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【手続補正書】
【提出日】平成24年5月28日(2012.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体上に、無機顔料、ＰＶＡ及び架橋剤を含有する多孔質インク受容層を少なくとも２層以上、有するインクジェット記録媒体であって、
各多孔質インク受容層は、架橋剤の含有量がＰＶＡの含有量の０．２当量以上であり、最表層を構成する前記多孔質インク受容層（インク受容層Ａ）の純水に対する接触角をａ、前記インク受容層Ａ直下の多孔質インク受容層（インク受容層Ｂ）の純水に対する接触角をｂとしたとき、下記関係式（Ａ）を満たすことを特徴とするインクジェット記録媒体。
ａ＞ｂ、３０°＜ａ≦５０°、３０°≦ｂ＜５０°              （Ａ）。
【請求項２】
前記インク受容層Ａに含有されるＰＶＡのケン化度は、前記インク受容層Ｂに含有されるＰＶＡのケン化度よりも低いことを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録媒体。
【請求項３】
前記インク受容層Ａの、乾燥後の塗工量が３ｇ／ｍ2以上１０ｇ／ｍ2以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のインクジェット記録媒体。
【請求項４】
多孔質インク受容層用の塗工液を塗工する工程を２回以上、繰り返すことによって、全ての前記多孔質インク受容層が形成されたものであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のインクジェット記録媒体。
【請求項５】
顔料インクに用いることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のインクジェット記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月30日(2012.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
燃料蒸気を保持できる組成物を収容したキャニスタを有する燃料タンクであって、
キャニスタは、前記タンクに燃料が充填された場合に少なくとも大部分が燃料表面より下に位置するように、少なくとも一部が前記タンク内に設けられているとともに前記タンクの過剰充填を阻止する過剰充填防止（ＯＰ）装置と連携し、
前記キャニスタは、少なくとも部分的に前記タンク内に設けられているとともに前記タンクが転倒した場合にタンクブリーザを閉止する装置（ＲＯＶ）と連携していることを特徴とする燃料タンク。
【手続補正書】
【提出日】平成24年4月9日(2012.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性エラストマー（Ａ）、酸価が１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上３００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であるロジン系粘着付与剤（Ｂ）、合成オイル（Ｃ）、２５℃の針入度が１０ｄｍｍ以下であるワックス（Ｄ）および数平均分子量が１，０００以上６０，０００以下のポリエチレングリコール（Ｅ）を含むことを特徴とするアルカリ分散型ホットメルト粘着剤組成物。
【請求項２】
ワックス（Ｄ）が、合成ポリエチレンワックスまたは油分０．２重量％以下のパラフィンワックスであることを特徴とする請求項１記載のアルカリ分散型ホットメルト粘着剤組成物。
【請求項３】
ワックス（Ｄ）が、合成ポリエチレンワックスであることを特徴とする請求項２記載のアルカリ分散型ホットメルト粘着剤組成物。
【請求項４】
ワックス（Ｄ）の融点が６０℃以上１３５℃以下である請求項１〜３のいずれかに記載のアルカリ分散型ホットメルト粘着剤組成物。
【請求項５】
熱可塑性エラストマー（Ａ）、酸価が１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上３００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であるロジン系粘着付与剤（Ｂ）、合成オイル（Ｃ）、２５℃の針入度が１０ｄｍｍ以下であるワックス（Ｄ）および数平均分子量が１，０００以上６０，０００以下のポリエチレングリコール（Ｅ）を９０℃以上１８０℃以下の温度でブレンドすることを特徴とするアルカリ分散型ホットメルト粘着剤組成物の製造方法。
【請求項６】
容器に、請求項１〜４のいずれかに記載のアルカリ分散型ホットメルト粘着剤組成物を用いてラベルを接着した、ラベル付き容器。
【請求項７】
容器がポリエチレンテレフタレートからなることを特徴とする請求項６記載のラベル付き容器。
【請求項８】
ラベルの基材が延伸ポリプロピレンフィルムからなることを特徴とする請求項６または７記載のラベル付き容器。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかに記載のアルカリ分散型ホットメルト粘着剤組成物をラベルに塗工して、ラベルを容器に貼り付けることを特徴とする、ラベル付き容器の製造方法。
【請求項１０】
ラベル印刷面にアルカリ分散型ホットメルト粘着剤組成物を塗工することを特徴とする請求項１０記載の、ラベル付き容器の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月13日(2012.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００℃における動粘度が１〜５ｍｍ２／ｓである潤滑油基油と、
１３Ｃ−ＮＭＲにより得られるスペクトルにおいて、全ピークの合計面積に対する化学シフト５１−５２．５ｐｐｍの間のピークの合計面積Ｍ１と化学シフト６４−６６ｐｐｍの間のピークの合計面積Ｍ２の比、Ｍ１／Ｍ２が０．５０以上である粘度指数向上剤と、
を含有し、かつ、１５０℃におけるＨＴＨＳ粘度と１００℃におけるＨＴＨＳ粘度の比が下記式（Ａ）で表される条件を満たすことを特徴とする潤滑油組成物。
ＨＴＨＳ（１５０℃）／ＨＴＨＳ（１００℃）≧０．５０  （Ａ）
［式中、ＨＴＨＳ（１００℃）は１００℃におけるＨＴＨＳ粘度を示し、ＨＴＨＳ（１５０℃）は１５０℃におけるＨＴＨＳ粘度を示す。］
【請求項２】
前記粘度指数向上剤が、ポリ（メタ）アクリレート系粘度指数向上剤であることを特徴とする請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項３】
前記粘度指数向上剤が、ＰＳＳＩが４０以下、重量平均分子量とＰＳＳＩの比が０．８×１０４以上のものであることを特徴とする請求項１または２に記載の潤滑油組成物。
【請求項４】
