【事件の表示】
　特願２００３−１４２８３０「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月　９日出願公開、特開２００４−３４９３６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１５年５月２１日の出願であって、平成１９年１０月２９日付けで、平成１９年５月１４日付けの手続補正について補正却下がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、この拒絶査定を不服として、平成１９年１１月２２日付けで審判請求をするとともに、同日付けで手続補正をしたものである。
　
ＩＩ．平成１９年１１月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１１月２２日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．本件手続補正の内容
　本件手続補正により、特許請求の範囲は、補正前の
「【請求項１】半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも１つの半導体構成体と、前記半導体構成体を覆う絶縁膜と、突起電極を有し、前記絶縁膜上に形成された再配線とを具備してなり、前記再配線の突起電極が前記外部接続用電極に対応する前記絶縁層の部分に食い込んで前記外部接続用電極に接続されており、前記半導体構成体は、接続パッドと、該接続パッドに接続された柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記接続パッドと前記外部接続用電極とを接続する再配線を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１に記載の発明において、前記絶縁膜はシートであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項３に記載の発明において、前記絶縁膜の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１に記載の発明において、前記突起電極は、前記再配線に一体的に形成された突起電極からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】請求項１に記載の発明において、前記突起電極は、前記再配線に固着された金属ペーストによって形成された突起電極からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項１に記載の発明において、前記突起電極は裁頭円錐形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】請求項１に記載の発明において、前記再配線は接続パッド部を有し、前記接続パッド部を除く部分を覆う上層絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】請求項１に記載の発明において、前記絶縁膜および前記再配線上に１層以上の上層の絶縁膜と、前記各上層の絶縁膜上に形成され下層の再配線の接続パッド部に接続された上層の再配線を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】請求項９に記載の発明において、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く部分を覆う上層の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】請求項９に記載の発明において、前記上層の再配線の少なくとも一部は突起電極を有し、該突起電極が前記下層の絶縁膜に食い込んで前記下層の再配線の接続パッド部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】請求項９に記載の発明において、前記最上層の再配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体の周側面に絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】　請求項１３に記載の発明において、前記半導体構成体および前記絶縁層の下面にベース板が設けられていることを特徴とする半導体装置。」
から、　
