【事件の表示】
　特願２００４−３３０９６９「パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月２６日出願公開、特開２００５−１３６４３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年７月７日に出願した特願２０００−２０７２７０号の一部を新たな特許出願としたものであって、平成１９年４月１７日付けで通知した拒絶の理由に対して、同年６月１３日付けで手続補正書が提出され、さらに平成２０年７月１０日付けで通知された拒絶の理由に対して、同年９月１１日付けで手続補正書が提出されたが、同年９月２６日付けで、前記平成１９年４月１７日付けで通知した拒絶の理由により拒絶査定がなされ、これに対して、平成２０年１０月２３日付けで審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、その後、当審において、前置報告書を用いた審尋に対して、平成２１年１１月１２日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２０年１０月２３日付けの手続補正の却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１０月２３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正事項
　本件補正には、平成２０年９月１１日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１を、次のように補正しようとする事項が含まれる。
　
（補正前）
　「【請求項１】
被エッチング膜の上に一層のポジ型のレジスト膜により厚レジストパターンと薄レジストパターンからなるレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、被エッチング膜の上にポジ型のレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜に熱処理を施す工程と、前記レジスト膜のうち前記厚パターンが形成される領域の前記レジスト膜は非露光とし、前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域の前記レジスト膜を第１の露光量により、前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域を前記第１の露光量よりも少ない第２の露光量によって、それぞれ選択的に露光する工程と、前記レジスト膜を現像液で現像することにより前記厚レジストパターンおよび前記薄レジストパターンからなる前記レジストパターンを形成する工程と、を含み、前記熱処理を施す工程は、前記第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行うことを特徴とするパターン形成方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
被エッチング膜の上に一層のポジ型のレジスト膜により厚レジストパターンと薄レジストパターンからなるレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、被エッチング膜の上にポジ型のレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜に熱処理を施す工程と、前記レジスト膜のうち前記厚パターンが形成される領域の前記レジスト膜は非露光とし、前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域の前記レジスト膜を第１の露光量により、前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域を前記第１の露光量よりも少ない第２の露光量によって、それぞれ選択的に露光する工程と、前記レジスト膜を現像液で現像することにより前記厚レジストパターンおよび前記薄レジストパターンからなる前記レジストパターンを形成する工程と、を含み、前記熱処理を施す工程は、前記第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行う
ものであり、前記第２の露光量は前記薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚のバラツキが１００ｎｍ以下となる露光量である
　
２．補正の適否の判断
（１）補正の目的
　上記補正事項は、補正前の請求項１における、薄レジストパターンの形成予定領域を露光するのに用いる「第２の露光量」について、「前記第２の露光量は前記薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚のバラツキが１００ｎｍ以下となる露光量である」という限定を付したものと一応いえる。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当すると認める。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）独立特許要件の判断
