【事件の表示】
　特願２００３−２９１６９８号「マイクロスイッチ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開、特開２００４−　７９５３４号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯　
　本願は、平成１５年　８月１１日（パリ条約における優先権主張２００２年　８月２０日、大韓民国）の特許出願であって、平成１９年１０月　５日付けで平成１９年　８月２８日付け手続補正が却下されるとともに拒絶査定がなされ、これに対して平成２０年　１月１５日付けで本件審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正（前置補正）がなされたものである。　
　
II．平成２０年　１月１５日付けの手続補正の却下　
［補正却下の決定の結論］　
　平成２０年　１月１５日付けの手続補正を却下する。　
　
［理由］　
１．補正後の本願発明　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１６は、　
「【請求項１６】　
　
一つの
　該基板の上面に配され、その所定領域の両側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、　
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、　
　該導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、　
　前記揺動領域の上面に配される複数の下部電極と、　
　前記複数の下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための複数の上部電極と、を含み、　
　前記複数の上部電極、前記第１及び第２の導電体は、前記基板によってそれぞれ支持される、ことを特徴とするマイクロスイッチ。」　
と補正された。　
　
　上記補正は、請求項１６に記載した発明を特定するために必要な事項である「基板」を「一つの基板」と限定するものであって、この限定した事項は、願書に最初に添付された明細書又は図面に記載されており、補正後の請求項１６に記載された発明は、補正前の請求項１６に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が異なるものではないから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　
　そこで、本件補正後の前記請求項１６に記載された発明（以下、「本願補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。　
　
２．引用例の記載事項　
　原査定の平成１９年　５月２２日付けの拒絶理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特表平８−５０９０９３号公報（以下「引用例１」という。）には、「ミクロ機械加工されたリレー及び当該リレーの形成方法」に関し、図面とともに以下の事項が記載または示されている。　
　
ａ：「【特許請求の範囲】　
１．キャビティを有し、多結晶材料から形成される第１基板と、　
　前記キャビティの両端部で前記第１基板上に、両端部が支持されている橋絡部材と、
　当該橋絡部材の中間位置に設けられた第１電気接点と、　
　絶縁材料から形成され、前記第１電気接点と係合するように配置された第２電気接点を少なくとも有している第２基板と、　
　前記橋絡部材上に設けられ、前記第１電気接点を前記第２電気接点から変位させるための手段と、　
　前記橋絡部材を選択的に移動させ、前記第１電気接点と前記第２電気接点とを係合させるための手段とを備えているリレー。」　
　
ｂ：「本発明は、前段落で論じられた欠点を克服するミクロ機械加工されたリレーを提供するものである。当該ミクロ機械加工されたリレーは、商業的に生産された。その理由は、他の分野で一般的に使用されていたミクロ機械加工法によってウェハー上に構成されたリレーをそれぞれ多数備えているウェハーが構成されたからである。リレーを試験すると、リレーは、固定接点が閉成位置の場合に、適切に動作し、移動可能な接点と固定接点との間を電気的に連続にする。さらに、接点は、閉成位置にとどまらない。
