【事件の表示】
　平成１０年特許願第５０６２６８号「アルキル置換されたメタロセンでのオレフィン重合法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１月２２日国際公開、ＷＯ９８／０２４７０、平成１２年１０月３１日国内公表、特表２０００−５１４４９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯
　本願は、平成９年７月１６日（優先権主張　１９９６年７月１６日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年７月１６日に手続補正書が提出され、平成１８年２月２１日付けで拒絶理由が通知され、平成１８年８月２８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１８年１２月２７日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、平成１９年４月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１９年５月１７日に手続補正書が提出され、平成１９年７月１２日に手続補正書（方式補正）が提出されたが、平成１９年８月１３日付けで前置報告がなされた後、平成２０年９月２９日付けで当審において審尋がなされ、平成２１年１月６日に回答書が提出されたものである。
　
II．補正却下の決定
［結論］
　平成１９年５月１７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．手続補正の内容
　平成１９年５月１７日付け手続補正（以下、「本件手続補正」という。）の内容は、明細書の特許請求の範囲の記載を補正するものであって、平成１８年８月２８日付け手続補正書により補正された、
「１．エチレンのみを、又はこれを１つ以上のオレフィン性不飽和コモノマーとともに、以下の式：
（１）ＬＡＬＢＬＣｉＭＡＢ
（式中、ＬＡは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、Ｍは第４族遷移金属であり、ＬＢは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであるか、又は、ＬＢはＭにσ−結合したヘテロ原子補助リガンドであり、ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、ｉは０乃至３であり、及びＡ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し、
少なくとも１つのＬＡ又はＬＢは、一級炭素原子を介して環に結合した、少なくとも１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換体を有し、かつ、
ＬＡ及びＬＢ上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及びＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている。）
であらわされる触媒化合物に、適した重合条件下で、接触させる工程を含むオレフィン重合方法。
　２．前記ＬＡ及び前記ＬＢのいずれかが、１乃至２０の炭素、シリコン、又はゲルマニウム原子、置換されたヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミルラジカルを有する、２乃至５の置換基Ｒで置換されたシクロペタジエニル基を含有する環であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
　３．前記ＬＡ及び前記ＬＢが相互いに共有結合により架橋しておらず、前記ＬＡが４又は５のメチル置換基を含み、及び前記ＬＢがＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
　４．前記ＬＡ及び前記ＬＢが相互に共有結合により架橋しており、架橋に共有結合する環の炭素を１位として数える場合、前記ＬＡ及び前記ＬＢのうちの一つの環の３又は４位にＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
　５．前記ＬＡが４のメチル基を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
　６．前記ＬＢがＣ３かまたはこれより大きい置換基を有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
　７．接触を気相条件で行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
　８．接触をスラリー条件で行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
　９．ＭＩＲ≦３５、ＭＷＤ＝２−５、ＣＤＢＩ≧６０、及び溶融強度≧
６．０−６．０×ｌｏｇ（ＭＩ）を有し、
エチレンのみを、又はこれを１つ以上のオレフィン性不飽和コモノマーとともに、以下の式：
（１）ＬＡＬＢＬＣｉＭＡＢ
