【事件の表示】
　特願２０００−５６０６４１「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１月２７日国際公開、ＷＯ００／０４６１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判の請求に係る特許願（以下、「本願」という。）は、1999年７月１３日（優先権主張1998年７月１４日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年２月１８日付けの拒絶理由通知に対し、同年４月２２日付けで手続補正がなされたが、平成18年７月３日付けで拒絶すべきものである旨の査定がなされ、これに対して、同年８月10日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同年８月１７日付けで明細書等についての手続補正がなされたものである。
　なお、当審において、前置報告書を利用して平成20年12月２日付けでした審尋に対して、回答がなされなかったものである。
　
　
第２　平成１８年８月１７日付け手続補正について補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１８年８月１７日付けの手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１．手続補正の目的について
　平成１８年８月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）
は、特許請求の範囲について、補正前の請求項７ないし９を削除するとともに、請求項１ないし３に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものと認められるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第１号及び第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１２６条第５項に規定する要件を満たすか）を、請求項１に記載された発明について、以下、検討する。
　
２．本願補正発明
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。  　
　
「【請求項１】　出射波長の異なる２つの半導体レーザ素子からの出射光のいずれかを選択し、該出射光を異なる光ディスク上に集光レンズを含む光学系を介して集光して、情報を読み書きする光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置であって、
　該半導体レーザ装置は、
　放熱用ブロックと、
　異なる出射波長を有し、それぞれの出射光軸が互いに略平行となるように前記放熱用ブロックに搭載された第一の半導体レーザ素子及び第二の半導体レーザ素子とを備え、
　前記第一の半導体レーザ素子の出射光軸と前記集光レンズの中心軸との間の距離をｄ１、第二の半導体レーザ素子の出射光軸と前記集光レンズの中心軸との間の距離をｄ２としたとき、次の関係式
　　　　　　　０＜ｄ１≦８０μｍ
　　　　　　　０＜ｄ２≦８０μｍ
を満足するように前記第一及び第二の半導体レーザ素子が前記放熱用ブロックに搭載されており、
　また、前記第一及び第二の半導体レーザ素子の少なくとも一方はサブマウントに載置されて前記放熱用ブロックに搭載されており、
　前記第一の半導体レーザ素子の幅方向の中心と前記第二の半導体レーザ素子の幅方向の中心との間に前記第一の半導体レーザ素子および前記第二の半導体レーザ素子それぞれの発光点があることを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
３．引用文献及びその記載
（１）引用文献１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された刊行物である、特開平10-289468号公報（平成10年10月27日公開、以下、「引用文献１」という。）には、「光ピックアップ装置およびその光源ユニット」に関する発明について、図面とともに以下の記載がある。
　
（ア）「【請求項１】
　
光源から出射した光束を集光光学系で光情報記録媒体の透明基板を介して情報記録面に集光させ、情報記録面上に情報を記録又は情報記録面上の情報を再生する（記録／再生）光ピックアップ装置
