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　特願２００３−７５０３４「垂直磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月７日出願公開、特開２００４−２８１０１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１５年３月１９日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成２１年９月８日付けで手続補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものであると認める（以下、「本願発明」という。）。
　
「【請求項１】
　垂直磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）磁性材料で磁極層を形成する工程、
（ｂ）前記磁極層の両側部及び上部にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成される第１絶縁性材料層を設け、このとき前記磁性層の両側部における前記第１絶縁性材料層の膜厚を前記磁極層の膜厚より小さくする工程、
（ｃ）前記第１絶縁性材料層の上にシリカ（ＳｉＯ２）で形成される第２絶縁性材料層を積層する工程、
（ｄ）前記磁極層の上部にある、前記第２絶縁性材料層、前記第２絶縁性材料層を研磨することで露出する前記第１絶縁性材料層を研磨して前記磁極層の上面を露出させるとともに、前記磁極層の上面と前記磁極層の両側部にある前記第２絶縁材料層の上面と、前記磁極層の上面と前記第２絶縁材料層の上面との間に露出する前記第１絶縁材料層の上面とを同一面とする研磨工程を全て、酸性のスラリーを用いたＣＭＰにより行う工程、
（ｅ）前記磁極層の上または下にスパイラル状のコイル層または、前記磁極層を軸としてトロイダル状に巻回するコイル層を形成する工程、
　前記（ａ）工程の前、あるいは、前記（ｅ）工程の後に、
（ｆ）前記磁極層と第３絶縁性材料層を介して重なる、磁性材料からなるリターンパス層を形成する工程、
　を有し、
　前記第１絶縁性材料層と前記第２絶縁性材料層を、同一条件下で酸性のスラリーを用いてＣＭＰ研磨したときの、前記第２絶縁性材料層の研磨速度が前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さいことを特徴とする垂直磁気ヘッドの製造方法。」
　
　
２．引用例
（１）第１引用例
　これに対し、当審より平成２１年２月２日付けで通知した拒絶理由で引用した国際公開第００／７７７７７号パンフレット（以下、「第１引用例」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。なお、以下、引用例記載の下線は当審で付した。
　
（ａ）「本発明は、磁気ディスク駆動装置や磁気テープ駆動装置といった磁気記録媒体駆動装置に用いられる書き込み磁気ヘッドに関し、特に、下部磁極層と上部磁極層との間に、上部磁極層の表面から下部磁極層に向かって盛り上がる
上部副磁極層が形成される薄膜誘導書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法
　
（ｂ）「本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、平坦化処理を通じてできる限り均一な厚みや高さの素材を削り出すことが可能な薄膜ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。」（２頁１０行〜１２行）
　
（ｃ）「図４を併せて参照すると明らかなように、磁性コア３０は、浮上面２４に臨む上部磁極層３１と、同じく浮上面２４に臨む下部磁極層３２とを備える。上部磁極層３１と下部磁極層３２とは、導体コイルパターン２８の中心で互いに接続される。その一方で、浮上面２４に臨む上部磁極層３１および下部磁極層３２の先端では、
ギャップ層３３を挟んで上部磁極層３１と下部磁極層３２とが互いに対向する
　
（ｄ）「
