【事件の表示】
　平成１０年特許願第５１１２５６号「ＰＩＣＶＤ装置およびＰＩＣＶＤ方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月　５日国際公開、ＷＯ９８／０８９９８、平成１２年１２月１９日国内公表、特表２０００−５１７０００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年８月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９６年８月２９日、ドイツ国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年４月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２６日に意見書及び手続補正書が提出され、平成１９年２月２３日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１９年６月４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。その後、当審から平成２１年６月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２１年１２月２２日付け手続補正書により補正された本願明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】　２つのグループのマイクロ波発生器（２１ａ，２１ｃ；２１ｂ，２１ｄ）の各マイクロ波発生器（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ）からそれぞれ別個に給電され、マイクロ波プラズマ電極として使用する複数のマイクロ波アンテナ（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ）のアレイと、２つの出力側を備えた制御回路（７）とを有するＰＩＣＶＤ装置において、
　２つのグループのマイクロ波発生器（２１ａ，２１ｃ；２１ｂ，２１ｄ）は、前記制御回路（７）の前記２つの出力側からそれぞれ出力され、それぞれが高々５０μｓの期間を有するパルスから成り、プッシュプルに相互に位相シフトされている第１のパルス列（Ａ）および第２のパルス列（Ｂ）によって別個に制御され、
　いずれかのマイクロ波アンテナ（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ）に印加されているパルス列の期間を表す１０ｍｓ〜１００ｍｓのパルス列期間が設けられており、該パルス列期間中には、前記２つのグループのそれぞれ異なるグループに配属されており、且つ隣り合う２つのマイクロ波アンテナ（２ａ，２ｂ；２ｂ，２ｃ；２ｃ，２ｄ）の一方のマイクロ波アンテナに前記第１のパルス列（Ａ）が印加され、他方のマイクロ波アンテナに前記第２のパルス列（Ｂ）が印加され、
　いずれのマイクロ波アンテナ（２ａ，ｂ，ｃ，ｄ）にもパルス列が印加されない１０〜１００ｍｓのパルス列休止期間を設け、
　前記パルス列期間と前記パルス列休止期間のサイクルを繰り返し実施することを特徴とする、ＰＩＣＶＤ装置。
　
２．引用例・周知例、及び資料の記載
（１）引用例
　当審からの平成２１年６月１８日付け拒絶理由において、引用文献１として引用した特開平４−１４４９９２号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１−１）「（１）放電空間にマイクロ波を放射してプラズマを発生させるマイクロ波プラズマ発生装置において、マイクロ波パルスの照射タイミングを異ならせてマイクロ波パルスを連続して放射する複数のマイクロ波放射手段を備えてなることを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。」（特許請求の範囲、請求項１）
（１−２）「本発明のマイクロ波プラズマ発生装置は、第１図に例示のように、複数のマイクロ波放射手段を備えている。第１図の例では、４系統のマイクロ波放射手段Ｉ〜ＩＶが備えられているが、・・・、所望に応じて２基以上の任意の数を備えることができる。
　各々のマイクロ波放射手段は、マイクロ波（この場合マイクロ波パルス）を発信するためのマイクロ波発信源（第１図の例では、マイクロ波発信源ＭＧ１〜ＭＧ４）および導波管（第１図の例では、導波管ＷＧ１〜ＷＧ４）よりなっている。
　前記マイクロ波発信源としては、通常、マグネトロン等が好適に使用され・・・・・・。
・・・・・・。
