【事件の表示】
　平成　７年特許願第２７０６４９号「化学機械式研磨装置および研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　５月１４日出願公開、特開平　８−１１８２３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年９月２６日の出願（パリ条約による優先権主張１９９４年１０月２４日、アメリカ合衆国）であって、その請求項１に係る発明は、平成１８年１月１９日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりである。
　
「半導体基板を化学機械式研磨装置に配置する段階；および
　前記半導体基板を研磨流体を使用して研磨する段階；
　より成る半導体基板を研磨する方法であって：
　前記の研磨する段階は、前記研磨流体を前記半導体基板に供給する供給段階より成り、該供給段階は：
　第１供給線を介して、研磨粒子を含む所定体積の第１流体を流す段階；
　第２供給線を介して、酸、塩基または希釈剤から選んだ成分を含む、前記第１流体と同一体積の第２流体を流す段階；
　前記化学機械式研磨装置において、前記第１および第２供給線からの前記第１および第２流体を結合させ、結合流体を形成する結合段階；
　前記結合流体を、インライン混合器に達する前に、管を通って流す段階；
　前記化学機械式研磨装置において、前記インライン混合器内で前記結合流体を撹拌混合し前記研磨流体を作る段階であって、前記結合段階とは別個に行われ、前記半導体基板に到達する前に、前記半導体基板研磨の使用現場付近で行われるところの撹拌混合段階；および
　前記研磨流体を前記半導体基板に供給するために、前記インライン混合器の出力口を介して前記研磨流体を流す段階；
　より成ることを特徴とする方法。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．当審の拒絶理由
　一方、当審において、平成１７年７月８日付で通知した拒絶の理由の概要は、本件発明が、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開昭６３−３０６８８１号公報（以下、「刊行物１」という。）に記載された発明と、米国特許第３２８６９９２号明細書（以下、「刊行物２」という。）及び実願昭５９−１８０９５２号（実開昭６１−９６６６０号）のマイクロフィルム（以下、「刊行物３」という。）に記載された事項及び従来周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
３．刊行物に記載された発明（事項）
3.1　刊行物１
ａ．（特許請求の範囲第１項）
　「上定盤と下定盤との間に加工物を保持しつつ混合に際して劣化する傾向のある複数の成分からなる研磨剤を用いてポリシングを行う両面ポリシング方法において、前記複数の研磨剤成分を前記定盤の少なくとも一方に所定の混合比となるよう個別に独立して送給することを特徴とする両面ポリシング方法。」
ｂ．（第２ページ左上欄第９〜１０行）
「研磨液による化学的作用と研摩布による機械的作用によって鏡面研磨がもたらされる。」
ｃ．（第２ページ左下欄第１２〜１４行）
「ところで、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等の半導体ウエハは次亜塩素酸系研磨剤、コロイダルシリカ系研磨剤等の研磨剤を用いることが多い。」
ｄ．（第３ページ右下欄第８行〜第４ページ第９行）
「本発明に従えば、研磨剤を保持するリング９が、その混合に際して劣化傾向を示す成分の数に対応して多重構造９ａ，９ｂ（ここでは２成分として示す）に分割される。そして、研磨剤送出配管１０も、１０ａ及び１０ｂとして示すようにリングの多重構造化に応じて個別に配置される。研磨剤供給配管１２もまた、１２ａ，１２ｂとして示すようにリングの多重構造化に応じて個別配置される。研磨剤送出配管１０ａ及び１０ｂは、上定盤の穴１１を覆って形成される合流部１３において合流し、ここで始めて混合が開始される。混合後は穴１１を通った後迅やかに加工物周囲に到達するので劣化が生じる前にポリシング作用を奏することが出来る。
　研磨剤供給配管１２ａ及び１２ｂには、各成分の供給速度を独立にコントロールしうるようポンプ１４ａ及び１４ｂがそれぞれ組込まれている。これにより、成分の最適混合比を容易に実現できると併せて、ポリシング期間中、最初は強いポリシング作用をそして後半は弱いポリシング作用を与えるといったポリシング作用の調整が容易となる。」
　
　摘記事項ｂから、刊行物１記載の「ポリシング方法」は、化学機械式研磨装置を用いた化学機械式研磨による研磨方法であることが明白であり、半導体ウエハが化学機械式研磨装置に配置されることはいうまでもないことである。
