(57)【要約】本発明は、端子に損傷を与えることなく端子の取り出しを行い、かつ、表示素子の特性の劣化を充分に防止することができるフレキシブル表示装置の製造方法と、上記フレキシブル表示装置の製造方法により好適に製造されるフレキシブル表示装置とを提供する。本発明のフレキシブル表示装置の製造方法は、第１の接着層によって貼り合わされた、第１のフレキシブル基材、及び、第２のフレキシブル基材を備えるフレキシブル表示装置の製造方法であって、（１）配線及び複数の端子を形成する工程、（２）上記複数の端子を直に覆う剥離層を形成する工程、（３）上記剥離層と上記第２のフレキシブル基材との間にある界面で、上記剥離層と上記複数の端子との界面における密着力よりも強い密着力が得られるように、上記第１の接着層、及び、上記第２のフレキシブル基材を含む複数層を順次配置する工程、及び、（４）上記複数の端子を露出させる工程を順に含む。
2015008642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の接着層によって貼り合わされた、第１のフレキシブル基材、及び、第２のフレキシブル基材を備えるフレキシブル表示装置の製造方法であって、
下記工程（１）〜（４）を順に含むことを特徴とするフレキシブル表示装置の製造方法。
（１）前記第１のフレキシブル基材、又は、仮の支持基板の主面上の表示領域に配線を形成するとともに、前記主面上の端部領域に前記配線から導出された複数の端子を形成する工程
（２）前記複数の端子を直に覆う剥離層を形成する工程
（３）前記剥離層と前記第２のフレキシブル基材との間にある界面で、前記剥離層と前記複数の端子との界面における密着力よりも強い密着力が得られるように、前記第１の接着層、及び、前記第２のフレキシブル基材を含む複数層を前記表示領域及び前記端部領域に順次配置する工程
（４）前記端部領域の前記表示領域側で、前記複数層を分断、及び前記複数の端子との界面に到達しない深さまで前記剥離層に切り込みを入れ、更に、分断された前記剥離層の前記表示領域側とは反対側の部分を剥離し、分断された前記複数層及び前記剥離層の前記表示領域側とは反対側の部分を除去することにより、前記複数の端子の少なくとも一部を露出させる工程
【請求項２】
前記複数の端子との界面に到達しない深さは、前記剥離層の前記複数の端子上の厚みの５０％以上、９０％以下が分断される深さであることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（２）において、前記表示領域に、前記剥離層と同じ組成である層が、前記剥離層と離間されて配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記フレキシブル表示装置は、前記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子を前記表示領域に備え、
前記剥離層と同じ組成である層は、前記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜の少なくとも一部であり、
前記工程（２）において前記剥離層を形成する際に、前記封止膜の少なくとも一部をともに形成することを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記フレキシブル表示装置は、前記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子を前記表示領域に備え、
前記剥離層と同じ組成である層は、前記有機エレクトロルミネセンス層であり、
前記工程（２）において前記剥離層を形成する際に、前記有機エレクトロルミネセンス層をともに形成することを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記フレキシブル表示装置は、更に、前記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子を前記表示領域に備え、
前記剥離層は、自己吸着層を有するフィルムであることを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記フレキシブル表示装置は、前記第１のフレキシブル基材、又は、前記仮の支持基板の主面上の前記表示領域に、液晶層と、前記配線と電気的に接続された画素電極と、前記配線と前記画素電極との間にある層間膜とを備え、
前記剥離層と同じ組成である層は、前記層間膜であり、
前記工程（２）において前記剥離層を形成する際に、前記層間膜をともに形成することを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
【請求項８】
第１のフレキシブル基材と、
前記第１のフレキシブル基材の主面上の表示領域に配置された配線及び表示素子と、
前記第１のフレキシブル基材の主面上の端部領域に配置され、前記配線から導出された複数の端子と、
少なくとも前記表示領域に配置された第１の接着層と、
前記第１の接着層によって少なくとも前記表示領域に貼り合わされた第２のフレキシブル基材とを備えるフレキシブル表示装置であって、
前記複数の端子は、前記表示領域側に剥離層に覆われた部分を有し、
前記剥離層と前記複数の端子との界面における密着力は、前記剥離層と前記第２のフレキシブル基材との間にある界面のうちで最も弱いことを特徴とするフレキシブル表示装置。
【請求項９】
前記剥離層と前記複数の端子との界面における密着力は、０．０５Ｎ／２５ｍｍ以上、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１０】
前記表示領域に、前記剥離層と同じ組成である層が配置され、
前記剥離層、及び、前記剥離層と同じ組成である層は、離間されて配置されていることを特徴とする請求項８又は９に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１１】
前記表示素子は、前記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子であり、
前記剥離層は、前記有機エレクトロルミネセンス素子を覆うように配置された封止膜の少なくとも一部、前記有機エレクトロルミネセンス層、又は、自己吸着層を有するフィルムであることを特徴とする請求項８又は９に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１２】
前記封止膜は、無機膜であることを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１３】
前記封止膜は、無機膜が積層されたものであることを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１４】
前記封止膜は、無機膜及び有機膜が積層されたものであることを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項１５】
前記表示素子は、液晶層であり、
前記フレキシブル表示装置は、更に、前記配線と電気的に接続された画素電極と、前記配線と前記画素電極との間にある層間膜とを有し、
前記剥離層と同じ組成である層は、前記層間膜であることを特徴とする請求項１０に記載のフレキシブル表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル表示装置の製造方法、及び、フレキシブル表示装置に関する。より詳しくは、有機エレクトロルミネセンス素子、又は、液晶層等の表示素子を備えるフレキシブル表示装置の製造方法、及び、フレキシブル表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置、有機エレクトロルミネセンス表示装置等の薄型表示装置が急速に普及しているが、これらの薄型表示装置の商品性を更に高めるため、新たな機能を備えた次世代の表示装置の開発が行われている。そのような次世代の表示装置の一つとして、折り曲げ可能なフレキシブル表示装置が挙げられる。【０００３】
フレキシブル表示装置を製造するためには、フレキシブルな基板上に薄膜トランジスタ等の素子を形成する必要がある。そのための方法として、ガラス基板上に予め形成した薄膜トランジスタをフレキシブルな基板上に転写する方法が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。この方法において、特許文献２では、外部端子への接続に用いられる端子の取り出しを、端子上部にある層の所定部分をエッチングで除去することにより行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２１４２８１号公報
【特許文献２】特開２００９−２０５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フレキシブル表示装置の製造において、端子の取り出し方法によっては、端子に損傷を与え、表示素子の特性の劣化が生じることがあった。例えば、上記特許文献２に記載の発明では、上記特許文献２の図９に示されたようなガラス基板をフッ酸でエッチングし、保護膜を反応性イオンエッチング法によりエッチング除去することで、端子を露出させている。しかしながら、フッ酸を用いたウェットエッチングを行う場合は、通常、ウェットエッチング後に洗浄工程が存在するため、上記特許文献２の図９に示されたようなフレキシブル基板やシール材からの水分の侵入を充分に防止することができず、有機エレクトロルミネセンス素子の特性が劣化するという問題が生じると考えられる。【０００６】
このように、有機エレクトロルミネセンス素子を備えるフレキシブル表示装置の場合、ウェットエッチング等で端子上部にある封止用のフレキシブル基材や接着層等を除去することによって端子の取り出しを行うと、有機エレクトロルミネセンス素子の特性が劣化することがあった。これは、有機エレクトロルミネセンス素子が、水分や酸素に弱い性質を有しているためである。また、有機エレクトロルミネセンス素子を覆うように封止膜を形成する場合においても、ウェットエッチング等による水分等の侵入の影響を充分に防止することはできなかった。【０００７】
一方、フレキシブル表示装置の製造方法において、端子の取り出し工程を行わないようにするため、例えば、封止用のフレキシブル基材や接着層を、端子上部（端子を覆う部分）以外の部分に選択的に貼り合わせることが考えられる。しかしながら、この場合は、封止用のフレキシブル基材に対向するフレキシブル基材を貼り合わせる前段階としてガラス基板を剥離する際に、端子を支持する部材（例えば、封止用のフレキシブル基材、及び、接着層）が無いため、ガラス基板の剥離時に端子の破れやしわ等の損傷が生じることがあった。【０００８】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、端子の取り出しを端子に損傷を与えることなく行い、かつ、表示素子の特性の劣化を充分に防止することができるフレキシブル表示装置の製造方法と、上記フレキシブル表示装置の製造方法により製造できるフレキシブル表示装置とを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、端子の取り出しを端子に損傷を与えることなく行い、かつ、表示素子の特性の劣化を充分に防止することができるフレキシブル表示装置の製造方法について種々検討したところ、端子との界面における密着力が弱い剥離層を端子上に予め形成することに着目した。そして、剥離層と端子との界面における密着力を、剥離層及び端子が設けられていない対向側のフレキシブル基材との間にある界面のうちで最も弱いものとし、対向側のフレキシブル基材側から、剥離層の上層を分断し、更に端子との界面に到達しない深さまで剥離層に切り込みを入れ、分断された剥離層を剥離し、分断された剥離層の上層及び剥離層を除去することで、端子に損傷を与えることなく端子の取り出しを行うことができることを見出した。また、ウェットエッチング等の湿式の方法ではなく、乾式の方法により端子の取り出しを行うため、表示素子の特性の劣化を充分に防止することができることを見出した。これにより、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。【００１０】
すなわち、本発明の一態様によれば、第１の接着層によって貼り合わされた、第１のフレキシブル基材、及び、第２のフレキシブル基材を備えるフレキシブル表示装置の製造方法であって、下記工程（１）〜（４）を順に含むフレキシブル表示装置の製造方法であってもよい。
（１）上記第１のフレキシブル基材、又は、仮の支持基板の主面上の表示領域に配線を形成するとともに、上記主面上の端部領域に上記配線から導出された複数の端子を形成する工程
（２）上記複数の端子を直に覆う剥離層を形成する工程
