Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
このように吸着の有無によって、不活性ガス供給管５へ不活性ガスを供給開始してから吸着判定時間ｔ１が経過した時の圧力調整バルブ１５が不活性ガス供給管５に流すガス流量Ｑに明らかな違いが生ずる。この違いを利用することで、以下の通りに吸着の有無を判定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
圧力調整バルブ１５の設定圧力を吸着解消圧力Ｐ３に設定してから、吸着解消判定時間ｔ２が経過するまでの間、圧力調整バルブ１５が流すガス流量Ｑが、吸着解消判定流量Ｂ以上になるか否かを判定する（ステップ８）。ここで、吸着解消判定流量Ｂの値は、吸着判定流量Ａの値よりも小さく設定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
反対に、吸着解消判定時間ｔ２内に、ガス流量Ｑが吸着解消判定流量Ｂに達したとき（ＹＥＳ）には、暫定的に“吸着が解消された”と判定し、ステップ１０に進む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ここで、ステップ７からステップ１０は、圧力Ｐ０をＰ３まで徐々に上昇させて、その都度、あるいは圧力の上昇と並行して吸着解消判定流量Ｂ以上であるか否か、あるいは吸着判定流量Ａ以上か否かを判定しても良い。また、ステップ１０にて、基板Ｇが載置台３に吸着しているか否かを再判定する場合、圧力Ｐ３をＰ０まで下げたのち、判定を実施しても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
具体的には、図８に示すように、基板Ｇの周縁部下のリフターピン１３を駆動した結果、ガス流量Ｑが増え、吸着判定流量Ａを超えたときに、吸着解消とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2010278374.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面に、ＳｉＯ２よりも誘電率の高い高誘電体膜からなるゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を備えるｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、
前記メタルゲート電極は、金属元素、Ａｌ元素、およびＯ元素からなる結合を有するＭｅ１−ｘＡｌｘＯｙ組成の導電性膜により構成され、前記Ａｌ元素の割合ｘは０．２以上０．７５以下、前記Ｏ元素の割合ｙは０．２以上１．５以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月21日(2012.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、前記上面とは反対側に位置する下面、前記上面に形成された複数のボンディングリード、および前記下面に形成された複数のランドを有する配線基板と、
四角形の外形形状を成す主面、前記主面の反対側に位置する裏面、および前記主面の各辺に沿って形成された複数のパッドを有し、前記主面を前記配線基板の前記上面と対向させた状態で前記配線基板上に搭載される半導体チップと、
前記複数のパッドそれぞれの表面に接合された複数の突起電極と、
前記複数の突起電極と前記配線基板の前記複数のボンディングリードとをそれぞれ電気的に接続する複数の導電性部材と、を含み、
前記複数のパッドは、複数の第１パッドと、複数の第２パッドとを有し、
前記複数の第１パッドには、前記複数の第２パッドとは異なる固有の電流が流れ、
前記複数の第２パッドには、前記複数の第２パッドのうちの他の第２パッドに共通する電流が流れる、または電流が流れず、
前記複数の第１パッドのそれぞれの両隣には、前記複数のパッドが配置され、
前記複数の第１パッドは、前記複数の導電性部材のうちの第１導電性部材を介して前記複数のボンディングリードとそれぞれ電気的に接続され、
前記複数の第２パッドは、前記複数の導電性部材のうちの第２導電性部材を介して前記複数のボンディングリードと接合されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月22日(2012.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主要部分が板状に形成されて、多数の線状の熱伝導性素子及び熱可塑性樹脂を含む熱インターフェース材を介して電子部品と結合される放熱部品であって、
前記板状部分の、前記電子部品のエリアに対応する部分の周囲に設けられて、前記放熱部品と前記電子部品とを結合させるため流動させられる前の前記熱可塑性樹脂を貯留する凹部を有することを特徴とする放熱部品。
【請求項２】
前記凹部は、前記板状部分の前記電子部品のエリアに対応する部分を挟んでその両側の２箇所に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の放熱部品。
【請求項３】
配線基板上に実装された電子部品と、
前記電子部品の露出している側の面に対向して設けられた請求項１又は２に記載の放熱部品と、
前記対向する電子部品と放熱部品の間に介在する線状の熱伝導素子と、
前記対向する電子部品と放熱部品の間に充填された熱可塑性樹脂とを有することを特徴とする電子部品装置。
【請求項４】
前記線状の熱伝導素子は、カーボンナノチューブからなることを特徴とする請求項３に記載の電子部品装置。
【請求項５】
配線基板上に実装された電子部品と、その主要部分が板状に形成された放熱部品とが熱インターフェース材を介して結合された電子部品装置を製造する方法であって、
前記放熱部品の板状部分の、前記電子部品のエリアに対応する部分の周囲の箇所に、凹部を設けるとともに、前記熱インターフェース材としての熱可塑性樹脂を当該凹部に貯留しておく工程と、
前記放熱部品の凹部が形成されている側の面または前記電子部品の露出している側の面に、前記熱インターフェース材としての多数の線状の熱伝導性素子を起立させて配列したものを用意する工程と、
前記配線基板の前記電子部品が実装されている側の面に、前記放熱部品の前記凹部が形成されている側の面を対向させて配置し、前記電子部品と前記放熱部品とのクリアランスを調整した状態で前記放熱部品を前記配線基板に固定する工程と、
前記熱可塑性樹脂が軟化する温度に加熱して流動させ、当該樹脂を前記電子部品と前記放熱部品の間の隙間に流入させて充填する工程とを含むことを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項６】
前記線状の熱伝導性素子は、カーボンナノチューブからなることを特徴とする請求項５に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項７】
