【事件の表示】
　特願２００２−３４６０５３「圧力センサ及び圧力センサの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月２４日出願公開、特開２００４−１７７３４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１１月２８日の出願であって、明細書又は図面について平成２０年１月１７日付けで手続補正がなされ（以下、「補正１」という。）、平成２０年７月３１日付け（送達日：平成２０年８月５日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年９月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、明細書又は図面について平成２０年９月３０日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　その後、当審において平成２２年２月１９日付け審尋書により審尋したところ、請求人より同年４月２２日付けで回答書の提出があった。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定について
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の記載を、補正前の
「【請求項１】　台座と、
　圧力により変位するダイアフラム及び該ダイアフラムに設けられダイアフラムの変位により抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子を有するセンサ回路が形成され、且つ該センサ回路が形成された面が前記台座に対向して空間を形成するように前記台座に接合されたシリコンチップとを備え、
　前記台座には、前記シリコンチップに形成された前記センサ回路からの信号を引き出すための貫通孔と、前記貫通孔内に導電性物質が充填された貫通配線とが形成され、前記台座のシリコンチップに接合する面とは反対の面には、前記貫通配線に接続される導電性バンプ又は導電性パッドを備えることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】　前記導電性バンプ又は前記導電性パッドは、前記貫通孔の位置からずらしたことを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
【請求項３】　前記シリコンチップのダイアフラムのエッチングをした側には、酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の圧力センサ。
【請求項４】　前記台座に形成された凹部と、前記シリコンチップのエッチングされていない平坦面との間で空間を形成することを特徴とする請求項１乃至３記載の圧力センサ。
【請求項５】 シリコンチップに形成されるメタルパッドに対応する位置に貫通孔を有するガラス台座を形成する工程と、前記シリコンチップにセンサ回路及び前記メタルパッドを形成する工程と、前記ガラス台座と前記シリコンチップとをウェハ状態で接合する工程と、接合後に、前記貫通孔内に導電性物質を充填し、前記貫通配線を形成する工程と、外部と前記シリコンチップに形成された前記センサ回路とを接続するための導電性バンプ又は導電性パッドを前記台座のシリコンチップとは反対の面に形成する工程と、その後、チップに個片化する工程とを備えることを特徴とする圧力センサの製造方法。」
から、補正後の
「【請求項１】　台座と、
　圧力により変位するダイアフラム及び該ダイアフラムに設けられダイアフラムの変位により抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子を有するセンサ回路が形成され、且つ該センサ回路が形成された面が前記台座に対向して空間を形成するように前記台座に接合されたシリコンチップとを備え、
　前記台座には、前記シリコンチップに形成された前記センサ回路からの信号を引き出すための貫通孔と、前記貫通孔内に導電性物質が充填された貫通配線とが形成され、前記台座のシリコンチップに接合する面とは反対の面には、前記貫通配線に接続される導電性バンプ又は導電性パッドを備
え、
　前記導電性バンプ又は前記導電性パッドは、前記ダイアフラムからより離れる方向に前記貫通孔の位置からずらしたことを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】　
前記シリコンチップのダイアフラムのエッチングをした側には、酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
