【事件の表示】
　特願２００４−２１１６３０「圧力センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月　２日出願公開、特開２００６−　３００６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１６年７月２０日の出願であって、平成１９年１１月３０日付けで手続補正がなされ、平成２０年７月１８日付け（送達日：平成２０年７月２９日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年９月２４日付けで手続補正がなされたものである。 
　
第２　平成２０年９月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２０年９月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
［理由］ 
１　補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲の記載を補正前の、 
 「　【請求項１】
　ダイヤフラムが形成されていると共に、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗を含む電気回路が形成された半導体基板（８）と、
　前記半導体基板（８）の表面に形成され、前記電気回路の所望部分を露出させるコンタクトホールが形成されてなる絶縁膜（９）と、
　前記絶縁膜（９）の上に形成され、前記絶縁膜（９）に形成されたコンタクトホールを通じて前記電気回路と電気的に接続されてなる第１金属膜（１０、３０）と、
　前記第１金属膜（１０、３０）の上に形成された耐腐食性の第２金属膜（１３）と、
　前記第１金属膜（１０、３０）を覆いつつ、前記第２金属膜（１３）の所望部分を露出させる開口部が形成されてなる第１保護膜（１１）と、
　前記第２金属膜（１３）のうち、前記第１保護膜（１１）から露出している部分にボンディングされたワイヤ（７）と、
　少なくとも前記第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面および前記第１保護膜（１１）における開口部近傍を覆う有機系材料で構成された第２保護膜（１４）とを備えていることを特徴とする圧力センサ。 
　　　【請求項２】
　前記第２保護膜（１４）は、ポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）もしくはポリイミド（ＰＩＱ）で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
　　【請求項３】
　前記第１金属膜はＡｌ膜（１０）であり、
　前記第２金属膜はＡｕ膜（１３）であり、該Ａｕ膜（１３）はＮｉ膜（１２）を介して前記Ａｌ膜（１０）の上に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。
　　【請求項４】
　前記第１金属膜はＣｕ膜（３０）であり、
　前記第２金属膜はＡｕ膜（１３）であり、該Ａｕ膜（１３）は前記Ｃｕ膜（３０）の表面に直接形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。」から、
補正後の、 
 「　【請求項１】
　ダイヤフラムが形成されていると共に、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗を含む電気回路が形成された半導体基板（８）と、
　前記半導体基板（８）の表面に形成され、前記電気回路の所望部分を露出させるコンタクトホールが形成されてなる絶縁膜（９）と、
　前記絶縁膜（９）の上に形成され、前記絶縁膜（９）に形成されたコンタクトホールを通じて前記電気回路と電気的に接続されてなる第１金属膜（１０、３０）と、
　前記第１金属膜（１０、３０）の上に形成された耐腐食性のＡｕにて構成された第２金属膜（１３）と、
　前記第１金属膜（１０、３０）を覆いつつ、前記第２金属膜（１３）の所望部分を露出させる開口部が形成されてなる第１保護膜（１１）と、
　前記第２金属膜（１３）のうち、前記第１保護膜（１１）から露出している部分にボンディングされたワイヤ（７）と、
　少なくとも前記第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面および前記第１保護膜（１１）における開口部近傍を覆う有機系材料であるポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）にて構成された第２保護膜（１４）とを備え、
　エンジンルームにおけるＥＧＲ用に適用されることを特徴とする圧力センサ。 
　【請求項２】
　前記第１金属膜はＣｕ膜（３０）であり、
　前記第２金属膜はＡｕ膜（１３）であり、該Ａｕ膜（１３）は前記Ｃｕ膜（３０）の表面に直接形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。」
に補正しようとすることを含むものである。 
 　 