上部磁極層３１や下部磁極層３２は例えばＮｉＦｅから構成され
　
（ｅ）「図５を参照し、
下部磁極層３２および上部磁極層３１の間では、下部磁極層３２の表面に第１の絶縁層４１が重ね合わされる。この第１絶縁層４１および上部磁極層３１の間では、第１絶縁層４１の表面に第２絶縁層４２が重ね合わされる。
第２絶縁層４２と上部磁極層３１の間には１平坦面４３が規定される。前述の導体コイルパターン２８はこの平坦面４３に沿って形成される
　ここで、第２絶縁層４２は、同一の研磨条件の下で第１絶縁層４１よりも研磨されにくい材料から形成される。こうした材料には、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２といった透明な無機系酸化物や、Ｓｉ３Ｎ４といった透明な無機系窒化物が用いられることが望ましい。こうした透明な材料が用いられれば、第１絶縁層４１や第２絶縁層４２の下層に設置される位置合わせマーカーが確実に読み取られることができるからである。（中略）
　本実施形態のように第１絶縁層４１にＡｌ２Ｏ３が用いられる場合には、第２絶縁層４２に０．０５μｍ〜１μｍ程度の厚みのＳｉ３Ｎ４が用いられればよい。同一の研磨条件の下でＡｌ２Ｏ３およびＳｉ３Ｎ４が同時に研磨されるとＳｉ３Ｎ４の５倍〜７倍程度の研磨速度でＡｌ２Ｏ３がは研磨される。すなわち、Ｓｉ３Ｎ４が所定の厚みに研磨される間にＡｌ２Ｏ３はその５倍〜７倍の厚みで研磨されることになる。ただし、第２絶縁層４２の研磨速度は少なくとも第１絶縁層４１の３分の１程度に設定されれば十分である。」（７頁４〜２３行）
　
（ｆ）「次に、上部副磁極３９の形成に焦点を当てつつ誘導書き込みヘッド素子２９の製造方法を詳述する。まず、図６に示されるように、
アルチック製ウェハー上に、下部磁極層３２が象られる第１素材層４５が形成され
　
第１素材層４５の表面には、ギャップ層３３が削り出されるギャップ素材層（図示せず）が積層された後、上部副磁極３９が象られる素材片４６が形成され
　素材片４６をマスクに用いてイオンミル処理が実施されると、図７Ａに示されるように、素材片４６の外形に象られた
ギャップ層３３および下部副磁極３８が削り出され
第１素材層４５から立ち上がる素材片４６、すなわち、下部磁極層３２から立ち上がる上部副磁極３９が形成される
　続いて図７Ｂに示されるように、
第１素材層４５の表面に第２素材層すなわちＡｌ
２
Ｏ
３
オーバーコート（第１絶縁層）４８が被覆され
　続いて図７Ｃに示されるように
、Ａｌ
２
Ｏ
３
オーバーコート４８の表面に、同一研磨条件の下でＡｌ
２
Ｏ
３
オーバーコート４８よりも研磨されにくい第３素材層すなわちＳｉ
３
Ｎ
４
オーバーコート（第２絶縁層）５１が積層される
　
その後、このＳｉ
３
Ｎ
４
オーバーコート５１の表面から平坦化処理が施される。素材片４６は膨らみ４９とともに先端から削り取られていき
Ａｌ
２
Ｏ
３
オーバーコート４８に埋もれた素材片４６すなわち上部副磁極３９は露出する
定盤の表面に埋め込まれた例えば微少なダイヤモンド砥粒の働きを通じて削り取られていく
　
（ｇ）「各
誘導書き込みヘッド素子２９
各誘導書き込みヘッド素子２９ごとに所定厚みのＡｌ
２
Ｏ
３
オーバーコート４８が残存すれば、Ａｌ
２
Ｏ
３
オーバーコート４８の表面で露出する上部副磁極３９の厚みはウェハー全体で均一化される
　こうして平坦化されたＳｉ３Ｎ４オーバーコート５１の表面には導電コイルパターン２８や上部磁極層１３が形成されていく。Ｓｉ３Ｎ４オーバーコート５１の表面で規定される平坦面４３に沿って導電コイルパターン２８が形成されることから、緻密で精度の高い導電コイルパターン２８が形成されることができる。」（９頁２行〜７行）
　
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、上記第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「上部副磁極層が形成される薄膜誘導書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法において、
