【事件の表示】
　特願２００３−　３９１５６「薄膜太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月　９日出願公開、特開２００４−２５３４１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１５年２月１８日の特許出願であって、平成２０年６月１３日付けで手続補正がなされたところ、同年７月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２０年６月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「電気絶縁性を有する基板の表面に第１電極層，非単結晶の光電変換層，第２電極層を積層してなり、前記光電変換層は、真空の反応室内で高周波電極に電力を印加し、原料ガスのグロー放電分解を行なうプラズマＣＶＤ法によって製膜する薄膜太陽電池の製造方法において、
　光電変換層中のSiH2結合の水素量とSiH結合の水素量の比（SiH2/SiH）が０．３以下となる製膜条件を予め求め、前記０．３以下を満足たす製膜条件の下で、前記製膜中に高周波電極に生ずるピークツーピーク電圧を３００Ｖ以下として製膜し、さらに、前記光電変換層の製膜速度は、少なくとも１５nm／分とすることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−５０２６８号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】融点が２９０℃以下の基体上に形成されたアモルファスシリコン膜であって、明導電率が５×１０-6Ｓ／ｃｍ以上であることを特徴とするアモルファスシリコン膜。
・・・
【請求項４】基体がプラスチックであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のアモルファスシリコン膜。
・・・
【請求項６】アモルファスシリコン膜中のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合の比が０．０５以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載のアモルファスシリコン膜。
【請求項７】３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の範囲の超短波を用いて、水素化シリコンガスを含むガスをプラズマ分解することにより、基体上にアモルファスシリコン膜を形成することを特徴とするアモルファスシリコン膜の製造方法。
【請求項８】１７０℃以下に保たれた基体上にアモルファスシリコン膜を形成することを特徴とする請求項７記載のアモルファスシリコン膜の製造方法。
・・・
【請求項１１】水素化シリコンガスを含むガスが、水素化シリコンガス単体、または水素、ヘリウム、アルゴンの群から選ばれた少なくとも一種と水素化シリコンガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項７記載のアモルファスシリコン膜の製造方法。
・・・
【請求項１４】酸化物からなる透明導電膜が形成された基体上に７０ｎｍ以下のドーピングされたシリコン系半導体膜を介してノンドープのアモルファスシリコン膜を形成することを特徴とする請求項７記載のアモルファスシリコン膜の製造方法。
【請求項１５】酸化物からなる透明導電膜が酸化錫ドープ酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛またはこれらの積層体であることを特徴とする請求項１４記載の半導体膜の製造方法。」
　
（２）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基体上に形成されて、太陽電池、薄膜トランジスタ、イメージセンサなどに、ｐ型半導体層やｎ型半導体層などと積層することにより用いられる真性半導体アモルファスシリコン膜およびその製造方法に関するものである。
・・・
【０００６】太陽電池においては光を素子内に導くために透明導電膜が利用され、基体上に透明導電膜、ダイオード、背面電極がこの順に積層される。透明導電膜としては、薄膜形状で低抵抗化できるＩＴＯ（酸化錫ドープ酸化インジウム）、酸化錫、酸化亜鉛などの酸化物膜が使用されている。
・・・
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、融点の低い基体上に形成されながら高い明導電率をもつアモルファスシリコン膜とその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は以下の構成および製造方法により達成される。
