Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦長矩形状に形成された外枠と、  前記外枠の前面一側に軸支されて開閉自在に設けられた本体枠と、  前記本体枠に収容され、主として遊技領域が形成される遊技板部を有する遊技演出ユニットと、  所定の発射位置から遊技球を発射し、遊技領域の上部に設けられる球投入口から当該遊技領域へ遊技球を打ち込む発射装置と、  前記発射装置に隣接して前記本体枠に設けられ、前記発射装置にて発射される遊技球を案内可能な発射レールと、  前記遊技板部に設けられ、前記発射レールにて案内される遊技球を前記球投入口へ案内可能な外レールと、  前記遊技板部に設けられ、前記発射装置にて発射されたにもかかわらず前記球投入口まで至らなかったファール球を受け入れるファール口を前記外レールの下側端部との間に形成する外側端部を有する案内通路部と、  前記案内通路部と前記発射レールとの間に形成するレール接続部材とを備えた遊技機であって、  前記発射装置により前記発射レールから発射された遊技球が、前記レール接続部材、前記案内通路部及び前記ファール口を越えて前記外レールへ直接到達し、前記発射レール及び前記外レールによって、前記球投入口へ案内されるよう構成された遊技機であって、 前記ファール口に受け入れられた前記ファール球が、前記発射装置に戻されること  を特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記本体枠に開閉自在に軸支される扉枠と、 前記扉枠に設けられ、前記発射装置に供給される遊技球を貯留可能な皿ユニットを更に備え、 前記ファール口に受入れられた前記ファール球が、前記皿ユニットを通じて前記発射装置に戻されること を特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記レール接続部材の前記発射レールと連結される部位が、前記発射レールの上端部よりも低くなるように構成されていること を特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下：
【化１】
2012176989.tif 000001
のＸ線粉末回折パターン特性を持つ結晶性フマル酸塩である、化合物Ｉの結晶性塩
【化２】
2012176989.tif 000002
。
【請求項２】
（ａ）アセトニトリル５０ｍｌ中に、式Ｉの構造を有する遊離塩基化合物の一定分量を懸濁させるステップと、
（ｂ）ステップ「ａ」で形成された懸濁液を、６０℃まで加熱するステップと、
（ｃ）加熱された懸濁液と、少なくとも１当量のフマル酸とを混合するステップと、
（ｄ）ステップ「ｃ」で調製された混合物を、懸濁材料が溶解する温度にまで加熱するステップと、
（ｅ）ステップ「ｄ」で調製された溶液を、２時間にわたり周囲温度まで冷却して、沈殿物を得るステップと、
（ｆ）沈殿物を収集し、５０℃の温度の真空炉内で乾燥するステップと
を含む、式Ｉの化合物の結晶性フマル酸塩（式Ｖの構造を有する５−（１（Ｓ）−アミノ−２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−［（２，４−ジフルオロフェニル）−メチル］−２−［８−メトキシ−２−（トリフルオロメチル）−５−キノリン］−４−オキサゾールカルボキサミドフマル酸塩化合物）を作製するための方法
【化３】
2012176989.tif 000003
。
【請求項３】
前記加熱ステップ「ｄ」において、混合物が少なくとも８０℃の温度に加熱され、冷却ステップ「ｅ」において、周囲温度が２５℃である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
回折角（２θ、全ての値は±０．２の精度を反映する）、格子面「ｄ」間隔（オングストローム）、および相対ピーク強度（「ＲＩ」）に関して表された表ＩＩＩに示されるＸ線粉末回折パターンによって特徴付けられる、上述の方法により調製された式Ｖの５−（１（Ｓ）−アミノ−２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−［（２，４−ジフルオロフェニル）−メチル］−２−［８−メトキシ−２−（トリフルオロメチル）−５−キノリン］−４−オキサゾールカルボキサミドの結晶性フマル酸塩
【表３】
2012176989.tif 000004
。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月8日(2012.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルシウム塩製剤であって、個体において粒子の放出を減らすために使用され、該使用には、粘膜内壁の固体性を高めるために有効量の前記カルシウム塩製剤を個体の粘膜内壁に投与することが含まれ、これにより個体による粒子の放出が減少する該製剤。
【請求項２】
請求項１に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記製剤は更に活性成分を含み；、前記活性成分は、抗生物質、抗ヒスタミン剤、気管支拡張薬、咳抑制剤、抗炎症剤、ワクチン、佐剤、および去痰剤からなる群から随意に選択される該製剤。
【請求項３】
請求項１に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記製剤は更に活性成分を含み；、前記活性成分は、抗ウイルス剤、ステロイド、気管支拡張薬、抗生物質、粘液生産抑制剤、およびワクチンからなる群から随意に選択される該製剤。
【請求項４】
請求項１に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記製剤は更に活性成分を含み；、前記活性成分は、高分子であって、タンパク質、巨大ペプチド、多糖類、オリゴ糖類、ＤＮＡおよびＲＮＡの核酸分子、ならびにそれらのアナログからなる群から随意に選択される該製剤。
【請求項５】
請求項１に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記製剤は更に活性成分を含み；、前記活性成分は、核酸分子であって、遺伝子、アンチセンス分子、およびリボザイムからなる群から随意に選択される該製剤。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記製剤が気道の粘膜内壁に投与される該製剤。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記製剤がエアロゾル形態で投与される該製剤。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１項に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記カルシウム塩製剤が乾燥粉末である該製剤。
