【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１記載のチャンバ内クリーニング方法は、基板にプラズマ処理を施す基板処理装置のチャンバ内に設けられ、前記基板を載置する台状の静電チャックの外周部に付着したＣＦベースでＳｉ及び金属の少なくともいずれかを含有する堆積物を除去するチャンバ内クリーニング方法において、酸素ガスとフッ素含有ガスとの混合ガスから生成されたプラズマを前記静電チャックの外周部に照射して前記堆積物を除去し、前記静電チャックの外周部以外の露出表面を、マスキング材で被覆することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４記載のチャンバ内クリーニング方法は、請求項１記載のチャンバ内クリーニング方法において、前記マスキング材は、酸素ガス、アルゴンガス及びヘリウムガスの少なくともいずれかからなるマスキングガスであり、該マスキングガスを前記静電チャックの外周部を除く中心部に吹き付けることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５記載のチャンバ内クリーニング方法は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のチャンバ内クリーニング方法において、前記基板処理装置は、前記静電チャックとは空間を隔てて対向する上部に、Ｓｉ又はＳｉＣからなる上部電極を備えており、該上部電極に、−８０Ｖ〜−１００Ｖの直流電圧を印加すると共に、前記混合ガス中の酸素ガスの混合比率を５０％以上とすることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項６記載のチャンバ内クリーニング方法は、請求項５記載のチャンバ内クリーニング方法において、前記堆積物を除去するクリーニングステップの所要時間は、１０〜１８０秒間であり、前記クリーニングステップの開始当初の１０〜２０秒間だけ、前記上部電極へ印加する直流電圧を−１５０Ｖ〜−３００Ｖとすることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項７記載のチャンバ内クリーニング方法は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のチャンバ内クリーニング方法において、前記金属は、Ａｌであることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項８記載のチャンバ内クリーニング方法は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のチャンバ内クリーニング方法において、前記堆積物は多層堆積物であり、前記堆積物の各層に応じて前記プラズマを生成する処理ガス組成を変更することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項９記載のチャンバ内クリーニング方法は、請求項８記載のチャンバ内クリーニング方法において、前記堆積物が、ＣＦベースの第１の堆積物と、ＣＦベースでＳｉ及びＡｌの少なくともいずれかを含む第２の堆積物とを少なくとも含む多層堆積物の場合、前記第１の堆積物を、酸素ガスから生成されたプラズマによって除去し、前記第２の堆積物を、前記混合ガスから生成されたプラズマによって除去することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項１０記載のチャンバ内クリーニング方法は、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のチャンバ内クリーニング方法において、前記堆積物を除去するクリーニングステップを、前記プラズマ処理が施された処理後の前記基板を前記チャンバから搬出した後、次に処理する処理前の前記基板を前記チャンバ内に搬入するまでに行うことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項１記載のチャンバ内クリーニング方法によれば、酸素（Ｏ２）ガスとフッ素（Ｆ）含有ガスとの混合ガスから生成されたプラズマを静電チャックの外周部に照射して肩デポを除去するので、静電チャックの外周部に付着した堆積物を効率よく除去することができ、静電チャックの外周部以外の露出表面を、マスキング材で被覆するので、静電チャックの上部表面の外周部以外の中心部を削ることなく外周部に付着した堆積物を除去することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項４記載のチャンバ内クリーニング方法によれば、マスキング材は、酸素ガス、アルゴンガス及びヘリウムガスの少なくともいずれかからなるマスキングガスであり、該マスキングガスを静電チャックの外周部を除く中心部に吹き付けるので、静電チャックの外周部以外の上部表面の削れを確実に防止することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項５記載のチャンバ内クリーニング方法によれば、上部電極に、−８０Ｖ〜−１００Ｖの直流電圧を印加すると共に、混合ガス中の酸素ガスの混合比率を５０％以上とするので、上部電極の表面荒れを防止しつつ静電チャックの外周部に付着したＣＦベースでＳｉ及び金属の少なくともいずれかを含有する堆積物を除去することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項６記載のチャンバ内クリーニング方法によれば、堆積物を除去するクリーニングステップの所要時間は、１０〜１８０秒間であり、クリーニングステップの開始当初の１０〜２０秒間だけ、上部電極へ印加する直流電圧を−１５０Ｖ〜−３００Ｖとするので、クリーニング開始当初から荒れている上部電極の表面を平滑化した後、静電チャックの外周部に付着した堆積物を除去することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項８記載のチャンバ内クリーニング方法によれば、堆積物が多層堆積物であり、堆積物の各層に応じてプラズマを生成する処理ガス組成を変更するので、最適条件で効率よく多層堆積物を除去することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項９記載のチャンバ内クリーニング方法によれば、堆積物が、ＣＦベースの第１の堆積物と、ＣＦベースでＳｉ及びＡｌの少なくともいずれかを含有する第２の堆積物からなる多層堆積物の場合、第１の堆積物を、酸素ガスから生成されたプラズマによって除去し、第２の堆積物を、混合ガスから生成されたプラズマによって除去するので、最適条件で効率よく多層堆積物を除去することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項１０記載のチャンバ内クリーニング方法によれば、堆積物を除去するクリーニングステップを、プラズマ処理が施された処理後の基板をチャンバから搬出した後、次に処理する処理前の基板をチャンバ内に搬入するまでに行うので、常に、堆積物が除去されたクリーンな静電チャックによって、良好なプラズマ処理を施すことができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にプラズマ処理を施す基板処理装置のチャンバ内に設けられ、前記基板を載置する台状の静電チャックの外周部に付着したＣＦベースでＳｉ及び金属のうち少なくとも１つを含有する堆積物を除去するチャンバ内クリーニング方法において、酸素ガスとフッ素含有ガスとの混合ガスから生成されたプラズマを前記静電チャックの外周部に照射して前記堆積物を除去し、前記静電チャックの外周部以外の露出表面を、マスキング材で被覆することを特徴とするチャンバ内クリーニング方法。
【請求項２】
前記混合ガスを、前記静電チャックの外周部に向けて供給し、前記混合ガスから生成されたプラズマを前記静電チャックの外周部のみに選択的に照射することを特徴とする請求項１記載のチャンバ内クリーニング方法。
【請求項３】
前記混合ガスの前記チャンバ内への供給圧力を１．３３×１０Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）〜１．３３×１０２Ｐａ（１０００ｍＴｏｒｒ）に調整することを特徴とする請求項２記載のチャンバ内クリーニング方法。
【請求項４】
前記マスキング材は、酸素ガス、アルゴンガス及びヘリウムガスの少なくともいずれかからなるマスキングガスであり、該マスキングガスを前記静電チャックの外周部を除く中心部に吹き付けることを特徴とする請求項１記載のチャンバ内クリーニング方法。
【請求項５】
前記基板処理装置は、前記静電チャックとは空間を隔てて対向する上部に、Ｓｉ又はＳｉＣからなる上部電極を備えており、該上部電極に、−８０Ｖ〜−１００Ｖの直流電圧を印加すると共に、前記混合ガス中の酸素ガスの混合比率を５０％以上とすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のチャンバ内クリーニング方法。
【請求項６】
前記堆積物を除去するクリーニングステップの所要時間は、１０〜１８０秒間であり、前記クリーニングステップの開始当初の１０〜２０秒間だけ、前記上部電極へ印加する直流電圧を−１５０Ｖ〜−３００Ｖとすることを特徴とする請求項５記載のチャンバ内クリーニング方法。
【請求項７】
前記金属は、Ａｌであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のチャンバ内クリーニング方法。
【請求項８】
前記堆積物は多層堆積物であり、前記堆積物の各層に応じて前記プラズマを生成する処理ガス組成を変更することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のチャンバ内クリーニング方法。
【請求項９】
前記堆積物が、ＣＦベースの第１の堆積物と、ＣＦベースでＳｉ及びＡｌの少なくともいずれかを含む第２の堆積物とを少なくとも含む多層堆積物の場合、前記第１の堆積物を、酸素ガスから生成されたプラズマによって除去し、前記第２の堆積物を、前記混合ガスから生成されたプラズマによって除去することを特徴とする請求項８記載のチャンバ内クリーニング方法。
【請求項１０】
前記堆積物を除去するクリーニングステップを、前記プラズマ処理が施された処理後の前記基板を前記チャンバから搬出した後、次に処理する処理前の前記基板を前記チャンバ内に搬入するまでに行うことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のチャンバ内クリーニング方法。