【事件の表示】
　特願２０００−３３６０「半導体加工チャンバとその制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年７月１９日出願公開、特開２００１−１９６３１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１月１２日の出願であって、その請求項１〜１６に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成１４年６月２８日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「【請求項１１】ガス導入口が設けられ且つウエハが配置される第１のチャンバと、ガス排出手段に接続された第２のチャンバと、前記第１のチャンバと第２のチャンバとを画するバッフル部材と、該バッフル部材に少なくとも一つ設けられたガス流通用開口と、該ガス流通用開口の開口面積を調節する制御手段を備える半導体加工チャンバを準備するステップと、前記ガス導入口から供給されるガスの流量が第２の目標値になるように前記ガス排出手段の吸引力を調節するステップを備えることを特徴とする半導体加工チャンバの制御方法。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である実願昭５９−２７２２８号（実開昭６０−１４０７６４号）のマイクロフイルム（以下、「引用刊行物１」という。）、及び同頒布された刊行物である特開平７−２６３３５１号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、夫々下記の事項が記載されている。
　　
［２−１］引用刊行物１
（１ａ）「１．試料をプラズマ処理する真空室を、該真空室に内設された固定バッフルプレートの開口と回転バッフルプレートの開口とを介して排気可能に構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。」（実用新案登録請求の範囲）、
（１ｂ）実施例として、第１図、第２図が示されるとともに、
「第１図，第２図で、真空室１０には、・・・上部電極２０と下部電極３０とが対向して内設され、下部電極３０の裏面に対応する真空室１０の底壁には、排気系の排気管４０が真空室１０と連通して連結されている。下部電極３０と真空室１０の底壁との間には、固定バッフルプレート５０が設けられ、固定バッフルプレート５０の下方には回転バッフルプレート５６が設けられている。固定バッフルプレート５０には、同一円周上で同一形状，面積の開口５１が１２０度間隔で３個形成され、回転バッフルプレート６０には、開口５１に対応して開口６１が形成されている。また、回転バッフルプレート６０は、真空室１０外に設けられた駆動装置６２で歯車６３，６４を介して回転駆動可能となっている。
　真空室１０には、処理ガス供給装置（・・・）から処理ガスが所定流量で供給され、真空ポンプ（・・・）で排気管４０を介して所定流量で排気される。この場合、回転バッフルプレート６０を所定量回転させ開口５１と開口６１とでなる開口面積を変化させコンダクタンスを変化させることで真空室１０は処理圧力に調整され維持される。つまり、真空室１０に供給された処理ガスは開口５１と開口６１とを介して真空室１０より排気される。その後・・・プラズマにより下部電極３０に載置されている試料（・・・）はプラズマ処理される。」（第３頁１０行〜第４頁１７行）が記載されている。
　　
［２−２］引用刊行物２
（２ａ）「【請求項１】ガス導入孔からの数種類のガスを撹拌混合する撹拌室を備え、ウエーハを裁置する加熱試料台、試料取り出し口、排気孔などからなる装置に於いて、試料台と排気孔の間に多数の小孔からなる整流板を挿入したことを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】・・・・・
【請求項３】整流板の開口面積を変えるための調整機構を装着したことを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】〜【請求項３】）、
（２ｂ）【発明が解決しようとする課題】として、「本発明の目的は半導体製造装置に用いられる・・・気相成長装置の実現にある。」（段落【０００３】）、
（２ｃ）【課題を解決するための手段】として、「排気能力による最適な条件を見いだすためにコンダクタンスの調整機構を設けたものである。」（段落【０００５】）、
（２ｄ）実施例として、「チャンバー本体１は数種類のガスを混合する撹拌室１０１と試料に絶縁膜を形成する成膜室１０２、成膜後のガスを排気する排気室１０３からなる。原料ガスは酸素をキャリアーとしてパイプ１３の枝管から撹拌室１０１へ導入される。・・・排気室１０３は支え２で支持された整流板３で成膜室１０２と仕切られており、排気孔２６よりガスが排気される。」（段落【００１０】）、
