【事件の表示】
　特願２００１−５１４４５９「ウエハを支持する改善されたラダーボート」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月　８日国際公開、ＷＯ０１／０９９２６、平成１５年　２月１８日国内公表、特表２００３−５０６８６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯  
　本願は、２０００年７月２１日（パリ条約による優先権主張：１９９９年７月２９日、欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、平成１６年９月９日付けで拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１７年３月１７日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月８日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成１７年８月８日付け手続補正についての補正却下の決定
　
 ＜補正却下の決定の結論＞ 
　平成１７年８月８日付け手続補正を却下する。
 　　 
 ＜理由＞ 
１．補正後の本願発明
　上記手続補正は、特許請求の範囲の請求項１を次のとおりとする補正事項を含むものである。
「熱処理のために、複数の半導体ウエハを支持するラダーボートであって、
　垂直方向に互いに対向し、水平方向に平行な上下のプレートと、
　前記上下のプレートに固定されて、前記プレート間の内容積を規定し、前記ウエハを支持するディバイダを設けられる複数の支持ロッドと
　を含み、前記ウエハ・ディバイダが傾斜部分を有するようにプロファイルされ、前記ウエハが前記ディバイダの鋭い角部に載置し、前記ディバイダとウエハとの接触部が、前記ウエハ外周に同心状で、前記外周から間隔をあけて位置する円周に沿って前記ディバイダの長さ分にわたり線接触して前記ウエハを支持し、前記熱処理の間にマイクロスクラッチ及びチッピング粒子を回避するラダーボート。」
　
　上記補正事項は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「前記ディバイダとウエハとの接触部」について、「円上の線分に制限され、」を「円周に沿って前記ディバイダの長さ分にわたり線接触して前記ウエハを支持し、」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、上記補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由において引用された本出願前に頒布された刊行物である引用文献１、２とその記載事項は、下記のとおりである。
（１）引用文献１：実願平４−１７０９３号（実開平５−６６９６７号）のＣＤ−ＲＯＭ
（１ａ）「【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】  対向する取付プレートにわたって複数本の支柱を設け、その支柱それぞれに長手方向に所定間隔を隔てて、基板の外周縁を載置支持する溝を形成した縦型基板熱処理装置における基板ボートにおいて、
前記支柱それぞれの溝形成側とは反対側に前記支柱よりも強度の高い補強支柱を付設するとともに、その補強支柱それぞれに前記支柱の長手方向所定箇所を補強支持したことを特徴とする縦型基板熱処理装置における基板ボート。
【請求項２】  請求項１に記載の支柱に形成した溝の下面が、前記補強支柱側程低くなる傾斜面である縦型基板熱処理装置における基板ボート。」
（１ｂ）「【０００１】【産業上の利用分野】本考案は、半導体基板やセラミックス基板といった各種の基板に対して、酸化、アニール、ＣＶＤ（化学気相成長）、あるいは、拡散などの各種の熱処理を行う縦型基板熱処理装置において使用される基板ボートに関する。」
（１ｃ）「【００３４】・・・溝１１…それぞれの下面Ｆ１および上面Ｆ２のいずれも水平面にした場合に比べて、支柱８…と基板との接触面積を減少できるため、スリップ防止効果をより一層高められるであろうことが推測された。」
（１ｄ）「【００３７】請求項２に係る考案の縦型基板熱処理装置における基板ボートによれば、基板の外周縁を点的な接続状態で載置保持するから、基板と支柱との接触面積を微小にできて基板でのスリップ発生をより良好に防止できる。」
