【事件の表示】
　特願２００６−１６８４０２「発光装置、画像形成装置、表示装置および電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月２７日出願公開、特開２００７−３３５３４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１８年６月１９日に出願された特願２００６−１６８４０２号であって、平成２０年４月７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１３日付けで意見書の提出及び手続補正がなされたところ、同年８月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１１日に拒絶査定不服の審判が請求された。
　その後、平成２１年７月２日付けで当審において拒絶理由の通知がなされ、同年８月２５日付けで意見書の提出及び手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２１年７月２日付け拒絶理由の概要
　当審で通知した、平成２１年７月２日付け拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の概要は以下のとおりである。
「１）本願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
２）本願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３）・・・・。
４）・・・・。
　　　　　　　　　　　引　用　例　一　覧
１．特開２００４−２５３３９０号公報
２．特開２００５−４４７７８号公報
３．特開２００２−３６７７７０号公報」
　
　
　第３　本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は、平成２１年８月２５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　なお、当該平成２１年８月２５日付け手続補正による補正は、特許請求の範囲についてするものであって、その補正内容は、補正前（平成２０年６月１３日付け手続補正書を参照。）の請求項１〜２に記載された発明特定事項である「発光する発光層」を、「発光するとともに電子注入層を含む発光層」と補正するものである。そして、当該補正は、本願の願書に最初に添付された明細書または図面に記載した事項の範囲内のものであるから、適法な補正である。
　
　そして、本願の請求項１〜２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明２」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に形成され、光を反射する光反射層と、
　前記光反射層上に形成され、光を透過させる第１電極と、
　前記第１電極上に形成され、発光するとともに電子注入層を含む発光層と、
　前記発光層上に形成され、前記発光層からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する第２電極と、
　前記第２電極上に形成され、前記第２電極からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する導電性半反射層とを備え、
　前記第２電極は仕事関数が４エレクトロンボルト以下であり、
　前記導電性半反射層は光の反射率が前記第２電極よりも高い金属材料であるマグネシウムから形成されている、
　ことを特徴とする発光装置。
　　【請求項２】
　基板と、
　前記基板上に形成され、光を反射する光反射層と、
　前記光反射層上に形成され、光を透過させる第１電極と、
　前記第１電極上に形成され、発光するとともに電子注入層を含む発光層と、
　前記発光層上に形成され、前記発光層からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する第２電極と、
　前記第２電極上に形成され、前記第２電極からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する導電性半反射層とを備え、
　前記第２電極は仕事関数が４エレクトロンボルト以下であり、
　前記導電性半反射層は光の反射率が前記第２電極よりも高い金属材料である銀から形成されている、
　ことを特徴とする発光装置。」
　
　
第４　当審の判断
１　本願発明２について
　本願発明２に関し、当審拒絶理由で通知した理由１）について検討する。
　
ア　刊行物
