【事件の表示】
　特願２００４−３６０１７１「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月　７日出願公開、特開２００５−　９２２４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１０月２４日に出願した特願２００２−３１０１４９号の一部を平成１６年１２月１３日に新たな特許出願としたもの（優先権主張　平成１４年３月１日）であって、平成２０年７月３日付けで通知した拒絶理由に対して、同年９月５日付けで手続補正書が提出されたが、同年１０月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１１月６日付けで審判請求がなされるとともに、同年１２月８日付けで手続補正書が提出され、その後、当審における審尋に対する回答書が平成２１年１１月１６日付けで提出されたものである。
　
　
第２　平成２０年１２月８日付けの手続補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１２月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正には、特許請求の範囲を以下のように補正しようとする事項が含まれている。
　
（補正前）
「【請求項１】
　透明基板上に、２００ｎｍ以下の波長の露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜と、この半透光膜の上に形成されたクロムを含有する遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
　前記遮光膜は、ドライエッチング可能な膜材料で構成され、その最上層部分が、クロム、炭素、酸素、及び窒素を含有してなる反射率調整部とされ、この反射率調整部を含めた前記遮光膜全体の厚さが、６０ナノメートル以下とされてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項２】
　透明基板上に、２００ｎｍ以下の波長の露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜と、この半透光膜の上に形成されたクロムを含有する遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
　前記遮光膜は、ドライエッチング可能な膜材料で構成され、前記半透光膜側に下地部を有し、この下地部の上に反射率調整部を有するものであり、
　前記反射率調整部は、クロム、炭素、酸素、及び窒素を含有すると共に、そのうち酸素の含有率が２０原子％以上とされ、
　前記下地部は、酸素を含有しないか、又は酸素の含有率が１０原子％以下とされてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項３】
　前記反射率調整部を含めた前記遮光膜全体の厚さが、６０ナノメートル以下とされてなること特徴とする請求項２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項４】
　前記反射率調整部は、クロムを２０〜５０原子％含有し、炭素を５〜２０原子％含有し、酸素を２０〜５０原子含有し、かつ窒素を５〜４０原子％含有してなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項５】
　前記反射率調整部は、その材料成分が膜厚方向で一定であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項６】
　前記反射率調整部と前記下地部とは接しており、少なくとも前記反射率調整部と前記下地部とが接する近傍における下地部には炭素が含まれないことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項７】
　前記反射率調整部と前記下地部とは接しており、少なくとも前記反射率調整部と前記下地部とが接する近傍における下地部が主として金属と窒素とからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項８】
　前記下地部が主として金属と窒素とからなり、前記下地部の厚さが前記反射率調整部の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項９】
　前記反射率調整部の表面の反射率が、露光光に対しても、また遮光膜パターンを形成するためのレーザ描画装置のレーザ光に対しても、３０％以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項１０】
　透明基板上に、露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜パターンとこの半透光膜パターンの上に形成された透光膜パターンと、を有するハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
　請求項１〜９のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いて製造したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　透明基板上に、２００ｎｍ以下の波長の露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜と、この半透光膜の上に形成されたクロムを含有する遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
　前記遮光膜は、ドライエッチングよってパターニングされて半透光膜パターンを形成する際のマスクとされるための膜であり、かつ前記半透光膜側に下地部を有し、この下地部の上に反射率調整部を有するものであって、全体の厚さが、６０ナノメートル以下であり、
　前記反射率調整部は、主としてクロム、炭素、酸素、及び窒素を含有すると共に、そのうち酸素の含有率が２０原子％以上であり、
　前記反射率調整部と接する下地部は、主として金属と窒素とからなり、かつ酸素を含有しないか又は酸素の含有率が１０原子％以下であり、かつ炭素が含まれないものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項２】
　前記反射率調整部は、クロムを２０〜５０原子％含有し、炭素を５〜２０原子％含有し、酸素を２０〜５０原子含有し、かつ窒素を５〜４０原子％含有してなることを特徴とする請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項３】
　前記反射率調整部は、その材料成分が膜厚方向で一定であることを特徴とする請求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項４】
