【事件の表示】
　特願２００１−２４５５１６「ウエハステージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２８日出願公開、特開２００３−　６００１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１３年８月１３日の特許出願であって、同１７年７月１１日付けで拒絶の理由が通知され、同１７年９月１６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同１８年１月２０日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１８年２月２３日に本件審判の請求がされ、同１８年３月１４日付けで明細書を補正対象書類とする手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
(１)　補正前の請求項１
「半導体ウエハを載置してプラズマ処理装置内に保持するウエハステージであって、該ウエハステージは、
　温度調整用の冷媒を流す冷媒溝を形成したアルミ製のベース基材および該ベース基材の前記冷媒溝を形成した面側にろう付けしたアルミ製板と、
　前記ベース基材のウエハ載置面側にろう付けした熱膨張係数が前記ベース基材よりも小さいチタン製の応力緩和部材と、
　該応力緩和部材のウエハ載置面側に溶射により取り付けた誘電体膜と、
　前記アルミ製板のウエハ非載置面側にろう付けした熱膨張係数が前記ベース基材よりも小さいチタン製の撓み防止部材を備えたことを特徴とするウエハステージ。」
　
(２)　補正後の請求項１
「半導体ウエハを載置してプラズマ処理装置
を構成する真空チャンバ内
　温度調整用の冷媒を流す冷媒溝を形成したアルミ製のベース基材および該ベース基材の前記冷媒溝を形成した面側にろう付けしたアルミ製板と、
　前記ベース基材のウエハ載置面側にろう付けした熱膨張係数が前記ベース基材よりも小さいチタン製の応力緩和部材と、
　該応力緩和部材のウエハ載置面側に
取り付けたセラミックスを主成分とする
　前記アルミ製板のウエハ非載置面側にろう付けした熱膨張係数が前記ベース基材よりも小さいチタン製の撓み防止部材
と、該撓み防止部材のウエハ非載置面側に取り付けた絶縁部材
　
該絶縁部材を介して前記撓み防止部材を前記真空チャンバに固定したフランジに取り付け
　
２　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、プラズマ処理装置内がプラズマ処理装置を構成する真空チャンバ内であり、誘電体膜がセラミックスを主成分とする誘電体膜であり、撓み防止部材のウエハ非載置面側に取り付けた絶縁部材を備え、該絶縁部材を介して前記撓み防止部材を真空チャンバに固定したフランジに取り付けたという限定事項を付加する補正を含むものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
(１)　本願補正発明
　本願補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、上記１(２)の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められる。
　
(２)　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に頒布された刊行物である特開平８−３１６２９９号公報（以下「刊行物１」という。）、特開平１０−２５６３５９号公報（以下「刊行物２」という。）及び国際公開第００／６０６５８号パンフレット（以下「刊行物３」という。）には、以下の技術的事項が記載されている。
　
ア　刊行物１
(ア)　第１欄第２５〜３１行
「【従来の技術】静電チャックは半導体基板をプラズマ処理する際の吸着固定に多く利用されている。構造的には熱伝導に優れた台座の上に誘電体セラミックの円盤が貼着され、特別な場合を除き、台座の裏面は通常冷却あるいは加温されて一定温度に調節されている。台座にはアルミニウムあるいは窒化アルミニウム等の熱伝導に優れた材料が用いられており、・・・」
　
