(57)【要約】      （修正有）【課題】容量結合プラズマ処理チャンバの上部電極と下部電極との間の隙間を取り巻く拡張プラズマ閉じ込め領域にプラズマを閉じ込める閉じ込めリングを提供する。【解決手段】閉じ込めリングは、水平方向に延びるとともに、その内側端部において、プラズマチャンバの上部電極の外縁の下にあるように適応された環状フランジを含む環状の上壁と、上壁の外端から下向きに垂直方向に延びる側壁と、側壁の下端から内向きに水平方向に延びる環状の下壁であって、円周方向に相隔たれた半径方向に延びる複数のスロットを含む環状の下壁とを備える。各スロットは、少なくとも１．０インチの長さと、０．０５〜０．２インチの均一幅とを有し、最大で２°ずらされた等間隔で半径方向位置に配置される。【選択図】図４Ａ
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
容量結合プラズマ処理チャンバの部品として有用な閉じ込めリングであって、前記閉じ込めリングの内側面は、上部電極と、前記チャンバ内におけるプラズマ処理中に半導体基板をその上に支持する下部電極との間の隙間を取り巻く拡張プラズマ閉じ込め領域を提供し、前記閉じ込めリングは、
水平方向に延びるとともに、その内側端部において、前記プラズマチャンバの前記上部電極の外縁の下にあるように適応された環状フランジを含む環状の上壁と、
前記上壁の外端から下向きに垂直方向に延びる側壁と、
前記側壁の下端から内向きに水平方向に延びる環状の下壁であって、円周方向に相隔たれた半径方向に延びる複数のスロットを含む環状の下壁と、各前記スロットは、少なくとも１．０インチ（およそ２．５ｃｍ）の長さと、０．０５〜０．２インチ（およそ０．１〜０．５ｃｍ）の均一幅とを有し、前記各スロットは、最大で２°ずらされた等間隔で半径方向位置に配置されることと、
を備える閉じ込めリング。
【請求項２】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記側壁は、水平に５列をなして配置されている、約０．０３０インチ（およそ０．０７６ｃｍ）の直径を有する等間隔の一群の通り穴を除いて開口を持たない、閉じ込めリング。
【請求項３】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記下壁は、約１４．８８０インチ（およそ３７．７９５ｃｍ）の内径と、約０．２５インチ（およそ０．６４ｃｍ）の厚さとを有する、閉じ込めリング。
【請求項４】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記上壁は、約１６．７９２インチ（およそ４２．６５２ｃｍ）の内径と、約０．３１インチ（およそ０．７９ｃｍ）の厚さとを有する、閉じ込めリング。
【請求項５】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記側壁は、約２０．５００インチ（およそ５２．０７０ｃｍ）の外径と、約２０．０００インチ（およそ５０．８００ｃｍ）の内径と、約０．２５インチ（およそ０．６４ｃｍ）の厚さとを有する、閉じ込めリング。
【請求項６】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記上壁の水平下面は、前記下壁の水平上面から約０．８５０インチ（およそ２．１５９ｃｍ）隔たれる、閉じ込めリング。
【請求項７】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記各スロットは、約１．８９２インチ（およそ４．８０６ｃｍ）の長さと、約０．０８インチ（およそ０．２ｃｍ）の幅とを有し、前記各スロットの両端は、丸められ、前記各スロットは、そのすぐ隣のスロットから約１．２５°ずらされ、前記各スロットは、前記閉じ込めリングの中心軸から約７．９７インチ（およそ２０．２ｃｍ）の位置から約９．８６２インチ（およそ２５．０５ｃｍ）の位置にわたって半径方向に延びる、閉じ込めリング。
【請求項８】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記下壁は、その内周において、下向きに延びる環状突出を含み、前記環状突出は、約０．３６５インチ（およそ０．９２７ｃｍ）の幅を有し、前記下壁の下面の下方に約０．２インチ（およそ０．５ｃｍ）にわたって延びる、閉じ込めリング。
