【事件の表示】
　平成　７年特許願第　９６１８８号「光磁気記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　９月１３日出願公開、特開平　８−２３５６５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年３月２９日（優先権主張平成６年１２月２８日）の出願であって、平成１６年１月１３日付けで手続補正がなされ、その後平成１７年１月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年２月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年３月１０日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年３月１０日付け手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年３月１０日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、
　（ａ）　「【請求項１】基板上に第１誘電体層、磁性層、第２誘電体層、反射膜層を順次積層してなる光磁気記録媒体であり、第２誘電体層の厚みをＬ２としたときに、５ｎｍ≦Ｌ２≦１８ｎｍを満足する光磁気記録媒体を用いて、
　マークエッジ方式で記録を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の記録方法。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】基板上に第１誘電体層、磁性層、第２誘電体層、反射膜層を順次積層してなる光磁気記録媒体であり、第２誘電体層の厚みをＬ２としたときに、５ｎｍ≦Ｌ２≦
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　マークエッジ方式で記録を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の記録方法。」
と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「第２誘電体層の厚みをＬ２としたときに、５ｎｍ≦Ｌ２≦１８ｎｍ」のＬ２の上限について、「Ｌ２≦１５ｎｍ」との限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−７３９７３号公報（以下「引用例１」という。）には、「光磁気記録媒体」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「【請求項１】
透明基板上に、第１誘電体層、光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層が積層されてなる光磁気記録媒体において
第２誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする光磁気記録媒体
【請求項２】反射層が、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ合金及びＡｌ−Ｃｒ合金から成る群から選ばれる物質から構成されることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】第１誘電体層及び第２誘電体層がＳｉＮｘから構成されることを特徴とする請求項２記載の光磁気記録媒体。」（特許請求の範囲）
　（イ）　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関し、特に消去／記録／再生の繰り返し耐久性に優れた光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、大容量・高密度の外部記憶装置であり、その重要性は年々増している。中でも、光磁気記録は、書換え可能な不揮発性外部記憶方式として、特に注目を集めている。
光磁気記録方式
　（ウ）　「【００１０】誘電体層には透明性の高い無機誘電体が用いられる。その材質としては、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＡｌＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＴｉＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳなどが挙げられるが、なかでもＳｉＮｘが好ましい。これら誘電体層の屈折率は１．８〜２．５の範囲が好ましい。
【００１１】光磁気記録層を構成する材質としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏなどのごとき、遷移金属と希土類金属の合金などが挙げられる。
【００１２】本発明で使用する反射層の材質としては、Ａｌ、Ａｌと他の金属との合金などが挙げられるが、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金が好ましい。」（課題を解決するための手段の項）
　（エ）　「【００１５】
【作用】本発明は、光磁気記録層から熱が逃げやすい膜構成をとることにより消去／記録／再生の繰り返しに対する耐久性を向上させ、同時に、その際に生じる記録感度の悪化を、光磁気記録層のキュリー温度の調節により防ぐことにより、優れた繰り返し耐久性と適切な記録感度とを両立させることを可能にするものである。
【００１６】光磁気記録では、まず、レーザ光照射により光磁気記録媒体に熱が加えられる。光磁気記録層を昇温させた熱は、光磁気記録層内を伝導で伝わったり、又は、第２誘電体層を通って反射層に伝わった後、反射層内で伝導したり、あるいは大気中へ放射したりして、レーザ光照射部以外へと逃げていく。この、第２誘電体層を介して反射層に伝わる熱を考えた場合、誘電体層の熱伝導度は他の層のそれよりも小さいため、第２誘電体層の膜厚が薄いほど、反射層へ流れる熱は多くなり、光磁気記録層から逃げる熱も大きくなることになる。しかしながら、第２誘電体層は、光磁気記録層の保護膜としての役割をも果たしているため、その膜厚を小さくし過ぎると、光磁気記録層が酸化しやすくなり、記録特性が劣化してしまう。このため、第２誘電体層の膜厚には適正範囲があり、１０〜３０ｎｍが適正膜厚範囲である。」
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（イ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「透明基板上に、第１誘電体層、光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層が積層されてなる光磁気記録媒体であり、第２誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍの範囲内にある光磁気記録媒体を用いて、光磁気記録方式で記録を行う光磁気記録媒体の記録方法。」
