(57)【要約】      （修正有）【課題】耐久性及びエッチング速度が向上された、プラズマベベルエッチャーのための延長電極を提供する。【解決手段】延長電極は、外周、内周、取り付け面及び、外周から内周にかけて広がるプラズマ暴露切頂円錐面を有する環状ボディを備える。【選択図】図３
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板のベベルエッジから副生成物の堆積がプラズマによって除去される半導体基板処理に使用されるプラズマベベルエッチャーのための上部延長電極であって、
外周、内周、取り付け面、及び前記外周から前記内周にかけて広がるプラズマ暴露切頂円錐面を有する環状ボディを備え、
前記ベベルエッチャーにおける前記半導体基板の前記ベベルエッジの洗浄中にプラズマを発生させるように動作可能である延長電極。
【請求項２】
請求項１に記載の延長電極であって
前記外周は、前記内周よりも軸方向に分厚い、延長電極。
【請求項３】
請求項２に記載の延長電極であって、
前記切頂円錐面の接平面と、前記延長電極の径方向平面の接平面との間の角度は、２．５°と７．５°との間である、延長電極。
【請求項４】
請求項１に記載の延長電極であって、
前記内周及び前記外周と前記切頂円錐面との間の角（かど）は、丸くされている、延長電極。
【請求項５】
請求項１に記載の延長電極であって、
前記環状ボディは、純アルミニウム又はアルミニウム合金を機械加工したリングである、延長電極。
【請求項６】
請求項１に記載の延長電極であって、更に、
取り付けボルトとネジ式に係合するように適応された複数のネジ穴を前記取り付け面内に備える延長電極。
【請求項７】
請求項１に記載の延長電極であって、
前記内周は、少なくとも８インチ（およそ２０．３ｃｍ）の内径を有し、前記外周は、１４．５インチ（およそ３６．８ｃｍ）以下の外径を有する、延長電極。
【請求項８】
請求項５に記載の延長電極であって、
前記切頂円錐面は、陽極酸化されている、延長電極。
【請求項９】
請求項５に記載の延長電極であって、
前記切頂円錐面は、セラミックコーティング材料でコーティングされている、延長電極。
【請求項１０】
請求項５に記載の延長電極であって、
前記切頂円錐面は、７５〜２００ミクロインチ（およそ１９１〜５０８ミクロセンチ）の粗さを有する粗くされ陽極酸化された面の上にプラズマ溶射コーティングを含む、延長電極。
【請求項１１】
請求項９に記載の延長電極であって、
前記セラミックコーティング材料は、約０．００２〜０．００８インチ（およそ０．０５０８〜０．２０３ｍｍ）の厚さを有するプラズマ溶射イットリアコーティングである、延長電極。
【請求項１２】
８インチ（およそ２０．３ｃｍ）以上の直径を有する半導体基板のベベルエッジを洗浄するためのプラズマベベルエッチャーであって、
請求項１に記載の延長電極を上部延長電極として、前記半導体基板の外周の上方に配されて備えるプラズマベベルエッチャー。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプラズマベベルエッチャーであって、更に、
前記半導体基板を支える円柱状の上部を有する下部サポートと、
前記下部サポートの前記上部の上に支えられた下部プラズマ排除区域（ＰＥＺ）リングと、
前記下部ＰＥＺリングを取り巻き、プラズマ暴露上面を有する下部環状電極と、
前記下部サポートの上方に配され、前記下部サポートの前記上面と向かい合う円柱状の底部を有する上部誘電体部品と、
前記上部誘電体部品を取り巻き、前記下部ＰＥＺリングと向かい合う上部ＰＥＺリングと、
前記上部ＰＥＺリングを取り巻く前記上部延長電極と、
前記プラズマベベルエッチャーの動作中にプロセスガスの少なくとも１つの化学種をプラズマに励起させるように適応された少なくとも１つの高周波（ＲＦ）電源であって、前記プラズマは、前記半導体基板の前記ベベルエッジを洗浄するのに有用である、少なくとも１つのＲＦ電源と、