【００１０】すなわち、融点が２９０℃以下の基体上に形成されたアモルファスシリコン膜であって、明導電率が５×１０-6Ｓ／ｃｍ以上であることを特徴とするアモルファスシリコン膜および、３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の周波数の超短波を用いて、水素化シリコンガスを含むガスをプラズマ分解することにより、基体上にアモルファスシリコン膜を形成することを特徴とするアモルファスシリコン膜の製造方法である。
【００１１】本発明にかかるアモルファスシリコン膜は、明導電率が５×１０-6Ｓ／ｃｍ以上であることが重要である。明導電率とは、ソーラーシミュレーターによるＡＭ−１  １００ｍＷ／ｃｍ2 の光を膜に垂直に入射させた状態での導電率のことを指し、膜に全く光が当たらない状態での導電率である暗導電率と対比されるものである。この明導電率が５×１０-6Ｓ／ｃｍ未満となると、太陽電池に用いた場合の変換効率が低くなったり、薄膜トランジスタに用いた場合、高速動作しなくなるので、実用的なものは得られない。さらに好ましくは、５×１０-5Ｓ／ｃｍ以上である。明導電率および暗導電率は、例えば、直流２端子法という方法で測定される。
・・・
【００１３】また、アモルファスシリコン膜中のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合の比が０．０５以下であることが好ましい。さらには、ＳｉＨ2 結合が測定限界しか存在しないのが好ましい。この比が０．０５より大きくなると、太陽電池に用いた場合、光劣化により変換効率が大きく下がりやすく好ましくない。この比は、例えば、赤外分光法により反射スペクトルまたは吸収スペクトルを測定し、その面積比を求めるなどの方法により測定される。
【００１４】次に、本発明にかかるアモルファスシリコン膜の製造方法について説明する。すなわち、３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の周波数の超短波を用いて、水素化シリコンガスを含むガスをプラズマ分解することにより、基体上にアモルファスシリコン膜を形成する方法である。
【００１５】ここで、プラズマ分解に用いる電源の周波数が、３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下であることが重要である。３０ＭＨｚ未満の周波数の超短波を電源に用いて膜形成を行った場合、プラズマの電子密度があまり高くならないため、堆積速度が小さくなるということと、基体のセルフバイアスが大きくなるため、プラズマダメージにより膜の明導電率が小さくなるということがある。３００ＭＨｚを越える周波数の超短波を電源に用いた場合、電極と電源の整合が困難になったり、大面積に均一の厚みの膜を形成するのが困難になったり、効率的にプラズマを維持するのが困難になったりする。さらには、周波数５０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以下の周波数の超短波を用いるのがより好ましい。
【００１６】３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の周波数の超短波を用いることによって、基体の温度を１７０℃以下に保っておいても、明導電率の高い、高品質のアモルファスシリコン膜をその基体上に形成できる。そのため、プラスチック材料などの融点が低く耐熱性が低い材料の基体上にも、高品質のアモルファスシリコン膜を形成することができる。具体的には、融点が２９０℃以下の基体、さらには融点が２４０℃以下の基体上にも、容易に明導電率の高い膜を形成することができる。
・・・
【００１８】基体としては、プラスチック材料、金属材料、セラミックス材料、珪酸ガラス、石英、シリコンなどを用いることができる。これらの内、可撓性基体としては、プラスチック材料、金属材料、一部のセラミックス材料などを用いることができる。」
　
（３）「【００２２】太陽電池用途で基体が透明な場合には、基体上にまず透明導電膜を形成し、この上にｐ型もしくはｎ型のドーピングされたシリコン系半導体膜を形成し、次いでノンドープのアモルファスシリコン膜、透明導電膜直上のシリコン系半導体膜とは反対の型のドーピングされたシリコン系半導体膜がこの順に積層されｐｉｎ型ダイオードを構成する。シリコン系半導体膜としては、アモルファスシリコンなどのＳｉの他に、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＳｉＡｌ、ＳｉＧａ、ＳｉＳ、ＳｉＳｎなどがあげられるが、ノンドープのアモルファスシリコン膜をもつ太陽電池には、アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜、ＳｉＣ膜が好適に採用される。透明導電膜としては高透明性で低抵抗化できるＩＴＯ、酸化錫、弗素ドープ酸化錫、酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化アルミニウムなどの酸化物が好ましく採用される。・・・本発明によれば高品質のアモルファスシリコン膜を低基体温度で形成することができ、酸化物透明導電膜の抵抗値の増大や透明性の低下を抑えることができる。本発明の超短波によるプラズマ分解はプラズマの電位が小さいために、更に透明導電膜がプラズマから受けるダメージを小さくでき、透明導電膜の特性劣化抑制に効果が大きい。」
