【事件の表示】
　特願２００１−１９３０９４号「スパークプラグの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１月１０日出願公開、特開２００３−７４２５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年６月２６日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１５年１１月４日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「中心電極と主体金具との間にアルミナ系セラミックからなる絶縁体が配置され、該絶縁体の表面の少なくとも一部を覆う形態で、Ｐｂの含有率がＰｂＯ換算にて１ｍｏｌ％以下の釉薬層が形成されたスパークプラグの製造方法であって、
　屈伏点と線膨張係数とが互いに相違する複数種類の要素釉薬粉末を製造する釉薬粉末製造工程と、
　前記各釉薬組成物の線膨張係数のうち、最大のものをαmax、最小のものをαminとして、最終的な釉薬層の線膨張係数がαmaxとαminとの中間の値として得られるように前記要素釉薬粉末を混合し、前記釉薬層の線膨張係数が５０×１０−７／℃〜８５×１０−７／℃となるようにした、調整釉薬粉末を製造する調整釉薬粉末製造工程と、
　前記調整釉薬粉末を絶縁体の表面に塗布して釉薬粉末堆積層を形成する釉薬粉末堆積工程と、
　その絶縁体を加熱することにより前記釉薬粉末堆積層を絶縁体表面に焼き付けて釉薬層となす釉焼工程と、
　を含むことを特徴とするスパークプラグの製造方法。」
　
２．引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開２００１−３９７３３号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図１とともに以下のような事項が記載されている。
（ア）「セラミック材料をコーティングするための無鉛釉薬であって，　該無鉛釉薬は，１６〜４９％（重量％を意味する。以下，同様。）のＳｉＯ２と，１５〜３５％のＢ２Ｏ３と，０〜１０％のＡｌ２Ｏ３と，０〜１０％のＺｎＯとを含有していることを特徴とする無鉛釉薬。」（【請求項１】）
（イ）「請求項１〜８のいずれか１項の無鉛釉薬を絶縁碍子の表面に塗布し，９００℃以下の温度で焼付けすることを特徴とするスパークプラグの製造方法。」（【請求項１０】）
（ウ）「【解決しようとする課題】本発明はかかる従来の問題点に鑑み，低温での焼付けが可能な無鉛釉薬並びにこれを用いたスパークプラグ及びその製造方法を提供しようとするものである。」（段落【０００４】）
（エ）「次に本発明の無鉛釉薬の組成について説明する。ＳｉＯ２及びＢ２Ｏ３は，主としてホウケイ酸ガラスの成分である。ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とでは，ＳｉＯ２が多い程，釉薬の融点が上がる傾向にあり，ＳｉＯ２／（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）は５０〜７０％であることが好ましい。５０％未満の場合には，釉薬の耐水性が低下しガラス成分が水に溶出し変質するおそれがあり，７０％を超える場合には融点が高くなり釉面の平滑性が低下するおそれがある。
ＳｉＯ２の含有量は，１６〜４９％である。１６％未満の場合には，釉薬の耐水性が低下するおそれがある。４９％を超える場合には，釉薬の融点が上昇し，釉面の平滑性が低下するおそれがある。」（段落【０００７】及び【０００８】）
（オ）「Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏは，アルカリ金属酸化物であり，釉薬の融点を下げる成分である。これらを成分とすることにより，釉面の平滑性が向上する。」（段落【００１６】）
（カ）「請求項９の発明のように，上記無鉛釉薬を絶縁碍子表面に塗布し焼付けてなることを特徴とするスパークプラグがある。このスパークプラグは，絶縁碍子表面に本発明による無鉛釉薬を焼付けたものであるため，低温焼付けが可能で，安全に製造できる。また，焼付け後の釉面が平滑である。そのため，プラグキャップの装着性がよい。また，汚れの付着も少なく，常温から５００℃での絶縁抵抗性も確保できる。・・・
