Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均ピッチが可視光の波長よりも短い微細凹凸構造体を、光入出射面の少なくとも一方の面に形成した光学素子が開口絞りよりも物体側に配置される撮像光学系と該撮像光学系で形成される像を受光する撮像手段とを有する撮像装置であって、
該撮像手段の有効範囲として第１の撮像範囲と、それよりも小さな第２の撮像範囲において、該第１の撮像範囲の最軸外像高に結像する光束のうち、該開口絞りの中心を通過する光線が該微細凹凸構造体を形成した光学面を通過するときの高さから定まる有効径をＲ１、該第２の撮像範囲の最軸外像高に結像する光束のうち、該開口絞りの中心を通過する光線が該微細凹凸構造体を形成した光学面を通過するときの高さから定まる有効径をＲ２、光軸上に結像する光束が該微細凹凸構造体を形成した光学面を通過するときの直径をＲ０とするとき
【数１】
2010097197.tif 000001
なる条件を満足することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の撮像範囲は短辺が２４ｍｍ、長辺が３６ｍｍであり、前記第２の撮影範囲は短辺を２４×ｋｍｍ、長辺を３６×ｋｍｍとするとき
０．３＜ｋ＜０．８
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像装置は、シフト機能を有し、前記第１、第２の撮像範囲はいずれも矩形状であり、短辺方向の片側シフト可動量をｓ１、長辺方向の片側シフト可動量をｓ２とし、前記第１の撮像範囲は短辺が（２４＋２×ｓ１）ｍｍ、長辺が（３６＋２×ｓ２）ｍｍ、第２の撮影範囲は短辺が２４ｍｍ、長辺が３６ｍｍであるとき
５＜ｓ１＜２０
５＜ｓ２＜２０
なる条件を満足することを特徴とする請求項２の撮像装置。
【請求項４】
平均ピッチが可視光の波長よりも短い微細凹凸構造体を、光入出射面の少なくとも一方の面に形成した光学素子が開口絞りよりも物体側に配置される撮像光学系と該撮像光学系で形成される像を受光する撮像手段とを有する撮像装置であって、
前記微細凹凸構造体を形成した光学面の有効径をＲＡ、光軸上に結像する光束が該光学面を通過するときの高さから定まる直径をＲ０、該撮像手段の大きさで制限される撮影画角を２ω（度）とするとき
３．５＜ＲＡ／Ｒ０
６０°＜２ω
なる条件を満足することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
平均ピッチが可視光の波長よりも短い微細凹凸構造体を、光入出射面の少なくとも一方の面に形成した光学素子が開口絞りよりも物体側に配置される撮像光学系と該撮像光学系で形成される像を受光する撮像手段とを有する撮像装置において、
前記開口絞りより物体側に、開口形状が非円形のフレアカット絞りを有し、該フレアカット絞りより物体側に前記微細凹凸構造体を形成した光学面が位置することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記撮像手段の大きさで制限される撮影画角を２ω（度）とするとき
６０°＜２ω
なる条件を満足することを特徴とする請求項５の撮像装置。
【請求項７】
前記フレアカット絞りの開口形状は矩形であり、
前記撮像手段の形状は矩形であり、
前記フレアカット絞りの開口の長辺と前記撮像手段の長辺、及び、前記フレアカット絞りの開口の短辺と前記撮像手段の短辺の向きが揃うように配置されていることを特徴とする請求項５または６に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
更新されるべきオブジェクトを示す１つまたは複数のキーワードを含んだデータ・ファイルを、印刷サーバが受け取るステップと、
前記１つまたは複数のキーワードを使って、前記プリンタの１つまたは複数の更新オプションおよびデフォルトを取得するために前記ファイルを解析するステップと、
前記プリンタの前記更新オプションおよびデフォルトをデータベースに格納するステップと、
から構成されることを特徴とする、コンピュータ・サービスを提供するための方法。
【請求項２】
前記プリンタとのインターフェースのため前記更新オプションおよびデフォルトを取り出すために前記データベースにアクセスするステップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データ・ファイルは、オペレータが前記印刷サーバへの前記データ・ファイルのダウンロードを開始するとウェブ・サーバから受け取られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データ・ファイルは、オペレータが前記印刷サーバへの前記データ・ファイルのダウンロードを開始すると前記プリンタから受け取られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記データ・ファイルは、前記プリンタから自動的に受け取られることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記データ・ファイルを自動的に受け取るステップは、
前記プリンタ上で構成変更を自動的に検出するステップと、
前記プリンタから前記データ・ファイルを受け取るステップと、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記データ・ファイルは、拡張可能マークアップ言語（ＸＭＬ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
プリンタの更新されるべきオブジェクトを示す１つまたは複数のキーワードを含むデータ・ファイルをインポートし、前記１つまたは複数のキーワードを使用して前記プリンタの１つまたは複数の更新オプションおよびデフォルトを取得するために前記ファイルを解析する更新サービス・モジュールと、
前記更新オプションおよびデフォルトを格納するデータベースと、
から構成されることを特徴とする印刷サーバ。
【請求項９】
前記データ・ファイルは拡張可能マークアップ言語（ＸＭＬ）ファイルであることを特徴とする請求項８に記載の印刷サーバ。
【請求項１０】
前記プリンタとのインターフェースのため前記更新オプションおよびデフォルトを取り出すために前記データベースにアクセスするためのグラフィカル・ユーザ・インターフェース（ＧＵＩ）をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の印刷サーバ。
【請求項１１】
前記ＧＵＩは、オペレータが前記ＸＭＬファイルのインポートを開始することを可能にするボタンを含むことを特徴とする請求項１０に記載の印刷サーバ。
【請求項１２】
前記ＸＭＬファイルはウェブ・サーバからインポートされることを特徴とする請求項１１に記載の印刷サーバ。
