【事件の表示】
　平成１１年特許願第１９４０５７号「ＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置および迷光除去方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月２６日出願公開、特開２００１−　２４２３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年７月８日の出願であって、平成１６年１１月４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１２月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに平成１７年１月１１日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年１月１１日の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年１月１１日の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の記載を以下のように補正しようとするものである。
「【請求項１】
　
少なくとも自然発光領域を含む領域で駆動電流を変化させて駆動される
　前記ＧａＮ系半導体発光素子から発せられた光から、該半導体発光素子の最大出力下では全出力の２０％以下となる迷光を除去する空間フィルタが設けられたことを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置。
【請求項２】
　前記ＧａＮ系半導体発光素子から発せられた光を集光する集光光学系が設けられ、
　前記空間フィルタが、前記集光光学系による前記光の収束位置近傍に配されたスリット板あるいはピンホール板から構成されていることを特徴とする請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置。
【請求項３】
　前記ＧａＮ系半導体発光素子から発せられた光を集光する集光光学系が設けられ、
　前記空間フィルタが、前記集光光学系による前記光の収束位置近傍でこの光を部分的に反射させる部分反射ミラーから構成されていることを特徴とする請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置。
【請求項４】
　前記空間フィルタが、前記ＧａＮ系半導体発光素子から発せられた光のＴＥモード成分以外の成分を除去する偏光素子であることを特徴とする請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置。
【請求項５】
　
前記空間フィルタが、前記迷光の発生に起因する光スポット形状の変動を防止するものであることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載のＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置。
【請求項６】
　
前記ＧａＮ系半導体発光素子を直接変調駆動する手段を備えたことを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載のＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置。
【請求項
７
　前記迷光が、前記ＧａＮ系半導体発光素子の駆動電流がレーザ発振閾値未満であるときに生じる迷光であることを特徴とする請求項１から
６
【請求項８】
　
階調画像記録に使用されるものであることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載のＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置。
【請求項
９
　
少なくとも自然発光領域を含む領域で駆動電流を変化させて駆動される
　前記ＧａＮ系半導体発光素子から発せられた光から、空間フィルタにより、該半導体発光素子の最大出力下では全出力の２０％以下となる迷光を除去することを特徴とする迷光除去方法。
【請求項
１０
　前記迷光が、前記ＧａＮ系半導体発光素子の駆動電流がレーザ発振閾値未満であるときに生じる迷光であることを特徴とする請求項
９
　
（２）補正に対する当審の判断
　上記補正には、補正前の請求項１〜７を、新たな請求項１〜１０に補正し、実質上、請求項５、請求項６及び請求項８を新たに追加しようとするものが含まれている。しかしながら、請求項を追加する補正事項は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１〜４号にそれぞれ規定する請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年１月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「【請求項１】　ＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置において、
　前記ＧａＮ系半導体発光素子から発せられた光から、該半導体発光素子の最大出力下では全出力の２０％以下となる迷光を除去する空間フィルタが設けられたことを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子を備えた光源装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の事項
　原査定の拒絶の理由に引用した、この出願前公知の刊行物１：特開平１１−６８２５６号公報には、以下の事項が記載されている。
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、共振面から出射されるレーザ光は、そのファーフィールドパターンが十分に良好な単一のスポットとして得られにくい。その原因として活性層で発生した光の一部がクラッド層を通過し、クラッド層と基板との間に積層されている屈折率が中間の値を示す材料、例えばＧａＮからなるｎ側窒化物半導体層（ｎ側層）で導波され、ｎ側層端面から放射される。ちなみに窒化物半導体レーザ素子を構成する窒化物半導体層の屈折率は、大きい方から順に、活性層、中間層（ＧａＮ等）、クラッド層、基板（サファイア、スピネル等）である。つまり、クラッド層と基板の間に比較的屈折率の大きい中間層があると散乱した光は中間層で導波され、また、サファイア基板面で反射され、ｎ側層端面から放射される。このように散乱した光は、基板があるとｎ側層を通過して基板から外部に放散されることが少なく、ｎ側層端面から放射されファーフィールドパターンを乱す。・・・
