【事件の表示】
　特願２００３−５６８４６４「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２１日国際公開、ＷＯ０３／６９３９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　国際出願　　　　　　　　　　平成１５年　２月１４日
（優先権主張　　　　　　　　　平成１４年　２月１４日、日本国）
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成２０年　１月　８日
　意見書・手続補正書提出　　　平成２０年　３月　７日
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成２０年　７月　８日
　意見書・手続補正書提出　　　平成２０年　９月　５日
　当該手続補正の却下　　　　　平成２０年　９月２４日　　　
　拒絶査定謄本発送　　　　　　平成２０年　９月３０日
　審判請求　　　　　　　　　　平成２０年１０月３０日
　手続補正書提出　　　　　　　平成２０年１２月　１日
　
II．平成２０年１２月１日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成２０年１２月１日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成２０年１２月１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】
　基板に行列状に配列された複数の画素領域と、画素領域ごとに形成され、行列状に配列された複数のトランジスタと、該複数のトランジスタのゲート電極を接続する複数のゲート線と、該複数のトランジスタの第１の電極を接続する複数のデータ信号線と、一方の電極が前記トランジスタの第２の電極に接続する保持容量と、前記保持容量の他方の電極を接続する保持容量線と、前記トランジスタの第２の電極に接続されている前記画素領域の一方の電極と当該一方の電極と対向する他方の電極との間に配置された液晶層とを含む表示パネルを備えた液晶表示装置であって、
　前記ゲート線には、前記信号線に沿ってかつ前記トランジスタの側とは反対側に延在する延在部が設けられており、前段の画素領域に設けられ、前記保持容量線として機能するゲート線から延在する前記延在部に絶縁膜を介して対向するように前記第２の電極に接続する接続電極が設けられて、前記保持容量が構成されており、
　前記各画素領域に、１つの反射領域と１つの透過領域とが並列に配置され、
　前記反射領域は、前記ゲート線の配線領域、または前記データ信号線の配線領域の真上の領域を覆うように形成され、
　前記反射領域による前記表示パネルにおける光の反射率は、１％以上、３０％以下であり、前記透過領域による前記表示パネルにおける光の透過率は、４％以上、１０％以下である
　液晶表示装置。」と補正することを含むものであって、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められるので、以下に本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について独立特許要件の検討を行う。
　
２．刊行物
（１）刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１９５６３号公報（以下「刊行物１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透過表示領域と反射表示領域を備えた液晶表示装置に関するものである。」
　
「【００２９】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の実施形態１について図面に基づき以下に説明を行なう。図１は本実施形態の液晶表示装置におけるアクテイブマトリクス基板の部分平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００３０】図１において、ガラスまたはプラスチック等からなる透明絶縁性基板上１に、複数のゲート配線２と複数のソース配線３が直交するように配設され、これらの包囲する領域が画素であり、前記配線の交差部近傍にはＴＦＴ４が設けられている。