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【手続補正書】
【提出日】平成24年7月25日(2012.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明支持基板と、透明導電層と、前記透明支持基板と前記透明導電層との間に配置された硬化樹脂層とを備えており、
前記硬化樹脂層の前記透明導電層と対向する面に凹凸が形成されており、
前記凹凸の形状を原子間力顕微鏡により解析して得られる凹凸解析画像に２次元高速フーリエ変換処理を施してフーリエ変換像を得た場合において、前記フーリエ変換像が、波数の絶対値が０μｍ−１である原点を略中心とする円状又は円環状の模様を示しており、且つ、
前記円状又は円環状の模様が、波数の絶対値が０．５〜１０μｍ−１の範囲内となる領域内に存在すること、
を特徴とする太陽電池用透明導電性基板。
【請求項２】
前記硬化樹脂層の前記透明導電層と対向する面に形成されている凹凸の平均高さが５〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池用透明導電性基板。
【請求項３】
前記硬化樹脂層の前記透明導電層と対向する面に形成されている凹凸の平均ピッチが１００〜２０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池用透明導電性基板。
【請求項４】
前記硬化樹脂層がアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の太陽電池用透明導電性基板。
【請求項５】
透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布し、母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂を硬化させた後、前記母型を取り外すことにより、前記透明支持基板上に凹凸が形成された硬化樹脂層を積層する工程と、
前記硬化樹脂層上に、前記硬化樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして、透明導電層を積層して、透明支持基板と硬化樹脂層と透明導電層とを備える太陽電池用透明導電性基板を得る工程と、
を含み、且つ、
前記母型が、
第１のホモポリマーからなる第１のポリマーセグメントと、前記第１のホモポリマーの溶解度パラメーターよりも０．１〜１０（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２高い溶解度パラメーターを有する第２のホモポリマーからなる第２のポリマーセグメントとを有しており、且つ、下記条件（i）〜（iii）：
（i）数平均分子量が５０００００以上であること、
（ii）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５以下であること、
（iii）前記第１のポリマーセグメントと前記第２のポリマーセグメントとの体積比（第１のポリマーセグメント：第２のポリマーセグメント）が３：７〜７：３であること、
を全て満たすブロック共重合体、及び溶媒を含有するブロック共重合体溶液を基材上に塗布する工程と、
前記基材上の塗膜を乾燥させて、前記ブロック共重合体のミクロ相分離構造を形成することにより、表面に凹凸が形成された第１の母型を得る工程と、
を含む方法により得られたものであることを特徴とする太陽電池用透明導電性基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の母型を得る工程において、前記乾燥後の塗膜を前記ブロック共重合体のガラス転移温度より高い温度で加熱することを特徴とする請求項５に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の母型を得る工程において、前記乾燥後の塗膜にエッチング処理を施すことを特徴とする請求項５又は６に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１の母型上に転写材料を付着して硬化させた後、前記第１の母型から取り外すことにより、表面に凹凸が形成された第２の母型を得る工程を更に含むことを特徴とする請求項５〜７のうちのいずれか一項に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。
【請求項９】
前記ブロック共重合体中の前記第１のホモポリマー及び前記第２のホモポリマーの組合せが、スチレン系ポリマー及びポリアルキルメタクリレートの組合せ、スチレン系ポリマー及びポリエチレンオキシドの組合せ、スチレン系ポリマー及びポリイソプレンの組合せ、及び、スチレン系ポリマー及びポリブタジエンの組合せのうちのいずれかであることを特徴とする請求項５〜８のうちのいずれか一項に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ブロック共重合体溶液が、前記ブロック共重合体中の前記第１のホモポリマー及び前記第２のホモポリマーとは異なる他のホモポリマーを更に含有することを特徴とする請求項５〜９のうちのいずれか一項に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ブロック共重合体中の前記第１のホモポリマー及び前記第２のホモポリマーの組合せがポリスチレン及びポリメチルメタクリレートの組合せであり、且つ前記他のホモポリマーがポリアルキレンオキシドであることを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。
【請求項１２】
透明導電性基板と、対極用導電層と、前記透明導電性基板と前記対極用導電層との間に配置された半導体層とを備える太陽電池であって、
前記透明導電性基板が、透明支持基板と、透明導電層と、前記透明支持基板と前記透明導電層との間に配置された硬化樹脂層とを備えており、
前記硬化樹脂層の前記透明導電層と対向する面に凹凸が形成されており、
前記凹凸の形状を原子間力顕微鏡により解析して得られる凹凸解析画像に２次元高速フーリエ変換処理を施してフーリエ変換像を得た場合において、前記フーリエ変換像が、波数の絶対値が０μｍ−１である原点を略中心とする円状又は円環状の模様を示しており、且つ、
前記円状又は円環状の模様が、波数の絶対値が０．５〜１０μｍ−１の範囲内となる領域内に存在することを特徴とする太陽電池。
【請求項１３】
前記硬化樹脂層の前記透明導電層と対向する面に形成されている凹凸の平均高さが５〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池。
【請求項１４】
前記硬化樹脂層の前記透明導電層と対向する面に形成されている凹凸の平均ピッチが１００〜２０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の太陽電池。
【請求項１５】
前記硬化樹脂層がアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１２〜１４のうちのいずれか一項に記載の太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス材料からなる基板上に固定された、シリコンからなる電子増倍装置であって、