「ガスの流量は例えばウェーハ６直径が6インチとするとPb原料で20cc/min,Zr原料が20cc/min,Ti原料が5cc/minで酸素O2をキャリア−として10分程度流す。」（段落【００１１】）、
「撹拌室１０１から均等に吹き出した流れがウェーハ６面上でも均等な流れが維持されるのでその結果作成される絶縁膜の均一性も向上し、高品質の半導体部品が製作できる」（段落【００１４】）が記載されている。
　　
［３］対比
　摘記（１ｂ）の「上部電極２０と下部電極３０とが対向して内設され、下部電極３０の裏面に対応する真空室１０の底壁には、排気系の排気管４０が真空室１０と連通して連結されている。下部電極３０と真空室１０の底壁との間には、固定バッフルプレート５０が設けられ、固定バッフルプレート５０の下方には回転バッフルプレート５６が設けられている。固定バッフルプレート５０には、同一円周上で同一形状，面積の開口５１が１２０度間隔で３個形成され、回転バッフルプレート６０には、開口５１に対応して開口６１が形成されている。・・・真空室１０には、処理ガス供給装置（・・・）から処理ガスが所定流量で供給され、・・・真空室１０に供給された処理ガスは開口５１と開口６１とを介して真空室１０より排気される」との記載によれば、引用刊行物１に記載されたプラズマ処理装置では、真空室が固定バッフルプレートと回転バッフルプレートにより上側の領域と下側の領域とに区切られ、該両バッフルプレートには開口が夫々形成され、真空室の上側の領域には上部電極と下部電極とが対向して設けられ、処理ガス供給装置から処理ガスが所定流量で供給され、真空室の下側の領域には排気系の排気管が連結され、上記両バッフルプレートの両開口を介して排気管より所定流量で排気されることが明らかである。
　また、摘記（１ｂ）の「固定バッフルプレート５０には、同一円周上で同一形状，面積の開口５１が１２０度間隔で３個形成され、回転バッフルプレート６０には、開口５１に対応して開口６１が形成されている。また、回転バッフルプレート６０は、真空室１０外に設けられた駆動装置６２で歯車６３，６４を介して回転駆動可能となっている。・・・真空ポンプ（・・・）で排気管４０を介して所定流量で排気される。この場合、回転バッフルプレート６０を所定量回転させ開口５１と開口６１とでなる開口面積を変化させコンダクタンスを変化させることで真空室１０は処理圧力に調整され維持される。つまり、真空室１０に供給された処理ガスは開口５１と開口６１とを介して真空室１０より排気される。その後・・・プラズマにより下部電極３０に載置されている試料（・・・）はプラズマ処理される」との記載によれば、同プラズマ処理装置では、回転バッフルプレートを駆動装置で回転駆動させ、固定バッフルプレートの開口と回転バッフルプレートの開口とでなる開口面積を変化させコンダクタンスを変化させることで真空室が処理圧力に調整され維持され、下部電極に載置した試料を該処理圧力でプラズマ処理することが明らかである。
　これらの事項及び上記摘記（１ａ）（１ｂ）を総合すると、引用刊行物１には、
「プラズマ処理装置の真空室が固定バッフルプレートと回転バッフルプレートで上側の領域と下側の領域とに区切られ、該両バッフルプレートには夫々開口が形成され、真空室の上側の領域には、上部電極と下部電極とが対向して設けられ、処理ガス供給装置から処理ガスが所定流量で供給され、真空室の下側の領域には真空ポンプを含む排気系の排気管が連結され、上記両バッフルプレートの両開口を介して排気管より所定流量で排気され、該回転バッフルプレートを駆動装置で回転駆動させ、該両バッフルプレートの両開口でなる開口面積を変化させコンダクタンスを変化させることで真空室が処理圧力に調整され維持され、該処理圧力で下部電極に載置した試料をプラズマ処理する方法」の発明（以下、「引用刊行物１記載の発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明と引用刊行物１記載の発明とを対比すると、引用刊行物１記載の発明では、「真空室の上側の領域には、上部電極と下部電極とが対向して設けられ、処理ガス供給装置から処理ガスが所定流量で供給され、・・・下部電極に載置した試料をプラズマ処理する」における「処理ガス供給装置から処理ガスが所定流量で供給され」、「真空室の上側の領域」は夫々、本願発明における「ガス導入口が設けられ」、「第１のチャンバ」に相当する。
　また、引用刊行物１記載の発明における「真空室の下側の領域」、「真空ポンプを含む排気系の排気管」、「固定バッフルプレートと回転バッフルプレート」、「開口」、「プラズマ処理装置の真空室」は夫々、本願発明における「第２のチャンバ」、「ガス排出手段」、「バッフル部材」、「ガス流通用開口」、「加工チャンバ」に相当する。
