【事件の表示】
　特願２００７−２８８６１３「積層型光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　３月１３日出願公開、特開２００８−　６０６０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１５年７月２４日に出願した特願２００３−２７９４９３号（以下「原出願」という。）の一部を平成１９年１１月６日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年５月９日付けで手続補正がなされ、同年６月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２３日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２０年５月９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置であって、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、ｎ型のシリコン複合層、および第二の光電変換ユニットにより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層は、シリコンと酸素との非晶質合金母相中に分散したシリコン結晶相を含み、４０原子％以上６０原子％以下の膜中酸素濃度を含んでいて６００ｎｍの波長の光に対して１．７以上２.１以下の屈折率を有するとともに、２０ｎｍより大きく１３０ｎｍより小さい厚さを有することを特徴とする積層型光電変換装置。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用例
　原出願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願２００２−５７８７５号（以下「先願」という。特開２００３−２５８２７９号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性なｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層したｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、
前記低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とすることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
【請求項２】  請求項１に記載の多接合型薄膜太陽電池において、前記シリコンオキサイド半導体層は、微結晶シリコン（μc-Si）の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の２フェーズからなる半導体層とし、かつこのシリコンオキサイド半導体層内の酸素原子の割合は、５〜５０原子％とすることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。」
　
（２）「【０００２】
【従来の技術】非単結晶膜を用いた光電変換装置、特にシリコン系の非単結晶薄膜であるアモルファス（非晶質）シリコン（a-Si）、およびアモルファス（非晶質）シリコンゲルマニウム（a-SiGe）等の薄膜を、プラズマ放電によって形成した薄膜光電変換装置は、単結晶シリコンデバイスと比較して、大面積に、低温で、安価に作製できることから、電力用の大面積薄膜太陽電池等への適用において特に期待されている。
【０００３】しかしながら、このa-Siやa-SiGe太陽電池は、単結晶Siや多結晶Si等のバルク結晶型太陽電池に比べて変換効率が低く、さらには、固有の問題として光照射によって変換効率が１〜３割程度低下する光劣化という問題を抱えている。これらの問題を解決して高効率、高信頼性を実現する方法として複数のpin型セルを積層してマルチ接合化したもの、即ち、多接合型薄膜太陽電池が知られている。
【０００４】これは、ｐ，ｉ，ｎ型の半導体層から成る光電変換層を、基板上に複数積層したもので、光入射側に、相対的に光学的禁制帯幅（以下、光学的バンドギャップともいう。）の大きい非晶質シリコンを用い、光入射側から遠い光電変換層に、光学的バンドギャップの小さい非晶質シリコンゲルマニウムを用いて、非晶質シリコンでは吸収され難い赤外線領域の光も効率よく吸収して、変換効率の向上を図るものである。・・・
【０００５】・・・さらに、前記a-SiGeや薄膜多結晶シリコンあるいは薄膜微結晶シリコン（μc-Si）等のナローギャップ（光学的バンドギャップの小さい）材料をｉ層に用いたセルをボトムあるいはミドルセルとして組み合わせればa-Siセルでは用いることができなかった波長800nm以上の赤外光も吸収することが可能となり、高効率化が達成できる。これらはすべてa-Siと同様にプラズマＣＶＤ法で製膜することができる。
