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【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の群から選択される反復単位を含むポリマー、および一以上の発光性金属イオンまたは発光性金属イオン錯体を含み、前記発光性金属イオン又は発光性金属イオン錯体が、少なくとも一つの二重結合を有する分極性リガンドを含む組成物。
【化１】
2012144733.tif 000001
【化２】
2012144733.tif 000002
（式中、RはH、D、F、アルコキシ、アリールオキシ、アルキル、アリール、アルキルケトン、アリールケトン、アルキルエステル、アリールエステル、アミド、カルボン酸、フルオロアルキル、フルオロアリール、ポリアルカレンオキシから独立に選択され、R基のいずれか二つは架橋されてもよく、mは0〜2であり、nは0〜3であり、oは0〜4であり、pは0〜5であり、qは0〜6であり、AおよびBは−O−、−S−、−NR1−および−CR1R2−、−CR1R2CR3R4−、−CR1＝CR2−、−N＝N−、および−（CO）−からなる群から独立に選択され、ここでR1〜R4はH、D、F、アルキル、アリール、アルキレンオキシ、ポリアルキレンオキシ、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルキル、およびフルオロアリールであり、該R基の二つは架橋されてもよく、mは0〜2であり、nは0〜3であり、oは0〜4であり、pは0〜5であり、qは0〜6であり、またEはO、NHおよびSからなる群から選択される。）
【請求項２】
前記発光性金属イオン又は発光性金属イオン錯体が、ユーロピウム又はテルビウム又はセリウムを含むランタニド金属イオン、又はクロム、マンガン、鉄、コバルト、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、およびウランからなる群から選択される金属イオンを含む、請求項１基に記載の組成物。
【請求項３】
前記ポリマーがブロックコポリマーであるか、前記ポリマーがランダムコポリマーであるか、又は前記ポリマーがグラフトコポリマーである、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ポリマーが、構造IIの繰り返し単位を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
20 nm以下の発光バンド、好ましくは10nm以下の発光バンド、より好ましくは5nm以下の発光バンド、更に好ましくは3nm以下の発光バンドを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記分極性リガンドが下記からなる群から選択される請求項１に記載の組成物。
【化３】
2012144733.tif 000003
【化４】
2012144733.tif 000004
【請求項７】
請求項１の組成物を含むエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記ポリマーが架橋されたポリマーである、請求項７に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
エレクトロルミネッセンス装置であって、
第一の電極と；
一以上の電荷輸送層と；
請求項１に記載の組成物および第二の電極を含むエレクトロルミネッセンス層、
とを含む、前記エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
エレクトロルミネッセンス組成物であって、
炭素原子及び水素原子のみを含み、及び芳香環のみを含む、芳香族炭化水素マトリックス；及び
芳香族リガンドを有するランタニド金属錯体、
を含む、前記組成物。
【請求項１１】
前記芳香族リガンドが、ジアリール基及び／又はトリアリール基及び／又はポリアリール基を有する、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１０に記載の組成物を含む、エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１３】
エレクトロルミネッセンス装置であって、
第一の電極と；
一以上の電荷輸送層と；
請求項１０記載の組成物および第二の電極を含んだエレクトロルミネッセンス層とを具備してなる、前記エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１４】
下記の群から選択される反復単位を含むポリマー、および一以上の発光性金属イオンまたは発光性金属イオン錯体を含み、前記発光性金属イオン又は発光性金属イオン錯体が、少なくとも一つの二重結合を有する分極性リガンドを含む組成物。
【化５】
2012144733.tif 000005
【化６】
2012144733.tif 000006
（式中、RはH、D、F、Cl、Br、I、アルコキシ、アリールオキシ、アルキル、アリール、アルキルケトン、アリールケトン、アルキルエステル、アリールエステル、アミド、カルボン酸、フルオロアルキル、フルオロアリール、ポリアルカレンオキシから独立に選択され、R基のいずれか二つは架橋されてもよく、mは0〜2であり、nは0〜3であり、oは0〜4であり、pは0〜5であり、qは0〜6であり、AおよびBは−O−、−S−、−NR1−および−CR1R2−、−CR1R2CR3R4−、−N＝CR1、−CR1＝CR2−、−N＝N−、および−（CO）−からなる群から独立に選択され、ここでR1〜R4はH、D、F、アルキル、アリール、アルキレンオキシ、ポリアルキレンオキシ、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルキル、およびフルオロアリールであり、該R基の二つは架橋されてもよく、mは0〜2であり、nは0〜3であり、oは0〜4であり、pは0〜5であり、qは0〜6であり、またEはO、NHおよびSからなる群から選択される。）
【請求項１５】
前記発光性金属イオン又は発光性金属イオン錯体が前記ポリマーと混合され、又は前記蛍光金属イオン又は蛍光金属イオン錯体が、共有結合又は配位結合により前記ポリマーに直接結合されている、請求項１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表面改質装置及び表面改質方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月6日(2012.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するための液体吐出装置であって、
液体を吐出するための移動可能な吐出ヘッドと、
媒体を送るための送り機構と、
前記媒体の送り量を検知する送り量検知部と、
前記媒体の端の位置を検知するための受光センサと、