　また、引用刊行物１記載の発明における「回転バッフルプレートを駆動装置で回転駆動させ、該両バッフルプレートの両開口でなる開口面積を変化させコンダクタンスを変化させることで真空室が処理圧力に調整され維持され、該処理圧力で下部電極に載置した試料をプラズマ処理する方法」とは、真空室に配置した試料をプラズマ処理するために、回転バッフルプレートを駆動装置で回転駆動させることにより、両バッフルプレートの両開口でなる開口面積を変化させてコンダクタンスを変化させ、該真空室の処理圧力を調整し維持するように制御する方法に他ならず、上記「駆動装置」は本願発明の「制御手段」に、上記「真空室が処理圧力に調整され維持され、該処理圧力で下部電極に載置した試料をプラズマ処理する方法」は本願発明の「加工チャンバの制御方法」に夫々相当する。また、上記「コンダクタンスを変化させることで真空室が処理圧力に調整され維持され」とは、コンダクタンスを変化させることで排気系の吸引力を調節することに他ならない。
　そうすると、両者は、「ガス導入口が設けられる第１のチャンバと、ガス排出手段に接続された第２のチャンバと、前記第１のチャンバと第２のチャンバとを画するバッフル部材と、該バッフル部材に少なくとも一つ設けられたガス流通用開口と、該ガス流通用開口の開口面積を調節する制御手段を備える加工チャンバを準備するステップと、前記ガス排出手段の吸引力を調節するステップを備える加工チャンバの制御方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
（イ）本願発明では、半導体加工チャンバでウエハを加工しているのに対し、引用刊行物１記載の発明では、真空室で試料を処理している点。
（ロ）本願発明では、ガス導入口から供給されるガスの流量が第２の目標値になるようにガス排出手段の吸引力を調節しているのに対し、引用刊行物１記載の発明では、真空室が処理圧力に調整され維持されるようにコンダクタンスを変化させている点。
　　
［４］当審の判断                  
　まず、上記相違点（イ）について検討するに、
　引用刊行物２には、「ガス導入孔からの数種類のガスを撹拌混合する撹拌室を備え、ウエーハを裁置する加熱試料台、試料取り出し口、排気孔などからなる装置に於いて・・・」（摘記（２ａ））、「本発明の目的は半導体製造装置に用いられる・・・気相成長装置の実現にある。」（摘記（２ｂ））、「チャンバー本体１は数種類のガスを混合する撹拌室１０１と試料に絶縁膜を形成する成膜室１０２、成膜後のガスを排気する排気室１０３からなる。原料ガスは酸素をキャリアーとしてパイプ１３の枝管から撹拌室１０１へ導入される。・・・排気室１０３は支え２で支持された整流板３で成膜室１０２と仕切られており、排気孔２６よりガスが排気される。」、「撹拌室１０１から均等に吹き出した流れがウェーハ６面上でも均等な流れが維持されるのでその結果作成される絶縁膜の均一性も向上し、高品質の半導体部品が製作できる」（摘記（２ｄ））により、ガス導入孔が設けられるとともに排気孔が接続されたチャンバー本体の成膜室に半導体ウエーハを配置して加工することが記載されており、また、例えば、特開平７−１２２４９０号公報の段落【０００６】、特開平５−２５９１１９号公報の段落【０００４】にも同様のことが記載されているように、ガス導入口が設けられるとともにガス排出手段が接続された半導体加工チャンバでウエハを加工することは本願の出願前周知の技術であるから、引用刊行物１記載の発明において、真空室を半導体加工チャンバとし、該半導体加工チャンバでウエハを加工することは、当業者が適宜に採用できたものと認められる。
　　
　次に、上記相違点（ロ）について検討するに、
　前掲の特開平７−１２２４９０号公報には、
「【０００６】・・・第１のセンサおよび第２のセンサからの検出値を取り込んで前記排気系のガス流量が前記ガス供給系のガス流量よりも所定の値だけ大きくなるように前記第１のバルブおよび第２のバルブの開度を制御する・・・」（段落【０００６】）、
「【００１７】・・・反応室内を大気圧に対して−１０Ｔｏｒｒまで減圧する場合には、三方弁１１を不活性ガスの供給源１２側に切り替えたのち、２つの制御バルブ５，１０を徐々に低速で開き始める。そして、２つのガス流量センサ８，１３からの検出値を制御手段７に取り込み、両者を比較する。もし、排気管４のガス流量がガス供給用配管９のガス流量より小さい場合には、排気管４に設けられた制御バルブ５の開き速度を速くするよう制御手段７から制御バルブ５に指令する。
【００１８】また、排気管４のガス流量がガス供給用配管９のガス流量に比べて大きすぎる場合には排気管４に設けられた制御バルブ５の開き速度を遅く・・・して、両ガス流量の差が所定の範囲内に入るようにする。・・・
