【事件の表示】
　特願２００１−　８１８２０「磁気検出素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月２７日出願公開、特開２００２−２８０６４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年３月２２日の出願であって，平成１８年６月６日付けの拒絶理由通知に対して，同年８月２日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成１９年３月１９日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年４月２５日に拒絶査定に対する審判請求がされたものである。
　
第２　本願発明の容易想到性について
１　本願発明について
　本願の請求項１〜１４に係る発明は，平成１８年８月２日付けの手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
「　【請求項１】　下から下地層，シードレイヤ，反強磁性層，固定磁性層，非磁性中間層，およびフリー磁性層の順に積層され，前記反強磁性層と前記固定磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで，前記固定磁性層の磁化方向が一定方向に固定され，前記フリー磁性層の磁化が前記固定磁性層の磁化と交叉する方向に揃えられた磁気検出素子において，
　前記下地層は，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上の元素で形成され，
　前記シードレイヤは，ＮｉＦｅＣｒで形成され，Ｎｉ：Ｆｅ原子比率は８：２であり，Ｃｒの組成比は，３５ａｔ％以上で６０ａｔ％以下であり，前記シードレイヤの膜厚は，１０Å以上で２００Å以下であり，前記シードレイヤの結晶構造は面心立方構造であり，　前記固定磁性層，前記非磁性中間層及び前記フリー磁性層の積層部分における膜面方向の平均結晶粒径は１７５Å以上であることを特徴とする磁気検出素子。　」
　
２　引用例の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０００−１５０２３５号公報（以下「引用例」という。）には，図１及び図２とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したものである。以下同じ。）
　
ア　　課題を解決するための手段（引用発明の概要）について
「　【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，上述した目的を達成するために，
基板上に下地層と，前記下地層の上に非磁性層を挟んで配置された１対の磁性層と，一方の前記磁性層に隣接する反強磁性層とを積層したスピンバルブ膜を備え，前記下地層が，非磁性金属の第１下地膜と，前記第１下地膜の上に形成されるＮｉＦｅＸ（ＸはＣｒ，Ｎｂ，Ｒｈから選択される少なくとも１種）で表される合金の第２下地膜とからなり，前記第２下地膜がｆｃｃ（面心立方）構造を有し，かつ（１１１）配向されていることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗センサが提供される。
【００１１】
スピンバルブ膜の両磁性層，非磁性層及び反強磁性層は，このような第２下地膜の上に形成されることにより，結晶面の（１１１）配向が強くなり，一方向異方性磁場が大きくなると共に，両磁性層間の相互作用磁場が小さくなる。これにより，高い磁気抵抗変化率及び線形な磁気抵抗変化を示すスピンバルブ磁気抵抗センサが得られる。
【００１２】スピンバルブ膜の結晶配向性は，下地層の膜厚を厚くし過ぎても，或る程度以上改善することはできない。第２下地膜の膜厚は，２０〜１００Åの範囲内にあることが好ましい。
【００１３】
また，下地層は，ＮｉＦｅＸに含まれる元素Ｘの濃度を適当に選択することにより，ＮｉＦｅ合金の場合よりも非磁性化することができ，かつ高抵抗化して下地層へのシャント電流を大幅に少なくし，センサの磁気抵抗率を高めることができる。特に，元素ＸがＣｒであり，かつその組成が２０〜５０ａｔ％の範囲内にあると，第２下地膜を構成するＮｉＦｅの磁性が消えて非磁性化できるので，好都合である。
