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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月27日(2011.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の第１主表面を有する基板（１）の上に半導体デバイス（１０）を形成する方法であって、
基板（１）の第１主表面をパターニングし、第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板（１）から延びた、少なくとも１つの構造（２０）を形成する工程と、
少なくとも１つの構造（２０）により覆われていない基板（１）の位置に、部分的に変更された領域（６）を形成し、これによりそれらの領域（６）のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含み、
部分的に変更された領域（６）の形成工程が、主表面の平面に実質的に垂直な方向に注入元素を注入して行われることを特徴とする方法。
【請求項２】
エッチング抵抗の部分的な増加が、半導体デバイス（１０）を形成する更なる処理工程中に、少なくとも１つの構造（２０）のアンダーエッチングを防止する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基板（１）が、表面を有する絶縁層（２）の上の半導体層（３）を含む半導体・オン・絶縁体基板であり、
基板をパターニングする工程が、半導体層（３）をパターニングする工程を含み、
部分的に変更された領域を形成する工程が、少なくとも１つの構造（２０）により覆われていない位置の絶縁層（２）中に、部分的に変更された領域（６）を形成する工程を含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
基板（１）がバルク半導体基板であり、
基板（１）をパターニングする工程が、バルク半導体基板（１）をパターニングする工程を含み、
部分的に変更された領域を形成する工程が、バルク半導体基板（１）中に、部分的に変更された領域（６）を形成する工程を含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
注入元素を注入する工程が、イオン注入により行われる請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
注入元素を注入する工程が、プラズマドーピングにより行われる請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
注入元素を注入する工程が、１Ｅ１３ｃｍ−２と１Ｅ１７ｃｍ−２の間のドーズで行われる請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
注入元素が、炭素、窒素、酸素、またはそれらの組み合わせを含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
更に、少なくとも１つの構造（２０）の下に、部分的に変更された領域を拡げる工程を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの構造（２０）の下に、部分的に変更された領域を拡げる工程が、１ｎｍと２０ｎｍの間の膜厚ｔを有する部分的に変更された領域（６）を形成する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの構造（２０）の下に、部分的に変更された領域（６）を拡げる工程が、アニールにより行われる請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
アニールが、８００℃と１０００℃の間の温度で行われる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
アニールが、１秒と６０秒の間の時間行われる請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板（１）をパターニングする工程が、
基板（１）の上にマスク（４）を提供する工程と、
マスク（４）により覆われていない基板（１）の部分を除去する工程とにより行われる請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
マスク（４）を提供する工程が、金属、窒化物、酸化物、またはｌｏｗ−ｋ材料の少なくとも１つを含むハードマスクを提供する工程である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
マスク（４）を提供する工程が、フォトレジストポリマーを提供する工程である請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
平面状の第１主表面を有する基板（１）から延びた少なくとも１つの構造（２０）を含む半導体デバイス（１０）であって、少なくとも１つの構造は、基板（１）の主表面の平面に実質的に垂直な方向に延び、
半導体デバイス（１０）は、更に、少なくとも１つの構造（２０）により覆われていない位置の基板中に、部分的に変更された領域（６）を含み、部分的に変更された領域（６）は、変更されていない基板（１）のエッチング抵抗に比べて増加したエッチング抵抗を有し、
部分的に変更された領域（６）が、注入された注入元素を含むことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１８】
基板（１）が半導体・オン・絶縁体基板であり、半導体デバイス（１０）が半導体・オン、絶縁体基板（１）の絶縁層（２）の上にパターニングされた半導体層（５）を含み、絶縁層（２）が表面を有し、
基板中の部分的に変更された領域は、パターニングされた半導体層（５）により覆われていない位置の、絶縁層（２）の表面の、部分的に変更された領域（６）である請求項１７に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
絶縁層（２）の中の部分的に変更された領域（６）が、ＳｉＯｘＮｙ（ｘとｙは、ｘ＋ｙ＝１を満たす整数）を含む請求項１８にかかる半導体デバイス。
【請求項２０】
基板（１）が、バルク半導体基板である請求項１７に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
注入元素が、炭素、窒素、酸素、またはそれらの組み合わせを含む請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
部分的に変更された領域（６）が、１Ｅ１３ｃｍ−２と１Ｅ１７ｃｍ−２の間の濃度の炭素、窒素、および／または酸素を有する請求項２１に記載の半導体デバイス。
【請求項２３】
部分的に変更された領域（６）が、１ｎｍと２０ｎｍの間の膜厚（ｔ）を有する請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２４】
部分的に変更された領域（６）が、少なくとも１つの構造（２０）の下に延びる請求項１７〜２３のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項２５】
