Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体に、半導体チップの接続電極を前記支持体側に向けて前記半導体チップを仮固定する工程と、
前記支持体及び前記半導体チップの上に、前記半導体チップを被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、前記半導体チップの周囲及び背面側を封止する樹脂基板を形成する工程と、
前記支持体を除去することにより、前記半導体チップの接続電極を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記支持体を除去する工程の後に、
前記半導体チップの表面及び前記絶縁層の上に、層間絶縁層のビアホールを通して前記半導体チップの前記接続電極に直接接続される配線層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を形成する工程において、前記絶縁層は、前記支持体の上面と、前記半導体チップの側面及び背面に沿って膜状に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線層を形成する工程の後に、
研磨により前記樹脂基板及び前記絶縁層を除去して、前記半導体チップの背面を露出させる工程をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記支持体に前記半導体チップを仮固定する工程において、
前記支持体の上に粘着シートを介して前記半導体チップを仮固定し、
前記支持体を除去した後に、前記粘着シートを引き剥がすことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持体に前記半導体チップを仮固定する工程において、
前記支持体の上に複数の前記半導体チップを配置し、
前記配線層を形成する工程の後に、
前記複数の半導体チップの境界部を切断することにより、個々の半導体装置を得る工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層を形成する工程は、
半硬化状態の熱硬化性の樹脂シートを前記支持体及び前記半導体チップの上に真空雰囲気で貼付し、加熱処理することにより、前記樹脂シートを硬化させる工程であること特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂基板を形成する工程は、
前記絶縁層の上に熱硬化性の粉末樹脂又は液状樹脂を形成し、加圧／加熱処理によって硬化させる工程であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記支持体は金属板からなり、
前記支持体を除去する工程において、前記金属板をウェットエッチングによって除去することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
表面側に接続電極を備えた半導体チップと、
前記半導体チップの背面及び側面を被覆し、かつ前記半導体チップの側面の上部から周囲に延在する絶縁層と、
前記絶縁層の下に形成され、前記前記半導体チップの周囲及び背面側を封止する樹脂基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
表面側に接続電極を備えた半導体チップと、
前記半導体チップの側面を被覆し、かつ前記半導体チップの側面の上部から周囲に延在する絶縁層と、
前記絶縁層の下に形成され、前記前記半導体チップの周囲を封止する樹脂基板とを有し、
前記半導体チップの背面が前記絶縁層及び前記樹脂基板から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップ及び前記絶縁層の上に形成され、層間絶縁層のビアホールを通して前記半導体チップの接続電極に接続された配線層をさらに有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁層は、前記半導体チップの側面の上部の周囲領域と前記半導体チップの側面及び背面とに沿って膜状に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は半導体装置の製造方法に係り、支持体に、半導体チップの接続電極を前記支持体側に向けて前記半導体チップを仮固定する工程と、前記支持体及び前記半導体チップの上に、前記半導体チップを被覆する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に、前記半導体チップの周囲及び背面側を封止する樹脂基板を形成する工程と、前記支持体を除去することにより、前記半導体チップの接続電極を露出させる工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
従って、半導体チップ２００の周縁側の接続電極２００ａが染込樹脂Ｒ（図２（ｂ）の太線部）で被覆されて汚染されてしまう（図２（ｃ）の半導体チップ２００の平面図ではハッチング部）。半導体チップ２００の接続電極２００ａが上側（図２（ａ）及び（ｂ）では下側）に突出している場合は、半導体チップ２００の素子面Ａと粘着シート１２０との界面に隙間が生じやすいので、染込樹脂Ｒの染み込み量がさらに顕著になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
次に、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）の構造体を上下反転させて、半導体チップ２０の素子面Ａ（表面）及び樹脂染込防止用絶縁層３０の上にエポキシやポリイミドなどの樹脂フィルムを貼付するなどして第１層間絶縁層６０を形成する。さらに、レーザによって第１層間絶縁層６０を加工することにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａに到達する深さの第１ビアホールＶＨ１を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
