(57)【要約】【課題】植物の成長を促進するための照明設備を提供する。【解決手段】基板ユニット１と、発光ユニット２と、電流制限ユニット３と、制御ユニット４とを備える植物成長促進用照明設備。基板ユニット１は基板本体１０を含み、発光ユニット２、電流制限ユニット３、及び制御ユニット４が基板本体１０に設けられる。発光ユニット２は、基板本体１０に電気的に接続される複数の発光ダイオードチップ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃをそれぞれ有する発光モジュール２Ａ，２Ｂ，２Ｃを含む。電流制限ユニット３は、発光モジュール２Ａ，２Ｂ，２Ｃにそれぞれ電気的に接続される電流制御チップ３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃを含む。制御ユニット４は、電流制限チップ３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃにそれぞれ電気的に接続されるＰＷＭ制御モジュール４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃを含む。【選択図】図１０
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
上表面に設けられる第１のチップ設置領域、第２のチップ設置領域、及び第３のチップ設置領域を有する基板本体を含む基板ユニットと、
前記第１のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第１の発光ダイオードチップを有し、第１の波長を有する光を発するための第１の発光モジュールと、前記第２のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第２の発光ダイオードチップを有し、第２の波長を有する光を発するための第２の発光モジュールと、前記第３のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第３の発光ダイオードチップを有し、第３の波長と所定の色温度とを有する光を発するための第３の発光モジュールと、を含む発光ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第１の発光モジュールに電気的に接続される第１の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第２の発光モジュールに電気的に接続される第２の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第３の発光モジュールに電気的に接続される第３の電流制限チップと、を含む電流制限ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第１の電流制限チップに電気的に接続される第１のＰＷＭ制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第２の電流制限チップに電気的に接続される第２のＰＷＭ制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第３の電流制限チップに電気的に接続される第３のＰＷＭ制御モジュールと、を含む制御ユニットと、
複数の前記第１の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第１のチップ設置領域に対応する第１のペースト位置制限空間を形成する第１の包囲式サイドフレームペーストと、複数の前記第２の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第２のチップ設置領域に対応する第２のペースト位置制限空間を形成する第２の包囲式サイドフレームペーストと、複数の前記第３の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第３のチップ設置領域に対応する第３のペースト位置制限空間を形成する第３の包囲式サイドフレームペーストと、を含むサイドフレームユニットと、
前記第１の包囲式サイドフレームペーストで取り囲まれた前記第１のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第１の発光ダイオードチップを封止する第１の封止用ペーストと、前記第２の包囲式サイドフレームペーストで取り囲まれた前記第２のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第２の発光ダイオードチップを封止する第２の封止用ペーストと、前記第３の包囲式サイドフレームペーストで取り囲まれた前記第３のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第３の発光ダイオードチップを封止する第３の封止用ペーストと、を含む封止ユニットと、
を備える植物成長促進用照明設備。
【請求項２】
前記第１の包囲式サイドフレームペースト、前記第２の包囲式サイドフレームペースト、及び前記第３の包囲式サイドフレームペーストは、互いに所定の距離を空けて離間し、或いは順に接して並ぶように配置され、
前記第１のペースト位置制限空間、前記第２のペースト位置制限空間、及び前記第３のペースト位置制限空間は、互いに所定の距離を空けて離間するように配置され、
前記第１の波長は６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあり、前記第２の波長は４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にあり、前記第３の波長は４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあり、前記色温度は２７００Ｋ〜１００００Ｋの範囲にある請求項１に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項３】
前記基板ユニットは、前記基板本体の上表面に設けられる複数の正極パッド及び複数の負極パッドを有し、
それぞれの前記第１の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第２の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第３の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続される請求項１又は２に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項４】
