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　特願２０００−１７６４６２「ホーランダイト型化合物薄膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月２５日出願公開、特開２００１−３５４４２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月１３日の出願であって、平成１５年８月１日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年９月１１日に拒絶査定不服審判がされるとともに、同年１０月１４日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１０月１４日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
平成１５年１０月１４日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
(１)補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「ホーランダイト型結晶構造の化学式ＡｘＭｙＮ８−ｙＯ１６（ここで、Ａは、Ｋ,Ｎａ,Ｒｂ、Ｍは、Ｇａ,Ｉｎ,Ａl、Ｎは、Ｓｎ,Ｔｉ、１．５＜ｘ≦２，１．５＜ｙ≦２）になるように、各々の金属アルコキシドを化学式中のｘおよびｙの値を満たすように大気との接触を避けて秤量し、それらをモレキュラーシーブスで脱水した有機溶媒に溶解し、混合することによって、前駆体溶液を作製し、０．２μｍ以下の孔径を有するフイルターを通して前駆体溶液を濾過することによって不純物のないクリアな前駆体溶液とし、次いで、大気中でこれをＹＳＺ（ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニア）基板上に塗布して成膜し、このとき湿度６０〜８０％の大気中の水分を利用することによって成膜部分を均質に完全に加水分解し、成膜した基板を大気中で毎時１８０〜６００℃の速度で６５０℃以上に昇温し、３０分以上保持することを特徴とするホーランダイト型結晶構造および化学式の組成を有する薄膜を製造する方法。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「有機溶媒に溶解」、「フイルターを通して前駆体溶液を濾過」、「ＹＳＺ（ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニア）基板上に塗布して成膜し、湿度２０〜８０％の大気中の水分を利用することによって成膜部分を均質に完全に加水分解」を、それぞれ「モレキュラーシーブスで脱水した有機溶媒に溶解」、「０．２μｍ以下の孔径を有するフイルターを通して前駆体溶液を濾過」、「次いで、大気中でこれをＹＳＺ（ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニア）基板上に塗布して成膜し、このとき湿度６０〜８０％の大気中の水分を利用することによって成膜部分を均質に完全に加水分解」に限定するものであって、特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
(２)引用刊行物記載の発明
(ａ)原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１２年３月１０日に頒布された「藤本憲次郎他、ホーランダイト型構造を有するＫｘＧａｘＳｎ８−ｘＯ１６薄膜の作製と評価、表面技術協会第１０１回講演大会講演要旨集、社団法人表面技術協会、平成１２年３月１０日、第１４４〜１４５頁」（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
　(a-1)「Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３、Ｓｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４の所定量をそれぞれ２-ＣＨ３ＯＣ２Ｈ４ＯＨに溶解、混合して前駆体溶液を調整した。使用した基板はアセトンで１５分間、超音波により脱脂、洗浄した。前駆体溶液を約０．５ｍｌ基板上に滴下し、スピンコーティング法により成膜した(５０００ｒｐｍ、２０ｓｅｃ)。基板上の前駆体溶液は空気中の水分により即座に加水分解が行なわれると考えられる。その基板を３００Ｋ／ｈで昇温し、９７３Ｋで３時間熱処理した。」（「２．実験方法」欄第１〜６行）
　(a-2)「熱処理後の薄膜は透明であった。Ｆｉｇ.１の薄膜Ｘ線回折パターンによりＹＳＺ多結晶基板およびＹＳＺ単結晶基板＜(１００)および(１１０)＞に関して得られた薄膜は、ランダムに配向したホーランダイト型ＫＧＳＯ多結晶体であることが明らかになった。」（「３．結果および考察」欄第１〜３行）
　(a-3)「ホーランダイト型複合酸化物ＫｘＧａｘＳｎ８−ｘＯ１６［ｘ≦２］は、熱励起や光励起により窒素酸化物や有機化合物を分解する触媒特性を有する」（「１．緒言」欄第１〜２行）
