【事件の表示】
　特願２００２−３２７７０８「ガス加熱用セラミックスヒータ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１０日出願公開、特開２００４−１６４９３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１４年１１月１２日の出願であって、平成１８年　５月１５日付けで拒絶査定がなされ（平成１８年　５月２３日発送。）、これに対し、同年　６月２２日に審判請求がなされるとともに、同年　７月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１８年　７月１９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載された次の事項により特定されるものである（以下「本願発明」という。）。
　　
「有害ガスを加熱して分解するために使用するヒータであって、平板状のセラミックス基材と、セラミックス基材の両側表面に設けた発熱体と、該発熱体を被覆するセラミックス層又はガラス層とを備え、前記セラミックス基材の厚さが１ｍｍ以下であることを特徴とするガス加熱用セラミックスヒータ。」
　　
３．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−２７４１０３号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　　　
　ア「【請求項１】基材の厚みが５ｍｍ以下の半導体製造装置用ガスシャワー体であって、
複数の貫通孔を有するセラミックス焼結体基材と、前記セラミックス焼結体基材に形成された導電層とを備えた、半導体製造装置用ガスシャワー体。
　　【請求項２】前記導電層は、ヒーター回路パターンを形成する導電層を含む、請求項　１に記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　・・・（中略）・・・
　【請求項６】前記セラミックスは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群より選ばれた１種を含む、請求項１から請求項５までのいずれかに記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　　・・・（中略）・・・
　【請求項１６】前記導電層は前記セラミックス焼結体基材の一方の表面または両方の表面に形成され、前記導電層の表面を被覆するように保護層が形成されている、請求項１から請求項７までのいずれかに記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　【請求項１７】前記保護層はガラスを含む、請求項１６に記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　【請求項１８】前記保護層は、３．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃以下の熱膨脹係数を有するガラス層である、請求項１７に記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　【請求項１９】前記保護層は非酸化物セラミックスを含む、請求項１６に記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　【請求項２０】前記保護層は、３．０×１０−６／℃以上６．０×１０−６／℃以下の熱膨脹係数を有する非酸化物セラミックスを含む、請求項１９に記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　【請求項２１】前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含む、請求項１９または請求項２０に記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　【請求項２２】前記導電層は、タングステン、モリブデン、銀、パラジウム、白金、ニッケルおよびクロムからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む、請求項１から請求項２１までのいずれかに記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　【請求項２３】前記導電層は前記セラミックス焼結体基材内の平面に沿って形成され、さらに、前記導電層に接続するように前記セラミックス焼結体基材内の平面と同一の平面に沿って形成され、前記セラミックス焼結体から露出している外部接続端子を備える、請求項１から請求項２２までのいずれかに記載の半導体製造装置用ガスシャワー体。
　　・・・。」（特許請求の範囲【請求項１】、【請求項２】、【請求項６】、【請求項１６】〜【請求項２３】）
