【事件の表示】
　特願２００１−３８５４４５「はんだ箔および半導体装置および電子装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１８日出願公開、特開２００２−３０５２１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　 
　本願は、平成１３年１２月１９日（優先権主張　平成１２年１２月２１日）の出願であって、平成１７年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月７日に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成１７年１１月７日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１７年１１月７日付け手続補正を却下する。
　　
　　
［理由］
　　
１．補正後の本願発明
　　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおりに補正された。
　 
「第一の電子部品と、第二の電子部品と、第三の電子部品を有する電子装置であって、
前記第一の電子部品と前記第二の電子部品は、
複数の金属の粒子と複数のはんだの粒子を有するはんだ材料に圧力を加えることにより、該金属は粒子の状態で、該はんだ粒子は該金属の粒子の間を埋めた状態とした第一のはんだを用いることにより、該複数の金属の粒子間が、該はんだ粒子が溶融して該金属の粒子と反応することにより形成された金属間化合物により連結された状態で接続され、
前記第二の電子部品と前記第三の電子部品とは、
前記第一のはんだと異なる融点を有する第二のはんだを用いて接続されていることを特徴とする電子装置。」
　 
　本件補正後の請求項１は、補正前の請求項１の「金属の粒子」、「はんだの粒子」、及び第一の電子部品と前記第二の電子部品との「接続」についてさらに限定を付加し、補正前の請求項１の「埋めた状態となる第一のはんだ」を「埋めた状態とした第一のはんだ」として、埋めた状態となり得る第一のはんだから、すでに埋めた状態となっている第一のはんだへと限定するものであって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　 
　 
２．引用例
　 
　本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１０−１６３２７０号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び同じく頒布された刊行物である特開平９−８３１２８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。 
　なお、刊行物１、２は、平成１８年１２月４日付け審尋で請求人に提示され、請求人からは、平成１９年２月２日付けで回答書の提出があったものである。
　 
（１）刊行物１：特開平１０−１６３２７０号公報
　
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、その接合面に配置された複数個の接合バンプとを有し、
また、前記基板は、前記接合面に別の基板ないし集積回路チップ等の被接合体を重ね合わせて予め定められた接合温度に加熱することにより、前記接合バンプを介して該被接合体が接合されることが予定され、
前記接合バンプは、前記接合温度において部分的に溶融して液相を生ずるとともに、その生じた液相部分と残余の固相部分とが互いに混合した状態を形成するものとして構成されたことを特徴とする接合バンプ付き配線基板。
・・・
【請求項７】  前記接合バンプは、固相形成金属部と、溶融開始温度が該固相形成金属部よりも低い液相形成金属部とが互いに混合した構造を有し、前記接合温度において、前記液相形成金属部の少なくとも一部が溶融して前記液相部分の少なくとも一部を形成するものである請求項１記載の接合バンプ付き配線基板。
【請求項８】  前記接合バンプは、前記固相形成金属部としての多数の金属粒子と、それら金属粒子同士の隙間を少なくとも部分的に充填する前記液相形成金属部としての結合金属部とを有する複合材料により構成されている請求項７記載の接合バンプ付き配線基板。
