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【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに、複数の配線層を形成し、それぞれ前記複数の配線層の一部を含む半導体チップとなるチップ構成部を複数形成し、相互に隣り合う前記チップ構成部を何れかの前記配線層に含まれる接続配線を介して相互に電気的に接続する第１工程と、
相互に隣り合う前記チップ構成部の間において前記接続配線と交差するように延伸するスクライブ線に沿って、前記半導体ウェハを切断することによって、前記チップ構成部の各々を相互に分離させて前記半導体チップを形成する第２工程と、
をこの順に行い、
前記第１工程では、前記接続配線において、前記チップ構成部に対する接続端よりも、これら接続端の間に位置する中間部の方が、幅狭となるように、前記接続配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、上記においては、素子分離をＳＴＩ構造の素子分離領域２２により行う例を説明したが、素子分離はＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）により行うようにしても良い。また、上記においては、接続配線３及びダミーメタル５をＡｌにより形成する例を説明したが、接続配線３及びダミーメタル５はその他の金属（例えばＣｕなど）により形成しても良い。
なお、上記実施形態には以下の発明が開示されている。
（付記１）
半導体ウェハに、複数の配線層を形成し、それぞれ前記複数の配線層の一部を含む半導体チップとなるチップ構成部を複数形成し、相互に隣り合う前記チップ構成部を何れかの前記配線層に含まれる接続配線を介して相互に電気的に接続する第１工程と、
相互に隣り合う前記チップ構成部の間において前記接続配線と交差するように延伸するスクライブ線に沿って、前記半導体ウェハを切断することによって、前記チップ構成部の各々を相互に分離させて前記半導体チップを形成する第２工程と、
をこの順に行い、
前記第１工程では、前記接続配線において、前記チップ構成部に対する接続端よりも、これら接続端の間に位置する中間部の方が、幅狭となるように、前記接続配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記接続配線は相互に隣り合う前記チップ構成部の電源線を互いに接続しており、
前記第１工程と前記第２工程との間に、前記接続配線を介して前記チップ構成部の前記電源線に電源を供給する第３工程を備えることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記接続配線をＡｌにより形成することを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記接続配線を、前記複数の配線層のうち最も表層の配線層から数えて２番目以降の配線層に形成することを特徴とする付記１乃至３の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記接続配線における前記中間部の幅は、前記接続配線における前記チップ構成部に対する前記接続端の幅よりも５μｍ以上狭いことを特徴とする付記１乃至４の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記接続配線における前記チップ構成部に対する前記接続端の幅は６５μｍ以上８０μｍ以下であり、
前記接続配線における前記中間部の幅は４０μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする付記１乃至５の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記接続配線の前記中間部は、前記スクライブ線の長手方向に対して直交する方向における長さが、少なくとも３０μｍ以上であることを特徴とする付記１乃至６の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記接続配線の前記中間部は、前記スクライブ線の長手方向に対して直交する方向における該スクライブ線の中央部に位置することを特徴とする付記１乃至７の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記第１工程では、複数のダミーメタルからなるダミーメタルパターンを、前記複数の配線層のうち、前記接続配線の上層と下層とのうちの少なくとも何れか１つの配線層において、前記接続配線の配置領域及びその近傍と対応する範囲にのみ形成することを特徴とする付記１乃至８の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
半導体基板と、この半導体基板上に形成されている複数の配線層と、を備え、何れかの前記配線層に含まれる配線の先端が半導体チップの端面に露出し、当該露出している配線の先端部は、当該配線の基端部よりも幅狭となっていることを特徴とする半導体チップ。
（付記１１）
前記配線はＡｌからなることを特徴とする付記１０に記載の半導体チップ。
（付記１２）
前記接続配線における前記先端部の幅は、前記接続配線における前記基端部の幅よりも５μｍ以上狭いことを特徴とする付記１０又は１１に記載の半導体チップ。
（付記１３）
前記配線における前記基端部の幅は６５μｍ以上８０μｍ以下であり、
前記配線における前記先端部の幅は４０μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする付記１０乃至１２の何れか１つに記載の半導体チップ。
（付記１４）
複数の配線層と、
それぞれ前記複数の配線層の一部を含む半導体チップとなる複数のチップ構成部と、
何れかの前記配線層に含まれ、相互に隣り合う前記チップ構成部を相互に電気的に接続する接続配線と、
を備え、
前記接続配線は、該接続配線において、前記チップ構成部に対する接続端よりも、これら接続端の間に位置する中間部の方が、幅狭であることを特徴とする半導体ウェハ。
（付記１５）
前記接続配線は相互に隣り合う前記チップ構成部の電源線を互いに接続していることを特徴とする付記１４に記載の半導体ウェハ。
（付記１６）
前記接続配線はＡｌからなることを特徴とする付記１４又は１５に記載の半導体ウェハ。
（付記１７）
