【手続補正書】
【提出日】平成24年2月24日(2012.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に設けられた第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜上に設けられた電極パッドとを有する半導体装置であって、
前記基板の一方の面の反対側の面である基板の裏面側から前記電極パッドに達し、前記基板と前記第一絶縁膜とを貫通する孔と、前記電極パッドの裏面を除き前記孔の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜と、
前記第二絶縁膜と前記電極パッドとを覆うように設けられた下地膜と、
前記下地膜の内側で、前記孔に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極とを有し、
前記孔の側面と前記電極パッドとの角部に、前記第二絶縁膜がフィレット状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板の一方の面に第一絶縁膜を略全面に亘って形成し、前記第一絶縁膜上の所定の位置に電極パッドを形成した半導体基板に、
前記基板の裏面側から、前記基板と前記第一絶縁膜との界面まで孔を形成する工程と、
前記孔の底部に露出し、前記電極パッドを覆う前記第一絶縁膜を除去する工程と、
前記基板の裏面上および前記孔の側面および底面に第二絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の裏面側に前記孔を覆うレジスト層を設ける工程と、
前記レジスト層に加熱処理を行い、前記孔を覆う前記レジスト層の中央部を盛り上がったドーム形状とする工程と、
前記孔を覆うドーム形状のレジスト層に、フォトリソグラフィにより前記孔の開口径よりも小さい開口部をパターニングする工程と、
前記開口部が形成された前記レジスト層をマスクとして、前記孔の底面に露出し、
前記電極パッドを覆う前記第二絶縁膜の中央部を除去する工程と、
前記レジスト層を剥離する除去する工程と、
前記露出した電極パッドの裏面と、残された前記第二絶縁膜の表面とに、下地膜を形成する工程と、
前記孔内にメッキ処理により導電材料を埋め込み貫通電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第二絶縁膜を形成する工程において、前記孔の側面と前記電極パッドの裏面との角部に前記第二絶縁膜をフィレット状に形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第二絶縁膜をエッチングする工程は、ドライエッチングを用いることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板の一方の面に設けられた第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜上に設けられた電極パッドとを有する半導体装置であって、
前記基板の一方の面の反対側の面である基板の裏面側から前記電極パッドに達し、前記基板と前記第一絶縁膜とを貫通する孔と、前記電極パッドの裏面を除き前記孔の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜と、
前記第二絶縁膜と前記電極パッドとを覆うように設けられた下地膜と、
前記下地膜の内側で、前記孔に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極とを有し、
前記孔の側面と前記第一絶縁膜の裏面との角部に、前記基板がフィレット状に張り出し形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板の一方の面に第一絶縁膜を略全面に亘って形成し、前記第一絶縁膜上の所定の位置に電極パッドを形成した半導体基板に、
前記基板の裏面側から、孔の側面と前記第一絶縁膜の裏面との角部に前記基板をフィレット状に残しつつ、前記基板の裏面側から前記第一絶縁膜の裏面まで前記孔を形成する工程と、
前記孔の底部に露出し、前記電極パッドを覆う前記第一絶縁膜を除去する工程と、
前記基板の裏面上および前記孔の側面および底面に第二絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の裏面側に前記孔を覆うレジスト層を設ける工程と、
前記レジスト層に加熱処理を行い、前記孔を覆う前記レジスト層の中央部を盛り上がったドーム形状とする工程と、
前記孔を覆うドーム形状のレジスト層に、フォトリソグラフィにより前記孔の開口径よりも小さい開口部をパターニングする工程と、
前記開口部が形成された前記レジスト層をマスクとして、前記孔の底面に露出し、
前記電極パッドを覆う前記第二絶縁膜の中央部を除去する工程と、
前記レジスト層を剥離する除去する工程と、
