【事件の表示】
　平成１１年特許願第　９３２０８号「耐熱割れ性および耐食性に優れた半導体製造装置用陽極酸化皮膜被覆部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月１０日出願公開、特開２０００−２８２２９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１１年３月３１日の出願であって、平成１６年４月２８日付で拒絶理由通知がなされ、これに対して、平成１６年７月８日付で手続補正がなされ、平成１７年７月７日付で拒絶査定され、これに対し、同年８月１８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成１７年９月１５日付で手続補正がなされた。その後当審において、平成１７年９月１５日付手続補正は、平成１９年４月１９日付補正の却下の決定により却下されるとともに、同日付で拒絶理由通知がなされ、これに対して平成１９年６月２５日付で手続補正がなされたものである。
　
II．本願発明について
　２−１．本願補正発明２
本願請求項１、２に係る発明は、平成１９年６月２５日付手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項２に係る発明は、次のとおりである。
　
「【請求項２】　ＡｌまたはＡｌ合金基材表面に、陽極酸化皮膜が形成されてなる陽極酸化皮膜被覆部材において、前記陽極酸化皮膜は、複数のセルまたはポアが分岐および／または結合した部分が均一に分散しており、且つこれらの分岐部および／または結合部がセルまたはポア１０本につき皮膜厚２μｍ相当で５ヶ所以上存在するものであることを特徴とする耐熱割れ性および耐食性に優れた半導体製造装置用陽極酸化皮膜被覆部材。」（以下、「本願補正発明２」という。）
　
２−２．引用例とその記載事項
　当審において平成１９年４月１９日付で通知した拒絶理由通知において引用された、本願の出願前に頒布された特開平７−２２４３３８号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）引用例１（特開平７−２２４３３８号公報）
（１ａ）「【０００１】【産業上の利用分野】　この発明は、各種精密機械器具の部品あるいは摺動部品など、硬さや耐摩耗性が要求される部材として使用されるアルミニウム合金材料について、Ｈｖ３５０以上の硬質陽極酸化皮膜を形成する方法、およびその硬質陽極酸化皮膜形成用のアルミニウム合金に関するものである。」（【０００１】）
（１ｂ）「【０００６】また前述のような低温法によって硬質陽極酸化皮膜を形成した場合、低温で酸化皮膜が成長する際に体積膨張が生じるため、皮膜中に微小なクラック（ひび割れ）が発生することを避け得ない。そしてこのように皮膜に微小なクラックが存在する材料を例えば摺動部品に使用した場合には円滑な摺動運動が妨げられることがあり、またクラックの部分が腐食発生の起点となるため耐食性が低下してしまうなど、硬質陽極酸化皮膜としての本来の機能を充分に発揮できなくなる問題がある。さらに前述のように皮膜中の微小なクラックは耐熱性にも悪影響を与える。すなわち、本来陽極酸化皮膜は硬質であるほどクラックが生じやすいが、前述のように微小なクラックが生じた陽極酸化皮膜が１５０℃程度以上の高温に曝されれば、いわゆるヒートショックによりクラックが急激に成長し、機械的性質が低下するばかりでなく、電気絶縁性などの電気的特性が劣化するとともに、耐食性などの化学的特性も悪化するなど、種々の問題が生じる。」（【０００６】）
（１ｃ）「【０００９】この発明は以上の事情を背景としてなされたもので、皮膜の厚み方向に均一な高硬度を有する硬質陽極酸化皮膜を、特に大きなコスト上昇を招くことなく形成することができ、しかも陽極酸化処理時に微小クラックが生じるおそれが少ないとともに陽極酸化処理後のクラックの発生、成長も少ない硬質陽極酸化皮膜を形成する方法を提供することを目的とするものである。」（【０００９】）