前記接続配線における前記中間部の幅は、前記接続配線における前記チップ構成部に対する前記接続端の幅よりも５μｍ以上狭いことを特徴とする付記１４乃至１６の何れか１つに記載の半導体ウェハ。
（付記１８）
前記接続配線における前記チップ構成部に対する前記接続端の幅は６５μｍ以上８０μｍ以下であり、
前記接続配線における前記中間部の幅は４０μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする付記１４至１７の何れか１つに記載の半導体ウェハ。
（付記１９）
前記接続配線の前記中間部は、相互に隣り合う前記チップ構成部の間において前記接続配線と交差するように延伸するスクライブ線の長手方向に対して直交する方向における長さが、少なくとも３０μｍ以上であることを特徴とする付記１４乃至１８の何れか１つに記載の半導体ウェハ。
（付記２０）
前記接続配線の前記中間部は、相互に隣り合う前記チップ構成部の間において前記接続配線と交差するように延伸するスクライブ線の長手方向に対して直交する方向における該スクライブ線の中央部に位置することを特徴とする付記１４乃至１９の何れか１つに記載の半導体ウェハ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎチャネル型の第１ＭＩＳＦＥＴを半導体基板の第１領域に有し、ｐチャネル型の第２ＭＩＳＦＥＴを前記半導体基板の第２領域に有する半導体装置であって、
前記第１ＭＩＳＦＥＴは、前記半導体基板上に第１ゲート絶縁膜を介して形成された第１メタルゲート電極を有し、
前記第２ＭＩＳＦＥＴは、前記半導体基板上に第２ゲート絶縁膜を介して形成された第２メタルゲート電極を有し、
前記第１ゲート絶縁膜は、ハフニウムと希土類元素とシリコンと酸素とを主成分として含有する絶縁材料からなり、
前記第２ゲート絶縁膜は、ハフニウムとアルミニウムと酸素とを主成分として含有するがシリコンを主成分として含有しない絶縁材料からなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面を覆うようにして、交互に繰り返し積層して配置された配線層および接続層を有し、
前記配線層の各々は、導体パターンと、前記導体パターン間を絶縁する層間絶縁膜とを有し、
前記接続層の各々は、異なる前記配線層の前記導体パターン同士を接続する接続導体部と、前記接続導体部間を絶縁する前記層間絶縁膜とを有し、
前記配線層のうちの最上の配線層は、前記導体パターンにより形成される外部端子と、前記外部端子を覆う保護絶縁膜とを有し、
前記外部端子は、アルミニウムを主体とする導体からなり、
前記保護絶縁膜は、前記外部端子の一部を露出させる開口部を有し、
前記外部端子は、前記保護絶縁膜の開口部から露出した領域の一部に、プローブ接触領域を有し、
前記配線層のうち、前記最上の配線層の一つ下の配線層において、前記プローブ接触領域と平面的に重なる部分には、前記導体パターンは配置されておらず、
前記外部端子とその直下の前記層間絶縁膜との間にはバリア導体膜が配置され、
前記バリア導体膜は、チタンを主体とする第１バリア導体膜と、窒化チタンを主体とする第２バリア導体膜との積層膜によって構成され、
前記第１バリア導体膜は前記層間絶縁膜と接する側に、前記第２バリア導体膜は前記外部端子と接する側にそれぞれ配置され、
前記バリア導体膜では、縦方向の膜厚が、前記第１バリア導体膜の方が、前記第２バリア導体膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル領域とアナログ領域とが混載された半導体装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に埋設された第１の導電膜により構成され、平面視で前記デジタル領域および前記アナログ領域の外周を取り囲む環状のシールリングと、
前記層間絶縁膜中に埋設された第２の導電膜により構成され、前記シールリングで囲まれた領域内で、前記デジタル領域と前記アナログ領域との間に設けられ、前記アナログ領域を前記デジタル領域から隔離するとともに、前記シールリングに電気的に接続されたガードリングと、
前記ガードリング近傍で当該ガードリングと電気的に接続された第１の電極パッドと、
を含み、
前記第１の電極パッドは、外部の接地端子に接続されて接地電位とされた半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、電極パッド１６０ａ等の電極パッド１６０をボンディングワイヤを介して接地端子と接続する構成の場合も、配置が可能であれば、電極パッド１６０をガードリング１５０の上等、半導体装置１００の中心部に配置してもよい。
なお、本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
デジタル領域とアナログ領域とが混載された半導体装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に埋設された第１の導電膜により構成され、平面視で前記デジタル領域および前記アナログ領域の外周を取り囲む環状のシールリングと、
前記層間絶縁膜中に埋設された第２の導電膜により構成され、前記シールリングで囲まれた領域内で、前記デジタル領域と前記アナログ領域との間に設けられ、前記アナログ領域を前記デジタル領域から隔離するとともに、前記シールリングに電気的に接続されたガードリングと、
前記ガードリング近傍で当該ガードリングと電気的に接続された第１の電極パッドと、
を含み、
前記第１の電極パッドは、外部の接地端子に接続されて接地電位とされた半導体装置。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置において、
前記第１の電極パッドは、平面視で前記アナログ領域内の前記ガードリング近傍に配置された半導体装置。
（付記３）
付記１または２に記載の半導体装置において、
前記第１の電極パッドは、前記層間絶縁膜中に埋設された導電膜を介して前記第１の導電膜または前記第２の導電膜と接続された半導体装置。
（付記４）
付記１から３いずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の電極パッドは、前記層間絶縁膜中に埋設された導電膜を介して前記第１の導電膜と接続され、前記第１の電極パッドは、前記シールリングを介して前記ガードリングに接続された半導体装置。
（付記５）
付記１から４いずれかに記載の半導体装置において、
複数の前記第１の電極パッドを含み、
