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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
また、このようにネガ型記録媒体１に第２レーザ光が照射されたことに応じて得られる当該第２レーザ光の反射光は、対物レンズ２１を介し、ダイクロイックミラー２０にて反射されてレンズ３１→第２レーザ用フォーカスレンズ２９→１／４波長板２８を介した後、偏光ビームスプリッタ２７に入射する。
先の第１レーザ光の場合と同様にして、このようにネガ型記録媒体１側から入射した第２レーザ光の反射光（復路光）は、１／４波長板２８の作用とネガ型記録媒体１での反射の作用とにより、往路光とはその偏光方向が９０度異なるものとされ、従って復路光としての上記第２レーザ光の反射光は偏光ビームスプリッタ２７にて反射される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
このようにして偏光ビームスプリッタ２７にて反射された第２レーザ光の反射光は、集光レンズ３２を介して第２フォトディテクタ３３の検出面上に集光する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
また、第１レーザ用マトリクス回路３４は、第１フォトディテクタ２４としての複数の受光素子からの出力電流に対応して電流電圧変換回路、マトリクス演算／増幅回路等を備え、マトリクス演算処理により必要な信号を生成する。
具体的には、上述した記録変調データ列を再生した再生信号に相当する高周波信号（以降、再生信号ＲＦと称する）、サーボ制御のためのフォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥを生成する。
ここで、本例においてフォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥは第１レーザ光の反射光に基づくものと第２レーザ光の反射光に基づくものとの２種が存在する。以下では両者を区別するため、上記第１レーザ用マトリクス回路３４にて生成されたフォーカスエラー信号ＦＥについてはフォーカスエラー信号ＦＥ-1と称し、同様に第１レーザ用マトリクス回路３４にて生成されたトラッキングエラー信号ＴＥについてはトラッキングエラー信号ＴＥ-1と称する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ系層と、
前記Ａｌ系層の両主面にそれぞれ設けられた第１及び第２のＺｎ系層とを備えた接続材料において、
前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５９以下であることを特徴とする接続材料。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５２以上であることを特徴とする接続材料。
【請求項３】
請求項１において、
前記Ａｌ層の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする接続材料。
【請求項４】
Ａｌ系層の両主面にそれぞれ第１及び第２のＺｎ系層を設けクラッド圧延を行う接続材料の製造方法において、
前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５９以下であることを特徴とする接続材料の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５２以上であることを特徴とする接続材料の製造方法。
【請求項６】
第１の部材と第２の部材の間に接続材料を設置する設置工程と、
当該接続材料を加熱溶融して前記第１の部材と第２の部材とを接続する接続工程とを含む半導体装置の製造方法において、
前記接続材料は、Ａｌ層の両主面にZn層を形成したものであり、
前記接続工程では、前記接続材料の前記Ａｌ層及び前記Ｚｎ層を全部溶融させて接続を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記Ｚｎ層に対する前記Ａｌ層の厚さは０．５９以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
接続後の前記接続材料はＺｎ‐Ａｌ層を有し、当該Ｚｎ‐Ａｌ層のＡｌ含有率が９ｍａｓｓ％以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかにおいて、
前記接続工程は、前記第１及び第２の部材と前記接続材料とに加圧をせずに行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれかにおいて、
前記第１の部材は半導体素子であり、前記第２の部材はフレームであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】接続材料、その製造方法及び半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
（１）Ａｌ系層と、前記Ａｌ系層の両主面にそれぞれ設けられた第１及び第２のＺｎ系層とを備えた接続材料において、前記第１または前記第２のＺｎ系層に対する前記Ａｌ系層の厚さの比は０．５９以下であることを特徴とする接続材料である。
（２）第１の部材と第２の部材の間に接続材料を設置する設置工程と、当該接続材料を加熱溶融して前記第１の部材と第２の部材とを接続する接続工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記接続材料は、Ａｌ層の両主面にZn層を形成したものであり、前記接続工程では、前記接続材料の前記Ａｌ層及び前記Ｚｎ層を全部溶融させて接続を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温側熱源と低温側放熱部との間に熱電素子モジュールを設けた熱電発電装置において、
熱電素子モジュールの受熱面および／または放熱面に接して、内部に熱媒体を充填した温度緩衝部材を設けたことを特徴とする熱電発電装置。
【請求項２】
高温側熱源の平均温度をＴh1（Ｋ）としたとき、熱電素子モジュールの受熱面に接して設けられる温度緩衝部材の熱媒体の変態点Ｔm（Ｋ）がＴm＝Ｔh1±０．０５Ｔh1であることを特徴とする請求項１に記載の熱電発電装置。
【請求項３】
低温側放熱部の平均温度をＴh2（Ｋ）としたとき、熱電素子モジュールの放熱面に接して設けられる温度緩衝部材の熱媒体の変態点Ｔm（Ｋ）がＴm＝Ｔh2±０．０５Ｔh2であることを特徴とする請求項１または２に記載の熱電発電装置。
【請求項４】
炉体を冷却するための冷却用部材を備えた炉に設置され、前記冷却用部材を低温側放熱部とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の熱電発電装置。
