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　特願２００２−５６３５４２「アンドープクラッド層を有するＩＩＩ族窒化物ＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月１５日国際公開、ＷＯ０２／６３６９９、平成１６年　７月１５日国内公表、特表２００４−５２１４９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２００２年（平成１４年）１月１２日（パリ条約による優先権主張２００１年１月１６日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年４月１９日付け及び平成２０年７月１１日付けで手続補正がなされたが、同年８月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１２月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年１２月１８日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２０年１２月１８日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正の内容 
　平成２０年１２月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について、補正前の
「【請求項１】
電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる発光デバイスのための半導体構造であって、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、マグネシウムが実質的に存在していない第２のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層と、
　III族窒化物のｐ型層であって、該ｐ型層と前記活性層との間に前記第２のｎ型クラッド層が配置される、III族窒化物のｐ型層と
を含み、
　前記第１のｎ型クラッド層は、前記活性層と接触する面を有し、
　前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有する
ことを特徴とする発光デバイスのための半導体構造。
　【請求項２】
請求項１記載の半導体構造において、前記活性層は、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第１の表面と、前記第２のｎ型クラッド層と接触している第２の表面とを有していることを特徴とする半導体構造。
　【請求項３】
請求項１記載の半導体構造において、該構造はさらに、
　第１のオーミックコンタクトと、
　第２のオーミックコンタクトと、
　炭化珪素基板と、
　導電性バッファ層と
を備え、
　前記導電性バッファ層は、前記炭化珪素基板と接触している第１の表面と、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第２の表面と有しており、
　前記炭化珪素基板が、前記第１のオーミックコンタクトと前記第１のｎ型クラッド層との間に配置されており、
　前記ｐ型層が、前記第２のオーミックコンタクトと前記第２のｎ型クラッド層との間に配置されており、
　前記半導体構造が、前記第１及び第２のオーミックコンタクトの間で垂直的に動作することを特徴とする半導体構造。
　【請求項４】
請求項３記載の半導体構造において、前記導電性バッファ層が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）で表される窒化アルミニウムガリウムから構成されることを特徴とする半導体構造。
　【請求項５】
請求項３記載の半導体構造において、該半導体構造はさらに、前記導電性バッファ層と前記第１のｎ型クラッド層との間に配置されたIII属窒化物のｎ型遷移層を備えていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項６】
請求項３記載の半導体構造において、該半導体構造はさらに、前記導電性バッファ部分と前記炭化珪素基板との間に配置された、窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムからなる群から選択された不連続結晶部分を備えていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項７】
請求項１記載の半導体構造において、前記第２のｎ型クラッド層が、前記活性層に接触している第１の表面と、前記ｐ型層に接触している第２の表面とを有し、前記第２のｎ型クラッド層の組成は、前記第２のｎ型クラッド層の前記第１の表面における結晶格子が前記活性層の結晶格子と密接に整合し、かつ、前記第２のｎ型クラッド層の前記第２の表面における結晶格子が前記ｐ型層の結晶格子と密接に整合するように、連続的に勾配付けがなされていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項８】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層は、前記第２のｎ型クラッド層と接触しており、かつ前記活性層の反対側にあることを特徴とする半導体構造。
　【請求項９】
請求項１記載の半導体構造において、前記第２のｎ型クラッド層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）であることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１０】
請求項１記載の半導体構造において、前記活性層がＩｎｙＧａ１−ｙＮ（ただし、０＜ｙ＜１）であることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１１】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層がマグネシウムドープの窒化ガリウムであることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１２】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層が窒化インジウムであることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１３】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）であることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１４】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層が、窒化ガリウム、窒化インジウム、及びＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）から成る群より選択された複数のIII族窒化物層から形成された超格子を含むことを特徴とする半導体構造。
　【請求項１５】
請求項１５記載の半導体構造において、前記超格子が、窒化ガリウム、窒化インジウム、及びＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）から成る群より選択された２種類のIII族窒化物層の交互層から形成されていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１６】