半導体デバイス（１０）が、ＦｉｎＦＥＴである請求項１７〜２４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子または光電子デバイス構造体の製造方法であって、
１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金を窒化物基板上にエピタキシャル成長させ、複合半導体デバイスを形成することと、
前記複合半導体デバイスから前記基板を取り除き、結果的に電子または光電子デバイス構造体を形成することと
を備え、
前記ＡｌＩｎＧａＮ合金の少なくとも１層と前記窒化物基板とは異なる物質を含み、前記電子または光電子デバイス構造体には成長の土台であった前記窒化物基板が存在しない方法。
【請求項２】
前記窒化物基板はサファイア及び炭化珪素を含んでいない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＡｌＩｎＧａＮ合金はＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、及びＩｎＮの何れかから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＡｌＩｎＧａＮ合金はＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、但し０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１、である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記窒化物基板はＧａＮを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複合半導体デバイスは、さらに分離層を備える、請求項１乃至５の何れか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記窒化物基板及び前記電子または光電子デバイス構造体の何れかは、約５×１０７ｃｍ−２以下の転位密度を有する、請求項１乃至６の何れか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記窒化物基板及び前記電子または光電子デバイス構造体の何れかは、約５×１０６ｃｍ−２以下の転位密度を有する、請求項１乃至６の何れか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記窒化物基板及び前記電子または光電子デバイス構造体の何れかは、約１×１０６ｃｍ−２以下の転位密度を有する、請求項１乃至６の何れか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記窒化物基板は研削、エッチング、光学的分離または破砕の何れかによって除去される、請求項１乃至９の何れか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記窒化物基板は破砕によって除去され、前記破砕はイオンインプランテーション及びアニーリングによって実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記除去された窒化物基板は実質的に無傷であり、研磨および再使用に適している、請求項１乃至１１の何れか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記電子または光電子デバイス構造体へキャリアを付着することをさらに含み、前記付着されるキャリアは前記１つまたは複数のＡｌＩｎＧａＮ合金層をその上で成長させた前記窒化物基板とは異なる、請求項１乃至１２の何れか１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記付着されるキャリアは、ＡｌＮ、ＧａＮ、シリコン、ダイヤモンド、サファイア、ガラス、銅または他の金属の何れかを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記電子または光電子デバイス構造体はダイオード、トランジスタ、検出器、集積回路、抵抗器及びキャパシタの何れかを含む、請求項１乃至１４の何れか１つに記載の方法。
【請求項１６】
前記電子または光電子デバイス構造体は、可視領域の波長を出射するようになっている発光ダイオード（ＬＥＤ）を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記電子または光電子デバイス構造体は、紫外発光ダイオード（ＬＥＤ）を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記電子または光電子デバイス構造体は高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
電子または光電子デバイス構造体の製造方法であって、
１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金を格子整合基板上にエピタキシャル成長させ、複合半導体デバイスを形成することと、
前記複合半導体デバイスから前記基板を取り除き、結果的に電子または光電子デバイス構造体を形成することと
を備え、
前記電子または光電子デバイス構造体には成長の土台であった前記基板が存在しない方法。
【請求項２０】
前記格子整合基板はＧａＮを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか１つに記載の方法によって製造される電子または光電子デバイス構造体。
【請求項２２】
電子または光電子デバイス構造体であって、
１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金を窒化物基板上に、または窒化物基板を覆ってエピタキシャル成長させ、複合半導体デバイスを形成することと、
前記複合半導体デバイスから前記基板を取り除き、結果的に電子または光電子デバイス構造体を形成することと
を備え、
前記ＡｌＩｎＧａＮ合金の少なくとも１層と前記窒化物基板とは異なる物質を含み、前記電子または光電子デバイス構造体には成長の土台であった前記窒化物基板が存在しない方法、
によって形成される電子または光電子デバイス構造体。
【請求項２３】
前記ＡｌＩｎＧａＮ合金はＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、及びＩｎＮの何れかを含む、請求項２２に記載の電子または光電子デバイス構造体。
【請求項２４】
前記ＡｌＩｎＧａＮ合金はＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、但し０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１、である、請求項２２に記載の電子または光電子デバイス構造体。
【請求項２５】
前記窒化物基板はＧａＮを含む、請求項２２乃至２４の何れか１つに記載の電子または光電子デバイス構造体。
【請求項２６】
前記窒化物基板及び前記電子または光電子デバイス構造体の何れかは、約１×１０７ｃｍ−２以下の転位密度を有する、請求項２２乃至２５の何れか１つに記載の電子または光電子デバイス構造体。
