【事件の表示】
　特願２００３−３３００９６「基板処理装置及び基板処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月１４日出願公開、特開２００５−１０１０７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ　手続の経緯
　本願は平成１５年９月２２日の出願であって、平成１９年１０月２９日付け拒絶理由通知によって拒絶理由が通知され、それに対して同年１２月２５日付けで意見書の提出ならびに手続補正がなされたものの、平成２０年５月３０日付けで拒絶査定がなされ、この査定を不服として、同年７月３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月２３日付けで手続補正がされたものである。
　
II　平成２０年７月２３日付け手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年７月２３日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の目的
　本件補正は、明細書ならびに特許請求の範囲を補正するものであって、その特許請求の範囲についてする補正は、補正前（平成１９年１２月２５日付け手続補正によって補正。以下、同じ。）の、請求項１及び２に、「露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファ」とあった発明特定事項を「
レジスト塗布処理および熱処理が完了しており、
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かを、請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）について以下に検討する。
　
２　本件補正発明
　本件補正発明は、次のとおりのものである。
「レジスト塗布処理および熱処理が完了しており、露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファと、
　前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
　前記バッファへの／からの前記基板の搬送を行う搬送手段と、
　前記搬送手段を駆動制御する搬送制御手段と、
を備え、
　前記熱処理部は、複数の異なる処理温度で前記熱処理を行うことが可能であり、前記処理温度を変更する場合、前記搬送制御手段に対して前記処理温度の変更開始および変更完了を通知し、
　前記搬送制御手段は、
　　前記変更開始の通知を受けた場合には、前記搬送手段に前記基板を前記バッファに収納させ、
　　前記変更完了の通知を受けた後に、前記搬送手段に前記基板を前記バッファから取り出させて、前記露光処理が施されるよう搬送させることを特徴とする基板処理装置。」
　
３　引用例
（３−１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開２００１−２７４２２１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
（１ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、板状体の搬送装置および搬送方法、ならびに処理装置に関する。」
（１ｂ）「【００１５】
【実施例】以下本発明を被処理板状体、例えば半導体ウェハの塗布／現像処理ラインに適用した実施例について説明する。ＬＣＤ基板上へのレジスト膜塗布現像処理ラインに適用してもよい。図２において、半導体ウェハにレジスト膜形成処理及び現像処理を行うための第１の処理装置、例えば塗布／現像装置Ｓ１に隣接して、第２の処理装置、例えば露光装置（図示せず）との間でウェハの搬入及び搬出を行うための搬送装置であるインターフェース装置Ｓ２が設置されている。
…（中略）…
【００１７】上記塗布／現像装置Ｓ１は、Ｘ方向に伸びるメイン搬送路３３に沿って移動自在でかつ昇降、回転前後動自在に構成された搬送機構である例えば、２ピン金属製載置部を有するメイン搬送アーム３４が設けられている。又、このメイン搬送路３３の左右両側には、この搬送路３３に沿って各種の処理部、例えば、アドヒージョン部３５、冷却部３６、多段に構成されたベーク部３７、レジストスピン塗布部３８、現像液スピン塗布する現像部３９，４０などが配置されている。」
（１ｃ）「【００１８】　上記インターフェース装置Ｓ２には、上記メイン搬送路３３の端部即ち図１に示す塗布／現像装置Ｓ１のウェハ搬送入口Ｓ１Ａに面して、ウェハＷを一時待機させるための複数の待機部、例えば上下に離間して２個の中間受け渡し台４１Ａ，４１Ｂが設けられている。この２個の中間受け渡し台４１Ａ，４１Ｂは、例えば垂直方向に同軸的に積層、例えば中間受け渡し台４１Ａが下に、４１Ｂが上になるように設けられている。
…（中略）…