前記基板本体の上に設けられる少なくとも１つのブリッジ整流器を含むブリッジ整流器ユニットを更に備え、
前記少なくとも１つのブリッジ整流器は、前記第１の電流制限チップ、前記第２の電流制限チップ、及び前記第３の電流制限チップの全てに対して電気的に接続され、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項１から３のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項５】
前記基板本体の上に設けられ前記第１の電流制限チップに電気的に接続される第１のブリッジ整流器と、前記基板本体の上に設けられ前記第２の電流制限チップに電気的に接続される第２のブリッジ整流器と、前記基板本体の上に設けられ前記第３の電流制限チップに電気的に接続される第３のブリッジ整流器と、を含むブリッジ整流器ユニットを更に備え、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項１から３のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項６】
上表面に設けられる第１のチップ設置領域、第２のチップ設置領域、及び第３のチップ設置領域を有する基板本体を含む基板ユニットと、
前記第１のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第１の発光ダイオードチップを有し、第１の波長を有する光を発するための第１の発光モジュールと、前記第２のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第２の発光ダイオードチップを有し、第２の波長を有する光を発するための第２の発光モジュールと、前記第３のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第３の発光ダイオードチップを有し、第３の波長と所定の色温度とを有する光を発するための第３の発光モジュールと、を含む発光ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第１の発光モジュールに電気的に接続される第１の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第２の発光モジュールに電気的に接続される第２の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第３の発光モジュールに電気的に接続される第３の電流制限チップと、を含む電流制限ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第１の電流制限チップに電気的に接続される第１のＰＷＭ制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第２の電流制限チップに電気的に接続される第２のＰＷＭ制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第３の電流制限チップに電気的に接続される第３のＰＷＭ制御モジュールと、を含む制御ユニットと、
複数の前記第１の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第１のチップ設置領域に対応する第１のペースト位置制限空間を形成する第１の包囲式サイドフレームペーストと、複数の前記第２の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第２のチップ設置領域に対応する第２のペースト位置制限空間を形成する第２の包囲式サイドフレームペーストと、複数の前記第３の発光ダイオードチップを取り囲むように前記基板本体の上表面に形成され、前記第３のチップ設置領域に対応する第３のペースト位置制限空間を形成する第３の包囲式サイドフレームペーストと、を含むサイドフレームユニットと、
前記第１の包囲式サイドフレームペーストで取り囲まれ、前記第１のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第１の発光ダイオードチップを封止する第１の封止用ペーストと、前記第１の包囲式サイドフレームペーストと前記第２の包囲式サイドフレームペーストとの間にあり、前記第２のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第２の発光ダイオードチップを封止する第２の封止用ペーストと、前記第２の包囲式サイドフレームペーストと前記第３の包囲式サイドフレームペーストとの間にあり、前記第３のペースト位置制限空間の内部に充填されて複数の前記第３の発光ダイオードチップを封止する第３の封止用ペーストと、を含む封止ユニットと、
を備える植物成長促進用照明設備。
【請求項７】
前記第２の包囲式サイドフレームペーストは前記第１の包囲式サイドフレームペーストを取り囲み、前記第３の包囲式サイドフレームペーストは前記第２の包囲式サイドフレームペーストを取り囲み、
複数の前記第２の発光ダイオードチップは前記第１の包囲式サイドフレームペーストと前記第２の包囲式サイドフレームペーストとの間にあり、複数の前記第３の発光ダイオードチップは前記第２の包囲式サイドフレームペーストと前記第３の包囲式サイドフレームペーストとの間にあり、
前記第１の波長は６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあり、前記第２の波長は４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にあり、前記第３の波長は４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあり、前記色温度は２７００Ｋ〜１００００Ｋの範囲にある請求項６に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項８】
前記基板ユニットは、前記基板本体の上表面に設けられる複数の正極パッド及び複数の負極パッドを有し、
