【事件の表示】
　特願２０００−５１７１４「配線基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年９月７日出願公開、特開２００１−２４４３６４〕について、
　次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１２年２月２８日の出願であって、平成１６年１月２１日付けで拒絶理由が通知されたところ、その指定期間内の平成１６年３月２９日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１６年１０月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１２月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、法定期間内の平成１７年１月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１月１１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲に、「前記外側接続パットは、前記電子部品搭載エリア内で一列または複数列にして形成されている」という発明特定事項を有する請求項３を、新たに請求項１又は２の従属項として追加する補正事項を含むものである。
　前記補正事項は、いわゆる特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものにはあたらない。
　また、前記補正事項が、「請求項の削除」にあたらないことは明白であり、「誤記の訂正」あるいは「明りようでない記載の釈明」を目的としたものとは認められない。
　したがって、審判請求人が、平成１７年１月１１日付けで、特許請求の範囲についてした補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　よって、上記手続補正は、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　
【３】この出願の発明
　平成１７年１月１１日付けの手続補正を上記のとおり却下したので、この出願の請求項１，２に係る発明は、平成１６年３月２９日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
「【請求項１】　絶縁層上の主面のうち電子部品搭載エリア内に複数の接続パットを有し、上記接続パットのうち、上記エリアの外側寄りに配置された外側接続パットは、上記エリアの外側における絶縁層内に埋設されたビア導体と、当該ビア導体の上端に位置する上記外側接続パットと略同じ高さの導通部を介して導通し、上記接続パットのうち上記エリアの内側寄りに配置された内側接続パットは、上記エリア内の絶縁層を貫通して埋設されたビア導体の上に形成されると共に、内側接続パットおよび外側接続パットは、互いに上記主面付近にて略同じ高さで形成され、上記内側接続パットは、直下のビア導体における上端の導通部を含んで形成されている、ことを特徴とする配線基板。」である。
　　　
【４】原審の拒絶理由
　一方、原審における拒絶理由の概要は、
「この出願の請求項１及び２に係る発明は、その出願前国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　記　(引用文献等については引用文献等一覧参照)
　引用文献１−４には、半導体チップがフリップチップ実装される配線基板であって、チップ最外周に設けられた電極と接続される電極パッドが、基板表面の配線を介して、チップ搭載エリア外周のビアと接続され、かつ、チップ内側に設けられた電極と接続される電極パッドが、ビアの上に形成されるものが記載されている。
　　　　　　　　　　引用文献　等　一覧
　１．特開平９−２６０５２７号公報(以下、「刊行物１」という)
　２．特開平８−２３０４９号公報
　３．特開平９−８４６０号公報
　４．特開平１０−２７５８７８号公報
　５．特開平１１−８７５５６号公報」というものである。
　　　
【５】刊行物１の記載事項及び開示内容
［１］刊行物１(特開平９−２６０５２７号公報)の記載事項
　段落【0001】に、
(刊1a)「・・・半導体チップ（以下、「ＬＳＩチップ」ともいう）を実装するために用いられるキャリア基板ならびにこれに半導体チップを搭載した半導体装置に関するものである」と記載され、
　段落【0010】の【課題を解決するための手段】に、
(刊1b)「・・・絶縁基板の両面に形成された第１の接続パッドと第２の接続パッドとが前記絶縁基板に穿孔されているバイアホールを介して電気的に接続された構造を有するキャリア基板」と記載され、
