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　特願２００３−２０３１５９「バイポーラトランジスタおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開、特開２００４−　８００１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１５年７月２９日（パリ条約による優先権主張２００２年８月１９日）の出願であって，平成１８年６月９日付けの拒絶理由通知に対して，同年９月６日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１１月３０日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成１９年２月２８日に審判請求がされたものである。
　
　
２　本願発明について
　
（１）本願発明
　本願の請求項１〜８に係る発明は，平成１８年９月６日に提出された手続補正書の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ，このうち，本願の請求項５に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりである。
「【請求項５】　バイポーラトランジスタ（１００）であって，
　コレクタ領域（１１３）を有する基板（１０２）と，
　前記コレクタ領域（１１３）の上のベース構造（１２２）と，
　前記ベース構造（１２２）の上のエミッタ構造（１３４）と，
　前記ベース構造（１２２）の上および前記コレクタ領域（１１３）の上の，前記エミッタ構造（１３４）のそばにあり前記エミッタ構造から間隔をあけた外部ベース構造（１５６）と，
　前記基板（１０２）の上の誘電体層（１６０）と，
　前記誘電体層（１６０）を通した前記外部ベース構造（１５６），前記エミッタ構造（１３４）および前記コレクタ領域（１１３）への接続とを含み，
　前記ベース構造（１２２）は外部ベース部分（１３６）と真性ベース部分（１３８）とを有し，前記外部ベース部分（１３６）は前記真性ベース部分（１３８）の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する，バイポーラトランジスタ。」
　
（２）引用例１の記載と引用発明
　　引用例１：特開２０００−１２５５２号公報
　
（２−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１２５５２号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜図７とともに，次の記載がある。
　
　　ア　発明の背景等
・「【０００２】
【従来の技術】図５〜図７は，従来のバイポーラトランジスタの製造方法の一例を示す図であって，当該バイポーラトランジスタＢは，図５（ａ）に示すように，酸化シリコンによる第１の絶縁層５３によって素子分離構造が形成された半導体基板５１を用いて作製することができる。すなわち，当該半導体基板５１は，例えばｐ型シリコン単結晶基板の全面にＳｂなどの不純物が打込まれたコレクタ電極層５２が形成されており，その中央領域上面には上面が露出したＳＤＧ領域５４が設けられ，当該ＳＤＧ領域５４に低濃度に不純物がドープされたコレクタ層が形成されている。そして，当該コレクタ層の周囲は，例えばＬＯＣＯＳ法等によって形成された第１の絶縁層５３によって，周囲の素子等から絶縁分離されている。
【０００３】バイポーラトランジスタＢを作製するには，まず，上記半導体基板５１の全面に，非選択エピタキシャル成長法によりシリコン層５５を形成する。これにより図５（ｂ）に示すように，第１の絶縁層５３上にはベース電極層の一部となる第１のポリシリコン層５７が形成され，それと同時にＳＤＧ領域５４の上面にはベース層となる第１のエピタキシャル層５６が形成される。
【０００４】さらに，当該半導体基板５１の全面に酸化シリコンによる絶縁層を形成し，当該絶縁層をパターニングして，図５（ｃ）に示すように前記第１のエピタキシャル層５６の上面から前記第１のポリシリコン層５７の上面にかけて，バッファ層となる第２の絶縁層５８を形成する。