　
イ　　実施例について
「　【００１５】
【発明の実施の形態】図１は，本発明を適用したスピンバルブ磁気抵抗センサの好適な実施例を示している。このスピンバルブ磁気抵抗センサは，ガラスやシリコン，Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどのセラミック材料からなる基板上に設けたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）絶縁層１の上に
下地層２が形成され，その上にスピンバルブ構造の磁気抵抗（ＭＲ）膜３が積層されている。本実施例の下地層２は，厚さ３０Åのタンタル（Ｔａ）からなる第１下地膜２１と厚さ５０Åのニッケル−鉄−クロム（ＮｉＦｅＣｒ）からなる第２下地膜２２との２層構造である。
【００１６】
ＭＲ膜３は，下地層２の上に積層した厚さ５０Åのニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）膜４１と厚さ１０Åのコバルト−鉄（ＣｏＦｅ）膜４２との２層構造からなるフリー磁性層４，厚さ２５Åの銅（Ｃｕ）膜からなる非磁性導電層５，厚さ２０Åのコバルト−鉄（ＣｏＦｅ）膜からなるピン磁性層６，及び厚さ３００Åの白金−マンガン（ＰｔＭｎ）膜からなる反強磁性層７を有する。ＭＲ膜３の上には，厚さ３０ÅのＴａ膜からなる保護層８が付着されている。
（中略）
【００１８】
ＭＲ膜３は，成膜後に真空磁場中で所定の熱処理を行うことにより，反強磁性層７を規則化させ，かつピン磁性層６に一方向性異方性を与えて，その磁化配向を固定する。ＮｉＦｅＣｒ第２下地膜２２はｆｃｃ結晶構造を有し，かつ（１１１）配向されているので，その上に積層するＭＲ膜３の各層の（１１１）配向性を高めることができる。これにより，前記ＭＲ膜は，反強磁性層７による一方向異方性磁場が大きくなり，
【００１９】
前記ＮｉＦｅＣｒ膜のＣｒ濃度は，第２下地膜２２を非磁性化，高抵抗化させるために，２０〜５０ａｔ％の範囲が好ましい。第２下地膜２２の膜厚は，上述した５０Åに限定されず，２０〜１００Åの範囲内において適当に設定することができる。また，前記第２下地膜の材料として，ＮｉＦｅにＣｒ以外のＮｂ，Ｒｈなどを添加したＮｉＦｅ系合金を用いることができる。
（中略）
【００２１】
別の実施例では，図１の実施例とは逆に，反強磁性層７を基板側にかつフリー磁性層４を基板とは反対側にして，各膜層を逆の順に積層することができる。この場合にも，図１の実施例と同様の作用効果が得られる。また，本発明は，その技術的範囲内において上記実施例に他の様々な変形・変更を加えて実施することができる。　
【００２２】
図２は，図１の実施例において，ＮｉＦｅ
１６
Ｃｒ
２５
からなる組成の第２下地膜２２の膜厚ｔ2 の変化に関するＰｔＭｎ反強磁性層７及びフリー磁性層４のＮｉＦｅ膜４１の（１１１）配向性を示している。このＸ線回析プロファイルから，概ね２０≦ｔ2 ≦５０の範囲内において，前記両膜層が強い（１１１）配向性を示していることが分かる。
　
ウ　　発明の効果について
「　【００２５】
【発明の効果】本発明は，以上のように構成されているので，以下に記載されるような効果を奏する。本発明のスピンバルブ磁気抵抗センサによれば，
第２下地膜によりスピンバルブ膜の（１１１）配向を強くし，一方向異方性磁場を大きくして，両磁性層間の相互作用磁場を小さくできるので，
高い磁気抵抗変化率
磁気変換特性の向上を達成することができる。
　
　以上によれば，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「　下から第１下地膜２１，第２下地膜２２，反強磁性層７，ピン磁性層６，非磁性導電層５及びフリー磁性層４の順に積層され，上記反強磁性層７を規則化させ，かつ上記ピン磁性層６に一方向性異方性を与えて，その磁化配向が固定されたスピンバルブ磁気抵抗センサにおいて，
　上記第１下地膜２１はＴａで形成され，
　上記第２下地膜２２は，ＮｉＦｅＣｒで形成され，上記ＮｉＦｅＣｒのＣｒの組成比は，２０〜５０ａｔ％であり，上記第２下地膜２２の膜厚は，２０〜１００Åであり，上記第２下地膜２２の結晶構造は面心立方構造であり，
