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【手続補正書】
【提出日】平成24年4月6日(2012.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の両面に金属電極膜が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの下に第一の接合層を介して接合された第一の低熱膨張板と、
前記第一の低熱膨張板の下に第二の接合層を介して接合されたベース電極と、
前記半導体チップの上に第三の接合層を介して接合された第二の低熱膨張板と、
前記第二の低熱膨張板の上に第四の接合層を介して接合されたリード電極と、
前記ベース電極及びリード電極の一部と半導体チップと低熱膨張板と各接合層を覆うように形成された絶縁樹脂とを備え、
前記第一と第三の接合層が液相温度：３００〜５００℃の鉛を含まないはんだ材料で構成されており、前記第二と第三の接合層が空孔率２０〜７０％の多孔質なＡｇ層から構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板の両面に金属電極膜が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの下に第一の接合層を介して接合された低熱膨張板と、
前記低熱膨張板の下に第二の接合層を介して接合されたベース電極と、
前記半導体チップの上に第三の接合層を介して接合されたリード電極と、
前記リード電極及びベース電極の一部と半導体チップと低熱膨張板と各接合層を覆うように形成された絶縁樹脂とを備え、
前記第一の接合層が液相温度：３００〜５００℃の鉛を含まないはんだ材料から構成され、前記第二と第三の接合層が空孔率２０〜７０％の多孔質なＡｇ層で構成された構造となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
液相温度：３００〜５００℃の鉛を含まないはんだ材料が、Ｓｎ，Ｓｂ，Ａｇ，Ｃｕを主要構成元素とする多元系の高温はんだで構成され、
低熱膨張板の面方向の熱膨張率が８ppm以下となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
ベース電極及びリード電極及び低熱膨張板及び半導体チップがＮｉめっきされた部品であり、
多孔質なＡｇ層で金属接合されるＮｉめっき部品の接続面に、接合層に比べて空孔率が小さくかつ空孔サイズも小さい多孔質なＡｇの膜が形成された構造となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または２において、
多孔質なＡｇ層で構成された接合層中に、最大粒径がＡｇ接合層の１／２以上のサイズを有する貴金属めっきされたＣｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｗのいずれか１種以上の高導電金属粒子が分散配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体チップとリード電極とベース電極と低熱膨張板と絶縁樹脂からなる半導体装置において、
部材のＮｉめっき面の上に空孔率が１〜３０％で、その内の密閉系の空孔比率が５０％以上で、厚さが１〜３０μｍの多孔質なＡｇのメタライズ膜が形成され、その上に空孔率が２０〜７０％で、その内の開放系の空孔比率が５０％以上で、厚さが７０〜５００μｍの多孔質なＡｇの接合層が形成され、多孔質なＡｇ接合層内の開放形の空洞部の少なくとも一部に熱硬化性の樹脂が充填された接続構造を有し、
リード電極とベース電極の一部を除いて全体が絶縁樹脂で覆われた構造となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、リード電極及びベース電極がＣｕにＮｉめっきされた部材であり、
Ａｇメタライズ膜は接続面周辺の限られた領域のみに形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６において、多孔質なＡｇメタライズ膜中に、膜厚と同等以上のＡｇ粒子が埋設された構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、Ａｇメタライズ膜はＮｉ面上に有機Ａｇ錯体の溶液を塗布し、大気中で加熱・焼成する方法で形成されたＡｇ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
表面にＮｉめっきが施された高導電性のリード電極及びベース電極と、
表面にＮｉめっきが施された低熱膨張板と、
半導体基板の両面にＮｉを含む金属電極膜が形成された半導体チップと、
リード電極及びベース電極の一部を除いて全体を覆うように形成された絶縁樹脂からなる半導体装置の製造方法において、
リード電極及びベース電極の接合面と低熱膨張板の片方の面に有機Ａｇ錯体溶液あるいはナノＡｇ粒子を分散した有機溶液を塗布して大気中で２００〜３５０℃に加熱焼成処理してＡｇメタライズする工程と、
半導体チップの両面に前記低熱膨張板のＮｉめっき側を還元雰囲気中の加熱処理によって高温鉛フリーはんだで接合して接合部品を作製する工程と、
ベース電極のＡｇメタライズされた領域に焼結タイプのＡｇペーストを塗布しその上に半導体チップと低熱膨張板の前記接合部品を搭載しさらに接合部品の上側のＡｇメタライズされた領域に焼結タイプのＡｇペーストを塗布してその上にリード電極を搭載するマウント工程と、
マウントされた組立体を大気中で加熱速度２０℃／分以下の緩やかな昇温で２００〜３５０℃の温度に加熱して焼結・接合する工程と、
リード電極とベース電極の一部を除いて絶縁樹脂が全体を覆うように供給し加熱・硬化処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
組立体を焼結・接合処理した後に、多孔質の焼結Ａｇ接合層に液状の熱硬化性樹脂を含浸させ加熱・硬化処理する工程を追加したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
多孔質の焼結Ａｇ接合層に液状の熱硬化性樹脂を含浸させる前に、組立接合体に有機Ｚｎ錯体溶液を塗布し２５０〜３５０℃の温度で大気中の焼成処理を行う工程を加えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