【請求項１３】
前記ＸＭＬファイルは前記プリンタからインポートされることを特徴とする請求項１１に記載の印刷サーバ。
【請求項１４】
前記データ・ファイルは、新しいプリンタを検出すると前記更新サービス・モジュールによって自動的にインポートされることを特徴とする請求項９に記載の印刷サーバ。
【請求項１５】
前記データ・ファイルは、前記プリンタ上の構成変更を検出すると前記更新サービス・モジュールによって自動的にインポートされることを特徴とする請求項９に記載の印刷サーバ。
【請求項１６】
プログラムを含んだ、持続性のある読取り可能媒体を備える製品であって、コンピュータによってアクセスされると、前記プログラムは前記コンピュータに、
印刷サーバがプリンタの更新されるべきオブジェクトを示す１つまたは複数のキーワードを含むデータ・ファイルを受け取り、
前記１つまたは複数のキーワードを使用して、前記プリンタの１つまたは複数の更新オプションおよびデフォルトを取得するために前記ファイルを解析し、
前記プリンタの前記更新オプションおよびデフォルトをデータベースに格納する、
工程を含むオペレーションを実行させることを特徴とする製品。
【請求項１７】
コンピュータにアクセス可能な前記媒体は、前記プリンタとのインターフェースのための前記更新オプションおよびデフォルトを取り出すために、前記データベースにアクセスする工程を含む更なるオペレーションを、前記コンピュータに実行させるプログラムを含むことを特徴とする請求項１６に記載の製品。
【請求項１８】
オペレータが前記データ・ファイルの前記印刷サーバへのダウンロードを開始すると、前記データ・ファイルはウェブ・サーバから受信されることを特徴とする請求項１６に記載の製品。
【請求項１９】
前記データ・ファイルは拡張可能マークアップ言語（ＸＭＬ）であることを特徴とする請求項１６に記載の製品。
【請求項２０】
前記コンピュータにアクセス可能な媒体は、前記プリンタ上の構成変更を自動に検出することにより、前記データ・ファイルを自動的に受け取る工程を含む更なるオペレーションを前記コンピュータに実施させるプログラムを含むことを特徴とする請求項１６に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から供給される電力の大きさに応じた電位を出力する電圧検出回路と、
前記電圧検出回路から出力される前記電位の最大値に応じた電位を保持する記憶回路と、
前記記憶回路に保持された電位に応じてインピーダンスが変化することで、前記電力の過剰分を消費あるいは反射させる保護回路と、を有する半導体装置であって、
前記記憶回路はリセット端子を有し、
前記リセット端子にリセット信号が入力されると、前記記憶回路は、保持した電位をリセットすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記記憶回路は、トランジスタと容量素子とを有し、
前記トランジスタの第１の端子が、前記容量素子の第１の端子に電気的に接続され、
前記トランジスタの第２の端子が、前記容量素子の第２の端子に電気的に接続され、
前記トランジスタの第１の端子は、一定電位であり、
前記トランジスタのゲートに前記リセット端子が電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月27日(2012.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体を有し、
前記第１の絶縁体よりも上方にトランジスタを有し、
前記トランジスタよりも上方に第１の導電層を有し、
前記第１の導電層よりも上方にアンテナとして機能することができる第２の導電層を有し、
前記第２の導電層よりも上方に第２の絶縁体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁体を有し、
前記第１の絶縁体よりも上方にトランジスタを有し、
前記トランジスタよりも上方に第１の導電層を有し、
前記第１の導電層よりも上方に所定形状を有する第２の導電層を有し、
前記第２の導電層よりも上方に第２の絶縁体を有し、
前記所定形状は、直線形状、曲線形状、蛇行形状、コイル形状、又はリボン形状のうちいずれか一の形状を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記トランジスタと前記第１の絶縁体との間に第３の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の導電層と前記第３の導電層とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記トランジスタはピール回路の有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の絶縁体は、第１の有機樹脂と第１の繊維体とを有し、
前記第２の絶縁体は、第２の有機樹脂と第２の繊維体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の有機樹脂中に複数の第１の導電性粒子を有し、
前記第２の有機樹脂中に複数の第２の導電性粒子を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月5日(2012.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
例示する画像表現生成器１６は、画像１８の表現を生成するための命令群を有している。図２に図式的に示すように、表現生成器１６は、画像を処理するための様々なコンポーネントを備えている。例えば、文書画像を正規化する正規化コンポーネット４０、文書画像中の画素の色値（例えばグレーレベル）を量子化する色値レベル量子化コンポーネント４２（二値画像には不必要）、文書画像中の複数（一般的には多数）の領域を、例えば２つ又はそれより多くの異なるスケールで抽出する領域抽出コンポーネント４４、各領域のランレングスヒストグラムを抽出し、それら異なる各領域に対応するヒストグラムを連結して１つのベクトルを生成するヒストグラム生成コンポーネント４６である。ただし、正規化コンポーネント４０及び色値レベル量子化コンポーネント４２は必須ではない。出力コンポーネント４８は，連結されたヒストグラム群に基づく画像の表現２２を出力する。表現２２は、したがって、連結されたヒストグラム（すなわち１つより多い数のヒストグラム）、又はその連結されたヒストグラムに正規化その他の修正を施して得られる派生値を含んでいてもよく、そのような情報は画像全体を表すものとなる。表現生成器１６のコンポーネント４０，４２，４４，４６，４８の機能は、後で更に詳しく説明される。これらのコンポーネントは、適切に組み合わせることができる複数のソフトウエアコンポーネントであってもよく、複数のサブコンポーネントに分割できるようなものであってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の表現を生成する方法であって、
