【事件の表示】
　特願２００５−　３４５０８「開口率向上に適する横電界方式液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月１６日出願公開、特開２００５−１５７４０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９６年（平成８年）１２月１８日を国際出願日とする出願（特願平１０−５２７５２５号。以下「原出願」という。）の一部を平成１７年２月１０日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年１１月２０日及び平成２０年２月２２日付けで手続補正がなされ、同年９月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２７日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされた後、当審において平成２２年２月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年５月１７日付け手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１は次のとおりである。
　
「同一基板上に複数のドレイン信号線と複数のゲート信号線が形成され、前記ゲート信号線とドレイン信号線で定義される複数の画素領域が形成され、当該画素領域のそれぞれに画素電極と対向電極を有し、前記画素電極と前記対向電極の間に電界を形成し液晶層の液晶分子を制御し表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記対向電極と電気的に接続された対向電圧信号線を有し、前記対向電圧信号線は、アルミニウム（Ａｌ）の前記液晶層側にインジウム−チン−オキサイド（ＩＴＯ）が重畳して形成され、且つ前記ＩＴＯの幅は前記Ａｌの幅より広く形成され、前記ドレイン信号線と交差する領域において前記Ａｌと前記ＩＴＯは二股に分岐するように開口部が形成され、前記Ａｌの開口部は前記ＩＴＯの開口部よりも大きく形成され、
　前記対向電極は、前記ＩＴＯの一部を延在させた延在部であり、
　前記延在部は、前記画素領域内において前記ドレイン信号線に平行して形成され、且つ、前記ドレイン信号線及び前記ゲート信号線に重畳しないことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審における拒絶理由に引用し、原出願の出願前に頒布された刊行物である欧州特許出願公開第７３２６１２号明細書（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている（訳文をかっこ書で付した。）。
　
　ア　「(1) Field of the Invention
　The present invention relates to a liquid crystal display device and, more particularly, to a liquid crystal display device with wide viewing angle characteristics of the active matrix system using thin-film transistors.」（第３頁第５〜８行）
（（１）発明の属する技術分野
　本発明は、液晶表示装置に係り、特に、薄膜トランジスタ等を使用した広視野角特性のアクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置に関する。）
　
　イ　「[Active matrix liquid crystal display device]
　An embodiment in which the present invention is adapted to a color liquid crystal display device of the active matrix system will be described below. 」（第１０頁第２３〜２６行）
（［アクティブ・マトリクス液晶表示装置］
　以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装置に本発明を適用した実施例を説明する。）
　
　ウ　「[Planar constitution of a matrix unit (pixel unit)]
　Fig. 2 is a plan view illustrating a pixel and peripheries thereof in the active matrix-type color liquid crystal display device of a first embodiment of the present invention.
　Referring to Fig. 2, each pixel is provided in a region (surrounded by four signal lines) where the gate signal line (gate signal line or horizontal signal line) GL, counter voltage signal line (counter electrode wiring) CL and two adjacent video signal lines (drain signal lines or vertical signal lines) DL intersect. Each pixel includes a thin-film transistor TFT, a storage capacitor Cstg, a pixel electrode PX and a counter electrode CT. The gate signal lines GL and the counter voltage signal lines CL extend in theright-and-left direction in the drawing and are arranged in a plural number in the up-and-down direction. The video signal lines DL extend in the up-and-down direction and are arranged in a plural number in the right-and-left direction. The pixel electrode PX is connected to the thin-film transistor TFT, and the counter electrode CT is formed integrally with the counter voltage signal line CL.
　The two adjacent pixels along the video signal line DL have a planar constitution such that they have the same size and pattern. The reason is that the counter voltage signal line CL is used in common by the two vertically adjacent pixels along the video signal line DL, the width of the counter voltage signal line CL is increased and, hence, the resistance of the counter voltage signal line CL is decreased. This makes it easy to sufficiently feed a counter voltage to the counter electrodes CT of the pixels arranged in the right-and-left direction from an external circuit.
