【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２６４５３４５号発明「安定な低抵抗コンタクト」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６４５３４５号の請求項４０及び４３に記載された発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２６４５３４５号は、米国において１９８７年２月１９日になされた出願を基礎出願として、パリ条約による優先権を主張し、昭和６３年２月１７日に特許出願され、平成９年５月９日にその請求項１ないし５５に係る発明について特許権の設定登録がなされ、その後、平成１０年２月２４日付けで特許異議の申し立てがなされ、平成１１年３月１２日付けで、請求項１、３、４、７、１０、１５、１９、３５、４９に係る特許を取り消す決定がなされ、同決定が確定した。
　
　そして、平成１５年１２月１７日付けで請求人　沖電気工業株式会社（以下、「請求人」という。）から、本件請求項４０及び４３に係る特許について無効審判が請求され、平成１６年７月２１日付けで被請求人　アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレーテッド（以下、「被請求人」という。）より訂正請求書及び答弁書が提出され、その後、平成１６年１２月６日に請求人及び被請求人より口頭審理陳述要領書がそれぞれ提出されるとともに、同日に口頭審理がなされ、平成１６年１２月２０日付けで被請求人より上申書が提出され、さらに、平成１６年１２月２８日付けで当審から通知した訂正拒絶理由に対し、被請求人より平成１７年４月５日付けで手続補正書（訂正請求書）及び意見書が提出されたものである。
　
２．訂正請求について
２−１．平成１７年４月５日付け手続補正書（訂正請求書）（以下、「本件補正書」という。）による補正の適否
２−１−１．補正の内容
　本件補正書による補正の内容は、以下のとおりである。
（１）補正事項１
　平成１６年７月２１日付け訂正請求書に添付した訂正明細書（以下、「補正前訂正明細書」という。）の「【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】」を
　「【特許請求の範囲】」と補正する。
（２）補正事項２
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項５】　前記チタンの粘着および接触層が接合部と接触するところにＴｉＳｉｘ層が実質的に得られ、前記バリヤ層は、本質的に窒化チタンからなり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項４記載のコンタクト。」を
　「【請求項５】　前記バリヤ層は、本質的に窒化チタンからなる、請求項４記載のコンタクト。」と補正する。
（３）補正事項３
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項９】　前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記ドープされた領域のすべておよび前記側壁の大部分を覆い、かつ前記導電材料は、実質的に前記コンタクトホールを充填しかつそこに含まれ、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項１記載のコンタクト。」を
　「【請求項９】　前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記ドープされた領域のすべておよび前記側壁の大部分を覆い、かつ前記導電材料は、実質的に前記コンタクトホールを充填しかつそこに含まれる、請求項１記載のコンタクト。」と補正する
（４）補正事項４
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項１２】　前記バリヤ層は、本質的に、窒化チタンからなり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記導電材料は、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項10記載のコンタクト。」を
　「【請求項１２】　前記バリヤ層は、本質的に、窒化チタンからなる、請求項10記載のコンタクト。」と補正する。
（５）補正事項５
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項１４】　前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記ドープされた領域のすべておよび前記側壁の大部分を覆い、前記粘着および接触層は、前記バリヤ層が下にあるドープされた領域に良好に電気的に接触することを保証し、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、かつ前記導電材料は、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含み、実質的に前記コンタクトホールを充填しかつそこに含まれる、請求項10記載のコンタクト。」を
　「【請求項１４】　前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記ドープされた領域のすべておよび前記側壁の大部分を覆い、かつ前記導電材料は、実質的に前記コンタクトホールを充填しかつそこに含まれる、請求項10記載のコンタクト。」と補正する。
（６）補正事項６
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項１８】　前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記ドープされた領域のすべておよび前記側壁の大部分を覆い、前記粘着および接触層は、前記バリヤ層が下にあるドープされた領域に良好に電気的に接触することを保証し、かつ前記導電材料は、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含み、実質的に前記コンタクトホールを充填しかつそこに含まれる、請求項15記載のコンタクト。」を
　「【請求項１８】　前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記ドープされた領域のすべておよび前記側壁の大部分を覆い、かつ前記導電材料は、実質的に前記コンタクトホールを充填しかつそこに含まれる、請求項15記載のコンタクト。」と補正する。
（７）補正事項７
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２０】　前記チタンの粘着および接触層は、チタンターゲットからのスパッタリングによって析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項19記載の方法。」を
「【請求項２０】　前記チタンの粘着および接触層は、チタンターゲットからのスパッタリングによって析出される、請求項19記載の方法。」と補正する。
（８）補正事項８
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２１】　前記チタンの粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤ反応によって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項19記載の方法。」を
　「【請求項２１】　前記チタンの粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さに析出される、請求項19記載の方法。」と補正する。
（９）補正事項９
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２２】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項19記載の方法。」を
　「【請求項２２】　前記バリヤ層は、スパッタリング、CVDまたは反応性アニーリングによって析出される、請求項19記載の方法。」と補正する。
（１０）補正事項１０
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２３】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項19記載の方法。」を
　「【請求項２３】　前記バリヤ層は、タングステン、モリブデン、チタンタングステン、窒化チタン、窒化チタンタングステン、窒化タングステン、窒化５モリブデン、クロム、クロム−酸化クロム、および窒化硼素からなる群から選択される材料を含む、請求項19記載の方法。」と補正する。
（１１）補正事項１１
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２４】　前記コンタクトプラグは、さらに、導電材料としてＣＶＤによって形成されたＷＳｉｘ層を含み、前記ＷＳｉｘ層は、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項２３記載の方法。」を
　「【請求項２４】　前記バリヤ層は、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含む、請求項23記載の方法。」と補正する。
（１２）補正事項１２
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２５】　前記バリヤ層は、本質的にＣＶＤ窒化チタンからなる、請求項24記載の方法。」を
　「【請求項２５】　前記バリヤ層は、本質的に窒化チタンからなる、請求項24記載の方法。」と補正する。
（１３）補正事項１３
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２６】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、約250ないし2,000Åの厚さにコンタクトホールの底部だけでなく側壁にも析出され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項19記載の方法。」を
　「【請求項２６】　前記バリヤ層は、約250ないし2,000Åの厚さに析出される、請求項19記載の方法。」と補正する。
（１４）補正事項１４
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２７】　前記導電材料は、ＣＶＤタングステンであり、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成される、請求項19記載の方法。」を
　「【請求項２７】　前記導電材料は、タングステン、モリブデンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される、請求項19記載の方法。」と補正する。
（１５）補正事項１５
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項２８】　前記粘着および接触層、前記バリヤ層ならびに前記導電材料は、前記コンタクトホール内に含む前記絶縁層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも析出され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項19記載の方法。」を
　「【請求項２８】　前記粘着および接触層、前記バリヤ層ならびに前記導電材料は、前記コンタクトホール内に含む前記絶縁層上にブランケット析出される、請求項19記載の方法。」と補正する。
（１６）補正事項１６
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項３７】　前記バリヤ層は、本質的に、窒素を含む環境でチタンをスパッタリングすることによって形成される窒化チタンからなり、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項35記載の方法。」を
　「【請求項３７】　前記バリヤ層は、本質的に、窒素を含む環境でチタンをスパッタリングすることによって形成される窒化チタンからなる、請求項35記載の方法。」と補正する。
（１７）補正事項１７