【請求項９】  基板と、その接合面に配置された複数個の接合バンプとを有し、
前記接合バンプは、多数の金属粒子と、それら金属粒子同士の隙間を充填するとともに該金属粒子の構成金属よりも溶融開始温度の低い金属からなる結合金属部とを有する複合材料によって構成されたことを特徴とする接合バンプ付き配線基板。
【請求項１０】  前記接合バンプは、前記結合金属部の成分の一部と前記金属粒子の成分の一部とを含有する合金層が前記金属粒子の表面に沿って形成され、その合金層を介して前記金属粒子同士が互いに結合された構造を有する請求項８又は９に記載の接合バンプ付き配線基板。」
　
（１ｂ）「【０００３】【発明が解決しようとする課題】上述のような基板同士の接合は、通常、共晶半田の融点（約１８３℃）から２０〜４０℃程度高い温度で行われる。・・・」
　
（１ｃ）「【００４８】（実施例３）接合バンプ１は、固相形成金属部と、該固相形成金属部よりも溶融開始温度の低い液相形成金属部とが互いに混合した構造を有し、接合温度において、液相形成金属部の少なくとも一部が溶融して液相を形成するものとして構成することができる。具体的には、図１３に示すように、固相形成金属部としての多数の金属粒子２０１と、それら金属粒子同士の隙間を充填する液相形成金属部としての結合金属部２０３とを有する複合材料２０４により構成することができる。
【００４９】結合金属部２０３は、接合温度、すなわち２００〜２２０℃において速やかに溶融して十分な量の液相を発生できる材質で構成され、例えばＳｎを５０〜８０重量％含有する合金、より具体的には、共晶組成を有するＳｎ−Ｐｂ二元合金（Ｓｎ−３８．１重量％Ｐｂ：以下、共晶半田という）が使用されている。一方、金属粒子としては、結合金属部２０３を構成する共晶半田とぬれ性のよい材質で構成されたもの、例えばＰｂ、Ｃｕ及びＡｇの少なくとも一つを主体に構成された１種又は２種以上の金属粒子が使用されている。なお、本実施例では金属粒子２０１として、Ｐｂ金属、あるいはＳｎの含有比率が１０重量％以下であるＰｂ−Ｓｎ二元合金（以下、両者を総称して高融点半田という）の粒子、あるいはＣｕ粒子が使用されるものとするが、Ａｇ−Ｃｕ合金（例えばＡｇ−Ｃｕ共晶合金）の粒子等も使用可能である。
【００５０】次に、金属粒子２０１の表面には、これに沿うように、結合金属部２０３の成分の一部と金属粒子２０１の成分の一部とを含有する合金層２０２が形成され、その合金層２０２を介して金属粒子同士２０１が互いに結合されて、例えば三次元網目状の骨格構造を形成している。例えば、結合金属部２０３が共晶半田で構成され、金属粒子２０１が高融点半田で形成される場合は、この合金層２０２は共晶半田と高融点半田との中間のＳｎ組成を有するＰｂ−Ｓｎ合金となる。一方、金属粒子２０１がＣｕで構成される場合は、ＰｂとＣｕとがほとんど固溶しあわないことから、Ｃｕ及びＳｎを主体とする合金となる。
【００５１】また、金属粒子２０１の含有量は、２００〜２２０℃の温度域において、固相の存在比率が２０〜９５重量％、望ましくは４０〜７０重量％となるように調整される。この場合、結合金属部２０３は、共晶半田で構成されていることから、２００〜２２０℃の温度域ではほぼ全体が液相となるので、合金層２０２の合計体積がそれほど大きくないと推定される場合には、金属粒子２０１の含有量自体を２０〜９５重量％、望ましくは４０〜７０重量％の範囲で調整するのがよい。
【００５２】さて、上述のような接合バンプ１はソルダーペースト法により形成することができるが、その工程は実施例２の配線基板の接合バンプとほぼ同様であるので説明は省略する。この場合、使用するペーストは、前述の金属粒子となるべき高融点半田粒（例えば、Ｐｂ−５重量％Ｓｎ；液相線温度約３１４℃、直径約３０μｍ）、あるいはＣｕ粒（例えば、直径約３０μｍ）と共晶半田粒（例えば、直径約３０μｍ）とを前述の比率となるように混合したもの５０体積％に対し、フラックスを５０体積％混合したものが使用される。
