【事件の表示】
　特願２００２−２０１５８６「コロイダルシリカ含有水の処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月１２日出願公開、特開２００４−　４１９００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１４年７月１０日の出願であって、平成１９年６月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１３日付けで意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年８月３１日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年１１月１日付けで明細書の記載に係る手続補正がなされ、平成２０年１月８日付けで審判請求の請求の理由に係る手続補正がなされたものであり、その後、平成２２年３月１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、これに対する回答書が同年５月１１日に提出されたものである。
 　 
２．平成１９年１１月１日付けの明細書の記載に係る手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１９年１１月１日付けの明細書の記載に係る手続補正を却下する。 
［理由］ 
２−１．本件補正について
　平成１９年１１月１日付けの明細書の記載に係る手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１９年８月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲である 
「【請求項１】
　コロイダルシリカ含有水を、カチオン性有機物を添加したのち、アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理し、次いで固液分離するコロイダルシリカ含有水の処理方法において、コロイダルシリカ含有水のｐＨを３〜５に調整し、濃度０.３ｇ／Ｌ以下のカチオン性有機物の水溶液を撹拌下に添加することにより、コロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊することを特徴とするコロイダルシリカ含有水の処理方法。
 【請求項２】
　カチオン性有機物の水溶液の添加を１６０〜５００ｒｐｍの急速撹拌下で行うことを特徴とする請求項１記載のコロイダルシリカ含有水の処理方法。」
を
「【請求項１】
　コロイダルシリカ含有水を、カチオン性有機物を添加したのち、アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理し、次いで固液分離するコロイダルシリカ含有水の処理方法において、コロイダルシリカ含有水のｐＨを３〜５に調整し、濃度０.３ｇ／Ｌ以下のカチオン性有機物の水溶液を
１６０〜５００ｒｐｍ
した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理する
　【請求項２】
　
カチオン性有機物の添加量がコロイダルシリカ含有水中のコロイダルシリカ１ｇに対して、１〜５ｍｇである
（下線部は対応する補正箇所を明示するため当審で付加した。）　
　
　本件補正後の請求項１の「コロイド状態を破壊
した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理する
　そして、本件補正後の請求項１の「カチオン性有機物の水溶液を
１６０〜５００ｒｐｍ
１６０〜５００ｒｐｍ
　よって、本件補正後の請求項１は本件補正前の請求項２であって、その文言を整理したにすぎず、本件補正前の請求項１は削除されたものといえる。
　
　一方、本件補正後の請求項１を引用する本件補正後の請求項２は、本件補正前の請求項２において「カチオン性有機物の水溶液の添加を１６０〜５００ｒｐｍの急速撹拌下で行う」とあるので、「添加」の態様として、「コロイダルシリカ含有水にカチオン性有機物の水溶液を撹拌下に添加する。コロイダルシリカ含有水の撹拌は、１６０〜５００ｒｐｍの急速撹拌であることが好ましく」（本願明細書【0007】）、「カチオン性有機物の添加量は、コロイダルシリカ含有水中のコロイダルシリカ１ｇに対して１〜５ｍｇである」（本願明細書【0006】）とあることから、「
カチオン性有機物の添加量がコロイダルシリカ含有水中のコロイダルシリカ１ｇに対して、１〜５ｍｇである」と
　そして、出願人の当該主張を認めるなら、本件補正は、補正前の請求項１と補正前の請求項１を引用する補正前の請求項２を、補正前の請求項1を削除して、補正前の請求項２においてその文言を整理した補正後の請求項１と、補正前の請求項２において「
カチオン性有機物の添加量がコロイダルシリカ含有水中のコロイダルシリカ１ｇに対して、１〜５ｍｇである
　しかしながら、そのように補正することは、実質的にみて、補正前の請求項２から、補正後の請求項１と補正後の請求項２の二つの請求項を作出するものであって、もともと一つの請求項に記載された発明であったものを複数の請求項に分割して新たな請求項を追加する補正に等しいと言い得る。
