【事件の表示】
　平成１１年特許願第２６１８７７号「プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月　６日出願公開、特開２０００−１５６３７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　 
　本願は、平成１１年９月１６日（優先権主張平成１０年９月１６日）の出願であって、平成１７年２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月９日に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成１７年５月９日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１７年５月９日付け手続補正を却下する。
　　
　　
［理由］
　　
１．補正後の本願発明
　　
　本件補正により、特許請求の範囲は請求項１〜１８に補正され、その請求項１及び請求項１０は以下のとおりに補正された。
　 
「【請求項１】　真空処理室内において，被処理体が載置された電極に周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分と周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分を重畳して印加することにより処理ガスをプラズマ化し，該プラズマにより前記電極に載置された被処理体に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において，
　前記周波数ｆＬＯＷは，前記プラズマ中のイオンのイオンプラズマ周波数よりも高い周波数であり，高周波電力の電力の大きさと低周波電力の電力の大きさを変えることにより，プラズマ密度と自己バイアス電圧を制御することを特徴とする，プラズマ処理方法。」 
　
「【請求項１０】　真空処理室内に配設された被処理体が載置された電極に周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分と周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分を重畳して印加することによりＡｒガスを含む処理ガスをプラズマ化し，前記Ａｒガスのプラズマ密度が１０９ｃｍ−３よりも大きいプラズマにより前記電極に載置された前記被処理体に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置において，
　前記周波数ｆＬＯＷは，１ＭＨｚよりも高く，かつ下記数式（１）で示される周波数よりも高い周波数であり，高周波電力の電力の大きさと低周波電力の電力の大きさを変えることにより，プラズマ密度と自己バイアス電圧を制御することを特徴とする，プラズマ処理装置。
（ｅ２ｎ０／ε０Ｍ）１／２／２π　　…（１）
（上記数式（１）において，ｅは電子の電荷量を，ｎ０はＡｒガスのプラズマ密度を，ＭはＡｒイオンの質量を，ε０は真空中の誘電率を示す。）」
　 
　本件補正後の請求項１０は、補正前の請求項１５の「処理ガス」、「プラズマ」、及び「周波数ｆＬＯＷ」についてさらに限定を付加したものであって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　 
　 
２．引用例
　 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平９−１２０９５６号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。 
　 
（ａ）「【０００７】最も簡単なＲＦパワーリアクタは、単一周波数二極管リアクタである。二極管リアクタでは、ＲＦエネルギーは、通常、ウエハテーブルに印加され、ウエハテーブル上にはウエハが配置され、半導体ウエハ上の電極が接地の働きをする。プラズマは、一般に低圧（約５−１０ミリトール（ｍＴ））のアルゴンでウエハ上方に形成され、アルゴンイオンがウエハへと加速され、プラズマと負に帯電したウエハとの間に形成された電場によりシリコン又は他の物質を物理的に射突させたり、エッチングをする。
