【事件の表示】
　特願２００３−４１９６００「設計パターン補正方法、半導体装置の製造方法、設計パターン補正システム、及び設計パターン補正プログラム」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月　７日出願公開、特開２００５−１８１５２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１２月１７日の出願であって、平成２０年５月１５日付けで通知された拒絶理由に対し、同年７月２２日に手続補正書が提出されたが、同年８月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月９日付けで審判請求がされるとともに、同年１１月１０日付けで手続補正書が提出され、その後、当審から送付した審尋に対し、平成２１年１０月２２日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成２０年１１月１０日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年１１月１０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正事項
　平成２０年１１月１０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１については、本件補正前の平成２０年７月２２日付け手続補正書により補正された、
 　
「【請求項１】
　半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して設計パターンを補正する方法であって、
　第１の設計パターンに基づく第１のレイヤーの仕上がり平面形状である第１の平面形状を算出する工程と、
　第２の設計パターンに基づく第２のレイヤーの仕上がり平面形状である第２の平面形状を算出する工程と、
　第１の平面形状と第２の平面形状との演算処理により第３の平面形状を算出する工程と、
　第３の平面形状から得られる評価量が所定値を満たすか否かを判定する工程と、
　前記判定工程により前記評価量が所定値を満たさないと判定された場合に、第１及び第２の設計パターンの少なくとも一方を修正する工程と、
　を含むことを特徴とする設計パターン補正方法。」
　
から、
　
「【請求項１】
　半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して設計パターンを補正する方法であって、
　第１の設計パターンに基づくメタル配線の仕上がり平面形状である第１の平面形状を算出する工程と、
　第２の設計パターンに基づくコンタクトホールの仕上がり平面形状である第２の平面形状を算出する工程と、
　第１の平面形状と、第１の平面形状に対する第２の平面形状の合わせずれ量を半径とする円の周方向に沿って第２の平面形状を移動させたときのリング状パターンとのＡＮＤ領域を算出する工程と、
　前記ＡＮＤ領域の面積が所定値を満たすか否かを判定する工程と、
　前記判定工程により前記ＡＮＤ領域の面積が所定値を満たさないと判定された場合に、第１及び第２の設計パターンの少なくとも一方を修正する工程と、
　を含むことを特徴とする設計パターン補正方法。」
　
に補正された。
　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するための事項である「第１のレイヤー」及び「第２のレイヤー」を、それぞれ「メタル配線」及び「コンタクトホール」であると実質的に限定し、同じく請求項１に記載した発明を特定するための事項である（第１の平面形状と第２の平面形状との）「演算処理」により「算出」された「第３の平面形状」を、（第１の平面形状と、）「第１の平面形状に対する」（第２の平面形状）「の合わせずれ量を半径とする円の周方向に沿って第２の平面形状を移動させたときのリング状パターンとのＡＮＤ領域」と補正して、「演算処理」による「算出」が、論理演算をしたときの「ＡＮＤ」演算処理による算出であるという限定を付加し、「第３の平面形状」が、「第１の平面形状と、第１の平面形状に対する第２の平面形状の合わせずれ量を半径とする円の周方向に沿って第２の平面形状を移動させたときのリング状パターンとのＡＮＤ領域」であるという限定をしたものであるから、これらの補正事項は、全体として平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　