　第１光情報記録媒体の記録／再生を行うための第１光源と、
　第２光情報記録媒体の記録／再生を行うための第２光源と、
　情報記録面から反射した光束を受光し検出する光検出手段と、
　光源から出射した光束を光情報記録媒体へと導くとともに、光情報記録媒体の情報記録面で反射した光束を前記光検出手段へと導くように、光源から出射した光束及び／又は情報記録面で反射した光束を変更する変更手段と、を有し、
　前記第１光源、前記第２光源及び前記光検出手段を、ユニット化したことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】〜【請求項１１】　　省　略　
【請求項１３】
　
第１半導体レーザと、第１半導体レーザとは異なる波長の第２半導体レーザとが一体化された光ピックアップ装置の光源ユニット
前記第１半導体レーザの光出射方向と前記第２半導体レーザの光出射方向とが同じ方向であり、前記第１半導体レーザと前記第２半導体レーザとは導電層を挟んで積層したことを特徴とする光ピックアップ装置の光源ユニット。」
　
（イ）「【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を説明する。なお、以下に説明する際の図面中の一点鎖線は光軸を表すものとし、細線は第１光源から出射した光束（ただし、絞りによって制限された周縁光線）を、破線は第２光源から出射した光束（ただし、絞りによって制限された周縁光線）を表している（ただし、第２光源から出射した光束のうち第１光源から出射した光束と同じ場合は、細線で表している）。
【００２２】（第１の実施の形態）第１の実施の形態について説明する。図１は光ピックアップ装置１０の概略構成図である。
【００２３】　　省　略　
【００２４】本実施の形態のピックアップ装置１０では、光源として第１光源である第１半導体レーザ１１（波長λ＝６１０ｎｍ〜６７０ｎｍ）と第２光源である第２半導体レーザ１２（波長λ＝７４０ｎｍ〜８７０ｎｍ）とを有している。この第１半導体レーザ１１は第１光ディスクの記録／再生する際に使用される光源であり、第２半導体レーザ１２は第２光ディスクの記録／再生する際に使用される光源である。
これら第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２は、記録／再生する光ディスクに応じて排他的に使用される
【００２５】合成手段３０は、第１半導体レーザ１１から出射された光束と第２半導体レーザ１２から出射された光束とを合成することが可能な手段である。　すなわち、この合成手段３０は、第１半導体レーザ１１から出射された光束、あるいは、第２半導体レーザ１２から出射された光束を、後述する１つの集光光学系を介して、それぞれ第１光ディスクあるいは第２光ディスクに集光させるために、同一（ほぼ同一でもよい）光路となす手段である。本実施の形態では、合成手段３０として偏光プリズム（複屈折性プレート）で構成し、第１半導体レーザ１１から出射された光束は常光線として光路を変更せずにそのまま通過させ、第２半導体レーザ１２から出射された光束は異常光線として光路を変更している。なお、この合成手段３０として、ホログラムを用いてもよい。
【００２６】集光光学系１３は、第１半導体レーザ１１あるいは第２半導体レーザ１２から出射された光束を、光ディスク２０の透明基板２１を介して、情報記録面２２上に集光させ、スポットを形成させる手段である。本実施の形態では、集光光学系１３として、光源から出射された光束を平行光（略平行でもよい）に変換するコリメータレンズ１３１と、コリメータレンズ１３１によって平行光とされた光束を集光させる対物レンズ１３２とを有している。このように、本実施の形態では、１つの集光光学系１３を用いて複数の光ディスクの記録／再生を行うので、光ピックアップ装置１０を低コストかつ簡単な構造で実現させることができる。」
　
（ウ）「【００３５】そこで、本実施の形態では、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２及び光検出手段５０を、ユニット６０化している。これについて、ユニット６０の斜視図である図２をも参照して説明する。
【００３６】第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２及び光検出手段５０は、ユニット６０としてユニット化されている。ここで、本発明でいう「ユニット」あるいは「ユニット化」とは、ユニット化されている部材や手段が一体となって光ピックアップ装置１０に組み込みができるようになっていることであり、すなわち、装置の組立時に１部品として組み付けることができる状態のことである。
