【事件の表示】
　特願２００２−１６７６３７「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月１５日出願公開，特開２００４−　１４８７５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年６月７日の出願であって，平成１９年１０月１２日付けの拒絶理由通知に対して，同年１２月１３日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成２０年２月８日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年３月１１日に審判請求がされたものである。
　
　
第２　本願発明の容易想到性について
１　本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は，平成１９年１２月１３日に提出された手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項３の記載は，次のとおりである。（以下，本願の請求項３に係る発明を「本願発明」という。）
　
「【請求項３】　一導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と，
　該ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と，
　該半導体基板及び該ゲート電極の表面に，８００℃以下の温度で窒素を含むガスのプラズマ又はラジカルに晒して，窒素を導入する工程と，
　次いで，該ゲート電極の両側の該半導体基板に，該一導電型とは異なる反対導電型の一対の不純物層を形成する工程と，
　を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２　引用例の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００１−０８５６８０号公報（以下「引用例」という。）には，図１（ａ）〜図１（ｆ）とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加したものである。以下同じ。）
　
ア　　発明の属する技術分野について
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，絶縁ゲート型電界効果トランジスタを備えた半導体装置の製造方法に関し
動作特性が安定し，高い信頼性を有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法に関する
　
イ　　第１の実施形態（図１（ａ）〜図１（ｆ））について
「【００２９】（実施形態１）本実施形態では，ゲート電極のパターンニング後に，フッ酸を用いてソース・ドレインとなる領域のシリコン基板表面を露出させ，その後，窒化処理を行う例について，図１（ａ）〜図１（ｆ）を参照しながら説明する。
【００３０】図１（ａ）に示すように，
ｎ型シリコン基板１上に周知の方法により素子分離膜としてのフィールド酸化膜２を形成し，素子領域のシリコン基板１にゲート絶縁膜３を５ｎｍ程度の厚みに形成する
（中略）
【００３６】
次に，その上に，例えばＣＶＤ法を用いてポリシリコン膜４を１５０ｎｍ程度の厚みに形成する
【００３７】
次に，図１（ｂ）に示すように，周知の異方性エッチング技術を用いてポリシリコン膜をエッチングし，ゲート電極５を形成する
（中略）
【００４０】
次に，窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行うことにより，
露出したシリコン基板１表面およびゲート電極５表面にも窒素が導入され，厚み２０オングストローム程度の窒化シリコン膜１２が形成される
【００４１】
この窒化処理は，上記に限られず，アンモニア，窒素ラジカル，一酸化窒素および一酸化二窒素のうち，少なくとも１つを含む雰囲気中で熱処理を行ってもよい
（中略）
【００４５】
次に，ゲート電極５をマスクとして，加速エネルギー：５ｋｅＶ〜１０ｋｅＶ，ドーズ量：１×１０
１２
／ｃｍ
２
〜５×１０
１４
／ｃｍ
２
程度の条件でボロンをイオン注入し，ＬＤＤ領域７を形成する
【００４６】次に，図１（ｅ）に示すように，シリコン基板１全体にＨＴＯ膜を形成し，周知のエッチング方法によりエッチバックすることによりゲート電極５側壁にサイドウォール８を形成する。
【００４７】そして，
