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【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特別図柄を表示する特別図柄表示装置と、
遊技球の通過を検知する第一の特別始動領域と、
遊技球の第一の特別始動領域通過を契機として抽選を行い、該抽選結果に基づいて特別図柄を変動表示させ、その後に停止表示させる特別図柄制御手段と、
開閉可能な入賞口と、該入賞口と連通する一般領域及び特定領域と、前記入賞口に入球した遊技球を前記一般領域及び特定領域のいずれかに振り分ける振分機構とを有する可変入賞装置と、
遊技球の通過を検知する第二の特別始動領域と、
遊技球の第二の特別始動領域通過を契機として、前記入賞口を所定時間開放させる入賞口開放制御手段と、
普通図柄を表示する普通図柄表示装置と、
遊技球の通過を検知する普通始動領域と、
遊技球の普通始動領域の通過を契機として抽選を行い、該抽選結果に基づいて普通図柄を変動表示し、その後に停止表示させる普通図柄制御手段と、
前記第一の特別始動領域及び前記第二の特別始動領域の少なくともいずれかを内部に有し、内部に有する該特別始動領域へ遊技球が通過容易となる拡開状態と、通過困難または通過不能となる閉鎖状態とに変換され、普通図柄表示装置が当り態様で普通図柄を停止表示すると拡開状態に変換される普通電動役物と、
通常遊技状態と、前記普通電動役物内部の特別始動領域へ遊技球が通過する機会が通常遊技状態よりも増加することとなる時短遊技状態と、遊技者にとって有利な大当り遊技状態と、のいずれかの遊技状態に制御する遊技状態制御手段と
を備えてなり、
前記遊技状態制御手段は、通常遊技状態又は時短遊技状態において、遊技球が前記特定領域を通過するか、又は、前記特別図柄表示装置が特別図柄を当り態様で停止表示すると、大当り遊技状態に移行するよう制御し、また、大当り遊技状態の終了後は、時短遊技状態に移行するよう制御し、時短遊技状態の終了条件が満了した場合には、通常遊技状態に移行するよう制御するものであり、
さらに、前記遊技状態制御手段は、通常遊技状態において、特別図柄が所定種類の当り態様で停止表示された場合には、大当り遊技状態終了後に、所定終了条件の第一の時短遊技状態に移行するよう制御し、
該第一の時短遊技状態において、特別図柄が前記所定種類の当り態様で停止表示された場合には、大当り遊技状態終了後に、前記第一の時短遊技状態よりも終了条件が緩い第二の時短遊技状態に移行するよう制御するものであり、
さらに、前記普通電動役物は、内部に第二の特別始動領域を有し、該第二の特別始動領域へ遊技球が通過容易となる拡開状態と、通過困難または通過不能となる閉鎖状態とに変換されることを特徴とするパチンコ機。
【請求項２】
時短遊技状態の終了条件は、当該時短遊技状態において特別図柄が変動表示される回数で規定されるものであることを特徴とする請求項１記載のパチンコ機。
【請求項３】
前記遊技制御手段は、
通常遊技状態において遊技球が前記特定領域を通過した場合には、大当り遊技状態終了後に、前記第一の時短遊技状態に移行するよう制御し、
前記第一の時短遊技状態において、遊技球が前記特定領域を通過した場合には、大当り遊技状態終了後に、前記第二の時短遊技状態に移行するよう制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパチンコ機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射を放出する放射エミッタと、
前記放射エミッタによって放出される前記放射を収集するコレクタと、
前記放射エミッタによって放出される放射に平行に伸びるように向けられた複数のプレーナ部材と、
を有し、
複数の前記プレーナ部材の少なくとも１つは、前記コレクタに接触している、
放射源。
【請求項２】
複数の前記プレート部材の大半が前記コレクタに接触している、または、複数の前記プレート部材の全てが前記コレクタに接触している、請求項１に記載の放射源。
【請求項３】
前記コレクタは、コレクタミラーを備える、請求項１又は２に記載の放射源。
【請求項４】
複数の前記プレーナ部材の少なくとも１つは、前記コレクタミラーに取り付けられている、請求項３に記載の放射源。
【請求項５】
複数の前記プレーナ部材の少なくとも１つは、前記コレクタミラー内に提供された１つ又は複数のスリット内に位置する、請求項３又は４に記載の放射源。
【請求項６】
前記コレクタミラーは、１つ又は複数の開口を有する、請求項３〜５のいずれかに記載の放射源。
【請求項７】
前記１つ又は複数の開口を通してガスが供給されるように配置される、請求項６記載の放射源。
【請求項８】
前記コレクタは、複数の反射シェルを含む、請求項１又は２に記載の放射源。
【請求項９】
複数の前記プレーナ部材の少なくとも１つは、複数の前記反射シェルの１つ以上に取り付けられている、請求項８に記載の放射源。
【請求項１０】
複数の前記プレーナ部材の少なくとも２つは、異なる長さを有する、請求項１〜９のいずれかに記載の放射源。
【請求項１１】
複数の前記プレーナ部材はフォイルである、請求項１〜１０のいずれかに記載の放射源。
【請求項１２】
複数の前記プレーナ部材は、汚染トラップの少なくとも一部を形成する、請求項１〜１１のいずれかに記載の放射源。
【請求項１３】
複数の前記プレーナ部材及び前記コレクタは、組み合わせて回転可能である、請求項１〜１２のいずれかに記載の放射源。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の放射源と、
前記放射を調整する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の放射源又はリソグラフィ装置を用いる方法であって、
前記コレクタおよび複数の前記プレーナ部材を組み合わせて光軸を中心に回転させること、