（１ｄ）「【００１９】一般に陽極酸化皮膜の生成過程では、アルミニウム合金材料の表面から多数のポアが生成され、そのポアのアルミニウム合金材料内部への成長に伴なって酸化皮膜の成長（皮膜厚みの増大）が進む。この過程において、従来一般のアルミニウム合金の場合には、後述する図２、図３に示すようにポアは表面に対しほぼ垂直に成長して行き、ポア構造が整列構造となるが、この発明の場合には、硫酸電解浴に対し不溶性もしくは難溶性の微細な金属間化合物もしくは金属粒子が分散しているため、後述する図１に示すように、その金属間化合物もしくは金属粒子を避けるように屈折しかつ細かく枝分かれしながらポアの成長が進行し、非整列化されたポア構造となる。このようにポアが屈折しかつ細かく枝分かれした非整列ポア構造では、クラックが生じにくくなるともに、仮にクラックが発生してもその伝播、成長が微細に枝分かれしたポアによって阻止され、その結果、総合的にクラックの発生、成長のおそれが少なくなる。」（【００１９】）
（１ｅ）「【００２４】・・・。そして、前述のように硫酸電解浴に実質的に溶解しない金属間化合物もしくは金属粒子の存在とそれに伴なうポア構造の非整列化によって膜厚方向に均一に高い硬度が得られるところから、電解浴の温度を常温付近の相対的に高い温度としても、また電解浴の硫酸濃度を高めて浴の導電度を大きくしても高い硬度が得られることになる。」（【００２４】）
（１ｆ）「【００２５】・・・。また金属間化合物もしくは金属粒子の分布密度が１×１０4個／ｍｍ2未満でも前述のような効果が得られないから、１×１０4個／ｍｍ2以上の分布密度とする必要がある。」（【００２５】）
　
２−３．引用例記載発明
　引用例１には、摘記事項（１ａ）によると、この発明のアルミニウム合金材料は「硬さや耐摩耗性が要求される部材として使用される」ことが記載されている。
　引用例１には、摘記事項（１ｅ）によると、この発明の場合は、アルミニウム合金材料に、ポアが、金属間化合物もしくは金属粒子を避けるように屈折しかつ細かく枝分かれした非整列ポア構造の陽極酸化皮膜を形成することが記載されている。
　引用例１には、摘記事項（１ｂ）によると、「ヒートショックによるクラックが急激に成長し、機械的性質が低下、耐食性も悪化する」という耐熱性への悪影響というヒートショックによるクラックに由来する問題が記載され、摘記事項（１ｃ）によると、この発明は、該クラックに由来する問題を解決するためのものであることが記載されている。
　
　よって、引用例１には、（１ａ）〜（１ｆ）の記載を総合すると、「ヒートショックによるクラックが急激に成長し、機械的性質が低下、耐食性も悪化するという耐熱性への悪影響という問題を解決するため、アルミニウム合金材料に、ポアが、金属間化合物もしくは金属粒子を避けるように屈折しかつ細かく枝分かれした非整列ポア構造の陽極酸化皮膜を形成する、硬さや耐摩耗性が要求される部材」（以下、「引用例記載発明」という。）が記載されている。
　
２−４．本願補正発明２と引用例記載発明との対比判断
　本願補正発明２は、「分岐および／または結合」、「分岐部および／または結合部」のうち、それぞれ「分岐」、「分岐部」のみを選択した場合である、「ＡｌまたはＡｌ合金基材表面に、陽極酸化皮膜が形成されてなる陽極酸化皮膜被覆部材において、前記陽極酸化皮膜は、複数のセルまたはポアが分岐した部分が均一に分散しており、且つこれらの分岐部がセルまたはポア１０本につき皮膜厚２μｍ相当で５ヶ所以上存在するものであることを特徴とする耐熱割れ性および耐食性に優れた半導体製造装置用陽極酸化皮膜被覆部材。」（以下、「本願補正発明２の一態様」という。）を含むので、以下、本願補正発明２の一態様と、引用例記載発明とを対比する。
　
　本願明細書段落【００１６】の「本発明で規定する要件を満足する交直重畳法によって陽極酸化皮膜を形成したものでは、陽極酸化皮膜を構成しているセル同士および／またはポア同士が融合して枝分かれした構造になったり」との記載を見るまでもなく、引用例記載発明における「枝分かれ」は、本願補正発明２の一態様における「分岐」に相当する。
　
　なお、平成１９年６月２５日付意見書（５−８）において、出願人は、引用例１は、所定量のＦｅ（０．２〜２．０％）を含有させるものであって、引用例１記載の「枝分かれ」は、上記所定量のＦｅによって生成させるものであり、また、本願における「分岐部」は、その素材に如何に係わらず、陽極酸化処理条件を適切に設定することによって形成するものであるから、引用例１記載の「枝分かれ」が、本願補正発明２の一態様における「分岐部」に相当するかどうかは、全く不明である旨の主張を行うとともに、該主張の例示として、表１の１０５０系Ａｌを用いたＮｏ．１と１４など、組成として同一のものを用いても、陽極酸化皮膜形成条件によって希望する被膜構造が得られる場合と、得られない場合があることを挙げている。
