【事件の表示】
　特願２００４−２４７６３５「リソグラフィ装置およびデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月２４日出願公開、特開２００５−　７９５８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は平成１６年８月２７日（パリ条約による優先権主張　平成１５年８月２９日、欧州特許庁）の特許出願であって、平成１９年８月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２０年６月３０日付けで拒絶査定がなされたため、これを不服として同年９月３０日に本件審判請求がなされるとともに、同年１０月２９日付けで特許請求の範囲について手続補正がなされ、同日付けで同年９月３０日付けの審判請求書の請求の理由について手続補正がなされたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年１０月２９日付けの特許請求の範囲についての手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、平成１９年１２月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲についての
　
「【請求項１】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターン形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムが、前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項２】
　前記液体浄化装置が蒸留ユニットを有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項３】
　前記液体浄化装置が、浸漬液の炭化水素含有率を低下させるユニットを有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項４】
　前記脱塩装置が、逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットである、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項５】
　前記液体浄化装置がフィルタを有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項６】
　前記フィルタが、前記液体供給システムの１つまたは複数のさらなる構成要素から動的に隔離される、請求項５に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項７】
　前記液体供給システムが、前記浸漬液を２度目に完全に、または部分的に浄化した状態で、または浄化しない状態で前記空間で浸漬液を再使用するための再循環手段を含む、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項８】
　前記液体供給システムがさらに、浸漬液を前記液体浄化装置から前記空間に提供する循環手段を有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項９】
　前記液体浄化装置は、前記水または水溶液が以下の特性（ａ）から（ｆ）、つまり、
（ａ）０．０５５マイクロシーメンス／ｃｍから０．５マイクロシーメンス／ｃｍの導電性、
（ｂ）５から８のｐＨ、
（ｃ）５ｐｐｂ以下の有機化合物含有率、
（ｄ）浸漬液１ｍｌ当たり５０ｎｍ以上の寸法を有する粒子２個以内の粒子含有率、
（ｅ）１５ｐｐｂ以下の溶解酸素濃度、および
（ｆ）５００ｐｐｔ以下のシリカ含有率、
のうち１つまたは複数を有すよう、これを浄化するためのものである、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１０】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、
を有し、
　前記液体供給システムが、前記空間に入る前に浸漬液に照射するために紫外線ソースと、
　前記浸漬液を浄化する液体浄化装置と、を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１１】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　さらに前記浸漬液が可視光で照射されることを防止するための手段を有し、
　前記液体供給システムが、前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１２】
　前記手段が、可視光に対して非透明で、前記液体供給システムを囲む容器またはエンクロージャである、請求項１１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１３】
　前記手段が、浸漬液を浸漬液ソースから可視光に対して非透明である前記空間に供給する導管を有する、請求項１１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１４】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムは、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であり、
　前記液体供給システムが、さらに、前記浸漬液に生物成長阻害薬品を添加する手段を有することを特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１５】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造と、を有し、
　パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムが、さらに前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液、および、少なくとも１つの生物成長阻害薬品を含むこと、を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１６】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムは、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液が以下の特性（ａ）から（ｆ）、つまり、