　本件補正前後の特許請求の範囲を比較すると、本件補正により、補正前の請求項１、請求項３が削除され、補正前の請求項１を引用する請求項２が、独立請求項である請求項１に補正され、また、補正前の請求項２を引用する請求項４が、補正後の請求項１を引用する請求項２に補正された。
　
　そこで、補正後の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）と補正前の請求項２に記載した発明特定事項との関係は、引用する請求項の記載も考慮すると、以下のとおりである。
（１）「第２金属膜（１３）」に関して、「Ａｕにて構成された」とその材料が限定された。
（２）「第２保護膜（１４）」に関して、「ポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）もしくはポリイミド（ＰＩＱ）で構成されている」が「ポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）にて構成された」と限定された。 
（３）「圧力センサ」に関して、「エンジンルームにおけるＥＧＲ用に適用される」とその用途が限定された。 
　また、補正後の請求項２に記載した発明特定事項と補正前の請求項４に記載した発明特定事項との関係は、引用する請求項の記載も考慮すると、補正後の請求項２に記載した発明特定事項は、補正前の請求項４に係る発明に対して、同じく上記（１）ないし（３）の限定がされたものといえる。
　 
　したがって、当該補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号に規定する請求項の削除、同第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
 　 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。 
 　 
２　独立特許要件について 
（１）補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後第１発明」という。）は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲、及び図面の記載からみて、以下のとおりのものである。 
 「ダイヤフラムが形成されていると共に、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗を含む電気回路が形成された半導体基板（８）と、
　前記半導体基板（８）の表面に形成され、前記電気回路の所望部分を露出させるコンタクトホールが形成されてなる絶縁膜（９）と、
　前記絶縁膜（９）の上に形成され、前記絶縁膜（９）に形成されたコンタクトホールを通じて前記電気回路と電気的に接続されてなる第１金属膜（１０、３０）と、
　前記第１金属膜（１０、３０）の上に形成された耐腐食性のＡｕにて構成された第２金属膜（１３）と、
　前記第１金属膜（１０、３０）を覆いつつ、前記第２金属膜（１３）の所望部分を露出させる開口部が形成されてなる第１保護膜（１１）と、
　前記第２金属膜（１３）のうち、前記第１保護膜（１１）から露出している部分にボンディングされたワイヤ（７）と、
　少なくとも前記第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面および前記第１保護膜（１１）における開口部近傍を覆う有機系材料であるポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）にて構成された第２保護膜（１４）とを備え、
　エンジンルームにおけるＥＧＲ用に適用されることを特徴とする圧力センサ。」 
 　 
（２）引用例 
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の２００４年７月１５日に頒布された刊行物である国際公開第２００４／０５９７２２号（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。 
 　　 
（ア）　「技術分野
　本発明は半導体式センサ・・・・・に関する。」（明細書第１頁第３〜５行） 
　
（イ）　「背景技術　　　　
　従来、測定媒体の圧力、流量等の物理量または測定媒体を構成する化学成分を検出する半導体式センサが、物理量もしくは化学センサとして用いられている。たとえば、従来の半導体式物理量センサ等のセンシングには、検出した電気信号の外部導出端子として、Ａｌを主成分とするパッド部が用いられている。しかしながら、近年の機械機器での高度制御のニーズから様々な部分での物理量測定が必要となり、同時に測定媒体自体によるＡ１腐食は製品寿命に影響を及ぼすレベルに達している。
　その状況下では、従来用いられてきた図４に示されるようなゲル等の対策構造では、Ａｌは腐食し、自動車に求められるような製品寿命を必ずしも満足するものではない。」（明細書第１頁第６〜１７行） 
　
（ウ）　「発明の開示
