Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、活性エネルギー線硬化性樹脂からなる樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上から、活性エネルギー線透過性材料で作製され、表面に凸部が形成されており、その凸部に活性エネルギー線遮蔽膜が形成された第一のモールドをプレスして、前記樹脂層に前記第一のモールドの凸部に対応した凹部を形成する工程と、
前記第一のモールドを介して、前記樹脂層に活性エネルギー線を照射して、前記樹脂層に前記活性エネルギー線硬化性樹脂が硬化した領域と前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化の領域を形成する工程と、
前記第一のモールドを前記樹脂層から離型する工程と、
前記樹脂層の上から、表面に凸部が形成された第二のモールドをプレスして、前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化の領域に前記第二のモールドの凸部に対応した凹部を形成する工程と
を有することを特徴とする微細三次元構造の形成方法。
【請求項２】
前記第二のモールドは活性エネルギー線透過性材料で作製されていることを特徴とする請求項１に記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項３】
前記第一のモールドに形成された凸部は１段であることを特徴とする請求項１又は２に記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項４】
前記第二のモールドに形成された凸部は１段であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項５】
前記第二のモールドの凸部に活性エネルギー線遮蔽膜が形成されており、
前記第二のモールドを介して、前記樹脂層に活性エネルギー線を照射して、前記樹脂層における前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化であった領域に前記活性エネルギー線硬化性樹脂が硬化した領域を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項６】
前記樹脂層をプレスしているモールドを離型する工程と、
前記樹脂層の上から、活性エネルギー線透過性材料で作製され、表面に凸部が形成された第ｎのモールド（ｎは３以上の整数）をプレスして、前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化の領域に第ｎのモールドの凸部に対応した凹部を形成する工程と、
前記第ｎのモールドを介して、前記樹脂層に活性エネルギー線を照射して、前記樹脂層における前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化であった領域に前記活性エネルギー線硬化性樹脂が硬化した領域を形成する工程と
を（ｎ−２）回さらに行うことを特徴とする請求項５に記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項７】
前記第ｎのモールドに形成された凸部は１段であることを特徴とする請求項６に記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項８】
前記樹脂層における前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化であった領域を現像により除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項９】
前記樹脂層における前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化であった領域に活性エネルギー線を照射して、前記活性エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる工程をさらに有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項１０】
前記第二のモールドを介して、前記樹脂層に活性エネルギー線を照射して、前記樹脂層の前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化であった領域を硬化させる工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の微細三次元構造の形成方法。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれかに記載の方法で製造された微細三次元構造を持つ樹脂層と、液体吐出エネルギー発生素子と液体流路とを有する基板と、
を貼り合わせることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の微細三次元構造の形成方法は、
基板の上に、活性エネルギー線硬化性樹脂からなる樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上から、活性エネルギー線透過性材料で作製され、表面に凸部が形成されており、その凸部に活性エネルギー線遮蔽膜が形成された第一のモールドをプレスして、前記樹脂層に前記第一のモールドの凸部に対応した凹部を形成する工程と、
前記第一のモールドを介して、前記樹脂層に活性エネルギー線を照射して、前記樹脂層に前記活性エネルギー線硬化性樹脂が硬化した領域と前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化の領域を形成する工程と、
前記第一のモールドを前記樹脂層から離型する工程と、
前記樹脂層の上から、表面に凸部が形成された第二のモールドをプレスして、前記活性エネルギー線硬化性樹脂が未硬化の領域に前記第二のモールドの凸部に対応した凹部を形成する工程と
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面と第２主面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の第１主面に形成された複数の素子と、
前記半導体基板の第１主面において前記複数の素子を覆うようにして形成された層間絶縁膜と、
前記複数の素子と電気的に接続するようにして、前記層間絶縁膜の表面に形成されたパッドと、
前記パッドに電気的に接続するようにして形成されたバンプ形状の第１電極と、
前記第１電極と電気的に接続するようにして、前記半導体基板の第２主面に形成された第２電極とを有し、
前記第１電極は、前記パッドを貫通し、前記半導体基板側に向かって突出するような突出部を有し、
