(57)【要約】  本発明は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を巻回してなり、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における、全幅長に対する長さの比が０．２以上０．８以下である中央部にレーザ照射により形成された複数の凹部で構成される凹部列を有する巻磁心を提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を巻回してなり、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における、全幅長に対する長さの比が０．２以上０．８以下である中央部に、レーザ照射により形成された複数の凹部で構成される凹部列を有する巻磁心。
【請求項２】
前記凹部列の、合金薄帯長手方向における間隔が、２ｍｍ以上２０ｍｍ以下である請求項１に記載の巻磁心。
【請求項３】
前記Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の厚みが、１５μｍ以上４０μｍ以下である請求項１または請求項２に記載の巻磁心。
【請求項４】
前記Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の全幅長が、１５ｍｍ以上２５０ｍｍ以下である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の巻磁心。
【請求項５】
前記凹部列における隣り合う凹部間の中心間距離が均等で、かつ前記凹部の形成間隔が幅方向において４個／ｍｍ以上８個／ｍｍ以下の範囲である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の巻磁心。
【請求項６】
前記凹部を平面視したときの形状が、円形又は楕円形である請求項５に記載の巻磁心。
【請求項７】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における、全幅長に対する長さの比が０．２以上０．８以下である中央部に、レーザをパルス状に照射することにより凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部が形成されたＦｅ基アモルファス合金薄帯を巻回することで磁心とする巻回工程と、
を有する巻磁心の製造方法。
【請求項８】
前記凹部形成工程は、合金薄帯長手方向において２ｍｍ以上２０ｍｍ以下の間隔を設けてレーザをパルス状に照射することにより前記凹部を形成する請求項７に記載の巻磁心。
【請求項９】
前記Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の厚みが、１５μｍ以上４０μｍ以下である請求項７又は請求項８に記載の巻磁心の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として配電用トランス、高周波トランス、可飽和リアクトル、磁気スイッチなどの磁心材料として用いられるＦｅ基アモルファス合金薄帯を巻回した巻磁心及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファス合金は、単ロ−ル法などの液体急冷法により薄帯状の合金として製造される。ＦｅやＣｏを含むアモルファス合金は結晶粒が存在しないため、結晶磁気異方性が存在せず、磁気ヒステリシスが小さく低保磁力でヒステリシス損失が小さく優れた軟磁性を示すことが知られている。このため、ＦｅやＣｏを含むアモルファス合金薄帯は、各種トランス、チョークコイル、各種センサ、可飽和リアクトル、磁気スイッチなどの磁心用の軟磁性材料として、配電用トランス、レーザ電源や加速器などさまざまな用途に実用化されている。特に、Ｆｅ基アモルファス軟磁性合金薄帯は、飽和磁束密度Ｂｓが比較的高く、低保磁力、低鉄損であり、省エネ材料として注目されている。これらのＦｅ基アモルファス合金薄帯の中で、熱的安定性に特に優れているＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系アモルファス軟磁性合金薄帯が、トランス用磁心材料として広く用いられている。【０００３】
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系アモルファス合金に代表されるアモルファス軟磁性合金は、磁気ヒステリシスが小さく低保磁力であるため、ヒステリシス損失が小さい。しかしながら、鉄損値からヒステリシス損失を引いた、広義の渦電流損失は、一様磁化を仮定し求められる古典的渦電流損失の数十倍から１００倍も大きいことが知られている。この増加分は、異常渦電流損失あるいは過剰損失と呼ばれており、主に不均一磁化変化に起因し、アモルファス合金の磁区幅が大きいことが原因であると考えられている。【０００４】
このアモルファス合金薄帯の異常渦電流損失を低減し、鉄損を低減する方法としては、機械的にアモルファス合金薄帯表面を罫書くスクラッチ方法や、レーザ光をアモルファス合金薄帯表面に照射し、局部的に溶解・急冷凝固させ磁区を細分化するレーザスクライビング法などが知られている。【０００５】
特許文献１には、アモルファス軟磁性合金薄帯の表面にパルスレーザ光を照射し、前記アモルファス合金薄帯の表面に長手方向に所定間隔で、線状もしくは点列状のアモルファスな凹部を形成することによって磁区細分化処理を行ったアモルファス軟磁性合金薄帯が開示されており、アモルファス磁性合金薄帯に形成された凹部周辺の突状部の高さを２μｍ以下にすることが記載されている。これにより、低鉄損と低皮相電力とを実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開２０１１／０３０９０７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のレーザスクライビングを適用したアモルファス合金薄帯では、鉄損、皮相電力（励磁ＶＡ）を低減し、更には占積率の向上が期待される。しかしながら、アモルファス合金薄帯に対するレーザスクライビングについては、凹部の形状や間隔についての検討はされているものの、凹部を形成する位置による影響については、十分な検討は行われていない。【０００８】