　本発明は、上記の課題を解決し、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供することを目的とする。すなわち、特に半導体式センサの信号伝達部であるパッド・ワイヤ周辺部を対腐食性において著しく向上させることを目的とする。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサを要旨とする。さらには、本発明は、パット部上にＮｉめっき膜を形成する無電解工程、Ｎｉめっき膜上に貴金属皮膜を形成する無電解めっき工程、貴金属ワイヤをワイヤボンディングする工程、ならびにこれらのパット部およびワイヤボンディング部を絶縁膜で被覆する工程を含む上記の半導体式センサの作成方法を要旨とする。」（明細書第３頁第１８行〜同第４頁第５行） 
　
（エ）　「本発明は、このような半導体式センサの製造に最適な半導体装置のめっき方法を提供する。すなわち、従来のＡｌ電極上に耐食性に貴金属の一種であるＡｕを保護膜として追加するとともに、その上部からゲル保護等の絶縁皮膜の保護を行うことにより、腐食媒体とのその被腐食構造であるＡｌとの接触確率を下げることでパッド腐食の耐性向上を図るものである。」（明細書第４頁第６〜１１行） 
　
（オ）　「図面の簡単な説明
　図１は本発明の半導体式センサにおける電極構造の１実施態様を示す。図２（ａ）〜２（ｆ）は本発明の半導体式センサの作成のためのメッキ工程フローおよび組みつけ工程の概略を示す。」（明細書第４頁第１８〜２１行） 　
（カ）　「発明を実施するための最良の形態
　本発明における半導体式センサは、Ｓｉウェハ等の半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有し、そのパッド部は貴金属で保護されている。パッド部を形成する材料は好適にはＡｌである。そして、半導体基板の裏面にはガラス基板が配置されているのが通常である。本発明において、パッド部を保護するために用いられる貴金属としてはＡｕ・・・・・が挙げられる。・・・・・パッド部には検出した電気信号を外部導出するためにワイヤがボンディングされるが、このワイヤ材料としてはＡｕが最適である。本発明において、こうして形成されたパット部（当審注：「パッド部」の誤記と認められる。）およびワイヤボンディング部は絶縁膜で被覆される。この絶縁膜の被覆、材質および膜厚等は常法によることができるが、たとえば、ゲル、プライマ＋ゲル、もしくは、パリレン＋ゲルが好適であり、ゲルとしてはフッ素ゲル、シリコンゲルもしくはフロロシリコンゲルが挙げられる。」（明細書第５頁第１〜２１行） 
　
（キ）　「　本発明の半導体式センサは、たとえばＳｉ半導体基板内に、物理量検知する構造部及び電気量変換素子を持ち、さらにパッド部を有すし、得られる電気信号はワイヤで伝達される。そのパッド部には無電解にてメッキしたＮｉ及びＡｕの膜が存在し、その構造体全体を覆うようにゲル他の絶縁皮膜で覆われている。
　本発明において、腐食性媒体の物理量を検出する半導体式センサの１例として圧力センサが挙げられる。特に、好適には自動車のエンジン排気環境下で排ガスの圧力を測定する圧カセンサである。さらに、腐食性で、かつ高湿度である媒体の圧力を測定する圧力センサであることができる。さらに、これらの圧力センサは、常法にしたがって、半導体基板に薄いダイアフラム領域を有し、この領域に形成された拡散層によりピエゾ抵抗効果を有し、歪みが抵抗変化に変換されて圧力を伝達するように構成することができる。」（明細書第５頁第２７行〜同第６頁第１２行） 
　
（ク）　「　具体的に圧力センサの１態様においてにおいては、図１に示されるように、パッド部は１．１μｍ厚さのＡｌの上に、Ａｕの析出を助けるために、無電解めっきによりＮｉを数μｍ積層させる。その上に０．２μｍ程度の厚さのＡｕを無電解メッキする。次にＡｕワイヤでワイヤボンディング（ＷＢ）する。このことで、腐食性溶液の接触の大部分は除去することができるが、Ｎｉ膜とＳｉＮ膜（チップ保護膜）間には隙間があり、その部分を絶縁皮膜（ゲル・パリレン・プライマ＋ゲル）で覆う。」（明細書第６頁第１３〜２０行） 
　
（ケ）　「本発明は腐食性媒体の物理量検出及び化学成分検知を行うセンサにおける信号伝達部の腐食防止に関するもので、従来のものよりその製品寿命を延ばすことができる。具体的には、９０℃、ｐＨ１．７程度の強酸水溶液に浸漬した場合に、Ａｌ露出構造品に比べ約２倍の寿命である。」（明細書第６頁第２６行〜同第７頁第３行）
　
（コ）「つぎに、本発明のめっき方法の好適な態様についてさらに図面とともに説明する。本発明の工程フローを図３に示す。図１（当審注：「図３」の誤記と認められる。）において、回路形成した後にＡｌ配線を形成し、パッシベーション膜により回路面を保護している。ついで、ダイヤフラム形成を行い、ガラス基板２とＳｉウエハ１を陽極接合する。そして、Ａｌ配線上に無電解Ｎｉめっきにより、Ｎｉめっき膜を形成し、連続して無電解ＡｕめっきによりＮｉ上にＡｕを形成する。・・・ 」（明細書第８頁第１２〜１８行）
　
 　圧力センサ（以下「半導体式センサ」ともいう。）が図示されたＦｉｇ．１の図示から、以下の事項を読み取ることができる。
・記載事項（カ）の「Ｓｉウエハ等の半導体基板」及び「半導体基板の裏面にはガラス基板が配置されている」との記載から、圧力センサが図示されたＦｉｇ．１において、「１」、「２」の図番で示される部材は、それぞれ半導体基板、ガラス基板である。