　アルチック製ウェハー上に、下部磁極層が象られる第１素材層が形成され、
　前記第１素材層の表面には、ギャップ層が削り出されるギャップ素材層が積層された後、前記第１素材層から立ち上がる素材片、すなわち下部磁極層から立ち上がる上部副磁極が形成され、
　前記第１素材層の表面に第２素材層、すなわちＡｌ２Ｏ３オーバーコート（第１絶縁層）が被覆され、素材片はＡｌ２Ｏ３オーバーコートの表面から盛り上がる膨らみに埋もれ、
　Ａｌ２Ｏ３オーバーコートの表面に、同一研磨条件の下でＡｌ２Ｏ３オーバーコートよりも研磨されにくい第３素材層、すなわちＳｉ３Ｎ４オーバーコート（第２絶縁層）が積層され、
　その後、このＳｉ３Ｎ４オーバーコートの表面から平坦化処理が施され、素材片は膨らみとともに先端から削り取られていき、その結果、Ａｌ２Ｏ３オーバーコートに埋もれた素材片、すなわち上部副磁極は露出し、
　誘導書き込みヘッド素子ごとにＳｉ３Ｎ４オーバーコートで研磨を止まらせ、
　平坦化されたＳｉ３Ｎ４オーバーコートの表面には導電コイルパターンや上部磁極層が形成されていく、
　薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
（２）第２引用例
　同じく平成２１年２月２日付けで通知した拒絶理由で引用した特開２００２−１９７６１５号公報（以下、「第２引用例」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（ｈ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばハード面を有するディスクなどの記録媒体に対して垂直磁界を与えて記録を行う垂直磁気記録ヘッドに係り、特に記録パターンにフリンジングが発生するのを抑制すると共に主磁極層をパターン精度良く形成でき、且つヨーク層の膜厚を厚く形成でき、通過効率を向上させることが可能な
垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法
　
（ｉ）「【０００９】前記
コイル層８に通電されることにより補助磁極層４と主磁極層５とに記録磁界が誘導される
補助磁極層４の端面４ａと、主磁極層５の端面５ａとの間での漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード面Ｍａを垂直に通過し、ソフト面Ｍｂを通る
主磁極層５の端面５ａの対向部分で磁束Φが集中し、端面５ａが対向する部分での前記ハード面Ｍａに対し、前記磁束Φにより磁気データが記録される
　
（ｊ）「【００５１】前記コイル層２７および底上げ層３１は、レジスト材料などの有機材料の絶縁層３２で被覆されており、さらに絶縁層３３で覆われている。
【００５２】前記
絶縁層３３は無機絶縁材料で形成される
Ａｌ
2
Ｏ
3
、ＳｉＯ
2
、
　
（ｋ）「【００６５】なお前記
第２の絶縁層５６は無機絶縁材料で形成される
Ａｌ
2
Ｏ
3
、ＳｉＯ
2
　
（ｌ）「【０１１８】（５）図１ないし図５に示す実施形態のように主磁極層２４とヨーク層３５とを別々に形成する場合、主磁極層２４を前記ヨーク層３５よりも高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成することが可能である。」
　
（ｍ）「【０１２２】図１９に示す工程では、非磁性絶縁層１２上に
磁性材料製の補助磁極層２１を形成し
【０１２３】次に前記補助磁極層２１のハイト方向後方に、磁性材料製の接続層２５をメッキ形成し、さらに前記補助磁極層２１上面から接続層２５の上面にかけて無機絶縁材料をスパッタして非磁性絶縁層２６を形成する。
【０１２４】次に
図２０に示すように前記非磁性絶縁層２６の上にフレームメッキ法によりコイル層２７を形成
全ての層を覆う絶縁層３３を形成する
　
（ｎ）「【０１２７】ここまでが各実施形態において共通する製造工程である。次に図１に示す構造の
垂直磁気記録ヘッドの製造方法
【０１２８】図２２に示す工程では、まず
前記絶縁層３３の上面３３ａ、接続層２５の上面２５ａ、および底上げ層３１の上面３１ａの全体にレジスト層６０を形成し、露光現像により、主磁極層２４の抜きパターン６０ａを形成する
