【手続補正書】
【提出日】平成24年4月11日(2012.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板と、
前記基板の上面に、光を放出するために積層された第１化合物半導体層、活性層、および第２化合物半導体層と、
前記基板の背面に前記第１化合物半導体層に対応する部分を覆うように形成され、前記活性層から生成された光を受けて前記基板とは反対側に光を放出する蛍光層と、を備え、
前記基板の背面における前記第１化合物半導体層に対応する部分は、相対的に厚い領域および相対的に薄い領域を有し、
前記蛍光層は、前記基板における相対的に厚い領域において薄く形成され、相対的に薄い領域において厚く形成される
発光ダイオード。
【請求項２】
前記基板は、前記相対的に厚い領域および前記相対的に薄い領域を複数有する請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記基板は、縦断面において幅が２５０〜５００μｍの前記相対的に薄い領域が形成される請求項１または２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
光透過性の基板と、
前記基板の上面に、光を放出するために積層された第１化合物半導体層、活性層、および第２化合物半導体層と、
前記基板の背面に前記第１化合物半導体層に対応する部分を覆うように形成され、前記活性層から生成された光を受けて前記基板とは反対側に光を放出する蛍光層と、を備え、
前記基板の背面における前記第１化合物半導体層に対応する部分は、複数の相対的に厚い領域および複数の相対的に薄い領域を有する
発光ダイオード。
【請求項５】
前記基板の上面側において、前記第１化合物半導体層の前記基板とは反対側の上面の領域に電子を注入する電極が複数形成され、前記第２化合物半導体層の前記基板とは反対側の上面の領域に正孔を注入する電極が形成される請求項１から４のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記基板の前記相対的に薄い領域と前記相対的に厚い領域の境界は、傾斜面を有する請求項１から５のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
光透過性の基板と、
前記基板の上面に、光を放出するために積層された第１化合物半導体層、活性層、および第２化合物半導体層と、
前記基板の背面に前記第１化合物半導体層に対応する部分を覆うように形成され、前記活性層から生成された光を受けて前記基板とは反対側に光を放出する蛍光層と、を備え、
前記基板の上面側において、前記第１化合物半導体層の前記基板とは反対側の上面の領域に電子を注入する電極が複数形成され、前記第２化合物半導体層の前記基板とは反対側の上面の領域に正孔を注入する電極が形成される発光ダイオード。
【請求項８】
前記第１化合物半導体層は段差が形成され、前記第２化合物半導体層が形成されない段の領域に、前記電極が形成される請求項７に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記基板は、前記基板の背面における前記第１化合物半導体層に対応する部分は、相対的に厚い領域および相対的に薄い領域を複数有する請求項７または８に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記基板は、縦断面において幅が２５０〜５００μｍの前記相対的に薄い領域が形成される請求項９に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記蛍光層は、無機蛍光材料を含む請求項１から１０のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記基板は、サファイヤ基板である請求項１から１１のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記第１化合物半導体層は、ｎ型ドープまたはアンドープのＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層である請求項１から１２のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記第２化合物半導体層は、ｐ型ドープのＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層である請求項１から１３のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記活性層は、ｎ型ドープまたはアンドープのＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１）系列の化合物半導体層である請求項１から１４のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
前記活性層は、ブルー光を放出し、前記蛍光層は前記ブルー光の一部をイエロー光に変化させてホワイト光を形成する請求項１から１５のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記活性層は、波長が４２０〜４７０ｎｍのブルー光を放出し、
前記蛍光層は、前記ブルー光の一部をレッド光に変化させる蛍光物質とグリーン光に変化させる蛍光物質のうち少なくとも一つを含む請求項１から１６のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記蛍光層は、発光波長が相異なる第１蛍光体及び第２蛍光体を含む請求項１から１７のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
前記蛍光層は、イットリウム、ルテチウム、スカンジウム、ランタン、ガドリニウム、およびサマリウムで構成されるグループのうち少なくとも一つの元素を含み、かつ、アルミニウム、ガリウム、およびインジウムで構成されるグループのうち少なくとも一つの元素を含み、セリウムに活性化されたガーネット系蛍光材料を含む無機蛍光材料で形成された請求項１６から１８のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項２０】
前記活性層は、紫外線を放出し、前記蛍光層は前記紫外線を吸収してレッド、グリーンまたはブルー光に変化させてホワイト光を形成する請求項１から１５のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項２１】
前記蛍光層は、レッド蛍光材料およびグリーン蛍光材料のうちの少なくとも１つから形成され、