前記複数の第１の電極パッドの一部は、前記層間絶縁膜中に埋設された導電膜を介して前記第１の導電膜と接続され、
前記複数の第１の電極パッドの他の一部は、前記層間絶縁膜中に埋設された導電膜を介して前記第２の導電膜と接続された半導体装置。
（付記６）
付記１から５いずれかに記載の半導体装置において、
前記基板には、前記シールリングの下方において、前記基板の導電型と反対導電型の第１の拡散層が形成されており、
前記シールリングの前記第１の導電膜は、前記第１の拡散層を介して前記基板に接続された半導体装置。
（付記７）
付記１から６いずれかに記載の半導体装置において、
前記ガードリングの前記第２の導電膜は、前記基板の導電型と反対導電型の拡散層を介すことなく、前記基板に接続された半導体装置。
（付記８）
付記１から７いずれかに記載の半導体装置において、
前記基板が接地されている半導体装置。
（付記９）
付記１から８いずれかに記載の半導体装置において、
前記アナログ領域には、ノイズの影響を受けやすい被保護回路が形成されており、
前記第１の電極パッドは、所定の周波数において、前記デジタル領域から前記被保護回路へのノイズの伝搬経路と前記ガードリングとが交差する交差点から当該第１の電極パッドまでの導電経路に基づき算出されるインピーダンスＺ２が、前記交差点から前記被保護回路までの前記伝搬経路に基づき算出されるインピーダンスＺ１の１／２となるように、前記ガードリングに接続された半導体装置。
（付記１０）
付記１から９いずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の電極パッドは、ボンディングワイヤを介して前記接地端子に接続された半導体装置。
（付記１１）
付記１０に記載の半導体装置において、
前記第１の電極パッドは、平面視で、前記ボンディングワイヤと接続される箇所と重ならない箇所において、前記層間絶縁膜中に形成されたビアと接続され、当該ビアを介して前記第１の導電膜または前記第２の導電膜と接続された半導体装置。
（付記１２）
付記１から１１いずれかに記載の半導体装置において、
前記接地端子は、配線基板に設けられた端子、当該半導体装置が搭載されるダイパッド、またはリードである半導体装置。
（付記１３）
付記１から１２いずれかに記載の半導体装置において、
前記接地端子は、当該半導体装置が搭載されるダイパッドであって、前記基板は、当該ダイパッドを介して接地されている半導体装置。
（付記１４）
付記１から１３いずれかに記載の半導体装置において、
前記アナログ領域には、ノイズの影響を受けやすい被保護回路が形成されており、
前記被保護回路近傍で前記シールリングまたは前記ガードリングと電気的に接続された電極パッドをさらに含み、当該電極パッドは、外部の接地端子に接続されて接地電位とされた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法、及び発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に窒素及びケイ素を含む絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に、前記第１の電極の端部を覆う隔壁を形成し、
前記第１の電極及び前記隔壁上に第２の基板を接着し、
前記剥離層と前記絶縁膜との間で剥離することによって、前記絶縁膜、前記第１の電極、前記隔壁、及び前記第２の基板を前記第１の基板から分離し、
前記分離によって露出した前記絶縁膜に第１の接着剤を用いてプラスチック基板を接着し、
前記第２の基板を分離して、前記第１の電極を露出させ、
露出した前記第１の電極上にＥＬ層を形成し、
前記ＥＬ層上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極に第２の接着剤を用いて厚さが１０μｍ以上２００μｍ以下の金属基板を接着する発光装置の作製方法であって、
前記絶縁膜を、前記プラスチック基板の耐熱温度以上の温度で形成したことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
プラスチック基板を有し、
前記プラスチック基板上の第１の接着剤を有し、
前記第１の接着剤剤上の窒素及びケイ素を含む絶縁膜を有し、
前記絶縁膜上の発光素子を有し、
前記発光素子は、第１の電極と、ＥＬ層と、第２の電極とを有し、
前記第２の電極上の第２の接着剤を有し、
前記第２の接着剤上の金属基板を有し、
前記金属基板の厚さが１０μｍ以上２００μｍ以下を有する発光装置であって、
前記絶縁膜の透水性は、前記プラスチック基板の透水性より低いことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記プラスチック基板の外側に透明導電膜を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記プラスチック基板を５ｍｍ〜３０ｍｍの直径を有する円柱に巻き付け、円筒状に撓んだ状態で点灯することができることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
上記搬送機構を用いて上記予測した偏芯量の値を加味して上記後続の半導体ウエハを上記収納部から上記プリアライメント機構の回転体上へ移載することを特徴とする請求項１に記載のプリアライメント方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
上記搬送機構を用いて上記予測した偏芯量の値を加味して上記後続の半導体ウエハを上記収納部から上記プリアライメント機構の回転体上へ移載することを特徴とする請求項４に記載のプリアライメント用プログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の請求項２に記載のプリアライメント方法は、請求項１に記載の発明において、上記搬送機構を用いて上記予測した偏芯量の値を加味して上記後続の半導体ウエハを上記収納部から上記プリアライメント機構の回転体上へ移載することを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の請求項５に記載のプリアライメント用プログラムは、請求項４に記載の発明において、上記搬送機構を用いて上記予測した偏芯量の値を加味して上記後続の半導体ウエハを上記収納部から上記プリアライメント機構の回転体上へ移載することを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
