【事件の表示】
　平成１０年特許願第５２３４４５号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年５月２８日国際公開、ＷＯ９８／２２９８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９６年１１月２１日を国際出願日とする出願であって、その請求項１〜１２に係る発明は、平成１７年６月２３日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「１．テープキャリアに設けられたデバイスホール内に半導体チップを配置し、前記テープキャリアに設けられたリードの一端と、前記半導体チップの外部端子とを電気的に接続してなる半導体装置であって、
　前記半導体チップの裏面を研削した後、スピンエッチングすることにより、前記半導体チップの厚さを前記テープキャリアの厚さよりも薄く形成し、
　前記半導体チップをその主面および裏面の両方が被覆されるように封止樹脂で封止し、かつ前記封止樹脂の上下面の高さ位置を前記テープキャリアの上下面の高さ位置と一致させたことを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願前に国内に頒布された特開平５−１０２２３９号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）刊行物の記載事項
（１ａ）「【請求項２】 絶縁性基板からなる配線基板と、前記配線基板に形成した開口部の内方に突出した導電性金属箔からなる複数のボンディング用リードと半導体チップとを接続してなる半導体装置において、前記半導体チップが前記配線基板に埋設し、前記配線基板の開口部において半導体チップの裏面をも封止したことを特徴とする半導体装置。」
　
（１ｂ）「【０００２】【従来の技術】従来のボンディング用リードを有する配線基板と半導体チップとの実装構造として、図４、図５に示したテープキャリアが知られている。
　【０００３】上記テープキャリアは、ポリエステル、ポリイミド等の高分子材料よりなる絶縁性基板１に半導体チップの外形よりも大きな開口部３を形成すると共に、この開口部３の内方にボンディング用の複数のリード４が突出するように、配線パターン２を形成してそのリード４と開口部３に配設された半導体チップ５をボンディングし、半導体チップ５の保護のためエポキシ系樹脂等絶縁性の封止樹脂６により封止される。この時使用されるテープ基材厚は５０μｍ〜１５０μｍ程度であり半導体チップ厚は３００μｍ〜６００μｍ程度である。」
　
（１ｃ）「【０００４】【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技術では、配線基板に対し半導体チップが厚さ的に著しく突起しているため、半導体チップ保護用封止樹脂による基板の専有面積が大きく成り易いこと、又半導体チップの裏面も封止を行う場合は特に樹脂の厚みを含む基板面から突出している高さ及び総厚を一定に制御できないこと、及びこれによって半導体装置の薄型化する上で好ましいことではないという問題点を有する。そこで本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的とするところは、半導体チップ部の著しい突起をなくし、総厚及び封止形成を一定にし、信頼性に優れた薄型の半導体装置を提供するところにある。」
　
（１ｄ）「【０００６】【実施例】図１は本発明の実施例における断面図であって、１は絶縁性基板、２は前記絶縁性基板に形成された配線パターン、３は前記絶縁性基板１に形成された開口部であり、前記開口部３に突出した配線パターンの一部である導電性金属箔から成る複数のボンディング用リード４と半導体チップ５とを接続させている。図２は同発明の半導体チップ部樹脂封止後の状態を示す主要断面図であり、封止樹脂６により半導体チップ５の能動素子面及び裏面について封止を行った例である。この時、開口部３において半導体チップ５の能動面、側面、及び裏面全てを封止樹脂にて覆うことにより信頼性の高い半導体装置を提供することができる。・・・
　【０００７】図２、図３いずれの実施例においても絶縁性基板１は半導体チップ５の厚みとほぼ同等の厚みで構成され、半導体チップの実装後の封止厚みは、実装時の高さバラツキ及び封止樹脂の厚みバラツキに対して、回路基板の厚み部分を樹脂封止することにより吸収し平坦な半導体装置を得ることができる。
　【０００８】更に、半導体チップ５を０．２５ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の薄チップを使用した場合、半導体装置の厚みについても０．３ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度の超薄型の半導体装置を提供することができ、更に薄型化の対応も可能である。
　【０００９】以上、いずれの実施例も片面配線基板により説明してきたが、両面配線基板及び多層配線基板についても本発明が適用されることは勿論であり、絶縁性基板についてもポリイミド等高分子材料ばかりでなく、ガラエポ等の基材についても同様である。」
　