【請求項９】
請求項１〜７いずれか１項に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記カルシウム塩製剤が水溶液又は懸濁液である該製剤。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか１項に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記カルシウム塩が塩化カルシウムである該製剤。
【請求項１１】
請求項１〜１０いずれか１項に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、更に塩化ナトリウムを含む該製剤。
【請求項１２】
請求項９〜１１いずれか１項に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記製剤の導電率が５，０００μＳ／ｃｍ超、随意的に１０，０００μＳ／ｃｍ超、随意的に２０，０００μＳ／ｃｍ超である該製剤。
【請求項１３】
請求項１〜１２いずれか１項に記載の、使用されるカルシウム塩製剤であって、前記個体が細菌又はウイルスに感染している該製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
8.9、15.6、17.7、19.1、20.2、21.7、23.4、24.3、26.5、28.0および31.2 ± 0.2°2θにピークを有する粉末X線回折パターンにより特徴づけられる、臭化チオトロピウムの結晶。
【請求項２】
熱重量分析による< 0.1%の減量によりさらに特徴づけられる、請求項１に記載の臭化チオトロピウムの結晶。
【請求項３】
図13に描写する熱重量分析曲線によりさらに特徴づけられる、請求項１又は２に記載の臭化チオトロピウムの結晶。
【請求項４】
227℃に吸熱ピークを有する示差走査熱量測定サーモグラムによりさらに特徴づけられる、請求項１に記載の臭化チオトロピウムの結晶。
【請求項５】
臭化チオトロピウム溶媒和物を160℃〜170℃の範囲の温度に加熱することを含んでなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の臭化チオトロピウムの結晶を製造する方法。
【請求項６】
10％以下の臭化チオトロピウム一水和物を随伴する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の臭化チオトロピウムの結晶。
【請求項７】
５％以下の臭化チオトロピウム一水和物を随伴する、請求項６に記載の臭化チオトロピウムの結晶。
【請求項８】
請求項１〜４、６及び７のいずれか１項に記載の臭化チオトロピウムの結晶の微小化形態。
【請求項９】
１〜４、６及び７のいずれか１項に記載の臭化チオトロピウムの結晶と、薬学上許容される賦形剤とを含んでなる医薬処方物。
【請求項１０】
１〜４、６及び７のいずれか１項に記載の臭化チオトロピウムの結晶と、薬学上許容される賦形剤とを含んでなる医薬処方物を製造する方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の臭化チオトロピウムの結晶の微小化形態と、薬学上許容される賦形剤とを含んでなる医薬処方物。
【請求項１２】
請求項８に記載の臭化チオトロピウムの結晶の微小化形態と、薬学上許容される賦形剤とを含んでなる医薬処方物を製造する方法。
【請求項１３】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の臭化チオトロピウムの結晶の医薬製剤の製造のための使用。
【請求項１４】
請求項８に記載の臭化チオトロピウムの結晶の微小化形態の医薬製剤の製造のための使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年8月29日(2012.8.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記第一部分の滑らかな表面が、前記第二部分における複数のチャンネルの側壁に隣接する下縁を有している請求項１に記載のシュート。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明に係るシュートにおいては、シュート上の生産品が第一部分から第二部分上又は第二部分内へと直接流れるように、第一部分及び第二部分が通常直に隣接している。この第一部分の滑らかな表面は、その下縁を第二部分における複数のチャンネル又は溝の側壁上に直接配して該側壁に隣接させることができる。このような構成によって、生産品の流れにおける個々の生産品は、第一部分から第二部分に滑らかに移動できるものであり、その間実質的に一方又は他方の構成要素と常時接触したままになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月4日(2012.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源と、
前記交流電源とＬＥＤとの間に接続され、パルス幅変調信号により選択的にターンオンされて前記交流電源からの交流電圧を前記ＬＥＤに供給する双方向スイッチ部と、
を含み、
前記パルス幅変調信号は、前記交流電源から生成され、前記パルス幅変調信号のデューティ比によって前記ＬＥＤの調光レベルが決まり、
前記双方向スイッチ部は前記交流電圧の正の半周期の間は第１動作モードで動作し、前記交流電圧の負の半周期の間は第２動作モードで動作し、
前記第１動作モードと前記第２動作モードは相互別の電流経路を提供することを特徴とするＬＥＤ調光装置。
【請求項２】
前記双方向スイッチ部は、
前記パルス幅変調信号を制御信号として動作する第１スイッチと、
前記第１スイッチの極性と反対の極性で前記第１スイッチに並列に接続される第１逆方向ダイオードと、
前記第１スイッチの極性と反対の極性で前記第１スイッチに直列に接続され、前記パルス幅変調信号を制御信号として動作する第２スイッチと、
前記第２スイッチの極性と反対の極性で前記第２スイッチに並列に接続される第２逆方向ダイオードと、
を含み、
前記双方向スイッチ部は、前記第１動作モードで前記第１スイッチ及び前記第２逆方向ダイオードを経由する前記第１電流経路を提供し、前記第２動作モードで前記第２スイッチ及び前記第１逆方向ダイオードを経由する前記第２電流経路を提供することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項３】
前記ＬＥＤ調光装置は、
前記交流電圧の印加を受けて、前記交流電源と電気的に絶縁された前記パルス幅変調信号を生成するパルス幅変調信号生成手段をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項４】