本発明は、上記のような事情に鑑みたものである。上記した状況のもと、本発明の課題は、特にＦｅ基アモルファス合金を巻回して構成され、鉄損の低い巻磁心及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞  Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を巻回してなり、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における、全幅長に対する長さの比が０．２以上０．８以下である中央部に、レーザ照射により形成された複数の凹部で構成される凹部列を有する巻磁心である。【００１０】
Ｆｅ基アモルファス合金とは、Ｆｅを主成分とするアモルファス合金を指す。なお、「主成分」とは、含有比率が最も高い成分をいう。【００１１】
＜２＞  前記凹部列の、合金薄帯長手方向における間隔が、２ｍｍ以上２０ｍｍ以下である前記＜１＞に記載の巻磁心である。【００１２】
＜３＞  前記Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の厚みが、１５μｍ以上４０μｍ以下である前記＜１＞または前記＜２＞に記載の巻磁心である。【００１３】
＜４＞  前記Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の全幅長が、１５ｍｍ以上２５０ｍｍ以下である前記＜１＞〜前記＜３＞のいずれか１つに記載の巻磁心である 。【００１４】
＜５＞  前記凹部列における隣り合う凹部間の中心間距離が均等でかつ前記凹部の形成間隔が幅方向において４個／ｍｍ以上８個／ｍｍ以下の範囲である前記＜１＞〜前記＜４＞のいずれか１つに記載の巻磁心である。【００１５】
＜６＞  前記凹部を平面視したときの形状が、円形又は楕円形である前記＜５＞に記載の巻磁心である。【００１６】
＜７＞  Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における、全幅長に対する長さの比が０．２以上０．８以下である中央部に、レーザをパルス状に照射することにより凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部が形成されたＦｅ基アモルファス合金薄帯を巻回することで磁心とする巻回工程と、を有する巻磁心の製造方法である。【００１７】
＜８＞  前記凹部形成工程は、合金薄帯長手方向において２ｍｍ以上２０ｍｍ以下の間隔を設けてレーザをパルス状に照射することにより前記凹部を形成する前記＜７＞に記載の巻磁心である。【００１８】
＜９＞  前記Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の厚みが、１５μｍ以上４０μｍ以下である前記＜７＞または前記＜８＞に記載の巻磁心の製造方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、特にＦｅ基アモルファス合金を巻回して構成され、鉄損の低い巻磁心及びその製造方法が提供される。
本発明は、巻磁心の鉄損が低いことで有効な特性を持つＦｅ基アモルファス合金を巻回してなる磁心を製造性良く得ることができる点で、工業的価値は大きい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１−Ａ】図１−Ａは、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向両端から距離ａ、ｂまでの各領域を除く中央部に間隔ＤＬを空けて凹部が形成された本発明の一態様を示す模式図である。
【図１−Ｂ】図１−Ｂは、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向全体に凹部が形成されている従来態様を示す模式図である。
【図２】図２は、本発明の巻磁心の製造に使用可能なレーザ光照射装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】図３は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯に形成された凹部を模式的に示す概略断面図である。
【図４】図４は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯に形成された凹部を模式的に示す概略平面図である。
【図５−Ａ】図５−Ａは、レーザ照射エネルギーを０．３ｍＪ／Ｐｕｌｓｅとしたときの凹部及びその周辺形状を表す顕微鏡写真である。
【図５−Ｂ】図５−Ｂは、レーザ照射エネルギーを１．２６ｍＪ／Ｐｕｌｓｅとしたときの凹部及びその周辺形状を表す顕微鏡写真である。
【図６】図６は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を製造するための製造装置の一実施形態を概念的に示す概略断面図である。
【図７】図７は、矩形の巻磁心でかつ接合部を持つ磁心の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の巻磁心及びその製造方法について詳細に説明する。
【００２２】
本発明は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を巻回してなり、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における中央部に、レーザ照射により形成された複数の凹部で構成される凹部列を有する巻磁心である。
本発明は、全幅にわたってレーザ照射するのではなく、幅方向端部を残して中央部にレーザ照射を行なっても、巻磁心として構成すれば、全幅にわたってレーザ照射した場合と同等以上の低鉄損化の効果が得られることを見出したものである。具体的には、本発明では、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の全幅長を１としたときの幅方向中央部の長さの割合を０．２以上０．８以下としてレーザ照射を施す。これにより、レーザ処理を施す頻度が減り工数の低減が可能になり、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の鋳造方向（長手方向）の単位長さ当たりのレーザ処理速度も高められ、生産性を効果的に改善することができる。そして、このようにして得られた巻磁心は、鉄損の低いものとなる。
【００２３】