　
（４）「【００２３】膜形成装置としては、例えば、平行平板の容量結合型のプラズマＣＶＤ装置を用いることができる。分解に用いる超短波の電力はカソード面積で除した超短波の電力が８０ｍＷ／ｃｍ2 以上、１Ｗ／ｃｍ2 以下の範囲であることが好ましい。１Ｗ／ｃｍ2 より大きなエネルギーで分解をおこなうと、プラズマダメージにより膜の明導電率が小さくなったり、暗導電率が大きくなったりすることがある。超短波の電力は０．５Ｗ／ｃｍ2 以下であることがより好ましい。超短波の電力が８０ｍＷ／ｃｍ2 以上であることはアモルファスシリコン膜中のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合との比を０．０５以下にするために効果があり好ましい。超短波の電力を８０ｍＷ／ｃｍ2 以上にすることは、基体の温度が１７０℃以下、超短波の周波数が１００ＭＨｚ以下、水素ガス流量／水素化シリコンガス流量の値が３．５以下などの制約下で、アモルファスシリコン膜を形成する場合にＳｉＨ2結合とＳｉＨ結合との比を０．０５以下にするために特に効果が大きい。水素ガス流量／水素化シリコンガス流量の比を大きくすることは、アモルファスシリコン膜のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合との比を小さくするためには好ましいが、一方成膜速度を小さくして生産性が悪くなる問題がある。またプラズマＣＶＤ装置の電極構造（アースと電極および配線間の静電容量、電極面積など）によって、電極に投入できる超短波の周波数上限が１００ＭＨｚ以下に制約されることがある。
【００２４】電極基体間距離は８ｍｍ以上８０ｍｍ以下が好ましい。８ｍｍ未満になると、プラズマダメージにより膜の明導電率が小さくなったり、暗導電率が大きくなったりすることがあり、８０ｍｍより長くなると、放電が困難になったり、堆積速度が小さくなることがあり、実用上不利になることがある。膜形成時の装置内の圧力は、０．０１Ｔｏｒｒ以上５Ｔｏｒｒ以下に保つのが好ましい。０．０１Ｔｏｒｒ未満では、放電が困難になったり、堆積速度が小さくなることがあり、実用上不利になることがある。５Ｔｏｒｒより高くなると、膜の明導電率が小さくなったり、暗導電率が大きくなったりすることがある。
【００２５】分解に用いられる水素化シリコンガスを含むガスとしては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 などの水素化シリコンガスを単独で、あるいは、これらの水素化シリコンガスと、水素、ヘリウム、アルゴンなどの他の気体との混合ガスを用いることができる。
【００２６】水素化シリコンガスの標準状態体積換算での流量をａとし、水素ガスの標準状態体積換算での流量をｂとし、ヘリウムガスの標準状態体積換算での流量をｃとし、アルゴンガスの標準状態体積換算での流量をｄとすると、ガスの混合比は、それぞれ、ａ／ｂ≧０．０１、ａ／ｃ≧０．０１、ａ／ｄ≧０．０１であるのが好ましい。ａ／ｂ＜０．０１、ａ／ｃ＜０．０１またはａ／ｄ＜０．０１となると、膜が結晶化したり、堆積速度が小さくなることがあり、実用上不利になることがある。
【００２７】本発明にかかるアモルファスシリコン膜および本発明によって製造されたアモルファスシリコン膜は、真性半導体アモルファスシリコン膜であり、基体上に形成され、ｐ型半導体層やｎ型半導体層などと積層することにより太陽電池、薄膜トランジスタ、イメージセンサなどに用いられる。」
　
（５）「【００２８】
【実施例】
・・・
【００３１】実施例１
膜形成装置としては、電極面積が４００ｃｍ2 平行平板の容量結合型のプラズマＣＶＤ装置を用いた。電極基板間距離を３０ｍｍとし、放電時の圧力を０．３Ｔｏｒｒとし、ガス流量をＳｉＨ4 ２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 １２５ｓｃｃｍとした。超短波の周波数を１３０ＭＨｚとし、電力１５Ｗでプラズマを発生させた。基板に、バリウム硼珪酸ガラス（融点１１６０℃）を用い、基板温度１７０℃で、膜形成を行った。時間１０分で膜厚６００ｎｍの膜を形成した。この膜の明導電率と暗導電率を測定したところ、それぞれ６×１０-5Ｓ／ｃｍ、３×１０-11 Ｓ／ｃｍであり、明暗導電率比は２．０×１０6 であった。膜中のＳｉＨ2 結合の数とＳｉＨ結合の数の比は、０．０１未満であった。
【００３２】実施例２