（式中、ＬＡは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、Ｍは第４族遷移金属であり、ＬＢは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドである、又は、ＬＢはＭにσ−結合したヘテロ原子補助リガンドであり、ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、ｉは０乃至３であり、及びＡ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し、
少なくとも１つのＬＡ又はＬＢは、一級炭素原子を介して環に結合した、少なくとも１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換体を有し、並びに、
ＬＡ及びＬＢ上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及びＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている。）
であらわされる触媒化合物に接触させる工程を含む方法により製造される、エチレンホモポリマー又はコポリマー。
１０．溶融強度が、８．０−６．０×ｌｏｇ（ＭＩ）である、請求項９記載のエチレンポリマー又はコポリマー。
１１．ＭＩが０．３乃至１．２である、請求項９記載のポリマー。
１２．ＭＩＲが２５以下である、請求項９記載のポリマー。
１３．エチレンからなる、請求項９、１１又は１２のいずれかに記載のポリマー。
１４．エチレン及び一つ以上のＣ３乃至Ｃ８α−オレフィンを含む、請求項９、１１又は１２のいずれかに記載のポリマー。」
を、
「【請求項１】
エチレンのみを、又はこれを１つ以上のオレフィン性不飽和コモノマーとともに、以下の式：
（１）ＬＡＬＢＬＣｉＭＡＢ
（式中、ＬＡは、４又は５のメチル置換基を含む、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、
Ｍは第４族遷移金属であり、
ＬＢは、１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を含む、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、
ＬＡ及びＬＢは相互いに共有結合により架橋しておらず、
ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、ｉは０であり、
Ａ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し、
前記ＬＡ及び前記ＬＢ環上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及び前記ＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている。）
であらわされる触媒化合物に、適した重合条件下で、接触させる工程を含むオレフィン重合方法。
　【請求項２】
エチレンのみを、又はこれを１つ以上のオレフィン性不飽和コモノマーとともに、以下の式：
（１）ＬＡＬＢＬＣｉＭＡＢ
（式中、ＬＡは、１乃至２０の炭素、シリコン、又はゲルマニウム原子を有する、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミルラジカルを有する、２乃至５の置換基Ｒを含む、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、
Ｍは第４族遷移金属であり、
ＬＢは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、
前記ＬＡ及び前記ＬＢは第１４族元素架橋基を介して互いに共有結合しており、
前記架橋基に共有結合する環の炭素を１位として数える場合、前記ＬＢは３位又は４位に１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルリシル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を有し、
ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、ｉは０であり、
Ａ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し、
前記ＬＡ及び前記ＬＢ上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及び前記ＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている。）
であらわされる触媒化合物に、適した重合条件下で、接触させる工程を含むオレフィン重合方法。
　【請求項３】
前記ＬＡが４のメチル基を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
　【請求項４】
前記ＬＢがＣ３かまたはこれより大きい置換基を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
　【請求項５】
接触を気相条件で行うことを特徴とする請求項１及び２のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項６】
接触をスラリー条件で行うことを特徴とする請求項１及び２のいずれか１項に記載の方法。」
と補正するものである。
　
２．本件手続補正の目的の適否について
　本件手続補正は、以下の補正事項を含むものである。
イ）補正前の請求項１〜２及び９〜１４を削除し、請求項３〜８を２項ずつ繰り上げて、新たに請求項１〜６とする補正事項
