【事件の表示】
　特願２０００−１７２１４０「熱式流量センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月２１日出願公開、特開２００１−３４９７５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月８日の出願であって、平成１６年８月２４日付（発送日：同月３１日）で拒絶査定がされ、これに対し同年９月３０日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに同日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年９月３０日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年９月３０日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
２−１．本件補正の内容
　本件補正は、以下の（１）に示される本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を、以下の（２）に示される本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に補正することを含むものである。
　
（１）「【請求項１】　シリコン基板と、前記シリコン基板に設けられ、裏面側に空洞部を形成されたダイヤフラムと、前記ダイヤフラム上に設けられ、発熱抵抗体を有する流量検出素子であって、前記発熱抵抗体の加熱電流に相当する電気信号を出力する流量検出素子と、前記流量検出素子を、前記ダイヤフラムの表面側を被測定流体に晒すとともに、該ダイヤフラムの裏面側の前記空洞部には被測定流体が流れにくくなるように、前記ダイヤフラム上に支持する支持部材と、前記発熱抵抗体の温度を被測定流体の温度より一定温度高くなるように制御する制御部と、を備え、前記発熱抵抗体の幅を前記ダイヤフラムの幅に対して０．４から０．６とし、且つ、前記発熱抵抗体の長手方向長さを前記ダイヤフラムの長手方向長さに対して０．４から０．６とし、且つ、前記ダイヤフラムの長手方向長さは前記ダイヤフラム幅の２倍以上であることを特徴とする熱式流量センサ。」
　
（２）「【請求項１】　シリコン基板と、前記シリコン基板に設けられ、前記シリコン基板に包囲されると共に、裏面側に空洞部が形成されたダイヤフラムと、前記ダイヤフラム上に設けられ、発熱抵抗体を有する流量検出素子であって、前記発熱抵抗体の加熱電流に相当する電気信号を出力する流量検出素子と、前記流量検出素子を、前記ダイヤフラムの表面側を被測定流体に晒すとともに、該ダイヤフラムの裏面側の前記空洞部に被測定流体が流れにくくなるように、前記ダイヤフラム上を支持する支持部材と、前記発熱抵抗体の温度を被測定流体の温度より一定温度高くなるように制御する制御部と、を備え、前記発熱抵抗体の幅を前記ダイヤフラムの幅に対して０．４から０．６とし、且つ、前記発熱抵抗体の長手方向長さを前記ダイヤフラムの長手方向長さに対して０．４から０．６とし、且つ、前記ダイヤフラムの長手方向長さは前記ダイヤフラム幅の２倍以上であることを特徴とする熱式流量センサ。」
　
２−２．補正の目的の適否
　上記請求項１についての補正は、以下の〈１〉および〈２〉を内容とするものである。
　
〈１〉　請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ダイヤフラム」について、「シリコン基板に包囲される」との限定を付加。
〈２〉　請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「支持部材」について、「該ダイヤフラムの裏面側の前記空洞部には被測定流体が流れにくくなるように、前記ダイヤフラム上に支持する」との記載を「該ダイヤフラムの裏面側の前記空洞部
に
を
　
　そして、上記〈１〉については特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、上記〈２〉については同項第３号に規定する誤記の訂正を目的とするものであるとそれぞれ認められる。
　
２−３．独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２−３−１．引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−１３１１１２号公報（以下，「引用例１」という。）には図面と共に，以下の（Ａ）〜（Ｇ）の事項が記載されている。
　
