【事件の表示】
　平成８年特許願第６１４１６号「強誘電性キャパシタ」拒絶査定不服審判事件〔平成８年１０月１１日出願公開，特開平８−２６４７３５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成８年３月１８日（パリ条約に基づく優先権主張１９９５年３月２０日，韓国）の出願であって，平成１７年３月２２日付け及び平成１８年８月２８日付けで手続補正がなされたところ，同年９月２６日付けで，同年８月２８日付けの手続補正についての却下の決定がなされ，また，同日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成１９年１月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年２月１日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２１年４月２日付けで審尋がなされたものである。
　
第２　平成１９年２月１日付けの手続補正について
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年２月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は，平成１８年８月２８日付けの手続補正が却下されたため，平成１７年３月２２日付けで補正された本件補正前の請求項１を，本件補正後の請求項１とする補正を含むものであって，その補正事項を整理すると，以下のとおりとなる。
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１の「前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介される第１ＲｈＯ２接着層」を，本件補正後の請求項１の「前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介されるＲｈＯ２とＲｈ２Ｏ３との固容体よりなる第１接着層」と補正すること。
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１の「前記第１ＲｈＯ２接着層上に備えられる強誘電体層」を，本件補正後の請求項１の「前記Ｒｈ下部電極上に備えられ，Ｎｂ，Ｌａ，Ｚｎ，Ｔａ及びＳｃよりなる一群から選択されたいずれか一つでドーピングされたＰＺＴ，またはＰＺＴからなる強誘電体層」と補正すること。
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項１の「前記強誘電体層上に備えられる第２ＲｈＯ２接着層」を，本件補正後の請求項１の「前記強誘電体層上に備えられるＲｈＯ２とＲｈ２Ｏ３との固容体よりなる第２接着層」と補正すること。
（４）補正事項４
　本件補正前の請求項１の「前記第２ＲｈＯ２接着層上に備えられるＲｈ上部電極」を，本件補正後の請求項１の「前記第２接着層上に備えられるＲｈ上部電極」と補正すること。
　
２　補正の目的の適否
（１）補正事項１について
ア　補正事項１は，本件補正前の「第１ＲｈＯ２接着層」を，本件補正後の「ＲｈＯ２とＲｈ２Ｏ３との固容体よりなる第１接着層」と，接着層の素材を「ＲｈＯ２」から「ＲｈＯ２とＲｈ２Ｏ３との固容体」に変更するものである。
イ　そして，本件補正前の明細書（以下「本件明細書」という。）に，「ＲｈＯ２」及び「ＲｈＯ２とＲｈ２Ｏ３との固容体」を含むＲｈＯＸを接着層として用いることについては，次の記載のみがある。
「【請求項１】　基板と，
　前記基板上に形成される絶縁層と，
　前記絶縁層上に備えられるＲｈ下部電極と，
　前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介される
第１ＲｈＯ
２
接着層
　
第１ＲｈＯ
２
接着層
　前記強誘電体層上に備えられる
第２ＲｈＯ
２
接着層
　前記
第２ＲｈＯ
２
接着層
「【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するために本発明の強誘電性キャパシタは，基板と，前記基板上に形成される絶縁層と，前記絶縁層上に備えられるＲｈ下部電極と，前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介される
