【事件の表示】
　特願２００８−３０２２２２「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月２８日出願公開、特開２００９−１１６３３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年８月６日に出願した特願２００４−２３０８２４号（以下「原出願」という。）の一部を平成２０年１１月２７日に新たな特許出願としたものであって、平成２１年２月２７日付けで手続補正がなされ、同年５月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２３日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２１年７月２３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２１年７月２３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２１年７月２３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動され、Ａｌを含む積層膜からなる反射電極と透明性導電膜からなる透過電極を備えた画素電極とを、形成した画素基板と、
　前記画素基板と対向する対向基板と、
　前記画素基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを、備える液晶表示装置において、
　前記画素基板は、
　少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子と、
　前記基板上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を介して設けられ、前記外部駆動回路からの信号を前記端子を介して表示パネル側へ入力するための、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層に形成された下層配線とを、有し、
　前記端子は、
　前記薄膜トランジスタのＡｌを含む積層膜よりなるソース・ドレイン配線と同層に形成され、Ａｌを含む積層膜よりなる端子配線と、
　前記端子配線の上面および側面の全体を直接被覆して形成された透明性導電膜とを、有し、
　前記透明性導電膜および前記端子配線は、
　前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜である有機樹脂膜より離れて形成され、
　前記下層配線と前記端子配線とは、
　前記下層配線を覆う層間絶縁膜に形成された開口を介して接続され、
　前記開口は、
　平面視における、前記下層配線と前記端子配線との重複領域内に形成され、
　平面視における前記開口の開口面積は、
　平面視における前記重複領域の面積よりも小さい、
ことを特徴とする液晶表示装置。」
　
　本件補正は、補正前の請求項１の「端子配線」が、「Ａｌを含む積層膜よりな」り、「前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜である有機樹脂膜より離れて形成され」、との限定を行い、同じく「透明性導電膜」が、「（前記端子配線の）上面および側面の全体を直接被覆」する、との限定を行うものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−４６８０号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置等の表示装置に用いられる配線基板及びその製造方法に関する。特には、厚型樹脂膜を備えた配線基板に関する。」
　
　イ　「【００２５】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞
実施例１のアレイ基板及びその製造方法について図１〜８を用いて説明する。
・・・
【００２７】
まず、アレイ基板１０の構成について、図２〜４を用いて説明する。
【００２８】
図２〜３に示すように、下層の走査線１１と上層の信号線３１との交点付近には、走査線１１に印加されるパルス電圧にしたがい信号線３１から画素電極６への信号入力をスイッチングするためのＴＦＴ９が配置されている。ＴＦＴ９のゲート電極１１ａは走査線１１からの延在部により形成されており、ＴＦＴ９のドレイン電極３２は、信号線３１の延在部により形成されている。そして、ＴＦＴ９のソース電極３３は、透光性の厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール５３を通じて、画素電極６に電気的に接続している。
【００２９】
画素電極６は、走査線１１と信号線３１とにより画されるマス目状の領域（画素ドット領域）ごとに互いに電気的に絶縁されて配置され、該領域の略全体を覆うとともに両縁部が信号線３１と重ねられている。各画素電極６は、金属からなる、ここでは一つの反射画素電極７３と、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明画素電極６３ａ，６３ｂ及び６３ｃとが組み合わさってなる。これら透明画素電極６３ａ，６３ｂ及び６３ｃは、反射画素電極７３の３つの窓状開口に対応する位置に配置され、反射画素電極の窓状開口の内縁部と透明画素電極６３ａ，６３ｂ及び６３ｃの外縁部が直接重ね合わされて互いに導通されている。
