【事件の表示】
　特願２００１−１５０２８３号「液処理装置および液処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月２９日出願公開、特開２００２−３４３７５９号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
 　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１３年５月２１日の特許出願であって、平成１９年４月１８日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年５月１５日）、これに対し、同年６月１４日に審判請求がなされ、同年７月１１日付けで手続補正がなされたものである。  
 　  
２．平成１９年７月１１日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年７月１１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。　  
 　  
［理由］  
(1)補正後の本願発明  
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前に
「基板を略水平に保持する保持手段と、
　前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けられたステージと、
　前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液を供給する処理液供給手段と、
　を具備し、
　前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液の層が形成されて前記基板が液処理される液処理装置であって、
　前記ステージは、母体が金属材料からなり、かつ、処理液と接触する表面が、前記基板の裏面との間隙に前記処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する樹脂からなることを特徴とする液処理装置。」
とあったものを、
「基板を略水平に保持する保持手段と、
　前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けられたステージと、
　前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液を供給する処理液供給手段と、
　を具備し、
　前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液の層が形成されて前記基板が液処理される液処理装置であって、
　前記ステージは、
金属材料からなる母材の表面に疎水性を有する樹脂からなるコーティング層が形成されてなり、前記コーティング層の表面が前記処理液と接触し、　前記コーティング層は、基板の裏面との間隙に前記処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する
　
(2)補正の目的
　上記補正は、「ステージは、母体が金属材料からなり、かつ、処理液と接触する表面が、前記基板の裏面との間隙に前記処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する樹脂からなる」とあったところを「ステージは、
金属材料からなる母材の表面に疎水性を有する樹脂からなるコーティング層が形成されてなり、前記コーティング層の表面が前記処理液と接触し、前記コーティング層は、基板の裏面との間隙に前記処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する
　
(3）独立特許要件
　そこで、本件補正の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。
(3-1)刊行物  
(3-1-1)原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−１３０２０２号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。 
a)「【産業上の利用分野】本発明は、被処理半導体基板を相対的に回転してその被処理面を処理液により処理する回転式半導体基板処理装置に関する。本発明は、例えば、半導体基板を洗浄処理液により洗浄処理する場合や、エッチング液によるエッチング処理する場合などの各種の液体による半導体基板処理の場合に適用することができる。」（段落【0001】）
b)「【発明の目的】本発明は、上記問題点を解決して、処理液が被処理面の全面に良好に行き渡る回転式半導体基板処理装置を提供することを目的とする。また、処理温度を均一とし、及び／または均一処理を可能とする構成にすることが可能な回転式半導体基板処理装置を提供することを目的とする。」（段落【0011】）
c)「実施例１
この実施例は、本発明を、基本的には半導体基板の洗浄処理装置として具体化したものであるが、同じ構造をエッチング用の処理装置としても用いることができる。
　従来の洗浄処理技術は、一般的な枚葉式スピン洗浄機キャリアにセットされた半導体基板を一枚ずつ処理チャンバーに搬送し、半導体基板を水平に保ったまま回転させ、半導体基板の上部・下部もしくは、その両方から洗浄処理液を供給し洗浄を行い、洗浄が終了すると洗浄処理液と同様に純水リンス液等を供給する構成としてある。リンスが終了すると、半導体基板の乾燥を行うため半導体基板の回転数を高回転にして振りきり乾燥を行う。その後、処理室より取り出されキャリアに戻される。処理室は場合によって複数用意され、洗浄処理液の種類や乾燥などの処理により使い分けられる場合もある。更に、ひとつの処理室において複数の処理液による処理を連続して行う場合もある。