（ａ）０．０５５マイクロシーメンス／ｃｍから０．５マイクロシーメンス／ｃｍの導電性、
（ｂ）５から８のｐＨ、
（ｃ）５ｐｐｂ以下の有機化合物含有率、
（ｄ）浸漬液１ｍｌ当たり５０ｎｍ以上の寸法を有する粒子２個以内の粒子含有率、
（ｅ）１５ｐｐｂ以下の溶解酸素濃度、および
（ｆ）５００ｐｐｔ以下のシリカ含有率、
のうち１つまたは複数を有する水または水溶液であることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１７】
　前記液体供給システムが、浸漬液を含む液体封じ込めシステムを有する、請求項１６に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１８】
　前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させる、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１９】
　前記脱塩装置が前記浸漬液の特性を制御することにより、前記浸漬駅の光学的特性を一定にさせる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。　
　　【請求項２０】
　前記脱塩装置は、前記浸漬液の電気的特性を制御する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。」
　
の記載を、
　
「【請求項１】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターン形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムが、前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であり、
　前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項２】
　前記液体浄化装置が蒸留ユニットを有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項３】
　前記液体浄化装置が、浸漬液の炭化水素含有率を低下させるユニットを有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項４】
　前記脱塩装置が、逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットである、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項５】
　前記液体浄化装置がフィルタを有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項６】
　前記フィルタが、前記液体供給システムの１つまたは複数のさらなる構成要素から動的に隔離される、請求項５に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項７】
　前記液体供給システムが、前記浸漬液を２度目に完全に、または部分的に浄化した状態で、または浄化しない状態で前記空間で浸漬液を再使用するための再循環手段を含む、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項８】
　前記液体供給システムがさらに、浸漬液を前記液体浄化装置から前記空間に提供する循環手段を有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項９】
　前記液体浄化装置は、前記水または水溶液が以下の特性（ａ）から（ｆ）、つまり、
（ａ）０．０５５マイクロシーメンス／ｃｍから０．５マイクロシーメンス／ｃｍの導電性、
（ｂ）５から８のｐＨ、
（ｃ）５ｐｐｂ以下の有機化合物含有率、
（ｄ）浸漬液１ｍｌ当たり５０ｎｍ以上の寸法を有する粒子２個以内の粒子含有率、
（ｅ）１５ｐｐｂ以下の溶解酸素濃度、および
（ｆ）５００ｐｐｔ以下のシリカ含有率、
のうち１つまたは複数を有すよう、これを浄化するためのものである、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１０】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、
を有し、
　前記液体供給システムが、前記空間に入る前に浸漬液に照射するために紫外線ソースと、
　前記浸漬液を浄化する液体浄化装置と、を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であり、
　前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１１】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　さらに前記浸漬液が可視光で照射されることを防止するための手段を有し、
　前記液体供給システムが、前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であり、
　前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１２】
　前記手段が、可視光に対して非透明で、前記液体供給システムを囲む容器またはエンクロージャである、請求項１１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１３】
　前記手段が、浸漬液を浸漬液ソースから可視光に対して非透明である前記空間に供給する導管を有する、請求項１１に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１４】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムは、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であり、
　前記液体供給システムが、さらに、前記浸漬液に生物成長阻害薬品を添加する手段を有し、