【０００６】これらのナローギャップ材料を用いると、光入射側の上側セル（以下、トップセルともいう。）と反入射側の下側セル（以下、ボトムセルともいう。）とを合わせて２０〜２８mA/cm2程度の短絡電流（Jsc）が得られるが、トップセルは、ほぼその半分の１０〜１４mA/cm2のJsc を受け持つことになる。しかしながら、トップセルでは、反射光の効果を殆ど期待できないので、膜厚を２００〜３００nmと厚くする必要があり、このため、曲線因子（FF）が低下し、光劣化率が高くなるという特性面の問題、および材料コストが嵩むというコスト上の問題があった。
【０００７】このうち特性上の問題を解決する手段としては、ミラー層と称する低屈折率の金属酸化物をトップセルとボトムセル間のｎ／ｐ接合部に挟み、屈折率の差を利用して、故意にある程度の光をミラー層で反射させて、トップセルの短絡電流を増加させる技術がニューシャテル大のフィッシャーらによって提案されている（25th IEEE PVSC 1053 〜1056頁参照）。
【０００８】また、本件出願人の関係会社である出願人により、100℃以下の低温においてｎ型の微結晶シリコンを製膜して屈折率を２．５〜３以下とし、この低屈折率層のミラー効果により変換効率（Eff）の向上を図った多接合型薄膜太陽電池の発明に関する出願を行なっている（特願２０００−２５８５１１号参照）。
・・・
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記特願２０００−２５８５１１号に記載された、100℃以下の低温においてｎ型の微結晶シリコンを形成する場合、200℃以上の基板を100℃以下に冷却する必要があるために、製造時間が長時間となり量産に適さない問題があった。・・・さらにまた、屈折率としても２．５未満を実現することはできず、変換効率（Eff）などの太陽電池の特性向上には限界があることが判明した。
【００１１】また、前記フィッシャーらによって提案されたミラー層としての金属酸化物層は、スパッタリングや蒸着により形成されるため、半導体層を形成するプラズマＣＶＤ装置に組み込むことは、困難であり、２台の製膜装置を必要とする。さらに、ボトムセル製膜とミラー層製膜との間、ならびに、ミラー層製膜とトップセル製膜との間で、一部製膜された基板を大気に晒すこととなり、不純物の取り込みやピンホールの発生等の問題があった。
【００１２】この発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、本発明の課題は、不純物の取り込みやピンホールの発生が無く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供することにある。」
　
（３）「【００１５】上記のように、低屈折率の半導体層を設けることにより、その層がミラー層と同じ役割を果たし、光を反射させて、上側セルの短絡電流を増大させる。しかも、他の半導体層と同じプラズマＣＶＤ装置で製膜できるので、金属酸化物のミラー層の形成のように、製膜装置から基板を取り出し大気に晒されることが無くなるので、不純物の取り込みやピンホールの発生が無くなり、変換効率が高くかつ製造が容易な多接合型薄膜太陽電池が提供できる。
【００１６】シリコンの屈折率は約３．５であり、微結晶シリコン薄膜、アモルファスシリコン薄膜の屈折率もほぼ似た値である。従って、屈折率が３を越えたμc-Si層では、光を反射させる効果が少なくなる。従来の低温処理した微結晶シリコン薄膜では、屈折率が２．５未満のｎ型のμc-Si層を製膜することは困難であったが、シリコンオキサイド半導体では、良好な電気伝導率を維持しながら屈折率を２．５未満に低下させることが可能である。
【００１７】上記請求項１の発明の実施態様としては、下記請求項１ないし４の発明が好適である。即ち、請求項１に記載の多接合型薄膜太陽電池において、前記シリコンオキサイド半導体層は、微結晶シリコン（μc-Si）の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の２フェーズからなる半導体層とし、かつこのシリコンオキサイド半導体層内の酸素原子の割合は、５〜５０原子％とする（請求項２の発明）。上記により、詳細は後述するように、低屈折率層の屈折率を、２〜３とすることができる。
・・・
【００２１】さらに、前記請求項５に記載の製造方法において、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層は、基板温度を１００℃以下として形成する（請求項６の発明）。この場合、基板温度を低下させる時間が余分に必要となるが、低屈折率層の屈折率を２．２以下のより低い値とすることが可能となる。」
　
（４）「【００２３】図１は、この発明の実施例に関わる多接合型薄膜太陽電池の模式的断面構造を示し、ボトムセルにa-SiGeセルを適用した面積１cm2 のa-Si/a-SiGe 太陽電池の実施例を示す。図１の太陽電池の各層の構成と製造プロセスの具体例につき、以下に述べる。
