【事件の表示】
　平成８年特許願第８０２９１号「レチクルの製造方法、レチクルパターンデータの生成方法及びＣＡＤシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１０月１４日出願公開、特開平９−２６９５９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年４月２日に出願された特願平８−８０２９１号の特許出願であって、平成１５年１月１６日に審査請求がなされたのに伴い同日付で明細書を補正する手続補正がなされた後、原審において平成１６年６月２９日付の拒絶理由を通知したところ、平成１６年９月６日付の意見書とともに明細書を補正する同日付の手続補正書が提出され、さらに平成１７年５月１８日付の最後の拒絶理由を通知したところ、平成１７年７月２５日付の意見書とともに明細書を補正する同日付の手続補正書が提出され、そして、前記平成１７年７月２５日付の手続補正は平成１７年１１月２５日付で補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで前記最後の拒絶理由により拒絶査定がなされ、その後、前記拒絶査定を不服として平成１８年１月５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年２月６日付で明細書を補正する手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１８年２月６日付の手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成１８年２月６日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　平成１８年２月６日付の手続補正（以下、この補正を「
本件補正
「【請求項１】　過去に設計された複数のレチクルパターンデータを、任意の倍率又は回転角で変換した後、ＣＡＤ(Computer Aided Design)上で前記複数のレチクルパターンの合成状態を確認すると共に、合成時における前記各レチクルパターンの同一箇所を示す所定位置に前記レチクルパターンの合成時の位置関係を確認するための合成確認用パターンを付加し、
　前記ＣＡＤから供給される各レチクルパターンに関するデータに基づいて複数回の露光を行う際、前記合成確認用パターンについても露光を行い、得られた合成レチクルパターンの合成状態を、当該合成レチクルパターンに付加された前記合成確認用パターンによって確認可能としたことを特徴とするレチクルの製造方法。」
の記載を、
「【請求項１】　過去に設計された複数のレチクルパターンデータを、任意の倍率又は回転角で変換した後、ＣＡＤ(Computer Aided Design)上で
前記任意の倍率又は回転角で変換された
を合成してそ
複数の
が位置するように、変換前の前記複数のレチクルパターンデータの各々に対して前記任意の倍率又は回転角に応じた位置及びサイズで合成確認用パターンデータ
　前記ＣＡＤから供給される
前記合成確認用パターンデータが付加された
ンデ
の位置関係とサイズ
と補正することを含むものである。
　
２．補正の適否の検討
　本件補正に係る少なくとも請求項１についての補正は、旧請求項１に記載されていた「前記複数のレチクルパターン」を、「前記任意の倍率又は回転角で変換された前記複数のレチクルパターン」と限定し、旧請求項１に記載されていた「レチクルパターン」を、「複数のレチクルパターン」と限定し、旧請求項１に記載されていた「合成確認用パターンを付加し、」を、「合成確認用パターンが位置するように、変換前の前記複数のレチクルパターンデータの各々に対して前記任意の倍率又は回転角に応じた位置及びサイズで合成確認用パターンデータを付加し、」のように限定し、旧請求項１に記載されていた「前記合成確認用パターンによって」を、「前記合成確認用パターンの位置関係とサイズによって」のように限定する補正であるから、本件補正の請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の「特許請求の範囲の減縮」を補正の目的としている。