の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「透明基板」「光磁気記録層」「反射層」は、それぞれ補正後の発明の「基板」「磁性層」「反射膜層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「透明基板上に、第１誘電体層、光磁気記録層、第２誘電体層及び反射層が積層されてなる光磁気記録媒体」は、補正後の発明の「基板上に第１誘電体層、磁性層、第２誘電体層、反射膜層を順次積層してなる光磁気記録媒体」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「第２誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍの範囲内にある光磁気記録媒体」と、補正後の発明の「第２誘電体層の厚みをＬ２としたときに、５ｎｍ≦Ｌ２≦１５ｎｍを満足する光磁気記録媒体」とは、その膜厚が１０〜１５ｎｍにおいて重複しているから、「第２誘電体層の厚みをＬ２としたときに、１０ｎｍ≦Ｌ２≦１５ｎｍを満足する光磁気記録媒体」であることにおいて共通している。
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明は、
　「基板上に第１誘電体層、磁性層、第２誘電体層、反射膜層を順次積層してなる光磁気記録媒体であり、第２誘電体層の厚みをＬ２としたときに、１０ｎｍ≦Ｌ２≦１５ｎｍを満足する光磁気記録媒体を用いて、
　記録を行う光磁気記録媒体の記録方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違している。
　
　（相違点）　記録方式について、補正後の発明では、「マークエッジ方式」と特定されているのに対して、引用例１に記載された発明では、そのような特定がない点。
　
（２）判断
　光磁気記録媒体の記録方法として、マークエッジ記録方式は、周知の事項であり、例えば、特開平５−２９０４１５号公報（従来の技術及び発明が解決しようとする課題の項等）、特開平４−３３７５４５号公報、特開平６−１５０４２９号公報、特開平６−５２５４７号公報等に記載されている。光磁気記録媒体は、従来からのマークポジション記録方式とともに、マークエッジ記録方式にも用いられることは、明らかである。
　そして、引用例１に記載された発明に記載された光磁気記録媒体を用いる記録方法として、マークポジション記録方式に限定されるものでないことが明らかであるから、マークエッジ記録方式で行うことは、当業者が適宜なし得ることである。
　
　請求人は、請求の理由で、補正後の発明について、「磁性層と反対層との間に設けられた第２誘電体層の膜厚を薄くすることにより記録マークの形状をトラック方向に沿って対称にし、光磁気記録媒体にマークエッジ記録方式を適用する際の最適な記録方法を提供するものであります。」と主張し、補正後の発明の光磁気記録媒体では、「レーザ光照射により記録マークの前端部及び後端部の磁性層に吸収された熱を素早く反射層に伝藩させることにより、記録マークの前端部及び後端部における磁性層の温度差を小さく」すると主張している。
　しかしながら、光磁気記録媒体自体の構成は、先の引用例１に記載され、既に公知であって、これを用いてマークエッジ記録方式で記録を行うことは、先に示したとおり当業者が適宜なし得ることであるから、請求人の主張は採用できない。請求人は、マークエッジ記録方式において、格別意義があるように主張しているが、引用例１には、第２誘電体層を薄くすることにより反射層に流れる熱を多くすることが記載されて（上記（エ）段落１６参照）いるのであるから、第２誘電体層の膜厚を薄くする技術的意義も基本的に共通しており、マークエッジ記録方式において格別意義があるというものではない。
　また、請求人は、請求の理由で、「マークエッジ記録方式を光磁気記録媒体に適用した際の上記課題に着目し、それを解決するために第２誘電体層の膜厚Ｌ２を５ｎｍ≦Ｌ２≦１５ｎｍとすることを、当業者が引用文献１（当審注：「引用例１」のこと）及び２から想到することは不可能であります。」と主張している。
　しかしながら、引用例１に記載された発明では、光磁気記録媒体の第２誘電体層の膜厚について、薄くすることにより、光磁気記録層から熱を逃げやすい膜構成をとることが示されているから、先に示したように、補正後の発明と引用例１に記載された発明とは、その技術的意義も基本的に共通している。そして、補正後の発明の上限の数値は、比較例１（第２誘電体層の膜厚が２５ｎｍ）を除外することを根拠に特定され、また実施例２（第２誘電体層の膜厚が１５ｎｍ）を含むことを根拠に特定されていることを勘案すれば、引用例１に記載された発明において、薄い方が良いという示唆があるのであるから、第２誘電体層として１０ｎｍ〜３０ｎｍの間の膜厚の範囲内で１５ｎｍとし、これを上限とする程度のことは、引用例１に記載された発明に基いて、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　また、引用例１では、光磁気記録媒体の第２誘電体層の膜厚の下限１０ｎｍについて、第２誘電体層は光磁気記録層の保護膜としての役割をも果たしているため膜厚が小さく過ぎると光磁気記録層が酸化しやすくなり記録特性が劣化してしまう（上記（エ）段落１６参照）と説明されている。補正後の発明では、下限５ｎｍについて、理由の１つとして「耐食性が低下するために媒体寿命が短くなり」（本願明細書段落７）と説明されている。してみれば、膜厚の下限についての技術的意義は光磁気記録媒体の耐食性の防止で共通するものであり、補正後の発明においての具体例としての第２誘電体層の膜厚の例は１１や１５ｎｍであることも勘案すれば、補正後の発明の下限の数値は、引用例１に記載された発明に基いて適宜採用しうる程度の値にすぎない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　そして、上記相違点を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例１に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１７年３月１０日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１６年１月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明から、「第２誘電体層の厚みをＬ２としたときに、５ｎｍ≦Ｌ２≦１８ｎｍ」のＬ２の上限についての限定事項である「Ｌ２≦１５ｎｍ」という構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。