【事件の表示】
　平成　８年特許願第１９３１４３号「電子線式検査方法及びその装置並びに半導体デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１２月１２日出願公開、特開平　９−３２０５０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続きの経緯
  本願は、平成８年７月２３日（優先権主張；平成８年３月２９日）の出願であって、平成１５年２月７日付け（発送日；同月１２日）で拒絶査定がなされ、これに対して、同年３月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　平成１５年４月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年４月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の記載
「【請求項１】
　電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御し、この制御された加速電圧で電子線ビームを被対象物に対して照射して走査し、前記制御された電界に応じて前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得、この検出して得た画像を参照画像と比較することにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項２】
　被対象物の表面の高さを測定し、該測定して得た前記被対象物の表面の高さ情報に基づいて電子線ビームの焦点の位置を調整し、電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御し、前記焦点の位置が調整されて前記加速電圧と電界とで制御された電子線ビームを被対象物に対して照射して走査し、前記制御された電界に応じて前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出し、この検出して得た信号に基づいて前記被対象物について検査又は計測を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項３】
　被対象物の表面の高さを測定し、該測定して得た前記被対象物の表面の高さ情報に基づいて電子線ビームの焦点の位置を調整し、前記被対象物の表面における断面構造の種類に応じて電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御し、前記焦点の位置が調整され前記加速電圧と電界とを制御した状態で電子線ビームを被対象物に対して照射して走査し、前記制御された電界に応じて前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出し、この検出して得た信号に基づいて前記被対象物について検査又は計測を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項４】
　被対象物の表面の高さを測定し、該測定して得た前記被対象物の表面の高さ情報に基づいて電子線ビームの焦点の位置を調整し、電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御し、前記焦点の位置が調整され前記加速電圧と電界とを制御した状態で電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、該電子線ビームの照射により前記被対象物から発生して前記制御された電界を通過した二次電子又は反射電子を検出して前記被対象物の画像を得、この検出して得た画像を記憶しておいた参照画像と比較することにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項５】
　被対象物の表面に光を照射して前記被対象物の表面からの反射光を検出することにより前記被対象物の表面の高さを検出し、電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御し、この制御された加速電圧で電子線ビームを前記検出した被検査対象物の高さ情報を用いて焦点の位置を調整しながら前記被対象物に対して照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生して前記制御された電界を通過した二次電子又は反射電子を検出して前記被対象物の画像を得、この検出して得た画像を記憶手段に記憶しておいた参照画像と比較することにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項６】
　表面に薄膜のパターンを形成した被対象物の表面の電子線ビーム照射領域における前記薄膜の種類又は前記薄膜のパターンの構造及び材質・種類に応じて電子線ビームの加速電圧と前記被対象物近傍における電界とを制御し、前記加速電圧と電界とを制御した状態で電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、前記制御された電界に応じて前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得、この検出して得た画像を参照画像と比較することにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項７】
