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　特願２００３−　　３７８５「光起電力装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月　５日出願公開、特開２００４−２２１１４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年１月１０日の特許出願であって、平成２０年７月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２７日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同年９月２２日付けで手続補正がなされた後、当審において平成２２年１月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年３月２３日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２２年３月２３日付け手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項６は次のとおりである。
　
「シリコン（１１１）面が露出された凹凸形状の表面を有する結晶系シリコン基板の前記表面に対して所定の処理を施すことによって、結晶系シリコン基板の表面をステップ部とテラス部とが規定可能な状態にする工程と、
　前記結晶系シリコン基板の表面上に非晶質半導体層を、前記結晶シリコン基板の前記表面において前記ステップ部と前記テラス部とが規定可能な状態に維持されるように形成する工程とを備えた、光起電力装置の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
２　引用刊行物の記載事項
　当審における拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である国際公開第９８／４３３０４号パンフレット（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
（１）「請求の範囲
・・・
２２．　結晶系シリコン基板上に多数の凹凸部を形成した後、前記基板面に等方性エッチングを施し、前記基板表面の凹凸部の谷の部分を丸くし、その基板表面上に真正の非晶質或いは微結晶シリコン層を設け、この上に非晶質或いは微結晶シリコン層を設けることを特徴とする光起電力素子の製造方法。」（第２１〜２３頁）
　
（２）「発明を実施するための最良の形態
・・・
　この発明の光起電力素子は、表面にピラミッド型の凹凸部を多数有するｎ型単結晶シリコン基板１上に真性の非晶質シリコン層２が設けられ、この上にｐ型非晶質シリコン層３が設けられている。このｐ型非晶質シリコン層３上の全面にＩＴＯからなる受光面側電極４が形成され、この受光面側電極４上に銀（Ａｇ）からなる櫛形集電極５が形成されている。また、単結晶シリコン基板１の裏面にアルミニウム（Ａｌ）からなる裏面側電極６が設けられている。」（第６頁第２１行〜第７頁第４行）
　
（３）「　この発明においては、単結晶シリコン基板１上に非晶質シリコン層２を堆積するまでに、基板１に凹凸部の形成及び谷部の丸み付けの処理を行っている。即ち、基板１上に、プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン層２、３を堆積するまでに、基板１表面にピラミッド状の凹凸部を形成した後、形成された谷ｂの部分に丸みをつける処理を行っている。以下、この処理につき説明する。
・・・
　この発明においては、第一工程として結晶系半導体基板表面の加工歪及び表面の付着物の除去のために基板表面を清浄化し、次いで、第二工程として凹凸構造を形成するための異方性エッチングを行っている。」（第７頁第１２〜２３行）
　
（４）「　続いて、第一の工程より低濃度の約２重量％の水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）とイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）水溶液の混合水溶液を用いて、基板１表面に異方性エッチングを施す第二工程を行う。この第二工程により、基板１表面にピラミッド形状の凹凸部が形成される。単結晶シリコンは、アルカリ水溶液により異方性エッチングされる。即ち、（１１１）面のエッチング速度が他の結晶方位に比べて著しく小さいことから、（１００）面にスライスされた単結晶基板１を約２％の水酸化ナトリウムとイソプロピルアルコール水溶液の混合水溶液を用いてエッチングを行うことにより、シリコンは（１１１）面に沿って異方性エッチングされ、基板１の表面に深さ１〜１０μｍ程度のピラミッド状の凸部が前面に均一に形成される。即ち、（１１１）面に配向した４個の壁により形成された断面がＶ字型の凹部が全面に形成される。