第１ＲｈＯ
２
接着層
第１ＲｈＯ
２
接着層
第２ＲｈＯ
２
接着層
第２ＲｈＯ
２
接着層
「【００１２】そして，
接着層は
ＲｈＯ
２
（ロジウム　オキサイド）またはＲｈ
２
Ｏ
３
，或いは，ＲｈＯ
２
とＲｈ
２
Ｏ
３
との混合層
「【００１７】前記絶縁層２０の上には２０ｎｍ程度の厚さを有する
接着層３０としてのＲｈＯ
ｘ
「【００２１】前記絶縁層２０の上には２０〜５０ｎｍ程度の厚さを有する
第１接着層としてのＲｈＯ
ｘ
【００２２】前記第１接着層３０ａの上部にはＲｈ（ロジウム）下部電極４０が形成されるが，この厚さは約１５０ｎｍ以下である。そして，下部電極４０の上にはＰＺＴ，Ｙ１またはＢＳＴ強誘電体層５０が２５０ｎｍ以下の厚さで形成されている。前記強誘電体５０の上には
ＲｈＯ
ｘ
よりなる第２接着層３０ｂ
第２接着層３０ｂの上にはＲｈ上部電極６０が形成
「【００２４】以上のような工程により絶縁層２０が形成されれば，図４に示したように，Ｔｉまたは
ＲｈＯ
ｘ
の第１接着層３０を形成
「【００２７】以上のような方法により製造された本発明の強誘電性キャパシタにおいて，電極の素材として用いられるＲｈは既存の電極として用いられるＰｔとは異なり酸素と反応して界面に物理的に安定した導電性
ＲｈＯ
ｘ
，ＲｈＯ
２
とＲｈ
２
Ｏ
３
との混合層を形成
ＲｈＯ
ｘ
は本発明において接着層として用いられるが，該接着層はＳｉＯ
２
絶縁層とＲｈ電極を強く接着させ，特にＰＺＴ強誘電体の成分のＰｂの拡散を防止
ＲｈＯ
ｘ
層は実際的にＲｈＯ
２
とＲｈ
２
Ｏ
３
との固溶体
化学的にＲｈ
２
Ｏ
３
がさらに安定するのでＲｈ
２
Ｏ
３
の多い相であるほど信頼性は向上
「【００２９】図８及び図９は本発明によるキャパシタの疲労特性をそれぞれ示し，図１０は従来のキャパシタの疲労特性を示す。ここで，本発明のキャパシタは強誘電体としてＰＺＴを用い，
接着層として
ＲｈＯ
ｘ
「【００３１】
【発明の効果】以上のように，本発明によれば，電極としてＰｔの代わりにＲｈを用い，
接着層の素材としてＲｈＯ
ｘ
ウ　これらの記載によれば，本件明細書には，接着層の素材である「ＲｈＯＸ」の概念的により下位の素材として，「ＲｈＯ２」と「ＲｈＯ２とＲｈ２Ｏ３との固容体」が択一的に記載されている。そうすると，補正事項１は，接着層の素材を択一的に記載された別の素材に変更するものであって，概念的により下位の素材に補正するものではないから，本件補正前の請求項１の発明特定事項を限定的に減縮するものではない。したがって，補正事項１は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，補正事項１が，請求項の削除，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
（２）補正事項３について
　補正事項３は，本件補正前の「第２ＲｈＯ２接着層」を，本件補正後の「ＲｈＯ２とＲｈ２Ｏ３との固容体よりなる第２接着層」と，接着層の素材を「ＲｈＯ２」から「ＲｈＯ２とＲｈ２Ｏ３との固容体」に変更するものであるから，上記（１）の補正事項１についてと同様の理由により，本件補正前の請求項１の発明特定事項を限定的に減縮するものではない。したがって，補正事項３は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，補正事項３が，請求項の削除，誤記の訂正，明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
３　本件補正についてのむすび
　以上のとおり，補正事項１及び３を含む本件補正は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　 平成１９年２月１日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜４に係る発明は，平成１７年３月２２日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】　基板と，
