【事件の表示】
　特願２０００−５６９４４４「絶縁領域形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月１６日国際公開、ＷＯ００／１４７９７、平成１５年　２月２５日国内公表、特表２００３−５０７８７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１１年８月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年９月３日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１３年３月５日付けで国内書面及び平成１２年９月２０日付けの特許協力条約第３４条補正の翻訳文が提出され、平成１８年６月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月１８日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年１１月１１日付けで審尋がなされたものである。
　
　
第２．拒絶理由通知、拒絶査定、及び審判請求書の概要
　
１．原審における平成１７年９月２０日付けの拒絶理由通知（以下、「拒絶理由通知」という。）の概要
　
「　（略）
３．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　　（略）
請求項　１〜４５
理由　　３
[備考]
　本願発明は、明細書の記載からすれば、トレンチ分離領域の窪みの発生を防止することを課題として、トレンチ形成時のマスクに工夫を加えた上で、トレンチのコーナーをエッチングするか、或いはトレンチ内壁及び基板表面を熱酸化することで、トレンチのコーナーにある酸化膜の厚みを確保することにあるものと認められる。しかしながら、請求項１〜４５には、コーナーをエッチングすることか或いはトレンチ内壁及び基板表面を熱酸化することが記載されておらず、課題を解決するための手段が記載されていないことから、請求項１〜４５に係る発明の技術的意義が不明である。よって、本願の請求項１〜４５に係る発明は不明確である。（実施例１と実施例２と実施例３、４とは別個の発明（解決するための手段が異なるもの）であるから、請求項の記載としては、それぞれ別に記載する必要がある。現在の請求項１の記載のように無理に一つにまとめることのないように留意されたい。）
　　（略）」
　
２．原審における平成１８年６月１２日付けの拒絶査定（以下、「拒絶査定」という。）の概要
　
「　この出願については、平成１７年　９月２０日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものである。」
　
３．平成１８年１１月１７日付けの手続補正書により補正された審判請求書（以下、「審判請求書」という。）の概要
　
「【請求の理由】
　（略）
３．補正の根拠
　　（略）
（８）請求項１５について
　　　　旧請求項２２に基づくものである。但し、「エッチングの後に、開口内に絶縁領域の少なくとも一部分を構成する」の部分は、当初明細書の段落番号［００３５］の記載に基づき開口内であることを明確化したものである。
　　（略）
（１０）請求項１８について
　　　　「該減少過程は前記横方向側壁の一部をエッチングし、前記横方向側壁の第１部分を変更せずに残し、該第１部分から横方向に平行に離れた横方向側壁の第２部分を形成する過程と」の部分
　　　　当初明細書の段落番号［００３９］第１１行及び図２７の記載に基づき旧請求項２５を実施例４に対応するものであることを明確化したものである。
　　（略）
（１２）請求項２２について
　　　　当初明細書の段落番号［００２４］〜［００３０］及び図１７〜２１の記載に基づき旧請求項２９を実施例２に対応するものであることを明確化したものである。
　　（略）
４．本発明が特許されるべき理由
　　（略）
（４）本件の請求項１５の発明は、
　　（略）
　また、今回の補正の遡及効により、本請求項は実施例３に対応しており端部エッチングをすることが明確とされていることから、本請求項の発明の技術的意義は明確であると思料する。よって、上記拒絶理由は解消しているものと思料する。
　　（略）
（５）本件の請求項１８の発明は、
　　（略）
　なお、本請求項の発明は、審査段階における旧請求項２５に対応するものであり、これに対して、審査官殿は、前記拒絶理由のとおり、引用文献を挙げられていない。また、今回の補正の遡及効により、本請求項は実施例４に対応しており一部のエッチングをすること及び絶縁材料を形成することが明確とされていることから、本請求項の発明の技術的意義は明確であると思料する。よって、上記拒絶理由は解消しているものと思料する。
　　（略）
５．むすび
　　（略）
