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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を含む酸化物導電体層と、
前記チャネル領域の導通状態を制御するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に形成され強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層とを備え、
前記チャネル領域の層厚は、前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄く、かつ
前記チャネル領域の層厚が前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄い前記酸化物導電体層は、型押し成形技術を用いて形成されたものであることを特徴とする
電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記チャネル領域のキャリア濃度及び層厚は、前記電界効果トランジスタがオフ状態のときに、前記チャネル領域全体が空乏化するような値に設定され、かつ
前記チャネル領域のキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３の範囲内にあり、
前記チャネル領域の層厚は、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内にあることを特徴とする
請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
ソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を含む酸化物導電体層と、前記チャネル領域の導通状態を制御するゲート電極と、前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に形成され強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層とを備え、前記チャネル領域の層厚は、前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄い電界効果トランジスタを製造するための電界効果トランジスタの製造方法であって、
前記チャネル領域の層厚が前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄い前記酸化物導電体層を、型押し成形技術を用いて形成することを特徴とする
電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項４】
固体基板における一方の表面上に前記ゲート電極を形成する第１工程と、
強誘電体材料又は常誘電体材料の原料を含む溶液を前記固体基板における一方の表面上に塗布して強誘電体材料又は常誘電体材料の原料を含む膜を形成した後、熱処理を施すことにより、前記固体基板における一方の表面上に前記ゲート絶縁層を形成する第２工程と、
酸化物導電性材料の原料を含む溶液を前記ゲート絶縁層上に塗布することにより酸化物導電性材料の原料を含む膜を形成した後、前記ソース領域に対応する領域及び前記ドレイン領域に対応する領域よりも前記チャネル領域に対応する領域が凸となるように形成された凹凸型を用いて、前記酸化物導電性材料の原料を含む膜に対して型押し成形加工を行い、さらにその後、熱処理を施すことにより、前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記チャネル領域を形成する第３工程とをこの順序で含むことを特徴とする
請求項３に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項５】
固体基板における一方の表面上に前記ゲート電極を形成する第１工程と、
強誘電体材料又は常誘電体材料の原料を含む溶液を前記固体基板における一方の表面上に塗布して強誘電体材料又は常誘電体材料の原料を含む膜を形成した後、前記チャネル領域に対応する領域よりも前記ソース領域に対応する領域及び前記ドレイン領域に対応する領域が凸となるように形成された凹凸型を用いて前記強誘電体材料又は常誘電体材料の原料を含む膜に対して型押し成形加工を行い、さらにその後、熱処理を施すことにより、前記ソース領域に対応する領域及び前記ドレイン領域に対応する領域よりも前記チャネル領域に対応する領域が凸となるような構造を有する前記ゲート絶縁層を形成する第２工程と、
酸化物導電性材料の原料を含む溶液を前記固体基板における一方の表面上に塗布して酸化物導電性材料の原料を含む膜を形成した後、平坦型を用いて前記酸化物導電性材料の原料を含む膜に対して型押し加工を行い、さらにその後、熱処理を施すことにより、前記ソース領域、前記ドレイン領域及びチャネル領域を形成する第３工程とをこの順序で含むことを特徴とする
請求項３に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記第３工程においては、型押し成形技術を用いて前記酸化物導電性材料の原料を含む膜の一部を除去することにより素子分離する工程を含むことを特徴とする
請求項３又は請求項４に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記第１工程においては、前記ゲート電極を形成する部分にコンタクトプリンティング法を用いてめっき触媒物質を付着し、その後、当該めっき触媒物質が付着した領域に無電解めっきを施すことにより前記ゲート電極を形成することを特徴とする
請求項３又は請求項４に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第１工程においては、前記ゲート電極を形成する部分にコンタクトプリンティング法を用いて親液化処理を施し、その後、当該親液化処理を施した領域にゲート電極の原料を含むインクを供給し、さらにその後、熱処理を施すことにより前記ゲート電極を形成することを特徴とする
請求項３又は請求項４に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項９】
固体基板における一方の表面上に、酸化物導電性材料の原料を含む溶液を塗布することにより酸化物導電性材料の原料を含む膜を形成した後、前記ソース領域に対応する領域及び前記ドレイン領域に対応する領域よりも前記チャネル領域に対応する領域が凸となるように形成された凹凸型を用いて、前記酸化物導電性材料の原料を含む膜に対して型押し成形加工を行い、さらにその後、熱処理を施すことにより、前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記チャネル領域を形成する第１工程と、
強誘電体材料又は常誘電体材料の原料を含む溶液を前記固体基板における一方の表面上に塗布して強誘電体材料又は常誘電体材料の原料を含む膜を形成した後、平坦型を用いて前記強誘電体材料又は常誘電体材料の原料を含む膜に対して型押し加工を行い、さらにその後、熱処理を施すことにより、前記ゲート絶縁層を形成する第２工程と、
前記ゲート絶縁層上に、前記ゲート電極を形成する第３工程とをこの順序で含むことを特徴とする
請求項３に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記第１工程においては、型押し成形技術を用いて前記酸化物導電性材料の原料を含む膜の一部を除去することにより素子分離する工程を含むことを特徴とする
