Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交わる第１および第２の測定軸方向の加速度を測定する第１の加速度センサと、前記第１および第２の測定軸方向とは互いに異なる第３および第４の測定軸方向の加速度を測定する第２の加速度センサとを含む複数の加速度センサを少なくとも有する電子機器であって、
前記複数の加速度センサのそれぞれから、前記第１および第２の測定軸方向または前記第３および第４の測定軸方向の２つの軸方向の加速度を所定の時間ごとに読み出す読み出し手段と、
前記複数の加速度センサごとに前記電子機器の傾斜度合いを演算する演算手段と、
演算された前記傾斜度合いに基づいて表示器の表示を制御する表示制御手段と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第１および第２の加速度センサは異なる場所に配置され、
前記電子機器を横位置にした場合に、前記第１および第２の測定軸並びに前記第３および第４の測定軸が、それぞれ鉛直方向の軸に対して対称となるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記演算手段は、前記第１の測定軸によって測定された重力加速度と、前記第２の測定軸によって測定された重力加速度の比の逆正接関数を算出することにより、前記電子機器の傾斜度合いを演算するとともに、前記第３の測定軸によって測定された重力加速度と、前記第４の測定軸によって測定された重力加速度の比の逆正接関数を算出することにより、前記電子機器の傾斜度合いを演算することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか１項に記載の電子機器は、撮像光学系を有するかもしくは撮像光学系を取り付け可能な撮像装置であって、
前記第１の加速度センサは前記撮像装置の光軸周りの傾斜度合いを求め、前記第２の加速度センサは前記撮像装置を横位置にした場合の上下方向の傾斜度合いを求めることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１ないし３の何れか１項に記載の電子機器は、撮像光学系を有するかもしくは撮像光学系を取り付け可能な撮像装置であって、
当該撮像装置を横位置にした場合に、第１の加速度センサは光軸と直交する面内に配置され、前記第２の加速度センサは、前記光軸と直交する面と直交するとともに前記光軸に平行な面内に配置されることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器及び撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係わる電子機器は、互いに交わる第１および第２の測定軸方向の加速度を測定する第１の加速度センサと、前記第１および第２の測定軸方向とは互いに異なる第３および第４の測定軸方向の加速度を測定する第２の加速度センサとを含む複数の加速度センサを少なくとも有する電子機器であって、前記複数の加速度センサのそれぞれから、前記第１および第２の測定軸方向または前記第３および第４の測定軸方向の２つの軸方向の加速度を所定の時間ごとに読み出す読み出し手段と、前記複数の加速度センサごとに前記電子機器の傾斜度合いを演算する演算手段と、演算された前記傾斜度合いに基づいて表示器の表示を制御する表示制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ内電源に接続された第１の接続点と、第２の接続点との間に接続され、第１のスイッチ制御信号に応じてオンする第１のスイッチと、
前記第２の接続点とチップ内グランドとの間に接続され、寄生容量を有する回路部と、
前記第２の接続点と第３の接続点との間に接続され、第２のスイッチ制御信号に応じてオンする第２のスイッチと、
前記第３の接続点と前記チップ内グランドとの間に接続されたデカップリング容量と、
前記第１の接続点と前記第３の接続点との間に接続され、第３のスイッチ制御信号に応じてオンする第３のスイッチと、
前記回路部が動作状態になる動作期間において、前記第１、２のスイッチ制御信号を出力し、前記回路部が停止状態になる停止期間において、前記第３のスイッチ制御信号を出力し、前記回路部が前記停止状態から前記動作状態に移行する移行期間において、前記第２のスイッチ制御信号を出力するスイッチ制御回路と
を具備する半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月21日(2011.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
１  アンテナ装置、１０  アンテナ本体、１８  底面部、１９  端子、１７１  金具、１７２  ボルト、２００  アンテナ支持装置、２１０  アンテナ支持部材、２１１  第一ボルト、２２０  連結部材、２３０  固定部材、２３１  第二ボルト、２１２，２３２  凹部、２５０，２６０  ポール、２６１  バンド、５００  壁面、５０１  第一面、５０２  第二面。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2011049848.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2011049848.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2011049848.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このため、本発明の実施例は、音声信号を出力するとともに、オンマイク収録された音声に特徴的な高域・低域の音声に相当する音声信号の特徴成分Ｓｃを抽出し、特徴成分Ｓｃの音像が音声信号の音像よりも聴取者Ｌに近接して定位するように出力することで、近接音をより近接定位化して強調し、音響的な奥行き感に富む音声を提供することを主たる目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
［１．再生装置１の構成］
図２は、本発明の一実施形態に係る再生装置１の主要な構成を示すブロック図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
光ディスク読出部１１は、光ディスクＤの装填部、回転駆動部、光ピックアップ部、スレッドモータ、サーボ回路等を含む。光ディスク読出部１１は、装填された光ディスクＤにレーザービームを照射して反射光を受光することで、光ディスクＤに記録されている多重化データ（映像データ、音声データ等）を読出し、所定の処理を施して逆多重化部１２に供給する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
