【事件の表示】
　特願２００５−　２７０５６「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１７日出願公開、特開２００６−２１６７２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年２月２日に特許出願したものであって、平成１９年１１月１５日付けの拒絶理由通知に対して、平成２０年１月２１日付けで手続補正がされたが、同年２月１４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年３月２１日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月９日付けの手続補正書により特許請求の範囲が補正されたものである。
　
２．平成２０年４月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成２０年４月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
（２−１）補正の概略
　本件補正は、特許請求の範囲についてするものであり、補正前に、
「【請求項１】配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂が充填されていると共に、上記半導体素子の少なくとも長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填するときにできる描画塗布跡の樹脂幅が０．１〜１．０ｍｍであり、かつ該描画塗布跡の樹脂厚みは１０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂が充填され、上記半導体素子の一つの長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填することにより描画塗布跡及び半導体素子周辺充填部が形成されており、上記描画塗布跡の樹脂幅は、０．１〜１．０ｍｍであり、かつ該描画塗布跡の樹脂厚みは１０μｍ以下であり、上記半導体素子周辺充填部の幅は、上記半導体素子の一つの長辺側のノズル塗布側では半導体素子から１．０ｍｍ以下である一方、上記半導体素子の一つの長辺側に対向する長辺側では半導体素子から０．８ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】前記封止樹脂は、充填時の粘度が２５℃において５０〜６００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】前記封止樹脂は、充填時の温度が６０〜１２０℃であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置。
【請求項５】前記半導体素子の保護用の封止樹脂には、０．１０〜０．３０重量％の着色料が添加されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】前記描画塗布跡は、前記半導体素子の一つの長辺側にのみ存在することを特徴とする請求項１、３〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】前記フレキシブル配線基板は、フイルムキャリアテープに連続的に複数形成されていると共に、前記半導体素子は、上記フレキシブル配線基板にそれぞれ搭載されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】前記フレキシブル配線基板には、液晶表示素子及び周辺部品が搭載された液晶モジュールが接続されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置の製造方法において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂を充填すると共に、上記半導体素子の少なくとも長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填するときにできる描画塗布跡の樹脂幅を０．１〜１．０ｍｍとし、かつ該描画塗布跡の樹脂厚みを１０μｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置の製造方法において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂を充填すると共に、上記半導体素子の一つの長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填するときにできる描画塗布跡及び半導体素子周辺充填部のうち描画塗布跡の樹脂幅を０．１〜１．０ｍｍとし、かつ該描画塗布跡の樹脂厚みを１０μｍ以下とし、上記半導体素子周辺充填部の幅を、上記半導体素子の一つの長辺側のノズル塗布側では半導体素子から１．０ｍｍ以下とする一方、上記半導体素子の一つの長辺側に対向する長辺側では半導体素子から０．８ｍｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】前記封止樹脂を充填するときに、樹脂粘度を２５℃において５０〜６００ｍＰａ・ｓとすることを特徴とする請求項９又は１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】前記封止樹脂の充填時における樹脂温度を６０〜１２０℃とすることを特徴とする請求項９、１０又は１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】前記封止樹脂の充填時における樹脂温度を上げるときに、半導体素子を加熱することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】前記封止樹脂に、０．