【０００８】二極管リアクタで使用されるＲＦ励起周波数は、リアクタで行われていることに関して大きく影響する。コリンズ（Collins）らの米国特許第５３００４６０号によると、このようなリアクタに使用される励起周波数は、低周波数（ＬＦ）（１０−４００ＫＨｚ）、高周波数（ＨＦ）（１３−４０ＭＨｚ（典型的に、１３.５６ＭＨｚのＩＳＭ周波数））、高高周波数（ＶＨＦ）（５０−８００ＭＨｚ）、及びマイクロ波周波数（典型的に、２.４５ＧＨｚのＩＳＭ周波数）である。
【０００９】各周波数帯が、特定の処理に望まれ得るか否かであるプラズマでの異なった物理的現象を引き起こす。ＬＦ励起は、周波数が十分に低く、電子及びイオンが、雑音を出す電場によって直接加速される。これは、高エネルギーイオン及び高プラズマ電位になる。ＨＦ励起によると、同様の電力レベルのＬＦ信号によって励起される場合よりも低い電位を有するプラズマの形状となる。
【００１０】空間電荷層（sheath）電位（以下、シース電位という）は、プラズマとウエハ、電極、リアクタのシールド又は壁の間の電位差である。典型的なＨＦのシース電位は、１００Ｖから１０００Ｖを越える範囲にある。シース電位は、ウエハへのイオン加速に直接に応答可能である。９００ＭＨｚから２.５ＧＨｚの範囲のマイクロ波励起は、典型的に１０から３０Ｖの範囲の比較的低いシース電位でプラズマ形状になる。」（段落【０００７】〜【００１０】）
　
（ｂ）「【００１１】二重周波数システムは、第１及び第２のＲＦ周波数がそれぞれ印加される第１及び第２の電力を受ける電極（以下、パワー電極という）を有し、一般に、プラズマを支配的に制御し、プラズマに電力を与えるために、ウエハから距離をおいたところにある第１のパワー電極に第１のＲＦ周波数を印加し、このとき、第２のＲＦ周波数が、ウエハにある第２のパワー電極とプラズマとの間のシース電位を制御するために、ウエハのバイアスを与える。このようなシステムでは、ＲＦは通常、容量結合システムとともに第２のパワー電極（ウエハ）に結合される。この容量結合システムは、ウエハに対して自己誘導ＤＣバイアスの形状を達成する。このメカニズムは、当業者には周知のとおり、ウエハのシース電位を対面するパワー電極のシース電位とは独立的に制御できる。これは、十分なエッチングがウエハでは望まれるが、機器の固定部分を一般に形成する対向するパワー電極では望まれず、このようなエッチングが機器に損傷を与えたり、チャンバーを汚染するために、非常に重要なことである。
【００１２】このことから、二重周波数システムは、プラズマの一層高いイオン密度を可能とし、このプラズマの高密度イオンが、ウエハへの高イオンフラックスとなる一方、バイアスＲＦ供給によって独立的に制御されるウエハにおけるシース電位を可能にする。これは、エッチング速度に大きく影響する（通常、高密度イオンが、高エッチング速度になる）。よって、バイアスＲＦ供給が、プラズマＲＦ供給とは独立的に、ウエハへ射突するイオンのエネルギーを制御する。
【００１３】三極管の周知のものであって、これは、二極管リアクタよりも一層の柔軟性を与える。典型的に、上方の電極に１３.５６ＭＨｚのＲＦ源を与え、下方の電極に１００から４５０ＫＨｚのＲＦ源を与えるように配列され、下方の電極に処理されるウエハが取り付けられる。このようなリアクタは、比較的高いシース電位を有する比較的低密度のプラズマを与える。」（段落【００１１】〜【００１３】）
　
（ｃ）「【００１７】電力をリアクタのプラズマに与えるための色々の配列が説明されたが、リアクタの改善、特に、シース電位やプラズマ密度を独立的に制御して、プラズマＲＦパワー電極とプラズマとの間で低いシース電位で高いプラズマ密度を達成するものである。
【００１８】［発明の目的］したがって、本発明の目的は、新規な二重周波数容量結合三極管プラズマリアクタを提供することである。
【００１９】本発明の他の目的は、プラズマに接触するか又は極接近した上部の電極又はリアクタ内部の他の表面でのエッチングが全くないか又は少しだけ起こるが、比較的高いイオン密度（１０１１イオン／ｃｃのオーダー）のプラズマが形成されるように、比較的低い正電位で高電力をプラズマに与えることができる二重周波数容量結合三極管プラズマリアクタを提供することである。
【００２０】本発明の他の目的は、ウエハ基板をバイアスするためにＨＦのＲＦ信号を利用し、プラズマを励起するためにＶＨＦのＲＦ信号を利用する二重周波数容量結合三極管プラズマリアクタを提供することである。・・・
