【事件の表示】
　特願２０００−１２６５２７「微細パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月２６日出願公開、特開２００１−　２２０８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１２年４月２６日（優先権主張　平成１１年５月６日）の出願であって、平成１４年５月２８日付けで手続補正がなされ、平成１６年２月１８日付けで拒絶理由が通知され、平成１６年４月２６日付けで手続補正がなされたが、平成１６年６月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　
II．平成１６年８月１１日付の手続補正についての補正却下の決定
　　　　　　　　　　　　　　
［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年８月１１日付の手続補正を却下する。
　　　　　　　　　　　　　　　　
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成１６年８月１１日付の手続補正には、特許請求の範囲の請求項１を次のように補正しようとする補正事項が含まれている。
「【請求項１】　基板上に有機系反射防止膜を介して積層したホトレジスト膜に対し、画像形成露光を行ったのち、現像処理を施して微細パターンを形成するに当り、吸光係数（ｋ）が０．３〜０．７の範囲内にある組成の有機系反射防止膜について、この組成を変動させて、対応する屈折率（ｎ）を測定し、この数値が最大になる組成を選ぶことにより反射防止膜を薄膜化することを特徴とする微細パターン形成方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　上記補正後の請求項１を特定する事項である「有機系反射防止膜について、この組成を変動させて、対応する屈折率（ｎ）を測定し、この数値が最大になる組成を選ぶこと」という事項は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものではない。
　請求人は、審判請求書の請求の理由（平成１６年１１月２日付けの手続補正書）において、上記事項は、願書に最初に添付した明細書段落番号００３７の欄第９〜１３行の「これらの各グラフにおいて反射率の極小点は、屈折率が大きくなるに従って、いずれも左側すなわち膜厚が小さい方に向って移行している。換言すれば、吸光係数（ｋ）が０．３〜０．７の範囲においては、屈折率が大きくなるように調整すれば、ある程度の許容範囲をもって膜厚を小さくすることができるということになる。」という記載に基づくものである旨主張する。
　しかし、願書に最初に添付した明細書段落番号００３７の上記記載は、屈折率が大きくなるように有機系反射防止膜の組成を調整すれば、ある程度の許容範囲をもって膜厚を小さくすることができることは示しているが、その屈折率が最大になるよう有機系反射防止膜の組成を調整することまでも示すものではない。
　また、願書に最初に添付した図面の図１ないし６には、屈折率を１．４から２．２まで変化させたことが記載されているが、屈折率２．２が最大の屈折率であることも、屈折率の最大値が存在することも示されていないし、願書に最初に添付した明細書の実施例及びその他の記載を検討しても、反射防止膜の組成を変更することにより、吸光係数及び屈折率を調整できることは示されているが、屈折率が最大となる組成を導き出すに足る記載は見いだせない。
　したがって、上記手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
III．本願発明について
１．本願の請求項１に係る発明
　平成１６年８月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１６年４月２６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
「【請求項１】　基板上に有機系反射防止膜を介して積層したホトレジスト膜に対し、画像形成露光を行ったのち、現像処理を施して微細パターンを形成する方法において、該有機系反射防止膜の屈折率が大きくなるように組成を選ぶことにより反射防止膜を薄膜化することを特徴とする微細パターン形成方法。」
　　　　　　　　　　　　　　
２．刊行物の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平６−１９６４００号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【請求項１】下地上に形成した反射防止膜上のフォトレジストを単一波長により露光してレジストパターンを形成する際の前記反射防止膜の条件決定方法であって、下記の手段により反射防止膜の膜厚、及び光学条件を定めることを特徴とする反射防止膜の条件決定方法。
（Ｉ）任意に定めたある膜厚のフォトレジストについて、反射防止膜の光学条件をパラメータとした吸収光量の等高線を求め、
（II) レジスト膜厚を複数とって、上記（Ｉ）と同様な吸収光量の等高線を求め、
（III)上記（II) で得られた各等高線についてその吸収光量の共通領域を見い出して、この共通領域により現定される光学条件を当初（Ｉ）において定めた条件における反射防止膜の光学条件とし、
（IV) 反射防止膜条件を変えて、上記と同様の操作を行うことにより反射防止膜の光学条件を決定し、
