【事件の表示】
　特願２００２−２７１３９８「微細パターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　８日出願公開、特開２００４−１１１６１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１４年９月１８日の出願であって、平成１８年５月３０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年７月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年８月４日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年８月４日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月４日付の手続補正（以下、「本件補正という。」）を却下する。
［理由］
・理由１
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１７年１０月４日付の手続補正による
「基板上に下地膜を形成する工程と、
　前記下地膜上にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストにマスクパターンを露光する工程と、
　露光後に、前記レジストを現像して、レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンに、波長が２００ｎｍ以下、且つ、照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上の真空紫外線を照射することにより、前記レジストパターン中のポリマーを３次元的に架橋させて緻密化するキュア処理工程と、
　前記キュア処理工程の終了後に、前記レジストパターンをマスクとして前記下地膜をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。」
を、
「基板上に下地膜を形成する工程と、
　前記下地膜上にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストにマスクパターンを露光する工程と、
　露光後に、前記レジストを現像して、レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンに、波長が２００ｎｍ以下、且つ、照射エネルギーが１５．６Ｊ／ｃｍ２以上の真空紫外線を照射することで、前記レジストパターン中のポリマーを３次元的に架橋させて緻密化し、且つ、前記レジストパターンの寸法を小さくするキュア処理工程と、
　前記キュア処理工程の終了後に、前記レジストパターンをマスクとして前記下地膜をドライエッチングする工程とを含み、
　前記キュア処理工程において、前記レジストパターンの温度が−２０℃以上から該レジストパターンのガラス転移温度以下の範囲になるように、温度制御機構により前記基板の温度を制御し、
　前記キュア処理工程を、酸素濃度が１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気で行うことを特徴とする微細パターンの形成方法。」
と補正された。
　
（２）補正の目的違反について
　本件補正の請求項１に係る補正は、「照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上」を「照射エネルギーが１５．６Ｊ／ｃｍ２以上」とする補正を含むものであるが、当該補正は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも当たらない。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　
（３）補正の新規事項の追加違反について
　本件補正の請求項１に係る補正は、「照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上」を「照射エネルギーが１５．６Ｊ／ｃｍ２以上」とする補正を含むものであるが、「照射エネルギーが１５．６Ｊ／ｃｍ２以上」とする根拠は、
『本願の出願当初の明細書（以下「当初明細書」という。）の段落［００３１］及び図９には、キュア処理を４分間行うことが記載されています。さらに、旧請求項５及び当初明細書の段落［００１９］，［００３２］には、照度を６５ｍＷ／ｃｍ２以上とすることが記載されています。ここで、単位系に関して、１Ｗ（ワット）＝１Ｊ／ｓｅｃであります。よって、キュア処理を４分間行う場合の照射エネルギーは、６５［ｍＷ／ｃｍ２］×２４０［ｓｅｃ］＝１５．６［Ｊ／ｃｍ２］以上となります。』（審判請求理由書）
である。
　しかるに、照度を６５ｍＷ／ｃｍ２以上とする記載及び「キュア処理を４分間行う」記載があるが、両記載を組み合わせる記載がなく、また、「キュア処理を４分間行うこと」は一実施例にすぎず、この実施例と、「照度を６５ｍＷ／ｃｍ２以上」と組み合わせる必然性がない。
　したがって、「照射エネルギーが１５．６Ｊ／ｃｍ２以上」とする補正は、願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された事項の範囲内の事項ではなく、新規事項であり、上記補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
（４）むすび　
　以上のとおりであるから、上記補正は、上記理由１．により、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
・理由２
（１）独立特許要件について 