　前記下地部が主として金属と窒素とからなり、前記下地部の厚さが前記反射率調整部の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項５】
　前記反射率調整部の表面の反射率が、露光光に対しても、また遮光膜パターンを形成するためのレーザ描画装置のレーザ光に対しても、３０％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項６】
　透明基板上に、露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜パターンとこの半透光膜パターンの上に形成された透光膜パターンと、を有するハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
　請求項１〜５のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いて製造したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」
　
　この補正事項は、
　まず、補正前の請求項１，３，６，７を削除し、
　次に、補正前の請求項２について、補正前の「前記遮光膜は、ドライエッチング可能な膜材料で構成され、前記半透光膜側に下地部を有し、この下地部の上に反射率調整部を有するものであり」を、「前記遮光膜は、ドライエッチングよって（当審注：これは、「ドライエッチングによって」の誤記であると認められる。以下、この表現を用いる。）パターニングされて半透光膜パターンを形成する際のマスクとされるための膜であり、かつ前記半透光膜側に下地部を有し、この下地部の上に反射率調整部を有するものであって、全体の厚さが、６０ナノメートル以下であり」として、遮光膜の役割、及び遮光膜全体の厚さを限定し、また、補正前の「前記下地部は、酸素を含有しないか、又は酸素の含有率が１０原子％以下とされてなる」を、「前記反射率調整部と接する下地部は、主として金属と窒素とからなり、かつ酸素を含有しないか又は酸素の含有率が１０原子％以下であり、かつ炭素が含まれないものである」として、下地部が「主として金属と窒素とから」なること、及び「炭素が含まれない」ことに限定するとともに、新たな請求項１とし、
　さらに、補正前の請求項４，５，８，９をそれぞれ新たな請求項１に従属する請求項２〜５とし、
　補正前の請求項１０を、新たな請求項１〜５を引用する請求項６とするものである。
　なお、新しい請求項１でされた限定事項には、補正前の請求項３，６，７に同様または類似の記載があった事項もあるが、「ドライエッチングによってパターニングされて半透光膜パターンを形成する際のマスクとされるための膜であり」の事項は、出願当初の発明の詳細な説明には記載されていたといえるが、補正前のいずれの請求項にも記載がなかった事項である。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除、及び同項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開２０００−１８１０４９号公報（以下、「刊行物１」という。）、また、原査定の拒絶の理由において周知事項の例示文献とされた、特開平２−２６４９５２号公報（以下、「周知例１」という。）、及び特開２００１−３０５７１６号公報（以下、「周知例２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
（１）刊行物１
　（１ａ）「【０００５】この公報記載の
ハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を通過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて
【０００６】このような
ハーフトーン型位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機能と光の位相をシフトさせる位相シフト機能との二つの機能を兼ねる
【０００７】この
ハーフトーン型位相マスクの素材としてのハーフトーン型位相マスクブランク
【０００８】図８（ａ）に示す
ハーフトーン型位相マスクブランクは、透明基板１上に
ハーフトーン材料膜２が形成されたもの
・・・（中略）・・・
【００１１】この様な問題点を解決するために、図１０（ａ）に示すように、ハーフトーン材料膜２に対して撰択エッチング可能な金属膜６を、前記ハーフトーン材料膜２上に形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクが、特開平８ー１０１４９３号公報において提案されている。
【００１２】このハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透明基板１上に、ＭｏＳｉＯx Ｎy （ｘ・ｙ：整数）ハーフトーン材料膜２を形成し、この
ハーフトーン材料膜２上にＣｒ金属膜６を積層した構成
【００１３】このような構成とすることにより、Ｃｒ金属膜６とＭｏＳｉＯｘＮｙハーフトーン材料膜２とをそれぞれ独立してエッチング処理できるので、ハーフトーン材料膜２に対して種々の好ましい処理を施すことができ、前記ハーフトーン材料膜２を高精度にパターニングすることができることが可能となった。」
　
　（１ｂ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
透明基板と、この透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に積層された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて
前記金属膜は、表面側から透明基板側に向かって段階的に、又は、連続的に、又は、一部が段階的で他の一部が連続的に、エッチングレートが異なる材料で構成される領域が存在しており、
エッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって
連続的に
速くなる
前記エッチングレートを速くする成分は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に増加する
【請求項２】  請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記金属膜は、前記ハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なる材料で構成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項３】  請求項２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記ハーフトーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とし、前記金属膜がクロムを主成分とするものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記
