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【手続補正書】
【提出日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該単結晶半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
前記ハロゲンを含む絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
バイアス電圧を印加して前記ハロゲンを含む絶縁膜に対して、酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
前記ハロゲンを含む絶縁膜と半導体基板の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
バイアス電圧を印加して前記ハロゲンを含む絶縁膜に対して、酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
前記ハロゲンを含む絶縁膜と前記単結晶半導体基板の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該単結晶半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
前記ハロゲンを含む絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
バイアス電圧を印加して前記ハロゲンを含む絶縁膜に対して、酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
半導体基板の表面に熱酸化処理を行うことにより、該半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、
前記ハロゲンを含む絶縁膜と前記絶縁膜の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板に熱酸化処理を行うことにより、該単結晶半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
バイアス電圧を印加して前記ハロゲンを含む絶縁膜に対して、酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
前記ハロゲンを含む絶縁膜と前記絶縁膜の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
単結晶半導体基板にハロゲンを含む雰囲気で熱酸化処理を行うことにより、該単結晶半導体基板の表面にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、
前記ハロゲンを含む絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
前記脆化層が形成された側の前記ハロゲンを含む絶縁膜上に第１の絶縁膜を形成し、
バイアス電圧を印加して前記第１の絶縁膜に対して酸素ガスを用いてプラズマ処理を行い、
半導体基板の表面に熱酸化処理を行うことにより、該半導体基板の表面に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の一方の面とが向かい合うように接着させ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された前記半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記半導体基板に接着された前記単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記接着させる前に該接着表面にオゾン水洗浄とフッ酸による洗浄を複数回繰り返す表面処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記脆化層の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、
前記水素ガスを励起して、Ｈ３＋を含むプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオンを加速して、前記単結晶半導体基板に照射することで、前記脆化層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記ハロゲンを含む絶縁膜は、酸化シリコンを主成分とする絶縁膜であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記ハロゲンを含む絶縁膜は、ハロゲンの濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記ハロゲンは、塩素であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記ハロゲンは、塩素及びフッ素であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記半導体基板は、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板または太陽電池級シリコン基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月13日(2012.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型の導電性を付与する不純物元素が導入された第１の領域、第２の領域、第３の領域と、チャネル領域とが設けられた半導体層と、
ゲート絶縁膜を介して前記半導体層と一部重畳するよう設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層において、
前記第１の領域は、前記ゲート電極に重畳して設けられておらず、前記ゲート電極に電気的に接続されており、
前記第２の領域は、前記ゲート電極に重畳して設けられておらず、容量素子の一方の電極に電気的に接続されており、
前記チャネル領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に重畳して設けられ、且つ前記第１の領域及び前記第３の領域の間に設けられ、且つ前記第１の領域と接して設けられており、
