【事件の表示】
　平成１１年特許願第３０３７０７号「多値記録再生方法および相変化型多値記録用媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月３０日出願公開、特開２００１−　８４５９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明
　本件審判請求に係る出願（以下、「本願」という。）は、平成１１年１０月２６日の出願（国内優先権主張：平成１０年１０月２６日、平成１１年７月９日）であって、その請求項１乃至３６に係る発明は、平成１８年１１月６日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至３６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　エネルギービームの照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化を生じる記録層を有する情報記録用媒体に対して、結晶状態を未記録状態とし、記録用エネルギービームを照射し、局所的に前記記録層を溶融せしめ、凝固時の冷却により非晶質マークを形成することにより、情報の記録を行う記録方法において、主として前記凝固時における再結晶化過程と非晶質化過程との競合を前記凝固時の冷却速度により制御して、再結晶化領域の大きさを制御し、単層の記録層中において、非晶質マークの大きさを３以上の多段階の記録レベルに制御するとともに、前記非晶質マークの長さが前記多段階の記録レベルのいずれにおいても再生用光ビームの走査方向に対する長さより小さくなされていることを特徴とする多値記録方法。」
　
　なお、本願は、国内優先権（平成１０年１０月２６日の出願（特願平１０−３０４２９０号）と平成１１年７月９日の出願（特願平１１−１９６３８６号）に基づく）の主張を伴うものであるが、本願発明の「非晶質マークの大きさを３以上の多段階の記録レベルに制御」することを前提に、「非晶質マークの長さが前記多段階の記録レベルのいずれにおいても再生用光ビームの走査方向に対する長さより小さくなされている」との構成について、本願の優先権主張の基礎とされている特願平１０−３０４２９０号には、非晶質マークの長さ（長さという具体的な記載はない）を変化させる概念図としては、第１図が記載され、【００１９】、【００２３】等に、形成された
マーク自体
幅
方法
　一方、非晶質マークを、長さが前記多段階の記録レベルのいずれにおいても再生用光ビームの走査方向に対する長さより小さくなされるように制御することについては、上記優先権主張の基礎である特願平１１−１９６３８６号の【０１０３】〜【０１１１】、【０１６４】〜【０１８８】、第２３〜５２図に、上記本願の出願当初の明細書の【０１０６】〜【０１１９】、【０１８４】〜【０２２０】、第２３〜５２図と同様のことが記載されている。
　したがって、本願発明についての優先権主張の効果は、特願平１１−１９６３８６号（平成１１年７月９日（以下、「優先権主張の日」という。））に基づくもののみが及ぶものである。
　
２．引用例
　これに対して、当審での拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平８−１４７６９８号公報、特開平４−１０３０３２号公報、特開平９−７１７６号公報、及び特開平１０−１０５９７０号公報（以下、それぞれ「引用例１」、「引用例２」、「引用例３」、及び「引用例４」という。）には、相変化型光記録媒体への情報記録に関して、図面とともに、以下の技術事項が記載されている。
　
（１）引用例１
(i)「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体に対してレーザー光等の光を照射することによって情報の記録を行う情報記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大容量で高密度なメモリーとして光記録媒体が注目されており、現在、書換えが可能な消去型と呼ばれるものの開発が進められている。この消去型光記録媒体の一つとして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄膜を記録層として用い、レーザー光の照射による熱エネルギーで記録層を部分的にアモルファス状態又は結晶状態に相変化させ、この相変化によって情報の記録及び消去を行うものがある。記録層のアモルファス化は記録層を融点以上に加熱した後、一定値以上の速さで冷却することによって行われる。一方、記録層の結晶化は結晶化温度以上融点以下の温度に加熱することによって行われる。
【０００３】従来のこの種の光記録媒体及び情報記録方法について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は光記録媒体の断面図、図５は情報記録方法を説明する図で、（ａ）は情報記録時に光記録媒体に照射されるレーザー光の強度を示すタイミングチャートであり、（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に形成された記録マークの平面図である。
【０００４】
光記録媒体は、図４に示すように中心孔Ｃを有する円盤状のポリカーボネート製基板６の上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 