ロ）補正後の請求項１において、ＬＢについて、「Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであるか、又は、Ｍにσ−結合したヘテロ原子補助リガンドであり」から、「Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり」とする補正事項
ハ）補正後の請求項１において、ＬＣｉのｉの数値範囲を、「０乃至３」から、「０」とする補正事項
ニ）補正後の請求項１において、「少なくとも１つのＬＡ又はＬＢは一級炭素原子を介して環に結合した、少なくとも１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換体を有し」から、「ＬＢは、１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を含む」とする補正事項
ホ）補正後の請求項２において、ＬＡの置換基を「ＬＡは、１乃至２０の炭素、シリコン、又はゲルマニウム原子を有する、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミルラジカルを有する、２乃至５の置換基Ｒを含む」とする補正事項
へ）補正後の請求項２において、ＬＢについて、「Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであるか、又は、Ｍにσ−結合したヘテロ原子補助リガンドであり」から、「Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり」とする補正事項
ト）補正後の請求項２において、ＬＡとＬＢとの結合について、「相互に共有結合により架橋」から、「第１４族元素架橋基を介して互いに共有結合」とする補正事項
チ）補正後の請求項２において、ＬＣｉのｉの数値範囲を、「０乃至３」から、「０」とする補正事項
リ）補正後の請求項２において、「前記ＬＡ及び前記ＬＢのうち一つの環の３位又は４位にＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルリシル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を有する」から、「前記ＬＢは３位又は４位に
１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルリシル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を有し」とする補正事項
　
　上記補正事項イ）は請求項を削除するものであるので、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされた同法による改正前の特許法（以下、単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。また、上記補正事項ロ）〜リ）は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３．独立特許要件について
　上記のとおり、本件手続補正には、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正が含まれているので、次に、本件手続補正が、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満足するか否かについて、以下に検討する。
　
　３−１．補正後の特許請求の範囲の請求項２に係る発明の認定
　補正後の特許請求の範囲の請求項２に係る発明（以下「補正発明」という。）は、補正後の明細書（以下「補正明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「エチレンのみを、又はこれを１つ以上のオレフィン性不飽和コモノマーとともに、以下の式：
（１）ＬＡＬＢＬＣｉＭＡＢ
（式中、ＬＡは、１乃至２０の炭素、シリコン、又はゲルマニウム原子を有する、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミルラジカルを有する、２乃至５の置換基Ｒを含む、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、
Ｍは第４族遷移金属であり、
ＬＢは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、
前記ＬＡ及び前記ＬＢは第１４族元素架橋基を介して互いに共有結合しており、
前記架橋基に共有結合する環の炭素を１位として数える場合、前記ＬＢは３位又は４位に１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルリシル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を有し、
ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、ｉは０であり、
Ａ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し、
前記ＬＡ及び前記ＬＢ上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及び前記ＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている。）