請求項１記載の半導体構造において、該半導体構造はさらに、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第２のｎ型クラッド層と前記ｐ型層との間に配置された第３のｎ型クラッド層を備えていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１７】
請求項１６記載の半導体構造において、前記第３のｎ型層は、前記ｐ型層と接触している第１の表面と、前記第２のクラッド層と接触している第２の表面とを有していることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１８】
電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる発光デバイスのための半導体構造であって、
　３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ及び１５Ｒから成る群より選択されたポリタイプのｎ型単結晶炭化珪素基板と、
　窒化ガリウム、窒化インジウム、及びＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）から成る群より選択された少なくとも１種類のＩＩＩ族窒化物から形成されたｐ型層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層であって、前記炭化珪素基板と前記活性層との間に配置された第１のクラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記活性層と前記ｐ型層との間に配置された第２のｎ型クラッド層と、
　前記第１のｎ型クラッド層と前記炭化珪素基板との間に配置された、窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムからなる群から選択された不連続結晶部分と
を備えており、
　前記第１のｎ型クラッド層が、前記不連続結晶部分と接触している第１の表面と、前記活性層と接触している第２の表面とを備え、
　前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有する
ことを特徴とする発光デバイスのための半導体構造。
　【請求項１９】
請求項１８記載の半導体構造において、前記第１のｎ型クラッド層の組成は、前記第１のｎ型クラッド層の前記第１の表面における結晶格子が前記炭化珪素基板の結晶格子と密接に整合し、かつ、前記第１のｎ型クラッド層の前記第２の表面における結晶格子が前記活性層の結晶格子と密接に整合するように、連続的に勾配付けがなされていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項２０】
請求項１８記載の半導体構造において、
　前記第２のｎ型クラッド層が、前記活性層と接触している第１の表面と、前記ｐ型層と接触している第２の表面とを備え、
　前記第２のｎ型クラッド層の組成は、前記第２のｎ型クラッド層の前記第１の表面における結晶格子が前記活性層の結晶格子と密接に整合し、かつ、前記第２のｎ型クラッド層の前記第２の表面における結晶格子が前記ｐ型層の結晶格子と密接に整合するように、連続的に勾配付けがなされている
ことを特徴とする半導体構造。
　【請求項２１】
請求項１８記載の半導体構造において、前記ｐ型層はマグネシウムドープの窒化ガリウムであることを特徴とする半導体構造。
　【請求項２２】
請求項１８記載の半導体構造において、前記ｐ型層は、窒化ガリウム、窒化インジウム、及びＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）から成る群より選択された２つのIII族窒化物層の交互層から形成された超格子を含むことを特徴とする半導体構造。
　【請求項２３】
請求項１８記載の半導体構造において、該半導体構造はさらに、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第２のｎ型クラッド層と前記ｐ型層との間に配置された第３のｎ型クラッド層を備えていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項２４】
請求項２３記載の半導体構造において、前記第３のｎ型層は、前記ｐ型層と接触している第１の表面と、前記第２のクラッド層と接触している第２の表面とを有していることを特徴とする半導体構造。
　【請求項２５】
請求項１８記載の半導体構造において、該半導体構造はさらに、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）で表され、前記炭化珪素基板と前記不連続結晶部分との間に配置された道電子バッファ層を備えていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項２６】
請求項２５記載の半導体構造において、該半導体構造はさらに、III族窒化物のｎ型遷移層を備え、該遷移層は、前記導電性バッファ層と前記不連続結晶部分との間に配置され、かつ前記第１のｎ型クラッド層と同じ導電型を有することを特徴とする半導体構造。」
を、
「【請求項１】
電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる発光デバイスのための半導体構造であって、
　
第１のオーミックコンタクトと、
　
第２のオーミックコンタクトと、
　
炭化珪素基板と、
　
導電性バッファ層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、マグネシウムが実質的に存在していない第２のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層と、
　III族窒化物のｐ型層であって、該ｐ型層と前記活性層との間に前記第２のｎ型クラッド層が配置される、III族窒化物のｐ型層と
を含み、
　前記第１のｎ型クラッド層は、前記活性層と接触する面を有し、
　前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有
し、
　
前記導電性バッファ層は、前記炭化珪素基板と接触している第１の表面と、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第２の表面と有しており、
前記炭化珪素基板が、前記第１のオーミックコンタクトと前記第１のｎ型クラッド層との間に配置されており、
　
前記ｐ型層が、前記第２のオーミックコンタクトと前記第２のｎ型クラッド層との間に配置されており、
　
前記半導体構造が、前記第１及び第２のオーミックコンタクトの間で垂直的に動作する
　【請求項２】
請求項１記載の半導体構造において、前記活性層は、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第１の表面と、前記第２のｎ型クラッド層と接触している第２の表面とを有していることを特徴とする半導体構造。
　【請求項３】
請求項
１
　【請求項４】
請求項
１
　【請求項５】
請求項
１
　【請求項６】
請求項１記載の半導体構造において、
　前記第２のｎ型クラッド層が、前記活性層に接触している第１の表面と、前記ｐ型層に接触している第２の表面とを有し、