・・・
　上記した第一及び第二の工程により、この実施例では、基板表面に幅５μｍ、深さ（高さ）５μｍの光閉じ込め効果に最適なピラミッド形状の凹凸部が形成できた。」（第９頁第２１行〜第１０頁第２４行）
　
（５）「　続いて、基板１に凹凸部を形成した後、形成された谷ｂの部分に丸みを付ける処理を行う。・・・
・・・
　その後、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）を１：２０の割合で混合した水溶液に約３０秒間、基板１を浸すことにより、基板表面を等方性エッチングで約２μｍ除去する。この等方性エッチングで基板表面の凹凸部の谷ｂの部分に丸みが生じる。」（第１０頁第２８行〜第１１頁第２０行）
　
（６）「等方性エッチングが終了した後、純水で洗浄し、フッ酸と純水を１：１００の割合で混合したフッ酸水溶液に基板１を浸し、基板表面の酸化膜を除去し、純水で洗浄する。」（第１１頁第２０〜２３行）
　
（７）「　このように、基板１の表面処理の終了後、基板１の表面を水素（Ｈ２）プラズマで処理し、更にプラズマＣＶＤ法により、シランガス（ＳｉＨ４）を用いて膜厚５０〜２００オングストロームの真性非晶質シリコン層２を堆積させ、その上にシランガス（ＳｉＨ４）とドーパントガスとしてジボランガス（Ｂ２Ｈ６）を用いて膜厚５０〜２００オングストロームのｐ型非晶質シリコン層３を堆積させて、ｐｎ接合を形成する。」（第１１頁第２４〜２９行）
　
（８）「  この後、スパッタ法により膜厚１０００オングストロームのＩＴＯからなる受光面側電極４を形成し、この上にスパッタ法により膜厚１μｍの銀からなる櫛形集電極５を形成する。また、基板１の裏面側に真空蒸着法により膜厚２μｍのアルミニウムからなる裏面側電極６を形成することにより、この発明の光起電力素子が形成される。」（第１１頁第３０行〜第１２頁第３行）
　
（９）「　第８図に示す第５の実施例においては、ＢＳＦ型光起電力素子を熱拡散を用いずに低温プロセスで作成した実施例である。即ち、裏面側に基板１側に基板温度１７０℃程度の低温プロセスによるプラズマＣＶＤ法により、シランガス（ＳｉＨ４）を用いて膜厚５０〜１００オングストロームの真性非晶質シリコン層１０を堆積させ、この上にシランガス（ＳｉＨ４）及びドーパントガスとしてフォスフィンガス（ＰＨ３）を用いて膜厚５０〜５００オングストロームのハイドープｎ型非晶質シリコン層１１を堆積させる。この後、スパッタ法により膜厚１０００オングストロームのＩＴＯからなる裏面側透明電極１２を形成し、この上にＡｇペーストを用いて櫛形集電極９を形成する。このように、裏面側も結晶シリコン基板と非晶質シリコン層との間に実質的に真性な非晶質シリコンを挟み、その界面での欠陥を低減し、ヘテロ接合界面の特性を改善することにより、拡散法を用いずに低温プロセスによりＢＳＦ構造を得ることができる。」（第１７頁第５〜１８行）
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明が記載されていると認められる。
　
「結晶系シリコン基板上に多数の凹凸部を形成した後、前記基板面に等方性エッチングを施し、前記基板表面の凹凸部の谷の部分を丸くし、その基板表面上に真正の非晶質或いは微結晶シリコン層を設け、この上に非晶質或いは微結晶シリコン層を設ける光起電力素子の製造方法であって、
　上記結晶系シリコン基板上の多数の凹凸部を形成する工程において、シリコンが（１１１）面に沿って異方性エッチングされ、基板の表面に、深さ１〜１０μｍ程度のピラミッド状の凸部が均一に、即ち、（１１１）面に配向した４個の壁により形成された断面がＶ字型の凹部が全面に、形成され、
　前記基板表面の凹凸部の谷の部分を丸くするために前記基板面に等方性エッチングを施した後、前記基板の表面処理として、純水で洗浄し、フッ酸と純水を１：１００の割合で混合したフッ酸水溶液に基板を浸し、基板表面の酸化膜を除去し、純水で洗浄し、