それぞれの前記第１の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第２の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第３の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続される請求項６又は７に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項９】
前記基板本体の上に設けられる少なくとも１つのブリッジ整流器を含むブリッジ整流器ユニットを更に備え、
前記少なくとも１つの前記ブリッジ整流器は、前記第１の電流制限チップ、前記第２の電流制限チップ、及び前記第３の電流制限チップの全てに対して電気的に接続され、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項６から８のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項１０】
前記基板本体の上に設けられ前記第１の電流制限チップに電気的に接続される第１のブリッジ整流器と、前記基板本体の上に設けられ前記第２の電流制限チップに電気的に接続される第２のブリッジ整流器と、前記基板本体の上に設けられ前記第３の電流制限チップに電気的に接続される第３のブリッジ整流器と、を含むブリッジ整流器ユニットを更に備え、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項６から８のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項１１】
上表面に設けられる第１のチップ設置領域、第２のチップ設置領域、及び第３のチップ設置領域を有する基板本体を含む基板ユニットと、
前記第１のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第１の発光ダイオードチップを有し、第１の波長を有する光を発するための第１の発光モジュールと、前記第２のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第２の発光ダイオードチップを有し、第２の波長を有する光を発するための第２の発光モジュールと、前記第３のチップ設置領域の上に設けられ前記基板本体に電気的に接続される複数の第３の発光ダイオードチップを有し、第３の波長と所定の色温度とを有する光を発するための第３の発光モジュールと、を含む発光ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第１の発光モジュールに電気的に接続される第１の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第２の発光モジュールに電気的に接続される第２の電流制限チップと、前記基板本体の上に設けられ前記第３の発光モジュールに電気的に接続される第３の電流制限チップと、を含む電流制限ユニットと、
前記基板本体の上に設けられ前記第１の電流制限チップに電気的に接続される第１のＰＷＭ制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第２の電流制限チップに電気的に接続される第２のＰＷＭ制御モジュールと、前記基板本体の上に設けられ前記第３の電流制限チップに電気的に接続される第３のＰＷＭ制御モジュールと、を含む制御ユニットと、
を備える植物成長促進用照明設備。
【請求項１２】
前記第１の波長は６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあり、前記第２の波長は４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にあり、前記第３の波長は４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあり、前記色温度は２７００Ｋ〜１００００Ｋの範囲にある請求項１１に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項１３】
前記基板ユニットは、前記基板本体の上表面に設けられる複数の正極パッド及び複数の負極パッドを有し、
それぞれの前記第１の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第２の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第３の発光ダイオードチップは正極と負極とをそれぞれ有し、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの正極は複数の前記正極パッドのうちの少なくとも２つの正極パッドに対応し、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの負極は複数の前記負極パッドのうちの少なくとも２つの負極パッドに対応し、
それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第１の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第２の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続され、
それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの正極は前記少なくとも２つの正極パッドのうちの１つの正極パッドに電気的に接続され、それぞれの前記第３の発光ダイオードチップの負極は前記少なくとも２つの負極パッドのうちの１つの負極パッドに電気的に接続される請求項１１又は１２に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項１４】
前記基板本体の上に設けられる少なくとも１つのブリッジ整流器を含むブリッジ整流器ユニットを更に備え、
前記少なくとも１つの前記ブリッジ整流器は、前記第１の電流制限チップ、前記第２の電流制限チップ、及び前記第３の電流制限チップの全てに対して電気的に接続され、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項１１から１３のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。
【請求項１５】