　前記第２のｎ型クラッド層の組成は、前記第２のｎ型クラッド層の前記第１の表面における結晶格子が前記活性層の結晶格子と密接に整合し、かつ、前記第２のｎ型クラッド層の前記第２の表面における結晶格子が前記ｐ型層の結晶格子と密接に整合するように、連続的に勾配付けがなされている
ことを特徴とする半導体構造。
　【請求項７】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層は、前記第２のｎ型クラッド層と接触しており、かつ前記活性層の反対側にあることを特徴とする半導体構造。
　【請求項８】
請求項１記載の半導体構造において、前記第２のｎ型クラッド層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）であることを特徴とする半導体構造。
　【請求項９】
請求項１記載の半導体構造において、前記活性層がＩｎｙＧａ１−ｙＮ（ただし、０＜ｙ＜１）であることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１０】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層がマグネシウムドープの窒化ガリウムであることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１１】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層が窒化インジウムであることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１２】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）であることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１３】
請求項１記載の半導体構造において、前記ｐ型層が、窒化ガリウム、窒化インジウム、及びＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）から成る群より選択された複数のIII族窒化物層から形成された超格子を含むことを特徴とする半導体構造。
　【請求項１４】
請求項
１３
　【請求項１５】
請求項１記載の半導体構造において、該半導体構造はさらに、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第２のｎ型クラッド層と前記ｐ型層との間に配置された第３のｎ型クラッド層を備えていることを特徴とする半導体構造。
　【請求項１６】
請求項
１５
　【請求項１７】
電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる発光デバイスのための半導体構造であって、
　３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ及び１５Ｒから成る群より選択されたポリタイプのｎ型単結晶炭化珪素基板と、
　窒化ガリウム、窒化インジウム、及びＩｎｘＧａ１−ｘＮ（ただし、０＜ｘ＜１）から成る群より選択された少なくとも１種類のＩＩＩ族窒化物から形成されたｐ型層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層であって、前記炭化珪素基板と前記活性層との間に配置された第１のクラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記活性層と前記ｐ型層との間に配置された第２のｎ型クラッド層と、
　前記第１のｎ型クラッド層と前記炭化珪素基板との間に配置された、窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムからなる群から選択された不連続結晶部分とを備えており、
　前記第１のｎ型クラッド層が、前記不連続結晶部分と接触している第１の表面と、前記活性層と接触している第２の表面とを備え、
　前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有する
ことを特徴とする発光デバイスのための半導体構造。
　【請求項１８】
請求項
１７
ことを特徴とする半導体構造。
　【請求項１９】
請求項
１７
　前記第２のｎ型クラッド層が、前記活性層と接触している第１の表面と、前記ｐ型層と接触している第２の表面とを備え、
　前記第２のｎ型クラッド層の組成は、前記第２のｎ型クラッド層の前記第１の表面における結晶格子が前記活性層の結晶格子と密接に整合し、かつ、前記第２のｎ型クラッド層の前記第２の表面における結晶格子が前記ｐ型層の結晶格子と密接に整合するように、連続的に勾配付けがなされている
ことを特徴とする半導体構造。
　【請求項２０】
請求項
１７
　【請求項２１】
請求項
１７
　【請求項２２】
請求項
１７
　【請求項２３】
請求項
２２
　【請求項２４】
請求項
１７
　【請求項２５】
請求項
２４
に補正するものである。
　
２．補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項２に係る発明を「第１のオーミックコンタクトと、第２のオーミックコンタクトと、炭化珪素基板と、導電性バッファ層と」を含むものに限定するとともに、補正前の請求項２に係る発明を「前記導電性バッファ層は、前記炭化珪素基板と接触している第１の表面と、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第２の表面と有しており、前記炭化珪素基板が、前記第１のオーミックコンタクトと前記第１のｎ型クラッド層との間に配置されており、前記ｐ型層が、前記第２のオーミックコンタクトと前記第２のｎ型クラッド層との間に配置されており、前記半導体構造が、前記第１及び第２のオーミックコンタクトの間で垂直的に動作する」ものに限定するものであるので、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
３．独立特許要件
　本件補正後の請求項２に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
（１）進歩性
　
ア　引用例
　原査定の拒絶理由において引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１８６６０１号公報（以下「引用例１」という。）には下記の記載がある。
　
（ア）「【００２０】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る化合物半導体発光素子の発光部を概略的に示す図であり、図１（ａ）はその積層構造を示し、図１（ｂ）はｐ形層を概念的に示す図である。
【００２１】図において、本発明に係る化合物半導体発光素子は、例えばIII 族窒化物半導体発光素子であり、その発光部１０は、ダブルへテロ（ＤＨ）接合型を有し、発光層２を、ｎ形層１とｐ形層３とで挟持して構成されている。そして、ｐ形層３は、少なくとも準位の深い不純物と浅い不純物との２種類を含む複数の不純物をドーピングして形成してある。
