【事件の表示】
　特願２００２−３３６９４１「表面波装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月１７日出願公開、特開２００４−１７２９９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
　本願は、平成１４年１１月２０日の特許出願であって、平成１９年１１月２９日付けで拒絶査定され、これに対して平成２０年１月１０日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、同年２月８日付けで手続補正書が提出されたが、当審において平成２２年１月１９日付けで拒絶理由が通知されたものである。
　
　
２．本願発明 
　本願の請求項１に係る発明は、平成２０年２月８日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という）。
　　　　  
「【請求項１】　カット角が１７°以上、３４°以下の回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板と、
　前記圧電基板上に形成されており、膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００４〜０．０５５であるタンタルよりなるＩＤＴと、
　前記ＩＤＴを覆うように前記圧電基板上に形成されており、表面波の波長で規格化された膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０であるＳｉＯ２膜とを備える、表面波装置。」
　　
　　 　　　
３．引用例 
（１）引用例１について
　当審において通知した拒絶の理由に引用された特開平７−１５２７４号公報（以下、「引用例１」という）には、下記の事項が記載されている。
　　　
（ア）「【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、高結合の圧電性基板表面に逆の温度特性をもつ薄膜を付着させることにより高安定、低挿入損失のフィルタを得ることを目的としている。ＳｉＯ２／１２８゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＮｂＯ３基板、ＳｉＯ２／３６゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板、ＳｉＯ２／４１゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＮｂＯ３基板、ＳｉＯ２／６４゜Ｙ−ＸＬｉＮｂＯ３、ＳｉＯ２／１２６゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３において、それらのカット角が１２８゜、３６゜、４１゜、６４゜、１２６゜いずれもその値から±２０゜の範囲であり、ＳｉＯ２膜の膜厚として、薄膜の膜厚をＨ、弾性表面波の動作中心周波数をλ０として、Ｈ／λ０の値が０．０３から０．５の範囲の弾性表面波基板を用いた超高周波の弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子を作製することにより、広い帯域幅をもち、しかも温度の変化に対する周波数の変化の小さい低挿入損失のフィルタを得ることを目的としている。特に、上記のＳｉＯ２／ＬｉＮｂＯ３、ＳｉＯ３／ＬｉＴａＯ３基板を多位相型の一方向性の低挿入損失フィルタ及び内部反射型一方向性すだれ状電極弾性表面波変換器を用いたフィルタ及び共振器型のすだれ状電極を用いたフィルタ及び集積型のすだれ状電極を用いた低損失フィルタに応用することにより、低挿入損失のフィルタが得られる。特にＧＨｚ帯では、ＳｉＯ２の膜厚を１μｍ以下としても良好な温度特性をもつ基板が得られるので、実用上有用である。更に、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３基板にＨ／λ０の値で、０．３以下では電気機械結合係数が大きくなるので、広帯域特性に優れたフィルタが得られる。また、挿入損失を小さくするためには、薄膜による伝搬損失が重要であるが、実験の結果、１ＧＨｚの周波数でも、０．０１ｄＢ／λ以下と非常に小さい。また、薄膜をつけたことによるフィルタの中心周波数の変化も非常に小さい。」
　
　よって、上記（ア）及び関連図面の記載から、引用例１には、
「３６゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板においてカット角が１６゜〜５６゜の範囲とされた圧電基板と、
　前記圧電基板上に形成されたすだれ状電極と、
　前記すだれ状電極を覆うように前記圧電基板上に形成されたＳｉＯ２膜とを備えた弾性表面波フィルタ。」
の発明（以下、「引用発明１」という）が記載されている。
　　　　
（２）引用例２について
　当審において通知した拒絶の理由に引用された特開２００２−１５２００３号公報（以下、「引用例２」という）には、下記の事項が記載されている。
　