ゲート電極５およびサイドウォール８をマスクとして，加速エネルギー：５ｋｅＶ〜２５ｋｅＶ，ドーズ量：５×１０
１４
／ｃｍ
２
〜５×１０
１６
／ｃｍ
２
の条件でボロンをイオン注入し，ソース・ドレイン領域９となる領域，およびゲート電極５中に不純物を導入する
【００４８】最後に，温度：８５０℃〜９００℃，時間１０分〜３０分程度の条件で熱処理を行い，不純物注入領域の活性化を行って図１（ｆ）に示すようなＭＯＳトランジスタを作製する。
（中略）
【００４９】さらに，
ゲート電極５両端部付近のゲート酸化膜とシリコン基板界面に窒素を積極的に導入するため，ゲート電極５両端部においてソース・ドレイン領域９からチャネル領域１３への不純物の異常拡散を抑制することができ，短チャネル効果の悪化や，ソース・ドレイン領域間の部分的な電流リークによるサブスレッショルド係数のばらつき等によって，トランジスタオフ電流がばらつくのを防ぐことができる
　
ウ　　発明の効果について
「【００７５】
【発明の効果】以上詳述したように，
本発明によれば，ゲート絶縁膜上にゲート電極形成用の膜を被着してゲート電極パターンにパターンニングした後，ソース・ドレイン領域を形成する前に，窒素ラジカル，一酸化窒素，一酸化二窒素やアンモニア等，窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行う
（中略）
【００７７】
これらによって，後の工程で熱処理を行う際に
ソース・ドレイン領域からチャネル領域への不純物の異常拡散を抑制することができる。その結果，閾値電圧やサブスレッショルド係数のばらつき等のトランジスタ特性の悪化や，オフ電流の増加等を防ぐことができ，動作特性の均一性が良く，安定し，高い信頼性を有する半導体装置を容易に製造することができる
　
　以上によれば，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ｎ型シリコン基板１上にゲート絶縁膜３を形成する工程と，
　上記ゲート絶縁膜３の上にゲート電極５を形成する工程と，
　上記ｎ型シリコン基板１及び上記ゲート電極５の表面に，窒素ラジカルを含む雰囲気中で，窒素を導入する工程と，
　次いで，上記ゲート電極５の両側の上記ｎ型シリコン基板１に，ボロンをイオン注入し，ＬＤＤ領域７及びソース・ドレイン領域９を形成する工程と，
　を含む半導体装置の製造方法。」
　
３　対比
（１）　引用発明の「ｎ型シリコン基板１」，「ゲート絶縁膜３」，「上記ゲート絶縁膜３の上に」及び「ゲート電極５」は，それぞれ，本願発明の「一導電型の半導体基板」，「ゲート絶縁膜」，「該ゲート絶縁膜を介して」及び「ゲート電極」に相当する。
　
（２）　引用発明の「窒素ラジカルを含む雰囲気中で，」は，本願発明の「窒素を含むガスのプラズマ又はラジカルに晒して，」に相当する。
　
（３）　引用発明の「ボロンをイオン注入し，ＬＤＤ領域７及びソース・ドレイン領域９を形成する」ことは，本願発明の「該一導電型とは異なる反対導電型の一対の不純物層を形成する」ことに相当する。
　
（４）　そうすると，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりとなる。
　
＜　一致点　＞
「一導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と，
　該ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と，
　該半導体基板及び該ゲート電極の表面に，窒素を含むガスのプラズマ又はラジカルに晒して，窒素を導入する工程と，
　次いで，該ゲート電極の両側の該半導体基板に，該一導電型とは異なる反対導電型の一対の不純物層を形成する工程と，
　を含む半導体装置の製造方法。」　である点。
　
＜　相違点　＞
　本願発明は，「該半導体基板及び該ゲート電極の表面に，」「窒素を含むガスのプラズマ又はラジカルに晒して，窒素を導入する工程」を「８００℃以下の温度で」行うものであるのに対し，引用発明では，そのような温度条件の特定はされていない点。
　
４　判断
（１）　周知例１
　原査定の拒絶の理由に周知技術を示す文献として引用され，本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１０−２３３５０４号公報（以下「周知例１」という。）には，次の記載がある。
　
「【００２７】シリコン膜に多量の窒素がドープされると膜は絶縁膜になるが，