表現を生成すべき画像を受け取るステップと、
前記画像を複数の領域に区分するステップと、
前記画像の前記複数の領域の各々についてランレングスヒストグラムを計算するステップと、
前記ランレングスヒストグラムに基づき画像表現を生成するステップであって、前記複数の領域の前記ランレングスヒストグラムを連結する処理を行うステップと、
前記画像表現を出力するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記複数の領域は、複数の異なるスケールでのものであり、それら複数の領域のいくつかが少なくとも部分的に重なり合うように区分されている、ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、前記ランレングスヒストグラムの計算では、複数の画素色値の量子化レベルの各々についてランレングスサブヒストグラムを計算し、それらサブヒストグラムを組み合わせる、ことを特徴とする方法。
【請求項４】
文書画像の画像表現を生成するためのコンピュータ装置であって、
受け取った文書画像を格納するメモリと、
２以上の異なるスケールで、前記文書画像内の複数の領域を、それら複数の領域のいくつかが少なくとも部分的に重なり合うように抽出する領域抽出コンポーネントと、
前記文書画像の前記各領域についてランレングスヒストグラムを抽出し、それら異なる各領域に対応するランレングスヒストグラムを組み合わせるヒストグラム生成コンポーネントと、
組み合わされたランレングスヒストグラムに基づく画像表現を出力する出力コンポーネントと、
前記各コンポーネントを実行するプロセッサと、
を備えるコンピュータ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月23日(2011.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、互いに交差して設けられた複数の走査線および複数の信号線と、
前記基板上に設けられ、マトリクス状に配列した複数の画素電極を有する画素部と、
前記基板の周辺部に設けられた信号入力端子と、
前記画素部と前記信号入力端子の間に設けられた非線形素子と、
を有し、
前記画素部は薄膜トランジスタを有し、
前記薄膜トランジスタは、
チャネル形成領域を有する第１酸化物半導体層と、
前記複数の走査線の一つと接続する第１のゲート電極と、
前記複数の信号線の一つおよび前記第１酸化物半導体層と接続する第１配線層と、
前記複数の画素電極の一つおよび前記第１酸化物半導体層と接続する第２配線層と、
を有し、
前記非線形素子は、
前記複数の走査線の一つまたは前記複数の信号線の一つと接続する第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極を被覆するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、前記第２のゲート電極と重畳する第２酸化物半導体層と、
前記第２酸化物半導体層上に設けられ、端部が前記第２のゲート電極と重畳し、かつ、第１導電層と第３酸化物半導体層の積層を有する第３配線層と、
前記第２酸化物半導体層上に設けられ、端部が前記第２のゲート電極と重畳し、かつ、第２導電層と第４酸化物半導体層の積層を有する第４配線層と、
前記第２のゲート電極と、前記第３配線層および前記第４配線層の一方と接続する第５配線層と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２酸化物半導体層は、前記第３酸化物半導体層および前記第４酸化物半導体層よりも酸素濃度が高いことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２酸化物半導体層は、前記第３酸化物半導体層および前記第４酸化物半導体層よりも電気伝導度が低いことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第２酸化物半導体層は酸素過剰型であり、
前記第３酸化物半導体層および前記第４酸化物半導体層は酸素欠乏型であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層、前記第３酸化物半導体層および前記第４酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第５配線層は前記画素電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記チャネル形成領域の膜厚は、前記第１酸化物半導体層の他の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月24日(2012.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部及び共通接続部を有する第１の基板と、
第１の導電層を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の導電性粒子と、を有し、
前記画素部は、
前記第１の基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第３の導電層と、
前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第１の絶縁層上の第３の酸化物半導体層と、
前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に形成された第１のコンタクトホールを介して前記第３の導電層と電気的に接続された、前記第２の絶縁層上の第４の導電層と、を有し、
前記共通接続部は、
前記第１の基板上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第４の酸化物半導体層と、
前記第４の酸化物半導体層上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層に形成された第２のコンタクトホールを介して前記第５の導電層と電気的に接続された、前記第４の絶縁層上の第６の導電層と、を有し、
前記第６の導電層は、前記導電性粒子を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は同じ材料で形成され、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第４の酸化物半導体層は同じ材料で形成され、
前記第２の導電層、前記第３の導電層、及び前記第５の導電層は同じ材料で形成され、