であらわされる触媒化合物に、適した重合条件下で、接触させる工程を含むオレフィン重合方法。」
　
　３−２．先願明細書の記載事項
　本件出願の日（国際出願におけるパリ条約による優先権主張外国庁受理：１９９６年７月１６日）前の特許出願（
優先権主張１
優先権主張２
［摘示ア］
「実施例６
［エチレン／ヘキセン−１の溶液重合］
　溶媒として脂肪族系炭化水素（ＩＰソルベント１６２０（出光石油化学（株）製）６００ｍｌおよびヘキセン−１　２０ｍｌを１ｌ反応器に加え、反応器の温度を１７０℃に設定した。そして、この反応器に圧力が２０ｋｇ／ｃｍ２となるようにエチレンを供給した。
　一方、別の容器においてジフェニルメチレン（３−メチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロライド　０．５μｍｏｌをトルエンに溶解し、そこにトリイソブチルアルミニウムのトルエン溶液（トリイソブチルアルミニウム２０ｗｔ％）をアルミニウム換算で１２５μｍｏｌ加えて１時間攪拌した。次に、この混合物をＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート　０．６μｍｏｌをトルエン１ｍｌに溶解した溶液に加え、１０分間攪拌し、ここで得られた混合物を窒素圧で前記反応器に供給した。
　混合物を反応器に供給した後、１７０℃まで昇温し、この状態で反応器を１５００ｒｐｍで２０分間攪拌し、重合反応を行った。得られた重合体を真空下１００℃で６時間乾燥した。その結果、３５．２ｇの共重合体を得た。得られた重合体のＭＦＲ等の測定結果を表１に示す。」（優先権基礎明細書段落【００８２】〜【００８４】、先願公報段落【００９０】〜【００９２】参照）
　
［摘示イ］
「実施例７〜１３
　実施例６において、実施例６の重合条件の代わりに表１に示す重合条件にてエチレン／ヘキセン−１の溶液重合を行った。同じく結果を表１に示す。」（優先権基礎明細書段落【００８５】、先願公報段落【００９３】参照）
　
［摘示ウ］
「実施例１５〜１８
　実施例１２において、実施例１２の重合条件の代わりに表２に示す重合条件にてエチレン／ヘキセン−１の溶液重合を行った。同じく結果を表２に示す。
　【表２】  
」（優先権基礎明細書段落【００９１】〜【００９２】、先願公報段落【００９９】〜【０１００】参照）
　
［摘示エ］
「【発明が解決しようとする課題】
　本発明は上記従来の技術に鑑み、特に、工業的な重合条件での欠点を回避し、高い重合活性で、高分子量のポリオレフィンを製造することのできる触媒系を提供することを目的とするものである。また、そのための新規な遷移金属化合物、および該遷移金属化合物の効率的な製造方法を提供することを目的とするものである。
　【課題を解決するための手段】
　上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、置換基を有するシクロペンタジエニルとフルオレンとがジアリールメチレン基を介して結合してなる化合物を配位子とする遷移金属化合物を合成し、これを触媒成分とすることによって、高分子量のポリオレフィンを生産性良く製造することが可能であることを見い出すに至った。」（優先権基礎明細書段落【００１１】〜【００１２】、先願公報段落【００１１】〜【００１２】参照）
　
［摘示オ］
「本発明におけるオレフィン重合触媒を用いたオレフィンの重合は、通常の重合方法、すなわちスラリー重合、気相重合、高圧重合、溶液重合、塊状重合のいずれでも使用できる。」（優先権基礎明細書段落【００５９】、先願公報段落【００６７】参照）
　
［摘示カ］
「重合時、溶媒を用いるときは、一般に用いられている有機溶媒であればいずれでもよく、具体的にはベンゼン、トルエン、キシレン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、塩化メチレン等が挙げられ、また、プロピレン、ブテン−１、オクテン−１、ヘキセン−１などの重合時に供されるオレフィンそれ自身を溶媒として用いることもできる。」（優先権基礎明細書段落【００６１】、先願公報段落【００６９】参照）
　
［摘示キ］
「本発明の方法を用いてポリオレフィンを製造する上で、重合温度、重合時間、重合圧力、モノマー濃度などの重合条件について特に制限はないが、重合温度は−１００〜３００℃、重合時間は１０秒〜２０時間、重合圧力は常圧〜３５００ｋｇ／ｃｍ２Ｇの範囲で行うことが好ましい。また、重合時に水素などを用いて分子量の調節を行うことも可能である。重合はバッチ式、半連続式、連続式のいずれの方法でも行うことが可能であり、重合条件を変えて２段以上に分けて行うことも可能である。また、重合終了後に得られるポリオレフィンは、従来既知の方法により重合溶媒から分離回収され、乾燥してポリオレフィンを得ることができる。」（優先権基礎明細書段落【００６３】、先願公報段落【００７１】参照）
　
　上記［摘示ウ］の実施例１７の記載から、優先基礎明細書には、
「エチレン及びヘキセン−１を、触媒化合物であるＰｈ２Ｃ（３−ＰｈＣＨ２Ｃｐ）（Ｆｌｕ）ＺｒＣｌ２：ジフェニルメチレン（３−ベンジルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロライドに接触させる工程を含むオレフィン重合方法」の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−３．対比・判断
（１）補正発明の「１つ以上のオレフィン性不飽和コモノマー」について
