【事件の表示】
　特願２００２−　２７０２２「機能性薄膜形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月１２日出願公開、特開２００３−２２５６００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１４年２月４日の出願であって、平成１７年２月４日付けで手続補正書が提出され、平成１９年６月１２日付けの拒絶理由通知に対して平成１９年８月２０日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２０年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年４月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成２０年４月２８日付けの手続補正書によって明細書を補正する手続補正がなされ、その後、平成２０年８月１８日付けで拒絶の理由が通知され、平成２０年１０月２４日付けで意見書が提出されたものである。 
　 
２．本願発明  
　本願の明細書における特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２０年４月２８日付けの手続補正書によって補正された明細書及び出願当初の図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認められる。（以下、「本願発明」という。）  
　「【請求項１】　ノズルから機能性薄膜を形成する溶液をインクジェット方式で噴射して、第１の搬送テーブルによって搬送される基板の板面に塗布する塗布装置と、
　第２の搬送テーブルによって搬送される上記基板の板面に塗布された溶液を焼成する焼成装置と、
　上記第１の搬送テーブルと上記第２の搬送テーブルとの間に配置されるとともに、上記塗布装置によって溶液が板面に塗布された上記基板を上記塗布装置から上記焼成装置に受け渡す受渡し手段と、
　上記基板の板面に塗布された溶液が流動してほぼ平坦になってから上記基板を上記焼成装置に渡すように上記受渡し手段を制御する制御装置と
　を具備し、
　上記制御装置は、上記受渡し手段が上記基板を上記塗布装置から受けて上記焼成装置に渡すのに要する時間を設定可能とされ、上記基板の板面に溶液が塗布されてから焼成が開始されるまでの遅延時間を制御することを特徴とする機能性薄膜形成装置。」  
　  
３．引用文献記載の発明  
（１）平成２０年８月１８日付けで通知された拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−２７５５０９号公報（以下、「引用文献」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。  
ア．「【請求項１】　基板表面にレジスト液を塗布する塗布手段と、前記レジスト液が塗布された基板を加熱する加熱手段とを備え、前記基板表面にレジスト薄膜を形成するレジスト薄膜形成装置において、
　前記塗布手段と前記加熱手段との間で、前記塗布手段によってその表面にレジスト液が塗布された基板を待機位置に待機させた後、前記加熱手段に搬送する待機手段をさらに備えたレジスト薄膜形成装置。」（請求項１）
　
イ．「【請求項３】　基板表面にレジスト液を塗布し、さらに前記基板を待機位置に待機させた後、前記基板を加熱して、その基板表面にレジスト薄膜を形成するレジスト薄膜形成方法。」（請求項３）
　
ウ．「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ，液晶用ガラス角型基板などの基板（以下、単に「基板」という）の表面にレジスト液を塗布した後、その基板に加熱処理を施して基板表面にレジスト薄膜を形成するレジスト薄膜形成装置およびレジスト薄膜形成方法に関する。」（段落０００１）
　