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項３８】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、スパッタリング、ＣＶＤまたは反応性アニーリングによって、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項35記載の方法。」を
　「【請求項３８】　前記バリヤ層は、スパッタリング、CVDまたは反応性アニーリングによって形成される、請求項35記載の方法。」と補正する。
（１８）補正事項１８
　補正前訂正明細書の特許請求の範囲の「【請求項３９】　前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、約250ないし2,000Åの厚さにコンタクトホールの底部だけでなく側壁にも析出され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンを含む、請求項35記載の方法。」を
　「【請求項３９】　前記バリヤ層は、約250ないし2,000Åの厚さに析出される、請求項35記載の方法。」と補正する。
　
２−１−２．補正の可否についての判断
（１）補正事項１について
　補正事項１は、「【特許請求の範囲】」の記載が重複しているのを、訂正前の重複していない記載に戻すための補正であり、この補正は、訂正事項の削除に該当するから、補正事項１による補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではない。
（２）補正事項２ないし１８について
　補正事項２ないし１８は、請求項５、９、１２、１４、１８、２０ないし２８、３７ないし３９の記載を訂正前に戻すための補正であり、請求項５、９、１２、１４、１８、２０ないし２８、３７ないし３９についての訂正事項の削除に該当するから、補正事項２ないし１８による補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではない。
　
　以上のとおり、補正事項１ないし１８による補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１３１条第２項の規定に適合するので、当該補正を認める。
　
２−２．本件補正書により補正された平成１６年７月２１日付け訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）において、被請求人が求める訂正の内容について
２−２−１．訂正の内容
　上記２−１．で示したように、本件補正書による補正は認められるから、本件訂正請求書に添付した訂正明細書における訂正の内容は、以下のとおりである。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の「【請求項３６】　前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さに析出される、請求項35記載の方法。」を
　「【請求項３６】　前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項35記載の方法。」と訂正する
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の「【請求項４０】　前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出される、請求項35記載の方法。」を
　「【請求項４０】　前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、請求項35記載の方法。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の「【請求項４６】　前記タングステンプラグは、ＷＬ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、請求項45記載の方法。」を
　「【請求項４６】　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、請求項45記載の方法。」と訂正する。
　
２−２−２．訂正の可否についての判断
２−２−２−１．訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａ
　訂正事項ａは、「前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さに析出され」を「前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され」と訂正すること（訂正事項ａ−１）と、「析出される、」を「析出され、」と訂正すること（訂正事項ａ−２）と、「前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」を「前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、」の後に追加すること（訂正事項ａ−３）と、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、」を「前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」の後に追加すること（訂正事項ａ−４）に区分できる。
（訂正事項ａ−１について）
　訂正事項ａ−１は、「チタン粘着および接触層」が、「ブランケット析出され」ることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　本件特許明細書には、「【請求項４０】前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出される、請求項35記載の方法。」と記載されており、この請求項４０は、請求項３５を引用している。
　ここで、請求項４０には、「前記粘着層」と記載されているが、本件特許明細書の請求項３５（ただし、請求項３５に係る発明についての特許は、平成１１年３月１２日付けの「異議の決定」で取り消されている。）には、「粘着層」という語句は記載されておらず、「チタンの粘着および接着層」及び「前記粘着および接着層」という語句が記載されているから、請求項４０の「前記粘着層」は、「前記粘着および接着層」の誤記であると認められるところ、これら請求項３５及び請求項４０の記載から、チタンの粘着および接触層は、ブランケット析出されるものと認められる。
　そして、請求項３６及び請求項４０は、いずれも請求項３５を引用しているから、請求項３６の「チタン粘着および接触層」が、「ブランケット析出され」ることは、請求項３５及び請求項４０の記載から明らかである。
　よって、訂正事項ａ−１については、新規事項の追加に該当しない。
（訂正事項ａ−２について）
　訂正事項ａ−２は、「前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さに析出される、」の後に「前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、」を追加するために、「析出される、」を「析出され、」と訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（訂正事項ａ−３について）
　訂正事項ａ−３は、請求項３６が引用する請求項３５の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層」が、「コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され」ることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項ａ−３については、本件特許明細書の「・・・Ti/TiN膜は、バイアの底部だけでなく側壁にも形成される。」（特許公報第９頁左欄第１３〜１４行）の記載から明らかであり、新規事項の追加に該当しない。
（訂正事項ａ−４について）
　訂正事項ａ−４は、請求項３６が引用する請求項３５の「コンタクトプラグ」が、「導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する」ことを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項ａ−４については、本件特許明細書の「層22は、等角析出可能な導電材料を含む。そのような材料の好ましい例は、CVDまたはバイアススパッタリングされたタングステンまたはモリブデンあるいはその場的にドープされたCVDポリシリコンを含む。」（特許公報第７頁右欄第４８行〜第８頁左欄第１行）、及び、「バリヤ層20の析出後、WSiｘまたはシリコンの任意の層21は、CVDタングステンにとって典型的な態様でCVDによって析出されてもよい。そのような層21の部分は、第1C図（点線）に描かれている。」（特許公報第７頁右欄第４３〜４６行）との記載から明らかであり、新規事項の追加に該当しない。
　したがって、訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、「前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出される、」を「前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、」と訂正すること（訂正事項ｂ−１）、「前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」を「前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、」の後に追加すること（訂正事項ｂ−２）と、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、」を「前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、」の後に追加すること（訂正事項ｂ−３）に区分できる。
（訂正事項ｂ−１について）
　訂正事項ｂ−１は、「前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出される、」の後に「前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、」を追加するために、「析出される、」を「析出され、」と訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（訂正事項ｂ−２について）
　訂正事項ｂ−２は、「バリヤ層」が、「窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され」ることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項ｂ−２は、本件特許明細書の「・・・Ti/TiN膜は、バイアの底部だけでなく側壁にも形成される。」（特許公報第９頁左欄第１３〜１４行）、及び、「適当なバリヤ材料の例は、・・・好ましくは、バリヤ材料は、その優れたバリヤ特性のため、窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンまたは窒化硼素を含む。」（特許公報第７頁右欄第１７〜２５行）との記載から明らかであり、新規事項の追加に該当しない。
（訂正事項ｂ−３について）
　訂正事項ｂ−３は、請求項４０が引用する請求項３５の「前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグ」が、「導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む」ことを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項ｂ−３については、本件特許明細書の「層22は、等角析出可能な導電材料を含む。そのような材料の好ましい例は、CVDまたはバイアススパッタリングされたタングステンまたはモリブデンあるいはその場的にドープされたCVDポリシリコンを含む。」（特許公報第７頁右欄第４８行〜第８頁左欄第１行）、及び、「・・・タングステンの選択プラグ形の析出物32は、ホールでのWF６＋H２のCVD反応によって形成される。」（特許公報第８頁右欄第８〜１０行）との記載から明らかであり、新規事項の追加に該当しない。
　したがって、訂正事項ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項ｃ
