【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された駆動素子を含む回路部と、
該回路部上に形成された平坦化絶縁層と、
該平坦化絶縁層上に形成され、複数の第１電極および補助配線を含む導電層と、
上記複数の第１電極間を絶縁し、該第１電極の一部が露出する開口が形成された開口規定絶縁層と、
上記複数の第１電極の各露出部分において、上記第１電極と、発光層を含む有機層と、共通の第２電極とが、この順で積層されて形成された複数の発光素子と、
上記駆動素子と接続された上記複数の発光素子が配置された表示領域を囲む位置で、上記平坦化絶縁層を除去して形成された分離部と、
を有し、
上記分離部の内側の全領域では、上記平坦化絶縁層と上記第２電極との間および上記平坦化絶縁層と上記有機層との間に、上記導電層および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかが介在する表示装置。
【請求項２】
上記駆動素子を構成する金属層と同一層で形成され、上記補助配線および上記第２電極との間を電気的に接続するコンタクト部を有し、
上記平坦化絶縁層には、上記平坦化絶縁層上に形成された上記補助配線を下方の層に導出する開口が、上記コンタクト部上に形成され、
上記平坦化絶縁層による開口の内壁面が、上記補助配線および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかによって覆われた
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
上記平坦化絶縁層による開口の内壁面が、上記開口規定絶縁層によって覆われた請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
上記分離部の内側と上記表示領域の外側との間の領域では、
上記開口規定絶縁層は、下記式で規定される開口規定絶縁層の被覆率で３０％以上１００％以下となるように形成された請求項１記載の表示装置。
（式）
（開口規定絶縁層の被覆率）＝｛（開口規定絶縁層の被覆面積）／（分離部と表示領域の外側との間の領域）｝×１００％
【請求項５】
基板上に駆動素子を含む回路部を形成する工程と、
上記回路部上に平坦化絶縁層を形成する工程と、
上記駆動素子と接続される複数の発光素子が形成される表示領域の外側の領域に、上記表示領域を囲む位置で平坦化絶縁層を除去し分離部を形成する工程と、
上記平坦化絶縁層上に複数の第１電極および補助配線を含む導電層を形成する工程と、
上記第１電極間を絶縁し、上記第１電極の一部が露出する開口を有する開口規定絶縁層を形成する工程と、
上記複数の第１電極間の各露出部分において、上記第１電極と、発光層を含む有機層と、共通の第２電極とをこの順で積層し、複数の発光素子を形成する工程と
を有し、
上記導電層を形成する工程、上記開口規定絶縁層を形成する工程および上記発光素子を形成する工程において、
上記分離部の内側の全領域では、上記平坦化絶縁層と上記第２電極との間および上記平坦化絶縁層と上記有機層との間に、上記導電層および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかを介在させるように、上記導電層、上記開口規定絶縁層および上記複数の発光素子を形成する表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記回路部を形成する工程において、
上記駆動素子を構成する金属層と同一層で、上記補助配線および上記第２電極との間を電気的に接続するコンタクト部を形成し、
上記平坦化絶縁層を形成する工程において、
上記平坦化絶縁層上に形成される補助配線を下方の層に導出するための開口を、上記コンタクト部上に形成し、
上記導電層を形成する工程および上記開口規定絶縁層を形成する工程において、
上記平坦化絶縁層による開口の内壁面を、上記補助配線および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかによって覆うように、上記補助配線および上記開口規定絶縁層を形成する請求項５記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記開口規定絶縁層を形成する工程において、
上記平坦化絶縁層による開口の内壁面を覆うように、上記開口規定絶縁層を形成する請求項５記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記開口規定絶縁層を形成する工程において、
上記分離部と上記表示領域の外側との間の領域では、下記式で規定される開口規定絶縁層の被覆率が、３０％以上１００％以下となるように、上記開口規定絶縁層を形成する
請求項５記載の表示装置の製造方法。
（式）
（開口規定絶縁層の被覆率）＝｛（開口規定絶縁層の被覆面積）／（分離部と表示領域の外側との間の領域）｝×１００％
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上述した課題を解決するために、第１の発明は、基板と、基板上に形成された駆動素子を含む回路部と、回路部上に形成された平坦化絶縁層と、平坦化絶縁層上に形成され、複数の第１電極および補助配線を含む導電層と、複数の第１電極間を絶縁し、第１電極の一部が露出する開口が形成された開口規定絶縁層と、複数の第１電極の各露出部分において、第１電極と、発光層を含む有機層と、共通の第２電極とが、この順で積層されて形成された複数の発光素子と、駆動素子と接続された複数の発光素子が配置された表示領域を囲む位置に、平坦化絶縁層を除去して形成された分離部を有し、分離部の内側の全領域では、平坦化絶縁層と第２電極との間および平坦化絶縁層と有機層との間に、導電層および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかが介在する表示装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第２の発明は、基板上に駆動素子を含む回路部を形成する工程と、回路部上に平坦化絶縁層を形成する工程と、駆動素子と接続される複数の発光素子が形成される表示領域の外側の領域に、表示領域を囲む位置で平坦化絶縁層を除去し分離部を形成する工程と、平坦化絶縁層上に複数の第１電極および補助配線を含む導電層を形成する工程と、第１電極間を絶縁し、第１電極の一部が露出する開口を有する開口規定絶縁層を形成する工程と、複数の第１電極間の各露出部分において、第１電極と、発光層を含む有機層と、共通の第２電極とをこの順で積層し、複数の発光素子を形成する工程とを有し、導電層を形成する工程、開口規定絶縁層を形成する工程および発光素子を形成する工程において、分離部の内側の全領域では、平坦化絶縁層と第２電極との間および平坦化絶縁層と有機層との間に、導電層および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかを介在させるように、導電層、開口規定絶縁層および複数の発光素子を形成する表示装置の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【図１】この発明の第１の実施の形態による表示装置の構成例を示す平面図である。