而して、制御装置３は、図２に示すように中央演算処理部３Ａと、検査装置を駆動するための各種のプログラムや種々のデータを保存する記憶部３Ｂと、を備え、中央演算処理部３Ａと記憶部３Ｂとの間で種々のプログラムデータや保存データを授受してローダ室１内の機器及びプローバ室２内の機器を制御して半導体ウエハＷの電気的特性検査を行い、必要な取得データを記憶部３Ｂに保存する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ステップＳ８において、演算値が規定値を超えていると判断されることがあれば、ステップＳ９、ステップＳ５及びステップＳ６を経由し、ステップＳ８において半導体ウエハＷの偏芯量が規定値以下であるか否かを判断する。この時には半導体ウエハＷの偏芯量が規定値以下になっており、プローバ室２へ搬送できるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランジスタを含むメモリセル領域と、
前記メモリセル領域に隣接して配置されたコア領域とを少なくとも備え、
前記メモリセル領域及び前記コア領域は、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたｎ型ウェル領域及び第１のｐ型ウェル領域とを少なくとも備え、
前記メモリセル領域は、
前記半導体基板と前記ｎ型ウェル領域及び前記第１のｐ型ウェル領域との間に形成された第２のｐ型ウェル領域を少なくとも備え、
前記第２のｐ型ウェル領域は、少なくとも前記第１のｐ型ウェル領域と接している半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源から供給される交流電力を整流した直流に基づいて、導電性発熱体を誘導加熱するためのコイルに高周波電流を供給する電流供給手段と、
前記電流供給手段を駆動する駆動パルスを出力する駆動手段と、
前記交流電源の入力電圧を検出する電圧検出手段と、
前記電流供給手段への入力電流を検出する電流検出手段と、
前記導電性発熱体の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段の出力と前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて前記駆動手段が出力する駆動パルスの周波数を制御する制御手段と、
前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて決まる入力電力が所定値を越えると前記前記駆動手段の動作を制限する電力制限手段と、
を有し、
前記電力制限手段は、
第１の範囲の入力電圧に対応して設けられ、前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて入力電力が前記所定値を越えたと判断する第１の制限回路と、
前記第１の範囲よりも高い側の第２の範囲の入力電圧に対応して設けられ、前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて入力電力が前記所定値を越えたと判断する第２の制限回路と、を有し、
前記第１の制限回路における入力電圧の変化に対して入力電力が前記所定値を越えたと判断する入力電流の値である入力電流制限値の変化の度合が、前記第２の制限回路における入力電圧に対する入力電流制限値の変化の度合よりも大きく、前記第１の制限回路及び前記第２の制限回路の各々から前記入力電力が前記所定値を越えたことを示す信号が出力されることにより、前記駆動手段の動作を制限することを特徴とする誘導加熱装置。
【請求項２】
交流電源から供給される交流電力を整流した直流に基づいて、導電性発熱体を誘導加熱するためのコイルに高周波電流を供給する電流供給手段と、
前記電流供給手段を駆動する駆動パルスを出力する駆動手段と、
前記交流電源の入力電圧を検出する電圧検出手段と、
前記電流供給手段への入力電流を検出する電流検出手段と、
前記導電性発熱体の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段の出力と前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて前記駆動部が出力する駆動パルスの周波数を制御する制御手段と、
前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて決まる入力電力が所定値を越えると前記前記駆動手段の動作を制限する電力制限手段と、
を有し、
前記電力制限手段は、前記交流電源の入力電圧の変化に対して入力電力が前記所定値を越えたと判断する入力電流の値である入力電流制限値の変化との関係を表わす一次式に従って前記駆動手段の動作を制限し、前記一次式は、入力電圧の変化と入力電流制限値の変化とが逆比例の関係にあり、且つ入力電圧が第１の範囲における前記一次式の傾きが前記第１の範囲よりも入力電圧が高い側の第２の範囲における前記一次式の傾きよりも大きいことを特徴とする誘導加熱装置。
【請求項３】
前記電力制限手段は、前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて前記入力電力が前記所定値を越えたと判断する制限回路を、前記第１の範囲及び前記第２の範囲を含む複数の入力電圧の範囲に対応して複数有し、前記複数の制限回路の各々から前記入力電力が前記所定値を越えたことを示す信号が出力されることにより、前記駆動手段の動作を制限することを特徴とする請求項２記載の誘導加熱装置。
【請求項４】