前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に重畳して設けられ、且つ前記チャネル領域及び前記第２の領域の間に設けられており、前記不純物元素を前記第１の領域及び前記第２の領域より低濃度に含む領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ｎ型の導電性を付与する不純物元素が導入された第１の領域、第２の領域、第３の領域、第４の領域、第５の領域と、第１のチャネル領域、第２のチャネル領域とが設けられた半導体層と、
ゲート絶縁膜を介して前記半導体層と一部重畳するよう設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層において、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記ゲート電極に重畳して設けられておらず、前記ゲート電極に電気的に接続されており、
前記第３の領域は、前記ゲート電極に重畳して設けられておらず、容量素子の一方の電極に電気的に接続されており、
前記第１のチャネル領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に重畳して設けられ、且つ前記第１の領域及び前記第３の領域の間に設けられ、且つ前記第１の領域と接して設けられており、
前記第２のチャネル領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に重畳して設けられ、且つ前記第２の領域及び前記第３の領域の間に設けられ、且つ前記第２の領域と接して設けられており、
前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に重畳して設けられ、且つ前記第１のチャネル領域及び前記第３の領域の間に設けられており、前記不純物元素を前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域より低濃度に含む領域であり、
前記第５の領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に重畳して設けられ、且つ前記第２のチャネル領域及び前記第３の領域の間に設けられており、前記不純物元素を前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域より低濃度に含む領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の領域には、交流信号が入力され、
前記交流信号は、基準電位を挟んで第１の電位及び第２の電位が連続的に入力される信号であり、
前記第２の領域より出力される信号は、前記基準電位より大きく、前記第１の電位以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の領域及び前記第２の領域には、交流信号が入力され、
前記交流信号は、基準電位を挟んで第１の電位及び第２の電位が連続的に入力される信号であり、
前記第３の領域より出力される信号は、前記基準電位より大きく、前記第１の電位以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項３において、
前記第１の領域は、無線信号を受信するためのアンテナに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２又は請求項４において、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、無線信号を受信するためのアンテナに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１、請求項３又は請求項５において、
前記第３の領域に導入される不純物元素の濃度は、２．０×１０-18 乃至４．０×１０-18 ｃｍ-3であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項２、請求項４又は請求項６において、
前記第４の領域及び前記第５の領域に導入される不純物元素の濃度は、２．０×１０-18 乃至４．０×１０-18 ｃｍ-3であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記半導体装置を構成するトランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置を具備することを特徴とするＩＣラベル、ＩＣタグ、ＩＣカード。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月20日(2012.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列に連結された複数の発光ダイオードストリングを複数のパルス信号を用いて該発光ダイオードストリングのそれぞれの光量を制御して発光させる段階と、
前記発光ダイオードストリングの抵抗偏差を制御する制御回路に連結された前記発光ダイオードストリングの出力端の電圧を前記パルス信号に同期させて検出する段階と、
前記検出された検出電圧が予め設定された許容範囲を外れた場合に前記発光ダイオードストリングの駆動を停止させる段階と、を有することを特徴とする光源駆動方法。
【請求項２】
前記発光ダイオードストリングの出力端の電圧は、前記発光ダイオードストリングに発光ダイオードがショートする不良が発生した場合に昇圧されることを特徴とする請求項１記載の光源駆動方法。
【請求項３】
前記許容範囲は、ショートした発光ダイオードの個数に対応して設定されることを特徴とする請求項１記載の光源駆動方法。
【請求項４】
並列に連結された複数の発光ダイオードストリングを含む光源と、
前記発光ダイオードストリングのそれぞれの光量を制御するパルス信号を生成するパルス発生部と、
前記発光ダイオードストリングの出力端と連結され、前記発光ダイオードストリングの抵抗偏差を制御し前記パルス信号に応答して前記発光ダイオードストリングの光量を制御する多チャンネル電流制御部と、
前記発光ダイオードストリングの出力端に連結され、前記パルス信号に同期させて前記発光ダイオードストリングのショート不良を検出する不良検出部と、を備えることを特徴とする光源装置。
【請求項５】
前記発光ダイオードストリングに駆動電圧を印加する電圧発生部を更に備え、
前記不良検出部は、ショート不良が検出された場合に前記駆動電圧を遮断するように前記電圧発生部を制御することを特徴とする請求項４記載の光源装置。
【請求項６】
前記不良検出部は、
前記発光ダイオードストリングの出力端と該不良検出部の一端とがそれぞれ連結され、前記パルス信号が印加される複数の入力端子を有する複数の検出回路と、