エ．「【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のレジスト薄膜形成装置の概略構成を示すブロック図である。このレジスト薄膜形成装置は、同図に示すように、基板表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット１０と、基板に加熱処理を施す加熱ユニット２０とで構成されている。
【０００３】レジスト塗布ユニット１０では、スピンコータやロールコータ等のレジスト塗布部１１と、基板を次の処理ステーション（加熱ユニット２０）に向けて搬出する搬出機構１２とが設けられており、レジスト塗布部１１による基板表面へのレジスト液の塗布（レジスト塗布処理）が完了すると、その基板は搬出機構１２によって加熱ユニット２０側に搬出されるようになっている。」（段落０００２及び０００３）
　
オ．「【０００４】一方、加熱ユニット２０には、レジスト塗布ユニット１０からの基板を搬入するための搬入機構２１が設けられており、レジスト塗布ユニット１０の搬出機構１２と協働してレジスト塗布ユニット１０からの基板を加熱ユニット２０に搬入した後、さらにプロキシミティーベーク部２２に搬送する。また、この加熱ユニット２０には、プロキシミティーベーク部２２以外に密着ベーク部２３が設けられており、プロキシミティーベーク部２２による加熱処理（プロキシミティーベーク）が完了した基板を搬送機構２４により密着ベーク部２３に搬送した後、密着ベーク部２３によって加熱処理（密着ベーク）するようにしている。このように密着ベークに先立ってプロキシミティーベークを行う理由は、常温においてレジスト液が塗布された基板に対して直ちに密着ベークを施すと、基板は急激に加熱されて反ってしまうためであり、予めプロキシミティーベークを行うことによって基板の反りを防止してレジスト液を均一に乾燥させるためである。」（段落０００４）
　
カ．「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スピンコータ（レジスト塗布部１０）により基板表面にレジスト液を塗布した場合、基板の回転中心から半径方向に放射状のすじが形成されることがある。また、ロールコータ（レジスト塗布部１０）によりレジスト液を塗布した場合にも、基板搬送方向に平行なすじが生じることがある。そして、従来装置では、レジスト塗布ユニット１０により基板に塗布されたレジスト液にすじが形成された場合であっても、すじが形成された状態のままで、基板が加熱ユニット２０に搬送された後、加熱処理が施されるようになっているので、レジスト薄膜にすじ状の跡が残ることがある。この近傍では、レジスト薄膜の厚みは不均一となっており、後工程に悪影響を及ぼしてしまう。特に、近年、タクト時間（基板１枚あたりの処理時間）の短縮化が進んでおり、レジスト塗布処理後、直ちに加熱処理が行われるようになっており、すじ状の跡が残るという問題が顕著になってきている。
【０００６】また、プロキシミティーベーク部２２では、ホットプレート表面から立設された複数のピンでレジスト塗布ユニット１０から搬送されてきた基板を支持しながら加熱処理するようになっている。そのため、基板の面内温度分布を調べると、熱くなったピンと当接する部分の温度が他の部分に比べて高くなり、ピンとの当接部分近傍でのレジスト厚みが不均一となることがある。
【０００７】また、密着ベーク部２３においても、同様の問題がある。すなわち、密着ベーク部２３では、基板をホットプレート表面に密着保持する必要があるため、ホットプレートに吸着孔を設け、基板裏面を吸着保持している。そのため、吸着孔付近では、他の領域に比べて温度が低下しており、基板の面内温度が不均一となっている。その結果、プロキシミティーベークの場合と同様に、吸着孔付近でのレジスト厚みが不均一になるという問題が生じる。
【０００８】さらに、レジスト塗布ユニット１０から加熱ユニット２０への基板搬送を、搬出機構１２と搬入機構２１により行っているので、プロキシミティーベークと同様の問題が生じることがある。というのも、搬入機構２１はプロキシミティーベーク部２２の近傍に設けられているため、比較的高い温度になっており、基板搬入のために搬入機構２１の一部（例えば、搬送アーム）が基板の一部に当接すると、その当接部分の温度が他の部分の温度（通常、室温）よりも高くなり、レジスト薄膜の膜厚の不均一化の原因の一つとなっている。
