【事件の表示】
　特願２００５−２２９１３７「ハンダバンプの形成方法および電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月２日出願公開、特開２００５−３３３１６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９９年８月６日（優先権主張１９９８年８月１０日、日本国）を国際出願日とする特願２０００−５６５７０５号の一部を平成１７年８月８日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年２月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年３月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成２０年４月２１日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成２０年４月２１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論]
　平成２０年４月２１日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおりとなった。
　「【請求項１】　電極が設けられた基板の上に当該電極を覆うようにレジスト層を積層形成する工程と、
　上記レジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の大きな開口部を形成する工程と、
　上記レジスト層の上にフィルムを積層形成する工程と、
　上記電極より大きな径を有して上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、
　上記レジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって上記電極より大きな径を有し且つ上記電極が露出する凹部内に、ハンダ材料を充填する工程と、
　上記ハンダ材料を溶融・固化させることにより、溶融時における溶融ハンダの表面張力を利用して、上記凹部の底面より小さな径の電極表面上に上記凹部の壁面から少なくとも一部が離隔して形成されるボール状のハンダバンプを設ける工程と、
　上記ハンダバンプを形成した後に上記フィルムを除去する工程と、を含み、
　上記電極は、上記ハンダ材料から、上記凹部の壁面から少なくとも一部が離隔して上記ハンダバンプが形成されるように、上記凹部の底面より小径である、ハンダバンプの形成方法。」（以下、「本願補正発明１」という。）
　
　上記補正は、補正前の請求項１に、「上記電極は、上記ハンダ材料から、上記凹部の壁面から少なくとも一部が離隔して上記ハンダバンプが形成されるように、上記凹部の底面より小径である」という特定事項を付加するものであって、「電極」を、機能及び形状の観点でさらに限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
　次に、本願補正発明１が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平７−２７３４３９号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平７−３００１４号公報（以下、「引用例２」という。）、及び特開平７−１９３３４６号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１：特開平７−２７３４３９号公報
（１ａ）「【請求項１】導体配線が形成されているＩＣチップ実装用基板上に半田バンプを形成するに当たり、基板の導体配線が形成されている表面上に・・・第１のソルダレジスト層を形成し・・・第１のソルダレジスト層の半田バンプを形成すべき位置に第１の開口を形成し、次に、第１のソルダレジスト層上に第２のソルダレジスト層を形成し・・・第２のソルダレジスト層の前記第１の開口と対応する位置に第１の開口と連通する第２の開口を形成し、前記第１及び第２の開口内に半田を埋め込み、リフロー処理した後、前記第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なうことを特徴とする半田バンプ形成方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（１ｂ）「基板１の配線パターン２が形成されている表面上に液状の第１のソルダレジスト層３を形成する。このソルダレジスト層３は感光性ソルダレジスト層とし・・・通常のスクリーン印刷法により全面印刷を行ない、その後・・・乾燥する。・・・次に、フォトエッチングにより、第１のソルダレジスト層３の半田バンプを形成すべき位置に開口１を形成する。・・・次に・・・第２のソルダレジスト層４を形成する。本例では、第２のソルダレジスト層として・・・感光性でシート状のドライフィルムを用いる。このドライフィルムとして、例えばデュポン社製のドライフィルム、商品名「ＲＩＳＴＯＮ」を用いる。この第２のソルダレジスト層４をラミネータを用いて第１のソールダレジスト層３上に積層する。・・・このシート状の第２のソルダレジスト層４にフォトエッチングにより第２の開口を形成する。」（【００１１】〜【００１３】）
