【事件の表示】
　特願２００４−１３１６９６「電子線露光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月１０日出願公開、特開２００５−３１７６５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１６年４月２７日に特許出願されたものであって、平成２０年４月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年６月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２０年６月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年６月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正の概略
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１について、
　
「【請求項１】
　電子線を放出する電子源を備え所望の転写パターンに応じた領域から電子線を放出させるマスクプレートと、マスクプレートと電子線レジスト層が塗布された被転写基板との間に配置される電子レンズとを備えた電子線露光装置であって、電子源が、多数のナノメータオーダの半導体微結晶および各半導体微結晶それぞれの表面に形成され半導体微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜を有する電子通過層が下部電極と表面電極との間に設けられ、表面電極と下部電極との間に表面電極を高電位側とする駆動電圧が印加された時に表面電極を通して電子を放出する弾道電子面放出型の電子源からなり、被転写基板と表面電極との間に被転写基板を高電位側として電圧を印加する第１の電圧印加手段と、電子源の表面電極と下部電極との間に駆動電圧を印加する第２の電圧印加手段とが設けられてなり、前記マスクプレートは、前記電子源における前記表面電極の表面に前記転写パターンを規定する金属膜あるいは導電性膜からなる電子吸収層が形成されてなることを特徴とする電子線露光装置。」
　
とあったものを
　
「【請求項１】
　電子線を放出する電子源を備え所望の転写パターンに応じた領域から電子線を放出させるマスクプレートと、マスクプレートと電子線レジスト層が塗布された被転写基板との間に配置される電子レンズとを備えた電子線露光装置であって、電子源が
、下部電極上に形成した多結晶シリコン層を用いて形成された電子通過層であり多数
のシリコン微結晶
各シリコン微結晶
のシリコン酸化膜を
　
と補正するものである。
　上記補正は、
（１）「下部電極と表面電極との間に設けられ」る「電子通過層」を「下部電極上に形成した多結晶シリコン層を用いて形成され」「下部電極と表面電極との間に設けられ」る「電子通過層」に限定する補正、
（２）「半導体微結晶」を「シリコン微結晶」に限定する補正、
（３）「絶縁膜」を「シリコン酸化膜」に限定する補正、
からなるものであって、何れも平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に適合するか）について検討する。
　
２．引用する刊行物に記載された発明
　
　　　刊行物１：特開２００４−１０３９４２号公報
　　　刊行物２：特開２０００−１００３１６号公報
　
２−１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１（特開２００４−１０３９４２号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（Ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面状電子ビームを加工対象基板に照射し、加工対象基板にパターンを一括等倍転写して面露光する電子ビーム面露光装置および面露光方法に関するものである。」　
　
（Ｂ）「【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の電子ビーム面露光装置および面露光方法を詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の電子ビーム面露光装置の一実施形態の構成概略図である。この図に示すように、本実施形態の電子ビーム面露光装置１０は、パターン化ＢＳＥ電子源（Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ　Ｓｕｒｆａｃｅ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｏｕｒｃｅ：弾道面放出型冷陰極電子源）１２と、加工ステージ１４と、引出し電源１６と、加速電源１８と、真空チャンバ２０と、電流計２２とを備えている。同図には、加工対象基板２４も示してある。