また，絶縁碍子がアルミナからなる場合には，その線膨張係数に近い線膨張係数５０〜８０×１０−７／℃を持つ釉薬層であれば，ヒビ割れなどの問題がなく焼付けできるが，ガラスは転移点で線膨張係数が急激に大きくなる。したがって，釉薬の１００〜３００℃の線膨張係数は，５０〜７５×１０−７／℃の範囲であることが好ましい。この範囲を逸脱する場合には，焼付けによって釉薬にヒビ割れが生じるおそれがある。
また，請求項１０の発明のように，上記無鉛釉薬を絶縁碍子の表面に塗布し，９００℃以下の温度で焼付けすることを特徴とするスパークプラグの製造方法がある。この製造方法では，上記の低温焼付が可能な無鉛釉薬を用いて絶縁碍子をコーティングしている。そのため，９００℃以下の低温で無鉛釉薬を焼付けることができ，低コストで焼付けを行うことができる。」（段落【００２４】〜【００２７】）
（キ）「【発明の実施の形態】実施形態例１
本発明の実施形態に係る無鉛釉薬及びこれを用いたスパークプラグについて，図１を用いて説明する。表１に示すごとく，無鉛釉薬の原料を所定の割合で配合し，１４００℃で溶解させ，冷却し，フレーク状ガラス片を得た。ガラス片をボールミルで平均粒径５〜１５μｍまで湿式粉砕し，粉砕ガラス１００重量部に対して，カオリン，ベントナイトなどの粘土分１１重量部及び有機バインダー０．４重量部を添加し，釉薬スラリーとした。なお，有機バインダーとしては，例えば，カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）を用いた。この釉薬スラリーを，成形焼成後のアルミナ製絶縁碍子表面にスプレーまたはローラーにて塗布した。
次いで，図１に示すごとく，絶縁碍子１の穴部１０に中心電極２を挿入し，封着ガラス３及びレジスタ４を充填し，最後に，端子５１を有するステム５を挿入した。次いで，これを８５０℃に設定した電気炉に入れ，釉薬の焼付け及び中心電極，ステム及びレジスタの封着を同時に行った。その後，焼付後の絶縁碍子１を，接地電極６１を取付けたハウジング６の中に挿着し，かしめ固定した。以上により，スパークプラグ７を得た。」（段落【００３１】及び【００３２】）
（ク）「試料４〜１０（本発明品）の原料からなる釉薬は，線膨張係数が６３．８〜７４．７×１０−７／℃であり，絶縁抵抗は１００〜１２００ＭΩ（５００℃）であり，ステム５とハウジング６との絶縁性を確保できた。また，釉面は平滑であり，焼付けが完了していた。また，釉薬を施すことにより碍子単体より強度が向上していた。さらに，点火コイルから高電圧を導くプラグキャップ（図示略）の装着性も良好であった。一方，試料Ｃ１〜Ｃ３，Ｃ１１，Ｃ１２（比較品）は釉面が粗面であり，試料Ｃ１，Ｃ２は絶縁抵抗値が小さかった。Ｃ１，Ｃ２，Ｃ１２は，碍子曲げ強度が低かった。」（段落【００３４】）
　上記（ア）〜（ク）の記載事項及び図面の図示内容を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「セラミック材であるアルミナ製絶縁碍子１の穴部１０に中心電極２を挿入し、絶縁碍子１をハウジング６の中に挿着してかしめ固定し、アルミナ製絶縁碍子表面に無鉛釉薬の釉薬スラリーを塗布し釉薬の焼付けを行うスパークプラグ７の製造方法であって、
　無鉛釉薬の原料を、線膨張係数５０〜８０×１０−７／℃を持つ釉薬層となるように、所定の割合で配合し、溶解させ、冷却し、フレーク状ガラス片を得、これを湿式粉砕して、釉薬スラリー得、この釉薬スラリーをアルミナ製絶縁碍子表面に塗布し、釉薬の焼付けを行うスパークプラグ７の製造方法。」
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、後者の「ハウジング６」は、その構造からみて、前者の「主体金具」に相当し、後者の「セラミック材であるアルミナ製絶縁碍子１」はその機能・構造からみて、前者の「アルミナ系セラミックからなる絶縁体」に相当し、後者の「セラミック材であるアルミナ製絶縁碍子１の穴部１０に中心電極２を挿入し、絶縁碍子１をハウジング６の中に挿着してかしめ固定した」構造は、前者の「中心電極と主体金具との間にアルミナ系セラミックからなる絶縁体を配した」構造に相当する。