【００２１】上記中間受け渡し台４１Ａ，４１Ｂの下方側には、Ｙ方向即ち上記メイン搬送路３３と直交する方向に可動可能に設けられた搬送路に沿って移動自在に搬送機構４２が設置されており、この搬送機構４２は、昇降自在かつ回転自在に構成された搬送基台４３と、この搬送基台４３上で進退（前後動）自在の板状体保持部材であるピンセット４４が備えられている。
…（中略）…
【００２５】更に、搬送機構４２を挟んで塗布／現像装置Ｓ１に対向する位置には、ウェハＷの周縁を保持するガイド部を備えた外部受け渡し用載置部として外部から、例えば露光装置（図示せず）において、露光処理済一枚のウェハＷを受け取るための搬入載置台５３、さらに外部の露光装置へ未露光処理ウェハを渡すための搬出載置台５４が設けられている。この載置台５３，５４の高さは、露光工程の処理のための搬送ラインの高さに合致されるのが通常である。他方上記受け渡し台４１Ａ，４１Ｂは、上記装置Ｓ１のメイン搬送路３３の高さに合致され、両ラインの高さを結合するピンセット４４の搬送ラインが上記載置台４１Ａ，４１Ｂの下方に位置している。なお、これら搬入載置台５３，搬出載置台５４は、昇降機構により昇降自在に設けてもよい。また、上記搬送機構４２の搬送路の両側位置付近には、この搬送路に臨むように搬出入口を向けた状態に、複数枚のウェハＷを一時収納するためのバッファー用カセットＣ１，Ｃ２が、１段あるいは複数段、例えば２段、支持部材（図示せず）により支持配置されている。即ち、上記塗布／現像装置Ｓ１の上記メイン搬送路３３と、上記露光装置とのウェハの受け渡しを行うために、上記受け渡し台４１Ａ，４１Ｂと搬送機構４２が配置され、これら上記受け渡し台４１Ａ，４１Ｂと上記搬送機構４２は、上下方向関係に位置しているのが特徴である。」
（１ｄ）「【００２７】次に、上記実施例の動作、作用について説明する。ローダ・アンローダ装置Ｓ３のカセット３０内に収納されている処理前の処理待ちウェハＷの予め定められたウェハＷを１枚、搬送アーム３１により取り出して載置台３２まで搬送してこの載置台３２上に載置する。この載置台３２上の予め定められた位置決め載置されたウェハＷをメイン搬送アーム３４により受け取り、所定のプロセスに従って順に、レジスト塗布工程例えばアドヒージョン部３５、冷却部３６、塗布部３８、例えばレジスト液を滴下スピンコーティングし、ベーク部３７でレジスト液の溶剤を蒸発させ、順次搬送して夫々処理を行い、ウェハＷにレジスト膜を形成する。
【００２８】上記ベーク部３７で高温に加熱されたウェハＷは、冷却部３６で急冷させる。レジスト膜が形成されたウェハＷは、メイン搬送アーム３４で次の露光工程に搬送するためウェハ搬送入口Ｓ１Ａに向かって搬送し、インターフェース装置Ｓ２内に設けられている中間受け渡し台４１Ａの支持ピン上に載置し渡す。そして、ピンセット４４で搬出するまでの間、中間受け渡し台４１Ａに載置し、必要に応じて次の露光処理のための予め定められた温度、例えば２０℃に冷却する。露光処理工程が何等かの原因により渋滞している場合には、バッファー用カセットＣ２に一時待機させることができる。
【００２９】次に、搬送機構４２が中間受け渡し台４１Ａまで移動し、ピンセット４４を上昇させ、このピンセット４４に載置されているウェハＷの裏面から搬送機構４２のピンセット４４により、上記ウェハＷをすくい上げ、ピンセット４４を下降させて露光工程に向けて搬出するための搬出載置台５４上の予め定められた位置に載置する。このウェハＷは露光装置側の処理タイミングで搬入され、露光処理が終了したウェハＷは、搬入装置台５３上の予め定められた位置に載置される。このウェハＷは、搬送機構４２のピンセット４４がすくい上げ搬送し、中間受け渡し台４１Ｂの上昇中の支持ピン４１Ｄ上へ載置する。ピンセット４４が回避した後、この支持ピン４１Ｄが下がると、ウェハＷはガイド４１Ｃにより位置決めされ、メイン搬送アーム３４がウェハＷを受け取りに来るまで、中間受け渡し台４１Ｂに待機する。なお、待機中にウェハＷを次の露光後のウェハＷを現像するための温度に温度調整例えば、冷却してもよい。現像処理工程待ちのウェハが何らかの理由により渋滞した場合には、バッファー用カセットＣ１に一時待機させることが出来る。」
（１ｅ）「【００３５】上記のようにして、次々にウェハＷを搬送して各処理をくり返し行うのであるが、塗布／現像装置Ｓ１側と露光装置側との処理サイクルタイムが異なる、例えば露光装置側が長い場合や、あるいは露光装置側でトラブル等が発生し、処理が一時的に停止したり、処理能力が低下した場合には、塗布／現像装置Ｓ１からインターフェース装置Ｓ２に搬入されたウェハＷが露光装置に直ちに搬送する事が不可能となる事態が発生する。
【００３６】この場合には、中間受け渡し台４１Ａで冷却されたウェハＷを一時的にバッファー用カセットＣ１内に収納し待機させる。バッファー用カセットＣ１内に収納されたウェハＷは、一般的に、処理履歴の管理等の見地から、先入れ先出し、即ち先に収納したウェハから順に取り出して処理を行う。…（以下略）」