前記第２電極は、前記半導体基板の第２主面側から第１主面側に向かって、前記第１電極の突出部に達し、かつ、前記パッドには達しないような第２電極用孔部の内側を覆うようにして形成されていることで、前記第１電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１電極の突出部は、前記半導体基板内に達する深さまで突出していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月16日(2011.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を保持するロードロック室と、
前記ロードロック室に連通可能に構成された第１搬送室と、
前記第１搬送室に連通可能に構成され基板を処理する第１処理室と、
前記第１搬送室に連通可能に構成された中継室と、
前記中継室に連通可能に構成された第２搬送室と、
前記第２搬送室に連通可能に構成され基板を処理する第２処理室と、
前記第１搬送室内に設けられ前記ロードロック室、前記第１処理室、前記中継室間での基板の搬送及び基板の保持を行う第１搬送ロボットと、
前記第２搬送室内に設けられ、前記中継室、前記第２処理室間での基板の搬送及び基板の保持を行う第２搬送ロボットと、
前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットによる搬送動作の制御を含む制御部と、を備え、
前記制御部は、前記第１搬送ロボットによる前記第１処理室内外への基板の搬送時間帯が、前記第２搬送ロボットによる前記第２処理室内外への基板の搬送時間帯と少しでも重なり合うように、前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットを制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記第２処理室で処理する未処理基板を、前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内へ搬送させた後、
前記第１処理室で処理する未処理基板を、前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内へ搬送させるように、前記第１搬送ロボットを制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記第２処理室で処理する未処理基板を、前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記中継室内へ搬送させた後、
前記第１処理室で処理する未処理基板を、前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記第１処理室内へ搬送させると共に、前記第２処理室で処理する未処理基板を、前記第２搬送ロボットにより前記中継室内から前記第２搬送室内を介して前記第２処理室内へ搬送させるようにし、前記第２搬送ロボットが動作するときに常に前記第１搬送ロボットも動作するように前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットを制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットは、基板を一時的に保持して搬送する一対のアームをそれぞれ備えており、
前記制御部は、
前記第１搬送ロボットの一方の前記アームが前記ロードロック室内から前記中継室内へ未処理基板を搬送する際には、前記第１搬送ロボットの他方の前記アームが前記中継室内から前記ロードロック室内へ処理済み基板を搬送した後、
前記第１搬送ロボットの一方の前記アームが前記ロードロック室内から前記第１処理室内へ未処理基板を搬送する際の、前記第１搬送ロボットの他方の前記アームが前記第１処理室内から前記ロードロック室内へ処理済み基板を搬送する時間帯が、
前記第２搬送ロボットの一方の前記アームが前記中継室内から前記第２処理室内へ未処理基板を搬送する際の、前記第２搬送ロボットの他方の前記アームが前記第２処理室内から前記中継室内へ処理済み基板を搬送する時間帯と少しでも重なり合うように、前記第１搬送ロボット及び前記第２ロボットを制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１搬送ロボット及び前記第２搬送ロボットによる基板の搬送状態を示す搬送状態表示画面を表示する画面表示装置を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
複数枚の基板を保持するロードロック室と、
前記ロードロック室に連通可能に構成された第１搬送室と、
前記第１搬送室に連通可能に構成され基板を処理する第１処理室と、
前記第１搬送室に連通可能に構成された中継室と、
前記中継室に連通可能に構成された第２搬送室と、
前記第２搬送室に連通可能に構成され基板を処理する第２処理室と、を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記第２処理室で処理する未処理基板を前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記中継室内へ搬送させる工程と、
前記第１処理室で処理する未処理基板を前記第１搬送ロボットにより前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記第１処理室内へ搬送させると共に、前記第２処理室で処理する基板を前記第２搬送ロボットにより前記中継室内から前記第２搬送室内を介して前記第２処理室内へ搬送させる工程と、を実施した後、
前記第２処理室で処理する未処理基板を前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を
介して前記中継室内へ搬送させつつ、前記第２処理室で処理した処理済み基板を前記中継室内から前記第１搬送室内を介して前記ロードロック室内へ搬送させる工程と、
前記第１処理室で処理する未処理基板を前記ロードロック室内から前記第１搬送室内を介して前記第１処理室内へ搬送させつつ、前記第１処理室で処理した処理済み基板を前記第１処理室内から前記第１搬送室内を介して前記ロードロック室内へ搬送させると共に、前記第２処理室で処理する未処理基板を前記中継室内から前記第２搬送室内を介して前記第２処理室内へ搬送させつつ、前記第２処理室で処理した処理済み基板を前記第２処理室内から前記第２搬送室内を介して前記中継室内へ搬送させる工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを繰り返す半導体装置の製造方法。

【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月14日(2011.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サセプタの上に実質的に水平状態に配されるシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置であって、
少なくとも前記シリコン単結晶基板の上及び／又は下に平面視で前記シリコン単結晶基板の中心部から放射状に配されるヒータと、