１０〜０．３０重量％の着色料を添加することを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】前記封止樹脂を、前記半導体素子の一つの長辺側からのみノズルで描画して充填することを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】前記フレキシブル配線基板を、フイルムキャリアテープに連続的に複数形成すると共に、前記半導体素子を、上記フレキシブル配線基板にそれぞれ搭載することを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】前記フレキシブル配線基板に、液晶表示素子及び周辺部品が搭載された液晶モジュールが接続されることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。」
とあったものを、
「【請求項１】配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂が充填されていると共に、上記半導体素子の少なくとも長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填するときにできる描画塗布跡の樹脂幅が０．１〜１．０ｍｍであり、かつ該描画塗布跡の樹脂厚みは１０μｍ以下であり、上記半導体素子の保護用の封止樹脂には、０．１５〜０．２０重量％の染料からなる着色料が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂が充填され、上記半導体素子の一つの長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填することにより描画塗布跡及び半導体素子周辺充填部が形成されており、上記描画塗布跡の樹脂幅は、０．１〜１．０ｍｍであり、かつ該描画塗布跡の樹脂厚みは１０μｍ以下であり、上記半導体素子周辺充填部の幅は、上記半導体素子の一つの長辺側のノズル塗布側では半導体素子から１．０ｍｍ以下である一方、上記半導体素子の一つの長辺側に対向する長辺側では半導体素子から０．８ｍｍ以下であり、上記半導体素子の保護用の封止樹脂には、０．１５〜０．２０重量％の染料からなる着色料が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】前記封止樹脂は、充填時の粘度が２５℃において５０〜６００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】前記封止樹脂は、充填時の温度が６０〜１２０℃であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置。
【請求項５】前記描画塗布跡は、前記半導体素子の一つの長辺側にのみ存在することを特徴とする請求項１、３又は４記載の半導体装置。
【請求項６】前記フレキシブル配線基板は、フイルムキャリアテープに連続的に複数形成されていると共に、前記半導体素子は、上記フレキシブル配線基板にそれぞれ搭載されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】前記フレキシブル配線基板には、液晶表示素子及び周辺部品が搭載された液晶モジュールが接続されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置の製造方法において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂を充填すると共に、上記半導体素子の少なくとも長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填するときにできる描画塗布跡の樹脂幅を０．１〜１．０ｍｍとし、かつ該描画塗布跡の樹脂厚みを１０μｍ以下とし、上記封止樹脂に、０．１５〜０．２０重量％の染料からなる着色料を添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置の製造方法において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂を充填すると共に、上記半導体素子の一つの長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填するときにできる描画塗布跡及び半導体素子周辺充填部のうち描画塗布跡の樹脂幅を０．１〜１．０ｍｍとし、かつ該描画塗布跡の樹脂厚みを１０μｍ以下とし、上記半導体素子周辺充填部の幅を、上記半導体素子の一つの長辺側のノズル塗布側では半導体素子から１．０ｍｍ以下とする一方、上記半導体素子の一つの長辺側に対向する長辺側では半導体素子から０．８ｍｍ以下とし、上記封止樹脂に、０．１５〜０．