【事件の表示】
　平成　９年特許願第　７８５７１号「張合わせウエハ−及びその製造方法、基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１０月１３日出願公開、特開平１０−２７５７５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．　手続の経緯
　本願は，平成９年３月２８日の出願であって，平成１８年５月２５日付けの拒絶理由通知に対して，同年７月２７日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１２月１８日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成１９年１月２２日に審判請求がされるとともに，同年２月１５日に手続補正書が提出され，その後当審において，平成２２年２月９日付けで拒絶理由が通知され，これに対して同年４月１９日に手続補正書及び意見書が提出されたものである。
　
２．　本願発明について
（１）本願発明
　本願発明は，平成２２年４月１９日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
「【請求項１】
　ウエハ−の鏡面が接合材で張り合わされている張合わせウエハ−の製造方法であり，非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層が２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸，酸の二無水物または酸のエステルと１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンとを含む成分より得られる芳香族ポリイミド層を用い，少なくとも２層のウエハ−の間に，接合材として非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独あるいは基体ポリイミド（Ｙ）層の両面に非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層を設けた熱融着性の芳香族ポリイミドフィルムを挟み，芳香族ポリイミド（Ｘ）のガラス転移温度以上で劣化温度以下の温度，０．１〜１００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で接合することを特徴とする張合わせウエハ−の製造方法。」
　
（２）刊行物に記載された発明
　ア　特開平４−１３２２５８号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願に出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−１３２２５８号公報（以下「引用例１」という。）には，第１図とともに以下の記載がある。（下線は当合議体において付加。以下同様。）
　
（ア）　（１ページ右欄２〜３行の記載）
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は半導体基板の接続体およびその接続方法に関する。」
（イ）　（２ページ右上欄１７行〜同ページ左下欄３行の記載）
「本発明の目的は既にデバイスの作り込まれていることにより表面に凹凸の存在するシリコン基板どうしを，素子の劣化や破壊をきたす恐れのない４５０℃以下の温度で均一に接続し，かつその基板が２００℃以上の温度に保持されても接続強度の低下しない半導体基板の接続体およびその接続方法を提供することである。」
（ウ）　（２ページ左下欄４〜１８行の記載）
「（課題を解決するための手段）
　本発明の半導体基板の接続体は，デバイスが形成され表面に凹凸が存在する第１の半導体基板と，この第１の半導体基板上に熱軟化性ポリイミド樹脂による接続された第２の半導体基板とを有するものである。
　また本発明の半導体基板の接続方法は，デバイスが形成され表面に凹凸が存在する第１の半導体基板と第２の半導体基板の少なくとも一方の半導体基板表面に熱軟化性ポリイミド樹脂を塗布する工程と，前記第１の半導体基板と第２の半導体基板表面を前記熱軟化性ポリイミド樹脂層を介して真空中で密着させたのち，少なくとも熱軟化性ポリイミド樹脂の軟化温度以上の温度に加熱し加工する工程とを含んで構成される。」
（エ）　（２ページ左下欄１９行〜同ページ右下欄１３行の記載）
「（作用）
　
本発明に係る半導体基板の接続方法においては，熱軟化温度がデバイスの熱破壊温度よりも低い熱軟化性ポリイミド樹脂を使用することにより，すでにデバイスの形成されている半導体基板どうしを接続することが可能となる。ポリイミド樹脂を接着剤として用いているため，高温耐熱特性に優れた接続が得られる。また，熱圧着を真空中で行っているため接着界面に気泡が存在することはない。さらに，下地デバイスの存在により塗布したポリイミド樹脂の表面に凹凸があったとしても，熱軟化温度以上ではポリイミド樹脂の粘性流動が生じるため均一の接続界面を得ることができる
（オ）　（２ページ右下欄１４行〜３ページ右上欄１４行の記載）
「（実施例）
　以下に本発明の実施例を図面にもとずいて詳細に説明する。
　第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チップの断面図であり，ここでは熱軟化温度（ガラス転移温度）が２５０〜３５０℃の縮合型ポリイミド樹脂（耐熱温度４２０℃程度）を用いた場合を例にとって述べる。
　
