【手続補正書】
【提出日】平成24年5月1日(2012.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。
【図２】改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。
【図３】図２の加工対象物のIII−III線に沿っての断面図である。
【図４】レーザ加工後の加工対象物の平面図である。
【図５】図４の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。
【図６】図４の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。
【図７】加工対象物を示す平面図である。
【図８】実施形態に係るレーザ加工方法を実施するレーザ加工装置を示す概略構成図である。
【図９】反射型空間光変調器の部分断面図である。
【図１０】図８のレーザ加工装置の光学系の要部を示す概略図である。
【図１１】図８のレーザ加工装置により複数のレーザ光を同時集光させた加工対象物の拡大断面図である。
【図１２】（ａ）は本実施形態のレーザ加工を説明するための工程図、（ｂ）は図１２（ａ）の続きを示す工程図である。
【図１３】（ａ）は図１２（ｂ）の続きを示す工程図、（ｂ）は図１３（ａ）の続きを示す工程図である。
【図１４】（ａ）は図１３（ｂ）の続きを示す工程図、（ｂ）は図１４（ａ）の続きを示す工程図である。
【図１５】図１４（ｂ）の続きを示す工程図である。
【図１６】同時集光数と同時集光位置の間隔との関係を示す図表である。
【図１７】（ａ）は、同時集光数と同時集光位置の間隔との関係を説明するためのレーザ加工の工程図、（ｂ）は図１７（ａ）の続きを示す工程図、（ｃ）は図１７（ｂ）の続きを示す工程図である。
【図１８】他の例に係る実施形態の同時集光位置及び集光順序を示す図である。
【図１９】別の他の例に係る実施形態の同時集光位置及び集光順序を示す図である。
【図２０】さらに別の他の例に係る実施形態の同時集光位置及び集光順序を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
機能素子１５は、例えば、結晶成長により形成された半導体動作層、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、或いは回路として形成された回路素子等であり、サファイア基板１１のオリエンテーションフラット６に平行な方向及び垂直な方向にマトリックス状に多数形成されている。このような加工対象物１は、隣り合う機能素子間を通るように格子状に設定された切断予定ライン５に沿って切断される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
透明基板２１８は、ＸＹ平面に沿った表面２１８ａを有しており、該表面２１８ａは反射型空間光変調器２０３の表面を構成する。透明基板２１８は、例えばガラス等の光透過性材料を主に含んでおり、反射型空間光変調器２０３の表面２１８ａから入射した所定波長のレーザ光Ｌを、反射型空間光変調器２０３の内部へ透過する。透明導電膜２１７は、透明基板２１８の裏面上に形成されており、レーザ光Ｌを透過する導電性材料（例えばＩＴＯ）を主に含んで構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
表面観察ユニット２１１は、可視光ＶＬ１を出射する観察用光源２１１ａと、加工対象物１の表面３で反射された可視光ＶＬ１の反射光ＶＬ２を受光して検出する検出器２１１ｂと、を有している。表面観察ユニット２１１では、観察用光源２１１ａから出射された可視光ＶＬ１が、ミラー２０８及びダイクロイックミラー２０９，２１０，２３８で反射・透過され、集光光学系２０４で加工対象物に向けて集光される。そして、加工対象物１の表面３で反射された反射光ＶＬ２が、集光光学系２０４で集光されてダイクロイックミラー２３８，２１０で透過・反射された後、ダイクロイックミラー２０９を透過して検出器２１１ｂにて受光される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
続いて、集光光学系２０４に入射するレーザ光Ｌ１〜Ｌ３が平行光となるように波面形状が調整される。具体的には、第１レンズ２４１ａを透過し収束され、ミラー２１９によって下方へ反射され、共焦点Ｏを経て発散すると共に、第２レンズ２４１ｂを透過し、平行光となるように再び収束される。レーザ光Ｌ１〜Ｌ３は、ダイクロイックミラー２１０，２３８を順次透過して集光光学系２０４に入射し、ステージ１１１上に載置された加工対象物１の内部に集光光学系２０４によって同時集光される。その結果、加工対象物１内の厚さ方向の所定深さに、等間隔で並ぶ３つの改質スポットＳ（図１１参照）が同時形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
まず、加工対象物１において最終的に形成する複数の改質スポットＳの間隔Ｂ（図１５参照）と、レーザ光Ｌの繰返し周波数と、に基づいて制御部２５０を制御し、スキャン速度を設定する。そして、反射型空間光変調器２０３を制御し、同時集光させる集光数としての同時集光数Ｎ（ここでは、Ｎ＝３）を設定すると共に、集光光学系２０４の入射角を制御して同時集光位置Ｐ１〜Ｐ３の間隔Ｈ（図１５参照）を設定する。つまり、所望の広間隔同時レーザ加工がなされるよう反射型空間光変調器２０３を制御する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ここでは、集光光学系２０４の変調パターンとして所定の回折格子パターンを用い同時集光数Ｎを設定すると共に、その格子幅の大小を制御することで、同時集光位置Ｐ１〜Ｐ３の間隔Ｈを設定している。なお、図１５に示すように、間隔Ｈは、繰り返される複数の集光工程においてレーザ光Ｌ１〜Ｌ３が最終的に集光する複数の集光位置Ｐのうち隣接する集光位置Ｐ，Ｐ間の間隔ともいえる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図１１は、図８のレーザ加工装置により複数のレーザ光を同時集光させた加工対象物の拡大断面図である。図中において、レーザ光Ｌ１〜Ｌ３は左側から右側に相対移動する。また、図中では、レーザ光Ｌ１〜Ｌ３の移動方向に関し、同時集光位置Ｐ１は最も後方に位置する集光位置であり、同時集光位置Ｐ３は最も前方に位置する集光位置であり、同時集光位置Ｐ２は同時集光位置Ｐ１，Ｐ３の中間に位置する集光位置である。なお、同時集光位置Ｐ１〜Ｐ３は、便宜上、丸印で示されている（以下の図１２〜１５，１７において同じ）。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
同時集光位置Ｐ１１，２１間（Ｐ１２，２２間又はＰ１３，２３間）の間隔Ａは、レーザの繰り返し周波数及びスキャン速度加工速度で定められるものであり、間隔Ｂ×同時集光数Ｎとされている。同時集光位置Ｐ２１は、外側領域Ｒ１において同時集光位置Ｐ１１，１２間における同時集光位置Ｐ１２の移動方向後側に近接されている。同時集光位置Ｐ２２は、内側領域Ｒ２において同時集光位置Ｐ１２，１３間における同時集光位置Ｐ１３の移動方向後側に近接されている。同時集光位置Ｐ２３は、内側領域Ｒ２において同時集光位置Ｐ１３に対し移動方向前側に位置されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図１６は、同時集光数と同時集光位置の間隔との関係を示す図表、図１７（ａ）は、同時集光数と同時集光位置の間隔との関係を説明するためのレーザ加工の概略工程図、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の続きを示す概略工程図、図１７（ｃ）は、図１７（ｂ）の続きを示す概略工程図である。図１６中の「ＮＧ」は、図表における行及び列の加工条件では、前段の集光工程における同時集光位置の少なくとも１つと後段の集光工程における同時集光位置とが重なり、改質領域７の形成が不適であることを意味している。また、同時集光位置の間隔Ｈにあっては、上述したように、間隔Ｂを基準に設定されることから、図１６中では、間隔Ｂを基準にした値（間隔Ｂで除した値）を示している。また、図１７中の同時集光位置Ｐ´１〜Ｐ´３に付される数字は、集光順序を表している。