２０重量％の染料からなる着色料を添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】前記封止樹脂を充填するときに、樹脂粘度を２５℃において５０〜６００ｍＰａ・ｓとすることを特徴とする請求項８又は９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】前記封止樹脂の充填時における樹脂温度を６０〜１２０℃とすることを特徴とする請求項８、９又は１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】前記封止樹脂の充填時における樹脂温度を上げるときに、半導体素子を加熱することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】前記封止樹脂を、前記半導体素子の一つの長辺側からのみノズルで描画して充填することを特徴とする請求項８、１０〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】前記フレキシブル配線基板を、フイルムキャリアテープに連続的に複数形成すると共に、前記半導体素子を、上記フレキシブル配線基板にそれぞれ搭載することを特徴とする請求項８〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】前記フレキシブル配線基板に、液晶表示素子及び周辺部品が搭載された液晶モジュールが接続されることを特徴とする請求項８〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。」
と補正するものである。
　
　そうすると、本件補正は、補正前の請求項１〜４を削除し、補正前の請求項１を引用する請求項５において「半導体素子の保護用の封止樹脂には、０．１０〜０．３０重量％の着色料が添加されている」とあったものを、「半導体素子の保護用の封止樹脂には、０．１５〜０．２０重量％の染料からなる着色料が添加されている」と限定するとともに、これを補正後の請求項１とする補正事項を含むものである。
　
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを検討する。
　
（２−２）引用例
（２−２−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００４−２２１３１９号公報（以下、「引用例１」という。）には、図３及び図４、図６、図８とともに、以下の事項が記載されている。 
 　  
（１ａ）「【請求項３】矩形状の表面に配列された複数の電極上にバンプが形成されかつ前記複数の電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極が千鳥配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させて前記バンプと前記配線電極とを接続する工程と、前記フィルム基板を第１の温度に加熱しながら前記半導体チップと前記フィルム基板との間に封止樹脂を注入する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記バンプと前記配線電極とを接続した後、前記封止樹脂を注入する直前に、前記フィルム基板を前記第１の温度よりも低い第２の温度で加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】第２の温度は、３０〜６０［℃］であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
　
（１ｂ）「【請求項９】封止樹脂を注入する工程は、前記半導体チップの千鳥配列された電極に沿った辺とフィルム基板との隙間から前記封止樹脂を注入することを特徴とする請求項１〜８のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
　
（１ｃ）「【発明の属する技術分野】
　本発明は、フィルム基材を用いたチップオンフィルム（ＣＯＦ）工法に関する半導体装置の製造方法に関するものである。」（【０００１】）
　
（１ｄ）「【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら従来の半導体装置では、半導体チップの電極パッドが狭ピッチ化されかつ千鳥配列されているため、樹脂封止時に電極パッド近辺にボイドが発生するという問題があった。
　この問題について図８を参照して説明する。図８は、樹脂封止時に半導体チップの電極パッド間にボイドが発生する様子を示したものであり、図８（ａ）はその平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＹ−Ｙ’断面図である。図８（ａ）に示す、矢印の樹脂注入方向から、接続された半導体チップ１の側面に沿ってノズル８（図７）によって液状の樹脂７を塗布、半導体チップ１とフィルム基材５の間へ注入する。そのときフィルム基材５の配線６と接続されたＡｕバンプ４の間より樹脂７が進入する。このときバンプ４近傍で空気の巻き込みを起こし、ボイド１９（空隙）が発生する。ここで半導体チップ１とフィルム基材５の間はわずか１０〜３０μｍしかなく、導体配線６間の隙間も１０〜２５μｍである。
　本発明は、上記従来の問題を解決するもので、ＣＯＦ工法を用いた半導体装置において、半導体チップの電極（電極パッド）の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」（【００１４】−【００１６】）
　
（１ｅ）「（第２の実施の形態）
　・・・