前記基板に接合されたシリコン基板に対して、前記基板との接合面に対向する上面側から前記接合面が露出しない程度にエッチングすることにより、前記接合面に対して立設された形状に加工された複数の電極を備え、
前記複数の電極それぞれは、側面の少なくとも一部に二次電子放出面が設けられており、前記二次電子放出面により前記接合面に沿って電子をカスケード増倍することを特徴とする電子増倍装置。
【請求項２】
前記エッチングは、ＤＥＥＰ-ＲＩＥ加工であることを特徴とする請求項１記載の電子増倍装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子増倍装置を含む光電子増倍管。
【請求項４】
少なくとも一部が前記基板により構成されるとともに、その内部が真空状態に維持された外囲器と、
前記外囲器内に収容され、前記外囲器を介して取り込まれた光に応じて外囲器の内部に光電子を放出する光電面と、
前記外囲器内に収容され、前記電子増倍装置でカスケード増倍された電子のうち到達した電子を信号として取り出すための陽極と、を更に備えることを特徴とする請求項３記載の光電子増倍管。
【請求項５】
前記外囲器は、
ガラス材料からなる前記基板と、
前記基板と前記電子増倍装置との接合面に一致する面上に固定され、前記電子増倍装置部及び前記陽極を包囲する側壁フレームと、
を備え、
前記側壁フレームは、前記シリコン基板からエッチングによって形成されることを特徴とする請求項４記載の光電子増倍管。
【請求項６】
前記陽極は、前記シリコン基板からエッチングによって形成された電極であって、前記側壁フレーム及び前記電子増倍装置との間の空隙部において前記基板上に接合された状態で配置されていることを特徴とする請求項４又は５記載の光電子増倍管。
【請求項７】
前記側壁フレームは、前記電子増倍装置及び前記陽極の双方から所定距離だけ離間していることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項記載の光電子増倍管。
【請求項８】
前記側壁フレームと前記電子増倍装置との間、前記電子増倍装置と前記陽極との間、及び前記陽極と前記側壁フレームとの間の各空隙部において、前記接合面に一致する前記基板上の表面は露出していることを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項記載の光電子増倍管。
【請求項９】
下側フレーム、側壁フレーム、及び上側フレームで構成されるとともにその内部が真空状態に維持された外囲器と、前記外囲器内に収納された光電面と、前記外囲器内に収納された電子増倍部と、前記外囲器内に収納された陽極とを備えた光電子増倍管の製造方法であって、
前記上側フレームとともに、前記下側フレームとなるべきガラス基板と、前記側壁フレームとなるべきシリコン基板であって第１面と前記第１面に対向する第２面を有するシリコン基板を用意する準備工程と、
前記下側フレームとなるべきガラス基板と前記側壁フレームとなるべきシリコン基板の前記第１面を接合する第1接合工程と、
前記下側フレームとなるべきガラス基板上に、それぞれ、前記側壁フレームと前記側壁フレームに包囲された空間に前記電子増倍部及び前記陽極が配置された複数の領域を形成する第１形成工程と、
前記側壁フレームと前記上側フレームとを接合する第２接合工程と、
それぞれが前記光電子増倍管に相当する前記領域ごとに前記ガラス基板を分割する分割工程と、を備える製造方法。
【請求項１０】
前記準備工程の後であってかつ前記第１接合工程の前に行われる工程であって、前記シリコン基板の前記第１面のうち、少なくとも前記側壁フレームと前記陽極との間及び前記電子増倍部と前記陽極との間に相当する各領域において、前記第１面から前記第２面に向かって伸びた空隙部を形成する第２形成工程を、更に備えることを特徴とする請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第１形成工程は、前記第１接合工程の後であってかつ前記第２接合工程の前において、前記ガラス基板に接合された前記シリコン基板を前記第２面から前記第１面に向かってエッチングすることにより行われ、
前記第２形成工程は、前記準備工程の後であってかつ前記第１接合工程の前において、前記シリコン基板を前記第１面から前記第２面に向かってエッチングすることにより行われることを特徴とする請求項９又は１０記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第１形成工程は、前記第１接合工程の後であってかつ前記第２接合工程の前に行われる工程であって、前記第１形成工程において前記電子増倍部の複数の電極が形成されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第１形成工程は、前記第１接合工程の後であってかつ前記第２接合工程の前に行われる工程であって、前記第１形成工程は、前記電子増倍部における各電極の側面に二次電子放出面を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一項記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
これにより、簡単な構成でいずれかの載置部上に載置された基板収納容器を第１および第２の保持部のうち一方の保持部によりその載置部上から取り出し、取り出した基板収納容器を他の載置部へ搬送し、第１および第２の保持部のうち他方の保持部により保持された基板収納容器をその基板収納容器が取り出された載置部上に載置することが可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
これにより、簡単な構成でいずれかの載置部上に載置された基板収納容器を第１および第２の保持部のうち一方の保持部によりその載置部上から取り出し、取り出した基板収納容器を他の載置部へ搬送し、第１および第２の保持部のうち他方の保持部により保持された基板収納容器をその基板収納容器が取り出された載置部上に載置することが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
図２に示すように、隔壁３１の４つの開口部３１ａは、それぞれ４つのオープナー２１ａ〜２１ｄの載置部２１ｆの高さから上の領域に形成されている。各オープナー２１ａ〜２１ｄは、隔壁３１に形成された開口部３１ａを開閉するシャッターおよびシャッター駆動部（図示せず）を備える。シャッター駆動部は、シャッターとともに載置部２１ｆに載置されたキャリアＦの蓋を開閉する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
第１の搬送フレーム２１０内では、複数の第２の移動機構Ｍ２により第２の搬送フレーム２２０が支持される。第２の搬送フレーム２２０は、天板２２１および互いに対向する一対の側板２２２を備える。第２の搬送フレーム２２０の底部は開放状態となっている。各側板２２２における上端近傍部分および下端近傍部分がそれぞれ第２の移動機構Ｍ２に接続される。第２の移動機構Ｍ２は、例えばモータを備える。第２の移動機構Ｍ２は、モータが動作することによりレール２１０Ｒ上を移動する。これにより、第２の搬送フレーム２２０は、第１の搬送フレーム２１０内で第２の移動機構Ｍ２とともに上下方向（Ｚ方向）に移動可能となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０２】