前処理部３１は、音声データ復号部１６から供給された音声データから、左チャンネルおよび右チャンネルの音声信号を生成し、左信号処理系および右信号処理系に供給する。左信号処理系および右信号処理系では、同様の処理が行われるので、以下では、特に左信号処理系について説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本実施形態では、スピーカ２２は、仮想スピーカＳＰｌｖ、ＳＰｒｖとしても機能する左右のスピーカＳＰｌ、ＳＰｒからなる。また、音声信号処理装置４０は、前処理部４１、特徴成分抽出部４２ｌ、４２ｒの他に、近接定位処理部４３ｌ、４３ｒおよび合成処理部４４ｌ、４４ｒをさらに含む。以下では、特に左信号処理系について説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
合成処理部５４ｌは、特徴成分減衰部５５ｌおよび両信号処理系の近接定位処理部５３ｌ、５３ｒから供給された音声信号を合成処理し、左スピーカＳＰｌに供給する。左スピーカＳＰｌは、減衰された音声信号に応じた音声を出力するとともに、近接定位処理後の特徴成分Ｓｃに応じた音声を出力する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本実施形態では、聴取者Ｌがリモートコントローラ２３を操作して各種の設定を指示すると、システムコントローラ１９から供給される制御信号によって、音声信号処理装置７０の各部の処理が制御される。なお、操作信号の入力は、例えば、リモートコントローラ２３、３次元ディスプレイ２１等に表示されるオンスクリーンメニューを介して行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置に着脱される本体部と、
発光部を有しており、且つ前記発光部からの発光方向を前記本体部に対して水平方向に変更可能なように、前記本体部に対して水平方向に回転自在に支持された回転部と
を備え、
前記本体部および前記回転部の一方は、前記回転部を前記本体部に対して水平に回動自在に結合する軸部、前記軸部よりも大径のフランジ部、および、前記軸部の周りを全て囲うように連続的に配された弧状の溝を有し、
前記本体部および前記回転部の他方は、前記軸部を回転可能に収容する軸穴、および、前記溝に挿入されて前記溝内を移動する、突起を有し、
前記溝は、前記突起に当接して前記回転部の回転範囲の始点と終点とを規定する当接部を有し、
前記本体部および前記回転部の前記他方が互いに前記軸穴の一部分をなす凹部を有する複数の部材に分割されている状態において前記凹部に前記軸部が嵌められるとともに前記突起が前記溝に挿入され、さらに、前記複数の部材が互いに結合されることにより、前記回転部が前記本体部に回転自在に支持される照明装置。
【請求項２】
撮像装置に着脱される本体部と、
発光部を有しており、且つ前記発光部からの発光方向を前記本体部に対して水平方向に変更可能なように、前記本体部に対して水平方向に回転自在に支持された回転部と
を備え、
前記本体部および前記回転部の一方は、軸穴、および、前記軸穴の周りを全て囲うように連続的にはいされた弧状の溝を有し、
前記本体部および前記回転部の他方は、前記軸穴に挿通されて前記回転部を前記本体部に対して水平に回動自在に結合する軸部、前記軸部よりも大径のフランジ部、および、前記溝に挿入されて前記溝内を移動する突起を有し、
前記溝は、前記突起に当接して前記回転部の回転範囲の始点と終点とを規定する当接部を有し、
前記本体部および前記回転部の前記一方が互いに前記軸穴の一部分をなす凹部を有する複数の部材に分割されている状態において前記凹部に前記軸部が嵌められるとともに前記突起が前記溝に挿入され、さらに、前記複数の部材が互いに結合されることにより、前記回転部が前記本体部に回転自在に支持される照明装置。
【請求項３】
前記溝は、前記軸部からの距離が一定な円弧をなす請求項１または２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記溝は、前記軸部を、３６０度を超えて包囲する渦巻き形状をなす請求項１または２に記載の照明装置。
【請求項５】
前記突起は、前記軸穴の径方向に延在する案内溝により、前記溝の延在方向については移動を規制されつつ、前記回転部が前記本体部に対して水平に回転する場合に前記溝の内側を前記溝に沿って移動する請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記当接部は、前記突起に当接して前記回転部の回転範囲の始点と終点とをそれぞれ規定すべく一対設けられる請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記溝は、前記回転部が回転した場合に、前記突起の通過に対して抵抗となる隆起部を有する請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項８】
前記溝は、前記突起の先端面に対向する底部を全長にわたって有する請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写元基板上に剥離層を介在させて、複数のバンプを有する半導体回路を形成する回路形成工程と、
導電配線が形成された転写先基板と前記半導体回路とを対向させ、導電粒子を含有する接着剤を介在させて、前記接着剤が広がり、かつ、前記複数のバンプと前記導電配線との間に前記導電粒子の少なくとも一部が入り込む状態にする接着剤形成工程と、
前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
前記剥離層を、層内剥離させるか、界面剥離させるか、または、層内剥離且つ界面剥離させて、前記半導体回路と前記転写元基板とを剥離させる剥離工程と、を備え、
前記半導体回路は、平面視で、前記複数のバンプが前記半導体回路の第１の端辺に沿って形成され、前記複数のバンプと前記第１の端辺との間に電源配線及び接地配線の少なくとも一方が形成される
ことを特徴とする半導体回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記回路形成工程で形成される前記半導体回路において、前記複数のバンプは、平面視で、それぞれ前記接着剤形成工程で前記導電粒子が広がる導電粒子領域の内側に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記回路形成工程で形成される前記半導体回路において、前記複数のバンプは、平面視で、それぞれ前記半導体回路の端部から１ｍｍ以上内側に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記接着剤形成工程において、前記複数のバンプと前記導電配線との間に前記導電粒子を誘導するダミーバンプが、前記半導体回路上及び前記転写先基板上の少なくとも一方に予め形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記接着剤形成工程において、介在した前記接着剤を押圧することにより、前記接着剤が広がり、かつ、前記複数のバンプと前記導電配線との間に前記導電粒子の少なくとも一部が入り込む状態にする
