(57)【要約】  有機ＥＬ素子（１０）は、第１電極（１１０）、有機層（１２０）、及び第２電極（１３０）を備えている。有機層（１２０）は、第１電極（１１０）と第２電極（１３０）の間に位置している。そして、第２電極（１３０）は、有機層（１２０）との界面近傍にＧａを含んでいる。第２電極（１３０）は、例えばＧａ含有層（１３２）及び導電層（１３４）を含んでいる。Ｇａ含有層（１３２）において、最も含有率の高い元素はＧａである。Ｇａ含有層（１３２）は、例えば薄いＧａ層である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記第２電極と前記有機層の間にＧａ含有領域を含む有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記Ｇａ含有領域で含有率の最も高い元素はＧａである請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記Ｇａ含有領域において、Ｇａ濃度のピークは、前記有機層と前記第２電極の間に存在する請求項２の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極である請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
基板を備え、前記第１電極、前記有機層、及び前記第２電極は、前記基板の一面側に、この順に積層されている請求項４に記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置やディスプレイの光源の一つに、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子がある。有機ＥＬ素子は、たとえば陽極（正孔注入電極）と陰極（電子注入電極）の間に、有機層を設けたものである。有機ＥＬ素子に関する技術としては、たとえば特許文献１および特許文献２に記載のものが挙げられる。【０００３】
特許文献１には、陰極としてＧａを用いることが記載されている。また、特許文献２には、陰極に、Ｇａ系金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを含ませることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−４８９４６号公報
【特許文献２】特開２００６−１４４１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子などの有機ＥＬ素子は、有機層を有しているため、封止構造が必要となる。しかし、封止構造はコストを要する。そこで、本発明者は、ガリウム（Ｇａ）のように電子注入能力があり、化学的に安定している液体状金属を利用し、封止構造を簡略化するために、有機ＥＬ素子の構造を工夫することを検討した。【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子において、封止構造を簡略化することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記第２電極と前記有機層の間にＧａ含有領域を含む有機ＥＬ素子である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【０００９】
【図１】実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図２】有機層の構成の一例を示す図である。
【図３】有機層及び第２電極の界面における炭素、Ｇａ、及び導電層を構成する導電材料の深さ方向の濃度分布を示す図である。
【図４】実施例１に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図５】実施例２に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図６】実施例３に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図７】実施例４に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図８】実施例５に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図９】実施例６に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図１０】実施例６に係る試料と比較例の発光面積の変化を示す図である。
【図１１】実施例７に係る試料と比較例の発光面積の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
図１は、実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を備えている。有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。そして、第２電極１３０は、有機層１２０との界面にＧａを含んでいる。本図に示す例では、第２電極１３０は、Ｇａ含有層１３２（Ｇａ含有領域）及び導電層１３４を含んでいる。Ｇａ含有層１３２において、最も含有率の高い元素はＧａである。Ｇａ含有層１３２は、例えば０．５〜５０ｎｍほどの薄いＧａ層である。ただし、Ｇａ含有層１３２と有機層１２０の境界は明確に存在していない場合もある。同様に、Ｇａ含有層１３２と導電層１３４の境界は明確に存在していない場合もある。また、Ｇａ含有層１３２の厚さは、Ga原子が数個積層された構成であってもよい。そして、Ｇａ含有層１３２中のＧａ濃度が、有機層１２０側から濃度が増加し、有機層１２０と第２電極１３０の間でピークとなり、その後第２電極１３０側に向かって減少していくようにする。有機ＥＬ素子１０は、例えば有機ＥＬ素子であるが、他の有機ＥＬ素子であってもよい。また、有機ＥＬ素子１０が有機ＥＬ素子である場合、有機ＥＬ素子１０は、照明装置の光源、又はディスプレイ装置として用いることができる。
【００１２】
