【事件の表示】
　平成　８年特許願第　９４８５３号「パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月　３日出願公開、特開平　９−２６０４４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成８年３月２５日に出願されたものであって、平成１０年９月３日に、刊行物提出がなされ、平成１６年１月９日付で拒絶理由が通知され、平成１６年３月１８日付で意見書が提出され、平成１６年６月１１日付で拒絶査定がなされ、平成１６年７月２１日付で、審判請求されたものである。
　その請求項１〜４に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
「【請求項１】　チョクラルスキー法により引き上げられた、結晶抵抗率がＰ型、０．０２Ωｃｍ以下のシリコン単結晶からなる、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ。」 
　 
２．刊行物及びその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に国内において頒布された刊行物である．Ｗ．Ｗｉｊａｒａｎａｋｕｌａ　ｅｔ　ａｌ．”Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｂｏｒｏｎ　ｄｏｐｉｎｇ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｆｅｒｍｉ　ｌｅｖｅｌ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ　ｐａｒｔｉｃｌｅｓ　ｉｎ　ｐ−ｔｙｐｅ　Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｗａｆｅｒｓ”Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６５（１６）１７　Ｏｃｔｏｂｅｒ１９９４　ｐ．ｐ．２０６９−２０７１（以下、刊行物という。）には、以下の事項が記載されている。 
（ａ）
  「 In this work, COP generation in silicon doped with boron at various doping concentrations will be examined in order to gain a better understanding of the nature of the defects. A model based upon the band-gap theory and the charged point defect reactions at high temperatures will be discussed.
   Samples were p-type (100) 200-mm-diam silicon wafers originating from Czochralski crystals grown under similar conditions and doped with boron to the concentration of 1×1015, 3×1018, and 2×1019　atoms/cm3, respectively. The oxygen concentration in lightly doped silicon was determined by Fourier transform infrared (FTIR) measurements while that in heavily doped silicon, boron doping concentration 3×1018 atoms/cm3, was analyzed using the gas fusion method. The oxygen concentration in all three crystals was in the range between 5 and 6×1017　atoms/cm3, as calibrated using the coefficient of 2.45×1017　cm-2. After being polished, the wafers recieved a precleaning in a NaOH:H2O2:H2O solution and a final cleaning in a NH4OH:H2O2:H2O or SC1 solution, respectively. The COP density was determined after the final cleaning using an Estek 850 II  laser particle counter with the detection limit set at 0.12 μm. In this work, the COP density-depth distribution was obtained by varying the time that the wafers were exposed to the NaOH:H2O2:H2O solution. The removal rate of lightly doped silicon in the NaOH:H2O2:H2O solution was 〜2 nm/min. The rate decreased slightly with increasing boron doping concentration. 」  （2069頁　左欄第２８行〜右欄第１３行）
（ｂ）
  「 In summary, the effect of the boron doping concentration on the generation of crystal originated particles in p-type 200 mm-diam Czochralski silicon was examined. The results indicate that COP generation is suppressed by heavily doping with boron. Based upon the bandgap theory and from the argument that the defects are vacancy-type, COP generation could occur via vacancy aggregation at temperatures below 1000 ℃. The prediction of COP generation based upon the present model is consistent with an experimental result showing a drastic reduction in COP generation in response to an in situ annealing during the crystal growth process. In this model,  negatively charged vacancies which are dominant at high temperatures are hypothesized to be the point defect species contributing to the generation of crystal orginated particles. Vacancies with positivety charged states are either metastable or immobile in heavily doped silicon and therefore should not contribute to COP generation.」　（2071頁　左欄第１０行〜右欄第２行）
　 
３．対比・判断 
　刊行物には、 
「Samples were p-type (100) 200-mm-diam silicon wafers originating from Czochralski crystals grown under similar conditions and doped with boron to the concentration of 1×1015, 3×1018, and 2×1019　atoms/cm3, respectively. （2069頁　左欄第３４行〜第３７行）」（サンプルは、同じ条件でチョクラルスキー法により形成された、P型、直径２００ｍｍのシリコンウエーハで、それぞれ、ボロンが、1×1015, 3×1018, 及び 2×1019　atoms/cm3　の不純物濃度でドープされている。）が記載されている。
　よって、刊行物には、
「チョクラルスキー法により引き上げられた、Ｐ型、ボロンの不純物濃度が 2×1019　atoms/cm3のシリコン単結晶からなる、シリコン単結晶ウエーハ。」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。 
　
　本願発明と刊行物発明とを対比する。 
　両者は、「チョクラルスキー法により引き上げられた、Ｐ型、のシリコン単結晶からなる、シリコン単結晶ウエーハ。」の点で一致し、以下の各点で相違する。　 
　 
　相違点（１） 
　シリコン単結晶ウエーハにおいて、本願発明では、結晶抵抗率が０．０２Ωｃｍ以下であるのに対して、刊行物発明では、ボロンの不純物濃度が 2×1019　atoms/cm3である点 
　 
　相違点（２） 
　シリコン単結晶ウエーハが、本願発明では、パーティクルモニター用であるのに対して、刊行物発明では、一般の素子形成用であって、パーティクルモニター用についての記載のない点 
　 
　以下、上記各相違点について検討する。 
　 
　相違点（１）について 
　ボロンの不純物濃度に対するシリコン単結晶の抵抗率は既知であり、例えば、「ＡＮＮＵＡＬ　ＢＯＯＫ　ｏｆ　ＡＳＴＭ　ＳＴＡＮＤＡＲＤＳ　Ｖｏｌ．１０．０５　Ｆ７２３−８２」の表３を参照すれば、ボロンの不純物濃度が 2×1019　atoms/cm3 の時の抵抗率が、０．００５０１Ωｃｍであることが読み取れ、この抵抗値は本願発明の範囲に含まれている。よって、この点は、実質的に相違点ではない。
　 
　相違点（２）について 
　シリコンウエーハを、 パーティクルモニター用として用いることは、特開平６−１０４２２９号公報、特開平８−２９９３号公報に記載されているように周知である。また、パーティクルモニターに求められる特性は、パーティクル情報を抽出しやすい、即ち他の情報に影響を受けにくい特性が望ましい。さらに、パーティクルカウンタが、ウエハー上での光散乱数をカウントする原理であることから、パーティクル以外で光散乱を起こす要因が少ない方が望ましい。そして、刊行物には、「The results indicate that COP generation is suppressed by heavily doping with boron.（2071頁　左欄第１３行〜第１５行）」（実験の結果、ボロンの高ドープによってＣＯＰの発生が抑制されたことが示されている。） が記載されており、ボロンの高ドープによってＣＯＰの発生が減少することも知られている。したがって、刊行物に記載のシリコン単結晶ウエーハを、パーティクルモニター用として用いることは、パーティクルモニターに求められる特性及びパーティクルモニターの原理に基づいて考慮すれば容易に想到しうるものであり、また、その実施において格別な創意工夫が必要とされたとは認められない。
　　 
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項２〜４に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。