【００２２】
電子ビーム面露光装置１０において、パターン化ＢＳＥ電子源１２は、面状電子ビーム源２６、Ａｕ（金）電極２８、Ａｌ（アルミ）電極３０、および吸収材３２により構成されている。
【００２３】
面状電子ビーム源２６は、ｎ型のシリコン基板３４と、このシリコン基板３４の表面（図中下面）全面に形成されたポリシリコン層３６と、このポリシリコン層３６の表面を陽極酸化処理して形成された多孔質ポリシリコン層３８とを含む。
【００２４】
Ａｌ電極３０は、面状電子ビーム源２６のシリコン基板３４の裏面（図中上面）の全面に形成され、Ａｕ電極２８は、多孔質ポリシリコン層３８の表面（図中下面）の外周部を除く、ほぼ全面を覆うように形成されている。
【００２５】
また、Ａｕ電極２８の表面には、パターン化された吸収材３２が形成されている。吸収材３２は、多孔質ポリシリコン層３８の全面から放出される面状電子ビームを吸収する役割を果す。本実施形態の場合、吸収材３２はＥＢレジスト（電子ビームを照射することによって露光される材料）で構成され、点状電子ビーム描画装置等を用いて、点状電子ビームによりマスクレスで直接走査露光されてパターニングされる。
【００２６】
ここで、面状電子ビーム源２６、Ａｕ電極２８およびＡｌ電極３０により構成されるダイオードは、本発明者の一人である越田信義により、特開平８−２５０７６６号公報において提案された半導体冷電子放出素子である。この半導体冷電子放出素子のＡｕ電極２８とＡｌ電極３０との間に所定の一定時間、所定の電圧を印加することにより、多孔質ポリシリコン層３８の表面全面から多重トンネル伝導による弾道電子の放出が開始される。
【００２７】
電子ビーム面露光装置１０は、この半導体冷電子放出素子を、電子ビーム面露光装置１０の電子ビーム源として利用したものであり、以下に述べるような特徴を備えている。
【００２８】
Ａ）単結晶シリコン基板上に平面型で構成できる電子源であり、電子ビームの放出面（すなわち、吸収材３２が存在しないＡｕ電極２８の表面）から垂直に電子ビームを放出できるので、収束電界や収束磁界を必要とせず、加工対象基板２４へのパターンの一括等倍転写が可能である。
Ｂ）１〜３０Ｐａまでの低真空雰囲気中で安定な電子放出動作が可能である。
Ｃ）電子放出の均一性が高く、ホッピング等の短時間変動がない。
Ｄ）電子放出源は、多孔質ポリシリコン層３８のシリコン微結晶の１つ１つであり、直径２〜３ｎｍの均一な粒径でできているため、高密度かつ安定度の高いエミッション特性が得られる。
Ｅ）マイクロ秒（μｓ）オーダーの電子放出オンオフ特性を有している。
Ｆ）直径１００，１５０，２００，３００ｍｍ等の広領域電子源を低価格で形成できる。」
　
（Ｃ）「【００２９】
Ａｕ電極２８とＡｌ電極３０との間には、スイッチ４０を介して引出し電源１６が接続されている。引出し電源１６は、Ａｕ電極２８側がプラス、Ａｌ電極３０側がマイナスとされている。また、Ａｌ電極３０とグランドとの間には、加速電源１８が接続されている。加速電源１８は、グランド側がプラス、Ａｌ電極３０側がマイナスとされている。本実施形態では、引出し電源１６の電圧Ｖｐｓおよび加速電源１８の電圧Ｖｗは可変である。
【００３０】
引出し電源１６により電圧Ｖｐｓを印加すると、面状電子ビーム源２６の多孔質ポリシリコン層３８の全面から電子ビームが放出される。また、引出し電源１６の電圧Ｖｐｓを高くするに従って、電子ビームの放出量が増大する。また、加速電源１８により電圧Ｖｗを印加すると、面状電子ビーム源２６の多孔質ポリシリコン層３８の全面から放出された電子ビームが加速される。また、加速電源１８の電圧Ｖｗを高くするに従って、電子ビームの加速度が増大する。
【００３１】
加工ステージ１４は、加工対象基板２４を載置するための台であると共に、後述するように、本実施形態ではグランドに接続されており、パターン化ＢＳＥ電子源１２の電子ビームの放出面（カソード）から放出される面状電子ビームを捕獲するためのアノードとして機能する。加工ステージ１４は、パターン化ＢＳＥ電子源１２のＡｕ電極２８の表面（図中下面）に対向した近接位置に平行に配置されている。
【００３２】
加工対象基板２４の表面全面にはＥＢレジスト４２が形成されている。ＥＢレジスト４２は、電子ビームを照射することによって露光（感光）され、本実施形態の場合、吸収材３２のパターンと略同一なパターンが一括等倍転写される。