　本実施例は、上記のような従来の構成に対して、半導体基板に洗浄処理液やリンス液等の
処理液を
供給して半導体基板に
接触させる
　図１を参照する。図１に示すように、本実施例は、被処理半導体基板１を相対的に回転してその被処理面（ここでは基板１の上面及び下面の両面）を処理液（ここでは薬液や、純水等のリンス液である洗浄処理液）により処理する回転式半導体基板処理装置（洗浄装置）であって、回転する
半導体基板
下部に処理液供給口
のある処理液ガイド
３
下部処理液ガイド）を配置
　このように本実施例は、半導体基板１の両面を被処理面とするものである。
　また本実施例では、その処理液ガイド２，３から乾燥用ガスを流出し得る構成としたものである。
　更に詳しくは、本実施例では、図１のように、ウエーハキャリアから搬送されてきた半導体基板１（ウエーハ）は洗浄処理室の半導体基板の保持具４（ウエーハ保持具）にセットされる。ここで、保持具４の保持方法や接触部分の形状及び数などは任意であり、特に規定するものではない。
　この
保持具４は
半導体基板１を保持した
　ここでは、
半導体基板１が水平に置かれ
　更に、半導体基板１と不都合が起こるような接触が無い限りは、上部洗浄処理液ガイド２や下部洗浄処理液ガイド３と半導体基板１の間隔は自由に設定でき、必ずしも半導体基板１に対して完全に平行である必要はなく、間隔や角度は処理中に変化させても差支えない。また、上部洗浄処理液ガイド２、下部洗浄処理液ガイド３の形状や大きさは任意であり、特に限定はない。
　必要な回転数まで達した後、
洗浄用の処理液５，５′
下部薬液ガイド３
から供給されると洗浄処理液５，５′は半導体基板１と
下部洗浄処理液ガイド３の間に満たされ
　ここでは必要な回転数まで回転が達したときに洗浄処理液５，５′が供給される構成としたが、供給のタイミングには限定はない。また、処理液供給は、上部洗浄処理液ガイド２もしくは下部洗浄処理液ガイド３の中心一カ所に限定するものではなく、複数の部分から供給してもよい。処理中（洗浄中）の回転数は一定でなくてもよく、回転速度を規定するものではない。」（段落【0020】ないし【0031】）
d)「【発明の効果】上述したように、本発明によれば、
処理液が被処理面の全面に良好に行き渡る
e)上記摘記事項cと【図1】との記載によると、
処理液５′を下部洗浄処理液ガイド３の処理液供給口から供給する処理液供給手段を備え
下部洗浄処理液ガイド３は、上表面が洗浄用の処理液５′と接触している
　上記記載事項及び図面の記載事項を総合勘案すると、刊行物１には、次の発明が記載されている。  
「半導体基板１を水平に保持する保持具４と、
　保持具４に保持された半導体基板１の下部に配置された下部処理液ガイド３と、
　保持具４に保持された半導体基板１と下部洗浄処理液ガイド３との間に洗浄処理液５’を下部処理液ガイド３の処理液供給口から供給する処理液供給手段とを備え、
　保持具４に保持された半導体基板１と下部洗浄処理液ガイド３との間に洗浄処理液５’が満たされ、半導体基板１に処理液を接触させる半導体基板処理装置であって、
　下部処理液ガイド３は、上表面が洗浄処理液５’と接触し、下部処理液ガイド３の上表面は、半導体基板１との間に洗浄処理液５’が満され、洗浄処理液５’が被処理面の全面に良好に行き渡る半導体基板処理装置。」
(3-1-2)原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−９８３５１号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。 
a)「本発明は、処理液による被洗浄基板の表面処理に関するものである。」（第1頁左下欄第15、16行）　
b)「〔発明が解決しようとする問題点〕
　上記のマスク板のごとき一枚毎に表面処理を行う方法では、個々の一枚ごとに被処理基板を治具に保持固定して、それを手動によって処理液に侵漬するとか、更に侵漬の条件を均一にするために、被処理基体を常に回転をしなければ成らないことや、防塵上の不利、取扱いが複雑性、及び自動化が出来ないという問題点があり、そのために防塵、作業管理、作業能率、自動化推進上で不具合を生ずる。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明は上記問題点を解消した表面処理方法を提供するもので、その手段は、支持アームで両端を保持された被処理基板の両側面に平行に所定の間隙で耐薬品性板状体を配置し、上記耐薬品性板状体に設けた処理液注入孔から該間隙に所要の処理液を注入することにより、該間隙の処理液が該被処理基板と耐薬品性板状体間の表面張力で該被処理基板を濡らすことにより、上記被洗浄板の表面処理をするようにしたことを特徴とする表面処理方法によって達成できる。
〔作用〕
　本発明は、被処理基板を処理液が表面張力で基板表面に拡散するように間隙を有するように、対向して平行に耐薬品性処理容器を配置して、その間隙に所定の処理液を注入することにより表面張力によって被処理基板の全面を処理液が濡らすことになるために、静止状態で処理することでき、防塵、能率化、更に自動化も可能にする表面処理方法を考慮したものである。」（第2頁左上欄第18行ないし同左下欄第7行）
c)「〔実施例〕
　第１図は本発明の実施例を説明するための断面図である。
　被処理基体１は例えばガラス製のフォトマスクの如きものでもよく、この被処理基体１はテフロンの如き耐薬品性の材料で形成された支持アーム２によって両端で保持されている。
　
被処理基体１の両面に対向して
テフロン
で形成された耐薬品性板状体
４が
平行に配置され
間隙に処理液が注出入できるように、導水パイプ５が設けられている
　実施例として、被処理基体１がフォトマスクである場合の製造処理工程として、アルカリ液による現像工程、硝酸の水溶液によるエッチング工程、苛性ソーダの水溶液による剥離工程、最後に硫酸の水溶液による洗浄工程を例にとると、
被処理基体１のフォトマスクは、
