【事件の表示】
　平成１０年特許願第　８１８９１号「イオンプレーティング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月１２日出願公開、特開平１１−２７９７４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月２７日の出願であって、平成２０年１月１０日付けの拒絶理由通知に対して、同年３月１７日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月３０日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年７月３０日付けで手続補正書が提出されて、明細書を補正する手続補正がなされ、その後、当審における平成２２年５月２０日付けの書面による審尋に対して、平成２２年７月１４日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２．平成２０年７月３０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年７月３０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　平成２０年７月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、明細書の特許請求の範囲について、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２０年３月１７日付けの手続補正書により補正された）下記（１）に示す請求項１及び２の記載を、下記（２）に示す請求項１及び２の記載とする補正事項を有するものである。
　なお、下線は補正箇所を明示するためのものである。
　
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　「【請求項１】
　内部上方に試料が配置された真空容器と、
　真空容器内に配置され、内部に互いに異なる材料を収納した複数のるつぼと、
　真空容器に各るつぼに対応して設けられるとともに、放電プラズマビームを発生させるプラズマガンと、
　真空容器内を各るつぼ毎に区画する遮へい板と、
　を備え、真空容器内に、各るつぼ上方を開閉自在に覆うシャッターを設け、各シャッターは遮へい板の上端位置に、各るつぼ毎に設けられていることを特徴とするイオンプレーティング装置。
　　【請求項２】
　真空容器内に、各るつぼに対応して膜厚計を設置したことを特徴とする請求項１記載のイオンプレーティング装置。」
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　「【請求項１】
　内部上方に試料が配置された真空容器と、
　真空容器内に配置され、内部に互いに異なる材料を収納した複数のるつぼと、
　真空容器に各るつぼに対応して設けられるとともに、放電プラズマビームを発生させるプラズマガンと、
　真空容器内を各るつぼ毎に区画する
とともに磁石が接続された
　を備え、真空容器内に、各るつぼ上方を開閉自在に覆うシャッターを設け、各シャッターは遮へい板の上端位置に、各るつぼ毎に設けられ
、各シャッターは遮へい板との間で、対応するるつぼ側に密閉空間を形成する
　　【請求項２】
　真空容器内に、各るつぼに対応して膜厚計を設置したことを特徴とする請求項１記載のイオンプレーティング装置。」
　
２．本件補正の適否
　上記補正事項に関して、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、「各シャッターは遮へい板との間で、対応するるつぼ側に密閉空間を形成すること」について明示的に記載されていない。
　そして、当初明細書等の段落【００２６】には、図２について、「真空容器１１内には真空容器１１内を各るつぼ１７ａ，１７ｂ毎に区画する遮へい板３０が垂直方向に設けられている」と記載され、同じく段落【００３２】には、「遮へい板３０により、一方のるつぼ１７ａの蒸発材料の粒子は試料１４に到達するが、他方るつぼ１７ｂ側へは進入しない」と記載されるとともに段落【００３３】には、「遮へい板３０の設置位置は、・・・試料１４上には２つのるつぼ１７ａ，１７ｂからの蒸発材料が到達するが、膜厚計３２にはそれに対応したるつぼ１７ａ，１７ｂ内の材料のみが到達するような位置に調節される」と記載されている。
