【手続補正書】
【提出日】平成24年11月2日(2012.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２の導電型である第２半導体層、第１の導電型である第１半導体層、及び、第１活性層を含み、前記第２半導体層及び前記第１半導体層に印加されるバイアスに応じてターンオンし又はターンオフする第１発光チップと、
第２の導電型である第４半導体層、第１の導電型である第３半導体層、及び、第２活性層を含み、前記第４半導体層及び前記第３半導体層に印加されるバイアスに応じてターンオンし又はターンオフする第２発光チップと、
少なくとも一方の前記発光チップに形成され、前記活性層で生成された光を前記発光チップから放出させる傾斜した側壁と、
前記第１電極と第１発光チップとの間に形成され、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、またはＡＩＮの少なくとも１つを含み、前記第１発光チップの側壁に沿ってコンフォーマルに形成される絶縁体と、
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｃｒ、及びＴｉのうち少なくとも１つを含む単層、積層、又はそれらの組合せの少なくとも１つを含み、前記第１電極を基板に接合させる中間層と、
前記第１電極と前記中間層との間に形成され、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＷのうち少なくとも１つを含む単層、積層、又はそれらの組合せの少なくとも１つを含むバリア層と、
を有し、
前記第１半導体層から前記第４半導体層、並びに、前記第１活性層及び第２活性層のうち少なくとも１つは、ＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含み、
前記第１半導体層に接合される前記第１の導電型である前記第１電極は、少なくともＡｇ又はＡｌを含む高い反射率を有する物質から形成され、ボール形状と傾斜した側壁を有している半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１発光チップ及び前記第２発光チップは、順次積層される請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１発光チップ及び前記第２発光チップにＡＣ電力が印加されると、前記第１発光チップ及び前記第２発光チップの一方がターンオンし、前記第１発光チップ及び前記第２発光チップの他方がターンオフする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１半導体層又は前記第３半導体層の少なくとも一方は、ｎ型半導体であるＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含む請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記基板は、前記半導体層のうち１つに接合されるビアーを含む請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記基板は、シリコン、ストレインドシリコン、シリコン合金、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＡｌ、Ｇｅ、Ｇｅ合金、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、またはＩＩＩ−Ｖ半導体、またはＩＩ−ＶＩ半導体を含む導電体である請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硬質シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、及びポリイミド樹脂のうちいずれかの透明樹脂と、
Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ，ＭＳｉ7Ｎ10：Ｅｕ，Ｍ1.8Ｓｉ5Ｏ0.2Ｎ8：Ｅｕ，Ｍ0.9Ｓｉ7Ｏ0.1Ｎ10：Ｅｕ，ＭＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ，Ｍ5（ＰＯ4）3Ｘ：Ｒ，
Ｍ2Ｂ5Ｏ9Ｘ：Ｒ，ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｒ，Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｒ，ＣａＡｌ2Ｏ4：Ｒ，ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｒ，ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ12：Ｒ，ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｒ，
Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，
Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅに代表されるＹＡＧ基蛍光体，（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ，Ｙ3（Ａｌ0.8Ｇａ0.2）5Ｏ12：Ｃｅ，及び（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12，Ｔｂ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ，Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ，
アルカリ土類ケイ酸蛍光体、（ＳｒＢａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ，ＺｎＳ：Ｅｕ，Ｚｎ2ＧｅＯ4：Ｍｎ，及びＭＧａ2Ｓ4：Ｅｕ
を含むグループから選択された少なくとも一つの蛍光体と、
を含み、
Ｍは、Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ及びＺｎのうちから選択された少なくとも１つの元素を示し、
Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩから選択された少なくとも１つの元素を示し、
Ｒは、Ｅｕ及びＭｎ，Ｒから選択された少なくとも１つの元素を示し、
Ｙの一部又は全部はＴｂ又はＬｕに置換可能であり、
白色光を生成する蛍光層を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硬質シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、及びポリイミド樹脂のうちいずれかの透明樹脂と、
ランタノイドによって主に活性化された窒化物又はオキシ窒化物蛍光体、
ランタノイド又は遷移金属によって主に活性化されたアルカリ土類ハロゲン燐灰石蛍光体、
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、
アルカリ土類アルミン酸蛍光体、
アルカリ土類硫化物蛍光体、
ランタノイドによって活性化された希土類アルミン酸蛍光体、
アルカリ土類ケイ酸蛍光体、
アルカリ土類チオガレート蛍光体、
アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、
ゲルマニウム酸蛍光体、
希土類ケイ酸蛍光体、
ランタノイドによって主に活性化された有機物又は有機錯体、
を含むグループから選択された少なくとも一つの蛍光体と、
を含み、白色光を生成する蛍光層を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
