【手続補正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドを備えた半導体チップと、
一端面がシード層を介して前記電極パッドと接続された接続電極と、
前記接続電極の他端面を露出するように前記半導体チップ上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成され、前記接続電極の他端面と接続された配線と、
前記配線を覆うように前記第１絶縁層に積層され、前記配線の一部を露出する第２絶縁層と、を有し、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は前記半導体チップの側面に沿って延在し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層が形成するコーナー部がテーパ形状である半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップ上に前記電極パッドを露出する保護膜が形成され、
前記第１絶縁層は前記保護膜の上面に形成され、前記半導体チップの側面に延在して前記保護膜の側面を覆っている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
電極パッドを備えた半導体チップと、
一端面がシード層を介して前記電極パッドと接続された接続電極と、
前記接続電極の他端面を露出するように前記半導体チップ上に形成された絶縁層と、
前記接続電極の他端面と接続された外部接続端子と、を有し、
前記絶縁層は前記半導体チップの側面に沿って延在し、前記絶縁層が形成するコーナー部がテーパ形状である半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップ上に前記電極パッドを露出する保護膜が形成され、
前記絶縁層は前記保護膜の上面に形成され、前記半導体チップの側面に延在して前記保護膜の側面を覆っている請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
電極パッドを備えた半導体チップが複数配置された半導体基板を準備し、各々の半導体チップの電極パッド上に、一端面がシード層を介して前記電極パッドと接続された接続電極を形成する工程と、
前記接続電極の他端面を露出するように、前記半導体基板上に半硬化状態の絶縁層を形成する工程と、
半硬化状態の前記絶縁層が形成された前記半導体基板を個片化し、半硬化状態の前記絶縁層を有する複数の半導体チップを形成する工程と、
前記半導体チップのコーナー部に対応する位置にテーパ部を有する金型を用いて、半硬化状態の前記絶縁層を前記半導体チップの側面に回し込ませて、前記絶縁層からなり前記半導体チップの側面に密着した保護層を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層を形成する工程の後、前記絶縁層上に前記接続電極と接続される配線を形成する工程と、前記配線を覆って前記絶縁層上に半硬化状態の第２絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記保護層を形成する工程では、前記半導体チップのコーナー部に対応する位置にテーパ部を有する金型を用いて、半硬化状態の前記絶縁層及び半硬化状態の前記第２絶縁層を前記半導体チップの側面に回し込ませて、前記絶縁層及び前記第２絶縁層からなり前記半導体チップの側面に密着した保護層を形成する請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護層を形成する工程の後、半硬化状態の前記絶縁層を硬化させる工程、又は、半硬化状態の前記絶縁層及び半硬化状態の前記第２絶縁層を硬化させる工程を有する請求項５又は６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記テーパ部の前記半導体チップに接する面は、前記金型内部の垂直面に対して０度超、９０度未満の角度をなすテーパ面を有する請求項５乃至７の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記金型の材料は、ステンレスである請求項５乃至８の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記テーパ部の前記半導体チップに接する面は、フッ素樹脂で被覆されている請求項５乃至９の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであって、信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供し、工程の簡素化を図ることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本半導体装置の一の形態は、電極パッドを備えた半導体チップと、一端面がシード層を介して前記電極パッドと接続された接続電極と、前記接続電極の他端面を露出するように前記半導体チップ上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、前記接続電極の他端面と接続された配線と、前記配線を覆うように前記第１絶縁層に積層され、前記配線の一部を露出する第２絶縁層と、を有し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は前記半導体チップの側面に沿って延在し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層が形成するコーナー部がテーパ形状であることを要件とする。
又、本半導体装置の他の形態は、電極パッドを備えた半導体チップと、一端面がシード層を介して前記電極パッドと接続された接続電極と、前記接続電極の他端面を露出するように前記半導体チップ上に形成された絶縁層と、前記接続電極の他端面と接続された外部接続端子と、を有し、前記絶縁層は前記半導体チップの側面に沿って延在し、前記絶縁層が形成するコーナー部がテーパ形状であることを要件とする。
又、本半導体装置の製造方法は、電極パッドを備えた半導体チップが複数配置された半導体基板を準備し、各々の半導体チップの電極パッド上に、一端面がシード層を介して前記電極パッドと接続された接続電極を形成する工程と、前記接続電極の他端面を露出するように、前記半導体基板上に半硬化状態の絶縁層を形成する工程と、半硬化状態の前記絶縁層が形成された前記半導体基板を個片化し、半硬化状態の前記絶縁層を有する複数の半導体チップを形成する工程と、前記半導体チップのコーナー部に対応する位置にテーパ部を有する金型を用いて、半硬化状態の前記絶縁層を前記半導体チップの側面に回し込ませて、前記絶縁層からなり前記半導体チップの側面に密着した保護層を形成する工程と、を有することを要件とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供することができ、また、工程の簡素化を図ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図１０の（ｂ）は、（ａ）のＵ部の詳細を示している。金型母体１０３は、その内部に設けられた、それぞれのプレス金型１０４を保持する箇所に、プレス金型１０４の水平方向（ｘ−ｙ方向）の位置調整及び固定用のクランプ１１５と、プレス金型１０４の垂直方向（ｚ方向）の位置調整固定手段１０６と、プレス金型１０４の水平方向の円滑な摺動を可能とする摺動手段１０７とを有している。プレス金型１０４に、金型内部の垂直面Ｍとθの角度（０度＜θ＜９０度）を有するテーパ部Ｔを設け、半硬化状態の絶縁層等にプレス加工を行うと、絶縁層を半導体チップの側面に回し込ませることができる。矩形形状のＣＳＰの個片に対して、金型内部のテーパ部Ｔは、四角錐の稜の部分がラウンドされた面を有する形状を有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
５０                  半導体ウエハ
５０ｂ                半導体ウエハ５０の裏面
５１                  接続電極
５１ａ，５１ｂ        接続電極５１の端面
５２                  半導体集積回路
５３                  電極パッド
５４                  保護膜
５６，８４            シード層
５７，８５            フォトレジスト層
５９，８１            絶縁層
６１                  外部接続端子
６３                  スクライブライン
６４，８８            チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）
６５                  ダイシングテープ
６６                  半導体チップ
６７                  金型
６８                  絶縁層のコーナー部及び側面部
６９                  保護層
８２                  配線
８６                  第２絶縁層
８７                  外部接続端子のための開口部
１０１                プレス機器
１０２                プレス手段
１０３                金型母体
１０４，１１１        プレス金型
１０５                プレス基盤
１０６                プレス金型１０４の垂直方向の位置調整固定手段
１０７                プレス金型１０４用の摺動手段
１１２                フッ素樹脂
１１５                クランプ
１５０                接続層
１６０                再配線層
２００，２１０        ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）
ｂ                    外部接続端子６１の透視図における直径
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ５，Ｄ６    半導体チップの底辺の長さ
Ｄ３，Ｄ４，Ｄ７，Ｄ８    金型６７のプレス用開口部各辺の長さ
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４    金型の各部寸法
ｈ１                  外部接続端子６１の高さ
Ｈ１，Ｈ２            ブレードの高さ位置
Ｍ                    金型内部における垂直面
ｐ                    保護層の長さ
ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４    絶縁層の厚さ
Ｔ                    金型内部におけるテーパ面
θ                    金型内部におけるテーパ面Ｔと垂直面Ｍとのなす角
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
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