　また、この出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。よって、原査定を取り消す、この出願の発明はこれを特許すべきものとする、とのご審決を求めるところであり、本日付差出の手続補正書の内容につき再度ご検討の上本願を特許すべき旨速やかに査定下さるようお願いする次第である。」
　
　
第３．平成１８年１０月１８日付けの手続補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１８年１０月１８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　平成１８年１０月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１３年３月５日付けで提出された特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書によって補正された請求項（以下、「補正前の請求項」という。）４ないし６、１２ないし１４、２１、３０を削除するとともに、補正前の請求項１ないし３、７ないし１１、１５ないし２０、２２ないし２９、３１ないし４５をそれぞれ順次繰り上げて、補正後の請求項１ないし３、４ないし８、９ないし１４、１５ないし２２、２３ないし３７と補正するものであり、その内、補正前の請求項２９及びこれに対応する補正後の請求項２２は以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項２９】　絶縁領域形成方法であって、該方法は、
　基板上に、下に横たわる該基板の一部分を露出する開口のパターンを有する窒化シリコン層を形成する過程と、
　前記基板の中にまで延びる開口を形成するために、下に横たわる基板の露出された一部分をエッチングする過程と、
　下に横たわる基板の露出した一部分をエッチングした後、窒化シリコン層の一部分を、該窒化シリコン層の他の部分を前記基板上に残したまま除去するために、前記窒化シリコン層をウェットエッチングする過程と、
　前記ウェットエッチングの後、前記基板内の前記開口内に、該開口内の部分が絶縁領域の少なくとも一部分を構成する酸化物を形成する過程と、
　からなることを特徴とする絶縁材料形成方法。」
（補正後）
「【請求項２２】　絶縁領域形成方法であって、該方法は、
　基板上に酸化物層を形成する過程と、
　該酸化物層上に窒化シリコン層を形成する過程と、
を有しており、前記窒化シリコン層と前記酸化物層は下に横たわる前記基板、前記窒化シリコン層、及び前記酸化物層の一部を露出させる開口のパターンを有しており、本方法はさらに、
　前記下に横たわる基板の露出部分をエッチングし、前記基板内に延び入る開口部を形成する過程を有し、
　前記各開口は周囲部を提供し、前記エッチングは該開口の該周囲部の一部を提供する前記酸化物層と前記窒化シリコン層の横方向側壁を形成し、本方法はさらに、
　前記下に横たわる基板の前記露出部分のエッチング後に、前記窒化シリコン層をウェットエッチングして該窒化シリコン層の一部を除去し、前記窒化シリコン層の他の部分を前記基板上に残して、前記開口の前記周囲部から外側に前記窒化シリコン層の横方向壁を延長させる過程と、
　前記下に横たわる基板の前記露出部分のエッチング後、前記酸化物層の前記横方向壁を前記開口の前記周囲部から外側に延長させ、前記窒化シリコン層をアンダーカットするように前記酸化物層の一部を除去する過程と、
　前記ウェットエッチングと前記酸化物層の一部の除去後に、前記基板上に前記窒化シリコン層の前記他の部分を残した状態で、前記基板の前記開口内に絶縁領域の少なくとも一部を形成する酸化物を形成する過程と、
を有していることを特徴とする方法。」
　
２．補正後の請求項２２についての補正事項の整理
　補正後の請求項２２についての補正は、以下のとおりである。
　補正事項ａ
　補正前の請求項２９の「基板上に、下に横たわる該基板の一部分を露出する開口のパターンを有する窒化シリコン層を形成する過程と、」を、補正後の請求項２２の「基板上に酸化物層を形成する過程と、　該酸化物層上に窒化シリコン層を形成する過程と、を有しており、前記窒化シリコン層と前記酸化物層は下に横たわる前記基板、前記窒化シリコン層、及び前記酸化物層の一部を露出させる開口のパターンを有しており、」と補正すること。
　補正事項ｂ
　補正前の請求項２９の「前記基板の中にまで延びる開口を形成するために、下に横たわる基板の露出された一部分をエッチングする過程と、」を、補正後の請求項２２の「本方法はさらに、　前記下に横たわる基板の露出部分をエッチングし、前記基板内に延び入る開口部を形成する過程を有し、　前記各開口は周囲部を提供し、前記エッチングは該開口の該周囲部の一部を提供する前記酸化物層と前記窒化シリコン層の横方向側壁を形成し、」と補正すること。
　補正事項ｃ
