Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層を覆うように、第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の導電層と一部が重畳するように、前記第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に、第２の導電層を形成する工程と、
前記半導体層および前記第２の導電層を覆うように、第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の導電層と電気的に接続される、第３の導電層を形成する工程と、
前記半導体層を形成する工程の後、前記第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、
前記第２の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程とを有し、
前記半導体層中の水素の濃度は、前記第２の絶縁層中の水素の濃度より高く、
前記半導体層中の窒素の濃度は、前記第２の絶縁層中の窒素の濃度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体層として、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の絶縁層の水素の濃度は１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第２の絶縁層の窒素の濃度は１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
少なくとも前記半導体層の前記第２の絶縁層が形成される表面の少なくとも一部において、前記半導体層と前記第２の導電層とが電気的に接続するように、前記半導体層と前記第２の導電層とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
少なくとも前記半導体層の前記第１の絶縁層が形成される表面の少なくとも一部において、前記半導体層と前記第２の導電層とが電気的に接続するように、前記半導体層と前記第２の導電層とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記半導体層は、前記第２の導電層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の熱処理工程は、前記第２の導電層を形成する工程の後、前記第２の絶縁層を形成する工程の前に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の熱処理工程は、前記第３の導電層を形成する工程の後に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の熱処理工程の熱処理温度および前記第２の熱処理工程における熱処理温度は、４００℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間のＥＬ層と、
第１の層と、
第２の層と、
第３の層と、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記第１の層は、正孔輸送性物質と、アクセプター性物質と、を有し、
前記第２の層は、第１の電子輸送性物質を有し、
前記第３の層は、第２の電子輸送性物質を有し、
前記第１の層は、前記陰極と接する領域を有し、
前記第２の層は、前記第１の層と接する領域を有し、
前記第３の層は、前記第２の層と接する領域を有し、
前記第３の層は、前記ＥＬ層と接する領域を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極との間のＥＬ層と、
第１の層と、
第２の層と、
第３の層と、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記第１の層は、正孔輸送性物質と、アクセプター性物質と、を有し、
前記第２の層は、第１の電子輸送性物質を有し、
前記第３の層は、第２の電子輸送性物質と、ドナー性物質と、を有し、
前記第１の層は、前記陰極と接する領域を有し、
前記第２の層は、前記第１の層と接する領域を有し、
前記第３の層は、前記第２の層と接する領域を有し、
前記第３の層は、前記ＥＬ層と接する領域を有することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
陽極と陰極との間のＥＬ層と、
第１の層と、
第２の層と、
第３の層と、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記第１の層は、正孔輸送性物質と、アクセプター性物質と、を有し、
前記第２の層は、第１の電子輸送性物質を有し、
前記第３の層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属を有し、
前記第１の層は、前記陰極と接する領域を有し、
前記第２の層は、前記第１の層と接する領域を有し、
前記第３の層は、前記第２の層と接する領域を有し、
前記第３の層は、前記ＥＬ層と接する領域を有することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ＥＬ層は、第４の層を有し、
前記第４の層は、第３の電子輸送性物質を有し、
前記第４の層は、前記第３の層と接する領域を有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ＥＬ層は、第５の層を有し、
前記第５の層は、第２の正孔輸送性物質と、第２のアクセプター性物質と、を有し、
前記第５の層は、前記陽極と接する領域を有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子、又は請求項６に記載の発光装置を有する電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子、又は請求項６に記載の発光装置を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置および照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を有し、
ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層と、ｍ＋１番目のＥＬ層との間には、前記陽極側から順に、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属の化合物のいずれかを含む第１の層と、
前記第１の層と接して、電子輸送性の高い物質を含む第２の層と、
前記第２の層と接して、正孔輸送性の高い物質及び前記正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性を示す物質を含む領域と、を有する発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を有し、
ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層と、ｍ＋１番目のＥＬ層との間には、前記陽極側から順に、
電子輸送性の高い物質と前記電子輸送性の高い物質に対してドナー性を示す物質を含む第１の層と、
前記第１の層と接して、電子輸送性の高い物質を含む第２の層と、
前記第２の層と接して、正孔輸送性の高い物質及び前記正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性を示す物質を含む領域と、を有する発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の層は、前記電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率で前記ドナー性を示す物質を添加した層である発光素子。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記ドナー性を示す物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属の化合物である発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記領域は、前記正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率で前記アクセプター性を示す物質を添加した領域である発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記領域は、前記正孔輸送性の高い物質を含む層と前記アクセプター性を示す物質を含む層とが積層された領域である発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の層に含まれる前記電子輸送性の高い物質は、ＬＵＭＯ準位が−５．０ｅＶ以上である発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の層に含まれる前記電子輸送性の高い物質は、ペリレン誘導体または含窒素縮合芳香族化合物である発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記アクセプター性を示す物質は、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物である発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記アクセプター性を示す物質は、酸化モリブデンである発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の発光素子を用いて作製された発光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発光装置を含む照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ゲッタリング不足を解消するための対策としてのゲッタリング方法としては、ＩＧ（イントリンシックゲッタリング）法や、ＥＧ（エクストリンシックゲッタリング）法が知られている（非特許文献１参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここで、シリコン結晶基板のリンの濃度は４．７×１０１９〜９．４７×１０１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内であり、ゲルマニウムの濃度が７．０×１０１９〜１．０×１０２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内であることが好ましい。シリコン結晶基板の素材であるシリコンインゴットの引き上げプロセスにおいて、インゴットが引き上げられる元の溶融シリコンにリンとゲルマニウムを同時にドープするときのそれぞれの濃度を調整することにより、上記のような範囲内で高濃度のリンとゲルマニウムを含んだシリコン結晶基板を得ることができる。上記のような範囲内の高濃度のリンとゲルマニウムとがドープされたシリコン結晶基板の電気抵抗率は０．８×１０−３〜１．５×１０−３ Ω・ｃｍの範囲内であり、この電気抵抗率は、パワーＭＯＳトランジスタ用のウェーハに要求される抵抗率条件を満たすものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
以上の製造プロセスにより、シリコン結晶基板の電気抵抗率が０．８×１０−３〜１．５×１０−３ Ω・ｃｍの範囲内で非常に低く、かつ、シリコンエピタキシャル層のミスフィット転位が極めて少なく、かつ、ＳＦ（スタッキングフォルト）に起因するＬＰＤの個数が少ないエピタキシャルシリコンウェーハを製造することができる。例えば、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製ＳＰ−１のＤＣＮモードで粒径０．１３μｍサイズ以上のＬＰＤを測定した場合、ウェーハ表面（シリコンエピタキシャル層の表面）における面積１００ｃｍ２当たり３２個以下（直径２００ｍｍウェーハの表面（３１４ｃｍ２）において、１００個以下）、好ましくはウェーハ表面の表面積１００ｃｍ２当たり０〜３個程度（直径２００ｍｍウェーハの表面において、１０個以下）、という、パワーＭＯＳトランジスタ用として利用できるエピタキシャルシリコンウェーハが製造される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図３は、本発明の一実施形態に係るエピタキシャル成長工程のプロセス温度と、ウェーハの表面上のＬＰＤ個数との関係を示す図であり、エピタキシャル成長工程のプロセス温度（エピタキシャル成長実温度）を変えて実験した場合における、エピタキシャル成長工程のプロセス温度と、ＳＦに起因してウェーハ表面に出現するＬＰＤの個数との関係を示している。横軸は、エピタキシャル成長工程のプロセス温度を示し、縦軸は、ウェーハ１枚当りのウェーハ表面のＬＰＤ個数を示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図３から分かるように、プロセス温度の範囲は、１１１０℃以上の範囲と、１１１０〜１０９０℃の範囲と、１０９０℃以下（但し、１０００℃以上）の範囲に大別できる。１１１０℃以上の範囲では、ＬＰＤ個数は一万個以上と非常に多い。プロセス温度を下げていくと、１１１０〜１０９０℃の範囲でＬＰＤ個数は急激に低下する。１１００℃〜１０９０℃の範囲では、ＬＰＤ個数は多めに見ても略１００個以下（ウェーハ表面の面積１００ｃｍ２当たり３２個以下）と少ない。更に、１０９０℃以下（但し、１０００℃以上）の範囲では、ＬＰＤ個数は多めに見ても３０個以下（ウェーハ表面の面積１００ｃｍ２当たり１０個以下）と非常に少ない。従って、エピタキシャル成長時のプロセス温度は、１１００℃以下が好ましく、１０００℃〜１０９０℃の範囲内がより好ましい。特に、１０５０℃〜１０８０℃の範囲は、ＬＰＤ個数が数個以下（ウェーハの表面の面積１００ｃｍ２当たり２〜０個程度）と極めて少なく、かつ、プロセス温度が１０００℃以下の場合における上記の問題も少ないので、最適なプロセス温度範囲といえる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