・記載事項（ク）、（コ）の記載から、Ｆｉｇ．１のＡｌは、Ａｌ配線である。
・記載事項（ク）の記載から、Ｆｉｇ．１のＮｉ、ＳｉＮは、Ｎｉ膜、ＳｉＮ膜（チップ保護膜）である。
・記載事項（エ）、（ク）の記載から、Ｆｉｇ．１のＮｉの表面に形成されたＡｕは、Ａｕメッキからなる保護膜であり、また、Ｆｉｇ．１の上記Ａｕに接続されるＡｕは、Ａｕワイヤである。
・Ｆｉｇ．２は、Ｆｉｇ．１に図示された半導体式センサの製造工程を示す工程図であるから、Ｆｉｇ．１において、半導体基板の表面上に形成されている層は、Ｆｉｇ．２の図示からみて、酸化膜といえる。
　したがって、Ｆｉｇ．１には、圧力センサが、Ｓｉウエハ等の半導体基板１と、半導体基板の表面上に形成されている酸化膜と、前記酸化膜の上に形成されているＡｌ配線と、前記Ａｌ配線の上にＮｉ膜を介して形成されたＡｕメッキからなる保護膜と、ＳｉＮ膜（チップ保護膜）と、Ａｕワイヤとを備えた圧力センサが図示されている。
　
　また、Ｆｉｇ．１の図示から、以下の点も読み取ることができる。
・半導体基板の表面上に形成され、開口が形成されてなる酸化膜。
・酸化膜の上及び前記酸化膜の開口にわたり連続的に形成されているＡｌ配線。
・圧力センサが備えるＳｉＮ膜（チップ保護膜）は、Ａｌ配線の一部を覆いつつ、Ａｕメッキを露出させる開口が形成されていること。　
　
イ　上記記載事項（ア）ないし（コ）及び図面から、以下の事項を読み取ることができる。 
（ア）　記載事項（キ）から、半導体基板が、ダイヤフラム領域を有し、このダイヤフラム領域にはピエゾ抵抗効果を有する拡散層が形成されている半導体基板である。
　そして、Ｆｉｇ．１に図示された圧力センサに係るメッキ工程のフローが図示されたＦｉｇ．３の図示、及びＦｉｇ．３について説明している記載事項（コ）の記載によれば、Ｆｉｇ．１に図示された圧力センサのダイヤフラム領域には回路が形成されているといえる。そして、前記回路はピエゾ抵抗効果を有する拡散層を含むことは明らかである。
　してみると、ダイヤフラム領域を有し、このダイヤフラム領域にはピエゾ抵抗効果を有する拡散層を含む回路が形成された半導体基板を読み取ることができる。
　
（イ）上述したとおり、半導体基板の表面上に形成され、開口が形成されてなる酸化膜を読み取ることができる。
　
　次に、上述したとおり、Ｆｉｇ．１の図示から、酸化膜の上及び前記酸化膜の開口にわたり連続的に形成されているＡｌ配線を読み取ることができる。
　そして、上述したとおり、Ｆｉｇ．１に図示された圧力センサのダイヤフラム領域には回路が形成されており、また、記載事項（コ）の記載から、Ａｌ配線は上記回路と接続されている。
　したがって、酸化膜の上及び前記酸化膜の開口にわたり連続的に形成され、ダイヤフラム領域に形成された回路と接続されているＡｌ配線を読み取ることができる。
　
（ウ）　上述したとおり、Ｆｉｇ．１には、Ａｌ配線の上にＮｉ膜を介して形成されたＡｕメッキが図示され、また、記載事項（エ）の「Ａｕを保護膜として」なる記載から、Ｆｉｇ．１には、Ａｌ配線の上にＮｉ膜を介して形成されたＡｕメッキからなる保護膜が図示されているといえる。
　
（エ）　上述したとおり、Ｆｉｇ．１の図示から、圧力センサが備えるＳｉＮ膜（チップ保護膜）は、Ａｌ配線を覆いつつ、Ａｕメッキからなる保護膜を露出させる開口が形成されているＳｉＮ膜（チップ保護膜）であることを読み取ることができる。
　
（オ）　記載事項（ク）の記載から、Ａｕメッキに、Ａｕワイヤがボンディングされていること、そして、Ｆｉｇ．１に図示されたＳｉＮ膜とＡｕメッキとＡｕワイヤとの配置関係から、ＡｕメッキとＡｕワイヤとのボンディング箇所は、ＡｕメッキのＳｉＮ膜から露出している部分である。
　してみると、Ａｕメッキのうち、ＳｉＮ膜から露出しているＡｕメッキの部分にボンディングされているＡｕワイヤを読み取ることができる。
　
（カ）　まず、記載事項（カ）の記載から、パッド部およびワイヤボンディング部を被覆する、ゲル、プライマ＋ゲル、もしくは、パリレン＋ゲルの材料からなる絶縁膜を読み取ることができる。
　記載事項（ク）の記載から、Ａｌ配線の上に、Ｎｉ膜を積層させ、その上にＡｕメッキしたものがパッド部である。　
　そして、記載事項（ウ）の「本発明は、上記の課題を解決し、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供することを目的とする。すなわち、特に半導体式センサの信号伝達部であるパッド・ワイヤ周辺部を対腐食性において著しく向上させることを目的とする。」という記載や、記載事項（エ）の「ゲル保護等の絶縁皮膜の保護を行うことにより、腐食媒体とのその被腐食構造であるＡｌとの接触確率を下げることでパッド腐食の耐性向上を図るものである」という記載や、記載事項（カ）の「パット部（当審注：「パッド部」の誤記と認められる。）およびワイヤボンディング部は絶縁膜で被覆される。」という記載から、上記「絶縁膜」が、腐食性媒体に対するＡｌの保護機能を有することは明らかであり、また、上記Ａｌは、Ｆｉｇ．１に図示されたＡｌ配線であることは明らかである。
