【事件の表示】
　平成　８年特許願第１６６９４４号「液晶ディスプレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　１月２１日出願公開、特開平　９−　２２０２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年６月６日（パリ条約による優先権主張　平成７年６月６日、米国）に出願された特許出願であって、原審において平成１５年２月２０日付けで通知された拒絶理由に対して、同年９月１８日付けで手続補正がなされた後、同年１０月８日付けで拒絶査定がなされたものであり、これに対し、平成１６年２月２日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月３日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年３月３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年３月３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を、以下のように補正するものを含む補正である。
　ア．補正前
　「高開口比を有する液晶ディスプレイであって、
Ａ）第一基板、第二基板と、
Ｂ）上記第一基板と第二基板間に挟まれた液晶層と、
Ｃ）上記第一基板上に設けられかつ複数のアドレス線を接続させた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイと、
Ｄ）上記第一基板上に設けられかつ実質的に透明なピクセル電極のアレイであって、該ピクセル電極のアレイ中の複数の該ピクセル電極が少なくとも１つの上記アドレスラインと重なることにより上記液晶ディスプレイのピクセル口径比を増大させるピクセル電極のアレイと、
Ｅ）上記ＴＦＴのソース電極と重複する領域および隣接する領域に少なくともある上記アドレス線と上記ピクセル電極間の上記第一基板上に設けたフォトイメージ形成型絶縁層とを有し、　
　前記フォトイメージ形成型絶縁層は、少なくとも部分的にアドレス線に重複した１つのピクセル電極と該アドレス線との間の静電容量が０．０１ｐＦ以下となるように形成され、
Ｆ）上記フォトイメージ形成型絶縁層はフォトイメージ形成により上記絶縁層内に形成されたコンタクトバイアスの第一グループを有し、上記ピクセル電極は上記絶縁層に形成された上記第一グループのコンタクトバイアスを介して対応のＴＦＴソース電極と電気的に接続したものから構成することを特徴とする、高口径比を有する液晶ディスプレイ。」
　イ．本件補正
　「高開口比を有する液晶ディスプレイであって、
Ａ）第一基板、第二基板と、
Ｂ）上記第一基板と第二基板間に挟まれた液晶層と、
Ｃ）上記第一基板上に設けられかつ複数のアドレス線を接続させた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイと、
Ｄ）上記第一基板上に設けられかつ実質的に透明なピクセル電極のアレイであって、該ピクセル電極のアレイ中の複数の該ピクセル電極が少なくとも１つの上記アドレスラインと重なることにより上記液晶ディスプレイのピクセル口径比を増大させるピクセル電極のアレイと、
Ｅ）前記各ピクセル電極に組合わせられた副記憶コンデンサ電極と、
Ｆ）上記ＴＦＴのソース電極と重複する領域および隣接する領域に少なくともある上記アドレス線と上記ピクセル電極間の上記第一基板上に設けたフォトイメージ形成型絶縁層と、
を有し、
　前記フォトイメージ形成型絶縁層は、少なくとも部分的にアドレス線に重複した１つのピクセル電極と該アドレス線との間の静電容量が０．０１ｐＦ以下となるように形成され、
Ｇ）上記フォトイメージ形成型絶縁層はフォトイメージ形成により上記絶縁層内に同時に形成されたコンタクトバイアスの第一グループと第二グループとを有し、上記ピクセル電極は上記絶縁層に形成された上記第一グループのコンタクトバイアスを介して対応のＴＦＴソース電極と電気的に接続し、
　前記ピクセル電極の各々は前記コンタクトバイアスの前記第二グループの１つのバイアスを介して対応の記憶コンデンサ電極と電気的に接続したものから構成することを特徴とする、高口径比を有する液晶ディスプレイ。」
　
（２）判断
　上記補正により、「各ピクセル電極に組合わせられた副記憶コンデンサ電極」及び「ピクセル電極の各々は前記コンタクトバイアスの前記第二グループの１つのバイアスを介して対応の記憶コンデンサ電極と電気的に接続した」なる構成が限定されたが、当該「副記憶コンデンサ電極」が発明を特定するための事項である「ピクセル電極」には属さない、別体の構成であることは明らかであるから、この補正は発明を特定するための事項を限定するものではない。