　前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１５】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造と、を有し、
　パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムが、さらに前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液、および、少なくとも１つの生物成長阻害薬品を含み、
　前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１６】
　リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムは、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液が以下の特性（ａ）から（ｆ）、つまり、
（ａ）０．０５５マイクロシーメンス／ｃｍから０．５マイクロシーメンス／ｃｍの導電性、
（ｂ）５から８のｐＨ、
（ｃ）５ｐｐｂ以下の有機化合物含有率、
（ｄ）浸漬液１ｍｌ当たり５０ｎｍ以上の寸法を有する粒子２個以内の粒子含有率、
（ｅ）１５ｐｐｂ以下の溶解酸素濃度、および
（ｆ）５００ｐｐｔ以下のシリカ含有率、
のうち１つまたは複数を有する水または水溶液であり、
　前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させること、
ことを特徴とするリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１７】
　前記液体供給システムが、浸漬液を含む液体封じ込めシステムを有する、請求項１６に記載のリソグラフィ投影装置。
　　【請求項１８】
　前記浸漬液の光学的特性が一定に制御される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
　　【請求項１９】
　前記浸漬液の導電性が０．０５５マイクロシーメンス／ｃｍと０．５マイクロシーメンス／ｃｍとの間に制御される、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。」
　
と補正するものである。
　
２　本件補正の適否の検討
（１）目的要件についての検討
　本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下単に「特許法」という。）第１７条の２第４項に規定する要件を満たすか否かを検討する。
　特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」は、補正前後の請求項に係る発明が一対一又はこれに準ずるような対応関係に立つものでなければならない（東京高裁平成１５年（行ケ）第２３０号、知財高裁平成１７年（行ケ）第１０１９２号、知財高裁平成１７年（行ケ）第１０１５６号参照。）。
　そして、請求人は、平成２０年１０月２９日付けの手続補正により補正された同年９月３０日付けの審判請求書の請求の理由において、「上記手続補正において、以下のように特許請求の範囲が改められました。」、「請求項１、１０、１１、および１４〜１６が補正前の請求項１８に係る発明の内容を含むように改められました。」、「補正前の請求項１８が重複を排除するため削除されました。」、「上記請求項１８の削除に伴い、補正前の請求項１９および２０が請求項１８および１９にそれぞれ繰り上げられました。」と主張している。
　すると、本件補正のうち本件補正前の請求項１８を削除する補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる「請求項の削除」を目的とする補正に該当する。
　また、本件補正のうち本件補正前の請求項１〜１７を本件補正後の請求項１〜１７とする補正は、本件補正前の請求項１〜１７の「脱塩装置」を本件補正後の請求項１〜１７の「浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させる」「脱塩装置」と限定する補正であるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正に該当する。
　さらに、本件補正のうち本件補正前の請求項１９を本件補正後の請求項１８とする補正は、本件補正前の請求項１９の「浸漬駅」を本件補正後の請求項１８の「浸漬液」と誤記訂正し、平成２０年６月３０日付けの拒絶査定のなお書きを受けて、本件補正前の請求項１９の「前記脱塩装置が前記浸漬液の特性を制御することにより」との記載を削除し、本件補正前の請求項１９の「脱塩装置」を本件補正後の請求項１８の「浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させる」「脱塩装置」と限定する補正であるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」、同項第３号に掲げる「誤記の訂正」及び同項第４号に掲げる「明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」を目的とする補正に該当する。
　また、本件補正のうち本件補正前の請求項２０を本件補正後の請求項１９とする補正は、平成２０年６月３０日付けの拒絶査定のなお書きを受けて、本件補正前の請求項２０の「前記脱塩装置は」との記載を削除するとともに、本件補正前の請求項２０の「脱塩装置」を本件補正後の請求項１９の「浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させる」「脱塩装置」と限定し、本件補正前の請求項２０の「浸漬液の電気的特性を制御すること」を本件補正後の請求項１９の「浸漬液の導電性が０．０５５マイクロシーメンス／ｃｍと０．５マイクロシーメンス／ｃｍとの間に制御される」ことと限定する補正であるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び同項第４号に掲げる「明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」を目的とする補正に該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
（２）独立特許要件についての検討
