【事件の表示】
　特願２００１−２９７９５５「強誘電体メモリおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月　４日出願公開、特開２００３−１００９９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本件は平成１３年９月２７日の出願であって、平成１６年５月１７日付けで最後の拒絶理由が通知され、それに対して平成１６年７月２３日付けで手続補正書が提出されたところ、当該手続補正は特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法５３条第１項の規定に基づいて、平成１６年１０月７日付けで補正却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年１１月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同審判請求において補正却下に対する不服も主張されているものである。 
　 
第２．平成１６年７月２３日付けの補正却下の決定の適否
　審判請求人は、原審における上記補正却下の決定に対して、不服の申立を行っているため、平成１６年１０月７日付けの補正却下の決定（以下、「本件補正却下」という。）の適否について検討する。
　
１．補正の内容
　平成１６年７月２３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１５年１２月８日付けで補正された特許請求の範囲を補正するものであって、平成１５年１２月８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９（以下、「補正前請求項１」ないし「補正前請求項９」という。）の内、補正前請求項１及び補正前請求項８を、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１及び８（以下、「補正後請求項１」及び「補正後請求項８」という。）に補正すると共に、０００５段落、０００６段落、００１３段落、００１４段落を補正するものである。
　そして、補正後請求項１、補正後請求項８に係る発明は、以下のとおりである。 
　
「【請求項１】　半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタと、該強誘電体キャパシタを内包する第１層間膜と、該第１層間膜を挿通するメタル配線と、を有する強誘電体メモリであって、
　酸素雰囲気での水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜上に、前記メタル配線が形成され、該メタル配線上に水分拡散防止膜が形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。」
「【請求項８】　請求項１〜７のいずれかに記載の強誘電体メモリを製造する方法であって、
　酸素雰囲気での水分を除去する熱処理を施した前記第１層間膜上に、前記メタル配線を形成し、該メタル配線上に水分拡散防止膜を形成する工程を有することを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。」
　
２．本件補正についての検討
（２−１）補正事項の整理 
　補正事項１
　補正前請求項１の「水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜」を　補正後請求項１の「酸素雰囲気での水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜」と補正する。 
　
　補正事項２
　補正前請求項８の「水分を除去する熱処理を施した前記第１層間膜上に、前記メタル配線を形成し、該メタル配線上に水分拡散防止膜を形成する工程」を 
　補正後請求項８の「酸素雰囲気での水分を除去する熱処理を施した前記第１層間膜上に、前記メタル配線を形成し、該メタル配線上に水分拡散防止膜を形成する工程」と補正する。 
　 
　補正事項３
　明細書の０００５段落、０００６段落、００１３段落、００１４段落を補正する。
　
（２−２）補正の適否についての検討
（ａ）補正事項１についての補正は、補正前請求項１の「水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜」を、補正後請求項１の「酸素雰囲気での水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜」と補正するものであって、補正前請求項１の「水分を除去する熱処理」を「酸素雰囲気で」行う旨技術的に限定するものであるから、特許法第１７条の第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）の００１４段落には、「第１層間膜３を形成後、７００〜８００℃、１〜２時間で熱処理を施して第１層間膜３中の水分を除去・・・する。・・・前記熱処理を行う際の雰囲気は、還元雰囲気でなければ特に限定はされないが、強誘電体膜中の酸素欠損を補間する観点から、酸素雰囲気であることが好ましい。」と記載され、００２６段落には「酸素雰囲気で、７５０℃、２時間熱処理を行って、ＳｉＯ2膜中の水分を除去・・・」と記載されているから、補正事項１についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