【０００９】本発明は、上述のような問題に鑑みてなされたものであって、基板上に均一な膜厚のレジスト薄膜を形成することができるレジスト薄膜形成装置およびレジスト薄膜形成方法を提供することを目的とする。」（段落０００５ないし０００９）
　
キ．「【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板表面にレジスト液を塗布する塗布手段と、前記レジスト液が塗布された基板を加熱する加熱手段とを備え、前記基板表面にレジスト薄膜を形成するレジスト薄膜形成装置であって、上記目的を達成するため、前記塗布手段と前記加熱手段との間で、前記塗布手段によってその表面にレジスト液が塗布された基板を待機位置に待機させた後、前記加熱手段に搬送する待機手段をさらに備えている。」（段落００１０）
　
ク．「【００１２】請求項３の発明は、上記目的を達成するため、基板表面にレジスト液を塗布し、さらに前記基板を待機位置に待機させた後、前記基板を加熱して、その基板表面にレジスト薄膜を形成するようにしている。」（段落００１２）
　
ケ．「【００１３】
【作用】請求項１の発明では、塗布手段によってその表面にレジスト液が塗布された基板が、塗布手段と加熱手段との間で、待機される。この待機中に、基板に塗布されたレジスト液は均一化（レべリング）されるとともに、予備乾燥される。したがって、塗布手段によって基板表面に塗布されたレジスト液の厚みが不均一であっても、レべリングにより均一化される。また、予備乾燥によって、その後の処理で基板面内での温度分布が不均一になっても、その影響を抑えることができる」（段落００１３）
　
コ．「【００１５】請求項３の発明では、基板表面にレジスト液が塗布され、さらに前記基板が待機位置に待機される。そのため、請求項１の発明と同様に、この待機中に基板に塗布されたレジスト液は均一化（レべリング）されるとともに、予備乾燥されて、レジスト薄膜の厚みが均一に保たれる」（段落００１５）
　
サ．「【００１６】
【実施例】図１は、この発明にかかるレジスト薄膜形成装置の一実施例を示すブロック図である。この実施例が従来例（図３）と大きく相違する点は、この実施例では、レジスト塗布ユニット１０と加熱ユニット２０との間に待機ユニット３０が設けられている点である。なお、レジスト塗布ユニット１０および加熱ユニット２０については、従来より周知であるため、ここでは、それらの構成・動作についての詳細な説明は省略する。」（段落００１６）
　
シ．「【００１７】次に、図２を参照しつつ、待機ユニット３０の一例について説明する。図２は、待機ユニット３０の構成を示す図である。待機ユニット３０は、レジスト塗布ユニット１０からの基板Ｗをユニット内に搬入するための搬入機構４０と、所定の待機位置で複数の基板Ｗを収納するカセット５０と、カセット５０に収納された基板Ｗを適宜取り出し、加熱ユニット２０に向けて搬出する搬出機構６０と、搬入機構４０および搬出機構６０を制御する制御部７０とで構成されている。」（段落００１７）
　
ス．「【００２１】カセット５０には、方向Ｚに多段に形成された基板収容溝（図示省略）が設けられており、搬入機構４０によってレジスト塗布ユニット１０からの基板Ｗを一時的に収容することができるようになっている。
【００２２】搬出機構６０は、搬入機構４０と同一の構成要素により構成されており、カセット５０を挟んで搬入機構４０とほぼ対称に配置されている。したがって、ここでは、搬入機構４０の構成要素と対応する要素に相当符号を付して、その説明を省略する。
【００２３】制御部７０は、図２に示すように、中央演算制御部７１と、動作プログラム等を記憶するＲＯＭ７２と、カセット５０内の収容データ等のデータを一時的に記憶するためのＲＡＭ７３とを備えている。また、装置の各部に基板Ｗが存在するか否かを検出するためのセンサＳ1 〜Ｓ4 が装置各部に配置されており、センサＳ1 〜Ｓ4 からの信号が制御部７０に入力されるようになっている。」（段落００２１ないし００２３）
　