前記検出回路の他端が共通に連結された共通端と連結されて検出電圧が印加される第１入力端、第１基準電圧が印加される第２入力端、及び電圧制御信号を出力する出力端を有する比較器と、を含むことを特徴とする請求項５記載の光源装置。
【請求項７】
前記多チャンネル電流制御部は、
前記発光ダイオードストリングの出力端のそれぞれにドレインが連結された制御トランジスタと、
第２基準電圧が印加される第１入力端、前記制御トランジスタのソースと連結された第２入力端、及び前記制御トランジスタのゲートに連結された出力端を有する演算増幅器と、
前記制御トランジスタのソースと連結されたドレイン、それぞれの前記パルス信号が印加されるゲート、及び接地と連結されたソースを有する駆動トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項４記載の光源装置。
【請求項８】
フレーム画像を表示する表示パネルと、
フレーム画像を複数のブロックに分け、該ブロックに該当する画像信号の輝度を利用してディミング制御信号を生成するローカルディミング制御部と、
前記ブロックにそれぞれ対応し、並列に連結された複数の発光ダイオードストリングを含む光源と、
前記ディミング制御信号に基づいて前記発光ダイオードストリングのそれぞれの光量を制御するパルス信号を生成するパルス発生部と、
前記発光ダイオードストリングの出力端と連結され、前記発光ダイオードストリングの抵抗偏差を制御し前記パルス信号に応答して前記発光ダイオードストリングの光量を制御する多チャンネル電流制御部と、
前記発光ダイオードストリングの出力端に連結され、前記パルス信号に同期させて前記発光ダイオードストリングのショート不良を検出する不良検出部と、を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記発光ダイオードストリングに駆動電圧を印加する電圧発生部を更に備え、
前記不良検出部は、ショート不良が検出された場合に前記駆動電圧を遮断するように前記電圧発生部を制御することを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記多チャンネル電流制御部は、
前記発光ダイオードストリングの出力端のそれぞれにドレインが連結された制御トランジスタと、
第２基準電圧が印加される第１入力端、前記制御トランジスタのソースと連結された第２入力端、及び前記制御トランジスタのゲートに連結された出力端を有する演算増幅器と、
前記制御トランジスタのソースと連結されたドレイン、それぞれの前記パルス信号が印加されるゲート、及び接地と連結されたソースを有する駆動トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月25日(2012.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の真空断熱材は、有機繊維を含む芯材と、該芯材を収納する外被材とを備え、前記外被材の内部を減圧封止する真空断熱材において、前記有機繊維には流動性を向上する添加剤として有機過酸化物添加剤を含有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記有機繊維はポリスチレン樹脂繊維であって、該ポリスチレン樹脂繊維の曲げ弾性率が３０００ＭＰａ以上４０００ＭＰａであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の冷蔵庫は、箱体を形成する外箱と、該外箱の内側に設けられた内箱と、前記外箱と前記内箱との間に設けられた真空断熱材と、を有する冷蔵庫において、前記真空断熱材は、有機繊維を含む芯材と、該芯材を収納する外被材とを備え、前記外被材の内部を減圧封止し、前記有機繊維には流動性を向上する添加剤として有機過酸化物添加剤を含有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機繊維を含む芯材と、該芯材を収納する外被材とを備え、前記外被材の内部を減圧封止する真空断熱材において、
前記有機繊維には流動性を向上する添加剤として有機過酸化物添加剤を含有することを特徴とする真空断熱材。
【請求項２】
前記添加剤の添加量は０.２重量％以上１.８重量％以下であることを特徴とする請求項１記載の真空断熱材。
【請求項３】
前記有機過酸化物添加剤はビス（三級ブチルジオキシイソプロピル）ベンゼンであることを特徴とする請求項１又は２記載の真空断熱材。
【請求項４】
前記有機繊維はポリスチレン樹脂繊維であって、該ポリスチレン樹脂繊維の曲げ弾性率が３０００ＭＰａ以上４０００ＭＰａであることを特徴とする請求項４記載の真空断熱材。
【請求項５】
箱体を形成する外箱と、該外箱の内側に設けられた内箱と、前記外箱と前記内箱との間に設けられた真空断熱材と、を有する冷蔵庫において、
前記真空断熱材は、有機繊維を含む芯材と、該芯材を収納する外被材とを備え、前記外被材の内部を減圧封止し、前記有機繊維には流動性を向上する添加剤として有機過酸化物添加剤を含有することを特徴とする冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動装置により回転駆動される駆動プーリと、回転自在に支持された従動プーリと、前記駆動プーリと前記従動プーリとの間に掛け渡され前記駆動プーリの回転に伴って回転する無端ベルトと、軸方向に延びるガイドレールと、前記無端ベルトに接続され且つ前記無端ベルトの回転に伴って前記ガイドレールに沿って軸方向に直線移動する主軸受と、を備え、前記主軸受に搭載物を搭載して直線移動させるアクチュエータにおいて、
前記主軸受は、軸方向に並んだ３個以上の軸受部材が連結部材により連結されてなり、これら軸受部材のうち一部は前記無端ベルトに接続されるベルト接続用軸受部材であり、他部は前記搭載物を搭載する搭載物用軸受部材であるとともに、前記連結部材は軸方向には変形せず軸方向以外の方向には変形可能であることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
前記ガイドレールの形状は断面略コ字状であり、前記ガイドレールの凹部内に前記無端ベルトの少なくとも一部が配されていることを特徴とする請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記無端ベルトと前記主軸受は、前記主軸受の重心位置において接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記連結部材が平板状の部材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記連結部材が丸軸状の部材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のアクチュエータ。