（ｂ）補正事項２についての補正は、補正前請求項８の「水分を除去する熱処理を施した前記第１層間膜上に、前記メタル配線を形成し、該メタル配線上に水分拡散防止膜を形成する工程」を、補正後請求項８の「酸素雰囲気での水分を除去する熱処理を施した前記第１層間膜上に、前記メタル配線を形成し、該メタル配線上に水分拡散防止膜を形成する工程」と補正するものであって、補正前請求項８の「水分を除去する熱処理」を「酸素雰囲気で」行う旨技術的に限定するものであるから、特許法第１７条の第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、当初明細書等の００１４段落には、「第１層間膜３を形成後、７００〜８００℃、１〜２時間で熱処理を施して第１層間膜３中の水分を除去・・・する。・・・前記熱処理を行う際の雰囲気は、還元雰囲気でなければ特に限定はされないが、強誘電体膜中の酸素欠損を補間する観点から、酸素雰囲気であることが好ましい。」と記載され、００２６段落には「酸素雰囲気で、７５０℃、２時間熱処理を行って、ＳｉＯ2膜中の水分を除去・・・」と記載されているから、補正事項２についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
（ｃ）補正事項３についての補正は、請求項１、８の補正に伴い、明細書を補正するものであって、上記（ｂ）、（ｃ）で検討したとおり、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
　以上のとおり、補正事項１ないし３についての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、補正事項１及び２についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に該当する。
　
３．独立特許要件について
（３−１）補正後発明について
　本件補正後の請求項１ないし請求項９に記載された発明は、本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定されるものであって、その本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタと、該強誘電体キャパシタを内包する第１層間膜と、該第１層間膜を挿通するメタル配線と、を有する強誘電体メモリであって、
　酸素雰囲気での水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜上に、前記メタル配線が形成され、該メタル配線上に水分拡散防止膜が形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。」
　
（３−２）刊行物について
（ａ）特開平７−２６３６３７号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された特開平７−２６３６３７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。
「半導体集積回路が形成された支持基板の第１の絶縁膜上に下電極、強誘電体膜または高誘電率を有する誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子と、前記容量素子を被覆する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体集積回路部、および前記容量素子に電気的に接続された電極配線と、前記電極配線を覆う保護膜とを備え、前記第２の絶縁膜の水分含有量が前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えないことを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
「・・・低動作電圧、高速書込みおよび高速読出し可能な不揮発性ＲＡＭの実用化を目指し、自発分極特性を有する強誘電体膜を容量絶縁膜とする容量素子を半導体集積回路装置上に形成するための技術開発が盛んに行われている。」（０００３段落）
「・・・本発明の一実施例における容量素子を内蔵した半導体装置の製造方法について、・・・図２とともに図１を参照しながら説明する。」（００１５段落）
「【００１６】図２は本発明の一実施例における容量素子を内蔵した半導体装置の製造工程のフローチャートである。・・・図２（ａ）〜図２（ｃ）の工程で、シリコン基板１に拡散層３、ゲート絶縁膜４、ゲート電極５からなるトランジスタが形成され、そのトランジスタを覆う第１の絶縁膜６の上に下電極７、容量絶縁膜８、上電極９からなる容量素子１０が形成される。次に図２（ｄ）の工程で、ＣＶＤ法などにより、・・・第２の絶縁膜１６を全面に形成する。次に図２（ｅ）の工程で、第２の絶縁膜１６を窒素雰囲気中で熱処理することにより第２の絶縁膜１６中に含有される水分を除去する。【００１７】次に、図２（ｆ）に示すように、トランジスタの拡散層３に通じるコンタクトホール１２ａ、容量素子１０の下電極７および上電極９にそれぞれ達するコンタクトホール１２ｂを形成する。次に図２（ｇ）の工程で、コンタクトホール１２ａ，１２ｂを介して拡散層３に接続される電極配線１３ａ、および容量素子１０に接続される電極配線１３ｂを形成する。次に図２（ｈ）の工程で、保護膜１４を形成する。保護膜１４としては、シリコン基板１、容量素子１０および電極配線１３ａ，１３ｂへの水の浸入を防止するために、・・・耐湿性の高い窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜が適している。」（００１６段落〜００１７段落）
