【事件の表示】
　特願２０００−　９６０９４「エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１２日出願公開、特開２００１−２８４０４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯
　本願は、平成１２年３月３１日の出願であって、平成１８年２月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２６日付けで手続補正がなされたものである。
　
II．平成１８年４月２６日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年４月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］独立特許要件違反
１．補正後の本願発明
（１）平成１８年４月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１（以下、「本願補正発明」という。）は、
「表示画素をなす陽極と陰極との間に積層された各色を発光する発光層を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
　
前記表示画素は複数連続して横方向及び列方向に配列し、
　
前記陽極は各画素ごとに形成し、
　
行方向に隣接する前記陽極の間には駆動電源線とドレイン信号線を配置し、
　前記陽極上に、厚みｈと、隣接する表示画素間の開口幅ｄとの関係が、ｈ＞ｎ・ｄ（ｎは１より大きく２．５以下の数）である各画素に対応した開口部を有
し、各画素に形成された前記陽極より大きい開口部を有する
　前記マスクと前記陽極との距離ｇを０＜ｇ≦２０μｍとし、前記マスクの各辺が引っ張られた状態で配置して、前記各色の発光層を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。」
　と補正された（下線部は本件補正により追加された箇所）。
　
（２）本件補正は、補正前の請求項１に対して、表示画素を含む電極の配置形態について、「表示画素は複数連続して横方向及び列方向に配列し」、「陽極は各画素ごとに形成し」、「行方向に隣接する前記陽極の間には駆動電源線とドレイン信号線を配置し」た点、及び、マスクについて、開口部を「各画素に形成された前記陽極より大きい」とした点、の限定がなされたものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２９８７３８号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（イ）【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシャドウマスク及び蒸着方法に関するものであり、詳しくは、有機電界発光素子の有機正孔輸送層、有機発光層、陽極或は陰極を真空蒸着法により形成する際に好適なシャドウマスク及び蒸着方法に関するものである。
　
（ロ）【０００２】
【従来の技術】有機電界発光素子は、自発光、薄型、高視野角などの特徴を持ち新しい平面型発光源、表示素子として注目されている。
　
（ハ）【００１８】従来、一般に、このような有機電界発光素子は、まず、ガラス基板上にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電膜をスパッタリング等の方法で形成した後パターン加工して下部電極を形成し、この基板を真空蒸着槽に設置して加熱蒸着などの方法で有機発光層及び上部電極等を形成して製造されている。この場合、発光画素の分離方法としては、予め蒸着前に画素分離用の隔壁を基板上に形成しておく方法（特開平５−２５８８５９号公報、特開平８−３１５９６１号公報）や、蒸着後にレーザーでアブレーション加工を施す方法（特開平８−２２２３７１号公報）や、蒸着時にパターンサイズの大きい一般的なシャドウマスクを用いる方法が行われている。
【００１９】以下に、図９〜１１を参照してシャドウマスクを用いる真空蒸着法により、同一基板上に複数個の発光画素を作製する方法について説明する。
【００２０】まず、基板１１上に堆積させた陽極層をパターン加工し、図９に示す如く、互いに平行なライン状の陽極１２を作製する。陽極層のパターン加工の方法としては、一般に用いられるフォトリソグラフィ法を用いて有機レジストをパターン形成した後、酸性の水溶液等で露出した陽極をエッチングして除去する方法が挙げられる。エッチング方法としては他に、酸素及びアルゴンガス等を用いたプラズマエッチング法、フォーカストイオンビーム（ＦＩＢ）法等がある。
