Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月23日(2012.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録信号に相応する記録電流をハードディスクドライブの磁気ヘッドに印加する第１ステップと、
前記記録電流が所定の臨界値に到達すれば、前記磁気ヘッドに印加する電流を前記臨界値に制限する第２ステップと、を含み、
前記臨界値は、高周波での記録時に前記磁気ヘッドに実際に印加された最大記録電流に該当することを特徴とするハードディスクドライブの記録密度向上方法。
【請求項２】
前記第２ステップは、前記磁気ヘッドとプリアンプとの間に配置されたクランピング回路によって行われることを特徴とする請求項１に記載のハードディスクドライブの記録密度向上方法。
【請求項３】
記録信号に相応する記録電流をハードディスクドライブの磁気ヘッドに印加する第１ステップと、
記録周波数の大きさを判断する第２ステップと、
前記記録周波数による臨界値で構成されたルックアップテーブルを照会して臨界値を定める第３ステップと、
前記記録電流が前記臨界値になれば、前記磁気ヘッドに印加する電流値を前記臨界値に制限する第４ステップと、を含むことを特徴とするハードディスクドライブの記録密度向上方法。
【請求項４】
前記ルックアップテーブルは、該当ハードディスクドライブの磁気ヘッド及び記録媒体の特性によって個別的に設定されることを特徴とする請求項３に記載のハードディスクドライブの記録密度向上方法。
【請求項５】
前記臨界値は、前記記録周波数の増加に従って増加することを特徴とする請求項３に記載のハードディスクドライブの記録密度向上方法。
【請求項６】
前記第４ステップは、前記磁気ヘッドとプリアンプとの間に配置されたクランピング回路によって行われることを特徴とする請求項３に記載のハードディスクドライブの記録密度向上方法。
【請求項７】
前記第２ステップは、データ“０”の連続した数を把握するステップであることを特徴とする請求項３に記載のハードディスクドライブの記録密度向上方法。
【請求項８】
記録信号に相応する記録電流をハードディスクドライブの磁気ヘッドのコイルに印加するプリアンプと、
前記記録電流が所定の臨界値に到達すれば、前記記録電流を前記臨界値に制限するクランピング回路と、を備え、
前記臨界値は、高周波での記録時に前記磁気ヘッドに実際に印加された最大記録電流に該当することを特徴とするハードディスクドライブの制御装置。
【請求項９】
前記プリアンプからの第１入力信号と、前記クランピング回路からの第２入力信号とのうち一つの信号を出力するマルチプレクサをさらに備え、
前記マルチプレクサは、臨界周波数より高い記録周波数において前記第１入力信号を選択し、他の周波数において前記第２入力信号を選択して、その選択された信号を前記磁気ヘッドに出力することを特徴とする請求項８に記載のハードディスクドライブの制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月18日(2012.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を有するトランジスタと、
マトリックス配線部を構成する、走査電極線、信号電極線、及び第１の絶縁層とを有し、
前記活性層は、少なくとも一部が非晶質であるＩｎとＺｎとを含む酸化物からなり、
前記第１の絶縁層は水素を含有し、
前記活性層と前記第１の絶縁層との間に含有水素量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満である第２の絶縁層を有し、
前記第一の絶縁層の含有水素量よりも、前記第２の絶縁層の含有水素量が少ないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記トランジスタは、前記活性層に接するソース電極及びドレイン電極を有し、
前記活性層のうち前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接する部分以外の部分を覆う第３の絶縁層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第３の絶縁層は、水素含有量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記マトリックス配線部と前記トランジスタとは、直列状又は並列状に配置され、
前記第１の絶縁層と前記活性層とは、前記第２の絶縁層を介して接していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
更に、発光層と、
前記発光層を挟む一対の電極とを有し、
前記一対の電極の一方が前記トランジスタに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜はゲート絶縁膜として機能することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び窒化酸化シリコンから選ばれる少なくとも１つを含み、
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン、及び窒化シリコンから選ばれる少なくとも１つを含むこと特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
走査電極線、第１の絶縁層、及び信号電極線を有するマトリックス配線部を形成する工程と、
少なくとも一部が非晶質であるＩｎとＺｎとを含む酸化物からなる活性層を有するトランジスタを形成する工程と、
前記第１の絶縁層と前記活性層の間に、含有水素量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満の第２の絶縁層を形成する工程とを有し、
前記第一絶縁層は水素を含有し、
前記第一の絶縁層の含有水素量よりも、前記第２の絶縁層の含有水素量が少ないことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記トランジスタを形成する工程は、前記マトリックス配線部を形成した後に前記トランジスタを形成する工程であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
更に、発光層、及び前記発光層を挟む一対の電極を形成する工程とを有することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記トランジスタを形成する工程は、前記マトリックス配線部と、前記一対の電極のうちの一方とを形成した後に前記トランジスタを形成する工程であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記トランジスタは、前記活性層に接するソース電極及びドレイン電極を有し、