平均粒径０.１〜３μｍの粒状Ａｇで表面に２００℃以下で分解する有機保護膜を形成したＡｇ粒子と、ペースト化のための有機溶媒と、粒径３〜３０μｍのＡｇ粒子と、粒径５０〜５００μｍの球状の貴金属粒子あるいは貴金属めっきした球状のＣｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｗなどの高導電粒子とから構成されたペースト状の接続材料。
【請求項１４】
接続部材の熱膨張率差が５ppm以上で接続面の長手方向の寸法が３mm以上である接続箇所が多孔質のＡｇ層を介して金属接合された構造を有し、接続部の熱膨張差が５ppm未満の接続箇所が鉛フリーの高温はんだで接合された構造を有し、
半導体チップと１つ以上の低熱膨張部材と複数の高導電性電極部材から構成された半導体装置。
【請求項１５】
半導体基板の両面に最表面が貴金属の金属電極膜が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの下に第一の接合層を介して接合された最表面に空孔を有する貴金属膜が形成されたベース電極と、
前記半導体チップの上に第二の接合層を介して接合された最表面に空孔を有する貴金属膜が形成されたリード電極と、
前記リード電極及びベース電極の一部と半導体チップと各接合層を覆うように形成された絶縁樹脂とを備え、
前記第一と第二の接合層が空孔率２０〜７０％の多孔質なＡｇ層で構成された構造となっていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードランプに用いる放熱体であって、取付け面に光源であるＬＥＤを取り付けているものであり、上記取付け面に絶縁材を設け、この絶縁材の表面に回路部を形成し、この回路部に上記ＬＥＤを接続してあることを特徴とする放熱体。
【請求項２】
絶縁材及び回路部を被覆材で被覆してあることを特徴とする請求項２記載の放熱体。
【請求項３】
管体と、この管体内の背部側に保持手段により保持されている請求項１乃至請求項２のいずれかに記載の放熱体及びＬＥＤと、上記管体の両端に取り付けてある口金と、各口金内に取り付けてある支持体と、上記放熱体の両端部を支持する支持手段とを備えており、
上記ＬＥＤは、上記管体の上記背部側とは反対側である照射側に向けて照射可能であり、
上記放熱体の両端部は上記管体の両端面から突出されており、
上記各口金の内底部側に上記放熱体の端部が当接可能である段部を設けてあり、
上記支持手段は、上記放熱体の両端部に設けてある被掛け止め部と、上記各支持体に設けてあって上記被掛け止め部に掛け止めてある掛け止め部とからなる
ことを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項４】
被掛け止め部は被掛け止め孔であり、掛け止め部は舌片状の掛け止め体であることを特徴とする請求項３の記載の発光ダイオードランプ。
【請求項５】
掛け止め体は支持体から突出して設けてあることを特徴とする請求項４記載の発光ダイオードランプ。
【請求項６】
両口金内の各支持体は対向側が開口しているキャップからなり、上記支持体には水平部を設けてあり、掛け止め体は支持体の水平部に設けてあることを特徴とする請求項４又は請求項５記載の発光ダイオードランプ。
【請求項７】
掛け止め体は水平部から突出している案内板に設けてあり、上記案内板は放熱体を口金の底部側に案内するものであることを特徴とする請求項６記載の発光ダイオードランプ。
【請求項８】
掛け止め部は放熱体の端部を口金の底部側に引っ張るように被掛け止め部に掛け止められていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の発光ダイオードランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月21日(2012.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ここでエッジポイント３１からゲート電極１３の端部までの距離Ｄａ（図１）は、所定距離Ｄ０以下とすることが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
第２の実施形態（図４）では、ゲート電極を凸状にして、これに直線状の輪郭部分３０が重なるレイアウト形状を示すものであった。
これに対し、本第３の実施形態に関わるＴＦＴ部１０Ｃは、凸部を輪郭部分３０が有するようにして、直線状のゲート電極１３のエッジに、この凸部が重なるレイアウト形状を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
以上、ボトムゲート・スタガ型を例として、主にレイアウトパターンの相違に着目して３つの実施形態を説明したが、これを基本として、トップゲート・スタガ型やプレーナ型にも本発明が同様に適用可能である。
レイアウトの詳細については既に述べたので、以下、簡略化した平面図と断面でみた構成図を用いて、その他の例を説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、半導体チャネル保護膜がないため、第１および第２ＳＤ電極１８,１９が、半導体膜１５に乗り上げて、一部で重なっている。したがって、輪郭部分３０は、この重なり部分のＳＤ電極の輪郭に相当し、２回折り曲がった屈折ライン状になっている。
エッジポイント３１は、この輪郭部分３０の両端、つまり半導体膜１５の外郭と第１または第２ＳＤ電極１８,１９の外郭の交点に相当する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
図１８の回路図に、有機発光ダイオードと、その制御のために画素ごとに設けられている画素回路とを示す。
図１８に図解する画素回路３は、電気光学素子としての有機発光ダイオードＯＬＥＤ、ＮＭＯＳトランジスタからなるサンプリング・トランジスタＳＴ、ＰＭＯＳトランジスタからなる駆動トランジスタＤＴ、および、補正部３Ａを有する。
有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソードが第２電源電圧ＶＳＳ１に接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月25日(2012.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１面を有する第１金型、および凹部が形成され、前記第１面と対向する第２面を有する第２金型を備えた成型金型を準備する工程；