　以上のように本実施の形態によれば、樹脂封止時の樹脂塗布ステージ１１に角度１４をもたせ樹脂７の流れを改善することにより、半導体チップ１の電極パッド２の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極パッド２周辺のボイドの発生を防止できる。また、さらに樹脂塗布ステージ１１にひねり角度をつけて、樹脂注入始めの半導体チップ１の角部箇所が一番高い位置にすることでより高い効果を得られる。これは液体が狭い部分に浸透する毛細管現象と重力の２つを利用したものである。ここで更に樹脂塗布ステージ１１に角度１４を付けて樹脂封止する効果として、樹脂７を滴下した直後は樹脂７が重力に従って半導体チップ１が置かれた下方に向かおうとするため、樹脂７が上方に広がりにくくなり、その結果、封止樹脂の領域を小さく成形できる利点もある。」（【００３９】−【００４１】）
　
（１ｆ）「（第３の実施の形態）
　図３は本発明の第３の実施の形態である、半導体装置の製造工程の一部を示す断面図であり、図３（ａ）は図３（ｂ）の樹脂塗布ステージ１１上の拡大図である。
　図３は、半導体装置の製造工程の内、樹脂封止工程を示している。半導体チップ１とフィルム基材５の間に樹脂７を注入し、Ａｕバンプ４を含む半導体チップ１の表面となる電気回路側の全面を樹脂７で覆う樹脂封止工程において、封止樹脂７の流動性を良好にするため、樹脂封止７塗布前に、フィルム基材５直下に事前加熱ヒーター１０を設置する。そして封止樹脂７塗布時の温度よりも１０℃から４０℃低い温度（ただし、３０〜６０℃の範囲内）でプリヒートする。例えば本実施の形態の場合、ヒーター１０の温度は５０℃に設定されている。そして次に樹脂封止塗布時は封止樹脂７の粘度が低粘度で濡れ性が向上するような温度に設定する。例えば本実施の形態の場合、樹脂塗布ステージ１１の温度は８０℃に設定されている。また他の方法として、温度雰囲気にさらす方法や、赤外線で部分的に温度を上げる方法を用いてもよい。樹脂封止塗布直後は封止樹脂７がある程度固化し、他の部分へ流れ出さないようにするために必要な温度、例えば本実施の形態の場合、仮硬化炉または本硬化炉１２内の温度は１２０℃の熱を負荷する。更に、封止樹脂７のシリンジ２４を電熱コイル１３で熱し、塗布直前の封止樹脂７を３０℃から６０℃の温度で保持する。例えば本実施の形態の場合では４０℃で熱している。
　以上のように本実施の形態によれば、樹脂７を塗布する直前にヒーター１０で加熱することにより、フィルム基材５の樹脂７との濡れ性を向上させ樹脂７の流れを改善でき、半導体チップ１とフィルム基材５の間を速やかに樹脂７が浸透し、半導体チップ１の電極パッド２の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極パッド２周辺のボイドの発生を防止できる。
　更に、樹脂７のシリンジ２４にもヒーター（電熱コイル１３）を取付け、樹脂粘度を低下させることにより、樹脂７の流れがより改善されて、半導体チップ１とフィルム基材５の間をより速やかに樹脂７が浸透し、ボイドの発生をより防止できる。」（【００４２】−【００４５】）
 　  
（１ｇ）「図４は本実施の形態に使用した、液状エポキシ樹脂である封止樹脂７の温度と粘度特性の相関を示すグラフの一例であり、横軸に温度、縦軸に粘度を示している。
　図４に示すように、液状エポキシ樹脂の温度と粘度の相関は常温である２０℃では粘度は約１Ｐａ・Ｓであるが、４０℃で０．２０Ｐａ・Ｓ、６０℃で０．０３Ｐａ・Ｓとなる。しかしながら、温度が８０℃を越えると樹脂の硬化反応が始まることから、実際には樹脂７塗布前の温度負荷は６０℃以下に抑える必要がある。」（【００４６】−【００４７】）
 　  
（１ｈ）図３は、引用例１の第３の実施の形態である半導体装置の製造工程の一部を示す断面図および拡大図であって、同図から、封止樹脂７が、シリンジ２４に連接するノズル８を用いて供給されること、及び、フィルム基板と半導体チップとの隙間に封止樹脂が充填されていることを読み取ることができる。
　図４は、引用例１の第３の実施の形態における封止樹脂の温度と粘度特性の相関を示す図であって、同図から、封止樹脂の４０℃での粘度が０．２０Ｐａ・Ｓであることを読み取ることができる。
　図６は、従来の半導体装置に使用する半導体チップの一例を示す平面図およびその拡大図であって、半導体チップ１の長辺側の側辺に沿う方向に、Ａｕバンプ４を有する電極パッド２が千鳥配列で並んでいることを読み取ることができる。
　図８は、従来の課題を示す、半導体装置の一部の平面図および断面図であって、同図から、半導体チップの一辺に沿って千鳥配列された電極の、前記千鳥配列が並ぶ方向と直交する方向に、樹脂が注入されることを読み取ることができる。
　
（２−２−２）同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平８−１５３８３０号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。  
 　  
（２ａ）「図４は、上記提案に係る特願平６−５０７５７号に開示されている片面樹脂封止型パッケージ構造の一例を示している。このパッケージ構造は、一主面に被接続部（例えば接続パッド１ｂ）を含む配線１ａを有する配線基板１と、上記基板の一主面にフェースダウン型に実装された半導体チップ２と、上記チップと配線基板との間に充填された樹脂層５と、前記基板の他の主面側に導出・露出され、前記チップに電気的に接続された外部接続用端子４とを具備する。なお、図４中、２ａはバンプ電極、３はスルーホール配線である。