（イ）「【００１８】第２の発明の別の特定の局面では、前記圧電性基板が３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ３基板からなり、前記ＩＤＴ及び反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の波長をλと、ＩＤＴ及び反射器の膜厚をＨとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００６〜０．０７、Ｔａの場合に０．００８５〜０．０７、Ｗの場合に０．００８〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１４〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏの場合に０．０１７〜０．０７、並びにＮｉもしくはＣｒの場合に０．０２〜０．０７並びにＺｎの場合に０．０２３〜０．０７の範囲とされている。」
　
（ウ）上記（イ）に記載された「３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ３基板」は、「３６゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板」に対応することは明らかである。
　
　よって、上記（イ）乃至（ウ）及び関連図面の記載から、引用例２には、
「３６゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板と、
　前記基板上に形成されされており、ＩＤＴの膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが、Ｔａの場合に０．００８５〜０．０７の範囲とされたＩＤＴとを備えた弾性表面波フィルタ。」
の発明（以下、「引用発明２」という）が記載されている。　　
　　　
　　　　　　  
４．対比 
（１）本願発明と引用発明１との対応関係について
　引用発明１の「すだれ状電極」は、本願発明の「ＩＤＴ」に相当している。
　　
　引用発明１は、弾性表面波フィルタに関するものであり、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板上にすだれ状電極とＳｉＯ２膜を備える構成になっている。これに対して、本願明細書の段落番号０００１には、本願発明の表面波装置が表面波フィルタなどに用いられることが記載され、また、本願発明がＬｉＴａＯ３からなる圧電基板上にＩＤＴとＳｉＯ２膜を備えた構成であることから、引用発明１の「弾性表面波フィルタ」は、本願発明の「表面波装置」に相当している。
　　
（２）本願発明と引用発明１の一致点について
　上記の対応関係から、本願発明と引用発明１は、
「ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板と、
　前記圧電基板上に形成されたＩＤＴと、
　前記ＩＤＴを覆うように前記圧電基板上に形成されたＳｉＯ２膜とを備えることを特徴とする、表面波装置。」
の点で一致している。
　　　　　
（３）本願発明と引用発明１の相違点について
　本願発明と引用発明１とは、下記の点で相違する。
（相違点Ａ）
　本願発明の圧電基板は、「カット角が１７°以上、３４°以下の回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ３からなる」ものであるのに対し、引用発明１は３６゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板においてカット角が１６゜〜５６゜の範囲とされた圧電基板である点。
　　
（相違点Ｂ）
　本願発明のＩＤＴは、「膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００４〜０．０５５であるタンタルよりなる」ものであるのに対し、引用発明１はそのような構成とはなっていない点。
　　
（相違点Ｃ）
　本願発明のＳｉＯ２膜は、「表面波の波長で規格化された膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０である」ものであるのに対し、引用発明１はそのような構成とはなっていない点。
　　
　　　　
５．当審の判断 
（１）相違点Ａについて
　平成２０年２月８日付けで請求の理由について提出された手続補正書には、本願発明のカット角を３４°（オイラー角でθ＝１２４°）以下に数値限定した根拠が出願当初の図３の記載に基づくものであることが、請求の理由の（３）に記載されている。しかしながら、図３にはオイラー角のθに対して電気機械結合係数Ｋ２の大きさが連続的に変化することが記載されており、例えばθが１２４°の場合の電気機械結合係数Ｋ２の大きさが、θが１２５°以上の場合の電気機械結合係数Ｋ２の大きさに比べて、際だって大きな値になっているとはいえないので、本願発明のオイラー角の数値限定に臨界的意義があるとは認められない。
　また、弾性表面波フィルタ素子を形成する場合に、電気機械結合係数等の重要な特性が良好な値となるようにカット角を探索することは、例えば特開昭６１−６９１９号公報に、「ここで使用した共振子は、基板１が４０°ｒｏｔＹ　ＬｉＴａＯ３で、該基板１の表面にすだれ状電極体２が形成され、・・・（中略）・・・第６図から理解される通り、伝搬方向ψが１°±５°が使用可能で、１°〜３°が良好であり、特に１°の時が最も高いＱ値６００が得られた。この際の基板特性を表２に示す。表１に示す従来の圧電基板に比較して結合係数が大きく、温度係数も良好である。また、本発明者らはφ，θについてもＬｉＴａＯ３圧電結晶を種々カットして調べた結果、φ＝０°±５°、θ＝１３０°±５°が良好で、それ以外のカット角度は結合係数が小さく、温度係数も良好なものではなかった」（公報第３頁右下欄第４行〜第４頁左上欄第５行）と記載されているように周知技術である。