　また、摘記事項ｄからは、ポンプ１４ａ及び１４ｂがそれぞれ所定体積の研磨剤成分を供給することが理解される。
　そこで、摘記事項ａ〜ｄの記載内容を本件発明の記載に沿って整理すると、刊行物１には、
「半導体ウエハを化学機械式研磨装置に配置する段階；および
　前記半導体ウエハを研磨剤を使用して研磨する段階；
　より成る半導体ウエハを研磨する方法であって：
　前記の研磨する段階は、前記研磨剤を前記半導体ウエハに供給する供給段階より成り、該供給段階は：
　研磨剤供給配管１２ａを介して、所定体積の研磨剤第１成分を流す段階；
　研磨剤供給配管１２ｂを介して、所定体積の研磨剤第２成分を流す段階；
　前記化学機械式研磨装置において、前記研磨剤供給配管１２ａおよび研磨剤供給配管１２ｂからの前記研磨剤第１成分および研磨剤第２成分を結合させ、研磨剤を形成する結合段階；および
　前記研磨剤を前記半導体ウエハに供給するために、前記研磨剤を流す段階；
　より成る方法。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
3.2　刊行物２
ｅ．（第１欄第１４〜１９行）
「This invention relates to a device for mixing two or more fluid feed materials and dispensing the resulting composition. The feed materials will ordinarily be liquids, or one may be a gas; they may or may not be reactive with one another; and the resulting composition may therefore be a mixture or a compound. 」
ｆ．（第２欄第１９〜２４行）
「In FIG. 1, the numeral 10 represents a hollow cylindrical tube of uniform cross-section; this tube has a feed end 12 into which feed liquids A and B are fed through lines 14 and 16, and a delivery or dispensing end 18, out of which the product of A and B, thoroughly homogeneous, is delivered or dispensed.」
ｇ．（第３欄第４７〜５４行）
「In the arrangement shown in FIG. 2, wherein like numerals refer to like parts as in FIG. 1, feed materials A and B, in containers 40 and 42 respectively, are forced by any suitable means into header 44 and thence into tube 10, which contains elements 20, 21, 22, 23 ... 29, 30 arranged as in FIG. 1. Tube 10 terminates in a nozzle 46, which may contain one or more screens 48, placed beyond the last of the curved elements. 」
ｈ．（第３欄第６０〜６２行）
「In the FIG. 2 arrangement, there will be a minor amount of mixing of the feed materials A and B when they meet in header 44 and proceed into tube 10. 」
　
　摘記事項ｆ及びｇから、刊行物２記載の「tube 10」が、本件発明の「インライン混合器」に相当するものであることが明白であり、また、インライン混合器の出口のノズル46が混合された流体の使用現場近くに位置することが理解される。
　そこで、 摘記事項ｅ〜ｈを整理すると、刊行物２には、
「第１流体Aを流す段階；
　第２流体Bを流す段階；
　前記第１流体Aおよび第２流体Bをヘッダ44において結合させ、結合流体を形成する結合段階；
　インライン混合器内で前記結合流体を撹拌混合して混合流体を作る段階であって、前記結合段階に続いて行われ、混合流体の使用現場付近で行われるところの撹拌混合段階；および
