Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月12日(2012.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の人間それぞれに装着される端末で検出された対面状態を示すデータ、及び、前記複数の人間についての連携に関する期待情報を示すデータを受信する受信部と、
前記対面状態を示すデータに基づいて前記複数の人間の現在の関係度を表す第１の算出部と、
前記期待情報を示すデータに基づいて前記複数の人物の期待される関係度を表す第２の算出部と、
前記第１及び第２の算出部で算出された関係度から、現在の関係と期待される関係の乖離を示す値を算出する第３の算出部と、
を備える組織連携情報処理装置。
【請求項２】
請求項１の組織連係情報処理装置であって、
前記関係度は、関係が存在することを１とし、関係が存在しないことを０とする正規化値で算出される事を特徴とする組織連係情報処理装置。
【請求項３】
請求項１の組織連係情報処理装置であって、
前記期待情報を示すデータは、前記複数の人間それぞれに対するアンケート調査の結果であることを特徴とする組織連係情報処理装置。
【請求項４】
請求項１の組織連係情報処理装置であって、
さらに、前記第３の算出部で算出された前記乖離を示す値を、複数の人間のそれぞれの人間と関連づけて保持する記憶部と、を有する組織連係情報処理装置。
【請求項５】
請求項１の組織連携情報処理装置であって、
さらに、
前記複数の人物それぞれに対応する記号に関連づけて、前記現在の関係度と前記期待される関係度をあわせて描く描画部と、を有する組織連携情報処理装置。
【請求項６】
請求項５の組織連携情報処理装置であって、
前記描画部は、前記関係を期待される人物ごとに関係度の期待度を算出し、前記関係を期待される人物に対応する記号の背後に、前記期待度を影として描く組織連携処理装置。
【請求項７】
請求項６の組織連携情報処理装置であって、
前記描画部は、前記期待度の大きさに基づいて前記影の大きさを決定する組織連携情報処理装置。
【請求項８】
請求項５の組織連携情報処理装置であって、
前記描画部は、前記現在の関係度に基づいて前記複数の人物それぞれに対応する記号の配置を決定した後、前記配置が決定した記号に関連づけて前記期待される関係度を重畳して描く組織連携情報処理装置。
【請求項９】
請求項２の組織連係情報処理装置であって、
前記第３の算出部は、前記第１及び第２の算出部で算出された前記関係度の和を算出し、０または２の値を乖離が存在しない状態、１の値を乖離が存在する状態として算出することを特徴とする組織連携情報処理装置。
【請求項１０】
組織に属する複数の人物それぞれに装着される複数の端末と、入力装置と、上記複数の端末及び上記入力装置から送信されるデータを処理する処理装置と、を具備する組織連携表示システムであって、
前記端末は、他の端末との対面状態を検出するセンサと、前記対面状態を示すデータを前記処理装置に送信するデータ送信部と、を備え、
前記入力装置は、前記複数の人間についての連携に関する期待情報を表すデータの入力を受ける入力部と、前記期待情報を示すデータを前記処理装置に送信する送信部と、を備え、
前記処理装置は、前記対面状態を示すデータ、及び、前記期待情報を示すデータを受信する受信部と、
前記対面状態を示すデータに基づいて前記複数の人間の現在の関係度を表す第１の算出部と、
前記期待情報を示すデータに基づいて前記複数の人物の期待される関係度を表す第２の算出部と、
前記第１及び第２の算出部で算出された関係度から、現在の関係と期待される関係の乖離を示す値を算出する第３の算出部と、
前記複数の人物それぞれに対応する記号に関連づけて、前記現在の関係度と前記期待される関係度をあわせて描く描画部とを備え、
接続される表示装置に、前記描画部の前記描いた結果を表示する組織連携表示システム。
【請求項１１】
組織に属する複数の人物それぞれに装着される複数の端末と、入力装置と、上記複数の端末及び上記入力装置から送信されるデータを処理する処理装置と、を具備する組織連携表示システムであって、
上記端末は、物理量を検出するセンサと、上記物理量を示すデータを上記処理装置に送信するデータ送信部と、を備え、
上記入力装置は、上記端末を装着した人物の主観評価に関するデータの入力を受ける入力部と、上記主観評価に関するデータを送信する送信部とを備え、
上記処理装置は、上記物理量を示すデータに基づいて上記複数の人物の現在の連携を算出する第１の算出部と、上記主観評価に関するデータに基づいて上記端末を装着した人物の心理状態を算出する第２の算出部と、上記複数の人物それぞれに対応する記号に関連づけて、上記現在の連携の形態と上記心理状態とをあわせて描く描画部と、を有し、
接続される表示装置に、上記描かれた上記現在の連携の形態と上記心理状態とを表示する組織連携表示システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の組織連携表示システムにおいて、
上記主観評価は、上記端末を装着する人物の能力発揮度及び当該人物が取り組む課題の難易度であって、
上記第２の算出部は、上記能力発揮度及び上記難易度から上記人物が集中している状態を示すフロー状態を上記心理状態として算出する組織連携表示システム。
【請求項１３】
請求項１１に記載の組織連携表示システムにおいて、
上記端末と上記入力装置は、同一装置である組織連携表示システム。
【請求項１４】
組織に属する複数の人物それぞれに装着される複数の端末と、上記複数の端末から送信されるデータを処理する処理装置と、を具備する組織連携表示システムであって、
上記端末は、他の端末との対面状態を検出するセンサと、上記対面状態を示すデータを上記処理装置に送信するデータ送信部と、を備え、
上記処理装置は、上記複数の人物のうちの三人について、二組の人物間には連携があるが他の一組の人物間には連携がない三者関係を、上記対面状態を示すデータから抽出する三者関係抽出部と、上記三人の相対関係を示す情報を用いて上記三者関係を分類する三者関係分類部と、上記対面状態を示すデータに基づいて上記複数の人物の現在の連携の形態を算出する制御部と、上記複数の人物それぞれに対応する記号に関連づけて上記現在の連携の形態と上記分類された三者関係とをあわせて描く描画部と、を有し、
接続される表示装置に、上記描かれた上記現在の連携の形態と上記分類された三者関係とを表示する組織連携表示システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月8日(2012.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信可能にリング状のバスに接続された複数のデータ処理部を有し、前記複数のデータ処理部が順番にデータを処理するデータ処理装置であって、
前記複数のデータ処理部の各々は、
当該データ処理部が受信したデータに基づいて、当該データ処理部より前の順番においてデータを処理するデータ処理部を識別する識別手段と、
当該データ処理部の受信可能状態を判定し、前記識別手段の識別したデータ処理部に前記受信可能状態を通知する通知手段と、
