【事件の表示】
　特願２００２−　　１９４２「ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１８日出願公開、特開２００３−２０４０４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１月９日の出願であって、平成１９年７月３１日付けで手続補正がなされ、同年１１月２９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２０年１月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成１９年７月３１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　少なくとも、ＳＯＩ層を形成するシリコン単結晶からなるボンドウエーハと支持基板となるシリコン単結晶からなるベースウエーハのうち、ボンドウエーハに絶縁膜を形成する工程と、ボンドウエーハの一主面からガスイオンを注入することによりボンドウエーハ中に微小気泡層を形成する工程と、該イオン注入した側の主面を前記絶縁膜を介してベースウエーハの主面と貼り合わせる工程と、前記微小気泡層を境界として剥離してＳＯＩウエーハとする工程と、前記ＳＯＩウエーハ上のＣＯＰを、パーティクルカウンターにて観察する工程とを有するＳＯＩウエーハの製造方法において、前記ベースウエーハとして、全面Ｎ領域のシリコンウエーハを用い、前記形成するＳＯＩ層の厚さを、０．３μｍ以下とし、前記形成する絶縁膜の厚さを、０．４μｍ以下とすることを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。」
　
３．刊行物に記載された発明
（１）特開平２００１−１４４２７５号公報　
（１−１）　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開２００１−１４４２７５号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当合議体にて付加したものである。以下同じ。）
　
「【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）はデバイス作製領域となるシリコン層直下に絶縁膜としての埋め込み酸化膜（ＢＯＸ：Ｂｕｒｉｅｄ　ＯＸｉｄｅ）を有し、省電力・高速デバイスのシリコン材料として期待されるものである。
ＳＯＩウエーハ製造方法のひとつとして貼り合わせ法があるが、これは２枚のシリコン単結晶ウエーハをボンドウエーハ（デバイスが作製されるＳＯＩ層となる基板）及びベースウエーハ（ＳＯＩ層を支持する基板）として酸化膜を介して貼り合わせ、ボンドウエーハを薄膜化してＳＯＩ構造を形成する方法である。
　「【００１０】
【課題を解決するための手段】　上記課題を解決する本発明は、ボンドウエーハとベースウエーハとを酸化膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウエーハを薄膜化する貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに非酸化性雰囲気下で１１００〜１３００℃の温度の熱処理を１分以上加え、７００℃未満の温度に冷却することなく連続して酸化性雰囲気で７００〜１３００℃の温度の熱処理を１分以上加えることにより表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶ウエーハを作製し、該ウエーハを前記ボンドウエーハとして用いることを特徴とする貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法である（請求項１）。
【００１１】このように、
貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって得られたウエーハに、非酸化性雰囲気下で１１００〜１３００℃の温度の熱処理を１分以上加え、７００℃未満の温度に冷却することなく連続して酸化性雰囲気で７００〜１３００℃の温度の熱処理を１分以上加えるようにして、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶ウエーハを作製し、このシリコン単結晶ウエーハをボンドウエーハとして用いるようにすれば、半導体デバイス作製に有害なウエーハ表層部のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を短時間で消滅あるいは減少させた高品質のシリコン単結晶ウエーハをボンドウエーハとすることができるため、結晶欠陥の少ない高品質のＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを、高生産性、高歩留、低コストで得ることができる。
【００１２】また、
本発明は、ボンドウエーハとベースウエーハとを酸化膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウエーハを薄膜化する貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに非酸化性雰囲気下で１１００〜１３００℃の温度の熱処理を１分以上加え、７００℃未満の温度に冷却することなく連続して酸化性雰囲気で７００〜１３００℃の温度の熱処理を１分以上加えて表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶ウエーハを作製し、該ウエーハのシリコン酸化膜を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を表面から注入してイオン注入層を形成させたウエーハを前記ボンドウエーハとし、このボンドウエーハのシリコン酸化膜を介して前記ベースウエーハと密着させ、次いで熱処理を加えて前記イオン注入層で剥離することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法である