原稿台に載置されている複数枚からなる原稿を１枚ずつ搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送された原稿を読み取る読取手段と、
前記搬送手段によって搬送された原稿の枚数をカウントするカウント手段と、
カウントされた前記原稿の枚数が予め定められた枚数に到達すると、前記読取手段による読み取りを停止する停止手段と、
現在実行しているジョブが第１の種類のジョブである場合、前記予め定められた枚数の読み取られた原稿に対して処理を実行し、現在実行しているジョブが前記第１の種類とは異なる第２の種類のジョブである場合、前記予め定められた枚数の読み取られた原稿に対する処理を実行せずに待機するよう制御する制御手段と
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
記録材に画像を形成する画像形成手段をさらに備え、
前記制御手段は、
前記ジョブが、前記読取手段によって原稿から読み取られた画像データを用いて、前記画像形成手段によって記録材に画像を形成するコピージョブである場合に、前記読み取られた画像データの画像形成が終了すると、前記コピージョブの処理を中断することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御手段は、さらに、
前記コピージョブの処理を中断する場合に、正常に画像形成が行われた原稿の枚数と、画像形成が行なわれていない原稿の枚数とを表示部に表示することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記読取手段によって原稿から読み取られた画像データを蓄積する蓄積手段と、
前記蓄積手段に蓄積された画像データを外部装置に送信する送信手段とをさらに備え、前記制御手段は、
前記ジョブが、前記原稿台に載置されている全ての原稿の読み取りが完了した後に、前記蓄積手段に蓄積された画像データを前記送信手段によって前記外部装置に送信する一括送信ジョブである場合に、前記送信手段による送信を行なうことなく前記一括送信ジョブの実行を待機することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記一括送信ジョブの実行を待機する際に、前記蓄積手段に蓄積された画像データを前記外部装置に対して送信するか否かを操作者に選択させる選択画面を表示部に表示し、
前記操作者が送信することを選択した場合には前記送信手段によって前記外部装置に対して前記蓄積された画像データを送信させた後に前記一括送信ジョブの処理を中断し、前記操作者が送信しないことを選択した場合には前記送信手段によって前記外部装置に対して前記蓄積された画像データを送信することなく前記一括送信ジョブの処理を中断することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記読取手段によって原稿から読み取られた画像データを外部装置に送信する送信手段をさらに備え、
前記制御手段は、
前記ジョブが、前記読取手段によって原稿から画像データが読み取られるごとに、前記外部装置に該画像データを送信する個別送信ジョブである場合に、前記外部装置に対して前記個別送信ジョブの処理が中断することを通知した後に、前記個別送信ジョブの実行を待機することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項７】
画像形成装置の制御方法であって、
搬送手段が、原稿台に載置されている複数枚からなる原稿を１枚ずつ搬送する搬送ステップと、
読取手段が、前記搬送ステップにおいて搬送された原稿を読み取る読取ステップと、
カウント手段が、前記搬送ステップにおいて搬送された原稿の枚数をカウントするカウントステップと、
停止手段が、カウントされた前記原稿の枚数が予め定められた枚数に到達すると、前記読取ステップによる読み取りを停止する停止ステップと、
制御手段が、現在実行しているジョブが第１の種類のジョブである場合、前記予め定められた枚数の読み取られた原稿に対して処理を実行し、現在実行しているジョブが前記第１の種類とは異なる第２の種類のジョブである場合、前記予め定められた枚数の読み取られた原稿に対する処理を実行せずに待機するよう制御する制御ステップとを実行することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の画像形成装置の制御方法における各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、画像形成装置として実現できる。画像形成装置は、原稿台に載置されている複数枚からなる原稿を１枚ずつ搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって搬送された原稿を読み取る読取手段と、前記搬送手段によって搬送された原稿の枚数をカウントするカウント手段と、カウントされた前記原稿の枚数が予め定められた枚数に到達すると、前記読取手段による読み取りを停止する停止手段と、現在実行しているジョブが第１の種類のジョブである場合、前記予め定められた枚数の読み取られた原稿に対して処理を実行し、現在実行しているジョブが前記第１の種類とは異なる第２の種類のジョブである場合、前記予め定められた枚数の読み取られた原稿に対する処理を実行せずに待機するよう制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月7日(2012.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縮小率Ｒで画像を縮小する縮小画像生成装置であって、
前記縮小率Ｒは、Ｍ／Ｎ（ＭおよびＮは、Ｍ≧Ｎを満たす整数）と１／Ｌ（Ｌは２以上の整数）との積で表され、
入力された前記画像を一旦前記Ｍ／Ｎを拡大係数として拡大し、拡大補間画素データおよび拡大補間画素位置を算出する拡大処理部と、
前記拡大処理部で算出された前記拡大補間画素データおよび前記拡大補間画素位置に基づいて前記１／Ｌを縮小係数として縮小し、縮小補間画素データおよび縮小補間画素位置を算出する縮小処理部とを備え、
前記縮小処理部は、複数の拡大補間画素データに基づいて一の縮小補間画素データを生成するとともに、
前記一の縮小補間画素データに対応する縮小補間画素位置を前記複数の拡大補間画素データに対応する複数の拡大補間画素位置の中央位置と同じ位置とすることを特徴とする、
縮小画像生成装置。
【請求項２】
前記拡大係数および前記縮小係数は、前記画像の水平方向および垂直方向についてそれぞれ個別に設定可能である、
請求項１に記載の縮小画像生成装置。
【請求項３】
前記係数ＭおよびＮは、２×Ｎ＞Ｍ≧Ｎ＞０を満たす整数である、
請求項１または２に記載の縮小画像生成装置。
【請求項４】
前記縮小処理部は、前記縮小係数１／Ｌ毎に前記縮小の縮小補間処理に用いる２×Ａ×Ｌ−１（Ａは２以上の整数）個の補間係数参照テーブルを有する、