前記第２の絶縁層を形成する工程の後に、前記活性層のうち前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接する部分以外を覆うように第３の絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第３の絶縁層は、水素含有量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満であることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の絶縁層の作成工程は、前記トランジスタの作成工程に含まれることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の絶縁層は、スパッタ法により形成されることを特徴とする請求項８乃至１４いずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び窒化酸化シリコンから選ばれる少なくとも１つを含み、
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン、及び窒化シリコンから選ばれる少なくとも１つを含むこと特徴とする請求項８乃至１５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係る表示装置は、活性層を有するトランジスタと、マトリックス配線部を構成する、走査電極線、信号電極線、及び第１の絶縁層とを有し、前記活性層は、少なくとも一部が非晶質であるＩｎとＺｎとを含む酸化物からなり、前記活性層と前記第１の絶縁層との間に含有水素量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満である第２の絶縁層を有し、前記第一の絶縁層の含有水素量よりも、前記第２の絶縁層の含有水素量が少ないことを特徴とする。また、前記表示装置において、更に、発光層と、前記発光層を挟む一対の電極とを有し、前記一対の電極の一方が前記トランジスタに電気的に接続されていることも特徴の一つとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明に係る表示装置の製造方法は、走査電極線、第１の絶縁層、及び信号電極線を有するマトリックス配線部を形成する工程と、少なくとも一部が非晶質であるＩｎとＺｎとを含む酸化物からなる活性層を有するトランジスタを形成する工程と、前記第１の絶縁層と前記活性層の間に、含有水素量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満の第２の絶縁層を形成する工程とを有し、前記第一絶縁層は水素を含有し、前記第一の絶縁層の含有水素量よりも、前記第２の絶縁層の含有水素量が少ないことを特徴とする。また、前記表示装置の製造方法は、更に、発光層、及び前記発光層を挟む一対の電極を形成する工程を含むことも特徴の一つとする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月14日(2011.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
商品や役務の取引に際して顧客から商品提供者又は役務提供者に対して支払われる代金額に応じたポイント数の価値ポイントを、その顧客に対して発行するポイント発行手段と、
そのポイント発行手段により発行された価値ポイントをその顧客のために蓄積するポイント口座が各顧客毎に開設され、その複数のポイント口座を管理するポイントバンク手段とを備えている価値ポイント運用システムであって、
複数種類の抽選コースの各々について１又は２以上の抽選グループを設定し、その各抽選グループ毎に顧客の抽選申込を募集し、応募口数が抽選成立口数になった当該抽選グループについての募集を締切り、募集が締切られた抽選グループについて抽選を実行し、その抽選グループの中から当選者を抽出するポイント抽選手段と、
そのポイント抽選手段に対して顧客から抽選申込がなされた場合、その顧客の応募内容に応じたポイント数の価値ポイントを、前記ポイントバンク手段により管理される当該顧客のポイント口座に蓄積される価値ポイント（以下「蓄積ポイント」という。）から減算して回収するポイント回収手段と、
そのポイント回収手段によって顧客のポイント口座から回収した価値ポイントを用いて、個々の抽選コースについて、その抽選コースに属し且つ抽選が実行された抽選グループの当選者に対し、その抽選グループが属する抽選コースの当選ポイント数を、その当選者のポイント口座の価値ポイントに加算することで、当選ポイントを付与する当選ポイント付与手段と、
その当選ポイント付与手段により付与される当選ポイントを含めた価値ポイントについて前記ポイントバンク手段に対して顧客からの交換要求があった場合に、その顧客から交換要求がなされたポイント（以下「交換要求ポイント」という。）数を当該顧客のポイント口座の蓄積ポイントから減算し、その交換要求ポイント数に応じた価値を有する対価物に換算するポイント換算手段とを備えていることを特徴とする価値ポイント運用システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この目的を達成するために、請求項１の価値ポイント運用システムは、商品や役務の取引に際して顧客から商品提供者又は役務提供者に対して支払われる代金額に応じたポイント数の価値ポイントを、その顧客に対して発行するポイント発行手段と、そのポイント発行手段により発行された価値ポイントをその顧客のために蓄積するポイント口座が各顧客毎に開設され、その複数のポイント口座を管理するポイントバンク手段とを備えているものであって、複数種類の抽選コースの各々について１又は２以上の抽選グループを設定し、その各抽選グループ毎に顧客の抽選申込を募集し、応募口数が抽選成立口数になった当該抽選グループについての募集を締切り、募集が締切られた抽選グループについて抽選を実行し、その抽選グループの中から当選者を抽出するポイント抽選手段と、そのポイント抽選手段に対して顧客から抽選申込がなされた場合、その顧客の応募内容に応じたポイント数の価値ポイントを、前記ポイントバンク手段により管理される当該顧客のポイント口座に蓄積される価値ポイント（以下「蓄積ポイント」という。）から減算して回収するポイント回収手段と、そのポイント回収手段によって顧客のポイント口座から回収した価値ポイントを用いて、個々の抽選コースについて、その抽選コースに属し且つ抽選が実行された抽選グループの当選者に対し、その抽選グループが属する抽選コースの当選ポイント数を、その当選者のポイント口座の価値ポイントに加算することで、当選ポイントを付与する当選ポイント付与手段と、その当選ポイント付与手段により付与される当選ポイントを含めた価値ポイントについて前記ポイントバンク手段に対して顧客からの交換要求があった場合に、その顧客から交換要求がなされたポイント（以下「交換要求ポイント」という。）数を当該顧客のポイント口座の蓄積ポイントから減算し、その交換要求ポイント数に応じた価値を有する対価物に換算するポイント換算手段とを備えている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