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−２５３３９０号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ａ１）「【請求項１】
  共通の基板上に、各色画素セットが所定の異なる色で発光する２組以上の異なる色画素セットに分割された画素配列を有するカラー有機発光表示装置であって、該配列に含まれる各画素が、
  該基板の上に配置された金属底部電極層、
  該金属底部電極層から間隔を置いて配置された金属上部電極層、
  該上部電極層と該底部電極層の間に、広帯域光を生じるように配置された有機EL要素、及び
  該金属底部電極層と該有機EL要素の間に配置された透明導電性位相層
を含み、該有機EL要素はすべての色画素について共通であり、該透明導電性位相層の厚さは、異なる色画素セットの画素が該所定の異なる色で発光するように異なる色画素セットの画素について個別に選定されており、該金属電極層の一方が半透明であり、その他方が実質的に不透明かつ反射性であり、該反射性である金属電極層の材料がAg、Au、Al又はこれらの合金を含み、該半透明である金属電極層の材料がAg、Au又はこれらの合金を含み、そして該半透明である金属電極層の厚さと、該有機層と該透明導電性位相層との合計厚と、該発光層の配置とが、該表示装置の各画素が、同調微小空洞共振器式OLEDデバイスを形成し、その発光出力効率が当該微小空洞共振器を含まない同等なOLEDデバイスより高くなるように選定されている、
ことを特徴とするカラー有機発光表示装置。
・・・・
【請求項７】
  該上部電極層が半透明であり、かつ、当該光が該半透明上部電極層を通して放出される、請求項１に記載のカラー有機発光表示装置。
・・・・
【請求項１１】
  該底部電極層がアノードであり、かつ、該上部電極層がカソードである、請求項１に記載のカラー有機発光表示装置。」
　
（ａ２）「【００１６】
  従来技術の教示や失敗に終わった試みに鑑みると、広範囲にわたるモデル化及び実験作業を通して、発光出力効率及び色質が高く、しかも色選択性を提供する高性能微小空洞共振器式OLEDデバイスを、金属鏡だけで実際に製造できたことは、まったく意外な発見であった。反射性金属電極と半透明金属電極の両方についてその材料選択が重要であること、そして該半透明金属電極の厚さもまた重要であることを見出した。反射性電極としては、Ag、Au、Al及びこれらの合金（これらの金属の少なくとも１種が５０原子％以上含まれる合金）をはじめとするわずかな種類の金属しか、好適には使用されない。その他の金属を使用すると、微小空洞共振器効果による輝度出力向上及び色質改善という利益がはるかに減少する。同様に、半透明電極についても、Ag、Au及びこれらの合金をはじめとするわずかな種類の材料しか、好適には使用されない。半透明電極の厚さ範囲も限定される。層が薄すぎると有意な微小空洞共振器効果が得られず、また層が厚すぎると輝度出力が低下する。・・・」
　
（ａ３）「【００２２】
  有機EL要素は少なくとも１層の発光層を有するが、通常は、それが複数の層を含む。有機EL要素の一例は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を含むことができる。有機EL要素は、低分子型OLED材料に基づくものであっても、高分子型OLED材料に基づくものであってもよい。高分子型OLED材料に基づくデバイスはPLEDと称されることが多い。有機EL要素は、蛍光性材料を含む場合もあれば、また燐光物質を含む場合もある。」
　
（ａ４）「【００２４】
  本発明によると、異なるカラー画素セットの画素に異なる微小空洞共振器長を提供することにより、着色の異なる画素を実現する。これは、異なる厚さの透明導電性位相層を設けることにより達成することができる。その後、すべての画素上に、パターン化されていない共通の有機EL要素及び共通の上部電極層を使用することにより表示装置の製造を完成させることができ、有機発光表示装置の製造プロセスが大幅に簡略化する。透明導電性位相層は、放出光に対して透明であること、そして当該金属底部電極層と有機EL要素との間で電荷キャリヤを搬送するよう導電性であること、が必要である。薄膜貫通電導度のみが重要であるため、バルク抵抗率としては約１０７Ω-cm未満であれば十分である。例えば、インジウム錫酸化物（ITO）、亜鉛錫酸化物（ZTO）、酸化錫（SnOx）、酸化インジウム（InOx）、酸化モリブデン（MoOx）、酸化テルル（TeOx）、酸化アンチモン（SbOx）、酸化亜鉛（ZnOx）及び酸化バナジウム（VOx）のような多くの金属酸化物、並びに銅フタロシアニンのような有機材料、を使用することができる。便利な別の選択肢として、有機EL要素に汎用されている電子輸送層又は正孔輸送層を利用する方法もある。例えば、金属底部電極がアノードである場合には、着色の異なる画素に、厚さの異なる正孔輸送層を予め付着させておくことができる。その後、すべての画素に、追加の正孔輸送層を共通の厚さで適用することにより、OLEDデバイスの構築を完成する。同様に、金属底部電極がカソードである場合には、透明導電性位相層として電子輸送層を利用することができる。
