【事件の表示】
　平成　８年特許願第　２４１６７号「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　８月１９日出願公開、特開平　９−２１８４２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　　 
１．手続の経緯 
　 
　本願は、平成８年２月９日に出願したものであって、平成１６年８月２６日に手続補正がなされ、同年１１月１０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１７年１月１２日に手続補正がなされたものである。
　 
２．平成１７年１月１２日付けの手続補正についての補正却下の決定 
　 
［補正却下の決定の結論］ 
　 
　平成１７年１月１２日付けの手続補正を却下する。 
　 
　［理由］ 
　 
　（１）本件補正の内容
　 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　複数の多結晶シリコン薄膜トランジスタを有する第１の電極基板と、
　対向電極を有する第２の電極基板と、
　前記第１、第２の電極基板間に挿入された液晶と、
　を備え、
　前記第１の電極基板は
　透明絶縁基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、
　前記走査線と前記信号線の各交点に設けられた複数の画素電極と、
　ゲート電極が前記走査線に、ソース電極が前記信号線に、ドレイン電極が前記画素電極にそれぞれ接続された、前記複数の多結晶シリコン薄膜トランジスタと、
　を有するものとして構成され、前記透明絶縁基板上に前記薄膜トランジスタが、アイランド状の非結晶半導体膜及び絶縁膜を介して、前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタにおける多結晶半導体膜の活性層が位置するように、形成されており、
　前記非結晶半導体膜の光学濃度値ＯＤ２ が可視光領域で１以上であり、この光学濃度値ＯＤ２は、
【数１】
として表わされることを特徴とする液晶表示装置。」と補正された。 
　 
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「非結晶半導体膜及び絶縁膜」について「アイランド状の」との限定を付加するとともに、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記透明絶縁基板上に前記薄膜トランジスタが非結晶半導体膜及び絶縁膜を介して形成されて」いる構造に関し、非結晶半導体膜及び絶縁膜の位置関係と、非結晶半導体膜及び絶縁膜上に形成される層が薄膜トランジスタにおける「多結晶半導体の活性層」であることとを限定するものであって、平成１８年改正前特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　 
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　 
　（２）刊行物記載の発明 
　 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特公平２−１２０３１号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が、図面と共に記載されている。 
　
　ア．「一般に液晶表示装置は第１図に示すように、マトリックス状に走査電極１、信号電極２を設け、この走査電極１と信号電極２の複数の交点の近傍に、夫々液晶表示部３とこの液晶表示部３を駆動するスイッチングトランジスタ４を設け、走査電極１にスイッチングトランジスタ４のゲート電極５を接続し、信号電極２にスイッチングトランジスタ４のソース電極６を接続し、さらに、液晶表示部３にスイッチングトランジスタ４のドレイン電極７を接続することにより構成される。」（１頁下右欄最下行〜２頁左欄９行）
　
　イ．「第３図はこの発明の第１の実施例を示す薄膜トランジスタの断面図である。この薄膜トランジスタはガラス製の基板１１上に予め０．１％以上の不純物をドープした非晶質シリコンからなる第１の光阻止膜１４を形成し、つぎにこの第１の光阻止膜１４上に第１の絶縁膜１５を形成し、つぎにこの第１の絶縁膜１５上に所定間隔を有するようにソース電極６およびドレイン電極７を形成し、つぎに第１の絶縁膜１５上にドレイン電極６およびソース電極７を覆いかつこれらの間を満すようにシラン（ＳｉＨ４）のグロー放電や水素を含む雰囲気中でのスパッタリング等によって均一な厚さの水素を数％〜数十％含んだ非晶質シリコン層１２を形成し、つぎにこの非晶質シリコン１２上に第２の絶縁膜１３を形成し、つぎにこの第２の絶縁膜１３上にドレイン電極６およびソース電極７に跨がるようにゲート電極５を形成し、さらにゲート電極５を除く第２の絶縁膜１３上に、予め０．１％以上の不純物をドープした非晶質シリコンからなる第２の光阻止層１６を形成することにより製造される。