上記実施の形態では、キャリアＦが基板収納容器の例であり、インデクサブロック３、処理ブロック４およびインターフェースブロック５が本体部の例であり、オープナー２１ａ〜２１ｄの載置部２１ｆ、受取棚２２ａ、引渡棚２２ｂおよび複数の保管棚２２ｃ〜２２ｆが複数の載置部の例である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の設備を含むシステムを制御する制御装置において、
前記複数の設備のうちの少なくとも第１設備の電力量を監視する監視部と、
前記複数の設備のうちの少なくとも第２設備の電源を、前記第１設備の電力量に基づいて制御する電源制御部とを備えたことを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記電源制御部は、前記第１設備の電力量が第１閾値より低い値から第１閾値以上の値に増加した場合、前記第２設備の電源をオフからオンに切り替えることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記電力量とは、（ａ）前記第１設備の電源をオンにした時点と現時点との間において第１設備にて使用された電力の積算値、（ｂ）現時点と現時点から第１時間だけ遡った時点との間において第１設備にて使用された電力の積算値、（ｃ）現時点から第２時間だけ遡った時点と、現時点から第２時間よりも短い第３時間だけ遡った時点との間において第１設備にて使用された電力の積算値のうちのいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記電源制御部は、前記第１設備の電力量が第２閾値より高い値から第２閾値以下の値に減少した場合、前記第２設備の電源をオンからオフに切り替えることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項５】
前記電力量とは、（ａ）現時点と現時点から第４時間だけ遡った時点との間において第１設備にて使用された電力の積算値、（ｂ）現時点から第５時間だけ遡った時点と、現時点から第５時間よりも短い第６時間遡った時点との間において第１設備にて使用された電力の積算値のうちのいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の制御装置。
【請求項６】
前記監視部は、前記電力量の計測対象となる期間を対象期間として、この対象期間を互いに等しい複数の所定期間に区切り、所定期間毎の第１設備の使用電力の積算値を期間積算値とし、対象区間に属する各所定期間の各期間積算値のうち、所定値未満の期間積算値を除外して所定値以上の期間積算値のみを積算し、この積算にて得られる値を前記電力量とすることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項７】
前記監視部は、前記複数の設備の全てについての電力量を監視するようになっており、
前記複数の設備の全ての電力量の合計値を求める演算部と、
前記演算部にて求められた前記合計値を表示装置に表示させる表示制御部とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項８】
複数の設備を含むシステムを制御する制御方法において、
前記複数の設備のうちの少なくとも第１設備の電力量を監視するステップと、
前記複数の設備のうちの少なくとも第２設備の電源を、前記第１設備の電力量に基づいて制御するステップとを含むことを特徴とする制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１から７のいずれか１項に記載の制御装置の各部として機能させるプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は、複数の設備を含むシステムを制御する制御装置において、前記複数の設備のうちの少なくとも第１設備の電力量を監視する監視部と、前記複数の設備のうちの少なくとも第２設備の電源を、前記第１設備の電力量に基づいて制御する電源制御部とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記の課題を解決するために、本発明は、複数の設備を含むシステムを制御する制御方法において、前記複数の設備のうちの少なくとも第１設備の電力量を監視するステップと、前記複数の設備のうちの少なくとも第２設備の電源を、前記第１設備の電力量に基づいて制御するステップとを含むことを特徴とする。この構成によれば、前記した効果と略同一の効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記録する複数のクラスタを記録する領域を有する記録層を複数層備えた記録媒体において、
記録するクラスタに付加され、かつ、クラスタの識別とクラスタ内の位置を示す第１のアドレスが記録される領域と、
前記クラスタに同期してデータを記録するトラックにウォブリング重畳されて記録されていて、クラスタの識別とクラスタ内の位置を含む情報を示す第２のアドレスと、
を有し、
前記第１のアドレスは、実データに付加されて記録されるアドレスであって、
前記第２のアドレスは、記録媒体における物理的な記録位置を示すアドレスであり、前記複数の記録層の番号を示す層番号アドレスと、前記複数のクラスタのデータ位置を示すクラスタ番号アドレスと、前記クラスタの物理的な位置を特定するクラスタ内カウント値と、により構成され、
前記第２のアドレスの下位２ビットの規則性の切り替え有無を示し、かつ、前記クラスタ番号アドレスの拡張ビットとして使用され、かつ、記録媒体に記録されない仮想ビットが、該第２のアドレスに仮想的に埋め込まれており、
前記下位２ビットの規則性は、インクリメントの繰り返しであるか否かであることを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
前記請求項１に記載した記録媒体にデータを記録する記録方法であって、
記録された前記第２のアドレスを前記記録媒体から読み込み、
前記第２のアドレスに仮想的に埋め込まれた前記仮想ビットを復元し、
前記復元された仮想ビットに基づき、前記第２のアドレスを検出し、
前記検出した第２のアドレスにより、前記記録媒体にデータを記録することを特徴とする記録方法。
【請求項３】
前記請求項１に記載した記録媒体にデータを記録する記録装置であって、
記録された前記第２のアドレスを前記記録媒体から読み込むピックアップと、
前記第２のアドレスに仮想的に埋め込まれた前記仮想ビットを復元し、前記復元された仮想ビットに基づき、前記第２のアドレスを検出するアドレス再生回路と、
前記検出した第２のアドレスにより、前記記録媒体にデータを記録するデータ記録回路と、
を有することを特徴とする記録装置。
【請求項４】
前記請求項１に記載した記録媒体からデータを再生する再生方法であって、
記録された前記第２のアドレスを前記記録媒体から読み込み、
前記第２のアドレスに仮想的に埋め込まれた前記仮想ビットを復元し、
前記復元された仮想ビットに基づき、前記第２のアドレスを検出し、
前記検出した第２のアドレスにより、前記記録媒体からデータを再生することを特徴とする再生方法。
【請求項５】
前記請求項１に記載した記録媒体からデータを再生する再生装置であって、
記録された前記第２のアドレスを前記記録媒体から読み込むピックアップと、
前記第２のアドレスに仮想的に埋め込まれた前記仮想ビットを復元し、前記復元された仮想ビットに基づき、前記第２のアドレスを検出するアドレス再生回路と、