（Ａ）「【発明の属する技術分野】この発明は、発熱体を備え、発熱体あるいは発熱体によって加熱された部位から流体への熱伝達現象に基づいて、流体の流速あるいは流量を計測する流量検出素子を用いた感熱式流量センサに関するものであり、例えば内燃機関の吸入空気量を計測する用途に適用される。」（段落【０００１】）
（Ｂ）「【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図について説明する。
実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１に係る流量センサに適用される流量検出素子を示す平面図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。なお、図１および図２では、構成をわかりやすくするために、実際の寸法比で描かれていない。これは、以下に示す各図においても同様である。」（段落【００１５】）
（Ｃ）「図１および図２において、平板状基材１はシリコンからなり、窒化シリコンよりなる絶縁性の支持膜２が平板状基材１の表面全面に形成され、白金の感熱抵抗膜よりなる発熱体４、測温体５およびリードパターン７ａ〜７ｄが支持膜２上に形成され、さらに窒化シリコンよりなる絶縁性の保護膜３が発熱体４、測温体５およびリードパターン７ａ〜７ｄを覆うように支持膜２上に形成されている。各リードパターン７ａ〜７ｄの端部上の保護膜３が除去され、リードパターンを露出させることにより電極８ａ〜８ｄが形成されている。そして、電極８ａ〜８ｄはワイヤボンド等の方法で外部と電気的に接続されて、発熱体４および測温体５がリードパターン７ａ〜７ｄおよび電極８ａ〜８ｄを介して外部と電気的に接続される。なお、符号６は計測流体の流れ方向を示している。また、感熱抵抗膜とは、抵抗値が温度依存性を有する材料からなる抵抗膜である。」（段落【００１６】）
（Ｄ）「また、平板状基材１の一部が裏面側から支持膜２に至るように台形状に除去され、空間としてのキャビティ３３が形成されている。そこで、発熱体４が支持膜２および保護膜３により挟み込まれた部位の全周が平板状基材１に保持されてなる薄肉のダイアフラム部１３が平板状基材１と一体に形成されている。そして、測温体５はダイアフラム部１３から離間して平板状基材１上に位置している。また、円形の穴９ａ〜９ｅ、１０ａ〜１０ｅが発熱体４の上流側および下流側にダイアフラム部１３を構成する支持膜２および保護膜３を貫通して発熱体４に沿って１列に設けられている。」（段落【００１７】）
（Ｅ）「なお、ダイアフラム部１３の大きさは、０．９ｍｍ×１．５ｍｍであり、また、発熱体４の発熱部は、ダイアフラム部１３の中央部に０．３ｍｍ×１ｍｍの大きさに形成されている。」（段落【００１９】）
（Ｆ）「ここで、この流量センサ１００による計測流体の流量の検出方法について説明する。測温体５はダイアフラム部１３から離間して平板状基材１上に設けられているので、発熱体４で発生した熱は測温体５まで伝導しない。また、測温体５は発熱体４の下流側に位置していないので、発熱体４からの伝熱により暖められた計測流体にさらされない。そこで、測温体５で検出される温度は、検出管路１５内に流入する計測流体の温度とほぼ等しくなっている。そして、発熱体４は図５に示される制御回路５０により測温体５の温度より一定温度だけ高い平均温度となるような抵抗値に制御されている。つまり、制御回路５０は、図５中の点Ａと点Ｂとの電位を略等しくするように働き、発熱体４の加熱電流ＩＨを制御する。そして、計測流体の流速が速くなると、発熱体４から計測流体への熱伝達が多くなり、発熱体４の温度が低下することになる。そこで、加熱電流ＩＨが増加され、発熱体４の平均温度が所定の値に保たれる。これにより、発熱体４は、測温体５の温度（計測流体の温度）に対して一定温度高い温度に維持される。この加熱電流ＩＨを抵抗Ｒ３の両端で電圧Ｖｏｕｔとして検出し、この検出信号に基いて計測流体の流速あるいは所定の通路断面積を有する通路内を流れる流量が計測できる。」（段落【００２３】）
（Ｇ）「尚、上記実施の形態１では、支持膜２、白金膜および保護膜３の厚み、発熱体４、穴９ａ〜９ｅ、１０ａ〜１０ｅおよびダイアフラム部１３の大きさ等を具体的に示しているが、これらの値は１例として示しているに過ぎず、この発明はこれらの値に限定されるものではない。このことは、他の実施の形態においても同様である。また、支持膜２および保護膜３として窒化シリコンを用いるものとしているが、支持膜２および保護膜３は、窒化シリコンに限定されるものではなく、絶縁性を有する材料であればよく、例えば５酸化タンタル、二酸化珪素を用いることができる。また、発熱体４および測温体５として白金を用いるものとしているが、発熱体４および測温体５は白金に限定されるものではなく、感熱抵抗膜であればよく、例えば鉄とニッケルとの合金であるパーマロイを用いることができる。」（段落【００２７】）