　訂正事項ｃは、「前記タングステンプラグは、ＷＬ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」を、「前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」と訂正するもの、すなわち、「ＷＬ６」を「ＷＦ６」と訂正するものであり、この訂正は、本件特許明細書の「・・・タングステンの選択プラグ形の析出物３２は、ホールでのＷＦ６＋Ｈ２のＣＶＤ反応によって形成される。」（特許公報第８頁右欄第８〜１０行）との記載から、誤記の訂正を目的とすることは明らかである。
　したがって、訂正事項ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２−２−２−２．独立特許要件
＜特許法第２９条第２項について＞
（１）訂正後の各請求項に係る発明
　本件請求項４０に係る特許は、無効審判が請求されているので、訂正された請求項３６、４０、４６に係る発明のうち、無効審判が請求されていない請求項３６、４６に係る発明について、独立特許要件の有無を検討する。
　
　平成１１年３月１２日付けの「異議の決定」で取り消された請求項３５に係る発明及び訂正された請求項３６に係る発明は、以下のとおりである。
　「【請求項３５】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成される、方法。
　　【請求項３６】　前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、請求項35記載の方法。」
　
　また、請求項４４、４５に係る発明及び訂正後の請求項４６に係る発明は、以下のとおりである。
　「【請求項４４】　（ａ）前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記絶縁層上にかつ前記コンタクトホール内に析出され、（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去する、請求項35記載の方法。
　　【請求項４５】　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にＣＶＤ析出される、請求項44記載の方法。
　　【請求項４６】　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、請求項45記載の方法。」
　
　そして、訂正された請求項３６に係る発明は、請求項３５を引用しており、また、訂正された請求項４６に係る発明は、請求項４５を引用し、請求項４５に係る発明は、請求項４４を引用し、さらに、請求項４４に係る発明は、請求項３５を引用しているから、訂正された請求項３６に係る発明及び訂正された請求項４６に係る発明は、以下のとおりであるものと認められる。
　〔訂正された請求項３６に係る発明〕「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され、
　前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンとの間に存在する、方法。」（以下、「訂正発明１」という。）
　〔訂正された請求項４６に係る発明〕「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され、
　（ａ）前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記絶縁層上にかつ前記コンタクトホール内に析出され、（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去し、
　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にＣＶＤ析出され、
　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される、方法。」（以下、「訂正発明２」という。）
　
（２）刊行物に記載された発明
（ａ）刊行物１：特開昭６１−３５５１７号公報（請求人が提出した甲第２号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物１は、「半導体装置の形成方法」（発明の名称）に関するものであって、第５図〜第８図とともに、以下の点が記載されている。
　「本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体基板上に形成された半導体領域と配線層との間に高い信頼性をもつ微細面積のコンタクトを形成する方法に関する。」（第１頁右下欄第１６〜１９行）
　「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤーメタル）を形成する方法が注目されている。
　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)〜(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）
　「本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体層に対しても接合特性を劣化させることなく、配線層と拡散層との間のオーミックコンタクトを低抵抗とすると共に、信頼性を高めることを目的とする。」（第２頁右下欄第３〜７行）
　「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属の形成に先立ち、金属膜を形成し、続いて、障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。
　すなわち、本発明は、拡散層の形成された基板表面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜にコンタクト用の窓明けを行い、この窓内にコンタクト用電極を形成するにあたり、まず、金属膜を形成し、続いて窒化金属膜を形成し、該窒化金属膜の上層にコンタクト用の電極を形成することを特徴とするものである。
　このように、拡散層と障壁金属としての窒化金属膜との間に金属膜を介在させた場合にも、該窒化金属膜の障壁金属としての特性は変化せず、金属膜の存在によって窒化金属膜の内部応力を緩和できるため密着性が高められると共に、後続する熱処理工程において、該金属膜が、拡散層上に生成される自然酸化膜と反応することにより、拡散層とコンタクト用の電極との電気的接触を良好に保つことが可能となる。
〔発明の効果〕
　従って、本発明によれば、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体領域に対しても、障壁金属の存在によって、電極と半導体領域との界面反応が抑制され、また電極形成後の熱処理による接合破壊を確実に防止することができると同時に、低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを形成することが可能となる。」（第３頁左上欄第４行〜同頁右上欄第１２行）
　「まず、第６図に示す如く、Ｐ型シリコン基板３１上に、砒素をイオン注入することによって形成されたＰＮ接合深さＸ＝０．１μｍのＮ＋型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化シリコン膜を堆積し、これにフォトリソエッチング法により、コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。
　次いで、アルゴン雰囲気中でスパッタリングを行い、前記Ｐ型シリコン基板表面全体に第７図に示す如く、チタン（Ｔｉ）膜３４を形成する。このとき、基板温度は２０〜３００℃、アルゴンの圧力は３×１０−３Ｔｏｒｒとし、膜厚１００Åのチタン膜３４を得た後、一担、スパッタリングを停止する。
　続いて、真空を破ることなく、該スパッタリング装置内に窒素ガスを導入し、アルゴンの分圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、窒素の分圧３×１０−４〜６×１０−４Ｔｏｒｒとし、基板温度２０〜３００℃の条件下で、再びスパッタリングを行い、第８図に示す如く膜厚１０００Åの窒化チタン膜３５を形成する。
　更に、基板表面全体にアルミニウム膜３６を蒸着法によって形成する。そして、このようにして得られたチタン膜３４、窒化チタン膜３５、アルミニウム膜３６からなる３層膜を、フォトリソエッチング法により、同時にパターニングする。この後、フォーミングガス雰囲気中で２０分間にわたり、４５０℃の熱処理を行うことにより、第５図に示したようなコンタクト用電極および電極配線層が完成される。」（第４頁左上欄第６行〜同頁右上欄第１３行）
　
　そして、刊行物１に記載された発明の「チタン膜」及び「窒化チタン膜」は、第７図、第８図及びこれらの図面に関する記載から、コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成されていることは明らかである。
　
　よって、刊行物１には、
　「半導体装置に低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを製作する方法であって、
（ａ）Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成し、
（ｂ）前記Ｎ＋型シリコン拡散層の表面全体を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し、
（ｃ）前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し、
（ｄ）前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）続いて、窒化チタン膜を形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成し、
　前記チタン膜は、１００Åの厚さにスパッタリングにより形成され、前記窒化チタン膜は、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」（以下、「刊行物発明１−１」という。」）、及び、
「半導体装置に低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを製作する方法であって、
（ａ）Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成し、
（ｂ）前記Ｎ＋型シリコン拡散層の表面全体を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し、
（ｃ）前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し、
（ｄ）前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）続いて、窒化チタン膜を形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成する、方法。」（以下、「刊行物発明１−２」という。）が記載されている。
　
（ｂ）刊行物２：特開昭６１−５１９１７号公報（請求人が提出した甲第５号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物２には、以下の点が記載されている。
　「本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にシリコン基板面のコンタクトホールに形成する接続配線に関する。」（第１頁左下欄第１１〜１３行）
　「近年、半導体集積回路のパターンの緻密化に伴い、コンタクトホールの形状が微小になり、このコンタクトホールの底部にある導電性基板からの接続配線として、通常アルミニウムの配線がなされているが、このアルミニウムがコンタクトホールに完全に充填されないため、接続配線が不完全になる恐れがあり、これに関する改善が要望されている。」（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行）
　「第２図（ａ）はシリコン基板１０の表面に形成されたｎの拡散層１１と、このｎの拡散層１１とＰ−Ｎ接続されるｐ＋の拡散層１２があり、又同一基板上に、ｎ＋の拡散層１３があり、フィールド酸化物１４があって、絶縁物である燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）１５がそれぞれの領域を絶縁しており、ゲート酸化膜１６の上にはポリシリコンゲート１７が形成され、コンタクトホール１８があるものとする。
