【事件の表示】
　特願２００５−１７８１８３「マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１２日出願公開、特開２００６−　１１４３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ　手続の経緯 
　 
　本願は、平成１５年３月２８日に出願された特願２００３−８９９７０号の一部を新たな特許出願として、平成１７年６月１７日に出願された、いわゆる分割出願である
　本願に関して、平成１９年１０月１７日付け拒絶理由通知によって拒絶理由が通知され、それに対して同年１２月１９日付けで意見書ならびに手続補正書が提出されたものの、平成２０年２月４日付けで拒絶査定がなされ、この査定を不服として、同年３月１３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月１４日付けで手続補正がされたものである。 
　その後、当審において平成２０年１０月２８日付けで審尋がなされ、平成２１年１月５日付けで回答書が提出されている。 
　 
　 
II　平成２０年４月１４日付け手続補正についての補正の却下の決定 
　 
〔補正の却下の決定の結論〕 
　 
　平成２０年４月１４日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
　 
〔理由〕 
　 
１．本件補正の目的 
　
　本件補正は、特許請求の範囲および明細書を補正するものであって、その補正は、補正前（平成１９年１２月１９日付け手続補正によって補正。以下、同じ。）の請求項１の、 
　 
「ArFまたはEUV用転写マスクの基板として使用されるマスクブランク用基板の製造方法であって、キャリアの保持孔に保持されたマスクブランク用基板を、該基板の上下両面に研磨パッドを貼った上下定盤に挟持させ、前記上下定盤を基板の被加工面と垂直な軸にそれぞれ回転させ、キャリアに保持された基板が、研磨パッド間で自転しながら公転する摺動運動をすることにより、前記基板を両面研磨して、前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下になるようにした後、
　前記基板の少なくとも一主表面であり、露光機のステッパーに支持される領域まで含めた領域の平坦度を測定し、測定したデータに基づき基板の平坦度が所望の値となるように、前記一主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域についてエッチング作用を利用して局所的に形状修正して、基板の平坦度を修正することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。」 
　 
なる記載を、 
　 
「ArFまたはEUV用転写マスクの基板として使用されるマスクブランク用基板の製造方法であって、
　キャリアの保持孔に保持されたマスクブランク用基板を、該基板の上下両面に研磨パッドを貼った上下定盤に挟持させ、前記上下定盤を基板の被加工面と垂直な軸にそれぞれ回転させ、
　キャリアに保持された基板が、研磨パッド間で自転しながら公転する摺動運動をすることにより、
　前記基板を両面研磨して、前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下になるようにした後、
　前記基板の少なくとも一主表面であり、露光機のステッパーに支持される領域まで含めた領域の平坦度を測定し、
　測定したデータに基づき
前記基板主表面
０μｍを超え０．２５μｍ以下
と限定する補正を含むものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下、単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の、いわゆる限定的減縮を目的とする補正を含むものである。 
　 
　 
　そこで、本件補正後の請求項１に記載されている発明特定事項により特定される発明(以下、「本件補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、以下に検討する。 
　 
　 
２．本件補正発明 
　 
　本件補正発明は、上記「１．」で記載した本件補正後の請求項１記載のとおりのものである。  
　 
　 
３．引用例 
　
（１）引用例１ 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である、特開昭６２−９９０７２号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した）。 
　 