からなる下引き層７と、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金からなる記録層８と、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2
 からなる中間層９と、Ａｌ合金からなる反射層１０とが成膜され、樹脂保護層１１が表面に設けられている。この光記録媒体に対してレーザー光を照射することによって情報の記録を行う。
【０００５】情報の記録は、図５（ａ）に示すタイミングチャートに従い、レーザー光の強度をｐ１，ｐ２に切り換えて行う。すなわちレーザー光の強度は、バイアスレベルでは記録層を融点以下で且つ結晶化温度以上に昇温させる強度ｐ１であり、
記録マークを形成する強度は、記録層を融点以上に昇温させる強度ｐ２であり、記録マークを形成する際には一時的に強度ｐ２に切り換える。レーザー光の強度をｐ２へ切り換えることにより、図５（ｂ）に示すように、光記録媒体の記録層上にアモルファス状態の記録マーク１２が形成される。
【０００６】一方、記録された情報の再生は、記録層の結晶状態を変化させない十分に弱い強度、ｐ０のレーザー光を連続的に照射して、アモルファス状態と結晶状態でのレーザー光の反射強度の違いにより情報を得ている。
【０００７】上記のような光記録媒体に上記従来の２値記録方式の情報記録方法を適用した場合、記録マークの形状は記録層上でのレーザー光の照射領域と略一致する。従って、現在、情報の記録密度を高めるために、波長の短いレーザー光を用いることによって記録層上でのレーザー光の照射領域を小さくし、記録密度を向上させる取り組みがなされている。
【０００８】
【発明が解決しょうとする課題】ところで、上述のように情報記録時には記録層を融点以上に昇温させる必要がある。さらに、最近では、情報の記録速度を向上させるためにレーザー光を高速に走査させることが求められている。これらの要求に応えるには高出力のレーザー光源を必要とするが、短波長のレーザーは高出力を得るのが困難であり、情報の記録密度の向上と記録速度の向上とは両立させることが極めて困難であるという問題点がある。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、安価で高出力の得られる長波長の半導体レーザー等の光源を使用しながら高密度な記録が可能な情報記録方法を提供することを目的とする。
  　
(ii)「【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。本実施例の情報記録方法の実施に使用する記録媒体は従来と同様の光記録媒体が用いられる。
【００１９】
本実施例に係る情報記録方法の実施に用いる光記録媒体は、図４にその断面図を示すように、中心孔Ｃを有する円盤状のポリカーボネート製基板６の上に、順次、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 
 からなる下引き層７と、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金からなる記録層８と、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 
からなる中間層９と、Ａｌ合金からなる反射層１０とが成膜され、樹脂保護層１１が設けられている。
   　
(iii)「【００２２】
（実施例２）図２は第２の実施例の情報記録方法を説明する図で、（ａ）は情報記録時に光記録媒体に照射されるレーザー光の強度を示すタイミングチャート図であり、（ｂ）は上記光記録媒体の記録層上に形成された記録マークの平面図である。本実施例は、情報記録時に略円形の記録マーク及びレーザー光の照射領域よりも走査方向の長さが短い三日月形の記録マークを形成するものである。
【００２３】
図２（ａ）に示すレーザー光のバイアスレベルは再生時の強度ｐ０であり、図４における記録層８の結晶状態を変化させない十分に弱い強度である。略円形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り換える。これによって、レーザー光の照射領域とほぼ一致する略円形のアモルファス領域からなる記録マーク４が形成される（図２（ｂ））。
【００２４】
また、三日月形の記録マークを形成する際には、上記実施例１と同様に、レーザー光の強度を記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り換えた後、記録層８を融点以下で結晶化温度以上に昇温させる強度ｐ１にパルス状に切り換える。このとき、レーザー光の強度ｐ１への切り換えを記録層８上の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２での照射領域１と部分的に重なるようなタイミングで行う。これによって、いったんアモルファス状態となった照射領域１の記録層の照射領域２が重なる部分が再度結晶状態となり、図２（ｂ）に示すように、三日月形のアモルファス領域からなる記録マーク３が形成される。このようにして記録された情報を再生する場合、強度ｐ０のレーザー光を走査させて、その反射光量の差によって記録マークの位置を認識するのであるが、三日月形の記録マーク３は上述のようにレーザー光の照射領域よりも走査方向の長さが短いために略円形の記録マーク４よりも反射光量が小さくなる。つまり、未記録部分を含めて３種類の反射光量による、いわゆる３値記録が可能となり、情報の記録密度を向上させることができる。
　