多量の窒素をシリコン膜中にドープするには，窒素ラジカル，一酸化窒素若しくは亜酸化窒素を含ガス中でシリコン膜を熱処理すればよい。窒素ラジカルを含む雰囲気中で熱処理を行うと窒化シリコン膜が形成され
【００２８】
上記熱処理の雰囲気ガスとしては，
窒素ラジカルを１％〜１００％含むガス
を使用できる
上記熱処理の温度は，窒素ラジカルを用いた場合は４００℃〜８００℃
とすれば，好ましい結果が得られる
　
（２）　周知例２
　本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平０３−２１２９３８号公報（以下「周知例２」という。）には，次の記載がある。
　
ア　「２．特許請求の範囲
　
Ｓｉ基板又はＳｉ膜表面には窒素ラジカルを照射し，Ｓｉ
３
Ｎ
４
膜を形成する
　
イ　「本発明はかかる従来技術の課題を解決し，
Ｓｉ基板又はＳｉ膜（含ＳｉＯ
２
膜）を８００℃以下の低温で形成する新しいシリコン窒化膜の形成方法を提供する
　
ウ　「いま，
Ｓｉ基板あるいはＳｉ膜やＳｉＯ
２
膜が形成されたウェーハ３を炉１により６００℃程度に加熱しながらチューブ４から窒素ガス６をプラズマ発生器５で励起して窒素プラズマを発生させ，該窒素プラズマ中の活性な窒素ラジカルを，前記ウェーハ３の表面に照射すると，Ｓｉ基板表面やＳｉ膜あるいはＳｉＯ
２
膜は１００Å／分程度の速度でＳｉ
３
Ｎ
４
膜化することができる
　
（３）　周知例３
　本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開昭６０−１６７３３４号公報（以下「周知例３」という。）には，次の記載がある。
　
ア　「この装置を用いてシリコン直接窒化膜を形成するには，まず，通常の化学的洗浄を行ったシリコン半導体基板１０を反応室４内にセットする。（中略）次ぎに，
赤外線ランプ９を作動しシリコン半導体基板１０を温度約４００［℃］程度に加熱する。次ぎに，アルゴン・フッ素エキシマ・レーザから送出される紫外光をシリコン半導体基板１０に垂直に照射し，反応室４内のアンモニア分子を分解してラジカルを生成させてシリコン半導体基板１０の表面を窒化する
　
イ　「発明の効果
　本発明に於ける半導体装置の製造方法は，
シリコン半導体基板が配置された雰囲気をアンモニア・ガスを含む状態となし，該雰囲気に波長２８００［Å］以下の紫外光を照射し，該紫外光の照射でアンモニア分子が分解して生成されるラジカルで前記シリコン半導体基板表面を窒化しシリコン窒化物を含む膜を形成する
　従って，
シリコン直接窒化膜を生成させるのに必要とされる温度はシリコン半導体基板を加熱する為の高々４００［℃］程度の温度であって
　
（４）　相違点についての検討
　半導体装置の製造方法において，シリコン基板又はシリコン膜の表面に窒素を導入してシリコン窒化膜を形成する際に，上記シリコン基板又は上記シリコン膜の表面を，８００℃以下の温度で窒素を含むガスのラジカルに晒す工程を採ることは，例えば周知例１〜３にみられるように，当該技術分野では周知の技術であり，また，本願の明細書又は図面の記載からみて，本願発明は，「該半導体基板及び該ゲート電極の表面に，」「窒素を含むガスのプラズマ又はラジカルに晒して，窒素を導入する工程」を「８００℃以下の温度で」行うことにより，格別の作用効果を奏するものではない。
　さらに，上記２のイ及びウから，引用発明は，「ｎ型シリコン基板１」（本願発明の「一導電型の半導体基板」に相当。）及び「ゲート電極５」（本願発明の「ゲート電極」に相当。）の表面に，窒素ラジカルを含む雰囲気中で，（本願発明の「窒素を含むガスのプラズマ又はラジカルに晒して，」に相当。）窒素を導入することにより，「後の工程で熱処理を行う際に」「ソース・ドレイン領域からチャネル領域への不純物の異常拡散を抑制することができる」という作用効果を奏するから，本願発明と引用発明との間に，作用効果上，格別の相違はない。
　そうすると，引用発明において，上記「ｎ型シリコン基板１」及び上記「ゲート電極５」の表面に，窒素ラジカルを含む雰囲気中で窒素を導入する際に，この工程を「８００℃以下の温度で」行うこと（相違点に係る構成とすること）は，当業者が通常行い得ることである。
　
５　まとめ
　したがって，本願発明は，引用例に記載された発明（引用発明）及び例えば周知例１〜３にみられるような周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
　
第３　結言
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。