【事件の表示】
　特願２０００−３８０７４３「シリコンウェーハの表面処理方法及び半導体ウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月２８日出願公開、特開２００２−１８４６９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　 
　本願は、平成１２年１２月１４日の出願であって、平成１６年１０月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２０日に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成１６年１２月２０日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１６年１２月２０日付け手続補正を却下する。
　　
　　
［理由］
　　
１．補正後の本願発明
　　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜２は補正され、その請求項１は以下のとおりに補正された。
　 
「シリコンウェーハ表面に半導体薄膜をエピタキシャル成長する前に行うシリコンウェーハの表面処理方法であって、
　水素を雰囲気ガスとしてシリコンウェーハ表面に熱処理を行う水素ベーク工程を有し、
　該水素ベーク工程は、
　圧力をＰ（Ｐａ）とし、
　熱処理時間をｔ（ｍｉｎ）とし、
　熱処理温度をＴ（Ｋ）としたとき、以下の関係式；
Ｐ＜３×１０１７ｔ０．５９４３ｅ−３６．５４９（１０００／Ｔ）を満たす条件で行われ、
　前記圧力、前記熱処理時間、前記熱処理温度をそれぞれ、
　５．３×１０３Ｐａ、３０分、１０００℃に設定するか、または、
　４．３×１０４Ｐａ、３０分、９５０℃に設定するか、または、
　５．３×１０４Ｐａ、３０分、９５０℃に設定し、ドーパントのプロファイル変化や金属汚染を十分に抑制しながら完全にシリコンウェーハ表面の自然酸化膜等を除去することを特徴とするシリコンウェーハの表面処理方法。」
　
　
　本件補正後の請求項１は、補正前の請求項１の「前記熱処理温度が１１００℃未満で、・・・前記圧力は、５．３×１０３Ｐａから５．３×１０４Ｐａまでの範囲内に設定し、前記熱処理時間は、３０分以内に設定し、前記熱処理温度は、８５０℃以上に設定」を「前記圧力、前記熱処理時間、前記熱処理温度をそれぞれ、５．３×１０３Ｐａ、３０分、１０００℃に設定するか、または、４．３×１０４Ｐａ、３０分、９５０℃に設定するか、または、５．３×１０４Ｐａ、３０分、９５０℃に設定」に限定するものであって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　 
　 
２．引用例
　 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２３０９５５号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び同じく頒布された刊行物である特開平５−１０９６３３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。 
　 
（１）刊行物１：特開平７−２３０９５５号公報
（１ａ）「【産業上の利用分野】本発明は、シリコンエピタキシャル膜の気相成長方法及びその装置に関する。
【従来の技術】シリコンの気相エピタキシャル成長を行う場合、従来はブイ  エル  エス  アイ  ファブリケーション  プリンシプルズ  ：  シリコン  アンド  ガリウムアルセナイド(VLSI FABRICATION PRINCIPLES：SILICON  GALLIUM ARSENIDE），ｐ．２２９で述べられているように、エピタキシャル成長を行う反応室と、反応室にクリーニングガスやシリコン系反応ガスを供給するガス供給手段と、反応室内のガスを排気する真空排気手段とを有しているエピタキシャル成長装置において、反応室内に設けられたサセプタ上にシリコン基板を設置し、Ｈ２やＨＣｌ等のクリーニングガスを流した状態でＲＦコイルからの誘導加熱によりサセプタを加熱し、サセプタからの熱輻射等により基板を１０００℃以上に加熱することにより表面の自然酸化膜を除去する。表面の自然酸化膜を除去した後、基板を成長温度になるまで降温し、Ｈ２ 等のキャリアガスと共にシリコン系ガスを反応室に流すことによりエピタキシャル成長を行ってきた。」（段落【０００１】〜【０００２】）
