Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月27日(2012.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気層構造であって、
ピン止め層と、
ピン止め層の磁気配向を規定する第１の反強磁性層と、
自由層と、
ピン止め層の磁気配向に対してほぼ垂直な磁気配向へと自由層にバイアスをかける第２の反強磁性層と、
第２の反強磁性層と自由層との間に位置決めされ、第２の反強磁性層および自由層に接触し、自由層のバイアスを所望のレベルに調整する調整層とを含む、磁気層構造。
【請求項２】
自由層に隣接し自由層の主面に沿って位置決めされる１つ以上の側面シールドをさらに含む、請求項１に記載の磁気層構造。
【請求項３】
側面シールドが軟磁性材料または非磁性材料を含む、請求項２に記載の磁気層構造。
【請求項４】
２つの電極をさらに含み、各々が、層構造の両側に位置決めされ、自由層の主面に対してほぼ垂直な軸に沿って層構造を介して電流を導くよう構成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気層構造。
【請求項５】
自由層からピン止め層を磁気的に隔てるスペーサ層をさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気層構造。
【請求項６】
堆積後の破損から第２の反強磁性層を保護するキャッピング層をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気層構造。
【請求項７】
ピン止め層、第１の反強磁性層、自由層および第２の反強磁性層が、読取素子センサを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気層構造。
【請求項８】
ほぼ垂直とは、＋／−１５度の垂直である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気層構造。
【請求項９】
第１および第２の反強磁性層は、ＩｒＭｎまたはＰｔＭｎを含み、３０Å以上および２５０Å以下の厚さを有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気層構造。
【請求項１０】
調整層は、自由層および第２の反強磁性層をデカップルしつつ、自由層の磁気モーメントの分散を低減させる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気層構造。
【請求項１１】
自由層が第１の自由層および第２の自由層を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁気層構造。
【請求項１２】
磁気層構造にバイアスをかける方法であって、
第１の反強磁性層を用いて、ピン止め層の磁気配向を規定するステップと、
第２の反強磁性層を用いて、自由層の磁気配向にバイアスをかけるステップとを含み、
ピン止め層の規定された磁気配向は、自由層のバイアスがかけられた磁気配向に対してほぼ垂直であり、前記方法はさらに、
第２の反強磁性層と自由層との間に位置決めされ、第２の反強磁性層および自由層に接触する調整層を用いて、自由層のバイアスを所望のレベルに調整するステップを含む、方法。
【請求項１３】
自由層に隣接し自由層の主面に沿って位置決めされる１つ以上の側面シールドを用いて、外部の電磁および／または熱的干渉から自由層を遮蔽するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第１の反強磁性層、ピン止め層、自由層および第２の反強磁性層の両側に位置決めされる２つの電極間における自由層の主面に対してほぼ垂直な軸に沿って電流を導くステップをさらに含む、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
自由層および第２の反強磁性層をデカップルしつつ自由層の磁気モーメントの分散を低減させるステップをさらに含む、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
磁気ディスクドライブ用の変換器であって、
リーダを含み、前記リーダは、
ピン止め層と、
ピン止め層の磁気配向を規定する第１の反強磁性層と、
自由層と、
ピン止め層の磁気配向に対してほぼ垂直な磁気配向へと自由層にバイアスをかける第２の反強磁性層と、
第２の反強磁性層と自由層との間に位置決めされ、第２の反強磁性層および自由層に直接接触し、自由層のバイアスを所望のレベルに調整する調整層とを含む、変換器。
【請求項１７】
リーダはさらに、自由層に隣接し自由層の主面に沿って位置決めされ、外部の電磁干渉から自由層を遮蔽する１つ以上の側面シールドを含む、請求項１６に記載の変換器。
【請求項１８】
リーダはさらに２つの電極を含み、各々は、層構造の両側に位置決めされ、自由層の主面に対してほぼ垂直な軸に沿って層構造を介して電流を導くよう構成される、請求項１６または１７に記載の変換器。
【請求項１９】
調整層は、自由層および第２の反強磁性層をデカップルしつつ、自由層の磁気モーメントの分散を低減させる、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の変換器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気スタックであって、
非磁気スペーサ層によって反強磁性層（ＡＦＭ）から横方向に分離されるとともに、磁気トンネル接合によって合成反強磁性層（ＳＡＦ）から内側に分離される磁気自由層を備え、
前記ＡＦＭは、前記磁気トンネル接合を超えて横方向に伸延する前記ＳＡＦのピニング領域との接触を通じて、前記ＳＡＦの磁化を固定する、磁気スタック。
【請求項２】
トンネル磁気抵抗効果は、昇温および面内磁場の存在下における焼鈍を通して増加される、請求項１に記載の磁気スタック。
【請求項３】
前記ピニング領域は、焼鈍中に、揮発性ＡＦＭ原子の拡散を抑制する、請求項１に記載の磁気スタック。
【請求項４】
前記磁気自由層は、第１の幅を有し、
前記磁気トンネル接合は、第２の幅を有し、
前記ＳＡＦは、第３の幅を有し、
前記ピニング領域は、前記第２の幅と前記第３の幅との差によって定められる、請求項１に記載の磁気スタック。
【請求項５】
前記ピニング領域は、前記磁気自由層の横方向の両側に配置される、請求項１に記載の磁気スタック。
【請求項６】
前記ＳＡＦは、単一の強磁性層である、請求項１に記載の磁気スタック。
【請求項７】
