(57)【要約】下記式（１）で表される化合物。2016088354.tif 000039
2016088354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物。
【化２４】
2016088354.tif 000028
（式（１）中、
環Ａは、Ｘ１を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ１を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
環Ｂは、Ｘ２を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ２を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
環Ｃは、Ｘ３を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ３を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、又はハロゲン原子である。
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立して、ＣＨ、Ｒ４が結合した炭素原子、又は窒素原子である。
ｎ１〜ｎ４は、それぞれ独立して、０〜４である。
ｎ１〜ｎ４がそれぞれ２以上の場合、複数存在するＲ１〜Ｒ４は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ環Ａと環Ｂ、及び環Ｂと環Ｃを連結する基であり、それぞれ独立して−Ｃ（Ｒ５）２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ６−又は−Ｓｉ（Ｒ７）２−である。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立して水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。複数存在するＲ５及びＲ７は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ１〜Ｒ７は、隣接するもの同士がそれぞれ互いに結合して環を形成してもよいし、環Ａ〜Ｃを構成する原子又はＲ４が置換していないＹ１〜Ｙ４と互いに結合して環を形成してもよい。
但し、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１の場合、存在するＲ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、ハロゲン原子、又は、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基から選択される基で置換されたシリル基からなる群から選択される置換基Ｚであるか、又は
ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０であるか、若しくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１であって存在するＲ１〜Ｒ４の全てが前記置換基Ｚではない場合、Ｌ１及びＬ２の少なくとも１つは、−Ｃ（Ｒ５）２−、−ＮＲ６−又は−Ｓｉ（Ｒ７）２−であり、存在するＲ５〜Ｒ７の少なくとも１つは、前記置換基Ｚを有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は前記置換基Ｚを有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。）
【請求項２】
下記式（２）で表される請求項１に記載の化合物。
【化２５】
2016088354.tif 000029
（式（２）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ１〜Ｘ３、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【請求項３】
下記式（３）で表される請求項１又は２に記載の化合物。
【化２６】
2016088354.tif 000030
（式（３）中、Ａ、Ｂ、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【請求項４】
下記式（４）で表される請求項１〜３のいずれかに記載の化合物。
【化２７】
2016088354.tif 000031
（式（４）中、Ａ、Ｂ、Ｘ２、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【請求項５】
下記式（５）で表される請求項１に記載の化合物。
【化２８】
2016088354.tif 000032
（式（５）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ２、Ｘ３、Ｙ１〜Ｙ４、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【請求項６】
下記式（６）で表される請求項１又は５に記載の化合物。
【化２９】
2016088354.tif 000033
（式（６）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ２、Ｘ３、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【請求項７】
Ｌ１が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ５−である請求項１〜６のいずれかに記載の化合物。
【請求項８】
Ｌ１が−ＮＲ５−であり、Ｒ５が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基であり、該アリール基が環Ｂを構成する原子と結合してＬ１の窒素原子を含むピロール環を形成している請求項１〜７のいずれかに記載の化合物。
【請求項９】
下記式（７）で表される請求項１〜３、７及び８のいずれかに記載の化合物。
【化３０】
2016088354.tif 000034
（式（７）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ１〜Ｘ３、Ｙ１〜Ｙ４、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４及びＬ２は、前記定義の通りである。Ｒ８は、前記置換基Ｚであり、ｎ５は０〜４の整数であり、ｎ５が２〜４の整数の場合、複数のＲ８は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項１０】
下記式（８）で表される請求項１〜３及び７〜９のいずれかに記載の化合物。
【化３１】
2016088354.tif 000035
（式（８）中、Ａ、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４及びＬ２は、前記定義の通りである。Ｒ８は、前記置換基Ｚであり、ｎ５は０〜４の整数であり、ｎ５が２〜４の整数の場合、複数のＲ８は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項１１】
環Ａが、Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５若しくは６の複素芳香族環、又は、Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５若しくは６の複素芳香族環にベンゼン環若しくは環形成原子数５又は６の複素芳香族環が縮合した環である請求項１〜１０のいずれかに記載の化合物。
【請求項１２】
環Ａが、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピラジン、トリアゾール、イミダゾリン、イソオキサゾール、イソチアゾール、ピリミジン、トリアジン、１−ピロリン、２，３，４，５−テトラヒドロピリジン、ベンゾイミダゾール、キノリン、イソキノリン、及びキノキサリンから選択される請求項１〜１１のいずれかに記載の化合物。
【請求項１３】
環Ａが、下記式で表される部分構造から選択される請求項１〜１２のいずれかに記載の化合物。
【化３２】
2016088354.tif 000036
（式中、Ｒ１、ｎ１及びＬ１は、前記定義の通りである。）
【請求項１４】
下記式（９）で表される請求項１、５及び１３のいずれかに記載の化合物。
【化３３】
2016088354.tif 000037
（式（９）中、Ｂ、Ｃ、Ｘ２、Ｘ３、Ｙ１〜Ｙ４、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ２〜ｎ４及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【請求項１５】
ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１である、請求項１〜１４のいずれかに記載の化合物。
【請求項１６】
ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１であり、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキル基である請求項１〜１５のいずれかに記載の化合物。
【請求項１７】
ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１であり、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つが、置換もしくは無置換のフェニル基である請求項１〜１６のいずれかに記載の化合物。
【請求項１８】
Ｌ２が、−Ｏ−又は−Ｓ−である請求項１〜１７のいずれかに記載の化合物。
【請求項１９】
Ｌ２が−Ｃ（Ｒ５）２−であり、Ｒ５がメチル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基である請求項１〜１８のいずれかに記載の化合物。
【請求項２０】
環Ｂが、Ｘ２を含んで構成される環形成炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環である請求項１〜９及び１１〜１９のいずれかに記載の化合物。
【請求項２１】
環Ｃが、Ｘ３を含んで構成される環形成炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環である請求項１、２、５〜９及び１１〜２０のいずれかに記載の化合物。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれかに記載の化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項２３】
請求項１〜２１のいずれかに記載の化合物と有機溶媒を含有する組成物。
【請求項２４】
さらに、ホスト材料を含有する請求項２３に記載の組成物。
【請求項２５】
前記有機溶媒が、下記式（Ｃ１）で表される請求項２３又は２４に記載の組成物。
【化３４】
2016088354.tif 000038
（式（Ｃ１）中、Ｒは置換基であり、ｎは１以上６以下の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【請求項２６】
陰極と陽極の間に、発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１〜２１のいずれかに記載の化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２７】
前記発光層が、前記化合物を含有する請求項２６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２８】
前記化合物が、ドーパント材料である請求項２６又は２７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２９】
請求項２６〜２８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを搭載する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気エネルギーを光に変換して発光できる発光材料（ドーパント）として、蛍光を発光する蛍光発光材料と、燐光を発光する燐光発光材料が知られている。燐光発光材料として４座配位子を有する白金錯体が知られている（特許文献１〜４、非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４１１０１７３号公報