【００３７】本実施の形態では、ユニット６０の基板６１に、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２及び光検出手段５０を設けることにより、ユニット化している。したがって、光ピックアップ装置１０の組立時には、各々の部材をそれぞれ調整しつつ光ピックアップ装置１０の組立を行うのではなく、このユニット６０を取り付けるだけで、ユニット化された部材を組み付けることができ、組立の簡略化、作業効率の向上を図ることができる。しかも、経年変化、温度変化に対しても強い構造となる。すなわち、個々の部品を近接させることで、機械的なストレスや経年変化、温度変化による寸法変化量が小さくなり、また、変更手段４０から見たときの光源１１、１２と光検出手段５０が近接した光路上となるため、共役性が維持しやすくなる。
【００３８】なお、ユニット化にする際には、本実施の形態では、第１半導体レーザ１１の発光点と第２半導体レーザ１２の発光点と光検出手段５０の受光面とを同一平面となるように配置しているが、必ずしも同一平面にする必要は
ない。また、本実施の形態のように、  第１半導体レーザ１１の出射面（発光点）と第２半導体レーザ１２の出射面（発光点）とを同方向に向け近接配置することにより、半導体レーザの後面出射光を検出する図示しない受光素子を兼用することができ、さらに低コスト化を実現できる。
　
（エ）「【００４７】（第３の実施の形態）次に第３の実施の形態について、第３の実施の形態の光ピックアップ装置１０の概略構成図である図６に基づいて説明
する。上述した第１、２の実施の形態においては、合成手段３０を用いて、第１半導体レーザ１１から出射された光束の光軸と第２半導体レーザ１２から出射された光束の光軸とを一致させ、集光光学系１３の光軸と一致させるようにしたが、本実施の形態においては、一方の光源から出射された光束を、集光光
【００４８】本実施の形態においては、必要開口数が小さい方の第２光ディスクの記録／再生に使用する第２半導体レーザ１２から出射された光束が、集光光学系１３の斜方から入射するように構成している。一方、必要開口数が大きい方の第１光ディスクの記録／再生に使用する第１半導体レーザ１１から出射
された光束は、集光光学系に斜方から入射させない（換言すると、集光光学系１３の光軸と第１半導体レーザ１１から出射された光束の光軸とが一致）ように構成している。これに伴い、合成手段３０を省いている。【００４９】このように構成することにより、本実施の形態では、一方の光源
　
（オ）「【００５２】以上詳述した第１〜第３の実施の形態において、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２、光検出手段５０各々は、ユニット６０の基板６１に直接設けるようにしたが、これに限られることはない。例えば、図７（ａ）に示すように、２つの半導体レーザ１１、１２を積層してもよい。すなわち、半導体レーザには、その発光に伴う熱を逃がすためのヒートシンク８１が必須となるが、このヒートシンク８１上の導電性の面に第１半導体レーザ１１を設ける。そして、第１半導体レーザ１１上に導電層であるアルミニウムを蒸着し、この導電層上（すなわち、第１半導体レーザ１１上）に第２半導体レーザ１２を積層する。そして、第２半導体レーザ１２上を導電層であるアルミニウムを蒸着する。一方、第１半導体レーザ１１の下方には光検出手段５０を設ける。そして、各導電層にワイヤー８２〜８４をボンディングして、駆動電流を流すためのワイヤー８２〜８４を設ける。すなわち、ワイヤー８２、８３間に駆動電流を流すことにより第１半導体レーザ１１が発光し、ワイヤー８３、８４間に駆動電流を流すことにより第２半導体レーザ１２が発光する（端子８３が共通電極となり、第１半導体レーザ１１と第２半導体レーザ１２間の導電層が共通導電層となる）。光ピックアップ装置においては、第１半導体レーザ１１と第２半導体レーザ１２とを排他的に発光させるので、このように構成することにより、省スペース化、簡素化等の点で好ましい。