・・・
【００３１】
透光性の厚型樹脂膜５は、例えば厚さが１μｍ以上であり、低誘電率の絶縁性の樹脂材料からなる。特には、アクリル系樹脂等の感光型の硬化性有機樹脂材料からなる。厚型樹脂膜５は、接続パッド１４の配置個所と、上層コンタクトホール５１〜５３の個所とを除き、アレイ基板上のほぼ全体を被覆する。
・・・
【００３３】
図２及び図４に示すように、接続用周縁部では、厚型樹脂膜５の抜き領域５４中に、接続パッド１４が配列される。接続パッド１４は、走査線１１と同一工程で同一材料により作成され、該接続パッド１４から基板内側へと延在されるパッド用配線１４ａと、コンタクトホール４１，５１，５２及びこれらを覆うブリッジ状導電膜７１とにより、信号線３１の先端部３１ａに電気的に接続されている。ここで、パッド用配線１４ａの端部では、厚型樹脂膜５を貫く上層コンタクトホール５１の底部に、ゲート絶縁膜１５を貫く下層コンタクトホール４１が配置されている。一方、信号線の先端部３１ａには、厚型樹脂膜５を貫く上層コンタクトホール５２のみが配されている。
・・・
【００４４】
次ぎに、図５〜８を用いて、アレイ基板１０の製造工程について詳細に説明する。
・・・
【００４６】
（１）第１のパターニング（図５）
ガラス基板１８上に、スパッタ法によりモリブデン−タングステン合金膜（ＭｏＷ膜）を２３０ｎｍ堆積させる。そして、第１のフォトマスクを用いるパターニングにより、対角寸法２．２インチ（５６ｍｍ）の長方形領域ごとに、１７６本の走査線１１、その延在部からなるゲート電極１１ａ、及び、走査線１１と略同数の補助容量線（Ｃｓ配線）１２を形成する。・・・
【００４７】
また、同時に、周縁部では、接続パッド１４及びこれから延在されるパッド用配線１４ａを作成する。
【００４８】
（２）第２のパターニング（図６）
まず、第１ゲート絶縁膜１５ａをなす３５０ｎｍ厚の酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ膜）を堆積する。表面をフッ酸で処理した後、さらに、第２ゲート絶縁膜１５ｂをなす４０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ膜）、ＴＦＴ９の半導体膜３６を作成するための５０ｎ
ｍ厚のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、及び、ＴＦＴ９のチャネル保護膜２１等を形成するための膜厚２００ｎｍの窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ膜）を、大気に曝すことなく連続して成膜する（図３）。
【００４９】
レジスト層を塗布した後、第１のパターニングにより得られた走査線１１等のパターンをマスクとする裏面露光技術により、各ゲート電極１１ａ上にチャネル保護膜２１を作成する。
【００５０】
（３）第３のパターニング（図６）
良好なオーミックコンタクトが得られるように、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層の露出する表面をフッ酸で処理した後、低抵抗半導体膜３７を作成するための５０ｎｍ厚のリンドープアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）層を上記と同様のＣＶＤ法により堆積する（図３）。
【００５１】
この後、スパッタ法により、２５ｎｍ厚のボトムＭｏ層、２５０ｎｍ厚のＡｌ層、及び、５０ｎｍ厚のトップＭｏ層からなる三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を堆積する。
【００５２】
そして、第３のフォトマスクを用いて、レジストを露光、現像した後、ａ−Ｓｉ：Ｈ層、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層、及び三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を一括してパターニングする。この第３のパターニングにより、対角寸法２．２インチ（５６ｍｍ）の長方形領域ごとに、２２０×３本の信号線３１と、各信号線３１から延在するドレイン電極３２と、ソース電極３３とを作成する。
・・・
【００５４】
（４）第４のパターニング
上記のように得られた多層膜パターンの上に、アクリル樹脂からなるポジ型の感光性の硬化性樹脂液を、コーターにより、乾燥後の膜厚が２μｍとなるよう均一に塗布する。そして、以下に説明するような露光操作を行った後、現像、紫外線照射、ポストベーク、及び洗浄の操作を行う。・・・
【００５５】
露光操作は、上層コンタクトホール５１〜５３を設ける個所、及び接続パッドのための抜き領域５４では、強い露光を行い、反射画素電極領域内の凹部５６を設ける個所では、弱い露光を行うようにする（図２〜３参照）。
・・・
【００５７】
「強い露光」を受けた個所に、厚型樹脂膜５を貫く上層コンタクトホール５１〜５３及びパッド用抜き領域５４が作成されるが、「弱い露光」を受けた個所には、例えば１μｍの深さをもつ凹部５６が形成される。
・・・
【００５９】
厚型樹脂膜５は、図示の例で、液晶表示装置に組み立てられた場合に液晶層の厚さを略均一にする平坦化膜の役割を果たすとともに、画素電極を信号線等に重ねられるようにすることで、光利用効率を向上させる役割を果たす。
・・・」
　
　ウ　「【００８２】
＜実施例２＞