【請求項９】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記環状フランジは、前記上壁の上部内端における環状凹部によって形成され、前記環状凹部は、前記上壁の内周から約０．１２４５インチ（およそ０．３１６２ｃｍ）にわたって延びる水平面と、前記上壁の上面から０．１６５インチ（およそ０．４１９ｃｍ）にわたって延びる垂直面とによって形成される、閉じ込めリング。
【請求項１０】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、更に、
前記上壁の上面内に、８つの７／１６−２８ネジ穴を備え、前記ネジ穴の中心は、前記閉じ込めリングの中心軸から約９．３１５インチ（およそ２３．６６ｃｍ）に位置し、互いに４５°ずらされ、各前記ネジ穴は、約０．２インチ（およそ０．５ｃｍ）の深さを有する、閉じ込めリング。
【請求項１１】
請求項１０に記載の閉じ込めリングであって、更に、
第１、第２、及び第２の位置合わせピン穴を備え、
前記位置合わせピン穴は、ネジ切りされておらず、
前記位置合わせピン穴の各自は、約０．１１６インチ（およそ０．２９５ｃｍ）の直径と、約０．２インチ（およそ０．５ｃｍ）の深さとを有し、
前記位置合わせピン穴の中心は、前記閉じ込めリングの中心軸から約９．５インチ（およそ２４ｃｍ）に位置し、
前記第３の位置合わせピン穴は、前記ネジ穴の１つから反時計回りに約３４．５°ずらされ、
前記第２の位置合わせピン穴は、前記第３の位置合わせピン穴から反時計回りに約１１５°ずらされ、
前記第１の位置合わせピン穴は、前記第２の位置合わせピン穴から反時計回りに約１２５°ずらされる、閉じ込めリング。
【請求項１２】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記閉じ込めリングは、単一の一体パーツである、または水平面若しくは垂直面に沿って機械的に取り付けられた若しくは接合された２つ若しくは３つ以上の部位を備える、閉じ込めリング。
【請求項１３】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記閉じ込めリングは、導電性の材料で作成されている閉じ込めリング。
【請求項１４】
請求項１に記載の閉じ込めリングであって、
前記閉じ込めリングは、アルミニウム製である閉じ込めリング。
【考案の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
半導体技術の世代が進むにつれて、ウエハは直径が増大する傾向にあり、トランジスタのサイズは縮小しているので、ウエハ処理では、かつてないほど高レベルの精度及び再現性が必要とされている。シリコンウエハなどの半導体基板材料は、通常、プラズマ処理チャンバを使用して処理される。プラズマ処理技術は、スパッタリング蒸着、プラズマ助長化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、レジスト剥離、及びプラズマエッチングを含む。プラズマは、プラズマ処理チャンバ内の適切なプロセスガスに高周波（ＲＦ）電力を加えることによって生成されえる。プラズマ処理チャンバ内のＲＦ電流のフローは、処理に影響を及ぼすことができる。
【０００２】
プラズマ処理チャンバは、プラズマ生成のために、誘導結合（トランス結合）、ヘリコン、電子サイクロトロン共鳴、容量結合（平行平板）などの様々なメカニズムを利用することができる。例えば、高密度プラズマは、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ：商標）処理チャンバ内において、又は電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）処理チャンバ内において発生させることができる。ＲＦエネルギがチャンバ内へ誘導結合されるトランス結合プラズマ処理チャンバは、カリフォルニア州フリーモント市所在のラムリサーチ社（Lam Research Corporation）から入手可能である。高密度プラズマを提供することができるハイフロープラズマ処理チャンバの一例が、参照によって本明細書に開示内容を組み込まれた出願人所有の米国特許第５，９４８，７０４号に開示されている。平行平板プラズマ処理チャンバ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ処理チャンバ、及びトランス結合プラズマ（ＴＣＰ：商標）処理チャンバは、参照によって本明細書に開示内容を組み込まれた出願人所有の米国特許第４，３４０，４６２号、第４，９４８，４５８号、第５，２００，２３２号、及び第５，８２０，７２３号に開示されている。