（ｂ）第１主面、前記第１主面に形成された複数の第１電極パッド、前記複数の第１電極パッドとそれぞれ接続された複数の第１配線、前記複数の第１配線とそれぞれ接続された複数の第１ランド、および前記第１主面とは反対側の第１裏面を有する第１基材を、前記第１主面が前記第２金型の前記凹部と対向するように、前記第２金型の前記凹部内に配置する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、第２主面、前記第２主面に形成された複数の第２電極パッド、前記複数の第２電極パッドとそれぞれ接続された複数の第２配線、前記複数の第２配線とそれぞれ接続された複数の第２ランド、および前記第２主面とは反対側の第２裏面を有し、前記第２主面に半導体チップが搭載された第２基材を、前記第２主面が前記第１基材の前記第１裏面と対向するように、前記第１金型と前記第２金型との間に配置する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第２基材を前記第１金型と前記第２金型でクランプする工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１基材と前記第２基材との間に樹脂を供給し、前記第１基材と前記第２基材との間に封止体を形成する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第１金型と前記第２金型との間から、前記封止体が形成された前記第１基材および前記第２基材を取り出す工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第１基材の前記第１ランドから前記第２基材の前記第２ランドに向かって貫通孔を形成し、前記第２ランドを露出させる工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記貫通孔の内部に導電性部材を形成する工程。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１基材は、前記第１主面から前記第１裏面に向かって形成された第１孔部を有し、
前記（ｂ）工程では、前記第２金型の前記凹部に形成された第１ピンが前記第１基材の前記第１孔部内に位置するように、前記第１基材を前記第２金型の前記凹部内に配置し、
前記第２基材は、前記第２主面から前記第２裏面に向かって形成された第２孔部を有し、
前記（ｃ）工程では、前記第２金型の前記第２面に形成された第２ピンが前記第２基材の前記第２孔部内に位置するように、前記第２基材を前記第１金型と第２金型との間に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１基材の前記第１主面、および前記第２基材の前記第２主面は、それぞれ四角形の平面形状を成し、
前記第１孔部は、前記第１主面の４辺のうち、第１の辺に近づけて配置され、
前記第２孔部は、前記第２主面の４辺のうち、前記第１の辺に沿って配置される第２の辺に近づけて配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１孔部は、前記第１の辺に沿って複数形成され、前記第２孔部は前記第２の辺に沿って複数形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１孔部は、前記第１の辺の中央に配置される第１中央孔部と、前記第１の辺に沿って前記第１中央孔部の両サイドに配置される第１サイド孔部を有し、
前記第２孔部は、前記第２の辺の中央に配置される第２中央孔部と、前記第２の辺に沿って前記第２中央孔部の両サイドに配置される第２サイド孔部を有し、
前記第１サイド孔部の開口面積は、前記第１中央孔部の開口面積よりも広く、
前記第２サイド孔部の開口面積は、前記第２中央孔部の開口面積よりも広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の画像処理装置は以下の構成を備える。即ち、複数のフレーム画像を順次取得する取得手段と、前記取得手段が取得したフレーム画像から複数のサブフレーム画像を生成する生成手段と、前記複数のサブフレーム画像のそれぞれについて階調変換を行う変換手段と、前記変換手段により階調変換が施されたそれぞれのサブフレーム画像を順次出力する手段とを備え、前記変換手段は、前記サブフレーム画像において輝度値が閾値以下の画素に対しては、サブフレーム画像間で共通の階調変換を施し、前記サブフレーム画像において輝度値が閾値よりも大きい画素に対しては、サブフレーム画像ごとに異なる階調変換を施すことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフレーム画像を順次取得する取得手段と、
前記取得手段が取得したフレーム画像から複数のサブフレーム画像を生成する生成手段と、
前記複数のサブフレーム画像のそれぞれについて階調変換を行う変換手段と、
前記変換手段により階調変換が施されたそれぞれのサブフレーム画像を順次出力する手段と
を備え、
前記変換手段は、
前記サブフレーム画像において輝度値が閾値以下の画素に対しては、サブフレーム画像間で共通の階調変換を施し、
前記サブフレーム画像において輝度値が閾値よりも大きい画素に対しては、サブフレーム画像ごとに異なる階調変換を施す
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記取得手段が取得したフレーム画像からそれぞれ階調が異なる複数のサブフレーム画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記変換手段は、
入力輝度値が前記閾値以下の場合には該入力輝度値に対する出力輝度値の変化率が全てのサブフレーム画像で同じになるように階調変換を行うために用いる情報であり且つ入力輝度値が前記閾値よりも大きい場合には該入力輝度値に対する出力輝度値の変化率が全てのサブフレーム画像で異なるように階調変換を行うために用いる情報である変換情報を用いて、前記複数のサブフレーム画像のそれぞれの階調を変換することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記変換手段は、
前記取得手段が取得したフレーム画像を構成する各画素の輝度値のうち最大の輝度値を取得し、該取得した最大の輝度値に基づいて、前記複数のサブフレーム画像のそれぞれに対する階調変換の為の変換曲線を求め、該求めた変換曲線に基づいて階調変換を行うことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