　してみると、Ａｌ配線の上に、Ｎｉ膜を積層させ、その上にＡｕメッキしたパッド部およびワイヤボンディング部を被覆する、ゲル、プライマ＋ゲル、もしくは、パリレン＋ゲルの材料からなる腐食性媒体に対するＡｌ配線の保護機能を有する絶縁膜を読み取ることができる。
　
（キ）　上記記載事項（キ）の記載から、半導体式センサである圧力センサは、自動車のエンジン排気環境下で排ガスの圧力を測定することに用いられる圧カセンサであることを読み取ることができる。
　
ウ　したがって、記載事項（ア）ないし（コ）及び図面の記載を総合すれば、引用刊行物には次のとおりの発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 　【引用例発明】 
 「ダイヤフラム領域を有し、このダイヤフラム領域にはピエゾ抵抗効果を有する拡散層を含む回路が形成された半導体基板と、
　前記半導体基板の表面上に形成され、開口が形成されてなる酸化膜と、
　前記酸化膜の上及び前記酸化膜の開口にわたり連続的に形成され、ダイヤフラム領域に形成された回路と接続されているＡｌ配線と、　
　前記Ａｌ配線の上に形成されたＡｕメッキからなる保護膜と、
　前記Ａｌ配線を覆いつつ、前記Ａｕメッキからなる保護膜を露出させる開口が形成されているＳｉＮ膜（チップ保護膜）と、
　前記Ａｕメッキのうち、前記ＳｉＮ膜（チップ保護膜）から露出しているＡｕメッキの部分にボンディングされているＡｕワイヤと、
　前記Ａｌ配線の上に、Ｎｉ膜を積層させ、その上にＡｕメッキしたパッド部およびワイヤボンディング部を被覆する、ゲル、プライマ＋ゲル、もしくは、パリレン＋ゲルの材料からなる腐食性媒体に対するＡｌ配線の保護機能を有する絶縁膜とを備え、
　自動車のエンジン排気環境下で排ガスの圧力を測定することに用いられる圧カセンサ。」  　  　 
　 
（３）対比 
　補正後第１発明と引用例発明を比較する。 
 　 
ア　引用例発明の「ダイヤフラム領域」は、補正後第１発明の「ダイヤフラム」に相当し、同様に、「ピエゾ抵抗効果を有する拡散層」は「ゲージ抵抗」に、「回路」は「電気回路」に、「半導体基板」は「半導体基板（８）」に、それぞれ相当する。
　したがって、引用例発明の「ダイヤフラム領域を有し、このダイヤフラム領域にはピエゾ抵抗効果を有する拡散層を含む回路が形成された半導体基板」は、補正後第１発明の「ダイヤフラムが形成されていると共に、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗を含む電気回路が形成された半導体基板（８）」に相当する。
　
イ　引用例発明の「表面上に」、「開口」、「酸化膜」は、それぞれ補正後第１発明の「表面に」、「コンタクトホール」、「絶縁膜（９）」に相当する。
　したがって、引用例発明の「前記半導体基板の表面上に形成され、開口が形成されてなる酸化膜」と補正後第１発明の「前記半導体基板（８）の表面に形成され、前記電気回路の所望部分を露出させるコンタクトホールが形成されてなる絶縁膜（９）」とは、前記半導体基板の表面に形成され、コンタクトホールが形成されてなる絶縁膜の点で共通する。
　
ウ　引用例発明の「前記酸化膜の上」は、補正後第１発明の「前記絶縁膜（９）の上」に相当する。
　引用例発明のＡｌ配線は、酸化膜の上及び前記酸化膜の開口にわたり連続的に形成され、ダイヤフラム領域に形成された回路と接続されているから、酸化膜の上のＡｌ配線はダイヤフラム領域に形成された回路と接続されていることは明らかである。
　そして、引用例発明のＡｌ配線の酸化膜の上に形成された部分は、補正後第１発明の「第１金属膜（１０、３０）」に相当する。
　したがって、引用例発明の「前記酸化膜の上及び前記酸化膜の開口にわたり連続的に形成され、ダイヤフラム領域に形成された回路と接続されているＡｌ配線」は、補正後第１発明の「前記絶縁膜（９）の上に形成され、前記絶縁膜（９）に形成されたコンタクトホールを通じて前記電気回路と電気的に接続されてなる第１金属膜（１０、３０）」に相当する。
　
エ　Ａｕは、一般に、耐腐食性に優れた金属であるから、引用例発明の「前記Ａｌ配線の上に形成されたＡｕメッキからなる保護膜」は、補正後第１発明の「前記第１金属膜（１０、３０）の上に形成された耐腐食性のＡｕにて構成された第２金属膜（１３）」に相当する。
　
オ　引用例発明の「Ａｕメッキからなる保護膜を露出させる開口」は、補正後第１発明の「前記第２金属膜（１３）の所望部分を露出させる開口部」に相当する。
　また、引用例発明の「ＳｉＮ膜（チップ保護膜）」は、補正後第１発明の「第１保護膜（１１）」に相当する。
　したがって、引用例発明の「前記Ａｌ配線を覆いつつ、前記Ａｕメッキからなる保護膜を露出させる開口が形成されているＳｉＮ膜（チップ保護膜）」は、補正後第１発明の「前記第１金属膜（１０、３０）を覆いつつ、前記第２金属膜（１３）の所望部分を露出させる開口部が形成されてなる第１保護膜（１１）」に相当する。
　
カ　引用例発明の「Ａｕワイヤ」は、補正後第１発明の「ワイヤ（７）」に相当する。
　したがって、引用例発明の「前記Ａｕメッキのうち、前記ＳｉＮ膜（チップ保護膜）から露出しているＡｕメッキの部分にボンディングされているＡｕワイヤ」は、補正後第１発明の「前記第２金属膜（１３）のうち、前記第１保護膜（１１）から露出している部分にボンディングされたワイヤ（７）」に相当する。
