【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の主面に形成された第２電極パッド上に設けられた第２内部接続端子と、
前記支持基板の前記主面において、前記第２電極パッドの形成された領域の内側に固着された半導体チップと、
前記半導体チップの主面に形成された第１電極パッド上に設けられた第１内部接続端子と、
前記支持基板の前記主面に形成され、前記半導体チップ、前記第１内部接続端子、及び前記第２内部接続端子を覆い、前記第１内部接続端子及び前記第２内部接続端子の一部を露出する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、前記第１内部接続端子と前記第２内部接続端子とを電気的に接続する配線パターンと、
前記第１絶縁層上に前記配線パターンを覆うように形成され、前記配線パターンの一部を露出する開口部を有する第２絶縁層と、を有し、
前記開口部は、平面視において、前記第１内部接続端子よりも外側の領域に配置される半導体装置。
【請求項２】
前記第１内部接続端子及び前記第２内部接続端子の一部は、前記第１内部接続端子及び前記第２内部接続端子の上面であり、
前記第１内部接続端子の上面、前記第２内部接続端子の上面、及び前記第１絶縁層の上面は面一である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１絶縁層の上面は粗化面である請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記支持基板の外縁部に切り欠き部が形成され、前記切り欠き部は樹脂で充填されている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
支持基板の主面の外縁部に第２電極パッドを形成する第１工程と、
主面に第１電極パッドが形成された半導体チップの裏面を、前記支持基板の前記主面の前記第２電極パッドの形成された領域の内側に固着する第２工程と、
前記第１電極パッド上及び前記第２電極パッド上に、それぞれ第１内部接続端子及び第２内部接続端子を形成する第３工程と、
前記支持基板の主面に、前記半導体チップ、前記第１内部接続端子、及び前記第２内部接続端子を覆い、前記第１内部接続端子及び前記第２内部接続端子の一部を露出する第１絶縁層を形成する第４工程と、
前記第１絶縁層上に、前記第１内部接続端子と前記第２内部接続端子とを電気的に接続する配線パターンを形成する第５工程と、
前記第１絶縁層上に前記配線パターンを覆うように、前記配線パターンの一部を露出する開口部を有する第２絶縁層を形成する第６工程と、を有し、
前記第６工程において、前記開口部は、平面視において、前記第１内部接続端子よりも外側の領域に配置される半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第４工程において、前記第１内部接続端子及び前記第２内部接続端子の一部は、前記第１内部接続端子及び前記第２内部接続端子の上面であり、
前記第１内部接続端子の上面、前記第２内部接続端子の上面、及び前記第１絶縁層の上面は面一となる請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁層の上面を粗面化する工程を含む請求項５又は６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
複数の前記半導体チップ搭載領域と、前記複数の半導体チップ搭載領域を分離するスクライブ領域とが設けられた前記支持基板の前記スクライブ領域に溝部を形成する工程と、
前記溝部を埋める樹脂層を形成する工程と、
前記第４工程よりも後に、前記スクライブ領域の前記樹脂層を含む部分を切断し、前記支持基板の外縁部に切り欠き部が形成され前記切り欠き部が前記樹脂層で充填されている個片化された複数の半導体装置を作製する工程と、を有する請求項５乃至７の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体チップ上に配線パターンが形成された半導体装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、所謂ファンアウト構造を採ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本半導体装置は、支持基板と、前記支持基板の主面に形成された第２電極パッド上に設けられた第２内部接続端子と、前記支持基板の前記主面において、前記第２電極パッドの形成された領域の内側に固着された半導体チップと、前記半導体チップの主面に形成された第１電極パッド上に設けられた第１内部接続端子と、前記支持基板の前記主面に形成され、前記半導体チップ、前記第１内部接続端子、及び前記第２内部接続端子を覆い、前記第１内部接続端子及び前記第２内部接続端子の一部を露出する第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、前記第１内部接続端子と前記第２内部接続端子とを電気的に接続する配線パターンと、前記第１絶縁層上に前記配線パターンを覆うように形成され、前記配線パターンの一部を露出する開口部を有する第２絶縁層と、を有し、前記開口部は、平面視において、前記第１内部接続端子よりも外側の領域に配置されることを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、支持基板の主面の外縁部に第２電極パッドを形成する第１工程と、主面に第１電極パッドが形成された半導体チップの裏面を、前記支持基板の前記主面の前記第２電極パッドの形成された領域の内側に固着する第２工程と、前記第１電極パッド上及び前記第２電極パッド上に、それぞれ第１内部接続端子及び第２内部接続端子を形成する第３工程と、前記支持基板の主面に、前記半導体チップ、前記第１内部接続端子、及び前記第２内部接続端子を覆い、前記第１内部接続端子及び前記第２内部接続端子の一部を露出する第１絶縁層を形成する第４工程と、前記第１絶縁層上に、前記第１内部接続端子と前記第２内部接続端子とを電気的に接続する配線パターンを形成する第５工程と、前記第１絶縁層上に前記配線パターンを覆うように、前記配線パターンの一部を露出する開口部を有する第２絶縁層を形成する第６工程と、を有し、前記第６工程において、前記開口部は、平面視において、前記第１内部接続端子よりも外側の領域に配置されることを要件とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
開示の技術によれば、所謂ファンアウト構造を採ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
以上のように、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、主面に半導体チップ搭載領域が設けられた支持基板の半導体チップ搭載領域の外縁部に電極パッドを形成し、主面に電極パッドが形成された半導体チップの裏面を、この支持基板の主面の電極パッドの形成された領域の内側に固着する。そして、支持基板の主面の電極パッド上及び半導体チップの主面の電極パッド上に、それぞれ第２内部接続端子及び第１内部接続端子を形成する。そして、支持基板の主面に、半導体チップを覆い、第１内部接続端子及び第２内部接続端子の一部を露出する絶縁層を形成し、更に、この絶縁層上に、第１内部接続端子と第２内部接続端子とを電気的に接続する配線を含む配線パターンを形成する。そして、この絶縁層上に配線パターンを覆うように、配線パターンの外部接続端子配設領域を露出する開口部を有するソルダーレジスト層を形成する。この際、開口部は、平面視において、第１内部接続端子が形成されている領域よりも外側の領域を含む領域に配置される。更に、開口部内に露出する外部接続端子配設領域に外部接続端子を形成してもよい。このように、ソルダーレジスト層の開口部は、平面視において、第１内部接続端子が形成されている領域よりも外側の領域を含む領域に配置されるので、開口部内に露出する外部接続端子配設領域に外部接続端子を形成することにより、所謂ファンアウト構造を採ることが可能な半導体装置を実現することができる。