【００１３】このように、貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって得られたウエーハに、非酸化性雰囲気下で１１００〜１３００℃の温度の熱処理を１分以上加え、７００℃未満の温度に冷却することなく連続して酸化性雰囲気で７００〜１３００℃の温度の熱処理を１分以上加えるようにして、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶ウエーハを作製し、該ウエーハのシリコン酸化膜を通して水素イオン等を表面から注入してイオン注入層を形成させたウエーハを前記ボンドウエーハとし、このボンドウエーハのシリコン酸化膜を介して前記ベースウエーハと密着させ、次いで熱処理を加えて前記イオン注入層で剥離するようにする方法（いわゆるイオン注入剥離法）を用いれば、高品質のシリコン単結晶ウエーハをボンドウエーハとすることができることに加えて、剥離後のＳＯＩウエーハの表面状態も良好であり、ＳＯＩ層の膜厚均一性に優れたＳＯＩウエーハを比較的簡単な方法で製造することができる。
【００１４】この場合、上記本発明の貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法によってイオン注入層で剥離されたボンドウエーハを新たなボンドウエーハとして用いることができる（請求項３）。
【００１５】このように、本発明の貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法によってイオン注入層で剥離されたボンドウエーハは、熱処理が加えられたことにより、表面から深さ５μｍ〜１０μｍ程度、あるいはそれ以上に及ぶ領域までＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が消滅しており、しかもイオン注入層で剥離される薄膜は厚くても１μｍ程度であるので、薄膜が剥離された後のボンドウエーハであっても、充分な深さの無欠陥（低欠陥）領域を有する。従って、このウエーハを再利用するために表面を研磨したとしても、十分な無欠陥領域が残ることになり、これを新たなボンドウエーハとして用い、酸化膜を介してベースウエーハと貼り合わせた後、ボンドウエーハを薄膜化してＳＯＩウエーハを作製すれば、貼り合わせ前のボンドウエーハにＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を消滅させるための熱処理を再度加える必要がなく、高品質の貼り合わせＳＯＩウエーハを効率良く製造することができる。
【００１６】また、この場合、
上記本発明の貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法によってイオン注入層で剥離されたボンドウエーハを新たなベースウエーハとして用いることができる
【００１７】
薄膜が剥離された後のボンドウエーハ表面の無欠陥領域よりも内部（バルク部）においては、熱処理の影響により酸素析出物が大量に発生している場合がある。このような場合には、このウエーハを新たなベースウエーハとして用い、酸化膜を介してボンドウエーハと貼り合わせた後、ボンドウエーハを薄膜化してＳＯＩウエーハを作製すれば、重金属不純物等のゲッタリング能力の高い貼り合わせＳＯＩウエーハを得ることができる。この場合、バルク部に酸素析出物が大量に発生していたとしても、表面近傍は前述の如く無欠陥領域であるため、酸素析出物がベースウエーハ表面に露出することがなく、ボンドウエーハとの貼り合わせに悪影響を及ぼすことがないという利点も有する。
「【００６９】また、イオン注入剥離法（スマートカットと呼ばれる技術、特開平５−２１１１２８号公報参照）を用いてＳＯＩウエーハを作製する場合には、前記２段熱処理によりシリコン単結晶ウエーハ５の表面に酸化膜４を形成した段階で、その酸化膜４を通して水素イオンあるいは希ガスイオンの注入を行ってボンドウエーハ１とし、べースウエーハ２との結合を行う。この場合、作製されるＳＯＩ層膜厚のバラツキは、イオン注入深さのバラツキと酸化膜厚のバラツキを合わせたトータルのバラツキとなるので、これをできるだけ小さくするためには、
ボンドウエーハ１となるシリコン単結晶ウエーハ５に形成される酸化膜４の厚さをできるだけ薄くして酸化膜バラツキの絶対値を小さくすることが望ましい。このため、酸化膜厚は１００ｎｍ以下にすることが好ましく、また、欠陥消滅効果を十分に得るためには２０ｎｍ以上とすることが好ましい。
「【００７８】上記の条件で作製された３種類のボンドウエーハを用い、
イオン注入剥離法により約０．１μｍのＳＯＩ層膜厚を有するＳＯＩウエーハを作製した。
１）水素イオン注入条件：Ｈ＋イオン、注入エネルギー３０ＫｅＶ
２）剥離熱処理条件：酸化性雰囲気、５００℃、３０分
３）結合熱処理条件：窒素雰囲気（微量酸素含有）、１２００℃、１２０分
４）タッチポリッシュ（ＳＯＩ表面の微量研磨）あり
５）ベースウエーハ酸化膜：３００ｎｍ」
　