本発明の巻磁心は、上記構成となれば製造方法が制限されるものではないが、好ましくは、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における、全幅長に対する長さの比が０．２以上０．８以下である中央部に、レーザをパルス状に照射することにより凹部（好ましくは複数の凹部で構成される凹部列）を形成する凹部形成工程と、凹部が形成されたＦｅ基アモルファス合金薄帯を巻回することで磁心とする巻回工程と、を設けて構成された方法（本発明の巻磁心の製造方法）により製造される。以下、各工程ごとに説明する。
【００２４】
＜凹部形成工程（レーザ処理）＞
本発明における凹部形成工程は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における所定範囲の中央部に、レーザをパルス状に照射することにより凹部を形成する。本工程では、レーザをパルス状に照射して凹部を形成するにあたり、複数の凹部で構成される凹部列を設けることができる。
ここで、所定範囲の中央部の、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の全幅長に対する割合は、０．２以上０．８以下（すなわちＦｅ基アモルファス合金薄帯の全幅の２０％〜８０％の長さ）である。
本発明においては、所定範囲の中央部にのみレーザをパルス状に照射して凹部が形成されていることが好ましい。
【００２５】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の全幅の中央部において、全幅長１に占める０．２以上０．８以下の領域をレーザ処理することで作製した磁心は、工数の低減を図りながら、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の全幅をレーザ処理した場合と同等以上の低鉄損が得られる。低鉄損が得られる理由については、必ずしも明確ではないが、磁心での磁区の振る舞いなど複雑な要因が重なっていると推測される。
本発明は、合金薄帯の幅方向における端部を除く中央の領域に選択的にレーザ処理を施すことで、巻磁心を構成したとき低鉄損の巻磁心が得られるというものである。全幅長に対する割合が０．２以上０．８以下であることは、工数低減が可能な「中央部」の範囲を表している。すなわち、本発明では、全幅長１に対する中央部の長さの割合が０．８を超える範囲であると、全幅をレーザ処理する従来法に対して、低鉄損化する効果を発現させつつレーザ処理する工数を低減できる利点が損なわれてしまう。また、全幅長１に対する中央部の長さの割合が０．２未満であると、従来行なわれてきたレーザ処理に比べ、レーザ処理量が不足し過ぎて、レーザ処理することによる効果（磁心の低損失化）が低下する。
中でも、所定範囲の中央部の、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の全幅長に対する割合としては、低鉄損化の点で、０．４以上０．８以下の範囲が好ましく、０．４以上０．６以下の範囲がより好ましい。
また、低鉄損化の観点からは後述するように、合金薄帯長手方向におけるレーザ照射間隔、換言すると合金薄帯長手方向に形成される凹部列の間隔（ＤＬ）が２ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、更なる低鉄損化が可能となる。
【００２６】
レーザ光の照射エネルギーをＦｅ基アモルファス合金薄帯の厚みに対して制御することにより、凹部の直径や凹部の深さを制御することができる。
【００２７】
レーザ処理では、凹部の形成にあたり、パルスレーザ光を薄帯幅方向に走査して照射する。
レーザ光源としては、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２ガスレーザ、ファイバーレーザなどを利用することができる。中でも、高出力で高周波のパルスレーザ光を長時間に亘り安定的に照射することができる点で、ファイバーレーザが好ましい。ファイバーレーザでは、ファイバーに導入されたレーザ光が、ファイバー両端の回折格子によりＦＢＧ（Fiber Bragg grating）の原理で発振する。レーザ光は、細長いファイバー中で励起されるので、結晶内部に生じる温度勾配によりビーム品質が低下する熱レンズ効果の問題がない。更に、ファイバーコアは、数ミクロンと細いので、レーザ光は高出力でもシングルモードで伝播するだけでなく、ビーム径が絞られ、高エネルギー密度のレーザ光が得られる。そのうえ、焦点深度が長いので、２００ｍｍ以上と幅広の薄帯にも精度良く凹部列を形成できる。ファイバーレーザのパルス幅は、通常マイクロ秒〜ピコ秒程度であるが、フェムト秒レベルのものも使用可能である。
【００２８】
レーザ光の波長は、レーザ光源により、約２５０ｎｍ〜１１００ｎｍであるが、９００〜１１００ｎｍの波長が、合金薄帯において十分吸収されるため好適である 。
レーザ光のビーム径としては、１０μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましく、３０μｍ以上が最も好ましい。また、ビーム径は、３００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下がより好ましく、９０μｍ以下が最も好ましい。
【００２９】
次に、本発明における凹部形成工程に使用可能なレーザ光照射装置の一例を図２を参照して具体的に説明する。
この装置は、レーザ発振器（ファーバーレーザ）１０と、コリメータ１２と、ビームエキスパンダ１３と、ガルバノスキャナ１４と、ｆθレンズ１５とを備えている。レーザ発信器で生成されたパルス状のレーザ光Ｌ（例えば波長１０６５ｎｍ）は、ファイバー１１によりコリメータ１２に伝送され、そこで平行光にされる。平行なレーザ光Ｌは、ビームエキスパンダ１３で径が拡大され、ガルバノスキャナ１４を通過した後、ｆθレンズ１５で集光され、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動自在なテーブル５上に載置されたアモルファス合金薄帯１に照射される。ガルバノスキャナ１４は、Ｘ軸及びＹ軸の回りに回動し得るミラー１４ａ，１４ｂを備え、各ミラー１４ａ，１４ｂはガルバノモータ１４ｃにより駆動される。ミラー１４ａ，１４ｂの組み合わせにより、パルス状のレーザ光Ｌを合金薄タイの長手方向に所定の間隔をもって幅方向に走査することができる。ガルバノスキャナ１４に代えて、モータ先端にポリゴンミラーを備えたポリゴンスキャナ（不図示）を用いてもよい。Ｆｅ基アモルファス合金薄帯１に幅方向の凹部列を長手方向に所定の間隔をもって連続的に形成する場合には、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯が長手方向に移動するので、レーザ光Ｌの走査方向は幅方向に対して所定の角度で傾斜していることが好ましい。
