【事件の表示】
　平成　９年特許願第３１７６６８号「多層配線基盤及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月２８日出願公開、特開平１１−１４５６１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成９年１１月４日の出願であって、平成１８年１２月５日付で拒絶理由が通知され、これに対して、平成１９年２月１３日付で意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１９年６月２６日付で拒絶査定がなされ、これを不服として、平成１９年８月２日付で審判請求がなされるとともに、平成１９年９月３日付で手続補正がなされたものである。
　
　
ＩＩ．平成１９年９月３日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年９月３日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
［１］本件手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲を次のとおりに補正しようとするものである。
　
「【請求項１】ウエハ上に多数形成された半導体ディバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用されるバーンインボードにおけるガラス多層配線基盤であって、
　前記多層配線基盤は、ガラス基板上に配線層と絶縁層を交互に積層してなり、前記絶縁層に形成されたスルーホールの側壁部分にスパッタ法によって金属層が形成された構造を有し、
　前記絶縁層におけるスルーホールのエッジの断面形状が順テーパー状であり、
　前記配線層における配線パターンのエッジの断面形状が順テーパー状であり、
　前記配線層の層数が４層以上である、
ことを特徴とするガラス多層配線基盤。
【請求項２】前記スルーホールの形状が矩形であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基盤。」
　
［２］補正の適否について
１．補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項１及び４を削除し、補正前の請求項１、２を引用する請求項３を、それぞれ補正後の請求項１、２とすると共に、補正後の請求項１に係る発明の特定事項である、
（１）「多層配線基盤」を、補正後の請求項１では「ガラス配線基盤」に、（２）また、「配線層と絶縁層を交互に積層してなる多層配線基盤」を、「前記多層配線基盤は、ガラス基板上に配線層と絶縁層を交互に積層してなり、前記絶縁層に形成されたスルーホールの側壁部分にスパッタ法によって金属層が形成された構造を有し、」に、
（３）そして配線層の層数について「３層以上」を「４層以上」に、
それぞれ、限定しようとするものである。
　
　上記補正事項（１）〜（３）は、いずれも特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものに該当するから、この補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものに該当する。
　
２．独立特許要件
　次に、上記補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
（１）引用刊行物及びその記載事項
《１》本願出願前に国内において頒布された特開平７−６３７８７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載乃至は図示されている。
（刊１ａ）「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明は、集積回路（以下「ＩＣ」という。）などの半導体素子の電気的諸特性の測定あるいは高温下で行われるバーンインテストに用いられるプローブ構造に関し、特にＩＣをダイシングする前のウエハ状態における電気的諸特性の測定に用いることができるプローブ構造に関する。」
（刊１ｂ）「【０００４】ウエハスケールで一度にウエハ上の全てのＩＣをテストするには、非常に密な配線が必要となるが、これを達成するためには、配線を非常に密にするか、あるいは多層配線構造とすることが必要となる。」