セ．「【００２６】レジスト塗布ユニット１０による基板表面へのレジスト液の塗布（レジスト塗布処理）が完了すると、その基板（表面にレジスト液が塗布された基板）が搬出機構１２と搬入機構４０とにより待機ユニット３０に搬入される。なお、このとき、アーム支持ブロック４４は最下方位置（原点位置）に位置決めされている。」（段落００２６）
　
ソ．「【００２７】
　基板Ｗが搬入機構４０により搬入部４１上の所定位置に位置決め・停止されると、ＲＯＭ７２に記憶されている回収プログラムが読みだされ、そのプログラムにしたがって基板回収処理が実行される。（中略）原点位置に復帰させる。」（段落００２７）
　
タ．「【００２９】一方、基板Ｗがカセット５０に収容されると、各基板Ｗごとに制御部７０によりカセット５０に収容されている時間が計測され、一定時間（例えば、５分間）が経過すると、ＲＯＭ７２から基板搬出プログラムが読みだされ、そのプログラムにしたがって基板搬出処理が実行される。（中略）搬出部６１によって、基板Ｗを加熱ユニット２０側に搬出する。」（段落００２９）
　
チ．「【００３０】こうして、カセット５０内で一定時間だけ待機された基板Ｗが加熱ユニット２０に搬出される。なお、加熱ユニット２０に搬出された基板Ｗは、加熱ユニット２０によりプロキシミティーベークおよび密着ベークが順次実行されて、レジスト薄膜が形成される。」（段落００３０）
　
ツ．「【００３１】以上のように、この実施例にかかるレジスト薄膜形成装置によれば、レジスト塗布ユニット（塗布手段）１０によってその表面にレジスト液が塗布された基板Ｗを待機ユニット３０のカセット５０に回収し、室温に一定時間待機させることにより、レジスト液を低い粘性状態に比較的長時間保持している。そのため、仮にレジスト塗布ユニット１０によりレジスト液にすじが形成された場合であっても、基板表面のレジスト液が均一化（レべリング）し、レジスト塗布ユニット１０によるレジスト液が不均一となるという問題が解消される。」（段落００３１）
　
テ．「【００３２】なお、上記実施例においては基板Ｗがカセット５０に収容されるとその時間が計測されてこの時間が一定時間に達すると基板Ｗがカセット５０から搬出されるように構成されているが、本発明はこれに限らず、基板Ｗが常に一定時間以上カセット５０に収容されるように構成されていればよい。さらに、上記レジスト液が顔料を含むカラーレジスト液の場合、待機させることによりレベリングのみならずそれに含まれる顔料を薄膜全体に渡って均一に分散させることができる。
【００３３】また、カセット５０における待機中に、レジスト液のレべリングと並行して、レジスト液の予備乾燥が進行する。そのため、上記のようにプロキシミティーベーク時，密着ベーク時および搬入機構２１によるプロキシミティーベーク部２２への基板Ｗの搬送時に、基板Ｗの面内温度が不均一となったとしても、レジスト液の塗布後直ちに加熱ユニット２０に搬送した場合（従来例）に比べて、レジスト液が適度に乾燥されているため、その影響（面内温度の不均一性）を受けにくく、均一な膜厚を有するレジスト薄膜が得られる。」（段落００３２及び００３３）
　
ト．「【００３７】
【発明の効果】以上のように、請求項１および２の発明によれば、塗布手段と加熱手段との間に待機手段を設け、前記塗布手段によってその表面にレジスト液が塗布された基板を待機位置に待機させているので、基板上に均一な膜厚のレジスト薄膜を形成することができる。
【００３８】また、請求項３の発明によれば、基板表面にレジスト液を塗布した後、その基板を待機位置に待機させているので、上記請求項１および２記載の発明と同様の効果が得られる。」（段落００３７及び００３８）
　
ナ．「【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかるレジスト薄膜形成装置の一実施例を示すブロック図である。
【図２】待機ユニットの構成を示す図である。
【図３】従来のレジスト薄膜形成装置の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０　レジスト塗布ユニット（塗布手段）
２０　加熱ユニット（加熱手段）
３０　待機ユニット（待機手段）
Ｗ　基板」（図面の簡単な説明、符号の説明）」
　
（２）ここで、上記記載事項（１）並びに図１及び２から、次のことがわかる。 
