【事件の表示】
　平成　７年特許願第２１１０８９号「電子デバイスおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　２月１４日出願公開、特開平　９−　４５２１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
 　本願は、平成７年７月２７日の出願であって、平成１６年３月３０日付け（発送日：同年４月５日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２８日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年５月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年５月２８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正の内容は、補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載、
「【請求項１】支持基板と、前記支持基板の一方の面上に配置されたカソード電極と、前記支持基板のいずれかの面上に配置され、前記カソード電極と電気的に接続する１つ以上の第１のダイヤモンド部と、前記第１のダイヤモンド部を有する面と同じ前記支持基板の面上に配置され、直径１μｍの円当り複数の錘状又は棒状の部分を有する第２のダイヤモンド部と、前記第１のダイヤモンド部及び前記第２のダイヤモンド部から所定の距離を隔て、且つ、前記第２のダイヤモンド部との間が空間であるように配置されるアノードとを備えることを特徴とする電子デバイス。」
を、補正後の、
「【請求項１】支持基板と、前記支持基板の一方の面上に配置されたカソード電極と、前記支持基板のいずれかの面上に配置され、前記カソード電極と電気的に接続する１つ以上の第１の
多結晶
多結晶
し、ダイヤモンドを反応性イオンエッチングして得られる
多結晶
多結晶
多結晶
多結晶
と補正する補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「第１のダイヤモンド部」及び「第２のダイヤモンド部」について、「多結晶」との限定を附加すると共に、「第２のダイヤモンド部」については、さらに、「ダイヤモンドを反応性イオンエッチングして得られる」との限定を付加するものであるから、特許法第１７条の２第３項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする事項に該当する。
　そこで、上記補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「補正後第１発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて、以下に検討する。
　
２　独立特許要件について
（１）補正後第１発明
「【請求項１】支持基板と、前記支持基板の一方の面上に配置されたカソード電極と、前記支持基板のいずれかの面上に配置され、前記カソード電極と電気的に接続する１つ以上の第１の
多結晶
多結晶
し、ダイヤモンドを反応性イオンエッチングして得られる
多結晶
多結晶
多結晶
多結晶
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２９４８３号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　ア　「【０００１】【産業上の利用分野】本発明はマイクロエレクトロニクス技術を利用した整流素子、増幅素子、発光素子及びディスプレイ等に適用可能な電子エミッタ素子に関する。」
　イ　「【０００９】【課題を解決するための手段】本発明に係る電子エミッタ素子は、電子を放出するエミッタ部を備えた電子エミッタ素子において、前記エミッタ部は先端が尖った形状をなし、ダイヤモンドにより構成されていることを特徴とする。」
　ウ　「【００１０】【作用】本発明においては、電子を放出するエミッタ部がダイヤモンドにより構成されており、その先端部は尖った形状をなしている。ダイヤモンドは耐熱性及び耐電圧が高いため、本発明に係る電子エミッタ素子に高電圧を印加し大電力で動作させても、エミッタ部の先端形状の変化が少なく、寿命が長いと共に、電子放出特性の劣化が抑制される。」