（３）上記剥離層と上記第２のフレキシブル基材との間にある界面で、上記剥離層と上記複数の端子との界面における密着力よりも強い密着力が得られるように、上記第１の接着層、及び、上記第２のフレキシブル基材を含む複数層を上記表示領域及び上記端部領域に順次配置する工程
（４）上記端部領域の上記表示領域側で、上記複数層を分断、及び上記複数の端子との界面に到達しない深さまで上記剥離層に切り込みを入れ、更に、分断された上記剥離層の上記表示領域側とは反対側の部分を剥離し、分断された上記複数層及び上記剥離層の上記表示領域側とは反対側の部分を除去することにより、上記複数の端子の少なくとも一部を露出させる工程【００１１】
また、本発明の別の一態様によれば、第１のフレキシブル基材と、上記第１のフレキシブル基材の主面上の表示領域に配置された配線及び表示素子と、上記第１のフレキシブル基材の主面上の端部領域に配置され、上記配線から導出された複数の端子と、少なくとも上記表示領域に配置された第１の接着層と、上記第１の接着層によって少なくとも上記表示領域に貼り合わされた第２のフレキシブル基材とを備えるフレキシブル表示装置であって、上記複数の端子は、上記表示領域側に剥離層に覆われた部分を有し、上記剥離層と上記複数の端子との界面における密着力は、上記剥離層と上記第２のフレキシブル基材との間にある界面のうちで最も弱いフレキシブル表示装置であってもよい。【００１２】
なお、上記本発明の別の一態様におけるフレキシブル表示装置は、上記本発明の一態様におけるフレキシブル表示装置の製造方法により製造することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、端子に損傷を与えることなく端子の取り出しを行い、かつ、表示素子の特性の劣化を充分に防止することができるフレキシブル表示装置の製造方法と、上記フレキシブル表示装置の製造方法により好適に製造されるフレキシブル表示装置とを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態１〜６に係るフレキシブル表示装置の平面模式図である。
【図２】実施形態１に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。
【図３】有機エレクトロルミネセンス素子の断面模式図である。
【図４−１】実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ａ〜Ｄ）。
【図４−２】実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｅ〜Ｆ）。
【図４−３】実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｇ〜Ｈ）。
【図４−４】実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｉ〜Ｊ）。
【図４−５】実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｋ）。
【図５】実施形態２及び３に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。
【図６−１】実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ａ〜Ｄ）。
【図６−２】実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｅ〜Ｆ）。
【図６−３】実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｇ）。
【図７】実施形態３に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である。
【図８】実施形態４に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。
【図９−１】実施形態４に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ａ〜Ｃ）。
【図９−２】実施形態４に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｄ〜Ｅ）。
【図９−３】実施形態４に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｆ〜Ｇ）。
【図９−４】実施形態４に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｈ）。
【図１０】実施形態５に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。
【図１１−１】実施形態５に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ａ〜Ｃ）。
【図１１−２】実施形態５に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｄ〜Ｅ）。
【図１１−３】実施形態５に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｆ〜Ｇ）。
【図１１−４】実施形態５に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｈ）。
【図１２】実施形態６に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。
【図１３−１】実施形態６に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ａ〜Ｃ）。
【図１３−２】実施形態６に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｄ〜Ｅ）。
【図１３−３】実施形態６に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｆ〜Ｇ）。
【図１３−４】実施形態６に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である（工程Ｈ）。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。また、以下の実施形態における各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。なお、本明細書中、第１のフレキシブル基材又は仮の支持基板の主面とは、第１のフレキシブル基材又は仮の支持基板の、第２のフレキシブル基材側の面のことを言う。また、第２のフレキシブル基材の主面とは、第２のフレキシブル基材の、第１のフレキシブル基材又は仮の支持基板側の面のことを言う。
【００１６】
［実施形態１］
実施形態１では、有機エレクトロルミネセンス素子上に形成される封止膜を、端子上にも形成し、剥離層として利用する。また、ガラス基板の主面上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成し、その後に、ガラス基板を剥離してフレキシブル基材に貼り変えるプロセスによって、フレキシブル表示装置を製造する。
【００１７】
図１は、実施形態１に係るフレキシブル表示装置の平面模式図である。図２は、実施形態１に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。図１及び図２に示すように、実施形態１に係るフレキシブル表示装置１ａにおいて、フレキシブル基材２ａ（第１のフレキシブル基材）の主面上の表示領域ＡＲ１には、配線５及び有機エレクトロルミネセンス素子６が配置され、フレキシブル基材２ａの主面上の端部領域ＡＲ２には、配線５から導出された複数の端子３が配置されている。フレキシブル基材２ａには、接着層４ｂ（第１の接着層）によってフレキシブル基材２ｂ（第２のフレキシブル基材）が貼り合わされている。
【００１８】
フレキシブル基材２ａの主面上には、接着層４ａ（第２の接着層）、ポリイミド層７及び保護膜８が順に積層されている。上述した表示領域ＡＲ１の配線５及び端部領域ＡＲ２の端子３は、保護膜８上に設けられている。また、有機エレクトロルミネセンス素子６は、配線５上に設けられている。表示領域ＡＲ１においては、更に、有機エレクトロルミネセンス素子６を覆う封止膜９ａ、９ｂ及び９ｃが配置されている。端部領域ＡＲ２においても、表示領域ＡＲ１近傍では端子３上に封止膜９ｂ’及び９ｃが積層されている。また、端部領域ＡＲ２の端子３が露出した部分には、異方性導電膜１０を介してフレキシブルプリント基板１１が積層されている。
【００１９】
有機エレクトロルミネセンス素子６について、図３を参照して説明する。図３は、有機エレクトロルミネセンス素子の断面模式図である。図３に示すように、有機エレクトロルミネセンス素子６は、電極１３ａ（第１の電極）、有機エレクトロルミネセンス層１４及び電極１３ｂ（第２の電極）から構成されている。電極１３ａは、配線５を覆う絶縁膜１２ａに設けられた開口部分を通じて、配線５と電気的に接続されている。電極１３ａ上に配置された有機エレクトロルミネセンス層１４の周囲にはエッジカバー１５が設けられており、電極１３ａの端部を覆っている。電極１３ｂは、有機エレクトロルミネセンス層１４及びエッジカバー１５を覆っている。
【００２０】
実施形態１に係るフレキシブル表示装置１ａは、電極１３ａが光透過性又は光半透過性を有する電極で、電極１３ｂが光反射性を有する電極である場合、配線５側から光出射するボトム・エミッション型となる。また、電極１３ａが光反射性を有する電極で、電極１３ｂが光透過性又は光半透過性を有する電極である場合、封止膜９ａ側から光出射するトップ・エミッション型となる。以下では、トップ・エミッション型の場合を説明する。
【００２１】
次に、図４−１〜４−５を参照して実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造方法を説明する。図４−１〜４−５は、実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である。
【００２２】
（Ａ）熱吸収層及びポリイミド層の形成
図４−１の（Ａ）に示すように、最初に、仮の支持基板であるガラス基板１６の主面上の表示領域ＡＲ１及び端部領域ＡＲ２に熱吸収層１７を形成する。熱吸収層１７としては、例えば、スパッタ方式によって、厚さが１０ｎｍ〜５０ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を形成する。次に、熱吸収層１７を覆うように、例えば、スピンコート法、スリットコーター法又はスクリーン印刷法によって、ポリイミドの前駆体からなる膜を形成する。
【００２３】
なお、ポリイミドの前駆体からなる膜を形成する前に、濡れ性及び接着性を改善する目的で、熱吸収層１７であるＭｏ膜の表面処理を行ってもよい。表面処理は、乾式で行われてもよく、湿式で行われてもよい。乾式の表面処理としては、減圧プラズマ処理、常圧プラズマ処理、ＵＶ（Ｕｌｔｒａ  ｖｉｏｌｅｔ：紫外線）処理等が挙げられる。湿式の表面処理としては、表面処理剤をガラス基板１６上に塗布する方法等が挙げられる。上記表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、又は、チタネート系カップリング剤等のカップリング剤を用いてもよい。特にシランカップリング剤が好適である。
【００２４】
ポリイミドの前駆体からなる膜を焼成することによりポリイミド層７を形成する。焼成温度は、後の工程で配線５、端子３等を形成する際の処理温度よりも高いことが好ましく、例えば、３５０℃〜５００℃とする。焼成温度を高くすることによって、ポリイミド層７から発生するガスによって生じる、フレキシブル表示装置の表示不良や特性劣化を防止できる。
【００２５】
ポリイミド層７の厚みは、５μｍ以上、５０μｍ以下が好ましい。ポリイミド層７の厚みが５μｍ未満であると、機械的な強度を確保することが困難である。ポリイミド層７の厚みが５０μｍを超えると、ポリイミド層７が剥離してしまう等の影響で、積層体を安定的に形成できないおそれがある。
【００２６】
（Ｂ）保護膜の形成
図４−１の（Ｂ）に示すように、ポリイミド層７を覆うように保護膜８を形成する。これは、後の工程で形成される有機エレクトロルミネセンス素子６が水分や酸素に弱い性質を有しており、ガラス基板１６側からの水分等の侵入を防止するためである。
【００２７】
保護膜８の材料としては、例えば、防湿性の高いシリコン（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）等の酸化物又は窒化物が挙げられる。上記酸化物としては、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が挙げられる。上記窒化物としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、窒化シリコンカーバイト（ＳｉＣＮ）が挙げられる。保護膜８の成膜方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学蒸着）方式、熱ＣＶＤ方式、スパッタ方式が挙げられる。防湿性を高めるために、保護膜８は、積層体であってもよい。