（１ｅ）「【００１０】【発明の効果】本発明は以上説明した様に、配線基板に配設した開口部に半導体チップを埋設して実装及び封止を行うことにより、従来は半導体チップと配線基板との段差をスペーサ等により平坦にして組み込むような、例えばＩＣカード等に比べ半導体チップとほとんど同等の厚みにより回路モジュールを形成でき、スペーサー等使用の場合に比べバラツキ及び隙間のない薄型機器を構成することができる。これは半導体チップの厚みという最低限の厚みで半導体装置を提供でき、なおかつ平坦なため他の構造物により剛性の高い機器が提供できる。又、半導体チップの裏面も封止することにより、より高い信頼性を確保できるという利点を有する。」
　
（１ｆ）図２には、絶縁性基板１の開口部３内に配置した半導体チップ５の能動素子面、側面、及び裏面全てを覆っている封止樹脂６の面と、絶縁性基板１と該基板に形成された配線パターン２を合わせた上下面とはほぼ平坦であること、又半導体チップ５の能動素子面には外部端子が設けられ、この外部端子と開口部３に突出したボンディング用リード４の一端とが電気的に接続していることが示されている。
　
３．当審の判断
３−１．刊行物に記載の発明
　刊行物には、摘記（１ａ）によると、絶縁性基板からなる配線基板と、前記配線基板に形成した開口部の内方に突出した導電性金属箔からなる複数のボンディング用リードと半導体チップとを接続してなる半導体装置において、前記半導体チップが前記配線基板に埋設し、前記配線基板の開口部において半導体チップの裏面をも封止した半導体装置が記載されている。
　又摘記（１ｅ）には、配線基板に配設した開口部に半導体チップを埋設して実装及び封止を行うことにより、従来は半導体チップと配線基板との段差をスペーサ等により平坦にして組み込むことに比べ半導体チップとほとんど同等の厚みにより回路モジュールを形成でき、なおかつ平坦なため他の構造物により剛性の高い機器が提供できるとし、摘記（１ｆ）によれば、絶縁性基板１の開口部３内に配置した半導体チップ５の能動素子面、側面、及び裏面全てを覆っている封止樹脂６の面と、絶縁性基板１と該基板に形成された配線パターン２を合わせた上下面とはほぼ平坦であること、又半導体チップ５の能動素子面には外部端子が設けられ、この外部端子と開口部３に突出したボンディング用リード４の一端とが電気的に接続していることが示されている。ここで、半導体チップ５の能動素子面、及び裏面を覆っている封止樹脂の厚みの分、半導体チップの厚さは、絶縁性基板１と該基板に形成された配線パターン２を合わせた厚さよりも薄いことは明らかであり、封止樹脂の上下面の高さ位置を、絶縁性基板１と該基板に形成された配線パターン２を合わせた上下面の高さ位置と一致させていることが理解できる。
　
　そうすると、上記の整理を踏まえ、刊行物の摘記（１ａ）〜（１ｆ）の記載を総合すると、刊行物には、「絶縁性基板からなる配線基板と、前記配線基板に形成した開口部の内方に突出した配線パターンの一部である導電性金属箔からなる複数のボンディング用リードと半導体チップ能動素子面の外部端子とを接続してなる半導体装置において、前記半導体チップの厚さを絶縁性基板と該基板に形成された配線パターンを合わせた厚さよりも薄く形成し、前記半導体チップが前記配線基板に埋設し、前記配線基板の開口部において半導体チップの裏面をも封止し、封止樹脂の上下面の高さ位置を絶縁性基板と該基板に形成された配線パターンを合わせた上下面の高さ位置と一致させた半導体装置」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−２．対比・判断
　本願発明１と刊行物発明とを対比する。
　刊行物には、摘記（１ｂ）によると、従来のボンディング用リードを有する配線基板と半導体チップとの実装構造として、図４、図５に示したテープキャリアが知られており、該テープキャリアは、ポリエステル、ポリイミド等の高分子材料よりなる絶縁性基板を使用していることが記載されている。そして、摘記（１ｄ）【０００６】によると、実施例として、１は絶縁性基板、２は前記絶縁性基板に形成された配線パターン、３は前記絶縁性基板１に形成された開口部であり、前記開口部３に突出した配線パターンの一部である導電性金属箔から成る複数のボンディング用リード４と半導体チップ５とを接続させることが記載され、摘記（１ｄ）【０００９】によると、絶縁性基板は、ポリイミド等高分子材料が適用できることが記載されているから、絶縁性基板及び該絶縁性基板に形成された配線パターンを合わせたものは、ポリイミド等高分子材料を基材として使用したテープキャリアであるといえ、刊行物発明の「絶縁性基板と該基板に形成された配線パターンを合わせた」ものは、本願発明１の「テープキャリア」に相当している。
　又刊行物発明の「開口部」、「能動素子面」は、本願発明１の「デバイスホール」、「主面」に相当している。
　そうすると、両者は、「テープキャリアに設けられたデバイスホール内に半導体チップを配置し、前記テープキャリアに設けられたリードの一端と、前記半導体チップの外部端子とを電気的に接続してなる半導体装置であって、前記半導体チップの厚さを前記テープキャリアの厚さよりも薄く形成し、前記半導体チップをその主面および裏面の両方が被覆されるように封止樹脂で封止し、かつ前記封止樹脂の上下面の高さ位置を前記テープキャリアの上下面の高さ位置と一致させた半導体装置」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明１の半導体チップは、半導体チップの裏面を研削した後、スピンエッチングすることにより、半導体チップの厚さをテープキャリアの厚さよりも薄く形成しているのに対し、刊行物発明の半導体チップは、半導体チップの厚さをテープキャリアの厚さよりも薄く形成しているものの、そのような加工を施しているか否か不明である点。