（刊１ｃ）「【００２０】第２導電性回路板Ａ２は、多層配線構造を有するマルチチップモジュール基板であり、セラミック基板などの基板６上には、多層の第２導電性配線が形成されている。第２導電性配線であるところの導電性配線８は、複数の絶縁体層７によって絶縁されており、導通路９によって導電性配線８の層間が接続されている。導電性配線８は、ＩＣなどの被検査体の電気特性検査を行うための図示しない電気特性検査器に接続されている。」
（刊１ｄ）「【００４７】ａ．ＭＣＭ−Ｄの製造工程
図１４は、図１０に示される第２導電性回路板Ａ２の製造工程を示す図である。まず、図１４（ａ）に示されるように、・・・ガラス・・・などの基板６上に、第１の絶縁体層７ａを形成する。絶縁層７ａは、・・・ポリイミド樹脂・・・により形成される。・・・
【００４８】次に、図１４（ｂ）に示されるように、配線導体となる導電性配線８を所定の形状に、スパッタ蒸着法・・により形成した後、図１４（ｃ）に示されるように、上記と同様にして、第２の絶縁層７ｂの形成を行う。
【００４９】次に、図１４（ｄ）に示されるように、導電性配線８の層間の導通を行うために、第２の絶縁層７ｂにビアホール７１を穿設する。・・・有機物として感光性のポリイミド樹脂・・・などを用い、・・・露光およびその現像により穿孔することも可能である。さらに、ビアホール７１の壁面に導電性を付与するとともに、第２の導電性配線８ｂを形成するために、再び導電性金属のスパッタ蒸着・・・を行う。
【００５０】これらの工程を必要な配線層数が得られるまで繰り返すことによって、多層構造の第２導電性配線が形成され、第２導電性回路板（プリント回路板）Ａ２を製造することができる。」
（刊１ｅ）図１０には、配線層数が４層の導電性回路板が示されている。
　
（２）当審の判断
（２−１）刊行物１に記載の発明
　上記記載事項（刊１ａ）〜（刊１ｄ）及び摘記事項（刊１ｅ）を整理すると、刊行物１には、
「ウエハスケールで一度にウエハ上の全てのＩＣをバーンインテストするために用いられるプローブ構造におけるガラスを基板とする多層配線構造の導電性回路板であって、
　前記ガラスを基板とする多層配線構造の導電性回路板は、ガラスを基板として、その上に絶縁層と導電性配線を必要な配線層数が得られるまで繰り返し形成してなり、導電性配線の層間の導通を行うための絶縁層に形成されたビアホールの壁面に導電性を付与した構造を有し、
　前記配線層の層数が４層である、
ことを特徴とするガラスを基板とする多層配線構造の導電性回路板」
に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（２−２）対比・判断
　そこで、本願補正発明と刊行物１発明とを対比すると、
（ａ）刊行物１発明の「ガラスを基板とする多層配線構造の導電性回路板」、「導電性配線」、「ビアホール」および「壁面」は、本願補正発明の「ガラス多層配線基盤」、「配線層」、「スルーホール」および「側壁部分」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「導電性配線の層間の導通を行うための絶縁層に形成されたビアホールの壁面に導電性を付与した構造」は、刊行物１の上記記載事項（刊１ｄ）の【００４９】によると導電性金属のスパッタ蒸着により導電性が付与されるのであるから、本願補正発明の「絶縁層に形成されたスルーホールの側壁部分にスパッタ法によって金属層が形成された構造」に相当する。
　
　そうすると、本願補正発明と刊行物１発明とは、
「ウエハ上に多数形成された半導体ディバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用されるバーンインボードにおけるガラス多層配線基盤であって、
　前記多層配線基盤は、ガラス基板上に配線層と絶縁層を交互に積層してなり、前記絶縁層に形成されたスルーホールの側壁部分にスパッタ法によって金属層が形成された構造を有し、
　前記配線層の層数が４層以上である、
ことを特徴とするガラス多層配線基盤。」
の点で一致し、下記の２点で相違する。
　
　相違点１：本願補正発明は、「絶縁層におけるスルーホールのエッジの断面形状が順テーパー状」であるのに対して、刊行物１発明にはそれが記載されていない点。
　相違点２：本願補正発明は、「配線層における配線パターンのエッジの断面形状が順テーパー状」であるのに対して、刊行物１発明にはそれが記載されていない点。
　
　つぎに、上記相違点１、２について検討する。
　
１）相違点１について
