【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品と、
前記電極パッド形成面側に位置する第１の面と、前記背面側に位置する第２の面とを有し、前記電子部品の側面を封止する第１の封止樹脂と、
前記電極パッド形成面側に配置された第１の接続面と、前記背面側に配置された第２の接続面とを有し、前記第１の封止樹脂中に設けられた導電部材と、
前記第１の面上に設けられ、絶縁層と配線パターンとが積層されてなる多層配線構造体と、を有し、
前記配線パターンが、前記電極パッドの接続面及び前記導電部材の第１の接続面と直接接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の封止樹脂の第１の面上に、前記電極パッドの接続面と前記導電部材の第１の接続面を露出するよう、第２の封止樹脂が設けられており、
前記第２の封止樹脂上に、前記多層配線構造体が設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記導電部材は、導電性ボール又は金属ポストであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の封止樹脂の厚さは、前記第２の封止樹脂の厚さ及び前記多層配線構造体の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の封止樹脂の第２の面側に、前記電子部品の背面と、前記導電部材の第２の接続面とが露出している請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
第１の支持体の面に、半硬化状態の第１の封止樹脂と、前記第１の封止樹脂に埋設された導電部材を設ける工程と、
第２の支持体の面に、電子部品の電極パッド形成面を接着する工程と、
前記第１の封止樹脂と前記電子部品とが向かい合うよう、前記第１の支持体と前記第２の支持体とを対向配置し、前記第１の支持体と前記第２の支持体とを相互に押圧し、前記電子部品を前記第１の封止樹脂中に埋設し封止する工程と、
前記第２の支持体を除去する工程と、
前記第１の封止樹脂の前記第２の支持体の除去面に、絶縁層と配線パターンとが積層されてなる多層配線構造体を形成する工程と、
前記第１の支持体を除去する工程と、を有し、
前記配線パターンが、前記電極パッドの接続面及び前記導電部材と直接接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の封止樹脂の前記第２の支持体の除去面上に、前記電極パッドの接続面と前記導電部材の第１の接続面を露出するよう、第２の封止樹脂が設けられており、
前記第２の封止樹脂上に、前記多層配線構造体が設けられていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の支持体の面に、半硬化状態の第１の封止樹脂を形成する工程と、
前記第１の封止樹脂を貫通するよう、前記導電部材を前記第１の支持体の面に押し当て、前記第１の封止樹脂中に前記導電部材を埋設すると共に、前記第１の封止樹脂から前記第１の導電部材の第１の接続面を突出させる工程と、を有することを特徴とする請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記導電部材の第１の接続面と、前記第２の支持体の面とが接触するよう、前記第１の支持体と前記第２の支持体とを相互に押圧し、次いで、前記第１の封止樹脂を硬化させることを特徴とする請求項６ないし８のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導電部材を設ける工程では、導電性ボール又は金属ポストである導電部材を設けることを特徴とする請求項６ないし９のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の支持体を除去する工程の後、前記第１の封止樹脂の前記第１の支持体の除去面から、前記第１の封止樹脂、前記電子部品の背面、及び前記導電部材を研磨する工程を有することを特徴とする請求項６ないし１０のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置と、
前記半導体装置の前記第１の封止樹脂の第２の面側に搭載され、前記導電部材の第２の接続面と電気的に接続された接続端子を有する他の半導体装置と、を備えたことを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一観点によれば、電極パッドが設けられた電極パッド形成面、及び該電極パッド形成面の反対側に位置する背面を有する電子部品と、前記電極パッド形成面側に位置する第１の面と、前記背面側に位置する第２の面とを有し、前記電子部品の側面を封止する第１の封止樹脂と、前記電極パッド形成面側に配置された第１の接続面と、前記背面側に配置された第２の接続面とを有し、前記第１の封止樹脂中に設けられた導電部材と、前記第１の面上に設けられ、絶縁層と配線パターンとが積層されてなる多層配線構造体と、を有し、前記配線パターンが、前記電極パッドの接続面及び前記導電部材の第１の接続面と直接接続されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の他の観点によれば、第１の支持体の面に、半硬化状態の第１の封止樹脂と、前記第１の封止樹脂に埋設された導電部材を設ける工程と、第２の支持体の面に、電子部品の電極パッド形成面を接着する工程と、前記第１の封止樹脂と前記電子部品とが向かい合うよう、前記第１の支持体と前記第２の支持体とを対向配置し、前記第１の支持体と前記第２の支持体とを相互に押圧し、前記電子部品を前記第１の封止樹脂中に埋設し封止する工程と、前記第２の支持体を除去する工程と、前記第１の封止樹脂の前記第２の支持体の除去面に、絶縁層と配線パターンとが積層されてなる多層配線構造体を形成する工程と、前記第１の支持体を除去する工程と、を有し、前記配線パターンが、前記電極パッドの接続面及び前記導電部材と直接接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
電子部品１７は、薄板化された電子部品である。電子部品１７は、接続面１０１Ａ，１０２Ａ，１０３Ａを備えた電極パッド１０１〜１０３と、電極パッド形成面１７Ａと、電極パッド形成面１７Ａの反対側に配置された背面１７Ｂとを有する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
電子部品１８は、薄板化された電子部品である。電子部品１８は、接続面１０５Ａ，１０６Ａ，１０７Ａを備えた電極パッド１０５〜１０７と、電極パッド形成面１８Ａと、電極パッド形成面１８Ａの反対側に配置された背面１８Ｂとを有する。