【事件の表示】
　平成　８年特許願第３１９７７７号「磁気光学効果を利用した光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月１９日出願公開、特開平１０−１６１０７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　
　本願は、平成８年１１月２９日の出願であって、平成１６年７月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年８月２６日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされ、その後、前置審査において、同年１１月１８日付けの拒絶理由通知により拒絶の理由が通知され、平成１７年１月３１日付けで手続補正がなされたものである。そして、その請求項に係る発明は、平成１７年１月３１日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
　「【請求項１】
　入力ビームを反射させて反射ビームにするリフレクタと、
　上記入力ビーム及び上記反射ビームが通過するように設けられる磁気光学結晶と、
　第１の磁界を該入射ビームおよび該反射ビームに実質的に平行な第１の方向で上記磁気光学結晶に印加する第１および第２の永久磁石と、第２の磁界を上記第１の方向とは異なる第２の方向で上記磁気光学結晶に印加する電磁石を含む第１の手段と、
　制御信号に基づき上記第２の磁界を変化させる第２の手段とを備え、 
　該リフレクタは、該第１の永久磁石と該磁気光学結晶の間に介在し、該第２の永久磁石は該入力ビームおよび該反射ビームが貫通する開口を有する
光デバイス。」
　
　なお、請求項１には「該第２の永久磁石は該入力ビームおよび該反射ビームを貫通する開口を有する」と記載されているが、永久磁石の開口がビームを貫通するとの事項は技術的に理解することができず、かつ、本願明細書の段落００８４には「開口を・・・ビーム・・が貫通する」と記載されているから、上記請求項１に記載の「該第２の永久磁石は該入力ビームおよび該反射ビームを貫通する開口を有する」は「該第２の永久磁石は該入力ビームおよび該反射ビームが貫通する開口を有する」の誤記であると認め、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）を上記のように認定した。 
　
２．刊行物記載の発明
　
（１）引用例１
　これに対して、前置審査における、平成１６年１１月１８日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の出願日前公知の刊行物である、特開平６−５１２５５号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  光の伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶(1) と、
該磁気光学結晶(1) の上記光の伝搬方向下流側に設けられ、特定の偏光方向の光を通過させる偏光子(2) と、
互いに異なる方向の第１及び第２磁界を合成磁界の強さが所定値を超えるように上記磁気光学結晶(1) に対して印加する磁界印加手段(3) と、
上記第１及び第２磁界の強さの少なくとも一方を変化させる磁界調整手段(4)とを備えたことを特徴とする光アッテネータ。
【請求項２】  上記第１及び第２磁界は上記光の伝搬方向を含む平面内の互いに直交する方向に印加されることを特徴とする請求項１に記載の光アッテネータ。
【請求項３】  上記磁界印加手段(3) は上記第１及び第２磁界をそれぞれ印加する電磁石及び永久磁石であり、上記磁界調整手段(4) は上記電磁石を駆動する電流を調整することを特徴とする請求項２に記載の光アッテネータ。
【請求項４】  上記第２磁界は上記光の伝搬方向と平行に印加されることを特徴とする請求項３に記載の光アッテネータ。」、
「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光アッテネータは、光の伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶と、該磁気光学結晶の上記光の伝搬方向下流側に設けられ、特定の偏光方向の光を通過させる偏光子と、互いに異なる方向の第１及び第２磁界を合成磁界の強さが所定値を超えるように上記磁気光学結晶に対して印加する磁界印加手段と、上記第１及び第２磁界の強さの少なくとも一方を変化させる磁界調整手段とを備える。」、
「【００１５】本発明によると、合成磁界の強さが所定値を超えるように磁界印加手段３が磁気光学結晶１に対して第１及び第２磁界を印加するようにしているので、磁気光学結晶１における磁化の強さを常に飽和させておくことができ、多数の磁区の存在による上記不都合を排除することができる。尚、磁気光学結晶において磁化の強さが飽和した状態は、磁区が一つになった状態として理解することができる。
