【事件の表示】
　特願２００３−５０６０２０「紫外線発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月２７日国際公開、ＷＯ０２／１０３８１４、平成１６年１０月１４日国内公表、特表２００４−５３１８９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、２００２年６月１２日（パリ条約による優先権主張２００１年６月１５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年５月７日に手続補正がなされたが、同年６月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年９月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１０月８日に手続補正がなされたものである。
　
II．平成２０年１０月８日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成２０年１０月８日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成２０年１０月８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】
発光ダイオードであって、
　第１のＧａＮ層と、
　該第１のＧａＮ層の上にある超格子であって、ＧａＮ、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）、及びＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、且つ０＜ｘ＋ｙ＜１）から成る群より選択された交互層の２〜５０の数の繰返しセットから形成されている超格子と、
　該超格子上にあり、第１のＧａＮ層と同じ導電型を有する第２のＧａＮ層と、
　該第２のＧａＮ層上にある多重量子井戸と、
　該多重量子井戸上にある第３のＧａＮ層と、
　該第３のＧａＮ層上にあり、基板及び第１のＧａＮ層とは反対の導電型を有している接触構造と、
　垂直配向の発光ダイオードに対するオーミックコンタクトと
を含むことを特徴とする発光ダイオード。」と補正することを含むものであって、「交互層」の数に関して、「複数」を「２〜５０の数」と限定するものであるから、平成１４年法律第２４号第１条の規定による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
２．刊行物
（１）刊行物１
　原査定の拒絶理由に引用された国際公開第９９／４６８２２号（以下「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「技術分野
　本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、太陽電池、光センサー等の発光素子、受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体（例えば、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）素子に関する。」（第１頁第５〜９行）
　
「実施の形態２．
　以下、図４を参照しながら、本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体素子について説明する。
　…
　本発明において、基板１としては、サファイアＣ面、Ｒ面又はＡ面を主面とするサファイア、その他、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性の基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いることができる。」（第２７頁第６〜２５行）
　
「実施例１７．
　実施例１７は、図４に示す、実施の形態２に関係した実施例である。
　本実施例では、サファイア（Ｃ面）よりなる基板１をＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。
（バッファ層１０２）
　続いて、温度を５１０℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上にＧａＮよりなるバッファ層１０２を約１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
（アンドープＧａＮ層１０３）
　バッファ層１０２成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮ層１０３を１．５μｍの膜厚で成長させる。
（ｎ側コンタクト層４）
　続いて１０５０℃で、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを４．５×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層４を２．２５μｍの膜厚で成長させる。
（ｎ側第１多層膜層１０５）
