【事件の表示】
　平成　９年特許願第３２１６３７号「半導体ウェーハを処理するための方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　７月２１日出願公開、特開平１０−１８９４９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１１月２１日（パリ条約優先権主張、平成８年１１月２２日、イギリス国）に出願された特許出願であって、平成１５年１２月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年３月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項１２に係る発明は、平成１５年１１月１９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１２に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「導電性材料で製品の表面層における凹部を充填する方法であって、
　前記表面に障壁層を形成し、該障壁層は障壁層表面に結合された酸素原子を含み、
　前記障壁層の表面に結合した酸素原子を窒素原子と置換するために窒化し、
　前記障壁層に導電性材料の層を被着し、
　前記導電性材料を前記凹部に押し入れ、流し込み、またはドリフトさせる段階を具備し、
　前記窒化段階がプラズマを含んでいる窒素で行われることを特徴とする方法。」
　
３．刊行物記載の発明
　刊行物：特開平７−２９８５３号公報
　原査定において拒絶の理由に引用され、本願のパリ条約優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物には、図１とともに以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　表面に拡散層が形成されたシリコン基板上に層間絶縁膜を堆積し、該層間絶縁膜に該拡散層に達するコンタクト孔を形成する工程と、
前記コンタクト孔表面を含めて前記層間絶縁膜表面にチタン膜と第１の窒化チタン膜とを順次堆積する工程と、
窒素処理を行なう工程と、
真空室内で前記第１の窒化チタン膜の表面に第２の窒化チタン膜を堆積する工程と、
前記真空室内で前記第２の窒化チタン膜表面に少なくともシリコンを含んだアルミニウム合金膜を堆積する工程と、
高温加熱により前記アルミニウム合金膜を流動化させ、前記コンタクト孔を該アルミニウム合金膜にて埋設する工程と、
前記アルミニウム合金膜，前記第２の窒化チタン膜，前記第１の窒化チタン膜および前記チタン膜を順次パターニングして配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
「【請求項６】　前記窒素処理が、４００℃〜８００℃での窒素プラズマ処理であることを特徴とする請求項１・・・記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項６）
「【００１３】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明する。
【００１４】半導体装置の製造工程の断面図である図１の参照すると、本発明の一実施例は、以下のようになっている。まず、表面に拡散層２が形成されたシリコン基板１上に、・・・層間絶縁膜３が形成される。・・・拡散層２に達するコンタクト孔４が、層間絶縁膜３に形成される〔図１（ａ）〕。
【００１５】続いて・・・Ｔｉ膜５，および・・・第１のＴｉＮ膜６が順次堆積される〔図１（ｂ）〕。・・・
【００１６】成膜段階でのこの第１のＴｉＮ膜６の窒素の量は化学量論的には不足しており、ＴｉＮ膜６の表面には酸素が吸着され，酸化されやすくなっている。そこで・・・窒素処理を行なう。この窒素処理により、この第１のＴｉＮ膜６が「窒化」され、このＴｉＮ膜６の窒素の量が化学量論的な量に近ずけられ、このＴｉＮ膜６はＴｉＮ膜６ａとなる。・・・しかしながら、この窒素処理によっても、ＴｉＮ膜６の表面を酸化していた酸素をこのＴｉＮ膜６ａから分離することは困難である。この窒素処理により、ＴｉＮ膜６ａの表面での酸化の進行は、停止することになる。
【００１７】・・・窒素処理としての他の方法は・・・４００℃〜８００℃での窒素プラズマ処理等がある。・・・。
【００１８】次に・・・第２のＴｉＮ膜７と・・・Ａｌ合金膜８ａとが・・・順次全面に堆積される〔図１（ｃ）〕。」（００１３段落ないし００１８段落）
「【００２０】次に・・・４５０℃程度の温度で約１８０秒間加熱する。・・・この処理により、Ａｌ合金膜８ａはリフローされてＡｌ合金膜８ａａとなり、ボイドおよびスパイクが発生することなくコンタクト孔４がＡｌ合金膜８ａａにより埋設される。・・・〔図１（ｄ）〕。