　また、「副記憶コンデンサ電極」と「記憶コンデンサ電極」との関係が不明であり、この補正は請求項１に係る発明を不明りょうとする補正でもある。
　したがって、いずれにしても上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮とはいえず、また、誤記の訂正でも、明りょうでない記載の釈明でもない。 
　
　なお、副記憶コンデンサ電極（補助容量電極）を配置することは慣用手段であり、当該慣用手段の適用になんら困難性はないことから、請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものでもない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年３月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年９月１８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。 
　「高開口比を有する液晶ディスプレイであって、
Ａ）第一基板、第二基板と、
Ｂ）上記第一基板と第二基板間に挟まれた液晶層と、
Ｃ）上記第一基板上に設けられかつ複数のアドレス線を接続させた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイと、
Ｄ）上記第一基板上に設けられかつ実質的に透明なピクセル電極のアレイであって、該ピクセル電極のアレイ中の複数の該ピクセル電極が少なくとも１つの上記アドレスラインと重なることにより上記液晶ディスプレイのピクセル口径比を増大させるピクセル電極のアレイと、
Ｅ）上記ＴＦＴのソース電極と重複する領域および隣接する領域に少なくともある上記アドレス線と上記ピクセル電極間の上記第一基板上に設けたフォトイメージ形成型絶縁層とを有し、　
　前記フォトイメージ形成型絶縁層は、少なくとも部分的にアドレス線に重複した１つのピクセル電極と該アドレス線との間の静電容量が０．０１ｐＦ以下となるように形成され、
Ｆ）上記フォトイメージ形成型絶縁層はフォトイメージ形成により上記絶縁層内に形成されたコンタクトバイアスの第一グループを有し、上記ピクセル電極は上記絶縁層に形成された上記第一グループのコンタクトバイアスを介して対応のＴＦＴソース電極と電気的に接続したものから構成することを特徴とする、高口径比を有する液晶ディスプレイ。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平６−２４２４３３号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。  
　ア．「【０００４】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置の配向制御を均一化する事を目的とする。又、アクティブマトリクス型液晶表示装置の開口率を改善する事を目的とする。」
　イ．「【００１２】図３の工程Ｄにおいて、ＡＰＣＶＤ法により、１ＰＳＧに重ねて２ＰＳＧを堆積し、Ａｌからなる配線金属パタンを完全に被覆する。続いて工程Ｅにおいて、２ＰＳＧ表面の凹凸を平坦化層で埋める。この為、本実施例では所定の粘性を有する液状のアクリル樹脂をスピンコーティングで塗布した。その後加熱処理を施しアクリル樹脂を硬化させて平坦化層とした。硬化した平坦化層に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを施し第二コンタクトホール（２ＣＯＮ）を形成する。この２ＣＯＮの底部にはＴＦＴのドレイン領域Ｄが露出している。なお平坦化層、２ＰＳＧ、１ＰＳＧを貫通する２ＣＯＮの形成方法の具体例については後に詳細に説明する。次に工程Ｆにおいてスパッタリングにより透明導電膜を成膜する。本実施例では透明導電膜材料としてＩＴＯを用いる。ＩＴＯは２ＣＯＮの内部にも充填され、ＴＦＴのドレイン領域Ｄと電気的な導通がとられる。最後に工程ＧにおいてＩＴＯを所定の形状にパタニングし画素電極とする。以上の工程により平坦化されたアクティブマトリクス基板が得られる。」
　ウ．「【００２５】……図から明らかな様に、対向基板２５側から見た開口部寸法は、画素寸法から金属配線パタン２３が重複した部分を差し引いたものであり、配列ピッチに比べ若干小さいに過ぎない。従って、従来例に比し開口率を相当程度改善する事ができる。」
　エ．「【００２７】図１５は、図１３に示した本発明にかかるブラックマスク構造の平面パタン形状を示す。具体的な数値を入れて開口率を計算している。図１４に示した従来例との比較を容易にする為、同様に画素の幅方向配列ピッチを３０μｍに設定し、長手方向配列ピッチを４１μｍに設定している。本実施例では、画素開口部の幅寸法が従来の１６．５μｍに比べ、２５．０μｍまで拡大している。即ち、金属配線パタン２３をブラックマスクとして兼用する事により、開口部幅寸法の大幅な拡大が可能になる。実質的に画素電極２２端部と各金属配線パタン２３の重なった部分のみが開口部から除かれる。」
