【事件の表示】
　特願２００１−５７４５１４「高フィルファクターマイクロレンズアレイ及び製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１８日国際公開、ＷＯ０１／７７７１６、平成１５年１０月１４日国内公表、特表２００３−５３０５８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００１年３月２０日（パリ条約による優先権主張　２０００年４月５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１４年２月１３日付け及び平成１７年１２月２８日付けで手続補正がなされ、平成１８年３月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１８年６月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年７月２８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年７月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］平成１８年７月２８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「モノリシックなオプトエレクトロニック集積回路を含む基材（５０）上に屈折性マイクロレンズを一体化するのに適した、マイクロレンズ（４０）の製造方法において、
　前記基材を平坦化材料（５２）でコーティングする工程、
　一層のフォトレジスト（５４）を前記平坦化材料に付着させる工程、
　グレイスケールフォトリソグラフィーによって厚さ輪郭を前記フォトレジストにプリントする工程、及び
　前記フォトレジストの前記厚さ輪郭を前記平坦化材料にイオンエッチングによって転写し、これによって屈折性レンズ（４０）を前記平坦化材料に形成する工程を含み、
　前記厚さ輪郭をプリントする工程は、
　電子ビーム露光により所定のレンズ形状に対応するグレイスケールに調整されたパターンに従って書き込まれた高エネルギ電子ビーム感受性ガラスで、グレイスケールに調整されたマスク（５６）を形成し、前記グレイスケールに調整されたマスク（５６）を通して濾光された光子（５８）に、前記フォトレジスト層を露光する工程、及び
　前記フォトレジスト層を洗浄し、前記フォトレジスト層全域にわたって、前記露光する工程において露光された程度に応じて、各地点において空間的に程度を異ならせてフォトレジストを除去し、前記所定のレンズ形状と一致する厚さ輪郭を前記フォトレジスト層に残す工程を含む、製造方法。」
と補正された。
　前記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「グレイスケールに調整されたマスク（５６）」について「電子ビーム露光により所定のレンズ形状に対応するグレイスケールに調整されたパターンに従って書き込まれた高エネルギ電子ビーム感受性ガラスで、グレイスケールに調整されたマスク（５６）」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開平４−２２６０７３号公報（以下、「引用例１」という。）、同じく特開平８−１７４５６３号公報（以下、「引用例２」という。）、及び当審において新たに発見した米国特許第５９９８０６６号明細書（以下、「引用例３」という。）にはそれぞれ、以下の事項が記載されている。
　
Ａ．引用例１；
　固体撮像装置の構造およびその製造方法に関するもので、
ア．【従来の技術】の項中【０００２】
「【従来の技術】
　固体撮像装置としては、すでに種々の構造が提案され一部は実用化されている。従来の固体撮像装置は、例えば図４に示す如き構造である。同図は電荷転送（ＣＣＤ）型の２次元固体撮像装置の平面構造を説明する図であり、図に於て１１ａ〜１１ｄ，１２ａ〜１２ｄは光電変換を行うフォトダイオードを、２１，２２はＣＣＤチャネルを示す。」
同じく【０００５】
「上述した固体撮像装置では、フォトダイオード３に入る光は遮光膜８で規定されたフォトダイオード開口部の範囲に限られる。ＣＣＤ型固体撮像装置では、フォトダイオード３はＣＣＤチャネル４と同一平面上に形成されるため、１画素のしめる面積に対するフォトダイオード開口面積（開口率）は高々３０％程度に制限されてしまう。即ち、固体撮像装置に投影される光の３０％が有効に利用されるにすぎない。これを改善する手段として、フォトダイオード３の上部にマイクロレンズを設け集光することが行われている。図６はマイクロレンズを設けたＣＣＤ型固体撮像装置の断面構造を説明する図であり、図５と同じ部分の断面を示す。図に於て、６５は平坦化膜、１１はマイクロレンズを示す。マイクロレンズ１１に入射した光は、光路１０に示される如くフォトダイオード３の開口部に集光される。」
　
イ．同じく【０００６】