　補正前の請求項２９の「下に横たわる基板の露出した一部分をエッチングした後、窒化シリコン層の一部分を、該窒化シリコン層の他の部分を前記基板上に残したまま除去するために、前記窒化シリコン層をウェットエッチングする過程と、」を、補正後の請求項２２の「本方法はさらに、　前記下に横たわる基板の前記露出部分のエッチング後に、前記窒化シリコン層をウェットエッチングして該窒化シリコン層の一部を除去し、前記窒化シリコン層の他の部分を前記基板上に残して、前記開口の前記周囲部から外側に前記窒化シリコン層の横方向壁を延長させる過程と、　前記下に横たわる基板の前記露出部分のエッチング後、前記酸化物層の前記横方向壁を前記開口の前記周囲部から外側に延長させ、前記窒化シリコン層をアンダーカットするように前記酸化物層の一部を除去する過程と、」と補正すること。
　補正事項ｄ
　補正前の請求項２９の「前記ウェットエッチングの後、前記基板内の前記開口内に、該開口内の部分が絶縁領域の少なくとも一部分を構成する酸化物を形成する過程と、　からなることを特徴とする絶縁材料形成方法。」を、補正後の請求項２２の「前記ウェットエッチングと前記酸化物層の一部の除去後に、前記基板上に前記窒化シリコン層の前記他の部分を残した状態で、前記基板の前記開口内に絶縁領域の少なくとも一部を形成する酸化物を形成する過程と、を有していることを特徴とする方法。」と補正すること。
　
３．本件補正の目的の適否についての検討
　補正事項ａ及び補正事項ｃについてそれぞれ検討する。
　
３−１．補正事項ａについて
　補正事項ａに関して、補正前の請求項２９に係る発明は、「・・・窒化シリコン層を形成する過程」を発明特定事項として有しているのに対して、補正後の請求項２２に係る発明は、「・・・酸化物層を形成する過程」及び「・・・窒化シリコン層を形成する過程」を発明特定事項として有しており、補正後の請求項２２に係る発明の「・・・酸化物層を形成する過程」に対応する発明特定事項は、補正前の請求項２９に係る発明には存在しない。また、補正前の請求項２９に係る発明では、上記「酸化物層」自体も発明特定事項となっていない。
　よって、補正後の請求項２２に係る発明の発明特定事項である「基板上に
酸化物層を形成する過程
　
３−２．補正事項ｃについて
　補正事項ｃに関して、補正前の請求項２９に係る発明は、「・・・前記窒化シリコン層をウェットエッチングする過程」を発明特定事項として有しているのに対して、補正後の請求項２２に係る発明は、「・・・前記窒化シリコン層をウェットエッチングして・・・延長させる過程」及び「・・・前記酸化物層の一部を除去する過程」を発明特定事項として有しており、補正後の請求項２２に係る発明の「・・・前記酸化物層の一部を除去する過程」に対応する発明特定事項は、補正前の請求項２９に係る発明には存在しない。また、補正前の請求項２９に係る発明では、上記「酸化物層」自体も発明特定事項となっていない。
　よって、補正後の請求項２２に係る発明の発明特定事項である「前記下に横たわる基板の前記露出部分のエッチング後、前記酸化物層の前記横方向壁を前記開口の前記周囲部から外側に延長させ、前記窒化シリコン層をアンダーカットするように
前記酸化物層の一部を除去する過程
　
３−３．補正の目的の適否についてのむすび 
　したがって、補正事項ａ及び補正事項ｃについての補正を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。 
　
４．補正の却下の決定についてのむすび 
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
第４．本願の請求項に係る発明について
　平成１８年１０月１８日付けの手続補正は上記「第３．」のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４５に係る発明は、平成１３年３月５日付けで提出された平成１２年９月２０日付け特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書により補正された明細書（以下、「本願明細書」という。）及び図面の記載からみて、その請求項１ないし４５に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項２２及び請求項２５に係る発明は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項２２】　絶縁領域形成方法であって、該方法は、
　基板上にマスク層を形成する過程と、
　前記マスク層を通って下に横たわる基板の中まで延びる周囲部を画定する開口のパターンを形成する過程であって、前記マスク層は前記周囲部の一部分を画定する横方向壁を有する過程と、
　前記開口を形成した後、第１マスク層の横方向壁の一部分を端部エッチングする過程と、
　端部エッチングの後、前記開口内に前記基板の中まで延びる絶縁材料であって、前記開口内の絶縁材料が絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する過程と、
　からなることを特徴とする絶縁領域形成方法。」
「【請求項２５】　絶縁領域形成方法であって、該方法は、
　基板上にマスク層を形成する過程と、
　前記マスク層を通して下に横たわる基板の中まで延びる開口のパターンを形成する過程であって、第１マスク層は前記開口に近い位置にエッジ領域を有し、また前記エッジ領域の間に中央領域を有している、開口のパターンを形成する過程と、
　前記開口を下に横たわる基板の中にまで延長した後、前記マスク層の厚さを、前記エッジ領域のところで、該エッジ領域の面取りが行われることなく、前記中央領域に対して前記エッジ領域が薄くなるように減少させる過程と、
　前記開口内に前記基板の中にまで延びる絶縁材料であって、絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する過程と、
　からなることを特徴とする絶縁領域形成方法。」
　
　
第５．本願明細書の記載について
　本願明細書には、以下の事項が記載されている。
　
１．従来の技術に関する記載
「　【０００２】　【従来の技術】　近頃の半導体装置応用例では、多数の個別デバイスが、半導体基板の単一小領域上に詰め込まれる。これら個別デバイスの多くは、互いに電気的に絶縁される必要がある。そのような絶縁を達成するための一つの方法は、隣り合ったデバイスの間にトレンチ状絶縁領域を形成することである。そのようなトレンチ状絶縁領域は、通常半導体基板内に形成されまた例えば二酸化シリコン等の絶縁材料で充填された溝（トレンチ）又は窪みからなる。・・・　【０００３】　
図１乃至図１２を参照しながら、トレンチ構造を形成するための従来の方法を説明する。
図５を参照すると、
第１酸化物層２４が開口２０内にそしてシリコン基板１２によって画定される周囲部２２（図４参照）に沿って熱的に成長している。酸化物層２４の成長は、窒化物層１６の側壁縁１７のところに横たわる小さなバーズビーク領域２６を形成する。
図９を参照すると、パッド酸化物層（図８参照）が除去されている。パッド酸化物層を除去することにより、酸化物プラグ３０の縁部分に窪み３２が残される。
図１０を参照すると、基板１２上と酸化物プラグ３０間に、犠牲酸化物層３４が成長されている。
図１１を参照すると、犠牲酸化物層３４（図１０参照）が除去されている。
犠牲酸化物層３４の除去はまた、窪み３２の状態を好ましくなく悪化させる。
窪み３２はトランジスタ装置に近接して寄生デバイスを好ましくなく形成することになり、そして最終的にはトランジスタ装置のしきい値電圧を低下させる効果を持つものである。したがって、窪み３２の形成を軽減することが望ましい。窪み３２はまた次の製造処理過程を妨げるものであり、この意味においても、窪み３２の形成は避けるべきである。
　
２．本発明の実施例に関する記載
「　【００１８】　【発明の実施の形態】
　以下、添付図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。
本発明は、図１乃至図１２に示されている従来技術の処理過程に関連して上で説明した窪み３２を減少させることができる方法に関するものである。
　
２−１．第１実施例に関する記載
「本発明の第１実施例を図１３乃至図１６を参照して説明する。
図１４を参照すると、ウェーハ片１０ａに対して、例えば図４に関連して上で述べたＨＢｒエッチング等のシリコンエッチングが実施される。そのようなエッチングは、開口４０を基板１２内まで延長し、また、窒化物層１６及び酸化物層１４の露出された部分を除去するものである。したがって、エッチングは、第２マスク層の横方向周囲部（側壁１７によって画定される）を、第２マスク層の厚さを減少させることなく、開口から外側に向かって移動させる。エッチングの後、開口４０は、酸化物層１４の下に、段差４２（曲面化された角に相当する）を有する。この段差４２は、開口４０の広い上部部分が開口４０の狭い下部部分に接続する領域を画定する。
　
２−２．第３実施例に関する記載
「　【００３１】　
本発明の第３実施例を、図２２乃至図２５を参照して説明する。
図２３を参照すると、窒化物層１６は、エッジ部分１７に近い窒化物層１６の一部分の厚さを薄くするために、端部エッチングに付される。
図２４を参照すると、ウェーハ片１０ｃは、開口６０内に酸化物層６２を形成する酸化過程に付される。熱酸化の前の窒化物層１６の端部エッチングは、窒化物層１６のエッジ部分の持ち上がりにより、角部６１に丸みをもたらす。角部６１の丸みは、図５に関連して上で説明した従来技術における如何なる相似的な角部の丸みより顕著である。
図６乃至１２に示す従来技術の処理過程に相似的な次の処理過程により、絶縁領域６４及び該絶縁領域６４上に横たわるポリシリコン層６６を有する図２５の構造が形成される。