前記ＡＦＭは、前記非磁気スペーサ層によって、前記磁気自由層および上部電極から、物理的かつ磁気的に分離される、請求項１に記載の磁気スタック。
【請求項８】
前記ＡＦＭは、マンガン化合物である、請求項１に記載の磁気スタック。
【請求項９】
前記マンガン化合物は、ＩｒＭｎである、請求項８に記載の磁気スタック。
【請求項１０】
前記磁気スタックは不揮発性であり、スピン偏極電流を用いて前記磁気自由層に論理状態がプログラムされる、請求項１に記載の磁気スタック。
【請求項１１】
方法であって、
非磁気スペーサ層によって反強磁性層（ＡＦＭ）から横方向に分離されるとともに、磁気トンネル接合によって合成反強磁性層（ＳＡＦ）から内側に分離される磁気自由層を提供するステップと、
前記ＡＦＭを用いて、前記磁気トンネル接合を超えて横方向に伸延する前記ＳＡＦのピニング領域との接触を通じて、前記ＳＡＦの磁化を固定するステップとを備える、方法。
【請求項１２】
前記ＡＦＭは、交換バイアス場を用いて前記ＳＡＦを固定する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＳＡＦは、前記磁気自由層の幅の少なくとも２倍の長さの幅を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ピニング領域は、前記磁気トンネル接合の側面部を除去することによって形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
メモリセルであって、
第１の幅を有する磁気自由層を備え、
前記磁気自由層は、前記第１の幅より大きい第２の幅を有する磁気トンネル接合に取付けられ、
前記磁気トンネル接合は、少なくとも前記第１の幅の２倍である第３の幅を有する合成反強磁性層（ＳＡＦ）の内側部に取付けられ、
前記メモリセルは、
非磁気スペーサ層によって前記磁気自由層から分離されるとともに、前記第２の幅から前記第３の幅へ横方向に伸延する前記ＳＡＦのピニング領域に接続される反強磁性層（ＡＦＭ）をさらに備え、
前記ピニング領域は、昇温および面内磁場の存在下における焼鈍中に、ＡＦＭ原子の拡散を抑制する、メモリセル。
【請求項１６】
前記ＡＦＭ原子の拡散の抑制は、前記ＳＡＦの磁気安定性を増加し、
前記焼鈍は、前記メモリセルについてのトンネル磁気抵抗を増加する、請求項１５に記載のメモリセル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数変換の方法であって、前記方法は、
局部発振器（ＬＯ）信号の第１の相補対及びＬＯ信号の第２の相補対を生成すること、ここにおいて、前記第１の相補対の信号と前記第２の相補対の信号との間の位相差は、９０°に実質的に等しい、
第１のチャネルにおいて、第１のアクティブミキサーを使用して、無線周波数（ＲＦ）電流信号をＬＯ信号の前記第１の相補対と混合すること、
第２のチャネルにおいて、第２のアクティブミキサーを使用して、前記ＲＦ電流信号をＬＯ信号の前記第２の相補対と混合すること、ここにおいて、前記第１及び第２の相補対の各信号は、５０％未満のデューティサイクルを有する、
第１のフィードバックトランスインピーダンス増幅器を使用して、第１の周波数変換された信号電流に比例する第１のＲＦ電圧信号を生成すること、ここにおいて、前記第１の周波数変換された信号は、前記第１のチャネルにおいて受信され、前記ＲＦ電流信号及び前記第１の相補対に基づく、
第２のフィードバックトランスインピーダンス増幅器を使用して、第２の周波数変換された信号電流に比例する第２のＲＦ電圧信号を生成すること、ここにおいて、前記第２の周波数変換された信号は、前記第２のチャネルにおいて受信され、前記ＲＦ電流信号及び前記第２の相補対に基づく、
を備える、周波数変換方法。
【請求項２】
２５％に実質的に等しいデューティサイクルを有するようにＬＯ信号の前記第１及び第２の相補対の前記信号の各々を生成することをさらに具備する請求項１に記載の周波数変換方法。
【請求項３】
２５％未満のデューティサイクルを有するようにＬＯ信号の前記第１及び第２の相補対の前記信号の各々を生成することをさらに具備する請求項１に記載の周波数変換方法。
【請求項４】
前記第１のチャネルにおいて前記ＲＦ電流信号を混合することは、差動ＲＦ電流信号をＬＯ信号の前記第１の相補対と混合することを含む請求項１に記載の周波数変換方法。
【請求項５】
前記第２のチャネルにおいて前記ＲＦ電流信号を混合することは、前記差動ＲＦ電流信号をＬＯ信号の前記第２の相補対と混合することを含む請求項４に記載の周波数変換方法。
【請求項６】
前記第１のチャネルにおいて前記ＲＦ電流信号を混合することは、ＬＯ信号の前記第１の相補対に従って前記ＲＦ電流信号を整流することを含む請求項１に記載の周波数変換方法。
【請求項７】
前記第２のチャネルにおいて前記ＲＦ電流信号を混合することは、ＬＯ信号の前記第２の相補対に従って前記ＲＦ電流信号を整流することを含む請求項６に記載の周波数変換方法。
【請求項８】
前記第１のチャネルにおいて前記ＲＦ電流信号を混合することは、前記ＲＦ電流信号を前記第１の相補対と混合して前記ＲＦ電流信号の同相成分に基づいて第１のベースバンド信号を生成することを含む請求項１に記載の周波数変換方法。
【請求項９】
前記第２のチャネルにおいて前記ＲＦ電流信号を混合することは、前記ＲＦ電流信号を前記第２の相補対と混合して前記ＲＦ電流信号の直交成分に基づいて第２のベースバンド信号を生成することを含む請求項８に記載の周波数変換方法。
【請求項１０】
ＲＦ電圧信号を前記ＲＦ電流信号に変換することをさらに備える請求項１に記載の周波数変換方法。
【請求項１１】
周波数コンバータを含む装置、前記周波数コンバータは下記を備える、
第１の局部発振器（ＬＯ）信号及び第２のＬＯ信号を含むＬＯ信号の第１の相補対、
第３の局部発振器（ＬＯ）信号及び第４のＬＯ信号を含むＬＯ信号の第２の相補対
を生成するように構成された信号生成器、
ここにおいて、前記第１のＬＯ信号と前記第３のＬＯ信号との間の位相差は９０°に実質的に等しい、ここにおいて、ＬＯ信号の前記第１及び第２の相補対の各ＬＯ信号は５０％未満のデューティサイクルを有する、
無線周波数（ＲＦ）電流信号を前記第１のＬＯ信号と混合することによって第１の中間周波数（ＩＦ）電流信号を生成し、
前記ＲＦ電流信号を前記第２のＬＯ信号と混合することによって第２のＩＦ電流信号を生成する
ように構成された第１のミキサー、
前記ＲＦ電流信号を前記第３のＬＯ信号と混合することによって第３のＩＦ電流信号を生成し、
前記ＲＦ電流信号を前記第４のＬＯ信号と混合することによって第４のＩＦ電流信号を生成する
ように構成された第２のミキサー、
前記第１のＩＦ電流信号を第１のＩＦ電圧信号に変換し、
