【事件の表示】
　特願２００３−３９５５７２「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月１６日出願公開、特開２００５−１５９０１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１５年１１月２６日の特許出願であって、平成１９年１２月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年１月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月１３日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
ＩＩ．平成２０年２月１３日付け手続補正についての補正却下の決定
＜補正却下の決定の結論＞
　平成２０年２月１３日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
＜理由＞
１．本件補正後の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜３は次のとおり補正された。
　
「【請求項１】
　半導体素子と、この半導体素子の両面から放熱するためのものであって電極を兼ねる一対の金属体とを備え、装置のほぼ全体を樹脂モールドするように構成した半導体装置において、
　前記半導体装置を使用する場合の使用温度の上限値を１５０℃と設定するように構成したときに、前記樹脂として、そのガラス転移点が１５０℃以上のものを使用したことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記樹脂として、ガラス転移点以下の温度においてヤング率が２０ＧＰａ以下であるエポキシ系樹脂を使用することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記樹脂として、ガラス転移点以下の温度において熱膨張係数が前記金属体の熱膨張係数と比較して５０％以内で整合しているエポキシ系樹脂を使用することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。」
　
２．補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項１における「樹脂として、そのガラス転移点が１５０℃以上のものを使用したこと」について、「半導体装置を使用する場合の使用温度の上限値を１５０℃と設定するように構成したときに」上記特定の樹脂を使用するものに限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３．独立特許要件
　次いで、上記補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
３−１．引用文献とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００３−１１００６４号公報（以下、「引用文献１」という。）、特開平９−２１３８４４号公報（以下、「引用文献２」という。）、特開２００３−２４３６１０号公報（以下、「引用文献３」という。）及び特開平７−１０９６６号公報（以下、「引用文献４」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）引用文献１：特開２００３−１１００６４号公報
（１ａ）「発熱素子と、この発熱素子の両面から放熱するための一対の放熱板とを備え、装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置」（特許請求の範囲の請求項１）
（１ｂ）「本実施例の半導体装置１は、半導体チップ（発熱素子、半導体素子）２と、下側ヒートシンク（放熱板、第１の金属体）３と、上側ヒートシンク（放熱板、第２の金属体）４と・・・を備えて構成されている。」（【００１３】）
（１ｃ）「半導体チップ２は、例えばＩＧＢＴやサイリスタ等のパワー半導体素子から構成されている。」（【００１５】）
（１ｄ）「下側ヒートシンク３及び上側ヒートシンク４は、半導体チップ２の各主電極（例えばコレクタ電極やエミッタ電極等）に半田６を介して電気的にも接続されている。」（【００１６】）
（１ｅ）「一対のヒートシンク３、４の隙間、並びに、チップ２・・・の周囲部分には、樹脂（例えばエポキシ樹脂）７が充填封止されている。」（【００１９】）
（１ｆ）「モールド用の樹脂７としては、エポキシ系などの適正な素材の中から適宜選択すれば良い。」（【００４１】）
　
（２）引用文献２：特開平９−２１３８４４号公報
（２ａ）「本明細書中の“液状エポキシ樹脂”という用語は・・・ガラス転移温度が７０〜１９０℃であり、・・・
本明細書中の“モールドコンパウンド”という用語は・・・ガラス転移温度が少なくとも１５０℃以上であり」（【００１１】〜【００１２】）
（２ｂ）「使用した樹脂及び素材と試験条件は次のようである。
使用樹脂及び素材・・・
II）液状エポキシ樹脂：・・・
ＴＹＰＥ１：・・・ガラス転移温度：１５０℃・・・
ＴＹＰＥ２：・・・ガラス転移温度：１５０℃・・・