【００２１】Ａｌ膜８ａとＴｉＮ膜６ａとの間に上記第２のＴｉＮ膜７を介在させる理由について述べる。上記ＴｉＮ膜７は、上記リフローにおいてＡｌ膜８ａとの濡性を確保するために設けられている。このＴｉＮ膜７が介在しないならば、Ａｌ膜８ａは酸化された表面を有するＴｉＮ膜６ａに直接に接触することになり、リフロー工程における濡性の確保は困難になる。」（００２０段落及び００２１段落）
　
　したがって、刊行物には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「シリコン基板上の層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔表面を含めて、前記層間絶縁膜表面にチタン膜と第１の窒化チタン膜とを順次堆積する工程と、
窒素プラズマ処理を行って表面に酸素が吸着された前記第１の窒化チタン膜を窒化する工程と、
前記第１の窒化チタン膜の表面に第２の窒化チタン膜を堆積する工程と、
前記第２の窒化チタン膜表面に少なくともシリコンを含んだアルミニウム合金膜を堆積する工程と、
高温加熱により前記アルミニウム合金膜を流動化させ、前記コンタクト孔を該アルミニウム合金膜にて埋設する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
４．対比・判断
（１）本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「本願当初明細書等」という。）には「本発明は、半導体ウェーハのような、製品を処理するための方法」（０００１段落）と、「製品」の例示として「半導体ウェーハ」が記載されているから、刊行物発明の「シリコン基板」は、本願発明の「製品」に相当する。
　また、刊行物発明の「層間絶縁膜」及び「コンタクト孔」は、本願発明の「表面層」及び「凹部」にそれぞれ相当するから、刊行物発明の「シリコン基板上の層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔」は、本願発明の「製品の表面層における凹部」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「少なくともシリコンを含んだアルミニウム合金」は、本願発明の「導電性材料」に相当するから、刊行物発明の「アルミニウム合金膜を流動化させ、」「コンタクト孔を該アルミニウム合金膜にて埋設する」は、本願発明の「導電性材料で」「凹部を充填する」に相当する。
（ｃ）本願当初明細書等には「障壁層は、チタン及び窒素の原子を本質的に含む」（００１２段落）と記載されているから、刊行物発明の「第１のチタン膜」は、本願発明の「障壁層」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「表面に酸素が吸着された」「第１の窒化チタン膜」は、本願発明の「表面に結合された酸素原子を含」む「障壁層」に相当し、刊行物発明の「窒素プラズマ処理を行って」「第１の窒化チタン膜を窒化する」は、本願発明の「障壁層」を「窒化し」「前記窒化段階がプラズマを含んでいる窒素で行われる」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明は、
「導電性材料で製品の表面層における凹部を充填する方法であって、
　前記表面に障壁層を形成し、該障壁層は障壁層表面に結合された酸素原子を含み、
　前記障壁層を窒化する段階を具備し、
　前記窒化段階がプラズマを含んでいる窒素で行われることを特徴とする方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明は「障壁層の表面に結合した酸素原子を窒素原子と置換するために窒化し」「前記窒化段階がプラズマを含んでいる窒素で行われる」のに対して、刊行物発明は「窒素プラズマ処理を行って表面に酸素が吸着された」「第１の窒化チタン膜を窒化する」点。
［相違点２］
　本願発明は「障壁層に導電性材料の層を被着し、　前記導電性材料を」「凹部に押し入れ、流し込み、またはドリフトさせる段階を具備し」ているのに対して、刊行物発明は「第１の窒化チタン膜の表面に第２の窒化チタン膜を堆積する工程と、前記第２の窒化チタン膜表面に少なくともシリコンを含んだアルミニウム合金膜を堆積する工程と、高温加熱により前記アルミニウム合金膜を流動化させ、前記コンタクト孔を該アルミニウム合金膜にて埋設する工程と」を備えている点。
　
（２）上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　本願発明では「障壁層の表面に結合した酸素原子を窒素原子と置換するために窒化」することが限定されているのみで、「置換」の程度については何ら限定されていないから、本願発明には「障壁層の表面に結合した酸素原子」の全て「を窒素原子と置換」しない場合、すなわち、「窒化」後の段階において「障壁層の表面に結合した酸素原子」の一部が残存している場合も含まれることは明らかである。