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放射源、リソグラフィ装置、並びに放射源又はリソグラフィ装置を用いる方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の電子機器は、ケースと、前記ケースに設けられた凹状の電池収容部と、前記電池収容部に収容される電池パックと、前記電池収容部を覆うために、前記電池収容部の一部を覆う取付開始位置から、前記電池収容部の全部を覆う取付完了位置まで、前記ケースに対して相対的に摺動することにより前記ケースに取り付けられるカバーと、前記電池収容部の内面に設けられ、前記電池パックの端面に向かって突没可能であるとともに、前記電池パックの上面に係止可能な電池パック係止爪を有し、この電池パック係止爪の上面が前記電池パックの上面に向かう下り傾斜面である電池パック保持部材と、前記電池パック保持部材を、前記電池パックの端面に向かって常時付勢し、前記電池パックを収容する際、前記電池パックの端面が前記下り傾斜面を押すことで、前記電池パック保持部材を前記電池パックから離れる方向に後退させ、前記電池パックが電池パック係止爪の下側に移動すると、前記電池パック保持部材を前記電池パックの端面に向かって押し出して、前記電池パック係止爪を前記電池パックの上面を係止させる弾性部材と、前記カバーの前記ケース側の面に設けられ、前記カバーが前記取付完了位置に摺動すると前記電池パック係止爪に係合して前記電池パック保持部材が前記電池パックから離れる方向の移動を規制し、前記カバーを前記取付開始位置に摺動すると前記電池パック係止爪との係合を解除する規制部材と、を備えるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の電子機器は、前記電池パックの端面の、前記電池パック係止爪に対応する位置に設けられ、前記電池パックを前記電池収容部から取り出す際に用いられる係止凹部を備えるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケースと、
前記ケースに設けられた凹状の電池収容部と、
前記電池収容部に収容される電池パックと、
前記電池収容部を覆うために、前記電池収容部の一部を覆う取付開始位置から、前記電池収容部の全部を覆う取付完了位置まで、前記ケースに対して相対的に摺動することにより前記ケースに取り付けられるカバーと、
前記電池収容部の内面に設けられ、前記電池パックの端面に向かって突没可能であるとともに、前記電池パックの上面に係止可能な電池パック係止爪を有し、この電池パック係止爪の上面が前記電池パックの上面に向かう下り傾斜面である電池パック保持部材と、
前記電池パック保持部材を、前記電池パックの端面に向かって常時付勢し、前記電池パックを収容する際、前記電池パックの端面が前記下り傾斜面を押すことで、前記電池パック保持部材を前記電池パックから離れる方向に後退させ、前記電池パックが電池パック係止爪の下側に移動すると、前記電池パック保持部材を前記電池パックの端面に向かって押し出して、前記電池パック係止爪を前記電池パックの上面を係止させる弾性部材と、
前記カバーの前記ケース側の面に設けられ、前記カバーが前記取付完了位置に摺動すると前記電池パック係止爪に係合して前記電池パック保持部材が前記電池パックから離れる方向の移動を規制し、前記カバーを前記取付開始位置に摺動すると前記電池パック係止爪との係合を解除する規制部材と、を備える電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器において、
前記電池パックの端面の、前記電池パック係止爪に対応する位置に設けられ、前記電池パックを前記電池収容部から取り出す際に用いられる係止凹部を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月2日(2012.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定電圧素子を有する２次電池であって、
前記定電圧素子が、前記２次電池の正極端子と負極端子との間にパラレル接続されてなり、
前記定電圧素子のブレークダウン電圧が、前記２次電池の満充電電圧よりも１５％以上高くて前記２次電池の爆発・発火電圧よりは低いものであり、
前記２次電池の満充電電圧における漏れ電流値が「電流×時間」単位で表される２次電池の容量値の０．０５％未満であり、
前記漏れ電流値の単位が、ｍＡであり、
前記２次電池の容量値の単位がｍＡｈであり、
前記定電圧素子の放電前後に亘って回路遮断が生じないことを特徴とする、２次電池。
【請求項２】
前記定電圧素子が、ツェナーダイオードまたはバリスタであることを特徴とする、請求項１に記載の２次電池。
【請求項３】
前記定電圧素子がツェナーダイオードであり、前記ツェナーダイオードが逆方向にパラレル接続されることを特徴とする、請求項２に記載の２次電池。
【請求項４】
前記２次電池が、リチウムイオン電池であることを特徴とする、請求項１に記載の２次電池。
【請求項５】
前記２次電池の満充電電圧が４．２Ｖ以下であり、前記定電圧素子のブレークダウン電圧が５Ｖ乃至２０Ｖの範囲内であることを特徴とする、請求項４に記載の２次電池。
【請求項６】
定電圧素子を有する２次電池であって、
前記定電圧素子が前記２次電池の正極端子と負極端子との間にパラレル接続されてなり、
前記定電圧素子のブレークダウン電圧が、前記２次電池の満充電電圧よりは１５％以上高くて前記２次電池の爆発・発火電圧よりは低いものであり、
前記定電圧素子の放電前後に亘って回路遮断が生じないことを特徴とする、２次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の半導体層と、第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層との上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、第１の金属膜を形成し、前記第１の金属膜をパターニングすることにより、第１の半導体層と重なる領域を有する第１の電極と、第２の半導体層と重なる領域を有する第２の電極とを形成し、
前記第１の電極上に、第１の酸化膜を形成し、
前記第２の電極上に、第２の酸化膜を形成し、
前記第１の酸化膜と、前記第２の酸化膜とをマスクとし、前記第１の絶縁膜をエッチングし、前記第１の酸化膜と重なる領域を有する第１のゲート絶縁膜と、前記第２の酸化膜と重なる領域を有する第２のゲート絶縁膜とを形成し、
不純物添加を行うことにより、第１の半導体層に、第１のソース領域と、第１のドレイン領域とを形成し、第２の半導体層に、第２のソース領域と、第２のドレイン領域とを形成し、
前記第１の酸化膜と、前記第１のソース領域と、前記第１のドレイン領域と、前記第２の酸化膜と、前記第２のソース領域と、前記第２のドレイン領域との上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に、第１のコンタクトホール乃至第５のコンタクトホールを形成し、