前記第２の絶縁層及び前記第４の絶縁層は同じ材料で形成され、
前記第４の導電層及び前記第６の導電層は同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
画素部及び共通接続部を有する第１の基板と、
第１の導電層を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の導電性粒子と、を有し、
前記画素部は、
前記第１の基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第３の導電層と、
前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第１の絶縁層上の第３の酸化物半導体層と、
前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に形成された第１のコンタクトホールを介して前記第３の導電層と電気的に接続された、前記第２の絶縁層上の第４の導電層と、を有し、
前記共通接続部は、
前記第１の基板上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、
前記第３の絶縁層及び前記第４の絶縁層に形成された第２のコンタクトホールを介して前記第５の導電層と電気的に接続された、前記第４の絶縁層上の第６の導電層と、を有し、
前記第６の導電層は、前記導電性粒子を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記ゲート電極及び前記第５の導電層は同じ材料で形成され、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は同じ材料で形成され、
前記第２の絶縁層及び前記第４の絶縁層は同じ材料で形成され、
前記第４の導電層及び前記第６の導電層は同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
画素部及び共通接続部を有する第１の基板と、
第１の導電層を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の導電性粒子と、を有し、
前記画素部は、
前記第１の基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第３の導電層と、
前記第２導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第１の絶縁層上の第３の酸化物半導体層と、
前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に形成された第１のコンタクトホールを介して前記第３の導電層と電気的に接続された、前記第２の絶縁層上の第４の導電層と、を有し、
前記共通接続部は、
前記第１の基板上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第４の酸化物半導体層と、
前記第４の酸化物半導体層上の第６の導電層と、
前記第６の導電層上の第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層に形成された第２のコンタクトホールを介して前記第６の導電層と電気的に接続された、前記第４の絶縁層上の第７の導電層と、を有し、
前記第７の導電層は、前記導電性粒子を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記ゲート電極及び前記第５の導電層は同じ材料で形成され、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は同じ材料で形成され、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第４の酸化物半導体層は同じ材料で形成され、
前記第２の導電層、前記第３の導電層、及び前記第６の導電層は同じ材料で形成され、
前記第２の絶縁層及び前記第４の絶縁層は同じ材料で形成され、
前記第４の導電層及び前記第７の導電層は同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第３の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月16日(2012.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンコーダ用スケールであって、
位相格子が形成された基板と、
前記位相格子を保護する保護部と、
前記基板と前記保護部との間に配置され、前記基板と前記保護部とを貼り合せる接着部と、
を備えることを特徴とするエンコーダ用スケール。
【請求項２】
前記接着部は、前記位相格子を囲むように配置されることを特徴とする請求項１に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項３】
前記保護部によって空隙が設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項４】
前記接着部は、前記基板と前記保護部とを貼り合せる機能と前記空隙を形成するスペーサとしての機能とを兼用していることを特徴とする請求項３に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項５】
前記空隙に不活性ガスが充填されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項６】
前記保護部は、前記位相格子を非密閉状態に保護することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項７】
前記保護部は、前記基板上の前記位相格子が形成された面に配置されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項８】
前記接着部は両面接着部材であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項９】
前記保護部には、波長選択性を有する波長選択膜が設けられることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項１０】
前記保護部には、親水性膜が設けられることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項１１】
前記接着部は、前記位相格子の周囲のうち少なくとも一部に配置されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項１２】