図２５は、丸みを帯びた角部６１が従来技術における窪み３２（図１２参照）の形成を軽減していることを示している。
　
２−３．第４実施例に関する記載
「　【００３８】　次に、
図２６乃至図２９を参照しながら、本発明の第４実施例を説明する。
図２７を参照すると、窒化物層１６の露出された部分は、この部分の厚さを薄くするために、図１８に関連して上で説明した、例えばリン酸エッチングなどの追加的エッチング環境に晒される。具体的には、元々の窒化物層が厚さ“Ａ”（窒化物層のエッチングが行われていない中央領域の厚さ）で、窒化物層のエッチングされた部分（エッジ部分）の厚さが“Ｂ”であるなら、“Ｂ”は“Ａ”の約半分であることが好ましい。
図２８を参照すると、ウェーハ片１０ｄは、開口７０内に酸化物層７２を成長させる酸化環境に晒される。窒化物層１６の薄くされた領域は、成長する酸化物によって比較的容易に持ち上げられ、その結果、“バーズビーク”が窒化物層１６の薄くされた領域の下に形成されることになる。このバーズビークは、図５に関連して上で説明した従来技術の処理過程の間に形成される如何なるバーズビークに対して延び出ているものである。
図２９を参照すると、
図６乃至図１２に関連して上で説明した従来技術の処理過程に相似的な次の処理環境に晒される。
図２６乃至図２９の処理は、上の“従来の技術”の項目で説明した従来技術での窪み３２の形成を軽減する（窪み３２が無いものとして示されている）。
　
　
第６．当審の判断
　
１．本願明細書の開示内容の検討
１−１．本願発明の課題について
　上記「第５．」の「１．」で摘記したとおり、本願明細書には、従来の技術として、「図９を参照すると、パッド酸化物層（図８参照）が除去されている。パッド酸化物層を除去することにより、酸化物プラグ３０の縁部分に窪み３２が残される。」（００１２段落）、「図１１を参照すると、犠牲酸化物層３４（図１０参照）が除去されている。・・・犠牲酸化物層３４の除去はまた、窪み３２の状態を好ましくなく悪化させる。」（００１４段落）、「窪み３２はトランジスタ装置に近接して寄生デバイスを好ましくなく形成することになり、そして最終的にはトランジスタ装置のしきい値電圧を低下させる効果を持つものである。したがって、窪み３２の形成を軽減することが望ましい。窪み３２はまた次の製造処理過程を妨げるものであり、この意味においても、窪み３２の形成は避けるべきである。」（００１５段落）と記載されており、「パッド酸化物層を除去する」工程及び「犠牲酸化物層３４の除去」工程によって「酸化物プラグ３０の縁部分」に形成される「窪み３２」が、「トランジスタ装置に近接して寄生デバイスを好ましくなく形成する」、「最終的にはトランジスタ装置のしきい値電圧を低下させる」、「次の製造処理過程を妨げる」等の点で避けるべき対象として認識されていることが明らかである。
　また、上記「第５．」の「２．」で摘記したとおり、本願明細書には、「本発明は、図１乃至図１２に示されている従来技術の処理過程に関連して上で説明した窪み３２を減少させることができる方法に関するものである。」（００１８段落）と記載されており、本発明が「従来技術の処理過程」における「窪み３２を減少させる」ための方法であることも明らかである。
　よって、本願発明の課題が、「酸化物プラグ３０の縁部分」に形成される「窪み３２を減少させる」ことであることは、本願明細書の記載より明らかである。
　
１−２．第３実施例について
　上記「第５．」の「２−２．」で摘記したとおり、本願明細書には、第３実施例に関して、「図２３を参照すると、窒化物層１６は、エッジ部分１７に近い窒化物層１６の一部分の厚さを薄くするために、端部エッチングに付される。」（００３３段落）、「図２４を参照すると、ウェーハ片１０ｃは、開口６０内に酸化物層６２を形成する酸化過程に付される。熱酸化の前の窒化物層１６の端部エッチングは、窒化物層１６のエッジ部分の持ち上がりにより、角部６１に丸みをもたらす。角部６１の丸みは、図５に関連して上で説明した従来技術における如何なる相似的な角部の丸みより顕著である。」（００３５段落）、「図２５は、丸みを帯びた角部６１が従来技術における窪み３２（図１２参照）の形成を軽減していることを示している。」（００３７段落）と記載されている。
　よって、第３実施例は、「エッジ部分１７に近い窒化物層１６の一部分の厚さを薄くするために、端部エッチング」を行って、「開口６０内に酸化物層６２を形成する酸化過程」の際に「窒化物層１６のエッジ部分の持ち上がりにより、角部６１に」「従来技術における如何なる相似的な角部の丸みより顕著な」「丸みをもたらす」構成とすることにより、「従来技術における窪み３２（図１２参照）の形成を軽減」という課題の解決を実現するものである。
　
１−３．第４実施例について