前記パルス幅変調信号生成手段は、
前記交流電源からの前記交流電圧の印加を受けて所定レベルの第１直流電圧を生成する整流部と、
前記第１直流電圧を入力受けて第２直流電圧及びパルスイネーブル信号を生成する電圧変換部と、
前記第２直流電圧及び前記パルスイネーブル信号を入力受けて前記パルスイネーブル信号の周波数と周波数が同一であり、調光レベルによってデューティ比が変化するパルス幅変調信号を生成する制御部と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項５】
前記電圧変換部は、前記交流電源と前記パルスイネーブル信号及び前記第２直流電圧を電気的に絶縁する絶縁型変圧器を含むことを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項６】
前記交流電源と前記双方向スイッチ部との間に接続され、前記交流電圧に含まれる電磁気干渉を除去する電磁気干渉フィルタ部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項７】
前記電磁気干渉フィルタ部は、フィルタキャパシタ及びインダクタを含むラインフィルタであることを特徴とする請求項６に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項８】
前記インダクタは、２段以上で直列接続されることを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項９】
前記整流部は、
前記交流電圧を分圧する分圧回路と、
前記分圧回路により分圧された電圧を全波整流する第１全波整流回路と、
前記第１全波整流回路により全波整流された電圧を安定化させ、前記第１直流電圧を生成する第１電圧安定化回路と、
を含むことを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項１０】
前記分圧回路は、
前記交流電源に接続された分圧用キャパシタと、
前記分圧用キャパシタに直列接続された抵抗素子と、
を含む
ことを特徴とする請求項９に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項１１】
前記分圧回路は、
前記第１全波整流回路の入力段に並列接続され、所定のツェナー電圧を提供する一対のツェナーダイオードをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項１２】
前記電圧変換部は、
前記整流部からの前記第１直流電圧の印加を受けて高調波パルス信号を生成するパルス生成回路と、
前記高調波パルス信号を増幅して第１矩形波信号を生成する第１増幅回路と、
前記第１矩形波信号を変換して前記交流電源と電気的に絶縁される所定レベルの第２矩形波信号を生成する絶縁型変圧器と、
前記第２矩形波信号を全波整流して前記交流電源と電気的に絶縁された第２直流電圧を生成し、前記第２矩形波信号を半波整流して前記交流電源と電気的に絶縁された前記パルスイネーブル信号を生成する第２全波整流回路と、
を含むことを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項１３】
前記絶縁型変圧器の１次側接地端と前記電圧変換部の出力段の接地端との間には、ノイズフィルタがさらに含まれることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項１４】
前記第１増幅回路の出力段と前記変圧器の１次側との間には、直流遮断キャパシタがさらに直列接続されることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ調光装置。
【請求項１５】
前記制御部は、
矩形波パルスのデューティ比を制御するデューティ比制御回路と、
前記第２直流電圧の印加を受けて駆動され、前記パルスイネーブル信号の印加を受けて前記矩形波パルスを第１レベルに遷移させ、前記デューティ比制御回路の制御により前記矩形波パルスを第２レベルに遷移させる矩形波パルス生成部と、
前記矩形波パルス生成部の出力の印加を受けて前記パルス幅変調信号を出力する第２増幅回路と、
を含むことを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ調光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を逐次撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により逐次撮像されている被写体像を含む画像に、当該被写体像の記録指示のための指標画像が重畳するように、前記被写体像を含む画像と前記指標画像とを表示手段に表示させるよう制御する表示制御手段と、
前記表示手段に表示された前記指標画像と前記撮像手段により逐次撮像されている前記被写体像とが重なったか否かを判断する重なり判断手段と、
前記重なり判断手段により前記指標画像と前記被写体像とが重なったと判断されると、当該被写体像を含む画像を記録手段に記録させるように制御する記録制御手段と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像手段による撮像方向と前記表示手段による表示方向とが略同一の方向となるように前記撮像手段と前記表示手段とが配設され、
前記表示制御手段は、前記撮像手段により逐次撮像されている被写体像を含む画像を前記被写体から見て鏡像となる状態で前記表示手段に表示させる、
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記重なり判断手段により前記指標画像と前記被写体像とが重なったと判断されると、計時を開始する計時手段と、
前記計時手段による計時時間が所定の時間を経過したか否かを判断する時間判断手段と、
をさらに備え、
前記記録制御手段は、前記重なり判断手段により指標画像と前記被写体像とが重なったと判断された後、さらに、前記時間判断手段により計時時間が前記所定の時間を経過したと判断されると、当該被写体像を含む画像を前記記録手段に記録させるように制御する、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記重なり判断手段により前記指標画像と前記被写体像とが重なったと判断されると、前記指標画像を前記計時手段による計時時間を表す計時状態表示画像に変更して表示する、
ことを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記被写体像は、前記撮像手段が撮像している人物である、
ことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
撮像制御方法において、
