【事件の表示】
　平成１０年特許願第３０９１８１号「二重金属層構造を利用したシリサイド形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月　６日出願公開，特開平１１−２１４３２７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，平成１０年１０月２９日(パリ条約による優先権主張１９９７年１０月３０日，大韓民国)の出願であって，平成１９年５月８日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年８月９日に審判請求がされるとともに，同日付けで手続補正がされ，前置審査において同年１１月８日付けで拒絶の理由が通知され，請求人に対して期間を指定して意見書を提出する機会が与えられたが，請求人からは何らの応答もなかった。
　その後当審において，平成２１年１２月１８日付けで審尋がされ，請求人に対して期間を指定して回答書を提出する機会が与えられたが，請求人からは何らの応答もなかった。
　
　
第２　前置審査における拒絶理由
　
　一方，前置審査において平成１９年１１月８日付けで通知した拒絶の理由の概要は，本願発明は，本願の優先権主張の日前の平成５年４月２３日に日本国内で頒布された特開平０５−１０２０７８号公報（以下「引用例」という。）に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　
　
第３　本願発明の新規性について
　
１　本願発明について
　本願の請求項１〜２０に係る発明は，平成１９年８月９日付けの手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，次のとおりである。（以下，本願請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
「【請求項１】
　シリコン基板上に前記シリコン基板より高い被酸化性を有する第１金属膜と，前記第１金属膜及び前記シリコン基板より大きい拡散係数を有する第２金属膜を順序に形成して二重金属層を形成する段階と，
　前記二重金属層を熱処理して第２金属シリサイド膜と，前記第２金属シリサイド膜上に前記第１金属膜及び前記第２金属膜の合金層とを形成する段階であって，前記第２金属シリサイド膜は，前記熱処理で前記第２金属膜の一部が前記第１金属膜を拡散通過して前記シリコン基板と反応することによって形成される段階と，を含むことを特徴とするシリサイド膜形成方法。」
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）　引用例
（１−１）　引用例には，図１〜５とともに次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。）
　
ア　　シリコン基板への金属の蒸着
「【００２５】（中略）バッチシステムの
スパッタリングチャンバ５０
（中略）
【００２６】（中略）ターゲット５４及び５５は蒸着すべき金属から形成されており，スパッタリングガン又は平坦な磁電管ターゲットのいずれかであれば良い。一般に好ましいスパッタリングシステムでは，シリコン基板１０をチャンバ５０から取り出さずに３種類の材料をスパッタ蒸着できるように，システムの中に３つまでのターゲットを配置することが可能である。あるいは，蒸着が終わるごとにシリコン基板１０をチャンバ５０から取り出すようにして，別々のチャンバで
金属の順次蒸着を実施することもできる。一般に好ましい実施例によれば，ターゲット５４はチタンから形成されているが，ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又はバナジウム（Ｖ）などの他の耐火金属を使用することも可能であろう
一般に好ましい実施例では，ターゲット５５はコバルトである
　
イ　　エピタキシャル品質を有するケイ化コバルト層の形成
「【００２８】
図２は，耐火金属層１１と，準貴金属１２とを蒸着した後のシリコン基板１０を示す。一般に好ましい実施例では，耐火金属層１１はチタンから形成されており，準貴金属層１２はコバルトから形成されている
（中略）
【００２９】図２からわかるように，蒸着後，チタン層１１はシリコン基板１０と直接接触している。