１５０℃におけるＨＴＨＳ粘度が２．６以上であり、１００℃におけるＨＴＨＳ粘度が５．３以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の潤滑油組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、１００℃における動粘度が１〜５ｍｍ２／ｓである潤滑油基油と、１３Ｃ−ＮＭＲにより得られるスペクトルにおいて、全ピークの合計面積に対する化学シフト５１−５２．５ｐｐｍの間のピークの合計面積Ｍ１と化学シフト６４−６６ｐｐｍの間のピークの合計面積Ｍ２の比、Ｍ１／Ｍ２が０．５０以上である粘度指数向上剤と、を含有し、かつ、１５０℃におけるＨＴＨＳ粘度と１００℃におけるＨＴＨＳ粘度の比が下記式（Ａ）で表される条件を満たすことを特徴とする潤滑油組成物を提供する。
ＨＴＨＳ（１５０℃）／ＨＴＨＳ（１００℃）≧０．５０  （Ａ）
［式中、ＨＴＨＳ（１００℃）は１００℃におけるＨＴＨＳ粘度を示し、ＨＴＨＳ（１５０℃）は１５０℃におけるＨＴＨＳ粘度を示す。］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
本発明の潤滑油組成物の１５０℃におけるＨＴＨＳ粘度と１００℃におけるＨＴＨＳ粘度の比が下記式（Ａ）で表される条件を満たすことが必要である。当該比が０．５０未満であると、必要な低温粘度および十分な省燃費性能が得られないおそれがある。
ＨＴＨＳ（１５０℃）／ＨＴＨＳ（１００℃）≧０．５０  （Ａ）
［式中、ＨＴＨＳ（１００℃）は１００℃におけるＨＴＨＳ粘度を示し、ＨＴＨＳ（１５０℃）は１５０℃におけるＨＴＨＳ粘度を示す。］
また、同様の理由から、ＨＴＨＳ（１５０℃）／ＨＴＨＳ（１００℃）は、より好ましくは０．５１以上、さらに好ましくは０．５２以上、特に好ましくは０．５３以上、最も好ましくは０．５４以上である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板を一の方向に移動させる第一の移動手段と、ガラス板の一縁側の隅部を研削する第一の研削工具と、第一の研削工具を一の方向に交差する他の一の方向に移動させる第二の移動手段と、ガラス板の一縁に対向する他の一縁側の隅部を研削する第二の研削工具と、第二の研削工具を他の一の方向に移動させる第三の移動手段と、ガラス板を一の方向に移動させながら、ガラス板の一の方向の移動に応答して、第一及び第二の研削工具を他の一の方向に移動させるように、第二及び第三の移動手段を制御する制御手段とを具備しており、第一及び第二の研削工具は、他の一の方向で互いに対向して配されており、第一の研削工具は、ガラス板の一縁の外側に配されており、第二の研削工具は、ガラス板の一縁に対向する他の一縁の外側に配されているガラス板隅取り装置。
【請求項２】
制御手段は、ガラス板の夫々の隅取りすべき隅部の形状を設定入力する設定入力手段と、ガラス板の一の方向の移動を検出する移動検出手段とを具備しており、設定入力手段により設定入力された夫々の隅取りすべき隅部の形状に沿って研削するように、第一及び第二の研削工具を移動検出手段により検出されたガラス板の一の方向の移動に応答させて、他の一の方向に移動させるべく、第二及び第三の移動手段を制御するようになっている請求項１に記載のガラス板隅取り装置。
【請求項３】
設定入力手段は、ガラス板の隅取りすべき隅部の形状を特定すべく、当該ガラス板の夫々の隅取りすべき隅部の一の方向及び他の一の方向における距離を設定入力できるようになっている請求項２に記載のガラス板隅取り装置。
【請求項４】
制御手段は、ガラス板の一の方向における移動速度と、夫々設定入力された一の方向及び他の一の方向における距離とに基づいて、第一及び第二の研削工具の他の一の方向における夫々の移動速度を演算し、当該演算した夫々の移動速度で第一及び第二の研削工具を他の一の方向に移動させるべく、第二及び第三の移動手段を制御するようになっている請求項３に記載のガラス板隅取り装置。
【請求項５】
制御手段は、ガラス板の所定位置への到来を検出する到来検出手段を具備しており、到来検出手段によるガラス板の所定位置への到来検出以後、ガラス板の一の方向における移動速度と、夫々設定入力された一の方向及び他の一の方向における距離とに基づいて、第一及び第二の研削工具を、夫々の待機位置から他の一の方向に移動させる夫々の移動開始時を演算し、当該演算した夫々の移動開始時に、第一及び第二の研削工具を夫々の待機位置から他の一の方向に移動させるべく、第二及び第三の移動手段を制御するようになっている請求項３又は４に記載のガラス板隅取り装置。
【請求項６】
制御手段は、第一及び第二の研削工具を相互に近接又は離反させて、ガラス板の一縁側及び他の一縁側の隅部を同期的に研削するべく、第二及び第三の移動手段を制御するようになっている請求項１から５のいずれか一項に記載のガラス板隅取り装置。
【請求項７】
一の方向と、他の一の方向とが直交している請求項１から６のいずれか一項に記載のガラス板隅取り装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板形状を有し且つ幅方向に並べて配置され、合成樹脂で形成された複数の小幅床板と、
隣接配置される前記小幅床板間に介在してこれらを接続し、該小幅床板の長手方向に沿って延設される接続部材と、
を備え、
前記接続部材は、
隣接配置される前記小幅床板の各々を荷台の下部構造に固定するベース部と、
隙間を挟んで互いの側面が対向するように隣接配置される前記小幅床板同士を接続し且つ前記ベース部と接続される接続部と、
を有する、
運搬用車両の荷台。
【請求項２】
隣接配置される前記小幅床板において対向する一対の側面及び前記接続部の上面によって囲まれる空間が水密空間として形成され、その水密空間によって前記小幅床板の表面から流れ込む液体を受け容れて且つ該小幅床板の長手方向に沿って延伸する液体受け容れ溝が形成される、
請求項１に記載の運搬用車両の荷台。
【請求項３】
荷台の前端部及び後端部の少なくとも何れか一方に設けられ、前記液体受け容れ溝の各々からの液体が導かれる液体集合部を更に備えた、請求項２に記載の運搬用車両の荷台。
【請求項４】
前記接続部材における前記接続部の上面が長手方向の一方側から他方側に向けて傾斜することによって前記液体受け容れ溝に勾配が形成され、少なくとも前記液体受け容れ溝の下流端側に前記液体集合部が設けられている、請求項３に記載の運搬用車両の荷台。
【請求項５】
前記液体集合部に集められた液体を貯留する貯留タンクを、更に備えた請求項３又は４に記載の運搬用車両の荷台。
【請求項６】
前記小幅床板は、その両側面に長手方向に沿って延設される側面溝を有し、
前記接続部材における前記ベース部は、隣接配置される前記小幅床板の各々における一方の側端部を支持し、
前記接続部材における前記接続部は、前記ベース部と対峙するように該ベース部から立設する立設部に接続され、且つ、隣接配置される前記小幅床板において対向する一対の前記側面溝の一方に嵌合する第１突起部と他方に嵌合する第２突起部とを有する、
