【事件の表示】
　平成１０年特許願第５５０６６５号「半導体基板の平面化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１１月２６日国際公開、ＷＯ９８／５３４８７、平成１３年１２月２５日国内公表、特表２００１−５２７６９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件出願は、１９９８年５月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９７年５月２３日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年８月２６日付けで拒絶の理由が通知され、同１７年２月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同１７年３月１１日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１７年６月２０日に本件審判の請求がされたものである。
　本件出願の請求項１乃至１３に係る発明は、平成１７年２月４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
「少なくとも１つの電気回路が形成されたウェーハの非平面状薄膜表面を平面化するための方法において、
　前記ウェーハを準備するステップと、
　前記ウェーハの表面を変形可能材料によってコーティングすることを含む、前記ウェーハの非平面状薄膜表面に実質的に平坦な平面状表面を形成するステップと、
　前記変形可能な材料にオブジェクトを接触させて、前記変形可能な材料によるコーティングに圧力を加えるステップと、
　前記オブジェクトが前記変形可能材料に接触している間に、同変形可能材料をキュアするか、硬化させるか、固化させるかの１つを行うステップと、
　化学機械的平面化プロセスを用いて前記ウェーハを平面化するステップと、
を含む方法。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成４年２月４日に頒布された「特開平４−３３３３６号公報 」（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）特許請求の範囲の請求項１
「凹凸を有する基板上に特定の元素、特定の色素または特定の化学物質を含む有機レジストもしくはシリカガラスを回転塗布する工程と、前記基板表面を研磨器表面に密着させ、研磨液を用いて研磨する工程と、研磨排液を分析して前記元素、色素、化学物質を検出もしくは分析する工程を含み、この検出、分析によって研磨終了点を判断することを特徴としたウエハーの研磨方法。」
（２）第２頁右下欄第５行−第１２行
「第２図は研磨台本体の斜視図である。研磨台１１には６〜８インチ基板１３が吸引設置可能となっている。研磨台１１の上部には研磨台１１と平行に研磨回転機１０があり、基板１３の上面を正確にフィッティングできるように固定される。また研磨台１１の上部側面には研磨液を任意に一定量、噴出できるノズル１４があり、多種の研磨液を流すことができる。」
（３）第３頁左上欄第１行−右上欄第８行
「本発明の実施例２として、凸凹表面を持つ基板表面を実際に平坦化するプロセスを示す。特に本実施例では平坦化プロセスを層間絶縁膜に適用した例を示す。第４図を用いて平坦化が行われる過程を順を追って説明する。
　同図（ａ）は６インチＳｉ基板４１に熱酸化膜４２を形成し、Ａｌ配線（Ａｌ膜厚０．８μｍ）４３をフォトリソグラフィーとドライエッチング技術を用いて形成し、層間絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法によるＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＳｉＯ２膜４４を２．５μｍ堆積する。この状態では、ＡＬ配線４３厚さのだけ、ＳｉＯ２膜４４上には凹凸ができる。同図（ｂ）は上記の構成に加えて平坦化の為のダミーレジスト４５を回転塗布したところである。このレジストには終点検出用及び、回転研磨器制御用の色素（ジアゾ化合物）が含まれている。
　同図（ｃ）は研磨の過程図を示し、同図（ｄ）は平坦化が完了した最終状態を示す。
　研磨工程が行われる過程の詳細を第５図に示す。第５図（ａ）は研磨廃液内にある特定色素の濃度（ここではジアゾ化合物）、同図（ｂ）は回転研磨器の荷重の大きさを示し、それぞれの横軸には現在荷重のかかっているポイント（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）即ち、時間軸を示す。この実施例ではＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの点（第３図山参照）を中心として順番に荷重がかかるようにプログラムされている。
　先ず、均等に研磨回転器１０に荷重がかかるようにして研磨しレジスト４５のみを削り落とす。」 
（４）第３頁左下欄第５行−第９行
「なお、研磨剤のなかにはもちろんＨＦ系のエッチング液を混ぜることも可能であるし、基板に塗布する有機レジストの代わりに特定の元素、特定の色素または特定の化学物質を含むシリカガラスを回転塗布しても良いことは言うまでもない。」
（５）ここで、特許請求の範囲で「ウエハーの研磨方法」としていることから、上記摘記事項（３）の「Ｓｉ基板４１」とは、「ウエハー」のことであることが分かる。第４図（ａ）から、Ｓｉ基板４１上にＡｌ配線４３は１つ以上設けられていることが看取できる。凹凸を有するＳｉＯ２膜４４を平坦化するということは、明らかにＳｉＯ２膜４４の表面を平坦化することである。Ｓｉ基板４１に対して行う処理であるから、そのためにはＳｉ基板４１を準備しなければならないことも明らかである。図面の第４図（ｂ）を参照すると、ダミーレジスト４５を塗布したあとの表面はＳｉＯ２膜の凹凸に比べて明らかに平坦なものとなっている。さらに、（２）の摘記事項から、研磨回転機１０は、研磨の際に研磨液を噴出しながら基板１３を研磨するものであり、基板１３は最終的に平坦化されるものであること、（４）の摘記事項から、研磨液はＨＦ系のエッチング液を含むものであることから、上記研磨回転機１０による研磨は化学機械的平面化プロセスと言えるものであることが分かる。また、摘記事項（３）に「先ず、均等に研磨回転器１０に荷重がかかるようにして研磨しレジスト４５のみを削り落とす。」と記載されていることから、研磨する際にレジスト４５は固化していることが理解できる。