第１電極１１０は陽極として機能し、第２電極１３０のうち少なくとも導電層１３４は陰極として機能する。第１電極１１０及び導電層１３４の一方は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子を含んでいる。
【００１３】
また、第１電極１１０及び導電層１３４の他方は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。
【００１４】
有機層１２０は、発光層を有している。そして、第１電極１１０及び第２電極１３０の間に電源２０から電圧が印加されることにより、有機層１２０は発光する。この発光は、第１電極１１０及び導電層１３４のうち透明電極となっている電極から外部に出射する。
【００１５】
第１電極１１０、Ｇａ含有層１３２、及び導電層１３４は、例えば蒸着法を用いて形成される。有機層１２０は、蒸着法又は塗布法を用いて形成される。塗布法としては、例えば、スプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷を用いることができる。なお、有機層１２０が複数の層で形成されている場合、これらの各層は、互いに同一の方法で形成されていても良いし、少なくとも一つの層は他とは別の方法で形成されていても良い。塗布法で形成される場合、有機層１２０を形成するための塗布材料としては、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン、無機化合物のゾルゲル膜、ルイス酸を含む有機化合物膜、導電性高分子を用いることができる。ただし、有機層１２０を構成する材料は、これらに限定されない。
【００１６】
なお、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０は、基板を用いて形成される。基板は、例えばガラスなどの無機材料によって形成されていてもよいし、樹脂などの有機材料によって形成されていてもよい。基板は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合においても、基板は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。また、厚さ方向において、第１電極１１０が第２電極１３０よりも基板の近くに位置してもよいし、第２電極１３０が第１電極１１０よりも基板の近くに位置していてもよい。後者の場合、樹脂材料を利用した基板を用いても、基板を透過してきた水分によって有機層１２０が劣化することを抑制できる。
【００１７】
図２は、有機層１２０の構成の一例を示す図である。本図に示す例において、有機層１２０は、第１電極１１０に近い側から順に、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、及び発光層１２３を有している。そして発光層１２３にはＧａ含有層１３２が接している。すなわち本実施形態では、Ｇａ含有層１３２が電子注入層（及び電子輸送層）として機能している。正孔注入層１２１及び正孔輸送層１２２は、一つの有機層で構成されていても良い。なお、正孔注入層１２１を構成する有機材料、正孔輸送層１２２を構成する有機材料、及び発光層１２３を構成する有機材料は、特に制限はなく、一般的な材料を用いることができる。正孔注入層１２１は、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を含んでいてもよい。なお、有機層１２０は、Ｇａ含有層１３２とは別に電子注入層及び電子輸送層の少なくとも一方を有していてもよい。
【００１８】
図３（ａ）は、有機層１２０及び第２電極１３０の界面における炭素、Ｇａ、及び導電層１３４を構成する導電材料の深さ方向の濃度分布を示す図である。本図に示す例では、基板側から順に、第１電極１１０、有機層１２０、Ｇａ含有層１３２、及び導電層１３４が積層されている。図３（ｂ）は、基板側から順に、導電層１３４、Ｇａ含有層１３２、有機層１２０、及び第１電極１１０が積層された場合の濃度分布を示す図である。この場合、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）とは左右逆になる。
【００１９】
これらの図に示すように、有機層１２０とＧａ含有層１３２の界面では、Ｇａ含有層１３２に近づく（又は入り込む）につれて炭素の濃度が急激に低下し、その代わりにＧａの濃度が急激に上昇する。そして、Ｇａ含有層１３２においては、Ｇａが最も多くなる。そして、Ｇａ含有層１３２と導電層１３４の界面では、導電層１３４に近づくにつれてＧａの濃度が急激に低下し、その代わりに導電層１３４を構成する導電材料の濃度が急激に上昇する。なおこのような分析は、例えばＴＯＦ−ＳＩＭＳ（Time-of-flight secondary ion mass spectrometer）を用いて行うことができる。
【００２０】
本実施形態によれば、有機層１２０と第２電極１３０の界面には、Ｇａが含まれている。このため、このＧａを含有する層（Ｇａ含有層１３２）を、電子注入層として用いることができる。従って、一般的に良く使われるアルカリ金属化合物などからなる電子注入層を用いる場合と比較して、例えば、第２電極１３０と有機層１２０の界面に水分や酸素などの劣化因子が浸入してきても、これら劣化因子によって有機層１２０の発光特性が劣化することを低減できる。従って、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化することができる。なお、Ｇａ含有層１３２と発光層１２３の間に電子輸送層が設けられていた場合においても、有機層１２０の発光特性の劣化を低減できる。また、Ｇａは常温では液体であり、流動性が高い。このため、Ｇａ含有層１３２を設けることにより、第２電極１３０と有機層１２０の密着性を向上させることもできる。
【実施例】
【００２１】
（実施例１）
図４は、実施例１に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００上に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層した構成を有している。そして本実施例において、有機層１２０からの光は、基板１００側から取り出される。【００２２】
