【事件の表示】
　特願２００４−７５７７２号「ヒータユニット」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年９月２９日出願公開、特開２００５−２６７９３１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年３月１７日の出願であって平成２０年４月４日付け（発送日：同年同月１５日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年５月８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成２０年６月５日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２０年６月５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年６月５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のように補正された。
「セラミックスヒータ基板と、該セラミックスヒータ基板を支持する
突起部を設けた
前記セラミックスヒータ基板の前記冷却ブロックの反対側の前記貫通孔の周囲にザグリ部が設けられ、
とともに、前記支持体の断面積が３ｍｍ
２
以上、３０ｍｍ
２
以下であり、前記支持体が前記貫通孔に挿通され、前記支持体の突起部とナットによって前記セラミックスヒータ基板を挟み込むように固定されている
　
２．補正の目的
　本件補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「支持体」に、「突起部を設けた」及び「前記支持体の断面積が３ｍｍ２以上、３０ｍｍ２以下であり、前記支持体が前記貫通孔に挿通され、前記支持体の突起部とナットによって前記セラミックスヒータ基板を挟み込むように固定されている」との限定を付加し、「セラミックスヒータ基板」に、「セラミックスヒータ基板の前記冷却ブロックの反対側の前記貫通孔の周囲にザグリ部が設けられ」との限定を付加するものであり、かつ、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「改正前の特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３．独立特許要件
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか。）について以下に検討する。
　
３−１．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００２−２５２２７０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　ア　「【発明の属する技術分野】本発明は、主に、半導体の製造や検査に用いるホットプレートユニット（セラミックヒータ）に関する。」（段落【０００１】）
　イ　「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記した構成のホットプレートユニット２００では、セラミック基板の側面または底面外周が断熱リング２５等を介して支持容器本体２１と接触しており、そのために、この部分から熱が逃散しやすかった。
　このような熱の逃散を防止するため、断熱性能を有する断熱リング２５をセラミック基板４１と支持容器２０との間に介装しているが、セラミック基板４１が、例えば、３００℃程度の高温になった場合には、やはり、この断熱リング２５を通って熱が逃散するのを完全に防止するのは難しかった。
　さらに、このセラミック基板４１の側面やその周辺部分は、内側部分よりも熱が逃散しやすく、そのためこの部分の温度が低下し、シリコンウエハ等の被加熱物を均一に加熱することが難しいという問題があった。
　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミック基板と支持容器とを非接触とすることで、セラミック基板の側面やその周辺部分からの放熱を防止し、シリコンウエハ等の被加熱物を均一に加熱することができることを見い出し、本発明を完成するに至った。」（段落【００１１】〜【００１４】）
　ウ　「図５は、本発明のホットプレートユニットのさらに別の実施形態を模式的に示す断面図である。このホットプレートユニット４００は、セラミック基板４１には貫通孔が形成され、この貫通孔に支持部材として、ねじ７２が挿通され、ナット７３で固定されるとともに、ねじ７２の端部は支持容器１１の底部に固定されており、従って、セラミック基板４１は、支持容器１１の底部に立設されたねじ７２を介し、支持容器１１の内側に支持、固定されていることになる。なお、支持部材として、ねじ７２を配設し、セラミック基板４１を支持、固定しているほかは、図１に示したホットプレートユニット１００と同様に構成されている。
　上記構成のホットプレートユニット４００では、セラミック基板４１の側面や底面外周は、支持容器１１と非接触であり、他の部分と同様に空気と接しているため、空気が断熱材としての役割を果たし、これらの部分からの熱の逃散が特に大きくなることはなく、セラミック基板の加熱面４１ａを均一な温度にすることができる。さらに、支持部材として、ねじ７２を配設することにより、セラミック基板４１の水平方向の安定性が向上し、セラミック基板４１をより確実に支持、固定することができる。」（段落【００３９】〜【００４０】）