【請求項６】
軸方向に延びるカウンタガイドレールと、前記主軸受が接続された側とは前記両プーリを挟んで反対側において前記無端ベルトに接続され且つ前記無端ベルトの回転に伴って前記カウンタガイドレールに沿って軸方向に直線移動するカウンタ軸受と、をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記主軸受と前記ガイドレールとの間に気体軸受が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のアクチュエータ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月13日(2012.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る熱交換器は、切欠部を有し一定の間隔で平行に積層された複数の平板状のフィンと、それぞれのフィンの切欠部に挿入され、このフィンに接合された複数の扁平状の伝熱管とを備え、フィンの両端部を同方向に折り曲げて第１の折曲げ部を形成し、第１の折曲げ部の端部をさらに第１の折曲げ部が対向する方向に折り曲げて第２の折り曲げ部を形成したものである。
また、本発明に係る空気調和機は、送風手段及び上記の熱交換器を備えたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切欠部を有し一定の間隔で平行に積層された複数の平板状のフィンと、
前記それぞれのフィンの切欠部に挿入され該フィンに接合された複数の扁平状の伝熱管とを備え、
前記フィンの両端部を同方向に折り曲げて第１の折曲げ部を形成し、該第１の折曲げ部の端部をさらに該第１の折曲げ部が対向する方向に折り曲げて第２の折曲げ部を形成したことを特徴とする熱交換器。
【請求項２】
前記フィンの切欠部がほぼＵ字状をなし、該切欠部に前記扁平状の伝熱管が挿入されることを特徴とする請求項１記載の熱交換器。
【請求項３】
前記フィンの切欠部はその全周にほぼ垂直に立ち上げたフィンカラーを有することを特徴とする請求項１または２記載の熱交換器。
【請求項４】
前記隣接する伝熱管の中心軸間の距離と該伝熱管の外径との比率が、１：３．５６〜３．７５であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の熱交換器。
【請求項５】
前記フィンの両端部に設けた第１の折曲げ部の高さが前記フィンのフィンピッチと同じであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の熱交換器。
【請求項６】
送風手段、及び請求項１〜５のいずれかに記載の熱交換器を備えたことを特徴とする空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月23日(2012.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る空気調和機は、圧縮機、四方弁、熱源側熱交換器、膨張弁、利用側熱交換器を順次接続した冷凍サイクルを有する空気調和機において、前記圧縮機の吐出側と、前記熱源側熱交換器と前記膨張弁との間とを接続するホットガスバイパス回路と、前記ホットガスバイパス回路の流路を開閉する開閉手段と、ホットガスバイパス方式の除霜運転時には、前記圧縮機から吐出された冷媒の一部を、前記ホットガスバイパス回路を介して前記熱源側熱交換器に供給させ、リバース方式の除霜運転時には、前記四方弁を切り替えて、前記圧縮機から吐出された冷媒を前記熱源側熱交換器に供給させる制御手段とを備え、前記制御手段は、除霜運転を開始する際、前記圧縮機の回転数が所定の回転数未満の場合、前記圧縮機の回転数を所定量増加させて前記ホットガスバイパス方式により除霜運転を行い、前記圧縮機の回転数が前記所定の回転数以上の場合には、前記リバース方式の除霜運転を行うものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る空気調和機の除霜運転方法は、圧縮機、四方弁、熱源側熱交換器、膨張弁、利用側熱交換器を順次接続した冷凍サイクルと、前記圧縮機の吐出側と、前記熱源側熱交換器と前記膨張弁との間とを接続するホットガスバイパス回路とを備えた空気調和機の除霜運転方法であって、前記圧縮機の回転数を検出するステップと、前記圧縮機の回転数が所定の回転数未満のとき、前記圧縮機から吐出された冷媒の一部を、前記ホットガスバイパス回路を介して前記熱源側熱交換器に供給させてホットガスバイパス方式の除霜運転を行うステップと、前記圧縮機の回転数を所定量増加させるステップとを有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機、四方弁、熱源側熱交換器、膨張弁、利用側熱交換器を順次接続した冷凍サイクルを有する空気調和機において、
前記圧縮機の吐出側と、前記熱源側熱交換器と前記膨張弁との間とを接続するホットガスバイパス回路と、
前記ホットガスバイパス回路の流路を開閉する開閉手段と、
ホットガスバイパス方式の除霜運転時には、前記圧縮機から吐出された冷媒の一部を、前記ホットガスバイパス回路を介して前記熱源側熱交換器に供給させ、
リバース方式の除霜運転時には、前記四方弁を切り替えて、前記圧縮機から吐出された冷媒を前記熱源側熱交換器に供給させる制御手段と
を備え、
前記制御手段は、
除霜運転を開始する際、前記圧縮機の回転数が所定の回転数未満の場合、前記圧縮機の回転数を所定量増加させて前記ホットガスバイパス方式により除霜運転を行い、
前記圧縮機の回転数が前記所定の回転数以上の場合には、前記リバース方式の除霜運転を行う
ことを特徴とする空気調和機。
【請求項２】
圧縮機、四方弁、熱源側熱交換器、膨張弁、利用側熱交換器を順次接続した冷凍サイクルを有する空気調和機において、
前記圧縮機の吐出側と、前記熱源側熱交換器と前記膨張弁との間とを接続するホットガスバイパス回路と、
前記ホットガスバイパス回路の流路を開閉する開閉手段と、
ホットガスバイパス方式の除霜運転時には、前記圧縮機から吐出された冷媒の一部を、前記ホットガスバイパス回路を介して前記熱源側熱交換器に供給させ、
リバース方式の除霜運転時には、前記四方弁を切り替えて、前記圧縮機から吐出された冷媒を前記熱源側熱交換器に供給させる制御手段と、
前記熱源側熱交換器近傍の空気温度を検出する第１温度検知手段と、
を備え、