・・・・・
【００３４】
電流計２２は、真空チャンバ２０の外部に配置され、加工ステージ１４とグランドとの間に接続されている。すなわち、加工ステージ１４および加工対象基板２４は、電流計２２を経由してグランドに接続されている。これにより、加工ステージ１４（すなわち、加工対象基板２４）は、前述のように、面状電子ビームを捕獲するためのアノードとして機能する。電流計２２により、パターン化ＢＳＥ電子源１２から照射される電子ビームの全電流量が計測される。」
　
（Ｄ）「【００３６】
次に、本発明の電子ビーム面露光方法に従って、電子ビーム面露光装置１０の作用を説明する。
【００３７】
真空チャンバ２０内は１〜３０Ｐａの真空雰囲気とされている。また、加速電源１８により、パターン化ＢＳＥ電子源１２のＡｌ電極３０には常時−２〜５ｋＶの電圧Ｖｗが印加されている。引出し電源１６の電圧Ｖｐｓは、本実施形態の場合には数１０Ｖである。スイッチ４０をオンすれば、引出し電源１６から供給される電圧ＶｐｓがＡｕ電極２８とＡｌ電極３０との間に印加され、オフすれば印加されない。
【００３８】
上記状態において、スイッチ４０をオンし、引出し電源１６により、あらかじめ決定された所定の一定時間、パターン化ＢＳＥ電子源１２のＡｕ電極２８とＡｌ電極３０との間に数１０Ｖの電圧Ｖｐｓを印加すると、面状電子ビーム源２６の多孔質ポリシリコン層３８の表面全面から電子ビームが放出される。多孔質ポリシリコン層３８から放出された面状の電子ビームはＡｕ電極２８を透過し、Ａｕ電極２８の表面全面から放出される。
【００３９】
この時、パターン化された吸収材３２が存在する箇所の電子ビームは、吸収材３２により吸収され、吸収材３２が存在しない箇所からだけ電子ビームが放出される。これにより、パターン化ＢＳＥ電子源１２からは、その放出面に対して垂直方向に、吸収材３２によりパターン化された面状の電子ビームが放出される。また、パターン化ＢＳＥ電子源１２から放出された面状の電子ビームは、加速電源１８の電圧Ｖｗにより加速される。
【００４０】
加工対象基板２４は、パターン化ＢＳＥ電子源１２の電子ビームの放出面に対向した近接位置に配置されている。従って、放出面から垂直に放出され、加速された面状の電子ビームは、ほとんど角度分散することなく、加工対象基板２４上に形成されたＥＢレジスト４２の表面に対して垂直に照射される。これにより、パターン化された吸収材３２と略同一なパターンが、加工対象基板２４上に形成されたＥＢレジスト４２に一括等倍転写される。
【００４１】
電子ビーム面露光装置１０は、電子ビームにより、１００ｎｍ以下の超高分解能な微細露光が可能である。また、等倍露光であり、マスクレスで、投影系、収束系、偏向系等が不要なため、構造が簡単で小型化が可能である。また、構造が非常に単純であるため、従来よりも格段に安価に装置を構成することができる。さらに、面状電子ビームによる一括露光であるため、点状電子ビームと比べて、非常にスループットが高いという特徴がある。」
　
（Ｅ）「【００４７】
吸収材３２は、電子ビームを吸収できる材質のものがいずれも使用可能である。また、吸収材３２のパターニングの方法も何ら限定されず、例えば１００ｎｍ以上の分解能でよい場合には、光リソグラフィ技術を使用してパターニングしてもよい。また、吸収材３２を直接走査露光する場合も、吸収材３２の上に塗布されたレジストをパターニングした後、パターニングされたレジストをマスクとして吸収材３２をパターニングするようにしてもよい。
【００４８】
上記実施形態では、吸収材３２は、電子ビームを完全に吸収（ブロック）できる厚さとしている。これに対し、吸収材３２の厚さを部分的に変更してもよい。これにより、吸収材３２に対する電子ビームの透過率を部分的に変更することができる。このように、吸収材３２の厚さに応じて、吸収材３２を透過する面状電子ビームの透過率を変え、加工対象基板２４上にパターン化された吸収材３２の厚さに対応した３次元パターンを露光することも可能である。」　
　
（刊行物１に記載された発明）
　以上の記載事項（Ａ）〜（Ｅ）と図面から、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「電子線を放出する面状電子ビーム源２６、Ａｕ電極２８、Ａｌ電極３０、吸収材３２を備え所望の転写パターンに応じた領域から電子線を放出させるパターン化ＢＳＥ電子源（弾道面放出型冷陰極電子源）１２と、表面にＥＢレジスト４２が形成された加工対象基板２４が載置される加工ステージ１４とを備えた電子ビーム面露光装置であって、
