【事件の表示】
　特願２０００−５１７４３３「冷陰極炭素膜」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月２９日国際公開、ＷＯ９９／２１２０５、平成１３年１１月　６日国内公表、特表２００１−５２１２６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１０年１０月１９日（パリ条約による優先権主張平成９年１０月２１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年１月２７日付け（発送日同年１月２９日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１６年４月２７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　本件補正は、特許請求の範囲の
　
「【請求項１】伝導材料領域に囲まれた絶縁材料領域と、
　該絶縁材料領域と該伝導材料領域の間の材料領域であって、該絶縁材料領域から該伝導材料領域に向かってローからハイに変化する誘電率を有する材料領域と
 を包む炭素膜。
　【請求項２】　前記絶縁材料はダイヤモンドであり、前記伝導材料はアモルファスもしくは黒鉛炭素である請求項１に記載の炭素膜。
　【請求項３】　基板の上に堆積した炭素膜を提供する工程と、
　該炭素膜に電界を印加することにより、ダイヤモンド材料から電子の放出を引き起こす工程であって、該電界が、黒鉛材料から、該ダイヤモンド材料を囲む材料であって、該ダイヤモンド材料に向かってハイからローに変化する誘電率を有する材料を通って、電子の注入を引き起こす、工程と
　を包含する電界放出デバイスの動作方法。」
を、
　
「【請求項１】伝導材料領域に囲まれた絶縁材料領域と、
　該絶縁材料領域と該伝導材料領域の間の材料領域であって、該絶縁材料領域から該伝導材料領域に向かってローからハイに変化する誘電率を有する材料領域と
 を含む炭素膜。
　【請求項２】　前記絶縁材料はダイヤモンドであり、前記伝導材料はアモルファスもしくは黒鉛炭素である請求項１に記載の炭素膜。
　【請求項３】　基板の上に堆積した炭素膜を提供する工程と、
　該炭素膜に電界を印加することにより、ダイヤモンド材料から電子の放出を引き起こす工程であって、該電界が、黒鉛炭素材料から、該ダイヤモンド材料を囲む材料であって、該ダイヤモンド材料に向かってハイからローに変化する誘電率を有する材料を通って、電子の注入を引き起こす、工程と
　を包含する電界放出デバイスの動作方法。」
　
と補正するものである。
　
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載した「包む」を「含む」に、同じく請求項３に記載した「黒鉛材料」を「黒鉛炭素材料」に、補正するものであって、これらは、特許法第１７条の２第４項第３号の誤記の訂正を目的とするものに該当し、新規事項を追加するものでもないから、本件補正を認める。
　
　
３．本願発明について
　平成１６年４月２７日付けの手続補正は上記のとおり認められたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、上記手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】伝導材料領域に囲まれた絶縁材料領域と、
　該絶縁材料領域と該伝導材料領域の間の材料領域であって、該絶縁材料領域から該伝導材料領域に向かってローからハイに変化する誘電率を有する材料領域と
 を含む炭素膜。」
　
　
４．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前である平成９年１月２８日に頒布された刊行物である特開平９−２７２６３号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　
（１−１）「【００１０】
【課題を解決するための手段】陰極と陽極とに電圧を印加することによって、陰極から電子を放出させ、この電子を前記陽極または他に設けられた電極に印加した電圧により制御する冷陰極素子において、前記陰極は、ダイヤモンド構造部の分散した導電性炭素膜からなるものとする。」
　
（１−２）「【００１８】同様に、例えばＣＯと水素の混合ガスを原料としてもほぼ同等の炭素膜を得ることができる。炭素膜の成長速度は約１μm /hで、膜厚は５μm とした。表３は成膜条件である。
【００１９】
【表３】
　　　　　　　　　μ波入力　　　３００Ｗ
　　　　　　　　　ガス圧力　　　４Ｐａ
　　　　　　　　　基板温度　　　８５０℃
　　　　　　　　　基板材質　　　Ｓｉ
　
図３はＣＯと水素との混合ガスを原料とした炭素膜のラマンスペクトルであり、（ａ）はＣＯの含有量が４０vol%の場合、（ｂ）はＣＯの含有量が６０vol%の場合である。 図３より、ＣＯの含有量が４０vol%の場合、ラマンスペクトルは明確にダイヤモンド構造に対応するピークをもつが、ＣＯの含有量が６０vol%の場合はピークは極めて広くダイヤモンド構造部の径がかなり小さくなっており、炭素膜の大部分は乱れた黒鉛構造や二重結合をもつ炭素であることが推定できる。このように、ダイヤモンド構造部が微小化すると、電子のダイヤモンドへの注入が容易になる。ダイヤモンド構造部は、炭素膜中で独立した粒子として存在する場合と、他のグラファイト構造等と連続して存在する場合とが考えられるが、電子の注入効率は後者のほうが高いと考えられる。」
　
が記載されている。
　
　そして、ダイヤモンド構造部が、他のグラファイト構造等と連続して存在する場合には、ダイヤモンド構造部は、ダイヤモンド構造を主とするダイヤモンド構造部中心と、その周辺部分である他のグラファイト構造等と連続して存在するダイヤモンド構造部分との、二つの部分に分けることができる。
　
　したがって、これらの事項によると、引用例１には、つぎのとおりの発明、
　
「黒鉛構造あるいはグラファイト構造をもつ炭素部分に分散されたダイヤモンド構造部中心と、
　他のグラファイト構造等と連続して存在するダイヤモンド構造部分と
 を含む炭素膜。」（以下、これを「引用例１に記載の発明」という。）
　　
が記載されているものと認める。
　
５．対比・判断
　本願発明１と引用例１に記載の発明とを対比する。
　引用例１に記載の発明における「黒鉛構造あるいはグラファイト構造をもつ炭素部分」、「分散された」、「ダイヤモンド構造部中心」、「他のグラファイト構造等と連続して存在するダイヤモンド構造部分」、「炭素膜」は、それぞれ、
　本願発明１における「伝導材料領域」、「囲まれた」、「絶縁材料領域」、「絶縁材料領域と伝導材料領域の間の材料領域」、「炭素膜」に相当する。
　そして、誘電率は、ダイヤモンドの方が黒鉛あるいはグラファイトよりもローであるから、他のグラファイト構造等と連続して存在するダイヤモンド構造部分では、その誘電率は、ダイヤモンド構造部中心から黒鉛構造あるいはグラファイト構造をもつ炭素部分に向かってローからハイに変化するものと認められる。したがって、「他のグラファイト構造等と連続して存在するダイヤモンド構造部分」は、本願発明１における「絶縁材料領域と伝導材料領域の間の材料領域であって、絶縁材料領域から伝導材料領域に向かってローからハイに変化する誘電率を有する材料領域」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　
【一致点】
「伝導材料領域に囲まれた絶縁材料領域と、
　該絶縁材料領域と該伝導材料領域の間の材料領域であって、該絶縁材料領域から該伝導材料領域に向かってローからハイに変化する誘電率を有する材料領域と
 を含む炭素膜。」
で一致し、
　
【相違点】
はない。
　
　したがって、本願発明１は、引用例１に記載された発明と同一である。
　
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項３号の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明１が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。