Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月5日(2012.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
熱間プレスにより成形したプレス部材であって、
該部材を構成する鋼板の組成が質量％で
Ｃ：０.１２％以上０.６９％以下、
Ｓｉ：３.０％以下、
Ｍｎ：０.５％以上３.０％以下、
Ｐ：０.１％以下、
Ｓ：０.０７％以下、
Ａｌ：３.０％以下および
Ｎ：０.０１０％以下を含有し、かつ
Ｓｉ＋Ａｌが０.７％以上
を満足し、残部はＦｅおよび不可避不純物からなり、
該部材を構成する鋼板の組織が、マルテンサイトと残留オーステナイトとベイニティックフェライトを含むベイナイトを有し、
該マルテンサイトの鋼板組織全体に対する面積率が１０％以上８５％以下、
該マルテンサイトのうち２５％以上が焼戻しマルテンサイトであり、
該残留オーステナイト量が５％以上４０％以下、
該ベイナイト中のベイニティックフェライトの鋼板組織全体に対する面積率が５％以上、
鋼板組織全体に対する、該マルテンサイトの面積率、該残留オーステナイトの面積率および該ベイナイト中のベイニティックフェライトの面積率の合計が６５％以上を満足し、かつ
該残留オーステナイト中の平均Ｃ量が０.６５質量％以上であることを特徴とする高強度プレス部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記の知見に立脚するものであり、その要旨構成は次のとおりである。
１．熱間プレスにより成形したプレス部材であって、
該部材を構成する鋼板の組成が質量％で
Ｃ：０.１２％以上０.６９％以下、
Ｓｉ：３.０％以下、
Ｍｎ：０.５％以上３.０％以下、
Ｐ：０.１％以下、
Ｓ：０.０７％以下、
Ａｌ：３.０％以下および
Ｎ：０.０１０％以下を含有し、かつ
Ｓｉ＋Ａｌが０.７％以上
を満足し、残部はＦｅおよび不可避不純物からなり、
該部材を構成する鋼板の組織が、マルテンサイトと残留オーステナイトとベイニティックフェライトを含むベイナイトを有し、
該マルテンサイトの鋼板組織全体に対する面積率が１０％以上８５％以下、
該マルテンサイトのうち２５％以上が焼戻しマルテンサイトであり、
該残留オーステナイト量が５％以上４０％以下、
該ベイナイト中のベイニティックフェライトの鋼板組織全体に対する面積率が５％以上、
鋼板組織全体に対する、該マルテンサイトの面積率、該残留オーステナイトの面積率および該ベイナイト中のベイニティックフェライトの面積率の合計が６５％以上を満足し、かつ
該残留オーステナイト中の平均Ｃ量が０.６５質量％以上であることを特徴とする高強度プレス部材。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）平均官能基数１．５〜２．２個のエポキシ樹脂、
（Ｂ）エポキシ基と反応し得る官能基を２個有するアミン系化合物、フェノール系化合物及びチオール系化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物、及び、
（Ｃ）黒鉛
を含有することを特徴とする熱伝導性熱可塑性接着剤組成物。
【請求項２】
黒鉛の含有量が３０〜７５重量％であることを特徴とする請求項１記載の熱伝導性熱可塑性接着剤組成物。
【請求項３】
レーザー回折法による測定される黒鉛の平均粒子径が、０．５〜２５０μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の熱伝導性熱可塑性接着剤組成物。
【請求項４】
黒鉛は、平均アスペクト比が１．１〜３０であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の熱伝導性熱可塑性接着剤組成物。
【請求項５】
請求項１、２、３又は４記載の熱伝導性熱可塑性接着剤組成物からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用接着剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
用紙を集積して揃える用紙揃部と、
前記用紙揃部にて揃えられた用紙束に接触しながら、当該用紙束を当該用紙揃部から装置筐体の外部へ搬送する搬送手段と、
前記搬送手段により搬送される用紙束の端部を綴じ具を用いずに綴じる綴じ処理を行う綴手段とを備え、
前記綴手段は、前記用紙束が装置筐体の外部へ搬送されるときの搬送方向において、前記搬送手段よりも下流側にて綴じ処理を行うことを特徴とする用紙処理装置。
【請求項２】
前記綴手段にて前記綴じ処理がなされるときに、前記搬送手段により搬送される前記用紙束の両端部より内側にて当該用紙束を支持する支持手段と、
前記綴手段の下方に配置され、装置筐体から排出される前記用紙束を積載する用紙束積載部とを更に備え、
前記支持手段は、前記綴じ処理がなされた後で、前記用紙束の前記両端部よりも外側に移動して、当該用紙束を前記用紙束積載部に向けて落下させることを特徴とする請求項１に記載の用紙処理装置。
【請求項３】
前記搬送手段は、前記綴じ処理がなされるときに、前記用紙束が排出されるときの搬送方向である排出方向における下流側へ前記綴手段に向けて当該用紙束を搬送し、当該綴じ処理がなされた後で当該用紙束を当該排出方向の上流側へ予め定めた距離引き戻し、引き戻された当該用紙束を装置筐体の外部に向けて再度当該下流側へ搬送することを特徴とする請求項２に記載の用紙処理装置。
【請求項４】
前記綴手段は、前記用紙束の前記綴じ処理が行われる端部に対して交差する方向に進退可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の用紙処理装置。
【請求項５】
前記綴手段は、前記用紙束を構成する複数の前記用紙の重なり方向に跨った凹凸を形成することにより前記綴じ処理を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の用紙処理装置。
【請求項６】
用紙を集積して揃える用紙揃部と、
前記用紙揃部にて揃えられた用紙束に接触しながら、当該用紙束を当該用紙揃部から装置筐体の外部へ搬送する搬送手段と、
前記搬送手段により搬送される用紙束の端部を綴じ具を用いずに綴じる綴じ処理を行う綴手段とを備え、
前記綴手段は、前記用紙束が装置筐体の外部へ搬送される際の搬送方向に見て、前記搬送手段よりも下流側にて綴じ処理を行うことを特徴とする画像形成システム。
【請求項７】
前記綴手段は、前記搬送手段よりも前記用紙束が排出されるときの搬送方向における下流側に配置され、当該用紙束の当該搬送方向における下流側の端部を前記綴じ処理により綴じることを特徴とする請求項６に記載の画像形成システム。