　
　上記相違点について以下検討する。
　刊行物に記載の従来の技術では、テープ基材厚は５０μｍ〜１５０μｍ程度であり、半導体チップ厚は３００μｍ〜６００μｍ程度のものを使用している（摘記（１ｂ））が、刊行物発明の図２、図３いずれの実施例においても、絶縁性基板は半導体チップの厚みとほぼ同等の厚みで構成され、更に半導体チップを０．２５ｍｍ〜０．３ｍｍ（２５０μｍ〜３００μｍ）程度の薄チップを使用する場合があること（摘記（１ｄ））が記載されている。
　そうすると、半導体チップの厚みとして、従来のものより更に薄いものを使用する場合には、何らかの加工手段により、従来の半導体チップを更に薄く加工しているものと認められる。
　又一般的に、ＴＡＢ素子を、ＩＣカードなどの薄物に組込むために、半導体素子をできるだけ薄くする必要があることは、例えば、次に示すとおり周知の事項である。
　
周知例１：特開昭６３−５２４３１号公報
（周１ａ）「このようなＴＡＢ素子を、ＩＣカードなどの薄物に組込みするために、半導体素子をできるだけ薄くする必要があり、・・」（２頁左上欄８〜１０行））
　
周知例２：特開平６−３７１４０号公報
（周２ａ）「【０００４】【発明が解決しようとする課題】このような従来のＩＣチップ実装方法では、基板の表面上にＩＣチップが搭載される。このため、ＩＣチップ実装後の基板等全体の厚さは、少なくともＩＣチップの厚さの分だけは、基板単体のときよりも厚くなる。しかし、最近の平面型表示装置等に対する薄型化の要求には厳しいものがあり、それ用の回路も一層薄く実装する必要に迫られている。例えば、セルラーホンでは０．５mm以下、ＩＣカードでは０．２mm以下が求められている。これは、従来の一般的な基板単体の厚さ或はＩＣチップの厚さである１mm〜０．５mmよりも薄いものである。
【０００５】この要求に応えるためには、基板およびＩＣチップを共に薄くする必要があり、例えばそれぞれが許容厚さの半分以下の厚さになるようにしなければならない。・・・」
　
　そして、半導体チップの厚みを薄くする手段としては、半導体チップの裏面を研削した後、スピンエッチングすること、すなわち、半導体チップの裏面を形成するウエハの裏面を研削した後、この半導体ウエハをスピンエッチングすることにより、半導体ウエハの厚みを薄くすることは、次に示すとおり周知の技術である。
　
周知例３：特開昭６１−１２１３３５号公報
（周３ａ）「（１）ウエハのデバイスが形成された面側を適宜な保護膜にて覆い、前記保護膜で覆った面の裏面を所定厚研削した後、前記ウエハをスピンナーでもって回転させつつ前記研削された面に適宜なエッチング剤をスプレー状に吹きつけることにより前記研削された面をエッチングし、次いで前記デバイスが形成された面を覆う保護膜を除去させることを特徴とするウエハの研削面の処理方法。」（特許請求の範囲）
　
周知例４：特開平５−２２６３０８号公報
（周４ａ）「【請求項１】半導体ウエハの表面に保護テープを貼り、該保護テープを貼った半導体ウエハを、その保護テープ側からステージに取り付けて、その半導体ウエハの裏面を研削砥石で研削し、その後、該研削した半導体ウエハを回転させながら、その裏面を化学エッチングし、その後、該化学エッチングした半導体ウエハを回転させながら純水で洗浄し、・・・所望の厚さの半導体ウエハを得ることを特徴とする半導体ウエハの裏面処理方法。
　【請求項２】第１の回動ステージとこれと対向して配置された粗研削用回転砥石と、第２の回動ステージとこれと対向して配置された仕上研削用砥石と、共通のスピンナーとこれに対向して配置されたエッチング用ノズル、純水用ノズル及び空気用ノズルとから構成されたことを特徴とする半導体ウエハの裏面処理装置。」
（周４ｂ）「【０００１】【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハを所定の厚みにするための半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置に関するものである。」
　
　そうすると、上記刊行物に記載されているように、半導体チップの厚みが従来のものより更に薄い半導体チップを使用する場合のために、又刊行物発明も例えばＩＣカードへの適用も（摘記（１ｅ））当然に意図しているものでその場合には、半導体素子をできるだけ薄くする必要があるから、刊行物発明において、上記半導体チップの厚みを薄くする周知の技術を適用して、半導体チップの裏面を研削した後、スピンエッチングすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願発明１による効果は、上記刊行物の記載及び上記周知の技術から予測することができる範囲のものであって、格別顕著なものとは認められない。特に半導体チップの裏面を研削した後、スピンエッチングすることにより、半導体チップの裏面が平滑化することで、半導体チップの曲げ応力に対して強く割れ難い構造としたという作用効果も、刊行物には、「平坦なため他の構造物により剛性の高い機器が提供できる」（摘記(１ｅ）段落【００１０】）と、本願発明１と同様の作用効果が記載されているから、格別顕著な作用効果とは認められない。                  
　
　したがって、本願発明１は、刊行物に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜１２に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。