前記第２のＩＦ電流信号を第２のＩＦ電圧信号に変換する
ように構成された第１のフィードバックトランスインピーダンス増幅器、
前記第３のＩＦ電流信号を第３のＩＦ電圧信号に変換し、
前記第４のＩＦ電流信号を第４のＩＦ電圧信号に変換する
ように構成された第２のフィードバックトランスインピーダンス増幅器、
を備える、装置。
【請求項１２】
ＬＯ信号の前記第１及び第２の相補対の各ＬＯ信号は、２５％未満のデューティサイクルを有する請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のミキサーは下記を備えるアクティブミキサーである請求項１１に記載の装置、
第１の位相反転電流スイッチとして動作するように構成されたトランジスタの第１の差動対、ここにおいて、前記トランジスタの第１の差動対は第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを含む、
第２の位相反転電流スイッチとして動作するように構成されたトランジスタの第２の差動対、ここにおいて、前記トランジスタの第２の差動対は第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを含む。
【請求項１４】
前記第１のトランジスタのゲート及び前記第４のトランジスタのゲートは前記第１のＬＯ信号によって駆動される、前記第２のトランジスタのゲート及び前記第３のトランジスタのゲートは前記第２のＬＯ信号によって駆動される請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のミキサーは、前記トランジスタの第２の差動対及び前記トランジスタの第１の差動対にバイアス電流を提供するように構成されたアクティブ電流ソースをさらに含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記アクティブ電流ソースはバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を含む、ここにおいて、前記ＢＪＴのベースは印加されたバイアス電圧によって駆動される請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記アクティブ電流ソースは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含む、ここにおいて、前記ＭＯＳＦＥＴのゲートは印加されたバイアス電圧によって駆動される請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１のミキサーは、前記トランジスタの第２の差動対及び前記トランジスタの第１の差動対にバイアス電流を提供するように構成されたパッシブ電流ソースをさらに含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
前記パッシブ電流ソースは共振回路を含む、ここにおいて、前記共振回路は並列に接続されたキャパシタ及び誘導子を含む、ここにおいて、前記共振回路は前記ＲＦ電流信号の周波数に実質的に等しい共振周波数で共鳴する請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記第１のミキサーは、前記ＲＦ電流信号の同相成分に基づいて第１のＩＦ電流信号及び第２のＩＦ電流信号を生成する、ここにおいて、前記第２のミキサーは、前記ＲＦ電流信号の直交成分に基づいて第３のＩＦ電流信号及び第４のＩＦ電流信号を生成する請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法（ＣＺ法）により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において下記式（１）を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を形成するとともに、
前記シリコンインゴットを形成する際に、前記酸化雰囲気アニールの温度範囲を１０５０℃〜１２００℃とすることを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法。
【数１】
2012134517.tif 000001
但し、［Ｏｉ］はＡＳＴＭ Ｆ−１２１（１９７９）に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法による測定値であり、ｋはボルツマン定数（８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ））である。
【請求項２】
８００℃で４時間と１０００℃で１６時間とされる２段熱処理を受けた場合に、加熱処理前後でのライフタイムの減少率が２０％以内であることを特徴とする請求項１に記載のＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
４５０℃で１時間の加熱処理を受けた場合に、抵抗率の低下が８％以内であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記シリコンインゴットを形成する際に窒素をドープして、窒素濃度が２×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットを形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記酸化雰囲気アニールの後に、ウェーハ表面の研磨を行うことを特徴とする請求項１または請求項１から４のいずれか１項に記載のＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において下記式（１）を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を形成するとともに、
前記シリコンインゴットを形成する際に、前記酸化雰囲気アニールの温度範囲を１０５０℃〜１２００℃とすることを特徴とする。
【数１】
2012134517.tif 000002
但し、［Ｏｉ］はＡＳＴＭ Ｆ−１２１（１９７９）に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法による測定値であり、ｋはボルツマン定数（８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ））である。