前記第２の絶縁膜上に、第２の金属膜を形成し、前記第２の金属膜をパターニングすることにより、前記第１のコンタクトホールを介して前記第１のソース領域上に設けられる第３の電極と、前記第２のコンタクトホールを介して前記第１の酸化膜上に設けられる第４の電極と、前記第３のコンタクトホールを介して前記第１のドレイン領域上に設けられる第５の電極と、前記第４のコンタクトホールを介して前記第２のソース領域上に設けられる第６の電極と、前記第５のコンタクトホールを介して前記第２のドレイン領域上に設けられる第７の電極とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は単結晶シリコンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記２の絶縁膜は、酸素と珪素とを有する第１の層と、窒素と珪素とを有する第２の層とを積層して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月16日(2012.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には、接続対象がＩＣチップである複数のＩＣチップ接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には、接続対象が母基板である複数の母基板接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向かうに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、
前記複数の樹脂絶縁層は、樹脂絶縁材料を主体としたビルドアップ材によって形成された第１の樹脂絶縁層と、前記第１の樹脂絶縁層よりも多量の無機材料を含有しかつ前記第１の樹脂絶縁層よりも熱膨張係数が小さいビルドアップ材によって形成された第２の樹脂絶縁層とを含み、
前記第２の樹脂絶縁層は、最外層の樹脂絶縁層よりも内層にあり、前記積層構造体の厚さ方向における中央に位置する基準樹脂絶縁層を基準として前記第２主面側の領域にのみ配置され、
前記積層構造体には、前記第２主面側が凸となる反りが生じている
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には、接続対象がＩＣチップである複数のＩＣチップ接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には、接続対象が母基板である複数の母基板接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向かうに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、
前記複数の樹脂絶縁層は、樹脂絶縁材料を主体としたビルドアップ材によって形成された第１の樹脂絶縁層と、前記第１の樹脂絶縁層よりも多量の無機材料を含有しかつ前記第１の樹脂絶縁層よりも熱膨張係数が小さいビルドアップ材によって形成された第２の樹脂絶縁層とを含み、
前記第２の樹脂絶縁層は、前記積層構造体の厚さ方向における中央に位置する基準樹脂絶縁層を挟んで非対称の態様で配置されるとともに、前記基準樹脂絶縁層の前記第１主面側の領域よりも前記基準樹脂絶縁層の前記第２主面側の領域に多く配置され、
前記積層構造体には、前記第２主面側が凸となる反りが生じている
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項３】
前記第２の樹脂絶縁層は、無機フィラー及び無機繊維クロスの少なくとも一方を前記無機材料として含有していることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記第１主面側の最外層の樹脂絶縁層及び前記第２主面側の最外層の樹脂絶縁層の少なくとも一方は、前記第１の樹脂絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記第１主面側に、前記複数のＩＣチップ接続端子を露出させるとともに、平面視で全体として枠状をなす補強材が接合されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記複数の樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体は、いずれも前記第２主面側から前記第１主面側に向かうに従って拡径した形状、または、いずれも前記第１主面側から前記第２主面側に向かうに従って拡径した形状を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記第２の樹脂絶縁層の厚さは、前記第１の樹脂絶縁層の厚さの１．２倍以上２．０倍以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記第１の樹脂絶縁層及び前記第２の樹脂絶縁層の厚さは、２５μｍ以上４５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には、接続対象がＩＣチップである複数のＩＣチップ接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には、接続対象が母基板である複数の母基板接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向かうに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、前記複数の樹脂絶縁層は、樹脂絶縁材料を主体としたビルドアップ材によって形成された第１の樹脂絶縁層と、前記第１の樹脂絶縁層よりも多量の無機材料を含有しかつ前記第１の樹脂絶縁層よりも熱膨張係数が小さいビルドアップ材によって形成された第２の樹脂絶縁層とを含み、前記第２の樹脂絶縁層は、最外層の樹脂絶縁層よりも内層にあり、前記積層構造体の厚さ方向における中央に位置する基準樹脂絶縁層を基準として前記第２主面側の領域にのみ配置され、前記積層構造体には、前記第２主面側が凸となる反りが生じていることを特徴とする多層配線基板がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、手段１に記載の発明によれば、第２の樹脂絶縁層が、基準樹脂絶縁層を基準として第２主面側の領域にのみ配置されている。また、手段２に記載の発明によれば、第２の樹脂絶縁層が、基準樹脂絶縁層の第１主面側の領域よりも基準樹脂絶縁層の第２主面側の領域に多く配置されている。その結果、手段１，２に記載の発明の両方において、積層構造体の第２主面側の熱膨張係数が積層構造体の第１主面側の熱膨張係数よりも小さくなるため、積層構造体の熱膨張係数が母基板の熱膨張係数よりも大きい場合には、積層構造体の第２主面側の熱膨張係数を、母基板の熱膨張係数に近付けることができる。よって、積層構造体と母基板との熱膨張係数差がよりいっそう小さくなるため、熱膨張係数差に起因する熱応力の影響がよりいっそう軽減される。その結果、一般的に母基板との接続面積が大きく、アンダーフィル材などが存在しないためにクラックが発生しやすい部分（積層構造体と母基板との接続部分）において、クラックの発生を確実に防止することができる。ゆえに、歩留まりが高くなり、多層配線基板の信頼性が向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