特に、ウエーブが最初に樹状突起へ入ると、その樹状突起は、末梢樹状突起の様相を呈
する。その基部重みとトレース値の両方が与えられると、樹状突起は、そのトレースによ
って引き起こされる追加が現在の重みへ追加されるか又は次のべきへキャリーされるかに
ついて決定しなければならない。その決定の論理は、２値コーディングにおける場合と非
常に似ている。すなわち、連合が存在しない場合、その重みはそれが存在するように設定
される。連合が存在すると、古く且つ新しい連合が二つの同一のものとして占め、且つより高いべきへ向けて左シフトされるべきである。下記のように、ダブルマッチ／フィルタは、次のべきへキャリーされるべき、現在既知の連合のこのような「ダブル化」を検出する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レシートプリンタと、固定スキャナと、マルチリーダとを有する本体と、該本体の上部に設けられた表示部とを備えたセルフＰＯＳシステムであって、
前記本体の最下部に前記レシートプリンタを収容し、前記レシートプリンタ収容部の上部に前記固定スキャナを収容し、前記固定スキャナ収容部の上部に前記マルチリーダを収容するようにしたこと
を特徴とするセルフＰＯＳシステム。 
【請求項２】
前記本体の下部には、着脱自在な台座を設け、該台座には、前記固定スキャナからスキャンされる照射スキャンエリアと、該照射スキャンエリアの左右にスキャン前、スキャン済の商品を別々に置けるスペースを確保したこと
を特徴とする請求項１に記載のセルフＰＯＳシステム。
【請求項３】
前記レシートプリンタは、レシート用紙交換時に前記照射スキャンエリア側に引き出して用紙の交換が可能であるように収容されていること
を特徴とする請求項２に記載のセルフＰＯＳシステム。 
【請求項４】
前記固定スキャナからのレーザ光を前記台座上面に対して斜めに照射するようにしたことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のセルフＰＯＳシステム。
【請求項５】
前記マルチリーダは、本体の基端部に対して上面を傾斜させて形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１に記載のセルフＰＯＳシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によるセルフＰＯＳシステムは、レシートプリンタと、固定スキャナと、マルチリーダとを有する本体と、該本体の上部に設けられた表示部とを備えたセルフＰＯＳシステムであって、前記本体の最下部に前記レシートプリンタを収容し、前記レシートプリンタ収容部の上部に前記固定スキャナを収容し、前記固定スキャナ収容部の上部に前記マルチリーダを収容するようにしたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によるセルフＰＯＳシステムのレシートプリンタは、前記固定スキャナの下部に設けられることによってレシート用紙交換時に前記照射スキャンエリア側に引き出して用紙の交換を可能としたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によるセルフＰＯＳシステムは、前記固定スキャナからのレーザ光を前記台座上面に対して斜めに照射するようにしたことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によるセルフＰＯＳシステムの前記マルチリーダは、本体の基端部に対して上面を傾斜させて形成したことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１及び図２に示すように、セルフＰＯＳシステム１は、全体が横長矩形形状で薄板状の板金板などで構成された台座２と、この台座２の正面中央後方に着脱自在に搭載された本体（胴体）３と、この本体３の上方に回動可能（前後方向に傾斜可能なものも含む）に設けられた表示部４と、磁気カードリーダ５とを備えている。ここで、セルフＰＯＳシステム１でいう「システム（ｓｙｓｔｅｍ）」は、複数の要素が有機的に関係しあい、全体としてまとまった機能を発揮している要素の集合体としての意味で使用している。従って、セルフＰＯＳシステムは、前記台座２、本体（胴体）３、表示部４、磁気カードリーダ５の集合体としてのものである。また、本体（胴体）３は、以下本体としても用いる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010015532.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月16日(2012.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長プロセスを表すデータ内のステップ型不連続部を自動的に除去する方法であって、
−成長プロセスを表すデータセットを受信する段階、ここで、前記データセットは、複数のデータポイントを含み、それぞれのデータポイントは、座標値のペアを具備する、
−非線形回帰プロセスを第１非線形関数に適用して前記第１関数のパラメータを決定することにより、前記データセットにフィットする曲線の第１近似を算出する段階、ここで、前記パラメータは、ステップ型不連続部パラメータを含む、
−第２回帰プロセスを第２非線形関数に適用して前記第２関数のパラメータを決定することにより、前記データセットにフィットする曲線の第２近似を算出する段階、ここで、前記第２関数の前記パラメータは、ステップ型不連続部パラメータを含む、
−前記第１及び第２近似のそれぞれのものの情報係数を決定する段階、
−前記情報係数に基づいて前記近似の中の１つものを選択する段階、
−前記選択された近似の前記ステップ型不連続部パラメータの信頼区間を決定する段階、
−前記信頼区間が値ゼロを含まない場合に、ゼロに設定された対応する前記ステップ型不連続部パラメータを有する前記選択された近似によって前記データセットの一部を置換する段階、
を含んで成る方法。
【請求項２】
前記第１非線形回帰プロセスは、Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ−Ｍａｒｑｕａｒｄｔ（ＬＭ）回帰プロセスであり、且つ、前記第１非線形関数は、ダブルシグモイド関数である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ダブルシグモイド関数は、次の形態を有し、