前記検出した第２のアドレスにより、前記記録媒体からデータを再生するデータ再生回路と、
を有することを特徴とする再生装置。
【請求項６】
データを記録する複数のクラスタを記録する領域を有する記録層を複数層備えた記録媒体におけるアドレスの記録方法であって、
記録するクラスタに付加され、かつ、クラスタの識別とクラスタ内の位置を示す第１のアドレスを記録する領域を設け、
前記クラスタに同期してデータを記録するトラックにウォブリング重畳してクラスタの識別とクラスタ内の位置を含む情報を示す第２のアドレスを記録し、
前記第１のアドレスは、実データに付加して記録されるアドレスであって、
前記第２のアドレスは、記録媒体における物理的な記録位置を示すアドレスであり、前記複数の記録層の番号を示す層番号アドレスと、前記複数のクラスタのデータ位置を示すクラスタ番号アドレスと、前記クラスタの物理的な位置を特定するクラスタ内カウント値と、により構成され、
前記第２のアドレスの下位２ビットの規則性の切り替え有無を示し、かつ、前記クラスタ番号アドレスの拡張ビットとして使用され、かつ、記録媒体に記録されない仮想ビットが、該第２のアドレスに仮想的に埋め込まれており、
前記下位２ビットの規則性は、インクリメントの繰り返しであるか否かであることを特徴とするアドレスの記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層を有する第１と第２の光ディスクのデータ記録領域から情報を再生する光ディスク再生装置において、
上記第１と第２の光ディスクのＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域に上記データ記録領域のデータ記録密度の情報を含むディスク管理情報が記録されているものであって、
上記第１の光ディスクの１層あたりのデータ記録密度は２５ＧＢであり、
上記第２の光ディスクの１層あたりのデータ記録密度は３３ＧＢであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の光ディスクの最短マーク長は略０．１４９μｍであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の光ディスクの最短マーク長は略０．１１３μｍであり、
上記ディスク管理情報から目標のデータ記録領域のデータ記録密度を判定する記録密度判定回路と、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の光ディスクに対応する再生信号レベルの処理を行う第１の再生信号処理回路と、
上記第１の再生信号処理回路とは異なり、かつ、上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の光ディスクの最短マーク長が再生可能な再生信号レベルの処理を行う第２の再生信号処理回路と、
上記第１または第２の再生信号処理回路で処理された信号を復調する復調回路と、
を備え、
上記記録密度判定回路により判定したデータ記録密度に応じて、前記第１または第２の再生信号処理回路を選択する、光ディスク再生装置。
【請求項２】
第１と第２の記録層を有する光ディスクのデータ記録領域から情報を再生する光ディスク再生装置において、
上記光ディスクのＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域に上記データ記録領域のデータ記録密度の情報を含むディスク管理情報が記録されているものであって、
前記第１の記録層の１層あたりのデータ記録密度は２５ＧＢであり、
前記第２の記録層の１層あたりのデータ記録密度は３３ＧＢであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の記録層の最短マーク長は略０．１４９μｍであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の記録層の最短マーク長は略０．１１３μｍであり、
前記ディスク管理情報から検出したデータ記録密度情報を参照し、データ記録密度を判定する層判定回路と、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の記録層に対応する再生信号レベルの処理を行う第１の再生信号処理回路と、
上記第１の再生信号処理回路とは異なり、かつ、上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の記録層の最短マーク長が再生可能な再生信号レベルの処理を行う第２の再生信号処理回路と、
上記第１または第２の再生信号処理回路で処理された信号を復調する復調回路と、
を備え、
上記層判定回路の判定によりデータ記録密度が切り替わるとき、データ記録密度に応じて前記第１または第２の再生信号処理回路を選択し、再生処理条件を設定する、光ディスク再生装置。
【請求項３】
複数の記録層を有する第１と第２の光ディスクのデータ記録領域から情報を再生する情報再生方法において、
上記第１と第２の光ディスクのＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域に上記データ記録領域のデータ記録密度の情報を含むディスク管理情報が記録されており、
上記第１の光ディスクの１層あたりのデータ記録密度は２５ＧＢであり、
上記第２の光ディスクの１層あたりのデータ記録密度は３３ＧＢであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の光ディスクの最短マーク長は略０．１４９μｍであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の光ディスクの最短マーク長は略０．１１３μｍであり、
上記ディスク管理情報を読み出すステップと、
読み出した上記ディスク管理情報からデータ記録密度を判定するステップと、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の光ディスクに対応する再生信号レベルの処理である第１の再生信号処理を行うステップと、
上記第１の再生信号処理とは異なり、かつ、上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の光ディスクの最短マーク長が再生可能な再生信号レベルの処理である第２の再生信号処理を行うステップと、
判定したデータ記録密度に応じて上記第１または第２の再生信号処理を選択するステップと、
上記選択された第１または第２の再生信号処理により処理された信号を復調するステップと、
を備える、情報再生方法。
【請求項４】
第１と第２の記録層を有する光ディスクのデータ記録領域から情報を再生する情報再生方法において、
上記光ディスクのＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域に上記データ記録領域のデータ記録密度の情報を含むディスク管理情報が記録されているものであって、
前記第１の記録層の１層あたりのデータ記録密度は２５ＧＢであり、
前記第２の記録層の１層あたりのデータ記録密度は３３ＧＢであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の記録層の最短マーク長は略０．１４９μｍであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の記録層の最短マーク長は略０．１１３μｍであり、