(iv)「【００２８】ここで、強度ｐ１，ｐ２のレーザー光の強度の具体的な設定値及び強度ｐ１，ｐ２のレーザー光の照射時間は、光記録媒体の各層の材質や膜厚、レーザー光の走査線速度等に応じて設定される。光記録媒体の各層の材質を上記のように、それぞれ例えば、ＺｎＳ−
ＳｉＯ
2 
ＳｉＯ
2 
【００２９】
なお、上記実施例において光記録媒体をＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金からなる層が成膜された例で説明したが、本発明はこれに限られず、他のアモルファス合金等のレーザー光の照射により相変化し、それが検出できるものであれば適用することができる。
  　
　上記摘記事項及び図面の記載を参酌すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「レーザー光の照射による熱エネルギーで記録層８を部分的にアモルファス状態又は結晶状態に相変化させ、この相変化によって情報の記録及び消去を行い、記録層８のアモルファス化は記録層８を融点以上に加熱した後、一定値以上の速さで冷却することによって行われ、一方、記録層８の結晶化は結晶化温度以上融点以下の温度に加熱することによって行われる情報記録方法において、
　略円形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り換え、レーザー光の照射領域とほぼ一致する略円形のアモルファス領域からなる記録マーク４を形成し、
　三日月形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り換えた後、記録層８を融点以下で結晶化温度以上に昇温させる強度ｐ１にパルス状に切り換え、このとき、レーザー光の強度ｐ１への切り換えを記録層８上の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２での照射領域１と部分的に重なるようなタイミングで行い、いったんアモルファス状態となった照射領域１の記録層の照射領域２が重なる部分が再度結晶状態となり、三日月形のアモルファス領域からなる記録マーク３を形成し、
　反射光量の差によって、未記録部分を含めて３種類の反射光量による、３値記録を行う情報記録方法。」
　
（２）引用例２
(v)「（従来の技術）
　近年、大容量メモリーとして光ディスクが注目をあびている。
　光ディスクは、
記録、消去が可能な書替タイプとに大別される。
　また、
書替タイプの内、レーザー光の照射により、記録膜を結晶相と非晶質相とに可逆的に変化させて記録、消去を行う、いわゆる、相変化型光ディスクが注目をあびている。
　情報の記録再生で用いられる相変化型の光ディスクとしては、カルコゲナイド系材料を記録膜に用いた光ディスクが検討されている。
　相変化型光ディスクの従来技術については、「書換え可能光ディスク材料」（奥田昌宏著、株式会社工業調査会発行、１９８９年５月２０日初版発行）に詳しい。
　相変化型光ディスクは、カルコゲナイド系記録膜の結晶相、非晶質相の相変化を利用して情報の記録再生を行なう。
従来の相変化型光ディスクの記録手順は次のように行なわれている。
　１）
スパッタ、蒸着などで成膜された記録膜は非晶質であるので、加熱アニール処理または光ビーム照射などで、記録膜を結晶相とする。これを初期化または初期結晶化という。
　２）
短パルス、高パワーの記録パルスで結晶の記録膜を溶融、急冷し非晶質化して記録マークとする。
　３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記録マークを結晶化し、記録マークを消去する。
　また、消去パワーに記録パワーを重畳させて、オーバーライトを行なうことも検討されている。
（従来例１）
　第４図は、従来の記録方法で記録するときに用いられる記録パルスＰとそのときの記録マークＭの金属組織を模式的に示す。
回転している光ディスクスに従来の記録パルスＰで記録すると記録マークＭは涙型となり中心部の非晶質部ｂとその周辺の粗大結晶部ａ、ｃは所定の幅とはならない。
　特に非晶質部ｂの前後の粗大結晶部ａとｃの幅が同じにならない。これは、記録マークＭの前端側の粗大結晶部ａは、十分加熱される前に記録ビームが移動するため加熱不足となり、逆に、記録マークＭの後端側の粗大結晶部ｃは、すでに加熱されている部分からの余熱効果で必要以上に加熱されるからである。
　従って、従来の記録方法では、記録マークの非晶質部ｂと粗大結晶部ａ、ｃの幅を所定値として記録することは不可能である。」（公報１頁左下欄１８行〜２頁右上欄９行）
　
(vi)「（作　用）
　
相変化型光ディスクの記録マークの組織は、記録のときの溶融、冷却の冷却速度によって決定される。すなわち、溶融凝固するときの冷却速度が、非晶質化の臨界冷却速度より大きい部分が非晶質化し、臨界冷却速度に達しない部分は結晶化する。
　
相変化型光ディスクの記録膜の記録のときの冷却速度は、記録膜自体によっても多少変化するが、それ以上に保護膜、反射膜、基板材料などの層構成に大きく影響される。また、記録光ビームのパルス形状にも依存する。
　
したがって、その層構成および光ビームパルスプロファイル等から記録マークの冷却速度を制御して、記録マーク中心部の非晶質相の幅と周辺部の粗大結晶相の幅を所定の幅とすることが可能である。
　
(vii)「（実施例）
　以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。