　
（２）刊行物２：特開５−１０９６３３号公報
（２ａ）「・・・まず，キャリアガスとしてH２の流量を12 SLM ,基板温度を1000℃, ガス圧力を76 Torr （以下のプロセスはすべてこの圧力で行う）で10分間維持して, Si基板上の自然酸化膜を除去する。」（段落【００１０】）
　 
　 
３．対比 
　 
　摘記事項（１ａ）によれば、シリコンの気相エピタキシャル成長を行う場合、サセプタ上にシリコン基板を設置し、Ｈ２のクリーニングガスを流した状態でサセプタを加熱し、基板を１０００℃以上に加熱することにより表面の自然酸化膜を除去すること、表面の自然酸化膜を除去した後、エピタキシャル成長を行うことが記載されている。
　また、エピタキシャル成長する前に完全に表面の自然酸化膜を除去することは通常行われているから（必要ならば、特開２０００−３２３６８９号公報、特に段落【０００３】、【００２１】、特開平６−１７７０４７号公報、特に段落【０００６】〜【０００７】、特開平９−４５９０７号公報、特に段落【０００８】参照）、完全に表面の自然酸化膜を除去することは、刊行物１に記載されているに等しい事項であるといえる。
　したがって、刊行物１には、
「シリコン基板表面にシリコンのエピタキシャル成長を行う前に、Ｈ２のクリーニングガスを流した状態で、シリコン基板を１０００℃に加熱することにより完全にシリコン基板表面の自然酸化膜を除去する方法。」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　 
　そこで、本願補正発明と刊行物１発明とを対比する。 
　 
　刊行物１発明の「シリコン基板」は、本願補正発明の「シリコンウェーハ」に相当し、以下同様に、「シリコンのエピタキシャル成長を行う」は「半導体薄膜をエピタキシャル成長する」に、「Ｈ２のクリーニングガスを流した状態で、シリコン基板を・・・加熱すること」は「水素を雰囲気ガスとしてシリコンウェーハ表面に熱処理を行う水素ベーク工程」に、「方法」は「シリコンウェーハの表面処理方法」に、それぞれ相当するから、両者は、
「シリコンウェーハ表面に半導体薄膜をエピタキシャル成長する前に行うシリコンウェーハの表面処理方法であって、
　水素を雰囲気ガスとしてシリコンウェーハ表面に熱処理を行う水素ベーク工程を有し、
　該水素ベーク工程は、熱処理温度を、１０００℃に設定し、完全にシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去するシリコンウェーハの表面処理方法。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　水素ベーク工程は、本願補正発明では、「圧力をＰ（Ｐａ）とし、熱処理時間をｔ（ｍｉｎ）とし、熱処理温度をＴ（Ｋ）としたとき、以下の関係式；Ｐ＜３×１０１７ｔ０．５９４３ｅ−３６．５４９（１０００／Ｔ）を満たす条件で行われ」るのに対し、刊行物１発明では、この点について記載されていない点。
　
［相違点２］
　本願補正発明では、圧力、熱処理時間をそれぞれ、「５．３×１０３Ｐａ、３０分」に設定しているのに対し、刊行物１発明では、圧力及び熱処理時間について記載されていない点。
　
［相違点３］
　本願補正発明では、「ドーパントのプロファイル変化や金属汚染を十分に抑制しながら」除去するのに対し、刊行物１発明では、この点について明記されていない点。
　 
　 
４．判断  
　 
　次に、前記相違点について検討する。
　
［相違点２］について
　
　水素ベークによる自然酸化膜の除去を、圧力、熱処理時間及び熱処理温度を設定して行うことは周知の事項である（必要であれば、摘記事項（２ａ）、下記の周知例１、２参照）から、水素ベークによる自然酸化膜の除去を１０００℃で行う場合に、圧力及び熱処理時間をどの程度にするかは、自然酸化膜の膜厚に応じて、適宜実験等により設定すべき事項にすぎない。