基板１００は、たとえば透明基板である。本実施例において、基板１００は、ガラス基板とすることができる。これにより、耐熱性等に優れた有機ＥＬ素子１０を安価に製造することが可能となる。【００２３】
基板１００は、樹脂材料により構成されるフィルム状の基板であってもよい。この場合、特にフレキシブル性の高いディスプレイを実現することが可能となる。フィルム状の基板を構成する樹脂材料は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリカーボネートである。【００２４】
そして、第１電極１１０は透明電極となっている。そして導電層１３４は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。【００２５】
次に、本実施例に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０を、例えば蒸着法を用いて形成する。次いで、有機層１２０を、蒸着法又は塗布法を用いて形成する。次いで、Ｇａ含有層１３２を、例えば蒸着法を用いて形成し、その後、導電層１３４を、例えば蒸着法を用いて形成する。【００２６】
本実施例によっても、Ｇａ含有層１３２を電子注入層として用いることができる。従って、一般的に良く使われるアルカリ金属化合物などからなる電子注入層を用いる場合と比較して、有機層１２０に水分や酸素が浸入してきても、これら水分や酸素によって有機層１２０の発光特性が劣化することを抑制できる。従って、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化することができる。電子機器に、有機ＥＬ素子１０を一つの発光部として利用する場合、発光部の発光面積の減少（シュリンク）を抑制することができる。【００２７】
なお、本実施例において、第１電極１１０を構成する材料と導電層１３４を構成する材料が逆になっても良い。この場合、有機層１２０からの発光は、第２電極１３０側から出射するように設計しても良い。【００２８】
（実施例２）
図５は、実施例２に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００上に、第２電極１３０、有機層１２０、及び第１電極１１０をこの順に積層した構成を有している。そして本実施例においても、有機層１２０からの光は、基板１００側から取り出される。【００２９】
基板１００の構成は、実施例１と同様である。そして、導電層１３４は透明電極となっている。そして第１電極１１０は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。【００３０】
次に、本実施例に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に導電層１３４を、例えば蒸着法を用いて形成する。次いで、Ｇａ含有層１３２を、例えば蒸着法を用いて形成する。次いで、有機層１２０を、蒸着法又は塗布法を用いて形成する。その後、第１電極１１０を、例えば蒸着法を用いて形成する。【００３１】
本実施例によっても、実施例１と同様に、有機材料からなる電子注入層を用いる場合と比較して、有機層１２０に水分や酸素が浸入してきても、これら水分や酸素によって有機層１２０の発光特性が劣化することを抑制できる。従って、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化することができる。【００３２】
なお、本実施例において、第１電極１１０を構成する材料と導電層１３４を構成する材料が逆になっても良い。この場合、有機層１２０からの発光は、第２電極１３０側から出射するように設計しても良い。【００３３】
（実施例３）
図６は、実施例３に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を封止部材２００で封止したものである。封止部材２００は、例えばガラスによって形成されている。ただし、封止部材２００の内側には、乾燥剤は入っていない。第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層順は、実施例１と同様であっても良いし、実施例２と同様であっても良い。【００３４】
本実施例によれば、封止部材２００の内側には、乾燥剤は入っていない。従って、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化することができる。また、実施例１と同様に、有機層１２０に水分や酸素が浸入してきても、これら水分や酸素によって有機層１２０の発光特性が劣化することを抑制できる。【００３５】
また、基板１００と封止基板２００とを接着する接着剤も封止性能の劣る安価なものを選択することもでき、製品設計範囲を広げる効果もある。有機ＥＬ素子１０を表示部として利用するフレキシブルな電子機器、などでも採用できるなど、発光面積の減少を抑制、設計自由度の向上などの効果を有する。【００３６】
（実施例４）
図７は、実施例４に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を封止樹脂２１０で封止したものである。封止樹脂２１０は、例えばエポキシ樹脂である。【００３７】
本実施例によれば、有機ＥＬ素子１０を封止樹脂２１０で封止している。従って、封止部材２００を用いる場合と比較して、さらに有機ＥＬ素子１０の封止構造が簡単になる。また、フレキシブルな材料を基板１００に用いた場合など、高い封止技術を要求される構成においても本実施例における例は有効である。【００３８】
（実施例５）
図８は、実施例５に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機ＥＬ素子１０は、基板１００の一面に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の積層体を形成し、さらにこの一面を保護膜２２０で封止したものである。【００３９】
