【事件の表示】
　平成１０年特許願第３５２１１１号「電子機器用基板及びその製造方法と電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月１６日出願公開、特開２０００−１６５００２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１０年１１月２６日の出願であって、平成１８年５月１２日付けで拒絶理由が通知され、平成１８年１１月１５日付けで手続補正がなされ、平成１８年１２月５日付けで拒絶査定がなされ、平成１９年４月１６日付けで審判請求がなされ、平成１９年５月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　
［２］平成１９年５月１５日付け手続補正について   　　　　　　
（結論）
　平成１９年５月１５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
（理由）
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおり補正された。
「銅配線の外面を窒化銅膜によって被覆してなる配線構造体を、少なくとも表面が絶縁性である基板上に設け、前記窒化銅膜の厚みは、５０〜５００オングストローム程度とすることを特徴とする表示装置用基板。」
　
　上記補正は、発明を特定するために必要な事項である「窒化銅」を「窒化銅膜」と補正し、さらに、「前記窒化銅膜の厚みは、５０〜５００オングストローム程度とする」との限定を付加し、「電子機器用基板」を、「表示装置用基板」と限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平２−３０１９０７号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
（ア）「（１）銅または銅合金からなる電気伝導用の金属配線であって、その表面の少なくとも一部に窒化銅が形成されたことを特徴とする金属配線。
（２）前記金属配線は、絶縁性基板上にプリント技術によって形成されるプリント配線であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属配線。
（３）前記金属配線は、半導体基板上にエッチング技術によって形成される微細配線であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属配線。
…
（５）電気伝導用の銅または銅合金配線の表面を窒化して、表面の少なくとも一部に窒化銅を有する金属配線を製造する方法であって、
銅または銅合金配線を真空容器内に収容し、該真空容器内に少なくとも窒素原子を含む反応ガスを導入する工程と、
　前記窒素ガスを励起して前記配線の表面を窒化する工程とからなることを特徴とする金属配線の製造方法。（特許請求の範囲）
　
（イ）「（産業上の利用分野）
　本発明は、プリント基板用のパターン配線、ＩＣ、ＬＳＩ等に用いられる微細配線、あるいはワイヤボンディング等に用いられるリードワイヤなどの、銅ないし銅を含有した金属配線およびその製造方法に係り、特に、表面を窒化することによって耐久性を向上させ、さらには表面に被着される絶縁材との密着性を向上させた金属配線およびその製造方法に関するものである。」（第２頁右上欄第３−１１行）
　
（ウ）「（作用）
　上記した構成によれば、以下のような作用効果が達成される。
（１）窒化銅は、純銅あるいは酸化銅に比較して強靱であり、界面での銅との密着性も高く、さらに窒化銅は酸化銅と異なり酸素の透過を妨げるので、銅の耐酸化性を向上させることができる。
　したがって、耐久性の優れた金属配線を提供できるようになる。
（２）窒化銅中の窒素原子は、絶縁膜として用いられる酸化珪素、ポリイミド等の主成分である酸素、珪素、炭素、水素と強く結合する。
　したがって、表面が窒化された金属配線を絶縁膜で被覆すると、窒化銅と絶縁膜との界面で剥離が発生せず、ＩＣ、ＬＳＩ等に用いれば高い信頼性が得られる。」（第３頁左上欄第１９行−右上欄第１４行）
　
（エ）「［第３実施例］
　被処理基板として、シリコン基板上に窒化珪素を形成し、この上に銅を１μｍ堆積させ、その上に厚さ１μｍのレジストパターンを形成したものを用いて以下のような実験を行った。」（第４頁右下欄第７−１１行）
　
（オ）「上記したそれぞれの実験結果から、銅ないし銅を含有した金属配線の表面を窒化すると、金属材料そのものの耐久性や耐環境性が向上するので、その金属材料をプリント基板に用いられるパターン配線、ＩＣ、ＬＳＩ等に用いられる微細配線、あるいはボンディングワイヤ等に用いれば、その耐久性が著しく向上する。
　さらに、窒化された部分は絶縁材との密着性が強くなるので、特に、配線の表面に絶縁膜を被着して用いるようなＩＣ、ＬＳＩ等において、その信頼性を向上させることができるようになる。
　なお、耐久性を向上させるためには、金属配線の表面に形成される窒化銅の膜厚を１０ｎｍ以上ないしは配線の厚さの１％以上とすることが望ましい。
…
（発明の効果）
　以上の説明から明らかなように、本発明によれば次のような効果が達成される。
（１）表面を窒化された銅材は耐久性や耐環境性が優れているので、これを配線材として用いれば信頼性の高い金属配線が得られる。
（２）窒化銅は絶縁材との密着性が強いので、配線材と絶縁材との剥離の発生が減少し、信頼性の高い金属配線が得られる。
（３）窒化銅は酸素の透過を妨ぐので、銅配線の耐酸化性を向上させることができる。」（第６頁左下欄第１行−右下欄第１３行）
　
　上記記載事項（ア）−（オ）より、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「表面の少なくとも一部に窒化銅が形成され、耐久性を向上させるために金属配線の表面に形成される窒化銅の膜厚を１０ｎｍ以上とした銅または銅合金からなる電気伝導用の金属配線を用いた絶縁性基板、または窒化珪素を形成したシリコン基板。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「銅または銅合金からなる電気伝導用の金属配線」、「絶縁性基板、または窒化珪素を形成したシリコン基板」は、それぞれ、本願補正発明の「銅配線」、「表面が絶縁性である基板」に相当する。