　第１図に本発明の詳細な説明する。第１図は、記録トラックＴに本発明の記録方法で３値記録を行なった実施例を示す。この実施例では、連続溝（グループ）Ｇ、Ｇに挾まれたランド部Ｒからなる記録トラックＴに記録を行なった例を示す。
　
信号レベルは、０、１、２の３値に変調され、その３値に対応した記録レーザパルスＰで記録が行なわれる。記録トラックＴは成膜のままの非晶質相となっている。その初期非晶質相トラックに記録レーザパルスで３値の記録マークＭを形成して３値記録を行なう。
　
記録レーザパルスＰに対応して中心部が非晶質ｂで、その周辺部が粗大結晶ａ、ｃからなる記録マークＭが形成される。
　記録情報の再生では、記録マークＭの中心部の非晶質部分ｂをレベル２、記録マークＭの周辺部の粗大結晶部ａ、ｃをレベル１、また、初期非晶質部ｄをレベル０として３値情報を再生する。
　この３値記録方法では、記録マークＭの非晶質相ｂの両隣は粗大結晶相ａ、ｃとなるという規則性がある。
１度記録したトラックＴにオーバーライトすることで、粗大結晶相を連続させることも可能である。
　
なお、光ビームＢの記録パルスＰの光パワーを、非晶質部分ｂに対応する部分が高いレベルＨ
２
となっており、また、その後段側は涙型の記録マークが形成されないようにｈだけ低いレベルＨ
１
に設定されている。
　第２図に本発明の適用が可能な相変化型光ディスクＤの層構成の１例を模式的に示す。本発明においても従来の相変化型光ディスクＤの層構成を用いることができる。
　第２図では
本発明の適用が可能な３値記録用の相変化型光ディスクＤは、光デイスク基板１０と、この光デイスク基板１０上に順次積層された保護層１１、記録層１２、保護層１３、反射層１４、および保護層１５から構成されている。
  　
(viii)「
第３図は、本発明を実現するために有効な記録レーザパルスＰのプロファイルの１例と、そのときの記録マークＭの金属組織を模式的に示す。　この例では、記録パルスＰの立ち上がりの光パワーを高めた記録パルスＰを用いている。この様な記録パルスＰを用いることで、非晶質部ｂと粗大結晶部ａ、ｃの幅を所定の幅とした記録マークＭを形成できる。
　従って、非晶質部ｂ、粗大結晶部ａ、ｃおよび初期非晶質部ｄとで高密度な３値記録が可能となる。
　しかして、
相変化型光ディスクＤの記録マークＭの組織は、記録のときの溶融、冷却の冷却速度によって決定される。すなわち、溶融凝固するときの冷却速度が、非晶質化の臨界冷却速度より大きい部分が非晶質化し、臨界冷却速度に達しない部分は結晶化する。
　
相変化型光ディスクＤの記録膜の記録のときの冷却速度は、記録膜自体によっても多少変化するが、それ以上に保護膜、反射膜、基板材料などの層構成に大きく影響される。また、記録光ビームＢのパルス形状にも依存する。　したがって、その層構成および光ビームパルスプロファイル等から記録マークＭの冷却速度を制御して、記録マークＭの中心部の非晶質相ｂの幅と周辺部の粗大結晶相ａ、ｃの幅を所定の幅とすることが可能である。
　成膜したままの非晶質相ｄは、記録マークＭの非晶質相ｂとは同じ非晶質でも結晶状態が異なるので、記録マークＭの中心部の非晶質相ｂとは形態的に区別できる。
　以上から、記録マークＭの中心部の非晶質相ｂ、記録マークＭの周辺部の粗大結晶相ａ、ｃ、及び初期非晶質相ｄの３種類の相状態をとらせて、各相状態をそれぞれ情報に対応させることで、３値記録を行なうことができる。」（公報４頁左下欄１１行〜５頁左上欄９行）
　
（３）引用例３
(ix)「【０００８】近年、記録、消去に費やす時間を短縮するために記録及び消去時の媒体の線速度は大きくなってきているものの、他方で、情報を実時間に沿って記録したいとする要請がある。例えば、映像や音楽等の記録の場合であり、この場合、実時間に沿って記録することが必須である。また、この場合、実時間に沿って記録を行った後には、その情報の編集のための記録は高速で行いたいという要請もある。更に、同一の記録媒体を、記録可能ＣＤのような比較的低線速（例えば、１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ及びその４−６倍速まで）での用途、及び、現行の光磁気ディスク（約１０ｍ／ｓ以上）のような高線速での用途の双方に使い分けることができれば、マルチメディア用の記録媒体として特に好ましい。しかし、このような要求を満たすために、その記録媒体の層構成や記録層組成が最適化された本来の線速度より大幅に小さな線速度で記録を行うと、目的とするマーク長が記録できずに、情報の記録が出来ない場合があった。これは、相変化記録媒体に於いては、一般に、記録層の微小部分にレーザーを照射しその微小部分を溶融させた後にこれを急冷することにより非晶質マークを形成するが、ディスク線速度が比較的小さな場合には、前述のように、記録溶融後に再結晶化が起こり、十分な非晶質マークの形成が困難となるためと考えられる。
溶融後に再結晶化した記録マークの再生波形を観察すると図１のようになり、非晶質膜部分の状態を示す図２を併せて参照すると、記録マークの前半部分では再結晶化が大きく、マーク後半部分では比較的良好に非晶質が形成されていることが判る。このことは、記録パワーに相当するレーザービームの連続照射により、マーク後半部分に相当する領域へのレーザー照射による熱が、一旦は溶融したマーク前半部分に相当する領域に伝導し、その結果、マーク前半部分が急冷されずに再結晶化してしまうことによると説明できる。この場合、マーク後半部分では、その直後に記録パワーに相当するレーザービームが照射されなくなるために、余計な熱の伝導がなく、溶融した部分が良好な非晶質になる。以上を考慮すると、記録パワーの照射開始後に、一旦パワーを落とすことによって記録パルスを分割すれば、記録層の時間的な温度変化が急冷的になり、記録時の再結晶化によるマークの劣化を抑えることが可能になると推論できる。