【請求項２７】
前記窒化物基板及び前記電子または光電子デバイス構造体の何れかは、約１×１０６ｃｍ−２以下の転位密度を有する、請求項２２乃至２５の何れか１つに記載の電子または光電子デバイス構造体。
【請求項２８】
前記電子または光電子デバイス構造体はダイオード、トランジスタ、検出器、集積回路、抵抗器及びキャパシタの何れかを含む、請求項２２乃至２７の何れか１つに記載の電子または光電子デバイス構造体。
【請求項２９】
前記電子または光電子デバイス構造体は発光ダイオードを含む、請求項２２乃至２７の何れか１つに記載の電子または光電子デバイス構造体。
【請求項３０】
前記発光ダイオードは紫外発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、請求項２９記載の電子または光電子デバイス構造体。
【請求項３１】
前記電子または光電子デバイス構造体は非発光型の電子デバイスに具現される、請求項２２乃至２７の何れか１つに記載の電子または光電子デバイス構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電話機用の自動利得制御回路であって、
信号中の音声レベルが所定のしきい値よりも高いか低いかを検討することにより、前記信号中の音声の有無を決定するように構成される音声動作検出器と、
前記音声動作検出器による音声の検出に応じて、前記信号の強度を改変し得るように構成される利得制御器と、
を備え、
前記信号中の前記音声レベルが所定のしきい値よりも高いと判断された場合には、信号強度測定器により測定された信号の前記強度に基づき、所定の基準に従って、前記測定された信号の前記強度を前記利得制御器によって改変し得るように構成され、また、
前記信号の前記音声レベルが所定のしきい値よりも低いと判断された場合には、前記利得制御器の利得が特別な所定のレベルにセットされるよう構成され、
前記所定の基準は、前記信号中の前記音声レベルに対する第１の所定の基準値および第２の指定の基準値を含み、前記信号に適合する利得は前記信号強度の関数であって、前記関数は少なくとも前記信号強度が前記第１の所定の基準値または前記第２の所定の基準値において滑らかでないことを特徴とする、
自動利得制御回路。
【請求項２】
請求項１に記載の自動利得制御回路において、
前記信号中の前記音声レベルが所定のしきい値よりも低い場合の前記利得の前記特別な所定のレベルは、受話側にコンフォートノイズを与えうるレベルであることを特徴とする、
自動利得制御回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の自動利得制御回路において、
前記信号の強度を測定するための前記信号強度測定器を更に備えることを特徴とする、
自動利得制御回路。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の自動利得制御回路において、
前記音声動作検出器が前記信号強度測定器に接続され、
前記信号強度測定器は、前記音声動作検出器による音声の検出に応じて前記利得制御器を更新し、前記測定された前記信号の前記強度を改変しうるように構成されることを特徴とする、
自動利得制御回路。
【請求項５】
請求項１から３の何れかに記載の自動利得制御回路において、
前記音声動作検出器は前記利得制御器に接続され、
前記音声動作検出器による音声の検出に応じて前記測定された前記信号の前記強度を改変すべく前記利得制御器を更新しうるように構成される、
自動利得制御回路。
【請求項６】
請求項１から５の何れかに記載の自動利得制御回路において、
前記関数は、前記第１の所定の基準値および前記第２の所定の基準値の間の区間において、ほぼ線形である、
自動利得制御回路。
【請求項７】
請求項１から６の何れかに記載の自動利得制御回路において、
前記関数は、前記第１の所定の基準値よりも低い前記信号の強度に対して第１の所定の固定値を対応させ、前記第２の所定の基準値よりも高い前記信号の強度に対して第２の所定の固定値を対応させる、
自動利得制御回路。
【請求項８】
請求項１から７の何れかに記載の自動利得制御回路を含む送信回路であって、
前記利得制御器の出力信号を圧縮すると共に、前記圧縮された信号に対して、送信の間に生じるエラーから保護するための特別なビットを付加するように構成される、
送信回路。
【請求項９】
請求項１から７の何れかに記載の自動利得制御回路または請求項８に記載の送信回路を有することを特徴とする、
電話機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月30日(2011.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
基板作製
＜実施例１＞
厚さ０．２４ｍｍのアルミニウム板を水酸化ナトリウム水溶液にて脱脂し、これを２％塩酸浴中で電解研磨処理して、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍの砂目板を得た。次いで、２０％硫酸浴中、電流密度２Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理して、２．７ｇ／ｍ2の酸化皮膜を形成し、水洗乾燥後アルミニウム基板を得た。このようにして得られた基板を、６０℃に加熱したポリマー１の０．５ｇ／Ｌ水溶液中に１０秒間浸漬した。その後、基板を水洗した。次いで、この基板を第四級アンモニウムアルキルエーテル化デンプン（「ペトロサイズ Ｕ」〔日澱化學社製〕）の水溶液０．５ｇ／Ｌに、６０℃で１０秒間浸漬した。その後、この基板を水洗し、乾燥して、基板１を得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
＜実施例２＞
厚さ０．２４ｍｍのアルミニウム板を水酸化ナトリウム水溶液にて脱脂し、これを２％塩酸浴中で電解研磨処理して、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍの砂目板を得た。次いで、２０％硫酸浴中、電流密度２Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理して、２．７ｇ／ｍ2の酸化皮膜を形成し、水洗乾燥後アルミニウム基板を得た。このようにして得られた基板を、６０℃に加熱したポリマー１の０．５ｇ／Ｌ水溶液中に１０秒間浸漬した。その後、基板を水洗した。次いで、この基板を第四級アンモニウムアルキルエーテル化デンプン（「ペトロサイズ Ｕ」〔日澱化學社製〕）の水溶液３．０ｇ／Ｌに、６０℃で１０秒間浸漬した。その後、この基板を水洗し、乾燥して、基板２を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
＜実施例３＞