　一般に非晶質シリコンは単結晶シリコンに比べて光吸収係数が可視光帯域で極めて大きいという特徴を有するが、この非晶質シリコンに０．１％の不純物をドープした場合には、さらにその光吸収係数が大きくなることが知られている。
　したがって、第３図に示すように構成された薄膜トランジスタでは活性半導体領域となる非晶質シリコン層１２の両主面に光吸収係数の大きい第１、第２の光阻止膜１４，１６を設けたので、この薄膜トランジスタを液晶表示装置等に使用しても外部から薄膜トランジスタに照射された光はこの第１、第２の光阻止膜１４，１６により遮断され、前述のように薄膜トランジスタが誤動作することがない。」（２頁右欄３４行〜３頁左欄２４行）
　
　ウ．「なお、非晶質シリコン層１２，第１、第２の光阻止膜１４，１６および第１、第２の絶縁膜１３，１５は所望の部分を残してプラズマエッチング等の方法で除去する。」（３頁左欄３３〜３６行）
　
　エ．「第４図は上記第１の実施例の薄膜トランジスタを使用した液晶表示装置の部分平面図であり、第３図に示した薄膜トランジスタが実際の液晶表示装置中で、どのように接続されているかを示したものであり、ソース電極６およびドレイン電極７およびゲート電極５は外側に延在し、夫々信号電極２、ドレイン用透明電極１７および走査電極１に接続されている。また液晶表示装置はこれらの接続の後に、液晶表示装置本体内に液晶を注入し、図示しない透明電極を有するガラス製押え板をかぶせることにより完成される。」（３頁左欄３７行〜同頁右欄３行）
　
　オ．引用例の第４図には、ゲート電極５の下にゲート電極５が一部重なるようにソース電極６及びドレイン電極７が配置され、これらの電極５，６，７をおおよそ収容できる程度の大きさであってほぼ正方形の領域がこれらの電極５，６，７の下に配置されている事項がみて取れる。
　
　カ．上記ア〜オからみて、引用例には、次の発明（以下「引用例発明」という。）が記載されていると認めることができる。 
　
「ガラス製の基板１１上に、
　非晶質シリコンからなる第１の光阻止層１４およびその上の第１の絶縁膜１５を形成しほぼ正方形の部分を残して除去し、
　その上に、
　所定間隔を有したソース電極６およびドレイン電極７と、この両電極を覆いかつこれらの間を満たすように形成した薄膜トランジスタの活性半導体領域となる非晶質シリコン層１２と、その上に形成した第２の絶縁膜１３と、その上に形成したゲート電極５および非晶質シリコンからなる第２の光阻止層とからなる薄膜トランジスタ４を形成し、
　前記ソース電極６、前記ドレイン電極７および前記ゲート電極５は外側に延在し、マトリックス状に設けられた信号電極２と走査電極１の複数の交点の近傍において、夫々信号電極２、ドレイン用透明電極１７および走査電極１に接続されており、
　こうして形成された薄膜トランジスタ基板に液晶を注入し透明電極を有するガラス製押え板をかぶせた液晶表示装置」
　 
　（３）対比 
　 
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを比較する。 
　 
ア．引用例発明の「ガラス製の基板１１」、「薄膜トランジスタ基板」、「透明電極を有するガラス製押え板」、「液晶」、「マトリックス状に設けられた走査電極１と信号電極２」、「マトリックス状に設けられた信号電極２と走査電極１の複数の交点の近傍」、「ドレイン用透明電極１７」、「前記ソース電極６、前記ドレイン電極７および前記ゲート電極５は外側に延在し、・・・・夫々信号電極２、ドレイン用透明電極１７および走査電極１に接続されている」、「薄膜トランジスタ」、「活性半導体領域」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願補正発明の「透明絶縁基板」、「第１の電極基板」、「対向電極を有する第２の電極基板」、「液晶」、「マトリクス状に配置された走査線及び信号線」、「前記走査線と前記信号線の各交点」、「画素電極」、「ゲート電極が前記走査線に、ソース電極が前記信号線に、ドレイン電極が前記画素電極にそれぞれ接続された」、「薄膜トランジスタ」、「半導体膜の活性層」及び「液晶表示装置」に相当する。 
　
イ．引用例発明において、「非晶質シリコンからなる第１の光阻止層１４およびその上の第１の絶縁膜１５を形成しほぼ正方形の部分を残して除去し」たときに残った部分が、非晶質シリコンからなる第１の光阻止層１４およびその上の第１の絶縁膜１５であり、その形状である「ほぼ正方形」は「アイランド状」に該当するから、引用例発明の「非晶質シリコンからなる第１の光阻止層１４」、「第１の絶縁膜１５」及び「ほぼ正方形」は、それぞれ、本願補正発明の「非結晶半導体膜」、「絶縁膜」及び「アイランド状」に相当する。
　