エッチングレートを速くする成分が窒素であり
遅くする成分が炭素である
【請求項５】  透明基板と、この透明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記ハーフトーン材料膜は、金属及びシリコンを含有する材料で構成され、前記金属膜は、クロムを主成分とする材料で構成され、
前記金属膜の透明基板側寄りの領域には窒素を含む成分が含有され、金属膜の表面側寄りの領域には炭素を含む成分が含有されており、
前記金属膜は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に増加する領域、又は、炭素含有量が連続的に減少する領域、又は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に増加すると同時に炭素含有量が連続的に減少する領域、のいすれかの領域を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項６】  請求項１ないし５に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記金属膜上に反射防止膜が形成されている
【請求項７】  請求項６に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含む
【請求項８】  請求項７に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの前記金属膜及び前記ハーフトーン材料膜をパターニングしてハーフトーン材料膜パターンが形成されてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項１０】  請求項９に記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域及び前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域の双方の領域のいずれかの領域において、前記金属膜がハーフトーン材料膜上に形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」
　
　（１ｃ）「【００２８】
【作用】上述の第１の発明によれば、ハーフトーン材料膜上に積層された金属膜を、厚さ方向基板に向かってその成分を変化させるようにし、
金属膜表面側から透明基板側に向かうにしたがって、段階的又は連続的にエッチングレートの速い膜にするようにした
【００２９】これによって、高精度にハーフトーン型位相シフト量の制御が行なえ、パターン欠陥のないハーフトーン型位相シフトマスクを生成し得るハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得られる。
【００３０】前記ハーフトーン材料膜と接する金属膜のエッチングレートは、２ｎｍ／ｓｅｃ以上であることが好ましい。エッチングレートが２ｎｍ／ｓｅｃ未満であると、エッチングレートが遅いので、金属膜の材料によっては、金属膜中の金属がハーフトーン材料膜上に残ってしまうことを完全に除去する場合に、オーバーエッチングによるハーフトーン材料膜への影響が発生し好ましくない。
【００３１】前記
ハーフトーン材料膜としては
ＭｏＳｉＮ系材料
ＭｏＳｉＯＮ系材料
等が挙げられる
　
　（１ｄ）「【００３６】本発明の
金属膜の材料としては
【００３７】そして、前記金属膜は、金属膜表面側から透明基板側へ向かうにしたがって、エッチングレートが速い膜にするために、たとえば、前記材料を組み合わせて積層したり、単層、または、複数層において、前記材料の酸化度、窒化度、炭化度を段階的又は連続的に変化させる。エッチングレートが段階的に変化するものとしては、例えば複数層が挙げられ、この複数層は、例えば、複数のチャンバー内でスパッタリングによって成膜することで得られる。エッチングレートが連続的に変化するものとしては、例えば連続膜が挙げられ、連続膜は、例えば、同一チャンバー内で単数又は複数のターゲットを備えたインラインスパッタリングによって成膜することで得られる。パターン断面を垂直にする点では、連続膜が好ましい。
【００３８】
具体的には、ハーフトーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とする材料の場合
金属膜は
ＣｒＮ／Ｃｒ
の組み合わせが挙げられる
連続膜の場合
表面側から透明基板側に向かって連続的に
Ｎ（窒素）が増加している状態
【００３９】具体的には、上記金属膜は、第２の発明のように、ハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なる材料で構成する。エッチング特性が異なるとは、
金属膜を
ドライエッチングでパターニングする
【００４０】具体的膜材料としては、第３の発明のように、ハーフトーン材料膜をモリブデン及びシリコンを主成分とする材料が、金属膜をＣｒを主成分とする材料が、それぞれ挙げられる。
【００４１】この場合には、
金属膜（Ｃｒ）は、遮光機能をもっており
ハーフトーン材料膜上に、金属膜を残すことによってハーフトーン膜パターンの露光光の洩れを防止する等の効果が得られる
　
　（１ｅ）「【００４９】第６の発明によれば、
金属膜上に反射防止膜を形成したことにより、描画の際、金属膜表面の多重反射を防止する
【００５０】この
反射防止膜としては
酸素を含む金属膜、酸素及び窒素を含む金属膜、あるいは、フッ素を含む金属膜等があり、具体的には、ＣｒＯＮ
等が挙げられる
好ましくは、金属膜を構成する金属を主成分とするものがよい
反射防止膜が金属（例えばクロム）、酸素、窒素を含む場合、酸素はあ２〜６０ａｔ％、窒素は１０〜３５ａｔ％が好ましい
【００５１】また、第８の発明のように、金属膜と反射防止膜とを組成が連続的に変化する連続膜で構成することにより、金属膜と反射防止膜との間にパーティクル等が付着することがないので、ハーフピンホールなどの欠陥もなく、断面が垂直になるとともに、密着性が向上し、好ましい。」
　
　（１ｆ）図１を以下に示す。　
　
　（１ｇ）「【００５５】
【発明の実施の形態】以下に、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。
（
実施例１
図１
【００５６】本実施例に係わるハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、
石英からなる透明基板１０
ＭｏＳｉＮ系材料からなるハーフトーン材料膜１１
ＣｒＮ／ＣｒＣの金属膜１２
ＣｒＯＮの反射防止膜１３
前記金属膜１２と反射防止膜１３とは連続膜