　そして、旧請求項１に記載されていた「各レチクルパターンに関するデータ」の記載を、「各レチクルパターンデータ」にする補正は、他の記載個所の「レチクルパターンデータ」の用語と整合させるためにする補正であるから、「明りようでない記載の釈明」を目的とする補正である。
　上記のとおり、本件補正に係る少なくとも請求項１についての補正が、特許法第１７条の２第４項第２号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正を含んでいるので、本件補正後の少なくとも請求項１に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下に検討する。
　
３．独立特許要件の有無
（１）本願の本件補正後の発明
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、これを「
本願補正発明１
「過去に設計された複数のレチクルパターンデータを、任意の倍率又は回転角で変換した後、ＣＡＤ(Computer Aided Design)上で前記任意の倍率又は回転角で変換された前記複数のレチクルパターンを合成してその合成状態を確認すると共に、合成時における前記各レチクルパターンの同一箇所を示す所定位置に前記複数のレチクルパターンの合成時の位置関係を確認するための合成確認用パターンが位置するように、変換前の前記複数のレチクルパターンデータの各々に対して前記任意の倍率又は回転角に応じた位置及びサイズで合成確認用パターンデータを付加し、
　前記ＣＡＤから供給される前記合成確認用パターンデータが付加された各レチクルパターンデータに基づいて複数回の露光を行う際、前記合成確認用パターンについても露光を行い、得られた合成レチクルパターンの合成状態を、当該合成レチクルパターンに付加された前記合成確認用パターンの位置関係とサイズによって確認可能としたことを特徴とするレチクルの製造方法。」
　
（２）引用刊行物及び周知技術文献
ア．原審における拒絶査定の理由に引用された刊行物であって本願特許出願前に頒布された実願昭６２−５２８５１号（実開昭６３−１６０５５７号）のマイクロフィルム（以下、「
引用刊行物１
「２．実用新案登録請求の範囲
　１）電子ビーム露光装置を用いて複数のパターンデータを転写して得られるマスクにおいて、
　第１のパターンデータと第２のパターンデータとを合成したマスクパターンと、
　前記第１のパターンデータに含まれ、且つ直交する２方向に延びたパターンを有する第１のアライメントマークと、
　前記第２のパターンデータに含まれ、且つ上記第１のアライメントマークの直交成分と同じ２方向に延びたパターンを有する第２のアライメントマークとからなり、
　第１及び第２のアライメントマークに含まれるパターンは、夫々の直線方向に相対するパターンであることを特徴とするマスク。
３．考案の詳細な説明
＜産業上の利用分野＞
　本考案は複数個からなるパターンデータを合成してなるマスクに関する。
＜従来の技術＞
　近年、半導体装置製造用マスクを作製する際、光学的方法に代わり電子線（以下ＥＢ）にて露光する方法が広く用いられている。ＥＢ露光によるマスク作製は以下のように行なわれる。先ず、半導体装置用回路パターンの設計を行ない、設計図面からそれぞれ工程別に図形や配置を正確に読み取り、数値データに変換を行なって、この数値データをソースデータとしてひとまず磁気テープ（以下ＭＴ）に書き込む。次いでこのソースデータを計算機を用いてＥＢ露光装置で処理できるフォーマットに変換する。このフォーマットをＥＢ露光装置に入力し、レジストプロセスを通じて、半導体装置製造工程毎のマスクを作製する。
　マスクＲＯＭ用のマスクを作製する場合を例にとると、異なったマスクＲＯＭであっても周辺の駆動回路が共通に使用できる時、駆動回路とＲＯＭ回路とを別々のＭＴに入力しておき、ＲＯＭ回路の入ったＭＴを取り換えて、駆動回路とＲＯＭ回路のパターンをレジストにＥＢ露光し、異なったマスクを作製する。