　また、審理経済からみても、補正前の請求項２は「カチオン性有機物の水溶液の添加を１６０〜５００ｒｐｍの急速撹拌下で行うことを特徴とする」ものであり、そのような発明の先行技術を調査する際に、全く別の観点である「
カチオン性有機物の添加量がコロイダルシリカ含有水中のコロイダルシリカ１ｇに対して、１〜５ｍｇである
　すなわち、本件補正のように、一つの請求項を複数の請求項に分割するような態様による補正を認めることは、審査対象が追加されることにより、新たな審査を必要とする場合を生じさせ、あるいは審査対象が複雑化することによって、迅速的確な審理を実現するために、既にされた審査結果を有効に活用して補正された発明の審査を行うことができる範囲で補正を認めるという特許法第１７条の２第４項第２号の制度趣旨に合致しない。
（必要であれば　平成１７年（行ケ）１０１９２号　を参照されたい。）
　そして、本件補正の目的は、補正後の請求項２について、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明の何れにも該当しない。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　また、本件補正が特許請求の範囲の限定的減縮に相当するものであったとしても、なお、特許出願の際独立して特許を受けることができないので却下すべきものであることについて以下の「２−２．」に予備的に記載する。
　
２−２．独立特許要件について
２−２−１．本件補正発明について
　本件出願の請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ、「本願補正発明１」「本願補正発明２」というが、これらをまとめて「本願補正発明」ということがある。）は、平成１９年１１月１日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１，２に記載される事項によって特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（本願補正発明１）は次のものである。
「 【請求項１】
　コロイダルシリカ含有水を、カチオン性有機物を添加したのち、アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理し、次いで固液分離するコロイダルシリカ含有水の処理方法において、コロイダルシリカ含有水のｐＨを３〜５に調整し、濃度０．３ｇ／Ｌ以下のカチオン性有機物の水溶液を１６０〜５００ｒｐｍの撹拌下に添加することによりコロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理することを特徴とするコロイダルシリカ含有水の処理方法。」
　
２−２−２．刊行物の記載
　（１）原拒絶査定の拒絶の理由に引用文献１として引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−３４７５６９号公報（以下、「引用例１」という。）には次の事項が記載されている。
　（１−１）「【請求項１】研磨剤粒子等を含有する研磨排水を膜分離処理し、得られる濃縮水をカチオン基を有する高分子凝集剤を用いて凝集処理を行い、次いで固液分離することを特徴とする研磨排水処理方法。
【請求項２】前記濃縮水を前記のカチオン基を有する高分子凝集剤に続いてアニオン系高分子凝集剤を用いて凝集処理を行い、次いで固液分離することを特徴とする請求項１に記載の研磨排水処理方法。
【請求項３】前記研磨排水が、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）工程より生じるＣＭＰ工程排水であることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨排水処理方法。」（【請求項１】〜【請求項３】）
　（１−２）「本発明の対象となる研磨排水は、研磨剤粒子（砥粒）等を含む研磨液（研磨スラリー）により被研磨物の研磨工程を行うことにより生じるもので、研磨液の主成分である研磨剤粒子や研磨屑等を含む。研磨剤粒子としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア（酸化セレン）、ジルコニア、シリコンカーバイド（炭化珪素）等の微細粒子が用いられる。また、研磨液には、研磨剤粒子の分散性を良好にするために分散剤等が添加されている場合が多い。
　このような研磨排水としては、例えば、コロイダルシリカ、セリア等の研磨剤粒子を含む研磨液を用いるガラス基板やレンズの研磨工程排水、シリコンウェハ製造におけるコロイダルシリカ等の研磨剤粒子を含む研磨液を用いるポリッシング（粗研磨）工程排水やコロイダルシリカ、アルミナ、シリコンカーバイド等の研磨剤粒子を含む研磨液を用いるラッピング（鏡面仕上げ研磨）工程排水、半導体デバイス製造におけるコロイダルシリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア等の研磨剤粒子を含む研磨液を用いるＣＭＰ工程の研磨排水などが挙げられる。」（【0012】【0013】）