【００１６】また、本発明の構成によると、磁界調整手段４により第１磁界の強さ及び第２磁界の強さの少なくとも一方を変化させるようにしているので、これにより第１及び第２磁界の合成磁界の方向を変えることができる。合成磁界の方向が変わると、これに伴い磁気光学結晶１における磁化の方向も変わり、その結果、磁化の強さが飽和して一定であるにもかかわらず、磁化の強さの光伝搬方向の成分が変わり、結局磁気光学結晶１におけるファラデー回転角が変化するのである。」、
「【００２１】永久磁石１４により磁気光学結晶１３に印加される磁界の方向は磁気光学結晶１３における光ビーム１７の透過方向と平行であり、電磁石１５により磁気光学結晶１３に印加される磁界の方向は磁気光学結晶１３における永久磁石１４による磁界印加方向及び光ビーム１７の透過方向に垂直である。」、
「【００２３】永久磁石１４及び電磁石１５による合成磁界の強さは、磁気光学結晶１３における飽和磁界よりも常に大きくなるように設定される。その理由は前述した通りである。また、可変電流源１６の可変範囲は、磁気光学結晶１３から出射する光の偏光方向を、この光アッテネータの光出力の偏光方向に一致する方向と該方向に直交する方向の間で調整し得るような範囲に設定される。」、及び、
「【００３４】本実施例によると、最大透過率から最小透過率の全範囲にわたって常に磁気光学結晶１３には飽和磁界が印加されているので、磁気光学結晶１３に多数の磁区が形成されることに起因する不都合が生じない。また、最大透過率から最小透過率までの全範囲について電気的な調整が可能であるので、応答性が良好で且つ信頼性の高い光アッテネータの提供が可能になる。」
　
　上記記載から、引用例１には「光ビーム（１７）の伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶（１，１３） と、互いに異なる方向の第１及び第２磁界を合成磁界の強さが所定値を超えるように上記磁気光学結晶に対して印加する電磁石（１５）及び永久磁石（１４）である磁界印加手段（３）と、上記電磁石を駆動する可変電流源（１６）電流を調整して上記第１磁界の強さを変化させる磁界調整手段（４）とを備え、上記第２磁界は上記光ビームの伝搬方向と平行に印加される光アッテネータ」の発明（以下「引用例１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例２
　同じく特開平４−１９１８１５号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　ア．「（１）板状であってその面に垂直な方向に磁化された磁石と、全反射ミラーと、ファラデー回転子と、偏光子を、直接或いは間接にこの順番で層状に積層して一体化するとともに、光の入射方向に対してその面を所定角度傾斜せしめて設置したことを特徴とする光アイソレータ。」（１頁下左欄５〜１０行）、
　イ．「板状の磁石がファラデー回転子に飽和磁界を印加する。・・・・この光アイソレ−タの構造は簡単でその製造も容易である。・・・光アイソレータ１は、平板状の磁石２の一方の面上に全反射ミラー３を形成し、その上にファラデー回転子４を載せ、・・・・これらを一体に固定することによって構成されている。・・・・磁石２はその平面に垂直な方向、即ち磁石２の厚み方向に磁化されている。この実施例においては全反射ミラー３を設けた側の面をＮ極とし、反対側の面をＳ極としているが、どちらでもかまわない。。全反射ミラー３は、誘電体多層膜等によって構成されている。なおこの全反射ミラー３は磁石２上に形成する代わりに、ファラデー回転子４上に形成しても良い。」（２頁下左欄最下行〜３頁上左欄７行）、
　ウ．「そして該入射光はファラデー回転子４によってその偏波面が２２．５°回転され、その後、全反射ミラー３によって全反射され、再びファラデー回転子４でその偏波面が２２．５°回転される。」（３頁下左欄１５〜１８行）及び、
　エ．「各光学部品を積層するたけで構成できるので、小型化が図れ、アッセンブル等の調整が不要な為その製造も容易となる。」（６頁上右欄１２〜１４行）
　
（３）引用例３
　また、同じく特開平７−１９９１３７号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
　「【００４１】４．マルチパス変調器
次に図４により、本発明によるファラデー回転子３０２を変調器４００中に使う例を説明する。変調器４００は、出力光ファイバ３１２に入る前に光信号３２２がファラデー回転子３０２を通る２つのパスをつくることを可能にする。図４において、光反射器４０２がファラデー回転子３０２の一方の側に置かれている。入力光ファイバ３１０および出力光ファイバ３１２は、ファラデー回転子３０２の他方の側に互いに近接させて配置される。入力光ファイバ３１０、光反射器４０２、および出力光ファイバ３１２は、互いに傾けられており、光軸３０６に対して傾けられていて、入力光ファイバ３１０から入力された光信号３２２はファラデー回転子３０２をある角度で通り、光反射器４０２に突き当たって、出力光ファイバ３１２に戻る。