　「【請求項１】半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも１つの半導体構成体と、前記半導体構成体を覆う絶縁膜と、突起電極を有し、前記絶縁膜上に形成された上層再配線とを具備してなり、前記上層再配線と同一材料からなる前記上層再配線の突起電極が前記外部接続用電極に対応する前記絶縁層の部分に食い込んで前記外部接続用電極に接続されており、前記半導体構成体は、接続パッドと、該接続パッドに接続された再配線と、該再配線に接続された柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記接続パッドと前記外部接続用電極とを接続する再配線を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１に記載の発明において、前記絶縁膜はシートであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項３に記載の発明において、前記絶縁膜の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１に記載の発明において、前記突起電極は、前記再配線に一体的に形成された突起電極からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】請求項１に記載の発明において、前記突起電極は、前記再配線に固着された金属ペーストによって形成された突起電極からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項１に記載の発明において、前記突起電極は裁頭円錐形状である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】請求項１に記載の発明において、前記再配線は接続パッド部を有し、前記接続パッド部を除く部分を覆う上層絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】請求項１に記載の発明において、前記絶縁膜および前記再配線上に１層以上の上層の絶縁膜と、前記各上層の絶縁膜上に形成され下層の再配線の接続パッド部に接続された上層の再配線を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】請求項９に記載の発明において、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く部分を覆う上層の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】請求項９に記載の発明において、前記上層の再配線の少なくとも一部は突起電極を有し、該突起電極が前記下層の絶縁膜に食い込んで前記下層の再配線の接続パッド部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】請求項９に記載の発明において、前記最上層の再配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体の周側面に絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】請求項１３に記載の発明において、前記半導体構成体および前記絶縁層の下面にベース板が設けられていることを特徴とする半導体装置。」
と補正された。
　　
２．補正の適否について
　上記補正は、以下の補正事項を含むものである。
（１）補正前の請求項１に記載の「再配線の突起電極」を、補正後の請求項１では「上層再配線と同一材料からなる前記上層再配線の突起電極」とする補正。
（２）補正前の請求項１の「接続パッドに接続された柱状の外部接続用電極」を、補正後の請求項１では「該接続パッドに接続された再配線と、該再配線に接続された柱状の外部接続用電極」とする補正。
　
　そこで、上記補正事項（１）〜（２）について、次に検討する。
　
（ｉ）最初に、上記補正事項（１）を含む本件補正が新規事項の追加に該当するかについて検討する。
　
（ａ）特許法１７条の２第３項にいう「願書に最初に添付した明細書又は図面…に記載した事項の範囲内において」との文言について、「明細書又は図面…に記載した事項」とは，当業者によって、明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項であり、補正が、このようにして導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるときは、当該補正は、「明細書又は図面…に記載した事項の範囲内において」するものということができる。
　そして、明細書又は図面に記載された事項は、通常、当該明細書又は図面によって開示された技術的思想に関するものであるから、例えば、特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲に限定を付加する補正を行う場合において、付加される事項が当該明細書又は図面に明示的に記載されている場合や、その記載から自明である事項である場合には、そのような補正は、特段の事情のない限り、新たな技術的事項を導入しないものであると認められ、「明細書又は図面…に記載した事項の範囲内において」するものであると解される。
　
（ｂ）上記補正事項（１）について、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、以下の事項が記載されている。