【０００６】
　そこで、本発明の目的は、レーザ光のファーフィールドパターンが良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。」
　
　上記によれば、刊行物１には、
「ＧａＮ系半導体レーザ素子において、散乱した光は中間層で導波され、また、サファイア基板面で反射される、すなわち、迷光が発生するので、共振面から出射されるレーザ光は、そのファーフィールドパターンが十分に良好な単一のスポットとして得られにくいこと」が記載されている。
　
　同じく、刊行物２：特開昭６３−１３６０１８号公報には、半導体レーザ光源を備えたレーザ光学系に関して、以下の事項が記載されている。
　「半導体レーザから発せられる光には、レーザ発振光と自然発光領域の光の２つがあることが知られており、半導体レーザの駆動電流と、レーザ発振光と自然発光領域の光の関係は第８図に示すものとなっている。図示のグラフのうち、線ａは駆動電流と自然発光領域の光（以下、自然発光光と称する）の出力の関係を示し、線ｂは駆動電流とレーザ発振光の出力の関係を示すものである。グラフに示されるように、半導体レーザに電流を印加した場合に、電流が閾値電流Ｉ０を越えるまではレーザ発振光は出力されず、自然発光光のみが出力する。自然発光光は駆動電流が増加するにつれて少しずつその出力を増していくが、電流の閾値Ｉ０を越えてレーザ発振光が出力され、レーザ発振光の出力が大きくなると発光光全体に占める割合はわずかとなり、実質的にレーザ発振光のみが出力されるようになる。自然発光光とレーザ発振光を合わせた、半導体レーザから発せられる総光量と電流の量の関係は曲線ｃで表される。ところで上記自然発光光は、レーザ発振光にくらべ種々の角度成分が混在しているため、収束レンズにより収束した際に、レーザ発振光ほど小さなスポット径に収束させることができないという不都合がある。このため、半導体レーザ光学系を、記録光を広いダイナミックレンジで変調して自然発光光が支配的な低出力領域の光まで用いる必要がある走査記録装置に用いた場合には、低出力領域のビーム径が大きくなって走査の空間分解能が損われてしまうといった問題が生じる。そこで本出願人は、半導体レーザから射出される光の光路上に光束の中央部分のみを通過させる開口を有するビーム径調整板を設ければ、自然発光光についても収束スポット径を小さくすることができることを見出し、かかる調整板を備えた半導体レーザ光学系を先に出願した・・・。」（２頁左上欄１５行〜左下欄９行）、
「第１図は本発明のレーザ光学系の一実施例である半導体レーザ光学系の概要を示す側面図である。半導体レーザ１は電流を印加されることにより、この電流量に応じた発光量の光１Ａを発し、・・・コリメータレンズ２に入射して平行光とされた後、・・・半導体レーザ１から発せられた光１Ａのうち、光束の中央部分の光１Ａ’のみを通過させるビーム径調整板３に入射する。」（３頁左上欄１９行〜右上欄８行）、
「本光学系においてはビーム径調整板３の背後に収束レンズ４を設け、・・・この収束位置に空間フィルタ５を設けて上記サイドローブをカットするようになっている。」（３頁右下欄２０行〜４頁左上欄４行）。
　
　上記によれば、刊行物２には、
「自然発光光が支配的な低出力領域の光まで用いる必要がある走査記録装置に用いられるものであって、低出力領域のビーム径が大きくなって走査の空間分解能が損われてしまうといった問題を解決するために半導体レーザから射出される光の光路上に光束の中央部分のみを通過させる開口を有するビーム径調整板を設け、該ビーム径調整板の背後に収束レンズを設け、その収束位置に空間フィルタを設けてサイドローブをカットするようにした半導体レーザ光学系。」が記載されている。
　
　同じく、刊行物３：特開昭４９−１０４５９０号公報には、ホログラムの記録、再生に用いられる半導体レーザ装置に関して、以下の事項が記載されている。
「第２図において実線で囲まれる部分（斜線部分）がレーザ光であり、破線および一点鎖線で囲まれる部分が自然放出光である。図から明らかのように、コリメートレンズ系（２）を通過・・・されたレーザ光はレンズ（３）を通過した後、共焦点の位置で集光し、空間フィルタ（５）の開口をすべて通過してレンズ（４）により再び平行光束となるが、自然放出光はレンズ（３）を通過した後、共焦点の位置にすべてが集光することはなくある領域に広がっているのでその一部が空間フィルタ（５）によって遮断される。従って開口を通過した光は、自然放出光がかなり減少された光となっている。」（２頁右上欄１〜１３行）。
　同じく、刊行物４：特開平９−７３０５７号公報には、レーザ画像記録装置等に用いられる赤色半導体レーザに発生するサイドローブを除去するために空間フィルタを用いることが記載されている。（【００２４】、【００２９】及び【００３０】を参照。）
　
（３）対比・判断
　本願発明と上記刊行物１の記載のものとを対比する。
　まず、刊行物１の記載の「ＧａＮ系半導体レーザ素子」は、本願発明の「ＧａＮ系半導体発光素子」に相当し、このような「ＧａＮ系半導体レーザ素子」が「光源装置」に用いられることは当業者に明らかである。
　また、刊行物１には、ＧａＮ系半導体レーザ素子に迷光が発生するので、レーザ光が単一のスポットとして得にくいという、本願発明と共通の問題点が指摘されている。すなわち、刊行物１には、ＧａＮ系半導体レーザ素子から発振されたレーザ光に含まれる迷光を除去する必要のあることが示唆されている。
　
　ところで、記録装置等に用いられる半導体レーザを備えた光源装置において、迷光（サイドローブを含む）を除去するために空間フィルタを用いることは、上記刊行物２〜４に記載されているように従来周知の技術である。
　してみると、刊行物１記載のＧａＮ系半導体レーザ素子を用いた装置において、迷光を除去するために従来周知の空間フィルタを採用し、本願発明となすことは当業者が容易に想到し得たものである。
　なお、本願発明は、半導体発光素子の最大出力下における迷光を、全出力の２０％以下、と規定している。しかし、一般に閾値電流を越えたレーザ発振領域における最大出力下においては、迷光の占める割合が低くなるのは自明のことであるから、全出力の２０％以下というのは通常の範囲と考えられるばかりでなく、本願明細書の記載を見ても、最大出力下における迷光の存在割合を規定することに格別技術的な意義がみいだせない。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、刊行物１記載のもの及び刊行物２〜４に記載されたような従来周知の技術から予測し得る程度のものである。　
　
（４）むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２〜４に記載されたような従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。