　図５は、前記提案に係る特願平６−６０４９３号に開示されている片面樹脂封止型パッケージ構造の一例を示している。このパッケージ構造は、図４のパッケージ構造の改良例であり、前記基板１の一主面に対してほぼ同一平面（平面性が±１０μｍ程度）を成すように前記配線１ａを埋め込み形成している。なお、図５において、図４中と同一部分には同一符号を付している。」（【０００６】−【０００７】）
　
（２ｂ）「ところで、図４、図５中の樹脂層５の形成に際しては、図６に示すように、樹脂供給装置（ディスペンサ）のノズル（ニードル）７１から樹脂５ａを基板１上の一辺部に供給し、いわゆる毛細管現象を利用してチップ・基板間に樹脂を流し込んで充填した後に硬化させる。なお、チップ２の露出している上面は、緻密、堅牢な素材（例えばシリコン）からなり、樹脂封止を行わなくても信頼性上の問題は少ない。」（【０００９】）
　
（２ｃ）「ところで、前記したような樹脂充填方法では、図６に示すように、基板上の樹脂供給側とは反対側の一辺部にはみ出した樹脂（その表面形状をフィレットと称する。）のはみ出し量（約０．２５ｍｍ）Ｓ１よりも、基板上の樹脂供給側の一辺部における樹脂のはみ出し量Ｓ２の方がはるかに大きい。因みに、樹脂供給側の一辺部におけるはみ出し量は、チップ・基板間の容積を基準にして樹脂供給量が２倍の場合に最大０．８３ｍｍ、３倍の場合に最大１．１５ｍｍ、４倍の場合に最大２．１２ｍｍであった。」（【００１１】）  
 　  
（２ｄ）「一方、上記したような片面樹脂封止型パッケージ構造の一層の小型化が要求され、チップとチップサイズに近い基板とをフリップチップボンディングした後の状態で基板の各辺部においてチップ外縁・基板外縁間の距離Ｓ３を例えば１ｍｍ以下にすることが要求されてきている。」（【００１８】）
　
（２ｅ）図４、図５には、引用例２の先願に係る片面樹脂封止型パッケージ構造の一例を示す断面図が示されており、図６には、図４および図５中の樹脂層の形成工程を示す図が示されている。そして、図６から、樹脂供給側の一辺部におけるはみ出し量Ｓ２は、半導体チップ２の端部から、樹脂供給装置（ディスペンサ）のノズル（ニードル）７１によって供給された樹脂５ａの端部までの寸法であることを読み取ることができる。
　
（２−２−３）同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００５−２６４４７号公報（以下、「引用例５」という。）には、以下の事項が記載されている。  
 　  
（３ａ）「【請求項１】基板と、
　前記基板の少なくとも一方側に設けられる半導体素子と、
　前記基板と、前記半導体素子との間を封止する第１の硬化性樹脂と第１の硬化剤とを含む第１の樹脂組成物で構成される第１の封止樹脂と、
　前記半導体素子の少なくとも側部全周を包囲する第２の硬化性樹脂と第２の硬化剤とを含む第２の樹脂組成物で構成される第２の封止樹脂とを有し、前記第１の封止樹脂で封止した後、前記第２の封止樹脂で前記半導体素子の少なくとも側部全周を包囲する半導体装置であって、
　前記第１の硬化剤と第２の硬化剤とは、同種の硬化剤であることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
　
（３ｂ）「前記第１の樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で硬化促進剤、カップリング剤、低応力剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤等の添加剤を混合することができる。」（【００３２】）
　
（２−２−４）引用例１の上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）、（１ｆ）〜（１ｈ）、及び、図３、図４、図６、図８の記載を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。  
 　  
 「配線電極が形成されたフィルム基板の表面と、矩形状の表面に配列された複数の電極上にバンプが形成されかつ前記複数の電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極が千鳥配列された半導体チップの前記表面とを対向させて、前記バンプと前記配線電極とを接続する工程と、
　封止樹脂の塗布前に、前記フィルム基板を、直下に設置した、温度を５０℃に設定した事前加熱ヒーター１０でプリヒートする工程と、
　封止樹脂７のシリンジ２４を電熱コイル１３で熱することで、４０℃の温度に保持されている、粘度が０．２０Ｐａ・Ｓである塗布直前の液状エポキシ樹脂である封止樹脂７を、ノズル８を用いて、８０℃に設定された樹脂塗布ステージ１１上の前記フィルム基板に塗布し、前記半導体チップの千鳥配列された電極に沿った辺とフィルム基板との隙間から、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に前記封止樹脂を浸透させて、前記フィルム基板と前記半導体チップとの隙間に前記封止樹脂を充填させる工程と、
　１２０℃の熱を負荷する仮硬化炉または本硬化炉１２内において、前記封止樹脂を硬化させる工程とを含む、