前記媒体に対して、移動する前記吐出ヘッドから液体を吐出させる開始位置と終了位置の少なくともいずれか一方を決定するための位置決定制御を実行するコントローラと、
を有し、
前記コントローラは、前記送り量検知部の検知した前記媒体の送り量に応じて、前記位置決定制御を異ならせる、液体吐出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液体吐出装置であって、
前記媒体は、前記媒体の送り方向において、前記媒体の送り方向後端側から前記媒体の送り方向先端側へ送られ、
前記液体吐出装置は、さらに、前記受光センサよりも前記媒体の送り方向後端側に設けられた検出器を有し、
前記コントローラは、前記検出器により前記媒体が検出された後の前記媒体の送り量に応じて、前記位置決定制御を異ならせる、液体吐出装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の液体吐出装置であって、
前記媒体は、前記媒体の送り方向において、前記媒体の送り方向後端側から前記媒体の送り方向先端側へ送られ、
前記吐出ヘッドは、前記媒体の送り方向に沿って複数のノズルを有し、
前記複数のノズルは、前記媒体の送り方向において、前記受光センサよりも前記媒体の送り方向先端側に位置するノズルを含む、液体吐出装置。
【請求項４】
液体を吐出するための移動可能な吐出ヘッドと、媒体を送るための送り機構と、前記媒体の送り量を検知する送り量検知部と、前記媒体の端の位置を検知するための受光センサと、前記媒体に対して、移動する前記吐出ヘッドから液体を吐出させる開始位置と終了位置の少なくともいずれか一方を決定するための位置決定制御を実行するコントローラと、を有する液体吐出装置を用いた液体吐出方法であって、
前記コントローラは、前記送り量検知部の検知した前記媒体の送り量に応じて、前記位置決定制御を異ならせる、液体吐出方法。
【請求項５】
請求項４に記載の液体吐出方法であって、
前記媒体は、前記媒体の送り方向において、前記媒体の送り方向後端側から前記媒体の送り方向先端側へ送られ、
前記液体吐出装置は、さらに、前記受光センサよりも前記媒体の送り方向後端側に設けられた検出器を有し、
前記コントローラは、前記検出器により前記媒体が検出された後の前記媒体の送り量に応じて、前記位置決定制御を異ならせる、液体吐出方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の液体吐出方法であって、
前記媒体は、前記媒体の送り方向において、前記媒体の送り方向後端側から前記媒体の送り方向先端側へ送られ、
前記吐出ヘッドは、前記媒体の送り方向に沿って複数のノズルを有し、
前記複数のノズルは、前記媒体の送り方向において、前記受光センサよりも前記媒体の送り方向先端側に位置するノズルを含む、液体吐出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンジや流し台などのキッチンの乱雑状態を隠蔽する目的で上下方向に開閉する目隠しパネルが設置してある目隠しを有するキッチン。
【請求項２】
請求項１において、２枚の目隠しパネルが滑車を介して連結されて吊り下げられたものであり、一方の目隠しパネル上下動させることにより他方を反対方向に移動させて目隠しパネルを開閉する目隠しを有するキッチン。
【請求項３】
請求項１において、２枚の目隠しパネルが径の異なる滑車を同軸とした滑車を介して連結されて吊り下げられており、一方の目隠しパネルを上下動させることにより他方を反対方向に異なる距離移動させて目隠しパネルを開閉する目隠しを有するキッチン。
【請求項４】
請求項１において、目隠しパネルが定荷重ばねによって吊り下げられており、任意の位置に移動させて停止させることができる目隠しを有するキッチン。
【請求項５】
請求項１において、目隠しパネルが定トルクロータリーダンパーによって任意の位置に移動させて停止させることができる目隠しを有するキッチン。
【請求項６】
請求項１において、目隠しパネルが電動モータによって開閉されるものである目隠しを有するキッチン。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、目隠しパネルの位置を検知して厨房機器用の電源を接・断するものである目隠しを有するキッチン。
【請求項８】
請求項７において、目隠しパネルが全開のときのみ電源が供給されるものである目隠しを有するキッチン。
【請求項９】
請求項７において、目隠しパネルが閉じた状態のとき、厨房設備に設けた飾り棚の照明が点灯されるものである目隠しを有するキッチン。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月24日(2012.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
天板と天板の端縁から下方に延ばされた側板とを有し、前記天板及び側板の内面に導電性材料からなる回路パターンが設けられたケースと、
前記ケースの底面に接合され、前記回路パターンと電気的に接続された基板と、
前記天板に設けられた撮像開口に受光部が対面するように前記基板の上面に実装された撮像素子と、
前記ケースの天板に取り付けられたレンズ筐体と、前記撮像開口を通して前記受光部に被写体像を結像する撮影レンズとを有するレンズユニットと、
前記撮像素子の前記受光部に直交する方向における投影面積内で、かつ前記撮影レンズの入射光路外に配置されるように、前記天板の回路パターンに実装された実装部品と、
前記ケースを保持するためのソケットに前記ケースがその底面側から挿入されたときに、前記ソケット内の端子と電気的に接続するソケット接続電極とを備えたことを特徴とするカメラモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記撮像素子の前記受光部に直交する方向における投影面積には、前記基板に前記撮像素子を電気的に接続するための配線の投影面積が含まれることを特徴とする請求項１記載のカメラモジュール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のカメラモジュールは、天板と天板の端縁から下方に延ばされた側板とを有し、天板及び側板の内面に導電性材料からなる回路パターンが設けられたケースと、ケースの底面に接合されて回路パターンと電気的に接続された基板と、天板に設けられた撮像開口に受光部が対面するように前記基板の上面に実装された撮像素子と、ケースの天板に取り付けられたレンズ筐体及び撮像開口を通して受光部に被写体像を結像する撮影レンズとを有するレンズユニットと、撮像素子の受光部に直交する方向における投影面積内でかつ撮影レンズの入射光路外に配置されるように天板の回路パターンに実装された実装部品と、ケースを保持するためのソケットにケースがその底面側から挿入されたときにソケット内の端子と電気的に接続するソケット接続電極とを備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