【図２】表示領域の構成例を示す平面図である。
【図３】第１電極および補助配線等の構成を示す平面図である
【図４】接続コンタクトの構成例を示す断面図である。
【図５】表示領域の構成例を示す断面図である。
【図６】表示領域の構成例を示す拡大断面図である。
【図７】コンタクト配置部の構成例を示す平面図である。
【図８】コンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【図９】従来のコンタクト配置部の構成例を示す平面図である。
【図１０】従来のコンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【図１１】従来のコンタクト配置部の第２電極の断線状態を示す断面図である。
【図１２】表示領域および周辺領域の構成例を示す断面図である。
【図１３】分離部の構成例を示す断面図である。
【図１４】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】コンタクト配置部の構成例を示す平面図である。
【図１９】コンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【図２０】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２１】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】コンタクト配置部の構成例を示す平面図である。
【図２３】コンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【図２４】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２６】分離部の構成例を説明するための断面図である。
【図２７】試験例の結果をまとめグラフである。
【図２８】従来のコンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
すなわち、表示領域Ｐでは、有機層１７と平坦化絶縁膜１３との間には、第１電極１４ａまたは開口規定絶縁膜１６が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、第１電極１４ａおよび第１電極１４ａ上に積層される有機層１７が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、補助配線１４ｂおよび補助配線１４ｂ上に積層される開口規定絶縁膜１６が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、補助配線１４ｂおよび補助配線１４ｂ上に積層される開口規定絶縁膜１６、および開口規定絶縁膜１６上に積層される有機層１７が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、開口規定絶縁膜１６が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、開口規定絶縁膜１６および開口規定絶縁膜１６上に積層される有機層１７が介在する構造とされている。これらの構造により、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分が有機層１７および第２電極１８まで拡散することを抑制し、有機層１７および第２電極１８の劣化を抑制できる。また、平坦化絶縁膜１３からのデガスによる有機層１７および第２電極１８の劣化を抑制できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
［有機層］
有機層１７は、図示を省略するが、例えば第１電極１４ａ側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層の順に積層された構造を有する。正孔注入層は、第１電極１４ａから正孔をスムーズに受け入れるために設けられる層である。正孔輸送層は、正孔を発光層にスムーズに移動させるために設けられる層である。電子輸送層は、第２電極１８から電子を受け取って発光層まで輸送する層である。有機層１７の各層を構成する材料には、それぞれの機能に適した有機材料を適宜用いる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
より具体的には、例えば、Ｔｉ、窒化チタン、タングステン、クロム、金、白金、銅、ＩＴＯ、ＩＺＯもしくは銀またはこれらの金属材料を主成分とする合金などが挙げられる。また、第２の金属層２５をＴｉ／Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｔｉ／（ＡｌＳｉ合金）、Ｔｉ／（ＡｌＳｉＣｕ合金）またはＴｉ／（ＡｌＣｅ（セリウム）合金）などのＴｉを最上層とする多層膜によって、構成するようにしてもよい。第２の金属層２５の構成材料は、第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂの構成材料やエッチング方法などによって適宜選択される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
（パッシベーション膜）
パッシベーション膜２６は、ＴＦＴ４１を保護するためのものであり、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮのうちの少なくとも１種からなる絶縁材料により構成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