【００５３】図１４はリフロー処理の進行過程を模式的に示したものである。すなわち、処理温度に加熱すると、ぺ一スト中の金属粒子２０１は固体のままであるが、共晶半田粒２５０はそのほとんどが融解して液相Ｌとなり、この液相Ｌによって金属粒子２０１とパッド１７とが結合される。ここで、金属粒子２０１が高融点半田で構成されている場合、図１５（ａ）に示すように、共晶半田が溶融してできた液相Ｌと、Ｐｂを主体とする高融点半田で構成された金属粒子２０１との間では、Ｓｎ濃度が前者において高く、Ｐｂ濃度が後者において高くなることから、金属粒子２０１側から液相Ｌ側へＰｂが拡散し、液相Ｌ側から金属粒子２０１側へＳｎが拡散して、同図（ｂ）に示すように金属粒子２０１の周囲には、Ｓｎの含有量が共晶組成よりもＰｂ側へずれた、換言すればＰｂ濃度の高くなった液相部分Ｌ’が生じる。そして、Ｐｂ濃度が高くなれば、図２の状態図からも明らかな通り液相線温度が上昇することから、同図（ｃ）に示すように、該Ｐｂ濃度が一定以上になるとこれが凝固して合金層２０２となり、これを介して金属粒子２０１同士が互いに接合されることとなる。なお、金属粒子２０１がＣｕで構成されている場合には、金属粒子２０１から液相Ｌ側へＣｕ成分が溶出し、そのＣｕ成分と液相中のＳｎ成分とが反応してＣｕ−Ｓｎ系の合金層２０２が形成される。」
　
（１ｄ）「【００５４】上記配線基板３は、例えば図１６（ａ）に示すように、その接合バンプ１の形成された側に集積回路チップＣを重ね合わせてこれを２００〜２２０℃の接合温度に加熱することにより、同図（ｂ）に示すように接合バンプ１はその結合金属部２０３が再び溶融して液相Ｌを生じ、さらに同図（ｃ）に示すように、その生じた液相ＬによってチップＣとの接合が行われることとなる。ここで、該接合バンプ１は２００〜２２０℃においてもそのすべてが液相Ｌとならず、金属粒子２０１の部分が固相として残存し、しかもそれが合金層２０２を介して結合して骨格構造を維持していることから、バンプ１の形状維持力が高められており、接合中に集積回路チップ（被接合体）Ｃと基板１０３との間でこれが押し潰されたりするトラブルが生じにくい。」
　
（１ｅ）「【００５５】なお、上記接合バンプ１は、実施例１と同様にプレフォーム法によっても作製できる。この場合、例えば金属粒子と、結合金属部を形成するための金属粉末とを所定の比率で混合し、これを成型後焼結するか、あるいは温間押出成型することにより複合材料のブルームあるいはビレットを作り、これを圧延ないし伸線加工して線材化後、前述の装置４９（図４）により切断すれば、該複合材料のプレフォームを作製することができる。」
　
　
（２）刊行物２：特開平９−８３１２８号公報
　
（２ａ）「【特許請求の範囲】【請求項１】  サブプリント基板に電子部品がリフローはんだ付けにより実装されてなる半導体モジュールをメインプリント基板にリフローはんだ付けする半導体モジュールの接合構造において、前記サブプリント基板に対する前記電子部品のリフローはんだ付けはリフロー炉内の最高温度を２００℃以上とする必要のある高融点はんだを用いて行い、前記メインプリント基板に対する前記半導体モジュールのリフローはんだ付けは、リフロー炉内の最高温度が２００℃以下ではんだ付け可能な低融点はんだを用いて行っていることを特徴とする半導体モジュール接合構造。」
　
（２ｂ）「【従来の技術】半導体モジュールは、サブプリント基板にベアＩＣチップやその他のチップ部品がリフローはんだ付けにより実装されることにより構成されるがこの半導体モジュールを他の電子部品と共にメインプリント基板に実装する場合、従来は図７の工程図に示すように、メインプリント基板にソルダーペーストを印刷して半導体モジュール、ＱＦＰ／ＳＯＰ等の半導体部品及びチップ部品をマウントし、リフロー炉内でソルダーペーストを溶融することにより行っていた。」
　
（２ｃ）「【００１６】【発明の効果】以上説明したように請求項１に係る半導体モジュールの接合構造では、半導体モジュールの作製は高融点はんだを用い、半導体モジュールの実装は低融点はんだを用いたので、半導体モジュールを構成する電子部品に加わる２００℃以上の高温を一回のみとすることができ、従って、電子部品に加わる熱ストレスを最小限度にすることができる。また、低融点はんだを用いたことにより、半導体モジュールの取り外しや取り付けも容易であり、従って、半導体モジュールの交換作業も容易に行え、また、この種の作業のときに、半導体モジュールに隣接する電子部品が高熱により破損するという問題も生じ難い。」