従って、樹脂染込防止用絶縁層３０の上面が半導体チップ２０の素子面Ａ（保護絶縁層）より上側に配置され、半導体チップ２０の接続電極２０ａの上面と同一高さに配置される。そして、半導体チップ２０の接続電極２０ａの段差が第１層間絶縁層６０で埋め込まれる。その他の要素は図７（ｂ）の半導体装置１と同一である。図８（ｂ）の半導体装置１ａは図７（ｂ）の半導体装置１と同様な効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
エッチング層２の材料としては、各種ドライエッチングに用いられるエッチング材料を用いることができる。これらのエッチング材料の中でも、エッチングを一方向（異方的）に進行させ、アスペクト比を向上させる観点から、Ｓｉ、ＳｉＯｘ１（ｘ１は、０＜ｘ１≦２である。）やＳｉＮｘ２（ｘ２は、０＜ｘ２＜０．７５である。）などの無機化合物から選ばれる材料を用いる。これらの中でもＳｉＯ２が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月29日(2012.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともｐ型半導体領域とｎ型半導体領域とを有する半導体基板から半導体素子を製造する方法であって、
プラズマエッチングによって前記半導体基板にｐｎ接合境界部が露出した面を形成すると共に、当該露出面のうち前記ｐｎ接合境界部を含む領域に沿面延長溝を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記プラズマエッチングが、成膜工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板の表面から前記ｐｎ接合境界部を含む領域の直前まで行う第１プラズマエッチングと、前記ｐｎ接合境界部を含む領域に前記沿面延長溝を形成する第２プラズマエッチングとが、ガス流量、高周波出力、放電周波数、及び処理時間のうちの一つ又は複数の組み合わせにより決定される条件が異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
ｐｎ接合境界部が露出した面に前記ｐｎ接合境界部に平行な連続する多数の円弧状溝を有し、前記円弧状溝のうち前記ｐｎ接合境界部を含む領域に位置する円弧状溝がその他の円弧状溝よりも沿面距離が長いことを特徴とする半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上部縦穴構造（ウエハの表面からｐｎ接合境界部を含む領域の直前までの構造）を形成する処理では、図４に示す第１プラズマエッチング条件のサイクルが２４回繰り返され、下部縦穴構造を形成する処理では３５回繰り返される。また、上部縦穴構造と下部縦穴構造を形成する途中の工程で沿面延長溝（横穴構造）が形成される。この沿面延長溝（横穴構造）を形成する処理では、図５に示す第２プラズマエッチング条件のサイクルが１回実施される。
図４及び図５から分かるように、第２プラズマエッチング条件の成膜工程及びエッチング工程の時間は、第１プラズマエッチング条件のそれらの４倍及び８倍の長さに設定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011082227.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月4日(2012.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してストリームデータを送信する送信システムにおいて、
符号化されたストリームデータを含むトランスポート・ストリーム（ＴＳ）パケットを作成するパケット化手段と、
前記パケット化手段により作成された、符号化データを含むＴＳパケットに、ダミーパケットを追加して、一つのインターネット・プロトコル（ＩＰ）パケットを生成する生成動作を、繰り返し行う生成手段と、
前記ストリームデータの符号化レートから定まるＩＰパケットの出力レートよりも、前記ダミーパケットの追加に応じて速くした出力レートで、前記生成手段により生成されたＩＰパケットをネットワークへ出力する出力手段とを備えることを特徴とする送信システム。
【請求項２】
前記生成手段が一つのＩＰパケットに含ませる、符号化データを含むＴＳパケットと、ダミーパケットとの比率を、指定するための指定手段をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の送信システム。
【請求項３】
前記指定手段は、前記符号化データを含むＴＳパケットに対する前記ダミーパケットの比率を、段階的に増加もしくは減少させる手段を含み、
前記送信システムは、前記指定手段により指定される比率の段階毎に、前記ＩＰパケットをネットワークから受信して元のストリームデータを得る装置における当該ストリームデータの再生品質に関する情報を収集する収集手段をさらに備えることを特徴とする請求項２記載の送信システム。
【請求項４】
前記生成手段が一つのＩＰパケットに含ませるダミーパケットを、可変長のパケットとすることにより、前記指定手段により指定される比率を実現することを特徴とする請求項２又は３に記載の送信システム。
【請求項５】
前記ダミーパケットは、前記ＩＰパケットをネットワークから受信して元のストリームデータを得る装置において、前記ＩＰパケットに含まれるＴＳパケットから当該ストリームデータを復号化する処理に用いられることなく廃棄されるものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の送信システム。
【請求項６】
前記ネットワークを介して接続されたクライアント宛てにコンテンツを配信するためのサーバ手段と、
前記サーバ手段が前記クライアント宛てに配信するコンテンツのストリームデータの符号化レートの選択、及び／又は、前記サーバ手段がコンテンツを同時に配信することを許可するクライアントの数の決定を、当該ストリームデータの符号化レートと同時配信可能なクライアントの数とから定まるＩＰパケットの出力レートが、前記収集手段により収集された比率の段階毎の再生品質に関する情報に基づいて再生品質が許容範囲内になると判断される比率に対応するものとなるように、行う制御手段とをさらに備えることを特徴とする請求項３記載の送信システム。