　被対象物の表面におけるチャージアップの現象の発生を抑制するような電子線ビームの加速電圧と前記被対象物近傍における電界とを設定し、前記加速電圧と電界とを設定した状態で電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、前記設定された電界に応じて前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得、この検出して得た画像を参照画像と比較することにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項８】
　表面に薄膜のパターンを形成した被対象物の表面の電子線ビーム照射領域における前記薄膜の種類又は前記薄膜のパターンの構造及び材質・種類に応じた前記電子線ビーム照射領域のチャージアップの現象の発生を抑制するような電子線ビームの加速電圧に制御された状態で電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、前記設定された電界に応じて前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得、この検出して得た画像を参照画像と比較することにより前記被対象物について検査することを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項９】
　前記チャージアップの現象を二次電子放出効率として捉えることを特徴とする請求項7又は８記載の電子線式検査方法。
　　【請求項１０】
　前記電子線ビームの加速電圧は、０．３ＫＶ〜５ＫＶの範囲であることを特徴とする請求項1乃至８の何れかに記載の電子線式検査方法。
　　【請求項１１】
　前記被対象物近傍における電界は、５ＫＶ／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の電子線式検査方法。
　　【請求項１２】
　電子線ビームの被対象物上の加速電圧、又は前記被対象物上の電界、又はビーム電流、又はビーム径、又はそれらの組合せを制御し、電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得、この検出して得た画像を参照画像と比較することにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項１３】
　表面に薄膜のパターンを形成した被対象物の表面の電子線ビーム照射領域における前記薄膜の種類又は前記薄膜のパターンの構造及び材質・種類に応じて電子線ビームの前記被対象物上の加速電圧、又は前記被対象物上の電界、又はビーム電流、又はビーム径、又はそれらの組合せを制御し、前記電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得、この検出して得た画像を参照画像と比較することにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項１４】
　被対象物の表面にプリチャージ又はディスチャージを与えた状態で電子線ビームを前記被対象物に照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出し、この検出して得た信号から前記被対象物について検査または計測することを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項１５】
　被対象物の表面にプリチャージ又はディスチャージを与えた状態で電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出し、この検出して得た信号から前記被対象物の表面における構造的特徴を抽出することを特徴とする電子線式検査方法。
　　【請求項１６】
　被対象物の表面の高さを検出する高さ検出手段と、電子線源と、該電子線源から出射された電子線ビームを偏向させるビーム偏向器と、前記電子線源から出射された電子線ビームを前記高さ検出手段で検出した前記被対象物の表面の高さ情報を用いて前記被対象物上に集束させる対物レンズと、電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御する電位制御手段と、該電位制御手段によって制御された加速電圧で電子線ビームを被対象物に対して照射して走査した際、前記電位制御手段によって制御された電界に応じて被対象物から発生する二次電子又は反射電子を検出するセンサと、該センサで検出して得た信号に基づいて前記被対象物について検査または計測を行う画像処理手段とを備えたことを特徴とする電子線式検査装置。
　　【請求項１７】