　オ．「【００３０】図１８はカラーフィルタ層をアクティブマトリクス基板側に設けた本発明にかかるアクティブマトリクス型カラー液晶表示装置の実施例を示す模式的な断面図である。……ＴＦＴや金属配線膜８０の凹凸を埋める様に平坦化膜８４が堆積されている。この平坦化膜８４は１μｍ〜２μｍ程度の凹凸を埋める為、少なくとも２．０μｍ程度の膜厚を有する。」
　カ．図１から、絶縁基板２と対向基板１２間に挟まれた液晶１３と、絶縁基板上に設けられ金属配線パタンと接続されたＴＦＴ３と、画素電極１０と、平坦化層１１とを有し、平坦化層１１は第二コンタクトホール９を有し、画素電極１０は第二コンタクトホール９を介してＴＦＴドレイン電極と接続される構成がみてとれる。
　キ．図１３及び図１５から、画素電極が金属配線パタンと重なること、及びその重なった幅が１．０μｍであり、その長さが２５．５μｍであることがみてとれる。
　
　したがって、上記ア．〜キ．の記載事項からみて、引用例には以下の発明が記載されていると認められる。  
　「アクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
Ａ）絶縁基板、対向基板と、
Ｂ）絶縁基板と対向基板に挟まれた液晶と、
Ｃ）絶縁基板上に設けられかつ金属配線パタンを接続させたＴＦＴと、
Ｄ）絶縁基板上に設けられた画素電極と、
Ｅ）ＴＦＴのドレイン領域と重複する領域および隣接する領域に少なくともある金属配線パタンと画素電極間の絶縁基板上に設けた平坦化層とを有し、　
Ｆ）平坦化層はコンタクトホールを有し、画素電極は平坦化層に形成されたコンタクトホールを介して対応のＴＦＴドレイン領域と電気的に接続した、アクティブマトリクス型液晶表示装置。」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比すると、  
　ア．引用発明における「アクティブマトリクス型液晶表示装置」，「絶縁基板」，「対向基板」，「液晶」，「金属配線パタン」，「ＴＦＴ」，「画素電極」，「平坦化層」及び「コンタクトホール」は、それぞれ、本願発明における「液晶ディスプレイ」，「第一基板」，「第二基板」，「液晶層」，「アドレス線（アドレスライン）」，「薄膜トランジスタ」，「ピクセル電極」，「絶縁層」及び「コンタクトバイアス」に相当する。
　イ．引用例には、「金属配線パタン２３をブラックマスクとして兼用する事により、開口部幅寸法の大幅な拡大が可能になる。」（上記「（１）エ」）と記載されていることから、引用発明の「アクティブマトリクス型液晶表示装置」は「高開口比を有する」或いは「高口径比を有する」ものである。
　ウ．引用発明が複数画素からなる液晶表示装置であることは明らかであるから、引用発明の金属配線パタンが複数であり、ＴＦＴ及び画素電極がアレイ状であり、コンタクトホールは画素電極とＴＦＴとを接続するグループを有していることは自明である。
　エ．引用例には、「最後に工程ＧにおいてＩＴＯを所定の形状にパタニングし画素電極とする。」（上記「（１）イ」）と記載されており、引用発明の画素電極は「実質的に透明な」ものである。
　オ．上記「（１）キ」のとおり、引用発明の画素電極は金属配線パタンと重なっていることから、当該構成により、画素の口径比が増大していることは明らかである。
　カ．引用例には、「硬化した平坦化層に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを施し第二コンタクトホール（２ＣＯＮ）を形成する。」（上記「（１）イ」）と記載されていることから、引用発明のコンタクトホールが「フォトイメージ形成」により形成されていることは明らかであり、よって、引用発明の「平坦化層」は「フォトイメージ形成型絶縁層」に相当する。
　キ．引用発明の平坦化層は絶縁基板上の全面に形成されていることから、「ＴＦＴと重複する領域および隣接する領域に少なくともある金属配線パタンと画素電極間の絶縁基板上に設けた」ものである。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、 
　「高開口比を有する液晶ディスプレイであって、
Ａ）第一基板、第二基板と、
Ｂ）上記第一基板と第二基板間に挟まれた液晶層と、
Ｃ）上記第一基板上に設けられかつ複数のアドレス線を接続させた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイと、