　高密度化を要求される多層配線基盤において、配線層間の導通を行わせるスルーホール（ビアホール）内壁に、スパッタリングによって導体を形成する際に、欠陥のない金属膜を形成するために、前記スルーホールのエッジの断面形状を順方向のテーパーとすることは、下記の周知例１，２に記載されているように周知の技術手段にすぎず、刊行物１の上記記載事項（刊１ｂ）に記載されているように、刊行物１発明においても高密度化が要求されており、欠陥のない多層配線構造とすることは当然に要求されていることを踏まえれば、刊行物１発明において上記周知技術を採用することは当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　＜周知例の記載事項＞
＊周知例１：特開平５−１９０５４５号公報
　　　　（原審の拒絶理由通知で引用した引用文献１）
（周１ａ）「【０００２】・・・ビアホールが, 蒸着やスパッタリングによる配線導体膜の形成が有利なように，正のテーパーを付けたビアホールの形成方法に関する。・・・高密度化，高速化に有利な薄膜多層回路基板が注目されている。
【０００３】薄膜多層回路は，絶縁層と配線導体層とを交互に形成し，絶縁層にはビアホールを設けて，ビアホールの壁面を導体物質で覆うことによって，上下の配線導体層間を電気的に接続している。
【０００４】ビアホール側壁の導体層の形成方法は，一般に，蒸着やスパッタリングにより金属膜を形成する乾式方法が用いられている。そのため，ビアホール側壁に欠陥のない均一な金属膜を被覆させるためには，その形状は絶縁層の上面の開口が，下面の開口より大きい正のテーパー形状を持ったものとする必要がある。」
（周１ｂ）図５（a）には、ビアホールの開口端部がテーパー形状となっている断面が図示されている。
　
＊周知例２：特開平８−３０７０６３号公報
（周２ａ）「【０００７】そこで，本発明の技術的課題は，微細配線が可能である高性能多層配線基板を低コストで安定し生産可能にできる電気回路基板とその製造方法とを提供することにある。」
（周２ｂ）「【００４６】・・・配線導体間の接合部である耐熱絶縁樹脂層のスルーホールが図２で示されるようにすり鉢状のテーパーがあり接続部における断線および接続不良等の不具合が解消され飛躍的に製品の歩留まりが向上し信頼性の高い回路基板の製造が実現できた。」
（周２ｃ）「【００５３】・・・図６において，アルミナ等のセラミック基板１の上に導体２をスパッタ蒸着にて・・・全面に成膜した。次に・・・耐熱絶縁樹脂層５をフォトリソグラフィー技術を利用しスルーホール５ｂを形成，スパッタ蒸着法を用いて成膜した。なお，その後，前述導体形成方法と同様にし，導体４を形成し，更にその上にポリイミド樹脂からなる耐熱絶縁樹脂層６及び７を成膜し，同様に導体３およびポリイミド樹脂からなる耐熱絶縁樹脂層８，５１を重畳成膜した。・・・」
（周２ｄ）「【００５６】尚，本実施例ではアルミナ基板を使用したが，・・・ガラス基板・・・であっても本発明の効果は同様に得られることは言うまでもない。・・・」
　
　
２）相違点２について
　シリコンやアルミなどの基板上に、多層配線を形成するに際して、下層配線の急峻な段差により、上層に形成される金属配線パターンに、欠けや断線が発生することを防ぐために、下層の配線のエッジの断面形状を順方向のテーパー状とすることは、下記の周知例３，４に記載されているように周知の技術手段である。
　そして、刊行物１発明は、多層配線を形成する基板がガラスであり、上記周知技術の基板と材質が異なるものの、基板上に金属配線と絶縁層を交互に積層していることから、下層配線が急峻となれば、上層配線に欠けや断線が生じ、上層に形成される金属配線パターンの欠けや断線を防ぎたいとの課題は、当然有している要求事項である。
　したがって、刊行物１発明において、上記周知事項を採用することは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　さらに、周知例３に記載された基板は、複数のチップとの接続を図るためのマルチチップモジュール基板であり、刊行物１発明も、複数のチップが形成されているウエハと一括して導通を図る配線を形成するためのマルチチップモジュール基板（上記記載事項(刊１ｃ））であることを踏まえると、この点からも、刊行物１発明においても、上記周知技術を採用することに、格別な困難さは見出せず、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　＜周知例の記載事項＞
＊周知例３：特開平９−１２９８１６号公報
（原審の拒絶査定で周知例として挙げられた文献）