膜形成装置としては、電極面積が４００ｃｍ2 平行平板の容量結合型のプラズマＣＶＤ装置を用いた。電極基板間距離を２８ｍｍとし、放電時の圧力を０．５Ｔｏｒｒとし、ガス流量をＳｉＨ4 ２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 １００ｓｃｃｍとした。超短波の周波数を８０ＭＨｚとし、電力２０Ｗでプラズマを発生させた。基板に、バリウム硼珪酸ガラス（融点１１６０℃）を用い、基板温度１５０℃で、膜形成を行った。時間１０分で膜厚５５０ｎｍの膜を形成した。この膜の明導電率と暗導電率を測定したところ、それぞれ７×１０-5Ｓ／ｃｍ、４×１０-11 Ｓ／ｃｍであり、明暗導電率比は１．８×１０6 であった。膜中のＳｉＨ2 結合の数とＳｉＨ結合の数の比は、０．０１未満であった。」
　
（６）「【００４４】
・・・
実施例１６
バリウム硼珪酸ガラス（融点１１６０℃）の上に４００ｎｍのＩＴＯ膜が形成されたものを基板とした。実施例１と同様のプラズマＣＶＤ装置を用い、電極基体間距離を３０ｍｍ、放電時の圧力を０．４Ｔｏｒｒ、ガス流量をＳｉＨ4 ２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ８０ｓｃｃｍ、Ｂ2 Ｈ6 ０．５％−Ｈ2 １００ｓｃｃｍ、超短波の周波数を７０ＭＨｚ、電力を４０Ｗでプラズマを発生させた。基体温度１５０℃でボロンがドーピングされた厚さ１５ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成した。次いで、同じ装置の同じ仕様の別チャンバを用いて、電極基板間距離を３０ｍｍ、放電時の圧力を０．５Ｔｏｒｒ、ガス流量をＳｉＨ4 ５０ｓｃｃｍ、Ｈ2２００ｓｃｃｍ、超短波の周波数を７０ＭＨｚとし、超短波の電力を４０Ｗとしてプラズマを発生させて、該ボロンがドーピングされたアモルファスシリコン膜上に、基板温度１５０℃で、厚さ５００ｎｍのノンドープのアモルファスシリコン膜を形成した。次いで、同じ装置の同じ仕様の別チャンバを用いて、電極基板間距離を３０ｍｍ、放電時の圧力を０．４Ｔｏｒｒ、ガス流量をＳｉＨ4 ２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ８０ｓｃｃｍ、ＰＨ3 １％−Ｈ2 １００ｓｃｃｍ、超短波の周波数を７０ＭＨｚとし、超短波の電力を４０Ｗとしてプラズマを発生させて、該ノンドープのアモルファスシリコン膜上に、基板温度１５０℃で、厚さ３０ｎｍのリンがドーピングされたアモルファスシリコン膜を形成した。該リンがドーピングされたアモルファスシリコン膜上に真空蒸着法によって厚さ２００ｎｍで１０ｍｍ角のアルミニウム膜を形成した。かくして得られた太陽電池にＡＭ−１光を１００ｍＷ／ｃｍ2 の強さで照射しつつ電圧−電流特性を測定したところ、エネルギー変換効率は６．２％で良好であった。」
　
（７）上記（２）の段落【０００１】、【０００６】、上記（３）の段落【００２２】、上記（６）の実施例１６の記載を勘案すると、引用刊行物には、アモルファスシリコン膜の製造方法をその一工程として含み、基体上に透明導電膜、ｐｉｎ型ダイオード、背面電極をこの順に積層する、太陽電池の製造方法が記載されていると認められる。
　
（８）したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「プラスチックである基体上にまず透明導電膜を形成し、この上にｐ型もしくはｎ型のドーピングされたシリコン系半導体膜を形成し、次いでノンドープのアモルファスシリコン膜、透明導電膜直上のシリコン系半導体膜とは反対の型のドーピングされたシリコン系半導体膜がこの順に積層されｐｉｎ型ダイオードを構成し、該ｐｉｎ型ダイオード上に背面電極を積層する、太陽電池の製造方法であって、
　膜形成装置としてプラズマＣＶＤ装置を用い、３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の範囲の超短波を用いて、水素化シリコンガスを含むガスをプラズマ分解することにより、基体上に上記アモルファスシリコン膜を形成する方法を含み、
　アモルファスシリコン膜中のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合の比を０．０５以下にする、
　太陽電池の製造方法。」
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「太陽電池の製造方法」は、「アモルファスシリコン膜」を備える太陽電池の製造方法であるから、本願発明の「薄膜太陽電池の製造方法」に相当する。
　
（２）引用発明の「プラスチックである基体」、「透明導電膜」及び「背面電極」は、それぞれ、本願発明の「電気絶縁性を有する基板」、「第１電極層」及び「第２電極層」に相当する。
　
（３）引用発明の「アモルファスシリコン膜」は、太陽電池のｐｉｎ型ダイオードを構成するものであるから、本願発明の「非単結晶の光電変換層」に相当する。