　記載事項(a-1)によれば、Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３、Ｓｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４の所定量をそれぞれ２-ＣＨ３ＯＣ２Ｈ４ＯＨに溶解、混合して前駆体溶液を調製し、前駆体溶液を基板上にスピンコーティング法により成膜し、その基板を３００Ｋ／ｈで昇温し、９７３Ｋで３時間熱処理することが記載されているといえ、さらに、「基板上の前駆体溶液は空気中の水分により即座に加水分解が行なわれると考えられる。」との記載から、スピンコーティング法が空気中で行われ、このとき空気中の水分により即座に加水分解が生じているといえる。そして、記載事項(a-2)によれば、基板は、ＹＳＺ多結晶基板およびＹＳＺ単結晶基板といえ、熱処理することにより、ＹＳＺ多結晶基板およびＹＳＺ単結晶基板に、ホーランダイト型ＫＧＳＯ多結晶体薄膜が形成されるといえる。さらに、記載事項(a-3)によれば、ＫＧＳＯは、ＫｘＧａｘＳｎ８−ｘＯ１６［ｘ≦２］であるといえる。
　これら記載事項を本願補正発明の記載ぶりに整理すると、引用文献１には、「Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３、Ｓｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４の所定量をそれぞれ２-ＣＨ３ＯＣ２Ｈ４ＯＨに溶解、混合して前駆体溶液を調製し、空気中で前駆体溶液をＹＳＺ多結晶基板およびＹＳＺ単結晶基板上にスピンコーティング法により成膜し、このとき基板上の前駆体溶液は空気中の水分により即座に加水分解し、その基板を３００Ｋ／ｈで昇温し、９７３Ｋで３時間熱処理する、ホーランダイト型ＫｘＧａｘＳｎ８−ｘＯ１６［ｘ≦２］薄膜を製造する方法」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　
(ｂ)原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成１１年３月２３日に頒布された特開平１１−７９７４３号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
　(b-1)「化学式ＫｘＧａｘＳｎ８−ｘＯ１６においてｘ≒２になるように１．７５４ｇのＫ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、５．１６３ｇのＧａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３及び２２．０３３ｇのＳｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４をアルゴン雰囲気のグローブボックス中で秤量し、それぞれ２０ｍｌの脱水２−メトキシエタノール（モレキュラーシーブ３Ａで脱水）に溶解した後、それらを混合し、室温で５時間程度撹拌し、混合ゾル溶液を作製した。グローブボックスから取り出した混合ゾル溶液に、撹拌しながら、加水分解に必要な理論当量より僅かに多い水のエタノール希釈溶液・・・を毎分約１５ｍｌの速度で滴下し、加水分解を行った。全量滴下後、ゲルを含む溶液を撹拌しながら３０分間放置した。その後約１１０℃に加熱し、蒸発乾固して乾燥ゲルを得た。乾燥ゲルは乳鉢中にて粉砕し、再度１１０℃で熱処理した。・・・乾燥ゲルを毎時３００℃の昇温速度で７００℃まで加熱し、３時間保持した・・・Ｘ線粉末回折測定を行い、ホーランダイト型結晶構造を有することを確認した・・・得られた材料粉末の走査型電子顕微鏡写真を図４の写真に示す。」（[００１３]段落）
　記載事項(b-1)によれば、Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３及びＳｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４をアルゴン雰囲気のグローブボックス中で秤量し、それぞれ２０ｍｌの脱水２−メトキシエタノール（モレキュラーシーブ３Ａで脱水）に溶解した後、それらを混合し、室温で５時間程度撹拌し、混合ゾル溶液を作製し、混合ゾル溶液に、加水分解に必要な理論当量より僅かに多い水のエタノール希釈溶液を滴下し、加水分解を行い、ゲルを含む溶液とし、約１１０℃に加熱し、蒸発乾固して乾燥ゲルとし、乾燥ゲルを粉砕し熱処理して、ホーランダイト型結晶構造材料粉末を製造することが記載されているといえる。
　記載事項(b-1)を整理すると、引用文献２には、「混合ゾル溶液に、加水分解に必要な理論当量より僅かに多い水のエタノール希釈溶液を滴下し、加水分解を行い、ゲルを含む溶液とし、蒸発乾固して乾燥ゲルとし、乾燥ゲルを粉砕し熱処理して、ホーランダイト型結晶構造材料粉末を製造する方法において、混合ゾル溶液を、Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３及びＳｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４をアルゴン雰囲気のグローブボックス中で秤量し、モレキュラーシーブ３Ａで脱水した２−メトキシエタノールに溶解して、混合することによって作製する」ことが記載されているといえる。