　上記「第５．」の「２−３．」で摘記したとおり、本願明細書には、第４実施例に関して、「図２７を参照すると、窒化物層１６の露出された部分は、この部分の厚さを薄くするために、図１８に関連して上で説明した、例えばリン酸エッチングなどの追加的エッチング環境に晒される。具体的には、元々の窒化物層が厚さ“Ａ”（窒化物層のエッチングが行われていない中央領域の厚さ）で、窒化物層のエッチングされた部分（エッジ部分）の厚さが“Ｂ”であるなら、“Ｂ”は“Ａ”の約半分であることが好ましい。」（００４０段落）、「図２８を参照すると、ウェーハ片１０ｄは、開口７０内に酸化物層７２を成長させる酸化環境に晒される。窒化物層１６の薄くされた領域は、成長する酸化物によって比較的容易に持ち上げられ、その結果、“バーズビーク”が窒化物層１６の薄くされた領域の下に形成されることになる。このバーズビークは、図５に関連して上で説明した従来技術の処理過程の間に形成される如何なるバーズビークに対して延び出ているものである。」（００４１段落）、「図２６乃至図２９の処理は、上の“従来の技術”の項目で説明した従来技術での窪み３２の形成を軽減する（窪み３２が無いものとして示されている）。」（００４３段落）と記載されている。
　よって、第４実施例は、「窒化物層１６の露出された部分は、この部分の厚さを薄くするために、」「例えばリン酸エッチングなどの追加的エッチング」を行って、「開口７０内に酸化物層７２を成長させる酸化環境に晒される」際に「窒化物層１６の薄くされた領域」（「エッジ部分」）「は、成長する酸化物によって比較的容易に持ち上げられ、」「従来技術の処理過程の間に形成される如何なるバーズビークに対して延び出ている」「“バーズビーク”が窒化物層１６の薄くされた領域の下に形成される」構成とすることにより、「従来技術での窪み３２の形成を軽減」という課題の解決を実現するものである。
　
１−４．本願発明のまとめ
　上記「１−１．」で検討したとおり、本願発明の課題は、「酸化物プラグ３０の縁部分」に形成される「窪み３２を減少させる」ことであることは、本願明細書の記載より明らかである。
　また、上記「１−２．」及び「１−３．」で検討したとおり、本願発明の課題を解決するための手段として、第３実施例及び第４実施例では、「端部エッチング」（第３実施例）、「例えばリン酸エッチングなどの追加的エッチング」（第４実施例）等のエッチングにより、窒化物層のエッジ部分の厚さを薄くしておき、後の開口内に酸化物層を形成する酸化過程で窒化物層のエッジ部分を持ち上げることにより、「角部６１の丸み」（第３実施例）、「バーズビーク」（第４実施例）等の厚い酸化物を従来技術よりも大きくしたことを利用する発明が開示されているものと認められる。
　ここで、第３実施例及び第４実施例の発明についてさらに検討すると、エッチングにより窒化物層のエッジ部分の厚さを薄くすることが、その後の開口内に酸化物層を形成する酸化過程で窒化物層のエッジ部分が持ち上がりやすくなることと密接に関連していることは、明らかである。すなわち、エッチングにより窒化物層のエッジ部分の厚さを薄くする過程は、後に酸化過程を伴うことによってはじめて技術的意義を有し、課題を解決できるものであり、逆にいえば、窒化物層のエッジ部分の厚さを薄くするだけで後に酸化過程を伴わない場合については、技術的意義が不明である。そして、第３実施例及び第４実施例以外の、本願明細書の全記載を参照しても、窒化物層のエッジ部分の厚さを薄くするだけで後に酸化過程を伴わない場合に対して、技術的意義が認められるような記載はない。
　
２．本願の請求項に係る発明の検討
２−１．請求項２２について
　本願の請求項２２に係る発明は、上記「第４．」に記載したとおりの、
「絶縁領域形成方法であって、該方法は、
　基板上にマスク層を形成する過程と、
　前記マスク層を通って下に横たわる基板の中まで延びる周囲部を画定する開口のパターンを形成する過程であって、前記マスク層は前記周囲部の一部分を画定する横方向壁を有する過程と、
　前記開口を形成した後、第１マスク層の横方向壁の一部分を端部エッチングする過程と、
　端部エッチングの後、前記開口内に前記基板の中まで延びる絶縁材料であって、前記開口内の絶縁材料が絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する過程と、
　からなることを特徴とする絶縁領域形成方法。」
である。
　請求項２２は、「前記開口を形成した後、第１マスク層の横方向壁の一部分を端部エッチングする過程」を有していることから、第３実施例（「端部エッチング」との用語は第３実施例においてのみ用いられている）に対応するものであるが、その後の工程としては、「端部エッチングの後、前記開口内に前記基板の中まで延びる絶縁材料であって、前記開口内の絶縁材料が絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する過程」と記載されているのみであり、酸化を行うことは特定されていない。そして、「前記開口内に前記基板の中まで延びる絶縁材料であって、前記開口内の絶縁材料が絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する」という記載のみでは、必ずしも酸化を行うことを意味せず、絶縁材料を堆積すること、窒化を行うこと等、様々な場合が含まれ得る。