　
（４）引用発明は、「膜形成装置としてプラズマＣＶＤ装置を用い、３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の範囲の超短波を用いて、水素化シリコンガスを含むガスをプラズマ分解することにより、基体上に上記アモルファスシリコン膜を形成する方法を含」むところ、プラズマＣＶＤ装置における膜形成が、真空の反応室内で高周波電極に電力を印加して行われることは明らかであるから、引用発明は、本願発明の「前記光電変換層は、真空の反応室内で高周波電極に電力を印加し、原料ガスのグロー放電分解を行なうプラズマＣＶＤ法によって製膜する」との特定事項を備える。
　
　したがって、両者は、
「電気絶縁性を有する基板の表面に第１電極層，非単結晶の光電変換層，第２電極層を積層してなり、前記光電変換層は、真空の反応室内で高周波電極に電力を印加し、原料ガスのグロー放電分解を行なうプラズマＣＶＤ法によって製膜する薄膜太陽電池の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点
［相違点１］
　「光電変換層中のSiH2結合の水素量とSiH結合の水素量の比（SiH2/SiH）が０．３以下となる製膜条件を予め求め、前記所定値以下を満足たす製膜条件の下で成膜する」との特定事項を備えるのに対して、引用発明はそのような事項を備えていない点。
　
［相違点２］
 　本願発明は、「前記製膜中に高周波電極に生ずるピークツーピーク電圧を３００Ｖ以下として製膜し」との特定事項を備えるのに対して、引用発明は、「製膜中に高周波電極に生ずるピークツーピーク電圧」の値が不明である点。
　
［相違点３］
　本願発明は、「前記光電変換層の製膜速度は、少なくとも１５nm／分とする」との特定事項を備えるのに対して、引用発明はその製膜速度が不明である点。
　
　
５　判断
　上記相違点について検討する。
　
（１）［相違点１］について
ア　本願明細書には、「光電変換層中のSiH2結合の水素量とSiH結合の水素量の比（SiH2/SiH）が０．３以下となる製膜条件を予め求め、前記所定値以下を満足たす製膜条件の下で成膜する」ことについて、以下の記載がある。
　
（ア）「【００１８】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するため、この発明においては、(1)ＳｉＨ２／ＳｉＨ結合比と(2)イオンダメージの二点に着眼し、それぞれ独立に変化させて最適化の指針を得た。詳細は後述するが、まず、イオンダメージが問題にならない低速条件で温度を変化させた製膜を行い、ＳｉＨ２／ＳｉＨ結合比に関する指針を得た。低温化に伴い、ＳｉＨ２／ＳｉＨ結合比が増加するため、ａ−Ｓｉセルの特性と合わせて純粋にＳｉＨ２／ＳｉＨ結合比に関する指針が得られた。」（審決注：(1)、(2)は原文では丸囲い数字である。）、
（イ）「【００２１】
上記において、前記（ＳｉＨ２／ＳｉＨ）が０．３以下となる製膜条件は、諸製膜条件に関して予備的実験を行い予め求めておく製膜条件である。・・・」、
（ウ）「【００２２】
なお、前記比（ＳｉＨ２／ＳｉＨ）は、計測限界があるものの、限りなく低いほどよい。」、
（エ）「【００３２】
図３は、光照射２００時間後の安定化効率（％）を膜中ＳｉＨ２／ＳｉＨ比に対してプロットしたものである。２種類の希釈条件でほぼ同じ傾向を示し、ＳｉＨ２／ＳｉＨ比が０．２〜０．３を超えると安定化効率が急激に低下していることが分かる。この結果から、ＳｉＨ２／ＳｉＨを０．３以下に抑えれば、変換効率の低下を低く抑えることができ、０．２以下にすることがさらに好ましいと考えられる。」、
（オ）「【００３８】
同じシリーズの膜を、前記図１に示す構成のａ−ＳｉＧｅ太陽電池（セル面積１ｃｍ２）に適用し、２００時間の光照射試験を行った。ｉ層膜厚はａ−Ｓｉ／ａ−ＳｉＧｅタンデムのボトムセルに適用することを想定し１１０ｎｍと薄くした。図７は光照射２００時間後の赤色フィルター光下（カットオン波長６５０ｎｍ）の安定化効率を膜中ＳｉＨ２／ＳｉＨ比に対してプロットしたものである。２種類の希釈条件でほぼ同じ傾向を示し、ＳｉＨ２／ＳｉＨ比が０．２〜０．３を超えると安定化効率が急激に低下していることが分かる。この結果から、ＳｉＨ２／ＳｉＨを０．３以下に抑えれば、変換効率の低下を低く抑えることができ、０．２以下にすることがさらに好ましいと考えられる。」
　
　以上によれば、本願明細書には、所定の条件下においてプラズマＣＶＤ方によってａ−Ｓｉ太陽電池又はａ−ＳｉＧｅ太陽電池の光電変換層を成膜する際に、図３乃至図７に照らして、光電変換層中のSiH2結合の水素量とSiH結合の水素量の比（SiH2/SiH）が大きくなると安定化効率が低下するとの知見を得、変換効率の低下を低く抑えることができるように、その上限として０．３という値を定めたものと解される。
