【事件の表示】
　特願２０００−　　４３９７「半導体製造・検査装置用セラミックヒータ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月２４日出願公開、特開２００１−１９９７６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１２年１月１３日にした特許出願であって、平成１５年７月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年９月４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年９月４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の請求項１に記載された発明
　本件補正により、平成１５年６月１６日付けで提出された手続補正書により補正された請求項１乃至９において、請求項３及び６を削除するとともに、同補正書により補正された請求項１における「半導体製造・検査装置用セラミックヒータ」に関し、「２００℃以上で使用される」と使用温度を限定し、酸素含有量の上限を「１．６重量％」とさらに限定し、セラミック基板の厚さの上限を「２０ｍｍ以下」とさらに限定し、酸化物焼結助剤を「希土類」に限定し、その含有量の上限についても「４重量％」とさらに限定して、以下のように補正するものである。
「【請求項１】　セラミック基板の内部または表面に、抵抗発熱体を有し、２００℃以上で使用される半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、
前記セラミック基板は、直径２００ｍｍを超えた窒化物セラミックからなり、その窒化物セラミック中には、０．８〜１．６重量％の酸素が含有されているとともに、前記セラミック基板の厚さは２０ｍｍ以下であり、希土類酸化物焼結助剤を１〜４重量％含有することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項２】　前記セラミック基板の気孔率は、０または５％以下である請求項１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項３】　前記セラミック基板は、カーボンを含有してなる請求項１または２に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項４】　前記セラミック基板には、ＲＦ電極または静電電極が埋設されてなる請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項５】　前記セラミック基板の直径は、２１０ｍｍ以上である請求項１〜４のいずれか１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項６】　前記セラミック基板の厚さは、３〜２０ｍｍである請求項１〜５のいずれか１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
【請求項７】　前記セラミック基板の厚さは、３〜１０ｍｍである請求項１〜６のいずれか１に記載の半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
　そして、上記の請求項１についてなされた補正は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２）そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下検討する。
（ｉ）引用文献
（ア）原査定の拒絶の理由において引用文献２として提示された特開平１１−３１７４４１号公報（以下、「引用文献１」という。）には、静電チャック に関し、以下の記載がある。
（ア−１）「窒化アルミニウム粉末は難焼結性であるため、通常、イットリア（Ｙ2 Ｏ3）等の焼結助剤を添加して焼結される。得られた窒化アルミニウム焼結体の結晶組織は、ＡｌＮが主相で、粒界相にはＹ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 化合物、例えば２Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3  、Ｙ2 Ｏ3 ・Ａｌ2 Ｏ3 、３Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ2 Ｏ3  が添加する焼結助剤量に応じて析出する。」（段落【０００９】）、
（ア−２）「また、本発明で使用される窒化アルミニウム質焼結体には、その高温下の使用時の耐熱衝撃性を高め、静電チャックの長寿命化を達成するために窒化ほう素が含まれている。窒化ほう素の存在によって、３００℃をこえる高温下で繰り返し使用しても静電チャックが割れたり、電極層又は発熱抵抗体層との界面で剥離したりすることが著しく少なくなる。