前記シリコン単結晶基板から見て前記ヒータの背後に前記シリコン単結晶基板の中心に垂直に立つ中心軸に対して回転対称に配置されるリフレクターと、
前記ヒータの出力を制御可能な制御装置と、を備え、
前記リフレクターは、前記ヒータから後ろ向きに放射される熱線を受けて前記シリコン単結晶基板の中心部に向かって、前記シリコン単結晶基板の外周部より、多くの割合で熱を反射するように傾斜した傾斜部を所定の割合で備え、
前記ヒータは、前記傾斜部に対応する傾斜部対応ヒータ要素を備え、
前記制御装置は、前記傾斜部の割合に応じて、前記傾斜部対応ヒータ要素の出力を制御することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。
【請求項２】
更に、前記シリコン単結晶基板の温度を計測するウェーハ温度計と、
前記サセプタの温度を計測するサセプタ温度計と、を備え、
前記制御装置は、計測した前記シリコン単結晶基板の温度と前記サセプタの温度との差が、１０℃以下となるように前記傾斜部対応ヒータ要素の出力を制御することを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記所定の割合が、前記リフレクターに対して６０％以上のときは、前記傾斜部対応ヒータ要素の出力の出力割合を６０％以下として、必要に応じて全体の出力を増減させることにより、前記シリコン単結晶基板を所望の温度にするように加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。
【請求項４】
サセプタの上に実質的に水平状態に配されるシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶基板の上及び／又は下に配されるヒータにより非酸化性雰囲気で所定の温度に前記シリコン単結晶基板を加熱する工程と、
加熱された前記シリコン単結晶基板を所定のエピタキシャル成長温度まで冷却する工程と、
前記シリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を所定の温度で成長させる工程と、
前記シリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハを冷却する工程と、を含み、
上記何れの工程においても、前記シリコン単結晶基板の温度と前記サセプタの温度との差を１０℃以下にするように、前記ヒータにより制御し、
前記シリコン単結晶基板から見て平面視で前記シリコン単結晶基板の中心部から放射状に前記ヒータの背後に、各々前記シリコン単結晶基板の中心に垂直に立つ中心軸に対して回転対称に配置されるリフレクターが、前記ヒータから後ろ向きに放射される熱線を前記シリコン単結晶基板の中心部に向かって、前記シリコン単結晶基板の外周部より、多くの割合で熱を反射するように傾斜した傾斜部を所定の割合で備え、前記ヒータは、前記傾斜部に対応する傾斜部対応ヒータ要素を備え、前記傾斜部の割合に応じて、前記傾斜部対応ヒータ要素の出力を制御することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記所定の割合が、前記リフレクターに対して６０％以上のときは、傾斜部対応ヒータ要素の出力の出力割合を６０％以下として、必要に応じて全体の出力を増減させることにより、前記シリコン単結晶基板を所望の温度にするように制御することを特徴とする請求項４に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ここで、表１において、上面及び下面の温度差が大きいと、転位フリーに成り易いが、これは、昇温速度を遅くしたため、結果的に上面及び下面の温度差が大きくなったためである。即ち、表１において、温度差が大きくなると、昇温速度が低下する関係にある。また、第１のリフレクターでは、外周への熱の放射割合が高いため、内側の出力を大きくすると、全体では却って出力が低下し、昇温速度が低下する。そのため、転位フリーに成り易い領域が増加したのである。一方、表２では、同様に、上面及び下面の温度差が大きいと、転位フリーに成り易かった。これは、同様に昇温速度を遅くすることにより、結果的に上面及び下面の温度差が大きくなったためである。即ち、表２において、温度差が大きくなると、昇温速度が低下する関係にある。しかるに、第２のリフレクターでは、外周への熱の放射割合が低いため、内側の出力を大きくすると、全体も出力が増加し、昇温速度が高くなる。そのため、転位フリーに成り易い領域が減少したのである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タクロリムス、トリアセチンおよび基剤を含む外用剤（ただし、軟膏剤を除く）。
【請求項２】
トリアセチンに対してタクロリムスが０．０３〜３０重量％である、請求項１の外用剤。
【請求項３】
タクロリムスを含む外用剤（ただし、軟膏剤を除く）の製造方法であって、トリアセチンにタクロリムスを可溶化する工程を含むことを特徴とする、製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エラストマー中にカーボンナノファイバーを含む炭素繊維複合材料で形成され、
前記炭素繊維複合材料は、５０％伸び時の応力が７．０ＭＰａ以上であって、２５℃における貯蔵弾性率が６０ＭＰａ以上である、Ｏリング。
【請求項２】
請求項１において、
前記炭素繊維複合材料は、圧縮率２５％、１７５℃、２２時間の圧縮永久ひずみが１０．０％以下である、Ｏリング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｏリング
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、バルブの微小流量制御特性に優れたＯリングに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、バルブの微小流量制御特性に優れたＯリングを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明にかかるＯリングは、
エラストマー中にカーボンナノファイバーを含む炭素繊維複合材料で形成され、
前記炭素繊維複合材料は、５０％伸び時の応力が７．０ＭＰａ以上であって、２５℃における貯蔵弾性率が６０ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にかかるＯリングにおいて、
前記炭素繊維複合材料は、圧縮率２５％、１７５℃、２２時間の圧縮永久ひずみが１０．０％以下であることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に設けられた複数のゲート電極のチャネル方向に平行な側面を、隣り合う前記ゲート電極の間に設けられた分離溝の内壁の一部として含む半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート電極となる導電膜を貫通して前記半導体基板に達する第１の分離溝を形成する工程と、
前記ゲート電極の側面を含む前記第１の分離溝の側壁を覆う保護膜を形成する工程と、