前記放熱部品を前記配線基板に固定する工程において、所要の厚さのスペーサを介在させて前記電子部品と前記放熱部品とのクリアランスの調整を行った状態で、前記熱可塑性樹脂が軟化する温度よりも低い融点を有する熱硬化性樹脂を用いて前記放熱部品を前記配線基板に接合することを特徴とする請求項６に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項８】
前記電子部品は、平面的に見て方形状の半導体チップであり、前記凹部は、前記放熱部品の板状部分の、前記半導体チップのエリアに対応する部分の周囲において対向する２箇所に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の電子部品装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放熱部品、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、放熱部品、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法に関し、より詳細には、基板上に実装された半導体素子等の電子部品が発する熱を大気に放出するための放熱部品、電子部品と放熱部品とが熱インターフェース材を介して結合された電子部品装置及び電子部品装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、電子部品と放熱部品の間に介在されるＴＩＭの良好な熱伝導性を確保するとともに、電子部品の動作時の熱による形状変化を吸収し、ひいては安定した熱結合に寄与することができる放熱部品、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の従来技術の課題を解決するため、配線基板上に実装された電子部品と、その主要部分が板状に形成された放熱部品とが熱インターフェース材を介して結合された電子部品装置を製造する方法であって、前記放熱部品の板状部分の、前記電子部品のエリアに対応する部分の周囲の箇所に、凹部を設けるとともに、前記熱インターフェース材としての熱可塑性樹脂を当該凹部に貯留しておく工程と、前記放熱部品の凹部が形成されている側の面または前記電子部品の露出している側の面に、前記熱インターフェース材としての多数の線状の熱伝導性素子を起立させて配列したものを用意する工程と、前記配線基板の前記電子部品が実装されている側の面に、前記放熱部品の前記凹部が形成されている側の面を対向させて配置し、前記電子部品と前記放熱部品とのクリアランスを調整した状態で前記放熱部品を前記配線基板に固定する工程と、前記熱可塑性樹脂が軟化する温度に加熱して流動させ、当該樹脂を前記電子部品と前記放熱部品の間の隙間に流入させて充填する工程とを含むことを特徴とする電子部品装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月21日(2012.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１液体を供給する第１供給口と、
露光光を射出する射出面を有する光学系と、
前記射出面から射出される前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、前記露光光の光路が前記第１液体で満たされるように前記第１液体の液浸空間を形成する液浸部材と、
前記液浸部材の下面をクリーニングする第２液体を供給可能な第２供給口を有し、前記下面の下方に配置された前記第２供給口から前記下面に前記第２液体を供給して、前記下面の少なくとも一部をクリーニングするクリーニング部材と、を備え、
基板の露光の少なくとも一部において、前記液浸部材、及び前記クリーニング部材の下方で前記基板が移動され、
前記基板の露光の少なくとも一部において、前記液浸空間は、前記射出面と前記基板の表面との間、及び前記下面の少なくとも一部と前記基板の表面との間に形成され、
前記射出面と前記基板の表面との間の前記第１液体を介して前記射出面からの前記露光光で前記基板を露光する露光装置。
【請求項２】
前記基板の露光の少なくとも一部において、前記第１液体を回収する第１回収口と、
前記第１回収口に配置された多孔部材とを備え、
前記下面は、前記多孔部材の表面を含む請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１回収口は、前記多孔部材の孔を介して、前記第２液体を回収可能である請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２液体の供給時の少なくとも一部において、前記第１回収口は、前記第２液体を回収しない請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記下面は、前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置された第１面と、
前記第１面の周囲の少なくとも一部に間隙を介して配置された第２面とを含み、
前記第２面は、前記多孔部材の下面を含む請求項２〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記液浸部材は、前記第１面が配置された第１部材と、前記第２面が配置された第２部材とを含む請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記下面の上方に配置され、前記間隙に流入した前記第１液体及び前記第２液体の少なくとも一方を回収可能な第２回収口を備える請求項５又は６記載の露光装置。
【請求項８】
前記光学系の光軸に対する放射方向に関して、前記第２供給口は、前記下面の外側に配置される請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記第２供給口は、前記光学系の光軸に対する放射方向に関して内側を向くように配置される請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第２供給口は、前記光学系の光軸に対する放射方向に関して外側を向くように配置される請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記クリーニング部材は、前記液浸部材を含む請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記クリーニング部材は、前記液浸部材の周囲の少なくとも一部に配置される請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記光学系の光軸とほぼ平行な方向に、前記液浸部材と前記クリーニング部材とを相対的に移動可能な駆動装置を備える請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記駆動装置は、前記基板の露光時に前記第２供給口が前記下面より上方に配置され、前記第２液体の供給時に前記第２供給口が前記下面より下方に配置されるように、前記液浸部材及び前記クリーニング部材の少なくとも一方を移動する請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】
