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【手続補正書】
【提出日】平成23年11月26日(2011.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化防止剤である炎症メディエータが、ピルビン酸先駆体、ピルビン酸塩またはその混合物であり、ピルビン酸先駆体がピルビル−グリシン、ピルビル−アラニン、ピルビル−ロイシン、ピルビル−システイン、ピルビル−バリン、ピルビル−イソロイシン、ピルビル−フェニルアラニン、ピルバミド、ジヒドロキシアセトンおよびピルビン酸の塩よりなる群から選択される、鼻炎、エオシノフィリア症候群及び／または副鼻腔炎の治療に使用される炎症メジエータ。
【請求項２】
哺乳動物の鼻および副鼻洞通路の粘膜の細胞において好ましくない炎症反応を減少させる炎症メジエータの量で該細胞に接触させることからなる治療であり、鼻炎、エオシノフィリア症候群及び／または副鼻腔炎の治療に使用される請求項１に記載の炎症メジエータ。
【請求項３】
炎症メジエータが点鼻薬へと調製されることを特徴とする請求項１または２に記載の炎症メジエータ。
【請求項４】
炎症メジエータが鼻軟膏へと調製されることを特徴とする請求項１または２に記載の炎症メジエータ。
【請求項５】
炎症メジエータを０．１ｍＭ〜１０．０ｍＭの濃度に処方する請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
減少される炎症反応が酸素ラジカル生成、過酸化物生成、サイトカイン、およびプロテアーゼ生成、プロスチグランジン生成、血小板、ヒスタミンおよびインターロイキン生成の少なくとも一つであることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一つに記載の炎症メジエータ。
【請求項７】
炎症メジエータがピルビン酸塩である請求項１〜６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
ピルビン酸塩をピルビン酸、ピルビン酸リチウム、ピルビン酸ナトリウム、ピルビン酸カリウム、ピルビン酸マグネシウム、ピルビン酸カルシウム、ピルビン酸亜鉛、ピルビン酸マンガンおよびその混合物よりなる群から選択する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
治療がさらに治療剤と鼻および副鼻洞通路の粘膜の細胞に接触させることからなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の炎症メジエータ。
【請求項１０】
治療剤が炎症メジエータより前に投与され、または炎症メジエータに付随して投与され、または炎症メジエータの後に投与されることを特徴とする請求項９に記載の炎症メジエータ。
【請求項１１】
治療剤が、抗細菌剤、抗ウィルス剤、抗真菌剤、抗ヒスタミン剤、蛋白質、酵素、ホルモン、非ステロイド系抗炎症剤、サイトカイン、インシュリン、ビタミンおよびステロイドから選択される一つ以上の薬剤であることを特徴とする請求項９または１０に記載の炎症メジエータ。
【請求項１２】
治療剤がオキシメタゾリンであることを特徴とする請求項１１に記載の炎症メジエータ。
【請求項１３】
（ａ）水と、
（ｂ）０．６５重量％塩化ナトリウムと、
（ｃ）少なくとも０．１ｍＭピルビン酸塩と、
（ｄ）緩衝剤と、必要に応じ
（ｅ）保存料
とを含む点鼻溶液であって、該点鼻溶液は鼻加湿塩水溶液であり、緩衝されると共に等張性にされることを特徴とする点鼻溶液。
【請求項１４】
ピルビン酸塩が約０．１ｍＭ〜約１０ｍＭの濃度にて溶液に存在する請求項１３に記載の点鼻溶液。
【請求項１５】
緩衝剤が重炭酸ナトリウム、燐酸二ナトリウム／燐酸ナトリウムおよび一塩基性燐酸カリウム／水酸化ナトリウムから選択されることを特徴とする請求項１３または１４に記載の点鼻溶液。
【請求項１６】
保存料がフェニルカルビノール、ベンズアルコニウムクロライドおよびチメロサールよりなる群から選択されることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の点鼻溶液。
【請求項１７】
点鼻溶液はさらに治療剤を含み該治療剤が、抗細菌剤、抗ウィルス剤、抗真菌剤、抗ヒスタミン剤、蛋白質、酵素、ホルモン、非ステロイド系抗炎症剤、サイトカイン、インシュリン、ビタミンおよびステロイドから選択される一つ以上の薬剤であることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか一つに記載の点鼻溶液。
【請求項１８】
治療剤がオキシメタゾリンであることを特徴とする請求項１７に記載の点鼻溶液。
【請求項１９】
鼻炎、エオシノフィリア症候群、副鼻洞炎および鼻詰まりに関した症状の予防および／または処置のための請求項１３〜１８のいずれか一つに記載の点鼻溶液。
【請求項２０】
必要とする患者の鼻腔に点鼻溶液を投与することからなる予防および／または処置において、鼻炎、エオシノフィリア症候群、副鼻洞炎および鼻詰まりに関した症状の予防および／または処置のための請求項１９に記載の点鼻溶液。
【請求項２１】
鼻炎、エオシノフィリア症候群及び／または副鼻腔炎の治療のための薬剤を製造するために、酸化防止剤であって且つピルビン酸先駆体、ピルビン酸塩またはその混合物であり、ピルビン酸先駆体がピルビル−グリシン、ピルビル−アラニン、ピルビル−ロイシン、ピルビル−システイン、ピルビル−バリン、ピルビル−イソロイシン、ピルビル−フェニルアラニン、ピルバミド、ジヒドロキシアセトンおよびピルビン酸の塩よりなる群から選択される、炎症メジエータの使用。
【請求項２２】
治療は哺乳動物の鼻および副鼻洞通路の粘膜の細胞において好ましくない炎症反応を減少させる薬剤の量で、該細胞に接触させることを含むことを特徴とする請求項２１に記載の使用。
【請求項２３】
鼻炎、エオシノフィリア症候群、副鼻洞炎、および鼻詰まりに関した症状の予防および／または処置のための薬剤の製造のために請求項１３〜１８のいずれか一つに記載の点鼻溶液の使用。
【請求項２４】