　　　
　イ「【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置用ガスシャワー体に関し、特にＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、エッチング装置、プラズマエッチング装置等の半導体製造装置において反応ガスを半導体ウェハに均一に供給するためのガスシャワー体に関するものである。」（段落【０００１】）
　　　
　ウ「・・・。また、ガスシャワー体に導電層としてヒーターを内蔵することによって、パーティクルの発生原因となるチャンバ部品に付着した積層膜のクリーニングを行なう低温から、ウェハ上への膜の積層を行なう高温までの加熱をスムーズに行ない、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。昇温と降温の時間の合計が１時間以内であるのが望まれていたが、ヒーターを内蔵することによって昇温時間を短縮し、薄型のガスシャワー体を構成することによって降温時間を短縮することができる。」（段落【００１６】）
　　　
　エ「この発明のガスシャワー体を構成する基材に用いられるセラミックスは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素または酸窒化アルミニウムのいずれか１種を含むのが好ましく、熱伝導率、耐食性の観点から、窒化アルミニウムを用いるのが最も好ましい。上記のようなセラミックスを用いることにより、ガスシャワー体の基材が耐熱性を備えるとともに、反応ガスに用いられる、たとえばハロゲンを含む腐食性のガスに対する耐食性も備えることができる。」（段落【００２０】）
　　　
　オ「また、この発明のガスシャワー体は、導電層がセラミックス焼結体基材の一方の表面または両方の表面に形成され、導電層の表面を被覆するように保護層が形成されることによって構成されてもよい。具体的な実施の形態としては、セラミックス焼結体基材としてセラミックス焼結体を１枚だけ用いて、このセラミックス焼結体の一方の表面に導電層をヒーター回路パターンとして形成し、導電層をハロゲン等の腐食ガスから保護するために、導電層の表面を耐食性の高い保護層、好ましくは非酸化物セラミックスからなる保護層で被覆するという構造で、ヒーター回路内臓のガスシャワー体を構成してもよい。また、セラミックス焼結体基材としてセラミックス焼結体を１枚だけ用いて、このセラミックス焼結体の一方の表面に導電層をヒーター回路パターンとして形成し、他方の表面に導電層をプラズマ上部電極として形成し、導電層をハロゲン等の腐食ガスから保護するために、セラミックス焼結体の両面に形成された導電層の表面を耐食性の高い保護層、好ましくは非酸化物セラミックスからなる保護層で被覆するという構造で、ヒーター回路とプラズマ上部電極を内蔵したガスシャワー体を構成してもよい。・・・。上記の接着層または保護層はガラスを含むのが好ましい。高温で高電圧を印加して用いられるガスシャワー体では、耐熱性、耐食性、耐電圧の観点から、上記の接着層または保護層は非酸化物セラミックスを含むのがさらに好ましい。この場合、熱伝導性や絶縁性の観点から、非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを５０質量％以上含むのが好ましい。」（段落【００２２】〜【００２３】）
　　
　カ「なお、ガスシャワー体１は、ヒーター回路パターンとプラズマ上部電極を兼ねる１つの導電層のみを内蔵するようにしてもよい。・・・」（段落【００３９】）
　
　キ「【実施例】
　（実施例１）窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてイットリア（Ｙ2Ｏ3）を５質量％とバインダを添加して分散混合した後に、焼結後に１．０ｍｍの厚みになるようにド
クターブレード法を用いて成形した。・・・（中略）・・・。得られたガスシャワー体の厚みは２．０ｍｍであった。」（段落【００５３】〜【００５５】）
　
　ク「得られたガスシャワー体１を図１に示すＣＶＤ装置の内部に組み込んだ。ウェハ保持体２の上に直径３００ｍｍのシリコンウェハ３を載せて温度７００℃に加熱した。一方、ガスシャワー体１のヒーター回路パターン１２に２００Ｖを印加してガスシャワー体１を６００℃に加熱した状態で反応ガスを貫通孔１１に通過させてシリコンウェハ３の表面上に供給した。・・・（中略）・・・。反応終了後、ガスシャワー体１のヒーター回路パターン１２への電源の供給を停止させると、ガスシャワー体１の温度は６００℃から室温まで１０分で到達した。また、ヒーター回路パターン１２に２００Ｖの電圧を印加して電源を供給したところ、ガスシャワー体１の温度は室温から６００℃まで６分で到達した。昇温および降温時においてガスシャワー体に割れ等は見られなかった。」（段落【００５６】）
　　