　エ　「（実施例５）ホットプレートユニットの製造（図５参照）
支持部材として、表面がＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾール）でコートされたステンレス製のねじ７２を使用したほかは、実施例１と同様にしてホットプレートユニット４００を製造した。なお、このねじ７２は、セラミック基板４１に貫通孔を形成した後、この貫通孔に支持部材として、ねじ７２を挿通し、ナット７３で固定するとともに、ねじ７２の端部を支持容器１１の底部に固定することにより配設した。また、支持容器１１とセラミック基板４１の外周との距離は、０．２ｍｍとした。」（段落【０１３４】）
　
　そして、記載ウ、エに関連して図５には、セラミック基板４１と、これを支持する支持部材であるねじ７２を有するホットプレートユニット４００が図示されており、ねじ７２はセラミック基板４１に形成された貫通孔に挿通され、セラミック基板４１はナット７３に支持され、ねじ７２の頭部とナット７３との間にセラミック基板４１が挟持され固定された状態が示されている。
　
　上記記載事項について検討すると、記載アには、ホットプレートユニット（セラミックヒータ）が記載され、記載イには、発明の課題として、支持容器との接触によるセラミック基板の周辺部分の熱の逃散及び、それによる周辺部分の温度低下の問題が指摘され、記載ウ、エには、その解決手段の一つとして、セラミック基板４１の周辺部分を支持容器と非接触とすると共に、セラミック基板を、その貫通孔に挿通し、ナット７３とねじ７２の頭部で支持容器に支持することが記載されている。
　
　これら記載ア、ウ、エの記載事項及び図示内容を総合し、本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「セラミック基板４１と、該セラミック基板４１を支持するナット７３を設けたねじ７２とで構成されたホットプレートユニットにおいて、前記セラミック基板４１に貫通孔が形成され、前記ねじ７２が前記貫通孔に挿通され、前記ナット７３とねじ７２の頭部とによって前記セラミック基板４１を挟持し固定しているホットプレートユニット。」
　
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００３−１００８５６号公報（以下、「引用例２」という。）には、概略、ウェハステージ２の冷却時間短縮のため、ウェハを支持加熱する板状セラミック体を含むウェハステージ２と、これを冷却する導電性プレート８とをリフト機構１２によって相対的に離接可能としたウェハ支持部材１が記載されている（段落【００２４】〜段落【００２８】参照。）。
　
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、特表２００２−５０６２７９号公報（以下、「引用例３」という。）には、概略、加熱プレート２０の冷却時間短縮のため、半導体素子１２を支持加熱する加熱プレート２０と、冷却部材２６とを、リードねじ５２１等の昇降手段により相対的な昇降により離接可能とした加熱冷却装置が記載されている（段落【００７１】〜段落【００７３】、段落【０１４７】〜段落【０１５０】、図１ａ〜１ｃ参照。）。
　
３−２．対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、各文言の意味、機能または作用等からみて、引用発明の「セラミック基板４１」はヒータとして機能するものであるから、本願補正発明の「セラミックスヒータ基板」に相当し、以下同様に、「ねじ７２」は「支持体」に、「ナット７３」はセラミック基板４１を支持するものであることから「突起部」に、それぞれ相当する。また、引用発明の「前記ナット７３とねじ７２の頭部とによって前記セラミック基板４１を挟持し固定している」は本願補正発明の「前記支持体の突起部とナットによって前記セラミックスヒータ基板を挟み込むように固定されている」に、「ホットプレートユニット」は「ヒータユニット」に、それぞれ相当する。　
　
　そこで、本願補正発明の用語を用いて表現すると、両者は次の点で一致する。
（一致点）
「セラミックスヒータ基板と、該セラミックスヒータ基板を支持する突起部を設けた支持体とで構成されたヒータユニットにおいて、前記セラミックスヒータ基板に貫通孔が形成され、前記支持体が前記貫通孔に挿通され、前記支持体の突起部とナットによって前記セラミックスヒータ基板を挟み込むように固定されているヒータユニット。」
　
　そして、両者は次の点で相違する（対応する引用発明（引用例記載）の用語を（　）内に示す。）。
（相違点１）
　本願補正発明は、セラミックスヒータ基板を冷却するための、セラミックスヒータ基板に当接、分離可能な昇降手段を備えた冷却ブロックを有するのに対し、引用発明はこれに欠ける点。
　
（相違点２）
　本願補正発明は、セラミックスヒータ基板の冷却ブロックの反対側の貫通孔の周囲にザグリ部が設けられているのに対し、引用発明はこれに欠ける点。
　
（相違点３）
　本願補正発明の支持体の断面積は３ｍｍ２以上、３０ｍｍ２以下であるのに対し、引用発明の支持体（ねじ７２）の断面積が不明である点。
　