【００２５】
  金属底部電極と有機EL要素の間に透明導電性位相層として電子又は正孔輸送層以外の材料を使用する場合、該金属底部電極がカソードである場合には該透明導電性位相層と該有機EL要素の間に電子注入層を含めること、又は、該金属底部電極がアノードである場合には該透明導電性位相層と該有機EL要素の間に正孔注入層を含めることが、有益となる場合がある。使用可能な電子注入性材料及び正孔注入性材料は、上述したものと同じである。」
　
（ａ５）「【００３１】
  図３−ａに、本発明によるカラー有機発光表示装置の単一画素を代表する底面発光型微小空洞共振器式OLEDデバイス１０３ａの略横断面図を示す。微小空洞共振器式OLEDデバイス１０３ａは、基板１０、半透明金属底部電極１２Ｔ、透明導電性位相層２０、有機EL要素１４、及び反射性金属上部電極１６Ｒを含む。図３−ａには示されていないが、その他の特徴として、例えば、支持体１０の上で半透明金属底部電極１２Ｔの下方に存在し得るTFT回路構造体や、反射性金属上部電極１６Ｒの上に存在し得る保護オーバーコート又は封入構造体のようなものが存在していてもよい。２枚の金属電極が微小空洞共振器の反射鏡として機能する。発生した光は半透明金属底部電極１２Ｔ及び基板を通して放出されるので、基板１０は透明でなければならず、そしてガラス又はプラスチックから選択することができる。反射性金属上部電極１６ＲはAg、Au、Al又はこれらの合金から選ばれ、また半透明金属底部電極１２ＴはAg、Au又はこれらの合金から選ばれる。反射性金属上部電極１６Ｒの厚さは、それが実質的に不透明かつ反射性となるように、光学濃度が１．５以上になるように選定される。半透明金属底部電極１２Ｔの厚さは、当該微小空洞共振器式OLEDデバイス１０３ａからの所定の波長における発光出力が向上するように選定される。好適な厚さは、当該アノード及び当該カソードとして選ばれた材料に依存する。有機EL要素１４は、少なくとも発光層１４ｃを含み、そして１又は２以上の追加層、例えば正孔注入層１４ａ（図示なし）、正孔輸送層１４ｂ、電子輸送層１４ｄ及び電子注入層１４ｅ（図示なし）を含むことができる。図３−ａに示した順序では、半透明金属底部電極１２Ｔがアノードとなり、そして反射性金属上部電極１６Ｒがカソードとなる。有機EL要素１４と透明導電性位相層２０を合わせた厚さは、当該画素から放出されるべき所定の波長において共振が起こるよう微小空洞共振器式OLEDデバイス１０３ａを調整するように選定される。当該厚さは下記の方程式を満たす。
【００３２】
【数１】
　
【００３３】
  上式中、ｎｉ及びＬｉは、それぞれ有機EL要素１４における第ｉ番目の二次層の屈折率及び厚さであり、ｎｓ及びＬｓは、それぞれ透明導電性位相層２０の屈折率及び厚さであって０であってもよいものであり、Ｑｍ１及びＱｍ２は、２つある有機EL要素／金属電極界面におけるそれぞれの位相シフト（単位ラジアン）であり、λは、当該デバイスから放出されるべき所定の波長であり、そしてｍは負でない整数である。製造し易さを考慮し、また色純度のためにも、ｍは、青色画素については１であること、そして緑色及び赤色画素については０又は１であることが好ましい。
【００３４】
  金属電極間の全厚が、微小空洞共振器の共振波長を決定する上で最も重要な因子である。しかしながら、共振波長、特に共振の強さ（したがって当該デバイスの効率となる）はまた、発光層１４ｃと２つの電極の各々との間の距離にも左右される。具体的には、デバイス性能を最適化するためには、反射性金属上部電極１６Ｒと発光層１４ｃ（の中心）との間の距離が下記の方程式をおよそ満たすことが必要である。
【００３５】
【数２】
　
【００３６】
  上式中、ｎｉ及びＬｉは、それぞれ有機EL要素１４における第ｉ番目の二次層の屈折率及び厚さであり、Ｑｍ１は、有機EL要素／金属カソード界面における位相シフト（単位ラジアン）であり、λは、当該デバイスから放出されるべき所定の波長であり、そしてｍＤは負でない整数である。方程式１とは対照的に、ここでの合計値は、発光層（の中心）と反射性金属上部電極１６Ｒとの間にある層についてのみである。半透明金属底部電極１２Ｔと発光層１４ｃとの間の距離についても類似の方程式を記述することができる。しかしながら、この第３の方程式は、方程式１と方程式２を満たすことにより満たされることが保証されるので、追加の制約が付与されることは一切ない。