　次にシランガスのみを止め、１０５０℃で、ＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮ層を７５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて同温度にてシランガスを追加しＳｉを４．５×１０18／cm3ドープしたＧａＮ層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。このようにして、７５オングストロームのアンドープＧａＮ層からなるＡ層と、ＳｉドープしたＧａＮ層を有する２５オングストロームのＢ層とからなるペアを成長させる。そしてペアを２５層積層して２５００オングストローム厚として、超格子構造の多層膜よりなるｎ側第１多層膜層１０５を成長させる。
（ｎ側第２多層膜層１０６）
　次に、同様の温度で、アンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体膜１０６ｂを４０オングストローム成長させ、次に温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い、アンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体膜１０６ａを２０オングストローム成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ、最後にＧａＮよりなる第２の窒化物半導体膜１０６ｂを４０オングストローム成長させた超格子構造の多層膜よりなるｎ側第２多層膜層１０６を６４０オングストロームの膜厚で成長させる。
（活性層７）
　次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を２００オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いアンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を５層、井戸層を４層交互に積層して、総膜厚１１２０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させる。
（ｐ側多層膜クラッド層１０８）
　次に、温度１０５０℃でＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0..2Ｇａ0.8Ｎよりなる第３の窒化物半導体膜１０８ａを４０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたＩｎ0.03Ｇａ0.97Ｎよりなる第４の窒化物半導体膜１０８ｂを２５オングストロームの膜厚で成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第３＋第４の順で交互に５層ずつ積層し、最後に第３の窒化物半導体膜１０８ａを４０オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造の多層膜よりなるｐ側多層膜クラッド層１０８を３６５オングストロームの膜厚で成長させる。
（ｐ側ＧａＮコンタクト層９）
　続いて１０５０℃で、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層９を７００オングストロームの膜厚で成長させる。
　反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。
　アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出し、最上層のｐ側コンタクト層９の表面に所定の形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置でｐ側コンタクト層側からエッチングを行い、図４に示すようにｎ側コンタクト層４の表面を露出させる。
　エッチング後、最上層にあるｐ側コンタクト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉとＡｕを含む透光性のｐ電極１１と、そのｐ電極１１の上にボンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１１を０．５μｍの膜厚で形成する。一方、エッチングにより露出させたｎ側コンタクト層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ電極１２を形成してＬＥＤ素子とした。」（第８１頁第１９行〜第８３頁第２７行）
　
　上記記載において、特に実施例１７に関する（ｎ側コンタクト層４）以降の記載によれば、刊行物１には、
「ＳｉをドープしたＧａＮよりなる２．２５μｍの膜厚のｎ側コンタクト層４上に、
　７５オングストロームのアンドープＧａＮ層からなるＡ層と、ＳｉドープしたＧａＮ層を有する２５オングストロームのＢ層とからなるペアを２５層積層して２５００オングストローム厚とした超格子構造の多層膜よりなるｎ側第１多層膜層１０５を成長させ、
　次に、アンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体膜１０６ｂを４０オングストローム成長させ、次にアンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体膜１０６ａを２０オングストローム成長させる操作を繰り返し、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ、最後にＧａＮよりなる第２の窒化物半導体膜１０６ｂを４０オングストローム成長させた超格子構造の多層膜よりなるｎ側第２多層膜層１０６を６４０オングストロームの膜厚で成長させ、