【００４２】光信号３２２は光反射器４０２で反射されて、ファラデー回転子３０２に反対方向に入る。従って、光信号３２２は、入力光ファイバ３１０から光反射器４０２へファラデー回転子３０２を通過するときに、第１の回転を経験する。そして、光信号３２２は、光反射器４０２から出力光ファイバ３１２へファラデー回転子３０２を通過するときに、第２の回転を経験する。ファラデー回転子３０２は非相反であるので、光信号が経験する第２の回転は第１の回転に累積的となる。従って、出力光ファイバ３１２に入る光信号は、図３の変調器３００と比較して、光ファイバ出力における偏光回転は２倍になる。これは、特定の回転量に対して、半分のファラデー回転材料を必要とするか、または必要とする磁界が対応して小さくなる結果となる。
【００４３】本発明の好ましい実施例においては、光反射器４０２は多層誘電体ミラー、または金のような反射材料からできたものとすることができる。しかし、光反射器４０２として、他のタイプの平面ミラーを使用することもできる。ファラデー回転子３０２の同じ側に入力光ファイバ３１０および出力光ファイバ３１２をともに置き、ファラデー回転子３０２の他方の側に光反射器４０２を置くようにしているので、この変調器４００の構成はシングルエンド・デバイスと呼ばれている。」
　
３．対比 
　
 　本願発明と引用例１発明とを対比する。 
　
（１）引用例１発明における「光ビームの伝搬経路内に設けられた磁気光学結晶 」、「第２磁界を上記光ビームの伝搬方向と平行に上記磁気光学結晶に対して印加する永久磁石」、「第２磁界との合成磁界の強さが所定値を超えるように第２磁界と異なる方向の第１磁界を上記磁気光学結晶に対して印加する電磁石」、「磁界印加手段」及び「光アッテネータ」は、それぞれ、本願発明における「ビームが通過するように設けられる磁気光学結晶」、「第１の磁界をビームに実質的に平行な第１の方向で上記磁気光学結晶に印加する永久磁石」、「第２の磁界を上記第１の方向とは異なる第２の方向で上記磁気光学結晶に印加する電磁石」、「第１の手段」及び「光デバイス」に相当する。
　
（２）引用例１発明の磁界調整手段は、何らかの制御信号に基づき可変電流源電流を調整していることは当業者に自明であるから、引用例１発明における「上記電磁石を駆動する可変電流源電流を調整して上記第１磁界の強さを変化させる磁界調整手段」は、本願発明における「制御信号に基づき上記第２の磁界を変化させる第２の手段」に相当する。
　
（３）したがって、本願発明と引用例１発明とは、「ビームが通過するように設けられる磁気光学結晶と、第１の磁界を該ビームに実質的に平行な第１の方向で上記磁気光学結晶に印加する永久磁石と、第２の磁界を上記第１の方向とは異なる第２の方向で上記磁気光学結晶に印加する電磁石を含む第１の手段と、制御信号に基づき上記第２の磁界を変化させる第２の手段とを備える光デバイス」である点で一致し、次の２点で相違する。 
 　 
［相違点１］
　本願発明においては、上記光デバイスが「上記永久磁石と上記磁気光学結晶の間に介在し、入力ビームを反射させて反射ビームにするリフレクタ」を備え、上記磁気光学結晶を通過するビームが「上記入力ビーム及び上記反射ビーム」であるのに対して、引用例１発明においてはリフレクタを備えていない点。
　
［相違点２］
　上記永久磁石が、本願発明においては「第１および第２」の２つの永久磁石からなっており、「該第２の永久磁石はビームが貫通する開口を有する」のに対して、引用例１発明においては、２つにはなっておらず、ビームが貫通する開口も有していない点。
　
４．判断
　
（１）上記相違点１について検討する。
　
ア．引用例２に記載の事項と本願発明とを対比すると、引用例２に記載の事項の「磁石」、「全反射ミラー」、「ファラデー回転子」、「光」及び「光アイソレータ」は、それぞれ、本願発明の「永久磁石」、「リフレクタ」、「磁気光学結晶」、「ビーム」及び「光デバイス」に相当する。
　
イ．引用例２には、磁石と、全反射ミラーと、ファラデー回転子を、この順番で層状に積層する事項（上記２．（２）ア．参照。）、即ち、永久磁石と、リフレクタと、磁気光学結晶を、この順番で層状に積層する事項、及び「入射光はファラデー回転子４によってその偏波面が２２．５°回転され、その後、全反射ミラー３によって全反射され、再びファラデー回転子４でその偏波面が２２．５°回転される。」（上記２．（２）ウ．参照。）が記載されているから、本願発明の「上記永久磁石と上記磁気光学結晶の間に介在し、入力ビームを反射させて反射ビームにするリフレクタ」を光デバイスに備える点は引用例２によって公知である。