実施例２のアレイ基板及びその製造方法について図１１〜１８を用いて説明する。
・・・
【００８４】
まず、アレイ基板１０’の構成について、図１２〜１４を用いて説明する。
【００８５】
画素部分においては、図１２〜１３に示すように、実施例１の場合と同様の構成において、層間絶縁膜４が透光性の厚型樹脂膜５に、下方から重ね合わされており（厚型樹脂膜５およびゲート絶縁膜１５間に層間絶縁膜４を更に備えた構造）、ＴＦＴ９のソース電極３３は、層間絶縁膜４及び透光性の厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール４３，５３を通じて、画素電極６に電気的に接続している。また、このコンタクトホール４３，５３の個所に、穴あきドーナツ状のＩＴＯ膜６２が形成されている。
【００８６】
周縁部においては、図１２及び図１４に示すように、実施例１の場合と同様の構成において、次のように構成される、各信号線３１の先端部３１ａと、接続パッド１４から基板内側へと延在されるパッド用配線１４ａとの接続個所で、画素電極と同時に形成されるブリッジ状導電膜７１が、コンタクトホール４１，４２，５１，５２の配置領域の全体を覆っている。
・・・
【００９８】
次ぎに、図１５〜１８を用いて、アレイ基板１０’の製造工程について詳細に説明する。
・・・
【０１００】
（１）第１のパターニング（図１５）
ガラス基板１８上に、スパッタ法によりモリブデン−タングステン合金膜（ＭｏＷ膜）を
２３０ｎｍ堆積させる。そして、第１のフォトマスクを用いるパターニングにより、対角寸法２．２インチ（５６ｍｍ）の長方形領域ごとに、１７６本の走査線１１、その延在部からなるゲート電極１１ａ、及び、走査線１１と略同数の補助容量線１２を形成する。・・・
【０１０１】
また、同時に、周縁部では、接続パッド１４及びこれから延在されるパッド用配線１４ａを作成する。
【０１０２】
（２）第２のパターニング（図１６）
まず、ゲート絶縁膜１５をなす３５０ｎｍ厚の酸化・窒化シリコン膜（ＳｉＯＮｘ膜）を堆積する。表面をフッ酸で処理した後、さらに、ＴＦＴ９の半導体膜３６を作成するための５０ｎｍ厚のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、及び、ＴＦＴ９のチャネル保護膜２１等を形成するための膜厚２００ｎｍの窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ膜）を、大気に曝すことなく連続して成膜する（図１３）。
【０１０３】
レジスト層を塗布した後、第１のパターニングにより得られた走査線１１等のパターンをマスクとする裏面露光技術により、各ゲート電極１１ａ上にチャネル保護膜２１を作成する。
【０１０４】
（３）第３のパターニング（図１６）
良好なオーミックコンタクトが得られるように、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層の露出する表面をフッ酸で処理した後、低抵抗半導体膜３７を作成するための５０ｎｍ厚のリンドープアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）層を上記と同様のＣＶＤ法により堆積する（図１３）。
【０１０５】
この後、スパッタ法により、２５ｎｍ厚のボトムＭｏ層、２５０ｎｍ厚のＡｌ層、及び、５０ｎｍ厚のトップＭｏ層からなる三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を堆積する。
【０１０６】
そして、第３のフォトマスクを用いて、レジストを露光、現像した後、ａ−Ｓｉ：Ｈ層、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層、及び三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を一括してパターニングする。この第３のパターニングにより、対角寸法２．２インチ（５６ｍｍ）の長方形領域ごとに、２２０×３本の信号線３１と、各信号線３１から延在するドレイン電極３２と、ソース電極３３とを作成する。・・・」
　
　エ　「【０１５１】
＜実施例１３＞
次に、実施例１３について、図３１〜３２の積層断面図、及び図３３の平面図を用いて説明する。
【０１５２】
実施例１３の液晶表示装置は、ノーマリホワイトモードの光透過型である点では上記実施例１〜１２と同様である。しかし、上記各実施例と異なり、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴタイプものである。
【０１５３】
図３１には、本実施例に係る表示パネル１００”の画素部分の積層構造を示す。画素ドットごとのＴＦＴ９が、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）の半導体層３６’からなり、トップゲート型である。すなわち、ゲート電極１１ａが、半導体層３６’やこれを囲むコンタクト部３２Ａ，３３Ａより上方に、ゲート絶縁膜１５を介して配されている。
【０１５４】
また、カラーフィルタ層が、アレイ基板１０”上の厚型樹脂膜（平坦化膜）５により形成されている。・・・
【０１５５】
反射画素電極７３は、保護膜４５を貫くコンタクトホール４３’、及びカラーフィルタ層として厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール５３を介して、ソース電極３３に導通されている。ここで、上記実施例２の場合と全く同様に、ソース電極３３上には穴あきドーナツ状のＩＴＯ膜６２が形成される。