本発明は、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間とされる２段熱処理を受けた場合に、加熱処理前後でのライフタイムの減少率が２０％以内である手段や、４５０℃で１時間の加熱処理を受けた場合に、抵抗率の低下が８％以内である手段を採用することができる。
本発明のＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において下記式（１）を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を形成することを特徴とする。
【数２】
2012134517.tif 000003
但し、［Ｏｉ］はＡＳＴＭ Ｆ−１２１（１９７９）に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法による測定値であり、ｋはボルツマン定数（８．６１７×１０−５（ｅＶ／Ｋ））である。
また本発明のＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法においては、前記シリコンインゴットを形成する際に、窒素をドープして窒素濃度が２×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコンインゴットを形成することが好ましい。
また本発明のＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法においては、前記酸化雰囲気アニールの後に、ウェーハ表面の研磨を行うことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微温水を柱状に噴出する温水吐出孔を備えた温水ノズルと、
該温水ノズルを前後に変位させる第１のノズル駆動部材とを有し、
前記温水ノズルから所定量に制限した微温水を柱状に噴出することを特徴とする排便誘導便座。
【請求項２】
前記排便誘導便座には、前記温水ノズルをその軸中心に回転動作させる第２ノズル駆動部材と、前記温水ノズルの少なくとも先端部を左右に変位させる第３ノズル駆動部材とを有する、請求項１に記載の排便誘導便座。
【請求項３】
前記温水ノズルの先端部に設けられ、前記排便誘導便座を使用する者の臀部を撮像するカメラと、
該カメラが撮像した前記排便誘導便座を使用する者の肛門の部位を表示するモニタとを更に有する請求項１又は２に記載の排便誘導便座。
【請求項４】
便座に前後動可能に配設された温水ノズルと、該温水ノズルの先端部に設けられ、温水を柱状に噴出する温水吐出孔と、前記温水ノズルを前後に駆動する第１ノズル駆動部材と、前記温水ノズルをその軸中心に回転動作させる第２ノズル駆動部材と、前記温水ノズルの少なくとも先端部を左右に変位させる第３ノズル駆動部材とを有する排便誘導便座と；
前記温水ノズルに温水を圧送する温水圧送手段と；
前記温水圧送手段の作動を制御して前記温水ノズルから吐出する温水の量を所定量に制限する制御手段と；を有することを特徴とする排便誘導装置。
【請求項５】
前記温水ノズルから吐出する温水の量を調整する水量調整スイッチを更に有する、請求項４に記載の排便誘導装置。
【請求項６】
前記温水ノズルの先端部に設けられ、前記排便誘導便座を使用する者の臀部を撮像するカメラとモニタとを更に有し、
前記制御手段は、前記カメラから撮像データを取り込んで、前記排便誘導便座を使用する者の肛門を抽出して、該肛門の位置を前記モニタに表示させると共に、該肛門を含む平面に対して前記温水ノズルから噴出する温水が交差する温水到達位置を前記モニタに表示させる、請求項４又は５に記載の排便誘導装置。
【請求項７】
前記モニタが、前記排便誘導便座に設けられ、前記排便誘導便座を使用する者が操作する操作部を備えたコントローラに搭載されている、請求項６に記載の排便誘導装置。
【請求項８】
便座と、エアを充填することにより高くなる周囲壁とを備えた差し込み便器であって、
前記便座には、
前後動可能に配設された温水ノズルと、
該温水ノズルの先端部に設けられ、所定量の温水を柱状に噴出する温水吐出孔と、
前記温水ノズルを前後に駆動する第１ノズル駆動部材と、
前記温水ノズルをその軸を中心に回転動作させる第２ノズル駆動部材と、
前記温水ノズルの少なくとも先端部を左右に変位させる第３ノズル駆動部材とが設けられていることを特徴とする差し込み便器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管状の柱の形状で、当該形状の外側面と内側面との間に中空部を有し、
前記内側面を一周し、前記中空部と前記内側面より内側の空間とを繋げる環状の開口部
を有する吸音体。
【請求項２】
中空部を有する柱の形状であって、
当該形状の外周面を一周し、前記中空部と外部とを繋げる環状の開口部
を有する吸音体。
【請求項３】
前記中空部は前記柱の形状の中心軸を中心として環状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の吸音体。
【請求項４】
前記中空部は、前記柱の形状の中心軸の方向から外側面の方向へ放射状に形成された仕切部材で複数に分けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の吸音体。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の吸音体を有する音響室。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、中空部を有する柱の形状であって、当該形状の外周面を一周し、前記中空部と外部とを繋げる環状の開口部を有する吸音体を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエチレン樹脂を含む鞘部及び該ポリエチレン樹脂より融点が高い樹脂成分を含む芯部を有する芯鞘型複合繊維と、該芯鞘型複合繊維の表面に付着している親水化剤とを有し、構成繊維の交点が熱融着した熱融着部を有する不織布であって、
前記芯鞘型複合繊維は、加熱によってその長さが伸びる熱伸長性複合繊維を含み、
前記熱伸長性複合繊維が、前記不織布の厚み方向及び／又は平面方向に親水度勾配を有しており、
前記不織布は、エンボス加工により形成された厚みの薄い部分と、それ以外の厚みの厚い部分とを有し、前記厚みの薄い部分又はその近傍部が親水性であり、前記厚みの厚い部分の頂部は、前記厚みの薄い部分又はその近傍部よりも親水性が低くなっている不織布。
【請求項２】
前記親水化剤が、ポリオキシエチレンアルキルアミド及び／又はアルキルベタインを含む、請求項１に記載の不織布。
【請求項３】
ポリエチレン樹脂を含む鞘部及び該ポリエチレン樹脂より融点が高い樹脂成分を含む芯部を有する芯鞘型複合繊維と、該芯鞘型複合繊維の表面に付着している親水化剤とを有し、構成繊維の交点が熱融着した熱融着部を有する不織布であって、