ａ．第１ページ右下欄第１６〜２０行目 
「イ．産業上の利用分野
この発明はＣａ　Ａｓ，　Ｉｎ　Ｐ等の化合物半導体やシリコン等の半導体ウエーハ或いは
ホトマスク用のガラス板
　　 
ｂ．第２ページ左上欄第１行目〜同ページ右上欄第８行目 
「ロ．従来技術
　一般に半導体ウエーハや
ホトマスク用石英ガラス等は極めて高い精度の表面の平坦度や厚さの均一性が要求される
両面ラツピングという加工方法が採用されている
　
この方法は第６図、第７図に示すように上下両研磨定盤（１），（２）間に太陽歯車（３）とインターナルギア（４）によって遊星運動する複数のキヤリア（５）を配し、該キヤリアには複数の半導体ウエーハ収容孔（６）をもうけて半導体ウエーハ（７）（以下ホトマスク用ガラス板等を含むものを言う）を収容し、上下定盤（１），（２）で半導体ウエーハ（７）を挾み遊離砥粒を分散した研削液を供給しながら上下定盤を反対方向に回転させて遊星運動する半導体ウエーハの両面をラツピングするものである
このラツピング方法による両面ラツピング中キヤリアは定盤の中心に対して自転車及び公転運動をする
　　
ｃ．第２ページ右上欄第１５行目〜同ページ左下欄第２行目 
「ところで両面ラツピング加工の場合に遊離砥粒の被加工面への供給、加工屑や異物の排出を促進し、その結果
被加工物の周辺の平坦度の低下（いわゆる周辺のダレ）等を改善して平坦度及び形状精度の良い加工を行うため
　 
ｄ．第６〜７図には、両面ラツピングに用いる装置及び方法の概略図が図示されており、上下定盤の回転軸がホトマスク用ガラス板のラッピングされる面に対して垂直になっていることが示されている。
　
〔摘記事項からの認定事項〕
ｅ．上記摘記事項ｂ．において、「・・・両面ラツピング中キヤリアは定盤の中心に対して自転車及び公転運動をするので・・・」とあるが、技術常識を踏まえると、「自転車及び公転運動」は明らかな誤記であり、「自転及び公転運動」という趣旨の記載と認められる。
　
ｆ．上記摘記事項ｂ．および上記摘記事項ｄ．で述べた第６〜７図の図示内容からして、キヤリアに収容されたホトマスク用ガラス板は、キヤリアの公転運動に追従すると共に、キヤリアの自転運動に伴ってその自転軸周りに回転すると認められる。
　
　これらの記載事項および認定事項からして、引用例１には、 
　 
「キヤリアの収容孔に収容されたホトマスク用ガラス板を上下両研磨定盤で挟み、前記上下両研磨定盤をホトマスク用ガラス板のラツピングされる面に対して垂直な回転軸で互いに反対方向に回転させ、
　両面ラツピング中キヤリアに収容されたホトマスク用ガラス板は、定盤の中心に対して公転し、かつ、キヤリアの自転軸周りに回転運動をすることにより、
　ホトマスク用ガラス板の両面をラツピングするホトマスク用ガラス板の加工方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
　 
（２）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である、特開平１０−２２６８９２号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した）。
　
ｇ．【０００３】〜【０００４】
「【０００３】
　近年では、被エッチング物の表面全体をエッチングする技術に替えて、シリコンウエハやＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）などの被エッチング物の表面上にある相対厚部に対して、局所的なエッチングを行い、被エッチング物を薄くしたり（シンニング）、表面を平坦化して、ＴＴＶ（Total Thickness Variation）やＬＴＶ（Local Thickness Variation）といった形状変動を改善する技術が考案されている（例えば、特開平６−５５７１号公報記載の技術）。
【０００４】
　図２０は、このような従来の技術の原理を示す概略図である。図２０において、符号１００はプラズマ発生部であり、プラズマ発生部１００で発生したプラズマ中の活性種ガスＧを、ノズル１０１から被エッチング物としてのウエハ１１０の表面に噴射する。ウエハ１１０はステージ１２０上に載置固定されており、ステージ１２０を水平方向に移動させることで、ウエハ１１０の表面のうち規定厚さよりも相対的に厚い部分（以下、「相対厚部」という）１１１をノズル１０１の真下に導く。これにより、活性種ガスＧをノズル１０１から凸状の相対厚部１１１に噴射し、相対厚部１１１を局所的にエッチングすることで、ウエハ１１０の表面を平坦化する。しかしながら、ウエハ１１０上の相対厚部１１１の厚さは一様ではなく、多種多様である。このため、相対厚部１１１の厚さに対応して、ノズル１０１の滞在時間を制御する技術が考案されている（例えば特開平５−１６００７４号公報記載の技術）。  