【請求項８】
前記綴じ処理が行われる際に、当該綴じ処理が行われずに前記用紙束が排出されるときと比べて、画像形成手段が当該用紙束を構成するそれぞれの用紙上に形成する画像の向きを１８０度回転させる画像回転手段を更に備えたことを特徴とする請求項７に記載の画像形成システム。
【請求項９】
前記綴手段は、前記搬送手段よりも前記用紙束が排出されるときの搬送方向における下流側に配置され、当該用紙束の当該搬送方向に延在する端部を前記綴じ処理により綴じることを特徴とする請求項６に記載の画像形成システム。
【請求項１０】
前記綴じ処理が行われる際に、当該綴じ処理が行われずに前記用紙束が排出されるときと比べて、画像形成手段が当該用紙束を構成するそれぞれの用紙上に形成する画像の向きを９０度回転させる画像回転手段を更に備えたことを特徴とする請求項９に記載の画像形成システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、用紙を集積して揃える用紙揃部と、前記用紙揃部にて揃えられた用紙束に接触しながら、当該用紙束を当該用紙揃部から装置筐体の外部へ搬送する搬送手段と、前記搬送手段により搬送される用紙束の端部を綴じ具を用いずに綴じる綴じ処理を行う綴手段とを備え、前記綴手段は、前記用紙束が装置筐体の外部へ搬送されるときの搬送方向において、前記搬送手段よりも下流側にて綴じ処理を行うことを特徴とする用紙処理装置である。
請求項２に記載の発明は、前記綴手段にて前記綴じ処理がなされるときに、前記搬送手段により搬送される前記用紙束の両端部より内側にて当該用紙束を支持する支持手段と、前記綴手段の下方に配置され、装置筐体から排出される前記用紙束を積載する用紙束積載部とを更に備え、前記支持手段は、前記綴じ処理がなされた後で、前記用紙束の前記両端部よりも外側に移動して、当該用紙束を前記用紙束積載部に向けて落下させることを特徴とする請求項１に記載の用紙処理装置である。
請求項３に記載の発明は、前記搬送手段は、前記綴じ処理がなされるときに、前記用紙束が排出されるときの搬送方向である排出方向における下流側へ前記綴手段に向けて当該用紙束を搬送し、当該綴じ処理がなされた後で当該用紙束を当該排出方向の上流側へ予め定めた距離引き戻し、引き戻された当該用紙束を装置筐体の外部に向けて再度当該下流側へ搬送することを特徴とする請求項２に記載の用紙処理装置である。
請求項４に記載の発明は、前記綴手段は、前記用紙束の前記綴じ処理が行われる端部に対して交差する方向に進退可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の用紙処理装置である。
請求項５に記載の発明は、前記綴手段は、前記用紙束を構成する複数の前記用紙の重なり方向に跨った凹凸を形成することにより前記綴じ処理を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の用紙処理装置である。
請求項６に記載の発明は、用紙を集積して揃える用紙揃部と、前記用紙揃部にて揃えられた用紙束に接触しながら、当該用紙束を当該用紙揃部から装置筐体の外部へ搬送する搬送手段と、前記搬送手段により搬送される用紙束の端部を綴じ具を用いずに綴じる綴じ処理を行う綴手段とを備え、前記綴手段は、前記用紙束が装置筐体の外部へ搬送される際の搬送方向に見て、前記搬送手段よりも下流側にて綴じ処理を行うことを特徴とする画像形成システムである。
請求項７に記載の発明は、前記綴手段は、前記搬送手段よりも前記用紙束が排出されるときの搬送方向における下流側に配置され、当該用紙束の当該搬送方向における下流側の端部を前記綴じ処理により綴じることを特徴とする請求項６に記載の画像形成システムである。
請求項８に記載の発明は、前記綴じ処理が行われる際に、当該綴じ処理が行われずに前記用紙束が排出されるときと比べて、画像形成手段が当該用紙束を構成するそれぞれの用紙上に形成する画像の向きを１８０度回転させる画像回転手段を更に備えたことを特徴とする請求項７に記載の画像形成システムである。
請求項９に記載の発明は、前記綴手段は、前記搬送手段よりも前記用紙束が排出されるときの搬送方向における下流側に配置され、当該用紙束の当該搬送方向に延在する端部を前記綴じ処理により綴じることを特徴とする請求項６に記載の画像形成システムである。
請求項１０に記載の発明は、前記綴じ処理が行われる際に、当該綴じ処理が行われずに前記用紙束が排出されるときと比べて、画像形成手段が当該用紙束を構成するそれぞれの用紙上に形成する画像の向きを９０度回転させる画像回転手段を更に備えたことを特徴とする請求項９に記載の画像形成システムである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
各ローラ駆動ユニットは、
前記搬送ローラに一体的に設けられた従動車と、
前記搬送モータの出力軸に一体的に設けられ、前記従動車に回転力を伝達する主動車と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の浮上搬送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化クロムと、
（ａ）孔隙量が１．１〜１．８ｃｍ3／ｇで表面積が２４５〜３７５ｍ2／ｇ、（ｂ）孔隙量が２．４〜３．７ｃｍ3／ｇで表面積が４１０〜６２０ｍ2／ｇ、及び（ｃ）孔隙量が０．９〜１．４ｃｍ3／ｇで表面積が３９０〜５９０ｍ2／ｇのシリカよりなる群から選択されるシリカを含むシリカ含有担体と、
有機アルミニウム化合物とを含み、
４００〜８６０℃で活性化される担持されたクロム触媒。
【請求項２】
前記シリカの孔隙量が２．４〜３．７ｃｍ3／ｇで表面積が４１０〜６２０ｍ2／ｇである請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
前記有機アルミニウム化合物はアルキルアルミニウムアルコキシド化合物である請求項１又は２に記載の触媒。
【請求項４】
前記アルキルアルミニウムアルコキシドは一般式Ｒ2−Ａｌ−ＯＲ（式中、Ｒは炭素数１〜１２のアルキル基であり、ＯＲは炭素数１〜１２のアルコキシ又はフェノキシ基であり、基Ｒのそれぞれは同一の又は異なるものである。）で表される請求項３に記載の触媒。
【請求項５】
前記アルキルアルミニウムアルコキシド化合物はジエチルアルミニウムエトキシドである請求項３に記載の触媒。
【請求項６】
ジエチルアルミニウムエトキシドは触媒の調製中に触媒へ直接添加される請求項５に記載の触媒。
【請求項７】
６００〜８６０℃で活性化される請求項１〜６の何れか一項に記載の触媒。
【請求項８】
気相重合反応器内において重合条件下で請求項１〜７の何れか一項に記載の触媒をエチレンに接触させる工程と、