当該データ処理部より後の順番においてデータを処理するデータ処理部の通知手段からの通知に応じて、データの送信量を制御する制御手段とを有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記通知手段は、予め決められたコマンドを前記リング状のバスに送信することで通知を行うことを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記通知手段は、前記リング状のバスに送信されるデータの予め決められたビットにて通知を行うことを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記通知手段は、前記リング状のバスとは別に設けられ、前記処理部を直接接続している信号線にて通知を行うことを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、当該データ処理部より後の順番においてデータを処理するデータ処理部がデータを受信可能な間隔でデータを送信するようにデータ送信間隔を制御することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、当該データ処理部より後の順番においてデータを処理するデータ処理部が受信可能状態になったことを通知されると、連続データ送信数として予め決められている数だけ連続してデータ送信を行うことを特徴とする請求項５に記載のデータ処理装置。
【請求項７】
前記制御手段は、当該データ処理部より後の順番においてデータを処理するデータ処理部が受信可能状態になったことを通知されると、前記連続データ送信数に応じた間隔でデータを送信することを特徴とする請求項６に記載のデータ処理装置。
【請求項８】
前記データ処理部の各々は、前記連続データ送信数を記憶するレジスタを更に有することを特徴とする請求項６又は７に記載のデータ処理装置。
【請求項９】
前記通知手段は、通知対象となるデータ処理部に設定された連続データ送信数に相当するデータを受信可能となったときに通知することを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、当該データ処理部が受信可能である場合に、データ送信可能な期間にデータを送信し、データ送信を抑制する期間にデータの送信を抑制することを繰り返すことにより、データ送信間隔を制御することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、当該データ処理部が受信可能状態である場合に、複数の送信可能な期間の全てにおいて送信可能な期間にのみデータを送信することにより、データ送信間隔を制御することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項１２】
前記データ送信可能な期間とデータ送信を抑制する期間を保持するレジスタを更に有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載のデータ処理装置。
【請求項１３】
通信可能にリング状のバスに接続された複数のデータ処理部を有し、データを順番に処理する前記複数のデータ処理部によるデータ処理方法であって、
前記複数のデータ処理部の各々の識別手段が、当該データ処理部が受信したデータに基づいて、当該データ処理部より前の順番においてデータを処理するデータ処理部を識別する識別工程と
前記複数のデータ処理部の各々の通知手段が、当該データ処理部の受信可能状態を判定し、前記識別工程にて識別したデータ処理部に前記受信可能状態を通知する通知工程と、
前記複数のデータ処理部の各々の制御手段が、当該データ処理部より後の順番においてデータを処理するデータ処理部からの通知に応じて、データの送信量を制御する制御工程とを有することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項１４】
コンピュータに、
通信可能にリング状のバスに接続された複数のデータ処理部を有し、前記複数のデータ処理部が順番にデータを処理するデータ処理方法であって、
前記複数のデータ処理部の各々の識別手段が、当該データ処理部が受信したデータに基づいて、当該データ処理部より前の順番においてデータを処理するデータ処理部を識別する識別工程と
前記複数のデータ処理部の各々の通知手段が、当該データ処理部の受信可能状態を判定し、前記識別工程にて識別したデータ処理部に前記受信可能状態を通知する通知工程と、
前記複数のデータ処理部の各々の制御手段が、当該データ処理部より後の順番においてデータを処理するデータ処理部からの通知に応じて、データの送信量を制御する制御工程とを有することを特徴とするデータ処理方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明は、通信可能にリング状のバスに接続された複数のデータ処理部を有し、前記複数のデータ処理部が順番にデータを処理するデータ処理装置であって、
前記複数のデータ処理部の各々は、
当該データ処理部が受信したデータに基づいて、当該データ処理部より前の順番においてデータを処理するデータ処理部を識別する識別手段と、
当該データ処理部の受信可能状態を判定し、前記識別手段の識別したデータ処理部に前記受信可能状態を通知する通知手段と、
当該データ処理部より後の順番においてデータを処理するデータ処理部の通知手段からの通知に応じて、データの送信量を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
算術及び論理動作を遂行する方法であって、
命令の下位命令拡張条件が超長命令語のために存在するかどうかをオペレーションフィールドではなく前記超長命令語の所与の下位命令のソースフィールドから決定するステップと、
前記下位命令拡張条件が存在する場合に、第１の算術論理ユニットコンポーネントの一部分の動作を最小化するステップと、
前記下位命令拡張条件が存在する場合に、通常は前記第１の算術論理ユニットコンポーネントによって利用される前記超長命令語のブロックを、第２の算術論理ユニットコンポーネントのために利用することによって、前記第２の算術論理ユニットコンポーネント部分を拡張するステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記第２の算術論理ユニットコンポーネント部分を拡張するステップが、通常は前記第１の算術論理ユニットコンポーネントを構成及び制御するために使用される前記超長命令語のブロックを、前記第２の算術論理ユニットコンポーネントへ入力される１つ又は複数の即値として調達する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記下位命令拡張条件が存在するかどうかを決定するステップが、前記ＶＬＩＷが１つ又は複数の即値を含むことを表示する符号化を前記超長命令語が含むかどうかを決定する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記超長命令語が即値を含む場合に、前記第１の算術論理ユニットコンポーネントの前記一部分の動作を最小化するステップが、所与の下位ＡＬＵを動作不能にする工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第２の算術論理ユニットコンポーネント部分を拡張するステップが、
動作不能にされる前記所与の下位ＡＬＵに対応する前記超長命令語のブロックを、１つ又は複数の即値として、１つ又は複数の他の下位ＡＬＵへ利用可能にする工程と、
前記超長命令語に従って各々の活性下位ＡＬＵを構成及び制御する工程と
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