【００２４】図１に示す薄膜太陽電池は、ガラス基板１上に金属電極層２として銀（Ａｇ）/ZnO積層薄膜が設けられている。その金属電極層２上に、a-Siのボトムｎ層３、a-SiGeのボトムｉ層４、膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体からなるボトムｐ層５、μc-Siの第一トップｎ層６、アモルファス酸化シリコン（a-SiO）の第二トップｎ層７、a-Siのトップｉ層８、a-SiOのトップｐ／ｉ界面層９、a-SiOのトップｐ層１０が積層され、そのトップｐ層１０の表面に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の透明電極層１１が設けられている。
【００２５】以下に試作セルの製造工程を説明する。・・・
・・・
【００２７】次に基板温度を１３０〜１７０℃として、SiH4を主ガス、これにCO2および、ジボラン（B2H6 ）をドーピングガス、水素（H2）を希釈ガスとして、膜厚１０〜２０nmの膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体のボトムｐ層５を製膜した。酸素を３０％含むシリコンオキサイド半導体の場合、屈折率が２．４となり、良好なミラー層としての性能を示した。このときの水素希釈度（H2/SiH4 ）は１００〜３００倍とし、ドーピング量は、B2H6/SiH4 ＝０．１〜１％とした。
【００２８】なお、ボトムｐ層５を二層構造として、ｐ型のアモルファスシリコンオキサイド（a-SiO:H）をまず形成し、その後に、膜厚１０〜２０nmの膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体を形成しても良い。」
　
（５）「【００４０】なお、本実施例では屈折率２．４のシリコンオキサイド半導体を適用した場合について述べたが、屈折率３以下の膜を適用することで、ミラー効果が得られることが確認できている。上記に関わり、シリコンオキサイド半導体と屈折率との関係を調べるために行なった実験結果について、以下に述べる。
【００４１】図６は、水素希釈度（H2/SiH4 ）２００倍、基板温度160℃で製膜した微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体層の膜中酸素原子％と屈折率との関係を示す。酸素原子％は、図６の横軸にＯ／（Ｏ＋Ｓｉ）％として示し、屈折率ｎは縦軸に示す。
【００４２】図６の結果によれば、酸素原子％が増加するに従い屈折率ｎは減少する。酸素原子％が５０％を超えても屈折率は減少を続けるが、導電率が10-6 S/cm以下となり、デバイス特性に不具合を生じることも、別途確認されており、屈折率ｎを３以下とする場合、酸素原子％は、５〜５０％が好ましい。また、基板温度を１００℃に低下させると、酸素原子％が５０％で，屈折率ｎが２．２となることが確認された。基板温度を低下させる程、屈折率はより低下可能であるが、この場合、基板温度を低下させる時間が余分に必要となるので、要請に応じて、低屈折率層製膜時の適切な基板温度を決めればよい。」
　
（６）したがって、上記記載事項を総合すると、先願明細書には次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性なｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層したｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、
前記低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とし、
前記シリコンオキサイド半導体層は、微結晶シリコン（μc-Si）の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の２フェーズからなる半導体層とし、
かつこのシリコンオキサイド半導体層内の酸素原子の割合は５〜５０原子％とし、
前記低屈折率層の屈折率を２．２以下のより低い値とする、多接合型薄膜太陽電池。」
　
４　対比
　本願発明と先願発明とを対比する。
　
（１）先願発明の「多接合型薄膜太陽電池」は、「ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性なｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層したｐｉｎ型セルを複数層積層してな」るものであるから、本願発明の「積層型光電変換装置」に相当し、先願発明は、本願発明の「ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置」との特定事項を備える。
　