（１ｆ）「【００４７】さらに、インターフェース装置Ｓ２から、例えばメイン搬送アーム３４Ｂで受け取った露光処理済みのウェハを、図４で右側に位置する何れかのベーク部３７内に挿入し、露光処理後のポストエクスポージャーベーキング処理を行うようにしてもよい。この場合、ベーク部３７内において、ウェハ支持ピン（図示せず）上にウェハを支持し、熱板（図示せず）から持ち上げ離間した状態で待機可能に構成しておくことにより、オーバーベークを防止することができる。例えば、所定の加熱時間よりも、メイン搬送アーム３４Ｂが次に搬出に来るまでの時間の方が長い場合、その差だけ待機させた後に加熱を開始することにより、オーバーベークを防止し、かつ、加熱処理終了のタイミングと搬出とのタイミングを合致させることが可能となる。搬出後、ウェハは冷却部３６に搬送されて、例えば常温程度になるように冷却される。従って、加熱終了から冷却までの時間を一定にすることも可能となり、処理の均一化が計れる。この時間の管理は、例えば化学増幅型レジスト膜の処理プロセスにおいて重要である。」
　
　これらの記載からして、引用例１には、
「半導体ウェハにレジスト膜形成処理、露光処理後のポストエクスポージャーベーキング処理、ならびに現像処理を行うための第１の処理装置、前記第１の処理装置に隣接した第２の処理装置である露光装置、前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間で前記半導体ウェハの搬入及び搬出を行うとともに、露光処理工程あるいは現像処理工程待ちのウェハが何らかの理由により渋滞した場合には、前記半導体ウェハを一時待機させることができるバッファー用カセットを具備するインターフェース装置を備えた装置であって、
　前記半導体ウェハは、前記第１の処理装置において、レジスト塗布、高温加熱、急冷が行われて前記インターフェース装置に搬送され、
　前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との処理サイクルタイムが異なる、あるいは第２の処理装置側でトラブル等が発生して処理が一時的に停止したり、処理能力が低下して、前記第１の処理装置からインターフェース装置に搬入された前記半導体ウェハを前記第２の処理装置に直ちに搬送する事が不可能な場合に、前記半導体ウェハを一時的にバッファー用カセット内に収納して待機させ、収納された前記半導体ウェハを、先入れ先出しの順に取り出して処理を行うとともに、インターフェース装置から、露光処理済みのウェハを、前記第１の処理装置内のベーク部内に挿入してポストエクスポージャーベーキング処理を行う装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３−２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開２００１−２１０５８１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
（２ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関し、特に、基板を加熱または冷却して熱処理するための熱処理プレートを含む熱処理ユニットを備えた基板処理装置およびこの基板処理装置を利用した基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような基板処理装置における熱処理ユニットは、例えば半導体製造工程において、基板上に形成されたフォトレジスト膜の露光処理前の加熱処理（プリベーク処理）や露光後の加熱処理（ポストエクスポージャベーク処理）、あるいは、現像後の加熱処理（ポストベーク処理）等に用いられる。」
（２ｂ）「【０００４】ところで、近年においては、基板上に形成されるパターンの特性に応じて種々のフォトレジストが使用されており、これに対応して熱処理装置における基板の処理温度も異なっている。
【０００５】このため、従来の基板処理装置においては、基板の処理温度の種類毎に複数台の熱処理装置を設置し、基板をその処理温度と対応する熱処理装置により熱処理する構成をとっている。しかしながら、このような構成をとった場合においては、多数の熱処理装置を設置する必要が生じ、その専有面積と設備費用が増大するという問題が生ずる。
【０００６】一方、このような問題に対応するため、熱処理プレートの温度を任意の温度に調整しうるように構成することにより、基板を任意の処理温度で処理可能な熱処理ユニットを有する基板処理装置も提案されている。」
（２ｃ）「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような熱処理プレートの温度を任意の温度に調整しうるようにした熱処理ユニットを有する基板処理装置を使用して基板を処理する場合においては、従来、熱処理ユニットにおける熱処理プレートの温度が、次に処理を行うべき基板の処理温度と一致した後に、次に処理を行うべき基板の搬入を開始している。