　上述の如く、様々な周辺の駆動回路と様々なＲＯＭ回路とを別々のＭＴに入力しておき、必要に応じて駆動回路とＲＯＭ回路とを組み合わせると、マスクの回路設計に要する時間が短縮され効率がよい。ところが、駆動回路とＲＯＭ回路とをＭＴのデータ時点で合成し、合成データを用いて回路パターンをレジストにＥＢ露光しマスクを作製すると、ＭＴ出力ミスや変換ミスによりマスクの駆動回路とＲＯＭ回路パターンにズレが発生することがある。また、駆動回路データとＲＯＭ回路データを夫々別にＥＢ露光し、レジスト上で合成すると、ＥＢ露光装置に露光条件等を入力する際のプログラムミス等により駆動回路とＲＯＭ回路パターンにズレが発生することがある。このようなズレを検出する方法としてはマスクに形成された回路パターンを顕微鏡にて拡大し、駆動回路パターンとＲＯＭ回路パターンの接点を捜し出しズレの有無を検出する方法がとられている。
＜考案が解決しようとする問題点＞
　上述のような合成パターンのズレ検出方法では合成パターン相互の接点を捜し出すのが困難で非常に効率が悪いという問題がある。また、半導体回路の高集積化に伴って回路パターンが微細化しズレの有無に関して誤まった判断を下してしまい易いという問題もある。
＜問題点を解決するための手段＞
　本考案は上述する問題点を解決するためになされたもので、電子ビーム露光装置を用いて複数のパターンデータを転写して得られるマスクにおいて、
　第１のパターンデータと第２のパターンデータとを合成したマスクバターンと、前記第１のパターンデータに含まれ、且つ直交する２方向に延びたパターンを有する第１のアライメントマークと、前記第２のパターンデータに含まれ、且つ上記第１のアライメントマークの直交成分と同じ２方向に延びたパターンを有する第２のアライメントマークとからなり、第１及び第２のアライメントマークに含まれるパターンは、夫々の直線方向に相対するパターンであるマスクを提供するものである。
＜作　用＞
　上述の如く、複数のパターンデータ中に、相対する形状をもつアライメント用のパターンを夫々入力しておき、このアライメント用パターンをマスクに転写することによって、マスクに転写したパターンデータにズレが発生しても、アライメント用パターンをチェックするだけでズレの発生及びズレのシフト量等を直ちに検出することが可能になる。
＜実施例＞
　第１図〜第３図は本考案の一実施例を説明するための上面図である。マスク基板３の一主面上にはレジストが塗布されており、該主面レジストに電子ビーム露光装置を用いて第１図に示す第１のパターンデータ１を転写する。該第１のパターンデータ１にはマスク３端部に転写されるアライメント用パターン１ａも入力されている。次いで上記第１のパターンデータ１を転写したマスク基板３に第２図に示す第２のパターンデータ２を転写すると、該第２のパターンデータ２中に入力されたアライメント用パターン２ａは、上記アライメント用パターン１ａに相対する位置に転写され、第３図の如く合成したパターン４とアライメントマーク５が完成する。
　第４図は上述の如く転写したアライメント用パターン１ａ，２ａからなるアライメントマーク５の拡大図である。第１のパターンデータ１と第２のパターンデータ２を転写した後、このアライメント用パターン１ａ，２ａのＸ方向Ｘ１，Ｘ２及びＹ方向Ｙ１，Ｙ２のシフト量をチェックすることにより、第１のパターンデータ１と第２のパターンデータ２とのズレを簡単に検知でさるようになる。
　上記実施例においてアライメント用パターンに矩形のものを用いたが、本考案はこれに限定されるものではなく、第５図の如く十字形と複数のＬ字形を組み合わせたパターンや、第６図の如くノギスに用いるような目盛を直交させて２方向に配したパターンのように、平面において直交する２方向のシフト量を検知できるパターンであればそれを用いてもよい。
＜考案の効果＞
　本考案により、電子ビーム露光装置にて複数のデータからなるパターンを合成し転写してマスクを作製する際、様々なミスにより転写パターンにズレが生じても、ズレの有無を容易に検出することが可能になる。したがって本考案はマスク作製プロセス中、電子ビーム露光後の検査工程の高効率化に寄与するものである。」（明細書１頁４行〜７頁１３行）
　
　そうすると、引用刊行物１には次の発明（以下、「
引用発明