　前記基板上に形成される絶縁層と，
　前記絶縁層上に備えられるＲｈ下部電極と，
　前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介される第１ＲｈＯ２接着層と，
　前記Ｒｈ下部電極上に備えられる強誘電体層と，
　前記強誘電体層上に備えられる第２ＲｈＯ２接着層と，
　前記第２ＲｈＯ２接着層上に備えられるＲｈ上部電極とを具備することを特徴とする強誘電性キャパシタ。」
　なお，本件補正前の請求項１には，「前記第１ＲｈＯ２接着層上に備えられる強誘電体層と，」と記載されているが，これが「前記Ｒｈ下部電極上に備えられる強誘電体層と，」の誤記であることは文脈上明らかであるから，本願発明を上記のように認定した。
　
２　先願発明
（１）本願の優先権主張の日前の他の出願であって，その出願後に出願公開された特願平６−１９８４２２号（平成６年８月２３日出願，特開平８−６４７６７号公報（平成８年３月８日出願公開）参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には，次の記載がある。
ア　図５を参照して，「【００３８】（実施例５）図５は，この発明に係る実施例５の
高，強誘電体薄膜キャパシタ
Ｓｉ
からなる基板１上には，高，強誘電体薄膜キャパシタの下層２が形成
下層２は，ＳｉＯ
２
等の絶縁膜
下層２上には，ＩＴＯ（酸化物）からなる第一層３ａ及びその上に形成された白金からなる第二層３ｂの２層から構成される第１の電極３が形成
第１の電極３の第二層３ｂ上には，ＰＺＴ等の高，強誘電体膜４が形成
高，強誘電体膜４上には，ＩＴＯ（酸化物）からなる第一層５１ａ及びその上のＡｌからなる第二層５１ｂの２層から構成される第２の電極５１が形成
イ　「【００４４】なお，実施例５の
第１の電極の第一層，第２の電極の第二層
のＩＴＯの代わりに
酸化ロジウム
を用い
第１の電極の第二層の白金の代わりに
ロジウム
を用い
ウ　「【００９５】１５．（実施例５に対応）・・・
【００９６】［作用］　この構造において，
第一層（酸化物）３ａは下層２との接着層の役割を果たす
第一層（酸化物）５１ａは，高，強誘電体膜４との良好な接着力を持っている
（２）上記（１）アによれば，先願発明は，高，強誘電体薄膜キャパシタであるから，「強誘電性キャパシタ」に関するものである。
（３）上記（１）アによれば，先願明細書には，Ｓｉからなる基板１上に，ＳｉＯ２等の絶縁膜からなる下層２が形成されていることが記載されているから，基板１上に形成された絶縁膜からなる下層２が開示されている。
（４）上記（１）ア及びイによれば，先願明細書には，下層２上には，ＩＴＯ（酸化物）からなる第一層３ａ及びその上に形成された白金からなる第二層３ｂの２層から構成される第１の電極３が形成されていること，及び，第１の電極３の第一層３ａのＩＴＯの代わりに酸化ロジウムを用い，第１の電極３の第二層３ｂの白金の代わりにロジウムを用いることが記載されているから，下層２上に形成されたロジウムからなる第１の電極３の第二層３ｂと，下層２と第１の電極３の第二層３ｂとの間に形成された酸化ロジウムからなる第１の電極３の第一層３ａが開示されている。
（５）上記（１）アによれば，先願明細書には，第１の電極３の第二層３ｂ上には，ＰＺＴ等の高，強誘電体膜４が形成されていることが記載されているから，第１の電極３の第二層３ｂ上に形成された高，強誘電体膜４が開示されている。
（６）上記（１）ア及びイによれば，先願明細書には，高，強誘電体膜４上には，ＩＴＯ（酸化物）からなる第一層５１ａ及びその上のＡｌからなる第二層５１ｂの２層から構成される第２の電極５１が形成されること，及び，第２の電極５１のＩＴＯの代わりに酸化ロジウムを用いることが記載されているから，高，強誘電体膜４上に形成された酸化ロジウムからなる第２の電極５１の第一層５１ａと，第２の電極５１の第一層５１ａ上に形成されたＡｌからなる第２の電極５１の第二層５１ｂが開示されている。
（７）よって，先願明細書には，以下の発明（以下「先願発明」という。）が記載されている。
「基板１と，
　基板１上に形成された絶縁膜からなる下層２と，
　下層２上に形成されたロジウムからなる第１の電極３の第二層３ｂと，