　本願補正発明では、「前記薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚のバラツキが１００ｎｍ以下となる露光量である」第２の露光量は、「前記熱処理を施す工程は、前記第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行うもの」という規定にも使用されている。
　それは、工程順にいうと、まず、所定の温度および時間で熱処理を行うと、「露光量の変化に対する現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する部分」（以下、「膜厚変化量の減少部分」という。）が得られ、次に、当該膜厚変化量の減少部分において、「薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚」に対応する所定の「第２の露光量」で露光し、さらに、現像すると、「バラツキが１００ｎｍ以下」となる「薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚」が得られるものと、一応解される。
　そして、本願補正発明の上記「前記熱処理を施す工程は、前記第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行うもの」との規定は、上記工程順で得られた結果から遡上して、所定の温度および時間で行う熱処理を、「薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚のバラツキが１００ｎｍ以下である」「第２の露光量」に対応する「膜厚変化量の減少部分」が得られる処理として、表現したものといえる。
　しかし、本願補正発明の「熱処理を施す工程」は、「薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚のバラツキが１００ｎｍ以下である」のごとく、レジスト膜厚のバラツキ幅（ｎｍ）で規定されるのみであって、露光量のマージン幅（例えば、４０〜５０Ｊ／ｃｍ２のマージンで露光するなら、１０ｍＪ／ｃｍ２の幅がある）が与えられていないから、「膜厚変化量の減少部分」における「露光量の変化に対する現像後のレジスト膜厚の変化量」を特定することができないものである。つまり、「第２の露光量」のマージン幅の設定如何により、「露光量の変化に対する現像後のレジスト膜厚の変化量」も変化し、ひいては、熱処理の条件（温度および時間）も変化してくるということになるが、「第２の露光量」のマージン幅が与えられていないのである。
　したがって、上記補正事項は、薄レジストパターンの形成予定領域を露光するのに用いる「第２の露光量」について、「前記第２の露光量は前記薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚のバラツキが１００ｎｍ以下となる露光量である」という限定をしたものの、「露光量の変化に対する現像後のレジスト膜厚の変化量」が特定されないので、請求項１に係る発明の「熱処理を施す工程」が、「薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚のバラツキが１００ｎｍ以下である」「第２の露光量」に対応する「膜厚変化量の減少部分」が得られる処理として、どのようなものを含むのか、明確でないと言わざるを得ない。
　
　また、仮に「第２の露光量」のマージン幅が与えられたとしても、「膜厚変化量の減少部分」における「露光量の変化に対する現像後のレジスト膜厚の変化量」は、如何なる露光量でも一定であるはずがない（すなわち、本願の図３（ｂ）のグラフにおいては、下方への傾きがほぼ一定である直線であるが、現実には、直線ではなく、傾きが変化するような曲線であるはずである。）。そうすると、「薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚」の目標値（例えば、４００±１００ｎｍに制御するのであれば、４００ｎｍ。）が変更（例えば４００ｎｍから４５０ｎｍに変更）される場合を想定すると、同じ熱処理の条件（温度および時間）のものにおいて、変更前の膜厚目標値（４００ｎｍ）に対して適切（例えばバラツキ９０ｎｍ）であっても、変更後の膜厚目標値（４５０ｎｍ）に対しては不適（例えばパラツキ１１０ｎｍ）であることも十分に生じ得ることである。つまり、熱処理の条件（温度および時間）が同じであっても、膜厚目標値の違いにより、適切な熱処理になったり、不適な熱処理になったり、変更が生じ得るものである。
　したがって、「薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚」の目標値の設定如何により、適切な熱処理の条件（温度および時間）も変化してくるということになるから、やはり、本願補正発明の「熱処理を施す工程」がどのようなものまでを含むのか、明確でないと言わざるを得ない。
　
　以上のとおりであるから、本件補正後の特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が明確でないので、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
第３　本願発明について
１．本願の請求項１に係る発明