【請求項５】
高炉の炉体に設置されたステーブクーラーに組み込まれ、該ステーブクーラーを低温側放熱部とすることを特徴とする請求項４に記載の熱電発電装置。
【請求項６】
炉体を冷却するための冷却用部材を備えた炉であって、
請求項１〜３のいずれかに記載の熱電発電装置を炉壁に設置し、前記冷却用部材を前記熱電発電装置の低温側放熱部としたことを特徴とする炉。
【請求項７】
炉内耐火物を熱電発電装置の高温側熱源としたことを特徴とする請求項６に記載の炉。
【請求項８】
高炉であることを特徴とする請求項６または７に記載の炉。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はこのような知見に基づきなされたもので、以下を要旨とするものである。
［1］高温側熱源と低温側放熱部との間に熱電素子モジュールを設けた熱電発電装置において、熱電素子モジュールの受熱面および／または放熱面に接して、内部に熱媒体を充填した温度緩衝部材を設けたことを特徴とする熱電発電装置。
［2］上記［1］の熱電発電装置において、高温側熱源の平均温度をＴh1（Ｋ）としたとき、熱電素子モジュールの受熱面に接して設けられる温度緩衝部材の熱媒体の変態点Ｔm（Ｋ）がＴm＝Ｔh1±０．０５Ｔh1であることを特徴とする熱電発電装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［3］上記［1］または［2］の熱電発電装置において、低温側放熱部の平均温度をＴh2（Ｋ）としたとき、熱電素子モジュールの放熱面に接して設けられる温度緩衝部材の熱媒体の変態点Ｔm（Ｋ）がＴm＝Ｔh2±０．０５Ｔh2であることを特徴とする熱電発電装置。
［4］上記［1］〜［3］のいずれかの熱電発電装置において、炉体を冷却するための冷却用部材を備えた炉に設置され、前記冷却用部材を低温側放熱部とすることを特徴とする熱電発電装置。
［5］上記［4］の熱電発電装置において、高炉の炉体に設置されたステーブクーラーに組み込まれ、該ステーブクーラーを低温側放熱部とすることを特徴とする熱電発電装置。
［6］炉体を冷却するための冷却用部材を備えた炉であって、上記［1］〜［3］のいずれかの熱電発電装置を炉壁に設置し、前記冷却用部材を前記熱電発電装置の低温側放熱部としたことを特徴とする炉。
［7］上記［6］の炉において、炉内耐火物を熱電発電装置の高温側熱源としたことを特徴とする炉。
［8］上記［6］または［7］の炉において、高炉であることを特徴とする炉。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持可能に構成される基板支持部と、
前記基板支持部に保持された基板の周縁の少なくとも一部に設けられるプレートを有し、
前記基板支持部に保持された基板と前記プレートとの間に所定の間隔が設けられるように形成される基板保持具の前記基板支持部に基板を搬送する基板移載装置と、
前記基板支持部に保持された基板の位置及び前記プレートの位置を検出可能に構成される検出装置と、
前記基板移載装置を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記基板支持部に保持された基板の第一正常位置範囲データ及び前記プレートの第二正常位置範囲データを記憶する記憶装置と、
前記検出装置が検出した前記基板支持部に保持された基板の位置及び前記プレートの位置と前記記憶装置に記憶された前記第一正常位置範囲データ及び前記第二正常位置範囲データとを比較し、前記基板の位置及び前記プレートの位置の少なくとも一方が前記第一正常位置範囲データ外若しくは及び前記第二正常位置範囲データ外にあると判断した場合に異常と判断する判断装置と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記基板移載装置は、さらに前記基板保持具と異なり、前記基板支持部を有し、前記プレートを有さない他の基板保持具における前記基板支持部に基板を搬送可能に構成されており、前記基板移載装置が、前記他の基板保持具における前記基板支持部に基板を搬送する場合には、前記判断装置は、前記異常判断に代えて、前記検出装置が検出した前記基板保持具に保持された基板の位置と前記記憶装置に記憶された前記第一正常位置範囲データとを比較し、前記基板の位置が前記第一正常位置範囲データ外にあると判断した場合に異常と判断する請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
基板を保持した基板支持部と、前記基板支持部に保持された基板の周縁の少なくとも一部に設けられるプレートを有し、前記基板支持部に保持された基板と前記プレートとの間に所定の間隔が設けられるように形成される基板保持具を処理室内に搬送する工程と、
前記処理室で前記基板を熱処理する工程と、検出装置により、前記基板支持部に保持された基板の位置及び前記プレートの位置を検出する工程と、
前記検出装置が検出した前記基板支持部に保持された基板の位置及び前記プレートの位置と、記憶装置に記憶された前記基板支持部に保持された基板の第一正常位置範囲データ及び前記プレートの第二正常位置範囲データとを比較し、前記基板の位置及び前記プレートの位置の少なくとも一方が前記第一正常位置範囲データ外若しくは及び前記第二正常位置範囲データ外であれば異常と判断する工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項４】
基板を保持した基板支持部と、前記基板支持部に保持された基板の周縁の少なくとも一部に設けられるプレートを有し、前記基板支持部に保持された基板と前記プレートとの間に所定の間隔が設けられるように形成される基板保持具を処理室内に搬送する工程と、
前記処理室で前記基板を熱処理する工程と、検出装置により、前記基板支持部に保持された基板の位置及び前記プレートの位置を検出する工程と、
前記検出装置が検出した前記基板支持部に保持された基板の位置及び前記プレートの位置と、記憶装置に記憶された前記基板支持部に保持された基板の第一正常位置範囲データ及び前記プレートの第二正常位置範囲データとを比較し、前記基板の位置及び前記プレートの位置の少なくとも一方が前記第一正常位置範囲データ外若しくは及び前記第二正常位置範囲データ外であれば異常と判断する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定処理を行う基板処理方法であって、
前記基板の識別に関する情報と前記所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記所定処理に用いる処理パラメータを設定することと、  を含む基板処理方法。
【請求項２】
前記処理パラメータを設定することは、所定の複数のパラメータの中から前記識別情報に対応するパラメータを選択することを含む  請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記所定処理は、