前記電力制限手段は、前記駆動手段による前記駆動パルスの出力を停止することを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の誘導加熱装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れかの記載の誘導加熱装置を、シートに転写されたトナー像を定着する定着部として用いたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の課題を解決するために、本発明の誘導加熱装置は、交流電源から供給される交流電力を整流した直流に基づいて、導電性発熱体を誘導加熱するためのコイルに高周波電流を供給する電流供給手段と、前記電流供給手段を駆動する駆動パルスを出力する駆動手段と、前記交流電源の入力電圧を検出する電圧検出手段と、前記電流供給手段への入力電流を検出する電流検出手段と、前記導電性発熱体の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段の出力と前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて前記駆動手段が出力する駆動パルスの周波数を制御する制御手段と、前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて決まる入力電力が所定値を越えると前記前記駆動手段の動作を制限する電力制限手段と、を有し、前記電力制限手段は、第１の範囲の入力電圧に対応して設けられ、前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて入力電力が前記所定値を越えたと判断する第１の制限回路と、前記第１の範囲よりも高い側の第２の範囲の入力電圧に対応して設けられ、前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて入力電力が前記所定値を越えたと判断する第２の制限回路と、を有し、前記第１の制限回路における入力電圧の変化に対して入力電力が前記所定値を越えたと判断する入力電流の値である入力電流制限値の変化の度合が、前記第２の制限回路における入力電圧に対する入力電流制限値の変化の度合よりも大きく、前記第１の制限回路及び前記第２の制限回路の各々から前記入力電力が前記所定値を越えたことを示す信号が出力されることにより、前記駆動手段の動作を制限することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の誘導加熱装置は、交流電源から供給される交流電力を整流した直流に基づいて、導電性発熱体を誘導加熱するためのコイルに高周波電流を供給する電流供給手段と、前記電流供給手段を駆動する駆動パルスを出力する駆動手段と、前記交流電源の入力電圧を検出する電圧検出手段と、前記電流供給手段への入力電流を検出する電流検出手段と、前記導電性発熱体の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段の出力と前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて前記駆動部が出力する駆動パルスの周波数を制御する制御手段と、前記電圧検出手段の出力と前記電流検出手段の出力とに基づいて決まる入力電力が所定値を越えると前記前記駆動手段の動作を制限する電力制限手段と、を有し、前記電力制限手段は、前記交流電源の入力電圧の変化に対して入力電力が前記所定値を越えたと判断する入力電流の値である入力電流制限値の変化との関係を表わす一次式に従って前記駆動手段の動作を制限し、前記一次式は、入力電圧の変化と入力電流制限値の変化とが逆比例の関係にあり、且つ入力電圧が第１の範囲における前記一次式の傾きが前記第１の範囲よりも入力電圧が高い側の第２の範囲における前記一次式の傾きよりも大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を射出する発光部と、前記発光部の一方側に一体に設けられた第１封止部と、を備える発光管と、
前記発光部の周囲のうちの一部を覆い前記発光部から射出した光を反射させる副反射面と、前記第１封止部を覆う延伸部と、を備える副反射鏡と、
前記発光部から射出した光と、前記副反射鏡で反射した光とを反射させる主反射鏡と、
前記延伸部と前記第１封止部との間に設けられた絶縁シートと、
前記絶縁シートと前記延伸部との間に配置された第１電極と、
前記絶縁シートに対して前記第１電極が配置された側の反対面側に配置された第２電極と、を有し、
前記第１電極は、前記第２電極よりも前記発光部側にずらして配置され、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加することでイオン風を起こし、前記副反射面と前記発光部との間の空気を流動可能とすることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記第１電極および前記第２電極は、お互いが対向する先端が平坦な形状であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記延伸部、前記第１電極および前記第２電極は、前記第１封止部の略全周を囲む筒状に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の光源装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の光源装置と、
前記第１電極と前記第２電極との間に交流電圧を印加させる電圧印加部と、
前記光源装置から射出した光を画像信号に応じて変調する空間光変調装置と、を有することを特徴とするプロジェクター。
【請求項５】
前記電圧印加部は、前記第１電極と前記第２電極との間に沿面放電が起こる電圧を印加させることを特徴とする請求項４に記載のプロジェクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、光を射出する発光部と、発光部の一方側に一体に設けられた第１封止部と、を備える発光管と、発光部の周囲のうちの一部を覆い発光部から射出した光を反射させる副反射面と、第１封止部を覆う延伸部と、を備える副反射鏡と、発光部から射出した光と、副反射鏡で反射した光とを反射させる主反射鏡と、延伸部と第１封止部との間に設けられた絶縁シートと、絶縁シートと延伸部との間に配置された第１電極と、絶縁シートに対して第１電極が配置された側の反対面側に配置された第２電極と、を有し、第１電極は、第２電極よりも発光部側にずらして配置され、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することでイオン風を起こし、副反射面と発光部との間の空気を流動可能とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図５は、本発明の実施例２に係るプロジェクター１の概略構成を示す図である。プロジェクター１は、不図示のスクリーンへ光を投写し、スクリーンで反射する光を観察することで画像を鑑賞するフロント投写型のプロジェクターである。プロジェクター１は、上記実施例１に係る光源装置２０２を有する（図１、図２も参照）。