　各マイクロ波発信源（第１図の例では、マイクロ波発信源ＭＧ１〜ＭＧ４）には、それらからマイクロ波パルスを放射するための装置として、パルス発生器ＰＧが接続されており、また、各々のマイクロ波パルスの放射のタイミングをはかるためのタイミング調節機構ＴＣが装備されている。
　第１図の例では、このパルス発生器ＰＧは、すべてのマイクロ波発信源ＭＧ１〜ＭＧ４からのマイクロ波パルスの発信を一基で操作するように構成されているが、・・・・・・。
　また、・・・・・・タイミング調節機構ＴＧは、・・・・・・パルス発生器ＰＧ・・・・・・と一体化した形で設けてもよい。
　このようにマイクロ波発信源に、パルス発生器およびタイミング調節機構を具備させることによって、各マイクロ波発信源からマイクロ波パルスを少なくとも連続的に放射することができ、後述のように、所望の種々のタイミングで放射することができる。」（第３頁右上欄第１６行〜同頁右下欄１４行）
（１−３）「第１図の例では、・・・、各マイクロ波放射手段Ｉ〜ＩＶから発生する単位プラズマＵＰ１〜ＵＰ４が直線的に配列されているが、本発明においては、その配列は、必ずしも直線型でなくてもよく、任意の配列、たとえば、第１図の前後方向においても単位プラズマが互いに重なるように二次元的な配列としてもよい。」（第４頁左下欄第１４〜２０行）
（１−４）「相隣接する単位プラズマに対応しないマイクロ波パルスは、たとえば、その２つ以上を同時にあるいは時間的に重なる部分があるようにして放射・導入することもできる。
　具体的には、たとえば、第１図の例のように４系統のマイクロ波放射手段を用いる場合、第７図に例示のパルス化パターンを用いて、マイクロ波発信源ＭＧ１とＭＧ３から１／２サイクル巾のマイクロ波パルスを同時に放射・導入し、相隣接しない単位プラズマＵＰ１とＵＰ３を同時に点灯させ、次の１／２サイクルに同じ巾のマイクロ波パルスをマイクロ波発信源ＭＧ２とＭＧ４から放射・導入し、単位プラズマＵＰ２とＵＰ４を同時に点灯させ、このサイクルを繰り返す方法等も好適に採用することができる。
　ここで、もし、相隣接する単位プラズマを生じるような２組以上のマイクロ波パルスを同時にあるいは重なるように放射・導入するとそれらのマイクロ波同士の干渉が生じて、所望のプラズマを大領域に安定に保持することができない。」（第７頁右上欄第１６行〜同頁左下欄第１６行）
（１−５）「前記マイクロ波パルスのパルス巾は、使用するマイクロ波放射手段の数やプラズマ発生用の原料ガスの種類等の他の条件によって異なるので一律に定めることができないが、通常、０．１μｓｅｃ〜ｌｓｅｃ程度、好ましくは１μｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃ程度、さらに好ましくは、１０μｓｅｃ〜１ｍｓｅｃ程度の範囲から選択される。」（第７頁右下欄第７〜１３行）
（１−６）「本発明のマイクロ波プラズマ発生装置は、・・・、各種のプラズマ利用分野に有利に利用することができる。特に、大領域のプラズマを要求する利用分野に対しては、極めて有効であり、たとえば、ダイヤモンド膜の合成などプラズマＣＶＤ法を利用する各種の膜類の合成、表面処理等のプラズマ利用反応やプラズマ処理分野に好適に利用することかできる。」（第８頁右上欄第５〜１２行）
（１−７）「（実施例３）
　第１図に示す４系統のマイクロ波放射手段Ｉ〜ＩＶを有するマイクロ波プラズマ発生装置［ただし、マイクロ波発信源ＭＧ１〜ＭＧ４として、それぞれマグネトロン（ＭＧ１〜ＭＧ４）を使用している。］を用いて、第７図に示すマイクロ波パルス放射モードとなるように、パルス発生器ＰＧおよびタイミングコントローラＴＣを操作してマイクロ波発信源（マグネトロン）ＭＧ１〜ＭＧ４の２か所づつ（ＭＧ１とＭＧ３およびＭＧ２とＭＧ４からそれぞれ同時に）、次々にマイクロ波パルスを放射し・・・ダイヤモンド膜を合成した。
・・・ 
　その結果、・・・基板全体に渡って、はぼ均一な自形のある膜厚のダイヤモンド膜か形成された。」（１１頁左上欄９行〜同頁右上欄９行）
（１−８）「本発明によると、複数のマイクロ波放射手段を備え、かつ、マイクロ波をパルス化して、種々の放射モードで該パルスを連続的に放射・導入することができる構成としているので、大領域に渡る均一なプラズマを定位置に長時間安定して発生させることができるなどの優れた機能を有する実用上著しく有用なマイクロ波プラズマ発生装置を提供することができる。
　また、本発明によると、本発明のマイクロ波プラズマ発生装置を用いているので、・・・、基板上の広い面積に渡る均一なダイヤモンド膜を好適に形成することができるなどの利点を有する実用上著しく有利なダイヤモンド膜の製造方法を提供することことができる。」（第１１頁左下欄第１２行〜同頁右下欄７行）