　
(３)対比
　引用発明１の「Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３、Ｓｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４」、「２-ＣＨ３ＯＣ２Ｈ４ＯＨ」、「ＹＳＺ多結晶基板およびＹＳＺ単結晶基板」、「空気中」、「スピンコート法」、「３００Ｋ／ｈで昇温し、９７３Ｋで３時間熱処理」は、本願補正発明の「各々の金属アルコキシド」、「有機溶媒」、「ＹＳＺ（ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニア）基板」、「大気中」、「塗布」、「毎時１８０〜６００℃の速度で６５０℃以上に昇温し、３０分以上保持すること」にそれぞれ相当する。そして、引用発明１の「Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３、Ｓｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４の所定量」は、「ホーランダイト型ＫｘＧａｘＳｎ８−ｘＯ１６［ｘ≦２］薄膜」を得るためのものであり、所定量とするために秤量することは明らかであるから、引用発明１の「Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３、Ｓｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４の所定量」とすることは、本願補正発明の「ホーランダイト型結晶構造の化学式ＡｘＭｙＮ８−ｙＯ１６（ここで、Ａは、Ｋ,Ｎａ,Ｒｂ、Ｍは、Ｇａ,Ｉｎ,Ａl、Ｎは、Ｓｎ,Ｔｉ、１．５＜ｘ≦２，１．５＜ｙ≦２）になるように、各々の金属アルコキシドを化学式中のｘおよびｙの値を満たすように秤量」することに相当する。
　そこで、本願補正発明と引用発明１とを対比すると、両者は、「ホーランダイト型結晶構造の化学式ＡｘＭｙＮ８−ｙＯ１６（ここで、Ａは、Ｋ,Ｎａ,Ｒｂ、Ｍは、Ｇａ,Ｉｎ,Ａl、Ｎは、Ｓｎ,Ｔｉ、１．５＜ｘ≦２，１．５＜ｙ≦２）になるように、各々の金属アルコキシドを化学式中のｘおよびｙの値を満たすように秤量し、それらを有機溶媒に溶解し、混合することによって、前駆体溶液を作製し、次いで、大気中でこれをＹＳＺ（ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニア）基板上に塗布して成膜し、このとき大気中の水分を利用することによって成膜部分を加水分解し、成膜した基板を毎時１８０〜６００℃の速度で６５０℃以上に昇温し、３０分以上保持することを特徴とするホーランダイト型結晶構造および化学式の組成を有する薄膜を製造する方法。」で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　本願補正発明は、各々の金属アルコキシドを「大気との接触を避けて」秤量し、それらを「モレキュラーシーブスで脱水した有機溶媒」に溶解混合して前駆体溶液を作製しているのに対して、引用発明１は、各々の金属アルコキシドを秤量し、それらを有機溶媒に溶解混合して前駆体溶液を作製する点。
［相違点２］
　本願補正発明は、「０．２μｍ以下の孔径を有するフイルターを通して前駆体溶液を濾過することによって不純物のないクリアな前駆体溶液とし」ているのに対して、引用発明１は、その点について明示されていない点。
［相違点３］
　本願補正発明は、「湿度６０〜８０％の大気中の水分を利用することによって成膜部分を均質に完全に加水分解」のに対して、引用発明１は、大気中の水分を利用することによって成膜部分を加水分解している点。
［相違点４］
　本願補正発明は、成膜した基板を「大気中」で昇温しているのに対して、引用発明１は、昇温雰囲気について示されていない点。
　
(４)判断
［相違点１］について
　加水分解を行う前の前駆体溶液を作製する時に水分を避けることは、極めて普通の課題である。そして、引用発明１の前駆体溶液は、スピンコーティング法により成膜するときに加水分解を行うものであるから、引用発明１においても、前駆体溶液を作製するときに水分を避けることは、自明な課題といえる。
　また、引用文献２には、上記したとおり、「混合ゾル溶液に、加水分解に必要な理論当量より僅かに多い水のエタノール希釈溶液を滴下し、加水分解を行い、ゲルを含む溶液とし、蒸発乾固して乾燥ゲルとし、乾燥ゲルを粉砕し熱処理して、ホーランダイト型結晶構造材料粉末を製造する方法の混合ゾル溶液を、Ｋ(ｎ-ＯＣ３Ｈ７)、Ｇａ(ｎ-ＯＣ４Ｈ９)３及びＳｎ(ｔ-ＯＣ４Ｈ９)４をアルゴン雰囲気のグローブボックス中で秤量し、モレキュラーシーブ３Ａで脱水した２−メトキシエタノールに溶解して、混合することによって作製する」ことが開示されている。
　以上のことから、引用発明１において、水分を避けて前駆体溶液を作製するために、各金属アルコキシドをアルゴン雰囲気のグローブボックス中で秤量し、それらをモレキュラーシーブ３Ａで脱水した有機溶媒に溶解混合することは、当業者であれば容易に想到することである。
［相違点２］について