光源装置２０２は、赤色（Ｒ）光、緑色（Ｇ）光、青色（Ｂ）光を含む光を射出する。光源装置２０２には、電圧印加部３０が接続されている。電圧印加部３０は、電源（図示せず）から供給される交流電圧を、第１冷却用電極１８と第２冷却用電極１９との間に印加する。電圧印加部３０は、第１冷却用電極１８と第２冷却用電極１９との間で沿面放電の起こる電圧であって、スパークの起きない電圧を印加する。なお、第１冷却用電極１８は接地されている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図９は、本発明の実施例３に係る光源装置１５２の分解斜視図である。上記の実施例と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本実施例３では第２冷却用電極１９が、アルミニウムをシート状に形成したアルミシートにより構成されている。第２冷却用電極１９は、平面視において第１冷却用電極１８側となる縁部が、凹凸のある鋸刃形状とされている。例えば、アルミシートを所望の形状に型抜きすることで、鋸刃形状を備える第２冷却用電極１９とする。第２冷却用電極１９は、副反射鏡１３の延伸部２３に貼り付けられる。第１冷却用電極１８と第２冷却用電極１９との間に電圧を印加すると、鋸刃形状の複数の頂部１９ｂと第１冷却用電極１８との間で、コロナ放電によるイオン風が発生する。イオン風によって、発光部１５と副反射面１３ａとの間の空気を流動させて、発光部１５を効率的に冷却させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月13日(2012.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化された受信映像音声信号に対し、映像・音声を復号する信号復号処理を実行する信号復号部と、
前記信号復号部による前記信号復号処理の実行制御処理である正規タスクを実行する制御部と、
前記信号復号部及び前記制御部の動作内容に基づき、実行中の正規タスクの異常に関する異常情報を得る監視部とを備え、
前記制御部は、
前記受信映像音声信号に対し、少なくとも映像を復号する処理を有する縮退復号処理の実行制御処理である縮退タスクが実行可能であり、
前記監視部が検出した前記異常情報に基づき、前記正規タスクに関する異常レベルが所定の異常レベル以上である判定した場合、異常が検出された前記正規タスクである異常タスクに代えて前記縮退タスクを実行し、
前記正規タスクは所定のＣＰＵがメモリを使用して実行する少なくとも一つのソフトウェア処理によって実現され、
前記信号復号部及び前記制御部の動作内容は、前記信号復号部の実行による前記信号復号処理における音声・映像の復号時のエラー発生状況、及び前記少なくとも一つのソフトウェア処理の処理状態を含む、
映像音声復号装置。
【請求項２】
請求項１記載の映像音声復号装置であって、
前記監視部は、検出した異常情報を異常履歴として所定の記録部に記録し、
前記異常情報は、前記所定の記録部に記録した過去の前記異常情報の履歴である異常履歴情報を含む、
映像音声復号装置。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２記載の映像音声復号装置であって、
前記異常情報は異常発生の元になる前記正規タスクの部分的な処理を指示する情報を含み、
前記制御部は、
前記正規タスクの前記部分的な処理を再度実行させるリトライ制御処理がさらに実行可能であり、
前記監視部が検出した前記異常情報に基づき、前記正規タスクに関する異常レベルが前記所定の異常レベルも異常度合が低い低度異常レベルである判定した場合、前記リトライ制御処理を実行する、
映像音声復号装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のうち、いずれか１項に記載の映像音声復号装置であって、
前記制御部は、
装置全体を再起動するリセット制御処理がさらに実行可能であり、
前記異常情報に基づき、前記正規タスクに関する異常レベルが前記所定の異常レベルであると判定した場合、前記異常タスクが正常に再開されるまで、前記縮退タスクを実行し、
前記異常情報に基づき、前記正規タスクに関する異常レベルが前記所定の異常レベルよりも異常度合が高い高度異常レベルであると判定した場合、前記リセット制御処理を実行しつつ、装置全体が再起動されるまでの期間、前記縮退タスクを実行する、
映像音声復号装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のうち、いずれか１項に記載の映像音声復号装置であって、
前記受信映像音声信号はスクランブルされたスクランブル信号を含み、
前記信号復号部は前記スクランブル信号をデスクランブル処理するデスクランブラを含み、
前記縮退復号処理は、前記スクランブル信号に対しデスクランブルする縮退用デスクランブル処理を含む、
映像音声復号装置。
【請求項６】
請求項５記載の映像音声復号装置であって、
前記信号復号部は前記デスクランブラ処理に必要な鍵情報を正規状態引継情報として所定の記憶部に逐次記憶し、
前記縮退復号処理は前記正規状態引継情報から前記鍵情報を取得して前記縮退用スクランブル処理を実行する、
映像音声復号装置。
【請求項７】
請求項６記載の映像音声復号装置であって、
前記正規状態引継情報は同一内容の複数の正規状態引継情報を含み、前記複数の正規状態引継情報はそれぞれ異なる記録領域に保存される、
映像音声復号装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のうち、いずれか１項に記載の映像音声復号装置であって、
前記縮退復号処理は、前記受信映像音声信号に基づく字幕信号の復号処理を含み、
前記縮退復号処理は、前記異常タスクであると判定された正規タスクが音声タスクの場合、前記音声信号の復号に代えて字幕信号の復号を行う、
映像音声復号装置。
【請求項９】
符号化された受信映像音声信号に対し、映像・音声を復号する信号復号処理を実行する信号復号部を有する映像音声復号装置における映像音声復号方法であって、
(a)通常時に、前記信号復号部による前記信号復号処理の実行制御処理である正規タスクを実行させるステップと、
(b)前記信号復号部及び前記ステップ(a)の動作内容に基づき、実行中の正規タスクの異常に関する異常情報を得るステップと、