　The pixel electrode PX and the counter electrode CT are opposed to each other, and the optical state of the liquid crystals LC is controlled by an electric field between each pixel electrode PX and the counter electrode CT, thereby to control the display. The pixel electrodes PX and the counter electrodes CT are formed like comb teeth, and extend in a slender form in the up-and-down direction.」（第１０頁第５６行〜第１１頁第１７行）
（［マトリクス部（画素部）の平面構成］
　図２は本発明の第１実施形態のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
　図２に示すように、各画素は走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは図では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になっている。
　映像信号線ＤＬに沿って上下に隣接する２画素では、同じ大きさとパターンの平面構造を有している。これは、対向電圧信号線ＣＬを映像信号線ＤＬに沿って上下に隣接する２画素で共通化し、対向電圧信号線ＣＬの電極幅を拡大することにより、対向電圧信号線ＣＬの抵抗を低減するためである。これにより、外部回路から左右方向の各画素の対向電極ＣＴへ対向電圧を十分に供給するためことが容易になる。
　画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により液晶ＬＣの光学的な状態を制御し、表示を制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成され、それぞれ、図の上下方向に長細い電極となっている。）
　
　エ　「[Cross-sectional constitution of the matrix unit (pixel unit)]
　Fig. 7 is a sectional view cut along the line 3-3 in Fig. 2, Fig. 8 is a sectional view of a thin-film transistor element TFT cut along the line 4-4 in Fig.2, and Fig. 9 is a sectional view of a storage capacitor Cstg cut along the line 5-5 in Fig. 2. As shown in Figs. 7 to 9, on the side of the lower transparent glass substrate SUB1 are formed a thin-film transistor TFT, a storage capacitor Cstg and a group of electrodes, and on the side of the upper transparent glass substrate SUB2 are formed a color filter FIL and a black matrix pattern BM for blocking light, with respect to a liquid crystal layer LC.
　Furthermore, orientation films ORI1 and ORI2 for controlling the initial orientation of liquid crystals are provided on the inside surfaces (liquid crystal LCside) of the transparent glass substrates SUB1 and SUB2, and polarizer plates are provided with their polarizing axes intersecting at right angles (cross-nicol arrangement) on the outside surfaces of the transparent glass substrates SUB1 and SUB2.」（第１３頁第１１〜２２行）
（［マトリクス部（画素部）の断面構成］
　図７は図２の３−３切断線における断面を示す図、図８は図２の４−４切断線における薄膜トランジスタＴＦＴの断面図、図９は図２の５−５切断線における蓄積容量Ｃｓｔｇの断面を示す図である。図７〜図９に示すように、液晶層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇおよび電極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されている。
　また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初期配向を制御する配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２が設けられており、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの外側の表面には、偏光軸が直交して配置された（クロスニコル配置）偏光板が設けられている。）
　
　オ　「[Gate electrode GT]
　The gate electrode GT is continuous to the gate signal line GL, and is formed by part of the region of the gate signal line GL. ・・・ In this embodiment, the gate electrode GT is composed of a single conductive film gl. As the conductive film gl, there can be used an aluminum film formed by, for example, sputtering and an anodically oxidized film AOF of aluminum is formed thereon.」（第１３頁第４１〜４９行）