　また、当初明細書等の段落【００２８】には、図２について、「遮へい板３０の上端部の両側には、各るつぼ１７ａ，１７ｂからの蒸発材料の飛散を防止するための開閉自在シャッター３６，３６が各々水平方向に設けられている」と記載されている。
　そうすると、当初明細書等には、「蒸発材料」が他方の「るつぼ側」へ進入しないように「遮へい板」を設けること及び「蒸発材料」の各「るつぼ」からの飛散を防止するために「シャッター」を設けることは、記載されているけれども、変更後の請求項１に記載された「各シャッターは遮へい板との間で、対応するるつぼ側に密閉空間を形成すること」について、これら「遮へい板」及び「シャッター」が協働して「密閉」するように機能することは、当初明細書等に記載されていない。 
　また、このことは、当初明細書等の記載と技術常識とから、当業者に自明な技術的事項でもない。 
　してみると、上記補正事項は、当初明細書等に記載の技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものであるから、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年７月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年３月１７日付けの手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記第２．［理由］１．（１）【請求項１】に記載したとおりのものである。
　
２．引用文献
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−２７４７６１号公報（以下、「引用文献」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
ア．「〔従来の技術〕
　近年、真空蒸着により多層薄膜を形成することが盛んに行われている。
　多層薄膜を形成する真空蒸着装置の従来の一つの例の概略図を図５に示す。
　図５中、１は真空槽、２ａ及び２ｂは蒸発源、３は蒸着基板、Ａ及びＢは蒸発物質である。また、図中９は膜厚測定素子、１０ａ及び１０ｂは自動シャッター、ｌｌａ及びｌｌｂは蒸発物質の蒸発状況のモニターに使用する膜厚測定素子である。所望の真空度まで排気した真空装置内で、蒸発物質Ａ及びＢを電子銃加熱により蒸発させ、シャッター１０ａ、１０ｂを交互に開閉することにより、固定して配置されている蒸着基板３上に薄膜Ａ及びＢを交互に積層させるものである。」（第１ページ右下欄第９行〜第２ページ左上欄第３行）
　
イ．「４．図面の簡単な説明
　・・・図５は従来の真空蒸着多層薄膜形成装置の１例を示す図解的断面図・・・である。
　図面において、１は真空槽、２ａ乃至２ｄは蒸着源、３は回転基板、・・・９は膜厚測定素子、１０ａ及び１０ｂは自動シャッター、１１ａ及び１１ｂは蒸発物質の蒸発状況に使用する膜厚測定素子、・・・１６ａ乃至１６ｃは遮体・・・である。また、Ａ乃至Ｃは蒸発物質である。」（第５ページ左上欄第１５行〜同ページ右上欄第１５行）
　
　そして、図５には、次の事項が記載されていることが認められる。
　
ウ．「真空槽１の内部上方に蒸着基板３が配置されている」こと。
　
エ．「２つの蒸発源２ａ，２ｂが、内部に互いに異なる蒸発物質Ａ，Ｂを収納した」こと。
　
オ．「ハッチングされて示されている遮体１６のうち、真空槽１の内部で上下方向に設けられている部分によって、真空槽１内を各蒸発源２ａ，２ｂ毎に区画する」こと。
　
カ．「シャッター１０ａが、蒸発源２ａ上方を覆う」とともに「シャッター１０ｂが、蒸発源２ｂ上方を覆う」こと。
　
キ．「各シャッター１０ａ，１０ｂが、遮体１６の真空槽１の内部で上下方向の上端側の部分の両側に、各蒸発源２ａ，２ｂ毎に水平方向に設けられている」こと。
　
３．引用発明
　上記ア．及びイ．の記載事項及びウ．〜キ．の認定事項を総合して、本願発明の記載振りに則って整理すると、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　「内部上方に蒸着基板が配置された真空槽と、
　真空槽内に配置され、内部に互いに異なる蒸発物質を収納した２つの蒸発源と、
　真空槽内の蒸発物質を加熱により蒸発させる電子銃と、
　真空槽内を各蒸発源毎に区画する遮体と、
　を備え、真空槽内に、各蒸発源上方を開閉自在に覆うシャッターを設け、各シャッターは遮体の上端側の部分の両側に、各蒸発源毎に設けられている真空蒸着装置。」