　第２図（ｂ）は、このシリコン基板面に白金又はパラジウムの金属膜１９を形成したものであり、第２図（ｃ）はこの白金又はパラジュームの膜を形成したシリコン基板を熱処理してコンタクトホール１８の底部に白金シリサイド又はパラジウムシリサイド等のシリサイド膜２０を形成する。
　ＰＳＧ１５の表面の白金又はパラジュームの膜はシリコンが無いのでシリサイドは形成されない。
　第２図（ｄ）はＰＳＧ１５の表面の白金又はパラジュームの膜をエッチングによって除去した状態であり、第２図（ｅ）はこのコンタクトホールの部分のみにタングステン２１を選択的にＣＶＤ方法により、コンタクトホールの深さが埋まる程度の厚みで埋め込み行ったものである。」（第２頁左下欄第３行〜同頁右下欄第４行）
　
（ｃ）刊行物３：Suresh Sachdev and Sunil D. Mehta,“TUNGSTEN INTERCONNECTS IN VLSI”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,1986,p.161-171（請求人が提出した甲第３号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物３には、以下の点が記載されている。
　「ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウムおよびアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線である。ブランケットの抵抗率は、８〜１２μΩｃｍの範囲（使用されるスキーム［成膜条件］による）であり、それはアルミニウムの抵抗率の３〜４倍である。ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有しており、その結果、１μのタングステン膜を用いて異方性エッチングで形成された１μ×１μのコンタクトを完全に充填する。サンプル・シミュレーションによれば、これらのコンタクト形状においては、スパッタされたＡｌＳｉのステップ・カバレッジが非常に劣っており、一方ＣＶＤタングステンの場合はコンタクトの完全な平坦性が達成されている（図１参照）。この点は、ブランケットＣＶＤタングステンを使うことによって、１．２μ×１．２μのコンタクトを平坦化した図２のＳＥＭ写真にも示されている。」（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文）
　
（ｄ）刊行物４：K. Suguro et al.,“High Aspect Ratio Hole Filling with CVD Tungsten for Multi-level Interconnection”,Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS,１９８６年８月２０日,p.503-506（請求人が提出した参考資料１）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物４には、以下の点が記載されている。
　「加熱したサセプタのあるＬＰＣＶＤ［低圧ＣＶＤ］コールドウォールリアクタ中で、 選択的及び非選択的にタングステンまたはタングステンシリサイドを堆積した。サンプルは装置に配置する前の最後に１％のＨＦ溶液に浸した。下記のような４種類の反応を行なった。
　
　　　2WF６ + 3Si　 →　2W + 3SiF４　　　　(1)
　　　2WF６ + 3H２　→　2W + 6HF　　　　　(2)
　　　WF６ + 3/2SiH４ → W + 3/2SiF４ + H２　 (3)
　　　WF６ + 2SiH４　→ WSi２ +6HF + H２　　　(4)」（第５０３頁左欄第２３行〜同頁右欄第６行の訳文）
　「最後に反応（２）又は（３）により約１μｍのブランケットタングステンを成膜した。」（第５０３頁右欄第１５〜１６行の訳文）
　「タングステンは６５０℃以上ではシリコンと反応してタングステンシリサイドを生成することが知られている。タングステンシリサイドの生成を抑えるために、 タングステンとシリコンの間にＴｉＮ／ＴｉＳｉ２障壁層を入れた。窒化による自由エネルギーの減少はタングステンよりもチタンの方が大きいので、Ｗ／ＴｉＮ界面は安定となる。」（第５０４頁左欄第２７〜３２行の訳文）
　
（ｅ）刊行物５：David W. Woodruff et al.,“ADHESION OF NON-SELECTIVE CVD TUNGSTEN TO SILICON DIOXIDE”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,Materials Research Society発行,1986,p.173-183（請求人が提出した参考資料２、被請求人が提出した乙第７号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物５には、以下の点が記載されている。
　「非選択又はブランケットタングステンは、化学気相成長法（ＣＶＤ）によって、二酸化シリコン及び窒化シリコンを含むウェハーの全表面上に成膜されたタングステン薄膜である。」（第１７３頁第１６〜１９行の訳文）
　「４５０℃、全圧１．５ｔｏｒｒでＷＦ６とＨ２からコールドウォール反応室中においてＣＶＤタングステン膜が成膜された。」（第１７８頁第２３〜２５行の訳文）
　
（ｆ）刊行物６：D.C. PAINE et al.,“MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF LPCVD TUNGSTEN INTERFACES”,1985 Materials Research Society,1986,p.117-123（被請求人が提出した乙第２号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物６には、以下の点が記載されている。
　「パターン化されたウエハに加えて、無処理のシリコンウエハ上にタングステンをブランケット析出したものを作製した。タングステンの堆積はすべて、３インチのホットウォールＬＰＣＶＤ反応器内で行った。反応器内の全圧は、０．２５トールに維持された。堆積温度は、３００℃で、ガス流量は、ＷＦ６が１０ｃｃ／ｍｉｎでＨ２が７５ｃｃ／ｍｉｎであった。」（第１１８頁第２６〜２９行の訳文）
　
（ｇ）刊行物７：S. Ogawa et al.,“THERMALLY STABLE W/SILICIDE/Si CONTACT”,International Electron Devices Meeting, 1986 technical digest,１９８６年１２月７日,p.62-65（請求人が提出した参考資料３）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物７には、以下の点が記載されている。
　「タングステンは、高融点金属の中では最も抵抗が低く、しかも化学的に安定性を有するため、配線材としては魅力的である。しかし、Ｗ／Ｓｉの直接接触を伴う系では６５０℃以上ではタングステンのシリサイド化反応が起こるため熱安定性がない。」（第６２頁左欄下から５行〜末行の訳文）
　「タングステン配線が熱アニーリング中にさらにシリサイド化するのを防ぐため、タングステン配線とＴｉＳｉ２層の間にＴｉＮ拡散障壁層を使った。ＴｉＮ層はＴｉＳｉ２層の窒化によって形成された。」（第６３頁左欄第１１〜１４行の訳文）
　
（ｈ）刊行物８：特開昭６１−２４８４４２号公報（請求人が提出した甲第４号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物８には、以下の点が記載されている。
　「本発明は半導体素子用の電極配線に係り、特に微小接続孔を有する半導体素子に好適な電極配線に関する。」（第１頁左下欄第１３〜１５行）
　「第２図に示すようにＳｉ基板１の表面に酸化膜６，拡散層２を形成した後、絶縁膜層３を形成し、パターンニングしたフオトレジスト層４をマスクとして、絶縁膜層３に接続孔７をエツチングにより開孔させた。フオトレジストパターン４を残したまま、基板上にＴｉ膜を電子ビーム加熱蒸着法により３０ｎｍ厚被着させ、リフトオフ法により、レジスト上のＴｉ膜を除去して、接続孔７の内部にのみＴｉ膜５′を残した。この基板にＷをCVD法により選択的に被着させ接続孔７の内部にのみＷ層８を形成した後、Ａｌ層９を設けた（第１図）。」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第８行）
　
（３）対比・判断
（ａ）訂正発明１について
　訂正発明１と刊行物発明１−１とを対比する。
（ア）刊行物発明１−１の「Ｐ型シリコン基板」、「酸化シリコンの絶縁膜」は、それぞれ訂正発明１の「シリコン基板」、「二酸化シリコンの絶縁層」に相当する。
（イ）刊行物１には、「ところで集積回路の高速化と高集積化は素子の微細化によって実現される。」（第２頁左欄第７〜８行）と記載されているから、刊行物発明１−１の「半導体装置」が、「集積回路」に用いられることは明らかである。
　よって、刊行物発明１−１の「半導体装置」は、訂正発明１の「集積半導体回路」に相当する。
（ウ）刊行物発明１−１の「低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクト」は、信頼性が高いことから、特性が安定していることは明らかである。
　よって、刊行物発明１−１の「低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクト」は、訂正発明１の「安定な低抵抗コンタクト」に相当する。
（エ）刊行物発明１−１の「Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによって」形成された「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、シリコン基板に砒素をドープすることにより設けられた領域であることは明らかであるから、刊行物発明１−１の「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、訂正発明１の「ドープされた領域」に相当し、また、刊行物発明１−１の「Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成」することは、訂正発明１の「シリコン基板にドープされた領域を設け」ることに相当する。
（オ）刊行物発明１−１の「酸化シリコンの絶縁膜」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の周囲の基板も覆っていることは明らかである。
　よって、刊行物発明１−１の「前記Ｎ＋型シリコン拡散層の全体表面を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し」は、訂正発明１の「周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し」に相当する。
（カ）本件特許明細書の「コンタクトホール16（すなわちバイア）は、パターン化されかつドープされた領域およびポリシリコンゲートまで下方にエッチングされる。」（特許公報第７頁左欄第３５〜３７行）及び第１Ａ図の記載から、「コンタクトホール」は、「二酸化シリコンの絶縁層」に形成されていると認められるから、訂正発明１の「前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成」することは、「前記二酸化シリコンの絶縁層に実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成」することを意味するものである。
　そして、刊行物発明１−１の「コンタクト用の窓」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の選択された領域の部分を露出し、かつ、「絶縁膜」の壁によって規定されることは明らかである。
　また、刊行物１の「Ｎ＋型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化シリコン膜を堆積し、これにフォトリソエッチング法により、コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。」（第４頁左上欄第８〜１１行）及び第６図の記載から、刊行物発明１−１の「コンタクト用の窓」は、実質的に均一な大きさになっていると認められる。