　また、後者は、「アルミナ製絶縁碍子表面に無鉛釉薬の釉薬スラリーを塗布し釉薬の焼付けを行う」からアルミナ製絶縁碍子表面には無鉛釉薬の釉薬層が形成されるものであり、後者の「無鉛釉薬」は鉛の成分を含まないものであるから、後者の上記釉薬層は、前者の「Ｐｂの含有量がＰｂＯ換算にて１ｍｏｌ％以下の釉薬層が形成とされ」ることと共通している。そうすると、後者は、前者の「絶縁体の表面の少なくとも一部を覆う形態で、Ｐｂの含有率がＰｂＯ換算にて１ｍｏｌ％以下の釉薬層が形成され」に相当する構成を有しているといえる。
　さらに、後者は「無鉛釉薬の原料を、線膨張係数５０〜８０×１０−７／℃を持つ釉薬層となるように、所定の割合で配合し、溶解させ、冷却し、フレーク状ガラス片を得、これを湿式粉砕して、釉薬スラリー得」ることから「釉薬層の線膨張係数が５０×１０−７／℃〜８５×１０−７／℃となるようにした、釉薬粉末を製造する」「釉薬粉末製造工程」を有しているといえ、後者は「この釉薬スラリーをアルミナ製絶縁碍子表面に塗布し、釉薬の焼付けを行う」のであるから、前者の「釉薬粉末を絶縁体の表面に塗布して釉薬粉末堆積層を形成する釉薬粉末堆積工程と、その絶縁体を加熱することにより前記釉薬粉末堆積層を絶縁体表面に焼き付けて釉薬層となす釉焼工程と」を有しているといえる。
　そうすると、両者は、
「中心電極と主体金具との間にアルミナ系セラミックからなる絶縁体が配置され、該絶縁体の表面の少なくとも一部を覆う形態で、Ｐｂの含有率がＰｂＯ換算にて１ｍｏｌ％以下の釉薬層が形成されたスパークプラグの製造方法であって、
　釉薬粉末を絶縁体の表面に塗布して釉薬粉末堆積層を形成する釉薬粉末堆積工程と、
　その絶縁体を加熱することにより前記釉薬粉末堆積層を絶縁体表面に焼き付けて釉薬層となす釉焼工程と、
　を含むスパークプラグの製造方法。」である点で、一致し、以下の点で両者は相違しているものと認められる。
（１）釉薬粉末製造工程に関して、本願発明は「屈伏点と線膨張係数とが互いに相違する複数種類の要素釉薬粉末を製造する釉薬粉末製造工程と、
　前記各釉薬組成物の線膨張係数のうち、最大のものをαmax、最小のものをαminとして、最終的な釉薬層の線膨張係数がαmaxとαminとの中間の値として得られるように前記要素釉薬粉末を混合し、前記釉薬層の線膨張係数が５０×１０−７／℃〜８５×１０−７／℃となるようにした、調整釉薬粉末を製造する調整釉薬粉末製造工程と」からなるのに対して、引用発明は、釉薬層の線膨張係数が５０×１０−７／℃〜８５×１０−７／℃となるようにした、釉薬粉末を製造する釉薬粉末製造工程ではあるものの、上記のような釉薬粉末製造工程及び調整釉薬粉末製造工程からなるものではない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　例えば、特公昭６０−４６０５３号公報や特許第２９５９４０４号公報、特公昭４９−３５３２２号公報等に示されるように、基材に積層するガラス質素材について、他の性能を損なうことなく、膨張係数等を所定範囲内のものとするために、屈服点や膨張係数の異なる複数の素材粉末を混合することは周知である。
　引用発明は、低温での焼付けが可能であるとともに線膨張係数が５０〜８０×１０−７／℃の範囲釉薬層を得ようとするものである。
　そうすると、低温の焼き付け等のその他の性能も満足しつつ、線膨張係数を所定の範囲とするために、上記周知の手段を用いること、そしてその際、所望の線膨張係数を挟む２種の線膨張係数の組成物を混合して用いることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　したがって、上記相違点に係る本願発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることと認められる。
　そして、本願発明を全体としてみても、その効果が格別であるとは認められない。
　
４．むすび
　以上のように、本願発明は、引用発明及び上記周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。