【事件の表示】
　平成　７年特許願第５２１４４０号「接着用フリップチップ集積回路装置のための柔軟性導電性接続バンプ及びその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　８月１７日国際公開、ＷＯ９５／２２１７２、平成　９年１２月　９日国内公表、特表平　９−５１２３８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
一．本願は、平成７年２月１３日の出願（優先日：１９９４年２月１４日、米国）であって、平成１６年９月１７日付で拒絶の査定がなされ、これに対し、同年１２月２７日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付の手続補正により、特許請求の範囲は請求項１に補正され、さらに、平成１７年１月２６日付の手続補正により、請求項１〜８に補正されたものである。
　
二．平成１７年１月２６日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１月２６日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜８は次のとおり補正された。
　
　「【請求項１】接着用のフリップチップＩＣデバイスのために、電気的接続端子を電気的接続点に圧縮的に柔軟に接続するための前記電気的接続端子を有するベース上への導電性の柔軟性バンプを形成する方法であって、
　金属粒子を含まないことを特徴とする非金属質のポリマ材料であるポリマバンプを前記電気的接続端子の所定の位置上に形成する工程と、
　当該ポリマバンプを覆いかつ前記電気的接続端子に対する電気的接続を形成するための延性を有する金属をその上にプレーティングするための前記ポリマバンプを含む所定の領域を規定する工程と、
　延性を有する金属層を、前記ポリマバンプ及び前記電気的接続端子の一部と接触させて前記接着用のフリップチップＩＣデバイスの圧縮及び接着によって前記電気的接続端子と前記電気的接続点との間を接続可能な圧縮性の柔軟な電気的接続を形成するために、プレーティングする工程と、
からなる方法。
　 【請求項２】請求項１記載の方法において、前記規定工程は、触媒作用を及ぼすようにされたポリマバンプを形成するために前記ポリマバンプを触媒化する工程からなり、更に、前記プレーティング工程は、前記触媒作用を及ぼすようにされたポリマバンプを非電気的にプレーティングする工程からなる方法。
　 【請求項３】請求項１記載の方法において、前記ポリマバンプ形成工程は、ウェットエッチプロセスを用いて前記ポリマバンプを形成する工程からなる方法。
　 【請求項４】請求項１記載の方法において、前記ポリマバンプ形成工程は、フォトイメージ可能なポリマからポリマバンプを形成する工程からなる方法。
　 【請求項５】請求項４記載の方法において、前記規定工程は、触媒作用を及ぼすようにされたポリマバンプを形成するために前記ポリマバンプを触媒化する工程からなり、更に、前記プレーティング工程は、前記触媒作用を及ぼすようにされたポリマバンプを非電気的にプレーティングする工程からなる方法。
　 【請求項６】請求項１記載の方法において、前記方法は更に、
　集積回路ウェハ上に延性を有する金属を堆積する工程と、
　集積回路ウェハ上に、前記ポリマバンプを覆う延性を有する金属の層、及び、延性を有する金属の層の一部である所定の領域を規定するために、フォトレジスト層を形成する工程と、
　延性を有する金属の層の残された部分を除去する工程と、
からなる方法。
　 【請求項７】電子装置組立体であって、
　電気的接続点を有する接着用のフリップチップＩＣと、
　ベースであってこのベース上の電気的接続端子に電気的に接続された導電性の柔軟性バンプを有するベースと、
　前記ベースを前記フリップチップＩＣに接着して、前記導電性の柔軟性バンプを前記電気的接続点に圧縮的にかつ電気的に接続する接着剤と、
からなり、
　前記導電性の柔軟性バンプは、前記電気的接続端子を前記電気的接続点及び前記フリップチップＩＣに圧縮性かつ柔軟性に接続し、
　前記導電性の柔軟性バンプは、
　金属粒子を含まないことを特徴とする非金属質のポリマ材料であるポリマバンブであって前記電気的接続端子の所定の位置上のポリマバンプと、
　このポリマバンプ及び前記電気的接続端子の一部とに接触してプレートされた延性を有する金属の層と、
からなり、
　前記ポリマバンプと前記延性を有する金属の層とが、圧縮性で柔軟性の前記電気的接続端子と前記電気的接続点とを形成するようにして成る電子装置組立体。
　 【請求項８】導電性の柔軟性バンプを、少なくとも１個の柔軟性バンプに接続するための電気的接続を有するベース上に形成する方法であって、
　金属粒子を含まないことを特徴とする非金属質のポリマ材料から成るポリマバンブを前記電気的接続上に形成する工程と、