【００２８】
（Ｃ）配線及び端子の形成
図４−１の（Ｃ）に示すように、保護膜８上の表示領域ＡＲ１に配線５を形成し、保護膜８上の端部領域ＡＲ２に、配線５から導出された端子３を形成する。ここで、配線５及び端子３は、薄膜トランジスタ素子を構成する要素と同時に形成されてもよい。
【００２９】
なお、薄膜トランジスタ素子が設けられる場合、薄膜トランジスタ素子内の半導体層の材料としては、例えば、低温ポリシリコン、酸化物半導体が挙げられる。なかでも、酸化物半導体の一種である、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）が好適に用いられる。これは、通常、酸化物半導体の処理温度が、低温ポリシリコンの処理温度（通常、６００℃程度）よりも低い４００℃程度であり、半導体層よりも前に形成されるポリイミド層７の耐熱温度（通常、５００℃程度）よりも低くすることができるためである。
【００３０】
（Ｄ）有機エレクトロルミネセンス素子の形成
図４−１の（Ｄ）に示すように、配線５上に有機エレクトロルミネセンス素子６を形成する。有機エレクトロルミネセンス素子６は、図３に示すように、電極１３ａ、有機エレクトロルミネセンス層１４、及び、電極１３ｂ等を順に形成することで得られる。
【００３１】
電極１３ａとしては、例えば、導電性及び光反射性を有するアルミニウム（Ａｌ）等の金属を、真空蒸着方式等によって形成するものであってもよい。電極１３ｂとしては、例えば、導電性及び光透過性を有するインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等を、スパッタ方式等によって形成するものであってもよい。また、カラー化技術としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び、青色（Ｂ）を塗り分けるＲＧＢ塗り分け方式、又は、白色発光層及びカラーフィルタ層を併用する方式等であってもよい。
【００３２】
（Ｅ）封止膜の形成
図４−２の（Ｅ）に示すように、表示領域ＡＲ１において、有機エレクトロルミネセンス素子６を覆うように封止膜９ａを形成する。次に、表示領域ＡＲ１において、封止膜９ａ上に封止膜９ｂを形成し、端部領域ＡＲ２において、端子３及び保護膜８の一部を覆うように、剥離層としての封止膜９ｂ’を形成する。その後、表示領域ＡＲ１において、封止膜９ｂ及び配線５の一部を覆うように、端部領域ＡＲ２において、封止膜９ｂ’を覆うように、封止膜９ｃを形成する。なお、封止膜とは、有機エレクトロルミネセンス素子を覆うように形成される膜であり、水分等から有機エレクトロルミネセンス素子を保護する目的で形成されるものである。
【００３３】
封止膜９ａ、９ｃは無機膜であり、封止膜９ｂ、９ｂ’は同じ組成の有機膜である。上記に限らず、封止膜の構成としては、無機膜のみから構成される単層型、無機膜が積層された多層型、又は、無機膜及び有機膜が積層された多層型であってもよい。上記無機膜の材料としては、例えば、防湿性の高いシリコン（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）等の酸化物又は窒化物が挙げられる。上記酸化物としては、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が挙げられる。上記窒化物としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、窒化シリコンカーバイト（ＳｉＣＮ）が挙げられる。上記無機膜の成膜方法としては、プラズマＣＶＤ式、熱ＣＶＤ方式、真空蒸着方式、スパッタ方式等が挙げられる。上記有機膜の材料としては、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドが挙げられる。上記有機膜の成膜方法としては、真空蒸着方式が挙げられる。また、無機膜が積層された多層型の封止膜としては、例えば、ＳｉＮｘ／ＳｉＣＮ／ＳｉＮｘが挙げられる。無機膜及び有機膜が積層された多層型の封止膜としては、例えば、ＳｉＮｘ／アクリレート／ＳｉＮｘが挙げられる。
【００３４】
また、無機膜及び有機膜が積層された多層型の封止膜とする場合は、有機膜の防湿性が低いことから、図４−２の（Ｅ）に示すように、有機膜（封止膜９ｂ）の端面を、防湿性が高い無機膜（封止膜９ｃ）で覆うように形成することが好ましい。ここで、図４−２の（Ｅ）に示す構成において、有機膜（封止膜９ｂ）は、無機膜（封止膜９ａ）のピンホールを埋めたり、有機膜（封止膜９ｂ）の成膜前、成膜中に発生した異物を覆ったりする役割を果たす。そのため、有機膜（封止膜９ｂ）の膜厚は、３μｍ以上、５μｍ以下が好ましい。５μｍ程度あれば、通常のピンホールや異物を覆うことは可能である。
【００３５】
なお、封止膜９ｂ’は、後の工程で端子を取り出しやすくするために形成されたものであり、封止膜９ｂ’と端子３との界面における密着力は、封止膜９ｂ’が有機膜であれば、後の工程で配置されるフレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、接着層４ｂと封止膜９ｃとの界面、及び、封止膜９ｃと封止膜９ｂ’との界面における密着力よりも弱い。封止膜９ｂ’が無機膜であれば、下層をＳｉＣＮで構成すると上記のように密着性が弱くなる。通常は、有機膜の方が無機膜よりも密着力が低いが、無機膜の密着力は、成膜条件によって調整可能である。
【００３６】
封止膜９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃの形成方法としては、第１層目である封止膜９ａをマスクを用いて成膜し、第２層目である封止膜９ｂ、９ｂ’を、図４−２の（Ｅ）に示すような区切ったパターンになるように同じマスクを用いて同時に形成し、第３層目である封止膜９ｃを、封止膜９ｂを覆うように形成する。そのため、封止膜９ｂ’のみを形成するためのマスクを追加する必要がない。ここで、第２層目である封止膜９ｂ、９ｂ’を、図４−２の（Ｅ）に示すような区切ったパターンで形成するのは、もし、第２層目の封止膜（有機膜）を区切らずに一面に形成すると、第２層目の封止膜（有機膜）が、端子３以外に配線５の一部と接してしまうことになるため、後の工程で端子の取り出しを行う際、端子３の上層（端子３を覆う部分）を剥離すると、配線５の一部と接している第２層目の封止膜（有機膜）も剥離されてしまい、端子３以外の部分（配線５の一部）も露出してしまうおそれがあるためである。また、後の工程で端子の取り出しを行う際、端子３の上層は剥離されるため、図４−２の（Ｅ）に示すように、封止膜９ｃは、端部領域ＡＲ２で封止膜９ｂ’を覆うように形成されていてもよい。
【００３７】
封止膜９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃは、特性の劣化を充分に防止する観点から、有機エレクトロルミネセンス素子の温度を大幅に上昇させることのないように形成することが好ましい。例えば、有機エレクトロルミネセンス層１４の温度は、１００℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。なお、有機エレクトロルミネセンス層１４の温度は、室温に近い程より好ましいが、封止膜９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃとして、ＣＶＤで無機膜を成膜する場合には、膜の防湿性能が低下するため、有機エレクトロルミネセンス層の特性の劣化とトレードオフの関係になる。
【００３８】
（Ｆ）第２のフレキシブル基材の貼り合わせ
図４−２の（Ｆ）に示すように、接着層４ｂを介してフレキシブル基材２ｂをガラス基板１６に対向するように貼り合わせる。貼り合わせの際には、気泡の発生を防止するため、真空中で貼り合わせることが好ましい。フレキシブル基材２ｂとしては、アラミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、又は、ポリイミド等を材質とするフィルムを用いることが好ましい。接着層４ｂとしては、例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤を用いることができる。
【００３９】
なお、有機エレクトロルミネセンス素子６をトップ・エミッション型となるように形成する場合は、フレキシブル基材２ｂは、フレキシブルであるだけでなく、透明であることが好ましい。具体的には、例えば、透明なフィルム、透明なプラスチック基板が挙げられる。
【００４０】
フレキシブル基材２ｂの厚みは特に限定されないが、薄過ぎる場合（例えば、５μｍ以上、２０μｍ以下）は、後の工程でガラス基板１６を剥離する際に、フレキシブル基材２ｂがその他の部材を支持することができなくなり、封止膜９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃ、配線５、端子３、及び、保護膜８等の応力によって、ガラス基板１６の剥離後にしわが発生するおそれがある。よって、フレキシブル基材２ｂの厚みは、上述したようなしわが発生しないような厚みであることが好ましく、例えば、５０μｍ以上であることが好ましい。また、例えば、厚みが５μｍ程度の薄いフィルムに、厚みが１００μｍ程度の自己吸着層付きのフィルム（例えば、ポリエチレンテレフタレート）を貼り合わせたものを用いて、後の工程でガラス基板１６を剥離した後に、自己吸着層付きのフィルムを剥離すれば、薄いフィルムを用いたフレキシブル表示装置を製造することができ、フレキシブル表示装置の薄型化を図ることができる。
【００４１】
（Ｇ）貼り合わせ後の基板分断
図４−３の（Ｇ）に示す線分ａ−ａ’に沿ってフレキシブル基材２ｂ側から、フレキシブル基材２ｂ及び接着層４ｂを分断し、続いてガラス基板１６側から、残りの層及びガラス基板１６を分断する。ここで、線分ａ−ａ’で示した分断位置は、熱吸収層１７を横断し、配線５及び端子３を横断しない位置であればよく、これは、後の工程でガラス基板１６を剥離する方法として、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から剥離する方法を採用するためである。フレキシブル基材２ｂ側からの分断方法としては、特に限定されず、レーザーを用いる方法等が挙げられる。また、ガラス基板１６側からの分断方法としては、ガラス基板を分断する通常の方法を用いることができ、例えば、ダイヤモンドホイール等で切りかけを入れ、外力を加えることで切りかけ部から分断する方法が挙げられる。
【００４２】
（Ｈ）熱吸収層へのレーザー照射
図４−３の（Ｈ）中の矢印のように、分断されたガラス基板１６側からレーザーを照射する。これにより、熱吸収層１７が熱を吸収するため、熱吸収層１７とポリイミド層７との間の密着性が低下し、後の工程で、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から、ガラス基板１６及び熱吸収層１７をともに剥離することができる。ここで、レーザーとしては、例えば、紫外線を用いてもよく、エキシマレーザー光（例えば、波長３０８ｎｍ）を用いることが好ましい。なお、レーザー照射前後での薄膜トランジスタ素子の特性に変化はない。
【００４３】
（Ｉ）ガラス基板の剥離
図４−４の（Ｉ）に示すように、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から、ガラス基板１６及び熱吸収層１７をともに剥離する。ここで、剥離方法としては、例えば、人が引き剥がしてもよいし、駆動ロール又はロボット等の装置により引き剥がしてもよい。
【００４４】
上述した熱吸収層へのレーザー照射の際、フレキシブル基材２ｂが存在しない状態でレーザー照射を行うと、封止膜９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃ、配線５、端子３及び保護膜８等を支持できず、それらの応力によってガラス基板１６の剥離後にしわが発生するおそれがある。そのため、ガラス基板１６を剥離する際は、端子３の上層（端子３を覆う部分）にもフレキシブル基材２ｂ及び接着層４ｂを設けている。仮に、端子の取り出しを行わないようにするために、フレキシブル基材２ｂ及び接着層４ｂを、端子３の上層以外の部分に選択的に貼り合わせた場合、ガラス基板１６を剥離する際に、上述したようなしわが発生するおそれがある。
【００４５】