　先願発明においては、「エチレン及びヘキセン−１」が重合されており、この重合対象モノマーは補正発明の「１つ以上のオレフィン性不飽和コモノマー」に含まれる。
　
（２）補正発明の「ＬＡは、１乃至２０の炭素、シリコン、又はゲルマニウム原子を有する、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミルラジカルを有する、２乃至５の置換基Ｒを含む、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり」について
　補正明細書８頁８〜１３行には「縮合環が環置換のパターンの一部である場合、このような縮合環の各々は、対応するシクロペンタジエニル環上の２つの置換基として数えられる。つまり、・・・フルオレニルリガンドは、４つの置換基を有するシクロペンタジエニル環と見なされる」と、リガンドが縮合環で置換されている場合の置換基の数え方の定義が記載されている。
　先願発明の触媒化合物はＦｌｕ：フルオレニルを有しており、これは上記補正明細書の定義によれば、「１個以上の炭素原子を有するヒドロカルビルを有する、４つの置換基を有するシクロペンタジエニル環」と見なすことができ、また、このＦｌｕ：フルオレニルは、Ｍに相当するジルコニウムにπ−結合していることは明らかであるので、先願発明のＦｌｕ：フルオレニルは、補正発明の「ＬＡは、１乃至２０の炭素を有するヒドロカルビルを有する、２乃至５の置換基Ｒを含む、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり」に含まれる。
　
（３）補正発明の「Ｍは第４族遷移金属であり」について
　「第４族遷移金属」にはチタン、ジルコニウム、ハフニウムが含まれることは元素周期律表から明らかである。
　一方、先願発明の触媒化合物も遷移金属成分として、Ｚｒ：ジルコニウムを有しており、これは、補正発明の「Ｍは第４族遷移金属であり」に含まれる。
　
（４）補正発明の「ＬＢは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり」について
　先願発明の触媒化合物は、Ｚｒ：ジルコニウムにπ−結合した、（３−ＰｈＣＨ２Ｃｐ）：３−ベンジルシクロペンタジエニルを有しており、これは、補正発明の「ＬＢは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり」に含まれる。
　
（５）補正発明の「前記ＬＡ及び前記ＬＢは第１４族元素架橋基を介して互いに共有結合しており」について、
　第１４元素には炭素、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛が含まれることは元素周期律表から明らかであり、さらに、補正明細書７頁２０〜２１行には、好ましい触媒化合物として「（インデニル）イソプロピリデン（３−ｎープロピル−シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロライド」が例示されていることからみても、補正発明の「第１４族元素架橋基」には炭素を架橋基元素とするものが含まれている。
　一方、先願発明の触媒化合物であるＰｈ２Ｃ（３−ＰｈＣＨ２Ｃｐ）（Ｆｌｕ）ＺｒＣｌ２：ジフェニルメチレン（３−ベンジルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロライドにおいては、補正発明のＬＡに相当する「Ｆｌｕ：フルオレニル」と、補正発明のＬＢに相当する「（３−ＰｈＣＨ２Ｃｐ）：３−ベンジルシクロペンタジエニル」とが、「Ｐｈ２Ｃ：ジフェニルメチレン」によって架橋されているので、先願発明の触媒化合物の架橋構造は、補正発明の「前記ＬＡ及び前記ＬＢは第１４族元素架橋基を介して互いに共有結合しており」に含まれる。
　
（６）補正発明の「前記架橋基に共有結合する環の炭素を１位として数える場合、前記ＬＢは３位又は４位に１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルリシル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を有し」について
　上記（４）に記載したように、先願発明の触媒化合物は、補正発明のＬＢに相当する（３−ＰｈＣＨ２Ｃｐ）：３−ベンジルシクロペンタジエニルを有することから、これは、架橋基に共有結合する環の炭素を１位として数える場合、３位に１つのベンジル基（ベンジル基はＣ７のヒドロカルビル置換基に相当する）を有するものである。したがって、先願発明の触媒化合物は、補正発明の「前記架橋基に共有結合する環の炭素を１位として数える場合、前記ＬＢは３位に１つのＣ３以上のヒドロカルビル置換基を有し」に含まれる。
　
（７）補正発明の「ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、ｉは０であり」について
　補正発明においてはＬＣｉにおけるｉが０であることから、結局、補正発明にはＬＣは存在しないこととなる。そして、先願発明においても、ＬＣに相当するリガンドは存在しない。
　
（８）補正発明の「Ａ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し」について
　補正明細書に記載された全ての実施例では、触媒化合物におけるＭ及び２つのリガンドの構造は「ジルコニウムジクロライド」であることから、「ジルコニウムジクロライド」は、補正発明の「Ａ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し」という規定を満足するといえる。