(c)前記ステップ(b)で検出した前記異常情報に基づき、前記正規タスクに関する異常レベルが所定の異常レベル以上である判定した場合、前記ステップ(a)の処理を停止させ、代わりに縮退タスクを実行するステップとを備え、前記縮退タスクは、前記受信映像音声信号から少なくとも映像信号に復号する処理を有する縮退復号処理の実行制御処理を含み、
前記正規タスクは所定のＣＰＵがメモリを使用して実行する少なくとも一つのソフトウェア処理によって実現され、
前記ステップ(a) の動作内容は、前記信号復号部の実行による前記信号復号処理における前記音声・映像信号復号時のエラー発生状況、及び前記少なくとも一つのソフトウェア処理の処理状態を含む、
映像音声復号方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この発明に係る請求項１記載の映像音声復号装置は、符号化された受信映像音声信号に対し、映像・音声を復号する信号復号処理を実行する信号復号部と、前記信号復号部による前記信号復号処理の実行制御処理である正規タスクを実行する制御部と、前記信号復号部及び前記制御部の動作内容に基づき、実行中の正規タスクの異常に関する異常情報を得る監視部とを備え、前記制御部は、前記受信映像音声信号に対し、少なくとも映像を復号する処理を有する縮退復号処理の実行制御処理である縮退タスクが実行可能であり、前記監視部が検出した前記異常情報に基づき、前記正規タスクに関する異常レベルが所定の異常レベル以上である判定した場合、異常が検出された前記正規タスクである異常タスクに代えて前記縮退タスクを実行し、前記正規タスクは所定のＣＰＵがメモリを使用して実行する少なくとも一つのソフトウェア処理によって実現され、前記信号復号部及び前記制御部の動作内容は、前記信号復号部の実行による前記信号復号処理における音声・映像の復号時のエラー発生状況、及び前記少なくとも一つのソフトウェア処理の処理状態を含んでいる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像データを記憶媒体に記憶させる記憶制御部と、
上記記憶媒体に記憶されている上記動画像データの内容を表す画像を表示部の表示画面に表示させる表示制御部と、
上記表示画面に対する複数の操作入力を検出する検出部と
を具え、
上記表示制御部は、
上記表示画面に表示された画像に対する複数の操作入力の間隔を拡げる動作を上記検出部が検出したときに、上記画像データの内容を表す画像の表示枚数を増やして上記表示部に表示させる
表示制御装置。
【請求項２】
上記表示制御部は、
上記記憶媒体に記憶されている動画像データから上記画像を抽出して、当該抽出した画像を上記表示部の表示画面に並べて表示させる
請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
上記表示制御部は、
上記表示画面に表示された画像に対する複数の操作入力の間隔を狭める動作を上記検出部が検出したときに、上記画像データの内容を表す画像の表示枚数を減らして上記表示部に表示させる
請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項４】
上記表示制御部は、
上記記憶媒体に記憶されている複数の上記動画像データの各々から上記画像を抽出して、当該抽出した画像を、動画像データごとにまとめて時系列順に並べて表示させる
請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項５】
上記表示制御部は、
上記表示画面に並べて表示されている画像のうち、異なる動画像データから抽出された２枚の画像の各々に対する操作入力による当該２枚の画像を重ねる動作を上記検出部が検出したときに、上記異なる動画像データを結合する
請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項６】
上記表示制御部は、
上記表示画面に並べて表示されている画像のうち、２枚の画像の各々に対する所定方向への操作入力を上記検出部が検出したときに、当該２枚の画像に対応する部分と、当該２枚の画像の間に表示されている画像に対応する部分とを、動画像データから削除する
請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項７】
上記表示制御部は、
異なる動画像データから抽出された２枚の画像を重ねる動作を上記検出部が検出したときに、当該２枚の画像の間に表示されている画像に対応する部分を、上記異なる動画像データから削除してから当該異なる動画像データを結合する
請求項５に記載の表示制御装置。
【請求項８】
表示制御装置の表示制御部が、記憶媒体に記憶されている動画像データの内容を表す画像を表示部の表示画面に表示させる表示ステップと、
表示制御装置の検出部が、上記表示画面に対する複数の操作入力を検出する検出ステップと、
上記検出ステップで、上記表示画面に表示された画像に対する複数の操作入力の間隔を拡げる動作を上記検出部が検出したときに、上記表示制御部が、上記画像データの内容を表す画像の表示枚数を増やして上記表示部に表示させる第２の表示ステップと
を具える表示制御方法。
【請求項９】
表示制御装置に、
表示制御装置の表示制御部が、記憶媒体に記憶されている動画像データの内容を表す画像を表示部の表示画面に表示させる表示ステップと、
表示制御装置の検出部が、上記表示画面に対する複数の操作入力を検出する検出ステップと、
上記検出ステップで、上記表示画面に表示された画像に対する複数の操作入力の間隔を拡げる動作を上記検出部が検出したときに、上記表示制御部が、上記画像データの内容を表す画像の表示枚数を増やして上記表示部に表示させる第２の表示ステップと
を実行させるための表示制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示制御装置、表示制御方法及び表示制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、表示制御装置、表示制御方法及び表示制御プログラムに関し、例えば、動画像をサムネイル表示する場合に適用して好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来と比して一段と容易に動画像データを確認させ得る表示制御装置、表示制御方法及び表示制御プログラムを提案しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