　よって、刊行物発明１−１の「コンタクト用の窓」は、訂正発明１の「コンタクトホール」に相当し、また、刊行物発明１−１の「前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し」は、訂正発明１の「前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは絶縁層の壁によって規定され」に相当する。
（キ）刊行物発明１−１の「チタン膜」は、刊行物１の第７図の記載から、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。
　また、刊行物１には、「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。」（第３頁左上欄第４〜８行）と記載されている。
　一方、本件特許明細書には、「この発明に従って、チタンの薄い層18は、コンタクトホール16に形成され、次の層が、下にあるドープされた領域および／またはポリシリコンに良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証する。次にバリヤ材料からなる幾分厚い層20は、粘着及び接触層18上を被って形成される。」（特許公報第７頁左欄第４７行〜同頁右欄第２行）、「適当なバリヤ材料の例は、・・・窒化チタン・・・を含む。」（特許公報第７頁右欄第１７〜２２行）と記載されており、両者は同様の層構造となっているから、刊行物発明１−１の「チタン膜」は、次の層である「窒化チタン膜」が、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証することは明らかである。
　よって、刊行物発明１−１の「チタン膜」は、訂正発明１の「チタンの粘着および接触層」に相当し、また、刊行物発明１−１の「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし」は、訂正発明１の「下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし」に相当する。
（ク）刊行物１には、「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤ−メタル）を形成する方法が注目されている。
　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)から(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）と記載されているから、刊行物発明１−１の「窒化チタン膜」が、バリヤ層として機能することは明らかである。
　また、刊行物発明１−１の「窒化チタン膜」は、刊行物１の第７図の記載から、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。
　よって、刊行物発明１−１の「窒化チタン膜」は、訂正発明１の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層」に相当し、また、刊行物発明１−１の「続いて、窒化チタン膜を形成し」は、訂正発明１の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し」に相当する。
（ケ）刊行物１の第５図には、刊行物発明１−１の「アルミニウム膜」が、コンタクト用の窓を実質的に充填することが示唆されており、また、同第５図の記載から、刊行物発明１−１の「アルミニウム膜」は、窒化チタン膜に接触していることは明らかであるから、刊行物発明１−１の「アルミニウム膜」は、訂正発明１の「コンタクトホールを実質的に充填しかつバリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグ」に相当し、また、刊行物発明１−１の「更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成」することは、訂正発明１の「前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成」することに相当する。
（コ）刊行物発明１−１の「チタン膜」は、「スパッタリングにより形成され」ること、及び、刊行物１の第７図の記載から、全面に析出されること、すなわち、ブランケット析出されることは明らかである。
　また、刊行物発明１−１の「チタン膜」の膜厚「１００Å」は、訂正発明１の「チタン粘着および接触層」の膜厚「約100ないし800Å」と重複している。
　よって、刊行物発明１−１の「前記チタン膜は、１００Åの厚さにスパッタリングにより形成され」は、訂正発明１の「前記チタン粘着および接着層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され」に相当する。
（サ）訂正発明１には、「前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」と記載されているが、「コンタクトプラグ」については、訂正発明１において、さらに、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘとを含み」とも記載されているから、「コンタクトプラグ」が、「ドープされたポリシリコンからなる」「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」る構成は、訂正発明１には含まれない。
　
　したがって、両者は、
　「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、
　前記チタン粘着および接触層は、約100ないし800Åの厚さにブランケット析出され、前記バリヤ層は、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　訂正発明１が、窒化チタンからなる材料を含む「バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンの間に存在」しているのに対して、刊行物発明１−１は、「窒化チタン膜を形成し」、「更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成」している点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物２ないし刊行物８には、訂正発明１の構成要素である、窒化チタンからなる材料を含む「バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＣＶＤによって形成されたタングステンとＷＳｉｘ層とを含み、前記ＷＳｉｘ層が、前記バリヤ層と前記ＣＶＤタングステンの間に存在」することが、記載も示唆もされていないから、訂正発明１は、刊行物発明１−１に刊行物２ないし刊行物８に記載された発明を組み合わせても、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。
　また、刊行物１ないし刊行物８に記載された発明をどのように組み合わせても、訂正発明１は導き出せない。
　
　よって、訂正発明１は、刊行物１ないし刊行物８に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものではないから、特許法第２９条第２項の規定に違反したものとはいえない。
　また、その他に、訂正発明１について、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由もない。
　
（ｂ）訂正発明２について
　訂正発明２と刊行物発明１−２とを対比すると、両者は、上記「（ａ）訂正発明１について」における、訂正発明１と刊行物発明１−１との対比の（ア）〜（ケ）と同様のことがいえる（ただし、「訂正発明１」を「訂正発明２」と読み替え、また、「刊行物発明１−１」を「刊行物発明１−２」と読み替える。）。
（コ）刊行物発明１−２の「チタン膜」ならびに「窒化チタン膜」は、刊行物１の第８図の記載から、「絶縁膜」上にかつ「コンタクト用の窓」内に析出されることは明らかである。
（サ）訂正発明２には、「前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」と記載されているが、「コンタクトプラグ」については、訂正発明２において、さらに、「前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」とも記載されているから、「コンタクトプラグ」が、「ドープされたポリシリコンからなる」「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」る構成は、訂正発明２には含まれない。
　
　したがって、両者は、
　「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、
　（ａ）前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層は、前記絶縁層上にかつ前記コンタクトホール内に析出される、方法」の点で一致し、以下の点で相違する。
　訂正発明２が、「前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去し、
　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にＣＶＤ析出され、
　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」工程を有しているのに対して、刊行物発明１−２は、これらの工程を有していない点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物２ないし刊行物８には、訂正発明２の構成要素である、「前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「（ｂ）レジスト層は、前記コンタクトホールを実質的に完全に充填するのに十分前記バリヤ層上にかつ前記コンタクトホール内にブランケット析出され、（ｃ）前記レジストおよび前記バリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層を露出するためにブランケットエッチングされ、前記コンタクトホールにレジストのプラグを残しかつそれによって前記粘着および接触層ならびに前記バリヤ層を前記ドープされた領域の表面および少なくとも前記コンタクトホールの前記壁の部分に沿って保持し、かつ（ｄ）レジストの前記プラグを前記コンタクトホールから除去し、
　タングステンは、導電材料の前記コンタクトプラグを形成するために、前記コンタクトホールにのみ選択的にＣＶＤ析出され、
　前記タングステンプラグは、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって選択的に形成される」工程が、記載も示唆もされていないから、訂正発明２は、刊行物発明１−２に刊行物２ないし刊行物８に記載された発明を組み合わせても、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。
　また、刊行物１ないし刊行物８に係る発明をどのように組み合わせても、訂正発明２は導き出せない。
　
　よって、訂正発明２は、刊行物１ないし刊行物８に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものではないから、特許法第２９条第２項の規定に違反したものとはいえない。
　また、その他に、訂正発明２について、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由もない。
　
２−３．まとめ　
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるものとされた同法［第１条の規定］による改正（以下、「平成６年改正」という。）前の特許法第１３４条第２項ただし書きに適合し、また、特許法等の一部を改正する法律（平成１５年法律第４７号）附則第２条第７項の規定によりなお従前の例によるものとされた同法［第１条の規定］による改正（以下、「平成１５年改正」という。）前の特許法第１３４条第５項において準用する平成６年改正前の特許法第１２６条第２項の規定に適合し、さらに、平成１５年改正前の特許法第１３４条第５項において読み替えて準用する平成６年改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．当事者の主張等