【０００９】
上記を考慮した記録方法の例としては、特開平２−１６５４２０号、特開平４−２１２７３５号、特開平５−６２１９３号、特開平５−３２５２５８号、特開平１−１１６９２７号の各公報、JJAP. vol.30 No.4 (1991)p677-681等があり、、また、オフパルスを利用したものでは第４０回応用物理学関係連合会春季講演会29a-B-4、特開平７−３７２５１、特開平６−４８６７号、特開平１−２５３８２８号、特開平１−１５０２３０号、特開平１−３１５０３０号、特開平４−３１３８１６号、特開平２−１９９６２８号、特開昭６３−１１３９３８号の各公報等が挙げられる。
　
(x)「【００１７】例えば、ある最大線速度Ｖhの時に採用されるクロック周期をＴhとする。ｎを指定すると、ｎＴhによって記録されるマーク長さが決まる。低線速度Ｖで同じ長さのマークを記録するには、クロック周期Ｔを計算上（Ｖh／Ｖ）×Ｔhとし、ｎＴパルスにより同じ長さのマークが得られる筈である。線速に応じてこのようにクロック周期Ｔを調整することは既に一般的に行われている。
しかし、実際には熱拡散によるマーク長の拡大、あるいは再結晶化によるマーク長短縮により、必ずしも所望のマーク長が得られない。このようなことは、最低線速度Ｖ
L
が４〜６ｍ／ｓ未満の低線速度の場合に特に起こりやすい。そこで、記録パルスを分割し、個々の分割パルス幅を短くすることで記録層内の温度分布を調整する。
【００１８】本発明においては、線速度に対応してパルス分割方法を決めるパラメータｍ＝ｎ−ｋ、ｎ−ｊ＝（α1＋β1＋・・・・・＋αm＋βm）、ｎmin−ｋ≧１を条件として、αiＴ及びＰbのうち少なくとも一方を下記の法則に従って可変とし、同一の媒体の適用可能線速を広げる構成を採用する。
即ちち、本発明では、線速度が小さく冷却速度が遅くなった場合には、記録パワーＰwがオンとなるパルス幅α
i
Ｔを短くし、オフとなる時間β
i
Ｔを長くし、又は、記録パワーＰwがオフとなる期間β
i
Ｔに印加されるレーザー光パワー（バイアスパワー）Ｐb
i
を低線速ほど低くすることで、１マーク内に熱がたまることを抑制して冷却速度を増大せしめ、再結晶化を防止する。あるいは、これらに加えて、１つのマークを記録するために分割された記録パルスの１つが、後続する記録パルスにより再加熱されることを抑制するために、分割された記録パルス間に照射される光エネルギーを制御することにより、非晶質マーク形成のために溶融された領域の冷却速度を制御する。
αiL≦αi1≦αi2≦αih 　　　　　　（１）、
が成立するようにする。ここで、αiL、αi1、αi2、αihはそれぞれ、ＶL、Ｖ1、Ｖ2、Ｖhの時の分割された個々のパルス幅である。
【００１９】上記に代えて、或いは、上記に加えて、上記βiＴ期間における各バイアスパワーＰbiと消去パワーＰeとの比Ｐbi／Ｐeをθiとし、θiL、θi1、θi2及びθihを、同様に夫々ＶL、Ｖ1、Ｖ2及びＶhのときのθiとするとき、
θiL≦θi1≦θi2≦θih          （２）
とすることが出来る。
【００２０】上記いずれの場合にも、少なくともＶLにおいては、
αiL＜αih                      （３）、
又は、
θiL＜θih                      （４）、
が少なくとも１つのｉに対して成り立つようにする。但し、当然のことながら、記録パワーＰw、消去パワーＰeは個々の線速によって異なる値をとる。
【００２１】特に、Ｐeは、それのみを直流的に一回だけ照射したときに、非晶質マークを消去できるパワーに選ばれる。より具体的には、ｆmax＝１／（２ｎmaxＴ）、又は、ｆmin＝１／（２ｎminＴ）なる単一周波数（デューティ比５０％）で記録したマーク上に直流的にＰeを照射したときに、消去された信号のキャリアレベルの減衰が約２０ｄＢ以上となるＰeが選ばれる。或いは、ｆmax＝１／（２ｎmaxＴ）なる単一周波数なる（デューティ比５０％）で記録したマーク上に、ｆmin＝１／（ｎminＴ）なる単一周波数（デューティ比５０％）の信号でオーバーライト（このとき、記録パルスは分割してもしなくても良いが、ＰwとＰeの２値で変調を行う）したときに、ｆminのキャリアレベルと消去されたｆmaxのキャリアレベルの差が約２０ｄＢ以上となるようにＰeを選ぶ。なお、Ｐwはｆmax及びｆminの記録信号のＣ／Ｎ比（Carrier to Noise 比）が約４５ｄＢ以上となるように選ばれる。
【００２２】Ｐw、Ｐeおよび、クロック周期Ｔを記録時の線速に応じて変更することは公知である。しかし、本発明のごとく、パルス分割方法を線速に応じて、しかも一定の法則に従って変化させることは、本発明者等が最初に提案するものである。これらのパルス分割方法を記述するパラメータは、線速に応じて連続的に変化させてもよいが、一定の線速の範囲ごとに段階的に変化させてもよい。
【００２３】
上記の光記録方法で、記録パワーをオフとするβ
i
Ｔ期間におけるバイアスパワーＰb
i
が、通常の３値記録を行う場合の消去に必要なパワーＰe以下の任意値をとり（図４）、しかもＰb
i
の値がβ
i
Ｔの間に変化し数種類のレベルをとってもよいものとすることが出来る。この場合、熱分布を細かく制御することが可能になり、非晶質マークの形が整えられ、また、記録信号のジッターを良好にすることが可能になる