前記接着部は、前記保護部の周縁部の少なくとも一部に配置されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項１３】
前記接着部が前記保護部と前記基板との距離を一定に保持することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケール。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載のエンコーダ用スケールと、該エンコーダ用スケールを介した光を検出する検出器と、を備えることを特徴とするエンコーダ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る直動装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】図１の直進装置のテーブルカバー１６と帯状のシールバンド２３を取り除き、テーブルカバー１６のシールバンド案内部１６ｄを残して示す斜視図である。
【図５】図２の要部を拡大して示す断面図である。
【図６】図２の要部を拡大して示す斜視図である。
【図７】テーブル１２と、テーブルカバー１６と、シールバンド案内部１６ｄと、帯状のシールバンド２３との関係を示す断面図である。
【図８】シールバンド案内部を備えたテーブル１２を示す斜視図である。
【図９】本発明の第二実施形態に係る直動装置の斜視図である。
【図１０】図９の直進装置のテーブルカバー１６を取り除き、テーブルカバー１６のシールバンド案内部１６ｄを残したテーブル１２を示す斜視図である。
【図１１】図１０の要部を拡大して示す斜視図である。
【図１２】２つのテーブル１２と、テーブルカバー１６と、２つのシールバンド案内部１６ｄと、中央のシールバンド案内部１６ｅと、帯状のシールバンド２３との関係を示す断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
テーブルカバー１６は、ハウジング４の幅よりも僅かに狭い幅を有する四角形の上面プレート１６ａと、上面プレート１６ａの両側部に下方に向けて垂下して設けられた側面プレート１６ｂと、上面プレート１６ａの前後に下方に向けて垂下して設けられた前後面プレート１６ｃとで構成されている。
側面プレート１６ｂおよび前後面プレート１６ｃの下端部は、サイドカバー８の上面８ａと平行に形成され、側面プレート１６ｂおよび前後面プレート１６ｃの下端部は、図１２に示すように、サイドカバー８の上面８ａと一定の隙間Ｓを置いて配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
〔第二実施形態〕
図９乃至図１２は、本発明の第二実施形態に係る直動装置を示す。
直動装置は、テーブル１２の耐荷重を増やすためにテーブル１２の長さを長くすることが求められることがある。
しかし、第一実施形態に係る直動装置において、テーブル１２の耐荷重を増やそうとすると、テーブル１２は、図３に示すように、サイドカバー８が入り込む凹部１２ｃを長手方向の両側に形成しているため、テーブル１２には括れ部１２ｄが形成され、テーブル１２の強度が低下する虞がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ｃ．帯状のシールバンド２３の両測付近の劣化を防止するため、中間のシールバンド案内部１６ｅの幅は、テーブル１２の両端に設けられたシールバンド案内部１６ｄの幅と同じく帯状のシールバンド２３の幅に対して５０〜８０％が望ましい。
なお、シールバンド案内部１６ｅの先端部は、図１２に示すように、シールバンド案内部１６ｄの先端部の設けた面取り１６ｄ’と同様に、帯状のシールバンド２３への面当たりを避けて帯状のシールバンド２３の負荷を低減し、耐久性などを付与することができるように、面取り１６ｅ’を設け、帯状のシールバンド２３との摩耗を小さくするようにしてある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2011021745.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2011021745.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
側面プレート１６ｂおよび前後面プレート１６ｃの下端部は、サイドカバー８の上面８ａと平行に形成され、側面プレート１６ｂおよび前後面プレート１６ｃの下端部は、図１２に示すように、サイドカバー８の上面８ａと一定の隙間Ｓを置いて配置されている。ここで、一定の隙間Ｓは、例えば０．５ｍｍ程度の小さな隙間であれば良い。
側面プレート１６ｂおよび前後面プレート１６ｃの内側には、全周を取り囲むように一枚の長細い板状のワイパ３７が取り付けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2011021744.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部材と、
前記ベース部材に設けられ、シャフトと当該シャフトを内挿するスリーブとが相対回転するように構成した軸受ユニットと、
前記軸受ユニットを介して支持されるハブと、を備え、
前記軸受ユニットは、
回転中心となる前記シャフトと、
前記スリーブの内周面および前記シャフトの外周面の少なくとも一方に設けられ、潤滑剤にラジアル動圧を発生させるラジアル動圧溝と、
前記スリーブの前記ハブ側の端部の内周面に形成されるスリーブ凹部と、
前記スリーブ凹部と、前記スリーブ凹部に対向する前記シャフトの外周面に形成されるシャフト凹部とにより形成され、前記スリーブ凹部と前記シャフト凹部との隙間が前記スリーブの前記ハブ側に向かって拡大するように形成されるキャピラリーシール部と、を備え、
前記シャフト凹部の前記ベース部材側の傾斜開始端の外周の直径をＤ０とし、前記スリーブ凹部の前記ハブ側の傾斜開始端の内周の直径をＤ１とし、前記スリーブ凹部の前記傾斜開始端の内周と径方向に対向する前記シャフト凹部の対向外周の直径をＤ２とし、前記スリーブ凹部の最も凹んだ内周の直径をＤ３としたときに、Ｄ２はＤ０より小さく、Ｄ３はＤ１より大きく、Ｄ３とＤ０の差はＤ０とＤ２の差より大きいことを特徴とするディスク駆動装置。
【請求項２】
前記シャフト凹部の外周面の面粗度は、前記ラジアル動圧溝が設けられる前記シャフトの外周面または前記ラジアル動圧溝が設けられる前記スリーブの内周面に対向する前記シャフトの外周面の面粗度より大きいことを特徴とする請求項１に記載のディスク駆動装置。
【請求項３】
前記スリーブ凹部の前記傾斜開始端の内周と前記最も凹んだ内周との間の内周面は、回転軸に対して内向きに傾斜していることを特徴とする請求項１または２に記載のディスク駆動装置。
【請求項４】