　そして、先願発明の触媒化合物は、ＺｒＣｌ２：ジルコニウムジクロライドの構造を有していることから、先願発明の触媒化合物は、補正発明の「Ａ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し」に含まれる。
　
（９）補正発明の「前記ＬＡ及び前記ＬＢ上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及び前記ＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている」について
　上記（２）及び（６）で述べたように、先願発明の触媒化合物は、補正発明のＬＡに相当するＦｌｕ：フルオレニル及び補正発明のＬＢに相当する（３−ＰｈＣＨ２Ｃｐ）：３−ベンジルシクロペンタジエニルを有している。
　そして、上記（２）にも記載した補正明細書に記載された置換基の数え方の定義によれば、先願発明の触媒化合物の「フルオレニル」は「４つの置換基を有するシクロペンタジエニル環」と見なされ、また、先願発明の触媒化合物の「３−ベンジルシクロペンタジエニル」は「１つの置換基を有するシクロペンタジエニル環」であることから、これらの置換基の総数は５となる。
　したがって、先願発明の触媒化合物は、「前記ＬＡ及び前記ＬＢ上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及び前記ＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている」に含まれる。
　
　そこで、補正発明と先願発明とを対比すると、両者は、
「エチレン及びヘキセン−１を、以下の式：
　（１）ＬＡＬＢＭＡＢ
（式中、ＬＡはフルオレニルであり、ＬＢは３位にベンジル基を有するシクロペンタジエニルであり、Ｍはジルコニウムであり、Ａ、Ｂハクロライドからなり、ＬＡのフルオレニルとＬＢのシクロペンタジエニルが炭素元素架橋基を介して共有結合している。）
で表される触媒化合物に接触させる工程を含むオレフィン重合方法」の点で一致し、モノマーを触媒化合物に接触させる工程を、補正発明では「適した重合条件下で」行うとしているのに対し、先願発明では、これが明記されていない点で両者は一応相違している。
　そこで、この相違点について検討する。
　補正明細書には、補正発明の「適した重合条件」が具体的にどのような条件を意味するのかについての説明あるいは定義はなされていない。
　一方、先願発明は、［摘示エ］記載のように、高分子量のポリオレフィンを生産性良く製造することを目的とするものであり、［摘示オ］〜［摘示キ］に記載のように、重合方法、重合時に用いる溶媒、重合温度、重合時間、重合圧力、モノマー濃度などの重合条件が例示され、さらに、［摘示ア］〜［摘示ウ］には、Ｐｈ２Ｃ（３−ＰｈＣＨ２Ｃｐ）（Ｆｌｕ）ＺｒＣｌ２：ジフェニルメチレン（３−ベンジルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロライドの触媒化合物を用いて、エチレン及びヘキセン−１の重合が行われることが記載されている。
　このように、優先権基礎明細書には触媒化合物を用いて、エチレン及びヘキセン−１の重合が支障なく行われていることが記載されており、また、重合を敢えて適切でない重合条件下で行うことは考えられないことから、先願発明においても、モノマーを触媒化合物に接触させる工程は「適した重合条件下で」で行われていると解するのが相当である。
　したがって、補正発明は、優先権基礎明細書に記載された発明と同一である。
　
　３−４．小括
　以上のとおり、本件出願の請求項２に係る発明は、本件出願の日（国際出願におけるパリ条約による優先権主張外国庁受理：１９９６年７月１６日）前の特許出願（出願日：平成８年（１９９６年）１月２５日）であって、本願の出願後に、特許法第４１条第３項の規定により出願公開されたものとみなされる特願平８−１０８０３号の願書に最初に添付した明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本件出願の発明者が本件出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件出願の時において、本件出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　４．まとめ
　以上のとおりであるから、本件手続補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明の認定
　平成１９年５月１７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年８月２８日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されたとおりのものであり、請求項１、２及び４には、次のとおり記載されている。
「１．エチレンのみを、又はこれを１つ以上のオレフィン性不飽和コモノマーとともに、以下の式：
（１）ＬＡＬＢＬＣｉＭＡＢ
（式中、ＬＡは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであり、Ｍは第４族遷移金属であり、ＬＢは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであるか、又は、ＬＢはＭにσ−結合したヘテロ原子補助リガンドであり、ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、ｉは０乃至３であり、及びＡ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有し、