３−３．相違点の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　セラミックスヒータ基板の冷却時間短縮のために、冷却ブロックを備えるとともに、セラミックスヒータ基板と冷却ブロックとを昇降手段によって当接、分離可能としたヒータユニットは、例えば引用例２，３（導電性プレート８と冷却部材２６がそれぞれ冷却ブロックに相当）に記載のように周知である。
　そこで、セラミックスヒータ基板（セラミック基板４１）の冷却時間短縮のために、引用発明に、かかる周知技術を適用し、ヒータユニット（ホットプレートユニット）が、昇降手段によってセラミックスヒータ基板（セラミック基板４１）に当接、分離可能な冷却ブロックを備えるようにして、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項のようにすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
（相違点２について）
　「セラミックスヒータ基板の冷却ブロックの反対側の貫通孔の周囲」とは、冷却ブロックがセラミックスヒータ基板の下側にあることから、言い換えると、セラミックスヒータ基板の半導体を載置する上面側の貫通孔の周囲を意味するが、一般的に、半導体ウェハを載置するセラミックスヒータ基板の上面側は、高さを低くすると共に、載置や載せ替え動作の邪魔にならないよう、不要な突起部を設けないようにすることは考慮される事項であり、そのために、ザグリ部を設けて突起部を収容することも、例えば、特開２００３−５９６２５号公報（基板加熱装置５の上面側に、ボルト挿入穴１５〜１７の周囲に収容部１５ａ［ザグリ部に相当］を形成した点：段落【００２３】参照。）に示されるように周知である。
　そこで、引用発明に、かかる周知技術を適用し、セラミックスヒータ基板（セラミック基板４１）の上面側の貫通孔の周囲にザグリ部を設け、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項のようにすることは当業者が適宜なし得たことにすぎない。
　
（相違点３について）
　上記記載イにあるように、そもそも引用発明は、セラミック基板周辺部を支持容器に接触させて支持することにより、そこから熱が逃散し、セラミック基板の温度が均一にならないことを解決すべく、セラミック基板と支持容器とを非接触とし、支持部材により支持することを提案するものであるが、依然として支持部材断面を通じた熱の逃散と、これによるセラミック基板の温度の不均一が生じ得ることは、当業者が容易に予測し得たことであるので、支持部材断面を通じた熱の逃散を、その強度を損なわない範囲で支持部材を細くすることにより、極力減らすように設計し、その適当な断面積の範囲として３〜３０mm2の数値範囲を見いだすことは、当業者が適宜実験により容易になし得た事項である。
　
　そして、本願補正発明による効果も、引用発明、引用例２，３に記載された事項及び周知技術から当業者が予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明、引用例２，３に記載された事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３−４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を、「本願発明」という）は、平成２０年１月１８日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「セラミックスヒータ基板と、該セラミックスヒータ基板を支持する支持体と、前記セラミックスヒータ基板を冷却するための冷却ブロックとで構成されたヒータユニットにおいて、前記セラミックスヒータ基板に貫通孔が形成され、該貫通孔に前記支持体が挿通され固定されているとともに、前記冷却ブロックは、前記セラミックスヒータ基板に当接、分離可能な昇降手段を備えることを特徴とするヒータユニット。」
　
第４　引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及び、その記載事項は、前記「第２」の「３−１．」に記載したとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」の「１．」の本願補正発明から、「支持体」の限定事項である「突起部を設けた」及び「前記支持体の断面積が３ｍｍ２以上、３０ｍｍ２以下であり、前記支持体が前記貫通孔に挿通され、前記支持体の突起部とナットによって前記セラミックスヒータ基板を挟み込むように固定されている」との事項を省き、また、「セラミックスヒータ基板」の限定事項である「セラミックスヒータ基板の前記冷却ブロックの反対側の前記貫通孔の周囲にザグリ部が設けられ」との事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２」の「３−３．」に記載したとおり、引用発明、引用例２，３に記載された事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明、引用例２，３に記載された事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２，３に記載された事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。