前記スリーブ凹部の前記傾斜開始端の内周と前記最も凹んだ内周との間の内周面は、回転軸に対して０．５°〜３°傾斜していることを特徴とする請求項３に記載のディスク駆動装置。
【請求項５】
Ｄ０は、Ｄ１とＤ２との平均値であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項６】
前記シャフトを水平にした状態で前記潤滑剤が少なくとも前記スリーブ凹部の前記最も凹んだ内周を覆うことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項７】
前記スリーブの内周面は、前記スリーブ凹部の前記ハブ側の前記傾斜開始端から前記ハブ側に向かって拡径するテーパが形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項８】
前記シャフト凹部の前記傾斜開始端の外周と前記対向外周との間の外周面は、回転軸に対して４°〜８°傾斜していることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項９】
前記シャフトを鉛直にした状態で前記キャピラリーシール部の潤滑剤の気液界面は、前記スリーブ凹部の前記ハブ側の端面から０．４ｍｍ以上離れて位置することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項１０】
Ｄ２は、Ｄ０より０．３ｍｍ以上大きいことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項１１】
前記スリーブ凹部および前記シャフト凹部の少なくともいずれかに親水化処理をしたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のディスク駆動装置。
【請求項１２】
ベース部材と、
前記ベース部材に固定され、半径方向隙間を介して相対回転する一方の部材の内周面と他方の部材の外周面の少なくとも一方に設けられ潤滑剤にラジアル動圧を発生させるラジアル動圧溝を含む軸受ユニットと、
前記ベース部材に対して前記軸受ユニットを介して支持されるハブと、を備え、
前記ハブの回転軸に沿った方向を軸方向と、当該軸方向において前記ベース部材に対して前記ハブが設けられる方向を第１方向というとき、
前記軸受ユニットは、環囲部材と前記環囲部材に相対回転可能に環囲される円筒部材とを備え、
前記環囲部材はその内周面に環囲部材凹部が設けられ、
前記円筒部材はその外周面に前記環囲部材凹部に対向する円筒部材凹部が設けられ、
前記円筒部材凹部と前記環囲部材凹部との隙間は前記第１方向側に向かって拡大するとともに前記潤滑剤の気液界面が接するキャピラリーシール部を構成し、
前記円筒部材凹部の前記ベース部材側の傾斜開始端の外周の直径をＤ０とし、前記環囲部材凹部の前記第１方向側の傾斜開始端の内周の直径をＤ１とし、前記環囲部材凹部の前記傾斜開始端の内周と径方向に対向する前記円筒部材凹部の対向外周の直径をＤ２とし、前記環囲部材凹部の最も凹んだ内周の直径をＤ３としたときに、Ｄ２はＤ０より小さく、Ｄ３はＤ１より大きく、Ｄ３とＤ０の差はＤ０とＤ２の差より大きいことを特徴とするディスク駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素化リン酸カルシウムを含有させることを特徴とする潤滑剤組成物の耐熱・耐摩耗性向上剤。
【請求項２】
鉱物油、合成油、動植物油の少なくとも１種である潤滑油にフッ素化リン酸カルシウムを加えて混合する工程を含む潤滑剤組成物の耐熱・耐摩耗性の向上方法。
【請求項３】
半固体状潤滑剤にフッ素化リン酸カルシウムを加えて混合、混練する工程を含む潤滑剤組成物の耐熱・耐摩耗性の向上方法。
【請求項４】
上記半固体状潤滑剤が、鉱物油、合成油、動植物油の少なくとも１種に、ウレア化合物、アルカリ金属石けん、アルカリ金属複合石けん、アルカリ土類金属石けん、アルカリ土類金属複合石けん、アルカリ金属スルフォネート、アルカリ土類金属スルフォネート、アルミニウム石けん、アルミニウム複合石けん、テレフタラメート金属塩、ポリテトラフルオロエチレン、シリカエアロゲル、クレイの少なくとも１種の増ちょう剤を含有するものである請求項３に記載の潤滑剤組成物の耐熱・耐摩耗性の向上方法。
【請求項５】
潤滑剤組成物の全組成物に対して０．１〜６０質量％のフッ素化リン酸カルシウムを含有させることを特徴とする請求項２〜４に記載の潤滑剤組成物の耐熱・耐摩耗性の向上方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】潤滑剤組成物の耐熱・耐摩耗性向上剤及び向上方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、潤滑剤組成物の耐熱性及び耐摩耗性の向上、改良に関し、特に、各種産業用機械、自動車等の潤滑箇所へ適用できる潤滑剤組成物用の耐熱・耐摩耗性向上剤に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の正電荷担体と、少なくとも１種の負電荷担体と、少なくとも１種の中性脂質とを含む両性リポソームであって、該リポソームが４〜８の間に等電点を有し、該リポソームが、ｐＨ４．２及び７．５で安定であることを特徴とする、両性リポソーム。
【請求項２】
前記リポソームが、５〜７の間に等電点を有する、請求項１記載の両性リポソーム。
【請求項３】
前記中性脂質が、ホスファチジルコリン、ホスファチジルエタノールアミン、コレステロール、テトラエーテル脂質、セラミド、スフィンゴ脂質及びジアシルグリセロールからなる群より選ばれる、請求項１に記載の両性リポソーム。
【請求項４】
前記負電荷担体が、弱陰イオン性脂質であり、前記正電荷担体が、強陽イオン性脂質である、請求項１に記載の両性リポソーム。
【請求項５】
前記負電荷担体が、弱陰イオン性脂質であり、前記正電荷担体が、弱陽イオン性脂質である、請求項１に記載の両性リポソーム。
【請求項６】
前記負電荷担体が、強陰イオン性脂質であり、前記正電荷担体が、弱陽イオン性脂質である、請求項１に記載の両性リポソーム。
【請求項７】
前記弱陰イオン性脂質が、コレステロールヘミスクシネート（ＣＨＥＭＳ）、ヘミコハク酸ジアシルグリセロール、脂肪酸、及びホスファチジルセリンからなる群から選択される、請求項４又は５に記載の両性リポソーム。
【請求項８】
前記強陽イオン脂質が、ＤＯＴＡＰ、ＤＣ−Ｃhol 、ＤＯＲＩＥ、ＤＤＡＢ、ＴＣ−Ｃhol、ＤＯＴＭＡ、ＤＯＧＳ、(C18)2Gly+ N,N-ジオクタデシルアミド-グリシン、ＣＴＡＢ、ＣpyＣ、及びＤＯＥＰＣからなる群から選択される、請求項４に記載の両性リポソーム。
【請求項９】
前記弱陽イオン性脂質が、His-Chol及びMo-Cholからなる群から選択される、請求項５又は６に記載の両性リポソーム。
【請求項１０】