前記クリーニング部材は、前記光学系の光軸に対する放射方向に関して前記第２供給口の外側に配置され、前記第１液体及び前記第２液体の少なくとも一方を回収可能な第３回収口を有する請求項１２〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第１液体と前記第２液体とは同じ種類の液体である請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内部に配置された真空処理室と、
前記真空処理室内の下方に配置されその上面に試料が載置される試料台と、
前記真空処理室の下方に配置され、前記真空処理室を排気する排気手段と、
前記真空処理室の上部で前記試料台の上面と対向して配置された第１のプレートと、
前記真空容器内部で前記第１のプレートの上方に配置された平板状の第２のプレートと、
前記第１のプレートと前記第２のプレートの間の第１の空間と、
前記第２のプレートの上方に配置されて前記処理用ガスが導入される円筒状の第２の空間と、
前記試料台の上方の前記第２のプレートの前記平板状の部分に配置され、前記第１及び第２の空間を連通して前記第２の空間内の処理用ガスが前記第１の空間に流入する貫通孔と、
前記第１のプレートに配置され、前記第１の空間内に導入された前記処理用ガスが前記真空処理室内に流入する複数の導入孔と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記複数の導入孔が前記試料台の中心を通る軸周りに軸対称に配置され、前記貫通孔が前記軸周囲に絞って配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置であって、
前記複数の導入孔が前記試料台の前記上面より広い範囲であって前記貫通孔の配置された前記軸の上方から見て当該貫通孔の外周側の重ならない位置に配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
前記第１の空間内の前記処理用ガスの流れが分子流であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
前記貫通孔の配置された領域の径が５ｍｍであり、前記導入孔の最小の内径が０．１乃至０．７ｍｍであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
真空処理室と、前記真空処理室に配置された試料台と、前記試料台の上部に配置された処理ガス供給部と、前記処理ガス供給部へ導入される処理ガスの流量を制御するガス流量制御器と、前記真空処理室を排気する排気手段とを有するプラズマ処理装置であって、
前記処理ガス供給部は、前記試料台に対向して設けられ、
前記試料台の中心を通る軸周りに軸対象に複数の導入孔を有する第１のプレートと、
前記第１のプレートの上部に配置され、平板状の部分に貫通孔を有する第２のプレートと、
前記第１のプレートと前記第２のプレートの間に形成される第１の空間と、
前記第２のプレート上部に形成され、処理ガスが導入される円筒形状の第２の空間と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ処理装置において、
前記貫通孔は、前記試料台の中心の軸とその近傍に絞って配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載のプラズマ処理装置において、
前記貫通孔は、鉛直上方から見て前記貫通孔の外周側であって前記複数の前記導入孔とは重ならない位置に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ処理装置は、前記処理室の上方に配置され前記第１及び第２のプレートを透過してこの処理室内に供給される電界の形成手段及びこの処理室内に供給される磁界の形成手段とを有して前記電界及び磁界を用いて前記処理室内に形成したプラズマにより前記試料をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するための一態様として、真空容器内部に配置された真空処理室と、前記真空処理室内の下方に配置されその上面に試料が載置される試料台と、前記真空処理室の下方に配置され前記真空処理室を排気する排気手段と、前記真空処理室の上部で前記試料台の上面と対向して配置された第１のプレートと、前記真空容器内部で前記第１のプレートの上方に配置された平板状の第２のプレートと、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間の第１の空間及び前記第２のプレートの上方に配置されて前記処理用ガスが導入される円筒状の第２の空間と、前記前記試料台の上方の前記第２のプレートの前記平板状の部分に配置され、前記第１及び第２の空間を連通して前記第２の空間内の処理用ガスが前記第１の空間に流入する貫通孔と、前記第１のプレートに配置され、前記第１の空間内に導入された前記処理用ガスが前記真空処理室内に流入する複数の導入孔とを備えたプラズマ処理装置とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、真空処理室と、前記真空処理室に配置された試料台と、前記試料台の上部に配置された処理ガス供給部と、前記処理ガス供給部へ導入される処理ガスの流量を制御するガス流量制御器と、前記真空処理室を排気する排気手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記処理ガス供給部は、前記試料台に対向して設けられ、前記試料台の中心を通る軸周りに軸対象に複数の導入孔を有する第１のプレートと、前記第１のプレートの上部に配置され、平板状の部分に貫通孔を有する第２のプレートと、前記第１のプレートと前記第２のプレートの間に形成される第１の空間と、前記第２のプレート上部に形成され、処理ガスが導入される円筒状の第２の空間と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月24日(2012.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜を設ける工程と、
選択的エッチングにより前記膜に孔を設けるとともに、前記孔の内部に金属膜を設ける工程と、
還元ガス雰囲気中で、前記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、前記膜に紫外線を照射して、多孔質膜を得る工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本実施の形態の金属領域（配線）は、シングルダマシン法またはデュアルダマシン法により形成することができる。