　前記少なくとも１個の電気的接続に電気的に接続する導電性の金属薄膜層を、前記ベース上及び前記ポリマバンプ上に非電気的にプレーティングする工程と、
　前記導電性の金属薄膜層上に、前記柔軟性バンプの表面領域に対応する所定の大きさの開口を有するフォトレジストマスクの層を形成する工程と、
　延性を有する金属の層を、前記フォトレジストマスクによって規定された表面領域上に、延性を有する金属の層と前記ポリマバンプ及び電気的接続上の薄い導電性の金属層の一部とからなる導電性の金属層を形成するために電気プレーティングする工程と、
　フォトレジストマスクを、前記導電性の金属薄膜層の残された部分を露出させるために除去する工程と、
　導電性の金属薄膜層を除去して、前記少なくとも１個の電気的接続と導電性であり、前記ポリマバンプと前記導電性の金属層との柔軟な特性に従って柔軟である柔軟性パンプを形成する工程と、
から成る方法。」
　
２．検討
　平成１６年１２月２７日付の手続補正により適法に補正された特許請求の範囲は請求項１のみであるところ、上記補正は、請求項の数を請求項１〜８に増加したものであって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものには該当しないし、さらに、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものにも該当しない。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項各号のいずれの規定にも該当しないものであるから、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
三．本願発明について　
１．本願発明　
　平成１７年１月２６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１６年１２月２７日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　１．接着用のフリップチップＩＣデバイスのために、電気的接続端子を電気的接続点に圧縮的に柔軟に接続するための前記電気的接続端子を有するベース上への導電性の柔軟性バンプを形成する方法であって、
　ポリマバンプを前記電気的接続端子の所定の位置上に形成する工程と、
　当該ポリマバンプを覆いかつ前記電気的接続端子に対する電気的接続を形成するための延性を有する金属をその上にプレーティングするための前記ポリマバンプを含む所定の領域を規定する工程と、
　延性を有する金属層を、前記ポリマバンプ及び前記電気的接続端子の一部と接触させて前記接着用のフリップチップＩＣデバイスの圧縮及び接着によって前記電気的接続端子と前記電気的接続点との間を接続可能な圧縮性の柔軟な電気的接続を形成するために、プレーティングする工程と
からなる方法。」
　
　なお、上記手続補正書の請求項１に記載の「フリップチップにＩＣデバイス」は、「フリップチップＩＣデバイス」の誤記と認められ、上記のとおり訂正した。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　
　刊行物１：特開平５−９０２６９号公報
　
＜刊行物１の摘記事項＞
ａ．「【０００２】
　　【従来の技術】突起電極を形成する方法として、従来電気メッキ法によって金属塊の突起電極を形成していた。
　・・・
　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】上記のような突起電極の形成方法では、次のような問題点を有する。即ち、工程が非常に多く複雑であり真空蒸着などコストのかかる工程を数多く含むため製造単価が高くなり、またメッキ金属が半導体素子の面方向にも成長するため隣接した端子間でのショートが発生し、微細ピッチの突起電極形成が困難である。また、チップ・オン・グラスと呼ばれている半導体素子を基板上にフェースダウンの形で実装する方法においては、高さを均一に揃えることが困難な上記突起電極では接続信頼性が著しく低下する。さらに金属塊である上記突起電極は、変形し難いためソリッドでかつ平滑な基板への対応が困難であった。」（段落０００２〜段落０００５）
　
ｂ．「【０００７】
　　【課題を解決するための手段】本発明による突起電極の構造は、電気素子あるいは基板上の電極より突出した形状を持つ突起電極において、少なくとも前記電極上の一部を覆うように金属粒子を分散させた樹脂の層を形成し、前記金属粒子を含む前記樹脂と前記電極上にのみ金属被覆を形成したことを特徴とする。
　　【０００８】
　　【作用】電極上に金属粒子を含んだ樹脂を形成する。これを金属メッキ浴に浸漬し、樹脂より突出した金属粒子を核として金属膜が成長する事により樹脂上に金属膜が形成され、同時に電極上にも金属膜が形成され、電極上に樹脂の層を含む突起電極が形成される。」（段落０００７〜段落０００８）
　
ｃ．「【０００９】
　　【実施例】以下、本発明による一実施例を説明する。