　窒化ほう素は、窒化アルミニウム及びＡｌＯＮ相と反応しないため、その割合は原料調製時の配合量によって規定することができる。すなわち、窒化アルミニウム粉末１００重量部に対し窒化ほう素粉末１０重量部以下であることが好ましい。これよりも多くなると、窒化アルミニウム質焼結体の熱伝導性が低下し、特に大型ウエハの均熱に時間を要してしまう。なお、ＡｌＯＮ相の存在によっても熱伝導性が低下するので、本発明においては、窒化アルミニウム質焼結体の熱伝導率を９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上保持させて、上記割合でＡｌＯＮ相と窒化ほう素を存在させることが好ましい。」（段落【００１４】〜【００１５】）、
（ア−３）「本発明で使用される窒化アルミニウム質焼結体は、ＡｌＯＮ相を生成させるため、窒化アルミニウム粉末にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3  ）粉末を添加するとともに、窒化ほう素粉末を配合し、成形後、窒素、アルゴン等の非酸化性雰囲気下、温度１８００℃程度又はそれ以上の高温で焼成することによって製造することができる。この場合、窒化アルミニウム粉末に含まれる酸素量を考慮しアルミナ粉末の添加量を制御することが必要となる。具体的には、酸素含有量１重量％程度の窒化アルミニウム粉末１００重量部に対し、アルミナ粉末１〜９重量部が好ましく、更に窒化アルミニウム粉末１００重量部に対し、１重量部以下特に０．５重量部以下のイットリア粉末を添加するが好ましい。」（段落【００１６】）、
（ア−４）「実施例１〜４  比較例１
酸素含有量１．０重量％の窒化アルミニウム粉にイットリア粉とアルミナ粉を種々混合し、更に窒化アルミニウム粉１００重量部に対し窒化ほう素粉を表１の割合（重量部）で配合し、アクリル系バインダーを用い、静電チャックの絶縁性誘電層及び中間層を形成するための、厚み５００μｍのシートをそれぞれ成形した。一方、同様の混合物を用い、静電チャックのセラミックス基体を形成するための、厚み４ｍｍの板状体を成形した。
　次いで、絶縁性誘電層形成用シートの下面にタングステン電極を、また中間層形成用シートの下面にモリブデン発熱抵抗体をそれぞれペースト印刷してから圧着・積層し、更にそれをセラミックス基体形成用板状体面に圧着・積層し、脱脂処理した後、窒素雰囲気中、１８５０℃で常圧焼成を行って、直径２００ｍｍで、セラミックス基体、発熱抵抗体層、中間層、電極層及び絶縁性誘電層が順次積層されてなる静電チャックを製造した。」（段落【００１９】〜【００２０】）、
（ア−５）【表１】及び【表２】には、実施例１として、窒化アルミニウム質焼結体が酸素量１．５％、熱伝導率１１５（Ｗ／ｍＫ）、割れ・剥離等の発生が９３回まで異常なし、と表示されている。（段落【００２３】〜【００２４】）、
（ｉｉ）対比・判断
　本願補正発明と引用発明１を対比する。
　記載（ア−１）〜（ア−５）を本願補正発明の記載に則って整理すると、引用文献１には、「窒化アルミニウム粉に、好ましくは窒化アルミニウム粉末１００重量部に対し１重量部以下のイットリア粉と、１乃至９重量部のアルミナ粉と１０重量部以下の窒化ほう素粉を混合し、直径２００ｍｍで、厚み４ｍｍの板状体で形成するセラミックス基体、発熱抵抗体層、厚み５００μｍのシートで形成する中間層、電極層及び厚み５００μｍのシートで形成する絶縁性誘電層が順次圧着・積層され焼成されてなる酸素量１．５％の３００℃をこえる高温下で繰り返し使用される静電チャック。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。 
　そして、本願補正発明と引用発明１を対比すると、引用発明１の「セラミックス基体」及び「発熱抵抗体層」が、本願補正発明のそれぞれ、「セラミック基板」及び「抵抗発熱体」に相当し、引用発明１の「窒化アルミニウム」も「窒化物セラミック」であり、「イットリア粉」は「希土類酸化物焼結助剤」であり、引用発明１の半導体ウェハの吸着・保持を行う「静電チャック」を構成する「発熱抵抗体層」と圧着・積層される「セラミック基体」は「半導体製造・検査装置用セラミックヒータ」であり、使用温度、基板厚み及び酸素含有量は両者で共通するから、結局両者は、「セラミック基板の内部または表面に、抵抗発熱体を有し、２００℃以上で使用される半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、
前記セラミック基板は、窒化物セラミックからなり、その窒化物セラミック中には、０．８〜１．６重量％の酸素が含有されているとともに、前記セラミック基板の厚さは２０ｍｍ以下であり、希土類酸化物焼結助剤を含有することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
（ａ）本願補正発明では「直径２００ｍｍを超え」るのに対して、引用発明１は「直径２００ｍｍで」ある点。
（ｂ）本願補正発明では希土類酸化物焼結助剤を「１〜４重量％」含有するのに対して、引用発明１では、「好ましくは窒化アルミニウム粉末１００重量部に対し１重量部以下」含有する点。
　そこで上記の相違点について検討する。
（相違点（ａ）について）