前記制御手段は、
除霜運転を開始する際、前記第１温度検知手段が検出した前記熱源側熱交換器近傍の空気温度が所定の判定温度を上回る場合、もしくは、前記熱源側熱交換器近傍の空気温度が所定の判定温度以下であっても前記圧縮機の回転数が所定の回転数未満の場合に、前記圧縮機の回転数を所定量増加させて前記ホットガスバイパス方式により除霜運転を行い、
前記熱源側熱交換器近傍の空気温度が前記所定の判定温度以下、且つ、前記圧縮機の回転数が前記所定の回転数以上の場合には、前記リバース方式の除霜運転を行う
ことを特徴とする空気調和機。
【請求項３】
圧縮機、四方弁、熱源側熱交換器、膨張弁、利用側熱交換器を順次接続した冷凍サイクルを有する空気調和機において、
前記圧縮機の吐出側と、前記熱源側熱交換器と前記膨張弁との間とを接続するホットガスバイパス回路と、
前記ホットガスバイパス回路の流路を開閉する開閉手段と、
ホットガスバイパス方式の除霜運転時には、前記圧縮機から吐出された冷媒の一部を、前記ホットガスバイパス回路を介して前記熱源側熱交換器に供給させ、
リバース方式の除霜運転時には、前記四方弁を切り替えて、前記圧縮機から吐出された冷媒を前記熱源側熱交換器に供給させる制御手段と、
前記熱源側熱交換器近傍の空気の絶対湿度を検出する絶対湿度検知手段と、
を備え、
前記制御手段は、
除霜運転を開始する際、前記絶対湿度検知手段が検出した前記熱源側熱交換器近傍の絶対湿度が所定の判定湿度を上回る場合、もしくは、前記熱源側熱交換器近傍の絶対湿度が所定の判定湿度以下であっても前記圧縮機の回転数が所定の回転数未満の場合に、前記圧縮機の回転数を所定量増加させて前記ホットガスバイパス方式により除霜運転を行い、
前記熱源側熱交換器近傍の空気の絶対湿度が前記所定の判定湿度以下、且つ、前記圧縮機の回転数が前記所定の回転数以上の場合、前記リバース方式の除霜運転を行う
ことを特徴とする空気調和機。
【請求項４】
前記所定の回転数は、前記圧縮機の最大回転数に対する当該所定の回転数の割合が、前記ホットガスバイパス方式の除霜運転を行うことにより想定される空調能力低下の割合より小さくなるように設定され、
前記制御手段は、
前記空調能力低下の割合に応じて前記圧縮機の回転数を増加させる
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の空気調和機。
【請求項５】
前記熱源側熱交換器の温度を検出する第２温度検知手段を備え、
前記制御手段は、
前記熱源側熱交換器の温度が所定の霜取り開始温度を下回るとき、除霜運転を開始する
ことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の空気調和機。
【請求項６】
圧縮機、四方弁、熱源側熱交換器、膨張弁、利用側熱交換器を順次接続した冷凍サイクルと、
前記圧縮機の吐出側と、前記熱源側熱交換器と前記膨張弁との間とを接続するホットガスバイパス回路と
を備えた空気調和機の除霜運転方法であって、
前記圧縮機の回転数を検出するステップと、
前記圧縮機の回転数が所定の回転数未満のとき、前記圧縮機から吐出された冷媒の一部を、前記ホットガスバイパス回路を介して前記熱源側熱交換器に供給させてホットガスバイパス方式の除霜運転を行うステップと、
前記圧縮機の回転数を所定量増加させるステップと
を有することを特徴とする空気調和機の除霜運転方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月16日(2012.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
2011144159.tif 000001

【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２００】
＜化合物（１−１−２５）の合成＞
窒素雰囲気下、化合物［Ｈ１１］（１０．０ｇ）、４，４’−ビフェノール（３．２ｇ）、ＤＭＡＰ（０．８３ｇ）、ジクロロメタン（１００ｍＬ）の混合物に冷却させながらＤＣＣ（７．４ｇ）、を加え室温で１６時間攪拌した。析出した不溶物を減圧ろ過により除去し、ろ液に水を加えて有機層を分離し、得られた有機層を２Ｎ塩酸および水を順次用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶剤を減圧留去して得られた残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶離液：トルエン−酢酸エチル混合溶媒（容量比：トルエン／酢酸エチル＝５／１））、および再結晶（酢酸エチル）によって精製して、無色結晶の化合物（２．８ｇ）を得た。
次いで、窒素雰囲気下、上記の方法により得られた化合物（２．８ｇ）、ジクロロメタン（３０ｍＬ）の混合物に冷却させながらｍ−クロロ過安息香酸（１．４ｇ）を加え室温で１６時間攪拌した。析出した不溶物を減圧ろ過により除去し、ろ液を１０％亜硫酸水素ナトリウム、３％水酸化ナトリウム水溶液および水を順次用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶剤を減圧留去して得られた残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶離液：トルエン−酢酸エチル混合溶媒（容量比：トルエン／酢酸エチル＝２／１））、および再結晶（トルエン）によって精製して、無色結晶の化合物（１−１−２５）（４．５ｇ）を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（粘着層の構成）
粘着層は、アクリル系、ゴム系、合成ゴム系等の各種の粘着剤を用いることができる。また、これらの樹脂材料は、単独でも任意の組み合わせによる混合物でも良い。必要に応じて、粘着層には、粘着付与剤、可塑剤、充填剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、シランカップリング剤などを適宜使用することもできる。
粘着層の厚みは、１μｍ以上２５μｍ以下である。１μｍより薄くなると、例えば被貼付部材が突起状物を有する場合、その先端を破損するおそれや、粘着強度が低下して、被貼付部材から剥離するおそれがあるためである。一方、２５μｍより厚くなると、粘着強度が強すぎるため、剥離時に糊残りが生じるおそれがある。また、基材層の背面との粘着強度が強くなるため、巻重体製品から巻き出し性が低下するおそれがあるためである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［表面保護フィルム用基材フィルムの構成］