　上記（１）で検討したとおり、本件補正のうち本件補正前の請求項４を本件補正後の請求項４とする補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正が平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下、単に「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か、すなわち、本件補正後の請求項４に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かを検討する。
　
ア　本件補正発明の認定
　本件補正発明は、本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項４に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターン形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムが、前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であり、
　前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させ、
　前記脱塩装置が、逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットであること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。」
　
イ　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶理由に引用され、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第９９／４９５０４号（以下「引用例」という。）には、以下の（ア）〜（ク）の記載が図面とともにある。
　
（ア）「技術分野
　本発明は、例えば、半導体素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程でマスクパターンを感光性の基板上に転写するために用いられる投影露光方法、及び装置に関し、更に詳しくは液浸法を用いた投影露光方法及び装置に関する。
　
背景技術
　半導体素子等を製造する際に、マスクとしてのレチクルのパターンの像を投影光学系を介して、感光性の基板としてのレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上の各ショット領域に転写する投影露光装置が使用されている。従来は投影露光装置として、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型の露光装置（ステッパ）が多用されていたが、最近ではレチクルとウエハとを同期走査して露光を行うステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置も注目されている。
　投影露光装置に備えられている投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、集積回路の微細化に伴い投影露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大してきている。そして、現在主流の露光波長は、ＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍも実用化されつつある。
　また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒ、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
　Ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡ　　　　　　　（１）
　δ＝ｋ２・λ／ＮＡ２　　　　　　 （２）
　ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ１，ｋ２はプロセス係数である。（１）式、（２）式より、解像度Ｒを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。従来より投影露光装置では、オートフォーカス方式でウエハの表面を投影光学系の像面に合わせ込んで露光を行っているが、そのためには焦点深度δはある程度広いことが望ましい。そこで、従来も位相シフトレチクル法、変形照明法、多層レジスト法など、実質的に焦点深度を広くする提案がなされている。
　上記の如く従来の投影露光装置では、露光光の短波長化、及び投影光学系の開口数の増大によって、焦点深度が狭くなってきている。そして、半導体集積回路の一層の高集積化に対応するために、露光波長の更なる短波長も研究されており、このままでは焦点深度が狭くなり過ぎて、露光動作時のマージンが不足する恐れがある。
　そこで、実質的に露光波長を短くして、かつ焦点深度を広くする方法として、液浸法が提案されている。これは、投影光学系の下面とウエハ表面との間を水、又は有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の１／ｎ倍（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上すると共に、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。
　この液浸法を、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置に単に適用するものとすると、１つのショット領域の露光を終了した後、次のショット領域にウエハをステップ移動する際に、投影光学系とウエハとの間から液体が出てしまうため、再び液体を供給しなければならず、また、液体の回収も困難になるという不都合がある。また、液浸法を仮にステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に適用する場合、ウエハを移動させながら露光を行うため、ウエハを移動させている間も投影光学系とウエハとの間には液体が満たされている必要がある。