　（１−３）「カチオン基を有する高分子凝集剤の添加量は特に限定されないが、効果と経済性の観点から１〜１０００ｍｇ／リットル（Ｌ）の範囲が好ましい。」（【0023】）
　（１−４）「上述の凝集剤等の各薬剤の最適の種類と最適の添加量及び最適の撹拌条件などは、各薬剤の種類と添加量及び撹拌条件を変化させてジヤーテストを行い、フロック径、フロツクの浮上又は沈降速度、発生スラツジ量、液側の処理水の濁度などから決定すればよい。また、必要に応じて、凝集処理の前に濃縮水のｐＨを好ましくは約４以上、より好ましくは７前後に調整を行ってもよいが、ｐＨ調整の必要が無い場合も多い。」（【0048】）
　（１−５）「実施例１
限外濾過膜（東芝セラミックス製ＭＥＭＢＲＡＬＯＸ  １Ｍ−１、膜孔径：２００Å）を有する限外濾過膜モジュールを備えた図１の装置で、半導体デバイス製造工程において研磨剤粒子としてシリカを含むＣＭＰ用研磨スラリー（米国キャボット社製ＳＳＷ−２０００）を用いてＣＭＰ工程を行って生じたＣＭＰ工程排水（ｐＨ：約４）を循環方式で膜分離処理した。処理条件は、循環流量３．７ｍ３／ｈｒ、透過水量０．０２ｍ３／ｈｒであった。この処理で、濃縮水の研磨剤粒子濃度が０．１重量％から５重量％になるまで濃縮を続けた。次いで、得られた濃縮排水（研磨剤粒子が濃縮された廃水）の５００ｍｌにカチオン基を有する高分子凝集剤としてＮ−ビニルアクリルアミジン塩単位含有高分子凝集剤（三菱化学株式会社製「ダイアクリヤーＭＫ−６４５０」）をその濃度が２００ｐｐｍになるように添加した。この状態で１５０ｒｐｍで１０分間撹拌を続けてフロックを形成させた。フロックの形成を確認して撹拌を止め、５分間静置して固液分離を行い、スラッジの容量と上澄水の濁度を調べた。結果を表１に示す。（【0053】）
　（１−６）「実施例３
実施例１と同じＣＭＰ工程排水を実施例１と同じ処理条件下で循環方式で膜分離処理した。この処理で、濃縮水の研磨剤粒子濃度が０．１重量％から５重量％になるまで濃縮を続けた。次いで、得られた濃縮排水の５００ｍｌにカチオン基を有する高分子凝集剤としてＮ−ビニルアクリルアミジン塩単位含有高分子凝集剤（三菱化学株式会社製「ダイアクリヤーＭＫ−６４５０」）をその濃度が２００ｐｐｍになるように添加した。この状態で１５０ｒｐｍで１０分間撹拌を続けてフロックを形成させた。更に、アニオン性高分子凝集剤として２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸単位含有３元共重合物（オルガノ株式会社製「オルフロックＯＡ−３５」）をその濃度が２００ｐｐｍになるように添加して、攪拌を続け、フロックを巨大化させた。撹拌を止め、５分間静置して固液分離を行い、スラッジの容量と上澄水の濁度を調べた。結果を表１に示す。」（【0055】）
　（１−７）「比較例１
実施例１と同じＣＭＰ工程排水を実施例１と同じ処理条件下で循環方式で膜分離処理した。この処理で、濃縮水の研磨剤粒子濃度が０．１重量％から５重量％になるまで濃縮を続けた。得られた濃縮排水の５００ｍｌに凝集剤としてＰＡＣ（ポリ塩化アルミニウム）をその濃度が１００ｐｐｍになるように添加した。次いで、ｐＨが７になるように１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を添加した。この状態で１５０ｒｐｍで１０分間撹拌を続けてフロックを形成させた。続いてアニオン性高分子凝集剤（オルガノ株式会社製「オルフロックＡＰ−１」）をその濃度が２００ｐｐｍになる様に添加して、４０ｒｐｍで５分間撹拌した。その後５分間静置を行って固液分離を行ない、スラッジの容量と上澄水の濁度を調べた。結果を表１に示す。」（【0056】）
　（１−８）【表１】
　
　　　　　　　フロック　固液　　スラッジ量　　スラッジ／ＴＳ　　
　　　　　　　径（mm） 分離性（ml／500 ml）　比（L／TS−kg） 
  実施例１　　　５　　　良好　　　　１４０　　　　５．６　　　　
  実施例２　　　５　　　良好　　　　１５０　　　　６．０　　　　
  実施例３　　１０以上　良好　　　　１１０　　　　４．４　　　　
  比較例１　　　５　　　良好　　　　２２０　　　　８．８    　　
（【0057】）
　（１−９）「表１において、「スラッジ量」は、ＣＭＰ工程排水の試料５００ｍｌ当たりの凝集分離と静置を行って固液分離した時のスラッジ量（ｍｌ）を表し、また、「ＴＳ」は、上記試料中の全固形分を表し、従って、「スラッジ／ＴＳ比」は、該全固形分量に対する上記スラッジ量の比（Ｌ／ＴＳ−ｋｇ）を表す。また、固液分離性は、上澄水の濁度を測定してその結果から判断したもので、実施例と比較例の全てにおいて良好であった。
　表１から明らかなように、本発明の方法による実施例１〜３では、比較例に比べて、「スラッジ量」及び「スラッジ／ＴＳ比」共に約半分前後に減量化され、減量化の効果はカチオン基を有する高分子凝集剤とアニオン性高分子凝集剤を併用した場合に特に顕著であることが分かる。」（【0058】【0059】）
　