前記基板本体の上に設けられ前記第１の電流制限チップに電気的に接続される第１のブリッジ整流器と、前記基板本体の上に設けられ前記第２の電流制限チップに電気的に接続される第２のブリッジ整流器と、前記基板本体の上に設けられ前記第３の電流制限チップに電気的に接続される第３のブリッジ整流器と、を含むブリッジ整流器ユニットを更に備え、
前記制御ユニットは、前記ブリッジ整流器ユニットと前記電流制限ユニットとの間に電気的に接続される請求項１１から１３のいずれか一項に記載の植物成長促進用照明設備。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、照明設備に関し、特に植物の成長を促進するための照明設備に関する。
【背景技術】
【０００２】
生活に用いられる照明設備、例えば蛍光灯やタングステンランプをはじめ、現在消費者に徐々に受け入れられつつある省エネ電球に至る照明設備は、日常生活においてこれまで幅広く使用されている。しかし、現状では、植物の成長促進のために適した構造を有する照明設備はあまり提案されていない。また、この種のランプや電球は、光劣化を起こしやすい、高熱が発生しやすい、寿命が短い、割れやすい、リサイクルしにくい等の欠点を有する。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
そこで、植物の成長促進のために適した照明設備が求められている。また、発光体として発光ダイオードを用いる場合における封止構造が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本考案は、植物の成長を促進するための照明設備（植物成長促進用照明設備）を提供する。この植物成長促進用照明設備は、基板ユニットと、発光ユニットと、電流制限ユニットと、制御ユニットとを備えることを特徴とする。基板ユニットは基板本体を含み、発光ユニット、電流制限ユニット、及び制御ユニットが、基板本体に設けられる。発光ユニットは、基板本体に電気的に接続される複数の第１の発光ダイオードチップを有する複数第１の発光モジュール、基板本体に電気的に接続される複数の第２の発光ダイオードチップを有する第２の発光モジュール、及び基板本体に電気的に接続される複数の第３の発光ダイオードチップを有する第３の発光モジュールを含む。電流制限ユニットは、第１の発光モジュールに電気的に接続される第１の電流制御チップ、第２の発光モジュールに電気的に接続される第２の電流制限チップ、及び第３の発光モジュールに電気的に接続される第３の電流制限チップを含む。制御ユニットは、第１の電流制限チップに電気的に接続される第１のＰＷＭ制御モジュール、第２の電流制限チップに電気的に接続される第２のＰＷＭ制御モジュール、及び第３の電流制限チップに電気的に接続される第３のＰＷＭ制御モジュールを含む。
【考案の効果】
【０００５】
本考案に係る照明設備は、第１のＰＷＭ制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第１の発光ダイオードチップを制御し、第２のＰＷＭ制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第２の発光ダイオードチップを制御し、第３のＰＷＭ制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第３の発光ダイオードチップを制御するように構成される。これにより、植物の成長を促進することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本考案の第一の実施形態の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】本考案の第一の実施形態の機能ブロック図である。
【図４】本考案の第一の実施形態における複数の予備パッドのうちの一部の平面図である。
【図５】本考案の第二の実施形態の機能ブロック図である。
【図６】本考案の第三の実施形態の機能ブロック図である。
【図７】本考案の第四の実施形態の機能ブロック図である。
【図８】本考案の第五の実施形態の平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ断面図である。
【図１０】本考案の第六の実施形態の平面図である。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ断面図である。
【考案を実施するための形態】
【０００７】
１．第一の実施形態
図１〜図４に示すように、本考案の第一の実施形態に係る植物成長促進用照明設備は、基板ユニット１と、発光ユニット２と、電流制限ユニット３と、制御ユニット４と、サイドフレームユニット５と、封止ユニット６とを備える。
【０００８】
図１及び図２に示すように、基板ユニット１は基板本体１０を含む。基板本体１０は、基板本体１０の上表面に設けられる第１のチップ設置領域１０Ａと、基板本体１０の上表面に設けられる第２のチップ設置領域１０Ｂと、基板本体１０の上表面に設けられる第３のチップ設置領域１０Ｃとを有する。図２に示すように、基板本体１０は、回路基板１００と、回路基板１００の底部に設けられる放熱層１０１と、回路基板１００の上表面に設けられる複数の導電パッド１０２と、回路基板１００の上表面に設けられる絶縁層１０３とを有する構成としても良い。また、複数の導電パッド１０２が絶縁層１０３から露出する構成としても良い。
【０００９】
図１及び図２に示すように、発光ユニット２は、第１の波長を有する光を発する第１の発光モジュール２Ａと、第２の波長を有する光を発する第２の発光モジュール２Ｂと、第３の波長と所定の色温度を有する光を発する第３の発光モジュール２Ｃとを含む。第１の発光モジュール２Ａは、第１のチップ設置領域１０Ａの上に設けられ、基板本体１０に電気的に接続される複数の第１の発光ダイオードチップ２０Ａを有する。第２の発光モジュール２Ｂは、第２のチップ設置領域１０Ｂの上に設けられ、基板本体１０に電気的に接続される複数の第２の発光ダイオードチップ２０Ｂを有する。第３の発光モジュール２Ｃは、第３のチップ設置領域１０Ｃの上に設けられ、基板本体１０に電気的に接続される複数の第３の発光ダイオードチップ２０Ｃを有する。本実施形態では、第１の発光ダイオードチップ２０Ａ、第２の発光ダイオードチップ２０Ｂ、及び第３の発光ダイオードチップ２０Ｃは、それぞれ同じ個数ずつ設けられている。例えば、それぞれの第１の発光ダイオードチップ２０Ａは、赤色発光ダイオードのダイ（die）であっても良く、それぞれの第２の発光ダイオードチップ２０Ｂ及びそれぞれの第３の発光ダイオードチップ２０Ｃは、青色発光ダイオードのダイであっても良い。それぞれの第１の発光ダイオードチップ２０Ａ、それぞれの第２の発光ダイオードチップ２０Ｂ、及びそれぞれの第３の発光ダイオードチップ２０Ｃは、ワイヤボンディング方式で基板本体１０に電気的に接続される。