【数１】
2010015546.tif 000001
式中、ＵｎｉｔＳｔｅｐは、次の形態を有し、
【数２】
2010015546.tif 000002
ここで、第１近似を算出する段階は、前記関数の前記パラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、及びｈの中の１つ又は複数のものを反復的に決定する段階を含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第２非線形関数は、次の形態を有し、
【数３】
2010015546.tif 000003
式中、ＵｎｉｔＳｔｅｐは、次の形態を有し、
【数４】
2010015546.tif 000004
式中、ｘは、サイクル数であり、ｃａｃは、前記不連続部が発生したサイクルであり、ａ、ｂ、及びｈは、前記パラメータであり、且つ、ｈは、前記ステップ型不連続部パラメータである請求項１記載の方法。
【請求項５】
置換された前記データセットの前記部分は、第１データポイントから始まって前記ステップ型不連続部が発生したデータポイントを含むものまでの前記データセットの部分を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記選択段階の後に、
−前記選択された近似のフィットの適合度値を算出し、且つ、前記フィットの適合度値が閾値を上回る場合にのみ、継続する段階、
を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
プロセッサを制御し、成長曲線を表すデータセット内のステップ型不連続部を自動的に除去するコードを含むコンピュータ可読媒体であって、
前記コードは、
−成長プロセスを表すデータセットを受信する段階、ここで、前記データセットは、複数のデータポイントを含み、それぞれのデータポイントは、座標値のペアを具備する、
−非線形回帰プロセスを第１非線形関数に適用して前記第１関数のパラメータを決定することにより、前記データセットにフィットする曲線の第１近似を算出する段階、ここで、前記パラメータは、ステップ型不連続部パラメータを含む、
−第２回帰プロセスを第２非線形関数に適用して前記第２関数のパラメータを決定することにより、前記データセットにフィットする曲線の第２近似を算出する段階、ここで、前記第２関数の前記パラメータは、ステップ型不連続部パラメータを含む、
−前記第１及び第２近似のそれぞれのものの情報係数を決定する段階、
−前記情報係数に基づいて前記近似の中の１つものを選択する段階、
−前記選択された近似の前記ステップ型不連続部パラメータの信頼区間を決定する段階、
−前記信頼区間が値ゼロを含まない場合に、ゼロに設定された対応する前記ステップ型不連続部パラメータを有する前記選択された近似によって前記データセットの一部を置換する段階、
を実行するための命令を含む、コンピュータ可読媒体。
【請求項８】
前記第１非線形回帰プロセスは、Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ−Ｍａｒｑｕａｒｄｔ（ＬＭ）回帰プロセスであり、且つ、前記第１非線形関数は、ダブルシグモイド関数である請求項７記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項９】
前記ダブルシグモイド関数は、次の形態を有し、
【数５】
2010015546.tif 000005
式中、ＵｎｉｔＳｔｅｐは、次の形態を有し、
【数６】
2010015546.tif 000006
ここで、第１近似を算出する段階は、前記関数の前記パラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、及びｈの中の１つ又は複数のものを反復的に決定する段階を含む請求項８記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
−キネティックＰＣＲ増幅曲線を表すＰＣＲデータセットを生成するキネティックＰＣＲ分析モジュールであって、前記データセットは、複数のデータポイントを含み、それぞれのデータポイントは、座標値のペアを具備する、キネティックＰＣＲ分析モジュールと、
−インテリジェンスモジュールと、
を有し、
前記インテリジェンスモジュールは、
−非線形回帰プロセスを第１非線形関数に適用して前記第１関数のパラメータを決定することにより、前記データセットにフィットする曲線の第１近似を算出する段階、ここで、前記パラメータは、ステップ型不連続部パラメータを含む、
−第２回帰プロセスを第２非線形関数に適用して前記第２関数のパラメータを決定することにより、前記データセットにフィットする曲線の第２近似を算出する段階、ここで、前記第２関数の前記パラメータは、ステップ型不連続部パラメータを含む、
−前記第１及び第２近似のそれぞれのものの情報係数を決定する段階、
−前記情報係数に基づいて前記近似の中の１つものを選択する段階、
−前記選択された近似の前記ステップ型不連続部パラメータの信頼区間を決定する段階、
−前記信頼区間が値ゼロを含まない場合に、ゼロに設定された対応する前記ステップ型不連続部パラメータを有する前記選択された近似によって前記データセットの一部を置換する段階、
により、前記ＰＣＲデータセットを処理し、前記データセット内のステップ型不連続部を自動的に除去するべく適合されている、キネティックポリメラーゼ連鎖反応（ＰＣＲ）システム。
【請求項１１】
前記第１非線形回帰プロセスは、Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ−Ｍａｒｑｕａｒｄｔ（ＬＭ）回帰プロセスであり、且つ、前記第１非線形関数は、ダブルシグモイド関数である請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記ダブルシグモイド関数は、次の形態を有し、
【数７】
2010015546.tif 000007
式中、ＵｎｉｔＳｔｅｐは、次の形態を有し、
【数８】
2010015546.tif 000008
ここで、第１近似を算出する段階は、前記関数の前記パラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、及びｈの中の１つ又は複数のものを反復的に決定する段階を含む請求項１１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層の側面及び上面を覆うように、前記剥離層上及び前記素子形成層上に第１の有機樹脂層を形成し、
前記第１の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第１のペーストを、前記第１の有機樹脂層の上面である第１の面上であって少なくとも前記素子形成層と重ならない領域に設け、
前記第１のペーストを前記第１の有機樹脂層内に浸透させ、