　（２）原拒絶査定の拒絶の理由に引用文献２として引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平０９−０２９２６３号公報（以下、「引用例２」という。）には次の事項が記載されている。
　（２−１）「シリコンウェーハの製造加工工程で発生するシリコン粉を含む廃水を上澄み液と沈殿とに分離するシリコン加工廃水の処理方法において、該廃水に有機カチオン凝集剤を添加し、更に高分子凝集剤を添加することによりシリコンを凝集沈殿・分離させることを特徴とするシリコン加工廃水の処理方法。」（【請求項１】）
　（２−２）「【従来の技術】現在、各種の基板材料からなる半導体が製品化されているが、集積回路など大部分の半導体基板はシリコンの単体から製造されている。その製造に際しては、例えばシリコン単結晶のインゴットの切断工程において、粒径０．１〜１００μｍのシリコンの切削粉を含む冷却加工廃水が発生する。同様に、シリコン基板の研磨工程、素子形成後のダイシング工程においてもシリコンの微粒粉を含む廃水が発生する。この大量の廃水の処理には、従来から珪藻土濾過法、または凝集沈澱法が用いられてきた。珪藻土濾過法は、濾布に珪藻土をプレコートしたフィルターに廃水を通し、シリコンを吸着させ、脱水して汚泥として廃棄する方法である。凝集沈澱法は、ポリ塩化アルミニウムや硫酸アルミニウム等の無機凝集剤を廃水に添加し必要に応じて中和剤で中和した後、高分子凝集剤を添加してシリコンを凝集沈澱させ上澄みを放流する一方、凝集した沈殿は脱水して汚泥として廃棄する方法である。」（【0002】）
　（２−３）「本発明に用いる有機カチオン凝集剤４は、廃水中で、マイナスに帯電し互いに反発し合っているシリコン粒子のゼ−タ電位を低下させ、シリコンの凝集した小フロックを形成するものである。具体的な成分としてはポリアミン、ジシアンジアミド、ポリアクリルアミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリアミンサルホン等が例示される。添加量は廃水に対し０．１〜１００ｐｐｍが必要である。０．１ｐｐｍより少ない添加量では、ゼータ電位の低下が不十分となる。また１００ｐｐｍの添加で前記ゼータ電位の低下は十分であり、１００ｐｐｍより大きな添加量は無駄となる。」（【0007】）
　（２−４）「高分子凝集剤８は廃水中のシリコンの小フロックを凝集、沈降させるもので、例えば非イオン凝集剤、または弱アニオン凝集剤が用いられる。添加量は廃水に対し０．１〜１００ｐｐｍが必要である。０．１ｐｐｍより少ない添加量では、シリコンのフロックの形成が不十分となる。また前記フロックは１００ｐｐｍで十分形成され、１００ｐｐｍより大きな添加量は無駄となる。」（【0008】）
　
２−２−３．引用例１に記載された発明の認定
　ｉ）上記摘示事項（１−１）には「【請求項１】研磨剤粒子等を含有する研磨排水を膜分離処理し、得られる濃縮水をカチオン基を有する高分子凝集剤を用いて凝集処理を行い、次いで固液分離することを特徴とする研磨排水処理方法。
【請求項２】前記濃縮水を前記のカチオン基を有する高分子凝集剤に続いてアニオン系高分子凝集剤を用いて凝集処理を行い、次いで固液分離することを特徴とする請求項１に記載の研磨排水処理方法。
【請求項３】前記研磨排水が、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）工程より生じるＣＭＰ工程排水であることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨排水処理方法。」が記載されており、請求項３において請求項２を引用する場合を独立形式で記載すれば、
　引用例１には「研磨剤粒子等を含有するＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）工程より生じるＣＭＰ工程排水である研磨排水を膜分離処理し、得られる濃縮水をカチオン基を有する高分子凝集剤を用いて凝集処理を行い、続いてアニオン系高分子凝集剤を用いて凝集処理を行い、次いで固液分離することを特徴とする研磨排水処理方法。」が記載されていると言える。
　ｉｉ）ここで、上記摘示事項（１−２）には「本発明の対象となる研磨排水は、研磨剤粒子（砥粒）等を含む研磨液（研磨スラリー）により被研磨物の研磨工程を行うことにより生じるもので・・このような研磨排水としては、例えば・・半導体デバイス製造におけるコロイダルシリカ・・を含む研磨液を用いるＣＭＰ工程の研磨排水などが挙げられる」と記載されていることから、上記「研磨排水処理方法」における「研磨剤粒子等を含有するＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）工程より生じるＣＭＰ工程排水」は「コロイダルシリカ」を含む研磨排水と言い得る。
　ｉｉｉ）また、上記摘示事項（１−６）には、「実施例３」では「実施例１と同じＣＭＰ工程排水を実施例１と同じ処理条件下で循環方式で膜分離処理した・・得られた濃縮排水の５００ｍｌにカチオン基を有する高分子凝集剤としてＮ−ビニルアクリルアミジン塩単位含有高分子凝集剤（三菱化学株式会社製「ダイアクリヤーＭＫ−６４５０」）をその濃度が２００ｐｐｍになるように添加した。この状態で１５０ｒｐｍで１０分間撹拌を続けてフロックを形成させた。更に、アニオン性高分子凝集剤として２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸単位含有３元共重合物（オルガノ株式会社製「オルフロックＯＡ−３５」）をその濃度が２００ｐｐｍになるように添加して、攪拌を続け、フロックを巨大化させた。撹拌を止め、５分間静置して固液分離を行」ったと記載されている。