前記芯鞘型複合繊維は、加熱によってその長さが伸びる熱伸長性複合繊維を含み、
前記熱伸長性複合繊維が、前記不織布の厚み方向及び／又は平面方向に親水度勾配を有しており、
前記不織布は、エンボス加工により形成された厚みの薄い部分と、それ以外の厚みの厚い部分とを有し、
前記親水化剤が、ポリオキシエチレンアルキルアミド及び／又はアルキルベタインを含み、前記厚みの厚い部分は、前記厚みの薄い部分又はその近傍部に比べて、前記ポリオキシエチレンアルキルアミド及び／又はアルキルベタインの存在比率が高い、不織布。
【請求項４】
前記親水化剤が、ポリオキシエチレンアルキルアミド及びアルキルベタインを含む、請求項３に記載の不織布。
【請求項５】
ポリエチレン樹脂を含む鞘部及び該ポリエチレン樹脂より融点が高い樹脂成分を含む芯部を有する芯鞘型複合繊維と、該芯鞘型複合繊維の表面に付着している親水化剤とを有し、前記ポリエチレン樹脂の結晶子サイズが１００〜２００Åである、熱により親水性が低下する繊維
を含むウェブ又は不織布に熱処理を施し、該ウェブ又は不織布の一部の親水性を低下させて得られる不織布。
【請求項６】
前記親水化剤が、アニオン性、カチオン性及び両性イオン性の界面活性剤からなる群から選択される一種以上である、請求項５記載の不織布。
【請求項７】
エンボス加工により形成された厚みの薄い部分と、それ以外の厚みの厚い部分とを有し、厚みの厚い部分が親水性低下部、厚みの薄い部分及び／又はその近傍部が親水部となっている、請求項５又は６記載の不織布。
【請求項８】
一面が親水性、他面がそれよりも疎水性となっている、請求項７記載の不織布。
【請求項９】
ポリエチレン樹脂からなる鞘部及び該ポリエチレン樹脂より融点が高い樹脂成分からなる芯部を有する芯鞘型複合繊維と、該芯鞘型複合繊維の表面に付着している親水化剤とを有し、前記ポリエチレン樹脂の結晶子サイズが１００〜２００Åである、熱により親水性が低下する繊維
を含むウェブ又は不織布に熱処理を施し、該ウエブ又は不織布の一部の親水性を低下させた不織布を得る、不織布の製造方法。
【請求項１０】
前記熱処理の温度が、前記鞘部を構成する前記ポリエチレン樹脂の融点より１０℃低い温度から前記芯部を構成する前記樹脂成分の融点までの範囲である、請求項９記載の不織布の製造方法。
【請求項１１】
ポリエチレン樹脂からなる鞘部及び該ポリエチレン樹脂より融点が高い樹脂成分からなる芯部を有する芯鞘型複合繊維と、該芯鞘型複合繊維の表面に付着している親水化剤とを有し、前記ポリエチレン樹脂の結晶子サイズが１００〜２００Åである、熱により親水性が低下する繊維
を含むウェブ又は不織布に熱処理を施して、該ウェブ又は不織布の一部の親水性を低下させる不織布の親水性を制御する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
〔ポリエチレン樹脂の結晶子サイズの測定方法〕
結晶子サイズは、粉末Ｘ線回折法で測定した半価幅から、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式により算出されたものである。算出方法は、リガク社製のＲＩＮＴ−２５００を用い、ＰＥの面指数（１１０）のピークについて、付属の結晶子サイズ計算プログラムＪＡＤＥ６．０により算出する。具体的な条件は、線源としてＣｕＫα線（波長０．１５４ｎｍ）、発生電圧および電流を４０ｋＶ・１２０ｍＡ、掃引速度を１０°／分とした。測定時の試料の設置方法は、試料ホルダーのスリットの長さ方向と平行になるように繊維束を張って取り付け、繊維束をＸ線の入射方向に対して垂直になるようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点が相互に異なる第１及び第２の成分を有する複合繊維を含み、該複合繊維どうしの交点が熱融着した熱融着点が多数形成されている不織布であって、
乾燥状態から湿潤状態に変化したときの厚み変化率が１５％以上であり、
湿潤状態から再び乾燥状態に変化したときの厚み回復率が７０％以上である不織布。
【請求項２】
前記複合繊維として、第１の成分がポリプロピレン樹脂又はポリエチレンテレフタレート樹脂であり、第２の成分が第１の成分よりも融点の低い樹脂であり、ヤング率が０．２〜１．０ＧＰａの繊維を含む、請求項１記載の不織布。
【請求項３】
エンボス加工により形成された厚みの薄い部分と、該部分より厚みの厚い部分とが存在しており、少なくとも、前記厚みの厚い部分の一面側の構成繊維が、ヤング率０．２〜１．０ＧＰａの前記繊維である、請求項１又は２記載の不織布。
【請求項４】
前記厚みの厚い部分の他面側の構成繊維が、ヤング率１．０ＧＰａ超６．０ＧＰａ以下の繊維である、請求項３記載の不織布。
【請求項５】
ヤング率０．２〜１．０ＧＰａの前記繊維は、第１の成分がポリプロピレン樹脂であり、結晶化度が６０％以下である、請求項２〜４の何れか１項記載の不織布。
【請求項６】
ヤング率０．２〜１．０ＧＰａの前記繊維は、第１の成分がポリエチレンテレフタレート樹脂であり、結晶化度が４５％以下である、請求項２〜４の何れか１項記載の不織布。
【請求項７】
表面シート、裏面シート及び両シート間に位置する吸収体を具備する吸収性物品であって、前記表面シートが、請求項１〜６の何れか１項記載の不織布である、吸収性物品。
【請求項８】
表面シート、裏面シート及び両シート間に位置する吸収体を具備する吸収性物品であって、
前記表面シートが、請求項２〜６の何れか１項記載の不織布からなり、該不織布は、少なくとも該吸収体側に向けられる面側が、ヤング率０．２〜１．０ＧＰａの前記繊維を含んでいる、吸収性物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
低ヤング率繊維のヤング率は１．０ＧＰａ以下であり、より好ましくは０．８ＧＰａ以下でさらに好ましくは０．６５ＧＰａ以下である。ヤング率１．０ＧＰａ以下である場合、液吸収時における不織布の繊維間距離および厚みの減少が生じ易くなり、液の移行性の向上効果が得られ易くなる。
また、低ヤング率繊維のヤング率は０．２ＧＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．４ＧＰａ以上、さらにより好ましくは０．５ＧＰａ以上である。ヤング率が０．２ＧＰａ以上である場合は、乾燥状態の厚みが維持され、液戻りが起こりにくくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