保護膜２２０は、酸化物から構成された膜、例えば酸化アルミニウムで構成された膜を少なくとも有している。保護膜２２０の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。保護膜２２０は単層構造であっても良いし、複数の金属酸化膜を積層させた構造であっても良い。保護膜２２０は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成される。【００４０】
本実施例によれば、有機ＥＬ素子１０を保護膜２２０で封止している。従って、封止部材２００を用いる場合と比較して、さらに有機ＥＬ素子１０の封止構造が簡単になる。なお、封止部材２００の上に、さらに、図７に示した封止樹脂２１０を設けてもよい。このようにすると、有機ＥＬ素子１０の封止能力はさらに高くなる。【００４１】
（実施例６）
図９に示す構造を有する有機ＥＬ素子１０を作製した。基板１００としては、ガラス基板を用いた。第１電極１１０を厚さが１５５ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成した。有機層１２０は、正孔輸送層１２２及び発光層１２３の積層構造とした。正孔輸送層１２２としては厚さが５０ｎｍのＮＰＢ(N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidene)を使用し、発光層１２３としては厚さが５０ｎmのAlq(aluminato-tris-8-hydroxyquinolate)を使用した。Ｇａ含有層１３２としては厚さが１ｎｍのＧａ層を使用し、導電層１３４としては厚さが１２０ｎｍのＡｕ層を使用した。【００４２】
このようにして作製した有機ＥＬ素子１０を、図６に示した封止部材２００で封止した。封止部材２００の内側に乾燥剤を配置したものを試料１として、封止部材２００の内側に乾燥剤を配置しないものを試料２とした。【００４３】
また、比較例に係る有機ＥＬ素子１０を作製した。比較例に係る有機ＥＬ素子１０は、Ｇａ含有層１３２の代わりに厚さが０．７ｎｍのＬｉ２Ｏ層を有し、さらに導電層１３４として厚さが１２０ｎｍのＡｌ層を有している点を除いて、実施例に係る有機ＥＬ素子１０と同様の構成である。そして、封止部材２００の内側に乾燥剤を配置したものを比較例１として、封止部材２００の内側に乾燥剤を配置しないものを比較例２とした。【００４４】
そして、試料１，２及び比較例１，２のそれぞれを駆動し、発光時間によって発光状態がどのように変化するかを調べた。【００４５】
図１０は、試料１，２及び比較例１，２のそれぞれの発光面積と、発光時間の関係を示す写真である。【００４６】
比較例１及び試料１は、いずれも封止部材２００の内側に乾燥剤が配置されているため、発光時間が２１９４時間に達した後でも発光面積に変化は無かった。【００４７】
一方、比較例２は、封止部材２００の内側に乾燥剤を有していないため、発光時間が６７５時間を越えてから非発光領域が発生した。そして発光領域は、発光時間が長くなるにつれて減少し、発光時間が２１９４時間に達したときには初期の１／４程度になった。これは、有機層１２０が水分や酸素によって劣化したため、と推定される。【００４８】
これに対して試料２は、封止部材２００の内側に乾燥剤を有していないにもかかわらず、発光時間が２１９４時間に達した後でも発光面積に変化は無かった。試料２と比較例２を比較すると、Ｇａ含有層１３２を設けることによって、水分や酸素によって有機層１２０の発光特性が劣化することを抑制できることが分かる。【００４９】
（実施例７）
実施例６で使用した有機ＥＬ素子１０を、図７に示した封止樹脂２１０で封止した。封止樹脂２１０としては、エポキシ樹脂を使用した（試料３）。また、図９に示した有機ＥＬ素子１０をそのまま使用した（試料４）。【００５０】
また、実施例６で使用した比較例に係る有機ＥＬ素子１０についても、同様の試料を作製した。封止樹脂２１０を使用したものを比較例３として、封止樹脂２１０を使用しないものを比較例４とした。【００５１】
図１１は、試料３，４及び比較例３，４のそれぞれの発光面積と、発光時間の関係を示す写真である。比較例３，４は、いずれも発光時間が１２１時間をこえると非発光領域が発生した。比較例４は、発光時間が３１２時間になると発光領域がほとんど存在しなくなった。そして比較例３，４は、いずれも、発光時間が１０００時間に達すると発光しなくなった。【００５２】
これに対して試料３，４は、いずれも発光時間が２３７４時間に達しても、発光面積にほとんど変化は無かった。【００５３】
このことから、Ｇａ含有層１３２を設けることによって、有機ＥＬ素子１０の封止構造を簡略化できることが分かった。さらには、試料４のように、封止構造そのものを省略し得ることも示された。【００５４】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。【００５５】
なお、上記した実施形態及び実施例によれば、以下の発明が開示されている。
（付記１）
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記第２電極は、前記有機層に接しており、かつ、前記有機層との界面にＧａを含む有機ＥＬ素子。
（付記２）
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記有機層と前記第２電極の間に位置するＧａ含有層と、
を備え、
前記Ｇａ含有層において、最も含有率の高い元素はＧａである有機ＥＬ素子。
（付記３）
付記１又は２に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極である有機ＥＬ素子。
（付記４）
付記３に記載の有機ＥＬ素子において、
基板を備え、
前記第１電極、前記有機層、及び前記第２電極は、前記基板の一面側に、この順に積層されている有機ＥＬ素子。
（付記５）
付記４に記載の有機ＥＬ素子において、
前記有機層は発光層を有しており、
前記第１電極は透光性を有しており、
前記第２電極は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又は前記第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含む有機ＥＬ素子。