・・・
ＴＹＰＥ５：・・・ガラス転移温度：１５０℃・・・
III）モールドコンパウンド：・・・ガラス転移温度：最少１９０℃」（【００２９】〜【００３３】）
　
（３）引用文献３：特開２００３−２４３６１０号公報
（３ａ）「〔実施例３〕本実施例では他形態の回路基板１２５を適用した自動車点火装置用絶縁型半導体装置９００について説明する。」（【００９２】）
（３ｂ）「絶縁型半導体装置９００は・・・ＩＧＢＴ素子基体１０１とその電気的動作を制御する制御回路１０が搭載されている。」（【００９７】）
（３ｃ）「素子基体１０１の搭載部、制御回路１０，Ａｌ細線１１７及び１１７′が完全に封止されるようにエポキシ樹脂２２によるトランスファモールドが施されている。エポキシ樹脂２２は・・・ガラス転移点：１５５℃・・・なる特性を有している。」（【００９９】）
（３ｄ）「絶縁型半導体装置９００の熱抵抗は０.８℃／Ｗ である。この値は、ＩＧＢＴ素子基体１０１が５０Ｗの電力を消費した場合でも４０deg しか温度上昇しないこと、及び回路基板１２５が約１００℃に昇温するような過酷な環境下（例えばエンジンルーム）に搭載された場合でも、素子基体１０１の温度は安定動作のための限界温度１５０℃を越えないことを意味する。これは自動車用半導体装置として特に好ましい点である。」（【０１０１】）
　
（４）引用文献４：特開平７−１０９６６号公報
（４ａ）「本発明の目的は、・・・電子部品封止材料・・・などの用途に好適な、低粘度で、かつ、硬化物が高耐熱性と高機械的特性を兼備したエポキシ樹脂組成物・・・を提供することにある。
　具体的には、・・・ガラス転移温度は１８０℃以上・・・の特性を有するエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。」（【０００８】〜【０００９】）
　
３−２．引用文献１に記載された発明
　引用文献１の摘記（１ａ）には、発熱素子と、この発熱素子の両面から放熱するための一対の放熱板とを備え、装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置が記載されている。
　摘記（１ｂ）、（１ｄ）によれば、上記発熱素子は半導体素子であり、下側ヒートシンクと上側ヒートシンクは一対の金属体を構成するとともに上記半導体素子の各主電極に電気的に接続されていることが理解できる。
　摘記（１ｅ）、（１ｆ）には、上記樹脂として、エポキシ樹脂を使用することが記載されている。
　
　これらを総合すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体素子と、この半導体素子の両面から放熱するための一対の金属体とを備え、装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置において、
　前記一対の金属体は、半導体素子の各主電極に電気的にも接続されており、
　前記樹脂としてエポキシ樹脂を使用した半導体装置。」
　
３−３．対比・判断
（１）本願補正発明１と引用発明との対比
　本願補正発明１と引用発明を対比すると、引用発明における「一対の金属体」は、半導体素子の各主電極に電気的に接続されているから、電極を兼ねるものといえる。
　したがって、両者は、
「半導体素子と、この半導体素子の両面から放熱するためのものであって電極を兼ねる一対の金属体とを備え、装置のほぼ全体を樹脂モールドするように構成した半導体装置。」
で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：本願補正発明１は、「半導体装置を使用する場合の使用温度の上限値を１５０℃と設定するように構成」しているのに対して、引用発明における半導体装置の使用温度の上限値は不明である点。
相違点２：本願補正発明１は、「樹脂として、そのガラス転移点が１５０℃以上のものを使用」しているのに対して、引用発明における樹脂は、「エポキシ樹脂」とされているのみでガラス転移温度は不明である点。
　
（２）相違点についての検討
（２−１）相違点１について
　引用発明における半導体素子は、摘記（１ｃ）に記載されているように、例えばＩＧＢＴやサイリスタ等のパワー半導体素子から構成されており、ＩＧＢＴ等のパワー半導体素子の使用温度の上限値を１５０℃以上に設定することは、引用文献３の摘記（３ｂ）、（３ｄ）に記載されているほか、以下の周知例１〜３（摘記（周１ａ）、（周２ｂ）、（周３ｂ）参照。）にも記載されているように、本願出願前に周知の技術事項と認められる。
　そして、引用発明の半導体装置においても、その使用に際して使用温度の上限値を設定することは当然に要請されるものというべきであるから、当該上限値として、本願出願前に周知の「１５０℃以上」を採用することに格別の困難性は認められない。
　
周知例１：特開２００１−１５６２４１号公報（平成２１年８月２４日付け審尋（以下、「審尋」という。）の引用文献５）
（周１ａ）「過熱保護素子２の温度センサ・・・による温度検知により、所定の温度（例えば、一般に半導体チップの動作温度の上限とされる１５０℃）に達すれば、過熱保護素子２が動作し、パワーＭＯＳＦＥＴチップ１を流れる電流が遮断されて、過熱保護動作が行われる。」（【００１４】）