【特許文献２】ＵＳ２０１３／０１６８６５６号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１２／１１６２３１
【特許文献４】ＷＯ２０１４／０３１９７７
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  １５（２０１４）  １８６２−１８６７
【発明の概要】
【０００５】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の製造において、一定の素子性能の素子を効率よく製造できることが求められている。しかし、従来の発光材料では、発光層中における発光材料の濃度変動によって、駆動電圧が大きく変動してしまうという場合があった。このような観点より、添加濃度を厳密に一定に維持できない場合であっても、駆動電圧の変動幅が小さく、一定の素子性能を維持できる発光材料が求められている。
本発明の目的は、新規な４座配位子からなる白金錯体、及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。また、本発明の目的は、有機ＥＬ素子の発光材料として用いた場合に、発光層における添加濃度が変動した場合にも、有機ＥＬ素子の駆動電圧の変動幅が小さい素子を提供できる白金錯体、及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【０００６】
本発明の一態様によれば、以下の新規化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用のインク、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器が提供される。
本発明の一態様は、下記式（１）で表される化合物である。
【化１】
2016088354.tif 000003
（式（１）中、
環Ａは、Ｘ１を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ１を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
環Ｂは、Ｘ２を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ２を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
環Ｃは、Ｘ３を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ３を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、又はハロゲン原子である。
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立して、ＣＨ、Ｒ４が結合した炭素原子、又は窒素原子である。
ｎ１〜ｎ４は、それぞれ独立して、０〜４である。
ｎ１〜ｎ４がそれぞれ２以上の場合、複数存在するＲ１〜Ｒ４は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ環Ａと環Ｂ、及び環Ｂと環Ｃを連結する基であり、それぞれ独立して−Ｃ（Ｒ５）２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ６−又は−Ｓｉ（Ｒ７）２−である。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立して水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。複数存在するＲ５及びＲ７は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ１〜Ｒ７は、隣接するもの同士がそれぞれ互いに結合して環を形成してもよいし、環Ａ〜Ｃを構成する原子又はＲ４が置換していないＹ１〜Ｙ４と互いに結合して環を形成してもよい。
但し、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１の場合、存在するＲ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、ハロゲン原子、又は、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基から選択される基で置換されたシリル基からなる群から選択される置換基Ｚであるか、又は
ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０であるか、若しくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１であって存在するＲ１〜Ｒ４の全てが前記置換基Ｚではない場合、Ｌ１及びＬ２の少なくとも１つは、−Ｃ（Ｒ５）２−、−ＮＲ６−又は−Ｓｉ（Ｒ７）２−であり、存在するＲ５〜Ｒ７の少なくとも１つは、前記置換基Ｚを有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は前記置換基Ｚを有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。）
本発明の一態様は、前記式（１）で表される化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である。
本発明の一態様は、前記式（１）で表される化合物と有機溶媒を含有する組成物である。
本発明の一態様は、陰極と陽極の間に、発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が、前記式（１）で表される化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。
本発明の一態様は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器である。
【０００７】
本発明によれば、新規な４座配位子からなる白金錯体、及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子が提供できる。また、本発明によれば、有機ＥＬ素子の発光材料として用いた場合に、発光層における添加濃度が変動した場合にも、有機ＥＬ素子の駆動電圧の変動幅が小さい素子を提供できる白金錯体、及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（新規化合物）
本発明の一態様である下記式（１）で表される化合物は、新規な４座配位子からなる白金錯体化合物である。
下記式（１）で表される化合物。
【化２】
2016088354.tif 000004
（式（１）中、
環Ａは、Ｘ１を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ１を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
環Ｂは、Ｘ２を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ２を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
環Ｃは、Ｘ３を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環、又はＸ３を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環である。
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、置換若しくは無置換の炭素数２〜２０のアルキニル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、又はハロゲン原子である。
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立して、ＣＨ、Ｒ４が結合した炭素原子、又は窒素原子である。
ｎ１〜ｎ４は、それぞれ独立して、０〜４である。
ｎ１〜ｎ４がそれぞれ２以上の場合、複数存在するＲ１〜Ｒ４は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ環Ａと環Ｂ、及び環Ｂと環Ｃを連結する基であり、それぞれ独立して−Ｃ（Ｒ５）２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ６−又は−Ｓｉ（Ｒ７）２−である。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立して水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。複数存在するＲ５及びＲ７は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ１〜Ｒ７は、隣接するもの同士がそれぞれ互いに結合して環を形成してもよいし、環Ａ〜Ｃを構成する原子又はＲ４が置換していないＹ１〜Ｙ４と互いに結合して環を形成してもよい。
但し、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１の場合、存在するＲ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、ハロゲン原子、又は、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基から選択される基で置換されたシリル基からなる群から選択される置換基Ｚであるか、又は
ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０であるか、若しくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１であって存在するＲ１〜Ｒ４の全てが前記置換基Ｚではない場合、Ｌ１及びＬ２の少なくとも１つは、−Ｃ（Ｒ５）２−、−ＮＲ６−又は−Ｓｉ（Ｒ７）２−であり、存在するＲ５〜Ｒ７の少なくとも１つは、前記置換基Ｚを有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は前記置換基Ｚを有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。）
【０００９】
式（１）で表される化合物は、少なくとも１つの特定の嵩高い置換基Ｚを導入することにより、分子間の会合が抑制される（スタック性が低減される）。
【００１０】
Ｒ１〜Ｒ４が存在し（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１の場合）、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、分子間の会合を抑制するための嵩高い置換基Ｚであるか、Ｒ１〜Ｒ４が存在しない場合（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０の場合）若しくは存在するＲ１〜Ｒ４の全てが前記置換基Ｚではない場合には、Ｌ１及びＬ２の少なくとも１つは、−Ｃ（Ｒ５）２−、−ＮＲ６−又は−Ｓｉ（Ｒ７）２−であり、存在するＲ５〜Ｒ７の少なくとも１つは、前記嵩高い置換基Ｚを有する環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は前記置換基Ｚを有する環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。存在するＲ１〜Ｒ４の全てが前記置換基Ｚではない場合とは、例えば、Ｒ１〜Ｒ４のいずれかは存在する（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１である）が、それが置換基Ｚには該当しないメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、ハロゲン原子等である場合が挙げられる。