本実施形態の表面保護フィルム用基材フィルムは、ポリプロピレンを主成分とする。
表面保護フィルム用基材フィルムは、表面保護フィルムの支持体として機能し、ポリプロピレンを主成分とする。
表面保護フィルム用基材フィルムとして利用できるポリプロピレンとしては、例えば、ホモポリマー、ランダムコポリマー、ブロックコポリマーなどが、単独もしくは適宜組み合わせて利用できる。特に、ブロックコポリマーは基材層表面が粗面化され、巻き出し性が向上するとともに、引裂強度や衝撃強度が向上する。また、耐熱性・剛性を付与するという理由から好適に使用される。また、表面保護フィルム用基材フィルムとしては、ポリプロピレンを５０質量％より多く含有していればよく、各種ポリオレフィンを混合物として用いてもよい。この混合するポリオレフィンとしては、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、線状低密度ポリエチレン、エチレン−αオレフィン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−ｎ−ブチルアクリレート共重合体などが挙げられる。
なお、必要に応じて、顔料、酸化防止剤、安定剤、紫外線吸収剤などの添加剤を配合してもよい。
表面保護フィルム用基材フィルムは、複数の層で形成されてもよい。単層または複数層からなる表面保護フィルム用基材フィルムのトータルの厚さ寸法としては、例えば、１０μｍ以上８０μｍ以下が好適である。すなわち、表面保護フィルム用基材フィルムは、厚さ寸法が１０μｍより薄くなると、表面保護フィルムの剛性が低下し、被取付部材への貼り付けや剥がし作業が煩雑となったり、表面保護フィルムの巻出し時に加わる引っ張り力により伸びが生じてしまうなどの不都合を生じるおそれがある。一方、８０μｍより厚くなっても被取付部材の表面保護性能に差異が生じず、表面保護フィルムを製造するための使用原料が多くなることによるコストの増大が生じるなどの不都合を生じるおそれがあるためである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月27日(2011.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サニタリー物品上に直接塗布することができ、そこに接着し、比較的多数のフラッシュ操作回数の後にのみ洗い流すことができ、界面活性剤の群の増量剤および接着促進剤を含むサニタリー分野用の接着剤であって、
前記接着促進剤は、水素化ポリスチレン誘導体、および、部分的に水素化されていてもよいオレフィンホモポリマーおよび２種以上のオレフィンのコポリマーの群から選択され、Ｈａａｋｅ粘度計、プレート／プレートシステム、プレート直径１０ｍｍを使用して２．６２ｓ-1の剪断勾配および２０℃で測定すると、前記接着剤の粘度は少なくとも３０Ｐａｓであり、この粘着性は便器中の棒状の組成物へ付着させるのに十分な粘着性であることを特徴とする接着剤。
【請求項２】
前記ポリスチレン誘導体の群の前記接着促進剤は、鉱油中に溶解した架橋ポリスチレン誘導体、好ましくはアルキレンスチレンコポリマー、特に水素化ブチレン／エチレン／スチレンコポリマーおよび水素化エチレン／プロピレン／スチレンコポリマーの群に属することを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
【請求項３】
非水溶性のオレフィンホモポリマー、および２種以上のオレフィンのコポリマーの群に属する前記接着促進剤は、ポリブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンブロックポリマーおよびコポリマー、ポリイソプレン、およびランダム（ブロック）ポリマーの群から選択され、前記ランダム（ブロック）ポリマーは、ブタジエンまたはイソプレンを、スチレンまたはα−メチルスチレン、あるいは、エチレン−プロピレンジエンターポリマー、天然ゴムなどのエチレンおよびプロピレンのホモポリマーまたはコポリマー、およびポリジシクロペンタジエンなどのノルボルネンポリマー上に１，３−付加することににより調製されることを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
【請求項４】
前記接着促進剤の濃度は、１５重量％と８０重量％の間、好ましくは２０と７０重量％の間、特に好ましくは３０重量％と５０重量％の間であることを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
【請求項５】
前記増量剤は、増粘剤、芳香剤、染料、塩、泡安定剤、増泡剤、発泡剤およびポリマー天然物質の群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
【請求項６】
前記界面活性剤部分は、０と８０重量％の間、好ましくは１０〜６０重量％、特に好ましくは２５〜４５重量％であることを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
【請求項７】
０．２５重量％と２０重量％の間、好ましくは３重量％と１５重量％の間、特に好ましくは５重量％と１０重量％の間の濃度で芳香剤または香油を含むことを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
【請求項８】
固着可能な前記棒状の組成物は、１種または複数の相を有する通常のリムブロック、香り付きの相を有するリムブロック、漂白剤を含有するリムブロック、圧縮タブレット、有効成分を含む水溶性または水不溶性プラスチック、脱臭タブレット、固体脱臭ゲル、漂白タブレット、スケール除去タブレットまたは強力洗浄タブレットであることを特徴とする、請求項１に記載の接着剤の使用。
【請求項９】
請求項１に記載の少なくとも１つの接着剤と、１つまたは複数の相を有するリムブロック、香り付きの相を有するリムブロック、漂白剤を含有するリムブロック、圧縮タブレット、有効成分を含む水溶性または水不溶性プラスチック、脱臭タブレット、固体脱臭ゲル、漂白タブレット、スケール除去タブレットまたは強力洗浄タブレットの群のうちの１つたは複数の棒状の組成物とを含むことを特徴とするトイレ洗浄セット。
【請求項１０】
特に、目的物を小便器、手洗器もしくはタイル、またはキッチン、レストラン、屠殺場、洗浄設備に付着させたり、配水管もしくは下水管の上／中で使用するための低温接着剤としての、あるいは害獣を駆除するための毒餌をセッティングや窓、ファサードに目的物を付着させるためのペーストとしての請求項１記載の接着剤の使用。
【請求項１１】