「本実施例では図２（ｅ）の熱処理工程を窒素ガス中で行った例について説明したが、ヘリウムまたはアルゴンなどの不活性ガス中、もしくは真空中で行ってもよい。」（００１９段落）
　
　以上の事項によれば、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「半導体集積回路が形成された支持基板の第１の絶縁膜上に下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子と、前記容量素子を被覆する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体集積回路部、および前記容量素子に電気的に接続された電極配線と、前記電極配線を覆う耐湿性の高い保護膜とを備え、窒素ガス、不活性ガスもしくは真空中で熱処理することにより前記第２の絶縁膜の水分含有量が、前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えないことを特徴とする不揮発性ＲＡＭ。」
　
（ｂ）刊行物２：特開平６−３１８５８８号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された特開平６−３１８５８８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
「・・・気相成長法によって酸化膜３を成長させる・・・。この気相成長法のプロセス条件は、たとえば、シランガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気中において、４００℃以下の温度、常圧とする。・・・この条件で形成された酸化膜３は多量の水分を含んでいる。・・・」（００１６段落）
「・・・酸素雰囲気中で・・・熱処理を行うと、・・・熱処理前に存在した多量の水分・・・が、・・・十分少ないレベルに低減化される。」（００１７段落）
「本発明による酸化膜の適用例として・・・層間膜などにも応用可能である。」（００２９段落）
　
（ｃ）刊行物３：特開平５−３０４１４７号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された特開平５−３０４１４７号公報（以下、「刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
「・・・ＣＶＤ法を用いて半導体基板上にシリコン化合物からなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、形成された薄膜を酸化する酸化工程と、酸化された薄膜を重縮合する重縮合工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。」（００１１段落）
「・・・本発明は上記半導体装置の製造方法において、酸化工程及び重縮合工程が、温度１００℃〜６００℃の・・・３０％以上の酸素雰囲気で薄膜を熱処理する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。」（００１２段落）
「このような製造方法を採ることにより、例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）−酸素系を原料ガスとして用いたＣＶＤ法、或いはＴＥＯＳ等シリコンアルコキシドを原料ガスに用いてＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成の際、酸化することにより・・・ＣＶＤ膜は脱水され・・・る。」（００１４段落）
　
（３−３）対比・判断
　補正後発明１と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物１の００１６段落には「シリコン基板１に拡散層３、ゲート絶縁膜４、ゲート電極５からなるトランジスタが形成され・・・る。」と記載されているから、刊行物発明の「半導体集積回路が形成された支持基板」は、「拡散層３、ゲート絶縁膜４、ゲート電極５からなるトランジスタが形成され」る「シリコン基板」である。
　一方、当初明細書等には、００１４段落に「半導体基板１としてのＳｉ基板上に、トランジスタ２・・・を公知の方法で設け」ると記載されており、補正後発明１の「半導体基板」は、トランジスタが設けられたＳｉ基板であるから、刊行物発明の「半導体集積回路が形成された支持基板」は、補正後発明１の「半導体基板」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」の「下電極」、「容量絶縁膜、および上電極」は、容量素子の構成、言い換えるとキャパシタの構成であるから、刊行物発明の「下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」は、補正後発明１の「強誘電体キャパシタ」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「第２の絶縁膜」が「前記容量素子を被覆する」構成、言い換えると「第２の絶縁膜」内に「前記容量素子」を備える構成であるから、刊行物発明の「第２の絶縁膜」は、補正後発明１の「該強誘電体キャパシタを内包」している「第１層間膜」に相当し、さらに、刊行物発明の「前記容量素子を被覆する第２の絶縁膜」は、補正後発明１の「該強誘電体キャパシタを内包する第１層間膜」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「電極配線」、「耐湿性の高い保護膜」、「不揮発性ＲＡＭ」は、それぞれ、補正後発明１の「メタル配線」、「水分拡散防止膜」、「強誘電体メモリ」に相当する。