　本願の出願前に頒布された特開２００３−４３６６６号公報（原査定の拒絶理由通知書における引用文献１、以下、「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与）。
　
（１ａ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、互いに重なり合う複数の設計パターンを有する回路設計パターンの評価方法、特に、近接効果補正を確実に行なえるようにするための回路設計パターンの評価方法に関する
【０００２】
【従来の技術】近年、
半導体を用いた大規模集積回路装置（以下、ＬＳＩと称する）の寸法の微細化に伴って、ＬＳＩ製造工程の１つであるリソグラフィ工程においては、光近接効果の影響により、レチクル上にマスクパターンとして設けられる設計パターンの寸法（つまり設計寸法）と、該設計パターンがレジスト等の被露光材料上に転写されてなる転写パターンの寸法（つまり加工寸法）との間の誤差が無視できなくなってきている。それに対して、設計寸法と加工寸法との間の誤差を低減するために、マスクパターンに微小な変形を加える技術である近接効果補正（Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）が用いられる
　
（１ｂ）「【００３２】（中略）
また、実用上問題となる位置関係にある転写パターンのみを抽出できると共に該位置関係の人間による評価も極めて容易に行なえるので、設計パターン又はＯＰＣ仕様の不具合を効率よく検出することができる
　
（１ｃ）「【００５６】
次に、図３（ｂ）に示すように、配線設計パターン２１Ａ及び接続孔設計パターン２２Ａのそれぞれと対応する配線マスクパターン２１Ｂ及び接続孔マスクパターン２２Ｂを作成すると共に、配線マスクパターン２１Ｂ及び接続孔マスクパターン２２Ｂに対してＯＰＣを行なう。すなわち、配線マスクパターン２１Ｂ及び接続孔マスクパターン２２Ｂは、それぞれと対応するＯＰＣ仕様に基づいて変形されている
【００５７】次に、配線マスクパターン２１Ｂ及び接続孔マスクパターン２２Ｂに対して露光条件を設定してリソグラフィ形状シミュレーションを行ない、それによって、
図３（ｃ）に示すように、配線設計パターン２１Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像２１Ｃ、及び接続孔設計パターン２２Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像２２Ｃを作成する。
　
（１ｄ）「【００５８】ここで、通常、シミュレーション像２１Ｃ及び２２Ｃは、転写パターンのアウトラインのみを示すシミュレーションデータであるので、
シミュレーション像２１Ｃ及び２２Ｃを、図３（ｄ）に示すように、コンピュータ上で図形演算可能な配線図形２１Ｄ及び接続孔図形２２Ｄに変換する。
接続孔図形２２Ｄ、つまり接続孔転写パターン形状を表すデータについて、該形状が等方的に拡大された形状を表すデータ、つまり接続孔拡大図形２３Ｄを作成する。
接続孔図形２２Ｄ（接続孔転写パターン形状）を、配線転写パターンと接続孔転写パターンとの間のアライメントマージンＱだけ拡大して接続孔拡大図形２３Ｄ（接続孔転写パターン形状の拡大形状）を作成する。そして、配線図形２１Ｄと接続孔拡大図形２３Ｄとが重なる部分を抽出して、該部分の面積ＴＤを算出する
【００５９】（略）
【００６０】ところで、
接続孔拡大図形２３Ｄは、配線転写パターンを基準として接続孔転写パターンにアライメントずれが生じた場合における接続孔転写パターンが形成される可能性のある領域を示している。従って、重なり面積ＴＤ（配線転写パターン形状と、接続孔転写パターン形状の拡大形状とが重なる部分の面積）の大小は、アライメントずれが生じた場合に配線と接続孔に形成されるプラグとの間で導通が取れる確率の高低を表すことになる。
重なり面積ＴＤに対して規格を設定して、算出された重なり面積ＴＤが該規格を下回る場合があるかどうかを検出することによって、回路設計パターンにアライメントずれに対する余裕度があるかどうかを検証できる。これにより、マスクパターンに施されるＯＰＣ仕様、又はＯＰＣ処理アルゴリズム等が適切であるかどうかを評価でき、例えばＯＰＣ仕様が不適切である場合、ＯＰＣ仕様の見直しを行なう
