【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧下に保持可能な容器と、
上面に複数の基板支持ピンを有し、上面との間に隙間を設けた状態で基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台を介して基板に熱を与えるヒーターと、
前記容器内の圧力を調整する圧力調整機構と、
前記ヒーターの出力を制御して前記基板載置台の温度を制御する温度制御部と、
前記圧力調整機構を制御して前記容器内の圧力を制御する圧力制御部と
を具備し、
前記圧力制御部は、前記基板載置台に基板が載置された際に前記容器内のガス圧力をガスによる熱伝達が可能な第１の圧力に制御し、基板の温度が所定の温度に達した際に、前記容器内のガス圧力をガスによる熱伝達が実質的に生じない第２の圧力に制御することを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
前記圧力調整機構は、前記容器に圧力調整ガスを導入する圧力調整ガス供給機構と、前記容器を排気する排気機構と、前記容器内への圧力調整ガスの供給を制御する流量制御器と、前記容器の排気を制御する圧力制御バルブとを有することを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記第１の圧力は１Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板加熱装置。
【請求項４】
前記第２の圧力は１００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項５】
前記基板支持ピンは高さ可変に構成されており、前記基板支持ピンの高さを調節することにより、基板下面と前記基板載置台上面との間の距離が調節されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項６】
前記基板支持ピンはねじ部を有し、そのねじ部が前記基板載置台に螺合されており、前記基板支持ピンを回転することにより基板下面と前記基板載置台上面との間の距離が調節されることを特徴とする請求項５に記載の基板加熱装置。
【請求項７】
前記基板載置台を複数有し、複数の基板を一括して加熱することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項８】
減圧下に保持可能な容器内で、上面に複数の基板支持ピンを有する基板載置台に、基板載置台の上面との間に隙間を設けた状態で基板を載置し、前記基板載置台を介してヒーターにより基板を加熱する基板加熱方法であって、
前記基板載置台に基板が載置された際に前記容器内のガス圧力をガスによる熱伝達が可能な第１の圧力に制御して基板を昇温し、基板の温度が所定の温度に達した際に、前記容器内のガス圧力をガスによる熱伝達が実質的に生じない第２の圧力に制御して、基板の温度を設定温度に保持することを特徴とする基板加熱方法。
【請求項９】
前記第１の圧力は１Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項８に記載の基板加熱方法。
【請求項１０】
前記第２の圧力は１００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の基板加熱方法。
【請求項１１】
前記基板支持ピンの高さを調節することにより、基板下面と前記基板載置台上面との間の距離を調節することを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の基板加熱方法。
【請求項１２】
減圧雰囲気で基板に対して所定の処理を施す複数の処理室と、
前記処理室で処理する基板を収容し、基板を処理室に搬送する前に基板を減圧雰囲気で加熱する請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板加熱装置と、
前記処理室で処理する基板を収容し、基板を処理室に搬送する前に基板を減圧雰囲気に保持する真空予備室と、
前記複数の処理室、前記基板加熱装置、前記真空予備室が接続され、前記複数の処理室、前記基板加熱装置、前記真空予備室の間で基板を搬送する基板搬送装置が設けられ、減圧雰囲気に保持される共通搬送室と
を有し、
前記基板搬送装置により、前記真空予備室から前記基板加熱装置に基板を搬送して基板を予備加熱し、予備加熱された基板を前記処理室のいずれかに搬送して所定の処理を施すことを特徴とする基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、減圧下に保持可能な容器と、上面に複数の基板支持ピンを有し、上面との間に隙間を設けた状態で基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台を介して基板に熱を与えるヒーターと、前記容器内の圧力を調整する圧力調整機構と、前記ヒーターの出力を制御して前記基板載置台の温度を制御する温度制御部と、前記圧力調整機構を制御して前記容器内の圧力を制御する圧力制御部とを具備し、前記圧力制御部は、前記基板載置台に基板が載置された際に前記容器内のガス圧力をガスによる熱伝達が可能な第１の圧力に制御し、基板の温度が所定の温度に達した際に、前記容器内のガス圧力をガスによる熱伝達が実質的に生じない第２の圧力に制御することを特徴とする基板加熱装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記第１の観点において、前記圧力調整機構は、前記容器に圧力調整ガスを導入する圧力調整ガス供給機構と、前記容器を排気する排気機構と、前記容器内への圧力調整ガスの供給を制御する流量制御器と、前記容器の排気を制御する圧力制御バルブとを有するものが用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記基板支持ピンは高さ可変に構成されており、前記基板支持ピンの高さを調節することにより、基板下面と前記基板載置台上面との間の距離が調節されることが好ましい。この場合に、前記基板支持ピンはねじ部を有し、そのねじ部が前記基板載置台に螺合されており、前記基板支持ピンを回転することにより基板下面と前記基板載置台上面との間の距離が調節される構成を採用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第２の観点では、減圧下に保持可能な容器内で、上面に複数の基板支持ピンを有する基板載置台に、基板載置台の上面との間に隙間を設けた状態で基板を載置し、前記基板載置台を介してヒーターにより基板を加熱する基板加熱方法であって、前記基板載置台に基板が載置された際に前記容器内のガス圧力をガスによる熱伝達が可能な第１の圧力に制御して基板を昇温し、基板の温度が所定の温度に達した際に、前記容器内のガス圧力をガスによる熱伝達が実質的に生じない第２の圧力に制御して、基板の温度を設定温度に保持することを特徴とする基板加熱方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記基板支持ピンの高さを調節することにより、基板下面と前記基板載置台上面との間の距離を調節するようにすることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第３の観点では、減圧雰囲気で基板に対して所定の処理を施す複数の処理室と、前記処理室で処理する基板を収容し、基板を処理室に搬送する前に基板を減圧雰囲気で加熱する上記第１の観点の基板加熱装置と、前記処理室で処理する基板を収容し、基板を処理室に搬送する前に基板を減圧雰囲気に保持する真空予備室と、前記複数の処理室、前記基板加熱装置、前記真空予備室が接続され、前記複数の処理室、前記基板加熱装置、前記真空予備室の間で基板を搬送する基板搬送装置が設けられ、減圧雰囲気に保持される共通搬送室とを有し、前記基板搬送装置により、前記真空予備室から前記基板加熱装置に基板を搬送して基板を予備加熱し、予備加熱された基板を前記処理室のいずれかに搬送して所定の処理を施すことを特徴とする基板処理システムを提供する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、基板を基板載置台の上面から離隔させた状態とし、昇温時には容器内の圧力を第１の圧力にし、ガスによる熱伝達を利用して基板を加熱し、温度保持の際にはガスによる熱伝達が実質的に生じない第２の圧力に制御する。このため、基板の温度の面内均一性を確保しつつ基板を迅速に昇温し、かつオーバーシュート等が生じることなく高い温度安定性で設定温度に基板を保持することができる。また、抵抗加熱型のヒーターにより基板を加熱するので、ランプ加熱を用いる場合のような装置コストが高くなる不都合を回避することができる。