撮像手段により逐次撮像されている被写体像を含む画像に、当該被写体像の記録指示のための指標画像が重畳するように、前記被写体像を含む画像と前記指標画像とを表示手段に表示させるよう制御する表示制御ステップと、
前記指標画像と逐次撮像されている前記被写体像とが重なったか否かを判断する重なり判断ステップと、
前記重なり判断ステップの処理で前記指標画像と前記被写体像とが重なったと判断されると、当該被写体像が含まれる画像を記録手段に記録させるように制御する記録制御ステップと、
を含むことを特徴とする撮像制御方法。
【請求項７】
コンピュータを、
撮像手段により逐次撮像されている被写体像を含む画像に、当該被写体像の記録指示のための指標画像が重畳するように、前記被写体像を含む画像と前記指標画像とを表示手段に表示させるように制御する表示制御手段、
前記指標画像と逐次撮像されている前記被写体像とが重なったか否かを判断する重なり判断手段、
前記重なり判断手段により前記指標画像と前記被写体像とが重なったと判断されると、当該前記被写体像を含む画像を記録手段に記録させるように制御する記録制御手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】取引処理システム及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、取引処理システム及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の課題は、仕訳が必要な取引をデータ処理装置で登録できるようにするとともに、登録された取引を仕訳できるようにすることである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、サーバ装置と、データ処理装置と、端末装置とが通信ネットワークを介して接続され、前記サーバ装置が前記データ処理装置と前記端末装置との間のデータ転送を行う取引処理システムであって、前記データ処理装置は、発生した取引の仕訳ルール情報に対応する識別番号と、前記発生した取引の金額とを登録する登録手段と、前記登録手段により登録された識別番号及び金額を含む取引データを作成する取引データ作成手段と、前記取引データをサーバ装置に送信する送信手段と、を備え、前記端末装置は、取引項目毎の仕訳ルール情報を設定する設定手段と、前記設定手段により設定された取引項目毎の仕訳ルール情報に識別番号を対応付けて記憶する仕訳ルール記憶手段と、前記取引データを前記サーバ装置から受信する受信手段と、前記サーバ装置から受信された取引データに含まれる識別番号に対応する仕訳ルール情報を前記仕訳ルール記憶手段から読み出して、当該読み出された仕訳ルール情報に従って前記取引データの金額を仕訳した仕訳データを作成する仕訳データ作成手段と、を備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、仕訳が必要な取引をデータ処理装置で登録できるとともに、登録された取引を仕訳することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバ装置と、データ処理装置と、端末装置とが通信ネットワークを介して接続され、前記サーバ装置が前記データ処理装置と前記端末装置との間のデータ転送を行う取引処理システムであって、
前記データ処理装置は、
発生した取引の仕訳ルール情報に対応する識別番号と、前記発生した取引の金額とを登録する登録手段と、
前記登録手段により登録された識別番号及び金額を含む取引データを作成する取引データ作成手段と、
前記取引データをサーバ装置に送信する送信手段と、を備え、
前記端末装置は、
取引項目毎の仕訳ルール情報を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された取引項目毎の仕訳ルール情報に識別番号を対応付けて記憶する仕訳ルール記憶手段と、
前記取引データを前記サーバ装置から受信する受信手段と、
前記サーバ装置から受信された取引データに含まれる識別番号に対応する仕訳ルール情報を前記仕訳ルール記憶手段から読み出して、当該読み出された仕訳ルール情報に従って前記取引データの金額を仕訳した仕訳データを作成する仕訳データ作成手段と、
を備える取引処理システム。
【請求項２】
前記端末装置は、前記取引項目毎の仕訳ルール情報と識別番号との対応関係を示す対応表を出力する出力手段を更に備える請求項１に記載の取引処理システム。
【請求項３】
前記仕訳データ作成手段は、前記作成された仕訳データを仕訳データ記憶手段に記憶し、
前記端末装置は、前記作成された仕訳データの編集内容を入力するための操作画面を表示手段に表示させ、前記操作画面から入力された編集内容に基づいて前記仕訳データ記憶手段に記憶されている仕訳データを更新する仕訳データ編集手段を備える請求項１または２に記載の取引処理システム。
【請求項４】
前記操作画面は、仕訳データの種類を選択入力するための選択欄を有し、
前記仕訳データ編集手段は、前記操作手段により前記選択欄から選択された仕訳データを前記仕訳データ記憶手段に記憶されている仕訳データから抽出して前記操作画面に一覧表示し、前記表示された一覧から前記操作手段により編集対象の仕訳データが選択されると、当該選択された仕訳データの各項目の編集内容を入力するための入力欄を前記操作画面に表示する請求項３に記載の取引処理システム。
【請求項５】
前記設定手段は、前記端末装置で使用される会計ソフトウエアの種類を設定可能に構成され、
前記端末装置は、前記作成された仕訳データを前記設定された会計ソフトウエアのデータフォーマットの仕訳データに変換するフォーマット変換手段を備える請求項１〜４の何れか一項に記載の取引処理システム。
【請求項６】
サーバ装置と、データ処理装置と、端末装置とが通信ネットワークを介して接続され、前記サーバ装置が前記データ処理装置と前記端末装置との間のデータ転送を行う取引処理システムにおける前記端末装置のコンピュータを、
取引項目毎の仕訳ルール情報を設定する設定手段、
前記設定手段により設定された取引項目毎の仕訳ルール情報に識別番号を対応付けて記憶する仕訳ルール記憶手段、
前記データ処理装置において登録された識別番号及び金額を含む取引データを前記サーバ装置から受信する受信手段、
前記サーバ装置から受信された取引データに含まれる識別番号に対応する仕訳ルール情報を前記仕訳ルール記憶手段から読み出して、当該読み出された仕訳ルール情報に従って前記取引データの金額を仕訳した仕訳データを作成する仕訳データ作成手段、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月2日(2012.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面及び該第１の表面に対向する第２の表面と、前記第１の表面に形成されたキャビティと、前記キャビティの周囲の基板上に形成された配線部分とを含む配線基板と、