　下層２と第１の電極３の第二層３ｂとの間に形成された酸化ロジウムからなる第１の電極３の第一層３ａと，
　第１の電極３の第二層３ｂ上に形成された高，強誘電体膜４と，
　高，強誘電体膜４上に形成された酸化ロジウムからなる第２の電極５１の第一層５１ａと，
　第２の電極５１の第一層５１ａ上に形成されたＡｌからなる第２の電極５１の第二層５１ｂとを具備することを特徴とする強誘電性キャパシタ。」
　
３　本願発明と先願発明との対比
（１）先願発明の「基板１」は本願発明の「基板」に相当し，また，先願発明の「下層２」は，絶縁膜からなるから，本願発明の「絶縁層」に相当する。したがって，先願発明の「基板１上に形成された絶縁膜からなる下層２」は，本願発明の「前記基板上に形成される絶縁層」に相当する。
（２）先願発明の「第１の電極３の第二層３ｂ」は，ロジウムからなるから，本願発明の「Ｒｈ下部電極」に相当する。したがって，先願発明の「下層２上に形成されたロジウムからなる第１の電極３の第二層３ｂ」は，本願発明の「前記絶縁層上に備えられるＲｈ下部電極」に相当する。
（３）本件明細書の段落【００１２】の記載（上記第２，２（１）イ参照）によれば，本願発明の「ＲｈＯ２」は，「ロジウム　オキサイド」すなわち酸化ロジウムである。そうすると，先願発明の「第１の電極３の第一層３ａ」は，酸化ロジウムからなり，また，上記２（１）ウによれば下層２との接着層の役割を果たすことから，本願発明の「第１ＲｈＯ２接着層」に相当する。したがって，先願発明の「下層２と第１の電極３の第二層３ｂとの間に形成された酸化ロジウムからなる第１の電極３の第一層３ａ」は，本願発明の「前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介される第１ＲｈＯ２接着層」に相当する。
（４）先願発明の「高，強誘電体膜４」は，本願発明の「強誘電体層」に相当するから，先願発明の「第１の電極３の第二層３ｂ上に形成された高，強誘電体膜４」は，本願発明の「前記Ｒｈ下部電極上に備えられる強誘電体層」に相当する。
（５）本願発明の「ＲｈＯ２」が，酸化ロジウムであることは，前示（３）のとおりである。そうすると，先願発明の「第２の電極５１の第一層５１ａ」は，酸化ロジウムからなり，また，上記２（１）ウによれば高，強誘電体膜４と良好な接着力を持っているから，本願発明の「第２ＲｈＯ２接着層」に相当する。したがって，先願発明の「高，強誘電体膜４上に形成された酸化ロジウムからなる第２の電極５１の第一層５１ａ」は，本願発明の「前記強誘電体層上に備えられる第２ＲｈＯ２接着層」に相当する。
（６）先願発明の「第２の電極５１の第二層５１ｂ」は，Ｒｈであることは別にして，本願発明の「Ｒｈ上部電極」に対応する。したがって，先願発明の「第２の電極５１の第一層５１ａ上に形成されたＡｌからなる第２の電極５１の第二層５１ｂ」は，本願発明の「前記第２ＲｈＯ２接着層上に備えられるＲｈ上部電極」に対応し，本願発明と先願発明は，本願発明がＲｈであることは別にして，「前記第２ＲｈＯ２接着層上に備えられる上部電極」を具備する点で共通する。
（７）以上のことを踏まえると，本願発明と先願発明とは，
「基板と，
　前記基板上に形成される絶縁層と，
　前記絶縁層上に備えられるＲｈ下部電極と，
　前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介される第１ＲｈＯ２接着層と，
　前記Ｒｈ下部電極上に備えられる強誘電体層と，
　前記強誘電体層上に備えられる第２ＲｈＯ２接着層と，
　前記第２ＲｈＯ２接着層上に備えられる上部電極とを具備することを特徴とする強誘電性キャパシタ。」
である点で一致し，以下の点で一応相違する。
＜一応の相違点＞
　上部電極が，本願発明では，Ｒｈであるのに対して，先願発明では，Ｒｈでない点。
　
４　当審の判断
（１）上記一応の相違点について検討すると，まず，本件明細書に，電極としてＲｈを用いることの意義，及び，上部電極をＲｈとすることについては，次の記載のみがある。
「【請求項１】　基板と，
　前記基板上に形成される絶縁層と，
　前記絶縁層上に備えられるＲｈ下部電極と，