請求項９に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記第３工程においては、前記ゲート電極を形成する部分に、コンタクトプリンティング法を用いてめっき触媒物質を付着し、その後、当該めっき触媒物質が付着した領域に無電解めっきを施すことにより前記ゲート電極を形成することを特徴とする
請求項９に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記第３工程においては、前記ゲート電極を形成する部分にコンタクトプリンティング法を用いて親液化処理を施し、その後、当該親液化処理を施した領域にゲート電極の原料を含む原料を含むインクを供給し、さらにその後、熱処理を施すことにより前記ゲート電極を形成することを特徴とする
請求項９に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月28日(2012.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理することにより金属酸化物セラミックス又は金属からなる機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、
基材上に前記機能性液体材料を塗布することにより、前記機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、
前記前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前記前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、
前記前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前記前駆体組成物層に対して、８０℃〜３００℃の範囲内にある第４温度に加熱した型を用いて型押し加工を施すことにより、前記前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、
前記前駆体組成物層を前記第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前記前駆体組成物層から前記機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む、
機能性デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第４工程においては、１ＭＰａ〜２０ＭＰａの範囲内にある圧力で型押し加工を施す、
請求項１に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第４工程においては、少なくとも前記前駆体組成物層の表面に対する離型処理又は前記型の型押し面に対する離型処理を施した後、前記前駆体組成物層に対して型押し加工を施す、
請求項１又は請求項２に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記機能性液体材料は、
金属アルコキシドを含有する溶液、
金属有機酸塩を含有する溶液、
金属無機酸塩を含有する溶液、
金属ハロゲン化物を含有する溶液、
金属、窒素及び水素を含有する無機化合物を含有する溶液、
金属水素化物を含有する溶液、
金属ナノ粒子を含有する溶液又は
セラミックス微粒子を含有する溶液である、
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記機能性液体材料は、金属アルコキシドを含有する溶液、金属有機酸塩を含有する溶液又は金属無機酸塩を含有する溶液であり、
前記第４工程における前記前駆体組成物層から前記機能性固体材料層への体積収縮率は、３０％〜９０％の範囲内にある、
請求項４に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記機能性液体材料は、金属ハロゲン化物を含有する溶液、金属、窒素及び水素を含有する無機化合物を含有する溶液、金属水素化物を含有する溶液、金属ナノ粒子を含有する溶液又はセラミックス微粒子を含有する溶液であり、
前記第５工程における前記前駆体組成物層から前記機能性固体材料層への体積収縮率は、１％〜３０％の範囲内にある、
請求項４に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第５工程においては、酸素含有雰囲気で熱処理することにより、金属酸化物セラミックスからなる機能性固体材料層を形成する、
請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第５工程においては、還元雰囲気で熱処理することにより、金属からなる機能性固体材料層を形成する、
請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第４工程においては、前記第５工程における熱処理により、最も層厚が薄い領域でクラックが発生するような型押し構造を形成する、
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記第４工程と前記第５工程との間に、型押し加工が施された前記前駆体組成物層のうち最も層厚が薄い領域において前記前駆体組成物層が完全に除去されるような条件で、前記前駆体組成物層を全体的にエッチングする工程をさらに含む、
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第２工程においては、前記基材として、表面に前記前駆体組成物層に対する親和性の異なる２つの領域を有する基材を用い、
前記第４工程においては、前記２つの領域のうち前記前駆体組成物層に対する親和性が相対的に高い第１領域においては、前記２つの領域のうち前記前駆体組成物層に対する親和性が相対的に低い第２領域においてよりも層厚が厚くなるように、前記前駆体組成物層に型押し構造を形成する、
請求項９又は請求項１０に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記機能性デバイスは、薄膜トランジスタであり、
前記機能性固体材料層は、前記薄膜トランジスタにおけるゲート電極層、ゲート絶縁層、ソース層、ドレイン層、チャネル層及び配線層のうち少なくとも１つの層である、
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記機能性デバイスは、圧電体層を備えるアクチュエーターであり、
前記機能性固体材料層は、前記圧電体層である、
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記機能性デバイスは、基材上に複数の格子層を備える光学デバイスであり、
前記機能性固体材料層は、前記格子層である、
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項１５】
ソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を含む酸化物導電体層と、
前記チャネル領域の導通状態を制御するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に形成され強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層とを備え、