【請求項３】　
前記台座に形成された凹部と、前記シリコンチップのエッチングされていない平坦面との間で空間を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の圧力センサ。
【請求項４】 
シリコンチップに形成されるメタルパッドに対応する位置に貫通孔を有するガラス台座を形成する工程と、前記シリコンチップにセンサ回路及び前記メタルパッドを形成する工程と、前記ガラス台座と前記シリコンチップとをウェハ状態で接合する工程と、接合後に、前記貫通孔内に導電性物質を充填し、前記貫通配線を形成する工程と、外部と前記シリコンチップに形成された前記センサ回路とを接続するための導電性バンプ又は導電性パッドを前記台座のシリコンチップとは反対の面に形成するとともに、前記導電性バンプ又は前記導電性パッドを前記ダイアフラムからより離れる方向に前記貫通孔の位置からずらす工程と、その後、チップに個片化する工程とを備えることを特徴とする圧力センサの製造方法。
に補正する補正事項を含むものである。
　
　なお、下線は補正箇所を明示するために請求人が付したものである。
　
　この補正は、請求項１を削除し、補正前の請求項２に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記導電性バンプ又は前記導電性パッド」に関して、「前記貫通孔の位置からずらした」とあるのを「前記ダイアフラムからより離れる方向に前記貫通孔の位置からずらした」と限定して新たな請求項１とするとともに、補正前の請求項３及び請求項４をそれぞれ繰り上げて新たな請求項２及び請求項３とし、独立請求項である請求項５にも同様に限定（「前記導電性バンプ又は前記導電性パッドを前記ダイアフラムからより離れる方向に前記貫通孔の位置からずらす」）して新たな請求項４とするものである。
　したがって、この補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除及び同条同項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．引用文献記載の事項・引用発明
　原査定の拒絶理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１４４７９号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（ａ）「【０００８】
【発明の実施の形態】  以下、この発明の実施の形態にかかる半導体圧力検出装置について説明する。まず、本実施の形態にかかる半導体圧力検出装置には、コストが高くなる二重ダイヤフラム構造を用いず、検出部とパッド部がシールされている構造をもっている半導体圧力センサを用いる事とする。
【０００９】図１は、本発明の半導体圧力検出装置で用いる半導体圧力センサの断面図である。１はｎ形シリコン基板で中央に肉薄化されたダイヤフラム部２を有し、その上にｐ形ピエゾ抵抗３が拡散形成されているる。ｐ形ピエゾ抵抗３は電極結線によりホイーストン・ブリッジが形成されていて（図示せず）、その出力が基板端部に形成されたパッド電極４から取り出せるような構成となっている。またシリコン基板表面には保護用のシリコン酸化膜５が形成されている。シリコン酸化膜５の上のダイヤフラム部２とパッド電極４以外の領域にはポリＳｉ膜６が形成されていて、パッド電極４に対応するような貫通孔８を有するガラスキャップ７が陽極接合されている。」
　
（ｂ）「【００１０】つぎに、図２は本発明の半導体圧力検出装置で用いる構成部品である、例えば制御回路のプリント配線板の断面図である。プリント基板１５上にＩＣ、チップ部品等の回路部品１４や該半導体圧力センサチップを取付ける金属ベース１０等を実装する。該金属ベース１０および該プリント基板１５には、該半導体圧力センサチップの電極取り出し用の貫通孔８と対応した貫通孔１２及び後で述べるビス止めに用いる貫通孔１３をあらかじめ開口させておき、該金属ベース１０を該プリント基板１５に実装するときにお互いの貫通孔１２、１３を合わせて実装する。また、該金属ベース１０には、あらかじめパッキン用の溝１１を形成しておく。
