【事件の表示】
　平成　６年特許願第１３５２１９号「ウェハからチップを個別化する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　３月１７日出願公開、特開平　７−　７４１３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年５月２５日（パリ条約による優先権主張１９９３年５月２７日、ドイツ国）の出願であって、平成１５年９月１２日に拒絶理由が通知され、平成１５年１２月１５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１６年６月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１０月１４日付けで明細書を補正対象とする手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成１６年１０月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年１０月１４日付けの手続補正を却下する。
　［補正却下の決定の理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項２は、
「ウェハのチップを備えている側からチップ間にトレンチをエッチングし、次にチップを載せている材料をチップが個別化されるまで除去するようにしたウェハからチップを個別化する方法において、
　ウェハとしてＳＯＩ基板（１）を使用し、チップ（３）をこのＳＯＩ基板のシリコン層内に形成し、ＳＯＩ基板の絶縁層（２）まで達するトレンチ（７）をチップ間にエッチングし、
　トレンチ（７）を絶縁層（２）と同じ材料からなる充填材（８）で満たし、絶縁層（２）のチップに面していない側にあるＳＯＩ基板（１）をこの絶縁層まで除去し、
　しかる後チップが個別化されるように絶縁層（２）並びに充填材（８）を選択的エッチングにより除去することを特徴とするウェハからチップを個別化する方法。」と補正された。
（２）そこで、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するか否かを検討するに、平成１５年１２月１５日付けの手続補正書によって補正された補正前の特許請求の範囲の請求項２は、「不活性化層（５）の材料がＳｉＮであることを特徴とする請求項１記載の方法。」であって、補正前の請求項２は不活性化層の材料をＳｉＮと特定しているものである。してみると、不活性化層の材料をＳｉＮと特定していない補正後の請求項２に記載された発明は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、補正前の特許請求の範囲の請求項１と比較しても、補正前の特許請求の範囲の請求項１の発明特定事項である「不活性化層（５）」、及び「スペーサ（６）」に関し、補正後の請求項２に記載された発明は、それらの発明特定事項を含んでいない。すなわち、補正後の請求項２に記載された発明は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。そして、上記補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とするものとも認められない。
（３）以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。　
　
３．原査定の理由についての判断
（１）平成１６年１０月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明は、平成１５年１２月１５日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「ウェハのチップを備えている側からチップ間にトレンチをエッチングし、次にチップを載せている材料をチップが個別化されるまで除去するようにしたウェハからチップを個別化する方法において、
　ウェハとしてＳＯＩ基板（１）を使用し、チップ（３）をこのＳＯＩ基板のシリコン層内に形成し、ＳＯＩ基板の絶縁層（２）まで達するトレンチ（７）をチップ間にエッチングし、
　エッチング後チップの露出表面を、絶縁層（２）の材料の選択的なエッチングを可能とする不活性化層（５）で覆い、その際トレンチ（７）は不活性化層（５）で満たさないようにし、
　更にトレンチの側面にスペーサ（６）を設け、