（１ｅ）“基板ボートの要部の側面図”を示した図２から、基板は、支柱に形成した溝の下面（すなわち、隣接する溝間の突出部分の上面）の最も高い部分である鋭角状先端部に載置されていること、及び、該鋭角状先端部と基板との接触部は、基板の外周から間隔をあけた位置であることが読み取れる。
（１ｆ）“基板におけるスリップの発生状況を示す模式図”である図６の平面図から、略円形状の基板の外周縁部は、該基板の外周部に相互に間隔をおいて設けた３本の支柱に形成した溝で支持されていることが読み取れる。
　
（２）引用文献２：特開平７−３２６５８０号公報
（２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数本の支持棒が所定の配置で連結、固定されており、前記各支持棒の互いに相対向する内側面に、それらの長軸方向に所定のピッチで形成された複数の半導体ウエハ用挿入溝により半導体ウエハ載置棚が形成されていて、搭載しようとする半導体ウエハの裏面を支持する前記各半導体ウエハ載置棚の表面を半導体ウエハを点または線で支持する構造で構成したことを縦型減圧ＣＶＤ装置における半導体ウエハ搭載用ボート。」
（２ｂ）「【００２０】
【発明の効果】・・・半導体ウエハＳの周縁部４ヵ所において、各半導体ウエハＳは各支持棒８０１Ａの各半導体ウエハ載置棚８０５Ａの表面８０６Ａである傾斜面の最も高まった角８０６ａで支持されることになり、これらの接触部は面ではなく、極僅かな円弧の線または点に近い接点になる。」
　 
３．対比・判断 
３−１．引用文献１記載の発明
（カ）引用文献１には、上記（１ａ）のとおりの「縦型基板熱処理装置における基板ボート」が記載されている。
（キ）上記（１ｂ）の「本考案は、半導体基板やセラミックス基板といった各種の基板に対して、酸化、アニール、ＣＶＤ（化学気相成長）、あるいは、拡散などの各種の熱処理を行う・・・」という記載からみて、該基板は、「半導体基板」などであるといえる。
　以上の（カ）、（キ）の事項を総合すると、引用文献１には、下記の発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　　引用文献１発明：「対向する取付プレートにわたって複数本の支柱を設け、その支柱それぞれに長手方向に所定間隔を隔てて、半導体基板の外周縁を載置支持する溝を形成した縦型基板熱処理装置における基板ボートにおいて、前記支柱それぞれの溝形成側とは反対側に前記支柱よりも強度の高い補強支柱を付設するとともに、その補強支柱それぞれに前記支柱の長手方向所定箇所を補強支持し、支柱に形成した溝の下面が、前記補強支柱側程低くなる傾斜面である、縦型基板熱処理装置における基板ボート。」
　
３−２．本願補正発明１と引用文献１発明との対比
　本願補正発明１と引用文献１発明を対比すると、引用文献１発明における「半導体基板」、「基板ボート」、「取付プレート」、「支柱」、「傾斜面」は、それぞれ、本願補正発明１における「半導体ウエハ」、「ラダーボート」、「プレート」、「支持ロッド」、「傾斜部分」に相当するといえる。
　引用文献１発明における支柱に形成した隣接する溝間の部分は、支柱における突出した部分であって、この突出部分は、半導体基板を載置支持するものであり、本願補正発明１における「ディバイダ」乃至「ウエハ・ディバイダ」に相当するといえる（以下、引用文献１発明における用語に代えて、それに相当する本願補正発明１における用語を使用することがある）。
　
　以上の事項を勘案すると、両者は、
「熱処理のために、複数の半導体ウエハを支持するラダーボートであって、
　垂直方向に互いに対向し、水平方向に平行な上下のプレートと、
　前記上下のプレートに固定されて、前記プレート間の内容積を規定し、前記ウエハを支持するディバイダを設けられる複数の支持ロッドと
　を含み、前記ウエハ・ディバイダが傾斜部分を有するようにプロファイルされ、前記ディバイダとウエハとの接触部が前記ウエハを支持するラダーボート。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
　　　相違点１：本願補正発明１では、「前記ウエハが前記ディバイダの鋭い角部に載置」するのに対し、引用文献１発明では、それが明示されていない点