所定の載置部に前記基板を載置することと、
前記処理パラメータに基づいて、前記載置部に前記基板を載置するための載置条件を調整することと、
を含む請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記載置条件を調整することは、前記基板の載置速度を調整することを含む  請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記所定処理は、前記基板と前記載置部との間に介在する気体を排気することを含み、
前記載置条件を調整することは、前記気体の排気条件を調整することを含む  請求項３又は請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記基板の識別に関する情報は、前記基板の特性の識別に関する情報を含む  請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記基板の識別に関する情報は、前記所定処理とは別に前記基板に対して行われる処理の識別に関する情報を含む  請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記所定処理は、前記基板を保持する保持部材を介して該基板を搬送することを含み、
前記所定処理の識別に関する情報は、前記基板の搬送に用いる前記保持部材の識別に関する情報を含む
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記識別情報を取得することは、該識別情報に対応して前記基板に設けられた識別用マークを検出することを含む  請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
基板に対して所定処理を行う処理装置と、
前記基板の識別に関する情報と前記所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報に基づいて前記所定処理に用いる処理パラメータを設定する制御装置と  を備える基板処理装置。
【請求項１１】
前記制御装置は、所定の複数のパラメータの中から前記識別情報に対応するパラメータを選択することで前記処理パラメータを設定する  請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記処理装置は、所定の載置部に前記基板を載置する載置処理部を有し、  前記制御装置は、前記処理パラメータに基づいて、前記載置部に前記基板を載置するための載置条件を調整する載置条件調整部を有する
を含む請求項１０または請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記載置条件調整部は、前記基板の載置速度を調整する  請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記処理装置は、前記基板と前記載置部との間に介在する気体を排気する排気部を有し、
前記載置条件調整部は、前記気体の排気条件を調整する  請求項１２又は請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記基板の識別に関する情報は、前記基板の特性の識別に関する情報を含む  請求項１０から請求項１４のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記基板の識別に関する情報は、前記処理装置とは別の装置で前記基板に対して行われる処理の識別に関する情報を含む
請求項１０から請求項１５のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記処理装置は、前記基板を保持する保持部材を介して該基板を搬送する搬送部を有し、
前記所定処理の識別に関する情報は、前記基板の搬送に用いる前記保持部材の識別に関する情報を含む
請求項１０から請求項１６のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記識別情報を取得する取得装置を更に備える
請求項１０から請求項１７のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記取得装置は、前記識別情報に対応して前記基板に設けられた識別用マークを検出する検出部を有する
請求項１８に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
基板に対して露光処理を行う露光処理部と、
前記基板に設けられた複数のマークを計測する計測処理部と、
前記基板の識別に関する情報と前記基板に対して行われる所定処理の識別に関する情報との少なくとも一方を含む識別情報に基づいて前記露光処理に用いる処理パラメータを設定し、前記処理パラメータに基づいて前記複数のマークの計測結果を補正し、補正された前記計測結果に基づいて前記基板を露光するための露光条件を調整させる制御部と
を備える露光装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の露光装置を用いて、感光剤が塗布された前記基板の露光を行い、該基板にパターンを転写することと、
前記露光によって露光された前記感光剤を現像して、前記パターンに対応する露光パターン層を形成することと、
前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、
を含むデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月11日(2012.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化ケイ素基板上に、炭化ケイ素からなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に、膜を形成する工程と、
前記膜に応力緩和用の溝を形成する工程とを備え、
前記膜は、イオン注入用マスク層および絶縁膜の少なくともいずれか一方である、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記溝を形成する工程では、前記溝を格子状に形成する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記溝を形成する工程後に、前記膜をパターニングする工程をさらに備えた、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
層間絶縁膜を有するチップを備えた半導体装置において、