ウ．したがって、両発明は、「複数の薄膜トランジスタを有する第１の電極基板と、対向電極を有する第２の電極基板と、前記第１、第２の電極基板間に挿入された液晶と、を備え、前記第１の電極基板は透明絶縁基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、前記走査線と前記信号線の各交点に設けられた複数の画素電極と、ゲート電極が前記走査線に、ソース電極が前記信号線に、ドレイン電極が前記画素電極にそれぞれ接続された、前記複数の薄膜トランジスタと、を有するものとして構成され、前記透明絶縁基板上に前記薄膜トランジスタが、アイランド状の非結晶半導体膜及び絶縁膜を介して、前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタにおける半導体膜の活性層が位置するように形成されている液晶表示装置」の点で一致し、以下の点で相違している。 
　 
［相違点］
　
ａ．前記薄膜トランジスタが、本願補正発明においては、「多結晶シリコン薄膜トランジスタ」であって、その「半導体膜の活性層」が「多結晶」であるのに対して、引用例発明においては、その「半導体膜の活性層」が「非晶質シリコン」である点。
　
ｂ．本願補正発明では、非結晶半導体膜の光学濃度値ＯＤ２ が可視光領域で１以上であり、この光学濃度値
ＯＤ２ は、
【数１】
として表わされる」のに対して、引用例発明の非結晶半導体膜は第１の光阻止層であるが、光学濃度値ＯＤ２を上記【数１】の式で表わすとしたときに、その光学濃度ＯＤ２が１以上であるか否かについては明らかでない点。
　 
　（４）判断 
　 
ア．上記相違点ａについて検討する。 
　ゲート電極が走査線に、ソース電極が信号線に、ドレイン電極が画素電極にそれぞれ接続される液晶表示装置の薄膜トランジスタとして、活性層が多結晶半導体である多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いること、および、多結晶シリコン薄膜トランジスタを液晶表示装置に用いた場合にも、液晶表示部に照射された光によって誤動作するという問題点があることはいずれも周知である（例．特開昭６０−６６４７０号公報（１頁左下欄１３行〜同頁右下欄７行参照。）、特開平４−５２６２３号公報（２頁左上欄１４行〜同頁左下欄２行及び３頁左上欄９行〜同頁右上欄１２行参照。）、特開平６−３４９９８号公報（段落００１２、００１３参照。）、特開平６−１６０８９９号公報（段落０００２、０００３参照。）、特開平６−２０２１５５号公報（請求項３、段落００１１、００１２、００５２、００６３参照。）、特開平７−６４０７０号公報（段落０００６〜００１１参照。）、特開平７−１８１５１９号公報（段落０００２〜０００６参照。））。
　したがって、非晶質シリコンに比べて光感度のより低い活性層材料とするため（上記特開平６−３４９９８号公報の段落００１２、上記特開平７−６４０７０号公報の段落０００６参照。）、あるいは、応答速度を速くし駆動回路と一体形成可能にするため（上記特開平６−１６０８９９号公報の段落０００３、上記特開平６−２０２１５５号公報の段落００６３、上記特開平７−６４０７０号公報の段落０００６参照。）に、引用例１発明の薄膜トランジスタとしてこの周知の多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用することは当業者が容易になし得たことである。
　 
イ．上記相違点ｂについて検討する。
　本願補正発明において、光学濃度値ＯＤ２を上記【数１】の式で表したとき、前記非結晶半導体膜の光学濃度値ＯＤ２ を可視光領域で１以上とした理由は、活性層が多結晶シリコンであるトランジスタの活性層の下側に設けた遮光膜により、その多結晶シリコン活性層の光リーク電流を表示性能に問題のないレベルまで押さえるためには、遮光膜の光学濃度値ＯＤ２ が可視光領域で１以上であることが必要であるからである（本願明細書の段落００２５参照。）。
　一方、引用例発明の「非晶質シリコンからなる第１の光阻止層１４」は、外部から薄膜トランジスタに照射された光が活性半導体領域となる非晶質シリコン層１２に入射するのを遮断して薄膜トランジスタが誤動作することがないようにするためのものであるから（上記（２）イ参照。）、遮光膜の光学濃度値ＯＤ２は、その非結晶シリコン活性層の光リーク電流を表示性能に問題のないレベルまで押さえ得る値にしなければならないことは当業者に自明である。
　また、多結晶シリコンは非晶質シリコンに比べて光感度のより低い活性層材料であることは上記アにおいて述べたとおりであるが、光感度がより高い非晶質シリコンの活性層を備えた薄膜トランジスタにおいて、遮光膜の光学濃度を非結晶シリコン活性層の光リーク電流を表示性能に問題のないレベルまで押さえ得る値にすることが当業者に自明であるから、そのようにした遮光膜の光学濃度値ＯＤ２が多結晶シリコン活性層の光リーク電流を表示性能に問題のないレベルまで押さえ得る値、すなわち可視光領域で１以上を満たすものとなることは自明である。また、引用例発明の第１の光阻止層１４を設ける技術上の意味からして、薄膜トランジスタの活性層の材料を変えるときは、その活性層の材料に見合った光阻止層の膜厚にすることは当業者にとって当然のことである。