（１−９）「本発明のマイクロ波プラズマ発生装置の好適な態様の例の説明図」とされる第１図には、上記（１−２）〜（１−３）の記載事項が窺え、また、ＰＧからＴＣを介して、それぞれ、マグネトロン１（ＭＧ１）〜マグネトロン４（ＭＧ４）に至る４本の線、並びに、マグネトロン１（ＭＧ１）にＷＧ１、マグネトロン２（ＭＧ２）にＷＧ２、マグネトロン３（ＭＧ３）にＷＧ３、マグネトロン４（ＭＧ４）にＷＧ４がそれぞれ結ばれていること、ＭＧ１とＭＧ３及びＭＧ２とＭＧ４は相隣接しないことが視認され、
　さらに、「第１図に例示の本発明のマイクロ波プラズマ発生装置を用いて、リアクター内に大領域のプラズマを長時間安定に発生・保持するために好適に採用される、マイクロ波パルスの放射のタイミングの例を示すグラフ」とされる第７図には、上記（１−４）に記載されたマイクロ波パルスが窺える。
　
（２）周知例１
　本願明細書に公知のプラズマＣＶＤ装置について説明した文献として記載されている米国特許明細書５０１７４０４号（以下、「周知例１」という。）には、次の事項が記載されている。
（２−１）「1. In a plasma-CVD-process for simultaneously applying a dielectric coating to planar substrates, wherein an area or volume plasma zone covering the whole area to be coated of one or more substrates is generated from a plurality of plasma electrodes, the improvement comprising:
　
in a reaction zone containing one or more substrates to be coated, propagating overlapping plasma columns from the plasma electrodes substantially perpendicular to the surfaces to be coated and on either or both sides of the surfaces to be coated while maintaining the plasma electrodes and substrates stationary, and
　
individually controlling the strength and duration of each plasma column, thereby controlling the properties and uniformity of the coating deposited at each site on the substrates.」（特許請求の範囲の請求項１）
　
（当審訳：１．プラズマＣＶＤ法により、同時的に、平板状母材に誘電体を被覆する方法であって、一つ以上の母材を被覆する領域にわたってプラズマを多数のプラズマ電極によって発生するものにおいて、
少なくとも１の被覆を受ける母材を有する反応空間に、プラズマ電極と母材が保持され、被覆される母材表面に実質上垂直であって被覆される少なくとも一方の面の上にあるプラズマ電極から発生するオーバーラップをするプラズマ柱を有し、
各プラズマ柱の強さや持続時間を制御することにより、母材の両方面における被覆の特性や均一性を制御する方法。）
　
（２−２）「24. A process according to claim 1, wherein the mixture of reaction gases is subjected to a plasma pulse for a period sufficient to react substantially all of the reaction gases.」（特許請求の範囲の請求項２４）
　
（当審訳：２４．混合反応ガスはすべてのガスが実質的に反応するのに十分な期間の間プラズマパルスにさらされる請求項１に記載の方法。）
　