支持機構２によって保持され、
導水パイプ５から注入される
間隙に注入され、注入された処理液は間隙の表面張力によって完全にフォトマスクｌを濡らすように処理液６として間隙に拡散する
　具体例として、この
間隙は約２〜３ｍｍ程度
　このように処理液は注入されて自動的に表面張力で基板を濡らすために、外部から異物が混入することがなく、又自動注入と排水をするだけでよいので、フォトマスクを回転するとか、振動を与えたりする必要がなくなり作業操作が容易になるので、自動化が容易に行えるという利点があり、又処理工程中に被洗浄体を機械的に傷めるなどの欠点もなくなる。」（第2頁左下欄第8行ないし第3頁左上欄第5行）
d)「〔発明の効果〕
　以上詳細に説明したように本発明の処理装置は効率的に洗浄が行えるのみ成らず、品質の向上、製造工程の自動化が可能となり、経済性のある生産に供し得るという効果大なるものがある。」（第3頁左上欄第6行ないし同第10行）
e)上記摘記事項cおよび第１図の記載によると、耐薬品性板状体４の表面が処理液と接触していることが示されている。
　上記記載事項及び図面の記載事項を総合勘案すると、刊行物２には、次の発明が記載されている。
「被処理基体１の下面に対向して平行に配置された耐薬品性板状体４と、
　支持機構２によって保持された被処理基体１の下面に対向して配置された耐薬品性板状体４との間隙に処理液を導水パイプ５から注入する手段と、
を備える表面処理装置であって、
　耐薬品性板状体４は、テフロン（登録商標、以下同様。）で形成され、耐薬品性板状体４の表面が処理液と接触し、
　耐薬品性板状体４と被処理基体１との２〜３ｍｍ程度の間隙の処理液が表面張力によって完全に被処理基体１を濡らすように間隙に拡散する表面処理装置。」
　
(3-2)対比  
　本件補正発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。  
　刊行物１に記載された発明の「半導体基板１」は、その構成および作用からみて本件補正発明の「基板」に相当し、以下同様に、
　「保持具４」は「保持手段」に、
　「下部処理液ガイド３」は、半導体基板１の下部に水平に配置されるものであることから、「基板の下方に略水平に設けられたステージ」に、
　「洗浄処理液５’を下部処理液ガイド３の処理液供給口から供給する処理液供給手段」は「処理液供給手段」に、
　「半導体基板１と下部処理液ガイド３との間に洗浄処理液５’が満たされ、」「半導体基板１に処理液を接触させる」「半導体基板処理装置」は「処理液の層が形成されて」「基板が液処理される」「液処理装置」に、
それぞれ相当する。
　そして、刊行物１に記載された発明の「下部処理液ガイド３は、上表面が洗浄処理液５’と接触（すること）」と本件補正発明の「ステージは、金属材料からなる母材の表面に疎水性を有する樹脂からなるコーティング層が形成されてなり、コーティング層の表面が処理液と接触（すること）」とは、「ステージは、表面が処理液と接触（すること）」である点で共通する。
　次に、刊行物１に記載された発明の「下部処理液ガイド３の上表面は、半導体基板１との間に洗浄処理液５’が満され、洗浄処理液５’が被処理面の全面に良好に行き渡る（こと）」と本件補正発明の「コーティング層は、基板の裏面との間隙に前記処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する（こと）」とを比較する。
　刊行物１に記載された発明においては、下部処理液ガイド３の上表面と半導体基板１との間に満たされた洗浄処理液５’の層は、被処理面の周辺部にまで良好に行き渡ることから、洗浄処理液５’は下部処理液ガイド３の上表面と半導体基板１との間に安定して満たされているものといえる。
　したがって、両者は、「ステージの表面は、基板の裏面との間隙に処理液の層が安定して形成される（こと）」で共通する。
　ゆえに、上記両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
［一致点］  
「基板を略水平に保持する保持手段と、
　前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けられたステージと、
　前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液を供給する処理液供給手段と、
　を具備し、
　前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液の層が形成されて前記基板が液処理される液処理装置であって、
　ステージは、表面が処理液と接触し、
　ステージの表面と基板の裏面との間隙に処理液の層が安定して形成される液処理装置。」
［相違点］ 
　ステージについて、本件補正発明では、金属材料からなる母材の表面に疎水性を有する樹脂からなるコーティング層が形成されてなり、コーティング層の表面が処理液と接触し、コーティング層は、基板の裏面との間隙に処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有するのに対して、刊行物１に記載された発明では、ステージは、表面が処理液と接触し、ステージの表面と基板の裏面との間隙に処理液の層が安定して形成される点。
　
(3-3)当審の判断
　本件補正発明と刊行物２に記載された発明とを対比する。
　刊行物２に記載された発明の「被処理基体１」は、その構成および作用からみて、本件補正発明の「基板」に相当し、以下同様に、
　「下面に対向して平行に配置された」「耐薬品性板状体４」は「下方に略水平に設けられた」「ステージ」に、
　「支持機構２」は「保持手段」に、
　「被処理基体１の下面に対向して配置された耐薬品性板状体４との間隙に処理液を導水パイプ５から注入する手段」は「基板の裏面とステージの表面との間隙に処理液を供給する処理液供給手段」に、
　「表面処理装置」は「液処理装置」に、