【０００８】このため、熱処理プレートの温度が次に処理を行うべき基板の処理温度となるまでの間、基板処理装置による基板の処理動作が停止されることになり、基板の処理効率が低下する。この基板の処理効率の低下は、処理温度を変更する熱処理ユニットが、基板処理装置における基板の処理フローの後工程に位置する程、顕著となる。
【０００９】この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、熱処理ユニットにおける基板の処理温度が変更された場合においても、基板を効率よく処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。」
（２ｄ）「【００２５】基板処理装置の一端に配設されたインデクサ部ＩＤは、複数枚の基板を収納したカセットを複数個載置可能な載置台と、載置台上に載置されたカセットから処理を行うべき基板を取り出して基板搬送ユニットＴＲに搬送し、あるいは、処理が完了した基板を基板搬送ユニットＴＲから受け取って載置台に載置されたカセット内に収納する搬送機構とを有する。
【００２６】また、基板処理装置の他端に配設されたインターフェース部ＩＦは、フォトレジストが塗布された基板を基板搬送ユニットＴＲから受け取って図示を省略した露光装置に搬送し、あるいは、露光が終了した基板を露光装置から受け取る搬送機構と、基板を一時的に収納するバッファカセットを載置するための載置台とを有する。」
　
（３−３）引用例３
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平８−３１６１３０号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
（３ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光のほかに、露光後熱処理を行うことによりパターンが確定されるタイプのレジストに適したパタ−ン形成方法に関し、とりわけ露光後に露光後熱処理されるまでの時間が、フォトリソグラフィ工程間で一定になるように管理しながらレジストパタ−ンを形成する方法に関する。
…（中略）…
【０００３】また、微細加工のために露光波長が短波長化し、これにともなって使用されるレジスト材料も大きく変化している。…（中略）…現在導入が検討されているＫｒＦエキシマレ−ザリソグラフィ（波長：２４８ｎｍ）では、いわゆる化学増幅型のレジストが使われはじめている。代表的な化学増幅型レジストとしては、短波長領域でも比較的透明なＰＨＳ（Poly-Hydroxy-styreneの略）等の低吸収樹脂に、少ない吸収でも反応を触媒的に起こすための光酸発生剤を加えた低吸収化学増幅レジストがある。」
（３ｂ）「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した化学増幅型のレジストをパタ−ニングする場合には、前記露光処理の時間差が原因で、露光をしてからＰＥＢがされるまでの時間を各リソグラフィ工程間で一定にすることができず、これがレジストの線幅安定性を大きく劣化させるといった第１の問題点があった。」
（３ｃ）「【００１５】
【発明の目的】本発明は、このような実状に鑑み、前記問題点を解決するため成されたものであり、露光されてから熱処理されるまでの時間が、必要最小限で、しかもフォトリソグラフィ工程間において一定になるように管理することにより、とくに、露光処理のほかに、露光後熱処理を行うことによりパタ−ンが確定されるタイプのレジストに適したレジストパタ−ンの形成方法および装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上述した従来技術の問題点を解決し、上述した目的を達成するために、本発明者は、露光されてから熱処理までの時間を一定とするために、露光処理時間より熱処理時間が長いときの時間差だけ、露光処理の前でウェ−ハの送り時間を調整することを思いついた。」
（３ｄ）「【００２２】
【作用】本発明に係る第１のレジストパタ−ンの形成方法および装置によれば、まず、レジストが成膜されたウェ−ハについて、処理時間算出手段により露光処理時間が求められる。…（中略）…
【００２３】つぎに、処理時間比較手段により、求めた露光処理時間を、露光後熱処理工程におけるウェ−ハ１枚あたりに必要な熱処理時間と比較する。…（中略）…
【００２４】その後、送り間隔調整手段により、露光処理時間を求めたウェ−ハより後に露光処理される各ウェ−ハについて、露光処理の前で送り間隔が調整される。この送り間隔の調整は、露光処理工程へのウェ−ハの搬入を前記待機時間だけ遅らせることにより行う。これにより、露光処理の時間が異なるフォトリソグラフィ工程間で、ウェ−ハに露光処理がされて露光後熱処理までの時間を一定にすることができる。」
（３ｅ）「【００２８】