（２）先願発明の「シリコンオキサイド半導体層」は、「微結晶シリコン（μc-Si）の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の２フェーズからなる半導体層」であるから、本願発明の「シリコン複合層」に相当し、先願発明は、本願発明の「前記シリコン複合層は、シリコンと酸素との非晶質合金母相中に分散したシリコン結晶相を含み」との特定事項を備える。
　また、先願発明は、「光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前記
ｎ層
　
（３）先願発明は、「シリコンオキサイド半導体層内の酸素原子の割合は５〜５０原子％とし」とされているので、本願発明におけるシリコン複合層が「４０原子％以上６０原子％以下の膜中酸素濃度を含んでいて」との発明特定事項と、４０原子％以上５０原子％以下の膜中酸素濃度を含んでいる点で一致する。
　
　したがって、両者は、　  
「ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置であって、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、ｎ型のシリコン複合層、および第二の光電変換ユニットにより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層は、シリコンと酸素との非晶質合金母相中に分散したシリコン結晶相を含み、４０原子％以上５０原子％以下の膜中酸素濃度を含んでいる、積層型光電変換装置。」
である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
相違点
［相違点１］
　シリコン複合層が、本願発明では、「６００ｎｍの波長の光に対して１．７以上２.１以下の屈折率を有する」のに対し、先願発明では、６００ｎｍの波長の光に対する屈折率が不明である点。
　
［相違点２］
　シリコン複合層が、本願発明では、「２０ｎｍより大きく１３０ｎｍより小さい厚さを有する」のに対し、先願発明では、その厚さが不明である点。
 　
５　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）［相違点１］について
ア　本願明細書には、シリコン複合層が「６００ｎｍの波長の光に対して１．７以上２.１以下の屈折率を有する」ことについて、以下の記載がある。
　
「【００４３】
　上記のシリコン複合層は、反射効果を十分得るために、６００ｎｍの波長の光に対する屈折率が、１．７以上２．１以下であり、１．８以上２．１以下であることが好ましい。また、シリコン複合層は、低い屈折率を実現するために、膜中酸素濃度が、４０原子％以上６０原子％以下であり、４０原子％以上５５原子％以下であることが好ましい。」、
「【００５６】
・・・図１からわかるように、本発明者らは詳細な実験の結果、シリコン複合層において、１．７〜２．５の低い屈折率と、１０-8〜１０-1Ｓ／ｃｍ高い暗導電率を同時に実現できることを見出した。６００ｎｍの波長に対する非晶質シリコンあるいは結晶質シリコンの屈折率は約４なので、シリコン複合層との屈折率の差は大きく、十分な反射効果が得られる。・・・」、
「【００６１】
  シリコン複合層の暗導電率は、膜中酸素濃度、膜中のドーピング不純物（ＰまたはＢ）の濃度、および膜中に含まれるシリコン結晶相の割合によって決まる。シリコン複合層の暗導電率を１０-8〜１０-1Ｓ／ｃｍでかつ屈折率を１．７〜２．５に調整するためには、膜中酸素濃度は２５〜６０原子％が好ましい。膜中酸素濃度の増加とともに屈折率が減少するが、暗導電率が低下するので膜中酸素濃度に上記の好ましい上限が有る。」
　
　以上によれば、本願明細書には、光電変換ユニットを構成する非晶質シリコンあるいは結晶質シリコンの６００ｎｍの波長の光に対する屈折率が約４なので、当該層に積層するシリコン複合層として６００ｎｍの波長の光に対する屈折率が１．７〜２．５のものとすれば、層間の屈折率の差が大きくなり、十分な反射効果が得られるとともに、１０-8〜１０-1Ｓ／ｃｍの高い暗導電率を同時に実現できることが記載されているものと認められる。そして、膜中酸素濃度の増加とともに屈折率が減少するが、暗導電率が低下するところ、図１に照らすと、本願発明において規定される屈折率の下限は、上記の暗導電率の下限に対応する波長６００ｎｍの光の屈折率を定めたものと解される。
　他方で、本願明細書には、上記の屈折率を示す光の波長として「６００ｎｍ」を選択したことの技術上の意義は説明されるところがなく、また、屈折率の範囲を相違点１のように特定したことに格別の臨界的意義があることを認めるに足る記載もない。
　してみると、本願明細書の記載によれば、本願発明において、シリコン複合層が「６００ｎｍの波長の光に対して１．７以上２.１以下の屈折率を有する」ことを特定したことは、十分な反射効果が得られるためにシリコン複合層の屈折率を低くし、その下限としては当該層の暗導電率が低下しない程度とするという技術的意義を有するにとどまり、波長及び数値範囲は、上記技術的意義を生じるための設計上の条件を定めたにすぎないものというべきである。