（あ）「【請求項７】請求項１に記載の発明において、前記突起電極は、前記再配線に一体的に形成された突起電極からなることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
（い）「【請求項２３】請求項１７に記載の発明において、前記金属板よりも厚めの金属板の下面をハーフウェットエッチングすることにより、前記突起電極を前記金属板下に一体的に且つ裁頭円錐形状に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（う）「ここで、突起電極１７を有する金属板１６ａの形成方法について説明する。この場合、まず、図１８に示すように、一定の厚さの金属板１６ｂの上面全体に上面レジスト膜３１を形成するとともに、下面の所定の箇所（つまり突起電極１７形成領域）に平面円形状の下面レジスト膜３２を形成する。次に、図１９に示すように、ハーフウェットエッチングを行なうと、エッチングが等方的に進行することにより、下面レジスト膜３２が存在しない領域に厚さが薄くなった金属板１６ａが形成され、且つ、この厚さが薄くなった金属板１６ａの下面において下面レジスト膜４２が存在する領域に裁頭円錐形状の突起電極１７が形成される。」（【００４０】）
（え）「突起電極１７の他の形成方法としては、金属板の一面の所定の箇所に印刷された銀ペーストなどからなる導電ペーストを硬化させて、突起電極を形成するようにしてもよい。この場合、一例として、金属板の厚さを２０μｍ程度とし、硬化銀ペーストからなる突起電極の高さを８０μｍ程度とし、根元の径を４００μｍ程度とし、頭部の径を２００μｍ程度とする。
　なお、各部材の厚さは上記に限定されるものではなく、金属板１６ａの厚さは５０〜２００μｍ、絶縁材料１５ａの厚さは２０〜１５０μｍとすることが可能である。この場合、金属板１６ａに形成する突起電極１７の高さは絶縁材料１５ａの厚さと同一かそれよりも少し高い、典型的には、２０μｍ程度以下高い寸法とすればよい。また、金属板１６ａは、銅の単層からなるものに限らず、例えば、ニッケル等のベース板と銅等の突起電極形成板とからなる二層積層構造のものでもよい。」（【００４３】−【００４４】）
　
（ｃ）そうすると、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、上層再配線と上層再配線の突起電極とを同一材料とするという、上記補正事項（１）に係る事項について、明示的には記載されていないといえる。
　一方、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、厚めの金属板の下面をハーフウェットエッチングすることにより、突起電極を前記金属板下に一体的に且つ裁頭円錐形状に形成すること、及び、金属板として銅の単層からなるものを使用することが記載されている。そうすると、当業者であれば、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、単層の金属板をハーフエッチングすることにより突起電極を形成した場合においては、上層再配線と同一材料からなる上層再配線の突起電極を得るという技術思想が開示されていることが、自明な事項として理解できるといえる。
　他方、突起電極の他の形成方法として記載されている、金属板の一面の所定の箇所に導電ペーストを印刷し、これを硬化させて、突起電極を形成する方法においては、導電性ペーストとして「銀ペースト」が、また、金属板として銅の単層からなるものが記載されているだけである。してみると、導電ペーストを用いて突起電極を形成した場合においては、上層再配線と上層再配線の突起電極とを同一材料とすることは、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には記載されていないといえる。また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載から、導電ペーストを用いて突起電極を形成した場合において、上層再配線と上層再配線の突起電極とを同一材料とすることが、当業者にとって自明な事項であるとは認められない。
　
（ｄ）そこで、補正後の請求項１、及び、補正後の請求項１を引用する請求項６について、補正の適否を検討すると、両請求項はいずれも、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されておらず、また当該記載から、当業者にとって自明な事項であるとも認められない、導電ペーストを用いて突起電極を形成した場合において上層再配線と上層再配線の突起電極とを同一材料とすることを技術的事項として含むから、補正後の請求項１、及び、補正後の請求項１を引用する請求項６についての補正は、当業者によって、出願当初の明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものといえる。
　したがって、上記補正事項（１）を含む本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　
（ｉｉ）次いで、上記補正事項（２）を含む本件補正が、特許法第１７条の２第４項の各号に規定する、いずれかの事項を目的とした補正に該当するものといえるかについて検討する。