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記転写元基板上に複数の前記半導体回路が形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体回路装置の製造方法によって製造された半導体回路装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成された導電配線と、
前記基板と接着剤を介在させて接着された半導体回路と、を備え、
前記半導体回路は、導電粒子を介在させて前記導電配線に電気的に接続され、前記半導体回路の第１の端辺に沿って形成された複数のバンプを備えており、
前記半導体回路には、平面視において、前記複数のバンプと前記第１の端辺との間に電源配線及び接地配線の少なくとも一方が形成されている
ことを特徴とする半導体回路装置。
【請求項９】
前記複数のバンプは、平面視で、それぞれ前記半導体回路の端部から１ｍｍ以上内側に形成されている
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体回路装置。
【請求項１０】
前記基板と前記半導体回路との間に、前記半導体回路及び前記導電配線の少なくとも一方と電気的に絶縁されたダミーバンプが形成されている
ことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体回路装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の半導体回路装置を備えた電気光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
かかる課題を解決するために、本発明の一態様である半導体回路装置の製造方法は、転写元基板上に剥離層を介在させて、複数のバンプを有する半導体回路を形成する回路形成工程と、導電配線が形成された転写先基板と前記半導体回路とを対向させ、導電粒子を含有する接着剤を介在させて（好ましくはさらに介在した前記接着剤を押圧する。）、前記接着剤が広がり、かつ、前記複数のバンプと前記導電配線との間に前記導電粒子の少なくとも一部が入り込む状態にする接着剤形成工程と、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、前記剥離層を、層内剥離させるか、界面剥離させるか、または、層内剥離且つ界面剥離させて、前記半導体回路と前記転写元基板とを剥離させる剥離工程と、を備え、前記半導体回路は、平面視で、前記複数のバンプが前記半導体回路の第１の端辺に沿って形成され、前記複数のバンプと前記第１の端辺との間に電源配線及び接地配線の少なくとも一方が形成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記回路形成工程で形成される前記半導体回路において、前記複数のバンプは、平面視で、それぞれ前記接着剤形成工程で前記導電粒子が広がる導電粒子領域の内側に形成されることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
かかる方法によれば、接着剤形成工程で導電粒子が広がる導電粒子領域の内側にバンプを形成したため、バンプと導電配線との電気的接続をより安定させることが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
転写元基板と転写先基板とを十分に接着可能な量の接着剤を用いた場合、接着剤形成工程において接着剤に含有される導電粒子が広がる範囲は、接着剤の材料や半導体回路及び転写先基板の大きさにも依存するが、転写元基板に形成された半導体回路の端部から約１ｍｍ内側までとなる。すなわち、半導体回路の端部から約１ｍｍ内側までは導電粒子が広がるが、それより外側には導電粒子は広がらず、接着剤のみが広がる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記接着剤形成工程において、前記複数のバンプと前記導電配線との間に前記導電粒子を誘導するダミーバンプが、前記半導体回路上及び前記転写先基板上の少なくとも一方に予め形成されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の第１接合面と第２基板の第２接合面とが互いに対向するように重ね合わせて、前記第１接合面と前記第２接合面とを互いに接合する基板重ね合わせ装置であって、
前記第１基板を保持する第１ステージと、
前記第１基板に対向して配置される前記第２基板を保持する第２ステージと、
前記第１基板および前記第２基板の対向方向に沿った前記第１接合面上の複数位置の変位と、前記対向方向に沿った前記第２接合面上の複数位置の変位とをそれぞれ計測する変位計と、
前記変位計の出力に基づいて前記第１接合面と前記第２接合面との相対的な傾きを取得する取得部と、
前記取得部が取得した前記傾きに基づいて、前記第１接合面と前記第２接合面が互いに平行となるように前記第１ステージおよび前記第２ステージの少なくとも一方を駆動する駆動部と
を備える基板重ね合わせ装置。
【請求項２】
前記取得部は、前記変位計により計測された前記複数位置の変位に基づいて、前記第１接合面と前記第２接合面とのそれぞれの傾きを近似的に算出し、
前記駆動部は、近似的に算出された前記第１接合面および前記第２接合面の傾きの差が小さくなるように前記第１ステージおよび前記第２ステージの少なくとも一方を駆動する請求項１に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項３】
前記取得部は、前記変位計により計測された前記複数位置の変位に基づいて、前記第１接合面上および前記第２接合面上のそれぞれにおいて、互いに交差する第１の軸と第２の軸とのそれぞれの方向の傾きを最小二乗法を用いて算出する請求項２に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項４】
前記変位計は、前記第１ステージに保持された前記第１基板の前記第１接合面上における複数位置の変位を計測する第１変位計と、前記第２ステージに保持された前記第２基板の前記第２接合面上における複数位置の変位を計測する第２変位計とを有する請求項１から３のいずれか一項に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項５】
前記駆動部は、前記第１ステージを前記対向方向に直交する平面方向に駆動し、
前記第２変位計は、前記第１ステージに設置されており、前記第２変位計による計測位置は、前記第１ステージの駆動により変化する請求項４に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項６】
前記第２ステージを固定するフレームを備え、