コンタクト配置部５０では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６がこの順で積層された構造で形成されるか、または、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、開口規定絶縁膜１６が形成されている。すなわち、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面は、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２つの層または開口規定絶縁膜１６の１つの層によって覆われている。これにより、平坦化絶縁膜１３と第２電極とが直接接触することを避けることができ、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによって第２電極１８や有機層１７が劣化することを抑制できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図９において、点線７１で囲まれる領域（内側の点線と外側の点線との間の領域）が補助配線１４ｂが形成されている領域を示す。線７２で囲まれる領域が、パッシベーション膜２６の除去部分である。線７３で囲まれる領域が、平坦化絶縁膜１３の除去部分である。線７４で囲まれる領域が、開口規定絶縁膜１６の除去部分である。太線７５で囲まれる領域が、コンタクトパッド５１が形成された領域である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図１０に示すように、開口規定絶縁膜１６には、上層に設けられた第２電極１８を、下方の層に配置されるコンタクトパッド５１に接続するための開口が形成されている。開口規定絶縁膜１６による開口（図９では線７４で囲まれる領域に対応）の径は、平坦化絶縁膜１３による開口（図９では線７３で囲まれる領域に対応）の径より、大きくなるように設定されている。これにより平坦化絶縁膜１３の平坦面の一部は、開口規定絶縁膜１６によって、覆われない露出面を有する。この露出面の一部および平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の一部に沿って、コンタクトパッド５１の上面の一部まで補助配線１４ｂが形成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
すなわち、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に、補助配線１４ｂの１層が介在する構造とされている。また、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に開口規定絶縁膜１６の１層が介在する構造とされている。また、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層が介在する構造とされている。これにより、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３とが直接接触しないので、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによって、第２電極が劣化することを抑制できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
次に、第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂをスパッタリングにより形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、所定形状にパターニングする。また、コンタクト配置部５０では、図２１Ｄに示すように、補助配線１４ｂが、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、コンタクトパッド５１の上面の一部まで、形成されるようにパターニングされる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
３．第３の実施の形態
＜表示装置の構成＞
この発明の第３の実施の形態による表示装置について説明する。この発明の第３の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０の構成が異なる点以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、以下では、コンタクト配置部５０の構成について詳細に説明し、その他の構成については説明を省略する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
＜４．第４の実施の形態＞
この発明の第４の実施の形態による表示装置について説明する。この発明の第４の実施の形態による表示装置は、分離部９１の構成以外は、第１の実施の形態による表示装置の構造と同様である。したがって、以下では、分離部９１の構成について説明し、その他の説明は省略するものとする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
＜分離部の構成＞
分離部９１の構成について詳細に説明する。図２６は、分離部９１の構成を示す拡大断面である。分離部９１において、第２の金属層２５と同一層のコンタクト部５２は、平坦化絶縁膜１３およびパッシベーション膜２６によって被覆されずに露出する露出面を有する。このコンタクト部の露出面の一部と平坦化絶縁膜の分離部９１の形成面にわたり、補助配線１４ｂが形成されている。さらに、コンタクト部５２の補助配線１４ｂが形成されていない露出面と、補助配線１４ｂ上にわたり、第２電極１８が形成されている。これにより、第２電極１８と補助配線１４ｂとの間が、第２電極１８との間で良好な接続（好ましくはオーミック接続）をとれるコンタクト部５２を介して電気的に接続される。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
以下の試験によって、分離部９１の内側の周辺領域Ｔの開口規定絶縁膜１６の被覆率について検討を行った。なお、この発明は、以下の試験例で作製される有機ＥＬパネルに限定されるものではない。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2011090153.tif 000001