なお、本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
基板上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜を設ける工程と、
選択的エッチングにより前記膜に孔を設けるとともに、前記孔の内部に金属膜を設ける工程と、
還元ガス雰囲気中で、前記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、前記膜に紫外線を照射して、多孔質膜を得る工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記還元ガスが、ＳｉまたはＨを含むガスである、付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記還元ガスが、炭化水素、シロキサン、有機シランおよび水素からなる群から選択される少なくとも一種を含むガスである、付記１または２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記シロキサンは、環状シロキサンまたはメチルシロキサンを含む、付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記環状シロキサンは、オルガノシラン基を持つテトラメチルシクロテトラシロキサンまたはオクタメチルシクロテトラシロキサンを含む、付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記メチルシロキサンは、ジメチルジオキシシリルシクロヘキサン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルメトキシシランおよびメチルトリエチルシランからなる群から選択される少なくとも一種を含む、付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記有機シランは、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルジメチルアミンおよびヘキサメチルジシラザンからなる群から選択される少なくとも一種を含む、付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記ポロジェンが、ＣまたはＨを含む、付記１から７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
基板と、
前記基板上に設けられた、多孔質膜と、
前記多孔質膜に設けられた、孔と、
前記孔の内部に設けられた金属膜と、を含み、
前記金属膜近傍の前記多孔質膜の応力は、圧縮応力である、半導体装置。
（付記１０）
前記多孔質膜は、Ｓｉ、ＯおよびＣを構成元素として含む膜または、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＨを構成元素として含む膜である、付記９に記載の半導体装置。
（付記１１）
前記多孔質膜は、ＳｉおよびＯを主成分として含む、付記９または１０に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月22日(2012.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々がＭＯＳトランジスタを備える複数の保護回路と、
低電位ノードと高電位ノードとの間のサージ電圧に応答して前記複数の保護回路の各々の前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極にトリガ信号を供給するトリガ回路とを具備し、
前記複数の保護回路の各々は、前記ゲート電極に前記トリガ信号が供給されたとき前記低電位ノードと前記高電位ノードとを導通し、
前記複数の保護回路のうち前記トリガ回路の出力との間の寄生抵抗が最も大きい保護回路の寄生抵抗をＲｍａｘとして、前記複数の保護回路の各々の前記ゲート電極にはＲｍａｘよりも抵抗値が大きい抵抗素子が接続されている
静電気保護回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月20日(2012.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路の設計方法であって、
配線パターン及び特殊パターンが配置されたレイアウト領域を、複数の分割領域に分割するステップと、
ここで、前記配線パターンに対してデザインルールで規定される最小間隔は、第１の配線間隔であり、前記特殊パターンに対して前記デザインルールで規定される最小間隔は、前記第１の配線間隔より大きい第２の配線間隔であり、
前記複数の分割領域の各々に関して、前記各分割領域を囲む所定幅の領域中に含まれる前記特殊パターンを周辺パターンとして抽出するステップと、
前記各分割領域に関して、前記各分割領域に包含されるダミーパターン配置領域を決定するステップと、
ここで、前記ダミーパターン配置領域は、前記各分割領域と隣接する分割領域との間の境界のうち少なくとも１つから離れており、
前記各分割領域の周囲にある前記抽出された周辺パターンとのデザインルールエラーを回避しながら、前記各分割領域の前記ダミーパターン配置領域にダミーパターンを追加するステップと、
前記ダミーパターンが追加された前記複数の分割領域同士を結合するステップと
を含む
半導体集積回路の設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路の設計方法
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月8日(2012.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図２４（ａ）に示すように、まず、リードフレーム１１０を用意する。このリードフレーム１１０は、電子部品を固定するためのダイパッド１１１と、ダイパッド１１１上に固定された電子部品の各端子を外部に引き出すための複数本のリード１１２と、複数本のリード１１２を連結しているダムバー１１３と、を有する。ダムバー１１３は、平面視で、樹脂パッケージの外縁に沿うような枠体の形状を有しており、電子部品を樹脂封止する際にモールド樹脂が枠体の外側へ広がることを防ぐようになっている。このようなリードフレーム１１０は、ダイパッド１１１と、複数本のリード１１２と、ダムバー１１３とが、１枚の銅板により一体となって形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このとき、電子部品１７と、リード１１ａ〜１１ｅの被取付部は第１の領域の外側に位置している。このため、電子部品２７や、リード２１ａ〜２１ｃの電子部品２７が取り付けられる被取付部は、それらの少なくとも一部が第１の領域に配置される場合でも、電子部品１７、１８や、リード１１ａ〜１１ｅ、２１ａ〜２１ｅが互いに接触することを防ぐことができる。