撮像素子の受光部に直交する方向における投影面積には、基板に撮像素子を電気的に接続するための配線の投影面積が含まれていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
終端光学素子を有し、ワークピース上に像を投影するように構成された投影光学系と、
前記像が前記ワークピース上に投影されている時に、前記投影光学系に近接して前記ワークピースを支持するように構成されたステージと、
前記終端光学素子と前記ワークピースとの間の隙間に液浸液体を供給するように構成されたノズルとを備え、
前記ノズルは、前記隙間に前記液浸液体を保持するための内側部と、前記内側部の周囲に配置され、液体回収のために設けられた外側部とを有し、
前記内側部は、前記終端光学素子の一側に配置され、前記液浸液体を供給する第１開口と、前記終端光学素子の他側に配置され、前記液浸液体を回収する第２開口とを有し、
前記内側部は、平坦部を有し、
前記像が前記ワークピース上に投影されている時に、前記終端光学素子の端面と前記ワークピースとの距離は、前記平坦部と前記ワークピースとの距離よりも大きい装置。
【請求項２】
前記内側部は、前記終端光学素子の周囲に配置される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記内側部は、前記終端光学素子と前記ワークピースとの間の前記隙間の前記液浸液体を受け入れるレンズ開口を有し、
前記平坦部は、前記レンズ開口を取り囲む請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記外側部は、前記終端光学素子と前記ワークピースとの間の前記隙間に流体的に接続され、
前記隙間からの前記液浸液体を回収する請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記ステージの動作により前記液浸液体が前記隙間から、前記平坦部と前記ワークピースとの間に引きずり出され、前記外側部で回収される請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記内側部は、前記終端光学素子と接触する請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記内側部は、前記終端光学素子との間にシールを形成する請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記内側部は、前記終端光学素子から離間される請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記第１、第２開口は、前記平坦部よりも高い位置に配置される請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記平坦部は、前記終端光学素子に対して前記第１、第２開口の外側に配置される請求項１〜９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記内側部は、前記液浸液体を保持するための内側キャビティを有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記内側キャビティは、前記終端光学素子の一部を収容する請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記平坦部は、前記内側キャビティを取り囲む請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記平坦部は、前記ワークピースに対して実質的に平行である請求項１〜１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１、第２開口は、前記内側キャビティ内に配置される請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１開口からの前記液浸液体は、前記内側キャビティ内の最も高い部分に供給される請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
前記内側キャビティは前記終端光学素子と前記ワークピースとの間の隙間の一部を形成する請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記外側部は、前記液浸液体を回収するための外側キャビティを有する請求項１〜１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
前記外側部は、前記外側キャビティに配置された多孔質部材を有し、前記多孔質部材を介して前記液浸液体を回収する請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記多孔質部材は、前記内側部の周囲に延在する請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記多孔質部材は、メッシュ、多孔質材、及びその内部にエッチング孔を有する部材からなる群から選択される請求項１９又は２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記多孔質部材は、５０ミクロン〜２００ミクロンの範囲の大きさの孔を有する請求項１９〜２１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２３】
前記多孔質部材を介して前記液浸液体を回収する間に前記多孔質部材の表面での圧力が前記多孔質部材のバブルポイントより低く維持される請求項１９〜２２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２４】
前記内側部は、前記平坦部又はその近傍に配置されるバッファスロットを備える請求項１〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記内側部はパージ孔を備え、
前記一対のバッファスロットの各々は前記パージ孔の少なくとも一つに流体的に接続される請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記液浸液体が完全に回収されるように、前記バッファスロットから前記液浸液体が回収される請求項２４又は２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記ワークピースが第１方向に移動しながら露光され、
前記バッファスロットは、前記第１方向に関して、前記終端光学素子の一側及び他側に配置される請求項２４〜２６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２８】