【０００３】
例えば、プラズマは、参照によって本明細書に開示内容を組み込まれた出願人所有の米国特許第６，０９０，３０４号に記載されている二重周波数プラズマエッチングチャンバなどの平行平板プラズマ処理チャンバ内において発生させることができる。好ましい平行平板プラズマ処理チャンバは、上方シャワーヘッド電極と基板サポートとを含む二重周波数容量結合プラズマ処理チャンバである。例示のため、ここでは、平行平板プラズマ処理チャンバを参照にして実施形態の説明がなされる。
【０００４】
プラズマエッチングのための平行平板プラズマ処理チャンバが、図１に示されている。プラズマ処理チャンバ１００は、チャンバ１１０と、入口ロードロック１１２と、任意の出口ロードロック１１４とを含み、これらの更なる詳細は、参照によって本明細書に全体を組み込まれた出願人所有の米国特許第６，８２４，６２７号に記載されている。
【０００５】
ロードロック１１２及び（備えられている場合には）ロードロック１１４は、ウエハなどの基板をウエハ供給部１６２からチャンバ１１０を通ってウエハ貯蔵部１６４へ出るように移動させるための移動装置を含む。ロードロックポンプ１７６は、ロードロック１１２，１１４内に所望の真空圧を提供することができる。
【０００６】
チャンバ１１０内を所望の圧力に維持するように、ターボポンプなどの真空ポンプ１７２が適応される。プラズマエッチング中、チャンバ圧力は制御され、好ましくはプラズマを維持するのに十分なレベルに維持される。高すぎるチャンバ圧力が、エッチングの停止の原因となりえて不利である一方で、低すぎるチャンバ圧力は、プラズマの消滅を招く恐れがある。平行平板プラズマ処理チャンバなどの中密度プラズマ処理チャンバでは、チャンバ圧力は、好ましくは、約２００ミリトール未満（例：２０〜５０ミリトールのように１００ミリトール未満）（ここで使用される「約」は、±１０％を意味する）の圧力に維持される。
【０００７】
真空ポンプ１７２は、チャンバ内の圧力を制御するために、チャンバ１１０の壁にある出口につながれてバルブ１７３によってスロットル調整することができる。好ましくは、真空ポンプは、チャンバ１１０にエッチングガスが流れ込む間、チャンバ１１０内の圧力を２００ミリトール未満に維持することができる。
【０００８】
チャンバ１１０は、上部電極１２５（例：シャワーヘッド電極）を含む上部電極アセンブリ１２０と、基板サポート１５０とを含む。上部電極アセンブリ１２０は、上側ケース１３０内に装着される。上側ケース１３０は、上部電極１２５と基板サポート１５０との間の間隔を調整するために、機構１３２によって垂直方向に移動され得る。
【０００９】
１または複数のガスを含むプロセスガスを上部電極アセンブリ１２０に供給するために、ケース１３０にプロセスガス源１７０が接続され得る。好ましいプラズマ処理チャンバでは、上部電極アセンブリは、基板の表面に近接する領域にプロセスガスを供給するために使用することができるガス分配システムを含む。ガス分配システムは、１または複数のガスリング、注入器、及び／又はシャワーヘッド（例：シャワーヘッド電極）を含むことができ、参照によって本明細書に開示内容を組み込まれた出願人所有の米国特許第６，３３３，２７２号、第６，２３０，６５１号、第６，０１３，１５５号、及び第５，８２４，６０５号に開示されている。
【００１０】
上部電極１２５は、好ましくは、プロセスガスを分配するためのガス穴（不図示）を有するシャワーヘッド電極を含む。ガス穴は、０．０２〜０．２インチ（およそ０．０５〜０．５ｃｍ）の直径を有することができる。シャワーヘッド電極は、プロセスガスの所望の分配を促すことができる１または複数枚の垂直方向に相隔たれたバッフル板を含むことができる。上部電極及び基板サポートは、グラファイト、シリコン、炭化シリコン、アルミニウム（例えば、陽極酸化アルミニウム）、又はこれらの組み合わせなどの任意の適切な材料で形成されてよい。上部電極アセンブリ１２０には熱伝達液体源１７４を、基板サポート１５０には別の熱伝達液体源をそれぞれ接続することができる。