前記チップに沿うように、前記層間絶縁膜に応力緩和用の溝が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月8日(2012.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、電解液を含む、少なくとも１つの蓄電デバイスと、
内部が減圧されており、前記蓄電デバイスと弁を介して接続され、前記蓄電デバイスから発生するガスまたは前記電解液を吸収する容器と、
前記容器内に設置され、前記ガスまたは前記電解液を吸着する吸着剤と、
前記容器内に設けられ、前記ガスまたは前記電解液を検知するセンサと、
前記センサが前記ガスまたは前記電解液を特定の濃度以上に検知したという信号を受けて、前記蓄電デバイスと前記蓄電デバイスが電力を供給する対象とを遮断するスイッチ素子とを有することを特徴とする蓄電システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記弁は、逆支弁であることを特徴とする蓄電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電解質の両側に一対の電極が設けられる電解質・電極構造体とセパレータとが積層され、前記セパレータ間には、電極範囲を周回して冷却媒体を流通させる冷却媒体流路が形成されるとともに、前記セパレータには、前記冷却媒体流路を囲繞するシール部材が設けられる燃料電池に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、電解質の両側に一対の電極が設けられる電解質・電極構造体とセパレータとが積層され、前記セパレータ間には、電極範囲を周回して冷却媒体を流通させる冷却媒体流路が形成されるとともに、前記セパレータには、前記冷却媒体流路を囲繞するシール部材が設けられる燃料電池に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、溝部は、閉塞シール部の隣接する各セパレータに向かう両面に形成されることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質の両側に一対の電極が設けられる電解質・電極構造体とセパレータとが積層され、前記セパレータ間には、電極範囲を周回して冷却媒体を流通させる冷却媒体流路が形成されるとともに、前記セパレータには、前記冷却媒体流路を囲繞するシール部材が設けられる燃料電池であって、
前記冷却媒体流路は、波形状を有する複数の波状凸部間に形成される一方、
前記シール部材の前記冷却媒体流路を周回する内周端部には、前記冷却媒体流路の最外周を構成する前記波状凸部との間隙に突出して閉塞シール部が設けられるとともに、
前記閉塞シール部には、前記冷却媒体の流れ方向に延在する溝部が形成されることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池において、前記溝部は、前記閉塞シール部の隣接する各セパレータに向かう両面に形成されることを特徴とする燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物及び有機溶剤を含有するインクジェット用インクであって、
前記有機溶剤が、前記有機溶剤の分子量に占める水酸基の分子量の割合ＭOH／ＭWが０以上０．２未満である有機溶剤Ａ、前記ＭOH／ＭWが０．２以上０．４未満である有機溶剤Ｂ、及び前記ＭOH／ＭWが０．４以上１．０未満である有機溶剤Ｃを含み、
前記有機溶剤Ａが含窒素有機溶剤を含み、
前記有機溶剤Ａの全質量を基準とした、前記含窒素有機溶剤の含有量が８０．０質量％以上であることを特徴とするインクジェット用インク。
2009293012.tif 000001
（前記一般式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ独立に、一価の基であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、ハメットのσｐ値が０．２０以上の電子吸引性基であり、Ｚ1及びＺ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基、又はヘテロ環基であり、Ｍは、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、又は有機アンモニウムである。）
【請求項２】
前記含窒素有機溶剤が、下記一般式（III）で表される化合物である請求項１に記載のインクジェット用インク。
2009293012.tif 000002
（前記一般式（III）中、Ｒ3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、又はアシル基であり、Ｒ4は、Ｎ−Ｒ5又はＣＨ2であり、Ｒ5は、水素原子又はアルキル基であり、Ｚは、一般式（III）中のウレア基又はアミドメチレン基と共に、単環又は多環の環構造を形成する原子団である。）
【請求項３】
前記有機溶剤Ａの含有量が、インク全質量を基準として、３．０質量％以上１２．０質量％以下である請求項１又は２に記載のインクジェット用インク。
【請求項４】
前記有機溶剤Ｂの含有量が、インク全質量を基準として、３．０質量％以上１５．０質量％以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項５】
前記有機溶剤Ｃの含有量が、インク全質量を基準として、２．０質量％以上１２．０質量％以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項６】
インクをインクジェット方式で吐出して記録媒体に記録を行うインクジェット記録方法であって、前記インクが、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項７】
インクを収容してなるインク収容部を備えたインクカートリッジであって、前記インクが、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項８】
インクを収容してなるインク収容部と、インクを吐出するための記録ヘッドとを備えた記録ユニットであって、前記インクが、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とする記録ユニット。
【請求項９】
インクを収容してなるインク収容部と、インクを吐出するための記録ヘッドとを備えたインクジェット記録装置であって、前記インクが、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物及び有機溶剤を含有するインクジェット用インクであって、前記有機溶剤が、前記有機溶剤の分子量に占める水酸基の分子量の割合ＭOH／ＭWが０以上０．２未満である有機溶剤Ａ、前記ＭOH／ＭWが０．２以上０．４未満である有機溶剤Ｂ、及び前記ＭOH／ＭWが０．４以上１．０未満である有機溶剤Ｃを含み、前記有機溶剤Ａが含窒素有機溶剤を含み、前記有機溶剤Ａの全質量を基準とした、前記含窒素有機溶剤の含有量が８０．０質量％以上であることを特徴とするインクジェット用インクである。