アルミニウム当量対クロム当量の最終的な比率が０．１：１〜１０：１となるような量の有機アルミニウムを添加することにより、触媒活性、生成されるエチレンポリマーにおけるポリマー側鎖の枝分かれ、ポリマーＭz／Ｍw、ポリマーＭw／Ｍn、ポリマー密度及びポリマー分子量の一つ又はそれより多くを制御する工程と、
を含むエチレンポリマーの製造方法。
【請求項９】
重合反応器にアルキルアルミニウムを添加することを更に含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アルキルアルミニウムはトリエチルアルミニウム、トリ−イソブチルアルミニウム又はトリ−ｎ−ヘキシルアルミニウムである請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
重合反応器にアルキルアルミニウムアルコキシド化合物を添加することを更に含む請求項８又は９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月14日(2012.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機溶媒の非存在下で樹脂を溶融混合することと；
界面活性剤を前記樹脂に添加することと；
前記樹脂に塩基性剤および水を添加して樹脂粒子のエマルジョンを形成することと；
を含む方法。
【請求項２】
前記樹脂が、非晶性樹脂、結晶性樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される、酸性基を有するポリエステル樹脂を含み、
前記樹脂が非晶性樹脂であり、
前記溶融混合が前記樹脂のガラス転移温度を超える温度で行われ、
前記塩基性剤が水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化リチウム、炭酸カリウム、有機アミン類、およびこれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記界面活性剤が陰イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、およびこれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記界面活性剤が前記樹脂の０．０１重量％〜２０重量％の量で存在する、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記塩基性剤が水溶液の形態で添加される請求項１記載の方法。
【請求項４】
有機溶媒の非存在下で樹脂を溶融混合することと；
界面活性剤を前記樹脂に添加することと；
トナー組成物の１種以上の追加成分を前記樹脂に添加することと；
前記樹脂に塩基性剤および水を添加することと；
転相を行い、前記溶融樹脂と前記トナー組成物の成分とを含むトナーサイズの小滴を含んだ分散相を有する転相エマルジョンを生成することと；
前記トナーサイズの小滴を凝固させてトナー粒子を得ることと；
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材料で構成された接触部と、
この接触部の端面に設けられた触媒層と、
この触媒層に束状に林立する複数のカーボンナノ材料とを備えていることを特徴とするプローブ。
【請求項２】
基板に形成された接触部の端面上に触媒層を形成し、
前記触媒層に所定の高さのカーボンナノ材料を成長させた後、
前記基板を除去することを特徴とするプローブの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プローブ及びプローブの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、カーボンナノ材料を用いたプローブ及びプローブの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、狭ピッチ間隔の配置下においても、耐電流値の高いプローブ及びプローブの製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のプローブは、導電材料で構成された接触部と、この接触部の端面に設けられた触媒層と、この触媒層に束状に林立する複数のカーボンナノ材料とを備えている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のプローブの製造方法は、基板に形成された接触部の端面上に触媒層を形成し、前記触媒層に所定の高さのカーボンナノ材料を成長させた後、前記基板を除去するようになっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月7日(2012.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
これらの図において、１は基本周波数ジェネレータ（１ＭＨｚ近傍出力）、２は低周波数の発振器（数Ｈｚ〜２０００Ｈｚ出力）、３は混合器（ミクサ）、４はバイポーラ増幅器、５はレールの頭頂面に配置されるセラミック振動子、５′はレールの頭部側面に配置されるセラミック振動子、５Ａ，５Ｂ，５Ａ′，５Ｂ′はセラミック振動子５，５′のリード線である。６はレール、６Ａはレール６の頭部、６Ｂはレール６の頭頂面、６Ｃはレール６の腹部、６Ｄはレール６の底部、６Ｅはレール６の頭部側面、７はレール６の腹部６Ｃに配置される受信機、８は受信機７に接続されるレール軸力計測装置である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このように、この実施例では、振動子としては電磁的な影響のないセラミック振動子を用いた。このセラミック振動子５，５′をレール６の頭頂面６Ｂ及び又は頭部側面６Ｅに装着して固有振動モードを用いてレール６を振動させる。
また、セラミック振動子５，５′を共振モードで用いると、ほぼ９５％以上の電力から振動への変換効率が得られる。非常に高いエネルギー変換効率が得られ、小型のセラミック振動子５，５′でも、発熱の影響を考慮することなく、大きな電力を供給できる。高効率変換が可能なので装置（発信機自体）を小型化でき、セラミック振動子５，５′をレール６の頭頂面６Ｂ及び又は頭部側面６Ｅに装着したことにより、レール６の鉛直方向の加振及び又は水平方向の加振を行うことができる。なお、セラミック振動子５をレール６の頭頂面６Ｂに配置して、レール６の鉛直方向の加振による測定を行った後に、そのセラミック振動子５をレール６の頭部側面６Ｅに配置してレール６の水平方向の加振による測定を行うようにしてもよい。つまり、レールの敷設状況に対応したレール６の加振態様を選定してレール６の合成した振動試験を行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、セラミック振動子５，５′の固有振動モードが生じる周波数は、セラミック振動子５，５′の大きさにより異なってくるが、概ね数１００ｋＨｚから数ＭＨｚの高周波である。後述の試験結果で用いた振動数では、約１ＭＨｚ程度の周波数を入力することで達成できる。しかし、加振に必要な周波数帯（数Ｈｚから数ｋＨｚ）と大きく異なるので、以下のような工夫を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