前記キャビティの底面に接着材料を介在させて搭載され、前記配線基板の配線部分にワイヤを介して接続された電極端子を備えた半導体素子であって、前記配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線が形成されている領域に近い側の前記キャビティの側壁に密着して搭載された前記半導体素子と、
前記半導体素子を密着させた側の前記キャビティの底面の領域に設けられ、前記接着材料が充填された凹部と、
前記凹部の底面から前記配線基板の第２の表面側の基板外部に繋がって形成されたサーマルビアからなる第１の放熱構造と、
前記凹部以外の前記キャビティの底面から前記配線基板の第２の表面側の基板外部に繋がって形成されたサーマルビアからなる第２の放熱構造とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の表面及び該第１の表面に対向する第２の表面と、前記第１の表面に形成されたキャビティと、前記キャビティの周囲の基板上に形成された配線部分とを含む配線基板と、
前記キャビティの底面に接着材料を介在させて搭載され、前記配線基板の配線部分にワイヤを介して接続された電極端子を備えた半導体素子であって、前記配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線が形成されている領域に近い側の前記キャビティの側壁に密着して搭載された前記半導体素子と、
前記半導体素子を密着させた側の前記キャビティの底面の領域から前記配線基板の第２の表面側の基板外部に繋がって形成されたサーマルビアからなる第１の放熱構造と、
前記第１の放熱構造が形成される部分以外の領域において、前記キャビティの底面から前記配線基板の第２の表面側の基板外部に繋がって形成されたサーマルビアからなる第２の放熱構造とを有し、
前記第１の放熱構造は、前記第２の放熱構造に比べて、前記半導体素子を密着させた側に密に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記半導体素子を密着させた側のキャビティの底面の直下の領域のみに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子を密着させた前記キャビティの側壁に、前記凹部と一体的に繋がる別の凹部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の放熱構造は、前記第２の放熱構造に比べて密に形成された前記サーマルビアを有していることを特徴とする請求項１又は３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記高周波用の配線は、ミリ波帯用の配線であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線の長さは、前記他の配線の長さより短いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記配線基板は、前記高周波用の配線に電気的に接続されたアンテナを有していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記配線部分は、前記配線基板の表面に露出していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、第１の表面及び該第１の表面に対向する第２の表面と、前記第１の表面に形成されたキャビティと、前記キャビティの周囲の基板上に形成された配線部分とを含む配線基板と、前記キャビティの底面に接着材料を介在させて搭載され、前記配線基板の配線部分にワイヤを介して接続された電極端子を備えた半導体素子であって、前記配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線が形成されている領域に近い側の前記キャビティの側壁に密着して搭載された前記半導体素子と、前記半導体素子を密着させた側の前記キャビティの底面の領域に設けられ、前記接着材料が充填された凹部と、前記凹部の底面から前記配線基板の第２の表面側の基板外部に繋がって形成されたサーマルビアからなる第１の放熱構造と、前記凹部以外の前記キャビティの底面から前記配線基板の第２の表面側の基板外部に繋がって形成されたサーマルビアからなる第２の放熱構造とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層の配線層に対してその両面に対向する方向からビアが形成され、前記配線層においてそれぞれ当該ビアと接続される箇所に画定されるランドが、その側面がテーパ状となるように形成された構造を有する多層配線基板であって、
前記ランドは、小径側の面にビアが接続される第１のランドと、大径側の面にのみビアが接続される第２のランドからなり、前記第１のランドと前記第２のランドとは同層に形成されており、前記第２のランドの大径側の面の面積が、前記第１のランドの小径側の面の面積と同じになることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
内層の配線層に対してその両面に対向する方向からビアが形成され、前記配線層においてそれぞれ当該ビアと接続される箇所に画定されるランドが、その側面がテーパ状となるように形成された構造を有する多層配線基板であって、
前記ランドは、小径側の面にビアが接続される第１のランドと、大径側の面にのみビアが接続される第２のランドからなり、前記第１のランドと前記第２のランドとは同層に形成されており、前記第１のランドの大径側の面の面積の方が、前記第２のランドの大径側の面の面積よりも広いことを特徴とする多層配線基板。
【請求項３】
前記内層の配線層を挟んで上下に設けられる各絶縁層は、その材料としてプリプレグが使用されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記内層の配線層は、前記各絶縁層に設けられる配線に比べて厚く形成されていることを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記多層配線基板は、前記ランドの小径側に形成された一面側と、前記ランドの大径側に形成された他面側を有しており、半導体素子搭載面が前記他面側に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明によれば、内層の配線層に対してその両面に対向する方向からビアが形成され、前記配線層においてそれぞれ当該ビアと接続される箇所に画定されるランドが、その側面がテーパ状となるように形成された構造を有する多層配線基板であって、前記ランドは、小径側の面にビアが接続される第１のランドと、大径側の面にのみビアが接続される第２のランドからなり、前記第１のランドと前記第２のランドとは同層に形成されており、前記第２のランドの大径側の面の面積が、前記第１のランドの小径側の面の面積と同じになることを特徴とする多層配線基板が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図６は、特許文献１等でから知られている液体冷却式ヒートシンクの従来例を示すものである。