　本発明の一例では、橋絡部材が、半導体基板（例えば、多結晶シリコン）のキャビティの両端に延在している。当該橋絡部材は、連続している層−マスク層、導電層（例えば、ポリシリコン）、及び絶縁層（二酸化珪素）を備えている。第１の電気接点（例えば、ルテニウムでコーティングされた金）は、絶縁層上において、キャビティの両端の橋絡部材の延在方向に対して垂直な方向に延在している。一対の突起物（例えば、金）は、各絶縁層上の、接点と、キャビティの両端部の一方との間に配置される。初め、橋絡部材が基板上に形成され、その後、接点及び突起物が基板上に形成され、その後、キャビティが、橋絡部材の孔を介して基板内でエッチングされる。　
　第２電気接点（ルテニウムでコーティングされた金）の対を、半導体基板に隣接する絶縁基板（例えば、耐熱ガラス）面上に設ける。接点を清浄後、２つの基板を接合する。第１の接点は、通常、第２の接点と離隔している。その理由は、突起物が、絶縁基板の隣接面と係合しているからである。絶縁基板面上の導電層と、ポリシリコン層との間に電圧を印可すると、橋絡部材が曲がり、第１の接点が第２の接点と係合する。　
　リード線は、絶縁基板上を、第２接点から、半導体基板内の第２キャビティに隣接配置されたボンディングパッドまで続いている。ウェハー上の最終的なリレーは、各リレーの第２キャビティの位置で、半導体及び絶縁基板に切れ目を入れることによって分離され、電気接点のパッドを露出させる。」（第２３ページ第２行〜第２７行）　
　
ｃ：「本発明の一例において、参照番号１０（図１）にて一般的に示している、ミクロ機械加工されたリレーは、一般的に参照番号１２にて示す基板と、一般的に参照番号１４にて示す基板とを備えている。基板１２は、シリコンなどの、好適な異方性の半導体材料からなる単結晶から形成することができる。基板１４は、耐熱ガラスなどの、好適な絶縁材料から形成することができる。基板１２に異方性シリコンを使用し、基板１４に耐熱ガラスを使用することが好ましい。その理由は、両方の材料の膨張係数が、ほぼ同一だからである。このことによって、リレー１０は、温度の変化に対して申し分なく動作し、且つ基板１２と基板１４とが高い温度で好適に接合され、リレーを構成することが保証される。　
　基板１２は、平面１５と、当該平面１５の下に延在するキャビティ１６とを備えている。当該キャビティ１６は、深さが約２０ミクロン（２０μ）、長さ（図４の水平方向）が約１３０ミクロン（１３０μ）、幅（図４の垂直方向）が約１００ミクロン（１００μ）といった好適な寸法を有している。一般的に参照番号１８にて示されている橋絡部材は、キャビティ１６の両端に延在している。橋絡部材１８は、その両端部で平面１５上に
支持される。　
　マスク層２０、当該マスク層２０上の導電層２２、及び当該導電層２２上の絶縁層２４が、連続する層として配置され、橋絡層１８を形成する。層２０及び２４は、二酸化珪素などの好適な材料から形成され、導電層２２は、ポリシリコン等の好適な材料から形成される。層２２は、砒素及び硼素などの好適な材料でドープされ、十分な導電率が層２２に提供され、電荷が層２４に蓄積されないようにしている。マスク層２０を設け、基板１２内のキャビティ１６がエッチングされる際に、導電層２２が、切り取られないようにしている。層２０、２２及び２４のそれぞれの好適な厚さを、例えば約１ミクロン（１μ）、１ミクロン（１μ）及び１ミクロン（１μ）とすることができる。本発明の範囲を逸脱することなく、マスク層２０を、完全にまたは部分的に除去することができる。」（第２４ページ第１８行〜第２５ページ第１５行）　
　
ｄ：「図面より明らかなとおり、橋絡部材１８は、ピングポングラケット（ping pong racket）２３の平面構成を備えている。当該ピングポングラケット２３は、従来では一端にハンドルを有していたが、ここではその代わりに両端部に比較的細いハンドル２１を備えている。ハンドル２１は、基板１２の平面１５上に配置され、基板上に橋絡部材１８を支持する。図面より明らかなとおり、橋絡部材の構成は、安定したものであり、当該橋絡部材が回転しないようにしている。このことによって、橋絡部材１８の電気接点が、スイッチ１０の閉成ポジションにおいて、基板１４の電気接点と係合することが保証される。これについては、以下で詳細に説明する。　
　層２０に、その両端部に近接して、開口部２８を設けることができる（図１〜３）。当該開口部の、図１〜３における左から右方向における寸法を約６ミクロン（６μ）とすることができる。開口部２８において、ポリシリコン層２２と絶縁層２４とを固着することができる。このことによって、橋絡部材１８が、キャビティに対して強固に固着されているにも拘らず、キャビティ１６内で上方または下方へ曲がることができる。　