請求項１〜３のいずれかに記載の縮小画像生成装置。
【請求項５】
前記補間係数参照テーブルは、前記画像の水平方向、垂直方向についてそれぞれ個別に前記Ａを設定可能である、
請求項４に記載の縮小画像生成装置。
【請求項６】
前記縮小処理部は、前記縮小後の画素と、その周辺に位置する前記縮小前の画素の、縮小後の画素間隔を１とする距離ｔが前記Ａに対し｜ｔ｜≧Ａを満たす場合、前記縮小補間処理に用いる前記補間係数を０とする、
請求項４または５に記載の縮小画像生成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の態様にかかるこの発明は、縮小率Ｒで画像を縮小する縮小画像生成装置であって、前記縮小率Ｒは、Ｍ／Ｎ（ＭおよびＮは、Ｍ≧Ｎを満たす整数）と１／Ｌ（Ｌは２以上の整数）との積で表され、入力された前記画像を一旦前記Ｍ／Ｎを拡大係数として拡大し、拡大補間画素データおよび拡大補間画素位置を算出する拡大処理部と、前記拡大処理部で算出された前記拡大補間画素データおよび前記拡大補間画素位置に基づいて前記１／Ｌを縮小係数として縮小し、縮小補間画素データおよび縮小補間画素位置を算出する縮小処理部とを備え、前記縮小処理部は、複数の拡大補間画素データに基づいて一の縮小補間画素データを生成するとともに、前記一の縮小補間画素データに対応する縮小補間画素位置を前記複数の拡大補間画素データに対応する複数の拡大補間画素位置の中央位置と同じ位置とすることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１の態様にかかるこの発明によれば、縮小率Ｒで画像を縮小する縮小画像生成装置であって、前記縮小率Ｒは、Ｍ／Ｎ（ＭおよびＮは、Ｍ≧Ｎを満たす整数）と１／Ｌ（Ｌは２以上の整数）との積で表され、入力された前記画像を一旦前記Ｍ／Ｎを拡大係数として拡大し、拡大補間画素データおよび拡大補間画素位置を算出する拡大処理部と、前記拡大処理部で算出された前記拡大補間画素データおよび前記拡大補間画素位置に基づいて前記１／Ｌを縮小係数として縮小し、縮小補間画素データおよび縮小補間画素位置を算出する縮小処理部とを備え、前記縮小処理部は、複数の拡大補間画素データに基づいて一の縮小補間画素データを生成するとともに、前記一の縮小補間画素データに対応する縮小補間画素位置を前記複数の拡大補間画素データに対応する複数の拡大補間画素位置の中央位置と同じ位置とすることにより、縮小に用いる参照テーブルを大きくすることなく良好な縮小画像を生成することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
【数３】
2011009814.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
【数４】
2011009814.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信媒体がアイドル状態であることを検出してからデータ送信を開始するまでの待機時間が非優先端末よりも優先端末の方が短い通信システムにおける通信装置であって、
前記通信装置が前記優先端末として動作する場合、前記通信装置から送信されるデータのデータ量を判定する第１の判定手段と、
前記第１の判定手段により判定したデータ量に応じて、非優先端末として動作する相手装置にデータを送信させるための制御を行う通信制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記通信制御手段は、前記第１の判定手段により判定したデータ量が所定値より大きい場合、データの送信が完了するまでに少なくとも１回はデータ送信を中断し、前記第１の判定手段により判定したデータ量が所定値より小さいと判定された場合、データの送信が完了するまでデータ送信を継続することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記相手装置から送信されるデータがあるか否かを判定する第２の判定手段を有し、
前記通信制御手段は、前記第１の判定手段による判定結果と前記第２の判定手段による判定結果とに応じて、前記通信装置からのデータ送信が完了するまでのデータ送信の中断を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第２の判定手段により前記相手装置から送信されるデータがないと判定した後は、前記通信制御手段は、前記通信装置から送信されるデータのデータ量に拘らず、データ送信を中断せずにデータ送信を継続することを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第２の判定手段は、前記相手装置から送信されるデータがあるか否かを判定するためにデータの送信を一時的に中断し、該中断している間に前記相手装置からデータを受信したか否かを判定することを特徴とする請求項３または４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記第２の判定手段は、送信データを有することを示すメッセージを前記相手装置から受信したか否かを判定することを特徴とする請求項３または４に記載の通信装置。
【請求項７】
前記通信制御手段は、前記通信装置からのデータ送信と前記相手装置からのデータ受信と、が交互に行われるように、データ送信とデータ送信の中断と、を切替えながら繰り返すことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記通信制御手段は、所定のデータ量毎もしくは所定時間毎にデータの送信とデータの中断と、を切替えることを特徴とする請求項７に記載の通信装置。
【請求項９】
無線リンクを確立するための接続要求と接続応答のいずれを送信したかに応じて、前記優先端末と非優先端末のいずれで動作するかを決定する決定手段と、を有し、
前記決定手段により前記通信装置が前記優先端末として動作することが決定された場合に、前記通信制御手段による通信制御を行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
通信媒体がアイドル状態であることを検出してからデータ送信を開始するまでの待機時間が非優先端末よりも優先端末の方が短い通信システムにおける通信装置の制御方法において、
前記通信装置が前記優先端末として動作する場合、前記通信装置から送信されるデータのデータ量を判定する判定工程と、
前記判定工程において判定されたデータ量に応じて、非優先端末として動作する相手装置にデータを送信させるための制御を行う通信制御工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムが格納された記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の通信装置は、通信媒体がアイドル状態であることを検出してからデータ送信を開始するまでの待機時間が非優先端末よりも優先端末の方が短い通信システムにおける通信装置であって、前記通信装置が前記優先端末として動作する場合、前記通信装置から送信されるデータのデータ量を判定する第１の判定手段と、前記第１の判定手段により判定したデータ量に応じて、非優先端末として動作する相手装置にデータを送信させるための制御を行う通信制御手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月12日(2012.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置と近距離無線通信を行う通信装置であって、