（［ゲート電極ＧＴ］
　ゲート電極ＧＴは走査信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線ＧＬの一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されている。・・・本例では、ゲート電極ＧＴは、単層の導電膜ｇ１で形成されている。導電膜ｇ１としては例えばスパッタで形成されたアルミニュウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。）
　
　カ　「[Counter electrode CT]
　The counter electrode CT is constituted by the conductive film g1 of the same layer as the gate electrode GT and the scanning signal line GL.・・・」（第１４頁第１〜４行）
（［対向電極ＣＴ］
　対向電極ＣＴはゲート電極ＧＴおよび走査信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成されている。・・・）
　
　キ　「[Counter voltage signal line CL]
　The counter voltage signal line CL is constituted by a conductive film g1. The conductive film g1 forming the counter voltage signal line CL is formed through the same step as that of forming the conductive film g1 of the gate electrode GT, scanning signal line GL and counter electrode CT, and as a unitary structure. ・・・A portion that intersects the video signal line DL is formed narrow to decrease the probability of short-circuiting relative to the video signal line like the case of the scanning signal line GL, and is branched into two so that it can be separated by laser trimming in case it has short-circuited.」（第１４頁１３〜２２行）
（［対向電圧信号線ＣＬ］
　対向電圧信号線ＣＬは導電膜ｇ１で構成されている。この対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬおよび対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され、かつ対向電極ＣＴと一体に構成されている。・・・映像信号線ＤＬと交差する部分は、走査信号線ＧＬと同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にしている。）
　
　ク　「[Gate terminal unit]
　Figs. 12A and 12B are views illustrating the connection structure from the scanning signal lines GL of the display matrix to the external connection terminals GTM thereof, wherein Fig. 12A is a plan view and Fig. 12B is a sectional view cut along the line B-B in Fig. 12A. ・・・
　Symbol AO denotes the boundary line of the direct photoresist drawing or, in other words, a photoresist pattern of selective anodic oxidation. Therefore, the photoresist is removed after the anodic oxidation and the pattern AO that is shown does not remain in the finished product. As shown in the sectional view,however, the oxide film AOF is selectively formed on the gate wiring GL, and its trace remains. In the plan view, the left side with respect to the boundary line AO of photoresist is covered with a resist so as not to undergo anodic oxidation, and the right side is not covered with the resist and undergoes the anodic oxidation. The anodically oxidized Al layer g1 has an oxide Al2O3 film AOF formed on the surface thereof, and the conductive portion of the lower side thereof has a decreased volume. The anodic oxidation is carried out by determining a suitable period of time and a voltage so that the conductive portion may remain.
