【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリシステムであって、
書き換え可能な不揮発性メモリと、
バッファメモリと、
コントローラ
とを備え、
前記コントローラは、外部装置からのアクセス要求に応答して、前記コントローラと前記外部装置との間の第１データ転送、前記コントローラと前記不揮発性メモリとの間の第２データ転送、及び前記コントローラと前記バッファメモリとの間の第３データ転送を制御し、前記第３データ転送における前記コントローラから前記バッファメモリへの転送と前記バッファメモリから前記コントローラへの転送とを時分割方式で制御し、及び、該時分割方式において実施される転送に並行して前記第１データ転送か又は前記第２データ転送が行われることを可能にし、及び、
前記時分割方式によって、前記コントローラから前記バッファメモリへの転送と、前記バッファメモリから前記コントローラへの転送とが、交互に所定のデータ単位ベースで実施されることからなる、メモリシステム。
【請求項２】
前記第３データ転送の動作速度が、前記第１データ転送のデータ転送速度の約２倍の速さである、請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記バッファメモリは、シングルポートのクロック同期型揮発性メモリであり、ＦＩＦＯ方式で動作することからなる、請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記コントローラは、前記外部装置と前記バッファメモリとの間に配置されたデュアルポートデータバッファと、前記バッファメモリと前記不揮発性メモリとの間に配置されたデュアルポートデータバッファとを含むことからなる、請求項３に記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記不揮発性メモリがフラッシュメモリである、請求項４に記載のメモリシステム。
【請求項６】
メモリシステムであって、
書き換え可能な不揮発性メモリと、
バッファメモリと、
コントローラ
とを備え、
前記コントローラが、
外部装置に接続された第１のデータ転送制御ユニットと、
前記不揮発性メモリに接続された第２のデータ転送制御ユニットと、
前記バッファメモリに接続された転送調整部であって、前記第１のデータ転送制御ユニットからの転送要求と、前記第２のデータ転送制御ユニットからの転送要求とに応答して、前記バッファメモリに対して送受されるデータの転送を制御する、転送調整部
とを含み、
前記第１のデータ転送制御ユニットは、あるデータバッファを介して前記外部装置と前記転送調停部とに接続されて、転送要求を前記転送調停部に出力し、
前記第２のデータ転送制御ユニットは、あるデータバッファを介して前記不揮発性メモリと前記転送調停部とに接続されて、転送要求を前記転送調停部に出力し、
前記転送調停部は、前記第１のデータ転送制御部からの転送要求と、前記第２のデータ転送制御部からの転送要求とに応答して、前記バッファメモリに対する書き込みデータの転送と、前記バッファメモリからの読み出しデータの転送とを時分割方式で制御し、及び、
前記時分割方式によって、前記バッファメモリに対する書き込みデータの転送と、前記バッファメモリからの読み出しデータの転送とが、交互に所定のデータ単位ベースで実施されることからなる、メモリシステム。
【請求項７】
前記データバッファがデュアルポートを有している、請求項６に記載のメモリシステム。
【請求項８】
外部からの書き込みアクセス要求に応答して、前記第１のデータ転送制御ユニットは、所定量のデータが前記外部装置から前記データバッファ内に格納される時には、前記バッファメモリに対してデータを書き込むための転送要求を前記転送調停部に出力し、及び第２のデータ転送制御ユニットは、前記データバッファ内のデータが、所定量未満である時には、前記バッファメモリから前記データバッファにデータを読み出すための転送要求を前記転送調停部に出力することからなる、請求項６に記載のメモリシステム。
【請求項９】