　　【００１０】図１は、本発明による突起電極を有する半導体素子の断面図であり、図２は、本発明による突起電極の要部を拡大して示した断面図である。１は半導体素子、２は半導体素子１上に電気信号の入出力を行なうために設けられたＡｌ電極、３は半導体素子１の能動面を保護するために設けられたパッシベーション膜、６はＡｌ電極上に形成された樹脂、７は樹脂中に分散した金属粒子、８は樹脂６およびＡｌ電極２上を覆うように形成された金属膜である。
　　【００１１】図３（ａ）〜図３（ｄ）は、図１および図２に示した本発明による突起電極を形成する工程を示した断面図であり、９はマスク、１０は紫外線の照射方向を示す矢印、１１は樹脂６が紫外線によって硬化した領域であり、１２はパラジウム皮膜である。本発明による突起電極の形成方法は、以下の通りである。
　　【００１２】まず、半導体素子１の能動面上に金属粒子７を一様に分散させた樹脂６をディスペンサー等を使って適量滴下する。滴下した樹脂６を半導体素子１上に均一に広げるため、半導体素子１を・・・高速回転を行ない、樹脂６を・・・スピンコートする。このとき使用した樹脂６は、液状の紫外線硬化型のポリイミド系樹脂であり、金属粒子７として・・・Ａｇ−Ｐｄ粉末を樹脂６中に５〜２０％含有させている。樹脂６として紫外線硬化型のポリイミド樹脂を用いたのは、パターン形成が容易に行え、なおかつ耐薬品性にすぐれているためであり、無電解メッキ液に侵されない樹脂であれば、膜状の樹脂や非感光性樹脂を用いても良い。樹脂６をスピンコートした半導体素子１を・・・乾燥させ、図３（ａ）の構造を得る。つぎに、図３（ｂ）に示すように、半導体素子１のＡｌ電極２に対応した位置に開口部を持つマスク９を図３（ａ）の半導体素子１上に位置合わせをして載せ、紫外線を矢印１０の方向に照射し樹脂６を領域１１のみ硬化させる。マスク９の開口部をＡｌ電極２より小さくすることにより、樹脂６の硬化領域１１はＡｌ電極２より小さくなるよう設計されている。
　　【００１３】樹脂６の未硬化部分を除去するため、樹脂６の現像液に半導体素子１を・・・浸漬し、図３（ｃ）の構造を得る。このとき、樹脂６の硬化領域１１も一部エッチングされるため、樹脂６の厚みは図３（ａ）に示した状態より・・・減少する。このため図３（ｃ）に示すように金属粒子７が樹脂６より突出した状態となる。
　　【００１４】Ａｌ電極２上にもメッキを施すための前処理として、半導体素子１を塩化スズ（ＩＩ）溶液および塩化パラジウム溶液に浸漬し、図３（ｄ）に示すようにＡｌ電極２上に活性化したパラジウム皮膜１２を形成する。
　　【００１５】最後に金属膜８を形成するため半導体素子１を無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬する。Ａｌ電極２上にはパラジウム皮膜１２が存在するため、無電解メッキ浴中のＮｉがパラジウム皮膜１２と置換することによりＡｌ電極２上に析出する。また、樹脂６上においても樹脂６の表面より突出した金属粒子７を核としＮｉ膜が成長する。このようにして、金属粒子７を核とすることで樹脂６上に成長したＮｉ膜と、Ａｌ電極２上に成長したＮｉ膜とが結合し、図２に示すようにＡｌ電極２および樹脂６を覆うように金属膜８が形成され、突起電極を形作る。・・・また金属粒子７は、樹脂６中に食い込んでいるため、アンカー効果により金属膜８の樹脂６への密着力を向上させる。」（段落０００９〜段落００１５）
　
ｄ．「【００１６】・・・さらに、突起電極中に樹脂６の層を含むため金属塊である従来技術の金属バンプ１０５に比べ容易に変形するため、前述したチップ・オン・グラスと呼ばれる実装方法においては、平滑な基板上に突起電極を押圧することで確実な接続を取ることが出来る。」（段落００１６）
　
　
３．当審の判断
３−１．刊行物１記載の発明
　上記刊行物１には、従来技術の問題点として、「チップ・オン・グラスと呼ばれている半導体素子を基板上にフェースダウンの形で実装する方法においては、高さを均一に揃えることが困難な上記突起電極では接続信頼性が著しく低下する」と記載され（摘記事項ａの段落０００５）、実施例として、「従来技術の金属バンプ１０５に比べ容易に変形するため、前述したチップ・オン・グラスと呼ばれる実装方法においては、平滑な基板上に突起電極を押圧することで確実な接続を取ることが出来る」と記載されている（摘記事項ｄの段落００１６）から、刊行物１の発明は、半導体素子を基板上にフェースダウン方式で実装し、突起電極で接続するフリップチップ型半導体素子を対象としている。
　また、刊行物１に記載のＮｉ膜は、Ａｌ電極上に形成された紫外線硬化樹脂を覆うとともに、Ａｌ電極の一部を覆うことでＡｌ電極との電気的接続を形成している。ここで、Ａｌ電極上にＮｉ膜を施すために、Ａｌ電極上にパラジウム皮膜を形成した後、無電解Ｎｉメッキ浴中のＮｉがパラジウム皮膜と置換し、Ａｌ電極上に析出するから、Ｎｉ膜により覆われる領域は、紫外線硬化樹脂を含む所定の領域を規定しているものと認められる。