　フィルム基材５の樹脂７との濡れ性を向上させ、樹脂粘度を低下させることにより樹脂７の流れを改善し、半導体チップ１とフィルム基材５の間を速やかに樹脂７を浸透させることにより、半導体チップ１の電極パッド２の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極パッド２周辺のボイドの発生を防止した、チップオンフィルム（ＣＯＦ）工法に係る製造方法によって製造された半導体装置。」
　
（２−３）対比・判断  
 　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを対比する。  
（ア）引用例１発明における「配線電極」、「フィルム基板」、「半導体チップ」は、それぞれ、本願補正発明における「配線パターン」、「フイルム状のフレキシブル配線基板」、「半導体素子」に相当する。  
（イ）引用例１発明における「封止樹脂」が、引用例１発明の「半導体チップ」を保護する機能を有することは当業者にとって自明な事項である。
（ウ）引用例１の図６に記載されている「半導体チップ１の長辺側の側辺に沿う方向に、Ａｕバンプ４を有する電極パッド２が千鳥配列で並んでいる」という、半導体チップにおける電極の配列構造に照らして、引用例１発明における、ノズルを用いた封止樹脂の塗布が、前記半導体チップの長辺側をノズルで描画するものであると理解することができる。
　
　してみると、本願補正発明と引用例１発明とは、次の点で一致する。  
　
 ＜一致点＞  
 「配線パターンが形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置において、上記フレキシブル配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂が充填されていると共に、上記半導体素子の少なくとも長辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填したものであることを特徴とする半導体装置。」  
　
　一方、本願補正発明と引用例１発明とは、次の点で相違する。  
　
 ＜相違点１＞  
　本願補正発明においては、描画塗布跡の樹脂幅が０．１〜１．０ｍｍであるのに対して、引用例１発明では明らかでない点。  
 　  
 ＜相違点２＞  
　本願補正発明においては、描画塗布跡の樹脂厚みが１０μｍ以下であるのに対して、引用例１発明では明らかでない点。
　
 ＜相違点３＞  
　本願補正発明の封止樹脂には、０．１５〜０．２０重量％の染料からなる着色料が添加されているのに対して、引用例１には、着色料が添加されているか明らかでない点。
　
　そこで、上記相違点１、２、３について、以下検討する。  
 　  
 ＜相違点１について＞  
（あ）引用例１の上記摘記（１ｅ）には「樹脂７が上方に広がりにくくなり、その結果、封止樹脂の領域を小さく成形できる利点もある。」と記載されている。
　してみれば、引用例１には、封止樹脂の領域が、できるだけ小さくなるように成形することが望ましいことであるという課題が示唆されているものと認められる。
　
（い）一方、引用例２の上記摘記事項（２ａ）〜（２ｅ）の記載を総合勘案すると、引用例２には、「一主面に被接続部（例えば接続パッド１ｂ）を含む配線１ａを有する配線基板１と、上記基板の一主面にフェースダウン型に実装された半導体チップ２と、上記チップと配線基板との間に充填された樹脂層５とを具備する片面樹脂封止型パッケージ構造において、前記樹脂層５は、樹脂供給装置（ディスペンサ）のノズル（ニードル）７１から樹脂５ａを基板１上の一辺部に供給し、いわゆる毛細管現象を利用してチップ・基板間に樹脂を流し込んで充填した後に硬化させて形成させると共に、樹脂供給側の一辺部におけるはみ出し量Ｓ２は、チップ・基板間の容積を基準にして樹脂供給量が２倍の場合に最大０．８３ｍｍである片面樹脂封止型パッケージ構造。」の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　ここで、引用例２発明の「被接続部（例えば接続パッド１ｂ）を含む配線１ａ」、「半導体チップ２」は、それぞれ本願補正発明の「配線パターン」、「半導体素子」に相当するといえる。また、引用例２発明における「樹脂供給側の一辺部におけるはみ出し量Ｓ２」の大きさは、本願明細書において「描画塗布跡」と呼ばれている領域の幅に「フィレット部６ａ」と呼ばれている領域の幅を足し併せた幅に相当するものであると理解することができるから、「樹脂供給側の一辺部におけるはみ出し量Ｓ２が最大０．８３ｍｍ」である引用例２発明に係る片面樹脂封止型パッケージ構造の「描画塗布跡の樹脂幅」に相当する領域の幅は、「描画塗布跡」と「フィレット部６ａ」を足し併せた幅である「はみ出し量Ｓ２」の「最大０．８３ｍｍ」という値よりも小さい値である「最大０．８３ｍｍ以下の値」であると認められる。
　
　してみれば、引用例２には「配線パターンが形成された配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置において、上記配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂が充填されていると共に、上記半導体素子の少なくとも一辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填した半導体装置」において、半導体素子の少なくとも一辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填したときにできる描画塗布跡の樹脂幅が最大０．８３ｍｍ以下の値を有する構造が記載されているものといえる。