　また、１０００℃での水素ベークによる自然酸化膜の除去を、例えば、刊行物２には、７６Ｔｏｒｒ（１．０×１０４Ｐａ）、１０分で、下記の周知例１には、１．３×１０３ Ｐａ、０．０５分より長時間で、下記の周知例３には、３０分で行うことが記載されているように、本願補正発明の「５．３×１０３Ｐａ」及び「３０分」は、従来から使用されていた「１．３×１０３ 〜１．０×１０４ Ｐａ」及び「０．０５〜３０分」の範囲内のものであって格別の値というものでもない。
　
（周知例１）特開平８−３１６２３９号公報
（周１ａ）「・・・図２は、酸化膜１１の膜厚が５０ｎｍ、水素圧力１．３×１０３ Ｐａの場合に、完全逆テ−パを形成するために必要な温度と時間の関係を示している。実線より高温度側、長時間側の条件で熱処理を行えば酸化膜１１は完全逆テ−パ形状となる。例えば、９００℃の熱処理は５分以上行う必要があり、また１０００℃の場合には４０秒以上の熱処理が必要である。逆に１分間の熱処理は９７０℃以上で行われなければならない。図中には従来エピタキシャル成長前に行われていた自然酸化膜除去に必要な水素雰囲気による熱処理の温度と時間の関係も併せて示している。図中破線より高温度、長時間側の条件で熱処理を行えば、自然酸化膜は除去される。すなわち、従来行われていた熱処理では、常に充分な完全逆テ−パ形状を得ることができないことがわかる。反対に、逆テ−パ形状を得る条件で水素雰囲気中の熱処理を行えば、充分に自然酸化膜は除去され，品質の良いシリコン単結晶をエピタキシャル成長させることができる。」（段落【００１２】）
（周１ｂ）図２には、水素圧力１．３×１０３ Ｐａの場合の、完全逆テーパ形状と自然酸化膜除去のＨ２Ｂａｋｅ条件における比較が、９００〜１０００℃、０．０１〜１０．００分の範囲で示され、１０００℃の場合、０．０５分より長時間の条件で熱処理を行えば自然酸化膜が除去されることが示されている。
　
（周知例２）岸野正剛他，「シリコン結晶・ウェーハ技術の課題−大口径化，平坦化−」，平成６年１月３１日，株式会社リアライズ社　
（周２ａ）「つまり，バイポーラＬＳＩのエピ成長プロセスでは，成長反応直前に基板表面の自然酸化膜や吸着したガスや汚染などを除去するために，通常およそ１０５０℃以上の高温でＨ２アニール（あるいはＨＣｌ気相エッチ）が行われるが，・・・
表−３に，埋込層を有する基板上にエピ層を形成する場合において，オートドーピングを小さくするための各種成長プロセス・パラメータの方向をまとめて示す。」（第１４７頁第９行〜第１４８頁第９行）
（周２ｂ）表−３には、Ｈ２プレベークのパラメータとして、ＴＰ、ＰＰ、ｔＰが示されている。（第１４８頁）
　
（周知例３）特開平５−２１３５３号公報
（周３ａ）「・・・まず、前処理を施したシリコン基板を石英トレイ１２上に載置し、ＭＯＣＶＤ装置の反応炉内のサセプタ１０上に搬入する。次に１０００℃以上に昇温し、３０分間水素雰囲気中で熱処理を施して基板表面の自然酸化膜を除去する。・・・」（段落【００１８】）
　
　
　そして、１０００℃、５．３×１０３Ｐａ、３０分という本願補正発明の数値について、顕著な効果があるものとも、臨界的意義を持つものとも認められない。
　
　したがって、水素ベークによる自然酸化膜の除去を１０００℃で行う場合に、圧力及び熱処理時間をどの程度にするかは、当業者が適宜設定すべき事項にすぎないから、相違点２に係る構成は、周知技術に基いて当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
　なお、本件図面の【図４】には、膜厚が１．１ｎｍ程度である自然酸化膜に対して、本願補正発明の圧力、熱処理時間及び熱処理温度の条件で水素ベーク処理を行い、膜厚を測定すると０．２ｎｍ程度となっていることが示されているが、水素ベークにより完全に自然酸化膜が除去されても、水素ベーク処理後の膜厚測定時に０．３ｎｍ程度の自然酸化膜がわずかに形成されるため、処理後の自然酸化膜が０．３ｎｍ程度であれば、水素ベーク時にベーク前の自然酸化膜は完全に除去されたものとしている旨の本件明細書の段落【００１７】の記載、および本願補正発明の条件で水素ベーク処理を行うことにより膜厚測定時に形成される自然酸化膜の膜厚が減少するものとは認められないことからみて、本願補正発明の圧力、熱処理時間及び熱処理温度の条件と、測定膜厚が０．３ｎｍ程度となる他の圧力、熱処理時間及び熱処理温度の条件との間には、水素ベーク処理後の測定膜厚について実験誤差程度以上の違いは認められない。よって、本願補正発明が、それ以外の自然酸化膜が完全に除去される条件で行う水素ベーク処理と比較して顕著な効果を奏しているものとは認められない。