　被対象物の表面の高さを検出する高さ検出手段と、電子線源と、該電子線源から出射された電子線ビームを前記高さ検出手段で検出した前記被対象物の表面の高さの情報を用いて前記被対象物上に集束させる対物レンズと、電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御する電位制御手段と、該電位制御手段によって制御された加速電圧と電界が制御された状態で電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査する照射・走査手段と、該照射・走査手段で照射・走査されて前記電位制御手段によって制御された電界に応じて被対象物から発生する二次電子又は反射電子を検出するセンサと、該センサで検出して得た信号を表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子線式検査装置。
　　【請求項１８】
　電子線源と、該電子線源から出射された電子線ビームを被対象物上に集束させる対物レンズと、前記電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御する電位制御手段と、該電位制御手段によって加速電圧と電界とが制御された状態で前記電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査する照射・走査手段と、該照射・走査手段で電子線ビームが照射・走査されることにより前記電位制御手段によって制御された電界に応じて被対象物から発生する二次電子又は反射電子を検出して前記被対象物の画像を得る画像取得手段と、参照画像を記憶する記憶手段と、前記画像取得手段で取得した画像を前記記憶手段に記憶した参照画像と比較することによりして，るセンサと、該センサで検出して得た信号を表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子線式検査装置。
　　【請求項１９】
　被対象物の表面の高さを検出する高さ検出手段と、電子線源と、該電子線源から出射された電子線ビームを前記高さ検出手段で検出した前記被対象物の表面の高さ情報を用いて前記被対象物上に集束させる対物レンズと、前記電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御する電位制御手段と、該電位制御手段によって加速電圧と電界とが制御された状態で前記電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査する照射・走査手段と、該照射・走査手段で電子線ビームが照射・走査されることにより前記電位制御手段によって制御された電界に応じて被対象物から発生する二次電子又は反射電子を検出して前記被対象物の画像を得る画像取得手段と、参照画像を記憶する記憶手段と、前記画像取得手段で取得した画像を前記記憶手段に記憶した参照画像と比較することにより前記被対象物の欠陥を検出する欠陥検出手段とを備えたことを特徴とする電子線式検査装置。
　　【請求項２０】
　被対象物の表面に光を照射して前記被対象物の表面からの反射光を検出することにより前記被対象物の表面の高さを検出する高さ検出手段と、電子線源と、該電子線源から出射された電子線ビームを前記高さ検出手段で検出した前記被対象物の表面の高さ情報を用いて前記被対象物上に集束させる集束手段と、前記電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御する電位制御手段と、該電位制御手段によって加速電圧と電界とが制御された状態で前記電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査する照射・走査手段と、該照射・走査手段により照射して走査された前記電子線ビームにより前記被対象物から発生して前記電位制御手段で制御された電界を通過した二次電子又は反射電子を検出する検出手段と、して前記被対象物の画像を得る画像取得手段と、参照画像を記憶する記憶手段と、該検出手段で検出して得た信号に基づいて前記被対象物について検査または計測を行う処理手段とを備えたことを特徴とする電子線式検査装置。
　　【請求項２１】
　電子線源と、該電子線源から出射された電子線ビームを偏向させるビーム偏向手段と、該電子線源から出射された電子線ビームを表面に薄膜のパターンを形成した被対象物上に集束させる対物レンズと、前記表面に薄膜のパターンを形成した被対象物の表面の電子線ビーム照射領域における前記薄膜の種類又は前記薄膜のパターンの構造及び材質・種類に対応したその表面のチャージアップの現象の発生を抑制するような電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御する電位制御手段と、該電位制御手段によって制御された加速電圧で電子線ビームを前記ビーム偏向手段で被対象物に対して照射して走査することにより前記被対象物の画像を得る画像取得手段と、参照画像を記憶する記憶手段と、該画像取得手段で取得した画像を前記記憶手段に記憶した参照画像と比較して前記被対象物の欠陥を検出する欠陥検出手段とを備えたことを特徴とする電子線式検査装置。
　　【請求項２２】
　電子線ビームの加速電圧と被対象物近傍における電界とを制御し、この制御された加速電圧で電子線ビームを被対象物に対して照射して走査し、前記制御された電界に応じて半導体基板から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出し、このセンサで検出して得た信号に基づいて半導体基板について検査または計測を行って半導体基板を製造することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