【００５３】また、この（図７（ａ））場合、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２から出射される光束は、各々半値全角で１０°、３０°程度の楕円形状であり、発散角の広い方向に第１半導体レーザ１１と第２半導体レーザ１２とが並ぶ。また、この並ぶ方向を、光ピックアップ装置として、光ディスクのタンジェンシャル方向となるようにすることにより、タンジェンシャル方向のスポットサイズを小さくすることができる。さらに、第３の実施の形態のように、一方の光束が集光光学系の軸外光束となる場合であっても、対物レンズ１６がトラッキングによりシフトしたときの光量変化に非対称性が生じにくく、さらに、集光光学系に斜入射することにより生じる非点収差を、半導体レーザが有する非点収差で打ち消すことができる。なお、この場合、第１半導体レーザ１１を光軸上に、第２半導体レーザ１２を光軸外に配置し、第２半導体レーザ１２の非点収差が第１半導体レーザ１１より大きくなるように選ぶことが好ましい。
【００５４】このように２つの半導体レーザ１１、１２を積層することにより、第１半導体レーザ１１の発光点１１１と第２半導体レーザ１２の発光点１２１とのずれが、１００μｍ程度にすることが可能となり、各々の半導体レーザ１１、１２を基板６１上に並べるよりは近接させることができる。また、一方の半導体レーザ（この例では第１半導体レーザ１１）は、発光点１１１側を直接ヒートシンク上に設けることができ、放熱上有利となる。
【００５５】また、この（図７（ａ））場合においては、それぞれの発光点１１１、１２１を光軸方向にずらして配置することにより、積層した半導体レーザ１１、１２各々から出射した光束が、他の半導体レーザもしくはヒートシンクによってけられることがないようにしたが、これに限られず、図７（ｂ）に示すように、発光点１１１、１２１を同一平面（光検出手段５０の受光面も含めて）上にしてもよい。
【００５６】なお、図７（ｂ）に示した例は、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２を同一平面上に設けただけでなく、さらに、第１半導体レーザ１１の発光点１１１に近い側の側面に導電層であるアルミニウムを蒸着して、その上に第２半導体レーザ１２の発光点１２１に近い側の側面が接するように積層し、発光点１１１、１２１とを密着させた状態で積層して、発光点１１１、１２１間が１０μｍ以内に近接配置するようにしたものである。このため、図７（ｂ）に示す例では、上述した第１、２の実施の形態に用いる場合、合成手段３０を省略することができ、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザを共に集光光学系のほぼ光軸上として使用することができるので、集光性能上好ましい。
【００５７】また、以上詳述した第１〜第３の実施の形態において、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２、光検出手段５０は、一直線に並ぶように、ユニット６０の基板６１に設けたが、これに限らず、第１半導体レーザ１１と第２半導体レーザ１２とが並ぶ方向とは異なる位置に光検出手段５０を設けてもよい。また、第１半導体レーザ１１及び第２半導体レーザ１２から出射した光束が直接合成手段３０あるいは変更手段４０に入射するようにしたが、ミラー等により光路を変更させた後入射するようにしてもよい。この例を図８に示す。」
　
（カ）「【００６６】（具体例２）次に、光検出手段５０の具体的構成を含めた具体例を図１０に示す。図１０はユニット６０内の構成を模式的に示した図であるので、ユニット６０等は記載を省略する。
第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２、光検出手段５０の受光素子を同一平面上に配置している。なお、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２は、ヒートシンク８１上に個々に設けられた
　
　以上の記載で、（オ）の【００５２】等の記載、【図７】（ａ）、（ｂ）の導電層、ワイヤー８２〜８４の位置関係からみて、両図の２つの半導体レーザは厚さ方向に積層されている一方、【図１０】では、２つの半導体レーザが、幅方向に並べて配置されていることが明らかであるから、以上の記載を、特に【図１０】を参照し、２つの半導体レーザをヒートシンク上に幅方向に並べて設けた光源ユニットに着目して整理すると、引用文献１には、結局、以下のとおりの発明が記載されているものと認める。
　
「光源から出射した光束を集光光学系で光情報記録媒体の透明基板を介して情報記録面に集光させ、情報記録面上に情報を記録又は情報記録面上の情報を再生する（記録／再生）光ピックアップ装置の光源ユニットであって、