セラミック振動子５，５′自体には、図２に示すように、セラミック振動子５，５′の固有振動モードに一致する周波数のパルス波形（矩形波）を入力させるものとする。この状態で、別途、本来加振したい数Ｈｚ〜数ｋＨｚの正弦波波形を低周波数の発振器２で発生させる。そこで、基本周波数ジェネレータ１で発生させるパルス波形と、低周波数の発振器２で発生させる低周波数の正弦波波形の両者を混合器（ミクサ）３で混合し、パルス波形の電圧ピーク値を結んだ形状が、加振波形に一致するパルス波形を生成し、それをセラミック振動子５，５′に入力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明では、ＡＭ変調の代わりに、ピークの包絡線が加振波形に一致する高周波のパルス波を使うところが大きく異なる。すなわち、加振波形がプラスの場合は、パルス波形は電圧０Ｖもしくはプラスの電圧成分しかもたず、一方、加振波形がマイナスの場合は、パルス波形は電圧０Ｖもしくはマイナスの電圧成分しかもたない。
本発明においては、基本周波数ジェネレータ１で混合したパルス波形を、超低インピーダンスの高出力のバイポーラ増幅器４を導入することにより、加振波形に一致して正方向〔図２（ｂ）参照〕もしくは負方向のみにパルスを含む波形を生成して、そのままセラミック振動子５，５′に入力できるようにした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（２）図６に示すように、混合器（ミクサ）３からの出力波形をバイポーラ増幅器４で増幅して、その出力をセラミック振動子５，５′に接続した交流抵抗を測定した。つまり、図６は面外方向（水平方向）の共振モード付近の拡大図である。なお、バイポーラ増幅器４としては、例えば、ＤＣ−最高１０ＭＨｚの広帯域・高速・高出力電圧のパワーアンプである高速バイポーラ〔（株）エヌエフ回路設計ブロック製のＨＳＡシリーズ〕を用いることができる。このＨＳＡシリーズは、電圧、電流を正負自由に出力できる象限出力であり、容量性負荷、誘導性負荷に対しても安定して動作する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
１    基本周波数ジェネレータ（１ＭＨｚ近辺出力）
２    低周波数の発振器（数Ｈｚ〜２０００Ｈｚ出力）
３    混合器（ミクサ）
４    バイポーラ増幅器
５，５′    セラミック振動子
６    レール
６Ａ    頭部
６Ｂ    頭頂面
６Ｃ    腹部
６Ｄ    底部
６Ｅ 頭部側面
７    受信器
８    レール軸力計測装置
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項３記載の軸力測定用レール加振装置において、前記低周波数の発振器は数Ｈｚ〜数ｋＨｚの正弦波波形を出力することを特徴とする軸力測定用レール加振装置。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011122887.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011122887.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次カラム、モジュレータ、及び二次カラムを具備する包括的二次元クロマトグラフで分離された試料を質量分析装置に導入して検出するクロマトグラフ質量分析装置であって、質量分析装置において選択イオンモニタリング（ＳＩＭ）法により特定の質量電荷比を有するイオンの検出を行うクロマトグラフ質量分析装置において、
a)測定対象の化合物毎に保持時間と質量電荷比とが対応付けて記憶された化合物情報記憶部と、
b)１つのモジュレーション期間における分離情報に基づいて、前記化合物情報記憶部に記憶されている保持時間を一次カラムの時間軸上の保持時間と二次カラムの時間軸上の保持時間とに割り当てた検出情報を作成し、分析により得られた二次元クロマトグラムに対して前記検出情報を用い所定の条件に基づいて各時間軸上でそれぞれＳＩＭ測定区間を決定する測定区間決定処理部と、
c)該測定区間決定処理部で決定された各時間軸上のＳＩＭ測定区間に基づいて、時間経過に伴うＳＩＭ測定グループの開始時間及び／又は終了時間と該グループに属する化合物に対応した測定対象の質量電荷比とを含むＳＩＭ測定条件情報を作成するＳＩＭ測定条件設定部と、
を備えることを特徴とするクロマトグラフ質量分析装置。
【請求項２】
請求項１に記載のクロマトグラフ質量分析装置であって、
分析により得られたデータから二次元クロマトグラムを作成して表示部の画面上に表示する二次元クロマトグラム作成処理部を備え、該二次元クロマトグラム作成処理部は、前記測定区間決定処理部により決定されたＳＩＭ測定区間の区画を前記二次元クロマトグラム上で識別可能に表示することを特徴とするクロマトグラフ質量分析装置。
【請求項３】
請求項２に記載のクロマトグラフ質量分析装置であって、
前記二次元クロマトグラム作成処理部により表示部に表示される二次元クロマトグラム上のＳＩＭ測定区間の区画を示す境界線の位置及び形状をオペレータが変更するための操作部をさらに備え、前記測定区間決定処理部は前記操作部の操作に応じてＳＩＭ測定条件テーブルの内容を変更することを特徴とするクロマトグラフ質量分析装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらにまた、上記二次元クロマトグラム作成処理部により表示部に表示される二次元クロマトグラム上のＳＩＭ測定区間の区画を示す境界線の位置及び形状をオペレータが変更するための操作部をさらに備え、上記測定区間決定処理部はその操作部の操作に応じてＳＩＭ測定条件テーブルの内容を変更するようにするとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記連結部材は、前記接続プレート部および前記補剛プレート部の下端に接合された下端プレート部と、前記接続プレート部および前記補剛プレート部の上端に接合された上端プレート部とを有し、