を備えるプラズマベベルエッチャー。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプラズマベベルエッチャーであって、
前記上部ＰＥＺリングは、前記上部延長電極の前記切頂円錐面に部分的に重なる外側フランジを有する、プラズマベベルエッチャー。
【請求項１５】
請求項１３に記載のプラズマベベルエッチャーであって、
前記上部ＰＥＺリング及び前記下部ＰＥＺリングの外径は、前記基板の直径と比べて大きい、小さい、又は等しい、プラズマベベルエッチャー。
【考案の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
半導体基板の処理では、基板又はそれらの上に蒸着された膜の上に、目的とするデバイス特徴をエッチングするために、しばしばプラズマが用いられる。通常、プラズマ密度は、基板のエッジの近くで低く、これは、基板のベベルエッジの上面及び底面に、（ポリシリコン、窒化物、金属などのような）副生成物層を蓄積させることがある。副生成物層は、搬送工程中及び後続の処理工程中に剥離し、すなわち剥がれ、その多くは基板の重要領域の上に落下し、基板からのデバイスの歩留まりを低下させる。したがって、基板が次の処理工程に通される前に、基板のベベルエッジから副生成物を除去することが大いに望まれる。有効性の高いプロセスは、１つには、プラズマを使用し、ベベルエッジ上に堆積された副生成物をエッチング除去することである。このプロセスは、プラズマベベルエッチングと命名される。このプロセスを実行するための装置が、プラズマベベルエッチャーである。プラズマベベルエッチャーでは、基板のベベルエッジの周辺の電極（延長電極）が、それらに堆積された副生成物を除去するために定期的に洗浄される。このような洗浄は、過剰な磨耗、及び延長電極の交換の必要性ゆえの消耗品の高コスト化を招く可能性がある。
【考案の概要】
【０００２】
好ましい一実施形態にしたがって、プラズマベベルエッチャーにおける延長電極であって、いかなる凹所も段差も伴わない内向きの切頂円錐面を有するようにプラズマ暴露面を設計されることによって寿命期間を向上される延長電極が提供される。
【０００３】
好ましい一実施形態にしたがうと、延長電極のプラズマ曝露面は、陽極酸化前に粗くされ、プラズマ溶射イットリアをコーティングされる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】典型的なプラズマベベルエッチャーの略断面図であり、簡単のため、断面の半分のみが示されている。
【０００５】
【図２】図１の領域１の略拡大図である。
【０００６】
【図３】一実施形態にしたがった、図１の領域Ａの改良設計の略図である。
【０００７】
【図４】先行技術のプラズマベベルエッチャーにおける延長電極と、一実施形態における延長電極とを重ねた図である。
【０００８】
【図５】一実施形態における延長電極の底面図である。
【０００９】
【図６】一実施形態における延長電極の直径に沿った断面図である。
【００１０】
【図７】図６の領域Ｃの拡大図である。
【００１１】
【図８】一実施形態における延長電極の上面図である。
【００１２】
【図９】図８の領域Ｄの拡大図である。
【考案を実施するための形態】
【００１３】
半導体基板のプラズマエッチングプロセスでは、プラズマ中の遊離基が、基板及び／又はその上に蒸着された膜と化学的に反応する。反応生成物は、完成基板上において不要であり、運び出して廃棄することが望まれる。しかしながら、これらの不要な生成物（副生成物）は、プラズマ状態から脱するにつれて、基板のベベルエッジなどの露出面上に再び堆積する傾向がある。副生成物の堆積は、過剰になる前に除去されなくてはならず、さもないと、薄い層状に裂けて、基板の重要領域の上に落下し、デバイスの歩留まりを低下させる。副生成物の堆積は、プラズマエッチングプロセスの効率の低下（すなわち、エッチング速度の減少）を招く可能性もある。
【００１４】