前記第１変位計は、前記フレームに固定されており、前記第１変位計による計測位置は、前記第１ステージの駆動により変化する請求項４または５に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項７】
前記変位計は、前記第１接合面に設けられた第１アライメントマークと前記第２接合面に設けられた第２アライメントマークの検出を行う検出部の少なくとも一部を構成する請求項１から６のいずれか一項に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項８】
前記検出部は、前記第１接合面における複数位置の変位の計測に並行して、前記第１アライメントマークの検出を行い、前記第２接合面における複数位置の変位の計測に並行して、前記第２アライメントマークの検出を行う請求項７に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項９】
前記検出部は、フォーカス機能を有する顕微鏡を含み、前記フォーカス機能の焦点調整の結果に基づいて複数位置の前記対向方向の変位を検出する請求項７または８に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項１０】
前記変位計は、前記第１ステージに保持された前記第１基板の前記第１接合面、および前記第２ステージの保持に先立って前記第１ステージに仮保持された前記第２基板の前記第２接合面を計測する請求項１から９のいずれか一項に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項１１】
前記第１ステージは、前記第１基板を第１基板ホルダを介して保持し、
前記第２ステージは、前記第２基板を第２基板ホルダを介して保持する請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項１２】
第１基板の第１接合面と第２基板の第２接合面とが互いに対向するように重ね合わせて、前記第１接合面と前記第２接合面とを互いに接合する基板重ね合わせ方法であって、
前記第１基板を第１ステージに保持する第１保持ステップと、
前記第１基板に対向して前記第２基板を第２ステージに保持する第２保持ステップと、
前記第１基板および前記第２基板の対向方向に沿った前記第１接合面上の複数位置の変位と、前記対向方向に沿った前記第２接合面上の複数位置の変位とをそれぞれ計測する計測ステップと、
前記計測ステップの計測結果に基づいて前記第１接合面と前記第２接合面との相対的な傾きを取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した前記傾きに基づいて、前記第１接合面と前記第２接合面が互いに平行となるように前記第１ステージおよび前記第２ステージの少なくとも一方を駆動する駆動ステップと
を含む基板重ね合わせ方法。
【請求項１３】
前記取得ステップは、前記計測ステップで計測された前記複数位置の変位に基づいて、前記第１接合面と前記第２接合面とのそれぞれの傾きを近似的に算出し、
前記駆動ステップは、近似的に算出された前記第１接合面および前記第２接合面の傾きの差が小さくなるように前記第１ステージおよび前記第２ステージの少なくとも一方を駆動する請求項１２に記載の基板重ね合わせ方法。
【請求項１４】
前記取得ステップは、前記計測ステップで計測された前記複数位置の変位に基づいて、前記第１接合面上および前記第２接合面上のそれぞれにおいて、互いに交差する第１の軸と第２の軸とのそれぞれの方向の傾きを最小二乗法を用いて算出する請求項１３に記載の基板重ね合わせ方法。
【請求項１５】
請求項１２から１４のいずれか一項に記載の基板重ね合わせ方法を含むデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板重ね合わせ装置、基板重ね合わせ方法、及びデバイスの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載した配線基板と、
半導体素子用放熱板とを有し、
前記半導体素子用放熱板は、接合層を介して、前記半導体素子に接合され、かつ、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に、凸状曲面の部分を形成し、
前記凸状曲面の部分は前記半導体素子用放熱板の中央部において盛り上がった凸形状を有し、前記半導体素子用放熱板の中央部の位置に前記凸形状の最高地点を置く半導体パッケージ。
【請求項２】
半導体素子を搭載した配線基板と、
半導体素子用放熱板とを有し、
前記半導体素子用放熱板は、接合層を介して、前記半導体素子に接合され、かつ、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に、凸状曲面の部分を形成し、
前記凸状曲面の部分はなだらかな曲面の凸形状を有し、前記半導体素子用放熱板の中央部の位置に前記凸形状の最高地点を置く半導体パッケージ。
【請求項３】
前記半導体素子用放熱板は金属材料からなる請求項１又は２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記凸状曲面の部分は樹脂からなり、前記半導体素子用放熱板の他の部分と異なる材料で形成した請求項１乃至３いずれか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記半導体素子用放熱板は、前記半導体素子の占有空間を確保する凹部を有し、かつ、前記凹部を形成する周壁と前記配線基板とが接合していることを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記配線基板は前記半導体素子を収容するキャビティを有し、前記半導体素子用放熱板と、前記配線基板における前記キャビティ周縁部とが接合していることを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
配線基板に搭載された半導体素子に、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に凸状曲面の部分を形成した半導体素子用放熱板を接合層を介して載置する放熱板載置工程と、
平面を有する押圧板の平面部を、前記凸状曲面の部分に押し付けて、前記半導体素子用放熱板を前記半導体素子に押付けることにより、自動的に前記半導体素子用放熱板と前記半導体素子との面合せを行う自動面合せ工程とを有し、
前記凸状曲面の部分は前記半導体素子用放熱板の中央部において盛り上がった凸形状を有し、前記半導体素子用放熱板の中央部の位置に前記凸形状の最高地点を置く半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
配線基板に搭載された半導体素子に、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に凸状曲面の部分を形成した半導体素子用放熱板を接合層を介して載置する放熱板載置工程と、