(イ)　第３欄第１１〜１３行
「【０００８】ここで静電吸着機構部とは、誘電体セラミックと、このセラミック背面に形成された静電誘導電極を含んだ構造を主要部とする構造体の総称である。」
　
(ウ)　第３欄第４８行〜第４欄第１９行
「【００１１】静電吸着機構部と台座をロー付けする場合、吸着機構部の接合面材料と台座材料との熱膨張差が問題になる。台座材料が、金属、吸着機構部の接合面材料がセラミックの場合、直接ロー付けすると接合面のセラミックが熱応力で破壊される場合が多い。とくにアルミニウムの場合、セラミック材料はほとんど割れる。この様な場合、接合部に単数、あるいは複数の中間層を挿入して熱応力を緩和するとよい。本発明の「間接的接合」なる用語は、この接合部に中間層を挿入して接合する場合を指すものである。中間層としては金属、セラミック材料を問わず使用できる。台座材料が、銅、アルミニウムで、セラミックがアルミナ系、あるいはこれらを主成分とする材料であれば、つまり熱膨脹係数が７〜８×１０−６の場合、熱膨脹係数が４〜１２×１０−６の材料、例えば、Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｃｒ，４２％Ｎｉアロイ、４２Ｎｉ−６Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＷＣ−Ｃｏ超硬合金、ＴｉＣ−Ｎｉサーメット、炭素鋼、特殊鋼、さらにＷ−Ｃｕ，Ｗ−ＡＬ，Ｍｏ−Ｃｕ、Ｍｏ−ＡＬ等の複合材料等々が適宜使用できる。とりわけ４〜６×１０−６の熱膨張係数を有するコバール、４２％Ｎｉアロイ、４２％Ｎｉ−６％Ｃｒアロイ、Ｍｏ，Ｗ、あるいはこれらを主成分とする合金類が好適に使用できる。」
　
(エ)　第６欄第１７〜２３行
「図８は、周囲にはかまを備えた金属円板の外表面に誘電体セラミックの層を溶射、スパッタリング、ＣＶＤ，あるいはゾルーゲル法、あるいはセラミックペースト塗着焼付け、等の成膜法で絶縁膜を被覆したものである。金属円板は電極５を兼ね、また、台座と接合するときの応力緩衝用の中間層の役目も兼ねている。」
　
(オ)　第８欄第１５〜３１行
「【００１９】実施例４
誘電体セラミック：図８に示す形状
厚さ２ｍｍのＮｉ板ではかまを持った図８の形状の金属電極（φ１００）を成形
表面にアルミナ・チタニア系誘電体セラミックを０．２ｍｍ溶射。電極は単極
台座：アルミニウム
図８に示す形状に加工した。接合面はＮｉメッキ。接合部以外はアルミナ溶射で絶縁処理。誘電体セラミックと台座は、Ｉｎ合金半田で接合。
結果
接合部に割れ剥離は認められなかった。
使用状況
台座に直流電圧（８００Ｖ）印加してシリコンウエハー静電吸着できた。シリコンウエハーのプラズマエッチング処理に実使用した。延べ１００時間テストするもプラズマの異常放電はまったく認められなかった。」
　
　刊行物１において、静電チャックが半導体ウエハを載置してプラズマ処理装置を構成する真空チャンバ内に保持されるものであることは、技術常識より明らかである。また、摘記事項(ア)、(ウ)から、台座がアルミ製であり、冷却又は加温する手段が設けられることが理解される。さらに、摘記事項(ウ)から、中間層として熱膨張係数が前記台座よりも小さいチタン製のものを使用できることが開示されている。
　そこで、上記記載事項を技術常識を勘案しながら本願補正発明に照らして整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウエハを載置してプラズマ処理装置を構成する真空チャンバ内に保持する静電チャックであって、該静電チャックは、
　冷却又は加温する手段が設けられたアルミ製の台座と、
　前記台座のウエハ載置面側にろう付けした熱膨張係数が前記台座よりも小さいチタン製の中間層と、
　該中間層のウエハ載置面側に取り付けた誘電体セラミックスの層を備えた静電チャック。」
　
イ　刊行物２
(ア)　第１欄第２５〜２８行
「【産業上の利用分野】本発明は、静電チャックの構造に係わり、さらに詳しくは、静電吸着した半導体基板等の被処理材の温度を急速制御、精密制御できる静電チャックの構造に係わるものである。」
　
(イ)　第６欄第２３〜３０行
