【事件の表示】
　平成　９年特許願第２８０３１７号「洗浄剤組成物及び洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月３０日出願公開、特開平１１−１２１４１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯
　本願は、平成９年１０月１４日の出願であって平成１９年８月１日付けで拒絶査定がなされ（平成１９年８月３日発送）、これに対し、平成１９年８月３１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成１９年９月２７日付けで明細書についての手続補正がなされたものである。
　
２．平成１９年９月２７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年９月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のように補正された。
「一般式（１）
【化１】
　
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｎは０〜２の整数を示す。ｍは１〜８の整数を示す。）で示される化合物、及び／又は一般式（２）
Ｒ２−Ｏ−（ＡＯ）ｍ−Ｘ （２）
（式中、Ｒ２は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基又は炭素原子数１〜６のアシル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｍは１〜８の整数を示す。）で示される化合物を含有してなり、ｐＨが６以
下で
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「ｐＨが６以下又は８〜１４である」とのｐＨの範囲を、「ｐＨが６以下である」と減縮するものであり、かつ、補正後の請求項１に記載された発明は、補正前の請求項１に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（３−１）引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平９−２１７０８７号公報（以下「引用例」という）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　　　
　ア　「【発明が解決しようとする課題】本発明は、高度な洗浄性と共に残留しにくい性能を有し、ＬＣＤ製造工程等において基板表面に有機もしくは無機薄膜を成膜するに先立ち前記基板表面を洗浄処理し、更には、基板表面の有機樹脂層を洗浄処理する洗浄剤組成物であって、半導体及びその周辺部品等の歩留まりを向上させる洗浄剤を提供することを目的とする。また、本発明は前記洗浄剤組成物を用いた、残留性の低い高度な洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】本発明は、疎水基の炭素数が異なる複数種類のアルキレンオキシドタイプの特定のノニオン化合物の併用物を用いると上記課題を解決できるとの知見に基づいてなされたのである。」（段落【０００３】）
　
　イ　「すなわち、本発明は、基板表面に有機もしくは無機薄膜を成膜するに先立ち前記基板表面を洗浄処理するための洗浄剤組成物であって、下記の成分（Ａ）及び（Ｂ）を含有することを特徴とする洗浄剤組成物を提供する。
（Ａ）一般式（１）で表される化合物から選択される一種又は二種以上
【化７】    Ｒ1 −Ｏ−（Ａ1 Ｏ）n −Ｒ2     ・・・（１）
（Ｒ1 ：炭素数１〜７のアルキル基、アルケニル基又はフェニル基
Ａ1 ：炭素数２〜４のアルキレン基
ｎ  ：１〜６
Ｒ2 ：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基又は水素）
（Ｂ）一般式（２）で表される化合物又は一般式（３）で表される化合物の少なくともいずれか一方から選択される一種又は二種以上
・・・・・・
本発明は、又、基板表面の有機樹脂層を洗浄処理するための洗浄剤組成物であって、上記成分（Ａ）及び（Ｂ）を含有することを特徴とする洗浄剤組成物を提供する。更に、本発明は、前記洗浄剤組成物を所定の濃度に希釈した後、それで基板表面を洗浄する方法をも提供する。」（段落【０００４】）
　
　ウ　「【発明の実施の形態】本発明で（Ａ）成分として用いられる一般式（１）中のＲ1 は、炭素数１〜７の飽和ないし不飽和の脂肪族アルコール又はフェノールである。一般式（１）のＲ2 は炭素数１〜６の飽和または不飽和脂肪族炭化  水素基または水素を示す。一般式（１）中のＡ1 Ｏは、オキシエチレン、オキシプロピレン、オキシブチレンが単独または混合物として付加していることを示し、特にオキシエチレンとオキシプロピレンのブロック付加物が好適である。ｎはアルキレンオキシドの付加モル数を示し、１〜６の範囲で変化させることができる。オキシエチレンとオキシプロピレンの混合ブロック付加体の場合、オキシエチレン１〜３モルおよびオキシプロピレン１〜３モルが付加したものが好適である。オキシエチレンとオキシプロピレンを組み合わせ、好ましくはＨＬＢを３〜１２にすると共に分子構造の立体配置を調整することにより、より顕著な洗浄性の向上および非イオン界面活性剤の残留を抑えることが可能になる。また、本発明では（Ａ）成分として炭素数４〜６のアルコールのアルキレンオキシド付加物が好適に用いられ、炭素数４のアルコールの場合はオキシエチレン１〜３モルおよびオキシプロピレン１〜３モル付加物が好ましく、炭素数６のアルコールの場合はオキシエチレン１〜３モル付加物が好ましい。」（段落【０００５】）