Ｄ）上記第一基板上に設けられかつ実質的に透明なピクセル電極のアレイであって、該ピクセル電極のアレイ中の複数の該ピクセル電極が少なくとも１つの上記アドレスラインと重なることにより上記液晶ディスプレイのピクセル口径比を増大させるピクセル電極のアレイと、
Ｅ）上記ＴＦＴと重複する領域および隣接する領域に少なくともある上記アドレス線と上記ピクセル電極間の上記第一基板上に設けたフォトイメージ形成型絶縁層とを有し、
Ｆ）上記フォトイメージ形成型絶縁層はフォトイメージ形成により上記絶縁層内に形成されたコンタクトバイアスの第一グループを有し、上記ピクセル電極は上記絶縁層に形成された上記第一グループのコンタクトバイアスを介して対応のＴＦＴと電気的に接続したものから構成する、高口径比を有する液晶ディスプレイ。」である点で一致し、次の点で相違している。 
　
　［相違点］ 
・相違点１
　本願発明のピクセル電極は、コンタクトバイアスを介してＴＦＴの「ソース電極」と接続されているのに対して、引用発明の画素電極は、コンタクトホールを介してＴＦＴの「ドレイン領域」と接続されている点。
・相違点２
　本願発明のフォトイメージ形成型絶縁層は「少なくとも部分的にアドレス線に重複した１つのピクセル電極と該アドレス線との間の静電容量が０．０１ｐＦ以下となるように形成され」ているのに対して、引用発明では、その静電容量は不明である点。
　
（３）判断
　以下、上記相違点について検討する。 
　ア．相違点１について 
　引用発明のＴＦＴにおいて「ドレイン領域」及び「ソース領域」に構造的な違いはなく、単にキャリアの導通方向により区別して呼称しているに過ぎず、どちらの領域も画素電極と接続されることは周知であり、また、ＴＦＴの半導体領域（ドレイン領域、ソース領域）に金属層を配することも周知（例えば、特開平３−１５０５３２号公報，特開平４−２９１２４０号公報参照）であることから、引用発明における画素電極と接続されるＴＦＴの部分を「ソース電極」として相違点１の構成とすることは当業者が適宜なし得る設計事項である。
　イ．相違点２について 
　本願では「ピクセル電極とアドレス線との間の静電容量」について、
「【００２０】ピクセル電極３とアドレス線またはバスライン５、７の間の重なり部分では、ピクセル−線（ＰＬ）コンデンサの一方の端は電極３で規定され、他方の端は重なっているアドレス線で規定されている。これらのピクセル−線（ＰＬ）コンデンサの電極の間に配置されている絶縁体は絶縁層３３である（図４、７参照）。これらのコンデンサの寄生キャパシタンスＣPLは下記の式で定義される。
ＣPL ＝（ε・ε0・Ａ）／ｄ
【００２１】ここで「ｄ」は絶縁層３３の厚さであり、εは絶縁層３３の誘電率、ε0は定数８．８５×１０-14Ｆ／ｃｍ（真空誘電率）、「Ａ」は重なり部分１８におけるＰＬコンデンサの面積である。」、
「【００３０】本発明にかかる絶縁層３３は、誘電率εが低く、層の厚さ「ｄ」が大きいために、先行技術に見られたような、高いＣPLが原因で発生する容量性クロストークの問題が、ピクセル電極３がアドレス線５および／または７と重なっている部分１８で実質的に減少する。」（なお、摘記部記載の式及び技術常識からみて、摘記部の「誘電率」は「比誘電率」を意味すると認める）と記載されており、「表１」には、絶縁層の比誘電率が「４．５」、オーバーラップ距離が「１μｍ」、距離は「２．０μｍ」、側面の長さが「１００μｍ」である構成において、キャパシタンスが「７．５ｆＦ」である実施例が記載されている。
　ここで、引用例に記載されている液晶表示装置の実施例をみると、絶縁層の材料は「アクリル樹脂」、オーバーラップ距離は「１．０μｍ」、距離は「２．０μｍ」、側面の長さは「２５．５μｍ」である。
　引用例に「アクリル樹脂」の比誘電率について記載はないが、例えば、特開平２−６８５２０号公報に、比誘電率が「２．６３」の液晶表示装置に用いられるアクリル樹脂平坦化絶縁層が記載されていることから、引用例の「アクリル樹脂」も同様の値と推認され、よって、引用例の実施例におけるキャパシタンスは本願の実施例の値と格別な差はないと推認される。
　そして、当該キャパシタンスを小さくするという技術思想は周知（例えば、特開平４−３０７５２０号公報参照）なものでもある。
　したがって、引用発明の液晶表示装置は、画素電極と金属配線パタンとの間の静電容量が０．０１ｐＦ以下と推認され、上記周知な技術事項からみても、引用発明を静電容量が０．０１ｐＦ以下となるように形成して相違点２の構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願発明の奏する作用効果は、上記引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものに過ぎない。 
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。