【００２２】発光層２は、例えばインジウムを含有するIII 族窒化物半導体から構成する。より具体的には、一般式 ＡｌxＧａyＩｎzＮaＭ1-a（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ，ｙ＜１、ｚ≠０、０＜ａ≦１、Ｍ：窒素以外の第Ｖ族元素）で表記される窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム混晶系材料から構成する。Ａｌ組成比であるｘは禁止帯幅（発光波長）の関係から大きくとも０．１０以下とするのが好ましい。ｘ＝０であるのが最も好ましい。Ｇａ組成比であるｙは大凡０．５以上であるのが望ましい。特にｘ＝０でｙ＞０．５の窒化ガリウム・インジウムを発光層とするのが望ましい。成膜の容易性を考慮すれば、ｙ＞０．６で、Ｉｎ組成比であるｚを０．４以下とする窒化ガリウム・インジウムが好ましい。ｙ＞０．７でｚ≦０．３の窒化ガリウム・インジウムは発光層として特に好ましい。窒素以外の第Ｖ族元素の組成比であるａは、概ね０≦ａ＜０．１とするのが望ましい。ａ＝０は許容される。
【００２３】本発明では、詳細は後述するように、キャリア、特に電子をｐ形層３との接合界面４近傍の領域に局在させるのを意図している関係上、発光層２は順方向への電流注入時に電子がマジョリティ（ｍａｊｏｒｉｔｙ）キャリアとなる層とする。すなわち、元来ｎ形の伝導層かｎ形の高抵抗である層とする。発光層２をｐ形とするのは好ましくない。発光層２は、不純物を添加（ドーピング）した層であっても、不純物を故意に添加していないアンドープの層であってもよいし、アンドープ層と不純物ドープ層とを重層させて一発光層とすることもできる。その場合は、上記の電子を局在させる接合界面領域に、アンドープ層を配置するのが好ましい。発光層２の層厚は数ｎｍ〜数十ｎｍ程度とするのが望ましい。好ましい厚さは概ね、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００２４】ｐ形層３は、例えば一般式ＡｌxＧａyＮaＭ1-a（但し、ｘ＋ｙ＝１、０≦ｘ，ｙ≦１、０＜ａ≦１、Ｍ：窒素以外の第Ｖ族元素）で表記される窒化アルミニウム・ガリウム混晶系材料から構成し、発光層２との接合界面４で発光層２より禁止帯幅を従来通り約０．３ｅＶ以上大とする。障壁を形成することで、電子を発光層２の内部に閉じ込めるためであり、また発光層２のｐ形層３側の表層部に選択的に電子を蓄積するためである。
・・・
【００４８】次に、ｐ形層の発光層との接合界面側をアンドープ層とする本発明に係る構成について、図４を用いて説明する。
【００４９】図４は本発明の第３の実施形態における発光部の積層構造を概略的に示す図である。図中、第１の実施形態と同じ構成要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５０】この第３の実施形態では、発光部１０ｂにおいて、ｐ形層３ｂの発光層２との接合界面４近傍をアンドープ層３３とし、そのアンドープ層３３に、上記の第１の実施形態と同様の複数の不純物をドーピングしたｐ形層（不純物ドープ層）３４を形成し、このアンドープ層３３と不純物ドープ層３４とからｐ形層３ｂを構成してある。このように、発光層２との接合界面４近傍の領域をアンドープ層３３としたのは、接合界面面４近傍のｎ形発光層２の内部領域に創生される低次元（２次元）の電子の局在を促す量子準位を安定して形成するためである。また、その領域に局在した電子を散乱させないためである。アンドープ層３３とする領域は発光層２との接合界面４から２ｎｍ以上１００ｎｍ以内とする。２ｎｍ未満では、接合界面面４近傍の発光層２の内部領域に蓄積した電子の散乱を防止するに効果が得られなくなるし、１００ｎｍを越える領域をアンドープとすると、通流抵抗が増し、順方向電圧或いは閾値電圧が不要に増加するからである。発光層２との接合界面４から約５ｎｍ〜約２０ｎｍの深さの領域を高純度のアンドープ層３３とし、そのアンドープ層３３上の不純物ドープ層３４をＭｇとＺｎを共にドーピングした領域とするｐ形層３ｂが、好ましい構成の一例である。
・・・
【００５８】さらに、ｐ形層３ｂを、発光層２との接合界面４からの距離にして少なくとも２ｎｍ以上で１００ｎｍ以下の領域を不純物を故意に添加しないアンドープ層３としたので、接合界面４近傍のｎ形発光層２の内部領域に創生される低次元（２次元）の電子の局在を促す量子準位を、安定して形成することができ、また、その領域に局在した電子を散乱させないようにすることができる。このため、低次元のキャリア（電子）を、拡散長の小さな正孔が存在するｐ形層領域に近接させて、選択的に安定して蓄積できることとなり、したがって、電子と正孔との結合を速やかに行わせることができ、発光の高速応答性を向上させることができる。また、電子と正孔との結合が円滑に行われるので、高い発光強度と優れた単色性を得ることができる。」
　
（イ）「【００５９】次に、この発明の化合物半導体発光素子を、より具体的な実施例を以て説明する。
【００６０】
【実施例】（第１実施例）本発明を発光ダイオード（ＬＥＤ）に適用した場合について説明する。ＬＥＤ用途の積層構造体を構成する各構成層は一般的な常圧（大気圧）方式のＭＯＣＶＤ成長装置を利用して、基板上に次の手順により順次形成した。
【００６１】図５は本発明の第１実施例に係るＬＥＤを示す図であり、図６のＡ−Ａ断面を示している。図６はＬＥＤの平面図である。これらの図において、ＬＥＤ５１用途の基礎となる積層構造体１１は、基板１００上に積層して構成されている。基板１００として、直径２インチ（直径５０ｍｍ）で厚さが約９０μｍの両面研磨した（０００１）（ｃ面）−サファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）を使用した。基板１００上に、トリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）／アンモニア（ＮＨ3 ）/ 水素反応系により、４５０℃で層厚を２０ｎｍとするアンドープの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成る緩衝層１００ａを成長させた。基板１００の温度を１１００℃に上昇させた後、トリメチルガリウム（（ＣＨ3）3Ｇａ）／アンモニア（ＮＨ3）/ 水素反応系により、緩衝層１００ａ上に珪素(Ｓｉ）をドーピングしたｎ形窒化ガリウム（ＧａＮ）から成る下クラッド層１０１を積層した。下クラッド層１０１の層厚は約３μｍとし、キャリア濃度は層厚方向に略一様の約１×１０18ｃｍ-3とした。
【００６２】下クラッド層１０１を成長させた後、基板温度を１１００℃から８７０℃に降温した。その後、トリメチルガリウム／トリメチルインジウム（（ＣＨ3）3Ｉｎ）／アンモニア／アルゴン（Ａｒ）反応系を利用して、平均的なインジウムの組成比を０．２０とするアンドープのｎ形窒化ガリウム・インジウム（Ｇａ0.80Ｉｎ0.20Ｎ）層を発光層１０２として積層した。発光層１０２の成長速度は約２ｎｍ／分に設定し、層厚は５ｎｍとした。
【００６３】発光層１０２の成長終了後、アルゴン気流中で基板１００の温度を８７０℃から１０５０℃に昇温した。昇温過程で不必要に多量の従属相の核の発生を防止するため、昇温は１．５分間で実施した。１０５０℃に到達後、直ちにトリメチルガリウム／トリメチルアルミニウム／アンモニア反応系によりアルミニウム組成比が０．１の、マグネシウム（Ｍｇ）と亜鉛（Ｚｎ）を共にドーピングしたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム混晶（Ａｌ0.90Ｇａ0.10Ｎ）から成る上クラッド層（不純物ドープ層）１０３を積層した。Ｍｇのドーピング源には、ビス−メチルシクロペンタジエニルマグネシウム（ｂｉｓ−（ＣＨ3Ｃ5Ｈ4）2Ｍｇ）を使用した。Ｍｇの成長系への供給量は毎分０．２マイクロモル（μｍｏｌ）とした。Ｚｎはジエチル亜鉛（（Ｃ2Ｈ5）2Ｚｎ） を体積濃度にして１００ｐｐｍ含む水素ガスを使用してドーピングした。ジエチルＺｎの供給量は毎分０．０４マイクロモルに設定した。５分間に亘り成膜を継続した。厚さは０．２μｍとした。