【請求項７】
前記生成手段が生成する複数のＩＰパケットのうちの二つ以上において、各ＩＰパケットに含ませる、符号化データを含むＴＳパケットの数と、ダミーパケットとして働くダミーＴＳパケットの数との比を、互いに異ならせることにより、前記複数のＩＰパケット全体で、前記指定手段により指定される比率を実現することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項記載の送信システム。
【請求項８】
前記生成手段が一つのＩＰパケットを生成する際に、符号化データを含むＴＳパケットの群と、ダミーパケットの群とを、群別に分かれて並べるか、双方が混在するように並べるかを、指示するための指示手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の送信システム。
【請求項９】
前記出力手段は、前記生成手段により生成されたＩＰパケットを、複数の宛先に対して送信するものであり、
前記収集手段は、前記比率の段階毎に再生品質に関する情報を収集する作業を、前記宛先毎に行うものであり、
前記送信システムは、前記収集手段により収集された比率の段階毎、及び、宛先毎の再生品質に関する情報に基づいて、前記ネットワーク内部で伝送品質が悪化している部分を推測できるように、収集された情報を提示する提示手段をさらに備えることを特徴とする請求項３記載の送信システム。
【請求項１０】
ネットワークを介してストリームデータを送信する送信方法において、
符号化されたストリームデータを含むトランスポート・ストリーム（ＴＳ）パケットを作成するパケット化ステップと、
前記パケット化ステップで作成された、符号化データを含むＴＳパケットに、ダミーパケットを追加して、一つのインターネット・プロトコル（ＩＰ）パケットを生成する生成動作を、繰り返し行う生成ステップとを備え、
前記ストリームデータの符号化レートから定まるＩＰパケットの出力レートよりも、前記ダミーパケットの追加に応じて速くした出力レートで、前記生成ステップで生成されたＩＰパケットをネットワークへ出力することを特徴とする送信方法。
【請求項１１】
ネットワークを介してストリームデータを送信するために、符号化されたストリームデータを含むトランスポート・ストリーム（ＴＳ）パケットを作成するパケット化手段と、インターネット・プロトコル（ＩＰ）パケットをネットワークへ出力する出力手段とを備えるシステムに、組み込まれて当該システムを動作させるプログラムであって、
前記パケット化手段により作成された、符号化データを含むＴＳパケットに、ダミーパケットを追加して、一つのＩＰパケットを生成する生成動作を、前記システムに繰り返し行わせるための第１のプログラムコードと、
前記ストリームデータの符号化レートから定まるＩＰパケットの出力レートよりも、前記ダミーパケットの追加に応じて速くした出力レートで、前記第１のプログラムコードにより生成されたＩＰパケットを前記出力手段に出力させるための第２のプログラムコードとを備えることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
図１５の例では、３枚の撮像画像Ｐ（１）乃至撮像画像Ｐ（３）から、パン短冊画像ＤＴ（１）−１乃至パン短冊画像ＤＴ（１）−３が生成され、それらのパン短冊画像が合成されてパン画像ＰＤ（１）が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９５】
同様に、３枚の撮像画像Ｐ（１）乃至撮像画像Ｐ（３）から、パン短冊画像ＤＴ（２）−１乃至パン短冊画像ＤＴ（２）−３が生成され、それらのパン短冊画像が合成されてパン画像ＰＤ（２）が得られる。また、３枚の撮像画像Ｐ（１）乃至撮像画像Ｐ（３）から、パン短冊画像ＤＴ（３）−１乃至パン短冊画像ＤＴ（３）−３が生成され、それらのパン短冊画像が合成されてパン画像ＰＤ（３）が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置情報提供サービス処理において、移動管理用ノードが、無線基地局から、移動局の存在するセルを識別するセルＩＤを含む所定プロトコル用信号を受信する工程Ａと、
前記位置情報提供サービス処理において、前記移動管理用ノードが、測位演算用ノードに対して、受信した所定プロトコル用信号に含まれる前記セルＩＤを含む測位処理信号を送信する工程Ｂと、
前記位置情報提供サービス処理において、前記測位演算用ノードが、受信した前記測位処理信号に含まれる前記セルＩＤを用いて、前記移動局の測位処理を行う工程Ｃとを有し、
前記所定プロトコルは、前記移動管理ノードと前記無線基地局との間で終端することを特徴とする移動通信方法。
【請求項２】
位置情報提供サービス処理において、無線基地局から、移動局の存在するセルを識別するセルＩＤを含む所定プロトコル用信号を受信し、該移動局の測位処理を行うように構成されている測位演算用ノードに対して、受信した所定プロトコル用信号に含まれる該セルＩＤを含む測位処理信号を送信するように構成されている位置情報提供サービス処理機能を具備し、
前記所定プロトコルは、前記移動管理ノードと前記無線基地局との間で終端することを特徴とする移動管理用ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の高速イーサネット（ＨＳＥ）ファンデーションフィールドバス装置（１１０）との通信を可能にするファンデーションフィールドバスプロトコル（１５０）及び１つ以上の制御装置（１１５）との通信を可能にするイーサーネットグローバルデータ（ＥＧＤ）プロトコル（１５１）の両方を格納するように構成されたメモリ（１４１）と、
前記ファンデーションフィールドバスプロトコル（１５０）及び前記ＥＧＤプロトコル（１５１）の両方にアクセスし、前記１つ以上のＨＳＥファンデーションフィールドバス装置（１１０）及び前記１つ以上の制御装置（１１５）を制御するように構成された１つ以上のプロセッサ（１４０）と、
を備え、
イーサネットネットワーク（１２０）が、前記１つ以上のプロセッサ（１４０）と、前記ファンデーションフィールドバスプロトコル（１５０）を使用する前記１つ以上のＨＳＥファンデーションフィールドバス装置（１１０）及び前記ＥＧＤプロトコル（１５１）を使用する前記１つ以上の制御装置（１１５）の両方との間の通信を可能にする、