　段落【0016】に、
(刊1c)「・・・半導体チップがエリアアレイ型端子電極を有することが好ましく、このエリアアレイ型端子電極を有する半導体チップが、フリップチップ実装されていることが好ましい」と記載され、
　段落【0020】に、
(刊1d)「アラミド繊維を補強材とするフレキシブル絶縁基板１０１は、例えば、アラミド繊維の織布あるいは不織布にエポキシ樹脂を含浸させたものである。第１の接続パッドならびに第２の接続パッドは、例えば銅箔で形成されている。第１の接続パッド１０２と第２の接続パッド１０５とはバイアホール１０３内に埋め込まれた導電体１０４により電気的に接続されている。導電体１０４は、エポキシ樹脂に銅の紛体を混合したものが用いられる」と記載され、
　段落【0031】に、
(刊1e)「以上の説明においては、キャリア基板として２層基板およびインナバイアホール多層基板を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、通常の貫通スルーホール多層基板を用いてもよい」と記載され、
　段落【0036】に、
(刊1f)「次に、ＬＳＩチップを下向きにして端子電極とキャリア基板の第１の接続パッドの位置を合わせ、導電性接着剤２０６を鋏んでキャリア基板上に搭載した。１２０℃で導電性接着剤を硬化させ、キャリア基板と半導体チップの間に封止材２０５を流し込んで１５０℃で硬化させた。この間キャリア基板は、平面を保ちＬＳＩチップ搭載時に変形等の不都合が起こることはない。この半導体チップの実装方法は、スタッドバンプフリップチップ実装と呼ばれる」と記載され、
　段落【0046】に、
(刊1g)「また、以上の各実施例において、半導体チップとキャリア基板との接続は、スタッドバンプフリップチップ実装方式を用いる場合について主に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、半田ボールを使った接続方法（Ｃ４方式と呼ばれている）でもよい」と記載され、
　図面の【図１】，【図３】に、
(刊1h)「絶縁基板(101)の一面に半導体チップ(201)の搭載エリア内において複数の接続パッド(102)を有し、上記接続パッドのうち、上記エリアの外側寄りに配置された外側接続パッドは、上記エリアの外側において絶縁基板のバイアホール(103)内に埋設された導電体(104)と、当該導電体の上端に位置する上記外側接続パッドと略同じ高さの部分で導通し、上記接続パッドのうち上記エリアの内側寄りに配置された内側接続パッドは、上記エリア内の絶縁基板に穿孔されたバイアホール内に埋設された導電体の上に形成されると共に、内側接続パッドおよび外側接続パッドは、互いに上記一面上で略同じ高さで形成され、上記内側接続パッドは、直下の導電体における上端と導通している、ことを特徴とするキャリア基板(108)」が記載されている。
　　　
［２］刊行物１の開示内容の認定
　前記(刊1a)，(刊1b)と、前記(刊1c)中「エリアアレイ型端子電極を有する半導体チップが、フリップチップ実装されている」と、前記(刊1d)中「第１の接続パッドは銅箔で形成されている。第１の接続パッドはバイアホール内に埋め込まれた導電体に電気的に接続されている」と、前記(刊1e)中「キャリア基板として通常の貫通スルーホール多層基板を用いてもよい」と、前記(刊1f)中「ＬＳＩチップを下向きにして端子電極とキャリア基板の第１の接続パッドの位置を合わせキャリア基板上に搭載した」と、前記(刊1g)中「半導体チップとキャリア基板との接続は半田ボールを使った接続方法でもよい」および、前記(刊1h)の記載から、刊行物１には、
(刊1z)「絶縁基板上の一面のうち半導体チップ搭載エリア内に複数の接続パッドを有し、上記接続パッドのうち、上記エリアの外側寄りに配置された外側接続パッドは、上記エリアの外側における絶縁基板のバイアホール内に埋設された導電体と、当該導電体の上端に位置する上記外側接続パッドと略同じ高さの銅箔を介して導通し、上記接続パッドのうち上記エリアの内側寄りに配置された内側接続パッドは、上記エリア内の絶縁基板に穿孔されたバイアホール内に埋設された導電体の上に形成されると共に、内側接続パッドおよび外側接続パッドは、互いに上記一面付近にて略同じ高さで形成され、上記内側接続パッドは、直下の導電体における上端と導通している、ことを特徴とするキャリア基板」(以下、「刊行物１発明」という)が開示されていると認定できる。
　　　
【６】当審の判断
［１］本願発明と刊行物１発明との対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると、