  ・・・・
【００４０】
  デバイス構成の別態様として、半透明金属底部電極１２Ｔがカソードであり、かつ、反射性金属上部電極１６Ｒがアノードであってもよい。このような場合、有機EL要素１４は、正孔注入層及び正孔輸送層がアノード側に、そして電子注入層及び電子輸送層がカソード側にそれぞれ近くなるように、適宜配向される。
【００４１】
  上記の説明は、底面発光型OLEDデバイスに基づくものであるが、同様の検討事項及び方程式が、適当な変更を加えることにより、上面発光型デバイスにも適用される。」
　
（ａ６）「【００４７】
  計算結果を表１にまとめた。これらの結果は、半透明反射鏡としてＱＷＳを使用した微小空洞共振器式OLEDデバイス１０３ｃでは、微小空洞共振器を具備しないOLEDデバイス１０３ｂと比較して、実際に輝度出力が増大し、かつ、放出帯域幅（半値全幅ＦＷＨＭ）が狭くなったことを示している。・・・・」
　
（ａ７）「【００６３】
  例６
  例６は、金属半透明電極材料がデバイス性能に及ぼす影響を例証するものである。
  表６−ａに、図４−ａにより製作したデバイスであるが、当該デバイスのカソードとした半透明金属上部電極１６Ｔに種々の材料を使用したものの輝度出力の計算値を示す。すべのデバイスについて、反射性金属底部電極１２Ｒは４００nmのAg層とした。有機EL要素１４は、NPB系正孔輸送層１４ｂ、１０nmの発光層１４ｃ及びAlq系電子輸送層１４ｄを含むものと仮定した。発光層１４ｃの出力に波長依存性はないものと仮定した。このように仮定することにより、発光体の個別具体的特性とは無関係に微小空洞共振器の特性自体を評価することが容易となり、当該結論をいずれの発光体に対しても一般適用することができる。透明導電性位相層２０にはITO層を使用したが、吸収低減層２２は使用しなかった。NPB正孔輸送層１４ｂを除くすべての層の厚さを、輝度出力が最大となるように最適化した。正孔輸送層１４ｂの厚さは、すべてのデバイスについて、３０nmで一定とした。また、電子輸送層１４ｄの厚さは２０nm以上であるように制限した。後者の制限がないと、最適化アルゴリズムは、電子輸送層１４ｄについて非現実的なほど小さな厚さを選定してしまう。
【００６４】
【表６−ａ】
　【００６５】
  表６−ａは、半透明金属上部電極１６Ｔの材料選択がデバイス性能に顕著な影響を及ぼしたことを示している。半透明金属上部電極１６ＴとしてAu及びAgを使用したデバイスだけが、微小空洞共振増強効果を示した。カソードとして他の材料を使用した場合にはすべて、カソード厚が０であるときに最適性能が得られた。もちろん、これは現実的な場合にはならない。セルを完成させるためにはカソードが必要だからである。」
　
（ａ８）「【００７６】
  例８
  例８は、金属だけによる微小空洞共振器を使用した画素化について実証する。４種のOLEDを製作した。デバイス#8-1は、底面発光型構造において広帯域発光体を利用した従来型の非微小空洞共振器式OLEDであり、デバイス#8-2は、同一の広帯域発光体を利用して青色発光するように調整された
上面発光型微小空洞共振器式OLEDデバイス
・・・・
【００８０】
  デバイス#8-2、#8-3及び#8-4については、約４ミリトルのAr圧力下でのＤＣスパッタ処理により
、Agからなる厚さ９３nmのアノード層をガラス基板にコーティングした。その清浄なAg面上に、蒸発法で厚さ３nmのMoOx層を付着させ、正孔注入層とした。
以下の層を以下の順序で付着させた
　
(1)
非ドープ型正孔輸送層
　
(2)
ドープ型正孔輸送層及び発光層；
　
(3)
発光層；
　
(4)
電子輸送層；
　
(5)Liからなる厚さ１nmの電子注入層；及び
　
(6)Agからなる厚さ約２２．５nmのカソード
　
【００８１】
  これらの層を付着させた後、デバイスを蒸着室から封入用ドライボックス内へ移送した。デバイス完成品の構造を、ガラス/Ag(93)/MoOx(3)/NPB(変動)/NPB:2.5%ルブレン(20)/TBADN:1.5% 4-(ジ-p-トリル)-4'-[(ジ-p-トリルアミノ)スチリル]スチルベン(20)/Alq(20)/Li(1)/Ag(22.5)と示す。性能パラメータの測定値を表７に記載する。放出スペクトルを図６に曲線ｂ、曲線ｃ及び曲線ｄとして示す。」
　
　
イ　引用発明の認定
　上記記載事項からして、引用例１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「ガラス基板と、