【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例について説明する。
…（中略）…
第１実施例　
本実施例は、本発明に係るレジストパタ−ンの形成方法の実施例である。実施の際には、前記した半導体製造装置を用いた。また、パタ−ンニングするレジストは、前述した化学増幅型のレジストである。…（中略）…
【００３８】そして、次のステップ５で、図５のプリベ−ク〜露光の所定の搬送時間ｂに求めたαを加算する。このため、２枚目以降の各ウェ−ハについては、遅い搬送速度で送られ、あるいは一時的に待機した後に露光処理工程に搬入され、露光が行われる（ステップ６）。その後、２枚目以降の各ウェ−ハは、直前のウェ−ハについてＰＥＢ処理が終わっていないという理由で、露光〜ＰＥＧ間の搬送系で待機させられることがなく、露光後はスム−ズにＰＥＢ処理に搬入される。したがって、化学増幅型レジストに代表される露光後熱処理によってもパタ−ンが確定されるタイプのレジストであっても、線幅安定性のよいパタ−ンニングを行うことができる。」
　
（３−４）引用例４
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平１０−３２１５０３号公報（以下、「引用例４」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
（４ａ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年では、パターンルールの微細化の要求が厳しくなっており、これに伴って感度の高い化学増幅型レジストが大きく注目されている。この化学増幅型レジストを使用する場合には、レジスト塗布から露光までを一定時間で処理しなければレジスト寸法に影響を与えることが一般的に知られている。これは、レジスト塗布から露光までの間に化学増幅型レジストと大気中に含まれている特にアミンとの接触により化学増幅系が乱されることに起因する。
…（中略）…
【０００６】しかしながら、このようなテスト露光を行う際に、後続ウエハを露光機前で待機させた場合、テスト露光ウエハの寸法測定等の処理により１０分から２０分程度の待機時間が発生する。このため、レジストとして化学増幅型レジストを使用すると、テスト露光ウエハで得られた最適露光量を後続ウエハの露光処理にフィードバックしても、テスト露光時の待機時間によりレジストパターンに寸法変動が発生してしまう。
【０００７】したがって、化学増幅型レジストを使用する場合には、後続ウエハをデハイドレーションベーク処理の前で待機させ、１枚のテスト露光ウエハだけにデハイドレーションベークからレジスト塗布、露光、現像処理まで施してレジストパターンの寸法測定し、露光量を決定してから、後続ウエハのデハイドレーションベークからの処理を開始せざるを得ないのが現状となっている。結果として最適露光量を決定した後、デハイドレーションベークから露光開始までの時間は露光機による露光処理ができない無駄な時間が発生するという不具合が生じている。」
（４ｂ）「【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで請求項１の発明は、複数枚のウエハのそれぞれに対して、加熱処理、冷却処理、ウエハ上へのレジスト膜の形成処理、レジスト膜の露光、現像処理をこの順に施す工程を有し、複数枚のウエハのうち、加熱処理、冷却処理、ウエハ上へのレジスト膜の形成処理を行った１枚のウエハをテスト露光し現像してレジストパターンを得た後、レジストパターンの寸法を測定し、測定結果から露光条件を決定してこの露光条件に基づきテスト露光を行ったウエハの後続のウエハを露光し、現像処理するウエハ処理方法において、テスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の際には、後続のウエハをレジスト膜の形成処理前の状態で待機させ、上記した露光条件の決定後、待機させている後続のウエハ上へのレジスト膜の形成処理、露光、現像処理を行うようにする。
【０００９】この発明では、テスト露光、現像、およびレジストパターンの寸法測定の際に、後続ウエハをレジストコート処理前の状態で待機させるため、後続ウエハはレジストコート処理していない状態で保持される。よって、レジストに化学増幅型レジストを用いても、従来のように露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の間、化学増幅型レジストの化学増幅系が乱される等の不具合が生じないため、レジストパターンの寸法変動が発生しない。またテスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の際には、後続ウエハをレジストコート処理前の状態で待機させることから、テスト露光から後続のウエハの露光までの露光機の待機時間は、レジストコートおよびその後のプリベーク、クーリングに要する短時間で済むことになる。
