【事件の表示】
　特願２００３−１１６６９６「薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１８日出願公開、特開２００４−３２６８５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成１５年４月２２日の出願であって、その請求項１乃至１０に係る発明は、平成１９年１０月３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１０に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】記録媒体に対向する媒体対向面と、
　互いに反対側を向く２つの面、前記媒体対向面に配置された第１の端部、および第１の端部とは反対側の第２の端部を有する磁気抵抗効果素子と、
　前記磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流す２つの電極層と、
　前記磁気抵抗効果素子における媒体対向面とは反対側に配置され、記録媒体からの信号磁束を前記磁気抵抗効果素子に導く磁束誘導層とを備え、
　前記磁束誘導層は、前記第２の端部に対向する端部を含むと共に、前記磁気抵抗効果素子および前記電極層に対して絶縁され、
　更に、前記磁気抵抗効果素子の第２の端部と前記磁束誘導層の前記端部との間に配置された絶縁層を備え、
　前記絶縁層の厚さは、前記磁気抵抗効果素子と磁束誘導層との間の距離を規定すると共に、３ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、特開平６−２５９７２８号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（なお、下線は当審で付した。）。
　
ア．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録を達成するための磁気ディスク装置に用いられる磁気抵抗効果型再生ヘッドに関する。」
　
イ．「【請求項１】　２つの磁気シールド層１３の間に非磁性絶縁層１２よりなるギャップが形成されその間に配置される
磁気抵抗効果素子１１に磁気記録媒体１４からの信号磁界を導き磁気抵抗効果素子の抵抗変化により信号再生を行なう磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体から遠い辺に磁気的に結合した状態で軟磁性層１５を配置した磁気抵抗効果型再生ヘッド
　
ウ．「【０００４】磁気抵抗効果素子うち
磁気記録媒体に近い摺動面
　
エ．「【００２０】本実施例では
磁気抵抗効果素子をＮｉ−Ｆｅ合金（パーマロイ）を用いて厚さ０．０４μｍ、幅１００μｍ、高さ２μｍに作製した。また磁気抵抗効果素子の媒体から遠い一辺に磁気的に結合された状態で設置される軟磁性層は比透磁率μ＝２０００のコバルトジルコンを用いて厚さ０．０４μｍ、幅１００μｍ、高さ１μｍに作製した
【００２１】なお第１図においては
磁気抵抗効果素子に検出電流を流すための電流線および磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するための電流線などは省略してある
　
オ．「【００２４】実施例２
第５図に磁気抵抗効果素子と軟磁性膜を電気的に絶縁した他の実施例を示す
【００２５】本実施例では
磁気抵抗効果素子と上記軟磁性膜とは電気的に絶縁を保った配置
磁気抵抗効果素子内における磁界分布は従来例に比べ増大した。このとき再生出力は従来例に比べて約５％向上した
【００２６】
【発明の効果】上述のごとく本発明の磁気抵抗効果型ヘッドによれば
磁気記録媒体からの磁束を効果的に磁気抵抗効果素子に導く
　
カ．図５には、磁気記録媒体１４に対向する磁気抵抗効果素子１１と、磁気抵抗効果素子１１の磁気記録媒体から遠い側に配置された軟磁性層１５とが図示されている。
　
　上記摘示事項「ア」乃至「カ」の記載を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「磁気記録媒体に対向する摺動面と、
　所定の厚さ、幅、高さを有する磁気抵抗効果素子と、
　前記磁気抵抗効果素子に検出電流を流すための電流線と、
　前記磁気抵抗効果素子の前記磁気記録媒体から遠い辺に磁気的に結合した状態で設置され、前記磁気記録媒体からの磁束を前記磁気効果素子に導く軟磁性層とを備え、
　前記軟磁性層は前記磁気抵抗効果素子と電気的に絶縁を保って配置される磁気抵抗効果型ヘッド。」　
　
（２）同じく原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００２−１５１７５６号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。）。
　
キ．「【００７４】図３６に概略平面図を示し、図３７にそのＡ−Ａの概略断面図を示すように、溝Ｇ５内に絶縁層１８を形成して表面平坦化を図る。この絶縁層１８の形成は、図３５において、図示しないが、溝Ｇ５を含んで全面的に、例えばＡｌ2Ｏ3による絶縁層１８を形成し、マスク１６を除去することによってこの上に絶縁層１８をリフトオフして形成する。そして、この平坦化面上に