この技術は、まずウエハ１１０の全表面にわたって、相対厚部１１１の位置と厚みとを測定して、そのデータを作る。そして、このデータを、相対厚部１１１の位置やエッチング処理後にその相対厚部１１１が所望の平坦度になるようなノズル１０１の滞在時間を示す位置ー滞在時間地図に変換する。しかる後、この位置ー滞在時間地図に基づいて、ステージ１２０を制御し、ノズル１０１を所定の相対厚部１１１の真上まで移動させて、所定の時間だけ滞在させることで、この相対厚部１１１を所望エッチング量だけエッチングする。すなわち、厚みが大きい相対厚部１１１の場合には、ノズル１０１の滞在時間を長くして、エッチング量を多くし、厚みが小さい相対厚部１１１の場合には、ノズル１０１の滞在時間を短くして、エッチング量を少なくすることで、ウエハ１１０全体の平坦化を行っている
　　
ｈ．【００４３】
「【００４３】
　なお、この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。・・・（中略）・・・また、ウエハだけでなく
ガラスなどについてもエッチングすることができる
　　
（３）引用例３
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である、特開平１１−３０２８７８号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の技術的事項の記載がある（下線は当審で付した）。　
　
ｉ．【０００２】
「【０００２】
【従来の技術】図１５、従来のウエハ平坦化方法の一例を示す工程図である。図１５において、符号１００はＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）装置であり、符号２００はプラズマエッチング装置である。
このウエハ平坦化方法は、まずＣＭＰ装置１００において、スラリを供給しながら、キャリア１０１で保持押圧したウエハＷを回転する定盤１０２と逆回転させることで、定盤１０２の研磨パッド１０２ａでウエハＷの表面Ｗａを化学的機械的に鏡面加工する。しかる後、このウエハＷをプラズマエッチング装置２００に搬送し、表面Ｗａを上向きにしてホルダ２０１に保持させる。そしてプラズマ発生部２０２で生成したイオンやラジカル等の活性種ガスＧをノズル２０３からウエハＷの表面Ｗａに噴射することで、表面Ｗａの部分のうち基準厚さ値よりも厚い部分（以下「相対厚部」という）を局所的にエッチングする
さらに平坦化する
　　
　　 
４．本件補正発明と引用発明との対比 
　 
　本件補正発明と引用発明とを対比する。 
　 
＜対応関係Ａ＞ 
　引用発明の「ホトマスク用ガラス板」、「キヤリア」、「収容孔」、「上下両研磨定盤」、「ホトマスク用ガラス板のラツピングされる面」、「ラッピング」および「加工方法」は、それぞれ本件補正発明の「マスクブランク用基板」、「キャリア」、「保持孔」、「上下定盤」、「基板の被加工面」、「研磨」および「製造方法」にそれぞれ相当する。 
　 
＜対応関係Ｂ＞ 
　引用発明において、ホトマスク用ガラス板は、キヤリアの動きに応じて摺り動くから、引用発明の「両面ラツピング中キヤリアに収容されたホトマスク用ガラス板は定盤の中心に対して公転し、かつ、キヤリアの自転軸周りに回転運動をする」と本件補正発明の「キヤリアに保持された基板が、研磨パッド間で自転しながら公転する摺動運動をする」とは、「キヤリアに保持された基板が上下定盤間で公転する摺動運動をする」点で一致する。
　 
　 
　以上の対応関係からして、本件補正発明と引用発明とは、 
　 
「マスクブランク用基板の製造方法であって、
　キャリアの保持孔に保持されたマスクブランク用基板を、上下定盤に狭持させ、前記上下定盤を基板の被加工面と垂直な軸にそれぞれ回転させ、
　キャリアに保持された基板が、上下定盤間で公転する摺動運動をすることにより、
　前記基板を両面研磨するマスクブランク用基板の製造方法。」
の点で一致し、以下の相違点１〜５の点で相違する。 
　　 
（相違点１） 
　本件補正発明では、マスクブランク用基板の用途が「ArFまたはEUV用転写マスク」であるのに対して、引用発明では、ホトマスク用ガラスの用途が定められていない点。 
　 
（相違点２） 
　本件補正発明では、上下定盤に研磨パッドが貼られているのに対して、引用発明では、上下両研磨定盤が定盤に研磨パッドを貼ったものかどうかが不明な点。
　
（相違点３）
　本件補正発明では、キャリアに保持された基板が「自転」するのに対して、引用発明では、キヤリアの自転軸周りに回転する点。
　 
（相違点４） 