少なくとも１つのＬＡ又はＬＢは、一級炭素原子を介して環に結合した、少なくとも１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換体を有し、かつ、
ＬＡ及びＬＢ上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及びＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている。）
であらわされる触媒化合物に、適した重合条件下で、接触させる工程を含むオレフィン重合方法。」
「２．前記ＬＡ及び前記ＬＢのいずれかが、１乃至２０の炭素、シリコン、又はゲルマニウム原子、置換されたヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミルラジカルを有する、２乃至５の置換基Ｒで置換されたシクロペタジエニル基を含有する環であることを特徴とする請求項１に記載の方法。」
「４．前記ＬＡ及び前記ＬＢが相互に共有結合により架橋しており、架橋に共有結合する環の炭素を１位として数える場合、前記ＬＡ及び前記ＬＢのうちの一つの環の３又は４位にＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルリシル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。」
　
IV．原査定の理由の概要　
　原査定の拒絶の理由とされた平成１８年２月２１日付け拒絶理由通知書に記載した拒絶理由３の概要は以下のとおりである。
「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　
　　 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
・請求項　１，２，４，６〜１４
・引用文献等　３
・備考
　先願３（優先日平成８年１月２５日）の願書に最初に添付された明細書には、「ジフェニルメチレン（３−ベンジルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジクロライド」を用いて、エチレンとヘキセン−１とを共重合することが記載されている（実施例１７）。
　この共重合体は、本願請求項１，２，６で定義される触媒によって製造されたものであるから、本願請求項９−１４で定義される物性条件を満足するものと認められる。
　また、当該事項は、先願３の優先権主張の基礎とされた、特願平８−１０８０３号の願書に最初に添付された明細書にも記載されている。
　
　　　　　　　　　　引用文献等一覧
　３．特願平８−１０８０３号（特開平１０−２２６６９４号公報）」
【審決注】
　上記II．３．３−２．においても述べたように、特願平９−８５３１号は、１）優先権主張１：優先権主張番号；特願平８−１０８０３、優先日；平成８年１月２５日及び２）優先権主張２：優先権主張番号；特願平８−３３４３１２、優先日；平成８年１２月１３日を伴うものであり、このうち優先権主張１の基礎出願である特願平８−１０８０３号を以下において「先願」という。また、この先願の願書に最初に添付した明細書を以下において「優先権基礎明細書」という。
　なお、特許法第４１条第３項の規定により、同法第２９条の２本文の規定の適用においては、特願平９−８５３１号の願書に最初に添付した明細書のうち、優先権基礎明細書に記載された発明については、特開平１０−２２６６９４号公報により出願公開がなされたものとみなされる。
　
V．原査定の拒絶理由の妥当性についての検討
１．本願明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）について
　本願発明１は、上記III．で認定したとおりのものであり、次の事項を、発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）として含むものである。
１）「ＬＡは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであ」ること
２）「Ｍは第４族遷移金属であ」ること
３）「ＬＢは、Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンドであるか、又は、ＬＢはＭにσ−結合したヘテロ原子補助リガンドであ」ること
４）「ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、ｉは０乃至３であ」ること
５）「Ａ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有」すること
６）「少なくとも１つのＬＡ又はＬＢは、一級炭素原子を介して環に結合した、少なくとも１つのＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミル置換体を有」すること
７）「ＬＡ及びＬＢ上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及びＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている」こと