　本発明は斯かる点に鑑み、液浸法を適用した場合に、投影光学系とウエハとが相対移動しても、投影光学系とウエハとの間に液体を安定に満たしておくことができる投影露光方法を提供することを目的とする。また、本発明はそのような投影露光方法を実施できる投影露光装置、この投影露光装置の効率的な製造方法、及びそのような投影露光方法を用いた高機能のデバイスの製造方法を提供することをも目的とする。」（第１頁第５行〜第３頁第１１行）
　
（イ）「次に、本発明による第１の投影露光装置は、露光ビームでマスク（Ｒ）を照明し、そのマスク（Ｒ）のパターンを投影光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｗ）上に転写する投影露光装置において、その基板（Ｗ）を保持して移動させる基板ステージ（９，１０）と、その投影光学系（ＰＬ）のその基板（Ｗ）側の光学素子（４）の先端部とその基板（Ｗ）の表面との間を満たすように、供給用の配管（２１ａ）を介して所定方向に沿って所定の液体（７）を供給する液体供給装置（５）と、その供給用の配管（２１ａ）と共にその所定方向にその露光ビームの照射領域を挟むように配置された排出用の配管（２３ａ，２３ｂ）を介してその基板（Ｗ）の表面からその液体（７）を回収する液体回収装置（６）とを有し、その基板ステージ（９，１０）を駆動してその基板（Ｗ）をその所定方向に沿って移動させる際に、その液体（７）の供給及び回収を行うものである。
　斯かる本発明の第１の投影露光装置によれば、それらの配管を用いることによって本発明の第１の投影露光方法を実施することができる。」（第４頁第４〜１８行）
　
（ウ）「また、その基板（Ｗ）の表面に供給されるその液体（７）は、一例として所定の温度に調整された純水、又はフッ素系不活性液体である。この場合、純水は例えば半導体製造工場ではその入手が容易であり、環境的にも問題がない。」（第５頁第２０〜２３行）
　
（エ）「発明を実施するための最良の形態
　以下、本発明の好適な実施の形態の一例につき図１〜図４を参照して説明する。本例は本発明をステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置で露光を行う場合に適用したものである。
　図１は本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図１において、露光光源としてのＫｒＦエキシマレーザ光源、オプティカル・インテグレータ（ホモジナイザー）、視野絞り、コンデンサレンズ等を含む照明光学系１から射出された波長２４８ｎｍの紫外パルス光よりなる露光光ＩＬは、レチクルＲに設けられたパターンを照明する。レチクルＲのパターンは、両側（又はウエハＷ側に片側）テレセントリックな投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等）でフォトレジストが塗布されたウエハＷ上の露光領域に縮小投影される。なお、露光光ＩＬとしては、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）や水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）等を使用してもよい。以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に垂直にＹ軸を取り、図１の紙面に平行にＸ軸を取って説明する。
　レチクルＲはレチクルステージＲＳＴ上に保持され、レチクルステージＲＳＴにはＸ方向、Ｙ方向、回転方向にレチクルＲを微動する機構が組み込まれている。レチクルステージＲＳＴの２次元的な位置、及び回転角はレーザ干渉計（不図示）によってリアルタイムに計測され、この計測値に基づいて主制御系１４がレチクルＲの位置決めを行う。
　一方、ウエハＷはウエハホルダ（不図示）を介してウエハＷのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）及び傾斜角を制御するＺステージ９上に固定されている。Ｚステージ９は投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行なＸＹ平面に沿って移動するＸＹステージ１０上に固定され、ＸＹステージ１０はベース１１上に載置されている。Ｚステージ９は、ウエハＷのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）、及び傾斜角を制御してウエハＷ上の表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込み、ＸＹステージ１０はウエハＷのＸ方向、及びＹ方向の位置決めを行う。Ｚステージ９（ウエハＷ）の２次元的な位置、及び回転角は、移動鏡１２の位置としてレーザ干渉計１３によってリアルタイムに計測されている。この計測結果に基づいて主制御系１４からウエハステージ駆動系１５に制御情報が送られ、これに基づいてウエハステージ駆動系１５は、Ｚステージ９、ＸＹステージ１０の動作を制御する。露光時にはウエハＷ上の各ショット領域を順次露光位置にステップ移動し、レチクルＲのパターン像を露光する動作がステップ・アンド・リピート方式で繰り返される。
　さて、本例では露光波長を実質的に短くして解像度を向上すると共に、焦点深度は実質的に広くするために、液浸法を適用する。そのため、少なくともレチクルＲのパターン像をウエハＷ上に転写している間は、ウエハＷの表面と投影光学系ＰＬのウエハ側のレンズ４の先端面（下面）との間に所定の液体７を満たしておく。投影光学系ＰＬは、他の光学系を収納する鏡筒３と、そのレンズ４とを有しており、レンズ４のみに液体７が接触するように構成されている。これによって、金属よりなる鏡筒３の腐食等が防止されている。」（第９頁第１４行〜第１１頁第７行）
　
（オ）「また、液体７として、本例では例えば純水を使用する。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できると共に、ウエハ上のフォトレジストや光学レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないと共に、不純物の含有量が極めて低いため、ウエハの表面、及びレンズ４の表面を洗浄する作用も期待できる。
　そして、波長が２５０ｎｍ程度の露光光に対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４であるため、ＫｒＦエキシマレーザ光の波長２４８ｎｍは、ウエハＷ上では１／ｎ、即ち約１７７ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、即ち約１．４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