　前記混合流体を供給するために、前記インライン混合器のノズルを介して前記混合流体を流す段階；
　より成る方法。」（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
　
3.3　刊行物３
ｊ．（明細書第２ページ第１１〜１３行）
「例えば半導体ウエハのポリシング加工に用いるポリシング装置は、研摩剤を供給しつつ被加工物を研摩するものである。」
ｋ．（明細書第７ページ第１７行〜第８ページ第７行）
「第２図は本考案の他の実施例を示すもので、第１図と同一部分は同一符号を付している。この実施例は研摩剤混合タンク７及びポンプＰ３を省略し、研摩剤原液タンク２のポンプＰ１と純水タンク３のポンプＰ２とを配管９により互いに接続し、この配管９を直接研摩加工部１へ接続する構成をなしている。そして、ポンプＰ１，Ｐ２によりタンク２，３から取り出した研摩剤原液と純水を配管９に流し、この配管９を流す途中で原液と純水とを混合して研摩剤として研摩加工部１へ直接供給することができる。」
ｌ．（第２図）
　研摩剤原液タンク２のポンプＰ１から研摩剤原液を供給する配管からの研摩剤原液と、純水タンク３のポンプＰ２から純水を供給する配管からの純水とが、配管９において結合され、結合された研摩剤原液と純水が配管９を通って流れることが、理解される。
　
　摘記事項ｊ〜ｌを整理すると、刊行物３には、
「半導体ウエハを研摩する方法であって：
　ポリシング装置において、研摩剤原液タンク２のポンプＰ１から研摩剤原液を供給する配管および純水タンク３のポンプＰ２から純水を供給する配管からの研摩剤原液および純水を結合させ、結合流体を形成する結合段階；および
　前記結合流体を、管を通って流す段階；
　より成る方法。」（以下、「刊行物３記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
　
４．対比　 
　本件発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「半導体ウエハ」、「研磨剤」、「研磨剤供給配管１２ａ」、「研磨剤供給配管１２ｂ」、「研磨剤第１成分」及び「研磨剤第２成分」が、前者の「半導体基板」、「研磨流体」、「第１供給線」、「第２供給線」、「第１流体」及び「第２流体」にそれぞれ相当することは明白である。
　そうしてみると、両者は以下の点で一致及び相違すると認められる。
＜一致点＞
「半導体基板を化学機械式研磨装置に配置する段階；および
　前記半導体基板を研磨流体を使用して研磨する段階；
　より成る半導体ウ基板を研磨する方法であって：
　前記の研磨する段階は、前記研磨流体を前記半導体基板に供給する供給段階より成り、該供給段階は：
　第１供給線を介して、所定体積の第１流体を流す段階；
　第２供給線を介して、第２流体を流す段階；
　前記化学機械式研磨装置において、前記第１および第２供給線からの前記第１および第２流体を結合させ、研磨流体を形成する結合段階；および
　前記研磨流体を前記半導体基板に供給するために、前記研磨流体を流す段階；
　より成る方法。」である点。
＜相違点１＞
　第１流体及び第２流体は、前者ではそれぞれ「研磨粒子を含む第１流体」及び「酸、塩基または希釈剤から選んだ成分を含む第２流体」であるのに対し、後者では各流体の成分について明記されていない点。
＜相違点２＞
　研磨流体を作る段階は、前者では「結合流体をインライン混合器に供給する前に、管を通って流す段階」をもつのに対し、後者ではこのような特定がない点。
＜相違点３＞
　研磨流体を作る段階は、前者では「インライン混合器内で前記結合流体を攪拌混合し研磨流体を作る段階であって、結合段階とは別個に行われ、使用現場付近で行われるところの攪拌混合段階」をもつのに対し、後者ではこのような特定がない点。
＜相違点４＞
　供給段階において、前者では第１流体と同一体積の第２流体を流すのに対し、後者では第２流体の第１流体に対する体積の比率が記載されていない点。
　
５． 当審の判断　 
　以下、上記相違点について検討する。
5.1　＜相違点１＞について
　刊行物１には、「研磨剤は一般に複数の成分から成るが、研磨剤の種類によって複数成分の混合後、分解、凝固、組成変化等（これらを総称して劣化という。）を生じる傾向がある。その代表例は、次亜塩素酸系研磨剤及びコロイダルシリカ系研磨剤である。コロイダルシリカ系研磨剤を例にとると、これはコロイダルシリカ＋強アルカリから成る。」（第３ページ左上欄第２０行〜右上欄第７行）、「そのため、コロイダルシリカ＋ＮａＯＨ、コロイダルシリカ＋ＫＯＨ、コロイダルシリカ＋Ｎａ３ＰＯ４等の研磨剤では混合後シリカが凝固する傾向がある。」（第３ページ右上欄第１０〜１３行）との記載がある。