　
　イ　一方、引用刊行物には、「アモルファスシリコン膜中のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合の比」について、上記３（２）及び（４）に示したとおり、以下の記載がある。
　
「【００１３】また、アモルファスシリコン膜中のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合の比が０．０５以下であることが好ましい。さらには、ＳｉＨ2 結合が測定限界しか存在しないのが好ましい。この比が０．０５より大きくなると、太陽電池に用いた場合、光劣化により変換効率が大きく下がりやすく好ましくない。この比は、例えば、赤外分光法により反射スペクトルまたは吸収スペクトルを測定し、その面積比を求めるなどの方法により測定される。」、
「【００２３】・・・超短波の電力が８０ｍＷ／ｃｍ2 以上であることはアモルファスシリコン膜中のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合との比を０．０５以下にするために効果があり好ましい。超短波の電力を８０ｍＷ／ｃｍ2 以上にすることは、基体の温度が１７０℃以下、超短波の周波数が１００ＭＨｚ以下、水素ガス流量／水素化シリコンガス流量の値が３．５以下などの制約下で、アモルファスシリコン膜を形成する場合にＳｉＨ2結合とＳｉＨ結合との比を０．０５以下にするために特に効果が大きい。水素ガス流量／水素化シリコンガス流量の比を大きくすることは、アモルファスシリコン膜のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合との比を小さくするためには好ましいが、一方成膜速度を小さくして生産性が悪くなる問題がある。」
　
　以上の記載から、引用刊行物には、太陽電池に用いた場合のアモルファスシリコン膜の製膜に関して、光劣化により変換効率が大きく下がらない（すなわち、安定化効率が大きく低下しない）条件として、「アモルファスシリコン膜中のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合の比が０．０５以下」とすること、及び、超短波の電力などの製膜条件を上記条件が満たされるように予め求め、この求めた製膜条件下でアモルファスシリコン膜を成膜すること、が開示されていると認められる。
　してみると、引用発明において、太陽電池の安定化効率の低下を抑えるために光電変換層中のSiH2結合の水素量とSiH結合の水素量の比（SiH2/SiH）の比を０．０５以下と定め、これにより、引用発明において上記相違点１に係る本願発明の特定事項とすることは当業者が容易になし得ることであり、本願発明において前記比の値を「０．３以下」とすることに臨界的意義も認められない。
　
（２）［相違点２］について
　プラズマＣＶＤ法による製膜に際して、高周波電極に印加される高周波の電圧の値をどの程度とするかは当業者が適宜選択すべき設計的事項であるところ、製膜中に高周波電極に生ずるピークツーピーク電圧の値を３００Ｖ以下とすることは格別特異なものではない（例えば、特開平９−２６６２０１号公報の段落【０００５】、図４等参照。）から、引用発明において、製膜中の高周波電極に生ずるピークツーピーク電圧を３００Ｖ以下となし、本願の相違点２に係る特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（３）［相違点３」について
　上記３（４）に摘記したように、引用刊行物には、「水素ガス流量／水素化シリコンガス流量の比を大きくすることは、アモルファスシリコン膜のＳｉＨ2 結合とＳｉＨ結合との比を小さくするためには好ましいが、一方成膜速度を小さくして生産性が悪くなる問題がある。」（段落【００２３】）、「電極基体間距離は８ｍｍ以上８０ｍｍ以下が好ましい。８ｍｍ未満になると、プラズマダメージにより膜の明導電率が小さくなったり、暗導電率が大きくなったりすることがあり、８０ｍｍより長くなると、放電が困難になったり、堆積速度が小さくなることがあり、実用上不利になることがある。」（段落【００２４】）等の記載があり、生産性の観点から、アモルファスシリコン膜（光電変換層）の製膜速度を大きくすべきことが示されており、また、その実施例においても、上記３（６）に示したように「時間１０分で膜厚６００ｎｍの膜を形成した」と記載されている（実施例１）から、引用発明において、光電変換層の製膜速度を少なくとも１５nm／分とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明から予測し得る程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。  
　
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。