　面状電子ビーム源２６は、ｎ型のシリコン基板３４と、該シリコン基板３４の表面全面に形成されたポリシリコン層３６と、該ポリシリコン層３６の表面を陽極酸化処理して形成された多孔質ポリシリコン層３８を含み、
　前記Ａｌ電極３０は、面状電子ビーム源２６のシリコン基板３４の裏面の全面に形成され、前記Ａｕ電極２８は、面状電子ビーム源２６の多孔質ポリシリコン層３８の表面の外周部を除く、ほぼ全面を覆うように形成されており、
　加工ステージ１４および加工対象基板２４は、電流計２２を経由してグランドに接続され、
　Ａｕ電極２８とＡｌ電極３０との間には、Ａｕ電極２８側をプラス、Ａｌ電極３０側をマイナスとする引出し電源１６が設けられてなり、Ａｕ電極２８とＡｌ電極３０との間に電圧Ｖｐｓが印加された時にＡｕ電極２８を透過して面状の電子ビームが放出され、
　Ａｌ電極３０とグランドとの間に、グランド側をプラス、Ａｌ電極３０側をマイナスとする加速電源１８が設けられてなり、
　加工対象基板２４は、面状電子ビームを捕獲するためのアノードとして機能し、
　Ａｕ電極２８の表面に、パターン化されたＥＢレジストで構成される吸収材３２が形成されている電子ビーム面露光装置。」（以下、「引用発明」という。）
　
２−２　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２（特開２０００−１００３１６号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（Ｆ）「【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記目的を達成するために、導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された強電界ドリフト層と、該強電界ドリフト層上に形成された金属薄膜とを備え、金属薄膜を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし金属薄膜を通して放出される電界放射型電子源であって、前記強電界ドリフト層は、少なくとも、導電性基板の主表面に略直交して列設された柱状の半導体結晶と、半導体結晶間に介在するナノメータオーダの半導体微結晶と、半導体微結晶の表面に形成され当該半導体微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とからなることを特徴とするものであり、電子放出特性の真空度依存性が小さく且つ電子放出時にポッピング現象が発生せず安定して高効率で電子を放出することができ、また、導電性基板として単結晶シリコン基板などの半導体基板の他にガラス基板などに導電性膜を形成した基板などを使用することもできるから、従来のように半導体基板を多孔質化した多孔質半導体層を利用する場合やスピント型電極に比べて、電子源の大面積化及び低コスト化が可能になるという効果がある。」
　
（Ｇ）「【００１３】
【発明の実施の形態】図２に本実施形態の電界放射型電子源１０の概略構成図を、図３（ａ）〜（ｅ）に電界放射型電子源１０の製造方法における主要工程断面図を示す。なお、本実施形態では、導電性基板としてｎ形シリコン基板１（抵抗率が略０．１Ωｃｍの（１００）基板）を用いている。
【００１４】本実施形態の電界放射型電子源１０は、図２に示すように、ｎ形シリコン基板１の主表面上に急速熱酸化されたポリシリコン層５が形成され、該ポリシリコン層５上に急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６が形成され、該多孔質ポリシリコン層６上に金属薄膜たる金薄膜７が形成されている。また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されている。
【００１５】ところで、本実施形態では、導電性基板としてｎ形シリコン基板１を用いているが、導電性基板は、電界放射型電子源１０の負極を構成するとともに真空中において上述の多孔質ポリシリコン層６を支持し、なお且つ、多孔質ポリシリコン層６へ電子を注入するものである。
【００１６】また、上述の多孔質ポリシリコン層６は、導電性基板と金属薄膜との間に電圧を印加したときに導電性基板から注入された電子がドリフトする強電界ドリフト層である。
【００１７】以下、製造方法について図３を参照しながら説明する。
【００１８】まず、ｎ形シリコン基板１の裏面にオーミック電極２を形成した後、ｎ形シリコン基板１の表面に膜厚が略１．５μｍのノンドープのポリシリコン層３を形成することにより図３（ａ）に示すような構造が得られる。・・・・・。