前記ガラス基板にコーティングした、Agからなる厚さ９３nmのアノード層と、
その清浄なAg面上に付着させた、厚さ３nmのMoOx層からなる正孔注入層と、その上に、
  (1)非ドープ型正孔輸送層；
  (2)ドープ型正孔輸送層及び発光層；
  (3)発光層；
  (4)電子輸送層；
  (5)Liからなる厚さ１nmの電子注入層；及び
  (6)Agからなる厚さ約２２．５nmのカソード
をこの順序で付着させた、上面発光型微小空洞共振器式OLEDデバイス。」
　
　
ウ　対比・検討
　本願発明２と引用発明とを対比する。
（ア）　引用発明の「ガラス基板」及び「OLEDデバイス」は、それぞれ本願発明２の「基板」及び「発光装置」に相当する。
　
（イ）　引用発明の「微小空洞共振器」が本願の明細書における「マイクロキャビティ」に相当することは、当業者にとって自明な事項であり、そして、引用例１（上記記載事項（ａ５）を参照。）の、「有機EL要素１４と透明導電性位相層２０を合わせた厚さは、当該画素から放出されるべき所定の波長において共振が起こるよう微小空洞共振器式OLEDデバイス１０３ａを調整するように選定される。」（【００３１】段落）、及び「金属電極間の全厚が、微小空洞共振器の共振波長を決定する上で最も重要な因子である。」（【００３４】段落）との記載から、引用発明は、金属電極間、すなわち「Agからなる厚さ９３nmのアノード層」と「(6)Agからなる厚さ約２２．５nmのカソード」との間で共振させる微小空洞共振器を形成していることは明らかである。
　加えて、引用発明は上面発光型であるから、両金属電極のうち、上面側に位置する上記「(6)・・・カソード」が、光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射していることも明らかである。
　してみれば、引用発明の「前記ガラス基板にコーティングした、Agからなる厚さ９３nmのアノード層」は本願発明２の「前記基板上に形成され、光を反射する光反射層」に相当し、且つ、引用発明の「(6)Agからなる厚さ約２２．５nmのカソード」は、本願発明２の「光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する導電性半反射層」である「銀」に相当する。
　
（ウ）　引用発明では「Ag面上に付着させた、厚さ３nmのMoOx層」を「正孔注入層」と称しているが、MoOx層がAgからなるアノード層と接していること、及び上記記載事項（ａ４）の【００２４】段落に、MoOxが透明導電性位相層（「放出光に対して透明であり、かつ金属底部電極層と有機EL要素との間で電荷キャリアを搬送するよう導電性である」という条件を満たす層）の材料として挙げられている材料であること、から、引用発明の「MoOx層からなる正孔注入層」は、透明導電性位相層の作用・機能を有しているといえる。
　よって、引用発明の「その清浄なAg面上に付着させた、厚さ３nmのMoOx層からなる正孔注入層」は、本願発明２の「前記光反射層上に形成され、光を透過させる第１電極」に相当する。
　
（エ）　本願発明２の「発光層」について、本願の明細書【００１４】段落には、
「発光層１５は、正孔と電子との再結合による励起子の励起を経て発光する発光層を当該発光層に正孔を注入する正孔注入層上に積層して形成されている。・・・また、本実施の形態を変形し、発光層１５が正孔注入層を含まないようにしてもよいし、発光層１５が正孔輸送層、電子注入層または電子輸送層を含むようにしてもよい。」
と記載されていることから、「発光層」は正孔輸送層、電子注入層または電子輸送層を含む積層構造のものを包含すると認められる。
　よって、本願発明２における「発光するとともに電子注入層を含む発光層」は、積層構造からなる発光層中に、「電子注入層」を発明特定事項として含むものといえる。
　
　また、有機ＥＬ素子の技術分野において、「（電子）注入」と「（電子）輸送」という用語は技術的には差異はなく、「（電子）注入層」と「（電子）輸送層」が、どちらも導電層と発光層との間に位置し、導電層から発光層に対し電荷を注入し輸送するという、同等の作用・機能を有する層であることは、当業者にとって自明な事項であるから、引用発明の「(4)電子輸送層」は、本願発明２の「電子注入層」に相当するといえる。
　してみれば、引用発明におけるMoOx層からなる正孔注入層の上に付着させた、「(1)非ドープ型正孔輸送層；(2)ドープ型正孔輸送層及び発光層；(3)発光層；(4)電子輸送層」からなる発光層を含む４層構造は、本願発明２における「前記第１電極上に形成され、発光するとともに電子注入層を含む発光層」に相当する。