前記強陰イオン性脂質が、硫酸コレステロール、リン酸コレステロール、ホスファチジルグリセロール、ホスファチド酸、ホスファチジルイノシトール、及びリン酸セチルからなる群から選択される、請求項６に記載の両性リポソーム。
【請求項１１】
50〜1000ｎｍの平均サイズを有する、請求項１に記載の両性リポソーム。
【請求項１２】
70〜250ｎｍの平均サイズを有する、請求項１１に記載の両性リポソーム。
【請求項１３】
60〜130ｎｍの平均サイズを有する、請求項１１に記載の両性リポソーム。
【請求項１４】
有効成分を含む、請求項１に記載の両性リポソーム。
【請求項１５】
前記有効成分が、タンパク質、ぺプチド、ＤＮＡ、ＲＮＡ、アンチセンスヌクレオチド及び／又はデコイヌクレオチドである、請求項１４に記載の両性リポソーム。
【請求項１６】
前記有効成分の少なくとも80％が、前記リポソームの内部にある、請求項１４に記載の両性リポソーム。
【請求項１７】
請求項１の両性リポソームに、有効成分を充填する方法であって、前記有効成分を封入するために決められたｐＨが用いられ、結合していない有効成分を分離するために第二のｐＨが用いられることを特徴とする方法。
【請求項１８】
決められたｐＨで透過化処理され閉鎖される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
ナノカプセルを製造するための請求項１に記載の両性リポソームの使用。
【請求項２０】
診断における放出システムを製造するための請求項１に記載の両性リポソームの使用。
【請求項２１】
請求項１４に記載の両性リポソームを含む、有効成分を運搬及び／又は放出するための医薬製剤。
【請求項２２】
請求項１４に記載の両性リポソームを含む、徐放性製剤。
【請求項２３】
請求項１４に記載の両性リポソームを含む、循環デポ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
弱陽イオン化合物の例は、His-Chol ヒスタミニル-コレステロールヘミスクシネート、Mo-Chol モルホリン-N-エチルアミノ-コレステロールヘキスクシネート又はヒスチジニル-PEである。
中性化合物の例は、コレステロール、セラミド、ホスファチジルコリン、ホスファチジルエタノールアミン、テトラエーテル脂質又はジアシルグリセロールである。
弱陰イオン化合物の例は、ＣＨＥＭＳコレステロールヘミスクシネート、炭素原子８〜25個を有するアルキルカルボン酸又はヘミコハク酸ジアシルグリセロールである。追加の弱陰イオン化合物は、アスパラギン酸、又はグルタミン酸とＰＥ又はＰＳ又はそのアミドのグリシン、アラニン、グルタミン、アスパラギン、セリン、システイン、トレオニン、チロシン、グルタミン酸、アスパラギン酸又は他のアミノ酸又はアミノジカルボン酸によるアミドである。同じ原理に従って、ヒドロキシカルボン酸又はヒドロキシジカルボン酸とＰＳのエステルも弱陰イオン化合物である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給ガス混合物が少なくとも１つの部分的に酸化されうる有機化合物および酸化剤としての分子状酸素とともに、不均一接触気相−部分酸化の条件下で本質的に不活性の挙動を取る少なくとも１つの希釈ガスを含む酸化反応器中で、遮断機構を用いて組成が爆発性である供給ガス混合物の酸化反応器への供給を回避することにより、連続的に運転される少なくとも１つの有機化合物の不均一接触気相−部分酸化を定常的な運転状態で安全に運転する方法において、
供給ガス混合物の酸素含量が供給ガス混合物の限界酸素濃度を上回り、ならびに供給ガス混合物中、部分的に酸化すべき少なくとも１つの有機化合物の含量が有機化合物の限界濃度を上回り、
遮断機構が次のように設計されている：
ａ）供給ガス混合物の特性を示しかつ供給ガス混合物の組成の１つの関数として爆発性の組成と非爆発性の組成とで区別される爆発図をコンピューター内に保存し；
ｂ）供給ガス混合物の製造のために反応器に供給されるガス流の量および場合による組成に関連する測定によってデータレコードを確立し、コンピューターにさらに移送し；
ｃ）コンピューターは、ｂ）で得られたデータレコードから爆発図中の供給ガス混合物の実際の運転点を計算し；
ｄ）運転点から最短の爆発限界への距離が予め定められた最小値未満である場合には、反応器へのガス流の供給は、自動的に停止されることを特徴とする、少なくとも１つの有機化合物の連続的な不均一接触気相−部分酸化を安全に運転する方法。
【請求項２】
有機化合物がプロピレン、イソブテン、エチレン、プロパン、イソブタン、アクロレインまたはメタクロレインである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
供給ガス混合物の酸素含量が供給ガス混合物の限界酸素濃度を０．５体積％以上上廻る、請求項１記載の方法。
【請求項４】
使用される酸素源が空気である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
不活性の希釈ガスが不燃性構成成分９０体積％以上を含有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
不活性の希釈ガスが不燃性構成成分９５体積％以上を含有する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
不活性の希釈ガスがＮ２、Ｈ２Ｏおよび／またはＣＯ２  ９０体積％以上を含有する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
不活性の希釈ガスがＮ２、Ｈ２Ｏおよび／またはＣＯ２  ９５体積％以上を含有する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
再循環ガスが不活性の希釈ガス源として使用される、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
ベンチュリ管が反応器に供給されるガス流の量を測定するために使用される、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
使用される酸素源が空気であり、運転点から最短の爆発限界への距離が予め定められた最小値未満である場合に、第１のガス流として反応器に供給される空気が停止される、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つの有機化合物がプロピレンであり、特性を示す爆発図が混合物プロピレン／Ｏ２−Ｎ２の爆発図である、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
最小値が運転点の計算に必要とされる測定された量の統計的な誤差の評価から計算される、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