【００１０】
図１〜図３に示すように、電流制限ユニット３は、基板本体１０の上に設けられ、第１の発光モジュール２Ａに電気的に接続される第１の電流制限チップ３０Ａと、基板本体１０の上に設けられ、第２の発光モジュール２Ｂに電気的に接続される第２の電流制限チップ３０Ｂと、基板本体１０の上に設けられ、第３の発光モジュール２Ｃに電気的に接続される第３の電流制限チップ３０Ｃとを含む。例えば、第１の電流制限チップ３０Ａ、第２の電流制限チップ３０Ｂ、及び第３の電流制限チップ３０Ｃは、ワイヤボンディング方式で基板本体１０に電気的に接続される。また、第１の電流制限チップ３０Ａは、包囲式封止用ペースト（周囲を囲むためのペースト）３１に囲まれ、封止用ペースト３２に覆われるようにしても良い。第２の電流制限チップ３０Ｂは、包囲式封止用ペースト３１に囲まれ、封止用ペースト３２に覆われるようにしても良い。第３の電流制限チップ３０Ｃは、包囲式封止用ペースト３１に囲まれ、封止用ペースト３２に覆われるようにしても良い。いずれの封止用ペースト３２も、不透光なペーストであっても良い。図３に示すように電流制限ユニット３が定電圧パワーサプライＳと発光ユニット２との間に電気的に接続される場合、電流制限ユニット３は定電圧パワーサプライＳと発光ユニット２との間で電流を制御するユニットとして機能する。そのため、発光ユニット２は定電圧パワーサプライＳから安定的な電流供給を受けることができる。
【００１１】
図１〜図３に示すように、制御ユニット４は、基板本体１０の上に設けられ、第１の電流制限チップ３０Ａに電気的に接続される第１のＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御モジュール４０Ａと、基板本体１０の上に設けられ、第２の電流制限チップ３０Ｂに電気的に接続される第２のＰＷＭ制御モジュール４０Ｂと、基板本体１０の上に設けられ、第３の電流制限チップ３０Ｃに電気的に接続される第３のＰＷＭ制御モジュール４０Ｃとを含む。例えば図３に示すように制御ユニット４が定電圧パワーサプライＳと電流制限ユニット３との間に電気的に接続される場合、第１のＰＷＭ制御モジュール４０Ａは所定のパルス周波数（例えば、５０Ｈｚ、６０Ｈｚ、・・・、１２０Ｈｚ、又は１２０Ｈｚ以上等）で複数の第１の発光ダイオードチップ２０Ａを制御し、第２のＰＷＭ制御モジュール４０Ｂは所定のパルス周波数で複数の第２の発光ダイオードチップ２０Ｂを制御し、第３のＰＷＭ制御モジュール４０Ｃは所定のパルス周波数で複数の第３の発光ダイオードチップ２０Ｃを制御することができる。
【００１２】
図１及び図２に示すように、サイドフレームユニット５は、複数の第１の発光ダイオードチップ２０Ａを囲むように基板本体１０の上表面に形成される第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａと、複数の第２の発光ダイオードチップ２０Ｂを囲むように基板本体１０の上表面に形成される第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂと、複数の第３の発光ダイオードチップ２０Ｃを囲むように基板本体１０の上表面に形成される第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃとを含む。第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａは、複数の第１の発光ダイオードチップ２０Ａを囲むことで、第１のチップ設置領域１０Ａに対応する第１のペースト位置制限空間５００Ａ（図２を参照）を形成する。第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂは、複数の第２の発光ダイオードチップ２０Ｂを囲むことで、第２のチップ設置領域１０Ｂに対応する第２のペースト位置制限空間５００Ｂを形成する。第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃは、複数の第３の発光ダイオードチップ２０Ｃを囲むことで、第３のチップ設置領域１０Ｃに対応する第３のペースト位置制限空間５００Ｃを形成する。第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａ、第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂ、及び第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃは、互いに所定の距離を空けて離間している。第１のペースト位置制限空間５００Ａ、第２のペースト位置制限空間５００Ｂ、及び第３のペースト位置制限空間５００Ｃも、互いに所定の距離を空けて離間している。
【００１３】
一実施形態として、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａ、第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂ、又は第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃの製造方法は、少なくとも以下のステップを含む。（１）まず、所定の形状をなして囲むように液体状のペースト（図示せず）を基板本体１０の上表面に塗布する。液体状ペーストは、例えば、円形、楕円形、矩形（正方形及び長方形を含む）、菱形、平行四辺形等をなすように任意の形状で塗布することができる。液体状ペーストのチクソ指数（thixotropic index）は４〜６の範囲とすることができ、基板本体１０の上表面に液体状ペーストを塗布する圧力は３５０ｋＰａ〜４５０ｋＰａの範囲とすることができ、基板本体１０の上表面に液体状ペーストを塗布する速度は５ｍｍ／ｓ〜１５ｍｍ／ｓの範囲とすることができる。基板本体１０の上表面に液体状ペーストが塗布される起点と終点とはほぼ同じ位置にあるため、起点と終点との交差部は、外観がやや突出する突出部５０００として形成される（図１を参照）。（２）次に、液体状ペーストを固化させることにより、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａを形成する。