低ヤング率繊維として好ましく用いうる熱接着性複合繊維は、例えば、エチレン樹脂（ＰＥ）とポリプロピレン樹脂（ＰＰ）を原料とし、鞘部がＰＥ、芯部がＰＰの芯鞘型複合繊維を製造するに際し、芯部のポリプロピレン樹脂の結晶化を抑制することによって製造できる。
また、低ヤング率繊維として好ましく用いうる熱接着性複合繊維は、例えば、エチレン樹脂（ＰＥ）とポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）を原料とし、鞘部がＰＥ、芯部がＰＥＴの芯鞘型複合繊維を製造するに際し、芯部のポリエチレンテレフタレート樹脂の結晶化を抑制することによっても製造できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
厚み及び繊維間距離の測定方法並びに液残り量、液戻り量の測定方法は以下の通りである。
〔厚み及び繊維間距離の測定方法〕
〔乾燥状態の厚み及び繊維間距離〕
市販の生理用ナプキン（花王株式会社製、商品名「ロリエ（登録商標）さらさらクッション  肌キレイ吸収  羽つき」）から、表面シートを取り除いた後、吸収体をナプキンの長手方向５０ｍｍ×幅方向（ナプキンの長手方向と直交する方向）５０ｍｍに切断し、ナプキン吸収体を得る（ナプキン中央部の吸収体を用いる）。測定対象の不織布を長手方向５０ｍｍ×幅方向５０ｍｍに切断し、該不織布の切断片を作製する。この切断片を、前記ナプキン吸収体上に載せ、測定対象の不織布を表面シートとして用いた生理用ナプキンを作成した。
前記不織布厚みは前記ナプキン吸収体上に載せられた状態下、無加圧で測定される。測定環境は温度２０±２℃、相対湿度６５±５％、測定機器にはマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、ＶＨＸ−９００）を用いた。まず、前記不織布断面の拡大写真を得る。拡大写真には、既知の寸法のものを同時に写しこむ。前記不織布断面の拡大写真にスケールを合わせ、不織布の厚みを測定する。以上の操作を３回行い、３回の平均値を乾燥状態の不織布の厚み[ｍｍ]とする。
測定対象の不織布を構成する繊維の繊維間距離は、以下に示す、Ｗｒｏｔｎｏｗｓｋｉの仮定に基づく式により求められる。Ｗｒｏｔｎｏｗｓｋｉの仮定に基づく式は、一般に、不織布を構成する繊維の繊維間距離を求める際に用いられる。Ｗｒｏｔｎｏｗｓｋｉの仮定に基づく式によれば、繊維間距離Ａ（μｍ）は、不織布の厚みｈ（ｍｍ）、坪量ｅ（ｇ／ｍ2）、不織布を構成する繊維の繊維径ｄ（μｍ）、繊維密度ρ（ｇ／ｃｍ3）によって、以下の式（６）で求められる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物。
【化１】
2010168363.tif 000001
式（１）中、
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して水素、置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキル、置換されていてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル又は置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリールであり、そして、
Ａｒは、それぞれ独立して、下記式Ａｒ１、式Ａｒ２又は式Ａｒ３のいずれかで表される基である。
【化２】
2010168363.tif 000002
【請求項２】
Ｒ１は、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキル又は炭素数６〜２０のアリールであり、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は水素であり、そして、
Ａｒは、共に、式Ａｒ１、式Ａｒ２又は式Ａｒ３のいずれかで表される基である、
請求項１に記載する化合物。
【請求項３】
Ｒ１は炭素数６〜２０のアリールであり、
Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は水素であり、そして、
Ａｒは、共に、式Ａｒ１、式Ａｒ２又は式Ａｒ３のいずれかで表される基である、
請求項１に記載する化合物。
【請求項４】
Ｒ１は、フェニル、ビフェニリル、ナフチル又はテルフェニリルであり、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は水素であり、そして、
Ａｒは、共に、式Ａｒ１、式Ａｒ２又は式Ａｒ３のいずれかで表される基である、
請求項１に記載する化合物。
【請求項５】
下記式(1-2)で表される、請求項１に記載する化合物。
【化３】
2010168363.tif 000003
【請求項６】
下記式(1-3)で表される、請求項１に記載する化合物。
【化４】
2010168363.tif 000004
【請求項７】
下記式(1-1)で表される、請求項１に記載する化合物。
【化５】
2010168363.tif 000005
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載する化合物を含有する、電子輸送材料。
【請求項９】
陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置される発光層と、前記陰極と該発光層との間に配置され、請求項８に記載する電子輸送材料を含有する電子輸送層及び／又は電子注入層とを有する、有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１つは、さらに、キノリノール系金属錯体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体及びボラン誘導体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項９に記載する有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１つは、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１０に記載する有機電界発光素子。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［５］  下記式(1-2)で表される、上記［１］に記載する化合物。
【化８】
2010168363.tif 000006
［６］  下記式(1-3)で表される、上記［１］に記載する化合物。
【化９】
2010168363.tif 000007
［７］  下記式(1-1)で表される、上記［１］に記載する化合物。