　「半導体装置用回路パターンの設計を行ない、設計図面からそれぞれ工程別に図形や配置を正確に読み取り、数値データに変換されてソースデータとして磁気テープに書き込み、次いでこのソースデータを計算機を用いて電子ビーム露光装置で処理できるフォーマットに変換し、このフォーマットを電子ビーム露光装置に入力し、レジストプロセスを通じてマスクを作製する、電子ビーム露光装置を用いて複数のパターンデータを転写して得られる半導体装置製造用マスクの作製において、
　電子ビーム露光装置にて複数のデータからなるパターンを合成し転写してマスクを作製する際に、レジストが塗布されているマスク基板３の一主面上に電子ビーム露光装置を用いて第１のパターンデータ１を転写し、該第１のパターンデータ１にマスク３端部に転写されるアライメント用パターン１ａが入力され、次いで上記第１のパターンデータ１を転写したマスク基板３に第２のパターンデータ２を転写して、該第２のパターンデータ２中に入力されたアライメント用パターン２ａが上記アライメント用パターン１ａに相対する位置に転写されて、パターン４とアライメントマーク５を合成することにより、
　複数のパターンデータ中に、相対する形状をもつアライメント用のパターンを夫々入力しておき、このアライメント用パターンをマスクに転写することにより、マスクに転写したパターンデータに発生するズレを、アライメント用パターンをチェックするだけでズレの発生及びズレのシフト量等を容易に検出することを可能とする、異なるパターンの接点のズレの有無の検出手段としてのアライメント用パターンを有する半導体装置製造用マスクの作製方法」
　
イ．原審における拒絶査定の理由に引用された刊行物であって本願特許出願前に頒布された特開平２−２４２２５１号公報（以下、「
引用刊行物２
「［産業上の利用分野］　本発明は、半導体装置の製造方法に係り、詳しくはＬＳＩ製造時に使用されるレチクル又はマスクの製造方法に関するものである。
　近年のＬＳＩの高密度化に伴い、露光時におけるマスク又はレチクルの位置合わせ余裕が小さくなっている。このため、半導体装置を歩留まり良く製造するためには、ズレのない高精度のマスク又はレチクルが必要とされている。」（１頁右欄２０行〜２頁左上欄８行）
「［発明が解決しようとする課題］　しかしながら、前記合成処理を行なって作成された露光データに基づいてレチクルを製造する場合、半導体装置のより高速動作のため等の要求によって、チップ縮小処理などで前記合成したデータにシュリンクなどの倍率処理が加えられる。このシュリンクなどの倍率処理を行なった時にはデバイスパターンだけでなく位置合わせマークのサイズも同様に縮小されてしまうことから、露光時に位置合わせマークを位置合わせ装置で読み取ることはできず、この合成処理されたデータは使用できなくなる。
　そのため、このような場合には予め縮小率等を計算してサイズを変えた位置合わせマークデータを作成し、デバイスパターンデータと合成しておくなどの手間を要していた。」（２頁右上欄１６行〜同頁左下欄１１行）
　
ウ．本願特許出願前に頒布された刊行物である特開平６−８３０３１号公報（以下、「
周知技術文献１
「【００１３】　ところが、このような中央パターン周辺に周辺パターンを形成して成る露光マスクにおけるマスクパターンの形成は、従来、各パターンについてそれぞれ最適化された位置をＣＡＤによって入力することによってなされていた。従って、かかるパターンを有する露光マスクの作成は、非常に煩雑で、手間のかかるものであった。
　【００１４】【発明の目的】　本発明は、上記問題点を解決して、中央パターンの周辺に周辺パターンを形成して成る露光マスクの形成について、そのパターンの作成を、数学的な処理（サイジング、演算、シフト等）を行うことで容易に実現できる露光マスク形成方法を提供しようとするものである。」
　
エ．本願特許出願前に頒布された刊行物である特開平６−１４８８６０号公報（以下、「
周知技術文献２
「【０００２】【従来の技術】　近年のＩＣの高集積化に伴い、デバイス構造の複雑化、微細化が進んでおり、ＣＡＤシステムを用いて図形の拡大，縮小，複写，移動等複雑な機能が駆使でき、マスク設計の自動化を図る試みがなされている。しかし、現段階では半自動化の状態であり、ＣＡＤシステムによるチェックと人手によるチェックが併用されている。人手によるチェックや図面の編集を行なう際、ＣＡＤシステムに接続されたＣＲＴの画面上に図形を表示し、設計ルールの確認やデバイスの配置、結線状態の変更を行なう。」