【００６４】上クラッド層１０３の成膜後、基板１００の温度を１０５０℃に維持したままで、トリメチルガリウム／アンモニア／水素／アルゴン反応系により、Ｍｇ及びＺｎを共にドーピングした窒化ガリウムから成るｐ形コンタクト層１０４を堆積した。Ｍｇのドーピング源には、上記のＭｇ化合物を使用した。Ｍｇの反応系への供給量は、毎分０．２μｍｏｌとした。Ｚｎは上記のドーピング源を使用した。Ｚｎの供給量は毎分０．０４μｍｏｌとした。上記の各層を成長させた際の流量条件を図７に纏める。ｐ形コンタクト層１０４の層厚は０．１μｍとした。
【００６５】コンタクト層１０４の成膜後、１０５０℃から９５０℃に毎分５０℃の速度で降温した。９５０℃から７５０℃には１０℃／分の速度で降温した。７５０℃に降下した後は、ＭＯＣＶＤ反応炉内に毎分約１５リットルの水素ガスを通流させ、室温近傍の温度に半ば強制的に冷却した。７５０℃から室温近傍の温度に低下するに約３０分を要した。これで、積層構造体１１の製作を完了した。
・・・
【００７１】（第２実施例）図８は本発明の第２実施例に係るＬＥＤを示す図である。この第２実施例でのＬＥＤ５２において、上記第１実施例のＬＥＤ５１と同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。図において、ｎ形下クラッド層１０１上に、８２０℃でＩｎの平均組成比を０．２５とするｎ形のアンドープ窒化ガリウム・インジウム（Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎ）から成る発光層１２２を堆積した。４０秒間に亘り成膜を継続して６ｎｍの層厚の発光層を得た。成膜後、１１００℃へ昇温した。昇温過程での従属相の核の過剰な発生を防止するために、昇温速度は９０℃／分とした。
【００７２】温度が１１００℃に安定する迄、５分間待機した。その後、Ａｌ組成比を０．２０とするアンドープで高抵抗のｎ形窒化アルミニウム・ガリウム混晶（Ａｌ0.20ａ0.80Ｎ）から成る高純度のアンドープ層１２３ａを堆積した。層厚は２ｎｍとした。成膜時間は２０秒間であった。続けて、ＭｇとＺｎをドーピングしたｐ形のＡｌ0.20Ｇａ0.80Ｎ混晶から成る不純物ドープｐ形層１２３ｂを堆積した。Ｍｇ及びＺｎのドーピング源とそれらの成膜系内への供給量は第１実施例と同一とした。成膜時間は５分間とし、０．１２μｍの不純物ドープ層１２３ｂを得た。上記のアンドープ層１２３ａ及び不純物ドープ層１２３ｂからｐ形上クラッド層１２３を形成した。
【００７３】ｐ形上クラッド層１２３上には、ＭｇとＺｎを共にドーピングしたｐ形ＧａＮから成るｐ形コンタクト層１２４を堆積した。ｐ形コンタクト層１２４の層厚は０．１μｍとした。成膜には、５分を要した。成膜終了後、ＡｒとＮＨ3 の混合気流中で９５０℃に５０℃／分の速度で冷却した。したがって、発光層１２２を９５０℃以上の温度に曝した時間は１８分間であった。９５０℃から８００℃へは毎分１５℃の速度で降温した。８００℃で１０分間保持した後、６５０℃に毎分１５℃の速度で降温した。６５０℃に降温した時点でＭＯＣＶＤ反応炉内へのアンモニアガスの供給を停止した。その後、反応炉の外壁に冷風を送気し室温迄、強制的に冷却した。これで、積層構造体１２の製作を完了した。
・・・
【００７６】ｐ形不純物ドープ層１２３ｂ及びｐ形コンタクト層１２４内のＭｇの原子濃度は約３×１０18ｃｍ-3であった。同じくＳＩＭＳ分析によるＺｎの原子濃度は約１×１０18ｃｍ-3であった。上クラッド層１２３内のＳｉ原子のバックグランド濃度は約１×１０17ｃｍ-3であり、コンタクト層１２４内のそれは約８×１０16ｃｍ-3であった。また、ｐ形上クラッド層１２３と発光層１２２との接合界面でのＡｌ組成比は約０．２０と定量された。Ａｌ0.20Ｇａ0.80Ｎから成るアンドープ層１２３ａと、Ｇａ0.25Ｉｎ0.75Ｎから成る発光層１２２との禁止帯幅の差異は約１．２ｅＶである。ｐ形コンタクト層１２４のキャリア濃度はホール効果測定法で約１×１０17ｃｍ-3で、比抵抗は約４．１Ωｃｍであった。このように、ＭｇとＺｎの２種類を同時にドーピングしたことで、単一の不純物としてＭｇをドーピングしていたものに比べ確実に低い比抵抗値が得られた。上クラッド層１２３のキャリア濃度は約６×１０16ｃｍ-3であった。」
　
（ウ）上記（ア）ないし（イ）から、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「ＬＥＤ用途の積層構造体であって、（０００１）（ｃ面）−サファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）を使用した基板１００上に、アンドープの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成る緩衝層１００ａ、珪素(Ｓｉ）をドーピングしたｎ形窒化ガリウム（ＧａＮ）から成る下クラッド層１０１、Ｉｎの平均組成比を０．２５とするｎ形のアンドープ窒化ガリウム・インジウム（Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎ）から成る発光層１２２、Ａｌ組成比を０．２０とするアンドープで高抵抗のｎ形窒化アルミニウム・ガリウム混晶（Ａｌ0.20Ｇａ0.80Ｎ）から成る高純度のアンドープ層１２３ａ、ＭｇとＺｎをドーピングしたｐ形のＡｌ0.20Ｇａ0.80Ｎ混晶から成る不純物ドープｐ形層１２３ｂ、及びＭｇとＺｎを共にドーピングしたｐ形ＧａＮから成るｐ形コンタクト層１２４を順に堆積した積層構造体。」
　
イ　対比
　本願補正発明と引用発明１を対比する。
　
（ア）　引用発明１は、ＬＥＤ用途の積層構造体であるので、引用発明１と本願補正発明とは、「発光デバイスのための半導体構造」である点で一致する。
　
（イ）　引用発明１は、「『珪素(Ｓｉ）をドーピングしたｎ形窒化ガリウム（ＧａＮ）から成る下クラッド層１０１』、『Ｉｎの平均組成比を０．２５とするｎ形のアンドープ窒化ガリウム・インジウム（Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎ）から成る発光層１２２』、『Ａｌ組成比を０．２０とするアンドープで高抵抗のｎ形窒化アルミニウム・ガリウム混晶（Ａｌ0.20Ｇａ0.80Ｎ）から成る高純度のアンドープ層１２３ａ』、『ＭｇとＺｎをドーピングしたｐ形のＡｌ0.20Ｇａ0.80Ｎ混晶から成る不純物ドープｐ形層１２３ｂ』、及び『ＭｇとＺｎを共にドーピングしたｐ形ＧａＮから成るｐ形コンタクト層１２４』」を順に堆積したＬＥＤ用途の積層構造体あるので、引用発明１の「下クラッド層１０１」、「発光層１２２」、「高純度のアンドープ層１２３ａ」、及び「不純物ドープｐ形層１２３ｂないしｐ形コンタクト層１２４」は、それぞれ、本願補正発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層」、「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層」、「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、マグネシウムが実質的に存在していない第２のｎ型クラッド層」、及び「III族窒化物のｐ型層であって、該ｐ型層と前記活性層との間に前記第２のｎ型クラッド層が配置される、III族窒化物のｐ型層」に相当するとともに、引用発明１は、本願補正発明の「『前記第１のｎ型クラッド層は、前記活性層と接触する面を有し』、『前記活性層は、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第１の表面と、前記第２のｎ型クラッド層と接触している第２の表面とを有している』」との特定事項を具備する。