【化１０】
2010168363.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに上記手袋は、手甲部における指部の端部と、手掌部における上記指部の端部とを直接接続した構成であることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運動用に装着可能な手袋であって、
装着した際に装着者の手の甲側を覆う手甲部と、
装着した際に装着者の掌側を覆う手掌部とを備えており、
前記手甲部の表面に密着形成された樹脂パターンを備える手袋。
【請求項２】
前記手甲部は伸縮性部材により形成された、請求項１に記載の手袋。
【請求項３】
前記手甲部の表面に、互いに交差する複数の前記樹脂パターンを形成した、請求項１または２に記載の手袋。
【請求項４】
前記樹脂パターンを網目状に形成した、請求項１〜３のいずれか１項に記載の手袋。
【請求項５】
前記手甲部は、装着者の指を覆う手甲側指部を含み、
前記手掌部は、装着者の指を覆う手掌側指部を含み、
前記手甲側指部の表面上に前記樹脂パターンを形成した、請求項１〜４のいずれか１項に記載の手袋。
【請求項６】
前記手甲側指部の付根部近傍の一部の領域、および前記手甲側指部の長手方向の中央部分の一部の領域における前記樹脂パターンの厚みを、他の領域における前記樹脂パターンの厚みよりも大きくした、請求項５に記載の手袋。
【請求項７】
前記手甲部は、装着者の手首側に位置する手首側部分を含み、
前記手首側部分の中央部分における前記樹脂パターンの密度が、前記手首側部分における前記中央部分の周囲部分における前記樹脂パターンの密度よりも高い、請求項５または６に記載の手袋。
【請求項８】
前記手首側部分上の前記樹脂パターンの密度が、前記手甲側指部上の前記樹脂パターンの密度よりも高い、請求項７に記載の手袋。
【請求項９】
前記手甲側指部は、装着者の指の関節を覆う関節領域と、前記関節領域に隣接する隣接領域とを含み、
前記隣接領域における前記樹脂パターンの密度が、前記関節領域における前記樹脂パターンの密度よりも高い、請求項５〜８のいずれか１項に記載の手袋。
【請求項１０】
前記手甲側指部の幅方向の中央部における前記樹脂パターンの密度が、前記手甲側指部の幅方向の側端部における前記樹脂パターンの密度よりも高い、請求項５〜９のいずれか１項に記載の手袋。
【請求項１１】
前記手甲側指部の長手方向に交差する方向に延びる前記樹脂パターンの密度が、前記長手方向に延びる前記樹脂パターンの密度よりも高い、請求項５〜１０のいずれか１項に記載の手袋。
【請求項１２】
前記手甲部における指部の端部と、前記手掌部における前記指部の端部とを直接接続した、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の手袋。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
Ｆｅは、固溶効果により強度を向上させる。Ｆｅの好ましい含有量は０．０５〜０．５％の範囲であり、０．０５％未満では固溶効果が十分でなく強度低下が生じ、０．５％を超えて含有すると、均質化処理時に固溶状態で存在する量が増え、押出成形時の押出応力が増加する。Ｆｅのさらに好ましい含有範囲は０．１〜０．２％であり、この範囲のＦｅの含有により上記の効果はさらに顕著となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、熱間押出加工された押出チューブを、ろう付け加熱温度に相当する６００℃の温度で加熱処理した後の引張強さは９０〜１５０ＭＰａであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オイルに含有された状態で検出される融点が１００℃以上であるカロチノイドを含む油相と、ポリグリセリン脂肪酸エステル及び該ポリグリセリン脂肪酸エステルとは異なるノニオン性乳化剤を含む水相と、から構成され、ポリグリセリン脂肪酸エステルの含有量（Ａ）と、ポリグリセリン脂肪酸エステルとは異なるノニオン性乳化剤の含有量（Ｂ）と、の質量比（Ａ）／（Ｂ）が２．５〜１０の範囲であり、粒子径が２００ｎｍ以下であるエマルション組成物。
【請求項２】
０．１質量％〜５質量％の範囲で前記カロチノイドを含み、かつ、０．１質量％〜２０質量％の範囲で前記ポリグリセリン脂肪酸エステルを含み、かつ、０．０１質量％〜８質量％の範囲で前記ポリグリセリン脂肪酸エステルとは異なるノニオン性乳化剤を含む請求項１に記載のエマルション組成物。
【請求項３】
前記カロチノイドがリコピンである請求項１又は請求項２に記載のエマルション組成物。
【請求項４】
前記ポリグリセリン脂肪酸エステルとは異なるノニオン性乳化剤が、ショ糖脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、有機酸グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、及びポリソルベート類からなる群から選択される少なくとも１種である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のエマルション組成物。
【請求項５】
更に酸化防止剤を含有する請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のエマルション組成物。
【請求項６】
更に多価アルコールを含有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のエマルション組成物。
【請求項７】
前記粒子径が１００ｎｍ以下である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のエマルション組成物。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のエマルション組成物を含有する食品。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のエマルション組成物を含有する化粧品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
＜エマルション組成物＞
本発明のエマルション組成物は、オイルに含有された状態で検出される融点が１００℃以上であるカロチノイドを含む油相と、ポリグリセリン脂肪酸エステル及び該ポリグリセリン脂肪酸エステルとは異なるノニオン性乳化剤を含む水相と、から構成され、ポリグリセリン脂肪酸エステルの含有量（Ａ）と、ポリグリセリン脂肪酸エステルとは異なるノニオン性乳化剤の含有量（Ｂ）と、の質量比（Ａ）／（Ｂ）が２．５〜１０の範囲であり、粒子径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする。