上記第２下地膜２２は（１１１）配向され，上記第２下地膜２２上に積層する各層の（１１１）配向性を高める
スピンバルブ磁気抵抗センサ。　」
　
３　対比
　
ア　　引用発明の「第１下地膜２１」，「第２下地膜２２」，「反強磁性層７」，「ピン磁性層６」，「非磁性導電層５」及び「フリー磁性層４」は，それぞれ，本願発明の「下地層」，「シードレイヤ」，「反強磁性層」，「固定磁性層」，「非磁性中間層」及び「フリー磁性層」に相当し，引用発明の「スピンバルブ磁気抵抗センサ」は，本願発明の「磁気検出素子」に相当する。
　そうすると，引用発明の「下から第１下地膜２１，第２下地膜２２，反強磁性層７，ピン磁性層６，非磁性導電層５及びフリー磁性層４の順に積層され，」た「スピンバルブ磁気抵抗センサ」は，本願発明の「下から下地層，シードレイヤ，反強磁性層，固定磁性層，非磁性中間層，およびフリー磁性層の順に積層され，」た「磁気検出素子」に相当する。
　
イ　　引用発明の「上記第１下地膜はＴａで形成され」ることは，本願発明の「前記下地層は，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上の元素で形成され」ることに相当する。
　
ウ　　引用発明の「上記第２下地膜２２の膜厚は，２０〜１００Åであ」ることは，本願発明の「前記シードレイヤの膜厚は，１０Å以上で２００Å以下であ」ることに相当する。
　
エ　　引用発明の「上記第２下地膜は，ＮｉＦｅＣｒで形成され」ること，及び「上記第２下地膜の結晶構造は面心立方構造である」ことは，それぞれ，本願発明の「前記シードレイヤは，ＮｉＦｅＣｒで形成され」ること，及び「前記シードレイヤの結晶構造は面心立方構造」であることに相当する。
　
　以上から，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりとなる。
　
（一致点）
「　下から下地層，シードレイヤ，反強磁性層，固定磁性層，非磁性中間層，およびフリー磁性層の順に積層された磁気検出素子において，
　前記下地層は，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上の元素で形成され，
　前記シードレイヤは，ＮｉＦｅＣｒで形成され，前記シードレイヤの膜厚は，１０Å以上で２００Å以下であり，前記シードレイヤの結晶構造は面心立方構造である，
磁気検出素子。　」
　
（相違点）
・　相違点１
　本願発明は，「前記反強磁性層と前記固定磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで，前記固定磁性層の磁化方向が一定方向に固定され」たものであるのに対し，引用発明は，「上記反強磁性層７を規則化させ，かつ上記ピン磁性層６に一方向性異方性を与えて，その磁化配向が固定された」ものである点，及び本願発明は，「前記フリー磁性層の磁化が前記固定磁性層の磁化と交叉する方向に揃えられた」ものであるのに対し，引用発明には，当該構成を備えることが特定されていない点。
　
・　相違点２
　本願発明では，シードレイヤにおけるＮｉ：Ｆｅ原子比率が８：２であるのに対し，引用発明には，そのような特定がされていない点。
　
・　相違点３
　本願発明における「シードレイヤ」の「Ｃｒの組成比は，３５ａｔ％以上で６０ａｔ％以下」であるのに対し，引用発明における「第２下地膜２２」の「Ｃｒの組成比は，２０〜５０ａｔ％以下」である点。
　
・　相違点４
　本願発明では，固定磁性層，非磁性中間層及びフリー磁性層の積層部分における膜面方向の平均結晶粒径は１７５Å以上であるのに対し，引用発明には，そのような特定がされていない点。
　
４　相違点についての検討
（１）　相違点１について
　反強磁性層，固定磁性層，非磁性導電層およびフリー磁性層からなるスピンバルブ型薄膜素子において，上記反強磁性層と前上記固定磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで，上記固定磁性層の磁化方向が一定方向に固定されること，及び上記フリー磁性層の磁化が上記固定磁性層の磁化と交叉する方向に揃えられることは，いずれも当該技術分野における技術常識である。
　この点について，例えば，原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１１−１９１６４７号公報には，従来技術の説明において次の記載がある。