（Ｖ）上記（IV) によりある反射防止膜条件における反射防止膜の最良の光学条件を見い出す。」
（１ｂ）「【請求項６】無機材料下地上に、反射防止膜を形成し、該反射防止膜上にフォトレジストを形成して、レジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、反射防止膜を、下記の手段により求めた膜厚及び光学条件の有機または無機材料により形成するレジストパターン形成方法。
（Ｉ）任意に定めたある膜厚のフォトレジストについて、反射防止膜の光学条件をパラメータとした吸収光量の等高線を求め、
（II) レジスト膜厚を複数とって、上記（Ｉ）と同様な吸収光量の等高線を求め、
（III)上記（II) で得られた各等高線についてその吸収光量の共通領域を見い出して、この共通領域により現定される光学条件を当初（Ｉ）において定めた条件における反射防止膜の光学条件とし、
（IV) 反射防止膜条件を変えて、上記と同様の操作を行うことにより反射防止膜の光学条件を決定し、
（Ｖ）上記（IV) によりある反射防止膜条件における反射防止膜の最良の光学条件を見い出す。」
（１ｃ）「【０００１】…本発明は例えば、電子材料（半導体装置等）を製造する際にフォトリソグラフィー技術を用いるときの、定在波効果による影響を防止するためなどに設ける反射防止膜の設定の場合等に、また、フォトリソグラフィー技術を使用するときの反射防止膜を用いたレジストパターン形成の場合等に、好適に利用することができる。」
（１ｄ）「【００１５】…本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、任意の単一波長の光を露光光源として、任意の下地（基板）上にレジストパターンを形成する際に、そのレジストパターンが微細なものであっても、良好に、安定したレジストパターンが形成できるように、そこに用いる反射防止膜の条件を決定できる反射防止膜の条件決定方法を提供しようとするものである。」
（１ｅ）「【００３３】…反射防止膜の光学条件（例えば屈折率条件。反射屈折率ｎ、吸収屈折率ｋ等）」
（１ｆ）「【００３４】…最適な反射防止膜の条件を得て、かかる条件に適合した、即ちその条件を満たすか、ないしは或る程度満足する物質を選定して、これにより有効な反射防止膜を形成できる。」
（１ｇ）「【００４６】本発明は、ＫｒＦエキシマレーザーを用いて、Ｗ−Ｓｉ膜上に安定したレジストパターンを形成するために用いる反射防止膜を形成するための有機もしくは無機膜の条件を見い出すために利用することができる。」
（１ｈ）「【００５２】請求項６の発明は、シリコン系材料等の無機材料を下地とする場合に、請求項１の発明を適用したものである。」
（１ｉ）【０２７７】〜【０２７８】「実施例９２　本実施例は、少なくともＳｉ元素を含有する有機化合物を原料に用いる反射防止膜の形成法である。…有機化合物として例えばＴＥＯＳや、ＯＭＣＴＳ（Ｓｉ4 Ｏ（ＣＨ3）8 ；Ｓｉ／Ｏ＝比１）や、ＨＭＤＳ（Ｓｉ2 Ｏ（ＣＨ3 ）6 ；Ｓｉ／Ｏ比＝２）等を用いることができる。」
（１ｊ）図１４には、以下の図面が記載されている。
　　　　　　　　　　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平７−１５３６８２号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）「【請求項１】  基板上に形成したレジスト膜の表面に反射防止膜を塗布して、当該反射防止膜を透して前記レジスト膜を露光した後、現像処理を行ってパターンを形成するパターンの形成方法において、前記反射防止膜には露光時の照射光を吸収する吸収剤を含むものを用い、前記露光時における前記レジスト膜と前記反射防止膜との界面からの反射光と当該反射防止膜の表面からの反射光とがほぼ相殺されるように前記反射防止膜の吸収率を設定して、前記レジスト膜の表面に当該反射防止膜を塗布し、その後、前記露光と前記現像処理とを行ってパターンを形成することを特徴とするパターンの形成方法。」
（２ｂ）「【００１９】次に上記反射防止膜１３の反射防止条件を説明する。反射を防止する最適条件は、ｋARL ＝０では、ｎARL ＝１．３４、ｄARL ＝０．０４６３μｍ、（このとき、ｍ＝０，１，２，・・・とする。）なる条件において周期的に存在する。そして、吸収率を有しかつ現実的な範囲（例えば、０＜ｋARL ＜０．３，１．３＜ｎARL ＜１．６，０＜ｄARL ＜０．３μｍ）で、最適条件（定在波効果が０になる条件）を求めると、図２に示すようになる。図では、縦軸は複素屈折率の虚部ｋARL を示し、横軸は複素屈折率の実部ｎARL を示す。また図中の数値は膜厚ｄARL を示す。なお、レジスト膜１２…の複素屈折率は、実部ｎresist＝１．８，虚部ｋresist＝０．０１とする。また露光波長は２４８ｎｍとする。」
（２ｃ）「【００２０】図に示すように、曲線上の全ての点でレジスト膜１２…の定在波効果が表れない最適条件になる。」
（２ｄ）「【００３３】…反射防止膜１３には、例えば波長が１８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の露光波長帯域に吸収を有する官能基を持つポリマーを用いる。」
（２ｅ）「【００３７】次に水溶性の反射防止膜の調整方法を説明する。化学分野で用いられている吸光係数εと光学薄膜の複素屈折率の虚部ｋとの間には、波長をλ（μｍ）、濃度をｃ（ｍｏｌ／ｄｍ3 ）とすると（１）式になる。」