制御システム（１００）。
【請求項２】
前記１つ以上のＨＳＥファンデーションフィールドバス装置（１１０）が、１つ以上のリンク装置を備え、
前記１つ以上のプロセッサ（１４０）が、前記１つ以上のリンク装置を介して、１つ以上の追加のファンデーションフィールドバス装置を制御するように構成された、
請求項１に記載の制御システム（１００）。
【請求項３】
前記ネットワーク（１２０）内のデータをルーティングするように構成された１つ以上のイーサネットスイッチ（１２５）を更に備える、請求項１に記載の制御システム（１００）。
【請求項４】
前記１つ以上のＨＳＥファンデーションフィールドバス装置（１１０）、前記１つ以上の制御装置（１１５）、又は前記１つ以上のイーサネットスイッチ（１２５）のうちの少なくともいずれかが冗長装置を備える、請求項３に記載の制御システム（１００）。
【請求項５】
前記１つ以上のプロセッサ（１４０）が更に、前記ファンデーションフィールドバスプロトコル（１５０）を使用する通信と、前記ＥＧＤプロトコル（１５１）を使用する通信とを同期させるように構成された、請求項１に記載の制御システム（１００）。
【請求項６】
前記１つ以上のプロセッサ（１４０）が更に、タービン、発電機、発電所、又はプロセスプラントのうち、１つを制御するように構成された、請求項１に記載の制御システム（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月5日(2012.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、該基部から突出して形成された振動腕と、を有する屈曲基板と、前記振動腕に形成された下部電極と、該下部電極に重ねて形成された圧電膜と、該圧電膜に重ねて形成された上部電極と、を備えている屈曲振動片であって、
少なくとも前記屈曲基板と前記圧電膜との間に緩和層をさらに備え、該緩和層は、前記屈曲基板または前記圧電膜のいずれかを構成する元素を一種以上含むことを特徴とする屈曲振動片。
【請求項２】
請求項１に記載の屈曲振動片において、
前記緩和層の線膨張係数は、前記屈曲基板の線膨張係数と前記圧電膜の線膨張係数との中間値であることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項３】
請求項１または２に記載の屈曲振動片において、
前記緩和層は、前記屈曲基板を構成する元素と前記圧電膜を構成する元素とをそれぞれ一種以上含むことを特徴とする屈曲振動片。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の屈曲振動片において、
前記屈曲基板は、水晶であることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の屈曲振動片において、
前記圧電膜は、窒化アルミニウムまたは酸化亜鉛であることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の屈曲振動片において、
前記緩和層は、酸素原子を含む酸化物誘電体であることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項７】
請求項６に記載の屈曲振動片において、
前記緩和層は、酸化チタニウム、二酸化珪素、酸化アルミニウムのいずれかであることを特徴とする屈曲振動片。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
［適用例１］  本適用例に係る屈曲振動片は、基部と、該基部から突出して形成された振動腕と、を有する屈曲基板と、前記振動腕に形成された下部電極と、該下部電極に重ねて形成された圧電膜と、該圧電膜に重ねて形成された上部電極と、を備えている屈曲振動片であって、少なくとも前記屈曲基板と前記圧電膜との間に緩和層をさらに備え、該緩和層は、前記屈曲基板または前記圧電膜のいずれかを構成する元素を一種以上含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記一時情報削除手段は、前記通信圏外予測手段により前記携帯端末が一定時間以上、通信圏内になることが予測された場合には、前記情報一時保存手段に保存された情報を削除することを特徴とする請求項１に記載の情報閲覧システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011082756.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011082756.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動腕と、該振動腕の厚さを規定する方向に深さを有し前記振動腕の長手方向に延在する溝と、を備える構成の水晶振動片の製造方法であって、
前記振動腕における前記溝の形成領域に対し、少なくとも水晶の異方性による結晶面を含む位置へ、レーザー光の集光点を合わせる調整工程と、
前記振動腕へ前記レーザー光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質層を形成する照射工程と、
前記振動腕と前記レーザー光とを相対移動させ、前記振動腕の長手方向に沿って前記改質層を形成する走査工程と、
前記振動腕をエッチングして前記溝を形成する溝形成工程と、を有することを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の水晶振動片の製造方法において、
前記調整工程は、前記結晶面を含む位置以外に、前記振動腕の厚さ方向に沿う位置へ前記集光点をさらに設けることを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の水晶振動片の製造方法において、
前記溝形成工程は、前記振動腕の第１面に第１溝部を形成し、前記第１面と表裏関係にある第２面に平面視で前記第１溝部の隣りに第２溝部を形成することを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の水晶振動片の製造方法において、