　
ウ．引用例３には、「ファラデー回転子は非相反であるので、ファラデー回転子の同じ側に入力光ファイバおよび出力光ファイバをともに置き、ファラデー回転子の他方の側に光反射器を置くようにしている構成のシングルエンド・デバイスでは、入力光ファイバから入力された光はファラデー回転子を通り光反射器に突き当たって反射され、ファラデー回転子に反対方向から入り、出力光ファイバに戻ることにより、光信号が経験する偏光回転は２倍になる。これは、特定の回転量に対して、半分のファラデー回転材料を必要とするか、または必要とする磁界が対応して小さくなる結果となる。」旨記載されており（上記２．（３）参照。）、引用例２には、「各光学部品を積層するたけで構成できるので、小型化が図れ、アッセンブル等の調整が不要な為その製造も容易となる。」と記載されている（上記２．（２）エ．参照。）。
　
エ．したがって、ファラデー回転材料（磁気光学結晶材料）の必要量を少なくする、必要とする磁界を小さくする、製造を容易にする等の技術課題や、それらの解決のためにミラー等を採用することは引用例２、３の記載事項のとおり公知であるから、これらを動機として、引用例１発明に引用例２により公知である「上記永久磁石と上記磁気光学結晶の間に介在し、入力ビームを反射させて反射ビームにするリフレクタ」を設けることにより、入力ビームに加え反射ビームも磁気光学結晶を通過するシングルエンド・デバイスとすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（２）上記相違点２について検討する。
　ファラデー回転子（磁気光学結晶）に磁界を印加するための永久磁石を、ファラデー回転子を光ビームが通過する方向に関してファラデー回転子の前後に配置し、かつ、光ビームが永久磁石を通過できるように永久磁石の該当箇所に開口を設けたものは本願出願前に周知である（例．特開昭６３−１２３０１４号公報（４頁上右欄１行〜１６行、第７図参照。）、特開平５−１５７９９０号公報（磁石４，５に注目。）、特開平８−２９７３１号公報（２個の磁石１５に注目。））。
　そして、引用例１発明の第２磁界を磁気光学結晶に対して印加する永久磁石にこの周知技術を採用して、永久磁石を２つの永久磁石から構成し、磁気光学結晶を光ビームが通過する方向に関して磁気光学結晶の前後に配置し、光ビームが永久磁石を通過できるように永久磁石の該当箇所に開口を設けること、即ち、上記相違点２は、単なる周知技術の付加にすぎない。
　
（３）まとめ
　
　したがって、本願発明は、引用例１発明に引用例２に記載の公知技術及び上記周知技術を採用し、入力ビームに加え反射ビームも磁気光学結晶を通過するシングルエンド・デバイスとしたものであって、引用例１発明、引用例２、３に記載の事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
　しかも、本願発明によってもたらされる効果は、引用例１発明、引用例２に記載の公知技術及び上記周知技術の奏する効果と、引用例２、３に記載の事項から当業者が予測し得る程度のものにすぎない。 
　
　なお、請求人は平成１７年１月３１日付意見書において「可変光減衰器を偏光無依存とするためには、・・・・光可変減衰器を反射構成とする場合は、入射ビームと反射ビームとを実質的に平行とする必要がある。本願発明は、・・・・磁気光学結晶を用いた可変光減衰器を偏光無依存と・・・・できる。」旨主張している。
　しかし、本願の請求項１には、光デバイスが「可変光減衰器」であるとの特定はされていない。
　また、本願明細書で、「磁気光学結晶を用いた可変光減衰器を偏光無依存とする」との事項に関する記載は、段落００８１、００８２において、図３の従来技術と対比して説明されている。ここで図３の従来技術と対比されている実施態様は本願明細書の段落００６２〜００７９、図８及び図９に記載されている「偏光子として複屈折くさび板８２を用いている点で特徴付けられる可変光アッテネータ」の実施態様である。一方、段落００６１には、本願の図７の実施態様である可変光アッテネータは偏波依存性を有していると記載されている。すなわち、これらの記載からは、「磁気光学結晶を用いた可変光減衰器を偏光無依存とする」事項は、「偏光子として複屈折くさび板を用いている可変光アッテネータ」との発明特定事項を備えた発明において奏する作用効果であると解されるところ、本願の請求項１には「複屈折くさび板を用いている」との特定もされていない。
　よって、請求人の上記主張は請求項１に係る発明の範囲外の主張というべきであって、これを斟酌することはできない。
 　 
５．むすび
 　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例１〜３に記載の事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。