・・・　
　一般的に参照番号３２にて示す電気接点（図１〜４）を、絶縁層２４上の、キャビティ１６の長さの中間位置に設ける。接点３２を、ルテニウムなどの腐食しない金属から成る層３５でコーティングされた金などの腐食しない金属から成る層３３から形成することができる。ルテニウムは、金が延性のある特性を有するのとは異なり強固であるため、接点３２の外側層として望ましい。このことによって、これらの接点間に衝撃が加わった際に、接点３２が基板１４と電気的に接触しないことを保証できる。接点３２と、基板１４上の接点とが接触すると、当該接点によって形成されるスイッチは、全く開放されない。」（第２５ページ第２１行〜第２６ページ第２３行）　　
　
ｅ：「突起物３４（図１）を、絶縁層２４上の、キャビティ１６の両端部のそれぞれに近接して配置することもできる。突起物３４のそれぞれを、金などの好適な材料から形成することもできる。突起物３４のそれぞれの厚さを、約０．１ミクロン（０．１μ）の好適値とし、長手方向の寸法を、約４ミクロン（４μ）の好適値とし、幅を、約８ミクロン（８μ）の好適値とすることができる。長手方向の突起物３４の位置によって、橋絡部材１８に作用する電気的な力が制御され、橋絡部材が、図２に示す位置から図３に示す位置へと曲げられる。
　基板１４は、電気接点４４の対を収容するためのキャビティ４２を有している平滑面４０を備えている（図１〜３）。接点４４のそれぞれを、ルテニウムなどの好適材料から成る層でコーティングされた金などの腐食しない金属から成る層から形成することができる。金から成る層の厚さを約１ミクロン（１μ）とし、ルテニウムから成る層の厚さを約０．５ミクロン（０．５μ）とすることができる。接点４４のルテニウム層は、接点３２のルテニウム層３５と同様の役割を果たす。　
　キャビティ４２を特定の深さにすることによって、各接点４４上のルテニウムは、基板１４の表面４０とほぼ同一平面となる。接点４４は、リレー１０の横方向（図４の縦方向）に互いに変位し、接点３２の両端と係合する。
　リード線４６ａ及び４６ｂ（図５）は、基板１４の表面４０上を、接点４４からボンディングパッド４８ａ及び４８ｂに続いている。　
　金などの好適な材料から形成される導電層５０も、接点４４及びリード線４６と絶縁された状態で、基板１４の表面４０上に設けられる。導電層５０は、基板１４の表面４０上を、ボンディングパッド５４に接続している（図５）。ボンディングパッド５４は、リレー１０の外部の直流電圧源５５に接続される。　
　キャビティ５６（図１〜３）を、基板１４の表面４０における、層２０の開口部２８の位置に対応する位置に設けることができる。キャビティ５６を設け、ポリシリコン層２２及び絶縁層２４を収容し、基板１２及び１４が互いに接合され、リレー１０を形成する際に、基板１２の表面１５が、基板１４の表面４０と同一面で接触するようにしている。この接合は、従来より良く知られた技術によって行われる。例えば、基板１２の表面１５及び基板１４の表面４０に、互いに接合される薄い金層を設けることもできる。基板１２と１４とが互いに接合される前に、真空または他の制御された気体が、従来より良く知られた技術によって、キャビティ内に形成される。接点３２及び４４の表面も、基板１２の表面及び基板４４の表面４０が接合される前に、完全に清浄される。　
　基板１２及び１４が互いに接合される時、基板１４の表面４０によって、突起物３４を橋絡部材１８に係合させ、橋絡部材を下方へ曲げ、接点３２が接点４４から変位するようにしている。このことは、図２に示されている。約５０ボルト〜１００ボルトの範囲の好適な電圧が、外部電源５５からボンディングパッド５４に供給され、導電層５０に印可されると、層５０とポリシリコン層２２との間に、電位差が発生する。ここで、ポリシリコン層２２は、アースされている。この電位差によって、接点３２と接点４４との間の距離が小さいために、キャビティ１６内に大きな静電界が生成される。　
　キャビティ１６内の静電界が大きいために、橋絡部材１８が、図２に示す位置から図３に示す位置へ曲げられ、接点３２が接点４４と係合する。接点３２と接点４４との係合力は、十分であり、接点３２上のルテニウム層が接点４４上のルテニウム層と係合し、接点間を電気的に接続する。接点３２及び接点４４上のルテニウム層を硬質にして、静電界が取り除かれた際に、接点が接触しないようにしている。