【００５７】詳述すれば、石英基板の主表面及び側面を精密研磨して、６インチ×６インチ、厚さ０．２５インチの透明基板１０を作成し、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2 ）との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：１０％、Ｎ2 ：９０％、圧力：１．５×１０-3torr）で、反応性スパッタリングにより、前記透明基板１０上に、図３（ａ）に示すように、膜厚９２５オングストロームのＭｏＳｉＮのハーフトーン材料膜１１を形成した。
【００５８】ここで、前記透明基板１０は、石英以外に、蛍石、各種ガラス（たとえば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス等）などが用いられる。
【００５９】このようにして得られたハーフトーン材料膜１２の組成、光学特性を測定したところ、以下の結果が得られた。
【００６０】組成＝Ｍｏ：１３ａｔ％、Ｓｉ：４０ａｔ％、Ｎ：４７ａｔ％
屈折率＝２．３４
波長２４８ｎｍ
位相シフト量＝１８０°
【００６１】次に、前記ハーフトーン材料膜１１上に、同一のチャンバー内に複数のクロム（Ｃｒ）ターゲトが配置されたインラインスパッタリング装置を用い、ＣｒＮはアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2 ）との混合ガス雰囲気で、ＣｒＣはアルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4 ）との混合ガス雰囲気で、ＣｒＯＮはアルゴン（Ａｒ）と亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）との混合ガス雰囲気による反応性スパッタリングにより、図３（ｂ）に示すように、
金属膜と反射防止膜との合計膜厚が１０００オングストロームのＣｒＮ／ＣｒＣの金属膜１２及びＣｒＯＮの反射防止膜１３からなる連続膜
【００６２】得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光学特性は、波長４５０ｎｍでの光学濃度が４．０であり、波長３６５ｎｍでの表面反射率は２０％以下と良い結果が得られた。
【００６３】
図５
ＣｒＣとＣｒＯＮとの間で連続的に変化した領域が存在
［ＣｒＮ層］Ｃｒ…４８〜７２ａｔ％、Ｎ…１３〜４１ａｔ％、Ｏ…０〜１０ａｔ％、Ｃ…３〜１３ａｔ％
［ＣｒＣ層］Ｃｒ…６１〜７６ａｔ％、Ｃ…６〜１４ａｔ％、Ｎ…１３〜２３ａｔ％、Ｏ…０〜８ａｔ％
［ＣｒＯＮ層］Ｃｒ…１７〜６０ａｔ％、Ｏ…８〜５５ａｔ％、Ｎ…１５〜３０ａｔ％、Ｃ…１〜１０ａｔ％
【００６４】また、６００ｇの荷重をかけて引っかき試験（１００枚）を行なったところ、ハーフトーン材料膜１１と金属膜１２との間、金属膜１２と反射防止膜１３との間での膜剥がれは発生せず、良好な膜強度が得られた。これは、ハーフトーン材料膜１１と接する金属膜１２の透明基板側ＣｒＮ膜の結晶粒が密になったことによる応力の減少と、金属膜１２におけるＣｒＮとＣｒＣとの間及び金属膜１２と反射防止膜１３との間を連続的に組成変化する領域が存在する連続膜とすることにより、各層の間にパーティクル等が付着することがなく、また、大気中にさらされることがないので、表面が酸化されずに連続成膜されることによるものである。
【００６５】次に、反射防止膜１３上に、図３（ｃ）に示すようにレジスト膜１４を形成し、パターン露光及び現像によって、図４（ａ）に示すようにレジストパターン１５を形成した。
【００６６】そして、前述したパターニングの後に、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇと、濃度７０％の過酸素塩４２ｍｌとに純水を加えて１０００ｍｌとしたエッチング液を、温度１９℃〜２０℃に保持し、この
エッチング液によってウェットエッチングを施して、反射防止膜１３及び金属膜１２を、図４（ｂ）に示すようにパターニングした
【００６７】このようなパターニングを行なった後において、エッチング残りによるハーフトーン材料膜１１上への金属膜中の金属（Ｃｒ）の残存やオーバーハング形状による金属膜、反射防止膜の先端の欠けによる黒欠陥もなかった。
【００６８】これは、金属膜１２および反射防止膜１３とハーフトーン材料膜１１とが互いに撰択エッチング可能であること、すなわち、金属膜１２及び反射防止膜１３と、ハーフトーン材料膜１１とのエッチング特性が異なることによるものであり、かつ、ハーフトーン材料膜１１に接する金属膜１２のエッチングレートが、ハーフトーン材料膜１１よりも速いこと、具体的には、ハーフトーン材料膜と接する金属膜のエッチングレートが２ｎｍ／ｓｅｃ以上であることによるものである。なお、このエッチングレートは、後述するように、Ｃｒ単体よりも速い。
【００６９】次に、
前記反射防止膜１３、金属膜１２のパターンをマスクにして
ハーフトーン材料膜１１の露出部分を除去してハーフトーン材料膜パターン１１を形成した
【００７０】これにより、硫酸によって前記したレジストパターン１５を剥離し、さらに、硫酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇと濃度７０％の過塩素塩４２ｍｌとに純水を加えて１０００ｍｌにしたエッチング液を施して、反射防止膜１３金属膜１２を除去して、図４（ｄ）に示すように、所望パターンのハーフトーン材料膜パターン１１を備えたハーフトーン型位相シフトマスクを得た。
【００７１】こうして得られたハーフトーン型位相シフトマスクは、そのハーフトーン材料膜パターン１１にダメージはみられず、位相シフト量も１８０°−２°の範囲内に収められており、信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスクであった。」
　
　これら記載によれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる（実施例１でない部分で認定した）。
　
　「透明基板と、この透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に積層された金属膜と、この金属膜上に形成された反射防止膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　反射防止膜として、酸素を含む金属膜、酸素及び窒素を含む金属膜、あるいは、フッ素を含む金属膜等があり、具体的には、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＦ等が挙げられ、
　金属膜として、ＣｒＮ／Ｃｒの組み合わせが挙げられ、連続膜の場合、表面側から透明基板側に向かって連続的にＮ（窒素）が増加している状態であり、金属膜表面側から透明基板側に向かうにしたがって連続的にエッチングレートが速くなっている、