　　　相違点２：本願補正発明１では、“前記ディバイダとウエハとの接触部”が、「前記ウエハ外周に同心状で、前記外周から間隔をあけて位置する円周に沿って前記ディバイダの長さ分にわたり線接触」するのに対し、引用文献１発明では、そのような事項が明示されていない点
　　　相違点３：本願補正発明１では、「前記熱処理の間にマイクロスクラッチ及びチッピング粒子を回避する」のに対し、引用文献１発明では、それが明示されていない点
　
３−３．相違点についての判断
（ｉ）相違点１について
　引用文献１発明では、隣接する溝間の突出部分の上面は、先端側ほど高い傾斜面であり、しかも、“基板ボートの要部の側面図”を示した図２から、上記（１ｅ）のとおり、基板（半導体ウエハ）は、突出部分（ディバイダ）の上面の最も高い部分である鋭角状先端部に載置されていることが読み取れる。してみれば、「前記ウエハが前記ディバイダの鋭い角部に載置」する点で、本願補正発明１と引用文献１発明とが格別に相違するとはいえないから、上記相違点１は、実質的な相違とはいえない。
　
（ｉｉ）相違点２について
　引用文献１の“基板におけるスリップの発生状況を示す模式図”である図６の平面図から、上記（１ｆ）のとおり、略円形状の基板の外周縁部は、該基板の外周部に相互に間隔をおいて設けた３本の支柱に形成した溝（乃至溝間の突出部分）で支持されていることが読み取れるから、隣接する溝間の突出部分（ディバイダ）の上面と半導体基板（半導体ウエハ）の外周縁との接触部は、半導体ウエハの外周に同心状であるといえる。また、前記突出部分がその鋭角状先端部で半導体ウエハの外周縁を載置支持する場合、その接触部を、半導体ウエハの最外周ではなく、多少とも外周から間隔をあけた位置とすることは、支持の安定性から当然のことであるし、さらに、“基板ボートの要部の側面図”を示した図２から、上記（１ｅ）のとおり、該接触部は、基板（半導体ウエハ）の外周から間隔をあけた位置であることが読み取れるから、本願補正発明１と引用文献１発明とは、“前記ディバイダとウエハとの接触部”が、“前記ウエハ外周に同心状で、前記外周から間隔をあけて位置する円周に沿って”いる点で、格別に相違するとはいえない。
　そして、引用文献１の上記（１ｃ）、（１ｄ）には、突出部分（ディバイダ）と半導体ウエハとの接触部の面積を減少させることによりスリップ防止効果をより一層高めることが記載され、しかも、熱処理における半導体ウエハの支持装置において、半導体ウエハを支持するディバイダと半導体ウエハとの接触部の面積を減少させるために該接触部を線接触とすることは、引用文献２の上記（２ａ）、（２ｂ）や、特開平５−２３４９２５号公報の【０００１】、【０００６】等の記載に見られるように、本出願前に周知の事項であるし、また、その線接触をディバイダの長さ分にわたるものとするようなことは、単なる設計的な事項に過ぎないし、前記特開平５−２３４９２５号公報の図３などに示されてもいる。
　してみれば、引用文献１発明において、“前記ディバイダとウエハとの接触部”が、「前記ウエハ外周に同心状で、前記外周から間隔をあけて位置する円周に沿って前記ディバイダの長さ分にわたり線接触」するように構成することは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（ｉｉｉ）相違点３について
　本願明細書の次の（摘示Ａ）〜（摘示Ｃ）の記載からみて、本願補正発明１は、スリップ・ラインまたはマイクロスクラッチとして周知の結晶欠陥、及び、チッピング粒子を、“前記ディバイダとウエハとの接触部”の面積を低減することにより回避するものと認められる。
　　（摘示Ａ）：「【０００５】　単結晶シリコン（半導体ウエハの原料物質）は１４１０℃の融点を有するので、結晶欠陥は、１０００℃以上で実施される標準の熱処理の間に、接触面Ｓの位置で支持ロッド１２により支持されるシリコン・ウエハ１４の一部の近傍で発生する傾向がある。これらの欠陥は周知のスリップ・ラインまたはマイクロスクラッチを形成し、これらは黙視検査により、または拡大レンズを用いることにより確認される。半導体業界では、これらのマイクロスクラッチの原因が、ウエハがそれらの周囲を限られた数（この例では６つ）の位置で支持されるために、大きな内部応力がウエハ内で発生することに由来すると考えられている。尚、こうした応力は、滑り線（slip line）形成により緩和される。他方、総称的にチッピング粒子と呼ばれるシリコン及び水晶粒子が、機械的摩擦の結果として、これらの接触面Ｓ位置の近傍で見いだされる。」