（ｅ）刊行物発明の「熱処理すること」は、「前記第２の絶縁膜の水分含有量が、前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えない」ようにすることであって、刊行物１の００１６段落に「図２（ｅ）の工程で、第２の絶縁膜１６を窒素雰囲気中で熱処理することにより第２の絶縁膜１６中に含有される水分を除去する。」と記載されているから、刊行物発明の「熱処理すること」は、水分を除去するためのものである。
　したがって、刊行物発明の「熱処理すること」は水分を除去するためのものであって、補正後発明１の「水分を除去する熱処理が施され」ることに相当し、さらに刊行物発明の、「熱処理することにより」「水分含有量が、前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えない」ようにされた「第２の絶縁膜」は、補正後発明１の「水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜」に相当する。
（ｆ）刊行物発明の「前記第２の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体集積回路部、および前記容量素子に電気的に接続された電極配線」を備えることは、刊行物１の００１６段落から００１７段落に「・・・図２（ｄ）の工程で、ＣＶＤ法などにより、・・・第２の絶縁膜１６を全面に形成する。次に図２（ｅ）の工程で、第２の絶縁膜１６を窒素雰囲気中で熱処理することにより第２の絶縁膜１６中に含有される水分を除去する。・・・図２（ｆ）に示すように、トランジスタの拡散層３に通じるコンタクトホール１２ａ、容量素子１０の下電極７および上電極９にそれぞれ達するコンタクトホール１２ｂを形成する。次に図２（ｇ）の工程で、コンタクトホール１２ａ，１２ｂを介して拡散層３に接続される電極配線１３ａ、および容量素子１０に接続される電極配線１３ｂを形成する。」と記載されているから、第２の絶縁膜（層間膜）を貫くコンタクトホールに電極配線が形成される構成を備えることと技術的に同等である。
　一方、当初明細書等の００１４段落には、図１と共に「第１層間膜３を形成後、・・・熱処理を施して第１層間膜３中の水分を除去した後、・・・メタル配線１Ｍを通すためのコンタクトホール３ａ、３ｂを形成する。・・・次に、メタル配線１Ｍを形成する。」と記載されており、補正後発明１の「第１層間膜を挿通するメタル配線」を備えることは、第１層間膜を貫くコンタクトホールにメタル配線が形成される構成を備えることと技術的に同等である。
　したがって、刊行物発明の「前記第２の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体集積回路部、および前記容量素子に電気的に接続された電極配線」を備えることは、層間膜を貫くコンタクトホールに電極配線が形成される構成を備えることと技術的に同等であって、補正後発明１の「第１層間膜を挿通するメタル配線」に相当する。
　
　よって、補正後発明１と刊行物発明は、
「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタと、該強誘電体キャパシタを内包する第１層間膜と、該第１層間膜を挿通するメタル配線と、を有する強誘電体メモリであって、水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜上に、前記メタル配線が形成され、該メタル配線上に水分拡散防止膜が形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
　相違点１
　補正後発明１は「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタ」を備えるのに対して、刊行物発明は、「半導体集積回路が形成された支持基板の第１の絶縁膜上に下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」を備える点。
　
　相違点２
　補正後発明１は「酸素雰囲気での水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜」を備えるのに対して、刊行物発明は「窒素ガス、不活性ガスもしくは真空中で熱処理することにより前記第２の絶縁膜の水分含有量が、前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えないこと」との構成を備える点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　相違点１について
　前記「（３−３）対比・判断」の「（ｂ）」で検討したように、刊行物発明の「下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」は、刊行物発明の「強誘電体キャパシタ」に相当する。