ＴＦＴ４のドレイン電極５には画素電極６が接続されている。この画素電極６が形成された部分は基板上方から観察したときに透過効率の高い領域Ａと反射効率の高い領域Ｂの２つの領域からなるもので、本実施形態では前者の上面には透過効率の高い層としてＩＴＯ７（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、後者には反射効率の高い層としてＡｌまたはＡｌ系合金８がそれぞれ設けられ、それらが一体となって画素電極６をなしている。また、画素電極６は次段のゲート配線２ａ上にゲート絶縁膜９を介して重畳しているので、駆動時にはこの部分で液晶駆動時のための補助容量が生成される。
【００３１】上記ＴＦＴ４は、ゲート配線２から分岐するゲート電極１０の上部に、ゲート絶縁膜９、半導体層１２（図２に示す）、チャネル保護層１３、ソース・ドレイン電極となるｎ+−Ｓｉ層１１が順に積層されてなる。
【００３２】図示しないが、以上のようなアクティブマトリクス基板に配向膜を塗布し、これを透明電極及び配向膜を形成した対向基板と貼り合わせ、基板間に液晶を封入し、後方にバックライトを設置することにより本実施形態の液晶表示装置が完成する。」　
　
「【００４７】（実施形態２）以下、実施形態２について図面に基づき以下に説明を行う。図３は本実施形態の液晶表示装置におけるアクテイブマトリクス基板の部分平面図であり、図４は図３のＢ−Ｂ断面図である。
【００４８】本実施形態は、画素電極が形成された部分を上方から観察したときに、透過効率の高い領域Ａと反射効率の高い領域Ｂとが、画素中央付近を境に分割されている形状となっている。
【００４９】尚、図中の参照符号については上記実施形態１と同様の符号を用いた。また、画素やＴＦＴの構成及び製造プロセスに関しては上記実施形態１と同様である。
【００５０】図３，４において、透過効率の高いＩＴＯ７が画素内の中央部付近より自段ゲートライン近傍にわたり設けられ、一部ＴＦＴ４のドレイン電極５に接続されている。また、反射効率の高いＡｌ８が画素中央部にてＭｏ１４を介して前記ＩＴＯ７に重畳し、ＩＴＯ７とは逆側の次段ゲート配線２方向へ延在すると共にゲート配線２上にゲート絶縁膜９を介して重畳している。
【００５１】ここで、ＩＴＯ７とＡｌ８とはＭｏ１４を介して電気的に接続されるので、ＩＴＯ７とＡｌ８による電食が抑制される。また、Ａｌ８すなわち領域Ｂがゲート絶縁膜９を介して次段ゲート配線２に重畳されることにより、液晶駆動時の補助容量が形成されると共に、この部分の領域Ｂも表示に寄与することになるので従来の構成よりも画素の有効エリアが格段に向上する。
【００５２】尚、開口率をさらに向上させるには、ＴＦＴ４またはソース配線３上に絶縁膜を介して上記Ａｌ８等の反射効率の高い膜を画素電極６として形成（ドレイン電極５に電気的に接続させる）すればよい。但しこの場合は、ＴＦＴ４またはソース配線３との間で寄生容量による画質劣化を最低限に抑えられるよう、絶縁膜の材料や絶縁膜として用いる材料やパターン設計を適宜考慮する必要がある。」　
　　
　上記（実施形態１）に関する記載を踏まえて上記（実施形態２）についてみれば、刊行物１には、
「透明絶縁性基板１上に、複数のゲート配線２と複数のソース配線３が直交するように配設され、これらの包囲する領域が画素であり、前記配線の交差部近傍にはＴＦＴ４が設けられ、このＴＦＴ４は、ゲート配線２から分岐するゲート電極１０の上部に、ゲート絶縁膜９、半導体層１２、チャネル保護層１３、ソース・ドレイン電極となるｎ+−Ｓｉ層１１が順に積層されてなり、ＴＦＴ４のドレイン電極５には画素電極６が接続され、この画素電極６は、透過効率の高い領域Ａと反射効率の高い領域Ｂとが、画素中央付近を境に分割されて形成されており、透過効率の高い領域Ａが画素内の中央部付近より自段ゲートライン近傍にわたり設けられ、一部ＴＦＴ４のドレイン電極５に接続され、反射効率の高い領域Ｂが画素中央部にて領域Ａに接続し、領域Ａとは逆側の次段ゲート配線２方向へ延在すると共にゲート配線２上にゲート絶縁膜９を介して重畳しているアクテイブマトリクス基板と透明電極及び配向膜を形成した対向基板とを貼り合わせ、基板間に液晶を封入した液晶表示装置であって、