主磁極層２４が形成される
　
（ｏ）「【０１３１】また図１１および図１２の場合は、前記
主磁極層２４の周囲を無機絶縁材料の第２の絶縁層５６で覆った後、ＣＭＰ技術を用いて前記主磁極層２４の上面及び前記第２の絶縁層５６の上面を同一平坦化面に加工する
　
（３）第３引用例
　同じく平成２１年２月２日付けで通知した拒絶理由で引用した特開平１１−２３２６０９号公報（以下、「第３引用例」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（ｐ）「【００１５】その後、図１（ｄ）のように、レジスト膜２をウエットエッチングにより除去し、基板１上にアルミナ膜５が残る。さらに、図２（ａ）に示すように、基板１及びアルミナ膜５上に、パーマロイ膜６をパターニングして形成する。パターニング後のパーマロイ膜６は、アルミナ膜５の上部付近が盛り上がった形状となっている。また、上面から見ると、図３（ｂ）に示すように、パーマロイ膜６は、アルミナ膜５を横切る部分が細く帯状になっていて、帯状の部分から遠くなるにつれてしだいに拡がる形状にパターニングされている。
【００１６】そして、図２（ｂ）に示すように、全面に膜厚約０．１μｍとなるようにＳｉＯ２ 膜７を形成する。この時、上面から見れば、図３（ｃ）に示すようになっている。最後に、図２（ｃ）に示すように、
ＳｉＯ
２
膜７面からＣＭＰ（Chemical　Mechanical　Polishing　）により研磨し、表面を平坦化する
ＳｉＯ
２
膜７は研磨のストッパの役目をしている
　
　
３．対　比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　本願発明と引用発明とは、いずれも「磁気ヘッドの製造方法」に関する発明である点で一致する。
　引用発明は「第１素材層から立ち上がる素材片、すなわち下部磁極層３２から立ち上がる上部副磁極３９が形成され」るので、本願発明における「（ａ）磁性材料で磁極層を形成する工程」を備えている。
　引用発明における「第１素材層の表面に第２素材層すなわちＡｌ２Ｏ３オーバーコート（第１絶縁層）が被覆され、素材片はＡｌ２Ｏ３オーバーコートの表面から盛り上がる膨らみに埋もれ」との工程は、本願発明（ｂ）の「前記磁極層の両側部及び上部にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成される第１絶縁性材料層を設け」の工程を備えている。第２絶縁層形成後、研磨した際に、第２絶縁層が残った状態で上部副磁極層が露出するのであるから、本願発明の（ｂ）の「このとき前記磁性層の両側部における前記第１絶縁性材料層の膜厚を前記磁極層の膜厚より小さくする」点においても一致している。
　引用発明における「Ａｌ２Ｏ３オーバーコートの表面に、同一研磨条件の下でＡｌ２Ｏ３オーバーコートよりも研磨されにくい第３素材層、すなわちＳｉ３Ｎ４オーバーコート（第２絶縁層）が積層され」の工程は、本願発明の（ｃ）に記載された工程のうち、「前記第１絶縁性材料層の上に」「第２絶縁性材料層を積層する工程」の点で一致する。
　引用発明の「その後、このＳｉ３Ｎ４オーバーコートの表面から平坦化処理が施され、素材片は膨らみとともに先端から削り取られていき、その結果、
Ａｌ
２
Ｏ
３
オーバーコートに埋もれた素材片すなわち上部副磁極は露出し、
誘導書き込みヘッド素子
　引用発明の「平坦化されたＳｉ３Ｎ４オーバーコートの表面には導電コイルパターンや上部磁極層が形成されていく」工程は、本願発明の「（ｅ）前記磁極層の上または下にスパイラル状のコイル層または、前記磁極層を軸としてトロイダル状に巻回するコイル層を形成する工程」に相当する。
　引用発明では「アルチック製ウェハー上に、下部磁極層が象られる第１素材層が形成され、
　第１素材層の表面には、ギャップ層が削り出されるギャップ素材層が積層された後、第１素材層から立ち上がる素材片、すなわち下部磁極層から立ち上がる上部副磁極が形成され」るので、本願発明の、
「前記（ａ）工程の前に、
（ｆ）前記磁極層と第３絶縁性材料層を介して重なる、磁性材料からなる」「層を形成する工程」を備えている。