　 
　 
３．対比 
　 
　摘記事項（１ａ）によれば、接合バンプ付き配線基板が、基板と、その接合面に配置された複数個の接合バンプとを有し、前記接合バンプは、多数の金属粒子と、それら金属粒子同士の隙間を充填するとともに該金属粒子の構成金属よりも溶融開始温度の低い金属からなる結合金属部とを有する複合材料によって構成されたこと、接合バンプは、合金層を介して前記金属粒子同士が互いに結合された構造を有することが記載されている。
　摘記事項（１ｄ）によれば、配線基板は、接合バンプの形成された側に集積回路チップを重ね合わせてこれを２００〜２２０℃の接合温度に加熱することにより、接合バンプはその結合金属部が再び溶融して液相を生じ、さらに、その生じた液相によってチップとの接合が行われること、接合バンプは２００〜２２０℃においてもそのすべてが液相とならず、金属粒子の部分が固相として残存し、しかもそれが合金層を介して結合して骨格構造を維持していることが記載されていることから、接合バンプ付き配線基板と集積回路チップとが加熱を経て接合された後も、合金層を介して前記金属粒子同士が互いに結合された構造が維持されているといえる。また、結合金属部は、接合バンプ付き配線基板と集積回路チップとが加熱を経て接合された後も、配線基板に接合バンプを形成した後と同様に金属粒子同士の隙間を充填しているものと認められる。
　摘記事項（１ａ）によれば、合金層は、結合金属部の成分の一部と金属粒子の成分の一部とを含有し、金属粒子の表面に沿って形成されるものであること、摘記事項（１ｃ）によれば、結合金属部が共晶半田で構成され、金属粒子が高融点半田で形成される場合は、金属粒子側から共晶半田が溶融してできた液相Ｌ側へＰｂが拡散し、液相Ｌ側から金属粒子側へＳｎが拡散・凝固して合金層となること、金属粒子がＣｕで構成されている場合には、金属粒子から液相Ｌ側へＣｕ成分が溶出し、そのＣｕ成分と液相中のＳｎ成分とが反応してＣｕ−Ｓｎ系の合金層が形成されることが記載されていることから、合金層は、結合金属部が溶融してできた液相中の成分と金属粒子の成分とが反応して形成されたものであるといえる。
　また、配線基板を更に他の基板と接合することが周知である点を考慮すれば、集積回路チップと配線基板と他の基板を有する電子装置、及び配線基板と他の基板が接合されていることは、刊行物１に記載されているに等しい事項であるといえる。
　
　摘記事項（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、刊行物１には、
「集積回路チップと、配線基板と、他の基板を有する電子装置であって、
集積回路チップと配線基板は、
多数の金属粒子と結合金属部とを有する複合材料を用いることにより、結合金属部により金属粒子同士の隙間が充填され、結合金属部が溶融してできた液相中の成分と金属粒子の成分とが反応して形成されたＣｕ−Ｓｎ系の合金層を介して金属粒子同士が互いに結合された構造を維持して接合され、
配線基板と他の基板が接合されている装置。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願補正発明と刊行物１発明とを対比する。 
　刊行物１発明の「集積回路チップ」は、本願補正発明の「第一の電子部品」に相当し、以下同様に、「配線基板」は「第二の電子部品」に、「他の基板」は「第三の電子部品」に、「多数」は「複数」に、「金属粒子」は「金属の粒子」に、「複合材料」は「第一のはんだ」に、「Ｃｕ−Ｓｎ系の合金層」は「金属間化合物」に、「を介して金属粒子同士が互いに結合された構造」は「複数の金属の粒子間が・・・により連結された状態」に、「接合」は「接続」に、それぞれ相当するから、両者は、
「第一の電子部品と、第二の電子部品と、第三の電子部品を有する電子装置であって、
前記第一の電子部品と前記第二の電子部品は、
第一のはんだを用いることにより、複数の金属の粒子間が、金属間化合物により連結された状態で接続され、