　
イ　一方、先願明細書には、シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層（本願発明の「シリコン複合層」に相当。）について、以下の記載がある。
　
「【０００２】
【従来の技術】・・・
・・・・
【０００７】このうち特性上の問題を解決する手段としては、ミラー層と称する低屈折率の金属酸化物をトップセルとボトムセル間のｎ／ｐ接合部に挟み、屈折率の差を利用して、故意にある程度の光をミラー層で反射させて、トップセルの短絡電流を増加させる技術がニューシャテル大のフィッシャーらによって提案されている・・・
【０００８】また、本件出願人の関係会社である出願人により、100℃以下の低温においてｎ型の微結晶シリコンを製膜して屈折率を２．５〜３以下とし、この低屈折率層のミラー効果により変換効率（Eff）の向上を図った多接合型薄膜太陽電池の発明に関する出願を行なっている（特願２０００−２５８５１１号参照）。」、
「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記特願２０００−２５８５１１号に記載された、100℃以下の低温においてｎ型の微結晶シリコンを形成する場合、・・・屈折率としても２．５未満を実現することはできず、変換効率（Eff）などの太陽電池の特性向上には限界があることが判明した。」、
「【００１３】
【課題を解決するための手段】・・・
・・・
【００１５】上記のように、低屈折率の半導体層を設けることにより、その層がミラー層と同じ役割を果たし、光を反射させて、上側セルの短絡電流を増大させる。・・・
【００１６】シリコンの屈折率は約３．５であり、微結晶シリコン薄膜、アモルファスシリコン薄膜の屈折率もほぼ似た値である。従って、屈折率が３を越えたμc-Si層では、光を反射させる効果が少なくなる。従来の低温処理した微結晶シリコン薄膜では、屈折率が２．５未満のｎ型のμc-Si層を製膜することは困難であったが、シリコンオキサイド半導体では、良好な電気伝導率を維持しながら屈折率を２．５未満に低下させることが可能である。
・・・
【００２１】さらに、前記請求項５に記載の製造方法において、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層は、基板温度を１００℃以下として形成する（請求項６の発明）。この場合、基板温度を低下させる時間が余分に必要となるが、低屈折率層の屈折率を２．２以下のより低い値とすることが可能となる。」、
「【００４２】図６の結果によれば、酸素原子％が増加するに従い屈折率ｎは減少する。酸素原子％が５０％を超えても屈折率は減少を続けるが、導電率が10-6 S/cm以下となり、デバイス特性に不具合を生じることも、別途確認されており、屈折率ｎを３以下とする場合、酸素原子％は、５〜５０％が好ましい。また、基板温度を１００℃に低下させると、酸素原子％が５０％で，屈折率ｎが２．２となることが確認された。基板温度を低下させる程、屈折率はより低下可能であるが、この場合、基板温度を低下させる時間が余分に必要となるので、要請に応じて、低屈折率層製膜時の適切な基板温度を決めればよい。」
　
　以上の記載から、先願明細書には、先願発明の「シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層」は、ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを構成する微結晶シリコン薄膜又はアモルファスシリコン薄膜と比べてより低い屈折率の層とし、層間の屈折率差によって光入射側に光を反射させて上側セルの短絡電流を増大させるものであり、その屈折率が低いほど好ましいことが開示されているといえる。また、上記３（２）に示したように、先願明細書の段落【０００４】−【０００６】には、多接合型薄膜太陽電池として、光入射側の上側セルが光学的バンドギャップの大きい材料を用い、光入射側から遠い光電変換層に光学的バンドギャップの小さい材料を用いて波長800nm以上の赤外光も吸収することが可能となり高効率化が達成できることが記載されているから（図１に示される先願発明の実施例も同様の構成を有している：段落【００２４】−【００２５】等参照。）、低屈折率層によって光入射側の上側セルに反射させるべき光は、「波長800nm以上の赤外光」と比べて波長が短い光であることは明らかである。したがって、先願明細書には、６００ｎｍ程度の波長を含む、８００ｎｍより短い波長の光の上側セルへの光反射を増大させるために、シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層の屈折率をより低くするとの技術的事項が開示されているといえる。