予防および／または処置が必要とする患者の鼻腔に薬剤を投与することを含む請求項２３に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月9日(2012.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ポリエステル樹脂１００重量部に対し、繊維状無機充填材１０〜１００重量部および板状無機充填材１０〜１００重量部を配合することにより、１０００ｓｅｃ-1の剪断速度かつ流動温度＋４０℃の温度における見かけの溶融粘度が１０〜１００Ｐａ・ｓｅｃである液晶ポリエステル樹脂組成物を製造する方法であって、液晶ポリエステル樹脂が下記式（Ａ1）で表される繰り返し構造単位を少なくとも３０モル％含み、液晶ポリエステル樹脂の流動温度が２７０℃〜４００℃であり、繊維状無機充填材の平均繊維径が０．１〜１０μｍかつ数平均繊維長が１〜１００μｍであり、板状無機充填材の平均粒径が５〜２０μｍであり、繊維状無機充填材の配合量（Ｆ）と板状無機充填材の配合量（Ｐ）との比（Ｆ／Ｐ）が、０＜Ｆ／Ｐ＜０．５または１．６＜Ｆ／Ｐ＜１０であることを特徴とする液晶ポリエステル樹脂組成物の製造方法。
【化１】
2011190461.tif 000001
【請求項２】
液晶ポリエステル樹脂が、液晶ポリエステル樹脂（Ａ）１００重量部および液晶ポリエステル樹脂（Ｂ）１０〜１５０重量部からなり、液晶ポリエステル樹脂（Ａ）の流動温度が３１０℃〜４００℃であり、液晶ポリエステル樹脂（Ｂ）の流動温度が２７０℃〜３７０℃であり、かつ液晶ポリエステル樹脂（Ａ）の流動温度は液晶ポリエステル樹脂（Ｂ）の流動温度より高く、その差が１０〜６０℃であることを特徴とする請求項１記載の液晶ポリエステル樹脂組成物の製造方法。
【請求項３】
液晶ポリエステル樹脂（Ａ）および（Ｂ）が、それぞれ下記の構造単位（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（ＩＶ）からなり、それぞれ（ＩＩ）／（Ｉ）のモル比率が０．２以上１．０以下、（ＩＩＩ）＋（ＩＶ）／（ＩＩ）のモル比率が０．９以上１．１以下、（ＩＶ）／（ＩＩＩ）のモル比率が０より大きく１以下であって、液晶ポリエステル樹脂（Ａ）の（ＩＶ）／（ＩＩＩ）のモル比率（α）と、液晶ポリエステル樹脂（Ｂ）の（ＩＶ）／（ＩＩＩ）のモル比率（β）との比である、モル比率（α）／モル比率（β）が０．１以上０．５以下であることを特徴とする請求項２記載の樹脂組成物の製造方法。
【化２】
2011190461.tif 000002
【請求項４】
繊維状無機充填材が、ガラス繊維、ウォラストナイト、ホウ酸アルミニウムウィスカ、チタン酸カリウムウィスカから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶ポリエステル樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
板状無機充填材が、マイカ、タルクから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶ポリエステル樹脂組成物の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法により液晶ポリエステル樹脂組成物を得、この液晶ポリエステル樹脂組成物を成形することを特徴とする最小肉厚が０．２ｍｍ以下である成形体の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法により液晶ポリエステル樹脂組成物を得、この液晶ポリエステル樹脂組成物を成形することを特徴とする最小肉厚が０．２ｍｍ以下であるコネクターの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月14日(2012.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴム成分と、カーボンブラック及び／又はシリカとを含むブレーカートッピング用ゴム組成物。
【請求項２】
請求項１に記載のゴム組成物を用いて作製したブレーカーを有する空気入りタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内周側に配置され、空気が流出入する内縁部と、外周側に配置され、空気が流出入する外縁部とを有し、周方向に互いに間隔を隔てて設けられる複数の羽根部を備え、
前記羽根部には、前記内縁部と前記外縁部との間で延在し、貫流ファンの回転方向の側に配置される正圧面と、前記正圧面の裏側に配置される負圧面とからなる翼面が形成され、
前記羽根部は、貫流ファンの回転軸に直交する平面により切断された場合に、前記正圧面および前記負圧面に凹部が形成される翼断面形状を有し、
前記正圧面に形成される前記凹部および前記負圧面に形成される前記凹部は、異なる数である、貫流ファン。
【請求項２】
前記負圧面に形成される前記凹部は、前記正圧面に形成される前記凹部よりも多い数である、請求項１に記載の貫流ファン。
【請求項３】
請求項１または２に記載の貫流ファンを、樹脂により成型するために用いられる、成型用金型。
【請求項４】
請求項１または２に記載の貫流ファンと、前記貫流ファンに連結され、複数の前記羽根部を回転させる駆動モータとから構成される送風機を備える、流体送り装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して接続されたコンピュータにおけるキャッシュ情報の更新方法であって、
前記ネットワークを介して、変更前のドメイン名、変更前のインターネットアドレス、変更後のドメイン名、変更後のインターネットアドレスおよび更新時刻の情報を受信する処理と、
前記変更前のドメイン名、前記変更前のインターネットアドレス、前記変更後のドメイン名、前記変更後のインターネットアドレスおよび前記変更時刻の情報を、それぞれキャッシュテーブルの第１の格納エリア、第２の格納エリア、第３の格納エリア、第４の格納エリアおよび第５の格納エリアに格納する処理と、
定期的に前記更新時刻を参照する処理と、
現在時刻が前記更新時刻になると、前記第１の格納エリアの前記変更前のドメイン名を前記第３の格納エリアの前記変更後のドメイン名に、前記第２の格納エリアの前記変更前のインターネットアドレスを前記第４の格納エリアの前記変更後のインターネットアドレスに、前記第３乃至第５の格納エリアの情報をＮＵＬＬデータに、それぞれ設定する処理とを実施する、
ことを特徴とするキャッシュ情報の更新方法。
【請求項２】
前記第１、第２のインターネットアドレスはＩＰアドレスである、
ことを特徴とする請求項１に記載のＤＮＳキャッシュ情報の更新方法。
【請求項３】
ネットワークを介して接続されたコンピュータであって、
キャッシュテーブルと制御部とを有し、
前記制御部は、