算術論理ユニットと、
複数のレジスタと、
超長命令語の関数として、前記算術論理ユニットの指定された出力を、前記複数のレジスタの指定されたものへ選択的に結合する逆選択器と、
オペレーションフィールドではなく前記超長命令語の所与の下位命令のソースフィールドに１又は複数の下位命令が即値を含むことが示されている場合には、即値を、前記算術論理ユニットの複数の入力の指定されたものへ選択的に結合する選択器と、
を備える処理段。
【請求項７】
前記算術論理ユニットが複数の下位ＡＬＵを含み、
前記選択器が複数のデマルチプレクサを含み、各デマルチプレクサが、前記超長命令語の関数として、前記複数のレジスタの１つ又は前記超長命令語の中の即値を、対応する下位ＡＬＵの所与の入力へ選択的に結合するように適応される、
請求項６に記載の処理段。
【請求項８】
算術論理ユニット（ＡＬＵ）を構成及び制御する方法であって、
超長命令語の１つ又は複数の下位命令が１つ又は複数の即値を含むかどうかを、前記超長命令語のオペレーションフィールドからでなく、前記超長命令語の所与の下位命令のソースフィールドから決定するステップと、
前記超長命令語が１つ又は複数の即値を含む場合に、１つ又は複数の所与の下位ＡＬＵを動作不能にするステップと、
動作不能にされる前記所与の下位ＡＬＵに対応する前記超長命令語のブロックを、前記１つ又は複数の即値として、１つ又は複数の他の下位ＡＬＵへ利用可能にするステップと、
前記超長命令語に従って各々の活性下位ＡＬＵにおける計算を構成及び制御するステップと、
を備える方法。
【請求項９】
前記超長命令語が１つ又は複数の即値を含む場合に、複数の下位ＡＬＵの任意の１つが動作不能にされる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つ又は複数の下位ＡＬＵが、前記１つ又は複数の下位ＡＬＵを通過するデータを処理しないことによって動作不能にされる、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月14日(2012.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、前記活性層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されるものであり、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を熱処理する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜内に存在する第１の水分量を前記活性層に存在する第２の水分量よりも少なくすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記ゲート絶縁膜形成後に熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜上に、前記活性層を形成する工程を有する請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜形成する工程の前に、前記基板上に前記活性層を形成し、前記ソース電極および前記ドレイン電極を前記活性層の一部を覆うように前記基板上に形成する工程を有する請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜形成後に熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極を形成する工程を有する請求項３に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記各工程は、２００℃以下の温度でなされる請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記基板は、可撓性基板である請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜は、温度２００℃までに放出される水分量が１．５３×１０２０個／ｃｍ３以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記アモルファス酸化物半導体は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち、少なくとも１つを含むものである請求項１〜７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、前記活性層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタであって、
前記活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されており、
前記ゲート絶縁膜内に存在する第１の水分量が、前記活性層に存在する第２の水分量よりも少ないことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記アモルファス酸化物半導体は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち、少なくとも１つを含むものである請求項９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記ゲート絶縁膜は、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＨｆＯ２膜およびＧａ２Ｏ３膜のうち、いずれかの単層からなるか、またはこれらを積層してなるものである請求項９または１０に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
前記基板は、可撓性基板である請求項９〜１１のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
前記ゲート絶縁膜は、温度２００℃までに放出される水分量が１．５３×１０２０個／ｃｍ３以下である請求項９〜１２のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
前記基板は、樹脂フィルムで構成されるものであり、かつ前記樹脂フィルムに更に平坦化膜、または平坦化膜および無機保護膜が形成されたものである請求項９〜１３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、前記活性層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタの製造方法であって、前記活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されるものであり、前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を熱処理する工程とを有し、前記ゲート絶縁膜内に存在する第１の水分量を前記活性層に存在する第２の水分量よりも少なくすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この場合、前記ゲート絶縁膜形成後に熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜上に、前記活性層を形成する工程を有することが好ましい。
