【事件の表示】
　特願２００１−３５８６４３「磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月３０日出願公開、特開２００３−１５８３１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　
　本願は、平成１３年１１月２６日の出願であって、平成１９年２月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２６日付けで手続補正がなされ、同年７月２７日付けで拒絶査定がなされ、それに対して同年９月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月２７日付けで手続補正がなされ、その後、平成２２年３月１０日付けで審尋がなされ、それに対して、同年５月１４日に回答書が提出されたものである。　
　
第２．補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　
　平成１９年９月２７日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１．本件補正の内容
　
　平成１９年９月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜８と補正するとともに、補正前の明細書の００１０段落、００１２段落、００１４段落、を補正後の明細書の００１０段落、００１２段落、００１４段落と補正するものであって、補正前後の請求項１は、以下のとおりである。
　
　（補正前）
　「【請求項１】　二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」　　
　
　（補正後）
　「【請求項１】　反強磁性層上にて二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであり、前記二つの強磁性体層のうち一方は、Ｒｕを介在していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
２．補正事項の整理
　
　本件補正のうち、補正後の請求項１に対する補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　（補正事項１）
　補正前の請求項１の「二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子」を、補正後の請求項１の「反強磁性層上にて二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子」と補正すること。
　
　（補正事項２）
　補正前の請求項１の「前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものである」を、補正後の請求項１の「前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであり、前記二つの強磁性体層のうち一方は、Ｒｕを介在している」と補正すること。
　
３．補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無について
　
（１）補正の目的の適否について
　
（１−１）補正事項１について
　この補正は、補正前の請求項１の「二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子」を「反強磁性層上にて二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子」とするものであり、補正前の請求項１の「多層膜構造」を「反強磁性層上に」設けるという技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（１−２）補正事項２について　
　この補正は、補正前の請求項１の「前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものである」を、補正後の請求項１の「前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであり、前記二つの強磁性体層のうち一方は、Ｒｕを介在している」と補正するものであり、補正前の請求項１の「強磁性体層のうち一方」を「Ｒｕを介在している」ものと技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）新規事項の追加の有無について　
　また、補正後の請求項１の「多層膜構造」を「反強磁性体層上」に形成すること、及び「強磁性体層の一方」が「Ｒｕを介在している」ことは、本願の願書に最初に添付した明細書の００２１〜００２９段落に記載されているものと認められるから、補正事項１，２は、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
　したがって、補正事項１，２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。　
　
（３）以上検討したとおりであるから、本件補正のうち、請求項１についての補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正のうち、請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当するから、本件補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、請求項１についての補正を含む本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
　