【００１１】次に、図２で説明したプリント配線板に図１で説明した半導体圧力センサを取付ける。この取付け方法を図３にて説明する。まず、該半導体圧力センサチップのセンサ出力をリード１７から取り出すため、リード１７をハーメチックシール材１６を用いて金属ベース１０に取付けておく。この状態で、該半導体圧力センサチップの貫通孔８に導電剤１８を貫通孔１２に充填し、該半導体圧力センサを金属ベース１０に陽極接合法を用いて接合する。陽極接合法を用いて、プリント基板１５上に実装している金属ベース１０に取付けるのと同時に、この時の熱で導電剤１８が溶けて、パッド電極４とリード１７が電気接続される。このようにリード１７とプリント基板１５を接続することでセンサの出力を容易に取り出す事が実現できる。また、プリント基板１５が、陽極接合時の温度に耐えられない場合は、あらかじめ上記と同じような方法を用いて先に金属ベース１０と該半導体圧力センサチップを陽極接合して、この状態でプリント基板１５に実装する方法もある。また、図３では、１個の半導体圧力センサをプリント基板１５に実装する方法を述べたが、当然、複数個実装してもよい。」
　
（ｃ）「【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態の半導体圧力検出装置で用いる半導体圧力センサの断面図である。
・・・
【符号の説明】
・・・
９  基準圧室」
　
（ア）上記記載（ａ）、（ｃ）及び図１より、
「ガラスキャップ７と、
　圧力により変位するダイヤフラム部２を有し、その上に拡散形成されているｐ形ピエゾ抵抗３は電極結線によりホイートストン・ブリッジが形成され、且つホイートストン・ブリッジが形成された面がガラスキャップ７に対向して基準圧室９を形成するようにガラスキャップ７に陽極接合されたｎ形シリコン基板１とを備え、
　ガラスキャップ７は、ホイートストン・ブリッジの出力が取り出せるパッド電極４に対応するような貫通孔８を有する半導体圧力センサ。」
　との技術事項が読み取れる。
　
（イ）上記記載（ａ）の「ダイヤフラム部２を有し、その上に拡散形成されているｐ形ピエゾ抵抗３」によれば、ｐ形ピエゾ抵抗３はダイヤフラム部２の変位により抵抗値が変化することは明らかであり、また、ｐ形ピエゾ抵抗３はダイヤフラム部２の上に形成されたものであるから、
「ダイヤフラム部２に設けられダイヤフラム部２の変位により抵抗値が変化するｐ形ピエゾ抵抗３」
との技術事項が読み取れる。
　
（ウ）上記記載（ｂ）及び図１〜図３より、
「貫通孔８に導電剤１８を充填し、陽極接合法を用いて、プリント基板１５上に実装している金属ベース１０に取付けるのと同時に、この時の熱で導電剤１８が溶けて、パッド電極４とセンサ出力を取り出すために金属ベース１０に取付けておいたリード１７が電気接続される」
との技術事項が読み取れる。
　
　以上の技術事項（ア）〜（ウ）から、引用文献には次の発明が記載されているものと認められる。
　
「ガラスキャップ７と、
　圧力により変位するダイヤフラム部２を有し、ダイヤフラム部２に設けられダイヤフラム部２の変位により抵抗値が変化するｐ形ピエゾ抵抗３は電極結線によりホイートストン・ブリッジが形成され、且つホイートストン・ブリッジが形成された面がガラスキャップ７に対向して基準圧室９を形成するようにガラスキャップ７に陽極接合されたｎ形シリコン基板１とを備え、
　ガラスキャップ７は、ホイートストン・ブリッジの出力が取り出せるパッド電極４に対応するような貫通孔８を有する半導体圧力センサであって、貫通孔８に導電剤１８を充填し、陽極接合法を用いて、プリント基板１５上に実装している金属ベース１０に取付けるのと同時に、この時の熱で導電剤１８が溶けて、パッド電極４とセンサ出力を取り出すために金属ベース１０に取付けておいたリード１７が電気接続されることを特徴とする半導体圧力センサ。」（以下、「引用発明１」という。）
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（１）引用発明１の「ガラスキャップ７」、「ダイヤフラム部２」、「ｐ形ピエゾ抵抗３」、「ガラスキャップ７に陽極接合されたｎ形シリコン基板１」、「基準圧室９」、「半導体圧力センサ」は、それぞれ、
　本願補正発明の「台座」、「ダイアフラム」、「ピエゾ抵抗素子」、「台座に接合されたシリコンチップ」、「空間」、「圧力センサ」に相当する。
　
（２）引用発明１の「ホイートストン・ブリッジ」は、本願補正発明の「センサ回路」に相当し、また、引用発明１の「ｐ形ピエゾ抵抗３は電極結線によりホイートストン・ブリッジが形成され」は、本願補正発明の「ピエゾ抵抗素子を有するセンサ回路が形成され」に相当する。
　
（３）引用発明１の貫通孔８はホイートストン・ブリッジの出力を取り出せるパッド電極４に対応し、パッド電極４とセンサ出力を取り出すリード１７とは貫通孔８に充填された導電剤１８により電気接続されるものであるから、貫通孔８はセンサ出力を取り出すためにガラスキャップ７に形成されるといえる。
　したがって、引用発明１の「ホイートストン・ブリッジの出力が取り出せるパッド電極４に対応するような貫通孔８を有する」は、本願補正発明の「センサ回路からの信号を引き出すための貫通孔」「が形成され」に相当する。