また、前記ゲート絶縁膜形成する工程の前に、前記基板上に前記活性層を形成し、前記ソース電極および前記ドレイン電極を前記活性層の一部を覆うように前記基板上に形成する工程を有することが好ましい。
また、前記ゲート絶縁膜形成後に熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極を形成する工程を有することが好ましい。
前記各工程は、例えば、２００℃以下の温度でなされる。前記基板は、可撓性基板であることが好ましい。
前記アモルファス酸化物半導体は、例えば、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち、少なくとも１つを含むものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第２の態様は、基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、前記活性層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタであって、前記活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されており、前記ゲート絶縁膜内に存在する第１の水分量が、前記活性層に存在する第２の水分量よりも少ないことを特徴とする薄膜トランジスタを提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記アモルファス酸化物半導体は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち、少なくとも１つを含むものであることが好ましい。
また、前記ゲート絶縁膜は、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＨｆＯ２膜およびＧａ２Ｏ３膜のうち、いずれかの単層からなるか、またはこれらを積層してなるものであることが好ましい。
さらに、前記基板は、可撓性基板であることが好ましい。
さらにまた、前記ゲート絶縁膜は、温度２００℃までに放出される水分量が１．５３×１０２０個／ｃｍ３以下であることが好ましい。
また、前記基板は、樹脂フィルムで構成されるものであり、かつ前記樹脂フィルムに更に平坦化膜、または平坦化膜および無機保護膜が形成されたものであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置と非接触通信を行うアンテナ部を介し受信したアナログ信号を処理するアナログ部と、
情報処理装置と有線接続する有線インターフェースと、
前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードを管理し、現在の通信モードに応じて前記外部装置と前記情報処理装置の間の通信路を制御するディジタル制御部と、
を具備する通信装置。
【請求項２】
前記有線インターフェース部は、前記情報処理装置への通知を送信する信号線を含む、
請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記通知に応じて前記情報処理装置が通信に関する状態を変更する、
請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記ディジタル制御部は、前記有線インターフェースを介し前記情報処理装置から受信する第１のコマンドに応じて前記通信モードを変更する、
請求項１乃至３のいずれかに記載の通信装置。
【請求項５】
前記ディジタル制御部は、前記アナログ部を介して前記外部装置から受信した第２のコマンドに応じて前記通信モードを変更する、
請求項１乃至４のいずれかに記載の通信装置。
【請求項６】
前記ディジタル制御部は、前記外部装置と前記情報処理装置間の通信を制御するためのセッション番号を記憶する、
請求項１乃至５のいずれかに記載の通信装置。
【請求項７】
外部装置と非接触通信を行うアンテナ部を介し受信したアナログ信号を処理するアナログ信号処理ステップと、
有線接続された情報処理装置と通信する有線通信ステップと、
前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードを管理し、現在の通信モードに応じて前記外部装置と前記情報処理装置の間の通信路を制御するディジタル制御ステップと、
を有する通信方法。
【請求項８】
外部装置と非接触通信を行うアンテナ部を介し受信したアナログ信号を処理するアナログ部、
情報処理装置と有線接続する有線インターフェース、
前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードを管理し、現在の通信モードに応じて前記外部装置と前記情報処理装置の間の通信路を制御するディジタル制御部、
としてコンピュータを機能させるようコンピュータ可読形式で記述されたプログラム。
【請求項９】
情報処理装置と、
外部装置と非接触通信を行うアンテナ部を介して受信したアナログ信号をアナログ部で処理するとともに、前記情報処理装置とは有線インターフェースを介して有線接続し、前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードの管理と前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードの制御をディジタル制御部で行なう通信装置と、
を具備する通信システム。
【請求項１０】
外部装置と非接触通信を行うアンテナ部を介し受信したアナログ信号を処理するアナログ部と、
情報処理装置と有線接続する有線インターフェースと、
メモリと、
前記メモリへのアクセス動作と、前記アナログ部及び前記有線インターフェースを介した通信動作の制御を行うディジタル制御部と、
を具備し、
前記ディジタル制御部は、前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードを管理し、現在の通信モードに応じて前記外部装置と前記情報処理装置の間の通信路を制御する、
通信装置。
【請求項１１】
前記有線インターフェース部は、前記情報処理装置への通知を送信する信号線を含む、
請求項１０に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記通知に応じて前記情報処理装置が通信に関する状態を変更する、
請求項１１に記載の通信装置。
【請求項１３】
前記ディジタル制御部は、前記有線インターフェースを介し前記情報処理装置から受信する第１のコマンドに応じて前記通信モードを変更する、
請求項１０乃至１２のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１４】
前記ディジタル制御部は、前記アナログ部を介して前記外部装置から受信した第２のコマンドに応じて前記通信モードを変更する、
請求項１０乃至１３のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１５】
前記ディジタル制御部は、前記外部装置と前記情報処理装置間の通信を制御するためのセッション番号を記憶する、
請求項１０乃至１４のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１６】
外部装置と非接触通信を行うアンテナ部を介し受信したアナログ信号を処理するアナログ信号処理ステップと、