前記レッド蛍光材料は、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋,Ｂｉ３＋、ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋,Ｂｉ３＋、ＳｒＳ：Ｅｕ２＋、ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕ２＋、ＣａＬａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、および（Ｃａ,Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ２＋のうちの少なくとも１つの蛍光材料を含み、前記グリーン蛍光材料は、ＹＢＯ３：Ｃｅ３＋,Ｔｂ３＋、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋,Ｍｎ２＋、（Ｓｒ,Ｂａ,Ｃａ）（Ａｌ,Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕ２＋のうちの少なくとも１つの蛍光材料を含む請求項２０に記載の発光ダイオード。
【請求項２２】
前記蛍光層は、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光材料で形成された請求項１から１０のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項２３】
光透過性の基板の上面に第１化合物半導体層、活性層、および第２化合物半導体層を積層し、前記第１化合物半導体層上に前記活性層および前記第２化合物半導体層を残すようにパターニングした後、前記第１化合物半導体層上の前記活性層および前記第２化合物半導体層が形成されていない前記第１化合物半導体層が露出した部分および前記第２化合物半導体層上に電極を形成する第１段階と、
前記基板の一部の背面領域を周辺部に比べて相対的に薄い領域を形成する第２段階と、
前記相対的に薄い領域を充填するように前記基板の背面全面に蛍光物質を塗布して、前記相対的に薄い領域内で厚く、前記相対的に薄い領域外で薄くなり、前記活性層から生成された光を受けて前記基板とは反対側に光を放出する蛍光層を形成することによって発光ダイオード構造体を製造する第３段階と、
を含む発光ダイオードの製造方法。
【請求項２４】
前記第２段階は、複数の相対的に薄い領域を形成する請求項２３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項２５】
前記第２段階は、背面をグラインディング、ラッピング、およびポリシングする工程のうち少なくとも１つを含む請求項２３または２４に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項２６】
前記第１段階は、前記第１化合物半導体層上に前記電極を複数形成する請求項２３から２５のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項２７】
前記第１化合物半導体層は、ｎ型ドープまたはアンドープのＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物半導体層で形成される請求項２３から２６のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項２８】
前記第２化合物半導体層は、ｐ型ドープのＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層で形成される請求項２３から２７のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項２９】
前記活性層は、ｎ型ドープまたはアンドープのＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１）系列の化合物半導体層で形成される請求項２３から２８のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３０】
前記第１段階において、
前記基板はサファイヤ基板で形成される請求項２３から２９のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３１】
前記第２段階は、ドライエッチングする段階を更に含む請求項２３から３０のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３２】
前記基板の背面をＣｌ２、ＢＣｌ３、Ａｒ、Ｏ２及びＨＢｒのうち少なくとも一つのガスを含む気体でドライエッチングすることを特徴とする請求項３１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３３】
前記活性層はブルー光を放出する半導体化合物層で形成され、前記蛍光層は前記ブルー光の一部を吸収してイエロー光に変化させる蛍光物質を含んで形成される請求項２３から３２のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３４】
前記蛍光物質は、イットリウム、ルテチウム、スカンジウム、ランタン、ガドリニウム、およびサマリウムで構成されるグループのうち少なくとも一つの元素を含み、かつ、アルミニウム、ガリウム、およびインジウムで構成されるグループのうち少なくとも一つの元素を含み、セリウムに活性化されたガーネット系蛍光材料を含む請求項３３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３５】
前記蛍光物質は発光波長が相異なる第１蛍光体及び第２蛍光体を含む請求項２３から３４のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３６】
前記活性層は紫外線を放出する半導体化合物層で形成され、前記蛍光層は前記紫外線の一部を吸収してレッド、グリーン及びブルー光に変化させる蛍光物質を含んで形成される請求項２３から３２のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３７】
前記蛍光物質は、レッド蛍光材料およびグリーン蛍光材料のうちの少なくとも１つを含み、
前記レッド蛍光材料は、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋,Ｂｉ３＋、ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋,Ｂｉ３＋、ＳｒＳ：Ｅｕ２＋、ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕ２＋、ＣａＬａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、および（Ｃａ,Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ２＋のうちの少なくとも１つの蛍光材料を含み、前記グリーン蛍光材料は、ＹＢＯ３：Ｃｅ３＋,Ｔｂ３＋、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋,Ｍｎ２＋、（Ｓｒ,Ｂａ,Ｃａ）（Ａｌ,Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕ２＋のうちの少なくとも１つの蛍光材料を含む請求項３６に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３８】
前記第３段階は、
前記蛍光物質を前記基板の背面にディスポージングまたはスピンコーティングする請求項２３から３７のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法