複数のフレーム画像を順次取得する取得手段と、
前記取得手段が取得したフレーム画像から２つのサブフレーム画像を生成する生成手段と、
前記２つのサブフレーム画像のうち一方のサブフレーム画像に対して最小値フィルタを施すフィルタ手段と、
前記フィルタ手段による処理済みのサブフレーム画像に対して階調変換を行う変換手段と、
前記２つのサブフレーム画像のうち他方のサブフレーム画像と、前記変換手段による変換済みのサブフレーム画像と、の差分フレーム画像を生成する手段と、
前記変換手段による変換済みのサブフレーム画像と、前記差分フレーム画像と、を順次出力する手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の取得手段が、複数のフレーム画像を順次取得する取得工程と、
前記画像処理装置の生成手段が、前記取得工程で取得したフレーム画像から複数のサブフレーム画像を生成する生成工程と、
前記画像処理装置の変換手段が、前記複数のサブフレーム画像のそれぞれについて階調変換を行う変換工程と、
前記画像処理装置の出力手段が、前記変換工程で階調変換が施されたそれぞれのサブフレーム画像を順次出力する工程と
を備え、
前記変換工程では、
前記サブフレーム画像において輝度値が閾値以下の画素に対しては、サブフレーム画像間で共通の階調変換を施し、
前記サブフレーム画像において輝度値が閾値よりも大きい画素に対しては、サブフレーム画像ごとに異なる階調変換を施す
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の取得手段が、複数のフレーム画像を順次取得する取得工程と、
前記画像処理装置の生成手段が、前記取得工程で取得したフレーム画像から２つのサブフレーム画像を生成する生成工程と、
前記画像処理装置のフィルタ手段が、前記２つのサブフレーム画像のうち一方のサブフレーム画像に対して最小値フィルタを施すフィルタ工程と、
前記画像処理装置の変換手段が、前記フィルタ工程での処理済みのサブフレーム画像に対して階調変換を行う変換工程と、
前記画像処理装置の差分フレーム画像生成手段が、前記２つのサブフレーム画像のうち他方のサブフレーム画像と、前記変換工程での変換済みのサブフレーム画像と、の差分フレーム画像を生成する工程と、
前記画像処理装置の出力手段が、前記変換工程での変換済みのサブフレーム画像と、前記差分フレーム画像と、を順次出力する工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月11日(2012.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被写体の画像が結像される撮像素子と、
装置本体に加えられた振動を検出するブレ検出手段と、
前記ブレ検出手段により検出された振動により発生する前記画像の像ブレを除去する補正を行う像ブレ補正手段と、を備えた撮像装置において、
前記像ブレ補正手段は、
前記撮像素子を保持する保持部材と、
前記保持部材を光軸に直交する方向へ移動させる駆動手段であって、前記撮像素子の中心が光軸と略一致する第１の位置と、前記撮像素子の中心が光軸上に位置しない第２の位置との間で前記保持部材を移動させる第１の駆動手段と、
前記保持部材が前記第２の位置に位置するときに前記保持部材と接触するように配設された放熱部材と、
前記ブレ検出手段により検出された振動に基づいて前記第１の駆動手段を駆動する制御手段と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記撮像素子は前記発熱部である水平転送路が形成されたＣＣＤ型イメージセンサであることを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記撮像手段は、前記撮像素子に結像された画像の一部を切り出して撮影倍率を変化させる電子ズーム手段を有し、
前記検出手段は、前記電子ズーム手段により撮影倍率が変化された被写体の画像を取得しているか否かを検出し、
前記制御手段は、前記検出手段により撮影倍率が変化された被写体の画像を取得しており、当該撮影倍率が所定の閾値以上であることが検出された場合には、前記第１の駆動手段を駆動して前記保持部材を前記放熱部材に接触させることを特徴とする請求項１１に記載の撮像装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記撮像手段は、前記撮像素子の画素数よりも画素数が少ない画像を読み出す間引き読出手段を有し、
前記検出手段は、前記間引き読出手段により前記撮像素子の画素数よりも画素数が少ない画像を取得しているか否かを検出し、
前記制御手段は、前記検出手段により前記撮像素子の画素数よりも画素数が少ない画像を取得しており、かつ当該画素数が所定の閾値以下であることが検出された場合には、前記保持部材を前記放熱部材に接触させることを特徴とする請求項１１に記載の撮像装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記保持部材の位置を検出する位置検出手段を備え、
前記制御手段は、前記位置検出手段により前記保持部材が前記第２の位置に位置することが検出され、前記検出手段により前記撮像手段が被写体の画像の取得を開始したことが検出された場合には、前記ブレ検出手段により検出された振動に基づいて前記第１の駆動手段を駆動する場合よりも大きな駆動力で前記第１の駆動手段を駆動して前記保持部材を前記第１の位置に移動させることを特徴とする請求項１１から１３のいずれかに記載の撮像装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
伝熱性材料で形成された筐体を備え、
前記放熱部材は、前記筐体に接触するように配設されたことを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の撮像装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項１０に記載の撮像装置は、請求項９に記載の撮像装置において、前記撮像素子は前記発熱部である水平転送路が形成されたＣＣＤ型イメージセンサであることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