 　以上のとおり本件補正については、却下の結論が得られた以上、本来、これ以上の検討が不要なものである。しかしながら、仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるとして、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）原査定の拒絶の理由において引用した引用例
　引用例１；特開２００１−１２７０３７号公報
　
（２）．１　引用例１の記載内容
　【０００６】段落には、
「【課題を解決するための手段】…
【０００６】…本発明に係る微細パターンの形成方法は、所望パターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして微細パターンを形成する方法であって、下地基板上にフォトレジストの膜を形成する工程と、前記フォトレジストの膜の所定部分を波長２００nm以下の光に露光させる工程と、露光後の前記フォトレジストを現像して、そのフォトレジストを前記所望パターンにパターニングする工程と、パターニングされた前記フォトレジストの全面に、波長２００nm以下の光を照射する前処理を施す工程と、前記前処理の後に、パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記フォトレジストの下地層に微細パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。」
と記載されている。
　
　【００１０】段落には、
「【００１０】（４）また、前記前処理は、前記フォトレジストの周囲の雰囲気に含まれるオゾン濃度が２×１０-7(mol/l)以下の状態で行われることが望ましい。大気中に含まれる酸素は、波長２００nm以下の光を受けると容易にオゾンに変化する。オゾンは、フォトレジストを化学的にエッチングするので、その濃度が高いとフォトレジストの膜厚が減少する事態が生ずる。…」
と記載されている。
　
　【００１８】段落には、
「【００１８】次に、エッチングの前処理として、基板全面に放射線７が照射される（図２（ｄ））。…尚、本工程において、基板温度は２５℃に設定した。」
と記載されている。
　
　【００５２】〜【００５６】段落には、
「【００５２】本発明の実施例１３〜１６および変形例１〜４の微細パターンの形成方法は、実施の形態１または２の場合と同様に図２（ａ）〜図２（ｅ）を用いて説明することができる。本実施の形態の微細パターン形成方法では、…基板４上に２５nmの膜厚を有するシリコン酸化窒化膜（SiON膜）が形成され、その上に７００nmの膜厚を有する酸化シリコン膜２が形成される。次に、酸化シリコン膜２の上に回転塗布法によりフォトレジスト1が形成される。
【００５３】…メタクリル酸エステルを主成分とする三菱レイヨン社製ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用レジスト(MRC1001)が６００nmの厚さで塗布される。…
【００５４】次にキャノン社製ＡｒＦエキシマレーザー露光装置によりコンタクトホールパターンの露光が実行される（図２（ｂ））。…
【００５５】その後、…現像処理が実行される。その結果、１８０nm径のコンタクトホールパターンを有するフォトレジスト１ａが形成される（図２（ｃ））。
【００５６】次に、エッチングの前処理として、基板全面に放射線７が照射される（図２（ｄ））。表３に、実施例１３〜１６および変形例１〜４のそれぞれにおいて用いられる放射線の波長および強度についての設定を示す。放射線の波長は、重水素ランプにフィルターをかけることにより所望の値を得た。基板温度の設定値は、実施の形態１３〜１６および比較例１〜４の全てにおいて−１０℃である。」
と記載されている。
　
　【００５８】段落には、
「【００５８】上記の処理により得られたレジストパターン１ａをマスクとして酸化シリコン膜２がエッチングされる。その結果、酸化シリコン膜２にコンタクトホールのパターンが転写される（図２（ｅ））。本実施形態において、上記のエッチングは、住友金属工業（株）製表面波プラズマエッチング装置(Wave-X4000)を用いて、また、エッチングガス種としてＡｒ（１０００sccm）／Ｃ4Ｆ8（３０sccm)／Ｏ2（１２sccm）／ＣＯ（６０sccm)混合ガスを用いて行われる。…」
と記載されている。
　
　【００７６】、【００７７】段落には、
「【００７６】次に、エッチングの前処理として、波長１７２nmの放射線７が基板全面に照射される（図２（ｄ））。…
【００７７】照射装置を内包するチャンバーには窒素および酸素を任意の濃度比で送り込むことができる。チャンバー中に送り込む酸素の濃度を小さくし、その内部に窒素ガスを充填すると、前処理工程中に発生するオゾン量を少量とし、チャンバー内のオゾン濃度を小さくすることができる。…」
と記載されている。
　
　表３には、実施例１３として、前処理に使用する放射線波長（ｎｍ）が１５０、所要エネルギー（Ｊ／ｃｍ２）が２３．８の数値が示され、実施例１４として、前処理に使用する放射線波長（ｎｍ）が１５５、所要エネルギー（Ｊ／ｃｍ２）が１３．６の数値が示されている。
　
（２）．２　引用例１に記載された発明
　ａ．引用例１の【０００６】段落に記載された「下地基板上にフォトレジストの膜を形成する工程」は、実施例を参照すると、「基板４上に２５nmの膜厚を有するシリコン酸化窒化膜（SiON膜）が形成され、その上に７００nmの膜厚を有する酸化シリコン膜２が形成される。次に、酸化シリコン膜２の上に回転塗布法によりフォトレジスト1が形成され」（【００５２】段落）、「レジストパターン１ａをマスクとして酸化シリコン膜２がエッチングされる」（【００５８】段落）から、上記「下地基板上にフォトレジストの膜を形成する工程」は、基板上にレジストパターンをマスクとしてエッチングされる酸化シリコン膜を形成する工程と、酸化シリコン膜の上にフォトレジストの膜を形成する工程を含むものである。