アニールの初期の段階では，チタン層１１はシリコン基板１０の表面から自然酸化物（ＳｉＯ
２
） を除去する働きをする
（中略）
【００３０】窒化チタン／ケイ化コバルトの二層の形成における中間工程について，図３〜図５を参照して以下に説明する。説明する中間構造は，アニーリング中の様々な時点におけるシリコン基板１０上の膜をオージェ解析，Ｘ線回折及び透視型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などの従来より周知の方法によって解析したものである。
【００３１】
図３は，アニールを短時間進めた後の蒸着層の構造を示す。
このコバルト層１２ａは，コバルトが下方へ拡散したために，図２のコバルト層１２よりわずかに薄くなっている。コバルト層１２ａの下方には，チタンとコバルトの混合物である層１４がある。この層１４の下方に位置する層１３は，下方へ拡散したコバルトと，シリコン基板１０の表面にあるケイ素との反応によって形成された初期ケイ化コバルト層である。当初，層１３は完全にはケイ化されておらず，ＣｏＳｉ
２ 
から形成されている
（中略）
【００３４】
図２のチタン層１１はシリコン基板１０の表面から自然酸化物を全て除去してしまっているので，その結果得られる図５のケイ化コバルト層１３は欠陥が少なく，エピタキシャル品質を有する
　
ウ　　図２
　上記ア及びイの内容を参酌すると，図２から，図１の「スパッタリングチャンバ５０」で「耐火金属層１１」と「コバルト層１２」とを蒸着した後，
「シリコン基板１０」上に「耐火金属層１１」が形成され，上記「耐火金属層１１」上に「コバルト層１２」が形成されたこと
　
エ　　図３
　上記イの内容を参酌すると，図３から，図２の「耐火金属層１１」及び「コバルト層１２」が形成された「シリコン基板１０」にアニールを短時間進めた後，
「シリコン基板１０」上にＣｏＳｉ
２ 
からなる「初期ケイ化コバルト層１３」が形成され，上記「初期ケイ化コバルト層１３」上にチタンからなる耐火金属とコバルトとの混合物である「層１４」が形成されたこと
　
（１−２）　上記（１−１）アのとおり，「シリコン基板１０」上に「耐火金属層１１」を蒸着形成する「ターゲット５４」は，チタンのほか，ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又はバナジウム（Ｖ）などの他の耐火金属を使用することも可能であるので，上記（１−１）ア〜ウから，
「シリコン基板１０」上に，チタン，ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又はバナジウム（Ｖ）などの耐火金属からなる「耐火金属層１１」と，「コバルト層１２」を順次蒸着して上記「耐火金属層１１」及び上記「コバルト層１２」を形成すること
　
（１−３）　上記（１−１）イの「このコバルト層１２ａは，コバルトが下方へ拡散したために，図２のコバルト層１２よりわずかに薄くなっている。コバルト層１２ａの下方には，チタンとコバルトの混合物である層１４がある。」から，「層１４」は，「耐火金属層１１」を構成する耐火金属と「コバルト層１２」から下方に拡散したコバルトとの混合物であるので，上記（１−１）イ及びエから，
上記「耐火金属層１１」及び上記「コバルト層１２」のアニールを短時間進めてＣｏＳｉ
２ 
からなる「初期ケイ化コバルト層１３」と，上記「初期ケイ化コバルト層１３」上に上記「耐火金属層１１」を構成する耐火金属と上記「コバルト層１２」から下方に拡散したコバルトとの混合物である「層１４」とを形成すること
　
（１−４）　上記（１−１）イの「このコバルト層１２ａは，コバルトが下方へ拡散したために，図２のコバルト層１２よりわずかに薄くなっている」こと，及び「この層１４の下方に位置する層１３は，下方へ拡散したコバルトと，シリコン基板１０の表面にあるケイ素との反応によって形成された初期ケイ化コバルト層である」こと，上記（１−１）ウの「シリコン基板１０」上に「耐火金属層１１」が形成され，上記「耐火金属層１１」上に「コバルト層１２」が形成されていること，並びに上記（１−１）エの上記「耐火金属層１１」及び上記「コバルト層１２」が形成された「シリコン基板１０」にアニールを短時間進めた後，上記「シリコン基板１０」上にＣｏＳｉ２ からなる「初期ケイ化コバルト層１３」が形成されていることから，