まず第１図（ａ）に示すように，表面に凸部３Ａが形成された第１のシリコン基板１と表面に凸部３Ｂが形成された第２のシリコン基板２上にそれぞれ熱軟化性ポリイミド樹脂層４をスピンコーティング法により形成する。次いでポリイミド樹脂層４中の溶媒除去を目的とし，窒素雰囲気中１００〜１５０℃の温度で第１のシリコン基板１と第２のシリコン基板２とを１時間程度ベークする。さらに，ポリイミド樹脂のイミド化反応（縮合反応）を生じさせるため，窒素雰囲気中２５０〜３５０℃の温度でキュアーする。次に第１のシリコン基板ｌと第２のシリコン基板２とのポリイミド塗布面を向かい合わせる
　
次に第１図（ｂ）に示すように，向い合わせた第１及び第２のシリコン基板１，２を真空室中に設置されている下部加圧ヘッド１０Ａ上に置く。しかる後，真空ポンプにより真空室を１０
−３
Ｔｏｒｒ以下に減圧し，上部加圧ヘッド１０Ｂおよび下部加圧ヘッド１０Ａを介して第１のシリコン基板１と第２のシリコン基板２とを加圧・密着させ，さらに上部加圧ヘッド１０Ｂおよび下部加圧ヘッド１０Ａに埋め込まれている発熱体により昇温・加熱する
シリコン基板に加える圧力は１〜２０ｋｇ／ｃｍ
２
とし，また保持温度は少なくともシリコン基板に塗布したポリイミド樹脂のガラス転移温度よりも高く，かつその熱分解温度よりも低い温度とし（ここでは３５０〜４００℃），その温度で５分から３０分保持する
　上述した本実施例によるシリコン基板の接続方法により，引っ張り強度１９０ｋｇ／ｃｍ２以上のシリコン基板接続体がえられた。」
（カ）　（３ページ右上欄１５行〜同ページ左下欄１０行の記載）
「キュアーした後の熱軟化性ポリイミド樹脂層４の表面はデバイス層存在部分が凸状となっており，シリコン基板どうしを密着させると，熱軟化性ポリイミド樹脂表面どうしが接触していない領域が存在してしまう。しかし本実施例による方法では，真空中でシリコン基板どうしの密着を行っているため，この未接触領域が気体で満たされていることはない。
さらに，真空室中で加圧ヘッド１０Ａ，１０Ｂを介して加熱・加圧してゆくと，ポリイミド樹脂のガラス転移温度を越えると粘性流動が生じ，未接触領域に熱軟化性ポリイミド樹脂の一部が回り込むことにより，第１及び第２のシリコン基板１，２の全面で均一な接続構造を得ることができる
（キ）　（３ページ左下欄１１〜１６行の記載）
「
ここに示した実施例では，すでにデバイスが形成され凹凸のあるシリコン基板どうしを接続する場合を説明したが，デバイスの形成されているシリコン基板のデバイスの形成されていない基板上への接続や，凹凸のないシリコン基板どうしの接続も可能であることは自明である
　
　ここで，上記（キ）の記載から，「凹凸のないシリコン基板どうし」の接続についても，上記（イ）〜（カ）に記載された方法と同様になし得ることは明らかである。
　また，上記（カ）の「さらに，真空室中で加圧ヘッド１０Ａ，１０Ｂを介して加熱・加圧してゆくと，ポリイミド樹脂のガラス転移温度を越えると粘性流動が生じ，未接触領域に熱軟化性ポリイミド樹脂の一部が回り込むことにより，第１及び第２のシリコン基板１，２の全面で均一な接続構造を得ることができる。」との記載から，第１及び第２のシリコン基板１，２が熱融着されること，及び，ポリイミド樹脂が熱融着性のものであることは明らかである。
　
　したがって，引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「凹凸のないシリコン基板どうしをポリイミド樹脂で接続してシリコン基板の接続体を製造する方法であって，
　凹凸がない第１のシリコン基板１と凹凸がない第２のシリコン基板２のそれぞれの基板上に熱融着性のポリイミド樹脂層を塗布する工程と，
　前記第１のシリコン基板１と前記第２のシリコン基板２の，前記熱融着性ポリイミド樹脂を塗布した面を向かい合わせて，真空室中で，１〜２０ｋｇ／ｃｍ２の圧力を加圧し，少なくともシリコン基板に塗布した熱融着性のポリイミド樹脂のガラス転移温度よりも高くかつその熱分解温度よりも低い温度に保持して，前記第１のシリコン基板１と前記第２のシリコン基板２を加圧・密着させることにより接続することを特徴とするシリコン基板の接続体を製造する方法。」
（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比
　本願発明と引用発明を比較する。
・引用発明の「凹凸のないシリコン基板」は，本願発明の「鏡面」を有する「ウエハー」に相当する。また，引用発明の「熱融着性のポリイミド樹脂層」は，本願発明の「接合材」に相当する。また，引用発明は，「凹凸のないシリコン基板どうしを」「接続」するものであるから，本願発明の「ウエハ−の鏡面」を「張り合わ」せることに相当する。そうすると，引用発明の「シリコン基板の接続体」は，本願発明の「張合わせウエハ−」に相当する。したがって，引用発明の「凹凸のないシリコン基板どうしを熱融着性のポリイミド樹脂で接続してシリコン基板の接続体を製造する方法」は，本願発明の「ウエハ−の鏡面が接合材で張り合わされている張合わせウエハ−の製造方法」に相当する。
・引用発明の「熱融着性のポリイミド樹脂層」と，本願発明の「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層」である「２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸，酸の二無水物または酸のエステルと１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンとを含む成分より得られる芳香族ポリイミド層」とは，熱融着性のポリイミド樹脂層である点で共通する。