置換基Ｚがアルキル基である場合には、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキル基である。メチル基及びエチル基では、式（１）で表される化合物の分子間の会合を十分に抑制できないおそれがある。
【００１１】
また、Ｙ１〜Ｙ４を含んで構成される環が、５員環ではなく６員環であることも、環Ａとの間でより大きなねじれを生じ、分子内の平面性を失わせ、分子間の会合を抑制するのに寄与すると考えられる。
【００１２】
分子間の会合が抑制されることにより、発光の量子収率の低下や発光波長のレッドシフト、ブロード化を抑制でき、錯体単一の本来の特性を引き出すことができる。このことは、有機ＥＬ素子にした場合において、色純度や発光特性の改善に有利となる。
【００１３】
従って、式（１）で表される化合物を有機ＥＬ素子に用いると、その添加濃度による駆動電圧の変動幅が、従来の４座配位子からなる白金錯体化合物に比べて小さい。即ち、添加濃度の許容幅が広い。この特性により、添加濃度を厳密に一定に維持できない場合であっても、駆動電圧の変動幅が小さく、一定の素子性能を維持でき、有機ＥＬ素子の製造効率を向上させることができる。
【００１４】
本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記載される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は環形成原子数は６であり、キナゾリン環は環形成原子数が１０であり、フラン環の環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
【００１５】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。
【００１６】
本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）、を包含する。
【００１７】
本明細書において、特に断らない限り、隣接する置換基同士で環を形成してもよい。
【００１８】
上記式（１）及び後記する式（２）〜（９）における各基の具体例を以下に挙げる。
【００１９】
環形成炭素数６〜３０のアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、６−クリセニル基、１−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、２−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、３−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、６−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、１−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、２−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、３−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、４−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、５−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、６−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、７−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、８−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、９−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１０−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１１−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１２−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１３−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１４−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１−ベンゾ［ａ］アントリル基、２−ベンゾ［ａ］アントリル基、３−ベンゾ［ａ］アントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、５−ベンゾ［ａ］アントリル基、６−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、８−ベンゾ［ａ］アントリル基、９−ベンゾ［ａ］アントリル基、１０−ベンゾ［ａ］アントリル基、１１−ベンゾ［ａ］アントリル基、１２−ベンゾ［ａ］アントリル基、１３−ベンゾ［ａ］アントリル基、１４−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基、１−フルオレニル、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、等が挙げられる。
好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−フルオレニル、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基である。
【００２０】
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＹ２と表され、Ｙ２の例としては前記環形成原子数５〜３０のアリール基において挙げたものと同様のものが挙げられる。
【００２１】
環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環は、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基に対応する芳香族環である。
「Ｘ１を含んで構成される環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環」は、例えば、炭素数６のベンゼン環であれば、Ｘ１がベンゼン環を構成する６個の炭素原子のうちの１つであることを意味する。環Ａ〜Ｃが芳香族炭化水素環である場合には、Ｘ１〜Ｘ３は炭素原子である。
【００２２】
環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、２−ベンゾフラチオフェニル基、３−ベンゾチオフェニル基、４−ベンゾチオフェニル基、５−ベンゾチオフェニル基、６−ベンゾチオフェニル基、７−ベンゾチオフェニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、２−キナゾリニル基、４−キナゾリニル基、５−キナゾリニル基、６−キナゾリニル基、７−キナゾリニル基、８−キナゾリニル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、１−ベンズイミダゾリル基、２−ベンズイミダゾリル基、４−ベンズイミダゾリル基、５−ベンズイミダゾリル基、６−ベンズイミダゾリル基、７−ベンズイミダゾリル基、２−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、３−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、５−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、６−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、７−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、８−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、ベンズイミダゾール−２−オン−１−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−３−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−４−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−５−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−６−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−７−イル基等が挙げられる。
好ましくは、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、又は４−ジベンゾチオフェニル基である。
【００２３】
環形成原子数５〜３０の複素環は、環形成原子数５〜３０の複素芳香族環、及び環形成原子数５〜３０の複素脂肪族環を含み、複素芳香族環が好ましい。環形成原子数は５〜２０が好ましく、５〜１４がより好ましく、５〜１０がさらに好ましい。
環形成原子数５〜３０の複素芳香族環の具体例としては、上記環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基に対応する環が挙げられる。
環形成原子数５〜３０の複素脂肪族環の具体例としては、上記環形成原子数５〜３０の複素芳香族環に対応する脂肪族環が挙げられる。
「Ｘ１を含んで構成される」とは、例えば、「Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５〜３０の複素環」が環形成原子数６のピリジンであれば、Ｘ１がピリジン環を構成する５個の炭素原子及び１個の窒素原子のうちの１つであることを意味する。従って、環Ａ〜Ｃが複素環である場合、Ｘ１〜Ｘ３は、炭素原子にも窒素原子にもなり得る。
【００２４】
炭素数１〜２０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００２５】
好ましくは、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基から選ばれる。
アルキル基の炭素数は１〜１０であることが好ましく、３〜６であることがより好ましい。
【００２６】
環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
シクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０が好ましく、５〜８がさらに好ましい環形成炭素数３〜８がより好ましくは、環形成炭素数３〜６が特に好ましい。
【００２７】
炭素数１〜２０のアルコキシ基は、−ＯＹ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記炭素数１〜２０のアルキル基および炭素数３〜２０のシクロアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
【００２８】
炭素数２〜２０のアルケニル基は、前記炭素数２〜２０のアルキル基に対応する不飽和二重結合を有するものが挙げられ、好ましくはビニル基である。
【００２９】
炭素数２〜２０のアルキニル基は、前記炭素数２〜２０のアルキル基に対応する不飽和三重結合を有するものが挙げられ、好ましくはエチニル基である。
【００３０】
ハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００３１】
置換若しくは無置換のシリル基における置換シリル基とは、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基から選択される基で置換されたシリル基である。
【００３２】
式（１）〜（９）中の各基の「置換若しくは無置換の」における置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、環形成炭素数６〜３０のアリール基、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基及び−Ｓｉ（Ｒ５）３で表される基（式中、Ｒ５は前記定義の通りである。）で表される基から選択される基であることが好ましい。
これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
【００３３】
環Ａは、（１）Ｘ１を含んで構成されるベンゼン環（Ｘ１は炭素原子）、（２）Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５又は６の複素環（Ｘ１は炭素原子又は窒素原子）、（３）Ｘ１を含んで構成されるベンゼン環と芳香族炭化水素環が縮合した環（Ｘ１は炭素原子）、又は、（４）Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５又は６の複素環に芳香族炭化水素環若しくは複素環が縮合した環（Ｘ１は炭素原子又は窒素原子）であることが好ましい。
【００３４】
Ｘ１を含んで構成される環Ａが複素環である場合の好ましい例としては、次のものが挙げられる。
・Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５若しくは６の複素芳香族環
・Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５若しくは６の複素脂肪族環
・Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５若しくは６の複素芳香族環にベンゼン環が縮合した環
・Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５若しくは６の複素芳香族環に環形成原子数５若しくは６の複素芳香族環が縮合した環
【００３５】
環Ａのより好ましい例としては、Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５若しくは６の複素芳香族環、又は、Ｘ１を含んで構成される環形成原子数５若しくは６の複素芳香族環にベンゼン環若しくは環形成原子数５又は６の複素芳香族環が縮合した環が挙げられる。
Ｘ１は窒素原子であることが好ましい。
【００３６】
環Ａは、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピラジン、トリアゾール、イミダゾリン、イソオキサゾール、イソチアゾール、ピリミジン、トリアジン、１−ピロリン、２，３，４，５−テトラヒドロピリジン、ベンゾイミダゾール、キノリン、イソキノリン、及びキノキサリンから選択されることが好ましい。
【００３７】
環Ａは、下記式で表される部分構造から選択されることが好ましい。
【化３】
2016088354.tif 000005
（式中、Ｒ１、ｎ１及びＬ１は、前記定義の通りである。）
【００３８】
環Ｂは、Ｘ２を含んで構成される環形成炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。
環Ｃは、Ｘ３を含んで構成される環形成炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。
【００３９】
式（１）で表される化合物は、下記式（２）で表される化合物であることが好ましい。式（２）で表される化合物は、式（１）においてＹ１〜Ｙ４を含んで構成される環がピリジン環である。
【００４０】
【化４】
2016088354.tif 000006
（式（２）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ１〜Ｘ３、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００４１】
式（２）で表される化合物は、さらに下記式（３）で表される化合物であることが好ましい。式（３）で表される化合物は、さらに環Ｃがベンゼン環である。
【化５】
2016088354.tif 000007
（式（３）中、Ａ、Ｂ、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００４２】
式（３）で表される化合物は、さらに下記式（４）で表される化合物であることが好ましい。式（４）で表される化合物は、さらに環Ａを構成するＸ１が窒素原子である。
【化６】
2016088354.tif 000008
（式（４）中、Ａ、Ｂ、Ｘ２、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００４３】
式（１）で表される化合物は、下記式（５）で表される化合物であることが好ましい。式（５）で表される化合物は、式（１）において環Ａを構成するＸ１が窒素原子である。
【化７】
2016088354.tif 000009
（式（５）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ２、Ｘ３、Ｙ１〜Ｙ４、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００４４】
式（５）で表される化合物は、さらに下記式（６）で表される化合物であることが好ましい。式（６）で表される化合物は、さらにＹ１〜Ｙ４を含んで構成される環がピリジン環である。
【化８】
2016088354.tif 000010
（式（６）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ２、Ｘ３、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ｌ１及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００４５】
式（１）において、Ｌ１が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ５−であることが好ましい。
Ｌ１が−ＮＲ５−であり、Ｒ５が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基であり、該アリール基が環Ｂを構成する原子と結合してＬ１の窒素原子を含むピロール環を形成していることが好ましい。
【００４６】
式（１）で表される化合物は、下記式（７）で表される化合物であることが好ましい。式（７）で表される化合物は、式（１）で表される化合物において、Ｌ１がフェニル基が置換した窒素原子であり、かつ、当該フェニル基が環Ｂを構成する元素と結合してピロール環を形成している。
【化９】
2016088354.tif 000011
（式（７）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ１〜Ｘ３、Ｙ１〜Ｙ４、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００４７】
尚、式（７）においてｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０の場合には、下記式（７−１）で表される。
【化１０】
2016088354.tif 000012
（式（７−１）中、Ａ〜Ｃ、Ｘ１〜Ｘ３、Ｙ１〜Ｙ４及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００４８】
式（７）で表される化合物は、さらに下記式（８）で表される化合物であることが好ましい。式（８）で表される化合物は、さらに環Ｂがベンゼン環である。
【化１１】
2016088354.tif 000013
（式（８）中、Ａ、Ｘ１〜Ｘ３、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００４９】
式（１）で表される化合物は、下記式（９）で表される化合物であることが好ましい。式（９）で表される化合物は、式（１）で表される化合物において、環Ａがイミダゾール環であり、Ｘ１が窒素原子であり、Ｒ１がもう一方の窒素原子に置換している。
【化１２】
2016088354.tif 000014
（式（９）中、Ｂ、Ｃ、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ２〜ｎ４及びＬ２は、前記定義の通りである。）
【００５０】
式（１）で表される化合物においてＲ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキル基であることが好ましい。
Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、置換もしくは無置換のフェニル基であることがより好ましい。
【００５１】
式（１）で表される化合物においてＬ２は、−Ｏ−又は−Ｓ−であることが好ましい。
【００５２】
あるいは、Ｌ２は、−Ｃ（Ｒ５）２−であり、Ｒ５がメチル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基であることが好ましい。
【００５３】
ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４≧１であることが好ましい。さらに、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４は、１〜８であることが好ましく、１〜４であることがより好ましい。
【００５４】
以下、式（１）の化合物の具体例を示す。
【化１３】
2016088354.tif 000015
【化１４】
2016088354.tif 000016
【化１５】
2016088354.tif 000017
【化１６】
2016088354.tif 000018
【化１７】
2016088354.tif 000019
【化１８】
2016088354.tif 000020
【００５５】
式（１）の化合物は、実施例に記載の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応や原料を用いることで、本発明の範囲内の化合物を合成することができる。
【００５６】
（有機エレクトロルミネッセンス素子用材料）
本発明の一態様である有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、前記式（１）で表される化合物を含有する。
式（１）で表される化合物は、有機ＥＬ素子の発光材料として用いると、青緑色〜赤色の発光を示す。
【００５７】
（組成物）
本発明の一態様である組成物は、前記式（１）で表される化合物と有機溶媒を含有する。この組成物を用いることで、湿式プロセスによる薄膜形成が可能である。本発明の一態様である組成物は、有機エレクトロルミネッセンス素子用の塗布膜形成に用いることができる。本発明の一態様に係る組成物は、有機ＥＬ素子の有機薄膜形成に好適である。
この組成物において、式（１）で表される化合物は、有機溶媒に溶解していてもよいし、分散していてもよい。
【００５８】
本発明の一態様である組成物は、前記式（１）で表される化合物と、発光層のホスト材料と、有機溶媒を含有する。この組成物を、有機ＥＬ素子用のインクとして用いることで、湿式プロセスによる発光層の薄膜形成が可能である。
本発明の一態様である組成物におけるホスト材料としては、後述する「発光層のホスト材料」として挙げるものと同様のものが挙げられる。本発明の一態様である組成物において、ホスト材料は、１種又は２種以上を用いることができる。
【００５９】
本発明の一態様である組成物において含有される有機溶媒としては、下記式（Ｃ１）で表される溶媒が好ましい。
【化１９】
2016088354.tif 000021
（式（Ｃ１）中、Ｒは置換基であり、ｎは１以上６以下の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【００６０】
上記式（Ｃ１）において、Ｒ（置換基）としては、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、エーテル結合含有基、カルボニル結合含有基、エステル結合含有基等が挙げられる。
ｎは好ましくは１以上３以下の整数である。
【００６１】
これらの置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
【００６２】
上記式（Ｃ１）における各基の具体例を以下に挙げる。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。
エーテル結合含有基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシル基、フェノキシ基が挙げられる。
カルボニル結合含有基としては、ベンゾイル基等が挙げられる。