　図３に示されたレジスト薄膜形成装置は、レジスト薄膜を形成するレジスト液を搬出機構１２によって搬送される基板Ｗの表面に塗布するレジスト塗布ユニット１０を具備している。
　これより、図３に示されたレジスト薄膜形成装置のレジスト塗布ユニット１０を含む、図１及び２に示されたレジスト薄膜形成装置も、レジスト薄膜を形成するレジスト液を搬出機構１２によって搬送される基板Ｗの表面に塗布するレジスト塗布ユニット１０を具備していると認められる。（上記記載事項（１）ア．ないしエ．、キ．ないしサ．、セ．、ツ．、ト．及びナ．）
　
　図３で示されたレジスト薄膜形成装置は、その表面にレジスト液を塗布され「搬入機構２１」によって搬送される基板Ｗを加熱ユニット２０にて加熱処理して基板Ｗの表面にレジスト薄膜を形成するものであるから、搬入機構２１によって搬送される上記基板Ｗの表面に塗布されたレジスト液を加熱処理する加熱ユニット２０を具備しているといえる。
　これより、図３に示されたレジスト薄膜形成装置の加熱ユニット２０を含む、図１及び２に示されたレジスト薄膜形成装置も、搬入機構２１によって搬送される上記基板Ｗの表面に塗布されたレジスト液を加熱処理する加熱ユニット２０を具備していると認められる。（上記記載事項（１）ア．ないしオ．、キ．ないしサ．、チ．、ツ．、ト．及びナ．）
　
　図１及び２に示されたレジスト薄膜形成装置は、搬出機構１２と搬入機構２１との間に配置されるとともに、レジスト塗布ユニット１０によってレジスト液が表面に塗布された基板Ｗを上記レジスト塗布ユニット１０から加熱ユニット２０に搬出する待機ユニット３０を具備している。（上記記載事項（１）ア．、イ．、キ．ないしセ．及びタ．ないしナ．）
　
　図１及び２に示されたレジスト薄膜形成装置は、基板Ｗの表面に塗布されたレジスト液が低い粘性状態で比較的長時間保持されることにより均一化（レベリング）されてから基板Ｗを加熱ユニット２０に搬出するように待機ユニット３０を制御する制御部７０を具備している。（上記記載事項（１）ア．、イ．、カ．、ケ．、コ．、ス．、ソ．及びタ．ないしナ．）
　
　図１及び２に示されたレジスト薄膜形成装置において、待機ユニット３０がカセット５０内で基板Ｗを待機させる時間は一定時間として設定されていることからみて、この待機させる時間は設定可能とされているといえる。
　これより、この待機させる時間を一部に含む、待機ユニット３０が基板Ｗをレジスト塗布ユニット１０から搬入されて加熱ユニット２０に搬出するのに要する時間は設定可能とされているといえる。また、この待機させる時間を設定することにより、当該待機させる時間を一部に含む、基板Ｗの表面にレジスト液が塗布されてから加熱処理が開始されるまでの時間を制御しているといえる。
　これらより、制御部７０は、待機ユニット３０が基板Ｗをレジスト塗布ユニット１０から搬入されて加熱ユニット２０に搬出するのに要する時間を設定可能とされ、基板Ｗの表面にレジスト液が塗布されてから加熱処理が開始されるまでの時間を制御するものといえる。（上記記載事項（１）ア．、イ．、カ．、ケ．、コ．、ス．、ソ．、及びタ．ないしナ．）
　
（３）引用文献記載の発明  
　上記記載事項（１）及び（２）より、引用文献には、  
　「レジスト薄膜を形成するレジスト液を搬出機構１２によって搬送される基板Ｗの表面に塗布するレジスト塗布ユニット１０と、
　搬入機構２１によって搬送される上記基板Ｗの表面に塗布されたレジスト液を加熱処理する加熱ユニット２０と、
　搬出機構１２と搬入機構２１との間に配置されるとともに、レジスト塗布ユニット１０によってレジスト液が表面に塗布された基板Ｗを上記レジスト塗布ユニット１０から加熱ユニット２０に搬入及び搬出する待機ユニット３０と、
　基板Ｗの表面に塗布されたレジスト液が低い粘性状態で比較的長時間保持されることにより均一化（レベリング）されてから基板Ｗを加熱ユニット２０に搬出するように待機ユニット３０を制御する制御部７０と
　を具備し、
　制御部７０は、待機ユニット３０が基板Ｗをレジスト塗布ユニット１０から搬入されて加熱ユニット２０に搬出するのに要する時間を設定可能とされ、基板Ｗの表面にレジスト液が塗布されてから加熱処理が開始されるまでの時間を制御するレジスト薄膜形成装置。」