【００２４】Ｖが１０ｍ／ｓとなる高線速では、特にＰbをＰb＝Ｐe（一定）としてオーバーライトできる媒体が望ましい。高線速では、クロック周期が短くＰbの切り替え回路に高速応答性が必要になるためである。しかし、低線速で使用する場合には、クロック周期が長く、パルス制御回路の応答性に対する要求が緩和されるので、
非晶質マークの形を整えるために、Ｐbを１種類の値ではなく、数種類の組み合わせにすることは、回路を複雑にするものの、時には好ましい。
θi＝Σj（ＰbijβijＴ）／（Ｐe・βiＴ）
を定義し、（２）式及び（４）式が成り立つようにする。」
　
（４）引用例４
(xi)「【０００６】すなわち、後に詳しく述べるように、短マークと長マークの形成時に同じタイミングで光の照射を開始すると、先頭パルス照射終了までは両者とも同じ加熱条件となるが、先頭パルスのみを用いる短マーク形成時は媒体の加熱・溶融された領域はそのまま冷却されて非晶質となるのに対し、
マルチパルス記録を用いる長マーク形成時は先頭パルスによって加熱・溶融された領域が後続パルスの照射による再加熱を受け、非晶質領域周辺部の再結晶化が促進されるため、マーク長が短縮される方向へマークの始端位置がシフトする。
【０００７】一方、短マークと長マークの形成時に同じタイミングで光照射を終了すると、媒体の熱特性により光照射終了時の温度分布が必ずしも両者で同じとならず、後続パルスによる加熱直後の媒体温度は、先頭パルスによる加熱直後の媒体温度よりも低くなるために、光照射終了時の溶融領域が小さくなる結果、長マークはやはりマーク長が短縮される方向へ終端位置がシフトする。」
　
(xii)「【００３９】図７に、マーク長に依存した照射光強度制御による記録補償を適用した照射光パルスの他の例を示す。図７（ａ）は、マーク長３Ｔの短マークを記録する際の１．５Ｔ幅のパルスの照射終了時と、マーク長４Ｔ〜１４Ｔのマークを記録する際の１．５Ｔ幅の先頭パルスに続く０．５Ｔ幅のマルチパルスの照射終了時に、それぞれ照射光強度を一旦消去パワーよりも低下させる、いわゆる「オフパルス」を付加した点が図５と異なっている。このようなオフパルスを付加すること自体は既に公知の技術であるが、本実施形態はマーク長に応じた照射光強度の変化による記録補償にオフパルスを組み合わせたことが新規である。
【００４０】
発明者らの研究によると、このようなオフパルスの付加には記録膜の加熱を強制的に中断し、再結晶化を抑制してマークを拡大する効果がある。
　
３．対比
　本願発明と、引用例１発明とを対比する。
　
　引用例１発明の、「レーザー光の照射による熱エネルギーで記録層を部分的にアモルファス状態又は結晶状態に相変化させ、この相変化によって情報の記録及び消去を行い、記録層のアモルファス化は記録層を融点以上に加熱した後、一定値以上の速さで冷却することによって行われ、一方、記録層の結晶化は結晶化温度以上融点以下の温度に加熱することによって行われる情報記録方法」は、「アモルファス領域からなる記録マーク４を形成」する方法であり、記録マーク以外の結晶領域は未記録状態であるから、本願発明の「エネルギービームの照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化を生じる記録層を有する情報記録用媒体に対して、結晶状態を未記録状態とし、記録用エネルギービームを照射し、局所的に前記記録層を溶融せしめ、凝固時の冷却により非晶質マークを形成することにより、情報の記録を行う記録方法」に相当する。
　引用例１発明の、「略円形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り換え、レーザー光の照射領域とほぼ一致する略円形のアモルファス領域からなる記録マーク４を形成し、三日月形の記録マークを形成する際には、レーザー光の強度を記録層８を融点以上に昇温させる強度ｐ２にパルス状に切り換えた後、記録層８を融点以下で結晶化温度以上に昇温させる強度ｐ１にパルス状に切り換え、このとき、レーザー光の強度ｐ１への切り換えを記録層８上の強度ｐ１での照射領域２が強度ｐ２での照射領域１と部分的に重なるようなタイミングで行い、いったんアモルファス状態となった照射領域１の記録層の照射領域２が重なる部分が再度結晶状態となり、三日月形のアモルファス領域からなる記録マーク３を形成し、反射光量の差によって、未記録部分を含めて３種類の反射率による、３値記録を行う」は、本願発明の、「再結晶化領域の大きさを制御し」、「非晶質マークの大きさを３以上の多段階の記録レベルに制御する」に相当する。
　また、引用例１発明の対象となる光記録媒体は、第４図より、単層からなるものであることが明らかである。
　引用例１発明の情報記録方法は、３値記録を行う情報記録方法であり、本願発明の、「多値記録方法」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用例１発明とは、次の点で一致する。
　
［一致点］
「エネルギービームの照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化を生じる記録層を有する情報記録用媒体に対して、結晶状態を未記録状態とし、記録用エネルギービームを照射し、局所的に前記記録層を溶融せしめ、凝固時の冷却により非晶質マークを形成することにより、情報の記録を行う記録方法において、再結晶化領域の大きさを制御し、単層の記録層中において、非晶質マークの大きさを３以上の多段階の記録レベルに制御する多値記録方法。」