　
周知例２：特開２００３−２４３８０３号公報
（周２ａ）「素子基体１０１の搭載部、制御回路１０，Ａｌ細線１１７及び１１７′が完全に封止されるようにエポキシ樹脂２２によるトランスファモールドが施されている。エポキシ樹脂２２は・・・ガラス転移点：１５５℃・・・なる特性を有している。」（【００９８】）
（周２ｂ）「絶縁型半導体装置９００の熱抵抗は０.８℃／Ｗ である。この値は、ＩＧＢＴ素子基体１０１が５０Ｗの電力を消費した場合でも４０deg しか温度上昇しないこと、及び回路基板１２５が約１００℃に昇温するような過酷な環境下（例えばエンジンルーム）に搭載された場合でも、素子基体１０１の温度は安定動作のための限界温度１５０℃を越えないことを意味する。これは自動車用半導体装置として特に好ましい点である。」（【０１００】）
　
周知例３：特開２００１−２３７２７９号公報
（周３ａ）「パワー半導体基体としてのＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)チップ１は、・・・エポキシ樹脂８によるモールドが、トランスファモールド法により施されている。」（【００１７】〜【００１８】）
（周３ｂ）「モールド用エポキシ樹脂８は、半導体装置３０の最高稼働温度１５０℃を保証する必要がある。この観点から、樹脂８のガラス転移温度は１５０℃以上であることが望ましい。」（【００５１】）
　
（２−２）相違点２について
　半導体装置の樹脂モールドに使用されるエポキシ樹脂として、ガラス転移温度が１５０℃以上のものは、引用発明のＩＧＢＴ等を用いたパワー半導体素子と同一用途の半導体装置において、引用文献３及び上記周知例２、３（摘記（３ｃ）、（周２ａ）、（周３ｂ）参照。）等に記載されており、また、種々の用途の半導体装置においても、引用文献２、４（摘記（２ａ）、（２ｂ）、（４ａ）参照。）のほか、下記周知例４、５（摘記（周４ａ）、（周５ａ）参照。）にも記載されているように、本願出願前に周知のものと認められる。
　一方、引用文献１の摘記（１ｆ）に「モールド用の樹脂７としては、エポキシ系などの適正な素材の中から適宜選択すれば良い。」と記載されており、ＩＧＢＴ等のパワー半導体素子を採用している点に鑑みて、引用発明における樹脂として、半導体装置のモールド用樹脂という、用途が共通する上記周知の樹脂を選択することは、当業者が容易に想到し得たものといえる。
　
周知例４：富吉　和俊，半導体用エポキシ封止材料の開発動向，ＪＥＴＩ，日本，1998年 4月 1日，Vol.46,No.4，p.111-114（審尋の引用文献６）
（周４ａ）第１１４頁の第１表には、「半導体用低応力封止材の内容と特徴」として、ガラス転移温度が１５０〜１９０℃のエポキシ樹脂が記載されている。
　
周知例５：藤田公英，半導体封止用液状材料，電子材料，日本，1986年 8月，Vol.25,No.8，p.74-77（審尋の引用文献７）
（周５ａ）第７６頁の表２には、「新コンパウンドの一般特性」として、ガラス転移温度が１５３℃及び１５５℃のエポキシ樹脂が記載されている。
　
　また、本願補正発明１の奏する効果も、引用文献１及び上記周知技術から予測できないような、格別に顕著なものともいえない。
　
　したがって、本願補正発明１は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件手続補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年２月１３日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明（以下、「本願発明１〜３」という。）は、平成１９年１１月６日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、このうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　半導体素子と、この半導体素子の両面から放熱するためのものであって電極を兼ねる一対の金属体とを備え、装置のほぼ全体を樹脂モールドするように構成した半導体装置において、
　前記樹脂として、そのガラス転移点が１５０℃以上のものを使用したことを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用文献とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である引用文献とその主な記載事項は、上記「ＩＩ．３−１．引用文献とその記載事項」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、本願補正発明１における「半導体装置を使用する場合の使用温度の上限値を１５０℃と設定するように構成したときに」という限定を削除したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明１に包含される下位概念の発明に相当する本願補正発明１が、上記「ＩＩ．３−３．対比・判断」で述べたとおり、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。