また、本実施形態では、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から剥離する方法を採用しているが、上記特許文献１に開示された剥離方法を用いてもよい。すなわち、ガラス基板１６の主面上に金属膜を形成し、その金属膜上にその金属を含有する酸化物層を形成し、加熱処理を行うことにより酸化物層を結晶化させ、酸化物層の層内、又は、酸化物層と金属膜との界面から剥離する方法を用いてもよい。
【００４６】
（Ｊ）第１のフレキシブル基材の貼り合わせ
図４−４の（Ｊ）に示すように、接着層４ａを介してフレキシブル基材２ａをフレキシブル基材２ｂに対向するように貼り合わせる。貼り合わせの際には、気泡の発生を防止するため、真空中で貼り合わせることが好ましい。フレキシブル基材２ａとしては、アラミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、又は、ポリイミド等を材質とするフィルムを用いることが好ましい。また、透明プラスチック基板等の透明なフレキシブル基材を用いてもよい。また、接着層４ａとしては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等を用いることができる。また、フレキシブル基材２ａ及び接着層４ａとしては、各々、フレキシブル基材２ｂ及び接着層４ｂと同じ材質のものを用いることが好ましい。これは、フレキシブル表示装置として完成した状態で、応力等で湾曲しないためである。
【００４７】
（Ｋ）端子の取り出し
図４−５の（Ｋ）に示す線分ｂ−ｂ’に沿ってフレキシブル基材２ｂ側から、フレキシブル基材２ｂ、接着層４ｂ、及び封止膜９ｃを分断し、更に封止膜９ｂ’に切り込みを入れる。分断方法としては、レーザー照射が好適である。ここで、レーザーは、上述した貼り合わせ後の基板分断の際に用いたレーザーと同じものを用いることができる。
【００４８】
次に、分断された封止膜９ｂ’の端部領域ＡＲ２側の部分を剥離する。これは、封止膜９ｂ’と端子３との界面における密着力が、上述したように、フレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、接着層４ｂと封止膜９ｃとの界面、及び、封止膜９ｃと封止膜９ｂ’との界面における密着力よりも弱いために、封止膜９ｂ’に切り込みが入れば、剥離することができるためである。
【００４９】
また、線分ｂ−ｂ’で示した分断位置の終端ｂ’の位置は、図４−５の（Ｋ）中の横方向では、端部領域ＡＲ２内の表示領域ＡＲ１近傍にあり、図４−５の（Ｋ）中の縦方向では、封止膜９ｂ’と端子３との界面に到達しない深さにある。ここで、分断位置の終端ｂ’は、封止膜９ｂ’の端子３上の厚みの５０％以上、９０％以下が分断される位置（深さ）であることが好ましい。なお、封止膜９ｂ’が分断される深さが深いほど、分断された封止膜９ｂ’の一部をより容易に剥離することができる。封止膜９ｂ’が分断される深さが、封止膜９ｂ’の端子３上の厚みの５０％未満であると、剥離が困難になるおそれがあり、封止膜９ｂ’の端子３上の厚みの９０％を超える場合は、分断時に端子３に損傷を与えるおそれがある。
【００５０】
次に、分断されたフレキシブル基材２ｂ、接着層４ｂ、封止膜９ｃ及び封止膜９ｂ’の端部領域ＡＲ２側の部分を除去することにより、端子３を露出させる。端子の取り出しは、ガラス基板１６を剥離する前に行う方が、後述するフレキシブルプリント基板１１の圧着を行いやすくなるが、仮に、端子３の上層にフレキシブル基材２ｂ及び接着層４ｂ等が存在しない状態で、上述した熱吸収層へのレーザー照射を行うと、フレキシブル基材２ｂが端子３を支持できず、封止膜９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃ、配線５、端子３及び保護膜８等の応力によって、ガラス基板１６の剥離後にしわが発生するおそれがある。
【００５１】
以上より、端子３に損傷を与えることなく端子３の取り出しを行うことができる。また、乾式の方法により端子の取り出しを行うため、有機エレクトロルミネセンス素子６の特性の劣化を充分に防止することができる。
【００５２】
上述のようにして端子３の取り出しを行った後、露出した端子３に異方性導電膜１０を用いて、フレキシブルプリント基板１１を圧着し、図２に示すフレキシブル表示装置１ａが完成する。
【００５３】
ここで、フレキシブル表示装置１ａには、フレキシブルプリント基板１１近傍に、上述した端子の取り出しの際に分断された封止膜９ｂ’が残っている。これによって、本実施形態の製法を用いたことが、製造後の状態においても確認可能である。
【００５４】
以下に、封止膜９ｂ’が残る理由を示す。マスクを用いて封止膜９ｂ’（有機膜）を成膜する際のボケ量（設計上の成膜幅と実際の成膜幅との差）等を考慮すると、分断された封止膜９ｂ’が残らないように封止膜９ｂ’の端部とまったく同じ位置で分断することは困難である。通常、蒸着方式を用いた場合は上記ボケ量が大きく、また、ＣＶＤ方式を用いた場合も装置のチャンバーによって上記ボケ量が大きく変わるため、封止膜９ｂ’の端部の膜厚は、設計上の狙い値と異なる場合もある。よって、製造効率を上げるために封止膜９ｂ’の膜厚が安定した位置で分断しようとすると、分断位置等の調整がその都度生じてしまう。更に、分断装置の分断精度等も考慮すると、封止膜９ｂ’の端部で分断することは困難である。よって、フレキシブル表示装置１ａには、封止膜９ｂ’が残ってしまうことになる。
【００５５】
［実施形態２］
実施形態２では、有機エレクトロルミネセンス素子上に形成される封止膜を、端子上にも形成し、剥離層として利用する。また、ガラス基板の主面上にフレキシブル基材を貼り合わせ、更に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成し、その後に、ガラス基板を剥離するプロセスによって、フレキシブル表示装置を製造する。
【００５６】
実施形態２に係るフレキシブル表示装置の平面における構成は、実施形態１と同様であり、その平面模式図は図１に示した通りである。図５は、実施形態２に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。図５に示すように、実施形態２に係るフレキシブル表示装置１ｂは、接着層４ａ及びポリイミド層７が、フレキシブル基材２ａと保護膜８との間に存在しないこと以外、実施形態１に係るフレキシブル表示装置１ａと同様である。図５に示すように、フレキシブル基材２ａの主面上には保護膜８が配置されている。
【００５７】
次に、図６−１〜６−３を参照して実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造方法を説明する。図６−１〜６−３は、実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である。
【００５８】
実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造方法は、ガラス基板、熱吸収層及びポリイミド層を一体化したものを、ガラス基板の主面上にフレキシブル基材を貼り合わせたものに置換したこと以外は、実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造方法と同様であるため、重複する点については適宜説明を省略する。
【００５９】
（Ａ）ガラス基板とフレキシブル基材の貼り合わせ、及び、保護膜の形成
図６−１の（Ａ）に示すように、仮の支持基板であるガラス基板１６の主面上に、後工程で剥離可能な樹脂剥離層等を用いて、フレキシブル基材２ａを貼り合わせる。樹脂剥離層としては、ＵＶ硬化型や熱硬化型のものが知られている。樹脂剥離層の材質としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。また、樹脂の耐熱性（４００℃程度）のため、薄膜トランジスタ素子作製時の温度も合わせて低くする必要がある。次に、フレキシブル基材２ａの主面上の表示領域ＡＲ１及び端部領域ＡＲ２に保護膜８を形成する。
【００６０】
（Ｂ）配線及び端子の形成
図６−１の（Ｂ）に示すように、保護膜８上の表示領域ＡＲ１に配線５を形成し、保護膜８上の端部領域ＡＲ２に、配線５から導出された端子３を形成する。
【００６１】
（Ｃ）有機エレクトロルミネセンス素子の形成
図６−１の（Ｃ）に示すように、配線５上に有機エレクトロルミネセンス素子６を形成する。
【００６２】
（Ｄ）封止膜の形成
図６−１の（Ｄ）に示すように、表示領域ＡＲ１には、有機エレクトロルミネセンス素子６を覆うように封止膜９ａを形成する。次に、表示領域ＡＲ１において、封止膜９ａ上に封止膜９ｂを形成し、端部領域ＡＲ２において、端子３及び保護膜８の一部を覆うように、剥離層としての封止膜９ｂ’を形成する。その後、表示領域ＡＲ１では、封止膜９ｂ及び配線５の一部を覆い、端部領域ＡＲ２では、封止膜９ｂ’を覆うように、封止膜９ｃを形成する。
【００６３】
封止膜９ａ、９ｃは無機膜であり、封止膜９ｂ、９ｂ’は同じ組成の有機膜である。封止膜９ｂ’は、後の工程で端子の取り出しやすくするために形成されたものであり、封止膜９ｂ’と端子３との界面における密着力は、封止膜９ｂ’が有機膜であれば、後の工程で配置されるフレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、接着層４ｂと封止膜９ｃとの界面、及び、封止膜９ｃと封止膜９ｂ’との界面における密着力よりも弱い。封止膜９ｂ’が無機膜であれば、下層をＳｉＣＮで構成すると上記のように密着性が弱くなる。ここで、封止膜９ｂ’は、上述したような密着力の関係を満たすものであれば、無機膜であってもよい。
【００６４】
（Ｅ）第２のフレキシブル基材の貼り合わせ
図６−２の（Ｅ）に示すように、接着層４ｂを介してフレキシブル基材２ｂをガラス基板１６に対向するように貼り合わせる。
【００６５】
（Ｆ）ガラス基板の剥離
図６−２の（Ｆ）に示すように、フレキシブル基材２ａと樹脂剥離層との界面から、ガラス基板１６を物理的に剥離する。このため、樹脂剥離層はガラス基板１６側に残り、フレキシブル基材２ａ側にはない。実施形態２においては、樹脂剥離層が用いられているため、実施形態１とは異なり、ガラス基板１６を剥離するためのレーザー照射（熱吸収層へのレーザー照射）等を行わなくてもよい。
【００６６】
（Ｇ）端子の取り出し
図６−３の（Ｇ）に示すように、レーザー等を用いて、線分ｂ−ｂ’に沿ってフレキシブル基材２ｂ側からフレキシブル基材２ｂ、接着層４ｂ、及び封止膜９ｃを分断し、更に封止膜９ｂ’に切り込みを入れる。
【００６７】
次に、分断された封止膜９ｂ’の端部領域ＡＲ２側の部分を剥離する。これは、封止膜９ｂ’と端子３との界面における密着力が、上述したように、フレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、接着層４ｂと封止膜９ｃとの界面、及び、封止膜９ｃと封止膜９ｂ’との界面における密着力よりも弱いために、封止膜９ｂ’に切り込みが入れば、剥離することができるためである。
【００６８】
また、線分ｂ−ｂ’で示した分断位置の終端ｂ’の位置は、図６−３の（Ｇ）中の横方向では、端部領域ＡＲ２内の表示領域ＡＲ１近傍にあり、図６−３の（Ｇ）中の縦方向では、封止膜９ｂ’と端子３との界面に到達しない深さにある。
【００６９】
次に、分断されたフレキシブル基材２ｂ、接着層４ｂ、封止膜９ｃ及び封止膜９ｂ’の端部領域ＡＲ２の部分を除去することにより、端子３を露出させる。また、図６−３の（Ｇ）の状態から図５の状態の間に、端部領域ＡＲ２のフレキシブル基材２ａ及び保護膜８の一部が、パネル分断ラインでレーザーカットされる。
【００７０】
以上より、端子３に損傷を与えることなく端子３の取り出しを行うことができる。また、乾式の方法により端子３の取り出しを行うため、有機エレクトロルミネセンス素子６の特性の劣化を充分に防止することができる。
【００７１】
上述のようにして端子３の取り出しを行った後、露出した端子３に異方性導電膜１０を用いて、フレキシブルプリント基板１１を圧着し、図５に示すフレキシブル表示装置１ｂが完成する。
【００７２】
ここで、フレキシブル表示装置１ｂには、フレキシブルプリント基板１１近傍に、上述した端子の取り出しの際に分断された封止膜９ｂ’が残っている。これによって、本実施形態２の製法を用いたことが、製造後の状態においても確認可能である。
【００７３】
また、実施形態２の製造工程数は、実施形態１の製造工程数よりも少なく、実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造方法によれば、製造効率を高めることができる。
【００７４】
［実施形態３］
実施形態３に係るフレキシブル表示装置の製造方法は、ガラス基板、熱吸収層及びポリイミド層を一体化したものを、フレキシブル基材に置換したこと以外は、実施形態１に係るフレキシブル表示装置の製造方法と同様であるため、重複する点については適宜説明を省略する。
【００７５】