　平成２０年１０月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成２０年９月１１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は上記「第２　１．（補正前）」に記載したとおりである。
　
２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物は以下のとおりである。
　刊行物１：特開平９−１２７７０７号公報
　刊行物２：特開平２−２６２１５５号公報
　刊行物３：特開平１１−２０３７３１号公報
　刊行物４：特開平６−１８８１８４号公報
　
　そして、刊行物１〜４には、図面とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
（１）刊行物１
　（１ａ）「【０００８】この発明の目的は、半導体装置の製造に伴うフォトリソグラフィー工程の削減を可能にするレジストパターンの形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明では、
レジストパターンの形成方法において
基体上にレジストを形成する工程と
前記レジストの第１領域を除く領域の上部のみを感光する第１露光工程と
前記第１露光工程の前後のいずれかに行なわれ、前記第１領域と前記第１領域に隣接された第２領域とを除く領域を感光する第２露光工程と
前記第１露光工程及び第２露光工程を行なった後、前記基体上に島状の第１レジストパターンと、前記第１レジストパターン上に前記第１レジストパターンより幅狭の第２レジストパターンを形成する現像工程
を備える
【００１０】請求項１記載の発明においては、レジストを基体上に形成後、第１露光工程及び第２露光工程を行い、第１レジストパターン上に第１レジストパターンより幅狭の第２レジストパターンを形成し、これらを第１のマスクとして用いることができ、これらをマスクなしでエッチングすると、第２レジストパターンは第１レジストパターンと重なり部分を有しているので、第２レジストパターンと重ならない第１レジストパターン部分を除去しても、少なくとも前記第２レジストパターンの一部からなる第３レジストパターンを残すことができ、この第１レジストパターンと異なるサイズのパターンを第２のマスクとすることができる。このように異なる幅のレジストパターンを一度の現像工程で同時に行なうことができ、レジストパターン形成のスループットを向上することができる。
【００１１】
前記レジストの第１領域を除く領域の上部のみを感光する第１露光工程としては
また感光性の低いレジストを設けたり
して、上部のみが十分感光されるようにすればよい
【００１２】請求項２記載の発明では、前記レジストは
ポジ型レジスト
　
　（１ｂ）「【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係るレジストパターンの形成方法の各実施形態を図面に基づいて説明する。
（実施形態１）図１〜図３は、この発明の実施形態１を示す工程断面図である。本実施形態は、逆スタガ型構造の薄膜トランジスタの製造に本発明を適用した例であり、特に液晶表示素子の製造において本実施形態を用いることができる。
【００１７】まず、本実施形態では、
図１
ポジ型レジスト２６をスピンコートする
【００１８】次に、図１（Ａ）に示すように、
第１フォトマスク２７を配置させて第１の露光を行う
第１の露光の露光量は、通常の露光エネルギーより低く（例えば約５０ｍＪ／ｃｍ
2
）設定
感光部２６ｂは、上記した条件に起因して、ポジ型レジスト２６の厚さ方向の上半部のみに形成
【００１９】続いて、図１（Ｂ）に示すように、第１フォトマスク２７を
第２フォトマスク２８に替えて第２の露光
第２の露光の露光量は、第１の露光の露光エネルギーより大きく（例えば１００ｍＪ／ｃｍ
2
）設定
第２フォトマスク２８で隠されない部分のポジ型レジスト２６に厚さ方向全体に渡って感光した感光部２６ｃが形成
【００２０】次に、
ポジ型レジスト２６の現像を行う
幅の狭い第１パターン２６Ａ
幅の広い第２パターン２６Ｂ
【００２１】〜【００２４】（略）
【００２５】以上のようにレジストパターンを形成したことにより、本実施形態では、半導体層２４のパターニングと、チャネル保護層２５Ａのパターニングとを、１回のフォトリソグラフィー工程で形成されたレジストパターンを用いて行えるようにした。このため、
フォトリソグラフィーに付随する工程
例えば
ソフトベーク（プリベーク）工程
　
　（１ｃ）図１，２は以下のとおり。
　
　（１ｄ）「【００３７】上記実施形態１、２においては、第１フォトマスク２７をマスクとした第１の露光の後に、第１フォトマスクより幅広の第２フォトマスク２８をマスクとした第２の露光を行なったが、これに限らず、
図８
第２の露光を行ない
第１の露光を行ない
　
　（１ｅ）図８は以下のとおり。　
　
　これら記載によれば、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「レジストパターンの形成方法において、
　基体上にポジ型レジストを形成する工程と、
　前記レジストの第１領域を除く領域の上部のみを感光する、露光量が少ない第１露光工程と、
　前記第１露光工程の前後のいずれかに行なわれ、前記第１領域と前記第１領域に隣接された第２領域とを除く領域を感光する、第１露光工程の露光よりも露光量が多い第２露光工程と、