【００３０】
レーザ光の照射は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を長手方向に間欠的に移動させながら行なうのが好ましい。例えば急冷凝固法によりＦｅ基アモルファス合金薄帯を作製する場合は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯をリールに巻き取る前に行なってもよい 。
【００３１】
レーザ処理を施すことでＦｅ基アモルファスは部分的に溶融又は蒸発し、レーザ処理後に残った溶融部分は再凝固するため、局所歪が導入されることになる。局所歪が導入されると、歪に敏感なＦｅ基アモルファスの軟磁気特性が劣化し、ヒステリシス損が増加するため、結果として鉄損が増加する。幅方向中央部のみに選択的にレーザ処理を施して凹部を設ける本発明は、レーザ処理による局所歪の導入に伴なうヒステリシス損の増加を抑制する作用があると考えられる。
【００３２】
本発明の巻磁心を構成するＦｅ基アモルファス合金薄帯は、例えば図１−Ａに示されるように、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向において、幅方向両端からそれぞれ所定の間隔ａ、ｂ（例えば図１−Ａではａ＝ｂ＝５ｍｍ）を空けて、複数個の円形の凹部がレーザ処理により等間隔に設けられて点列が形成されている。そして、この点列は、薄帯の長手方向に所定の間隔（ＤＬ）で設けられている。このように薄帯の幅方向端部から所定幅の領域を凹部を設けず残した構成は、図１−Ｂのように幅方向の一端から他端に至る全体に凹部を設けた従来の構成に比べ、すなわち幅方向全域にレーザ処理を施した場合に比べ、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯のレーザ処理をする時間を短縮することができ、レーザ処理の生産性の向上に大きく寄与する。
【００３３】
ここで、レーザ照射により薄帯に設けられる凹部の形成間隔としては、薄帯の幅方向において４個／ｍｍ〜８個／ｍｍとなる間隔が好ましい。凹部の形成間隔がこの範囲にあることで、鉄損の低減効果が大きい。凹部の数が少な過ぎず４個／ｍｍ以上であることで、凹部形成による磁区の細分化がされていると考えられる。また、凹部の数が多過ぎず８個／ｍｍ以下であることで、生産性を高く維持することができ、かつレーザ処理の影響で導入される局所歪が抑えられ、ヒステリシス損を低く維持することができる 。
【００３４】
また、複数の凹部を形成して凹部列（凹部が円形若しくは楕円形の場合は点列）を設ける場合、凹部列の薄帯長手方向における形成間隔（ＤＬ）は、２ｍｍ以上が好ましく、２ｍｍ超がより好ましく、５ｍｍ以上がさらに好ましい。また、ＤＬは、２０ｍｍ以下が好ましい。ＤＬが２ｍｍ以上であると、低鉄損化および生産性向上の効果が大きく、２ｍｍを超える範囲では、低鉄損化の効果がより良好に現れる。また、ＤＬが２０ｍｍ以下であることで、レーザ処理による低鉄損化効果に優れ、生産性向上の点で有利である。より好ましいＤＬの範囲は、５ｍｍ〜１０ｍｍである。
【００３５】
複数の凹部は、凹部間の中心間距離が均等であることが好ましい。凹部と凹部との間隔が均等であることで、凹部形成による磁区の細分化がされていると考えられる。なお、「均等」とは、中心間距離が全く同じ場合のほか、複数の中心間距離が全く同一でなくても、同一の距離と同一視できる程度の差でしかない場合も含まれる。
【００３６】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯に形成される凹部の形状としては、特に制限されるものではなく、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形などの任意の形状を選択することができる。中でも、レーザ照射により形成する点や形成の容易さの点から、円形又は楕円形であることが好ましい。
ここで、円形は、図４に示すように、必ずしも凹部２の輪郭が真円である必要はなく、歪んだ円形又は楕円形でもよい。円形又は楕円形に歪みがある場合、その歪み度としては、短径Ｄｂに対する長径Ｄａの比（Ｄａ／Ｄｂ）が１．５以内であることが好ましい 。
【００３７】
凹部の形状は、図３〜図４に示すように定義される。図３は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯に形成された円形の凹部２とその周囲の環状突状部３の断面を概略的に示す概略説明図である。図４は、図３の凹部を平面視したときの形状を模式的に示す概略平面図である。
図３に示すように、凹部２の直径Ｄ１は、薄帯の表面と一致する直線１ａと交差する位置での凹部２の開口部の直径である。凹部２の深さｔ１は、直線１ａと凹部２の底部との距離である。環状突状部３の外形Ｄ２は、直線１ａと交差する位置での環状突状部の外形である。環状突状部の高さｔ２は、直線１ａと環状突状部３の頂点との距離である。環状突状部３の幅Ｗは、直線１ａと交差する位置での環状突状部３の幅（（Ｄ２−Ｄ１）／２）である。これらのパラメータは、いずれも複数の幅方向における凹部列における凹部２及び環状突状部３から求められる値の平均値で表される。
【００３８】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯に形成される凹部の大きさとしては、例えば円形又は楕円形のときは、最大直径で３０μｍ〜１２０μｍの範囲とすることができ、好ましくは３５μｍ〜７０μｍの範囲とすることができる。凹部の大きさが小さ過ぎず３０μｍ以上であることで、凹部形成による磁区の細分化されると考えられる。また、凹部の大きさが大き過ぎず１２０μｍ以下であることで、レーザ処理の影響で導入される局所歪が抑えられ、ヒステリシス損を低く維持することができる。
【００３９】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯に形成される凹部の深さとしては、１μｍ以上の範囲とすることができ、好ましくは２μｍ以上の範囲である。また、凹部の深さは、５μｍ以下の範囲とすることができ、好ましくは４μｍ以下の範囲である。凹部の深さが浅過ぎず２μｍ以上であることで、凹部形成による巻磁心における鉄損磁区の低減細分化効果が促進されると考えられる。また、凹部の深さが深過ぎず４μｍ以下であることで、レーザ処理を高速化でき、かつレーザ処理の影響で導入される局所歪が抑えられ、ヒステリシス損を低く維持することができる。これにより、鉄損を低く抑えることができる。