　
（ウ）　窒化ガリウム・インジウムのバンドギャップは、窒化ガリウム及び窒化アルミニウム・ガリウムのバンドギャップより小さいものとなることは、本願優先日時点で当業者において周知の技術的事項（例えば、特開平２−２２９４７５号公報の第１３図、特開平１０−３０３５０６号公報の図１３を参照。）であるので、引用発明１は、本願補正発明の「前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有し」との特定事項を具備する。
　
（エ）　上記（ア）ないし（ウ）から、本願補正発明と引用発明１とは、
「発光デバイスのための半導体構造であって、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、マグネシウムが実質的に存在していない第２のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層と、
 III族窒化物のｐ型層であって、該ｐ型層と前記活性層との間に前記第２のｎ型クラッド層が配置される、III族窒化物のｐ型層と
を含み、
　前記第１のｎ型クラッド層は、前記活性層と接触する面を有し、
　前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有する発光デバイスのための半導体構造において、　
　前記活性層は、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第１の表面と、前記第２のｎ型クラッド層と接触している第２の表面とを有している半導体構造。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明の「発光デバイスのための半導体構造」は、「電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる」ものであるのに対して、引用発明１はそのようなものか明らかでない点。
　
相違点２：
　本願補正発明は、「第１のオーミックコンタクトと、第２のオーミックコンタクトと、炭化珪素基板と、導電性バッファ層と、を含み、前記導電性バッファ層は、前記炭化珪素基板と接触している第１の表面と、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第２の表面と有しており、前記炭化珪素基板が、前記第１のオーミックコンタクトと前記第１のｎ型クラッド層との間に配置されており、前記ｐ型層が、前記第２のオーミックコンタクトと前記第２のｎ型クラッド層との間に配置されており、前記半導体構造が、前記第１及び第２のオーミックコンタクトの間で垂直的に動作する」のに対して、引用発明１はそのようなものではない点。
　
ウ　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（ア）　相違点１について
　本願補正発明の「発光デバイスのための半導体構造」が、「電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる」ものであるとの特定事項は、本願明細書の記載からみて、「室温で約１．９ｅＶ〜約６．２ｅＶのバンドギャップを有するところの」、「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）」を「活性層」として選択した以上の技術的事項を特定したものとは認められない。
　一方、上記ア（ア）の段落【００２２】の記載によれば、引用発明１の発光層２も、「一般式 ＡｌxＧａyＩｎzＮaＭ1-a（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ，ｙ＜１、ｚ≠０、０＜ａ≦１、Ｍ：窒素以外の第Ｖ族元素）で表記される窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム混晶系材料」から選択されたものと認められるところ、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）系の半導体発光素子は、赤色から紫外で発光する半導体発光素子として、本願優先日の時点で周知（例えば、特開２０００−１５０９５７号公報の段落【０００２】、特開平２−２２９４７５号公報の第１頁左下欄第１４〜１８行、第２頁右上欄最終行〜左下欄第１９行参照）であるので、引用発明１の発光層２の混晶比を適宜選択し、引用発明１を本願補正発明の相違点１に係る構成とすることは当業者が容易に想到できたことである。
　
（イ）　相違点２について
　「第１のオーミックコンタクト、炭化珪素基板、導電性バッファ層、III族窒化物の発光ダイオードの層、第２のオーミックコンタクトの順に積層され、前記第１及び第２のオーミックコンタクトの間で垂直的に電流が流れて動作する、III族窒化物から形成される発光ダイオード」は、本願優先日時点で周知（例えば、特表平１０−５０６２３４号公報の第１１頁第２２行〜第１７頁第第８行、国際公開第００/２１１４４号の第６頁第１０行〜第１２頁最終行を参照。）であるので、引用発明１にこの周知技術を適用して、引用発明１を本願補正発明の相違点２に係る構成とすることは当業者が容易に想到できたことである。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　
（２）新規性
ア　引用例
　本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第００／０２１１４４号（以下「引用例２」という。）には下記の記載がある。（当審訳を括弧内に付した。）
　
（ア）「６．A vertical geometry light emitting diode that is capable of emitting light in the red, green, blue, violet and ultraviolet portions of the electromagnetic spectrum, said light emitting diode comprising: 
 an n-type silicon carbide substrate; 
 an n-type conductive buffer layer on said substrate; 
 a first layer of gallium nitride on said conductive buffer layer that is n-type; 
 a second layer of gallium nitride on said first gallium nitride layer that is undoped; 
 an indium gallium nitride quantum well on said second gallium nitride layer; 
 a third layer of gallium nitride on said quantum well that is undoped; 
 a first layer of aluminum gallium nitride on third gallium nitride layer that is undoped; 
 a second layer of aluminum gallium nitride layer that is p-type on said first aluminum gallium nitride layer; 