前記照射工程は、前記レーザー光がフェムト秒のパルス幅で照射されることを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の水晶振動片の製造方法によって製造された水晶振動片を備えていることを特徴とする水晶デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る水晶振動片の製造方法は、振動腕と、該振動腕の厚さを規定する方向に深さを有し前記振動腕の長手方向に延在する溝と、を備える構成の水晶振動片の製造方法であって、前記振動腕における前記溝の形成領域に対し、少なくとも水晶の異方性による結晶面を含む位置へ、レーザー光の集光点を合わせる調整工程と、
前記振動腕へ前記レーザー光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質層を形成する照射工程と、前記振動腕と前記レーザー光とを相対移動させ、前記振動腕の長手方向に沿って前記改質層を形成する走査工程と、前記振動腕をエッチングして前記溝を形成する溝形成工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る水晶振動片の製造方法において、前記溝形成工程は、前記溝形成工程は、前記振動腕の第１面に第１溝部を形成し、前記第１面と表裏関係にある第２面に平面視で前記第１溝部の隣りに第２溝部を形成することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともタンタル、タンタル合金、タンタル化合物からなる群より選択される一種類以上のバリア層を研磨するための化学機械研磨用研磨剤であって、該化学機械研磨用研磨剤は、
導体の酸化剤と、
ベンゾトリアゾール又はその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種の保護膜形成剤と、
マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、グリコール酸及びクエン酸から選ばれる少なくとも１種の有機酸と、
水溶性高分子と、
水とを含み、
前記水溶性高分子は、導体の酸化剤、有機酸、保護膜形成剤、水溶性高分子及び水の総量１００ｇに対して、０．００１〜０．５重量％含まれてなり、
ｐＨが３以下であり、
前記酸化剤の濃度が０．０１〜３重量％である化学機械研磨用研磨剤。
【請求項２】
前記水溶性高分子が、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸塩、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドンからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１記載の化学機械研磨用研磨剤。
【請求項３】
前記保護膜形成剤がベンゾトリアゾールを含む請求項１又は２記載の化学機械研磨用研磨剤。
【請求項４】
上記導体の酸化剤の濃度が０．０１〜１．５重量％である請求項１〜３のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
【請求項５】
上記導体の酸化剤が、過酸化水素である請求項１〜４のいずれかに記載の化学機械研磨用研磨剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の研磨剤は、表面に二酸化シリコンの凹部を有する基板上にバリア層及び銅又は銅合金を含む金属膜を形成・充填した基板を研磨対象とする場合に好適である。このような基板は、例えば、図１に示すようにシリコンウエハ１０（図１（ａ））の表面に二酸化シリコン膜１１を形成し（図１（ｂ））、この表面に所定のパターンのレジスト層１２を形成して（図１（ｃ））、ドライエッチングにより二酸化シリコン膜１１に凹部１３を形成してレジスト層１２を除去し（図１（ｄ））、二酸化シリコン膜１１表面とシリコンウエハ１０の露出箇所とを覆うように、蒸着、ＣＶＤなどによりタンタルなどのバリア金属を成膜してバリア層１４を形成し（図１（ｅ））、その表面に銅などの金属を蒸着、めっき又はＣＶＤにより成膜して配線層１５とすることにより得られる（図１（ｆ））。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
主リフレクター１２は、発光管１０から射出された光を照明対象に向けて反射させ概ね光軸１Ａの軸方向に進行させるものである。主リフレクター１２の発光管１０に対向する内面は、反射ミラーが存在する反射面１２ａとなっている。また、照明対象側は光を射出する開口部１２ｂとなっている。さらに、主リフレクター１２は、回転楕円面の一部を扁平させ、開口部１２ｂがＸ軸方向に広がった扁平形状となっている。すなわち、主リフレクター１２は、Ｙ軸方向の大きさを基準として、Ｘ軸方向において＋Ｘ方向および−Ｘ方向に広がった形状となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図２は、光源装置１の概略断面図である。図２（ａ）は、ランプ軸１０Ａを含みＹＺ面に平行な平面（第３平面）における光源装置１の断面構成についての模式図であり、図２（ｂ）は、光源装置１をＸＺ平面に平行な平面（第１平面）における光源装置１の模式図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
給電端子１１３間に電圧を印加すると、給電端子１１３間にアーク放電が生じる。発光管１０内の放電ガスは、アーク放電に起因する電子と衝突してエネルギーを受け取る。これにより、放電ガスの一部が励起され、あるいはイオン化される。励起状態となった放電ガスは、基底状態又は準安定状態に戻るときに、励起状態とのエネルギー差に応じた光を放射する。イオン化された放電ガス（プラズマ）は、電子と再結合して結合エネルギーに応じた光を放射する。このように給電端子１１３間には、略放射状に広がる光が発生し、給電端子１１３の間にある程度の広がりを備えた発光スポット（発光領域）Ｓ１が形成される。発光管１０は、発光スポットＳ１の輝度の重心位置に発光点１４を有する点光源とみなすこともできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