　前記反射効率の高い領域Ｂがゲート絶縁膜９を介して次段ゲート配線２に重畳されることにより、液晶駆動時の補助容量が形成されると共に、この部分の領域Ｂも表示に寄与することになるので画素の有効エリアが向上する液晶表示装置。」の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）刊行物２
　原査定の拒絶理由に引用された特開平１０−１４２６２７号公報（以下「刊行物２」という。）には次の記載がある。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリックス型液晶表示装置に好適の補助容量の構成に関する。」
　
「【０００５】この問題を解決するために、ＣSオンゲート構造が提案されている。
【０００６】次に、ＣSオンゲート構造について説明する。図８に示すように、各画素がＴＦＴ８０６と、液晶容量８０８と補助容量（ＣS）８０９とから構成されている。このとき、データ線８０１及び８０２は、ＴＦＴ８０６のソース電極８０６ａ及びドレイン電極８０６ｂを介して液晶容量８０８及び補助容量（ＣS）８０９の一方の電極と接続され、ゲ−ト線８０３乃至８０５は、ＴＦＴ８０６のゲート電極８０６ｃに接続されている。また、液晶容量８０８の他方の電極は、液晶層を挟んで対向電極（図示せず）に接続され、補助容量（ＣS）８０９の他方の電極は、画素を駆動するゲート線以外の隣接するゲート線に接続されている（例えば、ゲート線８０３を駆動している場合は、ゲート線８０４に接続されている）。尚、補助容量（ＣS）８０９は、液晶容量８０８及びＴＦＴ８０６のリーク電流、ＴＦＴ８０６のゲート電極８０６ｃとドレイン電極８０６ｂ間の寄生容量ＣGD８０７による画素電圧の変動、さらに液晶容量８０８における表示データ依存性などの影響を最小限に抑えるためのものである。さらに、ＣSオンゲート構造は補助容量のための新たな信号線を必要としないため、開口率を向上できるというメリットがある。」
　
　そして、刊行物２の図２、図５、図１２を参照すれば、補助容量の他方の電極が隣接するゲート線に接続されるＣSオンゲート構造において、前記電極が前記ゲート線からトランジスタの側とは反対側にデータ線に沿って延在する構造を見てとることができる。
　　　
３．対比
　本願補正発明と刊行物１発明を対比するに、刊行物１発明の「透明絶縁性基板１」、「画素」、「ＴＦＴ４」、「ゲート電極１０」、「ゲート配線２」、「ソース電極」、「ソース配線３」、「ドレイン電極５」、「画素電極６」、「（対向基板に形成された）透明電極」、「液晶」及び「液晶表示装置」がそれぞれ本願補正発明の「基板」、「画素領域」、「トランジスタ」、「ゲート電極」、「ゲート線」、「トランジスタの第１の電極」、「データ信号線」、「トランジスタの第２の電極」、「画素領域の一方の電極」、「当該一方の電極と対向する他方の電極」、「液晶層」及び「液晶表示装置」に相当するところである。
　また、刊行物１発明の「画素電極６」と「次段ゲート線２」はゲート絶縁膜９を介して重畳されることにより保持容量を形成しているから、これらはそれぞれ、本願補正発明の「（保持容量の）一方の電極」及び「保持容量の他方の電極を接続する保持容量線」に相当するといえる。
　
　また、刊行物１発明の「透過効率の高い領域Ａ」と「反射効率の高い領域Ｂ」が並列に配置されていることは明らかであり、これらは、それぞれ、本願補正発明の「１つの透過領域」及び「１つの反射領域」に相当するところである。
　　
　以上のことから、本願補正発明と刊行物１発明は、
「基板に行列状に配列された複数の画素領域と、画素領域ごとに形成され、行列状に配列された複数のトランジスタと、該複数のトランジスタのゲート電極を接続する複数のゲート線と、該複数のトランジスタの第１の電極を接続する複数のデータ信号線と、一方の電極が前記トランジスタの第２の電極に接続する保持容量と、前記保持容量の他方の電極を接続する保持容量線と、前記トランジスタの第２の電極に接続されている前記画素領域の一方の電極と当該一方の電極と対向する他方の電極との間に配置された液晶層とを含む表示パネルを備えた液晶表示装置であって、
　前記各画素領域に、１つの反射領域と１つの透過領域とが並列に配置された液晶表示装置。」の点で一致する。
　
　一方、次の点で相違する。
　ａ．本願補正発明は、「前記ゲート線には、前記信号線に沿ってかつ前記トランジスタの側とは反対側に延在する延在部が設けられており、前段の画素領域に設けられ、前記保持容量線として機能するゲート線から延在する前記延在部に絶縁膜を介して対向するように前記第２の電極に接続する接続電極が設けられて、前記保持容量が構成されて」いるのに対し、刊行物１発明はこのようなものでない点。