　一方、刊行物には「成膜段階でのこの第１のＴｉＮ膜６の窒素の量は化学量論的には不足しており、ＴｉＮ膜６の表面には酸素が吸着され，酸化されやすくなっている。そこで・・・窒素処理を行なう。この窒素処理により、この第１のＴｉＮ膜６が「窒化」され、このＴｉＮ膜６の窒素の量が化学量論的な量に近ずけられ、このＴｉＮ膜６はＴｉＮ膜６ａとなる。・・・しかしながら、この窒素処理によっても、ＴｉＮ膜６の表面を酸化していた酸素をこのＴｉＮ膜６ａから分離することは困難である。この窒素処理により、ＴｉＮ膜６ａの表面での酸化の進行は、停止することになる。」（００１６段落）と、「ＴｉＮ膜６」に「窒素処理を行なう」ことによって「ＴｉＮ膜６が「窒化」され、このＴｉＮ膜６の窒素の量が化学量論的な量に近ずけられ」る一方で、「窒化後」の「ＴｉＮ膜６ａ」の表面は一定程度、酸化された状態であることが記載されている。
　したがって、本願発明及び刊行物発明はいずれも「窒化」後の段階において、それぞれ「障壁層」及び「第１の窒化チタン膜」の表面が一定程度、酸化されている点で共通であるから、相違点１は実質的なものとはいえない。　
［相違点２について］
（ａ）本願発明の「障壁層に導電性材料の層を被着し」という記載は、「障壁層に」接して「導電性材料の層を被着」する場合のみならず、「障壁層に」他の層を介して「導電性材料の層を被着」する場合をも含むと解釈することができる。
　後者の解釈をした場合、上記「（１）（ａ）」ないし「（１）（ｃ）」で検討したとおり、刊行物発明の「第１の窒化チタン膜」、「少なくともシリコンを含んだアルミニウム合金膜」及び「コンタクト孔」が、それぞれ、本願発明の「障壁層」、「導電性材料の層」及び「凹部」に相当する点、及び、刊行物発明の「高温加熱により」「アルミニウム合金膜を流動化させ、」「コンタクト孔を該アルミニウム合金膜にて埋設する工程」が、本願発明の「導電性材料を」「凹部に押し入れ、流し込み、またはドリフトさせる段階」に相当する点を併せて勘案すれば、刊行物発明の「第１の窒化チタン膜の表面に第２の窒化チタン膜を堆積する工程と、前記第２の窒化チタン膜表面に少なくともシリコンを含んだアルミニウム合金膜を堆積する工程と、高温加熱により前記アルミニウム合金膜を流動化させ、前記コンタクト孔を該アルミニウム合金膜にて埋設する工程」が、本願発明の「障壁層に導電性材料の層を被着し、　前記導電性材料を前記凹部に押し入れ、流し込み、またはドリフトさせる段階」に含まれることは明らかであるから、相違点２は実質的なものとはいえない。
（ｂ）以下では、仮に、本願発明の「障壁層に導電性材料の層を被着し」という記載の解釈が、「障壁層に」接して「導電性材料の層を被着」する場合に限られ、したがって、相違点２が実質的なものであるとした場合について検討する。
　刊行物には「しかしながら、この窒素処理によっても、ＴｉＮ膜６の表面を酸化していた酸素をこのＴｉＮ膜６ａから分離することは困難である。」（００１６段落）及び「Ａｌ膜８ａとＴｉＮ膜６ａとの間に上記第２のＴｉＮ膜７を介在させる理由について述べる。上記ＴｉＮ膜７は、上記リフローにおいてＡｌ膜８ａとの濡性を確保するために設けられている。このＴｉＮ膜７が介在しないならば、Ａｌ膜８ａは酸化された表面を有するＴｉＮ膜６ａに直接に接触することになり、リフロー工程における濡性の確保は困難になる。」（００２１段落）と、「窒化処理」後の「ＴｉＮ膜６ａ」は「酸化された表面を有する」ため、「Ａｌ膜８ａ」の「リフロー工程における濡性の確保は困難にな」ることが記載されており、刊行物の上記記載内容を斟酌すると、「窒化処理」後の「ＴｉＮ膜６ａ」の「酸化された表面」を除去することが可能であれば、「Ａｌ膜８ａ」の「リフロー工程における濡性の確保」が可能になるから、「Ａｌ膜８ａとＴｉＮ膜６ａとの間に」「第２のＴｉＮ膜７を介在させる」必要がなくなることは明らかである。
　一方、窒化チタン膜表面の酸化膜を還元雰囲気下の処理により除去する技術は、例えば、特開平６−２０９９４号公報に「ＴｉＮ表面上に形成された・・・自然酸化ＴｉＯＮは・・・Ｈ２還元反応にてＴｉＮに還元される。」（００２３段落）と記載され、また、特開平７−２４９６８１号公報に「窒化チタン膜・・・の表面に存在する・・・酸化チタン・・・を選択的に除去する方法は、ハロゲン化水素ガス雰囲気に前記窒化チタン膜・・・を接触させる」（特許請求の範囲の請求項６）と記載されているように、当業者にとって従来周知の技術であるから、刊行物発明において、「第１の窒化チタン膜」表面の酸化膜を還元雰囲気下の処理を施して除去することにより、「第２の窒化チタン膜を堆積する工程」を省略し、「第１の窒化チタン膜」に接して「少なくともシリコンを含んだアルミニウム合金膜を堆積する」ことは、当業者が適宜なし得た事項である。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、仮に刊行物に記載された発明ではないとしても、本願発明は、刊行物に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。