前記第１、第２開口は、前記第１方向と交差する第２方向に関して、前記終端光学素子の一側及び他側に配置される請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記内側部と前記外側部との間に溝を備える請求項１〜２８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３０】
前記溝は、大気溝である請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記大気溝は、前記内側部の前記液浸液体が引き出されることを防止するブレーキングエッジとして機能する請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記内側部は、前記外側部から離間している請求項１〜３１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３３】
前記内側部と前記外側部とは、独立した部品である請求項１〜３２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３４】
前記内側部及び前記外側部は、単一の部品からなる請求項１〜３２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３５】
前記外側部が取り付けられる取付部品と、
前記外側部と前記取付部品との間に配置される減衰材とを備える請求項１〜３４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３６】
前記外側部は、交換可能である請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
請求項１〜３６のいずれか一項に記載の装置を用いて、ウエハを露光する液浸リソグラフィ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
青の波長域内にピーク発光を有する第１の固体発光素子と、
シアンの波長域内にピーク発光を有する第２の固体発光素子と、
前記第１の固体発光素子を少なくとも部分的に被覆し、黄色の波長域内で光を発光するように配置される第１の波長変換材料と、
前記第２の固体発光素子を少なくとも部分的に被覆し、赤の波長域内で光を発光するように配置される第２の波長変換材料と、を備える固体ランプ。
【請求項２】
前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のそれぞれが、単一の取付部材に取り付けられる請求項１に記載の固体ランプ。
【請求項３】
前記赤の波長域内にピーク発光を有する第３の固体発光素子を備える請求項１または２に記載の固体ランプ。
【請求項４】
演色評価数が少なくとも９０で、少なくとも約６０ルーメン毎ワットの光出力を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項５】
前記青の波長域内にピーク発光を有する別の固体発光素子を備える請求項１乃至４のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項６】
前記シアンの波長域内にピーク発光を有する別の固体発光素子を備える請求項１乃至５のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項７】
前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のいずれかを少なくとも部分的に被覆する、第３の波長変換材料をさらに備える請求項１乃至６のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項８】
前記第１の波長変換材料および前記第２の波長変換材料が、別々の蛍光体含有領域に分離される請求項１乃至７のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項９】
前記第１の波長変換材料および前記第２の波長変換材料のうち少なくとも１つが、前記固体発光素子の全てを少なくとも部分的に被覆する請求項１乃至７のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１０】
以下の機能（ａ）および（ｂ）：
（ａ）前記第１の波長変換材料が、前記第１の固体発光素子を部分的にのみ被覆する
（ｂ）前記第２の波長変換材料が、前記第２の固体発光素子を部分的にのみ被覆する
のうち１以上を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１１】
当該各固体ランプがＬＥＤを備える請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１２】
前記第１の波長変換材料および前記第２の波長変換材料が半導体蛍光体を備える請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１３】
前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子に駆動電流を別々に供給するように構成された制御回路を備える請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１４】
青の波長域内にピーク発光を有する第１の固体発光素子と、シアンの波長域内にピーク発光を有する第２の固体発光素子と、緑の波長域内にピーク発光を有する第３の固体発光素子と、を備える複数の固体発光素子と、
前記複数の固体発光素子の各発光素子を少なくとも部分的に被覆し、黄色の波長域内で光を発光するように配置される第１の波長変換材料と、を備える固体ランプ。
【請求項１５】
前記第１の固体発光素子及び前記第２の固体発光素子のそれぞれが共通の取付部材に取り付けられる請求項１４に記載の固体ランプ。
【請求項１６】
前記第１の波長変換材料が、前記複数の固体発光素子のうち少なくとも１つの発光素子を部分的にのみ被覆する請求項１４または１５に記載の固体ランプ。
【請求項１７】
前記複数の固体発光素子のうちいずれかの固体発光素子を少なくとも部分的に被覆し、赤の波長域内で光を発光するように配置される第２の波長変換材料をさらに備える請求項１４乃至１６に記載の固体ランプ。
【請求項１８】
前記第２の波長変換材料が、前記複数の固体発光素子のうち少なくとも１つの固体発光素子を部分的にのみ被覆する請求項１７に記載の固体ランプ。
【請求項１９】
前記複数の固体発光素子の各固体発光素子に電流を別々に供給するように構成される制御回路を備える請求項１４乃至１８のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも４つの異なる色のピークを可視域において含むスペクトル分布を有する光を発光するように構成される固体ランプであって、
前記少なくとも４つの異なる色のピークのうち第１の色のピークを含む光を発光するように構成される第１の固体発光素子と、