（周３ａ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、・・・基板上に形成される下層金属配線パターンのパターン細りを無くし、上層に形成される上層金属配線パターンの欠けや断線のないマルチチップモジュール基板及びその製造方法に関する。」
（周３ｂ）「【０００４】近年、このような配線回路基板に対しては、半導体チップの高集積化に伴い、より高密度の実装・・・を有する構造が求められるようになった。」
（周３ｃ）「【００１５】・・・下層金属配線パターン３３ａ上より基板３１上に、層間絶縁膜３４及び上層金属配線パターン３５をそれぞれこの順に積層して配線回路基板３０を形成した際には、該パターン３３ａのエッジ部の垂直に近い急激な高低変動の断面形状のために、層間絶縁膜３４のステップカバーレッジが悪くなり、下層金属配線パターン３３ａと上層金属配線パターン３５との間の絶縁状態に欠陥が生じたり、あるいは上層金属配線パターン３５にパターンの欠落・断線などの欠陥が生じる原因となる。」
（周３ｄ）「【００４４】・・・基板１の全面に、スパッタリング装置・・・を用いて、・・・成膜することにより、パターンエッジ部３ａが下方に最高水平長さ１０μｍに拡がる緩やかな傾斜面を備えたテーパー部Ｃを備えた膜厚４μｍの下層金属配線パターン３を得た。
・・・
【００４７】・・・スパッタリング装置・・・を用いて、層間絶縁膜４上の全面に、上層金属配線パターン・・・に成膜することにより、図３（ｃ）、層間絶縁膜４上及びホール部４ａ内に、アルミニウムによる上層金属配線パターン５及び導通部６を形成して、高低差の変動が緩やかな最表面を備えた本発明のマルチチップモジュール用配線回路基板を製造した。」
　
＊周知例４：特開昭４７−１６８１号公報
（原審の拒絶査定で周知例として挙げられた文献）
（周４ａ）「１つのガラス層によって分離された２つの金属層を単に図示したけれど、それ以上の層を組み入れることもできる。物質が他の層によっておおわれるときにはいつでもこのテーパが使用され、そして最後の、すなわち頂部の層はテーパ状にする必要がない。」（第４頁右上欄１７行〜左下欄２行）
　
　
　そして、本願補正発明の刊行物１発明との相違点１及び相違点２の各構成を採用することによる格別な作用・効果も、認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び周知例１〜４に記載の周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３．まとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
ＩＩＩ．本願発明について　
［１］本願発明
　平成１９年９月３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年２月１３日付の手続補正書により補正された、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　配線層と絶縁層を交互に積層してなる多層配線基盤であって、
　前記絶縁層におけるスルーホールのエッジの断面形状が順テーパー状であり、
　前記配線層における配線パターンのエッジの断面形状が順テーパー状であり、
　前記配線層の層数が３層以上である、ことを特徴とする多層配線基盤。」
　
［２］引用刊行物及びその記載事項
　原審の拒絶理由通知で引用文献１として引用された本願出願前に国内において頒布された特開平５−１９０５４５号公報（上記「ＩＩ．平成１９年９月３日付の手続補正についての補正却下の決定」で例示した周知例１であるが、以下、「刊行物Ａ」という。）には、次の事項が記載されている。
（刊Ａａ）「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明は，感光性耐熱樹脂等の絶縁樹脂膜に導体回路を形成し, 多層化して薄膜多層回路を形成する場合の, 絶縁樹脂膜相互の上下の配線パターンとの導通をとるためのビアホールの形成方法に関する。
【０００２】更に詳しくは，そのビアホールが, 蒸着やスパッタリングによる配線導体膜の形成が有利なように，正のテーパーを付けたビアホールの形成方法に関する。・・・
【０００３】薄膜多層回路は，絶縁層と配線導体層とを交互に形成し，絶縁層にはビアホールを設けて，ビアホールの壁面を導体物質で覆うことによって，上下の配線導体層間を電気的に接続している。