　また、シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層において、酸素原子％の増加に従い導電率が低くなりデバイス特性に不具合を生じることから酸素原子％に上限があることが記載されており、これに対応して屈折率に下限があることも明らかである。
　すなわち、先願明細書には、十分な反射効果が得られるようシリコン複合層（低屈折率層）の屈折率を低くし、その下限としては当該層の暗導電率が低下しない程度とするとの技術的事項が開示されているといえ、先願発明の「シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層」は、十分な反射効果が得られるようその屈折率を低くし、その下限としては当該層の暗導電率が低下しない程度とするとの技術的意義を有するものと解することができる。
　よって、本願発明と先願発明とは、シリコン複合層の屈折率の設定に関して、上記技術的意義を有する点において共通するものである。そして、先願発明の実施に際しても、上記技術的意義を生じるための屈折率の範囲は、設計上、８００ｎｍより短い波長に対して適宜定められるべきものであるところ、上記アのとおり、相違点１における本願発明の波長及び数値範囲は、上記技術的意義を生じるための設計上の条件を定めたにすぎないものであって、かかる設計上の条件を定めたことにより、技術思想としての差異を生じるものとはいえないから、相違点１は課題解決のための具体化手段における微差にすぎず、実質的な相違とはいえない。
　
（２）［相違点２］について
ア　本願明細書には、シリコン複合層が「２０ｎｍより大きく１３０ｎｍより小さい厚さを有する」ことについて、以下の記載がある。
　
「【００７６】
  図７にシリコン複合層４の膜厚を変化させた場合の、シリコン複合層４の前後の界面の干渉を考慮した６００ｎｍの光の反射率を示す。このとき、シリコン複合層の６００ｎｍの光に対する屈折率は２である。図７から、前方光電変換ユニット３の側に反射される光を確実に１０％以上にするためには、シリコン複合層４の膜厚を２０ｎｍより大きく１３０ｎｍより小さくすることが好ましいことがわかる。さらに、前方光電変換ユニット３の側に反射される光を３０％以上にするためには、シリコン複合層４の膜厚が５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にすることが好ましいことがわかる。」
　
　上記本願明細書の記載からは、本願発明において、シリコン複合層の膜厚は、一定程度以上の光が前方光電変換ユニットの側に反射されることを意図して定められたものと解されるが、図７に示された膜厚と反射率の関係は、シリコン複合層の６００ｎｍの光に対する屈折率が２であり、かつ、各光電変換ユニットを構成する層の屈折率が所定の値（約４）である場合に満たされる関係であり、シリコン複合層の屈折率がこれ以外の値をも含み、各光電変換ユニットを構成する層の屈折率が特定されていない本願発明においては、シリコン複合層の厚さを「２０ｎｍより大きく１３０ｎｍより小さい」との数値範囲にすること自体に、薄すぎず厚すぎない範囲を設計上適宜定めた以上の技術的意義は見いだせない。
　
イ　一方、先願明細書には、シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層の膜厚をどのように設定すべきかの明記はなく、一実施例において、「膜厚１０〜２０nmの膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体のボトムｐ層５を製膜した」（【００２７】）ことが記載されているのみである。
　しかしながら、上記（１）イにも示したとおり、先願発明の「シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層」は、ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを構成する微結晶シリコン薄膜又はアモルファスシリコン薄膜と比べてより低い屈折率の層とし、層間の屈折率差によって光入射側に光を反射させるためのものであり、この点において本願発明の「シリコン複合層」と技術的意義を同じくするものである。そして、先願発明を実施するに際しては、該低屈折率層の膜厚は、上記技術的意義を生じるために設計上適宜定められるべきものであるところ、上記アのとおり、相違点２における本願発明の膜厚は設計上適宜定められたものにすぎないものであって、かかる設計上の条件を定めたことにより、技術思想としての差異を生じるものとはいえないから、相違点２は課題解決のための具体化手段における微差にすぎない。
　よって、上記相違点２は実質的な相違とはいえない。
　
　したがって、本願発明と先願発明との間には実質的な相違は存在せず、本願発明は先願明細書に記載された発明と同一である。
　しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。 
　
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。