上記「初期ケイ化コバルト層１３」は，上記アニールを短時間進めて上記「コバルト層１２」から下方へ拡散して上記「耐火金属層１１」を通過したコバルトが，上記「シリコン基板１０」の表面にあるケイ素と反応することによって形成されること
　
（１−５）　上記（１−１）イから，
エピタキシャル品質を有するケイ化コバルト層の形成方法
　
（２）　引用発明
　以上によれば，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「シリコン基板１０上に，チタン，ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又はバナジウム（Ｖ）などの耐火金属からなる耐火金属層１１と，コバルト層１２を順次蒸着して上記耐火金属層１１及び上記コバルト層１２を形成することと，
　上記耐火金属層１１及び上記コバルト層１２のアニールを短時間進めてＣｏＳｉ２ からなる初期ケイ化コバルト層１３と，上記初期ケイ化コバルト層１３上に上記耐火金属層１１を構成する耐火金属と上記コバルト層１２から下方に拡散したコバルトとの混合物である層１４とを形成することであって，上記初期ケイ化コバルト層１３は，上記アニールを短時間進めて上記コバルト層１２から下方へ拡散して上記耐火金属層１１を通過したコバルトが，上記シリコン基板１０の表面にあるケイ素と反応することによって形成されることと，を含むエピタキシャル品質を有するケイ化コバルト層の形成方法。」
　
３　対比・判断
（１）　次に本願発明と引用発明とを対比する。
ア（ア）　引用発明の「シリコン基板１０」，「順次蒸着」及び「形成すること」は，それぞれ，本願発明の「シリコン基板」，「順序に形成」及び「形成する段階」に相当する。
　
（イ）　本願の明細書の発明の詳細な説明には，本願発明の「第１金属膜」及び「第２金属膜」について，次のように記載されている。
　
「【００６４】
【課題を解決するための手段】（構成）上述の目的を達成するための本発明によると，半導体基板上に半導体基板より相対的にもっと強い被酸化性を有する第１金属膜と，第１金属膜及び半導体基板より相対的にもっと大きい拡散係数を有する第２金属膜を順序に形成して二重金属層を形成する段階と，二重金属層を熱処理して第２金属シリサイド膜及び第２金属シリサイド膜上に第１金属膜と第２金属膜の合金層を形成するが，熱処理で第２金属膜の一部が第１金属膜を拡散通過して半導体基板と反応することによって形成される段階とを含む。
【００６５】この望ましい実施の形態において，
第１金属膜は，耐熱金属膜であり，第２金属膜は，準貴金属膜である
【００６６】この望ましい実施の形態において，
耐熱貴金属膜（審決注：「耐熱貴金属膜」は「耐熱金属膜」の誤記である。）は，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｈｆ，そしてＴａ膜のうち，いずれか１つである
【００６７】この望ましい実施の形態において，
準貴金属膜は，Ｃｏ膜である
　
　本願の明細書の上記記載のとおり，本願発明の「第１金属膜」は，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｈｆ，そしてＴａ膜のうちのいずれか１つであるから，上記「第１金属膜」の構成材料は，引用発明の「チタン，ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又はバナジウム（Ｖ）などの耐火金属からなる耐火金属層１１」の構成材料に包含され，また，引用発明において上記「耐火金属層１１」を構成する耐火金属は，「シリコン基板１０」の表面から自然酸化物（ＳｉＯ２） を除去する働きをするから，引用発明の「チタン，ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又はバナジウム（Ｖ）などの耐火金属からなる耐火金属層１１」は，本願発明の「前記シリコン基板より高い被酸化性を有する第１金属膜」に相当する。
　そして，本願の明細書の上記記載のとおり，本願発明の「第２金属膜」はＣｏ膜であり，また，引用発明において，上記「耐火金属層１１」及び「コバルト層１２」のアニールを短時間進めると，上記「コバルト層１２」からコバルトが下方へ拡散して上記「耐火金属層１１」（本願発明の「第１金属膜」に相当。）を通過するから，引用発明の「コバルト膜１２」は，本願発明の「前記第１金属膜及び前記シリコン基板より大きい拡散係数を有する第２金属膜」に相当する。
　さらに，引用発明の「上記耐火金属層１１及び上記コバルト層１２」は，本願発明の「二重金属層」に相当する。
　
（ウ）　上記（ア）及び（イ）から，引用発明の「シリコン基板１０上に，チタン，ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ）又はバナジウム（Ｖ）などの耐火金属からなる耐火金属層１１と，コバルト層１２を順次蒸着して上記耐火金属層１１及び上記コバルト層１２を形成すること」は，本願発明の「シリコン基板上に前記シリコン基板より高い被酸化性を有する第１金属膜と，前記第１金属膜及び前記シリコン基板より大きい拡散係数を有する第２金属膜を順序に形成して二重金属層を形成する段階」に相当する。
　
イ　　引用発明の「アニールを短時間進めて」，「ＣｏＳｉ２ からなる初期ケイ化コバルト層１３」及び「上記耐火金属層１１を構成する耐火金属と上記コバルト層１２から下方に拡散したコバルトとの混合物である層１４」は，それぞれ，本願発明の「熱処理して」，「第２金属シリサイド膜」，及び「前記第１金属膜及び前記第２金属膜の合金層」に相当する。
　そうすると，引用発明の「上記耐火金属層１１及び上記コバルト層１２のアニールを短時間進めてＣｏＳｉ２ からなる初期ケイ化コバルト層１３と，上記初期ケイ化コバルト層１３上に上記耐火金属層１１を構成する耐火金属と上記コバルト層１２から下方に拡散したコバルトとの混合物である層１４とを形成すること」は，本願発明の「前記二重金属層を熱処理して第２金属シリサイド膜と，前記第２金属シリサイド膜上に前記第１金属膜及び前記第２金属膜の合金層とを形成する段階」に相当する。
　
ウ　　引用発明の「上記アニールを短時間進めて」は，本願発明の「前記熱処理で」に相当する。
　また，引用発明の「上記コバルト層１２から下方へ拡散して上記耐火金属層１１を通過したコバルトが，上記シリコン基板１０の表面にあるケイ素と反応することによって形成されること」は，本願発明の「前記第２金属膜の一部が前記第１金属膜を拡散通過して前記シリコン基板と反応することによって形成される段階」に相当する。
　そうすると，引用発明の「上記初期ケイ化コバルト層１３は，上記アニールを短時間進めて上記コバルト層１２から下方へ拡散して上記耐火金属層１１を通過したコバルトが，上記シリコン基板１０の表面にあるケイ素と反応することによって形成されること」は，本願発明の「前記第２金属シリサイド膜は，前記熱処理で前記第２金属膜の一部が前記第１金属膜を拡散通過して前記シリコン基板と反応することによって形成される段階」に相当する。
　
エ　　引用発明の「エピタキシャル品質を有するケイ化コバルト層の形成方法」は，本願発明の「シリサイド膜形成方法」に相当する。
　
（２）　以上から，本願発明と引用発明（引用例に記載された発明）とは，
　
「シリコン基板上に前記シリコン基板より高い被酸化性を有する第１金属膜と，前記第１金属膜及び前記シリコン基板より大きい拡散係数を有する第２金属膜を順序に形成して二重金属層を形成する段階と，
　前記二重金属層を熱処理して第２金属シリサイド膜と，前記第２金属シリサイド膜上に前記第１金属膜及び前記第２金属膜の合金層とを形成する段階であって，前記第２金属シリサイド膜は，前記熱処理で前記第２金属膜の一部が前記第１金属膜を拡散通過して前記シリコン基板と反応することによって形成される段階と，を含むシリサイド膜形成方法。」
　
である点で一致し，結局，両者は同一発明であることに帰着する。
　
４　小括
　したがって，本願発明は，引用例に記載された発明である。
　
　
第４　結言
　
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第１項３号に掲げる発明に該当し，特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　
　よって，結論のとおり審決する。