【００１１】
基板サポート（支持部）１５０は、基板サポート１５０の上面１５５（支持面）上に基板を静電的にクランプするために、１または複数の埋め込みクランプ電極を有することができる。基板サポート１５０には、ＲＦ源およびＲＦ整合回路網などの付随回路網（不図示）によって電力が供給され得る。基板サポート１５０は、好ましくは温度制御され、任意に加熱するための加熱構成（不図示）を含んでよい。加熱構成の例は、参照によって本明細書に組み込まれた同一出願人の米国特許第６，８４７，０１４号及び第７，１６１，１２１号に開示されている。基板サポート１５０は、支持面１５５上にフラットパネル又は２００ｍｍ若しくは３００ｍｍのウエハなどの半導体基板を支持することができる。
【００１２】
基板の処理中に基板の温度を制御するために、基板サポート１５０は、好ましくは、支持面１５５上に支持された基板の下にヘリウムなどの熱伝達ガスを供給するための通路を内部に含む。例えば、ヘリウム裏面冷却は、ウエハ温度を、基板上のフォトレジストの燃焼を阻止しえる十分な低さに維持することができる。基板と基板支持面との間の空間に加圧ガスを導入することによって基板の温度を制御する方法は、参照によって本明細書に開示内容を組み込まれた出願人所有の米国特許第６，１４０，６１２号に開示されている。
【００１３】
基板サポート１５０は、リフトピンを通すリフトピン穴（不図示）を含むことができ、これらのピンは、基板をチャンバ１１０に出し入れするために、適切な機構によって垂直方向に作動され、基板を支持面１５５から持ち上げることができる。リフトピン穴は、約０．０８インチ（およそ０．２ｃｍ）の直径を有する。リフトピン穴の詳細は、参照によって本明細書に開示内容を組み込まれた出願人所有の米国特許第５，８８５，４２３号及び第５，７９６，０６６号に開示されている。
【００１４】
図２は、内部のＲＦ電流の流路を図解するために、容量結合プラズマ処理チャンバ２００のブロック図を示している。処理チャンバ２００内において、基板２０６が処理されている。基板２０６をエッチングするためのプラズマを点火するために、チャンバ２００内のプロセスガスにＲＦ電力が加えられる。ＲＦ電流は、基板の処理中に、ＲＦ供給部２２２からＲＦ整合回路網２２０を介してケーブル２２４に沿って処理チャンバ２００に流れ込むことができる。ＲＦ電流は、経路２４０に沿って伝わり、プロセスガスと結合することによって、下部電極２０４の上方に配置された基板２０６を処理するためのプラズマを閉じ込めチャンバ容量部２１０内に形成することが可能である。
【００１５】
プラズマの形成を制御するために及び処理チャンバ壁を保護するために、閉じ込めリング２１２が用いられてよい。典型的な閉じ込めリングの詳細は、ともに２００９年８月３１日に出願された出願人所有の米国仮特許出願第６１／２３８６５６号、第６１／２３８６６５号、第６１／２３８６７０号、並びに米国特許出願公開第２００８／０１４９５９６号に記載されている。閉じ込めリング２１２は、シリコン、ポリシリコン、炭化シリコン、炭化ホウ素、セラミック、アルミニウムなどの導電性の材料で作成されてよい。通常、閉じ込めリング２１２は、その内部にプラズマが形成される閉じ込めチャンバ容量部２１０の周囲を取り巻くように構成されてよい。閉じ込めリング２１２に加えて、閉じ込めチャンバ容量部２１０の周囲は、上部電極２０２、下部電極２０４、２１６及び２１８などの１つ又は複数の絶縁体リング、エッジリング２１４、並びに下部電極支持構造２２８によって画定されてもよい。
【００１６】
閉じ込め領域（閉じ込めチャンバ容量部２１０）から中性ガス種を排出するために、閉じ込めリング２１２は、（スロット２２６ａ、２２６ｂ、及び２２６ｃなどの）複数のスロットを含んでよい。中性ガス種は、ターボポンプ２３４を通じて処理チャンバ２００から押し出され得る。
【考案の概要】
【００１７】