エステル結合含有基としては、メチルエステル基、エチルエステル基、プロピルエステル基が挙げられる。
【００６３】
式（Ｃ１）で表される有機溶媒の沸点は、１１０℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましい。
【００６４】
また、溶媒の水への溶解度は１ｗｔ％以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｗｔ％以下である。
有機ＥＬ素子は、水分により著しく性能が劣化するおそれがあるため、水への溶解性が低い溶媒が望ましい。
【００６５】
有機溶媒の沸点及び水への溶解度は、安全衛生情報センターホームページ又はアメリカ合衆国保険福祉省ホームページ（ＨＳＤＳ（Ｈａｚａｒｄ  Ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ  Ｄａｔａ  Ｂａｓｅ））に記載のものである。
【００６６】
式（Ｃ１）で表される溶媒としては、具体的にはトルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチシレン、プロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ジメトキシベンゼン、アニソール、エトキシトルエン、フェノキシトルエン、イソプロピルビフェニル、ジメチルアニソール、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル等が挙げられる。
【００６７】
式（Ｃ１）で表される溶媒は、１種又は２種以上を用いることができる。さらに、有機ＥＬ素子用のインクとして用いる場合には、必要に応じて、式（Ｃ１）で表される溶媒以外の溶媒を含有してもよい。
【００６８】
本発明の一態様である組成物中における式（１）で表される化合物、ホスト材料及び有機溶媒の含有量は特に限定されるものではなく、適宜決定すればよいが、式（１）で表される化合物の含有量は、０．０１〜１．５重量％の範囲内であることが好ましく、０．０１〜０．５重量％の範囲内であることがより好ましい。
ホスト材料の含有量は、０．１〜１５重量％の範囲内であることが好ましく、０．５〜１０重量％の範囲内であることがより好ましい。上記範囲のインク組成物であれば、有機ＥＬ素子の発光層を作製する際に、膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚を容易に形成することができる。
【００６９】
本発明の一態様に係るインク組成物は、前記式（１）で表される化合物、上述した有機溶媒、及び上述した発光層のホスト材料の他に、必要に応じて公知の添加剤を添加してもよい。添加剤は、製膜性の向上や膜のピンホール防止等のために、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、適切な樹脂や各種添加剤等を配合することができる。使用可能な樹脂としては、例えばポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂等が挙げられる。また、各種添加剤としては、例えば酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。
【００７０】
本発明の一態様に係るインク組成物において、前記式（１）で表される化合物及び有機溶媒の含有量の総和が、組成物全体の９０ｗｔ％以上、９５ｗｔ％以上、９８ｗｔ％以上、１００ｗｔ％であってもよい。
また、本発明の一態様に係るインク組成物が、前記式（１）で表される化合物及び有機溶媒に加えて、さらに発光層のホスト材料を含有する場合、前記式（１）で表される化合物と有機溶媒と発光層のホスト材料の含有量の総和が、９０ｗｔ％以上、９５ｗｔ％以上、９８ｗｔ％以上、１００ｗｔ％であってもよい。
【００７１】
本発明の一態様に係るインク組成物は、公知の湿式法、例えば、塗布法、インジェクト法、スプレー法、スピンナ法、湿漬塗布法、スクリーン印刷法、ロールコーター法、ＬＢ法等により成膜できる。
【００７２】
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本発明の一態様である有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極の間に、発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が、前記式（１）で表される化合物を含有する。
式（１）で表される化合物は、これを含有する有機薄膜層において、単独で含まれていてもよいし、混合物の成分として含まれていてもよい。
【００７３】
本発明の一態様である有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、式（１）で表される化合物とホスト材料を含有することが好ましい。
式（１）で表される化合物は、発光層において、ドーパント材料であることが好ましい。ドーパント材料として用いた場合、前記発光色が得られる。
【００７４】
本発明の一態様である有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなるおそれがある。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られないおそれがある。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【００７５】
いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
【００７６】
本発明の一実施形態において、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層形成する上記組成物に、他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、上記の組成物から成膜された発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。尚、この場合、発光層を真空蒸着法等の乾式法で形成してもよい。
以下、有機ＥＬ素子の構成要素の材料等について説明する。
【００７７】
（基板）
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【００７８】
（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【００７９】
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜１０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法等により作製してもよい。
【００８０】
陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素も含む）を用いることができる。
【００８１】
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素、即ちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。
【００８２】
（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
【００８３】
低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も挙げられる。
【００８４】
高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
【００８５】
（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体意的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
【００８６】
正孔輸送層には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００８７】
（発光層のゲスト材料）
発光層は、発光性の高い物質を含む層であり、式（１）で表される化合物の他、種々の材料を用いることができる。例えば、発光性の高い物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。蛍光性化合物は一重項励起状態から発光可能な化合物であり、燐光性化合物は三重項励起状態から発光可能な化合物である。
発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）等が挙げられる。
【００８８】
発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）等が挙げられる。
【００８９】
発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）等が挙げられる。
発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）等が挙げられる。
【００９０】
発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））等が挙げられる。
発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【００９１】
（発光層のホスト材料）
発光層としては、上述した発光性の高い物質（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質としては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
発光性の高い物質を分散させるための物質（ホスト材料）としては、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、若しくは亜鉛錯体等の金属錯体、２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、若しくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、若しくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、３）トリアリールアミン誘導体、若しくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）等の金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等の複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン等の縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（又はα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢ等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、発光性の高い物質（ゲスト材料）を分散させるための物質（ホスト材料）は複数種用いることができる。
【００９２】
本発明の一態様である有機ＥＬ素子において、燐光ホストとして好適な化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。燐光ホストは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００９３】
ホスト材料としての具体例としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、およびバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等の複素環化合物、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、および６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン等の縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（又はα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、およびＢＳＰＢ等の芳香族アミン化合物等が挙げられる。