　請求人は、本件特許第２６４５３４５号の請求項４０に係る発明および請求項４３に係る発明のいずれも、引用発明１（甲第２号証）および周知技術または引用発明２（甲第３号証）に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項４０に係る発明および請求項４３に係る発明についての特許は、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである旨主張し、証拠方法として、甲第２号証ないし甲第５号証を提出するとともに、平成１６年１２月６日付け口頭審理陳述要領書に添付した参考資料１ないし参考資料３を提出している。
　
　甲第２号証　特開昭６１−３５５１７号公報
　甲第３号証　Suresh Sachdev and Sunil D. Mehta,“TUNGSTEN INTERCONNECTS IN VLSI”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,1986,p.161-171
　甲第４号証　特開昭６１−２４８４４２号公報
　甲第５号証　特開昭６１−５１９１７号公報
　参考資料１　K. Suguro et al.,“High Aspect Ratio Hole Filling with CVD Tungsten for Multi-level Interconnection”,Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS,１９８６年８月２０日,p.503-506
　参考資料２　David W. Woodruff et al.,“ADHESION OF NON-SELECTIVE CVD TUNGSTEN TO SILICON DIOXIDE”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,Materials Research Society発行,1986,p.173-183
　参考資料３　S. Ogawa et al.,“THERMALLY STABLE W/SILICIDE/Si CONTACT”,International Electron Devices Meeting, 1986 technical digest,１９８６年１２月７日,p.62-65
　
　一方、被請求人は、本件請求項４０及び請求項４３に係る特許発明は、引用発明１及び周知技術または引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、本件審判の請求は、成り立たない。本件審判の請求費用は、請求人の負担とするとの審決を求める旨主張し、証拠方法として、乙第１号証ないし乙第６号証を提出するとともに、平成１６年１２月６日付け口頭審理陳述要領書に添付した乙第７号証を提出している。
　
　乙第７号証　David W. Woodruff et al.,“ADHESION OF NON-SELECTIVE CVD TUNGSTEN TO SILICON DIOXIDE”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,Materials Research Society発行,1986,p.173-183
　
４．本件特許発明
　請求人が無効を主張する本件特許第２６４５３４５号の請求項４０、４３に係る特許は、平成１７年４月５日付けの手続補正書（訂正請求書）により補正された、平成１６年７月２１日付けの訂正請求書に添付された全文訂正明細書の請求項４０、４３に係る特許に対応するものであるところ、平成１１年３月１２日付けの「異議の決定」で取り消された請求項３５に係る発明及び訂正された請求項４０に係る発明は、以下のとおりである。
　「【請求項３５】　集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成される、方法。」
　「【請求項４０】　前記粘着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、請求項35記載の方法。」
　
　ここで、訂正された請求項４０には、「前記粘着層」と記載されているが、この訂正された請求項４０が引用する請求項３５には、「粘着層」という語句は記載されておらず、「チタンの粘着および接着層」及び「前記粘着および接着層」という語句が記載されているから、訂正された請求項４０の「前記粘着層」は、「前記粘着および接着層」の誤記であると認められる。
　
　そして、訂正された請求項４０に係る発明は、請求項３５を引用しているから、訂正された請求項４０に係る発明及び請求項４３に係る発明は、以下のとおりであるものと認められる。
　〔訂正された請求項４０に係る発明〕「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され、
　前記粘着および接着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成され、前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む、方法。」（以下、「本件特許発明１」という。）
　「【請求項４３】　前記導電材料はタングステンを含み、かつ前記導電材料および前記下にあるバリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層の部分を露出するためにパターン化されかつエッチングされ、配線領域を形成する前記導電材料および前記バリヤ層ならびに前記粘着および接触層の規定されたパターンを残し、前記配線領域は少なくとも部分的に前記コンタクトホールの上にある、請求項40記載の方法。」（以下、「本件特許発明２」という。）」
　
５．当審の判断
５−１．請求人の提出した証拠方法及びその記載事項
（ａ）刊行物１：特開昭６１−３５５１７号公報（請求人が提出した甲第２号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物１は、「半導体装置の形成方法」（発明の名称）に関するものであって、第５図〜第８図とともに、以下の点が記載されている。
　「本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体基板上に形成された半導体領域と配線層との間に高い信頼性をもつ微細面積のコンタクトを形成する方法に関する。」（第１頁右下欄第１６〜１９行）
　「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤーメタル）を形成する方法が注目されている。
　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)〜(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）
　「本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体層に対しても接合特性を劣化させることなく、配線層と拡散層との間のオーミックコンタクトを低抵抗とすると共に、信頼性を高めることを目的とする。」（第２頁右下欄第３〜７行）
　「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属の形成に先立ち、金属膜を形成し、続いて、障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。
　すなわち、本発明は、拡散層の形成された基板表面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜にコンタクト用の窓明けを行い、この窓内にコンタクト用電極を形成するにあたり、まず、金属膜を形成し、続いて窒化金属膜を形成し、該窒化金属膜の上層にコンタクト用の電極を形成することを特徴とするものである。
　このように、拡散層と障壁金属としての窒化金属膜との間に金属膜を介在させた場合にも、該窒化金属膜の障壁金属としての特性は変化せず、金属膜の存在によって窒化金属膜の内部応力を緩和できるため密着性が高められると共に、後続する熱処理工程において、該金属膜が、拡散層上に生成される自然酸化膜と反応することにより、拡散層とコンタクト用の電極との電気的接触を良好に保つことが可能となる。
〔発明の効果〕
　従って、本発明によれば、微細で浅いＰＮ接合をもつ半導体領域に対しても、障壁金属の存在によって、電極と半導体領域との界面反応が抑制され、また電極形成後の熱処理による接合破壊を確実に防止することができると同時に、低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを形成することが可能となる。」（第３頁左上欄第４行〜同頁右上欄第１２行）
　「まず、第６図に示す如く、Ｐ型シリコン基板３１上に、砒素をイオン注入することによって形成されたＰＮ接合深さＸ＝０．１μｍのＮ＋型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化シリコン膜を堆積し、これにフォトリソエッチング法により、コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。
　次いで、アルゴン雰囲気中でスパッタリングを行い、前記Ｐ型シリコン基板表面全体に第７図に示す如く、チタン（Ｔｉ）膜３４を形成する。このとき、基板温度は２０〜３００℃、アルゴンの圧力は３×１０−３Ｔｏｒｒとし、膜厚１００Åのチタン膜３４を得た後、一担、スパッタリングを停止する。
　続いて、真空を破ることなく、該スパッタリング装置内に窒素ガスを導入し、アルゴンの分圧３×１０−３Ｔｏｒｒ、窒素の分圧３×１０−４〜６×１０−４Ｔｏｒｒとし、基板温度２０〜３００℃の条件下で、再びスパッタリングを行い、第８図に示す如く膜厚１０００Åの窒化チタン膜３５を形成する。
　更に、基板表面全体にアルミニウム膜３６を蒸着法によって形成する。そして、このようにして得られたチタン膜３４、窒化チタン膜３５、アルミニウム膜３６からなる３層膜を、フォトリソエッチング法により、同時にパターニングする。この後、フォーミングガス雰囲気中で２０分間にわたり、４５０℃の熱処理を行うことにより、第５図に示したようなコンタクト用電極および電極配線層が完成される。」（第４頁左上欄第６行〜同頁右上欄第１３行）
　
　そして、刊行物１に記載された「チタン膜」及び「窒化チタン膜」は、第７図、第８図及びこれらの図面に関する記載から、コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成又は析出されていることは明らかである。
　
　よって、刊行物１には、
　「半導体装置に低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを製作する方法であって、
（ａ）Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成し、
（ｂ）前記Ｎ＋型シリコン拡散層の表面全体を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し、
（ｃ）前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し、
（ｄ）前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）続いて、窒化チタン膜を蒸着法によって形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成し、
　前記窒化チタン膜は、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」（以下、「刊行物発明１−３」という。）、及び、
　「半導体装置に低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクトを製作する方法であって、
（ａ）Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成し、
（ｂ）前記Ｎ＋型シリコン拡散層の表面全体を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し、
（ｃ）前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し、
（ｄ）前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし、前記チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）続いて、窒化チタン膜を蒸着法によって形成し、前記窒化チタン膜は、前記コンタクト用の窓を充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成し、