2009293012.tif 000003
（前記一般式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ独立に、一価の基であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、ハメットのσｐ値が０．２０以上の電子吸引性基であり、Ｚ1及びＺ2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基、又はヘテロ環基であり、Ｍは、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、又は有機アンモニウムである。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
アルコキシカルボニルオキシ基としては、炭素数２乃至３０の置換又は無置換のアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられる。具体的には、メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、及びｎ−オクチロキシカルボニルオキシなどの各基が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶射によって基材の表面にセラミックス被膜を形成する、セラミック被膜の形成方法であって、
混合ガスを燃焼室で燃焼してフレームを発生させる工程と、
溶媒としてアルコール類を用意し、この溶媒に平均粒径が０．１〜５μｍのセラミックス粉末を分散させてスラリーを得る工程と、
燃焼ガスとして、アセチレン、メタン、エタン、ブタン、プロパンまたはプロピレンを用意し、この燃焼ガスと前記スラリーとを前記フレームの内部に噴射する工程とを備える、セラミックス被膜の形成方法。
【請求項２】
前記セラミックス粉末が、酸化物、窒化物、炭化物およびホウ化物の中のいずれか、これらの混合物、またはこれらの複合化合物である、請求項１に記載のセラミックス被膜の形成方法。
【請求項３】
溶媒としてエチルアルコール、メチルアルコールまたは灯油を用いる、請求項１または２に記載のセラミックス被膜の形成方法。
【請求項４】
前記セラミックス粉末における酸化物がＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＣｄＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｈｆ2Ｏ3、ＴｈＯ2、Ｖ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＭｏＯ3、ＷＯ3、ＵＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4、ＮｉＯおよび希土類Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｃｅ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3のいずれかである、請求項２または３に記載のセラミック被膜の形成方法。
【請求項５】
さらに、前記フレームの後方から圧縮空気を噴出する工程を備え、
前記混合ガスを構成する前記燃料が灯油であり、
前記混合ガスを構成する前記酸素の圧力が０．５〜１．５ＭＰａ、流量が４００〜１９００リットル／分であり、
前記灯油の圧力が０．４〜１．４ＭＰａ、流量が０．２〜０．５リットル／分であり、
前記圧縮空気の圧力が０．２〜１．５ＭＰａ、２５０〜２０００リットル／分であり、
前記スラリー粉末供給量が１００〜９００グラム／分であり、
筒先の先端から基材までの距離を７０〜４００ｍｍとする、請求項１〜４のいずれかに記載のセラミックス被膜の形成方法。
【請求項６】
前記セラミックス粉末がＹ2Ｏ3であり、
燃料に対する酸素量を理論酸素量よりも多くし、燃焼する前記溶媒および前記燃焼ガスによって前記フレームを高温にすることで、前記セラミックス粉末の加熱し、このセラミックス粉末を噴射して前記基材の表面にセラミックス被膜を形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のセラミックス被膜の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記の課題は、フラットウェブのロール交換の際にこの種のウェブをつなぎ合わせるための接着システムであって、この接着システムは、二つの接着テープ境界縁を含み、これは有利には実質的に並行に延び、そして特に接着テーブの長手の縁を形成し、そして上記接着システムは、更に、少なくとも、上面キャリア層及び下面キャリア層、並びに平坦な結合要素を含み、前記平坦な結合要素は、両方のキャリア層を互いに結合し、静的もしくはフライングロール交換の条件下に上記の結合を外すのに適したものであり、そして更に、二つの接着剤層を含み、これらは、それぞれ、前記結合要素側とは反対側の各キャリア層の表面上に設けられ、この際、前記結合要素は接着剤層ではなく、そして結合要素と前記キャリア層の少なくとも一つとの間の結合は、更に別の接着剤層によって為されるものではない、前記接着システムによって解決される。本発明の接着システムでは、上記結合要素の境界縁のうちの少なくとも一つが、直線状に延びず（別の言い方をすれば、非線状であり）、この際、直線状の重点ライン（主方向ライン）が、前記の境界縁に対して画定され、ここでこの境界縁の重点ラインは、優先方向に沿って延び、そしてこの境界縁は、それの重点ラインの一方の側にある複数の領域、並びにそれの重点ラインの他方の側にある複数の領域を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
分割力の最大値は、ポリマー（結合要素を形成する層）の種類またはポリマーの塗布量によって調節することができる。分割仕事量は、追加的に、分割するべき結合要素の幅及び境界縁の形態によって生ずる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
有利な方策の一つでは、上側のキャリア層からまたは下側のキャリア層から層間剥離することができるポリマー層を含む結合要素を使用することができる。ポリマー層が、上側と下側の両方のキャリア層から層間剥離可能である実施形態も実現可能である。これは、例えば、層間剥離が起こる場所で装置的に何の困難性もないときである。この形態の最も簡単な実施法では、ポリマー層が結合要素となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月22日(2012.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体インクジェットインクを調製するための方法であって、