実施形態３に係るフレキシブル表示装置の平面における構成は、実施形態１と同様であり、その平面模式図は図１に示した通りである。また、実施形態３に係るフレキシブル表示装置の断面における構成は、実施形態２と同様であり、その断面模式図は図５に示した通りである。
【００７６】
図７を参照して実施形態３に係るフレキシブル表示装置の製造方法を説明する。図７は、実施形態３に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である。
【００７７】
（Ａ）保護膜の形成
図７の（Ａ）に示すように、フレキシブル基材２ａの主面上の表示領域ＡＲ１及び端部領域ＡＲ２に、保護膜８を形成する。
【００７８】
（Ｂ）配線及び端子の形成
図７の（Ｂ）に示すように、保護膜８上の表示領域ＡＲ１に配線５を形成し、保護膜８上の端部領域ＡＲ２に、配線５から導出された端子３を形成する。
【００７９】
（Ｃ）有機エレクトロルミネセンス素子の形成
図７の（Ｃ）に示すように、配線５上に有機エレクトロルミネセンス素子６を形成する。
【００８０】
（Ｄ）封止膜の形成
図７の（Ｄ）に示すように、表示領域ＡＲ１には、有機エレクトロルミネセンス素子６を覆うように封止膜９ａを形成する。次に、表示領域ＡＲ１において、封止膜９ａ上に封止膜９ｂを形成し、端部領域ＡＲ２において、端子３及び保護膜８の一部を覆うように、剥離層としての封止膜９ｂ’を形成する。その後、表示領域ＡＲ１では、封止膜９ｂ及び配線５の一部を覆い、端部領域ＡＲ２では、封止膜９ｂ’を覆うように、封止膜９ｃを形成する。
【００８１】
封止膜９ａ、９ｃは無機膜であり、封止膜９ｂ、９ｂ’は同じ組成の有機膜である。封止膜９ｂ’は、後の工程で好適に端子の取り出しを行うために形成されたものであり、封止膜９ｂ’と端子３との界面における密着力は、封止膜９ｂ’が有機膜であれば、後の工程で配置されるフレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、接着層４ｂと封止膜９ｃとの界面、及び、封止膜９ｃと封止膜９ｂ’との界面における密着力よりも弱い。封止膜９ｂ’が無機膜であれば、下層をＳｉＣＮで構成すると上記のように密着性が弱くなる。
【００８２】
（Ｅ）第２のフレキシブル基材の貼り合わせ
図７の（Ｅ）に示すように、接着層４ｂを介してフレキシブル基材２ｂをフレキシブル基材２ａに対向するように貼り合わせる。
【００８３】
（Ｆ）端子の取り出し
本実施形態において、端子の取り出しは、実施形態２と同様にして行うことができる。以上より、端子３に損傷を与えることなく端子３の取り出しを行うことができる。また、乾式の方法により端子３の取り出しを行うため、有機エレクトロルミネセンス素子６の特性の劣化を充分に防止することができる。
【００８４】
上述のようにして端子３の取り出しを行った後、露出した端子３に異方性導電膜１０を用いて、フレキシブルプリント基板１１を圧着し、図５に示すようなフレキシブル表示装置１ｂが完成する。
【００８５】
また、実施形態３の製造工程数は、実施形態１及び２の製造工程数よりも少なく、実施形態３に係るフレキシブル表示装置の製造方法によれば、製造効率を高めることができる。
【００８６】
［実施形態４］
実施形態４では、有機エレクトロルミネセンス素子の有機エレクトロルミネセンス層を、端子上にも形成し、剥離層として利用する。また、ガラス基板の主面上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成し、その後に、ガラス基板を剥離してフレキシブル基材に貼り変えるプロセスによって、フレキシブル表示装置を製造する。
【００８７】
実施形態４に係るフレキシブル表示装置の平面における構成は、実施形態１と同様であり、その平面模式図は図１に示した通りである。図８は、実施形態４に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。図８に示すように、実施形態４に係るフレキシブル表示装置１ｃは、封止膜９ｃの形状、及び、封止膜９ｂ’に代えて有機エレクトロルミネセンス層１４’を用いたこと以外は、実施形態１に係るフレキシブル表示装置１ａと同様であるため、重複する点については適宜説明を省略する。
【００８８】
図８に示すように、フレキシブル基材２ａの主面上には、接着層４ａ、ポリイミド層７及び保護膜８が順に積層されている。保護膜８上の表示領域ＡＲ１には、配線５が配置され、保護膜８上の端部領域ＡＲ２には、配線５から導出された端子３が配置されている。表示領域ＡＲ１には、配線５上に、有機エレクトロルミネセンス層１４を含む有機エレクトロルミネセンス素子６が設けられ、有機エレクトロルミネセンス素子６を覆う封止膜９ａ、９ｂ及び９ｃが設けられている。端部領域ＡＲ２においても、表示領域ＡＲ１近傍では端子３上に有機エレクトロルミネセンス層１４’が積層されている。また、端子３の露出した部分には、異方性導電膜１０を介してフレキシブルプリント基板１１が積層されている。
【００８９】
次に、図９−１〜９−４を参照して実施形態４に係るフレキシブル表示装置の製造方法を説明する。図９−１〜９−４は、実施形態４に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である。
【００９０】
実施形態４に係るフレキシブル表示装置の製造方法は、封止膜９ｃの形状、及び、封止膜９ｂ’の代わりに有機エレクトロルミネセンス層１４’を形成すること以外は、実施形態１と同様であるため、重複する点については適宜説明を省略する。
【００９１】
本実施形態において、熱吸収層、ポリイミド層、保護膜、配線及び端子の形成は、それぞれ実施形態１と同様であるため、重複する点については説明を省略する。
【００９２】
（Ａ）有機エレクトロルミネセンス素子の形成
図９−１の（Ａ）に示すように、表示領域ＡＲ１には、配線５上に有機エレクトロルミネセンス素子６を形成し、端部領域ＡＲ２には、端子３及び保護膜８の一部を覆うように、剥離層としての有機エレクトロルミネセンス層１４’を形成する。
【００９３】
有機エレクトロルミネセンス素子６は、図３を参照して既に説明したとおりの構造を有する。有機エレクトロルミネセンス素子６が備える有機エレクトロルミネセンス層１４は、発光層のみで構成される単層型であってもよいし、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロッキング層、電子ブロッキング層等が積層された多層型であってもよい。正孔注入層と正孔輸送層を一体化した正孔注入層兼正孔輸送層や、電子輸送層と電子注入層を一体化した電子注入層兼電子輸送層のように、２以上の機能を有する層を含んでもよい。
【００９４】
有機エレクトロルミネセンス層１４の層構成としては、例えば、下記（ａ）〜（ｅ）に示すものが挙げられる。
（ａ）発光層
（ｂ）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層
（ｃ）正孔注入層兼正孔輸送層／発光層／電子注入層兼電子輸送層
（ｄ）正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層
（ｅ）正孔注入層兼正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子注入層兼電子輸送層
【００９５】
有機エレクトロルミネセンス層１４’は、有機エレクトロルミネセンス層１４に含まれる層の少なくとも１つと同時に形成されたものであり、同じ組成を有する。有機エレクトロルミネセンス層１４’は、後の工程で好適に端子の取り出しを行うために形成されたものであり、有機エレクトロルミネセンス層１４’と端子３との界面における密着力は、後の工程で配置されるフレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、及び、接着層４ｂと有機エレクトロルミネセンス層１４’との界面における密着力よりも弱い。
【００９６】
有機エレクトロルミネセンス層１４及び１４’は、図９−１に示すように互いに分離して配置されているが、同じマスクを用いて同時に形成できる。そのため、有機エレクトロルミネセンス層１４’のみを形成するためのマスクを追加する必要がない。ここで、有機エレクトロルミネセンス層１４及び１４’を分離するのは、仮に、有機エレクトロルミネセンス層を分離せずに一面に形成すると、後の工程で端子の取り出しを行う際、端子３を覆う端部領域ＡＲ２の上層を剥離すると、表示領域ＡＲ１の有機エレクトロルミネセンス層まで剥離されてしまい、端子３以外の部分（配線５の一部）も露出してしまうおそれがあるためである。
【００９７】
（Ｂ）封止膜の形成
図９−１の（Ｂ）に示すように、表示領域ＡＲ１には、有機エレクトロルミネセンス素子６を覆うように封止膜９ａを形成する。次に、表示領域ＡＲ１において、封止膜９ａ上に封止膜９ｂを形成する。その後、封止膜９ｂ及び配線５の一部を覆うように封止膜９ｃを形成する。ここで、封止膜９ａ、９ｃは無機膜であり、封止膜９ｂは有機膜である。
【００９８】
封止膜９ａ、９ｂ、９ｃの形成方法としては、第１層目である封止膜９ａをマスクを用いて成膜し、第２層目である封止膜９ｂを、封止膜９ａを形成する際と同じマスクを用いて形成し、第３層目である封止膜９ｃを、封止膜９ｂを覆うように形成する。そのため、実施形態４に係る封止膜の形成で用いるマスクの枚数を、実施形態１に係る封止膜の形成で用いるマスクの枚数よりも、１枚減らすことができる。
【００９９】
（Ｃ）第２のフレキシブル基材の貼り合わせ
図９−１の（Ｃ）に示すように、接着層４ｂを介してフレキシブル基材２ｂをガラス基板１６に対向するように貼り合わせる。
【０１００】
（Ｄ）貼り合わせ後の基板分断
図９−２の（Ｄ）に示すように、線分ａ−ａ’に沿って、フレキシブル基材２ｂ及び接着層４ｂを、フレキシブル基材２ｂ側からレーザー等を用いて分断し、続いてガラス基板１６側から、残りの層及びガラス基板１６を分断する。ここで、線分ａ−ａ’で示した分断位置は、熱吸収層１７を横断し、配線５及び端子３を横断しない位置であればよく、これは、後の工程でガラス基板１６を剥離する方法として、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から剥離する方法を採用するためである。
【０１０１】
（Ｅ）熱吸収層へのレーザー照射
図９−２の（Ｅ）中の矢印のように、分断されたガラス基板１６側からレーザーを照射する。これにより、熱吸収層１７が熱を吸収するため、熱吸収層１７とポリイミド層７との間の密着性が低下し、後の工程で、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から、ガラス基板１６及び熱吸収層１７をともに剥離することができる。
【０１０２】
（Ｆ）ガラス基板の剥離
図９−３の（Ｆ）に示すように、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から、ガラス基板１６及び熱吸収層１７をともに剥離する。
【０１０３】
（Ｇ）第１のフレキシブル基材の貼り合わせ
図９−３の（Ｇ）に示すように、接着層４ａを介してフレキシブル基材２ａをフレキシブル基材２ｂに対向するように貼り合わせる。
【０１０４】
（Ｈ）端子の取り出し
図９−４の（Ｈ）に示す線分ｂ−ｂ’に沿ってフレキシブル基材２ｂ側から、フレキシブル基材２ｂ及び接着層４ｂを分断し、更に有機エレクトロルミネセンス層１４’に切り込みを入れる。分断方法としては、レーザー照射が好適である。ここで、レーザーは、上述した貼り合わせ後の基板分断で用いたレーザーと同じものを用いることができる。
【０１０５】
次に、分断された有機エレクトロルミネセンス層１４’の端部領域ＡＲ２側の部分を剥離する。これは、有機エレクトロルミネセンス層１４’と端子３との界面における密着力が、上述したように、フレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、及び、接着層４ｂと有機エレクトロルミネセンス層１４’との界面における密着力よりも弱いために、有機エレクトロルミネセンス層１４’に切り込みが入れば、剥離することができるためである。
【０１０６】
また、線分ｂ−ｂ’で示した分断位置の終端ｂ’の位置は、図９−４の（Ｈ）中の横方向では、端部領域ＡＲ２内の表示領域ＡＲ１近傍にあり、図９−４の（Ｈ）中の縦方向では、有機エレクトロルミネセンス層１４’と端子３との界面に到達しない深さにある。ここで、分断位置の終端ｂ’は、有機エレクトロルミネセンス層１４’の端子３上の厚みの５０％以上、９０％以下が分断される位置（深さ）であることが好ましい。なお、有機エレクトロルミネセンス層１４’が分断される深さが深いほど、分断された有機エレクトロルミネセンス層１４’の一部をより容易に剥離することができる。有機エレクトロルミネセンス層１４’が分断される深さが、有機エレクトロルミネセンス層１４’の端子３上の厚みの５０％未満であると、剥離が困難になるおそれがあり、有機エレクトロルミネセンス層１４’の端子３上の厚みの９０％を超える場合は、有機エレクトロルミネセンス層１４’の厚みが、通常、２００ｎｍ以上、４００ｎｍ以下程度と薄いため、分断時に端子３に損傷を与えるおそれがある。