　しかしながら、本願補正発明２の一態様には、「分岐部」の形成手段が、素材の組成に起因するものであるか、陽極酸化処理条件に起因するものであるか、といった点については何ら限定がない。よって、本願補正発明２の一態様にいう「分岐部」が、所定量のＦｅによって生成させるものではなく、陽極酸化処理条件を適切に設定して得られた「分岐部」であること、を前提とする主張は、特許請求の範囲の記載に基づかない主張であって、到底採用できない。
　また、本願明細書表１Ｎｏ．１記載の合金番号１０５０は、ＪＩＳ　Ｈ４０００の表２によれば、Ｆｅについて、０．４０％以下の含有を許容するものであるので、本願補正発明２の一態様における「分岐部」も、上記「所定量のＦｅ（０．２〜２．０％）」を含有させている態様を含むことになることからも、引用例１が「所定量のＦｅ（０．２〜２．０％）」を含有させていることに基づく相違がある旨の、出願人の主張は採用できない。
　
　また、引用例記載発明における「部材」は、アルミニウム合金材料に、陽極酸化皮膜を形成するものであるから、本願補正発明２の一態様における「ＡｌまたはＡｌ合金基材表面に、陽極酸化皮膜が形成されてなる陽極酸化皮膜被覆部材」に相当する。
　また、引用例記載発明における、「ヒートショックによるクラックが急激に成長し、機械的性質が低下、耐食性も悪化するという耐熱性への悪影響という問題を解決する」こととは、本願補正発明２の一態様における「耐熱割れ性及び耐食性に優れる」こと、であるといえる。
　
　よって、両者は、「Ａｌ合金基材表面に、陽極酸化皮膜が形成されてなる陽極酸化皮膜被覆部材において、前記陽極酸化皮膜は、複数のポアが分岐した部分を有する、耐熱割れ性及び耐食性に優れる陽極酸化皮膜被覆部材。」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
　相違点（イ）分岐等の分散の態様について、本願補正発明２の一態様は、「均一に分散」しているのに対して、引用例記載発明は、そのような限定がない点。
　相違点（ロ）分岐等の個数について、本願補正発明２の一態様は、「セルまたはポア１０本につき皮膜厚２μｍ相当で５カ所以上存在する」のに対して、引用例記載発明は、そのような限定がない点。
　相違点（ハ）用途について、本願補正発明２の一態様は、「半導体製造装置用」であるのに対して、引用例記載発明は、そのような限定がない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　相違点（イ）について
　引用例１には、摘記事項（１ｅ）によると、「ポア構造の非整列化によって膜厚方向に均一に高い硬度が得られる」と記載されており、非整列化によって得られた硬度という効果が、膜厚方向に均一なのであるから、引用例記載発明での、「枝分かれした非整列ポア構造」における、非整列化をもたらす、枝分かれは、膜厚方向に均一に分散していると考えられる。よって、該点に基づく実質的差異はない。
　
　相違点（ロ）について
　引用例１摘記事項（１ｄ）においていうように、細かく枝分かれした構造であるために、クラックが生じにくいのであるから、枝分かれをより細かく、言い換えれば分岐の数を多く、することの示唆がある。
　また、引用例１摘記事項（１ｆ）には効果を得るべく、金属間化合物粒子などの個数を下限値以上とすることが記載されている。
　引用例１摘記事項（１ｄ）においていうように、枝分かれは、金属間化合物などを避けるように屈折することによって生じるから、分岐の個数と金属間化合物などの個数との間には、相関関係があると考えられる。
　よって、分岐の数を特定下限値以上とすることの示唆がある。
　上記各示唆に基づき、分岐の個数を好適化することは、当業者の通常の創作能力の発揮である。
　なお、この出願の明細書段落【００３０】に、枝分かれ構造が記載されている、と記載された図４は、写真がきわめて不明瞭であるため分岐が存在するかどうかも不明であるので、分岐の個数も不明である。また、表１にも、具体的な枝分かれ個数を記載した実施例が無く、分岐の個数限定は技術的裏付けを欠く。技術的裏付けを欠く分岐の個数限定には、臨界的意義がない。