　
（う）そうすると、引用例１と引用例２に接した当業者であれば、引用例１に示唆されている、封止樹脂の領域が、できるだけ小さくなるように成形することが望ましいことであるという課題を認識して、引用例１発明と「配線パターンが形成された配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置において、上記配線基板と半導体素子との隙間に該半導体素子の保護用の封止樹脂が充填されていると共に、上記半導体素子の少なくとも一辺側をノズルで描画して上記封止樹脂を充填した半導体装置」である点で共通する引用例２に記載された発明において採用されている、描画塗布跡の樹脂幅が最大０．８３ｍｍ以下の値を有するという構造を、引用例１発明において採用することは当業者が容易になし得たことといえる。
　してみれば、引用例１発明において、相違点１について、本願補正発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。また、このような構成を採用したことによる効果も格別のものとは認められない。
　
 ＜相違点２について＞  
（あ）上記＜相違点１について＞で検討したように、引用例１発明において、封止樹脂の領域は、できるだけ小さく成形することが望ましいと理解できるところ、引用例２の上記摘記（２ｃ）には「樹脂供給側の一辺部におけるはみ出し量は、チップ・基板間の容積を基準にして樹脂供給量が２倍の場合に最大０．８３ｍｍ、３倍の場合に最大１．１５ｍｍ、４倍の場合に最大２．１２ｍｍであった。」と記載されており、樹脂供給量が少ないほど、はみ出し量、すなわち、封止樹脂の領域が小さいことが示されているから、当業者であれば、引用例１発明において、封止樹脂の領域を小さくするために、塗布領域に塗布する樹脂供給量を、半導体素子と配線基板との間を充填して該半導体素子を保護するという目的を果たすことができる範囲内において、できるだけ少なくしようとするものと解される。
　
（い）一方、描画塗布跡の樹脂厚は、塗布領域に塗布された樹脂供給量から、半導体素子と配線基板との間に浸透して前記半導体素子と前記配線基板との間を充填することによって消費される樹脂の量と、半導体素子周辺充填部としてフィレットを形成することによって消費される樹脂の量とを差し引いた、樹脂の残量の大小に対応するといえる。
　
（う）ここで、「半導体素子と配線基板との間に浸透して前記半導体素子と前記配線基板との間を充填することによって消費される樹脂の量」は、半導体素子と配線基板との間を隔てる寸法と半導体素子の面積によって定まる一定量であるといえるから、上記（あ）の理由によって、封止樹脂の領域を小さくするために、塗布領域に塗布する樹脂供給量をできるだけ少なくすることは、上記（い）において、描画塗布跡に残る樹脂の残量を少なくして、描画塗布跡の樹脂厚を薄くすることに対応するといえる。
　
（え）してみれば、引用例１発明において、描画塗布跡の樹脂厚みをできるだけ薄くすることは、格別のことではなく、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（お）一方、樹脂の種類、添加剤の種類、及び、添加量等の条件によって、樹脂の柔軟性、耐クラック性が異なることは当業者にとって周知の事項であり、また、折り曲げ条件の違いによって折り曲げ時の樹脂クラックの発生の態様が異なることは自明な事項である。
　これに対して、本願明細書の表２に示された「描画塗布跡の樹脂厚みと折り曲げ時の樹脂クラックの発生との関係」は、その測定条件の前提となる、樹脂の種類、添加剤の有無、及び、その含有量、折り曲げ条件、描画塗布跡の樹脂の幅等の条件が一切不明なものである。
　してみれば、本願明細書の【００７６】、表２において、描画塗布跡の樹脂厚みが１０μｍ以下の場合に、折り曲げ時の樹脂クラックの発生が無く、２０μｍ以上の場合に、しわ、クラックが発生することが示されていたとしても、当該効果が、本件補正書の請求項１に記載された事項によって特定される、樹脂の種類等を何ら規定していない本件補正発明が奏する効果であると認めることはできない。
　したがって、描画塗布跡の樹脂厚みの「１０μｍ以下」という値に、臨界的な意義を認めることはできない。
　
（か）さらに、引用例１発明の「樹脂粘度を低下させることにより樹脂７の流れを改善し、半導体チップ１とフィルム基材５の間を速やかに樹脂７を浸透させる」との記載からも明らかなように、樹脂粘度が低くなることによって、樹脂７の流れは改善され、半導体チップ１とフィルム基材５の間を速やかに樹脂７が浸透することから、描画塗布跡に残る樹脂の残量は少なくなり、描画塗布跡の樹脂厚みが薄くなるものと解されるところ、引用例１発明は、４０℃の温度に保持されている、粘度が０．２０Ｐａ・Ｓである塗布直前の液状エポキシ樹脂である封止樹脂７を、ノズル８を用いて、８０℃に設定された樹脂塗布ステージ１１上の前記フィルム基板に塗布し、前記半導体チップの千鳥配列された電極に沿った辺とフィルム基板との隙間から、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に前記封止樹脂を浸透させて、前記フィルム基板と前記半導体チップとの隙間に前記封止樹脂を充填させるものであり、また、引用例１の上記摘記（１ｄ）の「ここで半導体チップ１とフィルム基材５の間はわずか１０〜３０μｍしかなく、」との記載に照らして、引用例１発明の半導体チップ１とフィルム基材５の間隔も１０〜３０μｍ程度と解されることから、前記描画塗布跡の樹脂厚みを、樹脂封止すべき半導体チップ１とフィルム基材５の間隔である１０〜３０μｍ程度よりも薄い１０μｍ以下となるようにすることは適宜なし得た事項であるといえる。