この図において、（ａ）は、発熱体となるモジュール形半導体素子５０に結合した状態のヒートシンク６０を示す斜視図であり、（ｂ）は、ヒートシンク６０の平面断面を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ヒートシンク６０は、銅やアルミニウム等の高熱伝導性材で構成された本体６１とこの本体の両端に結合された冷却液体の流入ヘッダ６４および流出ヘッダ６５とにより構成される。ヒートシンク本体６１は、扁平な直方体をなし、その外表面にモジュール形半導体素子５０等の発熱体が載置され熱的に結合される。ヒートシンク本体６１の内部には、図６（ｂ）に示すように複数の放熱フィン６２が形成されている。各フィン６２は、互いに適宜の間隔離して平行に配置されており、これらのフィンの間に、平行な複数の冷却液体通流路６３が形成される。そして、冷却液体通流路６３の両端は、流入ヘッダ６４および流出ヘッダ６５と連通されている。ヘッダ６４，６５の冷却液体通流路６３と平行する端面壁の一方に外部から冷却液体を供給するための冷却液体入口６４aおよび冷却液体を外部へ排出するための冷却液体出口６５aが設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
外部の図示しない液体冷却装置で冷却された液体が冷却液体入口６４aを通してヒートシンク６０に供給される。ヒートシンク６０に供給された冷却液体は、図６（ｂ）に実線矢印で示すように流入ヘッダ６４から放熱フィン間に形成された各通流路６３に分散して通流し、再び流出ヘッダ６５に集められて冷却液体出口６５aから排出され、冷却装置へ戻される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
実施例２は、図２に示すように、ヒートシンク本体２１の内部の冷却液体入口２４bおよび出口２５bと対向する付近の中央部の冷却液体通流路２３ｄを閉塞する閉塞体を冷却液体の流れ制御手段２８としている。このため冷却液体流入ヘッダ２４から中央通流路２３ｄへ向かう冷却液体は両側の冷却液体通流路へ分散供給されるため、残りの冷却液体通流路２３ａ〜２３ｃおよび２３ｅ〜２３ｇの流量が増加することによりより、流量分布が図２に点線矢印で示すように均一化される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記の冷却液体の流れ制御板の複数の開口は、中央から両端部へ向かうほど大きな開口面積有することを特徴とする請求項５に記載の液体冷却式ヒートシンク。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011134979.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011134979.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2011134979.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このように構成されたヒートシンク２０において、外部の図示しない流体冷却装置から冷却流体流入口２４ａへ冷却流体を供給すると、冷却流体は、図２（ａ）に実線矢印で示すように、流入ヘッダー２５から複数の冷却流体通流路２３に分配され、各冷却流体通流路２３の中をそれぞれ放熱フィン２２と接しながら流出ヘッダー２５側へ流れる。そして冷却流体は各冷却流体通流路２３から流出ヘッダー２４に集められ、流出口２５ａから外部へ排出され、図示しない流体冷却装置へ戻される。また、各冷却流体通流路２３を通流する冷却流体は、通流路の途中に設けられた連通路２６を通して相互に混じり合いながら流れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
冷却流体がこのようにヒートシンク本体２１内の冷却流体通流路２３を通流する過程で、ヒートシンク本体２１の表面に結合された発熱体１１から１４の発生する熱をヒートシンク本体２１および放熱フィン２２を介して冷却する。複数の放熱フィン２２がヒートシンク本体２１から冷却流体への放熱面積を拡大することによりヒートシンクから冷却流体への熱伝達率を増大することができる。同時に、ヒートシンク本体２１の内部の複数の冷却流体通流路を通流する冷却流体が連通路２６によって相互に混合され、冷却流体の温度が全体で平均化されることにより、ヒートシンクの全面において冷却効果を均等にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
転写用原盤１０１に被転写体１０２を密着させて外部磁界１０５を印加した際の漏れ磁束１０６が被転写体１０２側に進入することで、被転写体１０２の磁性層１０８が磁化され、転写用原盤１０１の軟磁性体パターンに沿った磁気信号が転写される。ここで用いる被転写体１０２の表面粗さＲａは１ｎｍ以下となっている。被転写体の表面粗さＲａが１ｎｍを超える値の場合、密着体は自身で密着状態を維持することが出来なくなるからである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この磁気信号の一例を図２に示す。この方式は、転写用原盤１０１の軟磁性体パターンの凸部１０４のエッジから漏れた磁束によって転写されるため、エッジ転写方式と呼ばれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図３は、磁気転写原理の別の例を説明するものである。被転写体２０２は転写前に予め一方向に磁化されており、転写中、転写用原盤２０１と被転写体２０２との接触面に対して垂直方向に磁界が印加され、転写用原盤２０１の軟磁性体パターンの凸部分２０４を磁束２０６が透過した部分のみ、被転写体２０２が初期の磁化の向き２０８と反対向き２０９に磁化される。これはビット転写方式と呼ばれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図４は本発明の密着体形成工程の一例を示す図であり、転写用原盤３０１ａ，３０１ｂと被転写体３０２とを密着させるプロセスを示したものである。即ち、密着ユニット３０３で、搬送ハンド３０５が、原盤３０１ａ、媒体３０２、原盤３０１ｂを吸引把持により順に搬送し、ステージ３０４上に積み重ねる。転写用原盤３０１ａ，３０１ｂの軟磁性体微細凹凸パターン形成面３０６ａ，３０６ｂが被転写体３０２に対面していることとする。３枚重なった時点で搬送ハンド３０５は所定の力で原盤３０１ｂの内周域を加圧する。これにより原盤３０１ａ、３０１ｂと媒体３０２間に含まれる空気は外周に向かって押し出され、両面ともエア溜りなく全面均一に密着して、密着体３０７を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011134420.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011134420.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月17日(2012.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に支持体を接着した後、前記基板を剥離して前記素子を含む層を前記支持体に転置し、