　　【請求項２３】
　電子線ビームの試料上の加速電圧、又は試料上の電界、又はビーム電流、又はビーム径、又はそれらの組合せを制御し、電子線ビームを半導体基板に対して照射して走査し、半導体基板から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出し、この検出して得た信号から半導体基板について検査または計測を行って半導体基板を製造することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
　　【請求項２４】
　前記検査または計測結果を解析して所定のプロセスにフィードバックすることを特徴とする請求項２２又は２３に記載の半導体デバイスの製造方法。」
　を、補正後の、
「【請求項１】
　
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定ステップと、
該検査条件設定ステップで被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定ステップと、
　
前記被検査対象物の表面の高さ情報を得、該得られた被検査対象物の表面の高さ情報を用いて電子線ビームの焦点の位置を調整し、前記検査条件選定ステップで選定された検査条件になるように
検査
の
前記
検査
検査
検査
検査
検査ステップとを有する
　　【請求項２】
　
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定ステップと、
該検査条件設定ステップで被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定ステップと、
　
前記
検査
検査
前記検査条件選定ステップで選定された検査条件になるように
検査
の
前記
前記
検査
検査
検査
検査又は計測ステップとを有する
　　
【請求項３】
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定ステップと、
該検査条件設定ステップで被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定ステップと、
　
前記
検査
検査
前記検査条件選定ステップで選定された検査条件により決まる焦点位置オフセットを加算した焦点の位置に
前記検査条件選定ステップで選定された検査条件になるように
検査
の
点の位
前記
検査
検査
検査ステップとを有する
　　
【請求項４】
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定ステップと、
該検査条件設定ステップで被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定ステップと、
　
前記
検査
検査
前記検査条件選定ステップで選定された検査条件になるように
検査
の
検査
電子線ビームの
検査
センサで
検査
検査
検査ステップとを有する
　　
【請求項５】
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定部と、該検査条件設定部で被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定部と、
検査
検査
検査
前記検査条件選定部で選定された検査条件になるように
検査
の
検査
検査
検査
　　
【請求項６】
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定部と、該検査条件設定部で被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物に対応する検査条件を選定する検査条件選定部と、
検査
検査
検査
前記検査条件選定部で選定された検査条件になるように
検査
の
て加
検査
検査
　　
【請求項７】
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定部と、該検査条件設定部で被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定部と、前記被検査対象物の高さを検出する高さ検出手段と、
前記高さ検出手段で検出した前記被検査対象物の表面の高さ情報を用いて前記
検査
検査条件選定部で選定された検査条件になるように
検査
の
検査
検査
検査
前記被検査対象物の欠陥を検出する欠陥検出手段
　　
【請求項８】
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定部と、該検査条件設定部で被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定部と、
検査
に前記検査条件選定部で選定された検査条件により決まる焦点位置オフセットを加算した焦点の位置に前記電子線源から出射された電子線ビームの焦点の位置を制御して
検査
検査条件選定部で選定された検査条件になるように
検査
の
検査
検査
検査
検査
　　
【請求項９】