（１ｃ）「次に・・・メタルマスクを用いて第１及び第２の開口内に半田ペーストを印刷により供給する。尚、メタルマスクを用いず、スキージ等により直接半田５を開口内に埋め込むこともできる。次に、図７に示すように、上記基板を・・・リフロー炉内に導入してリフロー処理を行なう。」（【００１４】、【００１５】）
（１ｄ）「その後、基板を２％水酸化ナトリウム水溶液内に５分間浸漬して第２のソルダレジスト層だけを除去する。この際、第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なう。尚、エッチ剤として２％水酸化ナトリウム水溶液を用いる場合、ドライフィルムのエッチング速度は速いが、第１のソルタレジスト材料はエッチング速度が極めて遅いためこのようにして、図８に示す半田バンプが得られる。・・・また、ＩＣの接合に必要な半田量は第１及び第２のソルダレジスト層３及び４の厚さ、特にシート状の第２のソルダレジスト層の厚さを適切に設定するだけで得ることができる。」（【００１６】）
（１ｅ）図３には、第１のソルダレジスト層３の導体配線２に対応する位置に第１の開口３ａが形成されることが図示され、第１の開口３ａは、導体配線２よりも小さい径であることが看取できる。図５には、第１のソルダレジスト層３の第１の開口３ａと、第２のソルダレジスト層４の第２の開口部４ａとからなり導体配線２が露出する凹部が図示され、凹部は、導体配線２よりも小さい径であることが看取できる。図７には、リフロー処理後のボール状の半田バンプが図示され、半田バンプ上部は、凹部の壁面と同じ径であって略半球状に盛り上がっていることが看取できる。図８には、第２のソルダレジストが除去されたボール状の半田バンプが図示されている。
　
（２）引用例２：特開平７−３００１４号公報
（２ａ）「【請求項１】電子部品又は基板に設けられた複数の電極にクリーム半田を用いた半田バンプを形成するにあたり、前記電極を包囲するレジスト枠を形成するステップと、クリーム半田を前記レジスト枠内に充填するステップと、しかる後に加熱してクリーム半田を溶融し半田バンプとなすステップとを有することを特徴とする半田バンプの形成方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２ｂ）図１には、電極３を包囲するレジスト枠４は、電極３よりも大きな径の開口を有することが図示されている。図５には、電極３よりも大きな径のレジスト枠４の開口に、クリーム半田１０が充填されることが図示されている。図６には、レジスト枠４の開口により凹部が形成され、ボール状の半田バンプは、凹部の底面より小径である電極３上に、凹部の壁面から離隔して形成されることが図示されている。　　　
　
（３）引用例３：特開平７−１９３３４６号公報
（３ａ）「図１は・・・実施例による回路基板の等角図である。回路基板１０９は・・・ボンド・パッド１１４が・・・底板１１０の上面１１２上に印刷される。ボンド・パッド１１４は・・・導電性をもつ。好ましくは、ハンダ・マスク層１１６は、当技術では周知のように積層ハンダマスクである。・・・ハンダ・マスクを２回以上塗布して、パッド１１４上に所望の体積のハンダを得ることができることも理解されよう。また、異なるマスクを組み合わせて用いることもできる。」（【００１０】、【００１１】）
（３ｂ）「ハンダ・マスク層１１６には、壁１１８に代表されるハンダ・マスク壁が含まれる。ハンダ・マスク壁は、周知のフォトリソグラフィック法により成形される。・・・ハンダ・マスク壁・・・は、壁で仕切られた領域１２２を規定する。・・・図２は、周知のステンシルまたはスクリーン印刷方法によりハンダ・ペーストが壁で仕切られた領域１２２内に印刷された後の図１の断面図である。」（【００１２】〜【００１４】）
（３ｃ）「図３は、ペースト２０２がリフローされてハンダ・ボール３０２が形成された後の図２の基板の断面図である。前述のように、壁で仕切られた領域１２２の体積は、領域１２２の体積を有するハンダ・ボールがハンダ・マスク１１６の上面１２０から突出して、他の面に付着することができるハンダ・ボールを設けるように選択されている。」（【００１６】）
（３ｄ）図１には、ハンダ・マスク１１６の壁１１８で仕切られた領域１２２の径は、ボンド・パッド１１４の径よりも大きいことが図示され、領域１２２は開口であることが看取できる。図２には、領域１２２は、底面にボンド・パッド１１４が露出した凹部であって、この凹部にハンダペースト２０２が充填されることが図示されている。図３には、ハンダ・ボール３０２は、凹部の底面より小径のボンド・パッド１１４上に、凹部の壁面より離隔して形成されることが図示されている。
　
３．当審の判断
３−１．引用例１に記載の発明