「【発明が解決しようとする課題】マイクロレンズの径を大きくすれば、実行的な開口率を１００％近くに高めることは原理的には可能であるが、現状ではマイクロレンズの作り方の上で制約がある。図７は、マイクロレンズを作る手順を説明する図であり、図６における平坦化膜６５を形成する以降の工程を示している。まず、遮光膜や周辺部の配線を形成する工程まで完了した固体撮像装置の表面に、平坦化剤（液体）を塗布し平坦化膜６５が形成される（図７（ａ））。次に、マイクロレンズとなる感光材料（フォトレジストなど）を塗布した後に、マスクを用いて露光を行いフォトレジストパターン１１０を形成する（図７（ｂ））。しかる後に、ベーキングを行い、フォトレジストパターンをリフローすることにより、マイクロレンズ１１を形成する（図７（ｃ））。」
　
ウ．同じく【０００７】
「図８はマイクロレンズを形成するための他の従来法を説明する図であり、６６はレンズ材料膜である。当該法では平坦化膜６５の表面にレンズ材料膜６６を設けたのちにフォトレジストパターン１１０を形成する（図８（ａ））。次にベーキングを行い、フォトレジストパターン１１０をリフローすることによりレンズ形状パターン１１を形成する（図８（ｂ））。しかるのちにレンズ形状パターン１１をマスク材としてリアクティブイオンエッチング法によりレンズ材料膜６６をエッチングすることにより、レンズ形状パターン１１の形状がレンズ材料膜６６に転写されレンズ１６が形成される（図８（ｃ））。」
　
　前記ア．〜ウ．の記載事項からして、引用例１には、図面を含めて、「遮光膜や周辺部の配線を形成する工程まで完了したＣＣＤ型固体撮像装置の表面に平坦化膜６５を形成し、平坦化膜６５の表面にレンズ材料膜６６を塗布したのちに、マスクを用いて露光を行いフォトレジストパターン１１０を形成し（図８（ａ））、次にベーキングを行い、フォトレジストパターン１１０をリフローすることによりレンズ形状パターン１１を形成し（図８（ｂ））、しかるのちにレンズ形状パターン１１をマスク材としてリアクティブイオンエッチング法によりレンズ材料膜６６をエッチングすることにより、レンズ形状パターン１１の形状がレンズ材料膜６６に転写されレンズ１６が形成される（図８（ｃ））、マイクロレンズ１６を製造する方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　　
Ｂ．引用例２；
　三次元形状の形成方法に関するもので、
エ．【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、三次元形状の形成方法に関し、特に、マイクロレンズ、マイクロマシーン、マイクロセンサーなどの三次元に精度よく構造制御された微小構造体やこれらの微小構造体を大量生産するためのプレス成形型等の形成方法等に関する。」
　
オ．【特許請求の範囲】【請求項１】
「基材上にレジスト層を形成し、該レジスト層に到達する露光強度を連続的に変化させる遮光性パターンを有するリソグラフィー用マスクを用いて、前記レジスト層を露光する工程と、
　前記露光後のレジスト層を現像処理して三次元形状のレジスト像を形成する工程と、
　前記レジスト像および基材を同時にエッチングしてレジスト像の三次元形状を基材に転写する工程とを有する三次元形状の形成方法において、
　レジストの残膜曲線が、緩やかな傾きの残膜曲線となるようなレジストおよび／またはレジスト像形成条件を使用することを特徴とする三次元形状の形成方法。」
　
カ．【００５５】
「実施例１
　石英基板３上にγ値を１．０に調整したｇ線対応ポジ型スチレン系フォトレジスト４を塗布し、図１に示すような円形遮光パターン２を有するフォトマスク１を用いて、等倍ｇ線密着露光機でレジスト４の露光を行った（図２（ａ））。ここで、図１に示すフォトマスク１は、円外周に向かって遮光部分の占有面積が徐々に減少する遮光パターン２を有するものとし、遮光部分の間隔が限界ピッチ（Ｐｃ＝０．１１μｍ）以下としたものを使用した。
【００５６】
　次いで、現像液（ヘキスト社製ＡＺデベロッパー）でフォトレジスト４の現像を行い（現像時間１２０秒、プリベーク温度９０℃、時間６０分）、対角２０μｍ、高さ１μｍの凸型球面レジスト像５を形成した（図２（ｂ））。
【００５７】
　続いて、平行平板型リアクティブイオンエッチング装置を用い、２５０Ｗの高周波電力を供給し、Ｃ２Ｆ６流量５０ｓｃｃｍ、レジスト４のエッチング速度を基板３のエッチング速度と同一とした条件で、上記凸型球面レジスト像を有する石英基板をドライエッチングし、凸型球面レジスト像５を石英基板３に転写して、対角２０μｍ、高さ１μｍの石英製凸型球面体を形成した（図２（ｃ））。」
　
Ｃ．引用例３；　
　グレースケールマスク及び深さパターン転写技術に関するもので、
キ．第２欄４７行〜５５行