（２−３）「27. A process according to claim 24, wherein a mixture of reaction gases is continuously passed through the reaction zone, and the gas mass flow is adjusted so that in the interval between plasma pulses, the entire spent mixture of reaction gases is withdrawn from the reaction zone and replaced by a fresh mixture of reaction gases.」（特許請求の範囲の請求項２７）
　
（当審訳：２７．混合反応ガスは反応空間を連続的に通過し、プラズマパルス列の間隔において、使用された混合ガスのすべてが反応空間から回収され、新しい反応混合ガスによって置き換えられるようにガスの流量が調整されている請求項２４に記載の方法。）
　
（２−４）「However, in practice, it is preferred to use a continuous gas flow. In such a process, the time lapse between two plasma pulses preferably is sufficient to sweep the reaction zone of spent gases and to replace them with a fresh mixture of reaction gases.」（４欄４３〜４７行）
　
（当審訳：しかしながら、実際には、連続的なガス流れを使用することが望ましい。このようなプロセスにおいて、２つのプラズマパルス列の間の時間は好ましくは使用済みガスを反応空間から掃き出し、新しい混合反応ガスによって置き換えるに十分なものとする。）
　
（３）周知例２
　特表平３−５０２３７８号公報（以下、「周知例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（３−１）「一連の層を作成するためのＣＶＤシステム３０を図式的に図５に示す。・・・・・・このプロセスは、マイクロ波空洞３４内に同軸配置されたシリカ又は石英製の管３２の内部で絶縁被覆を作るために用いられる。・・・・・・石英管にガスが充満すると、パルスゼネレータ４４によってトリガされたマグネトロンから放出されたマイクロ波エネルギが、石英管の軸３１に沿って伝播し、プラズマ４６を形成する。プラズマ４６は、ＳｉＣｌ４と酸素間の反応を開始させ、ＳｉＯ２にする。約１．５ｍｓのパルス継続時間及び毎秒約１００サイクルの繰返し頻度は、ガスが連続的に流れるように調節され、プラズマパルスが終ると、残留ガスは流れ出してその代りに新規にガスが充填されてから次のマイクロ波プラズマが繰返される。マイクロ波パルスごとに析出される厚さは約５〜１０Åであり、毎秒１００個のマイクロ波パルスによって析出する厚さは毎秒５００〜１００Åに相当する。即ち、数秒間で厚さ１８００Åの単一層１個が形成され」（７頁左上欄７行〜同頁右上欄３行）
　
（４）周知例３
　Journal of Optical Communications, 1987, Vol.8, No4, p.130-135（以下、「周知例３」という。）には、次の事項が記載されている。
（４−１）「２Experimental PICVD-device
・・・・・・
In a time interval which is short compared to the pulse spacing, the gas within the plasma zone reacts almost completely and forms a glassy layer of molecular thickness at the inside of the quartz tube. The pulse duration and the repetition rate are adjusted to the gas flow in such a way that the deposition region is completely filled up with fresh gas in the time interval between two pulses.」（１３０頁左欄下から７行〜同頁右欄１２行）
（当審訳：２．実験に使ったＰＩＣＶＤ装置
・・・・・・
パルス間隔に比べて短い時間間隔において、プラズマ空間内のガスはほぼ完全に反応し、石英管内部でガラス分子層を形成する。２つのパルス間の時間において、堆積領域が新しいガスによって完全に満たされるようなガス流れに対応してパルスの継続及び繰り返し速度は調整される。）
　
（５）周知例４
　「マグローヒル科学技術用語大辞典」株式会社日刊工業新聞社　昭和５４年３月２０日発行には、次の事項が記載されている。