　接点３２が接点４４と係合する場合、接点の平坦面で係合する。」（第２６ページ第２８行〜第２８ページ第２１行）　
　
ｆ：図１，図２、図５には、「導電層２２の上方に所定の距離が隔離されて配された複数の導電層５０」が、図２には、「電気接点３２の上方に所定の距離が隔離されて配される電気接点４４」が、図４には、「電気接点４４が一対のものであること」が示されている。また、図２に示す位置から図３に示す位置に移行する際には、「電気接点３２を上部に移動させて電気接点４４と係合すること」が示されている。　
　
　これらの記載からみて、上記引用例1には、　
「基板１２と、　
　該基板１２の平面上１５に配置され、平面１５の下に延在するキャビティ１６の両端部に橋絡部材１８を支持するハンドル２１が形成されキャビティ１６内で上方または下方へ曲がることができる二酸化珪素などの好適な材料から形成されたマクロ層２０と、　
　前記キャビティ１６の長さの中間位置に設けられた絶縁層２４上のルテニウムなどの腐食しない金属からなる層３５でコーテイングされた金などの腐食しない金属からなる層３３から形成された電気接点３２と、　
　前記電気接点３２の上方に所定の距離が隔離されて配される一対の電気接点４４と、　
  前記キャビテイ１６内でマクロ層２０の上面に配されているポリシリコンから形成された導電層２２と、　
　前記導電層２２の上方に所定の距離が隔離して配され、前記導電層２２との間に電位差が発生し、キャビディ１６内に大きな静電界が生成され、前記電気接点３２を上部に移動させて前記一対の電気接点４４と結合されることにより電気的に接続させ、前記一対の電気接点４４間を電気的に接続するための複数の導電層５０とを含んだミクロ機械加工されたリレー」　
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
　また、原査定の平成１９年　５月２２日付けの拒絶理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０１／５７９０１号（以下「引用例２」という。）には、「ＭＩＣＲＯＲＥＬＡＹ」に関し、図面とともに以下の事項が記載または示されている。　
＊ここで、下線部はウムラウトを示す。また、
ss
ｇ：「In Figur 1 sind auf einem Substrat 1 oder einer darauf vorhandenen Schicht oder Schichtstruktur im Querschnitt dargestellt restliche Anteile einer Hilfsschicht oder Opferschicht 11, einer Strukturschicht 2 und einer elektrisch isolierenden Schicht 20 sowie Kontaktelektroden 31,32, die bez
u
U
a
o
u
a
o
a
｛「 図１の断面図は、基板１または基板上にある層または積層された構造上にある層を示し、これらは、補助層または犠牲層１１、パターン化されたレジスト層２および電気絶縁層２０、および基板に対してしっかりと取り付けられたコンタクト電極３１、３２、ならびに残りの部分である。層１１、２中のクリアランス部において、層１１、２の中央部分は、全体を明瞭にするために図面においては省略してある。この中央部分は、破線によってのみ示されており、基板１上または基板１上にある層上に配置され、アンカー４として設けられた構造化された部分があり、このアンカー４上に実際のスイッチング部９が支持されている。これを可能にするために、この例示の実施形態において、スイッチング部９は中央部分においてクリアランス部を有し、このクリアランス部にアンカー４が配置されている。スイッチング部９とアンカー４との間に配置されているのは、圧縮材８であり、この圧縮材８は意図された回転軸に沿って位置が合わせられ、そしてねじりばねとして動作する。これらの回転可能な圧縮材８により、圧縮材８上に懸けられているスイッチング部９が圧縮材８によって形成された回転軸の周囲を移動することが可能になる。これによりスイッチング部９はロッキング移動を実行する。」｝　
　
ｈ：「An dem Schaltteil 9 sind Kontaktelektroden 71,72 angebracht.　
