【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の膜を形成し、
前記第１の膜上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを介して前記第１の膜をエッチングして第１の層を形成し、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記第１の層を覆って第２の膜を形成し、
前記第２の膜上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを縮小させて第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを介して前記第２の膜をエッチングして第２の層を形成し、
前記第３のレジストマスクを除去し、
前記第１のレジストマスクと前記第２のレジストマスクとは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項２】
第１の膜を形成し、
前記第１の膜上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを介して前記第１の膜をエッチングして第１の層を形成し、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記第１の層上に第２の膜と前記第２の膜上の第３の膜とを形成し、
前記第３の膜上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを縮小させて第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを介して前記第３の膜をエッチングして第３の層を形成し、
前記第３のレジストマスクを除去し、
前記第１のレジストマスクと前記第２のレジストマスクとは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項３】
第１の膜を形成し、
前記第１の膜上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを介して前記第１の膜をエッチングして第１の層を形成し、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記第１の層を覆って第２の膜を形成し、
前記第２の膜上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを縮小させて第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを介して前記第２の膜をエッチングして第２の層を形成し、
前記第３のレジストマスクを除去し、
前記第２の層を覆って第３の膜と前記第３の膜上の第４の膜とを形成し、
前記第４の膜上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により第４のレジストマスクを形成し、
前記第４のレジストマスクを介して前記第３の膜と前記第４の膜をエッチングし、前記第３の膜から第３の層を形成し、前記第４の膜から前記第４の層を形成し、
前記第４のレジストマスクを縮小させて第５のレジストマスクを形成し、
前記第５のレジストマスクを介して前記第４の層をエッチングして第５の層を形成し、
前記第５のレジストマスクを除去し、
前記第１のレジストマスク、前記第２のレジストマスク、及び前記第４のレジストマスクは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成されていることを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項４】
第１の膜と前記第１の膜上の第２の膜とを形成し、
前記第２の膜上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを介して前記第１の膜と前記第２の膜をエッチングして第１の層を形成し、
前記第１のレジストマスクを縮小させて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを介して前記第２の膜をエッチングして第２の層を形成し、
前記第２のレジストマスクを除去することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記縮小して形成されるレジストマスクは、互いに孤立した複数のレジストマスクとなることを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３及び請求項４のいずれか一において、
レジストマスクの縮小は、アッシング処理、酸素プラズマ処理、またはオゾン水による処理によって行われることを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項７】
第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の導電膜をエッチングすることで、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を覆って第１の絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、を下から順に積層して形成し、
前記不純物半導体膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記２のレジストマスクを縮小させて第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを用いて前記半導体膜と前記不純物半導体膜をエッチングすることで、半導体層と不純物半導体層とを形成し、
前記半導体層と前記不純物半導体層を覆って第２の導電層を形成し、
前記第１のレジストマスクと前記第２のレジストマスクとは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の導電膜をエッチングすることで、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を覆って第１の絶縁膜と第１の絶縁膜上の半導体膜を積層して形成し、
前記半導体膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記２のレジストマスクを縮小させて第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを用いて前記半導体膜をエッチングすることで、半導体層を形成し、
前記半導体層上に、不純物半導体層と前記不純物半導体層上の第２の導電層を形成し、
前記第１のレジストマスクと前記第２のレジストマスクとは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記第１の導電層にスリットを設けることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
レジストマスクの縮小は、アッシング処理、酸素プラズマ処理、またはオゾン水による処理によって行われることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
半導体層上を覆って第１の絶縁膜と前記第１の絶縁膜上の第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを縮小させて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第１の導電膜をエッチングすることで、第１の導電層を形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記第１の導電層上に第２の絶縁膜と前記第２の絶縁膜上の第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜上に第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜をエッチングすることで、第２の導電層を形成し、
前記第３のレジストマスクを除去し、
前記第１のレジストマスクと前記第３のレジストマスクは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶素子の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
レジストマスクの縮小は、アッシング処理、酸素プラズマ処理、またはオゾン水による処理によって行われることを特徴とする不揮発性半導体記憶素子の作製方法。