なお、第１の樹脂絶縁層及び第２の樹脂絶縁層の厚さは、２５μｍ以上４５μｍ以下であることが好ましい。また、第１の樹脂絶縁層の厚さ及び第２の樹脂絶縁層の厚さは、互いに異なっていてもよいし、互いに等しくてもよい。第１の樹脂絶縁層の厚さと第２の樹脂絶縁層の厚さとが互いに異なっていれば、含有される無機材料の量などに応じて樹脂絶縁層の強度を調節しやすくなる。第１の樹脂絶縁層の厚さと第２の樹脂絶縁層の厚さとが互いに異なっている好適例としては、第２の樹脂絶縁層の厚さが、第１の樹脂絶縁層の厚さの１．２倍以上２．０倍以下であることなどが挙げられる。一方、第１の樹脂絶縁層の厚さと第２の樹脂絶縁層の厚さとが互いに等しければ、第１の樹脂絶縁層及び第２の樹脂絶縁層の両方に対して、同じ加工条件でビア導体を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月18日(2011.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子、接着剤層、及び支持部材を備え、半導体素子が接着剤層を介して支持部材に接着され、半導体素子の中央部にあたる部分の接着剤層が除去されている半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光のエネルギー密度の低い部分はスリットによって遮断し、且つエネルギー密度の高い部分は前記スリットを通過させ、
前記スリットにおける像を、凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズを用いて半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射し、
前記スリットは、前記線状ビームの長辺方向に作用し、
前記線状ビームは、前記半導体膜の表面に対して相対的に前記線状ビームの短辺方向に第１の走査をした後に、前記線状ビームの走査位置を、前記線状ビームの長辺方向に前記線状ビームの長辺の長さ分ずらして、前記半導体膜の表面に対して相対的に前記線状ビームの短辺方向に第２の走査をすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜の結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜に含まれる不純物元素の活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと前記半導体膜の表面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ            式（１）
Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ            式（２）
（但し、前記式（１）及び前記式（２）において、ｓは前記スリットの幅、Ｄは前記半導体膜の表面における前記線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズの焦点距離である。）
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
少なくとも前記線状ビームの長辺方向の端部が照射された前記半導体膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記レーザ光は、連続発振レーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記レーザ光は、繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器から射出されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、且つ前記エネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと、を有し、
前記像を投影することで前記照射面に照射される線状ビームは、前記線状ビームの短辺方向に第１の走査をした後に、走査位置を、前記線状ビームの長辺方向に前記線状ビームの長辺の長さ分ずらして、前記線状ビームの短辺方向に第２の走査をし、
前記スリットは、前記線状ビームの長辺方向に作用することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記レーザ発振器は、ＣＷレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記レーザ発振器は、繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと前記照射面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ            式（１）
Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ            式（２）
（但し、前記式（１）及び前記式（２）において、ｓは前記スリットの幅、Ｄは前記照射面における前記線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズの焦点距離である。）
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から引き出された荷電粒子ビームを集束するための集束レンズ電極と、
前記荷電粒子ビームの照射と非照射を切替えるためのブランキング電極と、
前記荷電粒子ビームを走査照射するための走査電極と、
試料を載置するための試料台と、
荷電粒子ビーム照射により前記試料から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、
下記一般式（Ｉ）で表されるケイ素化合物を原料ガスとして収容するリザーバと、
前記原料ガスを前記試料の荷電粒子ビームの照射位置に供給するガス銃と、
を備える荷電粒子ビーム装置。
ＳｉnＸm    ・・・・・・・・・・・・    （Ｉ）
（ここで、ｎは３以上の整数を表し、ｍはｎ、２ｎ−２、２ｎまたは２ｎ＋２の整数を表し、Ｘは水素原子および／またはハロゲン原子を表す）
【請求項２】
前記ケイ素化合物は、シクロペンタシランである請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
前記荷電粒子ビームは、電子ビームである請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
前記荷電粒子ビームは、ガリウム、金、シリコン、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、酸素、窒素、または炭素から選ばれる一種のイオンビームである請求項1または２に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
前記原料ガスとは異なる原料ガスを供給する第二のガス供給系を有する請求項１から４のいずれか一つに記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