（５−１）「ホーンアンテナ・・・・・・マイクロ波アンテナの一種。円形や矩形の導波管の端をラッパ形に広げたもので、空間に直接電波を放射するために用いる。」（１３５２頁右欄２４〜２７行）
　
３．対比・判断
　引用例の記載事項について検討する。
（あ）上記（１−２）の記載をみると、上記（１−１）のマイクロ波プラズマ発生装置の例として、４系統のマイクロ波放射手段Ｉ〜ＩＶを備え、各々のマイクロ波放射手段Ｉ〜ＩＶは、マイクロ波発信源ＭＧ１〜ＭＧ４及び導波管ＷＧ１〜ＷＧ４よりなり、各マイクロ波発信源ＭＧ１〜ＭＧ４には、それらからマイクロ波パルスを放射するための装置として、一基のパルス発生器が接続され、タイミング調節機構ＴＣが装備されたものが記載されているといえる。
（い）上記（１−３）の記載をみると、上記マイクロ波プラズマ発生装置の例において、各マイクロ波放射手段Ｉ〜ＩＶから発生する単位プラズマＵＰ１〜ＵＰ４の配列は、直線的配列を含む任意の配列でよいから、導波管は直線的配列される場合を含むといえる。
（う）上記（１−４）の記載をみると、上記マイクロ波発信源ＭＧ１とＭＧ３から１／２サイクル巾のマイクロ波パルスを同時に放射・導入し、相隣接しない単位プラズマＵＰ１とＵＰ３を同時に点灯させ、次の１／２サイクルに同じ巾のマイクロ波パルスをマイクロ波発信源ＭＧ２とＭＧ４から放射・導入し、単位プラズマＵＰ２とＵＰ４を同時に点灯させ、このサイクルを繰り返すといえる。
（え）上記（１−６）の記載をみると、上記マイクロ波プラズマ発生装置は、プラズマＣＶＤ法を利用する各種の膜類の合成、表面処理等のプラズマ利用反応に好適に利用することができるから、プラズマＣＶＤ装置とみることができる。
（お）上記（１−７）の記載をみると、上記（１−４）のマイクロ波パルスを放射するために、パルス発生器ＰＧ及びタイミングコントローラＴＣ、すなわち、上記（１−１）のタイミング調整機構ＴＣがマイクロ波発信源（マグネトロン）の２カ所ずつ（ＭＧ１とＭＧ３及びＭＧ２とＭＧ４からそれぞれ同時に）操作されるといえる。
　上記（あ）〜（お）の検討を踏まえ、上記（１−１）〜（１−８）の記載事項及び上記（１−９）視認事項を整理すると、引用例には、
「４つのマイクロ波発信源（ＭＧ１〜ＭＧ４）及び導波管（ＷＧ１〜ＷＧ４）よりなり、該導波管は直線的に配列され、各マイクロ波発信源には、それからマイクロ波パルスを放射するために一基のパルス発生器（ＰＧ）が接続され、タイミング調整機構（ＴＣ）が装備されたプラズマＣＶＤ装置において、
　パルス発生器とタイミング調整機構が、相隣接しないマイクロ波発信源（ＭＧ１とＭＧ３）及びマイクロ波発信源（ＭＧ２とＭＧ４）を操作し、マイクロ波発信源（ＭＧ１とＭＧ３）から１／２サイクル巾のマイクロ波パルスを同時に放射・導入し、相隣接しない単位プラズマを同時に点灯し、次の１／２サイクルに同じ巾のマイクロ波パルスをマイクロ波発信源（ＭＧ２とＭＧ４）から放射・導入し、相隣接しない単位プラズマを同時に点灯させ、このサイクルを繰り返すプラズマＣＶＤ装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
（か）本願明細書の【００２６】には、「ホーンマイクロ波アンテナ２ａ〜２ｄは、マイクロ波プラズマ電極として使用され」と記載されており、本願発明の「マイクロ波プラズマ電極として使用する複数のマイクロ波アンテナ」は「ホーンマイクロ波アンテナ」、すなわち、導波管を含むといえるから（上記（５−１）を参照。）、引用発明の「導波管」は本願発明の「マイクロ波プラズマ電極として使用する複数のマイクロ波アンテナ」に相当する。
　また、視認事項（１−９）において、ＭＧ１とＷＧ１、ＭＧ２とＷＧ２、ＭＧ３とＷＧ３、ＭＧ４とＷＧ４と結ばれていることが視認されるから、４つのマイクロ波発信源（ＭＧ１〜ＭＧ４）から４つの導波管（ＷＧ１〜ＷＧ４）へそれぞれ別個に接続、すなわち、給電されているといえる。
　そして、引用発明において「導波管は直線的に配列され」ているから、導波管の「アレイ」があるとみることができる。
（き）本願発明の「マイクロ波発生器」について、本願明細書の【００２６】には、「ホーンマイクロ波アンテナ２ａ〜２ｄは、マイクロ波プラズマ電極として使用され、マイクロ波発生器２１ａ〜２１ｄにより、マグネトロン２２ａ〜２２ｄ・・・・・・を介して信号供給される。」と記載され、また、同【００３０】には、「マイクロ波発生器２１ａ〜２１ｄは、・・・・・・制御回路７からの信号を用いて制御され、・・・・・・パルス列・・・・・・により制御される」と記載されていることから、マイクロ波発生器はパルスにより制御されマグネトロンに繋がりマグネトロンを動かす装置と解され、本願発明は特定事項として記載されていないもののマグネトロンを有することは明らかである。