　本願補正発明における「直径２００ｍｍを超え」る点を本願明細書を参照しても段落【００１５】に「本発明のセラミック基板の直径は２００ｍｍを超えるものが望ましい。２００ｍｍを超えた大きな板ほど、反りが大きくなり、本発明の効果も大きくなるからである。特に１２インチ（３００ｍｍ）以上であることが望ましい。次世代の半導体ウエハの主流となるからである。」と記載されるだけで、本願補正発明が係る数値限定により臨界的効果を奏するものとは認められず、しかも、例えば、本願についてなされた刊行物提出書により提示された特開平１１−７４０６４号公報の段落【０００７】〜【０００９】にも記載されるように、セラミックヒータにおいてウェハの大型化への対応が発明の課題として本願出願前に普通に認識されていたものである以上、係る限定は、当業者であれば適宜付しうるものと認められる。
（相違点（ｂ）について）
　本願明細書の段落【００１８】には、「本発明においては、セラミック基板中に焼結助剤を含有することが望ましい。焼結助剤としては、例えば、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類酸化物を使用することができ、これらの焼結助剤のなかでは、特にＣａＯ、Ｙ2 Ｏ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏ、Ｒｂ2 Ｏ3 が好ましい。これらの含有量としては、０．１〜２０重量％が望ましい。このような酸化物を用いることにより、上述したように窒化アルミニウム焼結体中に酸素を含有させることができる。」と記載されるように焼結助剤は焼結体中に酸素を含有させるためのものであり、さらに、同段落【００１３】で「本発明では、基板の厚さが５０ｍｍ以下の場合に、窒化物セラミック中に酸素を含有させて焼結性を向上させ、高温での反りや熱伝導率を確保している。前記セラミック基板中の酸素含有量は、０．１〜５重量％であることが望ましい。０．１重量％未満では、焼結性が低下して内部に多数の気孔が存在することになり、高温での反りが発生したり、熱伝導率を確保することができない。また５重量％を超えると粒界に酸化物が偏在し、この酸化物が熱伝導率を低下させたり、ヤング率を低下させてしまう。」と発明の効果を酸素含有量により説明している。してみると、本願補正発明における希土類酸化物焼結助剤を「１〜４重量％」含有することは、副次的な意義を有するにすぎず、引用発明１において酸素を「１．５％」含有することが明記され、高温時での使用でも長寿命な静電チャックが得られるという効果を奏するものであり、しかも、焼結助剤の添加において、引用発明１に記載された「好ましくは」の範囲を超えた量を混合することを何ら妨げるものでないから、適宜増加して本願補正発明のように１重量％以上添加することは、当業者であれば格別の創意なくなし得る事項にすぎないものである。
　そして、本願補正発明によって得られる効果も、引用発明１により得られる効果からみて、格別のものとすることができない。
　したがって、本願補正発明は引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（３）むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２の第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反してなされたものであるから、同補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年９月４日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は平成１５年６月１６日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「セラミック基板の内部または表面に、抵抗発熱体を有する半導体製造・検査装置用セラミックヒータにおいて、
前記セラミック基板は、直径２００ｍｍを超えた窒化物セラミックからなり、その窒化物セラミック中には、０．８〜５重量％の酸素が含有されているとともに、前記セラミック基板の厚さは５０ｍｍ以下であり、酸化物焼結助剤を１．０〜２０重量％含有することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。」
　
４．引用文献
　原査定の拒絶の理由において提示された引用文献１の記載事項は上記「２．（２）（ｉ）」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、上記「２．（２）（ｉｉ）」で検討した本願補正発明からみると、使用温度の限定事項を省き、希土類酸化物焼結助剤を酸化物焼結助剤と一般化し、セラミック基板の厚さ、酸素含有量、酸化物焼結助剤の数値限定の上限を拡大したものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の限定事項を付加したものである本願補正発明が上記「２．（２）（ｉｉ）」で述べたとおり、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。