前記ディスク管理情報からデータ記録密度を参照するステップと、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の記録層に対応する再生信号レベルの処理である第１の再生信号処理を行うステップと、
上記第１の再生信号処理とは異なり、かつ、上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の記録層の最短マーク長が再生可能な再生信号レベルの処理である第２の再生信号処理を行うステップと、
記録層のデータ記録領域のデータ記録密度に応じて上記第１または第２の再生信号処理を選択するステップと、
上記選択された第１または第２の再生信号処理により処理された信号を復調するステップと、
を備える、情報再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層を有する第１と第２の光ディスクのデータ記録領域に情報を記録する光ディスク記録装置において、
上記第１と第２の光ディスクのＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域またはＰＩＣ（Ｐｅｒｍａｎｅｎｔ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ＆  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｄａｔａ）領域に上記データ記録領域のデータ記録密度の情報を含むディスク管理情報が記録されているものであって、
上記第１の光ディスクの１層あたりのデータ記録密度は２５ＧＢであり、
上記第２の光ディスクの１層あたりのデータ記録密度は３３ＧＢであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の光ディスクの最短マーク長は略０．１４９μｍであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の光ディスクの最短マーク長は略０．１１３μｍであり、
上記ディスク管理情報からデータ記録密度を判定する記録密度判定回路と、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の光ディスクに対応する第１の記録ストラテジ、または、上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の光ディスクに対応する第２の記録ストラテジ、を設定する記録ストラテジ設定回路と、
を備え、
上記記録密度判定回路により判定したデータ記録密度に応じて、前記記録ストラテジ設定回路が上記第１または第２の記録ストラテジを設定する、光ディスク記録装置。
【請求項２】
第１と第２の記録層を有する光ディスクのデータ記録領域に情報を記録する光ディスク記録装置において、
上記光ディスクのＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域またはＰＩＣ（Ｐｅｒｍａｎｅｎｔ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ＆  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｄａｔａ）領域に上記データ記録領域のデータ記録密度の情報を含むディスク管理情報が記録されているものであって、
前記第１の記録層の１層あたりのデータ記録密度は２５ＧＢであり、
前記第２の記録層の１層あたりのデータ記録密度は３３ＧＢであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の記録層の最短マーク長は略０．１４９μｍであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の記録層の最短マーク長は略０．１１３μｍであり、
前記ディスク管理情報から検出したデータ記録密度情報を参照し、データ記録密度を判定する層判定回路と、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の記録層に対応する第１の記録ストラテジ、または、上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の記録層に対応する第２の記録ストラテジ、を設定する記録ストラテジ設定回路と、
を備え、
上記層判定回路の判定によりデータ記録密度が切り替わるとき、データ記録密度に応じて、前記記録ストラテジ設定回路が前記第１または第２の記録ストラテジを設定する、光ディスク記録装置。
【請求項３】
複数の記録層を有する第１と第２の光ディスクのデータ記録領域に情報を記録する情報記録方法において、
上記第１と第２の光ディスクのＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域またはＰＩＣ（Ｐｅｒｍａｎｅｎｔ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ＆  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｄａｔａ）領域に上記データ記録領域のデータ記録密度の情報を含むディスク管理情報が記録されており、
上記第１の光ディスクの１層あたりのデータ記録密度は２５ＧＢであり、
上記第２の光ディスクの１層あたりのデータ記録密度は３３ＧＢであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の光ディスクの最短マーク長は略０．１４９μｍであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の光ディスクの最短マーク長は略０．１１３μｍであり、
上記ディスク管理情報を読み出すステップと、
読み出した上記ディスク管理情報からデータ記録密度を判定するステップと、
判定したデータ記録密度に応じて、上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の光ディスクに対応する第１の記録ストラテジ、または、上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の光ディスクに対応する第２の記録ストラテジを設定するステップと、
を備える、情報記録方法。
【請求項４】
第１と第２の記録層を有する光ディスクのデータ記録領域に情報を記録する情報記録方法において、
上記光ディスクのＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域またはＰＩＣ（Ｐｅｒｍａｎｅｎｔ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ＆  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｄａｔａ）領域に上記データ記録領域のデータ記録密度の情報を含むディスク管理情報が記録されているものであって、
前記第１の記録層の１層あたりのデータ記録密度は２５ＧＢであり、
前記第２の記録層の１層あたりのデータ記録密度は３３ＧＢであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の記録層の最短マーク長は略０．１４９μｍであり、