　よって、相違点（ロ）は当業者が容易に想到しうるものである。
　
　相違点（ハ）について
　半導体製造装置用部材にアルミニウムを用いるにあたり、耐食性を考慮して、陽極酸化処理を行うことは、次の諸例に示されているように本願出願前周知の事項（周知例１の摘記事項（周知例１−ａ）（周知例１−ｂ）、周知例２の摘記事項（周知例２−ａ）（周知例２−ｂ）、周知例３の摘記事項（周知例３−ａ）参照。）である。
　 
周知例１：特開平５−１１４５８２号公報
（周知例１−ａ）「【０００２】【従来の技術】半導体ウエハの処理工程において、粒子レベルあるいは原子、分子レベルの汚染物質がウエハ内に混入することを避けることは重要な課題の一つであり、このためエッチングなどの真空処理を行う装置においても、搬送系、ガス供給系、または構成部品の材質といった種々の面から対策が講じられている。例えばエッチング装置では、通常真空室の内壁面にアルマイト処理が施されていて酸化皮膜（酸化アルミニウム皮膜）が形成されており、・・・」（【０００２】）
（周知例１−ｂ）「【０００８】・・・。このため下地の例えばアルミニウム板が酸化皮膜によって完全に保護され、真空室やロードロック室の内壁面の腐食が抑えられるので、高真空状態におかれても金属粒子の飛散を防止できる。」（【０００８】）
　
周知例２：特開平３−７２０９８号公報
（周知例２−ａ）「産業上の利用分野
　この発明は、ＭＢＥ装置、ドライエッチング装置およびＣＶＤ装置等の半導体製造装置や、イオンプレーティング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置等の薄膜製造装置に使用されるアルミニウム製真空チャンバ、シュラウド、電極等として使用される真空用アルミニウム材の製造方法に関する。」（1頁右下欄７〜１４行）
（周知例２−ｂ）「そこで、上記腐食の問題を解決するために、真空用アルミニウム材の表面に、硫酸電解液中で陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜を形成していた。」（２頁左上欄１３〜１６行）
（周知例２−ｃ）「この加熱脱ガス処理のさいに陽極酸化皮膜にクラックが発生し、耐食性が低下するという問題がある。」（２頁左上欄１９行〜右上欄１行）
　
周知例３：特開平９−３０２４９９号公報
（周知例３−ａ）「【０００３】アルミニウムまたはアルミニウム合金材を用いた場合には、半導体のエッチングなどに用いる各種ガスに対する耐食性を持たせるため、上記アルミニウム材に電解液中で陽極酸化処理を施してその表面に予め陽極酸化皮膜を形成しておくことが提案されている。・・・」（【０００３】）
　
　上記において検討したように引用例記載発明は、耐食性に優れるものであるので、該用途への転用は、自明な選択である。
　なお、周知例２の摘記事項（２−ａ）、（２−ｃ）には、半導体製造装置用部材にアルミニウムを陽極酸化処理する場合に、「加熱脱ガス処理のさいに陽極酸化皮膜にクラックが発生し、耐食性が低下するという問題がある」ことが記載されている。上記、加熱脱ガス処理のさいに発生する「クラック」とは、ヒートクラックといえるから、「ヒートショックによるクラックが急激に成長し、機械的性質が低下、耐食性も悪化するという耐熱性への悪影響という問題を解決する」引用例記載発明を、半導体製造装置用部材に適用することによる効果も、当業者が予期しうるものである。
　
　そして、本願補正発明２による効果も、引用例１の記載から予測することができる程度のものであって、格別顕著なものではない。
　
　したがって、本願補正発明２の一態様は、引用例１に記載された発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明２の一態様を含む本願補正発明２も、引用例１に記載された発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
III．むすび
　上記２−４．に記載したとおり、本願補正発明２は、引用例１に記載された発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。