「より高い解像度の拡張したアナロググレースケールマスクへの要望へのひとつの返答は、ここで参照して引用する、１９９２年１月７日にＣ．Ｗｕらに与えられた米国特許第５，０７８，７７１号で開示されているように、高エネルギービーム感応（”Ｈｉｇｈ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｂｅａｍ　Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ：ＨＥＢＳ”）のガラスを用いることである。ＨＥＢＳガラスは高品位のグレースケールマスクを生産することができるけれども、いまのところ、ＨＥＢＳガラスは標準的に商業的に入手可能なガラスではなく、従って、入手が困難である。ＨＥＢＳガラスは通常とは異なる組成のガラス基板であり、特殊な取扱いを要求し、製造コストが高くつく。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の対象である「マイクロレンズ１６を製造する方法」は、本願補正発明の対象である「マイクロレンズ（４０）の製造方法」に相当する。
　また、引用発明の「マイクロレンズ１６」は、集光作用があるから（記載事項ア．）、本願補正発明の「屈折性マイクロレンズ」に相当する。
　
ｂ．引用発明の「平坦化膜６５」は、本願補正発明の「基材（５０）」に相当する。
　
ｃ．本願補正発明の「モノリシックなオプトエレクトロニック集積回路を含む基材（５０）」に関して、本願明細書の、例えば【００２０】には、「マイクロレンズは、好ましくは、集積オプトエレクトロニック回路（ＣＭＯＳイメージングマトリックス等）上に新規なグレイスケール製造プロセスによって直接製造される。図６のａに示すように、マイクロレンズの製造は、好ましくは、単に「基材」５０として示され引用される、製造された集積回路において開始する。（チップが複雑な製造された回路を持つにも拘わらず、マイクロレンズの製造に関しては単なる基材である）。」と記載されている。
　これに対して、引用例１の図４には、多数のフォトダイオードを含むＣＣＤ型固体撮像装置の平面構造が示されており、本願明細書の上記【００２０】の記載を参酌すれば、引用発明の「遮光膜や周辺部の配線を形成する工程まで完了したＣＣＤ型固体撮像装置」は、本願補正発明にいう「オプトエレクトロニック集積回路」に相当するといえる。そして、引用発明の「遮光膜や周辺部の配線を形成する工程まで完了したＣＣＤ型固体撮像装置の表面に平坦化膜６５を形成し」たものは、本願補正発明にいう「モノリシックなオプトエレクトロニック集積回路を含む基材（５０）」に相当する。
　
ｄ．本願補正発明の「基材（５０）上に屈折性マイクロレンズを一体化する」ということは、本願明細書及び図面の記載によれば、基材（５０）上に屈折性マイクロレンズを直接設けることを意味すると解される。
　これに対して、引用発明も同様に、平坦化膜６５上に屈折性マイクロレンズを直接設けているから、引用発明は、本願補正発明にいう「基材（５０）上に屈折性マイクロレンズを一体化する」ものであるといえる。
　
ｅ．引用発明の「レンズ材料膜６６を塗布した」は、本願補正発明の「平坦化材料（５２）でコーティングする工程」に相当する。
　
ｆ．引用発明は、「レンズ材料膜６６を塗布したのちに、マスクを用いて露光を行いフォトレジストパターン１１０を形成し（図８（ａ））」ているので、本願補正発明にいう「一層のフォトレジスト（５４）を前記平坦化材料に付着させる工程」、「フォトリソグラフィーによって厚さ輪郭を前記フォトレジストにプリントする工程」を有していると認められ、また、引用発明は、「レンズ形状パターン１１をマスク材としてリアクティブイオンエッチング法によりレンズ材料膜６６をエッチングすることにより、レンズ形状パターン１１の形状がレンズ材料膜６６に転写されレンズ１６が形成される」ので、本願補正発明にいう「前記フォトレジストの前記厚さ輪郭を前記平坦化材料にイオンエッチングによって転写し、これによって屈折性レンズ（４０）を前記平坦化材料に形成する工程」を有していると認められる。
　
ｇ．引用発明は、「マスクを用いて露光を行いフォトレジストパターン１１０を形成し（図８（ａ））、次にベーキングを行い、フォトレジストパターン１１０をリフローすることによりレンズ形状パターン１１を形成し（図８（ｂ））」ており、レンズ形状パターン１１を形成する範囲をフォトレジスト層の一部領域と解する理由もないので、本願補正発明にいう「前記厚さ輪郭を（フォトレジストに）プリントする工程は、マスク（５６）を通して濾光された光子（５８）に前記フォトレジスト層を露光する工程、及び前記フォトレジスト層を洗浄し、前記フォトレジスト層全域にわたって、前記露光する工程において露光された程度に応じて、各地点において空間的に程度を異ならせてフォトレジストを除去し、前記所定のレンズ形状と一致する厚さ輪郭を前記フォトレジスト層に残す工程」を有していると認められる。
　
　前記ａ．〜ｇ．に記載したことからして、両者は、
「モノリシックなオプトエレクトロニック集積回路を含む基材（５０）上に屈折性マイクロレンズを一体化するのに適した、マイクロレンズ（４０）の製造方法において、
　前記基材を平坦化材料（５２）でコーティングする工程、
　一層のフォトレジスト（５４）を前記平坦化材料に付着させる工程、
　フォトリソグラフィーによって厚さ輪郭を前記フォトレジストにプリントする工程、及び