主リフレクター１２Ｘが、従来のリフレクター形状を有する光源装置１Ｘの場合、図３（ａ）に示すように、発光管１０から主リフレクター１２Ｘに向けて射出された光Ｌは、反射面１２ａに入射して反射し、反射面１２ａを構成する回転楕円面の第２焦点に集光される。しかし、主リフレクター１２Ｘに向けて射出された光のうち、光源装置の光射出方向とは反対方向（−Ｚ方向）であって、副リフレクター１３には入射しないが副リフレクター１３側（−Ｙ方向）に射出された光Ｌ１は、一部が主リフレクター１２Ｘで反射し副リフレクター１３の外側に照射されてしまう。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
偏光変換セル２４１の各々には、入射領域２４２に対応させて、偏光ビームスプリッタ膜２４３（以下、ＰＢＳ膜２４３と称する）及び位相差板２４５が設けられている。入射領域２４２に入射した光Ｌ２は、ＰＢＳ膜２４３によりＰＢＳ膜２４３に対するＰ偏光Ｌ２１とＳ偏光Ｌ２２とに分離される。Ｐ偏光Ｌ２１、Ｓ偏光Ｌ２２の一方の偏光（ここではＳ偏光Ｌ２２）は、反射部材２４４で反射した後、位相差板２４５に入射する。位相差板２４５に入射したＳ偏光Ｌ２２は、位相差板２４５により偏光状態が他方の偏光（ここではＰ偏光Ｌ２１）の偏光状態に変換されてＰ偏光Ｌ２３になり、Ｐ偏光Ｌ２１とともに射出される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材上に透明導電層、有機エレクトロルミネッセンス層および対向電極が順次積層された有機エレクトロルミネッセンス素子において、該透明基材が、屈折率の異方性を有する透明樹脂フィルムの両面に樹脂層を有し、該樹脂層の屈折率が下記式（１）および（２）を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
｜ｎ（Ｈ１）−ｎ（Ｂｘｙ）｜≦０．１・・・・式（１）
０．２≦ｎ（Ｈ１）−ｎ（Ｈ２）≦０．４・・・式（２）
式中、ｎ（Ｂｘｙ）は透明樹脂フィルムの面内方向の平均屈折率、ｎ（Ｈ１）は透明導電層側樹脂層の屈折率および、ｎ（Ｈ２）は透明導電層と反対側樹脂層の屈折率を表す。
【請求項２】
前記透明導電層側の樹脂層が、有機無機複合材料であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記屈折率の異方性を有する透明樹脂フィルムのフィルム面内方向の平均屈折率ｎ（Ｂｘｙ）が、フィルムの厚さ方向の屈折率ｎ（Ｂｚ）より０．２以上高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記透明導電層と反対側樹脂層が光散乱性のフィラーを含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いることを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
４．前記透明導電層と反対側樹脂層が光散乱性のフィラーを含有することを特徴とする前記１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
５．前記１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月5日(2012.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
一次粒子径が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下で非晶性を持ったリン酸鉄（III）と、リチウ
ム含有化合物と、加熱分解により導電性炭素を生成する有機化合物及び／又は導電性粒子とを混合する工程と、該混合物を加熱する工程とを含むことを特徴とする請求項２〜４いずれか記載のリチウム二次電池用正極活物質材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池の残量を監視する電池残量監視手段と、
前記電池残量監視手段が監視する前記電池の残量から、前記電池のエネルギーを使い切る電池切れ時刻を予測する電池切れ予測手段と、
前記電池切れ予測手段が予測した前記電池切れ時刻に電源をオフする電源制御手段と、
前記電池切れ予測手段が予測した前記電池切れ時刻前に、前記電源制御手段が電源をオフし、通信不能となることを通知する通信不能通知を特定の第三者に送信する情報発信手段と、
を備える通信端末。
【請求項２】
前記電池残量監視手段が監視する前記電池の残量が設定値より少ない場合、所定の機能のみ動作させる機能制限モードに切り替えるモード切替手段をさらに備え、
前記電池切れ予測手段は、前記モード切替手段が切り替えた機能制限モードでの前記電池切れ時刻を予測することを特徴とする請求項１に記載の通信端末。
【請求項３】
前記電池切れ予測手段が予測した前記電池切れ時刻前にユーザに関するユーザ情報を収集し解析する情報解析手段をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の通信端末。
【請求項４】
前記情報発信手段は、解析した前記ユーザ情報を付加情報として前記通信不能通知に含めて送信することを特徴とする請求項３に記載の通信端末。
【請求項５】
前記情報解析手段が解析する前記ユーザ情報に前記電池の残量が低下した要因が含まれることを特徴とする請求項３又は４に記載の通信端末。
【請求項６】
前記情報解析手段が解析する前記ユーザ情報に通信再開される通信再開時刻が含まれることを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載の通信端末。
【請求項７】
前記情報解析手段が解析する前記ユーザ情報に前記電池切れ時刻前のユーザのユーザ位置が含まれることを特徴とする請求項３から６のいずれかに記載の通信端末。
【請求項８】
前記情報発信手段は、
前記通信不能通知に含める前記付加情報を前記特定の第三者毎に変えて送信することを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の通信端末。
【請求項９】
電池の残量を監視する電池残量監視手段と、