有線接続された情報処理装置と通信する有線通信ステップと、
メモリへのアクセス動作と、前記アナログ部及び前記有線インターフェースを介した通信動作の制御を行うディジタル制御ステップと、
を有し、
前記ディジタル制御ステップでは、前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードを管理し、現在の通信モードに応じて前記外部装置と前記情報処理装置の間の通信路を制御する、
通信方法。
【請求項１７】
外部装置と非接触通信を行うアンテナ部を介し受信したアナログ信号を処理するアナログ部、
情報処理装置と有線接続する有線インターフェース、
メモリ、
前記メモリへのアクセス動作と、前記アナログ部及び前記有線インターフェースを介した通信動作の制御を行うディジタル制御部、
としてコンピュータを機能させるようにコンピュータ可読形式で記述され、
前記ディジタル制御部は、前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードを管理し、現在の通信モードに応じて前記外部装置と前記情報処理装置の間の通信路を制御する、
プログラム。
【請求項１８】
情報処理装置と、
外部装置と非接触通信を行うアンテナ部を介して受信したアナログ信号をアナログ部で処理するとともに、前記情報処理装置とは有線インターフェースを介して有線接続し、メモリへのアクセス動作並びに前記アナログ部及び前記有線インターフェースを介した通信動作の制御をディジタル制御部で行なう通信装置と、
を具備し、
前記ディジタル制御部は、前記外部装置と前記情報処理装置との間で設定された通信モードを管理し、現在の通信モードに応じて前記外部装置と前記情報処理装置の間の通信路を制御する、
通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置及び通信方法、並びにプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月17日(2012.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る誘導加熱調理器は、上記のような課題を解決するために、被加熱物を載置するトッププレートと、前記トッププレートの下側に設けられた誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルを駆動する電子回路基板と、前記誘導加熱コイル及び前記電子回路基板を冷却するための冷却風を送風する送風機とを備え、前記誘導加熱コイルの下方に、その下方を通風可能とした導風板を設け、前記導風板は、前記誘導加熱コイルの中央部の下方の上面に、前記誘導加熱コイルに対してほぼ垂直な壁面を有し、かつ、前記誘導加熱コイルの中央部の下方の断面は前記誘導加熱コイルに対して傾斜した断面となっているものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を載置するトッププレートと、前記トッププレートの下側に設けられた誘導加熱コイルと、前記誘導加熱コイルを駆動する電子回路基板と、前記誘導加熱コイル及び前記電子回路基板を冷却するための冷却風を送風する送風機とを備え、
前記誘導加熱コイルの下方に、その下方を通風可能とした導風板を設け、
前記導風板は、前記誘導加熱コイルの中央部の下方の上面に、前記誘導加熱コイルに対してほぼ垂直な壁面を有し、
かつ、前記誘導加熱コイルの中央部の下方の断面は前記誘導加熱コイルに対して傾斜した断面となっている
ことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記導風板に導風板側板を設けた
ことを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記導風板は、
前記誘導加熱コイルの外周側に対応する部分が低く、中心側に対応する部分が高い平面形状が形成された
ことを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記導風板は、
前記誘導加熱コイルの外周側に対応する部分が低く、中心側に対応する部分が高い曲面形状が形成された
ことを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記導風板は、
前記誘導加熱コイルの外周側に対応する部分が低く、中心側に対応する部分が高い平面と曲面とを組み合わせた面形状が形成された
ことを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１および第２の側面と、前記第１の側面上の空気軸受機構と、前記第２の側面から延在し、スライダの多軸回転を促進するようにされるディンプルとを有するスライダを含む、装置。
【請求項２】
ディンプルはスライダの第２の側面と接触係合する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ディンプルは、前記スライダから材料を取除いて同時に前記スライダと前記第２の側面とを形成することによりスライダの第２の側面上に一体的に形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
スライダは第１の材料から形成され、ディンプルはスライダ上に成形される第２の材料から形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
ジンバルが第２の側面に固定され、予荷重力をディンプルに与える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
ジンバルは開口部を有し、ディンプルが前記開口部を通って前記ジンバルに対して非接触関係で延在する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記スライダに搭載されるデータ変換素子のために導電経路を提供するよう第２の側面にフレックス回路が取付けられる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
スライダは実質的に直線のジンバルプレートを含むジンバルに取付けられ、前記ジンバルプレートの一端は整列ブロックを用いてロードビームに取付けられ、前記整列ブロックは前記一端と前記ロードビームとの間に配置される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
スライダの第２の側面は第１の整列機構を有し、ディンプルは第２の整列機構を有する支持リング上に別個に形成され、ディンプルは第２の整列機構への第１の整列機構の相互接続によりスライダに取付けられる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
ディンプルが接触係合する低部と、低部に隣接し、スライダに固定されるジンバルプレートが取付けられる凸部とを有する段が設けられたロードビームをさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
第１の側面上に空気軸受機構を有するスライダを形成するステップと、
第１の側面とは反対の第２の側面上にディンプルを配置するステップとを含み、ディンプルはスライダの多軸回転を促進するよう前記第２の側面から延在する、方法。
【請求項１２】