前記補剛プレート部は、隣り合う前記壁面板の間から、前記壁面板の前側に突出している、ことを特徴とする請求項１に記載の耐震補強壁。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月25日(2012.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不透水の基層上に吸水シートを敷設し、上部に排水用高粘度アスファルトまたは透水性コンクリートを転圧覆工してなる排水性舗装の表層構造にして、前記吸水シートは間隔をあけて配置した複数の開口を備え，この開口上に形成される表層の部分は、基層上に表層と基層を一体化した耐圧支柱を形成し、これら耐圧支柱と前記開口から外れて吸水シート上に位置する表層の中間の部分を連結してラーメン構造を形作っている排水性舗装の表層構造。
【請求項２】
クラッシャランからなる基層上に排水用の水路面となる吸水シートを敷設し、上部に排水用高粘度アスファルトの表層を転圧覆工してなる排水性舗装の表層構造にして、前記吸水シートは間隔をあけて配置された複数の開口を備え、これら開口には開口周縁部に水の越流可能な隆起部が形成してあり、また開口上に形成される表層の部分は基層上に耐圧支柱を形成し、これら耐圧支柱と前記開口から外れて吸水シート上に位置する表層の中間の部分を連結してラーメン構造を形作っている排水性舗装の表層構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月12日(2012.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムからなる基材の一方の面に定盤固定用粘着剤層が積層一体化され、前記基材の他方の面に研磨パッド固定用接着剤層が積層一体化された研磨パッド固定用両面粘着テープであって、定盤固定用粘着剤層を構成する粘着剤が、スチレン−イソプレン−スチレン系エラストマーを含むベース樹脂と、
このベース樹脂１００重量部に対し、５０〜２００重量部の石油系粘着付与樹脂と、１０〜６０重量部のクマロン系粘着付与樹脂とを含むことを特徴とする研磨パッド固定用両面テープ
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
数平均分子量が１０００以上１，０００，０００以下である高分子界面活性剤、ポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子および炭素数３〜５のアルコール系溶媒を含むポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液。
【請求項２】
数平均分子量が１０００以上１，０００，０００以下である高分子界面活性剤がポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミンである請求項１記載のポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液。
【請求項３】
アルコール系溶媒が直鎖、または分岐アルコールである請求項１〜２のいずれかに記載のポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液。
【請求項４】
アルコール系溶媒がイソプロピルアルコール、またはｎ−プロピルアルコールである請求項３に記載のポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液。
【請求項５】
数平均分子量が１０００以上１，０００，０００以下である高分子界面活性剤存在下、ポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子を炭素数３〜５のアルコール系溶媒に機械的分散させることを特徴とするポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液の製造方法。
【請求項６】
数平均分子量が１０００以上１，０００，０００以下である高分子界面活性剤がポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミンである請求項５記載のポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液の製造方法。
【請求項７】
アルコール系溶媒が直鎖、または分岐アルコールである請求項５〜６のいずれかに記載のポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液の製造方法。
【請求項８】
アルコール系溶媒がイソプロピルアルコール、またはｎ−プロピルアルコールである請求項７に記載のポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液の製造方法。
【請求項９】
機械的分散が超音波分散装置、ビーズミル装置、コロイドミル装置、および湿式微粒化装置のいずれかで行われることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のポリフェニレンサルファイド樹脂微粒子分散液の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが検体を収納する複数の検体容器と、
それぞれが試薬を収納する複数の試薬容器と、
検体と試薬が注入される複数の反応セルと、
検体分注ノズルを備え、前記検体容器中の検体を前記反応セルに分注する検体分注機構と、
試薬分注ノズルを備え、前記試薬容器中の試薬を前記反応セルに分注する試薬分注機構と、
前記検体分注ノズルと前記反応セル間の静電容量を測定する静電容量測定手段とを有し、
前記検体分注ノズルは、金属製のノズル本体と、前記ノズル本体の外側の表面に酸化ケイ素層とを有し、その酸化ケイ素層に対して、下記一般式
Ｓｉ−Ｒ1−（ＯＣＨ2ＣＨ2）n−Ｏ−Ｒ2（ｎは２以上の正の整数、Ｒ1は炭化
水素基、Ｒ2はＨ又はＣＨ3）
で示されるポリエチレングリコールを有するケイ素誘導体が化学吸着しており、
前記静電容量測定手段は、前記酸化ケイ素層及びケイ素誘導体を介して前記静電容量を測定することを特徴とする自動分析装置。
【請求項２】
請求項１に記載の自動分析装置において、前記静電容量の変化をもとに前記検体分注ノズル表面の酸化ケイ素層の異常を検知する機構と、異常を検知したときそれを表示するインジケータを備えることを特徴とする自動分析装置。
【請求項３】
