【事件の表示】
　平成１１年特許願第１４１７９３号「半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月３０日出願公開、特開２０００−３３２３５１、請求項の数（１０）〕についてなされた平成１８年８月２２日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消の判決（平成１８年（行ケ）第１０４４４号　平成１９年４月２６日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯の概要 
　　平成１１年　５月２１日　　特許出願
　　平成１６年　４月２２日　　手続補正
　　平成１６年　６月１０日　　拒絶査定
　　平成１６年　７月１４日　　拒絶査定不服審判請求
　　平成１６年　８月１２日　　手続補正
　　平成１８年　８月２２日　　審決（請求不成立）
　　平成１８年１０月　３日　　知財高裁出訴
　　平成１９年　４月２６日　　判決（審決取消）
　　
２．本願発明 
　本願の請求項に係る発明は、平成１６年８月１２日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりの次のものである（以下、請求項１〜１０に記載の発明をそれぞれ「本願発明１〜１０」という。）。
　
「【請求項１】　半導体レーザであって、
　基板の主面上に設けられた第１導電型半導体層と、
　前記基板の主面上に設けられた第２導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層に挟まれ、キャリアが注入されると光を発生する活性層と、
　前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層と光学的に結合され、当該半導体レーザによって発生されるべきレーザ光の波長を規定する２次元回折格子と、
　前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層において発生された光が放出される光放出面と、
を備え、
　前記２次元回折格子は、２以上の回折格子群からなり、　
　前記回折格子群の各々は、同一の周期を有しており、　
　各回折格子群は、それぞれ異なる方向に伸びており、　
　当該半導体レーザのレーザ共振器は、前記活性層と前記２次元回折格子とを含むことを特徴とする半導体レーザ。
　【請求項２】　前記２次元回折格子は、第１の屈折率を有する媒質内に２次元回折格子を構成するように設けられた第２の屈折率の部分を有し、
　前記第１の屈折率は前記第２の屈折率よりも大きく、
　前記第２の屈折率の部分は、第１の屈折率を有する媒質が除かれた空間である、請求項１に記載の半導体レーザ。
　【請求項３】　前記２次元回折格子は、三角格子および正方格子のいずれか一方である、請求項１に記載の半導体レーザ。
　【請求項４】　前記活性層は、キャリアが注入されると光を発生する複数の発光部と、前記複数の発光部を分離するように設けられた分離部とを有する請求項１に記載の半導体レーザ。
　【請求項５】　前記活性層において発生された光に対して透明であって、前記光放出面上に設けられ、前記活性層にキャリアを与えるための電極を更に備える、請求項１に記載の半導体レーザ。
　【請求項６】　前記活性層を介して前記２次元回折格子と対向するように設けられた別の２次元回折格子を更に備える、請求項１に記載の半導体レーザ。
　【請求項７】　半導体レーザであって、
　基板の主面上に設けられた第１導電型半導体層と、
　前記基板の主面上に設けられた第２導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に設けられ、キャリアが注入されると光を発生する活性層と、
　前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層と光学的に結合され、当該半導体レーザによって発生されるべきレーザ光の波長を規定するフォトニックバンド構造を有するフォトニックバンド層と、
　前記フォトニックバンド層が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層において発生された光が放出される光放出面と、
を備え、