【００２２】本発明のその他の目的は、ウエハ基板をバイアスするために、約１３.５６ＭＨＺでＨＦのＲＦ信号を利用し、プラズマを励起するために、約６０ＭＨｚでＶＨＦのＲＦ信号を利用する二重周波数容量結合三極管プラズマリアクタを提供することである。」（段落【００１７】〜【００２２】）
　
（ｄ）「【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は、物質処理用二重周波数容量結合プラズマ装置に関する。本発明の第１の形態によると、二重周波数三極管リアクタが、第１のパワー電極に容量結合したＶＨＦ（３０から３００ＭＨｚ）プラズマＲＦ電力供給と、第２のパワー電極に容量結合したＨＦ（０.１から３０ＭＨｚ）プラズマＲＦ電力供給とを含み、ウエハが、第２のパワーリアクタ電極に取り付けられ、ウエハで自己誘導ＤＣバイアス電圧の独立的に形成されている。ＶＨＦ電力供給は、第１のパワー電極とプラズマとの間の小さいシース電圧で急速なエッチング／堆積のため、低いシース電位、高密度プラズマの生成及び制御のために使用され、ＨＦ電力供給は、イオンエネルギーを独立的に制御するため、第２のパワー電極（ウエハ基板）にＤＣバイアスを与えるために使用される。」（段落【００２４】）
　
（ｅ）「【００２６】
【発明の実施の形態】図１に、半導体デバイス及び平坦表示板を処理するための二重周波数プラズマリアクタ１０が示される。６０ＭＨｚのＲＦ電力生成器１２が使用され、真空チャンバー１４内で低電位／高密度（１０１１イオン／ｃｃ）プラズマを生成する。低周波数１３.５６ＭＨｚのＲＦ生成器１６が使用され、処理されるウエハ１８の基板をバイアスする。このシステムは、２００ｍｍのＳｉＯ２コーテイングウエハのエッチングに使用される。このリアクタは、上方の電極２０（「第１のパワー電極」）と下方の電極（「第２のパワー電極」）とを有する平行板リアクタである。６０ＭＨｚのＲＦは、上方の電極２０に印加され、１３.５６ＭＨｚのＲＦが下方の電極２２に印加される。上方の電極２０の形状は、米国特許出願第４７６９６６号に従ったものが好適であるが、これに制限されない。このような電極２０の形状は、ウエハ表面にわたって一層一様にエッチングを行うことができる。図３に、異なる６０ＭＨｚ電力レベルの１３.５６ＭＨｚ自己誘導ＤＣバイアスに対するＳｉＯ２エッチング速度の関係がプロットされている。約１.２ｍＴの低圧での５００Å／分以上のスパッタエッチング速度及び約２００ＶＤＣ以下の低バイアス状態がこのデバイスで達成され、最も効率的な半導体処理応用に要求されるイオンの高密度を示している。リアクタの目視検査では、上部の電極２０にエッチングが全く無かった。これは、６０ＭＨｚで生成された低電位プラズマの結果である。」（段落【００２６】）
　
（ｆ）「【００３１】・・・バルブ４２が、ライン４４からのアルゴンガス（プラズマ形成用）の供給を制御する。」（段落【００３１】）
　
（ｇ）「【００３４】図３に、本発明に従った二重周波数容量結合三極管リアクタの１.２ｍＴアルゴンの電力を印加した異なった６０ＭＨｚのＳｉＯ２エッチング速度対ＤＣバイアスのグラフが示される。６個の実際のデータ点が示される。「第１実行例」は点５６及び５８からなる。この実行例は、６０ＭＨｚ、２０００ワットの印加電力レベルでなされた。点５６では、１３.５６ＭＨｚの印加電力レベルが５００ワットであり、点５８では、それが８００ワットである。エッチング速度は、約１２００Å／分から約１４００Å／分の範囲にある。
【００３５】「第２実行例」は、点６０及び６２からなる。この実行例は、６０ＭＨｚ、１５００ワットの印加電力レベルでなされた。１３.５６ＭＨｚの電力レベルは、５００ワットから８００ワットの範囲にあった。エッチング速度は、約９５０Å／分から約１３００Å／分の範囲にあった。
【００３６】「第３実行例」は、点６４及び６６からなる。この実行例は、６０ＭＨｚ、１０００ワットの印加電力レベルでなされた。１３.５６ＭＨｚの電力レベルは、１６０ワットから５００ワットの範囲にあった。エッチング速度は、約３２５Å／分から約８５０Å／分の範囲にあった。」（段落【００３４】〜【００３６】）
　