請求項１に記載の自動分析装置において、前記ポリエチレングリコール誘導体が化学吸着している前記検体分注ノズルの領域は、分注動作時に前記検体分注ノズルが検体に浸漬される領域よりも大きいことを特徴とする自動分析装置。
【請求項４】
請求項１に記載の自動分析装置において、前記検体分注ノズルに対して前記ポリエチレングリコール誘導体を化学吸着処理する機構を備えることを特徴とする自動分析装置。
【請求項５】
請求項１に記載の自動分析装置において、前記ポリエチレングリコール誘導体が、２−メトキシポリエチレンオキシシラン誘導体であることを特徴とする自動分析装置。
【請求項６】
検体容器中の検体を反応セルに分注し、前記反応セル内の検体との距離を静電容量検知で測定するのに用いられる自動分析装置用分注ノズルの製造方法において、
スパッタリング又は薬液塗布及び乾燥を用いて金属ノズルの表面に酸化ケイ素層を形成する工程と、
前記金属ノズルの表面に形成した酸化ケイ素層を洗浄する工程と、
洗浄した前記分注ノズルを下記一般式
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ−Ｒ４−（ＯＣＨ2ＣＨ2）n−Ｏ−Ｒ5（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はケ
イ素の置換基、Ｒ4は炭化水素基、Ｒ5はＨ又はＣＨ3、ｎは２以上の正の整数）
で表されるシラノール基前駆体を有するポリエチレングリコール誘導体の溶液に浸漬する工程と、
前記金属ノズルの処理された表面を溶媒で洗浄する工程と、
前記洗浄した前記金属ノズルの表面を乾燥する工程と
を有することを特徴とする自動分析装置用分注ノズルの製造方法。
【請求項７】
それぞれが検体を収納する複数の検体容器と、
それぞれが試薬を収納する複数の試薬容器と、
検体と試薬が注入される複数の反応セルと、
検体分注ノズルを備え、前記検体容器中の検体を前記反応セルに分注する検体分注機構と、
試薬分注ノズルを備え、前記試薬容器中の試薬を前記反応セルに分注する試薬分注機構と、
前記検体分注ノズルと前記反応セル間の静電容量を測定する静電容量測定手段と、を有し、
前記検体分注ノズルは、金属ノズルと、その外側の表面に設けられた膜とを有し、
前記静電容量測定手段は、前記静電容量の変化をもとに前記検体分注ノズル表面の膜の異常を検知することを特徴とする自動分析装置。
【請求項８】
請求項７に記載の自動分析装置において、
前記異常を検知したことを報知する報知手段を備えたことを特徴とする自動分析装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の自動分析装置において、
前記金属ノズルは、その外側の表面に酸化ケイ素層と、当該酸化ケイ素層に結合された有機膜とを有し、
前記膜の異常は、酸化ケイ素層の異常であることを特徴とする自動分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力軸に加えられるトルクによる磁気的変化を検出する検出部が合成樹脂製ハウジング内に設けられてなるトルクセンサにおいて、
少なくとも検出部の外周を覆う磁気シールド部材がハウジングと一体にモールドされてなることを特徴とするトルクセンサ。
【請求項２】
前記入力軸を支持するベアリングが、前記磁気シールド部材の内周側に挿入されてなる請求項１に記載のトルクセンサ。
【請求項３】
前記磁気シールド部材と前記ベアリングがハウジングと一体にモールドされてなる請求項２に記載のトルクセンサ。
【請求項４】
前記磁気シールド部材が板状磁性材料のプレス成形体である請求項１〜３のいずれかに記載のトルクセンサ。
【請求項５】
ステアリングホイールが結合される入力軸と、電動モータに連動する出力軸とを有し、請求項１〜４のいずれかに記載のトルクセンサの検出トルクにより電動モータを駆動することを特徴とする電動パワーステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１の発明は、入力軸に加えられるトルクによる磁気的変化を検出する検出部が合成樹脂製ハウジング内に設けられてなるトルクセンサにおいて、少なくとも検出部の外周を覆う磁気シールド部材がハウジングと一体にモールドされてなるようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において更に、前記入力軸を支持するベアリングが、前記磁気シールド部材の内周側に挿入されてなるようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（請求項１）
(a)入力軸に加えられるトルクによる磁気的変化を検出する検出部の外周を覆う磁気シールド部材が合成樹脂製ハウジングと一体にモールドされる。これにより、合成樹脂製ハウジングと一体にモールドされる磁気シールド部材により、例えば車載スピーカ等の外部磁界が検出部に及ぼすノイズを遮断し、検出部による検出エラーを低減できる。別部品の磁気シールド部材をハウジングの外周に固定して組立てる必要がなく、合成樹脂製ハウジング内に設けた検出部の耐ノイズ性を低コストで向上できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（請求項３）
(c)入力軸のベアリングが磁気シールド部材の内周側に挿入された状態で、該磁気シールド部材とともにハウジングと一体にモールドされる。従って、磁気シールド部材が合成樹脂製ハウジングに対しベアリングを囲んで保護し、合成樹脂の射出圧力や熱収縮によるベアリングの変形を防止するものになり、ベアリングによる入力軸の支持精度を向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気流量検出部とダイヤフラムとを形成した半導体素子と、該半導体素子を制御するための電気制御回路部と、前記半導体素子と前記電気制御回路部とを離間させて配置するためのリードフレームとを備え、
前記電気制御回路部側であって、前記空気流量検出部が設けられた前記半導体素子の裏面の一部が接着剤を介して前記リードフレーム上に接続され、前記ダイヤフラムを挟んで前記電気制御回路部の反対側に位置する前記半導体素子の裏面と前記リードフレームとの間にスペーサを設置し、
前記電気制御回路部を含み、前記空気流量検出部を除く前記半導体素子の一部領域が樹脂で覆われていることを特徴とする流量センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の流量センサであって、
前記リードフレームが段差部を有する基板であり、該段差部内に前記半導体素子が配置されていることを特徴とする流量センサ。
【請求項３】
空気流量検出部とダイヤフラムとを形成した半導体素子を基板上またはリードフレーム上に少なくとも搭載し、