ディンプルを形成するステップをさらに含み、前記配置するステップは、形成したディンプルを前記第２の側面に取付けるステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記スライダを形成するステップは、第１の整列機構を前記第１の側面に設けるステップを含み、前記配置するステップは、ディンプルを支持部材の第１の側面に形成し、かつ第２の整列機構を支持部材の反対側の第２の側面に形成するステップと、第２の整列機構を第１の整列機構と接触整列させるステップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ディンプルは、前記スライダから材料を取除いて同時に前記スライダと前記第２の側面とを形成することによりスライダの第２の側面上に一体的に形成され、ディンプルおよび
スライダは共通の材料の単体構造を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
スライダは第１の材料から形成され、ディンプルはスライダ上に射出成形される第２の材料から形成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
スライダを開口部を有するジンバルに取付けるステップをさらに含み、ディンプルは当該開口部を通って前記ジンバルに対して非接触関係で延在し、さらに、ディンプルの曲線表面がロードアームに接触係合するようにジンバルを前記ロードアームに取付けるステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
スライダは、如何なるロールオフセットおよびピッチオフセットもなくディンプルの周りでバランスされる、請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月21日(2012.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系半導体発光素子であって、
ＧａＮ基板と、
前記ＧａＮ基板の主面に設けられており発光層を含む六方晶系の窒化ガリウム系半導体領域と、
前記窒化ガリウム系半導体領域上に設けられており金属からなる電極と、
を備え、
前記窒化ガリウム系半導体領域は、歪みを内包する接触層を含み、
前記接触層は前記電極と接しており、
前記主面は、前記ＧａＮ基板のｃ軸方向に直交する面から前記ＧａＮ基板のｍ軸に向けて所定の傾斜角度で傾斜した基準平面に沿って延びており、
前記傾斜角度は、１５０度以上１８０度未満の範囲に含まれ、
前記窒化ガリウム系半導体領域は、前記ＧａＮ基板に格子整合しており、
前記接触層は、ｐ型ドープされたＩｎＧａＮ、又は、ｐ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮからなり、
前記接触層がｐ型ドープされたＩｎＧａＮからなる場合、前記接触層のＩｎの組成比は１％以上２０％以下の範囲内にあり、前記接触層がｐ型ドープされたＩｎＡｌＧａＮからなる場合、前記接触層のＩｎの組成比は、前記接触層のＡｌの組成比に０．２２を乗じた値よりも大きい、ことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】
前記発光層は、５００ｎｍ以上の所定範囲内にピーク波長を有する光を発光する、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月28日(2012.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードとカソードを含み、さらにそれらの間に正孔輸送層及び前記正孔輸送層と共働関係にあるように配置された電子輸送層を含んで成る有機系多層型エレクトロルミネセンス素子であって、前記正孔輸送層が芳香族アミンを含まずに下式の有機化合物を含むことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
【化１】
2012094878.tif 000001
（上式中、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素、炭素原子数１〜２４のアルキル基、炭素原子数５〜２０のアリール基もしくは置換アリール基、炭素原子数５〜２４のヘテロアリール基もしくは置換ヘテロアリール基、フッ素、塩素、臭素、又はシアノ基を表す。）
【請求項２】
アノードとカソードを含み、さらにそれらの間に正孔輸送層及び前記正孔輸送層と共働関係にあるように配置された電子輸送層を含んで成る有機系多層型エレクトロルミネセンス素子であって、前記正孔輸送層が芳香族アミンを含まずに下式の有機化合物を含むことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
【化２】
2012094878.tif 000002
（上式中、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素、炭素原子数１〜２４のアルキル基、炭素原子数５〜２０のアリール基もしくは置換アリール基、炭素原子数５〜２４のヘテロアリール基もしくは置換ヘテロアリール基、フッ素、塩素、臭素、又はシアノ基を表す。）
【請求項３】
アノードとカソードを含み、さらにそれらの間に正孔輸送層及び前記正孔輸送層と共働関係にあるように配置された電子輸送層を含んで成る有機系多層型エレクトロルミネセンス素子であって、前記正孔輸送層が芳香族アミンを含まずに下式の有機化合物を含むことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
【化３】
2012094878.tif 000003
（上式中、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素、炭素原子数１〜２４のアルキル基、炭素原子数５〜２０のアリール基もしくは置換アリール基、炭素原子数５〜２４のヘテロアリール基もしくは置換ヘテロアリール基、フッ素、塩素、臭素、又はシアノ基を表す。）
【請求項４】
アノードとカソードを含み、さらにそれらの間に正孔輸送層及び前記正孔輸送層と共働関係にあるように配置された電子輸送層を含んで成る有機系多層型エレクトロルミネセンス素子であって、前記正孔輸送層が芳香族アミンを含まずに下式の有機化合物を含むことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
【化４】
2012094878.tif 000004
（上式中、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素、炭素原子数１〜２４のアルキル基、炭素原子数５〜２０のアリール基もしくは置換アリール基、炭素原子数５〜２４のヘテロアリール基もしくは置換ヘテロアリール基、フッ素、塩素、臭素、又はシアノ基を表す。）
【請求項５】
アノードとカソードを含み、さらにそれらの間に正孔輸送層及び前記正孔輸送層と共働関係にあるように配置された電子輸送層を含んで成る有機系多層型エレクトロルミネセンス素子であって、前記正孔輸送層が芳香族アミンを含まずに下式の有機化合物を含むことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
【化５】
2012094878.tif 000005
