【事件の表示】
　平成１１年特許願第　１８７６０号「薄膜トランジスタ用シングルチャンバＣＶＤプロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月２８日出願公開、特開平１１−２６５８５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、平成６年１２月２８日（パリ条約による優先権主張１９９３年１２月２８日、米国）に出願した特願平６−３２７１１６号の一部を平成１１年１月２７日に新たに特許出願したものであって、原審において平成１７年４月５日付で拒絶理由通知がなされ、これに対し、平成１７年１０月１１日付で意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１８年７月５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１０月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成１８年１１月８日付で手続補正書が提出されたものである。
　
II．平成１８年１１月８日付の手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１８年１１月８日付の手続補正を却下する。
　
［理由］ 
１．補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜１６のうち、請求項１は次のとおりに補正された。
「【請求項１】　ドーパントにより真性シリコン層を実質的に汚染することなく、内部チャンバ表面を有する化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ内に配置された基板上に、真性シリコン層と、ドーパントを含むドープアモルファスシリコン層とを連続して堆積する方法において、
　基板上に１．２〜１．５トールの圧力で５０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さまで、少なくとも１つの絶縁材料で少なくとも１層の絶縁材料の層を堆積させるステップと、
　前記絶縁材料の層上に、第１の所定の厚さまで真性アモルファスシリコンの層を堆積させるステップと、
　前記真性アモルファスシリコンの層上に、第２の所定の厚さを有するドープシリコンの層を堆積させるステップと、
を備え、
　堆積サイクルを構成する前記３つの全ステップは、１つの化学気相堆積チャンバ内で実行される、前記堆積方法。」
　
　上記補正は、補正前の請求項１の「少なくとも１つの絶縁材料の少なくとも１層の絶縁材料の層を堆積させるステップ」において、堆積条件である「１．２〜１．５トールの圧力」という事項と、絶縁材料の層の厚さの上限を「１０００ｎｍ」とした事項で補正することを含むものである。
　そこで、上記補正を検討すると、絶縁材料の層を堆積させるステップにおける堆積条件としての圧力と、絶縁材料の層の厚さの上限を、具体的に限定するものであるから、平成６年法改正前の特許法第１７条の２第３項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平５−３３５３３５号公報（以下、「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。 
　
（１）刊行物（特開平５−３３５３３５号公報）
（１ａ）「【特許請求の範囲】【請求項１】　基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層およびソース・ドレイン電極を形成する水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法において、
　前記ゲート絶縁層と前記半導体層の形成を同一の真空槽内にて行なうに際し、
　前記真空槽内にゲート絶縁層の原料ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁層を形成した後、
　前記真空槽内に残留するゲート絶縁層の原料ガスの影響がなくなるまでの間、ゲート絶縁層の表面を弱いプラズマで処理し続け、
　前記真空槽内に残留するゲート絶縁層の原料ガスの影響がなくなった後、前記真空槽内に前記半導体層の原料ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法により半導体層を形成することを特徴とする水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法。」
　