　その液体７は、その液体のタンク、加圧ポンプ、温度制御装置等からなる液体供給装置５によって、所定の排出ノズル等を介してウエハＷ上に温度制御された状態で供給され、その液体のタンク及び吸引ポンプ等からなる液体回収装置６によって、所定の流入ノズル等を介してウエハＷ上から回収される。」（第１２頁第１〜１７行）
　
（カ）「なお、本例の投影露光装置の用途としては半導体製造用の投影露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の投影露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための投影露光装置にも広く適用できる。」（第２１頁第１３〜１６行）
　
（キ）「２．露光ビームでマスクを照明し、前記マスクのパターンを投影光学系を介して基板上に転写する投影露光装置において、
　前記基板を保持して移動させる基板ステージと、前記投影光学系の前記基板側の光学素子の先端部と前記基板の表面との間を満たすように、供給用の配管を介して所定方向に沿って所定の液体を供給する液体供給装置と、前記供給用の配管と共に前記所定方向に前記露光ビームの照射領域を挟むように配置された排出用の配管を介して前記基板の表面から前記液体を回収する液体回収装置と、を有し、
　前記基板ステージを駆動して前記基板を前記所定方向に沿って移動させる際に、前記液体の供給及び回収を行うことを特徴とする投影露光装置。」（第２４頁第９〜１９行）
　
（ク）「７．請求の範囲２〜６の何れか一項記載の投影露光装置であって、
　前記基板の表面に供給される前記液体は所定の温度に調整された純水、又はフッ素系不活性液体であることを特徴とする投影露光装置。」（第２５頁第９〜１１行）
　
ウ　引用例記載の発明の認定
　引用例の上記記載事項（ア）〜（ク）から、引用例には次の発明が記載されていると認めることができる。
　
「波長が２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのいずれかである露光光源、オプティカル・インテグレータ（ホモジナイザー）、視野絞り、コンデンサレンズ等を含む照明光学系から射出された露光ビームでマスクとしてのレチクルを照明し、前記レチクルのパターンを投影光学系を介して所定の投影倍率で基板上の露光領域に縮小投影する半導体製造用の投影露光装置において、
　前記レチクルを保持するレチクルステージと、前記基板を保持して移動させる基板ステージと、前記投影光学系の前記基板側の光学素子の先端部と前記基板の表面との間を満たすように、供給用の配管を介して所定方向に沿って純水を供給する液体供給装置と、前記供給用の配管と共に前記所定方向に前記露光ビームの照射領域を挟むように配置された排出用の配管を介して前記基板の表面から前記純水を回収する液体回収装置と、を有し、
　前記基板ステージを駆動して前記基板を前記所定方向に沿って移動させる際に、前記純水の供給及び回収を行う半導体製造用の投影露光装置。」（以下「引用発明」という。）
　
エ　本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点の認定
（ア）引用発明の「投影露光装置」は、本件補正発明の「リソグラフィ投影装置」に相当する。
　
（イ）本件補正発明の「放射線の投影ビームを供給する放射線システム」について、本件出願の明細書には、「放射線システムはまた、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う、こうした設計タイプのいずれかに応じて稼動する構成要素も有することが出来る。」（段落【０００５】）、「放射線ソースＬＡも有する、放射線の投影ビームＰＢ（例えばＤＵＶ放射線）を供給する放射線ソースＥｘ、ＩＬ」（段落【００３３】）、「ソースＬＡ（例えばエキシマレーザソース）は放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダＥｘといったような調整手段を横断した後に、照明システム（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、ビームにおける強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定する調整手段ＡＭを含む。さらに、これは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を有する。このようにして、マスクＭＡに照射するビームＰＢは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。」（段落【００３５】）と記載されているから、本件補正発明の「放射線システム」は、「放射線ソースＥｘ」及び前記「放射線ソースＥｘ」から放射線のビームを受け取り放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う「ビームエキスパンダＥｘ」や「照明装置ＩＬ」等の光学構成要素からなるものであると認めることができる。
　したがって、引用発明の「波長が２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのいずれかである露光光源、オプティカル・インテグレータ（ホモジナイザー）、視野絞り、コンデンサレンズ等を含む照明光学系」は、本件補正発明の「放射線システム」に相当し、引用発明の「波長が２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのいずれかである露光光源、オプティカル・インテグレータ（ホモジナイザー）、視野絞り、コンデンサレンズ等を含む照明光学系から射出された露光ビーム」は、本件補正発明の「放射線システム」から「供給」された「放射線の投影ビーム」に相当する。
　
（ウ）引用発明の「投影露光装置」は「露光ビームでマスクとしてのレチクルを照明し、前記レチクルのパターンを投影光学系を介して所定の投影倍率で基板上の露光領域に縮小投影する」ものであるから、引用発明の「レチクル」は「照明光学系から射出された露光ビーム」に「レチクルのパターン」を形成する働きをすると認めることができる。