・・・
【０１５７】
図３２には、本実施例に係る表示パネル１００”の周縁部を示す。上記各実施例と全く同様に、信号線３１と同時に形成される上層配線と、走査線１１と同時に形成される下層配線とが、厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール５１，５２を介して、画素電極７３，６３と同時に形成される導電層により電気的に接続されている。
【０１５８】
本実施例における、信号線３１の末端の接続構造は、実施例２の場合と全く同様である。但し、実施例２の場合の層間絶縁膜４が、本実施例では保護膜４５に置き換わっている。
・・・
【０１６１】
なお、図３２中に示すように、本実施例における接続パッド１４”の個所の構造は、上記各実施例と異なる。駆動ＩＣがアレイ基板１０”の周縁部に作りつけられているため、接続パッド１４”は、外部駆動部からのフレキシブル配線基板と接続を行う個所である。そのため、接続パッド１４”の周囲では厚型樹脂膜５が省かれており、接続パッド１４”内の領域で、走査線１１と同時に形成される下層配線層と、信号線３１と同時に形成される上層配線層とが重ねられ、これらが、透明画素電極６３と同時に形成されるＩＴＯ膜により覆われている。
【０１６２】
図３３の平面図には、本実施例のアレイ基板１０”における各画素ドット部分を示す。図に示すように、アルミニウム（Ａｌ）からなる反射画素電極７３が、一つの窓枠状のパターンをなし、このパターンがなす一つの開口をＩＴＯからなる透明画素電極６３が覆っている。」
　
　オ　上記イ〜エを踏まえて、図３１及び図３２を見ると、実施例１３の液晶表示装置の表示パネル１００”は、以下の（ア）〜（ウ）のとおりのものであることが見て取れる。
　（ア）ガラス基板１８と対向基板１０２との間に液晶材料１０３を挟持したものであること
　（イ）画素部において、
　　ａ　ガラス基板１８上の半導体層３６’及びこれを囲むコンタクト部３２Ａ、３３Ａより上方に、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１１ａが配されていること
　　ｂ　ゲート絶縁膜１５及びゲート電極１１ａを覆って層間絶縁膜４が形成されていること
　　ｃ　層間絶縁膜４上にゲート絶縁膜１５及び層間絶縁膜４を貫いてそれぞれコンタクト部３２Ａ及びコンタクト部３３Ａと接続されたドレイン電極３２及びソース電極３３が形成されていること
　　ｄ　層間絶縁膜４、ドレイン電極３２及びソース電極３３を覆って保護膜４５が形成されていること
　　ｅ　保護膜４５上に厚型樹脂膜５を形成し、厚型樹脂膜５上に保護膜４５及び該厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール５３を介して反射画素電極７３がソース電極３３に導通されていること
　（ウ）周縁部において、接続パッド１４”の個所が設けられ、該接続パッド１４”の個所は、
　　ａ　厚型樹脂膜５が省かれていること
　　ｂ　ゲート絶縁膜１５上に走査線１１及びゲート電極１１ａと同時に形成される下層配線層が形成されること
　　ｃ　下層配線層上の、層間絶縁膜４の一部が取り除かれた領域に信号線３１、ドレイン電極３２及びソース電極３３と同時に形成される上層配線層が重ねられること
　　ｄ　上層配線層の上面及び保護層４５の一部上面を、透明画素電極６３と同時に形成されるＩＴＯ膜が覆っていること
　　ｅ　前記ＩＴＯ膜は、厚型樹脂膜５から離れて形成されていること
　
　カ　上記エを踏まえて図３３を見ると、アルミニウム（Ａｌ）からなる反射画素電極７３は一つの窓枠状のパターンをなし、このパターンがなす一つの開口をＩＴＯからなる透明画素電極６３が覆っていることが見て取れる。
　
　キ　上記ウ（【０１０５】及び【０１０６】）を踏まえて図３２を見ると、下層配線上の、層間絶縁膜４の一部が取り除かれた領域に信号線３１（ドレイン電極３２、ソース電極３３）と同時に形成される上層配線層は、三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）である、といえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
「ガラス基板１８と対向基板１０２との間に液晶材料１０３を挟持した表示パネル１００”であって、
　画素部において、ガラス基板１８上の半導体層３６’及びこれを囲むコンタクト部３２Ａ、３３Ａより上方に、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１１ａが配されており、該ゲート絶縁膜１５及びゲート電極１１ａを覆って層間絶縁膜４が形成され、該層間絶縁膜４上に前記ゲート絶縁膜１５及び層間絶縁膜４を貫いてそれぞれコンタクト部３２Ａ及びコンタクト部３３Ａと接続されたドレイン電極３２及びソース電極３３が形成され、前記層間絶縁膜４、ドレイン電極３２及びソース電極３３を覆って保護膜４５が形成され、該保護膜４５上に厚型樹脂膜５を形成し、該厚型樹脂膜５上に前記保護膜４５及び厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール５３を介して反射画素電極７３が前記ソース電極３３に導通されており、アルミニウム（Ａｌ）からなる前記反射画素電極７３は一つの窓枠状のパターンをなし、このパターンがなす一つの開口をＩＴＯからなる透明画素電極６３が覆っており、