　前記光源として、第１光情報記録媒体の記録／再生を行うための第１半導体レーザと、第１半導体レーザとは異なる波長の第２光情報記録媒体の記録／再生を行うための第２半導体レーザとを有し、
　前記第１半導体レーザと第２半導体レーザとが、ヒートシンクの同一平面上に、幅方向に並べて設けられて一体化されており、
　前記第１半導体レーザと、前記第２半導体レーザとは、記録／再生する光記録媒体に応じて排他的に使用される、
　光源ユニット。」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）引用文献４
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、実願昭61-40952号（実開昭62-152474）のマイクロフィルム（以下、拒絶理由通知で示した記号を援用して「引用文献４」という。）には、図面と共に以下のような記載がある。
　
（キ）「第６図に斯る光ヘッドを示す。この光ヘッドではレーザアレイ(11)より出射される２つのレーザ光（１２ａ）（１２ｂ）は共にコリメーティングレンズ(13)、ハーフプリズム(14)、第１の偏向ビームスプリッタ(15)、λ／４板(16)及び集束レンズ(17)によりディスク(16)の同一トラック(19）上に集光される。またディスク(18)からの反射光は集束レンズ(17)、λ／４板(16)、第１の偏向ビームスプリッタ(15)、空間フィルタ(20)及び第２の偏向ビームスプリッタ(21)により第１、第２の検出器(22)(23)に集光される。
　斯る光ヘッドではディスク(18)へのレーザ光の集光光学系は共通のレンズ系を使用していること及びディスク(19)で反射された反射光の第１，第２の検出器(22)(23)への集光は空間フィルタで分離する構成であることなどのために構成が簡単で小型となる。」（４頁１４行〜５頁９行）
　
（ク）「尚、（中略）第２の半導体レーザチップ(32)の溝は左端よりに形成されている。
　第２図に本考案の第１の実施例を示す。
　斯かる実施例では金属あるいはシリコンからなるヒートシンク(42)の一主面上に半導体レーザチップ（４３ａ）（４３ｂ）（４３ｃ）を千鳥配置となるように配する具体的には半導体レーザチップ（４３ａ）（４３ｃ）を上記各チップの溝(44)の延在方向とヒートシンク(42)の下端縁（４２ａ）の延在方向とが直交するようにヒートシンク(42)の下端縁（４２ａ）側に配すると共に残りの半導体レーザチップ（４３ｂ）を上記半導体レーザチップ（４３ａ）（４３ｃ）間の中心線上におけるヒートシンク（４２）の上端縁（４２ｂ）側に配する。また上記各チップ（４３ａ）（４３ｂ）（４３ｃ）は共に基板(33)側がヒートシンク(42)に固着されている。更に上記下端縁（２４ａ）側に配された各チップ（４３ａ）（４３ｃ）としては第２の半導体レーザチップ(32)を用い、上端縁（４２ｂ）側に配されたチップ（４３ｂ）としては第１の半導体レーザチップ（３１）を用い、かつ上記チップ（４３ａ）（４３ｃ）の溝はチップの中心より上記中心線側に位置するように配される。
　斯かる構成では、半導体レーザチップ（４３ｂ）より出射されるレーザ光Ｐ２は半導体レーザチップ（４３ａ）（４３ｃ）の間を通ってヒートシンクの下端縁（４３ｂ）側に出射されることとなるので、上記チップ（４３ａ）（４３ｃ）間をできるだけ狭めることによりモノリシック型の３ビーム半導体レーザと同等のビーム間距離（隣接するレーザ光の光軸間距離）に保つことができる。」（７頁４行〜８頁１７行）
　
（ケ）また、第１図ないし第３図、及び第６図を参照。
　
　
４．対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における「第１半導体レーザ」と「第２半導体レーザ」とは、「異なる波長」の光源であるから、本願補正発明の「出射波長の異なる２つの半導体レーザ素子」に相当する。
　引用発明の「光ピックアップ装置」では、「第１半導体レーザ、第２半導体レーザは、記録／再生する光記録媒体に応じて排他的に使用される」ので、本願補正発明の「出射波長の異なる２つの半導体レーザ素子からの出射光のいずれかを選択し、該出射光を異なる光ディスク上に集光レンズを含む光学系を介して集光して、情報を読み書きする光ピックアップ」に相当し、
　引用発明の「光源ユニット」は、少なくとも「出射波長の異なる２つの半導体レーザ素子」を備える点で、「光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置」であるとすることができる。