【０００５】次に図６（ａ）に示すように，当該半導体基板５１の全面に，ベース電極層となるＢなどの不純物が高濃度に含む第２のポリシリコン層５９を形成し，さらにその上面に層間膜となる酸化シリコンによる第３の絶縁層６０及び窒化シリコンによる第４の絶縁層６１を積層する。その後，図６（ｂ）に示すように，エミッタ層６６を引き出すための開口６２を，前記第２の絶縁層５８領域のほぼ中央に位置させて，前記第２のポリシリコン層５９及び第３の絶縁層６０並びに第４の絶縁層６１に，異方性エッチングにより開口する。このとき，開口６２は第２の絶縁層５８上で止めるようにする。
【０００６】その後，図６（ｃ）に示すように当該開口６２の内周面に窒化シリコンによる第５の絶縁層６３を形成した後，上記第２の絶縁層５８に異方性エッチングによって別な開口６４を設け，第１のエピタキシャル層５６を露出させる。そして，図７（ａ）に示すように，エミッタ電極層となるＳｂなどの不純物を高濃度に含む第３のポリシリコン層６５を，第４の絶縁層６１の上面にその一部が位置するように開口６２，６４内に形成した後，熱処理を施して第１のエピタキシャル層５６内にエミッタ層６６を形成する。
【０００７】最後に，当該半導体基板５１の全面に酸化シリコンによる第６の絶縁層６７をパターニングした後，エミッタ電極層（第３のポリシリコン層６５）を外部に引き出すための配線６８を形成して，図７（ｂ）に示すようなバイポーラトランジスタＢを作製できる。
【０００８】しかしながら，このようにして作製されたバイポーラトランジスタＢにおいては，ベース電極層は低濃度の不純物を含む第１のポリシリコン層５７と高濃度の不純物を含む第２のポリシリコン層５９から構成されており，ベース層（第１のエピタキシャル層５６）はその周囲に形成された第１のポリシリコン層５７との接続によって引き出された構造となっている。この第１のポリシリコン層５７は，非選択エピタキシャル成長によって第１の絶縁膜５３上に形成されているため多結晶質層となり，しかも不純物濃度を高くすることができないため実質的にベース抵抗が高くなってしまう。この結果，トランジスタの高速性に支障をきたし，消費電力が増加してしまうという問題がある。
【０００９】また，エミッタ層６６を引き出すための開口６２を形成する際，ホトリソグラフィ時におけるマスク位置の位置合わせにずれが生じると，開口６２が第２の絶縁層５８領域の中央から外れた位置に形成される結果，その後に形成されるエミッタ層６６が，ベース電極層となる第１のポリシリコン層５７に接近若しくは電気的に接続されてしまう恐れがあった。このため，ベース−エミッタ間で耐圧が劣化したり，リークが発生するという問題が生じていた。特に，当該開口６２は，ＳＤＧ領域５４とほぼ同じ領域に形成するのが好ましく，しかもベース層はＳＤＧ領域５４の上面にのみ形成されているため，マスクの位置合わせが厳密に要求されていた。さらに，半導体装置を小型化する上では，ＳＤＧ領域を小さく設計する必要があり，増々重要な問題となっていた。」
・「【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり，ベース−コレクタ間容量が増大することなく，エミッタ−ベース間の耐圧劣化あるいはリークを低減化できるバイポーラトランジスタの製造方法を提供することにある。」
　
　　イ　実施例
・「【００３９】
【発明の実施の形態】図１〜図４に本発明に係るバイポーラトランジスタＡの製造方法を示す。当該バイポーラトランジスタＡは，図４に示すように，第１の絶縁層１２によって素子分離構造が形成された半導体基板１上にエピタキシャル成長法によって，ＳＤＧ領域１３よりも広い領域にベース層（第１のエピタキシャル成長層１４及び第２のエピタキシャル成長層１７）が形成されており，当該ベース層の周囲及びその上面からベース電極層が引き出された構造をしている。以下，図１〜図４の各図に従って，本発明について詳細に説明する。
【００４０】まず，従来のバイポーラトランジスタＢ，Ｃの製造方法と同様に，図１（ａ）に示すような第１の絶縁膜１２による素子分離構造が形成された，例えばｐ型半導体基板１の露出されたＳＤＧ領域１３上面に，選択エピタキシャル成長によって，図１（ｂ）に示すようにベース層の一部を形成する第１のエピタキシャル成長層１４を形成する。