【００４０】
レーザ処理により凹部が形成された部分は、環状の盛り上がりがあり、Ｆｅ基アモルファス合金がレーザにより溶融又は蒸発した後に周辺に飛散物が付着していない状態であることがより好ましい 。
【００４１】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯は、レーザ照射効率を向上させる観点から、薄帯表面の波長（λ）１０００ｎｍにおける反射率（Ｒ）が５０％〜８０％の範囲にあるものが好ましい。なお、反射率（Ｒ）は、下記式により求められる 。
Ｒ（％）＝１００×φｒ／φ
上記式において、φは、薄帯表面に垂直に入射する光束量を表し、φｒは、薄帯表面で入射方向へ反射する光束量を表す。ここで、φ及びφｒは、分光光度計（日本分光（株）製のＪＡＳＣＯ Ｖ−５７０）を用い、波長１０００ｎｍにて測定される値である。
【００４２】
−Ｆｅ基アモルファス合金薄帯−
本発明の巻磁心を構成するＦｅ基アモルファス合金薄帯の合金としては、Ｆｅ−Ｂ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｐ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ−Ｐ系、Ｆｅ−Ｐ−Ｂ系などを適用できる。特に、レーザ照射しても脆化しにくく、切断等の加工が容易である点から、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系の合金が好ましい 。
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系アモルファス合金としては、２原子％〜１３原子％のＳｉ及び８原子％〜１６原子％のＢを含有し、残部が実質的にＦｅ及び不可避不純物である組成を有する系の合金が好ましい。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系アモルファス合金としては、２原子％〜１３原子％のＳｉ、８原子％〜１６原子％のＢ、及び３原子％以下のＣを含有し、残部がＦｅ及び不可避不純物である組成を有する系の合金が好ましい。いずれの系においても、Ｓｉが１０原子％以下であり且つＢが１６原子％以下である場合が、飽和磁束密度Ｂｓが高く、レーザ照射による鉄損の低減効果が大きく、製造が容易である 。
また、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系アモルファス合金薄帯において、Ｃを多く加え過ぎると薄帯が脆くなる傾向がある。そのため、Ｃの量は０．３原子％以下が好ましい。
【００４３】
Ｆｅ基アモルファス合金は、上記成分のほか、Ｆｅ量に対して合計で５原子％以下の割合でＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＧａからなる群より選ばれる元素を含有していてもよい。
【００４４】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の厚みとしては、１５μｍ以上の範囲が好ましく、２０μｍ以上の範囲がより好ましい。また、厚みは、４０μｍ以下の範囲が好ましく、３５μｍ以下の範囲がより好ましく、３０μｍ以下の範囲がさらに好ましい。厚みが１５μｍ以上であると、薄帯の機械的強度を保持できるほか、占積率を高くでき、巻磁心に巻き回す際の層数が少なくなる点で有利である。また、厚みが４０μｍ以下であることで、渦電流損が小さく抑えられるほか、巻磁心に加工した際の曲げ歪を小さくする、アモルファス相を安定的に得やすい点で有利である。
【００４５】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の、長手方向（鋳造方向）と直交する幅方向の長さ（幅長）としては、１５ｍｍ以上２５０ｍｍ以下が好ましい。幅長が１５ｍｍ以上であると、大容量の磁心が得られやすい。また、幅長が２５０ｍｍ以下であると、幅方向で板厚の均一な合金薄帯が得られやすい。大容量で実用的な磁心を得るためには、幅長として５０ｍｍ以上２２０ｍｍ以下がより好ましい。
【００４６】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の製造（鋳造）は、例えば、液体急冷法（単ロール法、双ロール法、遠心法等）等の公知の方法により行なうことができる。中でも、単ロール法は、製造設備が比較的単純で、かつ安定製造が可能な製造法であって、優れた工業生産性を有する。
【００４７】
ここで、単ロール法により製造方法の実施形態を図６を参照して説明する。
図６は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を製造するためのＦｅ基アモルファス合金薄帯製造装置の一例を概念的に示す概略断面図である。図６は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯製造装置１００を、冷却ロール３０の軸方向及びＦｅ基アモルファス合金薄帯２２Ｃの幅方向（これらの２つの方向は同一である）に対して垂直な面で切断したときの断面を示している。
【００４８】
図６に示すＦｅ基アモルファス合金薄帯製造装置１００は、単ロール法によるＦｅ基アモルファス合金薄帯製造装置であり、溶湯ノズル１０を備えた坩堝２０と、その表面が溶湯ノズル１０の先端に対向する冷却ロール３０と、を備えている。
【００４９】
坩堝２０は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の原料となる合金溶湯２２Ａを収容しうる内部空間を有しており、この内部空間と溶湯ノズル１０内の溶湯流路とが連通されている。これにより、坩堝２０内に収容された合金溶湯２２Ａを、溶湯ノズル１０によって冷却ロール３０に吐出できるようになっている（図６では、合金溶湯２２Ａの吐出方向及び流通方向を矢印Ｑで示している）。なお、坩堝２０及び溶湯ノズル１０は、一体に構成されたものであってもよいし、別体として構成されたものであってもよい。
坩堝２０の周囲の少なくとも一部には、加熱手段としての高周波コイル４０が配置されている。これにより、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の母合金が収容された状態の坩堝２０を加熱して坩堝２０内で合金溶湯２２Ａを生成したり、外部から坩堝２０に供給された合金溶湯２２Ａの液体状態を維持できるようになっている。