 a fourth gallium nitride layer that is p-type on said second aluminum gallium nitride layer; 
 an ohmic contact to said substrate; and 
 an ohmic contact to said gallium nitride layer.」（第１５頁第１〜１８行）
（６．ｎ型炭化珪素基板；
　当該基板の上にあるｎ型導電性緩衝層；
　ｎ型である、当該導電性緩衝層の上にある第一窒化ガリウム層；
　ドーピングされていない、当該第一窒化ガリウム層の上にある第二窒化ガリウム層；
　当該第二窒化ガリウム層の上にある窒化インジウムガリウム量子井戸；
　ドーピングされていない、当該量子井戸の上にある第三窒化ガリウム層；
　ドーピングされていない、当該第三窒化ガリウム層の上にある第一窒化アルミニウムガリウム層；
　当該第一窒化アルミニウムガリウム層の上にあって、ｐ型である窒化アルミニウムガリウム層の第二の層；
　当該第二窒化アルミニウムガリウム層の上にあって、ｐ型である第四窒化ガリウム層；
　当該基板に対するオーミックコンタクト；及び
　当該窒化ガリウム層に対するオーミックコンタクト
を含む、電磁スペクトルの赤色部分、緑色部分、青色部分、紫色部分及び紫外部分の光を発光することができる縦型発光ダイオード。）　
　
（イ）「The present invention is a vertical geometry light emitting diode that is capable of emitting light in the red, green, blue, violet, and ultraviolet portions of the electromagnetic spectrum. As used herein, the phrase vertical geometry refers to the characteristic in which ohmic contacts to a device can be placed on opposite surfaces of the structure. Such geometry allows appropriate metal contacts and wire leads (including wire leads in microprocessors and printed circuits) to be more easily made to the device, as opposed to those in which the anode and cathode must be placed on the same surface of the device.  FIG. 1  illustrates the device broadly designated at  10 , which in its broadest aspects comprises the conductive silicon carbide substrate  11 , an indium gallium nitride quantum well  12 , a conductive buffer layer  13  between the substrate  11  and the quantum well  12 , respective undoped gallium nitride layers  14  and  15  on each surface of the quantum well  12 , and ohmic contacts  16  and  17  in a vertical geometry orientation.」（第６頁第１０〜２３行）
（本発明は、電磁スペクトルの赤色部分、緑色部分、青色部分、紫色部分及び紫外部分の光を放出することができる縦型発光ダイオードである。本明細書で用いる「縦型」という用語は、デバイスに対するオーミックコンタクトを当該構造の反対表面上に配置できる特徴を意味している。そのような配置によって、アノード及びカソードがデバイスの同じ表面上に配置しなければならないのと対照的に、適当な金属コンタクト及びワイヤリード（マイクロプロセッサー及びプリント回路におけるワイヤリードを含む）をより容易にデバイスに対して作ることができる。図１は、番号１０で示してあるデバイスを図示しており、その最も広い面では、当該デバイス１０は、導電性炭化珪素基板１１、窒化インジウムガリウム量子井戸１２、当該基板１１と量子井戸１２との間に導電性緩衝層１３、当該量子井戸１２の各表面上にあるそれぞれドーピングされていない窒化ガリウム層１４及び１５、及び縦型配向のオーミックコンタクト１６及び１７を含む。）
　
（ウ）　上記（ア）ないし（イ）から、引用例２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「ｎ型炭化珪素基板；
　当該基板の上にあるｎ型導電性緩衝層；
　ｎ型である、当該導電性緩衝層の上にある第一窒化ガリウム層；
　ドーピングされていない、当該第一窒化ガリウム層の上にある第二窒化ガリウム層；
　当該第二窒化ガリウム層の上にある窒化インジウムガリウム量子井戸；
　ドーピングされていない、当該量子井戸の上にある第三窒化ガリウム層；
　ドーピングされていない、当該第三窒化ガリウム層の上にある第一窒化アルミニウムガリウム層；
　当該第一窒化アルミニウムガリウム層の上にあって、ｐ型である窒化アルミニウムガリウム層の第二の層；
　当該第二窒化アルミニウムガリウム層の上にあって、ｐ型である第四窒化ガリウム層；
　当該基板に対するオーミックコンタクト；及び
　当該窒化ガリウム層に対するオーミックコンタクト
を含み、
　前記２つのオーミックコンタクトを、互いにデバイスの反対表面上に配置した、電磁スペクトルの赤色部分、緑色部分、青色部分、紫色部分及び紫外部分の光を発光することができる縦型発光ダイオード。」
　
イ　対比
　本願補正発明と引用発明２を対比する。
　
（ア）　引用発明２は、「２つのオーミックコンタクトを、互いにデバイスの反対表面上に配置した、電磁スペクトルの赤色部分、緑色部分、青色部分、紫色部分及び紫外部分の光を発光することができる縦型発光ダイオード」であるので、引用発明２は、本願補正発明と「電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる発光デバイスのための半導体構造であって」、「第１及び第２のオーミックコンタクトの間で垂直的に動作する」点で一致する。
　
（イ）　ドーピングされていない、窒化ガリウムの導電型がｎ型であることは、本願優先日の時点で当業者において明らかであるので（例えば、引用例１の段落【００１２】参照）、引用発明２の「『ドーピングされていない、当該第一窒化ガリウム層の上にある第二窒化ガリウム層』」及び「ドーピングされていない、当該量子井戸の上にある第三窒化ガリウム層」は、それぞれ、本願補正発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層」及び「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、マグネシウムが実質的に存在していない第２のｎ型クラッド層」に相当するとともに、引用発明２の「当該第二窒化ガリウム層の上にある窒化インジウムガリウム量子井戸」は、本願補正発明の「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層」に相当する。