顔料およびフラッシング剤に最初の混合ステップを適用して前記顔料を水相から非水相にフラッシュして顔料分散体を形成するステップと、
前記顔料分散体に１つまたは複数のインク成分を添加するステップと、
前記顔料分散体に第２の混合ステップを適用して前記１つまたは複数のインク成分を含む前記顔料分散体を組み込んで固体インクジェットインクを形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
固体インクジェットインクを調製するための方法であって、
１つまたは複数のインク成分を、直接非水性顔料分散体に添加して混合物を形成するステップと、
前記混合物に高せん断混合を適用して固体インクジェットインクを形成するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月30日(2012.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃エンジンのための吸気通路（１００）であって、
インレット（１３０）と、
前記インレット（１３０）から遠位に位置するヘリカルポート（１４０）と、
前記インレット（１３０）から遠位に位置する接線ポート（１５０）と、
前記インレット（１３０）の下流の分岐していない部分と、
前記吸気通路の前記分岐していない部分に配置され、前記吸気通路の接線ポート側（１５２）またはヘリカルポート側（１４２）に対応する前記吸気通路の少なくとも１つの内壁に隣接し、エンジンのシリンダー（２００）内の平均スワールレベルを変化させるために吸気通路の内部で速度分布を修正するように構成される調節可能な位置ガイド翼（１２０）と、
を含む吸気通路（１００）。
【請求項２】
前記ガイド翼（１２０）が稼動されたとき、前記ガイド翼（１２０）は、前記チャンネル内部で不規則速度形状を生成するために形付けられる請求項１に記載の吸気通路（１００）。
【請求項３】
前記ガイド翼（１２０）は、前記チャンネルのヘリカルポート側（１４２）に搭載され、且つ接線ポート側（１５２）でヘリカルポート側（１４２）に搭載された流速より高い流速を生成するために作動可能である請求項１に記載の吸気通路（１００）。
【請求項４】
前記ガイド翼（１２０）は前記ガイド翼（１２０）のいかなる位置において形成されるいかなるガス通路を完全に遮断しないサイズに形成される請求項１に記載の吸気通路（１００）。
【請求項５】
エンジンのエンジンマニホールドと吸気通路（１００）との間に一致するように構成される吸気通路アダプタ装置（１７０）であって、
インレット（１３０）と、
前記インレット（１３０）から遠位に位置するヘリカルポート（１４０）と、
前記インレット（１３０）から遠位に位置する接線ポート（１５０）と、
前記インレット（１３０）の下流の分岐していない部分と、
を備えるガイド翼ハウジング（１８０）と、
前記ガイド翼ハウジング（１８０）の前記分岐していない部分内に配置され、前記ガイド翼ハウジングの接線ポート側（１５２）またはヘリカルポート側（１４２）に対応する前記ガイド翼ハウジングの少なくとも１つの内壁に隣接する少なくとも一つの調整可能な位置ガイド翼（１２０ａ、１２０ｂ）と、を含み、
前記少なくとも一つの調整可能な位置ガイド翼（１２０ａ、１２０ｂ）は、エンジンのシリンダーにおいて平均スワールレベルを変化させるように、前記吸気通路（１００）の内部で流速分布を修正するために構成される吸気通路アダプタ装置（１７０）。
【請求項６】
前記ガイド翼ハウジングに結合され、且つ前記ガイド翼ハウジングに配置される少なくとも一つの調整可能な位置ガイド翼に操作可能に接続される駆動モータを更に含み、前記モータは、エンジンマネジメント電気制御ユニット（ＥＣＵ）に前記モータを結合するように一つかそれ以上の接続リードを有する請求項５に記載の吸気通路アダプタ装置。
【請求項７】
内燃エンジンにおけるチャージ運動を変化させるための方法であって、
吸気通路（１００）の分岐していない部分に配置され、前記吸気通路の接線ポート側（１５２）またはヘリカルポート側（１４２）に対応する前記吸気通路の少なくとも１つの内壁に隣接する調整可能な位置ガイド翼（１２０）の位置を調整して、前記吸気通路（１００）に結合されるエンジンの一つかそれ以上のシリンダー（２００）で平均スワールレベルを変化させるために前記吸気通路内で流速分布を修正する方法。
【請求項８】
前記吸気通路がヘリカルポート（１４０）及び吸気ポートインレット（１３０）から離れた位置の接線ポート（１５０）を定義し、前記吸気ポートインレット（１３０）は、前記エンジンマニホールドからの流れを前記ヘリカルポート（１４０）及び前記接線ポート（１５０）から受けるため及び方向付ける請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記チャンネルのヘリカルポート側（１４２）に搭載され且つ接線ポート側（１５２）でヘリカルポート側（１４２）に搭載された流速より高い流速を生成するように前記ガイド翼（１２０）を動かす請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
編み構造又は織り構造の布製品であって、
難燃性材料から成るインターレース糸の布体（１０；２０）を備え、該布体が第１の面及びその反対側の第２の面（１２；２２）を有し、該第１面が、その上に形成されるパイル繊維若しくは起毛繊維、又はフリースの少なくとも１つの領域を有し、且つ該第２面（１２；２２）が、交差部位で前記インターレース糸及び／又は該インターレース糸の繊維に付着する不連続の難燃性コーティング（１４；２４）を有すると共に、
前記コーティング（１４；２４）が、前記布製品のドレープ適性及び手触りに実質的な悪影響を及ぼさない、編み構造又は織り構造の布製品。
【請求項２】
前記インターレース糸が、本質的に難燃性のポリマーから成り、且つ／又は難燃性添加剤を含有する、請求項１に記載の布製品。
【請求項３】
布製品は、テリー丸編み構造を有する、テリー裏丸編み構造を有する、ダブルニット構造を有する、シングルジャージー編成構造を有する、織り構造を有する、又は経編み構造を有する、請求項１又は請求項２に記載の布製品。
【請求項４】
衣服製品の形態である、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の布製品。
【請求項５】
前記インターレース糸がテキスチャ加工されている、又は非テキスチャ加工されている、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の布製品。
【請求項６】
前記インターレース糸が紡績糸から成る、請求項１乃至請求項５の何れに記載の布製品。
【請求項７】