【００９４】
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、Ｌｉｑ、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺ等の金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）等の複素芳香族化合物も用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。尚、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００９５】
（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。尚、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
【００９６】
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【００９７】
（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素、即ちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
【００９８】
尚、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。
尚、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【００９９】
本発明の一態様である有機エレクトロルミネッセンス素子は、様々な電子機器に使用でき、例えば壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の化合物は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
【実施例】
【０１００】
以下、実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【０１０１】
実施例１．  化合物１の製造
【化２０】
2016088354.tif 000022
【０１０２】
（１）化合物１−５の製造
５００ｍＬのフラスコに２−ブロモカルバゾール８．３６ｇ（３４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅０．６４ｇ（３．４ｍｍｏｌ）、Ｌ−プロリン０．７８ｇ（６．８ｍｍｏｌ）及び炭酸カリウム１１．７ｇ（８５．０ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージを行った。次いで、窒素気流下でジメチルスルホキシド２００ｍＬ、２−ヨウ化ピリジン１０．５ｇ（５０．９ｍｍｏｌ）を加えて、１００℃で１０時間反応させた。
得られた反応溶液を水５００ｍＬ中に投入し、塩化メチレン２００ｍＬで２回抽出した。取り出した塩化メチレン層をさらに水１００ｍＬで２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥材をろ別後、溶媒を除去することで濃褐色オイルを得た。ヘキサン／塩化メチレン（１／１）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、白色結晶の化合物１−５  １０．８ｇを得た（収率９９％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．７３（ｓ，１Ｈ）、８．０８（ｄ，１Ｈ）、８．０１（ｓ，１Ｈ）、７．９４−７．９６（ｍ，２Ｈ）、７．７７（ｄ，１Ｈ）、７．６２（ｄ，１Ｈ）、７．４１−７．４５（ｍ，２Ｈ）、７．３２−７．３４（ｍ，２Ｈ）【０１０３】
（２）化合物１−４の製造
３００ｍＬのフラスコに入れたＮ，Ｎ−ジメチルエタノール４．５ｍＬのヘキサン５０ｍＬ溶液に０℃、窒素下でｎ−ＢｕＬｉ（１．６３Ｍヘキサン溶液）５５．３ｍＬ（９０．２ｍｍｏｌ）を少しずつ滴下し、１時間反応させた。次いで、４−フェニルピリジン２．３ｇ（１５ｍｍｏｌ）のヘキサン１０ｍＬ溶液を０℃で少しずつ添加した。添加後さらに２時間反応させた後、−７８℃下で四臭化炭素１７．９ｇ（５４．１ｍｍｏｌ）のヘキサン３５ｍＬ溶液を３０分かけて滴下した。滴下終了後、室温に戻しながら４時間反応させた。
得られた反応溶液に水５０ｍＬを少しずつ添加し、数分間室温で撹拌後、溶媒を除去した。内容物を塩化メチレン２００ｍＬで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。次いで乾燥材をろ別後し、溶媒を除去することで濃褐色固体を得た。ヘキサン／酢酸エチル（９／１）でシリカカラム精製（富士シリシア製ＢＷ−８２０ＭＨ）を行い、淡褐色結晶の化合物１−４  １．２ｇを得た（収率３２％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．４１（ｄ，１Ｈ）、７．７０（ｓ，１Ｈ）、７．６２−７．６６（ｍ，２Ｈ）、７．４５−７．５２（ｍ，４Ｈ）【０１０４】
（３）化合物１−３の製造
２００ｍＬのフラスコに化合物１−４  １．２ｇ（５．１ｍｍｏｌ）、３−メトキシフェニルボロン酸０．８５ｇ（５．６ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．１２ｇ（０．１１ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で１，２−ジメトキシエタン６０ｍＬ、水１２ｍＬに溶解させた炭酸ナトリウム０．８１ｇ（７．６ｍｍｏｌ）を加えて、１８時間加熱還流させた。
得られた反応溶液に酢酸エチル１５０ｍＬを加えて抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥材をろ別後、溶媒を除去することで濃褐色オイルを得た。ヘキサン／酢酸エチル（８／２）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物１−２  １．１ｇを得た（収率８１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．７２（ｄ，１Ｈ）、７．９１（ｄ，１Ｈ）、７．５９−７．６９（ｍ，４Ｈ）、７．３８−７．５３（ｍ，５Ｈ）、６．９７−７．００（ｍ，１Ｈ）、３．９０（ｄ，３Ｈ）【０１０５】
（４）化合物１−２の製造
２００ｍＬのフラスコに化合物１−３  １．１ｇ（４．３ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージ後、窒素気流下で塩化メチレン７０ｍＬを加えた。０℃下で三臭化ホウ素（１Ｍ塩化メチレン溶液）８．６ｍＬ（８．６ｍｍｏｌ）を滴下後、室温にもどしながら、４時間反応させた。
得られた反応溶液に水２０ｍＬを少しずつ添加後、炭酸水素ナトリウム水溶液により、ｐＨを７に調節した。酢酸エチル１００ｍＬで抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥材をろ別後、溶媒を除去することで褐色固体を得た。ヘキサン／酢酸エチル（１／１）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物１−２  ０．４９ｇを得た（収率４６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．７１（ｄ，１Ｈ）、７．９１（ｓ，１Ｈ）、７．６８（ｄ，２Ｈ）、７．６０（ｓ，１Ｈ）、７．４５−７．５４（ｍ，５Ｈ）、７．３６（ｔ，１Ｈ）、６．９３−６．９４（ｍ，１Ｈ）【０１０６】
（５）化合物１−１の製造
１００ｍＬのフラスコに化合物１−５  ０．７６ｇ（２．４ｍｍｏｌ）、化合物１−２  ０．４９ｇ（１．９８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅０．１９ｇ（０．９９ｍｍｏｌ）、２−ピコリン酸０．６４ｇ（５．２ｍｍｏｌ）及びリン酸カリウム１．７ｇ（８．１ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージを行った。次いで、窒素気流下でジメチルスルホキシド３７ｍＬを加えて、１６５℃で８時間反応させた。
得られた反応溶液を水３５０ｍＬ中に投入し、塩化メチレン１００ｍＬで抽出した。取り出した塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を除去することで褐色オイルを得た。ヘキサン／酢酸エチル（６／４）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、白色結晶の化合物１−１  ０．８９ｇを得た（収率９２％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．６９（ｄ，１Ｈ）、８．６７（ｄ，１Ｈ）、８．０６（ｄ，２Ｈ）、７．８８−７．９１（ｍ，２Ｈ）、７．７６−７．８２（ｍ，３Ｈ）、７．５９−７．６５（ｍ，４Ｈ）、７．３９−７．４９（ｍ，６Ｈ）、７．２４−７．２９（ｍ，２Ｈ）、７．０５−７．０９（ｍ，２Ｈ）【０１０７】
（６）化合物１の製造
１００ｍＬのフラスコに化合物１−１  ０．８９ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、テトラクロロ白金（II）酸カリウム  ０．８３ｇ（１．９９ｍｍｏｌ）を入れて、系内を真空ポンプで減圧にして窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で２−エトキシエタノール５３ｍＬ及び水１６ｍＬを加えて、７時間加熱還流させた。
放冷後、得られた黄色溶液に塩化メチレン１５０ｍＬ、水１５０ｍＬを加えて抽出後、取り出した塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を除去することで暗オレンジ色結晶を得た。塩化メチレンのみでシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を２回行い、黄色結晶の化合物１  ０．３０ｇを得た（収率２４％）。マススペクトル分析の結果、分子量６８２．１３に対し、ｍ/e＝６８２だった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ９．１２（ｄｄ，１Ｈ）、８．７６（ｄ，１Ｈ）、８．２１−８．２５（ｍ，２Ｈ）、８．０５（ｄ，１Ｈ）、７．９８（ｔ，２Ｈ）、７．７９−７．８４（ｍ，３Ｈ）、７．６８（ｄ，１Ｈ）、７．６４（ｄｄ，１Ｈ）、７．５６−７．６０（ｍ，３Ｈ）、７．４４（ｔ，１Ｈ）、７．３９（ｔ，１Ｈ）、７．３０（ｔ，２Ｈ）、７．２２（ｔ，２Ｈ）【０１０８】
実施例２．  化合物２の製造
【化２１】
2016088354.tif 000023
【０１０９】
（１）化合物２−５の製造
３００ｍＬのフラスコに３，５−ジブロモアニソール  ８．３ｇ（３１．１ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸３．８ｇ（３１．１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．７２ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で１，２−ジメトキシエタン１２０ｍＬ、水３５ｍＬに溶解させた炭酸ナトリウム４．９ｇ（４６．７ｍｍｏｌ）を加えて、８時間加熱還流させた。
得られた反応溶液から溶媒を除去し、塩化メチレン２００ｍＬを加えて抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥材をろ別後、溶媒を除去することで淡黄色オイルを得た。ヘキサン／塩化メチレン（９／１）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物２−５  ４．７ｇを得た（収率５７％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．５３（ｄ，２Ｈ）、７．４２（ｔ，２Ｈ）、７．３２−７．３８（ｍ，２Ｈ）、７．０３（ｄ，２Ｈ）、３．８０（ｓ，３Ｈ）【０１１０】
（２）化合物２−４の製造