　ところで，引用発明における「熱融着性のポリイミド樹脂層」は，第１のシリコン基板１と第２のシリコン基板２のそれぞれの基板上に塗布されたものである一方，本願発明における「接合材」である「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独あるいは基体ポリイミド（Ｙ）層の両面に非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層を設けた熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」は，「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独」の「熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」と，「基体ポリイミド（Ｙ）層の両面に非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層を設けた」「熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」とを択一的に記載したものである。
　したがって，引用発明における「熱融着性のポリイミド樹脂層」と，本願発明における「接合材」である「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独あるいは基体ポリイミド（Ｙ）層の両面に非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層を設けた熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」とは，熱融着性のポリイミド樹脂材である点で共通する。
　そうすると，引用発明における「前記第１のシリコン基板１と前記第２のシリコン基板２の，前記熱融着性ポリイミド樹脂を塗布した面を向かい合わせて」「加圧」することと，本願発明の「少なくとも２層のウエハ−の間に，接合材として非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独あるいは基体ポリイミド（Ｙ）層の両面に非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層を設けた熱融着性の芳香族ポリイミドフィルムを挟」むこととは，「少なくとも２層のウエハ−の間に，接合材として熱融着性のポリイミド樹脂材を挟む」点で共通する。
・引用発明における「前記第１のシリコン基板１と前記第２のシリコン基板２の，前記熱融着性ポリイミド樹脂を塗布した面を向かい合わせて」「加圧」する圧力である「１〜２０ｋｇ／ｃｍ２」は，本願発明の「０．１〜１００ｋｇ／ｃｍ２の圧力」に包含される。
・引用発明における「熱融着性のポリイミド樹脂のガラス転移温度よりも高くかつその熱分解温度よりも低い温度」と，本願発明の「芳香族ポリイミド（Ｘ）のガラス転移温度以上で劣化温度以下の温度」とは，少なくとも「ポリイミドのガラス転移温度よりも高い」「温度」の範囲で重複する。
　
　したがって，本願発明と引用発明とは，
「ウエハーの鏡面が接合材で張り合わされている張合わせウエハーの製造方法であり，熱融着性のポリイミド層を用い，少なくとも２層のウエハーの間に，接合材として熱融着性のポリイミド樹脂材を挟み，熱融着性のポリイミド樹脂のガラス転移温度よりも高い温度，１〜２０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で接合することを特徴とする張合わせウエハーの製造方法。」
である点で一致する。
　
　一方，両者は，以下の各点で相違する。
　
・相違点１
　本願発明は，接合材となる熱融着性のポリイミドとして，「非結晶性」「の芳香族ポリイミド（Ｘ）層」であって「２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸，酸の二無水物または酸のエステルと１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンとを含む成分より得られる芳香族ポリイミド層」を用いるのに対して，引用発明においては，そのような特定がなされていない点。
　
・相違点２
　接合材として，本願発明においては，「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独あるいは基体ポリイミド（Ｙ）層の両面に非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層を設けた熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」が用いられるのに対して，引用発明においては，「第１のシリコン基板１と」「第２のシリコン基板２のそれぞれの基板上に」「塗布」した「熱融着性のポリイミド樹脂層」が用いられる点。
　
・相違点３
　本願発明においては，熱融着性のポリイミドの「ガラス転移温度以上で劣化温度以下の温度，０．１〜１００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で」接合するのに対して，引用発明においては，「１〜２０ｋｇ／ｃｍ２の圧力を加圧し，少なくとも」熱融着性ポリイミドの「ガラス転移温度よりも高くかつその熱分解温度よりも低い温度に保持して」接合する点。
　
（４）検討
　上記各相違点について検討する。
・相違点１について