　
　ｂ．本願補正発明は、「前記反射領域は、前記ゲート線の配線領域、または前記データ信号線の配線領域の真上の領域を覆うように形成され」ているのに対し、刊行物１発明の反射領域（領域Ｂ）は、ゲート線の配線領域上の一部領域を覆うものである点。
　
　ｃ．本願補正発明は、「前記反射領域による前記表示パネルにおける光の反射率は、１％以上、３０％以下であり、前記透過領域による前記表示パネルにおける光の透過率は、４％以上、１０％以下である」とされているのに対し、刊行物１は、これらが不明である点。　
　
４．相違点についての検討
　上記相違点ａについて検討するに、保持容量を隣接するゲート線との間で構成するＣｓオンゲート構造において、上記相違点ａに係る構造は、上記刊行物２に記載されているように公知の技術事項であるから、保持容量を隣接するゲート線との間で構成している刊行物１発明において、刊行物２に記載される構造を採用して上記相違点ａに係る本願補正発明の構造とすることは当業者が容易に想到し得たものと認められる。　
　
　上記相違点ｂについて検討するに、刊行物１発明は、反射効率の高い領域Ｂが次段ゲート配線２に重畳されることにより、この部分の領域Ｂも表示に寄与することになるので画素の有効エリアが向上するというものであるから、画素の有効エリアをさらに向上するために、前記領域Ｂを前記ゲート線の配線領域の真上の領域を覆うものとして、上記相違点ｂに係る本願補正発明の構造とすることは当業者が容易に想到し得ることであると認められる。　
　
　上記相違点ｃについて検討するに、反射率及び透過率をどの程度にするかは、単なる設計事項にすぎず、これらを上記相違点ｃに係る範囲内のものとすることに困難性は認められない。
　
　また、本願補正発明が奏する効果についても、上記刊行物１及び２に記載された事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願補正発明は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成２０年１２月１日付けの手続補正は上記のとおり却下され、また、平成２０年９月５日付けの手続補正も却下されているので、本願の請求項に係る発明は、平成２０年３月７日付け手続補正書の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　基板に行列状に配列された複数の画素領域と、画素領域ごとに形成され、行列状に配列された複数のトランジスタと、該複数のトランジスタのゲート電極を接続する複数のゲート線と、該複数のトランジスタの第１の電極を接続する複数のデータ信号線と、一方の電極が前記トランジスタの第２の電極に接続する保持容量と、前記保持容量の他方の電極を接続する保持容量線と、前記トランジスタの第２の電極に接続されている前記画素領域の一方の電極と当該一方の電極と対向する他方の電極との間に配置された液晶層とを含む表示パネルを備えた液晶表示装置であって、
　前記ゲート線には、前記信号線に沿ってかつ前記トランジスタの側とは反対側に延在する延在部が設けられており、前段の画素領域に設けられた前記ゲート線から延在する前記延在部に絶縁膜を介して対向するように前記第２の電極に接続する接続電極が設けられて、前記保持容量が構成されており、
　前記各画素領域に、反射領域と透過領域とが並列に配置され、
　前記反射領域による前記表示パネルにおける光の反射率は、１％以上、３０％以下であり、前記透過領域による前記表示パネルにおける光の透過率は、４％以上、１０％以下である
　液晶表示装置。」
　
２．判断
　本願補正発明は、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらにこれを限定したものであると認められる。
　しかるところ、本願補正発明が上記II．［II］２．〜４．において検討したように上記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本願発明が上記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。