平面を有する押圧板の平面部を、前記凸状曲面の部分に押し付けて、前記半導体素子用放熱板を前記半導体素子に押付けることにより、自動的に前記半導体素子用放熱板と前記半導体素子との面合せを行う自動面合せ工程とを有し、
前記凸状曲面の部分はなだらかな曲面の凸形状を有し、前記半導体素子用放熱板の中央部の位置に前記凸形状の最高地点を置く半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
同一の配線基板上に搭載された複数の半導体素子に対して、それぞれの前記半導体素子に接合すべき前記半導体素子用放熱板を、前記それぞれの半導体素子の接合すべき面に載置し、前記半導体素子用放熱板と前記半導体素子とを接合する請求項７又は８記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記凸状曲面の部分は樹脂からなり、前記半導体素子用放熱板の他の部分と異なる材料で形成した前記半導体素子用放熱板を使用し、前記自動面合せ工程終了後、前記凸状曲面の部分を除去することを特徴とする請求項７乃至９いずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記半導体素子用放熱板は金属材料からなる請求項７乃至１０いずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、第１の発明は、半導体素子を搭載した配線基板と、半導体素子用放熱板とを有し、前記半導体素子用放熱板は、接合層を介して、前記半導体素子に接合され、かつ、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に、凸状曲面の部分を形成し、前記凸状曲面の部分は前記半導体素子用放熱板の中央部において盛り上がった凸形状を有し、前記半導体素子用放熱板の中央部の位置に前記凸形状の最高地点を置く半導体パッケージを提供する。
また、半導体素子を搭載した配線基板と、半導体素子用放熱板とを有し、前記半導体素子用放熱板は、接合層を介して、前記半導体素子に接合され、かつ、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に、凸状曲面の部分を形成し、前記凸状曲面の部分はなだらかな曲面の凸形状を有し、前記半導体素子用放熱板の中央部の位置に前記凸形状の最高地点を置く半導体パッケージを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記目的を達成するため、第２の発明は、配線基板に搭載された半導体素子に、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に凸状曲面の部分を形成した半導体素子用放熱板を接合層を介して載置する放熱板載置工程と、平面を有する押圧板の平面部を、前記凸状曲面の部分に押し付けて、前記半導体素子用放熱板を前記半導体素子に押付けることにより、自動的に前記半導体素子用放熱板と前記半導体素子との面合せを行う自動面合せ工程とを有し、前記凸状曲面の部分は前記半導体素子用放熱板の中央部において盛り上がった凸形状を有し、前記半導体素子用放熱板の中央部の位置に前記凸形状の最高地点を置く半導体パッケージの製造方法を提供する。
また、配線基板に搭載された半導体素子に、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に凸状曲面の部分を形成した半導体素子用放熱板を接合層を介して載置する放熱板載置工程と、平面を有する押圧板の平面部を、前記凸状曲面の部分に押し付けて、前記半導体素子用放熱板を前記半導体素子に押付けることにより、自動的に前記半導体素子用放熱板と前記半導体素子との面合せを行う自動面合せ工程とを有し、前記凸状曲面の部分はなだらかな曲面の凸形状を有し、前記半導体素子用放熱板の中央部の位置に前記凸形状の最高地点を置く半導体パッケージの製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、
前記光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、
前記ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び前記被照射物を載置する載置台が順に固定されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、
上面に給気経路が、下面に排気経路がそれぞれ設けられたレーザ処理チャンバーと、
前記レーザ処理チャンバー内に配置され、前記光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、
前記レーザ処理チャンバー内の気流は、前記給気経路及び前記排気経路によって下降流に制御され、
前記ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び前記被照射物を載置する載置台が順に固定されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記下降流は、前記被照射物表面と垂直な方向の層流であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ヒータと前記不純物吸着材との距離は、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記不純物吸着材として、シリコン純度が９８％乃至９９％の低純度シリコンからなるシリコン基板を用いることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記不純物吸着材として、支持基板の表面を覆うようにシリコン層を設けた基板を用いることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記ヒータとして、グラファイトヒータを用いることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記不純物吸着材の前記ヒータに対向する側の面積は、前記ヒータの前記不純物吸着材に対向する側の面積より大きいことを特徴とするレーザ照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
［第２の実施の形態］
図５は本発明の第２の実施の形態に係る高周波デバイス２の断面構成を表すもので、図５（Ａ）は高周波デバイス２の断面構成、図５（Ｂ），（Ｃ）は同じく下面から見た平面構成をそれぞれ表している。本実施の形態はより大面積のメンブレン１７（ストッパ層１２、誘電体層１３）が必要な場合に好適である。なお、第１の実施の形態と同一の構成部分は同一符号を付してその説明は省略する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
［第３の実施の形態］