　前記フォトニックバンド層は２以上の回折格子群からなり、
　前記回折格子群の各々は同一の周期を有しており、
　各回折格子群は、それぞれ異なる方向に伸びており、
　当該半導体レーザのレーザ共振器は、前記活性層と前記フォトニックバンド層とを含むことを特徴とする半導体レーザ。
　【請求項８】　第１の基板を含み第１の表面を有する第１の部品を準備する工程と、
　第１導電型半導体層、活性層、および第２導電型半導体層を第２の基板の主面上に順に堆積し、前記主面が延びる方向に沿って第２の表面を有する第２の部品を形成する工程と、
　前記第１の表面および前記第２の表面の少なくともいずれか一方に、前記活性層に光を帰還して前記活性層において発生されるべきレーザ光の波長を規定するための２次元回折格子を形成する格子工程と、
　格子工程の後に、前記第１の表面と前記第２の表面とが向き合うように前記第１の部品および前記第２の部品を接合して、前記活性層と前記２次元回折格子とから構成されるレーザ共振器を形成する工程と、
を備え、
　前記２次元回折格子は２以上の回折格子群からなり、
　各回折格子群は、それぞれ異なる方向に伸びており、
　前記回折格子群の各々は同一の周期を有していることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
　【請求項９】　第１の基板を含み第１の表面を有する第１の部品を準備する工程と、
　第１導電型半導体層、活性層、および第２導電型半導体層を第２の基板の主面上に順に堆積し、前記主面が延びる方向に沿って第２の表面を有する第２の部品を形成する工程と、
　前記第１の表面および前記第２の表面の少なくともいずれか一方に、前記活性層に光を帰還して前記活性層において発生されるべきレーザ光の波長を規定するための２次元回折格子を形成する格子工程と、
　格子工程の後に、前記第１の表面と前記第２の表面とが向き合うように前記第１の部品および前記第２の部品を接合し第３の部品を形成する工程と、
　前記第３の部品から前記第１の基板を第３の表面が現れるように除去し第４の部品を形成する工程と、
　第３の基板を含み第４の表面を有する第５の部品を準備する工程と、
　前記第３の表面および前記第４の表面のいずれか一方に、前記活性層に光を帰還して前記活性層において発生されるべきレーザ光の波長を規定するための別の２次元回折格子を形成する工程と、
　前記第３の表面と前記第４の表面とが向き合うように、前記第４の部品および前記第５の部品を接合して、前記活性層、前記２次元回折格子および前記別の２次元回折格子から構成されるレーザ共振器を形成する工程と、
を備え、
　前記２次元回折格子は２以上の回折格子群からなり、
　各回折格子群は、それぞれ異なる方向に伸びており、
　前記回折格子群の各々は同一の周期を有していることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
　【請求項１０】　前記格子工程は、
　前記活性層において発生されるべきレーザ光の波長に対応したフォトニックバンド構造を形成するように規定された２次元回折格子パターンを持つマスクを前記第１の表面および前記第２の表面の少なくともいずれか一方に形成する工程と、
　前記マスクを用いてエッチングし、２次元回折格子を形成する工程と、
を有する請求項８または請求項９に記載の半導体レーザの製造方法。」
 　 
３．刊行物記載の発明 
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物１：M.Imada et.al., 16th International Semiconductor Laser Conference, 4−8 October 1998, pp.211−212には、おおよそ下記の事項が記載されている。
　 
　ａ．「１次元分布帰還型レーザの製作工程は次のとおり；２つのウエハＡとＢを準備した。ウエハＡは、ＭＯＶＰＥによって成長した無歪多重量子井戸構造（λｇ＝１．３μｍ）とＩｎＧａＡｓＰエッチストップ層を有している。ウエハＢは、ｎ−ＩｎＰ基板上に電子ビーム（ＥＢ）描画と反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって形成された、０．４μｍ周期の回折格子を有している。２つのウエハはバッファＨＦ溶液で予め処理され、積み重ねられる。それから、それらは水素雰囲気中で６２０℃、３０分加熱され、融着される。・・・図２は室温で連続発振状態でのＩ−Ｌ特性を示し、挿図は発振スペクトルを示す。連続発振が達成されている。閾値電流は６０ｍＡ、装置は１．２７５μｍで単一縦モードで発振した。」（２１１頁２０〜２８行）