厚さ０．２４ｍｍのアルミニウム板を水酸化ナトリウム水溶液にて脱脂し、これを２％塩酸浴中で電解研磨処理して、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍの砂目板を得た。次いで、２０％硫酸浴中、電流密度２Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理して、２．７ｇ／ｍ2の酸化皮膜を形成し、水洗乾燥後アルミニウム基板を得た。このようにして得られた基板を、６０℃に加熱したポリマー１の０．５ｇ／Ｌ水溶液中に１０秒間浸漬した。その後、基板を水洗した。次いで、この基板を第四級アンモニウムアルキルエーテル化デンプン（「ペトロサイズ Ｊ」〔日澱化學社製〕）の水溶液０．５ｇ／Ｌに、６０℃で１０秒間浸漬した。その後、この基板を水洗し、乾燥して、基板３を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
＜実施例４＞
厚さ０．２４ｍｍのアルミニウム板を水酸化ナトリウム水溶液にて脱脂し、これを２％塩酸浴中で電解研磨処理して、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍの砂目板を得た。次いで、２０％硫酸浴中、電流密度２Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理して、２．７ｇ／ｍ2の酸化皮膜を形成し、水洗乾燥後アルミニウム基板を得た。このようにして得られた基板を、６０℃に加熱したポリマー１の０．５ｇ／Ｌ水溶液中に１０秒間浸漬した。その後、基板を水洗した。次いで、この基板を第四級アンモニウムアルキルエーテル化デンプン（「ペトロサイズ Ｊ」〔日澱化學社製〕）の水溶液３．０ｇ／Ｌに、６０℃で１０秒間浸漬した。その後、この基板を水洗し、乾燥して、基板４を得た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
＜比較例１＞
厚さ０．２４ｍｍのアルミニウム板を水酸化ナトリウム水溶液にて脱脂し、これを２％塩酸浴中で電解研磨処理して、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍの砂目板を得た。次いで、２０％硫酸浴中、電流密度２Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理して、２．７ｇ／ｍ2の酸化皮膜を形成し、水洗乾燥後アルミニウム基板を得た。このようにして得られた基板を、６０℃に加熱したポリマー１の０．５ｇ／Ｌ水溶液中に１０秒間浸漬した。その後、この基板を水洗し、乾燥して、基板５を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
＜比較例２＞
厚さ０．２４ｍｍのアルミニウム板を水酸化ナトリウム水溶液にて脱脂し、これを２％塩酸浴中で電解研磨処理して、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍの砂目板を得た。次いで、２０％硫酸浴中、電流密度２Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理して、２．７ｇ／ｍ2の酸化皮膜を形成し、水洗乾燥後アルミニウム基板を得た。このようにして得られた基板を、第四級アンモニウムアルキルエーテル化デンプン（「ペトロサイズ Ｕ」〔日澱化學社製〕）の水溶液３．０ｇ／Ｌに、６０℃で１０秒間浸漬した。その後、この基板を水洗し、乾燥して、基板６を得た。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
＜比較例３＞
厚さ０．２４ｍｍのアルミニウム板を水酸化ナトリウム水溶液にて脱脂し、これを２％塩酸浴中で電解研磨処理して、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍの砂目板を得た。次いで、２０％硫酸浴中、電流密度２Ａ／ｄｍ2で陽極酸化処理して、２．７ｇ／ｍ2の酸化皮膜を形成し、水洗乾燥後アルミニウム基板を得た。このようにして得られた基板を、６０℃に加熱したポリマー１の０．５ｇ／Ｌ水溶液中に１０秒間浸漬した。その後、基板を水洗した。次いで、この基板をオニウム基を含まないヒドロキシアルキル化デンプン（「バイオスターチＬＴ」〔日澱化學社製〕）の水溶液３．０ｇ／Ｌに、６０℃で１０秒間浸漬した。その後、この基板を水洗し、乾燥して、基板７を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給紙される記録媒体の種類を検出する第１モードと、予め記録媒体の種類を指定する第２モードとを有する画像形成装置において、
給紙された記録媒体の種類を検出する種類検出部と、
記録媒体に画像を形成する画像形成部と、
記録媒体の種類に基づいて前記画像形成部の画像形成条件を設定する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記第２モードの場合に、前記種類検出部によって給紙される記録媒体の前記種類を検出し、前記第１モードの場合に、前記第２モードにおける前記種類検出部の検出結果を用いて前記画像形成条件を設定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第２モードの場合に、記録媒体の給紙間隔に関する情報に基づいて、前記種類検出部による検出を行うか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御部は、記録媒体の給紙間隔に関する時間が前記種類検出部による検出に要する時間より大きい場合に、前記種類検出部による検出を行うことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第２モードの場合に、印字遅延時間に基づいて前記種類検出部による検出を行うか否かを判断することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記印字遅延時間が前記種類検出部による検出に要する時間より大きい場合に、前記種類検出部による検出を行うことを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記種類検出部により規定枚数の記録媒体の種類を検出した結果を用いて記録媒体の種類を確定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記制御部が確定した記録媒体の種類を記憶する記憶部を有し、
前記制御部は、前記第１モードの場合で、かつ、印刷動作開始時に前記記憶部に前記種類が記憶されている場合には、記憶されている前記種類に基づいて前記画像形成条件を設定し、
前記第１モードの場合で、かつ、印刷動作開始時に前記記憶部に前記種類が記憶されていない場合には、前記種類検出部により記録媒体の種類を検出し、検出した種類に基づいて前記画像形成条件を設定することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記種類検出部は、記録媒体に光を照射する光照射部と、光が照射された領域内の映像を撮像する撮像部とを有し、
撮像した映像に基づき記録媒体の表面状態を検出することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記種類検出部は、記録媒体に光を照射する光照射部と、記録媒体を透過する光量を検出する検出部とを有し、検出した光量に基づき記録媒体の厚みを検出することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