　次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を２００オングストロームの膜厚で成長させ、続いてアンドープＩｎ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させ、全体で、障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を５層、井戸層を４層交互に積層して、総膜厚１１２０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させ、
　次に、４０オングストロームの膜厚のｐ型Ａｌ0..2Ｇａ0.8Ｎよりなる第３の窒化物半導体膜１０８ａと２５オングストロームの膜厚のＭｇをドープしたＩｎ0.03Ｇａ0.97Ｎよりなる第４の窒化物半導体膜１０８ｂを交互に５層ずつ積層し、最後に第３の窒化物半導体膜１０８ａを４０オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造の多層膜よりなるｐ側多層膜クラッド層１０８を成長させ、
　続いて、ｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層９を７００オングストロームの膜厚で成長させ、その後、
　ｐ側コンタクト層９上に膜厚２００オングストロームのＮｉとＡｕを含む透光性のｐ電極１１とエッチングにより露出させたｎ側コンタクト層４の表面にＷとＡｌを含むｎ電極１２を形成したＬＥＤ素子。」の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）刊行物２
　同じく、原査定の拒絶理由に引用された特開２０００−２２２８３号公報（以下「刊行物２」という。）には次の記載がある。
　
「【００３４】（実施の形態２）図２に本発明の実施の形態２における半導体レーザ素子の構造を示す断面図を示す。図２において、２１はｎ型６Ｈ−ＳｉＣ基板（厚さ１５０μｍ、キャリア密度２×１０18ｃｍ-3）、…、２１０はｐ型電極である。そして基板の裏面には金属層であるＮｉ／Ａｕ層２１１（膜厚４００ｎｍ）が形成されている。
　…
【００４１】なお、基板裏面のＮｉ／Ａｕ層２１１はレーザ素子層成長時に十分合金化され、ｎ型ＳｉＣに対するオーミック電極となるので、図２の素子構造においてはｎ型電極をも兼ねる。」
　
「【００４２】（実施の形態３）図３に本発明の実施の形態３における半導体レーザ素子の構造を示す断面図を示す。図３において、３１はｎ型６Ｈ−ＳｉＣ基板（厚さ１５０μｍ、キャリア密度２×１０18ｃｍ-3）、…、３１１はｐ型電極である。そして基板の裏面にはＮｉ／Ａｕ層３１２（膜厚５００ｎｍ）が形成されている。」
　
「【００５７】（実施の形態６）図６に本発明の実施の形態６における半導体レーザ素子の製造工程断面図を示す。…
　…
【００６４】…、厚さ約１００μｍのｎ型ＧａＮ基板６３を得ることができる。
【００６５】この基板上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて実施の形態３で説明したように、ＡｌＧａＩｎＮ系レーザ素子層６４を形成し、表面のｐ型コンタクト層上にｐ型電極６５を、基板裏面にｎ型電極６６をそれぞれ形成することにより、半導体レーザ素子が得られる。」
　
　そして、図２及び図３には、ｎ型６Ｈ−ＳｉＣ基板を用いた半導体発光素子が示され、また、図６（ｄ）には、ｎ型ＧａＮ基板を用いた半導体発光素子が示されており、いずれも上下にｐ型電極とｎ型電極が配置されており、刊行物２には、ｎ型基板を用いて上下に電極を設けた構造の半導体発光素子が示されている。
　
（３）刊行物３
　同じく、原査定の拒絶理由に引用された国際公開第００／０４６１５号（以下「刊行物３」という。）には次の記載がある。
　
「また、サファイアに電気伝導性がないため、基板の裏側にｎ側電極を形成することができない。このため、ｎ型ＧａＮ中間層を露出させ、この部分にｎ側電極を形成することが必要になる。
　サファイア基板を利用することの本質的な課題を解決するために、ＳｉＣ基板を用いることが提案されている。」（第３頁第１９〜２３行）　
「図４５を参照して、ＳｉＣ基板を用いた半導体レーザの製造方法を説明する。…ＳｉＣ基板２３１にはｎ型導電性が付与されている。…ＳｉＣ基板の裏面上にＮｉ、Ｔｉ、及びＡｕを順次堆積させてｎ側電極２４３を形成する。…この開口の内面上及びＳｉＯ２膜２４２の表面上に、Ｎｉ、Ｔｉ、及びＡｕを順次堆積させ、ｐ側電極２４４を形成する。…素子分割することにより、ＧａＮ系半導体レーザが完成する。…ＳｉＣは電気伝導性を有するため、基板の裏面に片方の電極を配置することができる。」（第３頁第２９行〜第５頁第４行）
　
　そして、図４５には、ｎ型ＳｉＣ基板２３１上に形成されたＧａＮ系半導体レーザにおいて、ｐ側電極２４４及びｎ側電極２４３を上下に設けた構造が示されている。また、図５、１０、１９にも、ｎ型ＳｉＣ基板１１を用いて上下にｐ側電極２７とｎ側電極２６を設けた構造が示されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と刊行物１発明を対比する。
　
　刊行物１発明の「ｎ側コンタクト層４」は、「ＧａＮよりなる」層であるから、本願補正発明の「第１のＧａＮ層」に相当する。
　