　したがって、引用発明の「レチクル」、「レチクルを保持するレチクルステージ」は、それぞれ、本件補正発明の「所望のパターンに従い投影ビームにパターン形成する働きを」する「パターン形成手段」、「パターン形成手段を支持する支持構造」に相当する。
　
（エ）引用発明の「基板」、「基板を保持して移動させる基板ステージ」は、それぞれ、本件補正発明の「基板」、「基板を保持する基板テーブル」に相当する。
　
（オ）引用発明の「前記レチクルのパターンを」「所定の投影倍率で基板上の露光領域に縮小投影する」「投影光学系」は、本件補正発明の「基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システム」に相当する。
　
（カ）引用発明の「前記投影光学系の前記基板側の光学素子の先端部と前記基板の表面との間を満たすように」「純水を供給する液体供給装置」は、本件補正発明の「前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システム」に相当し、引用発明の「前記投影光学系の前記基板側の光学素子の先端部と前記基板の表面との間を満たす」「純水」は、本件補正発明の「前記浸漬液は、水または水溶液であ」ることに相当する。
　
（キ）以上から、本件補正発明と引用発明とは、
　
「リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターン形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液である、
リソグラフィ投影装置。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本件補正発明では「リソグラフィ投影装置」の「液体供給システム」が「前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し」、「前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し」、「前記脱塩装置が、逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットである」のに対し、引用発明の「投影露光装置」の「液体供給装置」にはこのような限定がない点。
　
〈相違点２〉
　本件補正発明では「前記脱塩装置は、前記浸漬液中のシリカおよび炭化水素を減少させ」るのに対し、引用発明にはこのような限定がない点。
　
オ　相違点についての判断
（ア）相違点１について
ａ　半導体デバイスの製造の際、半導体ウエハを洗浄するために使用する純水を、逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットである脱塩装置を有する純水製造装置により製造することは、本件出願の優先日当時において当業者に周知の技術的事項である（例えば、特開平９−１９２６６１号公報（請求項１、段落【０００１】〜【０００７】、【００１３】を参照。）、特開平１１−１６５１６８号公報（段落【０００２】〜【０００３】を参照。なお、本件出願の優先日当時の技術常識に照らし、段落【０００２】〜【０００３】に記載されたイオン交換装置や逆浸透膜装置は、脱塩装置であると認めることができる。）、特開平１１−１３８１５６号公報（段落【０００２】を参照。なお、本件出願の優先日当時の技術常識に照らし、段落【０００２】に記載されたイオン交換法や逆浸透法を含む濾過手段は、脱塩装置であると認めることができる。）、特開２００２−３５５６８３号公報（段落【０００２】〜【０００３】を参照。なお、本件出願の優先日当時の技術常識に照らし、段落【０００２】〜【０００３】に記載されたイオン交換装置や逆浸透（ＲＯ）膜分離装置は、脱塩装置であると認めることができる。）、特開昭６３−１０８７２４号公報（第１頁左欄第１９行〜第２頁左上欄第２行、第３頁左上欄第１６〜１９行、第３頁右上欄第１２〜２０行、第３頁左下欄第１５〜１９行を参照。なお、本件出願の優先日当時の技術常識に照らし、逆浸透膜装置及び逆浸透膜を用いる透過膜装置は、脱塩装置であると認めることができる。）を参照。）。
　そして、引用発明の「投影露光装置」は「半導体製造用の投影露光装置」であり、引用発明の「基板」は「半導体」「基板」であることは明らかであるから、引用発明の「純水」及び上記周知技術の純水は、いずれも、半導体基板上に直接供給される純水である点で共通する。
　すると、引用発明の「純水」として、上記周知の逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットである脱塩装置を有する純水製造装置により製造された純水を採用することは、当業者にとって容易に想到し得る。
　
ｂ　そして、（ａ）引用発明の「液体供給装置」は「純水を供給する」ものであり、また、上記周知技術の純水製造装置も純水を製造し供給するものであるから、引用発明の「液体供給装置」と上記周知技術の純水製造装置とは純水を供給する装置である点で共通する。また、（ｂ）純水製造部で製造された純水を使用する装置内に前記純水製造部を設けることが、本件出願の優先日当時において当業者に周知の技術的事項である（例えば、特開平６−２６５５５５号公報（請求項１、段落【０００４】〜【００１０】、【００２７】、【００４５】、【００５３】、図１，３を参照。）、特開２０００−２６６７６３号公報（請求項１、段落【０００４】、【０００８】〜【０００９】、【００２２】〜【００２４】、【００３４】〜【００３５】、【００４７】、図２を参照。）を参照。）。さらに、（ｃ）純水が長い配管を通じて装置に供給されると、配管の中を輸送中に純水の不純物量が増加してしまうという課題が、本件出願の優先日当時において当業者に周知の課題である（例えば、特開平６−２６５５５５号公報（段落【０００４】を参照。）、特開２００１−１５３８５５号公報（段落【００１１】〜【００１３】、【００１５】を参照。）、特開昭６３−１０８７２４号公報（第２頁左下欄第８行〜右下欄第１行、第３頁左上欄第４〜１１行、第３頁左上欄第１６〜１９行、第３頁左下欄第１５〜１９行、第３頁右下欄第７〜１０行を参照。）、米国特許第６４６１５１９号明細書（第３欄第５７〜６１行、第４欄第３５〜４９行を参照。なお、第４欄第３５〜４９行には、処理済みの水の不純物レベルは超純水の不純物レベルよりも低いから、パイプラインシステム９の材料として、ポリプロピレンや塩化ビニルのような安価な材料を選択することができること、及び、高品質で高価なパイプラインシステム１０を用いるとその中を通る超純水が汚染されない旨記載されているから、米国特許第６４６１５１９号明細書には、ポリプロピレンや塩化ビニルのような安価な材料からなるパイプラインシステム９に超純水を通すと、超純水が汚染される旨示唆されているということができる。）を参照。）。