給紙される記録媒体の種類を検出する第１モードと、予め記録媒体の種類を指定する第２モードとを有する画像形成装置の制御方法であって、
前記第２モードにおいて、記録媒体の種類を検出するステップと、
前記第１モードにおいて、前記第２モードにおける検出結果を用いて画像形成条件を設定するステップと、を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
前記第２モードにおいて、記録媒体の給紙間隔に関する情報に基づいて前記種類の検出を行うか否かを判断する判断ステップを有することを特徴とする請求項１０に記載の制御方法。
【請求項１２】
前記判断ステップは、記録媒体の給紙間隔に関する時間が前記種類の検出に要する時間より大きい場合に、記録媒体の種類を検出する動作を行うステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載の制御方法。
【請求項１３】
前記第２モードにおいて、印字遅延時間に基づいて前記種類の検出を行うか否かを判断する判断ステップを有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の制御方法。
【請求項１４】
前記判断ステップは、前記印字遅延時間が前記種類の検出に要する時間より大きい場合に、記録媒体の種類を検出する動作を行うステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（１）給紙される記録媒体の種類を検出する第１モードと、予め記録媒体の種類を指定する第２モードとを有する画像形成装置において、給紙された記録媒体の種類を検出する種類検出部と、記録媒体に画像を形成する画像形成部と、記録媒体の種類に基づいて前記画像形成部の画像形成条件を設定する制御部と、を有し、前記制御部は、前記第２モードの場合に、前記種類検出部によって給紙される記録媒体の前記種類を検出し、前記第１モードの場合に、前記第２モードにおける前記種類検出部の検出結果を用いて前記画像形成条件を設定することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するようにシール材を介して配置される第１及び第２基板と、
該第１及び第２基板間に挟持される液晶層と、
前記第１基板の前記液晶層側に、画素領域における前記液晶層に電圧を印加する第１電極と、
前前記画素領域と前記シール材との間に設けられた周辺領域に第２電極と、
前記画素領域と前記周辺領域との間に、前記第２電極と一部が重なるように設けられた遮光膜と、
前記第２電極に対して、前記液晶層に電圧を印加するための電源電位を供給する電源供給手段と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
互いに対向するようにシール材を介して配置される第１及び第２基板と、
該第１及び第２基板間に挟持される液晶層と、
前記第１基板の前記液晶層側に、画素領域における前記液晶層に電圧を印加する第１電極と、
前記画素領域と前記シール材との間に設けられた周辺領域に第２電極と、
前記画素領域と前記周辺領域との間に、前記第２電極と一部が重なるように設けられた遮光膜と、
前記第２電極に対して、前記液晶層に電圧を印加するための電位を供給する電源供給手段と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記第２電極は、少なくとも部分的に、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記シール材は、光を照射することによって硬化することを特徴とする請求項１又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記周辺領域における前記画素領域との境界に位置する境界領域に少なくとも部分的に設けられており、前記周辺領域に入射する光を遮光する境界遮光膜を更に備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２電極に印加される電圧は、交流電圧であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素領域及び前記周辺領域間に位置するダミー画素領域に設けられており、前記第１電極を模擬するダミー電極を有するダミー画素を備え、
前記第２電極は、前記ダミー電極と互いに電気的に接続されており、
前記電源供給手段は、前記ダミー電極を介して、前記第２電極に電位を供給する
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記電源供給手段は、前記第１基板上に設けられた電源供給回路を含んでいることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１の電気光学装置は上記課題を解決するために、互いに対向するようにシール材を介して配置される第１及び第２基板と、該第１及び第２基板間に挟持される液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に、画素領域における前記液晶層に電圧を印加する第１電極と、前前記画素領域と前記シール材との間に設けられた周辺領域に第２電極と、前記画素領域と前記周辺領域との間に、前記第２電極と一部が重なるように設けられた遮光膜と、前記第２電極に対して、前記液晶層に電圧を印加するための電源電位を供給する電源供給手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の電気光学装置は上記課題を解決するために、互いに対向するようにシール材を介して配置される第１及び第２基板と、該第１及び第２基板間に挟持される液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に、画素領域における前記液晶層に電圧を印加する第１電極と、前記画素領域と前記シール材との間に設けられた周辺領域に第２電極と、前記画素領域と前記周辺領域との間に、前記第２電極と一部が重なるように設けられた遮光膜と、前記第２電極に対して、前記液晶層に電圧を印加するための電位を供給する電源供給手段とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シール材は、光を照射することによって硬化する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明に係る交換レンズ装置は、上記のズームレンズ系と、ズームレンズ系が形成する光学像を受光して、電気的な画像信号に変換する撮像センサを含むカメラ本体と接続されるレンズマウント部とを備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１に記載のズームレンズ系と、
前記ズームレンズ系が形成する光学像を受光して、電気的な画像信号に変換する撮像センサを含むカメラ本体と接続されるレンズマウント部とを備える、交換レンズ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光に対して透明な基板上に、珪素を含む位相シフト膜と、前記位相シフト膜のエッチングに対して耐性を有し、かつ金属を含有する材料で構成された遮光膜と、前記遮光膜のエッチングに対して耐性を有する無機材料で構成されたエッチングマスク膜と、が順に形成された位相シフトマスクブランクであって、