前記外部装置に画像データを送信する送信手段と、
前記外部装置に第１の画像データの送信が行われた後、前記第１の画像データが送信された外部装置に対応する装置に画像データの送信が再び行われる場合、第２の画像データが前記装置に送信されるようにする制御手段とを有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記第２の画像データには、前記第１の画像データと異なる画像データが含まれることを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記第２の画像データは、動画像データを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第１の画像データに第１の区間に関連する画像データが含まれる場合、前記第２の画像データには、前記第１の区間と異なる第２の区間に関連する画像データが含まれることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１の画像データに動画像データが含まれる場合、前記第２の画像データには、前記第１の画像データに含まれる動画像データの先頭の画像データが含まれることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記第１の画像データに第１の動画像データが含まれる場合、前記第２の画像データには、前記第１の動画像データに続く第２の動画像データが含まれることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記送信手段によって送信される画像データを選択するための選択手段を有し、
前記第２の画像データは、前記選択手段によって選択された画像データを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記選択手段は、前記第１の画像データに応じて、前記送信手段によって送信される画像データを選択することを特徴とする請求項７に記載の通信装置。
【請求項９】
前記第２の画像データは、静止画データを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項１０】
外部装置と近距離無線通信を行う通信装置を制御するための制御方法であって、
前記外部装置に画像データを送信するステップと、
前記外部装置に第１の画像データの送信が行われた後、前記第１の画像データが送信された外部装置に対応する装置に画像データの送信が再び行われる場合、第２の画像データが前記装置に送信されるようにするステップとを含むことを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、近距離無線通信を用いながら、操作性（ユーザビリティ）を向上させるようにすることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る通信装置は、外部装置と近距離無線通信を行う通信装置であって、前記外部装置に画像データを送信する送信手段と、前記外部装置に第１の画像データの送信が行われた後、前記第１の画像データが送信された外部装置に対応する装置に画像データの送信が再び行われる場合、第２の画像データが前記装置に送信されるようにする制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、近距離無線通信を用いながら、操作性（ユーザビリティ）を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上りリンクにおける空間多重のレイヤ数に対応するランク情報を決定するランク情報決定部と、
ユーザ装置の送信アンテナに対する重み付けに用いる送信位相及び又は送信振幅の制御量を決定する制御量決定部と、
送信位相及び又は送信振幅の制御量と、空間多重のレイヤ数を示すランク情報との組み合わせを示す複数種類のインデックスが定められたコードブックと、
前記ランク情報決定部で決定した前記ランク情報及び前記制御量決定部で決定した前記制御量の組み合わせに対応したインデックスを前記コードブックから取得して、当該インデックスを制御チャネル信号で前記ユーザ装置に送信する送信部と、
を具備することを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
前記送信部は、ＰＤＣＣＨにより前記ランク情報及び制御量の組み合わせに対応したインデックスを前記ユーザ装置に送信することを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項３】
前記送信部は、ＰＤＣＣＨと異なるフィードバック用の制御チャネル信号により前記インデックスを前記ユーザ装置に送信することを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項４】
前記コードブックは、開ループ型の上りリンク伝送モードを指定する伝送モードインデックスを含み、前記送信部は、前記伝送モードインデックスを前記ユーザ装置に送信することを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項５】
上りリンクにおける空間多重のレイヤ数に対応するランク情報を決定するランク情報決定部と、
ユーザ装置の送信アンテナに対する重み付けに用いる送信位相及び又は送信振幅の制御量を決定する制御量決定部と、
前記ランク情報決定部で決定した前記ランク情報を上位レイヤからの信号で前記ユーザ装置に送信すると共に、前記制御量決定部で決定した前記制御量を制御チャネル信号で前記ユーザ装置に送信する送信部と、
を具備することを特徴とする基地局装置。
【請求項６】
予めユーザ装置の送信アンテナに対する重み付けに用いられる送信位相及び又は送信振幅の制御量を示す複数種類のインデックスが、上りリンクにおける空間多重のレイヤ数に対応するランク情報毎に定められたコードブックを備え、前記送信部は、前記インデックスを前記制御量として前記ユーザ装置に送信することを特徴とする請求項５記載の基地局装置。
【請求項７】
前記コードブックは、開ループ型の上りリンク伝送モードを指定する伝送モードインデックスを含み、前記送信部は、前記伝送モードインデックスを前記ユーザ装置に送信することを特徴とする請求項６記載の基地局装置。
【請求項８】
前記ランク情報決定部は、前記ランク情報として、上りリンクにおける空間多重のレイヤ数に対応するランク数を決定することを特徴とする請求項５記載の基地局装置。
【請求項９】
前記ランク情報決定部は、前記ランク情報として、上りリンクにおける空間多重のレイヤ数に対応する上りリンク伝送モードを決定することを特徴とする請求項５記載の基地局装置。