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
　
（２）周知例１
　（２ａ）「２．特許請求の範囲
（１）
透明基板上に
しや光層と
クロム、酸素、窒素、炭素、フッ素を含む反射防止層とから構成されて成るフォトマスクブランク
（２）透明基板上にパターン化されたクロム、窒素、炭素、フッ素を含むしや光層と、クロム、酸素、窒素、炭素、フッ素を含む反射防止層とから構成されて成るフォトマスクであって、フッ素の元素濃度がしや光層で１〜５重量％、反射防止層で１０〜２０重量％の範囲にあることを特徴とするフォトマスク。」
　
　（２ｂ）「［産業上の利用分野］
　本発明は半導体製造用フォトマスクブランクならびにこれをエッチング後パターンを形成したフォトマスクに関する。
　さらに詳しくは、フォトマスクブランクやフォトマスクの中でも低反射型のものの膜構成に関する。」（第１頁左下欄〜右下欄）
　
　（２ｃ）「［実施例］
　次に実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
実施例
　本発明の３層構造のフォトマスクブランクにおいて、しや光層は二つに分かれており、第１層がクロムと窒素の膜、第２層がクロムと窒素と炭素およびフッ素の膜から構成された。
第３層は反射防止層であってクロム、炭素、酸素、窒素およびフッ素から構成
　前記特許請求の範囲に規定したフッ素濃度範囲は第２層と第３層におけるフッ素濃度を特定したものである。具体的な作製方法は次のようであった。
　すなわち、例えば溶融石英基板（フォトマス用）を通常の洗浄法、例えばクロム混酸に数分間浸漬した後、水道水（フィルターを通してゴミを除去して）でリンス後、純粋でリンスし、ＩＰＡ蒸気で乾燥させ、マグネトロンスパッタリング装置に装着した。
　基板をセットした真空槽を１．５×１０−９Ｔｏｒｒまで排気後、２〜３×１０−３Ｔｏｒｒまでアルゴンガスを導入し、逆スパッタクリーニング（基板に高周波の陰極がくるようにして）し、表面の吸着水などを除去した後、再び１．５×１０−９Ｔｏｒｒまで排気して、（ガス導入を止めて）アルゴン６０Ｓｃｃｍ、窒素１．８Ｓｃｃｍを導入し、５分間直流１Ａで放電を行い、プレスパッタリングを行った後、同条件のまま２分間成膜した。次いでアルゴン５９Ｓｃｃｍ，窒素２．１Ｓｃｃｍ、ＣＦ４０．６２Ｓｃｃｍを導入し、プレスパッタリング後、１Ａで３分間スパッタリングし、第２層目を形成させた。第３層目は、続けてアルゴン４０Ｓｃｃｍ、窒素１０Ｓｃｃｍ、酸素１Ｓｃｃｍ，ＣＦ４４Ｓｃｃｍを導入し、１Ａで３分間プレスパツタリング後、２分間スパッタリングし、形成した。
　オージェ電子分光分析による各膜中の元素分布を示すと
第３図
　
　（２ｄ）第３図は次のとおり。　
　
（３）周知例２
　（３ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
透明基板上に少なくとも一層のクロム系膜を形成してなるフォトマスクブランクス
【請求項２】  
上記クロム系膜が
クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）である
【請求項３】  請求項１又は２記載のフォトマスクブランクスをリソグラフィ法によりパターン形成してなることを特徴とするフォトマスク。
【請求項４】  透明基板上に少なくとも一層のクロム系膜を形成してなるフォトマスクブランクスの製造方法において、ターゲットとしてクロム又は酸素、窒素、炭素の少なくとも１種を含有するクロムを用いると共に、少なくとも二酸化炭素ガスと不活性ガスとを含むスパッタガスを用いて反応性スパッタリングを行うことを特徴とするフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項５】  上記クロム系膜がクロム酸化炭化物（ＣｒＣＯ）又はクロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）である請求項４記載のフォトマスクブランクスの製造方法。
【請求項６】  請求項４又は５記載の方法により製造されたフォトマスクブランクスに対してリソグラフィ法によりパターニングを行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法」
　
　（３ｂ）「【００１６】本発明の
クロム系膜の構造は、透明基板上に、酸素源として二酸化炭素ガスを含むスパッタガスを用いた反応性スパッタ法により成膜された少なくとも１層の
クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）であることが好ましい
【００１７】この場合、クロム酸化炭化物（ＣｒＣＯ）組成は、Ｃｒ２０〜９５原子％、特に３０〜８０原子％、Ｃ１〜６０原子％、特に５〜５０原子％、Ｏ１〜６０原子％、特に５〜５０原子％であることが好ましい。また、
クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）組成は
Ｃｒ
Ｃ
Ｏ１〜６０原子％、特に５〜５０原子％
Ｎ
【００１８】本発明のクロム系膜の成膜方法としては、反応性スパッタ法が用いられ、この際のスパッタリングターゲットにはクロムを用いる。この場合、酸素、窒素、炭素のいずれか、又はこれらを組み合わせたものをクロムに添加したターゲットを用いても良い。」
　
　（３ｃ）「【００２４】本発明のフォトマスクブランクスを用いてフォトマスクを製造する場合は、図３（Ａ）に示したように、上記のようにして基板１１上にＣｒＣＯ層（又はＣｒＣＯＮ層）１２を形成した後、レジスト膜１３を形成し、図３（Ｂ）に示したように、レジスト膜１３をパターニングし、更に図３（Ｃ）に示したように、ＣｒＣＯ層（又は
ＣｒＣＯＮ層
１２をドライエッチング
【００２５】なお、本発明において
クロム系膜は単層膜のみでなく、多層膜とすることができる
例えば
遮光膜の上に反射防止膜として
はＣｒＣＯＮ膜を形成したもの
位相シフター膜の上に
遮光膜
反射防止膜
膜の
一部を
ＣｒＣＯＮ膜とし、位相シフト型のフォトマスク又はフォトマスクブランク
基板の上に位相シフト膜、遮光膜、反射防止膜の順にした構造
Ｃｒを用いたハーフトーン型の位相シフター膜にも適用される
　
　（３ｄ）「【００３１】〔
実施例３
ＣｒＣＯＮ膜を成膜
【００３２】得られたＣｒＣＯＮ膜について、光学特性を４５０ｎｍの波長での反射率をナノメトリクス社製のナノスペックを用い、反射率の基板面内分布を５ｍｍ間隔で測定し、上記同様にバラツキＤを算出したところ０．０１９であった。この
実施例３の膜組成
Ｃｒ：５１原子％
Ｃ：６原子％
Ｏ：２０原子％
Ｎ：２３原子％
　
　表１は次のとおり。
　
　
３．対比・判断
　本願補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　刊行物１記載の発明の「ハーフトーン材料膜」「金属膜」「反射防止膜」は、それぞれ、本願補正発明の「半透光膜」「下地部」「反射率調整部」に相当し、