　引用発明の「ヒ−トシンク」が、本願補正発明における「放熱用ブロック」に相当することは明らかである。
　引用発明において、「第１半導体レーザ」と「第２半導体レーザ」とがヒートシンクの同一平面上に、幅方向に並べて設けられて一体化されていることは、本願補正発明において「第一の半導体レーザ素子及び第二の半導体レーザ素子」が、「放熱用ブロックに搭載された」ことに相当する。
　
　以上のことからすると、本願補正発明と引用発明とは、次のとおりの一致点及び相違点が認められる。
　
［一致点］
「出射波長の異なる２つの半導体レーザ素子からの出射光のいずれかを選択し、該出射光を異なる光ディスク上に集光レンズを含む光学系を介して集光して、情報を読み書きする光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置であって、
　該半導体レーザ装置は、
　放熱用ブロックと、
　異なる出射波長を有し、前記放熱用ブロックに搭載された第一の半導体レーザ素子及び第二の半導体レーザ素子とを備える、
　半導体レーザ装置。」
　
［相違点］
（１）２つの半導体レーザ素子からの出射光の光軸同志の関係、集光レンズの中心軸との関係について、本願補正発明においては、第一の半導体レーザ素子及び第二の半導体レーザ素子が、
(i)「それぞれの出射光軸が互いに略平行となるように」、及び
(ii)「第一の半導体レーザ素子の出射光軸と集光レンズの中心軸との間の距離をｄ１、第二の半導体レーザ素子の出射光軸と前記集光レンズの中心軸との間の距離をｄ２としたとき、次の関係式
　　　　　　　０＜ｄ１≦８０μｍ
　　　　　　　０＜ｄ２≦８０μｍ
を満足するように」
放熱用ブロックに搭載されているのに対して、引用発明では、上記(i)及び(ii)のいずれの関係についても不明な点。
　
（２）本願補正発明では、「第一及び第二の半導体レーザ素子の少なくとも一方が、サブマウントに載置されて放熱用ブロックに搭載されている」のに対して、引用発明では、両半導体レーザ素子が、直接ヒートシンク（放熱用ブロック）上に搭載されている点。
　
（３）本願補正発明が、「第一の半導体レーザ素子の幅方向の中心と第二の半導体レーザ素子の幅方向の中心との間に第一の半導体レーザ素子および第二の半導体レーザ素子それぞれの発光点がある」と、発光点の配置を特定しているのに対して、引用発明では、発光点の配置が不明な点。
　
　
５．判断
　各相違点について検討する。
（１）相違点（１）について
　引用文献１には、「合成手段（３０）」を用いて、２つの半導体レーザから出射される光束を合成して、両光束の光軸を集光光学系の光軸と一致させ、１つの集光光学系を介してそれぞれの光記録媒体に集光する例（上記「２．（イ）」の【００２１】、【００２２】の記載、及び同箇所で指摘される【図１】の集光光学系（１３）を通る一点鎖線）、及び「合成手段（３０）」を省略できる例として、前記「３．（オ）」の【００５６】、及び【図７】（ｂ）に、両半導体レーザの発光点の間隔を１０μｍ以内の、極近接して配置する例が記載され、前記【図７】（ｂ）の例については、両半導体レーザを共に集光光学系のほぼ光軸上として使用することができるので、集光性能上好ましいともされている。
　いずれの例も、２つの半導体レーザ素子から出射され、対物レンズに入射する光束の光軸は、対物レンズの光軸と一致又はきわめて近接させようとするものであり、特に、後者の例では、合成手段が省略されるとともに、いずれの光束も「集光光学系のほぼ光軸上」であることからしても、両半導体レーザからの出射光の光軸が、互いに平行で、集光光学系の光軸と極近接して配置していることは明らかである。
　引用発明の根拠とした図１０の「具体例」においても、合成手段（３０）は、省略されていることが見て取れる。また、光ディスク装置の光ピックアップ等に用いられる対物レンズが、いわゆる、近軸光に対して良好な光学特性を有することは技術常識である。これらのことから、引用発明においても、両半導体レーザからの出射光の光軸を、互いに平行で、集光光学系の光軸と極近接して配置することは、引用文献１に記載されているに等しい事項であるか、または、引用文献１の図７の実施例についての記載を考慮することで、当業者が容易に想到しうることである。