　
キ　引用例発明の「ゲル、プライマ＋ゲル、もしくは、パリレン＋ゲルの材料からなる」と補正後第１発明の「有機系材料であるポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）にて構成された」とは、有機系材料にて構成された点で共通する。
　そして、引用例発明の「腐食性媒体に対するＡｌ配線の保護機能を有する絶縁膜」は、補正後第１発明の「第２保護膜（１４）」に相当する。
　
　したがって、引用例発明の「前記Ａｌ配線の上に、Ｎｉ膜を積層させ、その上にＡｕメッキしたパッド部およびワイヤボンディング部を被覆する、ゲル、プライマ＋ゲル、もしくは、パリレン＋ゲルの材料からなる腐食性媒体に対するＡｌ配線の保護機能を有する絶縁膜」と補正後第１発明の「少なくとも前記第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面および前記第１保護膜（１１）における開口部近傍を覆う有機系材料であるポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）にて構成された第２保護膜（１４）」とは、有機系材料にて構成された第２保護膜（１４）の点で共通する。
　
ク　引用例発明の「自動車のエンジン排気環境下で排ガスの圧力を測定することに用いられる」と補正後第１発明の「エンジンルームにおけるＥＧＲ用に適用される」とは、エンジンの排ガスに関係した用途に適用される点で共通する。
　
　よって、補正後第１発明と引用例発明の両発明は、次の一致点及び相違点を有する。 
 【一致点】 
 「ダイヤフラムが形成されていると共に、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗を含む電気回路が形成された半導体基板と、
　前記半導体基板の表面に形成され、コンタクトホールが形成されてなる絶縁膜と、
　前記絶縁膜の上に形成され、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記電気回路と電気的に接続されてなる第１金属膜と、
　前記第１金属膜の上に形成された耐腐食性のＡｕにて構成された第２金属膜と、
　前記第１金属膜を覆いつつ、前記第２金属膜の所望部分を露出させる開口部が形成されてなる第１保護膜と、
　前記第２金属膜のうち、前記第１保護膜から露出している部分にボンディングされたワイヤと、
　有機系材料にて構成された第２保護膜とを備えているエンジンの排ガスに関係した用途に適用される圧力センサ。」 
 【相違点】 
 （相違点１） 
　 絶縁膜に形成されるコンタクトホールに関し、補正後第１発明では、「電気回路の所望部分を露出させるコンタクトホール」であるのに対して、引用例発明では、「開口」である点。
 （相違点２） 
　有機系材料にて構成された第２保護膜に関し、補正後第１発明では、第２保護膜が覆う対象が「少なくとも第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面および前記第１保護膜（１１）における開口部近傍」であり、第２保護膜を構成する有機系材料が、「ポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）」であるのに対して、引用例発明では、絶縁膜が覆う対象が「Ａｌ配線の上に、Ｎｉ膜を積層させ、その上にＡｕメッキしたパッド部およびワイヤボンディング部」であり、絶縁膜を構成する有機系材料が「ゲル、プライマ＋ゲル、もしくは、パリレン＋ゲルの材料からなる」点。
（相違点３） 
 　圧力センサの用途について、補正後第１発明では、「エンジンルームにおけるＥＧＲ用」であるのに対して、引用例発明では、「自動車のエンジン排気環境下で排ガスの圧力を測定することに用いられる」点。 
　
（４）判断 
ア　相違点１について 
　引用例発明の「酸化膜」も「開口」が形成され、また、引用例発明のＡｌ配線が、酸化膜の上及び前記酸化膜の開口にわたり連続的に形成され、ダイヤフラム領域に形成された回路と接続されているから、引用例発明の「酸化膜」に形成される「開口」においても、前記回路の所望部分を露出させることは、当業者にとって当然のことである。
　したがって、相違点１に係る補正後第１発明に係る発明特定事項は、引用例発明に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　
 イ　相違点２について
　引用例発明の絶縁膜は、上述したとおり、腐食性媒体に対するＡｌ配線を保護するための膜であり、パッド部およびワイヤボンディング部を覆っている。
　引用刊行物のＦｉｇ．１に図示されたＡｌ配線の一部、Ｎｉ膜、Ａｕメッキで構成されるパッド部、及びその付近の構造をみるに、パッド部を構成するＮｉ膜に接し、ＳｉＮ膜から露出してＡｕメッキがあり、Ｎｉ膜の内部にＳｉＮ膜における開口を形成する部分がＡｌ配線の一部を覆うように設けられている。