　一方、引用発明の「マイクロ波発信源」は上記（お）で検討したように、マグネトロンであり、上記（１−２）の「各マイクロ波発信源（・・・・・・）には、それらからマイクロ波パルスを放射するための装置として、パルス発生器ＰＧが接続されており、また、各々のマイクロ波パルスの放射のタイミングをはかるためのタイミング調節機構ＴＣが装備されている。」との記載をみると、引用発明のプラズマＣＶＤ装置では、パルス発生器からのパルスをタイミング調整機構を介してマイクロ波発信源であるマグネトロンに送っているから、引用例には明言はないものの、タイミング調整機構とマグネトロンとの間に、当該パルスをもとにマグネトロンを動かす装置（独立した装置ではなくマイクロ波発信源の一部にあるものを含む）、すなわち、本願発明のマイクロ波発生器に相当するものがあることは明らかである。
　よって、引用発明の「マイクロ波発信源」は本願発明の「マイクロ波発生器」に実質的に相当するといえ、上記（か）の検討結果と併せみると、引用発明においても、各マイクロ波発生器からそれぞれ別個に給電され、マイクロ波プラズマ電極として使用する複数のマイクロ波アンテナのアレイを有しているとみることができる。
（く）上記（１−２）の「各マイクロ波発信源（・・・・・・）には、それらからマイクロ波パルスを放射するための装置として、パルス発生器ＰＧが接続されており、また、各々のマイクロ波パルスの放射のタイミングをはかるためのタイミング調節機構ＴＣが装備されている。」との記載をみると、引用発明の「パルス発生器」と「タイミング調整機構」と併せたものが、本願発明の「制御回路」に相当することは明らかである。
（け）引用発明のプラズマＣＶＤ装置は、マイクロ波パルスを放射・導入して単位プラズマを発生するものであるから、プラズマパルスＣＶＤ装置といえ、本願発明のＰＩＣＶＤ装置に相当する。
（こ）引用発明の「パルス発生器とタイミング調整機構が、相隣接しないマイクロ波発信源（ＭＧ１とＭＧ３）及びマイクロ波発信源（ＭＧ２とＭＧ４）を操作し、マイクロ波発信源（ＭＧ１とＭＧ３）から１／２サイクル巾のマイクロ波パルスを同時に放射・導入し、相隣接しない単位プラズマを同時に点灯し、次の１／２サイクルに同じ巾のマイクロ波パルスをマイクロ波発信源（ＭＧ２とＭＧ４）から放射・導入し、相隣接しない単位プラズマを同時に点灯させ」についてみてみる。
（ｉ）マイクロ波発信源は、相隣接しないＭＧ１とＭＧ３のグループと相隣接しないＭＧ２とＭＧ４のグループとの相隣接しない２グループがあることが明らかであり、上記（き）の検討結果と併せみると、引用発明には、本願発明の「２つのグループのマイクロ波発生器」に相当するものがあるといえる。
（ｉｉ）マイクロ波発信源（ＭＧ１とＭＧ３）から１／２サイクル巾のマイクロ波パルスを同時に放射・導入しているとき、マイクロ波発信源（ＭＧ２とＭＧ４）からはマイクロ波パルスの放射・導入はなく、次の１／２サイクルに同じ巾のマイクロ波パルスをマイクロ波発信源（ＭＧ２とＭＧ４）から放射・導入しているとき、マイクロ波発信源（ＭＧ１とＭＧ３）からはマイクロ波パルスの放射・導入はないことは明らかであるから、２つのグループのマイクロ波発信源（ＭＧ１とＭＧ３及びＭＧ２とＭＧ４）はプッシュプルに相互に位相シフトしているマイクロ波パルスを放射・導入しているといえる。
（ｉｉｉ）マイクロ波発信源（ＭＧ１〜ＭＧ４）はパルス発生器とタイミング調整機構により操作されるものであることについて、さらにみてみると、上記（き）でみたように、パルス発生器はマイクロ波発信源に接続されているから、マイクロ波発信源の放射・導入するマイクロ波パルスは、パルス発生器のパルスを基にして放射・導入しているといえ、上記（ｉｉ）で検討した、プッシュプルに相互に位相シフトしているマイクロ波パルスの基になるパルスはパルス発生器とタイミング調整機構（上記（く）で述べたように本願発明の「制御回路」に相当する）出力側から出力されたものといえる。
　また、マイクロ波発信源はパルス発生器とタイミング調整機構により制御されるとみることができ、上記（１−９）の視認事項によれば、タイミング調整機構は４つの出力側を有していると解される。