　前記窒化チタン膜は、コンタクト用の窓の底部だけでなく側壁にも形成され、
　前記チタン膜、前記窒化チタン膜、前記アルミニウム膜からなる３層膜を、フォトリソエッチング法により、同時にパターニングし、コンタクト用電極および電極配線層を完成する、方法。」（以下、「刊行物発明１−４」という。）が記載されている。
　
（ｂ）刊行物２：特開昭６１−５１９１７号公報（請求人が提出した甲第５号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物２には、以下の点が記載されている。
　「近年、半導体集積回路のパターンの緻密化に伴い、コンタクトホールの形状が微小になり、このコンタクトホールの底部にある導電性基板からの接続配線として、通常アルミニウムの配線がなされているが、このアルミニウムがコンタクトホールに完全に充填されないため、接続配線が不完全になる恐れがあり、これに関する改善が要望されている。」（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行）
　
（ｃ）刊行物３：Suresh Sachdev and Sunil D. Mehta,“TUNGSTEN INTERCONNECTS IN VLSI”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,1986,p.161-171（請求人が提出した甲第３号証）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物３には、以下の点が記載されている。
　「ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウムおよびアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線である。ブランケットの抵抗率は、８〜１２μΩｃｍの範囲（使用されるスキーム［成膜条件］による）であり、それはアルミニウムの抵抗率の３〜４倍である。ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有しており、その結果、１μのタングステン膜を用いて異方性エッチングで形成された１μ×１μのコンタクトを完全に充填する。サンプル・シミュレーションによれば、これらのコンタクト形状においては、スパッタされたＡｌＳｉのステップ・カバレッジが非常に劣っており、一方ＣＶＤタングステンの場合はコンタクトの完全な平坦性が達成されている（図１参照）。この点は、ブランケットＣＶＤタングステンを使うことによって、１．２μ×１．２μのコンタクトを平坦化した図２のＳＥＭ写真にも示されている。」（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文）
　
（ｄ）刊行物４：K. Suguro et al.,“High Aspect Ratio Hole Filling with CVD Tungsten for Multi-level Interconnection”,Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS,１９８６年８月２０日,p.503-506（請求人が提出した参考資料１）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物４には、以下の点が記載されている。
　「加熱したサセプタのあるＬＰＣＶＤ［低圧ＣＶＤ］コールドウォールリアクタ中で、 選択的及び非選択的にタングステンまたはタングステンシリサイドを堆積した。サンプルは装置に配置する前の最後に１％のＨＦ溶液に浸した。下記のような４種類の反応を行なった。
　
　　　2WF６ + 3Si　 →　2W + 3SiF４　　　　(1)
　　　2WF６ + 3H２　→　2W + 6HF　　　　　(2)
　　　WF６ + 3/2SiH４ → W + 3/2SiF４ + H２　 (3)
　　　WF６ + 2SiH４　→ WSi２ +6HF + H２　　　(4)」（第５０３頁左欄第２３行〜同頁右欄第６行の訳文）
　「最後に反応（２）又は（３）により約１μｍのブランケットタングステンを成膜した。」（第５０３頁右欄第１５〜１６行の訳文）
　「タングステンは６５０℃以上ではシリコンと反応してタングステンシリサイドを生成することが知られている。タングステンシリサイドの生成を抑えるために、 タングステンとシリコンの間にＴｉＮ／ＴｉＳｉ２障壁層を入れた。窒化による自由エネルギーの減少はタングステンよりもチタンの方が大きいので、Ｗ／ＴｉＮ界面は安定となる。」（第５０４頁左欄第２７〜３２行の訳文）
　
（ｅ）刊行物５：David W. Woodruff et al.,“ADHESION OF NON-SELECTIVE CVD TUNGSTEN TO SILICON DIOXIDE”,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications,Materials Research Society発行,1986,p.173-183（請求人が提出した参考資料２）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物５には、以下の点が記載されている。
　「非選択又はブランケットタングステンは、化学気相成長法（ＣＶＤ）によって、二酸化シリコン及び窒化シリコンを含むウェハーの全表面上に成膜されたタングステン薄膜である。」（第１７３頁第１６〜１９行の訳文）
　「４５０℃、全圧１．５ｔｏｒｒでＷＦ６とＨ２からコールドウォール反応室中においてＣＶＤタングステン膜が成膜された。」（第１７８頁第２３〜２５行の訳文）
　
（ｆ）刊行物７：S. Ogawa et al.,“THERMALLY STABLE W/SILICIDE/Si CONTACT”,International Electron Devices Meeting, 1986 technical digest,１９８６年１２月７日,p.62-65（請求人が提出した参考資料３）
　本件優先権主張日前に頒布された刊行物７には、以下の点が記載されている。
　「タングステンは、高融点金属の中では最も抵抗が低く、しかも化学的に安定性を有するため、配線材としては魅力的である。しかし、Ｗ／Ｓｉの直接接触を伴う系では６５０℃以上ではタングステンのシリサイド化反応が起こるため熱安定性がない。」（第６２頁左欄下から５行〜末行の訳文）
　「タングステン配線が熱アニーリング中にさらにシリサイド化するのを防ぐため、タングステン配線とＴｉＳｉ２層の間にＴｉＮ拡散障壁層を使った。ＴｉＮ層はＴｉＳｉ２層の窒化によって形成された。」（第６３頁左欄第１１〜１４行の訳文）
　
５−２．対比・判断
（ａ）本件特許発明１について
　本件特許発明１と刊行物発明１−３とを対比する。
（ア）刊行物発明１−３の「Ｐ型シリコン基板」、「酸化シリコンの絶縁膜」は、それぞれ本件特許発明１の「シリコン基板」、「二酸化シリコンの絶縁層」に相当する。
（イ）刊行物１には、「ところで集積回路の高速化と高集積化は素子の微細化によって実現される。」（第２頁左欄第７〜８行）と記載されているから、刊行物発明１−３の「半導体装置」が、「集積回路」に用いられることは明らかである。
　よって、刊行物発明１−３の「半導体装置」は、本件特許発明１の「集積半導体回路」に相当する。
（ウ）刊行物発明１−３の「低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクト」は、信頼性が高いことから、特性が安定していることは明らかである。
　よって、刊行物発明１−３の「低抵抗であってかつ、信頼性の高いオーミックコンタクト」は、本件特許発明１の「安定な低抵抗コンタクト」に相当する。
（エ）刊行物発明１−３の「Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによって」形成された「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、シリコン基板に砒素をドープすることにより設けられた領域であることは明らかであるから、刊行物発明１−３の「Ｎ＋型シリコン拡散層」は、本件特許発明１の「ドープされた領域」に相当し、また、刊行物発明１−３の「Ｐ型シリコン基板に砒素をイオン注入することによってＮ＋型シリコン拡散層を形成」することは、本件特許発明１の「シリコン基板にドープされた領域を設け」ることに相当する。
（オ）刊行物発明１−３の「酸化シリコンの絶縁膜」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の周囲の基板も覆っていることは明らかである。
　よって、刊行物発明１−３の「前記Ｎ＋型シリコン拡散層の全体表面を覆って酸化シリコンの絶縁膜を形成し」は、本件特許発明１の「周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し」に相当する。
（カ）本件特許明細書の「コンタクトホール16（すなわちバイア）は、パターン化されかつドープされた領域およびポリシリコンゲートまで下方にエッチングされる。」（特許公報第７頁左欄第３５〜３７行）及び第１Ａ図の記載から、「コンタクトホール」は、「二酸化シリコンの絶縁層」に形成されていると認められるから、本件特許発明１の「前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成」することは、「前記二酸化シリコンの絶縁層に実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成」することを意味するものである。
　そして、刊行物発明１−３の「コンタクト用の窓」は、刊行物１の第６図の記載から、「Ｎ＋型シリコン拡散層」の選択された領域の部分を露出し、かつ、「絶縁膜」の壁によって規定されることは明らかである。
　また、刊行物１の「Ｎ＋型シリコン拡散層３２の表面全体に絶縁膜３３として酸化シリコン膜を堆積し、これにフォトリソエッチング法により、コンタクト用の窓Ｗを穿孔する。」（第４頁左上欄第８〜１１行）及び第６図の記載から、刊行物発明１−３の「コンタクト用の窓」は、実質的に均一な大きさになっていると認められる。
　よって、刊行物発明１−３の「コンタクト用の窓」は、本件特許発明１の「コンタクトホール」に相当し、また、刊行物発明１−３の「前記酸化シリコンの絶縁膜にコンタクト用の窓を穿孔し」は、本件特許発明１の「前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは絶縁層の壁によって規定され」に相当する。
（キ）刊行物発明１−３の「チタン膜」は、刊行物１の第７図の記載から、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に接触して、「絶縁膜」の壁に沿ったところを含む、少なくとも「コンタクト用の窓」に形成されることは明らかである。
　また、刊行物１には、「そこで、本発明は、自然酸化膜の除去およびシリコン拡散層と窒化チタン膜との密着性の向上に着目してなされたもので障壁金属としての窒化金属膜を形成するようにしている。」（第３頁左上欄第４〜８行）と記載されている。
　一方、本件特許明細書には、「この発明に従って、チタンの薄い層18は、コンタクトホール16に形成され、次の層が、下にあるドープされた領域および／またはポリシリコンに良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証する。次にバリヤ材料からなる幾分厚い層20は、粘着及び接触層18上を被って形成される。」（特許公報第７頁左欄第４７行〜同頁右欄第２行）、「適当なバリヤ材料の例は、・・・窒化チタン・・・を含む。」（特許公報第７頁右欄第１７〜２２行）と記載されており、両者は同様の層構造となっているから、刊行物発明１−３の「チタン膜」は、次の層である「窒化チタン膜」が、「チタン膜」の下にある「Ｎ＋型シリコン拡散層」に良好に粘着しかつ良好に電気的に接触することを保証することは明らかである。
　よって、刊行物発明１−３の「チタン膜」は、本件特許発明１の「チタンの粘着および接触層」に相当し、また、刊行物発明１−３の「前記Ｐ型シリコン基板表面全体にチタン膜をスパッタリングし」は、本件特許発明１の「下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし」に相当する。
（ク）刊行物１には、「このような問題を解決する技術として、前記Ｎ＋型シリコン拡散層２とアルミニウム電極５との間に前述の如き界面反応が発生するのを防止するため、障壁金属（バリヤ−メタル）を形成する方法が注目されている。