　よって、本願の請求項２２に係る発明は、「前記開口を形成した後、第１マスク層の横方向壁の一部分を端部エッチングする過程」という、窒化物層のエッジ部分の厚さを薄くする過程を有しているものの、その後の開口内に酸化物層を形成する酸化過程を伴わない場合を含んでいるから、上記「１−４．」で検討したとおり、技術的意義が不明である。
　
２−２．請求項２５について
　本願の請求項２５に係る発明は、上記「第４．」に記載したとおりの、
「絶縁領域形成方法であって、該方法は、
　基板上にマスク層を形成する過程と、
　前記マスク層を通して下に横たわる基板の中まで延びる開口のパターンを形成する過程であって、第１マスク層は前記開口に近い位置にエッジ領域を有し、また前記エッジ領域の間に中央領域を有している、開口のパターンを形成する過程と、
　前記開口を下に横たわる基板の中にまで延長した後、前記マスク層の厚さを、前記エッジ領域のところで、該エッジ領域の面取りが行われることなく、前記中央領域に対して前記エッジ領域が薄くなるように減少させる過程と、
　前記開口内に前記基板の中にまで延びる絶縁材料であって、絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する過程と、
　からなることを特徴とする絶縁領域形成方法。」
である。
　請求項２５は、「前記マスク層の厚さを、前記エッジ領域のところで、該エッジ領域の面取りが行われることなく、前記中央領域に対して前記エッジ領域が薄くなるように減少させる過程」を有していることから、第４実施例に対応するものであるが、その後の工程としては、「前記開口内に前記基板の中にまで延びる絶縁材料であって、絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する過程」と記載されているのみであり、酸化を行うことは特定されていない。そして、「前記開口内に前記基板の中にまで延びる絶縁材料であって、絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する」という記載のみでは、必ずしも酸化を行うことを意味せず、絶縁材料を堆積すること、窒化を行うこと等、様々な場合が含まれ得る。
　よって、本願の請求項２５に係る発明は、「前記マスク層の厚さを、前記エッジ領域のところで、該エッジ領域の面取りが行われることなく、前記中央領域に対して前記エッジ領域が薄くなるように減少させる過程」という、窒化物層のエッジ部分の厚さを薄くする過程を有しているものの、その後の開口内に酸化物層を形成する酸化過程を伴わない場合を含んでいるから、上記「１−４．」で検討したとおり、技術的意義が不明である。
　
３．拒絶理由通知についての検討
３−１．拒絶理由通知の指摘内容の整理
　原審における拒絶理由通知において、本願の請求項１ないし４５は、以下の理由により、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないと指摘している。
　
「本願発明は、明細書の記載からすれば、トレンチ分離領域の窪みの発生を防止することを課題として、トレンチ形成時のマスクに工夫を加えた上で、トレンチのコーナーをエッチングするか、或いはトレンチ内壁及び基板表面を熱酸化することで、トレンチのコーナーにある酸化膜の厚みを確保することにあるものと認められる。しかしながら、請求項１〜４５には、コーナーをエッチングすることか或いはトレンチ内壁及び基板表面を熱酸化することが記載されておらず、課題を解決するための手段が記載されていないことから、請求項１〜４５に係る発明の技術的意義が不明である。よって、本願の請求項１〜４５に係る発明は不明確である。」
　
　ここで、拒絶理由通知では、「トレンチのコーナーをエッチングするか、或いはトレンチ内壁及び基板表面を熱酸化すること」、「コーナーをエッチングすることか或いはトレンチ内壁及び基板表面を熱酸化すること」と択一的に指摘しているが、少なくとも第３実施例及び第４実施例に対応する請求項に対しては、「トレンチ内壁及び基板表面を熱酸化すること」が適用されることは明らかであるから、第３実施例及び第４実施例に対応する請求項に対する拒絶理由通知の指摘内容は、以下のとおりである。
　
「本願発明は、明細書の記載からすれば、トレンチ分離領域の窪みの発生を防止することを課題として、トレンチ形成時のマスクに工夫を加えた上で、トレンチ内壁及び基板表面を熱酸化することで、トレンチのコーナーにある酸化膜の厚みを確保することにあるものと認められる。しかしながら、請求項には、トレンチ内壁及び基板表面を熱酸化することが記載されておらず、課題を解決するための手段が記載されていないことから、請求項に係る発明の技術的意義が不明である。よって、本願の請求項に係る発明は不明確である。」