　熱融着性のポリイミド樹脂として，２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸，酸の二無水物または酸のエステルと１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンとを含む成分より得られる芳香族ポリイミドは，以下の周知例１及び２にも示されているように，従来より周知のものである。
　　・周知例１:　特開平９−４０７７５号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−４０７７５号公報には，次の記載がある。
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，ポリイミドフィルムに関するものであり，特に柔軟性，強度，耐熱性および
熱融着性をあわせもつポリイミドフィルム
「【０００６】この発明におけるポリイミドは，
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（以下単に，ＴＰＥ−Ｒと略記することもある）と，２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下単に，ａ−ＢＰＤＡと略記することもある）の２成分
前記２成分が８０モル％以上となる割合で使用
有機溶媒中で反応させてポリアミック酸の溶液
とし，該ポリアミック酸の溶液からフィルム化・イミド化（脱水閉環）・乾燥することによって製造する
「【００１６】
上記のようにして得られるポリイミドフィルムは，柔軟性，強度および耐熱性を有しているので，各種基材（好ましくは金属箔）と熱融着によって積層体を製造するために使用することができる
【００１７】
上記のポリイミドフィルムを，好適には各種基材の間に挿入し，１〜１０００ｋｇ／ｃｍ
2
 の圧力，ポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度でかつ３５０℃以下，特に２５０〜３５０℃の温度で，１秒〜３０分間熱融着することにより，剥離強度の大きい積層体を得ることができる
「【００２０】実施例１
攪拌機，冷却管，温度計および窒素導入管を備えた反応容器に，１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）２９．２３ｇ（０．１００モル），リン酸トリフェニル５９ｍｇ，およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２６９ｇを入れた。次に，窒素気流下２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ａ−ＢＰＤＡ）２９．７１ｇ（０．１０１モル）を徐々に添加し，６０℃以下の温度に保ちながら４時間攪拌して，淡褐色透明粘調なポリアミック酸溶液を得た（ワニスＡと略記することもある）。
【００２１】このワニスＡをガラス板上にアプリケ−タを用いて塗布し，１４０℃で２０分加熱して乾燥後，フィルム状物を剥がし，ステンレス製ピンテンタ−に固定して２００℃で２０分，３００℃で３０分空気中で加熱して，厚み１０μｍの黄色透明なポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムを用いてηｉｎｈおよび機械的物性を測定した。ポリイミドフィルムはηｉｎｈが０．７０，Ｔｇが２５０℃であり，引張弾性率が２７０ｋｇｆ／ｍｍ2 ，引張強度が１０．５ｋｇｆ／ｍｍ2 ，伸びが７５％であった。
【００２２】上記フィルムを２枚の電解銅箔（厚み３５μｍ）の間にはさみ，３００℃に保った熱プレスで５分間予熱後，２０秒間３０ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で熱融着により圧着した。次いで，室温まで冷却して積層体である金属箔積層体を得た。この金属箔積層体の剥離強度は１．９ｋｇｆ／ｃｍであり，半田処理後も９０°剥離強度は１．９ｋｇｆ／ｃｍを保ち，外観に異状は認められなかった。
【００２３】実施例１におけるポリイミドフィルムを，厚み２５μｍの高剛性ポリイミドフィルム（カプトン，デュポン社製）と電解銅箔との間にはさみ，実施例１に記載の条件と同様の熱融着操作を行った。９０°剥離強度は１．２ｋｇｆ／ｃｍであり，半田処理後も１．２ｋｇｆ／ｃｍを保ち，外観に異状は認められなかった。なお，剥離は２種類のポリイミドフィルムの間で生じていた。」
　
　　・周知例２:　特開平６−３１３０５５号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−３１３０５５号公報には，次の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は異なる二種類の芳香族ポリアミック酸が有機極性溶媒に溶解した溶液を使用し，比較的低温で製膜し，高温度で加熱処理してポリイミドフィルムとし，その後アルカリ性溶液でエッチング処理することで表面に微細な凹状構造を有する粗面化ポリイミドフィルムの製造法に関する。
【０００２】また，
この発明の粗面化ポリイミドフィルムは，優れた易滑性や接着性を有している
「【００１４】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するために鋭意検討した結果，本発明に到った。この発明は，ベンゼン環を二つ有する芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られた第１の芳香族ポリアミック酸溶液と，ベンゼン環を一つ有する芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られた第２の芳香族ポリアミック酸溶液を，芳香族ポリアミック酸の重量比が９：１〜６：４になる割合で混合し，流延・薄膜状にしてイミド化したフイルムをアルカリ性溶液で処理することを特徴とする