　周縁部において、接続パッド１４”の個所が設けられ、該接続パッド１４”の個所は、厚型樹脂膜５が省かれており、ゲート絶縁膜１５上に走査線１１及びゲート電極１１ａと同時に形成される下層配線層が形成され、該下層配線層上の、前記層間絶縁膜４の一部が取り除かれた領域に信号線３１、ドレイン電極３２及びソース電極３３と同時に形成される上層配線層が重ねられ、前記上層配線層の上面及び前記保護層４５の一部上面を、透明画素電極６３と同時に形成されるＩＴＯ膜が覆っており、前記ＩＴＯ膜は、前記厚型樹脂膜５から離れて形成されており、前記上層配線層は、三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）である、
　表示パネル１００”。」
　 
（２）対比、判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「表示パネル１００”」は、「ガラス基板１８と対向基板１０２との間に液晶材料１０３を挟持した」ものであり、「画素部において、ガラス基板１８上の半導体層３６’及びこれを囲むコンタクト部３２Ａ、３３Ａより上方に、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１１ａが配されており、該ゲート絶縁膜１５及びゲート電極１１ａを覆って層間絶縁膜４が形成され、該層間絶縁膜４上に前記ゲート絶縁膜１５及び層間絶縁膜４を貫いてそれぞれコンタクト部３２Ａ及びコンタクト部３３Ａと接続されたドレイン電極３２及びソース電極３３が形成され、・・・保護膜４５及び厚型樹脂膜５を貫くコンタクトホール５３を介して反射画素電極７３が前記ソース電極３３に導通されており、アルミニウム（Ａｌ）からなる前記反射画素電極７３は一つの窓枠状のパターンをなし、このパターンがなす一つの開口をＩＴＯからなる透明画素電極６３が覆っており」、前記「半導体層３６’」、「コンタクト部３２Ａ、３３Ａ」、「ゲート絶縁膜１５」、「ゲート電極１１ａ」、「ドレイン電極３２」及び「ソース電極３３」等が薄膜トランジスタを構成しており、また、前記透明画素電極６３と前記反射画素電極７３とは電気的に接続され、両者で画素電極を形成するといえることは明らかであるから、
　（ア）引用発明の「ガラス基板１８」、「反射画素電極７３」、「（ＩＴＯからなる）透明画素電極６３」、「対向基板１０２」、「液晶材料１０３」及び「表示パネル１００”」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「反射電極」、「（透明性導電膜からなる）透過電極」、「（前記画素電極と対向する）対向基板」、「（前記画素基板と前記対向基板との間に挟持された）液晶層」及び「液晶表示装置」に相当し、
　（イ）引用発明は、本願補正発明の「基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動され、Ａｌを含む積層膜からなる反射電極と透明性導電膜からなる透過電極を備えた画素電極とを、形成した画素基板と、前記画素基板と対向する対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを、備える液晶表示装置」との事項と、「基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動され、Ａｌからなる反射電極と透明性導電膜からなる透過電極を備えた画素電極とを、形成した画素基板と、前記画素基板と対向する対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを、備える液晶表示装置」との点で一致する。
　
　イ　引用発明の「表示パネル１００”」は、「周縁部において、接続パッド１４”の個所が設けられ、該接続パッド１４”の個所は、・・・ゲート絶縁膜１５上に走査線１１及びゲート電極１１ａと同時に形成される下層配線層が形成され」ており、該「下層配線層」は外部駆動回路からの信号を前記接続パッド１４”を介して表示パネル１００”側へ入力するためのものであるといえるから、
　（ア）引用発明の「接続パッド１４”」、「ゲート絶縁膜１５」及び「（ゲート絶縁膜１５上に走査線１１及びゲート電極１１ａと同時に形成される）下層配線層」は、それぞれ、本願補正発明の「（画素基板の少なくとも一辺に形成された外部駆動回路と接続するための）端子」、「（前記薄膜トランジスタの）ゲート絶縁膜」及び「（前記基板上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を介して設けられ、前記外部駆動回路からの信号を前記端子を介して表示パネル側へ入力するための、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層に形成された）下層配線」に相当し、
　（イ）引用発明は、本願補正発明の「前記画素基板は、少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子と、前記基板上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を介して設けられ、前記外部駆動回路からの信号を前記端子を介して表示パネル側へ入力するための、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層に形成された下層配線とを、有し」との事項を備える。