　
（４）引用発明１の「貫通孔８に導電剤１８を充填し、陽極接合法を用いて、プリント基板１５上に実装している金属ベース１０に取付けるのと同時に、この時の熱で導電剤１８が溶けて、パッド電極４とセンサ出力を取り出すために金属ベース１０に取付けておいたリード１７が電気接続される」によれば、パッド電極４とセンサ出力を取り出すリード１７とは貫通孔８に充填された導電剤１８により電気接続されるので、導電剤１８は貫通孔８内に充填された導電性物質であり、貫通配線が形成されているといえる。
　したがって、引用発明１の「貫通孔８に導電剤１８を充填し、陽極接合法を用いて、プリント基板１５上に実装している金属ベース１０に取付けるのと同時に、この時の熱で導電剤１８が溶けて、パッド電極４とセンサ出力を取り出すために金属ベース１０に取付けておいたリード１７が電気接続され」と、本願補正発明の「貫通孔内に導電性物質が充填された貫通配線とが形成され」とは、ともに、「貫通孔内に導電性物質が充填された貫通配線が形成され」る点で共通する。
　
　そうすると、本願補正発明と引用発明１とは、次の一致点で一致し、次の相違点で相違する。
　
［一致点］
「台座と、
　圧力により変位するダイアフラム及び該ダイアフラムに設けられダイアフラムの変位により抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子を有するセンサ回路が形成され、且つ該センサ回路が形成された面が前記台座に対向して空間を形成するように前記台座に接合されたシリコンチップとを備え、
　前記台座には、前記シリコンチップに形成された前記センサ回路からの信号を引き出すための貫通孔と、前記貫通孔内に導電性物質が充填された貫通配線とが形成されることを特徴とする圧力センサ。」
　
［相違点］
　本願補正発明では、台座のシリコンチップに接合する面とは反対側の面には、貫通配線に接続される導電性バンプ又は導電性パッドを備え、導電性バンプ又は導電性パッドは、ダイアフラムからより離れる方向に貫通孔の位置からずらしているのに対して、引用発明１は、そのような導電性バンプ又は導電性パッドを備えていない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　圧力センサから出力を取り出す構成として、台座のシリコンチップに接合する面とは反対側の面に、貫通配線に接続される導電性パッドを備えることは、下記文献で例示するように周知の技術であり、しかもこのような導電性パッドを、ダイアフラムからより離れる方向に貫通孔の位置からずらしたものとすることも、特開平９−１７８５９７号公報（特に、図面の図２６、図２７及びそれらに関する記載を参照。図２６、図２７の記載からみて、リード材６４の端部（ダイアフラムから離れた位置）に導電性パッドが設けられていることは明らかである。）、特開２００１−２１５１６０号公報（特に、図面の図４及びそれに関する記載を参照。）に示されている（以下、圧力センサから出力を取り出す構成として、台座のシリコンチップに接合する面とは反対側の面に、貫通配線に接続される導電性パッドを備えるものにおいて、導電性パッドを、ダイアフラムからより離れる方向に貫通孔の位置からずらしたものとすることを、「引用発明２」という。）。
　してみると、引用発明１に引用発明２を適用して、引用発明１におけるセンサ出力の取り出しを、ガラスキャップ７のｎ形シリコン基板１に接合する面とは反対の面には、貫通配線に接続される導電性パッドを備え、導電性パッドは、ダイヤフラム部２からより離れる方向にずらしたものとすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　なお、審判請求人は平成２２年４月２２日付け回答書において、
「出願人が意図している「ダイヤフラムからより離れる方向」の真意は、導電性バンプ又は導電性パッドのダイアフラムからの距離をより大きくするということであります。導電性バンプ又は導電性パッドのダイアフラムからの距離をより大きくすることは、図７、図８からも明らかであります。導電性バンプ又は導電性パッドのダイアフラムからの距離をより大きくすることによって、ダイヤフラムへの応力が低減できるという効果があります。」と主張している。
　しかしながら、本願補正発明である本件補正後の請求項１に記載した「前記導電性バンプ又は前記導電性パッドは、前記ダイアフラムからより離れる方向に前記貫通孔の位置からずらした」ことによる作用効果については、出願当初明細書又は図面に何ら明記されておらず、いわば、後付けの主張に過ぎない。