請求項１２に記載の撮像装置は、請求項１１に記載の撮像装置において、前記撮像手段は、前記撮像素子に結像された画像の一部を切り出して撮影倍率を変化させる電子ズーム手段を有し、前記検出手段は、前記電子ズーム手段により撮影倍率が変化された被写体の画像を取得しているか否かを検出し、前記制御手段は、前記検出手段により撮影倍率が変化された被写体の画像を取得しており、当該撮影倍率が所定の閾値以上であることが検出された場合には、前記第１の駆動手段を駆動して前記保持部材を前記放熱部材に接触させることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項１３に記載の撮像装置は、請求項１１に記載の撮像装置において、前記撮像手段は、前記撮像素子の画素数よりも画素数が少ない画像を読み出す間引き読出手段を有し、前記検出手段は、前記間引き読出手段により前記撮像素子の画素数よりも画素数が少ない画像を取得しているか否かを検出し、前記制御手段は、前記検出手段により前記撮像素子の画素数よりも画素数が少ない画像を取得しており、かつ当該画素数が所定の閾値以下であることが検出された場合には、前記保持部材を前記放熱部材に接触させることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
請求項１４に記載の撮像装置は、請求項１１から１３のいずれかに記載の撮像装置において、前記保持部材の位置を検出する位置検出手段を備え、前記制御手段は、前記位置検出手段により前記保持部材が前記第２の位置に位置することが検出され、前記検出手段により前記撮像手段が被写体の画像の取得を開始したことが検出された場合には、前記ブレ検出手段により検出された振動に基づいて前記第１の駆動手段を駆動する場合よりも大きな駆動力で前記第１の駆動手段を駆動して前記保持部材を前記第１の位置に移動させることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項１５に記載の撮像装置は、請求項１から１４のいずれかに記載の撮像装置において、伝熱性材料で形成された筐体を備え、前記放熱部材は、前記筐体に接触するように配設されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びその制御方法、プログラム並びに記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、デジタルビデオカメラなどの撮像装置及びその制御方法、該制御方法を実現するためのプログラム、並びにプログラムを格納した記憶媒体に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記従来の問題点に鑑み、次のような、撮像装置及びその制御方法、プログラム並びに記憶媒体を提供することを目的とする。即ち、被写体毎のベストショット画像に関する撮影履歴情報を表示し、ユーザがその情報を次の撮影に活かして被写体毎のベストショット枚数の調整を行えるようにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、撮像画像から特定の被写体を検出する被写体検出手段を有する撮像装置において、前記被写体検出手段によって検出された被写体に基づいて、前記撮像画像が前記被写体についてのベストショット画像であるか否かを検出するベストショット検出手段と、前記ベストショット検出手段の検出の結果に応じて、ベストショット画像の枚数を含む被写体毎の撮影履歴情報を作成する撮影履歴作成手段と、前記撮影履歴作成手段で作成された被写体毎の撮影履歴情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された被写体毎の撮影履歴情報を表示する撮影履歴表示手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像画像から特定の被写体を検出する被写体検出手段を有する撮像装置において、
前記被写体検出手段によって検出された被写体に基づいて、前記撮像画像が前記被写体についてのベストショット画像であるか否かを検出するベストショット検出手段と、
前記ベストショット検出手段の検出の結果に応じて、ベストショット画像の枚数を含む被写体毎の撮影履歴情報を作成する撮影履歴作成手段と、
前記撮影履歴作成手段で作成された被写体毎の撮影履歴情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された被写体毎の撮影履歴情報を表示する撮影履歴表示手段とを備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮影履歴情報は、ベストショット画像の枚数と共に、ユーザが登録した被写体登録情報及び総撮影枚数に対するベストショット画像枚数の比率であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
複数の撮影モードを設定する手段を有し、
前記ベストショット検出手段は、前記複数の撮影モードに従ったベストショット画像をそれぞれ検出する複数のベストショット検出部を有し、前記撮影モードに応じて前記複数のベストショット検出部を切り替えることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮影履歴表示手段は、前記撮影履歴情報に基づいて撮影補助情報を表示することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮影履歴表示手段は、電源起動時、撮影時又は前記撮影モードの切り替え時に、前記撮影履歴情報を表示することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像画像として動画像データ及び静止画像データを入力する手段を有し、
前記撮影履歴作成手段は、撮影画像が動画像データであるか静止画像データであるかに応じて、前記撮影履歴情報の作成方法を変更することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮影履歴情報の作成方法の変更は、ベストショット画像の枚数のカウント方法を変更することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記ベストショット画像の枚数のカウント方法は、撮影画像が動画像データである場合に、撮影画像が静止画像データである場合よりもベストショット画像の枚数を少なくカウントすることを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
撮像画像から特定の被写体を検出する被写体検出手段を有する撮像装置の制御方法であって、