「【００２６】［冷却機構］基材に冷媒循環路を設け、この中に液体、気体冷媒を循環させて冷却する。循環路は、基材に溝加工して、あるいは基材に管路の埋め込み、あるいは仕切り板を渦巻状に巻回し、両端面にめくら板を接合して渦巻状の循環路形成、あるいは管路を内蔵する構造を鋳造金属、あるいは溶接で形成、あるいは管路を内蔵する構造をセラミック焼結体で形成等々、種々の方法で形成する。」
　
(ウ)　第８欄第２２〜４１行
「【００３３】実施例３（構造：図１０の構造）
誘電吸着機構部：タングステンの電極膜をセラミックの内部に同時焼成した窒化アルミ円板（φ５０×２ｍｍ厚さ）を使用
加熱機構
上記電極膜内蔵窒化アルミ円板の裏面（非吸着側）の窒化アルミ面に電熱合金（Ｓｉ−１５％Ｔｉ合金）の電熱回路を印刷し、印刷面にさらに窒化アルミ板（φ５０×１ｔ）を重ね合せ、真空中、１４３０℃で溶融して、電極膜内蔵窒化アルミ円板と窒化アルミ板を融着させた。電熱合金膜の厚さは概ね１００ミクロンであった。
冷却機構の構造：アルミニウム板（φ５０×２５ｍｍ厚さ）の片面に渦巻き状の冷媒循環用の溝を加工し、アルミニウムの板（φ５０×５ｍｍ厚さ）を裏当してろう付（アルミニウムろう付）した構造の冷却ジャケット使用した。
［冷却機構との接合］窒化アルミヒーターと冷却機構の間に応力緩衝を目的としてＭｏ板（φ５０×１ｍｍ）を挟み、窒化アルミヒーターとＭｏ，Ｍｏと冷却機構、共にインジウム半田で半田付した。」
　
　上記摘記事項からみて、刊行物２には、次の事項（以下「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
「静電チャックにおいて、アルミニウム板（φ５０×２５ｍｍ厚さ）に冷媒循環用の溝を形成し、該アルミニウム板の前記溝を形成した面側にアルミニウムの板（φ５０×５ｍｍ厚さ）をろう付けすることにより冷媒循環路を設けた基材を構成すること。」
　
ウ　刊行物３
(ア)　第５頁第５〜２３行
「図１に示すように、このプラズマ処理装置２０は、例えばアルミニウムよりなる円筒体状の処理容器２２を有しており、この側部には被処理体である半導体ウエハＷを処理容器２２内へ搬入搬出する際に開閉されるゲートバルブ３４が設けられると共に、底部には、図示しない真空ポンプ等を介設した真空排気系に接続された排気口３６が設けられており、処理容器２２内を真空引き可能としている。この処理容器２２の内部には、被処理体である半導体ウエハＷを載置して保持するための載置台２４が設けられている。この載置台２４は、下部電極としても機能するものである。この載置台２４は、載置台本体２６とこの上面に接合される静電チャック２８とよりなり、この載置台本体２６の下部より下方に延びる支持部３０は、処理容器２２の底部に対して絶縁部材３２を介して貫通して設けられており、これにより、載置台２４の全体を支持している。
　この載置台本体２６には、内部に直径が１０ｍｍ程度の例えばシースヒータ等を渦巻状に巻回してなる平面状の下側加熱ヒータ３８が埋め込まれて設置されている。この下側加熱ヒータ３８は、例えばニッケル・クロム合金よりなる中心部の発熱体３８Ａとこの周囲を被う例えばマグネシア（Ｍｇ２Ｏ３）よりなる絶縁体３８Ｂにより構成されている。
　そして、この加熱ヒータ３８を上下より挟み込むように載置台用の上側セラミックス金属複合体４０Ａと下側セラミックス金属複合体４０Ｂが配置して設けられており、全体は純粋なアルミニウム金属により被われている。」
　
(イ)　第６頁第７〜２１行
「ここで重要な点は、熱伸縮量の差を吸収するために上記静電チャック２８の線膨張係数と上記載置台用の上側セラミックス金属複合体４０Ａの線膨張係数とが略同一になるように設定されていることである。
　例えば静電チャック２８のセラミック材としてＡｌＮを用い、セラミックス金属複合体４０ＡとしてＡｌ−ＳｉＣ複合体を用いた場合には、ＡｌＮの線膨張係数は略４．５×１０−６Ｋ−１程度であるので、上側セラミックス金属複合体４０Ａの線膨張係数を上記と同じ略４．５×１０−６Ｋ−１程度に設定する。