　ここで、上記「実施例３」では「実施例１と同じＣＭＰ工程排水」を用いているので、上記摘示事項（１−５）に「半導体デバイス製造工程において研磨剤粒子としてシリカを含むＣＭＰ用研磨スラリー（米国キャボット社製ＳＳＷ−２０００）を用いてＣＭＰ工程を行って生じたＣＭＰ工程排水（ｐＨ：約４）」とあることから、「実施例３」で用いる「研磨剤粒子としてシリカを含むＣＭＰ用研磨スラリーを用いてＣＭＰ工程を行って生じたＣＭＰ工程排水」すなわち「コロイダルシリカ」を含む研磨排水は「ｐH」が「約　４」であることが分かる。
　さらに、上記「実施例３」では、「カチオン基を有する高分子凝集剤」を添加して「１５０ｒｐｍ」で「撹拌」を続けて「フロックを形成」させ、「更に、アニオン性高分子凝集剤」を「添加して、攪拌を続け、フロックを巨大化させ」撹拌を止め、５分間静置して「固液分離」を行っているものである。
　ｉｖ）また、上記（１−３）には「カチオン基を有する高分子凝集剤の添加量」は「１〜１０００ｍｇ／リットル（Ｌ）」であることが記載されており、「カチオン基を有する高分子凝集剤」の濃度が「１〜１０００ｍｇ／Ｌ」であることがわかる。　
　ｖ）よって、上記ｉ）〜ｉｖ）の検討結果から、上記摘示事項（１−１）〜（１−３）、（１−５）、（１−６）を本願補正発明１の記載ぶりに則して表現すると、引用例１には、
　
「ｐＨ約４のコロイダルシリカを含む研磨排水を膜分離処理し、得られる濃縮水に１〜１０００ｍｇ／Ｌの濃度のカチオン基を有する高分子凝集剤を添加して１５０ｒｐｍで撹拌を続けてフロックを形成させて第１の凝集処理を行い、続いてアニオン系高分子凝集剤を添加して、攪拌を続け、フロックを巨大化させて第２の凝集処理を行い、次いで固液分離することを特徴とする研磨排水処理方法。」（以下、「引用発明」という。なお、「第１」「第２」は同一の文言の「凝集処理」を区別するために当審で付記した。）
　
が記載されていると認められる。
　
２−２−４．本願補正発明１と引用発明との対比
　ｉ）引用発明では「研磨排水を膜分離処理」し、「得られる濃縮水」に「カチオン基を有する高分子凝集剤を添加」等するものであるのに対して、本願補正発明１では「膜分離処理」について特定するものではないが、本願明細書【0009】【図２】には「コロイダルシリカ含有水」を「膜式ろ過装置１５」によって濃縮し、その濃縮された「コロイダルシリカ含有水」に「カチオン性有機物の水溶液」を添加する等の操作を行うことが本願補正発明の実施例として記載されているから、引用発明の「ｐＨ約４のコロイダルシリカを含む研磨排水を膜分離処理し、得られる濃縮水」は、本願補正発明１の「コロイダルシリカ含有水」に相当する。
　ｉｉ）上記摘示事項（１−５）には「カチオン基を有する高分子凝集剤としてＮ−ビニルアクリルアミジン塩単位含有高分子凝集剤（三菱化学株式会社製「ダイアクリヤーＭＫ−６４５０」）」と記載され、「Ｎ−ビニルアクリルアミジン塩単位含有高分子凝集剤」は「カチオン性有機物」と言い得るから、引用発明の「カチオン基を有する高分子凝集剤」、「アニオン系高分子凝集剤」は、本願補正発明１の「カチオン性有機物」、「アニオン性高分子凝集剤」にそれぞれ相当する。
　ｉｉｉ）引用発明の「カチオン基を有する高分子凝集剤」は「１〜１０００ｍｇ／Ｌの濃度」であるが、本願補正発明１の「カチオン性有機物」の水溶液は「０．３ｇ／Ｌ以下」の「濃度」であって、「０．３ｇ／Ｌ以下」は「３００ｍｇ／Ｌ以下」であるから、本願補正発明１と引用発明とは「カチオン性有機物」の水溶液の濃度が「１〜３００ｍｇ／Ｌ」の範囲で一致する。
　ｉｖ）引用発明の「研磨排水処理方法」は、上記ｉ）から「コロイダルシリカ含有水」の処理方法と言えるから、本願補正発明１の「コロイダルシリカ含有水の処理方法」に相当する。
　以上から、引用発明は、「コロイダルシリカ含有水」を、「１〜３００ｍｇ／Ｌ」の濃度の「カチオン基を有する高分子凝集剤」を添加したのち、「アニオン系高分子凝集剤」を添加して凝集処理し、次いで「固液分離する」「コロイダルシリカ含有水の処理方法」といえるから、
　
本願補正発明１と引用発明とは　
「コロイダルシリカ含有水を、１〜３００ｍｇ／Ｌの濃度のカチオン性有機物の水溶液を添加したのち、アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理し、次いで固液分離するコロイダルシリカ含有水の処理方法」である点で一致し、次の点で相違する。
　
　＜相違点１＞本願補正発明１は「コロイダルシリカ含有水のｐＨを３〜５に調整」してカチオン性有機物を添加するものであるのに対して、引用発明は「ｐＨ約４のコロイダルシリカを含む研磨排水を膜分離処理し、得られる濃縮水」にカチオン基を有する高分子凝集剤を添加するものである点