　前記第１露光工程及び第２露光工程を行なった後、前記基体上に島状の第１レジストパターンと、前記第１レジストパターン上に前記第１レジストパターンより幅狭の第２レジストパターンを形成する現像工程と、
　を含む、
　レジストパターンの形成方法。」
　
（２）刊行物２
　（２ａ）「特許請求の範囲
（１）イメージリバース法を利用し、処理すべき基板上に架橋済入りノボラック系ポジ型レジストを塗布し所定のプリベーク温度でプリベーク処理した後、ＵＶ光を照射してパターン露光、次いでリバーサルベークし、更にＵＶ光をその全面に照射してから現像処理してレジストパターンを形成する方法において、前記プリベーク処理における前記プリベーク温度が１１０℃−１２０℃の範囲であることを特徴とするレジストパターンの形成方法。」
　
　（２ｂ）「しかしながら、従来技術による上記イメージリバース法では、処理すべき基板上の被加工膜に、例えばポジ型フォトレジストを所定膜厚で塗布してからプリベークする際に、プリベーク温度を９０℃程度に設定していた。しかし、この程度の温度ではプリベーク後のレジスト膜全体の熱架橋が不十分となることが判明し、最初の露光後に行なわれるリバーサルベークにおいて架橋不足が一段と顕著となってしまうため、これが解像度低下の１要因となっていた。」（第２頁左上欄第９〜１８行）
　
　（２ｃ）「
プリベーク温度が１２０℃より高いと感度低下を来たす
　
（３）刊行物３
　（３ａ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、高密度の記録媒体として光により記録データを読み出す光ディスクが利用されており、光ディスクの各種形態の中には、深さが異なるピットとグルーブとを形成したものがある。そのような光ディスクを得るには、光ディスクのフォトレジスト原盤のパターン形成もピットとグルーブとで変える必要がある。
【０００３】このため、従来は、強度が弱いレーザによってグルーブを形成し、強度が強いレーザによってピットを形成している。ここで、ピットの深さはフォトレジストの膜厚で決定するが、グルーブの深さはレーザの強度に依存し、レーザ強度の変動やフォーカス信号の変動などによってグルーブの深さに変動が生じやすい。また同様に、グルーブの幅の制御も非常に困難である。
【０００４】このような問題を解決するために提案された従来の技術の第一の例としては特開平2-276038号公報記載の発明がある。この第一の例では
フォトレジスト層を二層化し、ガラス原盤上の第一フォトレジスト層のプリベイク温度に比べて、第一フォトレジスト層上の第二フォトレジスト層のプリベイク温度を低くしている
【０００５】
一般に、プリベイク温度が高いほど、フォトレジストの感光感度特性は低くなる
したがって、このような製造方法によれば、第一層目のフォトレジストの感度は、第二層目のフォトレジストの感度に比べて低くなる。よって、第一フォトレジスト層が感光しないレーザ強度の最大値と、第一フォトレジスト層が感光するレーザ強度の最小値との間には差ができる。したがって、グルーブを所定の深さに形成できるレーザの強度にある程度の許容範囲を得ることができる
　
（４）刊行物４
　（４ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上に塗布形成されたレジスト膜を加熱する際に、レジスト膜上面に熱源を前記レジスト膜に接触しないように設置し、前記レジスト膜内部にレジスト膜表面から前記レジスト膜と前記基板の界面方向に向かって温度が低下する温度分布を形成することを特徴とするレジスト膜の加熱方法。
【請求項２】前記熱源と前記レジスト膜とを、接触することのない位置まで接近させ、所定の時間保持した後、前記レジストが前記熱源から影響を受けない位置まで離すことを特徴とする請求項１記載のレジスト膜の加熱方法。
【請求項３】〜【請求項６】（略）
【請求項７】請求項１，２，３または４記載のレジスト膜の加熱方法により、前記基板上に塗布形成された前記レジスト膜に対して、少なくとも、前記レジスト膜内部にレジスト膜表面からレジスト膜と基板の界面方向に向かって温度が低下する温度分布を形成した後、所望のパターンを第１の露光によりレジスト膜上に転写し、現像した後、第２の露光により前記レジスト膜全面を露光することによりレジスト膜の耐熱性を向上させることを特徴とするレジストパターン形成方法。」
　
　（４ｂ）「【０００６】
【作用】本発明の方法では、
レジスト膜加熱時、レジスト膜内部に温度分布を形成することにより、現像時におけるレジスト膜各点での現像液に対する溶解速度を変化させる
ノボラック樹脂と感光剤ナフトキノンジアジドで構成されるノボラック系レジストにおけるこの現象
従って、１３０℃以上の加熱によるレジスト中の残留成分の低下あるいは１８０℃以上の加熱によるノボラック樹脂の架橋現象、あるいはこの二現象を同時に発生させることにより、ノボラック系レジストを現像液に対して難溶化させることができる
　
　（４ｃ）「【０００７】
【実施例】次に図面を参照して、本発明の実施例について説明する。図１は、現像特性を示す曲線図、図２は、レジスト膜内部の温度分布を示す図、図３および図４は、本発明を示す工程別断面図である。
【０００８】
図１
ベーキング時間が９０秒，１８０秒，３６０秒の３種のレジストについて調べた
ベーク後の現像に要する時間は、１０５℃以上のプリベークでは、プリベーク温度およびその時間が増加するに従って、レジスト膜は現像されにくくなる