前記チャネル領域の層厚は、前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄いことを特徴とする薄膜トランジスタであって、
前記チャネル領域の層厚が前記ソース領域の層厚及び前記ドレイン領域の層厚よりも薄い前記酸化物導電体層は、請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法を用いて形成されたものである、
薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
前記チャネル領域のキャリア濃度及び層厚は、前記薄膜トランジスタがオフ状態のときに、前記チャネル領域全体が空乏化するような値に設定され、かつ
前記チャネル領域のキャリア濃度は、１×１０１５ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３の範囲内にあり、
前記チャネル領域の層厚は、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内にある、
請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
キャビティ部材と、
前記キャビティ部材の一方側に取り付けられ、圧電体層が形成された振動板と、
前記キャビティ部材の他方側に取り付けられ、ノズル孔が形成されたノズルプレートと、
前記キャビティ部材、前記振動板及び前記ノズルプレートによって画成されるインク室と
を備える圧電式インクジェットヘッドであって、
前記圧電体層及び／又は前記キャビティ部材は、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の機能性デバイスの製造方法を用いて形成されたものである、
圧電式インクジェットヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月10日(2012.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面照射光センサを製作する方法であって、
（ａ）能動領域の半導体ピクセルのアレイを形成する工程と、
（ｂ）各ピクセル内に、隔離された互いに反対の導電性タイプの接触領域を形成する工程と、
（ｃ）前記接触領域への金属コンタクトを形成し、各ピクセル内で、前記金属コンタクトが、前記接触領域の上部表面面積の総計の少なくとも約３０％を覆う工程とを含む、方法。
【請求項２】
表面照射光センサであって、
（ａ）能動領域の半導体ピクセル（１４１ａ−ｄ）のアレイと、
（ｂ）各前記ピクセル（１４１ａ−ｄ）内にあり、隔離された互いに反対の導電性タイプの接触領域（１４２ａ−ｄ）と、
（ｃ）各ピクセル（１４１ａ−ｄ）内で、金属コンタクト（１４５）が、前記接触領域（１４２ａ−ｄ）の上部表面面積の総計の少なくとも約３０％を覆う、前記接触領域への前記金属コンタクトとを含む、表面照射光センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月31日(2012.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化性液体媒体中に研磨材を含有しているスラリーを使用して金属及び非導電性材料を有する基体を研磨することを含むＣＭＰ方法であって、
前記研磨材がアルミナ粉末を含み、前記アルミナ粉末のアルミナ粒子がシリカコーティングを有し、前記アルミナ粉末は、ＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ２／ｇであり、アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、かつα−アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、かつ
前記アルミナ粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が５０ｎｍ以下であり、かつ前記アルミナ粒子の１０％未満の一次粒子サイズが１００ｎｍ超である、
ＣＭＰ方法。
【請求項２】
前記アルミナ粉末のα−アルミナ含有率が少なくとも９５重量％である、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項３】
前記アルミナ研磨材のシリカ含有率が１〜８重量％である、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項４】
前記アルミナ研磨材を、２〜７重量％の前記アルミナを含有するスラリーの形で加工品に提供する、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項５】
酸化性液体媒体中に研磨材を含有しているＣＭＰスラリーであって、
前記研磨材がアルミナ粉末を含み、前記アルミナ粉末のアルミナ粒子がシリカコーティングを有し、また前記粉末は、ＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ２／ｇであり、アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、かつα−アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、かつ
前記粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が２０〜５０ｎｍであり、かつ前記アルミナ粒子の１０％未満の一次粒子サイズが１００ｎｍ超である、
ＣＭＰスラリー。
【請求項６】
硬化性樹脂中のアルミナ砥粒の分散体を硬化させることによって得られる複数の形成された構造を有し、かつ水性の酸化性溶液を供給される作用表面を具備している、ＣＭＰの用途で使用するために適当な加工研磨材であって、
前記アルミナ砥粒は、シリカコーティングを有し、ＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ２／ｇであり、アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、かつα−アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、かつ
前記粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が２０〜５０ｎｍであり、前記アルミナ粒子の１０％未満の一次粒子サイズが１００ｎｍ超である、
ＣＭＰの用途で使用するために適当な加工研磨材。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月21日(2011.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
電極と誘電体層と保護層とが形成された第１のガラス基板と、電極と誘電体層と隔壁と蛍光体層とが形成された第２のガラス基板とを準備し、
前記第１又は第２のガラス基板にガラスフリットを配置し、
前記ガラスフリットの頂部と前記ガラスフリットを塗布していない方のガラス基板とが接触するように前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とを重ね合わせ、
