【事件の表示】
　特願２００２−２７５５２６「ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２７日出願公開、特開２００３−１７９００６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年７月２３日に出願した特願平９−１９７２９１号の一部を平成１４年９月２０日に新たな特許出願としたものであって、平成１７年１月１７日付で明細書を補正対象とする手続補正がなされた後、平成１７年２月１５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２５日付で明細書を補正対象書類とする手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年４月２５日付の明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
【補正却下の決定の結論】
　本件補正を却下する。
　
【理由】
　本件補正により、新たに、請求項１２及び請求項１３が追加された。
　請求項１２及び請求項１３は、それぞれ、請求項１ないし４及び請求項５ないし１１を引用する形式で記載されてはいるが、上記請求項を追加することは、被引用請求項に係る発明を特定するために必要な事項を限定するものであって特許請求の範囲を減縮することを目的とするものには該当しない。また、上記請求項の追加が、請求項の削除、誤記の訂正、あるいは明りょうでない記載の釈明を目的とするもののいずれにも該当しないことは明らかである。
　よって、請求項１２及び請求項１３を追加する本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反しているから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきである。
　
３．本願発明
　平成１６年４月２５日付の明細書を補正対象書類とする手続補正は上記のとおり却下されたため、本願の請求項１ないし１１に係る発明は、平成１７年１月１７日付手続補正書により補正された明細書における特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、上記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に第１の保持部材を貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで研削及び研磨して最終的なチップ厚を１００μｍより薄くし、ウェーハを個々のチップに分離する工程と、上記分離されたチップの裏面に第２の保持部材を貼り付ける工程と、上記第１の保持部材を剥離する工程と、上記第２の保持部材に貼り付けられたチップをピックアップする工程とを具備することを特徴とするウェーハの分割方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
４．刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願の日前に国内で頒布された次の刊行物には、以下の事項が記載されていると認められる。
　刊行物１：　特開平５−３３５４１１号公報
　刊行物２：　特開平７−７８７９２号公報
　
4.1　刊行物１
ａ．（第１欄第１７〜２０行）
「本発明は、例えばＶＬＳＩ（
Ｖ
Ｌ
Ｓ
Ｉ
Ｃ
ｂ．（第２欄第４２行〜第３欄第２７行）
「図１〜図５は、この実施例のペレットの製造方法を示している。このペレットの製造方法は、例えば厚さ６００μｍのシリコン基板１のパターン２形成面（シリコン基板１の表面）側にペレット３…の分割予定境界線に沿って幅が例えば５０μｍの有底の溝４…をダイシング装置により刻設する溝入れ工程（図１参照）と、溝入れ工程後にシリコン基板１の洗浄並びに乾燥処理を行い溝入れ工程にて発生した研磨屑を除去する洗浄工程と、この洗浄工程後にシリコン基板１のパターン２形成面にこのパターン２を保護するための保護テープ５を貼着する保護テープ貼着工程（図２参照）と、この保護テープ貼着工程後にシリコン基板１の保護テープ５側をチャックにより真空吸着しシリコン基板１の裏面を研削する裏面研削工程（図３参照）と、この裏面研削工程後にシリコン基板１の裏面側にマウンティング用テープ６を貼着するマウンティング用テープ貼着工程（図４参照）と、このマウンティング用テープ貼着工程後に前記保護テープ５をシリコン基板１の表面側から剥離する保護テープ剥離工程（図５参照）と、この保護テープ剥離工程後にマウンティング用テープに一体的に付着している各ペレット３…を図示せぬリードフレームの所定部位に一個ずつマウンティング用テープから分離して載置するペレット固着工程（図示せず）とからなっている。しかして、溝入れ工程は、ダイシング装置によりペレット３…の寸法（例えば縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ）に応じて格子状に溝入れする。各溝４…の深さＤ１（例えば２２０μｍ）は、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ１（例えば２００μｍ）よりも例えば２０μｍ〜２５μｍ程度大きくなるように設定する。一方、裏面研削工程における除去量Ｔ２は、この除去量Ｔ２と、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ１との和が、加工前のシリコン基板１の厚さＴ３に等しくなるように例えば４００μｍに設定する。したがって、裏面研削工程後においては、溝４…はシリコン基板１の裏面側に開口する。その結果、各ペレット３…は分離し、切り離しが可能な状態となる。」