　刊行物１記載の発明の「金属膜」「反射防止膜」からなる膜は、本願補正発明の「下地部」「反射率調整部」からなる「遮光膜」に相当する。
  
　刊行物１記載の発明の「反射防止膜として、酸素を含む金属膜、酸素及び窒素を含む金属膜、あるいは、フッ素を含む金属膜等があり、具体的には、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＦ等が挙げられ」、「金属膜として、ＣｒＮ／Ｃｒの組み合わせが挙げられ、連続膜の場合、表面側から透明基板側に向かって連続的にＮ（窒素）が増加している状態であり、金属膜表面側から透明基板側に向かうにしたがって連続的にエッチングレートが速くなっている」と、　本願補正発明の「前記反射率調整部は、主としてクロム、炭素、酸素、及び窒素を含有すると共に、そのうち酸素の含有率が２０原子％以上であり」、「前記反射率調整部と接する下地部は、主として金属と窒素とからなり、かつ酸素を含有しないか又は酸素の含有率が１０原子％以下であり、かつ炭素が含まれないものである」とは、
　それぞれ、「前記反射率調整部は、金属と他の原子を含有しており」、「前記反射率調整部と接する下地部は、金属と他の原子を含有しているものである」の点で共通するということができる。
　
　そうすると、両者の一致点、相違点は次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「透明基板上に半透光膜と、この半透光膜の上に形成された遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
　前記遮光膜は、前記半透光膜側に下地部を有し、この下地部の上に反射率調整部を有するものであり、
　前記反射率調整部は、金属と他の原子を含有しており、
　前記反射率調整部と接する下地部は、金属と他の原子を含有しているものである、
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
　
［相違点１］半透光膜が、
　本願補正発明は、２００ｎｍ以下の波長の露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有するものであるのに対して、
　刊行物１記載の発明では、その特定がない点。
　
［相違点２］遮光膜（反射率調整部、下地部）の組成について、
　本願補正発明は、
　反射率調整部は、主としてクロム、炭素、酸素、及び窒素を含有すると共に、そのうち酸素の含有率が２０原子％以上であり、
　下地部は、主として金属と窒素とからなり、かつ酸素を含有しないか又は酸素の含有率が１０原子％以下であり、かつ炭素が含まれないものであるのに対して、
　刊行物１記載の発明は、
　反射防止膜として、酸素を含む金属膜、酸素及び窒素を含む金属膜、あるいは、フッ素を含む金属膜等があり、具体的には、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＦ等が挙げられ、
　金属膜として、ＣｒＮ／Ｃｒの組み合わせが挙げられ、連続膜の場合、表面側から透明基板側に向かって連続的にＮ（窒素）が増加している状態であり、金属膜表面側から透明基板側に向かうにしたがって連続的にエッチングレートが速くなっている点。
　
［相違点３］遮光膜が、
　本願補正発明は、ドライエッチングによってパターニングされて半透光膜パターンを形成する際のマスクとされるための膜であり、全体の厚さが、６０ナノメートル以下であるのに対して、
　刊行物１記載の発明は、その特定がない点。
　
　そこで上記相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　刊行物１記載の発明において、半透光膜として「２００ｎｍ以下の波長の露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有するもの」を採用することは、当業者が適宜容易になし得ることである。
　なお、本願補正発明は、２００ｎｍ以下の波長の露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜について、それ以上の具体的な構成（組成等）を何ら規定しておらず、それ自体に特徴はないものである。
　
（２）相違点２について
　まず、刊行物１記載の発明の金属膜（下地部）は、ＣｒＮ／Ｃｒの組み合わせであるから、これは、本願補正発明の「下地部は、主として金属と窒素とからなり、かつ酸素を含有しないか又は酸素の含有率が１０原子％以下であり、かつ炭素が含まれないもの」に相当する。
　また、刊行物１記載の発明では、反射防止膜（反射率調整部）として、「酸素を含む金属膜、酸素及び窒素を含む金属膜、あるいは、フッ素を含む金属膜等があり、具体的には、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＦ等が挙げられ」ており、この例示には、クロム、炭素、酸素（含有率が２０原子％以上）及び窒素からなる「ＣｒＣＯＮ」が含まれていない。しかし、刊行物１では、反射防止膜（反射率調整部）の組成に炭素（Ｃ）を含有させることは排除しておらず、例えば、「ＣｒＯＮ」膜に炭素（Ｃ）を含有している状態のものが、実施例１として示されている。
　そして、フォトマスクブランクの反射防止膜（反射率調整部）として、クロム、炭素、酸素及び窒素からなる「ＣｒＣＯＮ」を含む組成のものは、本願優先日前に、周知である（周知例１，２を参照）。また、「ＣｒＣＯＮ」を含む組成の反射防止膜（反射率調整部）であって、酸素（Ｏ）含有率が２０原子％程度のものも、周知例２にみるように、周知である。
　当業者であれば、刊行物１において「ＣｒＯＮ」膜に炭素（Ｃ）を含有している状態の実施例が示されていることも参考にして、刊行物１記載の発明のＣｒＮ／Ｃｒからなる金属膜（下地部）に対して、周知の「ＣｒＣＯＮ」を含む組成の反射防止膜（反射率調整部）を組み合わせることを、容易に発想できるものである。
　
　また、本願補正発明は、反射防止膜（反射率調整部）における酸素の含有率が２０原子％以上であると規定するが、他の元素の含有率に関係なく、酸素の含有率の下限だけを規定する意味はほとんどなく、また、実施例で効果が確認されるのは、酸素の含有率が４０原子％のもの（実施例６）に過ぎないから、酸素の含有率が２０原子％以上であることの臨界的意義は、不明確である。
　さらに、本願補正発明は、「下地部は、主として金属と窒素とからなり、かつ酸素を含有しないか又は酸素の含有率が１０原子％以下であり、かつ炭素が含まれないもの」と規定するが、ここに炭素（Ｃ）が含まれないのは、本願の実施例で、下地部に酸素（Ｏ）を含有させないために、原料ガスとしてＣＯ２ガスを用いなかったことによると考えられるところ、本願明細書では、例えば刊行物１の実施例のように、酸素（Ｏ）を含有させないために原料ガスとしてＣＨ４ガスを用いて炭素（Ｃ）を含有する比較例を用意して比べるなどはしていないので、炭素（Ｃ）の有無がどのように影響するかは、技術的な説明も、実験での確認もされていない。したがって、炭素（Ｃ）が含まれないことの技術的意味が必ずしも明確でない。そうすると、刊行物１の実施例１のものと本願補正発明とは、作用効果上、差異が明確でないということにもなる。
