【事件の表示】
　特願２００３−　２５４８１「セラミック基板の設計方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１７日出願公開、特開２００３−２９７６６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成５年１２月２４日に出願した特願平５−３４７６５５号の一部を平成１５年２月３日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年７月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月６日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年１０月６日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「セラミック基板上にメッキ処理により形成された薄膜コンデンサ用下部電極を用いた薄膜コンデンサを有するセラミック基板の設計方法であって、
　上記メッキ処理により形成された薄膜コンデンサ用下部電極の必要メッキ厚みＹ(μｍ)を、上記セラミック基板の薄膜コンデンサ形成面に存在する空孔の最大ポア径Ｘ(μｍ)と、Ｙ≧１．１√Ｘの関係を有する厚みとする下部電極の厚み設計工程を含むことを特徴とするセラミック基板の設計方法。」
　
第３　刊行物に記載された発明
　原審の平成１８年３月２７日付け拒絶理由通知に引用された特開平１−２０６６１４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「コンデンサの製造法」（発明の名称）に関して、第１図〜第５図とともに以下の点が記載されている。
「［実施例］
　以下、この発明の一実施例を別紙添付図面に従って詳述する。第１図（ａ）（ｂ）に於て符号（１０）はアルミナ等を焼成して形成したセラミック白基板を示し、このセラミック白基板（１０）へ無電解の化学メッキでニッケル被膜（１１）を施し、これを電極として銅の電気メッキにて所定の厚み（１０〜１００μｍ）を有する導電層（１２）を設け、第２図（ａ）（ｂ）の如くエッチングにより表面へ第１の電極（１３）を形成する。そして、第３図（ａ）（ｂ）の如く、表面の所定部分に高純度（９９．９％）の酸化アルミ（Ａｌ２Ｏ３）をスパッタリングして数μｍの誘電体の薄膜（１４）を設ける。更に、銅の電気メッキにて両面に導電層を設け、第４図（ａ）（ｂ）に示す如く、エッチングによって前記表面へ第２の電極（１５）を設けた後、必要に応じて表面に樹脂コート等の絶縁被膜を施して腐食を防止する。斯くして、第５図に示すようなチップコンデンサ（１６）が形成されるのである。」（第２頁右上欄第５行〜左下欄第２行）
　以上の記載から、刊行物１には、「アルミナ等を焼成して形成したセラミック白基板（１０）へ無電解の化学メッキでニッケル被膜（１１）を施し、これを電極として銅の電気メッキにて所定の厚み（１０〜１００μｍ）を有する導電層（１２）を設け、エッチングにより表面へ第１の電極（１３）を形成し、数μｍの誘電体の薄膜（１４）を設け、銅の電気メッキにて両面に導電層を設け、エッチングによって第２の電極（１５）を設けたチップコンデンサ（１６）」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
第４　本願発明と引用発明との対比・判断
　１　本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「アルミナ等を焼成して形成したセラミック白基板（１０）」、「第１の電極（１３）」は、それぞれ本願発明の「セラミック基板」、「下部電極」に相当し、引用発明の「チップコンデンサ（１６）」は、メッキによる第１の電極（１３）、数μｍの誘電体の薄膜（１４）、及びメッキによる第２の電極（１５）から形成されているので、本願発明の「薄膜コンデンサ」に相当する。
　ゆえに、両者は、
「セラミック基板上にメッキ処理により形成された薄膜コンデンサ用下部電極を用いた薄膜コンデンサ。」で一致し、以下の点において相違する。
　【相違点１】本願発明は、「薄膜コンデンサを有するセラミック基板の設計方法であって、上記メッキ処理により形成された薄膜コンデンサ用下部電極の必要メッキ厚みＹ(μｍ)を、上記セラミック基板の薄膜コンデンサ形成面に存在する空孔の最大ポア径Ｘ(μｍ)と、Ｙ≧１．１√Ｘの関係を有する厚みとする下部電極の厚み設計工程を含むことを特徴とするセラミック基板の設計方法」であるのに対して、引用発明は、「無電解の化学メッキでニッケル被膜（１１）を施し、これを電極として銅の電気メッキにて所定の厚み（１０〜１００μｍ）を有する導電層（１２）を設け、エッチングにより表面へ第１の電極（１３）を形成し」ている点。
　
　２　当審の判断
　【相違点１】について、以下に検討する。
　（１）本願発明の「上記メッキ処理により形成された薄膜コンデンサ用下部電極の必要メッキ厚みＹ(μｍ)を、上記セラミック基板の薄膜コンデンサ形成面に存在する空孔の最大ポア径Ｘ(μｍ)と、Ｙ≧１．１√Ｘの関係を有する厚みとする下部電極の厚み」との記載では、下部電極のメッキ厚みＹに上限がないので、最大ポア径Ｘの測定及び１．１√Ｘを計算することなく、下部電極のメッキ厚みＹを短絡などを生じない充分な厚みに設定することも、本願発明に含まれる。
　（２）そして、本願明細書の【００１７】に「・・・基板における最大ポア径は、９２％アルミナが２０μｍ、９９．５％アルミナが５μｍ、ガラスセラミックが３μｍ、ＡｌＮが５０μｍであった。」と記載されているので、引用発明の「アルミナ等を焼成して形成したセラミック白基板（１０）」の空孔の最大ポア径Ｘ(μｍ)は、９２％アルミナとすれば２０μｍ、仮にＡｌＮとしても最大５０μｍ程度である。この空孔の最大ポア径Ｘを用いて、１．１√Ｘを計算すると、下部電極の必要メッキ厚みＹは、４．９μｍ，７．８μｍとなる。
　（３）これに対して、引用発明は、「無電解の化学メッキでニッケル被膜（１１）を施し、これを電極として銅の電気メッキにて所定の厚み（１０〜１００μｍ）を有する導電層（１２）を設け」ているので、第１の電極（下部電極）のメッキ厚みは、少なくとも１０μｍであり、前記（２）で求めた下部電極の必要メッキ厚みＹである４．９μｍ，７．８μｍを上回っている。
　（４）そうすると、引用発明の第１の電極（下部電極）のメッキ厚みが最低の１０μｍだとしても、「上記メッキ処理により形成された薄膜コンデンサ用下部電極の必要メッキ厚みＹ(μｍ)を、上記セラミック基板の薄膜コンデンサ形成面に存在する空孔の最大ポア径Ｘ(μｍ)と、Ｙ≧１．１√Ｘの関係を有する厚みとする下部電極の厚み」を満足し、本願発明の下部電極のメッキ厚みと一致する。
　（５）そして、引用発明においても、製造前には下部電極の厚みをどの程度にするかの設計工程が当然あったはずである。
　したがって、相違点１は、実質的には相違点ではなく、本願発明は、刊行物１に記載された発明である。
　（６）仮に、引用発明において、製造前には下部電極の厚みをどの程度にするかの設計工程がないとしても、そのような設計工程を設けることは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　結び
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であり、又は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号、又は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。