　してみると、相違点Ａのカット角である１７°以上、３４°以下となる角度を含んだ引用発明１の圧電基板において、カット角を相違点Ａの範囲にすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　　
（２）相違点Ｂについて
　上記３．（２）に記載したように、引用例２には、
「３６゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板と、
　前記基板上に形成されされており、ＩＤＴの膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが、Ｔａの場合に０．００８５〜０．０７の範囲とされたＩＤＴとを備えた弾性表面波フィルタ。」
の引用発明２が記載されていることから、引用発明２は、３６゜Ｙ−Ｘ  ＬｉＴａＯ３基板を備えた弾性表面波フィルタにおいて、ＩＤＴを形成する金属にタンタルを用いた場合に、ＩＤＴの膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λを０．００８５〜０．０７の範囲にしたものとなっている。
　また、本願明細書及び図面の記載では、本願発明の規格化膜厚Ｈ／λを相違点Ｂの範囲に限定したことに臨界的意義があるとは認められない。
　引用発明２には、カット角が３５°未満のＬｉＴａＯ３基板を用いた場合にタンタルからなる金属で形成されたＩＤＴを採用することは記載されていない。しかしながら、上記５．（１）に記載したように、弾性表面波フィルタ素子を形成する場合、電気機械結合係数等の重要な特性が良好な値となるようにカット角を探索することは周知技術にすぎないことから、ＩＤＴをタンタルからなる金属で形成した場合に、３５°未満となるカット角においても特性が良好となるカット角を探索することは、当業者に普通に期待できることである。
　してみると、引用発明１のＩＤＴとして、相違点Ｂの規格化膜厚Ｈ／λである０．００４〜０．０５５の範囲の大部分と重複した範囲となっている引用発明２のＩＤＴ構成を採用して、相違点Ｂの構成とすることは、当業者にとって容易に想到し得たものである。
　　
（３）相違点Ｃについて
　上記３．（１）（ア）には、引用例１に良好な温度特性を有するＳｉＯ２膜の膜厚として、「ＳｉＯ２膜の膜厚として、薄膜の膜厚をＨ、弾性表面波の動作中心周波数をλ０として、Ｈ／λ０の値が０．０３から０．５の範囲」とすることが記載されている。該記載では、「λ０」を弾性表面波の動作中心周波数と定義しているが、弾性表面波フィルタの分野では、膜厚を特定する規格化膜厚は、薄膜の膜厚をＨ、弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとすると一般にＨ／λと定義され、また、数値を規定する記号として周波数はｆ、波長はλが用いられることは技術常識であることから、上記「λ０」は弾性表面波の動作中心周波数ではなく、弾性表面波の動作中心周波数の波長の誤記であると解される。よって、引用例１には、ＳｉＯ２膜の膜厚として、薄膜の膜厚をＨ、弾性表面波の動作中心周波数における波長をλ０として、Ｈ／λ０の値が０．０３から０．５の範囲とすることが記載されているといえ、この範囲は相違点Ｃである本願発明の「表面波の波長で規格化された膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０である」範囲を含んだものとなっている。
　また、弾性表面波フィルタの分野では、良好な温度特性を得るため、ＩＤＴを覆うように圧電基板上にＳｉＯ２膜を形成することは周知技術であり、例えば、ＳｉＯ２膜の膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときのＨ／λの値として、特開平８−２６５０８８号公報には、２２％≦Ｈ／λ≦３８％とすることが記載され、特開平２−３７８１５号公報には、１８％≦Ｈ／λ≦２４％とすることが記載され、これらの範囲は相違点Ｃである本願発明の「表面波の波長で規格化された膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０である」範囲内に含まれたものとなっている。
　そして、本願明細書及び図面の記載では、本願発明の規格化された膜厚Ｈｓ／λを相違点Ｃの範囲に限定したことに臨界的意義があるとは認められない。
　してみると、引用発明１のＳｉＯ２膜として、ＳｉＯ２膜の膜厚をＨとし表面波の波長λ０で規格化された膜厚Ｈ／λ０を０．１０〜０．４０の範囲とすることは、当業者にとって容易に想到し得たものである。
　
（４）本願発明の作用効果について　　　
　本願発明の作用効果も、引用発明１乃至２及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　　　　
　
　
６．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明１乃至２及び周知技術に基いて容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について、検討するまでもなく拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。