前記少なくとも４つの異なる色のピークのうち第２の色のピークを含む光を発光するように構成される第２の固体発光素子と、
前記第１の固体発光素子を少なくとも部分的に被覆し、前記第２の固体発光素子を被覆しない第１の変換材料と、
前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のそれぞれを少なくとも部分的に被覆する第２の変換材料とを備え、
前記第１の変換材料が、前記第１の発光素子が発した光を吸収し、これに反応して前記少なくとも４つの異なる色のピークのうち第３の色のピークを含む光を再発光するように構成され、
前記第２の変換材料が、前記第１の発光素子および前記第２の発光素子が発した光をいずれも吸収し、これに反応して前記少なくとも４つの異なる色のピークのうち第４の色のピークを含む光を再発光するように構成される固体ランプ。
【請求項２】
前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のそれぞれが共通の取付部材に取り付けられる請求項１に記載の固体ランプ。
【請求項３】
前記第１の変換材料が前記第１の固体発光素子を部分的にのみ被覆する請求項１または２に記載の固体発光素子。
【請求項４】
前記第２の変換材料が、前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のうち少なくとも１つを部分的にのみ被覆する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の固体発光素子。
【請求項５】
前記４つの異なる色のピークのいずれとも異なる第５の色のピークを含む光を発光するように構成される第３の固体発光素子と、
前記第３の固体発光素子を少なくとも部分的に被覆し、前記第１の固体発光素子も前記第２の固体発光素子も被覆しない第３の変換材料とをさらに備え、
前記第３の変換材料が、前記第３の発光素子が発した光を吸収し、これに反応して前記少なくとも４つの異なる色のピークのうち少なくとも３つのピークとは異なる色のピークを含む光を再発光するように構成され、
前記第２の変換材料が前記第１の固体発光素子、前記第２の固体発光素子、および前記第３の固体発光素子のそれぞれを少なくとも部分的に被覆する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項６】
前記第１の色のピークが青色の波長域内にあり、前記第２の色のピークがシアンの波長域内にある請求項１乃至５のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項７】
前記第１の変換材料および前記第２の変換材料がいずれも蛍光体を含む請求項１乃至６のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項８】
演色評価数が少なくとも９０で、少なくとも約６０ルーメン毎ワットの光出力を有する請求項１乃至７のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項９】
複数の異なるスペクトルピークを含むスペクトル分布を有する光を発光するように構成された固体ランプであって、
第１のスペクトルピークを有する光を発光するように構成される第１の固体発光素子と、
第２のスペクトルピークを含む光を発光するように構成される第２の固体発光素子と、
前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のうち少なくとも１つの固体発光素子からの発光を受けるように配置される第１の半導体蛍光体と、
前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のうち少なくとも１つの固体発光素子からの発光を受けるように配置される第２の半導体蛍光体とを備え、
前記第１の半導体蛍光体が、前記発光を少なくとも部分的に吸収し、これに反応して第３のスペクトルピークを有する光を再発光するように構成され、
前記第２の半導体蛍光体が、前記発光を少なくとも部分的に吸収し、これに反応して第４のスペクトルピークを有する光を再発光するように構成され、
前記第１の固体発光素子の第１のスペクトルピーク及び前記第２の固体発光素子の第２のスペクトルピークの少なくとも１つが約４４０〜４９０ｎｍの波長幅にあり、
第１、第２、第３、及び第４のスペクトルピークが互いに異なることを特徴とする固体ランプ。
【請求項１０】
前記第１のスペクトルピーク、前記第２のスペクトルピーク、前記第３のスペクトルピーク、および前記第４のスペクトルピークのそれぞれが可視領域にある請求項９に記載の固体ランプ。
【請求項１１】
前記第１の半導体蛍光体および前記第２の半導体蛍光体がいずれもダイレクトバンドギャップ半導体蛍光体を含む請求項９または１０に記載の固体ランプ。
【請求項１２】
前記第１の半導体蛍光体および前記第２の半導体蛍光体がいずれもその少なくとも一部が前記固体ランプ用の電気接点となる導電性半導体を含む請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１３】
前記第１の半導体蛍光体および前記第２の半導体蛍光体がいずれも量子井戸構造を有する請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１４】
前記第１の半導体蛍光体および前記第２の半導体蛍光体がいずれも前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のうち少なくとも１つに堆積される請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１５】
前記第１の半導体蛍光体および前記第２の半導体蛍光体がいずれも前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子を覆って配置されたレンズの下に堆積される請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１６】
前記第１の半導体蛍光体および前記第２の半導体蛍光体がいずれも前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子をいずれも支持する基板に堆積される請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１７】
前記第１の半導体蛍光体および前記第２の半導体蛍光体がいずれも前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子のいずれとも部分的に重複する請求項９乃至１６のいずれか一項に記載の固体ランプ。
【請求項１８】
前記第１の固体発光素子および前記第２の固体発光素子に駆動電流を別々に供給するように構成された制御回路を備えることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一項に記載に固体ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極を備える半導体素子搭載基板と、
