【手続補正書】
【提出日】平成24年4月5日(2012.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の光を放出させる結晶成長時の基板が除去された第１の半導体発光層と、
前記第１の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層を有し、
前記第１の半導体発光層からの発光波長と前記第２の半導体発光層からの発光波長が異なる、
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１の半導体発光層はウルツ鉱型結晶構造を有し、第２の半導体発光層は閃亜鉛鉱型結晶構造を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１の半導体発光層は窒化ガリウム系半導体層からなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２の半導体発光層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体層、ＡｌＧａＩｎＡｓ系半導体層、ＧａＩｎＮＡｓ系半導体層、ＧａＩｎＡｓＰ系半導体層から選ばれた半導体層からなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１の半導体発光層は選択成長により形成された尖頭状の成長層からなる前記半導体構造部に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１の半導体発光層と前記第２の半導体発光層は異なる発光波長を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２の半導体発光層は成長基板上で形成され、アブレーション若しくはエッチングによって該成長基板を剥離してなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２の半導体発光層側を、接着層を介して前記第１の半導体発光層側に貼り合わせることと特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項９】
樹脂パッケージ内に形成され所定の光を放出させる結晶成長時の基板が除去された第１の半導体発光層と、
前記第１の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され、前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層を有し、
前記第１の半導体発光層からの発光波長と前記第２の半導体発光層からの発光波長が異なる、ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第１の半導体発光層と前記第２の半導体発光層は、互いに異なる結晶系からなる半導体層から構成されることを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１の半導体発光層はウルツ鉱型結晶構造を有し、第２の半導体発光層は閃亜鉛鉱型結晶構造を有することを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１の半導体発光層は窒化ガリウム系半導体層からなることを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第２の半導体発光層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体層、ＡｌＧａＩｎＡｓ系半導体層、ＧａＩｎＮＡｓ系半導体層、ＧａＩｎＡｓＰ系半導体層から選ばれた半導体層からなることを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記第１の半導体発光層は選択成長により形成された尖頭状の成長層に形成されることを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記第１の半導体発光層と前記第２の半導体発光層は異なる発光波長を有することを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
前記第２の半導体発光層は成長基板上で形成され、アブレーション若しくはエッチングによって該成長基板を剥離してなることを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
前記第２の半導体発光層側を、接着層を介して前記第１の半導体発光層側に貼り合わせることを特徴とする請求項９記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
所定の光を放出させる結晶成長時の基板が除去された第１の半導体発光層を形成し、
前記第１の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され、前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層を形成し、
前記第１の半導体発光層からの発光波長と前記第２の半導体発光層からの発光波長が異なる、ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記第２の半導体発光層は、基板上に積層されて形成され、
前記第２の半導体発光層側を前記第１の半導体発光層側に貼り合わせる際に、前記第２の半導体発光層は前記基板から剥離されることを特徴とする請求項１８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第２の半導体発光層の前記基板からの剥離は、レーザーアブレーションによって行われることを特徴とする請求項１８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記第２の半導体発光層の前記基板からの剥離は、エッチングによって前記基板を除去することで行われることを特徴とする請求項１８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２２】
樹脂パッケージ内に形成され所定の光を放出させる結晶成長時の基板が除去された第１の半導体発光層を形成し、
前記第１の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され、前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層を形成し、
前記第１の半導体発光層からの発光波長と前記第２の半導体発光層からの発光波長が異なる、
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記第２の半導体発光層は、基板上に積層されて形成され、前記第２の半導体発光層側を前記第１の半導体発光層側に貼り合わせる際に、前記第２の半導体発光層は前記基板から剥離されることを特徴とする請求項２２記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２４】
前記第２の半導体発光層の前記基板からの剥離は、レーザーアブレーションによって行われることを特徴とする請求項２２記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２５】
前記第２の半導体発光層の前記基板からの剥離は、エッチングによって前記基板を除去することで行われることを特徴とする請求項２１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２６】
所定の光を放出させる結晶成長時の基板が除去された第１の半導体発光層を有する半導体構造部を複数形成し、
その複数個の半導体構造部のうちの一部に、前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する前記第１の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成される第２の半導体発光層側を貼り合わせてなり、
前記第１の半導体発光層からの発光波長と前記第２の半導体発光層からの発光波長が異なる、ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２７】
所定の光を放出させる第１の半導体発光層と、
前記第１の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層を有し、
前記第１の半導体発光層側に前記第２の半導体発光層側が貼り合わされ、
前記第１の半導体発光層からの発光波長と前記第２の半導体発光層からの発光波長が異なる、
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２８】
前記第１の半導体発光層はウルツ鉱型結晶構造を有し、第２の半導体発光層は閃亜鉛鉱型結晶構造を有することを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子。
【請求項２９】
前記第１の半導体発光層は窒化ガリウム系半導体層からなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３０】
前記第２の半導体発光層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体層、ＡｌＧａＩｎＡｓ系半導体層、ＧａＩｎＮＡｓ系半導体層、ＧａＩｎＡｓＰ系半導体層から選ばれた半導体層からなることを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子。
【請求項３１】
前記第１の半導体発光層は選択成長により形成された尖頭状の成長層からなる前記半導体構造部に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３２】
前記第１の半導体発光層と前記第２の半導体発光層は異なる発光波長を有することを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子。
【請求項３３】
前記第２の半導体発光層は成長基板上で形成され、アブレーション若しくはエッチングによって該成長基板を剥離してなることを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子。
【請求項３４】
前記第２の半導体発光層は、接着層を介して前記第１の半導体発光層に貼り付けられることと特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子。
【請求項３５】
所定の光を放出させる第１の半導体発光層を形成し、
前記第１の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され、前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出するための第２の半導体発光層を形成し、
前記第２の半導体発光層側を前記第１の半導体発光層側に貼り合わせ、
前記第１の半導体発光層からの発光波長と前記第２の半導体発光層からの発光波長が異なる、ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項３６】
前記第２の半導体発光層は基板上に積層されて形成され、前記半導体構造部に貼り合わせる際に前記第２の半導体発光層は前記基板から剥離されることを特徴とする請求項３５記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３７】
前記第２の半導体発光層の前記基板からの剥離は、レーザーアブレーションによって行われることを特徴とする請求項３５記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３８】
前記第２の半導体発光層の前記基板からの剥離は、エッチングによって前記基板を除去することで行われることを特徴とする請求項３５記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３９】
所定の光を放出させる第１の半導体発光層を有する半導体構造部を複数形成し、
その複数個の半導体構造部のうちの一部に、前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する前記第１の半導体発光層とは異なる結晶系からなる半導体層から構成される第２の半導体発光層側を、前記第１の半導体発光層側に貼り合わせてなり、
前記第１の半導体発光層からの発光波長と前記第２の半導体発光層からの発光波長が異なる、ことを特徴とする半導体発光装置。