電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定部と、該検査条件設定部で被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定部と、前記
検査
検査
検査
検査
検査条件選定部で選定された検査条件になるように
検査
の
検査
検査
と、
検査
と補正する補正事項を含むものである。
  なお。アンダーラインは、補正個所を示すために請求人が付したものである。
　
（２）補正の適否
　補正後の請求項４及び９に記載された「被検査対象物の表面に光を照射して前記被検査対象物の表面からの反射光を検出することにより前記被検査対象物の表面の高さを検出」する点の構成は、補正前の請求項５及び２０に相応する記載はあるものの、願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「当初明細書等」という。）には、そのような構成についての記載はなく、単に「被対象物２０の高さを検出する高さセンサ１３」、「高さ検出センサ１３」、「１３…高さ検出センサ」と記載されているのみであり、また、図面からも「１３…高さ検出センサ」が光を照射し反射光を検出するものであることを確認することはできない。
　したがって、本件手続補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第３項に規定する当初明細書等に記載された事項の範囲内でなされたものとは認められない。
　次に、補正の目的の適合性についても、一応検討しておく。
　電子線式検査方法についての補正前の請求項１乃至１５に係る発明と、補正後の請求項１に係る発明とを対比するために、補正後の請求項１に係る発明を分説して記載すると、次のようになる。
「（Ａ）電子線源と被対象物との間に印加される電子線ビームの加速電圧及び前記被対象物の近傍における電位勾配に比例した電位差で示される電界からなる検査条件を被対象物の種類毎に設定して記憶する検査条件設定ステップと、　
（Ｂ）該検査条件設定ステップで被対象物の種類毎に設定して記憶された検査条件の群から、実際に検査しようとする被検査対象物の種類に対応する検査条件を選定する検査条件選定ステップと、　
（Ｃ−１）前記被検査対象物の表面の高さ情報を得、
（Ｃ−２）該得られた被検査対象物の表面の高さ情報を用いて電子線ビームの焦点の位置を調整し、
（Ｃ−３）前記検査条件選定ステップで選定された検査条件になるように電子線ビームの加速電圧と前記被検査対象物の近傍における電界とを制御し、
（Ｃ−４）この制御された加速電圧で電子線ビームを前記被検査対象物に対して照射して走査し、前記制御された電界に応じて前記被検査対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被検査対象物の画像を得、
（Ｃ−５）この検出して得た画像を参照画像と比較することにより前記被検査対象物について検査を行う
（Ｃ）検査ステップと
（Ｄ）を有することを特徴とする電子線式検査方法。」
　なお、（Ａ）等の記号は、分説個所を明示するために便宜上付したものである。
　補正後の請求項１の前記（Ｃ−１）の構成要件に関連する記載として、補正前の請求項２乃至５に「表面の高さを測定する」又は「表面の高さを検出」するとの記載はあるものの、前記（Ｃ−１）の構成要件中の「表面の高さ情報を得」る点は記載がない。そして、「表面の高さを検出」することは、「表面の高さを測定する」又は「表面の高さ情報を得」ることに包含されるのであるから、この点からみて、補正後の請求項１は、補正前の請求項２乃至５を減縮するものではない。
　補正前の請求項６、８及び１３は、被対象物として「表面に薄膜のパターンを形成した」ものを用いるのであり、請求項７は、「チャージアップの現象の発生を抑制するような・・・加速電圧と・・・電界とを設定」するものであり、請求項９は、請求項７又は８を引用するものであり、請求項１４及び１５は、「被対象物の表面にプリチャージ又はディスチャージを与えた状態で・・・走査」するものであるから、これらの限定を欠く補正後の請求項１は、補正前の請求項６乃至９並びに１３乃至１５を減縮するものではない。
　補正前の請求項１及び１２と補正後の請求項１とを対比すると、前記（Ａ）及び（Ｂ）並びに（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）の構成要件については、加速電圧と電界の設定態様、及び電子線ビームの焦点位置の調整について、補正前の請求項１及び１２に何ら記載がないところからみて、補正後の請求項１は、補正前の請求項１及び１２を「限定的に減縮」したものとは認められない。
　そして、補正前の請求項１０及び１１は、請求項１乃至８を引用する発明であるものの、その特徴とする事項は、前記（Ａ）及び（Ｂ）並びに（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）の構成要件に対応するものではない。
　したがって、補正後の請求項１は、補正前の請求項１乃至１５を限定的に減縮するものとは認められないから、上記手続補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められず、また、同項第３号に規定する誤記の訂正、同項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当しないことも明らかである。