上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の記録層の最短マーク長は略０．１１３μｍであり、
前記ディスク管理情報からデータ記録密度を参照するステップと、
データ記録領域のデータ記録密度に応じて、上記１層あたりのデータ記録密度が２５ＧＢである第１の記録層に対応する第１の記録ストラテジ、または、上記１層あたりのデータ記録密度が３３ＧＢである第２の記録層に対応する第２の記録ストラテジ、を設定するステップと、
を備える、情報記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型材料層と、ｐ型材料層と、光発生領域とを備えた、複数の材料の多層積層体と、
光発生領域が生成し、かつ反射材料層に衝突する光のうちの少なくとも約５０％の光を反射する機能を有する反射材料層とを備え、
前記ｎ型材料層は前記光発生領域の上方にあり、前記光発生領域は前記ｐ型材料層の上方にあり、前記ｐ型材料層は前記反射材料層の上方にあり、
ｎ型材料層の表面は、光発生領域が生成する光を、発光素子からｎ型材料層の表面を通して放出することができるように構成され、
前記ｎ型材料層の表面は、非周期のパターンに従って空間的に変化する誘電関数を有し、前記非周期のパターンは前記光発生領域が生成する光のピーク波長の少なくとも５０倍の長さを有するユニットセルに対して並進対称を示さないパターンであり、
前記ｐ型材料層と反射材料層との間の距離が、ｎ型材料層と反射材料層との間の距離よりも短い、発光素子。
【請求項２】
複数の材料の前記多層積層体は、複数の半導体材料から成る多層積層体である、請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
光発生領域はｎ型材料層とｐ型半導体材料との間に位置する、請求項１記載の発光素子。
【請求項４】
更に、複数の材料の多層積層体を支持する支持体を備える、請求項１記載の発光素子。
【請求項５】
更に、ｐ型材料層と反射材料層との間にｐ型オーミックコンタクト層を備える、請求項１記載の発光素子。
【請求項６】
更に、ｎ型材料層と光発生領域との間に電流拡散層を含む、請求項１記載の発光素子。
【請求項７】
パターンは光発生領域の中まで延在することがない、請求項１記載の発光素子。
【請求項８】
パターンはｎ型材料層を超えて延在することがない、請求項１記載の発光素子。
【請求項９】
パターンはｎ型材料層を超えて延在する、請求項１記載の発光素子。
【請求項１０】
更に、電流を発光素子に注入するように構成される電気コンタクトを備える、請求項１記載の発光素子。
【請求項１１】
パターンは一部が、ｎ型材料層の表面の複数の穴、ｎ型材料層の複数のピラー（柱）、ｎ型材料層の複数の連続する筋、ｎ型材料層の複数の不連続な筋、及びこれらの組合せから成るグループから選択される部品により形成される、請求項１記載の発光素子。
【請求項１２】
パターンは一部が、前記ｎ型材料層の複数の穴により形成される、請求項１記載の発光素子。
【請求項１３】
パターンは、ｎ型材料層の表面から放出される光が放射モードのスペクトルを有し、かつ放射モードのスペクトルが光発生領域の固有放出スペクトルとほぼ同じとなるように構成される、請求項１記載の発光素子。
【請求項１４】
発光素子は発光ダイオードを含む、請求項１記載の発光素子。
【請求項１５】
λが光発生領域が生成することができ、かつ発光素子からｎ型材料層の表面を通して放出することができる光の波長である場合、ｎ型材料層の表面は約λ／５未満のサイズの形状を有する、請求項１記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光発生領域、及び光発生領域によって支持され、かつｎ型にドープされている第１層を備えた、複数の材料の多層積層体と、前記第１層の表面は、光発生領域が生成する光を、発光素子から第１層の表面を通して放出可能に形成されていることと、
前記第１層の表面と接触する材料とを備え、前記材料は気体からなるとともに１．３未満の屈折率を有し、かつ、
パッケージングされ、
前記発光素子は少なくとも１ミリメートルの端面を有する、発光素子。
【請求項２】
前記第１層の表面は、パターンに従って空間的に変化する誘電関数を有する、請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
発光素子はパッケージングされたチップの形態をなす、請求項１記載の発光素子。
【請求項４】
材料は気体からなる、請求項１記載の発光素子。
【請求項５】
材料は少なくとも１の屈折率を有する、請求項１記載の発光素子。
【請求項６】
パッケージングされた発光素子には封止材料が不要である、請求項１記載の発光素子。
【請求項７】
更に、カバーを備え、１．３未満の屈折率を有する材料は、カバーと第１層の表面との間に位置する、請求項１記載の発光素子。
【請求項８】
カバーはリン材料を含む、請求項７記載の発光素子。
【請求項９】
カバーは、光発生領域が生成し、かつ第１層の表面を通して放出される光がリン材料と相互反応することができるように、更に第１層の表面を通して放出され、かつリン材料と相互反応する光がカバーからほぼ白色光として放出されるように構成される、請求項８記載の発光素子。
【請求項１０】
発光素子から放出される光をほぼ透過する材料を含む第１シートと、
リン材料を含み、かつ第１シートに隣接する第２シートとをさらに備え、
１．３未満の屈折率を有する前記材料は第１シートと第１層の表面との間に位置する、請求項１記載の発光素子。
【請求項１１】
第１及び第２シートは、光発生領域が生成し、かつ第１層の表面を通して放出される光がリン材料と相互反応することができるように、更に第１層の表面を通して放出され、かつリン材料と相互反応する光が第２シートからほぼ白色光として放出されるように構成される、請求項１０記載の発光素子。
【請求項１２】
更に、複数の材料から成る多層積層体を支持する支持体を備える、請求項１記載の発光素子。
【請求項１３】
更に、反射材料層を備え、該反射材料層は、光発生領域が生成する光の少なくとも５０％の光であって、反射材料層に衝突する光を反射する機能を有し、反射材料層は、支持体と複数の材料から成る多層積層体との間に位置する、請求項１２記載の発光素子。
【請求項１４】
反射材料はヒートシンク材料である、請求項１３記載の発光素子。
【請求項１５】
ヒートシンク材料は、ヒートシンク材料が発光素子の使用の間に垂直方向の熱勾配を有するように構成される、請求項１４記載の発光素子。
【請求項１６】
更に、第１層と光発生領域との間に電流拡散層を含む、請求項１記載の発光素子。
【請求項１７】
発光素子は発光ダイオードを含む、請求項１記載の発光素子。
【請求項１８】
第１層の表面は、パターンに従って空間的に変化する誘電関数を有し、そしてパターンは光発生領域の中まで延在することがない、請求項１記載の発光素子。
【請求項１９】
第１層の表面は、パターンに従って空間的に変化する誘電関数を有し、そしてパターンは第１層を超えて延在することがない、請求項１記載の発光素子。
【請求項２０】
第１層の表面は、パターンに従って空間的に変化する誘電関数を有し、そしてパターンは、第１層を超えて延在する、請求項１記載の発光素子。
【請求項２１】
更に、反射材料層を備え、この反射材料層は、光発生領域が生成する光の少なくとも５０％の光であって、反射材料層に衝突する光を反射する機能を有し、