このように、高融点カロチノイドを含む油相に対し、水相に、ポリグリセリン脂肪酸エステルと、該ポリグリセリン脂肪酸エステルとは異なるノニオン性乳化剤と、の２種類以上の乳化剤を特定の質量比にて用いることで、粒子の粒子径を微細化することが可能となり、また、この微細化状態が長期間安定に保持され、透明性の高いエマルション組成物が得られる。
以下、本発明のエマルション組成物を構成する各成分について説明する。
なお、本発明のエマルション組成物は水中油型のエマルションを含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月6日(2011.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料を用いて改質反応により水素含有ガスを生成する改質器と、前記改質器を加熱する燃焼器と、前記燃焼器に燃焼空気を供給する燃焼空気供給器と、制御器と、を備える水素生成装置であって、
操作者の入力操作により前記水素生成装置の運転を停止させるための停止操作器を備え、
前記制御器は、通常の停止処理における前記水素生成装置の冷却量よりも、操作者による前記停止操作器への入力操作による停止処理における前記水素生成装置の冷却量の方が多くなるように前記燃焼空気供給器を制御する、水素生成装置。
【請求項２】
前記制御器は、前記通常の停止処理を行う場合における前記燃焼器の冷却量よりも、前記入力操作による停止処理における前記水素生成装置の冷却量の方が多くなるように、前記燃焼空気供給器の動作時間及び操作量の少なくともいずれかを制御する、請求項１に記載の水素生成装置。
【請求項３】
前記制御器は、前記通常の停止処理における前記燃焼空気供給器の操作量よりも、前記入力操作による停止処理における前記燃焼空気供給器の操作量を増加させるように制御することで前記水素生成装置の冷却量を増加させるように構成されている、請求項２に記載の水素生成装置。
【請求項４】
前記制御器は、前記通常の停止処理における前記燃焼空気供給器の動作時間よりも、前記入力操作による停止処理における前記燃焼空気供給器の動作時間を増加させるように制御することで前記燃焼器の冷却量を増加させるように構成されている、請求項２又は３に記載の水素生成装置。
【請求項５】
前記制御器は、前記通常の停止処理完了時における前記水素生成装置の温度よりも、前記入力操作による停止処理完了時の前記水素生成装置の温度の方が低くなるように前記燃焼空気供給器を制御する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の水素生成装置。
【請求項６】
前記制御器は、前記入力操作による停止処理の場合よりも前記通常の停止処理の場合の方が、前記水素生成装置の温度が高い状態で、前記水素生成装置の起動処理を許可するように構成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の水素生成装置。
【請求項７】
前記制御器は、前記入力操作による停止処理において前記燃焼空気供給器の操作量を、前記水素生成装置の定格運転時の前記燃焼空気供給器の操作量よりも大きい所定の操作量以上に強制的に増加させるように前記燃焼空気供給器を制御する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の水素生成装置。
【請求項８】
前記改質器を含むガス流路を閉空間とするための封止器を備え、
前記水素生成装置は、前記封止器により形成された前記閉空間内の圧力が低下すると、前記封止器を開放して、前記ガス流路内にガスを補給する補圧処理を実行するよう構成されており、
前記制御器は、前記通常の停止処理よりも前記入力操作による停止処理の方が、前記補圧処理の頻度を増加させるように構成されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の水素生成装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の水素生成装置と、
前記水素生成装置より供給される水素含有ガスを用いて発電する燃料電池と、を備える、燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に画像を記録する記録部、係合部材を有して設置面に向けて開く開閉カバーを配設し、前記設置面に設置される本体と、
前記開閉カバーの前記係合部材に係合される被係合部材を有し、前記係合部材と前記被係合部材とが係合される係合部で回動する外付部材と、を備え、
前記外付部材は、前記開閉カバーが閉状態から開状態になる過程で前記係合部の直下から外れた位置で前記設置面に接することを特徴とする画像記録装置。
【請求項２】
前記外付部材は、前記設置面と面状、線状もしくは点状に接する接触部を有し、前記接触部は前記係合部の直下よりも前記本体から離れた側で前記設置面に接する請求項１記載の画像記録装置。
【請求項３】
前記外付部材は、前記開閉カバーが閉状態から開状態になる過程で前記設置面に接した後、前記係合部で回動する請求項１または２に記載の画像記録装置。
【請求項４】
前記外付部材は、前記開閉カバーが閉状態から開状態になる過程で最初に前記設置面に接する第１の接触部と、前記第１の接触部が前記設置面に接した後に前記設置面に接する第２の接触部と、を有し、
前記第１の接触部及び第２の接触部は、前記係合部の直下から外れた位置で前記設置面に接する請求項１に記載の画像記録装置。
【請求項５】
前記本体は、前記記録部材を収容する記録媒体収容部を有し、
前記開閉カバーは、前記記録媒体収容部のカバーである請求項１から４のいずれか１項に記載の画像記録装置。
【請求項６】
前記本体から前記記録媒体を排出する排出口、及び前記排出口から排出される前記記録媒体を切断する切断部を備え、
前記外付部材は、前記切断部により切断された前記記録媒体を受ける排出トレイである請求項１から５のいずれか１項に記載の画像記録装置。
【請求項７】
記録媒体に画像を記録する記録部と、
本体の一側面に配設されて設置面に向けて開く開閉カバーと、
前記開閉カバーに係合部で係合され、前記係合部で回動するとともに、前記記録部で記録された前記記録媒体を収容する排出トレイと、を備え、
前記開閉カバーが閉状態から開状態になる過程で前記排出トレイが前記設置面で接したときに、前記排出トレイが前記設置面に接した位置の直上の外れた位置に前記係合部を位置させることを特徴とする排出トレイの支持構造。