　
（ａ）特許法第１７条の２第４項第２号は「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」と定めている。
　そうすると、同号の事項を目的とする補正とは、単に「特許請求の範囲」を減縮するものであるだけでは十分ではなく、特に「発明を特定するために必要な事項」を限定するものであることを要するといえる。
　そして、前記「発明を特定するために必要な事項」とは、特許法「第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項」とあることから、特許法第第三十六条第五項の「各請求項ごとに特許出願人が特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載しなければならない。」との規定により請求項に記載した事項の「すべて」のうちの「個々」の事項を意味するものと解される。
　そうすると、結局、「発明を特定するために必要な事項」を限定するものといえるためには、補正前の請求項における「発明を特定するために必要な事項」の一つ以上を、概念的により下位の「発明を特定するために必要な事項」とする補正であることを要すると解される。
　また、同号の事項を目的とする補正であるといえるためには、更に、補正前と補正後の対応する請求項に記載された発明の「産業上の利用分野及び解決しようとする課題」が同一であることを要するものである。
　
（ｂ）そこで、前記補正事項（２）について検討すると、補正事項（２）は、補正前の請求項１に存在しなかった「接続パッドに接続された再配線」という新たな部材を「発明を特定するために必要な事項」として新たに付加する補正であるといえる。
　そうすると、補正前の請求項１に、新たに「接続パッドに接続された再配線」という新たな「発明を特定するために必要な事項」を付加することに相当する前記補正事項（２）を含む本件補正は、補正前の請求項における「発明を特定するために必要な事項」の一つ以上を、概念的により下位の「発明を特定するために必要な事項」とする補正であるとはいうことはできないから、前記補正は、発明を特定するために必要な事項を限定するものに該当しない。
　
（ｃ）更に、補正前の請求項１に係る発明の解決しようとする課題が「絶縁膜の各接続パッドに対応する部分に開口部を形成し、メッキ電流路としての下地金属層をスパッタ法や無電解メッキ法により形成して再配線を電解メッキにより形成する方法であるため、工程数が多く、生産性が低いものであった。」ことであるのに対して、補正前の請求項１に対応する補正後の請求項である、補正後の請求項１に係る発明の解決しようとする課題は、接続パッドと柱状の外部接続用電極との間に「再配線」を介在させることにより、接続パッドの直上以外の場所に柱状の外部接続用電極を設けることができるようにするものを含むといえるから、補正前の請求項１に係る発明の解決しようとする課題と、補正後の請求項１に係る発明の解決しようとする課題とが、同一であると認めることはできない。
　そうすると、上記補正事項（２）を含む本件補正は「その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。」という要件をも満たしていないといえる。
　したがって、上記補正事項（２）を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とする補正であるとは認められない。
　
　また、本件補正事項（２）を含む本件補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
　したがって、上記補正事項（２）を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に規定する、いずれの事項を目的とするものではない。
　
３．むすび
　よって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定、及び、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年１１月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜請求項１４に係る発明は、平成１９年２月９日付けの手続補正書（なお、平成１９年５月１４日付けの手続補正書は、上記のとおり、前審において補正却下されている。）により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜請求項１４に記載されたとおりのものであるところ、その内、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも１つの半導体構成体と、前記半導体構成体を覆う絶縁膜と、突起電極を有し、前記絶縁膜上に形成された再配線とを具備してなり、前記再配線の突起電極が前記外部接続用電極に対応する前記絶縁層の部分に食い込んで前記外部接続用電極に接続されており、前記半導体構成体は、接続パッドと、該接続パッドに接続された柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを含むことを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された下記の刊行物１及び刊行物２には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開２００１−２５０８３６号公報（平成１９年３月９日付けの最後の拒絶理由通知書の引用文献１）