  　
　そして、次の各点で相違する。
　
［相違点］
相違点（イ）：
　本願発明が、「主として前記凝固時における再結晶化過程と非晶質化過程との競合を前記凝固時の冷却速度により制御して、再結晶化領域の大きさを制御」しているのに対し、引用例１発明には、上記の点について特段の言及がない点。
　
相違点（ロ）：
　本願発明が、「非晶質マークの長さが前記多段階の記録レベルのいずれにおいても再生用光ビームの走査方向に対する長さより小さくなされている」のに対し、引用例１発明は、照射領域より小さくなされているのは三日月形の部分のみである点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記各相違点について検討する。
　
相違点（イ）について：
　当審での拒絶理由で引用した引用例２には、相変化型光ディスクの記録マークの組織は、記録の時の溶融、冷却の冷却速度によって決定されること、また、記録のときの冷却速度は、記録光ビームのパルス形状に依存すること、記録マークの冷却速度を制御して、記録マーク中心部の非晶質層の幅と周辺部の粗大結晶層の幅を所定の幅とすることが可能であること（上記摘記事項（２）(vi)(viii)）、また、そのパルス形状の例として、非晶質部分ｂに対応する部分が高いレベルH２となっており、また、その後段側は涙型の記録マークが形成されないようにｈだけ低いレベルH１に設定されていること（上記摘記事項（３）(vii)(viii)、第３図）がそれぞれ記載されている。
　すなわち、冷却速度が、「臨界速度より大きい部分が非晶質化し、」は、「非晶質化過程」のことであり、「臨界冷却速度に達しない部分は結晶化する」のは、「結晶化過程」のことである。すると、引用例２において「冷却速度を制御」することは、「凝固時における結晶化過程と非晶質化過程との競合を前記凝固時の冷却速度により制御」することに他ならず、「冷却速度を制御して、記録マーク中心部非晶質層の幅と周辺部の粗大結晶層の幅を所定の幅とする」ことは、「凝固時における結晶化過程と非晶質化過程との競合を前記凝固時の冷却速度により制御して、結晶化領域の大きさを制御」することである。
　そして本願の明細書【０１１４】〜【０１１５】及び第２４図によれば、
「【０１１４】また、図２４に示された照射パターンの様に、記録パルス区間を更に連続した２区間に分割し、先行する区間でのＰｗをＰｗ1、その照射区間をτ1、後続する区間でのＰｗをＰｗ2、その照射区間をτ2とし、τ1／τ2の比を保ちながら、（τ1＋τ2）のデューティー比をＴ0の周期内において変化させてもよい。
【０１１５】
上記の場合、Ｐｗ1は主として溶融領域の形状、面積を制御し、Ｐｗ2は、主として当該溶融領域の冷却速度を制御する役割を有する。
と、低パワーＰｗ2を付加することで冷却速度を制御し、非晶質マークのトラック方向の長さの制御を行うことが記載されている。このとき、凝固時の再結晶化過程と非晶質化過程の競合を冷却速度により制御していることは明らかである。
　そして、上記引用例２の第３図に開示される、非晶質からなる記録マークの幅の制御のためのパルス形状は、上記本願の第２４図に記載された記録照射パターンの例と一致するものである。
　また、相変化型の光記録媒体において、凝固時の再結晶化過程と非晶質化過程の競合を冷却速度により制御し、非晶質領域のトラック方向の長さを制御することは、上記引用例２の他にも、当審での拒絶理由で引用した引用例３（上記摘記事項（３）(x)の【００１８】【００２３】参照）、引用例４（上記摘記事項（４）(ix)の【０００６】，(xii)の【００４０】参照）、特開平８−２１２５５４号公報（【００２７】〜【００２９】、第５図（ａ）参照、記録パルスにより溶融された領域は、消去パルスＰ２の余熱によって、消去パルスが印加される手前で後部が結晶化され、記録マークが消失している。）、特開平２−１９９６２８号公報にも記載されるように、周知の技術である。
　非晶質領域の長さを制御することと、結晶化領域の大きさを制御することとは表裏一体の関係にあるから、引用例１発明において、前記周知の技術に基づき、再生用光ビームの走査方向に対する長さより小さい非晶質領域である三日月形のマークを形成する際に、一旦溶融状態とされた記録膜の凝固時の結晶化過程と非晶質化過程の競合を冷却速度により制御し、結晶化領域の大きさを制御することで非晶質領域の長さを調節することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　その際、引用例１発明の光記録媒体は、結晶化状態が初期状態であるから、前記「結晶化過程」を「
再
　
　なお、請求人は、平成１８年１１月６日付け意見書において、引用例２（特開平４−１０３０３２号公報）について、「引用文献３（当審注：本審決の「引用例２」に同じ。）発明は、前述の通り初期状態を非晶質としています。また、このことにより書き換えが不可能な記録媒体を想定していることになります。また、４値以上の多値記録を可能とする技術ではないことは明らかです。一方、本願発明は前述の通り、再結晶化領域を制御する上で初期結晶化を施すことが必須であり、書き換え可能な記録媒体を実現しており、かつ４値以上の多値記録を実現しています。従って両発明の相違は明らかでありかつ本願発明の優位性は顕著であると言えます。