前記半導体素子搭載基板に搭載されて第２の電極を備える半導体素子と、
前記第１の電極と前記第２の電極とを接続するワイヤと、
前記ワイヤの周囲を覆うように設けられる第１の封止材料からなる第１の樹脂硬化体層と、
前記半導体素子と前記第１の樹脂硬化体層とを含む前記半導体素子搭載基板の半導体素子搭載面を樹脂封止する第２の封止材料からなる第２の樹脂硬化体層と、
を有し、
前記半導体素子の一部の表面と前記第２の樹脂硬化体層とが直接接触するように前記第２の樹脂硬化体層を配置し、
前記第２の封止材料の方が前記第１の封止材料よりフィラー充填率が高く、前記第１の封止材料の方が前記第２の封止材料より流動性が高く、前記第２の封止材料の方が前記第１の封止材料より放熱性が高い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の封止材料から前記半導体素子の角部が露出し、露出した面が前記第２の封止材料と接することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の樹脂硬化体層と直接接触する前記半導体素子の一部の表面は前記半導体素子の上面中心部であり、前記上面中心部の周囲に前記第２の電極が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子搭載基板に前記半導体素子を接着させるダイボンドとして前記第１の封止材料を用いることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダイボンドとして用いられる前記第１の封止材料が前記接着される半導体素子からはみ出した状態であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の封止材料の粘度が１．０Ｐａ・ｓ以上３０Ｐａ・ｓ以下であり、前記第２の封止材料の熱伝導率が１．０ｗ／ｍ・ｋ以上５．０ｗ／ｍ・ｋ以下とすることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の封止材料のフィラー充填率が５ｗ％以上４０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の封止材料のフィラー充填率が６０ｗ％以上９５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の電極あるいは前記第２の電極の少なくとも一方が前記第１の封止材料で覆われることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の電極及び前記第２の電極の両方が前記第１の封止材料で覆われることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子搭載基板の前記第２の封止材料が封止される領域内に、前記封止される領域の周囲と、前記半導体装置を中心とした放射状に溝を形成することを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、第１の電極を備える半導体素子搭載基板と、前記半導体素子搭載基板に搭載されて第２の電極を備える半導体素子と、前記第１の電極と前記第２の電極とを接続するワイヤと、前記ワイヤの周囲を覆うように設けられる第１の封止材料からなる第１の樹脂硬化体層と、前記半導体素子と前記第１の樹脂硬化体層とを含む前記半導体素子搭載基板の半導体素子搭載面を樹脂封止する第２の封止材料からなる第２の樹脂硬化体層と、を有し、前記半導体素子の一部の表面と前記第２の樹脂硬化体層とが直接接触するように前記第２の樹脂硬化体層を配置し、前記第２の封止材料の方が前記第１の封止材料よりフィラー充填率が高く、前記第１の封止材料の方が前記第２の封止材料より流動性が高く、前記第２の封止材料の方が前記第１の封止材料より放熱性が高い、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記第２の樹脂硬化体層と直接接触する前記半導体素子の一部の表面は前記半導体素子の上面中心部であり、前記上面中心部の周囲に前記第２の電極が形成されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記第１の封止材料から前記半導体素子の角部が露出し、露出した面が前記第２の封止材料と接することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記半導体素子搭載基板に前記半導体素子を接着させるダイボンドとして前記第１の封止材料を用いることが好ましい。
また、前記ダイボンドとして用いられる前記第１の封止材料が前記接着される半導体素子からはみ出した状態であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体基板の一主面側が樹脂層により被覆され、前記半導体基板の一主面と他の主面の間に位置する側面がスクライブ面となり、前記樹脂層表面にはバンプ電極が形成される半導体装置において、
前記半導体基板の他の主面側は、保護シートにより被覆されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記保護シートから露出する前記スクライブ面には、前記半導体基板の一部及び前記樹脂層の他に前記スクライブ面の位置精度を確認する位置精度確認マークが露出することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
少なくとも前記他の主面側と連続する前記半導体基板の側面の一部が、前記保護シートにより被覆されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の素子形成領域を有し、前記素子形成領域毎にその周囲がスクライブ領域にて囲まれる半導体基板に半導体素子を形成し、前記半導体基板の一主面上に前記半導体素子と電気的に接続する配線層を形成する工程と、
前記半導体基板の一主面上に前記配線層を被覆する樹脂層を形成し、前記配線層上の前記樹脂層に開口領域を形成した後、前記開口領域から露出する前記配線層上にバンプ電極を形成する工程と、
第１のスクライブ幅を有するスクライブブレードにより前記素子形成領域毎に前記半導体基板を個片化し、前記半導体基板の他の主面側に保護テープを貼り合わせ、前記第１のスクライブ幅よりも狭い第２のスクライブ幅を有するスクライブブレードにより前記保護テープを前記素子形成領域毎に切断し、前記素子形成領域毎に前記保護シートが貼り合わせられた半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板の他の主面側に貼り合わせられた保護テープを吸引し、前記半導体装置の前記バンプ電極を実装基板の導電パターン上に固着させる工程とを有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護テープは前記半導体基板よりも広いシート材上に貼り合わせられ、前記第２のスクライブ幅を有するスクライブブレードでは、前記保護シートを切断する際に前記シート材の一部を切断し、