Au
ss
u
u
u
ss
ss
u
ss
o
　
Auf dem Schaltteil 9 befinden sich die f
u
o
ass
ss
｛「コンタクト電極７１、７２はスイッチング部９に取り付けられている。スイッチング部はさらに、自身に取り付けられた少なくとも１つのアクチュエータ電極６を有し、これはポリシリコンがスイッチング部に用いられた場合、ポリシリコン中にドーパントを注入することによって生成され得る。この対電極として、アクチュエータ電極５１、５２が基板１（または基板１上にある層または積層された構造）上に取り付けられ、これにより、これらのアクチュエータ電極５１、５２のうちの１つに電位を交互に印加することによって、静電引力により誘導されてスイッチング部のロッキング移動が結果として生じ得る。これにより、あるスイッチング位置から別のスイッチング位置への移行が実行される。スイッチング部９（内部には、アクチュエータ電極６がドーパントを導入することによって形成されている）が半導体材料である場合、圧縮材８およびアンカー４の半導体材料はここでも電気伝導する様態でドーピングされ得、これにより、スイッチング部９のアクチュエータ電極６への電気接続が基板に繋がっているアンカーを介して可能になる。しかし、この代わりに、自由な電位（ｆｒｅｉｅｍ  ｅｌｅｋｔｒｉｓｃｈｅｍ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）である（浮動している）スイッチング部が絶縁されているアクチュエータ電極もあり得る。次いで、基板に固定されたアクチュエータ電極５１、５２に対する電気引力は、電荷の影響によって誘導される。　
　
  スイッチング部９上に配置されているのは、実際のスイッチング機能を提供するために設けられたコンタクト電極７１、７２であり、これらはスイッチング部上にあるアクチュエータ電極６から絶縁されていることが好適である。これを目的として、電気絶縁層２１、２２（例えば、絶縁層２０の一部）がコンタクト電極７１、７２とスイッチング部９との間にあり得る。本発明によるマイクロリレーの場合、コンタクト電極７１、７２はロッカーを形成するスイッチング部の上側に設けられる。図１に示すスイッチング位置において、スイッチング部９の左部分は基板上にあるアクチュエータ電極５１によって引き寄せられる。したがって、コンタクト電極７１は、基板に固定されたコンタクト電極３２によって形成されたスイッチを短絡させる。これは、図２に示す平面図から明らかである。」｝　
　
ｉ：「In Figur 3 ist im Querschnitt ein alternatives Ausf
u
u
u
｛：「図３の断面図に示すのは別の例示の実施形態である。この実施形態において、基板のアクチュエータ電極５３、５４は、パターン化されたレジスト層２０（ここでは連続しているように図示される）の上、そしてこの実施例においてはレジスト層２０の上にある絶縁層２３、２４上に取り付けられており、そしてスイッチング部（９）の基板（１）から離れている側に配置されている。これにより好適には、スイッチング部９がブリッジのような様態で伸びている。」｝　
　
ｊ：上記摘記事項ｇ〜ｉからみて、ＦＩＧ３，ＦＩＧ４には、「基板１は、一つであり、一対のコンタクト電極３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂが、犠牲層１１及びレジスト層２、及び電気絶縁層２０を介して取り付けられ基板１に対して取り付けられた点」及び「アクチュエータ電極５３，５４は、犠牲層１１及びレジスト層２０（レジスト層２の誤記）の上にある絶縁層２３，２４を介して基板に取り付けられた点」が示されている。　
　
３．発明の対比　
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「基板１２」、「橋絡部材１８を支持するハンドル２１」、「二酸化珪素などの好適な材料から形成されたマクロ層２０」、「ルテニウムなどの腐食しない金属からなる層３５でコーテイングされた金などの腐食しない金属からなる層３３から形成された電気接点３２」、「一対の電気接点４４」、「ポリシリコンから形成された導電層２２」、［導電層５０」、「ミクロ機械加工されたリレー」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「ヒンジ部」、「誘電体膜」、「導電体膜」、「第１及び第２の導電体」、「下部電極」、「上部電極」、「マイクロスイッチ」に相当し、引用発明の「該基板の平面１５上に配置され、平面１５の下に延在するキャビティ１６の両端部に橋絡部材１８を支持するハンドル２１が形成され」は、本願補正発明の「該基板の上面に配され、その所定領域の両側端にヒンジ部が形成され」たことを意味し、引用発明の「キャビティ１６内で上方または下方へ曲がることができる二酸化珪素などの好適な材料から形成されたマクロ層２０」は、本願補正発明の「上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜」を意味している。　
