【手続補正書】
【提出日】平成24年4月18日(2012.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の機能を実現するためのアクティブ領域を表面に有するチップ状半導体素子と、
接着剤膜によって前記半導体素子の表面側に固着された、所定の機能を有する機能部材と、
前記半導体素子の外側面全体、前記接着剤膜の外側面全体、前記接着剤膜と前記半導体素子との界面、及び前記接着剤膜と前記機能部材との界面を少なくとも含む領域を覆う金属膜と
を備えてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子の裏面側に形成された配線または電極をさらに有していると共に、前記配線または電極が、前記半導体素子をその表面から裏面まで貫通する複数の貫通孔に形成された埋込配線を介して、前記半導体素子の前記アクティブ領域に電気的に接続されており、
前記金属膜が、前記配線または電極の形成に使用される金属膜を利用して形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子の裏面側に形成された配線または電極をさらに有していると共に、前記機能部材が所定の回路機能を実現するアクティブ領域を有しており、
前記配線または電極が、前記半導体素子と前記接着剤膜とを貫通する複数の貫通孔に形成された埋込配線を介して、前記機能部材の前記アクティブ領域に電気的に接続されていて、前記金属膜が、前記配線または電極の形成に使用される金属膜を利用して形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属膜が、銅（Ｃｕ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、及びタングステン（Ｗ）膜からなる群から選ばれる一種である請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属膜が、チタン（Ｔｉ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる二層膜、クロム（Ｃｒ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる二層膜、タンタル（Ｔａ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる二層膜、及びタングステン（Ｗ）と銅（Ｃｕ）膜からなる二層膜からなる群から選ばれる一種である請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属膜が、チタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる三層膜、タンタル（Ｔａ）膜と窒化タンタル（ＴａＮ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる三層膜、及びタングステン（Ｗ）膜と窒化タングステン（ＷＮ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる三層膜からなる群から選ばれる一種である請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記金属膜の、前記半導体素子の外側面と前記接着剤膜の外側面に沿って延在する部分の端部が、前記機能部材の内部まで到達している請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記金属膜の、前記半導体素子の外側面と前記接着剤膜の外側面に沿って延在する部分の端部が、前記機能部材の前記半導体素子側の表面まで到達しているが、前記機能部材の内部には入り込んでいない請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記金属膜が、前記半導体素子の外側面において当該半導体素子の半導体基板に接触している請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子の外側面全体が絶縁膜で覆われており、前記金属膜が、前記絶縁膜の上に配置されていて、前記半導体素子の外側面において当該半導体素子の半導体基板から離隔している請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子と前記機能部材の間に、前記接着剤膜によって囲まれたキャビティが形成されている請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体素子と前記機能部材の間の隙間全体が、前記接着剤膜によって充填されている請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体素子が固体撮像素子とされ、前記機能部材が透明カバーとされている請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体素子が加速度センサ素子とされ、前記機能部材が論理ＩＣとされている請求項１または３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
撮像機能を実現するためのアクティブ領域を表面に有するチップ状半導体素子と、
接着剤膜によって前記半導体素子の表面側に固着された、透光性カバーの機能を持つチップ状機能部材と、
前記半導体素子の裏面側に形成された配線または電極と、
前記半導体素子をその表面から裏面まで貫通する貫通孔に形成された、前記配線または電極と前記半導体素子のアクティブ領域とを電気的に相互接続する埋込配線と、
前記半導体素子の外側面全体、前記接着剤膜の外側面全体、前記接着剤膜と前記半導体素子との界面、及び前記接着剤膜と前記機能部材との界面を少なくとも含む領域を覆う金属膜とを備え、
前記金属膜が、前記配線または電極の形成に使用される金属膜を利用して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
所定の機能を実現するためのアクティブ領域を表面に有するチップ状半導体素子と、
接着剤膜によって前記半導体素子の表面側に固着された、所定の回路機能を実現するためのアクティブ領域を有するチップ状機能部材と、
前記半導体素子の裏面側に形成された配線または電極と、
前記半導体素子及び前記接着剤膜を貫通する貫通孔に形成された、前記配線または電極と前記機能部材のアクティブ領域とを電気的に相互接続する埋込配線と、
前記半導体素子の外側面全体、前記接着剤膜の外側面全体、前記接着剤膜と前記半導体素子との界面、及び前記接着剤膜と前記機能部材との界面を少なくとも含む領域を覆う金属膜とを備え、
前記金属膜が、前記配線または電極の形成に使用される金属膜を利用して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
前記金属膜が、銅（Ｃｕ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、及びタングステン（Ｗ）膜からなる群から選ばれる一種である請求項１５または１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記金属膜が、チタン（Ｔｉ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる二層膜、クロム（Ｃｒ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる二層膜、タンタル（Ｔａ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる二層膜、及びタングステン（Ｗ）と銅（Ｃｕ）膜からなる二層膜からなる群から選ばれる一種である請求項１５または１６に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記金属膜が、チタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる三層膜、タンタル（Ｔａ）膜と窒化タンタル（ＴａＮ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる三層膜、及びタングステン（Ｗ）膜と窒化タングステン（ＷＮ）膜と銅（Ｃｕ）膜からなる三層膜からなる群から選ばれる一種である請求項１５または１６に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記金属膜の、前記半導体素子の外側面と前記接着剤膜の外側面に沿って延在する部分の端部が、前記機能部材の内部まで到達するように形成されている請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記金属膜の、前記半導体素子の外側面と前記接着剤膜の外側面に沿って延在する部分の端部が、前記機能部材の前記半導体素子側の表面まで到達しているが、前記機能部材の内部には入り込んでいない請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記金属膜が、前記半導体素子の外側面において当該半導体素子の半導体基板に接触している請求項１５〜２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記半導体素子の外側面全体が絶縁膜で覆われており、前記金属膜が、前記絶縁膜の上に配置されていて、前記半導体素子の外側面において当該半導体素子の半導体基板から離隔している請求項１５〜２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記半導体素子と前記機能部材の間に、前記接着剤膜によって囲まれたキャビティが形成されている請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記半導体素子と前記機能部材の間の隙間全体が、前記接着剤膜によって充填されている請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記半導体素子が加速度センサ素子とされ、前記機能部材が論理ＩＣとされている請求項１６に記載の半導体装置。