　上述したとおり、引用例発明の上記絶縁膜はパッド部およびワイヤボンディング部を覆っているから、Ｆｉｇ．１に示されたパッド部を構成する上記のＳｉＮ膜から露出したＡｕメッキの表面、すなわち補正後第１発明でいう、第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面を覆うことになり、この点は補正後第１発明と相違しない。
　
　さらに、引用例発明の目的が、パッド・ワイヤ周辺部を対腐食性において著しく向上させることであり（記載事項（ウ））、また、上記絶縁膜がＡｌ配線を腐食性媒体から保護するための膜であり、また、引用刊行物には、「Ｎｉ膜とＳｉＮ膜（チップ保護膜）間には隙間があり、その部分を絶縁皮膜（ゲル・パリレン・プライマ＋ゲル）で覆う」（記載事項（ク））との記載もある。
　してみると、Ａｌ配線を腐食性媒体からより確実に保護するために、Ｆｉｇ．１に図示されたパッド部を構成する上記Ｎｉ膜や上記Ａｕメッキに接する上記ＳｉＮ膜における開口を形成する部分も上記絶縁膜が覆うこと、すなわち補正後第１発明でいう第１保護膜（１１）における開口部近傍を第２保護膜（１４）が覆うことは、引用例発明に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　また、半導体装置において、半導体装置が有する金属配線（ワイヤ）の腐食を防止するために、耐腐食性の保護膜を、ポリアミドイミドにて構成することは周知技術（例えば、特開昭６３−２０４７４９号公報（第１頁右欄第９行〜第２頁左欄第７行）にすぎない。そして、「ポリアミドイミド」は耐薬品性に優れた代表的な有機系材料である（旭化成アミダス株式会社「プラスチックス」編集部編、株式会社工業調査会、１９９９年１２月１日発行、第６９７〜６９９頁）。なお、補正後第１発明で呼称している「ポリイミドアミド」と「ポリアミドイミド」は共に、アミド結合とイミド結合とを有する有機系高分子物質の総称であり、両者は同じ物質である。
　そして、引用例発明の圧力センサも半導体装置であるから、引用例発明の属する技術分野と上記周知技術の属する技術分野とは共通する。
　よって、引用例発明の圧力センサの絶縁膜を構成する有機系材料である、「ゲル、プライマ＋ゲル、もしくは、パリレン＋ゲルの材料」を、半導体装置における耐腐食性の保護膜として周知の「ポリイミドアミド」に変更することは、単に上記周知技術を適用したに過ぎない。
　
　したがって、相違点２に係る補正後第１発明に係る発明特定事項は、引用例発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　
ウ　相違点３について
　引用例発明は、自動車の排ガス環境下で排ガスの圧力を測定する圧力センサであるから、エンジンルームのＥＧＲ用の圧力センサも想定の範囲内にあることは明らかである。
　そして、ＥＧＲ（Ｅｘｈａｕｓｔ　Ｇａｓ　Ｒｅｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ）において、（排気ガスの再循環量の制御するため）排気ガスの圧力を測定することは、例を示すまでもなく周知技術であり、その測定場所はエンジン付近、すなわちエンジンルームであることは当然のことである。
　してみると、相違点３に係る補正後第１発明に係る発明特定事項は、引用例発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
 　 
　そして、補正後第１発明の奏する効果は、引用刊行物の記載及び周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎず、格別なものとはいえない。 
　よって、補正後第１発明は、引用例発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
（５）むすび 
　以上のとおり、補正後第１発明は、引用例発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
第３　本願発明 
　平成２０年９月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年１１月３０日付け手続補正によって補正された、明細書、特許請求の範囲、及び図面の記載からみて、請求項１に記載された事項により特定されるとおりの、以下のもの（以下、「本願第１発明」という。）である。 
 「　ダイヤフラムが形成されていると共に、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗を含む電気回路が形成された半導体基板（８）と、
　前記半導体基板（８）の表面に形成され、前記電気回路の所望部分を露出させるコンタクトホールが形成されてなる絶縁膜（９）と、
　前記絶縁膜（９）の上に形成され、前記絶縁膜（９）に形成されたコンタクトホールを通じて前記電気回路と電気的に接続されてなる第１金属膜（１０、３０）と、
　前記第１金属膜（１０、３０）の上に形成された耐腐食性の第２金属膜（１３）と、
　前記第１金属膜（１０、３０）を覆いつつ、前記第２金属膜（１３）の所望部分を露出させる開口部が形成されてなる第１保護膜（１１）と、