　In the drawing, the aluminum layer g1 is hatched for easy comprehension but the region that is not anodically oxidized is patterned like comb teeth. Thereason is that whiskers develop on the surface when the aluminum layer has a large width. Therefore, each line pattern is formed narrow, and a plurality of line patterns are bundled in parallel to minimize the probability of breakage and the decrease of electric conductivity while preventing the development of whiskers.」（第１８頁第１６〜３４行）
（［ゲート端子部］
　図１２Ａ及び１２Ｂは表示マトリクスの走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接続構造を示す図であり、図１２Ａは平面であり図１２Ｂは図１２ＡのＢ−Ｂ切断線における断面を示している。・・・
　ＡＯはホトレジスト直接描画の境界線、言い換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンである。従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、図に示すパターンＡＯは完成品としては残らないが、ゲート配線ＧＬには断面図に示すように酸化膜ＡＯＦが選択的に形成されるのでその軌跡が残る。平面図において、ホトレジストの境界線ＡＯを基準にして左側はレジストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから露出され陽極酸化される領域である。陽極酸化されたＡＬ層ｇ１は表面にその酸化物Ａｌ２Ｏ３膜ＡＯＦが形成され下方の導電部は体積が減少する。勿論、陽極酸化はその導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して行われる。
　図中ＡＬ層ｇ１は、判り易くするためハッチを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパターニングされている。これは、Ａｌ層の幅が広いと表面にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、それらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイスカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最低限に押さえる狙いである。）
　
　ケ　上記ウを踏まえて図２を見ると、対向電極ＣＴは、走査信号線ＧＬと、対向電圧信号線ＣＬと、隣接する２本の映像信号線ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）において、隣接する２本の映像信号線に平行に形成され、かつ、該２本の映像信号線ＤＬ及び走査信号線ＧＬに重畳していないことが見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「液晶層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇおよび電極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されている液晶表示装置であって、
　各画素は走査信号線ＧＬと、対向電圧信号線ＣＬと、隣接する２本の映像信号線ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されており、各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含み、
　走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されており、映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されており、
　画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、
　対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になっており、
　画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により液晶ＬＣの光学的な状態を制御し、表示を制御し、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成され、
　走査信号線ＧＬと連続して形成されているゲート電極ＧＴは、単層の導電膜ｇ１で形成されており、導電膜ｇ１としては例えばスパッタで形成されたアルミニュウム（Ａｌ）膜が用いられ、
　対向電圧信号線ＣＬは導電膜ｇ１で構成されており、この対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬおよび対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され、
　対向電極ＣＴは、走査信号線ＧＬと、対向電圧信号線ＣＬと、隣接する２本の映像信号線ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）において、隣接する２本の映像信号線に平行に形成され、かつ、該２本の映像信号線ＤＬ及び走査信号線ＧＬに重畳しておらず、
　映像信号線ＤＬと交差する部分は、走査信号線ＧＬと同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にしている液晶表示装置。」
　
（２）引用刊行物２
　当審における拒絶理由に引用し、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−１８８７２０号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「２．特許請求の範囲
　１．薄膜トランジスタと画素電極とを画素の一構成要素するアクティブ・マトリックス方式の液晶表示装置において、映像信号線のアルミニウムを有する第１の膜に上に（審決注：「第１の膜の上に」の誤りと認める。）アルミニウム以外の金属を有する第２の膜を設け、上記第２の膜の幅を上記第１の膜の幅より大きくしたことを特徴とする液晶表示装置。」（第１頁左下欄第４〜１１行）
　
　イ　「〔産業上の利用分野〕
　この発明はたとえば薄膜トランジスタと画素電極とを画素の一構成要素とするアクティブ・マトリックス方式のカラー液晶表示装置等の液晶表示装置に関するものである。」（第１頁左下欄第１３〜１７行）