【００５０】
また、溶湯ノズル１０は、合金溶湯を吐出するための開口部（吐出口）を有している。開口部は、矩形（スリット形状）の開口形状を有していることが好ましい。
矩形の開口部の長辺の長さは、製造されるＦｅ基アモルファス合金薄帯の幅に対応する長さとなっている。
【００５１】
溶湯ノズル１０の先端と冷却ロール３０の表面との距離は、溶湯ノズル１０によって合金溶湯２２Ａを吐出したときに、合金溶湯２２Ａによる湯溜まり２２Ｂが形成される程度に近接している。
この距離は、単ロール法において通常設定される範囲とすることができるが、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、２００μｍ以下が特に好ましい。この距離は、溶湯ノズル１０の先端と冷却ロール３０の表面との接触を抑制する観点からは、５０μｍ以上であることが好ましい。
【００５２】
冷却ロール３０は、矢印Ｐの方向に軸回転できるように構成されている。冷却ロール３０の内部には、水等の冷却媒体が流通されている。これにより、冷却ロール３０の表面に付与（吐出）された合金溶湯２２Ａを冷却しＦｅ基アモルファス合金薄帯２２Ｃを製造（鋳造）できるようになっている。
冷却ロール３０の材質は、Ｃｕ、及びＣｕ合金（Ｃｕ−Ｂｅ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｔｉ合金等）から選ばれる熱伝導性の高い材質であることが好ましい。
【００５３】
冷却ロール３０表面の表面粗さは、特に制限されるものではないが、占積率の観点から、冷却ロール３０表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．５μｍ以下が好ましく、０．３μｍ以下がより好ましい。冷却ロール３０表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、表面粗さ調整の加工性の観点からは、０．１μｍ以上が好ましい。また、表面粗さ（Ｒａ）を維持するため、合金薄帯の製造中にブラシ等で冷却ロール３０の表面を研磨してもよい。
表面粗さ（前記算術平均粗さＲａ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）に準拠して測定された表面粗さを指す。
【００５４】
また、冷却ロール３０としては、単ロール法において通常用いられる冷却ロールを用いることができる。
冷却ロール３０の直径は、冷却能の観点から、２００ｍｍ以上が好ましく、３００ｍｍ以上がより好ましい。また、直径は、７００ｍｍ以下が好ましい。
【００５５】
冷却ロール３０の回転速度は、単ロール法において通常設定される範囲とすることができる。生産性のためには周速は大きいほうが良いが、ロールの安定した回転を維持するためには周速４０ｍ／ｓ以下が好ましい。生産性と回転の安定性を考慮すると、周速１０ｍ／ｓ以上が好ましく、周速２０ｍ／ｓ以上がより好ましい。また、上限は、周速３５ｍ／ｓ以下がより好ましく、周速３０ｍ／ｓ以下が更に好ましい。
また、冷却ロール３０表面の温度は、鋳造開始時から安定した温度であることが好ましく、具体的には温度冷却ロール３０表面への合金溶湯の供給が開始されてから５秒以上経過した後において、８０℃以上が好ましく、１００℃以上がより好ましい。また、上限は、３００℃以下が好ましく、２５０℃以下がより好ましい。
冷却ロール３０による合金溶湯の冷却速度は、安定してアモルファス状態の合金薄帯を得るために１×１０５℃／ｓ以上が好ましく、１×１０６℃／ｓ以上がより好ましい。
【００５６】
合金溶湯の吐出からＦｅ基アモルファス合金薄帯の巻き取り（回収）までの操作は連続的に行われる。これにより、例えば長手方向の長さが３０００ｍ以上の長尺状のＦｅ基アモルファス合金薄帯が得られる。
【００５７】
冷却ロール３０の表面の近傍（冷却ロール３０の回転方向における溶湯ノズル１０の下流側）には、剥離ガスノズル５０が配置されている。これにより、冷却ロール３０の回転方向（矢印Ｐ）とは逆向き（図６中の破線の矢印の方向）に剥離ガス（例えば窒素ガスや圧縮空気等の高圧ガス）を吹きつけることによって、冷却ロール３０からのＦｅ基アモルファス合金薄帯２２Ｃの剥離がより効率よく行なわれる。
【００５８】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯は、３００℃〜４００℃の温度範囲で熱処理が施されることが好ましい。熱処理は、磁心円周方向に２００Ａ／ｍ以上の磁界、より好ましくは４００Ａ／ｍ以上の磁界を印加して行われるのが好ましい。
【００５９】
−巻回工程−
本発明における巻回工程は、凹部形成工程で凹部が形成されたＦｅ基アモルファス合金薄帯を巻回することで磁心を作製する。
【００６０】
本工程では、所定の引張り応力を与えながら所定の芯材に巻き回すことにより磁心を作製する。このとき、巻き回す際の引張り応力としては、通常２Ｎ〜２０Ｎの範囲とすることができ、本発明の効果がより奏される点ではある程度の応力下で行なわれるのが好ましく、具体的には巻き回す際の引張り応力を４Ｎ〜１２Ｎの範囲とするのが好ましい。
【００６１】
Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を巻回して巻磁心とした後は、３００℃〜４００℃の温度範囲で熱処理を行うことが好ましい。また、熱処理時には、磁心円周方向に２００Ａ／ｍ以上の磁界、より好ましくは４００Ａ／ｍ以上の磁界を印加することが好ましい。
【００６２】
＜巻磁心＞
本発明の巻磁心は、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における中央部にレーザ加工を施した合金薄帯を巻回することで作製されるものであり、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向における、全幅長に対する長さの比が０．２以上０．８以下である中央部に、レーザ照射により形成された複数の凹部で構成される凹部列を設けて構成されている。
本発明の巻磁心は、このような構成を有していればいずれの方法で製造されたものでもよく、好ましくは、上記した本発明の巻磁心の製造方法により製造される。
【００６３】
本発明の巻磁心の形状としては、円形だけでなく、図７に示すような矩形でもよい。また、本発明の巻磁心は、複数枚のＦｅ基アモルファス合金薄帯から作製されてもよい。更には、本発明の巻磁心は、オーバーラップやバットラップの接合部を有してもよい。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。【００６５】
−Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の作製−
大気中での単ロール法によって、以下に示す方法で２５ｍｍ幅、厚さ２４μｍの長尺状のＦｅ８１．７Ｓｉ２Ｂ１６Ｃ０．３合金薄帯（Ｆｅ基アモルファス合金薄帯）を作製した。組成比の単位は「原子％」である。
各元素の測定は、ＳｉおよびＢについてはＩＣＰ発光分光分析法により、Ｃについては酸素気流中燃焼-赤外線吸収法により、それぞれ行なった。また、Ｆｅ量は、Ｓｉ、ＢおよびＣの総量を１００から減算して求めた。【００６６】
具体的には、図６に示す製造装置１００と同様に構成されたＦｅ基アモルファス合金薄帯製造装置を準備した。ここで、以下の冷却ロールを用いた。
まず、坩堝内でＦｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、及び不可避的不純物からなる合金溶湯（以下、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系合金溶湯ともいう。）を調製した。詳細には、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、及び不可避的不純物からなる母合金を溶解し、得られた溶湯に炭素を添加して混合し溶解させることで、上記組成のＦｅ基アモルファス合金薄帯を製造するための合金溶湯を調製した。次いで、このＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系合金溶湯を、長辺の長さ２５ｍｍ×短辺の長さ０．６ｍｍの矩形（スリット形状）の開口部を有する溶湯ノズルの開口部から、回転する冷却ロール表面に吐出し、急冷凝固させて幅２５ｍｍ、厚さ２４μｍのＦｅ基アモルファス合金薄帯３０ｋｇを作製した。
<Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の作製条件>
・冷却ロール：・材質：Ｃｕ−Ｂｅ合金
・直径：４００ｍｍ
・冷却ロール表面の算術平均粗さＲａ：０．３μｍ
・合金溶湯の吐出圧力：２０ｋＰａ
・冷却ロールの周速：２５ｍ／ｓ
・合金溶湯温度：１３００℃
・溶湯ノズル先端と冷却ロール表面との距離：２００μｍ【００６７】
（実施例１）
上記で得たＦｅ８１．７Ｓｉ２Ｂ１６Ｃ０．３合金薄帯の自由凝固面に、図１−Ａに示すように、ファイバーレーザからガルバノスキャナ（ミラー）を介して、波長：１０６５ｎｍ、パルス幅：５５０ｎｓ、及びビーム径：６０μｍのパルスレーザ光を薄帯幅方向に両端からそれぞれ所定の距離の領域にはレーザ光が照射されないように走査し、薄帯幅方向における中央部に凹部列を形成した。このときの照射エネルギーを０．３ｍＪ／Ｐｕｌｓｅ又は１．２６ｍＪ／Ｐｕｌｓｅとした。ここで、凹部例の形成は、照射エネルギーを２種変化させることで、図１−Ａに示すように幅方向両端から５ｍｍまでの領域を除く中央部（全幅長１に対する長さの比：０．６）に複数の凹部を形成した試料と、比較用材料として、図１−Ｂに示すように幅方向全体に亘り凹部を形成した試料と、の合計４種類（薄帯試料２〜薄帯試料４）を作製した。さらに、比較用材料として、レーザ処理を行なわない薄帯試料１を用意した。【００６８】
上記のように凹部を形成するにあたり、幅方向の凹部列における凹部の間隔（数密度）は６個／ｍｍとし、薄帯長手方向における凹部列の間隔ＤＬは５ｍｍとした。また、凹部の深さ［μｍ］、および１．２６ｍＪ／Ｐｕｌｓｅで薄帯幅方向全体に渡ってレーザ処理した場合に要した時間を１００としたときに各条件でレーザ処理に要した時間は、下記表１に示す通りである。
なお、図５−Ａに照射エネルギーを０．３ｍＪ／Ｐｕｌｓｅとしたときの凹部及びその周囲の形状を、図５−Ｂに照射エネルギーを１．２６ｍＪ／Ｐｕｌｓｅとしたときの凹部及びその周囲の形状を示す。【００６９】
【表１】
2014142204.tif 000003
【００７０】
−Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の熱処理−
上記のようにして用意した５種類の薄帯試料１〜薄帯試料５について、それぞれ長さ１２０ｍｍに切断し、薄帯の長手方向に２４００ｍＡ／ｍの直流磁界を印加しながら３４０℃で２時間の熱処理を行なった。【００７１】
−薄帯の鉄損−
熱処理後の各薄帯試料（Ｆｅ８１．７Ｓｉ２Ｂ１６Ｃ０．３合金薄帯）について、周波数：５０Ｈｚ、磁束密度Ｂ：１．３５（Ｔ）〜１．５０（Ｔ）であるときの鉄損（Ｗ／ｋｇ）を測定した。測定結果を下記表２に示す。【００７２】
【表２】
2014142204.tif 000004
【００７３】
前記表２に示すように、各磁束密度において、レーザ処理をした薄帯試料２〜薄帯試料５は、レーザ未処理の薄帯試料１に比べて低鉄損を示した。
幅方向全体にレーザ照射した薄帯試料２（０．３ｍＪ／Ｐｕｌｓｅ）と薄帯試料４（１．２６ｍＪ／Ｐｕｌｓｅ）とを対比すると、各磁束密度において、照射エネルギーがより大きい薄帯試料４の方が低鉄損を示した。また、幅方向両端部から５ｍｍを除く中央部（全幅長に対する長さの比：０．６)にレーザ照射した薄帯試料３（０．３ｍＪ／Ｐｕｌｓｅ）と薄帯試料５（１．２６ｍＪ／Ｐｕｌｓｅ）とを対比すると、上記と同様に、照射エネルギーがより大きい薄帯試料５の方が低鉄損を示した。
なお、各照射エネルギー毎に鉄損を対比したところ、幅方向全体にレーザ照射した薄帯試料２，４と、幅方向両端部から５ｍｍを除く中央部にレーザ照射した薄帯試料３，５と、を対比すると、表３に示されるように、薄帯試料２と薄帯試料３とでは中央部にレーザ照射した薄帯試料３の方が概ね低鉄損であり、薄帯試料４と薄帯試料５とでは、逆に薄帯試料５の方が鉄損が大きいことが分かる。このように、薄帯試料の状態では、幅方向全体にレーザ照射した場合に対する、中央部のみにレーザ照射した場合の優位性は、確認できない。【００７４】
−巻磁心の作製及びその熱処理−
次に、前記表１に示す５種類の薄帯試料１〜薄帯試料５をそれぞれ所定サイズの芯材に巻き回すことにより、内径４０ｍｍ、外径４５．８ｍｍの巻磁心を作製した。各巻磁心を、磁路長手方向、すなわち巻磁心の円周方向に１５００Ａ／ｍの直流磁界を印加しながら３４０℃で２時間の熱処理を行なった。【００７５】
−巻磁心の鉄損−
一次巻線と二次巻線を磁心に巻き、周波数５０Ｈｚで励磁磁束密度を１．３５Ｔ〜１．５０Ｔの範囲で変化させることにより、鉄損を測定した。測定結果を下記表３に示す。表３中の巻磁心の試料Ｎｏは、前記表１中の薄帯試料Ｎｏにそれぞれ対応している。【００７６】