　刊行物２：特開平１０−３２２２４号公報（同拒絶理由通知書の引用文献２）
　
＜刊行物１の摘記事項＞
（１−ａ）「【請求項１】基板上に該基板よりもサイズの小さいＣＳＰが１段または複数段設けられ、前記ＣＳＰの周囲における前記基板上に樹脂封止層が設けられ、前記ＣＳＰ下に中継配線が設けられ、前記ＣＳＰのうち最上段のＣＳＰ上に再配線が設けられ、前記樹脂封止層中に前記中継配線と前記再配線とを接続する層間配線ポストが設けられていることを特徴とする半導体装置。
・・・
【請求項１０】請求項１〜９のいずれかに記載の発明において、前記再配線上に低融点金属ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
　
（１−ｂ）「【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施形態における半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は下部ＣＳＰ１を備えている。下部ＣＳＰ１は、図２に示すように、平面方形状のシリコン基板２の上面外周部に複数の接続パッド３が設けられ、接続パッド３の中央部を除くシリコン基板２の上面に絶縁膜４が設けられ、絶縁膜４に設けられた開口部５を介して露出された接続パッド３の上面から絶縁膜４の上面の所定の箇所にかけて配線６が設けられ、配線６の先端パット部上に電極ポスト（バンプ電極）７が設けられ、電極ポスト７の周囲において配線６を含む絶縁膜４の上面に樹脂封止層８が設けられた構造となっている。この場合、配線６はベタ状ではないが、図１においては、図示の都合上、ベタ状としている。なお、この第１実施形態において後述するＣＳＰ１３、２３も、基本的には、上記と同様な構造となっている。」（【０００７】）
　
（１−ｃ）「図１０および図１１は第３の他の方法を説明するための図である。図１０に示すように、第１のＣＳＰ１３を組み込んだ後に、上面全体に第１の樹脂封止層１９をダイコータ等により厚さが第１のＣＳＰ１３の高さよりもやや厚くなるように、且つ、上面が平坦となるように形成する。この場合、第１の樹脂封止層１９をディスペンサ等により形成し、その上面側を適宜に研磨して平坦化するようにしてもよい。
　次に、第１の中継配線１１の延出端パッド部１１ａに対応する部分における第１の樹脂封止層１９にビアホール５１を形成するとともに、第１のＣＳＰ１３の電極ポスト１７に対応する部分における第１の樹脂封止層１９にコンタクトホール５２を形成する。この場合も、ビアホール５１およびコンタクトホール５２は、第１の樹脂封止層１９が非感光性樹脂の場合には、レーザドリルやプラズマドリル等により形成し、感光性樹脂の場合には、フォトリソグラフィにより形成する。なお、コンタクトホール５２の大きさはビアホール５１の大きさと同じとしてもよい。
　次に、電解メッキや金属ペーストの塗布等により、ビアホール５１内に第１の層間配線ポスト２０を形成するとともに、コンタクトホール５２内に接続ポスト５３を形成し、さらに第１の樹脂封止層１９の上面に導電層５４を形成する。次に、導電層５４の不要な部分をエッチングして除去し、図１１に示すように、第２の中継配線２１を形成する。この場合、第２の中継配線２１は接続ポスト５３を介して第１のＣＳＰ１３の電極ポスト１７に接続されている。」（【００３１】−【００３３】）
　
（１−ｄ）図２は、図１に示す下部ＣＳＰの一部の断面図であって、同図からは、電極ポスト（バンプ電極）７が、柱状の電極であることを読み取ることができる。
　
＜刊行物２の摘記事項＞
（２−ａ）「【請求項１】半導体素子の電極端子と、前記半導体素子と略同サイズに形成された回路基板の配線パターンとが電気的に接続されて成る半導体装置において、該半導体素子と回路基板とが、前記半導体素子又は回路基板に形成された接着剤層によって接合されていると共に、前記半導体素子の電極端子と回路基板の配線パターンとが、前記接着剤層を貫通する導電性バンプによって電気的に接続され、且つ前記導電性バンプの先端部が半導体素子の電極端子又は回路基板の配線パターンに当接して押し潰されていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
　