　
　ウ　「〔従来の技術〕
　従来のアクティブ・マトリックス方式のカラー液晶表示装置においては、アイ　トリプル　イー（ＩＥＥＥ）、１９８５年、３９〜４６頁に記載されているように、映像信号線のアルミニウム膜の上にＩＴＯ膜が設けられ、アルミニウム膜の幅とＩＴＯ膜の幅とは同一である。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかし、このような液晶表示装置においては、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とのアライメントずれがあると、アルミニウム膜の一部がＩＴＯ膜によって被覆されなくなるので、アルミニウムホイスカが発生し、アルミニウムホイスカによってＩＴＯ膜上に設けられた保護膜が剥がれたり、保護膜に穴があくことがある。この場合には、保護膜を選択的にエツチングするためのレジストの現像液、遮光膜のエツチング液等の後の工程の処理液がＩＴＯ膜、アルミニウム膜まで達し、この処理液によってＩＴＯ膜、アルミニウム膜が溶解し、液晶が変質することがある。
　この発明は上述の課題を解決するためになされたもので、液晶が変質することがない液晶表示装置を提供することを目的とする。」（第１頁左下欄第１８行〜同頁右下欄末行）
　
　エ　「〔課題を解決するための手段〕
　この目的を達成するため、この発明においては、薄膜トランジスタと画素電極とを画素の一構成要素するアクティブ・マトリックス方式の液晶表示装置において、映像信号線のアルミニウムを有する第１の膜に上にアルミニウム以外の金属を有する第２の膜を設け、上記第２の膜の幅を上記第１の膜の幅より大きくする。
〔作用〕
　この液晶表示装置においては、第２の膜の幅を第１の膜の幅より大きくしているから、第１の膜と第２の膜とのアライメントずれがあったとしても、第１の膜は２の膜によって被覆されるから、アルミニウムホイスカが発生することがない。」（第２頁左上欄第１〜１４行）
　
　オ　「第１図はこの発明に係るアクティブ・マトリックス方式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の映像信号線部を示す断面図である。この液晶表示装置においては、映像信号線ＤＬのアルミニウム、アルミニウム−シリコン、アルミニウム−チタン（Ｔｉ）、アルミニウム−パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム−シリコン−チタン、アルミニウム−シリコン−銅（Ｃｕ）、アルミニウム−銅等からなる第２導電膜ｄ２の幅はクロムからなる第１導電膜ｄ１の幅よりも小さい、また、第２導電膜ｄ２の上にＩＴＯからなる第３導電１１ｄ３が設けられ、第３導電膜ｄ３の幅は第２導電膜ｄ２の幅より大きい。
　この液晶表示装置においては、第３導電膜ｄ３の幅を第２導電膜ｄ２の幅より大きくしているから、第２導電膜ｄ２と第３導電膜ｄ３とのアライメントずれがあったとしても、第２導電膜ｄ２は第３導電膜ｄ３によって被覆されるから、アルミニウムホイスカが発生することがない。このため、アルミニウムホイスカによって第３導電膜ｄ３上に設けられた保護膜ＰＳＶ１が剥がれたり、保護膜ＰＳＶ１に穴があくことがないから、後の工程の処理液が第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３まで達することがないので、この処理液によって第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３が溶解することがないため、液晶ＬＣが変質することはない。」（第１２頁左下欄第１７行〜第１３頁左上欄第２行）
　
　カ　「・・・上述実施例においては、第２の膜がＩＴＯからなる第３導電膜ｄ３である場合について説明したが、第２の膜をＳｎＯ，膜、Ｃｒ膜等としてもよい。」（第１４頁左上欄第３〜６行）
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「薄膜トランジスタと画素電極とを画素の一構成要素するアクティブ・マトリックス方式の液晶表示装置において、
　映像信号線のアルミニウムを有する第１の膜の上にアルミニウム以外の金属を有する第２の膜を設け、上記第２の膜の幅を上記第１の膜の幅より大きくし、
　第２の膜はＩＴＯからなり、
　第２の膜の幅を第１の膜の幅より大きくしているから、第１の膜と第２の膜とのアライメントずれがあったとしても、第１の膜は第２の膜によって被覆され、アルミニウムホイスカが発生することがない液晶表示装置。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「液晶表示装置」は、「液晶層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇおよび電極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されて」おり、「各画素は走査信号線ＧＬと、対向電圧信号線ＣＬと、隣接する２本の映像信号線ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されており、各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含み、走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されており、映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されており、画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、・・・画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により液晶ＬＣの光学的な状態を制御し、表示を制御し、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成され」ているから、