前記ネットワークを介して、変更前のドメイン名、変更前のインターネットアドレス、変更後のドメイン名、変更後のインターネットアドレスおよび更新時刻の情報を受信し、
前記変更前のドメイン名、前記変更前のインターネットアドレス、前記変更後のドメイン名、前記変更後のインターネットアドレスおよび前記変更時刻の情報を、それぞれキャッシュテーブルの第１の格納エリア、第２の格納エリア、第３の格納エリア、第４の格納エリアおよび第５の格納エリアに格納し、
定期的に前記更新時刻を参照し、
現在時刻が前記更新時刻になると、前記第１の格納エリアの前記変更前のドメイン名を前記第３の格納エリアの前記変更後のドメイン名に、前記第２の格納エリアの前記変更前のインターネットアドレスを前記第４の格納エリアの前記変更後のインターネットアドレスに、前記第３乃至第５の格納エリアの情報をＮＵＬＬデータに、それぞれ設定する、
ことを特徴とするコンピュータ。
【請求項４】
前記第１、第２のインターネットアドレスはＩＰアドレスである、
ことを特徴とする請求項３に記載のコンピュータ。
【請求項５】
ネットワークを介して接続されたコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記ネットワークを介して、変更前のドメイン名、変更前のＩＰアドレス、変更後のドメイン名、変更後のＩＰアドレスおよび更新時刻の情報を受信する処理と、
前記変更前のドメイン名、前記変更前のＩＰアドレス、前記変更後のドメイン名、前記変更後のＩＰアドレスおよび前記変更時刻の情報を、それぞれキャッシュテーブルの第１の格納エリア、第２の格納エリア、第３の格納エリア、第４の格納エリアおよび第５の格納エリアに格納する処理と、
定期的に前記更新時刻を参照する処理と、
現在時刻が前記更新時刻になると、前記第１の格納エリアの前記変更前のドメイン名を前記第３の格納エリアの前記変更後のドメイン名に、前記第２の格納エリアの前記変更前のＩＰアドレスを前記第４の格納エリアの前記変更後のＩＰアドレスに、前記第３乃至第５の格納エリアの情報をＮＵＬＬデータに、それぞれ設定する処理とを前記コンピュータに実行させる、
ことを特徴とするプログラム。
【請求項６】
請求項５に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層を含む構造体に対して第１の加熱処理を行うことにより、前記第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長し、前記第１の酸化物半導体層の表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を形成し、
前記結晶領域を有する第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１及び第２の酸化物半導体層を含む構造体に対して酸素を含む雰囲気下での一定温度の加熱処理条件を含む第２の加熱処理を行うことにより、前記結晶領域を種として前記第２の酸化物半導体層がｃ軸配向する結晶成長と、前記第１及び第２の酸化物半導体層中への酸素供給を行い、前記第２の加熱処理が行われた第２の酸化物半導体層上に導電層を形成し、
前記導電層を選択的にエッチングすることにより、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、ドレイン電極層及び前記第２の酸化物半導体層を覆うように酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層を含む構造体に対して第３の加熱処理を行うことにより、前記第２の酸化物半導体層に酸素を供給し、前記酸素が供給された第２の酸化物半導体と重畳する前記酸化物絶縁層上の領域にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記酸化物絶縁層上に水素を含む窒化物絶縁層を形成し、
前記窒化物絶縁層を含む構造体に第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも前記第１及び第２の酸化物半導体層の内部と、該酸化物半導体層と接する前記酸化物絶縁層との界面に存在する未結合手を水素終端させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、比誘電率が１３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、比誘電率が１４以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体層は、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを主成分とすることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、金属層１５を堆積した後には、酸素を含む雰囲気中で電極アニールを行わない。電極アニール中に界面１７に酸化物が新たに生成されることを避けることができる。このようなノンアロイ電極における単位面積当たりの接触抵抗は例えば２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以上であることができ、また６×１０−３（Ω・ｃｍ２）以下であることができる。ｐ型半導体領域１３の半極性主面１３ａにおける法線ベクトルＮＶＰとｃ軸ベクトルＣＶとの成す傾斜角ＡＬＰＨＡは、例えば１０度以上８０度以下又は１００度以上１７０度以下の範囲であることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
工程Ｓ１０７では、ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体領域２３の主面上に、発光層を成長する。発光層は活性層２５を含み、必要な場合には活性層２５の両側に設けられた光ガイド層を含むことができる。工程Ｓ１０８では、活性層２５を成長する。活性層２５は、量子井戸構造を有することができる。工程Ｓ１０９では、ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体領域２３の主面上に障壁層２５ａを成長し、障壁層２５ａの表面は半極性を示す。工程Ｓ１１０では井戸層２５ｂを障壁層２５ａの主面上に成長し、井戸層２５ｂの表面は半極性を示す。必要な場合には、障壁層２５ａの成長と井戸層２５ｂの成長とを繰り返す。完成した発光層及び活性層２５の表面は、半極性を示す。半極性の活性層では、ｃ面に比べてピエゾ電界の影響が低減される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011146636.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル回路部への供給電圧を決定する方法であって、