　前記基板の表面処理の終了後、基板の表面を水素（Ｈ２）プラズマで処理し、更にプラズマＣＶＤ法により、膜厚５０〜２００オングストロームの真性非晶質シリコン層を堆積させ、その上に膜厚５０〜２００オングストロームのｐ型非晶質シリコン層を堆積させて、ｐｎ接合を形成する、
　光起電力素子の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「光起電力素子の製造方法」は、本願発明の「光起電力装置の製造方法」に相当する。
　
（２）引用発明の「基板の表面処理」として、「フッ酸と純水を１：１００の割合で混合したフッ酸水溶液に基板を浸し、基板表面の酸化膜を除去」する工程を含む処理工程は、「（１１１）面に配向した４個の壁により形成された断面がＶ字型の凹部が全面に形成され」た「基板」に対して行われるものであるから、「シリコン（１１１）面が露出された凹凸形状の表面を有する結晶系シリコン基板の前記表面に対して所定の処理を施す工程」である点で、本願発明の「シリコン（１１１）面が露出された凹凸形状の表面を有する結晶系シリコン基板の前記表面に対して所定の処理を施すことによって、結晶系シリコン基板の表面をステップ部とテラス部とが規定可能な状態にする工程」と一致する。
　
（３）引用発明の「真性非晶質シリコン層」及び「ｐ型非晶質シリコン層」は、本願発明の「非晶質半導体層」に相当するから、引用発明の「基板の表面処理の終了後・・・プラズマＣＶＤ法により、膜厚５０〜２００オングストロームの真性非晶質シリコン層を堆積させ、その上に膜厚５０〜２００オングストロームのｐ型非晶質シリコン層３を堆積させて、ｐｎ接合を形成する」工程は、「前記結晶系シリコン基板の表面上に非晶質半導体層を形成する工程」である点で、本願発明の「前記結晶系シリコン基板の表面上に非晶質半導体層を、前記結晶シリコン基板の前記表面において前記ステップ部と前記テラス部とが規定可能な状態に維持されるように形成する工程」と一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「シリコン（１１１）面が露出された凹凸形状の表面を有する結晶系シリコン基板の前記表面に対して所定の処理を施す工程と、
　前記結晶系シリコン基板の表面上に非晶質半導体層を形成する工程とを備えた、光起電力装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　「シリコン（１１１）面が露出された凹凸形状の表面を有する結晶系シリコン基板の前記表面に対して所定の処理を施す工程」が、本願発明では、「結晶系シリコン基板の表面をステップ部とテラス部とが規定可能な状態にする」のに対して、引用発明では、そのような状態にするものか不明である点。
　
［相違点２］
　「前記結晶系シリコン基板の表面上に非晶質半導体層を形成する工程」が、本願発明では、「前記結晶シリコン基板の前記表面において前記ステップ部と前記テラス部とが規定可能な状態に維持されるように」形成するものであるのに対して、引用発明では、そのようなものであるか不明である点。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）相違点１について
　シリコンデバイスの製造方法におけるシリコン表面の洗浄処理（酸化膜除去処理）として広く用いられている希釈フッ酸（ＨＦ）による処理に代えて、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）溶液による処理を行うことで、シリコンの（１１１）面を、Ｓｉ−Ｈ結合が優勢であり、かつ、テラスとステップの構造を含む原子スケールで平坦な状態とすることができることは、本願の出願時において、周知の技術である（当審における拒絶理由に引用した、引用刊行物２：M.Niwano、Morphology of hydrofluoric acid and ammonium fluoride-treated silicon surfaces studied by surface infrared spectroscopy、Journal of Applied Physics、米国、1992.06.01発行、Vol.71, No.11, page.5646-5649の要約欄、「I. INTRODUCTION」欄、「III. RESULTS AND DISCUSSION」の「A. Si(111)」欄等、引用刊行物３：G. S. Higashi, et. al.