「【０００５】　マスク設計は、画面を見ながら手作業で行う方法と、ＣＡＤシステムで演算処理しながら自動設計を行う方法とがある。手作業の場合、回路の特性が最良となるレイアウトのノウハウを反映したマスク設計が行われるという利点がある反面、作業能率が悪いという欠点がある。一方、ＣＡＤで自動設計する方法では、人手がかからない、処理時間が短くなる等の利点がある反面、設計者が持っている設計ノウハウがなかなか反映されにくく、回路の電気的特性が不充分になるケースがある。」
「【００１２】【課題を解決するための手段】　課題を解決するために本発明は、ＣＡＤシステムを用いて半導体集積回路をマスク設計する方法において、パッド領域と、周辺に配置される第一層および第二層の配線層との間隔を、前記パッド領域から各々所定の距離に離間した枠によってＣＲＴ画面上に表示することを特徴とするマスク設計方法である。」
　
（３）対比
　本願補正発明１と前記引用発明とを比較すると、引用発明における「マスク」、「複数のパターンデータ」、「アライメント用パターン」及び「半導体装置製造用マスクの作製方法」のそれぞれが、本願補正発明１の「レチクル」、「複数のレチクルパターンデータ」、「合成確認用パターン」及び「レチクルの製造方法」のそれぞれに対応する。
　そして、引用発明の「半導体装置用回路パターンの設計を行ない、設計図面からそれぞれ工程別に図形や配置を正確に読み取り、数値データに変換され磁気テープに書き込まれたソースデータ」は、本願補正発明１の「過去に設計された複数のレチクルパターンデータ」に対応する。
　また、引用発明の「半導体装置用回路パターンの設計を行ない、設計図面からそれぞれ工程別に図形や配置を正確に読み取り、数値データに変換されたソースデータとして磁気テープに書き込み、次いでこのソースデータを計算機を用いて電子ビーム露光装置で処理できるフォーマットに変換し、このフォーマットを電子ビーム露光装置に入力」する個々の工程が、ＣＡＤによるものであることについては、引用刊行物１に明示の記載はないが、引用刊行物１に「計算機を用いて」と記載されていることからみて、前記工程は実質的に計算機により支援される設計方法(Computer Aided Design)によるものといえるから、引用発明の前記「計算機を用いて」は、本願補正発明１の「ＣＡＤ(Computer Aided Design)」に対応する。
　さらに、引用発明での数値データに変換されたソースデータとする変換工程には、パターンデータを任意の倍率又は回転角で変換する工程が含まれていないことを参酌すると、引用発明の「複数のパターンデータ中に、相対する形状をもつアライメント用のパターンを夫々入力しておき」の技術事項は、任意の倍率又は回転角で変換されていないパターンデータに、相対する形状をもつアライメント用のパターン（当審注：パターンデータに直接にアライメント用のパターン（図形）を入力することはできないから、引用刊行物１におけるここでの「アライメント用のパターン」の記載の意義は、「アライメント用のパターンデータ」の意味であると解するのが自然であり、かつ、相当である。）を夫々入力することを意味していることになるから、引用発明の前記「複数のパターンデータ中に、相対する形状をもつアライメント用のパターンを夫々入力しておき」の技術事項は、本願補正発明１の「変換前の前記複数のレチクルパターンデータの各々に対して合成確認用パターンデータを付加し」に対応するものといえる。
　また、引用発明の「レジストが塗布されているマスク基板３の一主面上に電子ビーム露光装置を用いて第１のパターンデータ１を転写し、該第１のパターンデータ１にマスク３端部に転写されるアライメント用パターン１ａが入力され、次いで上記第１のパターンデータ１を転写したマスク基板３に第２のパターンデータ２を転写して、該第２のパターンデータ２中に入力されたアライメント用パターン２ａが上記アライメント用パターン１ａに相対する位置に転写されて、パターン４とアライメントマーク５を合成する」の技術事項は、本願補正発明１の「前記ＣＡＤから供給される前記合成確認用パターンデータが付加された各レチクルパターンデータに基づいて複数回の露光を行う際、前記合成確認用パターンについても露光を行い、得られた合成レチクルパターンの合成状態」に対応し、しかも、引用発明における前記合成の際の「アライメント用パターン２ａが上記アライメント用パターン１ａに相対する位置に転写されて」の技術事項は、本願補正発明１の「合成時における前記各レチクルパターンの同一箇所を示す所定位置に前記複数のレチクルパターンの合成時の位置関係を確認するための合成確認用パターンが位置するように合成確認用パターンデータを付加し」に対応するものといえる。