前記第１の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面から、該第１の面と反対側の前記第１の有機樹脂層の第２の面に達する第１の導電体を形成し、
前記第１の導電体と電気的に接続し且つ前記素子形成層と重なるように、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面上に第１の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層の側面及び上面を覆うように、前記剥離層上及び前記素子形成層上に第１の有機樹脂層を形成し、
前記第１の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第１のペーストを、前記第１の有機樹脂層の上面である第１の面上であって少なくとも前記素子形成層と重ならない領域に設け、
前記第１のペーストを前記第１の有機樹脂層内に浸透させ、
前記第１の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面から、該第１の面と反対側の前記第１の有機樹脂層の第２の面に達する第１の導電体を形成し、
前記第１の導電体と電気的に接続し且つ前記素子形成層と重なるように、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面上に第１の導電膜を形成し、
前記剥離層において、前記基板から、前記素子形成層、前記第１の有機樹脂層、前記第１の導電体及び前記第１の導電膜を剥離し、
前記素子形成層、前記第１の有機樹脂層及び前記第１の導電体の剥離した側の面に、第２の有機樹脂層を形成し、
前記第２の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第２のペーストを、前記第２の有機樹脂層の上面である第１の面上であって前記第１の導電体と重なる領域に設け、
前記第２のペーストを前記第２の有機樹脂層内に浸透させ、
前記第２の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第２の有機樹脂層の前記第１の面から、該第１の面と反対側の前記第２の有機樹脂層の第２の面に達し、且つ前記第１の導電体と電気的に接続する第２の導電体を形成し、
前記第２の導電体と電気的に接続し且つ前記素子形成層と重なるように前記第２の有機樹脂層の前記第１の面上に第２の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の保護膜を形成し、
前記第１の保護膜上に半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層の側面及び上面を覆うように、前記第１の保護膜上及び前記素子形成層上に第２の保護膜を形成し、
前記第２の保護膜上面を覆うように第１の有機樹脂層を形成し、
前記第１の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第１のペーストを、前記第１の有機樹脂層の上面である第１の面上に設け、
前記第１のペーストを前記第１の有機樹脂層内に浸透させ、
前記第１の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面から、前記第１の面と反対側の前記第１の有機樹脂層の第２の面に達する第１の導電体を形成し、
前記剥離層において、前記基板から、前記第１の保護膜、前記素子形成層、前記第２の保護膜、前記第１の有機樹脂層及び前記第１の導電体を剥離し、
前記第１の保護膜及び前記第２の保護膜を選択的に除去することにより、前記第１の有機樹脂層の前記第２の面において第１の導電体を露出させ、
前記第１の保護膜の剥離した側の面及び前記露出した第１の導電体の面に、第２の有機樹脂層を形成し、
前記第２の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第２のペーストを、前記第２の有機樹脂層の上面である第１の面上に設け、
前記第２のペーストを前記第２の有機樹脂層内に浸透させ、
前記第２の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第２の有機樹脂層の前記第１の面から、該第１の面と反対側の前記第２の有機樹脂層の第２の面に達し、且つ前記第１の導電体と電気的に接続する第２の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の有機樹脂層の前記第１の面上に、前記第１のペーストを網目状に形成し、
前記第２の有機樹脂層の前記第１の面上に、前記第２のペーストを網目状に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の有機樹脂層又は前記第２の有機樹脂層の少なくとも一方に代えて、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記有機樹脂としてエポキシ樹脂を用い、
前記第１のペースト及び前記第２のペーストとして銀ペーストを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層と、
前記素子形成層を囲む有機樹脂層と、
前記有機樹脂層の第１の面に設けられた第１の導電膜と、
前記有機樹脂層の第１の面とは反対側の第２の面に設けられた第２の導電膜と、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続し、前記有機樹脂層内に設けられた導電体とを有し、
前記有機樹脂層は繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有し、
前記導電体は、前記繊維体の隙間を介して前記有機樹脂層内に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記導電体が銀であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される銀とコバルトとニッケルとの複合酸化物を含む正極合剤と、
亜鉛または亜鉛合金粉末を含む負極合剤とが配され、
上記正極合剤は、さらに酸化銀および二酸化マンガンのうちの少なくとも何れかを含むアルカリ電池。
式（１）：ＡｇxＣｏyＮｉzＯ2
（式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝２、ｘ≦１．１０、ｙ＞０である。）
【請求項２】
上記正極合剤が内部に配される正極缶と、
該正極缶の開口端を封止する負極カップと
を備えた請求項１記載のボタン形アルカリ電池。
【請求項３】
上記式（１）で表される銀とコバルトとニッケルとの複合酸化物において、ｙ≧０．０１である請求項２記載のボタン形アルカリ電池。
【請求項４】