（ｈ）「【００３７】よって、例えば、図３からわかるように、１０００ワットの６０ＭＨｚの電力における２００ＶＤＣのウエハＤＣバイアスが与えられたとき、そのエッチング速度は、約５５０Å／分であり、１５００ワットでは、約７５０Å／分であると予測され、さらに、２０００ワットでは、約１２５０Å／分である。したがって、本発明の三極管リアクタでは、上部の電極へのＶＨＦ電力を制御することが、与えられたウエハＤＣバイアスに対するエッチング速度及びプラズマ密度を制御する。」（段落【００３７】）
　
（ｉ）「【００３８】図５に、本発明に従った二重周波数容量結合三極管リアクタの上部の電極の自己誘導バイアス（ＤＣボルト）と、印加した６０ＭＨｚプラズマ駆動電力（ワット）とのプロットが示される。点６８は、＋１１０ＶＤＣの上部の電極バイアスに対する１３.５６ＭＨｚ、１６０ワットの印加電力レベル及び６０ＭＨｚ、１０００ワットの印加電力レベルのものである。点７０は、＋１０２ＶＤＣの上部の電極バイアスに対する１３.５６ＭＨｚ、５００ワットの印加電力レベル及び６０ＭＨｚ、１０００ワットの印加電力レベルのものである。点７２は、＋１２ＶＤＣの上部の電極バイアスに対する１３.５６ＭＨｚ、５００ワットの印加電力レベル及び６０ＭＨｚ、５００ワットの印加電力レベルのものである。点７４は、＋９ＶＤＣの上部の電極バイアスに対する１３.５６ＭＨｚ、１２０ワットの印加電力レベル及び６０ＭＨｚ、５００ワットの印加電力レベルのものである。このことから、各々の場合、上部の電極バイアスは、この形状でのプラズマ電位に対して相対的にやや低い。よって、プラズマによる十分な上部の電極のエッチングはなく、これは、検査によって確認された。」（段落【００３８】）
　
（ｊ）図３には、第３実行例（６０ＭＨｚ、１０００ワット）の点６４と点６６を結ぶ直線上において、ウエハＤＣバイアスが２００ＶＤＣのときエッチング速度が約５５０Å／分であることが示されている。（【図３】）
　 
　 
３．対比 
　 
　摘記事項（ｄ）によれば、ウエハが、第２のパワーリアクタ電極に取り付けられることが記載され、摘記事項（ｅ）によれば、真空チャンバー内で低電位／高密度（１０１１イオン／ｃｃ）プラズマを生成すること、二重周波数プラズマリアクタは、上方の電極（「第１のパワー電極」）と下方の電極（「第２のパワー電極」）とを有する平行板リアクタであり、ＳｉＯ２コーテイングウエハのエッチングに使用されること、６０ＭＨｚのＲＦは、上方の電極に印加され、１３.５６ＭＨｚのＲＦが下方の電極に印加されることが記載され、摘記事項（ｆ）によれば、ラインからアルゴンガス（プラズマ形成用）が供給されることが記載されている。
　ここで、アルゴンガスを供給し、１０１１イオン／ｃｃのプラズマを生成していることから、下方の電極に印加されるＲＦの周波数である１３.５６ＭＨｚは、プラズマ中のイオンのイオンプラズマ周波数より高い周波数となっている。
　
　摘記事項（ｇ）によれば、図３に、本発明に従った二重周波数容量結合三極管リアクタの１.２ｍＴアルゴンの電力を印加した異なった６０ＭＨｚのＳｉＯ２エッチング速度対ＤＣバイアスのグラフが示されること、第１実行例は、点５６（６０ＭＨｚ、２０００ワット及び１３.５６ＭＨｚ、５００ワット）及び点５８（６０ＭＨｚ、２０００ワット及び１３.５６ＭＨｚ、８００ワット）からなること、第２実行例は、点６０（６０ＭＨｚ、１５００ワット及び１３.５６ＭＨｚ、５００ワット）及び点６２（６０ＭＨｚ、１５００ワット及び１３.５６ＭＨｚ、８００ワット）からなること、第３実行例は、点６４（６０ＭＨｚ、１０００ワット及び１３.５６ＭＨｚ、１６０ワット）及び点６６（６０ＭＨｚ、１０００ワット及び１３.５６ＭＨｚ、５００ワット）からなることが記載され、摘記事項（ｈ）によれば、例えば、図３からわかるように、１０００ワットの６０ＭＨｚの電力における２００ＶＤＣのウエハＤＣバイアスが与えられたとき、そのエッチング速度は、約５５０Å／分であり、１５００ワットでは、約７５０Å／分であると予測され、さらに、２０００ワットでは、約１２５０Å／分であること、したがって、本発明の三極管リアクタでは、上部の電極へのＶＨＦ電力を制御することが、与えられたウエハＤＣバイアスに対するエッチング速度及びプラズマ密度を制御することが記載されている。