請求項１から５の何れか一項に記載の運搬用車両の荷台。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月6日(2012.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の結晶相と、
前記第一の結晶相よりも屈折率が大きい第二の結晶相と、を備え、
互いに同一面上に位置しない第一の面と第二の面とを有するシンチレータであって、
前記第二の結晶相は、前記第一の面の一部の面から前記第二の面の一部の面まで連続して存在していることを特徴とするシンチレータ。
【請求項２】
前記第一の結晶相は、前記第一の面の一部の面から前記第二の面の一部の面まで連続して存在していることを特徴とする請求項１記載のシンチレータ。
【請求項３】
前記第一の結晶相が、前記第二の結晶相中に位置していることを特徴とする請求項１または２に記載のシンチレータ。
【請求項４】
前記第一の結晶相の形状又は前記第二の結晶相の形状の一方が、柱状又は板状であることを特徴とする請求項１または２に記載のシンチレータ。
【請求項５】
柱状若しくは板状である前記第一の結晶相又は柱状若しくは板状である第二の結晶相を複数有し、該複数の結晶相が前記第一の面又は前記第二の面に沿って周期的に配置されており、その周期が５００ｎｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のシンチレータ。
【請求項６】
前記第二の結晶相が、放射線励起によって発光することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項７】
前記第一の結晶相および前記第二の結晶相を構成する材料の組成は、共晶点における組成であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項８】
前記シンチレータは発光中心としてＴｌ，Ｉｎ，Ｇａの少なくとも一つを含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項９】
前記第一の結晶相または第二の結晶相の一方の相の主成分がＣｓＩであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項１０】
前記一方の相にＲｂＩ、ＣｓＢｒ、ＲｂＢｒのいずれかを更に含有し、該含有量が、ＲｂＩにおいては該一方の相における組成で０ｍｏｌ％より多く２０ｍｏｌ％以下、ＣｓＢｒにおいては０ｍｏｌ％より多く５０ｍｏｌ％未満、ＲｂＢｒにおいては０ｍｏｌ％より多く１０ｍｏｌ％以下の範囲であることを特徴とする請求項９に記載のシンチレータ。
【請求項１１】
前記第一の結晶相または第二の結晶相の他方の相が、ＮａＢｒ，ＮａＣｌ，ＮａＦ，ＫＣｌのいずれかを含有することを特徴とする請求項９また１０に記載にシンチレータ。
【請求項１２】
前記第一の結晶相または第二の結晶相の一方の相の主成分がＮａＩであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項１３】
前記第一の結晶相または第二の結晶相の他方の相が、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＲｂＩ又はＣｓＩのいずれかを含有することを特徴とする請求項１２に記載にシンチレータ。
【請求項１４】
前記第一の結晶相または第二の結晶相の一方の相の主成分がＲｂＩであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項１５】
前記一方の相にＣｓＩまたはＲｂＢｒを更に含有し、該含有量が、ＣｓＩにおいては該一方の相における組成で０ｍｏｌ％より多く２０ｍｏｌ％以下、ＲｂＢｒにおいては０ｍｏｌ％より多く５０ｍｏｌ％未満の範囲であることを特徴とする請求項１４に記載のシンチレータ。
【請求項１６】
前記第一の結晶相または第二の結晶相の一方の相の主成分がＣｓＢｒであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項１７】
前記一方の相にＣｓＩ、ＲｂＢｒ、ＣｓＣｌのいずれかを更に含有し、該含有量が、ＣｓＩにおいては該一方の相における組成で０ｍｏｌ％より多く５０ｍｏｌ％以下、ＲｂＢｒにおいては０ｍｏｌ％より多く２５ｍｏｌ％未満、ＣｓＣｌにおいては０ｍｏｌ％より多く５０ｍｏｌ％未満の範囲であることを特徴とする請求項１６に記載のシンチレータ。
【請求項１８】
前記第一の結晶相または第二の結晶相の一方の相の主成分がＲｂＢｒであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項１９】
前記一方の相にＲｂＩまたはＣｓＢｒを更に含有し、該含有量が、ＲｂＩにおいては該一方の相における組成で０ｍｏｌ％より多く５０ｍｏｌ％以下、ＣｓＢｒにおいては０ｍｏｌ％より多く１５ｍｏｌ％以下の範囲であることを特徴とする請求項１８に記載のシンチレータ。
【請求項２０】
前記第一の結晶相または第二の結晶相の他方の相が、ＮａＦ、ＮａＣｌ、又はＮａＢｒのいずれかを含有することを特徴とする請求項１４〜１９のいずれか１項に記載にシンチレータ。
【請求項２１】
前記第二の結晶相の主成分が、ＢａＩ２、ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＳｒＢｒ２、ＳｒＣｌ２のいずれかであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項２２】
前記シンチレータは発光中心としてユーロピウム（Ｅｕ）、セリウム（Ｃｅ）、タリウム（Ｔｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）の少なくとも一つを含有することを特徴とする請求項２１に記載のシンチレータ。
【請求項２３】
光検出器と、前記光検出器に対向して配置されたシンチレータとを有する放射線検出器であって、
前記シンチレータが請求項１〜２２のいずれか１項に記載のシンチレータであり、該シンチレータは、前記光検出器に前記第一の面または前記第二の面が対向するように配置されていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２４】
前記光検出器と前記シンチレータとが、直接ないし１層以上の保護層を介して対向配置されていることを特徴とする請求項２３に記載の放射線検出器。
【請求項２５】
第一の結晶相を構成する材料と第二の結晶相を構成する材料とを溶解する工程と、
溶解された第一の結晶相を構成する材料と第二の結晶相を構成する材料とを一方向に沿って凝固させ、シンチレータとして用いる共晶体を形成する工程とを有することを特徴とするシンチレータの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月31日(2012.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼の眼底の表面の２次元画像を形成する第１の画像形成手段と、
