【事件の表示】
　平成　６年特許願第２８９５５０号「集積回路の平坦化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　７月２８日出願公開、特開平　７−１９３０３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成６年１１月２４日の出願（パリ条約による優先権主張：１９９３年１１月３０日、米国）であって、平成１７年９月５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１２日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年１月１１日付の手続補正により、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明が補正されたものである。
　
II．平成１８年１月１１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１月１１日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおり補正された。
　「【請求項１】集積回路基体上に金属層を形成するステップと、
　第１のマスクパターンを用いて露光処理を行い陽画型フォトレジスト層を形成するステップと、
　等方性エッチング処理を行うことにより前記集積回路基体上に前記第１のマスクパターンに従った金属導電パターンを形成するステップと、
　前記陽画型フォトレジスト層を除去するステップと、
　前記集積回路基体及び金属導電パターンの上に絶縁層を形成するステップと、
　前記第１のマスクパターンと同じ画像であって大きさの異なるマスクパターンを用いて露光処理を行い陰画型フォトレジスト層を形成するステップと、
　等方性エッチング処理を行うステップと、
　前記陰画型フォトレジスト層を除去するステップと、
の各ステップを有することを特徴とする集積回路の平坦化方法。」
　
　なお、請求項１に記載の「等法性」は「等方性」の誤記と認められるので、上記のとおりに認定した。
　
２．補正の適否についての判断
　上記補正は、平成１７年２月１７日付の手続補正により補正された請求項１の「前記第１のマスクパターンを用いて露光処理を行い陰画型フォトレジスト層を形成するステップ」を、「前記第１のマスクパターン
と同じ画像であって大きさの異なるマスクパターン
　しかしながら、この補正により、明らかに第１のマスクパターンとは別の、第１のマスクパターンと同じ画像であって大きさの異なるマスクパターンを用いて露光処理を行なうことになるから、上記補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものには該当しないし、さらに、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものにも該当しない。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項各号のいずれの規定にも該当しないものであるから、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について　
１．本願発明　
　平成１８年１月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年２月１７日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　集積回路基体上に金属層を形成するステップと、
　第１のマスクパターンを用いて露光処理を行い陽画型フォトレジスト層を形成するステップと、
　等方性エッチング処理を行うことにより前記集積回路基体上に前記第１のマスクパターンに従った金属導電パターンを形成するステップと、
　前記陽画型フォトレジスト層を除去するステップと、
　前記集積回路基体及び金属導電パターンの上に絶縁層を形成するステップと、
　前記第１のマスクパターンを用いて露光処理を行い陰画型フォトレジスト層を形成するステップと、
　等方性エッチング処理を行うステップと、
　前記陰画型フォトレジスト層を除去するステップと、
の各ステップを有することを特徴とする集積回路の平坦化方法。」
　
　なお、上記IIと同様に、請求項１に記載の「等法性」は「等方性」の誤記と認められるので、上記のとおりに認定した。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平３−１５２９３１号公報（以下、「刊行物」）という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「半導体素子が形成されている半導体基板上に絶縁膜を介して下層配線を形成する工程と、前記下層配線とほぼ同じ厚さの下層層間絶縁膜を全面に堆積する工程と、前記下層配線上にのみ開口部を有するホトレジストのマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて前記下層配線上部の前記下層層間絶縁膜を等方性エッチングして除去する工程と、全面に上層層間絶縁膜を堆積する工程と、前記上層層間絶縁膜上に上層配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
　
（１ｂ）「第２図は従来の半導体装置の一例の断面図である。
　半導体基板１の表面に酸化膜２を設ける。この上にＡｌを蒸着し、ホトリソグラフィ技術を用いてエッチングして下層Ａｌ配線３を形成する。」（１頁右欄５〜９行）
　
（１ｃ）「第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に酸化膜２を形成し、その上に下層Ａｌ配線３を形成し、下層層間絶縁膜４を堆積して覆う。
　次に、第１図（ｂ）に示すように、下層Ａｌ配線形成の時に用いたホトレジストとは反転感光性のホトレジスト５を塗布する。例えば、下層Ａｌ配線３の形成にネガ型ホトレジストを用いた場合はホトレジスト５にはポジ型を使用する。そして、下層Ａｌ配線３の形成時に使用したホトマスクを用いて露光現像し、下層Ａｌ配線３の上にのみ開口を有するホトレジストのマスクを形成する。次に、等方性エッチングを行う。エッチングは下層Ａｌ配線３の表面が露出するまで行い、下層層間絶縁膜４による段差がなくなるようにする。しかる後、ホトレジスト５を除去する。