前記目的物に塗布される前記接着剤の質量は、前記目的物の質量の３〜１５重量％であることを特徴とする、請求項１０に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
Ｍｇの質量％を［Ｍｇ］、Ｚｎの質量％を［Ｚｎ］としたとき、［Ｍｇ］と［Ｚｎ］が下記３式を満たし、
５．０≦［Ｚｎ］≦７．０
［Ｚｎ］／５．３８＋０．１５≦［Ｍｇ］≦［Ｚｎ］／５．３８＋０．７
［Ｚｎ］＋４．７［Ｍｇ］≦１４
さらに、Ｃｕ：０．１〜０．６質量％，Ａｇ：０．０１〜０．１５質量％の１種又は２種と、Ｔｉ：０．００５〜０．０５質量％と、Ｍｎ：０．１〜０．３質量％，Ｃｒ：０．０５〜０．２質量％，Ｚｒ：０．０５〜０．２質量％の１種又は２種以上を含み、残部Ａｌ及び不可避不純物からなることを特徴とする耐応力腐食割れ性に優れた高強度アルミニウム合金押出材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係るＡｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系アルミニウム合金押出材は、Ｍｇの質量％を［Ｍｇ］、Ｚｎの質量％を［Ｚｎ］としたとき、［Ｍｇ］と［Ｚｎ］が下記（１）〜（３）式を満たし、
５．０≦［Ｚｎ］≦７．０・・・（１）
［Ｚｎ］／５．３８＋０．１５≦［Ｍｇ］≦［Ｚｎ］／５．３８＋０．７・・・（２）
［Ｚｎ］＋４．７［Ｍｇ］≦１４・・・（３）
さらに、Ｃｕ：０．１〜０．６質量％，Ａｇ：０．０１〜０．１５質量％の１種又は２種と、Ｔｉ：０．００５〜０．０５質量％と、Ｍｎ：０．１〜０．３質量％，Ｃｒ：０．０５〜０．２質量％，Ｚｒ：０．０５〜０．２質量％の１種又は２種以上を含み、残部Ａｌ及び不可避不純物からなる。
ＭｇＺｎ２の化学量論比（質量比）は、［Ｍｇ］：［Ｚｎ］が１：５．３８であるから、上記（２）式は、［Ｍｇ］がＭｇＺｎ２の化学量論比より０．１５質量％以上過剰で、かつ過剰［Ｍｇ］が０．７質量％以下であることを意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
Ｍｇ；
ＭｇはＺｎとともにＭｇＺｎ２を形成してＡｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系合金の強度を向上させる。その含有量は、Ｚｎ含有量との関係で、前記（２），（３）式のとおりに制限される。
Ｍｇ含有量がＭｇＺｎ２の化学量論比（［Ｚｎ］／５．３８）以下の領域ではＭｇＺｎ２量が減少して強度が不足する。Ｍｇ含有量が前記（２）式の下限値以上の領域（ＭｇＺｎ２の化学量論比＋０．１５質量％以上の過剰Ｍｇ領域）になると、過剰Ｍｇが高強度化に寄与するため、ＭｇＺｎ２量を抑えたうえで高強度化が可能となる。しかし、過剰Ｍｇ量が０．７質量％を超えると押出性が低下し、ダイクエンチ空冷では高強度（対Ｔ６材比）が出ない。また、生産性が低下し、薄肉成形も困難になる。望ましくは過剰Ｍｇ量は０．６質量％以下である。
また、Ｚｎ及びＭｇ含有量が前記（３）式の規定を超えると、粒界析出物が微細かつ連続的に形成され、耐ＳＣＣ性が低下する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図１は、本発明に係るＡｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系合金のＺｎ及びＭｇ量の範囲を図示したものである。図中のプロット○は後述する表１のＮｏ．１〜１２、プロット●は同じく表１のＮｏ．１３〜１８である。［Ｚｎ］＝５．０、［Ｚｎ］＝７．０、［Ｍｇ］＝［Ｚｎ］／５．３８＋０．１５、［Ｍｇ］＝［Ｚｎ］／５．３８＋０．７、及び［Ｚｎ］＋４．７［Ｍｇ］＝１４で囲まれた五角形の領域が、本発明の規定範囲である。ただし、先に述べたように、耐ＳＣＣ性を重要視する観点からは、［Ｚｎ］≦６．３の低Ｚｎ領域が望ましく、［Ｚｎ］＞６．３の高Ｚｎ領域では、Ｃｕ及びＡｇの両方を添加して耐ＳＣＣ性を改善することが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【表１】
2011144396.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
表２に示すように、Ｎｏ．１〜１２(このうち本発明の規定範囲内の組成を有するものはＮｏ．１，２，５〜８，１１，１２）は、耐力及び伸びが大きく、同時に押出性と耐ＳＣＣ性にも優れている。Ｎｏ．３はＺｎ量が６．３質量％を超えているが、ＣｕとＡｇの両方が添加されたことにより耐ＳＣＣ性が優れる。Ｎｏ．１０はＺｎ量が６．３質量％を超え、Ａｇの添加がないことにより、他の実施例に比べて耐ＳＣＣ性がやや劣る。Ｎｏ．１１は Ｃｕの添加がない（０．０１％以下）が、Ａｇが添加されているため、耐ＳＣＣ性が優れる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011144396.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シェルがスチレン、（メタ）アクリル酸、および炭素数１２〜２２の長鎖アルキル（メタ）アクリレート１重量％〜１０重量％有し、コアがスチレンと（メタ）アクリレートからなるコア／シェル構造を有するアクリルエマルジョンを含有し、溶媒がアルコールを含まないことを特徴とする紙器用オーバーコーテイング組成物。
【請求項２】
コア／シェル比が１０：９０〜５５：４５であることを特徴とする請求項１記載の紙器用オーバーコーテイング組成物。
【請求項３】
長鎖アルキル（メタ）アクリレートがラウリルアクリレート、パルミチルアクリレート、ステアリルアクリレートから選ばれる少なくとも1種のアクリレートであることを特徴とする請求項1もしくは２何れか記載の紙器用オーバーコーテイング組成物。
【請求項４】
印刷紙基材に請求項１〜３何れか記載の紙器用オーバーコーテイング組成物を塗工した塗工物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の水性オーバーコーティング組成物は、シェルがスチレン、（メタ）アクリル酸および炭素数１２〜２０の長鎖アルキル（メタ）アクリレート１％〜１０％有し、コアがスチレンと（メタ）アクリレートからなるコア／シェル構造を有するアクリルエマルジョン、水、各種添加剤等を配合する事により製造される。
上記コア／シェル構造を有するアクリルエマルジョンを構成するスチレンとしては、スチレン、α−メチルスチレンが挙げられ、これら1種または2種の組み合わせて用いる事ができる。（メタ）アクリル酸はアクリルエマルジョンには水性化能を付与するため使用され、アクリル酸、メタアクリル酸等を1種または2種の組み合わせて用いる事ができる。