前記第二の電子部品と前記第三の電子部品とが接続されている電子装置。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願補正発明は、「第一の電子部品と第二の電子部品は、複数の金属の粒子と複数のはんだの粒子を有するはんだ材料に圧力を加えることにより、該金属は粒子の状態で、該はんだ粒子は該金属の粒子の間を埋めた状態とした第一のはんだを用いることにより、該複数の金属の粒子間が、該はんだ粒子が溶融して該金属の粒子と反応することにより形成された金属間化合物により連結された状態で接続され」ているのに対し、刊行物１発明は、「第一の電子部品と第二の電子部品は、複数の金属の粒子と結合金属部とを有する第一のはんだを用いることにより、結合金属部により金属の粒子同士の隙間が充填され、複数の金属の粒子間が、結合金属部が溶融してできた液相中の成分と金属の粒子の成分とが反応して形成された金属間化合物により連結された状態で接続され」ている点。
　
［相違点２］
  第二の電子部品と第三の電子部品との接続に、本願補正発明では、「第一のはんだと異なる融点を有する第二のはんだを用いて」いるのに対し、刊行物１発明では、この点について記載されていない点。
　 
　 
４．判断  
　 
　次に、前記相違点について検討する。
　
［相違点１］について
　本願補正発明は、「電子装置」に関する物の発明である。
　本願補正発明の「第一の電子部品と第二の電子部品は、複数の金属の粒子と複数のはんだの粒子を有するはんだ材料に圧力を加えることにより、該金属は粒子の状態で、該はんだ粒子は該金属の粒子の間を埋めた状態とした第一のはんだを用いることにより、該複数の金属の粒子間が、該はんだ粒子が溶融して該金属の粒子と反応することにより形成された金属間化合物により連結された状態で接続されている」は、「物」の構成としてみると、はんだ粒子は溶融して粒子の形状はとどめていないことから、「第一の電子部品と第二の電子部品は、複数の金属の粒子間が、はんだが溶融して該金属の粒子と反応することにより形成された金属間化合物により連結され、はんだが金属の粒子の間を埋めた状態で接続されている」という意味であると解される。
　そうすると、刊行物１発明の「結合金属部」は共晶半田で構成されていることから、刊行物１発明の「結合金属部が溶融してできた液相中の成分と金属の粒子の成分とが反応して形成された金属間化合物」は、「はんだが溶融して該金属の粒子と反応することにより形成された金属間化合物」に相当していることになる。
　そして、明細書には、複数の金属の粒子と複数のはんだの粒子を有するはんだ材料より、複数の金属の粒子と複数のはんだの粒子を有するはんだ材料を圧縮したものの方がボイドが少ない旨の記載（段落【００１０】〜【００１２】）、窒素中での低温ホットプレスを用いると、Cuボール及びSn系はんだボールの粒径が大きい場合(約40μm)、Ｓｎ系はんだは97%以上の空隙充填率を示すことを確認したとの記載（段落【００１２】）、本方式ははんだ材料内部の空間を金属ボールで予め埋めてしまう方式であり、その分、ボイドは少なく、従来のはんだ箔の場合と同レベルまたはそれ以下のボイド率となることが予想される（大きなボイドはでき難い構造である。）との記載（段落【００１４】）、粒径が3〜8μmのCu粒子、Sn粒子を用いた場合、箔でのはんだ充填率は約80%であった(ボイド率20%)との記載（段落【００５７】）等があることから、はんだが粒子である材料よりボイドが少ないこと、粒径により充填率が異なること、従来のはんだ箔と同レベルまたはそれ以下となることが予想されることなどが記載されていることは認められるものの、どの程度埋めた状態であるのかについての定義はないことから、刊行物１発明の「結合金属部により金属粒子同士の隙間が充填」は、「はんだが金属の粒子の間を埋めた」ことに相当するといえる。
　よって、相違点１について、実質的な差異があるとすることはできない。　
　
［相違点２］について
　刊行物１には、結合金属部である共晶半田の融点が約１８３℃であること及び接合温度は２００〜２２０℃であること（摘記事項（１ｂ）〜（１ｄ））が記載されている。