　本件補正発明では、両面研磨で「基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下になる」のに対して、引用発明では、そのような限定がない点。
　
（相違点５）
 　本件補正発明では、
「前記基板の少なくとも一主表面であり、露光機のステッパーに支持される領域まで含めた領域の平坦度を測定し、測定したデータに基づき前記基板主表面の平坦度が０μｍを超え０．２５μｍ以下となるように、前記一主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域についてエッチング作用を利用して局所的に形状修正して、基板の平坦度を修正する」
のに対して、引用発明では、そのような特定事項を採用していない点。
　 
　 
５．検討・判断 
　 
　上記各相違点について検討する。 
　 
（１）相違点１について 
　ホトマスクの用途として「ArFまたはEUV用転写マスク」は周知のものであるから、引用発明において、加工対象のホトマスク用ガラス板の用途を「ArFまたはEUV用転写マスク」の基板とすることは、当業者にとって格別の創意を必要としないことである。
　 
（２）相違点２について 
　定盤に研磨パッドを貼った研磨定盤は周知技術に過ぎず、引用発明に当該周知技術を採用し、上下研磨定盤を定盤に研磨パッドが貼られた構造のものとすることは、当業者にとって格別の創意を必要としないことである。
 　
（３）相違点３について
　本件補正発明におけるキャリアに保持された基板の「自転」という技術用語の意味を解釈するために、本願明細書の発明の詳細な説明を参照すると、
「【００２４】
　図３は基板表面欠陥除去部の構成を示す拡大概略図である。
　欠陥除去用加圧プレート７は、図示しない回転装置により回転軸を介して回転駆動するようになっており、研磨定盤側に研磨パッド２が貼りつけられている。
　
キャリヤ３１には偏心した位置に基板保持孔が１個設けられている
　キャリヤ３１は欠陥除去用加圧プレート７と独立した回転軸で、図示しない回転装置により回転駆動するようになっている。
　
基板保持孔に保持された基板２７は、キャリヤ３１の回転とともに自転
という記載がある（下線は当審で付した）。
　当該記載によると、基板はキャリアの偏心した位置に保持され、キャリアの回転とともに自転するものであるから、技術常識からして当該基板はキャリアの回転軸周りの回転を行うことは明らかであるので、本件補正発明において、キャリアに保持された基板の「自転」とは、キャリアの回転軸周りの回転も含んだ概念であると認められる。
　そうすると、相違点３については、表現上の差異に過ぎず、実質的な相違点ではない。
　
（４）相違点４について
　マスクブランク用基板において、表面粗さや平坦度をなるべく小さくすることは周知課題であるから、一般論として、両面研磨の際にそれらの目安を定めることは、当業者にとって格別の創意を必要としない設計的事項である。
　以下、本件補正発明において、両面研磨後の表面粗さや平坦度に特定の数値条件を課すことに、単なる設計的事項に留まらない格別の技術的意義が存在するか否かを検討する。
　ここで、本件補正後の請求項２に「前記エッチングはドライエッチングであることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板」とあり、本願明細書の発明の詳細な説明に、
「【００１６】
　本発明における形状修正は１枚ずつ行うことが好ましい。局所的に形状修正する方法としては、機械的に修正する方法、化学的に修正する方法、機械的及び化学的に修正する方法が挙げられる。
　本発明に用いる基板の形状修正方法としては、エッチングを用い、ウェットエッチングとドライエッチングがある。
　ウェットエッチングの場合、厳密な形状修正を行う場合は、比較的凸状の領域を残しそれ以外はエッチング耐性を有する材料にてマスキングした後、エッチングすることで凸状の領域を局所的に形状修正することができる。
　ドライエッチングの場合、エッチングガスを凸状の領域に供給しながら局所的に形状修正するので、マスキングを使用するウェットエッチングと比較して簡素化できさらに高精度の形状修正ができるので好ましい。
　また、後者の場合、研磨砥粒を含むスラリーの中に基板に対しエッチング作用をもたらす溶媒を含ませることにより、研磨速度の調整などをすることができるので好ましい。
　エッチングに使用するエッチャントとしては、基板がＳｉＯ２を含むガラスの場合、フッ素を含む酸性の溶液またはガス、またはアルカリ性の溶液が挙げられる。」
という記載があることからして、本件補正発明における「エッチング作用を利用して局所的に形状修正」には、ウェットエッチングやドライエッチング等で形状修正を行うものが含まれていることが明らかである。
　また、