プラズマベベルエッチャーにおいて、延長電極は、基板のベベルエッジに沿って配置された電極である。プラズマベベルエッチャーは、参照によって本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許出願公開第２００８／０２２７３０１号で説明されている。延長電極は、イットリアをコーティングされた陽極酸化アルミニウムであってよい。プラズマ応用におけるイットリアコーティングは、参照によって本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第７，３１１，７９７号、第７，３００，５３７号、及び第７，２２０，４９７号で説明されている。延長電極は、その場所ゆえに、大量の副生成物の堆積に見舞われることが多く、ゆえに、定期的に洗浄されなければならない。副生成物の堆積の除去は、容易な作業ではない。このような副生成物によくあるのは、フッ化アルミニウムなどの付着性の化学種、及びポリマである。効果的な洗浄は、厳しい磨滅を伴うことが多く、これは、イットリアコーティングの損傷及び消耗品の高コスト化を招く可能性がある。洗浄プロセスを促進するには、イットリアコーティングの接着強さを高めること、及び延長電極のプラズマ暴露面の幾何学形状を単純にする、とりわけ角（かど）や段差などをなくすることが、多いに望まれる。
【００１５】
プラズマ暴露イットリアコーティングの接着性を向上されるとともに幾何学形状を単純にされた新規の改良延長電極が、本明細書で説明される。
【００１６】
図１は、基板１０１のベベルエッジを洗浄するための先行技術ベベルエッチャー１００の略断面図である。ベベルエッチャー１００は、一般的には軸対称であるがこれに限定されない形状を有し、簡単のため、側断面の半分のみが図１に示されている。図に描かれているように、ベベルエッチャー１００は、基板１０１を出し入れするための装填口１０３を有するチャンバ壁１０２と、上部電極アセンブリ１０４と、該上部電極アセンブリ１０４を吊り下げるサポート１０５と、下部電極アセンブリ１０６とを含む。サポート１０５は、基板１０１を出し入れするために、上部電極アセンブリ１０４を上下に（二重矢印の方向に）移動させる。上部電極アセンブリ１０４と基板１０１との間の隙間が正確に制御されるように、基板サポート１０５には、精密な駆動メカニズム（図１には示されていない）が取り付けられる。
【００１７】
チャンバ壁１０２に相対的なサポート１０５の垂直運動を可能にしつつチャンバ壁１０２とサポート１０５との間に真空シールを形成するために、金属ベローズ１１４が使用される。サポート１０５は、中心ガス供給口１１５及びエッジガス供給口１０７を有する。ガス供給口１１５、１０７は、ベベルエッジエッチングに使用されるガスを提供する。中心ガス供給口１１５は、窒素などのパージガスを基板１０１の上に流すために使用することができ、エッジガス供給口１０７は、プラズマエッチングガスを基板のベベルエッジ付近の反応区域に供給するために使用することができる。動作中、基板１０１のベベルエッジの周辺にプラズマが形成され、概ねリング状を有する。プラズマが基板１０１の中心部に到達してデバイスのダイ領域に影響を及ぼすことを阻止するために、上部電極アセンブリ１０４の絶縁体板１０９と基板１０１との間の隙間は小さく、中心ガス供給口１１５から好ましくは階段状の穴１１０を通してガスが供給される。次いで、ガスは、上部電極アセンブリ１０４と基板１０１との間の隙間を基板の半径方向に通り抜ける。排出ガスは、チャンバ空間１０８から回収される。ベベルエッチング動作中、チャンバ圧力は、通常、真空ポンプ１１１によって５００ミリトールから２トールまでの範囲内に維持される。
【００１８】