　また、図３には、第３実行例（６０ＭＨｚ、１０００ワット）の点６４と点６６を結ぶ直線上において、ウエハＤＣバイアスが２００ＶＤＣのときエッチング速度が約５５０Å／分であることが示されている（摘記事項（ｊ））から、摘記事項（ｈ）における「１０００ワットの６０ＭＨｚの電力における２００ＶＤＣのウエハＤＣバイアスが与えられたとき」とは、第３実行例（６０ＭＨｚ、１０００ワット）の点６４と点６６を結ぶ直線上でウエハＤＣバイアスが２００ＶＤＣとなるように、まず１３．５６ＭＨｚの電力を制御していることを意味することは明らかである。１５００ワット及び２０００ワットの場合についても同様である。
　あわせて、通常、プラズマの高密度イオンが、高エッチング速度になる旨の記載（摘記事項（ｂ））、及び、「本発明の三極管リアクタでは、上部の電極へのＶＨＦ電力を制御することが、与えられたウエハＤＣバイアスに対するエッチング速度及びプラズマ密度を制御する。」との記載（摘記事項（ｈ））を参酌すると、刊行物には、６０ＭＨｚの電力と１３．５６ＭＨｚの電力を制御することにより、プラズマ密度とウエハＤＣバイアスを制御することが記載されているといえる。
　
　摘記事項（ａ）〜（ｊ）を総合すると、刊行物には、「真空チャンバー内で、上方の電極に６０ＭＨｚのＲＦを印加し、ウエハが取り付けられた下方の電極に１３.５６ＭＨｚのＲＦを印加することによりアルゴンガスをプラズマ化し、該プラズマにより下方の電極に取り付けられたウエハに対してエッチングを施すプラズマ処理方法において、
１３．５６ＭＨｚは、プラズマ中のイオンのイオンプラズマ周波数よりも高い周波数であり、６０ＭＨｚの電力と１３．５６ＭＨｚの電力を制御することにより、プラズマ密度とウエハＤＣバイアスを制御するプラズマ処理方法。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。 
　 
　そこで、本願補正発明と刊行物発明とを対比する。 
　 
　刊行物発明の「真空チャンバー」は、本願補正発明の「真空処理室」に相当し、以下同様に、「６０ＭＨｚのＲＦ」は「周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分」に、「ウエハ」は「被処理体」に、「ウエハが取り付けられた下方の電極」は「被処理体が載置された電極」に、「１３.５６ＭＨｚ」は「周波数がｆＬＯＷ」に、「１３.５６ＭＨｚのＲＦ」は「周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分」に、「アルゴンガス」は「処理ガス」に、「エッチング」は「所定の処理」に、「６０ＭＨｚの電力と１３．５６ＭＨｚの電力を制御すること」は「高周波電力の電力の大きさと低周波電力の電力の大きさを変えること」に、「ウエハＤＣバイアス」は「自己バイアス電圧」にそれぞれ相当するから、両者は、
「真空処理室内において，周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分と周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分を印加することにより処理ガスをプラズマ化し，該プラズマにより電極に載置された被処理体に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において，
　前記周波数ｆＬＯＷは，前記プラズマ中のイオンのイオンプラズマ周波数よりも高い周波数であり，高周波電力の電力の大きさと低周波電力の電力の大きさを変えることにより，プラズマ密度と自己バイアス電圧を制御するプラズマ処理方法。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。 
　 
［相違点］
　本願補正発明では、被処理体が載置された電極に周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分と周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分を重畳して印加しているのに対し、刊行物発明では、上方の電極に周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分を印加し、被処理体が載置された電極に周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分を印加している点。