前記転置後の前記素子を含む層の下方の剥離した面に熱伝導性を有する膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に支持体を接着した後、前記基板を剥離して前記素子を含む層を前記支持体に転置し、
前記転置後の前記素子を含む層の下方の剥離した面に熱伝導性を有する膜を形成し、
前記熱伝導性を有する膜に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む層を挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記熱伝導性を有する膜はそれぞれ、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、もしくは酸化ベリリウムの単層または積層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に第１の熱伝導性を有する膜を形成し、
前記第１の熱伝導性を有する膜に支持体を接着した後、前記基板を剥離して前記素子を含む層を前記支持体に転置し、
前記転置後の前記素子を含む層の下方の剥離した面に第２の熱伝導性を有する膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に第１の熱伝導性を有する膜を形成し、
前記第１の熱伝導性を有する膜に支持体を接着した後、前記基板を剥離して前記素子を含む層を前記支持体に転置し、
前記転置後の前記素子を含む層の下方の剥離した面に第２の熱伝導性を有する膜を形成し、
前記第２の熱伝導性を有する膜に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む層を挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の熱伝導性を有する膜及び前記第２の熱伝導性を有する膜はそれぞれ、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、もしくは酸化ベリリウムの単層または積層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記剥離層は、タングステンを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記素子は、トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記支持体及び前記転写体は、プラスチックを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
前記酸化物層の上に素子を含む層を有し、
前記素子を含む層の上に第１の熱伝導性を有する膜を有し、
前記第１の熱伝導性を有する膜の上にプラスチックを含む第１の基板を有し、
前記酸化物層の下側の剥離した面に形成された第２の熱伝導性を有する膜を有し、
前記第２の熱伝導性を有する膜の下にプラスチックを含む第２の基板を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月7日(2012.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板に実装された電子部品との間に熱インタフェース材を介して接合される放熱部品であって、
前記熱インタフェース材を介して前記電子部品に熱結合される板状部と、該板状部の前記電子部品に対向する側の面に形成されたフット部とを備え、
前記フット部が、前記板状部の周縁から内側の部分の、前記電子部品の実装エリアに対応する部分の周囲の箇所に、リング状に形成されており、
前記板状部において、前記フット部の形成位置から外側の部分の、少なくとも前記フット部が形成されている側の面に、多数の突起部分が設けられていることを特徴とする放熱部品。
【請求項２】
前記突起部分は、カーボンナノチューブからなることを特徴とする請求項１に記載の放熱部品。
【請求項３】
配線基板に実装された電子部品との間に熱インタフェース材を介して接合される放熱部品であって、
前記熱インタフェース材を介して前記電子部品に熱結合される板状部と、該板状部の前記電子部品に対向する側の面に形成されたフット部とを備え、
前記フット部が、前記板状部の周縁から内側の部分の、前記電子部品の実装エリアに対応する部分の周囲の箇所に、リング状に形成されており、
前記板状部において、前記フット部の形成位置から外側の部分に、該板状部を厚さ方向に貫通する多数の孔が設けられていることを特徴とする放熱部品。
【請求項４】
配線基板に実装された電子部品が、請求項１から３のいずれか一項に記載の放熱部品によって封止された構造を有し、さらに、前記板状部において前記電子部品に対向する側と反対側の面に更なる放熱部品が搭載されていることを特徴とする電子部品装置。
【請求項５】
前記更なる放熱部品は、前記板状部において前記フット部の形成位置から内側の部分に搭載され、該フット部の形成位置から外側の部分の両面に前記突起部分がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、配線基板に実装された電子部品との間に熱インタフェース材を介して接合される放熱部品であって、前記熱インタフェース材を介して前記電子部品に熱結合される板状部と、該板状部の前記電子部品に対向する側の面に形成されたフット部とを備え、前記フット部が、前記板状部の周縁から内側の部分の、前記電子部品の実装エリアに対応する部分の周囲の箇所に、リング状に形成されており、前記板状部において、前記フット部の形成位置から外側の部分の、少なくとも前記フット部が形成されている側の面に、多数の突起部分が設けられている放熱部品が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の他の形態によれば、配線基板に実装された電子部品が、上記の形態に係る放熱部品によって封止された構造を有し、さらに、前記板状部において前記電子部品に対向する側と反対側の面に更なる放熱部品が搭載されている電子部品装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナーを収容する収容器であって、収容されたトナーを排出するための排出口が形成される収容器と、