試料に原料ガスを供給し、前記試料に荷電粒子ビームを集束させて照射することにより、薄膜を作製する薄膜作製方法であって、
下記一般式（Ｉ）で表されるケイ素化合物を前記原料ガスとして前記試料に供給し、前記試料に前記荷電粒子ビームを集束させて照射し、前記薄膜を作製する薄膜作製方法。
ＳｉnＸm    ・・・・・・・・・・・・    （Ｉ）
（ここで、ｎは３以上の整数を表し、ｍはｎ、２ｎ−２、２ｎまたは２ｎ＋２の整数を表し、Ｘは水素原子および／またはハロゲン原子を表す）
【請求項７】
前記ケイ素化合物は、シクロペンタシランである請求項６に記載の薄膜作製方法。
【請求項８】
前記原料ガスとは異なる原料ガスを前記試料に供給する請求項６または７に記載の薄膜作製方法。
【請求項９】
前記異なる原料ガスの原料は、水、酸素または窒素のいずれか一つである請求項８に記載の薄膜作製方法。
【請求項１０】
前記薄膜を加熱する請求項６から９のいずれか一つに記載の薄膜作製方法。
【請求項１１】
前記薄膜に酸素または窒素イオンビームを注入する請求項６から１０のいずれか一つに記載の薄膜作製方法。
【請求項１２】
集束イオンビームを照射して試料の表面の一部に互いに離間した一対の凹部を形成し、前記凹部の間に薄片試料を形成する工程と、
前記薄片試料を前記試料から切り離す工程と、
前記凹部に下記一般式（Ｉ）で表されるケイ素化合物を原料ガスとして供給し、荷電粒子ビームを集束させて照射し膜を形成する工程と、を有する薄膜作製方法。
ＳｉnＸm    ・・・・・・・・・・・・    （Ｉ）
（ここで、ｎは３以上の整数を表し、ｍはｎ、２ｎ−２、２ｎまたは２ｎ＋２の整数を表し、Ｘは水素原子および／またはハロゲン原子を表す）
【請求項１３】
前記荷電粒子ビームは前記集束イオンビームである請求項１２に記載の薄膜作製方法。
【請求項１４】
下記一般式（Ｉ）で表されるケイ素化合物を原料ガスとしてナノインプリントのモールドの欠陥部に供給し、前記欠陥部に荷電粒子ビームを集束させて照射し、膜を形成し、前記欠陥部を修正する欠陥修正方法。
ＳｉnＸm    ・・・・・・・・・・・・    （Ｉ）
（ここで、ｎは３以上の整数を表し、ｍはｎ、２ｎ−２、２ｎまたは２ｎ＋２の整数を表し、Ｘは水素原子および／またはハロゲン原子を表す）
【請求項１５】
試料に原料ガスを供給し、前記試料に第一の荷電粒子ビームを集束させて照射することにより、第一の薄膜を作製する工程を有するデバイス作製方法であって、
下記一般式（Ｉ）で表されるケイ素化合物を前記原料ガスとして前記試料に供給し、前記試料に前記第一の荷電粒子ビームを集束させて照射し、前記第一の薄膜を作製する工程と、
前記試料に前記原料ガスを供給し、前記試料に前記第一の荷電粒子ビームと異なるビーム種の第二の荷電粒子ビームを照射し、前記第一の薄膜とは異なる機能の第二の薄膜を作製する工程と、を有するデバイス作製方法。
ＳｉnＸm    ・・・・・・・・・・・・    （Ｉ）
（ここで、ｎは３以上の整数を表し、ｍはｎ、２ｎ−２、２ｎまたは２ｎ＋２の整数を表し、Ｘは水素原子および／またはハロゲン原子を表す）
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月7日(2012.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作業機械に複数のカメラを設置して、これら各カメラで取得したカメラ画像に基づく信号処理を行って、上方視点となるように視点変換し、俯瞰画像としてモニタに表示する作業機械の周囲監視装置であって、
前記各カメラにより撮影した各個別俯瞰画像を合成した合成俯瞰画像を前記モニタに表示する画像合成手段と、
前記合成俯瞰画像に対して、この合成俯瞰画像を構成する前記各個別俯瞰画像の少なくとも１つの画像を視点変換する前のカメラ画像に変換して表示するための切換手段と、
を備えたことを特徴とする作業機械の周囲監視装置。
【請求項２】
前記複数のカメラは、前記作業機械の後方視野を撮影する後方カメラと、左右両側の側方視野を撮影する２個の側方カメラとから構成し、前記モニタには、作業機械の平面図をグラフィック化した表示キャラクタとして表示し、前記画像合成手段により合成される合成俯瞰画像は、前記表示キャラクタの後方位置に前記後方カメラからのカメラ画像に基づく後方俯瞰画像と、前記表示キャラクタの左右の両側位置にそれぞれ左右の側方カメラからのカメラ画像に基づく左右の側方俯瞰画像とから構成される監視用パノラマ画像が表示されることを特徴とする請求項１記載の作業機械の周囲監視装置。
【請求項３】
前記作業機械の前方を視野範囲とする前方カメラをさらに設け、この前方カメラは前記画像合成手段により合成されず、カメラ画像として前記モニタに表示する構成としたことを特徴とする請求項２記載の作業機械の周囲監視装置。
【請求項４】
前記切換手段により変換を指定されたいずれかの個別俯瞰画像からカメラ画像への変換時には、当該個別俯瞰画像に少なくとも部分的に重畳させて表示する構成としたことを特徴とする請求項１記載の作業機械の周囲監視装置。
【請求項５】
前記モニタには画像表示部と操作パネル部とを備える構成となし、前記切換手段は前記操作パネル部に設けたスイッチで構成したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の作業機械の周囲監視装置。
【請求項６】
前記モニタをタッチパネル式モニタとなし、前記切換手段は、前記モニタの表示画面の表示部に設けられるものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の作業機械の周囲監視装置。
【請求項７】
前記切換手段は、前記作業機械の操作手段に連動して切り換わる構成としたことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の作業機械の周囲監視装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上方視点による俯瞰画像は画像処理して生成した画像であり、実体像ではない。従って、俯瞰画像は距離測定のためには有益な情報ではあるものの、この俯瞰画像に表示されている像の実際の形や大きさ等を正確に把握するのは必ずしも容易ではない。例えば、要回避対象が可動なものであるか、固定的なものであるかによっては、対処の仕方が変わってくる。要回避対象が可動な場合には、警報を発したり、所定時間だけ作業機械を待機させたりすることによって、相手側を危険な領域から退避させることができる。一方、要回避対象が固定的なものであれば、作業機械を迂回させるように走行させる必要がある。また、障害物であったとしても、その高さ等の関係から乗り越えることができるものもあれば、迂回しなければ通過できないこともある。俯瞰画像からこの種の判定を行うのは適切ではない。さらに、地面に凹凸があったり、傾斜していたりする場合には、それが俯瞰画像に反映されないこともある。    