上記正極合剤は、上記銀とコバルトとニッケルとの複合酸化物を１．５重量％〜６０重量％含む請求項２記載のボタン形アルカリ電池。
【請求項５】
上記亜鉛または亜鉛合金粉末は、水銀を含まない亜鉛または亜鉛合金粉末である請求項２記載のボタン形アルカリ電池。
【請求項６】
上記負極カップは、開口端縁が断面Ｕ字状に折り返されて折り返し部を形成し、
上記負極カップの内面の上記折り返し部の折り返し底部および外周折り返し部を除いた領域に、銅より水素過電圧の高い金属からなる被覆層が設けられた
請求項５記載のボタン形アルカリ電池。
【請求項７】
上記被覆層は、スズからなる請求項６記載のボタン形アルカリ電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決するために、この発明は、
式（１）で表される銀とコバルトとニッケルとの複合酸化物を含む正極合剤と、
亜鉛または亜鉛合金粉末を含む負極合剤とが配され、
正極合剤は、さらに酸化銀および二酸化マンガンのうちの少なくとも何れかを含むアルカリ電池である。
式（１）：ＡｇxＣｏyＮｉzＯ2
（式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝２、ｘ≦１．１０、ｙ＞０である。）
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の一方の面に光吸収層を形成し、
前記光吸収層と接して開口部を有する反射層を形成し、
前記光吸収層および前記反射層と接して材料層を形成し、
前記第１の基板の一方の面側から、第１の光を照射して、
前記材料層の一部で前記反射層の開口部と重なる部分を除去し、
前記第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から、第２の光を照射して、
前記反射層と重なる位置にある前記材料層を前記第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板の一方の面に光吸収層を形成し、
前記光吸収層と接して開口部を有する反射層を形成し、
前記光吸収層および前記反射層と接して材料層を形成し、
前記第１の基板の一方の面側から、第１の光を照射して、
前記材料層の一部で前記反射層の開口部と重なる部分を除去し、
前記第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板を加熱し、前記反射層と重なる位置にある前記材料層を前記第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板の一方の面に光吸収層を形成し、
前記光吸収層と接して開口部を有する反射層を形成し、
前記光吸収層および前記反射層と接して材料層を形成し、
前記第１の基板の一方の面側から、光強度がＡ1（Ｗ／ｃｍ2）で、照射時間Ｂ1（ｓ）のとき、下記一般式（１）
１／Ａ11.5≦Ｂ1≦１０6／Ａ11.5  かつ  Ｂ1≦１０-3（ｓ）  （１）
より好ましくは、下記一般式（２）
１０／Ａ11.5≦Ｂ1≦１０5／Ａ11.5  かつ  Ｂ1≦１０-3（ｓ）  （２）
の範囲にある第１の光を照射して、
前記材料層の一部で前記反射層の開口部と重なる部分を除去し、
前記第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から、光強度がＡ2（Ｗ／ｃｍ2）で、照射時間Ｂ2（ｓ）のとき、下記一般式（３）
１／Ａ21.5≦Ｂ2≦１０6／Ａ21.5  かつ  Ｂ2≧１０-4（ｓ）  （３）
より好ましくは、下記一般式（４）
１０／Ａ21.5≦Ｂ2≦１０5／Ａ21.5 かつ  Ｂ2≧１０-4（ｓ）  （４）
の範囲にある第２の光を照射して、
前記反射層と重なる位置にある前記材料層を前記第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板の一方の面に光吸収層を形成し、
前記光吸収層と接して開口部を有する反射層を形成し、
前記光吸収層および前記反射層と接して材料層を形成し、
前記第１の基板の一方の面側から、光強度がＡ1（Ｗ／ｃｍ2）で、照射時間Ｂ1（ｓ）のとき、下記一般式（１）
１／Ａ11.5≦Ｂ1≦１０6／Ａ11.5  かつ  Ｂ1≦１０-3（ｓ）  （１）
より好ましくは、下記一般式（２）
１０／Ａ11.5≦Ｂ1≦１０5／Ａ11.5  かつ  Ｂ1≦１０-3（ｓ）  （２）
の範囲にある第１の光を照射して、
前記材料層の一部で前記反射層の開口部と重なる部分を除去し、
前記第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板を加熱し、前記反射層と重なる位置にある前記材料層を前記第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の光は、レーザ光であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の光は、波長４５０ｎｍ以上の光であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、窒化チタン、窒化クロム、窒化マンガン、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記材料層は、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀、ニッケル、コバルトを成分として持ち、銀、ニッケル、コバルトおよび酸素の合計に占める銀、ニッケル、コバルトの合計が７５〜９０質量％である組成を有し、Ｘ線回折パターンにおいてＡｇＮｉＯ2結晶に対応する回折ピークを有する酸化物からなる電池用正極活物質。
【請求項２】
前記酸化物は、銀、ニッケル、コバルト、酸素の割合が組成式ＡｇxＮｉyＣｏzＯ2、ただし０.５≦ｘ／（ｙ＋ｚ）≦１.９、０＜ｚ／（ｙ＋ｚ）＜１で表されるものである請求項１に記載の電池用正極活物質。
【請求項３】
粉末粒子に吸着している炭酸成分の量がＣＯ2換算で２質量％以下である請求項１または２に記載の電池用正極活物質。
【請求項４】
当該活物質の粉末を大気中１６０℃で３時間乾燥させたときの乾燥減量が５％以下となる性質を有する請求項１〜３のいずれかに記載の電池用正極活物質。
【請求項５】
質量あたりの放電容量が１５０ｍＡｈ／ｇ以上である請求項１〜４のいずれかに記載の電池用正極活物質。
【請求項６】
銀塩（１価）、ニッケル塩、コバルト塩を、酸化剤およびアルカリ共存下の、銀の酸化を伴う環境の水溶液中で反応させることにより、銀、ニッケル、コバルトおよび酸素で構成される酸化物を合成する工程を有する請求項１〜５のいずれかに記載の電池用正極活物質の製造方法。
【請求項７】
水溶媒中において、当該液中に懸濁しているＡｇＯと、当該液中に溶解しているニッケル塩およびコバルト塩とを撹拌混合することにより、銀、ニッケル、コバルトおよび酸素で構成される酸化物を合成する工程を有する請求項１〜５のいずれかに記載の電池用正極活物質の製造方法。