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「蒸着基板」は、本願発明における「試料」に相当し、以下同様に、「真空槽」は「真空容器」に、「蒸発物質」は「材料」に、「蒸発源」は「るつぼ」に、「遮体」は「遮へい板」に、それぞれ相当する。
　そして、引用発明における「真空槽内の蒸発物質を加熱により蒸発させる電子銃」を備えた「真空蒸着装置」と、本願発明における「真空容器に各るつぼに対応して設けられるとともに、放電プラズマビームを発生させるプラズマガン」を備えた「イオンプレーティング装置」とは、「真空容器内の材料を電子ビーム照射手段により加熱して蒸発させて、試料の表面に薄膜を形成する真空蒸着装置」である点で共通する。
　
　よって本願発明と引用発明とは、
　「内部上方に試料が配置された真空容器と、
　真空容器内に配置され、内部に互いに異なる材料を収納した複数のるつぼと、
　真空容器内の材料を加熱して蒸発させる電子ビーム照射手段と、
　真空容器内を各るつぼ毎に区画する遮へい板と、
　を備え、真空容器内に、各るつぼ上方を開閉自在に覆うシャッターを設け、各シャッターは各るつぼ毎に設けられている真空蒸着装置。」
　である点で一致し、以下の（１）及び（２）の点で相違する。
　
（１）相違点１
　真空容器内の材料を加熱して蒸発させる電子ビーム照射手段を備えた真空蒸着装置について、
　本願発明は、「真空容器に各るつぼに対応して設けられるとともに、放電プラズマビームを発生させるプラズマガン」を備えた「イオンプレーティング装置」であるのに対して、
　引用発明は、「真空槽内の蒸発物質を加熱により蒸発させる電子銃」を備えた「真空蒸着装置」である点（以下、「相違点１」という。）。
　
（２）相違点２
　本願発明では、「各シャッターは遮へい板の上端位置に設けられている」のに対して、
　引用発明では、「各シャッターは遮体の上端側の部分の両側に設けられている」点（以下、「相違点２」という。）。
　
５．当審の判断
　相違点１及び２について、以下に検討する。
　
（１）相違点１について
　そもそも、引用発明における「真空槽内の蒸発物質を加熱により蒸発させる電子銃」を備えた「真空蒸着装置」は、上記２．ア．に記載されているように、多層薄膜を形成する真空蒸着装置の従来の一つの例として例示されたものである。
　そして、真空蒸着装置として、「真空容器に各るつぼに対応して設けられるとともに、放電プラズマビームを発生させるプラズマガンを備えたイオンプレーティング装置」は、本願出願前における周知技術（例えば、特開昭６１−２７３２０７号公報の第２ページ右上欄第１８行〜第３ページ左上欄第７行又は特開平７−４１９３９号公報の段落【０００１】及び【０００７】〜【０００９】等参照）である。
　そうすると、引用発明における「真空槽内の蒸発物質を加熱により蒸発させる電子銃」を備えた「真空蒸着装置」に換えて、真空蒸着装置として知られている、上記周知技術を採用することは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（２）相違点２について
　そもそも、本願発明の「各シャッターは遮へい板の上端位置に設けられている」との発明特定事項は、本願図面の図２及び本願明細書の段落【００２８】の「遮へい板３０の上端部の両側には、各るつぼ１７ａ，１７ｂからの蒸発材料の飛散を防止するための開閉自在シャッター３６，３６が各々水平方向に設けられている。」との記載に基づくものである。
　これに対して、引用発明は、「各シャッターは遮体の上端側の部分の両側に設けられている」との発明特定事項を有するとともに、上記２．カ．及びキ．に記載されているように、本願発明の「るつぼ」に相当する「蒸発源」の上方を覆って、水平方向に設けられることにより、るつぼからの飛散を防止するものである。
　そうすると、引用発明の各シャッターについても、本願発明の「遮へい板」に相当する「遮体」の上端位置に設けられているものといえるから、上記相違点２については、実質的な相違点ではない。
　
　また、本願発明を全体としてみても、引用文献の記載及び周知技術から予測できない顕著な作用効果を奏するものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、引用文献に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび　
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は、原査定の拒絶理由により拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。