　ケ「（実施例４）窒化アルミニウム粉末に焼成助剤としてイットリア（Ｙ2Ｏ3）を３質量％と酸化カルシウム（ＣａＯ）を１質量％とバインダとを添加して分散混合した後、その混合粉末を、焼結後の厚みが１．０ｍｍになるようにドクターブレード成形した。・・・（中略）・・・。得られたガスシャワー体の厚みは２．０ｍｍであった。」（段落【００６５】）
　　
　以上の記載及び図面によれば、引用例には、
　反応ガスを加熱する半導体製造装置用のガスシャワー体であって、平板状のセラミックス焼結体基材の両方の表面に導電層を形成し、一方の導電層をヒーター回路パターンにするとともに、両方の導電層の表面に非酸化物セラミックスまたはガラスを含む保護層を形成したガスシャワー体（以下、「引用例発明」という。）が記載されている。
　
４．対比・判断
　本願発明と引用例発明とを対比すると、その機能からみて、引用例発明の「ガスシャワー体」は本願発明の「ガス加熱用セラミックスヒータ」に相当し、以下同様に「セラミックス焼結体基材」は「セラミックス基材」に、「ヒーター回路パターン」は「発熱体」に、「非酸化物セラミックスまたはガラスを含む保護層」は「セラミックス層又はガラス層」に、「形成」は「被覆」に、それぞれ相当する。
　　
　したがって、両者は、
　ガスを加熱するヒータであって、平板状のセラミックス基材と、セラミックス基材の一方の表面に設けた発熱体と、該発熱体及び他方の表面に設けた導電層の両方を被覆するセラミックス層又はガラス層とを備えたガス加熱用セラミックスヒータ
　の点で一致し、
　　　
　次のア〜ウの点で相違している。
　　
　相違点ア
　本願発明では、ガス加熱用セラミックスヒータは、有害ガスを加熱して分解するために使用するものであるのに対し、引用例発明では、ガス加熱用セラミックスヒータは、ガスを加熱するものである点。
  　　
　相違点イ
　本願発明では、セラミックス基材の両側表面に発熱体を設けているのに対し、引用例発明では、セラミックス基材の一方の表面に発熱体を設けている点。
　　　
  相違点ウ
　本願発明では、セラミックス基材の厚さを１ｍｍ以下としているのに対し、引用例発明では、該構成についての記載がない点。
　　
　そこで、上記相違点について検討する。
　　　
　まず、相違点アについて検討する。
　セラミックスヒータは、高温加熱が可能であって、ガス耐食性に優れていることは、従来良く知られたことであり、セラミックスヒータを用いて、有害ガスを加熱し分解することは、本願出願前周知の技術である（例えば、特開平１１−８２００号公報「半導体製造排ガスの除害方法と除外装置」における「セラミックヒータ」の記載、特開平１１−３３３４５号公報「半導体製造排ガスの除害装置」における「セラミックヒータ」の記載参照。）。
　
　そうすると、引用例発明記載のガス加熱用セラミックスヒータを、有害ガスを加熱して分解するために用いるようにした点は、当業者であれば、周知技術に基づいて、容易に想到し得たことである。
　　　
　次に、相違点イについて検討する。
　セラミックスヒータにおいて、セラミックス基材の両側表面に発熱体を設けることは、本願出願前周知の技術である（例えば、実願昭５０−１１７２４３号（実開昭５２−３１０５３号）のマイクロフィルム「発熱素子」における「発熱抵抗体５，６」についての記載、特開平２−７８１７４号公報「セラミックヒータ」における「略Ｕ字状パターンの電気抵抗体４１、４２」についての記載参照。）。
　　
　そうすると、引用例発明において、セラミックス基材の両側表面に発熱体を設けるものとした点は、当業者であれば、必要に応じ、周知技術に基づいて容易に想到し得たことである。
　
　さらに、相違点ウについて検討する。
　引用例発明のものも、基材の厚みを５ｍｍ以下とするものであり（前記「３．ア」参照。）、引用例には、セラミックス基材を含むヒータ全体の厚さを２．０ｍｍとする実施例が記載され（「３．キ、ケ」参照。）、また、ヒータの厚さを薄くすることにより、昇温時間と降温時間を短縮できる旨の記載がある（「３．ウ」参照。）。
　　　
　そうすると、引用例発明において、セラミックス基材の厚さを１ｍｍ以下とした点は、当業者が、昇温時間や降温時間を短縮する必要に応じて、適宜採択し得た設計的事項であり、このような数値とした点に臨界的意義があるともいえない。
　
　本願発明は、引用例発明のセラミックス基材の両側表面に発熱体を設けるとともに、セラミックス基材の厚さを１ｍｍ以下とし、これを有害ガスを加熱して分解するために使用したものに相当し、その奏する作用効果を全体としてみても、引用例発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　　　
　したがって、本願発明は、引用例発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　
　そうすると、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　　　
　よって、結論のとおり審決する。