　
　以上のことを勘案すると、刊行物１記載の発明において、反射防止膜（反射率調整部）として、主としてクロム、炭素、酸素、及び窒素を含有すると共に、そのうち酸素の含有率が２０原子％以上のものを採用することは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（３）相違点３について
　刊行物１には、金属膜をドライエッチングでパターニングすることも記載されており（（１ｄ）の【００３９】）、また、刊行物１記載の発明の「金属膜」「反射防止膜」からなる遮光膜は、パターニングされて半透光膜パターンを形成する際のマスクとされることは自明である（（１ｇ）の【００６９】等）から、刊行物１記載の発明の遮光膜を、「ドライエッチングによってパターニングされて半透光膜パターンを形成する際のマスクとされるための膜」とすることに、何ら困難性はない。
　また、本願補正発明の遮光膜は、「全体の厚さが、６０ナノメートル以下である」と規定されるが、この「６０ナノメートル」を境にして、それを越える値と、それ以下の値とで、作用効果上、顕著な差異があることは、本願の明細書等で示されていない。一応説明されているのは、下地部が高い遮光性を示すので膜厚を薄くできること、遮光膜の反射率波長依存性が良好であること、膜厚が薄いので遮光膜をパターニングするときの加工精度がよいこと（本願明細書【００９９】【０１００】参照）であるが、下地部の高い遮光性は、下地部の組成等により決まるものであり、膜厚が薄いからではなく、遮光膜の反射波長依存性の良好さは、反射率調整部の組成や膜厚が関係するものとされ、遮光膜全体の膜厚が薄いためではなく、そして、「膜厚が薄いので遮光膜をパターニングするときの加工精度がよいこと」は当業者に自明なことである。また、露光波長の短波長化や遮光膜パターンの微細化に応じて遮光膜の膜厚を薄くすることは、当然に好ましいことである。
　そして、本願補正発明の遮光膜の「全体の厚さが、６０ナノメートル以下であること」が、従来知られていた遮光膜の厚さに比べて格段に薄く、当業者の技術常識を越えたものということもできない。
　そうすると、刊行物１記載の発明の「金属膜」「反射防止膜」からなる遮光膜を、ドライエッチングによってパターニングされて半透光膜パターンを形成する際のマスクとされるための膜であり、全体の厚さが、６０ナノメートル以下であるものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（４）請求人の主張、本願補正発明の効果、相違点１〜３全体について
　請求人は、回答書で、次のように主張する。
　『引用文献１に記載の発明と本願請求項１記載の発明とは、露光波長や遮光膜の全体の厚さだけでなく、反射率調整部と下地部との組成の組み合わせについても相違点があり、これら全ての相違点によって、前置報告書において認められた引用文献１に記載されていない効果が得られます。 
　即ち、審判請求書の理由の項で詳細に主張したとおり、本願請求項１記載の発明は、反射率調整部と下地部との組成を異ならせ、反射率調整部では広範囲の波長域に対して必要な反射率を有する組成とする一方、下地部では遮光機能に特化した組成とすることにより、遮光膜の全体の厚さを６０ｎｍ以下とする薄膜化が可能となります（［００９８］）。 
　これにより、２００ｎｍ以下の露光光で微細パターンの高精度な転写を行うことを可能とするために本願発明者がはじめて解明した、露光波長及びレジスト描画波長に対しては所定以下の反射率、検査波長に対しては所定以上の反射率、透明基板や半透光膜の反射率に対して所定以上の差を有し、反射率に上限のある検査装置にも対応可能であるという技術的事項を満たし、かつ遮光膜にクロムを含む場合にはドライエッチングによる膜べりが生じ易いが、遮光膜の薄膜化によってレジストをより薄膜化するという技術的事項を同時に満たすことを可能としています。 
　これに対して、引用文献１に記載の発明に対して、仮に２００ｎｍ以下の露光光を適用しようとした場合、単純に遮光膜及び反射防止膜の全体の厚さを薄くしただけでは、上記各反射率や光学濃度も変わってしまうため、２００ｎｍ以下の露光光に適用できる膜は得られません。そして、引用文献１には２００ｎｍ以下の露光光で微細パターンの高精度な転写を行うことを可能とするために本願発明者がはじめて解明した上記技術的事項の知見はないため、引用文献１の発明に基づいて遮光膜や反射防止膜を変更しようとしても、本願請求項１記載の発明に至ることは当業者にとって困難であります。』
　
　上記のように、請求人は、本願補正発明は、２００ｎｍ以下の「露光波長及びレジスト描画波長に対しては所定以下の反射率、検査波長に対しては所定以上の反射率、透明基板や半透光膜の反射率に対して所定以上の差を有し、反射率に上限のある検査装置にも対応可能であるという技術的事項」を満たすと主張するが、
　本願補正発明の「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」は、「反射率調整部は、主としてクロム、炭素、酸素、及び窒素を含有すると共に、そのうち酸素の含有率が２０原子％以上であり、前記反射率調整部と接する下地部は、主として金属と窒素とからなり、かつ酸素を含有しないか又は酸素の含有率が１０原子％以下であり、かつ炭素が含まれないものである」と規定されるに留まっており、反射率調整部及び下地部を構成する各元素の含有率（原子％）やそれら個々の膜厚の詳細が、請求人が主張する技術的事項に見合ったものとして、特定されているわけではない。したがって、本願補正発明は、玉石混交の「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」を種々含んでいるものであって、請求人が主張するような技術的意味のあるものだけではない。
　また、仮に、請求人がいうような「露光波長及びレジスト描画波長に対しては所定以下の反射率、検査波長に対しては所定以上の反射率、透明基板や半透光膜の反射率に対して所定以上の差を有し、反射率に上限のある検査装置にも対応可能であるという技術的事項」が、反射率波長依存性の特性値として限定されたとしても（例えば、回答書に示される補正案で追加したような特性値）、それ自体は、一般的に望ましい特性や、所定の条件の下で望ましい特性を示すだけであり、それを実現するに見合った実質としての「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」を特定するものになっていない。
　