前記２次元画像の部分領域に相当する前記眼底の計測領域に断面位置を有する断層画像を形成する第２の画像形成手段と、
表示手段と、
前記被検眼の特性を表す特性情報を含む撮影条件情報を記憶する記憶手段と、
該記憶された撮影条件情報に基づいて、前記形成された前記２次元画像と、前記計測領域の範囲を表す計測範囲画像との互いの表示サイズを合わせ、該表示サイズが合わせられた前記２次元画像と前記計測範囲画像とを前記表示手段に表示させる制御手段と、
を備えることを特徴とする眼底観察装置。
【請求項２】
前記特性情報は、前記被検眼の眼軸長を含んでいる、
ことを特徴とする請求項１に記載の眼底観察装置。
【請求項３】
前記第２の画像形成手段は、光源と、該光源から出力された光を信号光と参照光とに分割するとともに、信号光路を介して前記眼底に照射された前記信号光の眼底反射光と、参照光路を介して前記参照物体にて反射された前記参照光とを重畳させて干渉光を生成する干渉光生成手段と、該生成された干渉光を受光して検出信号を出力する検出手段とを備え、
前記信号光路を形成する光学系の前記被検眼に対するアライメントを行うアライメント手段を更に備え、
前記制御手段は、前記信号光路の光路長と、前記参照光路の光路長と、前記アライメントされたときの前記被検眼と前記光学系との間の距離と、前記検出手段により出力された検出信号とに基づいて、前記信号光が前記被検眼に入射した位置と前記信号光が前記眼底にて反射された位置との間の眼内距離を演算する眼内距離演算手段を備え、
前記記憶手段は、該演算された眼内距離を前記眼軸長として記憶する、
ことを特徴とする請求項２に記載の眼底観察装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記表示サイズが合わせられた前記２次元画像及び前記計測範囲画像とともに、前記第２の画像形成手段により形成された断層画像を前記表示手段に表示させる、
ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の眼底観察装置。
【請求項５】
被検眼の眼底の表面の２次元画像と、該２次元画像の部分領域に相当する前記眼底の計測領域に断面位置を有する断層画像とを表示する表示手段と、
前記被検眼の特性を表す特性情報を含む撮影条件情報を記憶する記憶手段と、
該記憶された撮影条件情報に基づいて、前記２次元画像と、前記計測領域の範囲を表す計測範囲画像との互いの表示サイズを合わせ、該表示サイズが合わせられた前記２次元画像と前記計測範囲画像とを前記表示手段に表示させる制御手段と、
を備えることを特徴とする眼科画像表示装置。
【請求項６】
前記特性情報は、前記被検眼の眼軸長を含んでいる、
ことを特徴とする請求項５に記載の眼科画像表示装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記表示サイズが合わせられた前記２次元画像及び前記計測範囲画像とともに、前記第２の画像形成手段により形成された断層画像を前記表示手段に表示させる、
ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の眼科画像表示装置。
【請求項８】
被検眼の眼底の表面の２次元画像と、該２次元画像の部分領域に相当する前記眼底の計測領域に断面位置を有する断層画像とを表示する表示手段と、前記被検眼の眼軸長を含む撮影条件情報を記憶する記憶手段とを備えるコンピュータを、
前記記憶された撮影条件情報に基づいて、前記２次元画像と、前記計測領域の範囲を表す計測範囲画像との互いの表示サイズを合わせるとともに、該表示サイズが合わせられた前記２次元画像と前記計測範囲画像とを前記表示手段に表示させる制御手段として機能させる、
ことを特徴とするプログラム。
【請求項９】
前記制御手段は、前記特性情報としての前記被検眼の眼軸長に基づいて前記２次元画像と前記計測範囲画像との前記表示サイズ合わせを行う、
ことを特徴とする請求項８に記載のプログラム。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記表示サイズが合わせられた前記２次元画像及び前記計測範囲画像とともに、前記第２の画像形成手段により形成された断層画像を前記表示手段に表示させる、
ことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の眼底観察装置であって、前記第２の画像形成手段は、光源と、該光源から出力された光を信号光と参照光とに分割するとともに、信号光路を介して前記眼底に照射された前記信号光の眼底反射光と、参照光路を介して前記参照物体にて反射された前記参照光とを重畳させて干渉光を生成する干渉光生成手段と、該生成された干渉光を受光して検出信号を出力する検出手段とを備え、前記信号光路を形成する光学系の前記被検眼に対するアライメントを行うアライメント手段を更に備え、前記制御手段は、前記信号光路の光路長と、前記参照光路の光路長と、前記アライメントされたときの前記被検眼と前記光学系との間の距離と、前記検出手段により出力された検出信号とに基づいて、前記信号光が前記被検眼に入射した位置と前記信号光が前記眼底にて反射された位置との間の眼内距離を演算する眼内距離演算手段を備え、前記記憶手段は、該演算された眼内距離を前記眼軸長として記憶する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
資産システムの高性能条件監視のための方法であって、
資産システムの動作空間を複数の動作レジームにセグメント化するステップと、
複数の自動連想ニューラルネットワーク（ＡＡＮＮ）を使用して、前記複数の動作レジームのうちの少なくとも１つの中の少なくとも１つのセンサで感知された実際の値の推定値を求めるステップと、
前記推定値と、前記複数の自動連想ニューラルネットワークのそれぞれからの前記実際の値との間の差に基づいて複数の残差を求めるステップと、
ファジィ監視モデルブレンダを使用して、前記複数の残差から統合された全残差を決定するために使用する重み付けの係数を生成するステップと、
前記統合された全残差の解析によって、前記資産システムの動作条件の変化を判定するステップと、