【００４１】次に，図１（ｃ）に示すように当該第１のエピタキシャル成長層１４が形成された半導体基板１の全面に，窒化シリコンによる第２の絶縁層１５を形成する。当該第２の絶縁層１５は除去可能であって，その後にすべてエッチング除去される。そして，図２（ａ）に示すように，当該第２の絶縁層１５をＣＭＰ処理若しくはウェットエッチバックを施し，第１のエピタキシャル成長層１４の上面を露出させるとともに，第１のエピタキシャル成長層１４の側面でのみ接触するように，当該第２の絶縁層１５の上部を除去する。
【００４２】次いで，バッファー層となる酸化シリコンによる第３の絶縁層１６を，半導体基板１上面の前記第１のエピタキシャル成長層１４よりも広い領域に形成し，その後図２（ｂ）に示すように，第２の絶縁層１５を選択的に除去する。
【００４３】その後，図２（ｃ）に示すように，選択エピタキシャル成長法により，第１のエピタキシャル成長層１４の側面から，ベース層の残りを構成する第２のエピタキシャル成長層１７を形成する。この時のエピタキシャル成長条件として，例えば，成長温度７００℃，圧力１３３０Ｐａ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス０．４ｌ/min，Ｈ2 ガス１５ｌ/minで，所望のベース層不純物濃度となるように，ドーパントガス，例えばＢ2 Ｈ6 を添加する。この時の不純物濃度は，第１のエピタキシャル成長層１４の不純物濃度よりも高くなるように設定するのが好ましい。このように不純物濃度を高くすることにより，ベース層の抵抗値をより小さく設定することができる。また，第２のエピタキシャル成長層１７は，その外周域が前記第３の絶縁層１６から露出する程度に成長させるのが好ましい。このように，第２のエピタキシャル成長層１７を第３の絶縁層１６よりも広い領域に形成することにより，後に形成されるベース電極層となる第１のポリシリコン層１８とのコンタクトを十分に取ることができる。
【００４４】そして，図３（ａ）に示すように，ベース層（第１のエピタキシャル成長層１４及び第２のエピタキシャル成長層１７）及び第３の絶縁層１６が形成された半導体基板１の全面に，ベース電極層となるＢなどの不純物が高濃度に含む第１のポリシリコン層１８を形成し，さらにその上面に層間膜となる酸化シリコンによる第４の絶縁層１９及び窒化シリコンによる第５の絶縁層２０を形成する。その後，図３（ｂ）に示すように，エミッタ層２３を引き出すための開口２１を，前記第３の絶縁層１６領域のほぼ中央に位置させて，前記第１のポリシリコン層１８及び第４の絶縁層１９並びに第５の絶縁層２０に，異方性エッチングにより形成する。このとき，開口２１は第３の絶縁層１６上で止めるようにする。
【００４５】その後，第１の従来法と同様にして，当該開口２１の内周面に窒化シリコンによる第６の絶縁層２２を形成した後，上記第３の絶縁層１６に異方性エッチングによって別な開口２４を設け，第１のエピタキシャル成長層１４を露出させる。そして，エミッタ電極層となるＳｂなどの不純物を高濃度に含む第３のポリシリコン層２５を，第５の絶縁層２０の上面に一部が位置するように前記開口２１，２４内に形成した後，熱処理を施して第１のエピタキシャル成長層１４内にエミッタ層２３を形成する。最後に，当該半導体基板１の全面に酸化シリコンによる第６の絶縁層２６をパターニングした後，エミッタ電極層（第３のポリシリコン層２５）を外部に引き出すための配線２７を形成して，図４に示すような本発明に係るバイポーラトランジスタＡを作製できる。」
　
　　ウ　発明の効果
・「【００４６】
【発明の効果】本発明によれば，ＳＤＧ領域よりも広い領域に抵抗値の小さなベース層を形成することができるので，エミッタ層とベース層周囲との距離を十分に確保でき，ベース−エミッタ間で耐圧が劣化したり，リークが発生することが少なくなる。特に，ＳＤＧ領域を小さくした場合にでも，余裕を持ってマスク位置合わせができ，安定したバイポーラトランジスタを提供できる。
【００４７】また，ベース層は，第１のエピタキシャル成長層と第２のエピタキシャル成長層とにより構成されるため，ベース層の抵抗を小さくでき，しかも，ＳＤＧ領域でのみベース層と接合されるため，高速かつ消費電力が小さなバイポーラトランジスタを提供できる。」
　
（２−２）引用発明