　当初明細書等には、図１と共に「図１に示す強誘電体メモリは、半導体基板１と、その上に形成された第１層間膜３、第２層間膜５およびパッシベーション膜６とからなり、第１層間膜３と第２層間膜５との間には、水分拡散防止膜４が形成されている。また、半導体基板１上にはトランジスタ２が設けられ、第１層間膜３には強誘電体キャパシタ７が設けられており、それぞれを電気的に接続するためのメタル配線１Ｍおよび２Ｍがコンタクトホール３ａ、３ｂ、ＴＨを通りながら、各層間膜を挿通するように設けられている。」（０００７段落）、「その他の層や素子等は、従来公知のものを使用することができる。」（００１０段落）と記載されており、半導体基板１と強誘電体キャパシタ７の間の層が、どのような材料であるのかは明記はない。
　しかしながら、半導体基板１と強誘電体キャパシタ７の間の層を絶縁層とすることは従来周知であって、さらに補正後発明１の「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタ」を備えることには、半導体基板の上に絶縁膜を形成して、前記絶縁膜上に強誘電体キャパシタを備えることも含まれ、補正後発明１の「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタ」を備えることと、刊行物発明の「半導体集積回路が形成された支持基板の第１の絶縁膜上に下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」を備えることは、半導体基板の上に強誘電体キャパシタを備える点において技術的に同等であるから、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
　
　相違点２について
　前記「（３−３）対比・判断」の「（ｅ）」で検討したように、刊行物発明の「熱処理すること」は水分を除去するためのものであって、本願発明の「水分を除去する熱処理が施され」ることに相当し、さらに刊行物発明の、「熱処理することにより」「水分含有量が、前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えない」ようにされた「第２の絶縁膜」は、本願発明の「水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜」に相当する。
　前記相違点２は、実質的に補正後発明１が「第１の層間膜」の「水分を除去する熱処理」を「酸素雰囲気」で行っているのに対して、刊行物発明は、「第２の絶縁膜」の水分を除去する熱処理を「窒素ガス、不活性ガスもしくは真空中」で行っているというものである。
　そこで検討すると、シリコン酸化膜（絶縁膜）中に含まれる水分を除去するために酸素雰囲気で熱処理することは、例えば特開平６−３１８５８８号公報（００１６、００１７、００２９段落参照）、特開平５−３０４１４７号公報（００１１、００１２、００１４段落参照）に記載されるように本願の出願日前に周知の技術的事項である。
　そして、刊行物１には、水分を除去する熱処理を酸素雰囲気下で行うことを阻害する記載もなく、さらに強誘電体膜の酸素欠損を補完するために酸素雰囲気下で熱処理する技術は慣用技術であるから、刊行物１発明の「第２の絶縁膜」の水分を除去するための「窒素ガス、不活性ガスもしくは真空中」の「熱処理」を、本願の出願前に周知のように、酸素雰囲気においてなすことは、当業者にとって格別困難なことではない
　また、当初明細書等の００１４段落には「前記熱処理を行う際の雰囲気は、還元雰囲気でなければ特に限定はされないが、強誘電体膜中の酸素欠損を補間する観点から、酸素雰囲気であることが好ましい」と記載され、平成１６年７月２３日付けの手続補正書の００１４段落には「前記熱処理を行う際の雰囲気は、還元雰囲気でなければ特に限定はされないが、強誘電体膜中の酸素欠損を補間する観点から、酸素雰囲気とする」と記載され、平成１６年１２月８日付けの手続補正書（方式）の第２頁第４１〜４３行には「・・・本願明細書の段落００１４に記載のように強誘電キャパシタに対し酸素欠損を補間することができるものであります」と記載されているが、「酸素雰囲気」で「強誘電体膜中の酸素欠損を補間する」という効果は、製造方法で奏する効果であって、補正後発明１のような物の発明で奏する効果とは認められない。
　仮に、物の発明の効果であるとしても、前記「強誘電体膜中の酸素欠損を補間する」という効果は、酸素雰囲気で強誘電体キャパシタを内包した絶縁膜を熱処理をすれば、当然、奏せられる自明な効果である。
　さらに、当初明細書等には、水分除去を窒素雰囲気、アルゴン等の不活性ガス雰囲気又は真空中の熱処理で行った比較例がないから、酸素雰囲気で水分除去を行う場合と、窒素雰囲気、アルゴン等の不活性雰囲気又は真空中で水分除去を行う場合との間で、顕著な効果の違いがあるとは認められない。
　
（３−４）むすび
　以上のとおりであるから、補正後発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項２ないし９に係る発明を検討するまでもなく、適法でない補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法１２６条第４項の規定に適合しないものであり、本件補正は特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものであるから、平成１６年１０月７日付けの補正の却下の決定で、平成１６年７月２３日付けの手続補正を却下した原審の判断の結論に誤りはない。