前記第１又は第２のガラス基板に設けられた貫通穴の近傍にガラス繊維部材とガラス管と固形ガラスフリットとを配置し、
前記第１又は第２のガラス基板に設けられた前記貫通穴及び前記ガラス管を経由して前記第１及び第２のガラス基板の間の空間にガスを吹込み、
前記ガラスフリットを溶融させて前記第１及び第２のガラス基板を封着するとともに前記第１又は第２のガラス基板に前記ガラス管を接着し、
前記第１及び第２のガラス基板の間を排気し、
前記第１及び第２のガラス基板の間に封入ガスを封入する、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記保護層として、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、及び、酸化バリウムのうち少なくとも１種類以上を含む前記保護層を使用する、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記保護層として、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、及び、酸化バリウムのうち少なくとも２種類以上の混合物からなる前記保護層を使用する、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記ガラス管の接着部分に前記ガラス繊維部材を配置するとき、前記ガラス管の内面に円錐状のガラス繊維部材を配置する、請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記ガラス管を接着するとき、固形ガラスフリットを介して前記貫通穴の周囲に前記ガラス管を接着し、かつ、前記ガラス繊維部材を、前記貫通穴を設けた前記ガラス基板と前記固形ガラスフリットの間、又は、前記ガラス管と前記固形ガラスフリットの間に挟みこむ、請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
保護層を有する第１のガラス基板と、第２のガラス基板との間に放電空間を形成するように対向配置し、前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板との周辺部を封着部材により封着し、かつ前記第１のガラス基板又は前記第２のガラス基板に設けた貫通穴に繋がるように、前記貫通穴の周囲に前記放電空間内へのガスの封入又は排気を行うためのガラス管を接着したプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記第１のガラス基板又は前記第２のガラス基板に設けた前記貫通穴の周囲に接着した前記ガラス管の接着部分に、ガラス繊維部材を配置しているプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記保護層が、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、及び、酸化バリウムのうち少なくとも１種類以上を含む、請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記保護層が、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、及び、酸化バリウムのうち少なくとも２種類以上の混合物からなる、請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記ガラス管の接着部分に配置された前記ガラス繊維部材は、前記ガラス管の内面に配置された円錐状のガラス繊維部材である、請求項６〜８のいずれか１つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記ガラス管の接着部分において、固形ガラスフリットを介して前記貫通穴の周囲に前記ガラス管が接着されており、かつ、前記ガラス繊維部材が、前記貫通穴を設けた前記ガラス基板と前記固形ガラスフリットの間、又は、前記ガラス管と前記固形ガラスフリットの間に挟みこまれている、請求項６〜８のいずれか１つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の高輝度放電灯回路は、瞬停を検出する瞬停検出部と、高輝度放電灯の状態を検出する放電灯状態検出部と、瞬停検出部により瞬停が検出され、かつ放電灯状態検出部により瞬停に基づく消灯が検出された場合、高輝度放電灯を再点灯するように制御する制御部と、を有し、制御部は、高輝度放電灯が再点灯しない場合、再度再点灯するように制御するリトライ部を含みリトライ部は、再点灯の制御から所定時間経過後の放電灯状態検出部による検出結果が消灯状態である場合、再度再点灯するように制御するとともに、再点灯の制御回数に応じて前記所定時間を変化させることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
瞬停を検出する瞬停検出部と、
高輝度放電灯の状態を検出する放電灯状態検出部と、
瞬停検出部により瞬停が検出され、かつ放電灯状態検出部により瞬停に基づく消灯が検出された場合、高輝度放電灯を再点灯するように制御する制御部と、
を有し、
制御部は、高輝度放電灯が再点灯しない場合、再度再点灯するように制御するリトライ部を含み、
リトライ部は、再点灯の制御から所定時間経過後の放電灯状態検出部による検出結果が消灯状態である場合、再度再点灯するように制御するとともに、再点灯の制御回数に応じて前記所定時間を変化させる、
ことを特徴とする高輝度放電灯回路。
【請求項２】
請求項１に記載の高輝度放電灯回路において、
リトライ部は、再点灯の制御回数が増加するにつれて前記所定時間を短くする、
ことを特徴とする高輝度放電灯回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の高輝度放電灯回路において、
リトライ部は、予め設定された再点灯の制御回数に到達した場合、制御を終了する、
ことを特徴とする高輝度放電灯回路。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の高輝度放電灯回路において、
この回路は複数の高輝度放電灯に接続され、
制御部は、再点灯させる高輝度放電灯が複数ある場合、再点灯の制御タイミングをずらすとともに、その後の再度再点灯の制御タイミングもずらす、
ことを特徴とする高輝度放電灯回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線を有し、
前記第１の配線と平行に配置されている第２の配線を有し、
第１のゲートを有する第１のトランジスタを有し、
前記第１の配線は、前記第１のゲートとして機能する領域を有し、
前記第１の配線の下方に、第２のトランジスタを有し、
前記第２の配線の下方に、第３のトランジスタを有し、
第２のゲートを有する第４のトランジスタを有し、
前記第２の配線は、前記第２のゲートとして機能する領域を有し、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続することができ、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続することができ、