前記資産システムの動作の変化が判定された場合、警報を供給するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記ＡＡＮＮが、ｔａｎ−ｓｉｇｍｏｉｄ（ｔａｎｓｉｇ）型の隠れノードを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ＡＡＮＮが、埋め込まれた線形変換関数を有する中央ボトルネック層を含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記警報ステップが、電気的ケーブル、電力線伝導、イントラネット、インターネット、およびワイヤレス伝送からなるグループから選ばれた情報移送媒体を介してメッセージを配布することを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記判定するステップが、前記資産システムが前記複数の動作レジームのうちの２つの間で遷移中のときに実施される請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記警報するステップが、前記資産システムが前記複数の動作レジームのうちの２つの間で遷移中のときに実施される請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記判定するステップが、前記資産システムが前記複数の動作レジームのうちの１つで動作中に実施される請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記警報するステップが、前記資産システムが前記複数の動作レジームのうちの１つで動作中に実施される請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記ファジィ監視モデルブレンダが、前記資産システムの前記複数の動作レジームにわたるグローバルモデルを実装する請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのセンサがスマートセンサを含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記スマートセンサが、スマートセンサシステムに接続される請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記スマートセンサシステムが、前記資産システムの高性能条件監視のためのオンボード処理装置を備える請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
資産システムの動作条件を監視するスマートセンサ（１２）であって、ケーブル（１４）を介して入力ポート（１６）に接続されるスマートセンサと、
請求項１記載の方法を使用する前記資産システムの高性能条件監視のためのオンボード処理装置（１１）と
を備えるスマートセンサシステム（１０）。
【請求項１４】
前記スマートセンサシステム（１０）から周辺処理装置（２６）に信号をワイヤレスに送信するワイヤレス通信ユニット（２４）をさらに備える請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記処理装置（１１）からの計算結果を表示するディスプレイおよび警報ユニット（１８）をさらに備える請求項１３記載のシステム。
【請求項１６】
統合された全残差が、前記複数の残差の重み付けされた平均を使用して決定される請求項１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月15日(2012.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の事業活動を実施する複数のグループの、前記事業活動に伴う各種処理結果が蓄積されているデータベースのデータを用いて、前記各種処理結果の中の予め特定されたパターンの発生件数を、前記グループ別に、かつ特定された期間毎に集計し、この集計された前記パターンの発生件数に基づく評価係数を前記各グループについて算出する分析手段と、
出力条件に指定された集計範囲に属する各グループに対して、前記分析手段で求められた評価係数に従って順位付けを行い、この順位付けされた情報を出力する情報出力手段と、
を備えたことを特徴とする事業活動分析評価システム。
【請求項２】
共通の事業活動を実施する複数のグループの、前記事業活動に伴う各種処理結果が蓄積されているデータベースのデータを用いて、前記各種処理結果の中の予め特定されたパターンの発生件数を、前記グループ別に、かつ特定された期間毎に集計し、この集計された前記パターンの発生件数に基づく評価係数を前記各グループについて算出する分析手段と、
出力条件に、特定されたグループと複数の特定された期間とが指定された場合、前記特定されたグループの、前記複数の特定された期間における前記評価係数をそれぞれ捉え、この複数の特定された期間毎の評価係数の推移を履歴情報として出力する情報出力手段と、
を備えたことを特徴とする事業活動分析評価システム。
【請求項３】
共通の事業活動を実施する複数のグループの、前記事業活動に伴う各種処理結果が蓄積されているデータベースのデータを用いて、前記各種処理結果の中の予め特定されたパターンの発生件数を、前記グループ別に、かつ特定された期間毎に集計し、この集計された前記パターンの発生件数に基づく評価係数を前記各グループについて算出する分析手段と、
出力条件に、特定されたグループと特定された集計範囲とが指定された場合、前記特定されたグループについては特定された期間における評価係数を捉え、特定された集計範囲については、特定された期間における前記集計範囲に属する各グループの評価係数の平均値を求め、これら前記特定されたグループの評価係数と、前記特定された集計範囲の評価係数の平均値とを比較可能に出力する情報出力手段と、
を備えたことを特徴とする事業活動分析評価システム。
【請求項４】
共通の事業活動を実施する複数のグループの、前記事業活動に伴う各種処理結果が蓄積されているデータベースのデータを用いて、前記各種処理結果の中の予め特定されたパターンの発生件数を、前記グループ別に、かつ特定された期間毎に集計し、この集計された前記パターンの発生件数に基づく評価係数を前記各グループについて算出する分析手段と、
出力条件に、特定されたグループと特定された集計範囲とが指定された場合、前記特定されたグループについては特定された期間における評価係数を捉え、特定された集計範囲については、特定された期間における前記集計範囲に属する各グループの評価係数の平均値を求めると共に、前記集計範囲に属する各グループに対して、前記分析手段で求められた評価係数に従って順位付けを行い、これら評価係数、平均値、順位のいずれか、又はそれぞれについて、予め設定した期間前の値と最新期間の値との比率に基づいて効果計測改善率を求めて出力する情報出力手段と、
を備えたことを特徴とする事業活動分析評価システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】事業活動分析評価システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ある共通の事業活動を実施する複数のグループの、前記事業活動に関する順位付け情報やある特定グループの評価履歴情報を得ることができる事業活動分析評価システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、ある共通の事業活動を実施する複数のグループについて、その事業活動に対する評価を客観的に行うことができる事業活動分析評価システムを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーボ領域とデータ領域とに区分された複数の領域を有する基板と、