　
第３　本願発明について
　平成１６年７月２３日付けの手続補正は却下されたので、本件の請求項１ないし９に係る発明は、平成１５年１２月８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタと、該強誘電体キャパシタを内包する第１層間膜と、該第１層間膜を挿通するメタル配線と、を有する強誘電体メモリであって、
　水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜上に、前記メタル配線が形成され、該メタル配線上に水分拡散防止膜が形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。」
　
第４　刊行物１に記載された技術的事項
（ａ）特開平７−２６３６３７号公報
　刊行物１には、前記「第２」「３．独立特許要件について」の「（３−２）刊行物について」の「（ａ）」に記載されたとおりの事項が記載されている。
　以上の事項によれば、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「半導体集積回路が形成された支持基板の第１の絶縁膜上に下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子と、前記容量素子を被覆する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体集積回路部、および前記容量素子に電気的に接続された電極配線と、前記電極配線を覆う耐湿性の高い保護膜とを備え、窒素ガス、不活性ガスもしくは真空中で熱処理することにより前記第２の絶縁膜の水分含有量が、前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えないことを特徴とする不揮発性ＲＡＭ。」
　
第５　対比・判断
　本願発明１と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物１の００１６段落には「シリコン基板１に拡散層３、ゲート絶縁膜４、ゲート電極５からなるトランジスタが形成され・・・る。」と記載されているから、刊行物発明の「半導体集積回路が形成された支持基板」は、「拡散層３、ゲート絶縁膜４、ゲート電極５からなるトランジスタが形成され」る「シリコン基板」である。
　一方、当初明細書等には、００１４段落に「半導体基板１としてのＳｉ基板上に、トランジスタ２・・・を公知の方法で設け」ると記載されており、本願発明１の「半導体基板」は、トランジスタが設けられたＳｉ基板であるから、刊行物発明の「半導体集積回路が形成された支持基板」は、本願発明１の「半導体基板」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」の「下電極」、「容量絶縁膜、および上電極」は、容量素子の構成、言い換えるとキャパシタの構成であるから、刊行物発明の「下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」は、本願発明１の「強誘電体キャパシタ」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「第２の絶縁膜」が「前記容量素子を被覆する」構成、言い換えると「第２の絶縁膜」内に「前記容量素子」を備える構成であるから、刊行物発明の「第２の絶縁膜」は、本願発明１の「該強誘電体キャパシタを内包」している「第１層間膜」に相当し、さらに、刊行物発明の「前記容量素子を被覆する第２の絶縁膜」は、本願発明１の「該強誘電体キャパシタを内包する第１層間膜」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「電極配線」、「耐湿性の高い保護膜」、「不揮発性ＲＡＭ」は、それぞれ、本願発明１の「メタル配線」、「水分拡散防止膜」、「強誘電体メモリ」に相当する。
（ｅ）刊行物発明の「熱処理すること」は、「前記第２の絶縁膜の水分含有量が、前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えない」ようにすることであって、刊行物１の００１６段落に「図２（ｅ）の工程で、第２の絶縁膜１６を窒素雰囲気中で熱処理することにより第２の絶縁膜１６中に含有される水分を除去する。」と記載されているから、刊行物発明の「熱処理すること」は、水分を除去するためのものである。
　したがって、刊行物発明の「熱処理すること」は水分を除去するためのものであって、本願発明１の「水分を除去する熱処理が施され」ることに相当し、さらに刊行物発明の、「熱処理することにより」「水分含有量が、前記第２の絶縁膜１ｃｍ3当たりに換算して０.５ｇを超えない」ようにされた「第２の絶縁膜」は、本願発明１の「水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜」に相当する。