前記保護シートと前記シート材とを剥離し、前記半導体装置に前記保護シートを貼り合わせることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板上に前記素子形成領域から前記スクライブ領域へと位置精度確認マークを形成する工程と、
前記半導体基板のスクライブ領域を前記第１のスクライブ幅を有するスクライブブレードにより切断し、前記個片化された半導体装置のスクライブ面に露出した前記位置精度確認マークを確認し、前記半導体装置のスクライブ面の適否を判定する工程とを有することを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の半導体装置では、少なくとも半導体基板の一主面側が樹脂層により被覆され、前記半導体基板の一主面と他の主面の間に位置する側面がスクライブ面となり、前記樹脂層表面にはバンプ電極が形成される半導体装置において、前記半導体基板の他の主面側は、保護シートにより被覆されることを特徴とする。従って、本発明では、保護シートが緩衝材として機能し、半導体基板が他部材と接触し、欠けることを防止できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、複数の素子形成領域を有し、前記素子形成領域毎にその周囲がスクライブ領域にて囲まれる半導体基板に半導体素子を形成し、前記半導体基板の一主面上に前記半導体素子と電気的に接続する配線層を形成する工程と、前記半導体基板の一主面上に前記配線層を被覆する樹脂層を形成し、前記配線層上の前記樹脂層に開口領域を形成した後、前記開口領域から露出する前記配線層上にバンプ電極を形成する工程と、第１のスクライブ幅を有するスクライブブレードにより前記素子形成領域毎に前記半導体基板を個片化し、前記半導体基板の他の主面側に保護テープを貼り合わせ、前記第１のスクライブ幅よりも狭い第２のスクライブ幅を有するスクライブブレードにより前記保護テープを前記素子形成領域毎に切断し、前記素子形成領域毎に前記保護シートが貼り合わせられた半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする。従って、本発明では、保護シートを半導体基板よりも大きく切断し、半導体基板の裏面側を保護シートで被覆することで、半導体基板の欠けを防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールド作成に用いられることを特徴とする、ネガ型化学増幅レジスト組成物。
【請求項２】
前記モールドが、半導体微細回路形成用途に用いられるモールドであることを特徴とする、請求項１に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
【請求項３】
（Ａ）樹脂、（Ｂ）酸の作用により樹脂（Ａ）を架橋する架橋剤及び（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
【請求項４】
（Ａ）樹脂が、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項３に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
【化１】
2011035173.tif 000001
式（１）中、
Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Ｒは、複数存在する場合は各々独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基を表す。
ａは１〜３の整数を表す。
ｂは０〜（３−a）の整数を表す。
【請求項５】
（Ｂ）架橋剤が、分子内にベンゼン環を有するフェノール化合物であることを特徴とする、請求項３又は４に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて基板上にパターンを形成する工程と、該パターンをマスクとしてエッチング処理を行う工程を有することを特徴とする、モールドの作成方法。
【請求項７】
前記作成方法において、アルカリ現像液を用いて基板上にパターンを形成することを特徴とする、請求項６に記載のモールドの方法。
【請求項８】
前記作成方法において、有機溶剤を含有する現像液を用いて基板上にパターンを形成することを特徴とする、請求項６に記載のモールドの方法。
【請求項９】
前記モールドが、情報記録媒体の作成用途に用いられるモールドであることを特徴とする、請求項１に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
〔１〕
モールド作成に用いられることを特徴とする、ネガ型化学増幅レジスト組成物。
〔２〕
前記モールドが、半導体微細回路形成用途に用いられるモールドであることを特徴とする、〔１〕に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
〔３〕
（Ａ）樹脂、（Ｂ）酸の作用により樹脂（Ａ）を架橋する架橋剤及び（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする、〔１〕又は〔２〕に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
〔４〕
（Ａ）樹脂が、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする、〔３〕に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
【化１】
2011035173.tif 000002
式（１）中、
Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Ｒは、複数存在する場合は各々独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基を表す。
ａは１〜３の整数を表す。
ｂは０〜（３−a）の整数を表す。
〔５〕
（Ｂ）架橋剤が、分子内にベンゼン環を有するフェノール化合物であることを特徴とする、〔３〕又は〔４〕に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
〔６〕
〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて基板上にパターンを形成する工程と、該パターンをマスクとしてエッチング処理を行う工程を有することを特徴とする、モールドの作成方法。
〔７〕