　エ　「【００１１】本発明では、上記ダイヤモンドの特長を生かすと共に、電子放出量が小さいという欠点を解決するために、ダイヤモンドにより構成されるエミッタ部の先端を尖った形状にする。これにより、エミッタ部の先端にかかる電界強度を大きくでき、前記エミッタ部からの電子放出量を大幅に増大させることができる。【００１２】なお、前記エミッタ部の材料であるダイヤモンドは、天然ダイヤモンド、高圧下で人工的に合成された人工ダイヤモンド及び気相合成ダイヤモンド等のうちから任意に選択すればよく、これらを組み合わせたものであってもよい。ダイヤモンドは、気相合成を使用して、シリコン等のセラミックス基板及びモリブデン等の金属基板上に成長させることができるが、このとき、原料ガス中に例えばジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを微量添加することにより、ダイヤモンドが成長する過程でダイヤモンド中にＢ（ホウ素）元素が不純物として取り込まれ、電気導電性のｐ型半導体ダイヤモンドが形成される。」
　オ　「【００１５】図１（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の第１の実施例に係る電子エミッタ素子を製造するための製造方法の１例を工程順に示す断面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、１辺が約５ｍｍの正方形であり、表面結晶方位が（１００）にカットした低抵抗（＜０．０１Ω・ｃｍ）Ｓｉ基板１を用意し、このＳｉ基板１上に、マイクロ波ＣＶＤ（化学気相成長）法によって、Ｂ（ホウ素）原子をドーピングしたｐ型半導体多結晶ダイヤモンド薄膜２を例えば約２０μｍの厚さに形成する。次に、図１（ｂ）に示すように、ｐ型半導体多結晶ダイヤモンド薄膜２上に、フォトリソグラフィー法を使用して、直径が例えば約１０μｍ、膜厚が例えば約２０００Åの金薄膜を５０μｍ間隔で格子状に配列させて形成し、レジストマスク３とする。【００１６】次に、図１（ｃ）に示すように、直流、高周波又はマイクロ波プラズマ（ＥＣＲプラズマも含む）ＣＶＤ装置を使用し、この試料を酸素プラズマで約１０分間処理する。これにより、レジストマスク３の下方に針状のエミッタ部２ａを形成することができる。【００１７】次いで、図１（ｄ）に示すように、レジストマスク３を除去した後、Ｓｉ基板１の裏面側に銀電極４を形成する。これにより、本実施例に係る電子エミッタ素子が完成する。【００１８】本実施例に係る電子エミッタ素子は、エミッタ部が針状のダイヤモンドにより形成されているため、エミッタ部の先端における電界強度が高くなり、電子放出量が多い。また、エミッタ部がダイヤモンドにより構成されているため、耐熱性及び耐電圧が高い。従って、高電圧を印加してもエミッタ部の先端部の形状の変化が少なく寿命が長いと共に、大電力で動作させることができる。【００１９】なお、上述した電子エミッタ素子の製造方法においては、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を使用しダイヤモンド膜をエッチングしてエミッタ部を形成する場合について説明したが、イオンビームでダイヤモンド部材を成形加工することによって針状のエミッタ部を形成することもできる。」
　カ　「【００２０】本実施例に係るエミッタ素子は、例えば、エミッタ部から離隔して電子引き出し用陽極を配設した構造とする。このような構造は、発光素子、・・・素子等に適用することができる。この場合に、前記エミッタ部と前記電子引き出し用電極との間は、真空であってもよい」
　キ　「【００２１】次に、本実施例に係るエミッタ素子を使用して実際に発光素子を形成し、その特性を調べた結果について説明する。【００２２】図２は、本実施例に係るエミッタ素子を実際に発光素子に適用した例を示す模式的断面図である。電子エミッタ素子のエミッタ部２ａの先端から約２０μｍの位置に発光板を配置した。この発光板は、石英板８に透明電極７及び蛍光薄膜６が積層されたものである。そして、このエミッタ素子及び発光板をガラス容器５内に封入し、このガラス容器５内を真空にした。なお、エミッタ素子の銀電極４及び発光板の透明電極７は、夫々配線９ａ，９ｂに接続されており、この配線９ａ，９ｂはガラス容器５の壁を貫通してガラス容器５の外部に導出されている。」
　
　したがって、上記摘記事項ア〜キからみて、針状のエミッタ部２ａは５０μｍ間隔で格子状に配列していることが読み取れ、正方形の低抵抗Ｓｉ基板１の４辺の周辺部には針状のエミッタ部２ａの形成されてないｐ型半導体多結晶ダイヤモンド部が存在していることが読み取れるから、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　「正方形の低抵抗Ｓｉ基板１と、前記正方形の低抵抗Ｓｉ基板１の一方の面上に配置された銀電極４と、前記正方形の低抵抗Ｓｉ基板１の他方の面上の４辺の周辺部に配置され、前記銀電極４と電気的に接続するｐ型半導体多結晶ダイヤモンド部と、前記他方の面と同じ前記正方形の低抵抗Ｓｉ基板１の面上であって４辺の周辺部より内側に配置され、５０μｍ間隔で格子状に配列した複数の針状のエミッタ部２ａを有し、ｐ型半導体多結晶ダイヤモンドをマイクロ波プラズマＣＶＤ装置でエッチングして得られるｐ型半導体多結晶ダイヤモンド部と、前記４辺の周辺部に配置されたｐ型半導体多結晶ダイヤモンド部及び前記４辺の周辺部より内側に配置され針状のエミッタ部２ａを有するｐ型半導体多結晶ダイヤモンド部から所定の距離を隔て、且つ、前記４辺の周辺部より内側に配置され針状のエミッタ部２ａを有するｐ型半導体多結晶ダイヤモンド部との間が空間であるように配置される透明電極７とを備える発光素子。」