【００１９】ノンドープのポリシリコン層３を形成した後、５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを略１：１で混合した混合液よりなる電解液を用い、白金電極（図示せず）を負極、ｎ形シリコン基板１（オーミック電極２）を正極として、ポリシリコン層３に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行うことによって、多孔質ポリシリコン層４（以下、ＰＰＳ層４と称す）が形成され図３（ｂ）に示すような構造が得られる。・・・・・。
【００２０】次に、急速熱酸化（ＲＴＯ：Rapid　Thermal　Oxidation）技術によってＰＰＳ層４及びポリシリコン層３の急速熱酸化を行うことにより図３（ｃ）に示す構造が得られる。ここに、図３（ｃ）における５は急速熱酸化されたポリシリコン層を、６は急速熱酸化されたＰＰＳ層（以下、ＲＴＯ−ＰＰＳ層６と称す）を示す。・・・・・。
【００２１】次に、ＲＴＯ−ＰＰＳ層６上に金属薄膜たる金薄膜７を例えば蒸着により形成することによって、図３（ｄ）および図２に示す構造の電界放射型電子源１０が得られる。・・・・・。」
　
（Ｈ）「【００２９】次に、本実施形態の電界放射型電子源の電子放出の機構について説明する。
【００３０】まず、電子放出の機構を調べるために、陽極酸化処理後の図３（ｂ）の試料のＰＰＳ層４断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察したところ、柱状のポリシリコンの周辺に、ナノメータオーダ（直径５ｎｍ前後）の微結晶シリコン層が成長していることが確認された。また、ポリシリコン層３成膜後の図３（ａ）の試料の断面をＴＥＭにより観察したところ、膜成長方向（図３（ａ）の上下方向）の細い柱状のグレイン（結晶粒）の集合体（柱状構造）でポリシリコン層３が構成されていることが確認された。・・・・・。
【００３１】上述のＴＥＭ観察の結果から、図３（ｄ）に示す急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６（ＲＴＯ−ＰＰＳ層６）は、つまり、強電界ドリフト層は、図１に示すように、少なくとも、柱状の半導体結晶であるポリシリコン６１と、ポリシリコン６１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜６２と、柱状のポリシリコン６１間に介在するナノメータオーダの半導体微結晶である微結晶シリコン層６３と、微結晶シリコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜６４とから構成されると考えられる。
【００３２】しかして、本実施形態の電界放射型電子源１０では、次のようなモデルで電子放出が起こると考えられる。すなわち、金薄膜７をｎ形シリコン基板１に対して正極として印加する直流電圧Ｖpsが所定値（臨界値）に達すると、ｎ形シリコン基板１側からＲＴＯ−ＰＰＳ層６に熱的励起により電子ｅ-が注入される。一方、ＲＴＯ−ＰＰＳ層６に印加された電界はほとんどシリコン酸化膜６４にかかるから、注入された電子は酸化膜６４にかかっている強電界により加速されＲＴＯ−ＰＰＳ層６におけるポリシリコン６１の間の空間を表面に向かって図１中の矢印Ａの向きへ（図１中の上方向へ向かって）ドリフトする。ここに、ＲＴＯ−ＰＰＳ層中の電子のドリフト長は後述のように微結晶シリコン層６３の粒径に比べて非常に大きいので、ほとんど衝突を起こすことなくＲＴＯ−ＰＰＳ層６の表面に到達する。ＲＴＯ−ＰＰＳ層６の表面に到達した電子ｅ-はホットエレクトロンであって、ホットエレクトロンは熱平衡状態よりも数ｋＴ以上のエネルギを有するので、ＲＴＯ−ＰＰＳ層６の最表面の酸化層を介して金薄膜７を容易にトンネルし真空中に放出される。
【００３３】ところで、本実施形態の電界放射型電子源１０では、上述の図７で説明したようにポッピングノイズが発生せずに高効率で安定して電子を放出することができるが、これは、ＲＴＯ−ＰＰＳ層６は各グレインの表面が多孔質化し各グレインの中心部分（図１のポリシリコン６１）では結晶状態が維持されていることから、電圧の印加により生じた熱が上記結晶状態が維持された部分（図１のポリシリコン６１）を伝導して外部に放出され、温度上昇が抑制されるからであると推考される。
【００３４】以上をまとめると、強電界ドリフト層たるＲＴＯ−ＰＰＳ層６は、強電界が存在しうる半絶縁性を備え、また、電子散乱が少なくドリフト長が大きく、さらに、ダイオード電流Ｉpsの熱暴走を抑えるだけの熱伝導率を有するので、高効率で安定して電子を放出することができるのだと考えられる。」　
　
（刊行物２に記載された発明）