（１−２）したがって、刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「膜厚が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のシリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶ウエーハに前記シリコン酸化膜を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を表面から注入してイオン注入層を形成させたウエーハをボンドウエーハ（デバイスが作製されるＳＯＩ層となる基板）とし、
　シリコン単結晶からなり表面近傍が無欠陥領域であり酸素析出物が表面に露出することのないウェーハをベースウエーハ（ＳＯＩ層を支持する基板）とし、
前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハを前記ボンドウエーハの前記シリコン酸化膜を介して密着させ、
　熱処理を加えて前記イオン注入層で剥離して、０．１μｍのＳＯＩ層膜厚を有するＳＯＩウエーハとする貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法。」
　
（２）特開２００１−４４３９８号公報　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開２００１−４４３９８号公報（以下「刊行物２」という。）には、図２とともに以下の事項が記載されている。
　
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】シリコンウェーハにおけるデバイスの作製領域は、表層部の１０μｍ以下である。ＳＯＩウェーハの場合、厚さが数１０μｍ〜数μｍの表層部にデバイスが造られる。
このように活性層用ウェーハの結晶特性が重要になる。すなわち、このウェーハ表面は完全に無欠陥でなければならず、表層部としても均質かつ無欠陥であることが要求される。しかしながら、活性層用ウェーハもＣＺウェーハである。よって、ウェーハ内に酸素が過飽和状態で存在している。この過飽和な酸素が活性層用ウェーハに微小欠陥を生じさせている。微小欠陥により例えば酸化膜耐圧特性の劣化を招くという問題点が発生していた。
【０００４】そこで、発明者は、
電気的特性を劣化させるような微小欠陥（以下、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥という）が存在しないピュアシリコンウェーハに着目し、この発明を完成させた。
「【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は、
第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを張り合わせた張り合わせ基板において、第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハのうち、少なくともデバイスが作製される側のシリコンウェーハを、ウェーハ全面に微小欠陥が存在しないピュアシリコンウェーハとした張り合わせ基板である。張り合わせ基板としては、例えばＳＯＩ基板などが挙げられる。
【０００７】ピュアシリコンウェーハの作製方法としては、請求項３に記載した条件により単結晶シリコンインゴットを引き上げ、これを一般的な方法でウェーハ加工する方法などが挙げられる。ピュアシリコンウェーハの作製方法は、この請求項３に記載の条件に限定されない。ピュアシリコンウェーハが採用されるウェーハは、基本的にデバイス作製側のウェーハである。ただし、これに限定されない。すなわち、
ピュアシリコンウェーハは、第１のシリコンウェーハであっても、第２のシリコンウェーハであってもよく、両方のウェーハでもよい。
「【００１６】
　引き上げ後の単結晶シリコンインゴットを結晶軸方向と平行に厚さ１．５ｍｍで切り出し、ＨＦおよびＨＮＯ３からなる混酸溶液中で加工歪を溶解除去し、さらに希ＨＦ溶液中に浸漬し、その後、超純水によりリンスし、乾燥させた。このサンプルを８００℃で４時間、１０００℃で１６時間、乾燥酸素中で熱処理を行った後、Ｘ線トポグラフにより欠陥の発生分布を調べた。
欠陥の分布を、図２の結晶軸を含む平面における欠陥分布の模式図に示す。
単結晶シリコンインゴットのトップ部からテイル部にかけての全長の約１／２の長さの範囲において、酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦリング）、赤外散乱欠陥、転位クラスタといった欠陥の発生は見られなかった。
　
４．対比
（４−１）刊行物発明における「シリコン単結晶ウェーハ」、「シリコン単結晶からなり表面近傍が無欠陥領域であり酸素析出物が表面に露出することのないウェーハ」、「シリコン酸化膜」、「水素イオンまたは希ガスイオン」及び「イオン注入層」は、各々本願発明の「ＳＯＩ層を形成するシリコン単結晶からなるボンドウエーハ」、「支持基板となるシリコン単結晶からなるベースウエーハ」、「絶縁膜」、「ガスイオン」及び「微少気泡層」に相当する。
　
（４−２）刊行物発明において、「ＳＯＩ層膜厚」を「０．１μｍ」にすることは、本願発明において、「ＳＯＩ層の厚さを、０．３μｍ以下」にすることに相当する。
　
（４−３）刊行物発明において、「膜厚が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のシリコン酸化膜」を「形成」することは、本願発明において、「絶縁膜の厚さを、０．４μｍ以下とする」ことに相当する。