コンピューターが安全にプログラム可能な論理コントローラー（ＳＰＬＣ）である、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉱油或いは合成油である基油（Ａ）、水酸基付加ポリ（メタ）アクリレート（Ｂ）、およびアルキルナフタレン（Ｃ）を含むことを特徴とする潤滑油組成物。
【請求項２】
さらにリン含有カルボン酸化合物（Ｄ）を含む請求項１記載の潤滑油組成物。
【請求項３】
基油（Ａ）は、％ＣＡが１０以下、％ＣＮと％ＣＰとの比率（％ＣＮ／％ＣＰ）が０．４以上である請求項１または２に記載の潤滑油組成物
【請求項４】
基油（Ａ）を全量基準で７０〜９９．５質量％含む請求項１ないし３のいずれかに記載の潤滑油組成物。
【請求項５】
アルキルナフタレン（Ｃ）を全量基準で１０質量％以下含む請求項１ないし４のいずれかに記載の潤滑油組成物。
【請求項６】
リン含有カルボン酸化合物（Ｄ）を全量基準で１．０質量％以下含む請求項２ないし５のいずれかに記載の潤滑油組成物。
【請求項７】
転がり接触または転がり滑り接触系に用いられる請求項１ないし６のいずれかに記載の潤滑油組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
〔実施例１〜２、参考例１〜２、比較例１〜５〕:
実施例１〜２、参考例１〜２、比較例１〜４として、前記基油（Ａ）および添加剤（Ｂ）〜（Ｄ）を配合して潤滑油を製造した。また比較例５として前記市販品を用い、潤滑特性を調べた。各例の組成、物性および潤滑油特性の測定値を表２に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
【表２】
2011021090.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
表２において、ＰＶ値５０(×１０４)以上、中心油膜厚さ(８０°C)１６０ｎｍ以上、中心油膜厚さから算出される８０°Cの圧力粘性係数(平均)が１３ＧＰａ-１以上を合格点とすると、実施例１〜２の潤滑油は合格ラインに達しているが、比較例１〜５は合格ラインに達していないことが示されている。比較例４の基油(Ａ)自体も、シェル４球摩耗試験(Wear試験)には良好な結果を示しているが、これに添加剤(Ｂ)、さらに添加剤(Ｃ)または(Ｄ)或いは双方を配合したものは、ＰＶ値、中心油膜厚さ、圧力粘性係数等の特性においてさらに優れた効果を示すことが分かる。すなわち、中心油膜厚さが大で、圧力粘性係数が高く、圧力速度積(ＰＶ値)が大きく、優れた潤滑油特性が得られことが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月19日(2012.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（IV）：
【化１】
2011021009.tif 000001
〔式中、Ｒ１は非置換もしくは置換アリール基であり、Ｒ２は低級アルキル基であり、Ｐ１は低級アルキル基である〕で表される化合物。
【請求項２】
Ｐ１が、メチル基である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
一般式（IV）：
【化２】
2011021009.tif 000002
〔式中、Ｒ１は非置換もしくは置換アリール基であり、Ｒ２は低級アルキル基であり、Ｐ１は低級アルキル基である〕で表される化合物の製造方法であって、該方法は、以下の工程１〜３：
工程１：
一般式（I）：
【化３】
2011021009.tif 000003
〔式中、Ｒ２およびＰ１は前記定義の通りであり、Ｐ２は非置換もしくは置換ベンジル基である〕で表される化合物を、Ｒ１０ＭｇＸ（式中、Ｒ１０は低級アルキル基であり、Ｘは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である）と反応させた後、
アシル化剤Ｒ１Ｃ（Ｏ）−Ｌ１（式中、Ｒ１は前記定義の通りであり、Ｌ１は塩素原子、臭素原子、−ＯＣ（Ｏ）Ｒ１または−Ｎ（Ｒ１１）ＯＲ１２であり、Ｒ１１およびＲ１２は独立して低級アルキル基である）と反応させることにより、一般式（II）：
【化４】
2011021009.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｐ１およびＰ２は前記定義の通りである）で表される化合物を調製する工程；
工程２：
一般式（II）で表される化合物の保護基Ｐ２を、酸またはルイス酸を用いて除去することにより一般式（III）：
【化５】
2011021009.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＰ１は前記定義の通りである）で表される化合物を調製する工程；および
工程３：
一般式（III）で表される化合物を、ニトロ化することにより一般式（IV）で表される化合物を調製する工程、
を包含する、製造方法。
【請求項４】
Ｐ１がメチル基であり、Ｐ２がベンジル基である、請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
一般式（I）：
【化６】
2011021009.tif 000006
〔式中、Ｒ２は低級アルキル基であり、Ｐ１は低級アルキル基であり、Ｐ２は非置換もしくは置換ベンジル基である〕で表される化合物。
【請求項６】
Ｐ１がメチル基であり、Ｐ２がベンジル基である、請求項５記載の化合物。  
【請求項７】
一般式（II）：
【化７】
2011021009.tif 000007
〔式中、Ｒ１は非置換もしくは置換アリール基であり、Ｒ２は低級アルキル基であり、Ｐ１は低級アルキル基であり、Ｐ２は非置換もしくは置換ベンジル基である〕で表される化合物。
【請求項８】
Ｐ１がメチル基であり、Ｐ２がベンジル基である、請求項７記載の化合物。  
【請求項９】
一般式（III）：
【化８】
2011021009.tif 000008
〔式中、Ｒ１は非置換もしくは置換アリール基であり、Ｒ２は低級アルキル基であり、Ｐ１は低級アルキル基である〕で表される化合物。
【請求項１０】
Ｐ１がメチル基である、請求項９記載の化合物。  
【請求項１１】
一般式（IV）：
【化９】
2011021009.tif 000009
〔式中、Ｒ１は非置換もしくは置換アリール基であり、Ｒ２は低級アルキル基であり、Ｐ１は低級アルキル基である〕で表される化合物の保護基Ｐ１を、酸またはルイス酸と反応させることにより除去することを特徴とする、一般式（V）：
【化１０】
2011021009.tif 000010
（式中、Ｒ１およびＲ２は前記定義の通りである）で表される化合物の製造方法。
【請求項１２】
Ｐ１がメチル基である、請求項１１記載の製造方法。