【事件の表示】
　特願２００１−２４３１２０「スパッタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２６日出願公開、特開２００３−　５５７５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第一　手続の経緯  
　本件審判に係る出願は、平成１３年８月１０日に出願されたものであって、その願書に添付した明細書又は図面についての平成１９年６月１１日付け手続補正がなされた後、平成１９年７月６日付けで拒絶査定されたものである。  
　この拒絶査定を不服として、平成１９年８月１５日付けで、本件審判は請求されたものであって、上記明細書についての平成１９年９月１１日付けで手続補正がなされた。  
　
第二　本願発明について 
１．本願発明 
　本願発明は、平成１９年９月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。 
　
「粉体比表面積が０．４ｍ２／ｇ（ＢＥＴ法）以上、酸素含有量３６０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下のタングステン粉末を用い、温度１６００℃以上、加圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２以上でホットプレスし、次いで温度１７００℃以上、加圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２以上で熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）することを特徴とする、相対密度が９９％以上、抗折力が５００ＭＰａ以上であるスパッタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法。」
　
２．原査定の理由の概要  
　原査定の理由の内の理由３の概要は、以下とおりである。  
　　　　　　　　　　　　　　　理　由
　この出願の請求項１〜６に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記　　　
　　１．特開２００１−９８３６４号公報
　
３．当審の判断  
（１）刊行物の記載事項と引用発明 
　引用文献１には、以下の事項が記載されている（以下、明瞭化のため適宜下線を引いた。）。  
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等のゲート電極あるいは配線材料等をスパッタリング法によって形成する際に用いられる
タングステンターゲット及びその製造方法
　
「【０００３】・・・しかし、前記の電子ビーム溶解法あるいはタングステン粉末を加圧焼結後圧延する方法で製造したタングステンターゲットは、結晶粒が粗大化し易いため
機械的に脆く
パーティクル欠陥が発生しやすい
　
「【０００５】
【課題を解決するための手段】通常、粉末冶金法では使用する粉体の粒度が微細なものほど、すなわち比表面積の大きなものほど
焼結性が向上
スパッタリング用タングステンターゲットを
製造する
　
「【０００７】・・・本発明者らはメタタングステン酸アンモニウムを出発原料として用い、高純度化精製を行って得た純度５Ｎ以上のタングステン酸結晶を水素還元する際の水素ガス供給量と反応生成ガスの除去速度を速めることにより、比表面積が０．４ｍ２／ｇから１．４ｍ２／ｇのタングステン粉末を作製した。」
　
「【０００９】
【実施例および比較例】
　・・・
（実施例）比表面積
０．４２ｍ
２
／ｇ
加圧力２００ｋｇ／ｃｍ
２
、温度１６００°Ｃ
１８００°Ｃ、 １５００ｋｇ／ｃｍ
２
ＨＩＰ処理
表１
　
　上記表１には、上から１または３行目の実施例（以下「表１の１、３行の実施例」という。）として、比表面積０．４２または０．６２ｍ２／ｇのタングステン粉を用い、ＨＩＰ後の相対密度９９．０％または９９．２％、酸素量（ｐｐｍ）＜２０、スパッタリングした膜上のパーティクル数が、０．０７または０．０５（個／ｃｍ２）であることが記載されている。
　
　上記段落０００９の（実施例）と表１の１、３行の実施例の記載を整理すると、引用文献１には、　
「比表面積が０．４２または０．６２ｍ２／ｇのタングステン粉を用い、加圧力２００ｋｇ／ｃｍ２、温度１６００°Ｃでホットプレスし、次いで１８００°Ｃ、 １５００ｋｇ／ｃｍ２で、ＨＩＰ処理し、得た物の相対密度が９９０．％または９９．２％であるスパッタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法。」が記載されている（以下「引用発明」という。）。
　
（２）対比・判断
　上記引用発明と本願発明は、以下の点で一致し、以下の点で相違する。 
（一致点）
「粉体比表面積が０．４ｍ２／ｇ（ＢＥＴ法）以上のタングステン粉末を用い、温度１６００℃以上、加圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２以上でホットプレスし、次いで温度１７００℃以上、加圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２以上で熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）することを特徴とする、相対密度が９９％以上であるスパッタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法。」
　
（相違点１）本願発明は、「酸素含有量３６０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下のタングステン粉末」を用いたのに対して、
　引用発明は、用いたタングステン粉末の酸素含有量につき不明の点。
　
（相違点２）本願発明は、「抗折力が５００ＭＰａ以上であるスパッタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法」であるのに対して、
　引用発明は、ターゲットの抗折力につき不明の点。
　
　以下、相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用発明で用いられる原料粉のタングステン粉製造方法（段落０００７）は、出発原料、純度等、本願発明で用いられる原料粉のタングステン粉製造方法（段落０００７）と全く同一である。
　また、作製された粉末の比表面積も本願発明の実施例（表１の実施例１、２参照）と同一である。
　さらに、ＨＩＰ後の酸素量（ｐｐｍ）＜２０の点でも、上記本願発明の実施例（表２の１、３行目の実施例参照）と同一であり、この酸素量に至る製造過程における酸素の出入りにつき、引用文献１の製造方法と本願発明の製造方法とに違いは認められない。
　したがって、上記両者のタングステン粉末の酸素含有量も同一と認められる。
　なお、この点につき、原審の拒絶理由の（理由３について）において、釈明を求めたが、出願人から上記判断を覆す客観的根拠が示されていない。
　
　したがって、引用発明においても、「酸素含有量３６０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下のタングステン粉末」を用いると言え、本願発明と同一と認める。
　
（相違点２について）
　引用発明は、ターゲットの脆さ、パーティクル欠陥の課題解決のため、焼結性を向上し、高密度のターゲットとするものである（段落０００３、０００５）。
　そして、脆さをなくし、焼結性を向上し高密度にした焼結体は、粉末粒子同士を高密度に焼結しているから、抗折力が高くなることは明白であり、引用発明のターゲットも抗折力が高くなっていると言える。
　
　本願発明も、ターゲットの脆さ、パーティクル欠陥の課題解決のため、焼結性を向上し、高密度のターゲットとし、抗折力を高めるものである（本願明細書段落０００３、０００４）。
　
　そして、前記（相違点１について）に示すとおり、引用発明と、本願発明で用いられる原料粉体の製造方法、酸素量の点につき、同一と認められ、引用発明と、本願発明の焼結性を向上し、高密度に焼結するための製造条件も上記（一致点）のとおり一致する。
　
　そして、引用発明の表１の１、３行の実施例と、本願明細書の表１の上から１または３行目の実施例において製造されたターゲットの特性（相対密度、平均粒径）、及び当該ターゲットを用いてスパッタリングした膜の特性（パーティクル数）も同一である。
　
　してみると、引用発明と本願発明とは、目的、原料粉体の製造方法、ターゲット製造条件が同一と言えるから、製造されたものが同一と言える。
　してみれば、引用発明のターゲットの抗折力も、本願発明のものと同一と認められる。
　 
（３）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。