従って、第１実施形態と同じように、複数個の電子部品をその搭載面の高さや角度を変えて、１つのリードフレーム５０´内に密に配置することができるので、樹脂パッケージの大型化を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
（６）その他
上記の第１〜第５実施形態では、各電子部品１７、１８、２７、２８として、ジャイロセンサーや加速度センサーを用いることを例示したが、各電子部品１７、１８、２７、２８はこれらジャイロセンサー、加速度センサーに限らず、能動部品や受動部品（抵抗器やキャパシタなど）等の他の電子部品を用いてもよい。このとき、電子部品１７、１８、２７としてジャイロセンサーを用いた場合は、特に上記の第１〜第５実施形態によれば、１つの樹脂パッケージ内に配置される電子部品１７をＸ軸方向のジャイロセンサーに使用し、電子部品２７をＹ軸方向のジャイロセンサーに使用し、電子部品１８をＺ軸方向のジャイロセンサーに使用することができる。そして、特に、電子部品１７、２７のそれぞれの傾き（即ち、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向への向き）をリード１１ａ〜１１ｅ、２１ａ〜２１ｅをそれぞれ屈曲させることで調整することができる。このため、電子部品１７、１８、２７のそれぞれの傾きは、電子デバイスの完成時には既に設定がなされており、電子デバイスを配線基板に取り付ける工程（即ち、実装工程）では、電子部品１７、１８、２７のそれぞれの傾きを個々に調整する必要がない。実装工程で、１個の電子デバイスを配線基板に取り付けるだけで、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の各ジャイロセンサーと、加速度センサーの取り付けが全て完了する。それゆえ、これらの各センサーを個々に配線基板に取り付ける場合と比較すると、実装工程の作業負荷を大幅に軽減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図７を参照して、短辺導体ＳＰ３１，ＳＰ３２，ＳＰ４１，ＳＰ４２の各々の幅はいずれもＷ１であり、給電線路ＬＮ３１，ＬＮ３２，ＬＮ４１，ＬＮ４２の各々の幅はいずれもＷ２である。短辺導体ＳＰ３１の幅（Ｗ１）は給電線路ＬＮ３１およびＬＮ３２の幅（Ｗ２）よりも大きい（図７（ａ））。短辺導体ＳＰ４１の幅（Ｗ１）は給電線路ＬＮ４１およびＬＮ４２の幅（Ｗ２）よりも大きい（図７（ｂ））。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも連続する第１の撮像画像及び第２の撮像画像を取得して画像処理する撮像装置であって、
前記第１の撮像画像の画像処理の予定終了時刻及び前記第２の撮像画像の撮像条件設定の予定終了時刻を基に前記第２の撮像画像の取得動作の開始を待機させるウェイト時間を設定するウェイト時間設定部と、
前記ウェイト時間設定部により設定されたウェイト時間が経過してから、前記第２の撮像画像の取得動作を開始させるように制御するとともに、前記第２の撮像画像の撮像条件設定が終了するまでの期間と前記第１の撮像画像の画像処理が終了するまでの期間との少なくとも一部が重複するように制御する画像取得制御部と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記画像取得制御部は、前記第１の撮像画像の画像処理の予定終了時刻及び前記第２の撮像画像の撮像条件設定の予定終了時刻のいずれか遅い方の時刻の後に、前記第２の撮像画像の画像取得動作を開始させるように制御することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第２の撮像画像の取得動作は、撮像部の電荷蓄積動作及びデータ転送動作を含み、
前記画像取得制御部は、前記第２の撮像画像の撮像条件設定の予定終了時刻の後に前記第２の撮像画像の前記電荷蓄積動作を開始させ、かつ前記第１の撮像画像の画像処理の予定終了時刻の後に前記第２の撮像画像の前記データ転送動作を開始させるように制御することを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記画像取得制御部は、
第１の撮像モードでは、前記第１の撮像画像の画像処理の予定終了時刻の後に、前記第２の撮像画像の撮像条件設定を開始させた後、前記第２の撮像画像の取得動作を開始させるように制御し、
第２の撮像モードでは、前記ウェイト時間設定部により設定されたウェイト時間が経過してから、前記第２の撮像画像の取得動作を開始させるように制御するとともに、前記第２の撮像画像の撮像条件設定が終了するまでの期間と前記第１の撮像画像の画像処理が終了するまでの期間との少なくとも一部が重複するように制御することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像条件設定は、被写体を照射するための光源、前記第１及び第２の撮像画像を撮像するための撮像部又は被写体を移動させるためのロボットアーム、前記撮像部の光学フィルタの挿抜、又は被写体であるディスプレイに印加する信号の設定であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の撮像装置を有し、
前記撮像装置は、フラットパネルディスプレイについて前記第１の撮像画像及び前記第２の撮像画像を取得することを特徴とする検査装置。
【請求項７】
少なくとも連続する第１の撮像画像及び第２の撮像画像を取得して画像処理する撮像方法であって、
前記第１の撮像画像の画像処理の予定終了時刻及び前記第２の撮像画像の撮像条件設定の予定終了時刻を基に前記第２の撮像画像の取得動作の開始を待機させるウェイト時間を設定するウェイト時間設定ステップと、
前記ウェイト時間設定ステップにて設定されたウェイト時間が経過してから、前記第２の撮像画像の取得動作を開始させるように制御するとともに、前記第２の撮像画像の撮像条件設定が終了するまでの期間と前記第１の撮像画像の画像処理が終了するまでの期間との少なくとも一部が重複するように制御する画像取得制御ステップと
を有することを特徴とする撮像方法。
【請求項８】
前記画像取得制御ステップでは、前記第１の撮像画像の画像処理の予定終了時刻及び前記第２の撮像画像の撮像条件設定の予定終了時刻のいずれか遅い方の時刻の後に、前記第２の撮像画像の画像取得動作を開始させるように制御することを特徴とする請求項７記載の撮像方法。
【請求項９】
前記第２の撮像画像の取得動作は、撮像部の電荷蓄積動作及びデータ転送動作を含み、
