）刊行物発明の「半導体受光装置」は、「受光素子」及び複数の「半導体素子」を備えた「集積回路」であり、一方、本願発明の「光センサＩＣ」は、「光電変換素子」を備えた「ＩＣ」即ち「集積回路」であることは明らかである。
　（ｂ）本願発明及び刊行物発明のいずれも、「集積回路」がそれぞれ「光センサＩＣ」及び「半導体受光装置」であることそのものによらず、「受光素子」からの信号を処理する「回路」を覆う遮光膜の面積を削減することが課題であり、さらに、「受光素子」が「光センサＩＣ」及び「半導体受光装置」のいずれにも適用されることは技術常識であるから、刊行物１に、「この発明は、例えば光電スイッチ、光ファイバーデータリンク、高速光通信システムなどにおける光受光装置として使用される半導体受光装置に関する。」（第１頁右下欄第１５ないし１９行）と記載されているとしても、刊行物発明の課題解決手段である、「前記半導体基体の表面が前記遮光膜に覆われていない前記半導体素子の最外部の接合部から前記遮光層の端部までの距離が少なくとも５０μｍ以上離れていること」との構成を、「受光素子」からの信号を処理する「回路」を覆う遮光膜の面積を削減するために、本願発明の如き「光センサＩＣ」に用いることは当業者にとって何らの困難性もない。　
　
　［相違点３について］
　（ａ）刊行物発明は、「遮光膜」を後段増幅回路部30の表面全面を覆うように形成すると様々な問題が生ずるとの課題を解決するために、「遮光が必要な部分に対し」「部分的に遮光層で覆う」もの、更に詳細には、「前記半導体基体の表面が前記遮光膜に覆われていない前記半導体素子の最外部の接合部から前記遮光層の端部までの距離が少なくとも５０μｍ以上離れていること」との構成を備えるものであり、一方、本願発明は、「外来光の影響による回路の誤動作を確実に防止することができる光センサＩＣを提供する」（０００４段落）ことを目的とし、「遮光膜が無い状態で太陽光を照射した時の回路構成用素子での起電流Ｉo と、太陽光を照射した時に回路の誤動作を招く回路構成用素子の最小起電流Ｉmal(min)との比に応じて回路構成用素子の端部からの遮光膜の被覆距離Ｌ」を「数１」のように「設定した」（０００５段落）ものであって、刊行物発明及び本願発明のいずれも、光電変換素子（受光素子）からの電気信号を処理する回路を遮光膜で覆う面積をできるだけ少なくするための条件を設定したものである。
　（ｂ）本願発明の被覆距離Ｌについて
　（ｂ１）刊行物１には、遮光膜の被覆面積を少なくすること、刊行物２には、太陽光による回り込みによる問題を解決するために、素子の端部からの距離を必要な条件で決定することが記載されている。
　（ｂ２）そもそも、被覆面積を少なくしたい（被覆距離Ｌを小さくしたい）にも係わらず、本願発明では、被覆距離Ｌの下限のみが規定されており、上限が規定されていないから、課題が解決されているとは言えない。
　（ｂ３）Ｌの下限値は、本来、「光電変換素子」及び「回路素子」を構成する各半導体層の厚さ、前記各半導体層の不純物濃度、各素子を構成する各不純物導入領域の大きさ（幅及び長さ）、前記各不純物導入領域の不純物濃度等に依存して、変動する値であるにもかかわらず、本願発明の「数１」では、これらに依存しない値となっているから、Ｌの下限値に臨界的意義はない。
　（ｂ４）本願明細書の図１２及びその説明（００２２段落ないし００２４段落等）には、図２に記載されるＰＮＰトランジスタ等を構成する各領域（ベース領域、エミッタ領域、コレクタ領域等）の深さ（厚さ）、幅等の具体的大きさ（長さ・深さ等）、各領域の不純物濃度、その他の層・領域の厚さ・幅等の具体的大きさ（長さ・深さ等）について何らの記載もなく、照射光強度以外はどのような条件において測定したか不明であるから、図１２に記載される「実測点」がどのような条件で測定されたか不明りょうである。また、上記（ｂ３）をも考慮すると、「光センサＩＣ」を構成する要素についての各領域等の大きさ（幅及び長さ等）と無関係に、本願明細書の（００２３）段落の式（１）が成立する、言い換えると、本願発明の「数１」の定数、「 3.17×１０−６  」、「6.35」及び「（−0.0704）」が、「光センサＩＣ」を構成する要素についての各領域等の大きさ（幅及び長さ等）に関係ないものであるとは認められず、被覆距離Ｌの下限値に臨界的意義はない。
　したがって、被覆距離Ｌの下限値を、本願発明の如く設定することは、当業者が適宜なし得たものである。
　（ｂ５）仮に、本願発明の「数１」が、「光センサＩＣ」を構成する要素についての各領域等の大きさ（幅及び長さ等）と無関係に成立したとしても、すなわち、被覆距離Ｌの下限値が、上記各領域等の大きさと無関係に「遮光膜が無い状態で太陽光を照射した時の回路構成用素子での起電流」（Ｉ０）と「太陽光を照射した時に回路の誤動作を招く回路構成用素子の最小起電流」（Ｉｍａｌ（ｍｉｎ））との比により定まるものであるとしても、特定の条件（素子の構造、各領域の寸法・不純物濃度が明細書に記載されない「特定」の数値におけるもの）において測定されたものである各数値（「３．１７×１０−６」）、（６．３５）、（−０．０７０４）を含む「数１」によって定まる被覆距離Ｌの下限値が、任意の条件（素子の構造、各領域の寸法・不純物濃度が任意のもの）において成立するとの根拠は全く明細書に記載されていないから、「数１」により設定された「前記半導体基板に形成された前記回路素子のうち最も外周側に位置する回路素子の端部からの遮光膜の被覆距離」（Ｌ（μｍ））に臨界的意義はない。
　（ｃ）したがって、刊行物発明の「前記半導体基体の表面が前記遮光膜に覆われていない前記半導体素子の最外部の接合部から前記遮光層の端部までの距離」に相当する、本願発明の「前記半導体基板に形成された前記回路素子のうち最も外周側に位置する回路素子の端部からの遮光膜の被覆距離」（Ｌ（μｍ））をどの程度に設定するかは、当業者が必要に応じて適宜なしえたものである。
　
　よって、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし５に係る発明については検討するまでもなく、拒絶査定すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。