それぞれ相当する。
　そして、刊行物２に記載された発明の「テフロンで形成され、耐薬品性板状体４の表面が処理液と接触（すること）」と本件補正発明の「金属材料からなる母材の表面に疎水性を有する樹脂からなるコーティング層が形成されてなり、前記コーティング層の表面が前記処理液と接触（すること）」とは、刊行物２に記載された発明の「テフロン」が「疎水性を有する樹脂」であることから、両者は、「疎水性を有する樹脂から形成され、表面が処理液と接触（すること）」で共通する。
　また、刊行物２に記載された発明の「耐薬品性板状体４と被処理基体１との２〜３ｍｍ程度の間隙の処理液が表面張力によって完全に被処理基体１を濡らすように間隙に拡散する（こと）」と本件補正発明の「コーティング層は、基板の裏面との間隙に処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する（こと）」とは、刊行物２に記載された発明の「耐薬品性板状体４」は、耐薬品性板状体４と被処理基体１の２〜３ｍｍ程度の間隙に形成される処理液の表面が被処理基体１を完全に濡らす程度の大きさの表面張力を有することから、表面張力の大きさに比例する耐薬品性板状体４表面の接触角の大きさも疎水性を示す程度のものといえ、また、本件補正発明のコーティング層は、ステージの一部を構成するものである。したがって、両者は、「ステージは、基板の裏面との間隙に処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する（こと）」で共通する。
　ゆえに、刊行物２に記載された発明は、
「基板の下方に略水平に設けられたステージと、
　保持手段によって保持された
基板の裏面とステージの表面との間隙に処理液を供給する処理液供給手段と、
を備える液処理装置であって、
　ステージは、疎水性を有する樹脂から形成され、表面が処理液と接触し、
　基板の裏面との間隙に処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する液処理装置。」
と言い換えることができる。
　そして、刊行物１および２に記載された発明は、ステージの表面と基板の裏面との間隙に処理液の層が安定して形成される液処理装置という共通の技術分野に属する発明であるとともに、基板に処理液を全面に行き渡らせるという機能面においても共通するものである。
　さらに、基板の液処理装置の技術分野において、金属であるステンレスからなる母材の表面に疎水性を有するフッ素樹脂からなるコーティング層が形成された部材を液処理装置内で用いることは、本願出願前周知の技術事項である（例えば、特開２０００−７０８８４号公報の段落【0002】、【0003】、【0034】や、特開２０００−３４０５４０号公報の段落【0042】、【0043】に記載された基板保持部材２０、抑え具４９や、特開平９−１６２１５２号公報の段落【0055】参照。）。
　したがって、刊行物１に記載された発明のステージに刊行物２に記載された発明および上記周知の技術事項を適用して、上記相違点における本件補正発明が具備する構成に到達することは、当業者が容易になし得たものである。
　また、本件補正発明の奏する効果についてみても、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項により奏される効果の範囲内のものである。 
　ゆえに、本件補正発明は、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に想到し得たものである。 
　よって、本件補正発明は、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　  
 　  
(3-4)むすび  
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条の規定により却下すべきものである。  
 　  
３．本願発明について  
(1)本願発明  
　平成１９年７月１１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年１２月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであり、前記「２．［理由］(1)」の補正前の請求項１に記載されたとおりのものである。
 　  
(2)刊行物  
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物１および２、刊行物１および２の記載事項、および、刊行物１および２に記載された発明は、前記「２．［理由］(3)(3-1)刊行物」に記載したとおりである。 
　
(3)対比および判断  
　本願発明は、前記「２．［理由］」で検討した本件補正発明において、「ステージは、
金属材料からなる母材の表面に疎水性を有する樹脂からなるコーティング層が形成されてなり、前記コーティング層の表面が前記処理液と接触し、前記コーティング層は、基板の裏面との間隙に前記処理液の層が安定して形成される程度の疎水性を有する
　そうすると、実質的に本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「２．［理由］(3)(3-2)対比および(3-3)当審の判断」に記載したとおり、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、刊行物１および２に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　
(4)むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１および刊行物２に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　
　よって、結論のとおり審決する。