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜８に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　反強磁性層上にて二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであり、前記二つの強磁性体層のうち一方は、Ｒｕを介在していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」　
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平１１−３５３８６８号公報（以下「引用例」という。）には、磁性薄膜メモリ素子に関して、図２とともに以下の記載がある（なお、下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
（ａ）
「【００２０】
　
第１磁性層、
ＣｏＦｅを主成分とするアモルファス合金
ＣｏＦｅＢなどの磁性膜
　【００２１】
　（第１磁性層の材料）
　第１磁性層は、第２磁性膜よりも低い保持力を有する。このため、第１磁性層には、Ｎｉを含む軟磁性膜が好ましく、具体的には、特にＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏを主成分として用いられてなることが望ましい。またＦｅＣｏでＦｅ組成の多い磁性膜、
ＣｏＦｅＢなどの保磁力の低いアモルファス磁性膜でも良い。
　【００２２】
　ＮｉＦｅＣｏの原子組成比は、ＮｉｘＦｅｙＣｏｚとした場合、ｘは４０以上９５以下、ｙは０以上４０以下、ｚは０以上５０以下、好ましくはｘは５０以上９０以下、ｙは０以上３０以下、ｚは０以上４０以下、更に好ましくはｘは６０以上８５以下、ｙは１０以上２５以下、ｚは０以上３０以下が良い。
　【００２３】
  また、ＦｅＣｏの原子組成は、ＦｅｘＣｏ100−ｘとした場合、ｘは５０以上１００以下、好ましくは、ｘは６０以上９０以下が良い。
　【００２４】
　また、
ＣｏＦｅＢの原子組成は、（ＣｏｘＦｅ
100-
ｘ）
100-
ｙＢｙとした場合、ｘは８０以上９６以下、ｙは５以上３０以下が良い。好ましくはｘは８６以上９３以下、ｙは１０以上２５以下が良い。例えば、Ｃｏ８４Ｆｅ９Ｂ７、Ｃｏ７２Ｆｅ８Ｂ２０等のアモルファス磁性膜が挙げられる。
　
（ｂ）　
「【００３１】
　（層構成のタイプ）
　前述の通り、第１磁性層は、第２磁性層よりも低い保磁力を有しているが、層構成のタイプとして、以下の２種類のタイプがある。
 【００３２】
　
第１のタイプは「メモリ層（第１磁性層）／非磁性層／ピン層（第２磁性層）」とする構成である。これは、第１磁性層を磁化情報が保持されるメモリ層、第２磁性層をその磁化方向を磁化情報に依存せず保存時、記録時、再生時、のいずれの状態でも常に一定に保たれているピン層とする場合で、記録電流によって第１磁性層を反転させる。後述するように、再生は、磁性層の磁化反転を行わずに絶対値検出を行う。
　【００３３】
　第２のタイプは、「検出層（第１磁性層）／非磁性層／メモリ層（第２磁性層）」とする構成である。これは第１磁性層を読みだした時に相対検出させるために反転させる検出層、第２磁性層を磁化情報が保持されるメモリ層とする場合で、記録電流によって第２磁性層を反転させる。」
　
（ｃ）　
「【００６２】
　実施例４
　次に上記の磁気抵抗膜のメモリ素子の録再性能が成膜磁界にどのように影響するかを調べた。まず、実施例１及び比較例１に示された磁気抵抗膜を５×５μｍに加工して両側に磁気抵抗測定用のＣｕからなる電極版（パッド）を作成した後、磁気抵抗膜上に０．１μｍの厚みの絶縁膜を介して０．５μｍの厚みのＡｌからなる書込み線を設けて図２に示した磁性薄膜メモリ素子を作成した。図で、記号２は書込み線、記号１１はＮｉＦｅ検出層、記号１２はＣｏメモリ層、記号１３はＣｕ非磁性層を示す。（ａ），（ｂ）はそれぞれ平行、反平行の磁化状態を示したものである。　次にその書込み線に電流パルスを印加して磁界を発生させ、その際に現れた磁気抵抗値を微分検出して、メモリ層に保持された磁化記録情報を読みだした。その際に、記録された情報が正しく再生されるかどうか調べたところ、成膜磁界が３３（Ｏｅ）、８６（Ｏｅ）、１５０（Ｏｅ）、１８５（Ｏｅ）、２９６（Ｏｅ）の各１００個中の磁気抵抗膜で、正しく再生されなかった膜は、それぞれ２０個、１５個、１２個、０個、０個であった。成膜磁界が０の場合は再生信号は小さすぎて測定不可能であった。
 【００６３】
　再生時の誤り率は、メモリ素子として信頼性を得るためには、少なくとも１０％未満が必要であり、本発明の成膜方法で作成された磁性薄膜メモリにおいては、十分な信頼性が得られることがわかる。また誤り率が低ければ、より微細化して高集積化することが可能で、例えば、図３に示したように磁気抵抗膜上に複数の書込み線２を設けて、より高い集積度の磁性薄膜メモリを実現することも可能である。
 【００６４】
　なお、上述の実施例においては、ＮｉＦｅ，Ｃｏからなる磁性膜の例を示したが、
他にもＦｅＣｏ，ＣｏＦｅＢ等の磁性膜を用いた場合でも本発明の効果が得られる。また、上述の実施例では、磁性膜間の非磁性膜はＣｕからなる良導体を用いたが、他の良導体、もしくは酸化アルミニウムなどの絶縁膜として、スピントンネル型の磁気抵抗膜を用いたメモリ素子としてもよい。
【００６５】
　実施例５
　次に、実施例１記載のスピン散乱型の磁気抵抗膜のＮｉＦｅ層を膜厚１５ｎｍのＦｅＣｏ層に、
非磁性層Ｃｕを膜厚２ｎｍのＡｌ
2
Ｏ
3
に変え、さらに磁気抵抗膜の膜厚方向の上下にＣｕからなる電極線を取り付けて、スピントンネル型の磁気抵抗膜を作成した。
本発明の磁性薄膜の作成方法は、スピントンネル型のメモリ素子にも適用できる
　
（ｄ）　
「【００６９】
　実施例９
　本発明の磁性薄膜メモリ素子の一例は、
スピントンネル型により磁気抵抗効果が生じることを特徴とする。このスピントンネリングによる磁気抵抗効果は、第１磁性層／非磁性層／第２磁性層の構造をなすが、非磁性層には薄い絶縁層を用いる。
 【００７０】
　本発明の
スピントンネル型の磁性薄膜メモリ素子