　また、引用発明の「前記キャビティ１６の長さの中間位置に設けられた絶縁層２４上のルテニウムなどの腐食しない金属からなる層３５でコーテイングされた金などの腐食しない金属からなる層３３から形成された電気接点３２」は、本願補正発明の「前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜」を意味し、引用発明の「前記導電層２２との間に電位差が発生し、キャビディ１６内に大きな静電界が生成され」る時は、本願補正発明の「前記下部電極との間に静電気力が生じる際に」を意味し、引用発明の「前記電気接点３２を上部に移動させて前記一対の電気接点４４と結合されることにより電気的に接続させ」ることは、電気接点３２と一対の電気接点４４間の「抵抗は減少させ」られることを意味しており、引用発明の「一対の電気接点４４間を電気的に接続する」ことは、本願補正発明の「第１及び第２の導電体間に通電が許容される」ことを意味している。　
　そして、本願補正発明の「前記揺動領域の上面に配される複数の下部電極と、」と、引用発明の「前記キャビテイ１６内でマクロ層２０の上面に配されているポリシリコンから形成された導電層２２と、」とは、「前記揺動領域の上面に配される下部電極と、」である限りにおいて一致している。　
　そうすると、両者は、　
「基板と、　
　該基板の上面に配されその所定領域の両側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、　
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、　
　前記導電体膜の上方に所定の距離が隔離されて配される第１及び第２の導電体と、　
  前記揺動領域の上面に配される下部電極と、　
　前記下部電極の上方に所定の距離が隔離して配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合されることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための複数の上部電極と、を含んだマイクロスイッチ」　
である点で一致し、以下の各点で相違するものと認められる。　
　
＜相違点１＞　
　本願補正発明では、基板が「一つ」であるとともに、「複数の上部電極、第１及び第２の導電体は、前記基板によってそれぞれ支持される」のに対して、引用発明では、そのようなものでない点、　
　
＜相違点２＞　
　本願補正発明では、揺動領域の上面に「複数の」下部電極を配し、「複数の」下部電極の上方に複数の上部電極を配したのに対して、引用発明では、揺動領域の上面に下部電極を配し、その上方に複数の上部電極を配したものの、それ以上のものでない点。　
　
４．相違点の検討　
　上記相違点１について検討する。　
　上記引用例２には、「マイクロリレー」に関し、摘記事項ｇ〜ｊからみて、「一つの基板１に、複数のアクチュエータ電極５３，５４及び一対のコンタクト電極３１ａ，３１ｂ及びコンタクト電極３２ａ，３２ｂが犠牲層１１、レジスト層２、絶縁層２０，２３，２４を介して取り付けられたもの」が記載されており、上記引用例２に記載されたものの「アクチュエータ電極５３，５４」、「コンタクト電極３１ａ、３１ｂ」または「コンタクト電極３２ａ，３２ｂ」は、それぞれ本願補正発明の「上部電極」、「第１及び第２の導電体」に相当する。　
　また、引用例２に記載された事項の「基板１に、犠牲層１１、レジスト層２、絶縁層２０，２３，２４を介して取り付けられたもの」は、本願補正発明の「基板に支持されるもの」を意味する。　
　そうすると、上記引用例２には、「基板が一つであるとともに、複数の上部電極、第１及び第２の導電体は、前記基板によってそれぞれ支持される」ものが開示されているものと認められる。　
　してみれば、上記相違点１に係る本願補正発明の構成は、上記引用例２に開示された事項に基づいて、当業者が適宜想到し得たものである。　