前記第１の分離溝の底面に露出した前記半導体基板をエッチングして第２の分離溝を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側に設けられた前記第２の分離溝の内面を酸化した第１の絶縁膜を、前記ゲート電極の下方において接続させる工程と、
前記第１の分離溝および前記第２の分離溝の内部を第２の絶縁膜で埋め込む工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板は、メモリセル領域と、前記メモリセル領域におけるゲート電極よりもチャネル幅が広いゲート電極を有する周辺回路部と、を備え、
前記メモリセル領域に配置された前記ゲート電極の下方において、前記第１の絶縁膜を接続させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ゲート電極の側面に対して垂直なチャネル幅方向において、前記第２の分離溝の幅を前記第１の分離溝の幅よりも広く形成することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記メモリセル領域に配置された前記ゲート電極の下にＳＯＩ(Silicon On Insulator)構造が形成され、前記周辺回路部のゲート電極の下にはＳＯＩ構造が形成されないことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側に設けられ、前記ゲート電極となる導電層を貫通して前記半導体基板に達する分離溝のそれぞれの底部から、前記ゲート電極の側面に対して垂直な方向に延在し、前記ゲート電極の下方において接続された２つの第１の絶縁膜と、
前記分離溝の内部を埋め込んだ、前記第１の絶縁膜よりも密度が低い第２の絶縁膜と、  を備えたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に設けられた複数のゲート電極のチャネル方向に平行な側面を、隣り合う前記ゲート電極の間に設けられた分離溝の内壁の一部として含む半導体装置の製造方法である。その製造方法は、前記ゲート電極となる導電膜を貫通して前記半導体基板に達する第１の分離溝を形成する工程と、前記ゲート電極の側面を含む前記第１の分離溝の側壁を覆う保護膜を形成する工程と、前記第１の分離溝の底面に露出した前記半導体基板をエッチングして第２の分離溝を形成する工程と、を備えている。さらに、前記ゲート電極の両側に設けられた前記第２の分離溝の内面を酸化した第１の絶縁膜を、前記ゲート電極の下方において接続させる工程と、前記第１の分離溝および第２の分離溝の内部を第２の絶縁膜で埋め込む工程と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２に示すように、半導体装置１００は、半導体基板２の上にゲート絶縁膜３を介して設けられた複数のゲート電極５を有し、ゲート電極５のチャネル方向に平行な側面７は、隣り合うゲート電極５の間に設けられた第１の分離溝である分離溝１６の内壁の一部となる。
ここで、チャネル方向とは、ストライプ状に形成されたメモリストリング１３が延在するＹ方向である。そして、Ｙ方向に直交するＸ方向がチャネル幅方向である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、図３（ｃ）に示すように、ゲート電極５の間に露出した半導体基板２をエッチングし、ＳｉＮ膜９の表面から半導体基板２に達する分離溝１６を形成する。
そして、半導体基板２のエッチング深さｄＳは、高密度プラズマＣＶＤ法（High Density Plasma-Chemical Vapor Deposition：HDP-CVD）、あるいは、ＴＥＯＳ（TetraEthOxySilane）およびＯ３ガスを用いたＣＶＤ法（以下、ＴＥＯＳ／Ｏ３法）により分離溝１６の内部を埋め込むことができるように、５０ｎｍ以内の深さ、例えば、ｄＳ＝２０ｎｍとすることができる。
周辺回路部Ｒｐにおいても、半導体基板２は、同じ深さｄＳだけエッチングされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
例えば、Ｗｇ＝ＷＳ＝１５ｎｍ、ＴＮ＝３ｎｍ、ＴＳ＝５ｎｍである時、隣り合うＳｉＯ２膜２１ａの間隔ΔＸと、厚さＴＯＸは、それぞれ次式により表される。
ΔＸ＝Ｗｇ＋２ＴＮ−２ＴＳ−２Ｔ１＝０
ＴＯＸ＝２．２７Ｔ１〜１２．４ｎｍ
したがって、例えば、１３ｎｍ以上の厚さのＳｉＯ２膜を形成する条件で熱酸化すれば、隣り合うＳｉＯ２膜２１ａを接続させて、ゲート電極５の下方にＳＯＩ構造を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の加熱コイルと、前記第１の加熱コイルの外側に位置する第２の加熱コイルおよび第３の加熱コイルと、前記第１、第２および第３の加熱コイルをそれぞれ駆動する第１、第２および第３の高周波電力発生回路と、前記第１、第２および第３の高周波電力発生回路の出力電力を周期的に増加および減少させる制御回路とを備え、前記制御回路が、前記第１の高周波電力発生回路の出力電力の増加と前記第２および第３の高周波電力発生回路の出力電力の減少とを同期させ、前記第１の高周波電力発生回路の出力電力の減少と前記第２および第３の高周波電力発生回路の出力電力の増加とを同期させる電磁調理器。
【請求項２】
前記制御回路が、前記第２および第３の高周波電力発生回路の出力電力を略同じに設定する請求項１に記載の電磁調理器。
【請求項３】
前記制御回路が、前記第１、第２および第３の高周波電力発生回路の出力電力の合計値が１００％の電力となるべく前記第１、第２および第３の高周波電力発生回路を同時駆動する請求項１または２に記載の電磁調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月28日(2012.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水電解液二次電池用正極組成物及び該正極組成物を用いた正極スラリー
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路であって、
金属で形成されたワイヤボンディングパッドと、
前記ワイヤボンディングパッド下であってそれと接触して形成された金属補強層とを含み、前記金属補強層が、一連の平行ストリップを形成するようパターン形成され、そして、延伸領域に渡ってボンディング力を分散させて前記ワイヤボンディングパッドを強固させるように構成されており、前記金属補強層は金属ストリップを含み、前記金属ストリップは下方金属層上に位置し、前記金属ストリップはその間に空洞を有し、そして前記空洞は金属で充填されており、さらに、
前記金属補強層の下であってそれと接触するように配置された少なくとも一つの金属層と、
前記金属層の少なくとも二つの間に位置し、前記半導体集積回路内に延伸する少なくとも一つの脆弱インターレベル誘電体層とを備える、半導体集積回路。
【請求項２】