　
　エ　「本発明の洗浄剤組成物においては、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を任意の割合で配合することが出来るが、洗浄性、残留性を考慮すると、各成分を洗浄剤組成物１００重量％に対し、（Ａ）成分３〜３０重量％、好ましくは５〜２０重量％、（Ｂ）成分１〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％をそれぞれ配合するのが最も効果的である。通常はこれを水、好ましくはイオン交換水で希釈して２０〜９５重量％の水溶液とするのがよい。本発明の洗浄剤組成物は、洗浄における界面化学的作用を主としているため、必要に応じ上記必須成分に加え、硫酸、フッ酸、過酸化水素、苛性ソーダ等の無機アルカリ類、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、４級アンモニウム水酸化物等の化学洗浄作用を有する薬剤、及びキレート剤等を配合することができる。この場合、洗浄剤組成物１００重量％に対し、（Ａ）成分３〜３０重量％、好ましくは５〜２０重量％、（Ｂ）成分１〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％、任意成分１〜５０重量％、好ましくは５〜４０重量％とするのがよい。実施例に示すとおりガラス基板洗浄においてはゼータ電位に起因する洗浄力の向上がｐＨに依存するため、洗浄液ベースでのｐＨが１０以上になるよう配合することが望ましい。ｐＨによる洗浄性の向上が期待できない系では部材安定性を考慮し洗浄液ベースでのｐＨが６〜８になるように上記助剤を配合することが好ましい。」（段落【０００７】）
　
　オ　「洗浄に際しては、この洗浄剤組成物を水で0.１〜１０重量％、好ましくは0.３〜３重量％に希釈し、有機もしくは無機薄膜を成膜する前後の基板表面を該洗浄液中に浸漬させて洗浄するが、超音波を作用させて洗浄処理するとより一層洗浄効果が良好となる。洗浄後はイオン交換水で基板表面を清浄する。また、被洗浄物の種類によっては、水で0.１〜１０重量％、好ましくは0.３〜３重量％に希釈した洗浄液を用いて、基板表面に対して相対的に移動するブラシを用いて洗浄処理するのが好ましい。本発明の洗浄剤組成物を適用できる基板としては、ＬＣＤに用いられる各種ガラスあるいは石英等の原板、これら原板上に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が設けられた薄膜トランジスタ基板等のアレイ基板、ポリビニルアルコールやポリイミド等の高分子膜が設けられたＬＣＤ基板、更には酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁膜が設けられたＬＣＤ基板等が挙げられる。・・・・・・」（段落【０００８】）
　
　カ　表−１，２には、実施例１〜１７として、それぞれ、Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）２Ｃ４Ｈ９，Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）２Ｈ，Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）３Ｈ，Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）１（ＰＯ）１Ｈ，Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）１（ＰＯ）２Ｈ，Ｃ６Ｈ１３Ｏ（ＥＯ）２Ｈ，Ｃ６Ｈ５Ｏ（ＰＯ）１Ｈのうちのいずれかを含有する洗浄剤組成物が記載されている。
　
　キ　「実施例１８（薄膜トランジスタ基板の洗浄）　
　洗浄剤による薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ−ＬＣＤ）上のアルミニウム配線の腐食調査洗浄剤組成物として実施例１３を用い、２００ｎｍ厚に堆積したアルミニウム配線の腐食を調査した。実施例１３の洗浄剤組成物は、希釈時のｐＨも中性に近く、このためアルミ配線の腐食もないことが確認された。なお、他の実施例においても、略同等の結果が確認された。結果を表−５に示す。」（段落【００１９】）
　　
　なお、表−５には、実施例１３（Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）１（ＰＯ）２Ｈを１０ｗｔ％含有）の洗浄剤組成物が原液の状態ではｐＨ４．６４であり、１０分の浸漬条件でアルミニウム配線を腐食しなかったことが記載されている。
　
　ク　「実施例２０（液晶保持特性）　
　洗浄剤組成物として実施例１３を用い、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ−ＬＣＤ）上にシャワー状に洗浄剤を噴霧した後、回転するブラシを相対移動させて１分間処理し、その後、純水でリンス処理を２分間行った。・・・」（段落【００２２】）
　
　上記記載事項について検討すると、記載アには、ＬＣＤ製造工程等において基板表面に有機もしくは無機薄膜を成膜するに先立ち前記基板表面を洗浄処理するのに用いる、疎水基の炭素数が異なる複数種類のアルキレンオキシドタイプの特定のノニオン化合物の併用物を含有する洗浄剤組成物が示されている。
　　　
　記載イには、このような化合物として、一般式（１）すなわちＲ1 −Ｏ−（Ａ1 Ｏ）n −Ｒ2 （Ｒ1 ：炭素数１〜７のアルキル基、アルケニル基又はフェニル基，Ａ1 ：炭素数２〜４のアルキレン基，ｎ  ：１〜６，Ｒ2 ：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基又は水素）で表される化合物が示されている。