【０００４】ビアホール側壁の導体層の形成方法は，一般に，蒸着やスパッタリングにより金属膜を形成する乾式方法が用いられている。そのため，ビアホール側壁に欠陥のない均一な金属膜を被覆させるためには，その形状は絶縁層の上面の開口が，下面の開口より大きい正のテーパー形状を持ったものとする必要がある。」
（刊Ａｂ）「【０００５】【従来の技術】　図５は従来例の説明図である。図において，13は層間絶縁層, 14はビアホール, 15は配線導体層, 16は下層絶縁層の配線導体層, 17は下層絶縁層, 18は断線部分, 19は薄い部分である。
・・・
【０００７】・・・図５（ａ）に示したものは，基板側の下層絶縁層17の上面に, 下層絶縁層の配線導体層16を形成し，その上に被着された層間絶縁層13に開けられたビアホール14が，層間絶縁層13の上面の開口より下面の開口が小さい正テーパー形状となっている。このようなビアホール14に被着された配線導体層15は，ビアホール14の側壁を覆って下層絶縁層の配線導体層16に接続されるようになる。」
（刊Ａｃ）図５（ａ）には、ビアホールの開口端部の断面が正テーパー形状となっていることが示されている。
　
（２）当審の判断
（２−１）刊行物Ａに記載の発明
　上記記載事項（刊Ａａ）、（刊Ａｂ）を整理すると、刊行物Ａには、
「基板上に絶縁層と配線導体層とを交互に形成してなる薄膜多層回路であって、
　層間絶縁層に開けられたビアホールが，層間絶縁層の上面の開口より下面の開口が小さい正テーパー形状であることを特徴とする薄膜多層回路。」
に関する発明（以下、「刊行物Ａ発明」という。）が記載されている。
　
（２−２）対比・判断
　そこで、本願発明と刊行物Ａ発明とを対比すると、
（ａ）刊行物Ａ発明の「薄膜多層回路」、「層間絶縁層」、「配線導体層」および「ビアホール」は、本願発明の「多層配線基盤」、「絶縁層」、「配線層」および「スルーホール」に相当する。
（ｂ）上記刊行物Ａの記載事項（刊Ａｃ）及び図５（a）を参酌すると、刊行物Ａ発明の「ビアホールが，層間絶縁層の上面の開口より下面の開口が小さい正テーパー形状」は、本願発明の「絶縁層におけるスルーホールのエッジの断面形状が順テーパー状」に相当する。
　
　そうすると、両者は、
「配線層と絶縁層を交互に積層してなる多層配線基盤であって、
　前記絶縁層におけるスルーホールのエッジの断面形状が順テーパー状であることを特徴とする多層配線基盤。」
の点で一致し、下記の点で相違する。
　
　相違点：配線層について、本願発明は、「配線層における配線パターンのエッジの断面形状が順テーパー状であり、前記配線層の層数が３層以上である」のに対し、刊行物Ａ発明は、下層絶縁層の配線導体層の断面形状および層数が記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、シリコンやアルミなどの基板上に、多層配線を形成する際して、上層に形成される金属配線パターンの欠けや断線を防ぐために、下層の配線のエッジの断面形状を順方向のテーパー状とすることは、下記の周知例３，４に記載されているように周知の技術手段である。
　そして、刊行物Ａ発明は、多層配線を形成する基板が特定されていないが基板上に金属配線と絶縁層を交互に積層していることから、上層に形成される金属配線パターンの欠けや断線を防ぎたいとの課題は、当然有している要求事項である。
　したがって、上記周知事項を採用することは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　また、多層配線を形成するに当たり、積層数をどの程度にするかは、必要とする配線等に応じて適宜設定すべきものであり、例えば、周知例３の図４には、３層の配線が形成された例が図示されており、周知例４の下記記載事項（周４ａ）には、２層の金属層を例示し、それ以上の層数とする場合にも適用することが記載されていることからも、３層以上の配線層数とすることに格別な点は認められず、また、３層以上とするための他の格別な構成も見出せない。
　
　よって、刊行物Ａ発明において、周知例３，４に記載された周知事項を採用することで、配線パターンのエッジの断面形状を順テーパとし、必要に応じて配線層数を３層以上とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　＜周知例の記載事項＞
＊周知例３：特開平９−１２９８１６号公報
（原審の拒絶査定で周知例として挙げられた文献）