　
（ウ）引用発明２の、「ｎ型炭化珪素基板」、「当該基板の上にあるｎ型導電性緩衝層ないしｎ型である、当該導電性緩衝層の上にある第一窒化ガリウム層」、「当該基板に対するオーミックコンタクト」、及び「当該窒化ガリウム層に対するオーミックコンタクト」は、それぞれ、本願補正発明の「炭化珪素基板」、「導電性バッファ層」、「第１のオーミックコンタクト」、及び「第２のオーミックコンタクト」に相当する。
　
（エ）引用発明２の「当該第一窒化アルミニウムガリウム層の上にあって、ｐ型である窒化アルミニウムガリウム層の第二の層」ないし「当該第二窒化アルミニウムガリウム層の上にあって、ｐ型である第四窒化ガリウム層」は、本願補正発明の「III族窒化物のｐ型層であって、該ｐ型層と前記活性層との間に前記第２のｎ型クラッド層が配置される、III族窒化物のｐ型層」に相当する。
　
（オ）上記（ア）ないし（エ）から、引用発明２は、本願補正発明の「前記第１のｎ型クラッド層は、前記活性層と接触する面を有し、前記導電性バッファ層は、前記炭化珪素基板と接触している第１の表面と、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第２の表面と有しており、前記炭化珪素基板が、前記第１のオーミックコンタクトと前記第１のｎ型クラッド層との間に配置されており、前記ｐ型層が、前記第２のオーミックコンタクトと前記第２のｎ型クラッド層との間に配置されており、前記活性層は、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第１の表面と、前記第２のｎ型クラッド層と接触している第２の表面とを有している」との特定事項を具備する。
　
（カ）　窒化ガリウム・インジウムのバンドギャップは、窒化ガリウムのバンドギャップより小さいものとなることは、本願優先日の時点で当業者において周知の技術的事項（例えば、特開平２−２２９４７５号公報の第１３図、特開平１０−３０３５０６号公報の図１３を参照。）であることを踏まえると、引用発明２は、本願補正発明の「前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有し」との特定事項を具備するものと認められる。
　
（キ）　上記（ア）ないし（カ）から、本願補正発明と引用発明２とは、
「電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる発光デバイスのための半導体構造であって、
　第１のオーミックコンタクトと、
　第２のオーミックコンタクトと、
　炭化珪素基板と、
　導電性バッファ層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、マグネシウムが実質的に存在していない第２のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層と、
 III族窒化物のｐ型層であって、該ｐ型層と前記活性層との間に前記第２のｎ型クラッド層が配置される、III族窒化物のｐ型層と
を含み、
　前記第１のｎ型クラッド層は、前記活性層と接触する面を有し、
　前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有し、
　前記導電性バッファ層は、前記炭化珪素基板と接触している第１の表面と、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第２の表面と有しており、
　前記炭化珪素基板が、前記第１のオーミックコンタクトと前記第１のｎ型クラッド層との間に配置されており、
　前記ｐ型層が、前記第２のオーミックコンタクトと前記第２のｎ型クラッド層との間に配置されており、
　前記半導体構造が、前記第１及び第２のオーミックコンタクトの間で垂直的に動作する発光デバイスのための半導体構造において、
　前記活性層は、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第１の表面と、前記第２のｎ型クラッド層と接触している第２の表面とを有している半導体構造。」である点で一致し、格別相違する点はない。
　
　よって、本願補正発明は、引用例２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　　
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２０年１２月１８日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願発明は、平成２０年７月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２６に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項２に係る発明は次のものである。 
「電磁スペクトルの赤色部分から紫外部分の光を放出できる発光デバイスのための半導体構造であって、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表される第１のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、マグネシウムが実質的に存在していない第２のｎ型クラッド層と、
　ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、及び（ｘ＋ｙ）≦１）で表され、前記第１及び第２のｎ型クラッド層の間に配置されるｎ型の活性層と、
 III族窒化物のｐ型層であって、該ｐ型層と前記活性層との間に前記第２のｎ型クラッド層が配置される、III族窒化物のｐ型層と
を含み、
　前記第１のｎ型クラッド層は、前記活性層と接触する面を有し、
　前記第１及び第２のｎ型クラッド層はそれぞれ、前記活性層のバンドギャップに比べて大きいバンドギャップを有することを特徴とする発光デバイスのための半導体構造において、　
　前記活性層は、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第１の表面と、前記第２のｎ型クラッド層と接触している第２の表面とを有していることを特徴とする半導体構造。」（以下「本願発明」という。）
 　 
２．引用例
　上記「第２　３．（１）　ア」に記載のとおりのものである。
　
３．対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明において、「第１のオーミックコンタクトと、第２のオーミックコンタクトと、炭化珪素基板と、導電性バッファ層と」を含むとした限定、及び「前記導電性バッファ層は、前記炭化珪素基板と接触している第１の表面と、前記第１のｎ型クラッド層と接触している第２の表面と有しており、前記炭化珪素基板が、前記第１のオーミックコンタクトと前記第１のｎ型クラッド層との間に配置されており、前記ｐ型層が、前記第２のオーミックコンタクトと前記第２のｎ型クラッド層との間に配置されており、前記半導体構造が、前記第１及び第２のオーミックコンタクトの間で垂直的に動作する」ものとした限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．（１）」で検討したとおり、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明１及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。