粗面化ポリイミドフイルムの製造法に関する。第１の芳香族ポリイミドと第２の芳香族ポリイミドではアルカリ性溶液に対する溶解度が異なっており，アルカリ性溶液で処理することで第２の芳香族ポリイミドが選択的に溶解し，表面に微細な凹状構造を形成することを特徴とする粗面化ポリイミドフィルムの製造法に関する
【００１５】この発明における前述の
第１の芳香族ポリイミドまたは芳香族ポリアミック酸は，二つのベッゼン環を有する芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分から得られるものであり，二つのベンゼン環を有する芳香族テトラカルボン酸成分としては，
２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸，またはそれらの酸二無水物
　・・・
が挙げられる。
【００１６】
芳香族ジアミン成分としては
　・・・
，
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン
　・・・
が挙げられる。」
「【００２４】この発明において，製膜用の芳香族ポリアミック酸溶液を調整後，次にその製膜用の溶液を支持体上で薄膜に形成し，１３０℃以下，好ましくは，１０〜１００℃の温度で乾燥して，自己支持性フイルムを形成する。乾燥において１３０℃より高い温度で乾燥を行うと，薄膜が自己支持性フィルムとなる際に，製膜用溶液の調整と同様に共重合体の生成が起こるので適当ではない。
【００２５】この発明における自己支持性フィルムの形成は，例えば，製膜用の芳香族ポリアミック酸溶液をスリットダイを通して薄膜状に連続的に押し出して，その薄膜を回動しているベルト，ドラムの表面上に載置させ流延させて均一な厚さの薄膜を形成し，その薄膜を１２０℃以下の温度で乾燥して，フイルム状自己支持体を連続的に形成する方法で行うことができる。
【００２６】得られたフィルム状自己支持体を３００℃以上の温度に加熱し，イミド化し，ポリイミドフフィルムとする。こうして得られたポリイミドフィルムをアルカリ性溶液で処理することにより，フィルムの表面に微細な凹状構造を形成させる。」
　
　また，熱融着の用途に用いる樹脂を非結晶性のものとすることは，以下の周知例３及び４にも示されているように，従来より普通になされていたことである。
　　・周知例３：　特開平６−３２２１２２号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−３２２１２２号公報には，次の記載がある。
「【０００６】本発明者らは，式 (Ｂ)
【化３８】
　・・・
の基本骨格を有するポリイミドについて，その反応性ポリマー末端を封止することによりポリマー分子量を調節し，射出，押出成形が可能なポリイミドを見出した（特開平２−０１８４１９号公報）。しかしながら，このポリイミド粉も３４０℃付近に融解点を有しており，
さらに低温下での成形や接着に供するためには非晶化しなければならなかった。
【０００７】従来のポリイミドの接着技術は，
１）前駆体であるポリアミド酸ワニスを接着面に塗布し，加圧・加熱して，脱溶媒，イミド化により接着する方法。
２）
ポリイミドフィルムを接着面に挟み，加圧・加熱して接着する方法
３）ポリイミド粉を揮発しやすい溶剤（例えばアルコール）に懸濁した後接着面に塗布して，溶剤のみを揮散させることによりコートし，加圧・加熱して接着する方法などが用いられている。
とくに３）の接着方法は，接着方法として簡便である利点を有し多用されるが，この方法に適用できるポリイミドの開発が望まれている。この方法では，ポリイミド粉の融解点を越えない限り接着が不可能であることは明らかである。
【０００８】また，溶剤に懸濁させたポリイミド粉をカーボンクロス等に含浸させてプリプレグを作成し，このプリプレグを用いたコンポジットを構造基材として用いる研究も数多く行われている。この場合も，３）の接着方法の場合と同様にポリイミド粉の融解点を越える加工温度が必要である。このように，加工温度，接着温度の面から，可溶性と溶融性の良好なポリイミドの開発が要望されている。本質的には各種の優れた性質を有するが，ほとんどの有機溶剤に対して不溶である式（Ｂ）のポリイミドに代わるものとして，有機溶剤に対するより優れた溶解性を有し，
また本来結晶質のポリイミド粉を非晶化し，より低い融点を有するポリイミドを提供することは，ポリイミドの成形，接着性能を向上させ，適用分野の拡大と適用方法の改善，合理化等に大きく貢献するものである
　　・周知例４：　特開昭６３−２８９８２２号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−２８９８２２号公報には，次の記載がある。
「Ａ．接着材料
　本発明で用いられる接着材料は，非オレフィン性の，ほぼアモルファスであり，実質的に溶媒を含まない，熱溶融性ポリマーである。このポリマーの基本的特性は，Ｔｇが３０℃以上好ましくは５０℃以上であり，Ｔｂが−３０℃以下であり，Ｓｗが１．０ｗｔ％未満であり，抽出され得るイオンが１０ｐｐｍ（重量）未満である。これらの特性のいくつかは，急速接合，充分な接合（接着）強度，およびエージングおよび長期間の使用によっても変化の度合いが少ないことという基本的特性を均一に得るために必要である。
実用上の問題として，このプロセスに有用とおもわれるポリマーの最大Ｔｇは３００−４００℃である。もちろん，それより高いＴｇを有するポリマーは，接合のために適切な粘度まで加熱することは困難である。」