　してみると、刊行物１記載の発明において、研磨流体の劣化を避ける目的で半導体基板研磨の使用現場付近で行われるところの混合段階に供給される第１及び第２流体として、コロイダルシリカを含む第１流体と、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｎａ３ＰＯ４等の塩基を含む第２流体との組み合わせがあることは、当業者が容易に理解することができるものである。
　コロイダルシリカが、本件発明の「研磨粒子」に相当するものであることは、明白である。
　したがって、刊行物１には、研磨粒子を含む第１流体と塩基を含む第２流体とを半導体基板研磨の使用現場付近で混合することが、実質的に記載されているというべきである。
　
　なお、刊行物３記載の事項において、研摩剤原液を研磨粒子を含むものとすることは従来周知であり、純水は研摩剤原液を希釈するものであるから、研磨粒子を含む第１流体と希釈剤を含む第２流体とを半導体基板研磨の使用現場付近で混合することが、刊行物３に記載されているということもできる。刊行物３記載の事項は、刊行物１記載の発明と同様、半導体ウエハのポリシング加工に用いる研磨剤の供給に関するものであるから、刊行物３記載の事項を刊行物１記載の発明に適用して、相違点１に係る構成を本件発明のものとすることは、当業者にとって容易である。
　
5.2　＜相違点２＞について
　刊行物３記載の事項における「研摩剤原液を供給する配管」、「純水を供給する配管」、「研摩剤原液」及び「純水」が、本件発明の「第１供給線」、「第２供給線」、「第１流体」及び「第２流体」に相当することは明白であるから、刊行物３には「ポリシング装置において、研摩剤原液を供給する配管および純水を供給する配管からの研摩剤原液および純水を結合させ、結合流体を形成する結合段階と、前記結合流体を、管を通って流す段階と、をもつ研摩方法。」が記載されているということができる。
　刊行物３記載の事項は、刊行物１記載の発明と同様、半導体ウエハのポリシング加工に用いる研磨剤の供給に関するものであるから、刊行物２記載の事項を刊行物１記載の発明に適用して、結合段階に続いて結合流体を管を通って流す段階を設けることは、当業者が容易になし得る。
　
5.3　＜相違点３＞について
　刊行物２記載の事項中の「ノズル」が、本件発明の「出力口」に相当することは明白であるから、刊行物２には、インライン混合器内で結合流体を撹拌混合して混合流体を作る段階であって、混合流体の使用現場付近で行われるところの撹拌混合段階と、前記混合流体を供給するために、前記インライン混合器の出力口ノズルを介して前記混合流体を流す段階とをもつ方法が記載されている。
　刊行物２記載の事項は研磨流体を作ることを目的とするものではないが、混合して時を経ると使用に適さなくなる流体を、流体の使用現場付近で混合するものである限りにおいて刊行物１記載の発明と課題が共通しているため、刊行物２記載の事項を刊行物１記載の発明に適用して、結合段階の後、混合流体の使用現場付近でインライン混合器による攪拌混合段階と、インライン混合器の出力口を介して混合流体すなわち研磨流体を流す段階とを設けることは、当業者が容易に想到し得る。
　攪拌混合段階を結合段階と別個に行うことは、研磨装置の配置に応じて当業者が適宜設計し得る事項である。
　
5.4　＜相違点４＞について
　第１流体と同一体積の第２流体を流すことの技術的意義について、審判請求人は平成１８年１月１９日付意見書において、「第１流体と第２流体の体積を同一にすることにより、より効率的に成分をインライン混合器内で混合することができる」と、効果を主張している。
　しかしながら、インライン混合器内での混合効率は、２つの流体の比重や粘性等によっても影響されるため、単に２つの流体の体積が同一であるというだけで混合効率が向上する効果を生じると認めることはできない。また、混合が効率よく行われる体積比率は、当業者が実験等によって容易に到達し得るものである。
　したがって、第１流体と同一体積の第２流体を流すことは、当業者が容易に採用し得る設計的事項に過ぎないものというべきである。
　
5.5　まとめ
　本件発明の作用効果は、刊行物１記載の発明と刊行物２及び刊行物３記載の事項及び従来周知の技術事項から普通に予測されるものである。
　よって、本件発明は刊行物１記載の発明と刊行物２及び刊行物３記載の事項及び従来周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６． むすび
　以上の通り、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１記載の発明と刊行物２及び刊行物３記載の事項及び従来周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。