　その際、それぞれの半導体レーザの発光点の間隔についても、引用文献１の図７の実施例についての記載を考慮して１０μｍ以内とした場合、「第１半導体レーザ、第２半導体レーザを共に集光光学系のほぼ光軸上として使用する」との記載の考慮すると、あえて、ｄ１又はｄ２の一方を０（ゼロ。すなわち、光学系の光軸と一致させる）として、他方を最大の１０μｍとすることは、前記記載の意図に反するばかりか、技術常識上も不自然で、むしろ、ｄ１とｄ２はいずれもゼロではなく、同程度（例えばそれぞれ５μｍ程度）に設定するのが自然な設定であって、同設定を困難とする格別の事情も存在しないことからすると、それぞれの半導体レーザからのの出射光の光軸と集光光学系との光軸との距離ｄ１、ｄ２をほぼ同程度とすることで、本願発明における２つの関係式の範囲に含まれる配置とすることは当業者が容易に想到しうることである。
　
　なお、審判請求人は、意見書及び審判請求の理由において、引用文献１について『どこにも、「第一および第二の半導体レーザ素子両方の出射光軸が集光レンズの中心軸に一致していない（０＜ｄ１、０＜ｄ２）場合に、集光レンズの中心軸とこれら２つの半導体レーザ素子それぞれの出射光軸間の距離を８０μｍ以下とすることにより、光ディスクにおける球面収差を規定値以下に抑え、それによって、集光レンズを移動させることなく、光ディスクの情報を読み書きするようにする」ということについては、それを示唆する記述すらありません。』と主張しているが、「半導体レーザ装置」に関する本願補正発明には、「光ディスクにおける球面収差を規定値以下に抑え」ることや、「集光レンズを移動させることなく」等の特定事項は含まれておらず、一方で、引用文献１には、複数の半導体レーザから出射される光を用いる光ディスク装置において、光学上の性能を向上させることが記載されているのであるから、図７（ｂ）のように、発光点の間隔を小さく「１０μm以内に近接配置」することで、「第１半導体レーザ、第２半導体レーザを共に集光光学系のほぼ光軸上として使用することができるので、集光性能上好ましい」との記載に接した当業者が、図１０に示される具体例のように第１半導体レーザと第２半導体レーザとを幅方向に並べて配置した場合にも、同様に発光点の間隔を小さく配置するとともに、出射光の光軸が「共にほぼ光軸上」となるように、光軸からの距離を両者ともゼロではない小さな値に配置することで、両方の半導体レーザからの出射光に対して集光性能に配慮することは、むしろ当然のことである。
　したがって、上記請求人の主張は採用することができない。
　
（２）相違点（２）について
　半導体レーザ素子を放熱用ブロック（ヒートシンク）に固定する際、サブマウントを介することは、周知技術である（例えば、特開平3-217067号公報、特開平3-222384号公報、特開平4-76971号公報、特開平6-314857号公報（【００７３】、【００７４】、【図８】参照）等）。
　引用発明における半導体レーザ素子においても、サブマウントに載置した上でサブマウントを介して、ヒートシンク（放熱用ブロック）上に搭載することは、当業者が、必要に応じて適宜に採用し得ることである。
　
（３）相違点（３）について
　前記引用文献１には、「３．（オ）」の【００５６】に、ユニットの変形例である【図７】（ｂ）の例について、
「第１半導体レーザ１１の発光点１１１に近い側の側面に導電層であるアルミニウムを蒸着して、その上に第２半導体レーザ１２の発光点１２１に近い側の側面が接するように積層し、発光点１１１、１２１とを密着させた状態で積層して、発光点１１１、１２１間が１０μｍ以内に近接配置するようにした」旨の記載がある。
　同図から見て、２つの半導体レーザ素子を厚さ方向に積層配置するもので、両半導体レーザ素子の発光点をそれぞれ半導体レーザ素子の厚さの中心からずらして（一方の側面に近く）形成し、発光点を素子間側に配置することで、発光点を極近接させることができるというものである。
　又、半導体レーザ素子の発光点を素子の中心からずらして形成することで、発光点の間隔を小さくすることは、引用文献４（上記３．（ク）、並びに第１図及び第２図参照）に記載されていることである。
　すると、２つの半導体レーザ素子を幅方向に配置する引用発明で、両発光点を極近接させようとする場合、両半導体レーザ素子の発光点を幅方向の中心からずらして形成し、幅方向の中心の間に両発光点を配置することは、前記ユニットの変形例における発光点の配置を厚さ方向にずらす代わりに、単に幅方向にずらすこととするか、又は、前記引用文献４に記載された半導体レーザチップを用いた配置を採用することにより、いずれにせよ当業者が容易に想到しうることである。
　