　＜相違点２＞本願補正発明１は「カチオン性有機物の水溶液を１６０〜５００ｒｐｍの撹拌下に添加することによりコロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊」するのに対して、引用発明は「カチオン基を有する高分子凝集剤を添加して１５０ｒｐｍで撹拌を続けてフロックを形成させて第１の凝集処理を行」う点
　＜相違点３＞
　本願補正発明１は「コロイド状態を破壊した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理する」のに対して、引用発明は「第１の凝集処理を行い、続いてアニオン系高分子凝集剤を添加して、攪拌を続け、フロックを巨大化させて第２の凝集処理を行」う点
　
２−２−５．相違点の検討
　（１）相違点１について
　上記摘示事項（１−４）には「・・凝集処理の前に濃縮水のｐＨを好ましくは約４以上、より好ましくは７前後に調整を行ってもよいが、ｐＨ調整の必要が無い場合も多い。」と記載されており、引用発明では、処理される濃縮水のｐＨが、薬剤添加による凝集処理の前に調整されることは明らかである。　
　また、引用発明ではこのｐＨの調整後に「カチオン基を有する高分子凝集剤を添加」し、「アニオン系高分子凝集剤を添加」するものであるから、このｐＨ調整は、それら薬剤の添加による上記摘示事項（１−８）（１−９）に記載される発生スラッジ量の減量化という効果をより適切に得られるようにするものであることも明らかである。
　そして、上記「ｐＨ調整の必要が無い場合も多い」は、文字通り「ｐＨ調整の必要が無い場合も多い」の意味であって、「ｐＨを好ましくは約４以上」であればよいのだから、上記「ｐＨ調整の必要が無い場合も多い」を、回答書において請求人が主張するような「ｐＨ調整する場合は、ｐＨ７前後、すなわち、本願発明のｐＨ３〜５から外れた範囲に調整することを、薦めている記載」とまでは考えがたい。
　そうであれば、引用発明では、処理される濃縮水のｐＨが事実として「約４」とされて一致しているのであるから、引用発明において、発生スラッジ量の減量化という効果をより適切に得られるようにするために、「カチオン基を有する高分子凝集剤」と「アニオン系高分子凝集剤」の添加に対応させて凝集処理の前の濃縮水のｐＨを３〜５に調整することに格別の困難性は見いだせない。　
　
　（２）相違点２、３について
　引用例２には、上記摘示事項（２−１）より、「シリコンウェーハの製造加工工程で発生するシリコン粉を含む廃水を上澄み液と沈殿とに分離するシリコン加工廃水の処理方法において、該廃水に有機カチオン凝集剤を添加し、更に高分子凝集剤を添加することによりシリコンを凝集沈殿・分離させることを特徴とするシリコン加工廃水の処理方法。」が記載されている。
　そして「シリコンウェーハの製造加工工程で発生するシリコン粉を含む廃水」は、上記摘示事項（２−２）に「集積回路など大部分の半導体基板はシリコンの単体から製造されている。その製造に際しては・・粒径０．１〜１００μｍのシリコンの切削粉を含む冷却加工廃水が発生する。同様に、シリコン基板の研磨工程・・においてもシリコンの微粒粉を含む廃水が発生する」と記載されることから、「シリコン基板の研磨工程」で「発生するシリコン粉を含む廃水」といえる。
　そして、「シリコン基板の研磨工程」ではＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）工程が多く利用され、当該工程で「発生するシリコン粉を含む廃水」は「シリコンを凝集沈殿・分離させる」ことを要するから、「コロイダルシリカ含有水」と言い得るものである。　
　すると引用例２には、コロイダルシリカ含有水を上澄み液と沈殿とに分離する処理方法において、該コロイダルシリカ含有水に有機カチオン凝集剤を添加し、更に高分子凝集剤を添加することによりシリコンを凝集沈殿・分離させる処理方法が記載されていると言えるものであり、これは引用発明と共通する技術手段と言える。
　ところで、引用発明は、「カチオン基を有する高分子凝集剤を添加して１５０ｒｐｍで撹拌を続けてフロックを形成させて第１の凝集処理を行い、続いてアニオン系高分子凝集剤を添加して、攪拌を続け、フロックを巨大化させて第２の凝集処理を行」うものであるが、「第１の凝集処理」は「カチオン基を有する高分子凝集剤を添加」しているから、引用例２の「有機カチオン凝集剤を添加」する工程に対応し、「第２の凝集処理」は「続いてアニオン系高分子凝集剤を添加」しているから、引用例２の「更に高分子凝集剤を添加する」工程に対応すると言える。
　そこで、引用例２の上記摘示事項（２−３）を参照すると、「本発明に用いる有機カチオン凝集剤４は、廃水中で、マイナスに帯電し互いに反発し合っているシリコン粒子のゼ−タ電位を低下させ、シリコンの凝集した小フロックを形成するものである」と記載されている。