【００１０】また請求項３の発明は、複数枚のウエハのそれぞれに対して、ウエハ上へのレジスト膜の形成処理、レジスト膜上への反射防止膜の形成処理、加熱処理、冷却処理、レジスト膜の露光、現像処理をこの順に施す工程を有し、複数枚のウエハのうち、ウエハ上へのレジスト膜の形成処理、レジスト膜上への反射防止膜の成膜処理、加熱処理、冷却処理を行った１枚のウエハをテスト露光し現像してレジストパターンを得た後、レジストパターンの寸法を測定し、測定結果から露光条件を決定してこの露光条件に基づきテスト露光を行ったウエハの後続の第１後続ウエハを露光し、現像処理するウエハ処理方法において、テスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の際には、第１後続ウエハを露光処理前の状態で待機させ、上記した露光条件の決定後、待機させている第１後続ウエハの露光、現像処理を行うようにする。
【００１１】この発明では、テスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の際に、第１後続ウエハを露光処理前の状態で待機させるため、第１後続ウエハはレジスト膜上に反射防止膜が形成された状態で保持される。レジスト膜上に反射防止膜が形成されていると、レジスト膜が大気中の特にアミンと接触することが防止されるため、レジスト膜が化学増幅型レジストからなっていても化学増幅系が乱されない。よって、テスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の間、第１後続ウエハを待機させても、この待機によるレジストパターンの寸法変動が発生しない。またテスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の際には、第１後続ウエハを露光処理前の状態で待機させることから、露光条件を決定した後は、すぐに第１後続ウエハの露光処理を行える。つまり、露光機を待機させることなく連続して稼働させることが可能になる。」
（４ｃ）「【００３０】次にこの発明に係るウエハ処理方法の第２実施形態を図２に基づいて説明する。第２実施形態は、フォトリソグラフィプロセスによりウエハを処理するにあたって、請求項３の発明を適用した例である。第２実施形態において第１実施形態と相違するところは、レジストコート（８）後のクーリング（１０）処理と露光（１４）処理との間に、上塗り反射防止膜（以下、ＴＡＲＣと記す；ＴＡＲＣはTop Anti-Reflection Coatの略）のコート（１１）、ベーク（１２）、クーリング（１３）処理が入る点、およびテスト露光ウエハの露光（１４）、現像（１５）およびレジストパターンの寸法測定の際には、テスト露光ウエハの後続ウエハ（以下、第１後続ウエハと記す）を露光（１４）処理前の状態で待機させる点にある。」
（４ｄ）「【００４５】
【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明に係るウエハ処理方法によれば、テスト露光、現像、およびレジストパターンの寸法測定の際に、後続ウエハをレジストコート処理前の状態で待機させるので、この待機によるレジストパターンの寸法変動の発生を防止でき、かつテスト露光から後続のウエハの露光までの露光機の待機時間が短時間で済むことになる。よって、露光機の待機時間を大幅に削減することができ、ウエハ処理量を大幅に向上させることができるので、半導体装置の製造歩留りの向上を図ることができる。
【００４６】請求項３の発明に係るウエハ処理方法によれば、テスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の際には、第１後続ウエハを露光処理前の状態で待機させ、反射防止膜の形成によってレジスト膜が大気中の特にアミンと接触するのを防止するので、この待機によるレジストパターンの寸法変動を防止できる。また第１後続ウエハを露光処理前の状態で待機させるので、露光条件を決定した後はすぐに第１後続ウエハの露光処理を行うことができる。よって、露光機の待機時間を一層大幅に削減することができ、ウエハ処理量を大幅に向上させることができるので、半導体装置の製造歩留りの一層の向上を図ることができる。」
　
４　本件補正発明と引用発明との対比