　引用発明は「Ａｌ２Ｏ３オーバーコートの表面に、同一研磨条件の下でＡｌ２Ｏ３オーバーコートよりも研磨されにくい第３素材層、すなわちＳｉ３Ｎ４オーバーコート（第２絶縁層）が積層され」るので、本願発明の「前記第１絶縁性材料層と前記第２絶縁性材料層を、同一条件下で」「研磨したときの、前記第２絶縁性材料層の研磨速度が前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さい」との要件を備えている。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　一致点
「磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）磁性材料で磁極層を形成する工程、
（ｂ）前記磁極層の両側部及び上部にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で形成される第１絶縁性材料層を設け、このとき前記磁性層の両側部における前記第１絶縁性材料層の膜厚を前記磁極層の膜厚より小さくする工程、
（ｃ）前記第１絶縁性材料層の上に形成される第２絶縁性材料層を積層する工程、
（ｄ）前記磁極層の上部にある、前記第２絶縁性材料層、前記第２絶縁性材料層を研磨することで露出する前記第１絶縁性材料層を研磨して前記磁極層の上面を露出させるとともに、前記磁極層の上面と前記磁極層の両側部にある前記第２絶縁材料層の上面と、前記磁極層の上面と前記第２絶縁材料層の上面との間に露出する前記第１絶縁材料層の上面とを同一面とする工程、
（ｅ）前記磁極層の上または下にスパイラル状のコイル層または、前記磁極層を軸としてトロイダル状に巻回するコイル層を形成する工程、
　前記（ａ）工程の前、あるいは、前記（ｅ）工程の後に、
（ｆ）前記磁極層と第３絶縁性材料層を介して重なる、磁性材料からなる層を形成する工程、
　を有し、
　前記第１絶縁性材料層と前記第２絶縁性材料層を、同一条件下でＣＭＰ研磨したときの、前記第２絶縁性材料層の研磨速度が前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さいことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。」
　
　一方、次の点で相違する。
　相違点
（１）本願発明は、「垂直磁気ヘッドの製造方法」であるのに対し、引用発明の磁気ヘッドは「垂直磁気ヘッド」ではなく、また、「リターンパス層」を形成するものでもない点。
（２）本願発明は、第２絶縁性材料を「シリカ（ＳｉＯ2）で形成される」と、また、研磨工程を「全て、酸性のスラリーを用いたＣＭＰにより行う」と特定し、「酸性のスラリーを用いてＣＭＰ研磨したときの、前記第２絶縁性材料層の研磨速度が前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さい」ことも特定しているのに対し、引用発明の「第２絶縁層」は、Ｓｉ３Ｎ４オーバーコートで、研磨工程をダイヤモンド砥粒を埋め込んだ定盤により行っている点。
　
　
４．判　断
　そこで、上記相違点について検討する。
（１）相違点（１）について
　垂直磁気記録方式は本願出願当時既に周知の記録方式であり、垂直磁気記録方式に用いられる「垂直磁気ヘッド」を、引用発明と同様、薄膜ヘッドとして構成することは、拒絶理由で引用した第２引用例に記載されているから、引用発明の製造方法を垂直磁気ヘッドに適用することは当業者が容易に想到しうることである。垂直磁気ヘッドでは、磁気媒体に記録するための磁束を発生する主磁極に対向して、補助磁極（本願発明のリターンパス層とは用語上相違するにすぎない）が設けられた構造となることも一般的であるから、引用発明の製造方法を垂直磁気ヘッドの製造方法に適用する際には、引用発明の下部磁極に代えて、垂直磁気ヘッドにおいて普通に存在する補助磁極（リターンパス層）を形成することは、当然の変更にすぎない。
　
（２）相違点（２）について