　
「　【０００２】
【従来の技術】スピンバルブ型薄膜素子は，巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ（giant magnetoresistive）素子の１種であり，
ハードディスクなどの記録媒体からの記録磁界を検出するものである。
【０００３】
前記スピンバルブ型薄膜素子は，最も単純な構造で，反強磁性層，固定磁性層，非磁性導電層およびフリー磁性層から成る。前記反強磁性層と固定磁性層とは接して形成され，前記反強磁性層と固定磁性層との界面にて発生する交換異方性磁界により，前記固定磁性層の磁化方向は一定方向に単磁区化され固定される。フリー磁性層の磁化は，その両側に形成されたバイアス層により，前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に揃えられる。
　
　そうすると，引用発明における「上記反強磁性層を規則化させ，かつ上記ピン磁性層６に一方向性異方性を与えて，その磁化配向が固定された」ことは，上記技術常識に照らせば，反強磁性層７（本願発明の「反強磁性層」に相当。）とピン磁性層６（本願発明の「固定磁性層」に相当。）との界面で交換結合磁界が発生することで，上記ピン磁性層６の磁化方向が一定方向に固定されたことを意味すると解される。
　また，引用発明におけるフリー磁性層４（本願発明の「フリー磁性層」に相当。）の磁化が上記ピン磁性層６の磁化と交叉する方向に揃えられていることは，引用例には記載されていないが，上記技術常識に照らせば，スピンバルブ磁気抵抗センサとしての所期の作用効果を奏するために，引用発明が有している構成であると解するのが自然である。
　以上から，相違点１は，実質的な相違点ではない。
　
（２）　相違点２について
　引用例には，第２下地膜２２（本願発明の「シードレイヤ」に相当。）のＮｉ：Ｆｅ原子比率を８：２とすることは記載されていないが，上記２のイで摘記したとおり，引用例には，上記第２下地膜２２の組成がＮｉＦｅ１６Ｃｒ２５からなり，Ｎｉ：Ｆｅ原子比率が，５９：１６（約　７．８７：２．１３）という，本願発明と近接した比率に設定した実施例が記載されている。（引用例の段落【００２２】の摘記事項参照。）
　また，本願明細書又は図面には，本願発明におけるシードレイヤのＮｉとＦｅの組成比を８：２とした場合の実施例が記載されているだけで，それ以外の組成比にした場合の比較例は記載されておらず，上記組成比にした場合とそれ以外の組成比にした場合との作用効果の相違を示す具体的な説明も記載されていないため，本願発明において，シードレイヤのＮｉとＦｅの組成比を８：２とすることにより，格別の作用効果を奏するということはできない。
　さらに，ＮｉＦｅＣｒからなるシードレイヤ上に形成された，反強磁性層，固定磁性層，非磁性導電層およびフリー磁性層からなる積層体を有する磁気検出素子において，上記下地層のＮｉとＦｅの組成比を８：２とすることは，例えば，本願の出願前に日本国内で頒布された，次のア及びイの刊行物にみられるように，本願出願前に当業者により通常行われていたことである。
  
ア　　本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である国際公開第２０００／０６３７１４号には，第１図，第２図とともに，次の記載がある。（訳文は，その対応日本出願の公表公報である特表２００２−５４２６１７号公報によった。）
　
「 （好適例の詳細な説明）
  図１は，第一例である本発明巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）積層体１０の層状態を示す図である。
ＧＭＲ積層体１０は，シード層１２，フリー層１４，離隔層１６，ピン層１８およびピン化層２０を含む。シード層１２はＮｉ−Ｆｅ−Ｃｒである。
（中略）
  ピン層１８の磁化方向は予め定められた方向に固定され，一方，フリー層１４の磁化方向は磁気媒体から生じる外部磁界に応じて自由に反転する。ピン層１８の磁化方向はピン層１８とピン化層２０の間の交換結合により固定される。ピン化層２０は，約３４０℃の阻止温度，および約２３０℃の焼鈍温度を有する。