図６は第３の実施の形態に係る高周波デバイス３を表すもので、図６（Ａ）は高周波デバイス３を上面から見た平面構成、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のII−II線における断面
構成、図６（Ｃ）は下面から見た平面構成をそれぞれ表している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
［実装例］
図８は一例として例えば高周波デバイス２のＰＣＢ（Printed circuit board ；プリント基板）２３への実装例を表したものである。高周波デバイス２は、耐環境性や長期信頼性の面から気密的に封止された状態で実装されることが望ましい。そのためメンブレン１７の上部には、例えばガラス、石英、シリコン等の基板を用いてウェハレベルパッケージのキャップ層１９を設けてメンブレン１７を封止する。メンブレン１７の下部の基板１１には、例えば貫通電極（ＴＳＶ）２０を形成し、この貫通電極２０と半田バンプ２１を用いてＰＣＢ２３にチップ実装したのち、モールド樹脂２２により気密封止する。なお、高周波デバイス２の実装方法はこれに限定するものではなく、様々な気密封止方法を組み合わせた実装が可能であることは言うまでもない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011049397.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011049397.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送する搬送手段と、
前記基板を相対的に走査しながら前記基板に対し液体を液滴として吐出して、前記液体を前記基板表面に塗布する液体吐出手段と、
前記基板上に塗布された液体に対して、パターンが形成された面の一部を接触させた後にその面全体を接触させて行くスタンプと、
前記スタンプのパターンが形成された面全体を前記基板上に塗布された液体に接触した状態で、前記液体を硬化させる硬化手段と、
を備え、前記スタンプの面全体を前記液体に接触させて行く方向をＸ方向とし、これに垂直な方向をＹ方向として、Ｘ方向及びＹ方向それぞれの最低ドットピッチによるＸＹ格子によりマス目を前記基板表面上に形成し、少なくとも前記基板表面上のパターンを形成する領域と交わるマス目には数１を付与するとともに、その他のマス目には数０を付与し、数１が付与されたマス目に対しては、あるＹの値を有するマス目についてＸ方向に関して各マス目に付与された数が０から１に変化するときの数１を有するマス目に対しては必ず前記液体を塗布することを特徴とするパターン転写装置。
【請求項２】
前記液体の塗布とは、各Ｙの値に対し、Ｘ方向に前記液体を塗布する間隔を、１つのマス目に打滴した液滴が前記スタンプの接触によってＹ方向１マス分の幅でＸ方向に最大広がる領域の幅以下、かつ少なくとも１マス以上の間隔として前記液体を塗布することを特徴とする請求項１に記載のパターン転写装置。
【請求項３】
前記Ｙ方向に塗布される前記液体は、Ｙ方向にそれぞれ隣接するマス目に塗布された前記液体同士で合一していることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン転写装置。
【請求項４】
前記Ｘ方向と平行な方向に塗布される前記液体のＸ方向における間隔が一定であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のパターン転写装置。
【請求項５】
液体吐出手段を基板に対して相対的に走査しながら前記基板に対し液体を液滴として吐出し、前記基板表面に前記液体を塗布し、
前記基板上に塗布された液体に対して、パターンが形成された面を有するスタンプを、そのパターンが形成された面の一部を接触させた後にその面全体を接触させて行き、
前記スタンプのパターンが形成された面全体を前記基板上に塗布された液体に接触した状態で、前記液体を硬化させた後、前記スタンプを前記硬化した液体から離すことにより前記基板表面に前記スタンプのパターンを転写して前記基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記スタンプの面全体を前記液体に接触させて行く方向をＸ方向とし、これに垂直な方向をＹ方向として、Ｘ方向及びＹ方向それぞれの最低ドットピッチによるＸＹ格子によりマス目を前記基板表面上に形成し、少なくとも前記基板表面上のパターンを形成する領域と交わるマス目には数１を付与するとともに、その他のマス目には数０を付与し、数１が付与されたマス目に対しては、あるＹの値を有するマス目についてＸ方向に関して各マス目に付与された数が０から１に変化するときの数１を有するマス目に対しては必ず前記液体を塗布することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
前記液体の塗布とは、各Ｙの値に対し、Ｘ方向に前記液体を塗布する間隔を、１つのマス目に打滴した液滴が前記スタンプの接触によってＹ方向１マス分の幅でＸ方向に最大広がる領域の幅以下、かつ少なくとも１マス以上の間隔として前記液体を塗布することを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記Ｙ方向に塗布される前記液体は、Ｙ方向にそれぞれ隣接するマス目に塗布された前記液体同士で合一していることを特徴とする請求項５または６に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記Ｘ方向と平行な方向に塗布される前記液体のＸ方向における間隔が一定であることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板を搬送する搬送手段と、前記基板を相対的に走査しながら前記基板に対し液体を液滴として吐出して、前記液体を前記基板表面に塗布する液体吐出手段と、前記基板上に塗布された液体に対して、パターンが形成された面の一部を接触させた後にその面全体を接触させて行くスタンプと、前記スタンプのパターンが形成された面全体を前記基板上に塗布された液体に接触した状態で、前記液体を硬化させる硬化手段と、を備え、前記スタンプの面全体を前記液体に接触させて行く方向をＸ方向とし、これに垂直な方向をＹ方向として、Ｘ方向及びＹ方向それぞれの最低ドットピッチによるＸＹ格子によりマス目を前記基板表面上に形成し、少なくとも前記基板表面上のパターンを形成する領域と交わるマス目には数１を付与するとともに、その他のマス目には数０を付与し、数１が付与されたマス目に対しては、あるＹの値を有するマス目についてＸ方向に関して各マス目に付与された数が０から１に変化するときの数１を有するマス目に対しては必ず前記液体を塗布することを特徴とするパターン転写装置を提供する。