（２−ｂ）「かかる図８に示すＣＳＰ１０は、図９（ｂ）に示すパッケージ４０を一点鎖線の箇所で切断することによって得ることができる。このパッケージ４０を製造する際には、先ず、図９（ａ）に示す様に、基板内接着剤層２８から先端部が突出する円錐状の導電性バンプ３１を、一面側の所定箇所に形成した銅等の金属箔４８と、複数個の単位半導体素子が形成されるウエハー４２とを接合し熱プレスして一体化した後、金属箔４８にフォトリソ法等によるパターニングを施して配線パターン１８を形成する。次いで、配線パターン１８のはんだボール２４を接合する部分を除きソルダレジスト２９を塗布した後、配線パターン１８が露出する箇所にはんだボール２４・・を接合することによってパッケージ４０を得ることができる。」（【００１８】）
　
（２−ｃ）「図９（ａ）（ｂ）において、ウエハー４２と一面側の所定箇所に円錐状の導電性バンプ３１が形成された金属箔４８とを、金属箔４８の一面側に形成した基板内接着剤層２８によって接合しているが、図１０に示す様に、半硬化状態の接着剤から成るシート２７を両者間に挟み込み熱プレスすることによって接合してもよい。この際、シート２７を突き破って突出した導電性バンプ３１の先端部を、ウエハー４２の電極端子２０ａ、２０ｂ・・と当接させて押し潰し、円錐台状の導電性バンプを形成する。かかるシート２７は、図１〜図９に示す半導体装置やパッケージにおける接着剤層に代えて使用できる。」（【００２０】）
　
３．当審の判断
（１）刊行物１に記載の発明
（あ）上記摘記事項（１−ａ）から、刊行物１に記載された発明は、「半導体装置」に係る発明であることが理解できる。
（い）上記摘記事項（１−ｂ）の、「この第１実施形態において後述するＣＳＰ１３、２３も、基本的には、上記と同様な構造となっている。」との記載を参酌すれば、図１０、図１１に記載されたＣＳＰ１３のシリコン基板の上面外周部には、複数の接続パッドが設けられ、接続パッドの中央部を除くシリコン基板の上面に絶縁膜が設けられ、絶縁膜に設けられた開口部を介して露出された接続パッドの上面から絶縁膜の上面の所定の箇所にかけて配線が設けられ、配線の先端パット部上に電極ポスト（バンプ電極）が設けられ、電極ポストの周囲において配線を含む絶縁膜の上面に樹脂封止層が設けられた構造となっているものと認められる。
　そうすると、ＣＳＰ１３において、接続パッドと電極ポスト（バンプ電極）が、配線によって、電気的に接続されていることが理解できる。
（う）上記摘記事項（１−ｃ）に記載された「接続ポスト５３」は、第１の封止樹脂層１９のコンタクトホール内に形成したものであって、電極ポスト１７に接続するとともに、第１の封止樹脂層１９の上面に設けられている第２の中継配線２１とも接続しているから、この「接続ポスト５３」は、第２の中継配線からみて突起状の電極であることが理解できる。
　
　そこで、上記（あ）、（い）、（う）の事項を考慮しつつ、上記摘記事項（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）を整理すると、上記刊行物１には、
「シリコン基板の上面外周部に設けられた複数の接続パッドと、該接続パッドに接続された柱状の電極ポスト（バンプ電極）と、該電極ポスト（バンプ電極）の周囲に設けられた樹脂封止層とを含むＣＳＰと、前記ＣＳＰの上面全体にダイコータ等により形成された第１の樹脂封止層と、突起状の接続ポストを有し、前記第１の樹脂封止層上に形成された第２の中継配線とを具備してなり、前記第２の中継配線の前記突起状の接続ポストが、前記ＣＳＰの前記電極ポスト（バンプ電極）に対応する前記第１の樹脂封止層の部分に、レーザドリル、プラズマドリル、フォトリソグラフィ等により形成されたコンタクトホール内に、電解メッキや金属ペーストの塗布等により形成されて、前記柱状の電極ポスト（バンプ電極）に接続されたことを特徴とする半導体装置。」
に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
（２）対比・判断
　本願発明１と上記刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「シリコン基板」、「電極ポスト（バンプ電極）」、「樹脂封止層」は、本願発明１の「半導体基板」、「外部接続用電極」、「封止膜」に相当するから、刊行物１発明の「ＣＳＰ」は、本願発明１の「半導体構成体」に相当するといえる。
　また、刊行物１発明の「第１の樹脂封止層」、「突起状の接続ポスト」、「第２の中継配線」は、本願発明１の「絶縁膜」、「突起電極」、「再配線」に相当する。
　そして、本願発明１と、上記刊行物１発明は、再配線の突起電極が外部接続用電極に対応する絶縁層の部分を貫通して外部接続用電極に接続されている点で一致するといえる。
　
　そうすると、両者は、