　したがって、上記（ａ）〜（ｃ）の少なくとも一つの事項に照らし、配管を介して引用発明の「純水を供給する液体供給装置」と上記周知の脱塩装置を有する純水製造装置を接続するのではなく、引用発明の「純水を供給する液体供給装置」に上記周知の脱塩装置を有する純水製造装置を設けることは、当業者にとって容易に想到し得る。
　
ｃ　以上のとおりであるから、引用発明に上記相違点１に係る本件補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
（イ）相違点２について
　半導体フォトリソグラフィの技術分野では、シリカ及び炭化水素が露光光の光路から除去されるべき物質であることは、本件出願の優先日当時において当業者に周知の技術的事項である（例えば、特開２０００−１１４３３４号公報（段落【０００２】）、特表２００２−５３５７０３号公報（段落【０００７】）、国際公開第０１／８２０４号（第１３頁第５〜８行）を参照。）。
　そして、半導体製造に使用される純水を製造する純水製造装置の技術分野において、純水中のシリカおよび炭化水素を減少させ、逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットである脱塩装置を有する純水製造装置は、本件出願の優先日当時において当業者に周知の技術的事項である（例えば、国際公開第０３／５５６０４号（第２頁第１３〜１６行、第８頁第８〜２１行）、特開２０００−５１８６５号公報（段落【００１１】の「ＲＯ膜でイオン成分（塩類）、ＴＯＣ、シリカ、ホウ素等を除去する。」との記載を参照。）、特開平４−２４４２８８号公報（段落【０００２】、【００３８】）を参照。）。
　すると、上記（ア）で述べたように、引用発明の「純水を供給する液体供給装置」に、上記周知の逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットである脱塩装置を有する純水製造装置を設ける際、前記脱塩装置として、純水中のシリカおよび炭化水素を減少させ、逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットである脱塩装置を採用することは、当業者にとって容易に想到し得る。
　したがって、引用発明に上記相違点２に係る本件補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
カ　本件補正発明の独立特許要件の判断
　以上のとおり、引用発明に上記相違点１〜２に係る本件補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　また、本件補正発明の効果も、引用例に記載された発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものに過ぎない。
　したがって、本件補正発明は引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３）むすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本件審判請求についての判断
１　本件発明の認定
　本件補正が却下されたから、平成１９年１２月２８日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面に基いて審理すると、本件出願の請求項４に係る発明は、平成１９年１２月２８日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項４に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「リソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン形成手段を支持する支持構造とを有し、パターン形成手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターン形成する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− 基板の目標部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
− 前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填する液体供給システムと、を有し、
　前記液体供給システムが、前記浸漬液を浄化する液体浄化装置を有し、
　前記液体浄化装置は、脱塩装置を有し、
　前記浸漬液は、水または水溶液であり、
　前記脱塩装置が、逆浸透ユニット、イオン交換ユニットまたは脱イオン化ユニットであること、
を特徴とするリソグラフィ投影装置。」（以下「本件発明」という。）
　
２　引用刊行物の記載事項及び引用例記載の発明の認定
　原査定の拒絶理由に引用され、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である引用例には、上記第２の２（２）イに摘記したとおりの事項が記載されており、引用例に記載された発明は、上記第２の２（２）ウに記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本件発明は、本件補正発明の発明特定事項から、上記第２の２（１）で述べた限定事項を省いたものである。
　そして、本件発明の発明特定事項をすべて含み、他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記第２の２（２）に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、上記第２の２（２）で示した理由と同様の理由により（ただし、相違点２を除く。）、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本件発明は引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本件発明が特許を受けることができない以上、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。