　上記ア〜ウによれば，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「Ｓｂなどの不純物が打込まれたコレクタ電極層５２（１１）と前記コレクタ電極層５２（１１）の上面に設けられたＳＤＧ領域５４（１３）に形成された低濃度に不純物がドープされたコレクタ層とを有するｐ型シリコン単結晶基板１と，前記コレクタ層の上面に形成された第１のエピタキシャル成長層１４と前記第１のエピタキシャル成長層１４の側面に形成され前記第１のエピタキシャル成長層１４の不純物濃度よりも不純物濃度の高い第２のエピタキシャル成長層１７からなるベース層と，前記ベース層の上面に設けられたＳｂなどの不純物を高濃度に含む第３のポリシリコン層２５からなるエミッタ電極層と，前記第２のエピタキシャル成長層１７の上側と横側に接続されたＢなどの不純物を高濃度に含む第１のポリシリコン層１８からなるベース電極層であり，前記エミッタ電極層の近くにあり前記エミッタ電極層と第６の絶縁膜２２を介して隔てられている前記ベース電極層と，前記基板１の上に形成された酸化シリコンによる絶縁層２６と，前記絶縁層２６をパターニングした後に形成した前記エミッタ電極層を外部に引き出すための配線２７とを有する，バイポーラトランジスタ。」
　
（３）対比
（３−１）次に，本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「Ｓｂなどの不純物が打込まれたコレクタ電極層５２（１１）」と「前記コレクタ電極層５２（１１）の上面に設けられたＳＤＧ領域５４（１３）に形成された低濃度に不純物がドープされたコレクタ層」は，両者を併せた構成が，本願発明の「コレクタ領域（１１３）」に相当し，引用発明の「ｐ型シリコン単結晶基板１」は，本願発明の「基板（１０２）」に相当するので，引用発明の「Ｓｂなどの不純物が打込まれたコレクタ電極層５２（１１）と前記コレクタ電極層５２（１１）の上面に設けられたＳＤＧ領域５４（１３）に形成された低濃度に不純物がドープされたコレクタ層とを有するｐ型シリコン単結晶基板１」は，本願発明の「コレクタ領域（１１３）を有する基板（１０２）」に相当する。
　　イ　引用発明の「第１のエピタキシャル成長層１４と前記第１のエピタキシャル成長層１４の側面に形成され前記第１のエピタキシャル成長層１４の不純物濃度よりも不純物濃度の高い第２のエピタキシャル成長層１７からなるベース層」は，本願発明の「ベース構造（１２２）」に相当するので，引用発明の「前記コレクタ層の上面に形成された第１のエピタキシャル成長層１４と前記第１のエピタキシャル成長層１４の側面に形成され前記第１のエピタキシャル成長層１４の不純物濃度よりも不純物濃度の高い第２のエピタキシャル成長層１７からなるベース層」は，本願発明の「前記コレクタ領域（１１３）の上のベース構造（１２２）」に相当する。
　　ウ　引用発明の「前記ベース層の上面に設けられたＳｂなどの不純物を高濃度に含む第３のポリシリコン層２５からなるエミッタ電極層」について，本願の発明の詳細な説明の【００２７】段落に，「エミッタ構造層１２４はポリシリコンからなり，エミッタ構造インプラント１２６はＮ＋ドーパントからなる」ことが，記載されており，引用発明の「エミッタ電極層」と，本願発明の「エミッタ構造（１３４）」は，いずれも，実施例では，「ポリシリコン」からなるものであるし，引用発明の「エミッタ電極層」と同様に，「電極層」という用語を用いている，引用例１の，例えば，図１に記載の「コレクタ電極層１１」が，本願の，例えば，図１に記載の「埋込コレクタ１０４」に対応することからも理解できるように，引用発明と本願発明とでは，同じ構成要件についての用語が異なっていることに注意すると，引用発明の「前記ベース層の上面に設けられたＳｂなどの不純物を高濃度に含む第３のポリシリコン層２５からなるエミッタ電極層」は，本願発明の「前記ベース構造（１２２）の上のエミッタ構造（１３４）」に相当する。