ここで、最低ドットピッチとは、ＸＹそれぞれの方向毎で印字しようとした最も短いドットピッチ以下の値の中から規定された量である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記目的を達成するために、請求項５に記載の発明は、液体吐出手段を基板に対して相対的に走査しながら前記基板に対し液体を液滴として吐出し、前記基板表面に前記液体を塗布し、前記基板上に塗布された液体に対して、パターンが形成された面を有するスタンプを、そのパターンが形成された面の一部を接触させた後にその面全体を接触させて行き、前記スタンプのパターンが形成された面全体を前記基板上に塗布された液体に接触した状態で、前記液体を硬化させた後、前記スタンプを前記硬化した液体から離すことにより前記基板表面に前記スタンプのパターンを転写して前記基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、前記スタンプの面全体を前記液体に接触させて行く方向をＸ方向とし、これに垂直な方向をＹ方向として、Ｘ方向及びＹ方向それぞれの最低ドットピッチによるＸＹ格子によりマス目を前記基板表面上に形成し、少なくとも前記基板表面上のパターンを形成する領域と交わるマス目には数１を付与するとともに、その他のマス目には数０を付与し、数１が付与されたマス目に対しては、あるＹの値を有するマス目についてＸ方向に関して各マス目に付与された数が０から１に変化するときの数１を有するマス目に対しては必ず前記液体を塗布することを特徴とするパターン形成方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
該処理室に接続された排気ラインと、
該排気ラインに設けられた開閉弁と、
前記排気ラインにおける前記開閉弁の上流側圧力を測定する上流側圧力センサと、
前記排気ラインにおける前記開閉弁の下流側圧力を測定する下流側圧力センサと、
前記上流側圧力センサと前記下流側圧力センサとを監視し、前記上流側圧力センサの圧力値が前記下流側圧力センサの圧力値以上の時に前記開閉弁を開き、かつ、両圧力値を共にオフセットするコントローラと、
を備えている基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理室の中に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板の処理面に反応ガスを供給する工程と、
排気ラインに設けられた開閉弁の下流側圧力を監視するステップと、
前記排気ラインに設けられた前記開閉弁の上流側圧力を測定するステップと、
前記上流側圧力を前記下流側圧力値以上の時に前記開閉弁を開き、かつ、前記下流側圧力値と前記上流側圧力値とをオフセットするステップと、
を有する前記処理室内を排気する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
処理室の中に設けられた基板の処理面に反応ガスを供給する手順と、
排気ラインに設けられた開閉弁の下流側圧力を監視するステップと、
前記排気ラインに設けられた前記開閉弁の上流側圧力を測定するステップと、
前記上流側圧力を前記下流側圧力値以上の時に前記開閉弁を開き、かつ、前記下流側圧力値と前記上流側圧力値とをオフセットするステップと、
を有する前記処理室内を排気する手順と、
をコントローラに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とを互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ装置であって、
前記第１基板を保持する固定ステージと、
前記固定ステージに保持された前記第１基板に対向させて前記第２基板を保持する移動ステージと、
前記第１基板および前記第２基板を互いに位置合わせして重ね合わせるべく前記移動ステージを移動する駆動部と、
前記固定ステージと前記移動ステージとの相対位置を計測する計測部と、
少なくとも、前記移動ステージと前記計測部との間の振動の伝播を抑制する除振部と、
を備える位置合わせ装置。
【請求項２】
前記固定ステージおよび前記移動ステージをそれぞれ支持する定盤と、
前記定盤に支持され、前記計測部が設けられた第１支持部材とを備え、
前記除振部は、前記定盤と前記支持部材との間に配置されている請求項１に記載の位置合わせ装置。
【請求項３】
前記定盤上に設けられ、前記固定ステージを支持する第２支持部材を備え、
前記第１支持部材は、前記第２支持部材とは別体である請求項２に記載の位置合わせ装置。
【請求項４】
前記第１支持部材は、前記固定ステージおよび前記移動ステージの振動の伝播を抑制する除振部を備えることを特徴とする請求項３に記載の位置合わせ装置。
【請求項５】
前記除振部は、前記駆動部の駆動時に前記定盤に生じた揺動を打ち消すアクチュエータを含む請求項２から４のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項６】
前記計測部は干渉計である請求項１から５のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項７】
前記固定ステージとの相対位置が固定された第１のミラーと、
前記移動ステージとの相対位置が固定された第２のミラーとを備え、
前記計測部は、前記第１のミラーからの反射光と前記第２のミラーからの反射光とに基づいて、前記固定ステージと前記移動ステージとの相対位置を計測する請求項６に記載の位置合わせ装置。
【請求項８】
基準位置に設けられた第３のミラーと、
前記移動ステージとの相対位置が固定された第４のミラーと、
前記計測部からの光を前記第３のミラーおよび前記第４のミラーにそれぞれ反射させる第５のミラーとを備え、
前記固定ステージは上ステージであり、前記移動ステージは前記固定ステージの下方に配置される下ステージであり、
前記第３のミラーおよび前記第４のミラーのそれぞれの反射面は下方を向いており、
前記第５のミラーは、前記計測部からの光を前記第３のミラーおよび前記第４のミラーに向けて上方へ反射させ、
前記計測部は、前記第５のミラーを介して前記第３のミラーおよび前記第４のミラーからの反射光を受けることにより、前記基準位置に対する前記移動ステージの上下方向の位置を計測する請求項６または７に記載の位置合わせ装置。
【請求項９】
前記駆動部は、前記移動ステージを支持し、前記移動ステージを前記固定ステージに対向する方向に直交する方向に移動させるべく前記直交方向に駆動する第１駆動部と、
前記第１駆動部と前記移動ステージとの間に配置され、前記移動ステージを前記固定ステージに向けて移動させるべく駆動する第２駆動部とを備え、
前記第５のミラーは、前記第１駆動部に設けられる請求項８に記載の位置合わせ装置。
【請求項１０】
前記定盤から前記固定ステージへの振動の伝播を抑制する第２除振部を備える請求項２から５のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項１１】
前記第２除振部は、前記固定ステージの移動の反作用として前記定盤に生じた揺動を打ち消すアクチュエータを含む請求項１０に記載の位置合わせ装置。
【請求項１２】