前記サーボ領域上に形成されたものであり、磁気記録媒体に形成しようとするサーボパターン形状を磁気転写するようにパターン化された磁性層とを備え、
前記サーボ領域に対応する領域が陽刻突出され、
前記磁性層は、軸方向において前記データ領域の上面から離間し、
前記サーボ領域と前記磁性層との間にバッファ層が形成されたことを特徴とするマスター記録媒体。
【請求項２】
前記バッファ層は、前記磁性層に比べて柔軟な性質を有する物質からなることを特徴とする請求項１に記載のマスター記録媒体。
【請求項３】
前記バッファ層は、レジン、ポリマー、ラバーのうちいずれか１つの物質によって形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載のマスター記録媒体。
【請求項４】
前記バッファ層は、磁性物質からなることを特徴とする請求項１に記載のマスター記録媒体。
【請求項５】
前記基板の前記データ領域が陰刻されたことを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項に記載のマスター記録媒体。
【請求項６】
前記パターン化された磁性層は、ナノインプリント工程を使用して形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のうち、いずれか１項に記載のマスター記録媒体。
【請求項７】
前記磁性層は、前記サーボパターンが陽刻された形状に形成されたことを特徴とする請求項１ないし請求項６のうち、いずれか１項に記載のマスター記録媒体。
【請求項８】
前記サーボ領域上に設けられたものであり、前記サーボパターン形状が陰刻されたポリマー層を有し、
前記磁性層は、前記陰刻されたパターン内部を充填する形態に設けられたことを特徴とする請求項１ないし請求項６のうち、いずれか１項に記載のマスター記録媒体。
【請求項９】
前記サーボ領域上に設けられたものであり、前記サーボパターン形状が陽刻されたポリマー層を有し、
前記磁性層は、前記ポリマー層の表面に沿って形成されたことを特徴とする請求項１ないし請求項６のうち、いずれか１項に記載のマスター記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月23日(2012.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）磁気記録媒体に形成されるサーボパターン形状を形成するために、ナノインプリントによってポリマー層を陰刻する段階と、
（ｂ）前記陰刻された領域を充填する磁性層を形成し、前記磁性層上にバックプレート層を形成する段階と、
（ｃ）前記磁性層で前記バックプレート層が形成された面との対向面に前記サーボパターン形状が表面に現れるように処理する段階とを含む、マスター記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）段階は、
基板上にシード層を形成する段階と、
前記シード層上に前記ポリマー層を形成する段階と、
前記サーボパターン形状が陽刻されたナノスタンプを利用し、前記ポリマー層にインプリントする段階と、
前記陰刻されたパターン内部に残っている前記ポリマー層残留物を除去する段階とを含み、
前記（ｂ）段階で、メッキ工程によって、前記磁性層を形成し、
前記（ｃ）段階で、前記基板及び前記シード層を除去する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）段階は、
基板上に前記ポリマー層を形成する段階と、
前記サーボパターン形状が陽刻されたナノスタンプを準備する段階と、
前記ナノスタンプを前記ポリマー層にインプリントする段階とを含むことを特徴とする、請求項１に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記（ｂ）段階は、
スパッタリング工程によって、前記磁性層を形成することを特徴とする、請求項３に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記（ｃ）段階は、
前記基板を除去する段階と、
前記磁性層パターンが表面に表れるように、前記基板に隣接した側のポリマー層の一部をエッチングする段階とを含むことを特徴とする、請求項３または４に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記（ｃ）段階は、
前記基板及び前記ポリマー層を前記磁性層からピールオフして分離する段階を含むことを特徴とする、請求項３または４に記載のマスター記録媒体の製造方法。
【請求項７】
磁気記録媒体に形成するためのサーボパターン形状が陰刻されたスタンプを準備する段階と、
前記スタンプをポリマー層にナノインプリントし、前記サーボパターン形状を陽刻する段階と、
前記サーボパターン形状が陽刻されたポリマー層の表面に沿って磁性層を形成する段階とを含む、マスター記録媒体の製造方法。
【請求項８】
マスター記録媒体の製造方法であって、
基板を準備する段階を含み、磁気記録媒体に形成されるべきサーボパターンが前記基板上に陰刻されて、前記基板の凹凸面を形成し、
前記製造方法は、
ポリマー材料で前記基板の前記凹凸面を覆って、前記ポリマー材料のポリマー層を形成する段階をさらに含む、前記ポリマー層は前記サーボパターンが陽刻された表面を有し、前記ポリマー層の表面は前記基板の前記凹凸面に面し、
前記製造方法は、
前記サーボパターンが陽刻された前記ポリマー層の表面に沿って磁性層を形成する段階をさらに含む、マスター記録媒体の製造方法。
【請求項９】
マスター記録媒体の製造方法であって、
磁気記録媒体に形成されるべきサーボパターンに対応するパターンを形成するようにポリマー層を陰刻するステップを含み、前記ポリマー層を陰刻するステップはスタンプを用いて実行され、
前記製造方法は、
前記ポリマー層の前記陰刻されたパターン内を充填する磁性層を形成するステップと、
前記磁性層上にバックプレート層を形成するステップと、
前記バックプレート層が形成される前記磁性層の表面とは反対の前記磁性層の表面上に前記サーボパターンを露光するための処理を実行するステップとをさらに含み、
前記スタンプは、前記サーボパターンと実質的に同一な陽刻されたパターンを有する、マスター記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
プレートと、
前記プレート上に形成されたものであり、磁気記録媒体に形成するサーボパターン形状を磁気転写できる磁性層とを有する、マスター記録媒体。
【請求項１１】
前記プレート上に設けられたものであり、前記サーボパターン形状が陰刻されたポリマー層を有し、
前記磁性層は、前記陰刻されたパターン内部を充填する形態に設けられたことを特徴とする、請求項１０に記載のマスター記録媒体。
【請求項１２】