透明樹脂を含まず、蛍光体のみを含み、白色光を生成する蛍光層を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記蛍光体上に、透明樹脂から形成されたレンズを有する請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記蛍光体は、演色評価数（ＣＲＩ）を増加させる赤色蛍光体を含む請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の目的を達成するために、本発明の半導体発光装置は、第１発光チップと、第２発光チップと、導電層と、傾斜した側壁と、絶縁体と、中間層と、バリア層とを有する。
第１発光チップは、第２の導電型である第２半導体層、第１の導電型である第１半導体層、及び、第１活性層を含み、第２半導体層及び第１半導体層に印加されるバイアスに応じてターンオンし又はターンオフする。
第２発光チップは、第２の導電型である第４半導体層、第１の導電型である第３半導体層、及び、第２活性層を含み、第４半導体層及び第３半導体層に印加されるバイアスに応じてターンオンし又はターンオフする。
傾斜した側壁は、少なくとも一方の発光チップに形成され、発光チップで生成された光を発光チップから放出させる。
絶縁体は、第１電極と第１発光チップとの間に形成され、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、またはＡＩＮの少なくとも１つを含み、第１発光チップの側壁に沿ってコンフォーマルに形成される。
（ここで、第１電極は、第１半導体層と第４半導体層との間に位置する導電層の上に位置する。）
中間層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｃｒ、及びＴｉのうち少なくとも１つを含む単層、積層、又はそれらの組合せの少なくとも１つを含み、第１電極を基板に接合させる。
バリア層は、第１電極と中間層との間に形成され、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＷのうち少なくとも１つを含む単層、積層、又はそれらの組合せの少なくとも１つを含む。
（言い換えれば、第１電極は、中間層との間に、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＷのうち少なくとも１つを含む単層、積層、又はそれらの組合せの少なくとも１つを含み、第１電極が反射光に対してダメージを受けることを防止する層を含む。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１半導体層から第４半導体層、並びに、第１活性層及び第２活性層のうち少なくとも１つは、ＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含む。
第１半導体層に接合される第１の導電型である第１電極は、少なくともＡｇ又はＡｌを含む高い反射率を有する物質から形成され、ボール形状と傾斜した側壁を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１半導体層又は第３半導体層の少なくとも一方は、ｎ型半導体であるＩｎxＡｌyＧａ(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含むことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
基板は、半導体層のうち１つに接合されるビアーを含むことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硬質シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、及びポリイミド樹脂のうちいずれかの透明樹脂と、下記を含むグループから選択された少なくとも一つの蛍光体とを含み、白色光を生成する蛍光層を有してもよい。
Ｍ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ，ＭＳｉ7Ｎ10：Ｅｕ，Ｍ1.8Ｓｉ5Ｏ0.2Ｎ8：Ｅｕ，Ｍ0.9Ｓｉ7Ｏ0.1Ｎ10：Ｅｕ，ＭＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ，Ｍ5（ＰＯ4）3Ｘ：Ｒ，
Ｍ2Ｂ5Ｏ9Ｘ：Ｒ，ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｒ，Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｒ，ＣａＡｌ2Ｏ4：Ｒ，ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｒ，ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ12：Ｒ，ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｒ，
Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，
Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅに代表されるＹＡＧ基蛍光体，（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ，Ｙ3（Ａｌ0.8Ｇａ0.2）5Ｏ12：Ｃｅ，及び（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12，Ｔｂ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ，Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ，
アルカリ土類ケイ酸蛍光体、（ＳｒＢａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ，ＺｎＳ：Ｅｕ，Ｚｎ2ＧｅＯ4：Ｍｎ，及びＭＧａ2Ｓ4：Ｅｕ。
ここでＭは、Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ及びＺｎのうちから選択された少なくとも１つの元素を示す。Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩから選択された少なくとも１つの元素を示す。Ｒは、Ｅｕ及びＭｎ，Ｒから選択された少なくとも１つの元素を示す。Ｙの一部又は全部はＴｂ又はＬｕに置換可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硬質シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、及びポリイミド樹脂のうちいずれかの透明樹脂と、下記を含むグループから選択された少なくとも一つの蛍光体と、を含み、白色光を生成する蛍光層を有してもよい。
ランタノイドによって主に活性化された窒化物又はオキシ窒化物蛍光体、
ランタノイド又は遷移金属によって主に活性化されたアルカリ土類ハロゲン燐灰石蛍光体、
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、
アルカリ土類アルミン酸蛍光体、
アルカリ土類硫化物蛍光体、
ランタノイドによって活性化された希土類アルミン酸蛍光体、
アルカリ土類ケイ酸蛍光体、
アルカリ土類チオガレート蛍光体、
アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、
ゲルマニウム酸蛍光体、
希土類ケイ酸蛍光体、
ランタノイドによって主に活性化された有機物又は有機錯体。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
蛍光層は、透明樹脂を含まず、蛍光体のみを含んでもよい。
蛍光体上に、透明樹脂から形成されたレンズを有してもよい。
蛍光体は、演色評価数（ＣＲＩ）を増加させる赤色蛍光体を含んでもよい。