　
（３）対比
　補正後第１発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「正方形の低抵抗Ｓｉ基板１」、「銀電極４」、「針状のエミッタ部２ａ」、「透明電極７」、「発光素子」は、それぞれ、補正後第１発明の「支持基板」、「カソード電極」、「錘状又は棒状の部分」、「アノード」、「電子デバイス」に相当する。
　イ　引用発明の「４辺の周辺部に配置され」た「ｐ型半導体多結晶ダイヤモンド部」が、補正後第１発明の「１つ以上の第１の多結晶ダイヤモンド部」に相当し、引用発明の「４辺の周辺部より内側に配置され」、針状のエミッタ部２ａを有する「ｐ型半導体多結晶ダイヤモンド部」が、補正後第１発明の「第２の多結晶ダイヤモンド部」に相当する。
　ウ　引用発明の「ｐ型半導体多結晶ダイヤモンドをマイクロ波プラズマＣＶＤ装置でエッチングして得られる」は、補正後第１発明の「ダイヤモンドを反応性イオンエッチングして得られる」に相当する。
　以上ア〜ウの考察から、両者は、次の一致点及び相違点を有する。
　【一致点】
　「支持基板と、前記支持基板の一方の面上に配置されたカソード電極と、前記支持基板のいずれかの面上に配置され、前記カソード電極と電気的に接続する１つ以上の第１の多結晶ダイヤモンド部と、前記第１の多結晶ダイヤモンド部を有する面と同じ前記支持基板の面上に配置され、複数の錘状又は棒状の部分を有し、ダイヤモンドを反応性イオンエッチングして得られる第２の多結晶ダイヤモンド部と、前記第１の多結晶ダイヤモンド部及び前記第２の多結晶ダイヤモンド部から所定の距離を隔て、且つ、前記第２の多結晶ダイヤモンド部との間が空間であるように配置されるアノードとを備えることを特徴とする電子デバイス。」
　【相違点】
　「複数の錘状又は棒状の部分を有することに関して、補正後第１発明では、直径１μｍの円当り複数の錘状又は棒状の部分を有しているのに対し、引用発明では、５０μｍ間隔で格子状に配列したものである点。」
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　複数の錘状又は棒状の部分から電子を放出する電子デバイスに関して、例えば、特開平５−２１１０２９号公報（以下、「文献１」という。）には、
　「【０００４】・・・針状カソード電極間距離が大きく（電極の密度が低いため）、単位面積当りの電子放出量を大きくすることができないという問題があった。そこで本発明は、電子放出を行う針状カソード電極の密度を高くすることにより単位面積当りの電子放出量を大きくすることができる電子放出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。」
　「【０００９】【作用】請求項１記載の発明では、Ａｌ表面層を含む金属積層膜を用いてＡｌ膜を陽極酸化して微細孔を有するＡｌ陽極酸化膜を形成した後、他の金属層を電極として微細孔内に電解析出により円柱状電極を形成して構成したため、その金属層を電子放出側カソード電極とすることができ、電子放出素子の製造工程を容易にすることができる。そして、Ａｌ陽極酸化膜は１μｍ以下（０．数μｍ）のピッチで微細孔を有しているため、孔内に形成された円柱状電極を高密度で形成することができる。このため、単位面積当りの電子放出量を高くすることができる」
　「【００２１】次いで、金属層５を電極とし、電解析出により開口部８内の微細孔２ａ内に円柱状電極３を形成する。そして、円柱状電極３近傍のＡｌ陽極酸化膜２をエッチングした後、レジストマスク７を剥離することにより、図３（ｄ）、（ｅ）に示すような電子放出素子を得ることができる。【００２２】本実施例では、Ａｌ陽極酸化膜２表面にゲート電極となる金属薄膜パターン６を形成し、この金属薄膜パターン６開口部８のみに円柱状電極３が形成され、この円柱状電極３近傍のＡｌ陽極酸化膜２部分をエッチングし、円柱状電極を１つの電子放出素子とする構造としており、このようにエッチングにより円柱状電極３先端を突出させて構成したため、円柱エッジ部での電解分布を強くすることができ、電子放出効率を高くすることができる」
と記載されており、また、特開平４−３６９２２号公報（以下、「文献２」という。）には、
　「本発明は、Ａｌの陽極酸化膜の孔内にチップを形成することにより、高密度ピッチで形成された電子放出部を歩留り良く製造することができる電子放出素子およびその製造方法を提供することを目的としている。」（２頁右上欄５〜９行）