　
　摘記事項ｂの内容を本願発明の記載に沿って整理すると、刊行物１には、　
「パターンが形成されたシリコン基板の分割予定境界線に沿って、上記パターンの形成面側から完成時のペレットの厚さよりも２０μｍ〜２５μｍ深い溝を形成する工程と、上記シリコン基板におけるパターンの形成面上に保護テープを貼り付ける工程と、上記シリコン基板の裏面を上記完成時のペレットの厚さまで研削して最終的なペレット厚を２００μｍとし、シリコン基板を個々のペレットに分離する工程と、上記分離されたペレットの裏面にマウンティング用テープを貼り付ける工程と、上記保護テープを剥離する工程と、上記マウンティング用テープに貼り付けられたペレットを分離して載置する工程とを具備するシリコン基板の分割方法。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。　
　
4.2　刊行物２
ｃ．（第２欄第４５〜４９行）
「通常の半導体ウェハは拡散工程等の回路素子パターンの形成工程中の割れ防止のために、６００〜７００μｍと比較的に厚く形成されているが、これを薄型化パッケージを実現するために１００μｍ程度の厚さになるまで研削する。」
ｄ．（第３欄第８〜１１行）　「そして、このエキスパンドテープ３で半導体ウェハ１を保持しながら、半導体ウェハ１をフルダイシングし、複数の個々の半導体チップ１Ａに分割する」。
　摘記事項ｃ及びｄからみて、刊行物２には、　
「半導体チップの最終的な厚さを１００μｍ程度とすること。」（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。　
　
５．対比
　本願発明と刊行物１記載の発明とを比較すると、後者の「シリコン基板」、「分割予定境界線」、「保護テープ」及び「マウンティング用テープ」が、前者の「ウェーハ」、「ダイシングライン」、「第１の保持部材」及び「第２の保持部材」にそれぞれ相当することは明白である。また、後者において、「ペレット」とはウエーハ上に「パターン」を形成されて半導体装置に用いられるものであることから、前者の「チップ」に相当するものということができ、後者の「パターン」が、半導体装置の回路を意味し、前者の「半導体素子」に相当するものであることは，当業者にとって明らかである。そして、後者において「ペレットを分離して載置する」ことが、マウンティングテープに貼り付けられたペレットを取り外して別部材に載置することを指すことは明らかであるから、前者において「チップをピックアップする」ことに相当するということができる。
　そうすると、両者は次の各点において一致及び相違するものと認められる。　
＜一致点＞
「半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、上記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に第１の保持部材を貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記完成時のチップの厚さまで加工し、ウェーハを個々のチップに分離する工程と、上記分離されたチップの裏面に第２の保持部材を貼り付ける工程と、上記第１の保持部材を剥離する工程と、上記第２の保持部材に貼り付けられたチップをピックアップする工程とを具備するウェーハの分割方法。」である点。
＜相違点１＞
　ウェーハの裏面を完成時のチップの厚さまで加工するのに、前者では研削及び研磨を行うのに対し、後者では、研削を行う点。
＜相違点２＞
　最終的なチップ厚が、前者では１００μｍより薄いのに対し、後者では、２００μｍである点。
　
６．当審の判断
　以下に、上記＜相違点＞について検討する。
　
6.1　＜相違点１＞について
　ウェーハの加工において、研削も、研磨も、従来より周知慣用の加工方法であり、これらの加工方法を組み合わせて使用することも、当業者が適宜選択し得る事項である。
　
6.2　＜相違点２＞について
　半導体チップの最終的な厚さを１００μｍ程度とすることは刊行物２に記載されている。
　刊行物２記載の事項は刊行物１記載の発明と同じく、ウェーハをチップに分割する技術に関するから、刊行物２記載の事項を刊行物１記載の発明に適用して、最終的なチップ厚を１００μｍ程度とすることは、当業者が容易になし得るものである。
　本願発明のように、最終的なチップ厚を「１００μｍより薄くする」ことと、「１００μｍ程度とする」こととの間に技術的に有意義な差を見出すことはできないため、最終的なチップ厚を１００μｍより薄くすることは、単なる設計上の選択に過ぎないというべきである。
　
6.3　まとめ
　本願発明には、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基いて普通に予測される作用効果を上回る、格別のものを見出すこともできない。
　よって、本願発明は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
７．むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２ないし１１に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。