本明細書で説明されるのは、容量結合プラズマ処理チャンバの部品として有用な閉じ込めリングであって、当該閉じ込めリングの内側面は、上部電極と、チャンバ内におけるプラズマ処理中に半導体基板をその上に支持する下部電極との間の隙間を取り巻く拡張プラズマ閉じ込め領域を提供し、上記閉じ込めリングは、水平方向に延びるとともに、その内側端部において、プラズマチャンバの上部電極の外縁の下にあるように適応された環状フランジを含む環状の上壁と、当該上壁の外端から下向きに垂直方向に延びる側壁と、当該側壁の下端から内向きに水平方向に延びる環状の下壁であって、円周方向に相隔たれた半径方向に延びるスロットを含み、各スロットは、少なくとも１．０インチ（およそ２．５ｃｍ）の長さと、０．０５〜０．２インチ（およそ０．１〜０．５ｃｍ）の均一幅とを有し、これらのスロットは、最大で２°ずらされた等間隔で半径方向位置に配される、環状下壁とを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】典型的なプラズマ処理チャンバの概略図である。
【００１９】
【図２】容量結合プラズマ処理チャンバ及びその中のＲＦ帰還路のブロック図である。
【００２０】
【図３】典型的な隙間調整可能な容量結合プラズマ処理チャンバの部分断面図である。
【００２１】
【図４Ａ】一実施形態に従う閉じ込めリングの斜視図である。
【００２２】
【図４Ｂ】図４Ａの閉じ込めリングの側壁内の一群の通り穴の詳細を示す図である。
【００２３】
【図４Ｃ】図４Ａの閉じ込めリングのネジ穴の部分断面図である。
【００２４】
【図４Ｄ】図４Ａの閉じ込めリングの位置合わせピン穴の部分断面図である。
【００２５】
【図４Ｅ】図４Ａの閉じ込めリングの上面図である。
【００２６】
【図４Ｆ】上壁を取り除かれた状態の図４Ａの閉じ込めリングの切り取り図である。
【考案を実施するための形態】
【００２７】
本明細書で説明されるのは、隙間調整可能な容量結合プラズマ処理チャンバの上部電極と下部電極との間の隙間を取り巻く拡張プラズマ閉じ込め領域内にプラズマを閉じ込めるように構成された閉じ込めリングである。図３は、典型的な隙間調整可能な容量結合プラズマ処理チャンバ３００の部分断面図を示している。チャンバ３００は、基板支持アセンブリ３１０と、中心電極板３０３及び環状外側電極３０４を含む上部電極と、環状外側電極３０４から外向きに延びる、一実施形態に従う導電性の（例えば、純粋なアルミニウム又はアルミニウム合金であり、ここではアルミニウムと総称される）閉じ込めリング５００とを含む。閉じ込めリング５００は、その中心軸を通る垂直面から見たときに、Ｃ字形の断面を有する。
【００２８】
図４Ａ〜４Ｆは、閉じ込めリング５００の詳細を示している。閉じ込めリング５００は、水平方向に延びるとともに、その内側端部において、プラズマチャンバ３００の環状外側電極３０４の外縁の下にあるように適応された環状フランジ５１１を含む環状の上壁５１０と、上壁５１０の外端から下向きに垂直方向に延びる側壁５２０と、側壁５２０の下端から内向きに水平方向に延びる環状の下壁５３０であって、プラズマ閉じ込め領域からガス状副産物を押し出すことができる円周方向に相隔たれた半径方向に延びるスロット５３１を含み、む。各スロット５３１は、少なくとも１．０インチ（およそ２．５ｃｍ）の長さと、０．０５〜０．２インチ（およそ０．１〜０．５ｃｍ）の均一幅とを有し、これらのスロット５３１は、最大２°ずらされた、好ましくは１．２５°ずらされた等間隔で半径方向位置に配置される、環状の下壁５３０とを含む。
【００２９】
側壁５２０は、水平に５列をなして密集して配置されている等間隔の一群の通り穴５２１を除いて開口を持たない。各穴５２１は、好ましくは、約０．０３０インチ（ここで使用される「約」は、±１０％を意味する）（およそ０．０７６ｃｍ）の直径を有し、これらの穴５２１は、約０．０６インチ（およそ０．２ｃｍ）相隔たれる。
【００３０】
下壁５３０は、約１４．８８０インチ（およそ３７．７９５ｃｍ）の内径を有する。上壁５１０は、約１６．７９２インチ（およそ４２．６５２ｃｍ）の内径を有する。側壁５２０は、約２０．５００インチ（およそ５２．０７０ｃｍ）の外径と、約２０．０００インチ（およそ５０．８００ｃｍ）の内径と、約０．２５インチ（およそ０．６４ｃｍ）の厚さとを有する。
【００３１】
上壁５１０の水平下面５１２は、下壁５３０の水平上面５３２から約０．８５０インチ（およそ２．１５９ｃｍ）隔たれる。
【００３２】
下壁５３０は、約０．２５インチ（およそ０．６４ｃｍ）の厚さを有する。下壁５３０は、その内周において、下向きに延びる環状突出５３５を含む。環状突出５３５は、約０．３６５インチ（およそ０．９２７ｃｍ）の幅を有し、下壁５３０の下面５３４の下方に０．２インチ（およそ０．５ｃｍ）にわたって延びる。