　前記第２金属膜（１３）のうち、前記第１保護膜（１１）から露出している部分にボンディングされたワイヤ（７）と、
　少なくとも前記第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面および前記第１保護膜（１１）における開口部近傍を覆う有機系材料で構成された第２保護膜（１４）とを備えていることを特徴とする圧力センサ。」 
 　 
第４　引用例 
　引用刊行物、及び、その記載事項は、前記「第２　２（２）ア〜ウ」に記載したとおりである。 
　
 第５　当審の判断 
 １　本願第１発明と引用例発明との対比
　本願第１発明と引用例発明とを比較すると、両発明は、次の一致点及び相違点を有する。 
 【一致点】 
 「ダイヤフラムが形成されていると共に、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗を含む電気回路が形成された半導体基板と、
　前記半導体基板の表面に形成され、コンタクトホールが形成されてなる絶縁膜と、
　前記絶縁膜の上に形成され、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記電気回路と電気的に接続されてなる第１金属膜と、
　前記第１金属膜の上に形成され、耐腐食性のＡｕにて構成された第２金属膜と、
　前記第１金属膜を覆いつつ、前記第２金属膜の所望部分を露出させる開口部が形成されてなる第１保護膜と、
　前記第２金属膜のうち、前記第１保護膜から露出している部分にボンディングされたワイヤと、
　有機系材料で構成された第２保護膜とを備えているエンジンの排ガスに関係した用途に適用される圧力センサ。」 
【相違点】 
 （相違点Ａ） 
　絶縁膜に形成されるコンタクトホールに関し、本願第１発明では、「電気回路の所望部分を露出させるコンタクトホール」であるのに対して、引用例発明では、「開口」である点。
（相違点Ｂ） 
　有機系材料で構成された第２保護膜に関し、本願第１発明では、第２保護膜が覆う対象が「少なくとも第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面および前記第１保護膜（１１）における開口部近傍」であるのに対して、引用例発明では、絶縁膜が覆う対象が「Ａｌ配線の上に、Ｎｉ膜を積層させ、その上にＡｕメッキしたパッド部およびワイヤボンディング部」である点。
　
３　相違点の判断
（１）相違点Ａについて 
　相違点Ａは、既に検討した相違点１と同一であるから、相違点Ａに係る本願第１発明に係る発明特定事項は、引用例発明に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（２）相違点Ｂについて
　引用例発明の絶縁膜は、上述したとおり、腐食性媒体に対するＡｌ配線を保護するための膜であり、パッド部およびワイヤボンディング部を覆っている。
　引用刊行物のＦｉｇ．１に図示されたＡｌ配線の一部、Ｎｉ膜、Ａｕメッキで構成されるパッド部、及びその付近の構造をみるに、パッド部を構成するＮｉ膜に接し、ＳｉＮ膜から露出してＡｕメッキがあり、Ｎｉ膜の内部にＳｉＮ膜における開口を形成する部分がＡｌ配線の一部を覆うように設けられている。
　上述したとおり、引用例発明の上記絶縁膜はパッド部およびワイヤボンディング部を覆っているから、Ｆｉｇ．１に示されたパッド部を構成する上記のＳｉＮ膜から露出したＡｕメッキの表面、すなわち本願第１発明でいう、第１保護膜（１１）から露出した前記第２金属膜（１３）の表面を覆うことになり、この点は本願第１発明と相違しない。
　
　さらに、引用例発明の目的が、パッド・ワイヤ周辺部を対腐食性において著しく向上させることであり（記載事項（ウ））、また、上記絶縁膜がＡｌ配線を腐食性媒体から保護するための膜であり、また、引用刊行物には、「Ｎｉ膜とＳｉＮ膜（チップ保護膜）間には隙間があり、その部分を絶縁皮膜（ゲル・パリレン・プライマ＋ゲル）で覆う」（記載事項（ク））との記載もある。
　してみると、Ａｌ配線を腐食性媒体からより確実に保護するために、Ｆｉｇ．１に図示されたパッド部を構成する上記Ｎｉ膜や上記Ａｕメッキに接する上記ＳｉＮ膜における開口を形成する部分も上記絶縁膜が覆うこと、すなわち本願第１発明でいう第１保護膜（１１）における開口部近傍を第２保護膜（１４）が覆うことは、引用例発明に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　したがって、相違点Ｂに係る本願第１発明に係る発明特定事項は、引用例発明に基づいて当業者が容易に想到し得た事項である。
　
  そして、本願第１発明の奏する効果は、引用刊行物の記載から当業者が予測し得る範囲内のものにすぎず、格別なものとはいえない。 
　よって、本願第１発明は、引用例発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
 第６　むすび 
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用例発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
 　よって、結論のとおり審決する。