前記第１のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月17日(2012.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源から出射された光束をＢＤ（ブルーレイディスク）などの光ディスクに集光するプラスチック製の光ピックアップ対物レンズであって、前記光ピックアップ対物レンズは、レーザ光源側のレンズ面（Ｒ１面）及び光ディスク側のレンズ面（Ｒ２面）の両面に複数の輪帯領域を有し、前記レンズ面が段差により同心円状の複数の輪帯領域に分割され各輪帯領域の間に設けられる接合領域を備えてなる輪帯構造を備え、複数の前記段差は、周囲温度が変化した場合に前記光ピックアップ対物レンズにおいて発生する収差を低減するような位相差を入射光束に発生させる段差量を有し、前記光ピックアップ対物レンズの開口数をＮＡ、焦点距離をｆ（ｍｍ）、前記レーザ光源側のレンズ面（Ｒ１面）の輪帯数をＲＮ（Ｒ１）、光ディスク側のレンズ面（Ｒ２面）の輪帯数をＲＮ（Ｒ２）、Ｒ１面軸上段差量の絶対値の平均値をｄ０ｍ（Ｒ１）（ｍｍ）、Ｒ２面軸上段差量の絶対値の平均値をｄ０ｍ（Ｒ２）とした場合に、数式（１）、（２）、（３）を満たす光ピックアップ対物レンズ。
ＮＡ≧０．８    ・・・・・・（１）
１．０≦ｆ≦１．８  ・・・・（２）
ＲＮ（Ｒ１）×ｄ０ｍ（Ｒ１）≧ＲＮ（Ｒ２）×ｄ０ｍ（Ｒ２）  ・・・（３）
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月27日(2012.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）アスタキサンチン、ポリグリセリン脂肪酸エステル、及びリン脂質又はその誘導体を含むエマルジョン粒子；
（ｂ）リン酸アスコルビルマグネシウム、及びリン酸アスコルビルナトリウムから選ばれる少なくとも１種のアスコルビン酸誘導体；並びに
（ｃ）ｐＨ調整剤
を含有する、ｐＨが５．０〜７．５の分散組成物。
【請求項２】
リン脂質又はその誘導体がレシチンである、請求項１に記載の分散組成物。
【請求項３】
更にトコフェロールを含む、請求項１又は請求項２に記載の分散組成物。
【請求項４】
更にグリセリンを含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項記載の分散組成物。
【請求項５】
前記分散組成物中のエマルジョン粒子の平均粒子径が２００ｎｍ以下である請求項１〜請求項４のいずれか１項記載の分散組成物。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項記載の分散組成物を含むスキンケア用化粧料。
【請求項７】
請求項１〜請求項５のいずれか１項記載の分散組成物の製造方法であって、
アスタキサンチンを含有するカロテノイド含有油溶性成分、ポリグリセリン脂肪酸エステル及びリン脂質又はその誘導体と、水相とを混合して、エマルジョン粒子を有する水分散物を得ること、
前記水分散物と、リン酸アスコルビルナトリウム及びリン酸アスコルビルマグネシウムから選ばれる少なくとも１種のアスコルビン酸誘導体を含む水性組成物とを混合して、平均粒子径２００ｎｍ以下のエマルジョン粒子を有する分散組成物を得ること、
分散組成物のｐＨを５〜７．５に調整すること、
を含む分散組成物の製造方法。
【請求項８】
リン脂質又はその誘導体の含有量が、前記水分散物全体の質量に対して０．００１質量％以上２０質量％以下である、請求項７記載の分散組成物の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８の製造方法により得られた分散組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
遊技盤の盤面に取り付けられ、打球発射装置によって発射される打球を遊技領域へと誘導する打球誘導路を内レールと共に形成する外レールであって、以下の構成を備えていることを特徴とする遊技機用打球誘導レール。
（１）前記外レールは合成樹脂成形品によって構成され、当該成形品の背面側に一体に突設された圧入ピンにより、前記遊技盤の盤面のピン孔へと圧入することによって取り付けられる構造となっていること。
（２）前記外レールの前記内レールに対面する側の面は、前記打球の着弾位置付近を平坦面とし、該着弾位置よりも上方へ所定距離越えた部分よりも上方の部分から、レール幅の中心部に沿って打球を誘導する誘導溝を形成したこと。
（３）前記誘導溝は、その溝の深さが上方に向かって徐々に深くなる様に構成されていること。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
さらに、以下の構成をも備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の遊技機用打球誘導レール。
（７）前記外レールは、前記遊技盤の隅部に取り付けられるコーナー飾りの内の少なくとも左側上下のコーナー飾りを連結一体化した合成樹脂製の枠飾り部品の遊技領域側の側面を構成する様に、該枠飾り部品と一体に成形され、前記圧入ピンは、該枠飾り部品側の背面に形成されていること。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かかる目的を達成するためになされた本発明の遊技機用打球誘導レールは、遊技盤の盤面に取り付けられ、打球発射装置によって発射される打球を遊技領域へと誘導する打球誘導路を内レールと共に形成する外レールであって、以下の構成を備えていることを特徴とする。
（１）前記外レールは合成樹脂成形品によって構成され、当該成形品の背面側に一体に突設された圧入ピンにより、前記遊技盤の盤面のピン孔へと圧入することによって取り付けられる構造となっていること。
（２）前記外レールの前記内レールに対面する側の面は、前記打球の着弾位置付近を平坦面とし、該着弾位置よりも上方へ所定距離越えた部分よりも上方の部分から、レール幅の中心部に沿って打球を誘導する誘導溝を形成したこと。
（３）前記誘導溝は、その溝の深さが上方に向かって徐々に深くなる様に構成されていること。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、これら本発明の遊技機用打球誘導レールは、さらに、以下の構成をも備えるものとするとよい。
（７）前記外レールは、前記遊技盤の隅部に取り付けられるコーナー飾りの内の少なくとも左側上下のコーナー飾りを連結一体化した合成樹脂製の枠飾り部品の遊技領域側の側面を構成する様に、該枠飾り部品と一体に成形され、前記圧入ピンは、該枠飾り部品側の背面に形成されていること。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月1日(2012.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号２で表される塩基配列からなるｈＴＥＲＴ発現調節遺伝子。
【請求項２】
配列番号２で表される塩基配列の１若しくは数個の塩基が欠失・置換若しくは付加された塩基配列からなるｈＴＥＲＴ発現調節遺伝子。
【請求項３】
配列番号２で表される塩基配列からなるＤＮＡ分子に対して相補的な塩基配列からなるＤＮＡ分子とストリンジェントな条件下でハイブリダイズする哺乳動物由来のＤＮＡ分子の塩基配列からなるｈＴＥＲＴ発現調節遺伝子。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載のｈＴＥＲＴ発現調節遺伝子をベクターに連結して発現可能に構成されているｈＴＥＲＴ発現調節遺伝子発現ベクター。
【請求項５】
請求項１乃至３いずれかに記載のｈＴＥＲＴ発現調節遺伝子の転写産物であるｈＴＥＲＴ発現調節ＲＮＡ。