【００１９】このように２つの制御バルブ５，１０の開度を調節しながらバルブを開いていくと、反応室１内の減圧を開始した瞬間における内圧は徐々に低下することになり、予め決められた真空度（大気圧−１０Ｔｏｒｒ）に漸近する。・・・
【００２０】また、不活性ガスの供給量と反応室内からの排気量との差異を所定の範囲内に制御することにより、最短時間で不活性ガスの置換と減圧を行うことができ、ウェーハの品質向上だけでなく生産性の向上にも寄与できる。
【００２１】不活性ガスによる置換および減圧を終了すると、続いて水素ガスを反応室内に供給しながらさらに減圧（６０〜１００Ｔｏｒｒ）を実施する。この水素ガスによる置換および減圧時においても上述した流量バランスの制御が実施される。」（段落【００１７】〜【００２１】）により、ガス供給用配管から供給される不活性ガス又は水素ガスのガス流量よりも排気管のガス流量の検出値が所定の値だけ大きくなるように、排気管の制御バルブの開き速度を調節しつつ反応室内を予め決められた真空度まで徐々に減圧していくことが記載されている。即ち、同公報には、反応室内を予め決められた真空度まで徐々に減圧していく過程において、ガス供給用配管から供給されるガスの流量が排気量に対して所定の目標値になるように、排気管の制御バルブの開き速度を調節して排気系の吸引力を調節することが記載されている。
　また、前掲の特開平５−２５９１１９号公報には、
「・・・図１７に示すように実効排気速度（エッチング処理内部におけるガス流量）が大きいほど同一動作圧力でのガス導入口でのガス流量が大きくなることになる。即ち、実効排気速度を大きくすることにより、同一動作圧力でのガス流量を大きくすることができる。」（段落【００３６】）と記載されるとともに、実施例において、
「（実施例１）・・・コンダクタンスバルブ１２を可変にすることにより、排気速度を変えることができる。・・・」（段落【００４６】）、
「・・・エッチングガスにはＣｌ２を用い、ガス圧力０．５ｍＴｏｒｒ・・・とし、ガス流量を２から１００ｓｃｃｍまで変化させた。・・・２ｓｃｃｍでは８０ｎｍ／ｍｉｎのエッチ速度はＣｌ２ガス流量とともに増加し、１００ｓｃｃｍにおいて１３００ｎｍ／ｍｉｎとなった。・・・」（段落【００４８】）、
「（実施例２）・・・ガス圧力０．５ｍＴｏｒｒ・・・とし、ガス流量を２から１００ｓｃｃｍまで変化させた。２ｓｃｃｍでは５０ｎｍ／ｍｉｎのエッチ速度はＣｌ２ガス流量とともに増加し、１００ｓｃｃｍにおいて５００ｎｍ／ｍｉｎとなった。・・・」（段落【００５０】）と記載されている。即ち、上記（実施例１）及び（実施例２）では、エッチ速度を増加させるべく、同一動作圧力でのガスの流量が２ｓｃｃｍから１００ｓｃｃｍになるまで、可変コンダクタンスバルブの操作等により実効排気速度を大きくすることが記載されており、該「１００ｓｃｃｍ」は、エッチ速度を増加させるべく大きくしていくガスの流量の最終値であるから、ガスの流量の「目標値」に該当し、また、該実効排気速度を大きくすることは、ガス排出手段の吸引力を大きくすることに他ならない。
　以上のように、真空室が所定の処理圧力に調整され維持される過程において、ガス導入口から供給されるガスの流量が目標値になるように、ガス排出手段の吸引力を調節することは、本願の出願前周知の技術であるといえる。
　また、本願発明における「第２の目標値」は、明細書に記載されている他の目標値（「第１の目標値」、「第３の目標値」）と混同が生じないように「第２」の番号を付して表示されているものであり、該「第２」に技術的な意味はなく、本願発明における、ガス導入口から供給されるガスの流量の目標値と同義である。
　してみると、引用刊行物１記載の発明において、真空室が処理圧力に調整され維持されるように、コンダクタンスを変化させてガス排出手段の吸引力を調節しているのを、該真空室が処理圧力に調整され維持されるとともに、ガス導入口から供給されるガスの流量が所定の目標値になるように、コンダクタンスを変化させてガス排出手段の吸引力を調節することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、上記相違点（イ）、（ロ）に係る本願発明の特定事項を採用することによる作用・効果について検討してみても、引用刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術から当業者が普通に予測できる程度のものであって、格別のものは見当らない。
　　
［５］むすび
　したがって、本願発明は、当業者が引用刊行物１、２に記載された発明、及び上記周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明が特許を受けることができないため、本願の請求項１〜１０、１２〜１６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。