【００３３】
各スロット５３１は、約１．８９２インチ（およそ４．８０６ｃｍ）の長さと、約０．０８インチ（およそ０．２ｃｍ）の幅とを有する。スロット５３１の両端は、丸められる。各スロット５３１は、そのすぐ隣のスロットから約１．２５°ずらされる。各スロット５３１は、閉じ込めリング５００の中心軸から約７．９７インチ（およそ２０．２ｃｍ）の位置から約９．８６２インチ（およそ２５．０５ｃｍ）の位置にわたって半径方向に延びる。
【００３４】
上壁５１０は、約０．３１インチ（およそ０．７９ｃｍ）の厚さを有する。環状フランジ５１１は、上壁５１０の上部内端における環状凹所５１５によって形成される。環状凹部５１５は、上壁５１０の内周から約０．１２４５インチ（およそ０．３１６２ｃｍ）にわたって延びる水平面５１５ｂと、上壁５１０の上面５１６から０．１６５インチ（およそ０．４１９ｃｍ）にわたって延びる垂直面５１５ａとによって形成される。
【００３５】
上壁５１０は、その上面５１６内に、８つの７／１６−２８（ユニファイねじ規格（Unified Thread Standard））ネジ穴５３０を含む。ネジ穴５３０の中心は、互いに４５°ずらされて、閉じ込めリング５００の中心軸から約９．３１５インチ（およそ２３．６６ｃｍ）に位置する。各ネジ穴５３０は、約０．２インチ（およそ０．５ｃｍ）の深さを有する。
【００３６】
上壁５１０は、更に、３つの位置合わせピン穴５４０ａ、５４０ｂ、及び５４０ｃ（５４０と総称される）を含む。位置合わせピン穴５４０は、滑らかである（ネジ切りされていない）。各位置合わせピン穴は、約０．１１６インチ（およそ０．２９５ｃｍ）の直径と、約０．２インチ（およそ０．５ｃｍ）の深さとを有する。位置合わせピン穴５４０の中心は、閉じ込めリング５００の中心軸から約９．５インチ（およそ２４ｃｍ）に位置する。上壁５１０から下壁５３０に向かう方向から見て、穴５４０ｃは、ネジ穴５３０の１つから約３４．５°反時計回りにずらされ、穴５４０ｂは、穴５４０ｃから反時計回りに約１１５°ずらされ、穴５４０ａは、穴５４０ｂから反時計回りに約１２５°ずらされる。
【００３７】
閉じ込めリング５００は、１つの一体パーツであってよい、又は複数パーツの組み立て品であってよい。例えば、閉じ込めリング５００は、或いは、（例えば適切なボルト若しくはクランプ構成によって）機械的に取り付けられた又は接合（例えばろう付け、溶接、若しくは接着）された２つ又は３つ以上の部位を含むことができ、これらの部位は、水平面又は垂直面に沿って取り付ける又は接合することができる。
【００３８】
下面５３４は、基板支持アセンブリ３１０の可動接地リング（不図示）の上端との電気的接触を提供することができ、ここで、下面５３４は、好ましくは、可動接地リングとの電気的接触を向上させるように適応された導電性のコーティングを含む。プロセスガス及び反応副産物は、半径方向に延びるスロット５３１を通じてプラズマ処理チャンバから押し出すことができる。
【００３９】
任意に、閉じ込めリング５００の下に、少なくとも１つのスロット付きリング３０７が嵌め込まれ得る。スロット付きリング３０７は、半径方向に延びるスロット５３１を通るガスフロー伝導性を調整するように閉じ込めリング５００に対して位置決め可能なスロットパターンを有することができる。
【００４０】
閉じ込めリング５００は、容量結合プラズマ処理チャンバの部品として有用であり、閉じ込めリング５００の内面は、上部電極と、チャンバ内におけるプラズマ処理中に半導体基板をその上に支持する下部電極との間の隙間を取り巻く拡張プラズマ閉じ込め領域を提供する。
【００４１】
以上では、具体的な実施形態を参照にして閉じ込めリングの詳しい説明がなされてきたが、当業者ならば、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく各種の変更及び修正がなされてよいこと、並びに各種の均等物が採用されてよいことが明らかである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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