　本件補正発明と、引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体ウェハにレジスト膜形成処理、露光処理後のポストエクスポージャーベーキング処理、ならびに現像処理を行うための第１の処理装置、前記第１の処理装置に隣接した第２の処理装置である露光装置、前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間で前記半導体ウェハの搬入及び搬出を行う」「インターフェース装置を備えた装置」が、本件補正発明の「基板処理装置」に相当すること、引用発明の「前記第１の処理装置において、レジスト塗布、高温加熱、急冷が行われ」た「半導体ウェハ」が、本件補正発明の「レジスト塗布処理および熱処理が完了し」た「基板」に相当すること、そして、引用発明の「第１の処理装置内のベーク部」は、「ポストエクスポージャーベーキング処理を行う」ものであることからして、本件補正発明の「前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部」に相当することは、当業者の技術常識からして明らかである。また、引用発明の「露光処理工程」「が何らかの理由により渋滞した場合には、前記半導体ウェハを一時待機させることができるバッファー用カセット」は「前記第１の処理装置からインターフェース装置に搬入された前記半導体ウェハが前記第２の処理装置に直ちに搬送する事が不可能な場合に、前記半導体ウェハを一時的に」「収納して待機させ」るものであることからして、引用発明の「バッファー用カセット」は、本件補正発明の「露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファ」に相当する。
　さらに、引用発明の「インターフェース装置」は、「前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間で前記半導体ウェハの搬入及び搬出を行う」ものであって、「半導体ウェハを一時的にバッファー用カセット内に収納して待機させ、収納された前記半導体ウェハを、先入れ先出しの順に取り出」すものであることから、本件補正発明の「バッファへの／からの前記基板の搬送を行う搬送手段」に相当する手段を含むことは明らかであって、半導体露光装置の技術分野において、基板処理装置が搬送手段の駆動制御手段を具備することは、技術常識である。
　
　してみると、本件補正発明と引用発明とは、
「レジスト塗布処理および熱処理が完了しており、露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファと、
　前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
　前記バッファへの／からの前記基板の搬送を行う搬送手段と、
　前記搬送手段を駆動制御する搬送制御手段と、
を備え、
前記搬送手段に前記基板を前記バッファから取り出させて、前記露光処理が施されるよう搬送させる基板処理装置。」という点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点〉
　本件補正発明は、
熱処理部が、「複数の異なる処理温度で前記熱処理を行うことが可能であり、前記処理温度を変更する場合、前記搬送制御手段に対して前記処理温度の変更開始および変更完了を通知し、」
搬送制御手段が、「前記変更開始の通知を受けた場合には、前記搬送手段に前記基板を前記バッファに収納させ、前記変更完了の通知を受けた後に、前記搬送手段に前記基板を前記バッファから取り出させ」るのに対し、
引用発明には、熱処理部、搬送制御手段について、搬送制御手段が「搬送手段に前記基板を前記バッファから取り出させ」ることについて記載されているものの、その余の事項について記載されていない点。
　
５　相違点についての検討・判断
　基板処理装置の他端に配設されたインターフェース部を介し、フォトレジストが塗布されたウエハ基板を基板搬送ユニットから受け取って露光装置に搬送する、本件補正発明と同様な装置において、露光後の加熱処理（ポストエクスポージャベーク処理）に用いられる熱処理ユニットを、任意の温度に調整し得る機能を具備した熱処理ユニットとすること、また、前記機能を具備する熱処理ユニットを有する基板処理装置においてウエハ基板の処理温度が変更された場合に、熱処理ユニットの温度が次に処理を行うべきウエハ基板の処理温度と一致した後、次に処理を行うべきウエハ基板の熱処理ユニットへの搬入を開始することは、前記機能を有する基板処理装置において通常行われている事項である（上記（２ａ）〜（２ｄ）参照）。
　そうすると、基板処理装置における熱処理部が、「複数の異なる処理温度で熱処理を行うことが可能であり、前記処理温度を変更する場合」、搬送制御手段が、「（処理温度の）変更完了」の「後に、搬送手段に基板を」搬送せしめるよう構成することは、本件出願時、当業者が通常行っている極めて一般的な事項であるといえる。
　また、引用例３に記載されているように、化学増幅型のレジストを用いてウエハ基板のパターニングを行う際、ウエハ基板の搬送速度を調整したり、ウエハ基板を一時的に待機させた後に露光処理装置に搬入して露光処理を行うことで、ウエハ基板に露光を行ってからＰＥＢ（ポストエクスポージャベーク）がなされるまでの時間を一定とするよう管理し、レジストの線幅安定性を向上させることは本願出願前公知である（上記（３ａ）〜（３ｅ）参照）。加えて、引用例４には、化学増幅型のレジストを用いてウエハ基板のパターニングを行うための露光条件の決定をする際、露光条件を決定するまでに時間を要し、次に処理すべき後続ウエハ基板の待機時間が発生する場合において、前記後続ウエハ基板を、レジスト膜の形成処理、加熱処理等を行った後、露光処理前の状態で待機させることで、前記待機時間によって前記後続ウエハ基板のレジスト寸法に影響が及ぼされることなく、しかも、露光条件が決定された後、露光機を待機させることなく前記後続ウエハ基板の露光処理が可能となることが記載されている（上記（４ａ）〜（４ｄ）参照）。