　　エ　引用発明の「前記第２のエピタキシャル成長層１７の上側と横側に接続されたＢなどの不純物を高濃度に含む第１のポリシリコン層１８からなるベース電極層であり，前記エミッタ電極層の近くにあり前記エミッタ電極層と第６の絶縁膜２２を介して隔てられている前記ベース電極層」について，本願の発明の詳細な説明の【００３２】段落に，「外部ベース構造層１５０はポリシリコンからなり，外部ベース構造インプラント１５２はＰ＋ドーパントからなる」ことが，記載されており，引用発明の「ベース電極層」と，本願発明の「外部ベース構造（１５６）」は，いずれも，実施例では，「ポリシリコン」からなるものであるし，引用発明の「ベース電極層」と同様に，「電極層」という用語を用いている，引用例１の，例えば，図１に記載の「コレクタ電極層１１」が，本願の，例えば，図１に記載の「埋込コレクタ１０４」に対応することからも理解できるように，引用発明と本願発明とでは，同じ構成要件についての用語が異なっていることに注意すると，引用発明の「Ｂなどの不純物を高濃度に含む第１のポリシリコン層１８からなるベース電極層」は，本願発明の「外部ベース構造（１５６）」に相当し，また，引用例１の図４の記載を参照すると，「ベース電極層となる第１のポリシリコン層１８」は，「コレクタ電極層５２（１１）」の上と，「ＳＤＧ領域５４（１３）に形成された低濃度に不純物がドープされたコレクタ層」の上にあることは，明らかであるから，引用発明の「Ｂなどの不純物を高濃度に含む第１のポリシリコン層１８からなるベース電極層」は，本願発明の「前記コレクタ領域（１１３）の上の」「外部ベース構造（１５６）」に相当し，また，引用発明の「前記第２のエピタキシャル成長層１７の上側と横側に接続されたＢなどの不純物を高濃度に含む第１のポリシリコン層１８からなるベース電極層」のうち，「前記第２のエピタキシャル成長層１７の上側」「に接続されたＢなどの不純物を高濃度に含む第１のポリシリコン層１８からなるベース電極層」は，本願発明の「前記ベース構造（１２２）の上」の「外部ベース構造（１５６）」に相当し，また，引用発明の「前記エミッタ電極層の近くにあ」ること，「前記エミッタ電極層と第６の絶縁膜２２を介して隔てられている」ことは，それぞれ，本願発明の「前記エミッタ構造（１３４）のそばにあ」ること，「前記エミッタ構造から間隔をあけた」ことに相当するので，引用発明の「前記第２のエピタキシャル成長層１７の上側と横側に接続されたＢなどの不純物を高濃度に含む第１のポリシリコン層１８からなるベース電極層であり，前記エミッタ電極層の近くにあり前記エミッタ電極層と第６の絶縁膜２２を介して隔てられている前記ベース電極層」は，本願発明の「前記ベース構造（１２２）の上および前記コレクタ領域（１１３）の上の，前記エミッタ構造（１３４）のそばにあり前記エミッタ構造から間隔をあけた外部ベース構造（１５６）」に相当する。
　　オ　引用発明の「前記基板１の上に形成された酸化シリコンによる絶縁層２６」は，本願発明の「前記基板（１０２）の上の誘電体層（１６０）」に相当する。
　　カ　引用発明の「前記絶縁層２６をパターニングした後に形成した前記エミッタ電極層を外部に引き出すための配線２７」は，本願発明の「前記誘電体層（１６０）を通した」「前記エミッタ構造（１３４）」「への接続」に相当する。
　　キ　引用発明の「前記コレクタ層の上面に形成された第１のエピタキシャル成長層１４と前記第１のエピタキシャル成長層１４の側面に形成され前記第１のエピタキシャル成長層１４の不純物濃度よりも不純物濃度の高い第２のエピタキシャル成長層１７からなるベース層」において，引用発明の「第１のエピタキシャル成長層１４」，「第２のエピタキシャル成長層１７」は，それぞれ，本願発明の「真性ベース部分（１３８）」，「外部ベース部分（１３６）」に相当し，また，引用発明の「第１のエピタキシャル成長層１４の不純物濃度よりも不純物濃度の高い第２のエピタキシャル成長層１７」は，本願発明の「前記外部ベース部分（１３６）は前記真性ベース部分（１３８）の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する」ことに相当するので，引用発明の「前記コレクタ層の上面に形成された第１のエピタキシャル成長層１４と前記第１のエピタキシャル成長層１４の側面に形成され前記第１のエピタキシャル成長層１４の不純物濃度よりも不純物濃度の高い第２のエピタキシャル成長層１７からなるベース層」は，本願発明の「前記ベース構造（１２２）は外部ベース部分（１３６）と真性ベース部分（１３８）とを有し，前記外部ベース部分（１３６）は前記真性ベース部分（１３８）の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する」ことに相当する。
　
（３−２）そうすると，本願発明と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
「バイポーラトランジスタであって，
　コレクタ領域を有する基板と，