強磁性体と絶縁体と強磁性体からなる強磁性トンネル接合を作る
 【００７１】
　さらに、第１磁性層は保持力を小さくするために、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、Ｆｅ等がより望ましいまた、第２磁性層は、保持カを大きくするために、Ｃｏを主成分とする材料が望ましい。」
　
（２−２）引用例には、（ｃ）（ｄ）の記載より、非磁性層に薄い絶縁層を用いて、第１磁性層／絶縁層／第２磁性層の構造としたスピントンネル型の磁気薄膜メモリ素子とすること、（ｂ）の記載より、第１磁性層はメモリ層で、第２磁性層はピン層であること、（ａ）の記載より、第１磁性層は、ＣｏＦｅＢなどの保磁力の低いアモルファス磁性膜であることが記載されていると認められる。
　
（２−３）よって、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　
　「ＣｏＦｅＢなどの保磁力の低いアモルファス磁性膜によるメモリ層（第１磁性層）／絶縁層／ピン層（第２磁性層）の構造としたスピントンネル型の磁気薄膜メモリ素子。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
　
（３−１）引用発明の「スピントンネル型の磁気薄膜メモリ素子」は、「磁気抵抗効果」を利用しており、補正発明の「磁気抵抗効果素子」に相当する。
　
（３−２） 引用発明の「メモリ層（第１磁性層）／絶縁層／ピン層（第２磁性層）の構造」において、上記（２−１）（ｄ）によれば、「
本発明のスピントンネル型の磁性薄膜メモリ素子
強磁性体と絶縁体と強磁性体からなる強磁性トンネル接合
　
（３−３）補正発明の「明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有した」「強磁性体層」に関連すると認められる、本願明細書の００１１段落の「【００１１】上記構成の磁気抵抗効果素子によれば、強磁性体層がシングルグレイン（single grain）構造を有している。ここで、
シングルグレイン構造としては、
非晶質（non-crystalline）であるがゆえに明瞭な結晶粒界のないアモルファス（amorphous）構造
記憶層１２であるＣｏＦｅＢ膜２６の構造
一般的な強磁性体であるＣｏおよびＦｅといった磁性材料に、これらの磁性材料とは異なる種類の元素であるＢ（ホウ素）を添加したものからなり、これにより明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものとなっている。
シングルグレイン構造には
非晶質であるがゆえに明瞭な結晶粒界のないアモルファス構造等も含まれる。
　
（３−４）以上のことを踏まえると、補正発明と引用発明とは、
　「二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　（相違点１）
　補正発明は、「二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造」が「反強磁性層上に」形成されているのに対して、引用発明は、そのように構成されていない点。
　
　（相違点２）　
　補正発明は、「前記二つの強磁性体層のうち一方は、Ｒｕを介在している」のに対して、引用発明は、そうでない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
　（相違点１について）
　まず、相違点１について検討する。トンネル型の磁気メモリ素子用の磁気抵抗素子において、ピン層の磁化方向が変化すると、記憶情報を正しく読み出すことに支障をきたす。よってその磁化方向の安定化のためにピン層である強磁性体層と反強磁性体層とを積層することがよく行われており、例えば、下記周知例１及び下記周知例２に記載されているように、当業者において周知の技術事項である。
　
（ア）周知例１：特開２００１−２２２８０３号公報
　周知例１には、図１６とともに以下の記載がある。
　
（ａ）
「【００９２】
［実施例２−１〜２−７］
　実施例２−１〜２−７として、図１６に示した積層体６０を、表２に示したように強磁性外側層６３１，強磁性内側層６３３および第２非磁性層２７の厚さならびに高抵抗層２８の含有金属および厚さを変えて作製した。まず、実施例１−１〜１−１２と同様にして、
下地層２１および反強磁性膜２２を順次成膜した。次いで、反強磁性層２２の上に、スパッタリング法により、ＣｏＦｅを用いて表２に示した厚さの強磁性外側層６３１を形成し、その上に、Ｒｕを用いて厚さ０．８ｎｍの結合層６３２を形成し、その上に、ＣｏＦｅを用いて表２に示した厚さの強磁性内側層６３３を成膜した。
【００９３】
【表２】 （略） 　
【００９４】
　このようにして作製した実施例２−１〜２−７の積層体６０について、実施例１−１〜１−１２と同様にして抵抗変化率、抵抗値および抵抗変化量を調べた。それらの結果を表２にそれぞれ示す。なお、本実施例に対する比較例２−１として、高抵抗層２８を設けないことを除き、実施例２−１と同一の条件で積層体を作製した。また、比較例２−２として、比較例２−１と強磁性外側層および強磁性内側層の厚さだけが異なる積層体を作製した。これらの比較例についても、本実施例と同様にしてその抵抗変化率、抵抗値および抵抗変化量を調べた。それらの結果も、表２に合わせてそれぞれ示す。
【００９５】
　表２から分かるように、本実施例によれば、抵抗変化率は１２．４％以上および抵抗変化量は２．２Ω以上であり、比較例２−１〜２−２よりも大きな値を得ることができた。すなわち、
強磁性層６３をシンセティックピン構造とした積層体６０
　
（ｂ）
「【０１１９】
　加えて、
本発明の磁気変換素子の構成は、トンネル接合型磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ膜）に適用しても良い。
薄膜磁気ヘッドのほかに、例えば、磁気信号を検知するセンサ（加速度センサなど）や、磁気信号を記憶するメモリ等に適用することも可能である。