【０１０７】
次に、分断されたフレキシブル基材２ｂ、接着層４ｂ及び有機エレクトロルミネセンス層１４’の端部領域ＡＲ２側の部分を除去することにより、端子３を露出させる。
【０１０８】
以上より、端子３に損傷を与えることなく端子３の取り出しを行うことができる。また、乾式の方法により端子の取り出しを行うため、有機エレクトロルミネセンス素子６の特性の劣化を充分に防止することができる。
【０１０９】
上述のようにして端子３の取り出しを行った後、露出した端子３に異方性導電膜１０を用いて、フレキシブルプリント基板１１を圧着し、図８に示すようなフレキシブル表示装置１ｃが完成する。
【０１１０】
ここで、フレキシブル表示装置１ｃには、フレキシブルプリント基板１１近傍に、上述した端子の取り出しにて分断された有機エレクトロルミネセンス層１４’が残っている。これによって、本実施形態の製法を用いたことが、製造後の状態においても確認可能である。
【０１１１】
以下に、有機エレクトロルミネセンス層１４’が残る理由を示す。マスクを用いて有機エレクトロルミネセンス層１４’を蒸着する際のボケ量等を考慮すると、分断された有機エレクトロルミネセンス層１４’が残らないように有機エレクトロルミネセンス層１４’の端部とまったく同じ位置で分断することは困難である。通常、蒸着方式を用いた場合はボケ量が大きいため、有機エレクトロルミネセンス層１４’の端部の膜厚は、設計上の狙い値と異なる場合もある。よって、製造効率を上げるために、有機エレクトロルミネセンス層１４’の膜厚が安定した位置で分断しようとすると、分断位置等の調整がその都度生じてしまう。更に、分断装置の分断精度等も考慮すると、有機エレクトロルミネセンス層１４’の端部で分断することは困難である。よって、フレキシブル表示装置１ｃには、有機エレクトロルミネセンス層１４’が残ってしまうことになる。
【０１１２】
本実施形態では、ガラス基板の主面上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成し、その後に、ガラス基板を剥離してフレキシブル基材に貼り変えるプロセスを採用しているが、本実施形態の変形例として、ガラス基板の主面上にフレキシブル基材を貼り合わせたものの上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成し、後の工程でガラス基板を剥離するプロセスを採用する場合が挙げられる。この場合は、封止膜９ｃの形状、及び、封止膜９ｂ’の代わりに有機エレクトロルミネセンス層１４’を形成すること以外は、実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造方法と同様である。
【０１１３】
また、本実施形態の他の変形例として、フレキシブル基材の主面上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成するプロセスを採用する場合が挙げられる。この場合は、封止膜９ｃの形状、及び、封止膜９ｂ’の代わりに有機エレクトロルミネセンス層１４’を形成すること以外は、実施形態３に係るフレキシブル表示装置の製造方法と同様である。
【０１１４】
［実施形態５］
実施形態５では、剥離層として自己吸着層を有するフィルムを利用する。また、ガラス基板の主面上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成し、その後に、ガラス基板を剥離してフレキシブル基材に貼り変えるプロセスによって、フレキシブル表示装置を製造する。
【０１１５】
実施形態５に係るフレキシブル表示装置の平面における構成は、実施形態１と同様であり、その平面模式図は図１に示した通りである。図１０は、実施形態５に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。図１０に示すように、実施形態５に係るフレキシブル表示装置１ｄは、封止膜９ｃの形状、及び、封止膜９ｂ’に代えて自己吸着層１９を有するフィルム１８を用いたこと以外は、実施形態１に係るフレキシブル表示装置１ａと同様であるため、重複する点については適宜説明を省略する。
【０１１６】
図１０に示すように、フレキシブル基材２ａの主面上には、接着層４ａ、ポリイミド層７及び保護膜８が順に積層されている。保護膜８上の表示領域ＡＲ１には、配線５が配置され、保護膜８上の端部領域ＡＲ２には、配線５から導出された端子３が配置されている。表示領域ＡＲ１には、配線５上に、有機エレクトロルミネセンス素子６が設けられ、有機エレクトロルミネセンス素子６を覆う封止膜９ａ、９ｂ及び９ｃが設けられている。端部領域ＡＲ２においても、表示領域ＡＲ１近傍では端子３上に自己吸着層１９及びフィルム１８が積層されている。また、端子３の露出した部分には、異方性導電膜１０を介してフレキシブルプリント基板１１が積層されている。
【０１１７】
次に、図１１−１〜１１−４を参照して実施形態５に係るフレキシブル表示装置の製造方法を説明する。図１１−１〜１１−４は、実施形態５に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である。
【０１１８】
実施形態５に係るフレキシブル表示装置の製造方法は、封止膜９ｃの形状、及び、封止膜９ｂ’の代わりに自己吸着層１９を有するフィルム１８を用いること以外は、実施形態１と同様であるため、重複する点については適宜説明を省略する。
【０１１９】
本実施形態において、熱吸収層・ポリイミド層、保護膜、配線・端子、及び、有機エレクトロルミネセンス素子の形成は、それぞれ実施形態１と同様であるため、重複する点については説明を省略する。
【０１２０】
（Ａ）封止膜の形成
図１１−１の（Ａ）に示すように、表示領域ＡＲ１には、有機エレクトロルミネセンス素子６を覆うように封止膜９ａを形成する。次に、表示領域ＡＲ１には、封止膜９ａ上に封止膜９ｂを形成し、封止膜９ｂ及び配線５の一部を覆うように封止膜９ｃを形成する。ここで、封止膜９ａ、９ｃは無機膜であり、封止膜９ｂは有機膜である。
【０１２１】
封止膜９ａ、９ｂ、９ｃの形成方法としては、第１層目である封止膜９ａをマスクを用いて成膜し、第２層目である封止膜９ｂを、封止膜９ａを形成する際と同じマスクを用いて形成し、第３層目である封止膜９ｃを、封止膜９ｂを覆うように形成する。そのため、実施形態５に係る封止膜の形成で用いるマスクの枚数を、実施形態１に係る封止膜の形成で用いるマスクの枚数よりも、１枚減らすことができる。
【０１２２】
（Ｂ）フィルムの貼り合わせ
図１１−１の（Ｂ）に示すように、端部領域ＡＲ２には、端子３及び保護膜８の一部を覆うように、剥離層としての自己吸着層１９を有するフィルム１８を貼り合わせる。ここで、フィルム１８を接着剤等を用いて貼り合わせてもよいが、自己吸着層１９を有するフィルム１８を用いると、後の工程でフィルム１８及び自己吸着層１９をともに剥離する際、端子３に接着剤等が付着しないため、端子の取り出しを好適に行うことができる。フィルム１８の材質としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。また、自己吸着層１９としては、例えば、フィルム１８に表面加工が施されて形成された層、オレフィン系の粘着層、ＵＶ照射によって密着力が下がる樹脂の層が挙げられる。
【０１２３】
自己吸着層１９を有するフィルム１８は、後の工程で好適に端子の取り出しを行うために形成されたものであり、自己吸着層１９と端子３との界面における密着力は、フレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、及び、接着層４ｂとフィルム１８との界面における密着力よりも弱い。もし、自己吸着層１９と端子３との界面における密着力が、フレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、及び、接着層４ｂとフィルム１８との界面における密着力よりも強い場合は、後の工程で自己吸着層１９を有するフィルム１８を剥離する際に、端子３に損傷を与える、又は、剥離残りが発生し、剥離剤等でその剥離残りを除去する必要が生じてしまう。
【０１２４】
なお、本実施形態では、フィルムの貼り合わせを封止膜の形成後に行っているが、その理由は、ＣＶＤ方式、蒸着方式等によれば真空中で封止膜を成膜するので、フィルム１８から発生するガスが原因で、有機エレクトロルミネセンス素子６の特性の劣化を引き起こすおそれがあるためである。真空中でも有機エレクトロルミネセンス素子６の特性に影響を与えないようなフィルム１８を用いる場合は、本実施形態におけるフィルム貼り合わせを封止膜の形成前に行ってもよい。
【０１２５】
また、本実施形態におけるフレキシブル表示装置の製造工程数は、フィルムの貼り合わせの工程が存在するため、実施形態１よりも増えてしまうが、有機エレクトロルミネセンス素子６及び封止膜９ａ、９ｂ、９ｃ等は、通常の有機エレクトロルミネセンス表示装置と同様なパターンとし、マスクを共用することができるため、新たなマスクを追加しなくてもよい。
【０１２６】
（Ｃ）第２のフレキシブル基材の貼り合わせ
図１１−１の（Ｃ）に示すように、接着層４ｂを介してフレキシブル基材２ｂをガラス基板１６に対向するように貼り合わせる。
【０１２７】
（Ｄ）貼り合わせ後の基板分断
図１１−２の（Ｄ）に示す線分ａ−ａ’に沿ってフレキシブル基材２ｂ側から、フレキシブル基材２ｂ、接着層４ｂ、フィルム１８及び自己吸着層１９を、レーザー等を用いて分断し、続いてガラス基板１６側から、残りの層及びガラス基板１６を分断する。ここで、線分ａ−ａ’で示した分断位置は、熱吸収層１７を横断し、配線５及び端子３を横断しない位置であればよく、これは、後の工程でガラス基板１６を剥離する方法として、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から剥離する方法を採用するためである。
【０１２８】
（Ｅ）熱吸収層へのレーザー照射
図１１−２の（Ｅ）中の矢印のように、分断されたガラス基板１６側からレーザーを照射する。これにより、熱吸収層１７が熱を吸収するため、熱吸収層１７とポリイミド層７との間の密着性が低下し、後の工程で、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から、ガラス基板１６及び熱吸収層１７をともに剥離することができる。
【０１２９】
（Ｆ）ガラス基板の剥離
図１１−３の（Ｆ）に示すように、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から、ガラス基板１６及び熱吸収層１７をともに剥離する。
【０１３０】
（Ｇ）第１のフレキシブル基材の貼り合わせ
図１１−３の（Ｇ）に示すように、接着層４ａを介してフレキシブル基材２ａをフレキシブル基材２ｂに対向するように貼り合わせる。
【０１３１】
（Ｈ）端子の取り出し
図１１−４の（Ｈ）に示す線分ｂ−ｂ’に沿ってフレキシブル基材２ｂ側から、フレキシブル基材２ｂ、接着層４ｂ、及びフィルム１８を分断し、更に自己吸着層１９に切り込みを入れる。分断方法としては、レーザー照射が好適である。ここで、レーザーは、上述した貼り合わせ後の基板分断で用いたレーザーと同じものを用いることができる。
【０１３２】
次に、分断されたフィルム１８及び自己吸着層１９の端部領域ＡＲ２側の部分を剥離する。これは、自己吸着層１９と端子３との界面における密着力が、上述したように、フレキシブル基材２ｂと接着層４ｂとの界面、及び、接着層４ｂとフィルム１８との界面における密着力よりも弱いために、自己吸着層１９に切り込みが入れば、剥離することができるためである。
【０１３３】
また、線分ｂ−ｂ’で示した分断位置の終端ｂ’の位置は、図１１−４の（Ｈ）中の横方向では、端部領域ＡＲ２の表示領域ＡＲ１近傍にあり、図１１−４の（Ｈ）中の縦方向では、自己吸着層１９と端子３との界面に到達しない深さにある。ここで、分断位置の終端ｂ’は、自己吸着層１９の端子３上の厚みの５０％以上、９０％以下が分断される位置（深さ）であることが好ましい。なお、自己吸着層１９が分断される深さが深いほど、分断されたフィルム１８及び自己吸着層１９の一部をより容易に剥離することができる。自己吸着層１９が分断される深さが、自己吸着層１９の端子３上の厚みの５０％未満であると、剥離が困難になるおそれがあり、自己吸着層１９の端子３上の厚みの９０％を超える場合は、分断する際に端子３に損傷を与えるおそれがある。
【０１３４】
次に、分断されたフレキシブル基材２ｂ、接着層４ｂ、フィルム１８及び自己吸着層１９の端部領域ＡＲ２側の部分を除去することにより、端子３を露出させる。
【０１３５】