　前記コレクタ領域の上のベース構造と，
　前記ベース構造の上のエミッタ構造と，
　前記ベース構造の上および前記コレクタ領域の上の，前記エミッタ構造のそばにあり前記エミッタ構造から間隔をあけた外部ベース構造と，
　前記基板の上の誘電体層と，
　前記誘電体層を通した前記エミッタ構造への接続とを含み，
　前記ベース構造は外部ベース部分と真性ベース部分とを有し，前記外部ベース部分は前記真性ベース部分の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する，バイポーラトランジスタ。」
　
《相違点》
　本願発明は，「前記誘電体層（１６０）を通した前記外部ベース構造（１５６），前記エミッタ構造（１３４）および前記コレクタ領域（１１３）への接続」を有するのに対して，引用発明は，本願発明の「前記誘電体層（１６０）を通した」「前記エミッタ構造（１３４）」「への接続」に相当する，「前記絶縁層２６をパターニングした後に形成した前記エミッタ電極層を外部に引き出すための配線２７」を有するものの，本願発明の「前記誘電体層（１６０）を通した前記外部ベース構造（１５６），」「および前記コレクタ領域（１１３）への接続」については，記載されていない点。
　
（４）相違点についての判断
　　ア　バイポーラトランジスタにおいて，絶縁膜にそれぞれの開口を設けて形成した，エミッタ電極，コレクタ電極及びベース電極は，例えば，以下の周知例１，周知例２に記載のように，周知の技術である。
　　イ　周知例１
　特開２００２−１６０７７号公報（拒絶の理由で引用）には，図１，図１２，図１３とともに，【００２４】段落に次の記載がある。
　「【００２４】最後に，図１２に示すように，ＡＰ−ＣＶＤにより再度全面にシリコン酸化膜２７を形成し，所定にパターニングとエッチングを行って，エミッタ電極部２０，コレクタ電極部３０及びベース電極部４０にそれぞれエミッタ電極開口部２３，コレクタ電極開口部３３及びベース電極開口部４３を設ける。次いで，図１３に示すように，電極となるアルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金膜１７を全面にスパッタにより成膜し，所定の形状にパターニングとエッチングをして，エミッタ電極２１，コレクタ電極３１及びベース電極４１を形成する。このようにして図１に示すバイポーラ型半導体装置を得る。」
　なお，周知例１に記載の「シリコン酸化膜２７」は，本願発明の「誘電体層（１６０）」に相当し，周知例１に記載の「エミッタ電極２１，コレクタ電極３１及びベース電極４１」は，本願発明の「接続」に相当する。
　　ウ　周知例２
　特開平８−３２１５１０号公報には，図５とともに，【００４１】段落に次の記載がある。
　「【００４１】さらに、図５に示すように、リソグラフィー技術（レジスト塗布、露光、現像、ベーキング等）およびエッチングによって、第４絶縁膜４８と第３絶縁膜３３とを貫通してベース電極３１に到達するコンタクトホール５１、第４絶縁膜４８を貫通してエミッタ電極３４に到達するコンタクトホール５２、第４，第３，第２絶縁膜４８，３１，２９を貫通してコレクタ電極２３に到達するコンタクトホール５３を形成する。その後、配線形成技術によって、各コンタクトホール５１〜５３にプラグ５４〜５６を形成した後、各プラグ５４〜５６に接続する配線５７〜５９を形成する。」
　なお，周知例２に記載の，「プラグ５４〜５６」は，本願発明の「接続」に相当する。
　　エ　そうすると，引用発明に上記アの周知の技術を適用することにより，引用発明の「前記絶縁層２６をパターニングした後に形成した前記エミッタ電極層を外部に引き出すための配線２７」だけでなく，引用発明の「ベース電極層」と「コレクタ電極層５２（１１）」にも，「外部に引き出すための配線」を設けて，本願発明のように，「前記誘電体層（１６０）を通した前記外部ベース構造（１５６），前記エミッタ構造（１３４）および前記コレクタ領域（１１３）への接続」を有するように構成することは，当業者が適宜なし得る設計的事項といえる。
　
（５）以上によれば，相違点に係る構成とすることは，当業者にとって容易であったものといえる。
　
　
３　結言 
 　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。 
 　 
 　よって，結論のとおり審決する。