　引用文献１（当審注：本審決の「引用例１」に同じ。）発明は本願発明と同様初期状態が結晶状態であることは図より明らかであり、書き換え可能な記録媒体を想定していることも段落［０００２］に記載されています。この様に前提の異なる引用文献１発明と引用文献３発明を組み合わせることは、当業者にとって容易ではないものと思料します。また、仮に両発明を組み合わせたとしても、上記前提の相違から、本願発明に到達することは非常に困難であると思料します。」と主張している。
　しかしながら、まず、「４値以上の多値記録を実現するもの」との主張は、特許請求の範囲の記載に基づかないものである。
　また、相変化型の光記録媒体において、溶融状態からの冷却によって、非晶状態、結晶状態に変化させ、情報を記録させるという点で、引用例１と引用例２は同一の技術分野に属するものである。
　したがって、相変化型の光記録媒体において、溶融状態からの急冷による非晶質領域を記録ピットとする引用例１において、同じく相変化型の記録媒体を用い、溶融状態からの急冷により非晶質領域を形成する引用例２の技術を採用することに、格別の技術的困難性は見いだせず、初期状態が異なるから両者を組み合わせることは容易でないとする主張は根拠のないものである。
  　
　また、引用例３（特開平８−１４７６９８号公報）について、
「引用文献２（当審注：本審決の「引用例３」に同じ。）においては、上述の通り、凝固時の冷却速度を制御して記録時の再結晶化によるマークの劣化を抑えるという技術が記載されています。即ち、線速度が変更されても冷却速度を一定とし、所定の記録マークの大きさを常に一定となる様に制御することが目的であり、本願発明の様に、非晶質マークの大きさを多段階に積極的に変更して多値記録を実現することとは、技術思想としては全く逆のものであると言えます。
　拒絶理由通知書によれば、「非晶質領域を制御するための上記周知技術（引用文献２に記載の技術）を、同じく、多値記録における、非晶質領域の大きさを制御する引用文献１の記録方法に採用することに、格別阻害要因は認められない。」と認定されていまますが（拒絶理由通知書第３頁第３パラグラフ）、上記の様に技術思想が全く逆であることは、当業者にとって両発明を結びつける上で十分な阻害要因になるものと思料します。」
と、また、引用例４（特開平１０−１０５９７０号公報）について、
「引用文献４（当審注：本審決の「引用例４」に同じ。）発明は、引用文献２発明と同様、所定の記録マークの大きさを常に一定となる様に制御することが目的であり、本願発明の様に、非晶質マークの大きさを多段階に変更して多値記録を実現することは、全く想定されていません。また、再結晶化の影響の大きい媒体を前提としている点も引用文献２発明と同様です。従って、引用文献１と引用文献４を組み合わせることは当業者にとって阻害要因を有するものであり、仮に組み合わせたとしても、本願発明に想到することは、同様に困難であると思料します。」と、要するに、引用例３、４は、非晶質マークの大きさを一定にすることが目的であるため、変化させようとする引用例１に組み合わせることには阻害要因がある旨主張している。
　しかしながら、引用例３、４には、相変化形の光記録媒体において、所望
の長さのピット形成のために、ピット形成部分をレーザ光により溶融後、冷却速度を制御することによって
所望の長さ
　仮に、請求人が主張するように、該所望の長さが、予め定められた一定のマーク長だとしても、その技術的背景には、上記のとおり、相変化形の光記録媒体において、レーザ光による溶融後、冷却速度を制御することで、非晶質領域の長さを制御する周知の技術事項が存在することは明らかであって、この周知の技術事項を、引用例１における非晶質領域の長さを制御する際に採用することに、特段阻害要因は認められない。
　
相違点（ロ）について：
　引用例１発明には、相変化型の光記録媒体において、記録密度を上げるために、非晶質領域の大きさを変えることによる反射光量の違いにより、再生光の範囲内において、３値のレベルを識別可能に記録することが記載されている。
　また、光記録媒体の多値記録方法において、記録密度を上げるために、一つの記録ピットの面積を３段階以上に制御し、複数の反射光レベルが得られるように構成することは、本願優先権主張の日前に周知の事項である（例えば：特開平２−１４４２７号公報，公報４頁左下欄７行〜５頁左上欄１１行，第１〜６図（各情報ピットは再生ビームより小さい）、特開平７−９８８７２号公報，【００２４】〜【００３８】，第２図、特開平１１−２５４５６号公報（平成１１年１月２９日公開），【００１９】〜【００２６】，第１〜４図、７図等参照）。
　したがって、引用例１発明において、記録密度を上げるために、非晶質マークの大きさを３以上の多段階の記録レベルに制御するとともに、前記非晶質マークの長さが前記多段階の記録レベルのいずれにおいても再生用光ビームの走査方向に対する長さより小さくなされるように形成することは、当業者が周知技術の付加により適宜なし得た設計的事項にすぎない。
　
　そして、上記各相違点についての判断を総合しても本願発明の奏する効果は引用例１乃至４に記載された発明から当業者が充分に予測可能なものであって、格別のものとは言えない。
  　
　したがって、本願発明は、引用例１乃至４に記載された発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
  　
５．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用例１乃至４に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。