（ｉｖ）上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）において検討したことを併せみると、パルス発生器とタイミング調整機構からのパルスは、相隣接しない２つのグループのそれぞれにマイクロ波発信源から放射・導入するマイクロ波パルスの基になっているから、プッシュプルに相互に位相シフトしている２つのパルスといえ、この２つのパルスによって相隣接しない２つのグループのマイクロ波発信源はそれぞれ別個に制御されている、すなわち、２つのパルスのうち一方のパルスが相隣接しない一方のグループのマイクロ波発信源を、他方のパルスが相隣接しない他方のグループのマイクロ波発信源をそれぞれ制御しているといえる。
　また、上記（か）で述べたように、４つのマイクロ波発信源は４つの導波管へそれぞれ別個に給電するから、導波管も２つの相隣接しないグループを有しているといえ、上記制御により、「２つのグループのそれぞれ異なるグループに配属されており、かつ、隣り合う２つの導波管の一方の導波管に上記一方のパルスによって制御されたマイクロ波発信源からの給電（印加）がなされ、他方の導波管に上記他方のパルスによって制御されたマイクロ波発信源からの給電（印加）がなされる」とみることができる。さらに、この２つのパルスは２つのパルス列に他ならず、このことは、引用発明が「このサイクルを繰り返す」という特定事項を有していることや第７図において２つのパルス列が視認されることからも明らかである。
　そうすると、引用発明は、本願発明の「２つのグループのそれぞれ異なるグループに配属されており、且つ隣り合う２つのマイクロ波アンテナの一方のマイクロ波アンテナに第１のパルス列が印加され、他方のマイクロ波アンテナに第２のパルス列が印加され」に相当する特定事項を有しているといえる。
　
　そうすると、本願発明と引用発明は、
「２つのグループのマイクロ波発生器の各マイクロ波発生器からそれぞれ別個に給電され、マイクロ波プラズマ電極として使用する複数のマイクロ波アンテナのアレイと出力側を備えた制御回路とを有するＰＩＣＶＤ装置において、
　２つのグループのマイクロ波発生器は、前記制御回路の前記出力側から出力されるプッシュプルに相互に位相シフトされている第１のパルス列および第２のパルス列によって別個に制御され、
　前記２つのグループのそれぞれ異なるグループに配属されており、且つ隣り合う２つのマイクロ波アンテナの一方のマイクロ波アンテナに前記第１のパルス列が印加され、他方のマイクロ波アンテナに前記第２のパルス列が印加される、ＰＩＣＶＤ装置。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点Ａ：制御回路の出力側の数につき、本願発明は２つ備えているのに対し、引用発明では４つ備えている点
相違点Ｂ：制御回路の出力側からそれぞれ出力されるパルスの期間につき、本願発明は、それぞれが高々５０μｓの期間であるのに対し、引用発明は期間を特定していない点
相違点Ｃ：本願発明は、２つのグループのそれぞれ異なるグループに配属されており、且つ隣り合う２つのマイクロ波アンテナの一方のマイクロ波アンテナに第１のパルス列が印加され、他方のマイクロ波アンテナに第２のパルス列が印加されるのが、いずれかのマイクロ波アンテナに印加されているパルス列の期間を表す１０ｍｓ〜１００ｍｓのパルス列期間中であり、いずれのマイクロ波アンテナにもパルス列が印加されない１０〜１００ｍｓのパルス列休止期間を設け、前記パルス列期間と前記パルス列休止期間のサイクルを繰り返し実施するのに対し、引用発明はかかる事項を特定していない点
　
　そこで、これら相違点について検討する。
（さ）相違点Ａについて
　引用発明において、２つのグループのマイクロ波発生器は第１のパルス列及び第２のパルス列によって別個に制御されていることからみて、引用発明の制御回路の出力側からは２種のパルス列が出力され、４つの出力側のうちの２つから第１のパルス列が、残りの２つから第２のパルス列がそれぞれ出力されており、出力側は２種類に区別できるといえる。
　一方、制御回路の出力側が２種類の出力があれば２種の異なったパルス列である第１のパルス列及び第２のパルス列を出力できること、そして、２種類の出力は２つの出力側があれば可能であることは、それぞれ明らかであるから、上記制御回路の出力側の数を４つから２つとすることは、当業者であれば困難なくなし得ることである。
（し）相違点Ｂについて