【請求項８】
１価の銀塩が溶解してる水溶液中で、酸化剤とアルカリを作用させることによりＡｇＯを合成する工程、そのＡｇＯが懸濁している液と、ニッケル塩およびコバルト塩の水溶液とを撹拌混合することにより、銀、ニッケル、コバルトおよび酸素で構成される酸化物を合成する工程を有する請求項１〜５のいずれかに記載の電池用正極活物質の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記酸化物は、Ｘ線回折パターンにおいてＡｇＮｉＯ2結晶に対応する回折ピークを有する。「ＡｇＮｉＯ2結晶に対応する回折ピークを有する」とは、少なくともＡｇＮｉＯ2結晶のＸ線回折パターンにおける「最も回折強度の高いピーク（ＣｕＫα線で２θ＝３６.５°付近のピーク）」および「２番目に回折強度の高いピーク（ＣｕＫα線で２θ＝２９°付近のピーク）」に対応する回折ピークがそれぞれ観測され、ＡｇＮｉＯ2結晶と空間群が共通することに矛盾が生じないＸ線回折パターンを呈することをいう。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月6日(2012.9.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
スキューを補正する方法の第１実施形態が図３に示されている。図３は、第１および第２ドライバ１４、１５のそれぞれに提供される、第１および第２パルストレイン２２、２３を示す。第１パルストレイン２２は、一連のパルスからなる第１セクションＳ１Ａを含み、各パルスは関連する時間間隔Ｔ１Ａ後に直前のパルスに続き、これにより、図２に示される増加した速度Ｖｈｉｇｈに対応する、ほぼ一定の平均速度で第１ステッパモータ１１を駆動する。第２セクションは、第１セクションＳ１Ａの最後のパルスから間隔Ｔ２Ａで提供される１つのパルスだけを正確に含む。この間隔Ｔ２Ａは、第１セクションＳ１Ａのパルス間の時間間隔Ｔ１Ａと公称速度Ｖｎｏｍに対応する公称周波数の逆数である周期Ｔ３Ａの間の値である。間隔Ｔ２Ａに続くパルスは、その後に、公称周波数における第１の周期的な一連のパルスＳ２Ａの第１パルスが続く。この説明においては、時間間隔は対応するパルスエッジ間（例えば、図３における後縁）の間隔で示される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月12日(2012.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風力発電機タービンを落雷によるダメージから保護するための避雷装置において、
該避雷装置がチョーク部材（１０１）を有しており、
該チョーク部材が、前記風力発電機タービンのシャフト（１０３）を通る電流によって該チョーク部材（１０１）内に磁束が発生するように、前記シャフト（１０３）の周囲に取り付けられている
ことを特徴とする避雷装置。
【請求項２】
前記チョーク部材（１０１）によって前記シャフト（１０３）が落雷の電流に曝される高電位領域（Ｈ）と風力発電機タービンの保護すべきエレメント（１０５）へ接続された低電位領域（Ｌ）とへ分割されており、さらに前記シャフト（１０３）の前記高電位領域（Ｈ）からの電流の少なくとも一部を放電する分流部材（１０２）が設けられている、請求項１記載の避雷装置。
【請求項３】
スパークギャップ（１０７）を形成するために、前記分流部材（１０２）が前記シャフト（１０３）から離れて配置されている、請求項２記載の避雷装置。
【請求項４】
さらに、前記シャフト（１０３）と前記分流部材（１０２）とのあいだに電気的接続を形成するバッファ部材（１０４）が設けられている、請求項２または３記載の避雷装置。
【請求項５】
前記バッファ部材（１０４）は前記シャフト（１０３）に交換可能に設置されている、請求項４記載の避雷装置。
【請求項６】
前記分流部材（１０２）は前記シャフト（１０３）と前記分流部材（１０２）とのあいだに電気的接続を形成する金属先端部を有している、請求項２から５までのいずれか１項記載の避雷装置。
【請求項７】
前記チョーク部材（１０１）は導電コイル（２０１）を有しており、該導電コイル（２０１）は前記シャフト（１０３）を通る電流の少なくとも一部を自身（２０１）の内部へ導くように配置されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の避雷装置。
【請求項８】
前記チョーク部材（１０１）は複数の導電コイル（２０１）を有しており、各導電コイル（２０１）は相互に短絡されている、請求項７記載の避雷装置。
【請求項９】
前記チョーク部材（１０１）は透磁性材料を含む、請求項１から８までのいずれか１項記載の避雷装置。
【請求項１０】
前記チョーク部材（１０１）は積層されたＳｉＦｅを含む、請求項９記載の避雷装置。
【請求項１１】
シャフト（１０３）と、請求項１から１０までのいずれか１項記載の避雷装置（１００）と、保護すべきエレメント（１０５）とを有する、
風力発電機タービンにおいて、
前記保護すべきエレメント（１０５）が前記シャフト（１０３）に電気的に結合されており、
前記シャフト（１０３）から前記保護すべきエレメントへ流れる電流が落雷によって前記シャフトに生じた電流に比べて前記避雷装置（１００）を介して低減される
ことを特徴とする風力発電機タービン。
【請求項１２】
風力発電機タービンを落雷によるダメージから保護する方法において、
チョーク部材（１０１）を前記風力発電機タービンのシャフト（１０３）の周囲に取り付け、該シャフト（１０３）を通る電流によって前記チョーク部材（１０１）内に磁束を発生させる
ことを特徴とする
風力発電機タービンを落雷によるダメージから保護する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
点火が制御されている過給内燃エンジンの燃焼を制御する方法であって、前記エンジンの少なくとも１つのシリンダ（１２）の燃焼室（１４）内の異常燃焼を前記シリンダ（１２）内の圧力Ｐｍ（α）の連続計測によって検出する方法において、
（ａ）クランク軸の回転の角度の関数として、過早着火現象を伴わない１つの燃焼の範囲内において前記シリンダ（１２）内の前記圧力の進行を表す物理モデルを選択するステップと、
（ｂ）前記物理モデルと吸気圧力の計測値とからシリンダ圧力Ｐｅ（α）を予測するステップと、
（ｃ）前記シリンダ圧力の前記計測値を使用して計算された変数の少なくとも１つの第１の値と、前記シリンダ圧力の前記予測値を使用して計算された前記変数の少なくとも１つの第２の値とを比較することによって、異常燃焼の開始を検出するステップと、
（ｄ）いくつかの定められたクランク軸角度で前記ステップ（ｂ）と前記ステップ（ｃ）とを繰り返すことによって、過早着火の大きさを特徴付けるステップと、