（２ｆ）「【００３９】すなわち、適当な吸光係数εを有する水溶性の紫外線（Deep UV ）用染料を用いれば、その濃度ｃによって、反射防止膜のｋを容易に制御することが可能になる。したがって、適当な複素屈折率を有する水溶性有機薄膜と組み合わせることで、定在波効果による周期的な実行ドーズ量の変化を理論的に０にすることが可能になる。」
（２ｇ）図２には、以下の図面が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１０−２７０３２９号公報（以下、「刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
（３ａ）「【００１１】本発明の第一の課題は、下層の膜構造の変動、及び反射防止膜のプロセス変動も含めて最適な反射防止膜条件を選定する反射防止膜条件決定方法を提供することにある。」
（３ｂ）「【００１３】　【課題を解決するための手段】上記第一の課題は、以下の手順により反射防止膜の光学定数と膜厚を最適化することにより解決される。（１）被加工膜／基板の光学定数，膜厚及び膜厚変動量を入力する。（２）反射防止膜の光学定数変動量と膜厚変動量を入力する。（３）反射防止膜の設定光学定数と設定膜厚を任意に定める。（４）下層の膜厚を（１）で入力した変動量内で変化させ、かつ反射防止膜の光学定数と膜厚について（３）で定めた設定値から（２）で入力した変動量内で変化させてレジストへの反射率を計算し、これらの変動量内での最大反射率、即ちプロセス変動量を考慮したワーストケースの反射率を求める。（５）上記（３)，(４）を繰り返し、ワーストケースの反射率が最小となる反射防止膜の光学定数と膜厚を選定する。」
（３ｃ）実施例には、ワーストケース反射率が０.１ 以下となる条件のうち、最も薄膜である光学定数、膜厚を最適反射防止膜条件として採用したことが記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比・判断
　上記摘記事項（１ｂ）の「フォトレジストを形成して、レジストパターンを形成する」とは、フォトレジストに対し、画像形成露光を行ったのち、現像処理を施してパターンを形成することを示しており、上記摘記事項（１ｄ）の「レジストパターンが微細なものであっても、良好に、安定したレジストパターンが形成できる」とは、微細なレジストパターンを形成することを示している。
　そうすると、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｉ）より、刊行物１には下記の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　「無機材料下地上に、反射防止膜を形成し、該反射防止膜上にフォトレジストを形成して、フォトレジストに対し、画像形成露光を行ったのち、現像処理を施して微細パターンを形成する方法において、そこに用いる反射防止膜の条件を決定できる反射防止膜の条件決定方法により求めた最適な膜厚及び光学条件、例えば屈折率条件である反射屈折率ｎ、吸収屈折率ｋ等を満たす有機または無機材料を選定することにより反射防止膜を形成するレジストパターン形成方法。」
　そこで、本願発明１と、刊行物１発明とを対比する。
　まず、後者における「無機材料下地」、「フォトレジスト」は、前者における「基板」、「ホトレジスト膜」にそれぞれ相当する。
　また、後者における「反射防止膜」は、「有機または無機材料」により形成することができるものであり、刊行物１には、有機材料により形成した反射防止膜を用いた実施例も記載されている（１ｉ参照）。よって、後者における「反射防止膜」には、前者における「有機系反射防止膜」が含まれる。
　してみると、本願発明１と刊行物１発明とは、
「基板上に有機系反射防止膜を介して積層したホトレジスト膜に対し、画像形成露光を行ったのち、現像処理を施して微細パターンを形成する方法」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点］
　本願発明１が、「有機系反射防止膜の屈折率が大きくなるように組成を選ぶことにより反射防止膜を薄膜化する」と特定しているのに対し、刊行物１発明は、有機系反射防止膜の最適な膜厚及び光学条件、例えば屈折率条件である反射屈折率ｎ、吸収屈折率ｋ等を満たす有機材料を選定することにより反射防止膜を形成するものである点。
　　　　　　　　
　そこで、相違点について検討する。
　反射防止膜を、定在波効果を低減でき、かつより薄膜のものとしようとすることは、刊行物３（３ｃ参照）に記載されているように、本願の優先権主張日前に知られた課題である。
　そして、刊行物１，２には、反射防止膜の膜厚と屈折率の関係が記載され（１ｊ、２ｇ参照）、無機系、有機系材料のいずれにおいても、その屈折率が大きくなるに従って、膜厚が薄くなる傾向があることが示されている。　　そうすると、定在波効果を低減でき、かつ薄膜である反射防止膜を得るために、刊行物１，２に記載された反射防止膜の膜厚と屈折率の関係を参考にして、反射防止膜の屈折率が大きくなるような組成を選ぶことは、当業者にとって格別困難とは認められない。
　　　　　　　　　　　
IV．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１ないし刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。