前記金属補強層が、窒化チタン、窒化タングステン、窒化ニッケル、及びそれらの混合及び合金からなる群から選択された耐熱性金属窒化物である、請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記一連の平行ストリップは、相互接続する金属ストリップの格子である、請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記ワイヤボンディングパッドの前記金属が、アルミニウム、銅、ならびにアルミニウムおよび銅の合金からなる群から選択される、請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記補強層の厚さが１００〜６００ナノメートルである、請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
半導体集積回路内のワイヤボンディングパッドを補強する方法であって、
前記ワイヤボンディングパッドの下に少なくとも１つの金属層を提供する工程と、
前記ワイヤボンディングパッドと前記少なくとも１つの金属層との間に少なくとも１つの金属補強層を提供する工程とを含み、前記金属補強層が前記ワイヤボンディングパッド下であってそれと接触して形成され、前記金属補強層が、一連の平行ストリップを形成するようパターン形成され、そして、延伸領域に渡ってボンディング力を分散させて前記ワイヤボンディングパッドを強固させ、前記金属補強層は金属ストリップを含み、前記金属ストリップは下方金属層上に位置し、前記金属ストリップはその間に金属が充填した空洞を有し、前記金属補強層および前記少なくとも１つの金属層が導電接触し、さらに、前記少なくとも１つの金属層の各々の間には、前記半導体集積回路内に延伸する少なくとも一つの脆弱インターレベル誘電体層が位置する、方法。
【請求項７】
前記ワイヤボンディングパッドが、アルミニウム、銅又はそれらの混合又は合金であり、前記少なくとも一つの金属層が、アルミニウム、銅又はそれらの混合又は合金であり、前記金属補強層はパターン形成された耐熱性金属の構造である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記金属補強層の厚さが約１００〜６００ナノメートルである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記一連の平行ストリップは、相互接続する金属ストリップの格子である、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅板を使用した放電しない交流のバッリーは蜜閉式で希流酸が入いって化学反応して高熱になり交流の電気が発生する。車などは衝撃や放置してたら又、寒い所では鉛が格槽の下に落ちて放電してしまう。この銅版を使用した放電しない交流のバツテリは寒さに強く放電しない，又希流酸が銅版をピカピカにする。
格槽ごとに銅版が繋がつている、格槽の銅板の長さ，枚数，大きさによつて容量が違ってくる．セパレ−トは使用しない。この銅板を使用した放電しない交流のバツテリーは家庭，自動車、オートバイ，魚業、林業、船，ヘリコブター、飛行機  電車、建設機、農業、冷暖房などに利用できる。
【請求項２】
工場やビルなど大きい容量の必要な電気は銅板を使用した放電しない交流のバツテリーで発電機を回転させて大きい容量の電気を作る事ができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月5日(2012.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力を充放電する捲回群と、
開口部を有し、前記捲回群が収納される缶と、
前記缶の開口部に溶接されて、前記開口部を封止する蓋と、
前記捲回群に電気的に接続され、かつ前記蓋を貫通して、前記蓋の外側に突出する正極接続端子および負極接続端子と、
前記蓋の外側で、前記正極接続端子および前記負極接続端子に、それぞれ接続された正極外部端子および負極外部端子と、
前記正極外部端子および前記負極外部端子を前記蓋に対して電気的に絶縁する絶縁部材と、
前記正極接続端子および前記負極接続端子と、前記蓋との隙間をシールするガスケットとを備え、
前記正極接続端子および前記負極接続端子には、前記蓋の外側で拡径されたかしめ部が形成され、
前記かしめ部の周縁部には、レーザスポット溶接可能な薄肉平坦部が局所的に形成され、
前記薄肉平坦部がレーザスポット溶接されていることを特徴とする二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載の二次電池において、
前記薄肉平坦部を複数形成したことを特徴とする二次電池。
【請求項３】
請求項２に記載の二次電池において、
前記薄肉平坦部は、前記正極外部端子および負極外部続端子の、他の電池との接続手段が面する側に配置されたことを特徴とする二次電池。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の二次電池において、
前記薄肉平坦部は円形であることを特徴とする二次電池。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の二次電池において、
前記薄肉平坦部は楕円形であることを特徴とする二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１の発明による二次電池は、電力を充放電する捲回群と、開口部を有し、前記捲回群が収納される缶と、前記缶の開口部に溶接されて、前記開口部を封止する蓋と、前記捲回群に電気的に接続され、かつ前記蓋を貫通して、前記蓋の外側に突出する正極接続端子および負極接続端子と、前記蓋の外側で、前記正極接続端子および前記負極接続端子に、それぞれ接続された正極外部端子および負極外部端子と、前記正極外部端子および前記負極外部端子を前記蓋に対して電気的に絶縁する絶縁部材と、前記正極接続端子および前記負極接続端子と、前記蓋との隙間をシールするガスケットとを備え、前記正極接続端子および前記負極接続端子には、前記蓋の外側で拡径されたかしめ部が形成され、前記かしめ部の周縁部には、レーザスポット溶接可能な薄肉平坦部が局所的に形成され、前記薄肉平坦部がレーザスポット溶接されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動領域を遊技媒体が通過した後に、可変表示の開始を許容する開始条件の成立に基づいて、各々を識別可能な複数種類の識別情報を可変表示する可変表示手段を備え、該可変表示手段に特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
所定の初期設定を実行した後、不揮発性メモリの記憶内容に基づき遊技機における遊技制御を実行する制御用ＣＰＵが内蔵された遊技制御用マイクロコンピュータと、
前記遊技制御用マイクロコンピュータに内蔵又は外付けされ、乱数値となる数値データを生成する乱数回路とを備え、
前記乱数回路は、
数値データを予め定められた手順により更新して出力する数値更新手段と、
前記数値更新手段から出力された数値データを前記乱数値として取り込んで格納する乱数値格納手段とを含み、