　前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介される第１ＲｈＯ２接着層と，
　第１ＲｈＯ２接着層上に備えられる強誘電体層と，
　前記強誘電体層上に備えられる第２ＲｈＯ２接着層と，
　前記第２ＲｈＯ２接着層上に備えられる
Ｒｈ上部電極
「【０００２】
【従来の技術】強誘電性キャパシタは電荷の伝達のために伝導性のよい電極を要する。一般に使用される
白金電極は強誘電性膜の疲労（layer fatigue）現象による電気的特性の劣化が問題
【０００３】既存の電極として主に用いられる
ＰｔまたはＰｔ／Ｔｉ電極とＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ
３
）などの強誘電体との界面に酸素空乏（Oxygen vacancy）により電気的な特性が急激に低下
強誘電体から拡散する酸素空乏は界面で蓄積されつつ，分極反転時の分極値が急激に減少して膜の疲労
【０００４】このような疲労を加重させる酸素空乏が界面に拡散されて空間電荷領域に形成されることを抑制するために
ＲｕＯ
２
のような導電性酸化物電極が提案
膜の疲労現象を遅らせるが，漏れ流が多くてメモリ素子として使用しにくい
ＰＺＴが用いられる場合，下部電極として用いられるＲｕ（ルテニウム）金属が拡散されてＰＺＴの結晶粒子の境界でＰｂＯと反応して導電性物質である鉛−ルテニウム酸塩（ＰｂＲｕＯ
３−ｘ
）を形成することにより強誘電体薄膜の電気抵抗を低減
【０００５】一方，
ＦｅＲＡＭの構造上，Ｐｔ電極をＳｉＯ
２
絶縁膜上に蒸着すべき
接着性が悪くて接着層としてのＴｉ薄膜をこの間に介しなければならない
Ｔｉは酸素との親和力が非常によい
下部電極であるＰｔ層を突き抜いて拡散される傾向があってＰＺＴまたはＹ１の特性を劣化
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は
Ｔｉの拡散による強誘電体の特性低下を抑制
【０００７】また，本発明は
疲労が少なくて長時間にかけて使用できる
「【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するために本発明の強誘電性キャパシタは，基板と，前記基板上に形成される絶縁層と，前記絶縁層上に備えられるＲｈ下部電極と，前記絶縁層と前記Ｒｈ下部電極との間に介される第１ＲｈＯ２接着層と，前記第１ＲｈＯ２接着層上に備えられる強誘電体層と，前記強誘電体層上に備えられる第２ＲｈＯ２接着層と，前記第２ＲｈＯ２接着層上に備えられる
Ｒｈ上部電極
「【００１８】前記接着層３０の上部にはＲｈ（ロジウム）下部電極４０が形成されるが，この厚さは約１５０ｎｍ以下である。そして，下部電極４０の上にはＰＺＴ，Ｙ１またはＢＳＴ強誘電体層５０が２５０ｎｍ以下の厚さで形成されている。そして，最終的に前記強誘電体層５０の上には
Ｒｈ上部電極６０
「【００２２】前記第１接着層３０ａの上部にはＲｈ（ロジウム）下部電極４０が形成されるが，この厚さは約１５０ｎｍ以下である。そして，下部電極４０の上にはＰＺＴ，Ｙ１またはＢＳＴ強誘電体層５０が２５０ｎｍ以下の厚さで形成されている。前記強誘電体５０の上にはＲｈＯｘよりなる第２接着層３０ｂが形成される。そして，最終的に前記第２接着層３０ｂの上には
Ｒｈ上部電極６０
【００２３】以上のような構造の本発明の実施例によるキャパシタは
電極の素材としてＲｈを用いるということにその特徴がある
「【００２６】強誘電体層の形成後には，図６に示したように第２接着層３０ｂと
Ｒｈ上部電極６０
【００２７】以上のような方法により製造された本発明の強誘電性キャパシタにおいて，
電極の素材として用いられるＲｈは既存の電極として用いられるＰｔとは異なり酸素と反応して界面に物理的に安定した導電性ＲｈＯ
ｘ
，ＲｈＯ
２
とＲｈ
２
Ｏ
３
との混合層を形成する。該ＲｈＯ
ｘ
は本発明において接着層として用いられるが，該接着層はＳｉＯ
２
絶縁層とＲｈ電極を強く接着させ，特にＰＺＴ強誘電体の成分のＰｂの拡散を防止
本発明のキャパシタとＰｔ電極を使用する従来のキャパシタの特性とを比べた結果，次のような違いを見だした
【００２８】図７に示した本発明の実施例によるキャパシタのＸＲＤ分析表は，