　
（１ｅ）図３は以下のとおりのものである。
　
　【図３】
　
　これらの記載から、引用刊行物には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体を用いた大規模集積回路装置（ＬＳＩ）製造工程における、互いに重なり合う複数の回路設計パターンに関して、アライメントマージンを考慮して回路設計パターンを評価及び補正する方法において、
　配線設計パターン２１Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像２１Ｃを作成して、該シミュレーション像２１Ｃをコンピュータ上で図形演算可能な配線図形２１Ｄに変換する工程と、
　接続孔設計パターン２２Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像２２Ｃを作成して、該シミュレーション像２２Ｃをコンピュータ上で図形演算可能な配線図形２２Ｄにする工程と、
　配線転写パターンを基準として、接続孔転写パターンにアライメントずれが生じた場合における接続孔転写パターンが形成される可能性のある領域である接続孔拡大図形２３Ｄを作成し、配線図形２１Ｄと接続孔拡大図形２３Ｄとが重なる部分を抽出して、該部分の重なり面積ＴＤを算出する工程と、
　前記重なり面積ＴＤに対して規格を設定して、算出された重なり面積ＴＤが該規格を下回ることがあるかどうかを検出する工程と、
　前記検出する工程により前記重なり面積ＴＤが該規格を下回る場合には、近接効果補正（ＯＰＣ）仕様の見直しを行う工程
　を含む方法。」
　
（３）対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の
「半導体を用いた大規模集積回路装置（ＬＳＩ）」、
「回路設計パターン」、
「配線設計パターン２１Ａと対応する転写パターン」、
「接続孔設計パターン２２Ａと対応する転写パターン」、
「重なり面積ＴＤを算出する」、
「重なり面積ＴＤに対して規格を設定して、算出された重なり面積ＴＤが該規格を下回ることがあるかどうかを検出」、
「方法」（「回路設計パターンを評価及び補正する方法」）
　
は、それぞれ、本願補正発明の
「半導体集積回路」、
「設計パターン」、
「第１の設計パターンに基づくメタル配線」、
「第２の設計パターンに基づくコンタクトホール」、
「ＡＮＤ領域を算出する」、
「ＡＮＤ領域の面積が所定値を（満たすか）満たさないかを判定」
「設計パターン補正方法」
　
に相当する。
　
　また、引用発明の「配線転写パターンを基準として、・・・該部分の重なり面積ＴＤを算出する」の箇所を考慮すると、引用発明の「互いに重なり合う複数の設計パターン」は、本願補正発明の「複数レイヤー」に相当し、引用発明において、配線転写パターンと接続孔転写パターンとのずれをアライメントずれとし、かかるずれの範囲をアライメントマージンとしていることを考慮すると、引用発明の「互いに重なり合う複数の設計パターン」を有するものにおける「アライメントマージン」は、本願補正発明の「複数レイヤー間のプロセスマージン」に相当する。
　さらに、引用発明においては、配線設計パターン２１Ａと対応する転写パターンから、シミュレーション像２１Ｃを作成して、その後シミュレーション像２１Ｃをコンピュータ上で図形演算可能な配線図形２１Ｄに変換しているのであるから、引用発明において最終的に得られた「配線図形２１Ｄ」は、コンピュータ上で演算を行う上では、最終的に目的とする図形であるといえるため、本願補正発明の「仕上がり平面形状である第１の平面形状」に相当するといえる。
　同様に、引用発明の「配線図形２２Ｄ」は、本願補正発明の「仕上がり平面形状である第２の平面形状」に相当するといえる。
　また、引用発明の「接続孔転写パターンにアライメントずれが生じた場合における接続孔転写パターンが形成される可能性のある領域である接続孔拡大図形２３Ｄ」と、本願補正発明の「第１の平面形状に対する第２の平面形状の合わせずれ量を半径とする円の周方向に沿って第２の平面形状を移動させたときのリング状パターン」は、第２の平面形状が移動する領域のすべてか、そのうちの一部であるかの違いはあるものの、いずれも「第２の平面形状が移動する領域」という点で共通している。
　さらに、引用発明の「近接効果補正（ＯＰＣ）仕様の見直し」と、本願補正発明の「第１及び第２の設計パターンの少なくとも一方を修正」することは、いずれも何らかの「修正を行う」というという点で共通している。