　刊行物２には、サブプリント基板に電子部品がリフローはんだ付けにより実装されてなる半導体モジュールをメインプリント基板にリフローはんだ付けする半導体モジュールの接合構造において、前記サブプリント基板に対する前記電子部品のリフローはんだ付けはリフロー炉内の最高温度を２００℃以上とする必要のある高融点はんだを用いて行い、前記メインプリント基板に対する前記半導体モジュールのリフローはんだ付けは、リフロー炉内の最高温度が２００℃以下ではんだ付け可能な低融点はんだを用いて行っていること（摘記事項（２ａ））、半導体モジュールの作製は高融点はんだを用い、半導体モジュールの実装は低融点はんだを用いたので、半導体モジュールを構成する電子部品に加わる２００℃以上の高温を一回のみとすることができ、従って、電子部品に加わる熱ストレスを最小限度にすることができること、低融点はんだを用いたことにより、半導体モジュールの取り外しや取り付けも容易であり、従って、半導体モジュールの交換作業も容易に行え、また、この種の作業のときに、半導体モジュールに隣接する電子部品が高熱により破損するという問題も生じ難いこと（摘記事項（２ｃ））が記載されており、刊行物１発明の集積回路チップと配線基板との接合は２００℃以上の接合温度で行うものであるから、刊行物１発明において、配線基板と他の基板を接合する際に、熱ストレスや交換作業の容易さ等の周知の課題を考慮して刊行物２に記載された低融点はんだを用いて、相違点２に係る本願補正発明の特定事項とすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　
　また、本願補正発明による効果も、刊行物１、２の記載から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　 
　 
５．むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
III．本願発明について
　
　平成１７年１１月７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２１に係る発明は、平成１６年３月８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「第一の電子部品と、第二の電子部品と、第三の電子部品を有する電子装置であって、
該第一の電子部品と該第二の電子部品は、金属の粒子とはんだの粒子を有するをはんだ材料に圧力を加えることにより、該金属は粒子の状態で、該はんだ粒子は該金属の粒子の間を埋めた状態となる第一のはんだを用いて接続され、該第二の電子部品と該第三の電子部品は該第一のはんだと異なる融点を有する第二のはんだを用いて接続されていることを特徴とする電子装置。」
　
　　なお、本願については、平成１６年８月１１日付けの手続補正がされたが、これは平成１７年８月２４日付けの補正の却下の決定により却下された。
　
　
１．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１０−１１８７８３号公報（以下、「刊行物３」という。）、及び同じく頒布された刊行物である特開平６−２１６１６７号公報（以下、「刊行物４」という。）には、次の事項が記載されている。 
　
（１）刊行物３：特開平１０−１１８７８３号公報
　
（３ａ）「【特許請求の範囲】【請求項１】  パラジウム（Ｐｄ）を０．００５〜３．０重量％、錫（Ｓｎ）を９７．０〜９９．９９５重量％含有した組成を有し、かつ液相線温度が２００〜３５０℃である半田材料。
【請求項４】  さらに、金属または合金粒子を０．００１〜５．０重量％含有した請求項１または２に記載の半田材料。
【請求項５】  金属または合金粒子が、Ｓｎ（比重：７．２８）の±２の範囲にある比重を有する請求項４に記載の半田材料。
【請求項６】  金属または合金粒子が、Ｃｕ，ＮｉおよびＦｅから選ばれる金属、酸化物、炭化物、窒化物、合金から選ばれる粒子である請求項４に記載の半田材料。」
　
（３ｂ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、鉛を使用しない高温半田材料で熱疲労性能に優れた環境に優しい無鉛高温半田材料に関する。特に、電子素子等のダイボンディングやハイブリッドＩＣ等の発熱部品の半田付けに用いて好適なものである。また、それを用いた電子部品に関する。」