の発明（以下、「引用文献記載の発明」という。）が記載されていると認められる。  
　 
４．対比  
　本願発明と引用文献記載の発明を対比すると、引用文献記載の発明における「レジスト薄膜」は、その技術内容からみて、本願発明における「機能性薄膜」に相当し、以下同様に、「レジスト液」は「溶液」に、「搬出機構１２」は「第１の搬送テーブル」に、「基板Ｗ」は「基板」に、「表面」は「板面」に、「レジスト塗布ユニット１０」は「塗布装置」に、「搬入機構２１」は「第２の搬送テーブル」に、「加熱処理」は「焼成」に、「加熱ユニット２０」は「焼成装置」に、「搬入及び搬出する」は「受け渡す」に、「待機ユニット３０」は「受渡し手段」に、「搬出する」は「渡す」に、「制御部７０」は「制御装置」に、「搬入されて」は「受けて」に、それぞれ相当する。
　また、引用文献記載の発明における「低い粘性状態で比較的長時間保持されることにより均一化（レベリング）されてから」は、その意味する技術内容や趣旨からみて、本願発明における「流動してほぼ平坦になってから」と同様の技術内容を意味するものといえる。
　そして、引用文献記載の発明における「待機ユニット３０が基板Ｗをレジスト塗布ユニット１０から搬入されて加熱ユニット２０に搬出するのに要する時間」は、その意味する技術内容や趣旨からみて、本願発明における「受渡し手段が基板を塗布装置から受けて焼成装置に渡すのに要する時間」に相当する。
　さらに、引用文献記載の発明における「基板Ｗの表面にレジスト液が塗布されてから加熱処理が開始されるまでの時間を制御する」は、その意味する技術内容や趣旨からみて、本願発明における「基板の板面に溶液が塗布されてから焼成が開始されるまでの遅延時間を制御する」に相当する。
　
　したがって、両者は、 
　「機能性薄膜を形成する溶液を第１の搬送テーブルによって搬送される基板の板面に塗布する塗布装置と、
　第２の搬送テーブルによって搬送される上記基板の板面に塗布された溶液を焼成する焼成ユニットと、
　第１の搬送テーブルと第２の搬送テーブルとの間に配置されるとともに、塗布装置によって溶液が板面に塗布された基板を上記塗布装置から焼成ユニットに受け渡す受渡し手段と、
　基板の板面に塗布された溶液が流動してほぼ平坦になってから基板を焼成ユニットに渡すように受渡し手段を制御する制御装置と
　を具備し、
　制御装置は、受渡し手段が基板を塗布装置から受けて焼成装置に渡すのに要する時間を設定可能とされ、基板の板面に溶液が塗布されてから焼成が開始されるまでの遅延時間を制御する機能性薄膜形成装置。」
である点で一致し、次の点において相違している。  
　  
　本願発明においては、塗布装置を、「ノズルから」機能性薄膜を形成する溶液を「インクジェット方式で噴射して、第１の搬送テーブルによって搬送される基板の板面に塗布する」としているのに対し、引用文献記載の発明においては、そのように特定されていない点（以下、「相違点」という。）。 
　  
５．当審の判断  
　上記相違点について検討する。
　  
　「ノズルから機能性薄膜を形成する溶液をインクジェット方式で噴射して、搬送テーブルによって搬送される基板の板面に塗布する塗布装置」は周知の技術であり（例えば、特開平０９−１０５９３９号公報（図２、図３等）、特開平０３−２４９６２３号公報（第２頁右上欄第１５行ないし１８行、第１図等。）参照。以下、「周知技術」という。）、引用文献記載の発明における塗布装置としてこの周知技術を採用することは、当業者にとって格別の困難性を伴うものではない。
　よって、引用文献記載の発明に周知技術を採用して、上記相違点に係る本願発明のような構成とすることは、当業者が容易になし得る程度の事項にすぎない。
　 
　そして、本願発明を全体として検討しても、引用文献記載の発明から予測される以上の格別の効果を奏するとも認められない。 
　 
６．むすび  
　したがって、本願発明は、引用文献記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　よって、結論のとおり審決する。