３００ｍＬのフラスコに入れた化合物２−５  ４．７ｇ（１７．７ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１２０ｍＬ溶液に−７８℃、窒素下でｎ−ＢｕＬｉ（１．６３Ｍヘキサン溶液）１３．１ｍＬ（２１．３ｍｍｏｌ）を少しずつ滴下し、１．５時間反応させた。次いで、ホウ酸トリイソプロピル６．７ｇ（３５．５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１０ｍＬ溶液を−７８℃で滴下した。滴下後、室温にもどしながら、５．５時間反応させた。
得られた白濁溶液に３ＮのＨＣｌ水溶液５０ｍＬを滴下し、溶媒を除去した。酢酸エチル１５０ｍＬを加えて抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を除去することで白色結晶を得た。ヘキサン／トルエンから再結晶を行い、白色の化合物２−４  ３．４ｇを得た（収率８５％）。【０１１１】
（３）化合物２−３の製造
３００ｍＬのフラスコに化合物２−４  ２．１ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．２１ｇ（０．１８ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で１，２−ジメトキシエタン９０ｍＬ、２−ブロモピリジン  １．４ｇ（９．１ｍｍｏｌ）及び水２４ｍＬに溶解させた炭酸ナトリウム１．４ｇ（１３．６ｍｍｏｌ）を加えて、７時間加熱還流させた。
得られた反応溶液から溶媒を除去し、塩化メチレン８０ｍＬを加えて抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥材をろ別後、溶媒を除去することで黄色オイルを得た。ヘキサン／酢酸エチル（８０／２０〜７５／２５）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物２−３  １．９ｇを得た（収率８０％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．７０（ｓ，１Ｈ）、７．７８（ｓ，３Ｈ）、７．６７（ｄ，２Ｈ）、７．５７（ｓ，１Ｈ）、７．４３−７．４７（ｍ，２Ｈ）、７．３７（ｄ，１Ｈ）、７．２３−７．２６（ｍ，１Ｈ）、７．１８（ｓ，１Ｈ）、３．９４（ｓ，３Ｈ）【０１１２】
（４）化合物２−２の製造
３００ｍＬのフラスコに化合物２−３  １．９ｇ（７．３ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージ後、窒素気流下で塩化メチレン１２０ｍＬを加えた。０℃下で三臭化ホウ素（１Ｍ塩化メチレン溶液）１５ｍＬ（１５ｍｍｏｌ）を滴下後、室温にもどしながら、５時間反応させた。
得られた反応溶液に水２０ｍＬを少しずつ添加後、炭酸水素ナトリウム水溶液により、ｐＨを７に調節した。酢酸エチル１００ｍＬで抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥材をろ別後、溶媒を除去することで褐色固体を得た。ヘキサン／酢酸エチル（１／１）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物２−２  ０．６ｇを得た（収率３３％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．７０（ｓ，１Ｈ）、７．７６−７．８１（ｍ，２Ｈ）、７．７２（ｄ，１Ｈ）、７．６３（ｄ，２Ｈ）、７．５３（ｍ，１Ｈ）、７．４４（ｔ，２Ｈ）、７．３６（ｔ，１Ｈ）、７．２７−７．２９（ｍ，１Ｈ）、７．１３−７．１４（ｍ，１Ｈ）【０１１３】
（５）化合物２−１の製造
３００ｍＬのフラスコに化合物１−５  １．５ｇ（４．６ｍｍｏｌ）、化合物２−２  ０．９ｇ（３．８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅０．３６ｇ（１．９ｍｍｏｌ）、２−ピコリン酸１．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）及びリン酸カリウム３．３ｇ（１５．５ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージを行った。次いで、窒素気流下でジメチルスルホキシド７２ｍＬを加えて、１６５℃で６．５時間反応させた。
得られた反応溶液を水２５０ｍＬ中に投入し、塩化メチレン１５０ｍＬで２回抽出した。取り出した塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を除去することで濃褐色オイルを得た。ヘキサン／酢酸エチル（６／４）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、白色結晶の化合物２−１  １．４ｇを得た（収率７５％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．６７（ｓ，２Ｈ）、８．０８（ｄ，２Ｈ）、７．９８（ｓ，１Ｈ）、７．８７−７．９０（ｍ，１Ｈ）、７．８１（ｄ，１Ｈ）、７．７０−７．７６（ｍ，２Ｈ）７．６２−７．６４（ｍ，５Ｈ）、７．４０−７．４４（ｍ，３Ｈ）、７．３２−７．３６（ｍ，３Ｈ）、７．２３−７．２６（ｍ，２Ｈ）、７．０９（ｄ，１Ｈ）【０１１４】
（６）化合物２の製造
１００ｍＬのフラスコに化合物２−１  １．４ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、テトラクロロ白金（II）酸カリウム  １．３ｇ（３．１ｍｍｏｌ）を入れて、系内を真空ポンプで減圧にして窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で２−エトキシエタノール８５ｍＬ及び水２６ｍＬを加えて、９時間加熱還流させた。
放冷後、得られた黄色溶液に塩化メチレン１５０ｍＬ、水２００ｍＬを加えて抽出後、取り出した塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を除去することで暗オレンジ色結晶を得た。塩化メチレンのみでシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を２回行い、さらにヘキサン／塩化メチレン（５／５〜４／６）で精製を行ったところ、黄色結晶の化合物２  ０．８８ｇを得た（収率４４％）。マススペクトル分析の結果、分子量６８２．１３に対し、ｍ/e＝６８２だった。【０１１５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ９．０８（ｄｄ，１Ｈ）、８．７７（ｄ，１Ｈ）、８．２４（ｄ，１Ｈ）、８．１１（ｄ，１Ｈ）、８．０６（ｄ，１Ｈ）、７．９７−８．０４（ｍ，３Ｈ）、７．７８−７．８３（ｍ，４Ｈ）、７．４８（ｔ，２Ｈ）、７．４４−７．４６（ｍ，３Ｈ）、７．３８−７．４１（ｍ，２Ｈ）、７．３３（ｄ，１Ｈ）、７．２１（ｔ，１Ｈ）【０１１６】
次に有機ＥＬ素子の作製及び評価を行った。有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を下記に示す。
【化２２】
2016088354.tif 000024
【０１１７】
実施例３（有機ＥＬ素子の作製、評価）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ膜厚は１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＴ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍの化合物ＨＴ−１膜を形成した。このＨＴ−１膜は、正孔注入層として機能する。
このＨＴ−１膜の成膜に続けて、化合物ＨＴ−２を蒸着し、ＨＴ−１膜上に膜厚９０ｎｍのＨＴ−２膜を成膜した。このＨＴ−２膜は、第一の正孔輸送層として機能する。
さらにＨＴ−２膜の成膜に続けて、化合物ＨＴ−３を蒸着し、ＨＴ−２膜上に膜厚６０ｎｍのＨＴ−３膜を成膜した。このＨＴ−３膜は、第二の正孔輸送層として機能する。
このＨＴ−２膜上に化合物Ｈ−１（ホスト材料）および化合物１（ドーパント材料）を化合物１の割合が５重量％となるように共蒸着し、膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。
この発光層上にＥＴ−１を蒸着して、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
この電子注入層上にＬｉＦを蒸着して、膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を形成した。
このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
このようにして、実施例３の有機ＥＬ素子を作製した。【０１１８】
実施例４〜６、及び比較例１及び２
ドーパントの種類及び割合を表１に示す通りとした以外は実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。【０１１９】
＜有機ＥＬ素子の評価＞
上記の手順で作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
・初期性能
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、そのときの駆動電圧（Ｖ）、電流効率（ｌｍ／Ｗ）およびＥＬ発光スペクトルの発光主波長を分光放射輝度計（ＣＳ−１０００：コニカミノルタ社製）にて計測した。【０１２０】
【表１】
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【０１２１】
表１の結果より、本発明に係る化合物１及び２を用いた実施例３〜６の有機ＥＬ素子は、従来の発光材料（比較化合物）を用いた比較例１及び２の有機ＥＬ素子と比較して、発光層中の発光材料（ドーパント）の濃度が５ｗｔ％から１０ｗｔ％へと変動した際の駆動電圧の変動幅が小さいことがわかる。【０１２２】
実施例７（湿式成膜を用いた有機ＥＬ素子の作製、評価）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ膜厚は１３０ｎｍとした。
前記のＩＴＯ基板上にＨＥＲＡＥＵＳ社製ＣＬＥＶＩＯＵＳ  ＡＩ４０８３（商品名）を膜厚３０ｎｍでスピンコート法により成膜した。成膜後、アセトンにより不要な部分を除去し、次いで大気中で２００℃のホットプレートで１０分間焼成した。この膜は正孔輸送層として機能する。【０１２３】
化合物Ｈ−１（ホスト材料）および化合物２（ドーパント材料）を、化合物Ｈ−１：化合物２の割合が９０：１０となる混合比（重量比）で１．４重量％のトルエン溶液を調整した。このトルエン溶液を用い、前記正孔輸送層膜の上にスピンコート法により、５０ｎｍの膜厚になるように塗布した。塗布後、不要部分をトルエンにて除去し、１５０℃のホットプレートで１０分間加熱した。この膜は発光層として機能する。尚、発光層の成膜にかかる全ての操作は窒素雰囲気のグローブボックス中で実施した。
上記積層基板を蒸着装置中に搬送し、ＥＴ−１を蒸着して、膜厚５０ｎｍの電子輸送層を形成した。この電子注入層上にＬｉＦを蒸着して、膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を形成した。
このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
このようにして、実施例７の有機ＥＬ素子を作製した。【０１２４】
得られた有機ＥＬ素子の発光層における濃度は１０重量％、駆動電圧は４．８５Ｖ、電流効率は３３ｌｍ／Ｗ、発光主波長は５３０ｎｍであった。【０１２５】
実施例８．  化合物７０の製造
【化２３】
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【０１２６】
（１）化合物７０−８の製造
５００ｍＬのフラスコに３−ブロモフェニルボロン酸  ９．７ｇ（４８．４ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム  １１．３ｇ（１０６．５ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．５６ｇ（０．４８ｍｍｏｌ）を入れて、系内の窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で１，２−ジメトキシエタン１２０ｍＬ、エタノール４０ｍＬ、水５３ｍＬ及び２−ブロモピリジン  ７．６ｇ（４８．４ｍｍｏｌ）を加えて、１６時間加熱還流させた。