第２のシールド兼電極層１９を、例えば厚さ２μｍにＮｉＦｅメッキによって形成する
　
ク．「【００８８】〔第３の実施形態〕この場合の一例を図４１〜図６３を参照して説明する。
【００８９】この例においても、図４１に概略平面図を示し、図４２に図４１のＡ−Ａの概略断面図を示すように、例えば厚さ２ｍｍのアルチック（ＡｌＴｉＣ）より成る基板１が用意され、この上に最終的に得る磁気ヘッドの一方の磁気シールド層となり、かつ
一方の電極を構成する例えば厚さ２μｍのＮｉＦｅより成る第１のシールド兼電極層２を例えばメッキによって形成する
【００９０】そして、この第１のシールド兼電極層２上に、順次スパッタリングによって、それぞれ導電性を有する下地層４１と、
一方のＳＶＭＲ素子を構成する反強磁性層７Ａと、固定層６Ａと、スペーサ５Ａすなわち非磁性中間層と、共通の自由層４０と、他方のＳＶＭＲ素子を構成するスペーサ５Ｂすなわち非磁性中間層と、固定層６Ｂと、反強磁性層７Ｂと、保護層８すなわちキャップ層とを積層成膜する
　
ケ．「【００９４】その後、図４５および図４６に上述のＡ−ＡおよびＢ−Ｂに対応する概略断面図を示すように、
順次例えば厚さ２２ｎｍのＡｌ
2
Ｏ
3
による絶縁層５０と、例えば厚さ１１ｎｍのＮｉＦｅによる磁束導入層４２と、例えば厚さ２５ｎｍのＡｌ
2
Ｏ
3
による絶縁層５１とを、それぞれ例えばスパッタリングによって溝Ｇ６内を含んで全面的に積層形成する
　
コ．「【００９９】このようにして形成したストライプ部Ｓ２は、このストライプ部Ｓ２と、この形成前のストライプ状積層構造部との交叉部において、上述した反強磁性層７Ａと、固定層６Ａと、スペーサ５Ａすなわち非磁性中間層と、共通の自由層４１と、スペーサ５Ｂすなわち非磁性中間層と、固定層６Ｂと、反強磁性層７Ｂと、保護層８との積層による対の
ＳＶＭＲ構成を有する積層構造部１２が形成され、図５６に示すように、積層構造部１２の奥行き方向の前方と後方の各側面５３Ｆと５３Ｒに被着された絶縁層５０の厚さｄに相当する間隔をもって奥行き方向に積層構造部１２を挟んで延長する磁束導入層４２が形成される
　
サ．「【０１０２】このマスク１６を用いて例えばイオンミリングによってマスク１６の形成部以外の外部に露呈した部分を除去して図６０および図６１にＡ−ＡおよびＢ−Ｂに対応する概略断面図を示すように溝Ｇ８を形成し、この溝Ｇ８を含んで全面的に
例えばＡｌ
２
 Ｏ
３
 による絶縁層１８をスパッタリング等によって形成し、マスク１６を除去してこの上の絶縁層１８をリフトオフし表面を平坦化する。その後この平坦化面に例えば厚さ２μｍのＮｉＦｅによる第２のシールド兼電極層１９を形成する
　
シ．「【０１０６】そしてこの構成によるＧＭＲ素子、すなわち磁気抵抗効果素子、および磁気抵抗効果型磁気ヘッド２２においても、図６３に示すように、
センス電流Ｉｓを、第１および第２シールド兼電極層２および１９間に、一方から他方に通電する
【０１０７】そして、
前方面２０に、磁束導入層４０の先端が臨む
磁気記録媒体上の磁気記録による信号磁界が導入され、この前方面２０から所要の距離をもって奥行き方向に入り込んだ位置に形成された積層構造部１２に導入され、上述したセンス電流Ｉｓに対するスピン依存散乱を生じさせる。すなわち、抵抗変化を生じさせ、この変化をセンス電流Ｉｓによる電気的出力として取り出す
　
ス．「【０１１５】また、この実施形態においても、図２１で説明したと同様に、例えば
電磁誘導型の薄膜磁気記録ヘッド３０を積層することによって磁気記録再生ヘッドとして構成することができる
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「磁気記録媒体」及び「摺動面」は、本願発明の「記録媒体」及び「媒体対向面」にそれぞれ相当する。
（２）引用発明と本願発明の「磁気抵抗効果素子」は共通し、そして、引用発明の「磁気抵抗効果素子」は、所定の厚さ、幅、高さを有するものであるから、本願発明の「互いに反対側を向く２つの面、前記媒体対向面に配置された第１の端部、および第１の端部とは反対側の端部」を有していることは明らかである。
（３）引用発明の「電流線」は、磁気記録媒体に検出電流を流すためのものであるから、本願発明の「電極層」に相当し、引用発明の「電流線」が一対あることは明らかである。
（４）引用発明の「軟磁性層」は、「前記磁気抵抗効果素子の前記磁気記録媒体から遠い辺に磁気的に結合した状態で設置され、前記磁気記録媒体からの磁束を前記磁気効果素子に導く」ものであるから、本願発明の「前記磁気抵抗効果素子における媒体対向面とは反対側に配置され、」「記録媒体からの信号磁束を前記磁気抵抗効果素子に導く」「磁束誘導層」に相当する。
（５）引用発明の「軟磁性層」は、「前記磁気抵抗効果素子と電気的に絶縁を保って配置される」ものであるから、本願発明の「前記第２の端部に対向する」「端部」に相当する構成を備えていることは明らかである。
（６）引用発明の「磁気抵抗効果型ヘッド」は、本願発明の「薄膜磁気ヘッド」に相当する。　