　前記フォトレジストの前記厚さ輪郭を前記平坦化材料にイオンエッチングによって転写し、これによって屈折性レンズ（４０）を前記平坦化材料に形成する工程を含み、
　前記厚さ輪郭をプリントする工程は、
　マスク（５６）を通して濾光された光子（５８）に、前記フォトレジスト層を露光する工程、及び
　前記フォトレジスト層を洗浄し、前記フォトレジスト層全域にわたって、前記露光する工程において露光された程度に応じて、各地点において空間的に程度を異ならせてフォトレジストを除去し、前記所定のレンズ形状と一致する厚さ輪郭を前記フォトレジスト層に残す工程を含む、製造方法。」
である点で一致し、次の相違点（１）、（２）が存在する。
　
相違点（１）
　厚さ輪郭をフォトレジストにプリントする工程におけるフォトリソグラフィーが、本願補正発明は、グレイスケールフォトリソグラフィーであるのに対して、引用例１には、グレイスケールフォトリソグラフィーであることの記載がない点。
　
相違点（２）
　フォトリソグラフィーによって厚さ輪郭をフォトレジストにプリントする工程に使用するマスク（５６）が、本願補正発明が、電子ビーム露光により所定のレンズ形状に対応するグレイスケールに調整されたパターンに従って書き込まれた高エネルギ電子ビーム感受性ガラスで、グレイスケールに調整されたマスクであるのに対して、引用例１には、そのようなマスクであることの記載がない点。
　
（３）当審の判断
　前記各相違点について検討する。
相違点（１）について
　引用例２の記載事項カ．の「円外周に向かって遮光部分の占有面積が徐々に減少する遮光パターン２を有するものとし、遮光部分の間隔が限界ピッチ（Ｐｃ＝０．１１μｍ）以下とした図１に示すフォトマスク」は、本願補正発明の「グレイスケールに調整されたマスク」に相当することは明らかであるから、引用例２の前記エ．〜カ．の記載事項からして、引用例２には、マイクロレンズを製造する際、グレイスケールに調整されたマスクを使用して、グレイスケールフォトリソグラフィーによって厚さ輪郭をフォトレジストにプリントする工程が記載されているといえる。
　したがって、上記相違点（１）に係る本願補正発明の構成を限定することは、引用発明に引用例２に記載された発明を適用することにより、当業者が容易になし得ることである。
　
相違点（２）について
　本願補正発明にいう「電子ビーム露光により所定のレンズ形状に対応するグレイスケールに調整されたパターンに従って書き込まれた高エネルギ電子ビーム感受性ガラスで、グレイスケールに調整されたマスク」は、引用例３に示されるように公知のものである。
　したがって、上記相違点（２）に係る本願補正発明の構成を限定することは、引用発明に引用例２及び３に記載された発明を適用することにより、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明の作用・効果についても、引用発明、及び引用例２及び３に記載された発明から予測される範囲内のもので、格別のものではない。
　
　よって、本願補正発明は、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年７月２８日付けの手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１７年１２月２８日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）
　
「モノリシックなオプトエレクトロニック集積回路を含む基材（５０）上に屈折性マイクロレンズを一体化するのに適した、マイクロレンズ（４０）の製造方法において、
　前記基材を平坦化材料（５２）でコーティングする工程、
　一層のフォトレジスト（５４）を前記平坦化材料に付着させる工程、
　グレイスケールフォトリソグラフィーによって厚さ輪郭を前記フォトレジストにプリントする工程、及び
　前記フォトレジストの前記厚さ輪郭を前記平坦化材料にイオンエッチングによって転写し、これによって屈折性レンズ（４０）を前記平坦化材料に形成する工程を含み、
　前記厚さ輪郭をプリントする工程は、
　グレイスケールに調整されたマスク（５６）を通して濾光された光子（５８）に、前記フォトレジスト層を露光する工程、及び
　前記フォトレジスト層を洗浄し、前記フォトレジスト層全域にわたって、前記露光する工程において露光された程度に応じて、各地点において空間的に程度を異ならせてフォトレジストを除去し、所定のレンズ形状と一致する厚さ輪郭を前記フォトレジスト層に残す工程を含む、製造方法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．項で検討した本願補正発明から、引用例３の記載から公知とした「グレイスケールに調整されたマスク（５６）」の限定事項である「電子ビーム露光により所定のレンズ形状に対応するグレイスケールに調整されたパターンに従って書き込まれた高エネルギ電子ビーム感受性ガラスである」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。