液体状ペーストはベーキング方式で硬化することができる。ベーキングの温度は１２０℃〜１４０℃の範囲とすることができ、ベーキングの時間は２０分〜４０分の範囲とすることができる。これにより、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａの上表面は円弧形状を呈する（図２を参照）。第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａの円弧状切線Ｔの、基板本体１０の上表面に対する角度θは４０°〜５０°の範囲とすることができ、基板本体１０の上表面を基準とする第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａの頂面（頂点を含む面）の高さＨは０．３ｍｍ〜０．７ｍｍの範囲とすることができ、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａの底部の幅Ｄは１．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲とすることができる。また、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａのチクソ指数は４〜６の範囲とすることができ、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａは、無機添加物を含有する白色熱硬化性サイドペーストであっても良い。
【００１４】
図１及び図２に示すように、封止ユニット６は、第１のペースト位置制限空間５００Ａの内部に充填されることで複数の第１の発光ダイオードチップ２０Ａを覆って封止する第１の封止用ペースト６０Ａと、第２のペースト位置制限空間５００Ｂの内部に充填されることで複数の第２の発光ダイオードチップ２０Ｂを覆って封止する第２の封止用ペースト６０Ｂと、第３のペースト位置制限空間５００Ｃの内部に充填されることで複数の第３の発光ダイオードチップ２０Ｃを覆って封止する第３の封止用ペースト６０Ｃとを含む。第１の封止用ペースト６０Ａは第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａに囲まれ、第２の封止用ペースト６０Ｂは第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂに囲まれ、第３の封止用ペースト６０Ｃは第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃに囲まれる。
【００１５】
例えば、第１の封止用ペースト６０Ａは透明なペーストであっても良く、第１の発光モジュール２Ａ（例えば、複数の赤色発光ダイオードのダイを用いる）が発する光の波長（第１の波長）は６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲とすることができる。第２の封止用ペースト６０Ｂは透明なペーストであっても良く、第２の発光モジュール２Ｂ（例えば、複数の青色発光ダイオードのダイを用いる）が発する光の波長（第２の波長）は４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲とすることができる。第３の封止用ペースト６０Ｃは蛍光性のペーストであっても良く、第３の発光モジュール２Ｃ（例えば、複数の青色発光ダイオードのダイを用いる）が発する光の波長（第３の波長）は４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲とし、且つ、その色温度は２７００Ｋ〜１００００Ｋの範囲とすることができる。しかしながら、本考案に用いられる封止ユニット６の具体的構成は、これらに限定されるわけではない。
【００１６】
図４に示すように、基板ユニット１は、基板本体１０の上表面に設けられる複数の正極パッドＰと、基板本体１０の上表面に設けられる複数の負極パッドＮとを有する。それぞれの第１の発光ダイオードチップ２０Ａは、正極２０１と負極２０２とをそれぞれ有する。それぞれの第１の発光ダイオードチップ２０Ａの正極２０１は、上述の複数の正極パッドＰのうちの少なくとも２つの正極パッドＰに対応し、それぞれの第１の発光ダイオードチップ２０Ａの負極２０２は、上述の複数の負極パッドＮのうちの少なくとも２つの負極パッドＮに対応する。それぞれの第２の発光ダイオードチップ２０Ｂは、正極２０１と負極２０２とをそれぞれ有する。それぞれの第２の発光ダイオードチップ２０Ｂの正極２０１は、上述の複数の正極パッドＰのうちの少なくとも２つの正極パッドＰに対応し、それぞれの第２の発光ダイオードチップ２０Ｂの負極２０２は、上述の複数の負極パッドＮのうちの少なくとも２つの負極パッドＮに対応する。それぞれの第３の発光ダイオードチップ２０Ｃは、正極２０１と負極２０２とをそれぞれ有する。それぞれの第３の発光ダイオードチップ２０Ｃの正極２０１は、上述の複数の正極パッドＰのうちの少なくとも２つの正極パッドＰに対応し、それぞれの第３の発光ダイオードチップ２０Ｃの負極２０２は、上述の複数の負極パッドＮのうちの少なくとも２つの負極パッドＮに対応する。
【００１７】
図４に示すように、それぞれの第１の発光ダイオードチップ２０Ａの正極２０１は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも２つの正極パッドＰのうちの１つの正極パッドＰに電気的に接続されても良く、それぞれの第１の発光ダイオードチップ２０Ａの負極２０２は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも２つの負極パッドＮのうちの１つの負極パッドＮに電気的に接続されても良い。それぞれの第２の発光ダイオードチップ２０Ｂの正極２０１は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも２つの正極パッドＰのうちの１つの正極パッドＰに電気的に接続されても良く、それぞれの第２の発光ダイオードチップ２０Ｂの負極２０２は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも２つの負極パッドＮのうちの１つの負極パッドＮに電気的に接続されても良い。それぞれの第３の発光ダイオードチップ２０Ｃの正極２０１は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも２つの正極パッドＰのうちの１つの正極パッドＰに電気的に接続されても良く、それぞれの第３の発光ダイオードチップ２０Ｃの負極２０２は、ワイヤボンディング方式で上述の対応する少なくとも２つの負極パッドＮのうちの１つの負極パッドＮに電気的に接続されても良い。