前記画像取得制御ステップでは、前記第２の撮像画像の撮像条件設定の予定終了時刻の後に前記第２の撮像画像の前記電荷蓄積動作を開始させ、かつ前記第１の撮像画像の画像処理の予定終了時刻の後に前記第２の撮像画像の前記データ転送動作を開始させるように制御することを特徴とする請求項８記載の撮像方法。
【請求項１０】
前記画像取得制御ステップでは、
第１の撮像モードでは、前記第１の撮像画像の画像処理の予定終了時刻の後に、前記第２の撮像画像の撮像条件設定を開始させた後、前記第２の撮像画像の取得動作を開始させるように制御し、
第２の撮像モードでは、前記ウェイト時間設定ステップで設定されたウェイト時間が経過してから、前記第２の撮像画像の取得動作を開始させるように制御するとともに、前記第２の撮像画像の撮像条件設定が終了するまでの期間と前記第１の撮像画像の画像処理が終了するまでの期間との少なくとも一部が重複するように制御することを特徴とする請求項７記載の撮像方法。
【請求項１１】
前記撮像条件設定は、被写体を照射するための光源、前記第１及び第２の撮像画像を撮像するための撮像部又は被写体を移動させるためのロボットアーム、前記撮像部の光学フィルタの挿抜、又は被写体であるディスプレイに印加する信号の設定であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の撮像方法。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載の撮像方法の各ステップを有し、
フラットパネルディスプレイについて前記第１の撮像画像及び前記第２の撮像画像を取得することを特徴とするフラットパネルディスプレイの検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像装置、検査装置、撮像方法及びフラットパネルディスプレイの検査方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の問題点に鑑みて本発明は、画像取得動作から画像処理までの一連の動作を、撮像条件を変えて複数回行う作業に必要な時間を短縮することができる撮像装置、検査装置、撮像方法及びフラットパネルディスプレイの検査方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造、容量変化特性が異なる複数種類の可変容量素子が並列に接続され、制御電圧により、前記複数種類の可変容量素子の容量値を同時に制御するようにした共振部と、
前記共振部による発振を維持するための増幅部と、
を含むことを特徴とする電圧制御発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
以上、実施例について説明したが、本発明は上記実施例の構成にのみ制限されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
なお、本発明において、さらに下記の形態が可能である。
［形態１］
上記本発明の１つの側面による電圧制御発振器のとおりである。
［形態２］
前記複数種類の可変容量素子が、ＭＯＳバラクタと、バラクタダイオードであることを特徴とする形態１記載の電圧制御発振器。
［形態３］
インダクタと、
前記インダクタの両端と共通ノードとの間にそれぞれ接続された第１、第２のＭＯＳバラクタと、
前記インダクタの両端と電源との間にそれぞれ逆バイアスになるように接続された第１、第２のバラクタダイオードと、
前記共通ノードと電圧制御端子との間に接続された第１の抵抗と、
前記インダクタの両端と前記電圧制御端子との間に接続された第２、第３の抵抗と、
を含むことを特徴とする形態２記載の電圧制御発振器。
［形態４］
前記電源を高電位電源、低電位電源のうち一方の電源としたときに、
前記高電位電源、低電位電源のうち他方の電源と前記インダクタの両端との間にそれぞれ逆バイアスになるように接続された第３、第４のバラクタダイオードをさらに含むことを特徴とする形態３記載の電圧制御発振器。
［形態５］
前記第１及び第２のＭＯＳバラクタのゲート端子が前記共通ノードに接続されていることを特徴とする形態３又は４記載の電圧制御発振器。
［形態６］
前記インダクタの両端が前記増幅部の入出力端子に接続されていることを特徴とする形態３乃至５いずれか１記載の電圧制御発振器。
［形態７］
電源と第１ノードとの間に接続された第１のインダクタンスと、
前記電源と第２ノードとの間に接続された第２のインダクタンスと、
電圧制御端子に抵抗を介して接続された第３ノードと前記第１ノードとの間に逆バイアスになるように接続された第１のバラクタダイオードと、
前記第３ノードと前記第２ノードとの間に逆バイアスになるように接続された第２のバラクタダイオードと、
一端がそれぞれ前記第３ノードに接続させた第１及び第２のＭＯＳバラクタと、
前記第１のＭＯＳバラクタの他端と前記第１ノードとの間に接続された第１の固定容量と、
前記第２のＭＯＳバラクタの他端と前記第２ノードとの間に接続された第２の固定容量と、
を含むことを特徴とする形態２記載の電圧制御発振器。
［形態８］
前記第１及び第２のＭＯＳバラクタの他端にそれぞれ固定バイアスが与えられていることを特徴とする形態７記載の電圧制御発振器。
［形態９］
前記第１及び第２のＭＯＳバラクタのゲート端子が前記第３ノードに接続されていることを特徴とする形態７又は８記載の電圧制御発振器。
［形態１０］
前記第１ノード及び第２ノードがそれぞれ前記増幅部の入出力端子に接続されていることを特徴とする形態７乃至９いずれか１記載の電圧制御発振器。
［形態１１］
前記電源が高電位電源であり、前記第１のバラクタダイオードのアノードが前記第３ノードに、カソードが前記第１ノードに接続され、前記第２のバラクタダイオードのアノードが前記第３ノードに、カソードが前記第２ノードに接続されていることを特徴とする形態７乃至１０いずれか１記載の電圧制御発振器。
［形態１２］
前記電源が低電位電源であり、前記第１のバラクタダイオードのアノードが前記第１ノードに、カソードが前記第３ノードに接続され、前記第２のバラクタダイオードのアノードが前記第２ノードに、カソードが前記第３ノードに接続されていることを特徴とする形態７乃至１０いずれか１記載の電圧制御発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面、前記主面に形成された複数のデバイス領域、前記複数のデバイス領域のそれぞれに形成された複数の第１電極、前記複数のデバイス領域のうちの隣り合うデバイス領域の間に形成されたスクライブ領域、および前記主面とは反対側に位置する裏面を有する半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの前記裏面を研削する工程、
（ｃ）前記複数の第１電極と電気的に接続される複数の導電性部材を前記主面側にそれぞれ配置する工程、
（ｄ）前記スクライブ領域に沿って前記半導体ウエハを分割し、複数の半導体チップを取得する工程、を含み、