外部からの読み出しアクセス要求に応答して、前記第２のデータ転送制御ユニットは、所定量のデータが前記バッファメモリから前記データバッファ内に格納される時には、前記バッファメモリに対してデータを書き込むための転送要求を前記転送調停部に出力し、及び第１のデータ転送制御ユニットは、前記データバッファ内のデータが、所定量未満である時には、前記バッファメモリからデータを読み出すための転送要求を前記転送調停部に出力することからなる、請求項６に記載のメモリシステム。
【請求項１０】
前記転送調停部により前記バッファメモリに対して送受されるデータの転送の動作速度が、前記第１の転送制御ユニットにより外部に対して送受されるデータの転送の動作速度の約２倍の速さである、請求項６に記載のメモリシステム。
【請求項１１】
前記バッファメモリは、シングルポートのクロック同期型ＤＲＡＭであり、ＦＩＦＯ方式で動作することからなる、請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１２】
前記不揮発性メモリがフラッシュメモリである、請求項１０に記載のメモリシステム。
【請求項１３】
不揮発性メモリシステムであって、
コントローラと、
バッファメモリと、
不揮発性メモリと、
外部に対して送受するデータを転送するための、前記コントローラに接続された第１の信号線と、
前記コントローラを前記バッファメモリに接続する第２の信号線と、
前記コントローラを前記不揮発性メモリに接続する第３の信号線
とを備え、
前記第２の信号線のデータ転送レートが、前記第１の信号線のデータ転送レートと、前記第３の信号線のデータ転送レートとの合計以上であり、
前記外部から前記不揮発性メモリ内へと提供されるデータを格納する場合には、前記第２の信号線内において、前記外部から提供されて前記バッファメモリ内に一時的に格納されるデータの転送と、前記バッファメモリ内に一時的に格納されて前記不揮発性メモリ内へと格納されるデータの転送とが、時分割方式において交互に所定のデータ単位ベースで実施され、及び、
前記不揮発性メモリ内に格納されたデータを前記外部に提供する場合には、前記第２の信号線内において、前記不揮発性メモリから読み出されて前記バッファメモリ内に一時的に格納されるデータの転送と、前記バッファメモリ内に一時的に格納されて前記外部に提供されるデータの転送とが、時分割方式において交互に所定のデータ単位ベースで実施されることからなる、不揮発性メモリシステム。
【請求項１４】
前記第１の信号線のデータ転送レートが、前記第３の信号線のデータ転送レート以上である、請求項１３に記載の不揮発性メモリシステム。
【請求項１５】
クロック信号線が前記第２の信号線内に含まれており、及び、前記バッファメモリは、クロック信号に同期してデータがメモリに対して入出力されるメモリであることからなる、請求項１４に記載の不揮発性メモリシステム。
【請求項１６】
複数の前記不揮発性メモリを、前記不揮発性メモリシステムが更に備え、
前記第３の信号線のデータ転送レートは、前記複数の不揮発性メモリのデータ転送レートの合計に等しいことからなる、請求項１３に記載の不揮発性メモリシステム。
【請求項１７】
前記第１の信号線のデータ転送レートは、前記第３の信号線のデータ転送レート以上である、請求項１６に記載の不揮発性メモリシステム。
【請求項１８】
クロック信号が前記第２の信号線内に含まれ、及び、前記バッファメモリは、クロックに同期してデータがメモリに対して入出力されるメモリであることからなる、請求項１７に記載の不揮発性メモリシステム。
【請求項１９】
前記外部から前記不揮発性メモリ内へと提供されるデータを格納する場合には、前記第２の信号線内において、前記外部から提供されて前記バッファメモリ内に一時的に格納されるデータの転送と、前記バッファメモリ内に一時的に格納されて任意の前記複数の不揮発性メモリ内へと格納されるデータの転送とが、時分割方式で実施されることからなる、請求項１８に記載の不揮発性メモリシステム。
【請求項２０】
前記不揮発性メモリ内に格納されたデータを前記外部に提供する場合には、前記第２の信号線内において、任意の前記複数の不揮発性メモリから読み出されて前記バッファメモリ内へと一時的に格納されるデータの転送と、前記バッファメモリ内に一時的に格納されて前記外部に提供されるデータの転送とが、時分割方式で実施されることからなる、請求項１８に記載の不揮発性メモリシステム。