　さらに、刊行物１には、「本発明による突起電極の構造は、電気素子あるいは基板上の電極より突出した形状を持つ突起電極において」（摘記事項ｂの段落０００７）とあるので、突起電極が、基板上に設けられることが記載されている。
　そして、「突起電極を押圧することで確実な接続」（摘記事項ｄの段落００１６）を形成しており、柔軟性のある突起電極を、押圧により「容易に変形」し、圧縮することで確実な電気的接続を形成していることは明らかである。
　そうすると、刊行物１には、「フリップチップ型半導体素子に対し、基板上のＡｌ電極を該半導体素子の電気的接続を行う部分に圧縮的に接続するために、Ａｌ電極を有する基板上へ柔軟性のある突起電極を形成する方法であって、紫外線硬化型樹脂をＡｌ電極上に形成する工程と、紫外線硬化型樹脂を覆いかつＡｌ電極に対する電気的接続を形成するためのＮｉ膜であって、Ｎｉ膜で紫外線硬化型樹脂の上を覆うための紫外線硬化型樹脂を含む所定の領域を規定する工程と、Ｎｉ膜を、紫外線硬化型樹脂及びＡｌ電極の一部と接触させて、フリップチップ型半導体素子の圧縮によってＡｌ電極と該半導体素子の電気的接続を行う部分との間を接続可能な柔軟な電気的接続を形成するために覆う工程とからなる方法」に関する発明が記載されている。
　
３−２．対比・判断
　そこで、本願発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載の「フリップチップ型半導体素子」、「Ａｌ電極」、「半導体素子の電気的接続を行う部分」、「基板」、「柔軟性のある突起電極」、「紫外線硬化型樹脂」、「Ｎｉ」、及び「覆う」は、本願発明１の「フリップチップＩＣデバイス」、「電気的接続端子」、「電気的接続点」、「ベース」、「導電性の柔軟性バンプ」、「ポリマバンプ」、「金属」、及び「プレーティング」に相当するから、両者は、「フリップチップＩＣデバイスのために、電気的接続端子を電気的接続点に圧縮的に柔軟に接続するための前記電気的接続端子を有する基板上への導電性の柔軟性バンプを形成する方法であって、ポリマバンプを前記電気的接続端子の所定の位置上に形成する工程と、当該ポリマバンプを覆いかつ前記電気的接続端子に対する電気的接続を形成するための金属をその上にプレーティングするための前記ポリマバンプを含む所定の領域を規定する工程と、金属層を、前記ポリマバンプ及び前記電気的接続端子の一部と接触させて前記フリップチップＩＣデバイスの圧縮によって前記電気的接続端子と前記電気的接続点との間を接続可能な圧縮性の柔軟な電気的接続を形成するために、プレーティングする工程とからなる方法。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願発明１は「延性を有する金属」をプレーティングし、「延性を有する金属層」を電気的接続端子の一部と接触させるのに対し、刊行物１に記載の発明はＮｉ膜で覆い、Ｎｉ金属をＡｌ電極の一部に接触させている点。
　相違点２：本願発明１は「接着用のフリップチップＩＣデバイスの圧縮及び接着によって」電気的接続を形成するのに対し、刊行物１に記載の発明は半導体素子と基板を押圧して電気的接続を形成している点。
　
　そこで、上記相違点１、２について検討する。
（１）相違点１について
　刊行物１に記載の発明は、柔軟性のある突起電極を押圧することで変形し、確実な接続を取るという、本願発明１と同じ目的効果を有しており、また、刊行物１に記載のＮｉ金属は、本願発明１の延性を有する金属として明細書の実施例に挙げられている金の延性ほどではないにしても、熱硬化性樹脂を覆う金属層の材料として採用されている以上、延性を有することは明らかである。
　さらに、特開昭６４−１３７３４号公報には、柔軟性のある樹脂製バンプの金属コーティング材として、クロム、銅とともに金が挙げられているように、延性のある金属コーティング材として金は周知の材料である。
　したがって、刊行物１に記載のＮｉ金属に替えて、周知の金属コーティング材料である金のようなＮｉ金属よりもさらに延性を有する金属材料を採用する程度のことは容易に想到することができるものである。
　
（２）相違点２について
　フリップチップ型半導体素子を基板上にフェースダウン方式で実装する場合に、フリップチップ型半導体素子と基板との間に樹脂接着剤（アンダーフィル）を介在させて、フリップチップ型半導体素子と基板とを接着することは周知の技術である（特開平５−６３０３０号公報、特開平３−２０９８３１号公報）から、刊行物１に記載の発明において、半導体素子を基板上に押圧する場合には、半導体素子と基板との間に樹脂接着剤を介在させて半導体素子の圧縮とともに半導体素子と基板の接着によって電気的接続を形成するようなことは容易に想到することができるものである。
　
　そして、本願発明１における上記相違点１、２に格別顕著な作用効果も認められない。
　
４．むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。