前記主面は、複数の半導体素子が形成される半導体素子層、および前記半導体素子層上に複数の第１絶縁層を介して積層され、前記複数の半導体素子と電気的に接続される複数の第１配線を含み、
前記主面上には、前記複数の第１電極、前記複数の第１電極と前記複数の半導体素子を電気的に接続する複数の第２配線、および前記複数の第１電極のそれぞれを露出し、かつ、前記複数の第２配線を覆う第２絶縁層が形成され、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記複数の第１電極のそれぞれを露出するように、前記第２絶縁層上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ａ２）前記第１絶縁膜上に前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続される複数の第３配線を形成する工程、
（ａ３）前記複数の第３配線それぞれの一部を露出するように前記複数の第３配線上に第２絶縁膜を形成する工程、を含み、
前記複数の導電性部材は、前記複数の第３配線の前記第２絶縁膜から露出した領域にそれぞれ接合され、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜のうちの何れか一方は、前記第１絶縁膜または前記第２絶縁膜よりも前記裏面側に形成された絶縁膜あるいは絶縁層の一部を露出するように、形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されたＯＦＤＭ信号を遅延させて遅延信号を生成する遅延部と、
前記ＯＦＤＭ信号と前記遅延信号との相関を算出する相関算出部と、
前記相関のピーク位置を所定の時間長さの観測期間ごとに検出するピーク位置検出部と、
検出された前記ピーク位置を複数取得し、当該複数のピーク位置の差分であるピーク位置差分に基づいて前記ピーク位置の同一性を評価するピーク位置評価部と、
前記ピーク位置評価部によるピーク位置評価結果を複数種類取得し、当該複数種類のピーク位置評価結果のうちで前記ピーク位置の同一性が最良なピーク位置評価結果に基づいて、前記ＯＦＤＭ信号の有効シンボル長およびガードインターバル長を識別する識別部と
を備え、
前記ピーク位置評価部は、前記ピーク位置差分の絶対値の累積加算を行い、当該累積加算の結果を利用して前記ピーク位置評価結果を生成し、
前記ピーク位置評価部は、前記ピーク位置差分の絶対値が、前記シンボル長の前記候補値から前記ピーク位置差分の絶対値を減算して得られる参考値に比べて大きい場合、前記ピーク位置差分の絶対値に代えて前記参考値を用いて前記累積加算を行う、
ＯＦＤＭシンボル識別装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＯＦＤＭシンボル識別装置であって、
前記遅延部は、前記遅延信号を生成するための遅延時間として、前記有効シンボル長の候補値を用い、
前記相関算出部は、前記相関の算出に、前記ガードインターバル長の候補値を用い、
前記ピーク位置検出部は、前記観測期間の前記所定の時間長さとして、検出対象とする前記相関に関与している前記有効シンボル長および前記ガードインターバル長の前記候補値を合算した値であるシンボル長の候補値を用い、
前記識別部は、前記有効シンボル長および前記ガードインターバル長の前記候補値のうちで前記最良のピーク位置評価結果に関与している候補値を、前記ＯＦＤＭ信号の前記有効シンボル長および前記ガードインターバル長として認定する、
ＯＦＤＭシンボル識別装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＯＦＤＭシンボル識別装置であって、
前記ピーク位置評価部は、
前記ピーク位置の検出結果が入力され、当該ピーク位置検出結果を次回の入力があるまで保持して出力する、第１の保持手段と、
前記第１の保持手段へ入力される前記ピーク位置検出結果と、前記第１の保持手段から出力される前記ピーク位置検出結果とについて前記ピーク位置差分を算出して出力する、第１の減算手段と
を含む、ＯＦＤＭシンボル識別装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＯＦＤＭシンボル識別装置であって、
前記ピーク位置評価部は、
前記ピーク位置の検出結果が入力され、当該ピーク位置検出結果を次々回の入力があるまで保持して出力する、第２の保持手段と、
前記第２の保持手段へ入力される前記ピーク位置検出結果と、前記第２の保持手段から出力される前記ピーク位置検出結果とについて前記ピーク位置差分を算出して出力する、第２の減算手段と
を含む、ＯＦＤＭシンボル識別装置。
【請求項５】
請求項４に記載のＯＦＤＭシンボル識別装置であって、
前記ピーク位置評価部が、前記第１の保持手段と、前記第１の減算手段と、前記第２の保持手段と、前記第２の減算手段とを含む場合、前記第１の保持手段と前記第１の減算手段とによって算出された前記ピーク位置差分と、前記第２の保持手段と前記第２の減算手段とによって算出された前記ピーク位置差分との両方を前記累積加算の対象とする、ＯＦＤＭシンボル識別装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＯＦＤＭシンボル識別装置であって、
前記識別部は、前記最良のピーク位置評価結果が所定の基準を満足しない場合、前記有効シンボル長および前記ガードインターバル長を識別精度は不十分であると判断する、
ＯＦＤＭシンボル識別装置。
【請求項７】
請求項２ないし６のいずれか１項に記載のＯＦＤＭシンボル識別装置であって、
前記遅延部は、前記有効シンボル長の前記候補値のそれぞれに対応した複数の前記遅延信号を並列的に出力し、
前記相関算出部は、前記ＯＦＤＭ信号と前記複数の遅延信号のそれぞれとの前記相関を前記ガードインターバル長の前記候補値のそれぞれを用いて並列的に算出し、算出された複数の前記相関を並列的に出力し、
前記ピーク位置検出部は、前記複数の相関に対して前記ピーク位置の検出を並列的に行い、前記複数の相関に対応する複数のピーク位置検出結果を並列的に出力し、
前記ピーク位置評価部は、前記複数のピーク位置検出結果に対して前記ピーク位置の評価を並列的に行い、前記複数のピーク位置検出結果に対応する複数の前記ピーク位置評価結果を並列的に出力する、
ＯＦＤＭシンボル識別装置。
【請求項８】
請求項２ないし６のいずれか１項に記載のＯＦＤＭシンボル識別装置であって、
前記遅延部は、前記有効シンボル長の前記候補値のそれぞれに対応した複数の前記遅延信号を直列的に出力し、
前記相関算出部は、前記ＯＦＤＭ信号と前記複数の遅延信号のそれぞれとの前記相関を前記ガードインターバル長の前記候補値のそれぞれを用いて直列的に算出し、算出された複数の前記相関を直列的に出力し、
前記ピーク位置検出部は、前記複数の相関に対して前記ピーク位置の検出を直列的に行い、前記複数の相関に対応する複数のピーク位置検出結果を直列的に出力し、