（１ｂ）「【０００３】　アクティブ素子の代表例としては、透過形表示が可能であり、大面積も容易であり、低温形成が可能であるなどの理由から、透明絶縁基板上に水素化アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）を用いて形成された薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと記す）がある。」
　
（１ｃ）「【００２３】【発明が解決しようとする課題】　以上のように、第１例構造のａ−ＳｉＴＦＴの形成に適用した従来の製造方法において、同一真空槽内で連続的にゲート絶縁層と半導体層を形成する方法においては、ゲート絶縁層の形成後、不用な残留ガスのため半導体層の特性が損なわれる問題があり、また、ゲート絶縁層の形成後、一度放電を停止した後に半導体槽で半導体層を形成する方法においては、不連続に形成するため、ゲート絶縁層の表面の化学的活性度が低下し、ゲート絶縁層と半導体層との界面に、界面準位、欠陥等を生成してしまい、ａ−ＳｉＴＦＴの動作特性を不安定なものにしてしまう。
・・・
【００２５】　そこで、本発明の第１の目的は、半導体層の特性劣化を防止するとともに、ゲート絶縁層の表面の化学的活性度の低下を防ぎ、ゲート絶縁層と半導体層との界面における界面準位、欠陥等の生成を低減させる。」
　
（１ｄ）「【００３１】【実施例】　以下、本発明の製造方法の一実施例を、図１および図２に示すａ−ＳｉＴＦＴの第１例構造を参照して説明する。
【００３２】　図１はａ−ＳｉＴＦＴの構造を示し、図２はａ−ＳｉＴＦＴの形成工程を示し、ガラスあるいはプラスチックからなる透明絶縁基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁層３、ａ−Ｓｉの半導体層４、オーミックコンタクト層５、ソース電極６およびドレイン電極７を形成している。
【００３３】　ゲート線と一体のゲート電極２を形成した基板１を、真空槽内に設置し、真空槽内を十分に真空排気した後、ヒータパネルにより約３００℃に加熱する。
【００３４】　ボンベから真空槽内に、ゲート絶縁層３の原料ガスであるシラン（ＳｉＨ4 ）を１５sccm、アンモニア（ＮＨ3 ）を６０sccm、窒素（Ｎ2 ）を３００sccmそれぞれ導入し、圧力を０．６Torrに調整し、高周波発振器により電力密度０．１５Ｗ／cm2 を投入し、ゲート電極２上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁層３を約３５００オングストロームの膜厚に積層する（図２(a) ）。
【００３５】　ゲート絶縁層３の積層終了直前に、ボンベから真空槽内に水素（Ｈ2 ）を１６０sccm導入し、それとともにＳｉＨ4 、ＮＨ3 およびＮ2 の導入を停止し、圧力を０．５Torrに調整し、電力密度を０．０４Ｗ／cm2 に調整する。
【００３６】　そして、真空槽内に残留するゲート絶縁層３の原料ガス（この場合はＮＨ3 およびＮ2 ）が半導体層４の形成に影響がなくなるまでの間、極弱い水素プラズマの放電を続けてゲート絶縁層３の表面を処理し続ける。そのため、ゲート絶縁層３の表面が化学的に活性な状態が保たれ、界面準位や欠陥の生成が低減される。
【００３７】　残留ガスの影響がなくなる約１０分後に、圧力は０．５Torr、電力密度は０．４Ｗ／cm2 のまま、ＳｉＨ4 を４０sccm導入し、ゲート絶縁層３上に半導体層４を約３０００オングストロームの膜厚に連続的に積層する（図２(b) ）。
【００３８】　半導体層４の積層後、新たに真空槽内にホスフィン（ＰＨ3 ）を２０sccm導入し、低抵抗半導体層のｎ形ａ−Ｓｉ層のオーミックコンタクト層５を約５００オングストロームの膜厚に積層する（図２(c) ）。
【００３９】　そして、基板１を真空槽外に取出し、半導体層４およびオーミックコンタクト層５を所定のパタ−ンに加工する（図２(d) ）。」
　
３．対比・判断
　刊行物には、上記摘記事項（１ｄ）の段落【００３８】に記載のドープされているｎ形ａ−Ｓｉ層のオーミックコンタクト層５の積層において、「新たに真空槽内にホスフィン（ＰＨ３）を２０sccm導入し」というドーパントガスの記載がある一方で、上記摘記事項（１ｄ）の段落【００３７】に記載のａ−Ｓｉの半導体層４の積層においては、原料ガスにドーパントガスの記載がないこと、及び、上記摘記事項（１ｄ）の段落【００３２】に記載のａ−ＳｉＴＦＴにおいての技術的特徴から、ａ−Ｓｉの半導体層４は、ドープされていない真性シリコン層であることが理解できる。
　また、上記摘記事項（１ｄ）の段落【００３８】のｎ形ａ−Ｓｉのオーミックコンタクト層５の積層は、同段落の「半導体層４の積層後、新たに真空槽内にホスフィン（ＰＨ３）を・・・導入し、・・・オーミックコンタクト層５を・・・積層する。」という記載から、ａ−Ｓｉの半導体層４の積層から連続して積層しているといえる。