　ここで「ゼータ電位」についてみると、例えば、特開平２００１−２６２４９８号公報の【0024】には「一般に、ゼータ電位とは微粒子における界面動電位をさす。表面に電荷を有する粒子が存在する際、周囲には粒子表面に比較的強く結びついているイオン層と、静電気力とランダムな熱運動との平衡で成立する外層との電気二重層が存在し、粒子が移動する際、それをとりまくイオン層の内部層も一体となり媒体中を移動するが、ゼータ電位とはこの移動体の表面電荷のことを示すものである」と記載され、特開平１０−３０３１７１号公報の【0023】には「・・・ゼータ電位とは、液中での固体表面の電位であり、このゼータ電位が絶対値で減少しているということは、付着力が小さくなることを示している」と記載され、特開２００１−０４８５４９号公報の【0004】には「・・・蟻酸メチルは、水および／または塩基との反応を通して、マイナスに帯電したシリカを、ゲル化が誘発される程度まで中和させる。つまりゼータ電位をほぼゼロまで下げる。（ゼータ電位とは、帯電したコロイド粒子を囲むイオンの拡散層前後の電位差であり・・・マイナスまたはプラスのゼータ電位は、粒子間の多少の反発を示す。ここで使用される“ゲル化”という用語は、コロイド状シリカ粒子が、少量の間入性液体と共に３次元網状構造を形成することを意味する。このような３次元網状構造の存在は一般的に、分散液が概ね非流動性になるとき、例えば、室温で固体様の挙動を示すようになるときに、示される。）」と記載されるように、「ゼータ電位」とは、大略液体中に分散する粒子の電位と考えることができ、ゼータ電位の絶対値が大きければ粒子間で反発力が大きく粒子の分散性が高くなり、ゼータ電位の絶対値が小さければ粒子は凝集（ゲル化）しやすくなるものであることは技術常識といえる。　
　すなわち、上記の引用例２の上記摘示事項（２−３）の「有機カチオン凝集剤４は、廃水中で、マイナスに帯電し互いに反発し合っているシリコン粒子のゼ−タ電位を低下させ、シリコンの凝集した小フロックを形成する」は、「有機カチオン凝集剤」の添加によって「廃水中で、マイナスに帯電し互いに反発し合っているシリコン粒子」の「荷電」の絶対値が「低下」させられて電気的に中和され、その結果として「シリコンの凝集した小フロックを形成する」ものであって、シリカ微粒子が分散した状態であるコロイド状態が解消されて小規模なフロックが出来ていることを意味するから、これは「コロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊した」ものということができる。
　したがって、引用例２の「有機カチオン凝集剤を添加」して「シリコンの凝集した小フロックを形成」する工程に対応する引用発明の「カチオン基を有する高分子凝集剤を添加して１５０ｒｐｍで撹拌を続けてフロックを形成させて第１の凝集処理」においても、「コロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊した」ものと言い得る。
　ところで、引用発明は「カチオン基を有する高分子凝集剤を添加して１５０ｒｐｍで撹拌を続けてフロックを形成させ」るものであり「１６０〜５００ｒｐｍの撹拌下」にカチオン性有機物の水溶液を添加するものではない。　
　しかし、ｉ）「撹拌」しつつ「添加」しても、「添加」後に撹拌しても、「撹拌」することにかわりはなく、本願明細書の記載からは、「撹拌」しつつ「添加」することの、「添加」後に「撹拌」することに対する有意な効果も見いだせないから、引用発明において「撹拌」しつつ「添加」するようにすることに何らの困難性もなく、ｉｉ）引用発明のカチオン基を有する高分子凝集剤を添加して「１５０ｒｐｍで撹拌を続けてフロックを形成させ」ることも、上記のように「コロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊」するものである以上、「１５０ｒｐｍ」を「１６０〜５００ｒｐｍ」とすることは「カチオン基を有する高分子凝集剤」の濃度、添加量、「コロイダルシリカ含有水」の温度、粘度、ｐＨ等の種々の条件によって適宜採用し得る程度のことに過ぎない。　
　さらに、引用例２の上記摘示事項（２−４）を参照すると、「高分子凝集剤８は廃水中のシリコンの小フロックを凝集、沈降させるもので、例えば非イオン凝集剤、または弱アニオン凝集剤が用いられる。」と記載されており、これは、「有機カチオン凝集剤」の添加に続いて「非イオン凝集剤」（「ノニオン性凝集剤」といえる）または「弱アニオン凝集剤」（「アニオン性凝集剤」といえる）である「高分子凝集剤」を添加することで、「有機カチオン凝集剤」の添加によって「コロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊」した後にできている小規模なフロックを凝集、沈降させることを意味するから、これは「コロイド状態を破壊した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理する」ことに相当するといえる。
　したがって、引用例２の「更に高分子凝集剤を添加する」ことで「シリコンの小フロックを凝集、沈降させる工程」に対応する引用発明の「続いてアニオン系高分子凝集剤を添加して、攪拌を続け、フロックを巨大化させて第２の凝集処理」においても、「コロイド状態を破壊した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理する」ものと言い得る。　
　そして、上記各相違点に基づく効果について検討するに、