　そうであるならば、引用発明、ならびに上記引用例３，４に接した当業者であれば、化学増幅型のレジストを用いた基板処理装置におけるＰＥＢの処理温度を変更する場合において、露光を行ってからＰＥＢがなされるまでの時間を一定とするよう管理するとともに、熱処理部における処理温度の変更が完了した後、露光機を待機させることなく次に処理すべき後続ウエハ基板の露光処理が可能となるよう、前記後続ウエハ基板にレジスト膜の形成処理、加熱処理等を行った後、露光処理前の状態で待機させ、熱処理部の処理温度の変更が完了した後、遅滞なく前記後続ウエハ基板を露光処理装置に搬入せしめ得るよう、引用発明の「第１の処理装置からインターフェース装置に搬入された前記半導体ウェハを前記第２の処理装置に直ちに搬送する事が不可能な場合に、前記半導体ウェハを一時的に」「収納して待機させ」る、「バッファー用カセット」を、前記後続ウエハ基板の待機場所として利用し、ＰＥＢの処理温度の変更開始の通知を受けた場合には、搬送手段に前記後続ウエハ基板を前記バッファー用カセットに収納させ、ＰＥＢの処理温度の変更完了の通知を受けた後に、搬送手段に前記記後続ウエハ基板を前記バッファー用カセットから取り出すよう構成することは、容易に想到し得る事項である。
　そして、搬送手段が前記後続ウエハ基板を前記バッファー用カセットに収納したり、取り出したりする動作を行うのは、熱処理部の処理温度が変更されることに起因するのであるから、搬送手段を制御する搬送制御手段に対して、前記動作の契機となる処理温度の変更開始および変更完了の通知を、熱処理部が行うよう構成することは、搬送制御を行うための単なる設計的事項にすぎない。
　してみると、引用例２ないし４に記載された技術的事項に基いて、上記相違点に係る発明特定事項を得ることに格別の困難性を見いだすことはできない。
　そして、本件補正発明が奏する作用効果も、引用発明、引用例２ないし４に記載された技術的事項から、当業者が予測できる範囲のものである。
　よって、本件補正発明は、引用発明および引用例２ないし４に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　本件補正についての結び
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年７月２３日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成１９年１２月２５日付け手続補正書によって補正された、特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「露光処理前の基板の一時保管場所たるバッファと、
　前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
　前記バッファへの／からの前記基板の搬送を行う搬送手段と、
　前記搬送手段を駆動制御する搬送制御手段と、
を備え、
　前記熱処理部は、複数の異なる処理温度で前記熱処理を行うことが可能であり、前記処理温度を変更する場合、前記搬送制御手段に対して前記処理温度の変更開始および変更完了を通知し、
　前記搬送制御手段は、
　前記変更開始の通知を受けた場合には、前記搬送手段に前記基板を前記バッファに収納させ、前記変更完了の通知を受けた後に、前記搬送手段に前記基板を前記バッファから取り出させて、前記露光処理が施されるよう搬送させることを特徴とする基板処理装置。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例およびその記載事項、ならびに引用発明は、上記II［理由］３の（３−１）ないし（３−４）に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明との対比
　本願発明は、上記II［理由］２で検討したとおり、本件補正発明の発明特定事項である「露光処理前の基板」について、「レジスト塗布処理および熱処理が完了して」いるという限定的事項を削除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記II［理由］５で述べたとおり、引用発明および引用例２ないし４に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、同様の理由により、引用発明および引用例２ないし４に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。