　引用例１の摘記事項（１ａ）によれば、ＩＣチップ実装用基板の導体配線が形成されている表面上に第１のソルダレジスト層を形成し、第１のソルダレジスト層のハンダバンプを形成すべき位置に第１の開口を形成し、次に、第１のソルダレジスト層上に第２のソルダレジスト層を形成し、第２のソルダレジスト層の前記第１の開口と対応する位置に第１の開口と連通する第２の開口を形成し、前記第１及び第２の開口内にハンダを埋め込み、リフロー処理した後、前記第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なうハンダバンプ形成方法が記載されている。そして、「第１のソルダレジスト層のハンダバンプを形成すべき位置」とは、ＩＣチップ実装用基板表面の導体配線が電気的に接続される位置であって、電極として機能する位置であるから、ＩＣチップ実装用基板表面の電極に対応する位置であるといえるし、「第１及び第２の開口内にハンダを埋め込み、リフロー処理」するとは、第１の開口と第２の開口とからなる凹部にハンダ材料を充填し、リフロー処理してハンダを溶融させた後固化させることにより、凹部の底面に露出する導体配線（電極）上にハンダバンプを設けることであるといえる。また、摘記事項（１ｅ）によれば、図７、８には、ボール状のハンダバンプ５が、図７には、ハンダバンプは凹部の壁面に接して略半球状に盛り上がっていることが、それぞれ図示されており、この略半球状の盛り上がりは、溶融ハンダの表面張力の作用により形成されることは明らかである。
　さらに、実施例に関して、摘記事項（１ｃ）によれば、第２のソルダレジスト層としてドライフィルムを用い、第１のソルダレジスト層上に積層すること、摘記事項（１ｅ）によれば、第１の開口、及び、第１の開口と第２の開口（ドライフィルムの開口）とからなる凹部は、ともに導体配線（電極）よりも径が小さいことが、摘記事項（１ｄ）によれば、基板を２％水酸化ナトリウム水溶液内に５分間浸漬して第２のソルダレジスト層（ドライフィルム）だけを除去することが、それぞれ記載されている。
　そこで、引用例１の摘記事項（１ａ）、（１ｃ）〜（１ｅ）の記載を総合すれば、引用例１には、「電極が設けられたＩＣチップ実装用基板の上に当該電極を覆うようにソルダレジスト層を積層形成する工程と、上記ソルダレジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の小さな開口部を形成する工程と、上記ソルダレジスト層の上にドライフィルムを積層形成する工程と、上記電極より小さな径を有して上記開口部に連通する開口部を上記ドライフィルムに形成する工程と、上記ソルダレジスト層の上記開口部と上記ドライフィルムの上記開口部とからなって上記電極より小さな径を有し且つ上記電極が露出する凹部内に、ハンダ材料を充填する工程と、上記ハンダ材料を溶融・固化させることにより、溶融時における溶融ハンダの表面張力を利用して、上記凹部の底面に露出する電極表面上に上記凹部の壁面に接して形成されるボール状のハンダバンプを設ける工程と、上記ハンダバンプを形成した後に上記ドライフィルムを除去する工程と、を含み、上記電極は、上記ハンダ材料から、上記凹部の壁面に接して上記ハンダバンプが形成されるように、上記凹部の底面より大径である、ハンダバンプの形成方法。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　本願補正発明１と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「ＩＣチップ実装用基板」、「ソルダレジスト層」、「ドライフィルム」は、それぞれ本願補正発明１の「基板」、「レジスト層」、「フィルム」に相当するから、両者は、
　「電極が設けられた基板の上に当該電極を覆うようにレジスト層を積層形成する工程と、　上記レジスト層において上記電極に対応する位置に開口部を形成する工程と、上記レジスト層の上にフィルムを積層形成する工程と、上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、上記レジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって且つ上記電極が露出する凹部内に、ハンダ材料を充填する工程と、上記ハンダ材料を溶融・固化させることにより、溶融時における溶融ハンダの表面張力を利用して、上記電極表面上に形成されるボール状のハンダバンプを設ける工程と、上記ハンダバンプを形成した後に上記フィルムを除去する工程と、を含む、ハンダバンプの形成方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
（イ）本願補正発明１は、レジスト層の開口部、フィルムの開口部、及び、レジスト層の開口部とフィルムの開口部とからなる凹部が、電極より大きな径を有し、ハンダバンプを、凹部の底面より小さな径の電極表面上に形成するのに対し、引用例１発明は、レジスト層の開口部、フィルムの開口部、及び、レジスト層の開口部とフィルムの開口部とからなる凹部が、電極より小さな径を有し、ハンダバンプを、凹部の底面に露出する電極表面上に形成する点