【００２１】次に、図１０に示す如く、互いに平行な複数のスリット２０Ａが形成されたシャドウマスク２０を用いて各有機層１３，１３ａと１３ｂ，又は１３ａ’と１３ａと１３ｂ及び陰極１４の少なくとも一つの層を真空蒸着により形成する。例えば、有機層及び陰極１４のすべてをシャドウマスク２０を用いて蒸着することにより形成するか、或いは、有機層を蒸着した後陰極１４をシャドウマスク２０を用いて蒸着する。この場合、シャドウマスク２０は、スリット２０Ａの延在方向が陽極１２の延在方向と直交するように配置する。このように例えば陰極１４をシャドウマスク２０を用いて形成することにより、図１１に示す如く、陽極１２と陰極１４が直交し、これにより陽極１２と陰極１４との重なり合い部分１５に図６〜８に示すような層構成の有機電界発光素子が形成される（なお、図１１において、陽極１２と陰極１４との間の有機層は図示を省略してある。）。
　
（ニ）【００２２】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の発光画素の分離方法のうち、蒸着前に画素分離用の隔壁を基板上に形成する方法では、そのための加工工程数が増加する上に、パターン形成不良による歩留まりの低下や隔壁自体が封止された素子の内部に残留することによる素子特性の劣化等の問題が指摘されていた。また、蒸着後にレーザーでアブレーション加工を施す方法でも、加工工程数の増加、加工コストの高騰の問題がある。また、蒸着時に一般的なシャドウマスクを用いる方法は、シャドウマスクの剛性の問題から３００μｍ以下のラインアンドスペースのパターンを形成することが難しかったり、細いスペースをもったシャドウマスクを用いて蒸着した場合、マスクのスペース部のエッジが影になり基板上に均一な蒸着ができなかったり、パターンがずれる等の問題があった。
（ホ）【００２５】図１３は、基板１１とシャドウマスク２０及び蒸着セル３０の配置と蒸着物質３０Ａが基板１１上に堆積される形状ないし位置を説明するための各パラメータを示す図、図１４は図１３の要部拡大図であって、中心線Ｌは基板１１の中心と蒸着セル３０の中心を結ぶ方向を示す。ｒはシャドウマスク２０の最も外側のスリット２０Ａの外側のスリット内周壁面２０ａのシャドウマスク中心部（中心線Ｌ）からの距離、ｔはシャドウマスクの厚み、ｇは蒸着時の基板１１の表面とシャドウマスク２０の基板１１側の表面との距離、ｈは基板１１と蒸着セル３０との距離をそれぞれ示している。
　（略）
【００２８】例えば、一般に用いられる蒸着方法の場合、ｔ，ｇ，ｈ，ｒは下記のような値が用いられる。
【００２９】ｔ＝０．２ｍｍ
ｇ＝０．０１ｍｍ
ｈ＝４００ｍｍ
ｒ＝１００ｍｍ
　
（ヘ）【００７４】実施例１
図８に示す層構成の有機電界発光素子を、図１に示すシャドウマスク１と同様の形状のシャドウマスクを用いて作製した。
【００７５】まず、ガラス基板１１として厚さ１．１ｍｍのコーニング社製７０５９ガラスを用い、その上に陽極としてインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍ堆積（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗２０Ω）し、ＩＴＯ膜付きガラス基板を得た。
【００７６】ガラス基板１１上に堆積されたＩＴＯ透明導電膜を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて線幅が０．３５ｍｍ幅で繰り返しピッチが０．３７ｍｍのストライプを８本形成し陽極１２とした。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、ＵＶ／オゾン洗浄を１０分間行った後真空蒸着槽内に設置し、クライオポンプを用いて１．１×１０-6Ｔｏｒｒ（約１．５×１０-4Ｐａ）まで真空引きした。この際、基板に対して斜めに飛来して進入する蒸着物質３０Ａの堆積の様子を見るために基板１１は蒸着中心から１００ｍｍ離れた位置に設置し、基板１１上の陽電極取り出し用の部分は金属マスクによりカバーされるようにした。また、蒸着中心上の蒸着セルと基板ホルダーの距離は３９９ｍｍとした。
【００７７】次に、真空蒸着槽内に配置されたモリブデンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン（Ｈ１）（結晶形はβ型）を加熱して蒸着を行った。真空度１．１×１０-6ｔｏｒｒ（約１．５×１０-4Ｐａ）、蒸着時間１分で蒸着を行い、膜厚２０ｎｍの陽極バッファ層１３ａ’を得た。
　
（ト）【００８４】次に、真空蒸着槽内で、図１に示したシャドウマスク１と同様の断面形状を持つシャドウマスクを用いて、そのスリット１Ａの長手方向が陽極１２の線と直交するように有機層が蒸着された基板の前に配置した。この際、シャドウマスク１のスリット１Ａの長手方向が蒸着中心から基板の方向に対して直角になるように配置した。用いたシャドウマスク１の厚さｔは０．２ｍｍ、スリット１Ａ数は８本、スリット１Ａの幅ｓ1 は０．３ｍｍ，ｓ2 は０．１ｍｍ（（ｓ1 −ｓ2 ）／ｔ＝１）、繰り返しピッチ（スリット間隔）は０．３６ｍｍである。