前記遊技制御用マイクロコンピュータは、
前記始動領域を遊技媒体が通過したときに、前記乱数値格納手段から前記乱数値を読み出す乱数読出手段と、
前記開始条件が成立したことに基づいて、前記乱数読出手段によって読み出された前記乱数値を用いて、前記特定遊技状態に制御するか否かを、前記識別情報の表示結果が導出表示される以前に決定する事前決定手段と、
前記事前決定手段による決定前に、前記始動領域を遊技媒体が通過したときに、前記乱数読出手段によって読み出された前記乱数値に基づいて、前記特定遊技状態に制御するか否かを含む所定の判定を行う始動判定手段と、
所定信号の入力に基づいて前記数値更新手段から出力された数値データが前記乱数値格納手段に格納されたときに第１の値にされて新たな数値データの格納を制限する一方、前記乱数値格納手段に格納された数値データが前記乱数値の読出タイミングにて前記制御用ＣＰＵにより読み出されたときに第２の値にされて新たな数値データの格納を許可する所定のデータと、
前記制御用ＣＰＵによる遊技制御が開始されるときに、前記所定のデータを第２の値にする制御開始時処理手段と、
前記所定の初期設定において前記不揮発性メモリの記憶内容が変更されたか否かを検査するセキュリティチェックを実行するセキュリティチェック手段と、
前記セキュリティチェック手段によるセキュリティチェックの実行時間を可変設定可能なセキュリティ時間設定手段とを含み、
さらに、前記始動判定手段による判定結果に基づいて、当該判定対象となった可変表示の前記開始条件が成立する以前に、特定演出を実行する特定演出実行手段を備える、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動領域を遊技媒体が通過した後に、可変表示の開始を許容する開始条件の成立に基づいて、各々を識別可能な複数種類の識別情報を可変表示する可変表示手段を備え、該可変表示手段に特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記始動領域を遊技媒体が通過可能な第１状態と当該遊技媒体が通過不能な第２状態とに変化する可変入賞装置と、
前記始動領域を通過した遊技媒体を検出する始動入賞検出手段と、
遊技制御処理プログラムに基づき遊技機における遊技制御を実行する制御用ＣＰＵが内蔵された遊技制御用マイクロコンピュータと、
前記遊技制御用マイクロコンピュータに内蔵又は外付けされ、乱数値となる数値データを生成する乱数回路とを備え、
前記乱数回路は、
数値データを予め定められた手順により更新して出力する数値更新手段と、
前記数値更新手段から出力された数値データを前記乱数値として取り込んで格納する乱数値格納手段とを含み、
前記遊技制御用マイクロコンピュータは、
前記始動領域を遊技媒体が通過したときに、前記乱数値格納手段から前記乱数値を読み出す乱数読出手段と、
前記開始条件が成立したことに基づいて、前記乱数読出手段によって読み出された前記乱数値を用いて、前記特定遊技状態に制御するか否かを、前記識別情報の表示結果が導出表示される以前に決定する事前決定手段と、
前記事前決定手段による決定前に、前記始動領域を遊技媒体が通過したときに、前記乱数読出手段によって読み出された前記乱数値に基づいて、前記特定遊技状態に制御するか否かを含む所定の判定を行う始動判定手段と、
所定信号の入力に基づいて前記数値更新手段から出力された数値データが前記乱数値格納手段に格納されたときに第１の値にされて新たな数値データの格納を制限する一方、前記乱数値格納手段に格納された数値データが前記乱数値の読出タイミングにて前記制御用ＣＰＵにより読み出されたときに第２の値にされて新たな数値データの格納を許可する所定のデータと、
前記始動入賞検出手段によって遊技媒体が検出されたときに、当該遊技媒体が前記始動領域を通過したことを示す入賞データをセットする入賞データセット手段と、
前記可変入賞装置が前記第２状態であるときに、前記始動入賞検出手段によって遊技媒体が検出されたか否かを判定する異常入賞判定手段と、
前記異常入賞判定手段によって遊技媒体が検出されたと判定されたことに基づいて、前記入賞データセット手段によって設定された前記入賞データをクリアする入賞データクリア手段と、
前記入賞データクリア手段によって前記入賞データがクリアされるときに、前記乱数値格納手段に格納された数値データを読み出すことにより前記所定のデータを第２の値にするクリア時読出手段と、
前記可変入賞装置が前記第１状態から前記第２状態に移行することに基づいて、所定のタイマをセットするタイマセット手段とを含み、
前記入賞データクリア手段は、前記タイマセット手段によってセットされた前記所定のタイマがタイムアウトした後に前記始動入賞検出手段により遊技媒体が検出されたことに基づいて前記入賞データセット手段によりセットされた前記入賞データをクリアし、
さらに、前記始動判定手段による判定結果に基づいて、当該判定対象となった可変表示の前記開始条件が成立する以前に、特定演出を実行する特定演出実行手段を備える、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
関連した第１のコンタクトを有する第１のドープ層と、
第２のドープ層と、
前記第１のドープ層と前記第２のドープ層との間の活性領域と、
前記第２のドープ層に隣接し、前記第１のドープ層と軸方向に並んだ電流閉じ込め層と、
前記第２のドープ層の上にあるコンタクト層と
を備える基礎ＬＥＤを含むことを特徴とするＬＥＤ。
【請求項２】
前記電流閉じ込め層は、前記第２のドープ層の上にあることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記電流閉じ込め層が絶縁材料を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記コンタクト層が前記電流閉じ込め層を覆うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
前記第２のドープ層に隣接してサブマウントをさらに含み、前記電流閉じ込め層及び前記コンタクト層は、前記サブマウントの上にあることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記第２のドープ層に隣接して基板をさらに含み、前記電流閉じ込め層及び前記コンタクト層は、前記基板の上にあることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
前記電流閉じ込め層は、前記コンタクト層及び前記電流閉じ込め層と並んでいる前記活性領域の面積と一致する前記活性領域からの光の放射を実質的に妨げることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のＬＥＤ。
【請求項８】
前記電流閉じ込め層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）および窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる群から選ばれる材料を含むことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項９】