　この１例として、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を障壁金属として用いた場合の電極形成方法を第11図(a)から(c)に示す。」（第２頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１行）と記載されているから、刊行物発明１−３の「窒化チタン膜」が、バリヤ層として機能することは明らかである。
　そして、本件特許発明１には、「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層」と記載されているが、「バリヤ層」については、本件特許発明１において、「前記バリア層は、窒化チタンを含み」とも記載されているから、「バリヤ層」が、「チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含む」構成は、本件特許発明１には含まれない。
　よって、刊行物発明１−３の「窒化チタン膜」は、本件特許発明１の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層」に相当し、この「バリヤ層」が、「窒化チタンを含」むことは明らかであり、また、刊行物発明１−３の「続いて、窒化チタン膜を形成し」は、本件特許発明１の「窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し」に相当する。
（ケ）刊行物１の第５図には、刊行物発明１−３の「アルミニウム膜」が、コンタクト用の窓を実質的に充填することが示唆されており、また、同第５図の記載から、刊行物発明１−３の「アルミニウム膜」は、窒化チタン膜に接触していることは明らかであるから、刊行物発明１−３の「アルミニウム膜」は、本件特許発明１の「コンタクトホールを実質的に充填しかつバリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグ」に相当し、また、刊行物発明１−３の「更に、前記Ｐ型シリコン基板表面全体にアルミニウム膜を蒸着法によって形成し」は、本件特許発明１の「前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し」に相当する。
（コ）刊行物発明１−３の「チタン膜」は、「スパッタリング」によって形成されること、「窒化チタン膜」は、「蒸着法」によって形成されること、「アルミニウム膜」は、「蒸着法」によって形成されること、及び、刊行物１の第５図の記載から、刊行物発明１−３の「チタン膜」、「窒化チタン膜」及び「アルミニウム膜」は、「コンタクト用の窓」内を含む「酸化シリコンの絶縁膜」上の全面に析出されること、すなわち、ブランケット析出されることは明らかである。
（サ）本件特許発明１には、「前記コンタクトプラグは、タングステンおよびドープされたポリシリコンからなる群から選択される導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」と記載されているが、「コンタクトプラグ」については、本件特許発明１において、さらに、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む」とも記載されているから、「コンタクトプラグ」が、「ドープされたポリシリコンからなる」「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」る構成は、本件特許発明１には含まれない。
　
　したがって、両者は、
　「集積半導体回路に安定な低抵抗コンタクトを製作する方法であって、
（ａ）シリコン基板にドープされた領域を設け、
（ｂ）周囲の基板の前記ドープされた領域上を覆って二酸化シリコンの絶縁層を形成し、
（ｃ）前記ドープされた領域の選択された領域に、その部分を露出するために、前記二酸化シリコンを介して実質的に均一な大きさのコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールは前記絶縁層の壁によって規定され、
（ｄ）下にあるドープされた領域に接触して、前記壁に沿ったところを含む、少なくとも前記ホールにチタンの粘着および接触層をスパッタリングし、前記粘着および接触層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、
（ｅ）窒化チタン、チタンタングステン、窒化チタンタングステンおよび窒化硼素からなる群から選択される材料を含むバリヤ層を、前記粘着および接触層と接触して前記コンタクトホールに形成し、前記バリヤ層は、前記コンタクトホールを充填するのに不十分な厚さに形成され、かつ
（ｆ）前記コンタクトホールを実質的に充填しかつ前記バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、
　前記粘着および接着層、前記バリヤ層および前記導電材料は、前記コンタクトホール内を含む二酸化シリコンの前記層上にブランケット析出され、前記バリヤ層は、窒化チタンを含み、コンタクトホールの底部だけでなく側壁にも形成される、方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　本件特許発明１が、窒化チタンからなる材料を含む「バリヤ層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含」んでいるのに対して、刊行物発明１−３は、「窒化チタン膜」と接触するコンタクトプラグを形成しているものの、このコンタクトプラグが、「蒸着法」によって形成された「アルミニウム膜」である点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物２（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第２行参照）には、コンタクトホールの形状が微小になると、アルミニウムの配線は、コンタクトホールに完全に充填されないため、接続配線が不完全になる恐れがあることが記載されており、また、刊行物３（第１６１頁下から第１５〜５行の訳文参照）には、ブランケットタングステンは、スパッタされたアルミニウム又はアルミニウム合金に代わる適切なるＶＬＳＩ配線であり、また、ＣＶＤタングステンは、コンフォーマルなステップ・カバレッジ（均一な段差被覆性）という利点を有することが記載されている。
　また、刊行物４（第５０３頁左欄第２３行〜同頁右欄第６行の訳文参照）及び刊行物５（第１７３頁第１６〜１９行の訳文及び第１７８頁第２３〜２５行の訳文参照）に記載されているとおり、半導体装置の製造工程において、導電層を形成するために、タングステンをＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によってブランケット析出させることは、本願優先権主張日前より周知の技術である。
　また、刊行物４（第５０４頁左欄第２７〜３２行の訳文参照）及び刊行物７（第６２頁左欄下から５行〜末行の訳文及び第６３頁左欄第１１〜１４行の訳文）に記載されているように、窒化チタン膜がタングステンとシリコンとの障壁層、すなわち、バリア層として機能することは、本願優先権主張日前より周知の技術である。
　したがって、刊行物発明１−３において、コンタクト用電極および配線層のステップカバレッジを良くするために、窒化チタン膜上に蒸着法によってアルミニウム膜を形成する方法に代えて、窒化チタン膜上にＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によってタングステンをブランケット析出する方法を採用すること、すなわち、本件特許発明１の如く、窒化チタンからなる材料を含む「バリア層と接触する導電材料を含むコンタクトプラグを形成し、前記コンタクトプラグは、タングステン」からなる「導電材料をＣＶＤによって析出することによって形成され」、かつ、「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む」ようにすることは、当業者であれば容易に想到し得るものであり、また、刊行物発明１−３において、窒化チタン膜上にＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によってタングステンをブランケット析出する方法を採用した際に、窒化チタン膜が、タングステンとシリコンとの拡散を防止するバリア層として機能することは、当業者であれば容易に予測し得る事項に過ぎない。
　よって、本件特許発明１は、刊行物１ないし刊行物３に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（ｂ）本件特許発明２について
　本件特許発明２は、本件特許発明１に、さらに「前記導電材料はタングステンを含み、かつ前記導電材料および前記下にあるバリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層の部分を露出するためにパターン化されかつエッチングされ、配線領域を形成する前記導電材料および前記バリヤ層ならびに前記粘着および接触層の規定されたパターンを残し、前記配線領域は少なくとも部分的に前記コンタクトホールの上にある、」という限定を付したものであり、一方、刊行物発明１−４は、刊行物発明１−３に、さらに「前記チタン膜、前記窒化チタン膜、前記アルミニウム膜からなる３層膜を、フォトリソエッチング法により、同時にパターニングし、コンタクト用電極および電極配線層を完成する、」という限定を付したものであるところ、本件特許発明２と刊行物発明１−４とを対比すると、両者は、上記「（ａ）本件特許発明１について」における、本件特許発明１と刊行物発明１−３との対比の（ア）〜（サ）同様のことがいえる（ただし、「本件特許発明１」を「本件特許発明２」と読み替え、また、「刊行物発明１−３」を「刊行物発明１−４」と読み替える。）。
（シ）本件特許発明２の構成要件である「前記導電材料はタングステンを含み」という点については、本件特許発明１にも「前記コンタクトプラグは、導電材料として、ＷＦ６とＨ２とのＣＶＤ反応によって形成されたタングステンを含む」と記載されているから、この点が、本件特許発明１と刊行物発明１−３との相違点に加えて、本件特許発明２と刊行物発明１−４との新たな相違点を構成するとはいえない。
（ス）刊行物発明１−４の「前記チタン膜、前記窒化チタン膜、前記アルミニウム膜からなる３層膜」は、「フォトリソエッチング法により、同時にパターニング」されること、及び、刊行物１の第５図の記載から、「酸化シリコンの絶縁膜」の部分を露出するためにパターン化されかつエッチングされることは明らかである。
　また、刊行物発明１−４の「前記チタン膜、前記窒化チタン膜、前記アルミニウム膜からなる３層膜」を、「フォトリソエッチング法により、同時にパターニング」することによって、「コンタクト電極及び電極配線層」を形成する「前記アルミニウム膜」および「前記窒化チタン膜」ならびに「前記チタン膜」の規定されたパターンが残されているものと認められる。
　さらに、刊行物発明１−４の「電極配線層」は、刊行物１の第５図の記載から、少なくとも部分的に「コンタクト用の窓」の上にあることは明らかである。
　よって、刊行物発明１−４の「前記チタン膜、前記窒化チタン膜、前記アルミニウム膜からなる３層膜を、フォトリソエッチング法により、同時にパターニングし、コンタクト用電極および電極配線層を完成する」は、本件特許発明２の「前記導電材料および前記下にあるバリヤ層ならびに粘着および接触層は、前記絶縁層の部分を露出するためにパターン化されかつエッチングされ、配線領域を形成する前記導電材料および前記バリヤ層ならびに前記粘着および接触層の規定されたパターンを残し、前記配線領域は少なくとも部分的に前記コンタクトホールの上にある」に相当する。
　
　そうすると、本件特許発明２と刊行物発明１−４とは、上記「（ａ）本件特許発明１について」における、上記本件特許発明１と刊行物発明１−３との相違点に加えて新たな相違点があるとはいえない。
　よって、本件特許発明２は、本件特許発明１と同様の理由により、刊行物１ないし刊行物３に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項４０及び４３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件請求項４０及び４３に係る発明についての特許は、特許法１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきものである。
　審判に関する費用については、特許法１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。