（上式中、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、水素、炭素原子数１〜２４のアルキル基、炭素原子数５〜２０のアリール基もしくは置換アリール基、炭素原子数５〜２４のヘテロアリール基もしくは置換ヘテロアリール基、フッ素、塩素、臭素、又はシアノ基を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（ａ１４）は、一般式（４）で表される第４級アンモニウム塩（Ａ４）に対応する。
【化４】
2012094862.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
行方向および列方向に配設される複数本の検出用配線を有するタッチスクリーンと、
前記複数本の検出用配線を順次選択する選択スイッチ回路と、
前記選択スイッチ回路によって選択された検出用配線が検出ノードに接続されると、前記検出ノードに接続された検出用配線の静電容量を検出する静電容量検出回路と、
前記複数本の検出用配線がそれぞれ前記検出ノードに接続されたときに前記静電容量検出回路によって検出される静電容量に応じて得られる検出結果に基づいて、前記タッチスクリーンにおける指示体の位置を表すタッチ座標を算出するタッチ座標算出回路とを備え、
前記選択スイッチ回路および前記静電容量検出回路は、予め定める本数の前記検出用配線で構成される複数の検出配線組にそれぞれ対応して設けられることを特徴とするタッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記検出電圧印加手段は、
前記複数の検出配線組に対応して設けられる複数の前記静電容量検出回路の検出ノードの電圧を、それぞれバッファリングして出力する複数のバッファ回路と、
各バッファ回路の後段に設けられ、対応する前記バッファ回路から出力される電圧を共通ノードに出力する状態と、前記電圧の共通ノードへの出力を遮断する状態とを切替える複数の後段スイッチ回路と、
前記共通ノードの電圧を、少なくとも前記選択スイッチ回路によって選択された検出用配線以外の検出用配線に印加する共通ノード電圧印加手段とを備えることを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のタッチパネルは、行方向および列方向に配設される複数本の検出用配線を有するタッチスクリーンと、前記複数本の検出用配線を順次選択する選択スイッチ回路と、前記選択スイッチ回路によって選択された検出用配線が検出ノードに接続されると、前記検出ノードに接続された検出用配線の静電容量を検出する静電容量検出回路と、前記複数本の検出用配線がそれぞれ前記検出ノードに接続されたときに前記静電容量検出回路によって検出される静電容量に応じて得られる検出結果に基づいて、前記タッチスクリーンにおける指示体の位置を表すタッチ座標を算出するタッチ座標算出回路とを備え、前記選択スイッチ回路および前記静電容量検出回路は、予め定める本数の前記検出用配線で構成される複数の検出配線組にそれぞれ対応して設けられることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のタッチパネルによれば、タッチスクリーンと選択スイッチ回路と静電容量検出回路とを備えて、タッチパネルが構成される。タッチスクリーンは、複数本の検出用配線が、行方向および列方向に配設される。複数本の検出用配線は、選択スイッチ回路によって順次選択されて、静電容量検出回路の検出ノードに接続され、静電容量が検出される。検出された静電容量に応じて得られる検出結果に基づいて、タッチ座標算出回路によって、タッチスクリーンにおける指示体の位置を表すタッチ座標が算出される。選択スイッチ回路および静電容量検出回路は、予め定める本数の検出用配線で構成される複数の検出配線組にそれぞれ対応して設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延びる長手方向中心線および横方向に延びる横方向中心線を有する着用可能な使い捨て吸収性物品であって、
前方腰部端部を含む前方腰部区域と、
後方腰部端部を含む後方腰部区域と、
前記前方腰部区域および前記後方腰部区域の間に設けられた股部区域と、
前記前方腰部区域および前記後方腰部区域の各横方向縁部に設けられたサイドパネルと、を備え、
前方サイドパネルおよび後方サイドパネルのうちの少なくとも一対は、
ａ）前記前方腰部端部または前記後方腰部端部と隣り合う腰部伸張領域と、
ｂ）前記前方腰部端部または前記後方腰部端部から離間した大腿部伸張領域と、
ｃ）前記腰部伸張領域および前記大腿部伸張領域の間の領域と、を有し、
前記前方腰部区域および前記後方腰部区域は、接合されて、腰部開口および脚部開口を形成する、吸収性物品。
【請求項２】
前記腰部伸張領域および前記大腿部伸張領域は、それぞれ、基材上に設けられた熱可塑性エラストマー組成物を含む線状または湾曲状のバンドの列を有する、請求項１に記載の吸収性物品。
【請求項３】
少なくとも一つの伸張領域の少なくとも一部分は、視覚的に区別される、請求項１または２に記載の吸収性物品。
【請求項４】
前記腰部伸張領域の伸張領域バンドの列は第１の有効ひずみを有し、
前記大腿部伸張領域の伸張領域バンドの列は第２の有効ひずみを有し、
前記第２の有効ひずみは、前記第１の有効ひずみよりも少なくとも２５％大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項５】
前記腰部伸張領域の伸張領域バンドの列は第１の弾性抵抗を有し、
前記大腿部伸張領域の伸張領域バンドの列は第２の弾性抵抗を有し、
前記第１の弾性抵抗は、２５％のひずみにおいて０．０５Ｎ／ｃｍ以上５０Ｎ／ｃｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項６】
２５％のひずみにおける前記第１の弾性抵抗の２５％のひずみにおける前記第２の弾性抵抗に対する比は、１．２５よりも大きい、請求項５に記載の吸収性物品。
【請求項７】
前記腰部伸張領域の伸張領域バンドの列は、線状であり、実質的に横方向に延び、
互いに長手方向に配向されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項８】
前記股部区域の前記横方向側縁部に沿ったレッグカフ弾性体を有した一対のレッグカフを、さらに備え、
前記大腿部伸張領域は、前記レッグカフ弾性体と位置合わせされて、前記レッグカフ弾性体の延伸をもたらし、これにより、前記大腿部伸張領域および前記レッグカフ弾性体の組み合わせで着用者の脚を取り囲む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項９】
前記伸張領域は、前記一対の後方サイドパネルに含まれており、
前記腰部伸張領域バンドの列は、前記横方向中心線から０°〜５０°の角度に互いに配向され、
前記大腿部伸張領域バンドの列は、前記腰部伸張領域バンドの列の配向から反対方向となる前記横方向中心線から０°〜７０°の角度に、互いに配向されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月10日(2012.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板と、前記ガラス板上に形成された紫外線遮蔽膜と、を有し、
前記紫外線遮蔽膜が、酸化ケイ素とともに、
紫外線遮蔽成分として、下記式（１）により示される官能基を２つ以上分子中に有するとともに常温で固体である有機化合物Ａの微粒子を含み、