　 
　ｂ．「それから、我々は三角格子構造を有する２次元装置を製作した。２次元構造はｎ−ＩｎＰ基板（ウエハＣ）上にＥＢとＲＩＥによって形成された。図３の挿図はＲＩＥ処理後の三角格子構造の電子顕微鏡写真を示す。エアロッドは均一に形成され、格子間隔は０．４μｍであることが分かる。エアロッドの深さは約０．１μｍであった。ウエハＡとＣは１次元装置と同様の条件で融着した。それから、図３に示すように電流注入領域（Ｒ＝４０μｍ）と表面発光領域を形成した。」（２１１頁３０〜３５行）。
　
　ｃ．図２には、図１に示された１次元分布帰還型レーザが、電流の注入量に応じて徐々に発光し、閾値電流、６０ｍＡでレーザ発振することが見て取れる。
 　
　ｄ．図３の記載から下記の事項が見て取れる。 
　「ｎ型ＩｎＰ基板上に２次元空気／半導体三角格子構造の回折格子を有するｎ型ＩｎＰクラッド層からなるウエハＣと、ｎ型ＩｎＰクラッド層上に無歪多重量子井戸活性層、ｐ型ＩｎＰクラッド層を順に設け、その上面中央部に電極を設け、該電極周囲の表面が発光領域となるウエハＡと、を融着してなる発光素子。」
　 
　ｅ．図４は、室温で注入電流が３０ｍＡとした場合のデバイス上面から観察した２次元デバイスの近視野像を示す図であり、該図には、Γ−Ｘ方向には光が良く伝搬しているが、Γ−Ｊ方向にはそれ程伝搬していないことが見て取れる。
　
　上記ａ〜ｅによれば、刊行物１には、以下の発明が開示されていると認められる（以下、「刊行物１発明」という。」）。 
　「ｎ型ＩｎＰ基板上に２次元空気／半導体三角格子構造の回折格子を有するｎ型ＩｎＰクラッド層からなるウエハＣと、ｎ型ＩｎＰクラッド層上に無歪多重量子井戸活性層、ｐ型ＩｎＰクラッド層を順に設け、その上面中央部に電極を設け、該電極周囲の表面が発光領域となるウエハＡと、を融着してなる発光素子。」
　
 ４．対比 
 　本願発明１と刊行物１発明とを対比する。 
　ア．刊行物１発明の「ｎ型ＩｎＰ基板」、「ｎ型ＩｎＰクラッド層」および「ｐ型ＩｎＰクラッド層」は、それぞれ、本願発明１の「基板」、「第１導電型半導体層」および「第２導電型半導体層」に相当する。 
　イ．刊行物１発明の「無歪多重量子井戸活性層」が、ｎ型ＩｎＰクラッド層とｐ型ＩｎＰクラッド層に挟まれており、キャリアが注入されると光を発生することは自明のことである。 
　ウ．刊行物１発明の「２次元空気／半導体三角格子構造の回折格子」が、基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層と光学的に結合されることは明らかである。 
　エ．刊行物１発明においては、発光素子の上表面が発光領域となっているから、刊行物１発明は、本願発明１の「前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層において発生された光が放出される光放出面」を備えるものである。 
　オ．刊行物１発明の「発光素子」が半導体で構成されていることは明らかである。そして、本願発明１の「半導体レーザ」は、半導体発光素子に含まれるものであるから、刊行物１発明の「発光素子」及び本願発明１の「半導体レーザ」は、「半導体発光素子」である点で一致するといえる。
 　 
　よって、両者は、
　「半導体発光素子であって、 
　基板の主面上に設けられた第１導電型半導体層と、
　前記基板の主面上に設けられた第２導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層に挟まれ、キャリアが注入されると光を発生する活性層と、
　前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられた２次元回折格子と、
　前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層において発生された光が放出される光放出面と、