規定の入力テスト信号を前記デジタル回路部に印加し、当該入力テスト信号に応答する前記デジタル回路部からの出力信号に基づいて、前記デジタル回路部の動作を検査することと、
前記デジタル回路部への供給電圧を変更することと、
前記検査と、前記供給電圧の変更とを繰り返して、前記デジタル回路部への供給電圧を決定することと、
を含む方法。
【請求項２】
デジタル回路部を備えた電子機器が、所定のタイミングで請求項１に記載の方法を実行して、当該デジタル回路部への供給電圧を設定する方法。
【請求項３】
デジタル回路部を備えた電子機器が、定期的に請求項１に記載の方法を実行して、当該デジタル回路部への供給電圧を設定する方法。
【請求項４】
デジタル回路部を備えた電子機器が、電源ＯＮ時に請求項１に記載の方法を実行して、当該デジタル回路部への供給電圧を設定する方法。
【請求項５】
前記電子機器は、温度変化を検出するセンサーを更に備え、
前記電子機器は、前記センサーの検出結果に応じたタイミングで、請求項１に記載の方法を実行して、当該デジタル回路部への供給電圧を設定する方法。
【請求項６】
前記電子機器は、衛星信号を所定時間以上受信して位置算出演算を行う位置算出部を更に備え、
前記デジタル回路部は、前記位置算出部において受信された衛星信号を記憶するためのメモリー部であり、
前記検査することは、前記メモリー部への書き込みテストと、読み出しテストとを行って、動作誤差率が、前記位置算出演算に対する許容誤差条件を満たすか否かを検査することを含む、
請求項２〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
規定の入力テスト信号をデジタル回路部に印加し、当該入力テスト信号に応答する前記デジタル回路部からの出力信号に基づいて、前記デジタル回路部の動作を検査する動作検査部と、
前記デジタル回路部への供給電圧を設定変更可能な可変電圧部と、
前記可変電圧部に供給電圧を変更させることと、前記動作検査部に検査を実行させることとを繰り返して、前記デジタル回路部への供給電圧を決定する制御部と、
を備えたデジタル回路部への供給電圧決定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デジタル回路部への供給電圧を決定する方法、デジタル回路部への供給電圧を設定する方法及び供給電圧決定装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、デジタル回路部への供給電圧を決定する方法、デジタル回路部への供給電圧を設定する方法及び供給電圧決定装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定めた幅を有する導電膜からなる第１の配線が形成された主配線基板上に、予め定めた幅を有する導電膜からなる第２の配線が形成された副配線基板が、前記第１の配線に前記第２の配線を対応させて配置され、前記第１の配線と前記第２の配線を半田により接続する半田接続構造において、前記第１の配線と前記第２の配線が前記半田により接続される部分の、前記第１の配線と前記第２の配線の一方に、該一方の配線の幅を隣接する部分よりも狭くした狭幅部を形成したことを特徴とする半田接続構造。
【請求項２】
前記第２の配線が形成された前記副配線基板は、前記主配線基板と接する前記副配線基板の先端端面に、前記第１の配線及び前記第２の配線と電気的に接続された端面導電膜を備えることを特徴とする請求項１に記載の半田接続構造。
【請求項３】
前記狭幅部は、前記副配線基板の端に対応する前記第２の配線の部分に形成されたくびれ形状からなることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半田接続構造。
【請求項４】
前記狭幅部は、前記主配線基板の前記第１の配線に形成されていて、前記主配線基板の前記副配線基板に接する部分の前記第１の配線に形成されたくびれ形状からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半田接続構造。
【請求項５】
前記副配線基板に形成された第２の配線は、その断面が露出するように前記副配線基板の先端が両側から円弧状に切除された切り欠部を有することを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半田接続構造。
【請求項６】
前記副配線基板は、その先端部で前記第２の配線の導電膜を外側にして折り曲げられ、前記第２の配線は、前記曲げられた先端に前記導電膜が円弧状に切除された切り欠部が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半田接続構造。
【請求項７】
表示素子と、前記表示素子を照明する面光源と、前記表示素子を駆動するための信号及び電圧を供給する第１の配線が形成された主配線基板と、前記面光源を駆動するための電流を供給する第２の配線が形成された副配線基板とを有し、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半田接続構造を備えることを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明の請求項１に記載の半田接続構造は、予め定めた幅を有する導電膜からなる第１の配線が形成された主配線基板上に、予め定めた幅を有する導電膜からなる第２の配線が形成された副配線基板が、前記第１の配線に前記第２の配線を対応させて配置され、前記第１の配線と前記第２の配線を半田により接続する半田接続構造において、前記第１の配線と前記第２の配線が前記半田により接続される部分の、前記第１の配線と前記第２の配線の一方に、該一方の配線の幅を隣接する部分よりも狭くした狭幅部を形成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半田接続構造において、前記第２の配線が形成された前記副配線基板は、前記主配線基板と接する前記副配線基板の先端端面に、前記第１の配線及び前記第２の配線と電気的に接続された端面導電膜を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