　刊行物１発明の「ｎ側第２多層膜層１０６」において最後に成長させたＧａＮよりなる第２の窒化物半導体膜１０６ｂを除いたものは、「アンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体膜１０６ｂを４０オングストローム成長させ、次にアンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体膜１０６ａを２０オングストローム成長させる操作を繰り返し、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ」た「超格子構造の多層膜」であり、前記「ｎ側コンタクト層４」の上にあるから、本願補正発明の「該第１のＧａＮ層の上にある超格子であって、ＧａＮ、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）、及びＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、且つ０＜ｘ＋ｙ＜１）から成る群より選択された交互層の２〜５０の数の繰返しセットから形成されている超格子」に相当する。
　
　次に、刊行物１発明の「ｎ側第２多層膜層１０６」の最後に成長させた第２の窒化物半導体膜１０６ｂは、ｎ側第２多層膜層１０６の最後の第１の窒化物半導体膜１０６ａ上に形成されたアンドープＧａＮよりなる層であり、また、これに引き続いて形成された刊行物１発明の「活性層７」の最初の「障壁層」もアンドープＧａＮよりなる層であり、ここで、アンドープＧａＮの導電型がｎ型であることは、当業者に周知である。（なお、このことは、本願明細書の段落【００３９】に「表１に示してあるように、好ましい態様では、超格子は、双方ともに珪素（Ｓｉ）でｎ型ドープされている窒化インジウムガリウム１５オングストローム層４２と窒化ガリウム３０オングストローム層４３とによって形成されている周期を約２〜５０周期（１０周期は例示である）含む。しかしながら、所望ならば、層４２及び層４３はアンドープであることができる。」と記載され、また、段落【００４０】に「超格子２７を成長させた後には、二つの工程でｎ型窒化ガリウム層３０を成長させる。表１に示してあるように、約２５０オングストロームの厚さを有する層３０の第一部分を、約８２０℃の温度において、珪素をドープしながら成長させる。次に、層のより小さくより狭い部分をドーピングしないで成長させて、多重量子井戸３１におけるアンドープト窒化インジウムガリウム層を、ｎ型層３０における珪素ドーピングからできる限り隔離する。」と記載されているように、ｎ型の導電型が必要とされる部分にアンドープのＧａＮ層を用いることが本願明細書に記載されていることからも明らかである。）
　そして、刊行物１発明の「ｎ側コンタクト層４」の導電型がｎ型であることは明らかであるから、刊行物１発明の「ｎ側第２多層膜層１０６」の最後に成長させたアンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体膜１０６ｂと刊行物１発明の「活性層７」の最初の障壁層を構成するアンドープＧａＮ層は、本願補正発明の「該超格子上にあり、第１のＧａＮ層と同じ導電型を有する第２のＧａＮ層」に相当する。
　
　次に、刊行物１発明の「活性層７」の最初の井戸層から最後の井戸層までの４層の井戸層及びそれらに挟まれた３層の障壁層が本願補正発明の「該第２のＧａＮ層上にある多重量子井戸」に相当する。
　
　そして、刊行物１発明の「活性層７」の最後の障壁層である２００オングストロームの膜厚のアンドープＧａＮ層が本願補正発明の「該多重量子井戸上にある第３のＧａＮ層」に相当する。
　
　また、刊行物１発明の「ｐ側多層膜クラッド層１０８」と「ｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層９」は、前記「活性層７」の最後の障壁層である２００オングストロームの膜厚のアンドープＧａＮ層上に成長され、ともに導電型がｐ型であり、ｎ型の「ｎ側コンタクト層４」とは反対の導電型を有するものであって、ｐ電極１１に対する接触構造を形成しているから、刊行物１発明は、「該第３のＧａＮ層上にあり、第１のＧａＮ層とは反対の導電型を有している接触構造」を含む点で本願補正発明と一致する。
　
　また、刊行物１発明の「ＬＥＤ素子」が「発光ダイオード」であることは明らかであり、刊行物１発明の「ｐ電極１１」と「ｎ電極１２」はともに「発光ダイオードに対するオーミックコンタクト」であるといえる。
　
　以上のことから、本願補正発明と刊行物１発明は、
「発光ダイオードであって、
　第１のＧａＮ層と、
　該第１のＧａＮ層の上にある超格子であって、ＧａＮ、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）、及びＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、且つ０＜ｘ＋ｙ＜１）から成る群より選択された交互層の２〜５０の数の繰返しセットから形成されている超格子と、
　該超格子上にあり、第１のＧａＮ層と同じ導電型を有する第２のＧａＮ層と、
　該第２のＧａＮ層上にある多重量子井戸と、
　該多重量子井戸上にある第３のＧａＮ層と、
　該第３のＧａＮ層上にあり、第１のＧａＮ層とは反対の導電型を有している接触構造と、
　発光ダイオードに対するオーミックコンタクトと
を含む発光ダイオード。」の点で一致する。
　