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前述した目的を達成するために、本発明は、作業機械に複数のカメラを設置して、これら各カメラで取得したカメラ画像に基づく信号処理を行って、上方視点となるように視点変換し、俯瞰画像としてモニタに表示する作業機械の周囲監視装置であって、前記各カメラにより撮影した各個別俯瞰画像を合成した合成俯瞰画像を前記モニタに表示する画像合成手段と、前記合成俯瞰画像に対して、この合成俯瞰画像を構成する前記各個別俯瞰画像の少なくとも１つの画像を視点変換する前のカメラ画像に変換して表示するための切換手段と、を備えたことをその特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、及びデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
液体回収領域を含む液体接触面を有する液浸部材と、
前記液体接触面の第１側に配置される多孔部材と、を備え、
前記液体接触面と対向するように前記液体接触面の前記第１側に配置された、前記液体接触面と面する物体上の液体が前記液体回収領域から回収される露光装置。
【請求項２】
前記液体接触面は、前記露光光の光路の周囲に配置された第１面と、
前記露光光の光路に対して前記第１面の外側に配置された第２面とを有する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２面は、前記第１面の周囲に配置されている請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記液体接触面は、非液体回収領域を含み、
前記多孔部材は、前記非液体回収領域の前記第１側に配置されている請求項２又は３記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２面は、前記物体の表面に対して前記第１面よりも離れた位置に配置されている請求項２〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記多孔部材の少なくとも一部は、前記物体の表面に対して前記第１面よりも近い位置に配置されている請求項２〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記液浸部材は、前記液体を供給するための液体供給口を更に有する請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記液浸部材の液体接触面と前記多孔部材との間には、前記多孔部材を介さずに、前記物体上の液体が流入可能な空間が形成される請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記多孔部材は、前記液体接触面の少なくとも一部と対向する請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１０】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記液体を供給するための液体供給口と、
液浸部材と、
前記液浸部材と対向する多孔部材と、
前記液浸部材と前記多孔部材との間に設けられ、前記液体供給口から供給された液体の少なくとも一部が、前記多孔部材を介さずに流入可能な空間と、を備えた露光装置。
【請求項１１】
前記液体供給口は、前記液浸部材に設けられている請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記基板は、前記光路に対して前記光路と交差する所定方向に移動しつつ露光され、
前記多孔部材は、少なくとも前記光路に対して前記所定方向の両側に配置されている請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記多孔部材に対して気体を供給するための気体供給口を更に備えた請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記物体は、前記基板を含む請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出する複数の第１の吐出口列及びインクを吐出する第２の吐出口列と、前記複数の第１の吐出口列にそれぞれ連通する複数の第１の液室、及び前記第２の吐出口列に連通する第２の液室と、前記複数の第１の液室に接続され、前記複数の第１の液室にインクを供給するための分岐部を備えた第１の流路、及び前記第２の液室に接続され、インクを供給するための分岐部を備えない第２の流路と、を有するインクジェットヘッドと、
前記複数の第１の吐出口列及び前記第２の吐出口列からインクを吸引する吸引機構と、
を有するインクジェット記録装置において、
前記複数の第１の液室は、前記第１の流路と接続される第１の接続部から前記第１の吐出口列に向かって断面積が大きくなる部分をそれぞれ備えており、
前記第２の液室は、前記第２の流路と接続される第２の接続部から前記第２の吐出口列に向かって断面積が大きくなる部分を備えており、
複数の前記第１の接続部と前記複数の第１の吐出口列とのそれぞれの距離は、前記第２の接続部と前記第２の吐出口列との距離よりも小さいことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記複数の第１の液室のそれぞれの容積は、前記第２の液室の容積以下であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記複数の第１の吐出口列及び前記第２の吐出口列は、１つの基板に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記吸引機構は、１つのキャップにより前記複数の第１の吐出口列及び前記第２の吐出口列からインクを吸引することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
インクを吐出する複数の第１の吐出口列及びインクを吐出する第２の吐出口列と、
前記複数の第１の吐出口列にそれぞれ連通する複数の第１の液室、及び前記第２の吐出口列に連通する第２の液室と、
前記複数の第１の液室に接続され、前記複数の第１の液室にインクを供給するための分岐部を備えた第１の流路、及び前記第２の液室に接続され、インクを供給するための分岐部を備えない第２の流路と、
を有するインクジェットヘッドにおいて、
前記複数の第１の液室は、前記第１の流路と接続される第１の接続部から前記第１の吐出口列に向かって断面積が大きくなる部分をそれぞれ備えており、
前記第２の液室は、前記第２の流路と接続される第２の接続部から前記第２の吐出口列に向かって断面積が大きくなる部分を備えており、