　 
　 
４．判断  
　 
　次に、前記相違点について検討する。
　
　２周波印加方式のプラズマ処理において、装置の簡単さのために、２周波を２電極それぞれに印加する構成に代えて、２周波を被処理体が載置された電極に重畳して印加する構成とすること（必要であれば、特開平７−７４１５９号公報、段落【０００８】、【００１１】、特開昭６０−１６０６２０号公報、特許請求の範囲第１，３項、第１頁右欄第１９行〜第２頁左上欄第６行、第５頁左欄第３〜５行参照）、及び２周波を２電極それぞれに印加する構成と置換可能な構成として、２周波を被処理体が載置された電極に重畳して印加すること（必要であれば、特開平９−１８６１４１号公報、【特許請求の範囲】の【請求項１】、【請求項２】、段落【０００９】、【００３６】、【００３７】、【図５】参照）は周知であり、また、装置を簡単にすることは周知の課題であるから、刊行物発明において、装置の簡単さのために、上方の電極に周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分を印加し、被処理体が載置された電極に周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分を印加することに代えて、被処理体が載置された電極に周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分と周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分を重畳して印加することとすることは、当業者が容易に想到しえたものである。
　 
　 
　また、本願補正発明の上部電極がスパッタされないという効果も、高周波が印加されない電極はスパッタされにくいことは周知であるから、刊行物及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。そして、本願補正発明のその他の効果も、刊行物及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　 
　したがって、本願補正発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　 
　 
５．むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
III．本願発明について
　
　平成１７年５月９日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２３に係る発明は、平成１６年３月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項３に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「真空処理室内において，電極に周波数がｆＨＩＧＨである高周波電力成分と周波数がｆＬＯＷである低周波電力成分を重畳して印加することにより処理ガスをプラズマ化し，該プラズマにより前記電極に載置された被処理体に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において，
　前記周波数ｆＬＯＷは，前記プラズマ中のイオンのイオンプラズマ周波数よりも高い周波数であり，高周波電力の電力の大きさと低周波電力の電力の大きさを変えることにより，プラズマ密度と自己バイアス電圧を制御することを特徴とする，プラズマ処理方法。」
　
　
１．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記「II．２．」に記載したとおりである。
　
　
２．対比・判断
　
　本願発明は、前記II．で検討した本願補正発明から、電極について「被処理体が載置された」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「II．４．」に記載したとおり、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
３．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。