前記位相シフト膜の膜厚をｔ１、前記位相シフト膜を、前記エッチングマスク膜及び前記遮光膜をマスクとしてエッチャントによりドライエッチングされるエッチング速度をｖ１、前記エッチングマスク膜の膜厚をｔ２、前記エッチングマスク膜が、前記エッチャントによりドライエッチングされるエッチング速度をｖ２としたときに、
（ｔ１／ｖ１）≦（ｔ２／ｖ２）
であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【請求項２】
前記エッチングマスク膜のエッチング速度ｖ２が、前記位相シフト膜のエッチング速度ｖ１に対し、０．０７ｖ１〜０．５ｖ１であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項３】
前記遮光膜は、クロムを含む材料であり、前記エッチングマスク膜は、珪素を含む珪素含有膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項４】
前記エッチングマスク膜は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項５】
前記位相シフト膜は、１００ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項６】
前記エッチングマスク膜は、珪素もしくは珪素に酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料、または金属シリサイドもしくは金属シリサイドに酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項７】
前記位相シフト膜は、珪素もしくは珪素に酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料、または金属シリサイドもしくは金属シリサイドに酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項８】
前記エッチングマスク膜は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮおよびＳｉＯＮから選ばれる材料からなり、前記位相シフト膜は、ＭｏＳｉＮおよびＭｏＳｉＯＮから選ばれる材料からなることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記エッチングマスク膜上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにして第１エッチャントにより前記エッチングマスク膜をドライエッチングしてエッチングマスク膜パターンを形成する工程と、
前記エッチングマスク膜パターン、又は前記レジストパターン及び前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして、前記遮光膜を第２エッチャントによりドライエッチングして遮光膜パターンを形成する工程と、
前記エッチングマスク膜パターン及び前記遮光膜パターンをマスクにして、第３エッチャントにより前記位相シフト膜をドライエッチングして位相シフト膜パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記位相シフト膜パターンを形成した後においてエッチングマスク膜を残存させ、前記エッチングマスク膜を除去する工程を有することを特徴とする請求項９記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１１】
前記第１エッチャント及び前記第３エッチャントは、フッ素系ガスを含むエッチャントであって、前記第２エッチャントは、塩素系ガスを含むエッチャントであることを特徴とする請求項９または１０記載の位相シフトマスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月11日(2012.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置に格納されている異なる複数のログ情報中の複数のイベントデータを表示装置上に表示するための方法であって、
何れかの記憶装置からイベント発生時刻のデータを含むログ情報を取り込んでログ情報のデータベースを構築するステップと、
指定された検索条件に一致する複数のイベントデータを前記データベースから抽出して一時記憶手段に格納するステップと、
該一時記憶手段に格納された複数のイベントデータを、抽出された複数のイベントデータの各イベント発生時刻を前記表示装置の表示画面上の一方の表示軸に沿って昇順又は降順に表示し、前記一方の表示軸に沿って表示された各イベント発生時刻に対応するイベント内容を対応するイベント発生時刻と同ライン上に並べて前記表示装置の表示画面上に表示するための表示データに変換するステップと
を有し、前記抽出された複数のイベントデータを前記表示データに基づいて前記表示装置に表示するようにしたことを特徴とする異なる複数のログ情報から抽出されたイベントデータの表示方法。
【請求項２】
複数のログ情報について各イベント発生時刻に対応するイベント内容を対応するイベント発生時刻と同ライン上に並べて前記表示装置の表示画面上に表示するための表示データに変換する場合、イベント発生時刻の有効桁の長さを比較することによって、前記複数のログ情報について各イベント発生時刻に対応するイベント内容をイベントデータの有効桁の長さが異なる場合でも時系列に並べて前記表示装置の表示画面上に表示するための表示データに変換するようにした請求項１記載のイベントデータの表示方法。
【請求項３】
複数の異なるログ情報にイベントが同時に発生している場合、それらのイベントを対応するイベント発生時刻に対して横に並べて表示するようにした請求項１記載のイベントデータの表示方法。
【請求項４】
前記変換するステップが、前記複数の異なるログ情報のうちの最初のログ情報について、各イベント発生時刻に対応するイベント内容を対応するイベント発生時刻と同ライン上に並べて前記表示装置の表示画面上に表示するための表示データに変換するステップを備えている請求項３記載のイベントデータの表示方法。
【請求項５】
前記変換するステップが、前記最初のログ情報についての表示データの変換処理が終了した後、次のログ情報を取り出し、これら２つのログ情報について、各イベント発生時刻に対応するイベント内容を対応するイベント発生時刻と同ライン上に並べて前記表示装置の表示画面上に表示するための表示データに変換するステップを備えている請求項４記載のイベントデータの表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月1日(2012.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に水平な釣合い試験スピンドルを支持するためのベースフレームと、前記釣合い試験スピンドルへ取り付けられ／から取り外される少なくとも１つの車両用ホイールを引き上げるための少なくとも１つの引上装置と、前記ベースフレームに連結されたタイヤの輪郭の少なくとも一部を読み取るための非接触型読取手段とを備え、前記引上装置および前記読取手段に作動可能に結合され、前記ホイールの中心の位置を前記読取手段によって読み取られた値により算出するのに適し、かつ、前記引上装置を前記ホイールの中心が前記釣合い試験スピンドルと実質的に同じ高さである引上終了位置で停止させるのに適した処理・制御ユニットをさらに備えてなる車両用ホイールの釣合い試験機。