　しかる後チップが個別化されるように絶縁層（２）を選択的エッチングにより除去することを特徴とするウェハからチップを個別化する方法。」（以下、「本件発明」という。）
（２）引用例の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である１９９１年１２月１０日にアメリカで頒布された「米国特許第５０７１７９２号明細書」（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
ア　「図２０−２２に示される発明の５番目の実施例によると、半導体の構造は、薄い表面ウェハ層８１の下に絶縁体層８９を有しており、この表面ウェハ層８１には、その表面８５に集積回路８３が設けられている（図２０）。この実施例では、絶縁体層は、好ましくはリンのようなエッチング加速剤を注入されている。４番目の実施例と同様に、不動態化したオーバーコート層９２、ウェハ層８１を貫通して酸化物層８９まで達する溝パタ−ン９３が形成され、これによりウェハ層８１は酸化物層８９に分割される（図２１）。
　次に、図２２に示されるように、窒化珪素のような抗酸化物エッチング層９９が、図２１で示される構造体の上に選択的に形成される。それは不動態化層９２と側壁９６の両方を覆うことにより、効果的にそれぞれのダイス９４を包み込む。窒化層９９は、溝パターンの床部分９８は覆わないように選択的に形成される。これにより、絶縁体層は露出している。その後、構造体は、濃ＨＦ溶液のような酸化物エッチング溶液に浸され、溝パターンの床部分９８により露出した酸化物層８９をエッチングすることにより、酸化物層８９を除去し、複数のダイス９４は、支持物質９１から分離される。なぜなら、酸化物層８９はリンのような不純物を注入されているので、ＨＦのエッチング液により容易に取り除かれるためである。」（引用例の第６欄第４８行−第７欄第９行。）
イ　ここで、「支持物質９１とウェハ層８１との間に絶縁体層８９を設けた」ものは、全体として基板、すなわち、ウェハを構成するものである。
　以上アの記載事項、及びイの認定事項から、図面の図２０−２２を参照することにより、引用例には以下の発明が記載されている。
「ウェハのダイス９４を備えている側からダイス９４間に溝パターン９３を形成し、次にダイス９４を載せている絶縁体層８９をダイス９４が個別化されるまで除去するようにしたウェハからダイス９４を個別化する方法において、
　ウェハとして支持物質９１とウェハ層８１との間に絶縁体層８９を設けた基板を使用し、ダイス９４をこの基板のウェハ層８１内に形成し、基板の絶縁体層８９まで達する溝パターン９３をダイス９４間に形成し、
　溝パターン９３形成後ダイス９４の露出表面を、絶縁体層８９の材料の選択的なエッチングを可能とする抗酸化物エッチング層９９で覆い、その際ダイス９４の上部とダイス９４の側壁９６は抗酸化物エッチング層９９で覆うものの、溝パターン９３の床部分９８は抗酸化物エッチング層９９で覆わないようにし、
　しかる後ダイス９４が個別化されるように絶縁体層８９を選択的エッチングにより除去する、ウェハからダイス９４を個別化する方法。」（以下、「引用発明」という。）
（３）対比
　本件発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ダイス９４」、「溝パターン９３」、「絶縁体層８９」は、それぞれ本件発明の「チップ」、「トレンチ」、「絶縁層」に相当する。また、引用発明の「抗酸化物エッチング層９９」は、選択的エッチングに対してダイス９４を保護する層であることから、「抗酸化物エッチング層９９のダイス９４上部の部分」は本件発明の「不活性化層」に相当し、また、「抗酸化物エッチング層９９の側壁９６上の部分」は、本件発明の「スペーサ」に相当する。さらに、引用発明の「支持物質９１とウェハ層８１との間に絶縁体層８９を設けた基板」は、「間に絶縁層を介在させた基板」という限りにおいて、本件発明の「ＳＯＩ基板」と共通する。そして、引用発明の「ウェハ層８１」は、チップに相当するダイス９４を形成されていることから、本件発明の「シリコン層」と共通であり、これを「チップ形成層」とする。以上の点から、本件発明と引用発明とは、以下の一致点、及び相違点を有する。
一致点
「ウェハのチップを備えている側からチップ間にトレンチを形成し、次にチップを載せている材料をチップが個別化されるまで除去するようにしたウェハからチップを個別化する方法において、
　ウェハとして間に絶縁層を介在させた基板を使用し、チップをこの基板のチップ形成層内に形成し、基板の絶縁層まで達するトレンチをチップ間に形成し、