【００１８】
本実施形態で例示される照明設備は、第１のＰＷＭ制御モジュール４０Ａが所定のパルス周波数で複数の第１の発光ダイオードチップ２０Ａを制御し、第２のＰＷＭ制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第２の発光ダイオードチップ２０Ｂを制御し、第３のＰＷＭ制御モジュールが所定のパルス周波数で複数の第３の発光ダイオードチップ２０Ｃを制御するように構成される。これにより、デューティ比を調整して各発光ダイオードチップ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃの輝度をそれぞれ適切に制御することができる。その結果、植物の成長を促進することができる。
【００１９】
２．第二の実施形態
本考案の第二の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図５に示す。図５と図３とを比較すると、本考案の第二の実施形態と上記第一の実施形態との最大の相違点は、少なくとも１つのブリッジ整流器７０を含むブリッジ整流器ユニット７を備える点にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備は、基板本体１０の上に設けられ第１の電流制限チップ３０Ａに電気的に接続される第１のブリッジ整流器７０Ａと、基板本体１０の上に設けられ第２の電流制限チップ３０Ｂに電気的に接続される第２のブリッジ整流器７０Ｂと、基板本体１０の上に設けられ第３の電流制限チップ３０Ｃに電気的に接続される第３のブリッジ整流器７０Ｃとを含むブリッジ整流器ユニット７を更に備える。このとき、制御ユニット４は、ブリッジ整流器ユニット７と電流制限ユニット３との間に電気的に接続される。また、ブリッジ整流器ユニット７は交流電源Ａを直流電源に変換しており、電流制限ユニット３は発光ユニット２へ供給する直流電流量を制限することができる。そのため、発光ユニット２は安定的な直流電流の供給を受けることができる。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記第一の実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
【００２０】
３．第三の実施形態
本考案の第三の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図６に示す。図６と図３とを比較すると、本考案の第三の実施形態と上記第一の実施形態との最大の相違点は、少なくとも１つのブリッジ整流器７０を含むブリッジ整流器ユニット７を含む点にある。また、図６と図５とを比較すると、本考案の第三の実施形態と上記第二の実施形態との最大の相違点は、ブリッジ整流器ユニット７の具体的構成にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備は、基板本体１０の上に設けられる１つのブリッジ整流器７０を含むブリッジ整流器ユニット７を更に備える。このとき、その１つのブリッジ整流器７０が、同時に第１の電流制限チップ３０Ａ、第２の電流制限チップ３０Ｂ、及び第３の電流制限チップ３０Ｃの全てに対して電気的に接続され、制御ユニット４がブリッジ整流器ユニット７と電流制限ユニット３との間に電気的に接続される。なお、２つ以上のブリッジ整流器７０が、同時に第１の電流制限チップ３０Ａ、第２の電流制限チップ３０Ｂ、及び第３の電流制限チップ３０Ｃの全てに対して電気的に接続される構成としても良い。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記の各実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
【００２１】
４．第四の実施形態
本考案の第四の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図７に示す。図７と図５又は図６とを比較すると、本考案の第四の実施形態と上記第二の実施形態又は上記第三の実施形態との最大の相違点は、ブリッジ整流器ユニット７を含まない点にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備では、それぞれの第１の発光ダイオードチップ２０Ａ、それぞれの第２の発光ダイオードチップ２０Ｂ、及びそれぞれの第３の発光ダイオードチップ２０Ｃが全てＡＣ発光ダイオード（ＡＣ  ＬＥＤ）であれば、ブリッジ整流器ユニット７を省略することができる。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記の各実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
【００２２】
５．第五の実施形態
本考案の第五の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図８及び図９に示す。図８と図１とを比較し、図９と図２とを比較すると、本考案の第五の実施形態と上記第一の実施形態との最大の相違点は、サイドフレームユニット５の具体的な配置関係にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備では、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａ、第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂ、及び第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃは、順に接して並ぶように配置される。つまり、所定方向に沿って、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａと第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂとが接して配置され、更に第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂと第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃとが接して配置される。なお、第１のペースト位置制限空間５００Ａ、第２のペースト位置制限空間５００Ｂ、及び第３のペースト位置制限空間５００Ｃは、互いに所定の距離を空けて離間している。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記の各実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