　
　以上のことを踏まえると、両者は、
「半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して設計パターンを補正する方法であって、
　第１の設計パターンに基づくメタル配線の仕上がり平面形状である第１の平面形状を算出する工程と、
　第２の設計パターンに基づくコンタクトホールの仕上がり平面形状である第２の平面形状を算出する工程と、
　第１の平面形状と、第２の平面形状が移動する領域とのＡＮＤ領域を算出する工程と、
　前記ＡＮＤ領域の面積が所定値を満たすか否かを判定する工程と、
　前記判定工程により前記ＡＮＤ領域の面積が所定値を満たさないと判定された場合に、修正を行う工程と、
　を含む設計パターン補正方法。」
の点で一致し、
　
以下の点で相違する。
　
・相違点１
　第２の平面形状が移動する領域として、本願補正発明では、「第１の平面形状に対する第２の平面形状の合わせずれ量を半径とする円の周方向に沿って第２の平面形状を移動させたときのリング状パターン」を用いているのに対し、引用発明では「配線転写パターンを基準として、接続孔転写パターンにアライメントずれが生じた場合における接続孔転写パターンが形成される可能性のある領域である接続孔拡大図形」を用いている点。
　
・相違点２
　判定工程により前記ＡＮＤ領域の面積が所定値を満たさないと判定された場合に行う修正として、本願補正発明では「第１及び第２の設計パターンの少なくとも一方を修正」しているのに対し、引用発明では「ＯＰＣ仕様の見直し」を行っている点。
　
　上記相違点について検討する。
　
・相違点１について
　引用発明における、接続孔転写パターンにアライメントずれが生じた場合における接続孔転写パターンが形成される可能性のある領域である接続孔拡大図形は、配線転写パターンと接続孔転写パターンとの間にずれが生じた場合の接続孔転写パターンが形成される可能性のある領域であるから、その領域の最外周は、ずれの方向を変化させて、最大ずれ量となった場合の外周面を結んだものになるのであるから、本願補正発明の、第１の平面形状に対する第２の平面形状の合わせずれ量を半径とする円の周方向に沿って第２の平面形状を移動させたときのリング状パターンの最外周面と等しくなることは自明である。
　してみると、本願補正発明の「第１の平面形状に対する第２の平面形状の合わせずれ量を半径とする円の周方向に沿って第２の平面形状を移動させたときのリング状パターン」と、引用発明の「配線転写パターンを基準として、接続孔転写パターンにアライメントずれが生じた場合における接続孔転写パターンが形成される可能性のある領域である接続孔拡大図形」は、いずれも両者の間にずれが生じた場合のずれの最大値を結んで得られた領域において、引用発明においては、かかる領域の全体を用い、本願補正発明では、かかる領域のうち、最外周面に近い部分のリング状の部分を用いているにすぎない。
　ここで、これらの領域を算出して用いる意味について考慮すると、本願の明細書段落【００１９】に「ところが、実際には、Ｍ１−ＣＳ間に重ね合わせずれが発生するため、図３に示すように、Ｍ１仕上がり平面形状（第１の平面形状）とＣＳ仕上がり平面形状（第２の平面形状）との位置関係がずれてしまう。この場合でも、確実にＡＮＤ領域が一定面積以上確保されていることが必須であり、面積が確保されないと設計パターン（デザインルール）、若しくはマスクパターンの修正を行う必要がある。これらのパターン修正は、ＡＮＤ領域の面積が増加するように修正が行われる。」と、記載されているように、第１の平面形状と第２の平面形状の両者のＡＮＤ領域が一定面積以上確保されているかどうかを確認し、確保されていない場合にマスクパターンの修正を行うためであることが理解できる。
　してみると、ずれの最大領域がどの範囲にまで及んでいるかということを考慮することこそが重要であり、引用発明のように、その領域全体を用いるか、本願補正発明のように、その領域の中で最外周面に近い部分のリング状の部分のみを用いるかは、当業者が適宜設定しうることにすぎない。
　
　なお、審判請求人は、この相違点１に関して、当審からの審尋に対する、平成２１年１０月２２日付けの回答書において、以下のような主張をしている。