　トレンチ形成後チップの露出表面を、絶縁層の材料の選択的なエッチングを可能とする不活性化層及びトレンチの側面のスペーサで覆い、
　しかる後チップが個別化されるように絶縁層を選択的エッチングにより除去することを特徴とするウェハからチップを個別化する方法。」
相違点
［相違点１］
　ウェハとして、本件発明では、「ＳＯＩ基板を用い、チップはＳＯＩ基板のシリコン層内に形成している」のに対し、引用発明では、絶縁体層８９の上に設けられているチップ形成層を、単に「ウェハ層８１」としているだけで、絶縁体層８９の上に設けられている材料に関して不明な点。
［相違点２］
　トレンチを設ける手段として、本件発明では「エッチング」によるものと特定しているのに対し、引用発明では単に「溝パターンを形成する」としているだけで、どのような手段でトレンチに相当する溝パターンを形成するのか不明な点。
［相違点３］
　絶縁層の材料の選択的なエッチングを可能とする層を形成するに際し、本件発明では、「チップの露出表面を、不活性化層で覆い、その際トレンチは不活性化層で満たさないようにし、更にトレンチの側面にスペーサを設ける」と二段階工程で形成しているのに対し、引用発明では、単に、「溝パターン９３の床部分９８は抗酸化物エッチング層９９で覆わないようにしてダイス９４の露出表面を抗酸化物エッチング層９９で覆う」としているだけで、具体的にどのようにして抗酸化物エッチング層９９を形成しているのか不明な点。
（４）判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　間に絶縁層を介在させたウェハとしてＳＯＩ基板は周知の技術であり、また、チップ等の集積回路を形成する層としてシリコン層は通常用いられるものであることから、引用発明においても、絶縁体層８９の上のウェハ層８１をシリコン層とし、基板を全体としてＳＯＩ基板とすることは、当業者が適宜採用する設計的事項である。
［相違点２］について
　ウェハにトレンチ、すなわち、溝を設ける手段としてエッチングを用いることは従来周知の技術（例えば、特開平２−１６２７５０号公報には、ウェーハ上に異方性エッチングで溝を形成する点について記載されている。また、特開平２−１９２７５３号公報には、その図面の第１図乃至第３図において、エッチングによりウェハに溝を形成する点について記載されている。）であることから、引用発明においても、その溝パターンをエッチングで形成するようにすることに、格別の困難性はない。
［相違点３］について
　一般に半導体装置の製造において、ウェハ上に形成された突出部の側面のみを層で覆うのに、異方エッチングを用いることは従来周知の技術である。（例えば、特開平３−２３６４３号公報には、その明細書第３頁左下欄第１１行−右下欄第２行及び図面の第２図（ｅ）に、異方エッチングによりチップの側面のみに膜、すなわち、層を設ける点について記載されている。また、特開平３−２９０９３３号公報には、その明細書第３頁右上欄第１６−１９行及び図面の第２図（ｃ）に、ＷＳｉ２膜５の側壁にのみサイドウォール７、すなわち、層を形成する点について記載されている。さらに、特開平３−１２０８３７号公報の第５頁右下欄第１０−１３行には、スペーシングストリップ、すなわち、側壁の層の形成に異方エッチングを用いる点について記載されている。）してみると、引用発明において、抗酸化物エッチング層９９を設けるに際し、ダイス９４の側壁９６上の部分は異方エッチングにより形成することは、上記周知技術を採用することにより、当業者が容易になし得たものである。また、ダイス９４の溝パターン９３を除く上部については通常の被覆で形成すればよい。すなわち、本件発明の用語で言い換えると、トレンチの側面にスペーサを設けることと、チップのトレンチ以外の部分については不活性化層で覆うようにすることとを別の工程で行うことは、当業者が容易になし得たものである。
　なお、本件発明では、トレンチ以外の部分を不活性化層で先に覆い、「更に」、すなわち、その後、トレンチの側面にスペーサを設けているが、不活性化層の形成とスペーサの形成をその順番で形成したことによる効果は特に見当たらないことから、不活性化層の形成を先に行い、更にスペーサを設けたという２つの層の形成順序の点については、単なる製造工程上の微差に過ぎないものである。
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明、並びに上記周知技術、通常の被覆技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。