【００２３】
６．第六の実施形態
本考案の第六の実施形態に係る植物成長促進用照明設備を図１０及び図１１に示す。図１０と図１とを比較し、図１１と図２とを比較すると、本考案の第六の実施形態と上記第一の実施形態との最大の相違点は、発光ユニット２の具体的な配置関係にある。すなわち、本実施形態に係る植物成長促進用照明設備では、第１のチップ設置領域１０Ａ、第２のチップ設置領域１０Ｂ、及び第３のチップ設置領域１０Ｃが、中心から径方向外側に向かって記載の順に同心円状に配置される。これに応じて、第１の発光モジュール２Ａ、第２の発光モジュール２Ｂ、及び第３の発光モジュール２Ｃも、中心から径方向外側に向かって記載の順に同心円状に配置される。なお、図示の例のように、第１の発光ダイオードチップ２０Ａの個数よりも第２の発光ダイオードチップ２０Ｂの個数を多くしても良い。また、第２の発光ダイオードチップ２０Ｂの個数よりも第３の発光ダイオードチップ２０Ｃの個数を多くしても良い。
【００２４】
本実施形態では、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａ、第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂ、及び第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃも、中心から径方向外側に向かって記載の順に同心円状に配置される。つまり、第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａが環状に配置され、第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂは第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａを取り囲み、第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃは第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂを取り囲む。そして、上述した複数の第１の発光ダイオードチップ２０Ａは第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａで取り囲まれ、上述した複数の第２の発光ダイオードチップ２０Ｂは第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａと第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂとの間にあり、上述した複数の第３の発光ダイオードチップ２０Ｃは第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂと第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃとの間にある。また、第１の封止用ペースト６０Ａは第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａで取り囲まれ、第２の封止用ペースト６０Ｂは第１の包囲式サイドフレームペースト５０Ａと第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂとの間にあり、第３の封止用ペースト６０Ｃは第２の包囲式サイドフレームペースト５０Ｂと第３の包囲式サイドフレームペースト５０Ｃとの間にある。本実施形態に係る植物成長促進用照明設備でも、上記の各実施形態と同様に植物の成長を促進することができる。
【００２５】
上記の各実施形態で説明した構成は、本考案の好ましい一実施例に過ぎず、本考案の技術的範囲を限定するものではない。従って、本明細書及び図面の記載内容に基づいてなされる均等な変更及び付加は、いずれも本考案の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００２６】
１        基板ユニット
１０      基板本体
１０Ａ    第１のチップ設置領域
１０Ｂ    第２のチップ設置領域
１０Ｃ    第３のチップ設置領域
２        発光ユニット
２０１    正極
２０２    負極
２Ａ      第１の発光モジュール
２０Ａ    第１の発光ダイオードチップ
２Ｂ      第２の発光モジュール
２０Ｂ    第２の発光ダイオードチップ
２Ｃ      第３の発光モジュール
２０Ｃ    第３の発光ダイオードチップ
３        電流制限ユニット
３０Ａ    第１の電流制限チップ
３０Ｂ    第２の電流制限チップ
３０Ｃ    第３の電流制限チップ
４        制御ユニット
４０Ａ    第１のＰＷＭ制御モジュール
４０Ｂ    第２のＰＷＭ制御モジュール
４０Ｃ    第３のＰＷＭ制御モジュール
５        サイドフレームユニット
５０Ａ    第１の包囲式サイドフレームペースト
５００Ａ  第１のペースト位置制限空間
５０Ｂ    第２の包囲式サイドフレームペースト
５００Ｂ  第２のペースト位置制限空間
５０Ｃ    第３の包囲式サイドフレームペースト
５００Ｃ  第３のペースト位置制限空間
６        封止ユニット
６０Ａ    第１の封止用ペースト
６０Ｂ    第２の封止用ペースト
６０Ｃ    第３の封止用ペースト
７        ブリッジ整流器ユニット
７０      ブリッジ整流器
７０Ａ    第１のブリッジ整流器
７０Ｂ    第２のブリッジ整流器
７０Ｃ    第３のブリッジ整流器
Ｐ        正極パッド
Ｎ        負極パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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