　
（オ）　そして、引用発明では「Li」からなる層を「電子注入層」と称しているが、当該電子注入層がAgからなるカソードと接していること、及びLiが４eV以下の仕事関数を有する金属であって有機ＥＬの分野における周知の陰極材料であることから、引用発明の「Liからなる厚さ１nmの電子注入層」が電極としての作用・機能を有していることは当業者にとって明らかである。
　また、本願の【００１５】段落に「また、半反射電極１６は、電子注入性の金属から形成されており、その仕事関数は４ｅＶ（エレクトロンボルト）以下である。半反射電極１６の形成材料は具体的にはカルシウムであるが、本実施の形態を変形し、半反射電極１６をリチウム、・・・としてもよい。」と記載されていることも総合して勘案すると、引用発明の「(5)Liからなる厚さ１nmの電子注入層」は、本願発明２の「仕事関数が４エレクトロンボルト以下であ」る、「第２電極」に相当する。
　
（カ）　また、上記（イ）で検討したように、引用発明は、「Agからなる厚さ９３nmのアノード層」と「(6)Agからなる厚さ約２２．５nmのカソード」との間で共振させる微小空洞共振器を形成しているのであるから、その両電極の間に位置する、引用発明の「(5)Liからなる厚さ１nmの電子注入層」が「前記発光層からの光の一部を透過させ」ていることは明らかであり、当該電子注入層は「Li」からなるので、光の一部は反射しているともいえる。
　一方、上記「Li」からなる電子注入層は１nmという薄膜であり、引用発明の微小空洞共振器はカソードの反射を利用して共振させているのであるから、微小空洞共振器を形成する各層に求められる作用・機能からして、上記「カソード」の光の反射率の方が、上記「電子注入層」の光の反射率よりも高いことは明らかである。
　よって、引用発明の「(5)Liからなる厚さ１nmの電子注入層」は、本願発明２の「前記発光層からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する」「第２電極」に相当し、引用発明の上記電子注入層の上に形成された「(6)Agからなる厚さ約２２．５nmのカソード」は、本願発明２の「導電性半反射層」である「銀」であって（上記（イ）を参照）、かつ、「光の反射率が前記第２電極よりも高い金属材料である銀」に相当する。
　
（キ）　請求人は、平成２１年８月２５日付け意見書において、「また、引用文献１における正孔輸送層〜電子注入層までの積層構造は、請求項２における発光層に相当します。」と主張する。
　確かに、引用発明では、「Li」からなる層を「電子注入層」と称しているのであるから、引用発明の非ドープ型正孔輸送層／ドープ型正孔輸送層及び発光層／発光層／電子輸送層／電子
注入
注入
　しかしながら、上記（エ）で検討したように、引用発明における、発光する層を含む４層構造が電子
輸送
注入
輸送
注入
　また、上記意見書においても、上記請求人が主張する引用発明の認定の根拠については何ら記載されておらず、当審拒絶理由における引用発明の認定に対する反論もない。
　
（ク）したがって、本願発明２と引用発明とは、以下の発明である点で一致する。
「基板と、
前記基板上に形成され、光を反射する光反射層と、
前記光反射層上に形成され、光を透過させる第１電極と、
前記第１電極上に形成され、発光するとともに電子注入層を含む発光層と、
前記発光層上に形成され、前記発光層からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する第２電極と、
前記第２電極上に形成され、前記第２電極からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する導電性半反射層とを備え、
　前記第２電極は仕事関数が４エレクトロンボルト以下であり、
前記導電性半反射層は光の反射率が前記第２電極よりも高い金属材料である銀から形成されている、
　ことを特徴とする発光装置。」
　
（ケ）よって、本願発明２と引用発明とは、差異がない。
　
　
エ　本願発明２についてのまとめ
　以上のとおり、本願の請求項２に係る発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許を受けることができない。
　
　
　
２　本願発明１について
　本願発明１に関し、当審拒絶理由で通知した理由２）について検討する。
ア　刊行物
（ア）引用例１
　引用例１の記載事項、及び引用発明については、上記「１　本願発明２について」の「ア　刊行物」及び「イ　引用発明の認定」を参照。
　
（イ）引用例２