　具体的には、Ａｌの線膨張係数は略２３．５×１０−６Ｋ−１程度であり、ＳｉＣの線膨張係数は略３．５×１０−６Ｋ−１程度であるので、両者の混合比に応じてＡｌ−ＳｉＣ複合体の線膨張係数は図３に示すように変化する。従って、複合体の線膨張係数が略４．５×１０−６Ｋ−１にするにはＳｉＣの含有率（体積百分率）を略８３％程度に設定する。このような複合体を用いることにより、ＡｌＮ製の静電チャック２８とＡｌ−ＳｉＣ上側セラミックス金属複合体４０Ａとの線膨張係数が略同一となるように設定する。尚、下側セラミックス金属複合体４０Ｂの線膨張係数も上記した数値と略同一になるように設定すればよい。」
　
(ウ)　第９頁第６〜２７行
「ここで、プロセス温度は、従来のプロセス温度よりも高い３００〜４００℃程度の高温域で行なわれるので、プロセスの繰り返しにより上部電極７０及び載置台２４には、大きな繰り返し熱応力が付加されることになる。
　この場合、上部電極７０に関しては、上側加熱ヒータ７２を挟むようにして上部電極用の上下側セラミックス金属複合体７４Ａ、７４Ｂにより鋳込まれているので、この上部電極７０の全体の強度が増しており、この上部電極７０に反りや撓みが発生することを防止することができる。特に、加熱ヒータ７２を挟んで２枚の複合体７４Ａ、７４Ｂを埋め込んでいることから、それぞれが同様の寸法で熱伸縮するので上部電極７０の厚み方向に大きな熱応力がかかることもなく、この点より反りや撓みの発生を大幅に抑制することが可能となる。
　従って、上部電極７０の歪みに起因して発生していた高周波伝播の不均一性もなくすことができ、均一なプラズマを生成することが可能となるばかりか、シャワーヘッド部８４の割れも防止することが可能となる。
　一方、載置台２４に関しては、この場合にも、下側加熱ヒータ３８の上下側を載置台用の上下側セラミックス金属複合体４０Ａ、４０Ｂにより挟み込むようにしたので、載置台２４自体の強度を向上させることができ、その結果、熱伸縮に伴って熱応力が発生してもこの反りや変形等を防止することが可能となる。特に、セラミック製の静電チャック２８とこれが接合される上側セラミックス金属複合体４０Ａとの線膨張係数が略同じになるように設定されているので、昇降温に伴って両者が熱伸縮してもその熱伸縮量は略同じになるので、両者間に大きな熱応力が加わることを防止でき、従って、静電チャック２８が割れたり、剥がれたりすることを防止することができる。」
　
　刊行物３において、摘記事項(ア)及びＦＩＧ．２の記載から、載置台本体２６がアルミ製であることが明らかである。
　したがって、刊行物３には、次の事項（以下「刊行物記載３の事項」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウエハＷを載置してプラズマ処理装置２０を構成する処理容器２２内に保持する載置台２４において、下側加熱ヒータ３８が設けられるアルミ製の載置台本体２６のウエハＷ載置側に静電チャック２８と線膨張係数が略同一な上側セラミックス金属複合体４０Ａを設けて静電チャック２８の割れや剥がれを防止するとともに、下側加熱ヒータ３８が設けられる前記載置台本体２６のウエハＷ非載置側に上側セラミックス金属複合体４０Ａと線膨張係数が略同一な下側セラミックス金属複合体４０Ｂを設けて載置台２４の反りや変形を防止すること。」
　
(３)　対比
　本願補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「静電チャック」は、本願補正発明の「ウエハステージ」に相当しており、以下同様に、「中間層」は「応力緩和部材」に、「誘電体セラミックスの層」は「セラミックスを主成分とする誘電体膜」に、それぞれ相当していることが明らかである。
　また、刊行物１記載の発明の「冷却又は加温する手段が設けられたアルミ製の台座」は、温度調整手段が設けられたアルミ製の基台という限りで、本願補正発明の「温度調整用の冷媒を流す冷媒溝を形成したアルミ製のベース基材および該ベース基材の前記冷媒溝を形成した面側にろう付けしたアルミ製板」に一致している。
　したがって、両者の一致点及び相違点は次のとおりと認められる。
［一致点］
「半導体ウエハを載置してプラズマ処理装置を構成する真空チャンバ内に保持するウエハステージであって、該ウエハステージは、
　温度調節手段が設けられたアルミ製の基台と、