光発生領域は、反射材料層と第１層との間に位置する、請求項１記載の発光素子。
【請求項２２】
更に、反射材料層を備え、この反射材料層は、光発生領域が生成する光の少なくとも５０％の光であって、反射材料層に衝突する光を反射する機能を有し、
光発生領域は反射材料層と第１層との間に位置する、請求項１記載の発光素子。
【請求項２３】
第１層の表面は、非周期パターンに従って空間的に変化する誘電関数を有する、請求項１記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードを製造する方法であって、
基板の上に、III族窒化物であって第１導電型を有する第１エピタキシャル領域を形成するステップと、
前記第１エピタキシャル領域の上に、III族窒化物であって第２導電型を有する第２エピタキシャル領域を形成して、前記第１及び第２エピタキシャル領域によりｐｎ接合を形成するステップと、
前記第２エピタキシャル領域の表面の周囲部分が露呈するように、前記第２エピタキシャル領域の中央部にオーミック金属スタックを形成するステップと、
前記露呈された周囲部分を通じて前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入し、注入されたイオンが高濃度にドープされたイオン注入済の周囲部分を画定して、前記イオン注入済の周辺部分の内側に前記ｐｎ接合を隔離するステップと、
発光ダイオードを実装面の上に前記オーミック金属スタックと前記実装面とが接するように配置し、前記第２エピタキシャル領域の高抵抗部分が前記ｐｎ接合を前記実装面から隔離するステップと
を含んでおり、前記オーミック金属スタックはオーミック・コンタクト層と接合層とを少なくとも含み、前記オーミック金属スタックは前記第２エピタキシャル領域とのオーミック・コンタクトを形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記オーミック金属スタックはバリア層を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、前記オーミック金属スタックは反射層を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記接合層は接合パッドを含んでおり、前記オーミック・コンタクト層のエッジは前記接合パッドのエッジを超えて延長していることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、該方法は更に、
前記オーミック金属スタックにフォトレジストを被着するステップと、
前記フォトレジストをパターニングするステップと、
前記第２エピタキシャル領域の周囲部分へのイオン注入の前に、前記フォトレジストによって露出された前記オーミック金属スタックの一部を選択的にエッチングして、前記第２エピタキシャル領域の表面の周囲部分を露呈させるステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、該方法は更に、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入する前に、前記フォトレジストを除去するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記フォトレジストを除去する前に前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記オーミック金属スタックをイオン注入マスクとして用いて前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入した後に、前記第１及び第２エピタキシャル領域の露出された表面のパシベーションを行うステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、前記オーミック・コンタクト層を通過して前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項５記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するときには、前記パターニングされたフォトレジストをイオン注入マスクとして用いるステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項４記載の方法において、前記オーミック金属スタックのエッジは前記第２エピタキシャル領域の周囲部分を画定することを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項５記載の方法において、該方法は更に、二酸化シリコン、窒化シリコン、絶縁性ポリマ、及びそれらの組み合わせから選択されたパシベーション層を、前記第２エピタキシャル層の露出部分の上に形成するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、窒素、燐、アルミニウム、ヘリウム、水素、及びＮ２から成る群から選択されたイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域は窒化ガリウムのｐ型エピタキシャル領域を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１記載の方法において、イオンを注入するステップの前に、第２エピタキシャル領域の表面にマスクを被着するステップを更に含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法において、前記マスクを被着するステップは、前記オーミック金属スタックを、パターニングされたオーミック金属スタックとして前記第２エピタキシャル領域の上に被着するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１記載の方法において、前記イオンを注入するステップは、イオン・エネルギ、イオン投与量、及びその組み合わせから選択された要因に従って相互に異なる少なくとも２つの注入ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１記載の方法において、前記第２のエピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入するステップは、約１×１０１３ｃｍ−２から２×１０１３ｃｍ−２までの投与量及び約１００ｋｅＶから２００ｋｅＶまでのエネルギで、約１×１０１７ｃｍ−３のｐ型キャリア濃度を有する前記第２エピタキシャル領域にイオンを注入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１記載の方法において、前記第２エピタキシャル領域はｐ型のIII族窒化物のエピタキシャル領域を含み、該方法は、
前記オーミック金属スタックの一部をマスキングするステップと、
前記第２エピタキシャル領域の周囲部分にイオンを注入する前に、残留している露出されたオーミック金属スタックを前記第２エピタキシャル領域から除去するステップと、
前記オーミック金属スタックから前記マスクを除去するステップと