Ｒｈを電極として用いる場合，Ｐｔを電極として用いる場合とは異なりＰＺＴが（００１）方向にエピタキシャル成長されることにより，このエピタキシャル成長されたＰＺＴによりコアシブ電圧が低くなる
「【００３１】
【発明の効果】以上のように，本発明によれば，
電極としてＰｔの代わりにＲｈを用い
疲労の特性及びコアシブ電圧の特性が向上
　これらの記載によれば，本件明細書には，「電極の素材として用いられる
Ｒｈは既存の電極として用いられるＰｔとは異なり酸素と反応して界面に物理的に安定した導電性ＲｈＯ
ｘ
，ＲｈＯ
２
とＲｈ
２
Ｏ
３
との混合層を形成
ＲｈＯ
ｘ
は本発明において接着層として用いられるが，該接着層はＳｉＯ
２
絶縁層とＲｈ電極を強く接着させ，特にＰＺＴ強誘電体の成分のＰｂの拡散を防止
Ｒｈを電極として用いる場合，Ｐｔを電極として用いる場合とは異なりＰＺＴが（００１）方向にエピタキシャル成長
このエピタキシャル成長されたＰＺＴによりコアシブ電圧が低くなる
（２）また，強誘電性キャパシタの上部電極を，下部電極と同じＲｈで形成することは，例えば下記の周知例１又は周知例２に記載されているように，強誘電性キャパシタにおいて従来周知の技術である。そうすると，本願発明の上部電極がＲｈであるという一応の相違点に係る構成は，先願発明で採用し得る種々の上部電極として，従来周知である下部電極と同じＲｈに特定したにすぎないものというべきであり，先願発明との実質的な相違点とはいえないから，一応の相違点の存在をもって，本願発明が先願発明とは異なる別の発明であるということはできない。
　
周知例１：特開平４−９２４６８号公報（平成１８年３月２３日付けの拒絶の理由で提示された周知例）
「２．特許請求の範囲
１）強誘電体膜が半導体基板上に集積された半導体装置に於て，前記
強誘電体を挟む上，下電極の少なくとも１層以上が
Ｒｈ
の電解，又は無電解メッキ層より成る
「［産業上の利用分野］
　本発明は，半導体装置，特に
強誘電体を用い，電気的に書き換え可能な不揮発性メモリの構造
　
周知例２：特開平３−２１４７１７号公報（平成１６年１２月１３日付けの拒絶の理由で提示された先行技術文献４）
「２．特許請求の範囲
・・・
　　３．電気的セラミック酸化物コンデンサにおいて，ルテニウム，イリジウム，オスミウム，ロジウム，ルテニウム酸化物，イリジウム酸化物，オスミウム酸化物，ロジウム酸化物からなるグループから選択した物質からなる第一物体を具備する
第一電極，第二電極，前記第一電極と前記第二電極との間に配設されている電気的セラミック酸化物誘電体物質，を有することを特徴とする電気的セラミック酸化物コンデンサ
・・・
　　５．特許請求の範囲第３項において，前記第二電極が，ルテニウム，イリジウム，オスミウム，ロジウム，ルテニウム酸化物，イリジウム酸化物，オスミウム酸化物，ロジウム酸化物からなるグループから選択される物質からなる第一物体を具備していることを特徴とする電気的セラミック酸化物コンデンサ。
　　６．特許請求の範囲第５項において，前記第一及び第二電極の各々における電気第一物体が，ルテニウム酸化物，イリジウム酸化物，オスミウム酸化物，ロジウム酸化物からなるグループから選択されるものであり，且つ前記
第一及び第二電極の各々が
ロジウムからなるグループから選択される物質からなる第二物体を具備
「技術分野
　本発明は，電気的セラミック酸化物装置に関するものである。更に詳細には，本発明は，ルテニウム，イリジウム，オスミウム，
ロジウム
によって構成される電極を持った電気的セラミック酸化物装置
これらの電極は，
強誘電体コンデンサ用に使用するような電気的セラミック酸化物に対して良好なコンタクトを形成
　
５　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，先願発明と同一であり，しかも，本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも，また，本願の出願時に，その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので，本願発明は，特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。