前記電池残量監視手段が監視する前記電池の残量をサーバに通知する電池残量通知手段と、
前記電池残量監視手段が監視する前記電池の残量が規定値より低い場合に電源をオフする電源制御手段と、
を備える通信端末。
【請求項１０】
通知された通信端末の電池残量から、前記通信端末の前記電池のエネルギーを使い切る電池切れ時刻を予測する電池切れ予測手段と、
前記電池切れ予測手段が予測した前記電池切れ時刻前に、前記通信端末が電源をオフし、通信不能となることを通知する通信不能通知を特定の第三者に送信する情報発信手段と、
を備えるサーバ。
【請求項１１】
サーバと通信する通信端末の電池の残量を監視する電池残量監視手段と、
前記電池残量監視手段が監視する前記電池の残量から、前記電池のエネルギーを使い切る電池切れ時刻を予測する電池切れ予測手段と、
前記電池切れ予測手段が予測した前記電池切れ時刻に前記通信端末の電源をオフする電源制御手段と、
前記電池切れ予測手段が予測した前記電池切れ時刻前に、前記電源制御手段が前記通信端末の電源をオフし、通信不能となることを通知する通信不能通知を特定の第三者に送信する情報発信手段と、
を備える通信システム。
【請求項１２】
電池の残量を監視する電池残量監視手順と、
前記電池残量監視手順で監視する前記電池の残量から、前記電池のエネルギーを使い切る電池切れ時刻を予測する電池切れ予測手順と、
前記電池切れ予測手順で予測した前記電池切れ時刻に電源をオフする電源制御手順と、
前記電池切れ予測手順で予測した前記電池切れ時刻前に、前記電源制御手順で電源をオフし、通信不能となることを通知する通信不能通知を特定の第三者に送信する情報発信手順と、
を行う通信端末の動作方法。
【請求項１３】
電池の残量を監視する電池残量監視手順と、
前記電池残量監視手順で監視する前記電池の残量をサーバに通知する電池残量通知手順と、
前記電池残量監視手順が監視する前記電池の残量が規定値より低い場合に電源をオフする電源制御手順と、
を行う通信端末の動作方法。
【請求項１４】
通知された通信端末の電池残量から、前記通信端末の前記電池のエネルギーを使い切る電池切れ時刻を予測する電池切れ予測手順と、
前記電池切れ予測手順で予測した前記電池切れ時刻前に、前記通信端末が電源をオフし、通信不能となることを通知する通信不能通知を特定の第三者に送信する情報発信手順と、
を行うサーバの動作方法。
【請求項１５】
サーバと通信する通信端末の電池の残量を監視する電池残量監視手順と、
前記電池残量監視手順で監視する前記電池の残量から、前記電池のエネルギーを使い切る電池切れ時刻を予測する電池切れ予測手順と、
前記電池切れ予測手順で予測した前記電池切れ時刻に前記通信端末の電源をオフする電源制御手順と、
前記電池切れ予測手順で予測した前記電池切れ時刻前に、前記電源制御手順で前記通信端末の電源をオフし、通信不能となることを通知する通信不能通知を特定の第三者に送信する情報発信手順と、
を行う通信システムの動作方法。
【請求項１６】
電池の残量を監視する電池残量監視手順と、
前記電池残量監視手順で監視する前記電池の残量から、前記電池のエネルギーを使い切る電池切れ時刻を予測する電池切れ予測手順と、
前記電池切れ予測手順で予測した前記電池切れ時刻に電源をオフする電源制御手順と、
前記電池切れ予測手順で予測した前記電池切れ時刻前に、前記電源制御手順で電源をオフし、通信不能となることを通知する通信不能通知を特定の第三者に送信する情報発信手順と、
を通信端末に実行させるための通信端末の動作プログラム。
【請求項１７】
電池の残量を監視する電池残量監視手順と、
前記電池残量監視手順で監視する前記電池の残量をサーバに通知する電池残量通知手順と、
前記電池残量監視手順が監視する前記電池の残量が規定値より低い場合に電源をオフする電源制御手順と、
を通信端末に実行させる通信端末の動作プログラム。
【請求項１８】
通知された通信端末の電池残量から、前記通信端末の前記電池のエネルギーを使い切る電池切れ時刻を予測する電池切れ予測手順と、
前記電池切れ予測手順で予測した前記電池切れ時刻前に、前記通信端末が電源をオフし、通信不能となることを通知する通信不能通知を特定の第三者に送信する情報発信手順と、
をサーバに実行させるサーバの動作プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この場合、同図に矢印で示すように、視点画像Ａ００tnと視点画像Ａ１７tn+1、視点画像Ａ０１tnと視点画像Ａ００tn+1、視点画像Ａ０２tnと視点画像Ａ０１tn+1，・・・の組み合わせの相関が高いので、相関が高いフレームを利用したフレーム間予測を利用して符号化を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
この場合、同図に矢印で示すように、視点画像Ａ００tnと視点画像Ａ０１tn+1、視点画像Ａ０１tnと視点画像Ａ０２tn+1、視点画像Ａ０３tnと視点画像Ａ０４tn+1，・・・の組み合わせの相関が高いので、相関が高いフレームを利用したフレーム間予測を利用して符号化を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
この場合、同図に矢印で示すように、視点画像Ａ００tnと視点画像Ａ１６tn+1、視点画像Ａ０１tnと視点画像Ａ１７tn+1、視点画像Ａ０２tnと視点画像Ａ００tn+1，・・・の組み合わせの相関が高いので、相関が高いフレームを利用したフレーム間予測を利用して符号化を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
デコーダ５１は、前段の画像信号処理装置２０から入力されるビデオ符号化信号をデコードし、その結果得られる視点画像を視点画像バッファ５２に出力する。視点画像バッファ５２は、デコーダ５１から入力される視点画像をバッファリングする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