　
　引用例１の上記記載から、以下の事項が認められる。
　
　上記（Ｅ）の発熱体とダイアフラム部との寸法に関する記載からみて、引用例１に記載の流量検出素子においては、発熱体の幅をダイアフラム部の幅に対して０．３３（１／３）、発熱体の長手方向長さをダイアフラム部の長手方向長さに対して０．６７（２／３）、およびダイアフラム部の長手方向長さはダイアフラム部の幅の１．６７（５／３）倍とされている。
　
　してみると、これらの記載から引用例１には、
「平板状基材と、前記平板状基材に設けられ、前記平板状基材に包囲されると共に、裏面側にキャビティが形成されたダイアフラム部と、前記ダイアフラム部上に設けられ、発熱体を有する流量検出素子であって、前記発熱体の加熱電流に相当する電気信号を出力する流量検出素子と、前記発熱体の温度を計測流体の温度より一定温度高くなるように制御する制御回路と、を備え、前記発熱体の幅を前記ダイアフラム部の幅に対して０．３３（１／３）とし、且つ、前記発熱体の長手方向長さを前記ダイアフラム部の長手方向長さに対して０．６７（２／３）とし、且つ、前記ダイアフラム部の長手方向長さは前記ダイアフラム部幅の１．６７（５／３）倍であるることを特徴とする感熱式流量センサ。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　
２−３−２．引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−３２９４８０号公報（以下，「引用例２」という。）には図面と共に，以下の事項が記載されている。
　
「実施の形態１３．図２４は、上記実施の形態において、発熱素子２が形成される薄膜１０の形状を説明する説明図である。正方形薄膜の支持部にかかる最大応力σmaxは、一辺を２ａとすると、下式
σmax＝０．３９６（Ｅ・Ｐ2・ａ2／ｈ2）1/3
Ｅ：ヤング率
Ｐ：圧力
ｈ：膜厚
で表される。薄膜の形状が長方形の場合でも同様の評価が適用でき、この場合最大応力が加わるのは短辺側の支持部のおいてであって、その大きさは上式において短辺の長さを２ａとした場合に等しい。即ち、辺の長さが２ａ，２ｂ（ａ＜ｂ）である長方形薄膜において、薄膜支持部にかかる最大応力は短辺側の長さ２ａに依存する。従って、薄膜の長辺の長さが短辺の長さの２倍以上となると、支持部に加わる最大応力は短辺の長さのみに依存するようになり、長辺の長さには関係しなくなる。図２４に示すように、長辺が短辺長さの２倍以上の長さを有する薄膜の長辺を、流体の流れに垂直な方向にとることにより、薄膜支持部に加わる最大許容応力を一定にしたまま、薄膜部面積を大きくとれるようになるので、発熱素子面積も大きくとれ、流れの微小な乱れを平均化する効果が得られるようになる。」（段落【００３９】）
　
２−３−３．対比・判断
　そこで，本願補正発明と引用発明とを対比すると，引用発明の「平板状基材」、「キャビティ」、「ダイアフラム部」、「発熱体」、「計測流体」、「制御回路」および「感熱式流量センサ」は，それぞれ本願補正発明の「シリコン基板」、「空洞部」、「ダイヤフラム」、「発熱抵抗体」、「被測定流体」、「制御部」および「熱式流量センサ」に相当する。
　
　してみると、両者は
「シリコン基板と、前記シリコン基板に設けられ、前記シリコン基板に包囲されると共に、裏面側に空洞部が形成されたダイヤフラムと、前記ダイヤフラム上に設けられ、発熱抵抗体を有する流量検出素子であって、前記発熱抵抗体の加熱電流に相当する電気信号を出力する流量検出素子と、前記発熱抵抗体の温度を被測定流体の温度より一定温度高くなるように制御する制御部と、を備えることを特徴とする熱式流量センサ。」
の点で一致し，以下の点で相違している。
　
［相違点１］　本願補正発明の熱式流量センサは、流量検出素子を、ダイヤフラムの表面側を被測定流体に晒すとともに、ダイヤフラムの裏面側の空洞部に被測定流体が流れにくくなるように、ダイヤフラム上を支持する「支持部材」を有するのに対して、引用発明においては支持部材については明示されていない点。
［相違点２］　本願補正発明においては、発熱抵抗体の幅をダイヤフラムの幅に対して０．４から０．６とし、且つ、発熱抵抗体の長手方向長さをダイヤフラムの長手方向長さに対して０．４から０．６とし、且つ、ダイヤフラムの長手方向長さはダイヤフラム幅の２倍以上とされているのに対して、引用発明においてはそれぞれ０．３３（１／３）、０．６７（２／３）、および１．６７（５／３）倍とされている点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
［相違点１について］
　シリコン基板から形成された流量検出素子は、その材質の有する強度からみて、何らかの支持部材を必要とすることは当業者にとって明らかなことであるし、流量検出素子を、ダイヤフラムの表面側を被測定流体に晒すとともに、ダイヤフラムの裏面側の空洞部に被測定流体が流れにくくなるように、ダイヤフラム上を支持する「支持部材」は、たとえば本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−６２２２０号公報（特に段落【００２２】〜【００２４】および図７について参照）に示されているとおり周知のものであるから、引用発明にこのような従来周知の「支持部材」を適用して、相違点１に係る構成とすることは当業者が容易に想到し得たものといえる。
［相違点２について］
　感度向上と機械的強度の要求を満たすこととを両立させることは計測機器に共通の技術的課題であり、計測機器のセンサの形状は当該技術的課題を考慮して決定されるものであることは、当業者にとってきわめて一般的な技術的事項である。熱式流量センサにおける発熱抵抗体およびダイヤフラムの形状についても、当該技術的課題を考慮して決定されるべきものである。
　そして、本願補正発明における発熱抵抗体とダイヤフラムとの幅および長さの比をそれぞれ０．４から０．６とすること、およびダイアフラムの幅と長さとの比を２倍以上とすることに関する当該数値の臨界的な意義について、本願の明細書に記載されていないことも併せて考慮すると、これらの数値の設定については当業者が材質や使用環境等に応じて適宜設定しうる単なる設計的事項に過ぎず、相違点２に係る構成が格別のものであるとはいえない。
　なお、熱式流量センサの流量検出素子においてダイヤフラムの長手方向長さをダイヤフラム幅の２倍以上とすることについては、引用例２（特に段落【００３９】および図２４について参照）に記載されている。
　
　そして、本願補正発明の効果も引用例１、２の記載および上記周知事項から当業者が予測しうる範囲内のものである。
　したがって、本願補正発明は引用発明、引用例２に記載された発明および上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２−４．むすび
　以上のとおり，本件補正は特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
３−１．本願発明
　平成１６年９月３０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は平成１６年７月１３日付の手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲における請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
「シリコン基板と、前記シリコン基板に設けられ、裏面側に空洞部を形成されたダイヤフラムと、前記ダイヤフラム上に設けられ、発熱抵抗体を有する流量検出素子であって、前記発熱抵抗体の加熱電流に相当する電気信号を出力する流量検出素子と、前記流量検出素子を、前記ダイヤフラムの表面側を被測定流体に晒すとともに、該ダイヤフラムの裏面側の前記空洞部には被測定流体が流れにくくなるように、前記ダイヤフラム上に支持する支持部材と、前記発熱抵抗体の温度を被測定流体の温度より一定温度高くなるように制御する制御部と、を備え、前記発熱抵抗体の幅を前記ダイヤフラムの幅に対して０．４から０．６とし、且つ、前記発熱抵抗体の長手方向長さを前記ダイヤフラムの長手方向長さに対して０．４から０．６とし、且つ、前記ダイヤフラムの長手方向長さは前記ダイヤフラム幅の２倍以上であることを特徴とする熱式流量センサ。」
　
３−２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物およびその記載事項は、前記「２−２−１」および「２−２−２」に記載したとおりのものである。
　
３−３．対比・判断
　本願発明は、前記「２−２」で検討した本願補正発明から〈１〉の限定事項を省いたものである。
　してみると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２−２−３」に記載したとおり、引用発明、引用例２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明、引用例２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そして、本願発明が特許を受けることのできないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。