複数の前記第１の接続部と前記複数の第１の吐出口列とのそれぞれの距離は、前記第２の接続部と前記第２の吐出口列との距離よりも小さいことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項６】
前記複数の第１の液室のそれぞれの容積は、前記第２の液室の容積以下であることを特徴とする請求項５に記載のインクジェットヘッド。
【請求項７】
前記複数の第１の吐出口列及び前記第２の吐出口列は、１つの基板に形成されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のインクジェットヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット記録装置及びインクジェットヘッド
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数色の液滴を吐出するインクジェット記録装置及びインクジェットヘッドに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の一態様は、インクを吐出する複数の第１の吐出口列及びインクを吐出する第２の吐出口列と、前記複数の第１の吐出口列にそれぞれ連通する複数の第１の液室、及び前記第２の吐出口列に連通する第２の液室と、前記複数の第１の液室に接続され、前記複数の第１の液室にインクを供給するための分岐部を備えた第１の流路、及び前記第２の液室に接続され、インクを供給するための分岐部を備えない第２の流路と、を有するインクジェットヘッドと、
前記複数の第１の吐出口列及び前記第２の吐出口列からインクを吸引する吸引機構と、
を有するインクジェット記録装置において、
前記複数の第１の液室は、前記第１の流路と接続される第１の接続部から前記第１の吐出口列に向かって断面積が大きくなる部分をそれぞれ備えており、
前記第２の液室は、前記第２の流路と接続される第２の接続部から前記第２の吐出口列に向かって断面積が大きくなる部分を備えており、
複数の前記第１の接続部と前記複数の第１の吐出口列とのそれぞれの距離は、前記第２の接続部と前記第２の吐出口列との距離よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の他の態様は、インクを吐出する複数の第１の吐出口列及びインクを吐出する第２の吐出口列と、
前記複数の第１の吐出口列にそれぞれ連通する複数の第１の液室、及び前記第２の吐出口列に連通する第２の液室と、
前記複数の第１の液室に接続され、前記複数の第１の液室にインクを供給するための分岐部を備えた第１の流路、及び前記第２の液室に接続され、インクを供給するための分岐部を備えない第２の流路と、
を有するインクジェットヘッドにおいて、
前記複数の第１の液室は、前記第１の流路と接続される第１の接続部から前記第１の吐出口列に向かって断面積が大きくなる部分をそれぞれ備えており、
前記第２の液室は、前記第２の流路と接続される第２の接続部から前記第２の吐出口列に向かって断面積が大きくなる部分を備えており、
複数の前記第１の接続部と前記複数の第１の吐出口列とのそれぞれの距離は、前記第２の接続部と前記第２の吐出口列との距離よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月11日(2012.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
紫外線Ａ領域および紫外線Ｂ領域を包含する２８０ｎｍ超の領域の紫外線放射からケラチン物質を保護する方法であって、該方法が当該ケラチン物質に
ａ）  少なくとも１の化合物（Ｘ）、
ｂ）  少なくとも１の化合物（Ｙ）、および
ｃ）  少なくとも１の疎水性遮蔽系
を施与することを含んでおり、該少なくとも１の疎水性遮蔽系が
（i）  ３２０〜４００ｎｍの紫外線放射を吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ａ）、および２８０〜３２０ｎｍの紫外線放射を吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ｂ）、ならびに任意的な少なくとも１の無機日焼け止め剤（Ｄ）、
（ii）  ２８０〜３２０ｎｍおよび３２０〜４００ｎｍの紫外線放射を同時に吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ｃ）、ならびに任意的な無機日焼け止め剤（Ｄ）、または
（iii）  ３２０〜４００ｎｍの紫外線放射を吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ａ）、および２８０〜３２０ｎｍおよび３２０〜４００ｎｍの紫外線放射を同時に吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ｃ）かあるいは少なくとも１の無機日焼け止め剤（Ｄ）
を含んでおり、
当該化合物（Ｘ）および（Ｙ）のうちの少なくとも１がシリコーン化合物であり、
当該化合物（Ｘ）および（Ｙ）が互いに反応する能力があり、当該反応が、少なくとも１の触媒の存在下におけるヒドロシリル化反応、縮合反応、または少なくとも１の過酸化物の存在下における架橋反応であり、但しａ）、ｂ）およびｃ）の施与が、（i）事前の現場での混合によって同時にか、あるいは（ii）これらの施与の時に同時にまたは任意の順番で逐次的に混合することによって起こる、但し当該混合の条件が当該化合物（Ｘ）と（Ｙ）との間の反応に有利である、ところの上記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明はさらに、紫外線Ａ波および紫外線Ｂ波を包含する２８０ｎｍ超の領域の紫外線放射からケラチン物質を保護する方法であって、該方法が当該ケラチン物質に
ａ）  少なくとも１の化合物（Ｘ）、
ｂ）  少なくとも１の化合物（Ｙ）、および
ｃ）  少なくとも１の疎水性遮蔽系
を施与することを含んでおり、該少なくとも１の疎水性遮蔽系が
（i）  ３２０〜４００ｎｍの紫外線放射を吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ａ）、および２８０〜３２０ｎｍの紫外線放射を吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ｂ）、ならびに／または少なくとも１の無機日焼け止め剤（Ｄ）、
（ii）  ２８０〜３２０ｎｍおよび３２０〜４００ｎｍの紫外線放射を同時に吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ｃ）、ならびに任意的な無機日焼け止め剤（Ｄ）、または
（iii）  ３２０〜４００ｎｍの紫外線放射を吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ａ）、および２８０〜３２０ｎｍおよび３２０〜４００ｎｍの紫外線放射を同時に吸収する能力がある少なくとも１の疎水性有機日焼け止め剤（Ｃ）かあるいは少なくとも１の無機日焼け止め剤（Ｄ）