　加えて、たとえ上記主張を参酌したとしても、ダイアフラムとリード又は導電性バンプとの距離をより離して配置することにより、ダイアフラムへの応力が低減されるという作用効果が得られることは、特開２００２−８２００９号公報（特に、段落【００８１】〜【００８５】の「【００８１】また、図１１（ｃ）では、・・・、更に、センサチップ４の角部近傍にダイヤフラム５を位置させることによって、４本のリード２とダイヤフラム５との距離を離している。・・・【００８５】従って、本実施形態によれば、適切に小型化が可能な構成を提供できるとともに、ステム１とセンサチップ４との線膨張係数の違いによる応力のダイヤフラム５への伝達をより確実に抑制することができ、センサ特性を損なわないようにすることができる。なお、この応力緩和の効果は、各リード２間の距離等によっても異なるが、図１１でいうと、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順に効果が大きくなっていく。」との記載、図面の図１１を参照。）に示されるように周知の事項であるから、上記作用効果は当業者が予測可能なものである。 
　
　よって、引用発明１に引用発明２を適用し、上記相違点に係る本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得ることである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明１、引用発明２及び周知の事項から当業者が予測可能なものであって格別のものではない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
　
　
第３　本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし請求項５に係る発明は、補正１により補正された明細書又は図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。
　
「台座と、
　圧力により変位するダイアフラム及び該ダイアフラムに設けられダイアフラムの変位により抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子を有するセンサ回路が形成され、且つ該センサ回路が形成された面が前記台座に対向して空間を形成するように前記台座に接合されたシリコンチップとを備え、
　前記台座には、前記シリコンチップに形成された前記センサ回路からの信号を引き出すための貫通孔と、前記貫通孔内に導電性物質が充填された貫通配線とが形成され、前記台座のシリコンチップに接合する面とは反対の面には、前記貫通配線に接続される導電性バンプ又は導電性パッドを備えることを特徴とする圧力センサ。」（以下、本願発明という。）
　
１．引用文献記載の事項・引用発明
　原査定の拒絶理由に引用された引用文献記載の事項・引用発明は、上記「第二　２．」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　本願発明は、上記「第二　１．」で検討した本願補正発明の「導電性バンプ又は導電性パッド」についての限定事項である「前記ダイアフラムからより離れる方向に前記貫通孔の位置からずらした」との限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明と引用発明１とは、本願発明が「前記台座のシリコンチップに接合する面とは反対の面には、前記貫通配線に接続される導電性バンプ又は導電性パッドを備え」ているのに対し、引用発明１がその構成を備えていない点で相違し、その他の点で一致する。
　ところで、上記相違点に関し、この種の圧力センサにおいて、台座のシリコンチップに接合する面とは反対の面には、貫通配線に接続される導電性バンプ又は導電性パッドを備えることは、原審で引用した特開平４−３１２９８０号公報（特に、図面の図１〜図３及びそれらに関する記載を参照。）、特開平９−１２６９２０号公報（特に、図面の図９及びそれに関する記載を参照。）、特開平１０−２２７７０９号公報（特に、図面の図１、図２及びそれらに関する記載を参照。）、特開平１０−２８８５６１号公報（特に、図面の図１及びそれに関する記載を参照。）にも示されているように、また、上記「第二　４．」でも説示したように周知の技術である。
　よって、本願発明は、当業者が引用発明１及び周知の技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明１及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。