　
　次に、上記相違点２について検討する。　
　マイクロマシンスイッチにおいて、複数の下部電極を配し、該複数の下部電極の上方に複数の上部電極を配することは、出願前周知であり（必要があれば、平成１９年５月２２日付け拒絶理由で示した特開２００１−２６６７２７号公報の図２を参照のこと）、該周知技術を上記引用発明に適用することにより、上記相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が適宜想到し得たものである。　
　
　そして、上記相違点１、２を併せ備える本願補正発明の奏する作用効果について検討しても、上記引用発明、上記引用例２に開示された事項及び上記周知技術から当業者が予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。　
　したがって、本願補正発明は、上記引用発明、上記引用例２に開示された事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。　
　
５．むすび　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　よって、補正却下の決定の結論のとおり決定する。　
　
６．平成２１年　４月３０日付け回答書において、請求人が提出した補正案について　
　上記請求項１６に係る発明に対応する回答書の補正案の請求項１４において限定した「前記ヒンジ部及び前記揺動領域を有する前記誘電体膜は、静電気力が生じる前において略同一平面上に位置するように前記基板に支持された」点は、特開平８−２１３８０３号公報の図２８、図２９の記載に基づいて当業者が適宜なし得たものであり、「前記導電体と前記上部電極とをそれぞれ支持するアンカーと、前記導電体に信号を印加するための信号端子とをさらに含むこと」については、引用例２のＦＩＧ３の記載と引用例１の一対の電気接点４４およびリード線４６ａ，４６ｂの記載（図４，図５を参照のこと）に基づいて当業者が適宜なし得たものである。　
　
　
III．本願発明について　
１．本願発明の記載事項　
　平成２０年　１月１５日付けの手続補正は、上記のとおり却下され、また、平成１９年　８月２８日付けの手続補正も審査段階において却下されたので、本願の各請求項に係る発明は、平成１８年１１月２８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３０に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうちの請求項１６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。　
「【請求項１６】　
　基板と、　
　該基板の上面に配され、その所定領域の両側端にヒンジ部が形成され上下に揺動できる揺動領域を有する誘電体膜と、　
　前記揺動領域の上面の所定領域に配されている導電体膜と、　
　該導電体膜の上方に所定の距離が離隔されて配される第１及び第２の導電体と、　
　前記揺動領域の上面に配される複数の下部電極と、　
　前記複数の下部電極の上方に所定の距離が離隔されて配され、前記下部電極との間に静電気力が生じる際に前記導電体膜を上部に移動させて前記第１及び第２の導電体と結合させることにより抵抗を減少させ、前記第１及び第２の導電体間に通電が許容されるようにするための複数の上部電極と、を含み、　
　前記複数の上部電極、前記第１及び第２の導電体は、前記基板によってそれぞれ支持される、ことを特徴とするマイクロスイッチ。」　
　
２．引用例の記載事項　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は前記II．２．に記載したとおりである。　
　
３．対比・判断　
　本願発明は、前記II．１．で検討した本願補正発明の「
一つの
　そうすると、本願発明の構成よりも更に限定した構成を備える本願補正発明が前記II．４．に記載されたとおり、上記引用発明、上記引用例２に開示された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明の上位概念発明である本願発明も本願補正発明と同様の理由で当業者が容易に発明をすることができたものといえる。　
　
４．むすび　
　以上のとおり、本願発明（請求項１６に係る発明）は、上記引用発明、上記引用例２に開示された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。