　前記基材のウエハ載置面側にろう付けした熱膨張係数が前記基材よりも小さいチタン製の応力緩和部材と、
　該応力緩和部材のウエハ載置面側に取り付けたセラミックスを主成分とする誘電体膜を備えたウエハステージ。」である点。
［相違点１］
　温度調節手段が設けられたアルミ製の基台が、本願補正発明では、温度調整用の冷媒を流す冷媒溝を形成したアルミ製のベース基材および該ベース基材の前記冷媒溝を形成した面側にろう付けしたアルミ製板からなるのに対し、刊行物１記載の発明では、温度調節手段がそのような冷媒溝が形成されるものであるか否か明らかでない点。
［相違点２］
　本願補正発明では、アルミ製板のウエハ非載置面側にろう付けした熱膨張係数がベース基材よりも小さいチタン製の撓み防止部材と、該撓み防止部材のウエハ非載置面側に取り付けた絶縁部材を備え、該絶縁部材を介して前記撓み防止部材を真空チャンバに固定したフランジに取り付けているのに対し、刊行物１記載の発明では、そのような撓み防止部材及び絶縁部材が備えられるとはされていない点。
　
(４)　相違点についての検討
ア　相違点１について
　上記刊行物２には、上記(２)イに示したとおりの事項が記載されており、刊行物２記載の事項の「静電チャック」、「冷媒循環用の溝」、「アルミニウム板（φ５０×２５ｍｍ厚さ）」及び「アルミニウムの板（φ５０×５ｍｍ厚さ）」は、本願補正発明の「ウエハステージ」、「温度調整用の冷媒を流す冷媒溝」、「アルミ製のベース基材」及び「アルミ製板」にそれぞれ相当している。また、刊行物２記載の事項の「基材」は、基台ということができるものである。
　そうすると、刊行物２には、ウエハステージにおいて、温度調整用の冷媒を流す冷媒溝を形成したアルミ製のベース基材および該ベース基材の前記冷媒溝を形成した面側にろう付けしたアルミ製板により冷媒循環路が設けられた基台を構成することが記載されているとすることができる。
　そして、冷媒循環路が温度調節手段であることは自明であるから、刊行物１記載の発明の温度調節手段が設けられたアルミ製の基台として刊行物２記載の事項を採用することにより、上記相違点１に係る本願補正発明の特定事項とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
イ　相違点２について
　上記刊行物３には、上記(２)ウに示したとおりの事項が記載されており、刊行物３記載の事項の「処理容器」、「載置台」及び「静電チャック」は、本願補正発明の「真空チャンバ」、「ウエハステージ」及び「誘電体膜」にそれぞれ相当している。そして、刊行物３記載の事項の「下側加熱ヒータ３８が設けられるアルミ製の載置台本体２６」は、温度調節手段が設けられたアルミ製の基台ということができるものであり、また、「上側セラミックス金属複合体」及び「下側セラミックス金属複合体」の熱膨張係数は、前記載置台本体２６よりも小さいものである。さらに、「上側セラミックス金属複合体」は、ウエハＷ載置側の静電チャック２８と線膨張係数が略同一であって静電チャック２８の割れや剥がれを防止するとともに、上側セラミックス金属複合体と線膨張係数が略同一な下側セラミックス金属複合体を設けて前記載置台本体２６に熱応力が発生しても反りや変形等を防止することできるものであるから、刊行物３記載の事項の「上側セラミックス金属複合体」及び「下側セラミックス金属複合体」は、本願補正発明の「応力緩和部材」及び「撓み防止部材」に相当している。
　そうすると、刊行物３には、半導体ウエハを載置してプラズマ処理装置を構成する真空チャンバ内に保持するウエハステージにおいて、温度調節手段が設けられたアルミ製の基台のウエハ載置側に熱膨張係数が前記基台よりも小さい応力緩和部材を設け、温度調節手段が設けられたアルミ製の基台のウエハ非載置側に応力緩和部材と線膨張係数が略同一な撓み防止部材を設けることが記載されているということができる。
　そして、ウエハステージにおいて、反りや変形を防止することは当然に考慮すべき事項であるから、刊行物１記載の発明のウエハ載置面側に応力緩和部材がろう付けされ温度調整手段が設けられたアルミ製の基台に刊行物３記載の事項を採用して、基台の温度調整手段のウエハ非載置側に撓み防止部材を備えることは当業者が容易になし得たことである。