したがって、プリベーク処理をレジスト膜に施す際に、レジスト膜内部に温度分布を形成すれば、露光後現像により、アンダーカット形状を実現することが可能となる
　
　（４ｄ）図１は以下のとおり。
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、
　刊行物１記載の発明の「レジストパターンの形成方法」「基体」「ポジ型レジストを形成する」は、それぞれ、本願発明１の「レジストパターンを形成するパターン形成方法」「被エッチング膜」「ポジ型のレジスト膜を塗布する」に相当する。
　
　刊行物１記載の発明の「前記レジストの第１領域」「前記第１領域に隣接された第２領域」「前記第１領域と前記第１領域に隣接された第２領域とを除く領域」は、それぞれ、本願発明１の「前記レジスト膜のうち前記厚パターンが形成される領域」「前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域」「前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域」に相当する。
　
　したがって、刊行物１記載の発明の「前記レジストの第１領域を除く領域の上部のみを感光する、露光量が少ない第１露光工程と、前記第１露光工程の前後のいずれかに行なわれ、前記第１領域と前記第１領域に隣接された第２領域とを除く領域を感光する、第１露光工程の露光よりも露光量が多い第２露光工程」は、
　本願発明１の「前記レジスト膜のうち前記厚パターンが形成される領域の前記レジスト膜は非露光とし、前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域の前記レジスト膜を第１の露光量により、前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域を前記第１の露光量よりも少ない第２の露光量によって、それぞれ選択的に露光する工程」に相当する。
　
　刊行物１記載の発明の「前記第１露光工程及び第２露光工程を行なった後、前記基体上に島状の第１レジストパターンと、前記第１レジストパターン上に前記第１レジストパターンより幅狭の第２レジストパターンを形成する現像工程」は、実質的に、
　本願発明１の「前記レジスト膜を現像液で現像することにより前記厚レジストパターンおよび前記薄レジストパターンからなる前記レジストパターンを形成する工程」に相当する。
　
　そうすると、両者の一致点、相違点は次のとおりと認められる。
　
［一致点］
　「被エッチング膜の上に一層のポジ型のレジスト膜により厚レジストパターンと薄レジストパターンからなるレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、
　被エッチング膜の上にポジ型のレジスト膜を塗布する工程と、
　前記レジスト膜のうち前記厚パターンが形成される領域の前記レジスト膜は非露光とし、前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域の前記レジスト膜を第１の露光量により、前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域を前記第１の露光量よりも少ない第２の露光量によって、それぞれ選択的に露光する工程と、
　前記レジスト膜を現像液で現像することにより前記厚レジストパターンおよび前記薄レジストパターンからなる前記レジストパターンを形成する工程と、を含む、
　パターン形成方法。」
　
［相違点］
　本願発明１は、レジスト膜に熱処理を施す工程を有し、熱処理を施す工程は、第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行うものであるのに対し、
　刊行物１記載の発明は、レジスト膜に熱処理を施す工程について明記がなく、熱処理の条件についても特定がない点。
　
　そこで、相違点について検討する。
　
　刊行物１の【００１１】には、レジストの第１領域を除く領域の上部のみを感光するための手法として、露光量（露光エネルギー、露光時間）を少なくすること、感光性の低いレジストを用いること等が挙げられている。
　ここで、刊行物１記載の発明は、上記の手法のうち、露光量を少なくする手法を採用したものであるところ、刊行物１の【００１１】に接した当業者であれば、露光量を少なくする手法に、感光性の低いレジストを用いる手法を併用すると、レジストの上部のみを露光する作業がさらにやり易くなると考えるものである。
　一方、感光性の低いレジストを得る方法としては、それ自体が感光性の低い特性を有するレジストを用いる方法だけでなく、基板にレジストを塗布する工程の後に通常行われる、いわゆるプリベーク工程において、プリベーク温度を高めたり、プリベーク時間を長くしたりすると、レジストの感光性が低下することが、本願出願前に周知であり（刊行物２〜４を参照）、また、プリベーク熱量を高めることにより得られる感光性の低下を利用して、目的とするレジストパターン形状を作成することも、周知の技術である（刊行物３，４を参照。他にも、例えば、特開昭６２−６９６１６号公報、特開平１−１５８７３２号公報、特開平２−５３０５９号公報を参照）。
　そうすると、当業者であれば、刊行物１記載の発明において、刊行物１の【００１１】の記載事項や上記周知技術を参照して、通常なされるプリベーク工程の熱量（温度、時間）を高めて感光性を低下させてから、レジストの上部のみを露光することを容易に想起するものである。