前記作成方法において、アルカリ現像液を用いて基板上にパターンを形成することを特徴とする、〔６〕に記載のモールドの方法。
〔８〕
前記作成方法において、有機溶剤を含有する現像液を用いて基板上にパターンを形成することを特徴とする、〔６〕に記載のモールドの方法。
〔９〕
前記モールドが、情報記録媒体の作成用途に用いられるモールドであることを特徴とする、〔１〕に記載のネガ型化学増幅レジスト組成物。
本発明は、上記〔１〕〜〔９〕に係る発明であるが、以下、それ以外の事項（例えば、下記（１）〜（９））についても記載している。
（１）モールド作成に用いられることを特徴とする、ネガ型化学増幅レジスト組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月22日(2012.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮基板の上に分離できる状態で樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層をレーザで貫通加工することにより、前記仮基板に到達するビアホールを形成する工程と、
前記樹脂層上及び前記ビアホールの内面にシード層を形成する工程と、
前記シード層と、前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきで形成される金属めっき層とを利用することにより、前記ビアホールに充填される配線層を得る工程と、
前記仮基板と前記樹脂層とを分離することにより、前記樹脂層の露出面に前記ビアホールの底部の前記配線層を露出させる工程と、
前記ビアホールの底部の前記配線層上の樹脂スミアを除去する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線層を得る工程は、
前記シード層の上に、前記配線層が配置される部分に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、
前記ビアホール内及び前記めっきレジストの開口部に前記金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂層を形成する工程は、
前記樹脂層の上に、開口部が設けられた永久レジストを形成することを含み、
前記ビアホールを形成する工程において、
前記永久レジスト及び前記樹脂層を貫通する前記ビアホールを形成し、
前記シード層を形成する工程において、
前記シード層が前記永久レジストの上にさらに形成され、
前記配線層を得る工程は、
前記ビアホール内及び前記永久レジストの開口部を埋め込むように前記金属めっき層を形成する工程と、
前記金属めっき層及びシード層を前記永久レジストが露出するまで研磨することにより、前記ビアホール内及び前記永久レジストの開口部に前記配線層を得る工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線層を得る工程の後であって、前記仮基板と前記樹脂層とを分離する工程の前に、
前記配線層の上にそれに電気接続されるｎ層（ｎは１以上の整数）の上側配線層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂スミアを除去する工程で露出する前記ビアホールの底部の前記配線層が、半導体チップが接続されるチップ用接続部となることを特徴とする請求項1乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記上側配線層は、前記ビアホールに接続される前記配線層より配線ピッチが広く設定されることを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記仮基板の両面側に前記樹脂層及び前記配線層が形成され、両面側の前記樹脂層が前記仮基板から分離されて前記樹脂スミアがそれぞれ除去されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
配線基板の表面となる一方の面と、その反対側の他方の面とを有する樹脂層と、
前記樹脂層の一方の面から他方の面に貫通するビアホールと、
前記樹脂層の他方の面から前記ビアホール内にかけて一体に形成されると共に、前記樹脂層に接するシード層と、前記シード層の上に形成されて前記ビアホールを充填する金属めっき層とから形成される配線層とを有し、
前記樹脂層の一方の面から前記ビアホールの開口部の前記配線層が露出し、前記金属めっき層の露出面に接続部が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
前記ビアホールは、前記樹脂層の他方の面から一方の面にかけて径が小さくなるテーパー形状で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記樹脂層の他方の面上に、前記ビアホールに連通する開口部を備えた永久レジストを有し、
前記ビアホールが前記樹脂層と前記永久レジストとを貫通して設けられ、
前記配線層が、前記ビアホール及び前記永久レジスト層の開口部を充填する前記金属めっき層から形成されることを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記樹脂層の他方の面側の前記配線層の上に、他の樹脂層と、前記配線層に接続される他の配線層とが形成されていることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板の製造方法に係り、仮基板の上に分離できる状態で樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層をレーザで貫通加工することにより、前記仮基板に到達するビアホールを形成する工程と、前記樹脂層上及び前記ビアホールの内面にシード層を形成する工程と、前記シード層と、前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきで形成される金属めっき層とを利用することにより、前記ビアホールに充填される配線層を得る工程と、前記仮基板と前記樹脂層とを分離することにより、前記樹脂層の露出面に前記ビアホールの底部の前記配線層を露出させる工程と、前記ビアホールの底部の前記配線層上の樹脂スミアを除去する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このマーカ処理ステップの送信データは、ボックスカーソルＢの表示位置データを含み、図２のステップＳ２７にて送信処理をしたとすると、この表示位置データはテレビカメラ１の無線Ｉ／Ｆ部１０５で受信され、ビューファインダ（ＶＦ）１０２に一定時間表示される。表示位置データがテレビカメラ１に一定時間表示されると同時に、この表示位置データがテレビカメラ１から送信され、収録映像指示装置２の無線Ｉ／Ｆ部２０６にて受信されて表示部２００に表示され、テレビカメラ１側での指示データの内容を収録映像指示装置２で確認することができる。