【表３】
2014142204.tif 000005
【００７７】
レーザ処理を施した薄帯試料２〜薄帯試料５を用いて作製した巻磁心２〜５は、各磁束密度において、レーザ未処理の薄帯試料１を用いた巻磁心１に比べ、低鉄損であった。また、照射エネルギー毎に鉄損を対比する。
照射エネルギーを０．３ｍＪ／Ｐｕｌｓｅとした薄帯資料２，３では、各磁束密度において、薄帯試料３を用いた本発明の巻磁心３は、薄帯試料２を用いた比較用の巻磁心２に比べて低鉄損であった。
照射エネルギーを１．２６ｍＪ／Ｐｕｌｓｅとした薄帯資料４，５では、各磁束密度において、薄帯試料５を用いた本発明の巻磁心５は、薄帯試料４を用いた比較用の巻磁心４に比べ、同等もしくは低鉄損であった。
特に、例えばＢ＝１．５０（Ｔ）での、薄帯試料５を用いた本発明の巻磁心５は、薄帯試料４を用いた比較用の巻磁心４に比べ、また薄帯試料３を用いた本発明の巻磁心３は薄帯試料２を用いた巻磁心２に比べ、０．０１Ｗ／ｋｇ低い鉄損が得られた。
ここで、０．０１Ｗ／ｋｇの鉄損差についてであるが、鉄損が０．１４Ｗ／ｋｇに対する０．０１Ｗ／ｋｇであることから、７％〜８％鉄損が低減していることを示しており、大きな低減効果であることが分かる。
これらの結果から、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を巻回して巻磁心とする場合、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向端部においてレーザ処理を施さない、つまり中央部のみにレーザ処理することで、レーザ未処理の合金薄帯を用いた巻磁心１や幅長全域をレーザ処理した合金薄帯を用いた巻磁心２，４に比べて、低鉄損となることが分かる。【００７８】
（実施例２）
実施例１において、レーザ処理する条件を下記表４に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、薄帯幅方向における中央部に凹部列を形成し、図１−Ａに示すように幅方向両端から所定の領域を除く中央部（全幅長１に対する長さの比は表４参照）に複数の凹部を形成した試料（薄帯試料７〜薄帯試料１３）を作製した。このとき、照射エネルギーは、０．３ｍＪ／Ｐｕｌｓｅとし、凹部の間隔（数密度）は６個／ｍｍとした。【００７９】
【表４】
2014142204.tif 000006
【００８０】
−巻磁心の作製及びその熱処理−
次いで、前記表４に示す薄帯試料６〜薄帯試料１３について、実施例１と同様にして、巻磁心を作製し、熱処理を行った。熱処理では、温度、直流磁界印可等の条件は同様としたが、熱処理炉は異なるものを使用している。【００８１】
−巻磁心の鉄損−
一次巻線と二次巻線とを磁心に巻き、周波数５０Ｈｚで励磁磁束密度を１．３５（Ｔ）〜１．５０（Ｔ）の範囲で変化させることにより、鉄損を測定した。測定結果を下記表５に示す。表５中の巻磁心の試料Ｎｏは、前記表４中の薄帯試料Ｎｏにそれぞれ対応している。【００８２】
【表５】
2014142204.tif 000007
【００８３】
幅方向両端部から５ｍｍ、７ｍｍ、１０ｍｍを除く中央部（全幅長に対する長さの比：それぞれ０．６、０．４４、０．２）にレーザ照射した薄帯試料８〜１０を用いた巻磁心８〜１０は、各磁束密度において、レーザ未処理の薄帯試料６を用いた巻磁心６に比べて、低鉄損であった。また、この巻磁心８〜１０は、幅方向両端部から１ｍｍを除く中央部（全幅長に対する長さの比：０．９２）にレーザ照射した薄帯試料７を用いた巻磁心７に比べ、各磁束密度において、低鉄損であった。
これらの結果から、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯を巻回して巻磁心とする場合、Ｆｅ基アモルファス合金薄帯の幅方向両端部においてレーザ処理を施さない、すなわち幅方向両端部から所定の領域を除く中央部（全幅長に対する長さの比：０．６、０．４４、又は０．２）のみにレーザ処理することで、合金薄帯がレーザ未処理である巻磁心６や合金薄帯の幅長全域に近い領域（全幅長に対する長さの比：０．９２）にレーザ処理が施されている巻磁心７に比べ、低鉄損となることが分かる。
なお、レーザ照射していない巻磁心の鉄損において、表１〜表２に記載のＮｏ．１と、表４〜表５に記載のＮｏ．６と、を対比すると、Ｎｏ．６の方がＮｏ．１に比べて鉄損が大きい。この原因は、異なる熱処理炉を使用したためと推測される。【００８４】
薄帯長手方向における凹部形成間隔ＤＬ（ｍｍ）を変えてレーザ照射した合金薄帯Ｎｏ．８、１１、１２、１３（ＤＬはそれぞれ５ｍｍ、２ｍｍ、７ｍｍ、１０ｍｍ）を用いた巻磁心８、１１、１２、１３と、レーザ未処理の合金薄帯を用いた巻磁心６および幅長全域に近い領域（全幅長に対する長さの比：０．９２）にレーザ処理した合金薄帯７を用いた巻磁心７と、を対比すると、各磁束密度において、概ね、巻磁心８、１１、１２、１３は全て、巻磁心６に比べて低鉄損であった。なお、ＤＬ＝２ｍｍである巻磁心１１では、Ｂ＝１．４５Ｔ及び１．５０Ｔでの損失が巻磁心７とほぼ同程度であり、これは薄帯長手方向におけるＤＬが２ｍｍ以下になるとレーザ処理による巻磁心の低鉄損化効果が小さくなることを示す。上記の結果から、薄帯長手方向における凹部形成間隔ＤＬとしては、２ｍｍ以上であることが好ましいことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、配電用トランス、高周波トランス、可飽和リアクトル、磁気スイッチ等の分野に好適である。【００８６】
日本出願２０１３−０５１０３５の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
【図１−Ａ】
2014142204.tif 000008
【図１−Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５−Ａ】
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【図５−Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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2014142204.tif 000018
2014142204.tif 000019
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