　更に、上記摘記事項（１ａ）の「前記ゲート絶縁層と前記半導体層の形成を同一の真空槽内にて行なう」という記載、及び、上記摘記事項（１ｄ）における段落【００３３】の「基板１を、真空槽内に設置し、」という記載と段落【００３９】の「基板１を真空槽外に取出し、」という記載から、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁層３、ａ−Ｓｉの半導体層４、ｎ形ａ−Ｓｉのオーミックコンタクト層５の、それぞれの層を積層させるステップは、１つの真空槽内で実行されていることがわかる。
　よって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物には、
「ＣＶＤ法の真空槽内に配置された基板１上に、真性シリコンであるａ−Ｓｉの半導体層４と、ｎ形ａ−Ｓｉのオーミックコンタクト層５とを連続して積層する方法において、
　基板１上に０．６Torrの圧力で３５００オングストロームの厚さの窒化シリコンからなるゲート絶縁層３を積層させるステップと、
　前記ゲート絶縁層３上に、３０００オングストロームの厚さまで真性シリコンであるａ−Ｓｉの半導体層４を積層させるステップと、
　前記半導体層４上に、５００オングストロームの厚さを有するｎ形ａ−Ｓｉのオーミックコンタクト層５を積層させるステップを備え、
　積層サイクルを構成する前記３つの全ステップは、１つの真空槽内で実行される積層方法。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願補正発明１と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「窒化シリコンからなるゲート絶縁層３」、「３０００オングストロームの厚さ」、及び「５００オングストロームの厚さ」は、本願補正発明１の「少なくとも１つの絶縁材料で少なくとも１層の絶縁材料の層」、「第１の所定の厚さ」、及び「第２の所定の厚さ」にそれぞれ相当し、刊行物発明の「真性シリコンであるａ−Ｓｉの半導体層４」は、本願補正発明１の「真性シリコン層」又は「真性アモルファスシリコンの層」に相当し、刊行物発明の「ｎ形ａ−Ｓｉのオーミックコンタクト層５」は、本願補正発明１の「ドーパントを含むドープアモルファスシリコン層」又は「ドープシリコンの層」に相当し、「３５００オングストローム」は「３５０ｎｍ」であって、刊行物発明の「積層」は、ある層の上に次の層を堆積させることに外ならず、また、刊行物発明の「ＣＶＤ法の真空槽」は、本願補正発明１の「内部チャンバ表面を有する化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ」に外ならないから、両者は、
「内部チャンバ表面を有する化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ内に配置された基板上に、真性シリコン層と、ドーパントを含むドープアモルファスシリコン層とを連続して堆積する方法において、
　基板上に３５０ｎｍの厚さの、少なくとも１つの絶縁材料で少なくとも１層の絶縁材料の層を堆積させるステップと、
　前記絶縁材料の層上に、第１の所定の厚さまで真性アモルファスシリコンの層を堆積させるステップと、
　前記真性アモルファスシリコンの層上に、第２の所定の厚さを有するドープシリコンの層を堆積させるステップと、を備え、
　堆積サイクルを構成する前記３つの全ステップは、１つの化学気相堆積チャンバ内で実行される前記堆積方法」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願補正発明１では、堆積方法が、ドーパントにより真性シリコン層を実質的に汚染することなく行われているのに対し、刊行物発明では、この点が不明な点。
　
　相違点２：本願補正発明１では、絶縁材料の層を堆積させるステップにおいて、圧力を１．２〜１．５トールの条件で行っているのに対し、刊行物発明では、０．６Torr(トール）の条件で行っている点。
　
　そこで、上記相違点１、２について次に検討する。
　
相違点１について
　本願明細書によれば、堆積方法が「ドーパントにより真性シリコン層を実質的に汚染することなく」行われることとは、「表４からわかるように、ゲート窒化珪素のバリア層としての有効性は、厚さが２００ｎｍ（サンプル３）から４００ｎｍ（サンプル４）の間で生じている。ゲート窒化珪素層がバリア層として機能するに充分ないし最小の厚さは、約２００ｎｍであることがわかった。２００ｎｍ以上の厚さでは、有効度は更に大きくなる。」（段落【００３２】）と記載されていることから、絶縁材料の層の材料が窒化珪素であって、厚さが２００ｎｍ以上であれば、堆積方法が自ずと「ドーパントにより真性シリコン層を実質的に汚染することなく」行われると認識できる。よって、刊行物発明における、絶縁材料の層の材料が窒化珪素で厚さが３５０ｎｍであることは、堆積方法が「ドーパントにより真性シリコン層を実質的に汚染することなく」行われていることを意味しているといえる。