を含んでおり、
当該化合物（Ｘ）および（Ｙ）のうちの少なくとも１がシリコーン化合物であり、当該化合物（Ｘ）および（Ｙ）が互いに反応する能力があり、当該反応が、少なくとも１の触媒の存在下におけるヒドロシリル化反応、縮合反応、または少なくとも１の過酸化物の存在下における架橋反応であり、但しａ）、ｂ）およびｃ）の施与が、（i）事前の現場での混合によって同時にか、あるいは（ii）これらの施与の時に同時にまたは任意の順番で逐次的に混合することによって起こる、但し当該混合の条件が当該化合物（Ｘ）と（Ｙ）との反応に有利である、ところの上記方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月14日(2012.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）：
（Ａ）カルボシロキサンデンドリマー構造を側鎖に有するビニル系重合体
０．１〜３０質量％、
（Ｂ）２５℃で液状であり、かつ溶解度パラメーターが１６．５以上の不揮発性油剤
０．１〜３０質量％、
（Ｃ）疎水化処理粉体                                          １〜３０質量％
を含有し、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の質量割合が、（Ａ）／（Ｂ）＝０．５〜５である油中水型乳化化粧料。
【請求項２】
成分（Ａ）において、カルボシロキサンデンドリマー構造が、次式（１）
【化１】
2010018612.tif 000001
｛式中、Ｚは２価の有機基であり、ｐは０又は１であり、Ｒ１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又はアリール基である。Ｘ１はｉ＝１とした場合の次式で示されるシリルアルキル基である。
【化２】
2010018612.tif 000002
（式中、Ｒ１は前記と同じであり、Ｒ２は炭素原子数２〜１０のアルキレン基であり、Ｒ３は炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、Ｘi+1は水素原子、炭素原子数１〜１０のアルキル基、アリール基及び上記シリルアルキル基からなる群から選択される基である。ｉは該シリルアルキル基の階層を示している１〜１０の整数であり、ａｉは０〜３の整数である。）｝
で表される基である請求項１記載の油中水型乳化化粧料。
【請求項３】
成分（Ａ）のビニル系重合体が、（A1）ビニル系単量体  ０〜９９.９質量部と、（A2）一般式：
【化３】
2010018612.tif 000003
｛式中、Ｙはラジカル重合可能な有機基であり、Ｒ１は炭素原子数１〜１０のアルキル基又はアリール基であり、Ｘ１はｉ＝１とした場合の次式で示されるシリルアルキル基である。
【化４】
2010018612.tif 000004
（式中、Ｒ１は前記と同じであり、Ｒ２は炭素原子数２〜１０のアルキレン基であり、Ｒ３は炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、Ｘi+1は水素原子、炭素原子数１〜１０のアルキル基、アリール基及び上記シリルアルキル基からなる群から選択される基である。ｉは該シリルアルキル基の階層を示している１〜１０の整数であり、ａｉは０〜３の整数である。）｝
で表されるラジカル重合可能な有機基を有するカルボシロキサンデンドリマー  １００〜０．１質量部とを重合させてなるものである請求項１又は２記載の油中水型乳化化粧料。
【請求項４】
（A2）中のラジカル重合可能な有機基Ｙが、一般式
【化５】
2010018612.tif 000005
（式中、Ｒ４は水素原子又はメチル基であり、Ｒ５は炭素原子数１〜１０のアルキレン基である。）
で表されるアクリル基又はメタクリル基含有有機基、一般式：
【化６】
2010018612.tif 000006
（式中、Ｒ６は水素原子又はメチル基であり、Ｒ７は炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、Ｒ８は炭素原子数１〜１０のアルキレン基であり、ｂは０〜４の整数であり、ｃは０又は１である。）
で表されるスチリル基含有有機基及び炭素原子数２〜１０のアルケニル基からなる群から選択される基である請求項３記載の油中水型乳化化粧料。
【請求項５】
成分（Ｂ）の不揮発性油剤が、溶解度パラメーター１７．５〜２３のものである請求項１〜４のいずれか１項記載の油中水型乳化化粧料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリル樹脂（Ａ）０〜９７質量％とゴム含有アクリル重合体（Ｂ）３〜１００質量％とを含有する樹脂組成物（Ｃ）からなる光学用アクリルフィルムであって、
該光学用アクリルフィルムの厚みが５０μｍ〜５００μｍであり、
メチルメタクリレートを構成単位として９８質量％以上含み、重量平均分子量が８００００〜１２００００で、かつ数平均分子量が４００００〜６００００であるアクリル樹脂（Ｓ）からなるアクリルフィルムの長さ１００ｍｍで測定された輝度を１００としたとき、同様に測定した樹脂組成物（Ｃ）からなるアクリルフィルムの輝度が５０以上である光学用アクリルフィルム。
【請求項２】
アクリル樹脂（Ａ）０〜９７質量％とゴム含有アクリル重合体（Ｂ）３〜１００質量％とを含有する樹脂組成物（Ｃ）からなる光学用アクリルフィルムであって、
該光学用アクリルフィルムの厚みが５０μｍ〜５００μｍであり、
メチルメタクリレートを構成単位として９８質量％以上含み、重量平均分子量が８００００〜１２００００で、かつ数平均分子量が４００００〜６００００であるアクリル樹脂（Ｓ）からなるアクリルフィルムの長さ２１０ｍｍで測定された輝度を１００としたとき、同様に測定した樹脂組成物（Ｃ）からなるアクリルフィルムの輝度が３５以上である光学用アクリルフィルム。
【請求項３】
前記ゴム含有アクリル重合体（Ｂ）は、ゴム重合体１００質量部の存在下に、アルキルメタクリレート５０質量％以上を含有する単量体又は単量体混合物４０〜９００質量部を重合して得られた重合体である請求項１又は２に記載の光学用アクリルフィルム。
【請求項４】
前記ゴム含有アクリル重合体（Ｂ）の質量平均粒子径が、０．０１〜０．１５μmである請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学用アクリルフィルム。
【請求項５】
片面又は両面にＵＶ転写、熱転写又は印刷によって形成された微細構造を有する請求項１乃至４のいずれかに記載の光学用アクリルフィルム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光学用アクリルフィルムを有するバックライト。