を備えた半導体発光素子。」である点で一致し、下記の点で相違する。 
 　 
　[相違点１] 
　本願発明１は、半導体発光素子が「半導体レーザ」であり、「活性層と光学的に結合され、当該半導体レーザによって発生されるべきレーザ光の波長を規定する２次元回折格子」を備え、「前記２次元回折格子は、２以上の回折格子群からなり、前記回折格子群の各々は、同一の周期を有しており、各回折格子群は、それぞれ異なる方向に伸びており、当該半導体レーザのレーザ共振器は、前記活性層と前記２次元回折格子とを含む」のに対して、刊行物１発明は、この点を明確に有するものではない点。 
 　 
４．判断 
　上記相違点１につき検討する。 
　イ．本願発明１の「２次元回折格子」について、本願明細書には下記の記載がある。 
 「【００３８】図２は、２次元回折格子として、格子間隔がａである３角格子を描いた図面である。３角格子は、一辺の長さがａである正三角形によって埋め尽くされている。図２において、任意に選択された格子点Ａに着目し、格子点Ａから格子点Ｂに向かう方向をＸ−Γ方向と呼び、また格子点Ａから格子点Ｃへ向かう方向をＸ−Ｊ方向と呼ぶ。本実施の形態では、活性層において発生される光の波長がＸ−Γ方向に関する格子周期に対応している場合について説明する。
 【００３９】２次元回折格子２４は、以下に説明する３個の１次元回折格子群Ｌ、Ｍ、Ｎを含むと考えることができる。１次元回折格子群Ｌは、Ｙ軸方向に向けて設けられた１次元格子Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3等から成る。１次元回折格子群Ｍは、Ｘ軸方向に対して１２０度の角度を方向に向けて設けられた１次元格子Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3等から成る。１次元回折格子群Ｎは、Ｘ軸方向に対して６０度の方向に向けて設けられた１次元格子Ｎ1、Ｎ2、Ｎ3等から成る。３格子群は、任意の格子点を中心に１２０度の角度で回転すると重なりあう。各格子群において、１次元格子間の間隔はｄであり、１次元格子内の間隔はａである。」
　上記記載によれば、本願発明１の「２次元回折格子」には、三角格子が含まれており、それゆえ、刊行物１発明の「２次元回折格子」も本願発明１の「２次元回折格子は、２以上の回折格子群からなり、前記回折格子群の各々は、同一の周期を有しており、各回折格子群は、それぞれ異なる方向に伸びており」なる構成を有するものといえる。 
 　 
　ロ．そこで、刊行物１発明の「２次元回折格子」が、「活性層と光学的に結合され、当該半導体レーザによって発生されるべきレーザ光の波長を規定する２次元回折格子」であるか、さらに、刊行物１発明の「２次元回折格子」と「活性層」とが、本願発明１の「当該半導体レーザのレーザ共振器は、前記活性層と前記２次元回折格子とを含む」の如く、両者で共振器を形成するものであるか、について判断するに際し、本願発明１の「２次元回折格子」の技術的意義について検討する。
　
　ハ．本願明細書の発明の詳細な説明には、２次元回折格子の機能について、次の記載がある。
　「【０００７】本発明の半導体レーザは、第１導電型半導体層と、第２導電型半導体層と、活性層と、２次元回折格子と、光放出面とを備える。・・・
　【０００８】第１導電型半導体層および第２導電型半導体層は、基板の主面上に設けられている。活性層は、キャリアが注入されると光を発生するように設けられ、第１導電型半導体層および第２導電型半導体層に挟まれている。２次元回折格子は、活性層において発生されるべき光の波長を規定するように設けられ、基板の主面が延びる方向に沿って延びている。
　【００３０】第１の閉じ込め層１２上には、２次元回折格子２４が設けられている。２次元回折格子２４は、第１の閉じ込め層１２の一表面に複数の凹部２４ａが３角格子を形成するように設けられている。各凹部２４ａは、柱状（例えば、円柱形状）の空間部として設けられている。各凹部２４ａの中心と、これと最も近い隣接の６個の凹部２４ａの中心との距離は等しい値であり、本実施の形態では、凹部の中心の間隔は０．４２６ミクロンメートル、凹部の深さは０．１ミクロンメートルにとられた。適用できる格子としては、他に正方格子がある。