（付記６）
付記３に記載の有機ＥＬ素子において、
基板を備え、
前記第２電極、前記有機層、及び前記第１電極は、前記基板の一面側に、この順に積層されている有機ＥＬ素子。
（付記７）
付記６に記載の有機ＥＬ素子において、
前記有機層は発光層を有しており、
前記第２電極は透光性を有しており、
前記第１電極は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又は前記第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含む有機ＥＬ素子。
（付記８）
付記７に記載の有機ＥＬ素子において、
前記第１電極と前記有機層の間に、正孔注入層を有する有機ＥＬ素子。
（付記９）
付記８に記載の有機ＥＬ素子において、
前記正孔注入層は、酸化モリブデンを含む有機ＥＬ素子。【００５６】
この出願は、２０１３年５月１７日に出願された日本出願特願２０１３−１０５６２９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014184974.tif 000009
【図８】
2014184974.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記第２電極と前記有機層の間にＧａ含有領域を含む有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記Ｇａ含有領域で含有率の最も高い元素はＧａである請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記Ｇａ含有領域において、Ｇａ濃度のピークは、前記有機層と前記第２電極の間に存在する請求項２の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極である請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
基板を備え、前記第１電極、前記有機層、及び前記第２電極は、前記基板の一面側に、この順に積層されている請求項４に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記第１電極、前記第２電極、前記有機層、及び前記Ｇａ含有領域を封止する封止部材を備え、
前記封止部材の内側に乾燥剤を有さない請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
前記第１電極、前記第２電極、前記有機層、及び前記Ｇａ含有領域を封止する封止樹脂を備え、
前記封止樹脂の内側に乾燥剤を有さない請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記基板は可撓性を有している請求項７に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
封止部材又は封止樹脂を有していない請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
前記Ｇａ含有領域は電子注入層である請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１１】
前記Ｇａ含有領域の厚さは０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１２】
基板と、
前記基板の上に形成された第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
前記基板と前記第２電極の間に位置し、Ｇａを含有するＧａ含有領域と、
を備え、
深さ方向の濃度分布において、Ｇａのピーク位置は、前記第２電極の材料のピーク位置と炭素のピーク位置の間に位置する有機ＥＬ素子。
【請求項１３】
前記Ｇａのピーク位置、前記第２電極の材料のピーク位置、及び炭素のピーク位置は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法を用いて測定される請求項１２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１４】
少なくとも一つの有機ＥＬ素子を有するディスプレイ装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記第２電極と前記有機層の間にＧａ含有領域を含み、かつ封止部材又は封止樹脂を有していないディスプレイ装置。
【請求項１５】
Ｇａの含有量は前記Ｇａ含有領域においてピークを有する請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記有機ＥＬ素子の深さ方向の濃度分布において、Ｇａのピーク位置は、前記第２電極の材料のピーク位置と炭素のピーク位置の間に位置する請求項１４又は１５に記載のディスプレイ装置。
【請求項１７】
少なくとも一つの有機ＥＬ素子を有する照明装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記第２電極と前記有機層の間にＧａ含有領域を含み、かつ封止部材又は封止樹脂を有していない照明装置。
【請求項１８】
Ｇａの含有量は前記Ｇａ含有領域においてピークを有する請求項１７に記載の照明装置。
【請求項１９】
前記有機ＥＬ素子の深さ方向の濃度分布において、Ｇａのピーク位置は、前記第２電極の材料のピーク位置と炭素のピーク位置の間に位置する請求項１７又は１８に記載の照明装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、本実施例において、第１電極１１０を構成する材料と導電層１３４を構成する材料が逆になっても良い。この場合、有機層１２０からの発光は、第１電極１１０側から出射するように設計しても良い。
【国際調査報告】
2014184974.tif 000014
2014184974.tif 000015
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