　　　
　記載ウは、これをいいかえて、一般式（１）中のＲ1 は、炭素数１〜７の飽和ないし不飽和の脂肪族アルコール又はフェノールであり、Ｒ2 は炭素数１〜６の飽和または不飽和脂肪族炭化水素基または水素であり、Ａ1 Ｏは、オキシエチレン、オキシプロピレン、オキシブチレンが単独または混合物として付加していることを示す旨述べ、特に、炭素数４〜６のアルコールのアルキレンオキシド付加物が好適に用いられ、炭素数４のアルコールの場合はオキシエチレン１〜３モルおよびオキシプロピレン１〜３モル付加物が好ましく、炭素数６のアルコールの場合はオキシエチレン１〜３モル付加物が好ましい旨述べている。
　　　
　記載エには、洗浄剤組成物に、必要に応じ硫酸やフッ酸を配合することができる旨示されるとともに、洗浄液ベースのｐＨとして１０以上と、６〜８とが例示されている。
　　　
　記載オには、洗浄の対象として、ＬＣＤに用いられる各種ガラスあるいは石英等の原板上に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が設けられた薄膜トランジスタ基板が例示されており、記載キ、クには、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ−ＬＣＤ）を対象とした洗浄についての実施例が示されている。　　　
　記載カ（表−１，２）には、一般式（１）で示される化合物を含有した洗浄剤組成物の具体例が実施例１〜１７として示されている。
　
　これら記載事項を総合し、本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という）が記載されている。
　
「一般式（１）　Ｒ1 −Ｏ−（Ａ1 Ｏ）n −Ｒ2 （Ｒ1 ：炭素数１〜７のアルキル基、アルケニル基又はフェニル基，Ａ1 ：炭素数２〜４のアルキレン基，ｎ  ：１〜６，Ｒ2 ：炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基又は水素）で表される化合物を含有してなり、ｐＨが６〜８であるＬＣＤ製造工程等において基板表面に有機もしくは無機薄膜を成膜するに先立ち前記基板表面を洗浄処理するのに用いる洗浄剤組成物。」
　
（３−２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「洗浄剤組成物」は、本願補正発明の「洗浄剤組成物」と共通のものである。
　
　また、洗浄剤組成物が含有する化合物について検討すると、引用発明の一般式（１）で示す化合物で、Ｒ1がフェニル基、Ｒ2が炭素数１〜４のアルキル基又は水素であるもの（例えば記載カに具体的に示すＣ６Ｈ５Ｏ（ＰＯ）１Ｈ）は、本願補正発明の一般式（１）で示す化合物のＲ１が水素原子、ｎが０、Ｘが炭素原子数１〜４のアルキル基又は水素原子である場合に相当する化合物である。
　　
　さらに、引用発明の一般式（１）で示す化合物で、Ｒ1が炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、Ｒ2が炭素数１〜４のアルキル基又は水素であるもの［例えば記載カに具体的に示すＣ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）２Ｃ４Ｈ９，Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）２Ｈ，Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）３Ｈ，Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）１（ＰＯ）１Ｈ，Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＥＯ）１（ＰＯ）２Ｈ，Ｃ６Ｈ１３Ｏ（ＥＯ）２Ｈ］は、本願補正発明の一般式（２）で示す化合物の、Ｒ２が炭素原子数１〜６のアルキル基又は炭素原子数２〜６のアルケニル基、ｍが１〜６、Ｘが炭素原子数１〜４のアルキル基又は水素原子である場合に相当する化合物である。
　
　そこで、本願補正発明の用語を用いて表現すると、両者は次の点で一致する。
（一致点）
「一般式（１）
【化１】
　
　　　　　　　　　　　　
　
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｎは０〜２の整数を示す。ｍは１〜８の整数を示す。）で示される化合物、及び／又は一般式（２）
Ｒ２−Ｏ−（ＡＯ）ｍ−Ｘ （２）
（式中、Ｒ２は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基又は炭素原子数１〜６のアシル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｍは１〜８の整数を示す。）で示される化合物を含有してなる洗浄剤組成物。」
　
　そして、両者は次の点で相違する。
（相違点１）
　本願補正発明の洗浄剤組成物は、半導体素子製造工程用洗浄剤組成物であるのに対し、引用発明の洗浄剤組成物は、ＬＣＤ製造工程等において基板表面に有機もしくは無機薄膜を成膜するに先立ち前記基板表面を洗浄処理するのに用いる洗浄剤組成物である点。
　
（相違点２）
　本願補正発明の洗浄剤組成物は、ｐＨが６以下であるのに対し、引用発明の洗浄剤組成物は、ｐＨが６〜８である点。
　