シード層１２の原子構造は，［１１１］型の結晶学的テクスチャーを増進させ，フリー層１４の結晶粒の成長を促進する面心立方（ｆｃｃ）である。
  
シード層１２の組成は，好ましくは約Ｎｉ（６０）Ｆｅ（１５）Ｃｒ（２５）から約Ｎｉ（４８）Ｆｅ（１２）Ｃｒ（４０）までの範囲であり，さらに好ましくは約Ｎｉ（４８）Ｆｅ（１２）Ｃｒ（４０）である。ここで括弧内の数字は原子１００分率を表す。シード層１２の厚さは，好ましくは約２０Åから約６０Åまでの範囲であり，さらに好ましくは約４５Åから約５０Åまでの範囲である。
（中略）
  図２は，本発明によるＧＭＲ積層体１０のＧＭＲ応答グラフである。グラフは，ＧＭＲ積層体１０のＧＭＲ比と電気抵抗（Ω）を，与えられた磁界（Ｏｅ）の関数として示す。
ＧＭＲ積層体１０のＧＭＲ比は１２．９％に等しい。
　
イ　　本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０００−０５８９４１号公報には，第１図とともに，次の記載がある。
　
・　発明の実施の形態について
「　【００１５】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態について説明する。
図１は，本発明の一実施形態に係るスピンバルブ膜（スピンバルブ素子）の模式図であって，該スピンバルブ膜は，ガラス基板１上に，第１の下地層２，第２の下地層３（配向制御層），反強磁性層４，固定側磁性層５，非磁性層６，自由側磁性層７及び保護層８の順に，ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって積層形成してなるものである。
（中略）
【００１７】
第２の下地層３は，ＮｉＦｅ合金に，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｖ，Ｗ，Ｍｎの少なくとも１種を添加した合金からなり，スピンバルブ膜の結晶配向度を高めるためのものである。
　
・　　実施例について
「　【００２９】
【実施例】ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって，ガラス基板上に，Ｔａ（３ｎｍ）／
（Ｎｉ
８０
Ｆｅ
２０
）
７５
Ｃｒ
２５
（５ｎｍ）
最初のＴａは第１の下地層，（ＮｉＦｅ）Ｃｒはスピンバルブ膜を（１１１）結晶配向させるための第２の下地層（配向制御層），ＰｔＭｎは反強磁性層，ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅは固定側磁性層，Ｃｕは非磁性層，ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅは自由側磁性層，最後のＴａは保護層である。なお，括弧内は各層の膜厚，組成比は原子数比（ａｔｏｍ％）である。
　
　以上の点を考慮すると，引用発明において，上記第２下地膜２２を構成するＮｉＦｅＣｒのＮｉとＦｅの組成比を８：２とすることは，当業者における設計事項である。
　そうすると，引用発明において，相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）　相違点３について
　引用発明の第２下地膜２２（本願発明の「シードレイヤ」に相当。）におけるＣｒの組成比と，本願発明のシードレイヤのＣｒの組成比とは，３５ａｔ％以上で５０ａｔ％以下である点で一致する。
　また，引用発明において，上記第２下地膜２２のＣｒの組成比を適宜調整し変更することは，当業者が通常行い得る事項であり，本願明細書又は図面の記載からみて，上記シードレイヤのＣｒの組成比を５０ａｔ％より大きく６０ａｔ％以下とした場合に，格別の作用効果を奏するとは認められないから，引用発明において，上記第２下地膜２２におけるＣｒの組成比を，本願発明のように，３５ａｔ％以上で６０ａｔ％以下とすることは，当業者における設計事項である。
　そうすると，引用発明において，相違点３に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（４）　相違点４について
ア  　本願発明における，シードレイヤの構成とシードレイヤ上の各層の膜面方向の平均結晶粒径との関係について
　