　以上、（１）〜（４）の摘記事項、及び（５）の認定事項から、引用例には、
「少なくとも１つのＡｌ配線４３が形成されたウエハーとしてのＳｉ基板４１の凹凸を有するＳｉＯ２膜４４表面を平坦化する方法において、
　Ｓｉ基板４１を準備することと、
　Ｓｉ基板４１表面の凹凸上に有機レジストもしくはシリカガラスからなるダミーレジスト４５を回転塗布することを含む、Ｓｉ基板４１の凹凸を有するＳｉＯ２膜４４表面に実質的に平坦な平面状表面を形成することと、
　回転塗布したダミーレジスト４５を固化することと、
　化学機械的平面化プロセスを用いてＳｉ基板４１を平面化することと、
を含む方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明の「Ａｌ配線」、「ウエハーとしてのＳｉ基板４１」、「凹凸を有するＳｉＯ２膜４４」、「回転塗布」は、それぞれ本願発明の「電気回路」、「ウェーハ」、「非平面状薄膜」、「コーティング」に相当する。引用発明の「有機レジストもしくはシリカガラスからなるダミーレジスト４５」は、「材料」という限りにおいて、本願発明の「変形可能材料」と共通する。また、引用発明において、「〜すること」は、「ステップ」とも表現しうるものである。以上の点から、両者は、
「少なくとも１つの電気回路が形成されたウェーハの非平面状薄膜表面を平面化するための方法において、
　前記ウェーハを準備するステップと、
　前記ウェーハの表面を材料によってコーティングすることを含む、ウェーハの非平面状薄膜表面に実質的に平坦な平面状表面を形成するステップと、
　化学機械的平面化プロセスを用いて前記ウェーハを平面化するステップと、
を含む方法。」で一致し、次の点で相違する。
＜相違点１＞
　ウェーハ表面をコーティングする材料として、本願発明では「変形可能」なものを用いているのに対し、引用発明では、「有機レジストもしくはシリカガラスからなるダミーレジスト４５」を用いているが、当該ダミーレジスト４５が変形可能であるかどうか不明な点。
＜相違点２＞
　ウェーハ表面に材料をコーティングした後、本願発明では、「変形可能な材料にオブジェクトを接触させて、変形可能な材料によるコーティングに圧力を加えるステップと、オブジェクトが変形可能材料に接触している間に、同変形可能材料をキュアするか、硬化させるか、固化させるかの１つを行うステップと」を設けているのに対し、引用発明では、材料を固化しているものの、そのようなオブジェクトを設けていない点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点１＞について
　引用発明では、材料である有機レジストもしくはシリカガラスからなるダミーレジスト４５を回転塗布している。一般に塗布するためには液状である必要があることから、引用発明におけるダミーレジスト４５も変形可能な材料と言いうるものである。したがって、この点は実質的な相違点ではない。
＜相違点２＞について
　引用発明においても、ダミーレジスト４５の表面は平面化されている。ここで、凹凸のない面を得るために、変形可能材料にオブジェクトを接触させ、変形可能な材料によるコーティングに圧力を加え、オブジェクトが変形可能材料に接触している間に、同変形可能材料をキュアするか、硬化させるか、固化させることは、拒絶理由の引用文献３として提示した特開平６−７６３７２号公報（同公報の段落【００１８】参照。）、あるいは、特開平８−８８１６９号公報（同公報の特許請求の範囲の請求項１及び段落【００３６】参照。なお、同公報に係る発明は、出願人が従来技術として引用している欧州特許出願第０６８３５１１号に係る発明のパテントファミリーとなるものである。）に記載されているように、従来周知の技術であることから、引用発明においても、ダミーレジスト４５を塗布後、同レジストにオブジェクトを接触させ、同レジストに圧力を加え、オブジェクトが同レジストに接触している間に、同レジストをキュア、硬化、固化させることは、引用発明においてもダミーレジスト４５の表面を平面化させる必要性があることからすれば、当業者が容易になし得たものである。
　なお、審判請求人は、平成１７年７月２２日付け手続補正書において、「拒絶理由は引用文献１に引用文献２，３を組み合わせることによって本件各請求項に係る発明が進歩性を有しないとするものであるが、これら文献は異なる技術分野に関する技術思想を組み合わせており、組み合わせの動機付けがいずれの引用文献からも見つからない。」（第２頁第７行−第１０行）と主張している。しかしながら、引用文献１に相当する引用例に記載された発明も、引用文献３に記載された技術も、ともに、「凹凸のある部材表面に変形可能材料をコーティングしてその表面を凹凸のない平面状とする点で同じ技術分野に関するものであることから、審判請求人の上記主張は採用することができない。また、審判請求人は、同手続補正書において、「引用文献３は記録媒体に表面粗さが１０００Å以下であるような平滑な樹脂保護膜を形成する技術に関するものであるが、「平滑」であることは「平坦」であることとは異なる。表面が平滑であっても、基板全体の厚みが一端から他端に向かって増加することにより厚みが異なり平坦にならない場合もあるからである。平坦さは、後にＣＭＰによって導体等も研磨する場合には必要な条件であるが、各引用文献に記載されている発明ではこのような条件は必要としない点で、本件の請求項に係る発明とは技術思想として異なるものであると言える。」（第２頁第１８行−第２４行。）とも主張している。しかしながら、引用発明自体も、ダミーレジスト４５は「平坦化」のために設けられていることから、引用文献３に記載された技術を引用発明に適用した場合には、「平滑」で「平坦」な面となるものであることは明らかである。したがって、審判請求人の上記主張も採用することはできない。
＜作用、効果＞について
　作用・効果の点についても、引用発明及び上記周知技術から予想できる程度のものしか認められない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項２ないし１３に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。