　
（３ｃ）「【０００２】【従来の技術】近年、電子機器等の廃棄処理等の課題や環境対策の推進により、鉛を使用しない無鉛半田に対する要求が高くなった。
【０００３】しかし、通常電子部品等の半田付けには、Ｐｂ−Ｓｎ系半田が用いられている。Ｐｂ−Ｓｎ系半田は、接合性に優れて、相互の含有量の調整で広い温度範囲の融点を選ぶことが出来る利点を有している。特に６３重量％Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田は、融点が１８３℃と低いため、電子部品を低温で半田付けでき、電子部品への熱影響も少ないとして広く使用されている。
【０００４】一方、電子部品の実装工程及び実装済みの電子部品では、一度半田付けされた箇所が二度目の加熱を受ける場合がある。例えば、半導体装置のように半導体素子チップをリードフレーム（特にダイ）に半田付けした後、ワイヤーボンディングする為にダイを加熱したり、プリント基板の両面に電子部品を実装するハイブリッドＩＣのように他方の面への電子部品の搭載・半田付けを一方の面への電子部品の搭載・半田付けを行なった後にする半田の「二度付け」が行なわれたり、実装済みでも電子素子自体の発熱により加熱されたりしている。
【０００５】このため、一度目の半田付け材料は、二度目の加熱を行なう際に、その半田材料が溶融して、一度目に接合した部品が脱落することを防ぐために液相線温度の高い高温半田材料が必要である。この様な高温半田材料としては、電子素子への熱影響を少なくすることを考慮して液相線温度が２００〜３５０℃のものが要求されている。」
　
　
（２）刊行物４：特開平６−２１６１６７号公報
　
（４ａ）「【０００２】【従来の技術】パワーモジュールを例に採ると、従来絶縁板にはＡｌ２Ｏ３，ＢｅＯ等が、また最近ではＡｌＮ等が採用され、ニッケルメッキを施したベースに半田にて接続されている。しかし、モジュールが大容量の方向に拡大しており、このため絶縁基板及び金属ベースも大形化し、臘材による均一な接続が臘材のかたよりや気泡等が生じることにより難しくなってきている。」
　
（４ｂ）「【００１２】【実施例】図１に、本発明の一実施例を示す。
【００１３】絶縁基板４ｂは、熱伝導性の良好なＡｌＮを使用し、電極処理４ａ，４ｃはＣｕの薄板を臘付けにより接続した構造を有し、半導体素子は融点が３００℃程度のＰｂ−Ｓｎ系半田を用いてＡｌＮのＣｕ電極４ａ上に半田付けされる。半導体素子１の基体であるＳｉおよびＡｌＮ４ｂの熱膨張率は、それぞれ３×１０−６／℃，４×１０−６／℃と非常に近いため臘材の疲労は起きにくい。
【００１４】そのごＡｌワイヤ３により配線を施し、Ｃｕベース２の融点が１８０℃程度の半田５で接着する。Ｃｕベースの熱膨張率は約１７×１０−６／℃とＳｉ及びＡｌＮに対して大きくこの部分の熱疲労耐量が半導体装置の信頼性確保の上で重要である。」
　
（４ｃ）そして、図１には、Ｃｕベース２と絶縁基板４ｂが半田５で接着されていることが示されている。
　
　
２．対比
　
　摘記事項（３ａ）によれば、Ｃｕ粒子を０．００１〜５．０重量％含有し、パラジウム（Ｐｄ）を０．００５〜３．０重量％、錫（Ｓｎ）を９７．０〜９９．９９５重量％含有した組成を有する半田材料が記載され、摘記事項（３ｂ）によれば、該半田材料が高温半田材料であることが記載され、摘記事項（３ｃ）によれば、電子部品の実装工程及び実装済みの電子部品では、一度半田付けされた箇所が二度目の加熱を受ける場合があり、一度目の半田付け材料は、二度目の加熱を行なう際に、その半田材料が溶融して、一度目に接合した部品が脱落することを防ぐために液相線温度の高い高温半田材料が必要であることが記載されている。
　
　また、刊行物３の高温半田材料は電子部品を実装するためのものであるから、第一の電子部品と第二の電子部品を有する電子装置、及び第一の電子部品と第二の電子部品は高温半田材料を用いて接続されていることは、刊行物３に記載されているに等しい事項であるといえる。
　
　摘記事項（３ａ）〜（３ｃ）を総合すると、刊行物３には、 