　本願明細書には，ＮｉＦｅＣｒで形成され，Ｎｉ：Ｆｅ原子比率を８：２としたシードレイヤの構成と抵抗変化率との関係，並びに上記シードレイヤの構成と固定磁性層，非磁性中間層及びフリー磁性層の膜面方向の平均結晶粒径との関係について，次のように記載されている。
　
「　【０２３５】
　図１１に示すように，シードレイヤのＣｒ組成比が大きくなるほど，抵抗変化率が大きくなることがわかる。このようにＣｒ組成比を大きくすることで抵抗変化率が向上するのは，Ｃｒ組成比を大きくすることで前記シードレイヤの濡れ性を向上させることができ，
前記シードレイヤ上に形成される各層の膜面と平行な方向における結晶配向を[１１１]面に適切に優先配向させることができるためであると考えられる。また前記抵抗変化率は，Ｃｒ組成比が約４５ａｔ％前後でピークを迎え，前記Ｃｒ組成比がそれよりも大きくなっていくと，前記抵抗変化率は減少するかあるいはほとんど向上することはないものと考えられる。それはＣｒ組成比を上げていくと，図１０に示す膜厚に基いて膜厚を薄くしていけば結晶構造を面心立方構造のみで構成することはできるが，膜厚が薄くなることで前記シードレイヤの[１１１]面配向は不十分となり，前記シードレイヤ上に形成される各層の結晶配向を良好に[１１１]面配向させることができないと考えられるからである。
（中略）
　【０２３８】
　
次に，上記のサンプルを用いてシードレイヤのＣｒ組成比と固定磁性層／非磁性中間層／フリー磁性層の膜面方向の平均結晶粒径（Å）との関係について求めた。その実験結果は図１３に示されている。　
【０２３９】
　
図１３に示すように，シードレイヤのＣｒ組成比が大きくなるほど前記平均結晶粒径は大きくなるが，前記シードレイヤのＣｒ組成比が約４５ａｔ％よりも大きくなると前記平均結晶粒径は小さくなっていくかあるいはほとんど変化しないものと考えられる。その理由は上記抵抗変化率のところで説明したのと同様である。
　【０２４０】
　次に本発明におけるシードレイヤのＣｒ組成比を図１１ないし図１３の各実験結果に当てはめてみる。
すなわち本発明では前記シードレイヤのＣｒ組成比を３５ａｔ％以上で６０ａｔ％以下に設定したが，これにより
平均結晶粒径を約１７５Å以上にできることがわかる。
　
　本願明細書の上記の記載から，本願発明では，ＮｉＦｅＣｒで形成され，Ｎｉ：Ｆｅ原子比率を８：２としたシードレイヤにおいて，Ｃｒ組成比を３５ａｔ％以上で６０ａｔ％以下に設定することにより，シードレイヤ上に形成される固定磁性層，非磁性中間層及びフリー磁性層の結晶配向を良好に[１１１]面配向させることができ，その結果，上記シードレイヤ上に形成される各層の膜面方向の平均結晶粒径が１７５Å以上になるということができる。
　
イ　　判断
　上記２で認定したとおり，引用発明は，第２下地膜２２（本願発明の「シードレイヤ」に相当。）がＮｉＦｅＣｒで形成され，面心立方構造を有し，［１１１］面配向され，上記第２下地膜２２上に形成される各層の［１１１］面配向性を高めるものであり，上記（２）及び（３）で検討したとおり，引用発明において，上記第２下地膜２２のＮｉ：Ｆｅ原子比率を８：２とし，Ｃｒの組成比を３５ａｔ％以上で６０ａｔ％以下とすることは，当業者における設計事項である。
　そうすると，上記アで検討した結果から，引用発明において，上記第２下地膜２２のＮｉ：Ｆｅ原子比率を８：２とし，Ｃｒの組成比を３５ａｔ％以上で６０ａｔ％以下とした場合においても，上記第２下地膜２２上に形成された各層の膜面方向の平均結晶粒径が１７５Å以上となる構成を得ることができるといえる。
　以上のことから，引用発明において，上記第２下地膜２２上に形成された各層の膜面方向の平均結晶粒径を１７５Å以上（相違点４に係る構成）とすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
５　まとめ
　上記４で検討したとおり，相違点１は実質的な相違点ではなく，また，相違点２〜４は，いずれも，引用発明に基づいて，当業者が容易に想到し得ることである。
　したがって，本願発明は，引用例に記載された発明（引用発明）に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
　
第３　結言
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。