【手続補正書】
【提出日】平成24年6月5日(2012.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を形成する方法であって、
（ａ）実質的に酸素と水とを含まない鉱化剤をアンモノサーマル成長反応器の反応チャンバーに提供することと、
（ｂ）該チャンバーを排気することと、
（ｃ）該ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させる前に、バックエッチングされたシード結晶性材料を提供することと、
（ｄ）該チャンバー内で該ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させることと
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載され、一つ以上の流動制限バッフルによって分離された少なくとも結晶化領域と強化剤領域とを有する円筒形高圧ベッセルを使用する、ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させる方法であって、該方法は、
（ａ）該結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶性材料を装填し、該強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填することと、
（ｂ）アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分への最小の曝露を有する態様で該高圧ベッセルの中に該鉱化剤を装填することと、
（ｃ）該高圧ベッセルを密封することと、
（ｄ）該高圧ベッセルを排気することと、
（ｅ）該高圧ベッセルをアンモニアで充填することと、
（ｆ）該強化剤領域の温度を４００℃よりも高く維持することによって該シード結晶性材料をバックエッチングすることであって、該結晶化領域の温度が、該強化剤領域の温度よりも少なくとも５０℃低く維持される、ことと、
（ｇ）該結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけることと、
（ｈ）（ｇ）に記載された温度条件を、結晶性材料を成長させるのに十分な長さの間、維持することと、
（ｉ）アンモニアを放出して、結晶成長を停止させることと、
（ｊ）該高圧ベッセルを密封解除することと
を含む、方法。
【請求項３】
前記シード結晶性材料は、請求項２のステップ（ｆ）において１マイクロメートルを超える量だけバックエッチングされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
請求項１に記載され、一つ以上の流動制限バッフルによって分離された少なくとも結晶化領域と強化剤領域とを有する円筒形高圧ベッセルを使用する、ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させる方法であって、該方法は、
（ａ）該結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶性材料を装填し、該強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填することと、
（ｂ）アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分への最小の曝露を有する態様で該高圧ベッセルの中に該鉱化剤を装填することと、
（ｃ）該高圧ベッセルを密封することと、
（ｄ）該高圧ベッセルを排気することと、
（ｅ）該高圧ベッセルをアンモニアで充填することと、
（ｆ）結晶化領域の温度を４００℃よりも低く維持することによって該シード結晶性材料をバックエッチングすることであって、該結晶化領域の温度が、該強化剤領域の温度よりも少なくとも５０℃高く維持される、ことと、
（ｇ）該結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけることと、
（ｈ）（ｇ）に記載された温度条件を、結晶性材料を成長させるのに十分な長さの間、維持することと、
（ｉ）アンモニアを放出して、結晶成長を停止させることと、
（ｊ）該高圧ベッセルを密封解除することと
を含む、方法。
【請求項５】
前記シード結晶性材料は、請求項４のステップ（ｆ）において１マイクロメートルを超える量だけバックエッチングされる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
請求項１に記載され、一つ以上の流動制限バッフルによって分離された少なくとも結晶化領域と強化剤領域とを有する円筒形高圧ベッセルを使用する、ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させる方法であって、該方法は、
（ａ）エッチングガスを含む雰囲気において８００℃より高い温度で、シード結晶性材料を熱的にバックエッチングすることであって、該エッチングガスは、フッ化水素、フッ素、塩化水素、塩素、臭化水素、臭素、ヨウ化水素、ヨウ素、アンモニアまたは水素から選択される、ことと、
（ｂ）該結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶性材料を装填し、該強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填することと、
（ｃ）アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分への最小の曝露を有する態様で、該高圧ベッセルに該鉱化剤を装填することと、
（ｄ）該高圧ベッセルを密封することと、
（ｅ）該高圧ベッセルを排気することと、
（ｆ）該高圧ベッセルをアンモニアで充填することと、
（ｇ）該結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけることと、
（ｈ）（ｇ）に記載された温度条件を、結晶性材料を成長させるのに十分な長さの間、維持することと、
（ｉ）アンモニアを放出して、結晶成長を停止させることと、
（ｊ）該高圧ベッセルを密封解除することと
を含む、方法。
【請求項７】
前記シード結晶性材料は、請求項６のステップ（ａ）において１マイクロメートルを超える量だけバックエッチングされる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載され、一つ以上の流動制限バッフルによって分離された少なくとも結晶化領域と強化剤領域とを有する円筒形高圧ベッセルを使用する、ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させる方法であって、該方法は、
（ａ）該結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶性材料を装填し、該強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填することと、
（ｂ）アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分への最小の曝露を有する態様で、該高圧ベッセルに該鉱化剤を装填することと、
（ｃ）該高圧ベッセルを密封することと、
（ｄ）該高圧ベッセルを排気することと、
（ｅ）該高圧ベッセルをアンモニアで充填することと、
（ｆ）該結晶化領域の温度を、結晶成長を開始させる前に１時間より長い間、該強化剤領域の温度より低く維持することと、
（ｇ）該結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけることと、
（ｈ）（ｇ）に記載された温度条件を、結晶性材料を成長させるのに十分な長さの間、維持することと、
（ｉ）アンモニアを放出して、結晶成長を停止させることと、
（ｊ）該高圧ベッセルを密封解除することと
を含む、方法。
【請求項９】
アンモノ塩基性の溶液が使用され、結晶性材料の成長中において、前記結晶化領域の温度が、前記強化剤領域の温度以下に設定される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
結晶性材料の成長中の前記結晶化領域と前記強化剤領域との間の温度差は、２０℃より小さい、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記高圧ベッセルのチャンバーは、前記排気するステップ中に、１×１０−５ミリバールより低い圧力まで排気される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法によって成長させられた単結晶性ＧaＮ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の単結晶性ＧaＮに等価な単結晶性ＧaＮ。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の単結晶性ＧａＮ結晶からスライスされた単結晶性ＧaＮウェハー。
【請求項１５】
ＩＩＩ族窒化物結晶性材料の成長のための高圧ベッセルであって、
（ａ）反応チャンバーを画定する反応器本体と、
（ｂ）該反応チャンバー内に、（ｉ）バックエッチングされた強化剤と、（ｉｉ）シード材料と
を備える、高圧ベッセル。
【請求項１６】
前記反応チャンバー内にアンモニア溶液をさらに含む、請求項１５に記載の高圧ベッセル。
【請求項１７】
前記アンモニア溶液は塩基性である、請求項１６に記載の高圧ベッセル。
【請求項１８】
前記反応チャンバー内にアルカリ鉱化剤をさらに含む、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の高圧ベッセル。