前記磁性層は、前記サーボパターンが陽刻された形状に形成されたことを特徴とする、請求項１０に記載のマスター記録媒体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
より詳細には、ファン３００は、多数の組み立て開口３０２を有している。２つのファンレール２００をファン３００の対向する２側面に組み立てた時、各ファンレール２００の第１末端２１２ならびに第２末端２１６の両側に位置する弾性アーム２１２ａおよび弾性アーム２１６ａが弾性力を提供して、各弾性アーム２１２ａの短柱２１２ｂおよび各弾性アーム２１６ａの短柱２１６ｂ（図２Ｄ参照）をそれぞれ組み立て開口３０２の１つへスムーズに嵌め込むので、ファンレール２００をファン３００上に固定することができる。また、レール本体２１０の第１末端２１２に位置する開口２１８は、更に第１末端２１２の構造的弾性を増強するため、ファンレール２００をファン３００上に組み立てる又はファン３００から取り外す時、過大な応力（stress）により損傷することを防止する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年5月15日(2012.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風力エネルギー・システム（１００）であって、
タワー（１１０）と、
装置ナセル（１２０）と、
前記装置ナセル（１２０）に取り付けられ、実質的に水平回転軸の周りに回転可能であるハブ（１３０）と、
前記水平回転軸の下方に配置された下部ヨー・ベアリング（１７０）と、
前記水平回転軸の上方に配置された上部ヨー・ベアリング（１８０）と、
を有し、
前記下部ヨー・ベアリング（１７０）および前記上部ヨー・ベアリング（１８０）は、前記装置ナセル（１２０）を前記風力エネルギー・システム（１００）の前記タワー（１１０）に旋回可能に接続するように配置されている
風力エネルギー・システム（１００）。
【請求項２】
前記装置ナセル（１２０）はメイン・フレーム（２００）を有し、前記下部ヨー・ベアリング（１７０）および前記上部ヨー・ベアリング（１８０）は、前記メイン・フレーム（２００）を前記風力エネルギー・システム（１００）の前記タワー（１１０）に旋回可能に接続する請求項１に記載の風力エネルギー・システム（１００）。
【請求項３】
少なくとも１つのヨー・ドライブ（２２０）をさらに備え、前記ヨー・ドライブ（２２０）は、前記装置ナセル（１２０）を前記タワー（１１０）に対して旋回するように構成されている請求項１に記載の風力エネルギー・システム（１００）。
【請求項４】
前記少なくとも１つのヨー・ドライブ（２２０）は、前記上部ヨー・ベアリング（１８０）および前記下部ヨー・ベアリング（１７０）の少なくとも一方と嵌合する請求項３に記載の風力エネルギー・システム（１００）。
【請求項５】
少なくとも２つのヨー・ドライブ（２２０）をさらに備え、前記２つのヨー・ドライブ（２２０）の一方は前記上部ヨー・ベアリング（１８０）と嵌合し、前記２つのヨー・ドライブの一方は前記下部ヨー（１７０）ベアリングと嵌合する請求項１に記載の風力エネルギー・システム（１００）。
【請求項６】
少なくとも１つのさらなるヨー・ベアリングをさらに備える請求項１に記載の風力エネルギー・システム（１００）。
【請求項７】
前記ハブ（１３０）がロータ・ブレード（１４０）を有する請求項１に記載の風力エネルギー・システム（１００）。
【請求項８】
前記下部ヨー・ベアリング（１７０）および前記上部ヨー・ベアリング（１８０）は中空シャフト（２５０）によって接続される請求項１に記載の風力エネルギー・システム（１００）。
【請求項９】
前記タワー（１１０）は前記下部ヨー・ベアリング（１７０）を通って延び、前記中空シャフト（２５０）は前記タワー（１１０）の一部である請求項８に記載の風力エネルギー・システム（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月10日(2012.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサを基板上に配置し、
前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、
前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記センサの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により個別に覆う、
ことを特徴とするセンサデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記基板と前記センサの間に複数の金属電極を有する制御ＩＣを配置し、
前記制御ＩＣの複数の金属電極と、前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子を前記ボンディングワイヤにより電気的に接続し、
前記制御ＩＣの複数の金属電極と前記複数の端子の間及び前記制御ＩＣの複数の金属電極と前記センサの複数の金属電極の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記制御ＩＣの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を前記樹脂により個別に覆う、
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記センサの複数の金属電極間又は前記制御ＩＣの複数の金属電極間には、前記樹脂を前記金属電極毎に分離する分離部を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のセンサデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記樹脂は、曲げ弾性率が５ＧＰａ以下のシリコン樹脂材料を使用することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のセンサデバイスの製造方法。
【請求項５】
固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサと、
複数の端子を有し、前記センサを載置する基板と、
前記複数の金属電極と前記基板の複数の端子を電気的に接続するボンディングワイヤと、を備え、
前記センサは、前記複数の金属電極間に前記樹脂を分離する複数の分離部を有し、
前記複数の金属電極と前記ボンディングワイヤが接続する部位は樹脂で個別に覆われており、
前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部は露出する、ことを特徴とするセンサデバイス。
【請求項６】
前記基板と前記センサの間に配置され、複数の金属電極を有する制御ＩＣをさらに備え、
前記ボンディングワイヤは、前記制御ＩＣの複数の金属電極と前記基板の複数の端子とを電気的に接続し、