　
（３）むすび
  以上のとおりであるから、本件手続補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に違反するものであり、特許法１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本願発明について
　平成１５年４月１４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至２４に係る発明は、平成１４年３月１１日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められる（「２（１）」の補正前の特許請求の範囲参照。以下、請求項１２に係る発明を「本願第１２発明」という。）。
　
４　引用刊行物
４−１　刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開昭６１−２９４７４８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
１ａ　「荷電ビームを走査して照射する手段と、上記照射により被測定デバイスから発生する二次電子を検出する手段と、二次電子検出量の走査信号に対する変化を検出する手段と、上記被測定デバイスを装填する試料台またはデバイスの基板自体に電圧を加える手段と、上記試料台またはデバイスの基板に加える電圧を制御する手段とを備えた荷電ビーム照射装置。」（「特許請求の範囲」）
　
１ｂ　「〔従来の技術〕
　走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）は、微細なデバイスの観察を行う手段として広く用いられている。しかしＳＥＭ像を観察する場合、材質や加速電圧等の照射条件によってチャージアップを生じると、像観察が困難になる。例えばチャージアップにより、ある部分が非常に明るくなったり、あるいは暗くなったりすると、その周辺の形状観察やレジスト・エツチング残りの検出等ができなくなる。
　・・・従来から特開昭５８−２１４２５９にあるように、同一材質から出る二次電子の量が電位によって異なることを利用して、電極電位の高低に対応して２値化する方式がある。すなわち、外部から０．５Ｖというような電圧を印加し、パタンから出る二次電子の量の違いによって、電位が異なるパタンや電位が変化したパタンを、像観察によって識別するのが目的である。この場合には外部から電圧を印加して測定しているために、チャージアップなどによるノイズが生じにくい。しかし測長を行う場合には、二次電子放出量の材質による違いを外部から電圧を印加せずに測定するので、材質や照射条件によってチャージアップが生じやすく、配線部分と下地材料とのエッジ部分を誤認識するおそれがある。例えばチャージアップがあり第９図（ａ）のような二次電子信号波形が得られた場合には、これを２値化すると（ｂ）に示す信号波形になる。本来はＬが配線幅であるが、ｌを配線幅であると誤認識してしまうおそれがある。このように、測定したい個所とは異なる間隔を測定してしまうという欠点がある。
　・・・上記のように、チャージアップはＳＥＭ像観察や寸法測定の上で多くの場合大きな妨げになる。従来は、加速電圧を変化させてチャージアップを生じないようにしている。第１０図はその原理を示した図であり、電子ビームを照射した場合の二次電子放出比δの加速電圧依存性を示している。一般に、δは加速電圧が数百Ｖ程度のところでピークを持ち、ＳＥＭで一般に用いられている加速電圧領域では加速電圧の増加にともなってδは減少する。δ＞１ならば入射電子よりも多くの二次電子が放出されるので照射された物質は正に、またδ＜１ならば負にチャージアップする。δ＝１ならばチャージアップが生じない。従ってδ＝１となる加速電圧を用いれば、チャージアップなしにＳＥＭ観察を行うことができるが、加速電圧を変化させると、ビームの収束状態が変り、ビーム軸調整、レンズ調整をその都度行わなければならない欠点があった。
　・・・従来の寸法測定装置や走査型電子顕微鏡は、電子ビームを走査させて照射する手段と、二次電子を検出する手段と、二次電子検出量の走査信号に対する変化を検出する手段を有していた」（１ページ右下欄２行〜２ページ左下欄１０行）
　
１ｃ　「本発明は、従来のこの種の装置に加えて、試料台もしくはデバイスの基板に電圧（基板電圧）を加える手段と、上記基板電圧を制御する手段とを加えることによって、上記基板電圧を変化させてチャージアップを抑制することにより、従来チャージアップを防止するために加速電圧を変化させ、そのために必要としたレンズ等の調整をなくしたものである。」（２ページ左下欄１６行〜右下欄３行）
　