　ア　引用発明１の「下部透明ガラス基板ＳＵＢ１」、「映像信号線ＤＬ」、「走査信号線ＧＬ」、「（走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとで区画される複数の）画素」、「画素電極ＰＸ」、「対向電極ＣＴ」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明の「同一基板」、「ドレイン信号線」、「ゲート信号線」、「（前記ゲート信号線とドレイン信号線で定義される複数の）画素領域」、「画素電極」、「対向電極」及び「アクティブマトリクス型液晶表示装置」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「同一基板上に複数のドレイン信号線と複数のゲート信号線が形成され、前記ゲート信号線とドレイン信号線で定義される複数の画素領域が形成され、当該画素領域のそれぞれに画素電極と対向電極を有し、前記画素電極と前記対向電極の間に電界を形成し液晶層の液晶分子を制御し表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置」との事項を備える。
　
（２）引用発明１は、「対向電圧信号線ＣＬ」が「左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されており」、「対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になって」いるから、
　ア　引用発明１の「対向電圧信号線ＣＬ」は、本願発明の「対向電圧信号線」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「前記対向電極と電気的に接続された対向電圧信号線を有し」との事項を備える。
　
（３）引用発明１は、「走査信号線ＧＬと連続して形成されているゲート電極ＧＴ」が「単層の導電膜ｇ１で形成されており、導電膜ｇ１としては例えばスパッタで形成されたアルミニュウム（Ａｌ）膜が用いられ」、「対向電圧信号線ＣＬは導電膜ｇ１で構成されており、この対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬおよび対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され」るものであるから、引用発明１の「対向電圧信号線ＣＬ及びこれと同一製造工程で形成される対向電極ＣＴは導電膜ｇ１（アルミニュウム（Ａｌ）膜）で構成され」との事項と、本願発明の「前記対向電圧信号線は、アルミニウム（Ａｌ）の前記液晶層側にインジウム−チン−オキサイド（ＩＴＯ）が重畳して形成され、且つ前記ＩＴＯの幅は前記Ａｌの幅より広く形成され」及び「前記対向電極は、前記ＩＴＯの一部を延在させた延在部であり」との事項とは、それぞれ、「前記対向電圧信号線は、アルミニウム（Ａｌ）で形成され」及び「前記対向電極は、前記対向電圧信号線の一部を延在させた延在部であり」との点で一致する。
　
（４）引用発明１は、「対向電極ＣＴは、走査信号線ＧＬと、対向電圧信号線ＣＬと、隣接する２本の映像信号線ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）において、隣接する２本の映像信号線に平行に形成され、かつ、該２本の映像信号線ＤＬ及び走査信号線ＧＬに重畳して」いないから、引用発明１は、本願発明の「前記延在部は、前記画素領域内において前記ドレイン信号線に平行して形成され、且つ、前記ドレイン信号線及び前記ゲート信号線に重畳しない」との事項を備える。
　
（５）引用発明１は、「映像信号線ＤＬと交差する部分」を、「走査信号線ＧＬと同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にしている」から、引用発明１は、本願発明の「前記ドレイン信号線と交差する領域において前記Ａｌと前記ＩＴＯは二股に分岐するように開口部が形成され」との事項と、「前記ドレイン信号線と交差する領域において前記Ａｌは二股に分岐するように開口部が形成され」との点で一致する。
　
　したがって、両者は、　  
「同一基板上に複数のドレイン信号線と複数のゲート信号線が形成され、前記ゲート信号線とドレイン信号線で定義される複数の画素領域が形成され、当該画素領域のそれぞれに画素電極と対向電極を有し、前記画素電極と前記対向電極の間に電界を形成し液晶層の液晶分子を制御し表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記対向電極と電気的に接続された対向電圧信号線を有し、前記対向電圧信号線は、アルミニウム（Ａｌ）で形成され、前記ドレイン信号線と交差する領域において前記Ａｌは二股に分岐するように開口部が形成され、
　前記対向電極は、前記対向電圧信号線の一部を延在させた延在部であり、
　前記延在部は、前記画素領域内において前記ドレイン信号線に平行して形成され、且つ、前記ドレイン信号線及び前記ゲート信号線に重畳しないアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
相違点
　本願発明は、対向電圧信号線が、アルミニウム（Ａｌ）の液晶層側にインジウム−チン−オキサイド（ＩＴＯ）が重畳して形成され、且つ前記ＩＴＯの幅は前記Ａｌの幅より広く形成されるとともに、ドレイン信号線と交差する領域において前記Ａｌと前記ＩＴＯとが二股に分岐するように開口部が形成され、前記Ａｌの開口部は前記ＩＴＯの開口部よりも大きく形成され、対向電極が、前記ＩＴＯの一部を延在させた延在部であるのに対し、引用発明１は、対向電圧信号線がアルミニウム（Ａｌ）で形成され、ドレイン信号線と交差する領域において前記Ａｌが二股に分岐するように開口部が形成され、対向電極がＡｌで形成された前記対向電圧信号線の一部を延在させた延在部である点。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　上記２（２）によれば、引用刊行物２には引用発明２が記載され、映像信号線のアルミニウムを有する第１の膜の上に、ＩＴＯからなり、該第１の膜の幅より大きい幅の第２の膜を設けてこれを被覆し、アルミニウムホイスカが発生しないようにすることが示されているところ、引用発明１の「液晶表示装置」において、Ａｌからなる対向電圧信号線ＣＬ及び該対向電圧信号線の一部を延在させた延在部として形成された対向電極ＣＴにアルミニウムホイスカが発生しないようにするために、前記対向電圧信号線ＣＬ及び前記対向電極ＣＴの上に、該Ａｌの幅より大きい幅のＩＴＯ膜を設けてこれを被覆するようになし、また、ドレイン信号線と交差する領域において二股に分岐して開口部を形成する前記Ａｌの上にも、アルミニウムホイスカが発生しないように、かつ、映像信号線ＤＬとの短絡の確率が小さくなるように、当該Ａｌの幅より大きい幅ではあるが細い幅のＩＴＯ膜を被覆して、結果として当該Ａｌの開口部をＩＴＯ膜の開口部よりも大きく形成するようになして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者は容易になし得ることである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。