　　（摘示Ｂ）「【００２５】　本発明の重要な態様によれば、ウエハ裏面の周囲とディバイダとの間の接触面が、部分的（segmental）または点（punctual）接触による。」
　　（摘示Ｃ）「【００３６】　最終的に、接触面は２重に低減される。第１に、実質的に部分的表面または点表面（Ｓ'により表される）に最小化され、更に支持ロッドの数が、図１の従来のラダーボート１０内の６個から、３個に低減される。総接触面は３ｘＳ'により表され、（３６ｍｍ2と比較して）３ｍｍ2となる。この接触面の低減は、マイクロスクラッチ及びチッピング粒子の数、及びウエハの活性面でのコールド・ゾーンを低減し、付着層の厚さの均一性を改善する試みの本質的な面である。」
　
　これに対し、引用文献１発明は、前述のとおり、突出部分（ディバイダ）と半導体ウエハとの接触部の面積を減少させることによりスリップ防止効果をより一層高めるものであるから、スリップ・ラインとして周知の結晶欠陥を、“前記ディバイダとウエハとの接触部”の面積を低減することにより回避するものである点で、本願補正発明１と軌を一にしているといえる。また、本願補正発明１と引用文献１発明とは、“前記ディバイダとウエハとの接触部”の面積を低減するという解決手段において格別の差異がないから、その解決手段によって得られる「前記熱処理の間にマイクロスクラッチ及びチッピング粒子を回避する」という効果の点でも、格別に相違するとはいえない。
　したがって、前記相違点３は、実質的な相違とはいえない。
　
（ｉｖ）相違点判断のまとめ
　以上のとおり、上記相違点１〜３はいずれも、実質的な相違でないか、当業者が容易に想到し得たものである。
　しかも、本願補正発明１は、上記相違点１〜３により格別に顕著な効果を奏するとも認められない。
　したがって、本願補正発明１は、引用文献１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび  
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、上記補正事項を含む上記手続補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　  
［３］本願発明について
１．本願発明
　平成１７年８月８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成１７年３月１７日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「熱処理のために、複数の半導体ウエハを支持するラダーボートであって、
　垂直方向に互いに対向し、水平方向に平行な上下のプレートと、
　前記上下のプレートに固定されて、前記プレート間の内容積を規定し、前記ウエハを支持するディバイダを設けられる複数の支持ロッドと
　を含み、前記ウエハ・ディバイダが傾斜部分を有するようにプロファイルされ、前記ウエハが前記ディバイダの鋭い角部に載置し、前記ディバイダとウエハとの接触部が、前記ウエハ外周に同心状で、前記外周から間隔をあけて位置する円上の線分に制限され、前記熱処理の間にマイクロスクラッチ及びチッピング粒子を回避するラダーボート。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由において引用された本出願前に頒布された刊行物である引用文献１、２とその記載事項は、上記［２］２．のとおりである。
 　　  
３．対比・判断
　本願発明１は、前記［２］で検討した本願補正発明１から、その発明を特定するために必要な事項である「前記ディバイダとウエハとの接触部」について、「円周に沿って前記ディバイダの長さ分にわたり線接触して前記ウエハを支持し、」という具体的限定を削除し、単に、「円上の線分に制限され、」としたものである。
　そうすると、本願発明１を特定するために必要な事項を全て含み、さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１は、前記［２］３．に記載したとおり、引用文献１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、引用文献１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。