炭素数１２〜２０の長鎖アルキル（メタ）アクリレートとしては、ラウリルアクリレート、パルミチルアクリレート、ステアリルアクリレート等があげられ、これら１種または２種以上の組み合わせで用いる事ができる。また、該長鎖アルキル（メタ）アクリレートの含有量は、１重量％〜１０重量％であることが必要である。１重量％よりも少ないと乾燥性が劣化し、生産性に影響を与え、１０重量％より多く含まれてもアクリルエマルジョンとして乳化能が低下し、コーティングワニスとしての安定性が悪くなる。
上記コア／シェル構造を有するアクリルエマルジョンを構成する（メタ）アクリレートとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートト等の水酸基を有する（メタ）アクリレート。シクロヘキシル（メタ）アクリレート等の脂環構造を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、これら１種または２種以上の組み合わせて用いる事ができる。
本発明においては、アクリルエマルジョンはコア／シェル構造を有していることが必要であり、シェルとしては、スチレン、（メタ）アクリル酸および炭素数１２〜２０の長鎖アルキル（メタ）アクリレートが、コアとしてはスチレン、（メタ）アクリレートが使用される。特にシェルに用いられるスチレン、および炭素数１２〜 ２０の長鎖アルキル（メタ）アクリレートは、コーティング剤としての乾燥性を決める上で重要である。
上記アクリルエマルジョンのコア／シェル比率は、１０：９０〜 ５５：４５の範囲内である事が好ましい。コア比率が１０％未満だと、コーティング塗膜の光沢値が低下する傾向であり、５５％より大きいと、乾燥性不良を起こす傾向がある。
アクリルエマルジョンのガラス転移点は２０〜８０℃であることが好ましい。２０〜８０℃の範囲内では、インキへの密着性、アクリルエマルジョンの成膜性が良好である。
本発明である水性オーバーコーティング組成物におけるアクリルエマルジョンは、例えば上記スチレン、（メタ）アクリル酸および長鎖アルキル（メタ）アクリレートとを共重合して得られた高分子乳化剤の存在下において、共重合可能なスチレン及び(メタ)アクリレートを乳化重合して得られる。
重合反応を開始するに当たっては、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩またはアゾビス系カチオン塩もしくは水酸基付加物等の水溶性の熱分解型重合開始剤を用いることができる。
またレドックス開始剤を用いることもできる。
レドックス開始剤としては、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイドなどの有機過酸化物とロンガリット、メタ重亜硫酸ナトリウムなどの還元剤との組み合わせ、または過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムとロンガリット、チオ硫酸ナトリウムなどとの組み合わせ、過酸化水素水とアスコルビン酸との組み合わせ等が用いられる。
樹脂のカルボキシル基を中和することで水性化できる、中和剤には例えば、にアンモニア、トリエチルアミン、アミノメチルプロパノール、モノエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム等の塩基類がある。
オーバーコーテイング組成物には、シリカ、アルミナ、ポリエチレンワックス、消泡剤、レベリング剤、粘着性付与剤、防腐剤、抗菌剤、防錆剤等も配合することができる。
以上の材料と製造方法から得られた水性オーバーコーティング組成物は、グラビア印刷方式で、各種印刷用紙に印刷することができる。さらに、グラビア印刷機によって印刷され得られた印刷物は、様々な用途に応じて後加工され、食品など商品の包装に使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム基材面または印刷インキで印刷した該印刷面に活性エネルギー線硬化型ワニスを塗布し、該塗布面にポリオレフィンフィルムを貼り合わせ、該ポリオレフィンフィルムを透して活性エネルギー線を照射して前記塗布面のワニスを硬化させ、その後に該ポリオレフィンフィルムを剥離させる印刷物の表面加工に用いる活性エネルギー線硬化型ワニスが、
（Ａ）カチオン重合性エポキシモノマーを30〜85重量％、
（Ｂ）エポキシアクリレートを10〜70重量％、
（Ｃ）光重合開始剤を1〜10重量％、
（Ｄ）シリコーン系添加剤を１種以上を0.1〜10重量％
（但し、（Ａ）〜（Ｄ）の合計は100重量％とする）
からなり、25℃における該活性エネルギー線硬化型ワニスの降伏値が1.5〜2.5Dyne／cm2となることを特徴とする活性エネルギー線硬化型ワニス組成物。
【請求項２】
ワニス組成物の硬化塗膜の動的粘弾性測定において、25℃、3.5Hzの測定条件で損失正接tanδの極大値となる温度が0〜50℃の間と100〜150℃の間にそれぞれ少なくとも１つ有することを特徴とする請求項１記載の活性エネルギー線硬化型ワニス組成物。
【請求項３】
（Ｅ）常温・常圧において液状である脂肪族系エポキシ樹脂を含む、請求項１、２いずれか記載の活性エネルギー線硬化型ワニス組成物。
【請求項４】
（Ｆ）カチオン重合性オキセタンモノマーを含む請求項１〜３いずれか記載の活性エネルギー線硬化型ワニス組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の活性エネルギー線硬化型ワニス組成物からなる硬化塗膜を有するラベルまたはパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月20日(2012.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記曲率面の曲率が前記送風方向に沿って略同一であることを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の送風装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記用紙束収容部は、前記用紙束の用紙サイズに応じて前記用紙束収容空間のサイズを調整可能であることを特徴とする請求項１ないし８のうちいずれか１項に記載の送風装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一態様では、前記用紙束収容部は、前記用紙束の用紙サイズに応じて前記用紙束収容空間のサイズを調整可能である。