前記制御ＩＣは、前記複数の金属電極間に前記樹脂を分離する複数の分離部を有し、
前記制御ＩＣの複数の金属電極と前記ボンディングワイヤが接続される部位は前記樹脂により個別に覆われており、前記制御ＩＣの複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部は露出する、ことを特徴とする請求項５に記載のセンサデバイス。
【請求項７】
前記樹脂は、曲げ弾性率が５ＧＰａ以下のシリコン樹脂材料であることを特徴とする請求項５又は６に記載のセンサデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対物面内の物体を撮像するためのセンサであって、前記センサの中心軸に対して複数の異なる角度にて前記対物面を離れる光という形態にて前記物体の複数の像を定義する複数のビームを発生する前記物体を照射する光源と、前記物体からの光に反応する検出器とを備えるセンサ。
【請求項２】
前記検出器は、前記センサの光軸に沿って方向付けられる光と、前記検出器の前記軸からずれて方向付けられる光の少なくとも一方に反応する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記軸ずれ検出器は、前記対物面内の複数の異なる位置に対応する軸ずれ光を検出するための、前記中心軸に対して横に変位した少なくとも２つの光検出器を含む、請求項２に記載のセンサ。
【請求項４】
各ビームからの蛍光光と散乱光の少なくとも一方をフィルタリングするためのフィルターを更に含む、請求項３に記載のセンサ。
【請求項５】
前記光検出器は、複数の光ビームを検出する、マルチエレメント光電子増倍管を備える、請求項３に記載のセンサ。
【請求項６】
前記光源はレーザーを含む、請求項１から５のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項７】
各物体からの前記光を平行化して複数の別個のビームにするレンズを更に含む、請求項６に記載のセンサ。
【請求項８】
各ビーム用に集光レンズを更に含む、請求項７に記載のセンサ。
【請求項９】
軸ずれ光から軸上光を分割するスプリッタを更に含む、請求項７に記載のセンサ。
【請求項１０】
複数の所望でない細胞を死滅させるための、前記検出器の下流に存在する殺細胞器を更に含む、請求項１から９のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１１】
前記殺細胞器は、前記複数の所望でない細胞へ致死エネルギーを当てるためのレーザーと電極の少なくとも一方を備える、請求項１０に記載のセンサ。
【請求項１２】
前記殺細胞器は、前記細胞内の致死ターゲットを活性化するための光の発生源を備える、請求項１０に記載のセンサ。
【請求項１３】
複数の所望でない細胞を効果的に処理し、又は死滅させる細胞電気穿孔をさらに含む、請求項１から９のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載のセンサを備え、複数の細胞を配向し、検査し、選択的に処理する装置であって、
一対の対向面及び入力領域を有するフローチャンバーと、検出領域と、選択的な処理領域とを備え、
前記フローチャンバーは、前記入力領域内に、それぞれが導入流体を受け付ける複数の導入口を有し、
前記導入流体は、導入シース流体及び前記選択的な処理領域において活動する複数の細胞を含む導入試料流体のうちの１つであり、
前記導入流体は、少なくとも前記入力領域から前記選択的な処理領域の間において、前記導入シース流体のすべての利用可能な側面に対して連続的な関係を有し、
前記導入シース流体の流量及び圧力のうちの少なくとも１つは、前記導入試料流体が２つの直交方向に対して収縮されるよう選択され、その結果、前記導入試料流体が少なくとも前記検出領域において比較的狭い流れを形成し、それにより、前記複数の細胞の扁平面が、前記一対の対向面に平行になるようにアライメントされ、
前記検出器は、前記検出領域に配置され、所望でない細胞から所望の細胞を検出してそれを示す出力を生成し、
少なくとも１つが、前記所望の細胞を受け取る、隔離して配置された複数の領域又はチャネル
を備えた、装置。
【請求項１５】
複数の細胞を配向し、検査し、選択的に処理する装置であって、
一対の対向面及び入力領域を有するフローチャンバーと、検出領域と、選択的な処理領域とを備え、
前記フローチャンバーは、前記入力領域内に、それぞれが導入流体を受け付ける複数の導入口を有し、
前記導入流体は、導入シース流体及び前記選択的な処理領域において活動する複数の細胞を含む導入試料流体のうちの１つであり、
前記導入流体は、少なくとも前記入力領域から前記選択的な処理領域の間において、前記導入シース流体のすべての利用可能な側面に対して連続的な関係を有し、
前記導入シース流体の流量及び圧力のうちの少なくとも１つは、前記導入試料流体が２つの直交方向に対して収縮されるよう選択され、その結果、前記導入試料流体が少なくとも前記検出領域において比較的狭い流れを形成し、それにより、前記複数の細胞の扁平面が、前記一対の対向面に平行になるようにアライメントされ、
前記検出領域に配置され、所望でない細胞から所望の細胞を検出してそれを示す出力を生成する検出器と、
少なくとも１つが、前記所望の細胞を受け取る、隔離して配置された複数の領域又はチャネルと
を備えた、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月27日(2012.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
蓄電手段の劣化時には、蓄電手段の過充電、あるいは過放電の保護のため、電圧が最大電圧Ｖclimまたは最小電圧Ｖdlimに到達した場合に電流を減じることが一般に行われている。本実施例においても、劣化時のΔＶが閾値ΔＶthを超えた場合に、蓄電手段の充放電電流をあらかじめ設計されている電流閾値よりも小さくすることができる。また、図８に示すように、上限のＶclimから決定される電流閾値の場合、開始電圧を下げることで、電流閾値による許容範囲内の電流値を得ることが可能である。よって、走行中に電圧変動幅ΔＶが閾値ΔＶthに達し、ＶmaxがＶclimに達した場合には、ひとまず走行時の充電電流を減少させて走行する。走行終了後、次回走行開始時に、開始電圧を下げることにより、ＶmaxをＶclim以下とすることができ、電流値はもとの規定の電流値を得ることが可能となる。電圧変動幅ΔＶが閾値ΔＶthに達した時点で即座に蓄電手段を交換せずに、継続して蓄電手段を使用することが可能で、蓄電手段を有効利用できる制御が可能となる。尚、ΔＶがΔＶthに達し，かつ，最大電圧Ｖmaxが上限電圧Ｖclim、あるいは最小電圧Ｖminが下限電圧Ｖdlimに達した場合の電流制限は、ΔＶthに所定の回数達した場合に実施することも出来る。これによりノイズなどによる誤検知により無駄に電流制限を実施することを防ぐことができる。