　「陽極酸化膜１１が有する微細孔１１ａを絶縁部材２の孔２ｃとして利用することができるので、チップ３の密度すなわち電子放出部の密度を前述した１０９〜１０１１／ｃｍ２にすることができる。したがって、電子放出部密度が・・・であった従来のものに比較すると、電子放出部を桁違いに高密度にすることができ、１画素に対して非常に多くの電子放出部を提供することができる。」（３頁左下欄１９行〜右下欄７行）
と記載されている。
　これらの記載によれば、電子を放出する錘状又は棒状の部分の単位面積当たりの密度を高くすればする程、単位面積当たりの電子放出量を大きくできることは技術常識であって、電子放出量を大きくするために錘状又は棒状の部分の単位面積当たりの密度を高めようとすることは周知の技術課題であると解され、しかも、錘状又は棒状の部分の単位面積当たりの密度については、文献１記載の「１μｍ以下（０．数μｍ）のピッチであること」、及び、文献２記載の「１０９〜１０１１／ｃｍ２にすること」は、補正後第１発明の「直径１μｍの円当り複数」であることに相当するから、この点は周知の密度にすぎない。
　したがって、引用発明においても、針状のエミッタ部２ａの密度を上記周知の密度まで高めるべく改良しようとすることは当業者であれば自然な発想というべきであるから、引用発明に、上記周知の密度を適用して補正後第１発明のごとく改造することは当業者が容易になし得たものである。
　そして、補正後第１発明の奏する効果についても、引用例に記載された事項及び周知技術から予測可能な範囲内のものにすぎない。
　なお、請求人は、請求理由において「引用文献１（当審注：「引用例」に同じ）には、レジストマスクを用いて酸素プラズマ処理により、針状のダイヤモンドのエミッタ部を形成することが記載されています。しかし、本願発明の、エッチングの異方性が高い反応性イオンエッチングを用いれば、非常に鋭い形状を有する突起を、直径１μｍの円当り複数の錘状又は棒状の部分を有するように形成できることの記載も示唆もありません。」と主張している。しかしながら、本願明細書に、「【００４１】また、エッチングには、上述のＲＦを用いた反応性イオンエッチングの他にも、反応性イオンビームエッチング、マイクロ波プラズマ源を用いた反応性イオンエッチング等のエッチング方法を用いてもよい。」と記載されていることからすれば、引用発明における「マイクロ波プラズマＣＶＤ装置でエッチングして得られる」とは、本願明細書の段落【００４１】でいうところの「マイクロ波プラズマ源を用いた反応性イオンエッチング」に他ならないから、引用発明においても、反応性イオンエッチングを用いているというべきであって、請求人の上記主張は採用できない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、補正後第１発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１６年５月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成１６年３月１１日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】支持基板と、前記支持基板の一方の面上に配置されたカソード電極と、前記支持基板のいずれかの面上に配置され、前記カソード電極と電気的に接続する１つ以上の第１のダイヤモンド部と、前記第１のダイヤモンド部を有する面と同じ前記支持基板の面上に配置され、直径１μｍの円当たり複数の錘状又は棒状の部分を有する第２のダイヤモンド部と、前記第１のダイヤモンド部及び前記第２のダイヤモンド部から所定の距離を隔て、且つ、前記第２のダイヤモンド部との間が空間であるように配置されるアノードとを備えることを特徴とする電子デバイス。」
　
第４　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物（特開平７−２９４８３号公報）及びその記載事項は、上記「第２」の「２（２）引用例」に記載したとおりである。
　
第４　対比・判断
　本願第１発明は、上記「第２」の「２　独立特許要件について」で検討した補正後第１発明の発明特定事項において、「第１の多結晶ダイヤモンド部」、「第２の多結晶ダイヤモンド部」に関して、「多結晶」の特定事項を削除し、かつ、「第２の多結晶ダイヤモンド部」に関して、「ダイヤモンドを反応性イオンエッチングして得られる」の特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願第１発明の発明特定事項を全て含みさらに他の限定事項を付加したものに相当する補正後第１発明が、上記「第２」の「２　独立特許要件について」に記載したとおり引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願第１発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２ないし９に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。