「半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも１つの半導体構成体と、前記半導体構成体を覆う絶縁膜と、突起電極を有し、前記絶縁膜上に形成された再配線とを具備してなり、前記再配線の突起電極が前記外部接続用電極に対応する前記絶縁層の部分を貫通して前記外部接続用電極に接続されており、前記半導体構成体は、接続パッドと、該接続パッドに接続された柱状の外部接続用電極と、該外部接続用電極の周囲に設けられた封止膜とを含むことを特徴とする半導体装置。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：絶縁層の外部接続用電極に対応する部分を貫通しての、突起電極と外部接続用電極の接続が、本願発明１では、再配線の突起電極が絶縁層に食い込んで接続されるのに対して、刊行物１発明では、第１の樹脂封止層に、レーザドリル、プラズマドリル、フォトリソグラフィ等によりコンタクトホールを形成し、該形成されたコンタクトホール内に電解メッキや金属ペーストの塗布等により突起状の接続ポストを形成して接続されている点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
　上記刊行物２の摘記事項（２−ａ）、（２−ｂ）、（２−ｃ）を整理すると、上記刊行物２には、
「複数の電極端子を有する複数個の単位半導体素子が形成されたウエハーと、円錐状の導電性バンプを一面側の所定箇所に形成した銅等の金属箔との間に、半硬化状態の接着剤からなるシートを挟み込み熱プレスすることによって接合することで、前記導電性バンプの先端部を前記シートを突き破って突出させ、この突出させた先端部を前記電極端子と当接させて押し潰し、円錐台状の導電性バンプとなして前記電極端子と電気的に接続し、その後、金属箔にフォトリソ法等によるパターニングを施して配線パターンを形成し、次いで切断することによって作製したことを特徴とする半導体装置。」
に関する発明（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されているといえる。
　ここで、本願発明１と上記刊行物２発明とを対比すると、刊行物２発明の「ウエハー」、「電極端子」、「接着剤からなるシート」、「円錐台状の導電性バンプ」、「配線パターン」、「シートを突き破って」は、それぞれ、本願発明１の「半導体基板」、「外部接続用電極」、「絶縁膜」、「突起電極」、「再配線」、「絶縁層の部分に食い込んで」に相当する。
　また、刊行物２発明の「単位半導体素子」と、本願発明１の「半導体構成体」は、いずれも広義の「半導体素子」に含まれるといえる。
　
　そうすると、本願発明１と、刊行物２発明は、
「半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも１つの半導体素子と、前記半導体素子を覆う絶縁膜と、突起電極を有し、前記絶縁膜上に形成された再配線とを具備してなり、前記再配線の突起電極が前記外部接続用電極に対応する前記絶縁層の部分に食い込んで前記外部接続用電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。」
の点で一致するといえる。
　
　ところで、刊行物１発明と、刊行物２発明は、いずれも、複数の外部接続用電極を有する半導体基板上に、絶縁層と、該絶縁層を貫通する突起電極と、該絶縁層上に形成された再配線と、該再配線に接続する半田ボールを設けるという構造を採用した半導体装置という点で共通の技術分野に属する発明であるといえる。
　また、刊行物１発明の「第２の中継配線の前記突起状の接続ポストが、前記ＣＳＰの前記電極ポスト（バンプ電極）に対応する前記第１の樹脂封止層の部分に、レーザドリル、プラズマドリル、フォトリソグラフィ等により形成されたコンタクトホール内に、電解メッキや金属ペーストの塗布等により形成されて、前記柱状の電極ポスト（バンプ電極）に接続され」る構造と、刊行物２発明の「円錐状の導電性バンプを一面側の所定箇所に形成した銅等の金属箔との間に、半硬化状態の接着剤からなるシートを挟み込み熱プレスすることによって接合することで、前記導電性バンプの先端部を前記シートを突き破って突出させ、この突出させた先端部を前記電極端子と当接させて押し潰し、円錐台状の導電性バンプとなして前記電極端子と電気的に接続」させた構造は、「再配線の突起電極が前記外部接続用電極に対応する前記絶縁層の部分を貫通して前記外部接続用電極に接続され」た構造という点で、共通の作用・機能を具備しているといえる。
　
　してみれば、刊行物１発明において、第１の樹脂封止層を貫通して、突起電極と外部接続用電極とを接続するにあたり、刊行物１発明の「第１の樹脂封止層に、レーザドリル、プラズマドリル、フォトリソグラフィ等によりコンタクトホールを形成し、該形成されたコンタクトホール内に電解メッキや金属ペーストの塗布等により、突起状の接続ポストを形成して接続」するという構造に替えて、刊行物１発明と共通する技術分野の発明である刊行物２発明における、前記構造と共通の作用・機能を具備した構造を採用して、前記相違点について、本願発明１の構成とすることは当業者が容易になし得たことであると認められる。
　
　また、前記相違点について、本願発明１の構成を採用したことによる効果は、当業者が予測し得る範囲のものと認められる。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜請求項１４に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。