【００８５】その後、陰極１４として、マグネシウムと銀の合金電極を２元同時蒸着法によって膜厚１００ｎｍとなるように蒸着した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ（約１．３×１０-3Ｐａ）、蒸着時間３分１０秒で行った。また、マグネシウムと銀の原子比は１０：１．２とした。さらに続いて、真空蒸着槽内において、アルミニウムをモリブデンボートを用いて１００ｎｍの膜厚でマグネシウム・銀合金膜の上に積層して陰極１４を完成させた。アルミニウム蒸着時の真空度は２．３×１０-5Ｔｏｒｒ（約３．１×１０-3Ｐａ）、蒸着時間は１分４０秒であった。以上のマグネシウム・銀合金とアルミニウムの２層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【００８６】その後、真空蒸着槽から素子を取り出し、８ドット×８ドットの有機電界発光素子が得られた。
　
（チ）【００９６】比較例１
次に比較のために、図１４に示したシャドウマスク２０と同様の断面形状を持つ従来のシャドウマスクを用い、その他の条件は実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製した。このシャドウマスク２０の厚さｔは０．２ｍｍ，スリット２０Ａの数は８本，スリット２Ａの幅ｓは０．１００ｍｍ，繰り返しピッチ（スリット間隔）は０．３６ｍｍである。
　
（リ）図１　
　
（ヌ）図１４　  
　
（２）これらの記載より、引用例１には、
「陽極と赤、緑、青の各色を発光する有機発光層と陰極とが積層され、陽極と陰極とがマトリックス状に配置された、有機電界発光素子からなる表示素子の製造方法であって、
　厚さｔが０．２ｍｍ、スリットの幅ｓが０．１００ｍｍのシャドウマスクを用いて、
　蒸着時の基板の表面とシャドウマスクの基板側の表面との距離ｇを０．０１ｍｍとし有機発光層を形成する、有機電界発光素子からなる表示素子の製造方法。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されている。
　
３．対比
（１）本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「有機電界発光素子からなる表示素子」は本願補正発明の「エレクトロルミネッセンス表示装置」に相当し、前者の「有機発光層」は後者の「発光層」に相当する。
　引用発明は、「陽極と陰極とがマトリックス状に配置され」ていることから、本願補正発明と同様に、「表示画素は複数連続して横方向及び列方向に配列し」たものである。
　引用発明の「シャドウマスク１」は本願補正発明の「マスク」に相当し、前者の「スリット」、「厚さｔ」、「スリットの幅ｓ」は、それぞれ、後者の「各画素に対応した開口部」、「厚みｈ」、「隣接する表示画素間の開口幅ｄ」に相当する。そして、引用発明においては「ｔ＝２ｓ」の関係にあることから、引用発明の厚さｔとスリットの幅ｓとの関係は、本願補正発明の関係式「ｈ＞ｎ・ｄ（ｎは１より大きく２．５以下の数）」を充足するものである。
　また、引用発明の「蒸着時の基板の表面とシャドウマスクの基板側の表面との距離ｇ」は本願発明の「マスクと前記陽極との距離ｇ」に相当するものであり、前者の値（０．０１ｍｍ）は後者の関係式（０＜ｇ≦２０μｍ）を充足している。
　
（２）してみれば、本願補正発明と引用発明とは、
「表示画素をなす陽極と陰極との間に積層された各色を発光する発光層を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
　前記表示画素は複数連続して横方向及び列方向に配列し、
　前記陽極上に、厚みｈと、隣接する表示画素間の開口幅ｄとの関係が、ｈ＞ｎ・ｄ（ｎは１より大きく２．５以下の数）である各画素に対応した開口部を有するマスクを、
　前記マスクと前記陽極との距離ｇを０＜ｇ≦２０μｍとし、前記各色の発光層を形成するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。」
　である点で一致し、
　
［相違点１］本願補正発明では「陽極は各画素ごとに形成し、行方向に隣接する前記陽極の間には駆動電源線とドレイン信号線を配置し、」とされているのに対して、引用発明ではこの点について記載されていない点。
　
［相違点２］本願補正発明では、マスクの開口部が「各画素に形成された陽極より大きい」とされているのに対して、引用発明ではこの点について記載されていない点。
　
［相違点３］本願補正発明では「マスクの各辺が引っ張られた状態で配置して」発光層を形成する、とされているのに対して、引用発明ではこの点について記載されていない点。