前記被写体検出手段によって検出された被写体からベストショット画像を検出するベストショット検出工程と、
前記ベストショット検出工程の検出の結果に応じて、ベストショット画像の枚数を含む被写体毎の撮影履歴情報を作成する撮影履歴作成工程と、
前記撮影履歴作成工程で作成された被写体毎の撮影履歴情報を記憶する記憶工程と、
前記記憶工程で記憶された被写体毎の撮影履歴情報を表示する撮影履歴表示工程とを有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
撮像画像から特定の被写体を検出する被写体検出手段を有する撮像装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記撮像装置の制御方法は、
前記被写体検出手段によって検出された被写体からベストショット画像を検出するベストショット検出工程と、
前記ベストショット検出工程の検出の結果に応じて、ベストショット画像の枚数を含む被写体毎の撮影履歴情報を作成する撮影履歴作成工程と、
前記撮影履歴作成工程で作成された被写体毎の撮影履歴情報を記憶する記憶工程と、
前記記憶工程で記憶された被写体毎の撮影履歴情報を表示する撮影履歴表示工程とを有することを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
時分割多重された複数のタイムスロットをフレームとして基地局と通信を行うデジタルコードレス電話機に割り当てられた周波数帯域の信号、および、ＰＨＳに割り当てられた周波数帯域の信号を受信し、当該受信した信号の受信電界強度を測定して出力する受信部と、
前記受信部により受信された信号の受信電界強度の出力を監視し、所定の閾値以上の受信電界強度が現れる時間幅および頻度を計測することにより、ＰＨＳの固定局から発信される信号による干渉が、ＰＨＳの制御チャネルによる干渉か、またはＰＨＳの通信チャネルによる干渉かを判別する干渉種別判別手段と、
前記干渉種別判別手段によりＰＨＳの固定局から発信される信号による干渉が、ＰＨＳの制御チャネルかＰＨＳの通信チャネルによる干渉かに応じて、当該干渉を避けるように当該デジタルコードレス電話機が使用する周波数帯域およびスロットタイミングを設定する通信スロット設定手段と、
前記通信スロット設定手段により割り当てられた前記周波数帯域および前記スロットタイミングにより通信データを送信する送信部と、
を備えたことを特徴とする無線通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
時分割多重された複数のタイムスロットをフレームとして基地局と通信を行うデジタルコードレス電話機に割り当てられた周波数帯域の信号、および、ＰＨＳに割り当てられた周波数帯域の信号を受信し、当該受信した信号の受信電界強度を測定して出力する受信ステップと、
前記受信ステップにて一定時間受信された信号の受信電界強度の出力を監視し、所定の閾値以上の受信電界強度が現れる時間幅および頻度を計測することによりＰＨＳの固定局から発信される信号による干渉が、ＰＨＳの制御チャネルによる干渉か、またはＰＨＳの通信チャネルによる干渉かを判別する干渉種別判別ステップと、
前記干渉種別判別ステップにてＰＨＳの固定局から発信される信号による干渉が、ＰＨ
Ｓの制御チャネルかＰＨＳの通信チャネルによる干渉かに応じて、当該干渉を避けるように当該デジタルコードレス電話機が使用する周波数帯域およびスロットタイミングを設定する通信スロット設定ステップと、
前記通信スロット設定ステップにて割り当てられた前記周波数帯域および前記スロットタイミングにより通信データを送信する送信ステップと、
を含むこと、
を特徴とする無線通信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、上記従来技術においては、近くに自システムと同期が取れていない他のＤＥＣＴ端末が存在する場合、この他のＤＥＣＴシステムの端末も１０ｍｓ毎に制御信号を送信しており、この送信タイミングが５ｍｓの倍数であるため、ＰＨＳの制御信号とＤＥＣＴの制御信号の判別が難しいという問題点があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上述した課題を解決し、上述した目的を達成するためには、本発明は、時分割多重された複数のタイムスロットをフレームとして基地局と通信を行うデジタルコードレス電話機に割り当てられた周波数帯域の信号、および、ＰＨＳに割り当てられた周波数帯域の信号を受信し、当該受信した信号の受信電界強度を測定して出力する受信部と、受信部により受信された信号の受信電界強度の出力を監視し、所定の閾値以上の受信電界強度が現れる時間幅および頻度を計測することにより、ＰＨＳの固定局から発信される信号による干渉が、ＰＨＳの制御チャネルによる干渉か、またはＰＨＳの通信チャネルによる干渉かを判別する干渉種別判別手段と、干渉種別判別手段によりＰＨＳの固定局から発信される信号による干渉が、ＰＨＳの制御チャネルかＰＨＳの通信チャネルによる干渉かに応じて、当該干渉を避けるように当該デジタルコードレス電話機が使用する周波数帯域およびスロットタイミングを設定する通信スロット設定手段と、通信スロット設定手段により割り当てられた前記周波数帯域および前記スロットタイミングにより通信データを送信するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
液晶パネル９は、透過型の液晶パネルであり、画質調整部８から出力される画像情報に基づいて駆動されることで、照明装置１０から液晶パネル９に入射される照明光を変調する光変調装置として使用されている。また、照明装置１０としては、高圧水銀ランプやメタルハライドランプが用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、前述の画像処理装置を用いた本発明に係る画像処理方法およびプロジェクター１の動作について、図６に示すフローチャートを参照して説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