「【０００８】
・・・（中略）・・・
　形状修正を行う前の基板を両面研磨によって基板の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下にすることによって、形状修正の負荷を低減することができるので、生産性が向上することができる。また、上述の形状修正の手段として基板を腐蝕させて除去するエッチング（特に、ドライエッチング）においては、形状修正の時に基板の表面粗さが荒れる傾向にあるので、形状修正の負荷が低減したことにより、形状修正を行う前の基板に対して表面粗さの維持、または荒れを抑えることができる。」
と記載されており、ウェットエッチングやドライエッチング等で形状修正を行うものについて、両面研磨加工後の表面粗さや平坦度に特定の数値条件を課すことにより、形状修正の負荷を低減し、表面粗さの維持または、荒れを抑えることができるという技術的意義が一応記載されている。
　ところが、本願明細書の発明の詳細な説明中には、ウェットエッチングやドライエッチングで形状修正を行うものにおいて、両面研磨により「基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下」とした実施例等は開示されておらず、当該両面研磨に関する特定の数値条件について何らの検証もなされていない。
　そもそも、本願明細書の発明の詳細な説明によれば、上記【００１６】でいうところの「機械的に修正する方法」（実施例１〜４）と「機械的及び化学的に修正する方法」（実施例５）しか実験的な検証はなされておらず、それらの実験によって得られた条件をそのまま「化学的に修正する方法」であるウェットエッチングやドライエッチング等で形状修正を行うものに援用できると認めるに足る合理的理由もない。
　さらに、技術常識を踏まえると、ウェットエッチングやドライエッチングに関する様々な条件（エッチングに使う溶液やガスの成分種別、濃度や温度条件等）により、エッチングによる基板表面の腐食の進行速度や程度等が異なると考えられ、表面粗さの維持または、荒れを抑えることができるかどうかは、それらのエッチング条件にも依存すると認められる。例えば、腐食による基板表面の荒れの進行速度が著しく速いようなエッチング条件下では、両面研磨後の平坦度を１μｍ以下とするだけでは、表面粗さの維持は困難である。
　そうすると、それらのエッチングに関する条件と無関係に両面研磨後の表面粗さと平坦度の条件を定めるだけでは、「形状修正を行う前の基板に対して表面粗さの維持、または荒れを抑えることができる。」という作用効果を奏させることができるとはいえない。
　以上のとおり、両面研磨後の表面粗さや平坦度に特定の数値条件を課すだけでは格別の作用効果を奏するとはいえないから、当該数値条件に単なる設計的事項に留まらない格別の技術的意義は認められず、両面研磨で「基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下」とする条件は、格別の技術的意義を有さない単なる目安を示したものに過ぎない。
　よって、引用発明においても、両面研磨で「基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下」とする目安を定めることは、当業者にとって格別の創意を必要とすることではない。
　
（５）相違点５について
　上記ｇ．の摘記事項によれば、引用例２には、ウエハの全表面にわたって、相対厚部の位置と厚みとを測定してデータを作り、そのデータに基づいて、所望の平坦度になるように、相対厚部をプラズマエッチングして、ウエハ全体の平坦化を行う技術が記載されており、かつ、上記ｈ．の摘記事項によれば、プラズマエッチングがガラスなどについても適用可能であることも示されている。また、引用例３の上記ｉ．の摘記事項によれば、研磨加工の後に局所的にプラズマエッチングをすることで表面を研磨加工単独よりもさらに平坦化できることも公知または周知の技術的事項である。
　そして、マスクブランク用基板の平坦度をなるべく小さくすることは周知課題であるから、引用例３に記載の公知または周知の技術的事項に基づき、引用発明のホトマスク用ガラス板の加工方法に、引用例２に記載の、相対厚部の位置と厚みとを測定してデータを作り、そのデータに基づいて、所望の平坦度になるように相対厚部をプラズマエッチングして全体の平坦化を行う技術を付加することは、当業者であれば容易になし得ることである。
　また、上記ｃ．の摘記事項によれば、引用発明のようなホトマスク用ガラス板の加工の際には、周辺部分の平坦度や形状精度も良くしたいという課題が存在することも示されているから、上記したように、引用発明に引用例２に記載の技術を付加する際に、測定およびプラズマエッチングを行う対象となる範囲について、ホトマスク用ガラス板の周辺部分を含むガラス板全体とすることは、当業者であれば容易に想到することである。