　
（４−４）すると、本願発明と刊行物発明とは、
「ＳＯＩ層を形成するシリコン単結晶からなるボンドウエーハと支持基板となるシリコン単結晶からなるベースウエーハのうち、ボンドウエーハに絶縁膜を形成する工程と、ボンドウエーハの一主面からガスイオンを注入することによりボンドウエーハ中に微小気泡層を形成する工程と、該イオン注入した側の主面を前記絶縁膜を介してベースウエーハの主面と貼り合わせる工程と、前記微小気泡層を境界として剥離してＳＯＩウエーハとする工程とを有するＳＯＩウエーハの製造方法において、
　前記形成するＳＯＩ層の厚さを、０．３μｍ以下とし、前記形成する絶縁膜の厚さを、０．４μｍ以下とすることを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。」である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、「前記ＳＯＩウエーハ上のＣＯＰを、パーティクルカウンターにて観察する工程」を有しているのに対して、刊行物発明では、そのような工程を有していない点。
　
（相違点２）本願発明では、「ベースウエーハとして、全面Ｎ領域のシリコンウエーハを用い」ているのに対して、刊行物発明では、「ベースウェーハ」として、「シリコン単結晶からなり表面近傍が無欠陥領域であり酸素析出物が表面に露出することのないウェーハ」を用いている点。
　
５．判断
（５−１）相違点１について
　ＳＯＩウェーハの製造技術分野において、ＳＯＩ層の表面のＣＯＰをパーティクルカウンターで観察することは、例えば、以下の周知例に記載されるように、当業者における従来周知の技術である。
　
（周知例）：特開２０００−３６５８３号公報には、以下の記載がなされている。
「【０２３４】例えば、水素アニール処理を行なったＣＺシリコンウエハの表面から４００ｎｍ付近にイオンの投影飛程（分離層）を設定し、第２の基板と当該ウエハを貼り合わせ、その後分離層にて分離してＳＯＩ基板を形成した場合には、ＳＯＩ層の最表面でＣＯＰの数は最も多くなり、ＳＯＩ層と絶縁層との界面に近くなるにつれＣＯＰの数は減少する。従って、ＳＯＩ層表面近傍のＣＯＰの数を更に減らす必要がある場合には、分離工程後にも水素アニールを施すことがより好ましい。この場合、ＳＯＩ層の両面が水素アニール処理により低欠陥化されていることになる。
【０２３５】なお、ＳＯＩ層表面のＣＯＰの数（密度）は、検出しやすくするためＳＯＩ基板をＳＣ−１洗浄液（ＮＨ4 ＯＨ　濃度１．０ｗｔ％と、Ｈ2 Ｏ2 濃度６．０ｗｔ％と水の混合液）で１０分間処理している。そして、表面パーティクル検査機（たとえば、ＫＬＡテンコール社製、ＳＰ−１）を用いて行った。」
　
　したがって、刊行物発明に対して、当該周知技術を適用し、本願発明のように、「前記ＳＯＩウエーハ上のＣＯＰを、パーティクルカウンターにて観察する工程」を含めるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　なお、本願発明では、パーティクルカウンターを用いたＣＯＰの観察をＳＯＩウェーハの製造工程の一環として行っているが、本願明細書には、本願発明の効果として、
「【００６２】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明では、ＳＯＩウエーハを製造する際、ベースウエーハとして、ＣＯＰが無いかあるいは低減したシリコンウエーハを用いてＳＯＩウエーハを製造する。これにより例えＳＯＩ層や絶縁膜層が薄い場合であっても、
ＳＯＩウエーハ検査時にベースウエーハ起因のＣＯＰを検出することがなくなり、検査歩留りが向上し、また、マイクロボイドの発生が抑制された高品質のＳＯＩウエーハを得ることができる。
　そして、
このようなＳＯＩウエーハであれば、素子が形成されるＳＯＩ層の良否をデバイス作製前に正確に検査することができるので、結果的にデバイス歩留りの向上や製造コストの低減につなげることができる。
　したがって、このようなパーティクルカウンターを用いたＣＯＰの観察を、ＳＯＩウェーハの製造工程の一環として行うかどうかは、当業者が必要に応じて適宜選択し得ることであり、刊行物発明において、上記周知の技術を採用し、本願発明のように、「ＳＯＩウエーハ上のＣＯＰを、パーティクルカウンターにて観察する」ことは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点２について
　いわゆるピュアシリコンウェーハ（本願発明の「全面Ｎ領域のシリコンウェーハ」に相当）が、「シリコン単結晶からなり表面近傍が無欠陥領域であり酸素析出物が表面に露出することのない」という特性を有することは、当業者において周知であるところ、当該ピュアシリコンウェーハをベースウェーハに用いることも、刊行物２に記載されている。
　したがって、刊行物１及び２に接した当業者であれば、刊行物発明において、「シリコン単結晶からなり表面近傍が無欠陥領域であり酸素析出物が表面に露出することのないウェーハをベースウエーハ（ＳＯＩ層を支持する基板）」として、刊行物２に記載されたような「ピュアシリコン」、すなわち、「全面Ｎ領域のシリコンウェーハ」を採用し、本願発明のように、「ベースウエーハとして、全面Ｎ領域のシリコンウエーハを用い」ることは、容易になし得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３）まとめ
　よって、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。