　そして、引用発明の「マスクに転写したパターンデータに発生するズレを、アライメント用パターンをチェックするだけでズレの発生及びズレのシフト量等を容易に検出することを可能とする、異なるパターンの接点のズレの有無の検出手段」は、本願補正発明１の「前記ＣＡＤから供給される前記合成確認用パターンデータが付加された各レチクルパターンデータに基づいて複数回の露光を行う際、前記合成確認用パターンについても露光を行い、得られた合成レチクルパターンの合成状態を、当該合成レチクルパターンに付加された前記合成確認用パターンの位置関係とサイズによって確認可能とした」に対応する。
　
　そうすると、本願補正発明１と引用発明とは、「過去に設計された複数のレチクルパターンデータを変換した後、ＣＡＤ(Computer Aided Design)上で変換された前記複数のレチクルパターンを合成してその合成状態を確認すると共に、合成時における前記各レチクルパターンの同一箇所を示す所定位置に前記複数のレチクルパターンの合成時の位置関係を確認するための合成確認用パターンが位置するように、変換前の前記複数のレチクルパターンデータの各々に対して合成確認用パターンデータを付加し、前記ＣＡＤから供給される前記合成確認用パターンデータが付加された各レチクルパターンデータに基づいて複数回の露光を行う際、前記合成確認用パターンについても露光を行い、得られた合成レチクルパターンの合成状態を、当該合成レチクルパターンに付加された前記合成確認用パターンの位置関係とサイズによって確認可能としたレチクルの製造方法」である点で、両者の構成が一致し、次の点で構成が相違する。
　
相違点１
　
相違点２
　
相違点３
　
（４）相違点についての判断
ア．相違点１について
　レチクルパターンデータを、任意の倍率又は回転角で変換することは、本願特許出願時の周知技術（一例として、周知技術文献１の段落【００１３】及び【００１４】の記載を参照。）である。
　してみると、引用発明に周知技術を適用することにより、本願補正発明１の前記相違点１に係る「レチクルパターンデータを、任意の倍率又は回転角で変換する」構成とすることは、当業者が困難を伴うことなく容易になし得ることである。
　
イ．相違点２について
　ＣＡＤ上で任意の倍率又は回転角で変換された複数のレチクルパターンを合成してその合成状態を確認することは、本願特許出願時の周知技術（一例として、周知技術文献２の段落【０００２】、【０００５】及び【００１２】の記載を参照。）である。
　したがって、引用発明のレチクルパターンデータに縮小、拡大、回転等の周知技術を適用して複数のパターンデータを任意の倍率又は回転角で変換する際に、前記周知技術を採用することにより、本願補正発明１の前記相違点２に係る「ＣＡＤ上で任意の倍率又は回転角で変換された複数のレチクルパターンを合成してその合成状態を確認する」ようにすることは、当業者が容易に想到できる事項である。
　
ウ．相違点３について
　引用刊行物２の［発明が解決しようとする課題］欄に、「そのため、このような場合には予め縮小率等を計算してサイズを変えた位置合わせマークデータを作成し、デバイスパターンデータと合成しておく」（２頁左下欄８〜１１行）が記載されていて、前記記載から、引用刊行物２には、「予め縮小率等を計算してサイズを変えた位置合わせマークデータを作成し、デバイスパターンデータと合成しておく」工程についての記載が認められる。
　そうすると、引用刊行物２の前記記載から、本願補正発明１における相違点３に係る「変換前の複数のレチクルパターンデータの各々に対して任意の倍率又は回転角に応じた位置及びサイズで合成確認用パターンデータを付加する」構成は、本願特許出願前の公知の技術であるといえる。