（ロ）本願補正発明１は、電極の径が、「ハンダ材料から、凹部の壁面から少なくとも一部が離隔してハンダバンプが形成されるように、凹部の底面より小径であ」って、ボール状のハンダバンプが、凹部の壁面から少なくとも一部が離隔して形成されるのに対し、引用例１発明は、電極の径が、ハンダ材料から、凹部の壁面に接してハンダバンプが形成されるように、凹部の底面より大径であって、ボール状のハンダバンプが、凹部の壁面に接して形成される点
　
　上記相違点について検討する。
相違点（イ）について
　引用例２の摘記事項（２ａ）、（２ｂ）には、電極３よりも径の大きなレジスト枠４の開口にクリームハンダ（ハンダ材料）１０を充填して、開口の底面より小さな径の電極表面上にボール状のハンダバンプを形成することが記載され、引用例３の摘記事項（３ａ）〜（３ｃ）にも、電極（ボンド・パッド１１４）よりも径の大きなハンダ・マスク１１６の壁１１８で仕切られた領域１２２（開口）内に、ハンダペースト２０２を充填して、開口の底面より小さな径の電極上にボール状のハンダバンプを形成することが記載されている。引用例２、３の開口は、ハンダ材料を充填する空間である点で、引用例１発明の凹部に対応するから、引用例１発明において、レジスト層の開口部、フィルムの開口部、及び、レジスト層の開口部とフィルムの開口部とからなる凹部を、電極より大きな径を有するものとし、ハンダバンプを、凹部の底面より小さな径の電極表面上に形成することは、当業者にとって格別困難なことではない。
　してみると、相違点（イ）は、引用例２、３の記載から当業者が適宜なし得たことである。
　
相違点（ロ）について
　引用例２の摘記事項（２ｂ）、及び、引用例３の摘記事項（３ｄ）によれば、凹部の底面より小径である電極上に凹部の壁面から離隔して形成されたボール状のハンダバンプが図示されている（引用例２の図６、引用例３の図３）。そうであれば、前記「相違点（イ）について」に記載したように、引用例１発明のハンダバンプを、凹部の底面より小さな径の電極表面上に形成するようにした場合に、電極の径を、ハンダ材料から、凹部の壁面から少なくとも一部が離隔してハンダバンプが形成される程度に、凹部の底面より小さいものとして、ボール状のハンダバンプを、凹部の壁面から少なくとも一部が離隔して形成されるようにすることは、当業者にとって創意を要するとはいえない。
　してみると、相違点（ロ）は、引用例２、３の記載から当業者が適宜なし得たことである。
　
　そして、本願補正発明１の奏する効果も、引用例１〜３に記載される事項から予測することができる程度のものであって、格別顕著であるとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、引用例１発明、及び引用例２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年４月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１９年１２月２５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】　電極が設けられた基板の上に当該電極を覆うようにレジスト層を積層形成する工程と、
　上記レジスト層において上記電極に対応する位置に上記電極より径の大きな開口部を形成する工程と、
　上記レジスト層の上にフィルムを積層形成する工程と、
　上記電極より大きな径を有して上記開口部に連通する開口部を上記フィルムに形成する工程と、
　上記レジスト層の上記開口部と上記フィルムの上記開口部とからなって上記電極より大きな径を有し且つ上記電極が露出する凹部内に、ハンダ材料を充填する工程と、
　上記ハンダ材料を溶融・固化させることにより、溶融時における溶融ハンダの表面張力を利用して、上記凹部の底面より小さな径の電極表面上に上記凹部の壁面から少なくとも一部が離隔して形成されるボール状のハンダバンプを設ける工程と、
　上記ハンダバンプを形成した後に上記フィルムを除去する工程と、を含むハンダバンプの形成方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用された引用例１〜３とその主な記載事項は、前記「ＩＩ．２．」に記載したとおりである。
　
３．当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み、さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が、前記「ＩＩ．３．」に記載したとおり、引用例１発明、及び引用例２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も同様の理由で、引用例１発明、及び引用例２、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。