　ところで、刊行物１記載の発明では、応力緩和部材は熱膨張係数がアルミ製の基台よりも小さいチタン製であり、刊行物３記載の事項では、撓み防止部材は線膨張係数が応力緩和部材と略同一、すなわち熱膨張係数が応力緩和部材と略同一であるから、撓み防止部材を熱膨張係数がベース基材よりも小さいチタン製とすることに格別の困難性はない。
　また、相違点１について検討したように、温度調整手段が設けられたアルミ製の基台が、温度調整用の冷媒を流す冷媒溝を形成したアルミ製のベース基材および該ベース基材の前記冷媒溝を形成した面側にろう付けしたアルミ製板からなるものであるときに、撓み防止部材をアルミ製板のウエハ非載置面側にろう付けすることにも格別の困難性はない。
　さらに、基台を絶縁部材を介して真空チャンバに取り付けることは、例えば、特開平７−１０６０９６号公報の図１、特開平９−８１１４号公報の図１、特開２０００−２１９６２号公報の図１等に記載されているように従来周知であり、真空チャンバに取り付ける際に、真空チャンバに固定したフランジに取り付けることは、必要に応じて適宜採用される設計的事項にすぎず、そして、上記のとおり前記アルミ製板のウエハ非載置面側に撓み防止部材が備えられるのであるから、絶縁部材を撓み防止部材のウエハ非載置面側に備え、該絶縁部材を介して前記撓み防止部材を真空チャンバに固定したフランジに取り付けることにも格別の困難性はない。
　
ウ　本願補正発明の作用効果について
　本願補正発明が奏する作用効果は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、刊行物３記載の事項及び上記従来周知の事項から当業者が予測できる範囲内のものであって格別顕著なものとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、刊行物３記載の事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、平成１９年５月２４日付けの回答書に記載された補正案について検討してみても、補正案の請求項１に限定されているいずれの特定事項も、単に従来周知の事項を採用したもの又は設計的事項にすぎないものであり、刊行物１記載の発明、刊行物２乃至３記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１乃至７に係る発明は、平成１７年９月１６日付けの手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１(１)の補正前の請求項１に示したとおりである。
　
２　引用刊行物記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された上記刊行物１乃至３に記載の事項は、上記第２の２(２)ア〜ウに示したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願補正発明については、上記第２の２(４)で検討したとおり、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、刊行物３記載の事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、本願発明で特定されている誘電体膜を「溶射により」取り付けた点は、必要に応じて適宜なされる設計的事項にすぎない。
　したがって、本願補正発明の発明特定事項から前記限定事項が省かれるとともに、誘電体膜を「溶射により」取り付けたことが特定されている本願発明についても、本願補正発明と同様の理由により、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項及び刊行物３記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおりであり、本願発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項及び刊行物３記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。