　
　ウ　引用発明は、「接続パッド１４”の個所」において、「下層配線層上の、前記層間絶縁膜４の一部が取り除かれた領域に信号線３１、ドレイン電極３２及びソース電極３３と同時に形成される上層配線層が重ねられ、前記上層配線層の上面及び前記保護層４５の一部上面を、透明画素電極６３と同時に形成されるＩＴＯ膜が覆っており」、「前記上層配線層は、三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）である」から、
　（ア）引用発明の「（信号線３１、ドレイン電極３２及びソース電極３３と同時に形成され、三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）である）上層配線層」及び「（透明画素電極６３と同時に形成される）ＩＴＯ膜」は、それぞれ、本願補正発明の「（前記薄膜トランジスタのＡｌを含む積層膜よりなるソース・ドレイン配線と同層に形成され、Ａｌを含む積層膜よりなる）端子配線」及び「透明性導電膜」に相当し、
　（イ）引用発明は、本願補正発明の「前記端子は、前記薄膜トランジスタのＡｌを含む積層膜よりなるソース・ドレイン配線と同層に形成され、Ａｌを含む積層膜よりなる端子配線と、前記端子配線の上面および側面の全体を直接被覆して形成された透明性導電膜とを、有し」との事項と、「前記端子は、前記薄膜トランジスタのＡｌを含む積層膜よりなるソース・ドレイン配線と同層に形成され、Ａｌを含む積層膜よりなる端子配線と、前記端子配線の上面を直接被覆して形成された透明性導電膜とを、有し」との点で一致する。
　
　エ　引用発明は、「接続パッド１４”の個所」において、「（画素部に形成された）厚型樹脂膜５が省かれており、・・・前記ＩＴＯ膜は、前記厚型樹脂膜５から離れて形成されて」いるから、
　（ア）引用発明の「（画素部に形成された）厚型樹脂膜５」は、本願補正発明の「（前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜である）有機樹脂膜」に相当し、
　（イ）引用発明は、本願補正発明の「前記透明性導電膜および前記端子配線は、前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜である有機樹脂膜より離れて形成され」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、 
「基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動され、Ａｌからなる反射電極と透明性導電膜からなる透過電極を備えた画素電極とを、形成した画素基板と、
　前記画素基板と対向する対向基板と、
　前記画素基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを、備える液晶表示装置において、
　前記画素基板は、
　少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子と、
　前記基板上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を介して設けられ、前記外部駆動回路からの信号を前記端子を介して表示パネル側へ入力するための、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層に形成された下層配線とを、有し、
　前記端子は、
　前記薄膜トランジスタのＡｌを含む積層膜よりなるソース・ドレイン配線と同層に形成され、Ａｌを含む積層膜よりなる端子配線と、
　前記端子配線の上面を直接被覆して形成された透明性導電膜とを、有し、
　前記透明性導電膜および前記端子配線は、
　前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜である有機樹脂膜より離れて形成されている、
　液晶表示装置。」 
である点で一致し、次の点で相違する。 
　 
相違点
［相違点１］
　反射電極が、本願補正発明では、Ａｌを含む積層膜からなるのに対し、引用発明では、Ａｌからなるが、積層膜ではない点。
［相違点２］
　本願補正発明は、下層配線と端子配線とが、下層配線を覆う層間絶縁膜に形成された開口を介して接続され、前記開口は、平面視における、前記下層配線と前記端子配線との重複領域内に形成され、平面視における前記開口の開口面積は、平面視における前記重複領域の面積よりも小さく、また、端子の透明性導電膜が、（Ａｌを含む積層膜よりなる）端子配線の上面および側面の全体を直接被覆しているのに対し、引用発明は、下層配線と端子配線とが、層間絶縁膜４（本願補正発明の「（下層配線を覆う）層間絶縁膜」に相当。）の一部が取り除かれた領域に重ねられており、また、端子の透明性導電膜が、端子配線の上面及び保護層４５の一部上面を覆い、端子配線の側面を覆っていない点。
　 
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　反射電極を、Ａｌを含む積層膜で構成した液晶表示装置は、原出願の出願時点で周知であるから（必要なら、特開２００３−１８６０３３号公報（【００２１】、図１）、特開２００２−３１１４２４号公報（【００５７】、【００８９】、図４（ｆ））参照。）、引用発明に上記周知技術を適用して上記［相違点１］に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者は容易になし得ることである。