（ｆ）刊行物発明の「前記第２の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体集積回路部、および前記容量素子に電気的に接続された電極配線」を備えることは、刊行物１の００１６段落から００１７段落に「・・・図２（ｄ）の工程で、ＣＶＤ法などにより、・・・第２の絶縁膜１６を全面に形成する。次に図２（ｅ）の工程で、第２の絶縁膜１６を窒素雰囲気中で熱処理することにより第２の絶縁膜１６中に含有される水分を除去する。・・・図２（ｆ）に示すように、トランジスタの拡散層３に通じるコンタクトホール１２ａ、容量素子１０の下電極７および上電極９にそれぞれ達するコンタクトホール１２ｂを形成する。次に図２（ｇ）の工程で、コンタクトホール１２ａ，１２ｂを介して拡散層３に接続される電極配線１３ａ、および容量素子１０に接続される電極配線１３ｂを形成する。」と記載されているから、第２の絶縁膜（層間膜）を貫くコンタクトホールに電極配線が形成される構成を備えることと技術的に同等である。
　一方、当初明細書等の００１４段落には、図１と共に「第１層間膜３を形成後、・・・熱処理を施して第１層間膜３中の水分を除去した後、・・・メタル配線１Ｍを通すためのコンタクトホール３ａ、３ｂを形成する。・・・次に、メタル配線１Ｍを形成する。」と記載されており、本願発明１の「第１層間膜を挿通するメタル配線」を備えることは、第１層間膜を貫くコンタクトホールにメタル配線が形成される構成を備えることと技術的に同等である。
　したがって、刊行物発明の「前記第２の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体集積回路部、および前記容量素子に電気的に接続された電極配線」を備えることは、層間膜を貫くコンタクトホールに電極配線が形成される構成を備えることと同等であって、本願発明１の「第１層間膜を挿通するメタル配線」に相当する。
　
　よって、本願発明１と刊行物発明は、
「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタと、該強誘電体キャパシタを内包する第１層間膜と、該第１層間膜を挿通するメタル配線と、を有する強誘電体メモリであって、水分を除去する熱処理が施された前記第１層間膜上に、前記メタル配線が形成され、該メタル配線上に水分拡散防止膜が形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
　相違点Ａ
　本願発明１は「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタ」を備えるのに対して、刊行物発明は、「半導体集積回路が形成された支持基板の第１の絶縁膜上に下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」を備える点
　
　以下、上記相違点について検討する。
　相違点Ａについて
　前記「第４　対比・判断」の「（ｂ）」で検討したように、刊行物発明の「下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」は、刊行物発明の「強誘電体キャパシタ」に相当する。
　当初明細書等には、図１と共に「図１に示す強誘電体メモリは、半導体基板１と、その上に形成された第１層間膜３、第２層間膜５およびパッシベーション膜６とからなり、第１層間膜３と第２層間膜５との間には、水分拡散防止膜４が形成されている。また、半導体基板１上にはトランジスタ２が設けられ、第１層間膜３には強誘電体キャパシタ７が設けられており、それぞれを電気的に接続するためのメタル配線１Ｍおよび２Ｍがコンタクトホール３ａ、３ｂ、ＴＨを通りながら、各層間膜を挿通するように設けられている。」（０００７段落）、「その他の層や素子等は、従来公知のものを使用することができる。」（００１０段落）と記載されており、半導体基板１と強誘電体キャパシタ７の間の層が、どのような材料であるのかは明記はない。
　しかしながら、半導体基板１と強誘電体キャパシタ７の間の層を絶縁層とすることは従来周知であって、さらに本願発明１の「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタ」を備えることには、半導体基板の上に絶縁膜を形成して、前記絶縁膜上に強誘電体キャパシタを備えることも含まれるから、本願発明１の「半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタ」を備えることと、刊行物発明の「半導体集積回路が形成された支持基板の第１の絶縁膜上に下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子」を備えることは、半導体基板の上に強誘電体キャパシタを備える点において技術的に同等である。よって、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明と実質的に同一であり、本願発明１は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項３号に該当し特許を受けることができない。
　
　仮に、本願発明１が刊行物１に記載された発明と実質的に相違しているとしても、本願発明１は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項３号に該当し特許を受けることができず、さらに、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本願は、請求項２ないし９に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。