前記ピーク位置評価部は、前記複数のピーク位置検出結果に対して前記ピーク位置の評価を直列的に行い、前記複数のピーク位置検出結果に対応する複数の前記ピーク位置評価結果を直列的に出力する、
ＯＦＤＭシンボル識別装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のＯＦＤＭシンボル識別装置を、受信したＯＦＤＭ信号のシンボルの有効シンボル長およびガードインターバル長を識別するＯＦＤＭシンボル識別部として備える、ＯＦＤＭ受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係るＯＦＤＭ信号識別装置は、入力されたＯＦＤＭ信号を遅延させて遅延信号を生成する遅延部と、前記ＯＦＤＭ信号と前記遅延信号との相関を算出する相関算出部と、前記相関のピーク位置を所定の時間長さの観測期間ごとに検出するピーク位置検出部と、検出された前記ピーク位置を複数取得し、当該複数のピーク位置の差分であるピーク位置差分に基づいて前記ピーク位置の同一性を評価するピーク位置評価部と、前記ピーク位置評価部によるピーク位置評価結果を複数種類取得し、当該複数種類のピーク位置評価結果のうちで前記ピーク位置の同一性が最良なピーク位置評価結果に基づいて、前記ＯＦＤＭ信号の有効シンボル長およびガードインターバル長を識別する識別部とを備え、前記ピーク位置評価部は、前記ピーク位置差分の絶対値の累積加算を行い、当該累積加算の結果を利用して前記ピーク位置評価結果を生成し、前記ピーク位置評価部は、前記ピーク位置差分の絶対値が、前記シンボル長の前記候補値から前記ピーク位置差分の絶対値を減算して得られる参考値に比べて大きい場合、前記ピーク位置差分の絶対値に代えて前記参考値を用いて前記累積加算を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月2日(2012.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像記録装置と通信可能な通信手段を備える外部端末であって、
ユーザーからの付加情報の入力を受け付ける入力受付手段と、
前記入力受付手段への付加情報の入力開始を検出可能な入力開始検出手段と、
前記入力開始検出手段が付加情報の入力開始を検出したときに、前記映像記録装置が記録中の映像データにおける記録位置を示す情報を、前記通信手段を介して前記映像記録装置に問い合わせて取得する撮影状態問い合わせ手段と、
を備えることを特徴とする外部端末。
【請求項２】
請求項１に記載の外部端末であって、
前記撮影状態問い合わせ手段の問い合わせに応答して前記映像記録装置から受信した記録位置を示す情報を保持する第１の記憶手段と、
ユーザーが前記付加情報の入力が完了したときに、前記入力受付手段を介して入力された付加情報と、前記第１の記憶手段に保持された記録位置を示す情報を、前記通信手段を介して前記映像記録装置に送信する付加情報送信手段と、
を備えることを特徴とする外部端末。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の外部端末であって、
前記記録位置を示す情報は、映像記録装置が撮影を開始してから記録した映像データのフレーム数に関する情報である、ことを特徴とする外部端末。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の外部端末であって、
前記記録位置を示す情報は、映像記録装置が撮影を開始してから経過した時間に関する情報である、ことを特徴とする外部端末。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の外部端末であって、
前記撮影状態問い合わせ手段は、前記記録位置を示す情報とともに、前記映像記録装置が撮影している映像ファイルのファイル名を問い合わせて取得する、ことを特徴とする外部端末。
【請求項６】
請求項２に記載の外部端末であって、
前記撮影状態問い合わせ手段は、前記記録位置を示す情報とともに、前記映像記録装置が映像データを記録している記録媒体を識別するための識別情報を問い合わせて取得し、
前記第１の記憶手段は、前記記録位置を示す情報とともに前記識別情報を保持する、
ことを特徴とする外部端末。
【請求項７】
請求項２に記載の外部端末であって、
記録媒体を接続可能な記録媒体接続手段と、
前記付加情報送信手段による前記映像記録装置への付加情報及び記録位置を示す情報の送信に対する応答としてエラー情報を受信したときに、前記第１の記憶手段に保持された情報と、前記入力受付手段により入力された付加情報とを関連づけて記録する第２の記憶手段と、
前記記録媒体接続手段に接続された記録媒体に、前記第２の記憶手段に記録された情報を記録する付加情報書き出し手段と、
をさらに備えることを特徴とする外部端末。
【請求項８】
請求項２に記載の外部端末であって、
記録媒体を接続可能な記録媒体接続手段と、
前記付加情報送信手段が前記通信手段を介して前記映像記録装置との通信に失敗した場合に、前記第１の記憶手段に保持された情報と、前記入力受付手段により入力された付加情報とを関連づけて記録する第２の記憶手段と、
前記記録媒体接続手段に接続された記録媒体に、前記第２の記憶手段に記録された情報を記録する付加情報書き出し手段と、
を備えることを特徴とする外部端末。
【請求項９】
請求項６に記載の外部端末であって、
記録媒体を接続可能な記録媒体接続手段と、
前記記録媒体接続手段に接続された記録媒体を識別するための識別情報を取得するメディアＩＤ検出手段と、
前記付加情報送信手段による前記映像記録装置への付加情報及び記録位置を示す情報の送信に対する応答としてエラー情報を受信したときに、前記第１の記憶手段に保持された情報と、前記入力受付手段により入力された付加情報とを関連づけて記録する第２の記憶手段と、
前記記録媒体接続手段に接続された記録媒体の識別情報に関連する付加情報を、前記第２の記憶手段から選択する付加情報照合手段と、
前記付加情報照合手段により選択された付加情報を、前記第２の記憶手段から読み出し、前記記録媒体に記録する付加情報書き出し手段と、
をさらに備えることを特徴とする外部端末。
【請求項１０】
請求項６に記載の外部端末であって、
記録媒体を接続可能な記録媒体接続手段と、
前記記録媒体接続手段に接続された記録媒体を識別するための識別情報を取得するメディアＩＤ検出手段と、
前記付加情報送信手段が前記通信手段を介して前記映像記録装置との通信に失敗した場合に、前記第１の記憶手段に保持された情報と、前記入力受付手段により入力された付加情報とを関連づけて記録する第２の記憶手段と、
前記記録媒体接続手段に接続された記録媒体の識別情報に関連する付加情報を、前記第２の記憶手段から選択する付加情報照合手段と、
前記付加情報照合手段により選択された付加情報を、前記第２の記憶手段から読み出し、前記記録媒体に記録する付加情報書き出し手段と、
をさらに備えることを特徴とする外部端末。