そして、シャープネス調整後の画像情報について、台形補正部５により、投射する際におけるあおり角に応じて台形補正処理が行われる（ステップＳ５）。そして、台形補正処理が行われた画像情報は、画質調整部８に出力され、画質調整部８により、色調整などの画質調整が行われる（ステップＳ６）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月24日(2012.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の画像読取装置は、原稿を読み取るための読取面と、該読取面に対して原稿を搬送する搬送手段と、前記読取面に搬送される原稿を読み取る読取手段とを備えた画像読取装置において、前記読取面に対向して配置され、複数の平面部を有する多角形状の回転体と、前記回転体を回転駆動させる駆動手段と、前記回転体の角部に設けられ、該回転体を回転させることによって前記読取面に接触する拭取部材と、前記回転体の回転に伴って、該回転体を揺動自在に支持する支持手段と、前記読取面に当接して、前記回転体の一の平面部との間に原稿を通過させるためのギャップを形成するフランジ部材と、前記ギャップを一定に保持するために、前記回転体を前記読取面側に付勢する付勢手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
原稿を読み取るための読取面と、該読取面に対して原稿を搬送する搬送手段と、前記読取面に搬送される原稿を読み取る読取手段とを備えた画像読取装置において、
前記読取面に対向して配置され、複数の平面部を有する多角形状の回転体と、
前記回転体を回転駆動させる駆動手段と、
前記回転体の角部に設けられ、該回転体を回転させることによって前記読取面に接触する拭取部材と、
前記回転体の回転に伴って、該回転体を揺動自在に支持する支持手段と、
前記読取面に当接して、前記回転体の一の平面部との間に原稿を通過させるためのギャップを形成するフランジ部材と、
前記ギャップを一定に保持するために、前記回転体を前記読取面側に付勢する付勢手段とを備えたことを特徴とする画像読取装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月11日(2012.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオカメラのビューファインダーの表示位置を調節するビューファインダーの保持機構であって、前記ビデオカメラの上部後方に設けられた取付部に装着され、水平方向に回転する回転台と、前記回転台に、前記ビューファインダーを円弧状の軌跡に沿って上下方向に回動させるリフト回転軸と前記ビューファインダーの表示面の傾斜角を調節するチルト回転軸とが設けられる支持用アーム部材とを備え、前記支持用アーム部材のリフト位置またはチルト位置に拘わらず、任意の位置でフリーストップさせるとともに、前記リフト回転軸と前記チルト回転軸それぞれに、所定の位置で確実にロックさせるためのロック手段を備えたことを特徴とするビューファインダーの保持機構。
【請求項２】
前記ビューファインダーを任意の位置に可動させた時、リフト方向に対して、リフト回転用ブレーキバネが保持機構ベースと前記支持用アーム部材の間にはさまり、前記リフト回転用ブレーキバネのたわみ分だけブレーキとして働くと共に、チルト方向に対して、チルト回転用ブレーキバネが前記取付板と前記支持用アーム部材の間にはさまり、前記チルト回転用ブレーキバネのたわみ分だけブレーキとして働くことを特徴とする請求項１に記載のビューファインダーの保持機構。
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月27日(2012.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影手段と、
前記撮影手段により撮影された撮影画像を対象として、主要被写体を表す被写体領域を特定する領域特定手段と、
前記領域特定手段により特定された被写体領域を表す部分画像を前記撮影画像から抽出する抽出手段と、
前記抽出手段により抽出された部分画像を記憶させる部分画像記憶制御手段と、
所定の操作を検出する操作検出手段と、
を備え、
前記操作検出手段により所定の操作が検出されると、所定の処理が実行されるともに、前記領域特定手段、前記抽出手段、前記部分画像記憶手段による処理が実行される
ことを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項２】
前記所定の操作として、本デジタルカメラの電源の遮断を確定させる第１の操作、及び前記撮影手段により撮影される撮影画像の記録に向けた動作が行われた第２の操作の少なくともいずれか一方が検出されると、前記特定手段による処理が実行される
ことを特徴とする請求項２記載のデジタルカメラ。
【請求項３】
前記領域特定手段は、前記第２の操作として、前記操作検出手段により使用者の撮影準備指示の操作が検出されると、前記撮影手段により撮影された撮影画像を対象として主要被写体を表す被写体領域を特定する
ことを特徴とする請求項２記載のデジタルカメラ。
【請求項４】
前記領域特定手段は、前記撮影手段により撮影された撮影画像におけるピントが合っている合焦領域を対象として主要被写体を表す被写体領域を特定する
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のデジタルカメラ。
【請求項５】
前記撮影手段により撮影された撮影画像に前記部分画像記憶手段に記憶されている部分画像を合成することにより新たな画像を生成する合成手段を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のデジタルカメラ。
【請求項６】
前記部分画像記憶手段に記憶されている任意の部分画像を、前記合成手段が前記撮影画像へ合成すべき部分画像として使用者に選択させる選択制御手段と、
前記部分画像記憶手段に記憶されているとともに使用者に選択された回数が閾値に達した部分画像から、当該部分画像の特徴を表す所定の画像情報を傾向情報として取得する傾向情報取得手段と、
前記選択傾向情報取得手段により取得された傾向情報を個別に記憶する傾向情報記憶手段と
を備え、
前記抽出手段は、前記傾向情報記憶手段に記憶されているいずれかの傾向情報によって表される部分画像の特徴との類似度合が閾値以上であることを抽出条件として、前記領域特定手段により特定された被写体領域を表す部分画像を前記撮影画像から抽出する
ことを特徴とする請求項５記載のデジタルカメラ。
【請求項７】
前記合成手段による部分画像の合成対象となる撮影画像を表示する表示手段を備え、
前記選択制御手段は、前記部分画像記憶手段に記憶されている部分画像を前記合成対象となる撮影画像と共に前記表示手段に表示させた状態で任意の部分画像を使用者に選択させる
ことを特徴とする請求項５又は６記載のデジタルカメラ。
【請求項８】