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００５−４４７７８号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。（後述の「ウ　判断」で特に参照する箇所に下線を付した。）
（ｂ）「【００２１】
  前記正極２００と負極４００とは前記透明基板の一側に形成され、それらの間には発光層３３を含む中間層３０が形成されている。前記正極２００と負極４００とは前記発光層から発散された光を部分的に反射する半透明電導層として形成される。具体的に、前記正負極それぞれは透明電導層と部分反射層とを備える。すなわち、正極２００は光を透過させる第１透明電導層２１０と、前記第１透明電導層の内側面２１０ａに形成された第１部分反射層２２０とを備え、
負極４００は光を透過させる第２透明電導層４１０と、前記第２透明電導層の内側面４１０ａに形成された第２部分反射層４２０とを備える。
【００２２】
  前記第１部分反射層２２０と
第２部分反射層４２０は発光層３３から発散された光のうち部分反射層２２０，４２０を通過できない比較的弱い光を反射する。前記反射された光は前記発光層３３で発散された他の光または他の反射された光と干渉による強め合いが生じることによってその強さが強くなった後、前記部分反射層２２０，４２０のうちいずれか１層を通過して外部に放出される
【００２３】
  発光層から発散された光の一部は図２の矢印により図示されたように、部分反射層２２０，４２０間で振動するようになる。この振動する光は、その波長と部分反射層２２０，４２０間の各層の屈折率及び厚さ間の関係により、共鳴効果によって干渉による強め合いが生じて電界発光素子の外部に放出される。さらに具体的に述べれば、発光層３３で放出された光のうち強度の弱い光（すなわち、小振幅の光）は前記部分反射層２２０，４２０によって発光層３３に向けて反射される。前記反射された光は発光層３３で放出される他の光と干渉による強め合いを起こし、この補強干渉（干渉による強め合い）によって光の強度が強くなる（すなわち、大振幅となる）。従って、前記干渉によって強め合った光は部分反射層２２０，４２０はもとより、正極２０と負極４０を通過できるようになり、従って電界発光素子の光効率が向上される。前記干渉による強め合いは光効率はもとより、輝度及び色度座標も向上させる。
【００２４】
  前記第１部分反射層２２０と第２部分反射層４２０間の距離は、可視光線の波長の範囲が３８０ｎｍないし７７０ｎｍである点を勘案する時、５０ｎｍないし５００ｎｍであることが望ましい。
【００２５】
  前記第１透明電導層２１０と第２透明電導層４１０とはＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、及びＺｎＯより構成される群から選択された１透明材料より形成され、前記第１部分反射層２２０はＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｒ、及びＣｒより構成される群から選択された１部分反射材料より形成され、
前記第２部分反射層は
Ｍｇ
Ａｇ
　
　
（ウ）引用例３
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−３６７７７０号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の事項が記載されている。（後述の「ウ　判断」で特に参照する箇所に下線を付した。）
（ｃ）「【００１５】図１はこの発明の第１の実施形態による有機ＥＬ素子を示す。この
図１に示す有機ＥＬ素子は、いわゆる上面発光型の有機ＥＬ素子であり
・・・・
【００１９】そして、
半透明反射層１４は、カソード電極を構成するもので、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、あるいはそれらの合金等で構成されている。
【００２０】さらに、第２電極１５は、例えば酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide: ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物等、一般的に透明電極として用いられている材料で構成される。この第２電極１５は、膜厚が３０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲とする。また、この第２電極１５上には、透明誘電体からなるパッシベーション膜（図示せず）が設けられている。・・・・
【００２１】
この有機ＥＬ素子では、光反射材料からなる第１電極１２と有機層１３と半透明反射層１４とで共振器構造が構成されており、有機層１３が共振部となっている。