前記コーティング（１４；２４）が、前記布製品を介する通気性の制限を実質的に回避するように、糸繊維にのみ付着される、請求項１乃至請求項６の何れに記載の布製品。
【請求項８】
前記コーティングが、通気性を減らすように、布製品を介した介在空気通路に延在する被膜から成る、請求項１乃至請求項７の何れに記載の布製品。
【請求項９】
前記コーティング（１４；２４）が結合剤であつて、布製品はその結合剤を含有する１つ又は複数の第１の領域と、その結合剤を含有する１つ又は複数の第２の領域を有し、且つ、その結合剤の密度は第２の領域よりも第１の領域において比較的高い、請求項１乃至請求項８の何れに記載の布製品。
【請求項１０】
布製品を製造する方法であって、
難燃性糸を交差させる工程であって、編み構造又は織り構造の布体（１０；２０）を形成する、交差させる工程、
前記布体の第１面に起毛領域又はフリース領域を形成する工程、及びその後
難燃性コーティング材料を少なくとも、その反対面の第２面（１２；２２）に塗布する工程であって、前記布製品の少なくとも前記第２面（１２；２２）にある交差部位の糸繊維上に不連続のコーティング（１４；２４）を形成し、前記不連続のコーティングが、前記布製品のドレープ適性及び手触りに実質的な悪影響を及ぼさない、布製品を製造する方法。
【請求項１１】
通気性の低下を制御するように、前記布体の介在空間から液状のコーティング材料を除去することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記糸は、アラミド、難燃性ポリエステル、難燃性レーヨン、モダクリル繊維、ウール、綿、難燃加工綿、ポリエステル、及びこれらの混合物から成る群から選択される請求項１０又は請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記コーティング（１４；２４）が、樹脂、ラテックス、高分子エマルジョン及び高分子分散液から成る群から選択される形態である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記布製品が、前記第２面（１２；２２）を規定する技術面と、前記第１面を規定する技術裏面とを有する編み構造から形成され、且つ前記方法が、該技術裏面を起毛すること、及びその後、前記コーティング材料を前記技術面に塗布することをさらに含む、請求項１０乃至請求項１３の何れかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月13日(2011.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明にあっては、低電圧電力を高電圧に変換するトランスを含む充電器と、回路ボックスと、これらの充電器および回路ボックスとは別の強電部品と、複数のバッテリを一体に含むバッテリアセンブリと、を車体に搭載した電気自動車の電気部品搭載構造であって、前記充電器は、前記バッテリアセンブリに対して車両前後方向の一方側に配置され、前記強電部品と前記回路ボックスとは、前記バッテリアセンブリに対して前記充電器とは車両前後方向で反対側に配置されたことを最も主要な特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から供給された低電圧電力を高電圧に変換するトランスを含む充電器と、回路ボックスと、高電圧が印加される、前記充電器および前記回路ボックスとは別の強電部品と、複数のバッテリを一体に含むバッテリアセンブリと、を車体に搭載した電気自動車の電気部品搭載構造において、
前記充電器は、前記バッテリアセンブリに対して車両前後方向の一方側に配置され、前記強電部品と前記回路ボックスとは、前記バッテリアセンブリに対して前記充電器とは車両前後方向で反対側に配置されたことを特徴とする電気自動車の電気部品搭載構造。
【請求項２】
外部から電力を供給するための給電コードのプラグを接続する充電ポートを、前記充電器よりも前記強電部品に近い位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載の電気自動車の電気部品搭載構造。
【請求項３】
前記強電部品を前記充電器より前方に配置し、前記充電ポートを車両前部に配置したことを特徴とする請求項２に記載の電気自動車の電気部品搭載構造。
【請求項４】
前記強電部品と前記バッテリアセンブリとを電気的に接続する第一のハーネスと、
前記充電器と前記第一のハーネスとを電気的に接続する第二のハーネスと、
前記第二のハーネスが前記第一のハーネスに対して接続された状態と遮断された状態とを切り替えるリレーと、
を備えることを特徴とする請求項２または３に記載の電気自動車の電気部品搭載構造。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月3日(2012.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３０℃、１ａｔｍで固体である光重合開始剤をエチレン性不飽和単量体に溶解させた後、熱重合開始剤を用いて該エチレン性不飽和単量体及び官能基を含有するエチレン性不飽和単量体を重合させ、得られた重合体の官能基にエチレン性不飽和基を有する化合物を付加反応させることで１分子中に２つ以上のエチレン性不飽和基を含有させた、水系媒体に分散した光硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
３０℃、１ａｔｍで固体である光重合開始剤をエチレン性不飽和単量体に溶解させた後、熱重合開始剤を用いて該エチレン性不飽和単量体を重合させた重合体に、１分子中に２つ以上のエチレン性不飽和基を含有する多官能化合物を混合させた、水系媒体に分散した光硬化性樹脂組成物。
【請求項３】
前記重合が界面活性剤存在下における乳化重合である、請求項１に記載の光硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
前記重合が、エチレン性不飽和単量体、及びカルボキシル基を含有するエチレン性不飽和単量体を重合させるものであり、得られた重合体のカルボキシル基を塩基で中和することで重合体及び多官能化合物を水系媒体に分散させた、請求項２に記載の光硬化性樹脂組成物。
【請求項５】
該重合体にエチレン性不飽和基を有する化合物を付加反応することにより得られる、請求項４に記載の光硬化性樹脂組成物。
【請求項６】
前記光重合開始剤が１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン及び／又は２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モリフォリノプロパン−１−オンである、請求項１、２、３、４又は５のいずれかに記載の光硬化性樹脂組成物。
【請求項７】
前記光重合開始剤が前記光硬化性樹脂組成物の全固形分１００質量部に対し、８〜３５質量部である請求項１、２、３、４、５又は６のいずれかに記載の光硬化性樹脂組成物。