　してみると、引用発明に前記公知の技術を適用することにより、本願補正発明１における相違点３に係る前記構成とすることは、当業者が容易に想到できることである。
　
　そして、本願補正発明１の奏する作用効果は、引用発明、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術から予測できる範囲内のものであって、格別顕著のものということができない。
　
エ．まとめ
　したがって、本願補正発明１は、引用発明、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明１は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであり、本件補正後の特許請求の範囲に記載された請求項１に係る発明が、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定するところの「特許出願の際独立して特許を受けることができるもの」に適合していないから、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　上記「第２」欄に前述した理由により、平成１８年２月６日付の手続補正が却下され、また平成１７年７月２５日付の手続補正も平成１７年１１月２５日付で補正の却下の決定が原審においてなされていることから、当審が審理すべき本願発明は、平成１６年９月６日付の手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、特にその請求項１に係る発明は、次のとおりのものである（上記「第２」の「１．補正の内容」欄を参照）。
「【請求項１】　過去に設計された複数のレチクルパターンデータを、任意の倍率又は回転角で変換した後、ＣＡＤ(Computer Aided Design)上で前記複数のレチクルパターンの合成状態を確認すると共に、合成時における前記各レチクルパターンの同一箇所を示す所定位置に前記レチクルパターンの合成時の位置関係を確認するための合成確認用パターンを付加し、
　前記ＣＡＤから供給される各レチクルパターンに関するデータに基づいて複数回の露光を行う際、前記合成確認用パターンについても露光を行い、得られた合成レチクルパターンの合成状態を、当該合成レチクルパターンに付加された前記合成確認用パターンによって確認可能としたことを特徴とするレチクルの製造方法。」（以下、これを「
本願発明１
　
２．引用刊行物及び該引用刊行物の記載事項
　原審における拒絶査定の理由に引用された刊行物であって本願特許出願前に頒布された引用刊行物１及び引用刊行物２、並びに、本願特許出願前に頒布された周知技術文献１及び周知技術文献２には、上記「第２」の「３．独立特許要件の有無」の「（２）引用刊行物及び周知技術文献」のア．ないしエ．欄に摘記したとおりの技術事項が記載されており、そして、前記引用刊行物１に記載されている発明（引用発明）は、前記ア．欄に前示のとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明１から、上記「第２」の「２．補正の適否の検討」欄で述べた「前記任意の倍率又は回転角で変換された」、「複数の」、「合成確認用パターンが位置するように、変換前の前記複数のレチクルパターンデータの各々に対して前記任意の倍率又は回転角に応じた位置及びサイズで合成確認用パターンデータを付加し、」及び「前記合成確認用パターンの位置関係とサイズ」の各限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「第２」の「３．独立特許要件の有無」の「（４）相違点についての判断」欄及び「（５）むすび」欄に記載したとおり、引用発明、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、本願補正発明１と同様の理由により、引用発明、引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本願発明１が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。