半田接続構造において、前記主配線基板の前記副配線基板に接する部分の前記第１の配線に形成されたくびれ形状からなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半田接続構造において、前記副配線基板に形成された第２の配線は、その断面が露出するように前記副配線基板の先端が両側から円弧状に切除された切り欠部を有することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項６に記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半田接続構造において、前記副配線基板は、その先端部で前記第２の配線の導電膜を外側にして折り曲げられ、前記第２の配線は、前記曲げられた先端に前記導電膜が円弧状に切除された切り欠部が形成されていることを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明の請求項７に記載の表示装置は、表示素子と、前記表示素子を照明する面光源と、前記表示素子を駆動するための信号及び電圧を供給する第１の配線が形成された主配線基板と、前記面光源を駆動するための電流を供給する第２の配線が形成された副配線基板とを有し、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半田接続構造を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月12日(2012.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【図１Ａ】スイッチの前面斜視図である。
【図１Ｂ】スイッチの後面斜視図である。
【図１Ｃ】回路基板ユニットの平面図である。
【図２Ａ】中継用回路基板に固定されたアダプタの前面側斜視図である。
【図２Ｂ】中継用回路基板およびアダプタの右断面図である。
【図３】ケーブル側コネクタとアダプタとの接続箇所の拡大図である。
【図４】スイッチの前面斜視図である（その２）。
【図５Ａ】回路基板ユニットの前面斜視図である。
【図５Ｂ】回路基板ユニットの平面図である。
【図６】スイッチの前面斜視図である（その３）。
【図７Ａ】スイッチの前面斜視図である（その４）。
【図７Ｂ】スイッチの後面斜視図である（その２）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録磁界を発生する磁界発生部と近接場光を発生する近接場光発生部とを有する熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
前記近接場光発生部は、導電性を有する構造体と光源からの入射光を伝える導波路とを備え、
前記構造体は、浮上面側端面が前記導波路を伝わる入射光の偏光方向に垂直な方向の幅が近接場光が発生する頂点部に向かって徐々に小さくなる形状を有し、前記入射光の偏光方向に垂直な方向の幅が浮上面側の方がその反対側よりも小さく、
前記構造体の側方に前記導波路が形成されていることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記入射光の偏光方向が、前記導波路のコア又はクラッドと前記構造体が接する界面に対して実質的に垂直であることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記構造体は、前記入射光の偏光方向に垂直な方向の幅が、前記入射光の進行方向に進むに従い徐々に小さくなるテーパー部を有することを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項３記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記テーパー部は、側部の広がり角が１５度以上６０度以下であることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項５】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記構造体と前記導波路のコアの距離が１００ｎｍ以下であることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項６】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記構造体の高さは、前記入射光の波長をλ（ｎｍ）、前記構造体側面に接する材料の屈折率をｎとしたとき、
【数１】
2011146097.tif 000001
であることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項７】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記構造体は、前記入射光の偏光方向に垂直な方向の幅が、前記入射光の進行方向に多段階に変化していることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項８】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記構造体は、前記入射光の偏光方向に垂直な方向の最大幅が前記導波路の幅よりも大きいことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項９】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記構造体は、前記入射光の入射側に幅が広くなった部分を有し、浮上面側に浮上面とほぼ平行となるような端面を有し、前記ほぼ平行となるような端面から近接場光が発生する頂点部までの距離が、入射光の波長をλ（ｎｍ）、前記構造体の周辺の材料の屈折率をｎとしたとき、
【数２】
2011146097.tif 000002
であることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１０】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記導波路の終端部が斜めになっていることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１１】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記構造体は、前記入射光の偏光方向に平行な方向の幅が前記入射光の進行方向に部分的に変化していることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１２】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記磁界発生部は前記記録磁界を発生する主磁極を有し、前記構造体は前記主磁極の近傍に配置されていることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
請求項１２記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記構造体の側面の一部が前記主磁極と接していることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
請求項１２記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極の一部に窪みが形成され、前記窪みの近傍に前記構造体の前記頂点部が位置することを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
請求項１２記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極の周辺に導電性を有する材料の層が形成され、前記構造体の側面の一部が前記導電性を有する材料の層と接していることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、記録磁界を発生する磁界発生部と近接場光を発生する近接場光発生部とを有する熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを前記磁気記録媒体上の所望トラック位置に位置決めするためのアクチュエータとを有する熱アシスト磁気記録装置において、
前記近接場光発生部は、導電性を有する構造体と光源からの入射光を伝える導波路とを備え、
前記構造体は、浮上面側端面が前記導波路を伝わる入射光の偏光方向に垂直な方向の幅が近接場光が発生する頂点部に向かって徐々に小さくなる形状を有し、前記入射光の偏光方向に垂直な方向の幅が浮上面側の方がその反対側よりも小さく、
前記構造体の側方に前記導波路が形成されていることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自身によって受信されるデータ交換要求に応答して、記憶装置とコンピュータシステムのメモリとの間の情報の転送を支援するホストコントローラを備え、
前記ホストコントローラは、前記ホストコントローラが前記記憶装置にコマンドを送信するコマンド送信状態を含むシーケンスの状態での前記データ交換要求に応答して、前記情報の転送の支援を実行し、
前記ホストコントローラは、前記ホストコントローラのデータの送信あるいはデータの受信をテストするためのテストモードを有し、
前記テストモードにおける状態のシーケンスには、前記コマンド送信状態を含まない、装置。
【請求項２】
前記ホストコントローラは、ＳＡＴＡ  ＡＨＣＩに準拠するホストコンローラである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記テストモードの状態シーケンスおよびビジービットに対する前記ホストコントローラの動作は、前記テストモードにおいて前記ホストコントローラによって実行される、（ａ）ビジービットをクリアする、（ｂ）コマンドをフェッチする、（ｃ）前記ビジービットをセットする、および（ｄ）テストデータを送信または受信するという処理に相当し、（ｂ）の後および（ｄ）の前に前記コマンド送信状態には入らない、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記状態シーケンスは、前記情報の転送の支援において前記ホストコントローラにより実行される、（ａ）コマンドをフェッチする、（ｂ）アイドル状態に入る、（ｃ）前記コマンド送信状態に入る、および（ｄ）前記記憶装置へ前記情報を送信する、または前記記憶装置から前記情報を受信するという処理に相当する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記コマンド送信状態は、ＣＦＩＳ：Ｘｍｉｔ状態である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ＣＦＩＳ：Ｘｍｉｔ状態の後に、ＣＦＩＳ：ｓｕｃｃｅｓｓが続く、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記テストモードの状態シーケンスを実行すべく、デバイスドライバは、コマンドフレーム情報構造長をゼロにセットする、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
ＳＡＴＡ  ＡＨＣＩに準拠するホストコントローラによって実行される方法であって、
（ａ）コマンドをフェッチする、（ｂ）アイドル状態に入る、（ｃ）記憶装置にコマンドを送信する、および（ｄ）前記記憶装置へ情報を送信する、または前記記憶装置から情報を受信するという処理を実行することにより、コンピュータシステムのメモリと前記記憶装置との間の情報の転送を支援すること、
（ａ）ビジービットをクリアする、（ｂ）コマンドヘッダをフェッチする、（ｃ）前記ビジービットをセットする、および（ｄ）テストデータを送信または受信するという処理により、情報の送信または受信するための前記ホストコントローラの能力をテストすることを備え、
コマンドは、（ｂ）の後および（ｄ）の前に前記ホストコントローラによって送信されない、方法。
【請求項９】
前記記憶装置に送信される前記コマンドは、ＣＦＩＳ：Ｘｍｉｔの状態の間に送信される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＣＦＩＳ：Ｘｍｉｔの状態の後に、ＣＦＩＳ：ｓｕｃｃｅｓｓの状態が続く、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記記憶装置は、ＣＤＲＯＭ、ハードディスクドライブ、ＤＶＤＲＡＭのうちの一つである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