上部電極アセンブリ１０４は、上部誘電体板１０９と、適切な締結メカニズムによってサポート１０５に固定されサポート１０５を通じて接地された上部金属部品１１２とを含む。上部金属部品１１２は、アルミニウムなどの金属で形成されることが好ましく、陽極酸化されてよい。ガス供給口１０７、１１５は、上部金属部品１１２を通る道筋を有する。上部誘電体板１０９は、上部金属部品１１２に取り付けられ、好ましくはセラミック（例：アルミナ）であるがこれに限定されない誘電体材料で形成される。必要に応じて、上部誘電体板１０９は、イットリアのコーティングを有してよい。上部誘電体板１０９は、１つの中心穴１１０を有するものとして図示されているが、上部誘電体板１０９は、任意の適切な数の出口を有してよく、例えば、出口は、必要に応じて、シャワーヘッド穴パターンに配置することができる。
【００１９】
下部電極１０６は、ベベルエッチング動作中に基板１０１を適所に保持するために、真空チャック又は静電チャックとして動作可能である（チャックの詳細は図示されていない）。下部電極１０６は、ＲＦ電力を受け取るために、高周波（ＲＦ）電源１１３に結合される。動作中、ＲＦ電源１１３は、ガス供給口１１５、１０７の少なくとも一方を通して提供されるガスをプラズマに励起させるためにＲＦ電力を提供し、このとき、ＲＦ電力は、およそ２ＭＨｚからおよそ６０ＭＨｚまでであるがこれに限定されない範囲内の、１つ又は２つ以上の周波数で供給されることが好ましい。
【００２０】
図２は、図１の領域Ａの略拡大図を示している。底部誘電体リング２０１は、セラミック（例：アルミナ）などの誘電体材料で形成され、下部電極１０６をチャンバ壁１０２から電気的に分離する。基板１０１は、下部電極１０６の上に搭載される。基板１０１の直径は、下部電極１０６の上面の直径よりも大きい。ベベルエッジは、下部電極１０６及び上部誘電体板１０９をそれぞれ取り巻く下部プラズマ排除区域（ＰＥＺ）リング２０２と上部ＰＥＺリング２０３との間に挟まれる。ＰＥＺという用語は、基板１０１の上方の、プラズマを排除された領域を言う。
【００２１】
上部ＰＥＺリング２０３は、下部外側フランジ２０３ａを有する。上部環状電極２０５（延長電極）が、上部ＰＥＺリング２０３を取り巻き、上部環状電極２０５の内側部分２０５ｃは、上部ＰＥＺリング２０３の外側フランジ２０３ａの上方に配される。上部ＰＥＺリング２０３は、ガス供給口１０７を通したガスの流れを可能にするために、隙間によって上部延長電極２０５から隔てられる。上部延長電極２０５は、プラズマ暴露下面に段差２０５ａを有する。段差２０５ａは、上部延長電極２０５から基板のベベルエッジまでの総距離を短くするように及びそれによってベベルエッジのエッチング速度を増加させるように構成された肥厚外側部分２０５ｂを形成する。上部延長電極２０５は、上部延長電極２０５の上面２０５ｄの穴に係合する複数のボルト２０７によって、上部金属部品１１２に締結される。上部金属部品１１２に接触している上部延長電極２０５の上面（取り付け面）２０５ｄは、内側段差２０５ｆ及び外側段差２０５ｅを含む。外側段差２０５ｅ及び内側段差２０５ｆは、上部金属部品１１２の外側段差及び内側段差とそれぞれ嵌り合う。
【００２２】
下部ＰＥＺリング２０２は、上方へ延びる外側フランジ２０２ａを有する。下部環状電極２０４が、下部ＰＥＺリング２０２を取り巻き、下部環状電極２０４の内側部分２０４ｃは、下部ＰＥＺリング２０２の外側フランジ２０２ａの下方に配される。下部延長電極２０４は、プラズマ暴露上面に段差２０４ａを有する。段差２０４ａは、肥厚外側部分２０４ｂを形成する。下部延長電極２０４は、下部延長電極２０４の下面２０４ｄの穴に係合する複数のボルト２０９によって、チャンバ壁１０２に締結される。チャンバ壁１０２に接触している下部延長電極２０４の下面（取り付け面）２０４ｄは、内側段差２０４ｆ及び外側段差２０４ｅを含む。外側段差２０４ｅ及び内側段差２０４ｆは、チャンバ壁１０２の外側段差及び内側段差とそれぞれ嵌り合う。
【００２３】
図２における延長電極２０４、２０５は、アルミニウムを機械加工したリングであることが好ましい。アルミニウムは、好ましいことに、半導体処理に適合した合金である。寿命期間を延ばして汚染を最小限に抑えるために、延長電極２０４、２０５は、陽極酸化され、イットリアをコーティングされる。
【００２４】