前記アクチュエータは、位置合わせされた前記第２基板に対して前記第１基板を近接および当接させる請求項１１に記載の位置合わせ装置。
【請求項１３】
前記アクチュエータは、前記第１基板を前記固定ステージに保持させる場合に、前記移動ステージから離間する方向の補正力を前記固定ステージに作用させる請求項１１または請求項１２に記載の位置合わせ装置。
【請求項１４】
前記第２除振部は、前記固定ステージに前記第１基板が保持されていない場合に、動作を停止した前記アクチュエータに代わって前記定盤から前記固定ステージへの振動の伝播を遮断する受動的除振機構を更に含む請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項１５】
前記定盤から前記移動ステージへの振動の伝播を抑制する第３除振部を備える請求項２から請求項５、および請求項７から請求項１４のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項１６】
前記移動ステージおよび前記移動ステージに保持された前記第２基板の少なくとも一方を観察する第１顕微鏡と、
前記固定ステージおよび前記固定ステージに保持された前記第１基板の少なくとも一方を観察する第２顕微鏡とを備え、
前記第１顕微鏡および前記第２顕微鏡による観察から検出した相対位置に基づいて前記移動ステージを移動させることにより、前記移動ステージに保持された前記第２基板と、前記固定ステージに保持された前記第１基板とを互いに位置合わせする請求項１から１５のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の位置合わせ装置を備える基板貼り合わせ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置合わせ装置および基板貼り合わせ装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置において、前記投影光学系の瞳面に形成される光強度分布及び偏光分布を含む有効光源分布をコンピュータによって決定する決定方法であって、
前記投影光学系の瞳面を複数の領域に分割する分割ステップと、
前記分割ステップで分割した複数の領域のうち少なくとも１つの領域を選択する選択ステップと、
前記選択ステップで選択した少なくとも１つの領域からの光が第１の方向の直線偏光であると仮定したときに前記投影光学系の像面上の少なくとも１つの評価点に形成される像の電場振幅ベクトル（Ｅｘ１，Ｅｙ１，Ｅｚ１）を算出すると共に、前記選択ステップで選択した少なくとも１つの領域からの光が前記第１の方向に直交する第２の方向の直線偏光であると仮定したときに前記投影光学系の像面上の少なくとも１つの評価点に形成される像の電場振幅ベクトル（Ｅｘ２，Ｅｙ２，Ｅｚ２）を算出する第１の算出ステップと、
前記第１の算出ステップで算出した電場振幅ベクトル（Ｅｘ１，Ｅｙ１，Ｅｚ１）、及び、電場振幅ベクトル（Ｅｘ２，Ｅｙ２，Ｅｚ２）を用いて、前記選択ステップで選択した少なくとも１つの領域の偏光方向を、当該偏光方向と前記第１の方向とのなす角をΨとして、
2011049401.tif 000001
に従って決定する第１の決定ステップと、
を有することを特徴とする決定方法。
【請求項２】
前記第１の算出ステップで算出した電場振幅ベクトル（Ｅｘ１，Ｅｙ１，Ｅｚ１）、及び、電場振幅ベクトル（Ｅｘ２，Ｅｙ２，Ｅｚ２）と、前記第１の決定ステップで決定した偏光方向とに基づいて、前記投影光学系の像面上の少なくとも１つの評価点に形成される像の光強度値、像傾斜値又は対数像傾斜値を算出する第２の算出ステップと、
前記第２の算出ステップで算出した光強度値、像傾斜値又は対数像傾斜値に基づいて、前記選択ステップで選択した少なくとも１つの領域の光強度を決定する第２の決定ステップと、
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
【請求項３】
前記第２の決定ステップでは、前記第２の算出ステップで算出した光強度値に当該光強度値の分散値のべき乗を乗じた値、前記第２の算出ステップで算出した像傾斜値に当該像傾斜値の分散値のべき乗を乗じた値、又は、前記第２の算出ステップで算出された対数像傾斜値に当該対数像傾斜値の分散値のべき乗を乗じた値を、前記選択ステップで選択した少なくとも１つの領域の光強度として決定することを特徴とする請求項２に記載の決定方法。
【請求項４】
前記第１の算出ステップでは、前記投影光学系の瞳面における波面収差を含めて前記投影光学系の瞳面を表す瞳関数を用いて、前記電場振幅ベクトル（Ｅｘ１，Ｅｙ１，Ｅｚ１）、及び、前記電場振幅ベクトル（Ｅｘ２，Ｅｙ２，Ｅｚ２）を算出することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の決定方法。
【請求項５】
前記電場振幅ベクトル（Ｅｘ１，Ｅｙ１，Ｅｚ１）として、当該電場振幅ベクトル（Ｅｘ１，Ｅｙ１，Ｅｚ１）に座標による偏微分を施した偏微分ベクトルの加重平均値を用い、
前記電場振幅ベクトル（Ｅｘ２，Ｅｙ２，Ｅｚ２）として、当該電場振幅ベクトル（Ｅｘ２，Ｅｙ２，Ｅｚ２）に座標による偏微分を施した偏微分ベクトルの加重平均値を用いることを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の決定方法によって決定された有効光源分布を用いてマスクを照明するステップと、
前記マスクのパターンを基板に投影するステップと、
を有することを特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項６に記載の露光方法を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の決定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置において、前記投影光学系の瞳面に形成される光強度分布及び偏光分布を含む有効光源分布をコンピュータによって決定する決定方法であって、前記投影光学系の瞳面を複数の領域に分割する分割ステップと、前記分割ステップで分割した複数の領域のうち少なくとも１つの領域を選択する選択ステップと、前記選択ステップで選択した少なくとも１つの領域からの光が第１の方向の直線偏光であると仮定したときに前記投影光学系の像面上の少なくとも１つの評価点に形成される像の電場振幅ベクトル（Ｅｘ１，Ｅｙ１，Ｅｚ１）を算出すると共に、前記選択ステップで選択した少なくとも１つの領域からの光が前記第１の方向に直交する第２の方向の直線偏光であると仮定したときに前記投影光学系の像面上の少なくとも１つの評価点に形成される像の電場振幅ベクトル（Ｅｘ２，Ｅｙ２，Ｅｚ２）を算出する第１の算出ステップと、前記第１の算出ステップで算出した電場振幅ベクトル（Ｅｘ１，Ｅｙ１，Ｅｚ１）、及び、電場振幅ベクトル（Ｅｘ２，Ｅｙ２，Ｅｚ２）を用いて、前記選択ステップで選択した少なくとも１つの領域の偏光方向を決定する第１の決定ステップと、を有することを特徴とする。