かかる課題を解決するため本発明においては、動画像データを記憶媒体に記憶させる記憶制御部と、記憶媒体に記憶されている動画像データの内容を表す画像を表示部の表示画面に表示させる表示制御部と、表示画面に対する複数の操作入力を検出する検出部とを設け、表示制御部が、表示画面に表示された画像に対する複数の操作入力の間隔を拡げる動作を検出部が検出したときに、画像データの内容を表す画像の表示枚数を増やして表示部に表示させるようにした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、複数の操作入力の間隔が拡がる動作（例えばタッチしている２本の指の間隔を拡げるピンチアウト）に応じて、動画像データの内容を表す画像の表示枚数を増やすようにした。こうすることで、より直感的な操作で、動画像データの内容を表す画像の表示枚数を変えながら動画像データの内容をユーザに確認させることができる。かくして従来と比して一段と容易に動画像データを確認させ得る表示制御装置、表示制御方法及び表示制御プログラムを実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月18日(2012.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
左目用画像及び右目用画像を交互に表示する映像表示部を有する３Ｄ映像表示装置であって、
前記映像表示部と通信可能に構成され、左右それぞれの目に対応する各シャッターの開閉動作が可能なシャッター方式メガネ部の前記シャッターの開閉動作を制御する制御手段と、
映像表示部とシャッター方式メガネ部を装着した視聴者との間の視聴距離を測定する距離測定手段と、
前記視聴距離と所定の視聴制限距離とを比較する比較手段と、を有し、
前記制御手段は、前記視聴距離が前記視聴制限距離以上の場合には、前記シャッター方式メガネ部を装着した視聴者が３Ｄ映像の立体視が可能なように制御し、前記視聴距離が前記視聴制限距離より短い場合には、視聴者が３Ｄ映像の立体視ができないようにシャッターの開閉動作を制御することを特徴とする３Ｄ映像表示装置。
【請求項２】
複数の前記シャッター方式メガネ部のそれぞれに固有のＩＤ情報を管理する管理手段を有し、
前記距離測定手段は複数の前記シャッター方式メガネ部それぞれの視聴距離を測定し、
前記制御手段は、前記視聴距離が前記視聴制限距離より短いシャッター方式メガネ部が３Ｄ映像の立体視ができないように、シャッターの開閉動作を制御するための制御信号を当該シャッター方式メガネ部に送信することを特徴する請求項１に記載の３Ｄ映像表示装置。
【請求項３】
前記シャッター方式メガネ部に、当該シャッター方式メガネ部を装着した視聴者の視覚、聴覚、触覚の少なくともいずれかに認知されるように動作する通知手段を備え、
前記制御手段は、前記シャッター方式メガネ部が前記視聴制限距離よりも短い距離に存在する場合に、前記通知手段を動作させる制御を実行することを特徴とする請求項１または２に記載の３Ｄ映像表示装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記視聴距離が前記視聴制限距離より短い場合には、視聴者が３Ｄ映像の立体視ができないように、前記シャッター方式メガネ部の左右のシャッターがともに開くように制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の３Ｄ映像表示装置。
【請求項５】
左目用画像及び右目用画像を交互に表示する映像表示部を有する３Ｄ映像表示装置の制御方法であって、
前記映像表示部と通信可能に構成され、左右それぞれの目に対応する各シャッターの開閉動作が可能なシャッター方式メガネ部の前記シャッターの開閉動作を制御する制御工程と、
映像表示部とシャッター方式メガネ部を装着した視聴者との間の視聴距離を測定する距離測定工程と、
前記視聴距離と所定の視聴制限距離とを比較する比較工程と、を有し、
前記制御工程では、前記視聴距離が前記視聴制限距離以上の場合には、前記シャッター方式メガネ部を装着した視聴者が３Ｄ映像の立体視が可能なように制御し、前記視聴距離が前記視聴制限距離より短い場合には、視聴者が３Ｄ映像の立体視ができないようにシャッターの開閉動作を制御することを特徴とする３Ｄ映像表示装置の制御方法。
【請求項６】
前記３Ｄ映像表示装置は、複数の前記シャッター方式メガネ部のそれぞれに固有のＩＤ情報を管理する管理部を有し、
前記距離測定工程では複数の前記シャッター方式メガネ部それぞれの視聴距離を測定し、
前記制御工程では、前記視聴距離が前記視聴制限距離より短いシャッター方式メガネ部が３Ｄ映像の立体視ができないように、シャッターの開閉動作を制御するための制御信号を当該シャッター方式メガネ部に送信することを特徴とする請求項５に記載の３Ｄ映像表示装置の制御方法。
【請求項７】
前記シャッター方式メガネ部に、当該シャッター方式メガネ部を装着した視聴者の視覚、聴覚、触覚の少なくともいずれかに認知されるように動作する通知部を備え、
前記制御工程では、前記シャッター方式メガネ部が前記視聴制限距離よりも短い距離に存在する場合に、前記通知部を動作させる制御を実行することを特徴とする請求項５または６に記載の３Ｄ映像表示装置の制御方法。
【請求項８】
前記制御工程では、前記視聴距離が前記視聴制限距離より短い場合には、視聴者が３Ｄ映像の立体視ができないように、前記シャッター方式メガネ部の左右のシャッターがともに開くように制御することを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の３Ｄ映像表示装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上述した課題を解決するために、本発明は、左目用画像及び右目用画像を交互に表示する映像表示部を有する３Ｄ映像表示装置であって、前記映像表示部と通信可能に構成され、左右それぞれの目に対応する各シャッターの開閉動作が可能なシャッター方式メガネ部の前記シャッターの開閉動作を制御する制御手段と、映像表示部とシャッター方式メガネ部を装着した視聴者との間の視聴距離を測定する距離測定手段と、前記視聴距離と所定の視聴制限距離とを比較する比較手段と、を有し、前記制御手段は、前記視聴距離が前記視聴制限距離以上の場合には、前記シャッター方式メガネ部を装着した視聴者が３Ｄ映像の立体視が可能なように制御し、前記視聴距離が前記視聴制限距離より短い場合には、視聴者が３Ｄ映像の立体視ができないようにシャッターの開閉動作を制御することを特徴とする。