【請求項６】
配列番号４で表される塩基配列からなるｈＴＥＲＴ発現調節ＲＮＡ。
【請求項７】
配列番号４で表される塩基配列の１若しくは数個の塩基が欠失・置換若しくは付加された塩基配列からなるｈＴＥＲＴ発現調節ＲＮＡ。
【請求項８】
配列番号４で表される塩基配列からなるＲＮＡに対して相補的な塩基配列からなるＲＮＡとストリンジェントな条件下でハイブリダイズする哺乳動物由来のＲＮＡの塩基配列からなるｈＴＥＲＴ発現調節ＲＮＡ。
【請求項９】
請求項６乃至８いずれかに記載のｈＴＥＲＴ発現調節ＲＮＡの一部に相当する１５塩基以上３０塩基以下の長さの第一の塩基配列と、
前記第一の塩基配列と相補的な１５塩基以上３０塩基以下の長さの第二の塩基配列と、
を含む、請求項１乃至３いずれかに記載のｈＴＥＲＴ発現調節遺伝子の発現を抑制する二本鎖のＲＮＡ。
【請求項１０】
請求項９に記載の二本鎖のＲＮＡにおいて、
前記第一の塩基配列は、配列番号２０又は２２に記載の塩基配列であるＲＮＡ。
【請求項１１】
請求項９記載の二本鎖のＲＮＡにおいて、
前記第一の塩基配列は、３’末端に２塩基の長さの突端部位を含み、
前記第二の塩基配列は、３’末端に２塩基の長さの突端部位を含むＲＮＡ。
【請求項１２】
請求項６乃至８いずれかに記載のｈＴＥＲＴ発現調節ＲＮＡの一部に相当する１５塩基以上３０塩基以下の長さの第一の塩基配列と、
前記第一の塩基配列と逆方向に配置されている、前記第一の塩基配列と相補的な１５塩基以上３０塩基以下の長さの第二の塩基配列と、
前記第一の塩基配列および前記第二の塩基配列の間にある４塩基以上のヘアピンループ配列と、を含む、請求項１乃至３いずれかに記載のｈＴＥＲＴ発現調節遺伝子の発現を抑制する一本鎖のｓｈＲＮＡであって、
前記第一の塩基配列および前記第二の塩基配列の間に、４塩基以上のヘアピンループ配列を含むＲＮＡ。
【請求項１３】
請求項１２記載のｓｈＲＮＡに対して相補的なＤＮＡ配列をベクターに連結して発現可能に構成されているｓｈＲＮＡ発現ベクター。
【請求項１４】
請求項６乃至８いずれかに記載のｈＴＥＲＴ発現調節ＲＮＡと、
前記ｈＴＥＲＴ発現調節ＲＮＡと相補的な塩基配列を含むＲＮＡと、
を含む二本鎖のＲＮＡをマイクロＲＮＡ成熟酵素により切断してなる、請求項１乃至３いずれかに記載のｈＴＥＲＴ発現遺伝子の発現を抑制する二本鎖のＲＮＡが含まれる複数の種類の二本鎖のＲＮＡを含有するＲＮＡプール。
【請求項１５】
請求項９記載の二本鎖のＲＮＡと、
細胞内への取込促進物質と、
を結合してなる複合体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月29日(2012.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
さらに、以下の構成をも備えていることを特徴とする請求項５記載の遊技機。
（１０）前記スペーサ部材は、帯板状の平板部と、該平板部の裏面に突設されたリブとを備えた合成樹脂一体成形品であること。
（１１）前記枠飾り部品の前記スペーサ部材を装着する箱枠状の部分の空間には、前記外レール側の側面から前記スペーサ部材の平板部の板厚とほぼ同じ距離だけ離して正面から背面に向かって伸びる突起が、前記打球の着弾位置を跨ぐ様に、前記枠飾り部品と一体に成形されていること。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
外レールに誘導溝を備えた遊技機は、さらに、以下の構成をも備えるとよい。
（８Ａ）前記外レールの誘導溝は、打球の着弾位置を上方へ所定距離越えた部分よりも上方の部分から、その溝の深さが上方に向かって徐々に深くなる様に形成されていること。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
このスペーサ部材で補強した遊技機は、さらに、以下の構成をも備えるものとするとよい。
（１０）前記スペーサ部材は、帯板状の平板部と、該平板部の裏面に突設されたリブとを備えた合成樹脂一体成形品であること。
（１１）前記枠飾り部品の前記スペーサ部材を装着する箱枠状の部分の空間には、前記外レール側の側面から前記スペーサ部材の平板部の板厚とほぼ同じ距離だけ離して正面から背面に向かって伸びる突起が、前記打球の着弾位置を跨ぐ様に、前記枠飾り部品と一体に成形されていること。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明に係る画像復号化装置は、符号化の単位となる画像データである画像フレームを復号する画像フレーム復号部と、画像フレームをまとめる単位である動画像シーケンスのヘッダ情報領域に符号化されて含まれ、画像フレーム復号部により復号される任意の２つの連続した前記画像フレーム間の時間間隔が動画像シーケンス中で一定であることを示すフラグと、フレームレート値を引き出すために使用されるパラメータ値を表すフレームレート情報とを復号するヘッダ解析部とを備えるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る画像復号化方法は、符号化の単位となる画像データである画像フレームを復号する画像フレーム復号ステップと、画像フレームをまとめる単位である動画像シーケンスのヘッダ情報領域に符号化されて含まれ、画像フレーム復号ステップにより復号される任意の２つの連続した画像フレーム間の時間間隔が動画像シーケンス中で一定であることを示すフラグと、フレームレート値を引き出すために使用されるパラメータ値を表すフレームレート情報とを復号するヘッダ解析ステップとを備えるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化の単位となる画像データである画像フレームを符号化して形成された符号化ビットストリームを復号する画像復号化装置であって、
前記符号化の単位となる画像データである画像フレームを復号する画像フレーム復号部と、
前記画像フレームをまとめる単位である動画像シーケンスのヘッダ情報領域に符号化されて含まれ、前記画像フレーム復号部により復号される任意の２つの連続した前記画像フレーム間の時間間隔が前記動画像シーケンス中で一定であることを示すフラグと、フレームレート値を引き出すために使用されるパラメータ値を表すフレームレート情報とを復号するヘッダ解析部と
を備えることを特徴とする画像復号化装置。
【請求項２】
符号化の単位となる画像データである画像フレームを符号化して形成された符号化ビットストリームを復号する画像復号化方法であって、
前記符号化の単位となる画像データである画像フレームを復号する画像フレーム復号ステップと、
前記画像フレームをまとめる単位である動画像シーケンスのヘッダ情報領域に符号化されて含まれ、前記画像フレーム復号ステップにより復号される任意の２つの連続した前記画像フレーム間の時間間隔が前記動画像シーケンス中で一定であることを示すフラグと、フレームレート値を引き出すために使用されるパラメータ値を表すフレームレート情報とを復号するヘッダ解析ステップと
を備えることを特徴とする画像復号化方法。
【請求項３】
符号化の単位となる画像データである画像フレームを符号化して形成された符号化ビットストリームを復号する画像復号化装置であって、
前記符号化の単位となる画像データである画像フレームを復号する画像フレーム復号部と、
タイムコードを復号するタイムコード解析部と、