前記電流閉じ込め層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含むことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項１０】
前記第１のドープ層と前記第２のドープ層とは反対にドープされていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１１】
前記電流閉じ込め層は、前記コンタクト層と実質的に同じ面積を有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
関連した第１のコンタクトを有する第１のドープ層と、
第２のドープ層と、
前記第１のドープ層と前記第２のドープ層との間の活性領域と、
前記第１のドープ層の上にあって、前記第１のドープ層の一部のみを覆っている第１のコンタクトと
前記第２のドープ層の上にあって、前記第２のドープ層の一部のみを覆っている絶縁性の電流閉じ込め層であって、前記第１のコンタクトの下にある前記活性領域からの光の放射を実質的に妨げる、絶縁性の電流閉じ込め層と、
前記第２のドープ層の上にあるコンタクト層と
を備えることを特徴とするＬＥＤ。
【請求項１３】
前記コンタクト層は、前記絶縁性の電流閉じ込め層によって覆われていない前記第２のドープ層を実質的に全て覆っていることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ。
【請求項１４】
前記コンタクト層は前記絶縁性の電流閉じ込め層を覆っており、実質的に全ての前記第２のドープ層が前記絶縁性の電流閉じ込め層によって覆われてはいないことを特徴とする請求項１２または１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１５】
前記第２のドープ層に隣接してサブマウントをさらに含み、前記絶縁性の電流閉じ込め層及び前記コンタクト層は、前記サブマウントの上にあることを特徴とする請求項１２から１４のいずれか１項に記載のＬＥＤ。
【請求項１６】
前記第２のドープ層に隣接して基板をさらに含み、前記絶縁性の電流閉じ込め層及び前記コンタクト層は、前記基板の上にあることを特徴とする請求項１２から１５のいずれか１項に記載のＬＥＤ。
【請求項１７】
前記絶縁性の電流閉じ込め層と前記第１のコンタクトとは、軸方向に並んでいることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ。
【請求項１８】
前記第１のドープ層と前記第２のドープ層とは反対にドープされていることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ。
【請求項１９】
前記絶縁性の電流閉じ込め層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含むことを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ。
【請求項２０】
前記絶縁性の電流閉じ込め層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）および窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる群から選ばれる材料を含むことを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ。
【請求項２１】
前記絶縁性の電流閉じ込め層は、前記第１のコンタクトと実質的に同じ面積を有することを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、及び液体検出方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記基板を上面の一部に載置して前記投影光学系下を移動する可動部材と、
前記投影光学系下に液体を供給するとともに、前記供給される液体によって前記投影光学系下に形成される液浸領域から液体を回収する液浸装置と、
前記液浸領域から離脱して前記可動部材の上面または前記可動部材の外側に残留する液体を検出する検出器と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記検出器は、前記載置された前記基板の外側に残留する液体を検出する請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記可動部材の上面は、前記載置される基板と隙間を隔てた平面を含み、
前記検出器は、前記隙間の外側に残留する液体を検出する請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記基板は、前記平面と前記基板の表面とが同じ高さとなるように、前記可動部材に載置される請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記検出器は、前記可動部材の上面よりも下方の液体を検出する請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記検出器は、前記可動部材の側面の液体を検出する請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記可動部材を駆動する駆動機構を有し、
前記検出器は、前記駆動機構の一部の前記液体を検出する請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記駆動機構は、前記可動部材に設けられた可動子と、前記可動子がその一部と対向して配置される固定子を有し、
前記駆動機構の一部は、前記固定子を含む請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記駆動機構は、平面モータを含む請求項７または８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記可動部材がその上方を移動するベース部材を有し、
前記検出器は、前記ベース部材の前記液体を検出する請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記検出器は、前記ベース部材の側面の前記液体を検出する請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記可動部材は、前記基板を載置する第１可動部材と、前記第１可動部材の下方に配置される第２可動部材を有し、