、Comparison of Si(111) surfaces prepared using aqueous solutions of NH4F versus HF、Applied Physics Letters、米国、1991.04.15発行、Vol.58, No.15、pp.1656-1658の要約欄、1656頁左欄第１〜１９行、同頁右欄第１０〜１９行、同頁右欄第４４行〜1657頁左欄第９行、同頁右欄第５行〜1658頁左欄第１０行等、引用刊行物４：K. Itaya et. al.、Atomic resolution images of H-terminated Si(111) surfaces in aqueous solutions、Applied Physics Letters、米国、1992.05.18発行、Vol.60, No.20、pp.2534-2536の図２（ｂ）及び2535頁左欄第７行〜右欄第６行等、参照。）。
　したがって、引用発明において、上記周知技術を適用し、シリコン（１１１）面が露出された凹凸形状の表面を有する結晶系シリコン基板の前記表面に対して所定の処理を施す工程において、「フッ酸と純水を１：１００の割合で混合したフッ酸水溶液に基板を浸し、基板表面の酸化膜を除去」することに代えて、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）溶液による処理を施すこととなし、その結果、シリコン（１１１）面が露出された結晶系シリコン基板の表面をステップ部とテラス部とが規定可能な状態にすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（２）相違点２について
　相違点２に係る本願発明の特定事項である、「前記結晶系シリコン基板の表面上に非晶質半導体層を形成する工程」における、「前記結晶シリコン基板の前記表面において前記ステップ部と前記テラス部とが規定可能な状態に維持されるように」との事項は、本願明細書に明記はなく、この事項が、非晶質半導体層を形成する工程を、どのように限定するものか明らかではないところ、上記記載事項を請求項に追加した補正の根拠について、審判請求人は、
「そして、段落００３５〜００３６及び図４、図５には、ノンドープ非晶質シリコン層およびｐ型非晶質シリコン層が形成された状態の、ｎ型単結晶シリコン基板の表面に、ピラミッド状凹凸構造を有し、かつそのシリコン表面に、ステップ部とテラス部とが形成された構造を有することが確認された旨が記載されています。
　即ち、当初明細書等には所定の洗浄処理によってｎ型単結晶シリコン基板のピラミッド形状の表面に形成されたステップ部とテラス部とは、ノンドープ及びｐ型の非晶質シリコン層の形成後も維持されていることが記載されており、従ってノンドープ及びｐ型の非晶質シリコン層が、結晶シリコン基板の表面においてステップ部とテラス部とが規定可能な状態に維持されるように、結晶系シリコン基板の表面上に形成されたものである点は、当初明細書等に記載されているに等しいものと思料致します。」（平成２２年３月２３日付け意見書の【意見の内容】（３））と述べている。
　上記意見を踏まえて、本願明細書の実施例の記載をみると、所定の洗浄処理、すなわち、ＮＨ４Ｆ／Ｈ２Ｏ処理（段落００３０参照。）によってｎ型単結晶シリコン基板のピラミッド形状の表面に形成されたステップ部とテラス部とは、格別の手段によらず、実施例におけるノンドープ及びｐ型の非晶質シリコン層の形成工程（段落００３１に記載されるような形成条件でのＲＦプラズマＣＶＤ法を用いての形成）を経れば、自ずと維持されるものと認められる。
　これに対して、引用発明の非晶質シリコン層の形成工程は、プラズマＣＶＤ法を採用しており、その形成条件は明らかではないが、上記２（９）に示した引用刊行物の記載によれば、本願明細書における実施例及び比較例と同様の低温プロセスによるプラズマＣＶＤ法が用いられていると考えられるから、引用発明に上記周知技術を適用してなる「光起電力素子の製造方法」は、相違点２に係る本願補正発明の特定事項を具備するものといえる。
　したがって、引用発明に上記周知技術を適用して、相違点２に係る本願補正発明の特定事項を具備するものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
(３）小括
　以上の検討から、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者であれば容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。