前記画像フレームをまとめる単位である動画像シーケンスのヘッダ情報領域に符号化されて含まれ、前記画像フレーム復号部により復号される任意の２つの連続した前記画像フレーム間の時間間隔が前記動画像シーケンス中で一定であることを示すフラグを復号し、該フラグが一定であることを示す場合に、前記ヘッダ情報領域に符号化されて含まれ、前記動画像シーケンス中で単位時間あたりに表示される画像フレームの数を示す情報であって、前記タイムコード解析部で復号されるタイムコードとの組合せで前記画像フレーム復号部により復号される画像フレームの絶対時刻を規定するフレームレート情報を復号するヘッダ解析部と
を備えることを特徴とする画像復号化装置。
【請求項４】
符号化の単位となる画像データである画像フレームを符号化して形成された符号化ビットストリームを復号する画像復号化方法であって、
前記符号化の単位となる画像データである画像フレームを復号する画像フレーム復号ステップと、
タイムコードを復号するタイムコード解析ステップと、
前記画像フレームをまとめる単位である動画像シーケンスのヘッダ情報領域に符号化されて含まれ、前記画像フレーム復号ステップにより復号される任意の２つの連続した前記画像フレーム間の時間間隔が前記動画像シーケンス中で一定であることを示すフラグを復号し、該フラグが一定であることを示す場合に、前記ヘッダ情報領域に符号化されて含まれ、前記動画像シーケンス中で単位時間あたりに表示される画像フレームの数を示す情報であって、前記タイムコード解析ステップで復号されるタイムコードとの組合せで前記画像フレーム復号ステップにより復号される画像フレームの絶対時刻を規定するフレームレート情報を復号するヘッダ解析ステップと
を備えることを特徴とする画像復号化方法。
【請求項５】
符号化の単位となる画像データである画像フレームを符号化して形成されたビットストリームを復号する画像復号化装置であって、
前記画像フレームをまとめる単位であり、かつ１以上の前記画像フレームを含むデータ構造である動画像シーケンスのヘッダ情報領域に符号化されて前記ビットストリームに含まれる情報であって、任意の２つの連続した前記画像フレーム間の時間間隔が一定であるか否かを示すフラグを復号するフラグ復号部と、
前記フラグに基づいて前記画像フレームの復号処理を行う画像復号部とを備えることを特徴とする画像復号化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオエンコーダで使用する方法であって、
ビデオピクチャシーケンスに対する差分量子化間隔を判定するステップであって、前記間隔は間隔番号を含む、ステップと、
前記ビデオピクチャシーケンス中の複数の予測された差分量子化ピクチャに対する差分量子化を実施するときに前記間隔を用いるステップであって、前記間隔により、前記エンコーダは、前記複数の予測された差分量子化ピクチャの１つの後の、少なくとも前記間隔番号の予測ピクチャに対する差分量子化をスキップする、ステップと、
前記ビデオピクチャシーケンスに対するエンコードされたデータを出力するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記差分量子化は、
前記複数の予測された差分量子化予測ピクチャのうち第１の予測ピクチャ用の１つまたは複数の差分量子化ステップサイズを選択することであって、前記１つまたは複数の差分量子化ステップサイズは、前記第１の予測ピクチャ用のピクチャ量子化ステップサイズとは異なる、ことと、
前記複数の予測された差分量子化予測ピクチャのうち第２の予測ピクチャ用の前記１つまたは複数の差分量子化ステップサイズを変更することであって、前記第２の予測ピクチャは、前記第１の予測ピクチャからの前記間隔外にある、ことと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の予測された差分量子化ピクチャは、少なくとも１つのＰピクチャを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の予測された差分量子化ピクチャは、少なくとも１つのＢピクチャを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記差分量子化間隔は一定間隔であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記差分量子化間隔は、適応的に調整可能な間隔であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法をコンピュータに実施させるコンピュータ実行可能命令を格納したことを特徴とするコンピュータ可読記録媒体。
【請求項８】
ビデオエンコーダで使用する方法であって、
現在のビデオピクチャにおけるテクスチャ情報を分析するステップと、
前記現在のビデオピクチャ中の前記分析されたテクスチャ情報に少なくとも部分的に基づいて、前記現在のビデオピクチャ用の平滑化閾値を設定するステップと、
前記現在のビデオピクチャのテクスチャ情報のデータを前記平滑化閾値と比較するステップと、
前記平滑化閾値による、前記現在のビデオピクチャ中での少なくとも１つの平滑領域の発見に基づいて、前記現在のビデオピクチャの少なくとも一部に対して差分量子化を調整するステップであって、前記差分量子化を調整するステップは、前記現在のビデオピクチャ中の平坦なブロックのパーセンテージを判定することと、１つまたは複数のパーセント閾値と前記パーセンテージを比較することを含む、ステップと、
前記現在のビデオピクチャに対するエンコードされたデータを出力するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記テクスチャ情報を分析するステップは、テクスチャマップを分析することを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記テクスチャ情報を分析するステップは、ブロック階調値の階調値ヒストグラムにスライディングウィンドウを適用することをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記差分量子化を調整するステップは、前記パーセンテージを前記１つまたは複数のパーセント閾値と前記比較することの結果に依存することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記差分量子化を調整するステップは、
前記現在のビデオピクチャ中のテクスチャ領域内の分離された平坦なブロックを識別するステップと、
前記分離された平坦なブロックに対する前記差分量子化をスキップするステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月29日(2012.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記送気チャンネルの前記ガス噴出口に連通する管路部分が、前記ガス噴出口直近において滑らかに湾曲していることを特徴とする請求項３及び請求項５〜７のいずれかに記載の内視鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記送気チャンネルの前記ガス噴出口に連通する管路部分が、前記ガス噴出口直近において内視鏡の軸方向に対して略直角または鋭角に屈曲していることを特徴とする請求項３及び請求項５〜７のいずれかに記載の内視鏡。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、請求項８に示すように、前記送気チャンネルの前記ガス噴出口に連通する管路部分が、前記ガス噴出口直近において滑らかに湾曲していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