【請求項１０】
前記ランク情報決定部は、システム帯域全体で共通する最適なレイヤ数に応じた前記ランク情報を決定することを特徴とする請求項１又は請求項５記載の基地局装置。
【請求項１１】
前記ランク情報決定部は、システム帯域を複数のブロックに分割したコンポーネントキャリア毎に最適なレイヤ数に応じた前記ランク情報を決定することを特徴とする請求項１又は請求項５記載の基地局装置。
【請求項１２】
前記ランク情報決定部は、前記ユーザ装置に割り当てた帯域のリソースブロックが、一部のサブバンドが離れた状態となる複数のクラスターブロックに分割されている場合に当該クラスターブロック毎に最適なレイヤ数に応じた前記ランク情報を決定することを特徴とする請求項１又は請求項５記載の基地局装置。
【請求項１３】
予めユーザ装置の送信アンテナに対する重み付けに用いられる送信位相及び又は送信振幅の制御量と、上りリンクにおける空間多重のレイヤ数を示すランク情報との組み合わせを示す複数種類の第１のインデックスが定められた第１のコードブックと、予めユーザ装置の送信アンテナに対する重み付けに用いられる送信位相及び又は送信振幅の制御量を示す複数種類の第２のインデックスが、上りリンクにおける空間多重のランク情報毎に定められた第２のコードブックとを備え、前記送信部は、前記第１のインデックスを前記ユーザ装置の一の送信アンテナに対する前記ランク情報及び制御量として送信すると共に、前記第２のインデックスを前記ユーザ装置の他の送信アンテナに対する前記制御量として送信することを特徴とする請求項１２記載の基地局装置。
【請求項１４】
上りリンクにおける空間多重のレイヤ数に対応するランク情報を決定するステップと、
ユーザ装置の送信アンテナに対する重み付けに用いる送信位相及び又は送信振幅の制御量を決定するステップと、
前記決定したランク情報及び前記決定した制御量の組み合わせに対応したインデックスを、送信位相及び又は送信振幅の制御量と空間多重のレイヤ数を示すランク情報との組み合わせを示す複数種類のインデックスが定められたコードブックから取得して、当該インデックスを制御チャネル信号で前記ユーザ装置に送信するステップと、
を具備することを特徴とする情報フィードバック方法。
【請求項１５】
上りリンクにおける空間多重のレイヤ数に対応するランク情報を決定するステップと、
ユーザ装置の送信アンテナに対する重み付けに用いる送信位相及び又は送信振幅の制御量を決定するステップと、
前記決定したランク情報を上位レイヤからの信号で前記ユーザ装置に送信すると共に、前記決定した制御量を制御チャネル信号で前記ユーザ装置に送信するステップと、
を具備することを特徴とする情報フィードバック方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の基地局装置は、上りリンクにおける空間多重のレイヤ数に対応するランク情報を決定するランク情報決定部と、ユーザ装置の送信アンテナに対する重み付けに用いる送信位相及び又は送信振幅の制御量を決定する制御量決定部と、送信位相及び又は送信振幅の制御量と、空間多重のレイヤ数を示すランク情報との組み合わせを示す複数種類のインデックスが定められたコードブックと、前記ランク情報決定部で決定した前記ランク情報及び前記制御量決定部で決定した前記制御量の組み合わせに対応したインデックスを前記コードブックから取得して、当該インデックスを制御チャネル信号で前記ユーザ装置に送信する送信部と、を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板のｎ型のＭＯＳトランジスタ形成領域にｎ型のＭＯＳトランジスタを含み、前記半導体基板のｐ型のＭＯＳトランジスタ形成領域にｐ型のＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板の主面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記ゲート絶縁膜上にｎ型のＭＯＳトランジスタの第１ゲート電極およびｐ型のＭＯＳトランジスタの第２ゲート電極をそれぞれ形成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、イオン注入によって、前記ｎ型のＭＯＳトランジスタ形成領域に、前記ｎ型のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域の一部となるｎ型低濃度層を形成する工程と、
（ｄ）前記（ｂ）工程の後、イオン注入によって、前記ｐ型のＭＯＳトランジスタ形成領域にｐ型低濃度層を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｂ）工程の後、前記ｎ型のＭＯＳトランジスタ形成領域に、窒素を打ち込む工程と、
（ｆ）前記（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）工程の後、前記第１および第２ゲート電極のそれぞれの側面に絶縁膜を形成する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、イオン注入によって、前記ｎ型のＭＯＳトランジスタ形成領域に、前記ｎ型のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域の一部となり、且つ、前記ｎ型低濃度層よりも高濃度の不純物濃度を有するｎ型高濃度層を形成する工程と、
（ｈ）前記（ｆ）工程の後、イオン注入によって、前記ｐ型のＭＯＳトランジスタ形成領域に、前記ｐ型のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域の一部となり、且つ、前記ｐ型低濃度層よりも高濃度の不純物濃度を有するｐ型高濃度層を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程において、前記窒素の打ち込みを、前記半導体基板に対して垂直な方向から０度以上７度未満の角度で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月26日(2012.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンを介して基板を露光する露光装置であって、
位置、姿勢及び形状の少なくとも１つを調整可能な光学素子を含み、前記パターンからの光を前記基板に投影する投影光学系と、
前記光学素子の位置、姿勢及び形状の少なくとも１つを調整する調整部と、
前記調整部に与えられる前記光学素子の調整量に応じて前記光学素子を調整できたときの前記投影光学系の光学特性値の理論上の変化を表す変数と、前記調整部が前記光学素子を調整したときの調整誤差によって生じる前記投影光学系の光学特性値の変化の不確実性とを含む目的関数の値が許容レベルを満たすように、前記光学素子の調整量を２次計画法又は２次錐計画法を用いて算出し、当該算出した調整量に基づいて前記調整部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記目的関数は、前記不確実性を、前記調整部が前記光学素子を調整したときの調整誤差によって生じる前記投影光学系の光学特性値の変化と前記調整部による前記光学素子の調整を行うかどうかを表す変数との積の項として含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記調整部は、アクチュエータを含み、