情報の送信または受信のための前記ホストコントローラの能力をテストすべく、デバイスドライバが、コマンドフレーム情報構造長をゼロにセットする、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
ハードディスクドライブと、
自身によって受信されるデータ交換要求に応答して、前記ハードディスクドライブとコンピュータシステムのメモリとの間の情報の転送を支援するホストコントローラを備え、
前記ホストコントローラは、前記ホストコントローラが前記ハードディスクドライブにコマンドを送信するコマンド送信状態を含むシーケンスの状態での前記データ交換要求に応答して、前記情報の転送の支援を実行し、
前記ホストコントローラは、前記ホストコントローラのデータの送信あるいはデータの受信をテストするためのテストモードを有し、
前記テストモードにおける状態のシーケンスには、前記コマンド送信状態を含まない、コンピュータシステム。
【請求項１４】
前記ホストコントローラは、ＳＡＴＡ  ＡＨＣＩに準拠するホストコンローラである、請求項１３に記載のコンピュータシステム。
【請求項１５】
前記テストモードの状態シーケンスおよびビジービットに対する前記ホストコントローラの動作は、前記テストモードにおいて前記ホストコントローラによって実行される、（ａ）ビジービットをクリアする、（ｂ）コマンドをフェッチする、（ｃ）前記ビジービットをセットする、および（ｄ）テストデータを送信または受信するという処理に相当し、（ｂ）の後および（ｄ）の前に前記コマンド送信状態には入らない、請求項１４に記載のコンピュータシステム。
【請求項１６】
前記状態シーケンスは、前記情報の転送の支援において前記ホストコントローラにより実行される、（ａ）コマンドをフェッチする、（ｂ）アイドル状態に入る、（ｃ）前記コマンド送信状態に入る、および（ｄ）前記ハードディスクドライブへ前記情報を送信する、または前記ハードディスクドライブから前記情報を受信するという処理に相当する、請求項１５に記載のコンピュータシステム。
【請求項１７】
前記コマンド送信状態は、ＣＦＩＳ：Ｘｍｉｔ状態である、請求項１６に記載のコンピュータシステム。
【請求項１８】
前記ＣＦＩＳ：Ｘｍｉｔ状態の後に、ＣＦＩＳ：ｓｕｃｃｅｓｓが続く、請求項１７に記載のコンピュータシステム。
【請求項１９】
前記テストモードの状態シーケンスを実行すべく、デバイスドライバは、コマンドフレーム情報構造長をゼロにセットする、請求項１６に記載のコンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月31日(2012.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常のオペレーションにおいて完全な汎用シリアルバス（ＵＳＢ）プロトコルスタックコードにより動作可能なＵＳＢインタフェースを有する電子機器であって、当該電子機器をブートするブートコードを含む不揮発性メモリを備え、
当該電子機器のソフトウェアは、前記ＵＳＢインタフェースを介して当該電子機器のブートオペレーション中にアップグレード可能であり、
前記ブートコードは、前記ＵＳＢインタフェースの軽量プロトコルスタックコードを有しており、該軽量プロトコルスタックコードは、ブートオペレーション中の前記ＵＳＢインタフェースを介した送受信および前記ソフトウェアのアップグレードのための、前記完全なＵＳＢプロトコルスタックコードのサブセットからなる、前記電子機器。
【請求項２】
前記不揮発性メモリは、前記完全なＵＳＢプロトコルスタックコードを含むように適合されていない請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
汎用シリアルバス（ＵＳＢ）インタフェースを備える電子機器のメモリ部にファイルをダウンロードする方法であって、当該電子機器が少なくとも前記ＵＳＢインタフェースを介して１つまたは複数のコンピュータと接続されており、当該電子機器は、該電子機器をブートするブートコードを含む不揮発性メモリを備え、該ブートコードは、完全なＵＳＢプロトコルスタックコードのうちの軽量プロトコルスタックコードを備え、該軽量プロトコルスタックコードは、ブートオペレーション中の前記ＵＳＢインタフェースを介した送受信と前記電子機器のソフトウェアのアップグレードのためのコードを含み、前記方法は、
前記軽量プロトコルスタックコードを用いて、前記ＵＳＢインタフェースを介して、前記１つまたは複数のコンピュータに少なくとも１つのブートリクエストを送信するステップと、
前記１つまたは複数のコンピュータから少なくとも１つのブートリプライを受信するステップと、
前記１つまたは複数のコンピュータのうち１つのコンピュータにファイル転送リクエストを送信するステップと、
前記１つのコンピュータから格納されたファイルを受信するステップと、
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル回路部と、
前記デジタル回路部への供給電圧を設定変更可能な可変電圧部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
規定の入力テスト信号を前記デジタル回路部に印加し、当該入力テスト信号に応答する前記デジタル回路部からの出力信号に基づいて、前記デジタル回路部の動作を検査することと、
前記可変電圧部を制御して前記デジタル回路部への供給電圧を変更することと、
前記検査と、前記供給電圧の変更とを繰り返して、前記デジタル回路部への供給電圧を設定することと、
を実行する、
電子機器。
【請求項２】
前記デジタル回路部への供給電圧を設定することを所定のタイミングで実行する、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記デジタル回路部への供給電圧を設定することを定期的に実行する、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記デジタル回路部への供給電圧を設定することを前記電子機器の電源ＯＮ時に実行する、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項５】
温度変化を検出するセンサーを更に備え、
前記電子機器は、前記センサーの検出結果に応じたタイミングで前記デジタル回路部への供給電圧を設定することを実行する、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
衛星信号を所定時間以上受信して位置算出演算を行う位置算出部を更に備え、