【請求項２】
前記引上装置は、前記ホイールのための少なくとも１つの支持用プラットフォームを備えている請求項１に記載の釣合い試験機。
【請求項３】
前記プラットフォームは、前記ホイールを実質的に鉛直である作業位置に位置決めするための心合わせ手段を備えており、前記ホイールの回転軸は、前記釣合い試験スピンドルに対して実質的に平行であるとともに、前記釣合い試験スピンドルの鉛直位置決め平面に対して実質的に同一平面上にある請求項２に記載の釣合い試験機。
【請求項４】
前記引上装置は、前記プラットフォームを引き上げるのに適しているとともに前記処理・制御ユニットに作動可能に連結された第１自動式アクチュエーター手段を備えている請求項２に記載の釣合い試験機。
【請求項５】
前記引上装置は、前記プラットフォームの上の前記ホイールを前記作業位置にロックするための取り外し可能なロック手段を備えている請求項３に記載の釣合い試験機。
【請求項６】
前記取り外し可能なロック手段は、バイス型のものであるとともに、前記プラットフォームに結合された少なくとも１つの第１顎部と第２顎部とを備え、少なくとも１つの前記第１顎部は、可動状に作られていて、移動の間に、前記ホイールの前記回転軸に対して実質的に平行である方向に沿って前記第２顎部へ近付くとともに前記第２顎部から離れるものであり、また、前記引上装置は、前記第１顎部を移動させるのに適している第２自動式アクチュエーター手段を備えている請求項５に記載の釣合い試験機。
【請求項７】
前記引上装置は、前記釣合い試験スピンドルに対して実質的に平行であるスライド方向に沿った前記プラットフォームのスライド手段を備えている請求項２に記載の釣合い試験機。
【請求項８】
前記引上装置は、前記プラットフォームを前記スライド方向に沿ってスライドさせるのに適しているとともに前記処理・制御ユニットに作動可能に結合されている第３自動式アクチュエーター手段を備えている請求項７に記載の釣合い試験機。
【請求項９】
前記読取手段は、光学センサーおよび超音波センサーが備わっているリストから選択されている請求項１に記載の釣合い試験機。
【請求項１０】
前記光学センサーは、レーザー型のものである請求項９に記載の釣合い試験機。
【請求項１１】
前記センサーは、前記釣合い試験スピンドルに対して実質的に直角である方向に沿って方向付けられている請求項９に記載の釣合い試験機。
【請求項１２】
前記センサーは、実質的に水平な方向に沿って方向付けられている請求項９に記載の釣合い試験機。
【請求項１３】
前記読取手段は、参照システムに関してホイールの前記輪郭の距離を読み取るのに適しており、ホイールの前記中心の位置は、前記参照システムに関して、ホイールの前記輪郭の最小距離の位置で前記処理・制御ユニットによって算出される請求項１に記載の釣合い試験機。
【請求項１４】
前記センサーは、前記釣合い試験スピンドルに対して実質的に同一平面上の方向に沿って方向付けられている請求項９に記載の釣合い試験機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体上の予測される欠陥周期より長い長さを有する領域の性状を評価する信号を得るセンサと、
領域長さが前記領域より短い小領域を複数、周期性欠陥の並び方向に、隣り合う距離間隔がすべて等しくなるように離して、位置を決定し、それら複数の小領域の位置に対応した信号を、前記センサ出力から選択する小領域選択手段と、
該小領域選択手段で選択した複数の信号間で、信号パターン相互の類似性の評価指数を算出する評価指数算出手段と、
前記小領域の位置と前記距離間隔を変更して、前記小領域選択手段と前記評価指数算出手段の演算処理を繰り返す設定値変更手段と、
前記評価指数が予め設定された値より高い場合に、前記距離間隔を周期と判定する周期判定手段と、
を備えたことを特徴とする周期性欠陥検出装置。
【請求項２】
前記小領域選択手段は、
前記領域より短い長さの小領域の位置を１つ決定し、それを第１の小領域とし、前記センサ出力から、前記第１の小領域の位置に対応した信号を選択する第１の小領域選択手段と、
前記第１の小領域の位置を基準として、周期性欠陥の並び方向において、距離間隔をすべて等しく離して、複数の第２の小領域を配置するようにし、前記センサ出力から、前記複数の第２の小領域の位置に対応した信号を選択する第２の小領域選択手段と
を備え、
前記設定値変更手段は、前記第１の小領域の位置と前記距離間隔を変更して、前記小領域選択手段と前記評価指数算出手段の演算処理を繰り返すことを特徴とする請求項１に記載の周期性欠陥検出装置。
【請求項３】
前記センサは、磁性金属部材からなる被検体を励磁し、漏洩磁束信号を得る磁気センサであることを特徴とする請求項１又は２に記載の周期性欠陥検出装置。
【請求項４】
前記小領域の長さを想定される最大の欠陥と同程度の長さとすることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の周期性欠陥検出装置。
【請求項５】
前記評価指数算出手段は、前記小領域の各々にて類似性を評価する値を算出し、それら値を組み合わせて前記評価指数を求めることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の周期性欠陥検出装置。
【請求項６】
前記評価指数算出手段は、前記小領域の各々にて類似性を評価する値を算出し、それら値を加算して前記評価指数とすることを特徴とする請求項５に記載の周期性欠陥検出装置。
【請求項７】
前記小領域の各々にて類似性を評価する値は、前記小領域間の相関値であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の周期性欠陥検出装置。
【請求項８】
（ａ）被検体上の予測される欠陥周期より長い長さを有する領域の性状を評価するセンサ出力を得る信号入力ステップと、
（ｂ）その領域長さが前記領域より短い小領域を複数、周期性欠陥の並び方向に、隣り合う距離間隔がすべて等しくなるように離して、位置を決定し、それら複数の小領域の位置に対応した信号を、前記センサ出力から選択する小領域選択ステップと、
（ｃ）該小領域選択手段で選択した複数の信号間で、信号パターン相互の類似性の評価指数を算出する評価指数算出ステップと、
（ｄ）前記小領域の位置及び距離間隔を変更して（ｂ）及び（ｃ）を繰り返す設定値変更ステップと、
（ｅ）（ｃ）で求めた評価指数が予め設定された値より高い場合には前記距離間隔を周期と判定する周期判定ステップと、
を有することを特徴とする周期性欠陥検出方法。
【請求項９】
前記小領域選択ステップは、前記領域より短い長さの小領域の位置を１つ決定して、それを第１の小領域とし、該第１の小領域の位置を基準として、周期性欠陥の並び方向において、距離間隔をすべて等しく離して、複数の第２の小領域を配置するようにし、前記センサ出力から前記第１の小領域の位置及び前記複数の第２の小領域の位置に対応した信号を選択し、
前記設定値変更ステップは、前記第１の小領域の位置及び距離間隔を変更して（ｂ）及び（ｃ）を繰り返すことを特徴とする請求項８に記載の周期性欠陥検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モリブデン、オスミウムまたはルテニウムをベースとする錯体触媒であって、前記金属にカルベン様の方式で結合された少なくとも１個の配位子を有するメタセシス触媒と、さらに少なくとも１種の一般式（Ｚ）の化合物を含む触媒系。
Ｂ（ＯＲ’）３      （Ｚ）
［式中、
Ｒ’基が同一であっても異なっていてもよく、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アリル、アルキニル、アリールもしくはヘテロアリール基であるが、ここでそのヘテロアリール基は、少なくとも１種のヘテロ原子、好ましくは窒素もしくは酸素を有しているか、または、Ｒ’が、一般式（−ＣＨＺ１−ＣＨＺ１−Ａ２−）ｐ−ＣＨ２−ＣＨ３の基であり、ここでｐは１〜１０の整数であり、Ｚ１基は同一であっても異なっていてもよく、それぞれが水素もしくはメチルであり、隣接した炭素原子の上に位置するＺ１基は異なっているのが好ましく、そしてＡ２は、酸素、硫黄もしくは−ＮＨであるか、あるいは別な場合として、２個または３個のＲ’基が相互に橋かけをしていてもよい。］
【請求項２】
一般式（Ａ）の化合物を触媒として使用する、請求項１に記載の触媒系。
【化１】
2010058108.tif 000001
［式中、
Ｍが、オスミウムまたはルテニウムであり、
Ｘ１およびＸ２が同一であっても異なっていてもよく、２個の配位子、好ましくはアニオン性配位子であり、
前記記号Ｌが、同一であっても異なっていてもよい配位子、好ましくは電荷を持たない電子供与体であり、
前記Ｒ基が同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、水素、アルキル、好ましくはＣ１〜Ｃ３０−アルキル、シクロアルキル、好ましくはＣ３〜Ｃ２０−シクロアルキル、アルケニル、好ましくはＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、アルキニル、好ましくはＣ２〜Ｃ２０−アルキニル、アリール、好ましくはＣ６〜Ｃ２４−アリール、カルボキシレート、好ましくはＣ１〜Ｃ２０−カルボキシレート、アルコキシ、好ましくはＣ１〜Ｃ２０−アルコキシ、アルケニルオキシ、好ましくはＣ２〜Ｃ２０−アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、好ましくはＣ２〜Ｃ２０−アルキニルオキシ、アリールオキシ、好ましくはＣ６〜Ｃ２４−アリールオキシ、アルコキシカルボニル、好ましくはＣ２〜Ｃ２０−アルコキシカルボニル、アルキルアミノ、好ましくはＣ１〜Ｃ３０−アルキルアミノ、アルキルチオ、好ましくはＣ１〜Ｃ３０−アルキルチオ、アリールチオ、好ましくはＣ６〜Ｃ２４−アリールチオ、アルキルスルホニル、好ましくはＣ１〜Ｃ２０−アルキルスルホニル、またはアルキルスルフィニル、好ましくはＣ１〜Ｃ２０−アルキルスルフィニル基であるが、ここでそれらが、それぞれの場合において、１種または複数のアルキル、ハロゲン、好ましくはフッ素または塩素、アルコキシ、アリールまたはヘテロアリール基によって置換されていてもよいし、あるいはそれに代えて、その２個のＲ基が、それらが結合された共通の炭素原子と一緒になって、橋かけされて環状基を形成しているが、それらの環状基は、性質的に脂肪族であっても芳香族であってもよく、置換されていてもよいし、また１個または複数のヘテロ原子を含んでいてもよい。］
【請求項３】
一般式（Ａ１）の触媒が使用される、請求項１又は２に記載の触媒系。
【化２】
2010058108.tif 000002
［式中、
Ｘ１、Ｘ２およびＬが、一般式（Ａ）におけるのと、同じ一般的意味合い、好ましい意味合い、および特に好ましい意味合いを有していてよく、
ｎが、０、１または２であり、
ｍが、０、１、２、３または４であり、そして
Ｒ’基が同一であっても異なっていてもよく、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アリールオキシ、アルコキシカルボニル、アルキルアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルキルスルホニルまたはアルキルスルフィニル基であって、それらは、それぞれの場合において１種または複数のアルキル、ハロゲン、アルコキシ、アリールまたはヘテロアリール基によって置換されていてもよい。］
【請求項４】
一般式（Ｂ）の触媒が使用される、請求項１に記載の触媒系。
【化３】
2010058108.tif 000003
［式中、
Ｍが、ルテニウムまたはオスミウムであり、
Ｙが、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、Ｎ−Ｒ１基またはＰ−Ｒ１基であり、
Ｘ１およびＸ２が、同一であっても異なっていてもよい配位子であり、
Ｒ１が、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アリールオキシ、アルコキシカルボニル、アルキルアミノ、アルキルチオ、アリールチオ、アルキルスルホニル、またはアルキルスルフィニル基であるが、それらは、それぞれの場合において、１種または複数のアルキル、ハロゲン、アルコキシ、アリールまたはヘテロアリール基によって、場合によっては置換されていてもよく、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５が同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素または有機もしくは無機基であり、
Ｒ６が、水素またはアルキル、アルケニル、アルキニルもしくはアリール基であり、そして
Ｌが、ホスフィン、スルホネート化ホスフィン、ホスフェート、ホスフィナイト、ホスホナイト、アルシン、スチビン、エーテル、アミン、アミド、スルホキシド、カルボキシル、ニトロシル、ピリジン、チオエーテルまたはイミダゾリジン（「Ｉｍ」）配位子である。］
【請求項５】
一般式（Ｂ１）の触媒が使用される、請求項４に記載の触媒系。
【化４】
2010058108.tif 000004
［式中、
Ｍ、Ｌ、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５が、請求項４に記載の一般式（Ｂ）において述べた一般的な意味合いを有する。］
【請求項６】
一般式（Ｂ２）の触媒を使用する、請求項４に記載の触媒系。
【化５】
2010058108.tif 000005
［式中、
Ｍ、Ｌ、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、およびＲ６が、請求項４に記載の一般式（Ｂ）において述べた一般的な意味合いを有し、
Ｒ１２基が同一であっても異なっていてもよく、請求項４に記載の一般式（Ｂ）のＲ２、Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５基において述べた意味合い（水素を除く）を有し、そして
ｎが、０、１、２または３である。］