前記不確実性は、前記アクチュエータに前記光学素子の調整量を与えたときに、前記アクチュエータが与えられた光学素子の調整量に従って前記光学素子を調整したときの調整誤差によって生じる前記投影光学系の光学特性値の変化であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記光学特性値は、波面収差係数の線形結合で表される光学特性の値、前記投影光学系の収差としてのディストーションの値、波面収差係数の重みつき２乗和で表される光学特性の値及び波面収差ＲＭＳ値の平方の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記波面収差係数は、ゼルニケ係数であることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
位置、姿勢及び形状の少なくとも１つを調整可能な光学素子を含み、レチクルのパターンからの光を基板に投影する投影光学系の調整方法であって、
前記光学素子の調整量に応じて前記光学素子を調整できたときの前記投影光学系の光学特性値の理論上の変化を表す変数と、前記光学素子を調整したときの調整誤差によって生じる前記投影光学系の光学特性値の変化の不確実性とを含む目的関数を生成する生成ステップと、
前記生成ステップで生成した目的関数の値が許容レベルを満たすように、前記光学素子の調整量を、２次計画法又は２次錐計画法を用いて算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出した調整量に基づいて、前記光学素子を調整する調整ステップと、
を有することを特徴とする調整方法。
【請求項７】
前記不確実性は、前記光学素子を調整するアクチュエータに前記光学素子の調整量を与えたときに、前記アクチュエータが与えられた光学素子の調整量に従って前記光学素子を調整したときの調整誤差によって生じる前記投影光学系の光学特性値の変化であることを特徴とする請求項６に記載の調整方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月1日(2012.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に第１導電型のソース領域およびドレイン領域、ならびに前記ソース領域および前記ドレイン領域の間に第２導電型のチャネル領域が形成された基板と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するように形成されたトレンチと、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記トレンチの内部を埋め込むように形成されたゲート電極と、
を有するトランジスタを含み、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記基板表面および前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記トレンチ側方における前記第２導電型の不純物濃度よりも高く、前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記基板表面の前記第２導電型の不純物濃度以上である半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
なお、本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
一面に第１導電型のソース領域およびドレイン領域、ならびに前記ソース領域および前記ドレイン領域の間に第２導電型のチャネル領域が形成された基板と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するように形成されたトレンチと、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記トレンチの内部を埋め込むように形成されたゲート電極と、
を有するトランジスタを含み、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記基板表面および前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記トレンチ側方における前記第２導電型の不純物濃度よりも高く、前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記基板表面の前記第２導電型の不純物濃度以上である半導体装置。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置において、
前記ゲート幅方向に、複数の前記トレンチが形成された半導体装置。
（付記３）
基板の一面に、第２導電型の不純物イオンを注入してチャネル領域を形成する工程と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するようにトレンチを形成する工程と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域において、前記トレンチの内部を埋め込むようにゲート電極を形成する工程と、
前記基板の前記一面の前記チャネル領域の両側方に第１導電型の不純物イオンを注入して、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
によりトランジスタを形成する工程を含み、
前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程において、前記基板表面および前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記トレンチ側方における前記第２導電型の不純物濃度よりも高く、前記トレンチの底部の前記第２導電型の不純物濃度が前記基板表面の前記第２導電型の不純物濃度以上となるように前記第２導電型の不純物イオンを注入する半導体装置の製造方法。
（付記４）
付記３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程は、前記トレンチを形成した後に、前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入して、前記基板表面および前記トレンチ底部に前記第２導電型の不純物イオンを注入する工程を含む半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程は、前記トレンチを形成する前に、
前記基板表面をターゲットとして、前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程と、