　
（き）上記の事情を総合勘案すれば、引用例１発明において、相違点２について、本願補正発明のものとすることは、当業者が容易になし得たことと認められ、また、このような構成を採用したことによる効果も格別のものとはいえない。
　
 ＜相違点３について＞  
　封止樹脂に染料を添加することは周知の事項（要すれば、引用例５の上記摘記（３ｂ）等を参照されたい。）である。また、染料の添加量は当該染料の種類、性質等に応じて適宜決定すべき設計事項であるから、０．１５〜０．２重量％という配合比も格別のものとは認められない。したがって、引用例１発明において、相違点３について本願補正発明のようにすることは当業者が適宜なし得たことであり、また、このような構成を採用したことによる効果も格別のこととは認められない。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由において「本願発明では、着色料として染料からなるものを採用しています。このように、本願発明は、「封止樹脂には、０．１５〜０．２０重量％の染料からなる着色料が添加されている」という構成を有することにより、フィレット部と描画塗布跡とを目視にて明確に分からせることができ（当初明細書の段落〔００３６〕）、かつフィルム基板の折り曲げ時に折り曲げ可能領域をはっきりさせるという効果を奏します。」と主張する。
　そして、本願明細書の表４には「着色料の添加量と視認性との関係」に係る実験結果が示されている。
　しかしながら、本願明細書及び図面には、前記実験に用いた染料の種類、色、樹脂の種類、染料以外の添加剤の添加の有無及び種類等が示されてはおらず、また、描画塗布跡とフィレットの境界の視認性を確認した際の、描画塗布跡、及び、フィレットの、それぞれの厚さも示されていない。
　一方、染料の種類が異なることによって、同一配合比であったとしても、該染料が呈する色の濃さ等が異なることは自明な事項であり、また、染料を添加しない状態での樹脂の色、透明度、及び、該樹脂を塗布する基板の色等の種々の条件によって、当該染料を添加した樹脂の視認性が異なることも明らかである。更に、描画塗布跡の厚さによって呈する色の濃さが異なる場合があることは明らかであり、描画塗布跡の厚さが、例えば１μｍの場合と、１０μｍの場合では、良好な視認性が得られる染料の配合比の下限と上限が、０．１５重量％、及び、０．２０重量％とは異なる値となるであろうことは容易に理解できるところである。
　してみれば、「０．１５〜０．２０重量％」という配合比に臨界的な意義を認めることはできないから、審判請求人が主張する前記効果を是認することはできない。
　
　そうすると、引用例１発明において、相違点１ないし３について本願補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことといえる。また、相違点１ないし３を組み合わせたことによる格別の効果を認めることもできないし、これらの各構成を組み合わせることを妨げる格別の事情も見出すこともできない。したがって、本願補正発明は、引用例１発明、引用例２、引用例５の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。  
 　  
（２−４）本件補正についてのむすび  
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　したがって、本願補正事項を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　　
３．本願発明について
　平成２０年４月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−１７に係る発明（以下、「本願発明１」−「本願発明１７」という。）は、平成２０年１月２１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　
（３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、引用例２の記載事項は、前記（２−２）に記載したとおりである。　
　
（３−２）対比・判断
　本願発明１は、（２−３）で検討した本願補正発明から、「半導体素子の保護用の封止樹脂には、０．１５〜０．２０重量％の染料からなる着色料が添加されている」との特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の特定事項のすべてを含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記（２−３）に記載したとおり、引用例１、引用例２、引用例５に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も同様の理由により、引用例１、引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
（３−３）むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例１、引用例２に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。