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法において、前記オーミック金属スタックの一部をマスキングするステップは、前記オーミック金属スタックの一部をフォトレジストを用いてマスキングするステップを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型の半導体層と逆導電型の半導体層とを有する半導体基板を備え、該半導体基板の少なくとも一方主面が逆導電型の半導体層であり、前記半導体基板の一方主面に対向する他方主面および前記逆導電型の半導体層のそれぞれの上に、発電電力を取り出すための電極が形成された太陽電池素子であって、前記半導体基板の他方主面および前記逆導電型の半導体層の少なくとも一方の上に形成された電極が銀と銅を含有していることを特徴とする太陽電池素子。
【請求項２】
前記半導体基板の他方主面の上に形成された電極のみが銀と銅を含有していることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池素子。
【請求項３】
前記逆導電型の半導体層の上に形成された電極は、前記半導体基板の他方主面側にも形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池素子。
【請求項４】
前記半導体基板の両主面を貫通する貫通孔を多数有し、前記逆導電型の半導体層は前記貫通孔にも形成されており、前記貫通孔内には導体が設けられ、かつ前記逆導電型の半導体層の上に形成された電極は、前記導体を介して、前記半導体基板の他方主面側にも導出されて形成されていることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池素子。
【請求項５】
前記貫通孔内に設けた導体が少なくとも銀と銅を含有することを特徴とする請求項４に記載の太陽電池素子。
【請求項６】
前記逆導電型の半導体層の上に形成した電極は、銀を表面にコーティングした銅フィラーを多数含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項７】
請求項１に記載の太陽電池素子の製造方法であって、前記逆導電型の半導体層の上に形成した電極は、銀を表面にコーティングした銅フィラーを多数含有する導電ペーストを塗布して、焼成することにより形成したことを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の太陽電池素子の製造方法であって、前記逆導電型の半導体層の上に形成した電極は、銀フィラーおよび銅フィラーを多数含有する導電ペーストを塗布して、焼成することにより形成したことを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタであって、
ソースと、
ドレインと、
ゲート領域とを備え、前記ゲート領域は、
ゲートと、
アイランドと、
ゲート酸化物とを含み、
前記ゲート酸化物は、前記ゲートと前記アイランドとの間に配置され、
前記ゲートおよび前記アイランドは、互いに、同時活性的に結合され、
前記トランジスタは、
ソースバリヤとドレインバリヤとをさらに備え、
前記ソースバリヤは、前記ゲート領域から前記ソースを分離し、前記ドレインバリヤは、前記ゲート領域から前記ドレインを分離する、トランジスタ。
【請求項２】
前記ソースバリヤおよび前記ドレインバリヤは、変化する厚みを有する、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記ソースバリヤおよび前記ドレインバリヤは、それらが前記ゲートに近接するよりも、前記アイランドにより薄く近接する、請求項１または２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記ソースおよび前記ドレインは、ｎタイプドープシリコンまたはｐタイプドープシリコンを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ゲートは、金属、金属酸化物、またはポリシリコンを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記ゲート酸化物は、ＳｉＯ2または高誘電率を有する材料を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記ゲート酸化物は、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＳｉＯxＮy、またはその固溶体を含む、請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記ソースバリヤおよび前記ドレインバリヤは、ＳｉＯ2または高誘電率を有する材料を独立して含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記ソースバリヤおよび前記ドレインバリヤは、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＳｉＯxＮy、またはその固溶体を独立して含む、請求項８に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
前記アイランドは、ｎタイプまたはｐタイプのドープシリコンあるいは半導体酸化物を含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１１】
前記アイランドは、ＳｎＯ、Ｓｎ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、またはその固溶体を含む、請求項１０に記載のトランジスタ。
【請求項１２】
前記ソース、前記ソースバリヤ、前記アイランド、前記ドレインバリヤ、前記ドレインは、基板上に積層される、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１３】
前記ソースバリヤは、前記ドレインバリヤよりも厚い、請求項１２に記載のトランジスタ。
【請求項１４】
前記ゲート領域の少なくとも前記アイランドは、前記ソースバリヤおよび前記ドレインバリヤの双方に接する、請求項１２に記載のトランジスタ。
【請求項１５】
前記ゲートは、前記ゲート酸化物のみに接する、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項１６】
メモリアレイであって、
複数のメモリユニットを含む第１のメモリアレイ層を備え、各メモリユニットは、メモリセルに電気的に結合されるトランジスタを含み、
前記メモリアレイは、
複数のメモリユニットを含む第２のメモリアレイ層をさらに備え、各メモリユニットは、メモリセルに電気的に結合されるトランジスタを含み、
前記トランジスタは、
ソースと、
ドレインと、
ゲート領域とを含み、前記ゲート領域は、
ゲートと、
アイランドと、
ゲート酸化物とを有し、
前記ゲート酸化物は、前記ゲートと前記アイランドとの間に配置され、
前記ゲートおよび前記アイランドは、互いに、同時活性的に結合され、
前記トランジスタは、
ソースバリヤとドレインバリヤとをさらに含み、
前記ソースバリヤは、前記ゲート領域から前記ソースを分離し、前記ドレインバリヤは、前記ゲート領域から前記ドレインを分離する、メモリアレイ。
【請求項１７】
前記第１のメモリアレイ層および前記第２のメモリアレイ層は、メモリユニットの複数の行および列を含む、請求項１６に記載のメモリアレイ。
【請求項１８】
連続的に積層されて前記メモリアレイを形成する３つまたはより多くのメモリアレイをさらに備える、請求項１６に記載のメモリアレイ。