延長電極２０４、２０５のプラズマ暴露面は、通常、大量の副生成物の堆積を受ける。その結果、延長電極２０４、２０５は、副生成物の堆積が過剰になった際の定期的な研磨洗浄又は交換を必要とする。イットリアをコーティングされた延長電極２０４、２０５は、製造コストがかさむので、これらは、経済的な理由から、洗浄して再利用することが望まれる。
【００２５】
しかしながら、洗浄は、イットリアコーティングの損傷及び摩耗を招く可能性がある。延長電極２０４、２０５では、段差２０４ａ、２０５ａが、洗浄を更に困難にし、その結果、段差２０４ａ、２０５ａの外側の角におけるイットリアコーティングが最終的に失われ、損傷率が更に高くなる。
【００２６】
本明細書で説明される実施形態は、洗浄を容易にするために、イットリアコーティングの付着性が強化され且つ外部延長電極の形状が最適化されるという点で、図２に描かれるような先行技術の上部延長電極２０５に優る改良を提供する。
【００２７】
図３は、一実施形態にしたがった、プラズマベベルエッチャーチャンバにおける基板ベベルエッジ付近の略断面図である。図３に描かれる部品は、上部延長電極３０５が、切頂円錐形状を有したプラズマ暴露面３０５ａを含むこと、及び下部延長電極３０４が、プラズマ暴露平面３０４ａを含むことを除き、図２のそれらに対応している。面３０４ａ、３０５ａは、いかなる段差も凹所も有さない連続面である。図４には、上部延長電極３０５とその対応物（上部延長電極２０５）とが重ね合わされ、ここでは、上部延長電極２０５は、点線で示される。同じエッチング速度を維持するために、上部延長電極３０５は、上部延長電極２０５よりも約２ｍｍ（本明細書で使用される「約」は、±１０％を意味する）分厚いことが好ましい外側部分と、上部延長電極２０５と比べて基板１０１に対して約０．５ｍｍ近い下部内側の角とを有する。
【００２８】
図５は、上部延長電極３０５の底面図を示している。上部延長電極３０５の外径は、約１４．２インチ（およそ３６．１ｃｍ）であることが好ましく、内径は、約１１．８インチ（およそ３０．０ｃｍ）であることが好ましい。プラズマ暴露面３０５ａは、約１．２インチ（およそ３０．５ｍｍ）の幅を有する。
【００２９】
図６は、上部延長電極３０５の直径に沿った断面図を示している。
【００３０】
図７は、図６の領域Ｃの拡大図を示している。上部延長電極３０５は、取り付け面３０５ｂ上に、外側段差７０１と、１６個のネジ取り付け穴７０３と、内側段差７０２とを含む。外側段差７０１は、約１４．１インチ（およそ３５．８ｃｍ）の内径と、約１４．２インチ（およそ３６．１ｃｍ）の外径とを有することが好ましい。外側段差７０１は、約０．０４インチ（およそ１．０２ｍｍ）に及ぶことが好ましい垂直面７０１ａと、約０．１インチ（およそ２．５４ｍｍ）に及ぶ水平面７０１ｂとを有する。内側段差７０２は、約１１．８インチ（およそ３０．０ｃｍ）の内径と、約１３．０インチ（およそ３３．０ｃｍ）の外径とを有することが好ましい。内側段差７０２は、約０．２インチ（およそ５．０８ｍｍ）に及ぶことが好ましい垂直面７０２ａと、約０．６インチ（およそ１．５２ｃｍ）に及ぶ水平面７０２ｂとを有する。ネジ取り付け穴７０３の深さは、約０．４インチ（およそ１．０２ｃｍ）であることが好ましい。取り付け穴は、約０．１〜０．４インチ（およそ２．５４〜１０．２ｍｍ）の直径を有する。
【００３１】
上部延長電極３０５は、切頂円錐下面３０５ａも含む。最上面７０４と切頂円錐面３０５ａ上の最下点７０５との間で測定される上部延長電極３０５の外側厚さは、約０．６インチ（およそ１．５２ｃｍ）であることが好ましい。内周７２０の角における内側段差７０２の水平面７０２ｂと、切頂円錐面３０５ａとの間で測定される内側厚さは、約０．３インチ（およそ７．６２ｍｍ）であることが好ましい。約０．１インチ（およそ２．５４ｍｍ）の半径で丸くされることが好ましい外周７１０と切頂円錐面３０５ａとの間の７０５における角を除き、外向きの角は、全て、０．０２インチ（およそ０．５０８ｍｍ）と０．０４インチ（およそ１．０２ｍｍ）との間の半径で丸くされることが好ましい。切頂円錐面３０５ａの接平面と、上部延長電極３０５の径方向平面（すなわち水平面７０２ｂ）の接平面との間の角度は、最大で３０°であってよく、好ましくは２〜８°（例：２°、３°、４°、５°、６°、７°、８°）、より好ましくは５°であってよい。
