【事件の表示】
　平成１１年特許願第１１３５３３号「半導体製造装置、電磁波漏洩抑制方法および半導体デバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月　２日出願公開、特開２０００−３０６９７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件出願は、平成１１年４月２１日の出願であって、平成１６年１２月６日付で拒絶の理由が通知され、その指定期間内の平成１７年２月１０日に意見書の提出とともに明細書について補正がされたが、同年３月３日付けで拒絶をする旨の査定がされ、これに対し、同年４月５日に拒絶査定不服審判がされるとともに、手続補正がなされたものである。
　
　そして、その請求項１〜１５に記載された発明は、平成１７年４月５日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　基板を処理する処理手段と、
　前記処理手段を内包し、開口と前記開口を開閉可能な扉とを有し、前記扉が閉じられた状態で電磁波の外部への漏洩を抑制する第１のチャンバと、
　前記第１のチャンバの外側に配され、基板収納用ポッドを装着する装着手段と、
　前記装着手段に装着された前記基板収納用ポッドの周囲を蔽う電磁波遮蔽板と、
　を有することを特徴とする半導体製造装置。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、本件出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平３−９６２４８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（イ）第１頁右下欄下から５行目〜第２頁左上欄第２行
「本発明はマスクカセツトローデイング方法、特には、大気を遮断するチヤンバ内で、半導体素子製造用のマスクを収納するマスクカセツト本体を、斯かるマスクカセツト本体の周囲を実質的に密閉するマスクカセツトカバーに対してローデイングするためのマスクカセツトローデイング方法に関する。」
　
（ロ）第２頁左上欄第４〜１４行
「従来より、マスクに形成されている半導体素子製造用のパターンを半導体ウエハに焼き付けるために、マスクを介してウエハをＸ線で露光する装置は知られている。　
　ところで、所望の減圧雰囲気中にマスクとウエハを設置し、この状態でＸ線によりマスクを介してウエハを露光するようなＸ線露光装置では、所望の減圧雰囲気中で、マスクを収納するマスクカセツト本体を、防塵用のマスクカセツトカバーと分離し、所定の位置へマスクカセツト本体をローデイングすることが必要になる。」
　
（ハ）第２頁右下欄第５行〜第３頁左上欄第３行
「第１図は、本発明のマスクカセツトローデイング方法を適用したＸ線露光装置のマスクローダ部の断面を示す図、第２図は第１図の実施例の斜視図で、同図（ａ）はマスクカセツト交換時の状態を示し、同図（ｂ）は露光装置にマスクカセツトがセツトされた状態を示している。
　これらの図において、MFはマスク（レチクルをも含むものとする）を示す。マスクMFはリング状の支持部材と、そのリング部材に貼り付けられた薄膜部材とから成り、その薄膜部材の中央部に半導体ウエハに転写される半導体素子用のパターンがある。しかしマスクMFの形状は円形でなくともよい。
　MCMはマスクMFを収納するマスクカセツト本体である。マスクMFはマスクカセツト本体MCM内に複数枚（例えば20枚）収納され、各マスクMFは縦置（マスクMFのパターン面がＹ軸に平行）で、XZ面上で放射状に配置されている。」
　
（ニ）第３頁左上欄第９〜１５行
「MCCは、マスクカセツト本体MCMを覆い密閉するカセツトカバーである。第１図においてはマスクカセツト本体MCMとカセツトカバーMCCとが分離している状態が示されているが、通常は第２図（ａ）に示す如く密閉され、マスクカセツトとして一体の気密構造をしている。」
　
（ホ）第３頁右上欄第３〜１６行
「TTは、マスクカセツト本体MCMと連結し、所望のマスクMFを選択するためのターンテーブルである。マスクMFはマスクカセツト本体MCM上にXZ面に関して放射状に配置されているので、マスクMFを選別するためにマスクカセツト本体MCMをＹ軸に平行な軸を中心として矢印Ａのように回転させている。・・・
　ERは、ターンテーブルTTに取り付けられており、マスクカセツト本体MCMをカセツトカバーMCCと分離し、かつマスクMFを受け渡す所望の位置までＹ軸方向（鉛直方向）に移動させるエレベータロツドである。」
　
（ヘ）第３頁左下欄第１０行〜動頁右下欄第１行
「MCHはマスクカセツト本体MCMとカセツトカバーMCCを分離した際にも、マスクMFを大気に対して遮断するためのマスクチヤンバである。WMCはＸ線露光を行なうための本体チヤンバである。マスクチヤンバMCHおよびエレベータEAは本体チヤンバWMCに取り付けられている。ただし、エレベータEAはマスクチヤンバMCHに取り付けてもよい。