　ＣＭＰは周知の研磨加工方法であって、ＣＭＰにおいて「スラリーを用いる」ことも当然であるところ、第２引用例には、垂直磁気ヘッドにおいて、形成した層の平坦化加工方法として、ＣＭＰによることが記載されているから、引用発明の製造方法を垂直磁気ヘッドの製造方法に適用する際には、平坦化研磨処理の方法として「全て」「スラリー用いたＣＭＰ」により行うことは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　次に第２絶縁層に用いる材料について検討すると、第３引用例には、アルミナ膜５、パーマロイ膜６の上に、ＳｉＯ２膜を形成し、ＣＭＰにより研磨することで、ＳｉＯ２膜が「ストッパ」の役目を果たすことが記載されている。この記載からすると、ＳｉＯ２膜は、パーマロイ膜及びアルミナ膜の両者に対して、研磨速度が小さいものとして採用されていることが明らかであって、請求人が主張するように、第３引用例が、ＳｉＯ２膜とパーマロイ膜との研磨速度の関係のみを示したものと解することは妥当ではない。
　第１引用例には、第２絶縁層として用いる材料の候補として、引用発明において特定した、実施例に用いられているＳｉ３Ｎ４の他に、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３が記載されているから（上記（ｅ））、第１絶縁層にＡｌ２Ｏ３を用いた場合に、第２絶縁層としてＳｉ３Ｎ４以外の、わずか２とおりの候補について採用を試みる程度のことは当業者が適宜実施しうるものであり、また、第２引用例においても、主磁極層を取り囲む第２の絶縁層に用いられる無機絶縁材料として、ＳｉＯ２を用いることが記載されていることも併せて参酌すると、前記のとおり、第３引用例に、Ａｌ２Ｏ３膜とＳｉＯ２膜との間で研磨速度の関係を示す記載がある以上、第２絶縁性材料として、引用発明のＳｉ３Ｎ４に代えてＳｉＯ２を採用することが、当業者にとって格別困難であったと認めるべき根拠はない。
　本願発明についても、発明の詳細な説明の【００３８】段落に「第２絶縁性材料を、例えばＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのいずれか１種または２種以上で形成することができる。」と列記されたうちの一つを実施例としたにすぎず、それ以上に、ＳｉＯ２を用いる格別の技術的意義については、特段の記載がない。
　
　また、スラリーを「酸性」と特定した点については、ＣＭＰにおいて、スラリーのｐＨはＣＭＰを実施する際の基本的な条件の一つであって、常に、なにがしかに設定されるのが当然であるところ、平成２１年７月１５日付けの拒絶理由で示した特開２００２-３６７１３１号公報（以下、「周知例」という。）に、「アルミナの研磨速度を高めるために研磨液をアルカリ性としているが、ｐＨが７より大きい場合にはアルミナの研磨速度が大きくなりすぎてしまい、金属からなる部分との研磨速度の微調整が困難となる恐れがある。」との理由から、「本実施例においては（中略）ｐＨを５〜７とする調整を行った研磨液を用いる」と研磨液を酸性にすることが記載されており、一方で、本願の明細書【００８２】の記載からすると、スラリーがアルカリ性、酸性、いずれの場合でも、「前記第２絶縁性材料層の研磨速度が前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さい」のであるから、前記周知例のような状況を勘案して、スラリーを酸性とし、その結果「酸性のスラリーを用いてＣＭＰ研磨したときの、前記第２絶縁性材料層の研磨速度が前記第１絶縁性材料層の研磨速度より小さい」とすることは、当業者が適宜設定しうる条件にすぎないものである。
　
　そして、上記各相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は、第１引用例ないし第３引用例に記載された発明及び周知技術から、当業者が十分に予測できたものであって、格別なものとはいえない。
　
　
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、第１引用例ないし第３引用例に記載された発明に基づいて周知技術も考慮することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。