　
　
［相違点１］について
　
　相違点１に係る関係式は、水素ベークにより自然酸化膜を除去するために設定すべき圧力、熱処理時間及び熱処理温度について、自然酸化膜が除去される条件を数式化したものにすぎない。そして、相違点１に係る関係式によって定められる数値範囲は相違点２に係る数値を包含するものであり、上記相違点２で検討したとおり、刊行物１発明において、相違点２に係る構成が当業者が容易に想到し得たものであるから、相違点１に係る構成も当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
 ［相違点３］について
　
　一般に、１１００℃以上の高温で処理を行うと、ドーパントのプロファイル変化や金属汚染が生じることは周知であり（必要ならば、特開平１０−２３３３８０号公報、特に段落【０００５】、特開平４−２６３４２１号公報、特に段落【０００３】、特開３−２４６９３２号公報、特に第２頁左上欄第７行〜右上欄第１９行参照）、刊行物１発明は、ドーパントのプロファイル変化や金属汚染が生じる１１００℃よりも低い１０００℃で処理を行うものであるから、刊行物１発明において、ドーパントのプロファイル変化や金属汚染は十分に抑制されているものと認められる。
　よって、上記相違点３について、実質的な差異があるとすることはできない。
　
　
　また、本願補正発明の効果も、刊行物１の記載及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　 
　 
５．むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
III．本願発明について
　
　平成１６年１２月２０日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２に係る発明は、平成１６年１月２６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「シリコンウェーハ表面に半導体薄膜をエピタキシャル成長する前に行うシリコンウェーハの表面処理方法であって、
　水素を雰囲気ガスとしてシリコンウェーハ表面に熱処理を行う水素ベーク工程を有し、
　該水素ベーク工程は、
　圧力をＰ（Ｐａ）とし、
　熱処理時間をｔ（ｍｉｎ）とし、
　熱処理温度をＴ（Ｋ）としたとき、
　前記熱処理温度が１１００℃未満で、以下の関係式；
Ｐ＜３×１０１７ｔ０．５９４３ｅ−３６．５４９（１０００／Ｔ）を満たす条件で行われ、
　前記圧力は、５．３×１０３Ｐａから５．３×１０４Ｐａまでの範囲内に設定し、前記熱処理時間は、３０分以内に設定し、前記熱処理温度は、８５０℃以上に設定し、ドーパントのプロファイル変化や金属汚染を十分に抑制しながら完全にシリコンウェーハ表面の自然酸化膜等を除去することを特徴とするシリコンウェーハの表面処理方法。」
　
　
１．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記「II．２．」に記載したとおりである。
　
　
２．対比・判断
　
　本願発明は、圧力、熱処理時間及び熱処理温度の数値範囲について、本願補正発明の「前記圧力、前記熱処理時間、前記熱処理温度をそれぞれ、５．３×１０３Ｐａ、３０分、１０００℃に設定するか、または、４．３×１０４Ｐａ、３０分、９５０℃に設定するか、または、５．３×１０４Ｐａ、３０分、９５０℃に設定」から「前記熱処理温度が１１００℃未満で、・・・前記圧力は、５．３×１０３Ｐａから５．３×１０４Ｐａまでの範囲内に設定し、前記熱処理時間は、３０分以内に設定し、前記熱処理温度は、８５０℃以上に設定」へ数値範囲が拡張されているものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、圧力、熱処理時間及び熱処理温度の数値範囲についてさらに限定されたものに相当する本願補正発明が、前記「II．４．」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明することができたものである。
　
　
３．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。