　MCHDはマスクチヤンバMCHの扉である。この扉MCHDを開閉してマスクカセツトが出入もしくは交換される。一般に、扉MCHDにはインターロツクがある。」
　
（ト）第３頁右下欄第１１〜１９行
「PGはマスクチヤンバMCHの圧力をモニタする圧力計である。GVは本体チヤンバWMCとマスクチヤンバMCHの間のゲート弁である。マスクMFは、このゲート弁GVを通り抜け、本体チヤンバWMCへ搬入される。
　MHはＸ軸方向に移動することにより、マスクMFを本体チヤンバWCH内へ搬入し、もしくはマスクカセツト本体MCMへ戻すためのマスクハンドである。」
　
（チ）第４頁左上欄第９〜１４行
「第３図において、まずマスクチヤンバMCHの扉MCHDを開け、マスクカセツト本体MCMとカセツトカバーMCCとが結合しているマスクカセツトをマスクチヤンバMCH内のターンテーブルTT上に載せる（ステツプS301）。」
　
（リ）第４頁右上欄第１〜１５行
「次に扉MCHDを閉じ密閉する（ステツプS302）。そして第１図の排気弁EVを開口し、真空ポンプにてマスクチヤンバMCH内を真空にする（ステツプS303）。・・・真空度が所定の値、例えば10-3torr以下になったとき排気弁EVを閉止する。次に、電磁弁V2を開いて、ガスポートGP2から窒素（N2）を流し始める（ステツプS305）。そして、圧力計PGによってマスクチヤンバMCH内の圧力が700torr程度になったことが検出された時点で、電磁弁V2を閉じ、マスクチヤンバMCH内の圧力を700torr程度とする（ステツプS306）。」
　
（ヌ）第４頁左下欄第１２行〜同頁右下欄第１行
「次にエレベータEAを駆動してエレベータロツドERを上方へ昇動する（ステツプS307）。停止位置はあらかじめエレベータEAのアクチユエータ（本実施例ではエアシリンダ）で調節されている。エレベータロツドERが上昇すると、第２図（ｂ）に示す如くマスクカセツト本体MCMとカセツトカバーMCCが分離され、また、第１図に示す如く、マスクMFがマスクハンドMHによって操作可能な位置に導かれる。
　次に、窒素N2で満たされているマスクチヤンバMCHを真空とするため、排気弁EVを開口し不図示の真空ポンプにて所定の圧力になるまで排気を行う（ステツプS308）。マスクチヤンバMCH内が所定の圧力、例えば10-3torrになったことを圧力計PGで確認した後（ステツプS309）、排気弁EVを閉止する。そして、電磁弁V1を開口し、ガスポートGP1からマスクチヤンバMCH内にヘリウム（He）を導入する（ステツプS310）。マスクチヤンバMCH内の圧力が本体チヤンバWMC内の圧力と実質的に等しくなったことが圧力計PGで検出された時（ステツプS311）、電磁弁V1を閉止し、ヘリウム（He）の導入を停止する。
　以上の一連の動作終了後、本体チヤンバWMCとマスクチヤンバMCHとを連絡するゲート弁GVが開口される。本体チヤンバWMC内にあるマスクハンドMHは、ターンテーブルTTによって選択位置に設定されているマスクMFを本体チヤンバWMC内へ搬入するため、マスクチヤンバMCH内に進入してゆき、マスクMFを把持後、本体チヤンバWMC内に取り込む。」
　
　そして、「所望の減圧雰囲気中にマスクとウエハを設置し、この状態でＸ線によりマスクを介してウエハを露光するようなＸ線露光装置」（摘記事項（ロ））、「WMCはＸ線露光を行うための本体チャンバである」（摘記事項（へ））という記載から、本体チャンバがＸ線露光装置を内包することは明らかである。
　
　また「以上の一連の動作終了後、本体チヤンバWMCとマスクチヤンバMCHとを連絡するゲート弁GVが開口される。」（摘記事項（へ））という記載から、ゲート弁GVが開口を開閉することは、明らかである。
　
　さらに「マスクに形成されている半導体素子製造用のパターンを半導体ウエハに焼き付けるために、マスクを介してウエハをＸ線で露光する装置」（摘記事項（ロ））という記載から、刊行物１には半導体素子製造装置が記載されていることは明らかである。
　
　これらの摘記事項及び図面の記載からみて、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「マスクを介してウエハをＸ線で露光するＸ線露光装置と、
　マスクカセツト本体MCMとカセツトカバーMCCとからなるマスクカセットと、
　Ｘ線露光装置を内包し、マスクカセツト本体MCMとカセツトカバーMCCを分離した際にも、マスクMFを大気に対して遮断するためのマスクチヤンバMCHと接続され、マスクチャンバMCHとの間を開閉可能なゲート弁GVとを有する本体チャンバWMCと、
　マスクチャンバMCH内に設けられたターンテーブルTTと、
　ターンテーブルTTに取り付けられたエレベータロッドERと、
　マスクチャンバMCHに設けられ、開閉してマスクカセツトが出入もしくは交換される扉MCHDと、
を有する半導体素子製造装置であって、
　マスクカセットをマスクチャンバMCH内のターンテーブルTT上に載せた後、扉MCHDを閉じ密閉しマスクチャンバMCH内を真空にした後に窒素を満たし、エレベータERを上昇させて、マスクカセツト本体MCMとカセツトカバーMCCが分離した後、再びマスクチャンバMCHを真空とし、
　マスクチヤンバMCH内の圧力が本体チヤンバWMC内の圧力と実質的に等しくなるまでヘリウム（He）を導入した後、本体チヤンバWMCとマスクチヤンバMCHとを連絡するゲート弁GVが開口して、マスクMFを本体チヤンバWMC内へ搬入する、半導体素子製造装置。」
　
３．対比
　本件発明と引用発明とを対比すると、後者における「ウエハをＸ線で露光するＸ線露光装置」は前者における「基板を処理する処理手段」に相当し、以下同様に「ゲート弁」は「扉」に、「本体チャンバ」は「第１のチャンバ」に、「半導体素子製造装置」は「半導体製造装置」に、それぞれ相当する。そして、後者の「マスクカセット」は、物品を収納して搬送する手段という限りで、前者の「基板収納用ポッド」と共通している。また、後者の「ターンテーブルTT」は、本体チャンバの外側に配され、マスクカセットを装着する装着手段ということができる。さらに、後者の「マスクチャンバ」は、前記装着手段に装着された前記物品を収納し搬送する手段の周囲を蔽う部材という限りで、前者の「電磁波遮蔽板」と共通する。
　
　そうすると、両者は、
「基板を処理する処理手段と、
　前記処理手段を内包し、開口と前記開口を開閉可能な扉とを有する第１のチャンバと、
　前記第１のチャンバの外側に配され、物品を収納して搬送する手段を装着する装着手段と、
　前記装着手段に装着された前記物品を収納して搬送する手段の周囲を蔽う部材と、
を有する半導体製造装置」
で一致し、以下の点で相違する。
[相違点１]
　本件発明では、第１のチャンバが、扉が閉じられた状態で電磁波の外部への漏洩を抑制するものであり、前記装着手段に装着された前記物品を収納して搬送する手段の周囲を蔽う部材が、電磁遮蔽板であるのに対し、引用発明では、そのようなものであるか否か不明である点。
[相違点２]
　物品を収納して搬送する手段が、本件発明では、基板収納用ポッドであるのに対し、引用発明では、マスクカセットである点。
　
４．判断
　相違点について検討する。
[相違点１について]
　引用発明において、本体チャンバはマスクMFを大気に対して遮断することから、扉MCHDとゲート弁GVとは、同時に開口することはないと認められる。
　ところで、半導体素子製造装置等において処理手段を内包するチャンバから漏洩する電磁波を遮蔽すべきことは、従来より周知の課題であるとともに、電磁波遮蔽手段として、電磁波が発生する機器を外装するカバー等に金属等を使用することは、たとえば実願昭６０−１６４７１３号（実開昭６２−７３５９９号）のマイクロフィルムの第２頁第７行〜第３頁第１６行、特開平６−２１００３号公報の段落０００２、０００５、００２０、００２７〜００２８等に示すように、従来周知の事項である。
　そして、引用発明のような半導体素子製造装置において、本体チャンバ及びマスクチャンバには通常金属材料が用いられているところ、このような金属材料からなるチャンバが電磁波遮蔽の機能を有することは自明の事項である。
　してみると、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
　また、たとえ前記本体チャンバ及びマスクチャンバが電磁波遮蔽の機能を有するものではなかったとしても、上記周知の事項を採用して、当該チャンバに電磁波遮蔽板の機能を持たせることは、当業者が容易になし得たことである。
　
[相違点２について]
　引用発明において、マスクカセットに収納する物品はマスクであるが、本件発明の基板収納用ポッドと同様に、収納物品を第１のチャンバ内外に出し入れする点において変わるところはなく、収納物品が基板であるか、マスクであるかによって、チャンバの電磁波遮蔽の機能に何ら影響を及ぼすものでないことは明らかである。
　そして、基板（半導体ウエハ）を基板収納用ポッドに格納することは、例えば特開平１０−３０３２７１号公報の段落００１５、特開平１０−１８９６８５号公報の段落００４１、特開平８−２７９５４６号公報の段落００２０、００２５、特開平７−１８３３５４号公報の段落００３０〜００３１等に示すように、従来周知の事項である。
　してみると、引用発明のマスクカセットに代えて、従来周知の事項を採用することにより、上記相違点２に係る本件発明の特定事項とすることは、当業者が容易になし得たものと認められる。
　
　そして、本件発明によってもたらせられる効果も、引用発明及び上記周知の各事項から当業者であれば十分予測できる範囲内であって格別顕著なものではない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用発明及び従来の周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。