　純度の高い生成物を得るために溶液を濾過して不純物を除去することは、本願出願前周知の技術であるといえ、除去する不純物に応じて、使用する濾過フィルターの孔径の範囲を最適化することは、当業者が通常行いうる設計的事項といえる。
　しかも、特開平５−３４２９１２号公報の[００１４]段落〜[００１５]段落に「ＬｉＮｂＯ３の前駆体構造を持つダブル・アルコキシドＬｉ[Ｎｂ(ＯＣ２Ｈ５)６]を形成・・・０．５Ｍ溶液とし、これを０．１μｍのフィルターで濾過した後、スピンコーティング用前駆体溶液とした。」と記載されているように、スピンコーティング用前駆体溶液である、金属アルコキシド溶液を０．１μｍのフィルターで濾過することも、本願出願前周知の技術といえる。
　したがって、引用発明１において、前駆体溶液を孔径が０．２μｍ以下のフィルターで濾過して不純物のないクリアな前駆体溶液とすることは、当業者であれば容易になし得ることである。
［相違点３］について
　成膜技術分野において均質な膜を形成することは、極めて一般的な課題であり、均質な膜が得られるように各成膜工程を実施することは自明な事項にすぎない。してみると、引用発明１において、均一な膜を形成するために、成膜工程の一部である、大気中の水分を利用して成膜した前駆体溶液を加水分解させるときに、均質に完全に加水分解させることは、記載事項(a-1)に、「基板上の前駆体溶液は空気中の水分により即座に加水分解が行なわれると考えられる。」と記載されていることからみて、当然に生じ得ることといえる。
　さらに、成膜した前駆体溶液を加水分解するときの大気中の湿度を６０〜８０％とすることによって、格別の作用効果を奏することは、本願明細書に何等具体的に記載されていない。
　したがって、引用発明１において、大気中の湿度を６０〜８０％とすることは、当業者が適宜なし得る単なる設計的事項にすぎない。
［相違点４］について
　特開平８−１９８６９０号公報の[００１５]段落に「ゾルゲル法は・・・前駆体溶液を基材表面に塗布した後、大気中又は酸素を含む不活性ガス雰囲気中にて２００℃以上で焼成する方法である。」と記載されているように、ゾルゲル法において塗布した前駆体膜を大気中で焼成することは本願出願前周知の技術といえる。
　したがって、引用発明１において、前駆体溶液を塗布して成膜した基板を大気中で昇温することに格別の創意を要したものではない。
　また、本願補正発明の作用効果も、引用文献１、２及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　以上のとおり、本願補正発明は、引用文献１及び２に記載された発明、並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
(５)むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条４項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年１０月１４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年４月３０日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「ホーランダイト型結晶構造の化学式ＡｘＭｙＮ８−ｙＯ１６（ここで、Ａは、Ｋ,Ｎａ,Ｒｂ、Ｍは、Ｇａ,Ｉｎ,Ａl、Ｎは、Ｓｎ,Ｔｉ、１．５＜ｘ≦２，１．５＜ｙ≦２）になるように、各々の金属アルコキシドを化学式中のｘおよびｙの値を満たすように大気との接触を避けて秤量し、それらを有機溶媒に溶解し、混合することによって、前駆体溶液を作製し、フイルターを通して前駆体溶液を濾過し、ＹＳＺ（ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニア）基板上に塗布して成膜し、湿度２０〜８０％の大気中の水分を利用することによって成膜部分を均質に完全に加水分解し、成膜した基板を大気中で毎時１８０〜６００℃の速度で６５０℃以上に昇温し、３０分以上保持することを特徴とするホーランダイト型結晶構造および化学式の組成を有する薄膜を製造する方法。」　
　
４．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献、及びその記載事項は、前記「２．（２）引用刊行物記載の発明」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は，前記「２．」で検討した本願補正発明から「有機溶媒」の限定事項である「モレキュラーシーブスで脱水した」との構成を省き、「フイルター」の限定事項である「０．２μｍ以下の孔径を有する」との構成を省き、「湿度２０〜８０％の大気中の水分」の限定事項である「湿度６０〜８０％」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）判断」に記載したとおり、引用発明１、引用発明２、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明１、引用発明２、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明、並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。