前記露出した電極パッドの裏面と、残された前記第二絶縁膜の表面とに、下地膜を形成する工程と、
前記孔内にメッキ処理により導電材料を埋め込み貫通電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１または請求項５に記載の半導体装置が実装されていることを特徴とする回路基板。
【請求項８】
請求項１または請求項５に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置は、基板の一方の面に設けられた第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜上に設けられた電極パッドとを有する半導体装置であって、前記基板の一方の面の反対側の面である基板の裏面側から前記電極パッドに達し、前記基板と前記第一絶縁膜とを貫通する孔と、前記電極パッドの裏面を除き前記孔の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜と、前記第二絶縁膜と前記電極パッドとを覆うように設けられた下地膜と、前記下地膜の内側で、前記孔に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極とを有し、前記孔の側面と前記電極パッドとの角部に、前記第二絶縁膜がフィレット状に形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、基板の一方の面に第一絶縁膜を略全面に亘って形成し、前記第一絶縁膜上の所定の位置に電極パッドを形成した半導体基板に、前記基板の裏面側から、前記基板と前記第一絶縁膜との界面まで孔を形成する工程と、前記孔の底部に露出し、前記電極パッドを覆う前記第一絶縁膜を除去する工程と、前記基板の裏面上および前記孔の側面および底面に第二絶縁膜を形成する工程と、前記基板の裏面側に前記孔を覆うレジスト層を設ける工程と、前記レジスト層に加熱処理を行い、前記孔を覆う前記レジスト層の中央部を盛り上がったドーム形状とする工程と、前記孔を覆うドーム形状のレジスト層に、フォトリソグラフィにより前記孔の開口径よりも小さい開口部をパターニングする工程と、前記開口部が形成された前記レジスト層をマスクとして、前記孔の底面に露出し、前記電極パッドを覆う前記第二絶縁膜の中央部を除去する工程と、前記レジスト層を剥離する除去する工程と、前記露出した電極パッドの裏面と、残された前記第二絶縁膜の表面とに、下地膜を形成する工程と、前記孔内にメッキ処理により導電材料を埋め込み貫通電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、本発明の半導体装置は、基板の一方の面に設けられた第一絶縁膜と、前記第一絶縁膜上に設けられた電極パッドとを有する半導体装置であって、前記基板の一方の面の反対側の面である基板の裏面側から前記電極パッドに達し、前記基板と前記第一絶縁膜とを貫通する孔と、前記電極パッドの裏面を除き前記孔の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜と、前記第二絶縁膜と前記電極パッドとを覆うように設けられた下地膜と、前記下地膜の内側で、前記孔に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極とを有し、前記孔の側面と前記第一絶縁膜の裏面との角部に、前記基板がフィレット状に張り出し形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、本発明の半導体装置の製造方法は、基板の一方の面に第一絶縁膜を略全面に亘って形成し、前記第一絶縁膜上の所定の位置に電極パッドを形成した半導体基板に、前記基板の裏面側から、孔の側面と前記第一絶縁膜の裏面との角部に前記基板をフィレット状に残しつつ、前記基板の裏面側から前記第一絶縁膜の裏面まで前記孔を形成する工程と、前記孔の底部に露出し、前記電極パッドを覆う前記第一絶縁膜を除去する工程と、前記基板の裏面上および前記孔の側面および底面に第二絶縁膜を形成する工程と、前記基板の裏面側に前記孔を覆うレジスト層を設ける工程と、前記レジスト層に加熱処理を行い、前記孔を覆う前記レジスト層の中央部を盛り上がったドーム形状とする工程と、前記孔を覆うドーム形状のレジスト層に、フォトリソグラフィにより前記孔の開口径よりも小さい開口部をパターニングする工程と、前記開口部が形成された前記レジスト層をマスクとして、前記孔の底面に露出し、前記電極パッドを覆う前記第二絶縁膜の中央部を除去する工程と、前記レジスト層を剥離する除去する工程と、前記露出した電極パッドの裏面と、残された前記第二絶縁膜の表面とに、下地膜を形成する工程と、前記孔内にメッキ処理により導電材料を埋め込み貫通電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。