            δ＝２π・２Ｌ／λ＋Φ                        （２）
である。ここで、
            δ＝２π・ｍ      （ただし、ｍは整数）        （３）
の成り立つλが、狭帯域フィルタである多重干渉フィルタのピーク波長となる。これをλｍａｘとすると、式（２）、（３）から
            ２Ｌ／λｍａｘ ＋Φ／２π＝ｍ                    （４）
が得られる。Ｌはこの式（４）を満たすように設定される。」
　
　
イ　対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　本願発明１と先に「１　本願発明２について」で検討した本願発明２とは、導電性半反射層の材料が、本願発明１では「マグネシウム」であるのに対し、本願発明２では「銀」である点で異なるにすぎず、その本願発明２と引用発明に差異がないことは、上記「１」の「ウ　対比・検討」で述べたとおりであるから、本願発明１と引用発明とは以下の点で相違し、その他の点で一致する。
　
［相違点］
　導電性半反射層の材料が、本願発明１では「マグネシウム」であるのに対し、引用発明では「銀」である点。
　
　
ウ　判断
　上記相違点について検討する。　
　引用例２〜３（上記記載事項（ｂ）〜（ｃ）を参照）には、マイクロキャビティ（微小空洞共振器）を形成するとともに、カソード（負極）側から出射光が得られる有機電界発光素子であって、カソード（負極）を構成する導電性半反射層の材料として、銀の他にマグネシウムも選択可能であることが記載されている。
　そして、上記「１」「ウ　対比・検討」の（イ）で検討したように、引用発明は、「Agからなる厚さ９３nmのアノード層」と「(6)Agからなる厚さ約２２．５nmのカソード」との間で共振させる微小空洞共振器を形成し、両金属電極のうち、上面側に位置する上記「(6)Agからなる・・・カソード」が、光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する、すなわち金属半透明電極である。
　
　ここで、引用例１の上記記載事項（ａ２）の【００１６】段落には、「反射性金属電極と半透明金属電極の両方についてその材料選択が重要であること、そして該半透明金属電極の厚さもまた重要であることを見出した。・・・その他の金属を使用すると、微小空洞共振器効果による輝度出力向上及び色質改善という利益がはるかに減少する。同様に、半透明電極についても、Ag、Au及びこれらの合金をはじめとするわずかな種類の材料しか、好適には使用されない。半透明電極の厚さ範囲も限定される。層が薄すぎると有意な微小空洞共振器効果が得られず、また層が厚すぎると輝度出力が低下する。」と記載されており、上記記載事項（ａ７）において、金属半透明電極材料がデバイス性能（輝度、ピーク高さ及びFWHM（放出帯域幅または半値全幅を意味する。上記記載事項（ａ６）を参照））に及ぼす影響について例証を行っているから、引用例１には、半透明金属電極の材料として、デバイス性能を向上させるに適した材料を選択しようとする技術思想が開示されているといえる。
　
　してみれば、引用発明の「(6)Agからなる・・・カソード」の材料として、上記引用例２〜３に記載された技術的事項を適用し、「銀」から「マグネシウム」に置換して、デバイス性能を向上させようとすること、すなわち、引用発明から上記相違点に係る本願発明１の発明特定事項を得ようとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　本願発明１の作用・効果についても、引用例１には、金属半透明電極材料がデバイス性能に及ぼす影響として、輝度、ピーク高さ，及びFWHM（放出帯域幅または半値全幅）について具体的に検討している（上記記載事項（ａ７）の【表６−ａ】を参照）から、引用発明が、出射光量の増大及び発光スペクトルの狭帯域化という、本願発明１と同様の作用・効果を得ようとしていることは明らかである。
　
　したがって、本願発明１は、引用発明及び引用例２〜３に記載された技術的事項から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
エ　本願発明１についてのまとめ
　よって、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により、本願の請求項２に係る発明は同法第２９条第１項第３号の規定により、それぞれ特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。