　
　ここで、本願発明１は、レジスト膜に熱処理を施す工程は「第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行うもの」であるところ、そのような事項は、上記の文献に明記がない。
　これに関して、当審の審尋で送付した前置報告書では、（１）本願発明１と、刊行物２〜４のものとは、レジスト膜に熱処理を施す工程は、感光感度が低下する温度条件で行う点で違いがない旨、（２）また、本願発明１が、刊行物２〜４に示す手段と異質の効果を奏すると主張するのであれば、本願の発明の詳細な説明に、本願発明１における熱処理工程の具体的な条件が明確に記載されている必要があるが、不明である旨、（３）したがって、感光感度が低下する温度条件でプリベークを行う刊行物２〜４のものでは、本願発明１と同様の「第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する」という特性が得られるものというべきである旨の指摘がなされた。
　これに対する請求人の回答は、
　『 （２）本願発明の熱処理を施す工程は、単に「感光感度が変化する温度で熱処理を行う」ものではなく、熱処理温度に応じた熱処理時間だけ行う構成としたものです。かかる構成は、本願の発明の詳細な説明の段落〔００１７〕、〔００２４〕、〔００３６〕に明確に記載されており、当業者であれば、かかる熱処理を実施できることは明らかです。』、および、
　『しかし本願発明の熱処理を施す工程は、単に「露光感度の転移点以上の高温で熱処理を行う」ものではなく、「第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する」「温度および時間で行う」構成としたことを特徴とするものです。これに対して、引用文献２乃至４のいずれにも、かかる構成は開示も示唆もされていません。また、本願発明の「第２の露光量は前記薄レジストパターンの現像後におけるレジスト膜厚のバラツキが１００ｎｍ以下となる露光量である」との要件は、単独の要件として「単に数値範囲を好適化したもの」ではなく、「第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行う」熱処理工程を施すことにより第２の露光量のマージンが広がった場合において、さらに第２の露光量の範囲に限定を加えることとしたものです。この二つの構成要件から厚レジストパターンの線幅のバラツキを１．０μｍ以下に精度良く形成することができる、という明細書に記載した顕著な効果を奏するものです（段落〔００３１〕）。しかしながら、かかる構成および効果は引用文献１−４のいずれにも開示も示唆もされておらず、当業者が本願発明に容易に想到し得たとは到底言えないと確信します。』
　というものである。
　上記回答書では、本願発明１における熱処理工程の具体的な条件については、説明がされていない。
　そして、本願の明細書をみる限りでは、ポジ型フォトレジストとして、ノボラック樹脂、感光剤としてジアゾナフトキノンが使用されており（【００２８】）、これ自体は、通常のレジスト材料であって、特別なものではなくほどんど特定されていない。また、熱処理（プリベーク）の条件は、具体的には、１３５℃以上の高温で１５０秒程度であり（【００２８】）、この条件も、通常のプリベークと比べて付与する熱量が多いとはいえ、感光感度が低下する温度条件でプリベークを行う刊行物３、４のものと比べて、特別な条件とはいえない（なお、感光感度が低下する温度条件は、レジスト材料の種類によって、かなり異なることは当然である）。
　また、本願の明細書には、「このプリベークを実施したフォトレジストに対して、現像後のフォトレジスト膜厚の露光量に対する変化の様子を露光量の対数値を横軸にしてプロットしたところ、その傾きが小さくなることを見出した（図３（ｂ））。」（【００２９】）とあるから、本願の発明者が「発見した」ということに留まっており、「第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する」ために、レジスト材料や感光感度が低下する温度を特別な条件に調整したような形跡は、見当たらない。
　以上のことを勘案すると、感光感度が低下する温度条件でプリベークを行う刊行物３、４のものも、本願発明１と同様に、レジスト膜に熱処理を施す工程は「露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行うもの」であるというべきであり、請求人の主張を採用することができない。
　
　したがって、刊行物１記載の発明において、刊行物１の【００１１】の記載事項や上記周知技術を参照して、通常なされるプリベーク工程の熱量（温度、時間）を高めて感光性を低下させて、本願発明１のごとく、「レジスト膜に熱処理を施す工程を有し、熱処理を施す工程は、第２の露光量の変化に対する、現像後のレジスト膜厚の変化量が減少する温度および時間で行うものである」とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（まとめ）
　よって、本願発明１は、刊行物１記載の発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。