［相違点２］について
　液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の端子部を、下層配線と上層配線とを絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続し、当該上層配線の上面及び側面全体をＩＴＯ膜等の透明電極で覆うようなもので構成し、かつ、平面視において、前記コンタクトホールを下層配線と上層配線との重複領域内に形成するとともに、平面視における前記コンタクトホールの開口面積が、平面視における前記重複領域の面積よりも小さく形成したものとなすことは原出願の出願時点で周知であるところ（例えば、特開２０００−２４１８３２号公報（【００４３】〜【００５１】、図１、図２）、特開平５−２４３３３３号公報（【００１４】、【００１５】、図１、図２）、特開２００３−２１６０６４号公報（【００５７】〜【００５９】、図７、図８）参照。）、Ａｌからなる引出端子（パッド）が腐食しないように、当該引出端子（パッド）の上面及び側面をＩＴＯ膜で覆うようにした液晶表示装置は、原出願の出願前に特開平６−１８９１２号公報（以下「引用刊行物２」という。）、特開平１０−１９７８９１号公報（以下「引用刊行物３」という。）に記載されており、引用発明において、上記周知技術を適用するとともに、Ａｌを含む積層膜よりなる上層配線層（端子配線）が腐食しないように引用刊行物２、３の上記記載事項を適用し、下層配線層と上層配線層とが、下層配線層を覆う層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して接続されるようになし、前記コンタクトホールが、平面視における、下層配線と上層配線層との重複領域内に形成され、平面視における前記コンタクトホールの開口面積が、平面視における前記重複領域の面積よりも小さくなるようになし、かつ、接続パッド１４”のＩＴＯ膜が、Ａｌを含む積層膜よりなる上層配線層の上面および側面の全体を直接被覆するようになして、上記［相違点２］に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者は容易になし得ることである。
　なお、審判請求人は、平成２１年７月２３日付け審判請求書（【請求の理由】（４）（４Ｄ））において、「本願は、「保護膜として有機樹脂膜を有し、端子配線がアルミニウムを含む積層膜であり、画素電極がＩＴＯとアルミニウムから構成される」基本構成を前提として創作され・・・、端子配線を構成するアルミニウムが腐食しやすく、および、大気中に含まれる水分や有機樹脂膜中に含む水分により、端子部における電食反応が発生する、という問題点を有することを発見し」た旨主張する。しかしながら、「端子配線を構成するアルミニウムが腐食しやす」いとの問題点は、本願の出願当初の明細書または図面（以下「出願当初明細書等」という。）には記載されてはおらず、出願当初明細書等からみて、そもそも本願補正発明の「液晶表示装置」は、上記のような問題点を解決するようなものとして把握することができないものであり、このことを踏まえると、本願補正発明は、引用発明に上記周知技術及び引用刊行物２、３の上記記載事項を適用した以上の格別の技術的意義を有するものとは認められない。
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、上記各周知技術及び引用刊行物２、３の記載事項から予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１に記載された発明、周知技術及び引用刊行物２または３の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　 
（３）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２１年２月２７日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項によって特定されるものである。
　
「基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動され、Ａｌを含む積層膜からなる反射電極と透明性導電膜からなる透過電極を備えた画素電極とを、形成した画素基板と、
　前記画素基板と対向する対向基板と、
　前記画素基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを、備える液晶表示装置において、
　前記画素基板は、
　少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子と、
　前記基板上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を介して設けられ、前記外部駆動回路からの信号を前記端子を介して表示パネル側へ入力するための、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層に形成された下層配線とを、有し、
　前記端子は、
　前記薄膜トランジスタのＡｌを含む積層膜よりなるソース・ドレイン配線と同層に形成された端子配線と、
　前記端子配線上を直接被覆して形成された透明性導電膜とを、有し、