（４ページ右上欄１７行〜同ページ左下欄１３行の記載）
「更に，本発明に用いられる接着剤は，アモルファス，即ち非晶質である必要がある。なぜなら，高度に結晶性のポリマーは，冷却により基板から離れてしまう。」（５ページ左上欄９〜１２行の記載）
　
　したがって，引用発明に記載された「熱融着性のポリイミド樹脂層」として，「非結晶性」「の芳香族ポリイミド（Ｘ）層」であって「２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸，酸の二無水物または酸のエステルと１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンとを含む成分より得られる芳香族ポリイミド層」を採用することは当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点２について
　引用発明に記載された「熱融着性のポリイミド樹脂層」として，「非結晶性」「の芳香族ポリイミド（Ｘ）層」，すなわち，「２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸，酸の二無水物または酸のエステルと１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンとを含む成分より得られる芳香族ポリイミド層」を用いる点は，上記「・相違点１について」において検討したとおり，当業者が適宜になし得たことである。
　また，ポリイミドにより熱融着するに当たり，ポリイミドをフィルム状にしたものを用いることは，前出の周知例１及び２にも記載されているとおり，従来より周知の技術である。
　さらに，引用例１には「第１の半導体基板と第２の半導体基板の
少なくとも一方の半導体基板表面
　したがって，引用発明において，接合材として「第１のシリコン基板１と」「第２のシリコン基板２のそれぞれの基板上に」「塗布」した「熱融着性のポリイミド樹脂層」に代えて，「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独」の「熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」を用いることは，当業者が適宜になし得たことである。
　ここで，本願発明における「接合材」である「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独あるいは基体ポリイミド（Ｙ）層の両面に非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層を設けた熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」は，「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独」の「熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」と，「基体ポリイミド（Ｙ）層の両面に非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）層を設けた」「熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」とを択一的に記載したものであるところ，その一方の「非結晶性で熱融着性の芳香族ポリイミド（Ｘ）単独」の「熱融着性の芳香族ポリイミドフィルム」については，上述のとおり当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は，当業者が適宜になし得たことである。
　
・相違点３について
　引用発明は，接合に当たり「１〜２０ｋｇ／ｃｍ２の圧力を加圧し」ており，これは本願発明における接合時の圧力である「０．１〜１００ｋｇ／ｃｍ２」の範囲内であるから，この点において差異はない。
　また，温度範囲の上限について，本願発明における上限値に係る「劣化温度」は，樹脂の諸特性が劣化する温度と解されるが，引用発明においても，接続後のポリイミド樹脂の劣化が好ましくないことは自明なことであるから，引用発明における上限値に係る「熱分解温度よりも低い温度」としてポリイミド樹脂の劣化温度よりも低い温度を採用することは当業者が普通になしうることである。このことは，引用例１に記載された実施例において，「（耐熱温度４２０℃程度）」のポリイミド樹脂を用いての接合時に「熱分解温度よりも低い温度」として，前記耐熱温度４２０℃程度よりも低い「３５０〜４００℃」を採用していることからも推察される。
　一方，温度範囲の下限についてみると，引用発明の「ガラス転移温度よりも高い」温度は，本願発明の「ガラス転移温度以上」の温度に含まれることは明らかである。
　したがって，引用発明において，接合時の温度範囲を，本願発明に係る「ガラス転移温度以上で劣化温度以下の温度」の温度範囲内とすることは当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点３は，当業者が容易になし得たことである。
　
（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，引用例１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
３．　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。