　上記記載事項（Ｆ）〜（Ｈ）と図面から、刊行物２には、以下の電子源が記載されている。　
「オーミック電極２と金属膜７との間に、導電性基板としてのｎ形シリコン基板１，急速熱酸化されたポリシリコン層５、急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６が設けられ、
　該急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６は、柱状の半導体結晶であるポリシリコン６１と、ポリシリコン６１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜６２と、柱状のポリシリコン６１間に介在するナノメータオーダの半導体微結晶である微結晶シリコン層６３と、微結晶シリコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜６４とから構成され強電界ドリフト層として機能し、
　オーミック電極２と金属膜７との間に金属膜７を高電位側とする駆動電圧が印加された時に電子が微結晶シリコン層６３とほとんど衝突を起こすことなくドリフトし、金属膜７を通してホットエレクトロンの電子を放出する面放出型の電子源。」
　
　
３．対比
　本願補正発明と、引用発明とを対比する。
（１）引用発明では、「Ａｕ電極２８」が「面状電子ビーム源２６」の表面に形成され、「Ａｌ電極３０」が「面状電子ビーム源２６」の裏面に形成されており、「Ａｕ電極２８とＡｌ電極３０との間に電圧Ｖｐｓが印加された時にＡｕ電極２８を透過して面状の電子ビームが放出」されることから、引用発明における「Ａｕ電極２８」、「Ａｌ電極３０」が、それぞれ、本願補正発明の「表面電極」、「下部電極」に相当し、引用発明における「面状電子ビーム源２６」、「Ａｕ電極２８」、「Ａｌ電極３０」は、一体として本願補正発明の「電子源」に相当する。
（２）引用発明における「ＥＢレジスト４２」、「加工対象基板２４」、「引出し電源１６」、「吸収材３２」、「電子ビーム面露光装置」は、それぞれ、本願補正発明の「電子線レジスト層」、「被転写基板」、「第２の電圧印加手段」、「電子吸収層」、「電子線露光装置」に相当する。
（３）引用発明における「パターン化ＢＳＥ電子源（弾道面放出型冷陰極電子源）１２」は、「面状電子ビーム源２６」、「Ａｕ電極２８」、「Ａｌ電極３０」、および「吸収材３２」により構成され、「Ａｕ電極２８」を透過し、「吸収材３２」でパターン化されて放出される面状の電子ビームが「加工対象基板２４」上に形成された「ＥＢレジスト４２」の表面に対して垂直に照射され、パターン化された「吸収材３２」と略同一なパターンが、「加工対象基板２４」上に形成された「ＥＢレジスト４２」に一括等倍転写されることから、引用発明における「パターン化ＢＳＥ電子源（弾道面放出型冷陰極電子源）１２」は、本願補正発明の「マスクプレート」に相当する。
　
　してみると、両者は、
「電子線を放出する電子源を備え所望の転写パターンに応じた領域から電子線を放出させるマスクプレートを備えた電子線露光装置であって、電子源が、表面電極と下部電極との間に表面電極を高電位側とする駆動電圧が印加された時に表面電極を通して電子を放出する弾道電子面放出型の電子源からなり、電子源の表面電極と下部電極との間に駆動電圧を印加する第２の電圧印加手段とが設けられてなり、前記マスクプレートは、前記電子源における前記表面電極の表面に前記転写パターンを規定する電子吸収層が形成されてなることを特徴とする電子線露光装置。」
の点で一致するものの、下記の点で相違し、その余に格別の相違点は認められない。
　
（相違点１）
　被転写基板に形成された電子線レジスト層は、本願補正発明では「塗布」されたものであるのに対し、引用発明では塗布されたものか否か記載されていない点。
　
（相違点２）
　マスクプレートと被転写基板との間に、本願補正発明では「電子レンズ」を備えるのに対し、引用発明では備えていない点。
　
（相違点３）
　下部電極と表面電極を備える弾道電子面放出型の電子源が、本願補正発明では、「下部電極上に形成した多結晶シリコン層を用いて形成された電子通過層であり多数のナノメータオーダのシリコン微結晶および各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜を有する電子通過層が下部電極と表面電極との間に設けられ」ているのに対し、引用発明では、具体的構造が不明である点。
　
（相違点４）
　電子線吸収層が、本願補正発明では「金属膜或いは導電性膜からなる」のに対し、引用発明では、電子ビームを吸収できる材質からなるものの、「金属膜或いは導電性膜」からなるのか否か不明である点。
　