「第一の電子部品と、第二の電子部品を有する電子装置であって、
第一の電子部品と第二の電子部品は、Ｃｕ粒子を０．００１〜５．０重量％含有し、パラジウム（Ｐｄ）を０．００５〜３．０重量％、錫（Ｓｎ）を９７．０〜９９．９９５重量％含有した組成を有する高温半田材料を用いて接続されている電子装置。」の発明（以下、「刊行物３発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願発明と刊行物３発明とを対比する。 
　刊行物３発明の「Ｃｕ粒子」、「高温半田材料」は、本願発明の「金属の粒子」、「第一のはんだ」にそれぞれ相当するから、両者は、
「第一の電子部品と、第二の電子部品を有する電子装置であって、
第一の電子部品と第二の電子部品は、第一のはんだを用いて接続されている電子装置。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。 
　
［相違点１］
　本願発明では、電子装置がさらに「第三の電子部品」を有し、「第二の電子部品と第三の電子部品は第一のはんだと異なる融点を有する第二のはんだを用いて接続されている」のに対し、刊行物３発明では、この点について記載されていない点。
　
［相違点２］
　本願発明は、「第一の電子部品と第二の電子部品は、金属の粒子とはんだの粒子を有するをはんだ材料に圧力を加えることにより、該金属は粒子の状態で、該はんだ粒子は該金属の粒子の間を埋めた状態となる第一のはんだを用いて接続され」ているのに対し、刊行物３発明は、「第一の電子部品と第二の電子部品は、金属の粒子を０．００１〜５．０重量％含有し、パラジウム（Ｐｄ）を０．００５〜３．０重量％、錫（Ｓｎ）を９７．０〜９９．９９５重量％含有した組成を有する第一のはんだを用いて接続され」ている点。
　
　
３．判断
　
　次に、前記相違点について検討する。
　
［相違点１］について
　刊行物４には、半導体素子（第一の電子部品に相当）と絶縁基板（第二の電子部品に相当）は融点が３００℃程度のＰｂ−Ｓｎ系半田（第一のはんだに相当）を用いて半田付けされること、その後、絶縁基板とＣｕベース（第三の電子部品に相当）は融点が１８０℃程度の半田５（第二のはんだに相当）で接着されることが示されている。
　また、刊行物３には、高温半田材料は、二度目の加熱を受ける場合の一度目の半田付けに用いられるものであることが示唆されているから（摘記事項（３ｃ））、刊行物３発明において、二度目の加熱時に、刊行物４に示されている如く、さらに第三の電子部品を第二のはんだで接着するようにして、相違点１に係る本願発明の特定事項とすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　
［相違点２］について
　本願発明は、「電子装置」に関する物の発明である。
　本願発明の「金属の粒子とはんだの粒子を有するをはんだ材料に圧力を加えることにより、該金属は粒子の状態で、該はんだ粒子は該金属の粒子の間を埋めた状態となる第一のはんだ」は、「金属の粒子とはんだの粒子を有するをはんだ材料に圧力を加えることにより、該金属は粒子の状態で、該はんだ粒子は該金属の粒子の間を埋めた状態となり得る第一のはんだ」であるといえる。そして、「金属の粒子とはんだの粒子を有するをはんだ材料に圧力を加えることにより、該金属は粒子の状態で、該はんだ粒子は該金属の粒子の間を埋めた状態となり得る第一のはんだを用いて接続」することは、「金属の粒子とはんだを有する第一のはんだを用いて接続」することであるといえるから、「物」の構成としてみると、本願発明の接続状態と、刊行物３発明の接続状態とに差異は認められない。
　よって、相違点２について、実質的な差異があるとすることはできない。
　
　
　また、本願発明による効果も、刊行物３、４の記載から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　
　したがって、本願発明は、刊行物３、４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物３、４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。