前記微粒子の平均粒径が１５０ｎｍ以下である、紫外線遮蔽能を有するガラス物品。
【化１】
2011136846.tif 000001
ここで、Ａ1〜Ａ5は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、直鎖のもしくは分岐を有する炭素数１〜２０のアルキル基、または下記式（２）により示される官能基であり、Ａ1〜Ａ5の少なくとも１つは、下記式（２）により示される官能基である。
【化２】
2011136846.tif 000002
【請求項２】
前記有機化合物Ａが、下記式（３）により示される官能基を２つ以上分子中に有する請求項１に記載のガラス物品。
【化３】
2011136846.tif 000003
ここで、Ｒ1は、直鎖のもしくは分岐を有する炭素数１〜２０のアルキル基である。
【請求項３】
前記有機化合物Ａが、前記式（３）により示される２つの官能基が炭素数３以下のアルキレン基により結合されている構造単位を有する請求項２に記載のガラス物品。
【請求項４】
ＩＳＯ９０５０（１９９０年度版）に従って算出した紫外線透過率ＴＵＶ３８０が２％以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のガラス物品。
【請求項５】
波長５５０ｎｍにおける光線透過率が７０％を超える、請求項１〜４のいずれかに記載のガラス物品。
【請求項６】
前記紫外線遮蔽膜が、ポリエーテル化合物、ポリオール化合物、ポリビニルピロリドン類およびポリビニルカプロラクタム類から選ばれる少なくとも１種に相当する有機化合物Ｂをさらに含む、請求項１〜５のいずれかに記載のガラス物品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続攪拌槽型反応器を用いて、貴金属触媒を含有する液相に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、アルカリ物質、及び酸素を供給して前記ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを酸素酸化させてカルボン酸を製造する、カルボン酸の製造方法であって、
液相へのポリオキシアルキレンアルキルエーテル、アルカリ物質、及び貴金属触媒の連続的もしくは断続的な供給と、供給量に応じた液相の抜き出しの両方を行う操作により連続攪拌槽型反応器中の液相の量を一定に維持しつつ、液相に酸素を供給してポリオキシエチレンアルキルエーテルを酸素酸化し、
連続攪拌槽型反応器内のポリオキシアルキレンアルキルエーテルの反応率を２５〜９８％に制御する、
カルボン酸の製造方法。
【請求項２】
連続攪拌槽型反応器を２つ以上直列的に用いて、最終段の連続攪拌槽型反応器内のポリオキシアルキレンアルキルエーテルの反応率を８０〜９８％に制御する、請求項１記載のカルボン酸の製造方法。
【請求項３】
連続攪拌槽型反応器を２つ以上直列的に用いて、１段目の連続攪拌槽型反応器における液相中のポリオキシアルキレンアルキルエーテルの濃度を２５〜６０質量％に制御する、請求項１又は２記載のカルボン酸の製造方法。
【請求項４】
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルが、下記一般式（Ｉ）で表される化合物である、請求項１〜３の何れか１項記載のカルボン酸の製造方法。
ＲＯ−（ＡＯ）n−Ｈ        （Ｉ）
〔式中、Ｒは炭素数４〜３０の炭化水素基、ＡＯは炭素数２〜４のアルキレンオキシ基、ｎはＡＯの平均付加モル数であり、１〜１００の数である。〕
【請求項５】
貴金属触媒が、白金族元素から選ばれる１種以上の元素を含有する、請求項１〜４の何れか１項記載のカルボン酸の製造方法。
【請求項６】
貴金属触媒をポリオキシアルキレンアルキルエーテルに対して０．１〜１０％（重量比）用いる、請求項１〜５の何れか１項記載のカルボン酸の製造方法。
【請求項７】
アルカリ物質が、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩から選ばれる化合物である、請求項１〜６の何れか１項記載のカルボン酸の製造方法。
【請求項８】
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルの酸素酸化を５０〜９０℃で行う、請求項１〜７の何れか１項記載のカルボン酸の製造方法。
【請求項９】
液相が水を含む、請求項１〜８の何れか１項記載のカルボン酸の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発酵ステビアの抽出液を分画することにより得られるエタノール可溶画分をさらに分画して得た脂溶性画分を含む、白髪予防剤。
【請求項２】
請求項１に記載の白髪予防剤を含む、白髪予防のための化粧料。
【請求項３】
請求項１に記載の白髪予防剤を含む、白髪予防のための医薬品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線状高分子の側鎖に一般式（１）〜（３）で示される構造式の置換基のうちの少なくとも一つを有するＲＮＡウイルス感染阻止化合物をＲＮＡウイルス感染阻止剤として含有するＲＮＡウイルス感染阻止塗料用組成物がバインダー中に溶解せずに分散しており、ＲＮＡウイルス感染阻止塗料用組成物の大きさが２００μｍ以下であることを特徴とするＲＮＡウイルス感染阻止塗料。
【化１】
2011136977.tif 000001
（ｍ，ｎ及びｐはそれぞれ０〜２の整数を示し、Ｒ1〜Ｒ19はそれぞれ、水素、カルボキシ基、スルホン酸基又はそれらの塩若しくは誘導体の何れかであって、Ｒ1〜Ｒ5のうちの少なくとも一つは、カルボキシ基、スルホン酸基又はそれらの塩若しくは誘導体であり、Ｒ6〜Ｒ12のうちの少なくとも一つは、カルボキシ基、スルホン酸基又はそれらの塩若しくは誘導体であり、Ｒ13〜Ｒ19のうちの少なくとも一つは、カルボキシ基、スルホン酸基又はそれらの塩若しくは誘導体である。）
【請求項２】
請求項１に記載のＲＮＡウイルス感染阻止塗料を用いて塗装されていることを特徴とするＲＮＡウイルス感染阻止製品。
【請求項３】
ＲＮＡウイルス感染阻止化合物が、一般式（１）〜（３）で示される構造式の置換基を少なくとも一つ有する単量体を重合又は共重合してなる化合物であることを特徴とする請求項１に記載のＲＮＡウイルス感染阻止塗料。
【化２】
2011136977.tif 000002
（ｍ，ｎ及びｐはそれぞれ０〜２の整数を示し、Ｒ1〜Ｒ19はそれぞれ、水素、カルボキシ基、スルホン酸基又はそれらの塩若しくは誘導体の何れかであって、Ｒ1〜Ｒ5のうちの少なくとも一つは、カルボキシ基、スルホン酸基又はそれらの塩若しくは誘導体であり、Ｒ6〜Ｒ12のうちの少なくとも一つは、カルボキシ基、スルホン酸基又はそれらの塩若しくは誘導体であり、Ｒ13〜Ｒ19のうちの少なくとも一つは、カルボキシ基、スルホン酸基又はそれらの塩若しくは誘導体である。）
【請求項４】
ＲＮＡウイルス感染阻止化合物が、ポリスチレンをスルホン化又はカルボキシル化してなる化合物であることを特徴とする請求項１に記載のＲＮＡウイルス感染阻止塗料。
【請求項５】
ＲＮＡウイルス感染阻止塗料用組成物が非水溶性であることを特徴とする請求項１に記載のＲＮＡウイルス感染阻止塗料。
【請求項６】
ＲＮＡウイルス感染阻止塗料用組成物がＲＮＡウイルス感染阻止化合物を架橋することによって非水溶性とされていることを特徴とする請求項５に記載のＲＮＡウイルス感染阻止塗料。