これにより、送気チャンネル及びガス噴出口に連通する管路部分をブラシ等で洗浄する際の洗浄性を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、請求項９に示すように、前記送気チャンネルの前記ガス噴出口に連通する管路部分が、前記ガス噴出口直近において内視鏡の軸方向に対して略直角または鋭角に屈曲していることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このように、ガス噴出口に連通する管路を内視鏡軸方向に対して直角または鋭角に屈曲させることにより、ガス噴出口から噴出されるガスの噴出方向を観察窓からより遠ざけることができ、発生した泡が観察窓の方へ行かないようにすることができ、観察窓の視界を十分確保することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このように、ガス噴出口を観察窓が配置された先端面と離すように構成された内視鏡に対して送気装置からガスを供給することで、ガス噴出口付近でガスによって泡が発生してもその泡が観察窓の視界を阻害することなく、観察窓の視界を十分に確保することが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
これにより、管腔内が常に気腹され、内視鏡による観察及び処置を的確に行うことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012085860.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012085860.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気調和機本体と双方向で通信を行う空気調和機の遠隔制御装置であって、
所定のボタンと、
前記所定のボタンとは別のボタンと、
前記所定のボタンが押下されると、前記空気調和機本体に対して情報の送信を要求する信号を送信して前記空気調和機本体から前記情報を受信するモジュールであって、前記情報の受信に失敗した場合、前記別のボタンが押下されると、前記空気調和機本体に対して前記情報の再送を要求する信号を送信するモジュールと
を備えることを特徴とする空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項２】
前記空気調和機の遠隔制御装置は、
前記所定のボタンと前記別のボタンとを含むボタン群を備え、
前記モジュールは、前記情報の受信に失敗した場合、前記ボタン群に含まれる複数のボタンが同時に押下されると、前記情報の再送を要求する信号を送信することを特徴とする請求項１記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項３】
前記空気調和機の遠隔制御装置は、さらに、
前記モジュールが前記情報の受信に失敗した場合、カウントダウン表示を行い、
前記モジュールは、前記情報の受信に失敗した場合、前記カウントダウン表示が終了するまでに前記所定のボタンが押下されると、前記情報の再送を要求する信号を送信することを特徴とする請求項１記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項４】
空気調和機本体と双方向で通信を行う空気調和機の遠隔制御装置であって、
所定のボタンと、
前記所定のボタンが押下されると、前記空気調和機本体に対して情報の送信を要求する信号を送信して前記空気調和機本体から前記情報を受信するモジュールであって、前記情報の受信に失敗した場合、前記所定のボタンが所定時間以上長押しされると、前記空気調和機本体に対して前記情報の再送を要求する信号を送信するモジュールと
を備えることを特徴とする空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項５】
前記モジュールは、前記情報の再送を要求する信号を、前記情報の送信を要求する信号の送信時の送信電力よりも大きい送信電力で送信することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項６】
前記モジュールは、前記情報の送信を要求する信号を１つの方向に送信し、前記情報の再送を要求する信号を２つ以上の方向に送信することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項７】
前記モジュールは、前記情報の送信を要求する信号を１つの方向に送信し、前記情報の再送を要求する信号を指向性のない無線方式で送信することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項８】
前記空気調和機の遠隔制御装置は、さらに、
前記モジュールが前記情報の受信に失敗した場合、前記空気調和機本体に対して前記情報の再送を要求するための対応策を表示する表示部
を備えることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項９】
前記表示部は、前記モジュールが前記情報の受信に失敗した場合、前記情報の受信に失敗したことを示す情報を、前記対応策とともに表示することを特徴とする請求項８記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項１０】
前記表示部は、一度に２０文字以上の文字列を表示可能なフルドット液晶であることを特徴とする請求項８又は９記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項１１】
前記所定のボタンは、少なくとも前記空気調和機本体の運転を停止させるために使用されるボタンであることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項１２】
前記所定のボタンは、前記空気調和機本体の運転を開始させるためにも使用されるボタンであることを特徴とする請求項１１記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【請求項１３】
前記モジュールは、前記情報の送信を要求する信号として、前記空気調和機本体の運転を停止させる信号を送信することを特徴とする請求項１１又は１２記載の空気調和機の遠隔制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る空気調和機の遠隔制御装置は、空気調和機本体と双方向で通信を行う空気調和機の遠隔制御装置であって、
所定のボタンと、
前記所定のボタンとは別のボタンと、
前記所定のボタンが押下されると、前記空気調和機本体に対して情報の送信を要求する信号を送信して前記空気調和機本体から前記情報を受信するモジュールであって、前記情報の受信に失敗した場合、前記別のボタンが押下されると、前記空気調和機本体に対して前記情報の再送を要求する信号を送信するモジュールとを備えるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明によれば、遠隔制御装置の所定のボタンの操作により本体から情報を受信できなかった場合でも、遠隔制御装置の別のボタンを操作することにより空気調和機本体から情報を確実に受信できる。