　
（イ）周知例２：特開２００１−１７７１６３号公報
　　周知例２には、図１４とともに以下の記載がある。
　
（ａ）
「【００７２】
　実施例８では、ニッケル含有強磁性層２２をＦｅに対するＮｉの重量比が４．００のＮｉＦｅＣｒにより形成し、コバルト含有強磁性層２３を厚さ２．０ｎｍのＣｏにより形成し、非磁性層２４を厚さ２．７ｎｍのＣｕにより形成し、
第２強磁性層２５を（非磁性層２４の側から積層した）厚さ２．５ｎｍのＣｏ、厚さ０．８ｎｍのＲｕおよび厚さ１．８ｎｍのＣｏＦｅにより形成し、反強磁性層２６を厚さ３０ｎｍのＰｔＭｎにより形成した。
　
（ｂ）
「【００８０】
　また、上記実施の形態では、本発明の磁気変換素子を複合型薄膜磁気ヘッドに用いる場合について説明したが、再生専用の薄膜磁気ヘッドに用いることも可能である。また、記録ヘッド部と再生ヘッド部の積層　順序を逆にしても良い。加えて、
本発明の磁気変換素子の構成は、トンネル接合型磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ膜）に適用しても良い。更にまた、本発明の磁気変換素子は、上記実施の形態で説明した薄膜磁気ヘッドのほかに、例えば、磁気信号を検知するセンサ（加速度センサなど）や、磁気信号を記憶するメモリ等に適用することも可能である。
　
　したがって、引用発明の「磁気抵抗効果素子」において、「ピン層（第２磁性層）」を反強磁性層上に形成すること、すなわち、補正発明のように「反強磁性体層上にて二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　（相違点２について）
　相違点２について検討する。ピン層である強磁性層として、Ｒｕを介在させること、すなわち二つの強磁性層の間にＲｕを挟んだ積層構造とすることは、例えば上記の周知例１〜２に記載されているように、当業者において従来周知の技術事項である。
　
　したがって、引用発明の「ピン層（第２磁性層）」を、「Ｒｕを介在させ」たものとして、補正発明のように「前記二つの磁性体層のうち一方は、Ｒｕを介在している」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　したがって、補正発明は、当業者における周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ 
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。 
　
５．補正の却下の決定についてのむすび 
　
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３．本願発明について
　
　平成１９年９月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成１９年４月２６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
第４．引用例に記載された発明
　
　引用例．特開平１１−３５３８６８号公報
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平１１−３５３８６８号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載した事項及び以下の発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　
　「ＣｏＦｅＢなどの保磁力の低いアモルファス磁性膜によるメモリ層（第１磁性層）／絶縁層／ピン層（第２磁性層）の構造としたスピントンネル型の磁気薄膜メモリ素子。」
　　
第５．本願発明と引用発明との対比
　
引用発明と本願発明とを比較すると、
　
（１）引用発明の「スピントンネル型の磁気薄膜メモリ素子」は、「磁気抵抗効果」を利用しており、本願発明の「磁気抵抗効果素子」に相当する。
　
（２） 引用発明の「メモリ層（第１磁性層）／絶縁層／ピン層（第２磁性層）の構造」において、上記（２−１）（ｄ）によれば、「
本発明のスピントンネル型の磁性薄膜メモリ素子
強磁性体と絶縁体と強磁性体からなる強磁性トンネル接合
　
（３）本願発明の「明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有した」「強磁性体層」に関連すると認められる、本願明細書の００１１段落の「【００１１】上記構成の磁気抵抗効果素子によれば、強磁性体層がシングルグレイン（single grain）構造を有している。ここで、
シングルグレイン構造としては、
非晶質（non-crystalline）であるがゆえに明瞭な結晶粒界のないアモルファス（amorphous）構造
記憶層１２であるＣｏＦｅＢ膜２６の構造
一般的な強磁性体であるＣｏおよびＦｅといった磁性材料に、これらの磁性材料とは異なる種類の元素であるＢ（ホウ素）を添加したものからなり、これにより明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものとなっている。
シングルグレイン構造には
非晶質であるがゆえに明瞭な結晶粒界のないアモルファス構造等も含まれる。
　
　以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　
　「二つの強磁性体層の間に絶縁体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
　である点で一致し、両者に相違はない。
　
第６．当審の判断
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明であると認めるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
第７．むすび
　
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。