前記収容器内に設けられ、搬送軸と搬送羽根とを含む搬送部材であって、前記搬送軸の回転に伴う前記搬送羽根の回転運動によって、前記排出口に向けて前記収容器内のトナーを搬送する搬送部材と、
前記搬送軸に固定され、前記収容器の内壁から離間して設けられる開閉部材であって、前記搬送軸の回転に連動して、前記排出口の少なくとも一部を開閉する開閉部材とを備え、
前記開閉部材は、
前記搬送部材によるトナーの搬送方向に垂直な扇台形状の平面を有する扇台形部であって、内周部が前記搬送軸に固定され、弦の長さが前記排出口の前記搬送方向に垂直な開口幅以上の長さである扇台形部と、
前記扇台形部よりも前記搬送方向下流、かつ、前記排出口よりも鉛直方向上方の位置において、トナーの前記排出口への落下を抑止する落下抑止部とを含み、
前記搬送軸の回転方向における前記排出口の下流端の鉛直方向上方に、前記扇台形部の前記回転方向下流端が位置した時点から、前記回転方向における前記排出口の上流端の鉛直方向上方に、前記扇台形部の前記回転方向上流端が位置した時点までの期間に、前記排出口の少なくとも一部が閉鎖状態となることを特徴とするトナーカートリッジ。
【請求項２】
前記開閉部材の前記搬送方向下流側に設けられる円環状の逆流抑止壁であって、前記排出口の前記搬送方向下流の位置において、前記搬送方向とは逆方向にトナーが移動して前記排出口に向かうことを抑止する逆流抑止壁をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のトナーカートリッジ。
【請求項３】
前記排出口の前記搬送方向に垂直な開口幅は、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のトナーカートリッジ。
【請求項４】
前記扇台形部は、前記搬送方向における前記排出口の上流端から、前記搬送方向に２ｍｍ以上４ｍｍ以下の位置に設けられることを特徴とする請求項２または３に記載のトナーカートリッジ。
【請求項５】
現像装置を備える電子写真方式の画像形成装置において、
前記現像装置にトナーを供給するトナーカートリッジとして、請求項１〜４のいずれか１つに記載のトナーカートリッジを備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、トナーを収容する収容器であって、収容されたトナーを排出するための排出口が形成される収容器と、
前記収容器内に設けられ、搬送軸と搬送羽根とを含む搬送部材であって、前記搬送軸の回転に伴う前記搬送羽根の回転運動によって、前記排出口に向けて前記収容器内のトナーを搬送する搬送部材と、
前記搬送軸に固定され、前記収容器の内壁から離間して設けられる開閉部材であって、前記搬送軸の回転に連動して、前記排出口の少なくとも一部を開閉する開閉部材とを備え、
前記開閉部材は、
前記搬送部材によるトナーの搬送方向に垂直な扇台形状の平面を有する扇台形部であって、内周部が前記搬送軸に固定され、弦の長さが前記排出口の前記搬送方向に垂直な開口幅以上の長さである扇台形部と、
前記扇台形部よりも前記搬送方向下流、かつ、前記排出口よりも鉛直方向上方の位置において、トナーの前記排出口への落下を抑止する落下抑止部とを含み、
前記搬送軸の回転方向における前記排出口の下流端の鉛直方向上方に、前記扇台形部の前記回転方向下流端が位置した時点から、前記回転方向における前記排出口の上流端の鉛直方向上方に、前記扇台形部の前記回転方向上流端が位置した時点までの期間に、前記排出口の少なくとも一部が閉鎖状態となることを特徴とするトナーカートリッジである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、扇台形部と落下抑止部とを含む開閉部材によって排出口の開閉動作を行うので、トナーカートリッジの構成を簡素化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月4日(2012.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、上記溶存ガス情報において、超音波の出力が大きい程、所定溶存窒素濃度に対応する溶存酸素濃度の増加量が大きいので、超音波出力を大きくすれば、より高濃度の溶存窒素濃度を算出することができ、且つより精度良く測定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
制御部４７は、モニタリング手段４０の各機能部を総括的に制御すると共に、記憶部４６に記憶されたプログラムを読み出して後述する溶存窒素濃度算出処理（図７）を実行する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図３に示すように、初期溶存酸素濃度Ｄ０が約０．２５ｐｐｍである超純水に超音波を照射すると、溶存酸素濃度は約０．８ｐｐｍまで上昇する。このとき、モニタリング手段４０により測定された溶存酸素濃度ＤＯ２から超音波照射前の初期溶存酸素濃度Ｄ０を差し引いた値、すなわち溶存酸素濃度の増加量ΔＤＯ２（＝ＤＯ２−Ｄ０）は０．５５ｐｐｍである。その後、超音波照射を停止すると、超純水の溶存酸素濃度は初期溶存酸素濃度まで低下する。この現象から、超純水中の溶存酸素濃度は超音波照射によって増大することが分かる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図７において、先ず、超音波を洗浄槽２０に照射していない段階で、洗浄槽２０から所定量の混合超純水を抽出する（ステップＳ７１）。そして、溶存酸素濃度計４３を用いて超音波照射前の初期溶存酸素濃度Ｄ０を測定する（ステップＳ７２）。次に、所定出力の超音波を洗浄槽２０に照射している状態で、洗浄槽２０から所定量の混合超純水を抽出し（ステップＳ７３）、超音波照射時の溶存酸素濃度ＤＯ２を溶存酸素濃度計４３で測定する（ステップＳ７４）。そして、測定された溶存酸素濃度ＤＯ２から初期溶存酸素濃度Ｄ０を差し引いて溶存酸素濃度の増加量ΔＤＯ２を算出する（ステップＳ７５）。次いで、所定のオーバーフロー量或いは超音波の所定出力に適合する近似式を記憶部４６から読み出し（ステップＳ７６）、記憶部４６から読み出された近似式を用いて、ステップＳ７５で測定された溶存酸素濃度の増加量ΔＤＯ２から混合超純水の溶存窒素濃度ＤＮ２を算出する（ステップＳ７７）。その後、本溶存窒素濃度算出処理を終了する。