　次に、第１図（ｃ）に示すように、上層層間絶縁膜６を全面に堆積し、その上に上層Ａｌ配線７を形成する。」（２頁左上欄１８行〜右上欄１６行）
　
（１ｄ）「このようにすると、下層Ａｌ配線３によって生ずる下層層間絶縁膜４の段差が殆んどなくなり、上層層間絶縁膜６の表面はほぼ平坦になる。」（２頁右上欄１７〜１９行）
　
３．当審の判断
３−１．刊行物に記載の発明
　上記摘記事項（１ｃ）によれば、「下層Ａｌ配線形成の時に用いたホトレジストとは反転感光性のホトレジスト５を塗布する。例えば、下層Ａｌ配線３の形成にネガ型ホトレジストを用いた場合はホトレジスト５にはポジ型を使用する。」、及び「下層Ａｌ配線３の形成時に使用したホトマスクを用いて露光現像し、下層Ａｌ配線３の上にのみ開口を有するホトレジストのマスクを形成する。」と記載されており、使用するホトレジストについて「例えば」と例示しているから、逆のホトレジストの組み合わせ、即ち、下層Ａｌ配線の形成にポジ型ホトレジストを用いた場合は、下層層間絶縁膜の形成にネガ型ホトレジストを用いることも示されているといえる。
　そうすると、刊行物には、ホトマスクを用いて露光現像を行うことによりポジ型ホトレジストのマスクを形成し、このポジ型ホトレジストのマスクを用いて、下層Ａｌ配線を形成するとともに、同じホトマスクを用いて露光現像を行うことによりネガ型ホトレジストのマスクを形成し、このネガ型ホトレジストのマスクを用いて下層層間絶縁膜に対して等方性エッチングを行うことが示されているとすることができる。
　ここで、ポジ型ホトレジストのマスクは、下層Ａｌ配線を形成した後、除去されること、また、ネガ型ホトレジストのマスクは、下層層間絶縁膜を等方性エッチングにより下層Ａｌ配線の上のみエッチングした後、除去されることは当然のことである。
　また、上記摘記事項（１ｂ）によれば、従来半導体基板１の表面に酸化膜２を設け、この上にＡｌを蒸着し、ホトリソグラフィ技術を用いてエッチングして下層Ａｌ配線３を形成することが記載されているから、下層Ａｌ配線の形成時には、半導体基板上の絶縁膜の上に下層Ａｌ配線用のＡｌ膜が形成されていることが前提となることは明らかである。
　さらに、摘記事項（１ｄ）によれば、「下層Ａｌ配線３によって生ずる下層層間絶縁膜４の段差が殆んどなくなり、上層層間絶縁膜６の表面はほぼ平坦になる。」と記載されているから、半導体装置の平坦化方法が記載されていることになる。
　
　そうすると、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物には、「半導体素子が形成されている半導体基板上に絶縁膜を介してＡｌ膜を形成し、このＡｌ膜上に形成したポジ型ホトレジストに対して、ホトマスクを用いて露光現像処理を行い、この処理により形成したポジ型ホトレジストのマスクを用いてＡｌ膜のエッチングを行い、下層Ａｌ配線を形成した後、ポジ型ホトレジストのマスクを除去するとともに、上記絶縁膜及び上記下層Ａｌ配線上に下層層間絶縁膜を形成し、この下層層間絶縁膜上に形成したネガ型ホトレジストに対して、上記ホトマスクを用いて露光現像処理を行い、この処理により形成したネガ型ホトレジストのマスクを用いて上記下層層間絶縁膜の等方性エッチングを行い、下層Ａｌ配線上の下層層間絶縁膜を除去した後、ネガ型ホトレジストのマスクを除去する半導体装置の平坦化方法。」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているといえる。
　
３−２．対比・判断
　そこで、本願発明と上記刊行物発明とを対比する。
　刊行物発明では、「半導体素子が形成されている半導体基板上に絶縁膜を介してＡｌ膜を形成し」としており、Ａｌ膜を、半導体素子が形成されている半導体基板とその上の絶縁膜上に形成するものであるから、刊行物発明の「半導体素子が形成されている半導体基板」とその上の「絶縁膜」は、本願発明の「集積回路基体」に相当するものであり、又刊行物発明の「Ａｌ膜」、「ホトマスク」、「ポジ型ホトレジスト」、「下層Ａｌ配線」、「下層層間絶縁膜」、及び「ネガ型ホトレジスト」は、それぞれ本願発明の「金属膜」、「第１のマスクパターン」、「陽画型フォトレジスト」、「金属導電パターン」、「絶縁層」、及び「陰画型フォトレジスト」に相当している。
　
　してみると、両者は、「集積回路基体上に金属層を形成するステップと、第１のマスクパターンを用いて露光処理を行い陽画型フォトレジスト層を形成するステップと、エッチング処理を行うことにより前記集積回路基体上に前記第１のマスクパターンに従った金属導電パターンを形成するステップと、前記陽画型フォトレジスト層を除去するステップと、前記集積回路基体及び金属導電パターンの上に絶縁層を形成するステップと、前記第１のマスクパターンを用いて露光処理を行い陰画型フォトレジスト層を形成するステップと、等方性エッチング処理を行うステップと、前記陰画型フォトレジスト層を除去するステップと、の各ステップを有する集積回路の平坦化方法」の点で一致するものの、次の点で一応相違する。
　
相違点：本願発明の金属導電パターンを形成するステップは、等方性エッチング処理を行うことにより集積回路基体上に第１のマスクパターンに従った金属導電パターンを形成するものであるのに対し、刊行物発明は、下層Ａｌ配線を形成する際に、ホトマスクとポジ型ホトレジストのマスクを用いて、どのような方法によりＡｌ膜をエッチングするのかが不明である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。一般に、半導体基板に係るエッチング方法を大別すると、ウエットエッチングとドライエッチングの２種があるものの、ウエットエッチングの場合は等方性エッチングが代表的なエッチング方法であり、金属膜に対して等方性ウエットエッチングを行うことにより金属パターンを形成することは極めてよく知られた技術にすぎないから、刊行物発明には、下層Ａｌ配線形成時の具体的なエッチング方法が明示されていないとしても、Ａｌ膜を等方性エッチングによりエッチングして、下層Ａｌ配線を形成することは記載されているに等しいものである。よって、上記相違点は、実質的な相違点とは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明である。
　
４．まとめ
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。