　前記透明性導電膜は、
　前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜である有機樹脂膜より離れて形成され、
　前記下層配線と前記端子配線とは、
　前記下層配線を覆う層間絶縁膜に形成された開口を介して接続され、
　前記開口は、
　平面視における、前記下層配線と前記端子配線との重複領域内に形成され、
　平面視における前記開口の開口面積は、
　平面視における前記重複領域の面積よりも小さい、
ことを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の出願前に頒布された引用刊行物１及び引用発明は、上記第２の２（１）のとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　本願発明は、上記第２の２（２）で検討した本願補正発明において、「端子配線」が、「Ａｌを含む積層膜よりな」り、「前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜である有機樹脂膜より離れて形成され」、との限定を省き、同じく「透明性導電膜」が、「（前記端子配線の）上面および側面の全体を直接被覆」する、との限定を省いたものである。そうすると、上記第２の２（２）ア〜エを踏まえると、両者は、
「基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにより駆動され、Ａｌを含む積層膜からなる反射電極と透明性導電膜からなる透過電極を備えた画素電極とを、形成した画素基板と、
　前記画素基板と対向する対向基板と、
　前記画素基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを、備える液晶表示装置において、
　前記画素基板は、
　少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子と、
　前記基板上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を介して設けられ、前記外部駆動回路からの信号を前記端子を介して表示パネル側へ入力するための、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層に形成された下層配線とを、有し、
　前記端子は、
　前記薄膜トランジスタのＡｌを含む積層膜よりなるソース・ドレイン配線と同層に形成された端子配線と、
　前記端子配線上を直接被覆して形成された透明性導電膜とを、有し、
　前記透明性導電膜は、
　前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜である有機樹脂膜より離れて形成されている、
　液晶表示装置。」 
である点で一致し、次の点で相違する。 
　 
相違点
［相違点１］
　反射電極が、本願発明では、Ａｌを含む積層膜からなるのに対し、引用発明では、Ａｌからなるが、積層膜ではない点。
［相違点２’］
　下層配線と端子配線とが、本願発明では、下層配線を覆う層間絶縁膜に形成された開口を介して接続され、前記開口は、平面視における、前記下層配線と前記端子配線との重複領域内に形成され、平面視における前記開口の開口面積は、平面視における前記重複領域の面積よりも小さいのに対し、引用発明では、層間絶縁膜４の一部が取り除かれた領域に重ねられている点。
　 
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　上記第２の２（２）において［相違点１］につき検討したとおり、引用発明に周知技術を適用して上記［相違点１］に係る本願発明の構成となすことは、当業者は容易になし得ることである。
［相違点２’］について
　上記第２の２（２）において［相違点２］につき検討したとおり、液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の端子部を、下層の配線と上層の配線とを絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続するとともに、該上層の配線の上面及び側面全体をＩＴＯ膜等の透明電極で覆うように構成し、さらに、平面視において、前記コンタクトホールを前記下層の配線と前記上層の配線との重複領域内に形成し、平面視における前記コンタクトホールの開口面積が、平面視における前記重複領域の面積よりも小さく形成したものは、原出願の出願時点で周知であるところ、引用発明において、上記周知技術を適用し、下層配線と上層配線層とが、下層配線を覆う層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して接続されるようになし、前記コンタクトホールが、平面視における、前記下層配線と前記上層配線層との重複領域内に形成され、平面視における前記コンタクトホールの開口面積が、平面視における前記重複領域の面積よりも小さくなるようになして、上記［相違点２’］に係る本願発明の構成となすことは、当業者は容易になし得ることである。
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記各周知技術から予測し得る程度のものである。  
 　  
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。