　刊行物１発明の「絶縁基板上」，「一面」，「半導体チップ」，「接続パッド」，「絶縁基板のバイアホール内に埋設された導電体」，「絶縁基板に穿孔されたバイアホール内に埋設された導電体」，「直下の導電体」，「キャリア基板」は、
　本願発明の「絶縁層上」，「主面」，「電子部品」，「接続パット」，「絶縁層内に埋設されたビア導体」，「絶縁層を貫通して埋設されたビア導体」，「直下のビア導体」，「配線基板」にそれぞれ相当する。
　したがって、両者は「絶縁層上の主面のうち電子部品搭載エリア内に複数の接続パットを有し、上記接続パットのうち、上記エリアの外側寄りに配置された外側接続パットは、上記エリアの外側における絶縁層内に埋設されたビア導体と、当該ビア導体の上端に位置する上記外側接続パットと略同じ高さの導体を介して導通し、上記接続パットのうち上記エリアの内側寄りに配置された内側接続パットは、上記エリア内の絶縁層を貫通して埋設されたビア導体の上に形成されると共に、内側接続パットおよび外側接続パットは、互いに上記主面付近にて略同じ高さで形成され、上記内側接続パットは、直下のビア導体における上端と導通している、ことを特徴とする配線基板」であることで一致する。
　　　
　一方、本願発明では、「外側接続パットは、ビア導体と導通部を介して導通」しているのに対して、刊行物１発明では、「外側接続パットは、ビア導体と銅箔を介して導通」している点(相違点１)で相違し、また、本願発明では、「内側接続パットは、直下のビア導体における上端の導通部を含んで形成」されているのに対して、刊行物１発明では、「内側接続パットは、直下のビア導体における上端と導通」している点(相違点２)で相違する。
　　　
［２］相違点の検討
［２-1］相違点１について
　相違点１について考察するに、
　本願の明細書において、その段落【0018】に(ａ)「絶縁性で公知のコア基板にその表裏面を貫通するスルーホール導体を形成し、係るコア基板の表裏面上に公知のフォトリソグラフィー技術により所望パターンの配線層を形成する」、また段落【0024】に(ｂ)「配線基板１ａの電子部品搭載エリアｅ内における３つのビア導体１２は、その上端で前記同様に内側接続パット１５ａ，１５ｂ又は外側接続パット１６と接続している」、さらに段落【0027】に(ｃ)「外側接続パット１６，１６ａとこれと導通する電子部品搭載エリアｅ外に位置するビア導体１２とは、そのビア導体１２の導通部１４と同じ高さに形成した配線層を介して導通しても良い」と記載されている。
　したがって、「導通部はビア導体の上端に形成された配線層」の一種であるといえる。
　そして、刊行物１発明の「外側接続パットは、ビア導体と銅箔を介して導通」しているということは、「銅箔の配線層」を介して導通・接続していることである。
　そうであるから、この相違点１は、設計上の認識に差異はあるものの、当業者が適宜変更できた設計事項の差といえる。
　よって、この相違点１は、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　　
［２-2］相違点２について
　相違点２について考察するに、
　本願発明の、内側接続パットはその直下のビア導体における上端に存在するから、必然的に長い配線層を必要としない。ゆえに、本願発明では「内側接続パットは、直下のビア導体における上端の導通部を含んで形成」されているとなっている。
　そして、前記［２-1］段落に記載した、(ａ)「絶縁性で公知のコア基板にその表裏面を貫通するスルーホール導体を形成し、係るコア基板の表裏面上に公知のフォトリソグラフィー技術により所望パターンの配線層を形成する」こと、および(ｂ)「配線基板１ａの電子部品搭載エリアｅ内における３つのビア導体１２は、その上端で前記同様に内側接続パット１５ａ，１５ｂ又は外側接続パット１６と接続している」ことから、本願発明では「ビア導体の上端直上の導通部である配線層と内側接続パットとが一体化」しているものといえる。
　一方、刊行物１発明では「内側接続パットは、直下のビア導体における上端と導通」している訳であり、かつ上記摘記事項(刊1d)から、「第１の接続パッド(のうちの内側接続パッド)は、銅箔で形成されている。第１の接続パッドはバイアホール内に埋め込まれた導電体により電気的に接続されている」ことから、刊行物１発明でも「バイアホール内導電体の上端直上の銅箔層と内側接続パッドとが一体化」しているものといえる。
　したがって、この相違点２は、当業者が容易に設計変更できたものと認められる。
　　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記の刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。