（ｅ）前記燃焼室（１４）内で検出された前記異常燃焼の進行を前記過早着火現象の大きさによって制御するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記物理モデルは前記シリンダ（１２）内の前記圧力の傾向を前記吸気圧力と前記シリンダ（１２）の前記燃焼室（１４）の容積との関数として表されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
燃料、水、または炭化水素を含んでいる薬品の前記燃焼室（１４）内への導入によって前記異常燃焼の進行を制御する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記燃焼室（１４）の内側で圧力を低下させることによって前記異常燃焼の進行を制御する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記燃焼室（１４）の内側で圧力を低下させるように少なくとも１つの追加弁を開くことによって前記異常燃焼の進行を制御する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
前記燃焼室（１４）の内側で圧力を低下させるように弁（２４、３０）の少なくとも１つを開くことによって前記異常燃焼の進行を制御する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
前記変数はシリンダ圧力勾配であって、前記異常燃焼の開始は前記勾配の符号を解析することによって検出される、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記変数は、シリンダ圧力勾配、エネルギー放出、新しい混合気の温度、シリンダ圧力の対数から選択される、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
いくつかの計測された変数と予測された変数とを比較する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記計測された変数と前記予測された変数とは複数の閾値を使用して比較される、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁コイルと、
この電磁コイルを収納するためのフィールドコアと、
このフィールドコアに対向配置され被制動軸に装着されたディスクと、
このディスクと前記フィールドコアとの間に設けられ、前記被制動軸の軸線方向にのみ移動自在に配置された磁性体からなるアーマチュアと、
前記フィールドコア内に収納され、前記アーマチュアを前記ディスクに押圧する制動ばねと、
を備えた無励磁作動形電磁ブレーキにおいて、
前記制動ばねと前記アーマチュアの間に、前記フィールドコアを支点とし、前記制動ばねを力点とし、前記アーマチュアを押圧する部位を作用点となるようにした、てこ機構となる磁性体のバーを備えたことを特徴とする無励磁作動型ブレーキ。
【請求項２】
前記制動ばねを前記バーの支点部近傍に配してあり、
前記バーは、前記フィールドコアを支点とし、前記電磁コイル と前記フィールドコア による磁気吸引力を力点とし、前記制動ばねのばね力に抗する力が集中する前記支点部近傍を作用点となるようにした、てこ機構であることを特徴とする請求項１記載の無励磁作動型ブレーキ。
【請求項３】
前記制動ばねをねじりばねで構成したことを特徴とする請求項１または２に記載の無励磁作動型ブレーキ。
【請求項４】
前記制動ばねを板ばねで構成したことを特徴とする請求項１または２に記載の無励磁作動型ブレーキ。
【請求項５】
前記制動ばねと前記バーを一体化したことを特徴とする請求項１〜４までの何れか１項に記載の無励磁作動型ブレーキ。
【請求項６】
前記バーとアーマチュアが一体化したことを特徴とする請求項１〜４までの何れか１項に記載の無励磁作動型ブレーキ。
【請求項７】
前記無励磁作動型ブレーキが摩擦係合面を１面のみとする単板無励磁作動型ブレーキであることを特徴とする請求項１〜６までの何れか１項に記載の無励磁作動型ブレーキ。
【請求項８】
前記無励磁作動型ブレーキが摩擦係合面を複数面とする多板無励磁作動型ブレーキであることを特徴とする請求項１〜６までの何れか１項に記載の無励磁作動型ブレーキ。
【請求項９】
請求項１〜８までの何れか１項に記載の前記無励磁作動型ブレーキを回転体の被制動軸に取り付けたことを特徴とするサーボモータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記問題を解決するため、請求項１記載の発明は、電磁コイルと、この電磁コイルを収納するためのフィールドコアと、このフィールドコアに対向配置され被制動軸に装着されたディスクと、このディスクと前記フィールドコアとの間に設けられ、前記被制動軸の軸線方向にのみ移動自在に配置された磁性体からなるアーマチュアと、前記フィールドコア内に収納され、前記アーマチュアを前記ディスクに押圧する制動ばねと、を備えた無励磁作動形電磁ブレーキにおいて、前記制動ばねと前記アーマチュアの間に、前記フィールドコアを支点とし、前記制動ばねを力点とし、前記アーマチュアを押圧する部位を作用点となるようにした、てこ機構となる磁性体のバーを備えたことを特徴としている。
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の無励磁作動型ブレーキにおいて、前記制動ばねを前記バーの支点部近傍に配してあり、前記バーは、前記フィールドコアを支点とし、前記電磁コイル と前記フィールドコア による磁気吸引力を力点とし、前記制動ばねのばね力に抗する力が集中する前記支点部近傍を作用点となるようにした、てこ機構であることを特徴としている。
請求項３記載の発明は、請求項１または２に記載の無励磁作動型ブレーキにおいて、前記制動ばねをねじりばねで構成したことを特徴としている。
請求項４記載の発明は、請求項１または２に記載の無励磁作動型ブレーキにおいて、前記制動ばねを板ばねで構成したことを特徴としている。
請求項５記載の発明は、請求項１〜４までの何れか１項に記載の無励磁作動型ブレーキにおいて、前記制動ばねと前記バーを一体化したことを特徴としている。
請求項６記載の発明は、請求項１〜４までの何れか１項に記載の無励磁作動型ブレーキにおいて、前記バーとアーマチュアを一体化したことを特徴としている。
請求項７記載の発明は、請求項１〜６までの何れか１項に記載の無励磁作動型ブレーキにおいて、前記無励磁作動型ブレーキが摩擦係合面を１面のみとする単板無励磁作動型ブレーキであることを特徴としている。
請求項８記載の発明は、請求項１〜６までの何れか１項に記載の無励磁作動型ブレーキにおいて、前記無励磁作動型ブレーキが摩擦係合面を複数面とする多板無励磁作動型ブレーキであることを特徴としている。
請求項９記載の発明は、請求項１〜８までの何れか１項に記載の前記無励磁作動型ブレーキを回転体の被制動軸に取り付けたサーボモータであることを特徴としている。