以上より、端子３に損傷を与えることなく端子３の取り出しを行うことができる。また、乾式の方法により端子の取り出しを行うため、有機エレクトロルミネセンス素子６の特性の劣化を充分に防止することができる。
【０１３６】
上述のようにして端子３の取り出しを行った後、露出した端子３に異方性導電膜１０を用いて、フレキシブルプリント基板１１を圧着し、図１０に示すようなフレキシブル表示装置１ｄが完成する。
【０１３７】
ここで、フレキシブル表示装置１ｄには、フレキシブルプリント基板１１近傍に、上述した端子の取り出しにて分断されたフィルム１８及び自己吸着層１９が残っている。これによって、本実施形態の製法を用いたことが、製造後の状態においても確認可能である。上述した端子の取り出しにおいては、分断装置の分断精度等を考慮すると、フィルム１８及び自己吸着層１９の端部とまったく同じ位置で分断することは困難である。よって、フレキシブル表示装置１ｄには、フィルム１８及び自己吸着層１９が残ってしまうことになる。
【０１３８】
本実施形態では、ガラス基板の主面上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成し、その後に、ガラス基板を剥離してフレキシブル基材に貼り変えるプロセスを採用しているが、本実施形態の変形例として、ガラス基板の主面上にフレキシブル基材を貼り合わせたものの上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成し、後の工程でガラス基板を剥離するプロセスを採用する場合が挙げられる。この場合は、封止膜９ｃの形状、及び、封止膜９ｂ’の代わりに自己吸着層１９を有するフィルム１８を形成すること以外は、実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造方法と同様である。
【０１３９】
また、本実施形態の他の変形例として、フレキシブル基材の主面上に有機エレクトロルミネセンス素子等を形成するプロセスを採用する場合が挙げられる。この場合は、封止膜９ｃの形状、及び、封止膜９ｂ’の代わりに自己吸着層１９を有するフィルム１８を形成すること以外は、実施形態３に係るフレキシブル表示装置の製造方法と同様である。
【０１４０】
［実施形態６］
実施形態６は、液晶層を備えるフレキシブル表示装置に関するものであり、剥離層として層間膜を利用する。また、ガラス基板の主面上に液晶層等を配置し、その後に、ガラス基板を剥離してフレキシブル基材に貼り変えるプロセスによって、フレキシブル表示装置を製造する。
【０１４１】
実施形態６に係るフレキシブル表示装置の平面における構成は、実施形態１と同様であり、その平面模式図は図１に示した通りである。図１２は、実施形態６に係るフレキシブル表示装置の図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面を示す断面模式図である。図１２に示すように、実施形態６に係るフレキシブル表示装置１ｅは、フレキシブル基材２ａとフレキシブル基材２ｂとの間に、液晶層２３及びシール材２２が配置された構成を有する。
【０１４２】
フレキシブル基材２ａの主面上には、接着層４ａ、ポリイミド層７及び保護膜８が順に積層されている。保護膜８上の表示領域ＡＲ１には、配線５が配置され、保護膜８上の端部領域ＡＲ２には、配線５から導出された端子３が配置されている。表示領域ＡＲ１には、配線５上に、開口が設けられた層間膜１２ｂと、層間膜１２ｂの開口を通じて配線５と電気的に接続された画素電極２０とが配置されている。端部領域ＡＲ２においても、表示領域ＡＲ１近傍では端子３上に層間膜１２ｂ’が積層されている。また、フレキシブル基材２ｂの液晶層２３側の面上には、画素電極２０に対向するカラーフィルタ層２１が配置されている。また、端子３の露出した部分には、異方性導電膜１０を介してフレキシブルプリント基板１１が積層されている。
【０１４３】
次に、図１３−１〜１３−４を参照して実施形態６に係るフレキシブル表示装置の製造方法を説明する。図１３−１〜１３−４は、実施形態６に係るフレキシブル表示装置の製造フローを、図１中の線分Ａ−Ａ’に沿った断面において示した断面模式図である。
【０１４４】
本実施形態において、熱吸収層、ポリイミド層、保護膜、配線及び端子の形成は、それぞれ実施形態１と同様であるため、重複する点については説明を省略する。
【０１４５】
（Ａ）層間膜の形成
図１３−１の（Ａ）に示すように、表示領域ＡＲ１には、配線５上に、開口が設けられた層間膜１２ｂを形成し、端部領域ＡＲ２には、端子３及び保護膜８の一部を覆うように、剥離層としての層間膜１２ｂ’を形成する。ここで、層間膜１２ｂ、１２ｂ’は同じ組成である。また、層間膜１２ｂ’は、後の工程で好適に端子の取り出しを行うために形成されたものである。層間膜１２ｂ、１２ｂ’の材質としては、例えば、アクリル系の樹脂が挙げられる。
【０１４６】
層間膜１２ｂ及び１２ｂ’は、図１３−１の（Ａ）に示すように互いに分離して配置されているが、同じマスクを用いて同時に形成する。そのため、層間膜１２ｂ’のみを形成するためのマスクを追加する必要がない。ここで、層間膜１２ｂ及び１２ｂ’を分離するのは、仮に、層間膜を分離せずに一面に形成すると、後の工程で端子の取り出しを行う際、端子３を覆う端部領域ＡＲ２の上層を剥離すると、表示領域ＡＲ１の層間膜及びシール材２２まで剥離されてしまい、端子３以外の部分（配線５の一部）も露出してしまうおそれがあるためである。
【０１４７】
（Ｂ）画素電極の形成
図１３−１の（Ｂ）に示すように、表示領域ＡＲ１には、層間膜１２ｂの開口を通じて配線５と電気的に接続されるように、層間膜１２ｂ上、及び、上記開口内の配線５上に、画素電極２０を形成する。
【０１４８】
（Ｃ）第２のフレキシブル基材の貼り合わせ
図１３−１の（Ｃ）に示すように、カラーフィルタ層２１が主面上に形成されたフレキシブル基材２ｂ（以下、カラーフィルタ基板とも言う。）を、シール材２２を介してガラス基板１６と対向するように貼り合わせる。ここで、カラーフィルタ層２１が画素電極２０と対向するように貼り合わせる。なお、液晶層２３を形成する液晶材料は、ガラス基板１６の主面上に上述した複数の層が形成された基板、又は、カラーフィルタ基板上のどちらかに、予め滴下しておいてもよいし、各々の基板を貼り合わせた後に封入してもよい。また、カラーフィルタ基板の製造方法としては、例えば、フレキシブル基材２ｂの主面上にカラーフィルタ層２１を直接形成する方法であってもよいし、ガラス基板上に剥離用の透明膜を設け、その透明膜上にカラーフィルタ層２１を形成し、ガラス基板を剥離した後に接着剤等を用いてフレキシブル基材２ｂを貼り合わせる方法であってもよい。
【０１４９】
（Ｄ）貼り合わせ後の基板分断
図１３−２の（Ｄ）に示す線分ａ−ａ’に沿ってフレキシブル基材２ｂ側から、フレキシブル基材２ｂを、レーザー等を用いて分断し、続いてガラス基板１６側から、ガラス基板１６、及び、端部領域ＡＲ２の端子３以外の層を分断する。ここで、線分ａ−ａ’で示した分断位置は、熱吸収層１７を横断し、配線５及び端子３を横断しない位置であればよく、これは、後の工程でガラス基板１６を剥離する方法として、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から剥離する方法を採用するためである。
【０１５０】
（Ｅ）熱吸収層へのレーザー照射
図１３−２の（Ｅ）中の矢印のように、分断されたガラス基板１６側からレーザーを照射する。これにより、熱吸収層１７が熱を吸収するため、熱吸収層１７とポリイミド層７との間の密着性が低下し、後の工程で、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から、ガラス基板１６、及び、熱吸収層１７をともに剥離することができる。
【０１５１】
（Ｆ）ガラス基板の剥離
図１３−３の（Ｆ）に示すように、熱吸収層１７とポリイミド層７との界面から、ガラス基板１６及び熱吸収層１７をともに剥離する。
【０１５２】
（Ｇ）第１のフレキシブル基材の貼り合わせ
図１３−３の（Ｇ）に示すように、接着層４ａを介してフレキシブル基材２ａをフレキシブル基材２ｂに対向するように貼り合わせる。
【０１５３】
（Ｈ）端子の取り出し
図１３−４の（Ｈ）に示す線分ｂ−ｂ’に沿ってフレキシブル基材２ｂ側から、フレキシブル基材２ｂを分断し、更に層間膜１２ｂ’に切り込みを入れる。分断方法としては、レーザー照射が好適である。ここで、レーザーは、上述した貼り合わせ後の基板分断で用いたレーザーと同じものを用いることができる。
【０１５４】
次に、分断された層間膜１２ｂ’の端部領域ＡＲ２側の部分を剥離する。これは、層間膜１２ｂ’と端子３との界面における密着力が弱いために、層間膜１２ｂ’に切り込みが入れば、剥離することができるためである。
【０１５５】
また、線分ｂ−ｂ’で示した分断位置の終端ｂ’の位置は、図１３−４の（Ｈ）中の横方向では、端部領域ＡＲ２の表示領域ＡＲ１近傍にあり、図１３−４の（Ｈ）中の縦方向では、層間膜１２ｂ’と端子３との界面に到達しない深さにある。ここで、分断位置の終端ｂ’は、層間膜１２ｂ’の端子３上の厚みの５０％以上、９０％以下が分断される位置（深さ）であることが好ましい。なお、層間膜１２ｂ’が分断される深さが深いほど、分断された層間膜１２ｂ’の一部をより容易に剥離することができる。層間膜１２ｂ’が分断される深さが、層間膜１２ｂ’の端子３上の厚みの５０％未満であると、剥離が困難になるおそれがあり、層間膜１２ｂ’の端子３上の厚みの９０％を超える場合は、分断する際に端子３に損傷を与えるおそれがある。
【０１５６】
次に、分断されたフレキシブル基材２ｂ及び層間膜１２ｂ’の端部領域ＡＲ２側の部分を除去することにより、端子３を露出させる。
【０１５７】
以上より、端子３に損傷を与えることなく端子３の取り出しを行うことができる。また、乾式の方法により端子の取り出しを行うため、液晶層２３の特性の劣化を充分に防止することができる。
【０１５８】
上述のようにして端子３の取り出しを行った後、露出した端子３に異方性導電膜１０を用いて、フレキシブルプリント基板１１を圧着し、図１２に示すようなフレキシブル表示装置１ｅが完成する。
【０１５９】
ここで、フレキシブル表示装置１ｅには、フレキシブルプリント基板１１近傍に、上述した端子の取り出しにて分断された層間膜１２ｂ’が残っている。これによって、本実施形態の製法を用いたことが、製造後の状態においても確認可能である。
【０１６０】
以下に、層間膜１２ｂ’が残る理由を示す。マスクを用いて層間膜１２ｂ’を成膜する際のボケ量等を考慮すると、分断された層間膜１２ｂ’が残らないように層間膜１２ｂ’の端部とまったく同じ位置で分断することは困難である。また、層間膜１２ｂ’の端部の膜厚は、設計上の狙い値と異なる場合もある。よって、製造効率を上げるために、層間膜１２ｂ’の膜厚が安定した位置で分断しようとすると、分断位置等の調整がその都度生じてしまう。更に、分断装置の分断精度等も考慮すると、層間膜１２ｂ’の端部で分断することは困難であり、更に、分断位置が表示領域ＡＲ１側にずれた場合は、シール材２２を損傷することになる。よって、フレキシブル表示装置１ｅには、層間膜１２ｂ’が残ってしまうことになる。
【０１６１】
本実施形態では、ガラス基板の主面上に液晶層等を形成し、その後に、ガラス基板を剥離してフレキシブル基材に貼り変えるプロセスを採用しているが、本実施形態の変形例として、ガラス基板の主面上にフレキシブル基材を貼り合わせたものの上に液晶層等を形成し、後の工程でガラス基板を剥離するプロセスを採用する場合が挙げられる。この場合は、有機エレクトロルミネセンス素子６、封止膜９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃ及び接着層４ｂの代わりに、層間膜１２ｂ、１２ｂ’、画素電極２０、シール材２２及び液晶層２３を形成すること以外は、実施形態２に係るフレキシブル表示装置の製造方法と同様である。
【０１６２】
また、本実施形態の他の変形例として、フレキシブル基材の主面上に液晶層等を形成するプロセスを採用する場合が挙げられる。この場合は、有機エレクトロルミネセンス素子６、封止膜９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃ及び接着層４ｂの代わりに、層間膜１２ｂ、１２ｂ’、画素電極２０、シール材２２及び液晶層２３を形成すること以外は、実施形態３に係るフレキシブル表示装置の製造方法と同様である。
【０１６３】
［付記］
以下に、本発明に係るフレキシブル表示装置の製造方法の好ましい態様の例を挙げる。各例は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【０１６４】