　よって、上記相違点ｂは当業者が容易に想到することができたものである。
　
ウ．本願補正発明の効果について検討する。
　本願明細書には、引用例である特公平２−１２０３１号公報が従来の技術として提示され（段落００１４）、「非晶質シリコン薄膜トランジスタの光リークを防ぐには、下置きの遮光膜として非晶質シリコン膜を使った場合、１μｍ以上の厚さを必要とする・・・・この非晶質シリコン膜の上に、ゲート絶縁膜やゲート電極３などの他の膜を積層すると、カバレッジが悪くなるという問題が生じる。このような問題を避けるためには、膜厚としては数１０００オングストローム、できれば１０００オングストローム以下であることが要求される。」（段落００２０）、「特公平２−１２０３１号公報によれば、アルゴンをドープした非晶質シリコンの吸収係数も大きく、そのデータによれば膜厚２５００オングストロームで、可視光領域の光に対して、光学濃度ＯＤ３が２以上を達成することができる。」（段落００２５）、「本発明の実施例により、現実的なアレイ基板上の光防止膜を備え、活性層である多結晶シリコンに当たる光・・・を遮断することにより、表示性能の低下を防止した液晶表示装置を、反射、膜厚、工程数、開口率等の問題を解決しつつ、低コストで実現できる。」（段落００７３）などが記載されている。
　これらの記載によれば、本願明細書には、引用例である特公平２−１２０３１号公報に記載の従来の技術との比較で、活性層が多結晶シリコンである薄膜トランジスタを採用することにより、遮光膜としての非晶質シリコン膜の膜厚をより薄くすることができるという効果が記載されているものと認めることができる。
　しかし、多結晶シリコンは非晶質シリコンに比べて光感度のより低い活性層材料であることは、上記アにおいて述べたように周知である。そして、上記効果は、この周知の事項から当業者が当然に予測し得たことである。他方、本願の請求項１には非結晶半導体膜の膜厚の上限は特定されていないから、上記効果は本願補正発明の効果であるとすることさえできない。
　さらに、本願明細書には、光学濃度を表す光学濃度値ＯＤ２の式である上記【数１】の式自体、および、非結晶半導体膜の光学濃度値ＯＤ２の下限値である「１」自体に、格別の技術上の意義がある旨の記載はなく、格別の技術上の意義があると認めることもできない。
　その他の本願補正発明の効果は、引用例発明及び上記周知技術の有する作用効果から当業者が予測することができたものである。
　よって、本願補正発明の効果は格別のものではない。
　
エ．したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
（５）むすび 
　 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　 
３．本願発明について 
　 
（１）本願発明 
　 
　平成１７年１月１２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年８月２６日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　複数の多結晶シリコン薄膜トランジスタを有する第１の電極基板と、
　対向電極を有する第２の電極基板と、
　前記第１、第２の電極基板間に挿入された液晶と、
　を備え、
　前記第１の電極基板は
　透明絶縁基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、
　前記走査線と前記信号線の各交点に設けられた複数の画素電極と、
　ゲート電極が前記走査線に、ソース電極が前記信号線に、ドレイン電極が前記画素電極にそれぞれ接続された、前記複数の多結晶シリコン薄膜トランジスタと、
　を有するものとして構成され、前記透明絶縁基板上に前記薄膜トランジスタが非結晶半導体膜及び絶縁膜を介して形成されており、
　前記非結晶半導体膜の光学濃度値ＯＤ２ が可視光領域で１以上であり、この光学濃度値ＯＤ２は、
【数１】
として表わされることを特徴とする液晶表示装置。」（以下、「本願発明」という。） 
　 
　（２）引用例 
　 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。　 
　 
　（３）対比・判断 
　 
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「非結晶半導体膜及び絶縁膜」の限定事項である「アイランド状の」との限定を省くとともに、「前記透明絶縁基板上に前記薄膜トランジスタが非結晶半導体膜及び絶縁膜を介して形成されて」いる構造に関して、前記薄膜トランジスタにおける「多結晶半導体の活性層が」・・・「前記絶縁膜上に」「位置するように」形成されているとの限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
　（４）むすび 
　 
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。