　なお、審判請求人は、上記引用文献４について、請求の理由において、
『「１種類の光ディスクに書込用ビームと読出用ビームと消去用ビームを出射して情報を読み書きする３ビーム光ヘッドに用いられる半導体レーザ装置」を前提にしています。当然のことながら、引用文献４には、「出射波長の異なる２つの半導体レーザ素子からの出射光のいずれかを選択し、該出射光を異なる光ディスク上に集光レンズを含む光学系を介して集光して、情報を読み書きする光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置」において、集光レンズを移動させることなく、異なる光ディスクの情報を読み書きするという課題は開示されておりません。したがって、引用文献４を引用文献１，２に組み合わせるための理由つまり動機が存在しません。』との主張を行っている。
　しかしながら、引用文献４に記載される発明は、上記「３．（キ）」の記載、及び第６図に示されるように、レーザ光の集光学系に共通のレンズ系を使用し、構成が簡単で小型となる光ヘッドへの使用を前提としているのであるから、複数の半導体レーザから出射する光束を一つの対物レンズに入射させる構成において、引用発明と共通するものといえ、半導体レーザの配置及び構成については、適用の動機付けが十分あるというべきである。
　したがって、上記請求人の主張は採用することができない。
　
　また、上記各相違点を総合的に判断しても、本願補正発明の奏する効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測しうる範囲のものにすぎない。
　結局、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願の補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明については、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項で準用する同法第１２６条５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１８年８月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成１７年４月２２日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　出射波長の異なる２つの半導体レーザ素子からの出射光のいずれかを選択し、該出射光を異なる光ディスク上に集光レンズを含む光学系を介して集光して、情報を読み書きする光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置であって、
　該半導体レーザ装置は、
　放熱用ブロックと、
　異なる出射波長を有し、それぞれの出射光軸が互いに略平行となるように前記放熱用ブロックに搭載された第一の半導体レーザ素子及び第二の半導体レーザ素子とを備え、
　前記第一の半導体レーザ素子の出射光軸と前記集光レンズの中心軸との間の距離をｄ１、第二の半導体レーザ素子の出射光軸と前記集光レンズの中心軸との間の距離をｄ２としたとき、次の関係式
　　　　　　　０＜ｄ１≦８０μｍ
　　　　　　　０＜ｄ２≦８０μｍ
を満足するように前記第一及び第二の半導体レーザ素子が前記放熱用ブロックに搭載されていることを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２　〔理由〕３．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　〔理由〕」で検討した本願補正発明から、
「また、前記第一及び第二の半導体レーザ素子の少なくとも一方はサブマウントに載置されて前記放熱用ブロックに搭載されており、
　前記第一の半導体レーザ素子の幅方向の中心と前記第二の半導体レーザ素子の幅方向の中心との間に前記第一の半導体レーザ素子および前記第二の半導体レーザ素子それぞれの発光点がある」との限定を削除したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明を特定する事項を全て含み、更に他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　〔理由〕５．」に記載したとおり、引用発明、引用文献４に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。