【事件の表示】
　特願２０００−５６８１０１「プラズマのための接地路を提供する電極構造を具えたプラズマ反応器、及び同プラズマ反応器を製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月　９日国際公開、ＷＯ００／１３２０３、平成１４年　８月　６日国内公表、特表２００２−５２４８４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、１９９９年８月２６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年８月２８日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１〜５０に係る発明は、平成１６年３月５日付の手続補正書の請求項１〜５０に記載された事項により特定されるとおりであるところ、そのうち、請求項４６に係る発明（以下、「本願発明４６」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項４６】プラズマ処理ツールを形成する方法であって、該方法は、
　前記処理ツールが動作中、接地されるように構成された内部導電性接地可能面であって、該面はある領域を有している面を有した処理室を提供する過程と、
　前記内部導電性接地可能面の上に、該内部導電性接地可能面と動作上接触して、そして前記ツールが作動中はそれを通してプラズマ接地路が確立される少なくとも一つの、前記内部導電性接地可能面の全面より狭い領域を被覆する接地電極を装着する過程と、
　前記内部導電性接地可能面の残りの部分の上に設けられ、前記接地電極を前記処理室の内部に外側に向けて露出するように構成される絶縁被覆体を提供する過程と、
　を具備することを特徴とするプラズマ処理ツール形成方法。」
　
２．引用刊行物およびその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先権主張日前に頒布された米国特許第５２９０９９３号明細書（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　
刊行物の摘記事項（５欄５８行〜６欄３９行）
　「Next, still another embodiment of the present invention will be explained, referring to FIGS. 7 and 8. In these figures, the reference numerals identical to those used in FIG. 1 represent the same members and explanation thereof will be omitted. The vacuum chamber is composed of a metal vessel 33 and a plate 34 made of quartz mounted hermetically on an aperture in the upper portion of the metal vessel 33. An insulating layer 35 is disposed on the surface of the part forming the plasma generating space 20 in the upper portion of the metal vessel 33. The sample table 10 is formed so as to be extended to the space where the insulating layer 35 is disposed in the metal vessel 33. A waveguide 32 is disposed on the metal vessel 33 covering a quartz window 34 and extending upward and the magnetron 31 is mounted on the upper end portion of the waveguide 33. A gas buffer is formed in the upper portion of the metal vessel 33 so that the processing gas can be supplied from the processing gas supplying device 5 to the upper portion of the discharge space. The evacuating device 8 is connected with the lower portion of the metal vessel 33 through the valve 7. A solenoid coil 36 is wound on the outer periphery of the upper portion of the metal vessel 33. A ground electrode 37 is mounted with the metal vessel 33 disposed to the microwave introduction side with respect to the surface of the sample table on which the sample is placed, and is formed as a doughnut-shaped plate. The ground electrode 37 is connected electrically with the grounded metal vessel 33. The position of the ground electrode 37 is determined by the distances L1 and L2 from the ECR region 21 and the surface of the sample 14 to be processed similarly to the mesh in the embodiment indicated in FIGS. 5 and 6 described previously. The outer surface of the ground electrode 37 is covered by a thin insulating film similarly to the embodiment indicated in FIGS. 1 to 3.
  In the device constructed as described above, the processing gas is supplied directly to the upper portion of the plasma generating space and flows downward to be evacuated there. In this way the pressure is reduced to a predetermined value and kept at that value. In this state, the microwaves and the magnetic field are made act thereon to generate plasma similarly to the embodiment indicated in FIGS. 1 to 3. At this time, since the upper portion of the ground electrode 37 is formed as a doughnut-shaped plate, the contact area with the plasma at the distance L2 from the ECR region 21 is increased and it is possible to apply AC electric power to a wide region of the plasma to stabilize the plasma.」 