上記剥離層と上記複数の端子との界面における密着力は、０．０５Ｎ／２５ｍｍ以上、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、分断された上記剥離層の一部を容易に剥離することができ、端子に損傷を与えることなく端子の取り出しを行うことができる。上記密着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ未満である場合は、剥離層形成以降のプロセスで剥離層自体が勝手に剥離してしまうおそれがある。０．５Ｎ／２５ｍｍを超える場合は、剥離が困難になり他の層（剥離層上部、又は、端子よりも下層）が剥離したり、端子上部に剥離の残渣が生じるおそれがある。上記密着力は、対ガラスの９０°剥離試験等で測定することができる。上記密着力を測定する装置としては、島津製作所製のオートグラフ装置等を用いることができる。
【０１６５】
上記複数の端子との界面に到達しない深さは、上記剥離層の上記複数の端子上の厚みの５０％以上、９０％以下が分断される深さであることが好ましい。これにより、分断された上記剥離層の一部を容易に剥離することができ、端子に損傷を与えることなく端子の取り出しを行うことができる。なお、上記剥離層が分断される深さが深いほど、分断された上記剥離層の一部をより容易に剥離することができる。また、上記剥離層が分断される深さが、上記剥離層の上記複数の端子上の厚みの５０％未満である場合は、分断された上記剥離層の一部を容易に剥離することが困難になるおそれがあり、上記剥離層の上記複数の端子上の厚みの９０％を超える場合は、分断する際に端子に損傷を与えるおそれがある。
【０１６６】
上記配線は、薄膜トランジスタ素子を構成する部分を有し、上記薄膜トランジスタ素子は、酸化物半導体を含む半導体層を有するものであることが好ましい。酸化物半導体の処理温度は、通常、低温ポリシリコンのそれよりも低い。このため、半導体層よりも前段階で形成される他の部材の耐熱性を考慮した場合、酸化物半導体を含む半導体層を形成する方が、フレキシブル表示装置をより好適に製造することができる。
【０１６７】
また、酸化物半導体は、アモルファスシリコンよりも移動度が高く、特性ばらつきも小さいという利点を有している。このため、酸化物半導体を含む薄膜トランジスタ素子は、アモルファスシリコンを含む薄膜トランジスタ素子よりも高速で駆動することができ、駆動周波数が高く、１画素に占める割合を小さくすることができるため、より高精細である次世代表示装置の駆動に好適である。また、酸化物半導体膜は、多結晶シリコン膜よりも簡便なプロセスで形成されるため、大面積が必要とされる装置にも適用できるという利点を有している。
【０１６８】
また、酸化物半導体としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）や、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｔｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｔｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）や、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）等が挙げられる。
【０１６９】
上記工程（２）において、上記表示領域に、上記剥離層と同じ組成である層が、上記剥離層と離間されて配置されるものであってもよい。これにより、上記剥離層のみを形成するための工程を追加する必要がなく、製造効率を高めることができる。
【０１７０】
上記フレキシブル表示装置としては、有機エレクトロルミネセンス素子を備えるものが挙げられる。この場合、上記剥離層と同じ組成である層が上記剥離層と離間されて配置される態様としては、例えば、［１］上記フレキシブル表示装置は、上記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子を上記表示領域に備え、上記剥離層と同じ組成である層は、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜の少なくとも一部であり、上記工程（２）において上記剥離層を形成する際に、上記封止膜の少なくとも一部をともに形成する態様や、［２］上記フレキシブル表示装置は、上記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子を上記表示領域に備え、上記剥離層と同じ組成である層は、上記有機エレクトロルミネセンス層であり、上記工程（２）において上記剥離層を形成する際に、上記有機エレクトロルミネセンス層をともに形成する態様が挙げられる。
【０１７１】
なお、本明細書中、「剥離層を形成する際に、特定の層をともに形成する」とは、例えば、共通の装置によって同時に膜を形成し、この膜を共通のマスクを用いて同時に成膜（パターニング）することを意味する。
【０１７２】
上記工程（２）において、上記表示領域に、上記剥離層と異なる組成の層が、上記剥離層と離間されて配置されるものであってもよい。具体例としては、例えば、上記フレキシブル表示装置は、更に、上記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子を上記表示領域に備え、上記剥離層は、自己吸着層を有するフィルムである態様が挙げられる。この場合、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆うように封止膜を形成する工程は、上記工程（１）と上記工程（２）の間であってもよく、上記工程（２）と上記工程（３）との間であってもよい。すなわち、上記工程（１）と上記工程（２）との間に、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆うように封止膜を形成してもよいし、上記工程（２）と上記工程（３）との間に、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆うように封止膜を形成してもよい。これらによれば、有機エレクトロルミネセンス素子を備えるフレキシブル表示装置を好適に製造することができる。
【０１７３】
上記封止膜の構成としては、無機膜である場合、無機膜が積層されたものである場合、無機膜及び有機膜が積層された場合が挙げられる。無機膜は防湿性が高いので、封止膜として用いることにより水分による有機エレクトロルミネセンス素子の特性の劣化を効果的に防止することができる。また、有機膜は厚膜化が容易なので、封止膜として用いることにより異物を覆うことができ、異物が表示品位に影響するのを充分に防止することができる。
【０１７４】
上記フレキシブル表示装置としては、液晶層を備えるものが挙げられる。この場合、上記剥離層と同じ組成である層が上記剥離層と離間されて配置される態様としては、例えば、上記フレキシブル表示装置は、上記第１のフレキシブル基材、又は、上記仮の支持基板の主面上の上記表示領域に、上記配線と電気的に接続された画素電極と、上記配線と上記画素電極との間にある層間膜とを備え、上記剥離層と同じ組成である層は、上記層間膜であり、上記工程（２）において上記剥離層を形成する際に、上記層間膜をともに形成する態様が挙げられる。これにより、液晶層を備えるフレキシブル表示装置を好適に製造することができる。
【０１７５】
次に、本発明に係るフレキシブル表示装置の好ましい態様の例を挙げる。各例は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。なお、上述した、本発明に係るフレキシブル表示装置の製造方法の好ましい態様の説明と重複する点については、適宜省略する。
【０１７６】
上記剥離層と上記複数の端子との界面における密着力は、０．０５Ｎ／２５ｍｍ以上、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。
【０１７７】
上記配線は、薄膜トランジスタ素子を構成する部分を有し、上記薄膜トランジスタ素子は、酸化物半導体を含む半導体層を有するあることが好ましい。
【０１７８】
上記表示領域に、上記剥離層と同じ組成である層が配置され、上記剥離層、及び、上記剥離層と同じ組成である層は、離間されて配置されているものであってもよい。
【０１７９】
上記フレキシブル表示装置としては、有機エレクトロルミネセンス素子を備えるものが挙げられ、例えば、上記表示素子が、上記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子であるものが挙げられる。この場合、上記剥離層と同じ組成である層が上記剥離層と離間されて配置される態様としては、例えば、［１］上記剥離層と同じ組成である層は、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆うように配置された封止膜の少なくとも一部である態様、［２］上記剥離層と同じ組成である層は、上記有機エレクトロルミネセンス層である態様が挙げられる。
【０１８０】
上記封止膜の構成としては、無機膜である場合、無機膜が積層されたものである場合、無機膜及び有機膜が積層された場合が挙げられる。
【０１８１】
上記表示領域に、上記剥離層と異なる組成の層が配置され、上記剥離層、及び、上記剥離層と異なる組成の層が、離間されて配置されているものであってもよい。具体例としては、例えば、上記表示素子は、上記配線と電気的に接続された第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間にある有機エレクトロルミネセンス層とを有する有機エレクトロルミネセンス素子であり、上記剥離層は、自己吸着層を有するフィルムである態様が挙げられる。
【０１８２】
上記フレキシブル表示装置としては、液晶層を備えるものが挙げられる。この場合、上記剥離層と同じ組成である層が上記剥離層と離間されて配置される態様としては、例えば、上記表示素子は、液晶層であり、上記フレキシブル表示装置は、更に、上記配線と電気的に接続された画素電極と、上記配線と上記画素電極との間にある層間膜とを有し、上記剥離層と同じ組成である層は、上記層間膜である態様が挙げられる。
【０１８３】
上記第１のフレキシブル基材と上記配線との間に、第２の接着層、ポリイミド層、及び、保護膜が順に配置されるものであってもよい。
【符号の説明】
【０１８４】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ：フレキシブル表示装置
２ａ、２ｂ：フレキシブル基材
３：端子
４ａ、４ｂ：接着層
５：配線
６：有機エレクトロルミネセンス素子
７：ポリイミド層
８：保護膜
９ａ、９ｂ、９ｂ’、９ｃ：封止膜
１０：異方性導電膜
１１：フレキシブルプリント基板
１２ａ：絶縁膜
１２ｂ、１２ｂ’：層間膜
１３ａ、１３ｂ：電極
１４、１４’：有機エレクトロルミネセンス層
１５：エッジカバー
１６：ガラス基板
１７：熱吸収層
１８：フィルム
１９：自己吸着層
２０：画素電極
２１：カラーフィルタ層
２２：シール材
２３：液晶層
ＡＲ１：表示領域
ＡＲ２：端部領域
【図１】
2015008642.tif 000003
【図２】
2015008642.tif 000004
【図３】
2015008642.tif 000005
【図４−１】
2015008642.tif 000006
【図４−２】
2015008642.tif 000007
【図４−３】
2015008642.tif 000008
【図４−４】
2015008642.tif 000009
【図４−５】
2015008642.tif 000010
【図５】
2015008642.tif 000011
【図６−１】
2015008642.tif 000012
【図６−２】
2015008642.tif 000013
【図６−３】
2015008642.tif 000014
【図７】
2015008642.tif 000015
【図８】
2015008642.tif 000016
【図９−１】
2015008642.tif 000017
【図９−２】
2015008642.tif 000018
【図９−３】
2015008642.tif 000019
【図９−４】
2015008642.tif 000020
【図１０】
2015008642.tif 000021
【図１１−１】
2015008642.tif 000022
【図１１−２】
2015008642.tif 000023
【図１１−３】
2015008642.tif 000024
【図１１−４】
2015008642.tif 000025
【図１２】
2015008642.tif 000026
【図１３−１】
2015008642.tif 000027
【図１３−２】
2015008642.tif 000028
【図１３−３】
2015008642.tif 000029
【図１３−４】
2015008642.tif 000030
【国際調査報告】
2015008642.tif 000031
2015008642.tif 000032
2015008642.tif 000033
2015008642.tif 000034