　また、ＣＶＤ法を用いた堆積方法において、ある一連の堆積ステップ（プロセス）の処理を所定枚数終了して基板を搬出した後、別の基板を搬入して再び該堆積ステップを行う前に、チャンバ内をクリーニング等をすることによって、別の基板に前の基板の堆積ステップに因る不純物等の汚染を起こさないようにすることは、当業者ならば通常の配慮である。したがって、刊行物発明においても、当然、クリーニング等を行った後には、ドーパントにより真性シリコン層を実質的に汚染することなく堆積方法が行なわれているものと技術常識上いうことができる。
　してみると、刊行物発明においても、堆積方法が「ドーパントにより真性シリコン層を実質的に汚染することなく」行われているものといえるため、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
　
相違点２について
　一般に、薄膜トランジスタを含めた半導体デバイスの製造方法において、窒化珪素の絶縁材料の層をＣＶＤ法で堆積する際に、圧力を１．２〜１．５トール程度の条件で行うことは、例えば、次の特許公報に記載されているように通常行われていることであるから、刊行物発明の、絶縁材料の層の堆積ステップにおいて、圧力を１．２〜１．５トール程度で行うことに、当業者にとって格別な困難性を有しない。
　
周知例１：特開平４−１３３３５４号公報
（第３頁左上欄第１２行〜同頁右上欄第２行参照。）
　
周知例２：特開平２−８４７２０号公報
（第３頁左上欄第１７行〜同頁右上欄第７行参照。）
　
周知例３：特開平５−７４７６３号公報
（段落【０００５】参照。）
　
周知例４：特開平１−３０４７３５号公報
（第２頁右上欄第３行〜第９行参照。）
　
　そして、本願補正発明１による効果も刊行物の記載、及び上記周知技術から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成６年法改正前の特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
III．本願発明について 
１．本願発明１
　平成１８年１１月８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１７に係る発明は、平成１７年１０月１１日付手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】ドーパントにより真性シリコン層を実質的に汚染することなく、内部チャンバ表面を有する化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ内に配置された基板上に、真性シリコン層と、ドーパントを含むドープアモルファスシリコン層とを連続して堆積する方法において、
　基板上に少なくとも５０ｎｍの厚さに、少なくとも１つの絶縁材料の少なくとも１層の絶縁材料の層を堆積させるステップと、
　前記絶縁材料の層上に、第１の所定の厚さを有する真性アモルファスシリコンの層を堆積させるステップと、
　前記真性アモルファスシリコンの層上に、第２の所定の厚さを有するドープシリコンの層を堆積させるステップと、
を備え、
　堆積サイクルを構成する前記３つの全ステップは、１つの化学気相堆積チャンバ内で実行される、前記堆積方法」
　
２．引用刊行物とその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物、及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」欄に記載されたとおりである。 
　
３．対比・判断
　本願発明１は、前記「II．平成１８年１１月８日付の手続補正についての補正却下の決定」で検討した本願補正発明１から、少なくとも１つの絶縁材料で少なくとも１層の絶縁材料の層を堆積させるステップにおいて、「１．２〜１．５トールの圧力」という事項と絶縁材料の層の厚さの上限である「１０００ｎｍ」という構成を省いたものである。 
　そして、本願発明１と刊行物発明とを対比すると、相違点は、前記「II．３．対比・判断」で検討した相違点のうち、相違点１のみとなるが、この相違点１は、前記「II．３．対比・判断」の相違点１の検討の通り、実質的な相違点ではない。
　したがって、本願発明１は、刊行物に記載された発明である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものである。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。