【００３２】
図８は、上部延長電極３０５の上面図を示している。１６個のネジ取り付け穴７０３は、上部延長電極３０５の中心軸から半径約６．７８インチ（およそ１７．２ｃｍ）のところに、隣り合うネジ取り付け穴７０３どうしをそれぞれ２２．５°ずらして放射状に揃えられることが好ましい。上部延長電極３０５は、更に、第１の位置合わせピン穴７５０及び第２の位置合わせピン穴７６０のような位置合わせピン穴を取り付け面３０５ｂ上に含み、これらは、ともに、対応する位置合わせピンを受け入れるための穴である。第１の位置合わせピン穴７５０は、電極３０５の中心軸から約６．６インチ（およそ１６．８ｃｍ）のところに、一ネジ取り付け穴７０３から反時計回りに１０°ずらして配されることが好ましい。第１の位置合わせピン穴７５０は、約０．１２インチ（およそ３．０５ｍｍ）の直径と、約０．２４インチ（およそ６．１０ｍｍ）の深さとを有することが好ましい。第１の位置合わせピン穴７５０の入り口は、幅が約０．０２インチ（およそ０．５０８ｍｍ）の４５°の斜切面を有する。第１の位置合わせピン穴７５０は、滑らかな（ネジ切りされていない）穴である。図９は、図８の領域Ｄの拡大図で第２の位置合わせピン穴７６０の詳細を示している。第２の位置合わせピン穴７６０は、その中心が好ましくは電極３０５の中心軸から約６．７８インチ（およそ１７．２ｃｍ）のところに位置し、第１の位置合わせピン穴７５０から１８０°ずらされ、その長手方向軸７６０ａが延長電極３０５の半径方向にある、細長い滑らかな（ネジ切りされていない）穴であることが好ましい。第２の位置合わせピン穴７６０は、約０．２４インチ（およそ６．１０ｍｍ）の深さと、その長手方向軸７６０ａに直角に約０．１１９インチ（およそ３．０２ｍｍ）の幅と、その長手方向軸７６０ａに平行に約０．１３９インチ（およそ３．５３ｍｍ）の長さとを有することが好ましい。第２の位置合わせピン穴７６０への入り口は、幅が約０．０２インチ（およそ０．５０８ｍｍ）の４５°の斜切面を有することが好ましい。
【００３３】
延長電極３０４、３０５は、アルミニウム又はアルミニウム合金の塊から機械加工されることが好ましい。延長電極の浸食及び基板に対する金属粒子汚染を阻止するために、プラズマ暴露面３０５ａ、３０５ｂは、陽極酸化され、プラズマ溶射イットリアをコーティングされる。延長電極３０４、３０５の外周は、プラズマに直接暴露されず、ゆえにプラズマによる攻撃を受けないので、イットリアをコーティングされる必要はない。イットリアコーティングの付着性を強化するために、少なくともプラズマ暴露面３０５ａ、３０４ａは、陽極酸化前に（例えばビーズブラストによって）約７５〜２００ミクロインチ（およそ１９１〜５０８ミクロセンチ）の粗さ（Ｒa）に、好ましくは約１６０〜２００ミクロインチ（およそ４０６〜５０８ミクロセンチ）の粗さに粗くされる。面３０５ａ、３０４ａは、任意の適切な洗浄プロセスによって洗浄され、好ましくは約０．００２インチ（およそ０．０５０８ｍｍ）の厚さに陽極酸化される。陽極酸化された面３０５ａ、３０４ａは、次いで、任意の適切な洗浄プロセスによって洗浄され、約０．００２〜０．００８インチ（およそ０．０５０８〜０．２０３ｍｍ）のコーティング厚さを提供するためにイットリアをプラズマ溶射コーティングされる。
【００３４】
延長電極は、特定のハードウェア構成に適した任意の寸法を有するように構成されてよいことがわかる。凹所のない粗くされたプラズマ暴露面は、その定期的洗浄中における耐摩耗性を向上される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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