前記デジタル回路部は、前記位置算出部において受信された衛星信号を記憶するためのメモリー部を含み、
前記検査することは、前記メモリー部への書き込みテストと、読み出しテストとを行って、動作誤差率が、前記位置算出演算に対する許容誤差条件を満たすか否かを検査することを含む、
請求項１〜５の何れか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記供給電圧の変更は、所定の電圧低減幅だけ供給電圧を低減させることである、
請求項１〜６の何れか一項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記供給電圧の変更は、所定の電圧低減幅から電圧低減幅を徐々に狭くしながら供給電圧を低減させることである、
請求項１〜６の何れか一項に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、デジタル回路部を備えた電子機器に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板をシェルフに格納する際に、上記プリント基板を誘導する、上記シェルフに配置されたガイドレールを有するプリント基板の位置決め構造において、
上記ガイドレールに誘導される上記プリント基板の最終端側に取り付けられ、上記プリント基板を位置決めする突起部を備えたことを特徴とするプリント基板の位置決め構造。
【請求項２】
プリント基板をシェルフに格納する際に、上記プリント基板を誘導する、上記シェルフに配置されたガイドレールを有するプリント基板の位置決め構造において、
上記ガイドレールに誘導される上記プリント基板の辺の最終端側に、上記プリント基板を位置決めする突起部を備えたことを特徴とするプリント基板の位置決め構造。
【請求項３】
上記突起部は所定の傾斜を有するガイド部を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２記載のプリント基板の位置決め構造。
【請求項４】
上記突起部は円弧形状を有するガイド部を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２記載のプリント基板の位置決め構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常遊技状態での遊技の進行の下で、遊技盤面に設けられた始動口への遊技球の入賞を契機に、所定の確率で当たりに当選する当／外抽選が実行され、当たりに当選した場合に前記遊技盤面上に設けられ通常遊技状態では閉塞している特別入賞口を前記当／外抽選に基づく所定回数及び所定時間開放制御することにより前記通常遊技状態よりも有利な特別遊技状態となる遊技機であって、
前記特別遊技状態終了後の通常遊技状態の遊技仕様を設定する遊技仕様設定手段と、
前記遊技仕様設定手段で設定された遊技仕様に基づいて遊技を進行する遊技進行制御手段と、
前記当／外抽選により当選したか否かを複数の図柄によって表示する報知手段と、を有し、
前記遊技進行制御手段は、前記当／外抽選により当選した場合に、前記特別入賞口を前記所定回数、かつ、前記所定時間開放制御し、前記特別入賞口を開放することで遊技者にとって前記有利な遊技状態となる第１の開放回数及び第１の開放時間を有する第１の特別遊技状態と、前記特別入賞口の開放回数及び開放時間が前記第１の開放回数よりも少なく、かつ、前記第１の開放時間よりも短く、前記第１の特別遊技状態よりも遊技者にとって前記有利な遊技状態とはならない第２の開放回数及び第２の開放時間を有する第２の特別遊技状態とを制御し、
前記第２の特別遊技状態の終了後には、前記遊技仕様として、前記始動口への遊技球の入賞を契機に実行される前記当／外抽選の当選確率を前記所定の確率よりも高確率に変動する場合と、前記当／外抽選の当選確率を前記所定の確率よりも高確率に変動しない場合と、を有し、
前記報知手段は、前記第１の特別遊技状態が制御される場合には、前記複数の図柄をゾロ目で表示を行う一方、前記第２の特別遊技状態が制御される場合には、前記複数の図柄をゾロ目以外で表示を行うことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は上記事実を考慮し、遊技仕様に様々なバリエーションを持たせることで、遊技の趣向性を向上することができる遊技機を得ることが目的である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、通常遊技状態での遊技の進行の下で、遊技盤面に設けられた始動口への遊技球の入賞を契機に、所定の確率で当たりに当選する当／外抽選が実行され、当たりに当選した場合に前記遊技盤面上に設けられ通常遊技状態では閉塞している特別入賞口を前記当／外抽選に基づく所定回数及び所定時間開放制御することにより前記通常遊技状態よりも有利な特別遊技状態となる遊技機であって、前記特別遊技状態終了後の通常遊技状態の遊技仕様を設定する遊技仕様設定手段と、前記遊技仕様設定手段で設定された遊技仕様に基づいて遊技を進行する遊技進行制御手段と、前記当／外抽選により当選したか否かを複数の図柄によって表示する報知手段と、を有し、前記遊技進行制御手段は、前記当／外抽選により当選した場合に、前記特別入賞口を前記所定回数、かつ、前記所定時間開放制御し、前記特別入賞口を開放することで遊技者にとって前記有利な遊技状態となる第１の開放回数及び第１の開放時間を有する第１の特別遊技状態と、前記特別入賞口の開放回数及び開放時間が前記第１の開放回数よりも少なく、かつ、前記第１の開放時間よりも短く、第１の特別遊技状態よりも遊技者にとって前記有利な遊技状態とはならない第２の開放回数及び第２の開放時間を有する第２の特別遊技状態とを制御し、前記第２の特別遊技状態の終了後には、前記遊技仕様として、前記始動口への遊技球の入賞を契機に実行される前記当／外抽選の当選確率を前記所定の確率よりも高確率に変動する場合と、前記当／外抽選の当選確率を前記所定の確率よりも高確率に変動しない場合と、を有し、前記報知手段は、前記第１の特別遊技状態が制御される場合には、前記複数の図柄をゾロ目で表示を行う一方、前記第２の特別遊技状態が制御される場合には、前記複数の図柄をゾロ目以外で表示を行うことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以上説明した如く本発明では、遊技仕様に様々なバリエーションを持たせることで、遊技の趣向性を向上することができるという優れた効果を有する。