　
　において両者は相違する。
　
４．判断
［相違点１］について
　相違点１における本願補正発明の構成は、いわゆる「アクティブマトリックス型」のエレクトロルミネッセンス表示装置の典型的な配線形態を規定したものであると認められる（例えば、特開平８−２２７２７６号公報（以下、「引用例２」という。）の【００１２】から【００２６】、特に、【００１５】を参照。）。
　確かに、引用発明は、いわゆる「単純マトリックス型」（例えば、引用例２の【００２７】から【００２９】を参照）のエレクトロルミネッセンス表示装置についての発明であり、その点で本願補正発明とは異なるものである。
　しかし、アクティブマトリックス型においても、単純マトリックス型と同様に、シャドウマスクを用いて発光層が形成されうることは、例えば引用例２（【００２１】から【００２６】）が示すように、明らかであることから、引用発明と同様の工程によりアクティブマトリックス型のエレクトロルミネッセンス表示装置を製造することは、当業者であれば容易に想到できたことである。
　したがって、相違点１に係る発明特定事項は容易に想到できたことである。
　
［相違点２］について
　引用例２には、マスクの開口部に対応する製膜用マスク３０の開口部３１が、陽極に対応する第１表示電極６を全て覆う有機ＥＬ媒体層８を形成できるような大きさを有する旨が記載されている（【００２２】）。
　また、アクティブマトリックス型のエレクトロルミネッセンス表示装置を製造する際には、ショート欠陥の防止や画素面積の確保などのために、マスクの開口部を陽極より大きく設計することは、常識的な事項であるといえる。
　したがって、相違点２に係る発明特定事項は容易に想到できたことである。
　
［相違点３］について
　エレクトロルミネッセンス表示装置におけるシャドウマスクを用いた製膜工程においては、シャドウマスクの撓みを防止するために、シャドウマスクにテンションを掛けることは本願出願時においては周知の技術であったことが認められる（例えば、特開平１０−５０４７８号公報（【００３８】）、特開平１１−２１４１５４号公報（【００５４】）を参照。）。
　してみれば、相違点３に係る発明特定事項は容易に想到できたことである。
　
　また、本願補正発明の作用効果も、引用例１、引用例２の記載及び周知技術から当業者が予測しうる範囲内のものである。
　
５．してみれば、本願補正発明は、引用発明、引用例２及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
６．以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定によって却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．平成１８年４月２６日付けの手続補正について
　本件補正は、上記「II.」のとおり、却下された。
　
２．本願発明について
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、平成１８年２月６日付け手続補正の特許請求の範囲の第１項に記載された次のとおりのものと認める。
「表示画素をなす陽極と陰極との間に積層された各色を発光する発光層を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
　前記陽極上に、厚みｈと、隣接する表示画素間の開口幅ｄとの関係が、ｈ＞ｎ・ｄ（ｎは１より大きく２．５以下の数）である各画素に対応した開口部を有するマスクを、
前記マスクと前記陽極との距離ｇを０＜ｇ≦２０μｍとし、前記マスクの各辺が引っ張られた状態で配置して、前記各色の発光層を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。」
　
３．引用発明
　引用例１に記載された発明（「引用発明」）は、前記「II.２.」に記載したとおりである。
　
４．対比・判断
（１）本願発明は、前記「II.１.」で認定した本願補正発明から、
（イ）「前記表示画素は複数連続して横方向及び列方向に配列し」、
（ロ）「前記陽極は各画素ごとに形成し、行方向に隣接する前記陽極の間には駆動電源線とドレイン信号線を配置し」、
（ハ）マスクについて、「各画素に形成された前記陽極より大きい開口部を有する」
　という構成要件を省いたものである。
　
（２）してみれば、本願発明は、上記「II.３.」のうち［相違点３］においてのみ引用発明と相違するものであるから、上記「II.４.」と同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到できたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。