「　実際のコンタクト領域（ＡＮＤ領域）は、コンタクトパターンのサイズよりも大きくなることはありません。従って、合わせずれを評価する際には、できるだけコンタクトパターンのサイズと同程度のサイズで評価すべきです。つまり、コンタクト領域の導通確保を評価するに当たって、コンタクトパターンサイズ以上の大きさの面積をもって評価するのは、正確な検証が困難です。 
　ここで、本願のリング状パターンは、合わせずれが等方的に起こったときのパターン形状であり、合わせずれが起こらなかったときの図形は排除しています。従って、引用文献１の拡大円形の場合よりもＡＭＤ領域が小さくなり、即ちコンタクトパターンのサイズに近くなります。このため、合わせずれによる影響の評価を引例に比べて正確に実施できるものとなります。より具体的には、本願の図８(5) と引用文献１の図３（ｅ）を比較すると分かるように、合わせずれによるＡＮＤ領域の面積変化率は、本願の方が大きくなり、合わせずれの影響を敏感に表現することができます。従って、本願の方が合わせずれの検証精度が高くなると言えます。」
　
　しかしながら、上記相違点１の検討から明らかなように、領域を作成する目的に鑑みると、両者のいずれを用いるかは適宜選択しうることにすぎず、また精度の点についても、良否の判断のための基準値を適宜設定することによって対応できることにすぎないのであるから、上記審判請求人の主張は採用できない。
　
・相違点２について
　本願の明細書の段落【０００３】〜【０００６】に記載されているように、ＯＰＣ処理は、設計パターンと実際に得られるマスクパターンとの差を修正するために行うものであり、その目的とするところは、所望のマスクパターンを得るようにするところにある。また、ＯＰＣ処理により、設計レイアウトパターンを変形させることは、特開２００２−１０７９０２号公報の段落【０００４】、特開２００３−２０３８４９号公報の段落【００１２】等にも記載されていることから、かかる事項は本願出願前に周知の事項であるといえる。
　してみると、修正の手法として、当初の設計パターンはそのままにしておいてＯＰＣ処理に修正を加えるか、設計パターン自体に修正を加えるかは、最終的に所望のマスクパターンを得るために、いかなる箇所に修正を加えるかの違いにすぎず、両者は適宜選択しうることである。
　
　効果の点についても、本願補正発明の効果は、引用発明及び周知技術から予測し得る程度のものにすぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　平成２０年１１月１０日付けの手続補正は上述のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、本件補正前の平成２０年７月２２日付け手続補正書により補正された、特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
 　
「【請求項１】
　半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して設計パターンを補正する方法であって、
　第１の設計パターンに基づく第１のレイヤーの仕上がり平面形状である第１の平面形状を算出する工程と、
　第２の設計パターンに基づく第２のレイヤーの仕上がり平面形状である第２の平面形状を算出する工程と、
　第１の平面形状と第２の平面形状との演算処理により第３の平面形状を算出する工程と、
　第３の平面形状から得られる評価量が所定値を満たすか否かを判定する工程と、
　前記判定工程により前記評価量が所定値を満たさないと判定された場合に、第１及び第２の設計パターンの少なくとも一方を修正する工程と、
　を含むことを特徴とする設計パターン補正方法。」
　
（２）引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−４３６６６号公報の記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「第１のレイヤー」及び「第２のレイヤー」への実質的な限定を省き、「第３の平面形状」に対して付加されていた限定を省いたものである。
　してみると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（３）に記載したとおり、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願は、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。