　
　したがって、本願発明と引用発明は次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「記録媒体に対向する媒体対向面と、
　互いに反対側を向く２つの面、前記媒体対向面に配置された第１の端部、および第１の端部とは反対側の第２の端部を有する磁気抵抗効果素子と、
　前記磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流す２つの電極層と、　
　前記磁気抵抗効果素子における媒体対向面とは反対側に配置され、記録媒体からの信号磁束を前記磁気抵抗効果素子に導く磁束誘導層とを備え、
　前記磁束誘導層は、前記第２の端部に対向する端部を含むと共に、前記磁気抵抗効果素子に対して絶縁される薄膜磁気ヘッド。」　
　
　一方、次の点で相違する。
＜相違点＞
（１）本願発明は、前記磁束誘導層は、前記電極層に対して絶縁されているものであるのに対し、引用発明は、そのようなことが特定されていない点。
　
（２）本願発明は、磁気抵抗効果素子の第２の端部と磁束誘導層の前記端部との間に配置された絶縁層を備え、前記絶縁層の厚さは、前記磁気抵抗効果素子と磁束誘導層との間の距離を規定すると共に、３ｎｍ以上、１０ｎｍ以下」と限定されているのに対して、引用発明はそのような距離を規定する厚さの絶縁層がない点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記各相違点について検討する。
　
相違点（１）について
　引用発明及び本願発明と、磁束誘導層を備えた磁気抵抗効果型ヘッドの技術で共通する引用例２には、磁束導入層が第１及び第２シールド兼電極層（電極層）に対して絶縁されていることが記載されている。
　そして、引用発明の「磁束導入層」及び「第１及び第２シールド兼電極層」は、本願発明の「磁束誘導層」及び「電極層」にそれぞれ相当する。
　そうすると、引用発明において、軟磁性層（磁束誘導層）を配置するに際し、引用例２のように、相違点（１）の、「前記磁束誘電層は前記電極層に対して絶縁されている」構成とすることは当業者が当然になし得ることである。
　　
相違点（２）について
　磁束誘導層を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子の端部と磁気誘導層の端部との間に極薄の絶縁層を設けることは周知（例えば、特開平５−１５９２４２号公報の段落【００４２】（絶縁層１３は、ここではアルミナからなり、その厚さは約１０ｎｍとしてある。絶縁層１３の厚さは、厚すぎるとＭＲ素子１４と磁性層１２との磁気的結合が弱まり、薄すぎると使用時にリ−ド導体１４、１５と磁性層１２の間で絶縁破壊が起こり、電気的絶縁が保てなくなるため、その両条件を満たす範囲で任意に設定する。その範囲は例えば５〜３０ｎｍが好ましい。」）、米国特許第５，８９３，９８１号（１９９９年４月１３日公告）（MR sensor（磁気効果効果型ヘッド）について、ＭＲセンサーとＭＲセンサーに磁束を誘導するフラックスガイド（flux guide）との間に絶縁層を設けたことついて、「It should also be noted that in the present invention the signal strength is highest for an insulation layer which is 50 Å thick as compared to insulation layers which are 100 Å and 200 Å thick（当審訳：１００Åと２００Åの厚さの絶縁層と比較すると、信号強度は５０Å厚さの絶縁層において最も高い）１０段落３７〜４０行の記載及び図１１には、絶縁層（insulation layers）の厚さについて、フラックスガイド無しの番号５４の例とともに、絶縁層の厚さ１００Å（１０ｎｍ）厚さの番号１５２の例、絶縁層の厚さ５０Å（５ｎｍ）厚さの番号の１５４の例について、ＭＲセンサー内での磁束とともに示されている。）
　そして、上記周知文献に記載されている絶縁層の厚さである５ｎｍ、１０ｎｍは、本願発明における絶縁層の厚みの数値範囲に含まれるものである。
　そうすると、引用発明において、磁気抵抗効果素子と軟磁性層との間を絶縁するに際し、相違点（２）の、「磁気抵抗効果素子の第２の端部と磁束誘導層の前記端部との間に配置された絶縁層を備え、前記絶縁層の厚さは、前記磁気抵抗効果素子と磁束誘導層との間の距離を規定すると共に、３ｎｍ以上、１０ｎｍ以下」とすることは、上記周知技術から、当業者が容易に想到しえることである。
　
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用例１，２及び周知技術から、当業者が十分に予測できたものであって、格別なものとはいえない。　
　
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないのであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。