１ｄ　「つぎに本発明の原理を説明する。一般に二次電子放出比δは表面電位の関数になっており、表面電位が高いと表面からの離脱確率が小さくなりδは小さくなる。従って基板電圧が高いとδは減少する。電子ビーム照射によって放出された二次電子あるいは反射電子は、周囲の電界により二次電子検出器７またはウェハ４内の他の場所等に捕えられる。第３図は二次電子検出量Ｓの表面電位依存性を示した図である。表面電位が高いと発生した二次電子、あるいは反射電子が鏡筒にあたって発生する二次電子などが二次電子検出器７に到達しないで、ウェハ４の方へ戻ってしまうためにＳが小さくなる。この場合ウェハ４に捕えられる電子の量は、表面電位が高い場所ほど多くなる。このため、表面電位が高い場所ほど電子が多く捕えられて表面電位がより多く減少するために、ウェハ面内の電位は均一化してくる。また表面電位が高いほどウェハに捕えられる全電子の量は多くなり、ウェハ面内の表面電位を均一化する効果が大きくなる。従ってウェハの表面電位を全体的にあげると、表面電位が均一化（チャージアップ抑制、コントラスト減少）する。また表面電位が高いと、二次電子検出量Ｓは二次電子がウェハに捕えられる分だけ減少するので、相対的に反射電子の割合が増加する。このためチャージアップなどの電位の影響が少ない像を得ることができるという効果がある。半導体、金属のウェハ表面に絶縁膜がない場合には、ウェハを装填するステージに基板電圧を加えれば、表面電位がそのまま変化する。また表面を絶縁体で覆われているウェハでも、基板電圧を加えることで表面電位を変化させることができる。すなわち、ビームの照射により表面電位が変化すると、絶縁膜内に電界が生じ、基板電圧が変ると容量結合により絶縁膜内の電界を介して表面電位が変化する。このため表面が絶縁膜で覆われているウェハに対しても基板電圧の変化によりチャージアップを抑制することができる。その効果は、表面が絶縁膜で覆われていない方が大きくなる。」（３ページ左下欄５行〜４ページ左上欄３行）
　
１ｅ　「上記実施例ではウェハ周辺の電界を変えることによって、ウェハに捕えられる二次電子の量を変化させてチャージアップを抑制する目的を達成するために、ステージもしくは基板にバイアス電圧を加えている。しかし、ステージもしくは基板をグランドレベルに接地し、ウェハの上方の電極を設置して、該電極に逆のバイアス電圧を加えてもよい、第８図はその例を示した図であり、（ａ）は電子光学鏡筒２０の下に電極２２を絶縁物２１を介して設置し、上記電極２２に電源２３からバイアス電圧を加える構成である。（ｂ）は電極２２がウェハ４を覆うように配置してあり、上記電極２２の一部、すなわち二次電子検出器７の方向がメッシュ状に形成されている。なおステージ５もしくは基板４はグランドレベルに接地し、電子ビームの鏡筒全体の電位を−１０〜１０Ｖ程度浮かせることによっても同じ効果が得られることは勿論である。」（５ページ右上欄１３行〜左下欄９行）
　
４−２　刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開昭５９−１５５９４１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
２ａ　「表示器２９の画面に表示された二次電子像で、・・・その部分の絶縁膜に欠陥があることを明白に示している。・・・絶縁膜２の欠陥箇所の解析は、・・・パターンの単純なもの・・・については、表示器２９の画面を目視することによって判断できるが、複雑なパターンの場合には、・・・予め入力されたパターンを発生するパターン発生器３１および比較器３０を用いて、表示器２９に現われる情報と比較することにより、欠陥箇所を知ることができる。」（６ページ左上欄１９行〜右上欄１６行）
　
２ｂ　「上記のパターン発生器３１の代りに、電子ビームエネルギーの高い場合と低い場合のいずれかのパターンを記憶する記憶装置３１を設置し、記憶装置３１および比較器３０を用いて表示器２９に欠陥箇所の表示を行なうことができる。」（６ページ右下欄９行〜１３行）
　
５　対比・判断
　刊行物１には、上記「４−１」の「１ｂ」の記載から、「従来の技術」に相応する、以下の「引用発明１」が、また、「１ａ」並びに「１ｃ」乃至「１ｅ」の記載から、前記従来の技術を改善した発明の第８図に示される実施例に相応する、以下の「引用発明２」が記載されているものと認められる。
・引用発明１；
「電子ビームの加速電圧を変化させて試料のチャージアップを生じないようにし、試料に対して電子ビームを走査させて照射し、該照射により試料から発生する二次電子を検出手段で検出して像観察を行い、試料の検査を行う検査方法。」
　
・引用発明２；
「ウェハ４の上方に電極２２を設置することによりウェハ４周辺の電界を変化させてウェハ４のチャージアップを抑制し、ウェハ４に対して電子ビームを走査させて照射し、該照射により試料から発生する二次電子又は反射電子を二次電子検出器７で検出して像観察を行い、ウェハ４の検査を行う検査方法。」
　
５−１　本願第１２発明と引用発明１との対比・判断
　本願第１２発明（前者）と上記引用発明１（後者）とを対比する。
・後者の「電子ビーム」、「試料」は、前者の「電子線ビーム」、「被対象物」に相当する。
・後者の「電子ビームの加速電圧を変化させて試料のチャージアップを生じないように」することは、前者の「電子線ビームの被対象物上の加速電圧、又は前記被対象物上の電界、又はビーム電流、又はビーム径、又はそれらの組合せを制御」する点と、「電子線ビームの被対象物上の加速電圧を制御」する点で共通する。
・後者の「試料に対して電子ビームを走査させて照射し、該照射により試料から発生する二次電子又は反射電子を二次電子検出器７で検出して像観察を行」うことは、前者の「電子線ビームを被対象物に対して照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得」ることに相当する。