　そして、上記本願発明１の発明特定事項は、それぞれ、補正発明の次の発明特定事項に相当している。
１’）「ＬＡは、
１乃至２０の炭素、シリコン、又はゲルマニウム原子を有する、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミルラジカルを有する、２乃至５の置換基Ｒを含む
２’）「Ｍは第４族遷移金属であ」ること
３’）「ＬＢは、
Ｍにπ−結合した置換されたシクロペンタジエニル又はヘテロシクロペンタジエニルの補助的なリガンド
４’）「ＬＣｉは、Ｍに対する供与結合を有する任意の中性、非酸化リガンドであり、
ｉは０
５’）「Ａ及びＢは、それぞれ独立してモノアニオン性の不安定な（ｌａｂｉｌｅ）リガンドであって、Ｍに対してσ−結合を有」すること
７’）「前記ＬＡ及び前記ＬＢ環上の置換基の総数は、３乃至１０の数に等しく、前記ＬＡ及び前記ＬＢ置換基の数が３又は４の場合、非対称に置換されている。」こと
　本願発明１の発明特定事項２）、５）、７）は、それぞれ、補正発明の発明特定事項２’）、５’）、７’）と実質的に同じであること、また、本願発明１の発明特定事項１）、３）、４）は、それぞれ、補正発明の発明特定事項１’）、３’）、４’）の上位概念に相当することから、上記II．３−３．対比・判断で述べたとおり、本願発明１の発明特定事項１）〜５）及び７）は優先権基礎明細書に記載された事項である。
　さらに、本願発明１の発明特定事項６）については、上記II．３−３．対比・判断．（６）で述べたとおり、先願発明の触媒化合物は、シクロペンタジエニル環にベンジル基が結合した構造を有しており、これは、一級炭素原子（メチレン基）を介して環（シクロペンタジエニル環）に結合したＣ３以上のヒドロカルビル置換体（フェニル基）であることから、本願発明１の発明特定事項６）は優先権基礎明細書に記載された事項である。
　したがって、本願発明１は優先権基礎明細書に記載された発明と同一である。
　
２．本願明細書の特許請求の範囲の請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）について
　本願発明２は、上記III．で認定したとおりのものであり、上記V．１．において検討した本願発明１の１）〜７）の発明特定事項に加え、次の事項を発明特定事項として含むものである。
８）「前記ＬＡ及び前記ＬＢのいずれかが、１乃至２０の炭素、シリコン、又はゲルマニウム原子、置換されたヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、又はヒドロカルビルゲルミルラジカルを有する、２乃至５の置換基Ｒで置換されたシクロペタジエニル基を含有する環である」こと
　しかしながら、本願発明２の発明特定事項８）については、上記II．３−３．対比・判断．（２）で述べたとおり、先願発明の触媒化合物は、Ｆｌｕ：フルオレニルを有しており、本願明細書に記載された置換基の数え方の定義によれば、この「フルオレニル」は「１以上の炭素を有する、４つの置換基で置換されたシクロペンタジエニル環」と見なされることから、本願発明２の発明特定事項８）は優先権基礎明細書に記載された事項である。
　したがって、本願発明２は優先権基礎明細書に記載された発明と同一である。
　
３．本願明細書の特許請求の範囲の請求項４に係る発明（以下、「本願発明４」という。）について
　本願発明４は、上記III．で認定したとおりのものであり、上記V．１．において検討した本願発明１の１）〜７）の発明特定事項に加え、次の事項を発明特定事項として含むものである。
９）「前記ＬＡ及び前記ＬＢが相互に共有結合により架橋しており、架橋に共有結合する環の炭素を１位として数える場合、前記ＬＡ及び前記ＬＢのうちの一つの環の３又は４位にＣ３以上のヒドロカルビル、ヒドロカルビルリシル、又はヒドロカルビルゲルミル置換基を有する」
　そして、上記本願発明４の発明特定事項は、補正発明の次の発明特定事項に相当している。
９’）「前記ＬＡ及び前記ＬＢは
第１４族元素架橋基を介して
前記Ｌ
Ｂ
　本願発明４の発明特定事項９）は、補正発明の発明特定事項９’）の上位概念に相当することから、上記II．３−３．対比・判断で述べたとおり、本願発明４の発明特定事項９）は優先権基礎明細書に記載された事項である。
　したがって、本願発明４は優先権基礎明細書に記載された発明と同一である。
　
４．小括
　以上のとおりであるから、本願発明１、２及び４は、本件出願の日（国際出願におけるパリ条約による優先権主張外国庁受理：１９９６年７月１６日）前の特許出願（出願日：平成８年（１９９６年）１月２５日）であって、本願の出願後に、特許法第４１条第３項の規定により出願公開されたものとみなされる特願平８−１０８０３号の願書に最初に添付した明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本件出願の発明者が本件出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件出願の時において、本件出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　
VI．むすび 
　以上のとおりであるから、本願の請求項１、２及び４に係る発明についての原査定の拒絶の理由は妥当なものであり、他の請求項について検討するまでもなく、本願は、この理由により拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。