　一方、本願補正発明は、基板の導電型が接触構造の導電型とは反対の第１のＧａＮ層と同じ導電型であり、オーミックコンタクトが垂直配向の発光ダイオードに対するオーミックコンタクトとなっているのに対し、刊行物１発明は、実施例１７においては、絶縁物であるサファイア基板の上に形成されたものであり、垂直配向の発光ダイオードに対するオーミックコンタクトとなっていない点で相違する。
　
４．相違点についての検討
　刊行物１の第２７頁第２２〜２５行には、図４に示される窒化物半導体素子について上記のとおり「本発明において、基板１としては、サファイアＣ面、Ｒ面又はＡ面を主面とするサファイア、その他、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性の基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いることができる。」と記載されているところであり、刊行物１には、刊行物１発明に関し、その基板として半導体基板を用いることが示唆されている。
　そして、基板として半導体基板を用いる場合には、上記刊行物２及び３にみられるように、導電型がｎ型の半導体基板を用い、上下に電極を設ける構造とすること、すなわち、本願補正発明でいう垂直配向の発光素子に対するオーミックコンタクトとすることが周知であるから、刊行物１発明において、基板として導電型がｎ型の半導体基板を用い、垂直配向の発光ダイオードに対するオーミックコンタクトが構成されるようにして、上記相違点に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、本願補正発明が奏する効果についても、刊行物１に記載された事項及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　　　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　
　よって、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年１０月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年５月７日付けで補正された本願特許請求の範囲の請求項１ないし３３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）及び請求項１９に係る発明（以下「本願発明１９」という。）は、それぞれ、次のとおりである。
「【請求項１】
発光ダイオードであって、
　第１のＧａＮ層と、
　該第１のＧａＮ層の上にある超格子であって、ＧａＮ、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）、及びＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、且つ０＜ｘ＋ｙ＜１）から成る群より選択された交互層の複数の繰返しセットから形成されている超格子と、
　該超格子上にあり、第１のＧａＮ層と同じ導電型を有する第２のＧａＮ層と、
　該第２のＧａＮ層上にある多重量子井戸と、
　該多重量子井戸上にある第３のＧａＮ層と、
　該第３のＧａＮ層上にあり、基板及び第１のＧａＮ層とは反対の導電型を有している接触構造と、
　垂直配向の発光ダイオードに対するオーミックコンタクトとを含むことを特徴とする発光ダイオード。
　
【請求項１９】
発光ダイオードの製造方法であって、
　第１の窒化ガリウム（ＧａＮ）層上に、ＧａＮ、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）、及びＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０＜ｘ＋ｙ＜１）から成る群より選択された交互層の複数の繰返しセットから形成されている超格子を成長させるステップと、
　該超格子上に、第１のＧａＮ層と同じ導電型を有する第２のＧａＮ層を成長させるステップと、
　該超格子上にIII族窒化物からなる多重量子井戸を成長させるステップと、
　該多重量子井戸上に第３のＧａＮ層を成長させるステップと、
　該第３のＧａＮ層上に、第１のＧａＮ層とは反対の導電型を有している接触構造を成長させるステップと、
　該接触構造へのオーミックコンタクトを形成するステップとからなることを特徴とする発光ダイオード製造方法。」
　
２．判断
（１）本願発明１について
　本願発明１は、本願補正発明において、超格子の交互層の繰返しセット数である「２〜５０」を「複数」としたものであるから、上記II．［II］２．〜４．における本願補正発明についての検討から、上記刊行物１発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
（２）本願発明１９について
　本願発明１９は、本件補正後の請求項１６に係る発明と同じものであるが、実質的に、本願発明１から基板に関する限定及びオーミックコンタクトが垂直配向の発光ダイオードに対するものである旨の限定を省いた物の発明について、これを製造方法の発明として表現したものであると認められる。
　してみれば、上記II．［II］２．〜３．における本願補正発明についての検討から、本願発明１９が上記刊行物１に記載されたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願発明１９は、刊行物１に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。