【事件の表示】
　平成１１年特許願第２８７２７６号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年４月２０日出願公開、特開２００１−１１０８３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
理　由
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１０月７日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成１６年１１月１日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】電極を有する半導体チップと、第１の側面と、第２の側面と、前記第１の側面と前記第２の側面とに挟まれた頂部とを有し、前記半導体チップ上方に形成された突出体と、前記電極と電気的に接続され、前記突出体の前記第１の側面の底部及び前記頂部を通り、前記第２の側面の底部に至るまで連続的に形成された導電体と、を有することを特徴とする半導体装置。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の平成５年６月１１日に頒布された刊行物である特開平５−１４４８２３号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、下記の事項が記載されている。
（ａ）「【請求項１】ウェハー上の各チップの周辺に配設された多数のパッド部の外側又は内側付近に、感光性ポリイミドにより断面枕木状のバンプ高さのクッション部を形成し、次にウェハー全面にスパッタリングにより導電膜を形成し、然る後この導電膜をフォトプロセス、エッチングして各パッド部の表面からクッション部の表面まで導電回路を形成してバンプを得ることを特徴とする高密度バンプ形成方法。」（【特許請求の範囲】）、
（ｂ）「【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体素子を、プリント基板に実装する為に、ＴＡＢ、フリップチップ方式におけるバンプをウェハー上に高密度に形成する方法に関する。」（段落【０００１】）、
（ｃ）【実施例】として、「断面枕木状のクッション部６を形成した。次にウェハー１全面にＴｉ1000Å、Ｐｄ3000Å、Ａｕ3000Åをスパッタリングして図７に示すように導電膜７を形成した。次いでこの導電膜７上に図８に示すようにフォトレジスト８を 1.3μｍスピンコートし、次に図９に示すように各パッド部３からクッション部６の表面まで、透明石英ガラス板にＣｒによりパターンを形成したマスクパターン９にてマスキングし、紫外線ランプによりＵＶ光を照射して露光した後、図10に示すように現像し、次いでエッチングして不要部の導電膜７を図11に示すように除去し、然る後図12に示すようにレジスト８を剥離し、各パッド部３の表面からクッション部６の表面まで導電回路10を形成してバンプ11を得た。」（段落【０００７】）が記載されている。
（ｄ）また、【実施例】の上述の記載に対応させて図７〜図１２が示されており、同図１２には、パッド部3の表面からクッション部6のパッド部3側の側面の底部及び頂部を通り反対側の側面の頂部に至るまで導電回路10を連続的に形成した点が図示されている。
　　
［３］当審の判断
［３−１］引用刊行物記載の発明
　摘記（ａ）によれば、引用刊行物には、「ウェハー上の各チップの周辺に配設された多数のパッド部の外側又は内側付近に、感光性ポリイミドにより断面枕木状のバンプ高さのクッション部を形成し、次にウェハー全面にスパッタリングにより導電膜を形成し、然る後この導電膜をフォトプロセス、エッチングして各パッド部の表面からクッション部の表面まで導電回路を形成してバンプを得る高密度バンプ形成方法」が記載されているから、この「高密度バンプ形成方法」によって形成された、「ウェハー上の各チップの周辺に配設された多数の各パッド部の外側又は内側付近に、感光性ポリイミドにより断面枕木状のバンプ高さのクッション部を形成し、次にウェハー全面にスパッタリングにより導電膜を形成し、然る後この導電膜をフォトプロセス、エッチングして各パッド部の表面からクッション部の表面まで導電回路を形成した、該ウェハーの各チップ」の発明も記載されているといえる。また、この「断面枕木状のバンプ高さのクッション部」は、「ウェハー上の各チップの周辺に配設された多数の各パッド部の外側又は内側付近に、」バンプ高さで形成されているのであるから、各チップ上方に形成されているといえる。また、摘記（ｂ）によれば、「本発明は、ＬＳＩ等の半導体素子を、プリント基板に実装する為に、ＴＡＢ、フリップチップ方式におけるバンプをウェハー上に高密度に形成する」のであるから、上記「ウェハーの各チップ」は、半導体チップに高密度にバンプ及び導電回路を形成した半導体装置に他ならない。
　上記の事項、及び摘記（ａ）〜（ｄ）を総合すると、引用刊行物には、「半導体チップ上方の各パッド部付近に、断面枕木状のバンプ高さのクッション部を形成し、次に該チップ全面にスパッタリングにより導電膜を形成し、然る後この導電膜をフォトプロセス、エッチングして各パッド部の表面からクッション部の該パッド部側の側面の底部及び頂部を通り反対側の側面の頂部に至るまで導電回路を連続的に形成した半導体装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
［３−２］本願発明１と引用発明との対比・判断
　本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「パッド部」、「断面枕木状のバンプ高さのクッション部」、「パッド部側の側面」、「反対側の側面」、「導電回路」は、夫々本願発明１における「電極」、「突出体」、「第１の側面」、「第２の側面」、「導電体」に相当するので、両者は、「電極を有する半導体チップと、第１の側面と、第２の側面と、前記第１の側面と前記第２の側面とに挟まれた頂部とを有し、前記半導体チップ上方に形成された突出体と、前記電極と電気的に接続され、前記突出体の前記第１の側面の底部及び前記頂部を通り、前記第２の側面の頂部に至るまで連続的に形成された導電体と、を有する半導体装置」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本願発明１では、導電体が第２の側面の底部に至るまで連続的に形成されているのに対し、引用発明では、そのように記載されていない点。
　　
　次に、上記相違点（イ）について検討する。
　半導体チップの上方に突出する絶縁体の第１の側面と第２の側面と、該両側面に挟まれた頂部とを導電体て被覆し、密着性、導電性、接続信頼性の高いバンプ電極を形成することは、例えば、特開平２−２７２７３７号公報（第３頁左上欄１０〜１６行、同頁右下欄１３〜１６行、第２図参照）、特開平５−２５１４５５号公報（段落【００１６】、【００１７】、【００３１】、【図１】参照）、特開平１０−３２１６３１号公報（段落【００１２】、【００５９】、【図１】、【図２】参照）、特開平７−２２６４０４号公報（【請求項３】、【０００７】、【図８】参照）にも記載されているように、本願出願前周知の技術であるから、引用発明の導電膜のフォトプロセス、エッチングにおいて、バンプの密着性、導電性、接続信頼性を得るために、各パッド部の表面からクッション部の該パッド部側の側面の底部及び頂部を通り反対側の側面の頂部まででなく、それから更に反対側の側面の底部に至るように導電回路を連続的に形成することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、上記相違点（イ）に係る本願発明１の効果として、本願明細書又は図面に明確に記載されているものは見当たらない。また、審判請求書の平成１８年３月８日付補正書において請求人が主張する、導電体と突出体の密着性があがり、導電体の剛性を付与でき、接続に必要な導電体を頂部に確実に残し得ることは、そのバンプ電極構造から当業者が普通に予測できる程度のことであって、格別なものとはいえない。
　　　
［５］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明、及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。