　上記（１−５）において、「前記マイクロ波パルスのパルス巾は、使用するマイクロ波放射手段の数やプラズマ発生用の原料ガスの種類等の他の条件によって異なるので一律に定めることができないが、通常、０．１μｓｅｃ〜ｌｓｅｃ程度、好ましくは１μｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃ程度、さらに好ましくは、１０μｓｅｃ〜１ｍｓｅｃ程度の範囲から選択される。」と記載されていることから、マイクロ波パルスのパルス巾は、マイクロ波放射手段（上記（１−２）の記載によれば、マイクロ波発信源と導波管よりなるもの）の数やプラズマ発生用の原料ガスの種類等の条件を考慮して変更することは当業者が適宜行うことといえ、このマイクロ波パルスのパルス巾は制御回路から出力されるパルスに基づくものであるから、この適宜変更したパルス巾に応じて、制御回路から出力されるパルスの巾を５０μｓに適宜設定することは当業者であれば困難なくなし得ることである。
（す）相違点Ｃについて
　この相違点Ｃを検討する前に、周知例１〜３の記載事項についてみてみる。
（す−１）周知例１には、プラズマＣＶＤ法により被覆を行う方法において、反応ガスが反応するに十分な期間のプラズマパルスにさらされ、プラズマパルスが発生していない期間に反応空間内の使用済み反応ガスと新しい反応ガスを入れ替えることが記載されており、該プラズマＣＶＤ法はプラズマパルスを使用しているからＰＩＣＶＤ法といえ、この方法において、反応ガスが反応するために十分な期間にわたってプラズマパルスが発生し、プラズマパルスが発生している期間と期間との間にプラズマパルスが発生していない期間を設けて反応空間内の使用済み反応ガスと新しい反応ガスを入れ替える方法が記載されているといえる。
（す−２）周知例２には、ＣＶＤシステムにおいて、約１．５ｍｓのパルス継続時間及び毎秒約１００サイクルの繰返し頻度は、ガスが連続的に流れるように調節され、プラズマパルスが終ると、残留ガスは流れ出してその代りに新規にガスが充填されてから次のマイクロ波プラズマが繰返され、マイクロ波パルスごとに析出される厚さは約５〜１０Åであり、毎秒１００個のマイクロ波パルスによって析出する厚さは毎秒５００〜１００Åに相当し、数秒間で厚さ１８００Åの単一層１個が形成される旨が記載されており、該ＣＶＤシステムはプラズマパルスを用いているから、ＰＩＣＶＤ法に用いるものといえ、１００サイクルのプラズマ発生の間に所定厚さの層を作り、１００サイクルのプラズマ発生が終わって次の１００サイクルのプラズマ発生の前に、残留ガスを新規ガスに入れ替え、所定の被覆厚さを得るために再びプラズマを発生させることが記載されているといえる。
（す−３）周知例３には、ＰＩＣＶＤ装置において、パルス間隔に比べて短い時間間隔で、プラズマ空間内のガスはほぼ完全に反応し、石英管内部でガラス分子層を形成し、２つのパルス間の時間において、堆積領域が新しいガスによって完全に満たされるようなガス流れに対応してパルスの継続及び繰り返し速度は調整されることが記載されているといえる。
（す−４）周知例１〜２でいうプラズマパルス及び周知例３でいうパルスは、１周期のプラズマパルスではなく、複数周期のプラズマパルスのつながったもの、すなわち、プラズマパルス列に相当することは明らかであるから、周知例１〜３には、ＰＩＣＶＤ法における周知技術として、所定の被覆厚さの被覆を得るべく、プラズマパルス列が発生している期間と期間との間にプラズマパルス列が発生しない、反応ガスの入れ替えを行うために十分な期間を設けることが記載され、また、プラズマ列発生期間において反応ガスが十分に反応することが記載されているとみることができる。
（す−５）そこで、相違点Ｃについて検討すると、引用発明はＰＩＣＶＤ法に係るものであり、所定の厚さの被覆を得るものであることは明らかであるから、かかる所定厚さの被覆を得るために上記周知技術を採用し、この周知技術の採用に当たり、反応ガスの入れ替えに必要な時間や反応ガスの入れ替え時間を、反応容器の大きさなどを基に決定し、決定したプラズマパルス列が対応するマイクロ波パルスの基になる制御回路から出力されるパルス列において、反応ガスの入れ替えに必要な時間に対応した期間である１０〜１００ｍｓのパルス列休止期間、反応ガスを無駄なく反応させる時間に対応するパルス列の印加を行う期間である１０ｍｓ〜１００ｍｓのパルス列期間を設け、所定の被覆厚さを得るべく前記パルス列期間と前記パルス列休止期間のサイクルを繰り返し実施することは、当業者ならば適宜なし得ることである。
（そ）そして、本願発明の「形成された薄膜がきわめて均一になるようにすることができる」（【００１６】）という作用・効果は、上記（１−８）に記載された「基板上の広い面積に渡る均一なダイヤモンド膜を好適に形成することができるなどの利点を有する」から予想できる程度のものであり、格別なものとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知例に記載の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。