全周囲立体画像表示装置３０においては、前段の画像信号処理装置２０からビデオ符号化信号が入力され、これがデコーダ５１によってデコードされ、その結果得られる視点画像が視点画像バッファ５２にバッファリングされる。そして、バッファリングされた視点画像が所定の順序で読み出されて表示部５４に表示される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2011082622.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９６】
ステップＳ２７３において、トランスコード部７３３は、ステップＳ２７２において生成された省略パラメータを用いてトランスコーディングを行い、目的のクリップのファイルを復元する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置から前記外部装置のデバイス情報を取得できることを示す第１の信号及び前記外部装置から前記デバイス情報を取得できないことを示す第２の信号のいずれか一つを検出する第１の検出手段と、
前記デバイス情報に基づいて生成された映像データを所定の伝送ラインを介して送信する送信手段と、
前記第１の検出手段によって検出される信号が前記第２の信号から前記第１の信号に変更された場合、前記外部装置が前記送信手段から送信される映像データを表示する映像表示状態であるか否かを検出する第２の検出手段と、
前記第１の検出手段によって検出される信号が前記第２の信号から前記第１の信号に変更された場合において、前記外部装置が前記映像表示状態でない場合、映像データの送信が行われないように前記送信手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記第１の検出手段によって検出される信号が前記第２の信号から前記第１の信号に変更された場合において、前記外部装置が前記映像表示状態でない場合、前記制御手段は、映像データの送信が行われないように前記送信手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１の検出手段によって前記第１の信号が検出された場合において、前記外部装置が前記映像表示状態である場合、前記制御手段は、映像データの送信が行われるように前記送信手段を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第１の検出手段によって検出される信号が前記第２の信号から前記第１の信号に変更された場合において、前記外部装置が前記映像表示状態でない場合、前記制御手段は、コマンドを用いて前記外部装置を制御できるか否かに応じて、映像データの送信を行わないように前記送信手段を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１の検出手段によって検出される信号が前記第２の信号から前記第１の信号に変更された場合において、前記外部装置が前記映像表示状態でない場合に、コマンドを用いて前記外部装置を制御できるときは、前記制御手段は、前記外部装置を前記映像出力状態に変更するためのコマンドを前記外部装置に送信し、映像データの送信が行われるように制御することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記第１の検出手段によって検出される信号が前記第２の信号から前記第１の信号に変更された場合において、前記外部装置が前記映像表示状態でない場合に、コマンドを用いて前記外部装置を制御できないとき、前記制御手段は、映像データの送信が行われないように前記送信手段を制御することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
映像データの送信を行うための所定の電力を前記送信手段に供給するための電源をさらに有し、
前記制御手段は、前記所定の電力が前記送信手段に供給されないようにすることによって、映像データの送信が行われないように前記送信手段を制御することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記第１の信号は、ＨＰＤ（Ｈｏｔ  Ｐｌｕｇ  Ｄｅｔｅｃｔ）に関する信号であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記デバイス情報は、ＥＤＩＤ（ＥＤＩＤ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ  Ｄａｔａ）、またはＥ−ＥＤＩＤ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＥＤＩＤ）のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記通信装置は、ＨＤＭＩ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）規格に準拠することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記第２の信号は、前記所定の伝送ラインが前記外部装置の終端抵抗に接続されているか否かを示す信号であるすることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記映像表示状態とは、前記外部装置が電源オン状態であり、かつ、前記外部装置が前記送信手段から送信される映像データを表示することを示す状態であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る通信装置は、外部装置から前記外部装置のデバイス情報を取得できることを示す第１の信号及び前記外部装置から前記デバイス情報を取得できないことを示す第２の信号のいずれか一つを検出する第１の検出手段と、前記デバイス情報に基づいて生成された映像データを所定の伝送ラインを介して送信する送信手段と、前記第１の検出手段によって検出される信号が前記第２の信号から前記第１の信号に変更された場合、前記外部装置が前記送信手段から送信される映像データを表示する映像表示状態であるか否かを検出する第２の検出手段と、前記第１の検出手段によって検出される信号が前記第２の信号から前記第１の信号に変更された場合において、前記外部装置が前記映像表示状態でない場合、映像データの送信が行われないように前記送信手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする。