【事件の表示】
　特願２００１−１００４０１「ＭＩＳ型電界効果トランジスタ及び半導体記憶装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１１日出願公開、特開２００２−２９９６１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１３年３月３０日の出願であって，平成１９年１月５日付けで拒絶査定がなされ，これに対して同年２月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに，同年３月１９日付けで手続補正がなされ，その後，同年１２月２７日に上申書が提出されたものである。
　
第２　平成１９年３月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の却下について
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲の補正を含むものであり，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１０は以下のとおりである。
「【請求項１】
　シリコン基板と，
　前記シリコン基板上に形成され，その膜中にフッ素を拡散させた金属酸化物からなり，前記フッ素と前記金属酸化物を構成する金属とが結合してなるゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し，
　前記金属酸化物がＨｆ酸化物であることを特徴とするＭＩＳ型電界効果トランジスタ。
【請求項２】
　シリコン基板と，
　前記シリコン基板上に形成され，その膜中にフッ素を拡散させた金属酸化物からなり，前記フッ素と前記金属酸化物を構成する金属とが結合してなるゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し，
　前記金属酸化物がＡｌ酸化物であることを特徴とするＭＩＳ型電界効果トランジスタ。
【請求項３】
　シリコン基板と，
　前記シリコン基板上に形成され，その膜中にフッ素を拡散させた金属酸化物からなり，前記フッ素と前記金属酸化物を構成する金属とが結合してなるゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し，
　前記金属酸化物がＬａ酸化物であることを特徴とするＭＩＳ型電界効果トランジスタ。
【請求項４】
　前記フッ素は前記金属酸化物膜に拡がって分布していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＭＩＳ型電界効果トランジスタ。
【請求項５】
　前記金属酸化物の平均配位数が３以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＭＩＳ型電界効果トランジスタ。
【請求項６】
　シリコン基板と，
　前記シリコン基板上に形成された第１の絶縁膜と，
　前記第１の絶縁膜上に形成された第１の電極と，
　前記第１の電極上に形成され，その膜中にフッ素を拡散させた金属酸化物からなり，前記フッ素と前記金属酸化物を構成する金属とが結合してなる第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上に形成された第２の電極とを具備し，
　前記金属酸化物がＨｆ酸化物であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
　シリコン基板と，
　前記シリコン基板上に形成された第１の絶縁膜と，
　前記第１の絶縁膜上に形成された第１の電極と，
　前記第１の電極上に形成され，その膜中にフッ素を拡散させた金属酸化物からなり，前記フッ素と前記金属酸化物を構成する金属とが結合してなる第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上に形成された第２の電極とを具備し，
　前記金属酸化物がＡｌ酸化物であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項８】
　シリコン基板と，
　前記シリコン基板上に形成された第１の絶縁膜と，
　前記第１の絶縁膜上に形成された第１の電極と，
　前記第１の電極上に形成され，その膜中にフッ素を拡散させた金属酸化物からなり，前記フッ素と前記金属酸化物を構成する金属とが結合してなる第２の絶縁膜と，
　前記第２の絶縁膜上に形成された第２の電極とを具備し，
　前記金属酸化物がＬａ酸化物であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
　前記フッ素は前記金属酸化物膜に拡がって分布していることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
　前記金属酸化物の平均配位数が３以下であることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正のうち，補正後の本願請求項４及び請求項９についての補正事項は以下のとおりである。
ア　補正事項１
　補正前の請求項４に「前記フッ素の平均濃度が１atomic％以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＭＩＳ型電界効果トランジスタ。」とあるのを，補正後の請求項４の「前記フッ素は前記金属酸化物膜に拡がって分布していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＭＩＳ型電界効果トランジスタ。」に補正すること。
　
イ　補正事項２
　補正前の請求項９に「 前記フッ素の平均濃度が１atomic％以下であることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。」とあるのを，補正後の請求項９の「前記フッ素は前記金属酸化物膜に拡がって分布していることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。」に補正すること。
　
３　補正目的の適否
　上記補正事項１及び補正事項２について検討する。
　上記各補正事項において，補正前の請求項の「前記フッ素の平均濃度が１atomic％以下であること」なる記載は，金属酸化物からなるゲート絶縁膜の膜中におけるフッ素の平均濃度を規定したものであるのに対し，補正後の請求項の「前記フッ素は前記金属酸化物膜に拡がって分布していること」なる記載は，補正前の請求項に記載の金属酸化物からなるゲート絶縁膜の膜中におけるフッ素の平均濃度の規定を除外し，金属酸化物からなるゲート絶縁膜の膜中におけるフッ素の分布の態様を規定したものであるから，上記補正事項は，いずれも，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号〜第４号に掲げる，特許請求の範囲の減縮，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　したがって，上記補正事項は，いずれも，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから，上記補正事項１及び補正事項２を含む本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げる，請求項の削除，特許請求の範囲の減縮，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　よって，本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の容易想到性について
１　本願発明について
　平成１９年３月１９日付けの手続補正書による手続補正は上記の通り却下されたので，本願の請求項１〜１０に係る発明は，平成１８年１０月２日付けの手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項２の記載は，次のとおりである。（以下，本願請求項２に係る発明を「本願発明」という。）
　
「【請求項２】
　シリコン基板と，
　前記シリコン基板上に形成された少なくとも一部にフッ素を含有する金属酸化物からなるゲート絶縁膜と，
　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し，
　前記金属酸化物がＡｌの酸化物であることを特徴とするＭＩＳ型電界効果トランジスタ。」
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された特開平１１−０９７６８３号公報（以下「引用例１」という。）には，第１図〜第１２図とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したもの。）
　
ア　発明の背景及び解決しようとする課題
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその製造方法，
特にそのゲート絶縁膜の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年，電気的な書き込み及び消去が可能な不揮発性半導体メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）に代表されるような，ゲート絶縁膜がトンネル絶縁膜として利用される素子では，書き込み及び消去の際に１０ＭＶ／ｃｍを上回る高い電界がゲート絶縁膜に印加される。また，論理演算素子のゲート絶縁膜では，性能を維持していくために，微細化されるほど高い電界が印加されるようになっていく。
ゲート絶縁膜に上記のような高い電界が印加されることによって，電界から高いエネルギーを得た電子が通過するために，ゲート絶縁膜に対しては高い絶縁破壊耐性が要求される。
【０００５】本発明は，上記従来の問題に対してなされたものであり，
ゲート絶縁膜等の信頼性を高めて，素子の信頼性や特性の向上をはかることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
　
イ　課題を解決するための手段
「【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は，半導体上にハロゲン元素を含有した絶縁膜（ゲート絶縁膜）を介して形成された電極（ゲート電極）と，この電極の両端部に対応して形成された不純物拡散領域（ソース・ドレイン拡散領域）とを少なくとも有し，前記絶縁膜の前記半導体との界面近傍及び前記電極との界面近傍のハロゲン元素の濃度が該絶縁膜の膜厚方向中央部近傍のハロゲン元素の濃度と同等又はそれ以上であることを特徴とする
【０００７】代表的には，
半導体としてシリコン基板，ハロゲン元素としてフッ素，
なお，絶縁膜としてペロブスカイト構造を有する強誘電体膜を用いることも可能である。
【０００８】
例えば，ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面近傍の界面遷移層には，シリコンの未結合手や結合エネルギーの小さいＳｉ−Ｈ結合等が多数存在するが，界面遷移層にフッ素を導入することにより，シリコンの未結合手にフッ素が終端したり，Ｓｉ−Ｈ結合の水素がフッ素に置換することにより，結合エネルギーの大きいＳｉ−Ｆ結合を形成することができる。また，同時に，歪んだＳｉ−Ｏ（或いはＮ）−Ｓｉ結合にフッ素が作用し，Ｓｉ−Ｏ（或いはＮ）とＳｉ−Ｆとに分離することで，応力を緩和させることができる。これにより，ゲート絶縁膜に高電界を長時間印加した場合のＴＤＤＢ（Time Dependence Dielectric Breakdown）特性など，ゲート絶縁膜の信頼性に関する特性を改善することができる。
【０００９】
図６は，ゲート絶縁膜にオキシナイトライド膜を用いたｎチャネルＭＩＳトランジスタについて，ゲート絶縁膜の両界面にフッ素を導入したときの信頼性の改善効果を示したものである。横軸は一定電界を印加し続けた場合の絶縁破壊に至るまでのゲート絶縁膜中への電荷注入量（Charge to Breakdown ：Ｑbd）を表し，縦軸は絶縁破壊の累積不良率Ｐを“ln(-ln(1-P))”として表している。
これに対して，ゲート絶縁膜の両界面にフッ素を導入した場合には，いずれの方向から電子を注入した場合においても，Ｑ
ｂｄ
のワイブル分布形状が改善されていることがわかる。
【００１０】
このように，前記発明によれば，ハロゲン元素によりゲート絶縁膜の両界面の欠陥密度が低減されて絶縁破壊耐性を改善できるとともに，ゲート絶縁膜に高電界ストレスを印加した後の低電界リーク電流の増加を抑えることが可能となる。従って，ゲート絶縁膜の信頼性が向上し，素子の信頼性や特性の向上をはかることが可能になる。
　
ウ　実施例
・「【００２３】まず，本発明の第１の実施形態について，図１，図２及び図３を参照して説明する。
【００２４】
図１において，ｐ型シリコン基板１上には，素子分離絶縁膜となるシリコン熱酸化膜２が形成されている。また，シリコン基板１表面には，ゲート絶縁膜としてシリコン，酸素及び窒素を主成分とする絶縁膜３（オキシナイトライド膜）が形成されている。このゲート絶縁膜３にはフッ素原子（一般的にはハロゲン元素）が導入されている。
ゲート絶縁膜３上にはゲート電極となる多結晶シリコン膜４が形成されている。
　
・「【００５８】なお，上記各実施形態ではゲート絶縁膜としてオキシナイトライド膜を例にとって説明したが，例えばＳｉＨ２ Ｃｌ２やＳｉＣｌ４ とＮＨ３ などを用いて成膜したシリコン窒化膜や，ＮＨ３  などでシリコン基板表面を直接窒化して形成したシリコン窒化膜に対しても，同様の効果が得ることが可能である。さらに，
例えばＢＳＴＯ（バリウム添加チタン酸ストロンチウム）のような強誘電体膜を用いた場合にも同様の効果を得ることが可能である。
　
　以上によれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「シリコン基板と，前記シリコン基板上に形成されたＢＳＴＯ（バリウム添加チタン酸ストロンチウム）からなるフッ素を含有するゲート絶縁膜と，前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し，前記絶縁膜の前記半導体との界面近傍及び前記電極との界面近傍のハロゲン元素の濃度が該絶縁膜の膜厚方向中央部近傍のハロゲン元素の濃度と同等又はそれ以上であるＭＩＳ型電界効果トランジスタ。」
　
　引用発明は，上記の構成により，ＭＩＳ型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の両界面における未結合手や歪んだ結合により生じる，ゲート絶縁膜の両界面の欠陥密度を低減させ，ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることを課題とするものである。
　
（２）　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された特開平１１−２９７８６７号公報（以下「引用例２」という。）には，次の記載がある。
　
ア　「【０００３】
【技術背景】誘電体材料は半導体デバイスの特性の鍵である。デバイスがより小さくなり，より高特性への必要性が大きくなるにつれ，半導体デバイス中の誘電体層の厚さは減少しつつある。同時に，最も一般的な誘電体材料，ＳiＯ２の誘電定数より大きな誘電定数をもつ誘電体材料への必要性が増している。また，
半導体デバイス中の誘電層の厚さが減少するにつれ，誘電体材料層が非常に薄い（例えば１００Å以下）時ですら，電荷を漏らさない材料への必要性が増している。
【０００４】しかし，全ての誘電体材料が，半導体デバイス及び部品中で用いるのに許容しうる薄い誘電体層を形成するわけではない。半導体デバイスは効率，動作パワー等のいくつかの特性要件をもつ。
誘電体材料層の特性は，デバイス特性に直接影響を及ぼす。たとえば，薄い誘電体層があまりに多くの電流を，それを貫いて透過させると（この好ましくない電流は漏れ電流と呼ばれる），得られるデバイス又は部品は，所望の特性要件にあわないであろう。ＭＯＳ（金属−酸化物−半導体−電界効果トランジスタ）のゲート誘電体を貫く漏れ電流は，誘電体の絶縁特性（抵抗及び信頼性）を示すから，貫く漏れ電流が高すぎるゲート誘電体層は，誘電体層の抵抗及び信頼性が低すぎることを示している。
【０００５】
誘電体層と下の半導体界面との間の界面準位密度もまた，デバイス特性に影響を与える。界面準位密度は電流デバイス（チャネルを横切る電流）及びＭＯＳＦＥＴとＭＩＳ（金属−絶縁体−半導体）ＦＥＴの信頼性を劣化させる。したがって，もし界面準位密度が高すぎると，得られるデバイス又は部品は，所望の特性要件にあわないであろう。
【０００６】従って，許容しうる漏れ特性及び他の特性を有する薄い誘電体層を形成する誘電体材料が探求されている。」
　
イ　「【００１５】（前略）
未結合手は，その名称が暗示するように，不完全な結合をもつ原子である。従って，未結合手（ここではトラップ準位とも呼ぶ）は望ましくない。歪結合は，界面の物理的な性質から，ある種の歪を受けた結合である。これらの歪んだ結合は，より容易に切断され，未結合手を生じる。従って，歪んだ結合も望ましくない。
【００１６】
未結合手及び歪結合の数を減らし，バルク材料中及び誘電体材料と隣接する層との間の界面における粒界を安定させることは有利である。なぜなら，そのような減少により，誘電体材料の電気的特性が改善されるからである。
　
ウ　「【００１７】（前略）
アルミニウム酸化物材料の層は，ある数の未結合手，歪結合，及び粒界をバルク材料及び誘電体材料及び隣接する層との界面に含む。
　
３　対比
　引用発明における「ＢＳＴＯ（バリウム添加チタン酸ストロンチウム）からなるフッ素を含有するゲート絶縁膜」の「ＢＳＴＯ（バリウム添加チタン酸ストロンチウム）」は金属酸化物の一種であり，また，引用発明における「前記ゲート絶縁膜の前記シリコン基板との界面近傍及び前記ゲート電極との界面近傍のフッ素の濃度が前記ゲート絶縁膜の膜厚方向中央部近傍のフッ素濃度と同等又はそれ以上である」ことは，ゲート絶縁膜の少なくとも一部にフッ素が含有されていることを意味するから，引用発明における「前記シリコン基板上に形成されたＢＳＴＯ（バリウム添加チタン酸ストロンチウム）からなるフッ素を含有するゲート絶縁膜」は，本願発明の「前記シリコン基板上に形成された少なくとも一部にフッ素を含有する金属酸化物からなるゲート絶縁膜」に相当する。
　
　そうすると，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりとなる。
　
（一致点）
「シリコン基板と，
前記シリコン基板上に形成された少なくとも一部にフッ素を含有する金属酸化物からなるゲート絶縁膜と，
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備したＭＩＳ型電界効果トランジスタ。」　である点。
　
（相違点）
　本願発明においては，金属酸化物がＡｌ酸化物であるのに対し，引用発明で例示されているのはＢＳＴＯ（バリウム添加チタン酸ストロンチウム）であり，金属酸化物としてＡｌ酸化物を用いることについて開示がない点。
　
４　相違点についての検討
　シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と，上記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備したＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて，上記ゲート絶縁膜を高誘電体膜であるＡｌ酸化物からなる膜で構成することは，当該技術分野では周知の技術である。
　そして，引用例２には，シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と，上記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備したＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて，上記ゲート絶縁膜をＡｌ酸化物からなる膜で構成した場合に，該Ａｌ酸化物からなる膜はある数の未結合手及び歪結合をバルク材料及び誘電体材料及び隣接する層との界面に含むこと，並びに上記未結合手及び歪結合の数を減らし，上記ゲート絶縁膜の電気的特性を改善することが必要であるという，引用発明が解決しようとする課題と同様の技術課題が存在することが記載されている。
　また，Ａｌとフッ素との間の結合解離エネルギーが，Ｓｉとフッ素との間の結合解離エネルギーと比較して大きいことは，当該技術分野では良く知られた事項である。
　そうすると，引用発明において，ＭＩＳ型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜を構成する金属酸化物として周知であるＡｌ酸化物を採用することは当業者が容易に考えつくことであり，その場合，上記ゲート絶縁膜の両界面に結合解離エネルギーの大きいＡｌ−フッ素結合が形成され，ＭＩＳ型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の両界面における未結合手や歪んだ結合により生じる，ゲート絶縁膜の両界面の欠陥密度を低減させ，ゲート絶縁膜の信頼性を向上させるという課題が解決できることは，引用例２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に予測できることである。
　
　したがって，上記相違点に係る構成とすることは，引用発明，引用例２に記載された事項，及び上記周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得ることである。
　
５　まとめ
　したがって，本願発明は，引用例１に記載された発明（引用発明），引用例２に記載された事項，及び上記周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　結言
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。