　さらに、基板の用途に応じて加工後の最終的な平坦度に適当な目安を定めることは、当業者にとって格別の創意を必要としない設計的事項であるから、最終的な平坦度の目安を「０μｍを超え０．２５μｍ以下」とすることにも特段の困難性は認められないし、そのようにしたことで従来技術から予測し得ない格別の作用効果が奏されるものでもない。
　してみると、引用発明において、引用例３に記載の技術的事項に基づき、引用例２に記載の技術を付加し、「前記基板の少なくとも一主表面であり、露光機のステッパーに支持される領域まで含めた領域の平坦度を測定し、測定したデータに基づき前記基板主表面の平坦度が０μｍを超え０．２５μｍ以下となるように、前記一主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域についてエッチング作用を利用して局所的に形状修正して、基板の平坦度を修正する」ようになすことは、当業者であれば容易になし得ることである。
　　
　 
　そして、本件補正発明が奏する作用効果は、引用発明、引用例２〜３に記載された技術的事項および周知の技術から当業者が予測できる範囲のものである。 
　 
　よって、本件補正発明は、引用発明、引用例２〜３に記載された技術的事項および周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
　 
６．本件補正についてのむすび 
　 
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　 
　 
　 
III　本願発明について 
　 
１．本願発明 
　 
　平成２０年４月１４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成１９年１２月１９日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
　 
「ArFまたはEUV用転写マスクの基板として使用されるマスクブランク用基板の製造方法であって、キャリアの保持孔に保持されたマスクブランク用基板を、該基板の上下両面に研磨パッドを貼った上下定盤に挟持させ、前記上下定盤を基板の被加工面と垂直な軸にそれぞれ回転させ、キャリアに保持された基板が、研磨パッド間で自転しながら公転する摺動運動をすることにより、前記基板を両面研磨して、前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下になるようにした後、
　前記基板の少なくとも一主表面であり、露光機のステッパーに支持される領域まで含めた領域の平坦度を測定し、測定したデータに基づき基板の平坦度が所望の値となるように、前記一主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域についてエッチング作用を利用して局所的に形状修正して、基板の平坦度を修正することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。」 
　 
　 
２．引用例 
　 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例およびその記載事項は、前記「II〔理由〕３．引用例」に記載したとおりである。 
　 
　 
３．本願発明と引用発明との対比、検討・判断 
　 
　本願発明は、上記「II　〔理由〕２．本件補正発明」で検討した本件補正発明の発明特定事項において、「前記基板の主表面の平坦度が０μｍを超え０．２５μｍ以下となるように」との限定事項を省いたものに相当する。
　 
　そして、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに発明特定事項に限定を加えたものに相当する本件補正発明は、上記「II　〔理由〕５．検討・判断」に記載したとおり、引用発明、引用例２〜３に記載された技術的事項および周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　してみると、本件補正発明から一部の限定事項を省いた本願発明も同様の理由により、引用発明、引用例２〜３に記載された技術的事項および周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　
　 
４．むすび 
　 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　 
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。