【請求項８】
３０℃、１ａｔｍで固体である光重合開始剤をエチレン性不飽和単量体に溶解させた後、熱重合開始剤を用いて該エチレン性不飽和単量体を重合させて得られる、水系媒体に分散した光硬化用樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の光硬化性樹脂組成物を硬化して得られる光硬化物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記光重合開始剤は、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン及び／又は２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モリフォリノプロパン−１−オンであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、本発明は、３０℃、１ａｔｍで固体である光重合開始剤をエチレン性不飽和単量体に溶解させた後、熱重合開始剤を用いて該エチレン性不飽和単量体を重合させて得られる、水系媒体に分散した光硬化用樹脂組成物に関する。さらに、本発明は、光硬化性樹脂組成物を硬化して得られる光硬化物に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記の１分子中に２つ以上のエチレン性不飽和基を含有する多官能化合物は、エチレン性不飽和単量体及びエチレン性不飽和オリゴマーの双方を含むものである。１分子中に２つ以上のエチレン性不飽和基を含有する多官能化合物の例としては、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールアジペートジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコール（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジシクロペンテニルジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性リン酸ジ（メタ）アクリレート、アリル化シクロへキシルジ（メタ）アクリレート、イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。オリゴマーとしては、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレート等が挙げられる。なかでも、活性エネルギーによる硬化性、耐擦傷性、耐汚染性、耐割れ性、低毒性の点から、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートが好ましい。これらの１分子中に２つ以上のエチレン性不飽和基を含有する多官能化合物の使用範囲としては、水系媒体に分散した光硬化樹脂組成物の固形分全量に対して５〜９０質量部が望ましい。５質量部未満であると、硬化性が充分でなく、９０質量部より多いと、水系媒体に分散した光硬化性樹脂組成物の貯蔵安定性が悪くなる傾向にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明の水系媒体に分散した光硬化性樹脂組成物には、上記で説明した成分の他、必要に応じて他の樹脂、光重合促進剤、重合禁止剤、成膜助剤、可塑剤、防腐剤、消泡剤、界面活性剤等の公知慣用の添加剤を、本発明の目的を損なわない範囲で便宜選択して添加することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
一般に、ポリフッ化ビニリデンは、溶融状態から冷却し結晶化させると、無極性α型の結晶構造を持つことが知られている。本発明者等は、この無極性α型ポリフッ化ビニリデンから無延伸で造られたフィルムを分極処理すると、分極方法や分極時の電圧値を取捨選択することにより、極性α型に転移した結晶構造を持つポリフッ化ビニリデンが高い圧電性を示すことを見出した。
なお、無極性α型ポリフッ化ビニリデンとは、結晶構造部分が＊＊２／１らせんのII型結晶であるものをいい、結晶内のＣ−Ｆ２、Ｃ−Ｈ２結合の双極子モーメントによる有極性分子であるが、対称中心を有するために双極子モーメントを打ち消しあい、結晶としては無極性結晶であるものをいう。
極性α型ポリフッ化ビニリデンとは、結晶構造部分が＊＊２／１らせんのII型結晶であるものをいい、双極子が回転により同一方向に並ぶことにより、結晶としては極性結晶であるものをいう。
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本発明者等は、ポリフッ化ビニリデンＫＦ＃１０００（株式会社クレハ製）からＴダイを備えた口径４０ｍｍφの単軸押出機を用いて、幅２５０ｍｍ、厚さ４０μｍのフィルムを作製した。次にこのフィルムをコロナ分極処理により分極した後、実際に圧電応力定数を測定したところ、図４（ｂ）の比較例３に示すように、例えばｄ３１が１２．８ｐＣ／Ｎを示した。この値は、圧電性フィルムとして工業的に十分に利用可能であることを示す値である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
［圧電応力定数の測定方法］
得られた高分子圧電体フィルムの圧電応力定数は、以下のように測定した。
ｄ３１（長さ方向の応力に対する）は、（株）東洋精機製作所製レオログラフソリッドを用いて測定した。
ｄ３２（幅方向の応力に対する）は、（株）東洋精機製作所製レオログラフソリッドを用いて測定した。
ｄ３３（厚さ方向の応力に対する）は、空圧プレス機を用いて一定の速度で厚み方向に応力を加え、発生する電荷をチャージアンプで測定し、算出した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
図４（ａ）、図４（ｂ）、図６に示す各表の項目は、以下のとおりである。
混合比は、ポリフッ化ビニリデンとフッ化ビニリデン系共重合体との混合比である。
厚さは、高分子圧電体フィルムの厚さである。
電圧Ｖｐは、尖端電極に印加された電圧値である。
推測Ｅｐは、分極処理時の電界強度（計算値）である。本実施例ではコロナ分極処理を行っているため、印加電圧から空気の電圧降下分を除きフィルムの厚さで割り電界強度を求めている。すなわち、推測Ｅｐは次式により求めた。電圧降下分は、分極時の電流のモニタの結果から約１μＡ＝７．５ｋＶとした。例えば、実施例１〜４の推測Ｅｐは、電圧降下分を７．５ｋＶとして計算した値である。
［推測Ｅｐ＝（印加電圧―電圧降下分）／フィルム厚さ］
ｄ３１は、高分子圧電体フィルムの長さ方向の圧電応力定数である。
ｄ３２は、高分子圧電体フィルムの幅方向の圧電応力定数である。
ｄ３３は、高分子圧電体フィルムの厚さ方向の圧電応力定数である。
接触角は、高分子圧電体フィルムの水との接触角である。