・後者の「試料の検査を行う検査方法」は、前者の「被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法」に相当する。
　したがって、両者は、
「電子線ビームの被対象物上の加速電圧を制御し、電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得、それにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。」
　の点の構成で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１Ａ］
  前者が、「電子線ビームの被対象物上の加速電圧、又は前記被対象物上の電界、又はビーム電流、又はビーム径、又はそれらの組合せを制御」するものであるのに対し、後者は、「電子ビームの加速電圧を変化させて試料のチャージアップを生じないように」するものである点。
［相違点１Ｂ］
　前者が、「検出して得た画像を参照画像と比較することにより被対象物について検査を行う」ものであるのに対し、後者にはこの点の記載がない点。
　そこで、上記各相違点について検討する。
［相違点１Ａ］について
　前者は、電子線ビームの被対象物上の加速電圧のみを制御する形態を包含するものであり、その形態においては後者も同等の機能を有するものと認められるから、相違点１Ａは、実質的な相違点とは認められない。
［相違点１Ｂ］について 
  二次電子画像を参照画像と比較することにより検査を行うことは、例えば、刊行物２に示されるように従来周知であるから、このような周知の事項を引用発明１に適用して相違点１Ｂに係る構成とすることは、当業者が格別の推考力を要することとは認められない。
　そして、本願第１２発明による効果も、刊行物１の記載及び刊行物２に示されるような周知事項から当業者が予測しうる範囲内のものにすぎない。
　
５−２　本願第１２発明と引用発明２との対比・判断
・後者の「電子ビーム」、「ウェハ４」は、前者の「電子線ビーム」、「被対象物」に相当する。
・後者の「ウェハ４の上方に電極２２を設置することによりウェハ４周辺の電界を変化させてウェハ４のチャージアップを抑制」することは、前者の「電子線ビームの被対象物上の加速電圧、又は前記被対象物上の電界、又はビーム電流、又はビーム径、又はそれらの組合せを制御」する点と、「電子線ビームの被対象物上の電界を制御」する点で共通する。
・後者の「ウェハ４に対して電子ビームを走査させて照射し、該照射により試料から発生する二次電子又は反射電子を二次電子検出器７で検出して像観察を行」うことは、前者の「電子線ビームを被対象物に対して照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得」ることに相当する。
・後者の「ウェハ４の検査を行う検査方法」は、前者の「被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法」に相当する。
　したがって、両者は、
「電子線ビームの被対象物上の電界を制御し、電子線ビームを前記被対象物に対して照射して走査し、該照射により前記被対象物から発生する二次電子又は反射電子をセンサで検出して前記被対象物の画像を得、それにより前記被対象物について検査を行うことを特徴とする電子線式検査方法。」
　の点の構成で一致し、以下の点で相違する。
［相違点２Ａ］
　前者が、「電子線ビームの被対象物上の加速電圧、又は前記被対象物上の電界、又はビーム電流、又はビーム径、又はそれらの組合せを制御」するものであるのに対し、後者は、「ウェハ４の上方に電極２２を設置することによりウェハ４周辺の電界を変化させてウェハ４のチャージアップを抑制」するものである点。 
［相違点２Ｂ］
　前者が、「検出して得た画像を参照画像と比較することにより被対象物について検査を行う」ものであるのに対し、後者にはこの点の記載がない点。
　上記各相違点について検討する。
［相違点２Ａ］について
　前者は、電子線ビームの被対象物上の電界のみを制御する形態を包含するものであり、その形態においては後者も同等の機能を有するものと認められるから、相違点２Ａは、実質的な相違点とは認められない。
［相違点２Ｂ］について 
　二次電子画像を参照画像と比較することにより検査を行うことは、例えば、刊行物２に示されるように従来周知であるから、このような周知の事項を引用発明２に適用して相違点２Ｂに係る構成とすることは、当業者が格別の推考力を要することとは認められない。
　そして、本願第１２発明による効果も、刊行物１の記載及び刊行物２に示されるような周知事項から当業者が予測しうる範囲内のものにすぎない。
　
６　むすび
　以上のとおりであるから、本願第１２発明は、刊行物１に記載された引用発明１及び刊行物２に示される周知事項に基づいて、又は、刊行物１に記載された引用発明２及び刊行物２に示される周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１２発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。