（周３ａ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、・・・基板上に形成される下層金属配線パターンのパターン細りを無くし、上層に形成される上層金属配線パターンの欠けや断線のないマルチチップモジュール基板及びその製造方法に関する。」
（周３ｂ）「【０００４】近年、このような配線回路基板に対しては、半導体チップの高集積化に伴い、より高密度の実装、及び、より高い放熱効率を有する構造が求められるようになった。」
（周３ｃ）「【００１５】・・・下層金属配線パターン３３ａ上より基板３１上に、層間絶縁膜３４及び上層金属配線パターン３５をそれぞれこの順に積層して配線回路基板３０を形成した際には、該パターン３３ａのエッジ部の垂直に近い急激な高低変動の断面形状のために、層間絶縁膜３４のステップカバーレッジが悪くなり、下層金属配線パターン３３ａと上層金属配線パターン３５との間の絶縁状態に欠陥が生じたり、あるいは上層金属配線パターン３５にパターンの欠落・断線などの欠陥が生じる原因となる。」
（周３ｄ）「【００４４】・・・基板１の全面に、スパッタリング装置・・・を用いて、・・・成膜することにより、パターンエッジ部３ａが下方に最高水平長さ１０μｍに拡がる緩やかな傾斜面を備えたテーパー部Ｃを備えた膜厚４μｍの下層金属配線パターン３を得た。
・・・
【００４７】・・・スパッタリング装置・・・を用いて、層間絶縁膜４上の全面に、上層金属配線パターン・・・に成膜することにより、図３（ｃ）、層間絶縁膜４上及びホール部４ａ内に、アルミニウムによる上層金属配線パターン５及び導通部６を形成して、高低差の変動が緩やかな最表面を備えた本発明のマルチチップモジュール用配線回路基板を製造した。」
　
＊周知例４：特開昭４７−１６８１号公報
（原審の拒絶査定で周知例として挙げられた文献）
（周４ａ）「１つのガラス層によって分離された２つの金属層を単に図示したけれど、それ以上の層を組み入れることもできる。物質が他の層によっておおわれるときにはいつでもこのテーパが使用され、そして最後の、即ち頂部の層はテーパ状にする必要がない。」（第４頁右上欄１７行〜左下欄２行）
　
　
［４］むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物Ａに記載された発明及び周知例３，４に記載された周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜請求項４に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。
　
　
 　なお、審判請求人は、平成２１年４月１５日付審尋に対する平成２１年６月１９日付回答書において、
「「補正案が一見して特許可能であることが明白である場合には、迅速な審理に資するので、審判合議体の裁量により、補正案を考慮した審理を進めることもあります。」に基づいて、「補正案が一見して特許可能であることが明白である」ような補正案を本回答書において提示致したく、お願い申し上げます。」
との要請をすると共に、補正案を提示しているが、当該補正案は、「ガラス多層配線基盤」との発明を「バーンインボード」との発明に、その対象を変更しており、これに併せて、特定のバーンインボードの構成を限定することにより、その特定のバーンインボードにおける「要求特性」の相違及び「加熱及び
吸着時の
　また、審判請求人は、上記回答書において、本願明細書【００３２】の記載に基づいて「
吸着時の
　さらに、「バンプを有するフィルムをリングで固定した構造のメンブレンリングと、異方性導電ゴムシートと、ガラス多層配線基盤とをこの順に重ね合わせた構成を有し、前記バーンインボードは、ウエハ上に、メンブレンリングと、異方性導電ゴムシートと、ガラス多層配線基盤とをこの順に載せ全体を吸着固定して使用される」バーンインボード自体は、本願出願前に公知の刊行物である「中田義朗他２名、”ウエーハ・バーンインを実現する新型プローブ・カードを試作　チップ良品選別の低コスト化に解”，日経ＢＰ社，日経マイクロデバイス，１９９７年７月１日発行，１９９７年７月号，１２６頁〜１３１頁」に、また、多層配線基板における配線層として、「Ｃｕ」と有機絶縁膜との密着を図るために「Ｃｒ」を介在させること、また「Ｃｕ」と有機絶縁膜との反応防止及びエッチング等への保護として「Ｎｉ」を用いることは、例えば、特開平６−２６０７６２号公報等でよく知られた技術であるから、この点からも、回答書で提示された補正案について「一見して特許可能であることが明白である」とまではいえないことからも、当該補正案を考慮した審理は進めていない。