　
３−２．請求項２２に対する拒絶理由通知の検討
　請求項２２に係る発明について検討すると、上記「２−１．」で検討したとおり、「前記開口を形成した後、第１マスク層の横方向壁の一部分を端部エッチングする過程」を有しており第３実施例に対応するが、上記「２−１．」で検討したとおり、その後の開口内に酸化物層を形成する酸化過程を伴わない場合を含んでおり、技術的意義が不明である。
　よって、拒絶理由通知において、請求項２２にはトレンチ内壁及び基板表面を熱酸化することが記載されておらず、課題を解決するための手段が記載されていないから、発明の技術的意義が不明であり、本願の請求項２２に係る発明は不明確であると指摘した点は、依然として解消していない。
　
３−３．請求項２５に対する拒絶理由通知の検討
　請求項２５に係る発明について検討すると、上記「２−２．」で検討したとおり、「前記マスク層の厚さを、前記エッジ領域のところで、該エッジ領域の面取りが行われることなく、前記中央領域に対して前記エッジ領域が薄くなるように減少させる過程」を有しており第４実施例に対応するが、上記「２−２．」で検討したとおり、その後の開口内に酸化物層を形成する酸化過程を伴わない場合を含んでおり、技術的意義が不明である。
　よって、拒絶理由通知において、請求項２５にはトレンチ内壁及び基板表面を熱酸化することが記載されておらず、課題を解決するための手段が記載されていないから、発明の技術的意義が不明であり、本願の請求項２５に係る発明は不明確であると指摘した点は、依然として解消していない。
　
３−４．審判請求書の検討
　審判請求人は、審判請求書の請求の理由の「４．本発明が特許されるべき理由」において、補正後の請求項１５（補正前の請求項２２に対応）に対して「また、今回の補正の遡及効により、本請求項は実施例３に対応しており端部エッチングをすることが明確とされていることから、本請求項の発明の技術的意義は明確であると思料する。よって、上記拒絶理由は解消しているものと思料する。」、補正後の請求項１８（補正前の請求項２５に対応）に対して「また、今回の補正の遡及効により、本請求項は実施例４に対応しており一部のエッチングをすること及び絶縁材料を形成することが明確とされていることから、本請求項の発明の技術的意義は明確であると思料する。よって、上記拒絶理由は解消しているものと思料する。」とそれぞれ主張し、「５．むすび」において、「この出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。」と主張している。
　しかしながら、上記「１−４．」で検討したとおり、本願の第３実施例及び第４実施例は、エッチングにより窒化物層のエッジ部分の厚さを薄くする過程だけでなく、後に酸化過程を伴うことによってはじめて技術的意義を有し、課題を解決できるものである。また、上記「２−１．」及び「２−２．」で検討したとおり、「・・・絶縁材料を形成する」という記載のみでは、必ずしも酸化を行うことを意味せず、絶縁材料を堆積すること、窒化を行うこと等、様々な場合が含まれ得る。よって、仮に「端部エッチングをすることが明確とされている」または「一部のエッチングをすること及び絶縁材料を形成することが明確とされている」としても、それのみでは発明の技術的意義が明確とならないことは明らかである。
　また、拒絶理由通知において指摘した「トレンチのコーナーをエッチングする」とは、窒化物層のコーナーをエッチングすることを意味しているわけではなく、本願明細書の第１実施例について「図１４を参照すると、ウェーハ片１０ａに対して、例えば図４に関連して上で述べたＨＢｒエッチング等の
シリコンエッチング
段差４２（曲面化された角に相当する）
図３を参照すると、２番目のエッチングが、開口２０をシリコン基板の中へ延長するように行われる。この２番目のエッチングは一般的には、“トレンチ開始エッチング”と言われるものである。
　よって、審判請求書における審判請求人の主張は、採用することができない。
　
４．当審の判断についてのまとめ
　したがって、本願の請求項２２及び請求項２５の記載は、発明の技術的意義が不明であって、特許を受けようとする発明が明確でないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　
第７．むすび
　以上検討したとおり、本願の請求項２２及び請求項２５の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、他の請求項についての検討を行うまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。