　
摘記事項の翻訳
　「次に、本発明の他の実施例を図７、８を参照して説明する。これらの図において、図１の中で使用されるものと同じ参照数字は同じ部分を示し、その説明は省略する。真空チャンバは金属容器３３からなり、石英からなるプレート３４は金属容器３３の上部にある空胴に密閉して装着される。絶縁層３５は金属容器３３の上部にあるプラズマ生成空間２０を形成する部分表面に配置される。サンプル台１０は絶縁層３５が金属容器３３内に配置された空間まで延長して形成される。導波管３２は石英窓３４をカバーし、さらに上方に延長するように金属容器３３上に配置される。またマグネトロン３１は導波管３３の上端部に装着される。ガスバッファーは金属容器３３の上部内に形成され、処理ガスは処理ガス供給装置５から噴出空間の上部まで供給可能である。排出装置８はバルブ７を通して金属容器３３の下部に接続される。ソレノイドコイル３６は金属容器３３の上部の外側周囲に巻かれている。接地電極３７は、サンプルが載置されるサンプル台の表面に関してマイクロ波導入側に配置され、ドーナツ状をしたプレートとして形成される。接地電極３７は接地された金属容器３３と電気的に接続する。接地電極３７の配置は、図５、６に示した具体例のメッシュと同様に処理されるように、ＥＣＲ領域２１とサンプル１４表面とからの距離Ｌ１とＬ２により決定される。接地電極３７の外側表面は図１〜３に示した具体例と同様に薄い絶縁フィルムによりカバーされる。
　上述したように構成された装置では、処理ガスはプラズマ生成空間の上部まで直接供給され、そこから排出するために下方へ流れる。このようにして圧力は予め決定した値まで変化し、その値に維持される。この状態において、マイクロ波と磁場は図１〜３に示した具体例と同様にプラズマを生成するためにその上で実施される。このとき、接地電極３７の上部はドーナツ状のプレートとして形成されているので、ＥＣＲ領域２１からの距離Ｌ２におけるプラズマとのコンタクト区域は増加する。またプラズマを安定させるためにプラズマの広い領域にＡＣ電力を供給することは可能である。」
　
３．対比・判断
　上記刊行物の記載からみて、接地された金属容器３３の内部表面のうち、絶縁層３５でカバーされていない内部空間に露出した内部表面は接地面となることは当然のことである。
　さらに、刊行物に記載の接地された金属容器３３の内部空間がプラズマ処理室となり、金属容器３３の内部表面にある接地面には絶縁層を貫通してドーナツ状の接地電極３７が装着され、金属容器３３と電気的に接続し、しかも、この接地電極３７の配置は、ＥＣＲ領域２１とサンプル１４表面とからの距離Ｌ１とＬ２により決定されるとしているから、接地電極３７はプラズマ処理室の内部空間に向けて露出し、プラズマ処理室内に生成されたプラズマの接地路となることは明らかである。
　なお、接地電極３７の外側表面は薄い絶縁フィルムによりカバーされているものの、接地電極３７は接地された金属容器３３と電気的に接続し、接地電極としている以上、薄い絶縁フィルムによるカバーは、電気的な絶縁機能はないと認められる。
　そうすると、金属容器３３の内部表面にある接地面の一部に、接地電極３７を装着することにより、内部表面にある接地面全面より狭い領域（すなわち、接地面に装着される接地電極３７の面積分に当たる狭い領域）は被覆されることになり、しかも、絶縁層３５は、結果的に、この内部表面にある接地面全面から接地電極３７が装着された部分を除いた残りの部分の上に設けられることになることも明らかである。
　
　そこで、刊行物の摘記事項を総合して方法的に表現すると、刊行物１には、「プラズマ処理装置を形成する方法であって、該方法は、前記プラズマ処理装置が動作中、接地されるように構成された金属容器の内部表面にある接地面であって、該面はある領域を有している面を有したプラズマ処理室を提供する過程と、前記内部表面にある接地面の上に、該内部表面にある接地面と動作上接触して、そして前記プラズマ処理装置が作動中はそれを通してプラズマ接地路になる、前記内部表面にある接地面全面より狭い領域を被覆するドーナツ状の接地電極を装着する過程と、前記内部表面にある接地面の残りの部分上に設けられ、前記接地電極を前記プラズマ処理室の内部空間に向けて露出するように構成されている絶縁層を提供する過程と、を具備するプラズマ処理装置の形成方法。」（以下、「刊行物記載発明」という。）が記載されていることになる。
　
　次に、本願発明４６と上記刊行物記載発明とを対比すると、刊行物記載発明の「プラズマ処理装置」、「内部表面にある接地面」、及び「絶縁層」は、本願発明４６の「プラズマ処理ツール」、「内部導電性接地可能面」、及び「絶縁被覆体」に相当するから、両者は、「プラズマ処理ツールを形成する方法であって、該方法は、前記処理ツールが動作中、接地されるように構成された内部導電性接地可能面であって、該面はある領域を有している面を有した処理室を提供する過程と、前記内部導電性接地可能面の上に、該内部導電性接地可能面と動作上接触して、そして前記ツールが作動中はそれを通してプラズマ接地路が確立される少なくとも一つの、前記内部導電性接地可能面の全面より狭い領域を被覆する接地電極を装着する過程と、前記内部導電性接地可能面の残りの部分の上に設けられ、前記接地電極を前記処理室の内部に外側に向けて露出するように構成される絶縁被覆体を提供する過程と、を具備するプラズマ処理ツール形成方法」の点で一致し、相違する点は認められない。
　
　したがって、本願発明４６は、刊行物に記載された発明である。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書第４〜５頁において「【拒絶査定の要点】原査定の拒絶理由は、本願請求項２３に係る発明は、引用例２，４に記載された事項及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものだから、・・・特許を受けることができないというものです。
【本願発明が特許されるべき理由】本出願人は、本審判請求書の提出と同日付けで手続補正書を提出し、拒絶理由の対象となった独立形式の請求項２３及びそれに従属する請求項２４〜２９を削除しました。・・・」と主張している。しかし、平成１６年２月１２日付拒絶査定で拒絶査定の対象とした請求項は、本願請求項２３だけでなく他の請求項についても言及している（拒絶査定の備考の下から３行以降に「他の請求項については、平成１６年１月１３日付手続補正書による補正前後の新旧請求項関係を考慮して、平成１５年７月９日付け拒絶理由通知書に記載した通りである。」）ものであって、当該平成１５年７月９日付け拒絶理由通知書には、本願発明４６に対応する請求項６０についても、拒絶の理由が通知されているから、上記主張は採用の限りではない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項４６に係る発明は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。