前記検出器は、前記第２可動部材の液体を検出する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記液浸装置で回収されない前記可動部材の液体を回収する回収装置を有する請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記液浸装置は前記可動部材に対して前記投影光学系側に配置される請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記回収装置は前記可動部材に設けられる請求項１３または１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記離脱した液体は、前記液浸装置と前記回収装置で回収できない液体である請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記回収装置は、前記可動部材に載置された基板と前記上面との隙間から流入した液体を回収する請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記回収装置は、前記上面の液体を回収する請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記回収装置は、気体とともに前記可動部材の液体を回収する請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記液浸装置は、前記液浸領域の液体を気体とともに回収する請求項１〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
投影光学系と液体とを介して、可動部材の上面の一部に載置された基板を露光する露光装置に用いられる液体検出方法であって、
供給口を介して液体を前記投影光学系下に供給し、前記供給される液体によって前記投影光学系下に形成される液浸領域から回収口を介して液体を回収することと、
記液浸領域から離脱して前記可動部材の上面または前記可動部材の外側に残留する液体を検出することと、を含む液体検出方法。
【請求項２２】
前記可動部材に載置された前記基板の外側の液体が検出される請求項２１に記載の液体検出方法。
【請求項２３】
前記可動部材の上面は、前記基板と隙間を隔てて位置する平面を含み、
前記隙間の外側の液体が検出される請求項２１または２２に記載の液体検出方法。
【請求項２４】
前記基板は、前記平面と前記基板の表面とが同じ高さとなるように、前記可動部材に載置される請求項２３に記載の液体検出方法。
【請求項２５】
前記可動部材の上面よりも下方の液体が検出される請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２６】
前記可動部材の側面の液体が検出される請求項２５に記載の液体検出方法。
【請求項２７】
前記可動部材を駆動する駆動機構の一部の前記液体が検出される請求項２１〜２６のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２８】
前記駆動機構は、前記可動部材に設けられた可動子と、前記可動子がその一部と対向して配置される固定子を有し、
前記駆動機構の一部は、前記固定子を含む請求項２７に記載の液体検出方法。
【請求項２９】
前記駆動機構は、平面モータを含む請求項２７または２８に記載の液体検出方法。
【請求項３０】
前記可動部材がその上方を移動するベース部材の前記液体が検出される請求項２１〜２９のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項３１】
前記ベース部材の側面の前記液体が検出される請求項３０に記載の液体検出方法。
【請求項３２】
前記可動部材は、前記基板を載置する第１可動部材と、前記第１可動部材の下方に配置される第２可動部材を有し、
前記第２可動部材の液体が検出される請求項２１〜３１のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項３３】
前記供給口および前記回収口を含む液浸装置で回収されない液体が、前記可動部材に設けられた回収装置により回収される請求項２１〜３２のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項３４】
前記離脱した液体は、前記液浸装置と前記回収装置で回収できない液体である請求項３３に記載の液体検出方法。
【請求項３５】
前記可動部材に載置された基板と前記上面との隙間から流入した液体が前記回収装置により回収される請求項３３または３４に記載の液体検出方法。
【請求項３６】
前記上面の液体が前記回収装置により回収される請求項３３〜３５のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項３７】
気体とともに前記可動部材の液体が前記回収装置により回収される請求項２１〜３６のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項３８】
前記液浸領域の液体が、前記回収口を介して気体とともに回収される請求項２１〜３７のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連した第１のコンタクトおよび光が放射される第１の表面を有する第１の材料層と、
関連した第２のコンタクトを有する第２の材料層と、
前記第１の層と前記第２の層との間の活性領域と、
前記第２のコンタクトと関連した閉じ込め構造であって、前記活性領域の方に向かって流れる電流を、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積から遠ざけるように方向付ける閉じ込め構造と
を備えることを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）。
【請求項２】
前記第２のコンタクトは、反射性材料から形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記第１の表面の少なくとも一部が粗面処理されていることを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記第１の表面に隣接して、少なくとも部分的に粗面処理された透明電導性材料の層をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
前記透明電導性材料は、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3および酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のうちの１つを含むことを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記閉じ込め構造は、絶縁性非電導性材料を備えることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
前記絶縁性非電導性材料は、ＳｉＯ2、ＡｌＮおよびＳｉＮのうちの１つを含むことを特徴とする請求項６に記載のＬＥＤ。
【請求項８】
前記閉じ込め構造は、前記第１のコンタクトとほぼ軸方向に一列に並んでいることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。