（３−３）相違点の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用例の記載オには、洗浄の対象として、ＬＣＤに用いられる各種ガラスあるいは石英等の原板上に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が設けられた薄膜トランジスタ基板が例示されており、記載キ、クには、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ−ＬＣＤ）を対象とした洗浄についての実施例が示されている。
　　　
　このことから、引用発明は、洗浄の対象として、単なるＬＣＤ（液晶ディスプレー）用のガラス原板のみならず、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式ＬＣＤ用の薄膜トランジスタを形成した基板をも洗浄の対象としていることが明らかであり、また基板に形成された薄膜トランジスタがいわゆる半導体素子に属するものであることも明らかである。
　　　
　一方、本願明細書の段落【００１７】には、「【発明の実施の形態】　本発明の洗浄剤組成物及び洗浄方法は、シリコンウエハ、化学半導体のウエハ、液晶パネルにおけるガラスパネル等の半導体基板に対して、及びかかる基板上に形成される半導体素子に対して適用される」と記載されていることから、引用例に記載されるような液晶ディスプレー用の薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ−ＬＣＤ）に形成された薄膜トランジスタは、本願補正発明でいう「半導体素子」に包含されるものであるといえる。
　　　
　してみると、本願補正発明でいう半導体素子製造工程は、液晶ディスプレー用の薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ−ＬＣＤ）上の薄膜トランジスタ製造工程をも包含するものであるから、相違点１は実質的な相違点であるとはいえない。
　　　
　また、本願補正発明の半導体素子製造工程が、例えばシリコンウエハ等に形成される半導体素子の製造工程をもその対象としているとしても、ガラスを基板とするＴＦＴ−ＬＣＤ上に形成された薄膜トランジスタの洗浄に使用できる引用発明の洗浄剤組成物を、ガラス以外のシリコン等の基板に形成されるトランジスタ等の半導体素子の製造工程に適用しようとすることは、当業者がなんら困難なくなし得た程度の事項にすぎないということもできる。　
（相違点２について）
　本願補正発明のｐＨの範囲である６以下の範囲は、引用発明のｐＨの範囲である６〜８と、ｐＨ６で重なっていることから、この点は、実質的な相違点ではないということができる。
　　　
　また、本願明細書には、ｐＨ６を境にして、本願補正発明に係る洗浄剤組成物の作用効果に格別な変化が生じることをうかがわせるデータ等がなんら記載されていないことから、ｐＨ６には、格別臨界的な意義はなく、該限定は、単に洗浄剤組成物が酸性であることを示すにすぎないものであるといえる。
　　　
　一方、引用例の記載キには、実施例１３として原液の状態でｐＨ４．６４の洗浄剤組成物が示されており、また、記載エには、洗浄剤組成物に、必要に応じ洗浄剤組成物を酸性にする硫酸やフッ酸を配合することができる旨の記載がある。
　　　
　さらに、半導体素子製造工程において、適宜酸性の洗浄剤組成物で洗浄を行うことは、例えば特開平６−４１７７０号公報（段落【００２５】：ｐＨ約３．３の溶液で洗浄する点）に示すように、本願出願前、周知の事項であることを勘案すると、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項のようにすることは、当業者が適宜なし得たことであるということもできる。
　
　そして、本願補正発明による効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３−４）　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を、「本願発明」という）は、平成１９年７月１０日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　　　
「一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｎは０〜２の整数を示す。ｍは１〜８の整数を示す。）で示される化合物、及び／又は一般式（２）
Ｒ２−Ｏ−（ＡＯ）ｍ−Ｘ （２）
（式中、Ｒ２は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基又は炭素原子数１〜６のアシル基を示す。ＡＯはエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを示す。Ｘは水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアシル基を示す。ｍは１〜８の整数を示す。）で示される化合物を含有してなり、ｐＨが６以下又は８〜１４である半導体素子製造工程用洗浄剤組成物。」
　
４．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及び、その記載事項は、前記２．（３−１）に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、前記２．（１）の本願補正発明におけるｐＨの範囲の限定を、「ｐＨが６以下である」から「ｐＨが６以下又は８〜１４である」としたものである。
　　
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（３−３）に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　　　
　よって、結論のとおり審決する。