得られた反応溶液から溶媒を除去し、塩化メチレン２００ｍＬを加えて抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤をろ別後、溶媒を除去することで橙色オイルを得た。ヘキサン／酢酸エチル（１０／１）でシリカカラム精製（富士シリシアＢＷ−８２０ＭＨ）を行い、化合物７０−８  ９．９ｇを得た（収率８８％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．７０（ｄ，１Ｈ）、８．１８（ｄｄ，１Ｈ）、７．９３（ｄｄ，１Ｈ）、７，７６−７．７９（ｍ，１Ｈ）、７．６９−７．７４（ｍ，１Ｈ）、７．５３−７．５５（ｍ，１Ｈ）７．３２−７．３６（ｍ，１Ｈ）、７．２４−７．２５（ｍ，１Ｈ）【０１２７】
（２）化合物７０−７の製造
３００ｍＬのフラスコに２−ブロモニトロベンゼン  ４．１ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）、４−メトキシフェニルボロン酸  ３．１ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．４７ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）を入れて、系内の窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で１，２−ジメトキシエタン１８０ｍＬ、水４５ｍＬに溶解させた炭酸ナトリウム  ３．２ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）を加えて、８時間加熱還流させた。
得られた反応溶液から溶媒を除去し、塩化メチレン２００ｍＬ、水１００ｍＬを加えて抽出後、塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤をろ別後、溶媒を除去することで黄色オイルを得た。ヘキサン／酢酸エチル（８／２）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物７０−７  ４．５ｇを得た（収率９７％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．８０（ｄ，１Ｈ）、７．５６−７．６０（ｍ，１Ｈ）、７．４４（ｄｄ，２Ｈ）、７．２２−７．２５（ｍ，２Ｈ）、６．９３−６．９６（ｍ，２Ｈ）、３．８４（ｓ，３Ｈ）【０１２８】
（３）化合物７０−６の製造
２００ｍＬのフラスコに化合物７０−７  ４．５ｇ（１９．７ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン  １２．９ｇ（４９．２ｍｍｏｌ）を入れて、系内の窒素パージを行った。次いでｏ−ジクロロベンゼン  ４５ｍＬを入れて、１７時間加熱反応させた（オイルバス温度１９０℃）。
得られた溶液から、ｏ−ジクロロベンゼンを減圧蒸留にて除去した後、残渣をヘキサン／酢酸エチル（８／２〜５／５）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物７０−６  ２．９ｇを得た（収率７４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．９２−７．９６（ｍ，３Ｈ）、７．３３−７．３９（ｍ，２Ｈ）、７．２０（ｓ，１Ｈ）、６．９２（ｄ，１Ｈ）、６．８６（ｄｄ，１Ｈ）、３．９０（ｓ，３Ｈ）【０１２９】
（４）化合物７０−５の製造
３００ｍＬのフラスコにイミダゾール  １０．４ｇ（１５３ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅  ４．１ｇ（２１．８ｍｍｏｌ）及びリン酸カリウム  ４６．４ｇ（２１８ｍｍｏｌ））を入れて、系内の窒素パージを行った。次いで、窒素気流下でＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド  １１０ｍＬ、２−ヨード−ｍ−キシレン  ２５．３ｇ（１０９ｍｍｏｌ）を加えて、２５時間加熱させた（オイルバス温度１９０℃）。
得られた反応溶液を水３００ｍＬ中に投入し、しばらく撹拌した後、塩化メチレン２００ｍＬにて抽出を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を除去することで得たオイルをヘキサン／酢酸エチル（７／３〜５／５）で２回シリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物７０−５  ７．１ｇを得た（収率３８％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．４６（ｓ，１Ｈ）、７．２５（ｄ，２Ｈ）、７．１５（ｄ，２Ｈ）、６．９２（ｓ，１Ｈ）、２．０５（ｓ，６Ｈ）【０１３０】
（５）化合物７０−４の製造
３００ｍＬのフラスコに化合物７０−５  ５．７ｇ（３２．９ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージ後、窒素気流下でテトラヒドロフラン１２０ｍＬを加えた。−７８℃下でｎ−ブチルリチウム（１．５５Ｍヘキサン溶液）２３ｍＬ（３６ｍｍｏｌ）を滴下後、その温度でさらに２時間反応させた。次いで、−７８℃でテトラヒドロフラン７０ｍＬに溶解させたヨウ素  １０ｇ（３９ｍｍｏｌ）を滴下後、室温に戻しながら、１時間反応させた。
得られた溶液に水６０ｍＬを少しづつ添加し、酢酸エチル３００ｍＬにて抽出を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を除去することで濃褐色結晶を得た。ヘキサン／酢酸エチル（８５／１５〜８０／２０）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物７０−４  ９．４ｇを得た（収率９６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．２６−７．３３（ｍ，２Ｈ）、７．１８（ｄ，２Ｈ）、７．０３（ｓ，１Ｈ）、２．０５（ｓ，６Ｈ）【０１３１】
（６）化合物７０−３の製造
３００ｍＬのフラスコに化合物７０−４  ４．１ｇ（１３．７ｍｍｏｌ）、化合物７０−６  ２．７ｇ（１３．７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅  １．１ｇ（５．７ｍｍｏｌ）及びリン酸カリウム  ４．８ｇ（２２．９ｍｍｏｌ）を入れて、系内の窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で１，４−ジオキサン  １６０ｍＬ、ｔｒａｎｓ−１，２−ジアミノシクロヘキサン  ６．５ｇ（５７．２ｍｍｏｌ）を加えて、２９時間加熱還流させた。
得られた反応溶液から溶媒を除去し、塩化メチレン３００ｍＬ、飽和塩化ナトリウム水溶液３００ｍＬを加えて抽出後、塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤をろ別後、溶媒を除去することで濃褐色オイルを得た。ヘキサン／酢酸エチル（８５／１５〜７０／３０）で２回シリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物７０−３  ２．１ｇを得た（収率４１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．８０−７．８５（ｍ，２Ｈ）、７．４０（ｓ，１Ｈ）、７．１４−７．２５（ｍ，３Ｈ）、７．１１（ｓ，１Ｈ）、７．０１−７．０５（ｍ，１Ｈ）、６．９３（ｄ，２Ｈ）、６．８１（ｄ，１Ｈ）、６．７４（ｄ，１Ｈ）、３．７９（ｓ，３Ｈ）、２．０５（ｓ，６Ｈ）【０１３２】
（７）化合物７０−２の製造
３００ｍＬのフラスコに化合物７０−３  １．０５ｇ（２．９ｍｍｏｌ）を入れて、系内を窒素パージ後、窒素気流下で塩化メチレン１００ｍＬを加えた。−７８℃下で三臭化ホウ素（１Ｍ塩化メチレン溶液）１４．３ｍＬ（１４．３ｍｍｏｌ）を滴下後、室温にもどしながら、６時間反応させた。
得られた反応溶液に水１００ｍＬを少しずつ添加後、炭酸水素ナトリウム水溶液により、ｐＨを７に調節した。酢酸エチル１００ｍＬで抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥材をろ別後、溶媒を除去することで褐色固体を得た。ヘキサン／酢酸エチル（１／１）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物７０−２  ０．７ｇを得た（収率６９％）。【０１３３】
（８）化合物７０−１の製造
２００ｍＬのフラスコに化合物７０−２  ０．６ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅  ０．１６ｇ（０．８ｍｍｏｌ）、２−ピコリン酸  ０．５５ｇ（４．５ｍｍｏｌ）及びリン酸カリウム  １．４ｇ（６．８ｍｍｏｌ）を入れて、系内の窒素パージを行った。次いで、窒素気流下でジメチルスルホキシド  ６３ｍＬに溶解させた化合物７０−８  ０．５１ｇ（２．２ｍｍｏｌ）を加えて、１８時間加熱した（オイルバス温度１６５℃）。
得られた反応溶液を飽和食塩水３００ｍＬ中に投入し、しばらく撹拌した後、塩化メチレン２００ｍＬにて抽出を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を除去することで得たオイルをヘキサン／酢酸エチル（７／３）でシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）を行い、化合物７０−１  ０．３１ｇを得た（収率３６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ８．６８（ｄ，１Ｈ）、７．８９−７．９３（ｍ，２Ｈ）、７．６６−７．７７（ｍ，３Ｈ）、７．５２（ｍ，１Ｈ）、７．２０−７．４０（ｍ，７Ｈ）、６．８０−７．０３（ｍ，６Ｈ）、１．９０（ｓ，６Ｈ）【０１３４】
（９）化合物７０の製造
１００ｍＬのフラスコに化合物７０−１  ０．８６ｇ（１．７ｍｍｏｌ）、テトラクロロ白金（II）酸カリウム  ０．７２ｇ（１．７ｍｍｏｌ）及びテトラｎ−ブチルアンモニウムクロライド  ０．０２ｇを入れて、系内を真空ポンプで減圧にして窒素パージを行った。次いで、窒素気流下で酢酸  １００ｍＬを加えて、１８時間加熱還流させた。
放冷後、沈殿した黄色結晶をろ別し、メタノールで洗浄した。塩化メチレンのみでシリカカラム精製（関東化学製シリカゲル６０Ｎ，１００〜２１０μｍ）、次いでヘキサン／塩化メチレン（３／７）でシリカカラム精製（富士シリシア製Ｃｈｒｏｍａｔｏｒｅｘ  ＮＨ）を行い、黄色結晶の化合物７０  ０．７７ｇを得た（収率６３％）
マススペクトル分析の結果、分子量６９９．６８に対し、ｍ／ｅ＝６９９であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ９．１０（ｄ，１Ｈ）、７．９−８．１（ｍ，２Ｈ）、７．８２（ｄ，１Ｈ）、７．７７（ｄ，１Ｈ）、７．６７（ｄｄ，１Ｈ）、７．５５（ｄｄ，１Ｈ）、７．４０−７．４５（ｍ，１Ｈ）、７．２６−７．３１（ｍ，２Ｈ）、７．１７（ｄｄ，１Ｈ）、７．００−７．０８（ｍ，３Ｈ）、６．９２（ｂｒ，２Ｈ）、６．８２（ｂｒ，１Ｈ）、６．７３（ｔ，１Ｈ）、１．８０（ｂｒ，６Ｈ）【０１３５】
実施例９及び１０
ドーパントの種類及び割合を表２に示す通りとした以外は実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。【０１３６】
【表２】
2016088354.tif 000027
【０１３７】
表２の結果より、本発明に係る化合物７０を用いた実施例９及び１０の有機ＥＬ素子は、従来の発光材料（比較化合物）を用いた比較例１及び２の有機ＥＬ素子と比較して、発光層中の発光材料（ドーパント）の濃度が５ｗｔ％から１０ｗｔ％へと変動した際の駆動電圧の変動幅が小さいことがわかる。【０１３８】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
【国際調査報告】
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