前記領域特定手段は、連写撮影又は動画撮影に際して前記撮影手段により撮影された一連の撮影画像の各々の撮影画像を対象として、主要被写体を表す被写体領域を個別に特定し、
前記抽出手段は、前記領域特定手段により特定された被写体領域を表す部分画像を前記各々の撮影画像から抽出し、
前記部分画像記憶手段は、前記抽出手段によって前記各々の撮影画像から抽出された複数の部分画像を記憶する
ことを特徴とする請求項１乃至７いずれか記載のデジタルカメラ。
【請求項９】
コンピュータに、
撮影手段により撮影された撮影画像を対象として、主要被写体を表す被写体領域を特定する処理と、
前記撮影画像において特定した被写体領域を表す部分画像を前記撮影画像から抽出する処理と、
前記撮影画像から抽出した部分画像を部分画像記憶手段に記憶させる処理と、
所定の操作を検出する操作検出処理と、
を実行させ、
前記操作検出手段により所定の操作が検出されると、所定の処理が実行されるともに、前記領域特定手段、前記抽出手段、前記部分画像記憶手段による処理が実行される
ことを特徴とする画像抽出プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１の観点に係るデジタルカメラにあっては、撮影手段と、前記撮影手段により撮影された撮影画像を対象として、主要被写体を表す被写体領域を特定する領域特定手段と、前記領域特定手段により特定された被写体領域を表す部分画像を前記撮影画像から抽出する抽出手段と、前記抽出手段により抽出された部分画像を記憶させる部分画像記憶制御手段と、所定の操作を検出する操作検出手段と、を備え、前記操作検出手段により所定の操作が検出されると、所定の処理が実行されるともに、前記領域特定手段、前記抽出手段、前記部分画像記憶手段による処理が実行されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の第２の観点に係る画像抽出プログラムにあっては、コンピュータに、撮影手段により撮影された撮影画像を対象として、主要被写体を表す被写体領域を特定する処理と、前記撮影画像において特定した被写体領域を表す部分画像を前記撮影画像から抽出する処理と、前記撮影画像から抽出した部分画像を部分画像記憶手段に記憶させる処理と、所定の操作を検出する操作検出処理と、を実行させ、前記操作検出手段により所定の操作が検出されると、所定の処理が実行されるともに、前記領域特定手段、前記抽出手段、前記部分画像記憶手段による処理が実行されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【非特許文献１】山崎英蔵・大久保利美共著、電子科学シリーズ２７、ＭＯＳ−ＩＣとＦＥＴ、第３版、株式会社  産報、Ｐ２０９
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月11日(2012.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【非特許文献１】Ｂｅｈｚａｄ  Ｒａｚａｖｉ  著、黒田  忠弘  監訳、「アナログＣＭＯＳ集積回路の設計  応用編」、丸善株式会社、平成１５年３月３０日発行、Ｐ３９６
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
これにより、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１１７とＮ型ＭＯＳトランジスタ１１８に流れる電流を一定値に保つことが可能になる。従って、位相補償容量１５１、１５２を小さくすることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このように構成した差動増幅器は、図１の差動増幅器と同様に、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１１７とＮ型ＭＯＳトランジスタ１１８に流れる電流を一定値に保つことが可能になり、位相補償容量１５１、１５２を小さくすることが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非反転入力端子と、反転入力端子と、出力端子と、
前記非反転入力端子と前記反転入力端子に接続されたＮ型ＭＯＳトランジスタの差動入力回路を備えた第１の差動増幅回路と、
前記非反転入力端子と前記反転入力端子に接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタの差動入力回路を備えた第２の差動増幅回路と、
前記第１の差動増幅回路と前記第２の差動増幅回路に接続された出力回路と、を備えた差動増幅器であって、
前記第１の差動増幅回路の電流源であるトランジスタに、前記非反転入力端子の電圧によって定電流値が変化する電流制御回路を設け、前記非反転入力端子の電圧が変化したときに出力トランジスタに流れる電流量を一定値に保つことを特徴とする差動増幅器。
【請求項２】
前記電流制御回路は、
定電流源と、
ゲートが前記非反転入力端子に接続され、ソースが前記定電流源に接続され、ドレインが前記第１の差動増幅回路の電流源であるトランジスタに接続されたＮ型ＭＯＳトランジスタと、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の差動増幅器。
【請求項３】
非反転入力端子と、反転入力端子と、出力端子と、
前記非反転入力端子と前記反転入力端子に接続されたＮ型ＭＯＳトランジスタの差動入力回路を備えた第１の差動増幅回路と、
前記非反転入力端子と前記反転入力端子に接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタの差動入力回路を備えた第２の差動増幅回路と、
前記第１の差動増幅回路と前記第２の差動増幅回路に接続された出力回路と、を備えた差動増幅器であって、
前記第２の差動増幅回路の電流源であるトランジスタに、前記非反転入力端子の電圧によって定電流値が変化する電流制御回路を設け、前記非反転入力端子の電圧が変化したときに出力トランジスタに流れる電流量を一定値に保つことを特徴とする差動増幅器。
【請求項４】
前記電流制御回路は、
定電流源と、
ゲートが前記非反転入力端子に接続され、ソースが前記定電流源に接続され、ドレインが前記第２の差動増幅回路の電流源であるトランジスタに接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタと、を備えたことを特徴とする請求項３に記載の差動増幅器。