　【００３３】２次元回折格子２４は、第１の方向と、この方向と所定の角度をなす第２の方向とに対して、等しい周期（格子定数に対応する値）を有する回折格子である。２次元回折格子２４には、上記の２方向およびそれらの方向の周期に関して様々な選択が可能である。これについては、後ほど説明する。
　【００３４】
活性層１６において発生された光が２次元回折格子２４に到達すると、２次元回折格子２４が有する所定の周期にこの光の波長が一致する場合には、その周期に対応する波長において光の位相条件が規定される。２次元回折格子２４によって位相が規定された光は、活性層１６に伝搬し、活性層１６において誘導放出を促す。誘導放出された光は、２次元回折格子２４において規定される光の波長および位相条件を満足する。この光は再び２次元回折格子２４へ伝搬する。このようにして、波長及び位相条件の揃った光が発生され増幅されていく。
　【００４２】以上、説明したように、格子点Ａから格子点Ｂに進む光は、複数回の回折を経て、最初の格子点Ａに到達する。このため、半導体発光デバイス１は、従来の半導体レーザのように２つの光反射面から成る光共振器を備えていないけれども、ある方向に進む光が複数回の回折を介して元の格子点の位置の戻るということは、２次元回折格子２４が光共振器、つまり波長選択器および反射器、として作用することを示している。
　【００４３】さらに、２次元回折格子２４では、上記の説明が任意の格子点Ａにおいて行われたことを考慮すると、上記のような光の回折は、２次元的に配置されたすべての格子点において生じ得る。このため、各Ｘ−Γ方向に伝搬する光が、ブラッグ回折によって２次元的に相互に結合していると考えられる。２次元回折格子２４では、この２次元的結合によって３つのＸ−Γ方向が結合しあってコヒーレントな状態が形成されると考えられる。
　【００５１】以上、説明したように、格子点Ｗから格子点Ｐに進む光は、複数回の回折を経て、最初の格子点Ｗに到達する。このため、半導体発光デバイス１は従来の半導体レーザのように２つの光反射面から成る光共振器を備えていないけれども、ある方向に進む光が複数回の回折を介して元の格子点の位置の戻ることは、２次元回折格子２５が光共振器、つまり波長選択器および反射器、として作用することを示している。この反射器によって位相整合が達成される。
　【００９０】【発明の効果】
　本発明の半導体レーザによれば、２次元回折格子が、活性層において発生されるべき光の波長を規定するように設けられている。このため、活性層において発生された光は、２次元回折格子によって２次元的に結合され光放出面から放出される。したがって、面発光が可能な半導体レーザが提供された。」
　
　ニ．上記記載によれば、本願発明１の２次元回折格子は、活性層で発生した光を２次元平面で回折させ、これにより、特定方向に伝搬する光が２次元的に結合してコヒーレントな（位相の揃った）レーザ光の発振を可能とするレーザ共振器として機能するものであり、これによってレーザ光の波長が規定されるものであることが分かる。
　以上のとおり、本願発明１の「半導体レーザによって発生されるべきレーザ光の波長を規定する２次元回折格子」とは、光を２次元的に結合させてコヒーレントなレーザ光の発振を可能とするレーザ共振器として機能するものであり、これにより発振するレーザ光の波長が規定されるものと認められる。
　
　ホ．そして刊行物１発明には、上記ａ〜ｅを検討しても、その２次元回折格子が光を２次元的に結合させてコヒーレントなレーザ光の発振を可能とするレーザ共振器として機能する点は見いだせず、それゆえ、上記ａ，ｃ，ｅに記載された１次元分布帰還型レーザが電流の注入量に応じて徐々に発光し、閾値電流、６０ｍＡでレーザ発振するものだとしても、同様に刊行物１発明が電流注入量を増加していったところでレーザ発振するといえないことは明らかである。
　
　ヘ．また、原査定の時に周知例として引用した実願昭５６−１４９３９号（実開昭５７−１３０４５５号）のマイクロフィルムには、２次元回折格子を設けた面発光型の半導体レーザが開示されているが、このものは、