　ｂ．引用例１の【０００６】段落に記載された「フォトレジストの膜の所定部分を波長２００nm以下の光に露光させる工程」は、実施例を参照すると、「ＡｒＦエキシマレーザー露光装置によりコンタクトホールパターンの露光が実行され」（【００５４】段落）るものであるから、上記露光装置は当然、マスクパターンを有し、当該マスクパターンをフォトレジストに露光することは当業者において明らかである。
　ｃ．引用例１の【０００６】段落に記載された「パターニングされた前記フォトレジストの全面に、波長２００nm以下の光を照射する前処理」は、「オゾン濃度が２×１０-7(mol/l)以下の状態で行われることが望ましい」（【００１０】段落）ため、「チャンバー中に送り込む酸素の濃度を小さくし、その内部に窒素ガスを充填する」（【００７７】段落）ことが記載されていることから、引用例１において、前記「前処理」は、窒素ガス中で行われると認められる。
　また、引用例１の【０００６】段落に記載された「前処理を施す工程」は、実施例を参照すると、「基板温度は２５℃に設定した。」（【００１８】段落）、「基板温度の設定値は、実施の形態１３〜１６および比較例１〜４の全てにおいて−１０℃である。」（【００５６】段落）と記載されているから、前記「前処理を施す工程」は、明示されていない温度制御機構により基板の温度が制御されていることが明らかである。
　ｅ．引用例１の【０００６】段落に記載された「パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記フォトレジストの下地層に微細パターンを形成する工程」は、実施例を参照すると、「表面波プラズマエッチング」（【００５８】段落）であるから、上記工程は、ドライエッチング工程であることが明らかである。
　
　上記ａ〜ｅを考慮すると、引用例１の上記記載から、引用例１には、
「下地基板上にフォトレジストの膜を形成する工程と、
　前記フォトレジストの膜の所定部分を波長２００nm以下の光に露光させる工程と、
　露光後の前記フォトレジストを現像して、そのフォトレジストを前記所望パターンにパターニングする工程と、
　パターニングされた前記フォトレジストの全面に、波長２００nm以下の光を照射する前処理を施す工程と、
　前記前処理の後に、パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記フォトレジストの下地層に微細パターンを形成する工程と、
を含む方法であって、
　上記「下地基板上にフォトレジストの膜を形成する工程」は、基板上にレジストパターンをマスクとしてエッチングされる酸化シリコン膜を形成する工程と、酸化シリコン膜の上にフォトレジストの膜を形成することを含み、
　上記「フォトレジストの膜の所定部分を波長２００nm以下の光に露光させる工程」は、マスクパターンをフォトレジストに露光する工程を有し、
  上記「パターニングされた前記フォトレジストの全面に、波長２００nm以下の光を照射する前処理を施す工程」において、前処理は、窒素ガス中で行われ、かつ、温度制御機構により基板の温度が制御され、
  上記「前記前処理の後に、パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記フォトレジストの下地層に微細パターンを形成する工程」は、ドライエッチング工程を含む
微細パターンの形成方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の、「酸化シリコン膜」、「フォトレジスト」及び「所望パターン」は、それぞれ、本願補正発明の、「下地膜」、「レジスト」及び「レジストパターン」に相当する。
　
　そうすると両者は、
「基板上に下地膜を形成する工程と、
　前記下地膜上にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストにマスクパターンを露光する工程と、
　露光後に、前記レジストを現像して、レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンに、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射する工程と、
　前記処理工程の終了後に、前記レジストパターンをマスクとして前記下地膜をドライエッチングする工程とを含み、
　前記処理工程において、温度制御機構により前記基板の温度を制御し、
　前記処理工程を、窒素雰囲気で行う微細パターンの形成方法。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願補正発明が、レジストパターンに「照射エネルギーが１５．６Ｊ／ｃｍ２以上の真空紫外線」を照射するのに対し、引用発明は、真空紫外線を照射するものの、「照射エネルギーが１５．６Ｊ／ｃｍ２以上」との限定がない点。
　
　相違点２
　本願補正発明が、処理工程が「レジストパターン中のポリマーを３次元的に架橋させて緻密化し、且つ、前記レジストパターンの寸法を小さくするキュア処理工程」であるのに対し、引用発明は、その旨の記載がない点。
　
　相違点３
　本願補正発明が、キュア処理工程において「レジストパターンの温度が−２０℃以上から該レジストパターンのガラス転移温度以下の範囲」になるように基板の温度を制御するのに対し、引用発明は、その旨の記載がない点。
　
　相違点４
　本願補正発明が、「キュア処理工程を、酸素濃度が１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気で行う」のに対し、引用発明は、窒素雰囲気であるものの、酸素濃度が１ｐｐｍ以下である記載がない点。
　
（４）判断
　相違点１について検討する。