（相違点５）
　被転写基板と表面電極との間に電圧を印加する手段として、本願補正発明では、「被転写基板と表面電極との間に被転写基板を高電位側として電圧を印加する第１の電圧印加手段」を備えるのに対し、引用発明では、加工対象基板２４が電流計２２を経由してグランドに接続され、Ａｌ電極３０とグランドとの間に、グランド側をプラス、Ａｌ電極３０側をマイナスとする加速電源１８が接続されている点。
　
４．判断
　以下、上記相違点について判断する。
（相違点１について）
　被転写基板にレジスト層を形成する際に、塗布により形成する技術は、周知の技術であり、引用発明に前記周知の技術を採用し、相違点１に係る構成と為すことは、当業者が容易に為し得ることである。
　
（相違点２について）
　電子線露光装置として、電子線を収束するレンズを備える装置は周知（例えば、拒絶査定で周知例として引用した特開昭４７−３６９７５号公報には、収束コイル６を備えることが、同じく特開昭５１−８８７５号公報には集束コイル７を備えることが開示されており、何れも電子レンズとしての機能を有しているものと認められる。）であるから、引用発明を電子レンズを備える周知の露光装置として構成することに困難性はない。
　したがって、引用発明に上記周知技術を適用し、相違点２に係る構成と為すことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（相違点３について）
　刊行物２に記載された電子源は、電子が微結晶シリコン層６３をほとんど衝突を起こすことなくドリフトし、金属膜７を通してホットエレクトロンを放出する電子源であるから、弾道電子放出型の電子源であると言える。
　そして、刊行物２の「金属膜７」が本願補正発明の「表面電極」に相当し、以下同様に、「強電界ドリフト層」が「電子通過層」に、「ナノメータオーダの半導体微結晶である微結晶シリコン層６３」が「ナノメータオーダのシリコン微結晶」に、「シリコン酸化膜６４」が「シリコン酸化膜」に相当する。また、刊行物２のｎ形シリコン基板１（導電性基板）は、電界放射型電子源１０の負極を構成するとともに真空中において上述の多孔質ポリシリコン層６を支持し、なお且つ、多孔質ポリシリコン層６へ電子を注入するものである（上記摘記事項（Ｇ）【００１５】参照）から、刊行物２の「オーミック電極７」が形成された「ｎ形シリコン基板」は、本願補正発明の「下部電極」に相当する。
  してみると、刊行物２に記載された電子源は、「下部電極上に形成した多結晶シリコン層を用いて形成された電子通過層であり多数のナノメータオーダのシリコン微結晶および各シリコン微結晶それぞれの表面に形成されシリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜を有する電子通過層が下部電極と表面電極との間に設けられ、表面電極と下部電極との間に表面電極を高電位側とする駆動電圧が印加された時に表面電極を通して電子を放出する弾道電子面放出型の電子源」であり、相違点３に係る構成を備える電子源である。
　そして、引用発明の電子源と刊行物２に記載された電子源は、何れも弾道電子面放出型の電子源であるから、引用発明の電子源として刊行物２に記載された電子源を用い、上記相違点３に係る構成と為すことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　審判請求人は、平成２０年１２月２２日付け回答書において、電子レンズを利用する電子線露光装置の電子源として弾道電子面放出型の電子源を用いることで高精細化が図れる旨主張するが、弾道電子面放出型電子源の放出電子の角度分散が小さいことは周知（例えば、越田他　”量子サイズナノシリコンの発光と新規機能”　信学技報 TECHNICAL REPORT OF ICICE  LQE99-16　電子情報通信学会　1999-06　特に５頁左欄５−１３行参照）であるから、請求人が主張する作用効果も当業者が予測しうる程度のものであり、格別の作用効果とは認められない。
　
（相違点４について）
　電子線露光装置に用いる電子線吸収層として、「金属膜或いは導電性膜」からなる電子線吸収層を用いることは、例えば原査定の理由に引用された特開昭５５−１５２３２号公報（金属膜２４参照）、特開昭４７−３６９７５号公報（金その他適当な導体層によって電子を吸収することが、２頁左下欄６-１２行に記載されている。）、特開昭５１−８８７５号公報（２頁右上欄１２−１６行の導電性材料のパターンをつくることで、チャージアップの問題が防止できる旨の記載参照）に記載されるように電子線露光装置の技術分野において周知の技術手段であるから、引用発明における電子線吸収層として、金属膜或いは導電成膜からなる周知の電子吸収層を用いて相違点４に係る構成となすことに、格別の困難性は認められない。