前記空気流量検出部と接触しないように該空気流量検出部の上面及び周辺部を保護する空間を設けた上金型と、該上金型と一対で配置した下金型との間に弾性フィルムを介して前記基板またはリードフレームを挟み込んで固定し、
前記空気流量検出部を除く前記半導体素子の一部領域に樹脂層を形成することを特徴とする部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の流量センサであって、
前記リードフレームが段差部を有する基板であり、該段差部内に前記半導体素子が配置され、前記スペーサが、前記ダイヤフラムを挟んで前記電気制御回路部の反対側であって、前記段差部の底面部に設けられた肉厚部であることを特徴とする流量センサ。
【請求項５】
請求項３に記載の部品の製造方法であって、
前記基板またはリードフレームに開口部を形成し、該開口部の投影面内に前記ダイヤフラムを含むように前記半導体素子を前記基板上またはリードフレーム上に配置し、前記開口部に対応した位置であって、少なくとも前記上金型に金型内をスライド可能な可動入れ駒を設置したことを特徴とする部品の製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の部品の製造方法であって、
前記基板またはリードフレームに開口部を形成し、該開口部の投影面内に前記ダイヤフラムを含むように前記半導体素子を前記基板上またはリードフレーム上に配置し、前記開口部に対応した位置であって、少なくとも前記上金型に弾性体からなる可動入れ駒を設置したことを特徴とする部品の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の部品の製造方法であって、
前記可動入れ駒が前記半導体素子と接する面と反対側の面に弾性体を配置し、該弾性体の反発力を用いて前記可動入れ駒と前記半導体素子とが接触するようにしたことを特徴とする部品の製造方法。
【請求項８】
請求項３に記載の部品の製造方法であって、
前記基板またはリードフレーム上に更に前記半導体素子を制御するための電気制御回路部を搭載し、前記半導体素子の裏面と前記基板またはリードフレームとの間であって、前記ダイヤフラムを挟んで前記電気制御回路部と反対側に位置する領域にスペーサを配置したことを特徴とする部品の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の流量センサであって、
前記スペーサがプリモールド部品であり、該プリモールド部品の裏面が接着剤を介して前記リードフレーム上に接続され、前記半導体素子の裏面のうち、前記電気制御回路部側の一部裏面が接着剤を介して前記プリモールド部品の表面に接続され、前記ダイヤフラムを挟んで前記電気制御回路部の反対側に位置する前記半導体素子の裏面が、前記プリモールド部品上に設けられた凸部と接触していることを特徴とする流量センサ。
【請求項１０】
請求項１に記載の流量センサであって、
前記リードフレームに開口部が形成され、該開口部の投影面内に前記ダイヤフラムが含まれるように前記半導体素子が配置されていることを特徴とする流量センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷画像の濃度と、原稿画像の濃度と、を所定の閾値とを比較する検査部と、
前記検査部で比較した結果に基づいて、再検査画像を選択する再検査画像選択部と、
前記再検査画像を出力部に出力させる出力制御部と、
前記再検査画像に対する再検査情報の入力に基づいて、前記閾値を調整する調整部と、
を備えたことを特徴とする印刷物検査装置。
【請求項２】
前記検査部は、前記印刷画像の濃度と、前記原稿画像の濃度との差が、前記閾値を超えるか否かを判定し、前記閾値以下である場合に正常と判定し、前記閾値を超える場合に異常と判定すること、
を特徴とする請求項１に記載の印刷物検査装置。
【請求項３】
前記再検査画像選択部は、前記濃度の差が前記閾値を含むあらかじめ定められた範囲に含まれる前記印刷画像、または、前記濃度の差が前記閾値に近い順にあらかじめ定められた数の前記印刷画像を、再検査画像として選択すること、
を特徴とする請求項１に記載の印刷物検査装置。
【請求項４】
前記再検査画像選択部は、前記濃度の差が、前記閾値に近い順に所定の割合の数の前記印刷画像を、前記再検査画像として選択すること、
を特徴とする請求項１に記載の印刷物検査装置。
【請求項５】
前記調整部は、前記閾値を、前記再検査情報が正常であるすべての前記再検査画像に対する前記濃度の差より大きい値に調整すること、
を特徴とする請求項１に記載の印刷物検査装置。
【請求項６】
前記調整部は、前記閾値を、前記再検査情報が異常であるすべての前記再検査画像に対する前記濃度の差より大きい値に調整すること、
を特徴とする請求項１に記載の印刷物検査装置。
【請求項７】
前記調整部は、前記閾値を、前記再検査情報が正常である前記再検査画像に対する前記濃度の差より大きく、かつ、前記再検査情報が異常である前記再検査画像に対する前記濃度の差よりも小さい値に調整すること、
を特徴とする請求項１に記載の印刷物検査装置。
【請求項８】
前記再検査情報を記憶する記憶部と、
前記濃度の差と、前記再検査情報が示す再検査の結果から、前記再検査情報が前記閾値を調整するためのデータとして採用可能か否かを決定する決定部と、
前記決定部により採用不可と決定された前記再検査情報を、前記記憶部から削除する削除部、
をさらに備え、
前記調整部は、削除後に前記記憶部に記憶されている前記再検査情報に基づいて、前記閾値を調整すること、
を特徴とする請求項１に記載の印刷物検査装置。
【請求項９】
前記記憶部は、前記再検査情報に、当該再検査情報の入力をした利用者の識別情報を対応付けて記憶し、
前記決定部は、前記濃度の差の大小にかかわらず前記再検査画像を全て正常とする再検査情報の入力をした利用者により入力された前記再検査情報を、採用不可と決定すること、を特徴とする請求項８に記載の印刷物検査装置。
【請求項１０】
前記記憶部は、前記再検査情報に、さらに、再検査された日時を対応付けて記憶し、
前記決定部は、同一の前記再検査画像について、再検査された日時によって検査結果が異なる前記再検査情報を、採用不可と決定すること、
を特徴とする請求項８に記載の印刷物検査装置。
【請求項１１】
前記記憶部は、あらかじめ定められた前記閾値を記憶し、
前記記憶部に記憶された前記閾値から１の前記閾値の選択を受け付ける選択受付部、
をさらに備え、
前記検査部は、選択が受け付けられた前記閾値により前記印刷画像を判定すること、
を特徴とする請求項１に記載の印刷物検査装置。
【請求項１２】
印刷画像の濃度と、原稿画像の濃度と、を所定の閾値とを比較する検査ステップと、