「以下に本考案を実施例により詳細に説明する。第１図は本考案の実施の一例を示す概略説明図であり、同図を用いて本考案の原理を説明する。第１図（ａ）に示すように、半導体基板１上に活性層を含む導波路２、その上に半導体層３を設け、この導波路２の表面に周期性のある凹凸を第１図（ｂ）に示すように、ｘ方向およびｙ方向につくりつけたものである。この凹凸の周期は前記活性層内のレーザ発振半波長の整数倍近傍とする。４、５は電極である。この素子に電流を流すか、光で励起すると、ｘ方向、ｙ方向の両方の回折格子による分布帰還が生じてξ方向、η方向のレーザ発振が生じる。ところが、ｘ方向とｙ方向の各々の回折格子単独の分布帰還も生じるので、ξ方向とη方向のレーザ光が結合し、回折格子のある面全体が同一位相で発振する。」（２頁下から２行〜３頁１４行）
と記載されているように、ｘ方向の１次元回折格子と、ｙ方向の１元回折格子による分布帰還に関するものであり、これによる実際のレーザ発振の観測データの記載もなく、本願発明１のように２次元回折格子自体が一つのレーザ共振器として機能することを裏付けるものではない。
　　
　そして、本願発明１によってもたらされる効果は、刊行物１発明から予測し得えない格別のものである。 
 　 
　したがって、刊行物１には、上記相違点１に係る「半導体レーザ」であること、「活性層と光学的に結合され、当該半導体レーザによって発生されるべきレーザ光の波長を規定する２次元回折格子」を有すること、及び「当該半導体レーザのレーザ共振器は、前記活性層と前記２次元回折格子とを含む」こと、が開示されてなく、しかも、それらの事項が刊行物１に記載された事項から容易に想到し得たことともいえないから、本願発明１は当業者が容易に発明し得たものではない。  
 　 
５．本願発明２〜１０について 
　１）本願発明２〜６は、本願発明１を引用し、これに従属する発明であるから、上記４に述べたのと同様に当業者が容易に発明し得たものではない。
　
　２）本願発明７は、本願発明１の「２次元回折格子」を、単に「フォトニックバンド構造を有するフォトニックバンド層」に置き換えたものに相当し、それゆえ、刊行物１発明とは以下の点で相違する。
　[相違点２]
　本願発明１は、半導体発光素子が「半導体レーザ」であり、「活性層と光学的に結合され、当該半導体レーザによって発生されるべきレーザ光の波長を規定する
フォトニックバンド構造を有するフォトニックバンド層
前記フォトニックバンド層
前記フォトニックバンド層
　そして、「フォトニックバンド構造を有するフォトニックバンド層」は「２次元回折格子」と実質的に同じものであるから、本願発明７は、上記４に述べたのと同様に当業者が容易に発明し得たものではない。
　
　３）本願発明８，９は、半導体レーザの製造方法に関し、また、本願発明１０は、本願発明８，９を引用し、これに従属する発明であるところ、本願発明８は、刊行物１発明とは以下の点で相違する。
　[相違点３]
　本願発明８は、半導体発光素子が「半導体レーザ」であり、「活性層に光を帰還して前記活性層において発生されるべきレーザ光の波長を規定するための２次元回折格子」及び「前記活性層と前記２次元回折格子とから構成されるレーザ共振器」を備えるのに対して、刊行物１発明は、これらの点を明確に有するものではない点。
　そして、かかる相違点３は、実質的に相違点１と同じであるから、本願発明８は、上記４に述べたのと同様に当業者が容易に発明し得たものではない。
　
　また、本願発明９についても、刊行物１発明とは以下の点で相違する。
　[相違点４]
　本願発明９は、半導体発光素子が「半導体レーザ」であり、「活性層に光を帰還して前記活性層において発生されるべきレーザ光の波長を規定するための２次元回折格子」及び「活性層に光を帰還して前記活性層において発生されるべきレーザ光の波長を規定するための別の２次元回折格子」を備え、「前記活性層、前記２次元回折格子および前記別の２次元回折格子から構成されるレーザ共振器」を有するのに対して、刊行物１発明は、これらの点を明確に有するものではない点。
　そして、かかる相違点４は、上記相違点３にさらなる限定を付加したものに相当するから、少なくとも上記本願発明８と同様に当業者が容易に発明し得たものではない。
　
　さらに、本願発明１０は、本願発明８，９を引用し、これに従属する発明であるから、本願発明８，９と同様に当業者が容易に発明し得たものではない。
　　
６．むすび 
　以上のとおり、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
 　 
　よって、結論のとおり審決する。