前記トレンチの底部となる所定の深さをターゲットとして、前記基板の前記一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（付記６）
付記４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程は、前記トレンチを形成する前に、前記トレンチの底部となる所定の深さをターゲットとして、前記基板の一面の前記チャネル領域に、前記第２導電型の不純物イオンを鉛直方向にイオン注入する工程を含む半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月4日(2012.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
該絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜と、
該半導体薄膜上に設けられたゲート絶縁膜と、
該半導体薄膜表面上に該ゲート絶縁膜を介して設けられた、長さと幅を有する第１のゲート電極と、
該半導体薄膜表面上または表面内に設けられかつ該第１のゲート電極の平面からみて長さ方向の両側に設けられた第１の導電型の第１の領域と第１の導電型の第２の領域と、
前記第１のゲート電極のゲート幅方向に前記第２の領域と並置された第１の導電型と逆導電型の第３の領域と、
該第２の領域および該第３の領域とへともに接続された導電性薄膜と、
該半導体薄膜表面上に前記第２の領域に沿って該ゲート絶縁膜を介して設けられた、長さと幅を有する第２のゲート電極と、
該半導体薄膜の上または表面内に該第２のゲート電極に関して前記第２の領域と反対側に設けられた第１導電型の第４領域とから構成され、
回路動作に応じて前記第１の領域または第４の領域を出力領域とすることを特徴とする絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記第３の領域は、前記半導体薄膜と一部接触したシリサイドあるいは金属薄膜であることを特徴とする請求項１記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項３】
絶縁性基板と、
該絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜と、
該半導体薄膜上に設けられたゲート絶縁膜と、
該半導体薄膜表面上に該ゲート絶縁膜を介して設けられた、長さと幅を有する第１のゲート電極と、
該半導体薄膜表面上または表面内に設けられかつ該第１のゲート電極の平面からみて長さ方向の両側に設けられた第１の導電型の第１の領域と第１の導電型の第２の領域と、
前記第１のゲート電極のゲート幅方向に前記第２の領域と並置された、第１の導電型と逆導電型を有し、前記第２の領域とは低抵抗の接合を形成して接触している第３の領域と、
該半導体薄膜表面上に前記第２の領域に沿って該ゲート絶縁膜を介して設けられた、長さと幅を有する第２のゲート電極と、
該半導体薄膜の上または表面内に該第２のゲート電極に関して前記第２の領域と反対側に設けられた第１導電型の第４領域とから構成され、
前記第３の領域へある定められたバイアス電位を加えることなしに、双方向性
（bidirectional）の回路動作に応じて前記第１の領域または第４の領域が出力領域となることを特徴とする絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記第２の領域および前記第３の領域はそれぞれ１０19原子/cc以上の不純物濃度を有することを特徴とする請求項３記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記第３の領域は、前記第２の領域と一部接触しているシリサイドあるいは金属薄膜であり、前記第２の領域は前記接合の近傍で１０19原子/cc以上の不純物濃度を有することを特徴とする請求項３記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記第２領域は複数領域からなり、該第３の領域を該複数の第２の領域によりゲート幅方向に挟む様に配置されたことを特徴とする請求項１あるいは３記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記第３の領域は複数領域からなり、該第２の領域を該複数の第３の領域によりゲート幅方向に挟む様に配置されたことを特徴とする請求項１あるいは３記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項８】
第２の領域の幅がチャネル長の５０倍以内であることを特徴とする請求項６記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項９】
第２の領域の幅がチャネル長の１０倍以内であることを特徴とする請求項６記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
第１及び第４の領域は不純物濃度の相対的に薄い部分と濃い部分を有し、該相対的に薄い部分は該相対的に濃い部分より第１ないしは第２のゲート電極へ近く位置することを特徴とする請求項１あるいは３記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記絶縁性基板はガラス、サファイアおよびセラミックのうちのひとつを含む絶縁材料からなることを特徴とする請求項１あるいは３記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
前記絶縁性基板はシリコン基板上に絶縁膜を形成したことを特徴とする請求項１あるいは３記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項１３】
絶縁性基板と、
該絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜と、
該半導体薄膜上に設けられたゲート絶縁膜と、
該半導体薄膜表面上に該ゲート絶縁膜を介して設けられた、長さと幅を有する第１のゲート電極と、
該半導体薄膜表面上または表面内に設けられかつ該第１のゲート電極の平面からみて長さ方向の両側に設けられた第１の導電型の第１の領域と第１の導電型の第２の領域と、
前記第１のゲート電極のゲート幅方向に前記第２の領域と並置された第１の導電型と逆導電型の第３の領域と、
該第２の領域および該第３の領域とへともに接続された導電性薄膜と、
該半導体薄膜表面上に前記第２の領域に沿って該ゲート絶縁膜を介して設けられた、長さと幅を有する第２のゲート電極と、
該半導体薄膜の上または表面内に該第２のゲート電極に関して前記第２の領域と反対側に設けられた第１導電型の第４領域とから構成され、
前記第３の領域へある定められたバイアス電位を加えることなしに、双方向性の回路動作に応じて前記第１の領域または第４の領域が出力領域となることを特徴とする絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。
【請求項１４】
第２の領域の幅がチャネル長の２５倍以内であることを特徴とする請求項３あるいは１３記載の絶縁性基板上に形成された電界効果トランジスタ。