　引用発明の実施例である「実施例３」と上記摘示事項（１−７）に記載される「比較例１」とでは、「第１の凝集処理」において、前者が「カチオン基を有する高分子凝集剤」を用いるのに対して、後者が「ＰＡＣ（ポリ塩化アルミニウム）」を用いる点で相違し、当該相違に基づき、上記摘示事項（１−８）（１−９）にあるように、スラッジ量（ml／500 ml）で前者が１１０、後者が２２０、スラッジ／ＴＳ比（L／TS−kg）で前者が４．４、後者が８．８と、「実施例３」では「比較例１」に比べて、「スラッジ量」及び「スラッジ／ＴＳ比」共に約半分前後に減量化されると言う効果が奏されていることが分かる。
　これは、本願補正発明において、「カチオン系高分子凝集剤」を用いる「実施例１」（本願明細書【0010】）の「スラッジ容積（原液換算％）」が２５容量％であるのに対して、「ポリ塩化アルミニウム」を用いる「比較例４」（本願明細書【0011】）の「スラッジ容積（原液換算％）」が６０容量％であって、「実施例１」は「比較例４」に比べて「スラッジ容積（原液換算％）」が約半分以下に減量化されると言う効果が奏されていることに対応し、このことから引用発明において本願補正発明とほぼ同様の効果が奏されていると言い得るものであり、上記各相違点に基づく効果も引用例１，２の記載から想定される範囲のことと言うべきである。
　
　以上から、本願補正発明１は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本願補正発明２について検討するまでもなく、本件補正が特許請求の範囲の限定的減縮に相当するものであったとしても、なお、特許出願の際独立して特許を受けることができないので本件補正は却下すべきものである
　
３．本願発明について
３−１．本願発明
　平成１９年１１月１日付けの明細書の記載に係る手続補正書は前記「２．」のとおり却下されたので、本願の請求項１、２に係る発明は、平成１９年８月１３日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載される事項によって特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりのものである。
 「【請求項１】コロイダルシリカ含有水を、カチオン性有機物を添加したのち、アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理し、次いで固液分離するコロイダルシリカ含有水の処理方法において、コロイダルシリカ含有水のｐＨを３〜５に調整し、濃度０.３ｇ／Ｌ以下のカチオン性有機物の水溶液を撹拌下に添加することにより、コロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊することを特徴とするコロイダルシリカ含有水の処理方法。」
　
３−２．刊行物の記載と引用発明
　上記「２−２−２．刊行物の記載」の（１）に引用例１について、（２）に引用例２について記載のとおりである。
　引用発明は「２−２−３．引用例１に記載の発明　ｖ）」に記載のとおりである。
　
３−３．本願発明と引用発明との対比
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明１において
　ｉ）「１６０〜５００ｒｐｍの撹拌下に」とされていた事項を、撹拌速度の特定を削除して単に「撹拌下に」と拡張し、
　ｉｉ）「カチオン性有機物の水溶液を撹拌下に添加することにより、コロイダルシリカの微粒子が帯電している負の荷電を中和してコロイド状態を破壊する」と「カチオン性有機物を添加したのち、アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理」とより、文章の整理のために記載されていた「コロイド状態を破壊した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理する」の「した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理する」を削除するもので、
　ｉｉ）の点では本願発明と本願補正発明１とは特定事項の技術的な意味に差異はないから、結局のところ、本願発明は撹拌速度の特定を削除して本願補正発明１を拡張した発明と言える。
　
　すると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに撹拌速度を「１６０〜５００ｒｐｍの撹拌下に」と限定し、文章の整理のために「コロイド状態を破壊した後に、前記アニオン性又はノニオン性高分子凝集剤を添加して凝集処理する」を付加した本願補正発明１が上記「２．」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載される技術手段にに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、本願補正発明１と同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例１に記載された発明、引用例２に記載された技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。