　さらに、本願補正発明の「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」を用いれば、本願明細書の下記の記載にあるように、遮光膜の反射率波長依存性を調整し易いというものと説明されている。しかし、これは、遮光膜の反射率波長依存性の調整方法に係る発明としての効果であって、本願補正発明の「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」自体の効果ではない。「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」自体の発明としては、好適な反射率波長依存性の特性値に対応する、反射率調整部及び下地部を構成する各元素の含有率（原子％）やそれら個々の膜厚の詳細が特定されてこそ、意味があるものである。なお、本願の比較例のものは、遮光膜の反射率波長依存性の調整がし難いものであるとしても、図４をみる限りでは、比較例４，５は、ほぼ適切な遮光膜の反射率波長依存性が実現できているので、本願補正発明と比較例との差異は、遮光膜の反射率波長依存性の調整の難易性だけである。
　
　「【００７２】
　そうすると、遮光膜3の反射率カーブの立ち上がり方は、該遮光膜3の反射率調整部3aにおける窒素の含有率が増大するにしたがって緩やか(ブロード)になっているといえる。また逆に、反射率調整部3aにおける窒素の含有率が減少するにしたがって、反射率カーブの立ち上がり方が急峻になってゆくといえる。
　つまり、窒素の含有率と、遮光膜3の反射率カーブ、即ち遮光膜3の反射率波長依存性とに相関がある。従って、遮光膜3の反射率波長依存性は、反射率調整部3aをＣｒＣＯＮから構成する場合、その窒素の含有率で調整できるものと考えられる。
　【００７３】
　(2)また、該反射率波長依存性、即ち反射率カーブは、図３に示すように、実施例毎に極端に変化するのではなく、徐々に変化している。つまり、窒素の含有率を調整したときの、反射率カーブの変化の仕方が小さい。反射率カーブの変化の仕方が小さいということは、窒素の含有率によって遮光膜3の反射率波長依存性をきめ細かく正確に微調整できるということである。」
　「【００８８】
　(1)比較例1〜5では、表2に掲げるように、反射率調整部3aの組成として、ＣｒＣＯＮではなくＣｒＯＮを採用して、各比較例ごとに反射率調整部3aにおける窒素の含有率を変化させている。このように、反射率調整部3aとしてＣｒＯＮを採用した場合には、図４に示すように、反射率カーブF,G,H,I,Jの変化の仕方と、窒素ガスの流量(窒素の含有率)とには明確な相関がみられない。
　【００８９】
　(2)詳細には、図４に示すように、反射率カーブF,G,Hと、反射率カーブＩ,Jとがそれぞれ殆ど重なっているが、表2を参照すると、両者の境に窒素流量の明確な臨界値があるか否かが定かでない。むしろこの場合は、遮光膜3の反射率波長依存性には、酸素の流量その他の成膜条件も関与していると考えられる。従って、反射率調整部3aをＣｒＯＮから構成した場合には、窒素の流量のみで遮光膜3の反射率波長依存性を制御できるとは言い難い。
　【００９０】
　(3)また、反射率カーブF,G,Hと、反射率カーブI,Jとで、その変化の仕方が極端に異なっている。従って、反射率調整部3aのスパッタリング成膜時において二酸化炭素ではなく酸素を用い、ＣｒＯＮからなる反射率調整部3aを形成した場合には、各構成元素の含有率によって、遮光膜3の反射スペクトル(反射率波長依存性)が極端に変化してしまうといえる。つまり、比較例1〜5による遮光膜3は、反射率波長依存性の制御性が良好であるとは言い難い。
　【００９１】
　(4)上記(2),(3)はまた、実施例1〜5のように反射率調整部3aに炭素を含めることの有効性を裏付けている。即ち、反射率調整部3aの形成時におけるスパッタリング雰囲気に炭素(ＣＯ2やＣＯ等)を含めることによって、該反射率調整部3aに炭素を含有せしめると、該反射率調整部3aにおける窒素の含有率(スパッタリング雰囲気中のＮ2の分圧)をコントロールすることによって、遮光膜3の反射率波長依存性の制御性を向上できる。」
　
　したがって、本願補正発明によってもたらされる効果を格別なものとすることができない。
　
　また、刊行物１記載の発明において、上記相違点１〜３に係る本願補正発明の構成を併せて適用することも、当業者が適宜容易になし得ることと言わざるを得ない。
　
（まとめ）
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願の請求項２に係る発明
　平成２０年１２月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１０に係る発明は、平成２０年９月５日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項２】
　透明基板上に、２００ｎｍ以下の波長の露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜と、この半透光膜の上に形成されたクロムを含有する遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
　前記遮光膜は、ドライエッチング可能な膜材料で構成され、前記半透光膜側に下地部を有し、この下地部の上に反射率調整部を有するものであり、
　前記反射率調整部は、クロム、炭素、酸素、及び窒素を含有すると共に、そのうち酸素の含有率が２０原子％以上とされ、
　前記下地部は、酸素を含有しないか、又は酸素の含有率が１０原子％以下とされてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された下記刊行物１の記載事項、及び、原査定の拒絶の理由において周知事項の例示文献とされた下記周知例１，２の記載事項は、上記「第２．２．」に記載したとおりである。
　刊行物１：特開２０００−１８１０４９号公報
　周知例１：特開平２−２６４９５２号公報
　周知例２：特開２００１−３０５７１６号公報
　
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「前記遮光膜は、ドライエッチングよってパターニングされて半透光膜パターンを形成する際のマスクとされるための膜であり、かつ前記半透光膜側に下地部を有し、この下地部の上に反射率調整部を有するものであって、全体の厚さが、６０ナノメートル以下であり」という限定を外し、「前記遮光膜は、ドライエッチング可能な膜材料で構成され」という上位概念的な表現とし、また、下地部は「主として金属と窒素とからなり」「炭素が含まれない」という限定事項を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件を実質的に全て含み、更に他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．」に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。