　また、チャージアップを防止するという作用効果も、電子源が弾道電子面放出型であるか否かで格別の差異が生じるものではないから、上記周知技術に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものである。
　
（相違点５について）
　一般に、電流計２２は実質的に電位差を有するものではないから、引用発明における加工対象基板２４は実質的にグランド、即ち、加速電源１８のプラス側に接続されているといえる。そして、加工対象基板２４は面状電子ビームを捕獲するためのアノードとして機能する、即ち、加工対象基板２４の電位が面状電子ビーム源２６の電位より高電位となるよう加速電源１８を接続するのであり、加速電源１８のマイナス側を電子ビーム源２６のＡｕ電極２８とＡｌ電極３０の何れに接続するかは、当業者が適宜為し得る設計的事項にすぎないものと認められる。
　したがって、加工対象基板２４とＡｕ電極２８との間に加工対象基板２４を高電位側として電圧を印加するよう加速電源１８を接続し、上記相違点５に係る構成と為すことは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　以上のとおり、上記相違点１〜５は、何れも刊行物１、２に記載された発明と周知技術とに基いて当業者が容易に想到しうる程度のものであり、また、本願補正発明が奏する作用効果も、刊行物１、２に記載された発明と周知技術とに基いて当業者が容易に予測しうる程度のものである。
　したがって、本願補正発明は、刊行物１、２に記載された発明と周知技術とに基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　平成２０年６月９日付けの手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２０年２月４日付け手続補正書により補正された請求項１に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
　
「電子線を放出する電子源を備え所望の転写パターンに応じた領域から電子線を放出させるマスクプレートと、マスクプレートと電子線レジスト層が塗布された被転写基板との間に配置される電子レンズとを備えた電子線露光装置であって、電子源が、多数のナノメータオーダの半導体微結晶および各半導体微結晶それぞれの表面に形成され半導体微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数の絶縁膜を有する電子通過層が下部電極と表面電極との間に設けられ、表面電極と下部電極との間に表面電極を高電位側とする駆動電圧が印加された時に表面電極を通して電子を放出する弾道電子面放出型の電子源からなり、被転写基板と表面電極との間に被転写基板を高電位側として電圧を印加する第１の電圧印加手段と、電子源の表面電極と下部電極との間に駆動電圧を印加する第２の電圧印加手段とが設けられてなり、前記マスクプレートは、前記電子源における前記表面電極の表面に前記転写パターンを規定する金属膜あるいは導電性膜からなる電子吸収層が形成されてなることを特徴とする電子線露光装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項等は、前記「第２」の「２．（２）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した本願補正発明から、
（１）「電子通過層」とあったところを、「下部電極上に形成した多結晶シリコン層を用いて形成された電子通過層」に、、
（２）「半導体微結晶」とあったところを「シリコン微結晶」に、
（３）「絶縁膜」とあったところを「シリコン酸化膜」に、
する限定を解除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項の全てを含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記第２に記載したとおり、刊行物１，２に記載された発明と周知技術とに基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１，２に記載された発明と周知技術とに基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認める。　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。