　引用例１には、レジストパターンを１５０ｎｍの紫外線を用い、２３．８Ｊ／ｃｍ２で処理すること、及び１５５ｎｍの紫外線を用い、１３．６Ｊ／ｃｍ２で処理することが示されており、また、本願補正発明においてレジストの種類が特定されておらず、１５．６Ｊ／ｃｍ２以上とすることに臨界的意義は認められないから、相違点１に係る構成は当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点２について検討する。
　本願補正発明に使用するレジスト、使用する紫外線の波長、基板の温度において引用発明とは特に差がなく、また、「キュア処理」という用語自体に「処理」に比べて特に技術的意味がないから、本願補正発明の「レジストパターン中のポリマーを３次元的に架橋させて緻密化し、且つ、前記レジストパターンの寸法を小さくする処理工程」は、引用発明においても有しており、相違点２は実質的な相違ではない。
　
　相違点３について検討する。
　引用例１には、処理工程である前処理において、基板を−１０°Ｃ、２５°Ｃで処理することが示されており、また、本願補正発明においてレジストの種類が特定されておらず、「レジストパターンの温度が−２０℃以上」とすることに臨界的意義は認められず、さらに、「レジストパターンのガラス転移温度以下の範囲」とすることは、レジストの品質保持等を考慮すると当然のことであるから、「レジストパターンの温度が−２０℃以上から該レジストパターンのガラス転移温度以下の範囲」とすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点４について検討する。
　引用例１には、酸素があると不都合であることが記載されており、本願補正発明においてレジストの種類が特定されていないから、酸素濃度が１ｐｐｍ以下である点に臨界的意義は認められず、相違点１に係る構成は当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年８月４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１７年１０月４日付で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　請求項１
「基板上に下地膜を形成する工程と、
　前記下地膜上にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストにマスクパターンを露光する工程と、
　露光後に、前記レジストを現像して、レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンに、波長が２００ｎｍ以下、且つ、照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上の真空紫外線を照射することにより、前記レジストパターン中のポリマーを３次元的に架橋させて緻密化するキュア処理工程と、
　前記キュア処理工程の終了後に、前記レジストパターンをマスクとして前記下地膜をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項及び引用発明は、前記「・理由２．（２）．」に記載したとおりである。
　
（２）対比    
　そこで、本願発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の、「酸化シリコン膜」、「フォトレジスト」及び「所望パターン」は、それぞれ、本願発明の、「下地膜」、「レジスト」及び「レジストパターン」に相当する。
　
　そうすると両者は、
「基板上に下地膜を形成する工程と、
　前記下地膜上にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストにマスクパターンを露光する工程と、
　露光後に、前記レジストを現像して、レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンに、波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射する工程と、
　前記処理工程の終了後に、前記レジストパターンをマスクとして前記下地膜をドライエッチングする工程とを含む、
　微細パターンの形成方法。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願補正発明が、レジストパターンに「照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上の真空紫外線を照射する」のに対し、引用発明は、真空紫外線を照射するものの、「照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上」との限定がない点。
　
　相違点２
　本願補正発明が、処理工程が「レジストパターン中のポリマーを３次元的に架橋させて緻密化するキュア処理工程」であるのに対し、引用発明は、その旨の記載がない点。
　
（３）判断
　相違点１について検討する。
　本願発明の「照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上」については、本願明細書を参照すると、照射エネルギーの量がある程度以上必要とされ、必要とされる照射エネルギーの量は、引用発明に記載された程度のものであるから、照度は当業者が実験等により容易に想到できた事項にすぎず、相違点１に係る構成は当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点２について検討する。
　本願発明に使用するレジスト、使用する紫外線の波長、基板の温度において引用発明とは特に差がなく、また、「キュア処理」という用語自体に「処理」に比べて特に技術的意味がないから、本願発明の「レジストパターン中のポリマーを３次元的に架橋させて緻密化するキュア処理工程」は、引用発明においても有しており、相違点２は実質的な相違ではない。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。