　また、引用発明の「銅または銅合金からなる電気伝導用の金属配線」であって、その「表面の少なくとも一部に窒化銅が形成」されたものは、本願補正発明の「銅配線を窒化銅膜によって被覆してなる配線構造体」に相当する。
　なお、本願補正発明の「外面」とは、本願明細書の記載（【００４３】）によれば、基板と銅層の間、および基板側以外の銅層の表面を指すものと認められる。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「銅配線を窒化銅膜によって被覆してなる配線構造体を、少なくとも表面が絶縁性である基板上に設け、前記窒化銅膜の厚みは、所定の厚みとすることを特徴とする基板。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（ａ）銅配線を窒化銅膜によって被覆するにあたり、本願補正発明では、外面を被覆しているのに対し、引用発明では、表面の少なくとも一部を被覆している点、
（ｂ）基板が、本願補正発明では「表示装置用基板」であるのに対し、引用発明では「絶縁性基板、または窒化珪素を形成したシリコン基板」である点、
（ｃ） 窒化銅の厚みが、本願補正発明では「５０〜５００オングストローム程度」であるのに対し、引用発明では「１０ｎｍ以上」である点。
　
（４）判断
　相違点（ａ）について
　上記記載事項（ア）−（ウ）、（オ）によれば、引用例には、配線銅層の表面に窒化銅層を形成すること、および、窒化銅層を形成すると、絶縁膜との密着性がよいことが記載されている。
　ところで、絶縁膜と、銅配線との密着性については、銅層の表面に形成した絶縁膜との間のみならず、銅層と絶縁性基板との密着性を考慮する必要があることは当然のことである。そして、銅配線の基板の絶縁膜との密着性を増すために、基板との間に窒化銅膜を形成することは、下記周知例１−３
に記載されているように周知の技術であり、該周知技術を引用発明に適用して銅層と絶縁性基板との間にも窒化銅膜を形成して密着性を向上させることは、当業者が容易に想到しうることである。
　
 ・周知例１：特開平９−７４２５７号公報
「【００４３】
　【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）厚み３ｍｍのガラス基板（旭硝子（株）製ソーダガラス）上にスパッタリング法により下記の条件で下地導電層（厚み５００Å）を形成した。
【００４４】（下地導電層の成膜条件）
…
上記のように成膜した下地導電層は、本来の銅がもっている光沢のある銅色が失われて光沢のある黒色を呈しており、Ｘ線回折の結果から窒化銅であることが確認された。
【００４５】次に、上記の下地導電層上にスパッタリング法により下記の条件で銅（Ｃｕ）からなる主導電層（厚み１００００Å）を形成し、下地導電層と主導電層の２層構造の厚膜配線（試料１）を作成した。
…
【００５３】
【表１】…
表１に示されるように試料１の厚膜配線は、高い密着力でガラス基板に固着されていることが確認された。また、下地導電層と主導電層の一括パターニングが可能であり、良好なパターニング適性を具備することが確認された。」
　
・周知例２：特開平６−３１０５１２号公報
「【０００６】本発明の目的は上記の問題を克服し密着性の良いＣｕ配線およびその形成方法を提供することにある。
…
【００１１】（実施例１）図１は、本発明の一実施例を説明するための工程順に示した半導体チップの断面図である。
【００１２】まず図１（ａ）に示すように、ＡｒガスとＮ２ガスをそれぞれ
０．１〜６ｍＴｏｒｒ同時に供給し、Ｓｉ基板１０上に形成されたＳｉＯ２膜２０上に反応性スパッタ法によりＣｕＸＮ１−Ｘ膜３０上にＣｕ膜４０をスパッタ法により５０〜４００ｎｍ堆積する。」
　
・周知例３：特開平３−２５９５９４号公報
「高分子材料層の表面に銅層が設けられた回路基板用素材板において、前記高分子材料層と銅層の間に窒化銅層が形成されたことを特徴とする回路基板用素材板。」（特許請求の範囲）
「この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、高分子材料層と銅層の密着性に優れ、かつ回路形成も容易である回路基板用素材板を提供することを目的とするものである。」（第２頁左上欄第１７−２０行）
　
　相違点（ｂ）について
　表示装置用基板は周知であり、本願補正発明は、単に、表示装置用という用途を限定しているだけにすぎないから、引用発明の基板を、表示装置用とすることは、単なる技術的選択事項にすぎない。
　
　相違点（ｃ）について
　引用発明の窒化銅の厚みの１０ｎｍ以上は、１００オングストローム以上に相当するので、本願補正発明の厚みと一部重複している。そして、窒化銅の厚みを、「５０〜５００オングストローム程度」と限定することによる格別な効果も認められないので、この点は適宜なしえる設計的事項である。
　
　そして、本願補正発明の効果も、引用発明および周知技術から予想される範囲内のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
［３］本願発明について
  平成１９年５月１５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年１１月１５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
 「銅配線の外面を窒化銅によって被覆してなる配線構造体を、少なくとも表面が絶縁性である基板上に設けたことを特徴とする電子機器用基板。」
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、およびその記載事項は、上記［２］（２）に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記［２］において検討した本願補正発明から、「前記窒化銅膜の厚みは、５０〜５００オングストローム程度とする」の構成を省き、「窒化銅膜」を「窒化銅」、「表示装置用基板」を「電子機器用基板」とする限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに該当する本願補正発明は、上記［２］（４）に記載したとおり、引用発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そのため、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。