前記検査ステップで比較した結果に基づいて、再検査画像を選択する再検査画像選択ステップと、
前記再検査画像を出力部に出力させる出力制御ステップと、
前記再検査画像に対する再検査情報の入力に基づいて、前記閾値を調整する調整ステップと、
を備えたことを特徴とする印刷物検査方法。
【請求項１３】
コンピュータに、
印刷画像の濃度と、原稿画像の濃度と、を所定の閾値とを比較する検査ステップと、
前記検査ステップで比較した結果に基づいて、再検査画像を選択する再検査画像選択ステップと、
前記再検査画像を出力部に出力させる出力制御ステップと、
前記再検査画像に対する再検査情報の入力に基づいて、前記閾値を調整する調整ステップ、
を実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、印刷画像の濃度と、原稿画像の濃度と、を所定の閾値とを比較する検査部と、前記検査部で比較した結果に基づいて、再検査画像を選択する再検査画像選択部と、前記再検査画像を出力部に出力させる出力制御部と、前記再検査画像に対する再検査情報の入力に基づいて、前記閾値を調整する調整部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、印刷物検査方法であって、印刷画像の濃度と、原稿画像の濃度と、を所定の閾値とを比較する検査ステップと、前記検査ステップで比較した結果に基づいて、再検査画像を選択する再検査画像選択ステップと、前記再検査画像を出力部に出力させる出力制御ステップと、前記再検査画像に対する再検査情報の入力に基づいて、前記閾値を調整する調整ステップと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、コンピュータに、印刷画像の濃度と、原稿画像の濃度と、を所定の閾値とを比較する検査ステップと、前記検査ステップで比較した結果に基づいて、再検査画像を選択する再検査画像選択ステップと、前記再検査画像を出力部に出力させる出力制御ステップと、前記再検査画像に対する再検査情報の入力に基づいて、前記閾値を調整する調整ステップ、を実行させるためのプログラムである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、上記プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月27日(2012.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）上面、前記上面に形成された第１電極パッド、前記上面に形成された第２電極パッド、前記上面とは反対側の下面、前記下面に形成され、かつ前記第１電極パッドと電気的に接続された第１ランド、前記下面に形成され、かつ前記第２電極パッドと電気的に接続され、かつ前記第１ランドの径よりも大きい径から成る第２ランド、前記第１ランドおよび前記第２ランドのそれぞれの表面を露出するように前記下面に形成された絶縁性樹脂被膜、および前記第１ランドの前記表面に形成された外部端子と成る導電性部材を有する配線基板と、前記配線基板の前記上面に搭載された半導体チップとを含む組立体を準備する工程；
（ｂ）前記組立体をプローブソケットに装着し、前記プローブソケットの第１コンタクトピンと前記導電性部材とを接触させ、前記プローブソケットの第２コンタクトピンと前記第２ランドとを接触させ、前記組立体の電気特性検査を行う工程；
ここで、
前記第２ランドの前記表面には外部端子と成る導電性部材が接続されず、前記第２ランドの前記表面は露出している。
【請求項２】
前記第１コンタクトピンの先端部の平面形状は円形から成り、
前記第１コンタクトピンの前記先端部の周縁部に沿って複数の突起が形成されており、
前記第２コンタクトピンの先端部の平面形状は円形から成り、
前記第２コンタクトピンの前記先端部の中央部に一つの突起が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記プローブソケットは、第１ピンガイドと、前記第１ピンガイドと繋がるボールガイドと、前記第２ピンガイドとを備えたソケット本体を有しており、
前記第１コンタクトピンは、前記第１ピンガイド内に配置されており、
前記第２コンタクトピンは、前記第２ピンガイド内に配置されており、
前記第１および第２コンタクトピンの表面と、前記第１および第２ピンガイドの内壁面との間には隙間が形成され、
前記（ｂ）工程では、前記配線基板の前記下面が前記ソケット本体の凹部の底面と対向し、かつ前記導電性部材が前記ボールガイド内に位置するように、前記組立体を前記凹部内に収納することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線基板の上面において、前記半導体チップの周囲にはダムが形成されており、
前記配線基板の平面形状は四角形から成り、
前記第１ランドは、前記配線基板の前記下面における中央部から、前記配線基板の前記下面における第１辺に向かう方向に沿って複数列に亘って配列されており、
前記ダムは、前記配線基板の前記上面において、複数列に亘って配列された複数の第１ランド列の中央部と平面的に重なる位置に配置され、
前記（ｂ）工程では、前記プローブソケットのキャップに設けられた凸部を前記ダムに押し付けることによって、前記プローブソケットの前記第１コンタクトピンと前記導電性部材とを接触させ、前記プローブソケットの前記第２コンタクトピンと前記第２ランドとを接触させ、前記組立体の電気特性検査を行うことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２ランドの平面形状は四角形であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上面、前記上面に形成された複数の電極パッド、前記上面とは反対側の下面、前記下面に形成され、前記複数の電極パッドとそれぞれ電気的に接続された複数のランド、および前記複数のランドのそれぞれの表面を露出するように前記下面に形成された絶縁性樹脂被膜を有する配線基板と、前記配線基板の前記上面に搭載された半導体チップとを含む半導体装置であって、
前記複数のランドは、前記半導体装置の外部端子となる導電性部材が表面に接続された第１ランドと、外部端子となる導電性部材が表面に接続されず、前記表面が露出した第２ランドとを有し、
前記第２ランドの径は、前記第１ランドの径よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記第２ランドの平面形状が四角形であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。